(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも永久磁石と、前記永久磁石により直流磁界が印加される中心電極組立体と、前記中心電極組立体を収容する樹脂製端子ケースと、前記永久磁石及び前記中心電極組立体を収容する金属ケースとを備えた非可逆回路素子において、
前記金属ケースが上側ケースと下側ケースにて構成され、前記下側ケースが前記樹脂製端子ケースにインサートモールドされており、
前記金属ケースからアース端子を延在させるとともに、該アース端子の根元部近傍にはんだ流れ防止部を設けたこと、
を特徴とする非可逆回路素子。
【請求項２】
少なくとも永久磁石と、前記永久磁石により直流磁界が印加される中心電極組立体と、前記中心電極組立体を収容する樹脂製端子ケースと、前記永久磁石及び前記中心電極組立体を収容する金属ケースとを備えた非可逆回路素子において、
前記金属ケースが上側ケースと下側ケースにて構成され、前記下側ケースが前記樹脂製端子ケースにインサートモールドされており、
前記上側ケースの前記下側ケースとの接合部近傍にはんだ流れ防止部を設けたこと、
を特徴とする非可逆回路素子。
【請求項３】
前記はんだ流れ防止部が絶縁体被膜であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の非可逆回路素子。
【請求項４】
前記絶縁体被膜が、熱硬化材又は紫外線硬化材のいずれか一つであることを特徴とする請求項３に記載の非可逆回路素子。
【請求項５】
前記金属ケースから延在したアース端子の根元部が前記金属ケースの実装面から突出するように曲げ加工され、前記はんだ流れ防止部の厚み寸法が前記アース端子の根元部と前記金属ケースの実装面との段差より小さいことを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３又は請求項４に記載の非可逆回路素子。
【請求項６】
レーザを前記金属ケースの所望の位置に照射し、金属ケースの表面を少なくとも酸化又は除去して前記はんだ流れ防止部を形成したことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の非可逆回路素子。
【請求項７】
前記金属ケースの表面に金属被膜を設け、レーザを前記金属ケースの所望の位置に照射し、前記金属被膜を少なくとも酸化又は除去して前記はんだ流れ防止部を形成したことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の非可逆回路素子。
【請求項８】
前記金属ケースの表面に設けた金属被膜の最表層が銀被膜であることを特徴とする請求項７に記載の非可逆回路素子。
【請求項９】
前記金属ケースの表面に設けた金属被膜の少なくとも一つの層がニッケル被膜であることを特徴とする請求項７に記載の非可逆回路素子。
【請求項１０】
前記金属ケースが鉄を主成分とする金属からなることを特徴とする請求項１〜請求項９のいずれかに記載の非可逆回路素子。
【請求項１１】
請求項１〜請求項１０のいずれかに記載の非可逆回路素子の少なくともいずれか一つを備えたことを特徴とする通信装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、非可逆回路素子、特に、マイクロ波帯で使用されるアイソレータやサーキュレータ等の非可逆回路素子及び通信装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、携帯電話等の移動用通信装置に採用される集中定数型アイソレータとして、図１１及び図１２に示すものが提案されている。図１１は、アイソレータ１５１の外観斜視図であり、図１２はアイソレータ１５１の底面図である。
【０００３】
