(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板の表示領域を通る複数本の信号電極及び走査電極を形成して画素を画定し、各画素毎にポリシリコン薄膜トランジスタ及び画素電極を形成し、前記表示領域の外側に前記信号電極及び前記走査電極にそれぞれ接続する不純物導入ポリシリコンからなる複数の第１の不純物抵抗と、該複数の不純物抵抗に接続する検査回路と、終端配線と、前記検査回路と前記終端配線との間を接続する不純物導入ポリシリコンからなる第２の不純物抵抗とを形成する工程と、
前記検査回路を駆動して検査を行う工程と、
前記第１の不純物抵抗の部分で前記透明基板を切断する工程と
を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記表示領域内のポリシリコン薄膜トランジスタの形成と同時に前記表示領域の外側にポリシリコン薄膜トランジスタを形成し、これらのポリシリコン薄膜トランジスタにより前記表示領域内の薄膜トランジスタを駆動する駆動回路を形成することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、製造途中に静電気によって破損することを防止するために終端配線を形成する液晶表示装置の製造方法に関し、特に駆動回路を内蔵した液晶表示装置の製造に好適な液晶表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
アクティブマトリクス方式の液晶表示装置は、非選択時にオフ状態となって信号を遮断するスイッチを各画素に設けることによってクロストークを防止するものであり、単純マトリクス方式の液晶表示装置に比べて優れた表示特性を示す。特に、スイッチとしてＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）を使用した液晶表示装置は、ＴＦＴの駆動能力が高いので、ＣＲＴ（Cathode-Ray Tube）に匹敵するほど優れた表示特性を示す。
【０００３】
一般的に、液晶表示装置は２枚の透明基板の間に液晶を封入した構造を有している。それらの透明基板の相互に対向する２つの面（対向面）のうち、一方の面側には対向電極、カラーフィルタ及び配向膜等が形成され、他方の面側にはＴＦＴ、画素電極及び配向膜等が形成されている。更に、各透明基板の対向面と反対側の面には、それぞれ偏光板が貼り付けられている。これらの２枚の偏光板は、例えば偏光板の偏光軸が互いに直交するように配置され、これによれば、電界をかけない状態では光を透過し、電界を印加した状態では遮光するモード、すなわちノーマリーホワイトモードとなる。その反対に、２枚の偏光板の偏光軸が平行な場合には、ノーマリーブラックモードとなる。以下、ＴＦＴ及び画素電極等が形成された透明基板をＴＦＴ基板、対向電極等が形成された透明基板を対向基板という。
【０００４】
近年、低温プロセスで形成した薄膜ポリシリコンを使用したＴＦＴが開発され、液晶表示装置に使用されるようになった。低温プロセスでＴＦＴを形成する場合は、透明基板として安価なガラス基板を使用することができるという利点がある。また、アモルファスシリコンＴＦＴに比べてポリシリコンＴＦＴは駆動能力が高く小型化ができるので、開口率が向上して明るい画像が得られるという利点もある。更に、アモルファスシリコンＴＦＴの場合は駆動速度が遅いので、駆動用ＩＣを別途用意して液晶表示装置と接続する必要があったが、ポリシリコンＴＦＴは駆動速度が速いので、駆動（ドライバ）回路をガラス基板上に形成することができる。これにより、液晶表示装置の入力端子数を４０本程度に削減できるとともに、製品コストを低減できるという利点もある。
【０００５】
図９は従来方法による製造途中の液晶表示装置のＴＦＴ基板の一部を拡大して示す平面図、図１０は同じくその液晶表示装置のＴＦＴ基板の全体を示す模式図である。これらの図を参照して液晶表示装置の製造方法を説明する。
