(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルム層の片表面に粘着剤層が形成された半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムであって、
基材フィルム層が、貯蔵弾性率（Ｅ’）が１×１０8〜１×１０10Ｐａ、厚みが１０〜１００μｍである高弾性フィルム層を少なくとも２層有し、該基材フィルム層の総厚みが１００〜１０００μｍであること
を特徴とする半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを用いる半導体ウェハの保護方法において、
厚みが１０〜１００μｍの高弾性フィルム層の片表面に、予め、厚みが３〜１００μｍである粘着剤層が形成された粘着フィルムを、
高弾性フィルム層が少なくとも２層となるように、
一方の粘着フィルムの粘着剤層を他方の粘着フィルムの基材フィルム側に順次貼着して積層してなる、
半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを、
該保護用粘着フィルムの粘着剤層を介して半導体ウェハの回路形成面に貼着して、
半導体ウェハの回路非形成面に対して裏面加工を施し、次いで、
半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムの構成単位である粘着フィルムを表層部から順次
一枚ずつ剥離すること
を特徴とする半導体ウェハの保護方法。
【請求項２】
半導体ウェハの回路形成面への貼着が、粘着フィルムを順次貼着して積層することを特徴とする請求項１記載の半導体ウェハの保護方法。
【請求項３】
高弾性フィルム層が、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルイミド及びポリイミドからなる群から選ばれた少なくとも１種のフィルムであることを特徴とする請求項１または２記載の半導体ウェハの保護方法。
【請求項４】
基材フィルム層が、貯蔵弾性率（Ｅ’）が１×１０5〜１×１０8Ｐａ、厚みが１０〜３００μｍである低弾性フィルム層を少なくとも１層有することを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体ウェハの保護方法。
【請求項５】
低弾性フィルム層が、エチレン−酢酸ビニル共重合体であることを特徴とする請求項４記載の半導体ウェハの保護方法。
【請求項６】
低弾性フィルム層が、片表面に粘着剤層が形成された粘着フィルムであり、その粘着剤層を介して半導体ウェハに貼着し、貼着された該粘着フィルムの粘着剤層非形成面に高弾性フィルムを粘着剤層を介して、少なくとも２層以上を順次貼着することを特徴とする請求項４または５記載の半導体ウェハの保護方法。
【請求項７】
半導体ウェハの回路形成面に接する粘着剤層の厚みが、３〜１００μｍであることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体ウェハの保護方法。
【請求項８】
半導体ウェハの裏面加工後の厚みが１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の半導体ウェハの保護方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及びそれを用いる半導体ウェハの保護方法に関する。詳しくは、半導体ウェハを薄層加工する工程における半導体ウェハの破損防止、薄層化した半導体ウェハを搬送する工程において半導体ウェハの反り、撓み等に起因する半導体ウェハの破損、及び半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを剥離する際の半導体ウェハの破損防止に有用であり、生産性向上を図り得る半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及びそれを用いる半導体ウェハの保護方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウェハを加工する工程は、半導体ウェハの回路形成面に半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを貼り付ける工程、半導体ウェハの回路非形成面を加工する工程、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを剥離する工程、半導体ウェハを分割切断するダイシング工程、分割された半導体チップをリードフレームへ接合するダイボンディング工程を経た後、半導体チップを外部保護の為に樹脂で封止するモールド工程等により構成されている。
【０００３】
近年益々、半導体チップの薄層化の要求が高まっており、厚みが１００μｍ以下の薄層チップも望まれている。従って、薄層化された半導体ウェハであっても破損することなく、生産性向上を図り得る半導体ウェハの保護方法が望まれている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上記問題を鑑み、半導体ウェハの厚みが１００μｍ以下に薄層化された場合であっても、半導体ウェハの薄層加工に起因した半導体ウェハの破損、薄層化した半導体ウェハを搬送する工程において半導体ウェハの反り、撓みに等に起因した半導体ウェハの破損、及び半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを剥離する際の半導体ウェハの破損防止に有用である半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及びそれを用いる半導体ウェハの保護方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、鋭意検討した結果、粘着フィルムの基材フィルム層を多層構造とし、その内の少なくとも２層を特定の貯蔵弾性率（Ｅ’）を有する高弾性フィルムで形成し、且つ、該高弾性フィルム各層の厚み及び合計厚み、並びに、基材フィルムの厚みを特定の範囲に限定することにより、上記課題が解決できることを見出し、本発明に至った。
【０００６】
すなわち、本発明は、基材フィルム層の片表面に粘着剤層が形成された半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムであって、基材フィルム層が、貯蔵弾性率（Ｅ’）が１×１０8〜１×１０10Ｐａ、厚みが１０〜１００μｍである高弾性フィルム層を少なくとも２層有し、該高弾性フィルム層の合計厚みが少なくとも１００μｍであり、且つ、基材フィルム層の総厚みが１００〜１０００μｍであることを特徴とする半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムである。
【０００７】
また、本発明の他の発明は、前記半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを用いる半導体ウェハの保護方法であって、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムをその粘着剤層を介して半導体ウェハの回路形成面に貼着して、半導体ウェハの回路非形成面に対して裏面加工を施し、次いで、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを剥離することを特徴とする半導体ウェハの保護方法である。
