(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
(ａ)基体上に、アンダーカット部を有する開口部を備えた単層構造又は多層構造のレジストパターンを形成する工程と、
(ｂ)前記開口部に対して、成膜圧力：０．１Ｐａ以下、ターゲットへの印加電力：１００mW/mm2以下の条件でスパッタリングを行うことにより薄膜を形成する成膜工程と、
(ｃ)前記レジストパターン上に堆積した薄膜を、溶剤を用いてレジストパターンごと剥離することにより、基体上に所望の薄膜パターンを形成するパターン形成工程と
を具備することを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項２】
前記基体と前記ターゲットとの距離を１５０mm以上とすることを特徴とする請求項１記載の薄膜形成方法。
【請求項３】
前記基体と前記ターゲットとの間にコリメータを配設することを特徴とする請求項１又は２記載の薄膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願発明は基体上に回路パターンなどを形成するための薄膜形成方法に関し、詳しくはリフトオフ法による薄膜形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
半導体基板、誘電体基板、焦電性基板などの各種基板（基体）上に薄膜パターンからなる配線や電極を形成する方法の一つとして、リフトオフ法が広く用いられている。
このリフトオフ法は、基板上にレジストパターン（マスク）を形成した後、配線材料（薄膜パターン材料）を、蒸着法やスパッタリング法などの方法により基板上に成膜し、レジストパターン上に堆積した不要な配線材料を、レジストパターンとともに除去することにより、基板上に所望の薄膜パターンを形成する方法である。
【０００３】
このようなリフトオフ法により薄膜パターンを形成する場合、薄膜パターンと、レジストパターン上の不要な配線材料とを分離し、剥離しやくするために、断面形状が、アンダーカット部を有する逆テーパ形状のレジストパターンを形成することが必要になる。
【０００４】
また、リフトオフ法で薄膜パターンを形成する場合、成膜工程における薄膜パターン材料の粒子（成膜粒子）の基板に対する垂直入射性が、パターン精度などに関して重要な条件となる。垂直入射性が悪い場合、レジストのアンダーカット部の奥にまで成膜粒子が回り込み、薄膜の端部でバリやフェンスと呼ばれる異常析出が発生し、薄膜デバイスのパターン不良や、特性不良の原因となる。
【０００５】
一方、スパッタリング法による成膜は、通常、成膜圧力が１Ｐａ程度であり、このときの成膜粒子の平均自由行程は数mm程度である。したがって、基板とターゲット間の距離を数cmとした場合、ターゲットを飛び出した成膜粒子は基板に到達するまでに、散乱により１０回以上運動方向が変わることになるため、基板に到達する時点では、成膜粒子の運動方向がランダムになり、高精度のパターニングを行うことができなくなる。かかる理由から、一般に、スパッタリング法による成膜は、リフトオフ法用の成膜方法としては適していないとされている。
【０００６】
それゆえ、リフトオフ法用の成膜方法としては、通常、成膜粒子の基板に対する垂直入射性の良好な、真空蒸着法が用いられている。しかし、真空蒸着法は、成膜粒子の運動エネルギーがスパッタリング法に比べて低いため、基板と薄膜との密着力が小さく、膜ハガレなどの製品不良が発生し易いという問題がある。
特に、表面弾性波素子においては、高周波化が進むにつれて配線パターンの微細化が進み、従来の真空蒸着法により形成した薄膜では、基板との密着力を十分に確保できないという問題がある。
【０００７】
また、真空蒸着法で合金薄膜を形成する場合、インゴットと薄膜とにおける組成のずれが生じることから、組成を制御することが困難で、特性の安定した薄膜素子を得ることが容易ではないという問題点がある。
特に、Ａｌ薄膜を用いた表面弾性波素子においては、成膜材料にＣｕを数％から数十％添加し、Ａｌ−Ｃｕ合金薄膜を用いることが素子の寿命を延ばす上で有効であることが知られているが、この際の組成制御が真空蒸着法では困難であるという問題がある。
【０００８】
