(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向し合う一対の反射端面でＳＨタイプの表面波が反射される端面反射型表面波装置の製造方法であって、
マザー基板上に複数のインターデジタル電極を形成する工程と、
マザー基板の上面に少なくとも一方の側面が反射端面を構成する溝をドライエッチングにより形成する工程と、
前記溝の形成後にマザー基板を厚み方向に機械的に切断して個々の端面反射型表面波装置を得る工程とを備え、
前記マザー基板上に複数のインターデジタル電極を形成する工程が、
マザー基板の上面の全面に金属薄膜を形成するステージと、
該金属薄膜上にレジストを付与し、露光・現像によりパターニングし、それによってインターデジタル電極と、該インターデジタル電極上に積層された第１のレジスト層とを形成するステージとを備え、
前記ドライエッチングにより溝を形成する工程が、マザー基板の上面に形成されたインターデジタル電極及び第１のレジスト層を覆うように第２のレジスト層を形成するステージと、該第２のレジスト層を露光・現像によりパターニングし、それによって、溝が形成される部分においてマザー基板の上面を露出させるステージとを備え、前記溝が形成される部分においてマザー基板をドライエッチングすることにより溝が形成されることを特徴とする、端面反射型表面波装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２のレジスト層を形成後その上に第２の金属薄膜を形成し、該第２の金属薄膜上に第３のレジスト層を形成し、第３のレジスト層を露光・現像した後、第２の金属薄膜をエッチングし、さらにエッチングされた第２の金属薄膜をマスクとして、前記第２のレジスト層を露光・現像することにより溝が形成される部分においてマザー基板の上面が露出されるステージと、
第３のレジスト層を除去するステージとをさらに備え、
第３のレジスト層の除去により露出された第２の金属薄膜をマスクとして、前記ドライエッチングが行われる、請求項１に記載の端面反射型表面波装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２のレジスト層を形成後その上に第２の金属薄膜を形成し、該第２の金属薄膜上に第３のレジスト層を形成し、第３のレジスト層を露光・現像した後、第２の金属薄膜をエッチングし、さらにエッチングされた第２の金属薄膜をマスクとして、前記第２のレジスト層を露光・現像することにより溝が形成される部分においてマザー基板の上面が露出されるステージをさらに備え、
第２のレジスト層−第２の金属薄膜−第３のレジスト層からなる多層構造をマスクとして、前記ドライエッチングが行われる、請求項１に記載の端面反射型表面波装置の製造方法。
【請求項４】
対向し合う一対の反射端面でＳＨタイプの表面波が反射される端面反射型表面波装置の製造方法であって、
マザー基板上に複数のインターデジタル電極を形成する工程と、
マザー基板の上面に少なくとも一方の側面が反射端面を構成する溝をドライエッチングにより形成する工程と、
前記溝の形成後にマザー基板を厚み方向に機械的に切断して個々の端面反射型表面波装置を得る工程とを備え、
前記マザー基板の上面に複数のインターデジタル電極を形成する工程が、
マザー基板上に全面に金属薄膜を形成するステージと、
金属薄膜上において、インターデジタル電極が形成される部分の領域に第１のレジスト層を形成するステージと、
第１の金属薄膜及び第１のレジスト層を覆うように、かつ第１のレジスト層の厚みより薄い第２の金属薄膜を積層するステージとを備え、
前記ドライエッチングにより溝を形成する工程が、マザー基板の上面に第２のレジスト層を全面に付与するステージと、
第２のレジスト層を露光・現像によりパターニングし、第１及び第２の金属薄膜をエッチングして溝が形成される部分において、マザー基板の上面を露出させるステージと、
第２のレジスト層を除去し、第２の金属薄膜を露出させるステージとを備え、  露出された第２の金属薄膜をマスクとして前記ドライエッチングが行われ、