【０００８】
本発明の特徴は、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムの基材フィルム層が多層構造であり、その内の少なくとも２層が貯蔵弾性率（Ｅ’）が１×１０8〜１×１０10Ｐａである高弾性フィルムで形成される点、該高弾性フィルム各層の厚みが１０〜１００μｍであり、その合計厚みが少なくとも１００μｍである点、及び、基材フィルム層の総厚みが１００〜１０００μｍである点にある。
【０００９】
本発明によれば、半導体ウェハの厚みが１００μｍ以下に薄層化された場合であっても、半導体ウェハの回路形成面（以下、表面という）に半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを貼り付ける工程、半導体ウェハの回路非形成面（以下、裏面という）を加工する工程、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを剥離する一連の工程において、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを貼り付け後、半導体ウェハの裏面を加工する工程において、薄層化に伴い半導体ウェハ自身の強度低下による半導体ウェハの破損、薄層化した半導体ウェハを裏面加工する工程から半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを剥離する工程までに搬送する間、薄層化した半導体ウェハの反りまたは撓みによる半導体ウェハの破損、及び半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを剥離する際の半導体ウェハの破損など、一連の工程における半導体ウェハの破損を防止できる効果を奏するのである。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳細に説明する。先ず、本発明に係わる半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムについて説明する。本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムは、基材フィルムを作成した後、その片面に粘着剤層を形成することにより製造される。通常、粘着剤層の表面に剥離フィルムが貼着される。剥離フィルムを剥離したときに露出する粘着剤層の表面を介して半導体ウェハ表面に貼着されることを考慮し、粘着剤層による半導体ウェハ表面の汚染防止を図るためには、剥離フィルムの片面に、粘着剤塗布液を塗布、乾燥して粘着剤層を形成した後、得られた粘着剤層を基材フィルムの片面に転写する方法が好ましい。
【００１１】
本発明に係わる半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム（以下、粘着フィルムという）の基材フィルムは、高弾性フィルム層を少なくとも２層有する。半導体ウェハ表面に粘着フィルムを貼着、剥離等する際の作業性、半導体ウェハの保護性能等を考慮すると、高弾性フィルム層は、貯蔵弾性率（Ｅ’）が１×１０8〜１×１０10Ｐａであることが好ましい。また、高弾性フィルム層の厚みも、半導体ウェハ表面に対し貼着、剥離等する際の作業性、半導体ウェハの保護性能等に影響を及ぼす。高弾性フィルム層の各層の厚みが厚過ぎると、半導体ウェハの表面に粘着フィルムを貼着する際の作業性、及び半導体ウェハの保護性能が低下する。特に、半導体ウェハの表面に粘着フィルムを貼着した後、ウェハの外周からはみだした余剰部分の切断が困難となる。
【００１２】
また、半導体ウェハ表面に貼着する際には、フィルムの硬さに起因したテープ浮きとなる貼着不良や、半導体ウェハ表面から剥離する際には、同様にフィルムの硬さに起因して、粘着フィルムを剥離する剥がしテープでのピックが困難となる剥離不良となり、作業性が著しく低下する原因となる。逆に、高弾性フィルム層の各層の厚みが薄過ぎると、粘着力とフィルム厚みとの相関からフィルム厚みが薄くなる程、粘着力が上昇する傾向がある。そのため、粘着フィルムを半導体ウェハから剥離する際には、粘着力の上昇により粘着フィルムの剥離不良が生じ、半導体ウェハを破損する等、半導体ウェハの保護性能が低下する。
【００１３】
かかる観点から、高弾性フィルム層の各層の厚みは、１０〜１００μｍ、合計厚みは１００μｍ以上であることが好ましい。高弾性フィルム層の合計厚みの上限は、５００μｍ程度である。より好ましくは、３００μｍ程度である。また、半導体ウェハに対する充分な保護性能を発現させることを考慮すると、基材フィルムは少なくとも２層の高弾性フィルム層を有することが好ましい。
【００１４】
高弾性フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルフォン等、及びこれらの混合樹脂から成形された樹脂フィルムが挙げられる。これらの内、ポリエチレンテレフタレートフィルムが好ましい。代表的市販品として、帝人デュポン（株）製、商品名：テオネックス、三菱化学（株）製、商品名：トーロン４２０３Ｌ、ＩＣＩ社製、商品名：４５Ｇ、ＩＣＩ社製、商品名：２００Ｐ等、東レ（株）製、商品名：トレリナやミクトロン等、三菱樹脂（株）製、商品名：スペリオ等、住友ベークライト（株）製、商品名：スミライト等が挙げられる。
【００１５】
半導体ウェハの裏面研削時の保護性能を高める目的で高弾性フィルムの他に低弾性率の樹脂からなる低弾性フィルムの少なくとも１層を積層してもよい。これらの低弾性フィルム層の片表面に粘着剤層を形成することが好ましい。低弾性フィルム層は、貯蔵弾性率（Ｅ’）が１×１０5〜１×１０8Ｐａ、各層の厚みが１０〜３００μｍであることが好ましい。低弾性フィルム層としては、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アルキルアクリレート共重合体（アルキル基の炭素数１〜４）、低密度ポリエチレン、エチレン−α−オレフィン共重合体（α−オレフィンの炭素数３〜８）等から成形された樹脂フィルムが挙げられる。これらの内、エチレン−酢酸ビニル共重合体フィルムが好ましい。更に好ましくは、酢酸ビニル単位の含有量が５〜５０重量％程度のエチレン−酢酸ビニル共重合体フィルムである。
【００１６】
基材フィルムの代表的な製造方法として、低弾性フィルムを押出機で押出成形しながら、予め用意しておいた高弾性フィルムとラミネートする方法が挙げられる。低弾性フィルムと高弾性フィルムとの接着力を高めるために両者の間に新たに接着層を設けてもよい。基材フィルムと粘着剤層の接着力を高めるために、粘着剤層を設ける面にはコロナ放電処理または化学処理等を施すことが好ましい。基材フィルム全体の厚みは１００〜１０００μｍが好ましい。高弾性フィルムと低弾性フィルムを積層する場合は、前者の層の厚みは１０〜１００μｍ程度、後者の厚みは１０〜３００μｍ程度が好ましい。低弾性フィルム層は、その柔軟性により、ウェハ表面の段差を吸収し、半導体ウェハの裏面研削加工における破損を防ぐ効果を奏する。
【００１７】
