(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の一主面上に形成され、第１の方向に対向して延在する第１の辺および第２の辺と、前記第１の方向に直交する第２の方向に対向して延在する第３の辺および第４の辺とを有する矩形状のマクロセル領域において、
前記第２の方向に並んで形成され、前記第１の辺側に形成される第１導電型のウェル領域と前記第２の辺側に形成される第２導電型のウェル領域と、
前記第１導電型のウェル領域上に、前記第１の辺に沿って前記第３の辺から前記第４の辺まで延在するように形成される第１の拡散領域と、
前記第２導電型のウェル領域上に、前記第２の辺に沿って前記第３の辺から前記第４の辺まで延在するように形成される第２の拡散領域と、
前記第１の拡散領域の上層に配置され、第１の電源電圧を供給する第１の電源配線と、
前記第２の拡散領域の上層に配置され、第２の電源電圧を供給する第２の電源配線と、
前記第１の電源配線と前記第１の拡散領域とを接続する第１のウェルコンタクトが形成される第３の拡散領域と、
前記第２の電源配線と前記第２の拡散領域とを接続する第２のウェルコンタクトが形成される第４の拡散領域とを備え、
前記第１の拡散領域の第２方向の幅は、前記第３の拡散領域の第２方向の幅よりも狭く、前記第３の拡散領域は前記第２方向において前記第１の拡散領域よりも前記第２の辺側に形成され、
前記第２の拡散領域の第２方向の幅は、前記第４の拡散領域の第２方向の幅よりも狭く、前記第４の拡散領域は前記第２方向において前記第２の拡散領域よりも前記第１の辺側に形成され、
前記第１の方向および／または前記第２の方向に前記マクロセル領域に隣接して配置される他のマクロセル領域をさらに有し、前記マクロセル領域の前記第１の拡散領域および前記第２の拡散領域は、前記マクロセル領域の前記第１の拡散領域および前記第２の拡散領域に対応して前記他のマクロセル領域において形成される第５の拡散領域と第６の拡散領域にそれぞれ電気接続される半導体集積回路装置。
【請求項２】
前記第１の電源配線および／または前記第２の電源配線は、前記マクロセル領域と前記他のマクロセル領域に共通に配置され、
前記他のマクロセル内においては、前記第５の拡散領域と前記第１の電源配線とを接続するウェルコンタクト領域および／または前記第６の拡散領域と前記第２の電源配線とを接続するウェルコンタクト領域を有しない、請求項１記載の半導体集積回路装置。
【請求項３】
前記第１の拡散領域の第２方向の幅と、前記第２の方向に前記マクロセル領域に隣接して配置される他のマクロセル領域の第５の拡散領域の第２方向の幅の和は、前記第３の拡散領域の第２方向の幅よりも狭い、請求項１または２に記載の半導体集積回路装置。
【請求項４】
前記第３の拡散領域の第２方向の幅は、前記第１の電源配線の第２方向の幅よりも狭い、請求項１から３のいずれかに記載の半導体集積回路装置。
【請求項５】
半導体基板の一主面上に形成され、第１の方向に対向して延在する第１の辺および第２の辺と、前記第１の方向に直交する第２の方向に対向して延在する第３の辺および第４の辺とを有する矩形状のマクロセル領域において、
第１導電型のウェル領域と、
前記第１導電型のウェル領域上に、前記第１の辺に沿って前記第３の辺から前記第４の辺まで延在するように形成される第１の拡散領域と、
前記第１の拡散領域の上層に配置され、第１の電源電圧を供給する第１の電源配線と、
前記第１の電源配線と前記第１の拡散領域とを接続する第１のウェルコンタクトが形成される第２の拡散領域とを備え、
前記第１の拡散領域の第２方向の幅は、前記第２の拡散領域の第２方向の幅よりも小さく、前記第２の拡散領域は前記第２方向において前記第１の拡散領域よりも前記第２の辺側に形成され、
