(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハ（１５０）の一面（１５１）側にチップ単位毎に、半導体素子（２０〜４０）を形成するとともに、スクライブ領域に対応する部位に、前記半導体ウェハの一面から凹んだ溝部（７０）を形成する工程と、
前記半導体ウェハの一面側に保護シート（１１０）を貼り付けると共に、前記保護シートを前記溝部の底面におけるスクライブラインに位置する部位に貼り付ける工程と、
しかる後、前記半導体ウェハの他面（１５２）側からダイシングカットを行い、前記半導体ウェハをチップ単位毎に分断する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一面に保護シートが貼り付けられた半導体ウェハを、この半導体ウェハの他面側からダイシングカットすることにより形成された半導体チップを有し、この半導体チップにおける半導体ウェハの一面に相当する主表面側に、半導体素子が形成されてなる半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種の半導体装置としては、例えば、図７に示す様な平面構成を有する半導体加速度センサＪがある。このものは、半導体チップ１０における主表面１０ａ側に、溝（図７中のハッチング部分）を形成することにより、可動電極２４とこの可動電極２４と対向して配置された固定電極３２、４２とを備える櫛歯状の梁構造体としての半導体素子を形成してなる。
【０００３】
可動電極２４は錘部２１と一体化して可動部２０を構成しており、この可動部２０はアンカー部２３ａ、２３ｂに梁部２２を介して支持されている。一方、固定電極３２、４２は配線部３１、４１にて半導体チップ１０に固定支持されており、これら固定電極と配線部とにより固定部３０が構成されている。
【０００４】
そして、加速度の印加に応じて可動部２０が梁部２２のバネ機能によって図中のＸ方向に変位したとき、可動電極２４と固定電極３２、４２との間の静電容量の変化に基づいて印加加速度を検出するようになっている。
【０００５】
なお、図７に示す半導体加速度センサＪにおいて、半導体チップ１０における主表面１０ａと反対の面側には、上記梁構造体（半導体素子）に対応した部位に、可動電極２４を可動とするための開口部１３ａが形成されている。また、可動及び固定の両電極２４、３２、４２を含む梁構造体２０、３０、４０の外周には、梁構造体２０〜４０と溝を介して電気的に絶縁されたフィールド部６０が設けられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
このような半導体加速度センサＪは、一般に図８に示す様にして製造される。図８は、上記図７のＡ−Ａ断面に対応した断面にて示されたものである。即ち、まず、周知の半導体製造技術を用いて、ＳＯＩ（シリコン−オン−インシュレータ）ウェハ等よりなる半導体ウェハ１５０の一面１５１側にチップ単位に、半導体素子としての梁構造体２０〜４０やフィールド部６０を形成する（図８（ａ））。
【０００７】
その後、半導体ウェハ１５０の一面１５１に保護シート（ダイシングテープ）１１０を貼り付け、半導体ウェハ１５０の他面１５２側から、スクライブラインＤＬに沿ってダイシングカットする（図８（ｂ））。こうして、半導体ウェハ１５０において、上記センサＪがチップ単位に分断される。
【０００８】
この場合、図８（ｃ）に拡大して示す様に、半導体ウェハ１５０の一面１５１側にはダイシングにおける切り代として溝Ｍが形成されるのが一般的であるため、スクライブ領域では保護シート１１０と半導体ウェハ１５０との間は空隙Ｋを介して離れている。
【０００９】
すると、ブレード１２０が半導体ウェハ１５０を貫通した際に、この空隙Ｋにて切り屑Ｎが飛散し、保護シート１１０に付着する。そのため、半導体ウェハ１５０から保護シート１１０を剥がす際に、切り屑Ｎが半導体チップ１５０上に付着残留し、半導体チップ１５０に形成された可動電極２４等に異物として載ってしまい、センサの動作不良を起こすという問題が生じる。
