(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源手段と、該光源手段に対向配置された反射手段と、該反射手段からの反射光束を受光する受光手段とを具備し、前記反射手段は前記光源手段からの発散性光束が２回以上の反射を繰り返すための複数の分割された反射面を有し、該反射面により分割された各光束は前記受光手段により重ね合わせられ、
前記光源手段の発光面と前記反射手段の反射面までの空気換算光路長をｇＬ、前記受光手段の受光面位置と前記反射手段の反射面までの実質的な空気換算光路長をｇＰ、前記光源手段の複数の発光領域の間隔をＰ２、前記受光手段の複数の光電変換素子の基本ピッチをＰ２、前記反射手段における複数の反射面のピッチをＰ１、前記光源手段から出射する光束の出力ピーク値の中心波長又は分光分布を積分したときの中央値の波長をλとしたとき、
Ｐ２＝２・Ｐ１
ｇＰ＝ｇＬ＝２・ｎ・Ｐ１2／λ
の関係において、ｎ＜１．５の範囲で決定される前記空気換算光路長ｇＬ、ｇＰにギャップ設定すると共に、前記受光手段の受光光量のピーク位置を前記範囲に合致させたことを特徴とする光学式エンコーダ。
【請求項２】
前記光源手段は複数の発光領域を有する電流狭窄型のＬＥＤとし、前記受光手段は複数の受光窓を持つ光電変換素子及び信号増幅手段、電気分割内挿手段、前記光源手段の光量補償回路が一体的に集積化されていることを特徴とする請求項１に記載の光学式エンコーダ。
【請求項３】
前記反射手段における反射面は、透光性部材から成る内部全反射作用又は表面反射を用いることを特徴とする請求項１〜２の何れか１つの請求項に記載の光学式エンコーダ。
【請求項４】
前記反射手段における反射面は、金属鏡面反射を用いることを特徴とする請求項１〜３の何れか１つの請求項に記載の光学式エンコーダ。
【請求項５】
前記反射手段における反射面は、透光性部材から成る内部全反射作用を用い、入射面側をシリンドリカル面としたことを特徴とする請求項１〜４の何れか１つの請求項に記載の光学式エンコーダ。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか１つの請求項に記載の光学式エンコーダを用い、物体の有無又は移動情報を求めることを特徴とする光学機器。
【請求項７】
請求項１〜６の何れか１つの請求項に記載の光学式エンコーダ又は光学機器をインクジェットプリンタの印字ヘッド移動位置検知用リニアエンコーダとして用いたことを特徴とするプリンタ装置。
【請求項８】
請求項１〜７の何れか１つの請求項に記載の光学式エンコーダ又は光学機器をインクジェットプリンタの紙搬送量を検知するためのロータリエンコーダとして用いたことを特徴とするプリンタ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、移動物体の移動量や移動速度そして回転速度等の位置情報を反射面を用いて検出するようにした光学式エンコーダに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来から移動物体の変位情報を３枚の光学スケールを利用して行う変位測定装置が知られており、３枚の格子を用いたエンコーダについて説明する。
【０００３】
図４４は第１の従来例の変位測定装置の光学系の要部概略図である。第１スケール１、第２スケール２、第３スケール３はそれぞれ一定のピッチＰ１、Ｐ２、Ｐ３で光の透過部と不透過部を設けた格子を有し、それぞれ変位検出方向Ａに略平行となるように対向して配置している。光源４は受光素子５に向けて発光中心波長λmの光束を放射している。第２スケール２、第３スケール３、光源４、受光素子５は、一体的に１つの筐体内に収納されている。一方、第１スケール１は図示しない移動体に関して設けられており、矢印Ａ方向に移動可能とされている。
【０００４】
光源４からの光束は第２スケール２に入射し、光変調されて第１スケール１に入射する。そして、第１スケール１で光変調した光束は第３スケール３に入射して光変調された後に受光素子５に入射し検出される。
【０００５】
いま、図４４に示すように、第２スケール２と第１スケール１との間隔をＵ、第１スケール１と第３スケール３との間隔をＶ、自然数をｎとすると、光学系が幾何学に従う場合には、次の式（１）〜（３）が成立する。
Ｐ１／Ｐ２＝Ｖ（Ｕ＋Ｖ）        ・・・・・・（１）
Ｐ１／Ｐ３＝Ｕ（Ｕ＋Ｖ）        ・・・・・・（２）
１／Ｕ＋１／Ｖ＝λm／（ｎ・Ｐ１2）     ・・・（３）
【０００６】
光学系が回折光学的な場合には、次の式（４）、（５）が成立する。
Ｐ１／Ｐ２＝２・Ｖ（Ｕ＋Ｖ）    ・・・・・・（４）
Ｐ１／Ｐ３＝２・Ｕ（Ｕ＋Ｖ）    ・・・・・・（５）
【０００７】
式（４）、（５）が成立する場合であれば、第２スケール２と第１スケール１で光変調した光束により、第３スケール３の位置に第１スケール１の格子に関する幾何学的な実像又は回折光学的な実像つまり格子像を形成する。
【０００８】
また、格子像は第３スケール３の格子ピッチＰ３と同じピッチＰ３の周期的な明暗を有したものとなる。このとき、第１スケール１が矢印Ａ方向に移動すると、第３スケール３に形成した格子像も移動する。この結果、第３スケール３を通過する光量は格子像の移動と共に変化し、受光素子５からは第１スケール１の移動情報に関する周期的な変位信号が得られる。図４４に示す変位測定装置は、受光素子５から得られる変位信号を用いて、第１スケール１つまり移動体の移動情報を検出している。
【０００９】
図４５は第２の従来例の変位測定装置における光学系の要部概略図である。図４４の変位測定装置に比べて検出方向Ｂに移動する第１スケール６を反射型とし、第２スケール７が図４４の第３スケール３としての作用を併用している点が異なっているが、光学的な変位検出原理は同じである。
【００１０】
この図４５の構成では、光源８からの光束をハーフミラー９を介して第２スケール７に照射し、第２スケール７からの光変調した光束を第１スケール６に入射し、第１スケール６で光変調した反射光を第２スケール７に入射している。そして、第２スケール７からの光変調した光束を、ハーフミラー９を介して受光素子１０で検出している。
【００１１】
３格子型の構成による変位検出方式としては、上述のように透過式、反射式が知られているが、透過式よりも反射式に利点が多い。図４４における３枚のスケール１〜３は図４５に示すように実質的には２枚のスケール６、７で済み、また透過式に比べれば小型化という面でも利点がある。
【００１２】
例えば、図４５の反射式について更に詳しくその特性を説明すると、図４５では図４４の第２スケール２、第３スケール３が同一体に構成されたスケール７として配置されているため、上記においてＵ＝Ｖの関係が成り立つ。
