(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体原料の脱気部と液体流量制御部を備えた液体原料の供給システムであって、脱気部が、第１の不活性ガスが溶存する液体原料を内部側に流通させるためのガス透過性の合成樹脂チューブ、該合成樹脂チューブによって互いに接続された液体原料の入口と出口、該合成樹脂チューブの外部側表面に沿って該合成樹脂チューブに対する透過性が第１の不活性ガスより低い第２の不活性ガスを流通させるための流路、及び該第２の不活性ガスの入口と出口を備えた構造であることを特徴とする液体原料の供給システム。
【請求項２】
脱気部が、円筒形または多角筒形である容器の内部側に、ガス透過性の合成樹脂チューブをコイル状に巻いて収納した構造である請求項１に記載の液体原料の供給システム。
【請求項３】
脱気部が、円筒形または多角筒形である容器の内部側に、ガス透過性の合成樹脂チューブを円柱体または多角柱体の側面にコイル状に巻いて収納した構造である請求項１に記載の液体原料の供給システム。
【請求項４】
ガス透過性の合成樹脂チューブが、フッ素系樹脂製のチューブである請求項１に記載の液体原料の供給システム。
【請求項５】
液体流量制御部が、マスフローコントローラーである請求項１に記載の液体原料の供給システム。
【請求項６】
液体原料を脱気するとともに液体原料容器から液体流量制御部に供給する方法であって、第１の不活性ガスの圧力により液体原料容器から供給された液体原料を、ガス透過性の合成樹脂チューブの内部側に流通させるとともに、該合成樹脂チューブの外部側表面に沿って、該合成樹脂チューブに対する透過性が第１の不活性ガスより低い第２の不活性ガスを流通させることにより、該液体原料に溶存する第１の不活性ガスを該合成樹脂チューブの外部側に透過させた後、液体流量制御部に供給することを特徴とする液体原料の供給方法。
【請求項７】
合成樹脂チューブの内部側に流通させる液体原料と第２の不活性ガスの流通方向が、互いに反対の方向である請求項６に記載の液体原料の供給方法。
【請求項８】
第１の不活性ガスが、水素またはヘリウムであり、第２の不活性ガスが、窒素またはアルゴンである請求項６に記載の液体原料の供給方法。
【請求項９】
液体原料が有機金属化合物である請求項６に記載の液体原料の供給方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液体原料の供給システム及び供給方法に関し、さらに詳細には、半導体製造プロセス等に使用する液体原料を、脱気しながら液体原料容器から液体流量制御部に供給するための供給システム及び供給方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体工業の発展とともに、半導体デバイスの高性能化、高集積化が進み、金属膜や絶縁膜の原料として、従来から使用されてきた水素化物ガスやハロゲン化物ガスに代わり、種々の液体の有機金属化合物が使用されるようになってきた。
例えば半導体デバイスの金属膜においては、アルミニウム膜のＣＶＤ原料としてはジメチルアルミニウムハイドライド（Ａｌ（ＣＨ３）２Ｈ）、銅膜のＣＶＤ原料としてはヘキサフルオロアセチルアセトン銅ビニルトリメチルシラン（（ＣＦ3ＣＯ）2ＣＨＣｕ・ＣＨ2ＣＨＳｉ（ＣＨ3）3）、ルテニウム膜のＣＶＤ原料としてはビス（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウム（Ｒｕ（Ｃ５Ｈ４Ｃ２Ｈ５）２）等が使用されている。
【０００３】
また、半導体デバイスの絶縁膜においては、ゲート絶縁膜としてＳｉＯ２、キャパシタ絶縁膜としてＳｉ３Ｎ４、層間絶縁膜としてＰＳＧ（リン・シリコン・ガラス）、ＢＰＳＧ（ボロン・リン・シリコン・ガラス）が知られているが、ＳｉＯ２膜のＣＶＤ原料としてはテトラエトキシケイ素（Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）、ＰＳＧとＢＰＳＧ膜のＣＶＤ原料としてはトリメトキシホウ素（Ｂ（ＯＣＨ３）３）、トリメトキシホスフィンオキシド（ＰＯ（ＯＣＨ３）３）等が使用されている。