前記第１の方向および／または前記第２の方向に前記マクロセル領域に隣接して配置される他のマクロセル領域をさらに有し、前記マクロセル領域の前記第１の拡散領域は、前記マクロセル領域の前記第１の拡散領域に対応して前記他のマクロセル領域において形成される第３の拡散領域にそれぞれ電気接続される半導体集積回路装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、セルベースのウエルコンタクトを有するマクロセル構造を備えた半導体集積回路装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図８は例えば特開平４−２６７５５３号公報に示す従来のウエルコンタクトを有するマクロセル構造を備えた半導体集積回路装置のレイアウト構成図、図９は図８の半導体集積回路装置の左方部分の拡大図、図１０はＩＩ−ＩＩ’線に沿った断面図である。
【０００３】
図において、１０１ａ，１０１ｂはウエルコンタクト、２はトランジスタの拡散領域、３はマクロセルの矩形状のセル枠、１１はシリコンＳｉ等のＰ型半導体基板、１２はＰウエル領域、１３はＮウエル領域、１４は酸化膜、１１５ａ，１１５ｂはＰ＋拡散領域、１１６ａ，１１６ｂはＮ＋拡散領域、１７ａ，１７ｂはそれぞれ接地・電源配線１８ａ，１８ｂとＰ＋拡散領域１１５ａ、Ｎ＋拡散領域１１６ｂとを電気接続するコンタクト、１８ａ，１８ｂはそれぞれアルミニウムなどの金属からなる接地電圧ＧＮＤ（０Ｖ）を供給するための接地配線、電源電圧ＶＤＤ（１．８Ｖ）を供給するための電源配線、Ａはウエルコンタクト効果が大きい領域、Ｂはウエルコンタクト効果が小さい領域である。ここで、拡散領域１１５ａ，１１５ｂとコンタクト１７ａ，１７ｂをそれぞれ合わせたものをウエルコンタクト１０１ａ，１０１ｂとして定義する。
【０００４】
一般にセルベースの半導体集積回路装置がＣＭＯＳ構造を有する場合には、そのラッチアップを防ぐため、Ｎウエル領域１３を電源電圧ＶＤＤに上げ、Ｐウエル領域１２を接地電圧ＧＮＤにする。このためには、電源配線１８ｂをＮ＋拡散領域１１６ｂを介してＮウエル領域１３に電気接続させ、接地配線１８ａをＰ＋拡散領域１１５ａを介してＰウエル領域１２に接続する。ここで、ラッチアップとはＣＭＯＳ構造の半導体集積回路装置等において、寄生バイポーラのＰＮＰ，ＮＰＮトランジスタにより形成される寄生サイリスタがオン状態になることにより、電源とグランド間がほぼショート状態となる現象をいい、正常動作しないだけでなく素子破壊に至る場合がある。
【０００５】
図８の構成図では、マクロセルのセル枠３の中にトランジスタを構成する拡散領域２とウエルコンタクト１０１ａ，１０１ｂを示した。近年においてはセルベースの高密度化を目指すため、回路の単位であるマクロセルをより小さく作成する傾向が強まっている。このため、上記ウエルコンタクト１０１ａ，１０１ｂは、トランジスタを構成する拡散領域２の隙間に配置されるようになってきている。
【０００６】
次に動作について説明する。
まず、接地電圧ＧＮＤを供給する側は、接地配線１８ａよりコンタクト１７ａを介してＰ＋拡散領域１１５ａに接地電圧ＧＮＤが与えられ、Ｐウエル領域１２を通じてＰ型半導体基板１１に接地電圧０Ｖが与えられる。一方、電源電圧ＶＤＤを供給する側は、電源配線１８ｂよりコンタクト１７ｂを介してＮ＋拡散領域１１６ｂに電源電圧ＶＤＤが与えられ、Ｎウエル領域１３に伝達されるが、Ｎウエル領域１３からＰ型半導体基板１１へは前者に電源電圧ＶＤＤを与え、後者に接地電圧ＧＮＤを与えることからダイオードに逆バイアスをかけた状態になるため電流は流れない。
【０００７】
なお、セル面積を増大させることなくラッチアップに強くなったセルを有する半導体集積回路装置を開示するものとして特開平８−２２２６４０号公報がある。また、拡散領域上面にシリサイド構造を備え電源および接地領域に使用する半導体集積回路を開示するものとして特開平７−７８９４９号公報がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
従来のマクロセル構造を備えた半導体集積回路装置は以上のように構成されているので、マクロセルの全面にはウエルコンタクト１０１ａ，１０１ｂが形成できないためウエルコンタクト１０１ａ，１０１ｂから近いところではウエルコンタクト効果が大きい領域Ａができ、ウエルコンタクト１０１ａ，１０１ｂから遠いところではウエルコンタクト効果が小さい領域Ｂが発生しているなどの課題があった。
