(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板の一部に形成されたダイアフラムに振動子が設けられこのダイアフラムに生じる歪に対応して変化する振動子の固有周波数を検出し前記ダイアフラムに加わった圧力を検出する振動式センサにおいて、
両端が絶縁層で固定され梁がねじり振動で自励振動する前記振動子と、
前記振動子の検出端子の反対側の絶縁層に設けられ交流の駆動電流が駆動端子を介して印加される駆動コイルとを備え、
前記振動子中に形成した電気配線のパターンが１以上のターンを有する渦巻形状であって、
前記駆動コイルに直交する磁界と前記駆動電流により前記駆動コイルに生じるローレンツ力により前記振動子の梁がねじり振動で励振されると共に前記検出端子で前記振動子に発生する交流電圧を検出して駆動側に正帰還させることにより自励振動させることを特徴とする振動式圧力センサ。
【請求項２】
前記振動子中に形成した電気配線のパターンが、
長方形状の渦巻であることを特徴とする
請求項１記載の振動式圧力センサ。
【請求項３】
前記振動子中に形成した電気配線のパターンが、
正方形状の渦巻であることを特徴とする
請求項１記載の振動式圧力センサ。
【請求項４】
前記振動子中に形成した電気配線のパターンが、
楕円形状の渦巻であることを特徴とする
請求項１記載の振動式圧力センサ。
【請求項５】
前記振動子中に形成した電気配線のパターンが、
円形状の渦巻であることを特徴とする
請求項１記載の振動式圧力センサ。
【請求項６】
前記振動子と前記駆動コイルとを絶縁したことを特徴とする
請求項１記載の振動式圧力センサ。
【請求項７】
前記振動子と前記駆動コイルとをＰＮ接合により絶縁したことを特徴とする
請求項６記載の振動式圧力センサ。
【請求項８】
前記振動子と前記振動子を保護するシェルとの間を絶縁したことを特徴とする
請求項１記載の振動式圧力センサ。
【請求項９】
前記振動子のリード部分と前記シェルとの間に酸化膜を形成したことを特徴とする
請求項８記載の振動式圧力センサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、振動式圧力センサに関し、特にＳ／Ｎ比の改善が可能な振動式圧力センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の振動式圧力センサはシリコン基板の一部に形成された圧力を受けるダイアフラム等の板の表面等に振動子を形成して正帰還により自励振動させておき、前記板に圧力が加わり振動子の長手方向の張力に変化が生じると、振動子の固有振動数が変化する。
【０００３】
そして、このような振動子の固有振動数の変化を検出することにより前記板に加わった圧力を検出するものである。
【０００４】
図１７はこのような従来の振動式圧力センサの一例を示す一部断面部を有する斜視図である。図１７において１はシリコン基板の一部に形成された圧力が加わる板であるダイアフラム、２はダイアフラム１の表面上に形成された振動子、３は振動子２を保護するシェル、４は駆動端子、５は検出端子、１００は印加される磁界、１０１はダイアフラム１に加わる圧力である。
【０００５】
ここで、図１７に示す従来例の動作を図１８を用いて説明する。図１８は振動子の駆動原理を説明する説明図である。図１８において２，４，５及び１００は図１７と同一符号を付してあり、６及び９はシェル３の抵抗成分であるシェル抵抗、７及び８は振動子の抵抗成分である振動子抵抗である。また、振動子２は”Ｈ字型”の形状をしている。
【０００６】
振動子２には磁界１００が直交するように印加され駆動端子４に図１８中”ｉ０  ”に示すような交流の駆動電流を印加、言い換えれば、”Ｈ字型”の振動子２の片方の梁に駆動電流が印加される。
【０００７】
このような状況下では、梁にはローレンツ力が発生し振動子２は紙面垂直方向に振動を開始する。
【０００８】
一方、”Ｈ字型”の振動子の他方の梁は上記振動により印加された磁界１００を横切ることになるので起電力である交流電圧が発生する。そして、この交流電圧を検出端子５で検出して駆動側に正帰還させることにより、振動子２はその固有振動数で自励振動する。
【０００９】
