(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型半導体層（ｐ層）、実質的に真性なｉ型半導体層（ｉ層）、ｎ型半導体層（ｎ層）を積層したｐｉｎ型セルを複数層積層してなり、光入射側の上側セルと反入射側の下側セルとの境界をなす二つの層（前記ｎ層またはｐ層）の少なくともいずれかの層又はその一部の層を、前記いずれかの層又はその一部の層より上側の半導体層の屈折率より低い屈折率を有する低屈折率層としてなる多接合型薄膜太陽電池において、
前記低屈折率層はシリコンオキサイド半導体層とし、前記シリコンオキサイド半導体層は、微結晶シリコン（μc-Si）の結晶粒と非晶質シリコンオキサイド（a-SixO1-x）の２フェーズからなる半導体層とし、かつこのシリコンオキサイド半導体層内の酸素原子の割合は、５原子％以上でかつ５０原子％未満の範囲（０．９５≧ｘ＞０．５）とすることを特徴とする多接合型薄膜太陽電池。
【請求項２】
請求項１に記載の多接合型薄膜太陽電池において、前記光入射側の上側セルのｉ層は、非晶質シリコンからなりその膜厚を７０〜２００ｎｍとし、前記反入射側の下側セルは、非晶質シリコンゲルマニウムからなることを特徴とする多接合型薄膜太陽電池。
【請求項３】
請求項２に記載の多接合型薄膜太陽電池において、前記反入射側の下側セルは、前記非晶質シリコンゲルマニウムに代えて、微結晶シリコンからなることを特徴とする多接合型薄膜太陽電池。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の多接合型薄膜太陽電池の製造方法であって、下記の工程を含むことを特徴とする多接合型薄膜太陽電池の製造方法。１）電気絶縁性基板上に、金属電極層をスパッタリング法により形成する工程。２）前記金属電極層の上に、基板温度を１３０〜１７０℃（但し、最下層のｉ層は２００〜２５０℃）として、前記シリコンオキサイド半導体層からなる低屈折率層を含むｐ，ｉ，ｎ層の各半導体層を複数層、プラズマＣＶＤ法により形成する工程。３）前記各半導体層の最上層の上に、透明電極層をスパッタリング法により形成する工程。
【請求項５】
請求項４に記載の製造方法において、前記シリコンオキサイド半導体層からなる低屈折率層は、基板温度を１００℃以下として形成することを特徴とする多接合型薄膜太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、低屈折率層を有する多接合型薄膜太陽電池とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
非単結晶膜を用いた光電変換装置、特にシリコン系の非単結晶薄膜であるアモルファス（非晶質）シリコン（a-Si）、およびアモルファス（非晶質）シリコンゲルマニウム（a-SiGe）等の薄膜を、プラズマ放電によって形成した薄膜光電変換装置は、単結晶シリコンデバイスと比較して、大面積に、低温で、安価に作製できることから、電力用の大面積薄膜太陽電池等への適用において特に期待されている。
【０００３】
しかしながら、このa-Siやa-SiGe太陽電池は、単結晶Siや多結晶Si等のバルク結晶型太陽電池に比べて変換効率が低く、さらには、固有の問題として光照射によって変換効率が１〜３割程度低下する光劣化という問題を抱えている。これらの問題を解決して高効率、高信頼性を実現する方法として複数のpin型セルを積層してマルチ接合化したもの、即ち、多接合型薄膜太陽電池が知られている。
【０００４】
これは、ｐ，ｉ，ｎ型の半導体層から成る光電変換層を、基板上に複数積層したもので、光入射側に、相対的に光学的禁制帯幅（以下、光学的バンドギャップともいう。）の大きい非晶質シリコンを用い、光入射側から遠い光電変換層に、光学的バンドギャップの小さい非晶質シリコンゲルマニウムを用いて、非晶質シリコンでは吸収され難い赤外線領域の光も効率よく吸収して、変換効率の向上を図るものである。さらに、一つの半導体層の膜厚方向の原子組成比を変化させることにより、光学的バンドギャップをその層内で変化させるグレーデッド構成の採用により、さらに変換効率の向上を図る技術も知られている。