【０００４】
一方、従来よりこれらの液体原料を、所望の濃度及び流量で効率よく気化させて半導体製造装置に供給する目的で、種々の供給装置または供給方法が開発されてきた。例えば、液体原料の流量を制御する液体流量制御部と、これにより制御された液体原料を超音波振動により霧状にするとともに加熱気化させる気化器とを備えた液体原料気化装置（特開平５−１３２７７９号公報）、あるいは、液体流量制御部により流量制御された液体原料を、加圧された搬送ガスに混合した後、搬送ガスの流量が一定になるようにガスの流量を調整する液体原料の供給方法（特開平９−１１１４５６号公報）等がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
前記供給装置または供給方法に使用される液体流量制御部は、液体原料を極めて高い精度で定量的に気化器に供給する必要があり、従来より、例えば脈流することなく液体原料を供給することが可能な二連あるいは多連の耐食性べローズポンプ、またはポンプに替えて液体マスフローコントローラー等が用いられていた。しかしながら、このようなべローズポンプや液体マスフローコントローラーは、液体原料が均一であれば高い精度で定量的にこれを気化器に供給することが可能であったが、液体原料に溶存している不活性ガス等が、微細な気泡となって液体原料中に存在する場合は、液体原料を一定の流量で供給することができなかった。
【０００６】
すなわち、一般的な液体原料の供給システムにおいては、液体原料容器内はヘリウム、窒素、アルゴン等の不活性ガスで満たされた状態であり、半導体製造時にはこれらの不活性ガスの圧力により液体原料が液体流量制御部へ供給される構造となっている。
そのため半導体製造時には、液体原料容器内の液体原料は加圧状態のために比較的多量の不活性ガスが溶存している。一方、ＣＶＤ装置は減圧であるために、これらの中間に位置する液体流量制御部は大気圧もしくは減圧であり、液体原料が、液体流量制御部の出口側に到達するまでに、液体原料中の不活性ガスの溶解度が下がり、溶存していた不活性ガスが微細な気泡となって発生する場合が多い。このように液体原料中に微細な気泡が存在すると、液体原料がべローズポンプやマスフローコントローラーにおいて正確に計量できなくなり、液体原料を高い精度で定量的に半導体製造装置に気化供給することができないという不都合があった。また、液体流量制御部を通過した後に、液体原料中に微細な気泡が発生した場合も、膜質の均一性に悪影響を及ぼすという不都合があった。
【０００７】
従って、本発明が解決しようとする課題は、液体原料を使用する半導体製造プロセスにおいて、液体原料の流量をべローズポンプやマスフローコントローラー等の液体流量制御部で制御する前に、前述のようにして液体原料に溶存した不活性ガスを容易に除去することが可能な液体原料の供給システム及び供給方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、これらの課題を解決すべく鋭意検討した結果、ガス透過性の合成樹脂チューブの内部側に、第１の不活性ガスが溶存した液体原料を流通させるとともに、この合成樹脂チューブの外部側表面に沿って、合成樹脂チューブに対する透過性が第１の不活性ガスより低い第２の不活性ガスを流通させて、第２の不活性ガスの合成樹脂チューブ内部側への透過を抑制しながら、第１の不活性ガスの合成樹脂チューブ外部側へ透過させることにより脱ガスを行なうことが可能であることを見い出し本発明に到達した。
【０００９】
すなわち本発明は、液体原料の脱気部と液体流量制御部を備えた液体原料の供給システムであって、脱気部が、第１の不活性ガスが溶存する液体原料を内部側に流通させるためのガス透過性の合成樹脂チューブ、該合成樹脂チューブによって互いに接続された液体原料の入口と出口、該合成樹脂チューブの外部側表面に沿って該合成樹脂チューブに対する透過性が第１の不活性ガスより低い第２の不活性ガスを流通させるための流路、及び該第２の不活性ガスの入口と出口を備えた構造であることを特徴とする液体原料の供給システムである。
【００１０】
