(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液により基板を処理する基板処理装置であって、
基板処理により生じた排液を排出する排出路と、
前記排出路中の排液に含まれる有機溶剤を分解する分解剤を前記排出路に供給する分解剤供給手段と、
分解剤による有機溶剤の分解能力を維持または促進する分解補助剤を前記排出路に供給する分解補助剤供給手段と、
前記有機溶剤を含む排液が前記排出路に流れる期間とほぼ同期間、前記分解剤供給手段により分解剤を前記排出路に供給させるとともに、前記分解補助剤供給手段により分解補助剤を前記排出路に供給させる制御手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
基板に所定の処理を行うための基板処理部と、
前記基板処理部に処理液を供給する処理液供給手段と、
をさらに備え、
前記排出路は、前記基板処理部における基板処理により生じた排液を排出することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記基板処理部は、第１の基板処理を行うための第１の基板処理部と、第２の基板処理を行うための第２の基板処理部とを備え、
前記排出路は、前記第２の基板処理部における基板処理により生じた排液を排出し、
前記処理液供給手段は、前記第１の基板処理部に処理液を供給し、
前記分解剤供給手段は、前記処理液供給手段から分岐され、分解剤となる処理液を前記排出路に供給することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記有機溶剤がイソプロピルアルコールであることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記分解剤がオゾン水であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記分解剤がオゾン水であり、
前記分解補助剤が酸性溶液であることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に所定の処理を行う基板処理装置において、有機溶剤を含む排液の処理技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体基板などの処理を行う基板処理装置においては、基板の表面に対して洗浄などの処理を施した後、その表面を乾燥させる必要がある。この乾燥工程において広く使用されている技術として、イソプロピルアルコール（以下、「ＩＰＡ」とも呼ぶ）の蒸気を基板上に噴射し、ＩＰＡ蒸気の気化を利用して基板上の水分の除去を行う手法が広く利用されている。
【０００３】
しかし、ＩＰＡは、常温で気化し易い引火性物質であり、また、ＩＰＡ蒸気を吸入すると健康への影響が生じる有害物質である。そのため、基板処理装置から排出されたＩＰＡを含む排液を廃棄する場合、この有害物質であるＩＰＡを除去する必要がある。
【０００４】
従来、ＩＰＡを含む排液処理として、触媒や生物による酸化分解による方法が知られている。これらの方法では、触媒、生物による酸化分解を用いることにより、排液に含まれるＩＰＡを無害な二酸化炭素、水等に分解する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、これらの従来方法では、排液処理設備の設置場所の確保が必要となり、かつ、設備費用の負担も増大するといった問題がある。
【０００６】
また、ＩＰＡを使用しない乾燥処理も提案されているが、この処理ではウォータマーク低減の点でＩＰＡに劣るといった問題点が確認されている。
【０００７】
そして、このような問題は、ＩＰＡを用いた乾燥処理に限らず、有機溶剤を使用する基板処理一般において生じる問題である。
【０００８】
そこで、本発明では、基板処理により排出される排液に含まれる有機溶剤を分解する排液処理を備える基板処理装置を、余分な設備を必要とせず、安価に提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決すべく、請求項１に記載の発明は、処理液により基板を処理する基板処理装置であって、基板処理により生じた排液を排出する排出路と、前記排出路中の排液に含まれる有機溶剤を分解する分解剤を前記排出路に供給する分解剤供給手段と、分解剤による有機溶剤の分解能力を維持または促進する分解補助剤を前記排出路に供給する分解補助剤供給手段と、前記有機溶剤を含む排液が前記排出路に流れる期間とほぼ同期間、前記分解剤供給手段により分解剤を前記排出路に供給させるとともに、前記分解補助剤供給手段により分解補助剤を前記排出路に供給させる制御手段とを備えることを特徴とする。
