(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）で表される化合物であることを特徴とする発光素子材料。
一般式（Ｉ）
【化１】
0004256556.tif 000026
（式中、Ａｒ１は２価のアリール基を表し、Ｒ２およびＲ３は各々独立して、アリール基を表し、Ａｒ１、Ｒ２およびＲ３から選ばれる少なくとも２つの基が連結して環を形成してもよい。Ａｒ８はアリール基、ベンズオキサゾール基、ベンゾチアゾール基またはベンズイミダゾール基を表し、Ａｒ８で表されるアリール基、ベンズオキサゾール基、ベンゾチアゾール基またはベンズイミダゾール基はアミノ基で置換されていることはない。Ｒ４ａ、Ｒ５ａ、Ｒ６ａおよびＲ７ａは各々独立して、水素原子を表し、Ｒ４ａ、Ｒ５ａ、Ｒ６ａおよびＲ７ａの少なくとも一つはシアノ基を表す。Ｌ１は、２価の１ないし２環のアリール基、または２価のヘテロ環基を表す。）
【請求項２】
一般式（Ｉ）で表される化合物が下記一般式（ＩＩ）で表される請求項１に記載の発光素子材料。
一般式（ＩＩ）
【化２】
0004256556.tif 000027
（式中、Ａｒ１は２価の炭素数６〜２０のフェニル基、または、ナフチル基を表し、Ｒ２およびＲ３は各々独立して、炭素数６〜１４のフェニル基、ナフチル基、アントリル基を表し、Ａｒ８はフェニル基、炭素数６〜３０の置換フェニル基、ベンゾオキサゾール基のいずれかを表し、Ａｒ８で表される炭素数６〜３０の置換フェニル基、ベンゾオキサゾール基のいずれかはアミノ基で置換されていることはない。Ｒ４ａ、Ｒ５ａ、Ｒ６ａおよびＲ７ａは各々独立して、水素原子またはシアノ基を表し、Ｒ４ａ、Ｒ５ａ、Ｒ６ａおよびＲ７ａの少なくとも一つはシアノ基を表す。Ｌ２は、２価の炭素数６〜２０のフェニル基を表す。）
【請求項３】
一般式（ＩＩ）で表される化合物が下記一般式（ＩＩＩ）で表される請求項２に記載の発光素子材料。
一般式（ＩＩＩ）
【化３】
0004256556.tif 000028
（式中、Ａｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ａｒ８およびＬ２は、一般式（ＩＩ）の各々と同義である。Ｒ４ｃはシアノ基を表し、Ｒ５ｃ、Ｒ６ｃおよびＲ７ｃは各々独立して、水素原子またはシアノ基を表す。）
【請求項４】
一般式（ＩＩ）で表される化合物が下記一般式（ＩＶ）で表される請求項２に記載の発光素子材料。
一般式（ＩＶ）
【化４】
0004256556.tif 000029
（式中、Ａｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ａｒ８およびＬ２は、一般式（ＩＩ）の各々と同義である。Ｒ４ｄおよびＲ７ｄはシアノ基を表す。）
【請求項５】
一対の電極と、該電極に挟持された、請求項１から４までのいずれか１項に記載の発光素子材料を含有する有機薄層を有する発光素子。
【請求項６】
一対の電極と、該電極に挟持された、請求項１から５までのいずれか１項に記載の発光素子材料をポリマー中に分散してなる層を有する発光素子。
【請求項７】
下記一般式（ＶＩＩ）で表されるアミン化合物。
一般式（ＶＩＩ）
【化８】
0004256556.tif 000030
（式中、Ａｒ１は２価の炭素数６〜２０のフェニル基、または、ナフチル基を表し、Ａｒ２およびＡｒ３は各々独立して炭素数６〜１４のフェニル基、ナフチル基、アントリル基を表す。Ａｒ８は炭素数６〜３０の置換フェニル基、ベンゾオキサゾール基のいずれか表し、Ａｒ８はアミノ基で置換されていることはない。Ｒ４ｇおよびＲ７ｇはシアノ基を表す。
Ｌ３は、２価の炭素数６〜２０のフェニル基を表す。前記Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、及びＬ３は、置換基を有しても良く、それぞれ独立に当該置換基はアルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基、置換アミノ基である。Ａｒ８は置換基を有しても良く、当該置換基はアルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基である。）
【請求項８】
上記一般式（ＶＩＩ）におけるＡｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３及びＬ３がいずれも無置換である請求項７に記載のアミン化合物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アミン化合物、それを利用した発光素子材料および発光素子に関し、より詳細には、フィルター用染料、色変換フィルター、写真感光材料染料、増感色素、パルプ染色用染料、レーザー色素、医療診断用蛍光薬剤、発光素子材料等として利用可能なアミン化合物、およびそれを利用した発光素子用材料ならびに発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機物質を使用した有機電界発光（ＥＬ）素子は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が有望視され、種々の開発が行われている。一般に有機発光素子は、発光層及び該層を挟持する一対の対向電極から構成されている。有機発光素子の両電極間に電界が印加されると、陰極から電子が、および陽極から正孔が各々注入され、この電子と正孔が発光層において再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る。その際に、エネルギーが光として放出され、有機発光素子は発光する。
【０００３】
ところで、有機発光素子には、低い駆動電圧で、高い発光輝度や発光効率を示すことが要求される。近年、１０Ｖ以下の低電圧で発光する、高い蛍光量子効率を示す有機ＥＬ素子が報告され（アプライド  フィジックス  レターズ、５１巻、９１３頁、１９８７年）、関心を集めている。このＥＬ素子は、電子輸送層に金属キレート錯体、発光層に蛍光化合物、正孔輸送層にアミン化合物を含有する構成であり、高輝度の緑色発光を示す。また、有機発光素子を、フルカラーディスプレイの光源として利用する場合には、発光素子は三原色あるいは白色に発光することが要求される。しかし、従来の赤色発光色素等は、単独で発光層に発光成分として用いると濃度消光が大きく、高効率発光が困難な場合が多い。近年、蛍光色素をドープすることによって、所望の色相に発光可能な発光素子が報告されている（ジャーナル  オブ  アプライド  フィジックス、６５巻、３６１０頁、１９８９年）。この蛍光色素をドープする方法は、前記赤色発光色素を用いた素子において特に有効であり、良好な色純度、高輝度を達成する。しかしながら、蛍光色素をドープした素子を作製するのに、ホスト材料と微量の蛍光色素を共蒸着する必要があり、操作が煩雑で、且つ素子の性能にばらつきが生じ易いという問題がある。単独で発光層に用いても、高輝度発光し、かつ耐久性に優れた色素を用いれば、簡易な製造工程により、性能が安定化した素子を作製することができるが、橙色〜赤色に発光する発光色素では、その様な性能を満足する材料が提供されていないのが現状である。
