(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（I）
【化１】
0004217864.tif 000008
〔式中、Ｒ１はＣ1-6のアルキル基を表わし、Ｒ２、Ｘ２およびＸ４はそれぞれ水素原子を表わし、Ｘ１は水素原子またはフッ素原子を表わし、Ｘ３は水素原子、フッ素原子、塩素原子、メチル基またはメトキシ基を表わす。〕で表わされるβ−ニトロスチレン誘導体を一酸化炭素含有ガス雰囲気下、周期律表第VIII族の金属触媒を用いて環化することを特徴とする、一般式（II）
【化２】
0004217864.tif 000009
〔式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４は前記と同様の意味を表わす。〕で表わされるインドール誘導体の製造方法。
【請求項２】
周期律表第VIII族金属触媒が鉄、コバルト、ルテニウムおよびロジウムから選ばれた金属触媒であることを特徴とする請求項１に記載のインドール誘導体の製造方法。
【請求項３】
周期律表第VIII族金属触媒が、錯体触媒であることを特徴とする請求項１または２に記載のインドール誘導体の製造方法。
【請求項４】
周期律表第VIII族金属触媒に加えて配位子を添加することを特徴とする、請求項１、２または３に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、インドール誘導体を製造する新規な方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、インドール誘導体は、天然物由来をはじめ数多くの化合物が知られており、例えば特開２００１−１８７７８６号公報等に記載されているような医農薬等生理活性を有する化合物を始めとするファインケミカルズの中間体として有用な化合物群であり、従来から天然物由来のものを含み多くの種類が知られている。そして、インドール誘導体の合成法として、例えば以下の方法が代表的に知られている。
（１）ｏ，ω−ジニトロスチレン誘導体を触媒還元条件下に環化して、インドールを得る方法（Ｊ．Ｏ．Ｃ．，３８巻、３００４頁、１９７３年）
（２）ｏ−ニトロスチレン誘導体を３価のリンを用いて還元的にインドールを得る方法（Ｊ．Ｏ．Ｃ．，３０巻、３６０４頁、１９６５年）
（３）ｏ−ニトロスチレン誘導体を一酸化炭素存在下にロジウム等の遷移金属触媒を用いて還元的に環化してインドールを得る方法（Ｊ．Ｃ．Ｓ．Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，８２頁、１９８１年およびＪ．Ｏ．Ｃ．，５９巻、３３７５頁、１９９４年）
（４）ｏ−アリルアニリンをパラジウム触媒を用いて環化し、インドールを得る方法（Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，９８巻、２６７４頁、１９７６年）
（５）ｏ−メチルアセトアニリドを強塩基（ナトリウムアミドなど）存在下に高温で処理してインドールを得る方法（Ｏｒｇ．Ｓｙｎｔｈｓｉｓ．Ｃｏｌｌ．Vｏｌ．３、５９７頁、１９５５年）
（６）アニリンを銀系の触媒存在下に、エチレングリコールと反応させてインドールを得る方法（ヨーロッパ特許（ＥＰ）６９２４２号公報）
（７）アルキルアニリン誘導体をシリカ、アルミナ等の固体触媒を用いて反応させて、インドールを得る方法（ハンガリー特許、１６，６９６号公報（１９７９年））
（８）β−アジドスチレンやアジリン誘導体を高温で処理してインドールを得る方法（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ．Ｌｅｔｔ．，３４９９頁、１９６８年やＣｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，１５６５頁、１９７０年等）
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、従来知られている合成手段よりもより汎用性の高い、インドール誘導体の新規でかつ優れた合成方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決すべくインドール誘導体の新規な合成経路を徹底的に精査した。
【０００５】
その結果、種々の手段により容易に合成可能なβ−ニトロスチレン誘導体を一酸化炭素含有ガス雰囲気下で周期律表第VIII族金属触媒を用いる方法に代表される還元条件下に処理することにより、比較的良好な収率で目的とするインドール誘導体が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００６】
