(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プレート接地された増幅管と、上記増幅管のグリッドに加えるバイアス電圧を発生するバイアス回路とを有するインピーダンス変換器において、
上記バイアス回路は、上記増幅管のグリッドに向けて電流を流すように上記バイアス電圧を上記グリッドに加える第１のダイオードと、上記第１のダイオードと逆並列に接続された第２のダイオードと、上記増幅管のカソードから負荷抵抗に向けて電流を流すように上記カソードと上記負荷抵抗との間に接続された第３のダイオードとを備え、上記増幅管に流れるプレート電流によって上記第３のダイオードに発生する電圧を、上記第１のダイオードおよび上記第２のダイオードを介して上記増幅管のグリッドに上記バイアス電圧として加えることを特徴とするインピーダンス変換器。
【請求項２】
上記第３のダイオードにコンデンサを並列に接続したことを特徴とする請求項１に記載のインピーダンス変換器。
【請求項３】
上記増幅管のカソードを加熱するヒータに電圧を加えるヒータ回路をさらに含み、上記ヒータ回路は、上記増幅管のヒータを交流的に短絡する電気二重層コンデンサを備えることを特徴とする請求項１または２に記載のインピーダンス変換器。
【請求項４】
上記増幅管のグリッドに加えられる入力電圧は、コンデンサマイクロホンからの音声電圧であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載のインピーダンス変換器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はインピーダンスを変換するインピーダンス変換器に関し、さらに詳しく言えば、コンデンサマイクロホンに好適な真空管を用いたインピーダンス変換器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
インピーダンス変換器には、入力電圧を高いインピーダンスで受けて、低いインピーダンスで出力するものがある。このインピーダンス変換器には、各種の用途があり、例えばコンデンサマイクロホンに使用される。
【０００３】
コンデンサマイクロホンは、小さな値の有効静電容量を持つので、周波数応答を低域の周波数まで確保するために、コンデンサマイクロホンからの音声電圧を高い入力インピーダンスで受ける必要がある。また、コンデンサマイクロホンは、ケーブルなどで増幅器に接続されるために、コンデンサマイクロホンの音声電圧を増幅器に送るとき、低い出力インピーダンスが必要である。このために、コンデンサマイクロホンには、高い入力インピーダンスと低い出力インピーダンスとを持つインピーダンス変換器が内蔵される。
【０００４】
また、コンデンサマイクロホンによる音声を良好に保つために、インピーダンス変換器には、真空管を用いたものがある。このインピーダンス変換器を図１０に示す。このインピーダンス変換器は、バイアス回路１１０、三極管１２０、負荷抵抗１３０、入力端子１４１，１４２、電源端子１４３、出力端子１４４およびグランド端子１４５を備え、バイアス回路１１０は、グリッド抵抗１１１、バイアス抵抗１１２およびコンデンサ１１３を備える。
【０００５】
入力端子１４１，１４２は、コンデンサマイクロホン１００を接続するための端子である。コンデンサマイクロホン１００は、音が加えられると振動する振動板（図示を省略）と、固定電極（図示を省略）との間の静電容量変化に基づいて、音声電圧を出力するが、ここでは、音声電圧を発生する電圧発生回路１０１と、先の振動板および固定電極により形成されるコンデンサ１０２とによって、コンデンサマイクロホン１００を等価的に表している。コンデンサ１０２の有効静電容量は５〜１００［ｐＦ］程度の値である。
【０００６】
電源端子１４３には、三極管１２０を駆動するための直流電源Ｖｂが加えられ、出力端子１４４からは、三極管１２０の出力電圧が加えられる。グランド端子１４５は、アースに接続され、また、入力端子１４２にも接続されている。
【０００７】
