(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧力検出用のダイヤフラム（１）が形成された半導体基板（１０）とこの半導体基板とは異なる材料よりなる異種基板（２０）とを接合したウェハを、チップ単位にダイシングカットするようにした半導体圧力センサの製造方法において、
前記半導体基板として、前記異種基板との接合面がシリコン単結晶の（１００）面であるものを用意し、
この半導体基板の前記接合面のうち前記ダイヤフラムを形成すべき部位及びダイシングラインに対応した部位に、異方性エッチングを施すことにより、前記ダイヤフラムを形成すべき部位にはテーパ部（１ａ）を有する凹部を形成して、前記ダイヤフラムを形成するとともに、ダイシングラインに対応した部位には、側面が（１１１）面で囲まれた、前記接合面からの深さが前記凹部よりも浅い、前記接合面からＶ形状に凹んだ溝部（７）を形成する工程と、
前記半導体基板と前記異種基板とを接合することにより、これら両基板の接合界面のうちダイシングラインに対応した部位に、前記溝部と前記異種基板とで囲まれた空洞部（８）を形成する工程と、
しかる後、前記半導体基板をその表面側から前記空洞部に向かってダイシングブレード（１４）が前記空洞部内で止まるようにダイシングカットする工程と、
前記異種基板をその表面側から前記空洞部に向かってダイシングブレード（１５）が前記空洞部内で止まるようにダイシングカットする工程とを備えることを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。
【請求項２】
前記異種基板（２０）は、ガラスよりなるガラス基板であることを特徴とする請求項１に記載の半導体圧力センサの製造方法。
【請求項３】
前記溝部（７）を形成するために前記半導体基板（１０）の前記接合面に形成されるマスクパターン（６ｂ）は、前記ダイシングラインの交差点においては、一方のダイシングラインに沿ったパターン（６ｄ）に対して他方のダイシングラインに沿ったパターン（６ｃ）を分断して離すことにより、前記交差点にてパターンが交差しないように形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体圧力センサの製造方法。
【請求項４】
前記一方のダイシングラインに沿ったパターン（６ｄ）と前記他方のダイシングラインに沿ったパターン（６ｃ）とは、最終的に前記溝部（７）が形成された時点で、前記ダイシングラインの交差点において前記溝部が交差しない状態となるように、離されて形成されることを特徴とする請求項３に記載の半導体圧力センサの製造方法。
【請求項５】
前記マスクパターン（６ｂ）は、最終的に前記溝部（７）が形成された時点で、前記溝部が前記半導体基板（１０）の外周端部から離れているように、前記半導体基板の外周端部から離されて形成されることを特徴とする請求項３または４に記載の半導体圧力センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、圧力検出用のダイヤフラムが形成された半導体基板とこの半導体基板とは異なる材料よりなる異種基板とを接合したウェハを、チップ単位にダイシングカットするようにした半導体圧力センサの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
この種の半導体圧力センサの製造方法としては、特開平６−６１３４５号公報に記載のものが提案されている。これは、分断に必要なダイシングラインの幅を減少するために、圧力検出用のダイヤフラムが形成されたシリコン基板（半導体基板）とガラス基板（異種基板）とを接合した接合ウェハを、個々のチップに分断する際に、シリコン基板の表面からダイシングカットし、かつ同じ箇所においてガラス基板の表面からダイシングカットを行なうようにしたものである。
【０００３】