【００１０】
なお、このような問題は、上記加速度センサＪに限らず、一面に保護シートが貼り付けられた半導体ウェハをこの半導体ウェハの他面側からダイシングカットすることにより形成された半導体チップにおいて、半導体ウェハの一面に相当する主表面側に集積回路やダイヤフラム等の半導体素子を形成した半導体装置について、共通の問題として考えられ、上記切り屑の付着により半導体素子の特性劣化が懸念される。
【００１１】
そこで、本発明は上記問題に鑑み、一面に保護シートが貼り付けられた半導体ウェハを、この半導体ウェハの他面側からダイシングカットすることにより形成された半導体チップを有し、この半導体チップにおける半導体ウェハの一面に相当する主表面側に、半導体素子が形成されてなる半導体装置において、ダイシングカットの際に発生する切り屑の飛散を防止し、半導体素子の特性劣化を防止できるようにすることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１の発明は、半導体装置の製造方法に係るものであり、半導体ウェハ（１５０）の一面（１５１）側にチップ単位毎に、半導体素子（２０〜４０）を形成するとともに、スクライブ領域に対応する部位に、半導体ウェハの一面から凹んだ溝部（７０）を形成する工程と、半導体ウェハの一面側に保護シート（１１０）を貼り付けると共に、保護シートを溝部の底面におけるスクライブラインに位置する部位に貼り付ける工程と、しかる後、半導体ウェハの他面（１５２）側からダイシングカットを行い、半導体ウェハをチップ単位毎に分断する工程とを実行することを特徴としている。
【００１８】
本製造方法によれば、ダイシングカット時には、この溝部がスクライブ領域となり、半導体ウェハを貫通してきたブレードは、溝部の底面のうち半導体ウェハの一面側のスクライブラインに位置する部位に現れてくる。ここで、この溝部の底面にも保護シートが貼り付けられ密着しているため、切り屑が飛散する空隙が存在せず、ダイシングカットの際に発生する切り屑の飛散を防止することができ、出来上がった半導体装置において半導体素子の特性劣化を防止することができる。
【００２６】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【００２７】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。本実施形態は、半導体装置として、差動容量式の半導体加速度センサについて本発明を適用したものである。図１に半導体加速度センサ１００の平面構成を示し、図２に図１中のＢ−Ｂ線に沿った模式的な断面構造を示す。この半導体加速度センサ１００は、例えば、エアバッグ、ＡＢＳ、ＶＳＣ等の作動制御を行うための自動車用加速度センサやジャイロセンサ等に適用できる。
【００２８】
半導体加速度センサ（以下、単にセンサという）１００は、半導体ウェハに周知の半導体製造技術を用いてチップ単位毎にセンサ構成部を形成した後、該半導体ウェハをダイシングカットすることにより分断された半導体チップとして構成されている。
【００２９】
センサ１００を構成する半導体チップは、図２に示す様に、第１の半導体層としての第１シリコン基板（半導体基板）１１と第２の半導体層としての第２シリコン基板（半導体膜）１２との間に、絶縁層としての酸化膜１３を有する矩形状のＳＯＩ基板１０である。ここで、ＳＯＩ基板（半導体チップ）１０では、第２シリコン基板１２側がＳＯＩ基板１０の主表面１０ａである。また、図１中、酸化膜１３の露出する部分には、識別のため便宜上ハッチングを施してある。
【００３０】
第２シリコン基板１２には、溝を形成することにより、可動部２０及び固定部３０、４０よりなる櫛歯形状を有する梁構造体が形成されており、この梁構造体２０〜４０は本発明でいう半導体素子に相当するものである。また、第１シリコン基板１１及び酸化膜１３のうち上記梁構造体２０〜４０の形成領域に対応した部位は、エッチング等により矩形状に除去されて開口部１３ａを形成している。