三極管１２０は、増幅用の真空管（増幅管）であり、インピーダンス変換用である。このために、三極管１２０のプレートが電源端子１４３に接続され、カソードフォロワ（プレート接地）として用いられる。三極管１２０のグリッドには、入力端子１４１が接続され、カソードには、出力端子１４４が接続されている。また、グリッド・カソード間には、バイアス回路１１０が接続されている。
【０００８】
バイアス回路１１０は、三極管１２０にバイアス電圧を与える。このために、バイアス回路１１０のバイアス抵抗１１２は、負荷抵抗１３０と直列にされ、直列に接続された抵抗１１２，１３０がグリッド・グランド端子１４５間に接続されている。
【０００９】
バイアス抵抗１１２は、三極管１２０に流れるプレート電流Ｉｐよって電圧降下を発生する。この電圧降下は、グリッド抵抗１１１によって、三極管１２０のグリッドにバイアス電圧として加えられる。コンデンサ１１３は、バイアス抵抗１１２に流れる交流成分をバイパスする。
【００１０】
このような構成のインピーダンス変換器は、コンデンサマイクロホン１００が発生した音声電圧を高いインピーダンスで受けて、この音声電圧を低いインピーダンスで出力端子１４４から出力する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、先に述べた技術には、入力インピーダンスがバイアス回路１１０のグリッド抵抗１１１で制限されてしまうという課題が発生する。すなわち、三極管１２０がカソードフォロワで用いられているとき、三極管１２０の出力インピーダンスが相互コンダクタンスで与えられ、この出力インピーダンスの値は、１／相互コンダクタンスになる。
【００１２】
このため、出力インピーダンスを低くするには、三極管１２０として高い値の相互コンダクタンスを持つ真空管を選択する必要がある。しかしながら、相互コンダクタンスの高い真空管は、各電極間が接近していることから、グリッド漏洩電流が多く流れる傾向があり、これが原因で真空管の動作が不安定になる。
【００１３】
他方において、入力インピーダンスを大きくするために、グリッド抵抗１１１を大きくすると、グリッド漏洩電流によってグリッド抵抗１１１の両端電圧が大きくなることから、真空管のバイアス電圧が変化し、これによって真空管の動作が不安定になる。
【００１４】
また、三極管１２０をカソードフォロワーで使用する場合においては、カソードを加熱するヒーターに残留するハムノイズが静電結合によってカソードから出力されてしまうことがある。
【００１５】
本発明は、このような課題を解決するためになされたもので、その目的は、グリッド抵抗による制限を除いて、従来より高い入力インピーダンスを有するインピーダンス変換器を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、プレート接地された増幅管と、上記増幅管のグリッドに加えるバイアス電圧を発生するバイアス回路とを有するインピーダンス変換器において、上記バイアス回路は、上記増幅管のグリッドに向けて電流を流すように上記バイアス電圧を上記グリッドに加える第１のダイオードと、上記第１のダイオードと逆並列に接続された第２のダイオードと、上記増幅管のカソードから負荷抵抗に向けて電流を流すように、上記カソードと上記負荷抵抗との間に接続された第３のダイオードとを備え、上記増幅管に流れるプレート電流によって上記第３のダイオードに発生する電圧を、上記第１のダイオードおよび上記第２のダイオードを介して上記増幅管のグリッドに上記バイアス電圧として加えることを特徴としている。
【００１７】
本発明において、上記第３のダイオードにコンデンサを並列に接続することが好ましい。
【００１８】
また、上記増幅管のカソードを加熱するヒータに電圧を加えるヒータ回路を含む態様においては、上記ヒータ回路は、上記増幅管のヒータを交流的に短絡する電気二重層コンデンサを備えることが好ましい。
【００１９】
本発明において、上記増幅管のグリッドに加えられる入力電圧は、コンデンサマイクロホンからの音声出力であることが好ましい。
【００２０】