【００１２】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、基板に所定の処理を行うための基板処理部と、前記基板処理部に処理液を供給する処理液供給手段と、をさらに備え、前記排出路は、前記基板処理部における基板処理により生じた排液を排出することを特徴とする。
【００１３】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の基板処理装置であって、  前記基板処理部は、第１の基板処理を行うための第１の基板処理部と、第２の基板処理を行うための第２の基板処理部とを備え、前記排出路は、前記第２の基板処理部における基板処理により生じた排液を排出し、前記処理液供給手段は、前記第１の基板処理部に処理液を供給し、前記分解剤供給手段は、前記処理液供給手段から分岐され、分解剤となる処理液を前記排出路に供給することを特徴とする。
【００１６】
請求項４に記載の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記有機溶剤がイソプロピルアルコールであることを特徴とする。
【００１７】
請求項５に記載の発明は、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記分解剤がオゾン水であることを特徴とする。
【００１８】
請求項６に記載の発明は、請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記分解剤がオゾン水であり、前記分解補助剤が酸性溶液であることを特徴とする。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について詳細に説明する。また、以下の説明では特に定義しない限り、フッ酸、純水、ＩＰＡ等を総称して処理液とも呼ぶ。
【００２０】
＜１．基板処理装置の概略構成＞
図１は本発明の実施の形態にかかる基板処理装置１００の概念的な要部正面図である。この基板処理装置１００は、フォトレジスト膜へのパターン露光処理および現像処理が終了した半導体基板（ウエハ）について、オゾン水によりレジスト膜を剥離させた後、その基板を純水によって洗浄し、基板上の水分をＩＰＡにより乾燥させる処理を行う装置である。
【００２１】
図１に示すように、基板処理装置１００は、複数の基板処理ユニット１，２を有する基板処理部１０と、基板Ｗを保持して搬送する搬送用ロボットＴＲとを備えている。このうち、第１の基板処理ユニット１は基板Ｗに対するレジスト膜剥離処理に使用され、第２の基板処理ユニット２は基板Ｗの洗浄処理および乾燥処理に使用される。
【００２２】
基板処理部１０には、給排ラインＬ１，Ｌ２を介して給排部Ｌが接続されている。給排部Ｌは、工場ラインＬＥを介して工場設備に伸びている。これらの搬送用ロボットＴＲ、基板処理部１０および給排部Ｌを含む各部は、制御ユニット３によって制御される。
【００２３】
＜２．細部構成＞
搬送用ロボットＴＲは、水平移動自由度を有するとともに、複数（たとえば１ロット分）の基板Ｗを把持可能である。パターン露光装置および現像処理後の基板Ｗは、この搬送用ロボットＴＲによって第１の基板処理ユニット１の上方に水平搬送され、この第１の基板処理ユニット１内に搬入される。第１の基板処理ユニット１でのレジスト膜剥離処理後、基板Ｗは第１の基板処理ユニット１から搬出され、搬送用ロボットＴＲに受け渡され、矢印ＡＲで示す水平搬送を経て第２の基板処理ユニット２内に搬入される。第２の基板処理ユニット２内で基板Ｗの洗浄処理と乾燥処理とが行われた後、第２の基板処理ユニット２から搬出された基板Ｗは搬送用ロボットＴＲによってインデクサ（図示ぜす）側に搬出される。
【００２４】