次に、第１のレジスト層をマスクとして用いて第１及び第２の金属薄膜をエッチング後、第１のレジスト層を除去する工程をさらに備えることを特徴とする、端面反射型表面波装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば共振子や帯域フィルタとして用いられる表面波装置の製造方法に関し、より詳細には、ＢＧＳ波やラブ波などのＳＨタイプの表面波を利用した端面反射型表面波装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、共振子や帯域フィルタとして、ＢＧＳ波やラブ波のようなＳＨタイプの表面波を利用した端面反射型表面波装置が知られている。端面反射型表面波装置は、圧電基板上に少なくとも１つのインターデジタル電極（以下、ＩＤＴ電極）を形成した構造を有する。また、圧電基板の対向２端面が、表面波を反射させる反射端面として用いられている。従って、端面反射型表面波装置では、反射器を必要としないので、表面波装置の小型化を図ることができる。
【０００３】
もっとも、端面反射型表面波装置では、対向２端面間で表面波が反射され、それによって表面波が閉じ込められるため、反射端面は高精度に形成される必要がある。
【０００４】
上記のような端面反射型表面波装置の製造は、従来、以下のようにして行われていた。まず、マザーの圧電基板の上面に複数のＩＤＴ電極を形成する。次に、マザーの圧電基板の上面に、上記反射端面を構成するために溝を形成する。すなわち、溝の一方の側面が反射端面を構成するように、高精度に溝加工を施す。しかる後、個々の端面反射型表面波装置毎にマザーの圧電基板を分割する。
なお、上記溝の形成は、ダイサーなどの切削装置を用いて行われていた。
【０００５】
また、端面反射型表面波装置において端面を高精度に形成する方法として、イオンエッチング法の使用も提案されている（日本音響学会講演論文集、昭和５１年春季全国大会  P.351 、「自由端面の反射を利用した圧電表面すべり波共振子」、昭和５１年５月発行）が、具体的な実現方法については記載されていない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
従来のダイサーなどの切削刃を用いた溝加工方法では、反射端面を高精度に形成することが困難であった。従って、所望通りの良好な特性を有する端面反射型表面波装置を得ることが困難であった。
【０００７】
他方、反射端面をイオンエッチングにより形成する方法も提案されているが、イオンエッチングでは、加工に長時間を要する。従って、イオンエッチングにより圧電基板を加工して反射端面を形成する際に、圧電基板が損傷を受けがちであり、やはり良好な共振特性やフィルタ特性を得ることができなかった。
【０００８】
本発明の目的は、端面反射型表面波装置の製造に際し、反射端面を高精度に形成することができ、かつ基板の損傷が生じ難い、端面反射型表面波装置の製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、対向し合う一対の反射端面でＳＨタイプの表面波が反射される端面反射型表面波装置の製造方法であって、マザー基板上に複数のＩＤＴ電極を形成する工程と、マザー基板の上面に少なくとも一方の側面が反射端面を構成する溝をドライエッチングにより形成する工程と、前記溝の形成後にマザー基板を厚み方向に機械的に切断して個々の端面反射型表面波装置を得る工程とを備え、前記マザー基板上に複数のインターデジタル電極を形成する工程が、マザー基板の上面の全面に金属薄膜を形成するステージと、該金属薄膜上にレジストを付与し、露光・現像によりパターニングし、それによってインターデジタル電極と、該インターデジタル電極上に積層された第１のレジスト層とを形成するステージとを備え、前記ドライエッチングにより溝を形成する工程が、マザー基板の上面に形成されたインターデジタル電極及び第１のレジスト層を覆うように第２のレジスト層を形成するステージと、該第２のレジスト層を露光・現像によりパターニングし、それによって、溝が形成される部分においてマザー基板の上面を露出させるステージとを備え、前記溝が形成される部分においてマザー基板をドライエッチングすることにより溝が形成されることを特徴とする。
