(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段及び転写手段を有する電子写真装置において、
該露光手段は、３８０〜５００ｎｍの波長域に波長を有する単色光を露光光として該電子写真感光体に照射するものであり、
該電子写真感光体が、支持体上に感光層を有し、該感光層がＣｕＫα特性Ｘ線回折における回折角（２θ±０．２°）の７．４°及び２８．２°に強いピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニンを含有する電子写真感光体であることを特徴とする電子写真装置。
【請求項２】
前記感光層が、電荷発生層と電荷輸送層とからなり、前記ヒドロキシガリウムフタロシアニンが、該電荷発生層に含まれている請求項１に記載の電子写真装置。
【請求項３】
前記電荷発生層及び前記電荷輸送層が、前記支持体上に、該電荷発生層及び該電荷輸送層の順に積層されている請求項２に記載の電子写真装置。
【請求項４】
前記電荷輸送層及び前記電荷輸送層が、前記支持体上に、該電荷輸送層及び該電荷発生層の順に積層されている請求項２に記載の電子写真装置。
【請求項５】
前記電荷輸送層が、電荷輸送材料を含む請求項２〜４の何れかに記載の電子写真装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子写真装置に関し、詳しくは画像の高解像度化が可能な短波長の半導体レーザーに適した電子写真装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、レーザープリンターなどに代表されるレーザーを光源として使用している電子写真装置において使用されているレーザーは、８００ｎｍ付近あるいは６８０ｎｍ付近に発振波長を有する半導体レーザーが主流である。近年、出力画像の高画質化のニーズの高まりから、高解像度化に向けた様々なアプローチがなされている。レーザーの波長もこの高解像度化に深く関わっており、特開平９−２４００５１号公報にも記載されているように、レーザーの発振波長が短くなるほど、レーザーのスポット径を小さくすることが可能となり、高解像度の潜像形成が可能となる。
【０００３】
レーザー発振波長の短波長化には、いくつかの手法が挙げられる。
【０００４】
一つは、非線形光学材料を利用し、第２高調波発生（ＳＨＧ）を用いてレーザー光の波長を２分の１にするものである（特開平９−２７５２４２、特開平９−１８９９３０及び特開平５−３１３０３３号公報など）。この系は、一次光源として、既に技術が確立し高出力可能なＧａＡｓ系半導体レーザーやＹＡＧレーザーを使用することができるため、長寿命化や大出力化が可能である。
【０００５】
もう一つは、ワイドギャップ半導体を用いるもので、ＳＨＧ利用のデバイスと比べ、装置の小型化が可能である。ＺｎＳｅ系半導体レーザー（特開平７−３２１４０９及び特開平６−３３４２７２号公報など）やＧａＮ系半導体レーザー（特開平８−０８８４４１及び特開平７−３３５９７５号公報など）が、その発光効率の高さから、以前から多くの研究の対象となっている。
【０００６】
これらの半導体レーザーは素子構造、結晶成長条件及び電極などの最適化が難しく、結晶中の欠陥などにより、実用化に必須である室温での長時間発振が困難であった。
【０００７】
しかし、基盤などの技術革新が進み、１９９７年１０月には日亜化学工業から、ＧａＮ系半導体レーザーで１１５０時間連続発振（５０℃条件）が報告されるなど、実用化が目前に迫っている状態である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
特開平９−２４００５１号公報には、４００〜５００ｎｍのレーザーに適した感光体として、α型チタニルフタロシアニンを用いた単層ないしは電荷発生層を最表面層とした積層感光体が開示されているが、本発明者らの検討によれば、この材料を用いた場合、感度が悪い上に、特に４００ｎｍ付近の光に対するメモリーが非常に大きいため、繰り返し使用した際の感光体の電位変動が大きいという問題があることが分かった。