図２に示すように、第１の基板処理ユニット１は、その内部に処理槽１１、昇降機構１２等を収容する筐体である。第１の基板処理ユニット１の上部は図示を省略するスライド式開閉機構によて開閉可能とされている。第１の基板処理ユニット１の上部を開放した状態では、その開放部分から図１の搬送用ロボットＴＲを介して第１の基板処理ユニット１への基板Ｗの搬出入を行うことができる。また、第１の基板処理ユニット１の上部を閉鎖した状態では、その内部を略密閉空間となり、処理槽１１に貯留された剥離用処理液に汚染物質が流入するのを防止するとともに、第１の基板処理ユニット１内の雰囲気が外部に漏洩することを防止される。
【００２５】
処理槽１１は、その中に貯留させた剥離用処理液に基板Ｗを浸漬し、基板Ｗの上に形成されたレジスト膜を剥離する処理に使用される。処理槽１１の底部近傍には２本の供給ノズル１３が配置されており、後述する各種の剥離用処理液供給源から供給ノズル１３を介して処理層１１内に剥離用処理液を供給することができる。また、剥離用処理液は処理槽１１の底部から供給されて、処理槽１１の上端部から溢れ出る。このため、処理槽１１の上端部には回収部１４が配置されており、処理槽２１からオーバーフローした剥離用処理液の排液は回収部１４において回収され、排出路４ａ、４ｃと工場ラインＬＥとを介して装置１００の外部へ排出される。処理槽１１の底部に設けた電磁バルブ（以下「バルブ」と略称）４４を開放することにより、処理槽１１に貯留した使用済の剥離用処理液の排液も排出路４ａに排出される。なお、この排出路４ａを含めて、以下に説明する液体の供給路や排出路は配管によって構成されている。
【００２６】
昇降機構１２は、処理槽１１に貯留されている剥離用処理液に基板Ｗを浸漬させる機構である。搬送用ロボットＴＲ（図１）により搬送された基板Ｗを受け取る際には、昇降機構１２は第１の基板処理ユニット１の上部を開放した状態で、第１の基板処理ユニット１内の点線位置まで移動する。次に、その点線位置で、昇降機構１２は、搬送用ロボットＴＲから基板Ｗを受け取って保持し、処理槽１１内の剥離用処理液（オゾン水と純水）に基板Ｗを浸漬させる。
【００２７】
また、剥離処理後においては、昇降機構１２は基板Ｗを保持したまま点線位置まで上昇し、搬送用ロボットＴＲに基板Ｗを受け渡す役割も担っている。
【００２８】
一方、第２の基板処理ユニット２のうち、処理槽２１、昇降機構２２、２本の供給ノズル２３、回収部２４およびバルブ４５は、それぞれ第１の基板処理ユニット１２の処理槽１１、昇降機構１２、供給ノズル１３、回収部１４およびバルブ４４と同様の構成となっている。ただし、第２の基板処理ユニット２の供給ノズル２３からは洗浄用処理液としてのフッ酸、塩酸および純水が所定の順序で相互置換的に供給され、処理槽２１ではこれらの洗浄用処理液による基板の洗浄が順次に行われる。
【００２９】
第２の基板処理ユニット２に固有の構成として、洗浄後の基板Ｗの乾燥処理に使用する２本のＩＰＡ供給ノズル２５が処理槽２１の上方斜め上に設けられており、ＩＰＡ供給源７１からヒータ８１を介して処理槽２１内にＩＰＡ蒸気を供給することができる。純水洗浄後の基板Ｗを純水の液面から引き上げつつ、ＩＰＡ供給ノズル２５から基板Ｗに向けてＩＰＡ蒸気を吹き付けることにより、ＩＰＡ蒸気の気化にともなって基板Ｗの洗浄液成分が除去される。この際に、第２の処理ユニット２内の気圧は減圧される。そして、ＩＰＡ蒸気の吹き付けの際にＩＰＡ蒸気が洗浄用処理液（純水）に混入するため、第２の基板処理ユニット２からの排液にはＩＰＡが含まれている。以下、ＩＰＡを含む排液を「ＩＰＡ排液」と呼ぶ。
【００３０】
この排液は、回収部２４からオーバーフローしたものと、洗浄処理完了後にバルブ４５を開放した際に処理槽２１の底から流出したものとがあるが、これら双方の排出経路は途中で合流して排出路４ｂとなっている。
【００３１】
第２の基板処理ユニット２で乾燥された後の基板Ｗは、昇降機構２２によって搬送用ロボットＴＲに受け渡され、インデクサ（図示せず）に搬出される。
【００３２】
処理液の供給源としては、ＩＰＡ供給源７１，オゾン水供給源７２，塩酸供給源７３、フッ酸供給源７４および純水供給源７５が存在する。これらの処理液供給源は装置１００が独自に持っていてもよく、工場配管から取得してもよい。
【００３３】
給排部Ｌの構成と各処理液の供給先との関係は、以下の通りである。
【００３４】
ＩＰＡ供給源７１には、ヒータ８１を介してバルブ６１が設けられ、このバルブ６１は、ＩＰＡ供給路６によって、第２の基板処理ユニットの２本のＩＰＡ供給ノズル２５に接続されている。
【００３５】
