(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒状である結晶インゴットの保持手段と、前記結晶インゴットの軸であるω軸に垂直な測定平面内で当該結晶インゴットの側面の１点に向けてＸ線を放射するＸ線源及び所定の広がりを持った回折Ｘ線を前記測定平面に対して非対称な検出開口で部分的に検出する検出器を備えた測定部と、この測定部又は前記結晶インゴットの何れかを前記ω軸の周りにω回転させるω回転機構と、前記ω回転したときの前記検出器のピーク出力の大きさを用いて検出された結晶面の法線の前記ω軸方向への倒れ角を求めるデータ処理部とを有することを特徴とする結晶方位測定装置。
【請求項２】
円筒状である結晶インゴットの保持手段と、前記結晶インゴットの軸であるω軸に垂直な測定平面内で当該結晶インゴットの側面の１点に向けてＸ線を放射するＸ線源及び所定の広がりを持った回折Ｘ線をそれぞれ部分的に検出する前記ω軸方向に並設された複数の検出器を備えた測定部と、この測定部又は前記結晶インゴットの何れかを前記ω軸の周りにω回転させるω回転機構と、前記ω回転したときの前記複数の検出器のピーク出力の大きさを比較して検出された結晶面の法線の前記ω軸方向への倒れ角を求めるデータ処理部とを有することを特徴とする結晶方位測定装置。
【請求項３】
円筒状である結晶インゴットの保持手段と、前記結晶インゴットの軸であるω軸に垂直な測定平面内で当該結晶インゴットの側面の１点に向けてＸ線を放射するＸ線源及び所定の広がりを持った回折Ｘ線を前記ω軸方向に移動することで部分的に検出する検出器を備えた測定部と、この測定部又は前記結晶インゴットの何れかを前記ω軸の周りにω回転させるω回転機構と、前記ω回転したときの前記検出器がピーク出力となる位置において前記検出器を移動をしたときの前記検出器のピーク出力を与える移動位置を用いて検出された結晶面の法線の前記ω軸方向への倒れ角を求めるデータ処理部とを有することを特徴とする結晶方位測定装置。
【請求項４】
円筒状である結晶インゴットの保持手段と、前記結晶インゴットの軸であるω軸に垂直な測定平面内で当該結晶インゴットの側面の１点に向けてＸ線を放射するＸ線源、略前記測定平面上に配置された回折Ｘ線の検出器及びこの検出器の前面を前記ω軸方向に移動することで所定の広がりを持った回折Ｘ線を部分的に通過させるコリメータを備えた測定部と、この測定部又は前記結晶インゴットの何れかを前記ω軸の周りにω回転させるω回転機構と、前記ω回転したときの前記検出器がピーク出力となる位置において前記コリメータを移動をしたときの前記検出器のピーク出力を与える前記コリメータの移動位置を用いて検出された結晶面の法線の前記ω軸方向への倒れ角を求めるデータ処理部とを有することを特徴とする結晶方位測定装置。
【請求項５】
前記データ処理部は、前記ω回転したときの前記検出器がピーク出力となる複数の位置でそれぞれ求めた前記倒れ角を用いて前記ω軸に平行な別の結晶面法線ｈ0 の前記ω軸に対する傾斜方向を求める機能を持つことを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の結晶方位測定装置。
【請求項６】
請求項１乃至４の何れかに記載の結晶方位測定装置により、前記ω回転したときの前記検出器がピーク出力となる複数の位置でそれぞれ前記倒れ角を求める第１の段階と、この倒れ角より前記ω軸に平行な別の結晶面法線ｈ0 の前記ω軸に対する傾斜方位を求める第２の段階と、この傾斜方位を基に前記検出された結晶面を選択して前記結晶インゴットの周方向基準の加工方位を決める第３の段階とを有することを特徴とする結晶方位測定方法。
【請求項７】
円筒状である結晶インゴットを保持し、前記結晶インゴットの軸であるω軸に垂直な測定平面内で当該結晶インゴットの側面の１点に向けてＸ線を放射するＸ線源及び所定の広がりを持った回折Ｘ線を前記測定平面に対して非対称な検出開口で部分的に検出する検出器を備えた測定部を用い、この測定部又は前記結晶インゴットの何れかを前記ω軸の周りにω回転させながら前記測定平面に沿って前記Ｘ線を放射し、前記検出器のピーク出力を与える回転位置から検出された結晶面の法線の方位を求める第１の段階と、一周の前記ω回転の間の複数の結晶面に対応する各ピーク出力の大きさを互いに比較して前記検出された結晶面を選択し、前記結晶インゴットの周方向基準の加工方位を決める第２の段階とを有することを特徴とする結晶方位測定方法。
【請求項８】
円筒状である結晶インゴットを保持し、前記結晶インゴットの軸であるω軸に垂直な測定平面内で当該結晶インゴットの側面の１点に向けてＸ線を放射するＸ線源及び所定の広がりを持った回折Ｘ線をそれぞれ部分的に検出する前記ω軸方向に並設された複数の検出器を備えた測定部を用い、この測定部又は前記結晶インゴットの何れかを前記ω軸の周りにω回転させながら前記測定平面に沿って前記Ｘ線を放射し、前記複数の検出器のピーク出力を与える回転位置から検出された結晶面の法線の方位を求める第１の段階と、一周の前記ω回転の間の各検出器の複数の結晶面に対応する各ピーク出力の大きさを互いに比較して前記検出された結晶面を選択し、前記結晶インゴットの周方向基準の加工方位を決める第２の段階とを有することを特徴とする結晶方位測定方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばシリコンや水晶等の単結晶試料の結晶方位をＸ線回折を利用して測定する結晶方位測定装置および結晶方位測定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウェハは、通常チョクラルスキー引上げ法などで形成された単結晶インゴットを円筒状に加工した後、薄板状に切断して形成されるが、半導体ウェハは結晶方向によって大きく特性が異なるため、結晶方向を考慮して切断がなされなければならない。
【０００３】