この場合、シリコン基板とガラス基板との両側から切り込みを入れるため、通常は、ガラス基板側は、ガラスの切断に適切なガラス基板専用ブレード、シリコン基板側は、シリコンの切断に適切なシリコン基板専用ブレードを使用する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の製造方法では、シリコン基板、ガラス基板、及び、ダイシングにおいて接合ウェハを支持する接着シート等の厚さばらつき等により、ガラス基板専用ブレードがシリコン基板まで切り込んだり、逆に、シリコン基板専用ブレードがガラス基板まで切り込んだりすることが、避けられない。
【０００５】
ここで、ダイシングブレードは、その材質、幅、表面粗さ等が、被切断物に合わせて選定されている。そのため、互いに異種材料の基板の接合界面を越えて、専用外の材料を切り込んだ場合、磨耗度合が不均一となり、最悪の場合、ブレードが欠けたりする。
【０００６】
また、上記従来の製造方法では、シリコン基板側及びガラス基板の両側から切り込みが入った接合界面の近傍は、非常にチッピング不良の発生し易い鋭角な形状となる。そのため、チップのエッジ部が欠けやすく、歩留り良く製造することは困難である。
【０００７】
そこで、本発明は上記問題に鑑み、圧力検出用のダイヤフラムが形成された半導体基板とこの半導体基板とは異なる材料よりなる異種基板とを接合したウェハを、チップ単位にダイシングカットするようにした半導体圧力センサの製造方法において、ダイシングブレードの長寿命化を図るとともに、チップの接合界面におけるエッジ部の欠けを抑制することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１記載の発明においては、半導体基板（１０）として、異種基板（２０）との接合面の面方位がシリコン単結晶の（１００）面であるものを用意し、この半導体基板の接合面のうちダイヤフラム（１）を形成すべき部位及びダイシングラインに対応した部位に、異方性エッチングを施すことにより、ダイヤフラムを形成すべき部位にはテーパ部（１ａ）を有する凹部を形成して、ダイヤフラムを形成するとともに、ダイシングラインに対応した部位には、側面が（１１１）面で囲まれた、接合面からの深さが凹部よりも浅い、接合面からＶ形状に凹んだ溝部（７）を形成する工程と、半導体基板と異種基板とを接合することにより、これら両基板の接合界面のうちダイシングラインに対応した部位に、溝部と異種基板とで囲まれた空洞部（８）を形成する工程と、しかる後、半導体基板をその表面側から空洞部に向かってダイシングブレード（１４）が空洞部内で止まるようにダイシングカットする工程と、異種基板をその表面側から空洞部に向かってダイシングブレード（１５）が空洞部内で止まるようにダイシングカットする工程とを備えることを特徴としている。
【０００９】
本発明によれば、半導体基板として、異種基板との接合面の面方位が（１００）面であるものを用い、異方性エッチングを施すことにより、ダイヤフラムを形成すると同時に、該接合面におけるダイシングラインに対応した部位に、接合面からＶ形状に凹み且つその側面が（１１１）面である溝部を形成することができる。
【００１０】
続いて、半導体基板と異種基板とを接合することにより、これら両基板の接合界面のうちダイシングラインに対応した部位に、溝部と異種基板とで囲まれた空洞部がダイシングラインに対応した位置に形成されるため、ダイシングラインにおいては、半導体基板と異種基板とが接触していない形とすることができる。
【００１１】
そして、半導体基板及び異種基板の各々の表面側から空洞部に向かってダイシングカットする際に、ダイシングブレードを空洞部内で止めることで、半導体基板及び異種基板のカットを完了させることができる。そのため、半導体基板専用のダイシングブレードが異種基板に接触したり、異種基板専用のダイシングブレードが半導体基板に接触することが無くなる。
【００１２】
また、上記空洞部の存在により、半導体基板と異種基板との接合界面におけるエッジ部の欠けの問題も解消される。従って、本発明によれば、ダイシングブレードの長寿命化を図るとともに、チップの接合界面におけるエッジ部の欠けを抑制することができる。なお、異種基板（２０）としてはガラスよりなるガラス基板等を用いることができる。
【００１３】