【０００５】
前記光劣化の問題や多層化による変換効率の向上について、さらに以下に詳述する。前記光劣化はｉ層中に発生する光誘起欠陥に起因する。ｉ層の膜厚を薄くすれば内部電界が強くなるために、効率低下を抑えることが可能であるが光吸収量が減って初期効率が低下してしまう。そこで、ｉ層の膜厚が薄いセルを複数個積層すれば、１個のときよりも光吸収量を増加させることができ、高効率と高信頼性の両立を図ることが可能となる。さらに、前記a-SiGeや薄膜多結晶シリコンあるいは薄膜微結晶シリコン（μc-Si）等のナローギャップ（光学的バンドギャップの小さい）材料をｉ層に用いたセルをボトムあるいはミドルセルとして組み合わせればa-Siセルでは用いることができなかった波長800nm以上の赤外光も吸収することが可能となり、高効率化が達成できる。これらはすべてa-Siと同様にプラズマＣＶＤ法で製膜することができる。
【０００６】
これらのナローギャップ材料を用いると、光入射側の上側セル（以下、トップセルともいう。）と反入射側の下側セル（以下、ボトムセルともいう。）とを合わせて２０〜２８mA/cm2程度の短絡電流（Jsc）が得られるが、トップセルは、ほぼその半分の１０〜１４mA/cm2のJsc を受け持つことになる。しかしながら、トップセルでは、反射光の効果を殆ど期待できないので、膜厚を２００〜３００nmと厚くする必要があり、このため、曲線因子（FF）が低下し、光劣化率が高くなるという特性面の問題、および材料コストが嵩むというコスト上の問題があった。
【０００７】
このうち特性上の問題を解決する手段としては、ミラー層と称する低屈折率の金属酸化物をトップセルとボトムセル間のｎ／ｐ接合部に挟み、屈折率の差を利用して、故意にある程度の光をミラー層で反射させて、トップセルの短絡電流を増加させる技術がニューシャテル大のフィッシャーらによって提案されている（25th IEEE PVSC 1053 〜1056頁参照）。
【０００８】
また、本件出願人の関係会社である出願人により、100℃以下の低温においてｎ型の微結晶シリコンを製膜して屈折率を２．５〜３以下とし、この低屈折率層のミラー効果により変換効率（Eff）の向上を図った多接合型薄膜太陽電池の発明に関する出願を行なっている（特願２０００−２５８５１１号参照）。
【０００９】
なお、一見、類似技術に関わり、特公平２−３７１１６号公報には、複数のｐｉｎセルを積層した多接合型の光起電力装置において、アモルファス半導体からなるｐｉｎセル間に微結晶化半導体層を挟むことが記載されている。しかしながら、この微結晶化半導体層は各セル間の逆方向整流性を排除するために設けるものであって、厚さは10nmと薄く、屈折率についても考慮されておらず、また反射光に関する記述もない。従って、上記公告公報に記載された多接合型の光起電力装置は、前記特願２０００−２５８５１１号に開示され低屈折率層を有する多接合型薄膜太陽電池を意図したものとは異なるものと考えられる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前記特願２０００−２５８５１１号に記載された、100℃以下の低温においてｎ型の微結晶シリコンを形成する場合、200℃以上の基板を100℃以下に冷却する必要があるために、製造時間が長時間となり量産に適さない問題があった。さらに、最適な温度範囲が狭く、60℃以下ではパウダーを発生してデバイス性能や歩留りを大幅に低下させることことが判明し、さらにまた、屈折率としても２．５未満を実現することはできず、変換効率（Eff）などの太陽電池の特性向上には限界があることが判明した。
【００１１】
また、前記フィッシャーらによって提案されたミラー層としての金属酸化物層は、スパッタリングや蒸着により形成されるため、半導体層を形成するプラズマＣＶＤ装置に組み込むことは、困難であり、２台の製膜装置を必要とする。さらに、ボトムセル製膜とミラー層製膜との間、ならびに、ミラー層製膜とトップセル製膜との間で、一部製膜された基板を大気に晒すこととなり、不純物の取り込みやピンホールの発生等の問題があった。