【００１３】
そこで、式（３）は次の式（６）に変形される。
Ｖ＝Ｕ＝２・ｎ・Ｐ１2／λm・・・・（６）
【００１４】
この式(６)は第１スケール６と第２スケール（＝第３スケール）７の間隔が、Ｖの値にあるときに、光学的なコントラストの高い縞模様が第２スケール７の面上に形成されることを表しており、実用上もこのような位置関係に２枚のスケール６、７を配置し利用される。この式（６）は３格子型の検出原理において、特に反射式の構成における実質的な最適な配置関係を与える一般的な式である。
【００１５】
次に、図４６は第３の従来例の変位測定装置の光学系の要部概略図である。第１スケール１１、第２スケール１２、第３スケール１３ａ、１３ｂ、光源１４、受光素子１５ａ、１５ｂが用いられている。
【００１６】
第１スケール１１は反射型スケールから成り、図示しない移動体に関して設けられており、矢印方向Ｃに移動可能となっている。第１スケール１１の変位情報の検出原理は、図４４で説明した変位測定装置と同様である。
【００１７】
即ち、光源１４からの光束は発散的に第２スケール１２に入射し、光変調され第１スケール１１に入射する。そして、第１スケール１１の変位により光変調された２つの反射光を第２スケール１２と略同一平面上に隣接して設けた第３スケール１３ａ、１３ｂを介して受光素子１５ａ、１５ｂで検出している。このとき、受光素子１５ａ、１５ｂからは図４４の変位測定装置と同様に、第１スケール１１の矢印方向Ｃの移動情報に関する変位信号が得られる。
【００１８】
図４４〜図４６に示すスケールとしては、一般に金属基板に多数のスリット開口部を形成した金属エッチングスケールやガラス基板にＣｒ等を蒸着してエッチングにより多数のスリット開口部を形成したガラススケール等が用いられている。
【００１９】
このように、従来例の何れも所謂３枚格子の理論を変位計測へ応用したものである。このような３枚格子の理論に基づく構成において、例えば図４４で説明した変位測定装置では、更に受光素子５と第３スケール３が一体化されたアレイ状受光素子（感光性素子列）、及び光源４と第２スケール２とが一体化されたアレイ状光源（発光素子列）が知られている。
【００２０】
更に、反射式の他の方式としてレンズを用いて光量不足を補おうとする構成や、反射体として直接反射光を用いて、反射体と光源をより近接させて光量不足を回避する構成が知られている。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、先の幾つかの従来例における３枚格子を原理とする反射方式や、その他の従来例、レンズを設けたもの、光源−スケール間を近接配置したもの等の方式では、次のような欠点がある。
【００２２】
図４５に示す反射式の変位測定装置においては、ハーフミラー９を用いているため装置全体が大型化し、それが介在するために光源光量の損失はかなり大きくなる。従って、光源８の発光量を大きくする必要があるため消費電力が大きくなる。
【００２３】
図４６に示す変位測定装置においては、発光量の大きい光源１４の光軸方向の光は受光素子１５ａ、１５ｂに入射せず、光源方向に反射され実質的に有効な光束とならず、同様に消費電力を増大させる。
【００２４】
更に、一般にエンコーダ等の変位測定装置において、移動体の変位情報として変位方向を検出するために、位相が異なる複数相の変位信号を得ることが必要となる。このような位相の異なる複数の変位信号を得るために、第１スケール１１、第２スケール１２、第３スケール１３ａ、１３ｂ、受光素子１５ａ、１５ｂ等を図４６に示すようにレイアウトする必要があるが、図４７はその具体的な配置図である。
【００２５】
図４４、図４５、図４６に示す変位測定装置においては、何れも位相の異なる複数の変位信号を得るには、スケールの格子を必要な信号の数に分別し、互いに所定の位相差分だけずらして配置し、かつそれぞれの信号を得るために複数の受光素子を設ける必要があり、装置全体が複雑化し、またスケール及び装置全体が大型化する。
【００２６】
図４８のレンズ１６を設けた構成では、光量不足の問題に対しては好結果が得られるが、小型化に対しては難点が生ずる。小型化・薄型化しようとしてレンズ１６と光源１４間の寸法を縮め、レンズ１４の曲率を小さくすると光軸合わせの精度が要求され、或る程度の大きさ、厚み以下にはならない。高精度化、高分解能化に当たっては、より高精度なレンズ性能が要求され低価格化の妨げとなる。
【００２７】
図４９、図５０の構成については、実用的な構成では発光素子２１、受光素子２２等の電気素子を何らかの保護材で覆う必要があり、極端な近接配置は不可能である。また、発光素子２１の光軸上光線は受光素子２２には入射されず、光利用効率は十分とは云えない。特に、この構成は３格子型の検出原理としては稍々異なるが、発光素子２１側に配置される反射スケール２３のスリットが複数ではなく、１個のみの構成と等価である。この場合に、反射スケール２３の変位方向における光源の発光領域の寸法は、３格子型の原理に従えば反射スリットピッチの１／２程度の寸法が好ましい。
【００２８】
従って、微小発光領域のみを発光する発光デバイスが必要となり、この構成で必要な受光光量を得るために、発光素子２１への注入電流を増大させると、発光領域が微小であるために電流密度が上がり、発光素子２１の破壊につながってしまうので注入電流を制限せざるを得ない。
【００２９】
上述したように、３格子型の原理に従った反射式のエンコーダにおいて、反射手段の構成としては、ハーフミラー等を用いると装置が大型化し、従来よりも小型化が困難となる。また、小型化を実現しようとすると、図４６、図４７、図４９、図５０に示すように、光源の軸上光線を有効に使えず光量不足となる。また、光量アップへの施策としてレンズの使用が考えられるが、３格子型の本来の検出原理から外れ、位置検出機能への問題点が生ずる。
【００３０】
本発明は、上述の問題点を解消し、３格子型の原理に従い、特に反射式の構成によってギャップ特性の良好な光学式エンコーダを得ると共に、上述の技術課題である装置の小型化、低消費電力化を実現することを主たる目的とし、更にその解決手段は同時に機器への組み込みを容易とし、高分解能な位置検出を可能とし、その位置検出精度が高精度とすることなどを同時に満足する光学式エンコーダを提供することにある。
