(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
二酸化チタンおよびシリコンの少なくとも一方にショットブラスト処理により機械的エネルギーを付与して、該二酸化チタンと該シリコンとが接触した光触媒を得ることを特徴とする光触媒の製造方法。
【請求項２】
前記二酸化チタンとして平均粒径１〜１００μｍの二酸化チタン微粒子を用い、該二酸化チタン微粒子を噴射圧力０．１〜０．６ＭＰａのショットブラストで前記シリコンに吹き付けることを特徴とする、請求項１に記載の光触媒の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光触媒に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
光励起により触媒活性を示す不均一系触媒として種々の半導体材料が知られている。例えば二酸化チタン（ＴｉＯ2）は、紫外線などの短波長の光を照射することにより励起され、エチレンや有臭の有機ガスの分解反応などにおいて触媒活性を示すことが知られている。また、ゲルマニウム（Ｇｅ）やシリコン（Ｓｉ）は、二酸化チタンの場合よりも長波長の光により励起される性質を有することが知られている。しかし、これらの半導体材料の１種を単独で用いたときの触媒活性は必ずしも十分とは言えない。
【０００３】
そこで、光触媒の触媒活性の向上を図るべく、２種以上の半導体材料を組み合わせた光触媒が提案されている。例えば、二酸化チタンなどの半導体粒子と、銀（Ａｇ）などの金属粒子またはケイ素粒子とを基材上に溶射して得られる光触媒機能体（例えば特許文献１）、シリコンとシリコンカーバイド（ＳｉＣ）とを組み合わせることで水の光分解などを促進する光触媒（例えば特許文献２）などが知られている。
【０００４】
【特許文献１】
特開２０００−３３４３１１号公報
【０００５】
【特許文献２】
特開昭６１−２２２５４２号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特許文献１に記載の光触媒機能体のように二酸化チタンなどのバンドギャップエネルギーの大きい半導体材料を用いるものは、触媒活性の発現のために紫外線などの短波長の光を照射する必要がある。従って、例えば太陽光を利用した光反応にかかる光触媒機能体を適用しても、光励起に寄与するのは太陽光のうちのごく一部の光であり、その反応効率は極めて低いものとなる。
【０００７】
また、上記特許文献１には、二酸化チタンを溶射した後急冷することによって二酸化チタン中のアナターゼ型結晶の割合を増加することができ、これにより触媒活性が向上することが記載されている。しかし、このように二酸化チタンを溶融する方法ではアナターゼ型結晶からルチル型結晶への変質を十分に防止することができず、二酸化チタンと他の半導体材料との複合型触媒において十分な触媒活性を得ることは非常に困難である。
【０００８】
また、特許文献２に記載の光触媒は、二酸化チタンを利用する場合に比べて長波長の光の照射により触媒活性を示すという利点を有するが、その触媒活性は必ずしも高いものではない。さらに、かかる光触媒においては、シリコン層とシリコンカーバイド層とを積層して薄膜状とし、さらに２層間に導電層を介在させる必要があるなどの構成上の制限があり、コスト高にならざるを得ず取扱いも不便である。
【０００９】
本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、幅広い波長領域の光に対して十分に高い光触媒活性を示し、コストや取扱い性の点で有用な光触媒およびその製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の光触媒は、二酸化チタンと、シリコンとを含有し、該二酸化チタンと該シリコンとが接触していることを特徴とする。
【００１１】
