(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極、誘電体層、隔壁及び蛍光体層のいずれかの材料を基板に配置する配置ステップと、
前記配置がなされた前記基板を支持台に積載して連続焼成炉の中を搬送しながら焼成する焼成ステップとを備え、
前記支持台は、前記基板が積載される上面において、前記基板に覆われる被覆領域から前記基板に覆われていない露出領域に跨る複数の溝を有し、
前記溝のそれぞれは、前記支持台の搬送方向と平行する方向に延びて、他の溝とは交わらないように形成され、
前記積載がなされたとするときに、前記被覆領域内の前記基板と前記支持台とが前記溝によって接触していない非接触領域の面積が、当該基板の面積の１０パーセント以上７０パーセント以下であるガス放電表示パネルの製造方法。
【請求項２】
前記支持台は、ガラスを主成分とした材料からなり、
前記支持台の厚さは５ｍｍ以上、８ｍｍ以下であり、
前記溝の深さは、０．０５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であり、かつ、前記溝の幅は、５ｍｍ以上２００ｍｍ以下である請求項１に記載のガス放電表示パネルの製造方法。
【請求項３】
前記溝は、複数あり、前記被覆領域中に分散されて配置されている請求項1記載のガス放電表示パネルの製造方法。
【請求項４】
ガス放電表示パネルのベースとなる基板上に配置された材料を焼成する工程において、前記配置がなされた前記基板を連続焼成炉の中を搬送しながら焼成する時に積載するための支持台であって、
前記支持台は、前記基板が積載される上面において、前記積載がなされたとした場合に、前記基板に覆われる被覆領域から前記基板に覆われていない露出領域に跨る複数の溝を有し、
前記溝のそれぞれは前記支持台の搬送方向と平行する方向に延びて、他の溝とは交わらないように形成され、
前記積載がなされたとするときに、前記被覆領域内の前記基板と前記支持台とが前記溝によって接触していない非接触領域の面積が、当該基板の面積の１０パーセント以上７０パーセント以下であるガス放電表示パネル用基板の支持台。
【請求項５】
前記支持台は、ガラスを主成分とした材料からなり、
前記支持台の厚さは５ｍｍ以上、８ｍｍ以下であり、
前記溝の深さは、０．０５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であり、かつ、前記溝の幅は、５ｍｍ以上２００ｍｍ以下である請求項４に記載のガス放電表示パネル用基板の支持台。
【請求項６】
前記溝は、前記被覆領域中に分散されて配置されている請求項４に記載のガス放電表示パネル用基板の支持台。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示デバイスなどに用いるガス放電表示パネルの製造方法に関し、特に、ガス放電表示パネルのガラス基板上に電極、誘電体層などを焼成により形成する焼成工程におけるガラス基板の支持方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、コンピュータやテレビ等に用いられているディスプレイ装置において、プラズマディスプレイパネル（以下、「ＰＤＰ」という。）などのガス放電表示パネルは、大型で薄型軽量化を実現することのできるディスプレイデバイスとして注目されている。
【０００３】
図９は、一般的な交流型（ＡＣ型）ＰＤＰの概略図である。
本図に示すように、ＰＤＰ１１００は、互いに主面を対向させて配設された前面板１０９０および背面板１０９１から構成される。
前面板１０９０は、前面ガラス基板１１０１と、表示電極１１０２と、誘電体層１１０６と、保護層１１０７とからなる。
【０００４】
前面ガラス基板１１０１は、前面板１０９０のベースとなる材料で、この前面ガラス基板１１０１上に表示電極１０２が形成されている。
この表示電極１１０２は、透明電極１１０３と黒色電極膜１１０４とバス電極１１０５とからなる。
表示電極１１０２及び前面ガラス基板１１０１は、さらに、誘電体層１１０６及び保護層１１０７で覆われている。
【０００５】
背面板１０９１は、背面ガラス基板１１１１と、アドレス電極１１１２と、誘電体層１１１３と、隔壁１１１４と、隣接する隔壁１１１４どうしの間隙（以下、「隔壁溝」という。）の壁面に形成された蛍光体層１１１５とからなる。
前面板１０９０及び背面板１０９１は、図９に示すように、重ねられた状態で封着され、内部に放電空間１１１６が形成される。
【０００６】
なお、本図では、背面板１０９１のＹ軸方向の端部が開放されているかのように描かれているが、これは構造を説明し易いように便宜的に示したものであって、実際は、外周縁部は封着ガラスで接着し、封止されている。
放電空間１１１６には、Ｈｅ、Ｘｅ、Ｎｅなどの希ガス成分からなる放電ガス（封入ガス）が５００〜６００Ｔｏｒｒ（６６．５〜７９．８ｋＰａ）程度の圧力で封入されている。
【０００７】
隣り合う一対の表示電極１１０２と１本のアドレス電極１１１２とが放電空間１１１６を挟んで交叉する領域が、画像表示に寄与するセルとなる。
ＰＤＰ１１００に駆動回路を接続することによりプラズマディスプレイ表示装置が構成される。
このプラズマディスプレイ表示装置において、点灯させようとするセルのＸ電極とアドレス電極１１１２間に電圧が印加されてアドレス放電がなされた後に、隣り合う２つの表示電極１１０２の組にパルス電圧が印加されることにより維持放電がなされる。
【０００８】
ＰＤＰ１１００において、放電空間１１１６では、この維持放電により紫外線が発生し、発生した紫外線が蛍光体層１１１５に当たることにより、この紫外線が可視光に変換され、セルが点灯することにより、画像が表示される。
