(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上にレーザ光の照射光強度が強くなると温度が高くなり光透過率が上がるマスク層と、情報信号を記録して再生する記録層とが順次積層して形成され、前記透明基板側から照射した前記レーザ光の光スポットが前記マスク層を透過することで実質的に縮小した光スポット径となって前記記録層に入射するようになされている光ディスクにおいて、
前記マスク層は、レーザ光の照射光照射強度に対する透過率の変化が異なり、かつ、呈色剤が同一で顕色剤の融点が異なるサーモクロミック材からなる２層以上のマスク層から構成され、
前記２層以上のマスク層は、前記透明基板側から前記記録層側に向かって、前記顕色剤の融点が高くなる順に積層されていることを特徴とする光ディスク。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報信号を高密度に光学的に記録再生することができる光ディスクにおいて、マスク層による超解像効果による再生ならびに記録を行うものであり、特にディスク基板上に透過率変化が生じるレーザ光の照射光強度が異なる２層以上のマスク層と、記録層とを順次積層して形成した光ディスクに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般的に、多量に情報信号を記録再生することができてアクセス時間も短い記録再生媒体として光ディスクが知られているが、情報化社会のディジタル化の発展に伴って、光ディスクを用いて更なる高密度記録再生（超解像度記録再生）が望まれている。尚、以下の説明における記録再生とは、情報信号を記録すること、情報信号を再生すること、情報信号を記録しながら再生すること、を意味する。
そして、光ディスクにより情報信号を光学的に高密度に記録再生する方法として、例えば以下のような方法が提案されている。
【０００３】
すなわち、この方法としては（ａ）記録再生用のレーザ光の波長を短くすること、（ｂ）光ディスクに集光する対物レンズのＮＡ（開口数）を大きくすること、（ｃ）情報信号を記録する記録層を多層にすること、（ｄ）記録するレーザ光の波長を変えて多重に記録すること、（ｅ）マスク層を形成してレーザ光の光スポット径を実質的に小さくすること、等の方法がある。これらの方法の内、マスク層を形成して実質的にレーザ光のスポット径を小さくする手法は、例えば特開平５-１２６７３号公報、特開平５-１２７１５号公報、特開平５-２８４９８号公報、特開平５-２８５３５号公報、特開平５-７３９６１号公報、特開平５-２３４１２６号公報及び特開平８-３１５４１９号公報等に開示されている。
【０００４】
図９は従来の光ディスクを模式的に示した拡大断面図である。図１０は従来の光ディスクにおいて、マスク層の温度と光の透過率との関係を示した図である。図１１は従来の光ディスクにおいて、マスク層に入射した光の強度分布と、このマスク層を透過する光の強度分布の模式図であり、（ａ）は光ディスクの回転方向の光の強度分布を示し、（ｂ）は光ディスクの半径方向の光の強度分布を示した図である。図１２は従来の光ディスクにおいて、マスク層に入射するレーザ光の光スポットと、光を吸収して温度が上がって透過率が上がるマスク層を透過する光スポットとの関係を示した図である。
【０００５】
上記したマスク層を有する従来の光ディスク１０は、例えば図９に示すように形成されており、円盤状の透明なディスク基板（以下、透明基板と記す）２上に、マスク層３、記録層４及び保護膜５を順次積層して成膜することで形成されている。そして、このマスク層３は、透明基板２側からレーザ光Ｌを照射しないとき、あるいは透明基板２側からのレーザ光Ｌの光強度が弱いときは透過率が小さくなる一方、透明基板２側からのレーザ光Ｌの光強度が強くなるとこのマスク層３は光学的に光を吸収して温度が上がることにより化学的に変化して、図１０に示すように光の透過率が上がり、図１２に示すようにマスク層３を透過したスポット径が実質的に小さくなるものである。