【０００９】
本発明の目的は、３８０〜５００ｎｍの波長域でも高い感度特性を有し、かつ光メモリーが小さく繰り返し使用時の電位変動の小さい電子写真感光体と短波長レーザーを使用することによって、実用的で安定して高画質な出力画像が得られる電子写真装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段及び転写手段を有する電子写真装置において、
該露光手段は、３８０〜５００ｎｍの波長域に波長を有する単色光を露光光として該電子写真感光体に照射するものであり、
該電子写真感光体が、支持体上に感光層を有し、該感光層がＣｕＫα特性Ｘ線回折における回折角（２θ±０．２°）の７．４°及び２８．２°に強いピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニンを含有する電子写真感光体であることを特徴とする電子写真装置である。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明に用いられるガリウムフタロシアニン化合物（以下、ＧａＰｃと称す）は、下記式で示される。
【００１２】
【化１】
0004217353.tif 000002
【００１３】
（式中、ＸはＣｌ、Ｂｒ、Ｉ及びＯＨを示し、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３及びＹ４はＣｌまたはＢｒを示し、ｎ、ｍ、ｋ及びｐは０〜４の整数を示す。）
本発明において、ＧａＰｃはヒドロキシガリウムフタロシアニン（以下、ＨＯＧａＰｃと称す。）であり、中でも特開平５−２６３００７号公報などに開示されている、ＣｕＫα特性Ｘ線回折における回折角（２θ±０．２）の７．４°及び２８．２°に強いピークを有する結晶形のＨＯＧａＰｃが高感度で、本発明が有効に作用する。
【００１４】
本発明に用いられるオキシチタニウムフタロシアニン（以下、ＴｉＯＰｃと称す）は下記式で示される。
【００１５】
【化２】
0004217353.tif 000003
【００１６】
（式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３及びＸ４はＣｌまたはＢｒを示し、ａ、ｂ、ｃ及びｄは０〜４の整数を示す。）
本発明に用いられるＴｉＯＰｃは、ＣｕＫα特性Ｘ線回折における回折角の２７．２°±０．２°に強いピークを有する結晶形を有するものであればいずれのものでもよいが、中でも以下の結晶形を有するものであることが好ましい。
【００１７】
即ち、特開平３−１２８９７３号公報などに開示されている、ＣｕＫα特性Ｘ線回折における回折角（２θ±０．２°）の９．０°、１４．２°、２３．９°及び２７．１°に強いピークを有する結晶形であることが好ましい。
【００１８】
また、特開平５−１８８６１４号公報などに、開示されているＣｕＫα特性Ｘ線回折における回折角（２θ±０．２°）の９．６°及び２７．３°に強いピークを有する結晶形であることが好ましい。
【００１９】
さらに、特開昭６４−１７０６６号公報などに開示されている、ＣｕＫα特性Ｘ線回折における回折角（２θ±０．２°）の９．５°、９．７°、１１．７°、１５．０°、２３．５°、２４．１°及び２７．３°に強いピークを有する結晶形であることが好ましい。
【００２０】
これらの中では、特に、ＣｕＫα特性Ｘ線回折における回折角（２θ±０．２°）の９．０°、１４．２°、２３．９°及び２７．１°に強いピークを有する結晶形が好ましい。
【００２１】
本発明の顕著な効果が得られる理由は定かではないが、ＧａＰｃ及び特定の結晶形を有するＴｉＯＰｃが、特にエネルギーの大きい短波長光に対してもフォトメモリーが生じにくく、かつ短波長光を用いたときの量子効率が高いため、特にエネルギーの大きい短波長光によっても劣化しにくいためと考えられる。このＧａＰｃ及びＴｉＯＰｃの特性は、従来から知られている長波長光を用いたときの特性からは全く予期できないものである。
【００２２】
次に、本発明の電子写真感光体について詳しく説明する。
【００２３】
