(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
スルーホールを設けたコア基板に層間樹脂絶縁層をビルドアップしてなる多層プリント配線板において、
前記コア基板には、一方の面に表層金属層が形成され、該表層金属層へ至る非貫通孔が形成され、
前記コア基板のスルーホールが、前記コア基板に形成された非貫通孔に電解めっきによる第１金属層と、無電解めっき、スパッタ又は蒸着による金属膜と、電解めっきによる第２金属層とを充填してなり、
前記金属膜が、前記第１の金属層と前記第１の金属層との間に形成されていることを特徴とする多層プリント配線板。
【請求項２】
少なくとも以下の（Ａ）〜（Ｅ）の工程を備えることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法：
（Ａ）一方の面に金属層の形成された樹脂絶縁層に、レーザで前記金属層へ至る非貫通孔を形成する工程；
（Ｂ）前記樹脂絶縁層の非貫通孔に、前記金属層を介して電流を流し電解めっきにより第１金属層を充填する工程；
（Ｃ）前記樹脂絶縁層の金属層の反対面及び前記非貫通孔内に、金属膜を形成する工程：
（Ｄ）前記樹脂絶縁層の非貫通孔に、前記金属膜を介して電流を流し電解めっきにより第２金属層を充填する工程；
（Ｅ）前記樹脂絶縁層の金属層と金属膜とエッチングして、スルーホールのランドを形成する工程。
【請求項３】
前記樹脂絶縁層に、無電解めっき、スパッタ又は蒸着により金属層を形成する工程を更に有することを特徴とする請求項２の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項４】
前記樹脂絶縁層の金属層の反対面に、金属膜を形成する工程において、無電解めっき、スパッタ又は蒸着を用いることを特徴とする請求項２又は３の多層プリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
ＩＣチップなどの電子部品を載置するパッケージ基板に用い得る多層プリント配線板に関し、特にコア基板に層間樹脂絶縁層をビルドアップしてなる多層プリント配線板及び多層プリント配線板の製造方法に関するのもである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ビルドアップ多層プリント配線板は、例えば、特開平９−１３００５０号に開示される方法にて製造されている。
すなわち、スルーホールを形成したコア基板の上に層間樹脂絶縁層を積層し、該層間樹脂絶縁層の上に回路パターンを形成する。これを繰り返すことにより、ビルドアップ多層プリント配線板が得られる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
現在、コア基板にスルーホールを形成する際に、ドリルにより通孔を穿設している。このため、通孔の径として、３００μｍが最小限界であり、スルーホールの密度をドリル径で決定される値以上高めることができなかった。このため、コア基板にレーザにより通孔を穿設する方法が検討されているが、コア基板は１mm程度の厚みがあるため、微細な通孔を形成することは難しかった。
【０００４】
一方、パッケージ基板として用いられる多層プリント配線板では、ＩＣチップに発生する熱を効率良く発散させれる必要がある。ここで、多層プリント配線板は、１mm程度の積層樹脂板からなるコア基板に、数１０μｍの層間樹脂絶縁層及び配線層を積層してなる。このため、多層プリント配線板の厚みとしては、コア基板が大半を占めることになる。即ち、コア基板が、多層プリント配線板の厚みを厚くし、熱伝導性を下げさせる原因となっていた。
【０００５】
本発明は上述した課題を解決するためなされたものであり、その目的とするところは、スルーホールの配設密度を高め得ると共に、厚みを薄くできる多層プリント配線板及び該多層プリント配線板の製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するため、請求項１は、スルーホールを設けたコア基板に層間樹脂絶縁層をビルドアップしてなる多層プリント配線板において、
前記コア基板には、一方の面に表層金属層が形成され、該表層金属層へ至る非貫通孔が形成され、
前記コア基板のスルーホールが、前記コア基板に形成された非貫通孔に電解めっきによる第１金属層と、無電解めっき、スパッタ又は蒸着による金属膜と、電解めっきによる第２金属層とを充填してなり、
前記金属膜が、前記第１の金属層と前記第１の金属層との間に形成されていることを技術的特徴とする。
【０００７】
請求項１では、スルーホールをめっき充填により形成するため、スルーホールの上に接続用のバイアホールが形成でき、バイアホールの配線密度を高めることができる。また、スルーホールを、電解めっきと、無電解めっきと、電解めっきとを充填するため、スルーホール内の充填不足がなくなる。
【０００８】
請求項２の発明は、少なくとも以下の（Ａ）〜（Ｅ）の工程を備えることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法にある：
（Ａ）一方の面に金属層の形成された樹脂絶縁層に、レーザで前記金属層へ至る非貫通孔を形成する工程；
（Ｂ）前記樹脂絶縁層の非貫通孔に、前記金属層を介して電流を流し電解めっきにより第１金属層を充填する工程；
（Ｃ）前記樹脂絶縁層の金属層の反対面及び前記非貫通孔内に、金属膜を形成する工程：
（Ｄ）前記樹脂絶縁層の非貫通孔に、前記金属膜を介して電流を流し電解めっきにより第２金属層を充填する工程；
（Ｅ）前記樹脂絶縁層の金属層と金属膜とエッチングして、スルーホールのランドを形成する工程。
