(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面基板の背面側に、行方向に延び列方向に並設されてそれぞれ表示ラインを形成する複数の行電極対とこの行電極対を被覆する誘電体層とこの誘電体層を被覆する保護誘電体層が設けられ、背面基板の前面基板と放電空間を介して対向する側に、列方向に延び行方向に並設されて行電極対と交差する位置においてそれぞれ放電空間に単位発光領域を構成する複数の列電極が設けられたプラズマディスプレイパネルにおいて、  列方向または行方向に隣接する単位発光領域の間に放電空間に接するプライミング粒子生成手段が配置され、
前記プライミング粒子生成手段が、０．１ｍｓｅｃ以上の残光特性を有する紫外域発光材料によって形成されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記プライミング粒子生成手段が、１．０ｍｓｅｃ以上の残光特性を有する紫外域発光材料によって形成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記プライミング粒子生成手段が、前記保護誘電体層を形成する誘電体よりも仕事関数が低い材料を含んでいる請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記前面基板と前記背面基板との間に配置されて列方向に延びる縦壁部と行方向に延びる横壁部によって前記放電空間を前記単位発光領域毎に行方向と列方向に区画する隔壁を備え、
列方向において互いに隣接する前記単位発光領域の間の横壁部が行方向と平行な隙間によって分離されており、
前記隙間内と列方向に隣接する単位発光領域の放電空間内とが連通部によって互いに連通されており、
前記隙間内にプライミング粒子生成手段が配置されている、
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記隔壁の横壁部および隙間に対向する誘電体層の部分に、横壁部側に張り出すように形成された嵩上げ部が設けられている請求項４に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記嵩上げ部に前記連通部が形成されている請求項５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記連通部が、隔壁の横壁部に形成されている請求項４に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
前記誘電体層の前記隙間に対向する部分に光吸収層が設けられている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
前記隔壁の横壁部の前記前面基板側が部分的に縦壁部の高さよりも高くなっていて、この横壁部の縦壁部の高さよりも高くなっている部分の間に溝が形成されて前記連通部が構成される請求項４に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記横壁部の縦壁部の高さよりも高くなっている部分の少なくとも前記溝に接する部分にプライミング粒子生成手段が配置されている請求項９に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１１】
列方向に隣接する単位発光領域の境界部分と対向する前記誘電体層の部分に放電空間内に張り出すように形成された嵩上げ部が設けられて、この嵩上げ部の放電空間に接する部分にプライミング粒子生成手段が配置されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１２】
前記プライミング粒子生成手段に対向する誘電体層の部分に、光吸収層が設けられている請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１３】
前記前面基板と前記背面基板との間に配置されて少なくとも行方向に隣接する単位発光領域の間を区画する隔壁を備え、この隔壁の前面基板と対向する背面基板側に、放電空間に面するプライミング粒子生成手段が配置されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１４】
前記隔壁の横壁部の前記前面基板側が部分的に縦壁部の高さよりも高くなっていて、この横壁部の縦壁部の高さよりも高くなっている部分の間に溝が形成され、この溝内にプライミング粒子生成手段が配置されている請求項４に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１５】
前記放電空間に封入される放電ガスが、キセノンガスを１０パーセント以上含む混合希ガスからなる請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１６】
前記プライミング粒子生成手段が、仕事関数が４．２ｅＶ以下の材料を含む請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、マトリクス表示方式のプラズマディスプレイパネルに関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】
近年、大型でかつ薄型のカラー画面表示装置として、マトリクス表示方式のプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）が注目を集めている。
このようなマトリクス表示方式のディスプレイパネルとしては、ＡＣ型のＰＤＰが知られている。
【０００３】
このＡＣ型のＰＤＰは、前面基板の内面にそれぞれ一表示ラインを構成するように形成された複数の行電極対と、前面基板と放電空間を介して対向する背面基板の内面に形成されて行電極対と直交する方向に配列された複数の列電極とを備えており、行電極対と列電極との各交差点において、互いにマトリクス状に配列された放電セルが形成される構造になっている。
【０００４】
そして、これらの行電極対と列電極が放電空間に対して誘電体層によって被覆され、また、背面基盤の内面の列電極上に蛍光体層が形成されている。
【０００５】
このようなＰＤＰにおいて中間調を表示させるための方法として、従来、１フィールドの表示期間をＮビットの表示データの各ビット桁の重み付けに対応した回数だけ発光するＮ個のサブフィールドに分割する、いわゆる、サブフイールド法が知られている。
【０００６】
このサブフイールド法において、各サブフィールドは、図２４に示されるように、それぞれ、一斉リセット期間Ｒｃとアドレス期間Ｗｃ，維持放電期間Ｉｃによって構成されている。
【０００７】
先ず、一斉リセット期間Ｒｃでは、互いに対をなす行電極Ｘ1-nとＹ1-n間にリセットパルスＲＰｘ，ＲＰｙが一斉に印加されることによって、全ての放電セルにおいて一斉に放電が行われ、これによって、一旦、各放電セル内に所定量の壁電荷が形成される。
【０００８】
次のアドレス期間Ｗｃでは、行電極対の一方の行電極Ｙ1-nに、順次、走査パルスＳＰが印加されるとともに、列電極Ｄ1-mに、各表示ライン毎に表示データに対応した表示データパルスＤＰ1-nが印加されて、選択放電（選択消去放電）が生起される。
【０００９】
このとき、各放電セルは、表示データに対応して、消去放電が発生されずに壁電荷が形成されたままの発光セルと、消去放電が発生して壁電荷が消滅した非発光セルとに分けられる。
【００１０】
