(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電ビームを複数段の偏向器で偏向して試料面上に所望パターンを描画する荷電ビーム描画装置であって、
複数の区画に分けられた描画データを入力する手段と、入力された描画データから、少なくとも１つの区画の全部又は一部を順次抽出する手段と、抽出された描画データを偏向幅の最も小さい偏向器によって定義されるサブフィールドサイズよりも小さいサイズのパターンデータに区分けする手段と、区分けされたパターンデータを一次的に記憶する手段と、一次的に記憶されたパターンデータの一部又は全部を用いて所定のストライプを構築する手段と、構築されたストライプ毎に描画を行う手段とを具備してなり、
前記ストライプは一部重なるように構築され、該ストライプの構築に際して前記一時的に記憶されたパターンデータは複数回用いられることを特徴とする荷電ビーム描画装置。
【請求項２】
レーザビームを試料面上の任意の位置に照射して１重描画又は多重描画を行うレーザビーム描画装置であって、
複数の区画に分けられた描画データを入力する手段と、入力された描画データから、少なくとも１つの区画の全部又は一部を順次抽出する手段と、抽出された描画データを最下段の偏向器によって定義されるサブフィールドサイズよりも小さいサイズのパターンデータに区分けする手段と、区分けされたパターンデータを一時的に記憶する手段と、一時的に記憶されたパターンデータの一部又は全部を用いて所定のストライプを構築する手段と、構築されたストライプ毎に描画を行う手段とを具備してなり、
前記ストライプは一部重なるように構築され、該ストライプの構築に際して前記一時的に記憶されたパターンデータは複数回用いられることを特徴とするレーザビーム描画装置。
【請求項３】
荷電ビームを複数段の偏向器で偏向して試料面上に所望パターンを描画する荷電ビーム描画装置であり、ストライプ毎に描画を行う荷電ビーム描画装置に用いられ、前記ストライプ毎の描画データを作成するためのプログラムを記録した記録媒体であって、
複数の区画に分けられた描画データを入力する手順と、入力された描画データから、少なくとも１つの区画の全部又は一部を順次抽出する手順と、抽出された描画データを偏向幅の最も小さい偏向器によって定義されるサブフィールドサイズよりも小さいサイズのパターンデータに区分けする手順と、区分けされたパターンデータを一次的に記憶する手順と、一次的に記憶されたパターンデータの一部又は全部を用いて所定のストライプを構築し、且つ該パターンデータを複数回用いて隣接するもの同士が一部重なるようにストライプを構築する手順と、を実行させるようにコンピュータを制御するためのプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項４】
荷電ビームを複数段の偏向器で偏向して試料面上に所望パターンを描画する荷電ビーム描画方法であって、
複数の区画に分けられた描画データを入力する工程と、
前記入力された描画データから、少なくとも１つの区画の全部又は一部を順次抽出する工程と、
前記抽出された描画データを偏向幅の最も小さい偏向器によって定義されるサブフィールドサイズよりも小さいサイズのパターンデータに区分けする工程と、
前記区分けされたパターンデータを一次的に記憶する工程と、
前記一次的に記憶されたパターンデータの一部又は全部を用いて所定のストライプを構築する工程と、
前記構築されたストライプ毎に描画を行う工程とを含み、
前記ストライプは一部重なるように構築され、該ストライプの構築に際して前記一時的に記憶されたパターンデータは複数回用いられることを特徴とする荷電ビーム描画方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、荷電ビーム又はレーザビームを用いて半導体製造のためのマスクやウェハ等を描画する技術に係わり、特に偏向境界をずらしたりフィールドサイズを可変にする機能を有した荷電ビーム描画装置、レーザビーム描画装置、及びこれらの描画装置の制御プログラムを格納した記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、マスクやウェハ等の半導体基板上に塗布されたレジストに半導体集積回路パターンを形成するために、電子ビーム描画装置が用いられている。この装置では、電子ビームを電磁気的手段により偏向し、半導体基板上の所望の箇所に照射する。その際、広範囲の偏向を行うと、収差などに起因する誤差が増大し描画する図形に歪が生じる。このため、図形位置精度或いは偏向境界における図形接続精度が許容される誤差以下となるように、偏向可能な領域の大きさは高々数ｍｍ程度に制限されることが多い。
【０００３】
また、この種の装置においては、高精度かつ高スループットな描画を可能とするため、主副２段或いは主副副々からなる３段偏向など多段の偏向器によりビームを偏向する方式が広く利用されている。一般に、半導体集積回路は描画装置の偏向可能領域内に収まらない大きさを持つので、回路パターン全体（以下、チップと呼ぶ）を偏向可能な複数の領域に区画分けし、各区画を繋ぎ合わせながら順次描画していく方式が用いられている。
【０００４】
一方、半導体集積回路は、近年益々微細化の一途を辿っている。これに伴い、更に高精度なパターン描画が要求されるようになってきた。こうした高精度のパターン描画を実現するための一つの方法として、いわゆる多重描画方式が最近提案されている。この方式は、パターンを繰り返し重ねて描画することで、上記のように偏向幅を一定サイズ以下に収めてもなお問題となるパターン位置精度の誤差と偏向境界でのパターン接続精度の誤差とを、平均化の効果により大幅に改善しようとするものである。
【０００５】
特開平５−２３４８６３号公報（以下、第１の従来例と呼ぶ）には、同一の図形データから作成した部分領域の配置位置が異なるｎ個のデータを用い、これらのデータを重ね合わせて描画することで、偏向境界での図形の接続に誤差が生じないようにするための一般的な概念が示されている。しかし、この方法では、偏向境界のずれたｎ重分の描画データを予め準備しなければならないため、データ変換時間と描画データ量の増加という問題が不可避となる。一般に、ＣＡＤなどで作成された半導体回路のパターンデータを描画装置に入力可能なデータ（描画データ）に変換するためには、莫大な計算時間が必要である。ｎ重分のデータを作成することで、このデータ変換に要する計算時間は単純にｎ倍に増加する。また、描画データ量もｎ倍に増加する。
【０００６】
また、データ変換時間の短縮及び描画データ量の圧縮のために提案された、いわゆる階層処理データ変換方式の場合には、データ変換時間及びデータ量は、偏向境界をずらすことで、一般にはｎ倍より大きく増加してしまう。階層処理方式のデータ変換において偏向境界をずらすためには、データ中に存在するアレイなどの階層構造を適宜分割する必要があり、このため偏向境界をずらした描画データの作成にはより計算時間が消費され、しかも階層破壊によりデータ量が増大してしまうためである。
