(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形状の圧電基板の両主面に励振電極を、該圧電基板の一方の短辺寄りの下面に前記励振電極に接続する一対の引き出し電極を形成した圧電振動素子と、表面にバンプを有する一対の電極パッドを形成した絶縁性基板とを、前記引き出し電極と電極パッドとが各々電気的に接続するように導電性接着部材を介して接合させて成る圧電デバイスであって、
前記絶縁基板に形成した一対の電極パッドの間に表面にバンプを有する接続パッドを設けると共に、前記圧電振動子の短辺寄りの下面と前記接続パッドとを前記導電性接着部材を介して接続させてなり、かつ、
前記導電性接着部材の幅をＷ１、圧電振動素子の短辺方向の幅をＷ、長辺方向の長さをＬとした時、
０．２１Ｗ≦Ｗ１＜０．３３Ｗ
Ｌ≦２．３Ｗ
の関係で表されることを特徴とする圧電デバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は圧電振動素子を絶縁性基板に導電性接着部材を介して接合した水晶発振子、水晶発振器、圧電発振子などの圧電デバイスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の水晶振動子である圧電振動子を図７の上面図、図８の断面図を用いて説明する。
【０００３】
セラミックパッケージ等の絶縁性基板に圧電振動素子を搭載した圧電振動子５１は、特開平４−３６１０などがあり、図７、図８に示す。
【０００４】
セラミックパッケージ５２はアルミナ等のセラミック絶縁板を積層して作成し、セラミックパッケージ５２の内部には圧電振動子固定用の段付き部５５を有するキャビティーが形成されている。そして、圧電振動子固定用の段付き部５５の幅方向の間には溝５８が形成されている。
【０００５】
セラミックパッケージ５２の段付き部５５と先端側の段付部５６を利用して、圧電振動素子５３が載置されている。ここで、固定用段付部５５側には導電性ペーストを塗布した上で、圧電振動素子５３を搭載し、導電性ペーストを硬化して導電性接着部材５７を介して接合固定している。そして、セラミックパッケージ５２のキャビティー部の開口は、金属製蓋体５９によって気密的に封止されている。
【０００６】
また、固定用段付き部５５とセラミックパッケージ５２の幅方向の間に溝５８が形成されているため、段付き部５５に供給した導電性樹脂ペーストが多量に塗布された場合、過剰のペーストが溝５８へ流れ込み、段付き部５５と圧電振動素子５３との間の導電性樹脂ペーストを均一にしていた。これにより、導電性樹脂ペーストの加熱硬化時の収縮応力のバラツキが小さくなり、発振周波数バラツキ、特性バラツキを小さく抑えていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の技術では、固定用段付き部５５を形成するために、セラミックパッケージ５２は、平板状のセラミック層と、該セラミック層上に段付き部５５を構成する中央部に開口を有するリング形状のセラミック層と、中央の開口寸法が大きいリング形状のセラミック層とが積層されて構成されている。従って、セラミックパッケージ５２を低背化しようとしても、限界があり、低背化が困難であった。
【０００８】
また、圧電振動素子５３を、電極パッドが形成された段付き部５５に、導電性樹脂ペーストを介して接着させているが、圧電振動素子５３の励振電極側に導電性樹脂ペーストが広がった場合、基本波振動をダンピングさせ、ＣＩ値を悪くする傾向にあった。逆にペーストの量を減らすと、基本波のダンピングが抑えられ、ＣＩ値は良好になるものの、接合部分の機械的強度が弱くなり、落下等により外部から衝撃が加わった場合、剥離が起こりやすくなり、その結果、発振周波数が大きく変化したり、発振不良を発生してしまう場合がある。
【０００９】
即ち、圧電振動素子５３の形状に応じて、導電性樹脂ペーストの配置形状を厳密に制御する必要がある。
【００１０】