【００３２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明は、光源手段と、該光源手段に対向配置された反射手段と、該反射手段からの反射光束を受光する受光手段とを具備し、前記反射手段は前記光源手段からの発散性光束が２回以上の反射を繰り返すための複数の分割された反射面を有し、該反射面により分割された各光束は前記受光手段により重ね合わせられ、前記光源手段の発光面と前記反射手段の反射面までの空気換算光路長をｇＬ、前記受光手段の受光面位置と前記反射手段の反射面までの実質的な空気換算光路長をｇＰ、前記光源手段の複数の発光領域の間隔をＰ２、前記受光手段の複数の光電変換素子の基本ピッチをＰ２、前記反射手段における複数の反射面のピッチをＰ１、前記光源手段から出射する光束の出力ピーク値の中心波長又は分光分布を積分したときの中央値の波長をλとしたとき、
Ｐ２＝２・Ｐ１
ｇＰ＝ｇＬ＝２・ｎ・Ｐ１2／λ
の関係において、ｎ＜１．５の範囲で決定される前記空気換算光路長ｇＬ、ｇＰにギャップ設定すると共に、前記受光手段の受光光量のピーク位置を前記範囲に合致させたことを特徴とする。
【００５４】
【発明の実施の形態】
本発明を図１〜図４３に図示の実施の形態に基づいて詳細に説明する。
図１は第１の実施の形態である光学式反射式リニアスケールを用いた光学系要部構成を示す斜視図である。光源手段３１は半導体基板上に複数の発光領域が設けられたマルチポイント発光の電流狭窄型ＬＥＤであり、制限された発光領域のみに電流集中させて無効電流を減らし、光を取り出すように構成された電流狭窄構造を有する発光ダイオードから成っている。光源手段３１は２つの発光領域３１ａ、３１ｂとを有し、出力ピーク値の中心波長又は分光分布を積分したときの中央値の波長λm＝０．６５μｍの光束を放射している。なお、Ｌａは光源手段３１の発光領域ｌａから放射される光束の中心軸つまり光源光軸である。
【００５５】
図２は電流狭窄構造を説明するための光源手段３１の断面図である。基板３２上に、第１クラッド層３３、活性層３４、第２クラッド層３５及びブロック層３６を順次に結晶成長させた後に、基板３２の下面及びブロック層３６の上面に、下部電極３２及び上部電極３８がそれぞれ蒸着されている。
【００５６】
基板３２は例えば１５０〜２５０μｍ程度の厚さの化合物半導体であり、基板３２と第２クラッド層３５との間の所定の範囲に動作電流が通電されることによって、活性層３４内で発生した光を第２クラッド層３５側から取り出すような電流狭窄構造を備えている。なお、活性層３４で発生した基板３２の底面側に向かう光を第２クラッド層３５側に導き、高効率化を図るために多層反射膜層を備えることも有効である。
【００５７】
１つの半導体基板上に複数形成した電流狭窄構造のＬＥＤは、従来からの図４６に示す光源１４及び第２スケール１２の代替として用いることで小型化でき、一方で低消費電力化の手段としても、光源手段３１に注入した電気エネルギを光に変換し、高効率に第１スケールに照射させるための手段として考えられる。
【００５８】
また、図１において、光源手段３１に並んで受光面４１としてフォトダイオードアレイ及び信号処理回路、電気分割回路を載せた半導体基板４２が設けられている。光源手段３１及び受光面４１は、図３に示すように検出ヘッドとして同一のガラスエポキシ基板から成る半導体基板４２上に実装され、一体的に構成された投光受光ユニットとされている。複数の発光領域及びフォトダイオードアレイは、変位計測方向Ｓａに沿って配列されている。光源手段３１の発光領域３１ａ、３１ｂは、図４に示す反射スケール４３に設けられた変位検出のための形状ピッチＰ１（＝８４μｍ）の２倍にあたるＰ２（＝１６８μｍ）で配置されている。
【００５９】
一方、受光面４１に設けられているフォトダイオードアレイ部は、３つのセグメントＳ１、Ｓ２、Ｓ３から成り、セグメントＳ１は４個の受光エレメントＳ１ａ、Ｓ１ｂ、Ｓ１ｃ、Ｓ１ｄの集まり、同様にセグメントＳ２は４個の受光エレメントＳ２ａ、Ｓ２ｂ、Ｓ２ｃ、Ｓ２ｄの集まり、セグメントＳ３は４個の受光エレメントＳ３ａ、Ｓ３ｂ、Ｓ３ｃ、Ｓ３ｄの集まりを示している。
【００６０】
受光エレメントＳ１ａ、Ｓ２ａ、Ｓ３ａは先の発光領域３１ａ、３１ｂの配列ピッチと同様に、反射スケール４３に設けられた変位検出のための形状ピッチＰ１（＝８４μｍ）の２倍に相当するピッチＰ２（＝１６８μｍ）で配列されている。その他のエレメントも同様に配列され、最小の受光領域である１２個の受光エレメントＳ１ａ〜Ｓ３ｄは、それぞれ受光幅としてピッチＰ２の約１／４の幅を有している。
【００６１】
半導体基板４２には、更にフォトダイオードからの信号を増幅するための増幅器、２値化するためのコンパレータ、更に電気分割のための内挿回路、光源の光量を安定化させるための光量補償回路等が実装されている。
【００６２】
図４に示す反射スケール４３は、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、好ましくはノルボルネン（ＰＣＰＤ）系の透明耐熱樹脂「アートン」（熱変形温度１７０℃の耐熱性）等の透光性樹脂の基板から成り、その一方の面には一定周期（ピッチＰ１≒８４μｍ）の凹凸部、及び連続したＶ溝形状（ピッチＰｍ≒１００μｍ）が形成されている。ここで、Ｓａは変位計測方向を示している。
【００６３】
図５は反射スケール４３の凹凸部が形成されている面側から見たときの斜視図、図６、図７はそれぞれ反射スケール４３のＹ−Ｚ断面図、Ｘ−Ｚ断面図である。図６において、Ｌａは光源手段３１の発光領域３１ａの発光面から立てた光軸である法線であり、ｎは法線Ｌａに平行である。
【００６４】
反射スケール４３の反射部は鋸歯状のマイクロルーフミラーアレイ（Micro Roof Mirror Array、ＭＲＡ）とされ、２種類の反射傾斜面群と各平面群により構成され、２つの反射面のなす角はそれぞれＲａとなっている。ここでは、頂角Ｒａは約９５度に設定されている。ＭＲＡのピッチＰｍは、本実施の形態では略１００μｍ程度とされている。
【００６５】
図７において、上下２つの平面は光軸Ｌａに対して直交しており、先のＭＲＡを構成する連続したＶ溝群は、この断面図において示すようにピッチＰ１で配列され、ＭＲＡを構成する連続したＶ溝群の幅Ｗｍは、次のようにＭＲＡのピッチＰ１の約半分の幅である。Ｗｍ≒（１／２）・Ｐ１
本実施の形態の場合に、反射スケール４３はプラスティックインジェクションモールド等の製造手段により実現でき、本断面図での角度Ｒｂは金型からの抜き勾配程度の大きさとされている。
【００６６】
ここで、本発明の反射体の光学作用を従来の反射体と対比し、図８〜図１４を用いて説明する。図８（ａ）は従来例に相当する斜視図、図８（ｂ）はその断面図である。光源手段３１から出射された発散光束が反射体４４の入射面４４Ｆから入射し、平面から成る反射面４４Ｒで反射して、光束の広がり角度が維持されたまま受光面４１側に導かれる様子を示している。
【００６７】
