(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板を用意する工程と、
前記支持基板上に、皮膜を形成する工程と、
前記皮膜を、部分的に光透過量の異なる領域を有するフォトマスクを介して露光させて、現像することにより、第１領域ではより厚く、第２領域ではより薄くなるようなパターンとして形成する工程と、
パターン化された前記皮膜を硬化させて、前記第１領域がより厚く、前記第２領域がより薄い絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に、前記第１領域においては、ライン幅および／またはスペース幅がより広く、前記第２領域においては、ライン幅および／またはスペース幅がより狭い導体回路パターンを形成する工程と
を備えることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記第１領域のライン幅および／またはスペース幅が３０〜２００μｍで、前記第２領域のライン幅および／またはスペース幅が８〜５０μｍであることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁層が、感光性ポリイミド樹脂前駆体を用いて形成されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記配線回路基板が、回路付サスペンション基板であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法により得られることを特徴とする、配線回路基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線回路基板およびその製造方法、詳しくは、回路付サスペンション基板として好適に用いられる配線回路基板およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
配線回路基板は、絶縁層上に、所定の導体回路パターンが形成されているものであって、電子部品や電子機器などに広く用いられている。特に、近年では、サスペンション基板に、磁気抵抗素子と、その磁気抵抗素子によって読み書きされるリード・ライト信号が伝達されるリード・ライト基板とを接続するための導体回路パターンが、一体として形成されている回路付サスペンション基板が広く普及されつつある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかるに、近年における記録密度の上昇および装置の小型化に伴なって、回路付サスペンション基板も、より小型のものが要求されてきており、そのため、サスペンション基板上に、導体回路パターンを形成するスペースが、ますます狭くなってきている。特に、磁気抵抗素子の周辺や、接続端子部の周辺では、物理的なスペースの制約が大きくなり、その領域においては、導体回路パターンのライン幅およびスペース幅を、他の領域よりも狭くする必要を生じている。
【０００４】
しかし、導体回路パターンのライン幅およびスペース幅を狭くすると、導体回路パターンのライン幅およびスペース幅が広い領域と狭い領域との間で、特性インピーダンスが不一致となって、高速で信号を伝達する場合に、信号伝達の不良を引き起こす原因となる。
【０００５】
本発明は、このような事情に鑑みなされたものであって、その目的とするところは、小型化を図ることができながら、かつ、高速で信号を伝達することのできる配線回路基板およびその製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の配線回路基板の製造方法は、支持基板を用意する工程と、前記支持基板上に、皮膜を形成する工程と、前記皮膜を、部分的に光透過量の異なる領域を有するフォトマスクを介して露光させて、現像することにより、第１領域ではより厚く、第２領域ではより薄くなるようなパターンとして形成する工程と、パターン化された前記皮膜を硬化させて、前記第１領域がより厚く、前記第２領域がより薄い絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に、前記第１領域においては、ライン幅および／またはスペース幅がより広く、前記第２領域においては、ライン幅および／またはスペース幅がより狭い導体回路パターンを形成する工程とを備えることを特徴としている。
【０００８】
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記第１領域のライン幅および／またはスペース幅が３０〜２００μｍで、前記第２領域のライン幅および／またはスペース幅が８〜５０μｍであることが好ましい。
【０００９】
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記絶縁層が、感光性ポリイミド樹脂前駆体を用いて形成されていることが好ましい。感光性ポリイミド樹脂前駆体を用いれば、絶縁層の形成時に、露光量を調節することにより、第１領域および第２領域において厚みの異なる絶縁層を容易に形成することができる。
【００１０】
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、前記配線回路基板が、回路付サスペンション基板であることが好適である。
また、本発明の配線回路基板は、上記配線回路基板の製造方法により得られることを特徴としている。