このような問題点は、スパッタリング法をリフトオフ法における成膜方法として適応することができれば、解決することが可能になる。
そこで、スパッタリング法をリフトオフ法に適応する上での問題点を改善すべく、成膜圧力を低圧化することにより、成膜粒子の平均自由行程を長くし、散乱回数を減少させる方法が提案されている（特開昭５７−２０３７７２号）。
そして、この方法においては、成膜圧力が０．１Ｐａ以下になると、ターゲットから反跳アルゴン原子が直接基板に入射し、基板上の薄膜を再スパッタリングすることになるため、逆にパターン不良が発生しやすくなるという問題点があることから、最適な成膜圧力範囲は０．１〜１Ｐａであるとしている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
確かに上記の方法によれば、リフトオフ性が改善され、パターン不良の発生をある程度抑制することが可能になるが、その効果は必ずしも十分ではなく、パターンサイズの微細化は数１０μm程度が限界となっており、パターンサイズが数μmと微細で、レジストパターンのアンダーカット量を十分に確保することができないような場合には、パターン不良が発生してしまうという問題点がある。
【００１０】
本願発明は、上記問題点を解決するものであり、数μm以下の微細パターンを形成する場合にも、良好なパターン形状を実現することが可能なスパッタ・リフトオフ工法による薄膜形成方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本願発明（請求項１）の薄膜形成方法は、
(ａ)基体上に、アンダーカット部を有する開口部を備えた単層構造又は多層構造のレジストパターンを形成する工程と、
(ｂ)前記開口部に対して、成膜圧力：０．１Ｐａ以下、ターゲットへの印加電力：１００mW/mm2以下の条件でスパッタリングを行うことにより薄膜を形成する成膜工程と、
(ｃ)前記レジストパターン上に堆積した薄膜を、溶剤を用いてレジストパターンごと剥離することにより、基体上に所望の薄膜パターンを形成するパターン形成工程と
とを具備することを特徴としている。
【００１２】
本願発明の薄膜形成方法においては、スパッタリング法により成膜を行う際の成膜圧力を０．１Ｐａ以下としているので、成膜粒子の平均自由行程が数１０cm以上と長くなり、ターゲットを飛び出した成膜粒子のほとんどは、散乱されずにそのままの運動方向で基体に入射する。例えば、基体上のある一点に注目した場合、その一点に入射する成膜粒子の入射角は、その一点から見たターゲット面の立体角に限定され、アンダーカット部への成膜粒子の侵入確率は著しく低下する。
【００１３】
また、ターゲットへの印加電圧を１００mW/mm2以下と低くすることにより、基体に入射する成膜粒子や、反跳アルゴン原子などのエネルギーが小さくなるとともに、単位時間あたりの成膜粒子や反跳アルゴン原子などの入射量が減少し、基体上の薄膜の再スパッタリングが抑制されることになる。
したがって、本願発明の薄膜形成方法によれば、バリやフェンスといった、リフトオフ法に特有のパターン不良の発生を抑制して、微細薄膜パターンを精度よく形成することが可能になる。
【００１４】
なお、本願発明の薄膜形成方法において、アンダーカット部を有する開口部を備えたレジストパターンは、フォトリソグラフィー法などの公知の種々の方法により、容易に形成することが可能であり、その具体的な方法に特別の制約はない。
【００１５】
また、請求項２の薄膜形成方法は、前記基体と前記ターゲットとの距離を１５０mm以上とすることを特徴としている。
【００１６】
ターゲットと基体との距離を１５０mm以上と長くすることにより、基体に対するスパッタ粒子の垂直入射性を向上させるとともに、反跳アルゴン原子の基体への入射確率を低下させて、基体上の薄膜の再スパッタリングを抑制することが可能になり、スパッタ・リフトオフ工法におけるパターン精度をさらに向上させることが可能になる。
【００１７】
また、請求項３の薄膜形成方法は、前記基体と前記ターゲットとの間にコリメータを配設することを特徴としている。
【００１８】
