(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上に形成された導電材料の第１の層と、
該第１の層上に形成された微結晶シリコンの第２の層と、
該第２の層上に形成された１以上の冷陰極エミッタと
を含み、
該第２の層に光学エネルギーが照射されている間と、該第２の層に光学エネルギーが実質的に照射されていない間とで、該第２の層の抵抗率が０％より大きく且つ１０％未満変化する、半導体素子。
【請求項２】
前記第２の層が不純物を含む、請求項１に記載の素子。
【請求項３】
前記第２の層がＰ型である、請求項１に記載の素子。
【請求項４】
前記第２の層がＮ型である、請求項１に記載の素子。
【請求項５】
前記第２の層が１０ｐｐｍと１００ｐｐｍとの間のホウ素でドープされている、請求項１に記載の素子。
【請求項６】
前記第２の層が１ｐｐｍと１０ｐｐｍとの間の燐でドープされている、請求項１に記載の素子。
【請求項７】
前記第２の層が１ｐｐｍと１０ｐｐｍとの間のヒ素でドープされている、請求項１に記載の素子。
【請求項８】
請求項１から７のいずれかに記載の半導体素子と、
前記エミッタから第１の所定の距離だけ離れたグリッドであって、該グリッドは、複数の開口部を有し、該複数の開口部のそれぞれは、該エミッタのうちの一つと整合している、グリッドと
を備えた、電界放出表示装置。
【請求項９】
前記エミッタが行および列に配置されている、請求項８に記載の電界放出表示装置。
【請求項１０】
前記基板がガラスを含む、請求項８に記載の電界放出表示装置。
【請求項１１】
前記基板がソーダ石灰ガラスを含む、請求項８に記載の電界放出表示装置。
【請求項１２】
前記基板がプラスチックを含む、請求項８に記載の電界放出表示装置。
【請求項１３】
半導体構造体を形成する方法であって、
基板上に導電層を形成する工程と、
該導電層上に微結晶シリコンの抵抗層を形成する工程と、
該抵抗層上に、少なくとも１つの冷陰極エミッタを形成する工程と
を含み、
該抵抗層に光学エネルギーが照射されている間と、該抵抗層に光学エネルギーが実質的に照射されていない間とで、該抵抗層の抵抗率が０％より大きく且つ１０％未満変化する、方法。
【請求項１４】
前記抵抗層を不純物でドープする工程をさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記抵抗層をＰ型不純物でドープする工程をさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記抵抗層をＮ型不純物でドープする工程をさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
前記抵抗層が１０ｐｐｍと１００ｐｐｍとの間のホウ素でドープされる、請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
前記抵抗層が１ｐｐｍと１０ｐｐｍとの間の燐でドープされる、請求項１３に記載の方法。
【請求項１９】
前記抵抗層が１ｐｐｍと１０ｐｐｍとの間のヒ素でドープされる、請求項１３に記載の方法。
【請求項２０】
ビデオ画像を表示する装置であって、
ビデオ信号を受信し、該ビデオ信号から表示信号を生成するように動作可能なビデオ処理回路と、
該表示信号を受信し、該表示信号から該ビデオ信号を生成するように動作可能な、請求項８から１２のいずれかに記載の電界放出表示装置と
を含む、装置。
【請求項２１】
複数の放送信号を受信し、該複数の放送信号のうち１つを選択し、該選択された放送信号を前記ビデオ信号として提供するように動作可能なチューナをさらに含む、請求項２０に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
関連出願との相互参照
本出願は、1995年10月16日付けで提出された現在係属中の米国特許出願シリアルＮｏ．08/543,435の一部継続出願である。
技術分野
本発明は一般に電界放出装置に関し、特に、電流制限抵抗器を有する電界放出表示装置に関する。
発明の背景
