(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
予め形成されたサブアセンブリに組み付けられ、ハウジングのアノード電極及びエミッタ電極との接続のためのコンタクト領域が得られるように配列された複数の半導体チップと、
前記サブアセンブリにおける電気的に絶縁された経路から突出し、導電性を有し、前記経路に挿入されたときに、一方の端部が前記半導体チップの表面の一部と電気的に接続するコンタクトピン装置と、
前記エミッタ電極の内面の凹部に配置され、絶縁インサートによって前記凹部から電気的に絶縁され、前記コンタクトピン装置の他方の端部と接触して電気信号を分配する導電シートと、
を前記ハウジング内に含み、
前記サブアセンブリが、前記コンタクトピン装置の前記他方の端部と接触する面によって支持されていないときに、前記コンタクトピン装置が前記半導体チップと非接触状態になるように、前記経路及びコンタクトピン装置が構成されている半導体装置。
【請求項２】
前記エミッタ電極は平坦な外側面と反対側の内側面とを有し、前記エミッタ電極の内側面には凹部によって柱の輪郭が形成され、前記柱の壁面は前記エミッタ電極の前記外側面とほぼ直角をなし、前記柱の上端面は平坦であって前記外側面とほぼ平行である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記エミッタ電極の前記内側面に形成された前記凹部は、複数でそれぞれが同じ深さまで形成され、エミッタ電極の前記内側面に同一レベルの底面が形成される請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記サブアセンブリは、絶縁性のプリフォームであり、前記柱の上方から下降させて前記柱を収容する開口が形成され、
前記プリフォームは、最終的に組み上がった状態で前記柱の上面より高くなる部分と、前記柱の上端面と実質的に同じ高さであって浅く窪んだ中央部分と、を有する請求項２又は３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記経路は、前記柱の壁面に平行でかつ接近して延びて前記絶縁性のプリフォームに形成されている請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記プリフォームにおける前記窪んだ中央部分に、導電性の保持シムが設けられ、前記保持シムは、前記経路の端部の開口の閉塞を避けて形成される請求項４又は５に記載の半導体装置。
【請求項７】
一部に切り欠きが形成された窓を有する絶縁フレームが設けられ、前記窓の開口は、前記柱の水平方向の境界線に対応するとともに前記経路の垂直投影輪郭を含む領域に拡がり、
前記窓の開口内及び前記窓の切り欠き内に、導電性の緩衝シムと前記半導体チップのうちの１つが直列に配置されて、各柱の上端面の上方の保持シム上に載置され、
前記半導体チップの表面の前記一部は、それぞれの経路を占有する導電の前記コンタクトピン装置の端部に向けられる請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
熱及び電気を伝える緩衝プレートが、全ての前記半導体チップの上面に重ねられて接触する請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
カラークリップによって、前記保持シム、緩衝シム、半導体チップ及び緩衝プレートが前記プリフォームが組み付けられた請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記エミッタ電極及びアノード電極のそれぞれには金属フランジが形成され、
一方の前記金属フランジには絶縁カラーが取り付けられ、前記絶縁カラーは、他方の前記金属フランジに接合される別のフランジを有し、
組み上がった全ての構成部品が、前記ハウジングを構成する密封カプセルに封入された請求項１乃至９のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記絶縁カラーの壁面に固定されて電気的に前記導電シートに接続された引き込み導体の内端部が、共通の電気信号ポイント又はゲートポイントとなり、前記引き込み導体の外端部は信号電極又はゲート電極用に使用される請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記エミッタ電極は、前記絶縁カラーを支持する第１の部分と、柱を支持する第２の部分と、の２つの部分を含む請求項１０又は１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記コンタクトピン装置が、ばね手段を含んで前記導電シート及び対応する前記半導体チップの両方との弾性接触を行う第１の手段と、