【００３１】
開口部１３ａ上を横断するように配置された可動部２０は、矩形状の錘部２１の両端を、梁部２２を介してアンカー部２３ａ及び２３ｂに一体に連結した構成となっている。これらアンカー部２３ａ及び２３ｂは、酸化膜１３における開口部１３ａの開口縁部に固定されており、第１シリコン基板１１上に支持されている。これにより、錘部２１及び梁部２２は、開口部１３ａに臨んだ状態となっている。
【００３２】
また、梁部２２は、２本の梁がその両端で連結された矩形枠状をなしており、梁の長手方向と直交する方向に変位するバネ機能を有する。具体的には、梁部２２は、図１中の矢印Ｘ方向の成分を含む加速度を受けたときに錘部２１を矢印Ｘ方向へ変位させるとともに、加速度の消失に応じて元の状態に復元させるようになっている。よって、可動部２０は、加速度の印加に応じて、開口部１３ａ上にて梁部２２の変位方向（矢印Ｘ方向）へ変位可能となっている。
【００３３】
また、可動部２０は、梁部２２の変位方向（矢印Ｘ方向）と直交した方向にて、錘部２１の両側面から互いに反対方向へ一体的に突出形成された複数個の可動電極２４を備えている。
【００３４】
図１では、可動電極２４は、錘部２１の左側及び右側に各々３個ずつ突出して形成され、各可動電極２４は断面矩形の梁状に形成されて、開口部１３ａに臨んだ状態となっている。このように、各可動電極２４は、梁部２２及び錘部２１と一体的に形成され、錘部２１とともに梁部２１の変位方向へ変位可能となっている。
【００３５】
固定部３０、４０は、酸化膜１３における開口部１３ａの開口縁部における対向辺部のうち、アンカー部２３ａ、２３ｂが支持されていないもう１組の対向辺部に支持されている。ここで、固定部３０、４０は、錘部２１を挟んで２個設けられており、図１中の左側に位置する第１の固定部３０と、図１中の右側に位置する第２の固定部４０とより成り、両固定部３０、４０は互いに電気的に独立している。
【００３６】
各固定部３０、４０は、酸化膜１３における開口部１３ａの開口縁部に固定されて第１シリコン基板１１に支持された配線部３１及び４１と、可動電極２４の側面と所定の検出間隔を存して平行した状態で対向配置された複数個（図示例では３個ずつ）の固定電極３２及び４２とを有した構成となっている。
【００３７】
なお、第１の固定部３０側の固定電極３２を第１の固定電極、第２の固定部４０側の固定電極４２を第２の固定電極とする。各固定電極３２及び４２は断面矩形の梁状に形成されて、各配線部３１、４１に片持ち状に支持された状態となっており、開口部１３ａに臨んだ状態となっている。
【００３８】
また、各固定部３０、４０の各配線部３１、４１上の所定位置には、それぞれワイヤボンディング用の固定電極パッド３１ａ、４１ａが形成されている。また、一方のアンカー部２３ｂと一体に連結された状態で、可動電極用配線部２５が形成されており、この配線部２５上の所定位置には、ワイヤボンディング用の可動電極パッド２５ａが形成されている。上記の各電極パッド２５ａ、３１ａ、４１ａは、例えばアルミニウム等により形成されている。
【００３９】
更に、錘部２１、可動電極２４、及び各固定電極３２、４２には、ＳＯＩ基板１０の主表面１０ａから開口部１３ａ側へ貫通する矩形状の貫通孔５０が複数形成されており、これら貫通孔５０により、矩形枠状部を複数組み合わせた所謂ラーメン構造形状が形成されている。これにより、可動部２０及び各固定電極３２、４２の軽量化、捩じり強度の向上がなされている。
【００４０】
また、第２シリコン基板１２のうち梁構造体２０〜４０の外周には、酸化膜１３に達する溝を介して梁構造体２０〜４０とは電気的に絶縁されたフィールド部６０が形成されている。このフィールド部６０は梁構造体２０〜４０を取り囲むように環状に配置されており、このフィールド部６０によって梁構造体２０〜４０は外部から電気的にシールドされている。