また本発明は、液体原料を脱気するとともに液体原料容器から液体流量制御部に供給する方法であって、第１の不活性ガスの圧力により液体原料容器から供給された液体原料を、ガス透過性の合成樹脂チューブの内部側に流通させるとともに、該合成樹脂チューブの外部側表面に沿って、該合成樹脂チューブに対する透過性が第１の不活性ガスより低い第２の不活性ガスを流通させることにより、該液体原料に溶存する第１の不活性ガスを該合成樹脂チューブの外部側に透過させた後、液体流量制御部に供給することを特徴とする液体原料の供給方法でもある。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明は、半導体製造プロセス等に使用する液体原料を、液体原料容器から液体流量制御部に供給するための供給システム及び供給方法に適用される。
本発明の液体原料の供給システムは、液体原料の脱気部と液体流量制御部を備えた液体原料の供給システムであって、脱気部に備えたガス透過性の合成樹脂チューブの内部側に第１の不活性ガスを溶存する液体原料を流通させるとともに、合成樹脂チューブの外部側表面に沿って第２の不活性ガスを流通させることが可能な構造である供給システムである。
【００１２】
また、本発明の液体原料の供給方法は、前記本発明の液体原料の供給システムを用いて、第１の不活性ガスの圧力により液体原料容器から供給された液体原料を、ガス透過性の合成樹脂チューブの内部側に流通させるとともに、合成樹脂チューブの外部側表面に沿って、合成樹脂チューブに対する透過性が第１の不活性ガスより低い第２の不活性ガスを流通させることにより、液体原料に溶存する第１の不活性ガスを合成樹脂チューブの外部側に透過させた後、液体流量制御部に供給する方法である。
【００１３】
本発明の液体原料の供給システム及び供給方法に適用される原料は、常温で液体であってもまた固体を溶媒に溶解したものであっても、液状を保持し得るものであれば特に制限はなく、用途に応じて適宜選択、使用される。例えばテトラiso-プロポキシチタン（Ｔｉ（ＯＣＨ（ＣＨ3）2）4）、テトラn-プロポキシチタン（Ｔｉ（ＯＣ3Ｈ7）4）、テトラ tert-ブトキシジルコニウム（Ｚｒ（ＯＣ（ＣＨ3）3）4）、テトラn-ブトキシジルコニウム（Ｚｒ（ＯＣ4Ｈ9）4）、テトラメトキシバナジウム（Ｖ（ＯＣＨ3）4）、トリメトキシバナジルオキシド（ＶＯ（ＯＣＨ3）3）、ペンタエトキシニオブ（Ｎｂ（ＯＣ2Ｈ5）5）、ペンタエトキシタンタル（Ｔａ（ＯＣ2Ｈ5）5）、トリメトキシホウ素（Ｂ（ＯＣＨ3）3）、トリiso-プロポキシアルミニウム（Ａｌ（ＯＣＨ（ＣＨ3）2）3）、テトラエトキシケイ素（Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）、テトラエトキシゲルマニウム（Ｇｅ（ＯＣ2Ｈ5）4）、テトラメトキシスズ（Ｓｎ（ＯＣＨ3）4）、トリメトキシリン（Ｐ（ＯＣＨ3）3）、トリメトキシホスフィンオキシド（ＰＯ（ＯＣＨ3）3）、トリエトキシヒ素（Ａｓ（ＯＣ2Ｈ5）3）、トリエトキシアンチモン（Ｓｂ（ＯＣ2Ｈ5）3）等の常温で液体のアルコキシドを挙げることができる。
【００１４】
また、前記のほかに、トリメチルアルミニウム（Ａｌ（ＣＨ3）3）、ジメチルアルミニウムハイドライド（Ａｌ（ＣＨ3）2Ｈ）、トリiso-ブチルアルミニウム（Ａｌ（iso-Ｃ4Ｈ9）3）、ヘキサフルオロアセチルアセトン銅ビニルトリメチルシラン（（ＣＦ3ＣＯ）2ＣＨＣｕ・ＣＨ2ＣＨＳｉ（ＣＨ3）3）、ヘキサフルオロアセチルアセトン銅アリルトリメチルシラン（（ＣＦ3ＣＯ）2ＣＨＣｕ・ＣＨ2ＣＨＣＨ2Ｓｉ（ＣＨ3）3）、ビス（iso-プロピルシクロペンタジエニル）タングステンジハライド（（iso-Ｃ3Ｈ7Ｃ5Ｈ5）2ＷＨ2）、テトラジメチルアミノジルコニウム（Ｚｒ（Ｎ（ＣＨ3）2）4）、ペンタジエチルアミノタンタル（Ｔａ（Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2）5）、テトラジメチルアミノチタン（Ｔｉ（Ｎ（ＣＨ3）2）4）、テトラジエチルアミノチタン（Ｔｉ（Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2）4）等の常温で液体の原料を例示することができる。