従来、単結晶インゴットからウェハを形成するには、インゴットの周方向基準であるオリフラ面カットのためのオリフラ面検出用の結晶回折装置と、スライシングのためのスライス面決定のためのＸ線回折装置との２つのＸ線回折装置を用いてそれぞれ測定していた。あるいはこれらを改善して１つのＸ線回折装置でインゴットの側面の測定のみでオリフラ面だけでなくスライス面も決定できるようにした装置が知られている（特開平０６−８９８８７号公報）。この後者の装置では次のような方法がとられている。
【０００４】
この装置の結晶方位検出部には、Ｘ線発生部と検出部が、測定する結晶面の回折角θ0 に合わせて配置されている。インゴットの側面の測定点にＸ線をあて、インゴットをインゴット軸に対し回転していくと、結晶面の法線が軸線の方向になると回折Ｘ線が最大になる。この位置でインゴットの回転を停止させ、次に結晶方位検出部を軸線に対し９０度方向転換してから、回転軸に対し左右に回転させ、さらに回折Ｘ線がピークとなる回転角を読み取る。これにより結晶面法線のインゴット軸方向の倒れ角がわかる。同様に周方向に９０度離れた別の結晶面法線の倒れ角が求まる。
【０００５】
測定する結晶面が、面指数（１００）の単結晶インゴット５１の場合を図１６に示す。インゴット軸５２方向の（１００）面の法線ｈ0 は測定した結晶面法線ｈ1 ，ｈ2 それぞれと直交する。ｈ0 ，ｈ1 ，ｈ2 が互いに直交することにより、ｈ1 の倒れ角がｈ0 のＸ方向の倒れ角になり、ｈ2 の倒れ角がｈ0 のＹ方向の倒れ角になるのでｈ0 の方向を容易に求めることができる。このようにして、インゴットの側面の測定のみでスライス面決定を行うことができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述した側面の測定でスライス面を決定できるようにした装置では、（１００）面測定の場合はよいが、他の場合、即ちスライス面法線方向の結晶面法線と側面方向の測定する結晶面法線が直交する関係にない場合に誤差が生じる問題がある。具体的には、後述する図４に示すように、スライス面が（５１１）面ｈ0 、測定する面が（５１１）面ｈ1 〜ｈ8 の場合がある。ｈ1 〜ｈ8 は何れもｈ0 と直交せず、２度あまり倒れている。しかもｈ1 〜ｈ8 の方位も直交していない。この場合、上述の装置ではｈ0 の方向が正確に定まらない。また、上述した装置の第２の問題は結晶方位検出部の回転機構および方向転換機構を必要とする点である。
【０００７】
本発明は、上記に鑑みてなされたもので、第１に、スライス面方向の結晶面と側面方向の測定する結晶面が直交していない一般的な結晶インゴットに対し、側面測定によりスライス面あるいは周方向基準（オリフラ面、ｖノッチ等）あるいはその両方を決定することができ、第２に、測定部の回転および方向転換を行わずに側面測定によりスライス面あるいは周方向基準あるいはその両方を決定することができる簡便な結晶方位測定装置および結晶方位方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１記載の結晶方位測定装置は、円筒状である結晶インゴットの保持手段と、前記結晶インゴットの軸であるω軸に垂直な測定平面内で当該結晶インゴットの側面の１点に向けてＸ線を放射するＸ線源及び所定の広がりを持った回折Ｘ線を前記測定平面に対して非対称な検出開口で部分的に検出する検出器を備えた測定部と、この測定部又は前記結晶インゴットの何れかを前記ω軸の周りにω回転させるω回転機構と、前記ω回転したときの前記検出器のピーク出力の大きさを用いて検出された結晶面の法線の前記ω軸方向への倒れ角を求めるデータ処理部とを有することを要旨とする。この構成により、側面測定により、所定の広がりを持った回折Ｘ線が測定平面に非対称な検出開口を持つ検出器で部分的に検出され、結晶インゴットをω軸に対し回転させたときのこの検出器のピーク出力の大きさにより、側面に略直交する複数の結晶面法線のω軸方向への倒れ角を求めることができて（オフカットの場合でも）周方向基準を決定することが可能となる。次いで、このように、側面に略直交する複数の結晶面法線のω軸方向への倒れ角が求められることで、これらの結晶面法線と位置関係が既知である略ω軸方向の結晶面法線のω軸からの傾斜方向を求めることができて、これを基にスライス面を決定することが可能となる。
【００１０】
請求項２記載の結晶方位測定装置は、円筒状である結晶インゴットの保持手段と、前記結晶インゴットの軸であるω軸に垂直な測定平面内で当該結晶インゴットの側面の１点に向けてＸ線を放射するＸ線源及び所定の広がりを持った回折Ｘ線をそれぞれ部分的に検出する前記ω軸方向に並設された複数の検出器を備えた測定部と、この測定部又は前記結晶インゴットの何れかを前記ω軸の周りにω回転させるω回転機構と、前記ω回転したときの前記複数の検出器のピーク出力の大きさを比較して検出された結晶面の法線の前記ω軸方向への倒れ角を求めるデータ処理部とを有することを要旨とする。この構成により、側面測定により、所定の広がりを持った回折Ｘ線がω軸方向に並設された複数の検出器でそれぞれ部分的に検出され、結晶インゴットをω軸に対し回転させたときのこの複数の検出器のピーク出力の大きさを比較することにより、側面に略直交する複数の結晶面法線のω軸方向への倒れ角を求めることができて（オフカットの場合でも）周方向基準を決定することが可能となる。次いで、このように、側面に略直交する複数の結晶面法線のω軸方向への倒れ角が求められることで、これらの結晶面法線と位置関係が既知である略ω軸方向の結晶面法線のω軸からの傾斜方向を求めることができて、これを基にスライス面を決定することが可能となる。
【００１１】
請求項３記載の結晶方位測定装置は、円筒状である結晶インゴットの保持手段と、前記結晶インゴットの軸であるω軸に垂直な測定平面内で当該結晶インゴットの側面の１点に向けてＸ線を放射するＸ線源及び所定の広がりを持った回折Ｘ線を前記ω軸方向に移動することで部分的に検出する検出器を備えた測定部と、この測定部又は前記結晶インゴットの何れかを前記ω軸の周りにω回転させるω回転機構と、前記ω回転したときの前記検出器がピーク出力となる位置において前記検出器を移動をしたときの前記検出器のピーク出力を与える移動位置を用いて検出された結晶面の法線の前記ω軸方向への倒れ角を求めるデータ処理部とを有することを要旨とする。この構成により、側面測定により、所定の広がりを持った回折Ｘ線がω軸方向に移動可能な検出器で部分的に検出され、結晶インゴットをω軸に対し回転させたときのこの検出器のピーク出力を与える移動位置を用いることにより、側面に略直交する複数の結晶面法線のω軸方向への倒れ角を求めることができて（オフカットの場合でも）周方向基準を決定することが可能となる。次いで、このように、側面に略直交する複数の結晶面法線のω軸方向への倒れ角が求められることで、これらの結晶面法線と位置関係が既知である略ω軸方向の結晶面法線のω軸からの傾斜方向を求めることができて、これを基にスライス面を決定することが可能となる。
