(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）：
【化１】
0004216931.tif 000006
（式中、Ｒ１は水素原子を表わし、Ｒ２は水素原子または有機残基を表す）
で表されるα−ヒドロキシアルキルアクリル酸エステル類を、不斉水素化反応させ、下記一般式（２）：
【化２】
0004216931.tif 000007
（式中Ｒ１は水素原子を表わし、Ｒ２は水素原子または有機残基を表し、＊は不斉炭素を表す）
で表される光学活性な３−ヒドロキシイソブタン酸エステル類の製造方法であって、
不斉水素化反応が
不斉ホスフィン配位子と
ロジウム、ルテニウム、イリジウムおよびパラジウムから選ばれる１種以上の遷移金属との錯体を触媒に用いることを特徴とする光学活性な３−ヒドロキシイソブタン酸エステル類の製造方法。
【請求項２】
前記不斉水素化反応が、
α−ヒドロキシアルキルアクリル酸エステル類１モルに対して０．１〜０．０００５モルの範囲内の触媒の存在下
１〜６０気圧の範囲内の水素雰囲気下、
１０〜１００℃の範囲内で
反応を行なう請求項１に記載の光学活性な３−ヒドロキシイソブタン酸エステル類の製造方法。
【請求項３】
前記不斉ホスフィン配位子が
Ｒ−またはＳ−２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（Ｒ−，Ｓ−ＢＩＮＡＰ）、または
（４Ｒ，５Ｒ）−または（４Ｓ，５Ｓ）−（（−）−または（＋））−４，５−ビス（ジエチルホスフィノメチル）−２，２’−ジメチル−１，３−ジオキソラン（（−）−，（＋）−ＤＩＯＰ）
である請求項１または２に記載の光学活性な３−ヒドロキシイソブタン酸エステル類の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光学活性な３−ヒドロキシイソブタン酸エステル類の製造方法に関する。光学活性な３−ヒドロキシイソブタン酸エステル類は、例えば、医農薬、香料、食品添加剤、化粧品分野、生分解性高分子および液晶分野での中間体原料として有用であり、例えば、血圧降下剤であるカプトプリルの合成等に用いられる有用な化合物である。
【０００２】
【従来の技術】
現在知られている光学活性な３−ヒドロキシイソブタン酸エステル類の製造方法としては、例えば、ファインケミカル，vol.26，No.8，30（1997）には、キャンディダ属等の微生物の代謝経路を利用して、イソ酪酸から光学活性な３−ヒドロキシイソブタン酸エステル類を得る方法が記載されている。
【０００３】
また、国際公開95／34525号公報には、ラセミ体の３−ヒドロキシイソブタン酸エステル類を不斉加水分解酵素により、光学活性なカルボン酸エステルとその対掌カルボン酸に分割する光学活性な３−ヒドロキシイソブタン酸エステル類を得る方法が記載されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、微生物の代謝経路を利用する光学活性な３−ヒドロキシイソブタン酸エステル類の製造方法では、補酵素の再生系が必要であり、エネルギー源としてＡＴＰが必須となるため、代謝系を活性化するため、好気的条件下にグルコース等のエネルギー源を補給しながら培養する必要がある。従って、培養に時間がかかる，高濃度生産が困難である，無菌状態が必要である，菌体の再利用が困難である等の問題点を有している。
【０００５】
また、加水分解酵素による製造方法では、目的物の光学活性体を得る手段として、一旦ラセミ体を合成し、これを光学分割する方法を用いているため、工程数が長く、さらには、目的とする光学活性体の収率が最大５０％であり、製品を大量生産する場合において、生産効率や製造原価の点で充分であるとは言えない。
【０００６】
一方、α−ヒドロキシアルキルアクリル酸エステル類は、高重合性の化合物であり、水素化反応のごとき低酸素状態の反応では、重合等の副反応により、目的物の収率が低下するといった問題点を有しており、光学活性な３−ヒドロキシイソブタン酸エステル類を製造する原料としてα−ヒドロキシアルキルアクリル酸エステル類を用いた例はこれまで知られていない。
【０００７】
