(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第１電極層を有する基板と、前記第１電極層のエッジ部を覆うように形成された絶縁層と、前記絶縁層の上面に設けられた撥液性部と、前記第１電極層上にパターン状に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第２電極層とを有し、前記撥液性部は前記絶縁層の中心部に形成され、前記撥液性部の幅は前記絶縁層の幅に対して０．２倍〜０．９倍の範囲内であり、前記発光層が前記絶縁層上面端部を覆うように形成されていることを特徴とするエレクトロルミネッセント素子。
【請求項２】
前記撥液性部および前記絶縁層は、表面張力が３０ｍＮ／ｍの塗工液に対して、接触角差が１０°以上であることを特徴とする請求項１に記載のエレクトロルミネッセント素子。
【請求項３】
少なくとも第１電極層を有する基板と、前記第１電極層のエッジ部を覆うように形成された絶縁層と、前記第１電極層および絶縁層上に形成され、少なくとも光触媒およびバインダからなる光触媒含有層と、前記光触媒含有層上にパターン状に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第２電極層とを有し、前記光触媒含有層のうち、絶縁層の上面に位置する部分は撥液性を保持する撥液性部であり、前記撥液性部以外は親液性を保持する親液性部となっており、前記発光層は前記親液性部上に形成され、前記撥液性部は前記絶縁層の中心部に形成され、前記撥液性部の幅は前記絶縁層の幅に対して０．２倍〜０．９倍の範囲内であり、前記発光層が前記絶縁層上面端部上を覆うように形成されていることを特徴とするエレクトロルミネッセント素子。
【請求項４】
前記光触媒が、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）、酸化タングステン（ＷＯ３）、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）、および酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３）から選択される１種または２種以上の物質であることを特徴とする請求項３に記載のエレクトロルミネッセント素子。
【請求項５】
前記光触媒は、酸化チタンであることを特徴とする請求項４に記載のエレクトロルミネッセント素子。
【請求項６】
前記バインダが、ＹｎＳｉＸ（４−ｎ）（ここで、Ｙはアルキル基、フルオロアルキル基、ビニル基、アミノ基、フェニル基またはエポキシ基を示し、Ｘはアルコキシル基またはハロゲンを示す。ｎは０〜３までの整数である。）で示される珪素化合物の１種または２種以上の加水分解縮合物もしくは共加水分解縮合物であるオルガノポリシロキサンであることを特徴とする請求項３から請求項５までのいずれかの請求項に記載のエレクトロルミネッセント素子。
【請求項７】
前記撥液性部および前記親液性部は、表面張力が３０ｍＮ／ｍの塗工液に対して、接触角差が１０°以上であることを特徴とする請求項３から請求項６までのいずれかの請求項に記載のエレクトロルミネッセント素子。
【請求項８】
少なくとも第１電極層を有する基板上に、前記第１電極層のエッジ部を覆うようにパターン状に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層が設けられた基板上に少なくとも光触媒とバインダとを有し、エネルギー照射により濡れ性が変化する光触媒含有層を形成する工程と、
前記光触媒含有層のうち、絶縁層の上面は撥液性を維持するようにパターン照射し、エネルギー未照射領域である撥液性部と、エネルギー照射領域である親液性部とを形成する工程と、
前記親液性部上に発光層形成用塗工液を塗布し、発光層を形成する工程と、
前記発光層上に第２電極層を形成する工程と、
を少なくとも有し、前記撥液性部は前記絶縁層の中心部に形成され、前記撥液性部の幅は前記絶縁層の幅に対して０．２倍〜０．９倍の範囲内であり、前記発光層が前記絶縁層上面端部上を覆うように形成されることを特徴とするエレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【請求項９】
前記撥液性部および親液性部は、表面張力が３０ｍＮ／ｍの塗工液に対し、接触角差が１０°以上であることを特徴とする請求項８に記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【請求項１０】
少なくとも第１電極層を有する基板上に、前記第１電極層のエッジ部を覆うようにパターン状に絶縁層を形成する工程と、
前記第１電極層および絶縁層を少なくとも有する基板上に、フッ素を含有させた感光性樹脂を塗布し、レジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層にマスクを介してパターン照射し、現像することにより、前記レジスト層を絶縁層の上面に形成し、当該レジスト層を撥液性部とする工程と、
前記第１電極層、絶縁層および撥液性部が設けられている基板上の少なくとも第１電極層上に発光層を形成する工程と、
前記発光層上に第２電極層を形成する工程と、を有し、前記撥液性部は前記絶縁層の中心部に形成され、前記撥液性部の幅は前記絶縁層の幅に対して０．２倍〜０．９倍の範囲内であり、前記発光層が前記絶縁層上面端部を覆うように形成されることを特徴とするエレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【請求項１１】
前記撥液性部および絶縁層は、表面張力３０ｍＮ／ｍの塗工液に対し、接触角差が１０°以上であることを特徴とする請求項１０に記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機エレクトロルミネッセント（以下、ＥＬと略称する場合がある。）層を有するＥＬ素子であって、発光層の膜厚ムラ等による不具合を解消することにより高精細な発光を可能とするＥＬ素子およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＥＬ素子は、対向する電極から注入された正孔および電子が発光層内で結合し、そのエネルギーで発光層中の蛍光物質を励起し、蛍光物質に応じた色の発光を行うものであり、自発光の面状表示素子として注目されている。その中でも、有機物質を発光材料として用いた有機薄膜ＥＬディスプレイは、印加電圧が１０Ｖ弱であっても高輝度な発光が実現するなど発光効率が高く、単純な素子構造で発光が可能で、特定のパターンを発光表示させる広告その他低価格の簡易表示ディスプレイへの応用が期待されている。
【０００３】
このようなＥＬ素子を用いたディスプレイの製造にあたっては、電極層、発光層またはバッファー層等のパターニングが通常なされている。
【０００４】
このように各々の層のパターニングを行う際、パターニング精度を向上させるため、撥液性処理等を予め基板等に施すことがある。このような撥液性処理により、例えば、複数色からなる発光層の混色が防止され、高精度なＥＬ素子の製造が可能となる。
【０００５】
しかし、撥液性処理によっては、不必要な部分にまで処理が及ぶことがある。このような不都合な状態を図示したものが図６である。図６では、基板６１上に第１電極層６２が形成され、上記第１電極層６２のエッジ部分を覆うように絶縁層６３が形成され、この絶縁層６３には撥液性処理が施されている。ここで、絶縁層６３に施されている撥液性処理により、後に形成される発光層６４は、絶縁層６３との境界において膜厚が薄くなったり、僅かな隙間ａが形成されるなどの不都合が発生する場合がある。このような膜厚ムラおよび隙間ａは、発光層６４上に形成された第２電極層６５が第１電極層６２と導通し、短絡等の不具合を招く要因となるため、撥液性処理によるこのような不具合を防止する必要がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、撥液性を保持する絶縁層の影響から、絶縁層側面において発光層が後退することにより形成される発光層および絶縁層間の僅かな隙間や、発光層の膜厚ムラを要因とする不具合を防止することを主目的とするものである。
【０００７】
【課題が解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、請求項１に記載するように、少なくとも第１電極層を有する基板と、前記第１電極層のエッジ部を覆うように形成された絶縁層と、前記絶縁層の上面に設けられた撥液性部と、前記第１電極層上にパターン状に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第２電極層とを有し、前記撥液性部は前記絶縁層の中心部に形成され、前記撥液性部の幅は前記絶縁層の幅に対して０．２倍〜０．９倍の範囲内であり、前記発光層が前記絶縁層上面端部を覆うように形成されていることを特徴とするＥＬ素子を提供する。
【０００８】
上述するように、絶縁層の上面に撥液性部を設けることにより、絶縁層側面は撥液性を保持していないため、発光層を絶縁層間に形成する際、絶縁層と発光層との境界において、僅かな隙間や、発光層の膜厚ムラが形成されることが回避され、これらを要因とする短絡等の不具合を解消することが可能である。
また、上記範囲内で撥液性部を絶縁層上面に設けることにより、絶縁層の上面端部は発光層形成用塗工液に対して撥液性を保持することがない。これにより、発光層が絶縁層上面端部にまで這い上がった形状とすることができる。このような形状に発光層を形成すると、絶縁層および発光層との境界面における僅かな隙間や発光層の膜厚ムラの形成が防止でき、これらを要因とする短絡等の不具合を回避することができる。
【０００９】