【０００６】
すなわち、図１１（ａ），（ｂ）に示したレーザ光Ｌの光強度分布特性では、マスク層３に入射する光の強度分布に対してマスク層３を透過した光の強度分布が狭まっており、このマスク作用効果を利用して小さなピットを記録再生することが可能となる。このマスク作用効果を利用した時に、光ディスク面に現れるレーザ光の光スポットの状態が図１２に示されている。この際、図１１（ａ）に示した状態は、図１２中で後述するＢ点の回転方向の状態と対応しており、一方、図１１（ｂ）に示した状態は、図１２中でＢ点の半径方向の状態と対応している。
【０００７】
図１２に示したように、光ディスクを矢印方向に回転させながら一定強度のレーザ光を連続してスポット状に照射すると、光ディスク上の例えばＢ点は、円形の光スポットＳのＡ点からＢ点までの光強度を積分した強度の光が照射される。この光を吸収して変換された熱から、熱伝導や輻射で失われる熱を差し引いた熱で温度が上昇し、マスク層３の透過率が上がる。よって、光スポットＳ内で透過率の上がる部分は、光ディスクの回転方向でいうと、スポット径の後ろ部分になり、レーザ光のスポット径が実質的に縮小する。
【０００８】
図１２中において、光スポットＳ内の斜線で示すエリアＣの部分は、マスク層を透過したマスク透過光スポットを示し、このエリアＣを除いた残りのエリアＤは、マスク層を透過しない光スポットを示している。このように、マスク層３を形成することにより、レーザ光のスポット径が実質的に小さくなり、高密度な光ディスクの記録再生が可能となる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、マスク層３を形成した従来の光ディスク１１において、例えば特開平５-７３９６１号公報では、マスク層にＩｎを用いて再生時に記録情報の破壊が生じない温度範囲に設定できることが記載されている。しかしながら、再生時にマスク作用効果が最良になる再生時照射光強度（再生パワー）で、光ディスクに記録されている記録情報が破壊されずに再生することは、マスク層の材料や記録層の材料の特性にもよるが、現実には必ずしもうまくいかず、記録情報が再生時に破壊されてしまうなどの問題がある。また、記録情報が完全に破壊されるわけではないが、繰り返し再生するうちに再生出力が徐々に減衰する場合もある。更に、記録層の記録材料にＡｇＩｎＳｂＴｅを用いた実験では、Ｉｎは用いることはできなかった。
【００１０】
また、特開平５-２３４１３６号公報には、照射光の強度に対して、２つ以上の非線形な透過特性、もしくは、反射特性を有し、情報信号の記録時に用いる強い照射光に対するスポット径の規制と、情報信号の再生時に用いる弱い照射光に対するスポット径の規制、について記されている。レーザ光の記録時照射光強度と再生時照射光強度とは、記録層の記録材料の特性にもよるが、約１０倍も異なる。例えば、相変化記録材料であるＡｇＩｎＳｂＴｅ系材料では、記録時照射光強度が約１２ｍｗ、再生時照射光強度は約０．７ｍｗである。同じく相変化記録材料であるＴｅＧｅＳｂ系では、記録時照射光強度が約１５ｍｗ、再生時照射光強度は約１ｍｗである。
【００１１】
このように、レーザ光の記録時照射光強度と再生時照射光強度とが大きく異なる時に、記録時にマスク作用効果が十分でるようにすると、再生時にはマスク材料による光の減衰が大きくなりすぎて、十分な再生出力が得られない。とくに、マスク層を形成するマスク材料を透明基板上で光の入射側に膜付けし、一般的な光ディスクの検出方法である反射光を検出する方式の時は、入射時と反射時の両方でマスク層に入った光が減衰するので、実用にはなり得ない。