図１１に示すように、アイソレータ１５１は、概略、樹脂製端子ケース１５３と金属製下側ケース１５４と金属製上側ケース１５８とを備え、これらの内部に図示しない永久磁石や中心電極組立体が収容されている。金属製上側ケース１５８と金属製下側ケース１５４は、両者の接合部（図１１において斜線で表示）を接合用はんだではんだ付けすることにより一体的に接合され、金属ケースとなる。この金属ケースは、アイソレータ１５１のケースとしての機能の他に、磁性ヨークの機能も兼ねている。
【０００４】
図１２に示すように、樹脂製端子ケース１５３の右左の側壁１５３ａには、それぞれ入力端子１６４、出力端子１６５及び四つのアース端子１６６が配設されている。アース端子１６６は、下側ケース１５４の左右の辺から延在している。アース端子１６６の根元部は、下側ケース１５４の実装面１５４ｂから突出するように曲げ加工されている。一方、入力端子１６４及び出力端子１６５は、樹脂製端子ケース１５３にインサートモールドされている。そして、これらの端子１６４〜１６６は、アイソレータ１５１をプリント基板等に実装する際には、図１２において斜線で表示した部分が、実装用はんだにてプリント基板上に設けられた電極パターンに接合される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のアイソレータ１５１の構造では、金属製上側ケース１５８と金属製下側ケース１５４を接合用はんだで接合する際に、図１１に矢印Ｋ１で示す方向に、接合用はんだが必要以上に漏れ広がることがあった。このため、上側ケース１５８と下側ケース１５４の接合部において、適切なはんだの量が確保できず、上側ケース１５８と下側ケース１５４の接合強度が低下するという問題があった。
【０００６】
また、従来のアイソレータ１５１は、アース端子１６６の根元部を、下側ケース１５４の実装面１５４ｂから突出するように曲げ加工しているだけであるため、プリント基板等に実装する際、図１２に矢印Ｋ２で示す方向に、アース端子１６６上の実装用はんだが漏れ広がってしまう。従って、アース端子１６６の接合部分（図１２において斜線で表示した部分）の実装用はんだが少なくなり、アース端子１６６とプリント基板の電極パターンとの接合強度が低くなって、耐落下性能が悪化するおそれもある。
【０００７】
そこで、本発明の目的は、適切なはんだ量を確保して接合強度の低下を防止し、信頼性の高い非可逆回路素子及び通信装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び作用】
前記目的を達成するため、本発明の非可逆回路素子は、少なくとも永久磁石と、永久磁石により直流磁界が印加される中心電極組立体と、中心電極組立体を収容する樹脂製端子ケースと、永久磁石及び中心電極組立体を収容する金属ケースとを備えた非可逆回路素子である。そして、金属ケースを上側ケースと下側ケースにて構成し、下側ケースを樹脂製端子ケースにインサートモールドし、金属ケースからアース端子を延在させるとともに、該アース端子の根元部近傍にはんだ流れ防止部を設けたことを特徴とする。はんだ流れ防止部は、例えば、熱硬化材や紫外線硬化材などの絶縁体被膜で形成される。
【０００９】
以上の構成により、非可逆回路素子をプリント基板等に実装する際に、アース端子上の実装用はんだが、はんだ流れ防止部によって堰き止められ、金属ケースに漏れ広がらない。
【００１０】
また、本発明に係る非可逆回路素子は、金属ケースを上側ケースと下側ケースにて構成し、下側ケースを樹脂製端子ケースにインサートモールドし、上側ケースの下側ケースとの接合部近傍にはんだ流れ防止部を設けたことを特徴とする。
【００１１】
以上の構成により、上側ケースと下側ケースを接合する際に、接合用はんだが、はんだ流れ防止部によって堰き止められ、上側ケースに必要以上漏れ広がらない。
【００１２】
本発明に係る非可逆回路素子は、下側ケースを樹脂製端子ケースにインサートモールドしているため、樹脂製端子ケースの一部の樹脂に、はんだ流れ防止部と協働してはんだの漏れ広がりを防止する機能を持たせることができる。