導電シートが弾性手段を含んでおり、前記コンタクトピン装置を、対応する前記半導体チップに接触させる第２の手段と、
のいずれか一方を含む請求項１乃至１２のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記導電シートが、構造中に又は構造に固着して、各コンタクトピン装置に至るそれぞれの経路に入る抵抗を有する第１の手段と、
各コンタクトピン装置の構造中に抵抗が組み込まれる第２の手段と、
抵抗が、各コンタクトピン装置と接触する前記半導体チップの構造中に又は構造に固着して設けられる第３の手段と、
のうちいずれか一つを含む請求項１乃至１３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１５】
予め形成されたサブアセンブリに組み付けられ、ハウジングのアノード電極及びエミッタ電極との接続のためのコンタクト領域が得られるように配列された複数の半導体チップと、
前記サブアセンブリにおける電気的に絶縁された経路から突出し、導電性を有し、前記経路に挿入されたときに、一方の端部が前記半導体チップの表面の一部と電気的に接続するコンタクトピン装置と、
を前記ハウジング内に有し、
前記サブアセンブリが前記コンタクトピン装置の他方の端部と影響し合う面上に支持されていないときに、前記コンタクトピン装置が前記半導体チップと非接触状態になるように、前記経路及びコンタクトピン装置が構成されている半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、両面冷却型のハウジングへの複数の絶縁ゲート・バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）チップの封入のような半導体チップの封入に関するものであり、任意の構成要素としてアンチパラレルダイオード及び／又は抵抗性接続経路が封入される場合も含まれる。
【０００２】
【発明の背景】
ＩＧＢＴデバイスは、非常に複雑で精細なジオメトリー構造を持っているため、これによって許容可能な歩留まりで処理することができるＩＧＢＴチップの寸法は実際上制限される。より大きい寸法のＩＧＢＴデバイスが必要な場合は、チップの集合体を１つのユニットとして封入したもの（ＩＧＢＴモジュール）から製造することができる。概して、このようなユニットの装置は片面冷却型構成のものとして製造され、チップが熱と電気を伝えるベースプレート、あるいはアノード端子と冷却コンタクトをなすスタッド上に実装される。エミッタリードとゲートリードは、ヘッダシール中のそれぞれの電極に共通に接続される。別個のチップ間の望ましくない相互作用を避けるために、共通のゲートポイントから各個のチップまでの接続にはその経路にバラスト抵抗が入れられるという特徴がある。エミッタリードとゲートリードの間の誘導ループも最小限に保つことが望ましい。
【０００３】
シリコン・パワー・デバイス、特にダイオード、サイリスタ及びゲートターンオフ・サイリスタの有効定格電流を最大にし、かつ冷却を効率的にすると共に用途の柔軟性を高めるためには、主電流電極を形成する極片のどちらかあるいは両側から冷却することができる円板状モジュール（時として「ホッケーパックスタイル」として知られている）を用いることが一般的に行われるようになって来た。このようなモジュールの構造については、
Thyristors Design and Realization; by P.D. Taylor (Wiley, 1987)
（１９９２年ペーパーバック版の２０８ページ及び図６．７を参照）に記載されている。ＩＧＢＴデバイスを同様に封入すると、ユーザにとって前記と同じような長所が得られる。欧州特許出願公開第ＥＰ０７０２４０６号明細書には、このようなデバイスで複数のＩＧＢＴチップ組み込んだものが開示されている。
【０００４】
