(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス化させた窒素源と他の原料ガス（ＴＭＧ）とを基板（ＳＵＢ）上に供給し熱分解させて窒化化合物を気相成長する窒化物半導体の製造方法であって、
ヒドラジン（ＨＤ）を前記窒素源とし、
前記熱分解に供されなかった前記ヒドラジン（ＨＤ）を冷却して液化または固化させる回収工程を備えていることを特徴とする窒化物半導体の製造方法。
【請求項２】
半導体基板（ＳＵＢ）の表面にガス化した窒素源を供給し熱分解させ、半導体基板中の元素と化合させて半導体基板の表面を窒化させる窒化物半導体の製造方法であって、
ヒドラジン（ＨＤ）を前記窒素源としていることを特徴とする窒化物半導体の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の窒化物半導体の製造方法において、
前記他の原料ガスは、ＩＩＩ族またはＶ族の元素の少なくとも一方の有機金属化合物（ＴＭＧ）をガス化したものであることを特徴とする窒化物半導体の製造方法。
【請求項４】
請求項２記載の窒化物半導体の製造方法において、
前記半導体基板は、ＩＩＩ族またはＶ族の元素の化合物で形成された基板（ＳＵＢ）であることを特徴とする窒化物半導体の製造方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の窒化物半導体の製造方法において、
前記ヒドラジン（ＨＤ）は、無水ヒドラジンであることを特徴とする窒化物半導体の製造方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の窒化物半導体の製造方法において、
ヒドラジン（ＨＤ）を蒸留して基板（ＳＵＢ）上に供給することを特徴とする窒化物半導体の製造方法。
【請求項７】
ガス化させた窒素源と他の原料ガス（ＴＭＧ）とを基板（ＳＵＢ）上に供給し熱分解させて窒化化合物を気相成長する窒化物半導体の製造装置であって、
前記窒素源としてヒドラジン（ＨＤ）をガス化して供給する第１の供給源（３）と、
前記他の原料ガス（ＴＭＧ）を供給する第２の供給源（４）と、
前記第１の供給源および前記第２の供給源に接続され前記基板が内部に載置されて内部を加熱可能な反応室（２）とを備え、
前記反応室（２）には、前記熱分解に供されなかった前記ヒドラジン（ＨＤ）を誘導し冷却して液化または固化させる回収装置（１４）が接続されていることを特徴とする窒化物半導体の製造装置。
【請求項８】
半導体基板（ＳＵＢ）の表面にガス化した窒素源を供給し熱分解させ、半導体基板中の元素と化合させて半導体基板の表面を窒化させる窒化物半導体の製造装置であって、
前記窒素源としてヒドラジン（ＨＤ）をガス化して供給するヒドラジン供給源（３）と、
前記ヒドラジン供給源に接続され前記基板が内部に載置されて内部を加熱可能な反応室（１２）とを備え、
前記反応室（１２）には、前記熱分解に供されなかった前記ヒドラジン（ＨＤ）を誘導し冷却して液化または固化させる回収装置（１４）が接続されていることを特徴とする窒化物半導体の製造装置。
【請求項９】
請求項７または８記載の窒化物半導体の製造装置であって、
前記第１の供給源あるいは前記ヒドラジン供給源と前記反応室を接続するヒドラジン供給ラインに蒸留装置を設けることを特徴とする窒化物半導体の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＧａＮ（窒化ガリウム）やＩｎＮ（窒化インジウム）等の窒化物半導体の製造方法および製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、青色発光ダイオード等の材料として注目されているＧａＮやＩｎＮ、ＩｎＧａＮ等の窒化物半導体を製造する場合、一般には気相成長法、特にＭＯＶＰＥ(Metal Organic Vapor Phase Epitaxial)法が用いられている。