【０００９】
請求項２では、スルーホールをレーザにより形成するため、５０〜２５０μｍ径スルーホールが施せるので、配線密度を向上させることができる。スルーホールをめっき充填により形成するため、コア基板の強度が高まり、反りが発生し難くなる。このため、コア基板を薄く形成でき、多層プリント配線板の放熱性を高めることが可能となる。スルーホールを電解めっきにより充填するので、スルーホール内の充填不足がなくなる。更に、スルーホールのランドとなる金属膜を形成してから、スルーホール内に第２金属層を形成するため、ランドが剥離することがなくなり、スルーホールの信頼性を高めることができる。更に、接続信頼性が高いため、当該ランドを薄く形成でき、上層の層間樹脂絶縁層の平滑性を高めることが可能となり、層間樹脂絶縁層の剥離やクラックの発生を防げる。
【００１０】
請求項３では、請求項２において、前記樹脂絶縁層に、無電解めっき、スパッタ又は蒸着により金属層を形成する工程を更に有することを技術的特徴とする。
【００１１】
請求項３では、無電解めっきで形成すると、廉価に金属層を形成することができる。また、スパッタで形成すると、高い密着性を有する金属層を薄く形成できる。蒸着で形成すると金属層を薄く形成できる。
【００１２】
請求項４では、請求項２又は３において、前記樹脂絶縁層の金属層の反対面に、金属膜を形成する工程において、無電解めっき、スパッタ又は蒸着を用いることを技術的特徴とする。
【００１３】
請求項４では、無電解めっきで形成すると、廉価に金属膜を形成することができる。また、スパッタで形成すると、高い密着性を有する金属膜を薄く形成できる。蒸着で形成すると金属膜を薄く形成できる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
[第１実施形態]
本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の構成について、断面図を示す図７を参照して説明する。
第１実施形態の多層プリント配線板は、コア基板３０の上面及び下面に導体回路３４が形成され、該導体回路３４の上には層間樹脂絶縁層５０、５０が配設されている。該下層層間樹脂絶縁層５０には、バイアホール６０及び導体回路５８が配設されている。上面側の下層層間樹脂絶縁層５０の上には、バイアホール１６０が形成された上層層間樹脂絶縁層１５０が配置されている。上面側の上層層間樹脂絶縁層１５０の上、及び、下面側の下層層間樹脂絶縁層５０の表面には、ソルダーレジスト層７０が配設されている。
【００１５】
多層プリント配線板１０の上面には、ソルダーレジスト層７０の開口７１ＵにＩＣチップへの接続用の半田バンプ７６Ｕが配設される。一方、パッケージ基板の底面には、ソルダーレジスト層７０の開口７１Ｄに、ドータボードへの接続用の半田バンプ７６Ｄが配設されている。
【００１６】
該半田バンプ７６Ｕは、層間樹脂絶縁層１５０に形成されたバイアホール１６０及び層間樹脂絶縁層５０に形成されたバイアホール６０を介してスルーホール３６へ接続されている。一方、該半田バンプ７６Ｄは、層間樹脂絶縁層５０に形成されたバイアホール６０を介してスルーホール３６へ接続されている。
【００１７】
コア基板３０に形成されたスルーホール３６は、第１電解めっき層２４と、無電解めっき膜２６と、第２電解めっき層２８とからなる。スルーホール３６をめっき充填により形成するため、コア基板３０の強度が高まり、反りが発生し難くなる。このため、コア基板を薄く形成でき、多層プリント配線板の放熱性を高めることが可能となる。また、スルーホール３６を第１電解めっき層２４と、無電解めっき膜２６と、第２電解めっき層２８とを充填して形成するため、スルーホール内の充填不足がなくなる。
【００１８】
後述するように第１実施形態の多層プリント配線板は、スルーホール３６をレーザにより形成するため、微細径のスルーホール３６を狭ピッチで配設することができ、高集積化を達成している。
【００１９】
以下、図７に示す多層プリント配線板１０の製造方法について図を参照して説明する。
【００２０】
(1)ガラスクロス、アライミドクロスにエポキシ樹脂、ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、ポリフェノールエーテル樹脂を含浸させてなる基板３０を出発材料とする（図１（Ａ））。基板３０の厚さは、２０〜８００μｍの範囲がよく、特に、１００〜５００μｍが好適である。これは、コア基板としての強度が保て、レーザにより容易に非貫通孔を形成できる厚さだからである。ここでは、心材に樹脂を含浸させて用いるが、この代わりに、心材を有さない樹脂、或いは、補強樹脂層をラミネートした樹脂を用いることもできる。
【００２１】
(2)該基板３０の下面に、スパッタにより厚さ６〜２０μｍの金属層２２を形成する（図１（Ｂ））。金属層２２は、銅、ニッケル、クロム、コバルト、アルミニウム等を用いることができ、特に、銅又は銅を主としてなる合金が、廉価であると共に電気抵抗が低く好ましい。ここでは、樹脂からなる基板３０への密着性に優れ薄く形成できるスパッタを用いるが、この代わりに、廉価な無電解めっき、又は、廉価に薄く金属層を形成できる蒸着を用いることができ、更に、無電解めっき、スパッタ、蒸着後に電解めっきを行うことも、更には、上記コア基板として銅箔のラミネートされた銅張り積層板を用いることができる。ここで、金属層２２の厚さは、６〜２０μｍの範囲がよく、特に、８〜１５μｍの範囲が好適である。この厚みであれば、強度を保てるので反りもなく、また、後述するように基板３０に非貫通孔を明ける際に、レーザのエネルギーを吸収し得るからである。
【００２２】