すなわち、本発明は、
第１観点として、少なくとも一方のオルト位が無置換のβ−ニトロスチレン誘導体を還元条件下に於て環化することを特徴とする、インドール誘導体の製造方法。
【０００７】
第２観点として、次式（I）
【０００８】
【化３】
0004217864.tif 000002
【０００９】
〔式中、Ｒ１およびＲ２は各々独立して水素原子、Ｃ1-6のアルキル基、（Ｃ1-4アルコキシ）カルボニル基または置換されていても良いフェニル基（但し、置換基はハロゲン原子、Ｃ1-6のアルキル基、Ｃ1-6のアルコキシ基またはシアノ基から選ばれる。）を表わし、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４は、各々独立して水素原子、フッ素原子、塩素原子、メチル基またはメトキシ基を表わす。〕
で表わされるβ−ニトロスチレン誘導体を還元条件下に於て環化することを特徴とする、一般式（II）
【００１０】
【化４】
0004217864.tif 000003
【００１１】
〔式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４は前記と同様の意味を表わす。〕で表わされるインドール誘導体の製造方法。
【００１２】
第３観点として、Ｘ２およびＸ４が水素原子である、第２観点に記載のインドール誘導体の製造方法。
【００１３】
第４観点として、還元条件が一酸化炭素含有ガス雰囲気下、周期律表第VIII族の金属触媒を用いるものであることを特徴とする第１観点、第２観点または第３観点に記載のインドール誘導体の製造方法。
【００１４】
第５観点として、周期律表第VIII族金属触媒が鉄、コバルト、ニッケル、ルテニウム、ロジウム、パラジウムおよび白金から選ばれた１種以上の金属触媒である第４観点に記載のインドール誘導体の製造方法。
【００１５】
第６観点として、周期律表第VIII族金属触媒が鉄、コバルト、ルテニウムおよびロジウムから選ばれた金属触媒であることを特徴とする第５観点に記載のインドール誘導体の製造方法。
【００１６】
第７観点として、周期律表第VIII族金属触媒が、錯体触媒であることを特徴とする第４観点、第５観点または第６観点に記載のインドール誘導体の製造方法。
【００１７】
第８観点として、周期律表第VIII族金属触媒に加えて配位子を添加することを特徴とする、第４観点、第５観点、第６観点または第７観点に記載の製造方法。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１９】
本発明で用いる還元条件としては、一酸化炭素またはそれを含有するガス雰囲気下で周期律表第VIII族の金属触媒を用いてインドールを得る方法が好ましい。
【００２０】
また本発明のインドール誘導体を得る重要中間体であるβ−ニトロスチレン誘導体は、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，３５３１（１９５４）、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，１５，８（１９５０）あるいはＢｕｌｌ．Ｓｏｃ．Ｃｈｉｍ．Ｆｒ．，８８４（１９４９）等に記載された方法で、例えば下記のスキーム１に示すように、比較的安価に入手可能な対応する芳香族カルボニル化合物とニトロアルカン類とを塩基存在下に反応させることにより容易に得ることができる。
【００２１】
【化５】
0004217864.tif 000004
【００２２】
前記β−ニトロスチレン誘導体は、通常Ｅ−体およびＺ−体の立体異性体の混合物で得られる場合が多いが、精製により単一立体の化合物を単離することも可能である。しかしながら、何れの化合物または混合物を用いても同じ目的とするインドール誘導体が得られるため、本発明では特に立体を区別せずに表記し、いずれも本反応の原料を表すものとする。
【００２３】
以下に、本発明についてさらに詳細に説明する。
【００２４】
Ｃ1-nの、とは、炭素数が１からｎの、という意味を表わす。
【００２５】
一般式（I）で表わされるβ−ニトロスチレン誘導体、一般式（II）で表わされるインドール誘導体における置換基Ｒ１およびＲ２は、水素原子またはＣ1-6のアルキル基を表わす。
【００２６】
Ｃ1-6のアルキル基としては、直鎖、分岐および環状のアルキル基として、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉ−アミル基、ｓｅｃ−アミル基、ｔｅｒｔ−アミル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
【００２７】