従来、例えばＧａＮの結晶をＭＯＶＰＥ法で成長させるには、水素ガスをキャリアガスとして用い、Ｇａ（ガリウム）源として液体状金属化合物であるＴＭＧ（トリメチルガリウム）をバブリングして、それらの上記を含ませたガスと窒素（Ｎ）源としてのアンモニア（ＮＨ3）ガスとを反応室で熱分解・合成させることにより、反応室内に載置された基板上にエピタキシャル成長させていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記窒化物半導体の製造手段では、以下のような課題が残されていた。すなわち、従来は窒素源としてアンモニアを用いているが、アンモニアは反応性が低く、大量のアンモニアが必要であるとともに、１２００℃程度の高温状態でないと結晶成長が起こり難く、良質の結晶を得ることが困難であるという不都合があった。
【０００４】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、少量の窒素源で低温成長ができるとともに、結晶性を向上させることができる窒化物半導体の製造方法および製造装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、窒化物半導体ＭＯＶＰＥ成長の熱力学解析を行った結果、以下の知見を得ることができた。
すなわち、ヒドラジン（Ｎ2Ｈ4）を窒素源とする窒化物半導体ＭＯＶＰＥ成長の熱力学解析を行ったところ、ヒドラジンを窒素源とする窒化物の生成反応（１）は、アンモニアを窒素源とする場合の生成反応（２）に比べると、図３に示すグラフからも分かるように、その平衡定数がかなり大きく、ヒドラジンが、アンモニアに比べて反応性に富んでいるＶ族原料であることがわかった。
ＩＩＩ（ｇ）＋1/2Ｎ2Ｈ4（ｇ）＝ＩＩＩＮ（ｓ）＋Ｈ2（ｇ）    （１）
ＩＩＩ（ｇ）＋ＮＨ3（ｇ）＝ＩＩＩＮ（ｓ）＋3/2Ｈ2（ｇ）     （２）
【０００６】
したがって、上記知見に基づいて、本発明は、前記課題を解決するため、以下の構成を採用した。すなわち、請求項１記載の窒化物半導体の製造方法では、ガス化させた窒素源と他の原料ガスとを基板上に供給し熱分解させて窒化化合物を気相成長する窒化物半導体の製造方法であって、ヒドラジンを前記窒素源とし、熱分解に供されなかったヒドラジンを冷却して液化または固化させる回収工程を備える技術が採用される。また、請求項７記載の窒化物半導体の製造装置では、ガス化させた窒素源と他の原料ガスとを基板上に供給し熱分解させて窒化化合物を気相成長する窒化物半導体の製造装置であって、前記窒素源としてヒドラジンをガス化して供給する第１の供給源と、前記他の原料ガスを供給する第２の供給源と、前記第１の供給源および前記第２の供給源に接続され前記基板が内部に載置されて内部を加熱可能な反応室とを備え、前記反応室には、熱分解に供されなかったヒドラジンを誘導し冷却して液化または固化させる回収装置が接続される技術が採用される。
【０００７】
さらに、請求項２記載の窒化物半導体の製造方法では、半導体基板の表面にガス化した窒素源を供給し熱分解させ、半導体基板中の元素と化合させて半導体基板の表面を窒化させる窒化物半導体の製造方法であって、ヒドラジンを前記窒素源としている技術が採用される。また、請求項８記載の窒化物半導体の製造装置では、半導体基板の表面にガス化した窒素源を供給し熱分解させ、半導体基板中の元素と化合させて半導体基板の表面を窒化させる窒化物半導体の製造装置であって、前記窒素源としてヒドラジンをガス化して供給するヒドラジン供給源と、前記ヒドラジン供給源に接続され前記基板が内部に載置されて内部を加熱可能な反応室とを備え、前記反応室には、熱分解に供されなかったヒドラジンを誘導し冷却して液化または固化させる回収装置が接続される技術が採用される。
【０００８】
これらの窒化物半導体の製造方法および製造装置では、アンモニアに比べて反応性が高いヒドラジンを窒素源としているので、少量のヒドラジンで効率的に窒化物半導体を基板に成長または形成させることができるとともに、低温（例えば、６００℃程度）で結晶欠陥や転位の少ない良質の結晶および高品質の窒化膜を得ることができる。