【００１２】
更に、特開平８-３１５４１９号公報では、記録層の熱がマスク層に影響しないように、マスク層と記録層との中間に断熱層を形成することが開示されており、断熱層として熱伝達しにくい樹脂膜を形成することが好ましい点が示されている。更に、上記同号公報では、マスク層に逆フォトクロミックを使い、逆フォトクロミックマスク層が熱により効果が減少する点を示しているが、本発明者の実験によればこの様なことは生じなかった。本発明者の実験では、マスク層を通過した光による熱で記録情報が破壊される問題の方が大きかった。
【００１３】
マスク層が１層だけの図９の構成の光ディスクでトラックピッチを狭くして情報を複数のトラックに記録したところ、両側に記録を行っていない孤立トラックでは問題がなかったクロストークやクロスイレーズが大きくなった。クロストークとは、再生しているトラックへの隣接トラックからの信号のもれ込みであり、クロスイレーズとは先に記録したトラックの情報が後からの記録により情報信号が消去されることを指す。
【００１４】
そこで、マスク層を形成した光ディスクでは、レーザ光のスポット径が実質的に小さくなり、情報信号を高密度に記録再生が可能となるものの、上記各号公報から次に示す２つの問題点がある。
【００１５】
まず、第１の問題点は、マスク層を有する光ディスクの再生で、再生時にマスク作用効果が最良になる再生時照射光強度で、光ディスクに記録されている記録情報を破壊せずに再生するにあたって、記録材料として書き換え可能な相変化材料を用いた場合には、再生時照射光強度を上げると、アモルファス状態に記録された記録情報が徐々に結晶化し、記録情報が破壊される。
【００１６】
次に、第２の問題点は、記録時照射光強度の方が再生時照射光強度よりも大きいので、再生時にマスク作用効果が大きく出るようにすると、記録時にはマスク作用効果がほとんどなくなってしまう。逆に、記録時にマスク作用効果が大きく出るようにすると、再生時にマスク透過率が小さく再生出力がほとんど取れなくなってしまう。
【００１７】
そこで、本発明は上記問題に鑑みて成されたものであり、光ディスクの再生時にマスク作用効果が大きく出て、且つ、記録時にもマスク作用効果がある光ディスクを提供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、透明基板上にレーザ光の照射光強度が強くなると温度が高くなり光透過率が上がるマスク層と、情報信号を記録して再生する記録層とが順次積層して形成され、前記透明基板側から照射した前記レーザ光の光スポットが前記マスク層を透過することで実質的に縮小した光スポット径となって前記記録層に入射するようになされている光ディスクにおいて、前記マスク層は、レーザ光の照射光照射強度に対する透過率の変化が異なり、かつ、呈色剤が同一で顕色剤の融点が異なるサーモクロミック材からなる２層以上のマスク層から構成され、前記２層以上のマスク層は、前記透明基板側から前記記録層側に向かって、前記顕色剤の融点が高くなる順に積層されていることを特徴とする光ディスクを提供する。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下に本発明に係る光ディスクの一実施形態を図１乃至図８を参照して詳細に説明する。
従来例の同一構成には、同一符号を付し、その説明を省略する。
図１は、本発明に係る実施形態の光ディスクを模式的に示した拡大断面図である。
図２は、本発明に係る実施形態の光ディスクを一部変形させた変形例１を模式的に示した拡大断面図である。
図３は、本発明に係る実施形態の光ディスクを一部変形させた変形例２を模式的に示した拡大断面図である。
