(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタアレイパネルの製造方法であって、以下の第一工程〜第五工程を含むことを特徴とする薄膜トランジスタアレイパネルの製造方法。
第一工程：  基板の上を第一導電金属層で覆い、当該第一導電金属層を第一フォトレジスト層で覆い、第一フォトリソマスクを用いて当該第一フォトレジスト層にパターンを形成した後、当該第一導電金属層を選択エッチングして、当該基板の一方の片端側にゲートバスラインパッドを有する連続したゲートバスライン導体と、隣接する当該ゲートバスライン導体間に当該ゲートバスライン導体と交差する方向に設けられ且つ交差領域で当該ゲートバスライン導体により断絶され、当該基板の異なる片端側にデータバスラインパッドを有する不連続なデータバスライン導体セグメントとを形成する工程。
第二工程：  前記第一工程で得られた基板上を絶縁層、半導体層及びオーミック接触層で順次覆い、当該オーミック接触層上を第二フォトレジスト層で被覆し、第二フォトリソマスクを用いて当該第二フォトレジスト層にパターンを形成した後、当該オーミック接触層、当該半導体層及び当該絶縁層を選択エッチングして、複数の薄膜トランジスタと、前記交差領域において前記ゲートバスライン導体の上を跨ぐことにより不連続な前記データバスライン導体セグメント間を前記絶縁層、半導体層及びオーミック接触層の三層構造物で接続する橋かけ構造とを形成する工程。
第三工程：  前記第二工程で得られた基板上を第二導電金属層で覆い、当該第二導電金属層を第三フォトレジスト層で覆い、第三フォトリソマスクを用いて当該第三フォトレジスト層にパターンを形成した後、当該第二導電金属層を選択エッチングして、薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極と、前記橋かけ構造上に形成された前記第二導電金属層により不連続な前記データバスライン導体セグメント間を電気的に接続する連続したデータバスライン導体とを形成する工程。
第四工程：  前記第三工程で得られた基板上を保護層で覆い、当該保護層を第四フォトレジスト層で覆い、第四フォトリソマスクを用いて当該第四フォトレジスト層にパターンを形成した後、当該保護層を選択エッチングして、前記ソース電極の露出したバイアホールを形成する工程。
第五工程：  前記第四工程で得られた基板上に透明導電材料層を形成し、当該透明導電材料層を第五フォトレジスト層で覆い、第五フォトリソマスクを用いて当該第五フォトレジスト層にパターンを形成した後、当該透明導電材料層を選択エッチングして、隣接する前記データバスライン導体間と隣接する前記ゲートバスライン導体間で区画される領域に略沿った形状の画素電極と、当該ゲートバスライン導体に沿ってパターンが形成された蓄積キャパシタとを形成する工程。
【請求項２】
前記第二工程において、前記第二フォトリソマスクは、さらに、前記薄膜トランジスタの前記オーミック接触層上にパターンを形成しエッチングすることにより、前記ゲートバスライン導体と前記データバスライン導体セグメント間に前記絶縁層、前記半導体層及び前記オーミック接触層からなる電気バリアである第一ノッチを形成するパターンを有するものであることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタアレイパネルの製造方法。
【請求項３】
前記第二工程において、前記第二フォトリソマスクは、さらに、前記薄膜トランジスタの前記オーミック接触層にパターンを形成しエッチングすることにより、前記薄膜トランジスタと前記データバスライン導体セグメント間に前記絶縁層、前記半導体層及び前記オーミック接触層からなる電気バリアである第二ノッチを形成するパターンを有するものであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の薄膜トランジスタアレイパネルの製造方法。
【請求項４】
前記第五工程において、前記第五フォトリソマスクは、さらに、前記ソース電極の露出したバイアホールを覆う前記透明導電材料層を形成するパターンを有するものであることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタアレイパネルの製造方法。
【請求項５】