次の維持発光期間Ｉｃでは、互いに対をなす行電極Ｘ1-nとＹ1-n間に維持パルスＩＰｘ，ＩＰｙが各サブフィールドの重み付けに対応した数だけ印加され、これによって、壁電荷が残留したままの発光セルのみが、印加される維持パルスＩＰｘ，ＩＰｙの数に対応した数だけ維持放電を繰り返す。
【００１１】
そして、前面基板と背面基板の間の放電空間内には、キセノンＸｅを５体積パーセントだけ含むＮｅ−Ｘｅガスが封入されており、維持放電によってキセノンＸｅから波長１４７ｎｍの真空紫外線が放射される。
【００１２】
ＰＤＰにおける画像表示は、この真空紫外線により背面基板上に形成された蛍光体層が励起されて可視光が発生されることにより行われる。
【００１３】
ここで、上記のようなＰＤＰは、サブフイールド法の一斉リセット期間Ｒｃにおけるリセット放電によって全ての放電セルの放電空間内にプライミング粒子（荷電粒子）が形成されるが、このプライミング粒子は時間の経過とともに減少してゆくために、一斉リセットが動作された後、次の選択動作が行われる（走査パルスＳＰが印加される）までの時間間隔が長くなってしまう表示ライン（例えば、最終走査ラインとなるｎ行目の表示ライン）ほどプライミング粒子が少なくなってしまう。
【００１４】
このため、このようなプライミング粒子が少ない放電セルにおいては、放電遅れ時間が増大したり、また、放電遅れ時間のばらつきが増大したりするために、アドレス期間Ｗｃにおける選択放電動作が不安定になって誤放電が生じ易くなり、このために、ディスプレイに形成される画像の品質が悪化するという問題がある。
【００１５】
また、この問題の解決のために走査パルスＳＰのパルス幅を広くした場合には、階調不足などの問題が生じる虞がある。
【００１６】
この発明は、上記のような従来のプラズマディスプレイパネルにおける問題点を解決するために為されたものである。
すなわち、この発明は、誤放電を防止して表示画像の品質を向上させることができるプラズマディスプレイパネルを提供することを目的としている。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
第１の発明によるプラズマディスプレイパネルは、上記目的を達成するために、前面基板の背面側に、行方向に延び列方向に並設されてそれぞれ表示ラインを形成する複数の行電極対とこの行電極対を被覆する誘電体層とこの誘電体層を被覆する保護誘電体層が設けられ、背面基板の前面基板と放電空間を介して対向する側に、列方向に延び行方向に並設されて行電極対と交差する位置においてそれぞれ放電空間に単位発光領域を構成する複数の列電極が設けられたプラズマディスプレイパネルにおいて、列方向または行方向に隣接する単位発光領域の間に放電空間に接するプライミング粒子生成手段が配置され、プライミング粒子生成手段が、０．１ｍｓｅｃ以上の残光特性を有する紫外域発光材料によって形成されていることを特徴としている。
【００１８】
この第１の発明によれば、プライミング粒子生成手段が設けられることにより、一斉リセット期間の次に続くアドレス期間におけるプライミング粒子量が十分に確保され、これによって、誤放電の発生が防止されて表示画像の品質の向上を図ることができる。また、前記プライミング粒子生成手段が、０．１ｍｓｅｃ以上の残光特性を有する紫外域発光材料によって形成されていることを特徴としており、これによって、一斉リセット期間の次に続くアドレス期間の間プライミング粒子の発生が継続されるので、誤放電の発生防止と表示画像の品質の向上が十分に図られる。
【００１９】
第２の発明によるプラズマディスプレイパネルは、上記目的を達成するために、第１の発明の構成に加えて、前記プライミング粒子生成手段が、１．０ｍｓｅｃ以上の残光特性を有する紫外域発光材料によって形成されている。
【００２０】
第３の発明によるプラズマディスプレイパネルは、上記目的を達成するために、第１の発明の構成に加えて、前記プライミング粒子生成手段が、前記保護誘電体層を形成する誘電体よりも仕事関数が低い材料を含んでいることを特徴としており、これによって、プライミング粒子生成手段が励起されて放射される紫外光が、保護誘電体層とともにプライミング粒子生成手段に含有されている保護誘電体層を形成する誘電体よりも仕事関数が低い材料を励起してプライミング粒子を放出させるので、アドレス期間におけるプライミング粒子量がさらに十分に確保される。
【００２１】
第４の発明によるプラズマディスプレイパネルは、上記目的を達成するために、第１の発明の構成に加えて、前記前面基板と前記背面基板との間に配置されて列方向に延びる縦壁部と行方向に延びる横壁部によって前記放電空間を前記単位発光領域毎に行方向と列方向に区画する隔壁を備え、列方向において互いに隣接する前記単位発光領域の間の横壁部が行方向と平行な隙間によって分離されており、前記隙間内と列方向に隣接する単位発光領域の放電空間内とが連通部によって互いに連通されており、前記隙間内にプライミング粒子生成手段が配置されていることを特徴としている。
【００２２】
この第４の発明によるプラズマディスプレイパネルは、列方向に延びる縦壁部と行方向に延びる横壁部を有する隔壁によって、前面基板と背面基板の間の放電空間が単位発光領域毎に区画される。
【００２３】
そして、互いに隣接する行に沿って並ぶ単位発光領域の間の横壁部が行方向と平行な隙間によって分離され、この分離された横壁間の隙間内が連通部によって列方向に隣接する単位発光領域の放電空間内にそれぞれ連通されているとともに、この隙間内にプライミング粒子生成手段が配置されていて、このプライミング粒子生成手段が連通部を介して単位発光領域の放電空間内に接している。
【００２４】
従って、この第４の発明によれば、列方向において互いに隣接する単位発光領域の間が隔壁の横壁部によって閉じられている場合でも、単位発光領域において発生する放電にともなう横壁間の隙間内における放電によって生じたプライミング粒子が、連通部を介して、列方向において隣接している単位発光領域内に拡散して放電を誘発し、これによって、列方向において隣接する単位発光領域間におけるプライミング効果が確保される。
【００２５】
そしてさらに、リセット操作時のリセット放電が行われる際に、放電空間内に封入された放電ガスに含まれるキセノンから放射される真空紫外線が、横壁間の隙間内に形成されたプライミング粒子生成層を励起し、このプライミング粒子生成層から放射される紫外光または可視光によって保護誘電体層を励起して、プライミング粒子を放出させるので、アドレス期間におけるプライミング粒子量が十分に確保され、これによって、誤放電の発生が防止されて表示画像の品質の向上を図ることができる。
【００２６】
第５の発明によるプラズマディスプレイパネルは、第４の発明の構成に加えて、前記隔壁の横壁部および隙間に対向する誘電体層の部分に、横壁部側に張り出すように形成された嵩上げ部が設けられていることを特徴としており、これによって、列方向に隣接する単位発光領域間における誤放電が防止される。
【００２７】
第６の発明によるプラズマディスプレイパネルは、上記目的を達成するために、第５の発明の構成に加えて、前記嵩上げ部に前記連通部が形成されていることを特徴としており、この連通部を介して横壁間の隙間内に形成されたプライミング粒子生成層が単位発光領域内の放電空間に接して、リセット放電の際に放射される真空紫外線によって励起される。
【００２８】