本発明の光触媒においては、二酸化チタンと、その禁制帯幅（３．２ｅＶ）よりも狭い禁制帯幅を有するシリコンとの相互作用によって、十分に広い波長領域において光励起が発現すると共に、光励起により生じる電子−正孔対が両者の接触部位を介して触媒活性点に伝導されて触媒反応に寄与することとなる。従って、紫外線のような短波長の光だけでなく比較的長波長の光によっても光触媒反応を行うことができ、また、かかる反応における触媒活性を十分に高めることができる。
【００１３】
また、本発明の光触媒の製造方法は、二酸化チタンおよびシリコンの少なくとも一方にショットブラスト処理により機械的エネルギーを付与して、該二酸化チタンと該シリコンとが接触した光触媒を得ることを特徴とする。これにより、アナターゼ型結晶からルチル型結晶への変質が十分に防止されるので、本発明の光触媒を容易に且つ確実に得ることができる。
【００１４】
本発明の光触媒の製造方法においては、二酸化チタンとして平均粒径１〜１００μｍの二酸化チタン微粒子を用い、該二酸化チタン微粒子を噴射圧力０．１〜０．６ＭＰａのショットブラストでシリコンに吹き付けることが好ましい。かかる方法によれば、アナターゼ型結晶からルチル型結晶への変質をより確実に防止することができる。また、二酸化チタンとシリコンとの間にバインダーを介在させなくとも、二酸化チタンがシリコンの表面に安定的に保持されるので、二酸化チタンとシリコンとの接触効率が増加して光触媒の触媒活性をより向上させることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。
【００１６】
本発明の光触媒に含まれる二酸化チタンにおいては、アナターゼ型結晶の割合が６０重量％以上であることが好ましく、８０重量％以上であることが好ましい。該二酸化チタン中のアナターゼ型結晶の割合が６０％未満であると触媒活性が不十分となる傾向にある。なお、アナターゼ型結晶以外の二酸化チタンは、通常、ルチル型結晶である。
【００１７】
また、本発明の光触媒は、上記の二酸化チタンに加えて、該二酸化チタンの禁制帯幅（３．２ｅＶ）よりも狭い禁制帯幅を有する第２の半導体材料を含有するものであり、二酸化チタンと第２の半導体材料とは接触した状態で保持される。これにより、十分に広い波長領域において光励起が発現すると共に、光励起により生じる電子−正孔対が両者の接触部位を介して触媒活性点に伝導されて触媒反応に寄与することとなるので、紫外線などの短波長の光だけでなく可視光などの長波長の光によっても光触媒反応を行うことができ、また、かかる反応における触媒活性を十分に高めることができる。
【００１８】
第２の半導体材料としては、シリコン（Ｓｉ、禁制帯幅：１．１ｅＶ）、α−シリコンカーバイド（α−ＳｉＣ、禁制帯幅：３．０ｅＶ）、β−シリコンカーバイド（β−ＳｉＣ、禁制帯幅：２．２ｅＶ）、酸化タングステン（ＷＯ3、禁制帯幅：２．７ｅＶ）、酸化第二鉄（Ｆｅ2Ｏ3、禁制帯幅：２．２ｅＶ）、酸化第一銅（Ｃｕ2Ｏ、禁制帯幅：２．２ｅＶ）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、チタン酸鉄（ＦｅＴｉＯ3、禁制帯幅：２．８ｅＶ）、一酸化鉛（ＰｂＯ、禁制帯幅：２．８ｅＶ）、五酸化バナジウム（Ｖ2Ｏ5、禁制帯幅：２．８ｅＶ）、三酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3、禁制帯幅：２．８ｅＶ）、三酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ3、禁制帯幅：３．０ｅＶ）、砒化ガリウム（ＧａＡｓ、禁制帯幅：１．４ｅＶ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ、禁制帯幅：１．７ｅＶ）、リン化ガリウム（ＧａＰ、禁制帯幅：２．３ｅＶ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ、禁制帯幅：２．