【０００７】
上記したデータ変換時間と描画データ量の増加という問題を解決するために本発明者らは、予め準備された１つの描画データを用いて偏向境界をずらしながら多重描画できる装置を既に提案している（特願平８−１８７４７２号：以下、第２の従来例と呼ぶ）。この装置においては、描画データとして最下段の偏向幅（以下、サブフィールドサイズと呼ぶ）より小さい適当なサイズのフィールドで分割区分けされた（以下、この区分けの領域をクラスタと呼ぶ）ものを予め準備することが必要である。
【０００８】
このような描画データを用いることで、偏向境界の異なる複数の描画データを準備せずとも、偏向境界をシフトした多重描画が可能となることが特長である。即ち、この装置においては何重の多重描画をしようとも、適当なクラスタサイズに分割された１つの描画データを準備すれば良く、描画データを変換するために必要な計算時間が大幅に短縮され、また多重描画に必要なデータ量も大幅に小さくなるという利点がある。
【０００９】
また、特開平３−２１９６１７号公報（以下、第３の従来例と呼ぶ）には、描画データを描画フィールドに分割するに当たり、分割フィールドの１辺の長さを描画装置の最大フィールドの長さの整数分の１とし、描画目的に応じて、分割されたデータを一単位として、或いは複数のデータを組み合わせて一単位として描画時のフィールドとすることを特徴とする描画方法が記載されている。
【００１０】
この方法は１重描画を念頭に置き、上記分割フィールドサイズで分割された１つの描画データを用いながら、描画目的に応じて描画時のフィールドサイズを所望の大きさに設定して描画するための方法を提供するものである。即ち、描画時間よりも描画精度が優先する場合には小さなフィールドで偏向歪の影響を極力抑えて描画でき、逆に描画時間が描画精度より優先する場合には上記分割されたフィールドを複数結合してより大きなフィールドサイズで描画することが、予め準備された一つのデータから可能である。
【００１１】
しかしながら、従来例２及び従来例３においても次のような問題があった。即ち、従来例２，３では、最下段のフィールドサイズより小さい適当なサイズで分割区分けされた描画データを準備する必要がある。そして、この分割によりデータ量が増加してしまう。これは、フィールド分割により、フィールド境界近傍にある図形が分割され、図形数が増加するためである。一般に配線パターンでは、分割サイズがパターンの最小線幅より十分大きい場合には、分割後の図形数は分割幅に逆比例する。従って、分割幅が１／ｎ倍になるとデータ量はｎ倍に増加する。また、分割対象となる元の図形が分割幅に比べて大きい場合には、分割後の図形数は分割幅の２乗に逆比例する。つまり、この場合には分割幅が１／ｎ倍になるとデータ量はｎ2 倍に増加してしまう。
【００１２】
近年、半導体集積回路の大規模化は益々押し進められており、これに伴い描画データ量は増大の一途を辿っている。また、メモリ回路を混載したロジック半導体回路などの開発，生産、或いは近年提案されている光近接効果補正と呼ばれる技術によって、データ量増加には拍車がかかる結果となっている。従来例２，３の装置及び方法は、これに更に拍車をかけるものである。
【００１３】
一般に、データ量の増加によって、データ処理計算機の大規模化、また磁気記憶装置など記憶媒体の大規模化が必要となる。これらは、半導体製造のための設備投資を増大させる。また、データ処理時間、或いはデータ入出力やネットワークを利用した描画データ転送時間等も増大する。これらは、半導体製造の生産性を減少させることになる。従って、描画データ量の増大は、最終的には半導体集積回路のコストの上昇に繋がる。さらに、データ量が極端に大きくなってしまうと、描画データが記憶媒体或いは描画装置内部のパターンメモリに格納しきれない等の理由により、描画自体が不可能となる場合もある。それ故、データ量圧縮は半導体回路の生産における最重要課題の一つである。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
このように、従来例２のように偏向境界のずれた多重描画を行うと、描画データ量の大幅な増大を招く。さらに、従来例３のように描画時のフィールドサイズを可変にしても、同様に描画データ量の大幅な増大を招く。そして、これらのデータ量増大は、データ処理計算機の大規模化や記憶媒体の大規模化を必要とし、半導体集積回路製造のための設備投資を増大させる。さらに、データ処理時間或いは描画データ転送時間等も増大し、半導体製造の生産性を減少させることになり、最終的には半導体集積回路のコストの上昇に繋がる。
【００１５】
なお、上記の問題は電子ビーム描画装置に限らず、イオンビームを用いたイオンビーム描画装置、或いはレーザ光を用いたレーザビーム描画装置についても同様に言えることである。
【００１６】
本発明は、上記事情を考慮して成されたもので、その目的とするところは、描画データ量の増加を引き起こすことなく、偏向境界のずれた多重描画を行うことを可能にする荷電ビーム描画装置及びレーザビーム描画装置を提供することにある。
【００１７】
また、本発明の他の目的は、描画データ量の増加を引き起こすことなく、描画時のフィールドサイズの可変を可能にする荷電ビーム描画装置及びレーザビーム描画装置を提供することにある。
【００１８】
また、本発明の更に他の目的は、既存の描画装置を殆ど変更することなく、コンピュータ制御によって、上述したような多重描画或いは１重描画を可能にするための描画装置制御用のプログラムを記録した記録媒体を提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
（構成）
上記課題を解決するために本発明は、次のような構成を採用している。
（１）荷電ビームを複数段の偏向器で偏向して試料面上に所望パターンを描画する荷電ビーム描画装置であって、複数の区画に分けられた描画データを入力する手段と、入力された描画データから、少なくとも１つの区画の全部又は一部を順次抽出する手段と、抽出された描画データを偏向幅の最も小さい偏向器によって定義されるサブフィールドサイズよりも小さいサイズのパターンデータに区分けする手段と、区分けされたパターンデータを一次的に記憶する手段と、一次的に記憶されたパターンデータの一部又は全部を用いて所定のストライプを構築する手段と、構築されたストライプ毎に描画を行う手段とを具備してなり、前記ストライプは一部重なるように構築され、該ストライプの構築に際して前記一時的に記憶されたパターンデータは複数回用いられることを特徴とする。
【００２１】
ここで、（１）の発明の望ましい実施態様としては次のものがあげられる。
(a) 荷電ビームは電子ビームであること。