この結果、振動子２に磁界１００を印加すると共に駆動端子４に駆動電流を印加して振動子２を自励振動させ、この振動数を検出端子５で検出することにより、ダイアフラム１に加わった圧力を検出することが可能になる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、図１７に示すような従来例では振動子２の形状や印加する磁界１００の磁束密度の強度の制限が存在して検出端子５で検出される電圧の値が小さくなってしまうと言った問題点があった。
【００１１】
また、振動子２とシェル３とが電気的に絶縁されていないために、駆動電流”ｉ０  ”の一部がシェル３に流れてしまい梁に発生するローレンツ力が小さくなってしまうと言った問題点があった。
【００１２】
例えば、シェル５側のシェル抵抗６に”ｉ０−ｉ１”の電流が漏れた場合には、振動子２の梁には”Ｉ１  ”しか駆動電流が流れないことになり、梁に発生する電磁力が小さくなり振動の振幅も小さくなる。
【００１３】
また、振動子２の駆動側と検出側が電気的に絶縁されていないため駆動電流”ｉ０  ”が検出側に漏れてしまいクロストークレベルを増加させてしまうと言った問題点があった。
【００１４】
すなわち、上述のような問題点はＳ／Ｎ比低下の要因となっていた。
従って本発明が解決しようとする課題は、Ｓ／Ｎ比の改善が可能な振動式圧力センサを実現することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
このような課題を達成するために、本発明のうち請求項１記載の発明は、
シリコン基板の一部に形成されたダイアフラムに振動子が設けられこのダイアフラムに生じる歪に対応して変化する振動子の固有周波数を検出し前記ダイアフラムに加わった圧力を検出する振動式センサにおいて、両端が絶縁層で固定され梁がねじり振動で自励振動する前記振動子と、前記振動子の検出端子の反対側の絶縁層に設けられ交流の駆動電流が駆動端子を介して印加される駆動コイルとを備え、前記振動子中に形成した電気配線のパターンが１以上のターンを有する渦巻形状であって、前記駆動コイルに直交する磁界と前記駆動電流により前記駆動コイルに生じるローレンツ力により前記振動子の梁がねじり振動で励振されると共に前記検出端子で前記振動子に発生する交流電圧を検出して駆動側に正帰還させることにより自励振動させることにより、検出端子で検出される起電力が２ｎ倍になりＳ／Ｎ比が改善される。
【００１６】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明である振動式圧力センサにおいて、前記振動子中に形成した電気配線のパターンが、長方形状の渦巻であることにより、検出端子で検出される起電力が大きくなりＳ／Ｎ比が改善される。
【００１７】
請求項３記載の発明は、請求項１記載の発明である振動式圧力センサにおいて、前記振動子中に形成した電気配線のパターンが、正方形状の渦巻であることにより、検出端子で検出される起電力が大きくなりＳ／Ｎ比が改善される。
【００１８】
請求項４記載の発明は、請求項１記載の発明である振動式圧力センサにおいて、前記振動子中に形成した電気配線のパターンが、楕円形状の渦巻であることにより、検出端子で検出される起電力が大きくなりＳ／Ｎ比が改善される。
【００１９】
請求項５記載の発明は、請求項１記載の発明である振動式圧力センサにおいて、前記振動子中に形成した電気配線のパターンが、円形状の渦巻であることにより、検出端子で検出される起電力が大きくなりＳ／Ｎ比が改善される。
【００２０】
請求項６記載の発明は、請求項１記載の発明である振動式圧力センサにおいて、前記振動子と前記駆動コイルとを絶縁したことにより、クロストークレベルを減少させることが可能になる。
【００２１】
請求項７記載の発明は、請求項６記載の発明である振動式圧力センサにおいて、前記振動子と前記駆動コイルとをＰＮ接合により絶縁したことにより、クロストークレベルを減少させることが可能になる。
【００２２】
請求項８記載の発明は、請求項１記載の発明である振動式圧力センサにおいて、前記振動子と前記振動子を保護するシェルとの間を絶縁したことにより、シェルへの漏れ電流を減少させることが可能になる。
【００２３】