【０００４】
一方、有機ＥＬ素子において高輝度発光を実現しているものは、有機物質を真空蒸着によって積層してなる素子である。しかし、製造工程の簡略化、加工性、大面積化等の観点からは、塗布方式による素子作製が望ましい。しかしながら、従来の塗布方式で作製した素子では、発光輝度、発光効率の点で蒸着方式で作製した素子に劣っており、高輝度、高効率発光化が大きな課題となっている。また、塗布方式で作製した素子として、有機低分子化合物を有機ポリマー媒体に分散して塗布して作製した素子があるが、長時間発光させた場合、有機低分子化合物が凝集する等の原因により、均質な面状発光が困難になるという課題がある。
【０００５】
また、近年、フィルター用染料、色変換フィルター、写真感光材料染料、増感色素、パルプ染色用染料、レーザー色素、医療診断用蛍光薬剤、有機発光素子用材料等に蛍光を有する物質が種々用いられ、その需要が高まっているが、蛍光強度が強く、橙色から赤色の長波発光可能な蛍光色素は少なく、新たな材料開発により材料選択の幅が広げられることが望まれている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の第一の目的は、低電圧駆動で高輝度、高効率の発光が可能であり、繰り返し使用時での安定性に優れ、均質面状発光可能な橙色〜赤色発光素子材料および発光素子を提供することにある。
本発明の第二の目的は、素子間における性能のばらつきがなく、性能が安定した発光素子およびその作製を可能にする発光素子材料を提供することにある。
本発明の第三の目的は、塗布方式で作製しても高輝度、高効率発光可能な発光素子材料およびそれを用いた発光素子を提供することにある。
本発明の第四の目的は、蛍光強度の強い橙色から赤色に蛍光を有するアミン化合物を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
＜１＞  下記一般式（Ｉ）で表される化合物であることを特徴とする発光素子材料。
【０００８】
一般式（Ｉ）
【化９】
0004256556.tif 000002
【０００９】
（式中、Ａｒ１は２価のアリール基を表し、Ｒ２およびＲ３は各々独立して、アリール基を表し、Ａｒ１、Ｒ２およびＲ３から選ばれる少なくとも２つの基が連結して環を形成してもよい。Ａｒ８はアリール基、ベンズオキサゾール基、ベンゾチアゾール基またはベンズイミダゾール基を表し、Ａｒ８で表されるアリール基、ベンズオキサゾール基、ベンゾチアゾール基またはベンズイミダゾール基はアミノ基で置換されていることはない。Ｒ４ａ、Ｒ５ａ、Ｒ６ａおよびＲ７ａは各々独立して、水素原子を表し、Ｒ４ａ、Ｒ５ａ、Ｒ６ａおよびＲ７ａの少なくとも一つはシアノ基を表す。Ｌ１は、２価の１ないし２環のアリール基、または２価のヘテロ環基を表す。）
【００１０】
＜２＞  一般式（Ｉ）で表される化合物が下記一般式（II）で表される＜１＞に記載の発光素子材料。
【００１１】
一般式（II）
【化１０】
0004256556.tif 000003
【００１２】
（式中、Ａｒ１は２価の炭素数６〜２０のフェニル基、または、ナフチル基を表し、Ｒ２およびＲ３は各々独立して、炭素数６〜１４のフェニル基、ナフチル基、アントリル基を表し、Ａｒ８はフェニル基、炭素数６〜３０の置換フェニル基、ベンゾオキサゾール基のいずれかを表し、Ａｒ８で表される炭素数６〜３０の置換フェニル基、ベンゾオキサゾール基のいずれかはアミノ基で置換されていることはない。Ｒ４ａ、Ｒ５ａ、Ｒ６ａおよびＲ７ａは各々独立して、水素原子またはシアノ基を表し、Ｒ４ａ、Ｒ５ａ、Ｒ６ａおよびＲ７ａの少なくとも一つはシアノ基を表す。Ｌ２は、２価の炭素数６〜２０のフェニル基を表す。）
【００１３】
＜３＞  一般式（II）で表される化合物が下記一般式（III）で表される＜２＞に記載の発光素子材料。
【００１４】
一般式（III）
【化１１】
0004256556.tif 000004
【００１５】
式中、Ａｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ａｒ８およびＬ２は、一般式（ＩＩ）の各々と同義である。
Ｒ４ｃはシアノ基を表し、Ｒ５ｃ、Ｒ６ｃおよびＲ７ｃは各々独立して、水素原子またはシアノ基を表す。
【００１６】
＜４＞  一般式（ＩＩ）で表される化合物が下記一般式（ＩＶ）で表される＜２＞に記載の発光素子材料。
【００１７】
一般式（IV）
【化１２】
0004256556.tif 000005
【００１８】
式中、Ａｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ａｒ８およびＬ２は、一般式（ＩＩ）の各々と同義である。Ｒ４ｄおよびＲ７ｄはシアノ基を表す。
【００２８】
＜５＞  一対の電極と、該電極に挟持された、＜１＞から＜４＞までのいずれかに記載の発光素子材料を含有する有機薄層を有する発光素子。
＜６＞  一対の電極と、該電極に挟持された、＜１＞から＜５＞までのいずれかに記載の発光素子材料をポリマー中に分散してなる層を有する発光素子。
【００２９】
＜７＞  下記一般式（ＶＩＩ）で表されるアミン化合物。
【００３０】
一般式（VII）
【化１６】
0004256556.tif 000006
【００３１】
（式中、Ａｒ１は２価の炭素数６〜２０のフェニル基、または、ナフチル基を表し、Ａｒ２およびＡｒ３は各々独立して炭素数６〜１４のフェニル基、ナフチル基、アントリル基を表す。Ａｒ８は炭素数６〜３０の置換フェニル基、ベンゾオキサゾール基のいずれか表し、Ａｒ８はアミノ基で置換されていることはない。Ｒ４ｇおよびＲ７ｇはシアノ基を表す。
Ｌ３は、２価の炭素数６〜２０のフェニル基を表す。前記Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、及びＬ３は、置換基を有しても良く、それぞれ独立に当該置換基はアルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基、置換アミノ基である。Ａｒ８は置換基を有しても良く、当該置換基はアルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基である。）
＜８＞  上記一般式（ＶＩＩ）におけるＡｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３及びＬ３がいずれも無置換である＜７＞に記載のアミン化合物。
【００３２】
【発明の実施の形態】
本発明の発光素子材料は、前記一般式（Ｉ）で表される化合物を少なくとも含有する。前記一般式（Ｉ）で表されるアミン化合物は、蛍光強度の強い橙色から赤色の蛍光を示す。従って、前記アミン化合物を非ドープ型の発光素子に利用した場合、即ち、前記アミン化合物を単独で発光層に利用した場合であっても、発光素子は、低電圧駆動で高輝度、高効率の発光が可能となる。