【００４１】
ここで、本実施形態では、ＳＯＩ基板１０の主表面１０ａのうちフィールド部６０の外周からＳＯＩ基板１０の外周端部に渡る領域に、第２シリコン基板１２を除去することにより酸化膜１３に達する環状の外周溝部（本発明でいう溝部）７０を形成したことを主たる特徴としている。
【００４２】
このＳＯＩ基板（半導体チップ）１０の主表面１０ａから凹んだ外周溝部７０は、上記図７に示した従来の切り代の溝Ｍに比べて幅広形状となっている。即ち、外周溝部７０の幅は、後述するダイシングカットの際に使用する保護シート１１０が、フィールド部６０の表面（半導体チップの主表面）から外周溝部７０の段差を越えて折り曲げられ、ＳＯＩ基板１０の外周端部における外周溝部７０の底面に貼り付くことのできる大きさとなっている。
【００４３】
具体的には、外周溝部７０の幅は、最低でも７５μｍは必要と考える。これは、保護シート１０の膜厚、粘着剤によるものと思われる。好ましくは、１５０μｍ程度であり、２００μｍを越えた際には、十分良好な結果が得られた。即ち、第２シリコン基板１２の膜厚が１５μｍであるため、保護シート１０が、外周溝部７０に貼り付くための外周溝部７０の幅として、基板１２の膜厚との比率でいうと、少なくとも基板１２の膜厚の５倍以上、好ましくは１０倍以上、最適には１３倍以上とする。
【００４４】
かかる本センサ１００は、主表面１０ａとは反対側の第１シリコン基板１１側の面において接着剤８０を介してパッケージ８１に接着固定されている。このパッケージ８１には、図示しない回路手段が収納されている。そして、この回路手段と上記の各電極パッド２５ａ、３１ａ、４１ａとは、ワイヤボンディング等により電気的に接続されている。
【００４５】
このような構成においては、第１の固定電極３２と可動電極２４との検出間隔に第１の容量ＣＳ１、第２の固定電極４２と可動電極２４との検出間隔に第２の容量ＣＳ２が形成されている。
【００４６】
そして、加速度を受けると、梁部２２のバネ機能により、可動部２０全体が一体的に上記矢印Ｘ方向へ変位し、可動電極２４の変位に応じて上記第１及び第２の容量ＣＳ１、ＣＳ２が変化する。そして、上記回路手段により、これら第１及び第２の容量の差分、即ち、差動容量（ＣＳ１−ＣＳ２）の変化を電圧信号に変換することで加速度を検出する。
【００４７】
次に、上記構成に基づき、本実施形態に係るセンサ１００の製造方法を説明する。図３は、本センサ１００の製造方法を説明するための説明図であり、上記図２に対応した断面にて示してある。なお、図３中、（ｃ）はスクライブライン近傍の拡大図である。
【００４８】
本センサ１００は、ウェハ状態のＳＯＩ基板である半導体ウェハ１５０に、周知のフォトリソグラフィ技術、ドライエッチングまたはウェットエッチング技術等の半導体製造技術を用いて、チップ単位に梁構造体２０〜４０、フィールド部６０、外周溝部７０等のセンサ構成部を形成した後、図３（ａ）に示すスクライブライン（ダイシングライン）ＤＬに沿ってダイシングカットを行うことにより形成される。
【００４９】
限定するものではないが、センサ構成部の製造方法の一例を述べる。まず、半導体ウェハ１５０の一面（ＳＯＩ基板１０の主表面１０ａに相当する）１５１に、アルミニウム等の導電性膜を成膜し、その膜をフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を利用してパターニングすることにより、上記電極パッド２５ａ、３１ａ、４１ａを形成する。
【００５０】
次に、半導体ウェハ１５０の他面（ＳＯＩ基板１０の第１シリコン基板１１の表面に相当）１５２に、例えば、プラズマＳｉＮ膜により、開口部１３ａをエッチングにより形成する際のマスクを形成する。続いて、半導体ウェハ１５０の一面１５１に、ＰＩＱ（ポリイミド）膜を塗布し、そのＰＩＱ膜をエッチングして、梁構造体２０〜４０、フィールド部６０、外周溝部７０等に対応した形状にパターニングする。
【００５１】