請求項９記載の発明は、請求項８記載の発明である振動式圧力センサにおいて、前記振動子のリード部分と前記シェルとの間に酸化膜を形成したことにより、シェルへの漏れ電流を減少させることが可能になる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下本発明を図面を用いて詳細に説明する。図１は本発明に係る振動式圧力センサの振動子部分の一実施例を示す構成断面図である。図１において１０はねじり振動で振動する”コの字型”の配線パターンを持つ振動子、１１は”コの字型”の駆動コイル、１２は検出端子、１３は駆動端子，１４及び１５は絶縁層、１００ａは振動子１０に直交するように印加される磁界である。
【００２６】
振動子１０の検出端子１２部分は絶縁層１４により固定され、振動子１０の他方の部分は絶縁層１５により固定される。また、絶縁層１５内部には駆動コイル１１が形成され、駆動コイル１１の駆動端子１３には駆動電流が印加される。
【００２７】
ここで、図１に示す振動式圧力センサの動作を図２、図３及び図４を用いて説明する。図２は駆動電流と検出電圧の関係を説明する説明図、図３は振動子１０の振動の様子を説明する斜視図、図４は振動子１０に発生する起電力の状態を説明する説明図である。
【００２８】
図１に示すように振動子１０に磁界１００ａが印加され、図２に示すように駆動端子１３に交流の駆動電流”ｉ０  ”を印加、言い換えれば、”コの字型”の駆動コイル１１に駆動電流が印加される。このような状況下では、図１中”Ｃ”に示す部分でローレンツ力によるねじり振動が発生する。
【００２９】
すなわち、図２中”ＤＩ０１”に示す方向に流れる駆動電流により紙面前面方向に生じるローレンツ力に起因して、図２中配線パターン”ＶＢ０１”を含む振動子の梁は紙面前面側に移動し、図２中”ＤＩ０２”に示す方向に流れる駆動電流により紙面裏面方向に生じるローレンツ力に起因して、図２中配線パターン”ＶＢ０１”’を含む振動子の梁は紙面裏面側に移動する。
【００３０】
このため、図１中”Ａ”及び”Ｂ”に示す固定端に対して図３中”ＢＭ１１”及び”ＢＭ１２”に示すように２本の梁は互いに逆向きのたわみを生じる。そして、駆動電流は交流電流であるので図３中”ＢＭ１３”及び”ＢＭ１４”は互いに逆の方向にたわみながら振動することになる。
【００３１】
そして、図３に示すように振動する振動子１０の２本の梁はその振動により印加された磁界１００ａを横切ることになるので起電力である交流電圧が発生する。但し、２本の梁の振動方向は互いに逆方向であるため、極性が異なり大きさの等しい起電力が個々の梁で発生することになる。
【００３２】
例えば、図４に示すように紙面上側の梁では、固定端Ａから固定端Ｂに向かって電圧”Ｅ”の起電力”ｅＡＢ”が発生し、紙面下側の梁では、固定端Ｂから固定端Ａに向かって電圧”Ｅ”の起電力”ｅＢＡ”が発生する。
【００３３】
従って、検出端子１２で検出される検出電圧”ｅｏｕｔｐｐ ”は、
ｅｏｕｔｐｐ＝ｅＡＢ＋ｅＢＡ＝２Ｅ      （１）
となり、従来例よりも２倍の起電力を得ることができる。
【００３４】
この結果、”コの字型”電気配線パターンの振動子１０をねじり振動させることより、極性が異なる大きさの等しい起電力が２本の梁でそれぞれ発生することになり、２本の梁で発生した起電力が加算された形で検出されるので起電力が２倍になりＳ／Ｎ比が改善される。
【００３５】
但し、図１の説明では振動子１０の電気配線パターンを”コの字型配線”としているが、”コの字型配線”の振動子１０は１ターンの長方形状の渦巻に相当するものと言うことができる。
【００３６】
また、図５は２ターンの配線パターンを持つ振動子を用いた本発明に係る振動式圧力センサの振動子部分の他の実施例を示す構成断面図である。図５において１１，１３，１４，１５及び１００ａは図１と同一符号を付してあり，１０ａは２ターンの長方形状の渦巻の電気配線パターンを持つ振動子、１２ａは検出端子である。
【００３７】
振動子１０ａの検出端子１２ａ側の部分は絶縁層１４により固定され、振動子１０ａの他方の側の部分は絶縁層１５により固定される。また、絶縁層１５内部には駆動コイル１１が形成され、駆動コイル１１の駆動端子１３には駆動電流が印加される。
【００３８】