【００２２】
(b) 抽出する領域としては、フレームデータを縦若しくは横に分割したものの一部、又はそれを複数結合した領域であること。
(c) 区分けされたパターンデータを一時的に記憶する手段は、チップを構成する２つ以上の区画で共通に参照される図形データの全部又は一部に対し該区分けを行ったパターンデータを記憶する第１の記憶手段と、チップを構成する少なくとも１つの区画の全部又は一部に対し該区分けを行ったパターンデータを記憶する第２の記憶手段とから構成されること。
【００２３】
（２）レーザビームを試料面上の任意の位置に照射して１重描画又は多重描画を行うレーザビーム描画装置であって、複数の区画に分けられた描画データを入力する手段と、入力された描画データから、少なくとも１つの区画の全部又は一部を順次抽出する手段と、抽出された描画データを最下段の偏向器によって定義されるサブフィールドサイズよりも小さいサイズのパターンデータに区分けする手段と、区分けされたパターンデータを一時的に記憶する手段と、一時的に記憶されたパターンデータの一部又は全部を用いて所定のストライプを構築する手段と、構築されたストライプ毎に描画を行う手段とを具備してなり、
前記ストライプは一部重なるように構築され、該ストライプの構築に際して前記一時的に記憶されたパターンデータは複数回用いられることを特徴とする。
【００２４】
ここで、（２）の発明の望ましい実施態様としては次のものがあげられる。
(a) 抽出する領域としては、フレームデータを縦若しくは横に分割したものの一部、又はそれを複数結合した領域であること。
(b) 区分けされたパターンデータを一時的に記憶する手段は、チップを構成する２つ以上の区画で共通に参照される図形データの全部又は一部に対し該区分けを行ったパターンデータを記憶する第１の記憶手段と、チップを構成する少なくとも１つの区画の全部又は一部に対し該区分けを行ったパターンデータを記憶する第２の記憶手段とから構成されること。
【００２５】
（３）荷電ビームを複数段の偏向器で偏向して試料面上に所望パターンを描画する荷電ビーム描画装置であり、ストライプ毎に描画を行う荷電ビーム描画装置に用いられ、前記ストライプ毎の描画データを作成するためのプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体であって、複数の区画に分けられた描画データを入力する手順と、入力された描画データから、少なくとも１つの区画の全部又は一部を順次抽出する手順と、抽出された描画データを偏向幅の最も小さい偏向器によって定義されるサブフィールドサイズよりも小さいサイズのパターンデータに区分けする手順と、区分けされたパターンデータを一次的に記憶する手順と、一次的に記憶されたパターンデータの一部又は全部を用いて所定のストライプを構築し、且つ該パターンデータを複数回用いて隣接するもの同士が一部重なるようにストライプを構築する手順と、を実行させるようにコンピュータを制御するためのプログラムを格納していることを特徴とする。
【００２６】
（作用）
本発明によれば、荷電ビーム描画装置において、複数の区画に分けられた描画データから、少なくとも１つの区画の全部又は一部を順次抽出し、描画データを偏向幅の最も小さい偏向器によって偏向可能なサブフィールドサイズ以下の大きさのパターンデータに区分けし、区分けされたパターンデータを一次的に記憶するという構成を採用しているので、描画装置のサブフィールドサイズ以下の適当なサイズを持つフィールドでの区画分けをチップ全体に対して行った描画データを準備する必要はなく、チップデータの部分領域毎に順次描画時に区画分けを行う。従って、上述の区画分けに起因するデータ量増加を回避して、偏向境界のずれた多重描画若しくはサブフィールドサイズが可変の１重描画を行うことができる。これは、荷電ビーム描画装置に限らず、レーザ描画装置に関しても同様である。
【００２７】
また、上記区画分けを行う描画装置を制御するプログラムを記録した記録媒体とこれを実行するための汎用の計算機を利用することで、従来の描画装置に若干の改造を施すことで、偏向境界のずれた多重描画若しくは偏向フィールドサイズが可変の１重描画を行うことができる。即ち、高精度の多重描画又は要求される精度とスループットに合致した１重描画が、安価な設備投資で実現できる。
【００２８】
従って本発明によれば、コストの上昇を抑えて、高精度かつ生産性の高い半導体集積回路の製造が可能となる。また、データ量が極めて大きいために描画が不可能となるようなケースを抑止することができるため、より大規模な半導体集積回路の製造が可能となる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の詳細を図示の実施形態によって説明する。
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係わる電子ビーム描画装置を示す概略構成図である。図１に示したのは、三角形又は矩形などの所望の形状に成形したビームを用いて描画を行う、いわゆる可変成形ビーム型の電子ビーム描画装置であるが、スポットビームを用いた描画装置であっても良い。また、図１の描画装置はビームを走査する方式がベクタスキャン方式の装置であるが、ラスタスキャン方式であっても本発明は同様に適用できる。さらに、図１の装置は、主偏向器及び副偏向器の２段の偏向器を用いた描画装置であるが、主偏向器のみからなる描画装置或いは３段以上の多段の偏向器を持つ描画装置に対しても本発明は同様に適用することができる。
【００３０】
また、図１の装置の場合、本発明でいうところの偏向幅の最も小さい偏向器とは副偏向器が該当するが、一般に、多段の偏向器を持つ描画装置の場合には、１段目の主偏向器が偏向幅が大きく、次に２段目の副偏向器、次に３段目の偏向器の順で偏向幅が大きいので、本発明でいう最小偏向幅の偏向器とは最下段の偏向器が該当することになる。
【００３１】
以下、図１に記載した描画装置の例を用いて説明するが、まず本発明への導入として、図１の装置に入力される描画データの構造について図２及び図３を用いて説明する。
【００３２】
本実施形態においては、図２に示すように、描画パターンの全域（以下、チップ領域と呼ぶ）１は、フレーム２と呼ばれる帯状の領域に区分けされて定義されている。図中、フレーム幅は典型的には主偏向器で偏向可能な最大サイズであるが、このサイズ以下であっても良い。各フレームに対し１つのファイルが対応する。従って、図２の例では、チップ１は第１フレームから第ｎフレームまでの夫々に対応するｎ個のファイルによって表現される。各フレームデータは、図３に示すように、さらにサブフィールド５と呼ばれる単位で区分けされる。そして、個々の図形はこれを包含するサブフィールドに属するようにして定義される。
【００３３】