ところで、黒色電極膜１１０４及びバス電極１１０５の形成過程並びに誘電体層１１０６の形成過程において、前面ガラス基板１１０１は、焼成される。
【０００９】
さらに、アドレス電極１１１２、誘電体層１１１３、隔壁１１１４及び蛍光体層１１１５の形成過程においても、これらの材料が塗布された背面ガラス基板１１１１は、焼成される。
焼成工程において、黒色電極膜１１０４又は誘電体層１１１３などの焼成対象物が配置された前面ガラス基板１１０１及び背面ガラス基板１１１１（以下、これらを総称して「ガラス基板」という。）は、図１０に示すように、これら基板の外形サイズよりも大きい平板状の耐熱材料、即ち、セッター１１２０の上に載せられて焼成される。
【００１０】
セッター１１２０は、連続焼成炉内において、ハースローラー１１３０により搬送され、例えば、ピーク温度が５９０℃に設定された温度プロファイルにおいて、ガラス基板を積載した状態で焼成される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この焼成工程において、次の問題点がある。
即ち、図１１に示すように、室温時において、セッター１１２０の正規の位置に置かれた前面ガラス基板１１０１又は背面ガラス基板１１１１が、焼成中に正規の位置から移動（以下、「位置ずれ」という。）し、前面ガラス基板１１０１又は背面ガラス基板１１１１上の誘電体層などの焼成対象物を均一な温度で焼成できないという、いわゆる均熱ムラが生じる場合がある。
【００１２】
特に、前面ガラス基板１１０１又は背面ガラス基板１１１１の外形サイズが大きくなるにつれ、位置ずれの発生頻度が高まる傾向にある。
焼成対象物を均一な温度で焼成できないことにより、焼成が不完全になると、焼成対象物の正規の特性が得られなくなる場合がある。
例えば、誘電体層１１０６においては、焼成が不完全である場合、脱媒が不十分となり樹脂などの有機成分が誘電体層１１０６内に残留し、規定の透明度と絶縁特性とを確保することが困難となる。
【００１３】
また、隔壁１１１４においては、焼成が不完全である場合、隔壁１１１４自体の強度が不足し、隔壁１１１４に亀裂などが生じる場合があり、また、上述の焼成が不完全であることにより、隔壁１１１４の壁面の表面粗度が不均一となり、後工程において、この壁面に均一な膜厚の蛍光体層１１１５を形成することができない場合がある。
【００１４】
つまり、焼成工程において、ガス放電表示パネルの品質不良が発生する。
そこで本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、焼成工程において、品質不良が発生し難いガス放電表示パネルの製造方法と、ガス放電表示パネルの焼成工程における品質不良の発生を低減することができるセッターとを提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係るガス放電表示パネルの製造方法は、
電極、誘電体層、隔壁及び蛍光体層のいずれかの材料を基板に配置する配置ステップと、前記配置がなされた前記基板を支持台に積載して連続焼成炉の中を搬送しながら焼成する焼成ステップとを備え、
前記支持台は、前記基板が積載される上面において、前記基板に覆われる被覆領域から前記基板に覆われていない露出領域に跨る複数の溝を有し、前記積載がなされたとするときに、前記被覆領域内の前記基板と前記支持台とが前記溝によって接触していない非接触領域の面積が、当該基板の面積の１０パーセント以上７０パーセント以下であることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明に係る支持台は、ガス放電表示パネルのベースとなる基板上に配置された材料を焼成する工程において、前記配置がなされた前記基板を連続焼成炉の中を搬送しながら焼成する時に積載するための支持台であって、前記支持台は、前記基板が積載される上面において、前記積載がなされたとした場合に、前記基板に覆われる被覆領域から前記基板に覆われていない露出領域に跨る少なくとも１つの溝を有し、前記積載がなされたとするときに、前記被覆領域内の前記基板と前記支持台とが前記溝によって接触していない非接触領域の面積が、当該基板の面積の１０パーセント以上７０パーセント以下であることを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
（実施の形態）
＜構成＞
図１は、本発明の実施の形態におけるＰＤＰ１００の概略図である。
【００１９】
このＰＤＰ１００は、交流型のＰＤＰであって、互いに主面を対向させて配設された前面板９０および背面板９１から構成され、構成的には従来のＰＤＰとかわらない。
図中、ｚ方向がＰＤＰの厚み方向、ｘｙ平面がＰＤＰ面に平行な平面に相当する。
【００２０】
前面板９０は、前面ガラス基板１０１と、表示電極１０２と、誘電体層１０６と、保護層１０７とからなる。
前面ガラス基板１０１は、前面板９０のベースとなる材料で、この前面ガラス基板１０１上に表示電極１０２が形成されている。
表示電極１０２は、透明電極１０３と黒色電極膜１０４とバス電極１０５とからなる。
【００２１】
透明電極１０３は、前面ガラス基板１０１上の片面に、ｘ方向を長手方向として、ＩＴＯ，ＳｎＯ2，ＺｎＯ等の導電性金属酸化物を列状に複数形成したものである。
黒色電極膜１０４は、酸化ルテニウムを主成分とする材料を上述の透明電極１０３上にこの透明電極１０３よりも幅を狭くし、透明電極１０３上に積層して形成したものである。
【００２２】