（Ｃ1-4アルコキシ）カルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロピルオキシカルボニル基、ｉ−プロピルオキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基等が挙げられる。
【００２８】
置換されていても良いフェニル基としては、フェニル基、２−フルオロフェニル基、３−フルオロフェニル基、４−フルオロフェニル基、２−クロロフェニル基、３−クロロフェニル基、４−クロロフェニル基、２−ブロモフェニル基、３−ブロモフェニル基、４−ブロモフェニル基、４−ヨードフェニル基、２，４−ジクロロフェニル基、３，４−ジクロロフェニル基、２，６−ジフルオロフェニル基、２，６−ジクロロフェニル基、２−フルオロ−４−クロロフェニル基、２，３，４，５，６−ペンタフルオロフェニル基、２−シアノフェニル基、３−シアノフェニル基、４−シアノフェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２，５−ジメチルフェニル基、４−メチル−２，３，５，６−テトラフルオロフェニル基、２−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、２，６−ジメトキシフェニル基、３，４−ジメトキシフェニル基、３，４，５−トリメトキシフェニル基、２−クロロ−４−メチルフェニル基、３−ブロモ−５−メチルフェニル基、２−メチル−５−フルオロフェニル基および２−クロロ−３−シアノフェニル基等が挙げられる。
【００２９】
上記置換基について原料事情や合成の簡便さを考慮した場合、Ｒ１およびＲ２としては各々独立に水素原子、メチル基またはエチル基が好ましいが、特に水素原子またはメチル基が好ましい。
【００３０】
またＸ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４の各置換基としては、各々独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、メチル基またはメトキシ基が好ましく、置換ベンゼン誘導体の入手や合成の容易さの点から水素原子、フッ素原子または塩素原子がさらに好ましく、特に、水素原子またはフッ素原子が好ましい。
【００３１】
また本発明の環化反応の主旨および有用性から、Ｘ２とＸ４とが水素原子である場合または同一の置換基を有する場合には、Ｘ１が水素原子の場合でも環化生成物の構造が一義的に決定されるため、目的とするインドール誘導体がこの置換基の組み合わせにより表記される化合物である場合が特に好ましい。
【００３２】
以下、本発明の反応についてさらに詳細に述べる。
【００３３】
本発明に用いることができる金属触媒としては周期律表第VIII族の金属触媒が好ましく、中でも鉄、コバルト、ニッケル、ルテニウム、ロジウム、パラジウムおよび白金から選ばれた金属触媒を用いることができる。
【００３４】
本反応に用いることができる触媒の例を以下に示す。
【００３５】
鉄触媒としては、ラネー鉄、またはペンタカルボニル鉄、エニアカルボニル二鉄、ドデカカルボニル三鉄、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）鉄、テトラカルボニル（トリフェニルホスフィン）鉄、トリカルボニルビス（トリフェニルホスフィン）鉄、シクロペンタジエニルジカルボニル鉄ナトリウム、シクロペンタジエニルジカルボニル鉄ダイマー、ペンタメチルシクロペンタジエニルジカルボニル鉄ダイマー、シクロペンタジエントリカルボニル鉄、シクロヘキサジエントリカルボニル鉄、ブタジエントリカルボニル鉄、テトラカルボニル鉄酸ナトリウム、ビス（シクロペンタジエニル）鉄（フェロセン）、ビス（テトラメチルシクロペンタジエニル）鉄、ビス（メチルシクロペンタジエニル）鉄（1,1’-ジメチルフェロセン）、アセチルフェロセン、アセチルアセトナト鉄等の錯体触媒、酢酸鉄、塩化鉄、臭化鉄等の塩類が挙げられる。
【００３６】
コバルト触媒としては、ラネーコバルト、またはオクタカルボニル二コバルト、ドデカカルボニルトリコバルト、ヒドリドテトラカルボニルコバルト、シクロペンタジエニルジカルボニルコバルト、クロロトリス（トリフェニルホスフィン）コバルト、コバルトセン等の錯体触媒が挙げられる。
【００３７】
ニッケル触媒としては、ラネーニッケル触媒、ニッケル担持シリカ、ニッケル担持アルミナ、ニッケル担持炭素等の固体および担持触媒、テトラカルボニルニッケル、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル、テトラキス（トリフェニルホスフィン）ニッケル、テトラキス（トリフェニルフォスファイト）ニッケル等の錯体触媒または塩化ニッケル、酸化ニッケル等が挙げられる。