本発明は、上記のごとき状況に鑑みてなされたものであり、光学活性な３−ヒドロキシイソブタン酸エステル類を、不斉水素化反応により、効率的に製造する方法を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、効率的に光学活性な３−ヒドロキシイソブタン酸エステル類を製造する方法を見いだすべく鋭意研究を重ねた結果、α−ヒドロキシアルキルアクリル酸エステル類を不斉水素化反応に付すことにより、目的物の光学活性体が従来法よりも著しく短工程で効率的に得られることを見いだし本発明を完成させた。
【０００９】
即ち本発明は、下記一般式（1）：
【００１０】
【化３】
0004216931.tif 000002
【００１１】
（式中Ｒ1、Ｒ2はそれぞれ独立して、水素原子または有機残基を表す）
で表されるα−ヒドロキシアルキルアクリル酸エステル類を、不斉水素化反応させることを特徴とする、下記一般式（２）：
【００１２】
【化４】
0004216931.tif 000003
【００１３】
（式中Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ独立して、水素原子または有機残基を表し、＊は不斉炭素を表す）
で表される光学活性な３−ヒドロキシイソブタン酸エステル類の製造方法であって、
前記不斉水素化反応が
不斉ホスフィン配位子と
ロジウム、ルテニウム、イリジウムおよびパラジウムから選ばれる１種以上の遷移金属からなる、
錯体を触媒に用いることを特徴とする光学活性な３−ヒドロキシイソブタン酸エステル類の製造方法である。
【００１４】
また本発明は下記一般式（１）：
【化１】
0004216931.tif 000004
（式中、Ｒ１は水素原子を表わし、Ｒ２は水素原子または有機残基を表す）
で表されるα−ヒドロキシアルキルアクリル酸エステル類を、不斉水素化反応させ、下記一般式（２）：
【化２】
0004216931.tif 000005
（式中Ｒ１は水素原子を表わし、Ｒ２は水素原子または有機残基を表し、＊は不斉炭素を表す）
で表される光学活性な３−ヒドロキシイソブタン酸エステル類の製造方法であって、
不斉水素化反応が
不斉ホスフィン配位子と
ロジウム、ルテニウム、イリジウムおよびパラジウムから選ばれる１種以上の遷移金属からなる、
錯体を触媒に用いることを特徴とする光学活性な３−ヒドロキシイソブタン酸エステル類の製造方法でもある。
【００１５】
また、不斉水素化反応は、
１〜６０気圧の範囲内の水素雰囲気下、
１０〜１００℃の範囲内で
０．１〜０．０００５モルの範囲内の触媒の存在下で
前記不斉水素化反応を行うことが、収率が向上する点で好ましい。
【００１６】
さらに、前記不斉ホスフィン配位子が
Ｒ−またはＳ−２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（Ｒ−，Ｓ−ＢＩＮＡＰ）、または
（４Ｒ，５Ｒ）−または（４Ｓ，５Ｓ）−（（−）−または（＋））−４，５−ビス（ジエチルホスフィノメチル）−２，２’−ジメチル−１，３−ジオキソラン（（−）−，（＋）−ＤＩＯＰ）であることが好ましい。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下に本発明を詳しく説明する。
【００１８】
本発明にかかる前記一般式（１）で表されるα−ヒドロキシアルキルアクリル酸エステル類は、特に限定されるものではないが、式中、Ｒ1で表される置換基が水素原子または有機残基で構成され、Ｒ2で表される置換基が水素原子または有機残基で構成される化合物である。
【００１９】
上記Ｒ1、Ｒ2で示される置換基のうち、有機残基とは、具体的には、炭素数1〜１８の直鎖状、分枝鎖状、若しくは環状のアルキル基；炭素数１〜８のヒドロキシアルキル基；炭素数２〜２０のアルコキシアルキル基；炭素数１〜８のハロゲン化アルキル基；アリール基が挙げられる。
【００２０】