４ｅＶ）、リン化アルミニウム（ＡｌＰ、禁制帯幅：２．５ｅＶ）、砒化アルミニウム（ＡｌＡｓ、禁制帯幅：２．１ｅＶ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ、禁制帯幅：２．７ｅＶ）、アンチモン化アルミニウム（ＡｌＳｂ、禁制帯幅：１．６ｅＶ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ、禁制帯幅：２．３ｅＶ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ、禁制帯幅：２．３ｅＶ）、アンチモン化ガリウム（ＧａＳｂ、禁制帯幅：０．７ｅＶ）、硫化水銀（ＨｇＳ、禁制帯幅：２．５ｅＶ）、リン化インジウム（ＩｎＰ、禁制帯幅：１．４ｅＶ）、砒化インジウム（ＩｎＡｓ、禁制帯幅：０．４ｅＶ）、アンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ、禁制帯幅：０．２ｅＶ）、ゲルマニウム（Ｇｅ、禁制帯幅：０．７ｅＶ）、その他、Ｍｇ2Ｓｉ、Ｃａ2Ｓｉなどの金属シリサイド（禁制帯幅：０．１〜２．３ｅＶ）、ＣｕＡｌＳ2などのカルコパイライト型化合物（禁制帯幅：０．２〜３．０ｅＶ）などが挙げられる。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの半導体材料の中でも、より高い触媒活性向上効果が得られる点で、禁制帯幅が０．５〜３．０ｅＶのものを用いることが好ましく、シリコンおよび／またはシリコンカーバイドを用いることが特に好ましい。
【００１９】
二酸化チタンと第２の半導体材料との含有割合は、光触媒の触媒活性が損なわれない限り特に制限されないが、５：９５〜９５：５の範囲内であることが好ましく、３０：７０〜７０：３０の範囲内であることがより好ましい。当該含有割合が前記の範囲外であると、二酸化チタンと第２の半導体材料との接触効率が低下して、光励起における相乗効果、並びに電子−正孔対の触媒活性点への伝導による触媒活性向上効果が不十分となる傾向にある。
【００２０】
本発明の光触媒においては、二酸化チタンと第２の半導体材料とが相互に接触している限り、アルミナ、ジルコニア、金属アルコキシド、オルガノシロキサン系化合物、ケイ酸塩系化合物などの無機バインダー、アクリル系化合物、エポキシ系化合物、フッ素系化合物などの有機バインダー、無機成分を有機バインダーに分散させたものなどを用いて両者を保持してもよい。しかしながら、二酸化チタンと第２の半導体材料との接触効率の点から、二酸化チタンまたは第２の半導体材料の一方を他方に直接担持することが好ましい。より具体的には、二酸化チタンまたは第２の半導体材料のうちの一方を所定の基板上に薄膜状に成形し、その薄膜上に他方を積層したものが好ましい。また、二酸化チタンまたは第２の半導体材料のうちの一方が微粒子である場合には、その微粒子の表面に他方を担持して微粒子状の光触媒としてもよい。これらの光触媒は、後述する本発明の光触媒の製造方法により得ることができる。
【００２１】
すなわち、本発明の光触媒の製造方法は、二酸化チタンおよび該二酸化チタンの禁制帯幅よりも狭い禁制帯幅を有する第２の半導体材料の少なくとも一方に機械的エネルギーを付与して、該二酸化チタンと該第２の半導体材料とが接触した光触媒を得ることを特徴とするものである。これにより、二酸化チタンにおけるアナターゼ型結晶からルチル型結晶への変質が十分に防止されるので、十分に高濃度のアナターゼ型結晶を含有する本発明の光触媒を容易に且つ確実に得ることができる。
【００２２】
本発明の製造方法における温度は、好ましくは７００℃以下であり、より好ましくは５００℃以下である。温度が前記上限値を超えると、アナターゼ型結晶からルチル型結晶への変質を十分に防止することができない。
【００２３】