ターゲットと基体との間にコリメータを配設することにより、基体に対するスパッタ粒子の垂直入射性をさらに向上させることが可能になるとともに、反跳アルゴン原子の基体への入射確率を低下させることが可能になり、基体上の薄膜の再スパッタリングを抑制して、スパッタ・リフトオフ工法におけるパターン不良の発生をより確実に抑制することが可能になる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の実施形態を示して、その特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【００２０】
［実施形態１］
図１は本願発明の薄膜形成方法を実施している状態を模式的に示す図である。
この実施形態１では、基体（基板）１上に、アンダーカット部２を有する開口部３を備えた単層構造のレジストパターン４を、フォトリソグラフィー法により形成した後、開口部３に対してスパッタリングを行い、薄膜（この実施形態では、Ａｌからなる金属薄膜）５を成膜する。なお、このとき、レジストパターン４上にも薄膜５（５ａ）が形成される。
【００２１】
なお、この実施形態１では、レジストパターン４として、アンダーカット量が１．５μmであるようなレジストパターンを形成した。
また、ターゲット６としては、Ａｌからなる円板状（直径１５０mm）のターゲットを用いた。
そして、成膜圧力を、５×１０-2Ｐａとし、ターゲットへの印加電力（スパッタ印加電力）を、図２に示すように種々変化させて、各条件下で薄膜５を形成した。
それから、レジストパターン４上に堆積した薄膜５（５ａ）を、溶剤を用いてレジストパターン４とともに剥離して、基体１上に所望の形状の薄膜（薄膜パターン）５を形成した。
【００２２】
なお、この実施形態１では、薄膜５の膜厚Ｄと、アンダーカット１μm部分の基体１上の点Ｐ（図１参照）における膜厚ｄｐとの比ｄｐ／Ｄを調べることにより、アンダーカット部への成膜粒子の回り込みの程度を評価した。その結果を図２に示す。
【００２３】
従来の薄膜形成方法（特開昭５７−２０３７７２号）では、成膜圧力が０．１Ｐａ以下になると、反跳アルゴン原子によるパターン不良が生じていたが、本願発明の薄膜形成方法においては、図２に示すように、成膜圧力が０．１Ｐａ以下（上記実施形態では、成膜圧力＝５×１０-2Ｐａ）の場合にも、印加電力を小さくすることにより、ｄｐ／Ｄが小さくなり、パターン不良が抑制されることがわかる。特に、印加電力を１００mW/mm2以下とした場合には、効果が顕著になる。
【００２４】
これは、成膜圧力を０．１Ｐａ以下とすることにより、成膜粒子の平均自由行程が数１０cm以上と長くなり、ターゲット６を飛び出した成膜粒子のほとんどが、散乱されずにそのままの運動方向で基体１に入射することによるものである。すなわち、図１に示すように、基体１上の点Ｐに注目した場合、点Ｐに入射する成膜粒子の入射角Ωｐは、点Ｐから見たターゲット面の立体角（＝Ωｐ）に限定され、アンダーカット部２への成膜粒子の侵入確率が著しく低下することによるものである。
【００２５】
また、印加電力を１００mW/mm2以下とした場合に、特に効果が顕著になるのは、印加電圧を低くした場合には、基体１に入射する成膜粒子や反跳アルゴン原子のエネルギーが小さくなるとともに、単位時間あたりの成膜粒子や反跳アルゴン原子の入射量が減少し、基体１上の薄膜５の再スパッタリングが抑制されることによるものである。
【００２６】
［実施形態２］
実施形態１の場合と同じスパッタ装置を用い、スパッタ印加電力を１００mW/mm2とし、ターゲット６と基体１との距離（ターゲット−基体間距離）を、７０mm〜２００mmの範囲で変化させたこと以外は、上記実施形態１の場合と同様の条件で薄膜を形成し、薄膜５の膜厚Ｄと、アンダーカット１μm部分の基体１上の点Ｐにおける膜厚ｄｐとの比ｄｐ／Ｄを調べた。その結果を図３に示す。
【００２７】
図３に示すように、ターゲット−基体間距離を長くすることにより、ｄｐ／Ｄがさらに小さくなることがわかる。この結果から、ターゲット−基体間距離を長くすることにより、パターン精度の高い薄膜を形成することが可能になることがわかる。なお、ターゲット−基体間距離が１５０mm以上になると、特に効果が顕著となる。
【００２８】
