(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を略水平に保持するための基板保持部と、
この基板保持部に保持された基板の表面に、処理液を細径の線状に供給するための供給ノズルと、
前記基板保持部と供給ノズルとを、基板の面方向に沿って相対的に駆動させるための駆動機構と、
前記駆動機構の動作を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記基板の表面において互いに隣接する分割された領域の塗布開始位置同士が隣接しないように、前記基板の分割された塗布領域の各領域に対して所定の塗布順序及び／又は所定の塗布方向で処理液を供給して基板の回路形成領域の全面に液膜を形成するように、前記駆動機構を介して前記基板保持部及び／又は供給ノズルの動作を制御し、かつ供給ノズルからの基板への処理液の供給のタイミングを制御するように構成され、前記基板表面の分割された領域毎に処理液の液膜を形成することを特徴とする塗布膜形成装置。
【請求項２】
前記制御部は、隣接する分割された領域の一方の領域の塗布終了位置と他方の領域の塗布開始位置とが隣接する場合に、前記塗布終了位置と前記塗布開始位置とをこの順序で連続して塗布しないように、前記分割された各領域に対して所定の塗布順序及び／又は所定の塗布方向で処理液を供給するように、前記駆動機構を介して前記基板保持部及び／又は供給ノズルの動作を制御するように構成されていることを特徴とする請求項１記載の塗布膜形成装置。
【請求項３】
前記駆動機構は、前記供給ノズルと前記基板保持部とを相対的に、基板の回路形成領域の一辺と略平行な方向に所定のピッチで間欠送りしながら、前記回路形成領域の一辺と略直交する方向に移動させることを特徴とする請求項１または２に記載の塗布膜形成装置。
【請求項４】
前記駆動機構は、前記供給ノズルと前記基板保持部とを相対的に鉛直軸回りに回転させるように構成され、前記制御部は、分割された領域の塗布終了位置に位置している前記基板保持部及び供給ノズルを、次に塗布しようとする分割された領域の塗布開始位置に移動させる前に、前記供給ノズルと前記基板保持部とを相対的に鉛直軸回りに回転させる制御を駆動機構を介して行うように構成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載の塗布膜形成装置。
【請求項５】
前記駆動機構は、前記供給ノズルと前記基板保持部とを相対的に、前記基板保持部に保持されている基板の表面に螺旋を描くように移動させることを特徴とする請求項１または２に記載の塗布膜形成装置。
【請求項６】
前記処理液の粘度を調整する粘度調整手段を備え、前記基板の分割された領域毎に異なる粘度の処理液を供給することを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一つに記載の塗布膜形成装置。
【請求項７】
前記粘度調整手段は、前記処理液を溶剤により薄めることにより、当該処理液の粘度を調整するものであることを特徴とする請求項６記載の塗布膜形成装置。
【請求項８】
基板上に供給ノズルから処理液を細径の線状に吐出しながら前記処理液を基板に塗布することを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一つに記載の塗布膜形成装置。
【請求項９】
前記処理液はレジスト液であることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか一つに記載の塗布膜形成装置。
【請求項１０】
基板の回路形成領域の全面に塗布液の液膜を形成する方法において、
基板と、当該基板上に処理液を供給する供給ノズルとを基板の面方向に沿って相対的に移動させながら、少なくとも第１及び第２の領域に分割された基板上の第１の領域に対して処理液を細径の線状に供給して当該第１の領域の全面に液膜を形成するする工程と、
前記基板と、前記供給ノズルとを基板の面方向に沿って相対的に移動させながら、前記第１の領域の供給工程における塗布開始位置に対してその塗布開始位置が隣接しないように、前記第２の領域に対して処理液を細径の線状に供給して当該第２の領域の全面に液膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする塗布膜形成方法。
【請求項１１】
前記第１及び第２の領域に処理液を供給する工程は、前記供給ノズルをＸ方向に移動させながら、前記基板をＸ方向と略直交するＹ方向に間欠的に移動させながら、基板上に供給ノズルから処理液を供給するものであることを特徴とする請求項１０記載の塗布膜形成方法。
【請求項１２】
前記第１及び第２の領域に処理液を供給する工程は、前記分割した各領域毎に、処理液の粘度を変えて基板上に供給ノズルから処理液を供給する工程を含むことを特徴とする請求項１１記載の塗布膜形成方法。
【請求項１３】
前記処理液はレジスト液であることを特徴とする請求項１０ないし１２のいずれか一つに記載の塗布膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体ウエハ、ＬＣＤ基板や露光マスク等の被処理基板上に樹脂等を溶解させたものからなる液体、特にレジスト液を塗布し、この液体の膜を形成する塗布膜形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウエハやＬＣＤ基板等の被処理基板の表面に回路パタ−ンを形成するためのマスクは、基板表面にレジスト液を塗布した後、光、電子線あるいはイオン線などをレジスト面に照射し、現像することによって得られる。このうちレジスト液を塗布する手法としてはスピンコーティング法が主流をなしている。この手法は、例えば図２１に示すように、真空吸着機能を備えたスピンチャック１１の上に基板例えば半導体ウエハ（以下「ウエハ」という））Ｗを吸着保持し、ウエハＷの中心部にノズル１２からレジスト液１３を滴下した後、ウエハＷを高速で回転させることにより、レジスト液１３を回転遠心力によってウエハＷ全体に拡散させ、ウエハＷの全面に亘って略均一なレジスト液膜を形成するというものである。
【０００３】
ところで、近年回路パターンの線幅がますます微細化する傾向にあり、回路の線幅はレジスト膜の膜厚と露光波長とに比例することから、レジスト膜の薄膜化が要求されている。前記スピンコーティング法では、ウエハＷの回転速度の高速化を図ることによりレジスト膜厚を薄くすることができ、このため例えば８インチウエハＷの場合、２００〜４０００ｒｐｍという回転数で高速回転させるようにしている。