上記請求項１に記載された発明においては、請求項２に記載するように、上記撥液性部および上記絶縁層は、表面張力が３０ｍＮ／ｍの塗工液に対して、接触角差が１０°以上であることが好ましい。
【００１０】
撥液性部と絶縁層との接触角差を上記範囲とすることにより、発光層形成用塗工液を塗布した際、塗工液が撥液性部にまで入り込むことがなく、所望の形状を有する発光層を形成することが可能だからである。
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明は、請求項３に記載するように、少なくとも第１電極層を有する基板と、前記第１電極層のエッジ部を覆うように形成された絶縁層と、前記第１電極層および絶縁層上に形成され、少なくとも光触媒およびバインダからなる光触媒含有層と、前記光触媒含有層上にパターン状に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第２電極層とを有し、前記光触媒含有層のうち、絶縁層の上面に位置する部分は撥液性を保持する撥液性部であり、前記撥液性部以外は親液性を保持する親液性部となっており、前記発光層は前記親液性部上に形成され、前記撥液性部は前記絶縁層の中心部に形成され、前記撥液性部の幅は前記絶縁層の幅に対して０．２倍〜０．９倍の範囲内であり、前記発光層が前記絶縁層上面端部上を覆うように形成されていることを特徴とするＥＬ素子を提供する。
【００１２】
光触媒含有層は、エネルギー照射だけで容易に濡れ性の違いによるパターンを形成することが可能である。本発明においては、撥液性部の形成に、このような性質を有する光触媒含有層を用いることにより、絶縁層上面に位置する領域は撥液性とし、それ以外の領域を親液性とするパターンを容易に形成することができる。さらに、親液性領域上に発光層を形成することにより所望とする領域内に良好に発光層を形成することができるため、発光層の後退による僅かな隙間の形成や膜厚ムラ等の不都合が回避される。
また、上記範囲内で撥液性部を絶縁層上面に設けることにより、発光層は親液性部のみに良好な密着性を示すため、発光層が絶縁層上面端部上にまで這い上がった形状とすることができる。このような形状に発光層を形成すると、発光層の膜厚ムラの形成が防止でき、発光層の形状不良が回避されるので、短絡等の不具合を回避することができる。
【００１３】
上記請求項３に記載された発明においては、請求項４に記載するように、上記光触媒が、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）、酸化タングステン（ＷＯ３）、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）、および酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３）から選択される１種または２種以上の物質であることが好ましく、その中でも特に、請求項５に記載するように、上記光触媒は、酸化チタンであることが好ましい。これは酸化チタンのバンドキャップエネルギーが高いため光触媒として有効であり、かつ化学的にも安定で毒性もなく、入手も容易だからである。
【００１４】
上記請求項３から請求項５までのいずれかの請求項に記載された発明においては、請求項６に記載するように、上記バインダが、ＹｎＳｉＸ（４−ｎ）（ここで、Ｙはアルキル基、フルオロアルキル基、ビニル基、アミノ基、フェニル基またはエポキシ基を示し、Ｘはアルコキシル基またはハロゲンを示す。ｎは０〜３までの整数である。）で示される珪素化合物の１種または２種以上の加水分解縮合物もしくは共加水分解縮合物であるオルガノポリシロキサンであることが好ましい。
【００１５】
このようなオルガノポリシロキサンを材料として光触媒含有層を形成することにより、親液性部および撥液性部の濡れ性の差を大きくすることが容易だからである。
【００１６】
上記請求項３から請求項６までのいずれかの請求項に記載された発明においては、請求項７に記載するように、上記撥液性部および上記親液性部は、表面張力が３０ｍＮ／ｍの塗工液に対して、接触角差が１０°以上であることが好ましい。
【００１７】
親液性部および撥液性部が上記範囲程度の接触角差を有していれば、後に親液性部上に塗布する発光層形成用塗工液が撥液性部にまで塗布されることがなく、所望のパターンに沿った発光層を形成することができるからである。
【００２０】
本発明においては、また請求項８に記載するように、少なくとも第１電極層を有する基板上に、上記第１電極層のエッジ部を覆うようにパターン状に絶縁層を形成する工程と、上記絶縁層が設けられた基板上に少なくとも光触媒とバインダとを有し、エネルギー照射により濡れ性が変化する光触媒含有層を形成する工程と、上記光触媒含有層のうち、絶縁層の上面は撥液性を維持するようにパターン照射し、エネルギー未照射領域である撥液性部と、エネルギー照射領域である親液性部とを形成する工程と、上記親液性部上に発光層形成用塗工液を塗布し、発光層を形成する工程と、上記発光層上に第２電極層を形成する工程とを少なくとも有し、前記撥液性部は前記絶縁層の中心部に形成され、前記撥液性部の幅は前記絶縁層の幅に対して０．２倍〜０．９倍の範囲内であり、前記発光層が前記絶縁層上面端部上を覆うように形成されることを特徴とするＥＬ素子の製造方法を提供する。
【００２１】
本発明においては、光触媒含有層にパターン照射することにより、エネルギー照射領域を親液性部とし、エネルギー未照射領域を撥液性部とする。このような処理を施した光触媒含有層上に発光層を形成することにより、発光層の境界は所望の形状を有し、さらに発光層上に第２電極層を形成する場合においても、発光層と第２電極層の境界において、僅かな隙間や、発光層の膜厚ムラ等が形成されるおそれが少なく、これらを要因とする短絡等の不具合の発生する可能性を最大限減じることができる。
また、上記範囲内で撥液性部を絶縁層上面に設けることにより、発光層は親液性部のみに良好な密着性を示すため、発光層が絶縁層上面端部上にまで這い上がった形状とすることができる。このような形状に発光層を形成すると、発光層の膜厚ムラの形成が防止でき、発光層の形状不良が回避されるので、短絡等の不具合を回避することができる。
【００２２】
上記請求項８に記載された発明においては、請求項９に記載するように、上記撥液性部および親液性部は、表面張力が３０ｍＮ／ｍの塗工液に対し、接触角差が１０°以上であることが好ましい。
【００２３】
親液性部および撥液性部が上記範囲程度の接触角差を有していれば、後に親液性部上に塗布する発光層形成用塗工液が撥液性部にまで塗布されることがなく、所望のパターンに沿った発光層を形成することができるからである。
【００２４】
本発明においては、また請求項１０に記載するように、少なくとも第１電極層を有する基板上に、上記第１電極層のエッジ部を覆うようにパターン状に絶縁層を形成する工程と、上記第１電極層および絶縁層を少なくとも有する基板上に、フッ素を含有させた感光性樹脂を塗布し、レジスト層を形成する工程と、上記レジスト層にマスクを介してパターン照射し、現像することにより、上記レジスト層を絶縁層上の一部分にのみ形成し、当該レジスト層を撥液性部とする工程と、上記第１電極層、絶縁層および撥液性部が設けられている基板上の少なくとも第１電極層上に発光層を形成する工程と、上記発光層上に第２電極層を形成する工程とを有し、前記撥液性部は前記絶縁層の中心部に形成され、前記撥液性部の幅は前記絶縁層の幅に対して０．２倍〜０．９倍の範囲内であり、前記発光層が前記絶縁層上面端部を覆うように形成されることを特徴とするＥＬ素子の製造方法を提供する。
【００２５】
本発明においては、撥液性部を形成する材料として感光性樹脂にフッ素を含有させたものを用いることにより、フォトリソグラフィー法により絶縁層の上面に容易に撥液性部を形成することができる。この撥液性部は絶縁層上面に設けるため、絶縁層自体は撥液性を保持する必要がない。従って絶縁層と発光層とが接触する面において発光層が後退して形成されることがなく、発光層および絶縁層間の僅かな隙間や膜厚ムラが生じにくいためこれらを要因とする短絡等の発生を抑制することができるのである。
また、上記範囲内で撥液性部を絶縁層上面に設けることにより、絶縁層の上面端部は発光層形成用塗工液に対して撥液性を保持することがない。これにより、発光層が絶縁層上面端部にまで這い上がった形状とすることができる。従って、絶縁層と発光層とが接する面において、両層間に僅かな隙間が形成されることが少なく、また膜厚ムラも防止でき、これらを要因とする短絡等の不具合を解消することができる。
【００２６】
上記請求項１０に記載された発明においては、請求項１１に記載するように、上記撥液性部および絶縁層は、表面張力３０ｍＮ／ｍの塗工液に対し、接触角差が１０°以上であることが好ましい。撥液性部および絶縁層が上記範囲程度の接触角差を有していれば、後に第１電極層上に塗布する発光層形成用塗工液が撥液性部にまで塗布されることがなく、発光層のラインの混色を防止することができるからである。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明におけるＥＬ素子およびその製造方法について説明する。本発明におけるＥＬ素子は、少なくとも第１電極層を有する基板と、前記第１電極層のエッジ部を覆うように形成された絶縁層と、前記絶縁層の上面に設けられた撥液性部と、前記第１電極層上にパターン状に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第２電極層とを有することを特徴とするものである。
（ＥＬ素子）