次に、上記ＰＩＱ膜の上に、保護膜としてのレジストを塗布し、半導体ウェハ１５０の他面１５２側を例えばＫＯＨ水溶液で深堀エッチングする。この深堀エッチングにおいては、酸化膜１３のエッチング速度がＳｉに比較して遅いため、酸化膜１３がエッチングストッパとして機能する。
【００５２】
この後、ＨＦ水溶液等により、露出している酸化膜１３及び上記プラズマＳｉＮ膜を除去してから、半導体ウェハ１５０の一面１５１を保護しているレジストを除去し、上記ＰＩＱ膜をマスクにしてドライエッチングにより、第２シリコン基板１２中に溝を形成することによって、梁構造体２０〜４０、フィールド部６０、外周溝部７０等のセンサ構成部を形成する。
【００５３】
そして、表面のＰＩＱ膜をＯ2アッシング等によって除去することにより、図３（ａ）に示す様に、半導体ウェハ１５０において、上記センサ１００がチップ単位毎に形成される。
【００５４】
このように本製造方法においては、まず、半導体ウェハ１５０の一面１５１側にチップ単位毎に、梁構造体（半導体素子）２０〜４０及びフィールド部６０を形成するとともに、スクライブ領域に対応する部位に半導体ウェハ１５０の一面１５１から凹んだ外周溝部７０を形成する（半導体素子及び溝部形成工程）。
【００５５】
次に、図３（ｂ）に示す様に、半導体ウェハ１５０の一面１５１側に保護シート１１０を貼り付けると共に、保護シート１１０を外周溝部７０の底面におけるスクライブラインＤＬに相当する部位に貼り付ける（保護シート貼付工程）。この保護シート１１０は、ダイシングカットの際に一般に用いられる樹脂よりなるダイシングテープであり、外周溝部７０の底面に押し付けるように曲げ変形させられることで、当該底面に貼り付けられる。
【００５６】
なお、この保護シート貼付工程が実行されるということは、上述したように、センサ１００の構成においても、保護シート１１０がＳＯＩ基板１０の主表面１０ａから（フィールド部６０の表面から）外周溝部７０の段差を越えて、ＳＯＩ基板１０の外周端部における外周溝部７０の底面に貼付可能となっていることを意味する。ちなみに、上記図８に示した従来の溝Ｍでは幅が狭く、上記のように、保護シート１１０を溝の底面に貼り付けることはできない。
【００５７】
保護シート貼付工程の後、図３（ｂ）に示す様に、半導体ウェハ１５０の他面１５２側からスクライブラインＤＬに沿って、ダイシング用のブレード１２０を用いてダイシングカットを行い、半導体ウェハ１５０をチップ単位毎に分断する（ダイシングカット工程）。このとき、外周溝部７０は切り代となる。
【００５８】
このダイシングカット工程においては、外周溝部７０がスクライブ領域に位置し、半導体ウェハ１５０を貫通してきたブレード１２０は、外周溝部７０の底面のうち、ＳＯＩ基板１０の外周端部となる部位即ち半導体ウェハ１５０の一面１５１側のスクライブラインＤＬに位置する部位に現れてくる。
【００５９】
ここで、このブレード１２０が現れてくる外周溝部７０の底面には、保護シート１１０が貼り付けられ密着しているため、ウェハ１５０の切り屑が飛散する空隙が存在しないようにすることができる。そのため、ダイシングカットの際に発生する切り屑の飛散を防止して、梁構造体（半導体素子）２０〜４０等のセンサ構成部への切り屑の付着を防止することができる。
【００６０】
もし、梁構造体２０〜４０へ切り屑が異物として付着すると、加速度印加時における可動部２０の正常な変位特性を阻害したり、可動及び固定電極２４、３２、４２間の短絡等の不具合を招く可能性がある。その点、本実施形態によれば、そのような切り屑の付着を防止することができるため、梁構造体２０〜４０の特性劣化、即ちセンサ特性の劣化を防止することができる。
【００６１】
なお、ダイシングカット工程の後、保護シート１１０を剥がし、半導体チップとしてのＳＯＩ基板１０を上記パッケージ８１へ配設したり、各電極パッド２５ａ、３１ａ、４１ａと上記回路手段とのワイヤボンディングを行う等により、本実施形態のセンサ１００が完成する。
【００６２】
