(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁材料上の少なくとも片面に金属層を備える回路形成材料を準備する工程、
前記金属層表面にバンプ（第一の配線パターン）形状のレジスト像を形成する工程、
前記金属層をハーフエッチングしてバンプ（第一の配線パターン）を形成する工程、
前記バンプ（第一の配線パターン）を含む第二の配線パターン形状であり、前記バンプ（第一の配線パターン）内域の所定個所該当部にレジスト切欠部が構成されているレジスト像を形成する工程、
前記金属層をエッチングして、バンプ内域に彫り込みが形成されたバンプ（第一の配線パターン）を含む第二の配線パターンを形成する工程を備える配線部材の製造法。
【請求項２】
バンプ（第一の配線パターン）に形成された彫り込みが、十字マークである請求項１記載の配線部材の製造法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プリント基板、集積回路用基板、液晶表示基板、半導体パッケージ用基板（半導体チップ搭載用基板、フリップチップ用基板）などの高密度配線基板や、半導体、各種パッケージにおける導通抵抗検査、バーンインテストをはじめとする接触導通を要する電気的検査用基板に使用される配線部材の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
プリント基板上への電子部品実装密度が増大しており、このため実装部の相互配置間隔が縮小している。相互結線が確保できるようにする微細配線化および多層化技術が進むに伴い、これら配線形成技術を駆使して、半導体実装基板によるパッケージの小型化が図られている。たとえば、シリコン基板上に半導体素子が集積回路化されたベアチップをこれまで、リードフレームに実装封止して、挿入部品もしくは面実装部品としてきた。これに対し、ベアチップを複数個、ひとつの基板にワイヤボンド接続またはＴＡＢ接続あるいはＣＣＢ接続し封止後、リードフレームに実装して機能化する形態であるＭＣＭはＣＯＢ、ＰＧＡ、ＨＩＣの分野と特徴づけは、明確でないが、ひとつの指標として、実装基板面積に対するデバイスの面積比率が３０％以上と定義されている。このような、基板はシリコンを基板とするＭＣＭーＤ、セラミック系材料を基板とするＭＣＭーＣ、有機材料を基板とするＭＣＭーＬに分けられる。一方、近年ではベアチップの外形寸法に限りなく、パッケージサイズに近づけるＣＳＰ技術が台頭している。
これらの、基板は所定パターンの形成を電気的なオーブンショートテストで確認する必要がある。また、パッケージとなってからは、初期不良テストのため１２５℃でバーンインテストが必要である。
この背景から、高温でも酸化被膜を作らず、導電性のよい検査用接触端子および安価な製造法が望まれている。
また、プリント基板、集積回路用基板、液晶表示基板、半導体パッケージ用基板（半導体チップ搭載用基板、フリップチップ用基板）などの高密度配線基板の安価な製造法が望まれている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、プリント基板、集積回路用基板、液晶表示基板、半導体パッケージ用基板などの高密度配線基板や、半導体、各種パッケージにおける導通抵抗検査、バーンインテストをはじめとする接触導通を要する電気的検査用基板に使用される信頼性に優れる配線板の製造法及びバンプ付配線基板の安価な製造法を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明の配線部材の製造法は、絶縁材料上の少なくとも片面に金属層を備える回路形成材料を準備する工程、前記金属層表面にバンプ（第一の配線パターン）形状のレジスト像を形成する工程、前記金属層をハーフエッチングしてバンプ（第一の配線パターン）を形成する工程、前記バンプ（第一の配線パターン）を含む第二の配線パターン形状であり、前記バンプ（第一の配線パターン）内域の所定個所該当部にレジスト切欠部が構成されているレジスト像を形成する工程、前記金属層をエッチングして、バンプ内域に彫り込みが形成されたバンプ（第一の配線パターン）を含む第二の配線パターンを形成する工程を備えるものである。バンプ（第一の配線パターン）に形成された彫り込みとしては、十字マークが好ましい。
【０００５】
【発明の実施の形態】
図面に基づいて本発明の実施例を説明する。
図１に絶縁材料の片面に金属層を備える回路形成材料を準備する工程を示す。１で示す金属層の３５μｍの電解銅箔または圧延銅箔が、２で示すポリイミド、あるいはガラス／エポキシ等の積層板の絶縁材料上に形成された基板を用いる。絶縁材料はセラミクス等の無機材料であっても良い。基板の構成は、両面銅箔付き基板であっても、パネルめっきされた多層板であってもよく、少なくとも片面に銅等の金属層があればよい。この銅箔表面は、必ずしも平滑である必要はなく、粗化処理されていることがのぞましい。粗化の程度を、一般に広く知られるＪＩＳ表面粗さ（Ｂ０６０１）に基づく粗さパラメータであらわすと、中心線平均粗さＲａでは、０．０５〜５μｍ、最大粗さＲｔでは１から５μｍの範囲がよい。また、パラメータ表記はできないが、このような一次粗化に２次粗化を施してもよい。
【０００６】
図２に示すように基材の金属層面に、レジストフィルムをラミネートし、露光・現像してレジスト像（第一の配線パターン形状のレジスト像）３を形成する。レジスト像は、例えば３００μｍ径の円形状バンプが後の平滑エッチングで形成されるような突起群の像である。レジストは例えば日立化成工業（株）製レジストＨｉ―ＲＣ（商品名）、日本合成化学工業（株）製レジスト４０１ｙ２５（商品名）などが有効である。４０１ｙ２５の場合では、ロール温度１１０℃、ロール速度は０．６ｍ／ｍｉｎの条件でレジストをラミネートする。この後、積算露光量約８０ｍＪ／ｃｍ2の露光条件で突起群の像を焼き付ける。現像は、炭酸ナトリウム溶液または、水酸化テトラメチルアンモニウムで現像する。この後望ましくは、レジストの密着を確実なものとするために１００〜３００ｍＪ／ｃｍ2で後露光するとよい。