バス電極１０５は、Ａｇを含む導電性材料を黒色電極膜１０４上に積層したものである。
誘電体層１０６は、前面ガラス基板１０１の表示電極１０２が形成された表面全体を覆う誘電物質からなる層であって、一般的に、鉛系低融点ガラスが用いられているが、ビスマス系低融点ガラス、或は鉛系低融点ガラスとビスマス系低融点ガラスの積層物で形成しても良い。
【００２３】
保護層１０７は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる薄層であって、誘電体層１０６の表面全体を覆っている。
背面板９１は、背面ガラス基板１１１と、アドレス電極１１２と、誘電体層１１３と、隔壁１１４と、隣接する隔壁１１４どうしの間隙により形成される隔壁溝の壁面に積層された蛍光体層１１５からなる。
【００２４】
背面ガラス基板１１１は、背面板９１のベースとなる材料であって、この背面ガラス基板１１１上にアドレス電極１１２が形成される。
アドレス電極１１２は、金属電極（例えば、銀電極あるいはＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒ電極）であって、背面ガラス基板１１１上の片面に、ｙ方向を長手方向として、Ａｇを含む導電性材料を列状に複数形成したものである。
【００２５】
誘電体層１１３は、アドレス電極１１２が形成された側の背面ガラス基板１１１の全面を覆うように形成された誘電物質からなる層であって、一般的に、鉛系低融点ガラスが用いられているが、ビスマス系低融点ガラス、或は鉛系低融点ガラスとビスマス系低融点ガラスの積層物で形成しても良い。
また、この誘電体層１１３上には、隣接するアドレス電極１１２の間隔に合わせて隔壁１１４が形成される。
【００２６】
そして、隣接する隔壁１１４どうしの間隙により形成される隔壁溝の壁面には、ＲＧＢのいずれかに対応する蛍光体層１１５が形成されている。
より具体的には、この蛍光体層１１５は、放電された紫外線により赤、緑、青のそれぞれ異なる波長の光を発光する３種があり、隔壁溝の内壁に、赤、緑、青の蛍光体の順で繰り返し塗布されている。
【００２７】
前面板９０及び背面板９１は、図１に示すように、重ねられた状態で封着され、内部に放電空間１１６が形成されている。
放電空間１１６には、Ｈｅ、Ｘｅ、Ｎｅなどの希ガス成分からなる放電ガス（封入ガス）が５００〜６００Ｔｏｒｒ（６６．５〜７９．８ｋＰａ）程度の圧力で封入されている。
【００２８】
隣り合う一対の表示電極１０２と１本のアドレス電極１１２とが放電空間１１６を挟んで交叉する領域が、画像表示に寄与するセルとなる。
図２に示すように、ＰＤＰ１００とパネル駆動装置１１９とによりプラズマディスプレイ表示装置２２０を構成し、当該プラズマディスプレイ表示装置において、点灯させようとするセルのＸ電極とアドレス電極１１２間に電圧が印加されてアドレス放電がなされた後に、隣り合う２つの表示電極１０２の組にパルス電圧が印加されることにより維持放電がなされる。
【００２９】
この維持放電により紫外線（波長約１４７ｎｍ）が発生し、発生した紫外線が蛍光体層１１５に当たることにより、この紫外線が可視光に変換され、セルが点灯することにより、画像が表示される。
＜ＰＤＰの製造方法＞
ＰＤＰ１００は、上述のように前面板９０と背面板９１とが重ね合わされて封着され、さらに放電ガスが充填されることにより作成される。
【００３０】
以下、前面板９０の製造方法について説明する。
本発明のガス放電表示パネルの製造方法では、蒸着法又はスパッタリング法などの公知技術を用いて、厚さ約２．８ｍｍのソーダーガラスからなる前面ガラス基板１０１の表面上に、厚さ約１４００オングストロームのＩＴＯ（Indium  Tin Oxide）またはＳｎＯ2などの導電体材料を平行に複数列生成することにより透明電極１０３を形成する。
【００３１】
さらに、スクリーン印刷法又はフォトリソグラフィー法などの公知技術を用いて、この透明電極１０３及び前面ガラス基板１０１とに跨って酸化ルテニウムを主成分とする黒色電極膜１０４の前駆体（以下、「黒色電極膜前駆体１０４ａ」という。）とＡｇからなるバス電極１０５の前駆体（以下、「バス電極前駆体１０５ａ」という。）とを形成する。
【００３２】
以上は、従来のガス放電表示パネルの製造方法と同様である。
黒色電極膜前駆体１０４ａ及びバス電極前駆体１０５ａが形成された前面ガラス基板１０１をセッター２００上に積載し、例えば、ピーク温度が５９０℃に設定されたプロファイルで焼成することにより、黒色電極膜前駆体１０４ａ及びバス電極前駆体１０５ａが焼結されて黒色電極膜１０４及びバス電極１０５が形成される。
【００３３】
なお、これら黒色電極膜１０４及びバス電極１０５は、既形成の透明電極１０３ともに表示電極１０２を構成する。
そして、黒色電極膜１０４及びバス電極１０５が形成された前面ガラス基板１０１の面上に印刷法などの公知技術により誘電体層１０６の前駆体（以下、「誘電体層前駆体１０６ａ」という。）が形成され、この前面ガラス基板１０１をセッター２００上に積載して焼成がなされる。
【００３４】
これにより、誘電体層前駆体１０６ａが焼結され、誘電体層１０６が形成される。
さらに、その上に、スパッタリング法などの公知技術により保護層１０７が形成されることとなる。
以上のように、本発明のガス放電表示パネルの製造方法は、上述の焼成時において、表面が平坦な従来のセッター１２０でなく、表面に溝を形成したセッター２００を用いて、前面ガラス基板１０１、背面ガラス基板１１１を焼成する点において従来とは異なる。
【００３５】
前面板９０の製造における焼成と同様に、背面板９１の製造における焼成においても上述のセッター２００を用いることができる。
