(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
オキシムを転位反応せしめてアミドを製造するに当たり、水、有機溶媒及びイオン性流体から選ばれる少なくとも２種類の互いに混和しない溶媒を組み合わせて用いた混合溶媒中、親水性ホスフィン化合物及びルテニウム化合物の存在下に反応を行うことを特徴とするアミドの製造方法。
【請求項２】
オキシムが、一般式（１）：
【化１】
0004384840.tif 000042
（式中、Ｒ1及びＲ2は同じか又は異なってそれぞれ水素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルケニル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルケニル基；置換基を有していてもよいアリール基を表すか又はＲ1及びＲ2が一緒になってそれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよい基である。但し、Ｒ1及びＲ2が共に水素原子である場合を除く。）で示されるオキシムであり、アミドが一般式（２）：
【化２】
0004384840.tif 000043
（式中、Ｒ1及びＲ2は上記と同じであり、Ｒ1又はＲ2のいずれか一方が水素原子であるときにはＲ2が水素原子である。）で示されるアミドである請求項１に記載の方法。
【請求項３】
水、有機溶媒及びイオン性流体から選ばれる少なくとも２種類の互いに混和しない溶媒を組み合わせて用いた混合溶媒中、親水性ホスフィン化合物、ルテニウム化合物及び水素の存在下に、分子中にエチレン性不飽和結合を有するオキシムを転位反応せしめると共にオキシムが有するエチレン性不飽和結合を水素化反応せしめて飽和アミドを製造することを特徴とする飽和アミドの製造方法。
【請求項４】
水、有機溶媒及びイオン性流体から選ばれる少なくとも２種類の互いに混和しない溶媒を組み合わせて用いた混合溶媒が、水及び水と混和しない有機溶媒の混合溶媒である請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
０〜２００℃で反応を行う請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
オキシムを転位反応せしめてアミドを製造するに当たり、水及び水と混和しない有機溶媒の混合溶媒中、親水性ホスフィン化合物及びルテニウム化合物の存在下にオキシムを反応させてアミドを製造し、次いで、反応終了後の反応混合物から水層を分離し、当該水層に含まれる親水性ホスフィン化合物及びルテニウム化合物から形成される水溶性ルテニウム錯体を、転位反応を促進する触媒として使用してオキシムを転位反応せしめることを特徴とするアミドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、医薬品或いはその合成中間体、農薬或いはその合成中間体、等として広く利用されるアミドの製造方法に関する。詳しくは、オキシムの転位反応によるアミドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、オキシムの転位反応によるアミドの製造方法は公知である。オキシムを、強酸の存在下でアミドへ転位せしめる反応は、ベックマン転位と称され、例えば、シクロヘキサノンオキシムからε−カプロラクタムを製造する際に利用されるなど、工業的に有用な反応である。当該転位反応において硫酸等の強酸は触媒として用いられるが、反応にはオキシムに対して等量以上の強酸が必要である。そして生成したアミドは、強酸との塩を形成するので、反応終了後の反応混合物からアミドを回収するにはアミドを強酸から遊離させる工程が必要であり、このときに環境に負荷のかかる強酸のアルカリ塩が大量に副生する。したがって、この強酸を用いるベックマン転位を利用したアミドの製造法は、工業的に有利な方法とはいい難い。
上記の触媒として強酸を用いる方法の問題点を解決し得る方法として、オキシムからアミドへの転位反応の触媒として酢酸ニッケル四水和物を用いる方法［Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ、８３，１９８３（１９６１）］、転位反応の触媒として過レニウム酸と複素環化合物からなる塩を用いる方法［特開平９−３０１９５１号公報］等が知られている。