感光体の構成は図１、２及び３に示されるような公知のいかなる構成であってもさしつかえないが、図１の構成であることが好ましい。図中、ａは支持体、ｂは感光層、ｃは電荷発生層、ｄは電荷輸送層、ｅは電荷発生材料を示す。特開平９−２４００５１号公報には、図１のような支持体上に電荷発生層と電荷輸送層をこの順に積層した感光体では、４００〜５００ｎｍの光は電荷輸送材料に吸収され、電荷発生層まで光が届かないため、原理上感度を示さないとあるが、必ずしもそのようなことはなく、電荷輸送層に使用される電荷輸送材料としてレーザーの発振波長に透過性のある電荷輸送材料を用いれば、上記構成の感光体でも十分な感度が得られ使用可能である。
【００２４】
以下に、支持体上に電荷発生層と電荷輸送層を積層した機能分離型感光体についてその作成方法を述べる。
【００２５】
電荷発生層は、電荷発生材料としてのＧａＰｃまたはＴｉＯＰｃを適当な溶剤中でバインダー樹脂と共に分散した液を支持体上に公知の方法によって塗布し、乾燥することによって形成される。その膜厚は５μｍ以下であることが好ましく、特には０．１〜１μｍであることが好ましい。
【００２６】
用いられるバインダー樹脂としては、広範な絶縁性樹脂あるいは有機光導電性ポリマーから選択されるが、ポリビニルブチラール、ポリビニルベンザール、ポリアリレート、ポリカーボネート、ポリエステル、フェノキシ樹脂、セルロース系樹脂、アクリル樹脂及びポリウレタンなどが好ましく、これらの樹脂は置換基を有してもよく、置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基及びトリフルオロメチル基などが好ましい。また、バインダー樹脂の使用量は、電荷発生層全重量に対し、好ましくは８０重量％以下、より好ましくは４０重量％以下である。
【００２７】
また、使用する溶剤はバインダー樹脂を溶解し、後述の電荷輸送層や下引き層を溶解しないものから選択することが好ましい。具体的には、テトラヒドロフラン及び１，４−ジオキサンなどのエーテル類、シクロヘキサノン及びメチルエチルケトンなどのケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどのアミン類、酢酸メチル及び酢酸エチルなどのエステル類、トルエン、キシレン及びクロロベンゼンなどの芳香族類、メタノール、エタノール及び２−プロパノールなどのアルコール類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエチレン、四塩化炭素及びトリクロロエチレンなどの脂肪族ハロゲン化炭化水素類などが挙げられる。
【００２８】
電荷輸送層は電荷発生層の上または下に積層され、電界の存在下電荷発生層から電荷キャリアを受け取り、これを輸送する機能を有している。電荷輸送層は電荷輸送材料を必要に応じて適当なバインダー樹脂と共に溶剤中に溶解した液を塗布し、乾燥することによって形成される。その膜厚は５〜４０μｍであることが好ましく、特には１５〜３０μｍであることが好ましい。
【００２９】
電荷輸送材料には電子輸送性物質と正孔輸送性物質があり、電子輸送性物質としては、例えば２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロフルオレノン、クロラニル及びテトラシアノキノジメタンなどの電子吸引性物質やこれらの電子吸引性物質を高分子化したものなどが挙げられる。
【００３０】
正孔輸送性物質としては、例えばピレン及びアントラセンなどの多環芳香族化合物、カルバゾール系、インドール系、オキサゾール系、チアゾール系、オキサジアゾール系、ピラゾール系、ピラゾリン系、チアジアゾール系及びトリアゾール系化合物などの複素環化合物、ヒドラゾン系化合物、スチリル系化合物、ベンジジン系化合物、トリアリールメタン系化合物及びトリフェニルアミン系化合物、あるいはこれらの化合物からなる基を主鎖または側鎖に有するポリマー（例えばポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール及びポリビニルアントラセンなど）が挙げられる。