【０００９】
請求項３記載の窒化物半導体の製造方法では、請求項１記載の窒化物半導体の製造方法において、前記他の原料ガスは、ＩＩＩ族またはＶ族の元素の少なくとも一方の有機金属化合物をガス化したものである技術が採用される。
【００１０】
この窒化物半導体の製造方法では、他の原料ガスが、ＩＩＩ族またはＶ族の元素の少なくとも一方の有機金属化合物をガス化したものであるので、ＩＩＩ−Ｖ族の２元系や３元系の窒化化合物半導体を結晶成長することができる。
【００１１】
また、請求項４記載の窒化物半導体の製造方法では、請求項２記載の窒化物半導体の製造方法において、前記半導体基板は、ＩＩＩ族またはＶ族の元素の化合物で形成された基板である技術が採用される。
【００１２】
この窒化物半導体の製造方法では、半導体基板が、ＩＩＩ族またはＶ族の元素の化合物で形成された基板であるので、ＩＩＩ−Ｖ族の２元系や３元系の窒化化合物半導体の窒化膜を形成することができる。
【００１３】
請求項５記載の窒化物半導体の製造方法では、請求項１から４のいずれかに記載の窒化物半導体の製造方法において、前記ヒドラジンは、無水ヒドラジンである技術が採用される。
【００１４】
この窒化物半導体の製造方法では、ヒドラジンとして無水ヒドラジンを採用しているので、不純物が少なく、より結晶欠陥や転位の少ない結晶および高品質の窒化膜を得ることができる。
【００１５】
請求項６記載の窒化物半導体の製造方法では、請求項１から５のいずれかに記載の窒化物半導体の製造方法において、ヒドラジンを蒸留して基板上に供給する技術が採用される。また、請求項９記載の窒化物半導体の製造装置では、請求項７または８記載の窒化物半導体の製造装置であって、前記第１の供給源あるいは前記ヒドラジン供給源と前記反応室を接続するヒドラジン供給ラインに蒸留装置を設ける技術が採用される。
【００１６】
これらの窒化物半導体の製造方法および製造装置では、熱分解に供されなかったガス化したヒドラジンを冷却して液化または固化させるので、ヒドラジンを効率的にかつ容易に回収することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る窒化物半導体の製造方法および製造装置の第１実施形態を、図１および図３を参照しながら説明する。
図１において、符号１はＭＯＶＰＥ装置、２は反応管、３はヒドラジン用恒温槽、４はＴＭＧ用恒温槽である。
【００１８】
本実施形態の窒化物半導体の製造方法は、図１に示すＭＯＶＰＥ装置１によって実現され、該ＭＯＶＰＥ装置１は、ＧａＮの結晶をサファイアまたはＳｉ（シリコン）等の基板ＳＵＢ上に成長させるものである。
ＭＯＶＰＥ装置１は、基板ＳＵＢが内部に載置される反応管（反応室）２と、該反応管２内にガス化したヒドラジンＨＤを供給するために液状のヒドラジンＨＤを貯留するヒドラジン用恒温槽（第１の供給源）３と、反応管２内にガス化したＴＭＧ（他の原料ガス）を供給するために液状のＴＭＧを貯留するＴＭＧ用恒温槽（第２の供給源）４とを備えている。
【００１９】
前記反応管２は、その周囲に高周波加熱部５が配置され、該高周波加熱部５によって内部の基板ＳＵＢを所定温度に加熱可能とされている。また、反応管２の先端側には、キャリアガスとして水素ガスを反応管２内に供給する水素ガス供給ライン６が接続されている。
【００２０】
前記ヒドラジン用恒温槽３は、液状のヒドラジンＨＤを所定温度に維持するとともに、窒素ガス供給ライン７に接続され該窒素ガス供給ライン７からの窒素ガスによってバブリングされて蒸気化したヒドラジンＨＤをヒドラジン供給ライン８を介して反応管２へ供給するものである。なお、一般に９９％以上の純度のヒドラジンが無水ヒドラジンといわれるが、本実施形態のヒドラジンでは、９９．９％以上の無水ヒドラジン（分子式：Ｈ2Ｎ−ＮＨ2）を使用している。
【００２１】