【００１２】
この発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、本発明の課題は、不純物の取り込みやピンホールの発生が無く、変換効率が高く、かつ製造が容易な多接合型薄膜太陽電池とその製造方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
前述の課題を達成するため、この発明は、ｐ型半導体層（ｐ層）、実質的に真性なｉ型半導体層（ｉ層）、ｎ型半導体層（ｎ層）を積層したｐｉｎ型セルを複数層積層してなり、光入射側の上側セルと反入射側の下側セルとの境界をなす二つの層（前記ｎ層またはｐ層）の少なくともいずれかの層又はその一部の層を、前記いずれかの層又はその一部の層より上側の半導体層の屈折率より低い屈折率を有する低屈折率層としてなる多接合型薄膜太陽電池において、前記低屈折率層はシリコンオキサイド半導体層とし、前記シリコンオキサイド半導体層は、微結晶シリコン（μc-Si）の結晶粒と非晶質シリコンオキサイド（a-SixO1-x）の２フェーズからなる半導体層とし、かつこのシリコンオキサイド半導体層内の酸素原子の割合は、５原子％以上でかつ５０原子％未満の範囲（０．９５≧ｘ＞０．５）とする（請求項１の発明）。
【００１４】
上記請求項１の発明において、上側ｐｉｎセルの最下層またはその一部の層が低屈折率層であっても、下側ｐｉｎセルの最上層またはその一部の層が低屈折率層であってもよい。また、上側セルと下側セルとの境界に、上側セルの半導体層と比較して屈折率の低い低屈折率層を有するものとしても良い。
【００１５】
上記のように、低屈折率の半導体層を設けることにより、その層がミラー層と同じ役割を果たし、光を反射させて、上側セルの短絡電流を増大させる。しかも、他の半導体層と同じプラズマＣＶＤ装置で製膜できるので、金属酸化物のミラー層の形成のように、製膜装置から基板を取り出し大気に晒されることが無くなるので、不純物の取り込みやピンホールの発生が無くなり、変換効率が高くかつ製造が容易な多接合型薄膜太陽電池が提供できる。
【００１６】
シリコンの屈折率は約３．５であり、微結晶シリコン薄膜、アモルファスシリコン薄膜の屈折率もほぼ似た値である。従って、屈折率が３を越えたμc-Si層では、光を反射させる効果が少なくなる。従来の低温処理した微結晶シリコン薄膜では、屈折率が２．５未満のｎ型のμc-Si層を製膜することは困難であったが、シリコンオキサイド半導体では、良好な電気伝導率を維持しながら屈折率を２〜３とすることができ、２．５未満に低下させることも可能である。
【００１７】
上記請求項１の発明の実施態様としては、下記請求項２ないし３の発明が好適である。
【００１８】
即ち、請求項１に記載の多接合型薄膜太陽電池において、前記光入射側の上側セルのｉ層は、非晶質シリコンからなりその膜厚を７０〜２００ｎｍとし、前記反入射側の下側セルは、非晶質シリコンゲルマニウムからなるものとする（請求項２の発明）こともできるし、さらにまた、請求項２に記載の多接合型薄膜太陽電池において、前記反入射側の下側セルは、前記非晶質シリコンゲルマニウムに代えて、微結晶シリコンからなるものとする（請求項３の発明）こともできる。
【００１９】
前記請求項２または３の発明において、上側セルのｉ層の膜厚を７０〜２００ｎｍとする理由は、下記のとおりである。即ち、膜厚７０ｎｍ未満では、光吸収が不十分で短絡電流が小さく、２００ｎｍを越える場合には、トップセルの光劣化が大きくなり、安定化後の高い変換効率を維持することができなくなるからである。
【００２０】