(3)次に、金属層２２の非形成面から基板３０に炭酸レーザを照射し、金属層２２に至る非貫通孔３２を穿設する（図１（Ｃ））。ここで、非貫通孔の径は、５０〜２５０μｍが好ましく、特に、７５〜１５０μｍの範囲で４００〜６００μｍのピッチが好適である。非貫通孔３２は小径である方が、配線密度を上げる上では望ましいが、半径に反比例して歩留まりが下がるからである。ここで、非貫通孔３２は、炭酸レーザで１孔毎に穿設することも可能であり、また、通孔を備えるマスクを基板３０に載置し、一括して非貫通孔を形成することもできる。なお、ここでは、廉価で大出力の得られる炭酸レーザを用いているが、この代わりに、エキシマ、ＵＶ、ＹＡＧ等を用いることもでき、これらを混合して使用することもできる。
【００２３】
その後、酸或いは酸化剤で、非貫通孔３２内のデスミヤ処理を行う。ここで、更に、酸素、４塩化炭素、窒素などのプラズマ処理、コロナ処理、ＵＶ処理などのドライ処理を施し、非貫通孔３２の内壁を平滑にすることも可能である。
【００２４】
(4)次に、金属膜２０にフィルム２３を密着させた後、基板３０を電解銅めっき液に浸漬し、金属層２２を介して電流を流し、非貫通孔３２内に第１めっき層２４を形成する（図１（Ｄ））。第１電解めっき層は、電気抵抗の低い銅めっきが望ましいが、ニッケル、クロム、コバルト、アルミニウム等を用いることも可能である。
【００２５】
(5)該基板３０の上面に、無電解めっきにより厚さ０．１〜１０μｍの金属膜２６を形成する（図２（Ａ））。金属層は、銅、ニッケル、クロム、コバルト、アルミニウム等を用いることができ、特に、銅又は銅を主としてなる合金が、廉価であると共に電気抵抗が低く好ましい。無電解めっきの代わりに、樹脂からなる基板３０への密着性に優れるスパッタ、蒸着を用いることができる。ここで、金属膜２６の厚さは、０．１〜１０μｍの範囲がよく、この範囲であれば、エッチングしても回路が形成できる。特に、０．５〜５μｍの範囲が好適である。
【００２６】
(6)基板３０を電解銅めっき液に浸漬し、金属膜２６を介して電流を流し、非貫通孔３２内に第２めっき層２８を充填してスルーホール３６とする（図２（Ｂ））。電解めっきは、第１めっき層を構成すると同じ金属であることが望ましい。また、図７を参照して上述したように、第１めっき層２４の高さＨ１と、第２めっき層２８の高さＨ２とはほぼ同様であることが望ましい。なお、第２めっき層２８の表面を平滑化するため、エッチング、バフ研磨、ベルトサンダー、砥粒を吹き付けるジェットスクラブ研磨等を行うことも可能である。
【００２７】
(7)フィルム２３を剥離した後、所定パターンのエッチンレジストを施し、パターニングを行い、コア基板３０の表面に導体回路３４を形成すると共に、スルーホール３６にランド３６ａを形成する（図２（Ｃ））。ランドの形状としては、円形、楕円形が望ましいが、正方形、長方形でもよい。ランド３６ａは、スルーホール径の１．００〜１．２５倍が望ましい。ランド３６ａ及び導体回路の厚みＨ３は、上層の層間樹脂絶縁層の平滑化を達成するため、可能な限り薄い方が望ましい。
【００２８】
第１実施形態の多層プリント配線板では、スルーホール３６のランド３６ａとなる金属膜２６を形成してから、スルーホール内に第２めっき層２８を形成するため、金属膜２６からなるランド３６ａが剥離することがなくなり、スルーホール３６の信頼性を高めることができる。更に、接続信頼性が高いため、当該ランドを薄く形成でき、後述する工程で形成する上層の層間樹脂絶縁層の平滑性を高めることが可能となり、当該層間樹脂絶縁層の剥離やクラックの発生を防げる。
【００２９】
(8)導体回路３４及びランド３６ａを形成した基板を水洗いし、乾燥した後、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路３４の表面とスルーホール３６のランド３６ａ表面とをエッチングすることにより、導体回路３４の全表面に粗化面３４βと、スルーホール３６のランド３６ａに３６βを形成した（図２（Ｄ）参照）。エッチング液として、イミダゾール銅（II）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部およびイオン交換水７８重量部を混合したものを使用する。
【００３０】
なお、本実施形態で、上記(1)の工程ではエッチングにより粗化面を形成しているが、この代わりに、無電解めっきにより粗化層を形成することもできる。この場合には、導体回路３４を形成した基板３０にアルカリ脱脂してソフトエッチングして、次いで、塩化パラジウウムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、Ｐｄ触媒を付与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅３．２×１０−２ｍｏｌ／ｌ、硫酸ニッケル３．９×１０−３ｍｏｌ／ｌ、錯化剤５．４×１０−２ｍｏｌ／ｌ、次亜りん酸ナトリウム３．３×１０−１ｍｏｌ／ｌ、ホウ酸５．０×１０−１ｍｏｌ／ｌ、界面活性剤（日信化学工業製、サーフィール４６５）０．１ｇ／ｌ、ＰＨ＝９からなる無電解めっき液に浸積し、浸漬１分後に、４秒当たり１回に割合で縦、および、横振動させて、導体回路３４及びスルーホール３６のランド３６ａ表面にＣｕ−Ｎｉ−Ｐからなる針状合金の被覆層と粗化層４２を設ける。粗化層の表面に、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｎｉなどの金属層を設けてもよい。
【００３１】