【００３１】
また、これらの電荷輸送材料は１種または２種以上組み合わせて用いることができる。電荷輸送材料が成膜性を有していないときには適当なバインダーを用いることができる。具体的には、アクリル樹脂、ポリアリレート、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリスチレン、アクリロニトリルースチレンコポリマー、ポリアクリルアミド、ポリアミド及び塩素化ゴムなどの絶縁性樹脂あるいはポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール及びポリビニルアントラセンなどの有機光導電性ポリマーなどが挙げられる。
【００３２】
ただし、図１の構成の感光体に使用する場合は、前述の通り使用する半導体レーザーの発振波長に対して透過性のある電荷輸送材料やバインダー樹脂を選択する必要がある。
【００３３】
支持体は、導電性を有するものであり、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜鉛、ステンレス、バナジウム、モリブデン、クロム、チタン、ニッケル、インジウム、金や白金などが挙げられる。またこれらの金属または合金を真空蒸着法によって被膜形成したプラスチック（例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート及びアクリル樹脂など）や導電性粒子（例えば、カーボンブラック及び銀粒子など）を適当なバインダー樹脂と共に上記のようなプラスチック、金属または合金上に被覆した支持体あるいは導電性粒子をプラスチックや紙に含浸させた支持体などを用いることができる。形状としてはドラム状、シート状及びベルト状などが挙げられる。
【００３４】
本発明においては、支持体と感光層の中間にバリヤー機能と接着機能を有する下引き層を設けることもできる。
【００３５】
また、感光層を外部からの機械的及び化学的悪影響から保護することなどを目的として、保護層を設けることもできる。
【００３６】
なお、感光層には必要に応じて酸化防止剤や紫外線吸収剤などの添加剤を使用してもさしつかえない。
【００３７】
本発明における露光手段は、露光光源として３８０〜５００ｎｍの発振波長を有する半導体レーザーを有していればよく、他の構成は特に限定されるものではない。また、半導体レーザーも発振波長が上記の範囲内であれば、他の構成は特に限定されるものではない。なお、本発明においては、半導体レーザーの発振波長が４００〜４５０ｎｍであることが、電子写真特性の点で好ましい。
【００３８】
また、本発明における帯電手段、現像手段、転写手段及びクリーニング手段も特に限定されるものではない。
【００３９】
図４に本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成を示す。
【００４０】
図において、１はドラム状の本発明の電子写真感光体であり、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。感光体１は、回転過程において、一次帯電手段３によりその周面に正または負の所定電位の均一帯電を受け、次いで、３８０〜５００ｎｍに発振波長を有する半導体レーザーを用いた露光手段（不図示）からの露光光４を受ける。こうして感光体１の周面に静電潜像が順次形成されていく。
【００４１】
形成された静電潜像は、次いで現像手段５によりトナー現像され、現像されたトナー現像像は、不図示の給紙部から感光体１と転写手段６との間に感光体１の回転と同期取り出されて給紙された転写材７に、転写手段６により順次転写されていく。
【００４２】
像転写を受けた転写材７は、感光体面から分離されて像定着手段８へ導入されて像定着を受けることにより複写物（コピー）として装置外へプリントアウトされる。
【００４３】
像転写後の感光体１の表面は、クリーニング手段９によって転写残りトナーの除去を受けて清浄面化され、さらに前露光手段（不図示）からの前露光光１０により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。なお、図においては、一次帯電手段３が帯電ローラーを用いた接触帯電手段であるので、前露光は必ずしも必要ではない。