また、二酸化チタンおよび／または第２の半導体材料への機械的エネルギーの付与は、いわゆるショットブラスト処理により好適に行うことができる。ショットブラスト処理とは、一方の微粒子を所定の圧力で他方に吹き付けて両者を高速で衝突させるものであり、これによりバインダーを用いずとも二酸化チタンおよび第２の半導体材料を安定的に保持することができ、両者の接触効率を高めることができる。
【００２４】
ここで、ショットブラスト処理においては、二酸化チタンまたは第２の半導体材料のうち硬い（硬度の大きい）成分を軟らかい（硬度の小さい）成分に向けて吹き付けることが好ましい。例えば第２の半導体材料がシリコンおよび／またはシリコンカーバイドである場合には、二酸化チタン微粒子をシリコンおよび／またはシリコンカーバイドに吹き付けることが好ましい。
【００２５】
また、ショットブラスト処理において用いられる微粒子の平均粒径は、１〜１００μｍが好ましく、５〜２０μｍがより好ましい。微粒子の平均粒径が前記上限値を超えると、二酸化チタンと第２の半導体材料との接触効率が低下する傾向にある。他方、微粒子の平均粒径が前記下限値未満であると、製造効率が低下する傾向にある。また、微粒子の噴射圧力および投射速度は、それぞれ二酸化チタンと第２の半導体材料との組み合わせなどに応じて適宜選定されるものであるが、噴射圧力は０．１〜０．６ＭＰａであることが好ましく、投射速度は２０〜２４０ｍ／秒であることが好ましい。
【００２６】
また、微粒子が吹き付けられる側の成分の形状は、薄膜状であっても微粒子状であってもよいが、吹き付ける微粒子を均一に且つ確実に担持できる点で薄膜状であることが好ましい。この薄膜も、ショットブラスト処理、すなわち当該成分を所定の圧力で基板上に吹き付けることにより成形することができる。
【００２７】
より具体的には、先ず、第２の半導体材料からなる微粒子を基板の一方面に吹き付けることで、当該基板上に第２の半導体材料からなる膜が形成される。かかる基板としては、アルミニウム製基板、ステンレス鋼製基板などが好ましく用いられる。次いで、二酸化チタン微粒子を第２の半導体材料からなる膜に向けて吹き付けることで、第２の半導体材料からなる膜上に二酸化チタン膜が形成されて目的の光触媒が得られる。このようにして、二酸化チタン膜／シリコン膜、二酸化チタン膜／シリコンカーバイド膜などの構成を有する光触媒の製造を有効に実施することができる。
【００２８】
上記のショットブラスト処理は、例えば空気雰囲気下で行ってもよいが、アナターゼ型結晶からルチル型結晶への変質を防止する点から、窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
【００２９】
上記の製造方法により得られる本発明の光触媒が薄膜状である場合、二酸化チタンおよび第２の半導体材料の各層の膜厚は、０．０１〜３０μｍであることが好ましい。当該膜厚が前記上限値を超えると、光励起により生じる電子−正孔対の触媒活性点への伝導効率が低下する傾向にある。他方、膜厚が前記下限値未満である層を均一に形成することは必ずしも容易でなく、製造効率の点で好ましくない。
【００３０】
本発明の光触媒は、上述のように優れた触媒活性を有するものであり、様々な光触媒反応に好適に適用することができる。かかる光触媒反応としては、具体的には、アンモニアの分解反応、水の分解による水素発生反応などが挙げられる。また、さび止め、汚れ成分の付着防止、空気清浄（例えばアセトアルデヒドなどの悪臭成分の除去）などの用途にも本発明の光触媒は非常に有用である。
【００３１】
【実施例】
以下、実施例および比較例に基づいて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。
【００３２】
［実施例１］
（光触媒の調製）
先ず、シリコン微粒子（平均粒径：５０μｍ）をショットブラスト装置（直圧型空気圧縮方式、以下同様である）に充填し、室温下、噴射圧力０．４ＭＰａ、投射速度１５０ｍ／秒でアルミニウム製基板（縦：１８ｍｍ、横：２０ｍｍ、厚み：４ｍｍ）の一方の面の全体に吹き付けて、膜厚０．１〜５μｍ、表面積３６００ｍｍ2のシリコン膜を成形した。