オゾン水供給源７２の排出口側に接続された供給路は第１と第２の分岐管５ａ、４ｄに分かれており、このうち第１の分岐管５ａは第１の基板処理ユニット１への処理液供給路５に接続されている。第２の分岐管４ｄはバルブ４２を介して供給路４ｆに至る。この供給路４ｆは排出路４ｃの途中に開口する。
【００３６】
塩酸供給源７３の排出口からの供給路も第１と第２の分岐管５ｂ、４ｅに分かれている。バルブ５３から伸びる第１の分岐管５ｂは、第２の基板処理ユニット２への処理液供給路７に接続されている。また、第２の分岐管４ｅはバルブ４３を介して供給路４ｆに至り、この部分において、塩酸は分岐管４ｄから供給されるオゾン水と混合される。
【００３７】
フッ酸供給源７４の排出口にはバルブ５４が設けられ、このバルブ５４を開放することにより供給されるフッ酸は、バルブ５４，処理液供給路５ｃ、７およびバルブ５１ｂを介して第２の基板処理ユニット２の供給ノズル２３に供給される。
【００３８】
純水供給源７５の排出口からの供給路は２つに分岐し、第１の分岐管５ｄは第１の基板処理ユニット１への処理液供給路５に接続されている。また、第２の分岐管５ｅは、第２の基板処理ユニット２への処理液供給路７に接続されている。
【００３９】
これらのうち、供給路４ｄ、供給路４ｆを介して排出路４ｃへ与えられるオゾン水は、第２の基板処理ユニット２からの排液に含まれるＩＰＡを分解する作用を有し、供給路４ｅを介してオゾン水と混合する塩酸はオゾン水の劣化を防止することによってオゾン水によるＩＰＡの分解を補助する作用を有する。
【００４０】
すなわち、オゾン水のうち、第１の基板処理ユニット１に供給される部分は基板の処理液として使用され、排液の排出路４ｃに供給される部分は、第２の基板処理ユニット２からの排液中に含まれるＩＰＡの分解剤として使用される。
【００４１】
また、塩酸のうち、第２の基板処理ユニット２の処理槽２１の内部に供給される部分は基板の処理液（洗浄液）として使用され、排液の排出路４ｃに供給される部分は、第２の基板処理ユニット２からの排液中に含まれるＩＰＡに対する分解補助剤として使用される。
【００４２】
排出路４ｃに与えられるオゾン水と塩酸との混合液を、以下では「ＩＰＡ排液処理剤」とも呼ぶ。
【００４３】
一方、制御ユニット３は、プログラムや変数等を格納するメモリ３１と、メモリ３１に格納されたプログラムに従った制御を実行するＣＰＵ３２とを備えている。ＣＰＵ３２は、メモリ３１に格納されているプログラムに従って、搬送用ロボットＴＲの搬送制御や、昇降機構１２，２２の昇降制御、それに処理液の供給や排液のドレンのためのバルブ制御を所定のタイミングで行う。
【００４４】
＜３．処理シーケンス＞
(1)  レジスト膜剥離処理
第１の基板処理ユニット１におけるレジスト剥離処理では、
1)  バルブ５２を開放することによってオゾン水供給源７２から第１の分岐管５ａを介して供給されるオゾン水と、
2)  バルブ５５ａを開放することによって純水供給源７５から第１の分岐管５ｄを介して供給される純水と、
を、処理液供給バルブ５１ａを介して供給ノズル１３の吐出孔から処理槽１１内に吐出する。これにより、処理槽１１内に剥離用処理液が貯留される。そして、この剥離用処理液内に基板Ｗを浸漬させることにより、基板Ｗのレジスト膜剥離処理を実行する。また、この後に、純水によって基板Ｗに付着したオゾン水を除去する。
【００４５】
このレジスト膜剥離処理において、処理槽１１に上記の剥離用処理液が供給され続けているので、処理槽１１上端からは、剥離用処理液が溢れ出し続けている。処理槽１１から溢れ出した剥離用処理液は、処理槽１１の上端部に配置された回収部１４によって回収される。このとき、バルブ４１は開放された状態になっており、剥離用処理液は排出路４ａ、４ｃを介してこの装置１００の外部へ排出される。
【００４６】
剥離処理終了後、基板Ｗは昇降機構１２により、処理槽１１から上昇し、第１の基板処理ユニット１の上部の図示を省略するスライド式開閉機構を介して搬送用ロボットＴＲに受け渡される。
【００４７】
また、ドレンバルブ４４を開放することにより、処理槽１１に貯留されている剥離処理後の処理液は、排液として排出路４ａ、４ｃを介して装置１００の外部へ排出される。
【００４８】
第１の基板処理ユニット１からの排液が生じる期間のうち、第２の基板処理ユニット２からのＩＰＡ排液のドレン期間と重ならない部分では、排出路４ｃ中にＩＰＡ排液処理剤を供給するバルブ４２，４３は閉鎖されたままである。したがって、このような第１の基板処理ユニット１単独での排液のドレン期間においては、排出路４ｃにはＩＰＡ排液処理剤は供給されない。第１の基板処理ユニット１からの排液ドレン期間のうち、第２の基板処理ユニット２からの排液ドレン期間と重なる部分に関しては、後に説明する。
