(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一導電型ＧａＡｓ基板上に、第一導電型ＡｌxＧａ1-xＡｓ（0.57≦x≦0.8）下部クラッド層、第一導電型またはアンドープのＩｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ下部光導波層、アンドープのＩｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1圧縮歪量子井戸活性層（0.49y1＜x1≦0.4,0≦y1≦0.1）、第二導電型またはアンドープのＩｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ上部光導波層、第二導電型ＧａＡｓ第一エッチング阻止層をこの順に積層してなる積層体上に、
共振器の共振方向にストライプ状に、電流注入領域および該電流注入領域の両側にそれぞれ所定距離離れた領域に開口を有する第二導電型Ｉｎx8Ｇａ1-x8Ｐ第二エッチング阻止層（0≦x8≦1）および第一導電型ＧａＡｓ電流狭窄層を備え、
前記第一導電型ＧａＡｓ電流狭窄層上および前記開口に露出する前記第二導電型ＧａＡｓ第一エッチング阻止層上に、第二導電型Ｉｎx9Ｇａ1-x9Ｐ第三エッチング阻止層（0≦x9≦1）を備え、
前記第二導電型Ｉｎx9Ｇａ1-x9Ｐ第三エッチング阻止層上に前記電流注入領域に開口を有する第二導電型ＧａＡｓ第四エッチング阻止層および第一導電型Ｉｎ0.5（Ｇａ1-zＡｌz）0.5Ｐ電流狭窄層（0.1≦z≦1）を備え、
前記第一導電型Ｉｎ0.5（Ｇａ1-zＡｌz）0.5Ｐ電流狭窄層上および前記電流注入領域の開口に露出する前記第二導電型Ｉｎx9Ｇａ1-x9Ｐ第三エッチング阻止層上に、第二導電型のＡｌＧａＡｓまたはＩｎ0.5（Ｇａ1-zＡｌz）0.5Ｐ（0.1≦z≦1）からなる上部クラッド層および第二導電型ＧａＡｓコンタクト層を備えてなることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記電流注入領域の幅が３μｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記第二導電型またはアンドープのＩｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ上部光導波層と前記第二導電型ＧａＡｓ第一エッチング阻止層との間に、前記上部クラッド層と導電型および組成が同一のクラッド層を備えていることを特徴とする請求項１または２記載の半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記第一導電型ＧａＡｓ電流狭窄層の積層方向の途中に、前記活性層よりバンドギャップが小さいＩｎＧａＡｓ量子井戸層を備えていることを特徴とする請求項１、２または３記載の半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記第一導電型またはアンドープのＩｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ下部光導波層と前記アンドープのＩｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1圧縮歪量子井戸活性層との間、および
前記第二導電型またはアンドープのＩｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ上部光導波層と前記アンドープのＩｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1圧縮歪量子井戸活性層との間に、
それぞれ、アンドープのＩｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2障壁層（0≦x2≦0.3，0≦y2≦0.6）を備えていることを特徴とする請求項１から４いずれか１項記載の半導体レーザ素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体レーザ素子に関し、特に、発振波長が９８０ｎｍ帯であり、ＡＲＲＯＷ構造を有する半導体レーザ素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