以下、背面板９１の製造方法について説明する。
本発明のガス放電表示パネルの製造方法では、スクリーン印刷法により、厚さ約２．６ｍｍのソーダーガラスからなる背面ガラス基板１１１の表面上に、Ａｇを主成分とする導電体材料を一定間隔でストライプ状に塗布されることにより、厚さ約５〜１０μｍのアドレス電極１１２の前駆体（以下、「アドレス電極前駆体１１２ａ」という。）が形成された背面ガラス基板１１１をセッター２００上に積載して焼成がなされる。
【００３６】
これにより、アドレス電極前駆体１１２ａが焼結され、アドレス電極１１２が形成される。
なお、作製するＰＤＰを４０インチクラスのハイビジョンテレビとするためには、隣り合う２つのアドレス電極１１２の間隔を０．２ｍｍ程度以下に設定する。
【００３７】
続いて、アドレス電極１１２を形成した背面ガラス基板１１１の面全体にわたって、鉛系ガラスのペーストをコートし、この背面ガラス基板１１１をセッター２００上に積載して焼成がなされ、厚さ約２０〜３０μｍの誘電体層１１３が形成される。
さらに、ダイコートによる塗膜工法を用いて、鉛系ガラスを主成分とし、骨材としてアルミナ粉末を添加したペースト状の隔壁材料を誘電体層１１３の上に塗布形成し、サンドブラスト法を用いて目的の形状の領域を除く領域だけ削り取ることにより隔壁１１４の前駆体（以下、「隔壁前駆体１１４ａ」という。）形成し、この隔壁前駆体１１４ａを焼成することにより、高さ約１００〜１５０μｍの隔壁１１４が形成される。
【００３８】
このとき、隔壁前駆体１１４ａが形成された背面ガラス基板１１１は、セッター２００上に積載され、前記焼成がなされる。
なお、隔壁１１４の間隔は、例えば、およそ０．３６ｍｍ程度である。
続いて、隔壁１１４の壁面と、隣接する隔壁１１４間で露出している誘電体層１１３に表面に、赤色（Ｒ）、蛍光体、緑色（Ｇ）蛍光体、青色（Ｂ）蛍光体のいずれかを含む蛍光体インクが塗布される。
【００３９】
この後、蛍光体インクが乾燥された後に焼成がなされ、各色の蛍光体層１１５が形成される。
このときにおいても、蛍光体インクが塗布された背面ガラス基板１１１は、セッター２００上に積載され、前記焼成がなされる。
なお、蛍光体層１１５を構成する蛍光体材料として、ここでは、
赤色蛍光体：（ＹXＧｄ1-X）ＢＯ3：Ｅｕ
緑色蛍光体：Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ
青色蛍光体：ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ3+
が用いられるものとする。
【００４０】
各蛍光体材料として、例えば、平均粒径約３μｍの粉末が使用される。
蛍光体インクの塗布には、例えば、極細ノズルから蛍光体インクを吐出する。
蛍光体インクを塗布した後、最大温度約５２０℃で２時間プロファイルの焼成を行うことによって蛍光体層１１５が形成される。
以上のように前面板９０及び背面板９１が作成された後、公知のＰＤＰの製法技術を用い、前面板９０と背面板９１とが貼り合わされ、封着され、内部の不純ガスが排気され、放電ガスが充填されて、ＰＤＰ１００が完成することとなる。
【００４１】
本発明のガス放電表示パネルの製造方法は、前面板９０及び背面板９１の製造時における焼成工程に関するものであり、前面板９０及び背面板９１の貼り合わせ以降の製造方法の詳細な説明は省略する。
＜セッターの仕様＞
ここで、焼成工程に用いる上述のセッター２００について詳細に説明する。
【００４２】
図３は、本発明の実施の形態における、セッター２００の概略図である。
セッター２００は、前面ガラス基板１０１及び背面ガラス基板１１１に、誘電体層前駆体１０６ａなどの焼成対象物を焼成する際、このガラス基板を支持し、連続焼成炉内に搬送して焼成するための支持台である。
このセッター２００は、焼成工程において、例えば、図４に示すように、ピーク温度が５９０℃に設定されたプロファイルで繰り返し使用されるものであって、耐熱疲労性が高く、例えば、ネオセラムＮ−０又はＮ−１１（日本電気硝子の商品名）などの透明の耐熱性ガラス材からなる。
【００４３】
セッター２００の板厚は、積載するガラス基板の大きさによって異なるが、およそ５〜８ｍｍ程度である。
セッター２００の外形サイズは、積載するガラス基板の大きさによって異なるが、少なくともガラス基板の外形サイズを縦横とも上回るサイズである。
また、図３に示すようにセッター２００は、搬送方向に対して垂直に配置された複数の溝、即ち、溝２５０及び溝２５１を有する。
【００４４】
溝２５０及び溝２５１の溝形状はそれぞれ同一であって、例えば、その溝幅（Ｗ）は、７０ｍｍであり、溝深さは、２ｍｍであり、また、溝と溝の間の間隔（ｄ）は、４００ｍｍである。
溝２５０及び溝２５１は、ガラス基板をセッター２００上に積載したとき、それぞれ前面ガラス基板１０１が積載される領域から当該領域外に跨って形成されている。
【００４５】
そのため、溝２５０は、図３に示すように、ガラス基板で覆われる溝部２５０ａとガラス基板で覆われない溝部２５０ｂ及び溝部２５０ｃとに区分され、また、溝２５１は、ガラス基板で覆われる溝部２５１ａとガラス基板で覆われない溝部２５１ｂ及び溝部２５１ｃとに区分される。
ここで、焼成工程において、上述の溝を有する耐熱性ガラス材からなるセッター２００を用いる理由について説明する。
＜セッター２００の表面形状の効果＞
セッターの表面は、ミクロ的に見れば、鏡面状態ではなく、反り又はうねりが存在し、ガラス基板とセッター１２０との間に微小な間隙が存在する。
【００４６】