前記第五工程において、前記第五フォトリソマスクは、前記ゲートバスラインパッド及び前記データバスラインパッドの部分に前記第一導電金属層、前記第二導電金属層及び前記透明導電材料層の三層構造を形成するパターンを有するものであることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタアレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アレイパネルの薄膜トランジスタに関し、特に、フォトリソ工程によって製造された薄膜トランジスタアレイパネルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の技術では、薄膜トランジスタをアレイパネル上に製造するのに、通常、６つのフォトリソ工程を必要とする。図１は、第一工程の概略図である。業界公知の従来のフォトリソ工程では、電磁放射の光線は、パターンが形成された第一フォトリソマスクを透過し、第一フォトレジスト層に照射されて、照射パターンが形成される。上述のパターンが形成されたフォトレジスト層は、現像剤で洗浄され、照射パターンが取り除かれる。続いて、このパターンが形成されたフォトレジスト層を載置したまま、金属層の選択的なエッチングをし、基盤１０４の表面に薄膜トランジスタのゲート１００と、バスライン導体１０２を形成する。図１のバスライン導体１０２は、ゲートバスライン導体又はデータバスライン導体である。
【０００３】
図２は、図１の基板１０４の表面に第二工程によって形成されたゲート１００の絶縁層１０６とその他の材料層１０８及び１１０の構成を示している。第二工程では、パターンが形成された第二フォトリソマスクを用いて対応する第二フォトレジスト層に照射し、選択的なエッチングを行ってパターンを形成する。続いて、このパターンが形成された第二フォトレジスト層がある部分で、選択的なエッチングを行う。エッチングの終了後、薄膜トランジスタのゲート絶縁層１０６の表面に半導体層１０８及びオーミック接触層１１０を順次形成し、パターンが形成された薄膜トランジスタを形成する。
【０００４】
図３は、第三工程を示しており、第三フォトリソマスクを用いて対応する第三フォトレジスト層に照射し、選択的なエッチングを用いてパターンを形成する。続いて、このパターンが形成された第三フォトレジスト層がある部分で、選択的なエッチングを行い、絶縁層１０６が除去されバスライン導体１０２が露出したバイアホール１１２を形成する。
【０００５】
図４は、第四工程を示している。図３の基板の表面に第二導電金属層１１４を覆う。パターンが形成された第四フォトリソマスクの使用によって、対応する第四フォトレジスト層に照射し、選択的なエッチングを用いてパターンを形成する。続いて、エッチングプロセスを実施した後、バスライン導体１０２と薄膜トランジスタの表面に第二導電金属層からなるバスライン導体のパターンを形成する。ゲート１００の上部では、第二導電金属層１１４、オーミック接触層１１０及び半導体層１０８のエッチングを行いノッチ１１６を形成する。
【０００６】
図５は、第五工程を示している。まず、図４に示された構造の表面を全体的に保護層１１８で覆う。次に、パターンが形成された第五フォトリソマスクの使用によって、第五フォトレジスト層に照射し、保護層１１８にパターンを形成してその中にバイアホール１２０を形成し、第二導電金属層１１４のソース領域の上に接触領域を露出させる。
【０００７】
図６は、第六工程を示している。保護層１１８とバイアホール１２０の表面を透明導電金属層１２２で覆い、透明導電金属層１２２を第二導電金属１１４の接触領域に接続する。パターンが形成された第六フォトリソマスクの使用によって、第六フォトレジスト層に照射し、選択的なエッチングを行い、透明金属層１２２のパターンを形成する。選択的なエッチングが行われた透明金属層１２２により、保護層１１８の表面に画素電極と蓄積キャパシタのパターンが形成されるが、ゲートバスライン導体とデータバスライン導体の表面には保護層１１８が形成される。
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−３０３８３５号公報（第１頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従来のフォトリソ工程では６つのフォトリソマスクを用いる工程が必要であるが製造コスト等に鑑みると工程数は少ないほうが好ましい。本発明の目的は、五つのフォトリソマスクを用いる工程のみで薄膜トランジスタアレイパネルを製造可能な薄膜トランジスタアレイパネルの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本件発明に係る薄膜トランジスタアレイパネルの製造方法：  本件発明に係る薄膜トランジスタアレイパネルの製造方法は、以下の第一工程〜第五工程を含むことを特徴としている。