このような配線回路基板およびその製造方法では、部分的に光透過量の異なる領域を有するフォトマスクが用いられるため、階調露光によって、簡易かつ確実に、第１領域がより厚く、前記第２領域がより薄い絶縁層を形成することができる。
また、このような配線回路基板およびその製造方法では、第２領域において、導体回路パターンのライン幅および／またはスペース幅が第１領域よりも狭く形成されていても、第２領域の絶縁層の厚さが、第１領域の絶縁層の厚さよりも薄く形成されているので、第２領域の導体回路パターンの特性インピーダンスが、第１領域の導体回路パターンの特性インピーダンスに対して、大きくなることを低減することができる。そのため、第２領域の導体回路パターンのライン幅および／またはスペース幅を、第１領域の導体回路パターンのライン幅および／またはスペース幅よりも狭くして、効率的な導体回路パターンの形成により、配線回路基板の小型化を図ることができながら、かつ、第１領域および第２領域の導体回路パターンの特性インピーダンスの差を少なくして、高速で信号を伝達することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態として、回路付サスペンション基板の一例を示す平面図である。図１において、この回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブの磁気抵抗素子２を実装して、その磁気抵抗素子２を、磁気抵抗素子２と磁気ディスク（図示せず）とが相対的に走行する時の空気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小な間隔を保持しながら支持するものであり、磁気抵抗素子２とリード・ライト基板３とを接続するための配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄが、所定の導体回路パターン４として一体に形成されている。
【００１２】
すなわち、この回路付サスペンション基板１は、支持基板５上に、絶縁層としてのベース層６が形成されており、そのベース層６上に、所定の導体回路パターン４が形成されている。
【００１３】
支持基板５は、長手方向に延びる略矩形板状をなし、その後端部が、略Ｌ字状に突出形成されている。この支持基板５は、金属箔または金属薄板からなり、その厚さが、１０〜６０μｍ、さらには、１５〜３０μｍ、その幅が、５０〜５００ｍｍ、さらには、１２５〜３００ｍｍのものが好適に用いられる。
【００１４】
また、ベース層６は、樹脂などの絶縁体からなり、支持基板５上に所定のパターンとして形成されている。
【００１５】
また、導体回路パターン４は、導体からなり、その厚さが、例えば、２〜２０μｍ、好ましくは、５〜１８μｍとして形成されている。
【００１６】
また、支持基板５の前端部には、その支持基板５を切り抜くことによってジンバル（図示せず）が形成されており、そのジンバルに略矩形状の磁気抵抗素子２が実装されている。また、支持基板５の前端部であって、磁気抵抗素子２と隣接する部分には、磁気抵抗素子２と各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄとを接続するための磁気抵抗素子側接続端子部７が形成されている。この磁気抵抗素子側接続端子部７は、磁気抵抗素子２の前方であって、支持基板５の長手方向に対して直交する方向において、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄに対応するように、それぞれ形成されている。
【００１７】
また、支持基板５の後端部には、リード・ライト基板３の各端子部８と各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄとを接続するための外部回路側接続端子部９が形成されている。この外部回路側接続端子部９は、支持基板５の略Ｌ字状に突出形成されている部分において、支持基板５の長手方向に沿う方向で、各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄに対応するように、それぞれ形成されている。
【００１８】
そして、導体回路パターン４として形成される各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄは、ベース層６上に、支持基板５の長手方向に沿って、磁気抵抗素子側接続端子部７と外部回路側接続端子部９とを接続するようにして、互いに所定の間隔を隔てて、平行状に形成されている。より具体的には、４つの配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄは、２つの配線（４ａおよび４ｂ、４ｃおよび４ｄ）が１組として引き回されており、支持基板５の前端部においては、２組の配線（４ａおよび４ｂ、４ｃおよび４ｄ）が磁気抵抗素子２を挟んで支持基板５の長手方向に沿って対向状に延び、磁気抵抗素子側接続端子部７に、その前方側から接続されるように引き回されている。
【００１９】
また、支持基板５の後端部では、略Ｌ字状に突出形成されている部分において、４つの配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄが平行状に延び、略Ｌ字状に屈曲された後に、外部回路側接続端子部９に接続されるように引き回されている。
【００２０】