【０００４】
しかしながらこのスピンコーティング法では、次の様な解決すべき課題がある。先ずこの手法ではウエハＷが大型化すると外周部での周速度が速くなるので、空気の乱流が引き起こされ、この乱流によりレジスト膜の膜厚が変動しやすくなり、膜厚の均一性が低下し、これが原因となって露光解像度が低下してしまう。このためこの手法では０．４μｍ以下の膜厚では一定の塗膜を得ることが困難であり、数ギガ程度以上の半導体の製造には自ずと限界がある。
【０００５】
次にこの手法によれば、レジスト液がウエハＷの中心部から周縁部に向けて拡散していく過程において、レジスト液に含まれる溶剤が順次蒸発していく。このため拡散方向に沿ってレジスト液の粘度が異なってしまい、中心部と周縁部との間で形成されたレジスト膜の厚さが異なるおそれがある。
【０００６】
またこの手法では、ウエハＷを高速で回転させるために、ウエハＷの周縁部から飛散し無駄になるレジスト液の量が多い。一例によれば、ウエハＷ上に供給されたレジスト液のうち１０％以下の量しかレジスト液膜の形成に寄与していないことが分かっている。
【０００７】
さらにこの手法では、飛散するレジスト液を受け止めるため、ウエハＷをカップ内で回転させる必要があるが、このカップに付着したレジスト液がパーティクルとなってウエハＷを汚染するおそれがあり、このためカップを頻繁に洗浄する必要がある。
【０００８】
さらにまたこの手法では、ウエハＷの回路形成領域の外側の領域にもレジスト液が塗布されてしまうが、この領域にレジスト液を残しておくと、後の工程においてパーティクル発生の原因となるので、この領域のレジスト液は、レジスト液塗布工程の直後にエッジリムーバと呼ばれる専用の装置によって除去しなくてはならない。
【０００９】
このため本発明者らは、スピンコーティング法に代わる手法として、例えば図２２に実線で示すように、例えばレジスト液１３をウエハＷ表面に吐出するためのノズル１２とウエハＷとを相対的に、Ｙ方向に所定ピッチづつ間欠送りしながらＸ方向に往復させ、いわゆる一筆書きの要領で、ウエハＷに対してレジスト液１３の塗布を行う手法（以下「一筆書き方式」という）を検討している。なおこの場合、ウエハＷの周縁や裏面にレジスト液が付着するのを防止するために、ウエハＷの回路形成領域１４の外側の領域を覆うマスク部材を被せることにより、前記回路形成領域１４のみにレジスト液１３を塗布するようにしている。この手法では、ウエハＷを回転させないので上述したような不都合は解消され、無駄のない塗布が行える。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ところで前記一筆書き方式のコーティング法では、レジスト膜の膜厚を薄くするために、ノズル１２の吐出孔は孔径が１０μｍ〜２００μｍ程度とかなり細径に形成されているが、レジスト液１３はノズル１２から吐出されてウエハＷに衝突したときに、例えば図２３に示すように吐出径より広がるので、これにより吐出されたレジスト液１３同士がつながり、ウエハＷの表面全体にレジスト液１３の液膜が形成される。
【００１１】
しかしながらこの手法により、図２４中Ｙａで示す塗布開始点からＹｂで示す塗布終了点まで、図に矢印で示す方向にレジスト液１３を塗り始めると、Ｙａ点の方がＹｂ点よりも膜厚が大きくなってしまうという現象の発生が確認され、レジスト液１３の種類によっては塗布開始点Ｙａの膜厚が目立って高い場合がある。
【００１２】
この理由は、既述のウエハＷへの衝突によるレジスト液１３の広がりにより、図２４に斜線で示す先に塗った領域にレジスト液１３が引き寄せられ、こうしてＹａ点の膜厚が大きくなるものと考えられる。
【００１３】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、基板の塗布領域を分割することにより、基板の面内に亘って安定した膜厚を得ることができる技術を提供することにあり、また別の目的は、塗布液の歩留まりが高く、かつ均一な塗布膜を形成することができる技術を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
このため、本発明では、基板を略水平に保持するための基板保持部と、
この基板保持部に保持された基板の表面に、処理液を細径の線状に供給するための供給ノズルと、
前記基板保持部と供給ノズルとを、基板の面方向に沿って相対的に駆動させるための駆動機構と、
前記駆動機構の動作を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記基板の表面において互いに隣接する分割された領域の塗布開始位置同士が隣接しないように、前記基板の分割された塗布領域の各領域に対して所定の塗布順序及び／又は所定の塗布方向で処理液を供給して基板の回路形成領域の全面に液膜を形成するように、前記駆動機構を介して前記基板保持部及び／又は供給ノズルの動作を制御し、かつ供給ノズルからの基板への処理液の供給のタイミングを制御するように構成され、前記基板表面の分割された領域毎に処理液の液膜を形成することを特徴とする。
【００１５】
このような塗布膜形成装置では、基板の回路形成領域の全面に塗布液の液膜を形成する方法において、
基板と、当該基板上に処理液を供給する供給ノズルとを基板の面方向に沿って相対的に移動させながら、少なくとも第１及び第２の領域に分割された基板上の第１の領域に対して処理液を細径の線状に供給して当該第１の領域の全面に液膜を形成するする工程と、
前記基板と、前記供給ノズルとを基板の面方向に沿って相対的に移動させながら、前記第１の領域の供給工程における塗布開始位置に対してその塗布開始位置が隣接しないように、前記第２の領域に対して処理液を細径の線状に供給して当該第２の領域の全面に液膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする塗布膜形成方法が実施される。
【００１６】
このような発明では、処理液が塗布開始位置側に引き寄せられてこの部分の膜厚が大きくなるという現象は当該領域のみで発生し、当該領域では塗布開始位置側に引き寄せられる処理液の量が少ないので、塗布開始位置側の膜厚が大きいといっても、その程度は基板の塗布領域を分割しない場合に比べてかなり緩和され、結果として膜厚の面内均一性を高めることができる。
【００１７】