【００１３】
また、金属ケースから延在したアース端子の根元部を金属ケースの実装面から突出するように曲げ加工し、はんだ流れ防止部の厚み寸法をアース端子の根元部と金属ケースの実装面との段差より小さく設定することが好ましい。これにより、非可逆回路素子をプリント基板等に実装する際に、アース端子が確実にプリント基板の電極パターンと電気的に接合する。
【００１４】
また、本発明に係る非可逆回路素子は、レーザを金属ケースの所望の位置に照射し、金属ケースの母材や金属ケースの表面に設けた金属被膜を少なくとも酸化又は除去してはんだ流れ防止部を形成したことを特徴とする。これにより、任意の形状のはんだ流れ防止部が、短時間に確実に形成される。
【００１５】
また、金属ケースの表面に設けた金属被膜の最表層が銀被膜であってもよい。最表層が銀被膜であることにより、非可逆回路素子の挿入損失が低くなる。さらに、金属ケースの表面に設けた金属被膜の少なくとも一つの層を、ニッケル被膜にすることにより、レーザ照射の際にニッケル被膜がバリアとなり、金属ケースの母材の露出が防止される。
【００１６】
また、本発明に係る通信装置は、前述の特徴を有する非可逆回路素子を備えることにより、高信頼性が得られる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る非可逆回路素子及び通信装置の実施の形態について添付の図面を参照して説明する。
【００１８】
［第１実施形態、図１〜図４］
本発明に係る非可逆回路素子の一実施形態の構成を示す分解斜視図を図１に示す。該非可逆回路素子１は、集中定数型アイソレータである。
【００１９】
図１に示すように、集中定数型アイソレータ１は、概略、下側ケース４と、樹脂製端子ケース３と、中心電極組立体１３と、上側ケース８と、永久磁石９と、絶縁性部材７と、抵抗素子Ｒと、整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３等を備えている。
【００２０】
中心電極組立体１３は、矩形板状のマイクロ波フェライト２０の上面に、中心電極２１〜２３を電気的絶縁状態で、それぞれの交差角が略１２０度になるように交差させて配置している。これら中心電極２１〜２３は、各々の一端側のポート部Ｐ１，Ｐ２を垂直に、ポート部Ｐ３を水平に、それぞれ導出するとともに、他端側の中心電極２１〜２３共通のシールド部２６をフェライト２０の下面に当接させている。共通シールド部２６は、フェライト２０の下面を略覆っている。
【００２１】
アース板２７は、フェライト２０の下面側に配置され、中心電極２１〜２３の共通シールド部２６に面接触して（必要があれば、はんだや導電性接着剤等を利用して）電気的に接続されている。アース板２７の端部からは、三つのコンデンサ接続部２７ａ（整合用コンデンサ素子Ｃ３に接続するコンデンサ接続部は図示せず）が延在し、そのうち二つのコンデンサ接続部２７ａは、中心電極２１，２２のポート部Ｐ１，Ｐ２と平行になるように立ち上がっている。アース板２７は、下側ケース４の底壁４ｂにはんだ付け等の方法により接続され、接地される。
【００２２】
整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３は、ホット側コンデンサ電極がポート部Ｐ１〜Ｐ３にそれぞれはんだ付けされ、コールド側コンデンサ電極がアース板２７のコンデンサ接続部２７ａにそれぞれはんだ付けされている。
【００２３】
抵抗素子Ｒは回路基板２８上にはんだ付けされている。抵抗素子Ｒの一方は、回路基板２８に設けられた信号パターンを介して、整合用コンデンサ素子Ｃ３のホット側コンデンサ電極に電気的に接続され、他方はアース端子１６に電気的に接続される。つまり、整合用コンデンサ素子Ｃ３と抵抗素子Ｒとは、中心電極２３のポート部Ｐ３とアース端子１６との間に電気的に並列に接続される。
【００２４】