まず、ガラス基板５０上にポリシリコン膜５２ａを形成し、その上にゲート絶縁膜（図示せず）を形成する。その後、ポリシリコン膜５２ａ上を通る複数本のゲートバスライン５５を形成する。そして、ポリシリコン膜５２ａに不純物を導入して、ソース・ドレインを形成する。このソース・ドレインとゲートバスライン５５とによりＴＦＴ７０が構成される。
【０００６】
次に、ガラス基板５０上に層間絶縁膜（図示せず）を形成した後、ゲートバスライン５５に直角に交差するようにデータバスライン５７を形成する。このデータバスライン５７は、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホール５３ａを介してＴＦＴ７０のドレインに電気的に接続される。
そして、基板上の全面に層間絶縁膜（図示せず）を形成した後、該層間絶縁膜上にＩＴＯ（インジウム酸化スズ）からなる画素電極５９を形成する。この画素電極５９は、層間絶縁膜に設けら得たコンタクトホール５３ｂを介してＴＦＴ７０のソースに電気的に接続される。図９に示すように、ＴＦＴ７０及び画素電極５９はゲートバスライン５５及びデータバスライン５７で画定された矩形の領域毎に形成する。１つの矩形の領域が１つの画素であり、図１０に示す表示領域６３はこれらの画素が集合した領域である。
【０００７】
液晶表示装置の製造工程の各所で発生する静電気による破損を防止するために、各ゲートバスライン５５及び各データバスライン５７の一端側を表示領域６３の外側まで延ばして、終端配線（ＧＮＤ線）５５ａ，５７ａに接続し、各ゲートバスライン５５及び各データバスライン５７の電位を同じにしておく。また、ゲートバスライン５５及びデータバスライン５７の他端側には、表示領域６３内のＴＦＴ７０と同時に形成したＴＦＴによりゲートドライバ回路６１及びデータドライバ回路６２を形成する。これらのゲートドライバ回路６１及びデータドライバ回路６２は、フレキシブルケーブルを介して外部回路と接続するための入力端子７１に接続する。この場合、製造工程における静電気の発生によるドライバ回路６１，６２の破損を回避するために、入力端子７１も終端配線５５ａに接続する。このようにして、ＴＦＴ基板が製造される。なお、図１０において、Ｇ1 〜ＧN ，Ｄ1 〜ＤN は表示領域６３から外側に延び出したゲートバスライン及びデータバスラインを示す。
【０００８】
一方、ガラス基板上に対向電極及びカラーフィルタ等を形成した対向基板を用意する。そして、図１１に示すように、ＴＦＴ基板８１のバスライン５５（５７）及びＴＦＴ７０等が形成された面と、対向基板８２の対向電極（ＩＴＯ膜）８２ａが形成された面とを対向させて配置し、両者の間に液晶８３を充填して封止剤８４で封止する。
【０００９】
その後、終端配線５５ａ，５７ａよりも内側の部分でＴＦＴ基板８１及び対向基板８２を切断して、所定の大きさとする。これにより液晶表示装置が完成する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の液晶表示装置の製造方法では、入力端子２１、各ゲートバスライン５５及び各データバスライン５７が終端配線５５ａ，５５ｂを介して相互に接続されているので、製造途中に検査（基板検査）を行うことができない。
【００１１】
また、通常、バスライン５５，５７はアルミニウム等の金属薄膜により形成するが、ポリシリコンＴＦＴ液晶表示装置では、一般的にアモルファスシリコンＴＦＴと比べて薄膜配線（バスライン）の膜厚が厚いため、基板を切断する際にゲートバスライン５５及びデータバスライン５７が剥がれやすい傾向がある。このため、ガラス基板を切断するときに金属薄膜の一部が剥がれて、図１２に示すように対向基板８２の対向電極（ＩＴＯ膜）８２ａと接触し、動作不良が発生することがある。
【００１２】
