(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
２枚の化合物半導体ウェハを直接接着する工程を有する化合物半導体素子の製造方法であって、
前記直接接着する工程の前工程として、張り合わせるウェハの少なくとも一方に対し表面吸着水分の除去処理を施すことにより、ウェハを加熱したときに出てくるガス種を温度別に四重極質量分析器により測定する分析方法であるＴＤＳ（Thermal Desorption Spectrum）法にて規定した場合、０．５℃／sec の昇温率にて室温〜１５０℃までの放出水分が１×１０15 atm/cm2 以下となるように制御し、且つ前記直接接着する工程まで表面吸着水分除去後の残留水分を一定に保持することを特徴とする化合物半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記ウェハの表面吸着水分を除去するために、前記直接接着の前工程で洗浄されたウェハを乾燥雰囲気で脱水処理することを特徴とする請求項１記載の化合物半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記乾燥雰囲気は、湿度が５％以下の雰囲気であることを特徴とする請求項２記載の化合物半導体素子の製造方法。
【請求項４】
前記ウェハの表面吸着水分を除去するために、前記直接接着の前工程で洗浄されたウェハ上の水滴を除去する処理を施した後、乾燥雰囲気又は真空中で該ウェハを加熱処理することを特徴とする請求項１記載の化合物半導体素子の製造方法。
【請求項５】
前記半導体素子は発光ダイオードであり、ＧａＡｓ基板上にＩｎＧａＡｌＰ系のエピタキシャル層を形成したウェハと、ＧａＰ基板又はＧａＰ基板上にＧａＰのエピタキシャル層を形成したウェハとを直接接着することを特徴とする請求項１記載の化合物半導体素子の製造方法。
【請求項６】
２枚の化合物半導体ウェハを直接接着する工程を有する化合物半導体素子の製造方法であって、
前記直接接着する工程の前工程として、張り合わせるウェハの少なくとも一方に対し表面吸着水分を除去するために、前記直接接着の前工程で洗浄されたウェハ上の水滴を除去する処理を施した後、乾燥雰囲気又は真空中で該ウェハを加熱処理し、ウェハ表面の残留水分量を一定に保つ手段を用いることにより、前記直接接着する工程まで表面吸着水分除去後の残留水分を一定に保持することを特徴とする化合物半導体素子の製造方法。
【請求項７】
化合物半導体を用いた半導体素子の製造工程の中で、２枚の化合物半導体ウェハを直接接着するのに用いられるウェハ接着装置であって、
前記直接接着の前工程で洗浄されたウェハ上の水滴を除去するための水滴除去ユニットと、この水滴除去ユニットに隣接して設けられ、ウェハ表面の吸着水分を除去するための加熱機構を備えた吸着水分除去ユニットと、この吸着水分除去ユニットに隣接して設けられ、吸着水分除去後のウェハ表面の残留水分量を一定に保つ手段を有し、２枚の化合物半導体ウェハの直接接着に供される接着ユニットとを具備してなることを特徴とするウェハの接着装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、化合物半導体を用いた高輝度ＬＥＤ等の製造技術に係わり、特に２枚の化合物半導体ウェハを直接接着する工程を有する化合物半導体素子の製造方法と、この方法に使用するウェハ接着装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、化合物半導体材料としてＩｎＧａＡｌＰ系を用いた可視領域のＬＥＤが種々提案されている。この素子は一般に、ＧａＡｓ基板の上に、活性層５３をｎ型及びｐ型のクラッド層５２，５４で挟んだＩｎＧａＡｌＰ系のダブルへテロ構造部を形成して構成される。
【０００３】
四元ＬＥＤの基板に使用されるＧａＡｓ基板には、可視光領域の光を吸収するという欠点があり、ＩｎＧａＡｌＰ系活性層で発光した光の一部がＧａＡｓ基板に吸収されるので、ＬＥＤの輝度の低下が避けられない。輝度低下を避けるためには、可視光領域に対し透明な材料としてＧａＰを基板に使用すればよいが、ＧａＰ基板はＩｎＧａＡｌＰ系と格子整合がとれないため良好なエピタキシャル成長が難しい。この問題を解決するために、ＧａＡｓ基板上にＩｎＧａＡｌＰ系エピタキシャル層を形成した成長基板とＧａＰ基板とを接着し、その後にＧａＡｓ基板を除去する方法が考案されている。
