(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理するための搬送装置において、
一端側に上記基板の搬入口、他端側に搬出口が形成された処理槽と、
この処理槽内に上記基板の搬送方向に沿って所定間隔で配置された複数の回転軸と、
各回転軸に接離方向にスライド可能に装着され上記基板の幅寸法に応じてスライドさせて位置決めされるそれぞれ一対の筒状の搬送ローラと、
上記回転軸を回転駆動することで上記基板に転接する上記搬送ローラによって上記基板を搬送させる駆動手段と
を具備し、
上記基板の幅寸法が各一対の搬送ローラの長さ寸法よりも大きいときに、各一対の搬送ローラを離間させて上記回転軸に設けるとともに、各一対の搬送ローラの対向する端面間の隙間の位置を、上記基板と上記搬送ローラとの接触度合が基板の幅方向のどの位置でもほぼ均一になるよう、上記基板の搬送方向と交差する方向にずらしたことを特徴とする基板の搬送装置。
【請求項２】
上記回転軸は複数のグループに分けられており、各グループの回転軸に設けられた一対の搬送ローラの対向する端面間の隙間の位置は、グループ毎に上記基板の搬送方向と交差する方向に順次ずらしたことを特徴とする請求項１記載の基板の搬送装置。
【請求項３】
基板を洗浄してから乾燥する処理装置において、
上記基板を洗浄処理する洗浄処理部と、
この洗浄処理部で洗浄処理されることで上記基板に付着した洗浄液を加圧気体によって除去する第１の乾燥処理部と、
この第１の乾燥処理部で処理された基板を加熱して乾燥処理する第２の乾燥処理部とを具備し、
上記第２の乾燥処理部には基板を搬送するための搬送装置が設けられ、この搬送装置は請求項１に記載された構成であることを特徴とする基板の処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は基板を処理する際に搬送するための搬送装置及びその搬送装置が用いられた処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
たとえば、液晶表示装置や半導体装置の製造工程においては、液晶用ガラス基板や半導体ウエハなどの基板に回路パタ−ンを形成する成膜プロセスやフォトプロセスがある。これらのプロセスにおいては、上記基板を洗浄液で洗浄処理した後、加圧気体を噴射して乾燥処理し、さらに基板に付着した水分などを確実に除去するために上記基板を加熱して乾燥処理するということが行われている。
【０００３】
上記基板を加熱して乾燥処理する乾燥処理部は搬入口と搬出口とが形成された処理槽を有し、この処理槽内には上記搬入口から搬入された基板を搬出口へ搬送する搬送装置およびこの搬送装置によって搬送される基板を加熱して乾燥させるヒータが設けられている。
【０００４】
上記搬送装置は回転軸及びこの回転軸に装着された搬送ローラを有し、上記基板は回転軸とともに回転される搬送ローラに接触して搬送されるようになっている。
【０００５】
上記乾燥処理部で処理される基板はサイズが変更されることがある。そのため、上記搬送装置は基板サイズの変更に対応できるようになっている。つまり、回転軸に設けられる搬送ローラを２つに分割し、この一対の搬送ローラを上記回転軸に接離する方向に移動できるように設け、これら一対の搬送ローラの間隔を設定することで、サイズの異なる基板に対応できるようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、回転軸に設けられる一対の搬送ローラを所定の間隔で離間させた場合、基板の搬送ローラに接触する部分と接触しない部分とでは温度差が生じることになる。つまり、基板の搬送ローラに接触する部分は接触しない部分に比べて温度上昇が遅い。そのため、基板は温度上昇にむらが生じることになるから、乾燥も均一に行われないということがあるばかりか、搬送ローラに全く接触しない部分は加熱され過ぎる虞もある。
【０００７】
この発明は、回転軸に一対の搬送ローラを設けて基板を搬送する場合、その基板を均一に加熱できるようにした搬送装置及びその搬送装置が用いられた処理装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、基板を処理するための搬送装置において、
一端側に上記基板の搬入口、他端側に搬出口が形成された処理槽と、
この処理槽内に上記基板の搬送方向に沿って所定間隔で配置された複数の回転軸と、
各回転軸に接離方向にスライド可能に装着され上記基板の幅寸法に応じてスライドさせて位置決めされるそれぞれ一対の筒状の搬送ローラと、