上述したような特徴を有する本発明におけるＥＬ素子の一例を図示したものが図１である。図１は、基板１上にストライプ状に形成された第１電極層２と、第１電極層２のエッジ部を覆うように形成された絶縁層３と、前記絶縁層３の上面の一部分に形成された撥液性部５と、前記電極層２上および絶縁層３の上面端部に這い上がるように形成された発光層４と、第１電極層２と直行するように発光層４上および撥液性部５上に設けられた第２電極層６とを図示している。
【００３０】
また、本発明におけるＥＬ素子の他の実施態様を図示したものが図２である。図２は、基板１上にストライプ状に形成された第１電極層２と、前記第１電極層２のエッジ部を覆うように形成された絶縁層３と、前記第１電極層２および前記絶縁層３を覆うように形成され、エネルギー照射により濡れ性が低下する光触媒含有層２１と、前記光触媒含有層２１のエネルギー照射領域である親液性部２４と、前記親液性部２４上に形成された発光層４と、前記発光層４および光触媒含有層２１上に形成された第２電極層６とが図示されている。
【００３１】
本発明においては、上述するように、撥液性部の設け方により２通りの実施態様がある。そこで、図１に示す態様を第１実施態様とし、図２に示す態様を第２実施態様とし、本発明における各々の構成について、以下に、詳細に説明する。
【００３２】
ここで、絶縁層の上面とは、絶縁層断面が図１に示すような矩形状に近い形状の場合は、一般的に指し示す上面を言い表しているが、例えば絶縁層が図６の発光層６４に示すようなドーム状の形状の場合は、絶縁層表面のうち、少なくとも第１電極層と接する立ち上がりの部分は含まない部分を上面とするものとする。
（１）第１実施態様
第１実施態様は、図１に示すように、少なくとも第１電極層２を有する基板１と、前記第１電極層２のエッジ部を覆うように形成された絶縁層３と、前記絶縁層３の上面に設けられた撥液性部５と、前記第１電極層２上にパターン状に形成された発光層４と、前記発光層４上に形成された第２電極層６とを少なくとも有する構成であり、特に、本発明においては、絶縁層上面に撥液性部を設けたことを特徴とする。そこで、まず、撥液性部について詳述した後、他の構成について説明する。
１．撥液性部
本発明における撥液性部としては、少なくとも撥液性部表面が撥液性を保持し、発光層を形成する発光層形成用塗工液に対して充分撥液性を発現するものであれば特に限定はされない。具体的には、図１に示すように、絶縁層上面の一部分に撥液性を保持する層を別個に設ける場合や、絶縁層上面の一部分に直接表面処理を施すことにより絶縁層上面の一部分に撥液性を保持させるものであってもよい。
【００３３】
このような本発明における撥液性部について、以下、詳細に説明する。
【００３４】
▲１▼  撥液性部表面の撥液性について
本発明における撥液性とは、表面張力が３０ｍＮ／ｍの塗工液に対して、接触角が、１０°以上、特に、２０°以上、中でも、３０°以上であることが好ましい。表面張力が３０ｍＮ／ｍの塗工液に対する接触角が上記範囲より低い場合は、撥液性が不充分であることから、撥液性部の表面、特に上面に発光層を形成する発光層形成用塗工液が付着し、異なる色のパターンが混色するおそれがあるからである。
【００３５】
さらに、本発明においては、発光層を第１電極層上のみならず、絶縁層上面端部まで這い上がるように形成することが好ましいため、発光層形成用塗工液が這い上がって塗布される絶縁層上面端部と撥液性部表面との濡れ性の差も精度よく発光層を形成するためには重要である。具体的には、表面張力３０ｍｍＮ／ｍの塗工液に対して、撥液性部の接触角が絶縁層の接触角よりも、１０°以上接触角差を有することが好ましく、特に１５°以上、中でも、２０°以上であることが好ましい。濡れ性の差が上記範囲より小さい場合は、撥液性部表面にまで発光層形成用塗工液が付着し、さらには撥液性部を乗り越えて、他の領域に入り込むおそれがあるため好ましくない。
【００３６】
なお、ここでいう液体との接触角は、液体との接触角を接触角測定器（協和界面科学（株）製ＣＡ−Ｚ型）を用いて測定（マイクロシリンジから液滴を滴下して３０秒後）し、その結果から得たものである。
【００３７】
本発明において、撥液性部に対して上述したような撥液性を付与する方法としては、撥液性部自体を撥液性を有する材料で形成する方法と、絶縁層の上面の一部分に表面処理を施し撥液性を保持させる方法がある。以下、各方法に分けて説明する。
【００３８】
Ａ．撥液性部自体を撥液性を有する材料で形成する方法
撥液性を有する材料としては、樹脂材料自体を選択することにより撥液性部表面に撥液性を付与する場合と、樹脂材料に添加剤を付与して撥液性を付与する場合とがある。
【００３９】
まず、樹脂材料自体が撥液性を有する材料としては、フッ素系のポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、シリコーン系樹脂等を挙げることができる。
【００４０】
本発明においては、上述したような材料のみで撥液性部を形成して撥液性を付与するようにしてもよいし、他の汎用の材料とブレンドして用いるようにしてもよい。この場合のブレンドの比率は、混合後の樹脂材料が、上述した濡れ性の条件を満たすように適宜調整して用いられるものである。
【００４１】
また、樹脂材料に添加することにより、その樹脂材料により形成される撥液性部表面の撥液性を向上させる添加剤としては、発光層等に対して悪影響を及ぼさない材料であれば特に限定されるものではないが、具体的にはフッ素系樹脂、シリコン系樹脂、パーフルオロアルキル基含有アクリレートまたはメタクリレートを主成分とする共重合オリゴマー等を挙げることができ、中でもパーフルオロアルキル基含有アクリレートまたはメタクリレートを主成分とする共重合オリゴマーを用いることが好ましい。また市販品としては、サーフロン（ランダム型オリゴマー；セイミケミカル社製）、アロンＧ（グラフト型オリゴマー；東亜合成化学社製）、モディバーＦ（ブロック型オリゴマー；日本油脂社製）等を挙げることができる。
【００４２】
このような添加剤の樹脂材料に対する添加量としては、添加剤の種類および樹脂の種類によっても大きく異なるものであるが、用いる樹脂材料を１００重量部とした場合、０．１〜２０重量部、好ましくは０．５〜５重量部の範囲内で用いられる。
【００４３】
添加剤としてモディバーＦ２００（日本油脂製）を用いた場合、混合する樹脂に対して０．１ｗｔ％から撥液性が発現するが、２ｗｔ％添加することが好ましい。
【００４４】
本発明においては、上記樹脂材料自体が撥液性を有する材料で形成した場合であっても、必要がある場合はさらに上述した撥液性を付与する添加剤を加えるようにしてもよい。
【００４５】
Ｂ．絶縁層の上面の一部分に撥液性処理を施す方法
絶縁層の上面の一部分を撥液性とするための処理方法としては、特に限定されるものではなく、例えば表面をシリコーン化合物や含フッ素化合物等の撥液処理剤でパターン状に処理する等の方法であってもよい。
【００４６】
また、本発明においては、フルオロカーボンガスのプラズマを用いた表面処理を用いることも可能である。
【００４７】
このフルオロカーボンガスのプラズマを用いた表面処理は、有機物の部分を選択的に撥液性処理を行なうことが可能である。これは、フルオロカーボンガスのプラズマを用いた場合は、有機物としか化学反応しないため選択的に有機物の部分のみが処理されるからである。したがって、絶縁層を有機物から形成する場合においては、マスクを介して表面処理を行うことにより、所望の範囲のみを撥液性とすることが可能である。
【００４８】
このフルオロカーボンガスのプラズマを用いた処理とは、チャンバー内に基板を入れ、真空にした後にＣＦ４を導入して（流量：５０ｓｃｃｍ）内圧を一定に保ち（１５０ｍＴｏｒｒ）、ＲＦパワーを１５０Ｗとし、５分間ほどプラズマ処理を行った。なお、用いるドライエッチング装置としては、例えば、DEA-506T(ANELVA社製)等を挙げることができる。
【００４９】
本発明においては、この際用いるフルオロカーボンガスとしては、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、ｃ−Ｃ４Ｆ８、ＣＣｌ２Ｆ２、ＣＣｌＦ３、Ｃ２Ｃｌ２Ｆ４、Ｃ２ＣｌＦ５、ＣＢｒＦ３、ＣＨＦ３、Ｃ２Ｈ３Ｆ３、ＣＨ３ＣＨＦ２、ＮＦ３、ＳＦ６等を用いることが可能であり、中でも、ＣＦ４ガスが好適に用いられる。
【００５０】
また、フルオロカーボンガスのプラズマを用いた表面処理を行なうに際して、予め酸素ガスのプラズマを用いた表面処理を施すことが好ましい。このように酸素ガスのプラズマを用いた表面処理を施して絶縁層表面を親液性としておき、その後フルオロカーボンガスのプラズマをマスクを介して絶縁層表面の一部分に表面処理を施すことにより濡れ性の差を大きくすることが可能となり、撥液性処理を施した絶縁層上面の一部分への発光層形成用塗工液の付着をより効果的に防止することができるからである。
【００５１】
▲２▼  撥液性部の形状について
本発明に用いられる撥液性部の形状は、発光層形成用塗工液を付着させる際に、当該塗工液が撥液性部を乗り越え、他の領域に形成されている発光層と交わることが防止できる形状であれば特に限定はされない。具体的には、図１に示すように撥液性部を保持する層を別個設ける場合には、四角形に近い形状であってもよいし、ドーム状の形状であっても構わない。また、絶縁層上面への撥液性処理により形成される場合は、上面が撥液性を保持してさえいれば特に形状は限定されない。
【００５２】
このような撥液性部の幅は、絶縁層の上面全面を被覆するように形成されていてもよいが、絶縁層の幅に対して、０．２倍〜０．９倍、その中でも特に、０．５倍〜０．８倍の範囲内で、絶縁層の幅の中心部から形成されていることが好ましい。
【００５３】