【００４４】
本発明においては、上述の電子写真感光体１、一次帯電手段３、現像手段５及びクリーニング手段９などの構成要素のうち、複数のものをプロセスカートリッジとして一体に結合して構成し、このプロセスカートリッジを複写機やレーザービームプリンターなどの電子写真装置本体に対して着脱可能に構成してもよい。例えば、一次帯電手段３、現像手段５及びクリーニング手段９の少なくとも１つを感光体１と共に一体に支持してカートリッジ化して、装置本体のレール１２などの案内手段を用いて装置本体に着脱可能なプロセスカートリッジ１１とすることができる。
【００４５】
次に、本発明に用いるＧａＰｃの製造例を示す。以下、製造例及び実施例中の部は重量部を示す。
【００４６】
［製造例１］
ｏ−フタロジニトリル７３部、三塩化ガリウム２５部及びα−クロルナフタレン４００部を窒素雰囲気下２００℃で４時間反応させた後、１３０℃で生成物を濾過した。得られた生成物をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを用いて１３０℃で１時間分散洗浄した後、濾過し、メタノールで洗浄後乾燥し、クロロガリウムフタロシアニンを４５部得た。この化合物の元素分析値は以下の通りであった。
【００４７】
元素分析値（Ｃ３２Ｈ１６Ｎ８ＣｌＧａ）
Ｃ      Ｈ        Ｎ      Ｃｌ
実験値（％）  ６１．８  ２．７  １８．３  ６．３
計算値（％）  ６２．２  ２．６  １８．１  ５．７
【００４８】
［製造例２］
製造例１で得られたクロロガリウムフタロシアニン１５部を１０℃の濃硫酸４５０部に溶解し、氷水２３００部中に撹拌下に滴下して再析出させて濾過した。２％アンモニア水で分散洗浄後、イオン交換水で十分に水洗した後、濾別、乾燥して低結晶性のＨＯＧａＰｃを１３部を得た。この化合物の元素分析値は以下の通りであった。
【００４９】
元素分析値（Ｃ３２Ｈ１７Ｎ８ＯＧａ）
Ｃ        Ｈ        Ｎ      Ｃｌ
実験値（％）  ６２．８  ２．６  １８．３  ０．５
計算値（％）  ６４．１  ２．９  １８．７    −
【００５０】
［製造例３］
製造例１で得られたクロロガリウムフタロシアニン５部を１ｍｍφのガラスビーズ３００部と共にミリング処理を室温（２２℃）下、２４時間行った後、ベンジルアルコール２００部を追加し、さらにミリング処理を室温（２２℃）下、６時間行った。この分散液により固形分を取り出し、乾燥してクロロガリウムフタロシアニン４．５部を得た。このクロロガリウムフタロシアニンは、Ｘ線回折における回折角（２θ±０．２°）の７．４°、１６．６°、２５．５°及び２８．３°に強いピークを有していた。このクロロガリウムフタロシアニンは、特開平５−９８１８１号公報に記載されたものである。
【００５１】
［製造例４］
製造例２で得られたＨＯＧａＰｃ１０部、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド３００部を１ｍｍφのガラスビーズ４５０部と共にミリング処理を室温（２２℃）下、６時間行った。
【００５２】
この分散液により固形分を取り出し、メタノールで置換、乾燥して、ＨＯＧａＰｃ９．２部を得た。このＨＯＧａＰｃは、ＣｕＫα特性Ｘ線回折における回折角（２θ±０．２°）の７．４°及び２８．２°に強いピークを有していた。このＨＯＧａＰｃは、特開平５−２６３００７号公報に記載されたものである。
【００５３】
［製造例６］
製造例２で得られたＨＯＧａＰｃ１０部、クロロホルム３００部を１ｍｍφのガラスビーズ４５０部と共にミリング処理を室温（２２℃）下、６時間行った。
【００５４】
この分散液により固形分を取り出し、乾燥してＨＯＧａＰｃ９．２部を得た。このＨＯＧａＰｃはＣｕＫα特性Ｘ線回折における回折角（２θ±０．２°）の６．９°、１６．５°及び２６．７°に強いピークを有していた。このＨＯＧａＰｃは、特開平６−２７９６９８号公報に記載されたものである。