【００１２】
請求項４記載の結晶方位測定装置は、円筒状である結晶インゴットの保持手段と、前記結晶インゴットの軸であるω軸に垂直な測定平面内で当該結晶インゴットの側面の１点に向けてＸ線を放射するＸ線源、略前記測定平面上に配置された回折Ｘ線の検出器及びこの検出器の前面を前記ω軸方向に移動することで所定の広がりを持った回折Ｘ線を部分的に通過させるコリメータを備えた測定部と、この測定部又は前記結晶インゴットの何れかを前記ω軸の周りにω回転させるω回転機構と、前記ω回転したときの前記検出器がピーク出力となる位置において前記コリメータを移動をしたときの前記検出器のピーク出力を与える前記コリメータの移動位置を用いて検出された結晶面の法線の前記ω軸方向への倒れ角を求めるデータ処理部とを有することを要旨とする。この構成により、側面測定により、所定の広がりを持った回折Ｘ線がω軸方向に移動可能なコリメータを部分的に通過して検出器で検出され、結晶インゴットをω軸に対し回転させたときの検出器のピーク出力を与えるコリメータの移動位置を用いることにより、側面に略直交する複数の結晶面法線のω軸方向への倒れ角を求めることができて（オフカットの場合でも）周方向基準を決定することが可能となる。次いで、このように、側面に略直交する複数の結晶面法線のω軸方向への倒れ角が求められることで、これらの結晶面法線と位置関係が既知である略ω軸方向の結晶面法線のω軸からの傾斜方向を求めることができて、これを基にスライス面を決定することが可能となる。
【００１３】
請求項５記載の結晶方位測定装置は、上記請求項１乃至４の何れかに記載の結晶方位測定装置において、前記データ処理部は、前記ω回転したときの前記検出器がピーク出力となる複数の位置でそれぞれ求めた前記倒れ角を用いて前記ω軸に平行な別の結晶面法線ｈ0 の前記ω軸に対する傾斜方向を求める機能を持つことを要旨とする。この構成により、データ処理部は、側面に略直交する複数の結晶面法線に対し位置関係が既知であるω軸に略平行な別の結晶面法線ｈ0 のω軸に対する傾斜方向を求め、これを基にスライス面を決定する。
【００１４】
請求項６記載の結晶方位測定方法は、上記請求項１乃至４の何れかに記載の結晶方位測定装置により、前記ω回転したときの前記検出器がピーク出力となる複数の位置でそれぞれ前記倒れ角を求める第１の段階と、この倒れ角より前記ω軸に平行な別の結晶面法線ｈ0 の前記ω軸に対する傾斜方位を求める第２の段階と、この傾斜方位を基に前記検出された結晶面を選択して前記結晶インゴットの周方向基準の加工方位を決める第３の段階とを有することを要旨とする。この構成により、側面に略直交する複数の結晶面法線に対し位置関係が既知であるω軸に略平行な別の結晶面法線ｈ0 のω軸に対する傾斜方位を求め、この傾斜方位を基に所定の結晶面を選択し、この選択された結晶面法線より周方向基準を決定する。
【００１５】
請求項７記載の結晶方位測定方法は、円筒状である結晶インゴットを保持し、前記結晶インゴットの軸であるω軸に垂直な測定平面内で当該結晶インゴットの側面の１点に向けてＸ線を放射するＸ線源及び所定の広がりを持った回折Ｘ線を前記測定平面に対して非対称な検出開口で部分的に検出する検出器を備えた測定部を用い、この測定部又は前記結晶インゴットの何れかを前記ω軸の周りにω回転させながら前記測定平面に沿って前記Ｘ線を放射し、前記検出器のピーク出力を与える回転位置から検出された結晶面の法線の方位を求める第１の段階と、一周の前記ω回転の間の複数の結晶面に対応する各ピーク出力の大きさを互いに比較して前記検出された結晶面を選択し、前記結晶インゴットの周方向基準の加工方位を決める第２の段階とを有することを要旨とする。この構成により、結晶インゴットをω軸の周りにω回転させながら、所定の広がりを持った回折Ｘ線のピーク出力を測定平面に非対称な検出開口を持つ検出器で検出し、一周のω回転の間の検出された各ピーク出力の大きさを互いに比較することで所定の結晶面を選択し、この選択された結晶面法線より周方向基準を決定する。
【００１６】
請求項８記載の結晶方位測定方法は、円筒状である結晶インゴットを保持し、前記結晶インゴットの軸であるω軸に垂直な測定平面内で当該結晶インゴットの側面の１点に向けてＸ線を放射するＸ線源及び所定の広がりを持った回折Ｘ線をそれぞれ部分的に検出する前記ω軸方向に並設された複数の検出器を備えた測定部を用い、この測定部又は前記結晶インゴットの何れかを前記ω軸の周りにω回転させながら前記測定平面に沿って前記Ｘ線を放射し、前記複数の検出器のピーク出力を与える回転位置から検出された結晶面の法線の方位を求める第１の段階と、一周の前記ω回転の間の各検出器の複数の結晶面に対応する各ピーク出力の大きさを互いに比較して前記検出された結晶面を選択し、前記結晶インゴットの周方向基準の加工方位を決める第２の段階とを有することを要旨とする。この構成により、結晶インゴットをω軸の周りにω回転させながら、所定の広がりを持った回折Ｘ線のピーク出力をω軸方向に並設された複数の検出器でそれぞれ部分的に検出し、一周のω回転の間の複数の検出器の各ピーク出力の大きさを互いに比較することで所定の結晶面を選択し、この選択された結晶面法線より周方向基準を決定する。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００１８】