このような不具合を回避するために、封止剤８４よりも外側の対向電極（ＩＴＯ膜）８２ａを削除することも考えられる。しかし、この場合はＩＴＯ膜のパターニング工程が必要になり、製造コストの上昇を招く。また、図１３に示すように、ガラス基板から剥がれた配線の断片８５が隣接するバスライン５５（５７）間を短絡することもある。更に、金属薄膜からなるゲートバスライン５５及びデータバスライン５７が切断面から腐食し、内部に向けて腐食が進行することもある。
【００１３】
また、スクライブラインの部分にＩＴＯ膜を形成し、ＩＴＯ膜を介してバスラインと終端配線とを接続することも考えられるが、この場合ＩＴＯ膜の形成は最終工程であるため、それまで静電対策ができない。
本発明は、製造途中で発生する静電気による破損を防止できるとともに、終端配線を切断する前に検査を実行することが可能であり、更に切断時の配線の剥がれに起因する動作不良を回避できる液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記した課題は、透明基板の表示領域を通る複数本の信号電極及び走査電極を形成して画素を画定し、各画素毎にポリシリコン薄膜トランジスタ及び画素電極を形成し、前記表示領域の外側に前記信号電極及び前記走査電極にそれぞれ接続する不純物導入ポリシリコンからなる複数の第１の不純物抵抗と、該複数の不純物抵抗に接続する検査回路と、終端配線と、前記検査回路と前記終端配線との間を接続する不純物導入ポリシリコンからなる第２の不純物抵抗とを形成する工程と、前記検査回路を駆動して検査を行う工程と、前記第１の不純物抵抗の部分で前記透明基板を切断する工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法により解決する。
【００１７】
以下、作用について説明する。
本発明においては、表示領域の外側に不純物導入ポリシリコンからなる複数の不純物抵抗を形成し、この不純物抵抗を介して信号電極（データバスライン）及び走査電極（ゲートバスライン）と終端配線とを接続する。これにより、信号電極及び走査電極に電圧を印加しても、信号電極と走査電極との間には不純物抵抗が介在するので短絡状態となることはなく、終端配線が接続されたままの状態で検査を行うことができる。
【００１８】
この場合、不純物抵抗の抵抗値は５０ｋΩ〜１ＭΩとすることが好ましい。不純物抵抗の抵抗値が小さすぎると終端配線が接続されたままの状態で検査を行うことができなくなる。一方、不純物抵抗の抵抗値が大きすぎると、製造途中での静電気による破損を防止する効果が小さくなる。
不純物抵抗は、ポリシリコンに導入する不純物の量により抵抗値を調節することができるが、数ｍｍの長さで５０ｋΩ〜１ＭΩの抵抗値を得ることが容易である。また、不純物抵抗となるポリシリコン膜は、表示領域内のポリシリコン薄膜トランジスタの活性領域となるポリシリコン膜と同時に形成することができるので、製造工程数の増加を抑制できる。
【００１９】
ポリシリコン薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置の場合、製造工程の初期の段階でポリシリコン膜を形成するので、不純物抵抗も比較的速い段階で形成することになる。従って、信号電極及び走査電極の形成と同時にこれらの信号電極及び走査電極を不純物抵抗を介して終端配線に接続することができる。これにより、静電気による破損を防止する効果を、製造の比較的初期の段階から得ることができる。
【００２０】
更に、本発明においては、ポリシリコンからなる不純物抵抗の部分で透明基板を切断するので、金属薄膜の場合と異なり、金属薄膜の剥がれに起因する短絡が回避される。
アクティブマトリクス方式の液晶表示装置の場合は、表示領域の外側にもポリシリコン薄膜トランジスタを形成し、これらの薄膜トランジスタにより駆動回路を形成することができる。更に、ガラス基板上に検査回路を形成することにより、特殊な検査装置が不要になる。従って、透明基板上の表示領域内にポリシリコン薄膜トランジスタを形成するときに、表示領域の外側にもポリシリコン薄膜トランジスタを形成し、これらの表示領域の外側のポリシリコン薄膜トランジスタにより駆動回路又は検査回路を形成することが好ましい。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