第７の発明によるプラズマディスプレイパネルは、上記目的を達成するために、第４の発明の構成に加えて、前記連通部が、隔壁の横壁部に形成されていることを特徴としており、この連通部を介して横壁間の隙間内に形成されたプライミング粒子生成層が単位発光領域内の放電空間に接して、リセット放電の際に放射される真空紫外線によって励起される。
【００２９】
第８の発明によるプラズマディスプレイパネルは、上記目的を達成するために、第１の発明の構成に加えて、前記誘電体層の前記隙間に対向する部分に光吸収層が設けられていることを特徴としており、これによって、非表示ラインにおける外光の反射が防止されてコントラストの向上が図られるとともに、隙間内において列電極と行電極間にプライミングのための放電が発生しても、その光が画像のコントラストに悪影響を与える虞はない。
【００３０】
第９の発明によるプラズマディスプレイパネルは、上記目的を達成するために、第４の発明の構成に加えて、前記隔壁の横壁部の前記前面基板側が部分的に縦壁部の高さよりも高くなっていて、この横壁部の縦壁部の高さよりも高くなっている部分の間に溝が形成されて前記連通部が構成されることを特徴としており、この溝によって、横壁間の隙間内の空間が単位発光領域の放電空間内に連通される。
【００３１】
第１０の発明によるプラズマディスプレイパネルは、上記目的を達成するために、第９の発明の構成に加えて、前記横壁部の縦壁部の高さよりも高くなっている部分の少なくとも前記溝に接する部分にプライミング粒子生成手段が配置されていることを特徴としており、これによって、リセット操作時のリセット放電が行われる際に、横壁部の縦壁部の高さよりも高くなっている部分に配置されたプライミング粒子生成手段が、放電ガスに含まれるキセノンから放射される真空紫外線によって励起され、このプライミング粒子生成手段から放射される紫外光または可視光によって保護誘電体層が励起されて、プライミング粒子が放出される。
【００３４】
第１１の発明によるプラズマディスプレイパネルは、上記目的を達成するために、第１の発明の構成に加えて、列方向に隣接する単位発光領域の境界部分と対向する前記誘電体層の部分に放電空間内に張り出すように形成された嵩上げ部が設けられて、この嵩上げ部の放電空間に接する部分にプライミング粒子生成手段が配置されていることを特徴としており、この嵩上げ部によって、列方向において隣接する単位発光領域間で誤放電が発生するのが防止されるとともに、この嵩上げ部に配置されたプライミング粒子生成手段が、リセット操作時のリセット放電の際に放電ガスに含まれるキセノンから放射される真空紫外線によって励起され、このプライミング粒子生成手段から放射される紫外光または可視光によって保護誘電体層が励起されて、プライミング粒子が放出される。
【００３５】
第１２の発明によるプラズマディスプレイパネルは、上記目的を達成するために、第１１の発明の構成に加えて、前記プライミング粒子生成手段に対向する誘電体層の部分に、光吸収層が設けられていることを特徴としており、これによって、非表示ラインにおける外光の反射が防止されてコントラストの向上が図られる。
【００３６】
第１３の発明によるプラズマディスプレイパネルは、上記目的を達成するために、第１の発明の構成に加えて、前記前面基板と前記背面基板との間に配置されて少なくとも行方向に隣接する単位発光領域の間を区画する隔壁を備え、この隔壁の前面基板と対向する背面基板側に、放電空間に面するプライミング粒子生成手段が配置されていることを特徴としており、この隔壁によって、行方向において隣接する単位発光領域間で誤放電が発生するのが防止されるとともに、この隔壁に配置されたプライミング粒子生成手段が、リセット操作時のリセット放電の際に放電ガスに含まれるキセノンから放射される真空紫外線によって励起され、このプライミング粒子生成手段から放射される紫外光または可視光によって保護誘電体層が励起されて、プライミング粒子が放出される。
【００３９】
第１４の発明によるプラズマディスプレイパネルは、上記目的を達成するために、第４の発明の構成に加えて、前記隔壁の横壁部の前記前面基板側が部分的に縦壁部の高さよりも高くなっていて、この横壁部の縦壁部の高さよりも高くなっている部分の間に溝が形成され、この溝内にプライミング粒子生成手段が配置されていることを特徴としており、この溝内に配置されたプライミング粒子生成手段によって生成されるプライミング粒子により、アドレス期間におけるプライミング粒子量が十分に確保される。
【００４２】
第１５の発明によるプラズマディスプレイパネルは、上記目的を達成するために、第１の発明の構成に加えて、前記放電空間に封入される放電ガスが、キセノンガスを１０パーセント以上含む混合希ガスからなることを特徴としている。
【００４３】
この第１５の発明によるプラズマディスプレイパネルによれば、プライミング粒子生成手段を設けることによりキセノンガスの分圧の上昇によって選択放電の遅れ時間が長くなるのを抑制しながら、そのキセノンガスの分圧を１０パーセント以上に設定することによって、キセノンから放射される真空紫外線量の増加による発光効率の増大を図ることが出来る。
【００４４】
第１６の発明によるプラズマディスプレイパネルは、上記目的を達成するために、第１の発明の構成に加えて、前記プライミング粒子生成手段が、仕事関数が４．２ｅＶ以下の材料を含むことを特徴としている。
【００４５】
この第１６の発明によるプラズマディスプレイパネルによれば、プライミング粒子生成手段を設けることによるプライミング効果が一層発揮され、リセット放電からの休止時間の経過にともなう選択放電の遅れや放電確率の悪化が防止される。
【００４６】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の最も好適と思われる実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明を行う。
【００４７】
図１ないし６は、この発明によるプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）の実施形態の第１の例を示すものであって、図１はこの第１の例におけるＰＤＰを模式的に表す平面図であり、図２は図１のＶ１−Ｖ１線における断面図、図３は図１のＶ２−Ｖ２線における断面図、図４は図１のＷ１−Ｗ１線における断面図、図５は図１のＷ２−Ｗ２線における断面図、図６は図１のＷ３−Ｗ３線における断面図である。
【００４８】
この図１ないし６に示されるＰＤＰは、表示面である前面ガラス基板１０の背面に、複数の行電極対（Ｘ，Ｙ）が、前面ガラス基板１０の行方向（図１の左右方向）に延びるように平行に配列されている。
【００４９】
行電極Ｘは、Ｔ字形状に形成されたＩＴＯ等の透明導電膜からなる透明電極Ｘａと、前面ガラス基板１０の行方向に延びて透明電極Ｘａの狭小の基端部に接続された金属膜からなるバス電極Ｘｂによって構成されている。
【００５０】
行電極Ｙも同様に、Ｔ字形状に形成されたＩＴＯ等の透明導電膜からなる透明電極Ｙａと、前面ガラス基板１０の行方向に延びて透明電極Ｙａの狭小の基端部に接続された金属膜からなるバス電極Ｙｂによって構成されている。
【００５１】
この行電極ＸとＹは、前面ガラス基板１０の列方向（図１の上下方向）に交互に配列されており、バス電極ＸｂとＹｂに沿って並列されたそれぞれの透明電極ＸａとＹａが、互いに対となる相手の行電極側に延びて、透明電極ＸａとＹａの幅広部の頂辺が、それぞれ所要の幅の放電ギャップｇを介して互いに対向されている。
【００５２】