本発明は上述の課題に鑑みて案出されたものであり、その目的は、平板状の基板に圧電振動素子を接合することができ、しかも、導電性樹脂ペーストの配置形状を制御して、接合部分の機械的強度が弱くせずに、ＣＩ値を改善し、また、落下等により外部から衝撃が加わった場合、剥離及び発振周波数の変動を有効に抑えることができる圧電デバイスを提供するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、矩形状の圧電基板の両主面に励振電極を、該圧電基板の一方の短辺寄りの下面に前記励振電極に接続する一対の引き出し電極を形成した圧電振動素子と、表面にバンプを有する一対の電極パッドを形成した絶縁性基板とを、前記引き出し電極と電極パッドとが各々電気的に接続するように導電性接着部材を介して接合させて成る圧電デバイスであって、
前記絶縁基板に形成した一対の電極パッドの間に表面にバンプを有する接続パッドを設けると共に、前記圧電振動子の短辺寄りの下面と前記接続パッドとを前記導電性接着部材を介して接続させてなり、かつ、
前記導電性接着部材の幅をＷ１、圧電振動素子の短辺方向の幅をＷ、長辺方向の長さをＬとした時、
０．２１Ｗ≦Ｗ１＜０．３３Ｗ、好ましくは０．２１Ｗ≦Ｗ１＜０．２９Ｗ
Ｌ≦２．３Ｗ
の関係で表されることを特徴とする圧電デバイスである。
【作用】
本発明は、表面が平坦な絶縁性基板に、バンプを有する電極パッドを形成し、この電極パッドと圧電振動素子の一方の短辺側端部とを３個所にて導電性接着部材で接合している。即ち、平板状の基板で、圧電振動素子を片持ち固定することができ、固定用段付き部が不要となる。
【００１２】
従って、圧電振動素子を固定する部材が簡略化し、圧電デバイス全体が簡素化し、低背化が可能となる。
【００１３】
また、前記導電性接着部材の圧電振動素子の短辺側端面における幅をＷ１、圧電振動素子の短辺方向の幅をＷ、長辺方向の長さをＬとした時、
０．２１Ｗ≦Ｗ１＜０．３３Ｗ、好ましくは０．２１Ｗ≦Ｗ１≦０．２９Ｗ
Ｌ≦２．３Ｗ
としたので、片持ち固定型圧電振動素子を接合強度を損なうことなく、ＣＩ値を改善でき、発振特性の変動を有効に抑えることができる。
【００１４】
特に、高精度の水晶発振子の低い周波数である、１３ＭＨｚ周辺の水晶発振子の場合に、導電性接着部材の量により、ＣＩ値が大きく影響されるため、有効である
仮に、導電性接着部材の圧電振動素子短辺側端面における幅をＷ１が圧電振動素子の短辺方向の幅をＷに対して、０．２１Ｗ未満では、落下試験後の発振周波数の変動が極端に悪化する。また、０．３３Ｗを越えると一対の電極パッド、及び補助パッドに配置された導電性接続部材どうしが短絡してしまう。短絡の信頼性をさらに向上するためには０．２９Ｗ以下が好ましい。
【００１５】
また、圧電振動素子の短辺方向の幅をＷと長辺方向の長さＬにおいて、Ｌ≦２．３Ｗから外れると、幅Ｗに対して長さＬが長くなり、圧電振動素子の一方の短辺側に配置した導電性ペーストの硬化による導電性接合部材によって、他方の短辺側を持ち上げることが困難となり、また、耐衝撃性が劣ってしまう。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の圧電デバイスである水晶発振子を図面に基づいて説明する。尚、説明では、圧電振動子に水晶振動子を用いた圧電デバイス、例えば水晶発振子を用いて説明する。
【００１７】
図１は、本発明の水晶発振子の蓋体を省略した状態の平面図であり、図２は断面図である。
【００１８】
本発明の圧電デバイスの水晶発振子１は、主に、矩形状で単板のセラミック基板２１を有する容器体であるセラミックパッケージ２、水晶振動子３、導電性接着部材４及び金属製蓋体６とから構成されている。
【００１９】
セラミックパッケージ２は、単板のセラミック基板２１と、セラミック基板２１の周囲に周設された枠体状のセラミック層２１ａとセラミック層２１ａ上に形成されたシールリング２６とから構成されている。尚、このシールリング２６は、セラミック層２１ａ上に封止用導体膜２５を介してろう付け固定されている。なお、シールリング２６は、Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏなどの金属からなり、基板２１の周囲に形成された封止用導体膜２５によりキャビティー部２０の厚みを規定している。なお、この厚みが不足している場合には、基板２１の周囲にリング状基板を積層して、このリング状基板の表面にシールリング２６を取着することもできる。
【００２０】