上記回転軸を回転駆動することで上記基板に転接する上記搬送ローラによって上記基板を搬送させる駆動手段と
を具備し、
上記基板の幅寸法が各一対の搬送ローラの長さ寸法よりも大きいときに、各一対の搬送ローラを離間させて上記回転軸に設けるとともに、各一対の搬送ローラの対向する端面間の隙間の位置を、上記基板と上記搬送ローラとの接触度合が基板の幅方向のどの位置でもほぼ均一になるよう、上記基板の搬送方向と交差する方向にずらしたことを特徴とする。
【０００９】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、上記回転軸は複数のグループに分けられており、各グループの回転軸に設けられた一対の搬送ローラの対向する端面間の隙間の位置は、グループ毎に上記基板の搬送方向と交差する方向にずらしたことを特徴とする。
【００１０】
請求項３の発明は、基板を洗浄してから乾燥する処理装置において、
上記基板を洗浄処理する洗浄処理部と、
この洗浄処理部で洗浄処理されることで上記基板に付着した洗浄液を加圧気体によって除去する第１の乾燥処理部と、
この第１の乾燥処理部で処理された基板を加熱して乾燥処理する第２の乾燥処理部とを具備し、
上記第２の乾燥処理部には基板を搬送するための搬送装置が設けられ、この搬送装置は請求項１に記載された構成であることを特徴とする。
【００１１】
このように、回転軸に設けられる各一対の搬送ローラの対向する端面間の隙間の位置を、上記基板の搬送方向に対して交差する方向にずらすことで、搬送される基板に対して上記搬送ローラが接触しない部分が基板の幅方向においてほぼ均一に分布することになるから、基板が部分的に加熱され過ぎたり、加熱むらが発生するのを防止することができる。
【００１２】
【実施の形態】
以下、この発明の一実施の形態を図１乃至図５を参照して説明する。
【００１３】
図５は液晶用ガラス基板や半導体ウエハなどの基板を洗浄してから乾燥処理するこの発明の処理装置を示す。この処理装置は洗浄処理部１と乾燥処理部２とを備えている。
【００１４】
上記洗浄処理部１は、順次直列に配置されたブラシ洗浄部３、第１の純水シャワー部４、キャビティション・ジェット部５及び第２の純水シャワー部６を有し、上記ブラシ洗浄部３の上流側には紫外線照射部７が配置されている。したがって、処理装置で処理される基板Ｗは上記紫外線照射部で紫外線が照射され、その表面に付着した有機物が分解されてから上記洗浄処理部１のブラシ洗浄部３に搬入されるようになっている。
【００１５】
上記洗浄処理部１のブラシ洗浄部３、第１の純水シャワー部４、キャビティーション・ジェット部５及び第２の純水シャワー部６で順次洗浄処理された基板Ｗは上記乾燥処理部２で乾燥処理されるようになっている。
【００１６】
この乾燥処理部２は、上記洗浄処理部１で洗浄処理された基板に付着した洗浄液を加圧気体で除去するエアナイフ処理部８と、このエアナイフ処理部８での処理によって洗浄液が除去された基板を加熱乾燥する加熱処理部９からなる。そして、加熱処理部９で加熱処理された基板は冷却装置１１によって冷却された後、この冷却装置１１から搬出されて次工程へ受け渡されるようになっている。
【００１７】
上記加熱処理部９は、図１と図２に示すように一端面に搬入口１２、他端面に搬出口１３が形成された処理槽１４を有する。この処理槽１４内には基板Ｗを同図に矢印方向、つまり搬入口１２から搬出口１３方向へ搬送する搬送装置１５が設けられている。この搬送装置１５は上記基板Ｗの搬送方向に沿って所定間隔で配置された複数の回転軸１６を備えている。
【００１８】
各回転軸１６の両端部は上記処理槽１４の両側壁に設けられた軸受２０に回転自在に支持されている。回転軸１６の一端部は処理槽１４の一方の側壁から外部へ突出し、その突出端には従動プーリ１７が嵌着されている。各回転軸１６に設けられた従動プーリ１７は２つのセクションに分けられ、各セクションの従動プーリ１７にはそれぞれ回転が伝達されるようにベルト１８が張設されている。
【００１９】
つまり、一方のセクションの回転軸に１６は２本のベルト１８によって回転が伝達されるようになっており、他方のセクションの回転軸１６は１本のベルト１８によって回転が伝達されるようになっている。
【００２０】
２つのグループの従動プーリ１７はそれぞれ駆動源１９ａ，１９ｂによって回転駆動されるようになっている。それによって、従動プーリ１７が嵌着された各回転軸１６が同方向に回転駆動されるようになっている。
【００２１】