【００３３】
前記一般式（Ｉ）中、Ａｒ１は、２価のアリール基を表す。Ａｒ１が表す２価のアリール基には、置換基を有するアリール基および無置換のアリール基が含まれる。また、前記アリール基は、単環構造であっても、２以上の環が縮合した多環構造であってもよい。前記アリール基としては、炭素数６〜３０の単環ないし５環のアリール基（例えばフェニル、ナフチル、ビフェニル、フルオレニルなどが挙げられる。）が好ましく、炭素数６〜２０のフェニル基、ナフチル基がより好ましく、炭素数６〜１４のフェニル基、ナフチル基がさらに好ましい。
【００３５】
Ａｒ１で表されるアリール基が置換基を有する場合、該置換基としては、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノなどが挙げられる）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなどが挙げられる）、
【００３６】
アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる）、
【００３７】
アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、
【００３８】
ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルフォリン、チオフェン、フラン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが挙げられる）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは３〜３０、特に好ましくは３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基は更に同様の置換基で置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。
【００３９】
前記置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アリール基、アルコキシ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、ヒドロキシ基、ヘテロ環基であり、好ましくはアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アリール基、アルコキシ基、アミノ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、ヘテロ環基である。さらに好ましくはアルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基、置換アミノ基である。ここで、置換アミノ基は、−ＮＲａ（Ｒｂ）で表される基であり、ＲａおよびＲｂは同一または異なっていてもよく、アルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アリール基またはヘテロ環基を表し、これらのアルキル基、アルケニル基、アリール基またはヘテロ環基は、Ａｒ１の置換基として例示したものと同じものが挙げられ、好ましい範囲も同様である。アラルキル基としては好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えば、ベンジル基、フェネチル基などが挙げられる。
【００４０】
前記一般式（Ｉ）中、Ｒ２およびＲ３は各々独立して、アリール基を表す。Ｒ２およびＲ３で各々表されるアリール基には、置換基を有するアリール基および無置換のアリール基が含まれる。また、前記アリール基は単環構造であっても、２以上の環が縮合した多環構造であってもよい。前記アリール基としては、炭素数６〜３０の単環ないし５環のアリール基（例えばフェニル、ナフチル、アントリル基、フェナントリル基、ピレニル基、インデニル基、ペリレニル基などが挙げられる）が好ましく、炭素数６〜２０のフェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ピレニル基がより好ましく、炭素数６〜１４のフェニル基、ナフチル基、アントリル基がさらに好ましい。
【００４３】
Ｒ２およびＲ３で表されるアリール基が置換基を有する場合、該置換基としては、例えば、Ａｒ１の置換基として挙げたものが挙げられる。
尚、前記一般式（Ｉ）中、Ａｒ１、Ｒ２およびＲ３から選ばれる２つまたは３つの基が、互いに連結して環を形成してもよい。前記形成される環としては、５員環ないし７員環が好ましい。
【００４４】
前記一般式（Ｉ）中、Ａｒ８はアリール基、ベンズオキサゾール基、ベンゾチアゾール基またはベンズイミダゾール基を表す。Ａｒ８で表されるアリール基には、置換基（但しアミノ基を除く）を有するアリール基および無置換のアリール基が含まれる。また、前記アリール基は、単環構造であっても、２以上の環が縮合した多環構造であってもよい。前記アリール基としては、炭素数６〜３０の単環ないし５環のアリール基（例えばフェニル、ナフチル、アントリル基、フェナントリル基、ピレニル基、インデニル基、ペリレニル基などが挙げられる。）が好ましく、炭素数６〜２０のフェニル基、ナフチル基、アントリル基がより好ましい。
【００４５】
Ａｒ８で表されるベンズオキサゾール基、ベンゾチアゾール基またはベンズイミダゾール基には、置換（但しアミノ基を除く）および無置換が含まれる。
【００４６】
Ａｒ８で表されるアリール基、ベンズオキサゾール基、ベンゾチアゾール基またはベンズイミダゾール基は、置換基を有してもよいが、その置換基はＡｒ１の置換基の例で示したもののうちアミノ基を除くものである。前記置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアシル基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルボモイル基、スルホニル基、スルフィニル基、ウレイド基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基が挙げられる。
【００４７】