これらの方法では、目的とするアミドが好収率で得られるが、レニウムなど高価な金属がかなりの量必要であり、これらの金属は使用後通常再使用不可能なために触媒費用が非常に大きくなる。また多量の溶媒を使用するため生産性が低いという問題がある。以上のことから工業的生産においては経済的に不利である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、オキシムを転位反応せしめてアミドを製造する方法において、上記従来法の問題点を解決した方法、即ち、アミドの工業的生産において環境への負荷が大きい副生物を大量に生じることなく、比較的容器効率の高い経済的で簡便な方法を提供することを課題とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記課題を解決するために鋭意研究を行った。その結果、オキシムを転位反応せしめてアミドを製造する際に、オキシムを、親水性ホスフィン化合物及びルテニウム化合物の存在下、多相系溶媒中で０〜２００℃で撹拌下に混合して反応させると、溶媒の使用量を少なくしても目的のアミドを選択的に製造でき、また反応に強酸を使用しないので大量の副生成物が発生することがないことを見出した。
また多相系溶媒として水及び水と混和しない有機溶媒の混合溶媒を用いると、反応終了後の反応混合物から本発明の転位反応を触媒する親水性ホスフィン化合物及びルテニウム化合物から形成される化合物を含む水層を容易に分離して反応に再使用できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００５】
即ち本発明は、オキシムを転位反応せしめてアミドを製造するに当たり、多相系溶媒中、親水性ホスフィン化合物及びルテニウム化合物の存在下に反応を行うことを特徴とするアミドの製造方法に関する。
【０００６】
【発明の実施の様態】
本発明を以下に詳しく説明する。
本発明に用いられるオキシムとしては、例えば、一般式（１）：
【０００７】
【化３】
0004384840.tif 000002
（式中、Ｒ1及びＲ2は同じか又は異なってそれぞれ水素原子；置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアルケニル基；置換基を有していてもよいシクロアルキル基；置換基を有していてもよいシクロアルケニル基；置換基を有していてもよいアリール基を表すか又はＲ1及びＲ2が一緒になってそれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよい基である。但し、Ｒ1及びＲ2が共に水素原子である場合を除く。）で示されるオキシムである。本発明に用いるオキシムは、一般に公知の方法によって製造でき、例えば、ケトン又はアルデヒドを、ヒドロキシルアミンと反応させて製造することができる。好ましくは、アルデヒドをヒドロキシルアミンと反応させて製造されるアルドキシムを用いる。
【０００８】
上記一般式（１）中、Ｒ1及びＲ2で表される置換基を有していてもよいアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等の炭素数１〜６の直鎖状及び分岐鎖状のアルキル基、並びに当該アルキル基が有する水素原子の１個以上を、水酸基、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１〜４の直鎖状及び分岐鎖状のアルコキシ基）、後述する置換基を有していてもよいアルケニル基、後述する置換基を有していてもよいシクロアルキル基、後述する置換基を有していてもよいシクロアルケニル基及び後述する置換基を有していてもよいアリール基からなる群より選ばれる基に置換したものが挙げられる。置換基を有していてもよいアルケニル基としては、２−ブテニル基、３−ブテニル基、ビニル基等の炭素数２〜４の直鎖状及び分岐鎖状のアルケニル基並びに当該アルケニル基が有する水素原子の１個以上を、水酸基、前述のアルコキシ基、前述の置換基を有していてもよいアルキル基、後述する置換基を有していてもよいシクロアルキル基、後述する置換基を有していてもよいシクロアルケニル基及び後述する置換基を有していてもよいアリール基からなる群より選ばれる基に置換したものが挙げられる。置換基を有していてもよいシクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等の炭素数５〜８のシクロアルキル基、並びに当該シクロアルキル基が有する水素原子の１個以上を、水酸基、前述のアルコキシ基、前述の置換基を有していてもよいアルキル基、前述の置換基を有していてもよいアルケニル基、後述する置換基を有していてもよいシクロアルケニル基及び後述する置換基を有していてもよいアリール基からなる群より選ばれる基に置換したものが挙げられる。置換基を有していてもよいシクロアルケニル基としては、前述の炭素数５〜８のシクロアルキル基における隣接する炭素原子間の結合の少なくとも１つが二重結合であるシクロアルケニル基、並びに当該シクロアルケニル基が有する水素原子の１個以上を、水酸基、前述のアルコキシ基、前述の置換基を有していてもよいアルキル基、前述の置換基を有していてもよいアルケニル基、前述の置換基を有していてもよいシクロアルキル基及び後述する置換基を有していてもよいアリール基からなる群より選ばれる基に置換したものが挙げられる。また置換基を有していてもよいアリール基としては、例えば、フェニル基及びナフチル基並びにこれらが有する水素原子の１個以上を、水酸基、前述のアルコキシ基、前述の置換基を有していてもよいアルキル基、前述の置換基を有していてもよいアルケニル基、前述の置換基を有していてもよいシクロアルキル基及び前述の置換基を有していてもよいシクロアルケニル基からなる群より選ばれる基に置換したものが挙げられる。