例えば、図４に示すように、ターゲット６と基体１との距離を、図１の場合の２倍とした場合、基体１上の点Ｐに入射する成膜粒子の入射角Ωｐは、図１の場合よりも小さくなり、アンダーカット部２への成膜粒子の侵入確率は低下する。
【００２９】
また、反跳アルゴン原子の基体１への入射確率を考えると、例えば、図５に示すように、ターゲット６上のある一点Ｑに注目した場合、点Ｑを飛び出した反跳アルゴン原子が基体１上の薄膜５へ入射する確率は、点Ｑから見た薄膜５の立体角Ωｑに比例する。なお、ターゲット６と基体１との距離を、図５の場合の２倍とした場合、図６に示すように、ターゲット６と基体１との距離が長いほど、Ωｑは小さくなり、反跳アルゴン原子の薄膜５への入射確率は低下する。その結果、基体１上の薄膜５の再スパッタリングをさらに確実に抑制することができる。
【００３０】
このように、ターゲット−基体間距離を長くすることにより、スパッタ・リフトオフ工法におけるパターン不良をさらに軽減することが可能になる。
【００３１】
［実施形態３］
図７に示すように、ターゲット６と基体１との間にコリメータ７を配設したこと以外は、実施形態１の場合と同じスパッタ装置を用いて、薄膜を形成し、薄膜５の膜厚Ｄと、アンダーカット１μm部分の基体１上の点Ｐにおける膜厚ｄｐとの比ｄｐ／Ｄを調べた。なお、図７において、図１と同一符号を付した部分は、同一又は相当部分を示している。
【００３２】
その結果、コリメータを備えていないスパッタ装置（図１のスパッタ装置）を用いた場合には、ｄｐ／Ｄが０．１３となるのに対して、図７に示すようにコリメータ７を備えたスパッタ装置を用いた場合には、ｄｐ／Ｄが０．０４と小さく、アンダーカット部２への成膜粒子の回り込みが大幅に抑制されることが確認された。
【００３３】
これは、コリメータ７を配設したスパッタ装置（図７）の場合には、基体１上の点Ｐに入射する成膜粒子の入射角Ωｐが、コリメータを配設していない図１のスパッタ装置の場合よりも小さくなり、アンダーカット部２への成膜粒子の侵入確率がそれだけ低下することによるものである。
【００３４】
また、図８は、先に参照した図５のスパッタ装置にコリメータ７を配設した状態を示すものである。図８において、ターゲット６上のある一点Ｑに注目した場合、点Ｑを飛び出した反跳アルゴン原子が基体１上の薄膜５へ入射する確率は、点Ｑから見た薄膜５の立体角Ωｑに比例するが、このときの立体角Ωｑは、図５と図８の比較から明らかなように、コリメータ７を配設した図８（実施形態３）の場合の方が小さくなっており、基体１上の薄膜５の再スパッタリングをさらに抑制できることがわかる。
【００３５】
このように、ターゲット６と基体１との間にコリメータ７を配設することにより、スパッタ・リフトオフ工法におけるパターン不良をさらに軽減することが可能になる。
【００３６】
［実施形態４］
実施形態２の場合と同じスパッタ装置を用い、スパッタ・リフトオフ工法によりＡｌ薄膜からなる電極を備えた表面弾性波フィルタ（フィルタ素子）を作製し、テープ剥離試験（薄膜と基体との密着評価）による不良率を評価した。ターゲット６と基体１との距離（ターゲット−基体間距離）を１５０mmとし、レジストパターン４を表面弾性波フィルタ用のパターンとした以外は、上記実施形態２の場合と同様の条件で薄膜を形成した。
【００３７】
また、従来技術との比較のために、真空蒸着（電子線加熱法）・リフトオフ法により作製した、同形状の表面弾性波フィルタ（フィルタ素子）のテープ剥離試験を実施した。
スパッタ・リフトオフ工法により形成した本願発明の表面弾性波フィルタと、従来技術である真空蒸着・リフトオフ法により形成した比較例の表面弾性波フィルタにおける、テープ剥離試験での不良発生率を表１に示す。
【００３８】
【表１】
0004258960.tif 000002
【００３９】
表１に示すように、スパッタ・リフトオフ工法により形成した本願発明のフィルタ素子は、従来技術である真空蒸着・リフトオフ法により形成したフィルタ素子よりも、テープ剥離試験での不良発生率が低いことがわかる。
【００４０】
これは、スパッタリング法と真空蒸着法とを比べた場合に、スパッタリング法により形成した薄膜は、成膜粒子の運動エネルギーが高いため、基体との密着力が大きくなることによるものである。その結果、表面弾性波フィルタの生産工程における不良の発生率を大幅に低減することができる。