ここで、サブフィールド５と呼んだ単位は、本実施形態においては描画時のサブフィールドと直接的な関係はなく、描画データを区分けする便宜的なものであるので、以下では擬サブフィールドと呼ぶことにする。また、本発明の実施形態においては、描画データ中の帯状の単位をフレームと呼ぶが、実際の描画時には１つ以上のフレームから擬サブフィールド５を抽出し、それらを融合して新しい帯状の単位を作成し、この帯状の単位毎に描画するものとする。以下では、描画時に融合されるこの帯状の単位をストライプと呼ぶ。
【００３４】
本実施形態では、上述した構造の描画データをとり、以下説明していくが、各フレームに１つのファイルが対応している必要は無く、複数のフレームが１つのファイルにまとめられて定義されていても良いし、チップ全体が１つのファイルにまとめられていても良い。さらに、チップ全体が全く区画分けされていない描画データであっても良い。また、少なくとも２つのフレームで共通に参照される図形データの全部又は一部を集めて、フレームを表すｎ個のファイルとは別の１つのファイルとして追加したデータ構造であってもよい。いずれにせよ、これら描画データの構造の詳細は、本発明の骨子とは無関係である。
【００３５】
次に、図１に従って本実施形態の描画装置の概略を説明する。図中の１０は試料室であり、この試料室１０内にはマスク等の半導体基板１２を載置したテーブル１３が収容されている。以下、この実施形態においては、半導体基板１２はマスクであるとして説明する。テーブル１３はテーブル駆動回路１４によりＸ方向（紙面左右方向）及びＹ方向（紙面表裏方向）に駆動される。テーブル１３の移動位置は、レーザ測長計等を用いた位置回路１５により測定される。
【００３６】
試料室１０の上方には、電子ビーム光学系２０が設置されている。この光学系２０は、電子銃２１、各種レンズ２２ａ，〜，２２ｄ、ブランキング用偏向器２３ａ、ビーム寸法用可変偏向器２３ｂ、ビーム走査用の主偏向器２３ｃ、ビーム走査用の副偏向器２３ｄ、及び２個のビーム成形用アパーチャ２４ａ，２４ｂなどから構成されている。
【００３７】
そして、主偏向器２３ｃにより所定の副偏向領域（サブフィールド）に位置決めし、副偏向器２３ｄによりサブフィールド内での図形描画位置の位置決めを行うと共に、ビーム寸法可変用偏向器２３ｂ及びビーム成形用アパーチャ２４ａ，２４ｂによりビーム形状を制御し、テーブル１３を一方向に連続移動させながらサブフィールドを描画処理する。このようにして１つのサブフィールドの描画が終了したら、次のサブフィールドの描画に移る。
【００３８】
このようにして、ストライプを構成する全てのサブフィールドの描画が終了したら、テーブル１３を連続移動方向と直交する方向にステップ移動させ、上記処理を繰り返して各ストライプ領域を順次描画するようになっている。ここで、ストライプは主偏向器２３ｃの偏向幅で決まる帯状の描画領域であり、サブフィールドは副偏向器２３ｄの偏向幅で決まる単位描画領域である。
【００３９】
本実施形態において、描画方法は以下の通りである。まず、制御計算機３０に描画開始の命令が送られる。この命令を受けた制御計算機３０は、これに接続された記憶媒体である磁気ディスク３１にアクセスし描画データのチップサイズ、チップを構成するフレーム数及びフレーム幅などの情報を入手すると共に、多重描画における何重目の描画であるかを判別して、描画する第１のストライプ領域を決定する。この実施形態では、記憶媒体として磁気ディスク３１を用いているが、磁気テープや光磁気ディスクなどであっても良い。また、最も好ましい実施形態においては、ストライプ領域は多重描画の各描画毎にずれていることが望ましいが、必ずしもずれている必要はない。
【００４０】
続いて、制御計算機３０は、このストライプ領域の情報及びパターン抽出命令をパターンデータ領域抽出ユニット４１に送信する。この情報を受けたパターンデータ領域抽出ユニット４１は、指定されたストライプ領域を描画するために必要となるフレーム番号、及び各フレームデータから抽出しなければならない領域を、磁気ディスク３１に格納された描画データを解析して求める。この抽出しなければならない領域を、｛ｆs 1 ，ｆs 2 ，....，ｆs k ｝とする。ここで、抽出しなければならない領域は、一般にはストライプ毎に異なる。ｆs 1 の上付き添え字Ｓは今注目しているストライプ番号を表す。
【００４１】
これらの領域に対して、パターンデータ領域抽出ユニット４１は以下の処理を行う。まず、領域ｆs 1 に存在する描画パターンデータを磁気ディスク装置３１にアクセスし取り出して、パターンデータ分割ユニット４２に転送すると共に、パターンデータ分割ユニット４２に対してクラスタ分割処理を行うよう命令を送信する。パターンデータ分割ユニット４２は、クラスタ分割を行うべき描画データを抽出ユニット４１から受け取り、かつクラスタのサイズを制御計算機から受けとり、このサイズで描画データをクラスタ分割する。
【００４２】
クラスタ分割が終了したデータは順次パターンメモリ３２にかき出す。同様の処理を、領域ｆs 2 ，....，ｆs k に対して行い、領域ｆs k のクラスタ分割処理が終了したところで、分割処理終了信号を制御計算機３０に対して送信する。この信号を受信した制御計算機３０は、続いてパターンデータ展開ユニット４０に対して、パターンメモリ３２に格納されたクラスタ分割後のパターンデータをデータ展開するよう実行命令を送信する。
【００４３】
ここで、パターンメモリ３２は、１つの連続したメモリである必要は無いことに注意する。複数のパターンメモリから構成されており、クラスタ分割された領域ｆs 1 ，ｆs 2 ，....，ｆs k を夫々別のメモリに格納しても良いし、異なるストライプに属するクラスタ分割されたパターンデータを複数のパターンメモリに分けて格納していても良い。さらに、チップを構成する少なくとも２つの区画で共通に参照される図形データの全部又は一部をクラスタ分割したパターンデータを保持する専用パターンメモリと、チップデータを構成する一つの区画の全部又は一部をクラスタ分割したパターンデータを保持するパターンメモリから構成されていても良い。
【００４４】
本実施形態において、データ展開ユニット４０によって行われる処理、及び以降の描画方法は従来例２に記載された技術に基づいて行われるものとして以下説明するが、この詳細は本発明の骨子とは特に関係がなく、種々に変形された処理フローを持つ描画処理ユニットの集合体によって描画を行ってもよい。まず、パターンデータ展開回路４０で得られる描画データは、データ解析部であるパターンデータデコーダ３３及び描画データデコーダ３４により解析され、ブランキング回路３５、ビーム成形器ドライバ３６、主偏向ドライバ３７、及び副偏向器ドライバ３８に送られる。
【００４５】