ここで前記制御部は、隣接する塗布領域の塗布開始位置同士が隣接していれば、この境界部分に引き寄せられる処理液の量が多くなって当該部分の膜厚が際だって厚くなってしまうので、隣接する分割された領域の塗布開始位置同士が隣接しないことが望ましい。また隣接する分割された領域の一方の領域の塗布終了位置と他方の領域の塗布開始位置とが隣接する場合に、前記塗布終了位置と前記塗布開始位置とをこの順序で連続して塗布すると、これら２つの領域をまとめて塗布することになるので、結局最初の塗布領域の塗布開始位置側に処理液が引き寄せられ、この部分の膜厚がかなり厚くなってしまうので、この場合には前記塗布終了位置と前記塗布開始位置とをこの順序で連続して塗布しないことが望ましい。
【００１８】
ここで前記駆動機構は、前記供給ノズルと前記基板保持部とを相対的に、基板の回路形成領域の一辺と略平行な方向に所定のピッチで間欠送りしながら、前記回路形成領域の一辺と略直交する方向に移動させることを特徴とする構成である。この場合前記駆動機構を、前記供給ノズルと前記基板保持部とを相対的に、鉛直軸回りに回転させるように構成し、前記制御部を、分割された領域の塗布終了位置に位置している前記基板保持部及び供給ノズルを、次に塗布しようとする分割された領域の塗布開始位置に移動させる前に、前記供給ノズルと前記基板保持部とを相対的に鉛直軸回りに回転させる制御を駆動機構を介して行うように構成してもよく、この場合には塗布方向と供給ノズルの移動方向とを揃えることができ、これにより設定された塗布順序及び塗布方向で塗布を行うことができる。
【００１９】
また前記駆動機構は、前記供給ノズルと前記基板保持部とを相対的に、前記基板保持部に保持されている基板の表面に螺旋を描くように移動させることを特徴とする構成としてもよい。前記処理液の例としてはレジスト液が挙げられる。
さらに本発明の塗布膜形成装置では、前記処理液の粘度を調整する粘度調整手段を備え、前記基板の分割された領域毎に異なる粘度の処理液を供給するようにしてもよく、この場合例えば前記粘度調整手段は、前記処理液を溶剤により薄めることにより、当該処理液の粘度を調整するものである。また本発明の塗布膜形成装置では、例えば基板上に供給ノズルから処理液を細径の線状に吐出しながら処理液が塗布される。
【００２０】
【発明の実施の形態】
図１は本発明に係る塗布膜形成装置を、基板をなす半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）に処理液であるレジスト液の塗布を行うレジスト液塗布装置に適用した実施の形態の構成を示す縦断面図であり、図２はその平面図を示すものである。
【００２１】
図１及び図２中２は、基板保持部をなすウエハ保持体であり、このウエハ保持体２は、フレーム３内にＹ方向に移動可能に保持されている。フレーム３は、例えば上方に開放するチャンネル状に形成された部材であって、Ｙ方向に長尺に形成されており、Ｙ方向一端側はレジスト液の塗布が行われるレジスト液塗布部Ｒ、他端側はウエハＷの受け渡しを行うウエハロード・アンロード部Ｌとして構成されている。またフレーム３は、前記レジスト液塗布部Ｒとウエハロード・アンロード部Ｌとに亘って延設された一対のＹレール３１を備えており、前記ウエハ保持体２は、このＹレール３１上にＹスライダ３２を介してＹ方向に移動自在に保持され、Ｙ駆動モータ３３によりボールねじ３４を回転させることでナット３５を介してＹ方向に位置決め自在に駆動されるようになっている。
【００２２】
前記ウエハ保持体２は、カップ状に形成された本体２１と、前記ウエハＷを保持するウエハ吸着テーブル２２とを有し、前記本体２１は、前記ウエハＷの下面に対向する位置に溶剤（シンナー溶液）を貯留するための液溜めチャンネル２３を備えており、この液溜めチャンネル２３内に、液温及び液面高さコントロールされた溶剤を満たし、この溶剤を蒸発させることによってウエハＷの周囲を所定濃度の溶剤雰囲気に保つようになっている。
【００２３】
またウエハ吸着テーブル２２は、上面にウエハＷを保持する保持部２４を備えており、この保持部２４には図示しない真空装置が接続されていて、ウエハＷを真空チャッキングできるようになっている。また保持部２４はＺθ駆動機構２５に接続されており、前記ウエハＷ保持体２が、ウエハロード・アンロード部Ｌに移動した際に、Ｚ駆動・θ回転駆動部２６がＺθ駆動機構２５を作動させ、ウエハＷの受け渡しを行うためのＺ方向動作と、ノッチ合わせを行うためのθ動作を行わせるようになっている。さらにウエハ吸着テーブル２２には、図示しないアジテーション発生部に接続され、吸着保持したウエハＷを振動させるための超音波振動子２７が固定されている。
【００２４】
前記ウエハ体２１の底面の、前記ウエハ吸着テーブル２２（ウエハＷ）を囲む四隅には、この本体２１内の気流を制御するための、図示しない排気装置に接続された４つの強制排気口２８ａ〜２８ｄが形成されている。これら強制排気口２８ａ〜２８ｄからの排気流量は、夫々個別に制御されるようになっており、例えば２つの排気口２８ａ、２８ｂのみから排気を行わせることにより、本体２１中に一方向に偏った微弱な気流を生じさせ、このことにより塗布したレジスト液から揮発した溶剤の流れを制御し、これにより溶剤の過度の揮発を防止するようになっている。
【００２５】
またこのウエハ保持体２内には、マスク部材４をウエハＷの直上で保持すると共に、このマスク部材４を図２に矢印Ａで示す方向（Ｘ方向）に駆動し、このウエハ保持体２内から挿脱するためのマスク部材駆動機構４１が設けられている。マスク部材４は、図３に示すように、ウエハＷの回路形成領域４０以外の領域を覆い、レジスト液がウエハＷの周縁部に塗布されてしまうのを防止するためのものであり、前記マスク部材駆動機構４１は、レジスト液で汚れたマスク部材４を図２に矢印Ａで示すように前記ウエハ保持体２及びフレーム３に設けられた挿脱通路２０，３０を通してこのレジスト塗布装置から取り出し、この図に４２で示すマスク部材洗浄装置に搬送するものである。なお図３中４３は、ウエハＷに形成されたノッチである。
【００２６】
図中５は、前記ウエハ保持体２の上方を覆うようにフレーム３に設けられた温度調節機能付き天板であって、例えば線状のヒータ５１が埋設され、所定の温度で発熱するように構成されている。これにより天板５は、前記ウエハＷの周囲に満たされた溶剤雰囲気を維持・コントロールする機能と、後述する供給ノズル６を加熱し、このノズル６の目詰まりや吐出されたレジスト液流の「切れ」を防止する機能を有する。
【００２７】
前記天板５は、前記レジスト液塗布部Ｒの部分のみに、前記ウエハ保持体２をＹ方向に最大限移動させた場合であってもこのウエハ保持体２を覆い続けられる程度にウエハ保持体２を覆うようになっている。また天板５のＹ方向中途部には、供給ノズル６のＸ方向移動を許容するためのスリット５２が形成されており、このスリット５２はウエハＷの幅に対応する長さでかつ前記供給ノズル６の挿通を許容する幅で設けられている。