(9)次に、上記工程を経た基板の両面に、厚さ５０μｍの熱硬化型シクロオレフィン系樹脂シートを温度５０〜１５０℃まで昇温しながら圧力５ｋｇ／ｃｍ2 で真空圧着ラミネートし、シクロオレフィン系樹脂からなる層間樹脂絶縁層５０を設ける（図３（Ａ）参照）。なお、真空圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇに調整する。
【００３２】
(10) 次に、波長１０．４μｍのＣＯ2 ガスレーザにて、ビーム径５ｍｍ、トップハットモード、パルス幅１５μ秒、マスクの穴径０．５ｍｍ、３ショットの条件でシクロオレフィン系樹脂からなる層間樹脂絶縁層５０に直径８０μｍのバイアホール用開口４８を設ける（図３（Ｂ）参照）。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行う。
【００３３】
(11) 次に、日本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を用いてプラズマ処理を行い、層間樹脂絶縁層５０の表面を粗化した（図３（Ｃ）参照）。この際、不活性ガスとしてはアルゴンガスを使用し、電力２００Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、温度７０℃の条件で、２分間プラズマ処理を実施した。
【００３４】
(12) 次に、同じ装置を用い、内部のアルゴンガスを交換した後、Ｎｉ−Ｃｕ合金をターゲットにしたスパッタリングを、気圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｎｉ−Ｃｕ合金層５２をポリオレフィン系層間樹脂絶縁層５０の表面に形成した。このとき、形成されたＮｉ−Ｃｕ合金層５２の厚さは０．２μｍであった（図４（Ａ）参照）。
【００３５】
(13)上記処理を終えた基板の両面に、市販の感光性ドライフィルムを貼り付け、フォトマスクフィルムを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光した後、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ１５μｍのめっきレジスト５４のパターンを形成した（図４（Ｂ）参照）。
【００３６】
(14)次に、以下の条件で電気めっきを施して、厚さ１５μｍの電気めっき膜５６を形成した（図４（Ｃ）参照）。なお、この電気めっき膜５６により、後述する工程で導体回路５８となる部分の厚付けおよびバイアホール６０となる部分のめっき充填等が行われたことになる。なお、電気めっき水溶液中の添加剤は、アトテックジャパン社製のカパラシドＨＬである。
【００３７】
〔電気めっき水溶液〕
硫酸                      ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                    ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤                    １９．５  ｍｌ／ｌ
〔電気めっき条件〕
電流密度                      １  Ａ／ｄｍ2
時間                        ６５  分
温度                    ２２±２  ℃
【００３８】
(15)ついで、めっきレジスト５４を５％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト５４の下に存在していたＮｉ−Ｃｕ合金層５２を硝酸および硫酸と過酸化水素との混合液を用いるエッチングにて溶解除去し、電気銅めっき膜５６等からなる厚さ１６μｍの導体回路５８（バイアホール６０を含む）を形成した（図５（Ａ）参照）。
【００３９】
(16)続いて、上記(10) 〜(16)の工程を繰り返すことにより、さらに上面側の層間樹脂絶縁層５０に、上層の層間樹脂絶縁層１５０、導体回路１５８及びバイアホール１６０を形成した（図５（Ｂ）参照）。
【００４０】
(17)次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に対して光重合開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物（有機樹脂絶縁材料）を得た。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターＮｏ．４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ．３によった。
【００４１】
(18)次に、多層配線基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、上面に２００μｍの直径の開口７１Ｕを、下面に直径５００μｍの開口７１Ｄを形成した。
そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、はんだパッド部分が開口した、その厚さが２０μｍのソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層）７０を形成した（図６（Ａ））。スルーホールの半硬化の樹脂フィルムで圧着して、露光・現像或いはレーザで半田パットを設けてもよい。
【００４２】
(19)次に、ソルダーレジスト層（有機樹脂絶縁層）７０を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口７１に厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成した（図６（Ｂ））。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層７４を形成した。