パターンデータ展開ユニット４０は、パターンメモリ３２に格納されるデータから、制御計算機３０によって設定されたストライプ領域に含まれるものを選択し抽出する機能を持つ。パターンデータ展開ユニット４０が該機能を持つ場合には、パターンデータ領域抽出ユニット４１によって抽出されるデータは、実際の描画で必要となるストライプを構成するデータを最低限含んでいれば良く、一般にはそれ以上のパターンを含んでいても良い。また、パターンデータ展開回路４０は、制御計算機３０により指令されたサブフィールドのずれを含む設定方法を基に、クラスタのサブフィールドへの振り分けを行う。この時、設定されるサブフィールドサイズは、多重描画を構成する各描画毎に異なっていても良い。
【００４６】
パターンデータデコーダ３３では、上記データに基づいてブランキングデータが作成され、このデータがブランキング回路３５に送られる。更に、所望とするビーム寸法データが作成され、このビーム寸法データがビーム成形器ドライバ３６に送られる。そして、ビーム成形器ドライバ３６から前記電子光学系２０のビーム寸法可変用偏向器２３ｂに所定の偏向信号が印加され、これにより電子ビームの寸法が制御される。
【００４７】
また描画データデコーダ３４では、サブフィールド位置決めデータが作成され、このデータが主偏向器ドライバ３７に送られる。そして、主偏向器ドライバ３７から前記電子光学系２０の主偏向器２３ｃに所定の偏向信号が印加され、これにより電子ビームは所定のサブフィールド位置に偏向走査される。さらに副偏向器走査のコントロール信号が発生し、この信号が副偏向器ドライバ３８に送られる。そして、副偏向器ドライバ３８から副偏向器２３ｄに所定の副偏向信号が印加され、これによりサブフィールド内部の描画が行われる。
【００４８】
次に、本実施形態におけるパターンデータ領域抽出ユニット４１及びパターンデータ分割ユニット４２の処理について具体的に詳述する。図４は、以下の説明で用いる描画パターンである。この例では、チップデータは２つのフレームからなり、フレーム幅はそれぞれ１００８μｍである。本実施形態に従って、このパターンを２重描画する場合について以下説明する。
【００４９】
まず、制御計算機３０が２重描画をする旨の命令を受けて描画ジョブを開始する。制御計算機３０は、磁気ディスク３１に格納された描画データにアクセスして、チップサイズ及びフレーム数などを解析し、また描画の多重度を考慮して、図４に示す５つのストライプ領域を決定する。この実施形態では、図４のようにストライプ幅が１００８μｍの５つのストライプを５０４μｍずつずらしたストライプ領域が設定され、第１ストライプ→第２ストライプ→第３ストライプ→第４ストライプ→第５ストライプの順に描画していく。また、図中では分かりやすくするためｘ方向にもストライプ境界がずれているが、実際にはｘ方向のストライプ境界はずれていなくても良い。
【００５０】
次に、第１ストライプの描画について説明する。制御計算機３０は、パターンデータ領域抽出ユニット４１に対し、設定された第１ストライプ領域にある描画データを抽出するよう指令を送信する。パターンデータ領域抽出ユニット４１はこの命令を受け、磁気ディスク３１に格納された描画データにアクセスすると共に、該ストライプ領域にかかる描画データは図５（ａ）の斜線で示した第１フレームの下半分（ｆ1 1 ）であることを解析によって求め、この領域のデータを第１フレームのデータから抽出した図５（ｂ）のデータをパターンデータ分割ユニット４２に転送する。
【００５１】
続いて、パターンデータ分割ユニット４２はクラスタ分割処理を行う。クラスタ分割処理について、図５（ｂ）の領域Ａを例にとり説明する。図６の上段の図は、パターンデータ領域抽出ユニット４１によって抽出された描画データ（領域Ａの部分）を拡大したものである。この例では、描画データは６３μｍ幅の擬サブフィールドサイズで区分けされているものとする。パターンデータ分割ユニット４２は、各擬サブフィールド領域をクラスタの領域に区分けする（クラスタ分割処理）。この例では、クラスタサイズは２１μｍであるとする。このクラスタ分割後のデータを示すのが図６の下段の図である。パターンデータ分割ユニット４２は、このクラスタ分割後のデータをパターンメモリ３２に書き込む。
【００５２】
また、第１ストライプの場合には抽出する領域としては、第１フレームの下半分（ｆ1 1 ）のみなので、クラスタ分割処理が終了した旨を制御計算機３０に送信して処理を終了する。制御計算機３０はこの送信を受け、次にパターデータ展開ユニット４０を起動する。パターンデータ展開ユニット４０は、前述した手順でパターンデコーダ３３及び描画データデコーダ３４等を駆動し、第１ストライプの描画を行う。
【００５３】
第１ストライプの描画が終了したら次に、第２ストライプの描画に移る。制御計算機３０は、パターンデータ領域抽出ユニット４１に対して第２ストライプの領域を抽出するよう指令を送信する。第２ストライプを描画するために必要な領域は第１フレームの全体（ｆ2 1 ）である（図７（ａ）参照）。パターン領域抽出ユニット４１は、第１フレームの全体をパターンデータ分割ユニット４２に転送しクラスタ分割処理を行うよう指令を送信する。この指令を受けたパターンデータ分割ユニット４２は図７（ａ）のデータに対してクラスタ分割処理を実行し、分割されたデータをパターンメモリ３２に書き込むと同時に、制御計算機３０に対してクラスタ分割処理が終了した旨を送信する。制御計算機３０はパターンデータ展開ユニット４０以下に描画指令を送信して、第２ストライプの描画が実行される。
【００５４】
第２ストライプの描画が終了したら、次に第３ストライプの処理に進む。まず、制御計算機３０はストライプ３の領域枠を設定して、抽出指令をパターンデータ領域抽出ユニット４１に送信する。パターンデータ領域抽出ユニット４１は、磁気ディスク３１に格納された描画データを解析して第３ストライプを描画するためには、第１フレームと第２フレームのデータが必要であることを解析し、まず、第１フレームの第３ストライプにかかる部分（図７（ｂ）の右下がりの斜線部（ｆ3 1 ））を抽出し、パターンデータ分割ユニット４２にデータを転送すると共にパターンデータ分割ユニット４２にクラスタ分割処理を実行するよう指令する。パターンデータ分割ユニット４２は、この部分のクラスタ分割処理を実行し、クラスタ分割されたデータをパターンメモリ３２に書き込む。
【００５５】
この処理が終了したらパターンデータ分割ユニット４２は、第２フレームの下半分（図７（ｂ）の右上がりの斜線部（ｆ3 2 ））のデータをパターンデータ領域抽出ユニット４１から受け取り、クラスタ分割処理を行いこのデータをパターンメモリ３２に追加する。この段階でパターンメモリには、第１フレームの上半分と第２フレームの下半分をクラスタ分割したデータが格納されている。なお、この段階でパターンメモリ３２に格納されたクラスタ分割後のデータを装置の描画順に適したように並べ替えても良い。
【００５６】