室温時、セッター１２０の正規の位置に置かれた前面ガラス基板１０１又は背面ガラス基板１１１が、焼成中に正規の位置から移動するという、いわゆる位置ずれの発生原因は、焼成プロセスにおいて温度が上昇していくにつれ、上述の隙間に存在するガスに対流が起こると共に、上述の間隙内部の圧力が上昇し、前面ガラス基板１０１とセッター１２０との間に、図１１に示すようなガス層が形成され、ガラス基板が数十から数百μｍのオーダーで浮上することによるものと思われる。
【００４７】
このガスの対流は、ガラス基板及びセッター間における、熱容量及び熱伝度率などの物性値の違いにより、ガラス基板及びセッター間に温度差が生じるために起こるものと思われ、異種材料であれば、さらに、このガスの対流の発生度合いが大きくなることが考えられる。
本発明の実施の形態におけるセッター２００は、上述のように溝２５０及び溝２５１が形成されているので、図５に示すように、前面ガラス基板１０１とセッター１２０との間にガスが発生しても、このガスが溝部２５０ａ及び溝部２５１ａを伝い、溝部２５０ｂ、溝部２５０ｃ、溝部２５１ｂ及び溝部２５０ｃから排出されるため、浮力が軽減され前記ガラス基板が浮上するほどの浮力が生じ難く、上述の位置ずれが発生し難い。
【００４８】
また、本発明の実施の形態におけるセッター２００は、搬送方向に対して垂直に配置された溝を有しているため、搬送方向におけるセッター２００の先端部より加熱が開始されて温度が上昇する場合、個々の溝の内部においては、温度及び圧力勾配が生じ難いため、１つの溝において、局所的な浮力が生じることがなく、ガラス基板が浮上し難い。
【００４９】
さらに、セッターの搬送方向は、通常、ガラス基板の長手方向と一致しているため、溝２５０及び溝２５１は、ガラス基板の長手方向とほぼ直交する方向に配されることとなり、ガラス基板で覆われる溝部２５０ａ及び溝部２５１ａの面積を他のいかなる方向よりも小さくすることができる。
これにより、溝部２５０ａ及び溝部２５１ａの範囲の間隙に存在するガスの体積をも小さくなり、ガスの放出による圧力上昇の緩和時間も少なくなるため、セッター２００の搬送スピードが速く、セッター２００が急激に過熱される場合などに有利となる。
【００５０】
上述の位置ずれの発生を防止することにより、ガラス基板上に配置された焼成対象物をより均一な温度で焼成することができ、焼成品質を向上することができる。
＜セッター２００の材質の効果＞
ところで、セッター２００は、ガラス基板と直接接触することのできない溝を、ガラス基板を積載する面上に有しているので、溝を全く有しないセッター１２０よりも、ガラス基板上のセッターと接触していない部分の面積、即ち、溝部２５０ａ及び溝部２５１ａの範囲の面積が大きくなるため、セッター２００及びガラス基板間の熱伝導性能は低下する。
【００５１】
通常、セッターとガラス基板との温度差は、小さい方が望ましく、熱伝導性能をある程度に確保する必要があるため、金属などの輻射率の小さい材料からなるセッターに溝を形成する場合には、溝の幅及び溝の深さを大きくするのには限界がある。
これに対し、本発明の実施の形態におけるセッター２００は、透明の耐熱性ガラス材であることより、熱伝導のみならず輻射熱も熱伝導に大きく貢献しうることから、金属性のセッターより、溝の幅及び溝の深さを大きくできるものと考えられ、本発明の実施の形態におけるセッターの設計の自由度をより大きくしているものと考える。
【００５２】
さらに、ガラス基板及びセッターの材質は、同一ではないものの、同じガラス材からなることにより、比熱、熱張係数及び熱伝導度などの物性が類似している。
このため、ガラス基板及びセッター間の温度差が生じにくく、前記対流の発生の抑制に貢献しているものと考える。
＜溝の具体的仕様＞
耐熱性ガラス材であるセッター２００においては、経験上、溝幅が５ｍｍから２００ｍｍまでの間において、溝深さを２．００ｍｍ程度まで深くしても、焼成時の均熱ムラの問題は生じない。
【００５３】
一方、溝深さの下限については、上述の位置ずれを生じさせる程の浮力が生じない程度に、ガスが逃げて行くことかできるか否かが問題となるが、ガラス基板表面の反り又はうねりの値にも影響すると考えられ、経験上、溝の深さが少なくとも０．０５ｍｍ以上でないとガスの連絡路としては有効ではない。
また、ガラス基板が置かれる範囲における溝の占める割合、即ち、溝部２５０ａ及び溝部２５１ａの面積の割合が小さい場合、ガラス基板とセッター２００との接触面積が大きくなり、接触部に存在するガスの対流により、ガラス基板を浮上させてしまう程の浮力を生じることもある。
【００５４】
逆に、上述の割合が大きすぎると前記接触面積が小さくなり、しっかりと支えられないことがある。
これらの不都合が生じないようにするためには、前記溝の前記範囲に占める割合は、１０パーセント以上７０パーセント以下であることが望ましい。
なお、いうまでもなく、前記接触部とは、図３中の上面図における、ガラス基板（ここでは、前面ガラス基板１０１）が置かれている範囲から溝部２５０ａ及び溝部２５１ａの範囲を除いた範囲を意味する。
【００５５】
また、セッター２００における溝の形成位置は、ガラス基板が積載される範囲全体にわたって形成することが望ましい。
つまり、ガスの対流による浮力の低減範囲を分散させ、局所的に大きな浮力を生じさせないようにすることが望ましい。
このような観点から、溝２５０及び溝２５１は、それぞれセッター２００の中心点に対して、ほぼ対称となるように配置されている。
＜セッターの製造方法＞
以下、前面板９０及び背面板９１の作成において、焼成工程で用いられるセッター２００の製造方法の一例を説明する。
【００５６】
図６は、セッター２００の製造工程を示す図である。