また、前記本発明の薄膜太陽電池の製造方法としては、下記請求項４ないし５の発明が好適である。即ち、請求項１ないし３のいずれかに記載の多接合型薄膜太陽電池の製造方法であって、下記の工程を含む（請求項４の発明）。詳細は後述する。１）電気絶縁性基板上に、金属電極層をスパッタリング法により形成する工程。２）前記金属電極層の上に、基板温度を１３０〜１７０℃（但し、最下層のｉ層は２００〜２５０℃）として、前記シリコンオキサイド半導体層からなる低屈折率層を含むｐ，ｉ，ｎ層の各半導体層を複数層、プラズマＣＶＤ法により形成する工程。３）前記各半導体層の最上層の上に、透明電極層をスパッタリング法により形成する工程。
【００２１】
さらに、前記請求項４に記載の製造方法において、前記シリコンオキサイド半導体層からなる低屈折率層は、基板温度を１００℃以下として形成する（請求項５の発明）。この場合、基板温度を低下させる時間が余分に必要となるが、低屈折率層の屈折率を２．２以下のより低い値とすることが可能となる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
この発明の実施例について以下に述べる。
【００２３】
図１は、この発明の実施例に関わる多接合型薄膜太陽電池の模式的断面構造を示し、ボトムセルにa-SiGeセルを適用した面積１cm2 のa-Si/a-SiGe 太陽電池の実施例を示す。図１の太陽電池の各層の構成と製造プロセスの具体例につき、以下に述べる。
【００２４】
図１に示す薄膜太陽電池は、ガラス基板１上に金属電極層２として銀（Ａｇ）/ZnO積層薄膜が設けられている。その金属電極層２上に、a-Siのボトムｎ層３、a-SiGeのボトムｉ層４、膜中に５〜５０原子％の酸素を含み、微結晶シリコンの結晶粒とa-SixO1-xの２フェーズからなるシリコンオキサイド半導体からなるボトムｐ層５、μc-Siの第一トップｎ層６、アモルファス酸化シリコン（a-SiO）の第二トップｎ層７、a-Siのトップｉ層８、a-SiOのトップｐ／ｉ界面層９、a-SiOのトップｐ層１０が積層され、そのトップｐ層１０の表面に酸化インジウム錫（ＩＴＯ）の透明電極層１１が設けられている。
【００２５】
以下に試作セルの製造工程を説明する。ガラス基板１としては、旭硝子社製のＵタイプ二酸化錫（SnO2）付きガラス基板を用いた。このガラス基板１上に、金属電極層２としてスパッタリング法により厚さ１００〜２００nmの銀（Ａｇ）/ZnO積層薄膜を製膜した。
【００２６】
次に、プラズマＣＶＤ法によりa-Si系膜３〜１０の製膜を行なった。まず、基板温度を１３０〜１７０℃として、モノシラン（SiH4）を主ガス、フォスフィン（PH3）をドーピングガス、水素（H2）を希釈ガスとして、膜厚１０〜２０nmのa-Siのボトムｎ層３を製膜し、続いて基板温度を２００〜２５０℃として、SiH4とゲルマン（GeH4）を主ガス、H2を希釈ガスとして、膜厚１００〜１５０nmのa-SiGeからなるボトムｉ層４を製膜した。ここで、ｉ層４のバンドギャップは１．４５eVとした。
【００２７】
次に基板温度を１３０〜１７０℃として、SiH4を主ガス、これにCO2および、ジボラン（B2H6 ）をドーピングガス、水素（H2）を希釈ガスとして、膜厚１０〜２０nmの膜中に５〜５０原子％の酸素を含み、微結晶シリコンの結晶粒とa-SixO1-xの２フェーズからなるシリコンオキサイド半導体のボトムｐ層５を製膜した。酸素を３０％含むシリコンオキサイド半導体の場合、屈折率が２．４となり、良好なミラー層としての性能を示した。このときの水素希釈度（H2/SiH4 ）は１００〜３００倍とし、ドーピング量は、B2H6/SiH4 ＝０．１〜１％とした。
【００２８】
なお、ボトムｐ層５を二層構造として、ｐ型のアモルファスシリコンオキサイド（a-SiO:H）をまず形成し、その後に、膜厚１０〜２０nmの膜中に５〜５０原子％の酸素を含み、微結晶シリコンの結晶粒とa-SixO1-xの２フェーズからなるシリコンオキサイド半導体を形成しても良い。
【００２９】
ボトムｐ層５製膜後、同じ基板温度１３０〜１７０℃で、SiH4を主ガス、PH3をドーピングガス、H2を希釈ガスとして、膜厚１５〜８０nmのμc-Siの第一トップｎ層６を製膜した。このときのドーピング量は、PH3/SiH4 ＝０．２〜２とし、水素希釈度は７５〜１００倍とした。