【００３８】
ルテニウム触媒としては、ルテニウム担持シリカ、ルテニウム担持アルミナ、ルテニウム担持炭素等の担持触媒、ペンタカルボニルルテニウム、ドデカカルボニルトリルテニウム、テトラヒドリドドデカカルボニル四ルテニウム、ジヒドリド（二窒素）トリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、ジカルボニルトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、テトラカルボニル（トリメチルホスフィット）ルテニウム、ペンタキス（トリメチルホスフィット）ルテニウム、トリス（アセチルアセトナト）ルテニウム、ジアセタトジカルボニルビス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、ジクロロビス（クロロトリカルボニル）ルテニウム、カルボニルクロロヒドリドトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、テトラヒドリドトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、アセタトヒドリドトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、ジクロロビス（アセトニトリル）ビス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、ルテノセン、ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ルテニウム、ジクロロ（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ルテニウム、クロロ（シクロペンタジエニル）ビス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、ヒドリド（シクロペンタジエニル）ビス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、クロロカルボニル（シクロペンタジエニル）ルテニウム、ヒドリド（シクロペンタジエニル）（１，５−シクロオクタジエン）ルテニウム、クロロ（シクロペンタジエニル）（１，５−シクロオクタジエン）ルテニウム、ジヒドリドテトラキス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、シクロオクタトリエン（シクロオクタジエン）ルテニウム、クロロヒドリドトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、トリカルボニルビス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム、トリカルボニル（シクロオクタテトラエン）ルテニウム、トリカルボニル（１，５−シクロオクタジエン）ルテニウム、ジクロロトリス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム等の錯体触媒または塩化ルテニウム、酸化ルテニウム、ルテニウムブラック等が挙げられる。
【００３９】
パラジウム触媒としては、ラネーパラジウム、パラジウム担持シリカ触媒、パラジウム担持アルミナ触媒、パラジウム担持炭素触媒、パラジウム担持硫酸バリウム触媒、パラジウム担持ゼオライト触媒、パラジウム担持シリカ・アルミナ触媒等の固体または担持触媒、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロビス（トリメチルホスフィン）パラジウム、ジクロロビス（トリブチルホスフィン）パラジウム、ビス（トリシクロヘキシルホスフィン）パラジウム、テトラキス（トリエチルホスファイト）パラジウム、ビス（シクロオクタ−１、５−ジエン）パラジウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジカルボニルビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、カルボニルトリス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロビス（ベンゾニトリル）パラジウム、ジクロロ（１、５−シクロオクタジエン）パラジウム等の錯体触媒または塩化パラジウム、酢酸パラジウム、酸化パラジウム等が挙げられる。
【００４０】