本発明に係わる粘着フィルムは、上記の通り、基材フィルム層が、特定の厚み、及び貯蔵弾性率を有する少なくとも２層の高弾性フィルム層から形成されていることに特徴がある。好ましくは、少なくとも２層の高弾性フィルム層に、更に少なくとも１層の低弾性フィルムを積層して、基材フィルムを形成する。基材フィルムをかかる層構成とする方法として、次の方法が挙げられる。
【００１８】
（１）少なくとも２層の高弾性フィルムを積層して基材フィルムを作成し、その片表面に粘着剤層を形成する方法。高弾性フィルム同志を積層する際には、粘着剤を用いても良いし、熱融着しても良い。（２）前項の高弾性フィルム同士の積層フィルムに少なくとも１層の低弾性フィルムを積層して基材フィルムを形成し、いずれか一方の片表面に粘着剤層を形成する方法。この場合、低弾性フィルム側の表面に粘着剤層を形成することが好ましい。（３）予め、高弾性フィルム、及び低弾性フィルムのそれぞれの片表面に粘着剤層を形成して粘着フィルムを作成し、高弾性フィルム層が少なくとも２層となるようにそれらを積層する方法。この場合の積層方法は、一方の粘着フィルムの粘着剤層を他方の粘着フィルムの粘着剤層非形成面に貼り合わせる方法が推奨される。
【００１９】
（３）の方法の最も好ましい方法は、半導体ウェハの表面に粘着フィルムを貼着しながら積層する方法である。具体的には、先ず、低弾性フィルムの片表面に粘着剤層が形成された粘着フィルムを、その粘着剤層を介して半導体ウェハの表面に貼着する。次いで、貼着された粘着フィルムの表面（粘着剤層非形成面）に、高弾性フィルムの片表面に粘着剤層が形成された粘着フィルムを順次少なくとも２枚、それらの粘着剤層を介して積層する方法が挙げられる。
【００２０】
本発明に係わる粘着フィルムの粘着剤層を形成する粘着剤は、アクリル系粘着剤、シリコン系粘着剤が好ましい。その厚みは３〜１００μｍであることが好ましい。粘着フィルム剥離時には、半導体ウェハの回路形成面上を汚染していないことが好ましい。特に、半導体ウェハの裏面を加工する上で、研削熱やその他の裏面加工処理による発熱により、粘着力が大きくなり過ぎないように、また、汚染性が増加しないように、反応性官能基を有する架橋剤、過酸化物、放射線等により高密度に架橋されたものであることが好ましい。粘着力の上昇に伴う剥離不良及び糊残りが発生しないように、１５０℃における貯蔵弾性率が少なくとも１×１０5Ｐａであることが好ましい。更に、２００℃における貯蔵弾性率が少なくとも１×１０5Ｐａであることが好ましい。
【００２１】
本発明に用いるアクリル系粘着剤の製造方法を例示する。粘着剤層は、（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマー単位（Ａ）、架橋剤と反応し得る官能基を有するモノマー単位（Ｂ）、２官能性モノマー単位（Ｃ）をそれぞれ特定量含む乳化重合共重合体のアクリル系粘着剤、並びに、凝集力を上げたり、粘着力を調整するための、官能基を１分子中に２個以上有する架橋剤を含む溶液またはエマルション液を用いて形成する。溶液で使用する場合は、乳化重合で得られたエマルション液からアクリル系粘着剤を塩析等で分離した後、溶剤等で再溶解して使用する。本発明に用いるアクリル系粘着剤は分子量が充分に大きく、溶剤への溶解性が低く、若しくは溶解しない場合が多いので、コスト的な観点から鑑みても、エマルション液のまま使用することが好ましい。
【００２２】
本発明に用いるアクリル系粘着剤は、アクリル酸アルキルエステル、メタクリル酸アルキルエステル、又はこれらの混合物を主モノマー〔以下、モノマー（Ａ）〕として、架橋剤と反応し得る官能基を有するコモノマーを含むモノマー混合物を共重合して得られる。
【００２３】
モノマー（Ａ）としては、炭素数１〜１２程度のアルキル基を有するアクリル酸アルキルエステル又はメタアクリル酸アルキルエステル〔以下、これらの総称して、（メタ）アクリル酸アルキルエステルという〕が挙げられる。好ましくは、炭素数１〜８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルである。具体的には、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸−２−エチルヘキシル等が挙げられる。これらは単独で使用しても、また、２種以上を混合して使用してもよい。
【００２４】
モノマー（Ａ）の使用量は、粘着剤の原料となる全モノマーの総量中に、通常、１０〜９８．９重量％の範囲で含ませることが好ましい。更に好ましくは８５〜９５重量％である。モノマー（Ａ）の使用量をかかる範囲とすることにより、（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマー単位（Ａ）１０〜９８．９重量％、好ましくは８５〜９５重量％を含むポリマーが得られる。
【００２５】
架橋剤と反応し得る官能基を有するモノマー単位（Ｂ）を形成するモノマー（Ｂ）としては、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、メサコン酸、シトラコン酸、フマル酸、マレイン酸、イタコン酸モノアルキルエステル、メサコン酸モノアルキルエステル、シトラコン酸モノアルキルエステル、フマル酸モノアルキルエステル、マレイン酸モノアルキルエステル、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸−２−ヒドロキシエチル、アクリルアミド、メタクリルアミド、ターシャル−ブチルアミノエチルアクリレート、ターシャル−ブチルアミノエチルメタクリレート等が挙げられる。好ましくは、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸−２−ヒドロキシエチル、アクリルアミド、メタクリルアミド等が挙げられる。これらの一種を上記主モノマーと共重合させてもよいし、また２種以上を共重合させてもよい。
【００２６】
架橋剤と反応し得る官能基を有するモノマー（Ｂ）の使用量は、粘着剤の原料となる全モノマーの総量中に、通常、１〜４０重量％の範囲で含まれていることが好ましい。更に好ましくは、１〜１０重量％である。而して、モノマー組成とほぼ等しい組成の構成単位（Ｂ）を有するポリマーが得られる。
【００２７】
更に、本発明では、粘着剤層が半導体ウェハの加工工程での半導体ウェハの裏面加工時やダイボンディング用接着フィルム貼着時の温度条件下でも、粘着剤として充分機能するように、粘着力や剥離性を調整する方策として、エマルション粒子の凝集力を維持する為に粒子バルクの架橋方式も考慮することが好ましい。
【００２８】
エマルション粒子に対しては、１５０〜２００℃の温度条件下でも、少なくとも１×１０5Ｐａの貯蔵弾性率を有する為に、２官能モノマー（Ｃ）を共重合することによって凝集力を維持するように架橋することが好ましい。かかる点を考慮すると、良好に共重合するモノマーとして、メタクリル酸アリル、アクリル酸アリル、ジビニルベンゼン、メタクリル酸ビニル、アクリル酸ビニル等が挙げられる。その他、代表的市販品としては、例えば、両末端がジアクリレートまたはジメタクリレートで主鎖の構造がプロピレングリコール型〔日本油脂（株）製、商品名；ＰＤＰ−２００、同ＰＤＰ−４００、同ＡＤＰ−２００、同ＡＤＰ-４００〕、テトラメチレングリコール型〔日本油脂（株）製、商品名；ＡＤＴ‐２５０、同ＡＤＴ‐８５０〕及びこれらの混合型〔日本油脂（株）製、商品名：ＡＤＥＴ‐１８００、同ＡＤＰＴ−４０００〕等が挙げられる。