【００２８】
前記供給ノズル６は、前記フレーム３の上端部にＸ方向に沿って架設されたリニアスライド機構５３によって保持されている。このリニアスライド機構５３は、Ｘレール５４と、このＸレール５４にスライド自在に設けられたスライダ５５と、このスライダ５５を駆動させるためのボールねじ５６と、このボールねじ５６を回転駆動するＸ駆動モータ５７とを備えており、前記供給ノズル６は、前記スライダ５５によって、前記天板５のスリット５２に対応する位置に保持され、その下端部をこのスリット５２を通してウエハ保持体２内に延出させている。
【００２９】
前記Ｘ駆動モータ５７及び前記Ｙ駆動モータ３３は、ノズル・ウエハ駆動部３６により同期をとって作動されるように構成されており、前記供給ノズル６をウエハＷの所定の経路に対向させつつ移動させるようになっている。また前記Ｚ駆動・θ回転駆動部２６及び前記ノズル・ウエハ駆動部３６は制御部Ｃにより動作が制御されるようになっている。ここで前記ノズル・ウエハ駆動部３６及び前記Ｚ駆動・θ回転駆動部２６により駆動が制御されるリニアスライド機構５３（Ｘレール５４、スライダ５５、ボールねじ５６、Ｘ駆動モータ５７）と、Ｙレール３１、Ｙスライダ３２、Ｙ駆動モータ３３、ボールねじ３４、ナット３５、Ｚθ駆動機構２５、Ｚ駆動・θ回転駆動部２６が本発明の駆動機構に相当する。
【００３０】
次に前記供給ノズル６について図４により説明する。例えば供給ノズル６は２重管構造をなしており、内管部がレジスト液６０を細径線状に供給するためのレジスト液ノズル６１、外管部がこのレジスト液ノズル６１の周囲を通してミスト状の溶剤６４を供給する溶剤ノズル６２となっている。前記レジスト液ノズル６１は、例えばステンレス材で形成され、吐出孔６３は孔径が１０μｍ〜２００μｍ程度と極めて細径に形成されている。このような供給ノズル６では、吐出直後のレジスト液６０の液流の周囲にミスト状の溶剤６４を吐出させ、これによりレジスト液流の周囲を溶剤雰囲気でシールし、レジスト液流からの溶剤の揮発を抑制して粘度を一定に保つようになっている。
【００３１】
またレジスト液６０の供給系では、図１に示すように、レジスト液タンク内６５のレジスト液６０が例えばベローズポンプ等のポンプ６６により、フィルタ装置６７、開閉バルブ６８を介して供給ノズル６に送られ、このノズル６の吐出孔６３から吐出されるように構成されている。これらレジスト液タンク６５，ポンプ６６，フィルタ装置６７，開閉バルブ６８，供給ノズル６は供給流路６９により接続されており、ポンプ６６や開閉バルブ６８の動作は前記制御部Ｃにより制御されるようになっている。
【００３２】
次に上述装置にて実施されるレジスト液の塗布例について説明する。本発明は、ウエハＷの塗布領域を分割し、この分割された領域を所定の条件で塗布するように、供給ノズル及びウエハＷの移動及び供給ノズルからウエハＷへのレジスト液供給のタイミングを制御することを特徴とするものである。
【００３３】
ここではウエハＷの塗布領域を例えば図５に示すように３分割した場合を例をして具体的に説明する。この例ではウエハＷはノッチ４３を左に向けて位置合わせされ、塗布領域がＹ方向にほぼ３等分されたＡ，Ｂ，Ｃの３つの領域に分割されている。
【００３４】
先ずウエハ保持体２をウエハロード・アンロード部Ｌに位置させ、保持部２４を昇降させることにより図示しないウエハ搬送用のメインアームからウエハ吸着テーブル２２にウエハＷを受け渡し、ウエハＷを吸着保持する。続いてＺ駆動・θ回転駆動部２６によりウエハＷのノッチ合わせを行った後、保持部２４を下降させてウエハＷをウエハ保持体２内に収容する。次いでウエハ保持体２をレジスト液塗布部Ｒに位置させ、マスク部材駆動機構４１によりマスク部材４をウエハ上で保持する。
【００３５】
そして初めに図６(a)に示すように、ウエハＷのＢ領域に対して、塗布開始位置ｙ３から塗布終了位置ｙ２に向かう塗布方向でレジスト液の塗布を行う。このため先ずウエハ保持体２を回路形成領域４０の一辺と略平行な方向例えばＹ方向に移動させて、供給ノズル６を塗布開始位置ｙ３に対応する位置に位置させる。続いて開閉バルブ６８を開き、供給ノズル６からレジスト液６０を吐出させながら、回路形成領域４０の一辺と略直交する方向例えばＸ方向に移動させ、例えば図に示すように、回路形成領域４０を過ぎたところで、供給ノズル６をＹ方向に所定ピッチずつ間欠送りしながら、再びＸ方向に往復させる。
【００３６】
こうして供給ノズル６からウエハＷにレジスト液６０を吐出した状態で、ノズル６を塗布終了位置ｙ２に対応する位置までジグザグ経路に移動させ、これによりウエハＷの前記Ｂ領域に均一な液膜を形成する。ここでウエハ保持体２及び供給ノズル６の移動は、制御部Ｃによりノズル・ウエハ駆動部３６を介して制御され、開閉バルブ６８の開閉のタイミングも制御部Ｃにより制御される。
【００３７】
続いて図６(b)に示すように、ウエハＷのＡ領域に対して、塗布開始位置ｙ４から塗布終了位置ｙ３に向かう塗布方向でレジスト液６０の塗布を行う。このため先ずＢ領域の塗布が終了した時点で開閉バルブ６８を閉じ、次いでウエハ保持体２をｙ方向に移動させて、供給ノズル６を塗布開始位置ｙ４に対応する位置に位置させる。続いて開閉バルブ６８を開いて供給ノズル６からウエハＷにレジスト液６０を吐出しながら、ノズル６をウエハＷに対して塗布終了位置ｙ３に対応する位置までジグザグ経路に移動させ、これによりウエハＷの前記Ａ領域に均一な液膜を形成する。
【００３８】
この後図６(c)に示すように、ウエハＷのＣ領域に対して、塗布開始位置ｙ１から塗布終了位置ｙ２に向かう塗布方向でレジスト液６０の塗布を行う。このため先ずＡ領域の塗布が終了した時点で開閉バルブ６８を閉じ、次いでウエハ保持体２をｙ方向に移動させて、供給ノズル６を塗布開始位置ｙ１に対応する位置に位置させ、この後開閉バルブ６８を開いて供給ノズル６からウエハＷにレジスト液６０を吐出しながら、ノズル６を塗布終了位置ｙ２までジグザグ経路に移動させ、これによりウエハＷの前記Ｃ領域に均一な液膜を形成し、開閉バルブ６８を閉じる。
【００３９】
ここで供給ノズル６からウエハＷ上に吐出され、ここに着地したレジスト液６０は、その粘度に応じて一定の広がりを生じるので、この広がり量に対応して適正なＹ方向の送りピッチ及び夫々の領域の塗布開始位置及び塗布終了位置を設定することにより、前記分割された夫々の領域に満遍なく均一なレジスト膜を形成することができる。
【００４０】
このようにしてレジスト液の塗布を行った後、前記ウエハ吸着テーブル２２に取着された超音波振動子２７を作動させ、ウエハＷに対して超音波帯域での振動を印加する。このことで塗布されたレジスト液膜にアジテーションが加えられ、液膜の表面の平坦化が図られる。