図４は、本発明に係る実施形態の光ディスクにおいて、第１マスク層のマスク材料の一例を示した図である。
図５は、本発明に係る実施形態の光ディスクにおいて、第１マスク層の照射光強度と透過率との関係を示した図である。
図６は、本発明に係る実施形態の光ディスクにおいて、第１マスク層と第２マスク層とを積層した場合及び更に第３マスク層を積層した場合の照射光強度と透過率との関係を示した図である。
図７は、本発明に係る実施形態の光ディスクにおいて、第２マスク層のマスク材料の一例を示した図である。
図８は、本発明に係る実施形態の光ディスクに適用される記録再生光学系装置を示した構成図である。
【００２０】
図１に示すように、本発明の実施形態に係わる光ディスク１は、円盤状の透明な透明基板２の一方の面２ａ上に、レーザ光Ｌの照射光強度が強くなると温度が高くなり光透過率が上がるマスク層３として第１マスク層３Ａ，第２マスク層３Ｂが順次積層して膜付けされ、且つ、第２マスク層３Ｂ上に情報信号を記録して再生する記録層４として第１保護層４Ａ，相変化記録層４Ｂ，第２保護層４Ｃ，反射層４Ｄが順次積層して膜付けされ、更に、記録層４上に保護膜５が形成されている。
そして、透明基板２側から開口数ＮＡが略０．６の対物レンズから出射した記録再生用のレーザ光Ｌが入射されるようになっており、片面側からのみ情報信号を記録再生できる構造形態になっている。
【００２１】
また、図２に示すように、本発明に係わる実施形態を一部変形させた他の変形例１の光ディスク６は、図１に示した上記実施形態の光ディスク１の構造から保護膜５を除き、反射層４Ｄの上にダミー基板８を接着層７を介して接合することにより、貼り合わせ光ディスクとしたものである。
そして、本発明に係わる第１実施形態と同様に、透明基板２側から開口数ＮＡが略０．６の対物レンズから出射した記録再生用のレーザ光Ｌが入射されるようになっており、片面側からのみ情報信号を記録再生できる構造形態になっている。
【００２２】
更に、図３に示すように、本発明に係わる第１実施形態を一部変形させた変形例２の光ディスク９は、図１に示した上記実施形態の光ディスク１を２枚用意し、各透明基板２側を互いに外側にし、かつ、各保護膜５側を互いに内側にして保護膜５同士を接着層７を介して接合することにより、貼り合わせ光ディスクとしたものである。
この貼り合わせ光ディスクは、両方の透明基板２側から開口数ＮＡが略０．６の対物レンズから出射した記録再生用のレーザ光Ｌが入射されるようになっており、両面側から情報信号を記録再生できる構造形態になっている。
【００２３】
次に、上記した実施形態の光ディスク１、６、８の各構成部材について詳述する。
透明基板２は、例えば、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂などの透明な樹脂材、或いは透明なガラス板からなり、厚さ０．１ｍｍから１．２ｍｍの円盤状であり、中央部に図示しない中心孔が形成されている。
また、この透明基板２の一方の面２ａにトラッキングサーボ用の案内溝が螺旋状又は同心円状に少なくとも形成されており、この案内溝以外にディスク情報やアドレス情報などのプリフォーマット信号が凹凸状ピットの形態で形成されている。案内溝は、深さ１０ｎｍから２００ｎｍ、トラックピッチ０．１μｍから１．６μｍに形成されている。
【００２４】
また、前述したようにマスク層３は、レーザ光Ｌの照射光強度が強くなると温度が高くなって光透過率が上がるものであるが、図９に示した従来例の１層構造のマスク層とは異なって、第１マスク層３Ａ及び第２マスク層３Ｂとで２層構造に積層されている点に特徴がある。