図９は反射体４４において、ハーフミラーを構成する２つの反射面４４ａ、４４ｂを所定の角度で対向配置し、光束を反射させるようにした場合を示し、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は反射体４４に１つのルーフミラーを用いた場合の光路図である。
【００６８】
図９（ａ）では光源手段３１から全方向に放射された光束が、先の図８で示した場合とほぼ同等の広がり角度を持って受光面４１側に導かれる。２つの反射面４４ａ、４４ｂで分割された光源手段３１からの発散光束は、重なり合うことなく受光面４１の側に進行する。
【００６９】
図９（ｂ）、（ｃ）は光源手段３１から放射された発散光束が、２つの光束に分割されることを示している。図９（ｂ）、（ｃ）では２つの反射面４４ａ、４４ｂのそれぞれに向かって光源手段３１から放射された光束が、２つの反射面４４ａ、４４ｂでその発散光束は分割分離されている。
【００７０】
例えば、図９（ｂ）では光源手段３１から右側に放射された光束が、受光面４１側で左方に導光されている。反射面４４ａ、４４ｂルーフミラーにより分割、分離後の光束は重なることなく、受光面４１側に進んでいる。この場合に、受光面４１に入射する光束、光量は図８における従来の反射体４４と変わらない結果となる。
【００７１】
図１０は反射体４４の光学作用の説明図である。２つの反射面４４ａ、４４ｂを所定の角度で対向配置した複数個のルーフミラーでは、一次元方向に配列した反射面４４ａ、４４ｂが透光性基板４４ｃの一面に設けられている。光源手段３１からの発散光束は反射体４４の反射面４４ａ、４４ｂで反射した後に、受光面４１又はその近傍の任意の位置で互いに重なっている。
【００７２】
光源手段３１からの発散光束は反射体４４の面内にほぼ収まり、光源手段３１から広がり角度を持って発光した光束は受光面４１にほぼ収まり、受光面４１の面上の光束の光線密度が向上している。
【００７３】
更に、図１１（ａ）〜（ｄ）は図１０において光源手段３１から種々の方向に発散した光束が反射体４４に入射し、複数個のルーフミラーによって複数の光束に分割されルーフミラーで反射した後に、各ルーフミラーで反射した光束が受光面４１又はその近傍の任意の位置で互いに重なり合う状態を示している。何れの場合も反射体４４からの反射光は、受光面４１又はその近傍で光束が互いに重なり合っている。
【００７４】
各ルーフミラーは傾斜面ごとに光束を分割分離するが、図１１（ａ）と（ｃ）の反射光束は受光面４１上の片側の領域で重なり合い、また図１１（ｂ）と（ｄ）の反射光束は受光面４１上の反対側の領域で重なり合っている。
【００７５】
図１２（ａ）、（ｂ）は反射体４４の透光性基板４４ｃの屈折率の違いによる光線作用の差異の説明図である。図１２（ａ）は透光性基板４４ｃの材質の屈折率が１．６９の場合、図１２（ｂ）は屈折率が１．５３の場合を示している。
【００７６】
図８〜図１２の一連の説明図により、反射体４４に相当する反射スケール４３は発散光束を収束性光束に変換して効率良く光束を受光部に導くことが理解できる。材質の屈折率が高いと臨界角が小さくなり、全反射するための光線入射角度が緩和される。本実施の形態の反射体４４は屈折率１．６５以上の高屈折率の透光性基板４４ｃを用いており、これにより光の利用効率を高めている。
【００７７】
図１３、図１４はルーフミラーの数による反射光束の集光状態を示し、図１３（ａ）〜（ｃ）において、ルーフミラーの数が増すごとに１つの傾斜面当りの反射面が光源手段３１を見込む角度は小さくなり、同時に分割された光束の１光束の光量は減少するが、受光面４１に導かれる反射光束の受光面上の照射領域も小さくなる。ルーフミラーの数が増えることで光量の減少分は打ち消され、トータル光量は変わらず、受光面４１への照射面積が小さくなる効果のみが有効となる。
【００７８】
図１４（ａ）〜（ｃ）は同一の発散角度を持って、光源手段３１から受光した光束が反射体４４に入射して、しかも光源手段３１との距離を同一にした場合を示している。受光面４１上に導かれる光束の光線密度は、ルーフミラーのピッチが小さくなるほど高くなっている。
【００７９】
このような第１の実施の形態では、先に説明した反射体４４としてＭＲＡを用いた反射スケール４３を用いている。その反射面は一定周期（ピッチＰ１＝８４μｍ）であり、図示しない移動体に関して設けられており、図１に示すように矢印Ｓａで示す移動方向に移動可能となっている。この反射スケール４３の反射面は、受光面４１の受光素子列に対して距離ｇＰが約１．５〜２．５ｍｍ程度隔てて対向配置されている。なお、反射スケール４３と受光素子列は移動方向Ｓａに対して略平行となっている。ここで、距離ｇＬ及び後述するｇＰは光学的な空気換算距離を表している。
【００８０】
光源手段３１から射出した発散光束は、距離ｇＬにある反射スケール４３の反射面に入射する。図１５（ａ）、（ｂ）はこのときの反射スケール４３のＶ溝と平面の凹凸部に入射する光束の光路説明図である。（ａ）に示すように、Ｖ溝に入射する光束はＶ溝の傾斜面に臨界角以上の角度で入射し、傾斜面で２回の全反射を繰り返し光源手段３１側へ戻る。また、（ｂ）に示すように平面に入射する光束はそのまま反射スケール４３を通過する。同様にして、他の傾斜面においても、２回の全反射を繰り返し入射光束は光源手段３１側に戻ることになる。
【００８１】
図１６（ａ）、（ｂ）は反射スケール４３のＶ溝を形成する２面の傾斜面の角度Ｒａを変えた場合の光路を示しており、この角度を適宜に変更することにより、光源手段３１からの発散光束を図１の受光面４１上のＹ軸方向に関する任意の位置に導くことが可能となる。
【００８２】
図１７（ａ）、（ｂ）は図１５（ａ）、（ｂ）の光学作用を分かり易く説明するための等価光学系である。先ず、図１７（ａ）は反射スケール４３と検出ヘッドの相対変位を横から見た等価光路図である。反射スケール４３に対して、複数の発光体を有する光源手段３１とフォトダイオードアレイを含む受光面４１が、それぞれ距離ｇＬ、ｇＰの位置に配置されている。
【００８３】
図１７（ａ）と従来の技術として示した図４４、図４７、図４８とは、ほぼ同様の光学配置である。ただし、図１７（ｂ）の等価光路図では、光源手段３１からの発散光束は収束性光束として受光面４１に導かれる。
【００８４】
従来の３格子型の光線作用と対比すると、従来構成では光源から射出した発散光束は、そのままの広がりを持って受光部に導かれるのに対して、本実施の形態では収束性光束となって受光面４１に入射する。収束性の実質的な光線作用は図８〜図１４において、既に説明した通りであり、従来例とはこの点で大きく異なる。このように第１の実施の形態では、従来構成に比べて光源手段３１から発した光束の利用効率が高いことが容易に推測できる。