典型的な電界放出表示装置８を図１に示す。表示装置８は、導電層１２が形成された基板または支持板１０を有する。層１２上には複数のエミッタ１４が形成されている。また層１２上には、導電層が形成された電気絶縁層１６が位置している。絶縁層１６上に形成された導電層は、典型的にはエミッタ１４からの電子の放出を制御するための抽出グリッド１８として機能し、典型的には金属から形成されている。表示装置スクリーンとして作用し、内面に陰極ルミネセンスコーティング２２が形成されている陽極２０が、エミッタ１４から所定の距離に位置している。典型的には、エミッタ１４と陽極２０との間には真空が存在する。陽極２０と、陰極として作用する基板１０との間に、電源２４が電圧差を生成する。また、抽出グリッド１８に印加された電圧が、グリッドと基板１０との間に電界を生成する。導電層１２を介したエミッタ１４への電気的経路が設けられていることにより、この電界に応答してエミッタ１４が電子を放出する。放出された電子は陰極ルミネセンスコーティング２２に衝突し、陰極ルミネセンスコーティング２２は光を放出することにより表示装置スクリーン上にビデオ画像を形成する。このような電界放出表示装置の例が以下の米国特許に開示されている。これらの全てを参考のため援用する：
0004239115.tif 000002
図１の電界放出表示装置８などのような電界放出表示装置はしばしば、エミッタ１４を通って流れる電流の制御に関連する技術的困難を有する。例えば、用いられる構成要素の寸法が比較的小さいため、エミッタ１４が抽出グリッド１８と短絡されるような製造上の欠陥がよく見られる。基板１０と陽極２０との間の電圧差は典型的には１０００ボルト以上のオーダーであり、先端１４と基板１０との間に高電界が存在するため、上述の欠陥により、ショートされたエミッタ１４自身のみならず、他の周囲のエミッタ１４および回路までも破壊するのに十分な電流が、エミッタ１４を通って流れ得る。このため、このような電流引き抜き（current draw）は、電界放出表示装置を完全に破壊しないまでも、損傷を与える。さらに、エミッタ１４を通る電流が制御されていない（unregulated）と、エミッタ１４の放出レベル、ひいては電界放出表示装置８の輝度レベルを制御することが実質的に不可能になる。
上述の制限を解決するための試みは、導電層１２とエミッタ１４との間にエミッタ１４を通る電流の流れを制限するための抵抗を設けることを中心としてきた。そのような抵抗の一例が、米国特許Ｎｏ．4,940,916に開示されている（上記に援用）。しかしこのスキームの１つの制限事項は、抵抗層の抵抗率（導電率の逆数である）がしばしば、電界放出表示装置の動作中に変化する条件、特に放出された電子の陰極ルミネセンスコーティング２２への衝突あるいは周囲光に起因する光強度の変化に応答して、変動することである。
発明の要旨
本発明の１つの局面によれば、半導体構造体が電界放出表示装置で用いられるために提供される。構造体は、半導体材料、Corningガラス、ソーダ石灰ガラス、プラスチック、または二酸化シリコンから形成され得る基板を含む。導電性材料の第１の層が基板上に形成され、微結晶シリコンの第２の層が導電層上に形成される。１つ以上の冷陰極エミッタが第２の層上に形成される。第２の層は、導電層およびエミッタの間に電流制限抵抗を形成する。
本発明の１つの局面によれば、第２の層が光学エネルギーに曝されている時（「明状態」）と、第２の層が光学エネルギーに実質的に曝されていない時（「暗状態」）とで、第２の層の抵抗率が１０％未満の変化を示す。
本発明の更なる局面によれば、微結晶シリコンの第２の層は、ｐ型またはｎ型のいずれかの不純物をドープされる。
本発明の１つの局面によって提供される利点は、抵抗器が変化する光強度に曝されても、電流制限抵抗器が、比較的安定して残存する抵抗率を有することである。
【図面の簡単な説明】
図１は、従来の電界放出表示装置の断面図である。
図２は、本発明の１つの局面による電界放出表示装置の断面図である。
図３は、図２の電界放出表示装置の一部分の概略図である。