（第１の実施の形態）
図１〜図４は本発明の第１実施の形態の液晶表示装置の製造方法を示す断面図、図５は製造途中のＴＦＴ基板の一部を拡大して示す平面図、図６は同じくそのＴＦＴ基板の全体を示す模式図である。なお、図１，図２は図５のＡ−Ａ線における断面図、図３，図４は図５のＢ−Ｂ線における断面図である。また、以下の説明では表示領域２４内のＴＦＴの製造について説明しているが、ゲートドライバ回路２２及びデータドライバ回路２３内のＴＦＴも表示領域２４内のＴＦＴ２０と同時に形成し、ドライバ回路２２，２３内の配線はゲートバスライン１５及びデータバスライン１７と同時に形成することができる。
【００２２】
まず、図１（ａ），図３（ａ）に示すように、ガラス基板１０上にＳｉＯ2 からなる下地保護膜１１を約２００ｎｍの厚さに形成した後、ＣＶＤ法により下地保護膜１１上にアモルファスシリコン膜１２を約５０ｎｍの厚さに形成する。このとき、アモルファスシリコン膜１２の形成には、例えばモノシラン及び水素ガスを使用する。
【００２３】
次に、アモルファスシリコン膜１２にエキシマレーザを照射して、アモルファスシリコンをポリシリコンに変える。その後、塩素ガスを用いたドライエッチングによりポリシリコン膜を選択的にエッチングして、図１（ｂ），図３（ｂ）、図５及び図６に示すように、ＴＦＴ２０及び不純物抵抗Ｒ1 〜ＲN ，ＧＲ1 〜ＧＲN ，ＤＲ1 〜ＤＲN を形成すべき領域にのみポリシリコン膜１２ａ，１２ｂ，１２ｃを残存させる。
【００２４】
その後、プラズマＣＶＤ法を使用して、基板１０の上側全面に絶縁膜１４を形成し、この絶縁膜１４によりポリシリコン膜１２ａ，１２ｂ，１２ｃを覆う。この絶縁膜１４は例えばＳｉＯ2 を１５０ｎｍの厚さに堆積させることにより形成する。
次に、図１（ｃ），図３（ｃ）に示すように、基板１０の上側全面にアルミニウム膜を約３００ｎｍの厚さに形成し、そのアルミニウム膜をパターニングして、相互に平行な複数本のゲートバスライン（走査電極）１５と、終端配線１５ａとを同時に形成する。ゲートバスライン１５のうち、ポリシリコン膜１２ａの上方に位置する部分がＴＦＴ２０のゲートとなる。なお、図６において、Ｇ1 〜ＧN は表示領域２４から外側に延び出したゲートバスライン１５を示す。
【００２５】
その後、ＣＨＦ3 ガスによりゲートバスライン１５及び終端配線１５ａに覆われていない部分の絶縁膜１４をエッチングにより除去する。そして、ゲートバスライン１５の両側に露出したポリシリコン膜１２ａに例えばホウ素（Ｂ）をイオン注入して、ＴＦＴ２０のソース・ドレインを形成する。このとき同時に、ポリシリコン膜１２ｂ，１２ｃに不純物を例えば５×１０14／ｃｍ2 の濃度でイオン注入して、ポリシリコン膜１２ｂ，１２ｃの抵抗値を５０ｋΩ〜１ＭΩ程度にする。これにより、図６に示す不純物抵抗Ｒ1 〜ＲN ，ＧＲ1 〜ＧＲN ，ＤＲ1 〜ＤＲN が形成される。イオン注入時の条件としては、例えば不純物としてホウ素（Ｂ）を使用する場合は加速電圧を３０ｋＶとし、不純物としてリン（Ｐ）を使用する場合は加速電圧を１０ｋＶとする。
【００２６】
次に、図２（ａ），図４（ａ）に示すように、例えばプラズマＣＶＤ法により、基板１０上の全面に層間絶縁膜１６を形成し、この層間絶縁膜１６によりゲートバスライン１５、終点配線１５ａ及びポリシリコン膜１２ａ，１２ｂ，１２ｃを被覆する。