【００１３】
本発明のより特定の局面では、前記第２のレジスト層を形成後その上に第２の金属薄膜を形成し、該第２の金属薄膜上に第３のレジスト層を形成し、第３のレジスト層を露光・現像した後、第２の金属薄膜をエッチングし、さらにエッチングされた第２の金属薄膜をマスクとして、前記第２のレジスト層を露光・現像することにより溝が形成される部分においてマザー基板の上面が露出されるステージと、第３のレジスト層を除去するステージとをさらに備え、第３のレジスト層の除去により露出された第２の金属薄膜をマスクとして、前記ドライエッチングが行われる。
【００１４】
本発明の他の特定の局面では、前記第２のレジスト層を形成後その上に第２の金属薄膜を形成し、該第２の金属薄膜上に第３のレジスト層を形成し、第３のレジスト層を露光・現像した後、第２の金属薄膜をエッチングし、さらにエッチングされた第２の金属薄膜をマスクとして、前記第２のレジスト層を露光・現像することにより溝が形成される部分においてマザー基板の上面が露出されるステージをさらに備え、第２のレジスト層−第２の金属薄膜−第３のレジスト層からなる多層構造をマスクとして、前記ドライエッチングが行われる。
【００１５】
また、本発明の他の広い局面では、対向し合う一対の反射端面でＳＨタイプの表面波が反射される端面反射型表面波装置の製造方法であって、マザー基板上に複数のインターデジタル電極を形成する工程と、マザー基板の上面に少なくとも一方の側面が反射端面を構成する溝をドライエッチングにより形成する工程と、前記溝の形成後にマザー基板を厚み方向に機械的に切断して個々の端面反射型表面波装置を得る工程とを備え、前記マザー基板の上面に複数のＩＤＴ電極を形成する工程が、マザー基板上に全面に金属薄膜を形成するステージと、金属薄膜上において、ＩＤＴ電極が形成される部分の領域に第１のレジスト層を形成するステージと、第１の金属薄膜及び第１のレジスト層を覆うように、かつ第１のレジスト層の厚みより薄い第２の金属薄膜を積層するステージとを備え、前記ドライエッチングにより溝を形成する工程が、マザー基板の上面に第２のレジスト層を全面に付与するステージと、第２のレジスト層を露光・現像によりパターニングし、第１及び第２の金属薄膜をエッチングして溝が形成される部分において、マザー基板の上面を露出させるステージと、第２のレジスト層を除去し、第２の金属薄膜を露出させるステージとを備え、露出された第２の金属薄膜をマスクとして前記ドライエッチングが行われ、次に、第１のレジスト層をマスクとして用いて第１及び第２の金属薄膜をエッチング後、第１のレジスト層を除去する工程がさらに備えられる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ、本発明に係る端面反射型表面波装置の製造方法の具体的な実施例を説明する。
【００１７】
（第１の実施例）
図１を参照して、本発明の第１の実施例に係る端面反射型表面波装置の製造方法を説明する。
【００１８】
まず、マザー基板１を用意する。マザー基板１は、ＬｉＴａＯ3 、ＬｉＮｂＯ3 または水晶などの圧電単結晶、あるいはチタン酸ジルコン酸鉛系セラミックスのような圧電セラミックスを用いて構成することができる。
【００１９】
マザー基板１の上面の全面に金属薄膜２を形成する。金属薄膜２の形成は、蒸着、スパッタもしくはメッキ等の適宜の薄膜形成法により行うことができる。金属薄膜２を構成する金属材料としては、Ａｌ、Ｔｉなどの導電性に優れた適宜の金属を用いることができる。この金属薄膜２の厚みは、特に限定されるわけではないが、通常、０．１〜１．４μｍ程度とされる。
【００２０】
次に、図１（ｂ）に示すように、金属薄膜２の上面の全面を覆うようにフォトレジスト層３を形成する。フォトレジスト層３の厚みについては、特に限定されないが、通常、０．１〜２．０μｍ程度とされる。