【００２９】
２官能モノマー（Ｃ）を乳化共重合する場合、その使用量は、全モノマー中に０．１〜３０重量％含むことが好ましい。更に好ましくは０．１〜５重量％である。而して、モノマー組成とほぼ等しい組成の構成単位（Ｃ）を有するポリマーが得られる。
【００３０】
本発明において、上記粘着剤を構成する主モノマー及び架橋剤と反応し得る官能基を有するコモノマーの他に、界面活性剤としての性質を有する特定のコモノマー（以下、重合性界面活性剤と称する）を共重合してもよい。重合性界面活性剤は、主モノマー及びコモノマーと共重合する性質を有すると共に、乳化重合する場合には乳化剤としての作用を有する。重合性界面活性剤を用いて乳化重合したアクリル系粘着剤を用いた場合には、通常界面活性剤によるウェハ表面に対する汚染が生じない。また、粘着剤層に起因する僅かな汚染が生じた場合においても、ウェハ表面を水洗することにより容易に除去することが可能となる。
【００３１】
このような重合性界面活性剤の例としては、例えば、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルのベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を導入したもの〔第一工業製薬（株）製；商品名：アクアロンＲＮ−１０、同ＲＮ−２０、同ＲＮ−３０、同ＲＮ−５０等〕、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルの硫酸エステルのアンモニウム塩のベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を導入したもの〔第一工業製薬（株）製；商品名：アクアロンＨＳ−１０、同ＨＳ−２０等〕、及び分子内に重合性二重結合を持つ、スルホコハク酸ジエステル系〔花王（株）製；商品名：ラテムルＳ−１２０Ａ、同Ｓ−１８０Ａ等〕等が挙げられる。更に必要に応じて、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等の重合性２重結合を有するモノマーを共重合してもよい。
【００３２】
アクリル系粘着剤の重合反応機構としては、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合等が挙げられる。粘着剤の製造コスト、モノマーの官能基の影響及び半導体ウェハ表面へのイオンの影響等を等慮すればラジカル重合によって重合することが好ましい。ラジカル重合反応によって重合する際、ラジカル重合開始剤として、ベンゾイルパーオキサイド、アセチルパーオキサイド、イソブチリルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ジ−ターシャル−ブチルパーオキサイド、ジ−ターシャル−アミルパーオキサイド等の有機過酸化物、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム等の無機過酸化物、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス−２−メチルブチロニトリル、４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等のアゾ化合物が挙げられる。
【００３３】
乳化重合法により重合する場合には、これらのラジカル重合開始剤の中で、水溶性の過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム等の無機過酸化物、同じく水溶性の４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を持ったアゾ化合物が好ましい。半導体ウェハ表面へのイオンの影響を考慮すれば、過硫酸アンモニウム、４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を有するアゾ化合物が更に好ましい。４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド等の分子内にカルボキシル基を有するアゾ化合物が特に好ましい。
【００３４】
本発明に用いる架橋性の官能基を１分子中に２個以上有する架橋剤は、アクリル系粘着剤が有する官能基と反応させ、粘着力及び凝集力を調整するために用いる。架橋剤としては、ソルビトールポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、ジグリセロールポリグリシジルエーテル、グリセロールポリグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、レソルシンジグリシジルエーテル等のエポキシ系化合物、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチロールプロパンのトルエンジイソシアネート３付加物、ポリイソシアネート等のイソシアネート系化合物、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、テトラメチロールメタン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルメタン−４，４’−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレン−１，６−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、Ｎ，Ｎ’−トルエン−２，４−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、トリメチロールプロパン−トリ−β−（２−メチルアジリジン）プロピオネート等のアジリジン系化合物、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジルｍ−キシレンジアミン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ’−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサンの４官能性エポキシ系化合物及びヘキサメトキシメチロールメラミン等のメラミン系化合物が挙げられる。これらは単独で使用してもよいし、２種以上に対して併用してもよい。
【００３５】
架橋剤の含有量は、通常架橋剤中の官能基数がアクリル系粘着剤中の官能基数よりも多くならない程度の範囲で含有する。しかし、架橋反応で新たに官能基が生じる場合や、架橋反応が遅い場合等、必要に応じて過剰に含有してもよい。好ましい含有量は、アクリル系粘着剤１００重量部に対し、架橋剤０．１〜１５重量部である。含有量が少ない場合、粘着剤層の凝集力が不十分となり、１５０〜２００℃において、貯蔵弾性率が１×１０5Ｐａ未満になり、耐熱特性が欠如の為、粘着剤層に起因する糊残りを生じ易くなったり、粘着力が本発明の範囲を外れて高くなり、粘着フィルムをウェハ表面から剥離する際に自動剥がし機で剥離トラブルが発生したり、ウェハを完全に破損したりする場合がある。含有量が多い場合、粘着剤層とウェハ表面との密着力が弱くなり、裏面研削工程中に水や研削屑が浸入してウェハを破損したり、研削屑によるウェハ表面の汚染が生じたりすることがある。