【０００４】
従来、半導体ウェハの接着には、加圧状態で接着強度向上のための熱処理を行っていたが、この方法では装置が大掛かりになり製造コスト，安全面上問題になる。さらに、基本的に接着時に付着した水分はそのまま取り込まれた形になるため、接着界面近傍層の経時変化による製品のＤＣ特性変動，信頼性低下等の一因にもなり問題であった。
【０００５】
その回避策としては、直接接着による方法が望ましい。この場合、エピタキシャル成長したウェハを洗浄した後に乾燥し、ウェハ同士をそのまま接着することが考えられた。ところが、一般に広く知られているＳｉウェハの直接接着と異なり化合物半導体においては、接着後に行う接着強度向上のための熱処理において接着面積の減少を招く傾向がある。そして最悪の場合、接着したウェハが剥がれてしまう状況が発生し、量産歩留りが低下する問題があった。
【０００６】
これは、接着時にウェハ表面の水滴が切れていても、ウェハ表面の吸着水分量が多いと、接着後に行う接着強度向上のための熱処理において、接着界面からボイドが発生するためであると考えられる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
このように従来、化合物半導体ウェハの直接接着においては、ウェハ表面の吸着水分量が多くなると、接着後に行う接着強度向上のための熱処理において、接着界面からボイドが発生し接着面積の減少をきたし、最悪の場合は接着したウェハが剥がれてしまう状況が発生し、量産歩留りが低下する問題があった。
【０００８】
本発明は、上記事情を考慮して成されたもので、その目的とするところは、ウェハ直接接着後の熱処理における接着面積の減少を抑制することができ、歩留まり向上をはかり得る化合物半導体素子の製造方法及びこの方法に使用するウェハ接着装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
（構成）
上記課題を解決するために本発明は次のような構成を採用している。
【００１０】
即ち本発明は、２枚の化合物半導体ウェハを直接接着する工程を有する化合物半導体素子の製造方法であって、前記直接接着する工程の前工程として、張り合わせるウェハの少なくとも一方に対し表面吸着水分の除去処理を施すことにより、ウェハを加熱したときに出てくるガス種を温度別に四重極質量分析器により測定する分析方法であるＴＤＳ（Thermal Desorption Spectrum）法にて規定した場合、０．５℃／sec の昇温率にて室温〜１５０℃までの放出水分が１×１０15 atm/cm2 以下となるように制御し、且つ前記直接接着する工程まで表面吸着水分除去後の残留水分を一定に保持することを特徴とする。
【００１１】
ここで、本発明の望ましい実施態様としては次のものが挙げられる。
【００１３】
(1) ウェハの表面吸着水分を除去するために、直接接着の前工程で洗浄されたウェハを乾燥雰囲気で脱水処理すること。
(2) 乾燥雰囲気は、湿度が５％以下の雰囲気であること。
【００１４】
(3) ウェハの表面吸着水分を除去するために、直接接着の前工程で洗浄されたウェハ上の水滴を除去する処理を施した後、乾燥雰囲気又は真空中で該ウェハを加熱処理すること。
【００１５】
(4) 半導体素子は発光ダイオードであり、ＧａＡｓ基板上にＩｎＧａＡｌＰ系のエピタキシャル層を形成したウェハと、ＧａＰ基板上にＧａＰのエピタキシャル層を形成したウェハとを直接接着すること。
【００１６】
また本発明は、化合物半導体を用いた半導体素子の製造工程の中で、２枚の化合物半導体ウェハを直接接着するのに用いられるウェハ接着装置であって、前記直接接着の前工程で洗浄されたウェハ上の水滴を除去するための水滴除去ユニットと、この水滴除去ユニットに隣接して設けられ、ウェハ表面の吸着水分を除去するための加熱機構を備えた吸着水分除去ユニットと、この吸着水分除去ユニットに隣接して設けられ、吸着水分除去後のウェハ表面の残留水分量を一定に保つ手段を有し、２枚の化合物半導体ウェハの直接接着に供される接着ユニットとを具備してなることを特徴とする。
【００１９】
ここで、接着ユニットは、吸着水分除去後のウェハ表面の残留水分量を一定に保つ手段を有することが望ましい。
【００２０】