各回転軸１６の両端部にはそれぞれ筒状のストッパ２１がねじ２１ａ（図３に示す）によって固定され、一対のストッパ２１の軸方向内側には筒状の一対の搬送ローラ２２ａ，２２ｂが移動可能に外嵌されている。一対の搬送ローラ２２ａ，２２ｂの長さ寸法は一対のストッパ２１間の寸法よりも短く設定されている。また、搬送ローラ２２ａ，２２ｂの一端部には鍔２３が形成され、この鍔２３によって後述するごとく搬送される基板Ｗが搬送方向と交差する幅方向に振れるのを防止するようになっている。
【００２２】
各搬送ローラ２２ａ，２２ｂの一端面をそれぞれ上記ストッパ２１に当接させると、これら搬送ローラ２２ａ，２２ｂの他端面間には所定寸法の隙間２４が形成されるようになっている。
【００２３】
図４（ａ）に示すように一対の搬送ローラ２２ａ，２２ｂ間に隙間２４が形成された状態と、図４（ｂ）に示すように一対の搬送ローラ２２の他端面を接合させた状態とでは一対の鍔２３の間隔が異なるから、その間隔に応じたサイズの基板Ｗ１  ，Ｗ２  を搬送できることになる。つまり、隙間２４が形成されるように一対の搬送ローラ２２を位置決めすれば、隙間２４が形成されていない場合に比べて幅寸法の大きな基板Ｗ１  を搬送できることになる。
【００２４】
上記回転軸１６に対する一対の搬送ローラ２２ａ，２２ｂの位置決めは、図３に示すように各搬送ローラ２２ａ，２２ｂの鍔２３の部分に設けられたロックねじ２５及び回転軸１６に形成されロックねじ２５を捩じ込むことでその先端部が係合する凹部２６とによって行われる。
【００２５】
なお、一対の搬送ローラ２２の位置決めは、これらをストッパ２１に当接させた状態と、端面を接合させた状態との２段階に限られず、その途中の状態で位置決め可能な構造としても差し支えないこと勿論である。
【００２６】
一対の搬送ローラ２２ａ，２２ｂを、図４（ａ）に示すようにこれらの一端面をストッパ２１に当接させ、対向する他端面間に隙間２４を形成した状態で位置決めした場合、その隙間２４は後述するように、基板Ｗの搬送方向に対してその搬送方向と交差する基板Ｗの幅方向に位置をずらして形成されるようになっている。
【００２７】
すなわち、複数の回転軸１６は図１に示すように複数のグループ、この実施の形態では第１乃至第５の５つのグループＧ１〜Ｇ５に分けられ、第１のグループＧ１と第５のグループＧ４は４本の回転軸１６からなり、第２乃至第４のグループＧ２〜Ｇ４は６本の回転軸１６からなる。そして、各グループの回転軸１６の軸方向一端側に位置する一方の搬送ローラ２２ａは基板Ｗの搬送方向に沿って長さ寸法が順次短く設定され、他方の搬送ローラ２２ｂは基板Ｗの搬送方向に沿って長さ寸法が順次長く設定されている。
【００２８】
それによって、一対の搬送ローラ２２間の隙間２４は、図１に示すようにそれぞれの回転軸１６の各グループＧ１〜Ｇ５において、基板Ｗの搬送方向に対してその搬送方向と交差する幅方向の位置を順次ずらしている。そのため、基板Ｗが搬送ローラと接触しない部分は、基板Ｗが搬送されることで、その幅方向に沿って順次移動することになる。
【００２９】
上記処理槽１４内には、図２に示すように搬送装置１５の上方と下方とにそれぞれたとえば遠赤外線ヒータなどのヒータ３１が配設されている。したがって、上記処理槽１４内を搬送される基板Ｗは上記ヒータ３１によって加熱乾燥されるようになっている。
【００３０】
つぎに、上記構成の処理装置によって基板Ｗを洗浄して乾燥処理する場合の手順について説明する。
【００３１】
まず、処理される基板Ｗのサイズが加熱処理部９の一対の搬送ローラ２２ａ，２２ｂの長さ寸法よりも大きな場合には、各回転軸１６に装着された一対の搬送ローラ２２ａ，２２ｂを一端面がそれぞれストッパ２１に当たる位置まで移動させて固定する。それによって、各回転軸１６に装着された一対の搬送ローラ２２ａ，２２ｂの他端面間には隙間２４が形成され、その隙間２４は、図１に示すようにその位置を、基板Ｗの搬送方向に対し、その搬送方向と交差する方向に順次ずらすことになる。
【００３２】
基板Ｗが処理装置の紫外線照射部７に供給されると、ここで基板Ｗに紫外線が照射されることで、その基板Ｗに付着した有機物が分解される。基板Ｗは紫外線照射部７からブラシ洗浄部３に搬送されてブラシ洗浄された後、第１の純水シャワー部４、キャビティーション・ジェット部５及び第２の純水シャワー部６で順次洗浄処理されてエアナイフ処理部８に搬入される。
【００３３】
上記エアナイフ処理部８では基板Ｗの上下面に向けて加圧気体が噴射される。それによって、洗浄処理部１で処理されることによって基板Ｗに付着した洗浄液が除去される。
【００３４】
