(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
グルーブとランドが形成された基板と、
前記基板上に積層された磁性膜と、
前記グルーブ上の前記磁性膜上に、前記基板のランドの前記磁性膜とほぼ同じ高さまで堆積され、前記磁性膜よりも融点が低い材料からなる非磁性膜と、
を含んでなることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記非磁性膜は、少なくともＴｅを含む
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
最上面におけるグルーブとランドの段差が５ｎｍ以下である
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
グルーブおよびランドが形成された基板上に磁性膜を積層する工程と、
前記磁性膜上に非磁性膜を前記磁性膜とほぼ同じ高さまで積層する工程と、
前記非磁性膜を該非磁性膜の融点以上に加熱する工程と、
を含んでなることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記非磁性膜を（グルーブ幅／ランド幅）×グルーブ深さで表される厚さに積層する
ことを特徴とする請求項４に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記非磁性膜として、前記磁性膜よりも融点が低い材料を該磁性膜上に積層する
ことを特徴とする請求項４記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
前記非磁性膜をレーザー光で加熱する
ことを特徴とする請求項４に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
前記非磁性膜として、少なくともＴｅを含む材料を前記磁性膜上に積層する
ことを特徴とする請求項７に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】
グルーブとランドが形成された基板と、前記基板上に積層された磁性膜と、前記グルーブ上の前記磁性膜上に、前記基板の前記磁性膜とほぼ同じ高さまで堆積され、前記磁性膜よりも融点が低い材料からなる非磁性膜とを含んでなる磁気ディスクと、
前記磁気ディスクを回転させるスピンドルモ一タと、
前記磁気ディスクに対し、データの読み出し或いは書き込みを行うヘッドと、
前記ヘツドを前記磁気ディスクの半径方向に移動させるアクチュエータと、
を有することを特徴とする磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、ハードディスクドライブに適用される磁気記録媒体とその媒体の製造方法に関する。
近年、情報記憶装置の中心的役割を担うハードディスクドライブに対し、小型化および大容量化が要求されている。これらの要求は磁気ディスク媒体の面記録密度の向上により実現される。面記録密度には、ディスク媒体の円周方向の線記録密度と半径方向のトラック密度があり、これらのいずれか或いは両方を向上させることによって、高い面記録密度を得ることができる。本発明は、特にトラック密度の向上に寄与する技術である。
背景技術
従来技術においては、図１（ａ）に示されるように、アルミニウム基板などの非磁性基板２にクロム層を形成して下地膜３となし、下地膜３の上にコバルトを主分とする合金からなる磁性膜４を形成し、磁性膜４上にアモルファスカーボンのような保護膜６を形成された磁気ディスク媒体６０が提供されている。