バス電極Ｘｂ，Ｙｂは、それぞれ表示面側の黒色導電層Ｘｂ’，Ｙｂ’と背面側の主導電層Ｘｂ”，Ｙｂ”の二層構造に形成されている。
【００５３】
前面ガラス基板１０の背面には、列方向において隣接する行電極対（Ｘ，Ｙ）のそれぞれの互いに背中合わせになったバス電極ＸｂとＹｂの間に、このバス電極Ｘｂ，Ｙｂに沿って行方向に延びる黒色の光吸収層（遮光層）１７Ａが形成されており、さらに、後述する隔壁１８の縦壁１８ａに対向する部分に、光吸収層（遮光層）１７Ｂが形成されている。
【００５４】
さらに、前面ガラス基板１０の背面には、行電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆するように誘電体層１１が形成されており、この誘電体層１１の背面には、互いに隣接する行電極対（Ｘ，Ｙ）の隣り合うバス電極ＸｂおよびＹｂと対向する位置及び隣り合うバス電極Ｘｂとバス電極Ｙｂの間の領域と対向する位置に、誘電体層１１の背面側に突出する嵩上げ誘電体層１１Ａが、バス電極Ｘｂ，Ｙｂと平行に延びるように形成されている。
【００５５】
そして、この誘電体層１１と嵩上げ誘電体層１１Ａの背面側には、ＭｇＯからなる保護層１２が形成されている。
【００５６】
一方、前面ガラス基板１０と平行に配置された背面ガラス基板１３の表示側の面上には、列電極Ｄが、各行電極対（Ｘ，Ｙ）の互いに対となった透明電極ＸａおよびＹａに対向する位置において行電極対（Ｘ，Ｙ）と直交する方向（列方向）に延びるように、互いに所定の間隔を開けて平行に配列されている。
【００５７】
背面ガラス基板１３の表示側の面上には、さらに、列電極Ｄを被覆する白色の誘電体層１４が形成され、この誘電体層１４上に、隔壁１８が形成されている。
【００５８】
この隔壁１８は、互いに平行に配列された各列電極Ｄの間の位置において列方向に延びる縦壁１８ａと、嵩上げ誘電体層１１Ａに対向する位置において行方向に延びる横壁１８ｂとによって梯子状に形成されており、この梯子状の隔壁１８によって、前面ガラス基板１０と背面ガラス基板１３の間の放電空間Ｓが、各行電極対（Ｘ，Ｙ）において対となった透明電極ＸａとＹａに対向する部分毎に区画されて、それぞれ方形の放電セルＣが形成されている。
【００５９】
この放電空間Ｓを区画する隔壁１８の横壁１８ｂは、表示ライン間の光吸収層１７Ａと重なる位置に設けられた隙間ＳＬによって列方向に分離されている。
【００６０】
すなわち、隔壁１８は、表示ライン（行）Ｌ方向に沿って梯子状に形成され、列方向において表示ラインＬに沿って延びる隙間ＳＬを介して互いに平行になるように配置されている。
【００６１】
そして、この表示ラインＬ間に設けられた隙間ＳＬによって分割された横壁１８ｂの各部分１８ｂ’の幅は、それぞれ縦壁１８ａの幅と略同一になるように隙間ＳＬの幅が設定されている。
【００６２】
放電空間Ｓに面する隔壁１８の縦壁１８ａおよび横壁１８ｂの側面と誘電体層１４の表面には、これらの五つの面を全て覆うように蛍光体層１６が形成されており、この蛍光体層１６の色は、各放電セルＣ毎にＲ，Ｇ，Ｂの色が行方向に順に並ぶように設定されている（図４参照）。
【００６３】
そして、放電セルＣ内には、キセノンガスを１０パーセント以上含む混合希ガスからなる放電ガスが封入されている。
【００６４】
嵩上げ誘電体層１１Ａは、この嵩上げ誘電体層１１Ａを被覆している保護層１２が隔壁１８の横壁１８ｂ’の表示側の面に当接される（図５参照）ことによって、列方向において隣接する放電セルＣの間をそれぞれ閉じているが、この嵩上げ誘電体層１１Ａには、図１において隔壁１８の縦壁１８ａと同列に並ぶ位置に、列方向に延びて両端部が嵩上げ誘電体層１１Ａの上下の壁面に開口されるとともに背面側が解放された溝１１Ａａ（図５および６参照）が形成されていて、この溝１１Ａａを介して各放電セルＣが、列方向に並設された隔壁１８の横壁１８ｂ’間の隙間ＳＬにそれぞれ連通されている。
【００６５】
また、隔壁１８の縦壁１８ａの表示側の面は保護層１２に当接されておらず（図４参照）、その間に隙間ｒが形成されていて、行方向において隣接する放電セルＣがこの隙間ｒを介して互いに連通されている。
【００６６】
隔壁１８の横壁１８ｂ’間に形成された隙間ＳＬ内には、その内壁面を覆うように、プライミング粒子生成層（プライミング粒子生成手段）１９が形成されている。
【００６７】
このプライミング粒子生成層１９は、例えば、０、１ｍｓｅｃ以上の残光特性を有する紫外域発光材料または可視域発光材料によって形成されている。
【００６８】
そして、この紫外域発光材料または可視域発光材料によって形成されたプライミング粒子生成層１９には、保護層１２を形成する誘電体（ＭｇＯ）と２次電子放出係数が同じかそれよりも２次電子放出係数が高い（仕事関数が低い）材料（高γ材料）、すなわち、仕事関数が４．２Ｖ以下の材料を含有させるようにしても良い。
【００６９】
この仕事関数が低く絶縁性を有する材料としては、アルカリ金属の酸化物（例えば、Ｃｓ2Ｏ：仕事関数２．３ｅＶ）やアルカリ土類金属の酸化物（例えば、ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ），弗化物（例えば、ＣａＦ2，ＭｇＦ2），結晶欠陥や不純物などによって結晶内に不純物順位を導入して２次電子放出係数を高めた材料（例えば、ＭｇＯｘのようにＭｇ：Ｏの組成比を１：１から変えて結晶欠陥を導入したもの），ＴｉＯ2,Ｙ2Ｏ3などが挙げられる。
【００７０】
また、放電によって放電ガスに含まれるキセノンから放射される波長１４７ｎｍの真空紫外線によって励起されることにより０．１ｍｓｅｃ以上、好ましくは１．０ｍｓｅｃ以上（すなわち、アドレス期間Ｗｃの時間長以上）の紫外線を放射し続けるような残光特性を有する紫外域発光材料としては、ＢａＳｉ2Ｏ5：Ｐｂ2+（発光波長：３５０ｎｍ）やＳｒＢ4Ｏ7Ｆ：Ｅｕ2+（発光波長：３６０ｎｍ），（Ｂａ，Ｍｇ，Ｚｎ）3Ｓｉ2Ｏ7：Ｐｂ2+（発光波長：２９５ｎｍ），ＹＦ3：Ｇｄ，Ｐｒなどが挙げられる。
【００７１】
また、放電によって放電ガスに含まれるキセノンから放射される波長１４７ｎｍの真空紫外線によって励起されることにより０．１ｍｓｅｃ以上、好ましくは１．０ｍｓｅｃ以上の残光特性を有する可視域発光材料としては、赤色（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ3：Ｅｕや緑色Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎの蛍光体材料などが挙げられる。
【００７２】
上記のＰＤＰは、行電極対（Ｘ，Ｙ）がそれぞれマトリクス表示画面の１表示ライン（行）Ｌを構成している。
【００７３】
このＰＤＰにおける画像の形成は、従来のＰＤＰと同様に、先ず、全放電セルにおいて列電極Ｄと行電極ＸまたはＹの間でリセット放電を行い、全放電セルＣの誘電体層１１の表面上に壁電荷を形成する。
【００７４】
次に、アドレス操作により、各放電セルＣにおいて行電極対（Ｘ，Ｙ）と列電極Ｄとの間で選択的に対向放電が行われ、全表示ラインＬに点灯セル（誘電体層１１の壁電荷が消去されなかった放電セルＣ）と消灯セル（誘電体層１１の壁電荷が消去された放電セルＣ）とが、表示する画像に対応して、パネル上に分布される。
【００７５】
このアドレス操作の後、全表示ラインＬにおいて一斉に、行電極対（Ｘ，Ｙ）に対して交互に放電維持パルスが印加され、この放電維持パルスが印加される毎に、各点灯セルにおいて互いに対向する透明電極ＸａとＹａとの間で面放電が発生される。