しかしながら、ここで開示されている内部配線、特にゲート信号の分配に関連する内部配線は複雑で、この形でデバイスを提供しようとしているメーカーにとって困難な場合があり得る。また、先行技術としては、欧州特許出願公開第ＥＰ０７７３５８５号及び第ＥＰ０７４６０２３号明細書も引用することができる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、その一態様として、予め形成されたサブアセンブリに組み付けられ、ハウジングのコレクタ電極（例えばアノード電極となるコレクタ電極）及びエミッタ電極との接続のためのコンタクト領域が得られるように配列された複数の半導体チップと、
前記サブアセンブリにおける電気的に絶縁された経路から突出し、導電性を有し、前記経路に挿入されたときに、一方の端部が前記半導体チップの表面の一部と電気的に接続するコンタクトピン装置と、
前記エミッタ電極の内面の凹部に配置され、絶縁インサートによって前記凹部から電気的に絶縁され、前記コンタクトピン装置の他方の端部と接触して電気信号を分配する導電シートと、
を前記ハウジング内に含む。
【０００６】
前記サブアセンブリが、前記コンタクトピン装置の前記他方の端部と接触する面によって支持されていないときに、前記コンタクトピン装置が前記半導体チップと非接触状態になるように、前記経路及びコンタクトピン装置が構成されていてもよい。
【０００７】
本発明は、パワーデバイス、パワーモジュールとすることができ、特に、ＩＧＢＴが使用される場合には、ＩＧＢＴモジュールとすることができる。
【０００８】
ハウジングは両面冷却型のものであってもよい。
【０００９】
前記エミッタ電極は平坦な外側面と反対側の内側面とを有し、前記エミッタ電極の内側面には凹部によって柱の輪郭が形成され、前記柱の壁面は前記エミッタ電極の前記外側面とほぼ直角をなし、前記柱の上端面は平坦であって前記外側面とほぼ平行であってもよい。
【００１０】
前記凹部は、全て同じ深さまで形成され、エミッタ電極の前記内側面に同一レベルの底面が形成されてもよい。
【００１１】
前記サブアセンブリは、絶縁性のプリフォームであり、前記柱の上方から下降させて前記柱を収容する開口が形成され、
前記プリフォームは、最終的に組み上がった状態で前記柱の上面より高くなる部分と、前記柱の上端面と実質的に同じ高さであって浅く窪んだ中央部分と、を有してもよい。
【００１２】
前記経路は、前記柱の壁面に平行でかつ接近して延びて前記絶縁性のプリフォームに形成されていてもよい。
【００１３】
前記プリフォームにおける前記窪んだ中央部分に、導電性の保持シムが設けられ、前記保持シムは、前記経路の端部の開口の閉塞を避けて形成されてもよい。
【００１４】
一部に切り欠きが形成された窓を有する絶縁フレームが設けられ、前記窓の開口は、前記柱の水平方向の境界線に対応するとともに前記経路の垂直投影輪郭を含む領域に拡がり、
前記窓の開口内及び前記窓の切り欠き内に、導電性の緩衝シムと前記半導体チップのうちの１つが直列に配置されて、各柱の上端面の上方の保持シム上に載置され、
前記半導体チップの表面の前記一部は、それぞれの経路を占有する導電の前記コンタクトピン装置の端部に向けられてもよい。
【００１５】
熱及び電気を伝える緩衝プレートが、全ての前記半導体チップの上面に重ねられて接触してもよい。
【００１６】
カラークリップによって、前記保持シム、緩衝シム、半導体チップ及び緩衝プレートが前記プリフォームが組み付けられてもよい。
【００１７】
半導体チップは、例えばＩＧＢＴチップとダイオードチップのように異なる種類のものが混在してもよく、コンタクトピン装置はそれらの中の必要なものにだけ設ければよい。
【００１８】
前記エミッタ電極及びコレクタ電極（例えばアノード電極となるコレクタ電極）のそれぞれには金属フランジが形成され、
一方の前記金属フランジには絶縁カラーが取り付けられ、前記絶縁カラーは、他方の前記金属フランジに（例えば溶接によって）接合される別のフランジを有し、
組み上がった全ての構成部品が、前記ハウジングを構成する密封カプセルに封入されてもよい。
【００１９】
前記絶縁カラーの壁面に固定されて電気的に前記導電シートに接続された引き込み導体の内端部が、共通の電気信号ポイント又はゲートポイントとなり、前記引き込み導体の外端部は信号電極又はゲート電極用に使用されてもよい。
【００２０】
全体的な構成について前記以外の変形あるいは付加をおこなうことも可能である。
【００２１】
