(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光層部がダブルへテロ構造を有するとともに、活性層およびクラッド層よりなる前記ダブルへテロ構造において、前記活性層は、ＩＩ族元素をＺｎとし、ＶＩ族元素をＯと、ＳｅまたはＴｅとしたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体より形成され、他方、前記クラッド層は、ＭｇｘＺｎ１−ｘＯ（ただし、０≦ｘ≦１）型酸化物より形成されてなり、
前記活性層は、ＺｎＯより形成される主層中に、ＺｎＳｅもしくはＺｎＴｅより形成される副層が、層厚方向に分散して介挿されてなる多層構造とされることを特徴とするＺｎＯ系半導体発光素子。
【請求項２】
前記副層は、前記活性層の一分子層以下の領域幅であることを特徴とする請求項１記載のＺｎＯ系半導体発光素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【本発明の属する技術分野】
本発明はＺｎＯ系半導体発光素子、特に青色光の発光に適したＺｎＯ系半導体発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、青色発光が可能な発光素子に対する研究・開発は盛んに行なわれてきたが、最近になり、ＡｌＧａＩｎＮ系材料を用いた、青色発光素子が実現している。しかしながら、ＡｌＧａＩｎＮ系材料は比較的希少な金属であるＧａとＩｎとが主成分となるため、コストアップが避けがたく、産業上における製品化のコスト削減の観点からは困難が伴うこととなる。そこで、ＡｌＧａＩｎＮ系材料以外において、安価なＭｇｘＺｎ１−ｘＯ（０≦ｘ≦１：以下、単にＭｇＺｎＯとも記する）型酸化物を発光層部に用いた二次元アレー面型発光装置（特開平１１−１６８２６２号公報）もしくは、サファイア基板上に、ＭｇＺｎＯ型酸化物をヘテロエピタキシャル成長させた発光素子（特開２００１−４４５００号公報）が提案されている。このような状況下において、短波長発光が可能で、生産コストを抑えることができるＭｇＺｎＯ型酸化物は、短波長半導体レーザ、高輝度青色ＬＥＤあるいは紫外線発光素子などの高効率発光素子の材料として開発が進められている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上記ＭｇｘＺｎ１−ｘＯ（０≦ｘ≦１）型酸化物は、ＺｎＯ（酸化亜鉛）に対するＭｇＯ（酸化マグネシウム）の混晶比ｘの増加に伴い、バンドギャップエネルギーは増加する。そのため、通常、発光効率の向上を図るために、ＭｇＺｎＯ型酸化物よりなるＺｎＯ系半導体発光素子をダブルへテロ構造より組む場合、活性層に注入されるキャリアの閉じ込め効果をより機能させる観点から、活性層はＺｎＯより構成されている。
しかしながら、ＭｇＺｎＯ型酸化物より構成されるＺｎＯ系半導体発光素子の製造は、ＭＯＶＰＥ（Metal Organic Vapour Phase Epitaxy）法もしくはＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法が用いられるが、その製造過程においてＭｇＺｎＯ型酸化物の酸素欠損が顕著であるために、ＺｎＯよりなる活性層の結晶性低下を招き、結果として、活性層より得られる発光波長の半値全幅が広がり、かつ発光強度が低下するため、目的とする特定波長の発光効率を抑制することとなる。
【０００４】
本発明の課題は、ＭｇｘＺｎ１−ｘＯ型酸化物よりなるＺｎＯ系半導体発光素子において、活性層を高品質にて確実に形成でき、ひいては高性能で安価な青色発光型の発光素子を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び作用・効果】
上記課題を解決するための本発明のＺｎＯ系半導体発光素子は、