【００１５】
さらに、ヘキサカルボニルモリブデン（Ｍｏ（ＣＯ）6）、ジメチルペントオキシ金（Ａｕ（ＣＨ3）2（ＯＣ5Ｈ7））、ビス（2,2,6,6,-テトラメチル-3,5ヘプタンジオナイト）バリウム（Ｂａ（（Ｃ（ＣＨ3）3）2Ｃ3ＨＯ2）2）、ビス（2,2,6,6,-テトラメチル-3,5ヘプタンジオナイト）ストロンチウム（Ｓｒ（（Ｃ（ＣＨ3）3）2Ｃ3ＨＯ2）2）、テトラ（2,2,6,6,-テトラメチル-3,5ヘプタンジオナイト）チタニウム（Ｔｉ（（Ｃ（ＣＨ3）3）2Ｃ3ＨＯ2）4）、テトラ（2,2,6,6,-テトラメチル-3,5ヘプタンジオナイト）ジルコニウム（Ｚｒ（（Ｃ（ＣＨ3 ）3）2Ｃ3ＨＯ2）4）、ビス（2,2,6,6,-テトラメチル-3,5ヘプタンジオナイト）鉛（Ｐｂ（（Ｃ（ＣＨ3）3）2Ｃ3ＨＯ2）2）、ペンタジメチルアミノタンタル（Ｔａ（Ｎ（ＣＨ3）2）5）等の常温で固体の原料を例示することができる。ただし、これらは通常０．１〜０．５ｍｏｌ／Ｌ程度の濃度でヘキサン、ヘプタン、酢酸ブチル、iso-プロピルアルコール、テトラヒドロフラン等の有機溶媒に溶解して使用される。
【００１６】
以下、本発明の液体原料の供給システム及び供給方法を、図１〜図３に基づいて詳細に説明するが、本発明がこれにより限定されるものではない。
本発明の液体原料の供給システムは、液体原料の脱気部と液体流量制御部を備えたシステムであり、前述のような液体原料に溶存する不活性ガスを脱気しながら液体原料容器から液体流量制御部に供給することにより、液体流量制御部における液体原料の制御を高精度で行なうことを可能とする供給システムである。本発明の液体原料の供給システムは、例えば図３に示すように従来から用いられている気化供給装置に適用することができる。
【００１７】
本発明の液体原料の供給システムにおける脱気部は、ガス透過性の合成樹脂チューブ、合成樹脂チューブによって互いに接続された液体原料の入口と出口、合成樹脂チューブの外部側表面に沿って不活性ガスを流通させるための流路、及び不活性ガスの入口と出口を備えたものである。このような脱気部の構成において、第１の不活性ガスが溶存する液体原料が、ガス透過性の合成樹脂チューブの内部側に流されるとともに、合成樹脂チューブに対する透過性が第１の不活性ガスより低い第２の不活性ガスが、合成樹脂チューブの外部側表面に沿って流されることにより、液体原料に溶存する第１の不活性ガスが合成樹脂チューブの外部側に透過除去される。
【００１８】
本発明における脱気部としては、例えば、最も単純な構造として、内部側がガス透過性の合成樹脂チューブで外部側がガスを透過しない管よりなる二重管を挙げることができる。しかし、液体原料に溶存する不活性ガスを効率よく脱気するためには、合成樹脂チューブを細く長くする必要があり、脱気部が長大となることから、ガス透過性の合成樹脂チューブをコイル状に巻いて収納した構造の脱気部が好ましい。このような脱気部としては、図１の斜視図及び図２（Ａ）の縦断面図で示すように、円筒形または多角筒形である容器の内部側に、ガス透過性の合成樹脂チューブをコイル状に巻いて収納した構造の脱気部を例示することができる。
【００１９】
また、図２（Ｂ）の縦断面図で示すように、円筒形または多角筒形である容器の内部側に、ガス透過性の合成樹脂チューブを円柱体または多角柱体の側面にコイル状に巻いて収納した構造の脱気部とすることにより、第２の不活性ガスの流れを一定方向に制限するとともに流速を速めて、液体原料に溶存する第１の不活性ガスの合成樹脂チューブ外部側への透過を促進することができる。さらに、前記円柱体を棒状ヒーターとすることにより、液体原料を４０〜８０℃程度に加熱して、第１の不活性ガスの透過をさらに促進させることもできる。
尚、前記の図１の斜視図及び図２の縦断面図で示すような脱気部においては、第２の不活性ガスが脱気部内で旋回流を形成して滑らかに流れるように、第２の不活性ガスの入口及び出口の向きが、容器内壁水平面の接線方向に対して０〜４５度程度の角度を成すように設定されることが好ましい。
【００２０】