ロジウム触媒としては、ロジウム担持シリカ触媒、ロジウム担持アルミナ触媒、ロジウム担持炭素触媒等の担持触媒、クロロトリス（トリフェニルホスフィン）ロジウム、ヘキサデカカルボニル六ロジウム、ドデカカルボニル四ロジウム、ジクロロテトラカルボニル二ロジウム、ヒドリドテトラカルボニルロジウム、ヒドリドカルボニルトリス（トリフェニルホスフィン）ロジウム、ヒドリドテトラキス（トリフェニルホスフィン）ロジウム、ジクロロビス（シクロオクタジエン）二ロジウム、ジカルボニル（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ロジウム、シクロペンタジエニルビス（トリフェニルホスフィン）ロジウム、ジクロロテトラキス（アリル）二ロジウム等の錯体触媒または塩化ロジウム、酸化ロジウム等が挙げられる。
【００４１】
白金触媒としては、白金担持シリカ触媒、白金担持アルミナ触媒、白金担持炭素触媒等の担持触媒、、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）白金、ジクロロビス（トリメチルホスフィン）白金、ジクロロビス（トリブチルホスフィン）白金、テトラキス（トリフェニルホスフィン）白金、テトラキス（トリフェニルホスファイト）白金、トリス（トリフェニルホスフィン）白金、ジカルボニルビス（トリフェニルホスフィン）白金、カルボニルトリス（トリフェニルホスフィン）白金、ｃｉｓ−ビス（ベンゾニトリル）ジクロロ白金、ビス（１、５−シクロオクタジエン）白金等の錯体触媒または塩化白金、酸化白金（アダムス触媒）、白金ブラック等が挙げられる。
【００４２】
これらの中で、金属種としては鉄、コバルト、ルテニウム、ロジウムの触媒が好ましく、触媒形態としては錯体触媒が好適に使用できる。
【００４３】
また、触媒は単独にまたは組み合せて使用することができる。
【００４４】
周期律表第VIII族触媒の使用量としては、一般式（I）のβ−ニトロスチレン誘導体に対して通常０．０００１〜２０モル％の範囲、好ましくは０．００１〜１０モル％の範囲が良い。
【００４５】
上記触媒に必要に応じ、配位子を添加することもできる。配位子としては例えば、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス（パラトリル）ホスフィン、トリス（２，６−ジメチルフェニル）ホスフィン、ジフェニルホスフィノベンゼン−３−スルホン酸ナトリウム、ビス（３−スルホナートフェニル）ホスフィノベンゼンナトリウム塩、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、トリス（３−スルホナートフェニル）ホスフィンナトリウム塩等の単座および多座の３級ホスフィン類、トリエチルホスファイト、トリブチルホスファイト、トリフェニルホスファイト、トリス（２，６−ジメチルフェニル）ホスファイト等の亜リン酸エステル類、トリフェニルメチルホスホニウムヨージド、トリフェニルメチルホスホニウムブロミド、トリフェニルメチルホスホニウムクロライド、トリフェニルアリルホスホニウムヨージド、トリフェニルアリルホスホニウムブロミド、トリフェニルアリルホスホニウムクロライド、テトラフェニルホスホニウムヨージド、テトラフェニルホスホニウムブロミド、テトラフェニルホスホニウムクロライド等のホスホニウム塩類、リン酸トリフェニル、リン酸トリメチル、リン酸トリエチル、リン酸トリアリル等のリン酸エステル類、ベンゾニトリル、アセトニトリル等のニトリル類、アセチルアセトン等のケトン類、シクロペンタジエン、ペンタメチルシクロペンタジエン、１，５−シクロオクタジエン等のジエン類、ピリジン、２−ピコリン、３−ピコリン、４−ピコリン、２，２−ビピリジル、ターピリジン、１，１０−フェナントロリン、８−ヒドロキシキノリン、ビスオキサゾリニルピリジン（Ｐｙｂｏｘ）、１，４−ジメチルピラゾール、１，３，５−トリメチルピラゾール、ピリミジン、ピラジン等の含窒素複素環系配位子、マレイン酸ジメチルエステル、フマル酸ジメチルエステル、フェニルアセチレン、ジフェニルアセチレンなどのパイ酸系配位子または反応雰囲気ガスの一酸化炭素等が挙げられる。
【００４６】
配位子の使用量としては、周期律表第VIII族触媒に対して、通常０．１〜１００００モル％の範囲、好ましくは１〜５０００モル％の範囲が良い。
【００４７】
本還元反応としては、一酸化炭素雰囲気または一酸化炭素含有ガス雰囲気下で行う方法、水素ガスを用いて行う方法、亜燐酸トリエステルを用いて行う等の方法が挙げられるが、好ましくは一酸化炭素雰囲気または一酸化炭素含有ガス雰囲気下で行う方法が挙げられる。また、亜燐酸トリエステルを用いる方法では触媒は必ずしも必要としない。
【００４８】