【００４９】
(2)  洗浄処理
上記のようにしてレジストが剥離された後の基板Ｗは、搬送用ロボットＴＲおよび昇降機構２２を用いて第２の基板処理ユニット２における処理槽２１に搬入され、この処理槽２１において洗浄処理が行われる。
【００５０】
この洗浄処理は、
1)  フッ酸による基板洗浄、
2)  純水による処理槽２１内のフッ酸の置換的なドレン、
3)  塩酸による基板洗浄、
4)  純水による処理槽２１内の塩酸の置換的なドレン、
5)  純水による基板洗浄、
が順次に実行される。フッ酸は、バルブ５４、５１ｂを開放することによってフッ酸給源７４から供給ノズル２３を介して、処理槽２１に供給され、塩酸はバルブ５３、５１ｂを開放することによって供給ノズル２３を介して処理槽２１に塩酸供給源７３から供給される。また、純水は、バルブ５５ｂ、５１ｂを開放することによって純水供給源７５から供給ノズル２３を介して処理槽２１に供給される。
【００５１】
これらの各洗浄の期間において、処理槽２１から溢れ出した洗浄液は、処理槽２１の上端部に配置された回収部２４によって回収される。排出路４ｃ間のバルブ４１はこの期間および後記の乾燥処理の期間を通じて開放されており、回収部２４において回収された処理液は、排出路４ｂ、４ｃを介して装置１００の外部に排出される。
【００５２】
上記の洗浄期間において回収部２４から溢れ出る排液にはＩＰＡは含まれていない。したがって、この期間においては、ＩＰＡ排液処理剤を排出路４ｃに供給するためのバルブ４２，４３は閉鎖されたままである。
【００５３】
純水洗浄が完了すると基板Ｗは昇降機構２２を用いて処理槽２１から引き上げられるが、この期間では下記の乾燥処理が並行して行われる。
【００５４】
(3)  乾燥処理および排液処理
図３は、洗浄用処理液が処理槽２１から溢れ出す時点ｔ0からの期間における、各バルブの制御を示す説明するタイミングチャートであり、横軸に時刻ｔを、縦軸に各バルブの開閉状態を示している。なお、図３に図示された期間において、第１の基板処理ユニット１への各種処理液の供給バルブ５１ａ，５２，５５ａの開閉は第１の基板処理ユニット１での処理シーケンスに従って定まる。
【００５５】
乾燥処理を開始する時点ｔ0において、ＩＰＡ供給源７１に連通するバルブ６１が開放され、ＩＰＡが供給ノズル２５から霧状に第２の基板処理ユニット２の内部に噴出しはじめる。これによって生じるＩＰＡ蒸気が基板Ｗの表面に供給され、基板Ｗの表面に付着した純水が乾燥しはじめる。
【００５６】
ＩＰＡ供給の開始と同期して、オゾン水用の第２の分岐管４ｄの供給バルブ４２と塩酸用の第２の分岐管４ｅの供給バルブ４３とが開放され、オゾン水と塩酸とが供給路４ｆで混合されて、排出路４ｃに吐出しはじめる。処理槽２１からオーバーフローして回収部２４に回収され、排出路４ｂ，４ｃへと排出される排液にはＩＰＡが混入しはじめるが、この排液はＩＰＡ排液となり、このＩＰＡ排液にＩＰＡ分解剤（オゾン水）とＩＰＡ分解補助剤（塩酸）との混合液としてのＩＰＡ排液処理剤が混入し、排出路４ｃ中においてＩＰＡ排液中のＩＰＡは、無害な二酸化炭素と水とに分解される。
【００５７】
時刻ｔ1においてＩＰＡの供給バルブ６１が閉鎖され、ＩＰＡの供給が停止する。この時刻ｔ1は、基板Ｗの乾燥が実質的に完了し、基板Ｗが第２の基板処理ユニット２から搬出される時刻に相当する。また、この時点ｔ1において純水供給バルブ５５ｂが閉鎖され、ドレンバルブ４５が開放される。したがって、処理槽２１から、使用済の純水が流出しはじめる。
【００５８】
排出される処理槽２１内の純水にはＩＰＡが混入しており、ドレンバルブ４５を介して排出される排液はＩＰＡ排液である。ＩＰＡ排液処理剤としてのオゾン水と塩酸との供給はこの期間でも行われており、排出路４ｃ中におけるＩＰＡ排液の分解はこの時点でも継続している。
【００５９】
ドレンバルブ４５付近に配置された図示しないセンサにより、このドレンバルブ４５付近を流れる排液がなくなり、処理槽２１からの排液が排出が完了したことが検出された時刻から所定時間が経過した時点ｔ2において、ドレンバルブ４５が閉鎖される。その後、時刻ｔ3において、排出路４ｃに対するＩＰＡ排液処理剤の供給は停止する。時刻ｔ3から時刻ｔまでの期間は、ドレンバルブ４５より下流側の排出路をＩＰＡ排液が流れきるまでの遅延時間に応じて決定され、この遅延時間の大きさはあらかじめ実験的に求めておく。