【００４１】
この後レジスト液が付着したマスク部材４をマスク部材洗浄装置４２側へ排出し、次いで前記ウエハ保持体２をレジスト液塗布部Ｒから前記ウエハロード・アンンロード部Ｌにさせる。そして保持部２４を昇降させて図示しない主アームにウエハＷを受け渡し、当該レジスト液塗布装置からウエハＷをアンロードする。このように本発明の塗布膜形成装置では、ウエハＷの塗布領域を３分割し、分割された夫々の領域を所定の条件で塗布するように、供給ノズル６及びウエハＷの移動及びウエハＷへのレジスト液の供給のタイミングを制御しているので、以下に説明するように、レジスト膜の膜厚の面内均一性を向上させることができる。
【００４２】
つまり既述のように供給ノズル６から吐出されたレジスト液６０はウエハＷに衝突して広がり、夫々の塗布開始位置側に引き寄せられるという現象が発生する。しかしウエハＷの塗布領域は、Ａ，Ｂ，Ｃ領域の各領域に分割されており、しかも後述するように各領域の塗布順序及び塗布方向（ノズルの進行方向）が所定の条件に設定されているので、レジスト液６０が引き寄せられてこの部分の膜厚が大きくなるという現象は、当該領域のみで発生する。従ってＡ，Ｂ，Ｃ領域の各領域は、ウエハＷの全体の塗布領域に比べると面積が小さく、塗布開始位置側に引き寄せられるレジスト液の量が少ないので、塗布開始位置側の膜厚が大きいといっても、その程度はウエハＷを分割しない場合に比べてかなり緩和されている。
【００４３】
例えばこの例では、Ｂ領域では、図７(a)に示すように塗布開始位置ｙ３側の膜厚の方が塗布終了位置ｙ２側よりも厚くなり、Ａ領域では、図７(b)に示すように塗布開始位置ｙ４側の方が厚くなり、Ｃ領域では、図７(c)に示すように塗布開始位置ｙ１側の方が厚くなるが、その膜厚分布の幅はウエハＷを分割しない場合に比べてかなり小さく、膜厚の面内均一性が高められている。
【００４４】
ここで各領域の塗布順序及び塗布方向（ノズルの進行方向）の条件について、ウエハＷを第１の領域７１と第２の領域７２とに２分割した場合を例にして、図8を用いて説明する。ウエハＷの塗布領域が分割されていても、既述のように塗布開始位置側にレジスト液が引き寄せられるので、隣接する塗布領域の開始点同士が隣接していれば、この境界部分に引き寄せられるレジスト液の量が多くなって当該部分の膜厚が際だって厚くなってしまう（図８(a)参照）。ここで図中矢印は塗布方向を示すものである。
【００４５】
従って膜厚の面内均一性を高めるためには、図８(b)に示すように、隣接する塗布領域の塗布開始位置同士が隣接しないように塗布方向を決定するか、又は図８(c)に示すように塗布順序及び塗布方向を決定することが要求される。
【００４６】
上述の例では、Ａ領域の塗布開始位置ｙ４は、Ｂ領域の塗布開始位置ｙ３と離れるように塗布順序が決定され（Ａ領域における塗布方向が決定され）、Ｃ領域の塗布開始位置ｙ１がＢ領域の塗布開始点ｙ３と離れるようにＣ領域の塗布方向が決定されているので、膜厚の面内均一性が高くなる。
【００４７】
さらに、図８(c)に示すように、隣接する領域同士の塗布方向が同じである場合のように、第１の領域７１の塗布終了位置と第２の領域７２の塗布開始位置とが隣接している場合において、第１の領域７１から第２の領域７２に続けて塗布を行うように塗布順序を設定すると、これら２つの領域をまとめて塗布することになるので、結局最初の塗布領域の塗布開始位置側にレジスト液が引き寄せられ、この部分の膜厚がかなり厚くなってしまう。
【００４８】
従ってこの場合には、第１の領域７１の塗布終了位置と第２の領域の塗布開始位置とを連続して塗布しないように塗布順序を設定し、先ず第２の領域を塗布した後、第１の領域を塗布するように、供給ノズル６及びウエハＷの移動、開閉バルブ６８の開閉による供給ノズル６へのレジスト液の供給のタイミングを制御する。
【００４９】
このように、隣接する塗布領域の塗布開始位置同士が隣接しないように、また隣接する領域について塗布方向が同じである場合に、塗布方向の手前側（図８(c)の例では第１の領域）の塗布終了位置と、塗布方向の先行側（図８(c)の例では第２の領域）の塗布開始位置とを連続して塗布しないようにすれば、既述のようにレジスト膜の膜厚の面内均一性を高めることができ、この範囲では自由に塗布順序や塗布方向を設定することができる。
【００５０】
このため上述のウエハＷを３分割にする例では、既述の塗布条件に限らず、例えば図９(a)に示すように、先ずＢ領域について塗布開始位置ｙ３から塗布終了位置ｙ２に向かう塗布方向で塗布した後、Ａ領域について塗布開始位置ｙ４から塗布終了位置ｙ３に向かう塗布方向で塗布し、続いてＣ領域について塗布開始位置ｙ２から塗布終了位置ｙ１に向かう塗布方向で塗布するようにしてもよいし、例えば図９(b)に示すように、先ずＡ領域について塗布開始位置ｙ４から塗布終了位置ｙ３に向かう塗布方向で塗布した後、Ｂ領域について塗布開始位置ｙ２から塗布終了位置ｙ３に向かう塗布方向で塗布し、続いてＣ領域について塗布開始位置ｙ１から塗布終了位置ｙ２に向かう塗布方向で塗布するようにしても、高い膜厚の面内均一性を確保することができる。
【００５１】
このように本発明では、レジスト膜の塗布において膜厚の均一性を高めることができるので、レジスト膜の生産性を高めることができる。また塗布方向や塗布順序を制御することで膜厚の均一性を向上させることができるので、従来膜厚の均一性を高めるために行われていた基板温度等のプロファイル等の制御が不要となって、装置自体のコストダウンを図ることができる。
【００５２】
続いて本発明の他の塗布例について、ウエハＷの塗布領域を例えば図１０に示すように５つに分割した場合を例をして具体的に説明する。この例ではウエハＷはノッチ４３を左に向けて位置合わせされ、塗布領域がＹ方向に３つに分割されると共に、その内の中央領域がさらにＸ方向に３つに分割され、こうしてＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅの５つの領域に分割されている。
【００５３】
先ず図１０(a)に示すように、ウエハＷのＣ領域に対して、Ａ領域近傍に塗布開始位置を設定し、ここからＥ領域側に進む塗布方向でレジスト液６０の塗布を行ない、次に図１０(b)に示すように、ウエハＷのＡ領域に対して、Ｃ領域から遠い側に塗布開始位置を設定し、ここからＣ領域側に進む塗布方向でレジスト液６０の塗布を行ない、次いで図１０(c)に示すように、ウエハＷのＥ領域に対して、Ｃ領域から遠い側に塗布開始位置を設定し、ここからＣ領域側に進む塗布方向でレジスト液６０の塗布を行なう。
