(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部加熱手段を有する円筒体内に被処理物を投入し所定の設定処理温度で撹拌しながら移動して加熱処理する加熱処理方法であって、
前記円筒体内の温度と外部加熱手段内との温度を検出し、円筒体内の温度を、外部加熱手段内の温度を制御することによって設定処理温度に制御するとともに、外部加熱手段の加熱設定温度を、上限設定温度値と下限設定温度値の両方の値を設定し、両設定温度値の温度域において円筒体内を加熱するようにしたことを特徴とする被処理物の間接加熱処理方法。
【請求項２】
前記円筒体内の温度をＴａとし、前記外部加熱手段内の温度をＴｂとしたときの温度関係をＴａ≦Ｔｂとしたことを特徴とする請求項１記載の被処理物の間接加熱処理方法。
【請求項３】
外部加熱手段は、熱風ガス、電気加熱のいずれか又は両者の併用であることを特徴とする請求項１記載の被処理物の間接加熱処理方法。
【請求項４】
外部加熱手段の下限設定温度値は、円筒体内の設定処理温度と同じか又はそれ以上としたことを特徴とする請求項１，２又は３のいずれか１項に記載の被処理物の間接加熱処理方法。
【請求項５】
外部加熱手段が熱風ガスであるときの温度制御は、昇温時においては燃焼の促進のための燃料ガスの投入および／又は空気の投入を行うか、若しくは温度調整空気の制限により行い、降温時は燃料ガスの投入および／又は空気の制限を行うか、若しくは温度調整空気導入量を増加することで行うことを特徴とする請求項１，２，３又は４のいずれか１項に記載の被処理物の加熱処理方法。
【請求項６】
外部加熱手段が電気加熱であるときの温度制御は、供給電力制御又は電源周波数の周波数を制御することで行うことを特徴とする請求項１，２，３又は４のいずれか１項に記載の被処理物の加熱処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は各種の廃棄物等の被処理物を、円筒体（ドラム）内に投入して外部加熱手段によって加熱処理する処理方法に関し、特に、円筒体内の設定処理温度のみならず、円筒体の壁面温度をも制御し、加熱処理炉全体の温度管理を行って、被処理物の熱分解処理等を安定に行う方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
各種の廃棄物等の被処理物を加熱処理する場合、回転ドラム又は固定ドラム内に被処理物を投入して外部からの間接加熱手段により被処理物を所定の状態（例えば、乾燥、焼却・灰化、脱塩素処理などの各種無害化処理など）に加工、処理することが一般的に行われている。
【０００３】
被処理物としては、各種廃棄物（一般廃棄物、産業廃棄物等）、汚泥、焼却灰、飛灰、汚染土壌、建築廃材、各種のシュレッダーダスト、金属スクラップ、有機性物質など各種のものが含まれる。
【０００４】
回転ドラム内の被処理物を所定の温度条件において加熱処理するものとしては、廃棄物の投入量や発熱量の変化に応じて、廃棄物を均一に効率良く熱分解するように制御する方法が特開平１１−３４４２１３号で提案されている。
【０００５】
本願の出願人も、先に加熱処理炉に温度センサを設けてこの温度検出信号により加熱処理炉内の温度を、被処理物から有害成分が効果的に分解析出する温度に制御して、分解析出した有害成分と添加した処理剤とを接触反応させて被処理物を無害化処理する方法を提案している（特開平１１−３３３４０４）。
【０００６】
また、本願の出願人は、回転処理炉を複数使用し、被処理物を第１の加熱処理炉で加熱してハロゲン物質を分解析出させ、次に、このハロゲン物質を除去した被処理物を、別の第２加熱処理炉で炭化（又は灰化）処理して減容化し、ハロゲン物質の含まない炭化物を取り出して再利用を図る処理方法を提案している（特開平１１−２１１０４０〜特開平１１−２１１０４２）。
【０００７】