【００３０】
この上に同じ基板温度１３０〜１７０℃で、SiH4および炭酸ガス（CO2 ）を主ガス、PH3をドーピングガス、H2を希釈ガスとして、膜厚１０〜２０nmのa-SiO の第二トップｎ層７を製膜し、二層構造のトップｎ層とした。第二トップｎ層７の屈折率は約３．５である。
【００３１】
その後、SiH4を主ガス、H2を希釈ガスとして、膜厚８０〜３００nmのa-Siのトップｉ層８、再びSiH4および炭酸ガス（CO2 ）を主ガス、B2H6 をドーピングガス、H2を希釈ガスとして、膜厚５〜２０nmのa-SiO のトップ界面層９と膜厚４〜１５nmのトップｐ層１０を順次製膜した。トップ界面層９とトップｐ層のドーピング量は、それぞれB2H6/SiH4 ＝２０〜５００ppm 、０．５〜３％とした。
【００３２】
最後にスパッタリング法により、透明電極層１１として膜厚８０〜３００nmのＩＴＯを形成した。
【００３３】
次に、本発明に係る多接合型薄膜太陽電池の諸特性について、実験した結果について、比較例とともに以下に述べる。上記のようにして完成した本発明に係る太陽電池の他に、比較例としてシリコンオキサイド半導体のボトムｐ層５に代えて、屈折率を３.３とした従来方式の太陽電池を試作した。
【００３４】
図２〜図５は、上記のようにして試作した実施例と比較例のa-Si/a-SiGe タンデムセルにおける、トップｉ層８の膜厚と、セル特性との関係を示す特性関係図である。図２〜図５は、それぞれ、短絡電流（Jsc），開放電圧（Voc），曲線因子（FF），変換効率（Eff）の実験結果を示し、各図において、本発明に係る実施例のセルの測定値は●印、比較例は○印で示した。
【００３５】
図２は、横軸にトップｉ層８の膜厚（ｎｍ）を、縦軸に短絡電流密度Jsc（mA/cm2）を示す。図２の結果によれば、本実施例のa-Si/a-SiGe タンデムセルでは、トップｉ層が薄い領域で、Jsc が増大していることがわかる。また、Jsc が最大になる最適マッチングの膜厚は、従来が３００nm程度だったのに対し本実施例では、１８０nm程度と大幅に薄くなっている。さらに、実施例においては、比較例と比べて約６０〜７０% 程度のトップｉ層膜厚で、同じJsc が得られることがわかる。
【００３６】
図３は、横軸にトップｉ層８の膜厚（ｎｍ）を、縦軸に開放電圧Voc（Ｖ）を示す。また、図４は、横軸にトップｉ層８の膜厚（ｎｍ）を、縦軸に曲線因子FFを示す。開放電圧Voc およびFFでは、実施例と比較例とであまり差は見られない。
【００３７】
図５は、横軸にトップｉ層８の膜厚（ｎｍ）を、縦軸に変換効率Eff（％）を示す。a-Siセルでは、i 層膜厚を薄くする程、内部電界が強くなることによって、変換効率（Eff）が向上する。本実施例では、最適マッチングになるトップｉ層を薄膜化できるようになったため、最適条件での変換効率（Eff）が向上した。図５の結果によれば、本実施例の最高効率は１２．９％（トップｉ層１５０nm時）となり、従来例の最高効率１１．３％（トップｉ層２５０nm時）よりも約１．６％効率が向上した。
【００３８】
前記短絡電流密度Jscおよび変換効率（Eff）の向上効果は、トップセルとボトムセルとの境界部分に低屈折率のボトムｐ層６を設けることによって、入射光の反射分が増えたミラー効果によるものである。
【００３９】
また、従来の技術の項で述べた低温形成μc-Siによっても、ある程度の性能改善効果を得ることは可能であるが、屈折率が2.5より大きいために、その効果は少なく、さらに、温度を低下させるための時間４０分、および再び昇温するための時間２０分の合計６０分が、前記実施例に相当するケースにおいては必要となり、量産性がよくないことが分った。
【００４０】
なお、本実施例では屈折率２．４のシリコンオキサイド半導体を適用した場合について述べたが、屈折率３以下の膜を適用することで、ミラー効果が得られることが確認できている。上記に関わり、シリコンオキサイド半導体と屈折率との関係を調べるために行なった実験結果について、以下に述べる。