【００３３】
次に、二酸化チタン（アナターゼ型結晶：１００重量％、平均粒径：１０μｍ）をショットブラスト装置に充填し、室温下、噴射圧力０．４ＭＰａ、投射速度１５０ｍ／秒で上記のシリコン膜上に吹き付けた。これにより膜厚０．１〜５μｍ、表面積３６００ｍｍ2の二酸化チタン膜（アナターゼ型結晶の含有割合：８０重量％）を成形し、目的の光触媒を得た。
【００３４】
（悪臭除去性能評価試験）
得られた光触媒を反応管に入れて閉鎖系循環ラインの所定の位置に装着し、アセトアルデヒドと空気との混合ガス（アセトアルデヒドの初期濃度：２０ｐｐｍ、全量：１０ｌ）を４ｌ／分で循環させながら光照射を行い、ガス検知管（光明理化学工業製）を用いてアセトアルデヒド濃度を測定した。本実施例では、光源１としてキセノンランプ（ウシオ電機製、出力：５００Ｗ）、光源２として光源１の後段にシャープカットフィルタ（スルガ精機製）を配置して波長４２０ｎｍ以下の光を遮蔽したもの、の２種を使用した。また、装置内に光源以外の光が照射しないように遮光した状態とし、温度は室温に維持した。
【００３５】
本試験における反応時間（光照射時間）とアセトアルデヒド濃度との相関について、光源１を使用した場合を図１、光源２を使用した場合を図２にそれぞれ示す。
【００３６】
［実施例２］
実施例１におけるシリコン微粒子の代わりにシリコンカーバイド（平均粒径：５０μｍ）を用いたこと以外は実施例１と同様にして、光触媒の調製を行った。二酸化チタン膜中のアナターゼ型結晶の含有率は８０重量％であった。
【００３７】
次に、得られた光触媒を用い、実施例１と同様にして悪臭除去性能試験を行った。本試験における反応時間（光照射時間）とアセトアルデヒド濃度との相関について、光源１を使用した場合を図１、光源２を使用した場合を図２にそれぞれ示す。
【００３８】
［比較例１］
実施例１で用いたアルミニウム製基板をそのまま光触媒として用い、実施例１と同様の悪臭除去性能試験を行った。本試験における反応時間（光照射時間）とアセトアルデヒド濃度との相関について、光源１を使用した場合を図１、光源２を使用した場合を図２にそれぞれ示す。
【００３９】
［比較例２］
シリコン膜の成形を行わず、アルミニウム製基板上に二酸化チタンを吹き付けて二酸化チタン膜を成形したこと以外は実施例１と同様にして光触媒を調製した。
【００４０】
次に、得られた光触媒を用い、実施例１と同様にして悪臭除去性能試験を行った。本試験における反応時間（光照射時間）とアセトアルデヒド濃度との相関について、光源１を使用した場合を図１、光源２を使用した場合を図２にそれぞれ示す。
【００４１】
［比較例３］
実施例１と同様にしてアルミニウム製基板上にシリコン膜を成形した後、二酸化チタン膜の成形を行わなかったものを光触媒として用い、実施例１と同様の悪臭除去性能試験を行った。本試験における反応時間（光照射時間）とアセトアルデヒド濃度との相関について、光源１を使用した場合を図１、光源２を使用した場合を図２にそれぞれ示す。
【００４２】
［比較例４］
実施例２と同様にしてアルミニウム製基板上にシリコンカーバイド膜を成形した後、二酸化チタン膜の成形を行わなかったものを光触媒として用い、実施例１と同様の悪臭除去性能試験を行った。本試験における反応時間（光照射時間）とアセトアルデヒド濃度との相関について、光源１を使用した場合を図１、光源２を使用した場合を図２にそれぞれ示す。
【００４３】
図１に示したように、光源１を使用した試験では、実施例１、２においてはいずれもアセトアルデヒド濃度が十分に低減されており、各光触媒が十分に高い触媒活性を有していることが確認された。また、光源２を使用した試験でも、波長４２０ｎｍ以下の光を遮蔽したことによる影響がほとんどなく、実施例１、２においてはいずれもアセトアルデヒド濃度が十分に低減されており、各光触媒がが十分に高い触媒活性を有していることが確認された。