また、前記ＴＭＧ用恒温槽４は、液状のＴＭＧを所定温度に維持するとともに、窒素ガス供給ライン７に接続され該窒素ガス供給ライン７からの窒素ガスによってバブリングされて蒸気化したＴＭＧをＴＭＧ供給ライン９を介して反応管２へ供給するものである。
【００２２】
前記ヒドラジン供給ライン８は、ヒドラジン用恒温槽３と反応管２の先端側とを第１バルブＶ１を介して接続し、前記ＴＭＧ供給ライン９は、ＴＭＧ用恒温槽４と反応管２の先端側とを第２バルブＶ２を介して接続するものである。ヒドラジン供給ライン８およびＴＭＧ供給ライン９は、共に第１バルブＶ１および第２バルブＶ２の前段で分岐されて反応管２の後端に接続された排気ライン１０に第３バルブＶ３および第４バルブＶ４を介してそれぞれ接続されている。
【００２３】
次に、ＭＯＶＰＥ装置１による窒化物半導体の製造方法について、図１および図３を参照して説明する。
【００２４】
まず、反応管２内に予め前処理等を行った基板ＳＵＢを載置し、反応管２内部を水素ガス供給ライン６からの水素ガスで置換するとともに、基板ＳＵＢを所定の温度（６００℃程度）に加熱する。
このとき、ヒドラジン用恒温槽３およびＴＭＧ用恒温槽４では、ヒドラジンＨＤおよびＴＭＧをそれぞれ所定の温度に維持するとともに、第１バルブＶ１および第２バルブＶ２を閉じた状態で窒素ガス供給ライン７からの窒素ガスによってバブリングが行われ、ガス化したヒドラジンＨＤおよびＴＭＧは、第３バルブＶ３および第４バルブＶ４を介して排気ライン１０へと送られている。
【００２５】
基板ＳＵＢの温度が所定値になった状態で、第３バルブＶ３および第４バルブＶ４を閉塞するとともに第１バルブＶ１および第２バルブＶ２をそれぞれ開放し、ヒドラジン用恒温槽３およびＴＭＧ用恒温槽４からヒドラジンＨＤおよびＴＭＧを所定の流量でヒドラジン供給ライン８およびＴＭＧ供給ライン９を介して反応管２内に輸送、供給する。
このとき、ヒドラジンＨＤおよびＴＭＧは、基板ＳＵＢ近傍で熱分解するとともに、ラジカル状態の窒素成分とガリウム成分とが基板ＳＵＢ上で合成し、ＧａＮ（窒化物）として結晶成長する。
【００２６】
本実施形態では、ヒドラジンＨＤを窒素源として用いているので、図３に示すように、アンモニアに比べて反応性が高く、低量かつ低温で結晶欠陥や転位の少ない結晶を得ることができる。すなわち、成長に必要なアンモニアとＴＭＧとの比率が、１対１万程度であるのに対し、ヒドラジンとＴＭＧとの比率は、１対１０〜１００程度で済む。また、比較的低温で成長できることから、結晶に熱歪み等が生じ難く、低転位性を得ることができる。
【００２７】
特に、無水ヒドラジンを採用しているので、ガス化したヒドラジンＨＤの純度が高く、転位等が少ないより良質な結晶を得ることが可能である。
したがって、本実施形態により成長したＧａＮを用いて、例えば、青色若しくは紫色等の短波長発光ダイオード（ＬＥＤや半導体レーザ等）の半導体デバイスを作製すると、高い発光効率および高信頼性（高寿命）を得ることが可能である。
【００２８】
次に、本発明に係る窒化物半導体の製造方法および製造装置の第２実施形態を、図２を参照しながら説明する。
この図において、符号１１は窒化装置、１２は反応管、１３は窒素ガスボンベ、１４はコールドトラップ、１５は拡散ポンプである。
【００２９】
本実施形態の窒化物半導体の製造方法は、図１に示す窒化装置１１によって実現され、該窒化装置１１は、ＧａＰの基板ＳＵＢ表面を窒化させてＧａＮの窒化膜を形成させるものである。
窒化装置１１は、基板ＳＵＢが内部に載置される反応管（反応室）１２と、該反応管１２内に先端側からガス化したヒドラジンＨＤを供給するために液状のヒドラジンＨＤを貯留するヒドラジン用恒温槽（ヒドラジン供給源）３と、ヒドラジン用恒温槽３に窒素ガスを供給する窒素ガスボンベ１３と、反応管１２の後端側に接続され熱分解に供されなかったヒドラジンＨＤを誘導し冷却して液化または固化させるコールドトラップ（回収装置）１４と、該コールドトラップ１４から排出された窒素ガスを処理する拡散ポンプ１５とを備えている。