第一工程：  基板の上を第一導電金属層で覆い、当該第一導電金属層を第一フォトレジスト層で覆い、第一フォトリソマスクを用いて当該第一フォトレジスト層にパターンを形成した後、当該第一導電金属層を選択エッチングして、当該基板の一方の片端側にゲートバスラインパッドを有する連続したゲートバスライン導体と、隣接する当該ゲートバスライン導体間に当該ゲートバスライン導体と交差する方向に設けられ且つ交差領域で当該ゲートバスライン導体により断絶され、当該基板の異なる片端側にデータバスラインパッドを有する不連続なデータバスライン導体セグメントとを形成する工程。
第二工程：  前記第一工程で得られた基板上を絶縁層、半導体層及びオーミック接触層で順次覆い、当該オーミック接触層上を第二フォトレジスト層で被覆し、第二フォトリソマスクを用いて当該第二フォトレジスト層にパターンを形成した後、当該オーミック接触層、当該半導体層及び当該絶縁層を選択エッチングして、複数の薄膜トランジスタと、前記交差領域において前記ゲートバスライン導体の上を跨ぐことにより不連続な前記データバスライン導体セグメント間を前記絶縁層、半導体層及びオーミック接触層の三層構造物で接続する橋かけ構造とを形成する工程。
第三工程：  前記第二工程で得られた基板上を第二導電金属層で覆い、当該第二導電金属層を第三フォトレジスト層で覆い、第三フォトリソマスクを用いて当該第三フォトレジスト層にパターンを形成した後、当該第二導電金属層を選択エッチングして、薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極と、前記橋かけ構造上に形成された前記第二導電金属層により不連続な前記データバスライン導体セグメント間を電気的に接続する連続したデータバスライン導体とを形成する工程。
第四工程：  前記第三工程で得られた基板上を保護層で覆い、当該保護層を第四フォトレジスト層で覆い、第四フォトリソマスクを用いて当該第四フォトレジスト層にパターンを形成した後、当該保護層を選択エッチングして、前記ソース電極の露出したバイアホールを形成する工程。
第五工程：  前記第四工程で得られた基板上に透明導電材料層を形成し、当該透明導電材料層を第五フォトレジスト層で覆い、第五フォトリソマスクを用いて当該第五フォトレジスト層にパターンを形成した後、当該透明導電材料層を選択エッチングして、隣接する前記データバスライン導体間と隣接する前記ゲートバスライン導体間で区画される領域に略沿った形状の画素電極と、当該ゲートバスライン導体に沿ってパターンが形成された蓄積キャパシタとを形成する工程。
【００１１】
本件発明に係る薄膜トランジスタアレイパネルの製造方法においては、前記第二工程において、前記第二フォトリソマスクは、さらに、前記薄膜トランジスタの前記オーミック接触層の表面にパターンを形成しエッチングすることにより、前記ゲートバスライン導体と前記データバスライン導体セグメント間に前記絶縁層、前記半導体層及び前記オーミック接触層からなる電気バリアである第一ノッチを形成するパターンを有するものであることも好ましい。
【００１２】
本件発明に係る薄膜トランジスタアレイパネルの製造方法においては、前記第二工程において、前記第二フォトリソマスクは、さらに、前記薄膜トランジスタの前記オーミック接触層にパターンを形成しエッチングすることにより、前記薄膜トランジスタと前記データバスライン導体セグメント間に前記絶縁層、前記半導体層及び前記オーミック接触層からなる電気バリアである第二ノッチを形成するパターンを有するものであることも好ましい。
【００１３】
本件発明に係る薄膜トランジスタアレイパネルの製造方法においては、前記第五工程において、第五フォトリソマスクは、さらに、前記ソース電極の露出したバイアホールを覆う前記透明導電材料層を形成するパターンを有するものであることも好ましい。
【００１４】
本件発明に係る薄膜トランジスタアレイパネルの製造方法においては、前記第五工程において、前記第五フォトリソマスクは、前記ゲートバスラインパッド及び前記データバスラインパッドの部分に前記第一導電金属層、前記第二導電金属層及び前記透明導電材料層の三層構造を形成するパターンを有するものであることも好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明は、従来技術の６つのフォトリソマスクの使用に比べ、五つのフォトリソマスクのみ用いる。よって、本発明は、アレイパネルで薄膜トランジスタを製造する際に必要とする時間と材料を削減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明についての目的、特徴、長所が一層明確に理解されるよう、以下に実施形態を例示し、図面を参照にしながら、詳細に説明する。