前記一般式（Ｉ）中、Ｒ４ａ、Ｒ５ａ、Ｒ６ａおよびＲ７ａは各々独立して、水素原子またはシアノ基を表す。但し、Ｒ４ａ、Ｒ５ａ、Ｒ６ａおよびＲ７ａの少なくとも一つは、Ｈａｍｍｅｔｔのσｐ値が０．２以上の電子吸引性基であるシアノ基を表す。Ｈａｍｍｅｔｔのσｐ値が０．２以上の電子吸引性基としては、例えば、ハロゲン原子、ペルハロゲノアルキル基（ペルフルオロアルキル基、ペルクロルアルキル基、ペルブロムアルキル基などが挙げられる）、シアノ基、ホルミル基、カルボキシル基、カルバモイル基、スルホニルメチル基、アシル基、オキシカルボニル基（脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基で置換されたオキシカルボニル基が好ましい。脂肪族炭化水素基、アリール基またはヘテロ環基については、Ｒ２およびＲ３で表される各々と同義であり、好ましい範囲も同様である）、ペンタハロフェニル基、カルボニルオキシ基、スルホニルオキシ基、スルホニル基、スルフィニル基、ヘテロ環基、スルファモイル基などが挙げられる。中でも、ヘテロ環基、ペルハロゲノアルキル基、シアノ基、オキシカルボニル基、カルバモイル基、スルホニル基、スルファモイル基、アシル基が好ましく、ベンズオキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンズイミダゾール、シアノ基、オキシカルボニル基、スルホニル基、スルファモイル基、アシル基が特に好ましい。
【００４８】
前記一般式（Ｉ）中、Ｌ１は２価の１ないし２環のアリール基、２価のヘテロ環基を表す。ここで、前記アリール基またはヘテロ環基（所定の連結基で連結された場合の各基を含む）は、Ａｒ１が表す２価のアリール基またはヘテロ環基と各々同義である。前記ヘテロ環基としては、チオフェン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾトリアゾールの２価の基が好ましい。
【００５０】
前記一般式（１）中、Ｌ1の例としては以下のものが挙げられる．。
【００５１】
【化１７】
0004256556.tif 000007
【００５２】
【化１８】
0004256556.tif 000008
【００５３】
前記一般式（Ｉ）で表されるアミン化合物の中でも、前記一般式（ＩＩ）で表されるアミン化合物が好ましい。
前記一般式（ＩＩ）中、Ａｒ１は２価の炭素数６〜２０のフェニル基、または、ナフチル基を表し、Ｒ２およびＲ３は各々独立して、炭素数６〜１４のフェニル基、ナフチル基、アントリル基を表し、Ａｒ８はフェニル基、炭素数６〜３０の置換フェニル基、ベンゾオキサゾール基のいずれかを表し、Ａｒ８で表される炭素数６〜３０の置換フェニル基、ベンゾオキサゾール基のいずれかはアミノ基で置換されていることはない。
【００５４】
前記一般式（ＩＩ）中、Ｒ４ｂ、Ｒ５ｂ、Ｒ６ｂ、およびＲ７ｂは各々独立して、水素原子またはシアノ基を表し、Ｒ４ｂ、Ｒ５ｂ、Ｒ６ｂおよびＲ７ｂがすべて同時に水素原子になることはない。
【００５６】
前記一般式（ＩＩ）中、Ｌ２は２価の炭素数６〜２０のフェニル基を表す。
【００５７】
前記一般式（II）で表されるアミン化合物の中でも、前記一般式（III）で表されるアミン化合物が好ましい。
前記一般式（III）中、Ａｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ａｒ8、およびＬ2は、一般式（II）の各々と同義であり、好ましい範囲も同様である。
【００５８】
前記一般式（ＩＩＩ）中、Ｒ４ｃはシアノ基を表し、Ｒ５ｃ、Ｒ６ｃ、Ｒ７ｃは各々独立して、水素原子またはシアノ基を表す。
【００５９】
前記一般式（III）で表されるアミン化合物の中でも、前記一般式（IV）で表されるアミン化合物が好ましい。
【００６０】
前記一般式（ＩＶ）中、Ａｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ａｒ８およびＬ２は、前記一般式（ＩＩ）の各々と同義であり、好ましい範囲も同様である。
前記一般式（ＩＶ）中、Ｒ４ｄおよびＲ７ｄはシアノ基を表す。
【００６５】
前記一般式（ＩＶ）で表されるアミン化合物の中でも、前記一般式（ＶＩＩ）で表されるアミン化合物が好ましい。
Ａｒ１は２価の炭素数６〜２０のフェニル基、または、ナフチル基を表し、Ａｒ２およびＡｒ３は各々独立して炭素数６〜１４のフェニル基、ナフチル基、アントリル基を表す。Ａｒ８は炭素数６〜３０の置換フェニル基、ベンゾオキサゾール基のいずれか表し、Ａｒ８はアミノ基で置換されていることはない。Ｒ４ｇおよびＲ７ｇはシアノ基を表す。
Ｌ３は、２価の炭素数６〜２０のフェニル基を表す。前記Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、及びＬ３は、置換基を有しても良く、それぞれ独立に当該置換基はアルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基、置換アミノ基である。Ａｒ８は置換基を有しても良く、当該置換基はアルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基である。
【００６６】
前記一般式（Ｉ）〜（ＶＩＩ）で表される化合物は低分子量化合物であってもよいし、一般式（Ｉ）〜（ＶＩＩ）で表される残基がポリマー主鎖に接続された高分子量化合物（好ましくは重量平均分子量１０００〜５００００００、特に好ましくは５０００〜２００００００、さらに好ましくは１００００〜１００００００）もしくは、一般式（Ｉ）〜（ＶＩＩ）の骨格を主鎖にもつ高分子量化合物（好ましくは重量平均分子量１０００〜５００００００、特に好ましくは５０００〜２００００００、更に好ましくは１００００〜１００００００）であってもよい。高分子量化合物の場合は、ホモポリマーであってもよいし、他のモノマーとの共重合体であってもよい。
尚、本明細書において、（Ｉ）〜（ＶＩＩ）、（ＩＩ）〜（ＶＩＩ）は（Ｖ）、（ＶＩ）を含まないものとする。
【００６７】
前記一般式（Ｉ）〜（VII）で表される化合物としては、好ましくは、低分子量化合物である。また、前記一般式（Ｉ）〜（VII）は便宜的に極限構造式で表しているが、その互変異性体であってもよい。
【００６８】
前記一般式（Ｉ）で表される化合物の好ましい置換基の組み合わせについて説明する。尚、前記一般式（Ｉ）で表される化合物の中でも、種々の置換基の少なくとも１つが以下の好ましい範囲である化合物が発光特性の点で好ましく、より多くの種々の置換基が以下の好ましい範囲である化合物が発光特性の点でより好ましく、全ての置換基が以下の好ましい範囲である化合物が発光特性の点で最も好ましい。以下一般式（ＩＩ）〜（ＶＩＩ）で表される化合物の好ましい置換基の組み合わせについても同様である。
Ａｒ１は２価の炭素数６〜３０の単環ないし５環のアリール基を表し、縮環していてもよい。Ｒ２およびＲ３は各々独立して、炭素数６〜３０の単環ないし４環のアリール基を表す。Ａｒ８は、炭素数６〜３０の単環または４環のアリール基、ベンズオキサゾール基、ベンゾチアゾール基またはベンズイミダゾール基を表し、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。Ａｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＡｒ８は置換基を有してもよく、置換基としてはアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アリール基、アルコキシ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルアシル基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、ヒドロキシ基、ヘテロ環基が好ましく、これらの置換基はさらに置換されていてもよい。Ａｒ１、Ｒ２およびＲ３は連結して環を形成してもよく、形成される環としては、好ましくは５員環ないし７員環である。