【００８５】
図１７（ａ）において、反射スケール４３が移動方向Ｓａに移動すると、それに伴い受光面４１のフォトダイオードアレイ部のセグメントＳ１〜Ｓ３上に形成した格子像も同方向に移動する。この結果、各受光エレメントからは反射スケール４３の移動状態に基づく干渉縞の明部、暗部が周期的に変化し、光電変換の後に位相が異なる４相の変位信号が出力される。
【００８６】
本実施の形態では、このときの受光面４１から得られる変位信号を用いて、反射スケール４３と受光面４１及び光源手段３１を含む検出ヘッドとの相対的な変位情報を検出している。
【００８７】
次に、本実施の形態における信号処理回路部分の説明をすると、図１の構成の光学系において、光源手段３１から射出した光束は、その光路途中に位置する反射スケール４３の変位に伴い複数の反射回折光束を発生すると共に、直接光である０次回折光束以外の各反射回折光束は位相変調され、フォトダイオードアレイ及び信号処理回路、電気分割回路を搭載した半導体基板４２に上下方向に移動する干渉縞模様形成する。具体的には、受光面４１上では、図１８、図１９に示すような光量分布の縞が図の上下方向に移動する。
【００８８】
図１８はフォトダイオードアレイから成る受光面４１、信号処理回路、電気分割回路とを載せた半導体基板４２の構成図である。本実施の形態の構成では、フォトダイオードアレイ、信号処理回路と共に、電気分割回路を一体化することにより、このような小さなサイズの半導体基板４２でありながら、高分解能な出力信号が得られるようにしている。
【００８９】
図１８のセグメントＳ１〜Ｓ３で得られるパターンは、光学式エンコーダのフォトダイオードアレイパターンと検出される光の明暗パターンとの関係を示している。図１８では明暗パターンの１周期の１／４の幅のフォトダイオードのそれぞれが０度、９０度、１８０度、２７０度の関係になるように配置され、有効な受光エレメントとして合計１２個の受光エレメントＳ１ａ、Ｓ１ｂ、Ｓ１ｃ、Ｓ１ｄ、Ｓ２ａ、Ｓ２ｂ、Ｓ２ｃ、Ｓ２ｄ、Ｓ３ａ、Ｓ３ｂ、Ｓ３ｃ、Ｓ３ｄが含まれ、それ以外に両端部には各１個ずつのダミーフォトダイオードから成る受光エレメントが配置されている。
【００９０】
ダミーフォトダイオードは有効部の両端部に位置する受光エレメントＳ１ａ及びＳ３ｄが周りの素子から受けるクロストークの影響について、他の有効受光エレメントの特性と同じ特性に揃えるために設けられている。また、同位相のフォトダイオード群は図１９に示すように、電気的に接続され出力信号Ｅａ、Ｅｂ、Ｅｃ、Ｅｄを発生する。
【００９１】
図２０は１２個の受光エレメントから得られる信号を処理する信号処理回路である。Ｉ−Ｖ変換回路５１〜５４は各受光エレメントＳ１ａ〜Ｓ３ｄの同位相の信号の和である信号Ｅａ、Ｅｂ、Ｅｃ、ＥｄをＩ−Ｖ（電流−電圧）変換する。
【００９２】
出力信号ＡはＥｃ−Ｅａの差動増幅結果に一定電圧（Ｖｆ２）を重畳して得ている。同様に、出力信号ＢはＥｄ−Ｅｂ、出力信号ＣはＥａ−Ｅｃから得られる。このとき、出力信号Ａ、Ｂ、Ｃは０度、９０度、１８０度の位相関係で、かつＤＣ電圧は同様にＶｆ２となっている。
【００９３】
ＡＣ電圧もほぼ同じ位置にある受光エレメントＳ１ａ〜Ｓ３ｄからの検出電圧であるから、それぞれのレベルは等しく、かつ光量をフィードバック制御をしているので、光量変動や取付誤差の影響も少ない一定の振幅が得られる。
【００９４】
中心電圧をゼロからＶｆ２に上げているため、片電源の回路でも動作できる。差動増幅器５５〜５７の信号が直接抵抗連鎖に電気分割回路５８に入力されている。また、この電気分割回路５８は片電源でも動作する構成にされており、このように片電源の回路構成でも、簡便に精度良い電気分割回路を含んだエンコーダ信号が得られる利点がある。
【００９５】
図２１は光の明暗パターンが受光エレメントＳ１ａ〜Ｓ３ｄ上を移動し、かつ光量変動があるときのＩ−Ｖ変換回路５１〜５４の出力信号波形のタイムチャート図を示している。Ｉ−Ｖ変換回路５１〜５４からは位相は異なるが、同じような信号波形が得られる。信号Ｅａ、Ｅｂは１８０度位相がずれているので、信号Ｅａ、Ｅｃの加算した結果から、光源手段３１の発光量をフィードバックするための参照信号を得ることができる。
【００９６】
ここまでの説明に示すように、反射スケール４３は従来の反射式スケールでは得られない発散光束を収束性光束に変換する機能を有している。一方で、光透過部と光反射部とを一定周期で設けることにより、従来の反射式光学スケールと同じ振幅型の回折格子と同様の光学作用を有する。その結果、従来技術で公知の３格子型の光学原理に従った回折干渉の現象を示す。
【００９７】
公知の性質を表す式（１）〜（５）から、本実施の形態の反射方式の構成では、次の関係式が成り立つ。
Ｐ２＝２・Ｐ１、ｇＰ＝ｇＬ＝２・ｎ・Ｐ１2／λ・・・・（６）
【００９８】
ここで、Ｐ１は反射スケール４３のピッチ、Ｐ２はアレイ状光源の配列ピッチ、及び受光面４１のセグメントＳ１、Ｓ２、Ｓ３間のピッチ、ｇＬ、ｇＰは空気換算光路長である。
【００９９】
上記の関係から、光源手段３１から射出し反射スケール４３を介して反射・回折・干渉した光束は、受光面４１のセグメントＳ１〜Ｓ３上に反射スケール４３の格子ピッチＰ１、複数の発光領域の配列間隔Ｐ２、及び光源手段３１の発光中心波長λにより決定付けられた回折干渉像である格子像を形成する。
【０１００】
この格子像ピッチはＰ２（≒１６８μｍ）で、ピッチＰ１の２倍の値を示し、この格子像のピッチＰ２と重なるように、受光面４１のセグメントピッチはＰ２で配列されている。
【０１０１】
先に説明した従来例では、条件式（６）のｎの値は自然数とし、この値の近傍にギャップ設定することを説明している。ところが、この第１の実施の形態では、条件式（６）での配置は実用上は成立しない。
【０１０２】
ここで、具体的に本実施の形態の主要な数値を用いて算出してみると、反射スケール４３のピッチＰ１、アレイ状光源の配列ピッチＰ２、受光面４１のセグメントＳ１、Ｓ２、Ｓ３間のピッチＰ２は次のようになる。
Ｐ１≒８４μｍ
Ｐ２≒１６８μｍ
λ≒０．６５μｍ（光源の発光波長の中心値）
【０１０３】
空気換算での最適な干渉縞コントラストが得られるギャップＶ（＝Ｕ）は、開示されている関係式によれば、ｎは自然数とされ、例えばｎ＝１の場合において次式となる。
0004208483.tif 000002
【０１０４】
また、ｎ＝２では次式となる。
Ｕ＝Ｖ＝２・ｎ・Ｐ１2／λ
＝２・２・８４・８４／０．６５
≒４３４２１（μｍ）
【０１０５】