図４は、本発明の別の局面による電界放出表示装置の一部分の概略図である。
図５は、ドープされていない非晶質シリコンのサンプルが光に曝されている間の抵抗およびサンプルを流れる電流のプロットを示す。
図６は、ドープされていない非晶質シリコンのサンプルが光に曝されていない間の抵抗およびサンプルを流れる電流のプロットを示す。
図７は、ドープされた非晶質シリコンのサンプルが光に曝されている間の抵抗およびサンプルを流れる電流のプロットを示す。
図８は、ドープされた非晶質シリコンのサンプルが光に曝されていない間の抵抗およびサンプルを流れる電流のプロットを示す。
図９は、ドープされた微結晶シリコンの第１のサンプルが光に曝されている間の抵抗およびサンプルを流れる電流のプロットを示す。
図１０は、ドープされた微結晶シリコンの第１のサンプルが光に曝されていない間の抵抗およびサンプルを流れる電流のプロットを示す。
図１１は、ドープされていない微結晶シリコンの第２のサンプルが光に曝されている間の抵抗およびサンプルを流れる電流のプロットを示す。
図１２は、ドープされていない微結晶シリコンの第２のサンプルが光に曝されていない間の抵抗およびサンプルを流れる電流のプロットを示す。
図１３は、本発明を取り込んだ表示装置およびビデオ受信機のブロック図を示す。
発明の詳細な説明
図２は、本発明のある局面による冷陰極電界放出表示装置２６の一部を示す断面図である。導電層２８は、基板３０上に形成される。本発明のある局面において、導電層２８は金属層であり、基板３０はシリコンから形成される。本発明の他の局面において、基板３０は、Corning 7059のようなガラス、ソーダ石灰、またはプラスチックから従来の方法で形成され得る。抵抗層３２は、導電層２８上に形成される。抵抗層３２上には、１つ以上の冷陰極エミッタ３４が形成される。明瞭性のために、１つのエミッタ３４のみを図示する。抵抗層３２上には絶縁層３６も形成され、絶縁層３６にはエミッタ３４を収容するためのキャビティが形成される。導電性抽出グリッド３８は、絶縁層３６上に形成される。表示スクリーンとして機能する陽極４０は、抽出グリッド３８から所定の距離だけ間隔が空けられ、その内側表面上には陰極ルミネセンスコーティング４２が形成される。
本発明のある局面において、抵抗層３２が変動する光学エネルギーに曝されている間、抵抗層３２の抵抗率レベルの変化は約１０％未満である。典型的に、抵抗層３２は、導電層２８と各エミッタ３４との間に約１ｘ１０6〜１ｘ１０10オーム（Ω）の抵抗を与える。この抵抗範囲によって、各エミッタ３４を通る電流は約１ナノアンペア（ｎＡ）に制限され、表示装置２６によって引き出される合計電流が約０．１ｍＡに制限される。
動作中、約１０００ボルト（Ｖ）の電圧差を陽極４０および基板３０の間に印加し、約１００Ｖの電圧を抽出グリッド３８に印加すると、電子は導電層２８から抵抗層３２を通してエミッタ３４の先端から外部へと流れる。その後、放出された電子が陰極ルミネセンスコーティングコーティング４２に衝突すると、陰極ルミネセンスコーティングコーティング４２が可視光または発光（luminance）を生じる。この光の一部は、抵抗層３２に衝突し得る。しかし、本発明によれば、抵抗層３２の抵抗率は、陰極ルミネセンスコーティング４２または他の供給源からの変化する強度の光に曝されても、比較的安定な状態を保つ。
さらに図２を参照して、特定の材料が、層３２において望まれる安定な抵抗率を提供する。本発明のある局面において、抵抗層３２は、燐をドープした非晶質シリコンから形成される。例えば、層３２は、典型的には、約１．０〜１０．０百万分率（ｐｐｍ）の燐でドープする。このような層または膜３２は、グロー放電、熱的または他の堆積プロセスのような従来の半導体プロセスによって形成され得る。例えば、抵抗層３４は、層３２をドープするために必要な燐原子を提供するためにシラン対ホスフィン比が約１％のホスフィンガスを用いて、従来のグロー放電によって製造され得る。抵抗層３２は、ホウ素、好ましくは約１０〜１００ｐｐｍのホウ素でドープした非晶質シリコンからも形成され得る。あるいは、抵抗層３２は、窒素、好ましくは約１０．０〜１００．０ｐｐｍの窒素でドープした非晶質シリコンから形成され得る。層３２は、約１００オングストローム（Å）の好適な粒径および１００、１１０または１１１のいずれかの好適な面方位を有するドープされたまたはドープされていない微結晶シリコンのいずれかからも形成され得る。このような非晶質および微結晶シリコンの形成を、図５〜図１２を参照しながらさらに説明する。