前記エミッタ電極は、前記絶縁カラーを支持する第１の部分と、柱を支持する第２の部分と、の２つの部分を含んでもよい。
【００２２】
この構成によれば、エミッタ電極の第２の部分の材料は、柱同士を隔てている横方向の距離が半導体チップの上部に重なる緩衝プレートのとほぼ同じ割合で熱膨張により伸びるように選択することが可能である。
【００２３】
前記コンタクトピン装置が、ばね手段を含んで前記導電シート及び対応する前記半導体チップの両方との弾性接触を行う第１の手段と、
導電シートが弾性手段を含んでおり、前記コンタクトピン装置を、対応する前記半導体チップに接触させる第２の手段と、
のいずれか一方を含んでもよい。
【００２４】
前記導電シートが、構造中に又は構造に固着して、各コンタクトピン装置に至るそれぞれの経路に入る抵抗を有する第１の手段と、
各コンタクトピン装置の構造中に抵抗が組み込まれる第２の手段と、
抵抗が、各コンタクトピン装置と接触する前記半導体チップの構造中に又は構造に固着して設けられる第３の手段と、
のうちいずれか一つを含んでもよい。
【００２５】
本発明は、そのもう一つの態様として、予め形成されたサブアセンブリに組み付けられ、ハウジングのコレクタ電極（例えばアノード電極となるコレクタ電極）及びエミッタ電極との接続のためのコンタクト領域が得られるように配列された複数の半導体チップと、
前記サブアセンブリにおける電気的に絶縁された経路から突出し、導電性を有し、前記経路に挿入されたときに、一方の端部が前記半導体チップの表面の一部と電気的に接続するコンタクトピン装置と、
を前記ハウジング内に有し、
前記サブアセンブリが前記コンタクトピン装置の他方の端部と影響し合う面上に支持されていないときに、前記コンタクトピン装置が前記半導体チップと非接触状態になるように、前記経路及びコンタクトピン装置が構成されている。
【００２６】
本発明は、パワーデバイス、パワーモジュールとすることができ、特に、ＩＧＢＴが使用される場合には、ＩＧＢＴモジュールとすることができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明をその実施形態により添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００２８】
図１及び図４乃至６には、エミッタ及びコレクタ（アノード及びカソード）の一方、例えばエミッタコンタクト及び冷却部材などとして使用することができる銅などの導電材料で形成された円板状（形状はこれに限定されない）の主電極（エミッタ電極）１が示されている。主電極１には全体又は一部が平坦な面１ａと、他の部材に対向する対向面２とが形成されている。対向面２には、一定のレベルの底面３ａの深さまで切り込まれてスロット（凹部）３が形成され、１つ又は複数（例えば７本）の直立状の柱４が形成されている。柱４は正方形の水平横断面を有してもよい。図３に示すように、その中の１つ又は複数（例えば５本）の柱４のそれぞれは、少なくとも一角から小さい正方形の部分（形状はこれに限定されない）が切除されて、例えばＬ字形の断面が残るよう切欠部５が形成されている。切欠部５の正確な形状は、後で組み立てられるチップのコンタクトの要求によって決まり、それらの要求及び後で説明するこれと共に組み込まれる他の構成部品の形状に応じて種々変わり得る。
【００２９】
スロット３の底には、ゲート信号を分配するための手段として作用させるための薄銅板（導電シート）７が配置され、主電極１に対して電気的に絶縁するために、好ましくは最小厚さの絶縁インサート６が設けられている。
【００３０】
なお、絶縁インサート６及び薄銅板７は、積層板として一体化するか、あるいは金属被覆された絶縁体で置換しても同じ機能を得ることができる。
【００３１】
絶縁性のプリフォーム（サブアセンブリ）８は、直立状の柱４の上方及び周囲を取り囲むように取り付けられ、嵌合してもよく、切欠部５によって形成された空間を埋める形状を有する。プリフォーム８は絶縁インサート６の上方に載って、薄銅板７を正しい位置に保持するよう作用する。絶縁プリフォーム８における切欠部５の空間を占有する部分には、それぞれの柱４の高さ方向と平行に延びる経路（ホール又は溝）８ａ（図２、３参照）が形成されている。
【００３２】