発光層部がダブルへテロ構造を有するとともに、活性層およびクラッド層よりなる前記ダブルへテロ構造において、前記活性層は、ＩＩ族元素をＺｎとし、ＶＩ族元素をＯと、ＳｅまたはＴｅとしたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体より形成され、他方、前記クラッド層は、ＭｇｘＺｎ１−ｘＯ（ただし、０≦ｘ≦１）型酸化物より形成されてなることを前提とする。
【０００６】
ＭｇＺｎＯ型酸化物よりなるダブルへテロ型ＺｎＯ系半導体発光素子において、ＺｎＯより活性層を構成した場合、ＺｎＯのバンドギャップエネルギーが３．２５ｅＶであるため、発光色は紫色に近いものとなる。そこで、青色発光に適したバンドギャップエネルギーとするためには、ＺｎＯ活性層に対して不純物を添加し、不純物準位を形成させるか、ＺｎＯよりバンドギャップエネルギーの低いＺｎＯを主体とする混晶化合物半導体より活性層を構成する必要がある。
【０００７】
高発光効率の青色発光を得るためには、活性層の上記構成条件を備え、かつ活性層の結晶性を安定させる必要がある。ＺｎＯを主体としたＺｎＯ系半導体よりなる活性層の結晶性を安定させるためには、ＭＯＶＰＥ法もしくＭＢＥ法にて、ＺｎＯ系半導体をエピタキシャル成長させて活性層を積層させる際に、酸素欠損をいかに抑制するかが問題となる。図２は、ＭｇＺｎＯ型酸化物の結晶構造を示すもので、いわゆるウルツ鉱型構造を有する。該構造では、酸素原子層と金属原子（ＺｎイオンまたはＭｇイオン）層とがｃ軸方向に交互に積層される形となっており、図３に示すように、ｃ軸が層厚方向に沿うように形成される。酸素イオンが欠落して空孔を生ずることで酸素欠損が発生する。
【０００８】
しかしながら本発明においては、活性層を、ＩＩ族元素をＺｎ（亜鉛）とし、ＶＩ族元素をＯ（酸素）と、Ｓｅ（セレン）またはＴｅ（テルル）としたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体（上記ＺｎＯ系半導体）より形成されるので、酸素欠損したサイトに同族である、ＳｅまたはＴｅを導入することが可能となる。また、導入されたＳｅもしくはＴｅが不純物として働いた場合は、Ｚｎ−Ｓｅ対もしくは、Ｚｎ―Ｔｅ対がＺｎＯより深い準位に不純物準位を形成すると考えられるので、ＺｎＯ系半導体よりなる活性層より高効率な青色発光を可能とする。
【０００９】
また、本発明のＺｎＯ系半導体より形成される活性層において、酸素欠損したサイトに導入されるＳｅもしくはＴｅが不純物としてではなく、ＺｎＯＳｅ結晶もしくはＺｎＯＴｅ結晶といった結晶を組んだ場合、ＺｎＯＳｅ結晶およびＺｎＯＴｅ結晶ともに、ＺｎＯ結晶に比べてバンドギャップエネルギーを下げることができるため、活性層より高効率な青色発光を可能とする。また、上述した、不純物準位を経由して発光させる場合は、不純物準位を形成するＺｎ−Ｓｅ対もしくはＺｎ−Ｔｅ対の生成に限度があり、その時点で発光効率の向上は飽和することになるが、ＺｎＯＳｅ結晶もしくはＺｎＯＴｅ結晶が形成するバンドを経由して発光させる場合、さらに発光効率の向上が可能となる。
【００１０】
上記したＳｅもしくはＴｅを含むＺｎＯ系半導体より形成される活性層を、該活性層よりバンドギャップエネルギーの大きなＭｇｘＺｎ１−ｘＯ（０≦ｘ≦１）型酸化物より形成されるクラッド層で挟み込む形にて本発明のダブルへテロ構造はなる。ＭｇｘＺｎ１−ｘＯ（０≦ｘ≦１）型酸化物は、ＭｇＯ混晶比ｘの増加に伴い、バンドギャップエネルギーとともに絶縁性も大きくなる。そのため、ＭｇＯ混晶比ｘが大きくなると、クラッド層に有効なキャリア数をドープすることが困難となり、特にＺｎＯがノンドープでｎ型であるために、ｐ型キャリアをドープする必要があるｐ型クラッド層では困難となる。しかしながら、従来、ＺｎＯより活性層を形成していたのに対して、本発明では、上述したようにＺｎＯよりバンドギャップエネルギーが低い、ＳｅもしくはＴｅを含むＺｎＯ系半導体より活性層は形成されるので、クラッド層を、ＺｎＯもしくはＭｇＯ混晶比ｘを低く抑えたＭｇｘＺｎ１−ｘＯ型酸化物より構成することが可能となる。結果、クラッド層に有効なキャリア数をドープすることを可能にするとともに、活性層に有効なキャリア数を注入することができ、ひいては発光効率の向上を可能とする。