【００２１】
次に、フォトレジスト層３の上面にマスクを当接し、露光・現像・エッチングすることにより、金属薄膜２及びレジスト層３をパターニングする。このようにして、図１（ｃ）に示すように、ＩＤＴ電極２Ａ，２Ｂが形成される。なお、図１（ｃ）では、ＩＤＴ電極２Ａ，２Ｂは、それぞれ、隣り合う弾性表面波装置のＩＤＴ電極であり、各ＩＤＴ電極２Ａ，２Ｂの上面にパターニングされたフォトレジスト層３Ａ，３Ｂが残存している。
【００２２】
なお、上記露光に際しては、例えば４００ｎｍ程度の波長のＵＶ光を用いることができる。また、エッチングに際しては、現像後に酸によるウェットエッチングもしくはドライエッチングなどによりエッチングすることにより行われる。
【００２３】
次に、ＩＤＴ電極２Ａ，２Ｂ及びフォトレジスト層３Ａ，３Ｂを覆うように第２のフォトレジスト層４を形成する（図１（ｄ））。第２のフォトレジスト層４の厚みは、特に限定されるわけではないが、通常、２．０〜３．０μｍ程度とされ、ＩＤＴ電極２Ａ，２Ｂの上面にフォトレジスト層３Ａ，３Ｂが積層されている部分を覆う厚みとされる。
【００２４】
しかる後、第２のフォトレジスト層４を露光・現像し、パターニングする。このパターニングに際しては、最終的に溝が形成されている部分においてマザー基板１の上面１ａを露出させるように行われる。すなわち、図１（ｅ）に示すように、第２のフォトレジスト層４に溝４ａ，４ｂが形成されることにより、マザー基板１の上面１ａが露出される。
上記露光に際しては、４００ｎｍ程度の波長のＵＶ光を用いることができ、かつ溝４ａ，４ｂを形成するための現像に際しては、現像液が用いられる。
【００２５】
上記のようにして、溝４ａ，４ｂを形成した後、エッチングガスを用いてマザー基板１をドライエッチングし、溝５，６を形成する。溝５，６は、溝４ａ，４ｂの形成により露出したマザー基板１の上面部分をドライエッチングにより溝加工することにより形成されている。
【００２６】
ドライエッチングに際しては、エッチングガスとして、マザー基板１をドライエッチングし得る適宜のガスを用いて行うことができる。このようなエッチングガスとしては、例えば、ＣＦ4 、Ｈ2 、Ａｒ、ＣｎＦｍ、ＣＨＦ3 、Ｏ2 、ＳＦ6 、Ｃｌ2 、ＢＣｌ3 などを用いることができる。この場合、溝５，６の形成に際してのドライエッチングは、通常、１〜５時間程度の時間で行うことができる。従って、マスクを厚くしている分、溝５，６の形成により、マザー基板１の損傷が生じ難い。
【００２７】
次に、アセトンなどの溶剤を用いて、第２のレジスト層４及びＩＤＴ電極２Ａ，２Ｂの上面に積層されているレジスト層３Ａ，３Ｂを剥離する（図１（ｇ））。このようにして、隣り合う弾性表面波装置部分間に、溝５，６が形成されたマザー基板１を得ることができる。
【００２８】
しかる後、溝５，６間でマザー基板１をダイシングすることにより、個々の弾性表面波装置７，８を得ることができる（図１（ｈ））。
上記のようにして得られた弾性表面波装置７，８では、溝５，６の内側の側面、すなわち、それぞれ、ＩＤＴ電極２Ａ，２Ｂ側の側面５ａ，６ａが各端面反射型表面波装置７，８における反射端面を構成している。溝５，６は、上記のようにフォトリソグラフィ−エッチング法により形成されるので、高精度に形成され得る。すなわち、側面５ａ，６ａの位置及び向きを高精度に制御し得る。よって、共振特性やフィルタ特性の良好な端面反射型表面波装置を得ることができる。
【００２９】
なお、溝５，６は、マザー基板１の下面１ｂには至っていない。従って、反射端面５ａ，６ａは、ＩＤＴ電極２Ａ，２Ｂが形成されている面から中間高さ位置まで形成されており、弾性表面波装置の下面には至っていない。
【００３０】
しかしながら、ＳＨタイプの表面波のエネルギーは、圧電基板のＩＤＴ電極が形成されている面からある深さ位置までにそのほとんどが集中する。従って、溝５，６の深さをある程度以上とすれば、良好な特性の得られる端面反射型表面波装置を提供することができる。
【００３１】