（作用）
本発明によれば、ウェハを直接接着する前工程としてウェハ表面の吸着水分を除去し、さらに直接接着工程まで表面吸着水分除去後の残留水分を一定に保持することにより、直接接着されるウェハにおいて、その表面の吸着水分を極めて少ない状態に保持することができる。このため、ウェハ接着後に行う接着強度向上のための熱処理において、ウェハ表面の吸着水分量に起因して接着界面からボイドが発生して接着面積の低下をきたすのを防止でき、これにより歩留りの向上をはかることが可能となる。
【００２１】
本発明者らの実験によれば、ＴＤＳ法にて規定した場合、０．５℃／sec の昇温率にて室温〜１５０℃までの放出水分が１×１０15 atm／cm2 以下であれば、十分な接着面積が得られることが確認されている。従って、吸着水分の除去プロセスにおいて上記の値以下に制御すれば、吸着水分量に起因する接着界面からのボイドの発生をより確実に防止することができる。
【００２２】
また、加圧状態で熱処理することにより接着する方法とは異なり、２枚のウェハを接触させるのみで接着するウェハの直接接着であるため、装置構成の簡略化をはかることができ、製造コスト，安全面上でも有利となる。さらに、表面吸着水分の極めて少ない状態で接着できるため、製品化した際のＤＣ特性変動，信頼性低下による不良の低減をもはかることが可能となる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の詳細を図示の実施形態によって説明する。
【００２４】
（第１の実施形態）
本実施形態では、ＧａＡｓ基板上にＩｎＧａＡｌＰ系のエピタキシャル層を成膜したウェハと、ＧａＰ基板上にＧａＰのエピタキシャル層を成膜したウェハとを直接接着し、高輝度ＬＥＤを製造する場合を想定する。
【００２５】
図１は、上記ＬＥＤの製造プロセス及びウェハ接着プロセスを示す概略図である。エピタキシャル成長プロセスを経た２枚のウェハはウェハ接着プロセスにより接着された後、電極形成プロセス，チップ化プロセス，製品組み込みプロセスを経て製造され、その後に出荷検査を経て出荷される。
【００２６】
ウェハ接着プロセスでは、接着前処理として洗浄処理を行い、さらにウェハ乾燥処理を行う。そして、ウェハの直接接着を行った後に、接着強度を高めるための熱処理が施されて電極形成プロセスへと移る。
【００２７】
図２は、本実施形態におけるウェハ接着プロセスに用いる接着装置を示す概略構成図である。
【００２８】
ウェハの直接接着を行うウェハ接着ユニット１０に隣接して、接着前処理後のウェハを脱水するための脱水ユニット２０が設けられている。脱水ユニット２０は、スピンドライヤを用いてウェハ上の水滴を除去すると共に、内部湿度の制御によりウェハ表面の吸着水分を除去する機能を有している。
【００２９】
接着ユニット１０は、ウェハを接着するための作業台全体を湿度制御し、更に吸着水分除去後の残留水分を常時一定に保つために内部の湿度を制御、例えば３０±５％で制御するようになっている。また、接着ユニット１０は、エアカーテン若しくはビニールカーテン，壁等にて外部とは隔てられている。そして、接着時のダスト巻込みによる接着面積低減が想定されるため、ユニット１０内のダストレベルはクラス１００に設定されている。
【００３０】
本実施形態では、図１の接着プロセスにおいて、まず接着前処理としてダスト除去を目的とした表面のブラシ洗浄及び、表面酸化膜除去を目的とした弗化アンモニウムによるディップ後水洗を行う。続いて、洗浄済のウェハを、図２に示す脱水ユニット２０内に導入する。この場合、ウェハにダストが付着しないよう専用のキャリアにて移動するか、前処理用ブースから直接ウェハをユニット２０内に導入することが望ましい。
【００３１】
脱水ユニット２０内では、まず洗浄後のウェハの脱水、即ち水滴除去と吸着水分の除去を行う。本実施形態では、スピンドライヤを用いての乾燥を行った。条件は５００ｒｐｍ×５分とした。ここでは、水滴のみでなくウェハ表面の吸着水分を除去する目的で、乾燥中のユニット２０内に湿度５％以下に制御した窒素を導入した。他に、ドライエア，Ａｒ等の不活性ガス若しくは１Ｐａ近傍に減圧した雰囲気であっても構わない。また、乾燥用手段としては、スピンドライヤの他に、ランプ乾燥若しくは温風乾燥でも構わない。
【００３２】