【００６０】
このように、図３に示す開閉タイミングによりバルブ４２、４３を制御することにより、ＩＰＡ排液処理剤として作用する、オゾン水と塩酸との混合液を、排出路４ｃに対して必要分だけ供給することができる。
【００６１】
＜４．実施形態の基板処理装置の利点＞
以上の実施の形態において、基板処理装置１００は、排出路４ｃにＩＰＡ分解剤としてのオゾン水を供給し、オゾン水の分解能力によりＩＰＡ排液に含まれる有害な有機溶剤であるＩＰＡを無害な二酸化炭素および水に分解することができるため、排液処理使用する設備のための場所を装置外部に確保する必要がなく、排液処理のための設備費用の負担を低減することができる。
【００６２】
さらに、オゾン水だけでなく塩酸をさらに混合してＩＰＡ排液に供給することにより、オゾン水の自己分解が抑制されて、オゾン水によるＩＰＡを分解する能力を、オゾン水のみにより分解する場合と比較して長時間にわたって維持することができる。
【００６３】
ＩＰＡ排液処理剤はＩＰＡ排液が排出路を流れる期間とほぼ同期間だけ排出路に供給するため、常時にＩＰＡ排液処理剤を排液排出路に供給する場合と比較して、ＩＰＡ排液処理剤の無駄な消費が少ない。
【００６４】
また、第１の基板処理ユニット１での基板処理で使用するオゾン水の供給経路からの分岐によってＩＰＡ排液処理剤を得る共用構成としているため、ＩＰＡ廃液処理剤について装置１００内に独立した２系統の供給経路を設ける必要がなく、基板処理装置１００の装置構成を簡便化できる。
【００６５】
＜５．変形例＞
ＩＰＡ排液処理剤の成分としてのオゾン水および塩酸は、工場内の他の基板処理装置に関連して設けられるオゾン水および塩酸の供給源から供給することも可能である。
【００６６】
ＩＰＡの分解補助剤としては、塩酸以外の酸性溶液（たとえば酢酸）であってもよい。また、ＩＰＡの分解補助剤は、オゾン水の分解能力を維持するものだけでなく、オゾン水の分解能力を促進（活性化）するもの、たとえばオゾン水に、酸化還元電位がより高いヒドロキシルラジカルを生成させる過酸化水素水などであってもよい。
【００６７】
他の基板処理ユニットと共用される液体は、分解剤と分解補助剤とのうちの一方だけであってもよく、両方であってもよい。
【００６８】
また、この発明は、ＩＰＡに限らず、基板処理装置に利用される種々の有機溶剤の処理に利用できる。
【００６９】
【発明の効果】
請求項１ないし請求項６に記載の発明によれば、排液に含まれる有機溶剤の分解を基板処理装置に付随する排出路中で行っており、有機溶剤の分解を行うための特別な設備を基板処理装置の外部に必要としないため、排液処理に使用する設備ための場所を確保する必要がなく、かつ排液処理のための設備費用の負担を低減することができる。
【００７０】
また、請求項１ないし請求項６に記載の発明によれば、排液に対して、分解剤だけでなく、さらに分解補助剤を混合することにより、分解剤の分解能力を維持または高めることができるため、排液に含まれる有機溶剤を効率的に分解することができる。
【００７１】
請求項２および請求項３に記載の発明によれば、さらに、基板処理と排液処理とで共通する液体を共用することによって、装置の構成を簡単化できる。
【００７２】
特に、請求項８および請求項９に記載の発明によれば、分解剤として酸化力が強く、また、環境への影響の少ないオゾン水を使用するため、排液に含まれる有機溶剤を効率的に分解することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施形態としての基板処理装置の概念的な要部正面図である。
【図２】図１の基板処理装置の要部詳細図である。
【図３】給排液部のバルブのそれぞれの開閉状態の一例を示すタイミングチャートである。
【符号の説明】
１００  基板処理装置
１  第１の基板処理ユニット
２  第２の基板処理ユニット
１０  基板処理部
１１，２１  処理槽
１２、２２  昇降機構
１３，２３，２５  供給ノズル
１４、２４  回収部
ＴＲ  搬送用ロボット
Ｗ  基板
【図１】
0004212804.tif 000002
【図２】
0004212804.tif 000003
【図３】
0004212804.tif 000004