【００１１】
活性層がＺｎＯＳｅ結晶もしくはＺｎＯＴｅ結晶よりなる場合、ＺｎＯＳｅ結晶もしくはＺｎＯＴｅ結晶は、Ｏに対するＳｅ、Ｔｅの比率が大きくなるに従い、そのバンドギャップエネルギーは小さくなるので、活性層における発光波長は短くなることになる。青色発光に適したバンドギャップエネルギーは、２．５２〜３．１５ｅＶの範囲であり、例えば、ＺｎＯＳｅ結晶におけるＯとＳｅの比率を６１：３９に、ＺｎＯＴｅ結晶におけるＯとＴｅの比率を８１：１９にすることで、ともに青色発光に適した最大のバンドギャップエネルギー３．１５ｅＶとすることができる。ＺｎＯのバンドギャップエネルギーは、３．２５ｅＶであるので、活性層におけるキャリア閉じ込め効果を抑制することなく、ＺｎＯよりクラッド層を構成することが可能となる。このように、ＺｎＯよりクラッド層を構成することで、クラッド層および活性層をＺｎＯ主体とすることができ、製造時における作業効率を高めることが可能になるばかりではなく、余分なＭｇを使用することがなくなりコスト削減に寄与することとなる。
【００１２】
また、上記した青色発光のみならず、活性層を構成するＺｎＯＳｅ結晶もしくはＺｎＯＴｅ結晶における、Ｏに対するＳｅ、Ｔｅの比率を調整するとで、青色よりさらに長波長領域の青緑色もしくは緑色の発光に適したバンドギャップエネルギーとすることも可能である。この場合、活性層におけるバンドギャップエネルギーは、青色発光に適したバンドギャップエネルギーに比べ小さくなるので、クラッド層はＺｎＯより構成することができる。
【００１３】
次に本発明のＺｎＯ系半導体発光素子における活性層は、ＺｎＯより形成される主層中に、ＺｎＳｅもしくはＺｎＴｅより形成される副層が、層厚方向に分散してなる多層構造とされることを特徴とする。
【００１４】
ＺｎＯ系半導体をエピタキシャル成長させて活性層を形成する際、その結晶性は酸素欠損をいかに抑えるかに起因し、酸素欠損したサイトに同族であるＳｅもしくはＴｅを導入することで、活性層の結晶性が高められ、かつ活性層における発光波長が長波長側にシフトする効果について上記した。上記活性層は、例えば、ＳｅもしくはＴｅを含むＺｎＯ系半導体よりなる単層として構成されるが、これを本発明の第一として、第二としては、活性層をＺｎＯより形成される主層中に、例えば、活性層の１分子層以下の領域幅で、ＺｎＳｅもしくはＺｎＴｅが副層として介挿された多層構造として形成させる。このように形成される副層はδドーピング層として機能し、ＳｅもしくはＴｅを層厚方向に局在化させることが可能となるので、酸素欠損したサイトにＳｅもしくはＴｅを導入させる効果を一層顕著にすることができる。結果、最近接に位置するＺｎとの結合性が高められ、Ｚｎ―Ｓｅ対もしくはＺｎ−Ｔｅ対の形成、またはＺｎＯＳｅ結晶もしくはＺｎＯＴｅ結晶の形成確率が高められることになる。さらに、酸素の欠損サイトに導入されず、ＺｎＳｅもしくはＺｎＴｅといった異種結晶相が形成されることを抑制することで、非整合の異相界面や転位等による非発光中心の発生を抑えることが可能となる。また、副層を活性層の一分子層より小さい被膜率とした場合、ＳｅもしくはＴｅが酸素欠損サイトに導入されず、不純物として析出することを抑制することができる。
【００１５】
上記した活性層中に介挿される副層の形成層数は、目的とするバンドギャップエネルギー、つまり活性層を形成するＺｎＯＳｅ結晶もしくはＺｎＯＴｅ結晶のＯに対するＳｅ、Ｔｅの比率により適宜選択されるので、特に限定されるものではないが、活性層より均一な発光を得るために、ＳｅもしくはＴｅを導入することによる効果が活性層中で一様に生じるようになっていることが当然望ましい。そのためには、層厚方向に分散形成、例えば周期的に形成することが望ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図面を用いて説明する。