また、請求項３の発明では、溝部（７）を形成するために半導体基板（１０）の接合面に形成されるマスクパターン（６ｂ）として、ダイシングラインの交差点においては、一方のダイシングラインに沿ったパターン（６ｄ）に対して他方のダイシングラインに沿ったパターン（６ｃ）を分断して離すことにより、ダイシングラインの交差点にてパターンが交差しないように形成されたものを採用することを特徴としている。
【００１４】
もし、溝部を形成するために半導体基板の接合面に形成されるマスクパターンが、ダイシングラインの交差点において交差していると、交差したマスクパターンは、図５に示す様にエッジ部（Ｋ）を有する。このエッジ部は、エッチングレートの速い（３１１）面に対応する部分であり、このエッジ部が存在すると、上記異方性エッチングにおいて、（３１１）面に沿ってエッジ部がエッチングされ、チップにおける半導体基板の角部が落ちてしまうという不具合（角落ち）が起こりやすい。
【００１５】
その点、本発明によれば、上記マスクパターンが、ダイシングラインの交差点において交差しないから、マスクパターンにおいて（３１１）面に対応するエッジ部が存在しない。そのため、ダイヤフラム及び溝部を形成するための異方性エッチングによって、チップにおける半導体基板の角落ちの不具合が無くなり、好ましい。
【００１６】
また、請求項４の発明では、請求項３記載のマスクパターン（６ｂ）において、一方のダイシングラインに沿ったパターン（６ｄ）と他方のダイシングラインに沿ったパターン（６ｃ）とを、最終的に溝部（７）が形成された時点で、ダイシングラインの交差点において溝部が交差しない状態となるように、離して形成することを特徴としている。
【００１７】
もし、最終的に溝部が形成された時点で、ダイシングラインの交差点において溝部が交差していると、この溝部の交差部分にて、溝部の側面即ち（１１１）面が交差してつながった形となる。半導体基板における（１１１）面は、もともと劈開しやすい面であり、この劈開しやすい（１１１）面がつながってしまうと、より劈開しやすくなる。その点、本発明によれば、このような劈開を抑制することができ、好ましい。
【００１８】
また、請求項５の発明では、上記のマスクパターン（６ｂ）を、最終的に溝部（７）が形成された時点で、溝部が半導体基板（１０）の外周端部から離れた状態となるように、半導体基板の外周端部から離して形成することを特徴としている。
【００１９】
本発明によれば、最終的に溝部が形成された時点で、溝部が、半導体基板の外周端部から離れているため、溝部の側面である（１１１）面からの劈開を発生しにくくすることができ、半導体基板の信頼性を向上させることができる。
【００２０】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。図１〜図３は、本実施形態に係る半導体圧力センサの製造方法を示す工程図である。本製造方法は、最終的に図２（ｃ）に概略断面構成を示す半導体圧力センサ１００を製造するもので、図１及び図２（ａ）、（ｂ）は工程途中の状態を示す図であり、図１及び図２（ａ）、（ｂ）中の破線ＤＬは、ダイシングラインである。また、図３は、ダイシングカット工程の詳細を示す拡大断面図であり、図２（ｃ）中のＡ部の拡大部分に相当する。
【００２２】
まず、図２（ｃ）に示す様に、本実施形態の半導体圧力センサ１００は、圧力検出用のダイヤフラム１が形成された半導体基板１０とガラス基板（本発明でいう異種基板）２０とを接合したウェハを、チップ単位にダイシングカットすることにより形成されたものである。
【００２３】
ここで、半導体基板１０は、共に主表面の面方位が（１００）面である第１のシリコン基板１１と第２のシリコン基板１２とを、これら第１及び第２のシリコン基板１１、１２の間に埋め込まれた埋込酸化膜（本発明でいう絶縁膜）１３を介して貼り合わされてなるＳＯＩ（シリコン−オン−インシュレータ）基板である。
【００２４】
半導体基板１０の第２のシリコン基板１２側の主表面から第２のシリコン基板１２に、凹部を形成することにより、該凹部に対応する第１のシリコン基板１１及び埋込酸化膜１３によって、上記ダイヤフラム１が形成されている。そして、第２のシリコン基板１２の主表面には、ガラス基板２０が陽極接合され、ダイヤフラム１とガラス基板２０との間のキャビティ２に真空室を形成している。
【００２５】