【実施例】
【００１７】
（第一工程）
図７は、基板２０４の表面に複数のゲート配線又は複数のゲートバスライン導体２０２のパターンを備える薄膜トランジスタアレイパネル２００の一部を示している。また、図７は、基板２０４の表面に設置された配線セグメント又はデータバスライン導体セグメント２０６ａも示している。ゲートバスライン導体２０２とデータバスライン導体セグメント２０６ａは、第一導電金属のパターンで形成される。上述の第一導電金属は、金属又はその他の導電材料から構成される。上述のパターンは、第一工程で形成される。
【００１８】
上述の第一工程は、公知の標準的なフォトリソグラフィの設備によって行うことができる。まず、例えば、堆積法によって、基板２０４の表面を第一導電金属層で覆う。第一導電金属層の形成は、前述の堆積法に限定せず、その他の方法であってもよい。次に、例えば、堆積法によって、第一導電金属層の表面を第一フォトレジスト層で覆う。第一フォトレジスト層の形成は、前述の堆積法に限定せず、その他の方法であってもよい。パターンが形成された第一フォトリソマスクを用いて第一フォトレジスト層を照射し、照射されたパターンを形成する。続いて、パターンが形成された第一フォトレジスト層を載置したまま第一導電金属層の選択的なエッチングをし、ゲートバスライン導体２０２とデータバスライン導体セグメント２０６ａを形成する。
【００１９】
上述の第一工程では、ゲートバスライン導体２０２等以外の装置も形成することができる。例えば、図７に示すような、各薄膜トランジスタのゲート電極として機能するゲート電極２０２ａを備えるゲートバスライン導体２０２を形成することができる。ゲートバスライン導体２０２は、回路接続として用いられる大きな面積のゲートバスラインのパッド２０２ｂを有する。また、図７には、回路接続として用いられる大きな面積のデータバスラインのパッド２０６ｂを含むデータバスライン導体セグメント２０６ａのいくつかを示している。データバスライン導体セグメント２０６ａとゲートバスライン導体２０２とは、これらが交差する交差領域、すなわち、第一ノッチ２０８で、データバスライン導体セグメント２０６ａが連続して形成されるゲートバスライン導体２０２に分断される形で電気的に分離されている。ゲート電極２０２ａとこれに対応するデータバスライン導体セグメント２０６ａとの間は、第二ノッチ２１０によって電気的に分離されている。なお、第二ノッチ２１０が存在してもしなくても薄膜トランジスタアレイパネルは作動するため、本発明において第二ノッチ２１０は必須のものではない。このため、第二ノッチについては、もう一つの実施例を参照して後述する。
【００２０】
図８は、第一導電金属で構成されたゲートバスライン導体２０２と薄膜トランジスタのゲート電極２０２ａの模式的な断面を示している。図９は、第一ノッチ２０８近傍の第一導電金属で構成されたデータバスライン導体セグメント２０６ａ、ゲートバスライン導体２０２及びゲートバスラインのパッド２０２ｂの模式的な断面を示している。
【００２１】
（第二工程）
図１１は、図８に示すゲート電極２０２ａの表面に形成した、絶縁層３００、半導体層３０２及びオーミック接触層３０４の模式的な断面を示しており、絶縁層３００の材料はゲート絶縁材料、半導体層３０２の材料は半導体材料、オーミック接触層３０４の材料はオーミック接触が可能な材料である。第一導電金属層のパターンを形成後、絶縁層３００、半導体層３０２及びオーミック接触層３０４は、例えば、堆積法で、順次に形成され、図７に示す基板２０４の表面を覆う。上述の３つの材料層の形成は、前述の堆積法に限定せず、その他の方法でもよい。
【００２２】
続いて、公知の標準的なフォトリソグラフィの設備を用いて第二工程のステップを行う。まず、上述のオーミック接触層３０４の表面が第二フォトレジスト層で被覆される。次に、パターンが形成された第二フォトリソマスクによってこの第二フォトレジスト層にパターンが形成され、続いてパターンが形成された第二フォトレジスト層を載置したまま選択的なエッチングを行う。上述のエッチングは、上記３つの材料層絶縁層３００、半導体層３０２及びオーミック接触層３０４に対して行い、図１１に示すような三層構造の薄膜トランジスタ３０６を形成する。図１２は、対応するゲートバスライン導体２０２とデータバスライン導体セグメント２０６ａとの間にある第一ノッチ２０８を跨ぐようにして形成された絶縁層３００、半導体層３０２及びオーミック接触層３０４からなる三層構造の橋かけ構造３０８を示している。第一ノッチ２０８は、後述のようにゲートバスライン導体２０２とデータバスライン導体セグメント２０６ａとの間の電気バリアとして作用する。