ここで、ウェハ表面の吸着水分を除去する際のユニット２０内の湿度が５％を越える条件では、一度吸着水分除去を行っても直ぐに雰囲気中によって水分が再吸着してしまう。この対策として、雰囲気中の湿度を５％以下のドライな条件に保つことで、ウェハ表面への水分の再吸着を抑えることができた。
【００３３】
このような方法によりウェハ表面の水分は、ＴＤＳ分析による測定結果１×１０15 atm／cm2 以下であることが確認された（図３参照）。なお、図３では実施形態と従来例を併記して示すが、全ての温度領域で実施形態のデータの方が大幅に小さくなっているのが分かる。また、各々のデータの積分値が吸着水分量に相当するものである。
【００３４】
ここで本発明者らは、ウェハの吸着水分量をパラメータとするために吸着水分除去処理の条件を種々変え後述するようにしてウェハを直接接着し、熱処理後の接着面積とＴＤＳ分析によるウェハ吸着水分量との関係を調べたところ、図４に示すような結果が得られた。即ち、ＴＤＳ分析による吸着水分量が１×１０15 atm／cm2 以下では１００％近い接着面積が得られるが、これを越えると接着面積が急激に減少し、２×１０15 atm／cm2 以上では２０％以下に減少してしまう。従って、脱水ユニットでのウェハの脱水処理において、ＴＤＳ分析による吸着水分量を１×１０15 atm／cm2 以下にすることが必須である。
【００３５】
乾燥後のウェハを脱水ユニット２０から取出して接着ユニット１０内に移し、接着用簡易治具にセットして２枚のウェハを直接接着する。このとき、接着ユニット１０内は３０％程度の低湿度に保持されているので、ウェハの吸着水分が増えることはなく、吸着水分除去後の残留水分を一定に保持することができる。接着したウェハは専用キャリアに移し、以降順次接着作業を繰り返す。必要枚数直接接着が終了後、接着ユニット１０からウェハを取出し、次工程である熱処理プロセスヘと進む。例えば、今回は水素還元雰囲気中にて７００℃×２時間の条件にて熱処理を行った。
【００３６】
以上の工程にて製造されたウェハは、直接接着後の水素雰囲気中での熱処理にて、エピタキシャル層のヒロック起因によるものを除き、ボイドの発生は確認されなかった。その一例を、図５に示す。また、上記プロセスにより接着強度は従来と同等だった。また、上記ウェハを用いて作成したＬＥＤペレットにてＤＣ特性，信頼性等を測定したが、従来方法にて作成されたものと有為差は無かった。
【００３７】
さらに、接着界面に水分等が取込まれ、これが酸化することでＶｆが変動し、輝度が変化する現象に対する加速評価として、このチップを製品に組み込み、無通電状態で−３０℃×１５分＋１１０℃×１５分を４５０サイクル繰返した後の輝度低下（イニシャルに対し３割変動したものを不良とカウント）による不良率を比較する手法を採用した。結果は、従来製法による製品が２０％であったのに対し本実施形態による製品では０．５％となり、不良発生率が２桁以上改善された。
【００３８】
このように本実施形態によれば、ウェハの直接接着の前工程として、洗浄処理されたウェハに対し、湿度５％以下に制御した窒素を導入した脱水ユニット２０内でスピンドライヤを用いて脱する処理することにより、ウェハ上の水滴を除去すると共にウェハ表面の吸着水分を除去することができる。そして、ＴＤＳ法にて規定した場合、０．５℃／sec 昇温率にて室温〜１５０℃までの放出水分が１×１０15 atm／cm2 以下となるように吸着水分を低減することにより、ウェハ直接接着後の熱処理における接着面積の低下を抑制することができ、歩留まり向上をはかることができる。
【００３９】
具体的には、ウェハ直接接着後の熱処理におけるウェハ接着面積率の低下が、従来の〜５０％から最低８０％、平均で９８％以上と大幅に改善した。これにより、ウェハ１枚当たりから取れるＬＥＤペレットの収率向上がはかれ、製造歩留りが大幅に向上した。また、加圧状態で接着強度向上のための熱処理を行う方法とは異なり、製品化した際のＤＣ特性変動，信頼性低下による不良の低減をもはかることができた。
【００４０】
（第２の実施形態）
本実施形態のポイントは、洗浄後の水滴除去処理とウェハ表面吸着水分除去処理の工程を分けたことにある。これは、第１の実施形態のように水滴除去と吸着水分除去を同時に行う場合、水滴除去処理が不十分だと残った水滴近傍が酸化，白濁する可能性が有るため、それを回避するためである。