光ファイバ増幅器励起用の光源として、信頼性の高い回折限界の高品質ビームを有する高出力半導体レーザが期待されている。現在、980ｎｍ帯の高出力の回折限界発振可能な半導体レーザとして、米国特許第5606570号において、InGaAsを活性層とし、InGaAlPを電流狭窄層とし、GaAsを高屈折率媒質とした、非共鳴の反射光閉じ込め（Antiresonant Reflecting Optical Waveguide）構造（以下、ＡＲＲＯＷ構造と称する）を備えた半導体レーザ素子であって、高出力化が可能であることが報告されている。ここで、ＡＲＲＯＷ構造は、低屈折率の複数のコア領域、該コア領域間および両外側に設けられる高屈折率領域、該コア領域および高屈折率領域のさらに外側に設けられる、コア領域と略同一の屈折率を有する低屈折率およびさらに最外側に設けられる高屈折率領域を備えるものであり、各コア領域に光閉じ込めを行うものである。本構造によると、コア領域の両外側に設けられた高屈折率領域が基本横モードに対する反射部（reflector）として作用し、さらに外側に設けられた低屈折率領域により光の漏れを抑制することにより基本横モード制御を行うことができる。なお、基本横モード制御を行う際、発振波長をλとし、コア領域の等価屈折率をnc、コア領域幅をdc、該コア領域の両外側に設けられた高屈折率領域の等価屈折率と幅をそれぞれnbおよびdb1としたとき、
【数１】
0004316172.tif 000002
となり、その外側となる低屈折率領域の幅がdc/2となるように、さらに複数コアの各コア間に設けられた高屈折率領域の幅db2が
【数２】
0004316172.tif 000003
となるようにすることが望ましいことが報告されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ＡＲＯＯＷ構造を作製するには、再成長技術を用いる必要があるが、上記米国特許に例示されている構造では、InGaP及びInAlPまたはGaAsが再成長前に表面に露出しており、再成長時の昇温過程でPとAsの表面での相互拡散が生じ、再成長不良を起こしやすいという欠点があり、実用化されていない。また、光導波層と活性層のバンドギャップ差が小さいために温度特性が悪いという欠点もある。
【０００４】
本発明は上記事情に鑑みて、ＡＲＲＯＷ構造を有する半導体レーザ素子であって、低出力から高出力まで信頼性の高い半導体レーザ素子を提供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体レーザ素子は、第一導電型ＧａＡｓ基板上に、第一導電型ＡｌxＧａ1-xＡｓ（0.57≦x≦0.8）下部クラッド層、第一導電型またはアンドープのＩｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ下部光導波層、アンドープのＩｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1圧縮歪量子井戸活性層（0.49y1＜x1≦0.4,0≦y1≦0.1）、第二導電型またはアンドープのＩｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ上部光導波層、第二導電型ＧａＡｓ第一エッチング阻止層をこの順に積層してなる積層体上に、
共振器の共振方向にストライプ状に、電流注入領域および該電流注入領域の両側にそれぞれ所定距離離れた領域に開口を有する第二導電型Ｉｎx8Ｇａ1-x8Ｐ第二エッチング阻止層および第一導電型ＧａＡｓ電流狭窄層を備え、
前記第一導電型ＧａＡｓ電流狭窄層上および前記開口に露出する前記第二導電型ＧａＡｓ第一エッチング阻止層上に、第二導電型Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ第三エッチング阻止層を備え、
前記第二導電型Ｉｎx9Ｇａ1-x9Ｐ第三エッチング阻止層上に前記電流注入領域に開口を有する第二導電型ＧａＡｓ第四エッチング阻止層および第一導電型Ｉｎ0.5（Ｇａ1-zＡｌz）0.5Ｐ電流狭窄層（0.1≦z≦1）を備え、
前記第一導電型Ｉｎ0.5（Ｇａ1-zＡｌz）0.5Ｐ電流狭窄層上および前記電流注入領域の開口に露出する前記第二導電型Ｉｎx9Ｇａ1-x9Ｐ第三エッチング阻止層上に、第二導電型のＡｌＧａＡｓまたはＩｎ0.5（Ｇａ1-zＡｌz）0.5Ｐ（0.1≦z≦1）からなる上部クラッド層および第二導電型ＧａＡｓコンタクト層を備えてなることを特徴とするものである。