【００２３】
第二フォトリソマスクは、また、薄膜トランジスタのゲート電極２０２ａに対応するパターンが形成されたゲート絶縁体３００を形成可能なものや、半導体材料のパターンが形成された薄膜トランジスタのソース領域とパターンが形成された薄膜トランジスタのドレイン領域を形成可能なものとすることができる。よって、このような第二フォトリソマスクを用いた場合、３つの材料層、すなわち絶縁層３００、半導体層３０２及びオーミック接触層３０４にパターンを形成することができる。本発明では、このような第二フォトリソマスクを用いることにより、上述の従来技術で必要であった図３に示された第三工程を省略することができるようになる。上述の３つの材料層の形成に用いられる材料は、例えば、絶縁層３００としては公知の絶縁物質が挙げられ、半導体層３０２としてはα−Ｓｉ：Ｈ材料が挙げられ、オーミック接触層３０４としてはｎ＋α−Ｓｉ：Ｈ材料が挙げられる。これら絶縁層３００、半導体層３０２及びオーミック接触層３０４に第二フォトリソマスクを用いてパターンを形成しエッチングした後、後述の第二導電金属層の形成を行って、ゲート電極２０２ａの表面にソース電極とドレイン電極を形成すると、薄膜トランジスタが形成される。該薄膜トランジスタは、電場が存在すると、絶縁層３００と半導体層３０２の界面間でこの薄膜トランジスタのチャネルを形成する。オーミック接触層３０４は、半導体層３０２と第二導電金属層との接続をスムーズにするものである。
【００２４】
本発明の実施例に基づくと、第二工程は、同時に、絶縁層３００、半導体層３０２及びオーミック接触層３０４にパターンを形成し、ゲートバスライン導体２０２とデータバスライン導体セグメント２０６ａ間の電気的接触と短絡を防ぐ電気バリアとして機能する第一ノッチ２０８を形成することができる。すなわち、第一ノッチ２０８は、ゲートバスライン導体２０２とデータバスライン導体セグメント２０６ａの交差領域に形成される。図１２に、ゲートバスライン導体２０２とデータバスライン導体セグメント２０６ａの交差領域の絶縁層３００にパターンが形成されて第一ノッチ２０８が形成されている状態の模式的な断面を示す。なお、絶縁層３００は、これ単独で、ゲートバスライン導体２０２とデータバスライン導体セグメント２０６ａ間の電気的接触と短絡を防ぐ電気バリアである第一ノッチ２０８とすることも可能である。図１３〜図１５に示すように、交差領域に形成された第一ノッチ２０８部分に絶縁層３００、半導体層３０２及びオーミック接触層３０４からなる三層構造でパターンを形成するのは、後述の第三工程によって形成される連続的なデータバスライン導体とゲートバスライン導体２０２との間の短絡を防ぐためである。
【００２５】
図１０〜図１２に示すように、本発明のもう一つの実施例では、第二フォトリソマスクの使用によって、同時に、絶縁層３００、半導体層３０２及びオーミック接触層３０４にパターンを形成しエッチングすることにより、薄膜トランジスタ３０６とデータバスライン導体セグメント２０６ａ間に電気バリアである第二ノッチ２１０を形成することができる。図１０は、薄膜トランジスタ３０６のゲート電極２０２ａとデータバスライン導体セグメント２０６ａとの間の基板２０４の表面に第二ノッチ２１０のパターンが形成されている状態を示している。絶縁層３００、半導体層３０２及びオーミック接触層３０４は、例えば、パターンを形成し、これら３層を同時にエッチングすることにより、第二ノッチ２１０を形成することができる。図１３〜図１５に示すように、交差領域に形成された第二ノッチ２１０部分に絶縁層３００、半導体層３０２及びオーミック接触層３０４からなる三層構造でパターンを形成するのは、後述の第三工程によって形成される連続的なデータバスライン導体とゲートバスライン導体２０２との間の短絡を防ぐためである。
【００２６】
（第三工程）
図１３は、第二導電金属層４００のパターンを有する薄膜トランジスタのアレイパネル２００を部分的に示している。第二導電金属は、金属又はその他の導電材料で形成することができる。
【００２７】