これは、後に第１電極層上かつ絶縁層間に形成される発光層が、図１に示すように第１電極層上のみならず、絶縁層エッジ部に這い上がるように形成されていることが好ましいからである。このように、這い上がった形状を有する発光層とすることにより、発光部に位置する部分の膜厚にムラが形成されにくく、かつ絶縁層および発光層との間に僅かな隙間が形成されることがないため、良好な発光が得られるからである。
【００５４】
２．第1電極層
本発明のＥＬ素子においては、ストライプ状に形成された第１電極層が基板上に形成される。上述したように、一般には基板面側に発光させるものであるので、基板上に形成される第１電極層は透明電極であることが好ましい。具体的には、酸化錫膜、ＩＴＯ膜、酸化インジウムと酸化亜鉛との複合酸化物膜等が挙げられるが、本発明においては、ＩＴＯ膜が好適に用いられる。
【００５５】
このような第１電極層は、基板上においてライン状（ストライプ状）に形成される。通常はフォトリソグラフィ法等によりライン状のパターニングが施されて形成される。
【００５６】
３．絶縁層
本発明において、絶縁層は第１電極層の端部における電荷集中による影響を軽減するために、上面端部を覆うように形成されるものである。
【００５７】
従来より、第１電極層の電荷集中を防止するため第１電極層の端部を覆うように絶縁層を形成し、また、パターン精度を向上させるため絶縁層自体に撥液性を保持させることが行われている。このような場合、発光層形成用塗工液を塗布した際に、撥液性を保持する絶縁層の影響から塗工液が塗布された位置よりも後退し、発光層および絶縁層間に僅かな隙間が形成される可能性があり、この僅かな隙間は、第１電極層と第２電極層とが短絡する要因となる。上述したような不都合を回避するため、本発明においては、絶縁層を撥液性を保持しない材料で形成し、パターン精度を向上させるために、絶縁層上面に撥液性を保持する層を別個に設ける方法や、絶縁層の上面に撥液性処理を施し絶縁層上面の一部分に撥液性を保持させる方法を特徴とする。
【００５８】
ここで、絶縁層の形状としては、第１電極層のエッジ部を覆うのに充分な形状であれば特に限定はされないが、具体的には、図１に示すように、２つの第１電極層のエッジ部からエッジ部に連なるように形成されていてもよいし、第１電極層のエッジ部のみを被覆するように形成されていてもよい。
【００５９】
また、本発明においては、上記絶縁層、特にその側面が親液性を有するように形成されていることが好ましい。このように形成することにより、絶縁層間に発光層を形成する際に、絶縁層と発光層との間に僅かな隙間が形成されることが回避されるからである。
【００６０】
絶縁層への親液性の付与は、親液性を有する材料を用いて絶縁層を形成する方法や、表面処理により親液性を保持させる方法がある。この際の親液性の程度は、塗布された発光層形成用塗工液が、撥液性部が形成されていない絶縁層表面に対して良好な密着性を示す程度であることが好ましい。
【００６１】
具体的には、表面張力３０ｍＮ／ｍの塗工液との接触角が、０°〜３０°の範囲内であることが好ましい。
【００６２】
上記範囲程度の親液性を保持する絶縁層であれば、後に形成される発光層に対して良好な密着性を示し、絶縁層と発光層との間に僅かな隙間が形成されることが防止されるからである。
【００６３】
本発明に用いられる絶縁層の材料としては、親液性であり従来より用いられているノボラック系樹脂、ポリイミド等を挙げることができる。
【００６４】
４．発光層
本発明においては、基板上に第１電極層、絶縁層および撥液性部を形成した後に、前記第１電極層上に発光層が形成される。
【００６５】
発光層は、ＥＬ素子において必須の層であり、かつフルカラーおよびマルチカラーのディスプレイを製造する際には、高精細なパターニングを必要とする層である。本発明では、このような発光層を形成する塗工液を発光層形成用塗工液とし、以下、発光層形成用塗工液の組成等について詳細に説明する。
【００６６】
▲１▼.発光層形成用塗工液
本発明に用いられる発光層形成用塗工液は、通常、発光材料、溶媒、およびドーピング剤等の添加剤により構成されるものである。なお、フルカラー化等を行なう場合は、複数色の発光層が形成されるものであるので、複数種類の発光層形成用塗工液が通常用いられる。以下、これら発光層形成用塗工液を構成する各材料について説明する。
【００６７】
Ａ．発光材料
本発明に用いられる発光材料としては、色素系材料、金属錯体系材料、および高分子系材料を挙げることができる。
【００６８】
ａ．色素系材料
色素系材料としては、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾ−ル誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、シロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー等を挙げることができる。
【００６９】
ｂ．金属錯体系材料
金属錯体系材料としては、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体等、中心金属に、Ａｌ、Ｚｎ、Ｂｅ等または、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｄｙ等の希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を有する金属錯体等を挙げることができる。
【００７０】
ｃ．高分子系材料
高分子系の材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体等、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素体、金属錯体系発光材料を高分子化したもの等を挙げることができる。
【００７１】
本発明は、発光層形成用塗工液を用いた際の課題を解決するものであるので、このような発光層形成用塗工液でのみ形成することができるという観点から、発光材料として上記高分子系材料を用いたものがより好ましい。
【００７２】
Ｂ．溶媒
上述した発光材料を溶解もしくは分散させ、発光層形成用塗工液とする溶媒としては、上述した発光材料を溶解もしくは分散し、かつ所定の粘度とすることができる溶媒であれば特に限定されるものではない。
【００７３】
具体的には、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン等を挙げることができる。
【００７４】
Ｃ．添加剤
本発明に用いられる発光層形成用塗工液には、上述したような発光材料および溶媒に加えて種々の添加剤を添加することが可能である。例えば、発光層中の発光効率の向上、発光波長を変化させる等の目的でドーピング材料が添加される場合がある。このドーピング材料としては例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィレン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾン等を挙げることができる。
【００７５】
５．第２電極層
このようにして形成された発光層上に、蒸着法により第２電極層が形成される。この第２電極層は、蒸着法により形成される材料で構成されるものであれば特に限定されるものではない。具体的には、ＭｇＡｇ等のマグネシウム合金、ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等のアルミニウム合金、Ｌｉ、Ｃａをはじめとするアルカリ金属類およびアルカリ土類金属類、それらアルカリ金属類およびアルカリ土類金属類の合金のような仕事関数の小さな金属等を挙げることができる。
【００７６】
６．基板
本発明に用いられる基板は、特に限定されるものではないが、この基板面側に通常発光させるものであることから、透明性が高いものが好ましく、ガラス等の無機材料や、透明樹脂等を用いることができる。
【００７７】
上記透明樹脂としては、フィルム状に成形が可能であれば特に限定されるものではないが、透明性が高く、耐溶媒性、耐熱性の比較的高い高分子材料が好ましい。具体的には、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリフッ化ビニル（ＰＦＶ）、ポリアクリレート（ＰＡ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）、非晶質ポリオレフィン、フッ素系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニル、ポリスチレン、ＡＢＳ樹脂、ポリアミド、ポリアセタール、ポリエステル、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、ポリスルホン、ポリアリレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド、液晶性ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリミクロイキシレンジメチレンテレフタレート、ポリオキシメチレン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアクリレート、アクリロニトリル−スチレン樹脂、ＡＢＳ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン、シリコーン樹脂、および非晶質ポリオレフィン等が挙げられる。
【００７８】
７．  その他
本発明においては、上記記載の各機能層の他に種々の有機ＥＬ層を設けることができる。有機ＥＬ層には、発光層、バッファー層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層等が含まれる。上述する発光層はこの有機ＥＬ層の一種類であり、発光層同様これら他の有機ＥＬ層に関してもパターン状に形成することが可能である。発光層を除くこれらの有機ＥＬ層の中で発光層と共に形成されることの多いバッファー層について簡単に説明する。