各経路８ａには、それぞれスプリング式などの弾性力を与えられるコンタクトピン装置９が挿入され、コンタクトピン装置９のヘッド９ａは、経路８ａから抜け落ちることがないよう十分な大きさの径を有する（図７参照）。各コンタクトピン装置９は、ばね９ｄの力に抗してスリーブ９ｃ中を摺動可能なコンタクトピン９ｂ及びヘッドコンタクト９ｅを具備する。また、この実施の形態においては、各コンタクトピン装置９は、半導体チップへの信号電流の分配を均等化するのに役立つように、抵抗器９ｆによって直列抵抗を与えるように設計される。
【００３３】
プリフォーム８の外側部分の最上部は、柱４の最上部より高い位置にある。プリフォーム８の中央部８ｂは、柱４、スロット３及び切欠部５によって占められる領域を囲んでおり、柱４の上端面４ａと実質的に同じ高さ、又はそれより高くならないように窪んでいる。凹部となったプリフォーム８の中央部８ｂには、ニッケルメッキ銅製などの導電性の保持シム１０が、柱４の上面に平らに載置されるように独自の形で配置されている。保持シム１０には、コンタクトピン装置９のヘッド９ａを収容するために、切欠部５の位置に対応した開口１０ａが設けられいる。窓（例えば一部に切り欠きが形成された窓）１１ａを有する絶縁フレーム１１が、保持シム１０の上に載置され、これを取り囲むプリフォーム８の外側部分に対応して位置している。各窓１１ａは、半導体チップの種類に応じて、モリブデンなどで形成された緩衝シム１２又は１２ａが各柱４の上端面４ａの中心に置かれるように、柱４の正方形の水平方向の境界線（端面）に対応して形成されている。各緩衝シム１２は切欠部５が形成された柱４の横断面に対応する形状を有し、組み立て時にはそれぞれの位置に応じた方向を向けられる。一方、各緩衝シム１２ａは正方形である。
【００３４】
半導体チップ１３又は１３ａは、モリブデンなどで形成された緩衝シム１２又は１２ａよりわずかに大きく、各窓１１ａの周りの切り欠き１１ｂの寸法によってその位置が設定される。少なくとも一つ又は複数のＩＧＢＴチップ１３は、ゲート接続が必要で、エミッタ又はコレクタのうちの一方、例えばエミッタフェース（エミッタ電極）を下向きにして柱４の上方に置かれ、介在用の緩衝シム１２を用いて、ゲートコンタクト領域（ゲート電極）がコンタクトピン装置９の真上に来るように配向される。一方、少なくとも一つ又は複数の半導体チップ１３ａは、ダイオードチップであり、介在用の緩衝シム１２ａを用いて切欠部５のない柱４上に一方の電極、例えばアノード（アノード電極）を下にして載置される。各緩衝シム１２、１２ａとその対応する半導体チップ１３、１３ａの厚さの和は、全ての半導体チップ１３、１３ａの上面が実質的に同一平面上にあり、かつ絶縁フレーム１１の高さより上に来て、できるだけ等しくなるように整えられる。
【００３５】
組み付け後の半導体チップ１３、１３ａ上には、モリブデンなどで形成された緩衝プレート１４が載置され、プリフォーム８の外側リム（外周端部）によって中心が取られると共に、プリフォーム８に固着可能なカラークリップ１５によって正しい位置に保持される。
【００３６】
封入は、最後の段階として、エミッタ及びコレクタ（アノード及びカソード）の他方、例えばアノードコンタクト及び冷却部材として作用する円板状などの電極例えば銅電極（アノード電極）１６によって行われ、銅電極１６にはフランジ１６ａが取り付けられている。フランジ１６ａは、例えば管状をなす絶縁カラー例えばセラミックカラー１７により支持されたフランジ１７ａに溶接することができ、セラミックカラー１７の他端部は、ダイヤフラム（フランジ）１７ｂによってエミッタ電極（主電極）１の周壁に固着することができる。セラミックハウジング（密封カプセル）の壁中に固定することができるリード引き込みシール（導電シート）１８は、内部で薄銅板７に接続され、外部はゲート電極として機能する。ゲート端子（ゲート電極）から各個のＩＧＢＴチップへの電気経路には、コンタクトピン装置９に組み込まれた抵抗器９ｆによってそれぞれ独自のバラスト抵抗器（安定化するための抵抗器）が設けられる。組立工程で、それぞれの抵抗器を各ピン９ｂが接触する薄銅板７の表面上の位置に取り付けたり、あるいはＩＧＢＴチップ自体の構造中に組み込むことも可能である。スロット３のベース３ａにおける薄銅板７とエミッタ電極（主電極１）の材料との間、また柱４と各コンタクトピン９ｂとの間の距離が小さいことによって、ゲート電極とエミッタ電極との間に印加される信号の経路のループインダクタンスが確実に低く保たれ、その結果、電流の分配は基本的にバラスト抵抗器によって決定されることになる。