【０００７】
図３に平滑エッチング工程を示す。主成分が硫酸、過酸化水素からなる液で銅層を２０〜２５μｍハーフエッチングする。液として例えば、三菱ガス化学社製化学研磨液ＳＥ−０７（商品名）またはＣＰＥ−７５０（商品名）やＣＰＳ（商品名）あるいはその混合液を用いる。過酸化水素濃度は２．０〜６．０／１００ｍｌ銅濃度は４．０〜１０．０ｇ／１００ｍｌに調整し、コンベアエッチング装置のシャワーリングにより液温度２０〜３５℃の範囲でエッチングを行う。この後、水酸化ナトリウムまたは、水酸化カリウム溶液で該レジストを剥離する。これにより、図４に示すような１０〜１５μｍの銅層の上に４で示すバンプ（第一の配線パターン）が形成される。
【０００８】
図５、図６に、第二の配線パターンのレジスト形成工程を示す。第二の配線パターンのレジストには、第一の配線パターン内域に彫り込みが形成されるように第一の配線パターン内域の該当個所にレジスト切欠部が構成されている。
５で示すレジストとして、例えば日立化成工業（株）製レジストＨｉ―ＲＣ（商品名）、日本合成化学工業（株）製レジスト４０１ｙ２５（商品名）をロール温度１１０℃でラミネートする（図５）。速度は、バンプレジスト像形成の場合より速度を半減させ０．３ｍ／ｍｉｎでラミネートする。これによりバンプ群の段差による気泡巻き込みをなくすことが出来る。この後、図７に示す配線パターンのネガイメージを積算露光量約８０ｍＪ／ｃｍ2の露光条件の露光条件で焼き付ける。この際のマスク位置あわせにおいて、図７に示す第二の配線パターンのネガイメージの中にあるレジスト切欠部となる十字マーク６が、平滑エッチングで形成されたバンプ（第一の配線パターン）４上に来るように位置合わせをする。現像は、炭酸ナトリウム溶液または、水酸化テトラメチルアンモニウムで現像する（図６）。
【０００９】
図８、図９に第二の配線パターンのパターンエッチング工程の断面図を示す。主成分が塩化第二鉄、塩化第二銅のエッチング液、あるいはアルカリエッチング液たとえばメルストリップ社製Ａプロセス液で、前記ハーフエッチングで残った厚さ１０〜１５μｍの銅をエッチングする（図８）。この際、バンプ４上に窓明けされた（レジスト切欠部）十字パターン６もエッチングされ、バンプ４内が彫り込まれる。配線エッチングにオーバーエッチングを施せば、十字パターン６のエッチング深さを１５μｍ以上にも可能である。この後、水酸化ナトリウムまたは、水酸化カリウム溶液でレジスト５を剥離し、第二の配線パターン形成と同時にバンプ４内域を十字形状に彫り込んだ配線形状を得ることができる（図９）。
【００１０】
このあと、十字形状に彫り込まれたバンプ４である突起電極部を含む範囲以外は、極力ソルダレジストで保護することが望ましく、配線の断線保護に有効であり、後工程でめっきする場合はめっき面積を低減できる。ソルダレジストとして、例えば四国化成製レジストＦＣハードをスクリーン印刷、熱硬化する。この後、無電解または電解により、突起電極部を含むパターン上にニッケル、金の順でめっきを行う。これにより、半導体実装用基板の最小構成ができる。また、この基板を検査用基板に活用するために、金表面に日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社製厚付け用低応力ロジウムめっき液を使用して電解ロジウムをめっきすることも可能である。電解ロジウムめっきの条件は、例えば液温５０〜６０℃、電流密度２Ａ／ｄｍ2、電圧４Ｖ、時間１５０秒である。
【００１１】
以上のように、本発明では、絶縁材料２上に金属層を備える回路形成材料を準備し、金属層表面にバンプ形状のレジスト像を形成し、金属層をハーフエッチングしてバンプ４を形成し、バンプ４を含む所定配線パターン形状のレジスト像を形成する。レジスト像には、バンプ４内域に彫り込みが形成されるように十字マークのレジスト切欠部が構成されている。金属層をエッチングして十字マークの彫り込みが形成されたバンプ４付き配線パターンを形成するものである。
【００１２】
【発明の効果】
本発明では、単層銅箔からエッチングでバンプを形成することが可能で、バンプを形成する電極上に複数のバンプを形成する際に、復数のバンプをハーフエッチング工程で形成する工程に対して、単数のバンプ内域を配線（第二の配線パターン）形成時のエッチングで彫り込むことで、バンプ内域の切欠き部の傾斜角度を従来より大きくできる。またレジストの密着力不足を改善できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】絶縁材料の片面に金属層を備える回路形成材料を準備する工程を説明するための断面図である。
【図２】金属層上に所定形状のレジスト像を形成する工程を説明するための断面図である。
【図３】ハーフエッチングによりバンプを形成する工程を説明する断面図である。
【図４】ハーフエッチング後レジストを除去し形成されるバンプの断面図である。
【図５】金属層に形成されたバンプを含むようにレジストをラミネートした断面図である。
【図６】図７に示すネガイメージを用いて露光現像したときの断面図である。
【図７】配線および後の配線エッチングで、バンプ内部を彫り込むための十字マークをふくむ配線ネガイメージの正面図である。
【図８】配線エッチング工程を示す断面図である。
【図９】レジストを剥離して得られる、配線形成断面およびバンプ内部が彫り込まれ構造を示す断面図である。
【符号の説明】
１  金属層
２  絶縁層
３  レジスト像
４  バンプ
５  レジスト像
６  十字マーク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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