下側ケース４は、鉄を主成分とする磁性体金属からなり、左右の側壁４ａと底壁４ｂとを有している。図２に示すように、底壁４ｂの左右の辺からは、それぞれ二つのアース端子１６が延在している。この下側ケース４は、インサートモールド法によって、樹脂製端子ケース３と一体成形されている。これにより、下側ケース４の底壁４ｂの底面と端子１４〜１６の段差Ｈ２（図３参照）が精度良く仕上がり、アイソレータ１の低背化が可能になる。
【００２５】
下側ケース４の底壁４ｂの底面（すなわち、金属ケースの実装面）には、各アース端子１６の根元部周辺に、はんだ流れ防止部１１が設けられている。該はんだ流れ防止部１１は絶縁体被膜からなり、例えば樹脂やインクからなる。はんだ流れ防止部１１が樹脂からなる場合には、樹脂製端子ケース３をインサートモールド法によって成形する際に、同時に、はんだ流れ防止部１１を成形することができる。従って、はんだ流れ防止部１１の形成工程を特別に加える必要がなく、製造コストを抑えることができる。一方、はんだ流れ防止部１１がインクからなる場合には、インク自体が安価でかつ加工もし易いため、はんだ流れ防止部１１の加工費を抑えることができる。
【００２６】
また、はんだ流れ防止部１１が熱硬化タイプの絶縁体被膜、例えばエポキシ樹脂被膜や熱硬化性インク被膜の場合には、温度槽などに入れて硬化させることで、はんだ流れ防止部１１を容易に形成することができる。一方、はんだ流れ防止部１１が紫外線硬化タイプの絶縁体被膜、例えば紫外線硬化型エポキシ樹脂被膜や紫外線硬化性インク被膜の場合には、紫外線を照射して硬化させるだけで、はんだ流れ防止部１１を容易に形成することができる。特に、紫外線硬化タイプの絶縁体被膜の場合、温度を上げる必要がないため、アイソレータ１に対する熱的ストレスを最小限に抑えることができる。
【００２７】
図３に示すように、各アース端子１６は、その根元部が下側ケース４の底壁４ｂの底面から突出するように曲げ加工されている。はんだ流れ防止部１１の厚み寸法Ｈ１は、アース端子１６の根元部と底壁４ｂの底面との段差Ｈ２（代表値：０．０２〜０．２ｍｍ程度）より小さく設定されている。これにより、アイソレータ１をプリント基板等に実装した際、はんだ流れ防止部１１によって端子１４〜１６がプリント基板の電極パターンから浮き上がるおそれがなくなり、実装不良の発生を抑えることができる。
【００２８】
図１に示すように、樹脂製端子ケース３は、それぞれ対向する二組の側壁３ａ，３ｂを有している。樹脂製端子ケース３の底部には下側ケース４の底壁４ｂが露出している。さらに、樹脂製端子ケース３には、入力端子１４及び出力端子１５がインサートモールドされている。入力端子１４、出力端子１５は一端が樹脂製端子ケース３の側壁３ａの外側面に露出し、他端が樹脂製端子ケース３の側壁３ａの内側面に露出して入力引出電極部１４ａ、出力引出電極部１５ａを形成している。同様に、下側ケース４から延在している四つのアース端子１６はそれぞれ、樹脂製端子ケース３の対向する側壁３ａの外側面に露出している。この下側ケース４と一体成形している樹脂製端子ケース３内に、中心電極組立体１３や整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３等を収容する。中心電極２１，２２のポート部Ｐ１，Ｐ２のそれぞれは、はんだ付け等の方法により入力引出電極部１４ａ、出力引出電極部１５ａに接続される。
【００２９】
上側ケース８は、鉄を主成分とする磁性体金属からなり、左右の側壁８ａと上壁８ｂとを有している。それぞれの側壁８ａは下側ケース４の側壁４ａとの接合部であり、はんだ流れ防止部１２が側壁８ａに並走するように形成されている。該はんだ流れ防止部１２は絶縁体被膜からなり、例えば樹脂やインクからなる。上側ケース８の上壁８ｂの下側には永久磁石９が配置され、この永久磁石９により中心電極組立体１３に直流磁界を印加するようになっている。接合された下側ケース４と上側ケース８は、磁気回路を構成しており、ヨークとしても機能している。下側ケース４及び上側ケース８は、例えば鉄やケイ素鋼などの高透磁率からなる板材を打ち抜き、曲げ加工した後、表面に銅や銀をめっきしてなるものである。