更に、被処理物とアルカリ物質の処理剤とを第１の加熱処理炉で加熱処理してハロゲン物質を分解析出すると同時に処理剤と反応させて無害な塩化物を生成することで、発生ガス及び残渣を無害化し、次に、この無害化処理された被処理物を別の第２加熱処理炉で炭化（灰化）処理して減容化し、ハロゲン物質の含まない炭化物を取り出して再利用を可能とすることについても提案している（特開平１１−２２６５４５〜特開平１１−２２６５４８）。
【０００８】
これらの加熱処理装置は、概略図３のように構成されている。
【０００９】
図３はこの無害化処理する加熱処理装置の基本構成の概念図で、図中、１０は第１の加熱処理炉、２０は第２の加熱処理炉を示している。
【００１０】
第１の加熱処理炉１０は、回転自在の回転円筒体１１と、該回転円筒体１１の外周にガスダクトを形成して熱ガスの導入により回転円筒体１１を加熱する加熱ジャケット１２と、回転円筒体１１の一方の端部に設けられ、被処理物を回転円筒体１１内に供給する供給口１３と、回転円筒体１１の他方の端部に設けられた排出口１４とで構成され、この回転円筒体１１は図示しない回転駆動手段によって回転駆動される。
【００１１】
回転円筒体１１の回転駆動手段は、通常の駆動用モータと駆動歯車及び回転円筒体に設けられた従動歯車等から構成される。加熱ジャケット１２は固定され、回転円筒体１１との回転接触部には、メカニカルシールが施されている。
【００１２】
１５は第１の加熱処理炉１０の供給口１３側に設けられた供給側ダクトで、被処理物と脱塩素剤との混合物を回転円筒体１１内に導入する。
【００１３】
第２の加熱処理炉２０の構成は、第１の加熱処理炉１０の構成とほぼ同一であり、回転自在の回転円筒体２１と、該回転円筒体２１の外周にあって熱ガスの導入により回転円筒体２１を加熱する加熱ジャケット２２と、回転円筒体２１の一方の端部、この例では第１の加熱処理炉１０の排出口１４側に設けられ、被処埋物を回転円筒体２１内に供給する供給口２３と、回転円筒体２１の他方の端部に設けられた排出口２４とで構成されている。
【００１４】
１６は第１の加熱処理炉１０の排出口１４側と、第２の加熱処理炉２０の供給口２３側を包囲し、第１の加熱処理炉１０で処理した被処理物を第１の加熱処理炉１０から第２の加熱処理炉２０へ導入する導入ダクトを示す。
【００１５】
２５は第２の加熱処理炉２０の回転円筒体２１の排出口２４側を包囲し、第２の加熱処理炉２０で加熱処理した被処理物（残渣）を図示を省略した溶解槽等に排出する排出側ダクトである。
【００１６】
第１の加熱処理炉１０の回転円筒体１１と、第２の加熱処理炉２０の回転円筒体２１とは上下方向に配設され、図示は省略してあるが、回転円筒体１１及び２１の外周に設けられた加熱ジャケット１２及び２１は固定部材により支持固定されており、回転円筒体１１，２１の内部には、被処理物と脱塩素剤の混合物を撹拌しながら移送する複数の羽根が設けられ、回転円筒体１１，２１自体の回転によって混合物を図の一点鎖線で示すように供給口１３側から、排出口２４側に移送する構成となっている。
【００１７】
また、回転円筒体１１に回転接触するダクト１５，１６の接触部分及び回転円筒体２１に回転接触するダクト１６，２５の接触部分には図示は省略してあるがメカニカルシールが施されている。
【００１８】
３０はホッパで、このホッパ３０に破砕した被処理物とアルカリ物質からなる脱塩素剤とを混合して投入し、回転円筒体１１の供給口１３から回転円筒体１１内に供給可能とする。
【００１９】
このホッパ３０に被処理物の破砕機能と脱塩素剤の混合機能を合わせて持たせ、固形物を破砕しながら脱塩素剤と混合してもよいし、また、予め破砕した被処埋物と脱塩素剤とを混合してホッパ３０に投入してもよい。
【００２０】
３１は熱風炉であり、例えばＬＮＧ，ＬＰＧ又は石油等の燃料を燃焼して熱ガスを発生させる。この熱ガスは第２の加熱処理炉２０の回転円筒体２１の外周に設けた加熱ジャケット２２内に供給されて回転円筒体２１を加熱した後、連絡管２６を介して第１の加熱処理炉１０の回転円筒体１１の加熱ジャケット１２内に送り込まれる。このとき連絡管２６に新鮮な冷却用空気を取り込み、熱ガスの温度を調整する。２７はその調整手段を示す。
【００２１】