前記一般式（１）で表されるα−ヒドロキシアルキルアクリル酸エステル類としては、具体的には、α−ヒドロキシメチルアクリル酸、α−ヒドロキシメチルアクリル酸メチル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸エチル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸プロピル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸ブチル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸２−エチルヘキシル、α−（１−ヒドロキシエチル）アクリル酸、α−（１−ヒドロキシエチル）アクリル酸メチル、α−（１−ヒドロキシエチル）アクリル酸エチル、α−（１−ヒドロキシエチル）アクリル酸プロピル、α−（１−ヒドロキシエチル）アクリル酸ブチル、α−（１−ヒドロキシエチル）アクリル酸２−エチルヘキシル等が挙げられる。これらのうち、α−ヒドロキシメチルアクリル酸、α−ヒドロキシメチルアクリル酸メチル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸エチル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸プロピル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸ブチルが好適に用いられる。
【００２１】
前記一般式（１）で表されるα−ヒドロキシアルキルアクリル酸エステル類中の水分は、５重量％以下の範囲、好ましくは４重量％以下の範囲、より好ましくは３重量％以下の範囲、特に好ましくは１重量％以下の範囲内であることが、触媒活性が低下すること無く、遷移金属錯体触媒をリサイクル使用することが可能となる点で好ましい。
【００２２】
本発明における不斉水素化反応においては、 不斉配位子と遷移金属との錯体を触媒として用いることが収率の点で好ましい。
【００２３】
前記触媒として使用される遷移金属錯体の中心金属としては、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、パラジウムが好適に用いられる。
【００２４】
また前記触媒の不斉配位子としては、不斉ホスフィン配位子が好適に用いられる。不斉ホスフィン配位子としては、特に限定されるものではないが、具体的には、例えば、Ｒ−またはＳ−２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル（以下、Ｒ−，Ｓ−ＢＩＮＡＰと略す）、（−）−または（十）−１，２−ビス（（２Ｒ，５Ｒ）−または（２Ｓ，５Ｓ）−ジメチルホスフィノ）ベンゼン（（Ｒ，Ｒ）−，（Ｓ，Ｓ）−Ｍｅ−ＤＵＰＨＯＳと略す）、（−）−または（十）−１，２−ビス（（２Ｒ，５Ｒ）−または（２Ｓ，５Ｓ）−ジエチルホスフィノ）ベンゼン（（Ｒ，Ｒ）−，（Ｓ，Ｓ）−Ｅｔ−ＤＵＰＨＯＳと略す）、（４Ｒ，５Ｒ）−または（４Ｓ，５Ｓ）−（（−）−または（＋））−４，５−ビス（ジエチルホスフィノメチル）−２，２’−ジメチル−１，３−ジオキソラン（（−）−，（＋）−ＤＩＯＰと略す）、（４Ｒ，５Ｒ）−または（４Ｓ，５Ｓ）−（（＋）−または（−））−４，５−ビス［ビス（４’−メトキシ−３’，５’−ジメチルフェニル）ホスフィノメチル］−２，２’−ジメチル−１，３−ジオキソラン（（＋）−，（−）−ＭＯＤ−ＤＩＯＰと略す）、（２Ｓ，４Ｓ）−（−）−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチルピロリジン（ＰＰＭと略す）、（２Ｓ，４Ｓ）−Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−メチルピロリジン（ＢＰＰＭと略す）、（２Ｒ，３Ｒ）−または（２Ｓ，３Ｓ）−（（−）または（＋））−２，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）ビシクロ［２．２．１］−５−ヘプテン（（Ｒ，Ｒ）−または（Ｓ，Ｓ）−ＮＯＲＰＨＯＳと略す）、（２Ｓ，３Ｓ）−または（２Ｒ，３Ｒ）−（（−）−または（＋））−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン（（Ｓ，Ｓ）−または（Ｒ，Ｒ）−ＣＨＩＲＡＰＨＯＳと略す）、（２Ｒ，４Ｒ）−または（２Ｓ，４Ｓ）−（（＋）−または（−））−２，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ペンタン（（Ｒ，Ｒ）−または（Ｓ，Ｓ）−ＢＤＰＰと略す）、Ｓ−またはＲ−（（＋）−または（−））−ネオメチルジフェニルホスフィン（Ｓ−またはＲ−ＮＭＤＰＰと略す）、Ｒ−またはＳ−（（＋）−または（−））−１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン（Ｒ−またはＳ−ＰＲＯＰＨＯＳと略す）等が挙げられる。なお、不斉水素化反応においては、上記不斉配位子の両鏡像異性体の一方のみを使用する。