そして、これらのマスク層３Ａ，３Ｂの光透過率を増加させるためのレーザ光の照射光強度は、第１マスク層３Ａよりも第２マスク層３Ｂの方が高くなるように設定される。
言い換えると、マスク層３Ａ、３Ｂは、透明基板２側から記録層４側に向かってレーザ光に対する感度が低くなるように順番に積層されている。
【００２５】
この場合、図１１に示すように、マスク層３に入射するレーザ光の照射光強度は、中心部の光強度が高いガウス分布を有しているので、第２マスク層３Ｂの光透過率を増加させるためには、レーザ光の照射光強度の高い中心近傍のスポット径が利用される。
即ち、第２マスク層３Ｂを照射するレーザ光のスポット径は、第１マスク層３Ａを照射するレーザ光のスポット径よりも小さい。この結果、マスク層３の各マスク層の数を増せば、記録層４を照射するレーザ光のスポット径を小さくすることができるので、マスク作用効果を大きくすることができる。
【００２６】
このようなマスク作用効果は、レーザ光により発生する熱に反応するマスク層の融点温度を利用して得ることができる。
即ち、マスク層３の各マスク層が２層以上の場合には、第２マスク層３Ｂの融点を第１マスク層３Ａよりも高くなるようにする。即ち、透明基板２側から記録層４側に向かって、融点が高くなる順に２層以上のマスク層を積層することである。
【００２７】
このようすると、レーザ光のスポット径は、中心部から周辺部に向かって温度が低くなるので、レーザ光の入射側から順番に融点が高くなるようにマスク層を積層すれば、このマスク層をレーザ光が通過する間にそのスポット径が絞られるため、マスク作用効果を大きくすることができるのである。
３層以上のマスク層を形成するのは、マスク作用効果を増大するためであり、２層マスク層でマスク効果が認められる場合には設けなくともよい。
マスク層の数が増すと、超解像効果が向上し、クロストークやクロスイレーズが低減する。その反面、再生時のマスク作用効果発現に大きな再生パワーを必要としたり、反射率が低下するためフォーカスやトラッキングサーボが不安定になるなどの弊害も生じるからである。
【００２８】
第１マスク層３Ａの材料としては、光ディスク１、６、９の再生時のレーザ光の照射強度が略１〜２．５ｍｗと小さい場合でもマスク作用効果が発揮できるサーモクロミック、フォトクロミック、相変化材料等がある。
本発明の実施形態では、第１マスク層３Ａのマスク材料としてサーモクロミック材料を用いており、図４に示すように、呈色剤として山本化成（株）製商品名ＧＮ２（融点１７４℃）、顕色剤としてＢＨＰＥ（ビスヒドロキシフェニルエタン  融点１２７℃）を用い、かつ、呈色剤（ＧＮ２）と顕色剤（ＢＨＰＥ）とを重量％で略１：２の割合で２元蒸着機を使用して、同時に真空蒸着により膜付けしている。ここで、融点は、示差走査熱分析（ＤＳＣ）で測定されたものである。
サーモクロミック材料は、常温で着色状態であり、最大吸収波長は、６５０ｎｍであり、記録再生光の波長と一致させてある。
【００２９】
実験の結果、第１マスク層３Ａは、レーザ光Ｌの再生時照射光強度が約１〜２．５ｍｗの場合に好ましいマスク作用効果が得られたが、とくに、再生時照射光強度が約１．５ｍｗの時にマスク作用効果が大きく出た。
【００３０】
また、図５に示す第１マスク層３Ａの照射光強度と透過率との関係では、スポット全体の透過率を示している。この実施形態では、図５の特性を持つ第１マスク層３Ａ上に照射光強度の弱いところでの透過率を約４４％にした第２マスク層３Ｂを積層したものである。
【００３１】
そして、図６に示すように、第１マスク層３Ａと第２マスク層３Ｂとを積層した照射光強度と透過率との関係では、レーザ光Ｌの照射光強度を上げていくと、まず第１マスク層３Ａの透過率が急激に上がり再生パワーでマスク効果が生じ、その後、第２マスク層３Ｂの透過率が増大して記録パワーでマスク効果が生じる。