上記材料の１つから形成すると、抵抗層３２は、典型的に、１０2〜１０6Ω−ｃｍの範囲の抵抗率を示す。さらに、このような層３２の抵抗率は、電界放出表示装置２６の様々な動作条件の下でもほとんど変動しない。例えば、電界放出表示装置２６内の発光状況は、電界放出表示装置２６を使用していないときの暗状態から、エミッタ３４から放出された電子によって陰極ルミネセンスコーティング４２が活性化されたときの明状態へと変化し得る。発光状況が暗状態から明状態へと、またはその逆に変化する際に、層３２の抵抗率の変化が１０％未満であることが好ましい。上記材料の１つから形成された層３２は、この基準を満たす。
図３は、図２に示される電界放出表示装置２６の一部の概略図である。動作において、電子は、本発明の１つの局面では列電極である導電層２８から、抵抗層３２によって形成される抵抗器に流れる。電子は次に、抵抗層３２からエミッタ３４に、そして抽出グリッド３８と陽極４０との間の真空を通って、陰極ルミネセンスコーティング４２に衝突するまで流れる。従って、エミッタ３４と抽出グリッド３８とが短絡する場合でも、抵抗層３２が、導電層２８、抵抗層３２およびエミッタ３４によって形成される回路分岐を通る電流の流れ、従って電子の流れを制限する。
図４は、図２に示される電界放出表示装置２６の一部の別の実施形態の概略図である。抵抗層３２を表す抵抗器は導電層２８に結合され、導電層はここでは接地されている。列トランジスタ４６は、ゲートが列選択ラインに結合され、基板が接地され、ソースが抵抗層３２に結合されている。行選択トランジスタ４８は、ゲートが行選択ラインに結合され、基板が接地され、ソースがトランジスタ４６のドレインに結合され、ドレインがエミッタ３４に結合されている。
動作において、エミッタ３４が占有する行および列の両方が選択されると、行選択および列選択ラインの両方が、それぞれアクティブハイ行選択および列選択信号により駆動され、これにより、トランジスタ４６および４８の両方が活性化状態、すなわち「オン」となる。また、活性化されたトランジスタ４６および４８により、電子は、導電層２８から抵抗層３２、トランジスタ４６および４８、ならびにエミッタ３４を通って陰極ルミネセンスコーティング４２へと流れることが可能となる。図３に関連して上述したように、抵抗層３２は電流制限機能を提供する。
図５は、室内照光の状況に曝されたドープされていない非晶質シリコンのサンプルの抵抗およびサンプルを流れる電流を示すプロットである。例えば、サンプルに約１００ボルト（Ｖ）を印加すると、約２．１２４ナノアンペア（ｎＡ）の電流がこれを流れ、４６．６×１０9Ωの抵抗を示す。抵抗率ρ＝Ｒｗｔ／ｌであり、ここでＲはサンプルの抵抗、ｗはサンプルの幅、ｔはサンプルの厚さ、およびｌはサンプルの長さである。図５のサンプルでは、ｗ／ｌ＝５であり、ｔ＝０．５ミクロン（μｍ）である。従って、室内照光に曝されたサンプルの抵抗率、すなわち明抵抗率ρLは、約１．１×１０7Ω−ｃｍである。
図６は、光に曝されないときの、すなわち暗状態でのドープされていない非晶質シリコンの同じサンプルの抵抗およびサンプルを流れる電流を示す図である。例えば、サンプルに１００Ｖを印加すると、４９．６５ｐＡの電流がこれを流れ、約２．０１×１０12Ωの抵抗を示す。従って、暗状態でのサンプルの抵抗率、すなわち暗抵抗率ρDは、約５．０２×１０8Ω−ｃｍである。
図示するように、ドープされていない非晶質シリコンのサンプルのρLとρDとの間の差は、約５０の因数（factor）、すなわち５０００％のスパンを有する。このようなスパンを有するため、ドープされていない非晶質シリコンは、多くの場合、図２の抵抗層３２の材料としては受容され得ない。