このダイヤフラム１の第１のシリコン基板１１における主表面側には、ダイヤフラム１の歪みに基づく電気信号を発生するゲージ拡散抵抗（歪みゲージ）３が、ブリッジ回路を構成するように形成されている。また、第１のシリコン基板１１のうちダイヤフラム１以外の部位には、ｐ層やｎ層の拡散によって、バイポーラトランジスタやＭＯＳトランジスタ等の複数個の回路素子４が形成されており、これら回路素子４により、ゲージ拡散抵抗３からの電気信号を検出する回路部が構成されている。
【００２６】
また、これら回路素子４及びゲージ拡散抵抗３の各表面素子は、第１のシリコン基板１１を厚み方向に突き抜け埋込酸化膜１３に達するトレンチ溝５を介して互いに絶縁分離されている。トレンチ溝５内には、ポリシリコン等が充填され絶縁性を高めている。このように、各表面素子３、４をＰＮ接合による分離のみでは無くて、素子面積を小さくすることが可能なトレンチ溝５による絶縁分離を採用することにより、よりいっそうチップの小型化に有利である。
【００２７】
次に、本センサ１００の製造方法について製造工程順に説明していく。まず、ウェハ状態の上記半導体基板１０を用意する。そして、図１（ａ）に示す様に、一般的な半導体製造方法を用いて、第１のシリコン基板１１の主表面（半導体基板１０の表面）に、トレンチ溝５、ゲージ拡散抵抗３やバイポーラ、ＭＯＳトランジスタ等の回路素子４を形成する（表面素子形成工程）。なお、図１〜図３においては、配線や保護膜は省略してある。
【００２８】
次に、図１（ｂ）に示す様に、半導体基板１０においてガラス基板２０との接合面となる第２のシリコン基板１２の主表面（半導体基板１０の裏面）を、研削、研磨することにより、第２のシリコン基板１２を薄肉化する（研削・研磨工程）。これは、後述のダイヤフラムエッチング工程（図１（ｅ）参照）にて、シリコンの異方性エッチングを用いるので、ガラス基板２０との接合面積を増加させる等の目的でテーパ部１ａを短くしたり、ガラス基板２０との接合の際にうまく接合を行うべく第２のシリコン基板１２の主表面を鏡面とするためである。
【００２９】
次に、図１（ｃ）に示す様に、第２のシリコン基板１２の主表面に、ダイヤフラムエッチング工程（図１（ｅ）参照）におけるマスクとなり得るＳｉＮ系膜や酸化膜等といった堆積膜６を形成する（堆積膜形成工程）。この堆積膜６は、ＣＶＤやスパッタ等により成膜することができる。本例では、ＳｉＯ系膜を下地としたＳｉＯ／ＳｉＮ系膜の積層膜を採用している。
【００３０】
また、堆積膜６の膜厚としては、本例では、後述のマスク除去工程（図２（ａ）参照）の後、埋込酸化膜１３が十分残り得る膜厚とする。例えば、埋込酸化膜１３は１．３μｍ、ＳｉＯ／ＳｉＮ系膜では、ＳｉＯ系膜が０．２μｍ、ＳｉＮ系膜が１．０μｍである。なお、堆積膜６としては、本例以外にもＳｉＯ系膜やＳｉＮ膜の単層構成でも良い。
【００３１】
次に、図１（ｄ）に示す様に、第２のシリコン基板１２の主表面に形成された堆積膜６のうちダイヤフラム１を形成すべき部位６ａ及びダイシングラインＤＬに対応した部位６ｂの堆積膜６を、エッチングして除去することによりパターニングし、所望のパターンを有するマスクを形成する（マスク形成工程）。
【００３２】
ここで、本例では、ＳｉＮ系膜のパターニングはドライエッチングを用い、次に、下地のＳｉＯ系膜をフッ酸系エッチング液でパターニングする。このＳｉＯ系膜のエッチングは短時間で済む。そのため、このとき、第１のシリコン基板１１に形成された表面素子３、４を、一般的な半導体製造に用いられるレジストにて被覆しておけば、これら表面素子３、４の保護は可能である。
【００３３】
出来上がった堆積膜６よりなるマスクについて、第２のシリコン基板１２の主表面からみたマスクパターンを図４に示す。図４に示すマスクパターンにおいて、６ａで示す点々ハッチング部は、ダイヤフラム１を形成すべき部位の開口部のパターンであり、６ｂで示す斜線ハッチング部は、ダイシングラインＤＬに対応した部位の開口部のパターンであって、後のダイヤフラムエッチング工程（図１（ｅ）参照）において、溝部７を形成するための溝部形成用パターンである。
【００３４】