磁気ディスク媒体のトラック密度を高めるためには、記録用磁気ヘッドのコア幅を狭めて記録トラックの幅を縮小することが必要である。ところが、情報の記録に磁気ヘッドを用いる方式では、記録ヘッド側面から生じる漏れ磁場によって記録トラックと記録トラックとの間の部分（ガードバンド）に余計な記録が行われてしまう。このような領域はサイドイレーズと呼ばれ、再生時におけるノイズの原因となる。さらに、トラック密度の向上を図って記録用磁気ヘッドのコア幅を狭めても、ギャップ長およびヘッド浮上量を小さくしない限り、サイドイレーズの幅はほとんど変化しないため、トラック幅の減少に伴い、記録データを再生する際のＳ／Ｎ比を確保するのが難しくなってくる。
そこで、図１（ｂ）に示されるように、予めディスク基板２の円周方向に沿ってグルーブ９を形成して、これをガードバンドにあてることにより、トラックを物理的に分離するディスク媒体６１が提案されている。この磁気ディスク媒体６１は、グルーブの深さが十分あれば、トラックエッジノイズを抑制できるため、トラックの高密度化に有効と考えられている。
しかし、グルーブが形成された媒体には、最終的に表面に高低差が数１０ｎｍ〜数１００ｎｍの凹凸が残る。今後の磁気ディスク媒体の高密度化に伴い、磁気ヘッドの浮上量が３０ｎｍ以下になることを考えると、信頼性の面で以下に示す理由による問題が生じてくる。
ハードディスクドライブでは、ディスクが高速回転することにより発生する空気流が磁気ヘッドを搭載したスライダを浮上させ、磁気ヘッドはディスクと非接触で記録および再生を行っている。ところが、ディスクの表面に凹凸が存在すると、空気流の乱れを介してスライダの浮上量の変動が発生し、不安定になることが知られている。このことは、浮上量が５０ｎｍ〜１００ｎｍと比較的大きい場合には余り問題にならなかったが、今後要求される３０ｎｍ以下の極低浮上量では大きな問題となる。
本発明は、記録密度が高い磁気記録媒体を提供することを目的とする。
また、本発明の他の目的は、磁気記録媒体のトラックエッジノイズを低減することである。
更に、本発明の他の目的は、磁気ヘッドの浮上を安定させることである。
発明の開示
本発明における磁気記録媒体は、基板にグルーブとランドが形成され、その基板の上に磁性膜が積層されている。そのため、トラックが互いに磁気的に分離され、トラックエッジノイズが低減される。また、グルーブ上の磁性膜上において、非磁性体が基板のランド面より高い位置まで堆積されている。この構造によると、媒体表面において、基板のランドとグルーブに起因する段差が縮小され、媒体表面はほぼ平坦である。そのため、媒体の回転によって生じる空気流が乱れることはなく、この磁気記録媒体に対して情報の記録または再生を行う磁気ヘッドの安定した浮上を確保できる。
また、本発明においては、グルーブおよびランドが形成された基板上に磁性膜及び非磁性膜を順次積層したのち、非磁性膜を加熱して溶融する。これにより、非磁性体がグルーブ上に流れ込み、グルーブ上に非磁性体が堆積される。その結果、媒体表面においてグルーブとランドとの段差が縮小され、媒体の表面の平坦化が達成される。ここで、非磁性膜の材料として、磁気記録媒体を構成する他の材料よりも融点が低いものを採用することにより、非磁性膜を加熱するとき、他の材料も溶融してしまうという問題がなくなる。また、非磁性膜を厚みがグルーブ幅／ランド幅×グルーブ深さになるよう積層することにより、ランド部に積層された非磁性膜が溶融されてランド部から除去された時点で、グルーブ部が非磁性膜で完全に埋まり、ランド部上に余分な非磁性膜を残すことなく、媒体の表面を平坦化することができる。
発明を実施するための最良の形態
図２に本発明の磁気記録媒体１の断面を示す。即ち、グルーブ８およびランド９が形成された基板２上に、下地膜３、磁性膜４、保護膜６が順次積層され、保護膜６上には潤滑剤７の層が形成されている。また、グルーブ８上には、下地膜３および磁性膜４を介して、ランド９上における磁性膜４の高さまで平滑用薄膜５が堆積され、保護膜６の積層面の段差が解消されている。そのため、保護膜６から上の層は平坦な形状を有している。以下に、磁気記録媒体１を構成する各膜について説明する。