【００６９】
Ｒ４ａ、Ｒ５ａ、Ｒ６ａおよびＲ７ａは各々独立して、水素原子またはシアノ基を表し、Ｒ４ａ、Ｒ５ａ、Ｒ６ａおよびＲ７ａの少なくとも一つはσｐ値が０．２以上の電子吸引性基であるシアノ基を表す。
【００７０】
Ｌ１は２価のアリール基もしくはヘテロ環基を表す。ここで、２価のアリール基（ヘテロ環基と連結されたアリール基を含む）は、炭素数６〜３０の単環ないし５環のアリール基、２価のヘテロ環基（アリール基と連結されたヘテロ環基を含む）は、窒素原子、酸素原子または硫黄原子を含む炭素数１〜２０の２価の５ないし６員の芳香族ヘテロ環基を表すのが好ましい。さらに縮環して２〜５環を形成しても良い。中でも、前記ヘテロ環基は、チオフェン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾトリアゾールであるのがより好ましい。
【００７２】
前記一般式（Ｉ）で表される化合物のさらに好ましい置換基の組み合わせは、一般式（ＩＩ）で表される。
Ａｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＡｒ８の好ましい範囲については、前記一般式（Ｉ）の好ましい範囲と同義である。Ｒ４ｂ、Ｒ５ｂ、Ｒ６ｂおよびＲ７ｂは各々独立して、水素原子またはシアノ基を表すのが好ましい。Ｒ４ｂ、Ｒ５ｂ、Ｒ６ｂ、およびＲ７ｂがすべて同時に水素原子になることはない。
【００７４】
前記一般式（ＩＩ）のさらに好ましい置換基の組み合わせは、一般式（ＩＩＩ）で表される。
Ａｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ａｒ８およびＬ２の好ましい範囲は、一般式（ＩＩ）の各々の好ましい範囲と同義である。Ｒ４ｃはシアノ基を表し、Ｒ５ｃ、Ｒ６ｃおよびＲ７ｃは各々独立して、水素原子またはシアノ基を表す。
【００７５】
前記一般式（III）のさらに好ましい置換基の組み合わせは、一般式（IV）で表される。
Ａｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ａｒ8およびＬ2の好ましい範囲は、前記一般式（II）の各々の好ましい範囲と同義である。Ｒ4dおよびＲ7dの好ましい範囲は、各々一般式（III）のＲ4cと同義である。
【００７８】
前記一般式（ＩＶ）のさらに好ましい置換基の組み合わせは、前記一般式（ＶＩＩ）で表される。
Ａｒ１は２価の炭素数６〜２０のフェニル基、または、ナフチル基を表し、Ａｒ２およびＡｒ３は各々独立して炭素数６〜１４のフェニル基、ナフチル基、アントリル基を表す。Ａｒ８は炭素数６〜３０の置換フェニル基、ベンゾオキサゾール基のいずれか表し、Ａｒ８はアミノ基で置換されていることはない。Ｒ４ｇおよびＲ７ｇはシアノ基を表す。
Ｌ３は、２価の炭素数６〜２０のフェニル基を表す。前記Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３、及びＬ３は、置換基を有しても良く、それぞれ独立に当該置換基はアルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基、置換アミノ基である。Ａｒ８は置換基を有しても良く、当該置換基はアルキル基、アルケニル基、アリール基、アルコキシ基である。
【００７９】
以下に、前記一般式（Ｉ）で表される化合物の具体例Ｄ−１〜４２を挙げるが本発明はこれらに限定されるものではない。
【００８０】
【化１９】
0004256556.tif 000009
【００８１】
【化２０】
0004256556.tif 000010
【００８２】
【化２１】
0004256556.tif 000011
【００８３】
【化２２】
0004256556.tif 000012
【００８４】
【化２３】
0004256556.tif 000013
【００８５】
【化２４】
0004256556.tif 000014
【００８６】
【化２５】
0004256556.tif 000015
【００８７】
【化２６】
0004256556.tif 000016
【００８８】
【化２７】
0004256556.tif 000017
【００８９】
【化２８】
0004256556.tif 000018
【００９０】
【化２９】
0004256556.tif 000019
【００９１】
次に本発明の一般式（Ｉ）で表される化合物の合成例の一部を以下に示す。
合成例−１
例示化合物（Ｄ−２０）の合成
【００９２】
【化３０】
0004256556.tif 000020
【００９３】
テレフタルアルデヒド  ２６．８ｇとエチレングリコール  １３．１ｇをトルエン  ２５０ｍｌに溶解し、さらにパラトルエンスルホン酸（ＰＴＳ）  ０．２ｇを添加し、モレキュラーシーブ存在下で１４時間加熱還流した。反応終了後、トルエンを留去し、中間体Ａを油状物として得た。得られた中間体Ａに４−ブロモベンジルシアニド  ３９．２ｇを添加し、さらにｔ−ブトキシカリウム  ２．２４ｇをエタノール  ６００ｍｌに溶解したものを添加し、６時間加熱還流した。反応液を一晩放冷した後、析出した結晶を濾取し、中間体Ｂ  ４９．２ｇを得た。つぎに、窒素雰囲気下、ジフェニルアミン  ７．１ｇを、ｏ−キシレン  １５０ｍｌに溶解したものに、ｔ−ブトキシナトリウム  ４．６ｇ、酢酸パラジウム  ０．２２４ｇ、中間体Ｂ  １４．２ｇ、ｔ−ブチルホスフィン  ０．８ｇを順次添加し、１０５℃で６時間加熱攪拌した。反応終了後、反応液に酢酸エチルを添加し、セライトろ過にて不溶分を除去した。得られた酢酸エチル溶液を水洗、脱水後、濃縮し、得られた結晶をシリカゲルクロマトグラフィーにて精製し、中間体Ｃ  ８．１ｇを得た。
【００９４】
得られた中間体Ｃ  ６．２５ｇを２００ｍｌのアセトンに溶解したものに、０．５ｇパラトルエンスルホン酸の水溶液４０ｍｌを添加し、５０℃で４時間加熱攪拌した。反応終了後、酢酸エチルにて抽出、乾燥後濃縮し、エタノールを添加攪拌し、結晶を濾取乾燥し、中間体Ｄ  ５．４ｇを得た。中間体Ｄ  ０．２ｇと、２−シアノメチルベンズオキサゾール  ０．０９ｇをエタノール  ３０ｍｌに溶解したものに、０．０５ｇピペリジンを添加し、６時間加熱還流した。放冷後、結晶を濾取し、シリカゲルクロマトグラフィーにて精製し、得られた結晶をクロロホルム−エタノールで再結晶し、目的の例示化合物（Ｄ−２０）２３０ｍｇを得た（吸収スペクトルλｍａｘ＝４７０ｎｍ  ジクロロエタン中）。
【００９５】
合成例−２