図１乃至図６は、本発明の第１の実施の形態を示す図である。まず、図１を用いて、結晶方位測定装置の構成を説明する。略円筒状のシリコンの単結晶インゴット１は、インゴット軸１４に対して回転されるように、回転駆動部２によりその両端で支持されている。単結晶インゴット１の回転角は、図示しないエンコーダで読み取られ、その読取り信号はデータ処理部１５に送られる。結晶方位検出部（測定部）３は、Ｘ線管４、このＸ線管４から発生したＸ線を単結晶インゴット１の側面の１点Ｃに向けて放射するＸ線ａ1 に絞るコリメータ５及びＣ点からの回折Ｘ線ａ2 を検出する検出器６が、単結晶インゴット１結晶面の回折角θ0 に合わせて配置されている。Ｘ線管４は、管電圧４０ｋＶの銅をターゲットとするもので、約８ｋｅＶの銅の特性Ｘ線Ｋαを使用している。検出器６は、ガスを用いた比例計数管であり、Ｘ線のフォトンカウントを行うものである。検出器６の検出出力はデータ収集部１８でカウントされ、デジタルデータとしてデータ処理部１５に送られる。結晶方位検出部３は、方向転換部１２によりＣ点を通りインゴット軸１４に直交する軸線１１に対して回転されることで方向転換されるとともに、ベース１３上に設けられた回転駆動部９によりＣ点を通りインゴット軸１４及び軸線１１に直交する回転軸７に対し回転されるようになっている。８は回転軸部材である。この回転角度は回転駆動部９の回転駆動軸部材１０に取付けられた図示しないエンコーダにより読み取られ、データ処理部１５に送られる。単結晶インゴット１の回転駆動部２、結晶方位検出部３の方向転換部１２及び回転駆動部９それぞれは、機構制御部１９を介してデータ処理部１５に接続され、データ処理部１５からの指令で駆動される。データ処理部１５は、通常の計算機であり、図示しないＣＰＵ、必要なプログラム等を記憶しているディスク、メモリ、インタフェース、キーボード、表示器、機構制御部１９に指令を出して所定の手順で測定を行う測定制御部等を有し、測定して得られたデータからワーク座標での側面に略直交する結晶面法線の方向を求めるｈi ，ｈn 計算部１６、ｈi ，ｈn よりインゴット軸１４に略平行な第３の結晶面法線を求めるｈ0 計算部１７を備えている。
【００１９】
図２は、結晶方位検出部３を９０度方向転換した配置を示す図であり、図１を上方から見たものである。
【００２０】
次に、上述のように構成された結晶方位測定装置の作用を説明する。図１に示すように、単結晶インゴット１の側面の測定点ＣにＸ線ａ1 をあて、単結晶インゴット１をインゴット軸１４に対し回転していくと、結晶面法線ｈi が軸線１１の方向になると、回折Ｘ線ａ2 の強度が最大になる。この回転位置Ωi で単結晶インゴット１の回転を停止させる。次に、図２に示すように、結晶方位検出部３を軸線１１に対し９０度方向転換してから、回転軸７に対し左右に回転させ、さらに回折Ｘ線ａ2 がピークとなる回転角を読み取る。これにより、法線ｈi のインゴット軸１４方向の倒れ角θi がわかる。同様に、周方向に離れた別の法線ｈn の倒れ角が求まる。
【００２１】
図３の（ａ）は、ｈi ，ｈn の測定値（Ω，θ）を示している。前述した測定により、この図に示すｈi ，ｈn のワークに固定した座標ＸＹＺでの位置（Ωi ，θi ），（Ωn ，θn ）が得られる。ｈi ，ｈn 計算部１６は、ｈi ，ｈn のＸＹＺ方向の成分を次式により計算する。
【００２２】
【数３】
0004227706.tif 000002
図３の（ｂ）は、ｈ0 ，ｈi ，ｈn の関係を示している。この図は、ｈ0 を軸とした極座標で表したものであり、ｈi ，ｈn 間の方位角差をωinとし、各仰角をγi ，γn とすると、これらの値はｈi ，ｈn ，ｈ0 の間の所定の関係から既知である（後述）。ｈ0 計算部１７は、このωin，γi ，γn を用いて、式（１），（２）で求めたｈi ，ｈn から次式（３）でｈ0 を計算する。
【００２３】
【数４】
ｈ0 ＝［sin ωin・cos γi ・cos γn ・ｈi ×ｈn 
＋（sin γi −sin γn ・ｈi ＊ｈn ）・ｈi 
＋（sin γn −sin γi ・ｈi ＊ｈn ）・ｈn ］
／［（sin ωin・cos γi ・cos γn ）2 ＋ sin2 γi 
＋ sin2 γn −２・sin γi ・sin γn ・ｈi ＊ｈn ］  …（３）計算はＸＹＺ方向の成分として計算する。成分ｈ0x，ｈ0y，ｈ0zが求められるので、これを適宜極座標に変換する。例えば、下式でＺ軸からの傾斜δと方位ωが計算される。
【００２４】
【数５】
δ＝ａtan(√（ｈ0x＾２＋ｈ0y＾２）／ｈ0z）                …（４）
ω＝０                            （δ＜＝εの場合（εは微少値））
ω＝ａtan(ｈ0y／ｈ0x）            （δ＞εで｜ｈ0x｜＞＝｜ｈ0y｜かつ
ｈ0x＞０の場合）
ω＝１８０゜＋ａtan(ｈ0y／ｈ0x）  （δ＞εで｜ｈ0x｜＞＝｜ｈ0y｜かつ
ｈ0x＜０の場合）
ω＝９０゜−ａtan(ｈ0x／ｈ0x）    （δ＞εで｜ｈ0y｜＞｜ｈ0x｜かつ
ｈ0y＞０の場合）
ω＝２７０゜−ａtan(ｈ0x／ｈ0y）  （δ＞εで｜ｈ0y｜＞｜ｈ0x｜かつ
ｈ0y＜０の場合）
…（５）図４は、法線の関係を示している。この図を参照して、ωin，γi ，γn の値を具体的にｈ0 が（５１１）面の場合を例にして説明する。この場合、測定する結晶面法線は周方向にできるｈ1 〜ｈ8 の８つの（５１１）面の法線の内の２つである。図に示すように、ｈ1 〜ｈ8 はインゴット軸１４方向に±２．１度だけ倒れており、また互いに非直交である。ｈ1 〜ｈ8 の内、なるべく直角に近い２法線を測定するのがｈ0 が精度良く求まるので、測定は例えばｈ1 とｈ3 のように１つおきに行う。測定開始点を選べばｈi ，ｈn が判別でき、γi ，γn ，ωinを知ることができる。測定開始点が不明の場合は、ｈi ，ｈn は次のように判別できる。図５は法線の判別を行うフローチャートである。まず、最初のｈi （Ωi ，θi ）を測定し、次にピークの出る回転角Ωc のみを求め、さらにΩ回転し、次にｈn （Ωn ，θn ）を求める。そして、図に示すフローチャートにしたがい、Ωn −Ωi の値（ステップ１０１）、Ωc −Ωi の値（ステップ１０２，１０３）、θi とθn （ステップ１０４，１０５，１０６，１０７）の３つの判定でｈi ，ｈn を判別する（ステップ１０８）。