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、マクロセルのウエルコンタクトが部分的にしか取れないマクロセルにおいてもより広範囲に、マクロセル全体にウエルコンタクト効果を持たせることができ、ラッチアップ耐性を向上したマクロセル構造を備えた半導体集積回路装置を得ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る半導体集積回路装置は、１つの局面では、半導体基板の一主面上に形成され、第１の方向に対向して延在する第１の辺および第２の辺と、第１の方向に直交する第２の方向に対向して延在する第３の辺および第４の辺とを有する矩形状のマクロセル領域において、第２の方向に並んで形成され、第１の辺側に形成される第１導電型のウェル領域と第２の辺側に形成される第２導電型のウェル領域と、第１導電型のウェル領域上に、第１の辺に沿って第３の辺から第４の辺まで延在するように形成される第１の拡散領域と、第２導電型のウェル領域上に、第２の辺に沿って前記第３の辺から前記第４の辺まで延在するよう形成される第２の拡散領域と、第１の拡散領域の上層に配置され、第１の電源電圧を供給する第１の電源配線と、第２の拡散領域の上層に配置され、第２の電源電圧を供給する第２の電源配線と、第１の電源配線と第１の拡散領域とを接続する第１のウェルコンタクトが形成される第３の拡散領域と、第２の電源配線と第２の拡散領域とを接続する第２のウェルコンタクトが形成される第４の拡散領域とを備え、第１の拡散領域の第２方向の幅は、第３の拡散領域の第２方向の幅よりも狭く、第３の拡散領域は第２方向において第１の拡散領域よりも第２の辺側に形成され、第２の拡散領域の第２方向の幅は、第４の拡散領域の第２方向の幅よりも狭く、第４の拡散領域は第２方向において第２の拡散領域よりも第１の辺側に形成され、第１の方向および／または第２の方向にマクロセル領域に隣接して配置される他のマクロセル領域をさらに有し、マクロセル領域の第１の拡散領域および第２の拡散領域は、マクロセル領域の第１の拡散領域および第２の拡散領域に対応して他のマクロセル領域において形成される第５の拡散領域と第６の拡散領域にそれぞれ電気接続される。
【００１０】
この発明に係る半導体集積回路装置は、他の局面では、半導体基板の一主面上に形成され、第１の方向に対向して延在する第１の辺および第２の辺と、前記第１の方向に直交する第２の方向に対向して延在する第３の辺および第４の辺とを有する矩形状のマクロセル領域において、第１導電型のウェル領域と、第１導電型のウェル領域上に、第１の辺に沿って第３の辺から第４の辺まで延在するように形成される第１の拡散領域と、第１の拡散領域の上層に配置され、第１の電源電圧を供給する第１の電源配線と、第１の電源配線と第１の拡散領域とを接続する第１のウェルコンタクトが形成される第２の拡散領域とを備え、第１の拡散領域の第２方向の幅は、第２の拡散領域の第２方向の幅よりも小さく、第２の拡散領域は第２方向において第１の拡散領域よりも第２の辺側に形成され、第１の方向および／または第２の方向にマクロセル領域に隣接して配置される他のマクロセル領域をさらに有し、マクロセル領域の第１の拡散領域は、マクロセル領域の第１の拡散領域に対応して他のマクロセル領域において形成される第３の拡散領域にそれぞれ電気接続される。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の一形態を説明する。
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１によるマクロセル構造を有する半導体集積回路装置を示すレイアウト構成図、図２は図１の半導体集積回路装置の左方部分の拡大図、図３はＩ−Ｉ’線に沿った断面図である。
【００１９】