本発明に用いられる合成樹脂チューブは、ガスを透過し液体原料を透過せず耐薬品性を有する材質であればいずれも用いることができる。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン等を用いることもできるが、耐薬品性に優れている点でフッ素系樹脂が好ましい。フッ素系樹脂としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリトリフルオロエチレン（ＰＴｒＦＥ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶｄＦ）、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）等が挙げられる。合成樹脂チューブの内径及び長さは、液体原料の流量によっても異なるが、通常は内径が０．１〜３ｍｍ、長さが０．５〜２０ｍ程度、好ましくは内径が０．３〜０．８ｍｍ、長さが１〜５ｍ程度である。また、合成樹脂チューブの厚みは、材質によっても異なるが、通常は０．０５〜２ｍｍ、好ましくは０．１〜１ｍｍ程度である。
【００２１】
本発明における液体流量制御部は、液体原料を高い精度で定量的に気化器に供給するものであり、流量可変可能なポンプと制御弁、あるいはポンプと流量制御器等で構成される。ポンプは液体原料を脈流なしに供給するために通常は二連あるいは多連の耐食性べローズポンプなどが用いられる。またポンプの二次側にはＣＶＤ装置が減圧で操作される場合であっても流量制御ができるように、逆止弁を設けることもできる。尚、ポンプに替えて、液体マスフローコントローラーを使用することによって精度良く供給することもできる。
【００２２】
本発明の液体原料の供給方法は、液体原料を脱気するとともに液体原料容器から液体流量制御部に供給する方法であって、第１の不活性ガスの圧力により液体原料容器から供給された液体原料を、ガス透過性の合成樹脂チューブの内部側に流通させるとともに、合成樹脂チューブの外部側表面に沿って、合成樹脂チューブに対する透過性が第１の不活性ガスより低い第２の不活性ガスを流通させることにより、液体原料に溶存する第１の不活性ガスを合成樹脂チューブの外部側に透過させた後、液体流量制御部に供給する方法である。
【００２３】
本発明の液体原料の供給方法を実施するために、通常は前述の液体原料の供給システムが用いられる。
本発明に使用される液体原料が充填された液体原料容器は、適宜使用目的に応じて製作したものを用いてもよいが、液体原料の販売の際にその容器として用いられているものをそのまま用いてもよい。液体原料の気化供給を行なう際には、図３のように第１の不活性ガスの圧力によって、液体原料２が脱気部４に供給されるように設定される。液体原料容器から脱気部に供給される第１の不活性ガスを溶存した液体原料が、脱気部において、ガス透過性の合成樹脂チューブの内部側に流されるとともに、合成樹脂チューブの外部側表面に沿って、合成樹脂チューブに対する透過性が第１の不活性ガスより低い第２の不活性ガスが流される。
このように操作することにより、第２の不活性ガスの合成樹脂チューブ内部側への透過を抑制しながら、液体原料に溶存する第１の不活性ガスを合成樹脂チューブの外部側へ透過させることができる。
【００２４】
第１の不活性ガスは、合成樹脂チューブに対する透過性が高い水素またはヘリウムが好ましく、第２の不活性ガスは合成樹脂チューブに対する透過性が低く容易に入手できる窒素またはアルゴンが好ましい。
また、液体原料に溶存する第１の不活性ガスの合成樹脂チューブ外部側への透過を促進するために、合成樹脂チューブに流通させる液体原料と第２の不活性ガスの流通方向を互いに反対の方向とすることが好ましい。尚、液体原料の流通量は、通常は０．０１〜２０ｍｌ／ｍｉｎ、好ましくは０．１〜１０ｍｌ／ｍｉｎ程度であり、第２の不活性ガスの流通量は、通常は１０〜５０００ｍｌ／ｍｉｎ、好ましくは５０〜２０００ｍｌ／ｍｉｎ程度である。
【００２５】
【実施例】
次に、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明がこれらにより限定されるものではない。
【００２６】