このように、本実施形態によれば、ダイシングカットの際に発生する切り屑の飛散を防止し、半導体素子としての梁構造体２０〜４０の特性劣化を防止することができる半導体加速度センサ及びそのようなセンサの製造方法を提供することができる。
【００６３】
なお、本第１実施形態は外周溝部の構成及びその製造方法を要部とするものであり、半導体加速度センサに限らず、一面に保護シートが貼り付けられた半導体ウェハを他面側からダイシングカットすることにより形成された半導体チップを有し、該半導体チップにおける半導体ウェハの一面に相当する主表面側に集積回路やダイヤフラム等の半導体素子を形成した半導体装置についても適用可能である。即ち、半導体集積回路装置や圧力センサ等の半導体力学量センサ等にも、本実施形態は適用可能である。
【００６４】
（第２実施形態）
本第２実施形態に係る半導体加速度センサ２００の平面構成を図４に示す。また、図５に図４中のＣ−Ｃ線に沿った模式的な断面構造を示す。ここで、図４中、酸化膜１３の露出する部分には、識別のため便宜上ハッチングを施してある。本実施形態は、上記第１実施形態にて示した半導体加速度センサにおいて外周溝部の代わりに堀部を設けたことを特徴とするものであり、第１実施形態と同一部分には、図中、同一符号を付し、以下、相違点について主として説明する。なお、本実施形態は、本発明の参考例である。
【００６５】
図４及び図５に示す様に、可動電極２４及び固定電極３２、４２を含む梁構造体２０〜４０とＳＯＩ基板（半導体チップ）１０の外周端部との間に、梁構造体２０〜４０の外周囲を取り囲むように、ＳＯＩ基板１０の主表面１０ａから酸化膜１３まで凹んだ堀部２１０が形成されている。
【００６６】
本例では、堀部２１０は、梁構造体２０〜４０の外周囲のフィールド部６０の外周を取り囲むように配置されている。そして、堀部２１０の外周からＳＯＩ基板１０の外周端部までの領域には、第２シリコン基板１２が残された部分としての残し部２１１が設けられている。
【００６７】
また、この堀部２１０内には、ＳＯＩ基板１０の主表面１０ａにおける堀部２１０の内周側の部位（本例ではフィールド部６０）と外周側の部位である残し部２１１とを電気的に接続する電気接続部２２０が形成されている。本例では、電気接続部２２０は、堀部２１０内にて第２シリコン基板１２を部分的に４箇所残すことにより形成されている。なお、電気接続部２２０は少なくとも１箇所形成されていればよい。
【００６８】
本実施形態のセンサ２００の製造方法について、図６を参照して述べる。図６は、本センサ２００の製造方法を説明するための説明図であり、上記図５に対応した断面にて示してある。なお、図６中、（ｃ）はスクライブライン近傍の拡大図である。
【００６９】
本例では、電気接続部２２０は、第２シリコン基板１２を部分的に残すことにより形成されているため、堀部２１０及び電気接続部２２０は、上記第１実施形態に示した製造方法と同様に、梁構造体２０〜４０等をエッチングして形成する際に、同時にパターニングして形成することができる。
【００７０】
つまり、本例では、可動電極２４及び固定電極３２、４２の形成及び堀部２１０の形成を行う工程と、半導体ウェハ１５０の一面１５１における堀部２１０の内周側の部位と外周側の部位とを電気的に接続する工程（電気接続部形成工程）とは、同時に行うことができる。なお、電気接続部２２０は、連続してつながった環状の堀部２１０を形成した後、フィールド部６０と残し部２１１とをワイヤ等で接続したり、堀部２１０内に部分的に導電性部材を埋め込む等によって形成しても良い。
【００７１】
こうして、図６（ａ）に示す様に、半導体ウェハ１５０の一面１５１側に、チップ単位毎に、梁構造体２０〜４０、フィールド部６０、堀部２１０、残し部２１１及び電気接続部２２０等が形成される。次に、図６（ｂ）に示す様に、半導体ウェハ１５０の一面１５１側に保護シート１１０を貼り付ける（保護シート貼付工程）。このとき、残し部２１１にも保護シート１１０が貼り付けられる。
【００７２】