本実施例の端面反射型表面波装置の製造方法では、上記のように、ＩＤＴ電極２Ａ，２Ｂを第１のレジスト層３Ａ，３Ｂで被覆した状態で、第２のレジスト層４を形成し、パターニングすることにより、溝４ａ，４ｂが形成される。従って、溝４ａ，４ｂの形成に際し、ＩＤＴ電極２Ａ，２Ｂが損傷し難い。さらに、第２のレジスト層４により電極構造が被覆された状態で、溝４ａ，４ｂの形成により露出したマザー基板１の上面部分をドライエッチングすることにより溝５，６が形成される。よって、溝５，６の形成に際してもＩＤＴ電極２Ａ，２Ｂが損傷を受け難い。
【００３２】
加えて、ドライエッチングによりマザー基板１に溝５，６を比較的短時間で形成し得るので、マザー基板１の損傷も生じ難い。
よって、フォトリソグラフィ−エッチング法により溝５，６を高精度に形成することができ、すなわち反射端面を高精度に形成することができるだけでなく、ＩＤＴ電極やマザー基板の損傷が生じ難いので、良好な共振特性やフィルタ特性を有する端面反射型表面波装置を確実に提供することができる。
【００３３】
なお、上記実施例では、隣り合う表面波装置部分間の切断にはダイシングソーを用いて行われていたが、ダンシングソー以外のカットソーなど適宜の機械的な切断装置を用いて上記切断を行うことができる。
【００３４】
（第２の実施例）
図２（ａ）〜（ｉ）を参照して、第２の実施例の端面反射型表面波装置の製造方法を説明する。
【００３５】
まず、図２（ａ）に示すように、マザー基板１を用意し、マザー基板１の上面１ａ上に金属薄膜２を形成する。
次に、金属薄膜２上に、フォトレジスト層３を形成する。しかる後、第１の実施例と同様に、露光・現像によって第１のフォトレジスト層３をパターニングした後、エッチングを行うことによりＩＤＴ電極２Ａ，２Ｂ及びレジスト層３Ａ，３Ｂを形成する（図２（ｃ））。
【００３６】
しかる後、第２のフォトレジスト層４を形成し、ＩＤＴ電極２Ａ，２Ｂ及び第１のフォトレジスト層３Ａ，３Ｂを被覆する。ここまでは、第１の実施例と同様である。
【００３７】
次に、図２（ｅ）に示すように、第２のフォトレジスト層４を覆うように、第２の金属薄膜１１を形成する。第２の金属薄膜１１は、ＴｉあるいはＴｉ−Ａｇ合金などの適宜の金属により構成することができる。第２の金属薄膜１１の上面に、第３のフォトレジスト層１２を形成する。
しかる後、第３のフォトレジスト層１２上にマスクを当接し、露光・現像・エッチングを繰り返すことにより、溝１３ａ，１３ｂを形成する（図２（ｆ））。
【００３８】
次に、第３のフォトレジスト層１２をレジスト剥離液を用いて除去し、パターニングされた第２の金属薄膜１１を露出させる（図２（ｇ））。
しかる後、上記第２の金属薄膜１１をマスクとして、ドライエッチングにより溝５，６を形成する。
【００３９】
なお、第３のフォトレジスト層１２を残したままドライエッチングすることも可能である。その場合には、第２のフォトレジスト層４−第２の金属薄膜１１−第３のフォトレジスト層１２からなる多層構造がドライエッチングのマスクとして用いられる。
【００４０】
ドライエッチングは、第１の実施例の場合と同様にして行われるが、第２の金属薄膜１１がマスクとして用いられるので、下地に形成されているＩＤＴ電極２Ａ，２Ｂ、フォトレジスト層３Ａ，３Ｂ及び第２のフォトレジスト層４が損傷され難い。また、ドライエッチングは、第１の実施例の場合と同様に、１〜５時間程度の短時間で行われるので、マザー基板１の損傷も生じ難い。
【００４１】
しかる後、図２（ｈ）に示すように、フォトレジスト層３Ａ，３Ｂ及び第２のフォトレジスト層４をアセトンを用いて除去することにより、第２のフォトレジスト層４上に形成されていた第２の金属薄膜１１をも除去する。このようにして、溝５，６が形成されたマザー基板１が得られる。しかる後、第１の実施例の場合と同様に、溝５，６間でマザー基板１を機械的に切断することにより、個々の弾性表面波装置を得ることができる（図２（ｉ）参照）。
【００４２】