【００７９】
バッファー層とは、発光層に電荷の注入が容易に行われるように、陽極と発光層との間または陰極と発光層との間に設けられ、有機物、特に有機導電体などを含む層である。例えば、発光層への正孔注入効率を高めて、電極などの凹凸を平坦化する機能を有する導電性高分子とすることができる。
【００８０】
バッファー層を形成する材料としては、具体的にはポリアルキルチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、トリフェニルアミン等の正孔輸送性物質の重合体、無機酸化物のゾルゲル膜、トリフルオロメタン等の有機物の重合膜、ルイス酸を含む有機化合物膜等を挙げることができ、これらを、水、メタノール、エタノールをはじめとするアルコール類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等の溶媒に溶解もしくは分散させたものを塗工液とし、吐出法等によりパターン状に形成することが可能である。
【００８１】
（２）第２実施態様
本発明のＥＬ素子の第２実施態様は、少なくとも第１電極層を有する基板と、前記第１電極層のエッジ部を覆うように形成された絶縁層と、前記第１電極層および絶縁層上に形成され、少なくとも光触媒およびバインダからなる光触媒含有層と、前記光触媒含有層上にパターン状に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第２電極層とを有し、前記光触媒含有層のうち、絶縁層の上面に位置する部分は撥液性を保持する撥液性部であり、前記撥液性部以外は親液性を保持する親液性部となっており、前記発光層は前記親液性部上に形成されていることを特徴とする。
【００８２】
このような特徴を有する本実施態様の一例を図示したものが図２である。以下、図２を具体的に説明すると、基板１上にストライプ状に形成された第１電極層２と、前記第１電極層２のエッジ部を覆うように形成された絶縁層３と、前記絶縁層３の上面に形成された撥液性を保持する撥液性部２１´と、前記撥液性部２１´と接触するように形成された親液性部２４と、前記親液性部２４上に形成された発光層４と、前記第１電極層２と直交するように前記発光層４上に形成された第２電極層６とを少なくとも有する態様である。また、図２には図示されていないが、前記撥液性部２１´および親液性部２４は、光触媒含有層にエネルギーを照射することにより形成されるものである。
【００８３】
本実施態様は、光触媒含有層を用いて撥液性部を絶縁層の上面に設けたことを特徴とする態様である。従って、光触媒含有層以外の構成に関しては第１実施態様と同様であるため、同様の構成についてはここでの説明を省略する。
【００８４】
１．光触媒含有層
本実施態様においては、絶縁層の上面に位置する撥液性部を形成する際に、少なくとも光触媒とバインダからなりエネルギー照射により濡れ性が変化する光触媒含有層用いていることを特徴とする。
【００８５】
光触媒含有層は、エネルギー照射だけで容易に濡れ性の違いによるパターンを形成することが可能であるため、撥液性部の形成に、このような性質を有する光触媒含有層を用いることにより、絶縁層上面に位置する領域は撥液性とし、それ以外の領域を親液性とするパターンを容易に形成することができる。さらに、親液性領域上に発光層を形成することにより所望とする領域内に良好に発光層を形成することができるため、発光層の後退による僅かな隙間の形成や膜厚ムラ等の不都合が回避されるのである。
【００８６】
また光触媒含有層は、バッファー層として機能する場合もあるので、発光効率を向上させる利点があることからも光触媒含有層を用いることは効果的といえる。
【００８７】
なお、ここでいうエネルギーとは、光触媒含有層の濡れ性を変化させるのに充分なエネルギーであれば特に限定されるものではないが、一般的には紫外光を含む光が好適に用いられる。
【００８８】
本発明に用いられる光触媒含有層は、上述したように、光触媒とバインダとを有するものである。
【００８９】
この際用いられる光触媒としては、光半導体として知られる例えば酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）、酸化タングステン（ＷＯ３）、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）、および酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３）を挙げることができ、これらから選択して１種または２種以上を混合して用いることができる。
【００９０】
本発明においては、特に酸化チタンが、バンドギャップエネルギーが高く、化学的に安定で毒性もなく、入手も容易であることから好適に使用される。酸化チタンには、アナターゼ型とルチル型があり本発明ではいずれも使用することができるが、アナターゼ型の酸化チタンが好ましい。アナターゼ型酸化チタンは励起波長が３８０ｎｍ以下にある。
【００９１】
このようなアナターゼ型酸化チタンとしては、例えば、塩酸解膠型のアナターゼ型チタニアゾル（石原産業（株）製ＳＴＳ−０２（平均粒径７ｎｍ）、石原産業（株）製ＳＴ−Ｋ０１）、硝酸解膠型のアナターゼ型チタニアゾル（日産化学（株）製ＴＡ−１５（平均粒径１２ｎｍ））等を挙げることができる。
【００９２】
光触媒の粒径は小さいほど光触媒反応が効果的に起こるので好ましく、平均粒径は５０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下の光触媒を使用するのが特に好ましい。また、光触媒の粒径が小さいほど、形成された光触媒含有層の表面粗さが小さくなるので好ましく、光触媒の粒径が１００ｎｍを越えると光触媒含有層の中心線平均表面粗さが粗くなり、光触媒含有層本来の撥液性が低下し、また露光した際の親液性の発現が不十分となるため好ましくない。
【００９３】
また、光触媒含有層に使用するバインダとしては、主骨格が上記の光触媒の光励起により分解されないような高い結合エネルギーを有するものが好ましく、例えば、（１）ゾルゲル反応等によりクロロまたはアルコキシシラン等を加水分解、重縮合して大きな強度を発揮するオルガノポリシロキサン、（２）撥液牲や撥油性に優れた反応性シリコーンを架橋したオルガノポリシロキサン等を挙げることができる。
【００９４】
上記の（１）の場合、一般式：
ＹｎＳｉＸ（４−ｎ）
（ここで、Ｙはアルキル基、フルオロアルキル基、ビニル基、アミノ基、フェニル基またはエポキシ基を示し、Ｘはアルコキシル基、アセチル基またはハロゲンを示す。ｎは０〜３までの整数である。）
で示される珪素化合物の１種または２種以上の加水分解縮合物もしくは共加水分解縮合物であるオルガノポリシロキサンであることが好ましい。なお、ここでＹで示される基の炭素数は１〜２０の範囲内であることが好ましく、また、Ｘで示されるアルコキシ基は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基であることが好ましい。
【００９５】
また、バインダとして、特にフルオロアルキル基を含有するポリシロキサンが好ましく用いることができ、具体的には、フルオロアルキルシランの１種または２種以上の加水分解縮合物、共加水分解縮合物が挙げられ、一般にフッ素系シランカップリング剤として知られたものを使用することができる。
【００９６】
また、上記の（２）の反応性シリコーンとしては、下記一般式で表される骨格をもつ化合物を挙げることができる。
【００９７】
【化１】
0004217868.tif 000002
【００９８】
ただし、ｎは２以上の整数であり、Ｒ１，Ｒ２はそれぞれ炭素数１〜１０の置換もしくは非置換のアルキル、アルケニル、アリールあるいはシアノアルキル基であり、モル比で全体の４０％以下がビニル、フェニル、ハロゲン化フェニルである。また、Ｒ１、Ｒ２がメチル基のものが表面エネルギーが最も小さくなるので好ましく、モル比でメチル基が６０％以上であることが好ましい。また、鎖末端もしくは側鎖には、分子鎖中に少なくとも１個以上の水酸基等の反応性基を有する。
【００９９】
また、上記のオルガノポリシロキサンとともに、ジメチルポリシロキサンのような架橋反応をしない安定なオルガノシリコン化合物をバインダに混合してもよい。
【０１００】
光触媒含有層中の光触媒の含有量は、５〜６０重量％、好ましくは２０〜４０重量％の範囲で設定することができる。また、光触媒含有層の厚みは、０．０５〜１０μｍの範囲内が好ましい。上記範囲内の膜厚を有する光触媒含有層であれば、光触媒含有層が撥液性部として活用される際にも、撥液性部として充分な効果を発揮し、かつバッファー層としての機能をも充分に発揮できるからである。
【０１０１】
上記光触媒含有層は、光触媒とバインダを必要に応じて他の添加剤とともに溶剤中に分散して塗布液を調製し、この塗布液を塗布することにより形成することができる。使用する溶剤としては、エタノール、イソプロパノール等のアルコール系の有機溶剤が好ましい。塗布はスピンコート、スプレーコート、ディッブコート、ロールコート、ビードコート等の公知の塗布方法により行うことができる。バインダとして紫外線硬化型の成分を含有している場合、紫外線を照射して硬化処理を行うことにより光触媒含有層を形成することかできる。
【０１０２】
（ＥＬ素子の製造方法）
次に、本発明のＥＬ素子の製造方法について説明する。
【０１０３】