【０００９】
また、Ｒ1とＲ2が一緒になってそれらが結合する炭素原子と共に環を形成する基としては、例えば、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基及びヘキサメチレン基等の炭素数２〜６のアルキレン基、当該アルキレン基において隣接する炭素原子間に二重結合を１個以上有するもの、当該アルキレン基のメチレン鎖が窒素原子及び／又は酸素原子によって中断されているもの（例えば、Ｒ2とＲ3が一緒になってそれらが結合する炭素原子と共にピペリジン環、モルホリン環等の複素環を形成するもの）、並びにこれらが有する水素原子の１個以上を、水酸基、前述のアルコキシ基、前述の置換基を有していてもよいアルキル基、前述の置換基を有していてもよいアルケニル基、前述の置換基を有していてもよいシクロアルキル基、前述の置換基を有していてもよいシクロアルケニル基、前述の置換基を有していてもよいアリール基等からなる群より選ばれる基に置換したもの等を挙げることができる。
【００１０】
本発明に用いられるオキシムは、上記の例に限定されず、またシン型及びアンチ型の立体構造についても特に制限はない。
【００１１】
本発明によって、反応に用いたオキシムに応じて、当該オキシムがベックマン転位したアミドを製造することができる。例えば、上記一般式（１）で示されるオキシムから一般式（２）：
【００１２】
【化４】
0004384840.tif 000003
（式中、Ｒ1及びＲ2は上記と同じであり、Ｒ1又はＲ2のいずれか一方が水素原子であるときにはＲ2が水素原子である。）で示されるアミドを製造することができる。
【００１３】
本発明では水溶性のルテニウム錯体を形成し得る親水性ホスフィン化合物及びルテニウム化合物を用いて転位反応を行う。
【００１４】
親水性ホスフィン化合物は、親水性であってルテニウム原子又はそのイオンとともに錯体を形成し得る化合物であり、公知のものを広く適用できる。当該親水性ホスフィン化合物は、分子中にリン原子を１個又は２個以上含むもののいずれであってもよく、好ましくは分子中にリン原子を１個又は２個含むものである。
【００１５】
分子中にリン原子を１個含む親水性ホスフィン化合物としては、例えば、一般式（３）：
【００１６】
【化５】
0004384840.tif 000004
〔式中、Ｒ3はスルホナト基（−ＳＯ3Ｍ1：Ｍ1はアルカリ金属イオン又はアンモニウムイオンを表す。以下、同様。）及びカルボキシラート基（−ＣＯＯＭ2：Ｍ2はアルカリ金属イオン又はアンモニウムイオンを表す。以下、同様。）からなる群より選ばれる置換基を１個以上有するアルキル基；スルホナト基及びカルボキシラート基からなる群より選ばれる置換基を１個以上有する炭素数１〜６のアリール基；炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基；又は以下の式（４）〜（８）から選ばれる基を表し、Ｒ4及びＲ5は互いに同じか又は異なってそれぞれ置換基を有していてもよいアルキル基；置換基を有していてもよいアリール基；置換基を有していてもよいアラルキル基；又は置換基を有していてもよいアルコキシ基を表す。〕で示される化合物等が代表的なものとして挙げられる。
【００１７】
【化６】
0004384840.tif 000005
（式中、Ｒ6は水素原子又は炭素数１〜１８のアルキル基を表し、ａは０〜３の整数、ｂは２〜１６の整数である。）
【００１８】
【化７】
0004384840.tif 000006
（式中、Ｍ3はアルカリ金属イオン又はアンモニウムイオンを表し、ｃは２〜１０の整数である。）
【００１９】
【化８】
0004384840.tif 000007
（式中、ｄは２〜１６の整数である。）
【００２０】
【化９】
0004384840.tif 000008
（式中、Ｒ7は炭素数１〜６のアルキレン基又はフェニレン基を表し、ｅは３〜７の整数である。）
【００２１】
【化１０】
0004384840.tif 000009
（式中、ｆは３〜７の整数である。）
【００２２】