更に、第２マスク層３Ｂ上に第３マスク層を形成した３層の場合の照射光強度と透過率との関係では、第１マスク層３Ａと第２マスク層３Ｂを積層した場合よりも下方にシフトし、２層の場合よりもマスク作用効果が大きくなる。
【００３２】
第２マスク層３Ｂの材料としては、光ディスク１、６、９の記録時に記録時照射光強度が約１３ｍｗと大きいレーザ光Ｌでマスク効果が発揮できるサーモクロミック，フォトクロミック，相変化材料等がある。
【００３３】
本発明の実施形態では、第２マスク層３Ｂの記録用マスク材料としてサーモクロミックを用い、図７に示したように呈色剤として山本化成（株）製試作品名ＧＮ−２（融点１７４℃）、顕色剤としてＡＴ１００６（融点１４８℃）を用い、且つ、呈色剤（ＧＮ−２）と顕色剤（ＡＴ１００６）とを重量％で略１：２の割合で２元蒸着機を使用して同時に蒸着により膜付けしている。第２マスク層３Ｂの最大吸収波長は、第１マスク層３Ａと同様の６５０ｎｍである。この際、第２マスク層３Ｂは、レーザ光Ｌの記録時照射強度でマスク作用効果を生じる一方で再生時照射光では光を減衰させると同時にマスク作用効果を発現する。上記した第２マスク層３Ｂは、再生時照射光に対する光透過率が３０％〜７０％になっている。
【００３４】
更に、第２マスク層３Ｂ上に複数のマスク層を形成した場合には、この複数のマスク層の材料としては、光ディスク１、６、９の記録時に記録時照射光強度が約１５ｍｗと大きいレーザ光Ｌでマスク作用効果が発揮できるサーモクロミック，フォトクロミック，相変化材料などがある。
サーモクロミックの場合、複数のマスク層の呈色剤は第１、２マスク層３Ａ、３Ｂ、３Ｃと同じＧＮ２を用い、顕色剤として、ＢＰＡ（ビスフェノールＡ  融点１５５℃）やＢＰＳ（ビスフェノールＳ  融点１８５℃）を使用する。
【００３５】
次に、記録層４の材料としては、相変化材料や光磁気材料，有機材料などがある。本発明の実施形態の記録層４は、相変化材料を用いており、この記録層４は複数の積層膜よりなる。この記録層４を具体的に述べると、第２マスク層３Ｂに近い方から、膜厚７５ｎｍのＺｎＳ-ＳｉＯ2 （８０：２０ｍｏｌ％）第１保護層４Ａ、膜厚２０ｎｍのＡｇ3Ｉｎ6Ｓｂ63Ｔｅ28相変化材料膜４Ｂ，膜厚１５ｎｍのＺｎＳ-ＳｉＯ2 （８０：２０ｍｏｌ％）第２保護層４Ｃ，膜厚１５０ｎｍのＡｌ（アルミニウム９９．９９ａｔ％）反射膜４Ｄが順に積層して膜付けされている。
【００３６】
また、保護膜５、接着層７の材料としては、フォトポリマー（紫外線硬化樹脂）、熱硬化樹脂、両面接着剤等がある。本実施形態では、ＸＲ９８（住友化学製  紫外線硬化樹脂）を用いた。
【００３７】
次に、本発明に係る実施形態における光ディスク１、６、９に適用される記録再生光学系装置２０について図８を用いて簡略に説明する。
【００３８】
この記録再生光学系装置２０は、波長６５０ｎｍのレーザ光Ｌを出射する半導体レーザ素子２２と、半導体レーザ素子２２からのレーザ光Ｌを平行光にするコリメータレンズ２４と、偏光プリズム２６と、１／４波長板２８と、レーザ光Ｌを光ディスク１、（又は６、９）に集光させるためにＮＡ（開口数）が略０．６の対物レンズ３０と、偏光プリズム２６より分岐されてくる光ディスク１（又は６、９）からの反射光を集光する集光レンズ３２と、この反射光からフォーカス情報とトラッキング情報を得るためのシリンドリカルレンズ３４と、集光された光を検出する光検出器３６とにより主に構成されており、この光検出器３６で光ディスク１（又は６、９）からの反射光を検出することにより光ディスク１（又は６、９）の記録情報を記録再生している。
【００３９】