合成例−１と同様の方法で目的の例示化合物（Ｄ−１）を得た（吸収スペクトルλｍａｘ＝４４０ｎｍ  ジクロロエタン中）。
合成例−３
合成例−１と同様の方法で目的の例示化合物（Ｄ−２）を得た（吸収スペクトルλｍａｘ＝４４２ｎｍ  ジクロロエタン中）。
合成例−４
合成例−１と同様の方法で目的の例示化合物（Ｄ−３）を得た（吸収スペクトルλｍａｘ＝４４６ｎｍ  ジクロロエタン中）。
合成例−５
合成例−１と同様の方法で目的の例示化合物（Ｄ−６）を得た（吸収スペクトルλｍａｘ＝４４５ｎｍ  ジクロロエタン中）。
【００９６】
次に、本発明の発光素子について説明する。
本発明の発光素子は、一対の電極と、該電極に挟持された、前記一般式（Ｉ）〜（VII）のいずれかで表されるアミン化合物の少なくとも１種を含有する有機薄層を有する。前記アミン化合物は、高輝度の発光特性を示すので、前記有機薄層は発光層として機能させることができる。また、前記有機薄層に、前記例示化合物以外の他の材料を含有させることによって、発光層および他の層の機能を兼ね備えた層とすることもできる。また、本発明の発光素子は、前記有機薄層以外にも、他の発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、保護層等を有してもよく、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備えたものであってもよい。各層の形成にはそれぞれ種々の材料を用いることができる。
【００９７】
有機薄層の形成方法は、特に限定されるものではなく、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティング法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）、ＬＢ法、インクジェット法、印刷法などが用いられる。発光素子の諸特性および製造の容易性等の観点から、抵抗加熱蒸着、またはコーティング法により形成するのが好ましい。コーティング法による場合、前記有機薄層は、前記アミン化合物を溶媒に溶解または分散させた塗布液を、陽極等に塗布し、乾燥することによって形成することができる。この場合、前記化合物を樹脂成分とともに、溶媒に溶解または分散して、塗布液を調製することもできる。用いる樹脂成分としては、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等が挙げられる。
尚、有機薄層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍであり、好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、より好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００９８】
前記有機薄層は、前記アミン化合物以外に、他の発光材料を含有していてもよい。該発光材料としては、例えば、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノール誘導体の金属錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物等が挙げられる。
【００９９】
本発明の発光素子は、陽極と陰極とからなる一対の電極を有する。前記陽極は正孔注入層、正孔輸送層、発光層などに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用いて構成することができ、仕事関数が４ｅＶ以上の材料で構成するのが好ましい。具体的には、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、およびこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられる。好ましくは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からＩＴＯが好ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜５００ｎｍである。
【０１００】
陽極は、通常、ソーダライムガラス、無アルカリガラスまたは透明樹脂等からなる基板上に、前記材料からなる層を形成したものが用いられる。基板としてガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いるのが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施したものを使用するのが好ましい。前記基板の厚みは、機械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガラスを用いる場合には、通常０．２ｍｍ以上、好ましくは０．７ｍｍ以上のものを用いる。基板上に前記材料からなる層を形成する際には、材料に応じて種々の方法が用いられるが、例えばＩＴＯ電極を作製する場合は、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法（ゾル−ゲル法など）、酸化インジウムスズの分散物の塗布等の方法を用いることができる。作製した陽極に、洗浄処理やその他の処理を施すことによって、素子の駆動電圧を低下させたり、発光効率を向上させることも可能である。例えば、ＩＴＯ電極の場合、ＵＶ−オゾン処理、プラズマ処理などが効果的である。
【０１０１】
前記陰極は電子注入層、電子輸送層、発光層などに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送層、発光層などの負極と隣接する層との密着性やイオン化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。陰極の材料としては金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物を用いることができ、具体的には、アルカリ金属（例えばＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）及びそのフッ化物、アルカリ土類金属（例えばＭｇ、Ｃａ等）及びそのフッ化物、金、銀、鉛、アルニウム、ナトリウム−カリウム合金またはそれらの混合金属、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属、インジウム、イッテリビウム等の希土類金属等が挙げられる。好ましくは仕事関数が４ｅＶ以下の材料であり、より好ましくはアルミニウム、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属等である。陰極は、上記化合物及び混合物の単層構造であっても、上記化合物及び混合物の層を２以上積層した積層構造であってもよい。陰極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜１μｍである。陰極の作製には電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法などの方法が用いられ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同時に蒸着することもできる。さらに、複数の金属を同時に蒸着して合金電極を形成することも可能であり、またあらかじめ調整した合金を蒸着させてもよい。陽極及び陰極のシート抵抗は低い方が好ましく、数百Ω／□以下が好ましい。