そして、全体として、図２に示すように表面側に開口を有するとともに、水晶振動子３が収容される実質的に矩形状のキャビティー部２０が形成される。さらにキャビティー部２０の底面、即ち基板２１の上面の一方の短辺側（図１では左側の辺の両端）に水晶振動子３と電気的な接続を行う２つの電極パッド２２、２３が形成されている。この電極パッド２２、２３は、短辺の幅方向（図１では上下方向）に分かれて夫々形成され、その形状は、概略矩形状となっている。
【００２１】
また、前記の電極パッド２２，２３の間に同様に矩形状であり、電極パッド２２，２３と同等の大きさの補助パッド（接続パッド）が形成されており、機械的に接続を行なう。
【００２２】
また、セラミックパッケージ２の底面には、この電極パッド２２、２３と電気的に接続し、外部プリント配線基板と接合するための外部端子電極２７が形成れている。この電極パッド２２、２３と外部端子電極２７とは、セラミックパッケージ２の一部を貫くビアホール導体（不図示）によって接続されている。電極パッド２２、２３と外部端子電極２７の形成位置とが対応しない場合には、キャビティー部２２の底面に所定形状の配線導体を形成すれば、ビアホール導体によって簡単に接続することができる。また、セラミック基板２１自身を例えば２層構造により、積層して、その間に内部配線を形成すればよい。尚この内部配線の一端がビアホール導体を介して電極パッドに接続し、内部配線の他端が外部端子電極２７に接続する。
【００２３】
また、図２、図４に示すように、電極パッド２２、２３、及び補助パッド２４の表面で、かつ、キャビティー部２０の中央部寄りに、帯状バンプ５が形成されている。この帯状バンプ５は、導電性金属ペーストの焼き付け、導電性樹脂ペースト、絶縁性樹脂ペーストの印刷、硬化により形成されている。
【００２４】
上述の電極パッド２２、２３及び補助パッド２４や封止用導体膜２５やバンプ５は、モリブデン、タングステンなどの金属から構成される。これらの導体（電極パッド２２、２３、補助パッド２４、導体膜２５、バンプ部材５）は、基板２１の表面に導電性樹脂ペーストの焼き付けにより形成した後、その表面にＮｉ、Ａｕメッキ処理されて形成される。
【００２５】
例えば、導電性金属ペーストの焼き付けによりバンプ５を形成する場合、電極パッド２２、２３及び補助パッド２４の下地導体となる導体を上述の金属のペーストにより印刷形成し、乾燥後に、その表面に上述の金属ペーストを用いてバンプ５の形状に応じて印刷形成し、その後、両者を焼成処理することにより形成される。
【００２６】
これらの導体（電極パッド２２、２３、補助パッド２４、導体膜２５、バンプ５）の厚みは、約１０〜３０μｍであり、基板２１の表面からバンプ５まで高さは、２０〜４０μｍの高さとなっている。
【００２７】
圧電振動素子である水晶振動子３は、図３にしめすように、例えば、所定結晶方位角に従ってカット（ＡＴカット）された矩形状の水晶基板３０と、水晶基板３０の両主面に被着形成された励振電極３１、３３と、一対の励振電極３１、３３から夫々水晶基板３０の短辺方向（図では左側）に延出された引き出し電極３２、３４とから構成されている。例えば、上面側励振電極３１から延出する引き出し電極３２は、上面の短辺近傍に延出され、その短辺の近傍の一方の長辺端面（図面では下側の端面）を介して下面側に延出されている。逆に、下面側の励振電極３３から延出する引き出し電極３４は、下面の短辺近傍に延出され、そして、短辺の近傍の他方の長辺端面（図面では上側の端面）を介して上面側に延出されている。即ち、引き出し電極３２、３４は、水晶基板３０の一方の短辺側の端面Sに形成されることがなく、この一方の短辺に接する長辺側の端面に形成されている。そして、この引き出し電極３２、３４は、水晶基板３０の両主面に夫々対向しあう位置に形成され、その形状は、所定位置に配置した時に、電極パッド２２、２３に導通し得る形状である。
【００２８】
このような励振電極３１、３３及び引き出し電極３２、３４は、水晶基板３０の上面及び下面に、所定形状のマスクを配置して、蒸着やスパッタ等の手段を用いてＡｕ、Ａｇ、Ｃｒなどの蒸着などにより形成されている。
【００２９】