ここで、図５に示す振動式圧力センサの動作を図６を用いて説明する。図６は駆動電流と検出電圧の関係を説明する説明図である。
【００３９】
図５に示すように振動子１０ａに磁界１００ａが印加され、図６に示すように駆動端子１３に交流の駆動電流”ｉ０  ”を印加、言い換えれば、”コの字型”の駆動コイル１１に駆動電流が印加される。このような状況下では、図５中”Ｃ’”に示す部分でローレンツ力によるねじり振動が発生する。
【００４０】
すなわち、図６中”ＤＩ２１”に示す方向に流れる駆動電流により紙面前面方向に生じるローレンツ力に起因して、図６中配線パターン”ＶＢ２１”及び”ＶＢ２２”を含む振動子の梁は紙面前面側に移動し、図６中”ＤＩ２２”に示す方向に流れる駆動電流により紙面裏面方向に生じるローレンツ力に起因して、図６中配線パターン”ＶＢ２３”及び”ＶＢ２４”を含む振動子の梁は紙面裏面側に移動する。
【００４１】
このため、図１に示す実施例と同様に固定端に対して２本の梁は互いに逆向きのたわみを生じる。そして、駆動電流は交流電流であるので２本の梁は互いに逆の方向にたわみながら振動することになる。
【００４２】
そして、このように振動する振動子１０ａの２本の梁はその振動により印加された磁界１００ａを横切ることになるので起電力である交流電圧が発生する。但し、２本の梁の動方向は互いに逆方向であるため、極性が異なり大きさの等しい起電力が個々の梁の対で発生し起電力がそれぞれ加算された形で検出端子１２ａに現れることになる。
【００４３】
例えば、図６中の配線パターン”ＶＢ２１”及び”ＶＢ２２”を含む振動子の部分では紙面右向きの起電力が発生し、図６中の配線パターン”ＶＢ２３”及び”ＶＢ２４”を含む振動子の部分では紙面左向きの起電力が発生するので、検出端子１２ａには時計回りに４個所で起電力が生じることになり、結果的に４倍の起電力を得ることができる。
【００４４】
この結果、２ターン長方形状の渦巻の配線パターンを持つ振動子１０ａをねじり振動させることより、極性が異なる大きさの等しい起電力が２本の梁の対でそれぞれ発生することになり、４本の梁で発生した起電力がそれぞれ加算された形で検出されるので起電力が４倍になりＳ／Ｎ比が改善される。
【００４５】
また、図７は３ターンの振動子を用いた本発明に係る振動式圧力センサの振動子部分の他の実施例を示す構成断面図である。図７において１１，１３，１４，１５及び１００ａは図１と同一符号を付してあり，１０ｂは３ターンの長方形状の渦巻配線を持つの振動子、１２ｂは検出端子である。
【００４６】
振動子１０ｂの検出端子１２ｂ側の部分は絶縁層１４により固定され、振動子１０ｂの他方の側の部分は絶縁層１５により固定される。また、絶縁層１５内部には駆動コイル１１が形成され、駆動コイル１１の駆動端子１３には駆動電流が印加される。
【００４７】
ここで、図７に示す振動式圧力センサの動作を図８を用いて説明する。図８は駆動電流と検出電圧の関係を説明する説明図である。
【００４８】
図７に示すように振動子１０ａに磁界１００ａが印加され、図８に示すように駆動端子１３に交流の駆動電流”ｉ０  ”を印加、言い換えれば、”コの字型”の駆動コイル１１に駆動電流が印加される。このような状況下では、図７中”Ｃ’’”に示す部分でローレンツ力によるねじり振動が発生する。
【００４９】
すなわち、図８中”ＤＩ３１”に示す方向に流れる駆動電流により紙面前面方向に生じるローレンツ力に起因して、図８中配線パターン”ＶＢ３１”、”ＶＢ３２”及び”ＶＢ３３”を含む振動子の梁は紙面前面側に移動し、図８中”ＤＩ３２”に示す方向に流れる駆動電流により紙面裏面方向に生じるローレンツ力に起因して、図８中配線パターン”ＶＢ３４”、”ＶＢ３５”及び”ＶＢ３６”を含む振動子の梁は紙面裏面側に移動する。
【００５０】
このため、図１に示す実施例と同様に固定端に対して３本づつの配線パターンを含む２本の梁は互いに逆向きのたわみを生じる。そして、駆動電流は交流電流であるので２本の梁は互いに逆の方向にたわみながら振動することになる。
【００５１】
そして、このように振動する振動子１０ｂの６本の配線パターンはその振動により印加された磁界１００ａを横切ることになるので起電力である交流電圧が発生する。但し、２本の梁の動方向は互いに逆方向であるため、極性が異なり大きさの等しい起電力が個々の配線パターンで発生し起電力がそれぞれ加算された形で検出端子１２ｂに現れることになる。