【００３０】
前記反応管１２は、その周囲にヒーター１６が配置されるとともに熱電対１７が配され、ヒーター１６と熱電対１７とはそれぞれ温度調節器１８に接続されている。すなわち、熱電対１７によって温度をモニターするとともに、これに基づいて温度調節器１８によってヒーター１６の加熱量を調整して、基板ＳＵＢを所定温度に加熱可能にしている。
【００３１】
前記窒素ガスボンベ１３とヒドラジン用恒温槽３とは、マスフロー１９および第１バルブＶ１を介して窒素ガス供給ライン２０で接続され、ヒドラジン用恒温槽３と反応管１２の先端側とは第２バルブＶ２を介してヒドラジン供給ライン２１で接続されている。
なお、ヒドラジン供給ライン２１には、第１圧力計Ｐ１も接続されている。
【００３２】
前記窒素ガス供給ライン２０は、マスフロー１９の後段で分岐され、第３バルブＶ３を介してヒドラジン供給ライン２１に接続されている。
前記反応管１２の後端側と前記コールドトラップ１４とは、トラップ導入ライン２２で接続され、コールドトラップ１４と拡散ポンプ１５とは、第２圧力計Ｐ２および第４バルブＶ４を介してトラップ排出ライン２３で接続されている。
【００３３】
なお、トラップ排出ライン２３は、第２圧力計Ｐ２と第４バルブＶ４との間で第５バルブＶ５を介して排気ライン２４に分岐されている。
また、ヒドラジン用恒温槽３は、第１実施形態と同様のものを採用している。前記コールドトラップ１４は、内側容器１４ａと外側容器１４ｂとの間に液体窒素ＬＮが入れられており、熱分解に供されなかったヒドラジンＨＤを冷却して凍らせ、回収するものである。
【００３４】
次に、窒化装置１１による窒化物半導体の製造方法について、図２を参照して説明する。
【００３５】
まず、反応管１２内に予め前処理等を行った基板ＳＵＢを載置し、反応管１２内部を窒素ガス供給ライン２０からヒドラジン供給ライン２１を介して送られる窒素ガスで置換するとともに、ヒーター１６で基板ＳＵＢを所定の温度（６００℃程度）に加熱する。
このとき、ヒドラジン用恒温槽３では、ヒドラジンＨＤを所定の温度に維持するとともに、第２バルブＶ２を閉じた状態で窒素ガス供給ライン７からの窒素ガスによってバブリングされ、図示しないラインに排出されている。
【００３６】
反応管１２内の基板ＳＵＢの温度が所定値になった状態で、第３バルブＶ３を閉じるとともに第２バルブＶ２を開けて、ヒドラジン用恒温槽３からヒドラジンＨＤを所定の流量でヒドラジン供給ライン２１を介して反応管１２内に輸送、供給する。
このとき、ヒドラジンＨＤは、基板ＳＵＢ近傍で熱分解するとともに、基板ＳＵＢ中のＰ（リン）とＮ（窒素）とが置換される形で基板ＳＵＢ表面のＧａと結合してＧａＮ（窒化物）の窒化膜を形成（ホモエピタキシャル成長）する。
【００３７】
熱分解しなかったヒドラジンＨＤは、トラップ導入ライン２２を介してコールドトラップ１４の内側容器１４ａに導入されるとともに冷却されて凍り、内側容器１４ａ内に回収される。残った窒素ガスは、トラップ排出ライン２３を介して拡散ポンプ１５若しくは排気ライン２４へと送られる。
【００３８】
本実施形態では、ヒドラジンＨＤを窒素源として用いているので、アンモニアと比べて反応性が高く、低量かつ低温でＧａＰの基板ＳＵＢ表面を窒化させることができ、良質なＧａＮの窒化膜を得ることができる。
また、コールドトラップ１４によって、ヒドラジンＨＤを回収するので、ヒドラジンＨＤの取扱いが容易になるとともに、再利用が可能となる。
【００３９】
なお、本発明は、次のような実施形態をも含むものである。
（１）第１実施形態では、窒化物半導体としてＧａＮを成長したが、他の窒化物半導体を成長しても構わない。例えば、Ｉｎ、Ａｌ等の窒化物半導体（ＩｎＮ、ＩｎＧａＮ等）でもよい。
【００４０】