【００２５】
図６は、他の結晶の法線の関係を示す図である。図６（ａ），（ｂ）は、ｈ0 が（１１１）面の場合であり、このときは測定する結晶面法線は周方向にできるｈ1 〜ｈ6 の（２１１）面法線の内の２つである。ｈ1 〜ｈ6 は６０度おきになり、それぞれｈ0 に直交する。この場合も同様に式（１）〜式（５）を用いてｈ0 を求めることができるが、γi とγn が０であるので、式（３）は次式、
ｈ0 ＝ｈi ×ｈn ／sin ωin      …（３′）
と単純化することができ、この式（３′）を用いてもよい。勿論、式（３）をそのまま用いても同じ結果となる。図６（ａ），（ｂ）で、測定する結晶面法線をｈ1 ′〜ｈ6 ′の（１１０）面法線としても同様にｈ0 を求められる。図６（ｃ），（ｄ）は、ｈ0 が（１１０）面の場合であり、このときは測定する結晶面法線は周方向にできるｈ1 〜ｈ4 の（２１１）面法線の内の２つである。この場合も同様にｈ0 を求めることができる。
【００２６】
上述したように、本発明の第１の実施の形態によれば、スライス面法線方向の結晶面法線と測定する結晶面法線が直交していない一般的な場合でも、まず側面測定により側面に略直交する結晶面法線の方向を２方向求め、周方向基準（オリフラ面）を決定し、次に、ｈi ，ｈn 計算部１６でワーク座標でのこの２方向の直交座標成分を求め、この値より、ｈ0 計算部１７でスライス面法線方向の所定の結晶面法線の方向を求めることができ、この方向を基にスライス面を決定できる。
【００２７】
図７には、第１の実施の形態の変形例を示す。上記第１の実施の形態では、方向転換（φ）を回転（θ）の上に乗せる構造を採用しているが、これは図７に示すように、回転駆動部２４（θ）を方向転換部２５（φ）に乗せる構造であっても同様に測定することができる。また、同図に示すように、インゴット１はワークプレート２２が接着されたものでも測定できることは明らかである。この場合インゴット１は、回転するプレート保持台２３でワークプレート２２を基準として位置決め保持され、測定はワークプレート２２が邪魔にならない範囲で行われ、各結晶面法線の方向はワークプレート基準で求められる。
【００２８】
図８乃至図１２には、本発明の第２の実施の形態を示す。図８を用いて、結晶方位測定装置の構成を説明する。略円筒状のシリコンの単結晶インゴット３１は、インゴット軸３８に対して回転されるように、回転駆動部３２によりその両端で支持されている。回転駆動部３２は図示しない機構制御部で制御され、単結晶インゴット３１の回転角は、図示しないエンコーダで読み取られ、その読取り信号はデータ処理部に送られる。結晶方位検出部３３は、Ｘ線管３４、このＸ線管３４から発生したＸ線をインゴット軸３８に垂直な測定平面内で単結晶インゴット３１の側面の１点Ｃに向けて放射するＸ線ａ1 に絞るコリメータ３５ａ，３５ｂ及びＣ点からの回折Ｘ線ａ2 を検出する検出器３６が、単結晶インゴット１結晶面の回折角θ0 に合わせて配置されている。検出器３６はコリメータ３７で検出開口を制限され、この検出開口は測定平面に非対称にインゴット軸３８方向にずらして配置されている。なお、図では、検出器３６はずらして配置されているが、必ずしもずらして配置しなくても、その前面のコリメータ３７のみずらして検出開口をずらすようにしてもよい。
【００２９】
次に、図９を用いて、上述のように構成された結晶方位測定装置の作用を説明する。図９は、回折Ｘ線ａ2 と検出器３６の関係を示している。Ｘ線ａ1 及び回折Ｘ線ａ2 は実際には広がりを持っている。測定結晶面（１１０）（実際にはこれと平行な（２２０）面を測定）のとき、回折角θ0 は２３．６７度であり、具体的にコリメータ３５ａ，３５ｂをそれぞれ１mmφの開口とし、Ｌ1 ，Ｌ2 ，Ｌ3 をそれぞれ１３５，８１，１２６mmとすると、Ｘ線ａ1 はＣ点で半値幅２．５mmφ、全幅４mmφ、回折Ｘ線ａ2 はコリメータ３７位置で、半値幅０．８×５mm、全幅１×９mmの略楕円形となる。単結晶インゴット３１の側面の測定点ＣにＸ線ａ1 をあて、単結晶インゴット３１をインゴット軸３８に対し回転していくと、結晶面法線ｈi がインゴット軸３８に垂直な軸線３９の方向になると、回折Ｘ線ａ2 の強度が最大になる。ここで、結晶面法線ｈi が軸線３９に真直ぐ向いている場合は、回折Ｘ線ａ2 の中心は測定平面に沿って放射されるが、結晶面法線ｈi がインゴット軸３８方向に倒れていると、回折Ｘ線ａ2 は点線あるいは１点鎖線で示すように倒れ角θi に略比例してインゴット軸３８方向にずれてくる。この場合、具体的にはθi が１度に対し、ずれは１．７７mmである。検出器３６のコリメータ３７はその開口の端が略測定平面の位置になるように配置されているので、回折Ｘ線ａ2 は測定平面を境とする一方の側だけが測定され、検出器３６のピーク出力Ｉi は倒れ角θi により敏感に変化する。
【００３０】
図１０は、結晶面法線の倒れ角θi と検出器ピーク出力Ｉi の関係を示している。その関係は、ｋ，θ00を定数として、概略下式で表される。
【００３１】
Ｉi ＝ｋ・（θ00−θi ）          …（６）
この式で、ｋとθ00を予め求めておけば、ピーク出力Ｉi より倒れ角θi を求めることができるが、検出器３６のゲイン変動でｋが変動し、誤差が大きくなるので後述する方法で計算する。データ処理部は、結晶面法線ｈi による検出器３６の出力がピークになるときの回転位置Ωi とピーク出力Ｉi を記憶する。さらに回転を続け、同様に測定することで１周の間に４つの結晶面法線ｈi についてそれぞれΩi ，Ｉi を得る（ｉ＝１〜４）。
【００３２】
図１１は、結晶面法線の関係を示している。この図を参照して、データ処理部での結晶面法線の倒れ角の計算を説明する。同図には、測定された４つの（１１０）面法線ｈi （ｉ＝１〜４）とインゴット軸３８に略平行な（１００）面法線ｈ0 が示されている。まず法線ｈ1 の倒れ角θ1 は、ｈ3 の倒れ角θ3 とθ1 ＝−θ3 の関係があるので、式（６）よりｋを消去でき、式
【数６】
θ1 ＝θ00・（Ｉ3 −Ｉ1 ）／（Ｉ3 ＋Ｉ1 ）                …（７）