基板２は非磁性体からなり、円盤状の形状を有する。基板２を構成する材料としては、ＮｉＰメッキが施されたアルミニウム（アルミニウム合金を含む）ディスク、ガラス（強化ガラスも含む）ディスク、表面酸化膜を有するシリコンディスク、ＳｉＣディスク、カーボンディスク、プラスチックディスク、セラミックディスク等を包含する。
グルーブの形成については、種々の方法が知られており、基板の材料に応じて最適な方法が採られる。プラスチックのように基板が樹脂性である場合は、一例として、凹凸形状を有する型に溶解されたプラスチック原料を流し込み、固めることによりプラスチックの基板上にグルーブを形成する手法が採られる。また、基板が金属製である場合は、一例として、基板上のグルーブが形成される領域外にマスクをかけ、イオンミリングのようなエッチング法を用いて基板面を削ることにより、グルーブを形成する手法が採られる。基板がガラス製である場合は、例えば、凹凸形状を有する型に溶解したガラスを流し込み、ガラスを固めることにより、グルーブを形成する手法や、ガラス板の一方の面に塗布された紫外線硬化樹脂に凹凸が設けられた型を押し当て、ガラス板の他面から紫外線を照射して樹脂を硬化することにより、グルーブを形成する手法が採られる。
基板２は、テクスチャー処理が施されていてもいなくてもよい。また、基板２のサイズは、所望とする媒体の種類や適用先の磁気ディスク装置等に応じて決められ、一般的には、直径が１インチ〜３．５インチ、厚さは０．５ｍｍ〜１．０ｍｍである。
下地膜３はクロムを主成分とする非磁性金属材料からなるものであり、具体的な材料として、クロムのみを主成分とする金属材料、或いは、ＣｒＷ、ＣｒＶ、ＣｒＴｉ、ＣｒＭｏ等のクロム合金が挙げられる。下地膜３は、例えば、マグネトロンスパッタ法等のスパッタ法により成膜され、特に、保磁力を高めるためには、ＤＣ負バイアスの印加下に実施するのが好ましい。適当な成膜の条件として、例えば、２００°Ｃ〜３００°Ｃの成膜温度、１〜１０ｍＴｏｒｒのＡｒガス圧力、１００〜５００ＶのＤＣバイアス電圧が挙げられる。また、スパッタ法に代えて他の成膜法、例えば、蒸着法、イオンビームスパッタ法等を使用してもよい。下地膜３の膜厚は種々の要因に応じて広い範囲内で決定されるが、Ｓ／Ｎ比を高めるためには、１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内に設定されるのが好ましい。下地膜の膜厚が１０ｎｍを下回ると、磁気特性が十分に得られない問題が生じ、反対に、１００ｎｍを超えると、ヘッドの浮上が不安定になる傾向がある。
なお、下地層３は必ずしも必要ではなく、基板２上に下地層を介さず磁性膜４を積層される構造であってもよい。また、下地層３は多層構造を有していてもよい。
磁性膜４はコバルトを主成分とするＣｏ系磁性体からなり、具体的な材料としては、ＣｏＰｔ合金、ＣｏＮｉ合金、ＣｏＣｒ合金等のＣｏ系二元合金、ＣｏＣｒＰｔ等のＣｏ系三元合金、ＣｏＣｒＰｔにＴａ又はＮｂが添加された四元又は５元合金などが挙げられる。そのうち、例えば、ＣｏＣｒＰｔＴａを磁性膜４に適用したときの組成例を以下に示す。
コバルト                    ７０〜８０ａｔ％
クロム                      １０〜３０ａｔ％
白金                          ５〜２０ａｔ％及び
タンタル                      １〜３ａｔ％
磁性膜４は、マグネトロンスパッタ法等のスパッタ法により成膜されるのが好ましく、適当な成膜の条件として、例えば、２００°Ｃ〜３００°Ｃの成膜温度、１〜１０ｍＴｏｒｒのＡｒガス圧力等が挙げられる。また、スパッタ法に代えて他の成膜法、例えば、蒸着法、イオンビームスパッタ法等を使用することもできる。
本実施形態においては、磁性膜４は単一の層からなるが、必要に応じて、２層或いはそれ以上の互いに分断された多層構造を有してもよい。磁性膜４が多層構造をとる場合、磁性膜４は非磁性中間膜を介して複数の磁性層に分断される。適当な非磁性中間膜として、ＣｒＭｏが挙げるられる。