図６（ａ）は、第１工程（感光性レジストフィルム形成工程）であり、この工程において、例えば、長さ１２８０ｍｍ、幅８００ｍｍ、厚み５ｍｍの板状であって、ネオセラムＮ−０又はＮ−１１（日本電気硝子の商品名）などの透明の耐熱性ガラス２０１上に、ロール温度が８０℃、線圧が４ｋｇ／ｃｍ2、基板送り速度が１ｍ／ｍｉｎの条件で厚さ５０μｍの感光性レジストフィルム（以下、ＤＦＲと称す）２１０がラミネートされる。
【００５７】
図６（ｂ）は、第２工程（露光と現像工程）であり、この工程において、４００ｍｍの間隔を開け、幅７０ｍｍの平行する溝を２本設けるため、このような形状にパターニングされたネガ型のフォトマスクを用い、１５ｍＷ／ｃｍ2出力の超高圧水銀灯で紫外線光（ＵＶ光）が照射されることにより、露光部２１１と非露光部２１２とが形成される。
【００５８】
このときの露光量は、例えば、露光量を７００ｍＪである。
さらに、例えば、１％炭酸ナトリウム水溶液の現像液により現像が行なわれ、その後、水洗されることにより、非露光部２１２が除去される。
その結果、図６（ｃ）に示すように、ＤＦＲ２１０にストライプ状の溝が形成される。
【００５９】
図６（ｄ）は、第３工程（ブラスト加工工程）であり、この工程において、溝形成後に、ＤＦＲ２１０が形成されている側からサンドブラストがなされる。
より具体的には、ブラストノズル２２９からガラスビーズ材などの研磨材２３０が、Ａｉｒ流量１５００ＮＬ／ｍｉｎ、研磨材供給量１５００ｇ／ｍｉｎの条件下で耐熱性ガラス２０１上に吹き付けられることにより、耐熱性ガラス２０１がブラスト加工されて溝が形成される。
【００６０】
なお、ブラスト加工時間は、耐熱ガラスの凹部の深さが２ｍｍ程度となるよう調整される。
図６（ｅ）は、第４工程（感光性レジストフィルムの剥離工程）であり、この工程において、剥離液、例えば、５％水酸化ナトリウム水溶液中に耐熱性ガラス２０１が浸漬されることによって、ＤＦＲ２１０が剥離される。
【００６１】
これにより、所定の溝、即ち、溝２５０及び溝２５１を有するセッター２００が得られる。
以上のように、本実施形態によれば、ガス放電表示パネルの焼成工程において、本発明の実施の形態におけるセッター２００にガラス基板を置いて焼成することにより、ガラス基板のセッター上における移動、即ち、位置ずれを防止することができる。
【００６２】
なお、本発明の実施の形態におけるセッター２００の溝幅（Ｗ）は、７０ｍｍとしたが、ガラス基板を浮上させない程度にセッターの溝の面積を確保できれば、この溝幅に限らず、他の値の溝幅であってもよい。
また、本発明の実施の形態におけるセッター２００の溝深さが２ｍｍ、また、溝と溝の間の間隔（ｄ）が４００ｍｍであるとしたが、この値に限定するものではなく、ガラス基板上の焼成対象物が焼成不良を招かない範囲内で変更してもよい。
【００６３】
また、本発明の実施の形態におけるセッター２００の材質は、耐熱性ガラス材料としたが、金属を主成分とした材料、金属の酸化物を主成分とした材料又はセラミックなどからなるとしてもよい。
その場合、規定の焼成品質を確保でき、かつ、位置ずれが発生しないように、セッターの溝形状を見直す必要がある。
【００６４】
また、本実施の形態におけるセッター２００は、平板に２本の溝を並列した形状としたが、溝の本数を２本に限定するものではなく、それ以上の本数であってもよい。
また、本実施の形態におけるセッター２００は、搬送方向に対して垂直に配置された複数の溝を有するとしたが、これに限らず、例えば、搬送方向に対してほぼ平行に配置された複数の溝を有するとしてもよい。
【００６５】
その場合、搬送方向におけるセッター２００の先端部から加熱が開始されると圧力の低い後端部へとガスが移動するので、溝の長手方向に熱が伝導する。
もともと、セッター上への溝の形成は、ガラス基板及びセッター間の熱伝導を阻害する方向に働ものであるが、セッターの搬送スピードが遅い場合、ガラス基板及びセッター間（上下間）の熱伝導よりもガラス基板及びセッターにおける搬送方向の熱伝導も重要となるため、セッター表面上の少なくともガラス基板が置かれる範囲全体にわたって搬送方向にほぼ平行な溝が複数設けられていることにより、セッターの先端から徐々に加熱される場合であっても、後端部に抜けるガスによって後端部へも熱伝導し、ガラス基板及びセッターの搬送方向における温度勾配の発生を抑制し、より均熱ムラが生じ難くすることができる。
【００６６】
また、本実施の形態におけるセッター２００は、平板に２本の溝を並列した形状としたが、この溝形状に限定するものではなく、セッターとガラス基板間に存在するガスを外部に排出することができる溝であればよく、例えば、図７に示すように、十字の溝３５０のあるセッター３００であってもよい。
その場合、セッター３００上にガラス基板を積載したとき、溝３５０は、このガラス基板で覆われる溝部３５０ａと、このガラス基板で覆われない溝部３５０ｂ、溝部３５０ｃ、溝部３５０ｄ及び溝部３５０ｅとを有する。
【００６８】
さらに、図９に示すように、格子状の溝５５０を有するセッター５００であっても構わない。
その場合、セッター５００上にガラス基板を積載したとき、溝５５０は、このガラス基板で覆われる溝部５５０ａと、このガラス基板で覆われない溝部５５０ｂ、溝部５５０ｃ、溝部５５０ｄ及び溝部５５０ｅとを有する。
【００７１】
また、本実施の形態では、本発明のセッター２００の溝は、サンドブラスト法により作成するとしたが、この方法に限定するものではなく、例えば、フッ化水素酸水溶液を用いてガラス表面を溶かすなどの化学的エッチング法により作成してもよく、また、溶射法などのよりガラス表面上に材料を、溝を配置すべき領域を除く領域に積層して凸部を設けることにより作成してもよい。