一酸化炭素または一酸化炭素を含有するガスを用いる場合、その一酸化炭素分圧としては０．００１〜５０ＭＰａ、工業的には０．０１〜２０ＭＰａの圧力が実用上好ましい。また一酸化炭素含有ガスの場合、希釈ガスとしては反応に直接関与しないものであれば種々のガスを用いることができ、例えば窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスが一般的には使用されるが、二酸化炭素等の反応系に共存しても問題ないガスも含めて使用可能である。これら混合ガスを用いる場合、反応に必要な一酸化炭素分圧があれば問題はなく、その全圧力としては０．０１〜５０ＭＰａ、好ましくは０．０５〜３０ＭＰａの圧力の範囲で反応することが望ましい。
【００４９】
反応は、反応に用いる各試剤の分散・混合を含め反応を円滑に進めるために、溶媒で希釈して行うことが好ましい。反応に用いる溶媒としては、本反応に不活性な溶媒であれば特に制限は無く、例えば、ジエチルエーテル、メチル−ｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジメトキシメタン、ジエトキシメタン、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、１，４−ジオキサン、アニソール等のエーテル類、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、イソブタノール、２−メチル−２−プロパノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ｉ−プロピルセロソルブ、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、シクロヘキサノール、ベンジルアルコール等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、２−ペンタノン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素類、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロエタン、テトラクロロエチレン等のハロゲン化炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、ｍ−ジクロロベンゼン、ｐ−ジクロロベンゼン、ニトロベンゼン、テトラヒドロナフタリン等の芳香族炭化水素類、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピオン酸エチル等のエステル類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類、１，３−ジメチルイミダゾリジノン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル尿素等の尿素類、ピリジン、２−ピコリン、３−ピコリン、４−ピコリン、５−エチル−２−ピコリン等のピリジン類または水が挙げられる。これらが単独または組合せて使用できる。
【００５０】
本反応は、幅広い温度域で行なうことができる。しかし反応試剤の使用量を含めて経済的な製造を考慮した場合の好適な温度範囲としては、通常５０〜４００℃、特に１００〜３００℃の範囲で行なうことが好ましい。
【００５１】
反応時間は、用いる試剤の量、濃度、反応温度等により異なるが、通常は０．１〜２０時間、好ましくは０．５〜１０時間の範囲で終了するように、条件を設定することが好ましい。
【００５２】
本反応を実施する形態としては、オートクレーブ等の加圧反応容器を用いることが好ましい。反応は、回分式または連続式の何れでも実施可能であり、反応により求められる基質の濃度、転化率、生産性等により選択することが可能である。
【００５３】
反応終了後は、必要により溶媒を留去し、続いて蒸留により直接目的物を得るか、または粗反応物に水および水と混合しない溶媒を加えて充分に洗浄後、有機層より蒸留、カラムクロマトグラフィー等の常法処理を行うことにより目的とするインドール誘導体を精製・単離することが可能である。
【００５４】
【実施例】
以下に、実施例をあげ本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００５５】
参考例１．
４−（２−ニトロプロペン−１−イル）−１−フルオロベンゼンの製造
ニトロエタン６０ｍｌに４−フルオロベンズアルデヒド２４．８ｇ（０．２モル）およびベンジルアミン４．２ｇを加えて、還流条件下に４時間反応させた。反応後、過剰のニトロエタンを減圧下に留去回収し、残渣をエタノールを用いて再結晶することにより、２４．５ｇの４−（２−ニトロプロペン−１−イル）−１−フルオロベンゼンが黄色結晶として得られた（1ＨＮＭＲスペクトル解析の結果、立体はＥ体であることが確認された。収率：６７％）。