【００５５】
次に、本発明に用いるＴｉＯＰｃの製造例を示す。
【００５６】
［製造例７］
ｏ−フタロジニトリル５．０部、四塩化チタン２．０部をα−クロルナフタレン１００部中、２００℃にて３時間加熱撹拌した後、５０℃まで冷却して析出した結晶を濾別し、ジクロロチタニウムフタロシアニンのペーストを得た。次に、これを１００℃に加熱したＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１００部で撹拌下洗浄し、次いで６０℃のメタノール１００部で２回洗浄を繰り返し、濾別した。さらに、得られたペーストを脱イオン水１００部中８０℃で１時間撹拌、濾別して青色のＴｉＯＰｃ結晶を得た。収量４．３部。
【００５７】
次に、この結晶を濃硫酸３０部に溶解させ、２０℃の脱イオン水３００部中に撹拌下で滴下して再析出させて濾過し十分に水洗した後、非晶質のＴｉＯＰｃを得た。このようにして得られた非晶質のＴｉＯＰｃ４．０部をメタノール１００部中室温（２２℃）下、８時間懸濁撹拌処理し、濾別、減圧乾燥して低結晶性のＴｉＯＰｃを得た。次に、このＴｉＯＰｃ２．０部にｎ−ブチルエーテル４０部を加え、１ｍｍφのガラスビーズと共にミリング処理を室温（２２℃）下２０時間行った。
【００５８】
この分散液より固形分を取り出し、メタノール、次いで水で十分に洗浄、乾燥して本発明の新規な結晶のＴｉＯＰｃを得た。収量１．８部。このＴｉＯＰｃはＸ線回折における回折角（２θ±０．２°）の９．０°、１４．２°、２３．９°及び２７．１°に強いピークを有していた。
【００５９】
［製造例８］
特開昭６４−１７０６６号公報に開示されている製造例にしたがって、ＣｕＫα特性Ｘ線回折における回折角（２θ±０．２°）の９．５°、９．７°、１１．６°、１４．９°、２４．０°及び２７．３°に強いピークを有する結晶形のＴｉＯＰｃを得た。
【００６０】
［製造例９］
特開平５−１８８６１４号公報に開示されている製造例にしたがって、ＣｕＫα特性Ｘ線回折における回折角（２θ±０．２°）の９．６°及び２７．３°に強いピークを有する結晶形のＴｉＯＰｃを得た。
【００６１】
［比較製造例１］
特開昭６１−２３９２４８号公報（ＵＳＰ４，７２８，５９２）に開示されている製造例にしたがって、いわゆるα型と呼ばれている、ＣｕＫα特性Ｘ線回折における回折角の２７．２°±０．２°に強いピークを有さない結晶形のＴｉＯＰｃを得た。
【００６２】
【実施例】
次に、本発明を実施例にしたがって説明する。
【００６３】
［参考例１］
アルミニウム基板上にメトキシメチル化ナイロン（平均分子量３２，０００）５部とアルコール可溶性共重合ナイロン（平均分子量２９，０００）１０部をメタノール９５部に溶解した液をマイヤーバーで塗布し、乾燥することによって、膜厚が１μｍの下引き層を形成した。
【００６４】
次に、製造例３で得たＧａＰｃ化合物４部をシクロヘキサノン９５部にブチラール樹脂（ブチラール化度６３モル％、重量平均分子量１００，０００）２部を溶かした液に加え、サンドミルで２０時間分散した。この分散液を下引き層の上に乾燥後の膜厚が０．２μｍとなるようにマイヤーバーで塗布し、電荷発生層を形成した。
【００６５】
次いで、下記構造式を有する電荷輸送材料５部
【００６６】
【化３】
0004217353.tif 000004
【００６７】
とビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂（数平均分子量２０，０００）５．５部をクロロベンゼン４０部に溶解し、この液を電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が２０μｍとなるようにマイヤーバーで塗布し、電荷輸送層を形成し、参考例１の電子写真感光体を作成した。
【００６８】
このようにして作成した電子写真感光体を、静電複写紙試験装置（川口電機製：ＥＰＡ−８１００）を用いて、以下のように評価した。
【００６９】
（感度）