【００３６】
本発明に用いる粘着剤塗布液には、上記の特定の２官能モノマーを共重合したアクリル系粘着剤、架橋剤の他に粘着特性を調整するためにロジン系、テルペン樹脂系等のタッキファイヤー、各種界面活性剤等を本発明の目的に影響しない程度に適宜含有してもよい。また、塗布液がエマルション液である場合は、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル等の造膜助剤を本発明の目的に影響しない程度に適宜添加してよい。造膜助剤として使用されるジエチレングリコールモノアルキルエーテル及びその誘導体は、粘着剤層中に多量に含有した場合、洗浄が不可能となる程度のウェハ表面の汚染を招くことがあることを考慮すれば、粘着剤塗工後の乾燥時の温度で揮発するものを使用し、粘着剤層中への残存量を低くすることが好ましい。
【００３７】
本発明における半導体ウェハの保護用粘着フィルムの粘着力は、半導体ウェハの加工条件、ウェハの直径、裏面研削後のウェハの厚み等を勘案して適宜調整できる。粘着力が低すぎるとウェハ表面への粘着フィルムの貼着が困難となったり、粘着フィルムによる保護性能が不十分でウェハが破損したり、ウェハ表面に研削屑等による汚染が生じたりする傾向にある。また、粘着力が高すぎると、ウェハ加工後に粘着フィルムをウェハ表面から剥離する際に、自動剥がし機で剥離トラブルが発生する等、剥離作業性が低下したり、ウェハを破損したりすることがある。通常、ＳＵＳ３０４−ＢＡ板に対する粘着力に換算して、非加熱状態及び剥離温度２３℃において、５〜５００ｇ／２５ｍｍ、好ましくは１０〜３００ｇ／２５ｍｍである。
【００３８】
基材フィルムまたは剥離フィルムの片表面に粘着剤塗布液を塗布する方法としては、従来公知の塗布方法、例えばロールコーター法、リバースロールコーター法、グラビアロール法、バーコート法、コンマコーター法、ダイコーター法等が採用できる。塗布された粘着剤の乾燥条件には特に制限はないが、一般的には、８０〜２００℃の温度範囲において１０秒〜１０分間乾燥することが好ましい。更に好ましくは、８０〜１７０℃において１５秒〜５分間乾燥する。架橋剤と粘着剤との架橋反応を十分に促進させるために、粘着剤塗布液の乾燥が終了した後に、粘着フィルムを４０〜８０℃において５〜３００時間程度加熱してもよい。
【００３９】
本発明に係わる半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムの製造方法は、上記の通りであるが、半導体ウェハ表面の汚染防止の観点から、基材フィルム、剥離フィルム、粘着剤主剤等全ての原料資材の製造環境、粘着剤塗布液の調製、保存、塗布及び乾燥環境は、米国連邦規格２０９ｂに規定されるクラス１，０００以下のクリーン度に維持されていることが好ましい。
【００４０】
本発明に係わる半導体ウェハの保護方法を適用した半導体ウェハの製造方法においては、前記粘着フィルムが用いられる。先ず、半導体ウェハの表面に、前記粘着フィルムを貼り付ける第一工程、及び半導体ウェハの裏面を加工する第二工程を順次実施し、引き続き、粘着フィルムを剥離する工程を実施する。粘着フィルムを剥離する工程以降は特に制限はないが、例えば、半導体ウェハを分割切断するダイシング工程、半導体チップを外部保護の為に樹脂で封止するモールド工程等を順次実施する半導体ウェハの製造方法が挙げられる。
【００４１】
以下、本発明の半導体ウェハの保護方法について詳細に説明する。本発明に係わる半導体ウェハの保護方法は、半導体ウェハの表面に前記粘着フィルムを貼り付ける第一工程、及び半導体ウェハの裏面を加工する第二工程、粘着フィルムを剥離する第三工程を順次実施する。
【００４２】
半導体ウェハの表面に粘着フィルムを貼り付ける第一工程では、上述したように、半導体ウェハ表面に前記粘着フィルムを複数枚貼着しても良い。具体的には、予め、高弾性フィルム、及び低弾性フィルムのそれぞれの片表面に粘着剤層を形成して粘着フィルムを作成しておく。以下、前者を高弾性粘着フィルム、後者を低弾性粘着フィルムという。半導体ウェハの表面に高弾性粘着フィルム、又は低弾性粘着フィルムを、高弾性フィルム層が少なくとも２層となるように積層する。この場合の積層方法は、一方の粘着フィルムの粘着剤層を他方の粘着フィルムの粘着剤層非形成面に貼り合わせる方法が好ましい。最も好ましい方法としては、先ず、低弾性粘着フィルムを、その粘着剤層を介して半導体ウェハの表面に貼着する。次いで、貼着された低弾性粘着フィルムの表面（粘着剤層非形成面）に、高弾性粘着フィルムを順次少なくとも２枚、それらの粘着剤層を介して積層する方法が挙げられる。
【００４３】
半導体ウェハの表面から半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを剥離する第三工程では、１回の操作で粘着フィルムを剥離しても良いし、複数回に分けては繰りしても良い。粘着フィルムを剥離する際の半導体ウェハの破損防止を考慮すると、後者の方法が好ましい。その場合、１回で剥離する高弾性粘着フィルムの高弾性フィルム層の合計厚みが１００μｍ以下であることが更に好ましい。
【００４４】
本発明に係わる半導体ウェハ保護方法の詳細は、先ず、粘着フィルムの粘着剤層側から剥離フィルムを剥離し、粘着剤層表面を露出させ、その粘着剤層を介して、半導体ウェハの表面に貼り付ける（第一工程）。第一工程では、貯蔵弾性率（Ｅ’）が１×１０8〜１×１０10Ｐａ、厚みが１０〜１００μｍである高弾性フィルム層を少なくとも２層有する多層タイプの粘着フィルムを一回で貼り付けてもよいし、高弾性フィルムの厚みの合計が１００μｍ以上になるように複数枚の粘着フィルムを順次貼着して積層しても良い。次いで、チャックテーブル等に粘着フィルムの基材フィルム層側を介して半導体ウェハを固定し、半導体ウェハの裏面を加工する（第二工程）。
【００４５】
第二工程は、半導体ウエハの裏面研削工程、ウェットエッチング工程、ドライエッチング工程、ポリッシング工程を全て実施してもよいし、又は、これらの工程のいずれか一工程を実施してもよい。最後に、粘着フィルムを剥離する（第三工程）。第三工程では、１回の工程で剥離される高弾性フィルムの厚みの合計が１００μｍ以下であることが好ましい。高弾性粘着フィルムの剥離工程を複数回に分けて行ってもよい。また、必要に応じて粘着フィルムを剥離した後に、半導体ウェハ表面に対して、水洗、プラズマ洗浄などの処理が施される。また、半導体ウェハを分割切断したダイシング工程後の半導体チップの使用用途によっては、第二工程と第三工程との間にダイボンディング用接着フィルムを貼着する工程が含まれる場合がある。
【００４６】
裏面加工操作において、半導体ウェハは、研削前の厚みが、通常５００〜１０００μｍであるのに対して、半導体チップの種類等に応じ、通常２００〜６００μｍ程度まで研削、薄層化される。更に、２００μｍ以下まで薄く研削する場合は、裏面研削に引き続いて、ウェットエッチング工程、ドライエッチング工程、ポリッシング工程等を実施することが好ましい。その場合、半導体ウェハの最低厚みは２０μｍ程度である。裏面を研削する前の半導体ウェハの厚みは、半導体ウェハの直径、種類等により適宜決められ、裏面研削後のウェハの厚みは、得られるチップのサイズ、回路の種類等により適宜決められる。