【００３０】
こうして、図４に示すアイソレータ１が得られる。このアイソレータ１をプリント基板等に実装する際には、端子１４〜１６（特に、図２において斜線で表示した部分）が実装用はんだにてプリント基板上に設けられた電極パターンに接合される。このとき、アース端子１６上の実装用はんだは、図２に矢印Ｋ３で示す方向に若干漏れ広がるが、アース端子１６の根元部周辺に設けたはんだ流れ防止部１１によって堰き止められ、下側ケース４に広範囲に漏れ広がらない。この結果、アース端子１６とプリント基板の接合部におけるはんだ量を適切に確保することができ、アイソレータ１とプリント基板の接合強度の低下を防止することができる。
【００３１】
また、上側ケース８と下側ケース４を接合する際には、上側ケース８の側壁８ａと下側ケース４の側壁４ａとの接合部（図４において斜線で表示した部分）が接合用はんだにて接合される。このとき、接合用はんだは、上側ケース８の側壁８ａに並走するように形成されているはんだ流れ防止部１２によって堰き止められ、上側ケース８の上壁８ｂに漏れ広がらない。この結果、側壁８ａと側壁４ａの接合部におけるはんだ量を適切に確保することができ、側壁８ａと側壁４ａの隙間に接合用はんだを充分に充填することができる。
【００３２】
［第２実施形態、図５及び図６］
第２実施形態は、金属被膜を表面に設けた金属ケースにレーザを照射し、金属被膜を酸化あるいは除去してはんだ流れ防止部を形成したアイソレータについて説明する。図５は、第２実施形態のアイソレータ４１の底面図である。該アイソレータ４１は、はんだ流れ防止部５１を残して前記第１実施形態のアイソレータ１と同様の構造を有している。
【００３３】
このアイソレータ４１の下側ケース４及び上側ケース８は、図６に示すように、鉄を主成分とする金属（母材）４５からなり、その表面に銅被膜４２を下地として銀被膜４３が形成されている。そして、この下側ケース４の所望の位置にＣＯ2レーザやＹＡＧレーザを照射し、その熱エネルギーにより銀被膜４３の一部や銅被膜４２の一部を酸化させて、はんだ漏れ性の悪い酸化銀や酸化銅にする。この酸化銀や酸化銅が、図５に示したはんだ流れ防止部５１になる。あるいは、ＣＯ2レーザやＹＡＧレーザを照射し、銀被膜４３の一部や銅被膜４２の一部を除去し、あるいは除去とともに酸化させて、下層金属、つまり、はんだ漏れ性の悪い母材４５や酸化された銅被膜４２を露出させる。このはんだ漏れ性の悪い母材４５や酸化された銅被膜４２の露出部が、図５に示したはんだ流れ防止部５１になる。これにより、任意の形状のはんだ流れ防止部５１を短時間に確実に形成することができる。凹部があっても問題なく形成することができる。
【００３４】
ＹＡＧレーザは、光ファイバが使用可能であり、加工ヘッドの軽量・小型化が可能である。また、波長が短いため、スポット径を小さく絞ることができ、細かな形状でも加工可能である。従って、小型のアイソレータ４１の加工に向いている。一方、ＣＯ2レーザは設備が安価であるため、製造コストを抑えることができる。
【００３５】
はんだ流れ防止部５１は、各アース端子１６の根元部周辺に形成されており、前記第１実施形態と同様に、アイソレータ４１をプリント基板等に実装する際には、アース端子１６上の実装用はんだは、はんだ流れ防止部５１によって堰き止められ、下側ケース４に広範囲に漏れ広がらない。この結果、アース端子１６とプリント基板の接合部におけるはんだ量を適切に確保することができ、アイソレータ４１とプリント基板の接合強度の低下を防止することができる。
【００３６】
また、レーザを、上側ケース８の側壁８ａに対して並走させるように照射し、金属被膜を酸化あるいは除去して、図４に示すはんだ流れ防止部１２と同様のはんだ流れ防止部を形成する。これにより、上側ケース８の側壁８ａと下側ケース４の側壁４ａとを接合するための接合用はんだが、はんだ流れ防止部によって堰き止められ、上側ケース８の上壁８ｂに漏れ広がらない。この結果、側壁８ａと側壁４ａの接合部におけるはんだ量を適切に確保することができ、側壁８ａと側壁４ａの接合強度の低下を防止することができる。