また、支持基板５における前端部と後端部との間の途中においては、２組の配線（４ａおよび４ｂ、４ｃおよび４ｄ）が、支持基板５の長手方向と直交する方向に所定の間隔を隔てて、ベース層６の両端部において、それぞれ平行状に形成されている。
【００２１】
そして、これら各配線４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄは、支持基板５における前端部（磁気抵抗素子２が実装されている周辺）と後端部（略Ｌ字状に突出形成されている部分）との間の第１領域としての中間領域１０においては、抵抗を低くするために、１組の配線（４ａおよび４ｂ、４ｃおよび４ｄ）間において、各配線のライン幅Ｌｗが３０〜２００μｍ、好ましくは、５０〜１２０μｍで、各配線間のスペース幅Ｓｗが３０〜２００μｍ、好ましくは、５０〜１００μｍとして、次に述べる両端領域１１より広く形成されている。
【００２２】
一方、支持基板５における前端部および後端部の第２領域としての両端領域１１においては、その前端部では、磁気抵抗素子２の周りに引き回して磁気抵抗素子側接続端子部７に接続する必要があり、また、後端部では、外部回路側接続端子部９に引き回して接続する必要があることから、ベース層６上において物理的なスペースの制約を受けるので、中間領域１０よりも、各配線のライン幅Ｌｗおよび／または各配線間のスペース幅Ｓｗを狭くしなければならず、そのため、この両端領域１１では、１組の配線（４ａおよび４ｂ、４ｃおよび４ｄ）間において、各配線のライン幅Ｌｗが８〜５０μｍ、好ましくは、１０〜４０μｍで、各配線間のスペース幅Ｓｗが８〜５０μｍ、好ましくは、１０〜３０μｍとして、中間領域１０よりより狭く形成されている。
【００２３】
そして、この回路付サスペンション基板１では、支持基板５上に形成されるベース層６の厚みが、図２に示すように、支持基板５の中間領域１０においては、６〜２５μｍ、好ましくは、８〜１８μｍの範囲で、両端領域１１より厚く形成される一方、支持基板５の両端領域１１においては、図３に示すように、２〜１８μｍ、好ましくは、３〜１３μｍの範囲で、中間領域１０より薄く形成されている。
【００２４】
このように、ベース層６の厚みが、中間領域１０では厚く、両端領域１１では薄く形成されていると、両端領域１１において、導体回路パターン４のライン幅Ｌｗおよび／またはスペース幅Ｓｗが中間領域１０よりも狭く形成されていても、両端領域１１のベース層６の厚さが、中間領域１０のベース層６の厚さよりも薄く形成されているので、両端領域１１の導体回路パターン４の特性インピーダンスが、中間領域１０の導体回路パターン４の特性インピーダンスに対して、大きくなることを低減することができる。
【００２５】
そのため、この回路付サスペンション基板１では、両端領域１１の導体回路パターン４のライン幅Ｌｗおよび／またはスペース幅Ｓｗを、中間領域１０の導体回路パターン４のライン幅Ｌｗおよび／またはスペース幅Ｓｗよりも狭くして、効率的な導体回路パターン４の形成により、回路付サスペンション基板１の小型化を図りながら、かつ、中間領域１０および両端領域１１の導体回路パターン４の特性インピーダンスの差を少なくして、高速で信号を伝達できるようにしている。より具体的には、この回路付サスペンション基板１は、中間領域１０および両端領域１１の導体回路パターン４の特性インピーダンスが実質的に一致するように、中間領域１０の厚さに対する両端領域１１のベース層６の厚さが、所定の厚さとなるように形成されることが好ましく、特性インピーダンスを実質的に一致させるための範囲としては、中間領域１０および両端領域１１の導体回路パターン４の特性インピーダンスの差が、±１０％の範囲であることが好ましい。
【００２６】
なお、この回路付サスペンション基板１においては、中間領域１０と両端領域１１と境界の境界領域１２においては、図１に示すように、各配線のライン幅Ｌｗおよび各配線間のスペース幅Ｓｗを、中間領域１０から両端領域１１に向かって、徐々に狭くするとともに、ベース層６の厚さも、図４に示すように、中間領域１０から両端領域１１に向かって、徐々に薄く形成している。
【００２７】
また、図１ないし図４においては、図示されていないが、この回路付サスペンション基板１には、実際には、導体回路パターン４上に、カバー層が被覆されている。このカバー層は、樹脂などの絶縁体からなり、導体回路パターン４上に所定のパターンとして形成され、通常、その厚さが、１〜３０μｍ、好ましくは、２〜５μｍとして形成されている。
【００２８】
次に、このような回路付サスペンション基板１を製造する方法の一例について、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態として、図５〜図７を参照して説明する。なお、図５〜図７においては、その右側に、回路付サスペンション基板１における中間領域１０を、その回路付サスペンション基板１の長手方向に直交する方向に沿う断面の一部（図１におけるＡ−Ａ線断面）として示し、その左側に、回路付サスペンション基板１における両端領域１１を、その回路付サスペンション基板１の長手方向に直交する方向に沿う断面の一部（図１におけるＢ−Ｂ線断面）として示している。
【００２９】
この方法では、まず、図５に示すように、支持基板５を用意して、その支持基板５上に、所定のパターンおよび厚さでベース層６を形成する。支持基板５としては、例えば、ステンレス、４２アロイがなどが好ましく用いられる。また、ベース層６としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂が用いられる。また、ベース層６は、感光性の合成樹脂を用いて形成することが好ましく、より具体的には、感光性ポリイミド樹脂前駆体を用いて形成することが好ましい。