第三工程では、まず、上述の絶縁層３００、半導体層３０２及びオーミック接触層３０４にパターンを形成してある薄膜トランジスタアレイパネル２００の基板２０４を、第二導電金属層４００で被覆する。第二導電金属４００のパターンは、図１０に示す基板の表面、特には薄膜トランジスタ３０６の近傍と、薄膜トランジスタ３０６のオーミック接触層３０４の表面、ゲートバスライン導体２０２及びデータバスライン導体セグメント２０６ａの表面に形成される。後者の場合、第二導電金属層４００はゲートバスライン導体２０２及びデータバスライン導体セグメント２０６ａの厚さを増加する作用を行う。
【００２８】
第三工程は、公知の標準的なフォトリソグラフィの設備を用いて行うことができる。まず、第二導電金属層４００の表面を第三フォトレジスト層で被覆する。続いて、パターンが形成された第三フォトリソマスクを用いてこの第三フォトレジスト層に照射し、照射パターンを形成する。続いて、パターンが形成された第三フォトレジスト層を載置したまま第二導電金属層４００を選択的にエッチングし、図１３、図１４及び図１５に示す、パターンの形成された第二導電金属層４００を形成する。
【００２９】
図１３と図１５に示すように、第二導電金属層４００は、さらに、図１１と図１２に示すゲートバスライン導体２０２とデータバスライン導体セグメント２０６ａとの間にある第一ノッチ２０８を跨ぐようにして形成された絶縁層３００、半導体層３０２及びオーミック接触層３０４からなる三層構造の橋かけ構造３０８を介して、電気的に絶縁されているデータバスライン導体セグメント２０６ａ間を接合し、連続的なデータバスライン導体２０６を形成する。第二導電金属層は、さらに、データバスラインパッド２０６ａ及びゲートバスラインパッド２０２ｂも被覆し、これらの厚さを増加する作用を行う。
【００３０】
図１４と図１５は、第一導電金属層からなるゲートバスライン導体２０２の表面に第二導電金属層４００が形成され、ゲートバスライン導体２０２の厚さが増加している様子を示す。図１５を参照すれば、第一ノッチ２０８の形成された交差領域２０２ｃにおいて、ゲートバスライン導体２０２とその表面に形成された連続的なデータバスライン導体２０６とが電気的に分離され、短絡が防止されている様子が明確に示されている。
【００３１】
図１４には、基板２０４から薄膜トランジスタ３０６の上まで延びるパターンを形成した第二導電金属層４００を示している。第二導電金属層４００は、薄膜トランジスタ３０６のパターンが形成されたオーミック接触材料３０４を被覆し、続いて、第二導電金属層４００をエッチングすることにより、薄膜トランジスタのドレイン電極４０４及びソース電極４０２が形成される。図１３と図１４に示すように、薄膜トランジスタのソース電極４０２は、第二ノッチ２１０を跨いでデータバスライン導体２０６に接続される。図１３には、薄膜トランジスタのゲート電極２０２ａが、ソース電極及びドレイン電極と、絶縁層３００、半導体層３０２及びオーミック接触層３０４を介して電気的に分離されている様子が示されている。
【００３２】
（第四工程）
図１６は、パターンを形成した保護層５００に覆われた薄膜トランジスタアレイパネル２００を示している。保護層５００の形成方法としては、例えば、堆積法が挙げられるが、堆積法に限定されず、その他の方法でもよい。続いて、公知の標準的なフォトリソグラフィ設備を用いて、第四工程を行う。まず、保護層５００は第二導電金属層４００にパターンを形成した薄膜トランジスタアレイパネル２００の表面を被覆している。そこで、保護層５００の表面を第四フォトレジスト層で被覆する。続いて、パターンが形成された第四フォトリソマスクを用いて、第四フォトレジスト層に照射し、照射パターンを形成し、次に、パターンを形成した第四フォトレジスト層を載置したまま、保護層５００の選択的なエッチングによって、パターンが形成された保護層５００を形成する。この保護層５００をエッチングしてバイアホール５０２を形成すれば、ゲートバスラインのパッド２０２ｂ、データバスラインのパッド２０６ｂ及びソース電極４０２のそれぞれが露出する。図１７には、パターンを形成した保護層が、基板２０４と薄膜トランジスタ内のノッチ４０６を覆う様子が示されている。
【００３３】
（第五工程）