【００４３】
(20)この後、ソルダーレジスト層７０の開口７１Ｕ、７１Ｄにはんだペーストを印刷して、２００℃でリフローすることによりはんだバンプ（はんだ体）７６Ｕ、７６Ｄを形成し、多層プリント配線板１０を完成する（図７参照）。
【００４４】
[第２実施形態]
引き続き、本発明の第２実施形態に係る多層プリント配線板及びその製造方法について説明する。
図１２は、パッケージ基板に適用した第２実施形態に係る多層プリント配線板の断面を示している。この第２実施形態の多層プリント配線板は、図７を参照して上述した第１実施形態と同様である。但し、第１実施形態では、ドータボード側にはんだバンプ７６Ｄが配設されたが、第２実施形態では、導電性接続ピン７８が配設されている。
【００４５】
第２実施形態の多層プリント配線板の製造方法について説明する。コア基板の形成方法は、図１及び図２を参照して上述した第１実施形態の工程(1)〜(8)と同様であるため、説明を省略する。
【００４６】
まず、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムの作製について説明する。
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４６９、油化シェルエポキシ社製エピコート１００１）３０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１５、大日本インキ化学工業社製  エピクロンＮ−６７３）４０重量部、トリアジン構造含有フェノールノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１２０、大日本インキ化学工業社製  フェノライトＫＡ−７０５２）３０重量部をエチルジグリコールアセテート２０重量部、ソルベントナフサ２０重量部に攪拌しながら加熱溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム（ナガセ化成工業社製  デナレックスＲ−４５ＥＰＴ）１５重量部と２−フェニル−４、５−ビス（ヒドロキシメチル）イミダゾール粉砕品１．５重量部、微粉砕シリカ２重量部、シリコン系消泡剤０．５重量部を添加しエポキシ樹脂組成物を調製した。
得られたエポキシ樹脂組成物を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さが５０μｍとなるようにロールコーターを用いて塗布した後、８０〜１２０℃で１０分間乾燥させることにより、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを作製した。
【００４７】
(9)図２（ Ｄ）に示す基板３０の両面に、基板より少し大きめの上記作製した層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを載置し、圧力４ｋｇｆ／ｃｍ2 、温度８０℃、圧着時間１０秒の条件で仮圧着して裁断した後、さらに、以下の方法により真空ラミネーター装置を用いて貼り付けることにより層間樹脂絶縁層５０を形成した（図８（Ａ）参照）。すなわち、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板上に、真空度０．５Ｔｏｒｒ、圧力４ｋｇｆ／ｃｍ2 、温度８０℃、圧着時間６０秒の条件で本圧着し、その後、１７０℃で３０分間熱硬化させた。
【００４８】
(10) 層間樹脂絶縁層５０上に、厚さ１．２ｍｍの貫通孔４９ａが形成されたマスク４９を載置する。そして、波長１０．４μｍのＣＯ2 ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍｍ、トップハットモード、パルス幅５．０μ秒、マスクの貫通孔の径１．０ｍｍ、１ショットの条件で、層間樹脂絶縁層５０に直径８０μｍのバイアホール用開口４８を形成した（図８（Ｂ）参照）。
【００４９】
(11) バイアホール用開口４８を形成した基板３０を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層５０の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホール用開口４８の内壁を含む層間樹脂絶縁層５０の表面を粗面とした（図８（Ｃ）参照）。
【００５０】
(12) 次に、上記処理を終えた基板を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。さらに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、層間樹脂絶縁層５０の表面およびバイアホール用開口４８の内壁面に触媒核を付着させた。
【００５１】
(13)次に、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ０．６〜３．０μｍの無電解銅めっき膜５１を形成した（図９（Ａ）参照）。
〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ4                   ０．００３  ｍｏｌ／ｌ
酒石酸                      ０．２００  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                      ０．０３０  ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ                    ０．０５０  ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ                    ０．１００  ｍｏｌ／ｌ