第２の実施例においても、溝５，６の形成が、マザー基板１を短時間でドライエッチングすることにより行われるので、マザー基板１の損傷が生じ難い。また、ドライエッチングに際し、ＩＤＴ電極２Ａ，２Ｂは、フォトレジスト層３Ａ，３Ｂ，４で被覆されているので、ＩＤＴ電極２Ａ，２Ｂの損傷も生じ難い。
【００４３】
さらに、ドライエッチングに際し、パターニングされた第２の金属薄膜１１自体がマスクとして用いられるので、溝５，６を目的とする位置に高精度に形成することができる。
【００４４】
従って、第２の実施例においても、共振特性やフィルタ特性の良好な端面反射型表面波装置を得ることができる。
なお、第２の実施例においても、溝５，６の深さについては、第１の実施例と同様に、好ましくは０．５λ以上、より好ましくは１λ以上とされる。
【００４５】
（第３の実施例）
図３及び図４を参照して、第３の実施例に係る端面反射型表面波装置の製造方法を説明する。
【００４６】
図３（ａ）に示すように、第１の実施例の場合と同様にして、マザー基板１上に金属薄膜２を形成する。次に、金属薄膜２上に全面にフォトレジストをスピンコーティングなどにより塗布し、現像・露光することによりフォトレジスト層をパターニングする。このようにして、図３（ｂ）に示すように、パターニングされた第１のフォトレジスト層２１を形成する。このパターニングされた第１のフォトレジスト層２１は、ＩＤＴ電極の形成される部分に配置される。
【００４７】
第１のフォトレジスト層２１の厚みは、特に限定されるわけではないが、０．１〜２．０μｍ程度とされる。
次に、図３（ｃ）に示すように、第２の金属薄膜２２を形成する。第２の金属薄膜２２の形成は、蒸着、メッキもしくはスパッタリングなどの適宜の薄膜形成法により行い得る。また、第２の金属薄膜を構成する金属材料については、第１の金属薄膜２と同じものを用いることが好ましいが、他の金属を用いて構成してもよい。もっとも、第２の金属薄膜２２の厚みは、パターニングされたフォトレジスト層２１の厚みより薄いことが必要である。
【００４８】
従って、図３（ｃ）に示されているように、第１の金属薄膜２上に第２の金属薄膜２２が積層されている部分と、フォトレジスト層２１の上面に第２の金属薄膜２２が被覆されている部分とが混在することになる。言い換えれば、第１の金属薄膜２の上面に直接積層されている第２の金属薄膜２２Ａと、フォトレジスト層２１の上面に被覆されている第２の金属薄膜部分２２Ｂとは、分断されている。
【００４９】
次に、図３（ｄ）に示すように、第２のフォトレジスト層２３を形成する。第２のフォトレジスト層２３は、金属薄膜２２の上部を覆うような厚みに、例えば２．０〜３．０μｍ程度の厚みに形成される。
【００５０】
しかる後、第２のフォトレジスト層２３の上面にマスクを当接し、露光・現像・エッチングを行うことにより、溝２４ａ，２４ｂを形成する（図４（ａ））。この場合、溝２４ａ，２４ｂの形成により、マザー基板１の上面１ａが露出するように処理が行われる。すなわち、溝２４ａ，２４ｂ内では第２のフォトレジスト層２３だけでなく、その下方に積層されている第１，第２の金属薄膜もが除去され、マザー基板１の上面１ａが露出される。
【００５１】
しかる後、第２のフォトレジスト層２３を除去する。次に、第２の金属薄膜２２Ａ，２２Ｂをマスクとして、ドライエッチングによりマザー基板１を加工し、図４（ｂ）に示されている溝５，６を形成する。なお、第２のレジスト層２３を除去した例を示したが、ドライエッチングは、マスクとして第２のレジスト層２３を残したままでも可能である。
マザー基板１の上面１ａが露出されているので、上記ドライエッチングは短時間で行われ、従って、マザー基板１の損傷が生じ難い。
【００５２】
次に、第１のフォトレジスト層２１をマスクとして、第１のフォトレジスト層２１で覆われていない金属部分、すなわち、第１のフォトレジスト層２１上の金属薄膜２２Ｂと、金属薄膜２２Ａ及び金属薄膜２が直接重ねられている部分とをエッチングし、ＩＤＴ電極２Ａ，２Ｂを形成する（図４（ｃ））。さらに、第１のフォトレジスト層２１を除去する。
【００５３】
（第４の実施例）