上述のセラミックパッケージ２と水晶振動子３との電気的な接続及び機械的な接合は、シリコン系、エポキシ系、ポリイミド系などの樹脂にＡｇ粉末などを添加して導電性樹脂ペーストを硬化した導電性接着部材４によって達成される。  具体的には、基板２１表面の電極パッド２２、２３及び補助パッド２４上に、上述の導電性樹脂ペーストをディスペンサー等により供給し、電極パッド２２、２３及び補助パッド２４上に盛り上がった半球状の導電性樹脂ペースト上に、水晶振動子３の一方短辺側の下面に延出された引き出し電極及び下面の引き出し電極間のほぼ中央部が当接するように、水晶振動子３を載置し、導電性樹脂ペーストを硬化する。
【００３０】
ここで、導電性接着部材４は、水晶振動子３の下面の引き出し電極３２、３４及び引き出し電極３２、３４間のほぼ中央と、セラミック基板２１の表面に形成した電極パッド２２、２３及び補助パッド２４との間に、例えばバンプ５の高さに相当する厚み分だけ介在されるとともに、図２に示すように、水晶振動子３の一方の短辺側端面部分にのみ配置される。また、水晶振動子３の表面には、導電性接着部材４は実質的に付着されていない。
【００３１】
これにより、水晶振動子３の一対の励振電極３１、３３は、電極パッド２２、２３を介してセラミックパッケージ２の外面の外部端子電極２７に導通することになる。
【００３２】
金属製蓋体６は、実質的に平板状の金属、例えばＦｅ−Ｎｉ合金（４２アロイ）やＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金（コバール）などから成る。このような金属製蓋体６は、水晶振動子３のキャビティー部２０を、窒素ガスや真空などで気密的に封止する。具体的には、所定雰囲気で、金属製蓋体６をセラミックパッケージ２のシールリング２６上に載置して、シールリング２６の表面の金属と金属製蓋体６の金属の一部とが溶接されるように所定電流を印加してシーム溶接をおこなう。尚、溶接によって溶融したろう材が、金属製蓋体６の表面側に回り込み、接合に寄与するろう材が減少しないように、金属製蓋体６の表面側に、Ｎｉメッキ層を形成しておく。
【００３３】
上述の構造によれば、セラミックパッケージ２の一部であるセラミック基板２１の表面に、電極パッド２２、２３及び補助パッド２４が形成されており、水晶振動子３の引き出し電極３２、３４と水晶振動子３の一方の短辺側端面部分の３点が、導電性樹脂ペーストを硬化して成る導電性接着部材４を介して電気的且つ機械的に強固に接合されている。
【００３４】
具体的には、この導電性接着部材４が水晶振動子３の下面と、一方側短辺側端面に夫々配置されることになり、一方の短辺側端面でフィレット（端面部分で導電性樹脂ペーストがはい上がる）が形成される。尚、セラミックパッケージ２の基板２１（電極パッド２２、２３及び補助パッド２４）と水晶振動子３（引き出し電極３２、３４及び水晶振動子３の一方の短辺側端面部分）の下面とでも接合が行なわれる。これにより、その接合強度が向上し、落下等により外部から衝撃が加わった場合、この接合部分で剥離が発生しにくくなり、発振周波数が大きく変化したり、発振不良を発生してしまうことがない。
【００３５】
また同時に、導電性接着部材４が水晶振動子３の下面及び端面のみに付着し、表面側に実質的に付着していない。このため、引き出し電極３２から表面側励振電極３１に導電性接着部材４となる導電性樹脂ペーストが拡がりにくいため、水晶振動子３の発振特性、ＣＩ（クリスタルインピーダンス）の変動を有効に抑えられる。これにより、発振特性が変動することがない。
【００３６】
尚、水晶振動子３の下面側励振電３３に拡がろうとする導電性樹脂ペーストは、電極パッド２２、２３、補助パッド２４の中央寄りに帯状のバンプ５によって規制されるため、水晶振動子３の表面側励振電極３１同様に、下面側励振電極３３においても導電性樹脂ペーストが付着しない。
【００３７】
これにより、水晶振動子３全体として、導電性樹脂ペーストが、水晶振動子３の励振電極３１、３３側に拡がることがなく、導電性樹脂ペーストが水晶振動子３に付着される面積を小さくすることができる。
【００３８】
上述の水晶発振子は以下のようにして製造される。
【００３９】
まず、水晶基板３０の両主面に励振電極３１、３３、一方の短辺側の両主面に延出された引き出し電極３２、３４を有する水晶振動子３を用意する。また、同時に、セラミックパッケージ２の底面、即ち、基板２１の表面に一対の電極パッド２２、２３、及び補助パッド２４が形成され、また、キャビティー部２０の開口周囲の表面に封止用導体膜２５、シールリング２６が形成されたセラミックパッケージ２、及び金属製蓋体６を用意する。