感光体の表面電位を−７００Ｖになるようにコロナ帯電器で帯電し、次いでモノクロメータで分離した４００ｎｍの単色光で露光し、表面電位が−３５０Ｖまで減衰するのに必要な光量を測定し、感度（Ｅ１／２）を求めた。同様にして、４５０ｎｍ、５００ｎｍの単色光における感度を測定した。
【００７０】
（繰り返し特性）
次に、初期暗部電位（Ｖｄ）及び初期明部電位（Ｖ１）をそれぞれ−７００Ｖ、−２００Ｖ付近に設定し、４００ｎｍの単色光を用いて帯電、露光を３０００回繰り返し、Ｖｄ、Ｖ１の変動量（ΔＶｄ、ΔＶ１）を測定した。
【００７１】
（フォトメモリー）
感光体の初期Ｖｄ、４００ｎｍの単色光での初期Ｖ１をそれぞれ−７００Ｖ、−２００Ｖ付近に設定した。次に、感光体の一部に光強度２０μＷ／ｃｍ２の４００ｎｍの単色光を１５分照射した後、再度感光体のＶｄ、Ｖ１を測定し、フォトメモリーとして非照射部と照射部のＶｄの差（ΔＶｄＰＭ）及び非照射部と照射部のＶ１の差（ΔＶ１ＰＭ）を測定した。
【００７２】
以上の結果を表１に示す。
【００７３】
なお、以下表中の繰り返し特性及びフォトメモリーにおけるマイナス記号は電位の絶対値の低下を表し、プラス記号は電位の絶対値の上昇を表す。
【００７４】
［実施例１、参考例２及び比較例１］
電荷発生材料として表１に示される材料を用いた他は、参考例１と同様にして電子写真感光体を作成し、評価した。結果を表１に示す。
【００７５】
【表１】
0004217353.tif 000005
【００７６】
［実施例２、参考例３〜４及び比較例２］
電荷発生層と電荷輸送層の上下関係を逆にした他は、参考例１、実施例１、参考例２及び比較例１と同様にして電子写真感光体を作成し、参考例１と同様にして初期の感度を測定した。ただし電荷輸送材料は下記構造式の化合物に代え、帯電極性はプラスとした。
【００７７】
【化４】
0004217353.tif 000006
【００７８】
これらの結果を表２にまとめた。
【００７９】
【表２】
0004217353.tif 000007
【００８０】
以上の結果から本発明に用いる電子写真感光体は比較例の電子写真感光体に比べ、４００〜５００ｎｍの短波長レーザーの発振波長領域での感度が非常に優れている上、短波長光に対する光メモリーが小さく、繰り返し使用時の電位や感度の安定性に優れていることが分かる。
【００８１】
［実施例３、参考例５〜６］
１０％酸化アンチモンを含有する酸化スズで被覆した酸化チタン粉体５０部、レゾール型フェノール樹脂２５部、メチルセロソルブ２０部、メタノール５部及びシリコーンオイル（ポリジメチルシロキサンポリオキシアルキレン共重合体、平均分子量３，０００）０．００２部をφ１ｍｍガラスビーズを用いたサンドミル装置で２時間分散して導電層用塗料を調製した。この塗料をアルミニウムシリンダー上に浸漬塗布し、１４０℃で３０分間乾燥することによって、膜厚が２０μｍの導電層を形成した。
【００８２】
６−６６−６１０−１２四元系ポリアミド共重合体樹脂５部をメタノール７０部とブタノール２５部の混合溶媒に溶解した。この溶液を導電層上に浸漬塗布し、乾燥することによって、膜厚が０．８μｍの下引き層を設けた。
【００８３】
次に、表３に記載される電荷発生材料１０部をポリビニルブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＭ−Ｓ、積水化学社製）５部をシクロヘキサノン１００部に溶解した液に添加し、φ１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミル装置で２０時間分散し、さらに１００部のメチルエチルケトンを加えて、希釈した。この液を下引き層上に浸漬塗布し、１００℃で１０分間乾燥することによって、膜厚が０．２μｍの電荷発生層を形成した。
【００８４】
次に、下記構造式で示される電荷輸送材料９部とビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂（数平均分子量２０，０００）１０部をモノクロルベンゼン６０部に溶解した。この溶液を電荷発生層上に浸漬塗布し、１１０℃の温度で１時間乾燥することによって、膜厚が２０μｍの電荷輸送層を形成し、実施例３、参考例５〜６の電子写真感光体を作成した。