【００５６】
参考例２．
４−（（Ｚ）−２−ニトロプロペン−１−イル）−１−フルオロベンゼンの製造参考例１で製造した４−（（Ｅ）−２−ニトロプロペン−１−イル）−１−フルオロベンゼン１４ｇを１００ｍｌのアセトニトリルに溶解した。該溶液に窒素ガスを通じながら室温で高圧水銀灯にて光照射を１６時間行った。反応液を減圧濃縮し、得られたＥ体とＺ体との混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム：ヘキサン＝２：１）で分離精製して、表題化合物を６．７６ｇ得た（1ＨＮＭＲスペクトル解析の結果、立体はＺ体が９９．６％であることが確認された。）。
【００５７】
参考例３．
（２−ニトロプロペン−１−イル）ベンゼンの製造
ニロトエタン１０ｍｌにベンズアルデヒド２．６５ｇ（０．０２５モル）およびベンジルアミン０．５３ｇを加えて、還流条件下に８時間反応させた。反応後、過剰のニトロエタンを減圧下に留去回収し、残渣をエタノールを用いて再結晶することにより、１．４５ｇの（２−ニトロプロペン−１−イル）ベンゼンが黄色結晶として得られた。
【００５８】
参考例４．
１−（２−ニトロプロペン−１−イル）−４−メトキシベンゼンの製造
ニトロエタン１０ｍｌに４−メトキシベンズアルデヒド３．４０ｇ（０．０２５モル）およびベンジルアミン０．５３ｇを加えて、還流条件下に４時間反応させた。反応後、過剰のニトロエタンを減圧下に留去回収し、残渣をエタノールを用いて再結晶することにより、１．８８ｇの１−（２−ニトロプロペン−１−イル）−４−メトキシベンゼンが黄色結晶として得られた。
【００５９】
実施例１．
６−フルオロ−２−メチルインドールの製造
内容量１００ｍｌのステンレス製オートクレーブに、１−フルオロ−４−（２−ニトロプロペン−１−イル）ベンゼン１．８１ｇ（１０ミリモル）、ジコバルトオクタカルボニル触媒１７１ｍｇ（５．０モル％）および１，４−ジオキサン４０ｍｌを仕込み、その後１ＭＰａの窒素にて反応系内を５回置換した後に、一酸化炭素ガスを４Ｍｐａ圧入し、撹拌しながら昇温して、温度２００℃にて１時間反応を行なった。冷却後、反応液を取り出して、分析を行なった結果、生成物として目的とする６−フルオロ−２−メチルインドールが３０．５％の収率で得られていた。
【００６０】
実施例２．
６−フルオロ−２−メチルインドールの製造
内容量１００ｍｌのステンレス製オートクレーブに、１−フルオロ−４−（２−ニトロプロペン−１−イル）ベンゼン１．８１ｇ（１０ミリモル）、ペンタカルボニル鉄触媒７９ｍｇ（４．０モル％）およびピリジン４０ｍｌを仕込み、その後１ＭＰａの窒素にて反応系内を５回置換した後に、一酸化炭素ガスを４Ｍｐａ圧入し、撹拌しながら昇温して、温度２２０℃にて１時間反応を行なった。冷却後、反応液を取り出して、分析を行なった結果、生成物として目的とする６−フルオロ−２−メチルインドールが４２％の収率で得られていた。
【００６１】
実施例３．
６−フルオロ−２−メチルインドールの製造
実施例２において、用いる触媒をエニアカルボニル二鉄触媒１４６ｍｇ（４．０モル％）に代えた以外は全く同様の操作・分析を行なった結果、目的とする６−フルオロ−２−メチルインドールが３９％の収率で得られていた。
【００６２】
実施例４．
６−フルオロ−２−メチルインドールの製造
実施例３において、用いる触媒をドデカカルボニル三鉄触媒２０１ｍｇ（４．０モル％）に代えた以外は全く同様の操作・分析を行なった結果、目的とする６−フルオロ−２−メチルインドールが３８％の収率で得られていた。
【００６３】
実施例５．
６−フルオロ−２−メチルインドールの製造
実施例２において、反応系に配位子として１，１０−フェナントロリンを１４４ｍｇ（８．０モル％）添加した以外は全く同様の、操作と処理を行った結果、生成物として目的とする６−フルオロ−２−メチルインドールが６１％の収率で得られていた。
実施例６．
６−フルオロ−２−メチルインドールの製造
実施例２において、反応系に配位子として２，２’−ビピリジルを１２５ｍｇ（８．０モル％）添加した以外は全く同様の、操作と処理を行った結果、生成物として目的とする６−フルオロ−２−メチルインドールが４８％の収率で得られていた。
【００６４】
実施例７．
６−フルオロ−２−メチルインドールの製造
実施例１において、用いる触媒をドデカカルボニル三ルテニウム触媒２５６ｍｇ（４．０モル％）、溶媒をトルエン４０ｍｌに代えた以外は全く同様の、操作と処理を行った結果、生成物として目的とする６−フルオロ−２−メチルインドールが２６％の収率で得られていた。