第１の加熱処理炉１０を加熱した後の熱ガスは、排出管３２から排出、又は再利用（循環、熱交換器等により）される。
【００２２】
なお、第１の加熱処理炉１０には、図４に示すように、回転円筒体１１内（空間部）の温度を検出する熱電対１７ｔと、加熱ジャケット１２内（空間部）の温度を検出する熱電対１８ｔが設けられている。
【００２３】
同様に第２の加熱処理炉２０には、回転円筒体２１内の温度を検出する熱電対２７ｔが設けられ、また熱風炉３１の出口に出口温度を検出するための熱電対２８ｔが設けられている。
【００２４】
これらの熱電対により検出した検出信号を用い、各加熱処理炉の制御が行われるが、本願の出願人が提案した加熱処理炉を２基使用した加熱処理装置においては次のように行っている。
【００２５】
即ち、図３に示すように、回転円筒体内の温度を検出し、この回転円筒体内の温度が設定処理温度になるように加熱ジャケット内の温度を制御するものである。図３において１０−１および１０−２は、第１の加熱処理炉１０の温度制御手段を形成する比較部および温度制御部を示し、比較部１０−１は熱電対１７ｔで検出した温度の検出信号を入力し、設定器Ａの設定温度値（設定処理温度）と比較し、その差の信号を温度制御部１０−２に入力する。そして、温度制御手段１０−２によって調整手段２７を制御して加熱ジャケット１２内の温度を制御することで回転円筒体１１内の温度を制御する。
【００２６】
温度制御手段１０−２には、回転円筒体内の温度とは無関係に機器の安全性確保のために、加熱ジャケット１２内の温度の上限温度を設定する上限温度設定値が設定されている。
【００２７】
２０−１および２０−２は、第２の加熱処理炉２０の温度制御手段を形成する比較部および温度制御部で、比較部２０−１は回転円筒体２１内の温度を熱電対２７ｔで検出した検出信号を入力し、設定器Ｂの設定温度値と比較し、その差の信号を温度制御部２０−２に入力し、この温度制御部２０−２によって熱風炉３１のバーナＢＮの開度を制御して燃料供給量や図示は省略してあるが、新鮮な空気の導入量を調整して燃焼加熱を制御する。
【００２８】
この第２の加熱処理炉２０においても安全性を確保するために、熱風炉３１の出口上限温度を設定する上限設定温度値が温度制御部２０−２内に設けられている。
【００２９】
次に、第１の加熱処理炉１０で脱塩素処理、第２の加熱処理炉２０で炭化による減容化処理する場合の例における温度制御について説明すると、例えば、脱塩素処理を３５０℃で行い、炭化処理を６００℃に行う場合は、設定器Ａの設定温度値を３５０℃に、また設定器Ｂの設定温度値を６００℃に設定する。運転開始時は、破砕した被処理物と紛体の脱塩素剤を混合してホッパ３０から第１の加熱処理炉１０に投入し、熱風炉３１で発生した熱風ガスを加熱ジャケット２２に供給して第２の加熱処理炉２０を加熱した後、連絡管２６を介して第１の加熱処理炉１０の加熱ジャケット１２に導入し、回転円筒体１１を加熱した後排出管３２から排出する。
【００３０】
第２の加熱処理炉２０の温度制御は、回転円筒体２１内の温度が設定温度値（６００℃）に達すると温度制御部２０−２でバーナＢＮに燃料を供給するバルブを調整して燃料、空気の供給量を制御し、回転円筒体内温度を設定温度値に保持する制御を行い、第１の加熱処理炉１０では、連絡管２６に設けた調整手段２７を調整して取り込む冷却用空気の量を調整して回転円筒体内温度を設定温度値になるように制御する。
【００３１】
そして、各加熱処理炉内の温度が設定温度値に達すると、加熱を制限する方向に制御が働き、加熱は抑制される。また、加熱処理炉内温度が設定温度値以下に下がると、再び加熱が開始される。即ち、第１の加熱処理炉１０では、冷却用空気導入量の制限、第２の加熱処理炉２０においては、バーナの開度を大、新鮮空気導入量を大となす。
【００３２】
図５は温度制御における加熱ジャケット内の温度と回転円筒体内の温度との関係を説明するための図で、横軸に時間Ｔ、縦軸に温度℃をとっている。また実線の曲線は回転円筒体内の温度、点線の曲線は加熱ジャケット内温度を示している。
【００３３】