図１は、本発明の一実施形態を説明するための発光素子要部の積層構造を模式的に示すものである。図１（ａ）に示すように、基板１上に、ＺｎＯバッファ層２、ｎ型ＭｇＺｎＯ型酸化物層３、ＺｎＯ系半導体活性層４、さらにｐ型ＭｇＺｎＯ型酸化物層５を、エピタキシャル成長法により格子整合形態にて積層させることで、ダブルへテロ型の発光層部１０が形成される。ＺｎＯ系半導体活性層（以下、単に活性層とも記する）４は、ＩＩ族元素をＺｎとし、ＶＩ族元素をＯと、ＳｅまたはＴｅとしたＺｎＯ系半導体より構成される。図１（ａ）において、活性層４は単層として構成されるが、図１（ｂ）は、活性層４を、ＺｎＯ主層６中に、ＺｎＳｅもしくはＺｎＴｅよりなる副層７が、活性層４の一分子層以下の領域幅で周期的に介挿された多層構造の形態となる。
【００１７】
図１（ａ）に示すように、活性層４を、ＳｅもしくはＴｅを含むＺｎＯ系半導体より構成することで、酸素欠損したサイトに同族であるＳｅもしくはＴｅを導入することが可能となり、上述したように活性層４の結晶性を向上させ、そのバンドギャップエネルギーを青色発光に適したものとすることができる。また、図１（ｂ）に示すように、ＺｎＯ主層６中に、ＺｎＳｅもしくはＺｎＴｅよりなる副層７を周期的に介挿させた多層構造とすることで、導入されるＳｅもしくはＴｅと最近接のＺｎとの結合性を高めることができる。図１（ｂ）では、副層７の被膜率が１となるように図示されているが、ＳｅもしくはＴｅが酸素欠損サイトに導入されず不純物として析出するのを抑制するために、被膜率を１より小さくしてもよい。また、副層７の形成層数は、目的する活性層４における発光波長に合わせて適宜調整される。
【００１８】
図１における基板１として、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化マグネシウム、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、シリコン、炭化シリコン、砒化ガリウム、インジウム・スズ複合酸化物あるいはガラス等を使用できる。また、本発明に特に好適な基板の態様としては、以下のようなものである。ＭｇＺｎＯ型酸化物は、図２に示すように、ｃ軸方向に交互に積層される金属原子層と酸素原子層とからなるウルツ鉱型結晶構造を有し、その酸素原子が六方晶系原子配列をなす。従って、基板は、酸素原子が六方晶系原子配列をなすとともに、該六方晶系原子配列のＣ面（（０００１）面）を主表面とする酸化物単結晶基板とすることが、ＭｇＺｎＯ型酸化物との結晶整合性を良好なものとし、ひいては結晶性の良好な発光層部１０を得る上で有効である。このような酸化物単結晶基板として例えばコランダム型構造を有する酸化物があり、そのさらに具体的な例としてサファイア基板を挙げることことができる。
【００１９】
図１におけるＺｎＯバッファ層２の形成は、エピタキシャル成長法によりＺｎＯ結晶を積層させてもよいが、ＺｎＳ、ＺｎＳｅまたはＺｎＴｅのうち一種をエピタキシャル成長法により積層させた後、酸素雰囲気下で熱処理することでＺｎＯバッファ層２とすることも可能である。
【００２０】
また、図１におけるｎ型ＭｇＺｎＯ型酸化物層２（以下、単にｎ型ＭｇＺｎＯ層２とも記する）には、ｎ型ドーパントとしてＢ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎの１種又は２種以上が含有される。ＩＩＩ族元素であるＢ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎは、ＩＩ族元素であるＭｇ、Ｚｎ元素を置換し、ｎ型キャリアをドーピングすることが可能である。ｎ型ＭｇＺｎＯ層２の結晶性を考慮し、Ｚｎ元素のイオン半径に近いＧａを、ｎ型ドーパントとして選択することが好適である。
【００２１】