平滑用薄膜５は、磁性膜４を構成する材料よりも融点が低い非磁性体から構成される。平滑用薄膜５によってグルーブを埋める工程を図３および図４を用いて説明する。
まず、図３（ａ）に示されるように、基板２上に下地膜３及び磁性膜４が積層されたのち、磁性膜４上に非磁性材料を例えばマグネトロンスパッタ法により成膜する。磁性膜４が多層構造を有する場合は、平滑用薄膜５は最上層の磁性膜よりも上の層に成膜される。成膜条件としては、２０°Ｃ〜５０°Ｃの成膜温度、Ａｒ：ＣＨ４＝９：１程度の混合ガスで１〜１０ｍＴｏｒｒが好ましい。
平滑用薄膜５が成膜されたのち、図４に示されるように、媒体１を回転させながら、レンズ１９によって集光されたレーザー光をランド上の平滑用薄膜５に当てる。ランドおよびグルーブは基仮２上に同心円上に形成されており、媒体の回転に伴って、平滑用薄膜５は媒体１の周方向に沿って加熱され、溶融する。レーザースポット径は、図３（ｂ）に示されるように、ランドの幅と同じになるように調整される。レーザー波長は４００ｎｍ〜８００ｎｍ、レーザーパワーは２〜１００ｍＷが好ましい。
ランド上の平滑用薄膜５が溶融すると、図３（ｃ）に示されるように、ランド上の平滑用薄膜５とグルーブ上の平滑用薄膜５との間に表面張力の差が生じる。その結果、ランド上の平滑用薄膜５はレーザースポットの外側にあるグルーブに流れ込み、グルーブが平滑用薄膜５で埋まる。平滑用薄膜５の膜厚が（グルーブ幅／ランド幅）×グルーブ深さであれば、ランド上の平滑用薄５が全てグルーブに流入された時点で、グルーブが完全に埋まり、ランド上に平滑用薄膜５を残すことなく媒体１の表面を平坦化することができる。
以降、レーザースポットを媒体１の半径方向に移動させ、各ランド上の平滑用薄膜４を加熱することにより、図３（ｄ）〜図３（ｇ）に示されるように、ランド上の平滑用薄膜５が除去され、グルーブが埋められていく。
上述のように、本実施の形態においては、平滑用薄膜５を加熱溶融してグルーブを埋めるため、媒体１を構成する他の材料までもが溶融されることがないよう、平滑用薄膜５はそれらの材料よりも融点が低い材料からなることが要求される。更に、平滑用薄膜５をレーザー光によって加熱するため、光吸収率が高いことも要求される。これらの要求を満たすふさわしい材料として、Ｔｅ、或いはＴｅを主成分とし、Ｃ、Ｓｅ、Ｓのうちのいずれか一種を含む化合物が挙げられる。特に、Ｔｅは、融点が４５０°Ｃであり、磁性膜４を構成する材料の融点に比べて極めて低く、半導体レーザーの波長における光吸収率も高い。更に、Ｔｅ単体と比較して、ＴｅＣ、ＴｅＳｅ、ＴｅＣＳ２のような化合物は耐酸化性に優れ、光感度もより高い。
図５は図４に示される加熱装置の機能ブロック図である。
図５において、１２はスピンドルモータであり、ディスク媒体１を回転させる。１３はレーザーユニットであり、加熱用レーザー１４とトラックキング用レーザー１５を備える。１６はレーザーユニット１３をディスク１の半径方向に駆動するアクチュエータである。
また、図６に示されるように、加熱用レーザー１４のスポットとトラックキング用レーザー１５のスポットの間隔は、ランド８とグルーブ９の隔間ｄに等しくなるように調整され、更に、トラッキングレーザー１５は、矢印Ａで示されるアクチュエータ１３の移動方向について、加熱用レーザー１４よりも前に配置される。つまり、トラッキング用レーザ１５のスポットがグルーブ９に当たる時、加熱用レーザー１４のスポットとランド８とが重なるようになっている。
１７は、予め設定された加熱用レーザー１４のランドへの照射時間を計数するとリセットされるタイマである。１８は、ディスク媒体１のランド数が設定され、この設定値がタイマ１７がリセットされる毎に減算されるカウンタである。つまり、タイマ１７のリセット回数がディスク媒体１のランド数と一致することによりリセットされる。