図において、１ａ，１ｂはウエルコンタクト、２はトランジスタの拡散領域、３はマクロセルの矩形状のセル枠、４ａ，４ｂはデザインルール上の最小許容幅Ｃを持つ伸長拡散領域、１１はシリコンＳｉ等のＰ型半導体基板、１２はＰウエル領域、１３はＮウエル領域、１４は酸化膜、１５ａ，１５ｂはＰ＋拡散領域、１６ａ，１６ｂはＮ＋拡散領域、１７ａ，１７ｂはそれぞれ接地・電源配線１８ａ，１８ｂとＰ＋拡散領域１５ａ、Ｎ＋拡散領域１６ｂとを電気接続するコンタクト、１８ａ，１８ｂはそれぞれアルミニウムなどの金属からなり接地電圧ＧＮＤ（０Ｖ）を供給するための接地配線、電源電圧ＶＤＤ（１．８Ｖ）を供給するための電源配線、Ａはウエルコンタクト効果が大きい領域、Ａ’はウエルコンタクト効果が改善された領域、Ｃは拡散領域の最小許容幅、Ｄは拡散間距離である。伸長拡散領域４ａ，４ｂは通常のフィールド分離法において他の拡散領域と同様に生成できる。ここで、ウエルコンタクト１ａ，１ｂは拡散領域とコンタクトとを合わせたものを指し、例えばコンタクト１７ａとＰ＋拡散領域１５ａとを合わせたものを指す。
【００２０】
この実施の形態１のレイアウト構成では、まずウエルコンタクト１ａ，１ｂをマクロセル内のトランジスタの拡散領域の隙間に配置する。さらにマクロセルの左右に最小許容幅Ｃを持つ拡散領域４を配置し、ウエルコンタクト１ａと拡散領域４ａは相互に電気接続されている構造を持つ。最小許容幅Ｃは少なくともコンタクト配置不可なレベルであり、これにより有効レイアウト面積が必要以上に制約を受けることはない。
【００２１】
次に動作について説明する。
まず、接地電圧ＧＮＤを供給する側は、接地配線１８ａよりコンタクト１７ａを介してＰ＋拡散領域１５ａに接地電圧ＧＮＤが与えられ、Ｐウエル領域１２を通じてＰ型半導体基板１１に接地電圧ＧＮＤが与えられ、ウエルコンタクト１ａ内のＰ＋拡散領域１５ａが拡散領域４ａと電気接続していることから同様に伸長拡散領域４ａに対して接地電圧ＧＮＤが与えられる。
【００２２】
一方、電源電圧ＶＤＤを供給する側は、電源配線１８ｂよりコンタクト１７ｂを介してＮ＋拡散領域１６ｂに１．８Ｖの電源電圧ＶＤＤが与えられ、Ｎウエル領域１３に伝達されるが、電源電圧ＶＤＤが与えられているＮウエル領域１３から接地電圧ＧＮＤが与えられているＰ型半導体基板１１へはダイオードに逆バイアスがかけられた状態になるため電流は流れない。しかもウエルコンタクト１ｂ内のＮ＋拡散領域１６ｂが伸長拡散領域４ｂと電気接続していることから同様に拡散領域４ｂに対して電源電圧ＶＤＤが与えられる。
【００２３】
このように、ウエルコンタクトの効果が大きい領域Ａの効果が伸長拡散領域４ａ，４ｂを介して電気接続する領域Ａ’にも伝達されることから、マクロセル中でウエルコンタクト１ａ，１ｂから遠い所でも領域Ａと同様にウエルコンタクト効果が改善される。
【００２４】
以上のように、この実施の形態１によれば、ウエルコンタクト１ａ，１ｂとそれぞれ電気接続する伸長拡散領域４ａ，４ｂをセル枠３の上下に沿って配置したので、ウエルコンタクト効果が伸長拡散領域４ａ，４ｂ方面にまで及び、マクロセルのより広範囲にわたりラッチアップ耐性が向上する効果が得られる。
【００２５】
実施の形態２．
図４はこの発明の実施の形態２によるマクロセル構造を有する半導体集積回路装置を示すレイアウト構成図であり、図において、４ａ’，４ｂ’はデザインルール上の最小許容幅Ｃを持つ伸長拡散領域であり、上述と同一符号は同一構成要素または相当部分を示しその重複説明は省略する。
【００２６】
この実施の形態２によるレイアウト構成では、伸長拡散領域４ａ’，４ｂ’が上記実施の形態１の構成における伸長拡散領域４ａ，４ｂに比較してセル枠３の左右両端にまで伸長していてマクロセルの左右の拡散間距離Ｄの最小幅が０以下である構造を有する点で相違があるが、他はレイアウト構成もマクロセル構造も同様である。したがって、マクロセル単独における動作説明は省略する。拡散間距離Ｄの最小幅が０以下というのは設計上の概念でありこのような余裕を与えておかないと実際に出来た半導体集積回路装置では不具合が生ずるおそれがあるからである。
【００２７】
以上の構造を持つことによる効果を図５を用いて説明する。