他方、ｐ型ＭｇＺｎＯ型酸化物層５（以下、単にｐ型ＭｇＺｎＯ層５とも記する）には、ｐ型ドーパントとしてＬｉ、Ｎａ、Ｃｕ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎの１種又は２種以上が含有される。Ｉ族元素であるＬｉ、Ｎａは、ＩＩ族元素であるＭｇ、Ｚｎサイトを置換し、Ｖ族元素であるＮ、Ｐ、Ａｓは、ＶＩ族であるＯサイトを置換することによりｐ型キャリアをドーピングすることが可能である。ＣｕＯは、ノンドーピングでｐ型半導体であるので、ＣｕをドーピングしＣｕＯを生成することにより、Ｃｕはｐ型ドーパントとして機能することになる。また、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉは、Ｎと共添加することにより、良好なｐ型特性をより確実に得ることができる。さらに、ｐ型ＭｇＺｎＯ層５の結晶性を考慮して、ＺｎもしくはＯ元素にイオン半径が近いＮと、Ｇａ、Ａｌ及びＩｎの一種又は２種以上、特にＧａとを選択することが好適である。
【００２２】
図１（ａ）に示す各層のエピタキシャル成長は、ＭＯＶＰＥ法もしくはMBE法にて成長させることができる。なお、本明細書においてＭＢＥは、金属元素成分源と非金属元素成分源との両方を固体とする狭義のＭＢＥに加え、金属元素成分源を有機金属とし非金属元素成分源を固体とするＭＯＭＢＥ（Metal Organic Molecular Beam Epitaxy）、金属元素成分源を固体とし非金属元素成分源を気体とするガスソースＭＢＥ、金属元素成分源を有機金属とし非金属元素成分源を気体とする化学ビームエピタキシ（ＣＢＥ（Chemical Beam Epitaxy））を概念として含む。
【００２３】
図１（ｂ）に示すＺｎＯ主層６は、上記と同様のエピタキシャル成長法にて形成することができる。一方、活性層４の一分子層以下の領域幅に調整する必要があるＺｎＳｅもしくはＺｎＴｅよりなる副層７は、ＡＬＥ（Atomic Layer Epitaxy）法により、副層７の主原料となるＺｎ源ガスと、ＳもしくはＳｅ源ガスとを交互に供給することで、形成することができる。また、供給源ガスの流量を調整することで、副層７の被膜率を１より小さくすることができる。
【００２４】
各層の主原料としては次のようなものを用いることができる：
・酸素成分源ガス：酸素ガスを用いることもできるが、酸化性化合物ガスの形で供給することが、後述する有機金属との過度の反応を抑制する観点において望ましい。具体的には、Ｎ２Ｏ、ＮＯ、ＮＯ２、ＣＯなど。本実施形態では、Ｎ２Ｏ（亜酸化窒素）を用いている。
Ｓｅ源ガス：Ｈ２Ｓｅなど。
Ｔｅ源ガス：Ｈ２Ｔｅなど。
・Ｚｎ源（金属成分源）ガス：ジメチル亜鉛（ＤＭＺｎ）、ジエチル亜鉛（ＤＥＺｎ）など。
・Ｍｇ源（金属成分源）ガス：ビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ２Ｍｇ）など。
【００２５】
ｐ型ドーパントとして、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎの１種又は２種以上を、Ｎとの共添加により良好なｐ型ドーパントとして機能させることができる。ドーパントガスとしては以下のようなものを使用できる；
・Ａｌ源ガス；トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）、トリエチルアルミニウム（ＴＥＡｌ）など；
・Ｇａ源ガス；トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、トリエチルガリウム（ＴＥＧａ）など；
・Ｉｎ源ガス；トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）、トリエチルインジウム（ＴＥＩｎ）など。
ｐ型ドーパントとして金属元素（Ｇａ）とともにＮが使用される場合、ｐ型ＭｇＺｎＯ層の気相成長を行なう際に、Ｎ源となる気体を、Ｇａ源となる有機金属ガスとともに供給するようにする。例えば、本実施例の場合、酸素成分源として使用するＮ２ＯがＮ源としても機能する形となる。
【００２６】