この際、記録再生光学系装置２０は、情報信号の記録と再生を別々に行う場合には半導体レーザ素子２２から出射するレーザ光Ｌの照射光強度を記録時照射光強度と再生時照射光強度とに切り換えれば良い。また、情報信号の記録と再生を同時時に行う場合には記録再生光学系装置２０を記録用と再生用とに２系統持てば良い。
【００４０】
次に、本発明に係る実施形態における光ディスク１（又は６、９）を用いて記録再生光学系装置２０により情報信号を記録再生した。
用いた透明基板２の溝形状は、トラックピッチ１．０μm、溝深さ６５ｎｍ、ランド幅：グルーブ幅＝５５：４５であり、ランドとグルーブの両方のトラックに記録を行った。
【００４１】
ここで、本発明の比較例１として、第１マスク層３Ａ及び第２マスク層３Ｂを膜付けしないで記録層４の記録材料としてＡｇＩｎＳｂＴｅ相変化材料を用いた場合には、上記したレーザ光Ｌの波長が６５０ｎｍ，対物レンズ３０のＮＡ（開口数）が略０．６である記録再生条件で且つ線速度が３．５ｍ／ｓの場合、再生パワーを０．７ｍｗ以下にしないと、アモルファスマークが結晶化して記録情報が破壊されてしまう。
【００４２】
また、本発明の比較例２として、図５に示した特性の第１マスク層３Ａのみを用いた場合、１ｍｗ以上の再生パワーで同じ場所を連続して長時間再生すると、記録情報が破壊されてしまう。この際、レーザ光Ｌの照射光強度全体の透過率は６０％前後で小さいが、ガウス分布した中心の強度は大きく、また第１マスク層３Ａで吸収された光による熱が記録層４に伝導され、アモルファスマークが結晶化して記録情報が破壊されてしまう。この時、クロストークは−２３．５ｄＢ、クロスイレーズは−３．０ｄＢであった。
【００４３】
一方、上記した本発明に係る実施形態における光ディスク１（又は６、９）の構造形態にすると、第２マスク層３Ｂにより光が吸収されて第１マスク層３Ａを透過した光が減衰するため、再生光による記録情報の破壊が生じなくなる。この時、クロストークは−３１．６ｄＢ、クロスイレーズは−１．３ｄＢであった。この結果、前記比較例２よりもクロストーク、クロスイレーズ共に改善された。
【００４４】
この際、第２マスク層３Ｂの再生時照射光に対する透過率は、３０％〜７０％が好ましい。また、第２マスク層３Ｂの再生時照射光に対する透過率が３０％以下になると、光ディスク１（又は６、９）からの反射光を検出して再生する場合は、往復で光が減衰するので、検出出力が小さくなり、フォーカスやトラッキングサーボの安定性が悪くなり、且つ、再生Ｃ／Ｎも悪くなる。また、第２マスク層３Ｂの再生時照射光に対する透過率が７０％以上になると、記録時のマスク効果がほとんど期待できなくなると同時に、光減衰効果も小さく再生パワーのばらつき等により記録情報の破壊が生じやすくなる。
【００４５】
また、第１マスク層３Ａにサーモクロミックでない、Ｉｎ，ＴｅＧｅ，Ｓｂ等の相変化材料などを用いた場合には、マスク作用効果が最大になる再生時照射光強度は、サーモクロミックの場合よりもさらに大きくなり、繰り返し再生での記録情報の破壊が大きい。但し、第２マスク層３Ｂに用いることは構わない。
【００４６】
しかしながら、記録層４の記録材料にも相変化記録材料を用いた書き換え型光ディスクの場合は、用いる前にレーザ光Ｌを照射して成膜後の非晶質状態から結晶化状態に変える初期化を行うが、第２マスク層３Ｂ，第３マスク層３ＣにＩｎ，ＴｅＧｅ，Ｓｂ等の相変化材料を用いると、初期化時のレーザパワーをより大パワーにしなければならない。一方、サーモクロミック材料の場合には、初期化に用いるレーザ波長を選ぶことで、初期化時の光の減衰を小さくできるので、第２マスク層３Ｂを付けていても初期化時のレーザパワーは、この第２マスク層３Ｂがない場合とほとんど同じにできる。
【００４７】