【００３０】
すなわち、感光性ポリイミド樹脂前駆体を用いて、支持基板５上に、所定のパターンでベース層６を形成する場合には、まず、図５（ａ）に示すように、予め用意された支持基板５上に、図５（ｂ）に示すように、感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜６ｐを形成する。
【００３１】
感光性ポリイミド樹脂前駆体は、例えば、ポリアミック酸樹脂に、感光剤が配合されてなるものであって、ポリアミック酸樹脂は、酸二無水物とジアミンとを反応させることによって得ることができる。
【００３２】
酸二無水物としては、例えば、３，３’，４，４’−オキシジフタル酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物などが用いられ、また、ジアミンとして、例えば、ｐ−フェニレンジアミン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、ビスアミノプロピルテトラメチルジシロキサン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテルなどが用いられる。
【００３３】
そして、ポリアミック酸樹脂は、これら酸二無水物とジアミンとを、実質的に等モル比となるような割合で、適宜の有機溶媒、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどの極性溶媒中で、常温常圧の下、所定の時間反応させることよって、ポリアミック酸樹脂の溶液として得ることができる。さらに、このようなポリアミック酸樹脂には、必要に応じて、エポキシ樹脂、ビスアリルナジックイミド、マレイミドなどを配合してもよい。
【００３４】
感光剤としては、例えば、１，４−ジヒドロピリジン誘導体が好ましく用いられ、例えば、１−エチル−３，５−ジメトキシカルボニル−４−（２−ニトロフェニル）−１，４−ジヒドロピリジンなどが用いられる。また、このような感光剤は、酸二無水物とジアミンとの合計、すなわち、ポリアミック酸１モルに対して、通常、０．１〜１．０モルの範囲で配合される。
【００３５】
そして、支持基板５上に、感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜６ｐを形成するには、例えば、支持基板５上に、感光性ポリイミド樹脂前駆体を一定の厚さで公知の方法により塗工した後、乾燥させるようにするか、あるいは、予め、感光性ポリイミド樹脂前駆体を一定の厚さでドライフィルムとして形成しておき、このドライフィルムを支持基板５上に積層すればよい。
【００３６】
次いで、図５（ｃ）に示すように、感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜６ｐを、フォトマスク１４を介して露光させ、次いで、図５（ｄ）に示すように、必要により露光部分を所定の温度に加熱した後、現像することにより、感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜６ｐを、中間領域１０ではより厚く、両端領域１１ではより薄くなるようなパターンとして形成する。
【００３７】
露光のための照射光は、その露光波長が、３００〜４５０ｎｍ、さらには、３５０〜４２０ｎｍであることが好ましく、その露光積算光量が、１００〜３０００ｍＪ／ｃｍ２、さらには、２００〜１５００ｍＪ／ｃｍ２であることが好ましい。また、照射された感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜６ｐの露光部分は、例えば、１３０℃以上１５０℃未満で加熱することにより、次の現像処理において可溶化（ポジ型）し、また、例えば、１５０℃以上１８０℃以下で加熱することにより、次の現像処理において不溶化（ネガ型）する。また、現像は、例えば、アルカリ現像液などの公知の現像液を用いて、浸漬法やスプレー法などの公知の方法により行なえばよい。
【００３８】
なお、この方法においては、ネガ型で現像することが好ましく、図５においては、ネガ型でパターンニングする態様として示されている。
【００３９】
そして、感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜６ｐを、中間領域１０ではより厚く、両端領域１１ではより薄くなるように形成するには、より具体的には、部分的に光透過量の異なる領域を有するフォトマスク１４を用いて、感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜６ｐを露光する。このようなフォトマスク１４を用いれば、階調露光によって、簡易かつ確実に、より厚い中間領域１０と、より薄い両端領域１１とを同時に形成することができる。
【００４０】
すなわち、図５に示すように、ネガ型でパターンニングする場合には、感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜６ｐにおける中間領域１０を形成する部分への光を透過させるための透過部１４ａと、両端領域１１を形成する部分への光の照射量を低減させるための半透過部１４ｂと、皮膜６ｐを除去する部分への光の照射を遮光するための遮光部１４ｃとを有するフォトマスク１４を用いて、このフォトマスク１４を、透過部１４ａが中間領域１０を形成する部分に、半透過部１４ｂが両端領域１１を形成する部分に、また、遮光部１４ｃが支持基板５におけるベース層６が形成されない部分に、それぞれ対応するように配置して、このフォトマスク１４を介して感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜６ｐを露光すればよい。