ｎ型ドーパントとして、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎの１種又は２種以上を添加することによりｎ型キャリアをドーピングすることができる。ドーパントガスとしては、上記同様なものが使用できる。
【００２７】
ＭｇＺｎＯ型酸化物は真空雰囲気中での気相成長時に、酸素欠損が非常に生じやすく、導電型が必然的にｎ型となる傾向がある。そこで、図１におけるｎ型ＭｇＺｎＯ層３の成長に際しては酸素欠損を積極的に生じさせてｎ型とする方法をとることも可能で、活性層４及びｐ型ＭｇＺｎＯ層５を成長する場合よりも酸素雰囲気圧力を下げる（例えば１０ｔｏｒｒ未満とする）ことが有効である。また、同時にｎ型ドーパントを導入する形で層成長を行なうことにより積極的にｎ型キャリアをドーピングすることも可能である。あるいは、供給原料のＩＩ族とＶＩ族との比（供給ＩＩ／ＶＩ比）を大きくしても良い。
【００２８】
他方、活性層４及びｐ型ＭｇＺｎＯ層５を成長させる場合、１０ｔｏｒｒ（９．８×１０４Ｐａ）以上の圧力を有した酸素雰囲気下で行なうことにより、成膜中の酸素欠損発生をより効果的に抑制でき、良好な特性の活性層４あるいはｐ型ＭｇＺｎＯ層５を得ることができる。この場合、より望ましくは、酸素分圧（Ｏ２以外の酸素含有分子も、含有される酸素をＯ２に換算して組み入れるものとする）が１０ｔｏｒｒ（９．８×１０４Ｐａ）以上とするのがよい。さらに、ｐ型ＭｇＺｎＯ層５を成長させる場合、ｐ型ＭｇＺｎＯ層５の主原料となるガス流量を間欠的に中断させ、酸化を促進することで酸素欠損発生をさらに抑制することができる。また、本発明においては、活性層４は、酸素欠損したサイトに同族であるＳｅもしくはＴｅを導入することができるので、酸素欠損発生による活性層４の結晶性低下をさらに抑制することができる。
【００２９】
以上のようにして発光層部１０の成長が終了すれば、基板１側をラッピング、そしてエッチングした後、図４の模式図に示すように、Ｉｎよりなるｐ型電極１１、Ａｕよりなるｎ型電極１２を形成するとともに、ダイシング工程を経て、各々電極にＡｌ配線を施すことによりＺｎＯ系半導体発光素子を得ることができる。光取出しは、主としてｐ型ＭｇＺｎＯ層５側から行うことになる。図４では、ｐ型電極１１の形成領域からは光取出しができないため、図５に示すように活性層４及びｐ型ＭｇＺｎＯ層５の一部をフォトリソグラフィー等により一部除去して、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）等からなる透明電極２３を形成する一方、残余のｐ型ＭｇＺｎＯ層５上には金属電極２２を形成し、その後、サファイア基板２１とともにダイシングすればＺｎＯ系半導体発光素子が得られる。この場合、光取出は、主として透明なサファイア基板１０側から行なうことになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＺｎＯ系半導体発光素子の一実施形態を示す積層構造断面図
【図２】ＭｇＺｎＯ型酸化物の結晶構造を示す模式図。
【図３】ＭｇＺｎＯ型酸化物層の金属イオンと酸素イオンとの配列形態を示す模式図。
【図４】本発明のＺｎＯ系半導体発光素子の一電極形成形態を示す積層構造断面図。
【図５】図４に続く一電極形成形態を示す積層構造断面図。
【符号の説明】
３  ｎ型ＭｇＺｎＯ型酸化物層
４  ＺｎＯ系半導体活性層
５  ｐ型ＭｇＺｎＯ型酸化物層
６  ＺｎＯ主層
７  副層
１０  発光層部
【図１】
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【図２】
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【図３】
0004232363.tif 000004
【図４】
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【図５】
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