また、記録再生に用いるレーザ光Ｌは、一般に記録に用いる出力が大きい所でのノイズは小さいが、再生に用いる低出力の時はノイズが大きい。よって、基板面で０．７ｍｗ照射光強度（レーザ出力では約３倍の約２．１ｍｗ）で再生するよりも、１．５ｍｗ（レーザ出力では約３倍の約４．５ｍｗ）照射光強度で第２マスク層３Ｂで光を減衰して再生する場合の方が、Ｃ／Ｎ比は良い。
【００４８】
以上詳述したように、上記実施形態における光ディスク１（又は６、９）によれば、マスク層３として第１マスク層３Ａ上に２層以上の第２マスク層３Ｂを形成したので、レーザ光Ｌの再生時照射強度で第１マスク層３Ａにマスク作用効果が生じ、且つ、レーザ光の再生時照射強度では第２マスク層３Ｂにより光を減衰させるので記録情報を破壊せずに再生できると共に、レーザ光Ｌの記録時照射強度で第２マスク層３Ｂにマスク作用効果が生じるので、情報信号の高密度記録再生（超解像度記録再生）を確実に行うことができる。
【００４９】
【発明の効果】
以上詳述した本発明に係る光ディスクにおいて、請求項１〜３記載によれば、マスク層の第１マスク層上に２層以上の多層のマスク層を形成したので、レーザ光の記録時照射強度で第２マスク層以上にマスク作用効果が生じ、記録光スポットが絞られクロスイレーズが減少し情報信号の高密度記録を確実に行うことができる。
レーザ光の再生時照射強度で第１マスク層にマスク作用効果が生じ、且つ、レーザ光の再生時照射強度では第２マスク層により光を減衰させるので記録情報を破壊せずに再生できる。
マスク層を２層以上設けることにより隣接トラックからの情報信号の漏れ込み、クロストークが減少し高密度再生ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る実施形態の光ディスクを模式的に示した拡大断面図である。
【図２】本発明に係る実施形態の光ディスクを一部変形させた変形例１を模式的に示した拡大断面図である。
【図３】本発明に係る実施形態の光ディスクを一部変形させた変形例２を模式的に示した拡大断面図である。
【図４】本発明に係る実施形態の光ディスクにおいて、第１マスク層のマスク材料の一例を示した図である。
【図５】本発明に係る実施形態の光ディスクにおいて、第１マスク層の照射光強度と透過率との関係を示した図である。
【図６】本発明に係る実施形態の光ディスクにおいて、第１マスク層と第２マスク層とを積層した場合及び更に第３マスク層を積層した場合の照射光強度と透過率との関係を示した図である。
【図７】本発明に係る実施形態の光ディスクにおいて、第２マスク層のマスク材料の一例を示した図である。
【図８】本発明に係る実施形態の光ディスクに適用される記録再生光学系装置を示した構成図である。
【図９】従来の光ディスクを模式的に示した拡大断面図である。
【図１０】従来の光ディスクにおいて、マスク層の温度と光の透過率との関係を示した図である。
【図１１】従来の光ディスクにおいて、マスク層に入射した光の強度分布と、このマスク層を透過する光の強度分布の模式図であり、（ａ）は光ディスクの回転方向の光の強度分布を示し、（ｂ）は光ディスクの半径方向の光の強度分布を示した図である。
【図１２】従来の光ディスクにおいて、マスク層に入射するレーザ光の光スポットと、光を吸収して温度が上がって透過率が上がるマスク層を透過する光スポットとの関係を示した図である。
【符号の説明】
１、６、９…光ディスク、２…透明基板、３…マスク層、３Ａ…第１マスク層、３Ｂ…第２マスク層、３Ｃ…第３マスク層、４…記録層、５…保護膜、７…接着層、８…ダミー基板、４Ａ…第１保護層、４Ｂ…相変化記録相、４Ｃ…第２保護層、４Ｄ…反射層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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