上記一般式（３）においてＲ3で表されるスルホナト基及びカルボキシラート基からなる群より選ばれる置換基を１個以上有するアリール基は、好ましくはスルホナト基及びカルボキシラート基からなる群より選ばれる置換基を１個又は２個有するフェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基及びビナフチリル基であり、スルホナト基及びカルボキシラート基からなる群より選ばれる置換基を１個以上有する炭素数１〜６のアルキル基は、好ましくはスルホナト基及びカルボキシラート基からなる群より選ばれる置換基を１個有する炭素数１〜４のアルキル基であり、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基は、好ましくはヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロキシプロピル基、４−ヒドロキシブチル基等の炭素数１〜４のヒドロキシアルキル基である。尚、スホナト基及びカルボキシラート基が有するアルカリ金属イオンとしては、具体的には、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン及びセシウムイオンが挙げられる。
【００２３】
一般式（３）のＲ3で表される上記式（４）で表される基において式中Ｒ6表でされる１〜１８のアルキル基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよい。また上記式（５）で表される基において式中Ｍ3で表されるアルカリ金属イオンは、具体的には、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン及びセシウムイオンである。また式（７）で表される基において式中のＲ7で表される炭素数１〜６のアルキレン基は直鎖状又は分岐鎖状であってもよい。
【００２４】
上記一般式（３）において、式中のＲ7及びＲ8で表される置換基を有していてもよいアルキル基及び置換基を有していてもよいアリール基には、上記Ｒ6で示される基が包含される。その他の置換基を有していてもよいアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基及びｎ−ヘキシル基等の炭素数１〜６の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基並びに当該アルキル基が有する水素原子の１個以上を、水酸基、ニトロ基、アミノ基及びハロゲン原子からなる群より選ばれる置換基に置換したもの等が挙げられ、置換基を有していてもよいアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フェニルナフチル基及びビナフチル基並びにこれらが前記置換基を有していてもよいアルキル基及びアルコキシ基並びに水酸基からなる群より選ばれる置換基を１個以上有するもの等（具体的には、例えば、置換基を有していてもよいフェニル基としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クミル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ヒドロキシトリル基等）が挙げられ、置換基を有していてもよいアラルキル基としては、例えば、前記置換基を有していてもよいアルキル基に前記置換基を有していてもよいアリール基が置換したもの等〔具体的には、例えば、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、トリルメチル基、キシリルメチル基、（ヒドロキシフェニル）メチル基等〕が挙げられ、置換基を有していてもよいアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基等の炭素数１〜６の直鎖状又は分岐鎖状のアルコキシ基並びに当該アルコキシ基が有する水素原子の１個以上を、水酸基、ニトロ基、アミノ基及びハロゲン原子等からなる群より選ばれる置換基を１個以上有するもの等が挙げられる。
【００２５】
分子中にリン原子を１個含む親水性ホスフィン化合物は上記式（２）で示される化合物に限定されない。
【００２６】
分子中にリン原子を１個含む親水性ホスフィン化合物の具体例としては、例えば、以下の化合物を挙げることができる。
【００２７】
【化１１】
0004384840.tif 000010
【００２８】
【化１２】
0004384840.tif 000011
【００２９】
【化１３】
0004384840.tif 000012
【００３０】
【化１４】
0004384840.tif 000013
（式中、ｈは１、２、４、５又は７である。）
【００３１】
【化１５】
0004384840.tif 000014
（式中、Ｒ8は炭素数４〜１８の直鎖状のアルキル基を表し、ｋは７〜１６の整数、ｍは０〜２の整数、ｎは１〜３の整数であり、ｍ＋ｎ＝３である。）
【００３２】