即ち、３格子型の原理に従い、反射スケール４３、光源手段３１、受光面４１等の配置を決定する条件式（６）に従えば、約２１．７ｍｍ或いは４３．４ｍｍの位置でコントラストの高い干渉縞が得られることになり、ギャップの変化に対して、コントラスト特性は図２２のグラフ図に示すような特性を示すとされている。
【０１０６】
ところが実際には、この寸法で配置した場合には実用的な信号は全く得られない。即ち、ギャップ位置２１．７ｍｍ或いは４３．４ｍｍの位置では、光源手段３１と反射スケール４３との距離が大き過ぎ、受光面４１への入射光量が不足して有効な信号振幅が得られない。
【０１０７】
図２３は受光光量とギャップの関係を示し、約２ｍｍ程度の位置で受光光量のピークを示し、５ｍｍ以上の距離では実用的な光量を確保することは殆ど困難である。このように反射方式では、検出ヘッドと反射スケールが或る距離以上離れた場合は、極端な光量の不足の問題が生ずる。先に示した３格子型の反射式での条件式（６）から求められる最適ギャップ位置２１．７ｍｍでは、到底有効な信号は得られない。
【０１０８】
そこで、このような場合に図２２のグラフ図において、ギャップ＝０の近傍で用いることが有効である。図２４は実際の実験結果から得られた出力信号振幅の特性図を示している。本実施の形態では、ギャップ値としては反射光光量がピークを示すほぼ２．０ｍｍ前後の位置で出力信号振幅が最大となり、良好な特性が得られる。
【０１０９】
このように、従来では３格子型の変位検出原理に従う反射方式の構成では、条件式（６）の関係を満たす位置に、反射スケールを配置することが好ましいとされてきた。しかし、第１の実施の形態においては、自然数と規定されている条件式（６）中のｎに対して、ｎ＜０．５の範囲で、反射スケールを配置することが有効であり、条件式（６）の関係で決定される位置よりも、受光光量のピーク位置に反射スケールを配置することが好ましい配置と云える。
【０１１０】
次の第２の実施の形態においては、先の第１の実施の形態と異なる点は下記の寸法関係のみである。下記のピッチＰ１、Ｐ２のみが異なり、他は全く同じで、次の値を与えることにする。
Ｐ１≒４２μｍ
Ｐ２≒８４μｍ
【０１１１】
ここで、具体的に先の第１の実施の形態と同様に、第２の実施の形態の主要な数値を用いて、好ましいギャップ設定位置を算出してみる。空気換算での最適な干渉縞コントラストが得られるギャップＶ（＝Ｕ）は、開示されている関係式によればｎは自然数とされ、ｎ＝１の場合において、次式となる。
Ｕ＝２・ｎ・Ｐ１2／λ
＝２・４２・４２／０．６５
≒５４２８（μｍ）
【０１１２】
図２５はこの第２の実施の形態での実験結果を示している。ギャップが５．４ｍｍの位置では受光光量は僅かで、この第２の実施の形態においても先の第１の実施の形態と同様に、ｎ＜１の範囲に出力信号のピークが得られ、この場合では約１．０ｍｍ前後に最大振幅が存在している。この第２の実施の形態では、３格子型での条件式（６）から求められる最適ギャップ位置５．４ｍｍ近傍でも、かなり有効な信号振幅が得られてはいるが、図２５に示すように１ｍｍ付近に、より大きな信号振幅が得られるギャップが存在している。
【０１１３】
先の第１の実施の形態では、受光光量ピーク位置が約２ｍｍ近傍で最大振幅が存在しているが、この第２の実施の形態では、受光光量のピーク位置付近にコントラスト値の谷間が存在しているために、最大振幅位置が受光光量のピークからずれ、１ｍｍ近傍に信号振幅ピークが生じている。
【０１１４】
この第２の実施の形態での最大振幅発生位置は、条件式のｎの値に置き換えると、ｎ＜１の範囲が有効なギャップ位置を与える。
【０１１５】
第３の実施の形態は、第２の実施の形態と同様に下記の寸法関係のみが異なる。下記のピッチＰ１、Ｐ２のみが異なり他は全く同じで、次の値を与えることにする。
Ｐ１≒２１μｍ
Ｐ２≒４２μｍ
【０１１６】
ここで、具体的に先の第１の実施の形態と同様に、第２の実施の形態の主要な数値を用いて好ましいギャップ設定位置を算出してみる。空気換算での最適な干渉縞コントラストが得られるギャップＶ（＝Ｕ）は、開示されている関係式によれば、ｎを自然数とし、ｎ＝１の場合において次のようになる。
0004208483.tif 000003
【０１１７】
図２６はこの第３の実施の形態での実験結果をに示し、１．３５７ｍｍの位置では、この位置に出力信号のピークが得られる。３格子型での条件式（６）から求められる最適ギャップ位置の１．３５７ｍｍ近傍で有効な信号振幅が得られている。これは受光光量のピーク位置と条件式（６）から得られる最適位置の値が近接し、条件が合致したことによる。
【０１１８】
従って、この第３の実施の形態でのこの最大振幅発生位置は条件式のｎの値に置き換えれば、０．５＜ｎ＜１．５の範囲が有効なギャップ位置を与える。
【０１１９】
最適なギャップ設定位置に関しては、これまで３格子型の反射式構成では条件式（６）が好ましいとされてきた。しかし、実質的な信号振幅で考えた場合には、必ずしもこの条件式（６）から導かれる配置が最適であるとは限らない。
【０１２０】
受光光量のピーク位置が重要であり、条件式（６）で得られるコントラストピーク位置とこの受光光量のピーク位置の関係において最適な配置が決定される。
【０１２１】
実施の形態では、３格子型の反射式構成における最適なギャップ位置を与える関係式を示すものである。その際に、受光光量のピーク位置がコントラストピーク位置と合致するように、受光ピーク位置を光源手段３１、受光面４１の配置関係で操作することで、双方のピーク位置を合致させる最大振幅の出力信号を得ようとするものであり、上述の手段で実現可能である。
【０１２２】
また、これまで条件式（６）において、ｎは自然数の範囲で考えられていたが、第１又は第２の実施の形態で採用した反射スケール４３のピッチ８４μｍ又は４２μｍ程度では、それぞれｎ＜０．５、ｎ＜１の範囲に最良な位置が存在し、コントラストピーク位置よりも受光光量のピーク位置が支配的である。また、第３の実施の形態で採用したピッチ２１μｍ程度では、コントラストのピーク位置と受光光量のピーク位置が合致するような関係を実現することが好ましい。
【０１２３】
図２７のグラフ図は第１〜第３の実施の形態までの結果を纏めて示している。
【０１２４】
図２８は第４の実施の形態の構成図を示し、Ｒａ＝９０度の設定で、しかもピッチＰｍを問題ない寸法に設定する。実現可能な光源手段３１と受光面４１の配置構成例を示している。反射スケール４３は透光性部材から成り、角度Ｒａ＝９０度の設定とされている。この場合には、受光面４１のシリコンフォトダイオードのチップである半導体基板４２上に光源手段３１のチップを載せて実装し、上述の問題を回避することが可能である。実装密度が高い点では好ましい構成とも云え、光源手段３１の発光ダイオードの発熱の影響を考慮する必要がある。実装面から考えると、角度を９０度よりも大きく設定し、同一の実装面に受光面４１のシリコンフォトダイオードと、光源手段３１の発光ダイオードを並べて実装することが好ましい。