【００７６】
以上のようにして、点灯セルにおける面放電により紫外線が発生され、放電空間Ｓ内のＲ，Ｇ，Ｂの各蛍光体層１６がそれぞれ励起されて発光することにより、表示する画像が形成される。
【００７７】
上記ＰＤＰは、隔壁１８の縦壁１８ａの表示側の面と誘電体層１１を被覆する保護層１２との間に形成された隙間ｒによって、各放電セルＣへの放電ガスの封入や放電セルＣからの放電ガスの排気が行われ、さらに、行方向において隣接する放電セルＣ間において連鎖的に放電を生じさせるプライミング効果が確保される。
【００７８】
そして、列方向において互いに隣接する放電セルＣの間は、嵩上げ誘電体層１１Ａによって閉塞されていることによって、画像形成のための放電が列方向に隣接する他の放電セルＣに広がって誤放電が生じるのが防止されるが、各放電セルＣは、この嵩上げ誘電体層１１Ａに形成されている溝１１Ａａによってそれぞれ横壁１８ｂに形成された隙間ＳＬ内に連通されており、この溝１１Ａａを介して隙間ＳＬから列方向に並んでいる放電セルＣにプライミング粒子（種火）が導入されることによって、列方向における上記の行方向におけるようなプライミング効果が確保される。
【００７９】
すなわち、列電極Ｄと行電極ＸまたはＹ間に、リセット操作時のリセット放電（全放電セルＣに一旦壁電荷を形成させるための放電）と、アドレス操作時の選択放電（リセット放電によって形成された壁電荷を表示画像データに応じて選択的に消去する放電）を発生させるための駆動パルス（図２１のリセット操作時に列電極Ｄと行電極ＸまたはＹに印加されるリセットパルスＲＰｘ，ＲＰｙ、および、アドレス操作時に行電極Ｘ，Ｙの一方に印加される走査パルスＳＰ，列電極Ｄに印加される表示データパルスＤＰ１−ｎ）が印加される際に、嵩上げ誘電体層１１Ａが形成されている部分では列電極Ｄと行電極Ｘ，Ｙ間の放電距離が短くなっていて放電が生じ易くなっていることにより、隙間ＳＬ内において列電極Ｄと行電極Ｘ，Ｙとの間に放電が発生する。
【００８０】
そして、この隙間ＳＬ内における放電によって生じたプライミング粒子（種火）が溝１１Ａａを介して列方向に隣接している放電セルＣ内に拡散することにより、隣接する放電セルＣ間で放電を誘発させるプライミング効果を発生させる。
【００８１】
さらに、リセット放電の際に放電ガスに含まれるキセノンから放射される波長１４７ｎｍの真空紫外線が、溝１１Ａａを介して隙間ＳＬ内に導かれて、この隙間ＳＬ内に形成された紫外域発光材料または可視域発光材料によるプライミング粒子生成層１９を励起して、このプライミング粒子生成層１９から紫外光または可視光を放射させ、そして、この紫外光または可視光が保護層（ＭｇＯ層）１２を励起して、プライミング粒子を放出させる。
【００８２】
また、このプライミング粒子生成層１９を形成する紫外域発光材料または可視域発光材料に誘電体（ＭｇＯ）と同程度かそれよりも仕事関数が低い材料（仕事関数が４．２Ｖ以下の材料）が含有される場合、リセット放電の際に放電ガスに１０パーセント以上含まれるキセノンから放射される波長１４７ｎｍの真空紫外線が、溝１１Ａａを介して隙間ＳＬ内に導かれて、プライミング粒子生成層１９を励起することにより紫外光または可視光を放射させ、そして、この紫外光または可視光が、プライミング粒子生成層１９に含有されている高γ材料と保護層（ＭｇＯ層）１２を励起して、プライミング粒子を放出させる。
【００８３】
以上のようにして、隙間ＳＬ内のプライミング粒子生成層１９を形成する紫外域発光材料または可視域発光材料の残光特性によって、少なくとも０．１ｍｓｅｃ以上の間、紫外光または可視光が放射し続けられるため、一斉リセット期間Ｒｃの次に続くアドレス期間Ｗｃ（図２４参照）におけるプライミング粒子量が十分に確保される。
【００８４】
さらに、この第１の例において、放電ガスとして、キセノンガスを１０パーセント以上含む混合希ガスが用いられ、このキセノンガスの分圧を高められることによって、キセノンから放射される真空紫外線量の増加により発光効率が増大されるとともに、紫外域発光材料を含有したプライミング粒子生成層２０ｂ２’が設けられることにより、キセノンガスの分圧が高くなるのにともなって放電電圧が高くなって選択放電の遅れ時間が長くなるのが抑制される。
【００８５】
なお、上記においては、放電セルＣ内の放電空間と隙間ＳＬ内の放電空間を連通する溝が嵩上げ誘電体層１１Ａに形成されている例が示されているが、これに限らず、溝を隔壁の横壁部に設けて、放電セルＣ内の放電空間と隙間ＳＬ内の放電空間を連通するようにしても良い。
【００８６】
また、上記例においては、非表示ラインであるバス電極ＸｂとＹｂに挟まれた領域に黒色または暗褐色の光吸収層１７Ａが設けられており、さらに、バス電極ＸｂとＹｂの表示面側がそれぞれ黒色導電層Ｘｂ’，Ｙｂ’によって構成されていることによって、非表示ラインにおける外光の反射が防止されてコントラストの向上が図られるとともに、隙間ＳＬ内において列電極Ｄと行電極Ｘ，Ｙ間にプライミングのための放電が発生しても、その光が画像のコントラストに悪影響を与える虞はない。
【００８７】
また、上記例においては、放電空間Ｓを区画する隔壁１８の横壁１８ｂが表示ラインＬ間に設けられた隙間ＳＬによって列方向に分離され、この分離された横壁１８ｂ’の幅が、それぞれ縦壁１８ａの幅と略同一になるように設定されることによって、隔壁１８の焼成時の収縮によるばらつきが少なくなり、これによって、前面ガラス基板１０や背面ガラス基板１３の反りおよび隔壁１８の破損などによる放電セル形状の変形が生じる虞がなくなる。
【００８８】
次に、この発明の実施形態における第２の例を、図７ないし１２に基づいて説明する。
【００８９】
図７ないし９はこの第２の例のＰＤＰにおける隔壁構造を示しており、図７はこの例における隔壁の正面図であり、図８（ａ）は図７のII−II線における側断面図，図８（ｂ）は図８のIII−III線における側断面図、図９は図７のIV−IV線における平断面図、図１０はこの例におけるＰＤＰを模式的に表す平面図であり、図１１は図１０のＶ３−Ｖ３線における断面図、図１２は図１０のＶ４−Ｖ４線における断面図である。
【００９０】
この例における隔壁２０は、等間隔にかつ互いに平行に配列された縦方向に延びる複数の縦壁２０ａと、この各縦壁２０ａの上端部間および下端部間にそれぞれ水平方向に掛け渡された一対の横壁２０ｂとによって、いわゆる梯子状に成形されている。
【００９１】
そして、この隔壁２０の各横壁２０ｂは、その縦壁２０ａの上端部または下端部に対向する部分（縦壁２０ａと横壁２０ｂの連結部分２０ｂ１）の幅ａが縦壁２０ａの幅と同じになるように成形され、縦壁２０ａの上端部または下端部間にそれぞれ位置する部分（縦壁２０ａ間の架橋部分２０ｂ２）の上下方向の幅ｂが、連結部分２０ｂ１の幅ａよりも大きくなるように成形されている。
【００９２】
なお、図８および９中、１４は、背面ガラス基板上に形成される誘電体層である。
【００９３】
この隔壁２０は、誘電体層５上に形成された所要の厚さのガラス材料層が所定のパターンを有するマスクを介したサンドブラスト処理によって切削された後、このパターニングされたガラス材料層が焼成されることによって形成される。
【００９４】
このとき、各横壁２０ｂは、その形状が連結部分２０ｂ１の幅ａよりも架橋部分２０ｂ２の幅ｂの方が大きくなるように成形されているので、この架橋部分２０ｂ２によって横壁２０ｂが縦壁２０ａの焼成の際に収縮することによって生じる引張力に対して耐久性を備えることになり、これによって、誘電体層５によって支持されている側と反対側の端部が縦壁２０ａの焼成時の収縮による引張力によって引っ張られて内側に傾くのが、防止される。