加熱処理の運転開始時や昇温制御時には、回転円筒体内の温度を急速に上げるために、加熱ジャケット内の温度を相当高く上げる必要があるが、各温度制御部１０−２および２０−２には上記したように、上限設定温度値Ｃ2（例えば、設定器Ａの設定温度値Ｃ1の３５０℃に対しては上限設定温度値Ｃ2は４５０℃、設定器Ｂの設定温度値Ｃ1の６００℃に対してはＣ2は６５０℃）が設けてあるので、加熱ジャケット内温度（回転円筒体外壁温度）は、この上限設定温度値Ｃ2で制限され、上限設定温度で加熱される。
【００３４】
そして、回転円筒体内温度が設定温度値Ｃ1に達した時刻Ｔ1で加熱ジャケットの温度の下げ制御が開始され、加熱ジャケット内温度は急激に下げられるが、回転円筒体内温度は所定時間設定温度を維持する。そして、所定時間後徐々に下がり、所定の温度に低下した時刻Ｔ2において再び温度の上げ制御が開始される。この間回転円筒体内壁温度は、図示のように円筒体内温度より大幅に低下する現象が生ずる。
【００３５】
このように、加熱→加熱制限→加熱の制御動作を各加熱処理炉内の設定温度値に基づいて繰り返すことによって回転円筒体内の温度は制御される。
【００３６】
【発明が解決しようとする課題】
温度の制御は、被処理物自体の温度を検出して制御するのが最も好ましいが、その検出は困難であるため、被処理物の加熱に最も影響を与える回転円筒体（以下、円筒体と称す）内の温度を制御することが基本となる。しかし、円筒体内温度のみに基づいて外部から間接的に加熱温度を制御すると、次に示すような新たな課題があることが判明した。即ち、
（１）円筒体内温度が設定温度値に達すると、加熱ジャケット内の温度を制御する温度制御部では、加熱制限動作が働き、熱風ガスに新鮮空気の導入、熱風ガス発生が制限され、熱風ガスの発生加熱温度が低下する。
（２）これにより、円筒体自体（壁）の温度が低下する方向に動作する。即ち、まず円筒体外壁は、熱風ガスと接触しており、温度が低下しつつある熱風ガスと接触することから、円筒体外壁は温度が低下する方向となる。
（３）この結果、円筒体内壁も温度低下することになる。
【００３７】
これらのことから、円筒体内に存在する被処理物の性状、量、送り及び回転撹拌速度などにも関係するが、円筒体内温度（熱電対での検出温度）と被処理物が接触する円筒体内壁温度との関係が、図５にも示すように後者が前者より小となる現象が生じていることが判明した。
（４）上記の現象により、加熱分解途中の被処理物の一部が温度の低くなっている円筒体内壁に付着して固化する。固化すると、一度付着して固化した一部の被処理物は、再び温度を上げて加熱しても容易には離脱せず（付着物が断熱材層を形成して熱が伝わりにくくなっているものと推察される）、局部的に成長することも判明した。
【００３８】
成長して塊となった被処理物の固化物が円筒体内壁から離脱した場合には、円筒体から次工程に移動する過程において、施設構成物の搬送路に詰まるなどの問題を惹き起こすおそれがあり、被処理物の安定した加熱分解等に悪影響を及ぼすことになる等、解決すべき新たな課題があることがわかった。
【００３９】
本発明はこのような課題を解決することを目的としてなされたものである。
【００４０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記の課題が円筒体内温度が設定温度値に達し、加熱ジャケット内温度の加熱制限制御がなされるとき、円筒体内壁温度が円筒体内温度より急激に下がることによって生ずる現象であることに着目してなされたものである。
【００４１】
すなわち、課題を解決するための本発明の加熱処理方法は、外部加熱手段を有する円筒体内に被処理物を投入し所定の設定処理温度で撹拌しながら移動して加熱処理する加熱処理方法であって、前記円筒体内の温度と外部加熱手段内との温度を検出し、円筒体内の温度を、外部加熱手段内の温度を制御することによって設定処理温度に制御するとともに、外部加熱手段の加熱設定温度を、上限設定温度値と下限設定温度値の両方の値を設定し、両設定温度値の温度域において円筒体内を加熱する。
【００４２】