【０１２５】
図２９〜図３７は反射手段としての反射スケール４３の他の実施の形態の説明図である。これらの実施の形態では、光源手段３１（Ｌ）からの光線で反射体４４を介した光束をより効率良く受光面４１（Ｐ）に導くための幾つかの例を示している。
【０１２６】
図２９（ａ）は第５の実施の形態の基本形として、反射体４４の反射面の角度Ｒａを９５度に設定した場合の構成図である。この第５の実施の形態では、図２９（ｂ）はシリンドリカルつまり円筒面の一部の面ＣＬに沿ってＶ字型の溝を配列した反射体４４が使用されている。反射体４４として透光性部材を用いた場合には有効で、全反射の条件に対して制約を受け易い図２９（ａ）の構成に対して、Ｖ字型溝の面への光線の入射角度許容範囲が広く取れる。
【０１２７】
図３０は第６の実施の形態の構成図であり、図２９（ｂ）におけるそれぞれのＶ字型溝の一点鎖線の角度方向を維持しながら、Ｖ字型溝が直線状に配置されている。図２９（ｂ）では湾曲した分だけ反射体４４の厚さが大きくなるが、この例ではその点を改善している。
【０１２８】
この第６の実施の形態の概念はＶ字型溝のみならず、図３１の第７の実施の形態又はその変形例、図３２の第８の実施の形態も適用できる。図３１において、シリンドリカル面ＣＬにアルミニウム蒸着等の反射膜を形成した一次元収束性反射素子の例である。これまでのＶ字型溝の場合と同様に、従来の技術課題を解決可能である。
【０１２９】
図３２においては、厚みが増す問題点を回避するために、シリンドリカル面ＣＬを分割して異なる曲率の曲面を組み合わせている。そして、分割したシリンドリカル面ＣＬには、それぞれ反射膜が施されている。
【０１３０】
図３１、図３２の実施の形態では、或る厚みの中にこの一次元収束性反射素子の閉じ込めることを条件として比較すると、同じ厚みでは光源手段３１からの光束を広い受光面４１に導くことが可能な範囲は、シリンドリカル曲面を分割した図３１では１０度近く広がる。このような変形で光量の利用効率は更に向上する。
【０１３１】
図３３は反射体４４として反射型のフレネルゾーンプレートを用いた第９の実施の形態である。ここでは、反射部にＶ字型溝の内部の全反射の作用を用いて反射面を形成している。
【０１３２】
図３４は第１０の実施の形態を示し、先の図３２の構成を更に改良して分割したシリンドリカル面ＣＬにはアルミ反射膜を施さずに、Ｖ字型溝の内部全反射の作用を用いて同様に反射面を形成している。
【０１３３】
図３５は先に説明した図３０の一次元収束性反射素子を有する反射体４４を、リニアエンコーダ用の反射スケール４３として適用した場合の構成図である。
【０１３４】
図３６、図３７は透光性部材ＴＴ１にＶ字型溝群を周期的に設けた第１１の実施の形態の反射型リニアエンコーダの反射スケール４３を示し、第１の実施の形態の構成において、透明基板の裏面にシリンドリカル面ＣＬを一体的に又は独立して設けて光の利用効率を高めている。そのＹ−Ｚ断面、Ｘ−Ｚ断面を図３７、図３８に示している。光源手段３１からの発散光束はシリンドリカル面ＣＬでほぼ平行光束へ変換され、Ｖ字型溝面での２回の内部全反射を繰り返し、再びシリンドリカル面ＣＬを通過する際に収束光束に変換され、図示しない受光面４１へ導かれる。
【０１３５】
図３９はこれまで説明してきた一次元収束性反射素子を有する反射体４４を、例えばエンコーダ等に用いた場合のフォトセンサと反射体間の距離と、フォトセンサから成の受光面４１が光を検出したときに発生する光電流の値との関係を従来の平板にアルミ蒸着した反射体を用いた場合と比較して示した説明図である。一次元収束性反射素子を用いた場合には受光可能が絶対光量が増し、その結果として多くの光電流が得られ、光電流ピークが増大する。
【０１３６】
一方、距離特性においても、従来では１／（距離）2に対して、本実施の形態では１／距離の特性となるために優れた特性が得られる。
【０１３７】
なお、本実施の形態はリニア型エンコーダを例に説明してきたが、反射型のロータリエンコーダ用のスケールとしても同様に適用可能である。
【０１３８】
図４０はボイスコイルアクチュエータを用いて、ビデオレンズシステムを形成した第１２の実施の形態を示し、変倍用バリエーターレンズのレンズ群６１とフォーカスレンズのレンズ群６２をボイスコイルアクチュエータを用いて駆動する構成を示し、レンズ群６１とレンズ群６２の絶体位置を検出するためのズーム用エンコーダ６３、６４、オートフォーカス用エンコーダ６５、６６が取り付けられている。
【０１３９】
６３、６５はそれぞれ本実施の形態によるリニアエンコーダスケールであり、６４、６６は検出ヘッドである。エンコーダ６４、６６からの出力は、それぞれの読取回路６７、６８で読み取られ、ＣＰＵ６９に送られる。また、撮像用ＣＣＤ７０からのビデオ信号によって、ピント状態に関する情報も読取回路７１を介してＣＰＵ６９に送られる。
【０１４０】
ＣＰＵ６９では、これらの情報とＲＯＭ７２中に予め記憶された情報を基に各ボイスコイルに流すべき電流値或いはその波形を決定し、それぞれのドライバ７３、７４を介してコイルに通電する。このシステムによって、レンズ群６１とレンズ群６２は常に合焦が保たれるような位置に保持される。
【０１４１】
この搭載例に示すように、ボイスコイルアクチュエータを用いてビデオレンズシステムを成立させるには、超小型で高精度なレンズ位置検出用のエンコーダが必要となり、検出ヘッド６４、６６が搭載され、小型化に伴い光学系の位置決め感度が上がってゆく傾向にあり、高分解能で高精度なエンコーダが求められる。また、低消費電力が求められるこれらの機器において、本実施の形態による低省電力なエンコーダは、上記の特長に加え重要な搭載上の効果である。
【０１４２】
従来、この検出ヘッド６４、６６はリニアタイプのボリュームや、グレーコードパターンが形成された電極をブラシでなぞるタイプのものや、レンズ保持枠と共に動く等の光学素子とＰＳＤ等の光電変換素子とで位置検出を行うタイプのものが用いられている。
【０１４３】
この光学式エンコーダを搭載することにより、非接触な位置検出が可能で、かつ大幅な装着スペースが削減でき、鏡筒設計の自由度が向上する。
【０１４４】
図４１は第１３の実施の形態として、光学式反射エンコーダスケール及びヘッドどをインクジェットプリンタの印字ヘッドの駆動制御用として用いた例である。ここで、８１は筐体、８２は印字ヘッド、インクタンク等を抱えるキャリッジユニットで、８３は案内棒、８４は紙搬送用の駆動モータ、８５駆動軸上ギア、８６はアイドラギア、８７は主搬送ローラ軸上の装着されたギアで、この軸上に回転角度検出のためのエンコーダが装着されている。