【００４１】
図６は、本発明の第２の実施形態に係わるウェハ接着装置を示す概略構成図である。なお、図２と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
【００４２】
第２の実施形態における脱水ユニット２０は、ウェハ上の水滴を除去するための水滴除去ユニット２１と、ウェハ表面の吸着水分を除去するための吸着水分除去ユニット２２とに分離されている。水滴除去ユニット２１はスピンドライヤ等であり、吸着水分除去ユニット２２は真空オーブン等である。
【００４３】
本実施形態では、洗浄後のウェハをまず、水滴除去ユニット２１内に移し、スピンドライヤ等の脱水機にて脱水し、ウェハ表面に水滴が無いことを確認した後に吸着水分除去ユニット２２に移す。吸着水分除去ユニット２２では、ウェハを加熱することで乾燥させた。具体的には、真空オーブンにて１Ｐａの圧力にて１５０℃×３分の加熱処理を施した。なお、吸着水分除去に用いる装置は、上記の他にオーブン，ホットプレート等でも構わない。
【００４４】
以降の工程は第１の実施形態と同様である。本実施形態によっても第１の実施形態と同様に、直接接着後の熱処理にて水分起因のボイド発生することなく、接着面積は低下しなかった。また、接着強度やＬＥＤ化した際のＤＣ特性，信頼性等も第１の実施形態と同等であった。
【００４５】
（第３の実施形態）
図７は、本発明の第３の実施形態に係わるウェハ接着装置を示す概略構成図である。図中の３０はウェハの直接接着に供されるグローブボックス、４０はグローブボックスに隣接された予備室である。
【００４６】
本実施形態では、前処理〜脱水処理までを行った後に、直接接着用ユニットとしてグローブボックス３０を使用し、このグローブボックス３０で吸着水分除去及び直接接着することが特徴である。
【００４７】
まず、洗浄プロセス後の脱水処理（ここでは水滴除去）まで済んだウェハを、グローブボックス３０に隣接された予備室４０にセットする。グローブボックス３０及び予備室４０内は、接着時ダスト混入による接着歩留まり低下を仰するため、クラス１００に制御されている。予備室４０内に、予備室４０内が湿度３０％以下に安定するまで窒素をパージする。又は、１Ｐａ近傍まで減圧後、湿度３０％以下の窒素若しくは空気，不活性ガスを導入しても構わない。
【００４８】
予備室４０内の湿度が３０％以下で安定したところで、ウェハを湿度２５±５％の条件に制御されているグローブボックス３０内の加工点に導入する。次に、接着する各ウェハを２００℃にセットした熱板上に５分保持し吸着水分を除去した後、接着用簡易治具にセットし、ウェハを直接接着する。
【００４９】
接着したウェハは、専用キャリアに移し、以降順次上記作業を繰り返す。必要枚数直接接着が終了したら、専用キャリアを予備室４０に移す。予備室４０から取出し後、次工程である熱処理プロセスヘと進む。例えば今回は、水素還元雰囲気中にて７００℃×２時間の条件にて熱処理を行った。
【００５０】
本実施形態においても第１の実施形態と同様に、直接接着後の熱処理にて水分起因のボイド発生することなく、接着面積は低下しなかった。さらに、接着強度やＬＥＤ化した際のＤＣ特性，信頼性等も第１の実施形態と同等であった。また、本実施形態による更なるメリットは、グローブボックス３０という比較的小さな系の環境制御で済むため、第１及び第２の実施形態ほどに装置が大掛かりにならず、安価で製造ラインを提供できることである。
【００５１】
（第４の実施形態）
図８は、本発明の第４の実施形態に係わるウェハ接着装置を示す概略構成図である。図中の５０はウェハの直接接着に供される密閉容器、６０は密閉容器５０に隣接されたウェハ導入用予備室、７０は密閉容器５０に隣接された搬出用予備室である。
【００５２】
本実施形態は、第３の実施形態の改善例である。第３の実施形態までは、直接接着工程を人手で行っていたが、この場合には、作業者によるウェハハンドリング時の割れ不良や接着ウェハ同士の方位合せ作業バラツキを招くおそれがある。そこで本実施形態では、オリフラを基準とした合せ機構を具備した接着装置を導入した。
【００５３】