このように温度制御することで、外部加熱手段内の温度は円筒体内温度より下がることがないので、外部加熱手段内の熱風ガスに接触する円筒体自体の温度も下がることがない。このことによって円筒体内壁に被処理物が付着して固化することは完全に防止される。上記の円筒体内温度をＴａとし、外部加熱手段内の温度をＴｂとしたときの温度関係はＴａ≦Ｔｂとすることが好ましい。
【００４３】
また、上記外部加熱手段は熱風ガス、電気加熱（誘導加熱、抵抗加熱、マイクロ波加熱）のいずれか又は両者の併用のいずれでもよい。
【００４４】
また、上記の外部加熱手段の下限設定温度値は、円筒体内の設定処理温度と同じか又はそれ以上とすることが望ましい。
【００４５】
また、外部加熱手段が熱風ガスであるときの温度制御は、昇温時においては燃焼の促進のための燃料ガスの投入および／又は空気の投入を行うか、若しくは温度調整空気の制限により行い、降温時は燃料ガスの投入および／又は空気の制限を行うか、若しくは、温度調整空気の増加を行うことが望ましく、電気加熱であるときの温度制御は、昇温時は電力量又は電源周波数の増加、降温時は電力量又は電源周波数の減少により行うことができる。
【００４６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面によって説明する。
【００４７】
本発明は、加熱ジャケット内温度および熱風ガス温度の上限設定値（機器の保護）の他に、下限設定温度値を設定して、円筒体内の処理温度が、設定温度値であっても、加熱動作を行わせて円筒体内壁面の温度が過度に低下するのを防止することによって円筒体内壁面に接触する被処理物の加熱分解作用等を確実に、且つ安定に行うことができるようにしたものである。
【００４８】
図１は本発明の加熱処理方法を説明するための加熱処理施設の概念図で、図３と同じ構成の加熱処理炉に適用した場合の形態である。従って、図３と同一機能部分、又は相当部分には、これと同じ符号を付して詳細な説明を省略する。
【００４９】
図１において、１０Ｃは第１の加熱処理炉（以下、加熱炉と略称する）１０の温度制御手段で、該温度制御手段１０Ｃは、円筒体１１内の温度を検出して設定器Ａの設定温度値と比較してその差の信号を出力する比較部１０Ｃ1と、比較部１０Ｃ1の出力信号によって調整手段２７を制御するとともに、加熱ジャケット１２内の温度を検出し、加熱ジャケット内温度の上限設定温度値内で加熱ジャケット内温度を制御する温度制御部１０Ｃ2と、比較部１０Ｃ1の出力信号を入力し、加熱ジャケット１２の下限設定温度値を設定して温度制御部１０Ｃ2に出力するリミッタ１０Ｃ3とからなる。
【００５０】
２０Ｃは第２の加熱炉２０の温度制御手段で、該温度制御手段２０Ｃは、加熱炉２０の円筒体２１内の温度を検出して設定器Ｂの設定温度値と比較してその差の信号を出力する比較部２０Ｃ1と、比較部２０Ｃ1の出力信号を入力して熱風炉３１のバーナＢＮの開度等を制御するとともに、熱風炉３１の出口の温度を検出し、該出口温度の上限設定値を設定して制御する温度制御部２０Ｃ2と、比較部２０Ｃ1と出力信号を入力し熱風炉３１の出口温度の下限設定温度を設定して温度制御部２０Ｃ2に出力するリミッタ２０Ｃ3とからなる。
【００５１】
今、例えば、加熱炉２０の温度制御手段２０Ｃにおける設定器Ｂの設定温度値、即ち設定処理温度を６００℃、加熱ジャケット２２内温度の設定温度は、上限設定温度値７００℃、下限設定温度値６５０℃（円筒体内の設定温度値と同等又はそれ以上）に設定して加熱処理運転を開始する場合の例について図２を参照してその動作を説明する。
【００５２】
図２は本発明による温度制御における加熱ジャケット内の温度と、円筒体内の温度との関係を説明するための図で、図５と同様に横軸に時間Ｔをとり、縦軸に温度℃をとっている。
【００５３】
熱風炉３１の運転を開始して加熱炉２０の円筒体２１内の温度（熱電対２７ｔの検出温度）が設定温度値Ｃ1（６００℃）になるまでは、加熱ジャケット２２内の温度（円筒体外壁温度に相当）は、上限設定温度値Ｃ2（７００℃）内で加熱される。そして、円筒体内温度が設定温度値Ｃ1に達した時刻Ｔ1において比較部２０Ｃ1の信号により、温度制御部２０Ｃ2は、バーナＢＮの調整部、例えば調整バルブの絞り制御を行って熱風炉３１の熱風ガス温度の下げ動作を行う。