【００７２】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明に係るガス放電表示パネルの製造方法は、電極、誘電体層、隔壁及び蛍光体層のいずれかの材料を基板に配置する配置ステップと、前記配置がなされた前記基板を支持台に積載して焼成する焼成ステップとを備え、前記支持台は、前記基板が積載される上面において、前記基板に覆われる被覆領域から前記基板に覆われていない露出領域に跨る少なくとも１つの溝を有することを特徴とする。
【００７３】
これにより、前記溝の部分に存在するガスが前記被覆領域及び前記露出領域に跨って自由に移動し得る。
つまり、前記基板と前記支持台との間隙において、ガス圧の上昇が生じると、前記基板に浮力が生じることにより、当該基板の位置ずれが生じ易いが、前記製造方法によれば、前記被覆領域における溝付近のガスが前記溝を通り抜けて排出されるため、前記間隙の圧力上昇が軽減され、前記基板の浮力の発生が軽減される。
【００７４】
よって、焼成時の位置ずれが抑えられ、均熱ムラなどが生じ難くなるため、焼成品質の向上化が図られる。
また、前記溝は、複数あり、前記被覆領域中に分散されて配置されているとしてもよい。
これにより、前記基板の浮力の発生が軽減される範囲が分散されるため、効率的に浮力の発生が低減される。
【００７５】
また、前記焼成には、連続焼成炉が用いられ、前記複数の溝は、前記焼成炉の搬送方向に対してほぼ垂直に配置されているとしてもよい。
これにより、前記支持台の搬送方向における先端部より加熱が開始されて温度が上昇する場合、前記支持台が搬送方向に対して垂直に配置された溝を有しているため、個々の溝の内部においては、温度及び圧力勾配が生じ難い。
【００７６】
そのため、１つの溝において、局所的な浮力が生じることがなく、前記基板の浮上が抑制される。
また、前記焼成には、連続焼成炉が用いられ、前記複数の溝は、前記焼成炉の搬送方向に対してほぼ平行に配置されているとしてもよい。
これにより、前記支持台の搬送方向における先端部から加熱が開始されると圧力の低い後端部へとガスが移動するので、溝の長手方向に熱が伝導する。
【００７７】
つまり、支持台の搬送スピードが遅い場合では、前記基板及び支持台間（上下間）の熱伝導よりも前記基板及び支持台における搬送方向の熱伝導も重要となるため、支持台表面上の少なくとも前記基板が置かれる範囲全体にわたって搬送方向にほぼ平行な溝が複数設けられていることにより、支持台の先端から徐々に加熱される場合であっても、後端部に抜けるガスによって熱が後端部にも伝導し、前記基板及び支持台の搬送方向における温度勾配の発生が抑制され、均熱ムラの発生が抑制される。
【００７９】
また、前記積載がなされたとするときに、前記被覆領域内の前記基板と前記支持台とが接触していない非接触領域の面積が、当該基板の面積の１０パーセント以上７０パーセント以下であるとしてもよい。
これにより、前記基板の浮上が抑制されつつ、強固に保持され易い。
また、前記支持台は、ガラスを主成分とした材料からなるとしてもよい。
【００８０】
これにより、ガラス材料は、輻射による前記基板及び前記支持台間の熱伝導が促進されるため、前記溝による熱伝導性能の低下への影響が軽減される。
また、前記溝の深さは、０．０５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であり、かつ、前記溝の幅は、５ｍｍ以上２００ｍｍ以下であるとしてもよい。
これにより、前記基板と前記支持台との間の熱伝導性能の低下が抑制される。
【００８１】
つまり、焼成品質の不良を招かない程度に、前記基板と前記支持台との間の熱伝導性能が確保され得る。
【００８３】
また、本発明に係る支持台は、ガス放電表示パネルのベースとなる基板上に配置された材料を焼成する工程において、前記配置がなされた前記基板を焼成時に積載するための支持台であって、前記支持台は、前記基板が積載される上面において、前記積載がなされたとした場合に、前記基板に覆われる被覆領域から前記基板に覆われていない露出領域に跨る少なくとも１つの溝を有することを特徴とする。
【００８４】
前記配置がなされた前記基板を前記支持台に載せて焼成を行うとすれば、これにより、前記溝の部分に存在するガスが前記被覆領域及び前記露出領域に跨って自由に移動し得る。
つまり、前記基板と前記支持台との間隙において、ガス圧の上昇が生じると、前記基板に浮力が生じることにより、当該基板の位置ずれが生じ易いが、前記製造方法によれば、前記被覆領域における溝付近のガスが前記溝を通り抜けて排出されるため、前記間隙の圧力上昇が軽減され、前記基板の浮力の発生が軽減される。
【００８５】
よって、焼成時の位置ずれが抑えられ、均熱ムラなどが生じ難くなるため、焼成品質の向上化が図られる。
また、前記溝は、複数あり、前記被覆領域中に分散されて配置されているとしてもよい。
前記配置がなされた前記基板を前記支持台に載せて焼成を行うとすれば、これにより、前記基板の浮力の発生が軽減される範囲が分散されるため、効率的に浮力の発生が低減される。
【００８６】
また、前記焼成には、連続焼成炉が用いられ、前記複数の溝は、前記焼成炉の搬送方向に対してほぼ垂直に配置されているとしてもよい。
前記配置がなされた前記基板を前記支持台に載せて焼成を行うとすれば、これにより、前記支持台の搬送方向における先端部より加熱が開始されて温度が上昇する場合、前記支持台が搬送方向に対して垂直に配置された溝を有しているため、個々の溝の内部においては、温度及び圧力勾配が生じ難い。
【００８７】