【００４１】
このようなフォトマスク１４は、透過部１４ａおよび遮光部１４ｃを、例えば、ガラス板などの透明板から公知の構成によって形成するとともに、半透過部１４ｂを、例えば、フォトマスク１４における両端領域１１に対応する部分の表面を微細に荒らすことにより、その表面での乱反射成分を増加させて、その部分における透過光成分を減少させるように構成するか、あるいは、例えば、フォトマスク１４における両端領域１１に対応する部分の表面に、照射光を吸収するフィルムを貼着して、その部分における透過光成分を減少させるように構成するか、あるいは、例えば、フォトマスク１４における両端領域１１に対応する部分の表面に、光透過部分および遮光部分のパターンを形成して、その部分における透過光成分を減少させるように構成すればよい。
【００４２】
さらに、ガラス板などの透明板からなるフォトマスク１４において、透過部１４ａを除いて、照射光を遮光する金属薄膜を形成することにより、遮光部１４ｃを形成するとともに、上記の金属薄膜よりも厚みの薄い金属薄膜を形成することにより、半透過部１４ｂを形成して、その部分における透過光成分を減少させるように構成してもよい。すなわち、このようなフォトマスク１４は、例えば、所定のパターンに対応するように透過部１４ａおよび遮光部１４ｃが形成されたフォトマスク１４（従来のフォトマスク）において、半透過部１４ｂを、上記の金属薄膜より厚みが薄いクロムなどの金属薄膜を蒸着またはめっきにより形成することにより形成することができる。
【００４３】
このような透過部１４ａ、半透過部１４ｂおよび遮光部１４ｃを有するフォトマスク１４を用いれば、１回の露光により、確実に、中間領域１０に対応する部分に照射光を照射できるとともに、両端領域１１に対応する部分に照射量を低減して照射することができるので、簡易かつ確実に、中間領域１０および両端領域１１を形成することができる。
【００４４】
なお、上記したフォトマスク１４のうちでは、半透過部１４ｂを、光透過部分および遮光部分のパターンとして形成するものが好ましく用いられる。このようなフォトマスク１４は、例えば、ガラスなどの透明板の全面に、クロムなどの金属薄膜を蒸着またはめっきした後、その金属薄膜をレーザーや電子ビームなどを用いてパターン化することにより、透過部１４ａおよび遮光部１４ｃとともに、半透過部１４ｂを形成することにより得ることができる。
【００４５】
例えば、半透過部１４ｂとして、光透過部分および遮光部分の金属薄膜のパターンを、６μｍ以下のピッチ（各光透過部分および各遮光部分の幅）の縞状の繰り返しパターンとして形成すれば、露光波長が、上記したように３００〜４５０ｎｍの場合には、その照射光が両端領域１１を形成する部分に均一に照射され、両端領域１１における皮膜６ｐの厚みを均一に形成することができる。なお、半透過部１４ｂの平均透過率は、１０〜８０％、好ましくは、１５〜５０％であることが好ましい。
【００４６】
なお、このような中間領域１０と両端領域１１との形成において、境界領域１２は、上記したように、中間領域１０から両端領域１１に向かって徐々に薄く形成する場合には、フォトマスク１４を、透過部１４ａから半透過部１４ｂに向かって、光を徐々に遮光するように形成すればよい。
【００４８】
また、ポジ型でパターンニングする場合には、フォトマスク１４を、照射光を遮光する遮光板によって構成し、中間領域１０に対応する部分では、照射光をすべて遮光させるとともに、両端領域１１に対応する部分では、照射光を所定の割合で透過させるように構成すればよい。
【００４９】
そして、この方法では、図５（ｄ）に示すように、感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜６ｐをイミド化して、ポリイミド樹脂からなるベース層６を形成する。イミド化は、感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜６ｐを、例えば、最終的に３００℃以上に加熱することによって硬化させればよい。これによって、中間領域１０がより厚く、両端領域１１がより薄い、ポリイミド樹脂からなるベース層６が形成される。
【００５０】
次いで、このベース層６上に、所定の導体回路パターン４を形成する。導体回路パターンを形成する導体としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などが用いられ、好ましくは、銅が用いられる。また、所定の導体回路パターン４は、ベース層６の表面に、例えば、サブトラクティブ法、アディティブ法、セミアディティブ法などの公知のパターンニング法によって、所定のパターンとして形成すればよい。
【００５１】
サブトラクティブ法では、まず、ベース層６の表面の全面に、必要により接着剤層を介して導体層を積層し、次いで、この導体層上に、所定の導体回路パターン４に対応させてエッチングレジストを形成し、このエッチングレジストをレジストとして、導体層をエッチングして、その後に、エッチングレジストを除去することにより、導体回路パターン４を形成する。
【００５２】