【００４０】
次に、電極パッド２２、２３、及び補助パッド２４に導電性接着部材４となる導電性樹脂ペーストをディスペンサーなどで供給・塗布する。この時、供給された導電性樹脂ペーストは、概略半球状に全体盛り上がった形状となる。
【００４１】
次に、水晶振動子３を概略半球状に盛り上がった形状に供給された導電性樹脂ペーストに載置する。具体的には、導電性樹脂ペーストを供給した部分に、一対の引き出し電極３２、３４、及び引き出し電極の中央部が当接するように水晶振動子３を載置する。
【００４２】
次に、導電性樹脂ペーストを硬化して、セラミックパッケージ２と水晶振動子３とを接合固定する。具体的には、熱による印加により硬化する。
【００４３】
その後、所定雰囲気中で、シールリング２６に金属製蓋体６を載置し、両者をシーム溶接を行なう。
【００４４】
従来の水晶発振子においては、電極パッド上に導電性樹脂ペーストを塗布しておき、水晶振動子を搭載し、さらに、その後、水晶振動子の表面側から、先の導電性樹脂ペーストと導通するように再度、導電性樹脂ペーストを供給していた。これに対して、本実施例では１回の導電性樹脂ペーストの塗布により、水晶振動子を電気的接続及び機械的な接合を行うことができるため、導電性樹脂ペーストを塗布する工程数も削減できる。
【００４５】
上述の実施例では、水晶振動子３は、一方の短辺側のみで電極パッド２２、２３、補助パッド２４に機械的に固定されている。即ち、水晶振動子３の一方の短辺側は固定接続端部となり、他方の短辺側は、振動自由端部となる。これにより、水晶振動子３は、片持ち固定型と言える。
【００４６】
このように、片持ち固定型において、基板２１と水晶振動子３の下面側の励振電極３３とを所定間隔、例えば、１０〜３０μｍの間隔とすることができる。これは、一方の短辺側の導電性樹脂ペーストが硬化し導電性接着部材４となる際に、導電性樹脂ペーストが収縮し、その応力が働く。この応力により、振動自由端部を、固定接続端部側に引きつけるような作用をし、例えば、電極パッド２２、２３、及び補助パッド２４の中央寄りに形成した帯状バンプ５が支点となり、他方の短辺側端部である振動自由端部を浮かせるように働く。
【００４７】
これより、水晶振動子３の下側に位置する基板２１は、平板状であっても、問題は全くなく、従来のように段付き部５５、５６を形成するため２層構造にする必要がない。これにより、水晶振動子の低背化を可能となる。
【００４８】
また、本発明において、励振電極３１、３３から短辺側の両主面に延出された引き出し電極３２、３４が、水晶振動子３の長辺側の端面を介して引き回され、水晶振動子３の短辺側端面には電極が形成されていない。これは、導電性樹脂ペーストの付着力が、金属が形成されている部位（電極）と水晶基板露出部分とで比較すると、水晶基板露出部分で強固となる。このため、導電性接着部材４を水晶振動子３を、水晶基板３０が露出する部分に付着させるようにすると、全体の接合強度が増加し、同時に、上述の自由端をひき上げる力が大きくなり、片持ち固定型の水晶振動子にとって有利になる。
【００４９】
本発明者は、図５に示すように導電性接着部材４が水晶振動子３の短辺側幅及び一方の引き出し電極、例えば、３２側の短辺側端面に接している幅Ｗ１について検討した。
【００５０】
導電性接着部材４の幅Ｗ１を相対的に大きくしていくと、落下等、外部からの衝撃を与えた際に、導電性接着部材で接着された部分で剥離は起きにくくなる。しかし、導電性樹脂ペーストが塗布されている部分が増加するため、表面及び下面側の励振電極３１、３３に拡がる可能性が高くなり、ＣＩを悪くしてしまう。尚、前記導電性樹脂ペーストが水晶振動子３の励振電極３１、３３側に広がることを抑えられれば、基本波のダンピングは起こらない。
【００５１】
逆に、導電性接着部材４の接着幅Ｗ１が小さすぎると、外部から衝撃を与えた際に剥離が起こりやすくなり、その結果、発振周波数が大きく変動する場合がある。
【００５２】
例えば、実際の水晶振動子の寸法に考慮すると、導電性接着部材４が水晶振動子３の短辺側幅Ｗ及び接着幅Ｗ１の関係は、０．２１Ｗ≦Ｗ１＜０．３３Ｗとなる。
【００５３】