本発明のＥＬ素子の製造方法は、撥液性部の設け方により第３実施態様、第４実施態様および第５実施態様に分けることができる。以下、各態様ごとに分けて製造方法について説明する。なお、これらの実施態様の製造工程を図示した図３、図４および図５には、撥液性を保持する層を絶縁層上面に別個に設ける場合を図示したが、撥液性部として絶縁層上面に直接撥液性処理を施した場合は、上記「ＥＬ素子」の項目の中に記載したことと同様なので、ここでは、この場合についての説明は省略する。
【０１０４】
（１）第３実施態様
第３実施態様は、撥液性を保持する層を撥液性部とし絶縁層の上面に形成する態様である。このような本実施態様の製造工程の一例を図示したものが図３である。以下、図３を用いて第３実施態様について詳細に説明する。
【０１０５】
本実施態様は、図３（ａ）に示すように、少なくとも第１電極層２を有する基板1上に、前記第１電極層２のエッジ部を覆うようにパターン状に絶縁層３を形成する工程（絶縁層形成工程）と、
次いで、図３（ｂ）に示すように、前記第１電極層２および絶縁層３を少なくとも有する基板１上に、フッ素を含有させた感光性樹脂を塗布し、レジスト層３１を形成する工程（レジスト層形成工程）と、
さらに、図３（ｃ）に示すように、前記レジスト層３１にマスク３２を介してパターン照射３３し、現像することにより、前記レジスト層３１がパターニングされ、図３（ｄ）に示すような撥液性部３４に形成される工程（撥液性部形成工程）と、
前記第１電極層２、絶縁層３および撥液性部３４が設けられている基板１上に、図３（ｅ）に示すように、第１電極層２上および絶縁層３の上面端部に這い上がるように発光層４とを形成する工程（発光層形成工程）と、
さらに、前記発光層４上に前記第１電極層２と直行するように、図３（ｆ）に示すような第２電極層６を形成する工程（第２電極層形成工程）とを有することを特徴とする。
【０１０６】
以下、第３実施態様について各工程ごとに詳細に説明する。
【０１０７】
１．絶縁層形成工程
絶縁層形成工程は、少なくとも第１電極層を有する基板上に、前記第１電極層のエッジ部を覆うように形成する工程である。
【０１０８】
まず、第１電極層がストライプ状に形成された基板を準備する。この第１電極層の基板上へのパターニング方法としては、例えばフォトリソグラフィー法、真空蒸着法、スパッタリング法、パイロゾル法等が挙げられる。また、第１電極層については上記「ＥＬ素子」で説明した第１電極層と同様なので、ここでの説明は省略する。
【０１０９】
このような第１電極層を有する基板上に、電荷集中を防止するため第１電極層のエッジ部を覆うように絶縁層を形成する。絶縁層もパターン状に形成する必要があるため、上述の各種パターニング方法等により形成することが可能である。なお、絶縁層に関しても上述のＥＬ素子の絶縁層の項目の中で詳述したとおりなのでここでの説明は省略する。
【０１１０】
２．レジスト層形成工程
レジスト層形成工程とは、前記絶縁層形成工程により、絶縁層および第１電極層を少なくとも有する基板上に、フッ素含有の感光性樹脂を塗布し、硬化させ当該フッ素含有の感光性樹脂の層をレジスト層とし、これを形成する工程である。
【０１１１】
▲１▼  感光性樹脂
本発明における感光性樹脂としては、ポジ型、ネガ型のいずれであっても用いることができ、具体的に用いることができる感光性樹脂としては、ノボラック樹脂系、ゴム＋ビスアジト系等を挙げることができる。
【０１１２】
これらの樹脂を溶媒に溶解させ、必要に応じて添加剤等を添加し、塗工液としたものを用いる。
【０１１３】
▲２▼  感光性樹脂にフッ素を含有させる方法
このような感光性樹脂にフッ素を含有させる方法としては、硬化前にフッ素基を持ったモノマー、オリゴマーまたは、フッ素基を持つ樹脂溶液、またはフッ素基を持った界面活性剤等を混合することにより感光性樹脂にフッ素を含有させる方法を挙げることができる。
【０１１４】
３．撥液性部形成工程
本発明における撥液性部形成工程とは、前記レジスト層形成工程により、形成されたフッ素を含有する感光性樹脂からなるレジスト層をパターン状に形成し、このパターン状のレジスト層を撥液性部とする工程である。
【０１１５】
レジスト層は感光性樹脂からなる層であるため、レジスト層のパターニングはフォトリソグラフィー法により容易に行うことができる。すなわち、レジスト層を形成した後にパターン露光および現像工程を経ることにより、容易にレジスト層をパターニングすることができるのである。ここでは、上記工程により形成されたレジスト層をフォトリソグラフィー法によりパターニングする際の、エネルギー照射および現像について説明する。
【０１１６】
▲１▼  エネルギー照射
前記レジスト層形成工程によりレジスト層を形成した後、撥液性部が形成される位置にパターン照射する。
【０１１７】
照射領域は、絶縁層の位置する領域上の全面を照射してもよいが、絶縁層の幅に対し、０．２倍〜０．９倍、その中でも特に、０．５倍〜０．８倍で、絶縁層の中心部をパターン照射することが好ましい。
【０１１８】
この際、撥液性部の材料であるフッ素含有の感光性樹脂が上述したようにネガ型の場合は、上記範囲領域のみ露光し、逆にポジ型の場合は、上記範囲領域以外を露光する。
【０１１９】
▲２▼  現像
現像はレジスト現像液を用いて行う。このレジスト現像液については、既に基板上に形成されている絶縁層等を溶解するものでなければ特に限定されるものではない。具体的には、一般的に使用されている有機アルカリ系現像液を使用できるが、そのほかに、無機アルカリ、またはレジストの現像が可能な水溶液を使用することができる。レジスト層の現像を行った後は、水で洗浄することが望ましい。
【０１２０】
４．発光層形成工程
本発明における発光層形成工程とは、第１電極層上に発光層を形成する工程である。
【０１２１】
本実施態様おける発光層は、上記工程により形成された撥液性部が形成されていない領域、具体的には第１電極層上および絶縁層端部上に形成される。なお、撥液性部が形成されている領域以外は、その表面が発光層形成用塗工液と良好な密着性を保持しているため、発光層と接触する絶縁層側面においても僅かな隙間が形成されることがない。さらに、絶縁層端部にまで這い上がるように発光層が形成されるので、第１電極層上に位置する発光層に膜厚ムラが生じにくいのである。
【０１２２】
本発明における発光層の形成方法としては、上述の発光層形成用塗工液を用いる方法であれば特に限定されるものではないが、インクジェット法によりパターン状に発光層形成用塗工液を塗布する方法であることが好ましい。
【０１２３】
５．第２電極層形成工程
本発明における第２電極層形成工程とは、通常ストライプ状に形成された第１電極層に対し、直交するように発光層上に第２電極層を形成する工程である。
【０１２４】
第２電極層形成用材料としては、蒸着法により形成することが可能であり、仕事関数が小さい材料であれば特に限定されない。このような材料は既に上述のＥＬ素子の項目中で記載したことと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０１２５】
（２）第４実施態様
本発明における第４実施態様は、エネルギー照射により濡れ性が変化する光触媒含有層を用いて撥液性部を形成する態様である。このような本実施態様の製造方法の一例を図示したものが図４である。以下、図４を用いて具体的に第４実施態様について説明する。
【０１２６】
図４（ａ）に示すように、少なくとも第１電極層２を有する基板上１に、前記第１電極層２のエッジ部を覆うようにパターン状に絶縁層３を形成する工程（絶縁層形成工程）と、
次いで図４（ｂ）に示すように、前記絶縁層３が設けられた基板１上に少なくとも光触媒とバインダとを有し、エネルギー照射により濡れ性が変化する光触媒含有層２１を形成する工程（光触媒含有層形成工程）と、
前記光触媒含有層２１のうち、図４（ｃ）に示すように、絶縁層上面の一部分はエネルギーが照射されないようにマスク２２を介して、パターン照射２３し、図４（ｄ）に示すように、エネルギー未照射領域の撥液性部２１´と、エネルギー照射領域で親液性に変化した親液性部２４とを形成する工程（撥液性部形成工程）と、
さらに、図４（ｅ）に示すように、前記親液性部２４上に発光層形成用塗工液を塗布し、発光層４を形成する工程と（発光層形成工程）と、
次いで、前記第１電極層２と直行するように前記発光層４上に、図４（ｆ）に示すような第２電極層６を形成する工程（第２電極層形成工程）とを少なくとも有することを特徴とする。
【０１２７】
上記本実施態様の各工程のうち、光触媒含有層形成工程および撥液性部形成工程以外は、第３実施態様と同様であるため、同様の工程についてはここでの説明を省略する。
【０１２８】
１．光触媒含有層形成工程
光触媒含有層の組成等に関することは、上記（２）第２実施態様の「１．光触媒含有層」の欄で説明したことと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０１２９】
本発明においては上記光触媒含有層をスピンコーティング法、スプレーコート法、ディップコート法、ロールコート法、ビードコート法等の公知の塗布方法により形成することができる。バインダとして紫外線硬化型の成分を含有している場合、紫外線を照射して硬化処理を行うことにより光触媒含有層を形成することができる。
【０１３０】
２．撥液性部形成工程
撥液性部形成工程とは、前記工程により形成されたエネルギー照射により濡れ性が変化する光触媒含有層にエネルギーをパターン照射し、濡れ性の差によるパターンを形成し、エネルギー未照射領域を撥液性部とし、エネルギー照射により塗工液との接触角が低下する方向に濡れ性が変化した親液性部とを形成する工程である。また、撥液性部は絶縁層の上面に形成されるため、この領域はエネルギーが照射されないようにマスクを介しエネルギーをパターン照射し、光触媒含有層に濡れ性の差によるパターンを設ける。
【０１３１】
