(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空吸着部において吸着目的物の背面に接触しその吸着目的物を支持する多数の接触部の平坦度を測定するにあたり、一面に反射部が形成された反射板として、透明基体を有し、前記透明基体の一面に少なくともその透明基体側が反射面となるような前記反射部が形成されたものを用い、この反射板の前記反射部を真空吸着させることにより前記多数の接触部に接触させ、前記反射部に光を照射して光学測定法により前記反射部の平坦度を求め、この平坦度から前記多数の接触部の平坦度を間接的に測定するようにしたことを特徴とする、真空吸着器における接触部の平坦度測定方法。
【請求項２】
前記透明基体はガラス、樹脂またはセラミックによって構成されていることを特徴とする請求項１記載の、真空吸着器における接触部の平坦度測定方法。
【請求項３】
前記反射部は蒸着によって形成されていることを特徴とする、請求項１または２記載の、真空吸着器における接触部の平坦度測定方法。
【請求項４】
前記反射部はＣｒ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｌ、Ａｇ、ＴｉＣ、ＴｉＮまたはＳｉＣによって形成されていることを特徴とする請求項３記載の、真空吸着器における接触部の平坦度測定方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、真空吸着器における接触部の平坦度測定方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図３および図４には真空吸着器が示されている。この真空吸着器１は円板状に構成されていて、その上面中央部には真空吸着部を構成する凹部２が形成されている。また、この凹部２には多数の微小な突子（接触部）３が形成されている。さらに、この凹部２の縁はシール部４を構成している。また、凹部２には真空ポンプ（図示せず）に連通する孔５が形成されている。そして、この真空吸着器１では、薄板等の吸着目的物をその真空吸着器１上に載置し、真空ポンプで真空吸着部を減圧することによって吸着目的物Ｗを吸着するようになっている。この場合、吸着目的物Ｗの背面を支持するのが突子３である。
【０００３】
ところで、例えば半導体ウェーハを吸着する真空吸着器にあっては、凹部２内に形成された多数の突子３の先端が面一となっていることが必要である。多数の突子３の先端が面一となっていないと、吸着した場合、半導体ウェーハが部分的に撓んでしまうことになる。そして、この撓みが生じると、例えばフォトリソグラフィ工程等にあってはマスクパターンが正確に転写されないなどの問題が生じる。
【０００４】
そこで、多数の突子３の平坦度を測定することが必要となる。この測定は、真空吸着器１の使い初めだけでなく、定期的に行うことが必要となる。なぜなら、真空吸着器１を使い続けているうちに突子３の先端が欠けたり、摩耗したりするからである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来、多数の突子３の平坦度を測定する有効な方法がなかった。また仮に、各突子３に触子を当てて、各突子３の高さを測定するとすれば、その測定に長時間を要してしまうという問題がある。
【０００６】
本発明は、かかる点に鑑みなされたものであり、真空吸着器の接触部の平坦度の有効な測定方法を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の測定方法は、真空吸着部において吸着目的物の背面に接触しその吸着目的物を支持する多数の接触部の平坦度を測定するにあたり、一面に反射部が形成された反射板として、透明基体を有し、前記透明基体の一面に少なくともその透明基体側が反射面となるような前記反射部が形成されたものを用い、この反射板の前記反射部を真空吸着させることにより前記多数の接触部に接触させ、前記反射部に光を照射して光学測定法により前記反射部の平坦度を求め、この平坦度から前記多数の接触部の平坦度を間接的に測定するようにしたことを特徴とする。この場合の透明基体は、例えば請求項２記載のように、ガラス、樹脂またはセラミックによって構成されている。
この測定方法によれば、反射板を真空吸着させることによりその反射板の背面を多数の接触部に接触させた状態で、反射部に光を照射して光学測定法により反射部の平坦度を求め、この平坦度から多数の接触部の平坦度を間接的に測定するので、多数の接触部の平坦度を簡易かつ迅速に測定できることになる。
また、反射部を多数の接触部に接触させるので、より正確に平坦度を測定できる。
【０００９】
請求項３記載の測定方法は、請求項１又は２記載の測定方法において、前記反射部は蒸着によって形成されていることを特徴とする。例えば、請求項４に示すように、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｌ、Ａｇ、ＴｉＣ、ＴｉＮまたはＳｉＣの蒸着によって形成されている。