【０００６】
なお、電流注入領域の幅が３μｍ以上であることが望ましい。
【０００７】
第二導電型Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ上部光導波層と第二導電型ＧａＡｓエッチング阻止層との間に、上部クラッド層と導電型および組成が同一のクラッド層を備えてもよい。
【０００８】
第一導電型ＧａＡｓ電流狭窄層の積層方向の途中に、活性層よりバンドギャップが小さいＩｎＧａＡｓ量子井戸層を備えてもよい。
【０００９】
第一導電型またはアンドープのＩｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ下部光導波層とアンドープのＩｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1圧縮歪量子井戸活性層との間、および第二導電型またはアンドープのＩｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ上部光導波層とアンドープのＩｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1圧縮歪量子井戸活性層との間に、それぞれ、アンドープのＩｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2障壁層（0≦x2≦0.3，0≦y2≦0.6）を備えてもよい。
【００１０】
上記第一導電型と第二導電型とは、逆極性を示すものであり、例えば、第一導電型がｎ型であれば、第二導電型はｐ型であることを示す。
【００１１】
また、上記アンドープとは導電性不純物が導入されていないことを示す。
【００１２】
【発明の効果】
本発明の半導体レーザ素子によれば、上述のような層構成を備えたことにより、活性層に水平な方向において、ストライプ状の電流注入開口によって規定されるコア領域を中心として、その両側にコア領域の等価屈折率よりも高い等価屈折率である高屈折率領域、その外側にコア領域と同等の等価屈折率である低屈折率領域、さらにその外側に第二の高屈折率領域を備えた、いわゆるＡＲＲＯＷ構造を構成したものとすることができる。
【００１３】
このＡＲＲＯＷ構造を備えたことにより、ＡＲＲＯＷ構造を備えない素子と比較して、ストライプ幅を広くしても横モード制御がなされた単峰性のビームを発振することができる。すなわち、ＡＲＲＯＷ構造を備えない素子においては、横モード制御を行うために、ストライプ幅を３μｍより小さくする必要があったため、それに応じて活性領域幅が制限され、高出力化を図ると活性層への光密度が高くなり端面劣化を引き起こすために高出力発振を行うことができなかった。しかし、上述したような等価屈折率分布のＡＲＲＯＷ構造を有する素子であるため、幅広のストライプ幅の領域に良好な光閉じ込めを行うことができ、幅広の活性領域からの横基本モード発振が可能となる。
【００１４】
また、エッチング阻止層をInGaP層とGaAs層の２層構成にすることにより、エッチング精度が高くなり、高精度ＡＲＲＯＷ構造に必要な屈折率分布を高精度に形成することができる。
【００１５】
また、３μｍ以上の幅広の活性領域を備えることにより活性層のピーク光密度が低減できるので、端面の光吸収再結合による温度上昇を低減できるために、ＡＲＲＯＷ構造を備えない素子と比較して高出力の光ビームを得ることができる。またさらに、ＡＲＲＯＷ構造とともに内部ストライプ構造を作りつけることが可能であるので、コンタクト層と電極との接触面積を広くとることができるので、コンタクト抵抗を低減することでき、発熱による光出力の低下を抑制できる。
【００１６】
また、本発明の半導体レーザ素子によれば、光導波層にＩｎ0.49Ｇａ0.51Ｐを用い、圧縮歪量子井戸活性層にアンドープのＩｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1（0.49y1＜x1≦0.4,0≦y1≦0.1）を用いているため、光導波層と活性層とのバンドギャップ差を大きくとれるため、キャリアの漏れを防ぐことができ、しきい値電流の低減およびしきい値電流の温度特性を改善することができる。
【００１７】
第二導電型Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ上部光導波層と第二導電型ＧａＡｓエッチング阻止層との間に、上部クラッド層と導電型および組成が同一のクラッド層を備えることによっても、ＡＲＲＯＷ構造の形成に必要なストライプ横方向の等価屈折率分布を実現できる。