【００４４】
これに対して、比較例１、３、４においては、光源１、２のいずれを使用した場合にもアセトアルデヒド濃度を低減することができなかった。また、比較例２においては、光源１を使用した場合にはアセトアルデヒド濃度の低減効果は実施例１、２に劣るものであり、さらに、光源２を使用した場合にはアセトアルデヒドの低減効果が認められなかった。
【００４５】
（アンモニアの分解反応）
実施例１、２および比較例１〜４の光触媒を用い、以下の手順に従ってアンモニアの分解反応を行った。
【００４６】
すなわち、各光触媒を反応管に入れて閉鎖系循環ラインの所定の位置に装着し、アンモニアと空気との混合ガス（アンモニアの初期濃度：１００ｐｐｍ、全量：１０ｌ）を５ｌ／分で循環させながら光照射を行い、ガス検知管（光明理化学工業製）を用いてアンモニア濃度を測定した。本実施例では、光源としてキセノンランプ（ウシオ電機製、出力：５００Ｗ）を使用した。また、装置内に光源以外の光が照射しないように遮光した状態とし、温度は室温に維持した。
【００４７】
本試験における反応時間（光照射時間）とアンモニア濃度との相関を図３に示す。図３に示したように、実施例１、２においてはいずれもアンモニア濃度が十分に低減されており、各光触媒が十分に高いアンモニア分解能を有していることが確認された。
【００４８】
［実施例３、４、比較例５〜８］
（光触媒の調製）
実施例３、４及び比較例５〜８においては、それぞれアルミニウム製基板の代わりにステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）製基板を用いたこと以外は実施例１、２及び比較例１〜４と同様にして光触媒を調製した。
【００４９】
（沿岸地区での大気中暴露試験）
実施例３、４及び比較例５〜８の各光触媒を用いて沿岸地区での大気中暴露試験を行った。具体的には、海岸から５００ｍ離れた建物の屋上で、各光触媒をステンレス鋼製基板上に形成されたまま大気中に放置し、１年又は２年経過時におけるステンレス鋼製基板表面の錆の有無を観察した。得られた結果を表１に示す。なお、表１中、「＋」は錆が顕著に認められたもの、「±」は薄い錆が認められたもの、「−」は錆が全く認められなかったものをそれぞれ意味する。
【００５０】
【表１】
0004352681.tif 000002
【００５１】
表１に示したように、実施例３、４の光触媒の場合は、暴露試験開始から２年経過しても錆の発生が認められず、触媒活性に起因する優れた防錆効果が得られることが確認された。
【００５２】
【発明の効果】
以上説明した通り、本発明の光触媒によれば、紫外線のような短波長の光だけでなく比較的長波長の光によっても光触媒反応を行うことができ、また、かかる反応における触媒活性を十分に高めることができる。
【００５３】
また、本発明の光触媒の製造方法によれば、二酸化チタンにおけるアナターゼ型結晶からルチル型結晶などへの変質が十分に防止されるので、本発明の光触媒を容易に且つ確実に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１、２及び比較例１〜４の光触媒について、光源１を用いて悪臭除去性能評価試験を行ったときの反応時間とアセトアルデヒド濃度との相関を示すグラフである。
【図２】実施例１、２及び比較例１〜４の光触媒について、光源２を用いて悪臭除去性能評価試験を行ったときの反応時間とアセトアルデヒド濃度との相関を示すグラフである。
【図３】実施例１、２及び比較例１〜４の光触媒について、光源１を用いてアンモニアの分解反応を行ったときの反応時間とアンモニア濃度との相関を示すグラフである。
【図１】
0004352681.tif 000003
【図２】
0004352681.tif 000004
【図３】
0004352681.tif 000005