【化１６】
0004384840.tif 000015
【００３３】
【化１７】
0004384840.tif 000016
（式中、ｐは２〜１６の整数、ｑは０〜２の整数、ｒは１〜３の整数であり、ｑ＋ｒ＝３である。）
【００３４】
【化１８】
0004384840.tif 000017
【００３５】
【化１９】
0004384840.tif 000018
【００３６】
【化２０】
0004384840.tif 000019
【００３７】
【化２１】
0004384840.tif 000020
（式中、ｓは１又は２である。）
【００３８】
【化２２】
0004384840.tif 000021
（式中、ｆは上記と同じ。）
【００３９】
【化２３】
0004384840.tif 000022
（式中、ｔは２〜１６の整数である。）
【００４０】
【化２４】
0004384840.tif 000023
【００４１】
【化２５】
0004384840.tif 000024
【００４２】
【化２６】
0004384840.tif 000025
【００４３】
また、分子中にリン原子を２個含む親水性ホスフィン化合物としては、例えば、式（９）：
【００４４】
Ｒ9Ｒ10Ｐ−Ａ−ＰＲ11Ｒ12      （９）
［式中、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11及びＲ12は互いに同じか或いは異なってそれぞれ置換基を有していてもよいアルキル基、アルコキシ基、アリール基又はアラルキル基を表し、Ａは置換基を有していてもよいアルキレン基；置換基を有していてもよいアリーレン基；又は式（１０）：
【００４５】
【化２７】
0004384840.tif 000026
（式中、ｕは１〜６の整数である。）で示される基を表し、Ａが置換基を有していてもよいアルキレン基又はアリーレン基の場合、当該アルキレン基及びアリーレン基はスルホナト基及びカルボキシラート基からなる群より選ばれる置換基を１個以上有し及び／又はＲ11、Ｒ12、Ｒ13及びＲ14の少なくとも１個は一般式（３）中のＲ6と同様である。］で示される化合物が挙げられる。
【００４６】
式（９）中のＲ11、Ｒ12、Ｒ13及びＲ14で表される置換基を有していてもよいアルキル基、アルコキシ基、アリール基及びアラルキル基は、上記式（３）におけるＲ4及びＲ5と同様である。
【００４７】
また式（９）中のＡで表される置換基を有していてもよいアルキレン基としては、例えば、メチレン基；エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基及びヘキサメチレン基等のポリメチレン基；これらがアルキル基、アルコキシ基、アリール基及びアラルキル基〔上記式（３）におけるＲ4及びＲ5のアルキル基、アルコキシ基、アラルキル基及びアリール基と同様〕並びにスルホナト基及びカルボキシラート基からなる群から選ばれる少なくとも１個の置換基を有していてもよいアルキレン基等が挙げられる。置換基を有していてもよいアリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニリレン基及びビナフチリレン基並びにこれらがアルキル基、アルコキシ基、アラルキル基及びアリール基〔上記式（３）におけるＲ4及びＲ5のアルキル基、アルコキシ基、アラルキル基及びアリール基と同様〕並びにスルホナト基及びカルボキシラート基からなる群から選ばれる少なくとも１個の置換基を有していてもよいアリーレン基が挙げられる。
【００４８】
分子中にリン原子を２個含む親水性ホスフィン化合物は、上記式（９）で示される化合物に限定されるものではない。分子中にリン原子を２個含む親水性ホスフィン化合物の具体例としては、例えば、以下の化合物を挙げることができる。
【００４９】
【化２８】
0004384840.tif 000027
【００５０】
【化２９】
0004384840.tif 000028
【００５１】
【化３０】
0004384840.tif 000029
【００５２】
【化３１】
0004384840.tif 000030
【００５３】
【化３２】
0004384840.tif 000031
【００５４】
【化３３】
0004384840.tif 000032
【００５５】
【化３４】
0004384840.tif 000033
【００５６】
【化３５】
0004384840.tif 000034
【００５７】
【化３６】
0004384840.tif 000035
【００５８】
【化３７】
0004384840.tif 000036
【００５９】
【化３８】
0004384840.tif 000037
【００６０】
【化３９】
0004384840.tif 000038
【００６１】
【化４０】
0004384840.tif 000039
【００６２】