【０１０２】
本発明の発光素子は、発光層を少なくとも１層有する。前記発光層は、電界印加時に陽極、正孔注入層または正孔輸送層から正孔を注入することができるとともに、陰極、電子注入層または電子輸送層から電子を注入することができる機能や、注入された電荷を移動させる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。本発明において、前記発光層は、前記一般式（Ｉ）〜（VII）のいずれかで表されるアミン化合物の少なくとも１種であるのが好ましいが、他の発光材料を併用することもできる。他の発光材料としては、例えば、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノール誘導体の金属錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物等が挙げられる。発光層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【０１０３】
本発明の発光素子は、正孔注入層および／または正孔輸送層を有していてもよい。正孔注入層および正孔輸送層に含有させる材料としては、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれか有しているものであればよい。その具体例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー等が挙げられる。正孔注入層および正孔輸送層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。正孔注入層および正孔輸送層は上述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
尚、前述した様に、前記アミン化合物を前記材料とともに、正孔注入層および／または正孔輸送層に含有させて、発光層と、正孔注入層および／または正孔輸送層との機能を兼ね備えた層としてもよい。
【０１０４】
正孔注入層および正孔輸送層の形成方法としては、真空蒸着法、ＬＢ法、インクジェット法、印刷法、前記正孔注入輸送剤を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）が用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂などが挙げられる。
【０１０５】
本発明の発光素子は、電子注入層および／または電子輸送層を有していてもよい。電子注入層、電子輸送層の材料は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれか有しているものであればよい。その具体例としては、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルビジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体等が挙げられる。本発明の発光素子に用いられる電荷輸送材料としては、好ましくは、縮合へテロ環構造を有する化合物であり、具体的には、特願平１１−２０７９５７号の明細書に記載された化合物（より好ましくは、一般式（IX）で表される化合物）が好ましい。電子注入層および電子輸送層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常、１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。電子注入層および電子輸送層は、前記材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
電子注入層、電子輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法やインクジェット法、印刷法、前記電子注入輸送剤を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）などが用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、正孔注入輸送層の場合に例示したものが適用できる。
尚、前述した様に、前記アミン化合物を前記材料とともに、電子注入層および／または電子輸送層に含有させて、発光層と、電子注入層および／または電子輸送層との機能を兼ね備えた層としてもよい。
【０１０６】
本発明の発光素子は保護層を有していてもよい。前記保護層の材料としては、保護層は、水分や酸素等の素子劣化を促進する成分が素子内に浸入するのを抑止する機能を有する層である。該層に含有される具体的には、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、ＴｉＯ2等の金属酸化物、ＭｇＦ2、ＬｉＦ、ＡｌＦ3、ＣａＦ2等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等を含有する層が挙げられる。保護層の形成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、インクジェット法を適用できる。
【０１０７】
【実施例】
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれにより限定されるものではない。
［実施例１］
２５ｍｍ×２５ｍｍ×０．７ｍｍのガラス基板上にＩＴＯを１５０ｎｍの厚さで製膜したもの（東京三容真空（株）製）を透明支持基板とした。この透明支持基板をエッチング、洗浄後、銅フタロシアニンを約１０ｎｍ蒸着した。次に、第２層として、ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン）を約４０ｎｍ、第３層として、例示化合物Ｄ−１を約４０ｎｍ、および第４層として、Ａｌｑ（トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム）を約２０ｎｍ、順に１０-3〜１０-4Ｐａの真空中で、基板温度室温の条件下蒸着した。次に、順次形成した有機薄膜上にパターニングしたマスク（発光面積が５ｍｍ×５ｍｍとなるマスク）を設置し、蒸着装置内でマグネシウム：銀＝１０：１を２５０ｎｍ共蒸着した後、銀３００ｎｍを蒸着し陰極を形成した。前記工程により発光素子を作製した。