この溝部形成用パターン６ｂは、ダイシングラインＤＬの交差点においては、一方（図４ではＹ方向）のダイシングラインＤＬに沿ったパターン６ｄに対して他方（図４ではＸ方向）のダイシングラインＤＬに沿ったパターン６ｃを分断して離すことにより、当該交差点にて両パターン６ｃ、６ｄが交差しないように形成されている。
【００３５】
次に、図１（ｅ）に示す様に、上記マスクが形成された第２のシリコン基板１２を、その主表面側から異方性エッチングを施すことにより、ダイヤフラム１と、第２のシリコン基板１２の主表面（接合面）からＶ形状に凹んだ上記溝部７とを形成する（ダイヤフラムエッチング工程）。
【００３６】
このときシリコンのエッチング液としては、例えば、ＫＯＨやＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウム）等を用いる。また、このエッチングの際には、第１のシリコン基板１１の表面をエッチング液から保護することは、如何なる方法でも良い。例えば、ワックスによる保護や、ウェハ外周部をシールし表面にエッチング液を回り込ませない製造装置による保護等である。
【００３７】
ここで、第２のシリコン基板１２の面方位を（１００）面としており、また、ダイヤフラム１を形成するシリコンエッチングは、埋込酸化膜１３がストッパーとなるため、図１（ｅ）に示す様に、第２のシリコン基板１２には、上記テーパ部１ａを有する形状の凹部が形成される。そして、この凹部に対応した部位に、第１のシリコン基板１１及び埋込酸化膜１３からなるダイヤフラム１が出来上がる。
【００３８】
同時に、Ｖ形状の溝部７も形成されるが、第２のシリコン基板１２の面方位を（１００）面としているので、溝部７のＶ型は（１１１）面に囲まれた段階でストップする。いわゆる異方性エッチングストップを利用することにより、側面が（１１１）面で囲まれた溝部７が形成される。
【００３９】
ここで、上記図４に示したようなマスクパターンを採用したことによる効果について述べておく。溝部形成用パターン６ｂは、ダイシングラインＤＬの交差点においては、一方のダイシングラインＤＬに沿ったパターン６ｄと、他方のダイシングラインＤＬに沿ったパターン６ｃとが、交差しないように形成されている。これによれば、次のような効果がある。
【００４０】
もし、図５に示す様に、溝部形成用パターン６ｂが、ダイシングラインＤＬの交差点において交差していると、交差した両パターン６ｃ、６ｄの部分には、エッジ部Ｋが存在する。このエッジ部Ｋは、第２のシリコン基板１２においてエッチングレートの速い（３１１）面に対応する部分である。
【００４１】
このエッジ部Ｋが存在すると、上記異方性エッチングにおいて、図５中の破線に示す様に、（３１１）面に沿ってエッジ部Ｋがエッチングされ、最終的には、半導体基板１０は（３１１）面が現れた１２角形のチップとなってしまう、このように、溝部形成用パターン６ｂが交差し上記エッジ部Ｋが存在すると、半導体基板１０は４角形のチップ形状にしたいにもかかわらず、チップの角部が落ちた形となるという不具合（角落ち）が起こりやすい。
【００４２】
その点、図４に示す様にすれば、溝部形成用パターン６ｂが、ダイシングラインＤＬの交差点において交差していないから、上記（３１１）面に対応するエッジ部Ｋが存在しない。そのため、ダイヤフラムエッチング工程における異方性エッチングの際に、チップにおける半導体基板１０の角落ちが発生せず、好ましい。
【００４３】
ここで、溝部形成用パターン６ｂにおいては、上記した一方のパターン６ｄと他方のパターン６ｃとが、最終的に溝部７が形成された時点で、ダイシングラインＤＬの交差点において溝部７が交差しない状態となるように、離されて形成されることが好ましい。
【００４４】
もし、最終的に溝部７が形成された時点で、ダイシングラインＤＬの交差点において溝部７が交差していると、この溝部７の交差部分にて、溝部７の側面即ち（１１１）面が交差してつながった形となる。シリコン基板の（１１１）面は、もともと劈開しやすい面であり、この劈開しやすい（１１１）面がつながってしまうと、より劈開しやすくなる。
【００４５】
その点、上記のように一方のパターン６ｄと他方のパターン６ｃとの間隔を、最終的に溝部７が形成された時点で、溝部７が交差しない状態となるように離せば、このような劈開を抑制することができ、好ましい。また、この間隔は、十分に狭い（〜数１０μｍ）ものとできるので、ダイシングによる不具合は殆ど無視できる。