【００４７】
粘着フィルムを半導体ウェハ表面に貼着する操作は、人手により行われる場合もあるが、一般に、ロール状の粘着フィルムを取り付けた自動貼り機と称される装置によって行われる。このような自動貼り機として、例えば、タカトリ（株）製、形式：ＡＴＭ−１０００Ｂ、同ＡＴＭ−１１００、同ＴＥＡＭ−１００、帝国精機（株）製、形式：ＳＴＬシリーズ等が挙げられる。
【００４８】
裏面研削方式としては、スルーフィード方式、インフィード方式等の公知の研削方式が採用される。それぞれ研削は、水を半導体ウェハと砥石にかけて冷却しながら行われる。裏面研削終了後、必要に応じて、ウェットエッチング、ドライエッチング、ポリッシングが行われる。ウェットエッチング工程、ドライエッチング工程及びポリッシング工程は、半導体ウェハ裏面に生じた歪の除去、ウェハのさらなる薄層化、酸化膜等の除去、電極を裏面に形成する際の前処理等を目的として行われる。エッチング液は、上記の目的に応じて適宜選択される。
【００４９】
半導体ウェハの裏面加工後、粘着フィルムはウェハ表面から剥離される。この一連の操作は、人手により行われる場合もあるが、一般には自動剥がし機と称される装置により行われる。このような自動剥がし機としては、タカトリ（株）製、形式：ＡＴＲＭ−２０００Ｂ、同ＡＴＲＭ−２１００、同ＴＥＡＭ−２００、帝国精機（株）製、形式：ＳＴＰシリーズ等、日東精機（株）製、形式：ＨＲ８５００シリーズ等が挙げられる。また、剥離性向上を目的として、必要に応じて加熱剥離することが好ましい。
【００５０】
粘着フィルムを剥離した後のウェハ表面は、必要に応じて洗浄される。洗浄方法としては、水洗浄、溶剤洗浄等の湿式洗浄、プラズマ洗浄等の乾式洗浄等が挙げられる。湿式洗浄の場合、超音波洗浄を併用してもよい。これらの洗浄方法は、ウェハ表面の汚染状況により適宜選択される。
【００５１】
本発明に係わる半導体ウェハの保護方法が適用できる半導体ウェハとして、シリコンウェハに限らず、ゲルマニウム、ガリウム−ヒ素、ガリウム−リン、ガリウム−ヒ素−アルミニウムなどのウェハが挙げられる。
【００５２】
【実施例】
以下、実施例を示して本発明についてさらに詳細に説明する。以下に示す全ての実施例及び比較例において、米国連邦規格２０９ｂに規定されるクラス１，０００以下のクリーン度に維持された環境において、粘着剤塗布液の調製、塗布、及び半導体シリコンウェハの裏面研削を実施した。本発明はこれら実施例に限定されるものではない。尚、実施例に示した各種特性値は下記の方法で測定した。
【００５３】
１．粘着力測定（ｇ／２５ｍｍ）
下記に規定した条件以外は、全てＪＩＳ  Ｚ−０２３７−１９９１に規定される方法に準じて測定する。２３℃の雰囲気下において、実施例または比較例で得られた粘着フィルムをその粘着剤層を介して、５ｃｍ×２０ｃｍのＳＵＳ３０４−ＢＡ板（ＪＩＳ  Ｇ−４３０５−１９９１規定）の表面に貼着し、６０分間放置する。試料の一端を挟持し、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎ．でＳＵＳ３０４−ＢＡ板の表面から試料を剥離する際の応力を測定し、２５ｍｍ幅に換算する。
【００５４】
２．貯蔵弾性率（Ｐａ）
２−１基材フィルム
半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムの基材フィルム用の高弾性フィルム及び低弾性フィルムは、ＴＤ方向：５ｍｍ、ＭＤ方向：５０ｍｍのサンプルサイズにカットし、動的粘弾性測定装置（レオメトリックス社製：形式：ＲＳＡ−ＩＩ）を用いて、０〜２００℃において貯蔵弾性率を測定する。測定周波数は１Ｈｚとし、歪みは０．０１〜１％とする。
【００５５】
２−２粘着剤層
半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムの粘着剤層の部分を厚さ１ｍｍに積層することにより粘弾性測定用サンプルを作製する。サンプルを直径８ｍｍ、厚み１ｍｍの円盤状に切断し、動的粘弾性測定装置（レオメトリックス社製：ＲＭＳ−８００）を用いて、−５０〜２００℃において貯蔵弾性率を測定する。測定周波数は１Ｈｚとし、歪みは０．１〜３％とする。
【００５６】
３．裏面研削
半導体シリコンウェハ〔直径：２００ｍｍ（８インチ）、厚み：６００μｍ、スクライブラインの深さ：８μｍ、スクライブラインの幅：１００μｍ〕の回路形成面の全表面に半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを貼着した状態で、裏面研削機（ディスコ社製、形式：ＤＦＧ８６０）を用いて、ウェハの厚みが５０μｍになるまでウェハ裏面を研削する。
【００５７】
４．テープ剥離
半導体ウェハの裏面研削後、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムが貼着された半導体ウェハ表面から、粘着フィルム剥離機（日東精機（株）製、形式：ＨＲ８５００ＩＩ）を用いて、半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムを剥離する。
【００５８】
＜調製例＞
１．基材フィルムの調製例１
高弾性率を有するフィルムとして、ポリエチレンテレフタレート（融点２５５℃）フィルムを選定した。フィルム厚みは６μｍ、２５μｍ、５０μｍ、７５μｍ、１９０μｍの５種類とした。粘着剤層を形成する側の表面にコロナ放電処理を施した。これら高弾性フィルムの貯蔵弾性率は、５．０×１０9〜７．５×１０9Ｐａであった。
【００５９】
２．基材フィルムの調製例２
低弾性フィルムとして、あるエチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂（ショアーＤ型硬度３５、融点８５℃）の単層フィルム（厚み１２０μｍ）を選定した。粘着剤層を形成する側の表面にコロナ処理を施した。この低弾性フィルムの貯蔵弾性率は、４．０×１０7Ｐａであった。
【００６０】
３．粘着剤主剤の調製例
重合反応機に脱イオン水１５０重量部、重合開始剤として４，４’−アゾビス−４−シアノバレリックアシッド〔大塚化学（株）製、商品名：ＡＣＶＡ〕を０．６２５重量部、モノマー（Ａ）としてアクリル酸−２−エチルヘキシル６２．２５重量部、アクリル酸−ｎ−ブチル１８重量部、及びメタクリル酸メチル１２重量部、モノマー（Ｂ）としてメタクリル酸−２−ヒドロキシエチル３重量％、メタクリル酸２重量部、及びアクリルアミド１重量部、モノマー（Ｃ）としてポリテトラメチレングリコールジアクリレート〔日本油脂（株）製、商品名：ＡＤＴ−２５０〕１重量部、水溶性コモノマーとしてポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル（エチレンオキサイドの付加モル数の平均値：約２０）の硫酸エステルのアンモニウム塩のベンゼン環に重合性の１−プロペニル基を導入したもの〔第一工業製薬（株）製、商品名：アクアロンＨＳ−１０〕０．７５重量部を装入し、攪拌下で７０〜７２℃において８時間乳化重合を実施し、アクリル系樹脂エマルションを得た。これを９重量％アンモニア水で中和（ｐＨ＝７．０）し、固形分４２．５重量％のアクリル系粘着剤とした。
【００６１】
４．粘着剤塗布液の調製例