また、アディティブ法では、まず、ベース層６上に、所定の導体回路パターン４と逆パターンでめっきレジストを形成して、次いで、ベース層６におけるめっきレジストが形成されていない表面に、めっきにより、所定の導体回路パターン４を形成し、その後に、めっきレジストを除去するようにする。
【００５３】
また、セミアディティブ法では、まず、ベース層６上に下地となる導体の薄膜を形成して、次いで、この下地上に、所定の導体回路パターン４と逆パターンでめっきレジストを形成した後、下地におけるめっきレジストが形成されていない表面に、めっきにより、所定の導体回路パターン４を形成し、その後に、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた下地を除去するようにする。
【００５４】
これらのパターンニング法のなかでは、図６に示すように、セミアディティブ法が好ましく用いられる。すなわち、セミアディティブ法では、まず、図６（ａ）に示すように、支持基板５およびベース層６の全面に、下地１５となる導体の薄膜を形成する。下地１５の形成は、真空蒸着法、とりわけ、スパッタ蒸着法が好ましく用いられる。また、下地１５となる導体は、クロムや銅などが好ましく用いられる。より具体的には、例えば、支持基板５およびベース層６の全面に、クロム薄膜と銅薄膜とをスパッタ蒸着法によって、順次形成することが好ましい。なお、クロム薄膜の厚みが、１００〜６００Å、銅薄膜の厚みが、５００〜２０００Åであることが好ましい。
【００５５】
次いで、図６（ｂ）に示すように、その下地１５上に、所定の導体回路パターン４と逆パターンのめっきレジスト１６を形成する。めっきレジスト１６は、例えば、ドライフィルムレジストなどを用いて公知の方法により、所定のレジストパターンとして形成すればよい。次いで、図６（ｃ）に示すように、ベース層６におけるめっきレジスト１６が形成されていない部分に、めっきにより、所定の導体回路パターン４を形成する。めっきは、電解めっき、無電解めっきのいずれでもよいが、電解めっきが好ましく用いられ、なかでも、電解銅めっきが好ましく用いられる。
【００５６】
そして、図６（ｄ）に示すように、めっきレジスト１６を、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法、または剥離によって除去した後、図６（ｅ）に示すように、めっきレジスト１６が形成されていた下地１５を、同じく、化学エッチング（ウェットエッチング）など公知のエッチング法により除去する。これによって、ベース層６上に所定の導体回路パターン４が形成される。
【００５７】
このようにして形成される導体回路パターン４は、上記したように、中間領域１０においては、１組の配線（４ａおよび４ｂ、４ｃおよび４ｄ）間において、各配線のライン幅Ｌｗおよび／または各配線間のスペース幅Ｓｗがより広く、両端領域１１においては、１組の配線（４ａおよび４ｂ、４ｃおよび４ｄ）間において、各配線のライン幅Ｌｗおよび／または各配線間のスペース幅Ｓｗがより狭く形成される。
【００５８】
次いで、図７に示すように、導体回路パターン４の表面を金属皮膜１７により保護した後、この導体回路パターン４を、樹脂などの絶縁体からなるカバー層１３により被覆する。すなわち、まず、図７（ａ）に示すように、導体回路パターン４の表面、および、支持基板５の表面に、金属皮膜１７を形成する。この金属皮膜１７は、無電解ニッケルめっきによって、硬質のニッケル薄膜として形成することが好ましく、その厚みは、導体回路パターン４の表面が露出しない程度であればよく、例えば、０．０５〜０．１μｍ程度である。
【００５９】
次いで、導体回路パターン４を被覆するためのカバー層１３を、所定のパターンとして形成する。カバー層１３を形成するための絶縁体としては、ベース層６と同様の樹脂が用いられ、上記と同様に、感光性ポリイミド樹脂前駆体を用いて形成することが好ましい。
【００６０】
そして、例えば、感光性ポリイミド樹脂前駆体を用いて、カバー層１３を形成する場合には、図７（ｂ）に示すように、ベース層６および金属皮膜１７上に、感光性ポリイミド樹脂前駆体の溶液を、その全面に塗工した後、例えば、６０〜１５０℃、好ましくは、８０〜１２０℃で加熱することにより、感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜１３ｐを形成し、次に、図７（ｃ）に示すように、その皮膜１３ｐを、フォトマスク１８を介して露光させ、必要により露光部分を所定の温度に加熱した後、現像することにより、皮膜１３ｐによって、導体回路パターン４が被覆されるようにパターン化する。なお、この露光および現像の条件は、ベース層６を露光および現像する条件と同様の条件でよい。また、ネガ型でパターンを得ることが好ましく、図７においては、ネガ型でパターンニングする態様として示されている。
【００６１】
なお、このパターン化においては、図示しないが、磁気抵抗素子側接続端子部７および外部回路側接続端子部９が形成される部分には、その導体回路パターン４が露出する開口部が形成されるようにする。
【００６２】
そして、このようにしてパターン化されたポリイミド樹脂前駆体の皮膜１３ｐを、図７（ｄ）に示すように、例えば、最終的に３００℃以上に加熱することによって、イミド化（硬化）させ、これによって、ポリイミド樹脂からなるカバー層１３を、導体回路パターン４上に形成する。なお、カバー層１３の厚みは、例えば、１〜３０μｍ、好ましくは、２〜５μｍである。
【００６３】