コントローラ１１は、タイマ１７のリセットを検出すると、現在実行中のグルーブの埋没処理が終わったと判断し、隣のグルーブ上へ加熱用レーザー１４のスポットを移動させるべく、アクチュエータ１６を図６の矢印Ａの方向に駆動させる。コントローラ１１は、トラッキング用レーザ１５のスポットがグルーブ９に当たったことを検出すると、加熱用レーザー１４のスポットがランド８上に位置付けられたと判断し、アクチュエータ１６を停止させ、タイマ１７を再び作動させる。また、コントローラ１１はカウンタ１８の値が０であることを検出すると、ディスク１上の全グルーブが埋まったと判断し、加熱用レーザー１５のランドへの照射を停止させる。なお、前述の例では、一定時間間隔でアクチュエータを移動させるため、周方向の長さの違いよりレーザーから受ける熱量がランド間でばらつく。そこで、スピンドルモータ１２の回転数を計数し、一定数回転する毎にアクチュエータを移動させてもよい。
保護膜６は、カーボン単体、またはカーボンを含む化合物からなり、例えば、ＷＣ、ＳｉＣ、Ｂ４Ｃ、水素含有カーボンや、高い硬度を有する点で注目されているダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）が挙げられる。保護膜６は、マグネトロンスパッタ法等のスパッタ法により成膜されるのが好ましく、適当な成膜の条件としては、例えば、２０°Ｃ〜１００°Ｃの成膜温度、１〜１０ｍＴｏｒｒのＡｒガス圧力が挙げられる。また、スパッタ法に代えて他の成膜法、例えば、蒸着法、イオンビームスパッタ法等を使用してもよい。保護膜６の膜厚は、種々の要因に依存し、広い範囲内で決定されるが、好ましくは、５ｎｍ〜２０ｎｍである。
潤滑膜７は、フロロカーボン樹脂系の材料からなり、膜厚０．５ｎｍ〜２ｎｍを有する。潤滑膜７は、上記材料を含有する溶液中に媒体１を浸すことにより、記媒体に潤滑剤の膜が形成される。膜厚は、溶液中の材料の濃度や媒体を溶液から引き上げる速さに依存する。
また、本発明は、上述の磁気記録媒体を備える磁気ディスク装置にあり、その一例を図７および図８に示す。図７は、カバーが取り外された状態における本発明の磁気ディスク装置の平面図であり、図８は、図７の線分Ａ−Ａに沿った断面図である。
これらの図において、５０は、ベースプレート５１上に設けられたスピンドルモータ５２によって駆動される磁気ディスクである。本実施形態においては、磁気ディスクは３枚備えられている。
５３は、ベースプレート５１上に回転可能に支持されるアクチュエータである。アクチュエータ５３の一端には、磁気ディスク５０の記録面と平行な方向に延びる複数のヘッドアーム５４が形成されている。ヘッドアームの一端には、スプリングアームが取り付けられる。スプリングアーム５５のフレクシャー部にスライダ４０が図示されない絶縁膜を介して取り付けられている。アクチュエータ５３の他端には、コイル５７が取り付けられている。
ベースプレート５１上には、永久磁石及びヨークによって構成された磁気回路５８が設けられ、磁気回路５８の磁気ギャップ内に、上記コイル５７が配置される。そして、磁気回路５８とコイル５７とによってヴォイスコイルモータ（ＶＣＭ）が構成される。また、ベースプレート５１の上部はカバー５９で覆われている。
以下に、上記磁気ディスク装置の動作を説明する。磁気ディスク５０が停止しているときは、スライダ４０は磁気ディスク５０の退避ゾーンに接触して停止している。次に、磁気ディスク装置５０がスピンドルモータ５２によって回転されると、磁気ディスク５０の回転に伴って発生する空気流によって、スライダ４０はディスク面から僅かな隙間をもって浮上する。スライダが浮上している状態でコイル５７に電流が流れると、コイル５７に推力が発生し、アクチュエータ５３が回転する。そして、スライダ４０が磁気ディスク５０の所定のトラック上に移動し、データの読み出しや書き込みを行う。