【００２５】
前記触媒としては、前記遷移金属がロジウム、ルテニウム、イリジウムまたはパラジウムで、前記不斉配位子が不斉ホスフィン配位子である錯体が、収率、耐久性の点で、特に好ましい。
【００２６】
前記触媒として使用される遷移金属錯体は、各種不斉配位子と金属錯体とから、例えば、J.Chem.Soc.,Chem.Commun.,922(1985)；J.Org.Chem.,57,6689（1992）； J.Am.Chem.Soc.,115,10125（1993）等に記載の方法のように、遷移金属ハロゲン化物を一旦オレフィン錯体に変換した後に直接不斉ホスフィン配位子との錯体とする方法や、アニオンリガンドの交換を行った後に不斉ホスフィン配位子との錯体とする方法等によって容易に調製することができる。
【００２７】
前記触媒の使用量としては、一般式（１）で表されるα−ヒドロキシアルキルアクリル酸エステル類１モルに対して0.5〜0.000001モルの範囲内、好ましくは0.3〜0.00005モルの範囲内、より好ましくは0.2〜0.00001モルの範囲内、特に好ましくは0.1〜0.0005モルの範囲内となるようにすればよい。遷移金属錯体触媒の使用量が一般式（１）で表されるα−ヒドロキシアルキルアクリル酸エステル類１モルに対して0.5モルよりも多くしても、触媒量の増加に比例した反応時間の短縮等の触媒効果のさらなる向上は望めず、経済的に不利である場合がある。一方、触媒の使用量が、一般式（１）で表されるα−ヒドロキシアルキルアクリル酸エステル類１モルに対して0.000001モルよりも少ない場合には、反応時間が長くなりすぎ、一般式（２）で表される光学活性な３−ヒドロキシイソブタン酸エステル類を効率的に製造できなくなる場合がある。
【００２８】
本発明にかかる不斉水素化反応は、無溶媒でも行うことができるが、溶媒として、例えば、メタノール、エタノール等のアルコール類；塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲン系炭化水素；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタン等のエーテル類；トルエン、ベンゼン、キシレン等の芳香族炭化水素；酢酸、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類等を使用することもできる。これらの溶媒は1種類だけで使用してもよく、また2種類以上を任意の割合で混合して使用してもよい。また、これらの溶媒は、無水状態であることが好ましい。
【００２９】
本発明にかかる不斉水素化反応は、用いる原料エステル類や触媒および溶媒の種類や組み合わせにもよるが、通常、１〜200気圧の範囲内、好ましくは１〜150気圧の範囲内、より好ましくは１〜100気圧の範囲内、特に好ましくは１〜60気圧の範囲内の水素雰囲気下において、0〜200℃の範囲内、好ましくは５〜150℃の範囲内、より好ましくは10〜100℃の範囲内、特に好ましくは10〜80℃の範囲内で実施すればよい。また、反応系を攪拌することにより反応が効率的に進行する。
【００３０】
さらに、反応を制御し、光学収率や化学収率を上げる目的で、例えば、塩化水素等の無機酸；酢酸、トリフルオロ酢酸、メタンスルホン酸等の有機酸；塩化アルミニウム、塩化亜鉛、四塩化チタン、四塩化スズ、四フッ素化ホウ素等のルイス酸；トリエチルアミン等の塩基類等を添加してもよい。
【００３１】
前記一般式（１）で表されるα−ヒドロキシアルキルアクリル酸エステル類は、高重合性の化合物であり、本発明の水素化反応のごとき低酸素濃度では、重合し、目的物の収率の低下、急激な温度の上昇等を引き起こす恐れがある。その様な、α−ヒドロキシアルキルアクリル酸エステル類の重合を防止するためには、α−ヒドロキシアルキルアクリル酸エステル類に安定剤を添加すればよい。安定剤としては、１次酸化防止剤、２次酸化防止剤およびキレート剤等が挙げられる。
【００３２】