で求められる。同様にｈ2 の倒れ角θ2 は、θ2 ＝−θ4 の関係があるので、式
【数７】
θ2 ＝θ00・（Ｉ4 −Ｉ2 ）／（Ｉ4 ＋Ｉ2 ）                …（８）
で求められる。θ00は予め求めておくが、θ00は変動が少ないので精度良くθ1 ，θ2 が求められる。次に、ｈ0 ，ｈ1 ，ｈ2 が互いに直交することから、ｈ0 のｈ1 方向の傾斜角δ1 とｈ2 方向の傾斜角δ2 が次式で求められる。
【００３３】
δ1 ＝−θ1                       …（９）
δ2 ＝−θ2                       …（10）
このδ1 ，δ2 は適宜傾斜方位ωと傾斜量δに変換して出力させることもできる。以上、本実施の形態に係る結晶方位測定装置で求めた結晶方位を用いてｖノッチの加工及びスライス加工を行うことができる。
【００３４】
図１２は、ｖノッチの加工及びスライス加工時の調整量を説明するための図である。この図を参照してｖノッチの加工を説明する。図の結晶インゴット３１は、オフカット用のインゴットであり、結晶面ｈ0 からずらしてスライス（オフカット）するために、予めずらして形成したもので、形成誤差分のずれはあるが、ｈ0 の方向はインゴット軸３８からの目的の方向ｈa に近い位置にある。このような結晶インゴット３１に対して周方向基準としてのｖノッチ４０を加工するとき、単に結晶方位識別用としてｈ1 〜ｈ4 のどの方向に加工してよいというものでなく、オフカット方向も識別できるものでなければならない。このような場合でも本実施の形態によれば、ｈ1 〜ｈ4 の測定でｈ0 の傾斜方位がわかるので、ｈ1 〜ｈ4 のどちらにｖノッチ４０を加工すればよいかが判定できる。例えば、スライス面に対する結晶面ｈ0 の方位の反時計回り４５度方向にｖノッチ４０を付けることにする場合、ｈ2 をｖノッチ４０の加工方向とする。ｈ2 を測定したときの回転角Ω2 が測定されているので正確に加工できる。
【００３５】
次に、オフカットの場合のスライス加工を説明する。スライス加工は本実施の形態で求めたｈ0 の方向と目的の方向ｈa との差分だけインゴット３１の方向を調整してスライスすればよいことになる。図１２（ａ）は、結晶インゴット３１をｈ1 ，ｈ2 方向にそれぞれ傾斜（Δδ1 ，Δδ2 ）させる調整法を示し、図１２（ｂ）は、結晶インゴット３１をインゴット軸についての回転（ΔΩ）と傾斜（Δδ）させる調整法を示す。何れの場合もｈ0 とｈa から調整量が計算できる。
【００３６】
上述したように、本発明の第２の実施の形態によれば、インゴット軸３８に垂直な測定平面内でＸ線ａ1 を単結晶インゴット３１の側面の測定点Ｃに向けて放射し、回折Ｘ線ａ2 を測定平面に非対称に配置された検出開口で部分的に検出するので、結晶方位検出部３３を回転や方向転換させることなく、単結晶インゴット３１をインゴット軸３８に対し回転させたときの検出器ピーク出力の大きさより側面に略直交する結晶面法線のインゴット軸３８方向の倒れ角を求めることができる。これは回折Ｘ線ａ2 に広がりがあり、倒れ角によるずれがあることを利用している。さらに、検出開口の端を略測定平面に合わすことで回折Ｘ線ａ2 の略測定平面を境とする片側のみ測定するようにしてずれに対する感度を高め、倒れ角を正確に求めることができる。側面に略直交する複数の結晶面法線の倒れ角を測定することで、側面の測定のみで、略インゴット軸３８の方向の結晶面法線のインゴット軸３８からの傾斜角を求めることができる。側面に略直交する複数の結晶面法線の倒れ角を測定することで、側面の測定のみで、略インゴット軸３８の方向の結晶面法線のインゴット軸３８からの傾斜方位を知り、周方向基準（ｖノッチ４０）を加工する方位を求めることができる。また、側面に略直交する複数の結晶面法線の倒れ角を測定することで、側面の測定のみで、略インゴット軸３８の方向の結晶面法線のインゴット軸３８からの傾斜角を求め、インゴット軸３８を略垂直にスライス加工するときの角度調整量を求めることができる。
【００３７】
上記第２の実施の形態の第１の変形例を説明する。上記第２の実施の形態におけるｖノッチ４０の加工方位決定は別の方法で行うことも可能である。これを、前記図１２を参照して説明する。結晶面法線ｈ0 が図の方向に傾斜している場合、ｈ1 とｈ2 がピーク出力が大きく、ｈ3 ，ｈ4 が小さいので、結晶面法線ｈ0 の方位の反時計回り４５度方向にｖノッチをつけることにする場合、大きい２つの方位の内の反時計回り側であるｈ2 を選んでｖノッチ加工方位とする。即ち、１周の間に４つの法線ｈi についてそれぞれのピーク出力を得て、その大きさを比較して周方向基準（ｖノッチ）の加工方位を決定することができる。この方法によれば、ｈi の倒れ角を求める必要はない。
【００３８】
第２の実施の形態の第２の変形例を、図１３を用いて説明する。この変形例は、検出器を２式としたものである。この場合、法線ｈi の倒れ角を求める際、２つの検出器３６ａ，３６ｂの出力を用いることで統計精度を上げることができる。また、２つの検出器３６ａ，３６ｂの出力の比ないし差を用いるようにして反対側の法線と組み合わせることなく精度良く倒れ角を求めることもできる。ここで、検出器の数は２つでなくもっと増やし、直接回折Ｘ線ａ2 の強度分布を測るようにして精度を上げることもできる。また、前述したように、１周の間に法線ｈi についてそれぞれのピーク出力を得てその大きさを比較し、周方向基準の加工方位を決定することもできる。この場合には、ｈi の倒れ角を求める必要はない。
【００３９】
第２の実施の形態の第３の変形例を、図１４を用いて説明する。この変形例は、検出器を可動としたものである。この場合、検出器駆動部４１で検出器３６をインゴット軸３８の方向に移動させ、ピーク出力となる位置から法線ｈi の倒れ角を求める。各移動位置で出力を収集し、プロフィールの中心を求めることでピークが精度良く求められる。
【００４０】