【００４１】
このように、スパッタ・リフトオフ工法により形成した電子部品、表面弾性波素子は、生産工程における不良発生率が低く、安定した特性、信頼性を実現することができる。
【００４２】
［実施形態５］
実施形態４の場合と同じスパッタ装置を用い、スパッタ・リフトオフ工法により、Ａｌ−Ｃｕ合金薄膜による表面弾性波フィルタ（フィルタ素子）を作製し、ターゲット組成と薄膜の組成とのずれを評価した。
なお、ターゲット６をＡｌ−Ｃｕ合金ターゲット（Ｃｕ；２０wt％）とした以外は、上記実施形態４の場合と同様の成膜条件とした。
また、従来技術との比較のために、真空蒸着・リフトオフ法により作製した、同形状の表面弾性波フィルタ（フィルタ素子）について、インゴット組成と薄膜の組成とのずれを評価した。この際、インゴットとして、Ａｌ−Ｃｕ合金（Ｃｕ；２０wt％）を使用した。
【００４３】
スパッタ・リフトオフ工法により形成した本願発明の表面弾性波フィルタを形成する薄膜の組成と、成膜材料（ターゲット）の組成の評価結果、及び、従来技術である真空蒸着・リフトオフ法により形成した比較例の表面弾性波フィルタを形成する薄膜の組成と、成膜材料（インゴット）の組成の評価結果を表２に示す。
【００４４】
【表２】
0004258960.tif 000003
【００４５】
表２に示すように、真空蒸着・リフトオフ法により形成したフィルタ素子では、薄膜の組成と、成膜材料（インゴット）の組成が大きく異なるのに対し、スパッタ・リフトオフ工法により形成したフィルタ素子では、薄膜の組成と、成膜材料（ターゲット）の組成がほぼ一致していることがわかる。
【００４６】
真空蒸着法では、単体での蒸気圧の高い方の元素が、合金になっても蒸発しやすいので、蒸気圧の異なる複数の元素からなる合金をそのまま蒸発させた場合、薄膜の組成は、蒸気圧の高い方の物質をより多く含むことになり、また、蒸発しやすい元素が優先的に成膜材料から抜けてゆき、成膜材料自体の組成も、時間とともに変化していくことになるため、真空蒸着・リフトオフ法における薄膜の組成制御は、非常に困難になる。
【００４７】
これに対し、スパッタリング法では、Ａｒなどのイオンにより、物理的にターゲットから叩き出された原子が成膜粒子を構成するため、成膜材料と薄膜との組成のずれが発生しにくく、また、特定の元素が先にターゲットから抜けていくようなことがないため、ターゲット自体の組成が一定に保たれ、形成される薄膜の組成もほぼ一定となる。その結果、常に特性の安定した表面弾性波フィルタを効率よく製造することが可能になる。
【００４８】
このように、スパッタ・リフトオフ工法により形成した、合金材料を用いた電子部品、表面弾性波素子は、組成の安定した薄膜を備えており、高特性、高信頼性を実現することができる。
【００４９】
なお、上記実施形態１〜５では、薄膜材料がＡｌ、又はＡｌ−Ｃｕ合金で、かつ、薄膜が一層構造である場合を例にとって説明したが、本願発明においては、薄膜材料や薄膜を構成する層数に特別の制約はなく、種々の材料からなる薄膜を形成する場合に広く適用することが可能である。
【００５０】
特に、複数の層から構成される薄膜を形成する場合には、マルチカソード型のスパッタ装置や、インライン型のスパッタ装置、マルチチャンバー型の成膜装置などを用いて、複数の材料を連続して成膜することにより、多層構造の薄膜を容易に形成することができる。
また、多層構造の薄膜を形成する場合に、すべての層をスパッタ・リフトオフ工法で形成する必要はなく、インライン型やマルチチャンバー型の成膜装置などを用いて、スパッタリング法と、真空蒸着法などの他の成膜方法とを連続して適用する薄膜形成も可能である。
【００５１】
さらに、合金薄膜の形成方法については、合金ターゲットを用いる方法に限らず、複数のターゲットを同時にスパッタリングする方法などを用いることも可能である。
【００５２】
本願発明は、さらにその他の点においても上記実施形態１〜５に限定されるものではなく、基体の構成材料や形状、レジストパターンのアンダーカット部や開口部の具体的な形状、レジストパターンの形成方法、レジストパターンを構成する材料や層数、薄膜を形成する場合の具体的な成膜条件、レジストパターンを剥離する際の具体的な条件などに関し、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【００５３】