第３の実施形態と同様に脱水処理（ここでは水滴除去）まで行ったウェハを、湿度３０以下に保たれている導入用予備室６０内にセットする。吸着水分除去を兼ねた予備室６０内にて、２００℃×５分の条件にて吸着水分除去後、ロボットアームにて密閉容器５０内にオリフラの向きを合せながらウェハをセットする。このとき、ＧａＡｓ基板上にエピタキシャル成長したウェハは、エピタキシャル面が上になるようにウェハステージにセットする。
【００５４】
一方、ＧａＰ基板上にエピタキシャル成長したウェハは、ウェハ指示アームによりエピタキシャル面が下に向くようにセットする。ここで、ウェハ指示アームが徐々に下りてきてウェハ同士をウェハステージ上で重ねる。さらに、ウェハ押付け機構によりＧａＰ基板側からウェハを押付け、ウェハの密着性を高める。その後、搬出用予備室７０にウェハを移動し、第３の実施形態と同様に、次工程である熱処理プロセス以降へと進める。
【００５５】
以上により、マニュアル作業にてはハンドリング時のウェハ割れ、誤ってエピタキシャル面同士以外の面を接着するといったミスが無くなった。また、接着時のオリフラ合せ精度も、マニュアルでは最大２°あったものが、機械精度にもよるが０．１°以下に制御できた。
【００５６】
ここで、ウェハ接着を行うための密閉容器５０は、内部にヒータ等の吸着水分除去機能を持っていても構わない。この場合のメリットは、予備室６０や密閉容器５０にトラブルが発生し、ウェハ表面に水分が再吸着するような事態となっても、容器５０内でヒータ等により再度の吸着水分除去ができるため、装置トラブルに対しマージンが持てる点である。
【００５７】
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。実施形態では、高輝度ＬＥＤの製造に適用した例を説明したが、本発明はＬＥＤに限らず、化合物半導体ウェハ同士を直接接着する工程を有する各種の半導体素子の製造に適用することができる。また、装置構成は図２，６〜８に限るものではなく、ウェハ表面の吸着水分を除去する機能と、表面吸着水分除去後の残留水分をウェハ接着工程まで一定に保持する機能を有するものであればよい。
【００５８】
また、実施形態では両方のウェハに対して吸着水分除去処理を行ったが、ウェハの種類、製造プロセスによっては、何れか一方のウェハに対してのみ吸着水分除去処理を行っても同様の効果が期待できる。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。
【００５９】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、ウェハを直接接着する工程の前工程として、張り合わせるウェハの少なくとも一方に対し表面吸着水分の除去処理を施し、特にウェハを加熱したときに出てくるガス種を温度別に四重極質量分析器により測定する分析方法であるＴＤＳ法にて規定した場合、０．５℃／sec の昇温率にて室温〜１５０℃までの放出水分が１×１０15 atm／cm2 以下となるように表面吸着水分の除去処理を施し、直接接着する工程まで表面吸着水分除去後の残留水分を一定に保持することにより、ウェハ直接接着後の熱処理における接着面積の減少を抑制することができ、歩留まり向上をはかることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】高輝度ＬＥＤの製造プロセス及びウェハ接着プロセスを示す概略図。
【図２】第１の実施形態におけるウェハ接着プロセスに用いる接着装置を示す概略構成図。
【図３】実施形態と従来例において、ＩｎＧａＡｌＰエピタキシャルウェハのＴＤＳ分析例を示す図。
【図４】ウェハ吸着水分量と熱処理後の接着面積との関係を示す図。
【図５】実施形態と従来例において、接着直後及び熱処理直後のウェハ状態を比較して示す図。
【図６】第２の実施形態に係わるウェハ接着装置を示す概略構成図。
【図７】第３の実施形態に係わるウェハ接着装置を示す概略構成図。
【図８】第４の実施形態に係わるウェハ接着装置を示す概略構成図。
【符号の説明】
１０…ウェハ接着ユニット
２０…脱水ユニット
２１…水滴除去ユニット
２２…吸着水分除去ユニット
３０…グローブボックス
４０…予備室
５０…密閉容器
６０…ウェハ導入用予備室
７０…搬出用予備室
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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