第２の実施の形態の第４の変形例を、図１５を用いて説明する。この変形例は、検出器に可動コリメータを付けたものである。この場合、コリメータ駆動部４２で検出器３６の前面の可動コリメータ３７ａをインゴット軸３８の方向に移動させ、ピーク出力となる位置から法線ｈi の倒れ角を求める。同様に、プロフィールの中心を求めることでピークが精度良く求められる。
【００４１】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１記載の結晶方位測定装置によれば、円筒状である結晶インゴットの保持手段と、前記結晶インゴットの軸であるω軸に垂直な測定平面内で当該結晶インゴットの側面の１点に向けてＸ線を放射するＸ線源及び所定の広がりを持った回折Ｘ線を前記測定平面に対して非対称な検出開口で部分的に検出する検出器を備えた測定部と、この測定部又は前記結晶インゴットの何れかを前記ω軸の周りにω回転させるω回転機構と、前記ω回転したときの前記検出器のピーク出力の大きさを用いて検出された結晶面の法線の前記ω軸方向への倒れ角を求めるデータ処理部とを具備させたため、側面測定により、所定の広がりを持った回折Ｘ線を測定平面に非対称な検出開口を持つ検出器で部分的に検出し、結晶インゴットをω軸に対し回転させたときのこの検出器のピーク出力の大きさにより、側面に略直交する複数の結晶面法線のω軸方向への倒れ角を求めることができてオフカットの場合でも周方向基準を決定することができる。次いで、このように、側面に略直交する複数の結晶面法線のω軸方向への倒れ角が求められることで、これらの結晶面法線と位置関係が既知である略ω軸方向の結晶面法線のω軸からの傾斜方向を求めることができて、これを基にスライス面を決定することができる。したがって、スライス面方向の結晶面と側面方向の測定する結晶面とが直交していない一般的な結晶インゴットに対し、測定部の回転及び方向転換を行わずに、側面測定により周方向基準を決定することができ、さらにスライス面の決定もすることができる。
【００４３】
請求項２記載の結晶方位測定装置によれば、円筒状である結晶インゴットの保持手段と、前記結晶インゴットの軸であるω軸に垂直な測定平面内で当該結晶インゴットの側面の１点に向けてＸ線を放射するＸ線源及び所定の広がりを持った回折Ｘ線をそれぞれ部分的に検出する前記ω軸方向に並設された複数の検出器を備えた測定部と、この測定部又は前記結晶インゴットの何れかを前記ω軸の周りにω回転させるω回転機構と、前記ω回転したときの前記複数の検出器のピーク出力の大きさを比較して検出された結晶面の法線の前記ω軸方向への倒れ角を求めるデータ処理部とを具備させたため、側面測定により、所定の広がりを持った回折Ｘ線をω軸方向に並設した複数の検出器でそれぞれ部分的に検出し、結晶インゴットをω軸に対し回転させたときのこの複数の検出器のピーク出力の大きさを比較することにより、側面に略直交する複数の結晶面法線のω軸方向への倒れ角を求めることができてオフカットの場合でも周方向基準を決定することができる。次いで、このように、側面に略直交する複数の結晶面法線のω軸方向への倒れ角が求められることで、これらの結晶面法線と位置関係が既知である略ω軸方向の結晶面法線のω軸からの傾斜方向を求めることができて、これを基にスライス面を決定することができる。したがって、スライス面方向の結晶面と側面方向の測定する結晶面とが直交していない一般的な結晶インゴットに対し、測定部の回転及び方向転換を行わずに、側面測定により周方向基準を決定することができ、さらにスライス面の決定もすることができる。
【００４４】
請求項３記載の結晶方位測定装置によれば、円筒状である結晶インゴットの保持手段と、前記結晶インゴットの軸であるω軸に垂直な測定平面内で当該結晶インゴットの側面の１点に向けてＸ線を放射するＸ線源及び所定の広がりを持った回折Ｘ線を前記ω軸方向に移動することで部分的に検出する検出器を備えた測定部と、この測定部又は前記結晶インゴットの何れかを前記ω軸の周りにω回転させるω回転機構と、前記ω回転したときの前記検出器がピーク出力となる位置において前記検出器を移動をしたときの前記検出器のピーク出力を与える移動位置を用いて検出された結晶面の法線の前記ω軸方向への倒れ角を求めるデータ処理部とを具備させたため、側面測定により、所定の広がりを持った回折Ｘ線をω軸方向に移動可能な検出器で部分的に検出し、結晶インゴットをω軸に対し回転させたときのこの検出器のピーク出力を与える移動位置を用いることにより、側面に略直交する複数の結晶面法線のω軸方向への倒れ角を求めることができてオフカットの場合でも周方向基準を決定することができる。次いで、このように、側面に略直交する複数の結晶面法線のω軸方向への倒れ角が求められることで、これらの結晶面法線と位置関係が既知である略ω軸方向の結晶面法線のω軸からの傾斜方向を求めることができて、これを基にスライス面を決定することができる。したがって、スライス面方向の結晶面と側面方向の測定する結晶面とが直交していない一般的な結晶インゴットに対し、測定部の回転及び方向転換を行わずに、側面測定により周方向基準を決定することができ、さらにスライス面の決定もすることができる。
【００４５】
請求項４記載の結晶方位測定装置によれば、円筒状である結晶インゴットの保持手段と、前記結晶インゴットの軸であるω軸に垂直な測定平面内で当該結晶インゴットの側面の１点に向けてＸ線を放射するＸ線源、略前記測定平面上に配置された回折Ｘ線の検出器及びこの検出器の前面を前記ω軸方向に移動することで所定の広がりを持った回折Ｘ線を部分的に通過させるコリメータを備えた測定部と、この測定部又は前記結晶インゴットの何れかを前記ω軸の周りにω回転させるω回転機構と、前記ω回転したときの前記検出器がピーク出力となる位置において前記コリメータを移動をしたときの前記検出器のピーク出力を与える前記コリメータの移動位置を用いて検出された結晶面の法線の前記ω軸方向への倒れ角を求めるデータ処理部とを具備させたため、側面測定により、所定の広がりを持った回折Ｘ線をω軸方向に移動可能としたコリメータを部分的に通過させて検出器で検出し、結晶インゴットをω軸に対し回転させたときの検出器のピーク出力を与えるコリメータの移動位置を用いることにより、側面に略直交する複数の結晶面法線のω軸方向への倒れ角を求めることができてオフカットの場合でも周方向基準を決定することができる。次いで、このように、側面に略直交する複数の結晶面法線のω軸方向への倒れ角が求められることで、これらの結晶面法線と位置関係が既知である略ω軸方向の結晶面法線のω軸からの傾斜方向を求めることができて、これを基にスライス面を決定することができる。したがって、スライス面方向の結晶面と側面方向の測定する結晶面とが直交していない一般的な結晶インゴットに対し、測定部の回転及び方向転換を行わずに、側面測定により周方向基準を決定することができ、さらにスライス面の決定もすることができる。