【００５４】
この後図１１(a)に示すように、ウエハＷを、例えばノッチ４３が下を向くように左方向に９０度回転させ、ウエハＷのＢ領域に対して、Ｃ領域から遠い側に塗布開始位置を設定し、ここからＣ領域側に進む塗布方向でレジスト液６０の塗布を行ない、最後に図１１(b)に示すように、ウエハＷのＤ領域に対して、Ｃ領域から遠い側に塗布開始位置を設定し、ここからＣ領域側に進む塗布方向でレジスト液６０の塗布を行なう。この際、供給ノズル６やウエハ保持体２の移動、ウエハＷの回転は、夫々ノズル・ウエハ駆動部３６、Ｚ駆動・θ回転駆動部２６を介して制御部Ｃにより制御され、供給ノズル６からのレジスト液６０供給のタイミングも制御部Ｃにより制御される。
【００５５】
またこの例では、Ｂ，Ｃ，Ｄ領域の供給ノズルのＸ方向の移動幅は、Ａ，Ｅ領域よりも小さいので、マスク部材として供給ノズル６のＸ方向の往復ストロークに応じて、開口部の大きさが変化するような構成のものを用いることが望ましい。このようなマスク部材としては、例えば図１２に示すような構造を採用することができ、この例では、マスク部材８はＸ方向に沿って離間して設けられた一対の受け部材８１，８１を有し、この受け部材８１，８１は供給ノズル６のＸ方向のストロークに応じてその間隔が変化するように駆動され、常に供給ノズル６の折り返し地点に位置するように構成される。
【００５６】
前記受け部材８１，８１は、例えば図に示すように、上面側がチャンネル形状に形成され、先端面を除いてレジスト液の液垂れ防止するための側壁８２を備えている。そして先端面から伝わるレジスト液は図示しない吸引孔により吸引除去されるように構成されている。
【００５７】
そしてこの受け部材８１，８１は、例えばＸ方向に沿って延出されたＬ字状のアーム８３を介して受け部材駆動機構８４に接続されており、この駆動機構８４は、図１，２に５３で示すリニアスライド機構に固定されていて、このリニアスライド機構５３と一体的にＹ方向に移動するようになっている。受け部材駆動機構８４としては、例えばステッピングモータ及び直線ギアを用いることができる。また受け部材駆動機構８４は前記制御部Ｃに接続されており、前記供給ノズル６のＸ方向のストロークに、すなわちＢ，Ｃ，Ｄ領域のＸ方向の幅に略一致するように前記受け部材８１，８１の対向間隔が制御されるようになっている。
【００５８】
この例においても、ウエハＷ上のレジスト液の広がり量に対応して適正なＹ方向の送りピッチ及び夫々の領域の塗布開始位置及び塗布終了位置を設定することにより、前記分割された夫々の領域に満遍なく均一なレジスト膜を形成することができる。
【００５９】
この例では、ウエハＷの塗布領域を５分割しているが、隣接する塗布領域の塗布開始位置同士が隣接しないように、また塗布方向の手前側の領域の塗布終了位置と先側の領域の塗布開始位置とを連続して塗布しないように、塗布順序や塗布方向を設定しているので、膜厚の面内均一性が高くなる。この際この例では供給ノズル６はＸ方向のみに移動するように構成されているが、ウエハＷを回転させることにより、塗布方向と供給ノズル６の移動方向とを揃えることができ、これにより設定された塗布順序及び塗布方向で塗布を行うことができる。またウエハＷの塗布領域を５分割しているため、分割された領域の面積がより小さくなり、この分割された領域内でのレジスト液の膜厚分布の幅が小さくなるので、より膜厚の面内均一性の高いレジスト液の塗布処理を行うことができる。
【００６０】
図１３はウエハＷの塗布領域を５分割した場合の他の例を示す。先ず図１３(a)において、Ａ領域に対してウエハ周縁側からＣ領域に向かう塗布方向で塗布し、次にＥ領域に対してＣ領域からウエハ周縁側に向かう塗布方向で塗布する。続いて図１３(b)に示すように時計回りにウエハＷを９０度回転させ、Ｂ領域に対してＣ領域側からウエハ周縁側に向かう塗布方向で塗布し、次にＤ領域に対してＣ領域からウエハ周縁側に向かう塗布方向で塗布する。そして最後に図１３(c)に示すように反時計回りにウエハＷを４５度回転させ、残ったＣ領域に対してＡ，Ｂ領域側からＤ，Ｅ領域側に向かう塗布方向で、すなわり回路形成領域の１辺に対して斜め４５度の方向で塗布する。
この例においても、ウエハＷ上のレジスト液の広がり量に対応して適正なＹ方向の送りピッチ及び夫々の領域の塗布開始位置及び塗布終了位置を設定することにより、前記分割された夫々の領域に満遍なく均一なレジスト膜を形成することができる。
【００６１】
また隣接する塗布領域の塗布開始位置同士が隣接しないように、また塗布方向の手前側の領域の塗布終了位置と先側の領域の塗布開始位置とを連続して塗布しないように、塗布順序や塗布方向を設定しているので、膜厚の面内均一性が高くなる。さらに最後のＣ領域においては、ノズルの動作についてその各折り返し位置がそのまわりの領域Ａ，Ｂ，Ｄ，Ｅに均等に振り分けられるので、その折り返し位置のレジストと各領域Ａ，Ｂ，Ｄ，Ｅに塗布されたレジストとが混ざる場合に、その混ざった部分の盛り上がりは少なくて済み、均一な膜を形成できる。
【００６２】
続いて本発明のさらに他の塗布例について、レジスト液６０の塗布経路が、例えば図１５に示すように螺旋状に形成される場合を例にして説明する。このような塗布経路は、ウエハＷを例えば２０〜３０ｒｐｍの低速で回転させつつ、供給ノズル６をウエハＷの直径方向（例えばＸ方向）に移動させることにより達成される。
【００６３】
このような塗布例について、例えば図１５(a)に点線で区画するように、塗布領域が径方向に２分され、中央部を含むＡ領域と、その周縁側のＢ領域との２つの領域に分割されている例を用いて説明する。先ずウエハＷのＢ領域に対して、塗布開始位置を周縁側とし、ここから中央側へ向かう螺旋を描くように、図中内側に進む塗布方向でレジスト液６０の塗布を行ない、次にウエハＷのＡ領域に対して、塗布開始位置を中央側とし、図中周縁側へ向かう螺旋を描くように、図中外側に進む塗布方向でレジスト液６０の塗布を行なう。この際ウエハＷ上のレジスト液の広がり量に対応して適正なピッチ及び夫々の領域の塗布開始位置及び塗布終了位置を設定することにより、前記分割された夫々の領域に満遍なく均一なレジスト膜を形成される。
【００６４】