【化４１】
0004384840.tif 000040
【００６３】
【化４２】
0004384840.tif 000041
【００６４】
尚、親水性ホスフィン化合物は、従来公知の方法に従って調製することができる。
【００６５】
また本発明に使用するルテニウム化合物におけるルテニウムの原子価は特に限定されず、ルテニウムが０価の原子又は陽イオンであるルテニウム化合物を使用できる。ルテニウム化合物の具体例としては、例えば、ジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）ルテニウム（II）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）ルテニウム（II）等を挙げることができるが、これらに限定されない。
【００６６】
また本発明においては、親水性ホスフィン化合物とルテニウム化合物を反応に使用するが、本発明においてはこれらから形成される水溶性のルテニウム錯体が本発明の転位反応の触媒として作用すると容易に予想される。したがって本発明において親水性ホスフィン化合物とルテニウム化合物のそれぞれを反応系に添加して転位反応を行うほか、親水性ホスフィン化合物とルテニウム化合物とから水溶性のルテニウム錯体を調製し、得られた水溶性ルテニウム錯体を用いて反応を実施することもできる。水溶性ルテニウム錯体の調整方法は特に限定されず、従来公知の方法を適用することができ、例えば、上記の親水性ホスフィン化合物及びルテニウム化合物を溶媒中で反応させた後、溶媒を除去し、得られた固体を再結晶等により精製する方法が挙げられる。尚、こうして得られる水溶性ルテニウム錯体は、水溶性である限りにおいて、上記親水性ホスフィン化合物以外に、他の配位子を含んでいてもよい。他の配位子としては、具体的には、例えば、トリフェニルホスフィン、１，５−シクロオクタジエン、ハロゲンイオン（塩素イオン、臭素イオン又はヨウ素イオン）、２，２‘−ジピリジル、ｐ−シメン、ＣＯ、トリシクロヘキシルホスフィン、シクロペンタジエン、ペンタメチルシクロペンタジエン、エチレンジアミン及びノルボルナジエン等、従来公知の遷移金属錯体に含まれる配位子を挙げることができる。
【００６７】
本発明における親水性ホスフィン化合物及びルテニウム化合物の使用量は、ルテニウム化合物の量が、原料のオキシム１モルに対して通常０．０００１〜０．２モル、好ましくは０．００１〜０．１モルとなるように用いられ、親水性ホスフィン化合物はそれが分子中に有するルテニウムと配位結合を形成し得るリン原子の数により異なり一義的に決定することはできないがルテニウム化合物１モルに対して通常１モル以上、好ましくは１．１〜２０モルである。
【００６８】
本発明のオキシムのアミドへの転位反応は、多相系溶媒中で行われる。多相系溶媒とは、互いに混和しない２種以上の溶媒の組み合わせからなり、静置状態でそれぞれの溶媒層に層分離する混合溶媒である。具体的には、例えば、水、有機溶媒及びイオン性流体から選ばれる少なくとも２種類の互いに混和しない溶媒を組み合わせて用いた混合溶媒である。有機溶媒としては、例えば、ｎ−ヘキサン等の脂肪族炭化水素、ベンゼン、トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素、ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素、テトラリン等の脂環式炭化水素、ジエチルエーテル等のエーテル類等が挙げられ、イオン性流体としては、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジアルキル置換イミダゾリウム＝テトラフルオロボラート、Ｎ，Ｎ’−ジアルキル置換イミダゾリウム＝ヘキサフルオロホスファート、Ｎ−アルキル置換ピリジニウム＝ヘキサフルオロホスファート等が挙げられる。ここで、水、有機溶媒及びイオン性流体の組み合わせは、本発明における親水性ホスフィン化合物及びルテニウム化合物から形成される水溶性のルテニウム化合物と目的物のアミドをそれぞれ異なる溶媒層に溶解して容易に分離できるような組み合わせが好ましく、アミドの溶解特性に応じて決定すればよい。
【００６９】
特に好ましくは多相系溶媒として水及び水と混和しない有機溶媒の混合溶媒を用いる。水及び水と混和しない有機溶媒の混合溶媒を用いると、目的物のアミドの多くは、水にも有機溶媒にも溶解しにくいので、反応終了後、得られた反応混合物を冷却し、次いで濾過すれば、生成物のアミドを濾滓として分離できる。そして濾液は、これを水層と有機溶媒層とに分液すれば、水層として親水性ホスフィン化合物及びルテニウム化合物から形成される水溶性のルテニウム錯体を含む水溶液が得られ、そして有機溶媒層として残存アミド及び副生物を溶解した溶液が得られる。アミド及び副生物類が水及び有機溶媒のいずれにも溶解し得る場合には、水層と有機溶媒層を分液した後、更に水層から生成アミド及び副生物類を有機溶媒で抽出してもよい。尚、このようにして得られる水層をそのまま本発明のオキシムの転位反応に用いることにより、当該水層に含まれる水溶性のルテニウム錯体が転位反応を促進する触媒として再使用できる。即ち、反応終了後の反応混合物から水層を分離し、当該水層に含まれる親水性ホスフィン化合物及びルテニウム化合物から形成される水溶性ルテニウム錯体を、親水性ホスフィン化合物及びルテニウム化合物に代えて反応に利用することができる。