【００９５】
また、横壁２０ｂの連結部分２０ｂ１の幅ａが縦壁２０ａの幅と同じ大きさになるように成形されていることにより、焼成時の収縮によって縦壁２０ａに発生する引張内部応力が緩和されるので、縦壁２０ａが切断してしまうのが防止される。
【００９６】
さらに、この横壁２０ｂにおける連結部分２０ｂ１の幅ａと架橋部分２０ｂ２の幅ｂとの大きさの違いによって、それぞれの部分の厚さ方向における収縮に違いが生じ、図９に示されるように、横壁２０ｂの連結部分２０ｂ１の厚さが幅が大きい架橋部分２０ｂ２の厚さよりも小さくなって、連結部分２０ｂ１上に架橋部分２０ｂ２によって挟まれた溝２０ｂ３がそれぞれ形成される。
【００９７】
このとき、架橋部分２０ｂ２の前面側（図８および９の上方側）に、図１ないし６の例と同様の、例えば、０、１ｍｓｅｃ以上の残光特性を有する紫外域発光材料または可視域発光材料によるプライミング粒子生成層２０ｂ２’が形成されることによって、この架橋部分２０ｂ２の連結部分２０ｂ１の前面よりも前方側（図８および９の上方側）に突出する部分がプライミング粒子生成層２０ｂ２’によって構成される。
【００９８】
このプライミング粒子生成層２０ｂ２’には、後述する保護層１２を形成する誘電体（ＭｇＯ）と２次電子放出係数が同じかそれよりも高い２次電子放出係数を有する（仕事関数が低い）材料（高γ材料）、すなわち、仕事関数が４．２Ｖ以下の材料を含有させるようにしても良い。
【００９９】
この仕事関数が低く絶縁性を有する材料の例としては、第１の例において前述したようなものが挙げられる。  この隔壁２０の横壁２０ｂ上に形成される溝２０ｂ３およびプライミング粒子生成層２０ｂ２’によって、以下に述べるように、ＰＤＰの列方向に配列された放電セル間において放電を誘発させるプライミング効果が確保される。
【０１００】
すなわち、図１０ないし１２に示されるように、上記隔壁２０は、図１ないし６のＰＤＰと同様に、誘電体層１４上に、それぞれ行方向に延びる隙間ＳＬ’によって互いに所定の間隔を開けた状態で列方向に複数配列されており、この梯子状の各隔壁２０によって、前面ガラス基板１０と背面ガラス基板１３の間の放電空間Ｓが、各行電極対（Ｘ，Ｙ）において対となった透明電極ＸａとＹａに対向する部分毎に放電セルＣが区画されている。
【０１０１】
なお、この図１０ないし１２のＰＤＰの他の部分の構成は、図１ないし６のＰＤＰと同様であり、同一の符号が付されている。
【０１０２】
このＰＤＰは、図１１から分かるように、隔壁２０の横壁２０ｂは、その厚さの厚い架橋部分２０ｂ２の表示側の面（図１１において上側の面）が嵩上げ誘電体層１１Ａを被覆している保護層１２に当接されていて、放電セルＣと隙間ＳＬ’との間を塞いでいるが、連結部分２０ｂ１の厚さが架橋部分２０ｂ２よりも薄いことによって、図１２から分かるように、この連結部分２０ｂ１の表示側の面（図１２において上側の面）は嵩上げ誘電体層１１Ａを被覆している保護層１２には当接されておらず、この連結部分２０ｂ１の表示側の面上に形成された溝２０ｂ３を介して、放電セルＣが、それぞれ隣接する隙間ＳＬ’に連通されている。
【０１０３】
そして、この構成によって、列電極Ｄと行電極ＸまたはＹ間に、リセット操作時のリセット放電と、アドレス操作時の選択放電を発生させるための駆動パルス（リセット操作時に列電極Ｄと行電極ＸまたはＹに印加されるリセットパルス、および、アドレス操作時に行電極Ｘ，Ｙの一方に印加される走査パルス，列電極Ｄに印加される表示データパルス）が印加される際に、嵩上げ誘電体層１１Ａが形成されている部分では列電極Ｄと行電極Ｘ，Ｙ間の放電距離が短くなっていて放電が生じ易くなっていることにより、隙間ＳＬ’内において列電極Ｄと行電極Ｘ，Ｙとの間に放電が発生し、この隙間ＳＬ’内における放電によって生じたプライミング粒子（種火）が溝２０ｂ３を介して列方向に隣接している放電セルＣ内に拡散されることにより、隣接する放電セルＣ間において放電を誘発させるプライミング効果が発生される。
【０１０４】
さらに、リセット放電の際に、放電ガスに１０パーセント以上含まれるキセノンから放射される波長１４７ｎｍの真空紫外線が、架橋部分２０ｂ２に形成されたプライミング粒子生成層２０ｂ２’を励起して、このプライミング粒子生成層２０ｂ２’から紫外光または可視光を放射させ、そして、この紫外光または可視光が保護層（ＭｇＯ層）１２を励起して、２次電子〈プライミング粒子）を放出させる。
【０１０５】
また、このプライミング粒子生成層２０ｂ２’を形成する紫外域発光材料または可視域発光材料に誘電体（ＭｇＯ）よりも仕事関数が低い材料（仕事関数が４．２Ｖ以下の材料）が含有される場合、リセット放電の際に放電ガスに含まれるキセノンから放射される波長１４７ｎｍの真空紫外線が、溝２０ｂ３を介して隙間ＳＬ’内に導かれて、プライミング粒子生成層２０ｂ２’を励起することにより紫外光または可視光を放射させ、そして、この紫外光または可視光が、プライミング粒子生成層２０ｂ２’に含有されている高γ材料と保護層（ＭｇＯ層）１２を励起して、２次電子（プライミング粒子）を放出させる。
【０１０６】
以上のようにして、プライミング粒子生成層２０ｂ２’を形成する紫外域発光材料または可視域発光材料の残光特性によって、少なくとも０．１ｍｓｅｃ以上の間、紫外光または可視光が放射し続けられるため、一斉リセット期間Ｒｃの次に続くアドレス期間Ｗｃ（図２３参照）におけるプライミング粒子量が十分に確保される。
【０１０７】
図２１および２２は、この第２の例において、プライミング粒子生成層２０ｂ２’に、残光特性を有するＵＶ蛍光体（Ｂａ，Ｍｇ，Ｚｎ）3Ｓｉ2Ｏ7：Ｐｂ2+（発光波長：２９５ｎｍ）に仕事関数が低い材料（ＭｇＯ）が１０〜２０重量パーセント含まれた紫外域発光材料を含有させた場合のプライミング効果を示すグラフである。
【０１０８】
図２１は、一斉リセット放電から選択放電までの放電休止時間と放電遅れ時間の関係を、同じくプライミング粒子生成層２０ｂ２’を形成した場合と形成しなかった場合とで比較したデータを示している。
【０１０９】
この図２１において、グラフαは、プライミング粒子生成層２０ｂ２’が形成されている場合を示しており、グラフβは、プライミング粒子生成層２０ｂ２’が形成されていない場合を示している。
【０１１０】
ここで、先にも述べたように、アドレス期間にはライン順次でデータの読み込みを行うために、最初に走査パルスによる走査が行われる表示ラインＬと比較して最後に走査が行われる表示ラインＬは、一斉リセット放電からの時間が経過していて放電遅れ時間が発生するために、走査パルスのパルス幅が約２μｓｅｃ，走査ライン数が約４００本とすると、アドレス期間において全表示ラインを走査してデータの読み込みを行うのに約１ｍｓｅｃの時間が必要となる。
【０１１１】
これは、一斉リセット放電からの時間の経過とともにプライミンク粒子の量が減少してゆき、放電し難くなるために、放電確率が悪化するとともに、走査パルスおよびデータパルスの印加から放電が生じるまでの放電遅れ時間が増大するためである。
【０１１２】
図２１において、このようなプライミンク粒子量の減少にともなう放電確率の悪化と放電遅れ時間の増大が、プライミング粒子生成層２０ｂ２’が設けられている場合のグラフαを、プライミング粒子生成層２０ｂ２’が設けられていない場合のグラフβと比較すると、格段に改善されていることが分かる。