本発明によれば、第１のダイオードと第２のダイオードとを並列に接続し、この２つのダイオードを介して、増幅管のグリッドにバイアス電圧を加える。２つのダイオードは、グリッドの電圧がバイアス電圧に収束するように働く。このときには、２つのダイオードに電流が流れないので、この２つのダイオードが高抵抗として動作する。この結果、入力インピーダンスを従来に比べて高くすることができる。
【００２１】
また、カソードと負荷抵抗との間に接続された第３のダイオードに発生する電圧を、増幅管に加えるバイアス電圧とする。電流が流れてダイオードに発生する電圧がほぼ一定であるので、バイアス電圧を一定に保つことができる。
【００２２】
さらに、静電容量の大きな電気二重層コンデンサをヒータに対して、並列に接続するので、ヒータが原因で増幅管のカソードに発生する雑音を除くことができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の技術的思想をよりよく理解するために、まず図１ないし図４を参照しながら、本発明の参考実施例について説明する。なお、この参考実施例において、先に説明した図１０と同一もしくは同一と見なされる構成要素には、それと同じ参照符号が付けられている。
【００２４】
図１は、この参考実施例に係るマイクロホンのインピーダンス変換器を示すブロック図である。これによると、このマイクロホンのインピーダンス変換器は、バイアス回路１、三極管２、負荷抵抗３、入力端子４Ａ，４Ｂ、電源端子４Ｃ、出力端子４Ｄおよびグランド端子４Ｅを備え、バイアス回路１は、ダイオード１Ａ，１Ｂ、バイアス抵抗１Ｃおよびコンデンサ１Ｄを備える。なお、図１では、三極管２のカソードを加熱するヒータ回路の図示を省略している。
【００２５】
これらの構成要素の中で、負荷抵抗３および端子４Ａ〜４Ｅは、図１０の負荷抵抗１３０および端子１４１〜１４５と同一であるので、これらの説明を省略する。
【００２６】
三極管２は、図１０の三極管１２０と同じように、カソードフォロワで用いられる。ただし、三極管２は、高い相互コンダクタンスを持つ真空管である。三極管２の相互コンダクタンスは、例えば、１２５００［μＭＨＯ］程度のものである。また、三極管２の推奨されるグリッド抵抗は、１［ＭΩ］である。
【００２７】
バイアス回路１は、ダイオード１Ａ，１Ｂによって、三極管２のグリッドにバイアス電圧を与える回路である。バイアス抵抗１Ｃの一端が三極管２のカソードに接続され、他端が負荷抵抗３に接続されている。この接続によって、三極管２のプレート電流Ｉｐがバイアス抵抗１Ｃに流れ、バイアス電圧がバイアス抵抗１Ｃに発生する。
【００２８】
コンデンサ１Ｄは、バイアス抵抗１Ｃに並列に接続されている。この接続によって、コンデンサ１Ｄは、バイアス抵抗１Ｃを流れる音声信号をバイパスする。ダイオード１Ａ，１Ｂは、シリコンダイオードである。ダイオード１Ａ，１Ｂとしては、逆電流が小さく、かつ、接合容量が小さいものが最適である。この参考実施例では、逆電流が５［ｐＡ］であり、接合容量が１．２［ｐＦ］であるものが、ダイオード１Ａ，１Ｂとして用いられている。
【００２９】
ダイオード１Ａのアノードが三極管２のグリッドに接続され、カソードが、バイアス抵抗１Ｃと負荷抵抗３との結合点Ａに接続されている。ダイオード１Ｂは、ダイオード１Ａとは逆並列に接続されている。すなわち、ダイオード１Ｂのカソードがダイオード１Ａのアノードに接続され、ダイオード１Ｂのアノードがダイオード１Ａのカソードに接続されている。これらのダイオード１Ａ，１Ｂは、次のようにして、三極管２にバイアス電圧を与える。すなわち、図２に示すように、結合点Ａに発生するバイアス電圧が電圧Ｖｃであるとき、グリッド電圧を電圧Ｖｄとする。
【００３０】
仮に、グリッド電圧Ｖｄがバイアス電圧Ｖｃに比べて低くなるように変動すると、図３の太線で示す、ダイオード１Ａの静特性の中で、順方向の電圧・電流特性Ｂ１によって、ダイオード１Ａに電流が流れる。このときのダイオード１Ａによる、０．７［Ｖ］前後の値の電圧降下Ｖｆが発生するので、グリッド電圧Ｖｄは、バイアス電圧Ｖｃに比べて、電圧降下Ｖｆ分だけ低くなる。この結果、バイアス電圧Ｖｃが浅くなるので、三極管２のプレート電流Ｉｐが増加し、バイアス電圧Ｖｃの値が大きくなる。これにより、グリッド電圧Ｖｄの変動分が抑えられる。