【００４６】
また、上記図４に示す溝部形成用マスクパターン６ｂでは、最終的に溝部７が形成された時点で、溝部７が半導体基板１０の外周端部から離れているように、半導体基板１０の外周端部から離されて形成されている。それによれば、劈開しやすい（１１１）面を側面として持つ溝部７が、半導体基板１０の外周端部に露出するのを防止できるため、ウェハ状態の半導体基板１０の割れを抑制できる等、ウェハの信頼性を向上させることができる。、
このようにして、ダイヤフラム１及び溝部７を形成した後、次に、図２（ａ）に示すマスク除去工程を行う。上記ダイヤフラムエッチング工程に用いた堆積膜６よりなるマスクを、ＳｉＮ系膜、ＳｉＯ系膜の順に全面除去する。除去方法は、上記マスク形成工程にてパターニングした方法と同一の方法により行うことができる。
【００４７】
ここで、本例では、堆積膜６のＳｉＯ系膜の膜厚は０．２μｍと非常に薄いため、堆積膜６のＳｉＯ系膜を除去しても、埋込酸化膜１３は十分残り得る。また、ＳｉＯ系膜をフッ酸系エッチング液で除去する方法では、第２のシリコン基板１２の主表面において鏡面が保持され、陽極接合に耐えうる界面を確保可能である。また、このとき、フッ酸系エッチング液が等方性エッチングの特性を持つため、埋込酸化膜１３はダイヤフラム１の端部にて丸められた形状となり、破壊強度が向上する。
【００４８】
このように、本例では、マスクをＳｉＯ／ＳｉＮ系膜の積層構造としているため、ダイヤフラムエッチング工程において、単層のマスクに比較して格段に優れたマスク性能が確保され、第２のシリコン基板１２の主表面を、より確実に保護することができる。そのため、第２のシリコン基板１２の主表面における鏡面を確実に保持することができる。
【００４９】
また、本例では、埋込酸化膜１３が残るダイヤフラム１の構造としたが、如何なるダイヤフラム構造を形成しても良い。例えば、埋込酸化膜１３を残さずに、第１のシリコン基板（ＳＯ１層）１１のみよりなるダイヤフラム１でも良いし、更には、第１のシリコン基板１１を所望量エッチングした構造のダイヤフラム１でも良い。
【００５０】
次に、図２（ｂ）に示す様に、半導体基板１０と異種基板であるガラス基板２０とを接合することにより、これら両基板１０、２０の接合界面のうちダイシングラインＤＬに対応した部位に、溝部７とガラス基板２０とで囲まれた空洞部８を形成する（基板接合工程）。具体的には、第２のシリコン基板１２の主表面とガラス基板２０とを真空中にて貼り合わせ、陽極接合を行う。
【００５１】
本例では、このとき、同時に、ダイヤフラム１とガラス基板２０との間のキャビティ２に真空室が形成され、絶対圧センサ構造となる。なお、ガラス基板２０に対して、キャビティ２へ連通するような圧力導入孔を形成することにより、相対圧型センサとして構成されたものに対しても、本実施形態は適用可能である。
【００５２】
最後に、図２（ｃ）及び図３に示す様に、ダイシングカットを実施し、半導体基板１０とガラス基板（異種基板）２０とを接合したウェハを、チップ単位に分断し、半導体圧力センサ１００を形成する（ダイシングカット工程）。このダイシングカット工程は、半導体基板カット工程と異種基板カット工程とよりなる。
【００５３】
まず、半導体基板１０を、その主表面（表面素子３、４の形成面）側からダイシングラインＤＬに沿って空洞部８に向かって、半導体基板用ダイシングブレード１４によりカットしていき、ダイシングブレード１４の先端が空洞部８内で止まるようにする（半導体基板カット工程）。ここでは、シリコン専用ダイシングブレード１４として３０μｍ幅のブレードを用いる。
【００５４】
次に、ガラス基板（異種基板）２０を、その主表面側からダイシングラインＤＬに沿って空洞部８に向かって、ガラス基板用ダイシングブレード１５によりカットしていき、ダイシングブレード１５の先端が空洞部８内で止まるようにする（異種基板カット工程）。ガラス専用ダイシングブレード１５の幅はガラス基板２０の厚さに適応するものであれば如何なる幅のものでも良い。ガラス基板２０の厚さは、センサチップの圧力特性を満足するように設定される。