【００５２】
例えば、図８中の配線パターン”ＶＢ３１、”ＶＢ３２””及び”ＶＢ３３”を含む振動子の部分では紙面右向きの起電力が発生し、図８中の配線パターン”ＶＢ３４”、”ＶＢ３５”及び”ＶＢ３６”を含む振動子の部分では紙面左向きの起電力が発生するので、検出端子１２ｂには時計回りに６個所で起電力が生じることになり、結果的に６倍の起電力を得ることができる。
【００５３】
この結果、３ターン長方形状の渦巻の振動子１０ｂをねじり振動させることより、極性が異なる大きさの等しい起電力が３本の配線パターンの対でそれぞれ発生することになり、６本の配線パターンで発生した起電力がそれぞれ加算された形で検出されるので起電力が６倍になりＳ／Ｎ比が改善される。
【００５４】
ここで、更に、振動子の製造方法の一例として、ＳＯＩ（Silicon on Insulator）ウェハーを用いた場合について図９、図１０、図１１、図１２、図１３、図１４、図１５及び図１６を用いて説明する。図９は製造された振動子の切断面部分を示す平面図、図１０〜図１６は各製造工程における切断面の状態を示す断面図である。
【００５５】
図９において１０〜１３は図１と同一符号を付してあり、図９中”Ｄ−Ｅ”部分の断面図を用いて説明する。図１０に示すようにＳＯＩ基板（Silicon on Insulator）を用いる。すなわち、図１０中”ＬＹ４１”に示すＳｉ層上に図１０中”ＬＹ４２”に示すＳｉＯ２ 層が形成され、さらに、図１０中”ＬＹ４３”に示すＳＯＩ層が形成されている。
【００５６】
第１の工程において、振動子部等を構成する部分にイオン注入によりホウ素（ｐ型の振動子を形成）、若しくは、リン（ｎ型の振動子を形成）を注入する。例えば、図１１に示すように図１１中”ＬＹ４３”に示すＳＯＩ層に図１１中”ＢＭ５１”及び”ＢＭ５２”に示すようにホウ素若しくはリンをイオン注入する。
【００５７】
第２の工程において、ＳＯＩ層をドライエッチングにより除去する。例えば、図１２に示すように、図１１中”ＬＹ４３”であるＳＯＩ層をドライエッチングにより除去する。
【００５８】
第３の工程において、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長）を用いてＳｉＯ２層を形成する。例えば、図１３に示すように図１２中”ＬＹ４２”に示す既存のＳｉＯ２層の上にＳｉＯ２層をさらに形成して図１３中”ＬＹ６１”に示すようなＳｉＯ２層を形成する。
【００５９】
第４の工程において、ＣＶＤを用いてＳｉＯ２層上にポリシリコン層を形成する。例えば、図１４中”ＬＹ６１”に示すＳｉＯ２層の上に図１４中”ＬＹ７１”に示すようなポリシリコン層を形成する。
【００６０】
第５の工程において、ポリシリコン層にＳｉＯ２層エッチング用の通路をドライエッチングにより形成する。その後、ＳｉＯ２層をウェットエッチングで除去する。例えば、図１５中”ＨＬ７１”及び”ＨＬ７２”に示すようなＳｉＯ２層エッチング用の通路を形成し、図１４中”ＬＹ６１”に示すＳｉＯ２層を除去する。
【００６１】
最後に、第６の工程において、ポリシリコンで封止する。その後、電極の加工やダイアフラムの加工を行う。例えば、図１６中”ＬＹ８１”に示すようにポリシリコンにより振動子である図１６中”ＢＭ５１”及び”ＢＭ５２”を封止する。
【００６２】
なお、図１、図５及び図７に示す各実施例では”１ターン”、”２ターン”及び”３ターン”の渦巻の配線パターンを持つ振動子を例示しているが、”ｎターン”であれば”２ｎ倍”の起電力を得ることができＳ／Ｎ比が改善される。
【００６３】
また、図１、図５及び図７に示す各実施例では振動子の配線パターンは長方形状の渦巻をしているが、特に限定されるものではなく、渦巻形状であれば正方形状、楕円形状、円形状であっても構わない。
【００６４】
また、図３中”ＢＭ１３”及び”ＢＭ１４”に示す２つの梁は互いに対象振動をしているので、一方の梁の振動により固定端Ａ及び固定端Ｂに発生するモーメントと他方の梁により固定端Ａ及び固定端Ｂに発生するモーメントは互いに相殺しあうため振動エネルギーが振動子外部に漏れないのでＱ値が高くなる。
【００６５】