上記安定剤のうち、１次酸化防止剤としては、具体的には、例えば、ヒドロキノン、メトキシハイドロキノン、ベンソキノン、ｐ−ｔ−ブチルカテコール、クロラニル、２−ｔ−ブチルヒドロキノン、２，６−ジ−ｔ−ブチルフェノール等のアルキルフェノール系1次酸化防止剤；アルキル化ジフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン、６−エトキシ−２，２，４−トリメチル−１，２−ジヒドロキノリン、N−フェニル−Ｎ’−イソプロヒル−ｐ−フエニレンジアミン、N−フェニル−１，３−ジメチルブチル−ｐ−フェニレンジアミン、２，２，４−トリメチル−１，２−ジヒドロキノリンポリマー、アルドール−α−ナフチルアミン、Ｎ−フェニル−β−ナフチルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−２−ナフチル−ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジオクチルジフェニルアミン等のアミン系1次酸化防止剤等が挙げられる。
【００３３】
上記安定剤のうち、２次酸化防止剤としては、具体的には、例えば、硫黄、ジラウリル−３，３’−チオジプロピオネート、ジトリデシル−３，３’―チオジプロピオネート、ジミリスチル−３，３’−チオジプロピオネート、ジステアリル−３，３’―チオジプロピオネート、テトラキス−メチレン−３−ラウリルチオプロピオネートメタン、ジステアリル−３，３’―メチル−３，３’―チオジプロピオネート、ラウリルステアリル−３，３’―チオジプロピオネート、ビス［２−メチル−４−（３−ｎ−アルキルチオプロピオニルオキシ）−５−ｔ−ブチルフェニル］スルフィド、β−ラウリルチオプロピオネート、２−メルカプトベンゾイミダゾール、２−メルカブト−５−メチルベンゾイミダゾール等の硫黄系2次酸化防止剤；トリス（イソデシル）フォスファイト、トリス（トリデシル）フォスファイト、フェニルジイソオクチルフォスファイト、フェニルジイソデシルフォスファイト、フェニルジ（トリデシル）フォスファイト、ジフェニルイソオクチルフォスファイト、ジフェニルイソデシルフォスファイト、ジフェニルトリデシルフォスファイト、フォスフォン酸［１，１−ジフェニルーー、４’−ジイルビステトラキス−２，４−ビス（１，１−ジメチルエチル）フェニル］エステル、トリフェニルフォスファイト、トリス（ノニルフエニル）フォスファイト、４，４’−イソプロピリデンジフェノールアルキルフォスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）フォスファイト、トリス（ビフェニル）フォスファイト、ジステアリルぺンタエリスリトールジフォスファイト、ジ（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジフォスファイト、ジ（ノニルフェニル）ペンタエリスリトールジフォスファイト、フェニルビスフェノールAペンタエリスリトールジフォスファイト、テトラ（トリデシル）−４，４’−ブチリデンビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）ジフォスファイト、ヘキサ（トリデシル）−１，１，３−トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタントリフォスファイト、３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジルフォスフェートジエチルエステル、ソディウム−ビス（−４−ｔ−ブチルフェニル）フォスフェート、ソディウム−２，２’―メチレン−ビス（４，６−ジ−ｔ−ブチルフエニル）フォスフェート、１，３−ビス（ジフェノキシフォスフォニルオキシ）ベンゼン等のリン系2次酸化防止剤等；ジメチルジチオカルバミン酸銅、ジエチルジチオカルバミン酸銅、ジブチルジチオカルバミン酸銅等のジチオカルバミン酸銅系２次酸化防止剤が挙げられる。
【００３４】