この例においても、隣接する塗布領域の塗布開始位置同士が隣接せず、また塗布方向の手前側の領域の塗布終了位置と先側の領域の塗布開始位置とが連続して塗布されないので、形成されるレジスト膜の膜厚の面内均一性が高くなる。このように、隣接する塗布領域の塗布開始位置同士が隣接せず、また塗布方向の手前側の領塗布終了位置と先側の領域の塗布開始位置とを連続して塗布しないように塗布方向と塗布順序を決定すればどのように塗布してもよく、例えば図１５(b)に示すように、先ずウエハＷのＢ領域に対して、塗布開始位置を中央側とし、ここから周縁側へ向かう螺旋を描くように、図中外側に進む塗布方向でレジスト液６０の塗布を行ない、次にウエハＷのＡ領域に対して、塗布開始位置を中央側とし、図中周縁側へ向かう螺旋を描くように、図中外側に進む塗布方向でレジスト液６０の塗布を行なうようにしてもよい。
【００６５】
図１６は、上述のようにウエハＷを５分割して、夫々の領域毎に異なるレジスト、例えば粘度が異なるレジスト液を塗布する場合に、その粘度が異なるレジストを生成する混合装置５０を示す。この混合装置５０は、図１に示したレジストタンク６５と、シンナを貯溜したシンナタンク４５と、レジスト液とシンナとの混合液を供給ノズル６へ供給する混合液供給管４９と、混合液供給管４９へレジスト液を供給するレジスト液供給管４８と、混合液供給管４９へシンナを供給するシンナ供給管３７と、レジストタンク６５内のレジスト液を吸い上げ、レジスト液供給管４８に導入するレジスト用ベローズポンプ８５と、シンナタンク４５内のシンナを吸い上げ、シンナ供給管３７に導入するシンナ用ベローズポンプ４６と、レジスト液とシンナとの混合液を更に撹拌混合するミキサ４７と、このミキサ４７で撹拌混合された混合液の粘度を測定する粘度センサ７０と、レジスト用ベローズポンプ８５及びシンナ用ベローズポンプ４６の動作量を例えばリニアアクチュエータ等により制御する制御部８６とを備えている。
【００６６】
粘度センサ７０による計測結果は制御部８６に入力され、この計測結果に基づいて両ベローズポンプ８５及び４６が制御されるようになっている。このような混合装置５０は本発明の粘度調整手段に相当するものであり、この装置５０により、レジストとシンナを混合することで適宜レジストの粘度を調整し、各領域毎に粘度の異なるレジストを供給するようにする。なお粘度センサ７０としては例えば圧電セラミックを駆動源としたねじれ振動子を利用したもの等がある。
【００６７】
このような方法によれば、１枚のウエハ上に異なるＩＣを形成する場合、例えば５種類の特定用途ＩＣ（ＡＳＩＣ）を１枚のウエハ上の上記各領域に形成する場合には、その各領域（５分割）のＩＣに適合した粘度のレジストを塗布することができる。すなわち粘度の異なるレジストは、その濃度が異なるため、ウエハの露光処理時において光の感度等が異なるが、各領域のＩＣに適した粘度のレジストを塗布することができる。
【００６８】
また、このような混合装置５０を用いて、例えば図１７(a)に示すように、供給ノズル６をウエハＷの周縁領域上に停止・固定させた状態で、ウエハＷを２０〜３０ｒｐｍの低速で回転させつつ、そのウエハ周縁に符号８７で示すようにレジストを塗布する。そして図１７(b)に示すように、ウエハＷの周縁領域以外の領域に、符号８８で示すように供給ノズル６を移動させながらレジストを塗布していく。このとき周縁領域以外に塗布するレジスト８８の粘度よりも周縁領域に塗布するレジストの粘度を高く設定する。このようにウエハ周縁領域のレジストの粘度を高くすると、周縁領域にレジストの‘土手’を形成することができ、ウエハＷの周縁からレジストが流れてしまうというような不都合の発生を抑えることができる。
【００６９】
更に、レジストの粘度を可変とするだけでなく、図１６に示すレジスト用ベローズポンプ８５のみを用いて、その動作量のみの制御により供給ノズル６から吐出されるレジストの単位時間当たりの吐出量（以下、単に吐出量という）を可変とすることもできる。例えば図１８（ａ）に示すように、ウエハＷ上の塗布領域をセンター位置（ノッチ部分４３）よりずらして、破線で示す分割線４４の位置で分割し、先ず面積が小さい方のＡ領域において、分割線４４側からウエハＷの周縁側に向かう塗布方向で塗布し、次に図１８（ｂ）に示すように、面積が大きい方のＢ領域において、ウエハＷの周縁側から分割線４４に向かう塗布方向で塗布していく。
【００７０】
この場合、Ａ領域における塗布時間は例えば５秒である。一方、Ｂ領域における塗布時間は例えば５５秒であって、Ｂ領域に塗布するレジストの吐出量をＡ領域に塗布するレジストの吐出量よりも少なく、例えば２分の１の量にする。これにより、先ずＡ領域でレジストによる‘土手’を形成することができる。次にＢ領域に対する少ない吐出量で塗布していくことにより、塗布開始部分を示す符号８９に引き寄せられるレジスト量を少なくでき、また、図１８（ｃ）に示す符号９６で示す塗布終了時点では、その終了部分９６と、Ａ領域におけるＢ領域より多い吐出量での吐出開始部分９７とが混ざり合って、図１８（ｃ）に示すように全体として均一に塗布できる。
【００７１】
以上説明した各例は供給ノズル６の移動速度（スキャン速度）を一定にしていたが、これを可変とすることもできる。これによりウエハＷ上の各領域毎に、スキャン速度を変更して、そのウエハＷの各領域上に供給されるレジストの量を変えて膜厚を調整し、こうして均一な膜厚を得ることができる。
【００７２】
次に上述の現像装置をユニットに組み込んだ塗布・現像装置の一例の概略について図１９及び図２０を参照しながら説明する。図１９及び図２０中、９はウエハカセットを搬入出するための搬入出ステ−ジであり、例えば２５枚収納されたカセットＣが例えば自動搬送ロボットにより載置される。搬入出ステ−ジ９に臨む領域にはウエハＷの受け渡しア−ム９０がＸ，Ｙ方向およびθ回転（鉛直軸回りの回転）自在に設けられている。更にこの受け渡しア−ム９０の奥側には、例えば搬入出ステ−ジ９から奥を見て例えば右側には塗布・現像系のユニットＵ１が、左側、手前側、奥側には加熱・冷却系のユニットＵ２，Ｕ３，Ｕ４が夫々配置されていると共に、塗布・現像系ユニットと加熱・冷却系ユニットとの間でウエハＷの受け渡しを行うための、例えば昇降自在、左右、前後に移動自在かつ鉛直軸まわりに回転自在に構成されたウエハ搬送ア−ムＭＡが設けられている。但し図２０では便宜上ユニットＵ２及びウエハ搬送ア−ムＭＡは描いていない。
【００７３】
塗布・現像系のユニットにおいては、例えば上段に２個の現像ユニット９１が、下段に２個の上述の塗布膜形成装置を備えた塗布ユニット９２が設けられている。加熱・冷却系のユニットにおいては、加熱ユニットや冷却ユニット、疎水化処理ユニット等が上下にある。
【００７４】
塗布・現像系ユニットや加熱・冷却系ユニットを含む上述の部分をクリ−ントラックと呼ぶことにすると、このクリ−ントラックの奥側にはインタ−フェイスユニット９３を介して露光装置９４が接続されている。インタ−フェイスユニット９３は例えば昇降自在、左右、前後に移動自在かつ鉛直軸まわりに回転自在に構成されたウエハ搬送ア−ム９５によりクリ−ントラックと露光装置９４との間でウエハＷの受け渡しを行うものである。