図１９には、パターンが形成された保護層５００を覆うようなパターンで形成した透明導電材料層６００を示している。透明導電材料層は、例えば、公知の透明導電金属等の透明導電材料を用いて形成することができる、その形成方法は、例えば、堆積法が挙げられるがこの方法に限定されるものではない。第五工程は、公知の標準的なフォトリソグラフィ設備を用いて行うことができる。まず、パターンの形成された保護層５００の形成後、透明導電材料層６００で薄膜トランジスタアレイパネル２００の表面を被覆する。次に、透明導電材料層６００の表面を第五フォトレジスト層で被覆する。パターンが形成された第五フォトリソマスクを用いて、第五フォトレジスト層に照射し、照射パターンを形成し、照射パターンのある部分で、透明導電材料層６００の選択的なエッチングを行い、隣接するデータバスライン導体２０６間と隣接するゲートバスライン導体２０２間で区画される領域に略沿った形状の大面積の画素電極６０２を形成する。また、エッチングされた透明導電材料層６００の一部は、ゲートバスライン導体２０２に沿ってパターンが形成された蓄積キャパシタ６０４を形成する。また、ソース電極４０２の表面に設けられる透明導電材料層６００は、ソース電極４０２にあるバイアホールを完全に被覆するようにパターンが形成され、ソース電極４０２からの電流を画素電極６０２と蓄積キャパシタ６０４に伝送する作用を行う。
【００３４】
以上、本発明の好適な実施例を例示したが、これは本発明を限定するものではなく、本発明の本質及び範囲を逸脱しない限りにおいては、当業者であれば行い得る少々の変更や修飾を付加することは可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】従来の６つの工程を必要とするの方法で製造された二層金属構造を有する薄膜トランジスタの第一工程を説明する概略図である。
【図２】製造された二層金属構造を有する薄膜トランジスタの第二工程を説明する概略図である。
【図３】製造された二層金属構造を有する薄膜トランジスタの第三工程を説明する概略図である。
【図４】製造された二層金属構造を有する薄膜トランジスタの第四工程を説明する概略図である。
【図５】製造された二層金属構造を有する薄膜トランジスタの第五工程を説明する概略図である。
【図６】製造された二層金属構造を有する薄膜トランジスタの第六工程を説明する概略図である。
【図７】本発明に係る薄膜トランジスタアレイパネルの製造方法の第一工程における薄膜トランジスタの平面を示す上面図である。
【図８】図７の２Ｂ−２Ｂ線に沿った断面図である。
【図９】図７の２Ｃ−２Ｃ線に沿った断面図である。
【図１０】本発明に係る薄膜トランジスタアレイパネルの製造方法の第二工程における薄膜トランジスタの平面を示す上面図である。
【図１１】図１０の３Ｂ−３Ｂ線に沿った断面図である。
【図１２】図１０の３Ｃ−３Ｃ線に沿った断面図である。
【図１３】本発明に係る薄膜トランジスタアレイパネルの製造方法の第三工程における薄膜トランジスタの平面を示す上面図である。
【図１４】図１３の４Ｂ−４Ｂ線に沿った断面図である。
【図１５】図１３の４Ｃ−４Ｃ線に沿った断面図である。
【図１６】本発明に係る薄膜トランジスタアレイパネルの製造方法の第四工程における薄膜トランジスタの平面を示す上面図である。
【図１７】図１６の５Ｂ−５Ｂ線に沿った断面図である。
【図１８】図１６の５Ｃ−５Ｃ線に沿った断面図である。
【図１９】本発明に係る薄膜トランジスタアレイパネルの製造方法の第五工程における薄膜トランジスタの平面を示す上面図である。
【図２０】図１９の６Ｂ−６Ｂ線に沿った断面図である。
【図２１】図１９の６Ｃ−６Ｃ線に沿った断面図である。
【符号の説明】
【００３６】
１００  ゲート
１０２  バスライン導体
１０４、２０４  基板
１０６、３００  絶縁層
１０８、３０２  半導体層
１１０、３０４  オーミック接触層
１１２、１２０  バイアホール
１１４  第二導電金属層
１１６、４０６  ノッチ
１１８  保護層
１２２  透明金属層
２００  薄膜トランジスタアレイパネル
２０２  ゲートバスライン導体
２０２ａ  ゲート電極
２０２ｂ  ゲートバスラインパッド 
２０２ｃ  交差領域
２０６  データバスライン導体
２０６ａ  データバスライン導体セグメント
２０６ｂ  データバスラインパッド
２０８  第一ノッチ
２１０  第二ノッチ
３０６  薄膜トランジスタ
３０８  橋かけ構造
４００  第二導電金属層
４０２  ソース電極
４０４  ドレイン電極
５００  保護層
５０２  バイアホール
６００  透明導電材料
６０２  画素電極
６０４  蓄積キャパシタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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