図５は図４のマクロセル構造を含むマクロセルを３つ左右に接して配置したレイアウト構成図である。図において、５はウエルコンタクトを有するマクロセル、６はウエルコンタクトを有しないマクロセル、７はウエルコンタクトと関連のない拡散領域である。図５では、ウエルコンタクトを有する左右２つのマクロセル５の間にウエルコンタクトを有しないマクロセル６が配置されている状態を示している。ここで、ウエルコンタクトを有しないマクロセル６とは、トランジスタの拡散領域２の占有面積が大きくウエルコンタクトを置くことができないという制限のあるマクロセルを示している。
【００２８】
ウエルコンタクトを有しないマクロセル６の拡散領域７は隣接したウエルコンタクトを有するマクロセル５の伸長拡散領域４ａ’，４ｂ’と電気接続されるためウエルコンタクト１ａ，１ｂの拡散領域が、拡散領域７ａ，７ｂにそれぞれ電気的に接続され、ウエルコンタクトを有しないマクロセル６にもウエルコンタクト効果が及ぶので、装置のより広範囲にラッチアップ耐性の向上する効果がある。
【００２９】
以上のように、この実施の形態２によれば、セル枠３の左右両端と上下両端から形成されウエルコンタクトに使用するコンタクト配置できない最小許容幅の伸長拡散領域４ａ’，４ｂ’をウエルコンタクト１ａ，１ｂに電気接続するように構成したので、ウエルコンタクトを有しない他のマクロセルにもウエルコンタクトが及ぶので、半導体集積回路装置全体のラッチアップ耐性が向上する効果が得られる。
【００３０】
実施の形態３．
図６はこの発明の実施の形態３によるマクロセル構造を有する半導体集積回路装置を示すレイアウト構成図であり、図において、４１ａ，４１ｂはデザインルール上の最小許容幅Ｃの約２分の１の幅Ｃ’を有する伸長拡散領域、Ｅはマクロセルの拡散幅４１ａ，４１ｂの領域以外の幅を示すものであり、上述と同一符号は同一構成要素または相当部分を示しその説明は省略する。
【００３１】
この実施の形態３によるレイアウト構成では、伸長拡散領域４１ａ，４１ｂが上記実施の形態２の構成における伸長拡散領域４ａ’，４ｂ’の最小許容幅Ｃと比較して約２分の１と狭い幅Ｃ’となっている点で相違があるが、他はレイアウト構成もマクロセル構造も同様であるのでマクロセルの動作説明は省略する。もちろん幅Ｃ’の拡散領域４１ａ，４１ｂは上述の最小許容幅Ｃよりも狭いのでコンタクト配置が不可であることはいうまでもない。
【００３２】
以上の構造を持つことによる効果を図７を用いて説明する。
図７は図６のマクロセル構造を持つマクロセルが上下に置かれることにより、上段のマクロセルの伸長拡散領域４１ｂと下段のマクロセルの伸長拡散領域４１ａが電気接続し結合した結果、デザインルールの最小許容幅Ｃを満足するものとなる。さらに、結合した結果この最小許容幅Ｃを有するに至った結合拡散領域同士をさらに隣接した他のマクロセルと電気接続することにより複数のマクロセルが結合した半導体集積回路装置ができる。
【００３３】
この構造を採ることにより最小許容幅Ｃを持つ伸長拡散領域４１ａ，４１ｂ以外の領域Ｅが上記実施の形態１，２よりも大きく形成でき、マクロセル内の多結晶シリコン等のポリ配線領域が広がることからマクロセルを小さく作ることができる。したがって、ラッチアップ耐性の向上とともに上記実施の形態１，２に比べて半導体チップのより高密度化を図ることができる。
【００３４】
なお、図７では、マクロセルはウエルコンタクト１ａ，１ｂを有するものを述べたが、上記実施の形態２で述べたように、ウエルコンタクトを有しないマクロセルを含んだ複合構造であってもよい。
【００３５】
以上のように、この実施の形態３によれば、セル枠３内に最小許容幅Ｃの２分の１の幅Ｃ’の伸長拡散領域４１ａ，４１ｂを持つマクロセルを上下に当接させて電気接続するように配置したので、マクロセル内のポリ配線領域が拡大しここにポリ配線をより多く配置できるようになり、半導体集積回路装置のラッチアップ耐性の向上と高密度化を図ることができる効果が得られる。
【００３６】
実施の形態４．