【００７５】
この装置のウエハの流れについて説明すると、先ず外部からウエハＷが収納されたウエハカセットＣが前記搬入出ステ−ジ９に搬入され、ウエハ搬送ア−ム３９０によりカセットＣ内からウエハＷが取り出され、既述の加熱・冷却ユニットＵ３の棚の一つである受け渡し台を介してウエハ搬送ア−ムＭＡに受け渡される。次いでユニットＵ３の一の棚の処理部内にて疎水化処理が行われた後、塗布ユニット９２にてレジスト液が塗布され、レジスト膜が形成される。レジスト膜が塗布されたウエハＷは加熱ユニットで加熱された後インタ−フェイスユニット９３を介して露光装置９４に送られ、ここでパタ−ンに対応するマスクを介して露光が行われる。
【００７６】
その後ウエハＷは加熱ユニットで加熱された後、冷却ユニットで冷却され、続いて現像ユニット９１に送られて現像処理され、レジストマスクが形成される。しかる後ウエハＷは搬入出ステ−ジ９上のカセットＣ内に戻される。
【００７７】
以上において本発明では、ウエハＷの分割された塗布領域の各領域に対して所定の塗布順序及び／又は所定の塗布方向でレジスト液を供給し、前記ウエハＷ表面の分割された領域毎にレジスト液の液膜を形成すればよく、この場合にはレジスト液が塗布開始位置側に引き寄せられてこの部分の膜厚が大きくなるという現象は当該領域のみで発生するので、結果として膜厚の面内均一性を高めることができる。
【００７８】
また本発明では上述の塗布例には限定されず、隣接する分割された領域の塗布開始位置同士が隣接しないように、及び／又は隣接する分割された領域の一方の領域の塗布終了位置と他方の領域の塗布開始位置とが隣接する場合に、前記塗布終了位置と前記塗布開始位置とをこの順序で連続して塗布しないようにすれば、前記分割された各領域に対して自由に塗布順序及び／又は塗布方向を決定することができ、この場合にはより高い膜厚の面内均一性を得ることができる。
【００７９】
さらに供給ノズル６とウエハＷとは相対的に移動されるものであって、例えば供給ノズル６を固定してウエハＷをＸＹ方向に駆動するようにしてもよい。また供給ノズル６やウエハ保持体２の駆動機構についても上述の例に限定されるものではなく、例えばベルト駆動機構等を用いてもよい。
【００８０】
さらにまた上述の例では、開閉バルブ６８の開閉によって供給ノズル６へのレジスト液の供給のタイミングを制御するようにしたが、このような構成に限らず、例えば開閉バルブ６８を設けずに、ポンプ６７の動作を制御部Ｃにより制御することによって、供給ノズル６へのレジスト液の供給のタイミングを制御するようにしてもよい。
【００８１】
さらにまた処理液としてレジスト液を例にして説明したが、これに限定されるものではなく、例えば層間絶縁膜材料や高導電性材料、低誘電体材料、強誘電体材料、配線材料、有機金属材料、銀ペースト等の金属ペースト等に適用することができる。また基板としては、半導体ウエハに限らず、ＬＣＤ基板や露光マスクなどであってもよい。ここで本発明の中で略水平とは、ほぼ水平な状態を含むということであり、略平行とはほぼ平行な状態を含むということである。
【００８２】
また上記実施の形態では、図１６に示すようにレジスト粘度を調整するために混合装置５０を使用したが、これに限らず、他種類の粘度のレジストを予め用意しておき、これによりレジスト塗布又は粘度調整を行うようにしてもよい。
【００８３】
【発明の効果】
本発明によれば、基板の塗布領域を分割し、この分割された各領域に対して所定の塗布順序及び／又は所定の塗布方向で処理液を供給して、分割された領域毎に処理液の液膜を形成しているので、形成される液膜の膜厚の面内均一性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の塗布膜形成装置の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】前記塗布膜形成装置を示す平面図である。
【図３】レジスト液の塗布経路を説明するための斜視図である。
【図４】レジスト液の供給ノズルを示す断面図である。
【図５】ウエハＷの塗布領域の分割領域を説明するための平面図である。
【図６】ウエハＷの塗布例を説明するための平面図である。
【図７】ウエハＷの塗布例を説明するための平面図である。
【図８】ウエハＷの塗布例を説明するための平面図である。
【図９】ウエハＷの塗布例を説明するための平面図である。
【図１０】ウエハＷの他の塗布例を説明するための平面図である。
【図１１】ウエハＷの他の塗布例を説明するための平面図である。
【図１２】マスク部材の他の例を示す斜視図である。
【図１３】ウエハＷの他の塗布例を説明するための平面図である。
【図１４】ウエハＷのさらに他の塗布例を説明するための斜視図である。
【図１５】ウエハＷのさらに他の塗布例を説明するための斜視図である。
【図１６】レジストの粘度を可変とする混合装置を示す制御構成図である。
【図１７】前記混合装置を用いて塗布する場合の塗布例を示す平面図である。
【図１８】前記混合装置を用いて塗布する場合の他の塗布例を示す平面図である。
【図１９】本発明の塗布膜形成装置を備えた塗布現像装置を示す平面図である。
【図２０】前記塗布現像装置を示す概観斜視図である。
【図２１】    従来のレジスト液の塗布装置を示す側面図である。
【図２２】一筆書き方式のレジスト液の塗布方法を示す平面図である。
【図２３】ウエハＷ上へのレジスト液の供給の様子を示す側面図である。
【図２４】ウエハＷ上のレジスト膜の膜厚分布を示す側面図である。
【符号の説明】
Ｗ              半導体ウエハ
２              ウエハ保持体
２６            Ｚ駆動・θ回転駆動部
３              フレーム
３６            ノズル・ウエハ駆動部
４，８          マスク部材
５              天板
５ａ            スリット
５０            混合装置
６              供給ノズル
６０            レジスト液
６３            吐出孔
６５            レジスト液タンク
６８            開閉バルブ
【図１】
0004256584.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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