この測定方法によれば、反射部が蒸着によって形成されているので、反射部の厚さを高度にコントロールでき、したがって、より正確に平坦度を測定できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
図１は本願発明の平坦度測定方法に使用される反射板を示している。この反射板１０はここでは円板状に構成されている。この場合の反射板１０の形状は特には限定されないが吸着目的物と同じ形状であることが好ましい。
【００１２】
この反射板１０は透明基体１１の一面に反射部１２を形成した構造となっており、反射部１２の透明基体１１側（内側）が反射面を構成している。この場合、反射部１２の外側も反射面を構成していても良い。ここで、反射板１０は石英ガラス、クラウンガラス、フリントガラス、アクリル樹脂、ポリカーボネートガラスまたはセラミック（ＳＩＣ）等によって構成されている。一方、反射部１２は、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｌ、Ａｇ、ＴｉＣ、ＴｉＮまたはＳｉＣ等を蒸着することによって形成されている。
【００１３】
この反射板１０の厚さは、反射板１０が多数の突子３（図２）に確実に当接し、かつ、真空圧による突子３，３間の変形が無視できるような寸法とされている。例えば、吸着目的物が半導体ウェーハ（図示せず）とした場合、反射板１０の厚さは、その反射板１０の透明基体１１の材質にもよるが、１ｍｍ〜２ｍｍ程度とすることが好ましい。勿論、吸着目的物が半導体ウェーハの場合には、それに合わせて反射板１の厚さを適宜に変える必要がある。
【００１４】
続いて、前記反射板１０を使用しての突子３の平坦度の測定方法について説明する。
まず、図２に示すように反射板１０を真空吸着器１の上に載置する。このとき、反射板１０の反射部１２が上であっても下であってもかまわないが、反射板１０の反射部１２が下であることが好ましい。反射部１２が多数の突子３に密着するので平坦度の測定が正確になるからである。
【００１５】
この状態で、反射板１０に光を照射し、光学測定法により反射部１２の平坦度を測定する。この場合の光学測定法としては、フィゾー干渉計、マイケルソン干渉計やトワイマン−グリーン干渉計を用いた光学測定等が利用できる。勿論、反射部１２の平坦度が測定できるならば、その他の測定方法も使用できる。
【００１６】
このような測定方法によれば、反射板１０を真空吸着させることによりその反射板１０の背面を多数の突子３に接触させた状態で、反射部１２に光を照射して光学測定法により反射部１２の平坦度を求め、この平坦度から多数の突子３の平坦度を間接的に測定するので、多数の突子３の平坦度を簡易かつ迅速に測定できる。
【００１７】
また、反射部１２を多数の突子３に接触しているので、より正確に平坦度を測定できる。
【００１８】
さらに、この測定方法によれば、反射部１２が蒸着によって形成されているので、反射部１２の厚さを高度にコントロールでき、したがって、より正確に平坦度を測定できる。
【００１９】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、かかる実施形態に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で種々変形可能であることはいうまでもない。
【００２０】
例えば、前記実施形態では、反射板１０として透明基体１１と反射部１２とを有するものを用いたが、基体は透明でなく、反射部１２の外側が少なくとも反射面となっているものであれば用いることができる。例えば、鏡面ウェーハを用いることができる。この場合、反射板１０における反射部１２とは反対側の面を吸着させることが必要である。
【００２１】
【発明の効果】
本発明の代表的なものの効果について説明すれば、真空吸着部において吸着目的物の背面に接触しその吸着目的物を支持する多数の接触部の平坦度を測定するにあたり、一面に反射部が形成された反射板を用い、前記反射板を真空吸着させることにより前記反射板の背面を前記多数の接触部に接触させ、前記反射部に光を照射して光学測定法により前記反射部の平坦度を求め、この平坦度から前記多数の接触部の平坦度を間接的に測定するようにしたので、多数の接触部の平坦度を簡易かつ迅速に測定できることになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る測定方法に使用される反射板の構成図である。
【図２】本発明に係る測定方法で反射板を真空吸着器で吸着する際の様子を示す図である。
【図３】真空吸着器の平面図である。
【図４】真空吸着器の縦断面である。
【符号の説明】
１        真空吸着器
３        突子（接触部）
１０      反射板
１１      透明基体
１２      反射部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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