【００７０】
多相系溶媒の使用量は特に限定されないが、オキシム１重量部に対して通常０．５〜１００重量部、好ましくは２〜２０重量部である。
【００７１】
本発明の反応の反応温度は、通常０〜２００℃の範囲でよく、好ましくは５０〜１５０℃である。反応時間は特に制限はない。
【００７２】
本発明のアミドの製造法を実施するには、反応器にオキシム、親水性ホスフィン化合物、ルテニウム化合物及び多相系溶媒を仕込んだ後、上記反応温度にて攪拌すればよい。尚反応は、低酸素状態もしくは酸素が存在しない条件下で実施するのが好ましく、窒素やアルゴン等の不活性な気体の雰囲気下で実施することが好ましい。また、反応に用いる化合物が液体であるときには脱気した後に使用するのが好ましい。
【００７３】
更に本発明に用いるオキシムが分子中にエチレン性の不飽和結合を有するとき、水素雰囲気下で反応を行うことにより、オキシムのアミドへの転位反応とオキシムが分子中に有する不飽和結合の水素化を１工程の反応で実施することができる。例えば、上記一般式（１）で示されるオキシムにおいて式中のＲ1及び／又はＲ2が置換基を有していてもよいアルケニル基及び置換基を有していてもよいシクロアルケニル基からなる群より選ばれる基であるとき、生成物である一般式（２）で示されるアミドにおいて当該アルケニル基及びシクロアルケニル基の不飽和結合が水素で飽和されてアルキル基及びシクロアルキル基に転化したアミドを製造することができる。
【００７４】
水素雰囲気下で転位反応を行うときの水素圧は、通常０．１〜１０ＭＰａ、好ましくは２〜６ＭＰａである。
【００７５】
本発明では、上記のようにオキシムが分子中にエチレン性の不飽和結合を有する場合でも、水素を使用しなければ不飽和結合を有したアミドを得ることができる。
【００７６】
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００７７】
尚、以下の実施例におけるガスクロマトグラフィーの分析条件は次の通りである。
＜ガスクロマトグラフィー分析条件＞
カラム：ＤＢ−１（Ｊ＆Ｗサイエンス社製）
キャリアガス及び流量：ヘリウム、４０ｍｌ／分
カラム温度：８０℃から２５０℃まで５℃／分で昇温した後、２５０℃で３０分間保持。
【００７８】
参考例１
Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｉｍｉｃａ  Ａｃｔａ，２４０，３６７（１９９５）の記載に従って、次のようにして親水性ホスフィン化合物を製造した。
テトラエチル−エチレンジホスフォナート５．０ｇ（１６．５ミリモル）をジエチルエーテル５０ｍｌ中で水素化アルミニウムリチウム２．０ｇ（５２．７ミリモル）と反応させて１，２−ジホスフィノエタン０．８９ｇ（９．４３ミリモル）を得た。得られたジホスフィノエタン０．８９ｇをトルエン中、パラホルムアルデヒド１．１７ｇ（３９ミリモル）と反応させて、１，２−ビス［ジ（ヒドロキシメチル）ホスフィノ］エタン１．９８ｇ（９．２５ミリモル、収率５５％）を得た。
【００７９】
参考例２
小宮らのＣｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，４８９，１９９９の記載に従って、次のようにして親水性ホスフィン化合物を製造した。
８０重量％テトラヒドロキシメチルホスホニウム＝クロリド水溶液（試薬）２．５ｇ（１０．５ミリモル）から水を除去し、トリエチルアミン１２．０ｍｌを加えて混合した。得られた混合物を濾過して不溶物を除き、次いで濾液を濃縮し、残渣を乾燥させた。得られた固形物をエタノールに溶解し、エーテルを加えて沈殿を生成させた後、濾過し、得られた沈澱物を乾燥してトリス（ジヒドロキシメチル）ホスフィン０．８０ｇ（６．４５ミリモル、収率６１％）を得た。
【００８０】
実施例１