【０１１３】
図２２は、走査パルスの幅とその電圧値（スキャン電圧）を、プライミング粒子生成層２０ｂ２’を形成した場合と形成しなかった場合とで比較したデータを示している。
【０１１４】
この図２２において、グラフα１は、プライミング粒子生成層２０ｂ２’が形成されている場合の放電開始電圧（直前に放電がなくプライミング粒子が生成されていないときの電圧）Ｖｆを示しており、グラフα２は、放電維持最小電圧（直前に放電がありプライミング粒子が生成されているときの電圧）Ｖｓｍを示している。
【０１１５】
また、グラフβ１は、プライミング粒子生成層２０ｂ２’が形成されていない場合の放電開始電圧Ｖｆを示しており、グラフβ２は、放電維持最小電圧Ｖｓｍを示している。
【０１１６】
この図２２から、プライミング粒子生成層２０ｂ２’が設けられることによって、走査パルスの幅を小さくしても、プライミング粒子生成層２０ｂ２’を設けない場合において走査パルスの幅を大きくしたのとほぼ同じアドレスマージン（放電開始電圧Ｖｆと放電維持最小電圧Ｖｓｍとの差）ΔＶが得られることが分かる。
【０１１７】
なお、このアドレスマージンが大きいほど、誤放電がなくなって高速アドレス化が可能になり、また、表示品質が向上する。
【０１１８】
なお、上記においては、放電ガスとして、キセノンガスを１０パーセント以上含む混合希ガスが用いられ、このキセノンガスの分圧を高められることによって、キセノンから放射される真空紫外線量が増加して発光効率が増大するが、キセノンガスの分圧が高くなるに従って放電電圧が高くなり、放電遅れ時間も長くなるため、紫外域発光材料を含有したプライミング粒子生成層２０ｂ２’が設けられることにより、キセノンガスを１０パーセント以上含む放電ガスを用いるのにともなって放電遅れ時間が長くなるのが抑制される。
【０１１９】
この第２の例では、非表示ラインであるバス電極ＸｂとＹｂに挟まれた領域に黒色または暗褐色の遮光層１７Ａが設けられており、さらに、バス電極ＸｂとＹｂの表示面側がそれぞれ黒色導電層Ｘｂ’，Ｙｂ’によって構成されていることによって、外光の反射が防止されるので、コントラストの向上が図られるとともに、隙間ＳＬ’内において列電極Ｄと行電極Ｘ，Ｙ間にプライミングのための放電が発生しても、その光が画像のコントラストに悪影響を与える虞はない。
【０１２０】
なお、上記ＰＤＰにおいては、図１２から分かるように、縦壁２０ａが誘電体層１１の嵩上げ誘電体層１１Ａが形成されていない部分に対向されていて保護層１２とは当接されていないために、その間に形成される隙間ｒによって行方向において隣接する放電セルＣ間が互いに連通されているので、この隙間ｒを介してプライミング粒子が行方向に拡散することによって、行方向におけるプライミング効果が確保される。
【０１２１】
また、この第２の例では、架橋部分（縦壁よりも高くなっている横壁の部分）２０ｂ２の前面側にプライミング粒子生成層が配置されている例が示されているが、架橋部分２０ｂ２によって挟まれた溝２０ｂ３内にプライミング粒子生成層が配置されるようにしても良い。
【０１２２】
図１３および１４は、上記ＰＤＰの隔壁構造の他の例を示す正面図である。
【０１２３】
この図１３において、隔壁３０は、そのＰＤＰの各行毎に放電セルを区画する各壁部分３０Ａが、縦壁３０Ａａと水平方向に掛け渡された一対の横壁３０Ａｂとによって上記例の隔壁２０と同様にそれぞれ梯子状に成形されており、この壁部分３０Ａが、所要の幅の隙間ＳＬ１を挟んで列方向に平行に配列されることによって構成されている。
【０１２４】
そして、この隔壁３０は、列方向において隣接する壁部分３０Ａが、その縦壁３０Ａａの上端部または下端部間に位置する部分が互いに連結されることにより一体的に成形されており、これによって、この架橋部分３０Ａｂ２の幅ｂ’が、壁部分３０Ａの横壁３０Ａｂの連結部分３０Ａｂ１（縦壁３０Ａａの上端部または下端部に対向する部分）の縦壁３０Ａａと同じになるように設定された幅ａよりも大きくなっている。
【０１２５】
したがって、この隔壁３０は、前記例の隔壁２０と同様に、各壁部分３０Ａの架橋部分３０Ａｂ２によって、横壁３０Ａｂが縦壁３０Ａａの焼成の際の収縮によって生じる引張力に対して耐久性を備えるので、横壁３０Ａｂが縦壁３０Ａａの焼成時の収縮による引張力によって引っ張られて変形するのが防止され、また、横壁３０Ａｂの連結部分３０Ａｂ１の幅ａが縦壁３０Ａａの幅と同じ大きさになるように成形されていることによって、焼成時の収縮によって縦壁３０Ａａに発生する引張内部応力が緩和されて、これにより縦壁３０Ａａが切断してしまうのが防止される。
【０１２６】
さらに、この横壁３０Ａｂにおける連結部分３０Ａｂ１の幅ａと架橋部分３０Ａｂ２の幅ｂ’との大きさの違いによって、それぞれの部分の厚さ方向における収縮に違いが生じ、横壁３０Ａｂの連結部分３０Ａｂ１の厚さが、幅が大きい架橋部分３０ｂ２の厚さよりも小さくなって、図１４に示されるように、連結部分３０Ａｂ１上に架橋部分３０Ａｂ２によって挟まれた溝３０Ａｂ３がそれぞれ形成されるので、前記例の隔壁２０の場合と同様にこの隔壁３０がＰＤＰを構成した際に、隙間ＳＬ１内における放電によって生じたプライミング粒子（種火）が溝３０Ａｂ３を介して列方向に隣接している放電セルＣ内に拡散されることによって、隣接する放電セルＣ間において放電を誘発させるプライミング効果が発生される。
【０１２７】
そして、この隔壁３０も、前記例の隔壁２０と同様に、架橋部分３０Ａｂ２の連結部分３０Ａｂ１よりも前方側（図１４の上方側）に突出している部分が、紫外域発光材料または可視域発光材料によるプライミング粒子生成層３０Ａｂ２によって構成されていることによって、リセット放電の際に放電ガスに含まれるキセノンから放射される波長１４７ｎｍの真空紫外線が、プライミング粒子生成層３０Ａｂ２’を励起することにより紫外光または可視光を放射させ、そして、この紫外光または可視光が保護層（ＭｇＯ層）を励起し、また、プライミング粒子生成層３０Ａｂ２’に高γ材料が含有されている場合にはこの高γ材料も励起して、プライミング粒子を放出させる。
【０１２８】
以上のようにして、プライミング粒子生成層３０Ａｂ２’を形成する紫外域発光材料または可視域発光材料の残光特性によって、少なくとも０．１ｍｓｅｃ以上の間、紫外光または可視光が放射し続けられるため、一斉リセット期間Ｒｃの次に続くアドレス期間Ｗｃ（図２３参照）におけるプライミング粒子量が十分に確保される。
【０１２９】
次に、この発明の実施形態における第３の例を、図１５ないし１７に基づいて説明する。
【０１３０】
図１５はこの第３の例におけるＰＤＰを模式的に表す平面図であり、図１６は図１５のＶ３−Ｖ３線における断面図、図１７は図１５のＷ４−Ｗ４線における断面図である。
【０１３１】
この図１５ないし１７に示されるＰＤＰは、上記第１の例の隔壁が縦壁と横壁とによって放電セルの四方を囲んで区画する構成になっていたのに対し、前面ガラス基板４０と背面ガラス基板４３との間の放電空間Ｓ’が、列方向に延びるストライプ状の隔壁４５によって区画されるものである。
【０１３２】
そして、列方向において隣接する行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の背中合せに位置する行電極Ｘ１とＹ１に対向する誘電体層４１の背面側に、嵩上げ誘電体層４１Ａが形成されている。
【０１３３】