前項３の粘着剤主剤の調製例で得られた粘着剤主剤の１００重量部を採取し、さらに９重量％アンモニア水を加えてｐＨ９．５に調整した。次いで、アジリジン系架橋剤〔日本触媒化学工業（株）製、商品名：ケミタイトＰｚ−３３〕１．６重量部を添加して粘着剤塗布液を得た。この塗布液から得た粘着剤層の貯蔵弾性率は、１５０℃において１．５×１０5Ｐａ、２００℃において１．３×１０5Ｐａであった。
【００６２】
５．粘着フィルムの調製例１
前項４の調製例で得られた粘着剤塗布液を、ロールコーターを用いてポリプロピレンフィルム（剥離フィルム、厚み：５０μｍ）に塗布し、１２０℃で２分間乾燥して厚み１０μｍの粘着剤層を設けた。これに高弾性率を有するフィルムとして、前項１の基材フィルムの調製例１で作成したポリエチレンテレフタレート（融点２５５℃）フィルムの厚み６μｍの基材フィルムのコロナ処理面を貼り合わせ押圧して、粘着剤層を転写させた。転写後、６０℃において４８時間加熱した後、室温まで冷却することにより粘着フィルム１を製造した。
【００６３】
６．粘着フィルムの調製例２
前項４の調製例で得られた粘着剤塗布液を、ロールコーターを用いてポリプロピレンフィルム（剥離フィルム、厚み：５０μｍ）に塗布し、１２０℃で２分間乾燥して厚み１０μｍの粘着剤層を設けた。これに高弾性率を有するフィルムとして、前項１の基材フィルムの調製例１で作成したポリエチレンテレフタレート（融点２５５℃）フィルムの厚み２５μｍの基材フィルムのコロナ処理面を貼り合わせ押圧して、粘着剤層を転写させた。転写後、６０℃において４８時間加熱した後、室温まで冷却することにより粘着フィルム２を製造した。
【００６４】
７．粘着フィルムの調製例３
前項４の調製例で得られた粘着剤塗布液を、ロールコーターを用いてポリプロピレンフィルム（剥離フィルム、厚み：５０μｍ）に塗布し、１２０℃で２分間乾燥して厚み１０μｍの粘着剤層を設けた。これに高弾性率を有するフィルムとして、前項１の基材フィルムの調製例１で作成したポリエチレンテレフタレート（融点２５５℃）フィルムの厚み５０μｍの基材フィルムのコロナ処理面を貼り合わせ押圧して、粘着剤層を転写させた。転写後、６０℃において４８時間加熱した後、室温まで冷却することにより粘着フィルム３を製造した。
【００６５】
８．粘着フィルムの調製例４
前項４の調製例で得られた粘着剤塗布液を、ロールコーターを用いてポリプロピレンフィルム（剥離フィルム、厚み：５０μｍ）に塗布し、１２０℃で２分間乾燥して厚み１０μｍの粘着剤層を設けた。これに高弾性率を有するフィルムとして、前項１の基材フィルムの調製例１で作成したポリエチレンテレフタレート（融点２５５℃）フィルムの厚み７５μｍの基材フィルムのコロナ処理面を貼り合わせ押圧して、粘着剤層を転写させた。転写後、６０℃において４８時間加熱した後、室温まで冷却することにより粘着フィルム４を製造した。
【００６６】
９．粘着フィルムの調製例５
前項４の調製例で得られた粘着剤塗布液を、ロールコーターを用いてポリプロピレンフィルム（剥離フィルム、厚み：５０μｍ）に塗布し、１２０℃で２分間乾燥して厚み１０μｍの粘着剤層を設けた。これに高弾性率を有するフィルムとして、前項１の基材フィルムの調製例１で作成したポリエチレンテレフタレート（融点２５５℃）フィルムの厚み１９０μｍの基材フィルムのコロナ処理面を貼り合わせ押圧して、粘着剤層を転写させた。転写後、６０℃において４８時間加熱した後、室温まで冷却することにより粘着フィルム５を製造した。
【００６７】
１０．粘着フィルムの調製例６
前項４の調製例で得られた粘着剤塗布液を、ロールコーターを用いてポリプロピレンフィルム（剥離フィルム、厚み：５０μｍ）に塗布し、１２０℃で２分間乾燥して厚み１０μｍの粘着剤層を設けた。これに前項２の基材フィルムの調製例２で作成した低弾性フィルムであるエチレン−酢酸ビニル共重合体樹脂（ショアーＤ型硬度３５、融点８５℃）の単層フィルム（厚み１２０μｍ）のコロナ処理面を貼り合わせ押圧して、粘着剤層を転写させた。転写後、６０℃において４８時間加熱した後、室温まで冷却することにより粘着フィルム６を製造した。
【００６８】
実施例１
粘着フィルム２を４枚貼り合せ押圧して、積層して粘着フィルム７を製造した。粘着フィルム２同志の貼り合わせに際して、一方の粘着フィルムの粘着剤層を他方の粘着フィルムの基材フィルム側に順次貼着して積層した。粘着フィルム７を用いて半導体ウェハの保護性能を評価した。粘着フィルム７を集積回路が組み込まれた１０枚の半導体シリコンウェハ〔直径：２００ｍｍ（８インチ）、厚み：６００μｍ、スクライブラインの深さ：８μｍ、スクライブラインの幅：１００μｍ〕の回路形成の全表面にテープ貼り付け機（日東精機（株）製、形式：ＮＥＬ-ＤＲ８５００ＩＩ）を用いて貼り付け、裏面研削機（ディスコ製、形式：ＤＦＧ８６０）を用いて半導体ウェハ裏面を５０μｍまで研削した後、テープ剥離機（日東精機（株）製、形式：ＨＲ８５００ＩＩ）を用いて半導体ウエハ表面保護用粘着フィルム７を剥離した。剥離方法は、粘着フィルム７の構成単位である粘着フィルム２を表層部から順次１枚づつ４回に分けて剥離した。この間、裏面加工時における半導体ウェハの破損、裏面研削テーブルから研削面洗浄テーブルへのアームでの搬送時において半導体ウェハの反りや撓みによる破損及び搬送トラブル、粘着フィルムの剥離時における半導体ウェハの破損及び剥離トラブルははなかった。得られた結果を表１に示す。
【００６９】
実施例２
粘着フィルム２を用いて、半導体シリコンウェハの保護性能を実施例１と同一の手法で評価した。但し、粘着フィルム２の貼り付け方法は、高弾性フィルム層が１００μｍ以上になるように、先ず、粘着フィルム２の１枚目を半導体シリコンウェハの回路形成面に貼り付け、順次貼付された粘着フィルム２の基材フィルム側に次の粘着フィルム２を貼付し、合計４枚を貼り付けた。裏面加工時における半導体ウェハの破損、搬送時における半導体ウェハの反りや撓みによる破損及び搬送トラブル、粘着フィルムの剥離時における半導体ウェハの破損及び剥離トラブルははなかった。得られた結果を表１に示す。
【００７０】
実施例３
実施例１と同様の手法により、予め、粘着フィルム２、３、及び４を貼り合せ押圧して、積層した粘着フィルム８を製造した。粘着フィルム２〜４を貼り合せる第１のパターンは、半導体ウェハ表面への貼付を予定する側から順に、粘着フィルム２、粘着フィルム３、粘着フィルム４（パターン：２／３／４）の順序で貼り合わせ、積層体とした。以下、同一の粘着フィルム同士は積層しないで、同様に２／４／３、３／２／４、３／４／３、４／２／３、４／３／２、の５種類のパターンで貼り合わせ積層体とした。各パターンの積層体をそれぞれ１０枚、合計６０枚の積層体を得、これらを粘着フィルム８とした。粘着フィルム８を用いた以外は、実施例１と同様にして、半導体ウェハの保護性能を実施した。その結果、裏面加工時における半導体ウェハの破損、裏面研削テーブルから研削面洗浄テーブルへのアームでの搬送時において半導体ウェハの反りや撓みによる破損及び搬送トラブル、粘着フィルムの剥離時における半導体ウェハの破損及び剥離トラブルははなかった。得られた結果を表１に示す。
【００７１】
実施例４