上記安定剤のうち、キレート剤としては、具体的には、例えば、エチレンジアミン四酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、ジヒドロキシエチルエチレンジアミン二酢酸、１，３−プロパンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、トリエチレンテトラミン六酢酸、ニトリロ三酢酸、グルコン酸ナトリウム、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸、２，２’−オキシアミドビス−［エチル３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］等が挙げられる。
【００３５】
これら安定剤は、一種類のみを用いてもよく、また、二種類以上を適宜混合して用いてもよい。これら安定剤のなかでも、酸化防止剤が好適に用いられる。また、より一層重合防止効果を高めるためには、硫黄系および／またはリン系2次酸化防止剤とアルキルフェノール系1次酸化防止剤とを組み合わせて使用することが好ましい。
【００３６】
上記安定剤の添加量は、用いるα−ヒドロキシアルキルアクリル酸エステル類の種類にもよるが、上記安定剤の総量が、該α−ヒドロキシアルキルアクリル酸エステル類の0.01重量%〜10重量%の範囲内、好ましくは 0.03重量%〜９重量%の範囲内、より好ましくは0.05重量%〜８重量%の範囲内、特に好ましくは0.1〜７重量％の範囲内となるように添加すればよい。安定剤の総量が 0.01重量%よりも少ない場合には、前述した重合を抑制することができなくなる場合がある。一方、安定剤の総量を１０重量%よりも多くしても、安定剤の増加に比例した重合防止効果のさらなる向上は望めず、経済的に不利となる場合がある。
【００３７】
本発明にかかる不斉水素化反応により合成された一般式（２）で表される光学活性な３−ヒドロキシイソブタン酸エステル類の単離、精製方法は、特に限定されるものではないが、例えば、抽出法、蒸留法、カラムクロマトグラフィー法等のそれ自体公知の方法により行うことができる。またこれらの方法は組み合わせて実施してもよい。
【００３８】
さらに、蒸留法により一般式（２）で表される光学活性な３−ヒドロキシイソブタン酸エステル類を精製した際の蒸留残査は、そのまま、あるいは溶媒に溶解させることにより、触媒としてリサイクル使用することが可能である。また、触媒を単離、精製した後、リサイクル使用することも可能である。
【００３９】
【実施例】
以下、実施例により、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらにより何ら限定されるものではない。
【００４０】
実施例１
あらかじめ窒素置換を行った２００ｍｌのステンレス製オートクレーブに、メタノール８０ｍｌに溶解したα―ヒドロキシメチルアクリル酸メチル１１．６ｇ、メトキシハイドロキノン０．００６ｇ、ジラウリル−３，３’−チオジプロピオネート０．３５ｇを入れ、窒素気流下、Ｒｕ2Ｃｌ4［Ｒ−ＢＩＮＡＰ］2ＮＥｔ3０．２ｇを添加した。反応系内を水素置換した後、２０気圧の水素下で5 0℃に昇温し、２４時間激しく攪拌した後、室温まで冷却した。反応液から減圧下でメタノールを留去した後、蒸留精製により、目的とする光学活性な３−ヒドロキシイソブタン酸メチルを収率９７%で得た。
【００４１】
得られた光学活性な３−ヒドロキシイソブタン酸メチルの光学純度を、ガスクロマトグラフィー分析（カラム；CP-CHIRASIL  DEX  CB；クロムパック社製）により分析したところ、９６％ｅ．ｅ．であった。
【００４２】
実施例２
あらかじめ窒素置換を行った２００ｍｌのステンレス製オートクレーブに、メタノール８０ｍｌに溶解したα―ヒドロキシメチルアクリル酸メチル１１．６ｇ、メトキシハイドロキノン０．００６ｇ、トリフェニルフォスファイト０．３５ｇを入れ、窒素気流下、Ｒｕ2Ｃｌ4［（＋）−ＤＩＯＰ］3０．３ｇを添加した。反応系内を水素置換した後、５０気圧の水素下で5 0℃に昇温し、２４時間激しく攪拌した後、室温まで冷却した。反応液から減圧下でメタノールを留去した後、蒸留精製により、目的とする光学活性な３−ヒドロキシイソブタン酸メチルを収率９８%で得た。
【００４３】
得られた光学活性な３−ヒドロキシイソブタン酸メチルの光学純度を、実施例１と同様に分析したところ、９５％ｅ．ｅ．であった。
【００４４】
【発明の効果】
本発明の方法によれば、光学活性な３−ヒドロキシイソブタン酸エステル類を不斉水素化反応により、従来法よりも著しく短工程で効率的かつ安定して製造することができる。