【００３７】
本実施の形態における前記の構成の主要な長所は、組み立てを容易にするために、コンタクトピン装置９がＩＧＢＴチップを上向きに押し上げてチップを平らに載置する妨げにならないようにコンタクトピン装置９の下端部が無支持の状態のまま、プリフォーム８及びその上に載置される種々の構成部品を独立にサブアセンブリとしてあらかじめ組み立てることができることである。カラークリップ１５を正しい位置に固定した後、各構成部品を組み付けたプリフォーム８を柱４の上方から容易に下降させて、絶縁インサート８上にもたせることができる。また、スプリング式のコンタクトピン装置９の下端部（コンタクトピン９ｂ）を、薄銅板７に接触させ、他端部（ヘッドコンタクト９ｅ）をＩＧＢＴチップ１３に接触させることができる。
【００３８】
本実施の形態における前記の構成のもう一つの長所は、各コンタクトピン９ｂの下端部への接続は共通接続ではなく別々に接続できるが、組み付け部品からなるあらかじめ形成されたサブアセンブリをエミッタ電極、アノード電極及びゲート電極によって得られる標準的な接続をエミュレートする（模倣する）特殊なジグに挿入することも可能であることである。このようにすることによって、各チップをゲート応答について個別に試験し、欠陥のあるチップを検出して、交換することが可能になる。
【００３９】
前記の実施の形態は、薄銅板７の弾性によってチップと接触させるようにした非圧縮型のコンタクトピン装置９を使うように変形することができ、これには、例えば適切な位置にスプリングコンタクトを形成するベリリウム銅あるいは燐青銅材料を用いるか、あるいは経路８ａに摩擦嵌めされるばね付きピンよりなるコンタクトピン装置で、構成部品の組み立てによって圧縮されたばね付きピン中に生じる推力より、臨界（最大）摩擦力が小さいものをもちいることができる。こうすることで、ピンが非接触位置で固着しないようになる。
【００４０】
図８は、プリフォーム８（図１乃至６）とカラークリップ１５（図１、４、５）の機能を一つにまとめた変形例のプリフォーム２８と共に緩衝プレート１４を示し、図示の矢印はこれらの２つの部分の最終段階の組み立て方を示している。この変形例のプリフォーム２８は、所定の位置に押し込まれた時緩衝プレート１４を把持する保持弾性保持タブ２８ｃを具備しており、これによってカラークリップは不要になる。保持タブの変形例の形状が部材２３ｄとして図示されている（図９参照）。この場合、保持タブの内側面には、緩衝プレート１４の外周面に形成された１つ又は複数の溝（図示省略）と係合して保持をより確実にすることが可能な凸部が設けられている。
【００４１】
本発明では、「アノード電極」が構成要件となっているが、「アノード電極」を「コレクタ電極」に置き換えれば、コレクタ電極がアノード電極である場合のみならず、コレクタ電極がカソード電極である場合も含むことになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】５つのＩＧＢＴ半導体チップの他２つのダイオードチップを封入する本発明の一実施形態の半導体装置アセンブリにおける一連の構成部品を示す分解図である。
【図２】前記アセンブリの絶縁プリフォームの斜視図である。
【図３】前記アセンブリの構成部品の一部を示す平面図である。
【図４】図３の線Ｘ−Ｘ′で切断した前記アセンブリの断面図である。
【図５】図３の線Ｙ−Ｙ′で切断した前記アセンブリの断面図である。
【図６】図３の線Ａ−Ａ′で切断した前記アセンブリの断面図である。
【図７】前記アセンブリの１本のコンタクトピン装置の構造を示す図である。
【図８】絶縁プリフォームのもう一つの実施形態を示す図である。
【図９】図８のプリフォームにおける一部の代替構造を示す図である。
【符号の説明】
１    エミッタ電極
４    柱
６    絶縁インサート
７    導電シート
８    サブアセンブリ
８ａ  経路
９    コンタクトピン装置
１０  保持シム
１１  絶縁フレーム
１２，１２ａ  緩衝シム
１３、１３ａ  半導体チップ
１４  緩衝プレート
１５  カラークリップ
１６  アノード電極
１７  絶縁カラー
１８  導電シート
【図１】
0004384279.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
0004384279.tif 000010