【００３７】
また、はんだ流れ防止部を全てレーザにて形成する必要はなく、例えば、図７に示すアイソレータ４１ａのように、アース端子１６の側部には樹脂からなるはんだ流れ防止部６０を形成し、アース端子１６の端部にはレーザによってはんだ流れ防止部６１を形成するものであってもよい。樹脂からなるはんだ流れ防止部６０は、樹脂製端子ケース３をインサートモールド法によって成形する際に、同時に成形される。
【００３８】
また、下側ケース４及び上側ケース８は、鉄を主成分とする金属（母材）の表面に、ニッケル被膜を下地にして銀被膜が形成されたものであってもよい。あるいは、図８に示すように、母材４５の表面に、ニッケル被膜４４及び銅被膜４２を下地にして銀被膜４３が形成されたものであってもよい。あるいは、図９に示すように、母材４５の表面に、銅被膜４２を下地にしてニッケル被膜４４及び銀被膜４３が形成されたものであってもよい。
【００３９】
このように、金属被膜の最表層を銀被膜４３にすることにより、アイソレータの挿入損失を低くすることができる。電流は高周波になればなるほど、金属の表面付近に集中する性質がある（表皮効果）。従って、その部分にはできるだけ損失の小さい材質を選択する必要がある。一般に、表皮深さの３倍程度が設定され、例えば図６に示すように銅被膜４２を下地として銀被膜４３を形成した場合、１ＧＨｚの周波数ではトータルで５〜６μｍ程度の厚みが必要となる。銀は銅の上には良好に密着でき、かつ、電気的な損失が小さいことから、高周波帯では一般にこの組み合わせが採用されることが多い。
【００４０】
また、金属被膜の下地としてニッケル被膜４４を採用することにより、ニッケル被膜４４での安定したレーザ加工が可能となり、レーザ照射の際にニッケル被膜４４がバリアとなって母材４５の露出を防止する。なぜなら、ニッケル被膜４４はレーザの反射率が低い（例えば、波長が１．０６μｍのＹＡＧレーザの場合、ニッケル被膜の反射率は約５０％であるのに対して、銀被膜の反射率は約９６％である）ため、レーザ照射により発生する熱を効率良く吸収するからである。
【００４１】
また、下側ケース４及び上側ケース８は、鉄を主成分とする金属（母材）の表面に、ニッケル被膜を最表層とする金属被膜が形成されたものであってもよい。ニッケル被膜はレーザの反射率が低いので、低出力のレーザ照射でも安定して酸化あるいは除去され、はんだ流れ防止部を形成することができる。
【００４２】
さらに、金属被膜を表面に形成しない下側ケース４及び上側ケース８にレーザを照射し、その熱エネルギーでこれらケース４，８の母材の表面を溶融、蒸発させることにより、酸化膜やはんだ付け性の悪い金属表面を露出させて、はんだ流れ防止部を形成してもよい。
【００４３】
［第３実施形態、図１０］
第３実施形態は、本発明に係る通信装置として、携帯電話を例にして説明する。
【００４４】
図１０は携帯電話１２０のＲＦ部分の電気回路ブロック図である。図１０において、１２２はアンテナ素子、１２３はデュプレクサ、１３１は送信側アイソレータ、１３２は送信側増幅器、１３３は送信側段間用帯域通過フィルタ、１３４は送信側ミキサ、１３５は受信側増幅器、１３６は受信側段間用帯域通過フィルタ、１３７受信側ミキサ、１３８は電圧制御発振器（ＶＣＯ）、１３９はローカル用帯域通過フィルタである。
【００４５】
ここに、送信側アイソレータ１３１として、前記第１実施形態及び第２実施形態の集中定数型アイソレータ１，４１，４１ａを使用することができる。このアイソレータ１，４１，４１ａを実装することにより、高信頼性を有する携帯電話を実現することができる。
【００４６】
［他の実施形態］