【００３１】
このような、グリッド電圧Ｖｄの変動を抑える作用によって、ダイオード１Ａの電流が減少し、この作用は、電流がダイオード１Ａに流れなくなるまで続く。この結果、ダイオード１Ａの静特性の中で、円Ｃで示す部分の拡大図（図４に示す）から明らかなように、ダイオード１Ａの電流がゼロ以下、すなわち、ダイオード１Ａの電圧降下Ｖｆがゼロになるように、グリッド電圧Ｖｄの変動が収束し、グリッド電圧Ｖｄがバイアス電圧Ｖｃに等しくなる。
【００３２】
また逆に、グリッド電圧Ｖｄがバイアス電圧Ｖｃに比べて高くなるように変動すると、ダイオード１Ｂによって、グリッド電圧Ｖｄの変動が収束し、グリッド電圧Ｖｄがバイアス電圧Ｖｃに等しくなる。
【００３３】
こうして、ダイオード１Ａ，１Ｂによる収束作用によって、電流がダイオード１Ａ，１Ｂに流れなくなる。また、ダイオード１Ａ，１Ｂによる収束作用は、瞬時に行なわれる。この結果、ダイオード１Ａ，１Ｂは、高抵抗と同じように動作する。この後、コンデンサマイクロホン１００からの音声電圧が加えられたときも、同じようにして、ダイオード１Ａ，１Ｂは高抵抗と同じように動作する。
【００３４】
次に、この参考実施例の動作について説明する。直流電源Ｖｂが三極管２に入力されると、直流電源Ｖｂが三極管２のプレートに加えられる。動作の開始段階では、三極管２には、プレート電流Ｉｐが流れていないので、バイアス抵抗１Ｃによるバイアス電圧がゼロである。これによって、三極管２に大きなプレート電流Ｉｐが流れ、大きなバイアス電圧が発生し、バイアス電圧によって、グリッド電圧が三極管２のグリッドに加えられる。
【００３５】
しかる後、バイアス電圧が三極管２の電圧・電流特性と、バイアス抵抗１Ｃおよび負荷抵抗３とで決められると共に、ダイオード１Ａ，１Ｂによって、グリッド電圧がバイアス電圧に収束される。この収束状態のときに、ダイオード１Ａ，１Ｂが高抵抗として動作する。
【００３６】
この状態のときに、入力端子４Ａ，４Ｂにコンデンサマイクロホン１００からの音声電圧が加えられると、ダイオード１Ａ，１Ｂが高抵抗の状態を保って、この音声電圧が三極管２のグリッドに加えられる。すなわち、コンデンサマイクロホン１００からの音声電圧が高入力インピーダンスで受け取られる。また、三極管２がカソードフォロワであるので、音声電圧は、低インピーダンスで出力される。
【００３７】
このようにして、上記参考実施例によれば、バイアス抵抗の代わりに、ダイオード１Ａ，１Ｂを用いることによって、このバイアス抵抗１１で制限されていた入力インピーダンスを、高くすることができる。
【００３８】
次に、図５により、本発明の第１実施例について説明する。なお、先に説明した図１のマイクロホンのインピーダンス変換器と同一もしくは同一と見なされる構成要素には、それと同じ参照符号が付けられている。また、図５では、三極管２のカソードを加熱するヒータ回路の図示を省略している。
【００３９】
この第１実施例に係るインピーダンス変換器では、図１のバイアス回路１の中で、バイアス抵抗１Ｃの代わりに、ダイオード１Ｅを用いる。ダイオード１Ｅは、シリコンダイオードであり、ダイオード１Ｅのアノードが三極管２のカソードに接続され、ダイオード１Ｅのカソードが結合点Ａに接続されている。
【００４０】
ダイオード１Ｅは、三極管２用のバイアス電圧を発生する。すなわち、三極管２のプレート電流Ｉｐがダイオード１Ｅを流れることによって、ダイオード１Ｅには、電圧降下が発生する。この電圧降下は、先の図３に示すように、バイアス抵抗１Ｃによる電圧降下に比較して、ほぼ一定の値である。三極管２のグリッドには、ダイオード１Ｅの電圧降下によるバイアス電圧が加えられる。
【００４１】
この結果、三極管２のバラツキによって、プレート電流Ｉｐの値が異なっても、ダイオード１Ｅによる電圧降下がほぼ一定であるので、三極管２のバラツキの影響を除くことができる。また、ダイオード１Ｅが三極管２のグリッド電圧をほぼ一定にするので、三極管２のプレート電流Ｉｐを安定化することができる。