【００５４】
この下げ動作は、リミッタ２０Ｃ3によって下限設定温度値Ｃ3（６５０℃）が設定されているため、熱風ガスが昇温方向に働き、円筒体内設定温度より低下することはない。従って、円筒体内壁の温度も６００℃以下に低下することはない。
【００５５】
加熱炉１０の温度制御手段１０Ｃにおいても同様に行われる。即ち、例えば、円筒体内の設定温度値Ｃ1を３５０℃、上限設定温度値Ｃ2を６５０℃、下限設定温度値Ｃ3を３６０℃（円筒体内設定温度値と同等又はそれ以上）とすると、円筒体１１内の温度が設定温度値に達すると、比較部１０Ｃ1から、リミッタ１０Ｃ3を介して温度制御部１０Ｃ2に信号が入力され、該温度制御部１０Ｃ2により、調整手段２７を制御して連絡管２６内に導入する冷却用空気の量を調整して加熱ジャケット１２内に導入する熱ガスの温度を下げるように制御する。これにより円筒体１１内の温度は設定温度値に維持されている場合には、従来は加熱ジャケット１２内温度、この加熱ジャケットにより加熱される円筒体内温度は、円筒体内設定温度値より下がることになるが、しかし、本発明においては、円筒体内温度値と加熱ジャケット内の下限設定温度値とを関連付けて制御しているので、加熱ジャケット内温度（円筒体壁温度）は、円筒体内温度より下回ることはない。
【００５６】
加熱炉１０および２０を上記のように温度制御して被処理物を加熱処理することにより、各加熱炉内の処理雰囲気（円筒体内温度）の温度を図２に示すように、ほぼ一定に保つことができる。また、被処理物の搬送量の変動に伴う円筒体内の温度変化を速やかに補償することができる。
【００５７】
以上の説明は、図３に示す回転円筒体による加熱処理炉に適用した場合であるが、加熱処理炉は必ずしも回転円筒体による必要はなく、例えば、特開平９−２２７８２号に示すように円筒体を固定し、内部に被処理物を撹拌しながら移送するスクリューフィーダを設け、円筒体の外部から加熱する加熱処理炉に適用することもできる。
【００５８】
また、外部加熱手段は熱風ガスによる加熱について説明したが、熱風ガスに限らず、電気加熱（誘導加熱、抵抗加熱、マイクロ波加熱）でもよく、また電気加熱と熱風ガスによる加熱との併用による加熱でもよい。電気加熱は、電力を制御することで容易に温度制御が可能である。
【００５９】
【発明の効果】
本発明は、上記のように加熱炉の加熱温度制御に上限設定温度の他に、下限設定温度を設定して制御するようにしたので、次の効果を奏する。
（１）円筒体壁温度の過度な低下を防止でき（円筒体内温度と同等）、円筒体内の分解反応空間全体（円筒体壁及び内部反応空間）を同様な温度環境条件とすることができることから、被処理物を効果的に、且つ安定して加熱による分解処理、減容化処理ができる。
（２）円筒体内壁温度を従来のように過度に低下させることがないので、分解途中の被処理物の一部が付着固化する課題は完全に解決でき、安定した熱分解処理等が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態における加熱処理施設の概念図。
【図２】本発明の温度制御の説明図。
【図３】従来の加熱処理施設の概念図。
【図４】加熱処理炉の断面図。
【図５】従来の温度制御の説明図。
【符号の説明】
１０，２０…第１の加熱処理炉
１１，２１…円筒体
１２，２２…加熱ジャケット
１３，２３…供給口
１４，２４…排出口
１５…供給側ダクト
１６…導入ダクト
２６…連絡管
２７…調整手段
３０…ホッパ
３１…熱風炉
１０Ｃ，２０Ｃ…温度制御手段
１０Ｃ1，２０Ｃ1…比較部
１０Ｃ2，２０Ｃ2…温度制御部
１０Ｃ3，２０Ｃ3…リミッタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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