【００４６】
請求項５記載の結晶方位測定装置によれば、前記データ処理部は、前記ω回転したときの前記検出器がピーク出力となる複数の位置でそれぞれ求めた前記倒れ角を用いて前記ω軸に平行な別の結晶面法線ｈ0 の前記ω軸に対する傾斜方向を求め、これを基にスライス面を決定する。したがって、スライス面方向の結晶面と側面方向の測定する結晶面とが直交していない一般的な結晶インゴットに対し、測定部の回転及び方向転換を行わずに、側面測定により周方向基準とスライス面の両方を確実に決定することができる。
【００４７】
請求項６記載の結晶方位測定方法によれば、上記請求項１乃至４の何れかに記載の結晶方位測定装置により、前記ω回転したときの前記検出器がピーク出力となる複数の位置でそれぞれ前記倒れ角を求める第１の段階と、この倒れ角より前記ω軸に平行な別の結晶面法線ｈ0 の前記ω軸に対する傾斜方位を求める第２の段階と、この傾斜方位を基に前記検出された結晶面を選択して前記結晶インゴットの周方向基準の加工方位を決める第３の段階とを具備させたため、スライス面方向の結晶面と側面方向の測定する結晶面とが直交していない一般的な結晶インゴットに対し、測定部の回転及び方向転換を行わずに、側面測定によりオフカットの場合でも周方向基準を確実に決定することができる。
【００４８】
請求項７記載の結晶方位測定方法によれば、円筒状である結晶インゴットを保持し、前記結晶インゴットの軸であるω軸に垂直な測定平面内で当該結晶インゴットの側面の１点に向けてＸ線を放射するＸ線源及び所定の広がりを持った回折Ｘ線を前記測定平面に対して非対称な検出開口で部分的に検出する検出器を備えた測定部を用い、この測定部又は前記結晶インゴットの何れかを前記ω軸の周りにω回転させながら前記測定平面に沿って前記Ｘ線を放射し、前記検出器のピーク出力を与える回転位置から検出された結晶面の法線の方位を求める第１の段階と、一周の前記ω回転の間の複数の結晶面に対応する各ピーク出力の大きさを互いに比較して前記検出された結晶面を選択し、前記結晶インゴットの周方向基準の加工方位を決める第２の段階とを具備させたため、スライス面方向の結晶面と側面方向の測定する結晶面とが直交していない一般的な結晶インゴットに対し、測定部の回転及び方向転換を行わずに、側面測定によりオフカットの場合でも周方向基準を決定することができる。
【００４９】
請求項８記載の結晶方位測定方法によれば、円筒状である結晶インゴットを保持し、前記結晶インゴットの軸であるω軸に垂直な測定平面内で当該結晶インゴットの側面の１点に向けてＸ線を放射するＸ線源及び所定の広がりを持った回折Ｘ線をそれぞれ部分的に検出する前記ω軸方向に並設された複数の検出器を備えた測定部を用い、この測定部又は前記結晶インゴットの何れかを前記ω軸の周りにω回転させながら前記測定平面に沿って前記Ｘ線を放射し、前記複数の検出器のピーク出力を与える回転位置から検出された結晶面の法線の方位を求める第１の段階と、一周の前記ω回転の間の各検出器の複数の結晶面に対応する各ピーク出力の大きさを互いに比較して前記検出された結晶面を選択し、前記結晶インゴットの周方向基準の加工方位を決める第２の段階とを具備させたため、上記請求項７記載の発明の効果と同様の効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態である結晶方位測定装置の構成図である。
【図２】上記第１の実施の形態の結晶方位測定装置において結晶方位検出部を９０度方向転換した状態を示す上面図である。
【図３】上記第１の実施の形態において結晶面法線ｈ0 計算を説明するための図である。
【図４】上記第１の実施の形態において各結晶面法線の関係を示す図である。
【図５】上記第１の実施の形態において結晶面法線の判別を説明するためのフローチャートである。
【図６】上記第１の実施の形態において他の各結晶面法線の関係を示す図である。
【図７】上記第１の実施の形態の変形例を示す構成図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態の構成図である。
【図９】上記第２の実施の形態において回折Ｘ線と検出器の関係を示す図である。
【図１０】上記第２の実施の形態において結晶面法線の倒れ角と検出器ピーク出力の関係を示す図である。
【図１１】上記第２の実施の形態において各結晶面法線の関係を示す図である。
【図１２】上記第２の実施の形態においてｖノッチの加工及びスライス加工時の調整量を説明するための図である。
【図１３】上記第２の実施の形態の第２の変形例を示す構成図である。
【図１４】上記第２の実施の形態の第３の変形例を示す構成図である。
【図１５】上記第２の実施の形態の第４の変形例を示す構成図である。
【図１６】従来技術における測定結晶面の一例としての結晶面法線を示す図である。
【符号の説明】
１，３１  結晶インゴット
２，３２  回転駆動部（ω回転機構）
３，３３  結晶方位検出部（測定部）
４，３４  Ｘ線管（Ｘ線源）
６，３６，３６ａ，３６ｂ  検出器
１２  方向転換部
１４，３８  インゴット軸（ω軸）
１５  データ処理部
３７  コリメータ
３７ａ  可動コリメータ
４０  ｖノッチ
４１  検出器駆動部
４２  コリメータ駆動部
【図１】
0004227706.tif 000003
【図２】
0004227706.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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