【発明の効果】
上述のように、本願発明（請求項１）の薄膜形成方法は、レジストパターンの開口部に対して、成膜圧力：０．１Ｐａ以下、ターゲットへの印加電力：１００mW/mm2以下の条件でスパッタリングを行うようにしているので、成膜粒子の平均自由行程を長くして、アンダーカット部への成膜粒子の侵入確率を低下させることが可能になるとともに、単位時間あたりの成膜粒子や反跳アルゴン原子の入射量を減少させて、基体上の薄膜の再スパッタリングを抑制することが可能になる。
その結果、いわゆるバリやフェンスというような、リフトオフ法に特有のパターン不良を低減して、高精度の微細薄膜パターンを効率よく形成することが可能になる。
【００５４】
また、請求項２の薄膜形成方法のように、ターゲットと基体との距離を１５０mm以上と長くした場合、基体に対するスパッタ粒子の垂直入射性をさらに向上させることが可能になるとともに、反跳アルゴン原子の基体への入射確率を低下させて、基体上の薄膜の再スパッタリングを抑制することが可能になり、スパッタ・リフトオフ工法におけるパターン精度をさらに向上させることが可能になる。
【００５５】
また、請求項３の薄膜形成方法のように、ターゲットと基体との間にコリメータを配設するようにした場合、基体に対するスパッタ粒子の垂直入射性をさらに向上させることが可能になるとともに、反跳アルゴン原子の基体への入射確率を低下させることが可能になり、基体上の薄膜の再スパッタリングを抑制して、スパッタ・リフトオフ工法におけるパターン不良の発生をより確実に抑制することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本願発明の一実施形態（実施形態１）にかかる薄膜形成方法を実施している状態を模式的に示す図である。
【図２】  実施形態１の方法で薄膜を形成した場合における、ターゲットへの印加電力とｄｐ／Ｄ（膜厚Ｄと、アンダーカット１μm部分の基体上の点Ｐにおける膜厚ｄｐとの比）の関係を示す図である。
【図３】  本願発明の他の実施形態（実施形態２）にかかる方法で薄膜を形成した場合における、ターゲット−基体間距離とｄｐ／Ｄ（膜厚Ｄと、アンダーカット１μm部分の基体上の点Ｐにおける膜厚ｄｐとの比）の関係を示す図である。
【図４】  実施形態２にかかる薄膜形成方法を実施している状態を模式的に示す図である。
【図５】  実施形態１にかかる薄膜形成方法を実施している状態を模式的に示す図であって、ターゲットを飛び出した反跳アルゴン原子が基体上の薄膜へ入射する場合の立体角を示す図である。
【図６】  実施形態２にかかる薄膜形成方法を実施している状態を模式的に示す図であって、ターゲット−基体間距離を大きくした場合における、ターゲットを飛び出した反跳アルゴン原子が基体上の薄膜へ入射する場合の立体角を示す図である。
【図７】  本願発明のさらに他の実施形態（実施形態３）にかかる方法で薄膜を形成している状態を示す図である。
【図８】  実施形態３にかかる薄膜形成方法を実施している状態を模式的に示す図であって、ターゲットを飛び出した反跳アルゴン原子が基体上の薄膜へ入射する場合の立体角を示す図である。
【符号の説明】
１        基体（基板）
２        アンダーカット部
３        開口部
４        レジストパターン
５（５ａ）薄膜
６        ターゲット
７        コリメータ
Ｄ        膜厚
ｄｐ      アンダーカット１μm部分の基体上の点における膜厚
Ｐ        アンダーカット１μm部分の基体上の点
Ｑ        ターゲット上の点
【図１】
0004258960.tif 000004
【図２】
0004258960.tif 000005
【図３】
0004258960.tif 000006
【図４】
0004258960.tif 000007
【図５】
0004258960.tif 000008
【図６】
0004258960.tif 000009
【図７】
0004258960.tif 000010
【図８】
0004258960.tif 000011