【０１４５】
一端が筺体８１に固定されたリニアエンコーダスケール８８は、案内棒８３と平行に延在され、その他端は図示しない板ばねを介して筺体８１に固定されている。スケール８８は透明なポリカーボネートの透明フィルムに所定間隔で微細溝形状が設けられている。
【０１４６】
図４２はキャリッジに装着されたエンコーダの説明図である。リニアエンコーダスケール８８は図４１に示された筐体８１に装着された検出ヘッド８９は、キャリッジ９０に取り付けられた基板９１にインクジェットヘッドを駆動するめたの駆動回路等などと共に搭載されている。
【０１４７】
特に、このインクジェットプリンタのキャリッジ駆動制御用のリニアエンコーダにおいては、エンコーダ検出ヘッドの装着スペースが限られ、超小形な検出ヘッドは搭載が容易である。また、従来の透過形のエンコーダに比べてプリンタへの組み込みが容易であり、低消費電力という観点ではモバイルプリンタ等への搭載は更に有効な手段となる。
【０１４８】
インクジェットプリンタではキャリッジの位置制御用のリニアエンコーダだけでなく、ペーパーフィード用ローラの回転角度検出のためのロータリエンコーダも必要とされている。図４３はその場合の第１４の実施の形態のプリンタの側面図である。主紙搬送ローラ駆動ギアの背後に隠れて装着されたロータリエンコーダスケール９２、検出ヘッド９３及び検出ヘッド９３を実装した基板９４が設けられている。
【０１４９】
本実施の形態では、高分解能かつ高精度な電気分割が可能となるため、角度検出のためのロータリエンコーダスケールは小径化が可能となり、これまで高分解能に紙送り位置を検出するために大直径のエンコーダスケールが用いられていたが、図４３に示すように駆動のためのギアの直径よりも小さくすることが可能となる。特に、モバイルプリンタ等の超小型化設計が必要とされる装置等では効果は多大である。先のリニアエンコーダでの実施の形態と同様に、低消費電力という観点でも、モバイルプリンタ等への搭載は更に有効な手段となる。
【０１５０】
【発明の効果】
以上説明したように本発明に係る光学式エンコーダは、測定、観測対象となる反射体に設ける反射素子を適切に構成することにより、光源手段及び受光手段にレンズを用いなくても高い光伝達効率が得られ、また、反射体と受光手段間の相対的な位置ずれに対しても感度の鈍い特性となり、反射体の有無や移動状態を高精度に検出することができる。
【０１５３】
また、インクジェットプリンタ等の各種情報機器、ビデオカメラ、カメラ等の光学機器等に本発明の光学式エンコーダを搭載することで装置全体の簡素化、小型化及び低消費電力化を図りながら、移動体の移動方向を含む変位情報を高精度に検出することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態の光学系の概略図である。
【図２】発光手段の断面図である。
【図３】発光手段及び受光面を同一基板上に実装した平面図である。
【図４】反射スケールの平面図である。
【図５】反射スケールの斜視図である。
【図６】反射スケールのＹ−Ｚ断面図である。
【図７】反射スケールのＸ−Ｚ断面図である。
【図８】従来例に相当する反射体の光路説明図である。
【図９】２つのＶ溝を有する反射体の光路説明図である。
【図１０】反射体の光路説明図である。
【図１１】反射体の光路説明図である。
【図１２】反射体の光路説明図である。
【図１３】反射体の光路説明図である。
【図１４】反射体の光路説明図である。
【図１５】反射体の光路説明図である。
【図１６】反射体の光路説明図である。
【図１７】図１５の等価光路図である。
【図１８】受光手段の平面図である。
【図１９】受光手段で得られる変位信号の説明図である。
【図２０】信号処理回路図である。
【図２１】受光手段からの出力信号のタイムチャート図である。
【図２２】実施の形態でのギャップ特性のグラフ図である。
【図２３】実施の形態でのギャップ特性のグラフ図である。
【図２４】実施の形態でのギャップ特性のグラフ図である。
【図２５】実施の形態でのギャップ特性のグラフ図である。
【図２６】実施の形態でのギャップ特性のグラフ図である。
【図２７】実施の形態でのギャップ特性のグラフ図である。
【図２８】他の実施の形態の光学系の概略図である。
【図２９】反射体の光路説明図である。
【図３０】反射体の光路説明図である。
【図３１】反射体の光路説明図である。
【図３２】反射体の光路説明図である。
【図３３】反射体の光路説明図である。
【図３４】反射体の光路説明図である。
【図３５】更に他の実施の形態の光学系の概略図である。
【図３６】反射スケールの斜視図である。
【図３７】反射スケールのＹ−Ｚ断面図である。
【図３８】反射スケールのＸ−Ｚ断面図である。
【図３９】反射体と従来の反射体の受光光量の差のグラフ図である。
【図４０】本発明のエンコーダを自動合焦ビデオレンズ、及びズーム部のエンコーダとして搭載した構成図である。
【図４１】本発明のエンコーダをインクジェットプリンタに搭載した構成図である。
【図４２】本発明のエンコーダをインクジェットプリンタの印字ヘッドの送り制御部のエンコーダとして搭載した構成図である。
【図４３】本発明のエンコーダをインクジェットプリンタの紙搬送の制御部のエンコーダとして搭載した構成図である。
【図４４】従来の第１の変位測定装置の光学系の要部概略図である。
【図４５】従来の第２の変位測定装置の光学系の要部概略図である。
【図４６】従来の第３の変位測定装置の光学系の要部概略図である。
【図４７】従来の変位測定装置の光学系の具体的配置図である。
【図４８】従来の変位測定装置の光学系の具体的配置図である。
【図４９】従来の変位測定装置の光学系の具体的配置図である。
【図５０】従来の変位測定装置の光学系の具体的配置図である。
【符号の説明】
３１  光源
３１ａ、３１ｂ  発光領域
４１  受光面
４２  半導体基板
４３  反射スケール
２００  検出ヘッド回路基板
ｄ  Ｖ溝の深さ
ｄ２  Ｖ溝底部までの深さ
Ｌａ  光源から立てた法線
Ｐ１  スケールピッチ
Ｐ２  セグメントピッチ、発光領域ピッチ
Ｐｍ  Ｖ溝のピッチ
Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３  セグメント
Ｓａ  センサと反射体の相対変位方向
Ｗｍ  Ｖ溝群の相対変位方向の幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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