【００８５】
【化５】
0004217353.tif 000008
【００８６】
このようにして作成した電子写真感光体を、パルス変調装置を搭載しているキヤノン製プリンターＬＢＰ−２０００改造機（光源として日立金属株式会社製全固体青色ＳＨＧレーザーＩＣＤ−４３０／発振波長４３０ｎｍを搭載。また、反転現像系で６００ｄｐｉ相当の画像入力に対応できる帯電−露光−現像−転写−クリーニングからなるカールソン方式の電子写真システムに改造。）に装着した。暗部電位Ｖｄ＝−６５０Ｖ、明部電位Ｖ１＝−２００Ｖに設定し、１ドット１スペースの画像と文字（５ポイント）画像の出力を行い、得られた画像を目視により評価した。
【００８７】
［比較例３］
評価機の光源を発振波長７８０ｎｍのＧａＡｓ系半導体レーザーに代えた以外は、参考例５と同様にして画像評価を行った。これらの結果を表３に示す。
【００８８】
【表３】
0004217353.tif 000009
【００８９】
これらの結果から、本発明の電子写真装置は、ドットの再現性や文字の再現性に優れ高解像度の出力画像得られることが分かる。
【００９０】
［参考例７〜９］
電荷発生材料を表４に記載されるものに代えた他は、参考例１と同様にして電子写真感光体を作成し、評価した。結果を表４に示す。
【００９１】
【表４】
0004217353.tif 000010
【００９２】
［参考例１０〜１２］
電荷発生材料を表５に記載されるものに代えた他は、参考例３と同様にして電子写真感光体を作成し評価した。結果を表５に示す。
【００９３】
【表５】
0004217353.tif 000011
【００９４】
以上の結果から本発明に用いる電子写真感光体は比較例の電子写真感光体に比べ、４００〜５００ｎｍの短波長レーザーの発振波長領域での感度が非常に優れている上、短波長光に対する光メモリーが小さく、繰り返し使用時の電位や感度の安定性に優れていることが分かる。
【００９５】
［参考例１３〜１５］
電荷発生材料を表６に記載されたものに代えた他は、参考例５と同様にして電子写真感光体を作成し、評価した。結果を表６に示す。
【００９６】
【表６】
0004217353.tif 000012
【００９７】
これらの結果から、本発明の電子写真装置は、ドットの再現性や文字の再現性に優れ高解像度の出力画像が得られることが分かる。
【００９８】
【発明の効果】
以上のように本発明は、特定の構造を有する電荷発生物質を用いることにより、３８０〜５００ｎｍ付近の短波長の半導体レーザーの発振波長領域において、優れた感度特性と、光メモリーが小さく繰り返し特性の良好な電子写真感光体と上記半導体レーザーの組み合わせることにより、高解像度の画像形成が可能で繰り返し使用にも安定して使用し得る電子写真装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる電子写真感光体の層構成の例を示す断面図である。
【図２】本発明にかかる電子写真感光体の層構成の例を示す断面図である。
【図３】本発明にかかる電子写真感光体の層構成の例を示す断面図である。
【図４】本発明の電子写真感光体を有するプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成の例を示す図である。
【符号の説明】
ａ  支持体
ｂ  感光層
ｃ  電荷発生層
ｄ  電荷輸送層
ｅ  電荷発生材料
１  電子写真感光体
２  軸
３  一次帯電手段
４  露光光
５  現像手段
６  転写手段
７  転写材
８  像定着手段
９  クリーニング手段
１０  前露光光
１１  プロセスカートリッジ
１２  レール
【図１】
0004217353.tif 000013
【図２】
0004217353.tif 000014
【図３】
0004217353.tif 000015
【図４】
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