【００４２】
次に、図６により、本発明の第２実施例について説明する。なお、先に説明した図５のマイクロホンのインピーダンス変換器と同一もしくは同一と見なされる構成要素には、それと同じ参照符号が付けられている。また、図６では、三極管２，４のカソードを加熱するヒータ回路の図示を省略している。
【００４３】
この第２実施例に係るインピーダンス変換器は、図１，２で用いられている負荷抵抗３の代わりに、定電流負荷を用いる。三極管４と抵抗７との回路は、定電流負荷として動作する。三極管４のプレートが結合点Ａに接続され、カソードがグランド端子４Ｅに接続されている。抵抗７は、三極管４のグリッドとグランド端子４Ｅとの間に接続されている。
【００４４】
この結果、三極管４のグリッドとカソードとが、抵抗７によって常に同電位に保たれるので、三極管４は、一定のプレート電流を流す。これによって、三極管４と抵抗７との回路は、三極管２に対して定電流負荷となる。
【００４５】
また、第２実施例では、小さな値の抵抗５が、電源端子４Ｃと三極管２のプレートとの間に接続されている。さらに、コンデンサ６が、三極管２のプレートと三極管４のグリッドとの間に接続されている。これによって、抵抗５に発生する音声電圧がコンデンサ６を通って三極管４のグリッドに加えられる。この結果、音声電圧の歪みを改善することができる。
【００４６】
次に、図７により、本発明の第３実施例について説明する。なお、先に説明した図６のマイクロホンのインピーダンス変換器と同一もしくは同一と見なされる構成要素には、それと同じ参照符号が付けられている。
【００４７】
この第３実施例に係るインピーダンス変換器では、ヒータ回路を次のようにしている。すなわち、三極管２のカソードを加熱するヒータ２１と、三極管４を加熱するヒータ４１とが直列に接続され、ヒータ２１，４１の直列回路が、加熱用の電圧を入力する端子４Ｆと、グランド端子４Ｅとの間に接続されている。また、ヒータ２１，４１の直列回路には、コンデンサ１１が並列に接続されている。
【００４８】
コンデンサ１１は、電気二重層コンデンサである。電気二重層コンデンサ１１は、図８に示すように、電解質１３Ｃをはさむように、活性炭電極１３Ａ，１３Ｂを設けた構造をしている。電極として用いられる活性炭電極１３Ａ，１３Ｂは、表面積が大きいため、電解コンデンサに比較して大きな静電容量を持つ。
【００４９】
一方、ヒータ２１，４１は、熱が伝わりやすいように、三極管２，４のカソードに接近して設けられている。このために、ヒータ２１，４１と、三極管２，４のカソードとの間には、静電容量が発生する。この静電容量による静電結合によって、雑音（以下、ヒータ雑音と記す）が音声電圧に加えられて、出力端子４Ｄから出力される。
【００５０】
ヒータ雑音は、ヒータ２１，４１の動作抵抗と、高温加熱による熱雑音と、一様でない電子放出とに起因する。たとえば、ヒータ２１，４１が酸化物陰極の場合、ヒータ２１，４１の動作抵抗が２１［Ω］であり、加熱温度が９８０〜１２００［Ｋ］である。
【００５１】
このようなヒータ雑音を発生するヒータ２１，４１を、コンデンサ１１は、大きな容量によって交流的に短絡する。これによって、コンデンサ１１がヒータ雑音を除くことができる。
【００５２】
この第３実施例は以下に示す良好な特性を持つ。コンデンサマイクロホン１００のコンデンサ１０２として６５［ｐＦ］のものを用い、直流電圧Ｖｂ（Ｂ電源）を１２０［Ｖ］、消費電流８［ｍＡ］とし、ヒータ電圧Ｖｈ（Ａ電源）を６．３［Ｖ］、消費電流０．３［Ａ］とした場合、次のようになる。
最大出力レベル：２６［ｄＢＶ］
（ＴＨＤ  １パーセント、１［ｋＨｚ］）
残留雑音：−１１２［ｄＢＶ］（Ａ−ＷＥＩＧＨＴ）
出力インピーダンス：１６０［Ω］
通過損失：−１［ｄＢ］
【００５３】
基準出力レベルを−３３［ｄＢＶ］とした場合、第３実施例の特性は、次のようになる。
ヘッドマージン：５９［ｄＢ］
Ｓ／Ｎ比：７９［ｄＢ］
ダイナミックレンジ：１３８［ｄＢ］
【００５４】