次いで、図７（ｅ）に示すように、支持基板５上に形成されている金属皮膜１７を剥離するとともに、図示しないが、磁気抵抗素子側接続端子部７および外部回路側接続端子部９においては、カバー層１３が開口されることにより露出している金属皮膜１７を剥離する。
【００６４】
その後、図示しないが、磁気抵抗素子側接続端子部７および外部回路側接続端子部９に、例えば、電解ニッケルめっきと電解金めっきとを順次行なうことにより、ニッケルめっき層上に金めっき層を形成するとともに、支持基板５を、化学エッチングなど公知の方法によって、ジンバルなどの所定の形状に切り抜き、洗浄および乾燥することにより、図１に示すような回路付サスペンション基板１を得る。
【００６５】
この方法のように、感光性ポリイミド樹脂前駆体を用いて、ベース層６を形成すれば、露光量を調節することにより、中間領域１０および両端領域１１において厚みの異なるベース層６を容易に形成することができる。
【００６６】
そして、このようにして得られる回路付サスペンション基板１では、上記したように、ベース層６の厚みが、中間領域１０では厚く、両端領域１１では薄く形成されるので、両端領域１１において、導体回路パターン４のライン幅Ｌｗおよび／またはスペース幅Ｓｗが中間領域１０よりも狭く形成されていても、両端領域１１の導体回路パターン４の特性インピーダンスが、中間領域１０の導体回路パターン４の特性インピーダンスに対して、大きくなることを低減することができ、これによって、効率的な導体回路パターン４の形成による回路付サスペンション基板１の小型化を図ることができながら、中間領域１０および両端領域１１の導体回路パターン４の特性インピーダンスの差を少なくして、高速で信号を伝達することができる。
【００６７】
なお、以上の説明において、回路付サスペンション基板１は、支持基板５が、長手方向に延びる略矩形板状をなし、その後端部が、略Ｌ字状に突出形成されているが、その形状は何ら限定されることはない。また、ベース層６の厚みも、中間領域１０および両端領域１１に限らず、その形状によって、適宜変更すればよく、例えば、導体回路パターン４のライン幅Ｌｗおよび／またはスペース幅Ｓｗが、３態様以上として形成される場合には、各態様についてのライン幅Ｌｗおよび／またはスペース幅Ｓｗに対応して、ベース層６の厚みを調整することによって、それらの特性インピーダンスの差が少なくするように、好ましくは、実質的に一致するように、形成すればよい。
【００６８】
また、以上の説明では、回路付サスペンション基板を例にとって説明したが、本発明の配線回路基板は、何らこれに限定されることはなく、通常使用される配線回路基板であれば、いずれ配線回路基板であっても、適用することができる。
【００６９】
【実施例】
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されることはない。
【００７０】
実施例１
厚さ２０μｍの長手方向に延びるステンレス箔（図５（ａ）参照）上に、ポリアミック酸樹脂の溶液を塗工した後、１３０℃で加熱することにより、ポリアミック酸樹脂の皮膜を形成した（図５（ｂ）参照）。次いで、長手方向中間領域の透過率が１００％で両端領域の透過率が４０％である所定形状のフォトマスクを介して、皮膜を露光（４０５ｎｍ、１５００ｍＪ／ｃｍ２）させ（図５（ｃ）参照）、露光部分を１８０℃に加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、その皮膜をネガ型の画像でパターン化した。次いで、パターン化されたポリアミック酸樹脂の皮膜を、３５０℃で加熱して、硬化（イミド化）させ、これによって、両端領域の厚さが８μｍ、中間領域の厚さが１５μｍのポリイミド樹脂からなるベース層を形成した（図５（ｄ）参照）。
【００７１】
次いで、ステンレス箔およびベース層の全面に、厚さ３００Åのクロム薄膜と厚さ７００Åの銅薄膜とをスパッタ蒸着法によって順次形成した後（図６（ａ）参照）、所定の導体回路パターンと逆パターンのめっきレジストを、ドライフィルムレジストを用いて形成し（図６（ｂ）参照）、電解銅めっきにより、ベース層におけるめっきレジストが形成されていない部分に、所定の導体回路パターンを形成した（図６（ｃ）参照）。その後、めっきレジストを、化学エッチングによって除去した後（図６（ｄ）参照）、めっきレジストが形成されていたクロム薄膜および銅薄膜を、化学エッチングにより除去した（図６（ｅ）参照）。
【００７２】
なお、この導体回路パターンは、厚さ２０μｍで、互いに所定の間隔を隔てて平行状に配置される４本の配線パターンとし、中間領域における１組の配線のライン幅が１００μｍ、スペース幅が５０μｍで、両端領域における１組の配線のライン幅が５０μｍ、スペース幅が１５μｍとして形成した。
【００７３】
次いで、導体回路パターンの表面、および、ステンレス箔の表面に、無電解ニッケルめっきによって、厚さ０．１μｍの硬質のニッケル皮膜を形成した後（図７（ａ）参照）、ニッケル皮膜およびベース層の上に、ポリアミック酸樹脂の溶液を塗工した後、１３０℃で加熱することにより、ポリアミック酸樹脂の皮膜を形成した（図７（ｂ）参照）。
【００７４】
次いで、皮膜をフォトマスクを介して露光（４０５ｎｍ、１５００ｍＪ／ｃｍ２）させ（図７（ｃ）参照）、露光部分を１８０℃に加熱した後、アルカリ現像液を用いて現像することにより、この皮膜によって導体回路パターンが被覆されるようにパターン化した。次いで、パターン化されたポリアミック酸樹脂の皮膜を、３５０℃で加熱して、硬化（イミド化）させ、これによって、厚さ３μｍのポリイミド樹脂からなるカバー層を、導体回路パターン上に形成した（図７（ｄ）参照）。なお、このカバー層の形成においては、導体回路パターンにおける磁気抵抗素子側接続端子部および外部回路側接続端子部には、カバー層を被覆しないようにした。