α、α′−ビピリジル                ４０  ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）  ０．１０  ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
３５℃の液温度で４０分
【００５２】
(14)市販の感光性ドライフィルムを無電解銅めっき膜５１に貼り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ３０μｍのめっきレジスト５４を設けた（図９（Ｂ）参照）。
【００５３】
(15)ついで、基板を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜５６を形成した（図９（Ｃ）参照）。
〔電解めっき水溶液〕
硫酸                  ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤                １９．５  ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度                  １  Ａ／ｄｍ2
時間                    ６５  分
温度                    ２２±２  ℃
【００５４】
(16)めっきレジスト５４を５％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト５４下の無電解めっき膜５１を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜５１と電解銅めっき膜５６からなる厚さ１８μｍの導体回路（バイアホール６０を含む）５８を形成した（図１０（Ａ）参照）。
【００５５】
(17)第１実施形態の導体回路３４粗化の(8) と同様の処理を行い、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によって、粗化面６２を形成した（図１０（Ｂ）参照）。
【００５６】
(18)上記 (9)〜(17)の工程を繰り返すことにより、上面の層間樹脂絶縁層５０の上層に層間樹脂絶縁層１６０、導体回路１５８及びバイアホール１６０を形成し、多層配線板を得た（図１０（Ｃ）参照）。
【００５７】
(19)次に、多層配線基板の両面に、第１実施形態と同様のソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し開口７１Ｕ、７１Ｄを形成した。
そしてさらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、開口を有し、その厚さが２０μｍのソルダーレジストパターン層７０を形成した（図１１（Ａ））。上記ソルダーレジスト組成物としては、市販のソルダーレジスト組成物を使用することもできる。
【００５８】
(20)次に、第１実施形態と同様に開口７１Ｕ、７１Ｄに厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成し、さらに、ニッケルめっき層７２上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層７４を形成した（図１１（Ｂ））。
【００５９】
(20)この後、基板のＩＣチップを載置する面のソルダーレジスト層７０の開口７１Ｕに、スズ−鉛を含有するはんだペーストを印刷し、さらに他方の面のソルダーレジスト層７０の開口７１Ｄにスズ−アンチモンを含有するはんだペーストを印刷した後、２００℃でリフローすることにより上面にはんだバンプ７６Ｕを設けた。そして、下面に導電性接続ピン７８を配設し、プリント基板を製造した（図１２参照）。
【００６０】
[第３実施形態]
第３実施形態の多層プリント配線板の断面を図１３に示す。この第３実施形態は、第１実施形態と同様の構成である。但し、この第３実施形態の多層プリント配線板は、層間樹脂絶縁層５０及び層間樹脂絶縁層１５０が、以下に示す組成の上層用接着剤５７と下層用接着剤５５からなり、液体状態で塗布した後、露光・現像処理により開口を設けてある。
Ａ．無電解めっき用接着剤調製用の原料組成物（上層用接着剤）
〔樹脂組成物▲１▼〕
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）3.15重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、ＮＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得た。
〔樹脂組成物▲２▼〕
ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒径 1.0μｍのものを 7.2重量部、平均粒径 0.5μｍのものを3.09重量部、を混合した後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合して得た。
〔硬化剤組成物▲３▼〕
イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガイギー製、イルガキュア  Ｉ−907 ）２重量部、光増感剤（日本化薬製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ 1.5重量部を攪拌混合して得た。