【００１８】
また、第一導電型ＧａＡｓ電流狭窄層の積層方向の途中に、活性層よりバンドギャップが小さいＩｎＧａＡｓ量子井戸層を備えることにより、ＩｎＧａＡｓ量子井戸層において光吸収が起こるために基本横モード発振の利得を高くすることができる。
【００１９】
また、アンドープのＩｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1圧縮歪量子井戸活性層（0.49y1＜x1≦0.4,0≦y1≦0.1）と、上部および下部光導波層との間、それぞれに、アンドープのＩｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2障壁層（0≦x2≦0.3，0≦y2≦0.6）を備えても、同等な性能を得ることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を図面を用いて詳細に説明する。
【００２１】
本発明の第１の実施の形態による半導体レーザ素子について説明する。図１にその半導体レーザ素子の製造過程の断面図を示す。
【００２２】
有機金属気相成長法の成長用原料として、トリメチルガリウム（TMG）、トリメチルインジュウム（TMI）、トリメチルアルミニウム（TMA）とアルシンとフォスフィンとを原料とし、n型ドーパントガスとして、シランガスを用い、p型ドーパントとしてジメチルジンク（DMZ）を用いる。
【００２３】
図１（ａ）に示すように、有機金属気相成長法により（００１）ｎ-ＧａＡｓ基板１上に、ｎ−ＡｌxＧａ1-xＡｓ下部クラッド層２（0.57≦x≦0.7）、ｎまたはi −Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ下部光導波層３、i−Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2下部障壁層４（0≦x2≦0.3,0≦ y2≦0.6）、i−Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1圧縮歪量子井戸活性層５（0.49y1＜x1≦0.4,0≦ y1≦0.１）、i−Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2上部障壁層６、ｐまたはi −Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ上部光導波層７、ｐ−ＡｌxＧａ1-xＡｓ上部第一クラッド層８、ｐ−ＧａＡｓ第一エッチング阻止層９、ｐ−Ｉｎx8Ｇａ1-x8Ｐ第二エッチング阻止層10（0≦x8≦1）、ｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層11（厚さ0.5μｍ）を形成する。
【００２４】
次に、図１(ｂ)に示すように、フォトリソ法によって電流注入領域５μｍ、及びその両サイド1.9μｍ間隔を空けた2.5μｍ領域のレジストパターンを開口する。このレジストをマスクとして硫酸と過酸化水素水系のエッチング液でｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層11をエッチングする。この時、自動的にｐ−Ｉｎx8Ｇａ1-x8Ｐ第二エッチング阻止層10でエッチングが停止する。レジスト除去した後に、塩酸系エッチング液で、ｐ−Ｉｎx8Ｇａ1-x8Ｐ第二エッチング阻止層10をエッチングする。この時自動的にｐ−ＧａＡｓ第一エッチング阻止層９でエッチングが停止し、再成長前の表面には、ＧａＡｓが全面に露出する。引き続き、As雰囲気で昇温を行い、その後ガス切り替えによりｐ−Ｉｎx9Ｇａ1-x9Ｐ第三エッチング阻止層12（0≦x9≦1）、ｐ−ＧａＡｓ第四エッチング阻止層13およびｎ−Ｉｎ0.5（Ｇａ1−zＡｌｚ）0.5Ｐ電流狭窄層14（0.1≦ｚ≦１）を成長する。
【００２５】
次に、図１（ｃ）に示すように、レジストを塗布し、電流注入領域のレジストを除去し、塩酸系エッチング液で、レジストをマスクとしてｎ−Ｉｎ0.5（Ｇａ1−zＡｌｚ）0.5Ｐ電流狭窄層14をエッチングする。この時自動的に、ｐ−ＧａＡｓ第四エッチング阻止層13で自動的にエッチングが停止する。レジストを除去後、硫酸系のエッチング液で、ｐ−ＧａＡｓ第四エッチング阻止層13を除去する。この時、自動的にｐ−Ｉｎx9Ｇａ1-x9Ｐ第三エッチング阻止層12でエッチングが停止し、ストライプ領域に電流注入領域を形成される。