【００４１】
図６は、水素希釈度（H2/SiH4 ）２００倍、基板温度160℃で製膜した微結晶シリコンの結晶粒とa-SixO1-xの２フェーズからなるシリコンオキサイド半導体層の膜中酸素原子％と屈折率との関係を示す。酸素原子％は、図６の横軸にＯ／（Ｏ＋Ｓｉ）％として示し、屈折率ｎは縦軸に示す。
【００４２】
図６の結果によれば、酸素原子％が増加するに従い屈折率ｎは減少する。酸素原子％が５０％を超えても屈折率は減少を続けるが、導電率が10-6 S/cm以下となり、デバイス特性に不具合を生じることも、別途確認されており、屈折率ｎを３以下とする場合、酸素原子％は、５原子％以上でかつ５０原子％未満の範囲（０．９５≧ｘ＞０．５）が好ましい。また、基板温度を１００℃に低下させると、酸素原子％が５０％で，屈折率ｎが２．２となることが確認された。基板温度を低下させる程、屈折率はより低下可能であるが、この場合、基板温度を低下させる時間が余分に必要となるので、要請に応じて、低屈折率層製膜時の適切な基板温度を決めればよい。
【００４３】
【発明の効果】
上記のとおり、この発明によれば、ｐ型半導体層（ｐ層）、実質的に真性なｉ型半導体層（ｉ層）、ｎ型半導体層（ｎ層）を積層したｐｉｎ型セルを複数層積層してなり、光入射側の上側セルと反入射側の下側セルとの境界をなす二つの層（前記ｎ層またはｐ層）の少なくともいずれかの層又はその一部の層を、前記いずれかの層又はその一部の層より上側の半導体層の屈折率より低い屈折率を有する低屈折率層としてなる多接合型薄膜太陽電池において、前記低屈折率層はシリコンオキサイド半導体層とし、前記シリコンオキサイド半導体層は、微結晶シリコン（μc-Si）の結晶粒と非晶質シリコンオキサイド（a-SixO1-x）の２フェーズからなる半導体層とし、かつこのシリコンオキサイド半導体層内の酸素原子の割合は、５原子％以上でかつ５０原子％未満の範囲（０．９５≧ｘ＞０．５）とした。
また、上記多接合型薄膜太陽電池の製造方法として、１）電気絶縁性基板上に、金属電極層をスパッタリング法により形成する工程と、２）前記金属電極層の上に、基板温度を１３０〜１７０℃（但し、最下層のｉ層は２００〜２５０℃）として、前記シリコンオキサイド半導体層からなる低屈折率層を含むｐ，ｉ，ｎ層の各半導体層を複数層、プラズマＣＶＤ法により形成する工程と、３）前記各半導体層の最上層の上に、透明電極層をスパッタリング法により形成する工程とを含む製造プロセスとしたので、
不純物の取り込みやピンホールの発生が無く、変換効率が高く、かつ製造が容易な多接合型薄膜太陽電池とその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施例に関わる多接合型薄膜太陽電池の模式的断面構造図
【図２】  短絡電流密度（Jsc）に関する実施例と従来例との比較実験結果を示す図
【図３】  開放電圧（Voc）に関する実施例と従来例との比較実験結果を示す図
【図４】  曲線因子（FF）に関する実施例と従来例との比較実験結果を示す図
【図５】  変換効率（Eff）に関する実施例と従来例との比較実験結果を示す図
【図６】  本発明に係るシリコンオキサイド半導体層の膜中酸素原子％と屈折率との関係の実験結果を示す図
【符号の説明】
１：ガラス基板、２：銀（Ａｇ）/ZnO層（金属電極層）、３：a-Siのボトムｎ層、４：a-SiGeのボトムｉ層、５：シリコンオキサイド半導体からなるボトムｐ層、６：μc-Siの第一トップｎ層、７：a-SiOの第二トップｎ層、８：a-Siのトップｉ層、９：a-SiOのトップｐ／ｉ界面層、１０：a-SiOのトップｐ層、１１：ＩＴＯの透明電極層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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