粘着フィルム２、３、及び４を用いて、半導体ウェハの保護性能を実施した。実施例３のように、予め３種類の粘着フィルムの積層体を作成せずに、実施例２と同様の手法で、１枚づつ半導体ウェハ表面に貼着した。貼り合わせパターンは実施例３と同様の手法で６パターンとした。計６０枚について実施例１と同一の手法で評価した。その結果、裏面加工時における半導体ウェハの破損、裏面研削テーブルから研削面洗浄テーブルへのアームでの搬送時において半導体ウェハの反りや撓みによる破損及び搬送トラブル、粘着フィルムの剥離時における半導体ウェハの破損及び剥離トラブルははなかった。得られた結果を表１に示す。
【００７２】
実施例５
予め、粘着フィルム２、３、４、及び６を貼り合せ押圧して、積層した粘着フィルム９を製造した。粘着フィルム２〜６の貼り合せパターンは、実施例３と同様の手法により、２４パターンとし、各パターン１０枚、合計２４０枚作成した。粘着フィルム９を用いて、実施例１と同一の手法で半導体ウェハの保護性能を評価した。その結果、裏面加工時における半導体ウェハの破損、裏面研削テーブルから研削面洗浄テーブルへのアームでの搬送時において半導体ウェハの反りや撓みによる破損及び搬送トラブル、粘着フィルムの剥離時における半導体ウェハの破損及び剥離トラブルははなかった。得られた結果を表１に示す。
【００７３】
実施例６
粘着フィルム２、３、４、及び６を用いて、半導体ウェハの保護性能を実施した。実施例３のように、予め４種類の粘着フィルムの積層体を作成せずに、実施例２と同様の手法で、１枚づつ半導体ウェハ表面に貼着した。貼り合わせパターンは実施例３と同様の手法で２４パターンとした。粘着フィルムの貼り合せパターン毎に計２４０枚について、実施例１と同一の手法で評価した。その結果、裏面加工時における半導体ウェハの破損、裏面研削テーブルから研削面洗浄テーブルへのアームでの搬送時において半導体ウェハの反りや撓みによる破損及び搬送トラブル、粘着フィルムの剥離時における半導体ウェハの破損及び剥離トラブルはなかった。得られた結果を表１に示す。
【００７４】
比較例１
粘着フィルム２を３枚貼り合せ押圧して、積層した粘着フィルム１０を製造した。粘着フィルム１０を用いた以外、半導体ウェハの保護性能を実施例１と同一の手法で評価した。その結果、裏面加工後の半導体ウェハを観察すると、４枚の半導体ウェハに対して裏面に亀裂が生じていた。得られた結果を表２に示す。
【００７５】
比較例２
粘着フィルム２を用いて保護性能を実施例１と同一の手法で評価した。但し、粘着フィルム２の貼り付け方法は、粘着フィルム２を1枚づつ３枚貼り付けた以外は、実施例２と同様にした。裏面加工後の半導体ウェハを観察すると、６枚の半導体ウェハに対して裏面に亀裂が生じていた。得られた結果を表２に示す。
【００７６】
比較例３
予め、粘着フィルム２、３、４、及び５を貼り合せ押圧して、積層した粘着フィルム１１を製造した。粘着フィルム２〜５の貼り合せパターンは、実施例３と同様の手法で２４パターンとした。計２４０枚の粘着フィルム１１を用いて、実施例１と同一の手法で半導体ウェハの保護性能を評価した。その結果、粘着フィルム５が半導体ウェハ表面に接する層となるように積層された粘着フィルム１１（計６０枚）を用いた場合の裏面研削後の半導体ウェハを観察すると、粘着フィルム５が半導体ウェハ表面から浮いた状態で研削屑或いは洗浄水の浸入が５５枚あった。粘着フィルム５が、半導体ウェハ表面に接しない様に積層された他の１８０枚については、粘着フィルム５が剥がれてしまい７２枚の半導体ウェハの破損が見られた。得られた結果を表２に示す。
【００７７】
比較例４
粘着フィルム２、３、４、及び５を用いて、半導体ウェハの保護性能を実施した。比較例３のように、予め４種類の粘着フィルムの積層体を作成せずに、実施例２と同様の手法で、１枚づつ半導体ウェハ表面に貼着した。貼り合わせパターンは実施例３と同様の手法で２４パターンとした。粘着フィルムの貼り合せパターン毎に各１０枚、合計２４０枚に対して、実施例１と同一の手法で評価した。その結果、比較例３の結果と同様に、粘着フィルム５が半導体ウェハ表面に接する層となるように積層された粘着フィルム１１（計６０枚）を用いた場合の裏面研削後の半導体ウェハを観察すると、粘着フィルム５が半導体ウェハ表面から浮いた状態で研削屑或いは洗浄水の浸入が４８枚あった。粘着フィルム５が半導体ウェハ表面に接しない様に積層された他の１８０枚の場合については、粘着フィルム５が剥がれてしまい１１６枚の半導体ウェハの破損が見られた。得られた結果を表２に示す。
【００７８】
比較例５
予め、粘着フィルム１、３、４、及び６を貼り合せ押圧して、積層した粘着フィルム１２を製造した。粘着フィルムの貼り合せパターンは、実施例３と同様の手法により、２４パターンとした。各パターン１０枚、合計２４０枚の積層体を作成し、粘着フィルム１２とした。粘着フィルム１２を用いた以外は、２４０枚に対して実施例１と同一の手法で評価した。その結果、裏面研削後の半導体ウェハ表面から、粘着フィルム剥離する工程で、粘着フィルム１が、半導体ウェハ表面に接する様に積層された粘着フィルム１２を用いた６０枚については、３４枚の剥離不良と１８枚の半導体ウェハの破損が確認された。粘着フィルム１が、半導体ウェハ表面に接しないように積層された１８０枚については、粘着フィルム１の層が剥離できなかったものが確認され、粘着フィルム１の下層側の粘着フィルムと接着していることが多かった。粘着フィルム剥離工程において８６枚の剥離不良が生じた。得られた結果を表２に示す。
【００７９】
比較例６
粘着フィルム１、３、４、及び６を用いて保護性能を実施した。比較例５のよういに予め積層体を作成せずに、実施例４と同様にして１枚づつ半導体ウェハ表面に貼着した。粘着フィルムの貼り合せパターンは、比較例５と同様に２４０パターンとした。各パターンそれぞれ１０枚、合計２４０枚について、実施例１と同一の手法で評価した。比較例５の結果と同様に、粘着フィルム１が半導体ウェハ表面に接するように貼着した６０枚の場合、４４枚の剥離不良と１２枚の半導体ウェハの破損が確認された。粘着フィルム１が半導体ウェハ表面に接しない様に貼着した１８０枚の場合については、粘着フィルム１の層がを剥離することはできず、粘着フィルム１の下層側の粘着フィルムと接着している場合が多く、粘着フィルム剥離工程において７２枚の剥離不良が生じた。得られた結果を表２に示す。
【００８０】
【表１】
0004257061.tif 000002
【００８１】
【表２】
0004257061.tif 000003
【００８２】
【発明の効果】
本発明は、半導体ウエハの表面に、半導体ウエハ表面保護用粘着フィルムを貼り付けてから、それを剥離する工程に到る一連の工程において、片表面に粘着剤層が形成された半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムが、貯蔵弾性率（Ｅ’）が１×１０8〜１×１０10Ｐａ、厚みが１０〜１００μｍである高弾性フィルム層を少なくとも２層有し、高弾性フィルムの厚みの合計が１００μｍ以上であり、且つ、基材フィルムの総厚みが１００〜１０００μｍであって、半導体ウェハの裏面加工後、半導体ウェハの表面から半導体ウェハの表面保護用フィルムを剥離する工程が複数回あって、１回の工程で剥離される高弾性フィルムの厚みの合計が１００μｍ以下であることを特徴とする半導体ウェハの保護方法である。本発明によれば、半導体ウェハの厚さが１００μｍ以下に薄層化された場合であっても、半導体ウェハの破損を防止することができる。