本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の構成に変更することができる。例えば、中心電極組立体の形状は、矩形状の他に、円柱形状や変形角形状等任意である。また、永久磁石の形状は、矩形状の他に、例えば、円形状や、角が丸い三角形状等であってもよい。
【００４７】
また、中心電極は、金属板を打ち抜き、曲げ加工して形成するものの他に、基板（誘電体基板や磁性体基板や積層基板等）にパターン電極を設けることによっても形成することができる。また、それぞれの中心電極の交差角は、１１０〜１４０度の範囲であればよい。
【００４８】
また、前記実施形態ではアイソレータに適用したが、本発明は、サーキュレータにも適用できるとともに、他の高周波部品にも適用できる。さらに、はんだ流れ防止部１１は、絶縁体被膜をゴム印、パッド印刷、スクリーン印刷あるいはインクジェットの方法で印刷又は転写することにより形成してもよい。
【００４９】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、金属ケースから延在したアース端子の根元部近傍にはんだ流れ防止部を設けているので、非可逆回路素子をプリント基板等に実装する際に、アース端子上の実装用はんだが、はんだ流れ防止部によって堰き止められ、金属ケースに漏れ広がらない。従って、アース端子とプリント基板の接合部におけるはんだ量を適切に確保することができ、非可逆回路素子とプリント基板の接合強度の低下を防止することができる。
【００５０】
また、金属ケースを構成している上側ケースの下側ケースとの接合部近傍に、はんだ流れ防止部を設けることにより、上側ケースと下側ケースを接合する際に、接合用はんだが、はんだ流れ防止部によって堰き止められ、上側ケースに必要以上漏れ広がらない。従って、上側ケースと下側ケースの接合部におけるはんだ量を適切に確保することができ、上側ケースと下側ケースの接合強度の低下を防止することができる。以上の結果から、信頼性の高い非可逆回路素子及び通信装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る非可逆回路素子の一実施形態を示す分解斜視図。
【図２】図１に示した樹脂製端子ケースを底面側から見た平面図。
【図３】図２に示した樹脂製端子ケースをＡ方向から見た側面図。
【図４】図１に示した非可逆回路素子の外観斜視図。
【図５】本発明に係る非可逆回路素子の別の実施形態を示す底面図。
【図６】図５に示した金属ケースの金属被膜構成を示す断面図。
【図７】図５に示した非可逆回路素子の変形例を示す底面図。
【図８】図６に示した金属ケースの金属被膜構成の変形例を示す断面図。
【図９】図６に示した金属ケースの金属被膜構成の別の変形例を示す断面図。
【図１０】本発明に係る通信装置の一実施形態を示すブロック図。
【図１１】従来の非可逆回路素子を示す外観斜視図。
【図１２】図１１に示した非可逆回路素子を底面側から見た平面図。
【符号の説明】
１，４１，４１ａ…アイソレータ
３…樹脂製端子ケース
４…金属製下側ケース
８…金属製上側ケース
９…永久磁石
１１，１２，５１，６０，６１…はんだ流れ防止部
１３…中心電極組立体
１６…アース端子
４２…銅被膜
４３…銀被膜
４４…ニッケル被膜
４５…母材
１２０…携帯電話
Ｈ１…はんだ流れ防止部の厚み寸法
Ｈ２…段差
【図１】
0004284868.tif 000002
【図２】
0004284868.tif 000003
【図３】
0004284868.tif 000004
【図４】
0004284868.tif 000005
【図５】
0004284868.tif 000006
【図６】
0004284868.tif 000007
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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