第１〜第４の実施例では、マザー基板１に溝５，６が形成され、溝５，６間を機械的に切断することにより個々の弾性表面波装置が得られていた。
【００５４】
しかしながら、本発明では、隣り合う弾性表面波装置部分間に１つの溝を形成し、該溝の底部においてマザー基板を分割してもよい。このような変形例を図５を参照して説明する。
【００５５】
図５（ａ）に示すように、マザー基板１の上面に、ＩＤＴ電極２Ａ，２Ｂが形成されている。ＩＤＴ電極２Ａ，２Ｂは、隣り合う弾性表面波装置の各ＩＤＴ電極を構成している。
【００５６】
ＩＤＴ電極２Ａ，２Ｂ間において、マザー基板１の上面には１つの溝５が形成されている。溝５の側面５ａは、ＩＤＴ電極２Ａが形成されている弾性表面波装置部分における反射端面を構成し、側面５ａと対向している側面５ｂは、ＩＤＴ電極２Ｂを有する弾性表面波装置部分の反射端面を構成する。
【００５７】
従って、１本の溝５を形成した後、図５（ｂ）に示すように、溝５の底部においてマザー基板１を機械的に切断すれば、個々の弾性表面波装置が得られる。この機械的切断は、前述した実施例と同様にダイシングソーを用いて行ってもよく、ワイヤーソーなどの他の切断装置を用いて行ってもよい。
【００５８】
なお、本発明に係る端面反射型表面波装置の製造方法においては、マザー基板上に形成されるＩＤＴ電極の数や構造については特に限定されない。すなわち、本発明に係る製造方法は、共振子や帯域フィルタなどの様々な用途に用いられる端面反射型表面波装置の製造に適用することができ、従って個々の端面反射型表面波装置のＩＤＴ電極については、複数設けられてもよく、かつ複数のＩＤＴ電極が適宜マザー基板上に電気的に接続されていてもよい。
【００５９】
【発明の効果】
本発明に係る端面反射型表面波装置の製造方法では、複数のＩＤＴ電極が上面に形成されているマザー基板に、該マザー基板のみをドライエッチングすることにより溝が形成される。そして、この溝の少なくとも一方の側面が反射端面を構成する。従って、ドライエッチングにより、溝を高精度に形成し得るので、反射端面を高精度に形成することができる。
【００６０】
しかも、ドライエッチングに際しては、電極をエッチングせずともよく、マザー基板のみをエッチングすればよいため、溝の形成に際してのエッチング時間を短くすることができる。従って、溝の形成に際しマザー基板が損傷を受け難い。
【００６１】
よって、溝を形成した後にマザー基板を厚み方向に機械的に切断して個々の端面反射型表面波装置を得ることにより、共振特性や帯域特性が良好な端面反射型表面波装置を確実に提供することが可能となる。
【００６２】
本発明の特定の局面では、隣り合う端面反射型表面波装置部分間に１本の溝が形成され、該溝の一対の側面が、隣り合う端面反射型表面波装置における反射端面を構成しており、マザー基板の機械的な切断が溝の底部からマザー基板の下面に至るようにマザー基板を切断することにより行われるので、形成しなければならない溝の数を低減することができる。また、隣り合う端面反射型表面波装置間の距離を小さくすることができるので、１つのマザー基板から多くの端面反射型表面波装置を得ることができる。
【００６３】
もっとも、本発明の別の特定の局面では、マザー基板において、隣り合う端面反射型表面波装置部分間に２つの溝が形成され、各溝の該溝に近接しているＩＤＴ電極側の側面が反射端面を構成する。この場合には、マザー基板の機械的切断は、２つの溝の間のマザー基板部分においてマザー基板の上面から下面に至るように切断することにより行われる。従って、切断に際し、切断刃が溝に入り込まないので、溝を形成した後にマザー基板を容易に切断することができる。
本発明において、マザー基板の機械的切断は、ダイシングソーやワイヤーソーなどの適宜の切断装置を用いて行える。
【００６４】