第３実施例に実際のコンデンサマイクロホンを接続した場合の特性は、次のようになる。
周波数応答：２０〜２０［ｋＨｚ］
感度：−３３［ｄＢ／Ｐａ］（１［ｋＨｚ］）
出力インピーダンス：２００［Ω］
Ｓ／Ｎ比：７６［ｄＢ］（Ａ−ＷＥＩＧＨＴ）
最大許容入力音圧レベル：１５０［ｄＢ］
（ＴＨＤ  １パーセント、１［ｋＨｚ］）
ダイナミックレンジ：１３２［ｄＢ］以上
【００５５】
第３実施例の、０度および１８０度の指向性による周波数応答特性を図９に示す。これによると、応答周波数が低域まで延びている点、通過損失が小さい点から、第３実施例が十分に高い入力インピーダンスと小さい入力容量とを持つことが示される。
【００５６】
最後に、第３実施例の性能と、他社であるＡ社〜Ｆ社との性能との比較結果を表１に示す。
【００５７】
【表１】
0004227679.tif 000002
【００５８】
この表１から明らかなように、第３実施例は、他のインピーダンス変換器に比較して、優れたダイナミックレンジを持つ。
【００５９】
以上、第１ないし第３実施例について説明したが、本発明は、これに限定されるものではない。例えば、上記実施例では、ダイオード１Ａ，１Ｂ，１Ｅとして、１つのダイオードを用いたが、複数のダイオードを直列に接続したものを、１つのダイオードとして用いてもよい。
【００６０】
特に、ダイオード１Ｅとしては、必要なバイアス電圧が得られるまで、ダイオードを直列に接続したものを用いることができる。同じように、必要に応じて、コンデンサ１１に別の電気二重層コンデンサを並列に接続してもよい。
【００６１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、増幅管のグリッドに接続した２つのダイオードによってバイアス電圧を与え、このとき２つのダイオードには、電流が流れない。この結果、大幅な回路変更を不要にして、入力インピーダンスを従来に比べて高くすることができる。
【００６２】
また、第３のダイオードに発生する電圧降下をバイアス電圧とするので、バイアス電圧を一定に保つことができる。この結果、従来のカソード抵抗をダイオードに置き換えるだけで、各増幅管の差によってプレート電流がばらついても、バイアス電圧の変化を防ぐことができる。
【００６３】
さらに、静電容量の大きな電気二重層コンデンサをヒータに対して、並列に接続するので、ヒータが原因で増幅管のカソードに発生するハム雑音を短絡して、このハム雑音を除くことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の参考実施例に係るマイクロホンのインピーダンス変換器を示したブロック図。
【図２】上記参考実施例のバイアス回路の動作を説明するための説明図。
【図３】上記参考実施例に用いられるダイオードの特性を示す電圧・電流特性図。
【図４】上記参考実施例に用いられるダイオードの特性の拡大図。
【図５】本発明の第１実施例に係るマイクロホンのインピーダンス変換器を示したブロック図。
【図６】本発明の第２実施例に係るマイクロホンのインピーダンス変換器を示したブロック図。
【図７】本発明の第３実施例に係るマイクロホンのインピーダンス変換器を示したブロック図。
【図８】上記第３実施例に用いられる電気二重層コンデンサを説明するための説明図。
【図９】上記第３実施例の周波数応答を示す特性図。
【図１０】従来のインピーダンス変換器を示したブロック図。
【符号の説明】
１  バイアス回路
１Ａ，１Ｂ，１Ｅ  ダイオード
１Ｃ  バイアス抵抗
１Ｄ  コンデンサ
２  三極管
３  負荷抵抗
４Ａ，４Ｂ  入力端子
４Ｃ  電源端子
４Ｄ  出力端子
４Ｅ  グランド端子
【図１】
0004227679.tif 000003
【図２】
0004227679.tif 000004
【図３】
0004227679.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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