【０１０８】
［実施例２〜４］
実施例１で用いた例示化合物Ｄ−１を下記表１に示す例示化合物に代えた以外は、実施例１と同様にして、発光素子を作製した。
［実施例５］
実施例１で用いた例示化合物Ｄ−１をＤ−２０に、Ａｌｑを下記構造式で表される化合物ＥＴ−１に代えた以外は、実施例１と同様にして、発光素子を作製した。
【０１０９】
【化３１】
0004256556.tif 000021
【０１１０】
［比較例１〜３］
実施例１で用いた例示化合物Ｄ−１を、下記表１に示す比較化合物に代えた以外は、実施例１と同様にして発光素子を作製した。
【０１１１】
作製した各々の発光素子を、東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直流定電圧をＥＬ素子に印加し、発光させ、その輝度、発光波長、色度座標を求めた。輝度はトプコン社の輝度計ＢＭ−８で測定した。また、発光波形を浜松ホトニクス社製スペクトルアナライザーＰＭＡ−１１で測定し、その測定値から計算により色度座標を求めた。橙色〜赤色の発光としては、色度座標（ｘ，ｙ）がｘ＞０．５５、ｙ＜０．４５であるのが好ましい。また、ダークスポットの１００時間発光後の輝度を以下の基準で評価した。結果を下記表１に示す。
○：目視でダークスポットが確認できない
△：ダークスポットが少ない
×：ダークスポットが多い
【０１１２】
【表１】
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【０１１３】
【化３２】
0004256556.tif 000023
【０１１４】
表１の結果から明らかな様に、緑青色発光する比較化合物Ａや緑色発光する比較化合物Ｃに対し、実施例で使用した本発明の化合物は、橙色から赤色発光可能である。また、単独で発光層として用いると、比較化合物Ｂでは輝度が低いのに対し、実施例で使用した本発明の化合物は高輝度発光が可能であった。また、実施例の発光素子は、比較例の発光素子と比較して、素子作製時の面状が均質であり、駆動によるダークスポットの発生も少なく、耐久性にも優れていたことが実証された。また、特に、ＥＴ−１と組み合わせるとより高輝度発光化できることが示された。
【０１１５】
［実施例６〜８］
実施例１と同様にＩＴＯ基板をエッチング、洗浄後、ＴＰＤを約４０ｎｍ蒸着した。その後、下記表２に記載の各化合物およびＡｌｑ（トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム）をそれぞれ蒸着速度０．０４Å／秒、４Å／秒で膜厚約４０ｎｍとなるように共蒸着した。さらにＡｌｑを単独で２０ｎｍ蒸着し、次いで、実施例１と同様に陰極を蒸着し、発光素子を各々得た。得られた発光素子について、実施例１と同様の評価を行った。結果を下記表２に示す。
【０１１６】
【表２】
0004256556.tif 000024
【０１１７】
表２の結果から明らかな様に、本発明の化合物をドープ色素として用いると高輝度発光が可能で、耐久性に優れた発光材料となり得ることが示された。
【０１１８】
［実施例９〜１１］
実施例１と同様にＩＴＯ基板をエッチング、洗浄後、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）を４０ｍｇ、ＰＢＤ（２−（４−ビフェニルイル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール）を１２ｍｇ、下記表３に示す各化合物  ０．５ｍｇを１，２−ジクロロエタン３ｍｌに溶解し、洗浄したＩＴＯ基板上にスピンコートした。作製した有機薄膜の膜厚は約１００ｎｍであった。次いで実施例１と同様に陰極を蒸着し、発光素子を各々得た。得られた発光素子について、実施例１と同様の評価を行った。結果を下記表３に示す。
【０１１９】
【表３】
0004256556.tif 000025
【０１２０】
下記表３の結果から明らかな様に、本発明の化合物を用いた実施例の発光素子では、通常発光輝度が低い塗布方式においても低電圧駆動、高輝度発光が可能であった。
【０１２１】
［実施例１２］
実施例１と同様にＩＴＯ基板をエッチング、洗浄後、例示化合物Ｄ−３を約６０ｎｍ蒸着した後、Ａｌｑを約４０ｎｍ蒸着した。次いで実施例１と同様に陰極を蒸着し、発光素子を作製した。
作製した素子を評価した結果、１５Ｖで輝度９００ｃｄ／ｍ2を示した。λｍａｘ＝６４６ｎｍ、ＣＩＥ色度（ｘ、ｙ）＝（０．６２、０．３４）の高輝度発光が観測され、本発明の化合物が正孔注入輸送剤兼発光剤として有効であることがわかった。
【０１２２】
［実施例１３］
実施例１と同様にエッチング、洗浄したＩＴＯガラス基板上に、  ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’  −ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’  −ジフェニルベンジジン）を約４０ｎｍ、例示化合物Ｄ−２０を約２０ｎｍ、バソクプロインを約１０ｎｍおよびＡｌｑ（トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム）約３０ｎｍを蒸着した。次いで実施例１と同様に陰極を蒸着し、発光素子を作製した。
作製した素子を評価した結果、１６Ｖで輝度１０００ｃｄ／ｍ2の高輝度発光を示した。
【０１２３】
［実施例１４］
実施例１と同様にエッチング、洗浄したＩＴＯガラス基板上に、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）を４０ｍｇ、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾールを１２ｍｇ、テトラフェニルブタジエンを１０ｍｇ、および例示化合物Ｄ−１  ０．１ｍｇを、１，２−ジクロロエタン３ｍｌに溶解した溶液をスピンコートした。このときの有機層の膜厚は約１２０ｎｍであった。次いで実施例１と同様に陰極を蒸着し、発光素子を作製した。
作製した素子にＩＴＯ電極を陽極、Ｍｇ：Ａｇ電極を陰極として直流電圧を印加して発光特性を調べたところ、１５ＶでＣＩＥ色度図上（ｘ、ｙ）＝（０．３７、０．３４）の白色発光（輝度１９００ｃｄ／ｍ2）が得られ、白色発光に有効であることがわかった。
【０１２４】
【発明の効果】
本発明のアミン化合物を含有する有機発光素子は、高輝度発光可能であり、特に、従来高輝度発光が困難とされていた非ドープ型素子（発光層を単独色素で形成した素子）で高輝度発光を可能にし、耐久性に優れる素子を与えるという特徴を有する。従って、前記アミン化合物を用いることによって、発光特性が良好であるとともに、素子間の性能のばらつきが小さく、製造コスト面等で有利な素子の提供が可能となる。また、前記アミン化合物を用いることによって、通常発光輝度の低い塗布方式により発光層を形成した場合であっても、発光素子は良好な発光特性を示す。