この磁気ディスク装置では、磁気ディスク５０はグルーブが形成されているため、トラックエッジノイズの抑制に効果的である。更に、グルーブが平滑用薄膜で埋められ、磁気ディスク５０の表面は平坦である。そのため、磁気ディスクの回転によって生じる磁気ディスク表面の空気流は整っており、スライダ４０の安定した浮上が確保できる。
本実施例では、断面が図２に示される磁気記録媒体を以下に説明する条件に基づいて作製した。本実施例では、下地膜３、磁性膜４、平滑用薄膜５および保護膜形成のために図９に示されるようなＤＣマグネトロンスパッタ装置１０が使用された。スパッタ装置２０は、図示されるように、ガスをスパッタ室に導入するガス供給口２１、排気口２２、ディスク基板を支持するサセプタ２３、ターゲット２４、そしてマグネット２５を装備している。
基板２は、２．５インチのガラスディスクからなり、グルーブ８が形成されている。グルーブ８は、レジストをガラスディスクの表面に形成した後、露光装置でレジストをパターニングし、ＲＩＥによりレジストで覆われていないグルーブ形成予定面を削ることにより形成される。本実施例においては、グルーブ８は、深さ６０ｎｍ、幅０．３μｍであり、ランド幅は２．７μｍである。ここでは、ランド幅とグルーブ幅の合計値である３．０μｍが本実施例の磁気記録媒体におけるトラックピッチとなる。なお、本実施例における基板２には、テクスチャ処理は施されていない。
下地膜３は、Ｃｒの単層であり、スパッタ室内を１×１０−８Ｔｏｒｒに排気した後、基板温度２５０°Ｃ、スパッタ室のＡｒガス圧５ｍＴｏｒｒ、ＤＣパワー３００Ｗの条件のもと、基板２の上に厚さ２０ｎｍに成膜された。
磁性膜４は、ＣｏＣｒＰｔＴａからなる単層であり、スパッタ室内のＡｒガス圧５ｍＴｏｒｒ、ＤＣパワー２００Ｗの条件のもと、前記下地層３の上に厚さ２０ｎｍに成膜された。本実施例における磁性膜４の組成は、コバルト８０ａｔ％、クロム１６ａｔ％、白金１２ａｔ％及びタンタル２ａｔ％である。
平滑用薄膜５の成膜は、スパッタ室に入れるガスが前記下地膜および磁性膜の成膜時と異なるため、基板２を別のスパッタ装置に移して行われる。平滑用薄膜５は、スパッタ室内を１×１０−８Ｔｏｒｒに排気した後、基板温度２０°Ｃ、スパッタ室のＣＨ４：Ａｒ＝１：９の混合ガス圧５ｍＴｏｒｒ、ＤＣパワー２００Ｗの条件のもと、前記磁性膜４上に厚さ６ｎｍに成膜される。平滑用薄膜５が成膜された後、平滑化処理が施された。平滑化処理は、基板２を１０００ｒｐｍで回転させ、各ランドの平滑用薄膜５を波長７９０ｎｍ、レーザーパワーが最大２．５ｍＷの半導体レーザーを１０秒照射することにより実施された。平滑化処理の結果、ランド上の平滑用薄膜４はグルーブ上へ流れ込み、媒体表面の段差が２ｎｍまで縮小された。
保護膜６の成膜は、平滑化処理の後、下地膜２および磁性膜３を成幕したスパッタ装置に戻して行われる。保護膜６は、アモルファスカーボン（ａＣ）からなり、スパッタ室内を１×１０−８Ｔｏｒｒに排気した後、基板温度２０°Ｃ、スパッタ室のＡｒガス圧５ｍＴｏｒｒ、ＤＣパワー４００Ｗの条件のもと、厚さ１０ｎｍに成膜された。前述の平滑化処理により、保護膜６の積層面の段差は殆ど解消されているため、保護膜６はほぼ平坦な層を示す。
潤滑膜７は、フロロカーボンからなり、保護膜６上に膜厚２ｎｍに形成された。
本実施例における磁気記録媒体は、上述のような材料および製法を用いて作成された結果、表面におけるランド−グルーブ間の段差は２〜３ｎｍに抑えられている。
図１０は、平滑化処理におけるレーザーパワーと平滑用薄膜（ＴｅＣ）におけるランド−グルーブ間の段差との関係を示す。レーザーパワーが０〜１ｍｗのときは、ＴｅＣ膜が溶解しないため、段差はほとんどと変化しない。レーザーパワーが１．５ｍＷ以上になると、ＴｅＣ膜の溶解とグルーブへの流入が始まり、段差が減少していく。そして、２．５ｍＷ以上になると、ランド上のＴｅＣ膜はほとんどグルーブへ移動し、段差は２ｎｍ以下まで減少する。