２０ｍｌステンレス製オートクレーブ［ガラス内筒つき、耐圧ガラス工業（株）製］内をアルゴンガスで満たし、ベンズアルデヒドオキシム０．５１ｇ（４．２ミリモル）、水２．５ｍｌ及びベンゼン２．５ｍｌを仕込み、更に市販のトリナトリウム＝トリ（３−スルホナトフェニル）ホスフィン・４水和物（試薬、ＳＴＲＥＭ社製）０．０５０ｇ（０．０８８ミリモル）及びジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）ルテニウム（II）０．００４ｇ（０．０１４ミリモル）を加えた。次いでオートクレーブ内をアルゴンで置換して密閉し、１００℃に昇温して同温度で２４時間攪拌して反応させた。反応終了後、オートクレーブ内容物を冷却して取り出し、濾過した。濾滓として得られた結晶をガスクロマトグラフィーにて分析した結果、反応生成物の割合はベンズアミド：ベンズアルデヒド：ベンズアルデヒドオキシム：その他（ガスクロマトグラムのピーク面積比、以下ＧＣ面積比）＝４２：２７：１０：２１であった。
【００８１】
実施例２
実施例１においてベンズアルデヒドオキシムに代えてシンナムアルデヒドオキシム０．５ｇ（３．５ミリモル）を用いた以外は実施例１と同様に行った。その結果、反応生成物の割合はケイ皮酸アミド：シンナムアルデヒドオキシム：ケイ皮酸ニトリル：その他（ＧＣ面積比）＝４６：１３：１６：２５であった。
【００８２】
実施例３
実施例１と同様のオートクレーブ内をアルゴンガスで満たし、シンナムアルデヒドオキシム０．５１ｇ（４．２ミリモル）、水２．５ｍｌ及びベンゼン２．５ｍｌを仕込み、更に参考例１で得た１，２−ビス［ジ（ヒドロキシメチル）ホスフィノ］エタン０．０６５ｇ（０．３ミリモル）及びジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）ルテニウム（II）０．００４ｇ（０．０１４ミリモル）を加えた。次いでオートクレーブ内をアルゴンで置換して密閉した後、水素を導入して水素圧３ＭＰａとし、１００℃に昇温して同温度で２４時間攪拌して反応させた。反応終了後、オートクレーブ内容物を冷却し、内容物を取り出し濾過した。濾過で得られた結晶をガスクロマトグラフィーにて分析した結果、反応生成物の割合はケイ皮酸アミド：ケイ皮酸ニトリル：シンナムアルデヒドオキシム：その他（ＧＣ面積比）＝７３：１２：６：９であった。
【００８３】
実施例４
実施例３において１，２−ビス［ジ（ヒドロキシメチル）ホスフィノ］エタンに代えて市販のトリナトリウム＝トリ（３−スルホナトフェニル）ホスフィン・４水和物（試薬、ＳＴＲＥＭ社製）０．０５０ｇ（０．０８８ミリモル）を用いた以外は実施例３と同様に行った。その結果、反応生成物の割合は、３−フェニルプロピオンアミド：その他（ＧＣ面比）＝５９：４１であった。尚、原料のシンナムアルデヒドオキシムは検出されなかった。
【００８４】
実施例５
実施例３において１，２−ビス［ジ（ヒドロキシメチル）ホスフィノ］エタンに代えて参考例３で得たトリス（ジヒドロキシメチル）ホスフィン０．００３ｇ（０．０２４ミリモル）を用い、更にエチレンジアミン０．０１８ｇ（０．２９１ミリモル）をオートクレーブに仕込んだ以外は実施例３と同様に行った。その結果、反応生成物の割合はケイ皮酸アミド：ケイ皮酸ニトリル：その他（ＧＣ面積比）＝５７：３１：１２であった。尚、原料のシンナムアルデヒドオキシムは検出されなかった。
【００８５】
実施例６
実施例１と同様のオートクレーブ内をアルゴンガスで満たし、シンナムアルデヒドオキシム０．２７１ｇ（１．８４ミリモル）、水２．５ｍｌ及びベンゼン２．５ｍｌを仕込み、更に参考例１で得た１，２−ビス［ジ（ヒドロキシメチル）ホスフィノ］エタン０．１４５ｇ（０．６７７ミリモル）及びジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）ルテニウム（II）０．０６８６ｇ（０．２４５ミリモル）を加えた。次いでオートクレーブ内をアルゴンで置換して密閉した後、水素を導入して水素圧３ＭＰａとし、１００℃に昇温して同温度で２４時間攪拌して反応させた。反応終了後、オートクレーブ内容物を冷却し、内容物を取り出し濾過した。濾過で得られた結晶をガスクロマトグラフィーにて分析した結果、反応生成物の割合は３−フェニルプロピオンアミド：ケイ皮酸アミド：シンナムアルデヒドオキシム：その他（ＧＣ面積比）＝８０：０．１：約０（トレース）：１９．９であった。
【００８６】
また反応終了後の濾過操作によって得られた濾液を水層と有機層に分液し、得られた水層を用いて当該水層に含まれる１，２−ビス［ジ（ヒドロキシメチル）ホスフィノ］エタン及びジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）ルテニウム（II）を再使用して上記と同様の反応を行った。即ち、上記と同様のオートクレーブに分液して得られた水層、シンナムアルデヒドオキシム０．２７１ｇ（１．８４ミリモル）及びベンゼン２．５ｍｌを仕込んだ以外は、上記と同様にして反応、後処理及び分析を行った。その結果、反応生成物の割合は３−フェニルプロピオンアミド：ケイ皮酸アミド：シンナムアルデヒドオキシム：その他（ＧＣ面比）＝７８：１．７：約０（トレース）：２０．３であった。