【００２６】
次に、図１（ｄ）に示すように、再成長表面が、ＩｎＧａＰとＩｎ0.5（Ｇａ1−zＡｌｚ）0.5Ｐとなった状態でＰ雰囲気で昇温し、ｐ−Ｉｎ0.5（Ｇａ1−zＡｌｚ）0.5Ｐ上部第二クラッド層15（0.1≦z≦1）、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層16を形成する。引き続き、p電極17を形成後、基板を研磨し、ｎ電極18を形成する。このようにして作製された試料をへき開して形成した共振器面に高反射率コート、低反射コートを行い、その後、チップ化して半導体レーザ素子を形成する。
【００２７】
この半導体レーザ素子は、上述の層構成により、活性層に水平な方向において、ストライプ状の電流注入開口20によって規定されるコア領域を中心として、その両側にコア領域の等価屈折率ncよりも高い等価屈折率nbである高屈折率領域、その外側にコア領域と同等の等価屈折率ncである低屈折率領域を備え、さらにその外側に等価屈折率nbである第二の高屈折率領域を備えた、図２に示すような等価屈折率分布が形成されている。
【００２８】
なお、発振波長をλとし、コア領域の等価屈折率をnc、コア領域の両側の高屈折率領域の屈折率をnbとしたとき、コア領域の両側の高屈折率領域の幅db1が、
【数３】
0004316172.tif 000004
であることが望ましい。さらに、この高屈折率領域の外側に設けられたdc/2幅の低屈折率領域により、光出力の横方向（等価屈折率分布を有する方向）への漏れを抑制し、回折限界の単峰性の発振が得られる良好なＡＲＲＯＷ構造を形成することができる。
【００２９】
本発明の半導体レーザ素子においては、再成長前（第三エッチング阻止層の形成前および上部第二クラッド層15の形成前）の表面を、Ｖ族元素であるＡｓとＰのうち、ＰのみあるいはＡｓのみを含有する材料とする事により、再成長時の昇温過程でのＡｓとＰの相互拡散を抑制し、高品質な結晶が得られる。
【００３０】
上記ｐ−Ｉｎ0.5（Ｇａ1−zＡｌｚ）0.5Ｐ上部第二クラッド層15は、屈折率が該上部第二クラッド層15と略一致するｐ−Ａｌz1Ｇａ1-z1Ａｓ（0.57≦ｚ1≦0.8）で構成してもよい。
【００３１】
また、上記ｐ−ＡｌxＧａ1-xＡｓ上部第一クラッド層８は、屈折率が上部第一クラッド層と略一致するｐ−Ｉｎ0.5（Ｇａ1−z2Ａｌz2）0.5Ｐ（0.1≦z2≦１）で構成してもよい。
【００３２】
次に、本発明の第２の実施の形態による半導体レーザ素子について説明する。その半導体レーザ素子の断面図を図３に示す。上記第１の実施の形態による半導体レーザ素子と同要素には同符号を付し、説明を省略する。図３に示すように、上部第一クラッド層８を積層せずに素子を作製することも可能であり、上記第１の実施の形態による半導体レーザ素子と同様、回折限界の単峰性の発振が得られる。
【００３３】
次に、本発明の第３の実施の形態による半導体レーザ素子について説明する。その半導体レーザ素子の断面図を図４に示す。本半導体レーザ素子は上記第１の実施の形態による半導体レーザ素子と同要素には同符号を付し、説明を省略する。図４に示すように、本半導体レーザ素子は、ｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層11の積層方向の途中に、活性層よりバンドギャップが小さいＩｎＧａＡｓ量子井戸層19を備えている。ＩｎＧａＡｓ量子井戸層19を設けることにより、ＩｎＧａＡｓ量子井戸層19において光吸収が起こるために基本横モード発振の利得を高くすることができる。
【００３４】
次に、本発明の第４の実施の形態による半導体レーザ素子について説明する。その半導体レーザ素子の断面図を図５に示す。本実施の形態による半導体レーザ素子は、上記第１の実施の形態による半導体レーザ素子と比較して、コアを３つ有することが異なる点であり、同要素には同符号を付し、説明を省略する。
【００３５】
本半導体レーザ素子は、図５に示すように、ｐ−Ｉｎx8Ｇａ1-x8Ｐ第二エッチング阻止層10およびｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層11が、それぞれ幅db2間隔で設けられた幅dcの３つの電流注入領域21a,21b,21cおよび該両端の電流注入領域21a,21cの両側にそれぞれdb1離れたdc/2幅の領域に開口を有することにより、３つのコア領域を備えたものである。このようにマルチコアにすることによりさらに高出力化が可能となる。