例えば、図５に示すＬ、Ｗ、Ｗ１において、発振周波数が約１３ＭＨｚで、寸法がＬ＝３．５mm、Ｗ＝１．８５mmの圧電振動子を使用して、導電性接着部材４と水晶振動子３の端面の接着幅Ｗ１を種々変動させて、周波数の変動を調べた結果を図６に示す。
【００５４】
その結果、Ｗ１＜４００μm にて、衝撃を加えた前後で周波数は急激に大きくなる変化が見られた。しかし、Ｗ１≧４００μm では周波数の変化は安定して小さくできる。このことより、Ｗ１／Ｗとして考えると、Ｗ１≧０．２１Ｗあれば、外部からの衝撃に対する周波数の変化は、十分小さく抑えられることがわかる。
【００５５】
尚、Ｗ１＜０．３３Ｗに関しては、１つの短辺側端面で３つの導電性接着部材が存在するため、３つの導電性接着部材のショートを避けるようにに設定されている。
【００５６】
即ち、
２１Ｗ≦Ｗ１＜０．３３Ｗ
とすれば、ショートを避けることが可能であることを実験により確認できた。しかも、導電性接着部材のショートを防止して対衝撃性に優れ、かつ、信頼性を向上するには
０．２１Ｗ≦Ｗ１≦０．２９Ｗ
とすると良いことが実験により確認できた。
【００５７】
また、Ｌ≦２．３Ｗにはついては、特に、片持ち固定型水晶振動子３においては、水晶振動子３の幅Ｗに対して、長さＬが極端に長ければ、導電性接着部材４となる導電性樹脂ペーストの硬化・収縮時の応力を利用して、自由端側を持ち上げることが困難である。
【００５８】
本発明者が、水晶振動子３の幅Ｗ、長さＬとの関係を検討した結果、Ｌ≦２．３Ｗであれば、水晶振動子３の片持ち固定構造が達成でき、基板２１の表面を平坦にしても、また、自由端側に保持用バンプ（図示せず）を形成しても、基板の表面や保持用バンプと接触することが一切なくなる。
【００５９】
尚、上述の実施例では、圧電振動素子として、水晶振動子を用いて説明したが、水晶振動子に限らず、例えば、圧電セラミック基板を用いた圧電セラミック振動子、圧電単結晶基板を用いた圧電単結晶振動子であっても構わない。
【００６０】
【発明の効果】
本発明は、帯状バンプを有する電極パッド上に、圧電振動素子を、導電性樹脂ペーストを硬化して成る導電性接着部材で接合した圧電デバイスにおいて、帯状バンプを有する電極パッドが３個所に形成してあり、導電性接着部材と圧電振動素子の短辺とが接着されている幅Ｗ１が圧電振動素子の短辺方向の幅Ｗ、長辺方向の長さＬに対して、０．２１Ｗ≦Ｗ１＜０．３３Ｗ、Ｌ≦２．３Ｗの関係にあれば、対衝撃性を損なうことなく、かつ、電気特性の優れた圧電デバイスとすることができ、また、平板状の基板に片持ち固定型の圧電振動子を安定して維持できることになり、低背化が可能な圧電デバイスとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る圧電デバイスである水晶発振子の蓋体を省略した状態の上面図である。
【図２】本発明に係る圧電デバイスである水晶発振子の断面図である。
【図３】本発明に使用する圧電振動子素子を示す斜視図。
【図４】本発明の圧電デバイスに用いるセラミックパッケージ、及び電極パッド上のバンプの形状を示す上面図である。
【図５】本発明の圧電デバイスの電極パッド上に接合された状態の水晶振動子を示す上面図である。
【図６】圧電デバイスにおける接合幅Ｗ１と周波数変動ΔＦとの関係を示す特性図である。
【図７】従来の圧電デバイスの蓋体を省略した状態の上面図である。
【図８】従来の圧電デバイスの断面図である。
【符号の説明】
１・・・圧電デバイス（水晶発振子）
２・・・セラミックパッケージ
２０・・・キャビティー部
２１・・・基板
２２、２３、２４・・・電極パッド
２５・・・・封止用導体膜
２６・・シールリング
３・・・水晶振動子
３０・・・水晶基板
３１、３３・・・励振電極
３２、３４・・・引き出し電極
４・・・導電性接着部材
５・・・バンプ
５ａ、５ｂ・・・バンプ
６・・・金属性蓋体
５２・・・セラミックパッケージ
５３・・・圧電振動素子
５５・・・固定用段差部
５６・・・先端側段差部
５７・・・導電性接着部材
５８・・・溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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