また、請求項５に記載のように、マザー基板の上面の全面に金属薄膜を形成した後に、第１のフォトレジストを付与し、パターニングし、ＩＤＴ電極及びＩＤＴ電極上に積層された第１のフォトレジスト層とを形成し、さらにこれらを覆うように第２のフォトレジスト層を形成した後、第２のフォトレジスト層を露光・現像によりパターニングして溝が形成される部分においてマザー基板の上面が露出される。従って、次に溝が形成される部分においてマザー基板をドライエッチングした場合、マザー基板の上面が露出しているので、短時間で溝を形成することができ、マザー基板の損傷を抑制することができる。加えて、ドライエッチングに際しては、ＩＤＴ電極が第１，第２のフォトレジスト層により被覆されているので、ＩＤＴ電極の損傷も生じ難い。
【００６５】
さらに、スピンコーティングなどによりレジスト層を形成する場合、その厚みをさほど厚くすることができないが、上記のように第１，第２のフォトレジスト層を順次被覆する方法では、各フォトレジスト層の厚みをさほど厚くする必要はない。従って、スピンコーティングなどの慣用されているフォトレジスト層塗布方法を用いることができる。
【００６６】
さらに、請求項６に記載のように、第２のレジスト層上に第２の金属薄膜及び第３のフォトレジスト層を形成し、第３のフォトレジスト層を露光・現像することにより、溝が形成される部分においてマザー基板の上面を露出させた場合には、第３のレジスト層を除去することにより、第２の金属薄膜が露出される。従って、第２の金属薄膜をマスクとしてドライエッチングを行うことができるので、溝をより正確に形成することができる。
【００６７】
請求項７に記載のように、多層マスクを用いる場合には、マスクの耐久性が高められ、従って、溝の形成に際してのドライエッチング時にＩＤＴ電極や基板の損傷が生じ難い。
【００６８】
請求項８に記載のように、マザー基板の上面に金属薄膜を形成し、金属薄膜上において、ＩＤＴ電極が形成される部分以外の領域に第１のフォトレジスト層を形成し、しかる後第１のフォトレジスト層の厚みより薄い第２の金属薄膜が形成され、しかる後全面に第２のフォトレジスト層が形成される。この場合には、第２のフォトレジスト層をパターニングし、溝が形成される部分においてマザー基板の上面が露出される。そして、第３のフォトレジスト層を除去し、第２の金属薄膜を露出させることにより、第２の金属薄膜をマスクとしてマザー基板をドライエッチングすることができる。
【００６９】
よって、請求項８に記載の発明に係る製造方法においても、溝がドライエッチングにより形成されるので、反射端面を高精度に形成することができる。また、ドライエッチングに際しては、マザー基板のみをエッチングすればよいので、ドライエッチング時間を短縮することができ、マザー基板の損傷を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｈ）は、本発明の第１の実施例に係る端面反射型表面波装置の製造方法を説明するための各断面図。
【図２】（ａ）〜（ｉ）は、第２の実施例に係る端面反射型表面波装置の製造方法を説明するための各断面図。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、第３の実施例に係る端面反射型表面波装置の製造方法を説明するための各断面図。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、第３の実施例に係る端面反射型表面波装置の製造方法を説明するための各断面図。
【図５】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の変形例を説明するための各端面図。
【符号の説明】
１…マザー基板
２…第１の金属薄膜
２Ａ，２Ｂ…ＩＤＴ電極
３…第１のフォトレジスト層
４…第２のフォトレジスト層
５，６…溝
５ａ，５ｂ…反射端面を構成する側面
１１…第２の金属薄膜
１２…第２のフォトレジスト層
２１…第１のフォトレジスト層
２２…第２の金属薄膜
２３…第２のフォトレジスト層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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