エアナイフ処理部８で洗浄液が除去された基板Ｗは加熱処理部９の搬入口１２からその内部に搬入され、搬出口１３から搬出される。基板Ｗはその搬送過程で処理槽１４内に設けられたヒータ３１によって加熱乾燥される。つまり、エアナイフ処理部８で洗浄液を除去しただけでは確実に乾燥されずに水分などが残留するため、加熱処理することで確実に乾燥させるようになっている。
【００３５】
上記加熱処理部９に設けられた基板Ｗを搬送するための搬送装置１５は、各回転軸１６の一対の搬送ローラ２２ａ，２２ｂの端面間に形成された隙間２４が、基板Ｗの搬送方向に対してその搬送方向と交差する幅方向に順次位置をずらしている。
【００３６】
そのため、基板Ｗが搬送されることで、その基板Ｗが搬送ローラ２２ａ，２２ｂと接触しない部分は、各回転軸１６に形成された隙間２４の位置が基板Ｗの搬送方向と交差する幅方向にずれていることで、そのずれに対応して搬送される基板Ｗの幅方向に順次ずれることになる。
【００３７】
したがって、基板Ｗと搬送ローラ２２ａ，２２ｂとの接触度合は、基板Ｗの幅方向のどの位置でもほぼ均一になるから、その接触度合に応じて基板Ｗはほぼ均一に加熱されて乾燥処理される。つまり、一対の搬送ローラ２２ａ，２２ｂ間に隙間２４を形成して基板Ｗを搬送するようにしても、その隙間２４は基板Ｗの幅方向に変化し、一定位置にならないから、基板Ｗが部分的に加熱され過ぎるのを防止することができる。
【００３８】
しかも、回転軸１５を５つのグループＧ１〜Ｇ５に分け、一対の搬送ローラ２２ａ，２２ｂ間の隙間２４の位置を、各グループ毎で繰り返してずらしたので、基板Ｗの搬送ローラ２２ａ，２２ｂと接触しない部分は、基板Ｗがそれぞれのグループに移行する毎にその幅方向において繰り返されることになる。
【００３９】
そのため、基板Ｗの搬送ローラ２２ａ，２２ｂと接触しない部分がその搬送方向と交差する方向に対して変化する度合が高くなるから、回転軸１５をグループ分けしない場合に比べて基板Ｗが部分的に加熱されにくくなる。つまり、基板Ｗをほぼ均一に加熱することができる。
【００４０】
このようにして加熱処理部９で乾燥処理された基板Ｗは、冷却装置１１に搬入され、ここで冷却されたのち、図示しない次工程に受け渡されることになる。
【００４１】
この発明は上記一実施の形態に限定されず、種々変形可能である。たとえば、上記一実施の形態では回転軸を５つのグループに分け、それぞれのグループ毎に一対の搬送ローラの対向面間の隙間を基板の搬送方向と交差する方向に順次ずらすようにしたが、回転軸のグループ分けは５つに限られず、４つ以下あるいは６つ以上であってもよく、要は搬送される基板の一部が他の部分に比べて加熱され過ぎることがないよう、一対の搬送ローラと接触しない部分が基板の幅方向にずれるようにしてあればよい。
【００４２】
【発明の効果】
請求項１と請求項３の発明によれば、回転軸に設けられる各一対の搬送ローラの対向する端面間の隙間の位置を、上記基板の搬送方向に対して交差する方向にずらすようにした。
【００４３】
そのため、搬送される基板に対して上記搬送ローラが接触しない部分が基板の幅方向においてほぼ均一に分布することになるから、基板が部分的に加熱され過ぎたり、加熱むらが発生するのを防止することができる。
【００４４】
請求項２の発明によれば、回転軸を複数のグループに分け、グループ毎に一対の搬送ローラの対向面間の隙間を順次繰り返してずらすようにした。
【００４５】
そのため、基板の搬送ローラと接触しない部分がその搬送方向と交差する方向に対して変化する度合が高くなるから、基板が部分的に加熱されにくくなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施の形態の乾燥処理部を示す横断面図。
【図２】同じく乾燥処理部の一部を示す縦断面図。
【図３】同じく回転軸と搬送ローラとの結合状態を説明するための拡大断面図。
【図４】（ａ）は一対の搬送ローラ間に隙間を形成した状態の説明図、（ｂ）は同じく隙間を形成しない状態の説明図。
【図５】同じく処理装置の概略的構成を示す平面図。
【符号の説明】
１…洗浄処理部
２…乾燥処理部
８…エアナイフ部（第１の乾燥処理部）
９…加熱処理部（第２の乾燥処理部）
１２…搬入口
１３…搬出口
１４…処理槽
１５…搬送装置
１６…回転軸
１９ａ，１９ｂ…駆動源（駆動手段）
２２ａ，２２ｂ…搬送ローラ
Ｗ…基板（被処理物）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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