（実施例１）
（液体原料の供給システムの製作）
液体原料の供給システムとして脱気部とマスフローコントローラーからなる供給システムを製作した。
脱気部は、内径が１００ｍｍ、高さが２００ｍｍの円柱形状のステンレス製の容器の内部側に、外径が６０ｍｍ、高さが１４０ｍｍのステンレス製の円柱体が容器と同軸上に配置され、この円柱体の側面にＰＴＦＥ製のチューブがコイル状に巻かれて収納された構造のものとした。チューブの形状は、内径が１．６ｍｍ、外径が３．２ｍｍ、長さが３．０ｍであった。
【００２７】
（液体原料の供給試験）
上述のように製作した液体原料の供給システムの脱気部入口側に、液体原料としてテトラエトキシシラン５００ｍｌが充填された市販の液体原料容器を接続し、また、マスフローコントローラーの出口側には、液体原料の流量変動を測定するための非接触式流量計を設置した。尚、この市販の液体原料容器内は減圧された状態となっていた。
【００２８】
第１の不活性ガスラインからヘリウムガスを導入し、液体原料容器内をヘリウムガスで満たした後、ヘリウムガスの圧力を０．１ＭＰａＧに上昇させるとともにマスフローコントローラーを作動して、液体原料容器内のテトラエトキシシランを０．８ｍｌ／ｍｉｎの流量で脱気部を経由させてマスフローコントローラーに供給した。一方、第２の不活性ガスラインから窒素を、液体原料の流通方向とは反対の方向に、圧力０．１ＭＰａＧ、流量５００ｍｌ／ｍｉｎでＰＴＦＥ製のチューブの外部側に流通させた。尚、マスフローコントローラーの出口側におけるテトラエトキシシランにかかる圧力を０．０１ＭＰａａｂｓとなるように設定した。この間、非接触式流量計において測定されたテトラエトキシシランの流量変動の結果を図２に示す。
【００２９】
（比較例１）
実施例１における液体原料の供給システムの脱気部を取り外し、液体原料容器とマスフローコントローラーを直接接続させた以外は、実施例１と同様にして液体原料の供給試験を行なった。この間、非接触式流量計において測定されたテトラエトキシシランの流量変動の結果を図２に示す。
【００３０】
比較例１においては、テトラエトキシシランの流量変動が約４分毎に測定された。図４の流量変動の状況から、テトラエトキシシランに溶存していたヘリウムガスが、減圧により微細な気泡となってテトラエトキシシラン中に発生し、さらに微細な気泡が集合して大きな気泡となって一気に流れることが推測された。実施例１においては、テトラエトキシシランの流量はほぼ０．８ｍｌ／ｍｉｎを保ち変動が測定されなかったことから、脱気部においてヘリウムガスが充分に除去されていると推測された。
【００３１】
【発明の効果】
本発明の液体原料の供給システム及び供給方法により、半導体製造プロセスにおいて、液体原料の流量をべローズポンプやマスフローコントローラー等の液体流量制御部で制御する前に、液体原料に溶存した不活性ガスを容易に除去することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における脱気部の一例を示す斜視図
【図２】本発明における脱気部の例を示す縦断面図
【図３】本発明の供給システムを気化供給装置に適用した例を示す構成図
【図４】実施例１及び比較例１の液体原料の供給試験における流量変動の結果を示すグラフ
【符号の説明】
１  液体原料の入口
２  液体原料の出口
３  第２の不活性ガスの入口
４  第２の不活性ガスの出口
５  ガス透過性の合成樹脂チューブ
６  第２の不活性ガスの流路
７  円柱体
８  液体原料容器
９  液体原料
１０  第１の不活性ガスの供給ライン
１１  脱気部
１２  第２の不活性ガスの供給ライン
１３  不活性ガスの排気ライン
１４  液体流量制御部
１５  逆止弁
１６  霧化器
１７  キャリヤーガス供給ライン
１８  ブロックヒーター
１９  気化器
２０  バルブ
２１  半導体製造装置
【図１】
0004384762.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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