以上で第３ストライプを描画するために必要なクラスタ分割処理が終了するので、パターンデータ分割ユニット４２は制御計算機３０に対し、クラスタ分割処理が終了した旨を送信する。制御計算機３０は、パターンデータ展開ユニット４０に対し第３ストライプの描画を指令し第３ストライプの描画が実行される。
【００５７】
第３ストライプの描画が終了したら、第４ストライプの処理に進む。第２フレームの全体が第４ストライプの描画に必要なデータである。パターンデータ領域抽出ユニット４１は、図７（ｃ）の斜線部（ｆ4 1 ）のデータを抽出する。以下、第２ストライプで説明したと同様の処理が行われて、第４ストライプの描画行われる。第４ストライプの描画が終了したら、同様にして図７（ｄ）の第５ストライプの描画を行い、チップデータ全体の２重描画が終了する。
【００５８】
なお、パターンデータ領域抽出ユニット４１、パターンデータ分割ユニット４２は専用のハードウェアであっても良く、それぞれ本実施形態で説明した機能を有する描画装置制御用プログラムを記録した記録媒体が結合された汎用計算機であっても良い。また、本実施形態で説明した機能を有する描画装置制御用プログラムを記憶した、ＤＳＰ（デジタルシグナルプロセッサ）などのプロセッサであっても良い。また、パターンデータ展開ユニット４０も同様に、例えば従来例２に記載されたと同様の機能を持つ描画装置制御用プログラムを記録した記録媒体が結合された汎用計算機であっても良く、もちろん専用のハードウェアであっても良い。さらに、これらのプログラムは同一の記録媒体に記録されて、１台以上の制御計算機に結合されていても良い。
【００５９】
ところで、本実施形態で説明した描画装置では、例えば２重描画の場合、各フレームのパターンにつき夫々２回ずつクラスタ分割を行う必要がある。これは、容量の小さいパターンメモリ３２を仮定したためである。容量が大きいパターンメモリ３２を搭載した装置では、制御計算機３０は以下の手順に従って、クラスタ分割処理が１回で済むように描画ジョブを制御しても良い。以下、図４の例で説明する。
【００６０】
まず、描画ジョブ開始の指令を受けた制御計算機３０は、パターンデータ領域抽出ユニット４１に対し、第１フレームのデータを抽出するように指令を送信する。パターンデータ領域抽出ユニット４１はこの指令を受け、磁気ディスク３１に格納された描画データにアクセスすると共に、第１フレームのデータをパターンデータ分割ユニット４２に転送する。
【００６１】
パターンデータ分割ユニット４２は、この第１フレームのデータを受け取りクラスタ分割処理を行って、クラスタ分割後のデータをパターンメモリ３２に書き込む。パターンデータ分割ユニット４２は、パターンデータ領域抽出ユニット４１からクラスタ分割するよう指令された領域（第１フレーム）のクラスタ分割処理が終了したため、終了信号を制御計算機３０に送信して処理を終了する。制御計算機３０はこの送信を受け、次にパターンデータ展開ユニット４０を起動し、第１ストライプの描画を行うよう指令を送信する。パターンデータ展開ユニット４０は、前述した手順でパターンデコーダ３３及び描画データデコーダ３４等を駆動し、第１ストライプの描画を行う。
【００６２】
ここで、パターンデータ分割ユニット４２の処理について更に説明する。図８は、パターンデータ分割ユニット４２の詳細ブロック図である。パターンデータ分割ユニット４２は、ユニットコントローラ８１，クラスタ分割回路８２，図形データソート回路８３，クラスタソート回路８４，配置データソート回路８５，作業用メモリ８６，セルアドレス変換回路８７，セル図形データ転送回路８８，配置データ転送回路８９などからなる。各回路の処理について、図６の擬サブフィールドａを拡大した図９を用いて説明する。
【００６３】
なお、磁気ディスク３１に格納される描画データとしては、個々のパターンはセルと呼ばれる単位にまとめて定義されており、このセルをフレームデータ中で参照する形式を持つものが近年主流であるので、以下最適な実施形態として、この構造を持った描画データが磁気ディスク３１に格納されているものとして説明する。
【００６４】
ユニットコントローラ８１は、パターンデータ抽出ユニット４１から受け取った描画データのうち、セルデータを１つずつクラスタ分割回路８２へと入力する。クラスタ分割回路８２は、セル内の擬サブフィールドのそれぞれに対しクラスタ分割を行う。図６及び図９を例として説明する。まず、クラスタ分割回路８２は図６の上段にある擬サブフィールドａに対し、ユニットコントローラ８１から指定されたクラスタ分割幅でクラスタ境界を設定する。この例においては、クラスタ分割幅は２１μｍであり、図９に示されたような９個のクラスタに区分けされる。
【００６５】
本実施形態では、２つのインデックスＸ及びＹを用い、各クラスタ領域を（Ｘ，Ｙ）のように記述することにする。クラスタ分割回路８２は、この境界上にある図形を分割すると共に、分割された図形がどのクラスタ区画に属するかを判定する。擬サブフィールドａの場合には、１個の等脚台形が図９に示されるような図形Ｕ〜図形Ｚの６個の図形に分割され、各クラスタへ振り分けられ、作業用メモリ８６に格納される。例えば、図Ｕはクラスタ（１，１）に属することが判定され、クラスタ（１，１）に登録され作業用メモリ８６に格納される。１個のセルに存在する全ての擬サブフィールドに対しクラスタ分割が終了したら、次の図形データソート回路８３が起動される。
【００６６】
図形データソート回路８３は、作業用メモリ８６に格納されるクラスタ分割されたセルデータに対し、各クラスタ毎に図形を描画装置に適した順番にソートする。この図形データのソートが終了したら、次にクラスタソート回路８４が起動される。クラスタソート回路８４は、セルの擬サブフィールドの各々に対し、クラスタを描画装置に適した順番にソートする。
【００６７】
本実施形態においては、擬サブフィールド内において、クラスタ区画の左下点の座標が、Ｘ昇順（第１キー），Ｙ昇順（第２キー）となるようにソートする。即ち、図９のクラスタは、（１，１），（１，２），（１，３），（２，１），（２，２），（２，３），（３，１），（３，２），（３，３）の順番にソートされる。また、本実施形態において描画データは、各セルがフレームデータ中でポインタによって参照される形式となっているが、クラスタ分割により、一般に図形数が増大し図形データ量が増加することによってポインタのアドレスが変化してしまうという問題が発生してしまうので、クラスタソート回路８４は、クラスタ分割されたセル図形データ量をカウントし、クラスタ分割前のセルのアドレスとクラスタ分割後のアドレスの変換テーブルを作成する。
【００６８】
こうして、第１ストライプに定義されるセルデータのクラスタ分割が全て終了すると、セル図形データ転送回路８８が起動され、作業メモリ８６中の図形データがパターンメモリ３２へと転送される。この処理を入力された全てのセルについて終了したら、ユニットコントローラ８１は、制御計算機３０に、セルのクラスタ分割が終了した旨の信号を送信する。