【００５５】
ここでは、ガラス専用ダイシングブレード１５として、厚さが〜３．０ｍｍ程度までのガラス基板２０に対応可能な２００μｍ幅のブレードを用いる。また、ガラス専用のダイシングブレード１５のブレード幅はシリコン専用のものに比べて厚いが、溝部７の幅は、ガラス専用のダイシングブレード１５のブレード幅以上とし、該ブレード１５が半導体基板１０に接触しないようにする。
【００５６】
このダイシングカット工程においては、空洞部８によってチップ側面に傾斜面９が形成されているためチッピング不良（チップのエッジ部の欠け）が格段に低減される。また、両ダイシングブレード１４、１５は、それぞれ専用外の材料に切り込みを入れることは無いので、摩耗等によってブレード寿命を損なうことは無くなる。つまり、各ブレード１４、１５の完全な専用化が可能である。こうして、ダイシングカット工程の終了に伴い、半導体圧力センサ１００が完成する。
【００５７】
このような製造工程を経て製造された半導体圧力センサ１００は、圧力検出用のダイヤフラム１を有する半導体基板１０の一面とガラス基板（ガラス台座）２０の一面とが接合されてなるものであって、半導体基板１０の一面の面方位が（１００）面であり、半導体基板１０の外周端面には、半導体基板１０の一面から他面側に向かってガラス基板２０の外周よりも外方へはみ出すように傾斜した傾斜面９が形成されており、この傾斜面９の面方位が（１１１）面であることを特徴とする構成となる。
【００５８】
かかる半導体圧力センサ１００においては、第１のシリコン基板１１の主表面側から圧力が印加されると、ダイヤフラム１が歪み、このダイヤフラム１の歪みに基づいてゲージ拡散抵抗３の抵抗値が変化し、上記ブリッジ回路における電圧値が変化する。この変化した電圧値が電気信号として上記回路部にて検出されることにより、印加圧力が検出されるようになっている。
【００５９】
以上のように、本実施形態によれば、半導体基板１０として、ガラス基板（異種基板）２０との接合面の面方位が（１００）面であるものを用い、異方性エッチングを施すことにより、ダイヤフラム１を形成すると同時に、該接合面におけるダイシングラインＤＬに対応した部位に、接合面からＶ形状に凹み且つその側面が（１１１）面である溝部７を形成することができる。
【００６０】
そして、半導体基板１０とガラス基板２０とを接合することにより、これら両基板１０、２０の接合界面のうちダイシングラインＤＬに対応した部位に、溝部７とガラス基板２０とで囲まれた空洞部８がダイシングラインＤＬに対応した位置に形成されるため、ダイシングラインＤＬにおいては、半導体基板１０とガラス基板２０とが接触していない形とすることができる。
【００６１】
そして、半導体基板１０及びガラス基板２０の各々の主表面側から空洞部８に向かってダイシングカットする際に、各ダイシングブレード１４、１５の先端を空洞部８内で止めることで、半導体基板１０及びガラス基板２０のカットを完了させることができる。そのため、半導体基板専用のダイシングブレード１４がガラス基板２０に接触したり、ガラス基板専用のダイシングブレード１５が半導体基板１０に接触することが無くなる。
【００６２】
そのため、両ダイシングブレード１４、１５は、それぞれ専用外の材料に切り込みを入れることは無く、摩耗等によってブレード寿命を損なうことは無くなり、ダイシングブレード１４、１５の長寿命化を図ることができる。また、上記空洞部８の存在により上記傾斜面９が形成されるため、半導体基板１０とガラス基板２０との接合界面におけるエッジ部の欠けを抑制することができる。
【００６３】
また、本実施形態によれば、上述したように、溝部形成用パターン６ｂが交差する部分を持たないようにすることにより、チップにおける半導体基板１０の角落ちの不具合防止、半導体基板における（１１１）面での劈開の抑制等の効果を奏する。
【００６４】
また、上記製造方法によれば、ウェハを半導体基板１０側とガラス基板２０側との両側から切り込むようにしている（両側切り込み方法）ため、半導体基板側からのみ切り込むようにしたダイシングカットを行う場合（片側切り込み方法）に比べて、チップサイズを小さくすることができる。
【００６５】