本工程に用いられるエネルギーとしては、本発明において用いられる光触媒のバンドギャップによって触媒反応を開始する光の波長が異なるため、用いる光触媒に応じて適切なエネルギーを選択する。例えば、硫化カドニウムであれば４９６ｎｍ、また酸化鉄であれば５３９ｎｍの可視光であり、二酸化チタンであれば３８８ｎｍの紫外光である。したがって、光であれば可視光であれ紫外光であれ本発明で用いることができる。しかしながら、上述したようにバンドギャップエネルギーが高いため光触媒として有効であり、かつ化学的にも安定で毒性もなく、入手も容易といった理由から光触媒としては二酸化チタンが好適に用いられる関係上、この二酸化チタンの触媒反応を開始させるエネルギーとしては、紫外光を含む光であることが好ましい。具体的には、４００ｎｍ以下の範囲、好ましくは３８０ｎｍ以下の範囲の紫外光が含まれることが好ましい。
【０１３２】
このような紫外光を含む光の光源としては、水銀ランプ、メタルハライドランプ、キセノンランプ、エキシマランプ等の種々の紫外線光源を挙げることができる。
【０１３３】
また、照射に際しての光の照射量は、光触媒の作用により照射された領域の濡れ性を低下させるために必要な照射量とすることができる。
【０１３４】
エネルギー照射に際して、パターン照射が必要な場合は、上述したような光源を用い、フォトマスクを介したパターン照射により行うことができるが、他の方法として、エキシマ、ＹＡＧ等のレーザーを用いてパターン状に描画照射する方法を用いることも可能である。
【０１３５】
（３）第５実施態様
上述の第３実施態様は、撥液性部をフォトリソグラフィー法により形成する態様である。しかしながら、本実施態様においては、フォトリソグラフィー法を用いずに、第３実施態様により製造されたＥＬ素子と同様の構成を有するＥＬ素子の製造が可能となる。本実施態様は、フォトリソグラフィー法においては必須の工程であった現像、洗浄を行なわないため、この点で製造効率上有利な面を持つ。
【０１３６】
このような利点を有する第５実施態様は、少なくとも光触媒を含有する光触媒処理層を基材上に設け光触媒処理層基材を準備する工程と、少なくとも第１電極層を有する基板上に前記第１電極層のエッジ部分を覆うように絶縁層を形成する工程と、前記第１電極層および絶縁層を有する基板上に、光触媒の作用からエネルギー照射により分解除去される分解除去層を形成する工程と、前記光触媒処理層基材の光触媒処理層と、前記分解除去層とが接触するように配置し、所定の方向からエネルギーをパターン照射し、分解除去層をパターンニングする工程と、前記光触媒処理層基材を分解除去層から剥離する工程とを少なくとも有することを特徴とする。
【０１３７】
上記特徴を有する本実施態様における工程図の一例を図示したものが図５である。以下図５を用いて具体的に説明する。
【０１３８】
この例においてはまず、図５（ａ）に示すように、基材５１上に、少なくとも光触媒からなる光触媒処理層５２を設け光触媒処理層基材形成（光触媒処理層基材調整工程）する。
【０１３９】
次いで、前記光触媒処理層基材とは別に、少なくとも第１電極層２が予め所定の形状にパターニングされた基板１上に、前記第１電極層２のエッジ部を覆うように、絶縁層３を形成（絶縁層形成工程、図５（ｂ）参照）する。
【０１４０】
さらに、図５（ｃ）に示すように、前記絶縁層３を表面に有する基板１上に、撥液性を保持し、かつ前記光触媒処理層５２中の光触媒の作用により分解除去される性質を有する分解除去層５３を形成（分解除去層形成工程）する。
【０１４１】
次に、前記分解除去層５３と前記光触媒処理層５２とを、図５（ｄ）に示すように、接触するように配置（接触工程）した後、フォトマスク５４を介し、所定の方向からエネルギーをパターン照射（エネルギー照射工程）し、分解除去層５３を絶縁層３上面に形成されるようにパターニングする。
【０１４２】
前記接触工程およびエネルギー照射工程により形成されたパターン状の分解除去層５３は撥液性部５５として活用される（撥液性部形成工程）。
【０１４３】
次いで、前記光触媒処理層基材を分解除去層５３から剥離し（光触媒処理層剥離工程）、パターニングされた分解除去層５３からなる撥液性部５５が表面に形成された基板１を得る（図５（ｅ）参照）。
【０１４４】
さらに、図５（ｆ）に示すように、前記第１電極層２上および絶縁層３端部にまで這い上がるように発光層４を形成（発光層形成工程）し、最後に、前記第１電極層２と直交するように前記発光層４上に、第２電極層６を形成する工程（第２電極層形成工程）を経て、図５（ｇ）に示すようなＥＬ素子が製造される。
【０１４５】
以下、本実施態様について各工程ごとに分けて詳細に説明する。
【０１４６】
１．光触媒処理層基材層調整工程
本発明における、光触媒処理層基材調整工程は、光触媒を含有する光触媒処理層および基材を有する光触媒処理層基材を準備する工程である。
【０１４７】
この工程で製造される光触媒処理層基材は、少なくとも光触媒処理層と基材とを有するものであり、通常は基材上に所定の方法で形成された薄膜状の光触媒処理層が形成されてなるものである。また、光触媒処理層をパターン状に設けたり、遮光層を設けることにより分解除去層をパターン状に形成することも可能である。
【０１４８】
▲１▼  光触媒処理層
本発明に用いられる光触媒処理層は、後述する分解除去層と光触媒処理層とを接触させ、エネルギーを照射する際、光触媒処理層中に含有される光触媒の作用により、分解除去層を分解除去させることが可能であるものならば特に限定されるものではなく、少なくとも光触媒を含有する構成であればよい。従って、上述した光触媒含有層をそのまま用いることも可能であり、また、光触媒単体で製膜されたものであってもよい。従って、光触媒処理層が少なくとも光触媒とバインダとを有する構成である場合においては、上記第２実施態様「１．光触媒含有層」の欄で説明したことと同様であるため、この場合における光触媒処理層の説明は省略する。
【０１４９】
本発明で使用する光触媒としては、上述した光触媒含有層と同様である。従って、ここでの説明は省略する。光触媒処理層における、前述の二酸化チタンに代表される光触媒の作用機構は、必ずしも明確なものではないが、光の照射によって生成したキャリアが、近傍の化合物との直接反応、あるいは、酸素、水の存在下で生じた活性酸素種によって、有機物の化学構造に変化を及ぼすものと考えられている。本発明においては、このキャリアが光触媒処理層上で接触する分解除去層中の化合物に作用を及ぼすものであると思われる。
【０１５０】
光触媒のみからなる光触媒処理層の場合は、分解除去層に対する分解除去の効率が向上し、処理時間の短縮化等のコスト面で有利である。一方、光触媒とバインダとからなる光触媒処理層の場合は、光触媒処理層の形成が容易であるという利点を有する。
【０１５１】
光触媒のみからなる光触媒処理層の形成方法としては、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法等の真空製膜法を用いる方法を挙げることができる。真空製膜法により光触媒処理層を形成することにより、均一な膜でかつ光触媒のみを含有する光触媒処理層とすることが可能であり、これにより分解除去層の分解除去を速やか行うことが可能である。
【０１５２】
▲２▼  基材
本発明においては、図５に示すように、光触媒処理層基材は、少なくとも基材とこの基材上に形成された光触媒処理層とを有するものである。
【０１５３】
この際、用いられる基材を構成する材料は、後述する撥液性部形成工程におけるエネルギーの照射方向により適宜選択される。
【０１５４】
すなわち、例えば分解除去層が形成されている基板は、透明な材料で形成されているため、分解除去層を有する基板側からエネルギーを照射する場合には基材は不透明でもよい。また、図５（ｄ）に示すように、フォトマスクを光触媒処理層基板側に介してパターン照射を行う場合には、光触媒処理層基材の基材は透明である必要がある。このように適宜対応して透明または不透明の基板を用いるかを選択すればよい。
【０１５５】
また本発明に用いられる基材は、可撓性を有するものであってもよいし、可撓性を有さないものであってもよい。これは、後述する撥液性部形成工程における照射方法により適宜選択されるものである。
【０１５６】
このように、本発明における光触媒処理層基材に用いられる基材は特にその材料を限定されるものではないが、本発明においては、この光触媒処理層基材は、繰り返し用いられるものであることから、所定の強度を有し、かつその表面が光触媒処理層との密着性が良好である材料が好適に用いられる。
【０１５７】
具体的には、ガラス、セラミック、金属、プラスチック等を挙げることができる。特に、図５（ｄ）に図示するように、フォトマスクを光触媒処理層基板側に介する場合は、透明な基材が要求されるため、石英ガラス、パイレックス（登録商標）ガラス、合成石英板等の可撓性のない透明なリジット材、あるいは透明樹脂フィルム、光学用樹脂板等の可撓性を有する透明なフレキシブル材等を挙げることができる。
【０１５８】
なお、基材表面と光触媒処理層との密着性を向上させるために、基材上にプライマー層を形成するようにしてもよい。このようなプライマー層としては、例えば、シラン系、チタン系のカップリング剤等を挙げることができる。
【０１５９】
２．絶縁層形成工程
次いで、少なくとも第１電極層を有する基板上に、前記第１電極層のエッジ部を覆うように絶縁層を形成する。
【０１６０】
本工程は、上述の本発明における他の実施態様における製造方法のなかで詳細に説明したことと同様であるためここでの説明は省略する。
【０１６１】
３．分解除去層形成工程
次に、本発明においては、上記光触媒処理層中の光触媒の作用により、分解除去される分解除去層を前記絶縁層形成工程により、絶縁層が形成された基板上に形成する。
【０１６２】
▲１▼  分解除去層