【００６９】
一方、配置データソート回路８５により、入力された１フレーム又は２フレーム分のセルの配置データは、ストライプ領域において描画装置に適した順となるようにソートされ、その順番に従ってセル配置データアドレステーブルが作成される。続いて、配置データ転送回路８９が起動され、セル配置データアドレステーブルの順に従って、セル配置データをパターンメモリ３２に転送する。このとき、各配置におかれているセルのアドレスポインタの値は、セルアドレス変換回路８７によってクラスタ分割後のセルアドレスへと変換される。こうして第１ストライプの全てのセル配置データの転送が終了したら、ユニットコントローラ８１は、制御計算機３０にセルの配置データが転送された旨の信号を送信し、制御計算機３０は第１ストライプの描画を実行する。
【００７０】
第１ストライプの描画が終了したら、次に制御計算機３０は第２ストライプの描画のための制御を開始する。パターンメモリ３２には、第１フレームをクラスタ分割したパターンデータが開放されないまま格納されている。第２ストライプの描画のために、新たにクラスタ分割が必要となるフレームはない。従って、制御計算機３０は、パターンデータ領域抽出ユニット４１及びパターンデータ分割ユニット４２を起動せず、直接パターンデータ展開ユニット４０を起動して第２ストライプの描画を実行するよう指令を送信する。パターンデータ展開ユニット４０は、前述した手順でパターンデコーダ３３及び描画データデコーダ３４等を駆動し、第２ストライプの描画を行う。
【００７１】
第２ストライプの描画が終了したら、第３ストライプの描画を行うわけであるが、制御計算機３０は、第３ストライプの描画をするためには第２フレームをクラスタ分割したパターンデータが必要があることを解析によって求め、パターンデータ領域抽出ユニット４１に対し、第２フレームの描画データを抽出しパターンデータ分割ユニット４２に転送するように指令を送信する。
【００７２】
パターンデータ分割ユニット４２は、第２フレームのデータを受け取りクラスタ分割処理を行って、クラスタ分割後のデータをパターンメモリ３２に書き込む。パターンデータ分割ユニット４２は、パターンデータ領域抽出ユニット４１から、クラスタ分割するよう指令された領域（第２フレーム）のクラスタ分割処理が終了したため、終了信号を制御計算機３０に送信して処理を終了する。この段階でパターンメモリ３２には、第１フレームをクラスタ分割したパターンデータと第２フレームをクラスタ分割したパターンデータとが格納されている。
【００７３】
次いで、制御計算機３０は第２フレームのクラスタ分割が終了した旨の送信を受け、パターンデータ展開ユニット４０を起動し、第３ストライプの描画を行うよう指令を送信する。パターンデータ展開ユニット４０は、パターンメモリ３２に格納されている第１フレームと第２フレームをクラスタ分割したデータから第３ストライプを描画するために必要な部分を抽出し、かつ前述した手順でパターンデコーダ３３及び描画データデコーダ３４等を駆動し、第３ストライプの描画を行う。
【００７４】
こうして第３ストライプの描画が終了したら、制御計算機３０は第４ストライプの描画のための制御を開始する。まず、制御計算機３０は、第４ストライプ以降の描画では第１フレームの描画データをクラスタ分割したパターンデータは不要であることを解析によって求め、パターンメモリ３２から消去又は開放する。この段階で、パターンメモリ３２には、第２フレームをクラスタ分割したパターンデータのみが格納されている。
【００７５】
第４ストライプの描画のために、新たにクラスタ分割しなければならないフレームはない。従って、制御計算機３０は、パターンデータ領域抽出ユニット４１及びパターンデータ分割ユニット４２を起動せず、直接パターンデータ展開ユニット４０を起動し、第４ストライプの描画を行うよう指令を送信し、前述した処理の流れに従って第４ストライプの描画を終了する。第４ストライプの描画が終了したら、同様にして第５ストライプの描画を行い、チップ全体の描画を終了する。
【００７６】
なお、この例では、パターンデータ領域抽出ユニット４１が実際上行っている処理は、各フレームデータをパターンデータ分割ユニット４２に転送しているのみである。この場合には、パターンデータ領域抽出ユニット４１は特に必要ではなく、フレームデータを転送する処理を制御計算機３０が行っても良い。
【００７７】
また、以上の説明において、第２ストライプ，第４ストライプの描画においては、制御計算機３０はパターンデータ領域抽出ユニット４１を起動しないと説明したが、パターンデータ領域抽出ユニット４１を起動しても良い。この場合には、抽出するように指令のあった領域のクラスタ分割が既に処理済みで、そのパターンデータがパターンメモリ３２にある時には、抽出及びクラスタ分割処理をスキップするための分岐機能をパターンデータ領域抽出ユニット４１又はパターンデータ分割ユニット４２に持たせれば良いからである。
【００７８】
また、上述の説明では、領域抽出及びクラスタ分割をフレーム単位毎に行う例について説明したが、例えばフレームの半分単位に行っても良い。即ち、第１フレームの下半分をクラスタ分割してパターンメモリ３２に格納した後、第１ストライプの描画を行い、次に第１フレームの上半分をクラスタ分割しパターンメモリ３２に追加した後、第２ストライプの描画を行う。次いで、第１フレームの下半分をクラスタ分割したパターンデータをパターンメモリ３２から開放する。続いて、第２フレームの下半分をクラスタ分割しパターンメモリ３２に追加し、パターンメモリ３２に格納された第１フレームの上半分と第２フレームの下半分をクラスタ分割されたデータを用いて、第３ストライプの描画を行う。以下、同様にして第４ストライプ及び第５ストライプの描画を行えば良い。
【００７９】
次に、本実施形態の効果について説明する。図１０は、最小線幅がウェハー上０．１８μｍの典型的なマイクロプロセッサ回路のチップ全体の描画データ量と、クラスタ分割幅との関係を示す図である。図から分かるように、クラスタ分割幅が小さければ小さいほど、描画データ量は大きくなる。これは、前述したようにクラスタ分割により、クラスタ境界近傍にある図形が分割された結果、図形数が増加することが原因である。図１０はマイクロプロセッサの配線層の例であるが、他の層でも同様の傾向がある。また、ＤＲＡＭなどの製品でも同様の傾向がある。
【００８０】
以下、この図をもとに従来例と本実施形態とで、描画装置に入力される描画データ量を比較する。描画データは、６３μｍの擬サブフィールドサイズで分割されているものとする。まず、２重描画の場合について考える。従来例２の方法では２重描画用にクラスタ分割された描画データが必要となる。２重描画のためのクラスタ分割幅を２１μｍとすると、図１０より、２重描画をするために必要な描画データのデータ量は、従来例２では約１８ＧＢであることが分かる。また、４重描画，６重描画，８重描画の場合について、クラスタ分割幅をそれぞれ１２．６μｍ，９．０μｍ，７．０μｍとすると、各多重描画に必要な描画データ量は、夫々３０ＧＢ，３８ＧＢ，４３ＧＢとなることが分かる。