図５および図６に特性をプロットした晶質シリコンのサンプルは、約８００立方センチメートル毎分（ＳＣＣＭ）の流量、約３００℃の温度、約１０００ミリトール（ｍＴ）の圧力、および約５分間に約５００ワット（Ｗ）の電力で、ＳｉＨ4から形成した。
図７は、室内照光の状況に曝されたホウ素がドープされた非晶質シリコンのサンプルの抵抗およびサンプルを流れる電流を示すプロットである。例えば、サンプルに約１００Ｖを印加すると、約１１６．８ｎＡの電流がこれを流れ、約８４７×１０6Ωの抵抗を示す。このサンプルでは、ｗ／ｌ＝５であり、ｔ＝０．５μｍである。従って、ρLは、約２．１×１０5Ω−ｃｍである。
図８は、暗状態における同一のサンプルの抵抗およびこのサンプルを流れる電流を示すプロットである。例えば、サンプルに約１００Ｖの電圧を印加すると、約１０８．４ｎＡの電流がサンプルを流れ、約９１３×１０6Ωの抵抗を示す。従って、ρDは、約２．３×１０5Ω−ｃｍである。
図７および図８を参照すると、ドープされていない非晶質シリコンのサンプルの明抵抗率および暗抵抗率と異なって、ホウ素がドープされた非晶質シリコンのサンプルに対するρCおよびρLは、わずかに８％から１０％異なるだけである。従って、非晶質シリコンをホウ素でドープすると、照射の変化に対する抵抗率の安定性が大幅に向上する。さらに、非晶質シリコンをドープすると、サンプルの抵抗率全体が減少する。従って、ホウ素でドープされた非晶質シリコンは、図２の抵抗層３２の適切な材料である。
ホウ素がドープされた非晶質シリコンのサンプル（この特性は、図７および図８にプロットされる）を、約５分間、約５００ＳＣＣＭの流量、約３００℃の温度、約５００Ｗの電力、約１０００ｍＴの圧力で、ＳｉＨ4から形成した。形成されたサンプルは、約１０ｐｐｍのホウ素濃度を有する。
非晶質シリコンの抵抗率の安定性の向上もまた、燐、ヒ素、またはアンモニアを非晶質シリコンにドープすることによってなされ得る。上記のホウ素ドープと同様に、このようなドープは、非晶質シリコンの抵抗率および光に対する抵抗率感度の両方を減少させる。従って、適切なドーパントおよびドープ濃度を選択することによって、抵抗率および光感度は所望のレベルに調節され得る。しかし、過剰な濃度（ホウ素に対しては約１０％、燐に対しては１％、ヒ素に対しては１％、およびアンモニアに対しては１０％を上回る）のドーパントが、非晶質シリコンの抵抗率および抵抗率の光感度の両方を実際に増加させ得ることも重要である。
図９は、室内の光に曝されているホウ素がドープされた微結晶シリコンのサンプルの抵抗およびこのサンプルを流れる電流を示すプロットである。例えば、サンプルに約１００Ｖの電圧が印加されると、約２．０９マイクロアンペア（μＡ）の電流がサンプルを流れ、約４７．７×１０6Ωの抵抗を示す。このサンプルについては、ｗ／ｌ＝５およびｔ＝０．５μｍである。従って、ρLは、約１．２×１０4Ω−ｃｍである。
図１０は、暗状態におけるサンプルの抵抗およびこのサンプルを流れる電流を示すプロットである。例えば、約１００Ｖの電圧がサンプルに印加されると、約１．９１９μＡの電流がサンプルを流れ、約５２．１×１０6Ωの抵抗を示す。従って、ρDは、約１．３×１０4Ω−ｃｍである。
図１１は、室内の光に曝されているドープされていない微結晶シリコンのサンプルの抵抗およびこのサンプルを流れる電流のプロットである。例えば、約１００Ｖの電圧が第二のサンプルに印加されると、約４３．１６ｎＡの電流がサンプルを流れ、約２．３２×１０9Ωの抵抗を示す。このサンプルについては、ｗ／ｌ＝５およびｔ＝０．５μｍである。従って、ρLは、約５．８×１０5Ω−ｃｍである。
図１２は、暗状態におけるサンプルの抵抗およびこのサンプルを流れる電流のプロットである。例えば、約１００Ｖの電圧がサンプルに印加されると、約３９．５ｎＡの電流がサンプルを流れ、約２．５３×１０9Ωの抵抗を示す。従って、ρDは、約６．３×１０5Ω−ｃｍである。