図１１は、ディスク媒体とヘッドの衝突を検出する装置であり、被試験媒体を回転させるエアスピンドル３０、ヘッドを支持するサスペンション３２、媒体とヘッドの衝突を感知するＡＥセンサ３２、ＡＥセンサの信号を増幅するアンプおよびフィルタ３３を有する。図１１に示す装置を用いて、ヘッドの周速１０ｍ／Ｓ、ヘッドの浮上量２０ｎｍの条件のもとでディスク媒体を評価したところ、図１２および図１４に示す結果が得られた。
図１２は、ディスク媒体の表面におけるランド−グルーブ間の段差とヘッドの浮上耐久時間の関係を調査した結果を示している。表１から明らかなように、段差が５ｎｍ以下の媒体では、ヘッドと顕著な衝突が起きず、ヘッドは１０００時間以上浮上することができる。一方、段差が６ｎｍ以上の媒体では、ヘッドが浮上してから数時間でクラッシュが発生し、ほんの僅かな時間しか浮上できない。図１２に示される結果から、ヘッドの安定な浮上を確保するためには、媒体表面におけるランドとグルーブの段差を５ｎｍ以下にすることが必要であることが分かる。
図１４は、図１に示される従来のディスク媒体に対するヘッドの浮上耐久時間をしめす。図１（ａ）に示される媒体は、基板１にグルーブが形成されていないため、表面は平坦であり、ヘッドは１０００時間以上の浮上を確保できる。一方、図１（ｂ）に示される基板１にグルーブが形成された媒体は、わずか２時間以内でクラッシュが発生した。
図１４及び図１２に示される結果から、本実施例における磁気記録媒体はランド−グルーブ間の段差が２ｎｍしかないことから、グルーブが形成されていないフラットな媒体と同等の浮上耐久時間が得られることがわかる。
産業上の利用可能性
本発明の磁気記録媒体は、グルーブが形成された基板上に磁性膜が積層され、トラックが磁気的に分離されるため、トラックエッジノイズが低減される。その結果、トラック密度を高くすることができる。また、本発明の磁気記録媒体は、表面が平坦であるため、媒体表面の空気流は乱れずヘッドの浮上が安定する。その結果、ヘッドの浮上量を小さくすることができ、線密度を高くすることができる。
従って、本発明によると、トラック密度と線密度の両方の高密度化が可能となり、磁気記録媒体の小型化、大容量化が図れる。
【図面の簡単な説明】
図１は従来の磁気ディスク媒体の断面図である。
図２は本発明におけるディスク媒体の断面図である。
図３はディスク媒体の表面を平滑化する工程を示す図である。
図４はディスク媒体の表面を平滑化する装置を示す図である。
図５はディスク媒体の表面を平滑化する装置の機能ブロック図である。
図６はレーザースポットの位置合わせの原理図である。
図７は本発明のディスク媒体を備えた磁気ディスク装置の平面図である。
図８は図７に示される磁気ディスク装置の断面図である。
図９はスパッタリング装置を示す図である。
図１０はレーザーパワーとディスクの表面段差の関係を示すグラフである。
図１１は磁気ヘッドの浮上耐久時間を評価する装置を示す図である。
図１２は本発明の媒体に対するヘッドの浮上耐久時間を示す図である。
図１３は従来の媒体に対するヘッドの浮上耐久時間を示す図である。
【図１】
0004258150.tif 000002
【図２】
0004258150.tif 000003
【図３】
0004258150.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
0004258150.tif 000007
【図７】
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【図８】
0004258150.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
0004258150.tif 000012
【図１２】
0004258150.tif 000013
【図１３】
0004258150.tif 000014