【００８１】
一方、本実施形態においては、描画データとしては、６３μｍで擬サブフィールド分割してあれば良く、多重描画の多重度の如何に拘わらず常に１０ＧＢである。以上の比較を下記の（表１）にまとめる。
【００８２】
【表１】
0004208283.tif 000002
【００８３】
従来例２と比較すると本実施形態の場合には、２重描画の場合には約１／２、８重描画の場合には約１／４の描画データ量となることが分かる。このように本実施形態によれば、描画装置に入力される描画データ量を大幅に圧縮できることが分かった。
【００８４】
（第２の実施形態）
ところで、以上の説明では多重描画の場合について説明してきたが、上述した装置で１重描画を行うと、描画時にサブフィールドサイズを可変にして描画できることは明らかである。即ち、描画する製品に合わせて、高精度が要求されるマスクでは小さいサブフィールドサイズを、また精度はそれほど要求されないマスクでは、最大サブフィールドサイズ以下でできるだけ大きいサブフィールドサイズを制御計算機に指令して、描画を行えば良い。この場合について、図１０をもとに、本実施形態による装置と従来例３の方法とで、描画データ量の比較を行うと下記の（表２）のようになる。
【００８５】
【表２】
0004208283.tif 000003
【００８６】
（表２）には、擬サブフィールドサイズを１／２，１／４，１／６，１／８に分割する場合について比較してある。この（表２）から本実施形態によれば、描画データ量は従来例３の１／１．４〜１／４．２の大きさで済むことが分かる。
【００８７】
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。実施形態においては、描画データは擬サブフィールド分割がされており、これに対してクラスタ分割を行うとして説明してきたが、擬サブフィールド分割がされていない描画データが入力であっても良い。例えば、フレーム分割のみされている描画データを入力として、そのデータに対してクラスタ分割を行っても良い。また、設計データを直接入力して、それをクラスタ分割しても良い。さらに、これらの場合には、クラスタ分割ではなく、サブフィールド分割するためのユニットとしてパターン分割ユニット４２を使用しても良い。
【００８８】
また、実施形態では電子ビーム描画装置の例を説明したが、本発明はこれに限らずイオンビーム描画装置に適用することもできる。さらに、偏向境界をずらして描画したりフィールドサイズを可変して描画するものであれば、レーザビーム描画装置に適用することも可能である。
【００８９】
また、上述した実施形態において記載した手法は、コンピュータに実行させることのできるプログラムとして、例えば磁気ディスク（フロッピーディスク，ハードディスク等）、光ディスク（ＣＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ等）、半導体メモリ等の記録媒体に書き込んで各種の描画装置に適用したり、通信媒体により伝送して各種の描画装置に適用することも可能である。本装置を実現するコンピュータは、記録媒体に記録されたプログラムを読み込み、このプログラムによって動作が制御されることにより、上記処理を実行する。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。
【００９０】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、描画装置の最下段の偏向フィールドサイズより小さい適当なサイズを持つフィールドでの区画分けをチップ全体に対して行った描画データを準備する必要なく、チップデータの部分領域毎に順次描画時に区画分けを行い、偏向境界のずれた多重描画若しくは偏向フィールドサイズが可変の１重描画を行うことができる。このため、上述の区画分けに起因するデータ量増加を回避することができる。
【００９１】
また本発明によれば、上記区画分けを行う描画装置を制御するプログラムを記録した記録媒体とこれを実行するための汎用の計算機を利用することで、従来の描画装置に若干の改造を施すことで、偏向境界のずれた多重描画若しくは偏向フィールドサイズが可変の１重描画を行うことができる。従って、フィールドサイズを可変とすることで描画する製品にあった１重描画を行うこと、更には高精度を達成するための多重描画が安価なコストで実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態に係わる電子ビーム描画装置を示す概略構成図。
【図２】チップ領域が複数のフレームに分割されている様子を示す図。
【図３】フレームが更にサブフィールドに分割されている様子を示す図。
【図４】描画パターン及び偏向境界をずらしたストライプの様子を示す図。
【図５】第１フレームと第１ストライプとの関係を示す図。
【図６】描画データの領域Ａの部分を拡大して示す図。
【図７】第１及び第２フレームと第２乃至第５ストライプとの関係を示す図。
【図８】パターンデータ分割ユニット４２の詳細を示すブロック図。
【図９】図６の擬サブフィールドａを拡大して示す図。
【図１０】典型的なマイクロプロセッサ回路のチップ全体の描画データ量とクラスタ分割幅との関係を示す図である。
【符号の説明】
１…チップ
２…フレーム
５…擬サブフィールド
１０…試料室
１２…半導体基板
１３…テーブル
１４…テーブル駆動回路
１５…位置回路
１６…電子銃
２０…電子ビーム光学系
２１…電子銃
２２ａ，〜，２２ｅ…各種レンズ
２３ａ，〜，２３ｄ…各種偏向器
２４ａ，２４ｂ…ビーム成形用アパーチャ
３０…計算機
３１…磁気ディスク
３２…パターンメモリ
３３…パターンデータデコーダ
３４…描画データデコーダ
３５…ブランキング回路
３６…ビーム成型器ドライバ
３７…主偏向器ドライバ
３８…副偏向器ドライバ
４０…パターンデータ展開ユニット
４１…パターンデータ領域抽出ユニット
４２…パターンデータ分割ユニット
【図１】
0004208283.tif 000004
【図２】
0004208283.tif 000005
【図３】
0004208283.tif 000006
【図４】
0004208283.tif 000007
【図５】
0004208283.tif 000008
【図６】
0004208283.tif 000009
【図７】
0004208283.tif 000010
【図８】
0004208283.tif 000011
【図９】
0004208283.tif 000012
【図１０】
0004208283.tif 000013