図９および図１０を参照すると、ホウ素がドープされた微結晶サンプルのρLおよびρDは、それぞれ、約８％から１０％異なる。図１１および図１２を参照すると、ドープされていない微結晶サンプルのρLおよびρDもまた、約８％から１０％異なる。従って、微結晶シリコンの抵抗率は、ドープされているまたはドープされていないにかかわらず、光に対して優れた低感度性を示すことがわかる。即ち、微結晶シリコンの抵抗率は、照射の変化に対して実質的に低感度である。
ホウ素がドープされた微結晶シリコンのサンプルは、これの特性を図９および図１０にプロットするが、流量約１００ＳＣＣＭのＳｉＨ4、流量約３０００ＳＣＣＭのＨ2、流量約１０ＳＣＣＭのＢ2Ｈ6から、温度約３００℃、電力約７００Ｗ、圧力約１０００ｍＴの条件下で、約４０分間で形成される。形成されたサンプルは、約１ｐｐｍのホウ素濃度を有する。
ドープされていない微結晶シリコンのサンプルは、これの特性を図１１および図１２にプロットするが、流量約１００ＳＣＣＭのＳｉＨ4、流量約３０００ＳＣＣＭのＨ2から、温度約３００℃、電力約１５００Ｗ、圧力約８５０ｍＴの条件下で、約４０分間で形成される。
Ｎ型微結晶シリコンは、最大１％の塩（saline）の量、つまり１ＳＣＣＭで流れる上記化学ホスフィンまたはアルシンを加えることによって形成され得る。
微結晶シリコンに添加するドーパントの量が増加すると、サンプルの抵抗率は低くなる。非晶質シリコンとは異なり、ドーパントは、微結晶シリコンの抵抗率の光安定性にはほとんど影響を及ぼさない。つまり、抵抗率の優れた光安定性は微結晶シリコン自体によるものであり、ドーパントは単に所望の抵抗率の値を調節するに過ぎない。非晶質シリコンに関して上で述べたように、ドーパントが特定の量を超過すると、微結晶シリコンの抵抗率が増大し、微結晶シリコンの抵抗率の光安定性が低下する。
図１３は、本発明を組み込んだビデオ受信機および表示装置５０のブロック図である。回路装置５０が従来のチューナ５２を含み、チューナ５２はアンテナ５４等の従来の信号源から１つ以上の放送ビデオ信号を受信する。オペレータ（図示せず）は、チューナ５２がこれら放送信号の１つを選択し、選択された放送信号をビデオ信号として出力するように、プログラムまたは制御する。チューナ５２は、ベースバンド周波数または中間周波数で装置５０の設計に依存する選択された放送信号と同じ搬送周波数でビデオ信号を生成し得る。
チューナ５２は、ビデオ信号を従来のビデオプロセッサ５６および従来の音声プロセッサ５８に結合する。音声プロセッサ５８は、ビデオ信号の音成分を復号化し、この音信号をスピーカ６０に供給する。スピーカ６０は音信号を可聴音に変換する。ビデオプロセッサ５６は、ビデオ信号のビデオ成分を復号化または処理し、ビデオ成分から表示信号を生成する。ビデオプロセッサ５６は、装置５０の設計に依存しつつ、表示信号をデジタル信号またはアナログ信号のいずれかとして生成し得る。ビデオプロセッサ５６は、表示信号をＦＥＤ２６（図２）に結合し、ＦＥＤ２６は表示信号を可視ビデオ画像に変換する。
本発明のある局面において、音声プロセッサ５８およびスピーカ６０は、装置５０がビデオ画像のみを供給するように省略される。更に、アンテナ５４に結合されることが図示されるが、チューナ５２は、ケーブルシステム、衛星システム、またはビデオカセットレコーダ（ＶＣＲ）等の他の従来のソースからの放送信号を受信し得る。あるいは、チューナ５２は、閉回路ビデオシステム（closed circuit video system）（図示せず）から等の放送ではないビデオ信号を受信し得る。１つのビデオ信号のみが回路５０に入力されるこのような場合において、チューナ５２は省略され得、ビデオ信号はビデオプロセッサ５６および音声プロセッサ５８の入力に直接結合され得る。
本発明の特定の実施形態を本明細書中で図示を目的として説明してきたが、様々な修正が本発明の精神および範囲から逸れることなく為され得るということが理解される。従って、本発明は添付の請求項以外のものによっては限定されない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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