つまり、ガラス基板専用のブレードは、半導体基板用のブレードと比べてブレード幅が大きく、そのため、片側切り込み方法にて半導体基板及びガラス基板の両者をカットしようとすると、ブレード幅の広いガラス基板用ブレードの幅に合わせたダイシングラインを、半導体基板に設定する必要がある。そのため、１個のチップサイズが必要以上に大きくなり、ウェハ１枚当たりから得られるチップ数を多くすることが難しい。
【００６６】
それに比べて、本実施形態の両側切り込み方法によれば、半導体基板１０に設定するダイシングラインＤＬの幅を、比較的ブレード幅の狭い半導体基板用のダイシングブレード１４の幅に合わせて設定できるため、チップサイズを小さくすることができ、ウェハ１枚当たりから得られるチップ数を多くすることが容易となる。この効果について、図６、図７を参照して具体例を示しておく。
【００６７】
本例では、シリコン専用ブレードは３０μｍ、半導体基板１０上のダイシングラインＤＬの幅即ちスクライブ幅（素子配置不可能領域）は８０μｍとした。なお、図６、図７中の従来とは、上記の片側切り込み方法であり、この場合、ガラス基板用のブレードの幅２００μｍに対応して、上記スクライブ幅は３００μｍとした。
【００６８】
図６は、ウェハ上の素子配置可能面積（ｍｍ2）とチップサイズ（スクライブ幅も含めたチップのサイズ、ｍｍ□）との関係を示し、図７は、同じ素子配置可能面積の場合において、従来チップサイズ（ｍｍ□）毎に、本実施形態のチップと従来チップとの面積比を示したものである。本実施形態では、従来に比べてスクライブ幅を狭くできるため、ウェハ上の素子配置可能面積が同じであっても、チップサイズも小さくでき、ウェハ１枚あたり、より多くのチップを切り出すことができる。
【００６９】
例えば、図６に示す様に、素子配置可能面積を同等の１３．７ｍｍ2とすると、従来のチップサイズとしては４ｍｍ□必要であったものが、本実施形態では３．５ｍｍ□と小さくすることができ、小さくなった分、多くのチップを切り出すことができる。この場合、図７に示す様に、従来のチップ面積を１とした場合の本実施形態のチップ面積は、０．９５まで小さくできることがわかる。また、このチップ面積低減の効果は、チップサイズが小さくなるにつれて、よりいっそう大きくなることがわかる。
【００７０】
以上述べてきたように、本実施形態によれば、圧力検出用のダイヤフラムが形成された半導体基板とこの半導体基板とは異なる材料よりなる異種基板とを接合したウェハを、チップ単位にダイシングカットするようにした半導体圧力センサの製造方法において、ダイシングに必要な面積を減少せしめ、センサチップの歩留りが向上することはもとより、ダイシングブレードの寿命までも向上するため、チップの小型化を達成した安価なセンサを提供することが可能となる。
【００７１】
なお、ダイヤフラムが形成された半導体基板と接合される異種基板としては、ガラス基板以外にも、ガラス以外のセラミック基板等でも良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体圧力センサの製造方法を示す工程図である。
【図２】図１に続く製造方法を示す工程図である。
【図３】ダイシングカット工程の詳細を示す拡大断面図である。
【図４】ダイヤフラム及び溝部のエッチングにおけるマスクパターンを示す図である。
【図５】溝部形成用パターンが交差している場合のエッチングパターンを示す図である。
【図６】素子配置可能面積とチップサイズとの関係を示す図である。
【図７】チップサイズ小型化の効果を示す図である。
【符号の説明】
１…ダイヤフラム、６ｂ…溝部形成用パターン、
６ｃ…ダイシングラインの交差点における一方の溝部形成用パターン、
６ｄ…ダイシングラインの交差点における他方の溝部形成用パターン、
７…溝部、８…空洞部、１０…半導体基板（ＳＯＩ基板）、
１４…半導体基板用ダイシングブレード、
１５…ガラス基板用ダイシングブレード、２０…ガラス基板、３０…ウェハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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