しかる後、図６（ｂ）に示す様に、半導体ウェハ１５０の他面１５２側からスクライブラインＤＬに沿って、ダイシング用のブレード１２０を用いてダイシングカットを行い、半導体ウェハ１５０をチップ単位毎に分断する（ダイシングカット工程）。このとき、チップ単位を越えて隣接する堀部２１０の間の残し部２１１が切り代となる。
【００７３】
このダイシングカット工程においては、残し部２１１がスクライブ領域に位置し、半導体ウェハ１５０を貫通してきたブレード１２０は、残し部２１１の表面のうち、ＳＯＩ基板１０の外周端部となる部位即ち半導体ウェハ１５０の一面１５１側のスクライブラインＤＬに位置する部位に現れてくる。
【００７４】
ここで、このブレード１２０が現れてくる残し部２１１の表面には、保護シート１１０が貼り付けられ密着しているため、ウェハ１５０の切り屑が飛散する空隙が存在しない。そのため、ダイシングカットの際に発生する切り屑の飛散を防止して、梁構造体２０〜４０等のセンサ構成部への切り屑の付着を防止することができる。
【００７５】
また、本実施形態によれば、ＳＯＩ基板（半導体チップ）１０の主表面１０ａにおけるフィールド部６０と残し部２１１とが電気的に接続されている（つまり、堀部２１０の内周側と外周側の両側の部位が電気的に接続されている）ため、堀部２１０を形成したＳＯＩ基板１０において、堀部２１０の内周側と外周側との間で寄生容量が発生するのを防止することができる。
【００７６】
従って、本実施形態によれば、半導体加速度センサにおいて、可動電極２４及び固定電極３２、４２への切り屑の付着を防止するとともに、上記した寄生容量の発生による可動電極２４及び固定電極３２、４２への電気的な悪影響を防止することができるため、両電極２４、３２、４２の機械的、電気的特性を良好に維持することが可能となる。
【００７７】
なお、本第２実施形態は、半導体加速度センサ以外にも、一面に保護シートが貼り付けられた半導体ウェハを、この半導体ウェハの他面側からダイシングカットすることにより形成された半導体チップを有し、半導体チップにおける半導体ウェハの一面に相当する主表面側に、可動電極及び固定電極を形成し、力学量の印加に応じて可動電極が変位したとき、可動電極と固定電極との間の静電容量の変化に基づいて印加力学量を検出するようにした半導体力学量センサについて適用可能であり、例えば、角速度センサや圧力センサであっても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体加速度センサの平面構成図である。
【図２】図１中のＢ−Ｂ線に沿った模式的断面図である。
【図３】図１に示す加速度センサの製造方法を示す説明図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る半導体加速度センサの平面構成図である。
【図５】図４中のＣ−Ｃ線に沿った模式的断面図である。
【図６】図４に示す加速度センサの製造方法を示す説明図である。
【図７】従来の半導体加速度センサの平面構成図である。
【図８】図７に示す加速度センサの製造方法を示す説明図である。
【符号の説明】
１０…ＳＯＩ基板、１０ａ…ＳＯＩ基板の主表面、
１１…第１シリコン基板（半導体基板）、
１２…第２シリコン基板（半導体膜）、２０…可動部、
２４…可動電極、３０、４０…固定部、３２、４２…固定電極、７０…溝部、
１１０…保護シート、１５０…半導体ウェハ、１５１…半導体ウェハの一面、
１５２半導体ウェハの他面、２１０…堀部、２１１…残し部。
【図１】
0004258105.tif 000002
【図２】
0004258105.tif 000003
【図３】
0004258105.tif 000004
【図４】
0004258105.tif 000005
【図５】
0004258105.tif 000006
【図６】
0004258105.tif 000007
【図７】
0004258105.tif 000008
【図８】
0004258105.tif 000009