【００３６】
マルチコアのＡＲＲＯＷ構造とする場合には、活性層に水平な方向における等価屈折率分布が図６のようになるようにする。この場合、複数のコア領域の両端に配される高屈折率領域の幅db1は上式を満たし、各コア領域間の高屈折率領域は、その幅db2が、
【数４】
0004316172.tif 000005
を満たすことが望ましい。
【００３７】
上記すべての実施の形態の半導体レーザ素子において、発振時の端面での光吸収による再結合非発光電流を抑制するために、共振器端面の近傍のｐ−ＧａＡｓコンタクト層16を除去してもよく、これにより、より高出力化を図ることができる。
【００３８】
また、障壁層４および６は、活性層側から、活性層よりバンドギャップが大きいＩｎx4Ｇａ1-x4Ａｓ1-y4Ｐy4引張り歪障壁層（0≦x4＜0.49y4，0＜y4≦0.5）およびＩｎx3Ｇａ1-x3Ａｓ1-y3Ｐy3障壁層（0≦x3≦0.3，x3＝0.49y3）からなるものであってもよい。
【００３９】
上記各実施の形態の半導体レーザ素子の半導体層の成長法としては、上記以外に、固体あるいはガスを原料とする分子線エピタキシャル成長法を用いてもよい。
【００４０】
また、半導体層は、ｎ型層を最初に成長しているが、ｐ型層から成長してもよい。その場合、層の導電性は反転するだけでよい。
【００４１】
上記各半導体レーザ素子の発振波長lは、活性層の組成より、９００＜l＜１２００（ｎｍ）が可能である。
【００４２】
本発明の半導体レーザ素子は、高出力まで信頼性が高いので、高速な情報・画像処理及び通信、計測、医療、印刷の分野での光源として応用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による半導体レーザ素子を示す断面図
【図２】単一コアのＡＲＲＯＷ構造を備えた半導体レーザ素子の活性層に水平方向の等価屈折率分布を示す図
【図３】本発明の第２の実施の形態による半導体レーザ素子を示す断面図
【図４】本発明の第３の実施の形態による半導体レーザ素子を示す断面図
【図５】本発明の第４の実施の形態による半導体レーザ素子を示す断面図
【図６】マルチコアを有するＡＲＲＯＷ構造を備えた半導体レーザ素子における活性層に水平方向の等価屈折率分布を示す図
【符号の説明】
１    ｎ-ＧａＡｓ基板
２    ｎ−ＡｌxＧａ1-xＡｓ下部クラッド層
３    ｎまたはi −Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ下部光導波層
４    i−Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2下部障壁層
５    i−Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ａｓ1-y1Ｐy1圧縮歪量子井戸活性層
６    i−Ｉｎx2Ｇａ1-x2Ａｓ1-y2Ｐy2上部障壁層
７    ｐまたはi −Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ｐ上部光導波層
８    ｐ−ＡｌxＧａ1-xＡｓ上部第一クラッド層
９    ｐ−ＧａＡｓ第一エッチング阻止層
10    ｐ−Ｉｎx8Ｇａ1-x8Ｐ第二エッチング阻止層
11    ｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層
12    ｐ−Ｉｎx9Ｇａ1-x9Ｐ第三エッチング阻止層
13    ｐ−ＧａＡｓ第四エッチング阻止層
14    ｎ−Ｉｎ0.5（Ｇａ1−zＡｌｚ）0.5Ｐ電流狭窄層
15    ｐ−Ｉｎ0.5（Ｇａ1−zＡｌｚ）0.5Ｐ上部第二クラッド層
16    ｐ−ＧａＡｓコンタクト層
17    ｐ電極
18    ｎ電極
【図１】
0004316172.tif 000006
【図２】
0004316172.tif 000007
【図３】
0004316172.tif 000008
【図４】
0004316172.tif 000009
【図５】
0004316172.tif 000010
【図６】
0004316172.tif 000011