そのため、１つの溝において、局所的な浮力が生じることがなく、前記基板の浮上が抑制される。
また、前記焼成には、連続焼成炉が用いられ、前記複数の溝は、前記焼成炉の搬送方向に対してほぼ平行に配置されているとしてもよい。
前記配置がなされた前記基板を前記支持台に載せて焼成を行うとすれば、これにより、前記支持台の搬送方向における先端部から加熱が開始されると圧力の低い後端部へとガスが移動するので、溝の長手方向に熱が伝導する。
【００８８】
つまり、支持台の搬送スピードが遅い場合では、前記基板及び支持台間（上下間）の熱伝導よりも前記基板及び支持台における搬送方向の熱伝導も重要となるため、支持台表面上の少なくとも前記基板が置かれる範囲全体にわたって搬送方向にほぼ平行な溝が複数設けられていることにより、支持台の先端から徐々に加熱される場合であっても、後端部に抜けるガスによって熱が後端部にも伝導し、前記基板及び支持台の搬送方向における温度勾配の発生が抑制され、均熱ムラの発生が抑制される。
【００９０】
また、前記積載がなされたとするときに、前記被覆領域内の前記基板と前記支持台とが接触していない非接触領域の面積が、当該基板の面積の１０パーセント以上７０パーセント以下であるとしてもよい。
前記配置がなされた前記基板を前記支持台に載せて焼成を行うとすれば、これにより、前記基板の浮上が抑制されつつ、強固に保持され易い。
【００９１】
また、前記支持台は、ガラスを主成分とした材料からなるとしてもよい。
前記配置がなされた前記基板を前記支持台に積載して焼成すれば、これにより、輻射による前記基板及び前記支持台間の熱伝導が促進されるため、前記溝による熱伝導性能の低下への影響が軽減される。
また、前記溝の深さは、０．０５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であり、前記溝の幅は、５ｍｍ以上２００ｍｍ以下であるとしてもよい。
【００９２】
前記配置がなされた前記基板を前記支持台に載せて焼成を行うとすれば、これにより、前記基板と前記支持台との間の熱伝導性能の低下が抑制される。
つまり、焼成品質の不良を招かない程度に、前記基板と前記支持台との間の熱伝導性能が確保され得る。
【００９７】
また、前記溝形成ステップでは、化学的エッチング法により前記上面部分を溶かすことにより、前記溝を生成するとしてもよい。
これにより、前記非接触領域の面積を小さく確保する場合には、前記化学的エッチング法によって容易に前記溝が生成される。
また、前記溝形成ステップでは、溶射法により前記上面部分に材料を溝の配置されるべき領域外の領域に積層して凸部を設けることにより、前記溝を形成するとしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の形態におけるＰＤＰ１００の概略図である。
【図２】  プラズマディスプレイ表示装置の構成を示す図である。
【図３】  本発明の実施の形態における、セッターの概略図である。
【図４】  焼成工程における温度プロファイルの一例を示す図である。
【図５】  セッターの形状による効果を示す図である。
【図６】  本発明の実施の形態における、セッターの製造工程を示す図である。
【図７】  本発明の実施の形態における、セッター形状の他のバリエーションを示す図である。
【図８】  本発明の実施の形態における、セッター形状の他のバリエーションを示す図である。
【図９】  一般的な交流型（ＡＣ型）ＰＤＰの概略図である。
【図１０】  焼成工程におけるガラス基板及びセッターの状態を示す図である。
【図１１】  セッター上に置かれたガラス基板の移動を説明する図である。
【符号の説明】
９０    前面板
９１    背面板
１００    ＰＤＰ
１０１    前面ガラス基板
１０２    表示電極
１０３    透明電極
１０４    黒色電極膜
１０４ａ  黒色電極膜前駆体
１０５    バス電極
１０５ａ  バス電極前駆体
１０６    誘電体層
１０６ａ  誘電体層前駆体
１０７    保護層
１１１    背面ガラス基板
１１２    アドレス電極
１１２ａ  アドレス電極前駆体
１１３    誘電体層
１１４    隔壁
１１４ａ  隔壁前駆体
１１５    蛍光体層
１１６    放電空間
１１９    パネル駆動装置
１２０    セッター
１３０    ハースローラー
２００、３００、４００、５００、６００、７００    セッター
２０１    耐熱性ガラス
２１０    ＤＦＲ
２２０    プラズマディスプレイ表示装置
２２９    ブラストノズル
２３０    研磨材
２５０、２５１、３５０、４５０、５５０、６５０    溝
２５０ａ、２５０ｂ、２５０ｃ    溝部
２５１ａ、２５１ｂ、２５１ｃ    溝部
３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃ、３５０ｄ、３５０ｅ    溝部
５５０ａ、５５０ｂ、５５０ｃ、５５０ｄ、５５０ｅ    溝部
【図１】
0004256629.tif 000002
【図２】
0004256629.tif 000003
【図３】
0004256629.tif 000004
【図４】
0004256629.tif 000005
【図５】
0004256629.tif 000006
【図６】
0004256629.tif 000007
【図７】
0004256629.tif 000008
【図８】
0004256629.tif 000009
【図９】
0004256629.tif 000010
【図１０】
0004256629.tif 000011
【図１１】
0004256629.tif 000012