行電極Ｘ１，Ｙ１のバス電極Ｘ１ｂ，Ｙ１ｂは、それぞれ、表示面側の黒色導電層と背面側の主導電層の二層構造に形成されているとともに、前面ガラス基板４０の背面に、列方向において隣接する行電極対（Ｘ１，Ｙ１）のそれぞれの互いに背中合わせになったバス電極Ｘ１ｂとＹ１ｂの間に、このバス電極Ｘ１ｂ，Ｙ１ｂに沿って行方向に延びる黒色の光吸収層（遮光層）４７が形成されている。
【０１３４】
さらに、嵩上げ誘電体層４１Ａを被覆する保護層４２の背面側に、前記各例と同様の紫外域発光材料または可視域発光材料によるプライミング粒子生成層４８が形成されている。
【０１３５】
これによって、画像形成時のリセット放電の際に、放電ガス中のキセノンから放射される真空紫外線によって、保護層４２の背面側に形成された紫外域発光層４８が励起されて、紫外光または可視光を放射する。
【０１３６】
そして、この紫外光または可視光が保護層４２を励起して、１サブフィールドにおけるアドレス期間の間、プライミング粒子を発光セルの放電空間内に再生成し続けることによって、各発光セルにおけるプライミング粒子量の減少が抑制され、これによって、次のアドレス期間における放電遅れ時間が増大するのが抑制され、さらに、放電遅れ時間にばらつきが生じるのも抑制される。
【０１３７】
なお、この例におけるＰＤＰは、列方向においては、各放電セルを区画する隔壁が存在しないが、行電極Ｘ１，Ｙ１のそれぞれの透明電極Ｘ１ａ，Ｙ１ａがバス電極Ｘ１ｂ，Ｙ１ｂから列方向に突出して互いに対向するように形成されているので、列方向において隣接する放電セルＣ間における放電の干渉が抑制される。
【０１３８】
次に、この発明の実施形態における第４の例を、図１８ないし２０に基づいて説明する。
【０１３９】
図１８はこの第４の例におけるＰＤＰを模式的に表す平面図であり、図１９は図１８のＶ６−Ｖ６線における断面図、図２０は図１８のＷ５−Ｗ５線における断面図である。
【０１４０】
この図１８ないし２０に示されるＰＤＰは、上記第３の例のプライミング粒子生成層４８が保護層４２上の嵩上げ誘電体層４１Ａに対向する部分に形成されていたのに対し、プライミング粒子生成層５８が、前面ガラス基板４０と背面ガラス基板４３との間の放電空間Ｓ’を区画する列方向に延びるストライプ状の隔壁４５の前面側に形成されているものである。
【０１４１】
他の部分の構成は、上記第３の例のＰＤＰと同様であり、同様の符号が付されている。
【０１４２】
この例のＰＤＰも、画像形成時のリセット放電の際に、放電ガス中のキセノンから放射される真空紫外線によって、隔壁４５上に形成されたプライミング粒子生成層５８が励起されて、紫外線を放射する。
【０１４３】
そして、この紫外線が、１サブフィールドにおけるアドレス期間の間、プライミング粒子を発光セルの放電空間内に再生成し続けることによって、各発光セルにおけるプライミング粒子量の減少が抑制され、これによって、次のアドレス期間における放電遅れ時間が増大するのが抑制され、さらに、放電遅れ時間にばらつきが生じるのも抑制される。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の例を模式的に表す平面図である。
【図２】図１のＶ１−Ｖ１線における断面図である。
【図３】図１のＶ２−Ｖ２線における断面図である。
【図４】図１のＷ１−Ｗ１線における断面図である。
【図５】図１のＷ２−Ｗ２線における断面図である。
【図６】図１のＷ３−Ｗ３線における断面図である。
【図７】この発明の第２の例における隔壁を示す平面図である。
【図８】図７の横断面図である。
【図９】図７の縦断面図である。
【図１０】同例を模式的に表す平面図である。
【図１１】図１０のＶ３−Ｖ３線における断面図である。
【図１２】図１０のＶ４−Ｖ４線における断面図である。
【図１３】同例における隔壁構造の他の例を示す正面図である。
【図１４】図１３のIIX−IIX線における断面図である。
【図１５】この発明の第３の例を模式的に表す平面図である。
【図１６】図１５のＶ５−Ｖ５線における断面図である。
【図１７】図１５のＷ４−Ｗ４線における断面図である。
【図１８】この発明の第４の例を模式的に表す平面図である。
【図１９】図１８のＶ６−Ｖ６線における断面図である。
【図２０】図１８のＷ５−Ｗ５線における断面図である。
【図２１】一斉リセット放電から選択放電までの放電休止時間と放電遅れ時間の関係を示すグラフである。
【図２２】走査パルス幅とスキャン電圧の関係を示すグラフである。
【図２３】プラズマディスプレイパネルにおけるサブフィールド法を示すタイムチャートである。
【符号の説明】
１０，４０          …前面ガラス基板（前面基板）
１１，４１          …誘電体層
１１Ａ，４１Ａ      …嵩上げ誘電体層（嵩上げ部）
１１Ａａ            …溝（連通部）
１２，４２          …保護層（保護誘電体層）
１３，４３          …背面ガラス基板（背面基板）
１４                …誘電体層
１６，４６          …蛍光体層
１７Ａ，１７Ｂ      …光吸収層
１８，２０          …隔壁
１８ａ，２０ａ      …縦壁（縦壁部）
１８ｂ，２０ｂ      …横壁（横壁部）
１９                …プライミング粒子生成層
２０ｂ１            …連結部分
２０ｂ２            …架橋部分
２０ｂ３            …溝
２０ｂ２’          …プライミング粒子生成層
３０                …隔壁
３０Ａａ            …縦壁（縦壁部）
３０Ａｂ            …横壁（横壁部）
３０Ａｂ１          …連結部分
３０Ａｂ２          …架橋部分
３０Ａｂ３          …溝
３０Ａｂ２’        …プライミング粒子生成層
４０                …前面ガラス基板（前面基板）
４１                …誘電体層
４１Ａ              …嵩上げ誘電体層（嵩上げ部）
４２                …保護層（保護誘電体層）
４３                …背面ガラス基板（背面基板）
４５                …隔壁
４６                …蛍光体層
４７                …光吸収層
４８                …プライミング粒子生成層
５８                …プライミング粒子生成層
Ｘ，Ｘ１            …行電極
Ｙ，Ｙ１            …行電極
Ｘａ，Ｘ１ａ        …透明電極
Ｙａ，Ｙ１ａ        …透明電極
Ｘｂ                …バス電極
Ｙｂ                …バス電極
Ｘｂ’，Ｙｂ’       …黒色層
Ｘｂ”，Ｙｂ”       …白色層
Ｄ，Ｄ’            …列電極
Ｓ，Ｓ’            …放電空間
ＳＬ，ＳＬ’，ＳＬ１…隙間
Ｃ，Ｃ’            …放電セル（単位発光領域）
Ｌ                  …表示ライン
ｇ                  …ギャップ
ｒ                  …隙間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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