【００７５】
その後、ステンレス箔の表面と、導体回路パターンの磁気抵抗素子側接続端子部および外部回路側接続端子部とに形成されているニッケル皮膜を剥離し（図７（ｅ）参照）、その磁気抵抗素子側接続端子部および外部回路側接続端子部に、電解ニッケルめっきと電解金めっきとを順次行ない、厚さ２μｍのニッケルめっき層および厚さ１μｍの金めっき層を形成するとともに、支持基板を、化学エッチングなど公知の方法によって、ジンバルなどの所定の形状に切り抜き、洗浄および乾燥することにより、回路付サスペンション基板を得た。なお、この回路付サスペンション基板は、図１に示す態様のものに相当する。
【００７６】
この回路付サスペンション基板において、中間領域および両端領域の特性インピーダンスを、タイム・ドメイン・リフレクトメトリ（ＴＤＲ）法によって測定したところ、中間領域および両端領域の特性インピーダンスはいずれも６０Ωであり、両者の差は０Ωであった。
【００７７】
比較例１
ベース層を、厚さ１５μｍの均一な層として形成した以外は、実施例１と同様の操作により、回路付サスペンション基板を作製した。
【００７８】
この回路付サスペンション基板において、中間領域および両端領域の特性インピーダンスをＴＤＲ法によって測定したところ、中間領域の特性インピーダンスが６０Ωであるところ、両端領域の特性インピーダンスが７５Ωであり、両者の差が１５Ωであった。
【００７９】
【発明の効果】
以上述べたように、  このような配線回路基板およびその製造方法では、部分的に光透過量の異なる領域を有するフォトマスクが用いられるため、階調露光によって、簡易かつ確実に、第１領域がより厚く、前記第２領域がより薄い絶縁層を形成することができる。
また、本発明の配線回路基板およびその製造方法によれば、第２領域の導体回路パターンのライン幅および／またはスペース幅を、第１領域の導体回路パターンのライン幅および／またはスペース幅よりも狭くして、効率的な導体回路パターンの形成により、配線回路基板の小型化を図ることができながら、かつ、第１領域および第２領域の導体回路パターンの特性インピーダンスの差を少なくして、高速で信号を伝達することができる。そのため、回路付サスペンション基板およびその製造方法として好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の配線回路基板の一実施形態としての回路付サスペンション基板を示す平面図である。
【図２】  図１に示す回路付サスペンション基板における、中間領域における支持基板の長手方向に沿う方向の断面図である。
【図３】  図１に示す回路付サスペンション基板における、両端領域における支持基板の長手方向に沿う方向の断面図である。
【図４】  図１に示す回路付サスペンション基板における、境界領域における支持基板の長手方向に沿う方向の断面図である。
【図５】  本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態を示す製造工程図の一部として、支持基板を用意して、その支持基板上に、所定のパターンおよび厚さでベース層を形成する工程を示す断面図であって、（ａ）は、支持基板を用意する工程、（ｂ）は、その支持基板上に、感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜を形成する工程、（ｃ）は、その皮膜を、フォトマスクを介して露光させて、現像することにより、所定のパターンとする工程、（ｄ）は、パターン化された皮膜を硬化させて、ベース層を形成する工程を示す。
【図６】  本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態を示す製造工程図の一部として、ベース層上に、所定の導体回路パターンを形成する工程を示す断面図であって、（ａ）は、支持基板およびベース層に、下地を形成する工程、（ｂ）は、下地上に、所定の導体回路パターンと逆パターンのめっきレジストを形成する工程、（ｃ）は、ベース層におけるめっきレジストが形成されていない部分に、電解めっきにより、所定の導体回路パターンを形成する工程、（ｄ）は、めっきレジストを除去する工程、（ｅ）は、下地を除去する工程を示す。
【図７】  本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態を示す製造工程図の一部として、導体回路パターンの表面を金属皮膜により保護した後、カバー層により被覆する工程を示す断面図であって、（ａ）は、導体回路パターンの表面に、金属皮膜を形成する工程、（ｂ）は、ベース層および金属皮膜上に、感光性ポリイミド樹脂前駆体の皮膜を形成する工程、（ｃ）は、その皮膜を、フォトマスクを介して露光させて、現像することにより、その皮膜をパターン化する工程、（ｄ）は、パターン化された皮膜を硬化させて、カバー層を形成する工程、（ｅ）は、支持基板に形成されている金属皮膜を剥離する工程を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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