【００６１】
Ｂ．層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物（下層用接着剤）
〔樹脂組成物▲１▼〕
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）４重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、ＮＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得た。
〔樹脂組成物▲２▼〕
ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒径 0.5μｍのものを 14.49重量部、を混合した後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合して得た。
〔硬化剤組成物▲３▼〕
イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガイギー製、イルガキュア  Ｉ−907 ）２重量部、光増感剤（日本化薬製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ1.5 重量部を攪拌混合して得た。
【００６２】
[比較例１]
比較例１の多層プリント配線板は、第１実施形態と同様に構成してある。但し、第１実施形態では、スルーホール３６内にめっきを充填したのに対して、比較例１では、樹脂充填材を充填してある。
【００６３】
第１〜第３実施形態と比較例１、比較例２に対してヒートサイクル試験（−６５℃／３分＋１３０℃／３分を１サイクルとし、１０００サイクル実施）を行った結果について、図１４の図表中に示す。第１、第２、第３実施形態では、ヒートサイクル後も反り及び断線が発生しなかったが、比較例１では反りが発生した。なお、反り量は、平坦な基台に基板を置いて、その端部を測定器により高さを測ることにより測定した。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図２】図２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図３】図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図４】図４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図５】図５（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図６】図６（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図７】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図８】図８（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第２実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図９】図９（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第２実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１０】図１０（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第２実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１１】図１１（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第２実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１２】本発明の第２実施形態に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図１３】本発明の第３実施形態に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図１４】ヒートサイクル試験の結果を示す図表である。
【符号の説明】
２２  金属層
２４  第１電解めっき層
２６  無電解めっき膜
２８  第２電解めっき層
３０  樹脂基板
３２  通孔
３４  導体回路
３６  バイアホール
５０  層間樹脂絶縁層
５８  導体回路
６０  バイアホール
７０  ソルダーレジスト層
７６Ｕ、７６Ｄ  半田バンプ
【図１】
0004278806.tif 000002
【図２】
0004278806.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
0004278806.tif 000007
【図７】
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【図８】
0004278806.tif 000009
【図９】
0004278806.tif 000010
【図１０】
0004278806.tif 000011
【図１１】
0004278806.tif 000012
【図１２】
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【図１３】
0004278806.tif 000014
【図１４】
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