また、図１等において絶縁層を”ｎ型（若しくはｐ型）”で形成し、振動子１０及び駆動コイル１１を”ｐ型（若しくはｎ型）”で形成することにより、振動子１０と駆動コイル１１はＰＮ接合で電気的に絶縁されることになり、従来例で問題となっていたクロストークレベルを減少させることが可能になる。
【００６６】
振動子１０のリード部分とシェル（図示せず。）との間の酸化膜を除去せずに残しておき振動子とシェルとの電気的な絶縁を図ることにより、従来例で問題となっていたシェルへの漏れ電流を減少させることが可能になる。
【００６７】
また、図９〜図１６に示す製造方法の説明に際しては基板としてＳＯＩ基板用いているが、一般的なＳｉウェハー基板でも、ＳＩＭＯＸ（Separation by IMplanted OXygen)基板であっても製造できる。また、振動子は単結晶でもpoly-siでも製造できる。
【００６８】
以上説明したことから明らかなように、本発明によれば次のような効果がある。請求項１乃至請求項５の発明によれば、振動子をねじり振動させることより、極性が異なる大きさの等しい起電力が２ｎ本の配線パターンの両端でそれぞれ発生することになり、２ｎ本の配線パターンで発生した起電力が加算された形で検出されるので起電力が２ｎ倍になりＳ／Ｎ比が改善される。
【００６９】
また、請求項６及び請求項７の発明によれば、振動子と駆動コイルを電気的に絶縁することにより、クロストークレベルを減少させることが可能になる。
【００７０】
また、請求項８及び請求項９の発明によれば、振動子とシェルとを電気的に絶縁することにより、シェルへの漏れ電流を減少させることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る振動式圧力センサの振動子部分の一実施例を示す構成断面図である。
【図２】駆動電流と検出電圧の関係を説明する説明図である。
【図３】振動子の振動の様子を説明する斜視図である。
【図４】振動子に発生する起電力の状態を説明する説明図である。
【図５】本発明に係る振動式圧力センサの振動子部分の他の実施例を示す構成断面図である。
【図６】駆動電流と検出電圧の関係を説明する説明図である。
【図７】本発明に係る振動式圧力センサの振動子部分の他の実施例を示す構成断面図である。
【図８】駆動電流と検出電圧の関係を説明する説明図である。
【図９】製造された振動子の切断面部分を示す平面図である。
【図１０】各製造工程における切断面の状態を示す断面図である。
【図１１】各製造工程における切断面の状態を示す断面図である。
【図１２】各製造工程における切断面の状態を示す断面図である。
【図１３】各製造工程における切断面の状態を示す断面図である。
【図１４】各製造工程における切断面の状態を示す断面図である。
【図１５】各製造工程における切断面の状態を示す断面図である。
【図１６】各製造工程における切断面の状態を示す断面図である。
【図１７】従来の振動式圧力センサの一例を示す一部断面部を有する斜視図である。
【図１８】振動子の駆動原理を説明する説明図である。
【符号の説明】
１  ダイアフラム
２，１０，１０ａ，１０ｂ  振動子
３  シェル
４，１３  駆動端子
５，１２，１２ａ，１２ｂ  検出端子
６，９  シェル抵抗
７，８  振動子抵抗
１１  駆動コイル
１４，１５  絶縁層
１００，１００ａ  磁界
１０１  圧力
【図１】
0004284880.tif 000002
【図２】
0004284880.tif 000003
【図３】
0004284880.tif 000004
【図４】
0004284880.tif 000005
【図５】
0004284880.tif 000006
【図６】
0004284880.tif 000007
【図７】
0004284880.tif 000008
【図８】
0004284880.tif 000009
【図９】
0004284880.tif 000010
【図１０】
0004284880.tif 000011
【図１１】
0004284880.tif 000012
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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