上記実施の形態１〜３においては、シリコンＳｉによるＰ型半導体基板の伸長拡散領域４ａ，４ｂ，４ａ’，４ｂ’，４１ａ，４１ｂは通常のフィールド分離法により生成されるものであるが、これをサリサイド化によりＭｏ、Ｗ、Ｔｉ等の高融点金属との化合物にして、ＭｏＳｉ２，ＷＳｉ２，ＴｉＳｉ２等の高融点金属化合物をすれば上記伸長拡散領域４ａ，４ｂ，４ａ’，４ｂ’，４１ａ，４１ｂの表層部の抵抗を下げることができる。ここでサリサイド化とはシリコンを高融点金属との化合物とすることでありシリサイドともいう。
【００３７】
同様に、ウエルコンタクト１ａ，１ｂの拡散層部分であるＰ＋拡散領域１５ａ、Ｎ＋拡散領域１６ｂもサリサイド化することにより、その表層部の抵抗を下げることができる。しかも、Ｐ＋拡散領域１５ａ、Ｎ＋拡散領域１６ｂは伸長拡散領域４ａ，４ｂ，４ａ’，４ｂ’，４１ａ，４１ｂと電気接続しているので、これにより実施の形態１〜３のマクロセル構造を有する半導体集積回路装置のラッチアップ耐性はさらに向上する。
【００３８】
さらに、最小許容幅Ｃは単にシリコン基板により形成された伸長拡散領域４ａ，４ｂ，４ａ’，４ｂ’，４１ａ，４１ｂに比べて小さい幅にすることができるので、これら以外の領域Ｅがさらに大きく確保でき、マクロセル内の多結晶シリコン等のポリ配線領域が広がることからマクロセルをより小さく作ることができる。したがって、ラッチアップ耐性の向上は維持したまま、上記実施の形態１〜３より半導体集積回路装置チップの高密度化を図ることができる。
【００３９】
以上のように、この実施の形態４によれば、実施の形態１〜３のマクロセル構造において伸長拡散領域４ａ，４ｂ，４ａ’，４ｂ’，４１ａ，４１ｂとＰ＋拡散領域１５ａ、Ｎ＋拡散領域１６ｂとをサリサイド化して表層部の抵抗を減少させるように構成したので、ウエルコンタクト効果がマクロセルのより広範囲に行き渡り、半導体集積回路装置のラッチアップ耐性が向上するとともに、最小許容幅Ｃの減少によりマクロセルの占有面積を小さくできるので半導体集積回路装置の高密度化を実現する効果が得られる。
【００４０】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、マクロセル構造を備えた半導体集積回路装置のラッチアップ耐性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明の実施の形態１によるマクロセル構造を備えた半導体集積回路装置を示すレイアウト構成図である。
【図２】  図１の半導体集積回路装置の左方部分拡大図である。
【図３】  図２のＩ−Ｉ’線に沿った断面図である。
【図４】  この発明の実施の形態２によるマクロセル構造を備えた半導体集積回路装置を示すレイアウト構成図である。
【図５】  この発明の実施の形態２の応用例を示すレイアウト構成図である。
【図６】  この発明の実施の形態３によるマクロセル構造を備えた半導体集積回路装置を示すレイアウト構成図である。
【図７】  この発明の実施の形態３の応用例を示すレイアウト構成図である。
【図８】  従来のマクロセル構造を備えた半導体集積回路装置を示すレイアウト構成図である。
【図９】  図８の従来の半導体集積回路装置の左方部分拡大図である。
【図１０】  図９のＩＩ−ＩＩ’線に沿った断面図である。
【符号の説明】
１ａ，１ｂ  ウエルコンタクト、２  トランジスタの拡散領域、３  マクロセルのセル枠、４ａ，４ｂ，４ａ',４ｂ’，４１ａ，４１ｂ  伸長拡散領域（第１〜第５拡散領域）、１１  Ｐ型半導体基板、１２  Ｐウエル領域、１３  Ｎウエル領域、１４  酸化膜、１５ａ，１５ｂ  Ｐ＋拡散領域、１６ａ，１６ｂ  Ｎ＋拡散領域、１７ａ，１７ｂ  コンタクト、１８ａ  接地配線、１８ｂ  電源配線、Ａ  ウエルコンタクトの効果の大きい領域、Ａ’  ウエルコンタクトの効果が改善された領域、Ｃ，Ｃ’  最小許容幅、Ｄ  拡散間距離。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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