特に、ＩｎＮは、ＮＨ3系では生成し難かったが、ヒドラジンを用いることでＮＨ3系によるＧａＮ程度の生成が可能となる。その結果、ＮＨ3系で見られたＩｎを含む窒化物半導体の特異性がなくなる。すなわち、Ｖ／ＩＩＩ比、キャリアガス中のＨ2分圧、Ｉｎドロップレットの生成等の条件がＮＨ3系によるＧａＮ成長のレベルに緩和される。また、ＩｎＧａＮ混晶の成長では、その組成は多くの条件下でＩＩＩ族有機金属原料の供給モル比に比例し、Ｈ2分圧の影響も少なくなる。さらに、ＮＨ3系で見られた組成不安定領域も存在しなくなる。したがって、ヒドラジンは、Ｉｎ系窒化物半導体の窒素源としても優れている。
【００４１】
（２）第２実施形態でヒドラジンの回収装置としてコールドトラップを用いたが、同様の装置を第１実施形態で用いても構わない。なお、この場合、第１実施形態における反応管の後端側にコールドトラップを接続する。
（３）第２実施形態では、ＧａＰの基板を窒化したが、他の材料の基板、例えばＧａＡｓの基板を窒化しても構わない。
（４）ヒドラジンは、ヒドラジン用恒温槽から蒸気化した状態で供給されるが、より純度を上げるために、ヒドラジン用恒温槽からのヒドラジン供給ラインに蒸留装置（螺旋管等）を設けても構わない。
【００４２】
【発明の効果】
本発明によれば、以下の効果を奏する。
（１）請求項１および２記載の窒化物半導体の製造方法および請求項７および８記載の窒化物半導体の製造装置によれば、アンモニアと比べて反応性が高いヒドラジンを窒素源としているので、少量のヒドラジンで効率的に窒化物半導体を基板に成長または形成させることができるとともに、低温で結晶欠陥や転位の少ない良質の結晶および高品質の窒化膜を得ることができる。したがって、製造コストを低減させることができるとともに、半導体特性の向上を図ることができ、優れた特性（高信頼性、高発光効率等）の半導体デバイスを得ることができる。
【００４３】
（２）請求項３記載の窒化物半導体の製造方法によれば、他の原料ガスが、ＩＩＩ族またはＶ族の元素の少なくとも一方の有機金属化合物をガス化したものであるので、ＩＩＩ−Ｖ族の２元系や３元系の窒化化合物半導体の結晶を成長することができ、多様な混晶比の化合物半導体を容易に得ることができる。
【００４４】
（３）請求項４記載の窒化物半導体の製造方法によれば、半導体基板が、ＩＩＩ族またはＶ族の元素の化合物で形成された基板であるので、ＩＩＩ−Ｖ族の２元系や３元系の窒化化合物半導体の窒化膜を形成することができ、ＩＩＩ族またはＶ族の元素供給源を別個に用意せずとも、窒化膜を容易に得ることができる。
【００４５】
（４）請求項５記載の窒化物半導体の製造方法によれば、ヒドラジンとして無水ヒドラジンを採用しているので、不純物が少なく、より結晶欠陥や転位の少ない結晶および高品質の窒化膜を得ることができ、歩留まりを向上させることができる。
【００４６】
（５）請求項６記載の窒化物半導体の製造方法および請求項９記載の窒化物半導体の製造装置によれば、熱分解に供されなかったガス化したヒドラジンを冷却して液化または固化させるので、ヒドラジンを効率的に回収することができ、処理後の取扱いが容易となるとともに、再利用が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に係る窒化物半導体の製造方法および製造装置の第１実施形態におけるＭＯＶＰＥ装置を示す概略構成図である。
【図２】  本発明に係る窒化物半導体の製造方法および製造装置の第２実施形態における窒化装置を示す概略構成図である。
【図３】  窒素源としてアンモニアまたはヒドラジンを用いたときの温度に対する平衡定数を示すグラフ図である。
【符号の説明】
１  ＭＯＶＰＥ装置
２、１２  反応管（反応室）
３  ヒドラジン用恒温槽（第１の供給源、ヒドラジン供給源）
４  ＴＭＧ用恒温槽（第２の供給源）
１１  窒化装置
１４  コールドトラップ（回収装置）
ＨＤ  ヒドラジン
ＳＵＢ  基板
【図１】
0004232264.tif 000002
【図２】
0004232264.tif 000003
【図３】
0004232264.tif 000004