本実施態様における分解除去層は、光触媒の作用からエネルギー照射により分解除去される性質を有する層である。このような分解除去層を用い、分解除去層に光触媒の作用が及ぶように配慮した状態でエネルギーをパターン照射することにより容易に分解除去層をパターニングすることができる。さらに分解除去層に撥液性を保持させることにより、パターン状に形成された分解除去層を撥液性部として活用することができる。
【０１６３】
なお、分解除去層は、エネルギー照射による光触媒の作用により酸化分解され、気化等されることから、現像・洗浄工程等の特別な後処理なしに除去されるものであるが、分解除去層の材質によっては、洗浄工程等を行ってもよい。
【０１６４】
また、本実施態様においては、分解除去層を撥液性部として用いることから、分解除去層の発光層形成用塗工液との接触角が２０°以上であることが好ましい。
【０１６５】
これは、本発明において露光されない部分は分解除去層が残存する部分すなわち撥液性部となる。従って、分解除去層上の上述の塗工液に対する接触角が上記範囲より小さい場合は、撥液性が十分でなく、隣り合う発光層のパターンが混色するおそれがあるため好ましくない。
【０１６６】
このような分解除去層を形成する材料としては、例えば炭化水素系、フッ素系またはシリコーン系の非イオン界面活性剤を挙げることができる。
【０１６７】
さらに、上述した成分を必要に応じて他の添加剤とともに溶剤中に分散して塗布液を調製し、この塗布液を第１電極層および絶縁層が設けられた基板上に塗布することにより分解除去層を形成することができる。塗布はスピンコート、スプレーコート、ディッブコート、ロールコート、ビードコート等の公知の塗布方法により行うことができる。
【０１６８】
４．撥液性部形成工程
撥液性部形成工程は、前記分解除去層形成工程により形成された分解除去層と光触媒処理層とを接触させ（接触工程）、絶縁層上面にはエネルギーが照射されないようにエネルギーをパターン照射（エネルギー照射工程）することにより、分解除去層を有無のパターンに形成する工程である。
【０１６９】
以下、撥液性部形成工程を構成する接触工程とエネルギー照射工程について説明する。
【０１７０】
▲１▼  接触工程
本実施態様において、エネルギーを照射する際には、図５（ｄ）に示すように光触媒処理層５２と、分解除去層５３とが接触するように配置され、そのような接触状態を維持したままエネルギーを照射する必要がある。光触媒処理層中に含有される光触媒の作用を分解除去層に及ぼすためである。
【０１７１】
ここでいう接触とは、実質的に光触媒の作用が分解除去層表面に及ぶような状態で配置された状態をいうこととし、実際に物理的に接触している状態の他、所定の間隔を隔てて光触媒処理層と分解除去層とが配置された状態をも含む概念とする。
【０１７２】
ここで、上記所定の間隔としては、具体的には、０．２μｍ〜１０μｍの範囲内であり、好ましくは１μｍ〜５μｍの範囲内である。
【０１７３】
このように光触媒処理層と分解除去層表面とを所定の間隔で離して配置することにより、酸素と水および光触媒作用により生じた活性酸素種が脱着しやすくなる。すなわち、上記範囲より光触媒処理層と分解除去層との間隔を狭くした場合は、上記活性酸素種の脱着が困難となり、結果的に濡れ性の変化速度を遅くしてしまう可能性があることから好ましくなく、上記範囲より間隔を離して配置した場合は、生じた活性酸素種が分解除去層に届き難くなり、この場合も濡れ性の変化速度を遅くしてしまう可能性があることから好ましくないのである。
【０１７４】
本発明においては、このような接触状態は、少なくとも露光の間だけ維持されればよい。
【０１７５】
▲２▼  エネルギー照射工程
本発明においては、上述したような接触状態を維持した状態で、接触する部分へのエネルギー照射が行われる。また、容易に制御することが可能であることよりエネルギーとして光を用いることが好ましい。
【０１７６】
通常このような露光に用いる光の波長は、４００ｎｍ以下の範囲、好ましくは３８０ｎｍ以下の範囲から設定される。これは、上述したように光触媒処理層に用いられる好ましい光触媒が二酸化チタンであり、この二酸化チタンにより光触媒作用を活性化させるエネルギーとして、上述した波長の光が好ましいからである。
【０１７７】
このような露光に用いることができる光源としては、水銀ランプ、メタルハライドランプ、キセノンランプ、エキシマランプ、その他種々の光源を挙げることができる。
【０１７８】
また、露光に際してのエネルギーの照射量は、分解除去層表面が光触媒処理層中の光触媒の作用によりエネルギー照射領域の分解除去層が分解除去されるのに必要な照射量とする。
【０１７９】
５．光触媒処理層基材剥離工程
上述したようなエネルギー照射が終了すると、光触媒処理層基材が分解除去層との接触位置から離され、これにより図５（ｅ）に示すようにパターン状に形成された分解除去層が剥き出しになり、このパターン状の分解除去層を撥液性部とするものである。
【０１８０】
６．発光層形成工程
発光層形成工程は、上記撥液性部形成工程により形成された撥液性部が形成されている以外の位置に、つまり第１電極層上および絶縁層の上面端部に這い上がるように発光層を形成する工程である。
【０１８１】
本工程においては、上述の第１実施態様の製造方法等により説明したことと同様であるためここでの説明は省略する。
【０１８２】
７．第２電極層形成工程
第２電極層形成工程は、前記発光層形成工程により形成された発光層上を覆うように第２電極層を形成する工程である。本工程においても上述の第１実施態様の製造方法等により説明したことと同様であるためここでの説明は省略する。
【０１８３】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【０１８４】
【実施例】
以下に実施例を示し、本発明をさらに説明する。
【０１８５】
［実施例１］
（発光層形成用塗工液の調整）
下記の組成の塗工液を調整した。
・ポリビニルカルバゾール…７重量部
・発光色素（Ｒ、Ｇ、Ｂ）…０．１重量部
・オキサジアゾール化合物…３重量部
・トルエン…９９０重量部
上記溶液の粘度を測定したところ、粘度は１０ｃｐｓであった。
【０１８６】
（ＥＬ素子の作製）
ガラス上に透明電極（ＩＴＯ）を形成し、感光性材料を用いて透明電極上に幅２０μｍ、ライン幅間１００μｍのストライプ状の絶縁層を形成した。
【０１８７】
その後、ストライプ状の絶縁層上に、感光性材料にフッ素系改質剤（モディバーＦ２００、日本油脂製）を２ｗｔ％添加したもので、幅１６μｍの撥水性の隔壁を作製した。その後、正孔注入材料溶液をスピンコート法またはディスペンサー法を用いて絶縁層間に塗布し乾燥、正孔注入層を形成した。その後、インクジェット法を用いて絶縁層間にＲＧＢのインクを吐出、塗布した。その後、第２電極層を形成し電圧を印可したところ、ＲＧＢ３色とも混色なく発光が確認された。
【０１８８】
［比較例１］
実施例中の撥水性隔壁中にフッ素系改質剤を添加しない以外は同様にして基板を作製し、ＥＬ素子を作製した。発光は確認されたが、一部、ＲＧＢが混色した。
【０１８９】
［実施例２］
ガラス上に透明電極（ＩＴＯ）を形成し、感光性材料を用いて透明電極上に幅２０μｍ、ライン幅間１００μｍのストライプ状の絶縁層を形成した。その後、光触媒含有層を形成し、パターン状にＵＶ露光を行った。ＵＶ照射部にインクジェット法を用いてＲＧＢのインクを吐出塗布した。その後、第２電極層を形成し電圧を印可したところ混色なく発光が確認された。
【０１９０】
（光触媒含有層の製造方法）
イソプロピルアルコール３重量部とアナタ−ゼ型チタニアゾル２重量部を混合し、９０℃で１０分間攪拌した後、フルオロアルキルシラン０．４２重量部をさらに混合し、９０℃で１０分間攪拌し、さらにイソプロピルアルコールで２．５倍に希釈した溶液を得た。この溶液を絶縁層付き基板上に２５００ｒｐｍでスピンコートを行い光触媒含有層を形成した。
【０１９１】
［実施例３］
ガラス上に透明電極（ＩＴＯ）を形成し、感光性材料を用いて透明電極上に幅２０μｍ、ライン幅間１００μｍのストライプ状の絶縁層を形成した。その後、光触媒処理層を形成し酸化チタンを付着させた露光用マスクを用いパターン状にＵＶ露光を行った。ＵＶ照射部にインクジェット法を用いてＲＧＢのインクを吐出塗布した。その後、第２電極層を形成し、電圧を印可したところ混色なく発光が確認された。
【０１９２】
（光触媒処理層の製造方法）
光触媒含有層の製造方法において、チタニアゾルを添加する以外は同様の方法で形成した。
【０１９３】
【発明の効果】
本発明によれば、絶縁層の上面に撥液性部を設けることにより、絶縁層側面は撥液性を保持していないため、発光層を絶縁層間に形成する際、絶縁層と発光層との境界において、僅かな隙間や、発光層の膜厚ムラが形成されることが回避され、これらを要因とする短絡等の不具合を解消することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明におけるＥＬ素子の一例を示した概略断面図である。
【図２】本発明におけるＥＬ素子の他の例を示した概略断面図である。
【図３】本発明におけるＥＬ素子の製造方法の一例を示した概略工程図である。
【図４】本発明におけるＥＬ素子の製造方法の他の例を示した概略工程図である。
【図５】本発明におけるＥＬ素子の製造方法の他の例を示した概略工程図である。
【図６】従来のＥＬ素子の一例を示した概略断面図である。
【符号の説明】
１  …  基板
２  …  第１電極層
３  …  絶縁層
４  …  発光層
５  …  撥液性部
６  …  第２電極層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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