【００６５】
実施例８．
６−フルオロ−２−メチルインドールの製造
実施例７において、反応系にさらに配位子として１，１０−フェナントロリン１４４ｍｇ（８．０モル％）を添加し、溶媒を１，４−ジオキサン４０ｍｌに代えた以外は全く同様の、操作と処理を行った結果、生成物として目的とする６−フルオロ−２−メチルインドールが５８％の収率で得られていた。
【００６６】
実施例９．
６−フルオロ−２−メチルインドールの製造
実施例７において、用いる触媒をヘキサデカカルボニル六ロジウム錯体触媒２１３ｍｇ（２．０モル％）に代えた以外は全く同様の、操作と処理を行った結果、生成物として目的とする６−フルオロ−２−メチルインドールが２０％の収率で得られていた。
【００６７】
実施例１０．
６−フルオロ−２−メチルインドールの製造
実施例９において、用いる触媒をオクタカルボニル二コバルト触媒１３７ｍｇ（４．０モル％）に代えた以外は全く同様の、操作と処理を行った結果、生成物として目的とする６−フルオロ−２−メチルインドールが２１％の収率で得られていた。
【００６８】
実施例１１．
６−フルオロ−２−メチルインドールの製造
実施例１０において、用いる溶媒をピリジン４０ｍｌに代えた以外は全く同様の、操作と処理を行った結果、生成物として目的とする６−フルオロ−２−メチルインドールが２９％の収率で得られていた。
【００６９】
実施例１２．
４，６−ジフルオロインドールの製造
実施例２において、原料を２，４−ジフルオロ−１−（２−ニトロビニル）ベンゼン１．８６ｇ（１０ミリモル）に代えた以外は、全く同様の反応操作および処理を行った。その結果、目的とする４，６−ジフルオロインドールが４５％の収率で得られていた。
【００７０】
実施例１３．
２−メチルインドールの製造
実施例２において、原料を（２−ニトロプロペン−１−イル）ベンゼン１．６３ｇ（１０ミリモル）に代えた以外は、全く同様の反応操作および処理を行った。その結果、目的とする２−メチルインドールが６１％の収率で得られていた。
【００７１】
実施例１４．
６−メトキシインドールの製造
実施例２において、原料を１−メトキシ−４−（２−ニトロビニル）ベンゼン１．７９ｇ（１０ミリモル）に代えた以外は、全く同様の反応操作および処理を行った。その結果、目的とする６−メトキシインドールが５７％の収率で得られていた。
【００７２】
実施例１５．
６−クロロ−２−メチルインドールの製造
実施例２において、原料を１−クロロ−４−（２−ニトロプロペン−１−イル）ベンゼン１．９８ｇ（１０ミリモル）に代えた以外は、全く同様の反応操作および処理を行った。その結果、目的とする６−クロロ−２−メチルインドールが５３％の収率で得られていた。
【００７３】
実施例１６ないし３８の条件及び結果について表で示す。ただし、操作方法については全て上記実施例に準じる。溶媒の量は全て３０ｍｌで、表中の記号はそれぞれ以下のものを表す。
I：１−フルオロ−４−（２−ニトロプロペン−１−イル）ベンゼン0.543g
II：１−メチル−４−（２−ニトロプロペン−１−イル）ベンゼン0.532g
III：（２−ニトロプロペン−１−イル）ベンゼン0.489g
IV：１−メトキシ−４−（２−ニトロプロペン−１−イル）ベンゼン0.580g
V：１−クロロ−４−（２−ニトロプロペン−１−イル）ベンゼン0.593g
VI：４−フルオロ−１−（２−ニトロ−１−ブテン−１−イル）ベンゼン0.585g
A：Fe(CO)5ペンタカルボニル鉄23.5mg
B：[CpFe(CO)2]2（シクロペンタジエニルジカルボニル鉄ダイマー）42.5mg
a：１，１０−フェナントロリン１水和物47.6mg
b：テトラメチルエチレンジアミン27.8mg
c：マレイン酸メチルエステル54.7mg
d：フマル酸メチルエステル54.7mg
e：フェニルアセチレン49.0mg
f：トリフェニルホスフィン251.8mg
〔第１表〕
【００７４】
【化６】
0004217864.tif 000005
【００７５】
【表１】
0004217864.tif 000006
0004217864.tif 000007
なお、Ｒ１およびＲ２のうち少なくともいずれか一方がＣ1-6のアルコキシカルボニル基または置換されていてもよいフェニル基を表す場合も、原料を適宜変更することで、実施例１ないし３８と同様の操作で目的とするインドール誘導体を製造することができる。
【００７６】
【発明の効果】
本発明の方法によりインドール誘導体が、比較的穏和な反応条件で、良好な収率で得られる。本発明の製造方法に従って製造されるインドール誘導体は、医農薬等のファインケミカルズ中間体として重要な化合物群であり、今後その利用がさらに期待できる。