次に、図２（ｂ），図４（ｂ）に示すように、層間絶縁膜１６を選択的にエッチングして、ＴＦＴ２０のソース・ドレイン（ポリシリコン膜１２ａ）に到達するコンタクトホール１６ａと、ポリシリコン膜１２ｂ，１２ｃの両端を露出するコンタクトホール１６ｂと、ゲートバスライン１５及び終端配線１５ａのポリシリコン膜１２ｂ側の部分が露出するコンタクトホール１６ｃと、終端配線１５ａの両端が露出するコンタクトホール（図示せず）を開孔する。その後、例えばスパッタ法により基板１０の上側全面にアルミニウム膜を形成して層間絶縁膜１６を覆い、該アルミニウム膜をエッチングして、データバスライン（信号電極）１７、終端配線１７ａ、中間電極１７ｃ及び接続配線１７ｄ，１７ｅを形成する。この場合、データバスライン１７はコンタクトホール１６ａを介してＴＦＴ２０のドレインに接続され、中間電極１７ｃは他のコンタクトホール１６ａを介してＴＦＴ２０のソースに接続される。また、ゲートバスライン１５はコンタクトホール１６ｂ，１６ｃ及び接続配線１７ｄ，１７ｅを介してポリシリコン膜１２ｂに電気的に接続される。また、データバスライン１７は図示しないコンタクトホールを介してポリシリコン膜１２ｃ（不純物抵抗ＤＲ1 〜ＤＲN ）に接続され、更にポリシリコン膜１２ｃを介して終端配線１７ａに電気的に接続される。更にまた、終端配線１５ａと終端配線１７ａとが図示しないコンタクトホールを介して接続される。なお、図６において、Ｄ1 〜ＤN は表示領域２４から外側に延び出したデータバスライン１７を示す。
【００２７】
次に、図２（ｃ），図４（ｃ）に示すように、基板１０上の全面に層間絶縁膜１８を約３００ｎｍの厚さに形成し、該層間絶縁膜１８によりデータバスライン１７、終端配線１７ａ、中間電極１７ｃ及び接続配線１７ｄ，１７ｅを被覆する。そして、この層間絶縁膜１８を選択的にエッチングして、中間電極１７ｃに到達するコンタクトホールを形成する。なお、このとき同時に、入力端子２１（図６参照）を形成する領域においては、配線が露出するように開口部を形成する。
【００２８】
次いで、スパッタ法により、基板１０上の全面にＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜を選択的にエッチングして画素電極１９を形成する。また、入力端子２１（図６参照）の形成領域では露出した配線の上をＩＴＯ膜で被覆して、これらのＩＴＯ膜を入力端子２１とする。その後、基板１０の表示領域２４上に配向膜（図示せず）を形成する。このようにして、ＴＦＴ基板が完成する。
【００２９】
一方、ガラス基板上に対向電極、カラーフィルタ及び配向膜等を形成した対向基板を用意する。そして、図７に示すように、ＴＦＴ基板３１のＴＦＴ２０等が形成された面と対向基板３２の対向電極３２ａ等が形成された面とを向かい合わせて配置し、両者の間に液晶３３を充填して封止剤３４により封止する。
次いで、図６に示す入力端子２１に検査装置（図示せず）を接続して基板検査を行う。このとき、終端配線１５ａ，１７ａと入力端子２１、ゲートバスライン１５及びデータバスライン１７との間には抵抗値が５０ｋΩ〜１ＭΩの不純物抵抗Ｒ1 〜ＲN ，ＧＲ1 〜ＧＲN ，ＤＲ1 〜ＤＲN が接続されているので、終端配線１５ａ，１７ａが接続されたままであっても、支障なく検査を行うことができる。
【００３０】
その後、検査で異常がないと判定されると、図６，図７に破線で示す部分、すなわち不純物抵抗Ｒ1 〜ＲN ，ＧＲ1 〜ＧＲN ，ＤＲ1 〜ＤＲN を通る切断線に沿ってＴＦＴ基板３１及び対向基板３２を切断する。その後、ＴＦＴ基板３１及び対向基板３２の外側面に偏光板を配置し、液晶表示装置が完成する。
本実施の形態においては、終端配線１５ａ，１７ａとゲートバスライン１５、データバスライン１７及び入力端子２１との間にいずれも５０ｋΩ〜１ＭΩの不純物抵抗Ｒ1 〜ＲN ，ＧＲ1 〜ＧＲN ，ＤＲ1 〜ＤＲN を設けているので、終端配線１５ａ．１７ａが接続したままの状態で基板検査を行うことができる。これにより、不良基板をパネル化せずにすむので、製造コストの削減が可能となる。また、各ゲートバスライン１５及び各データバスライン１７が終端配線１５ａ，１７ａを介して相互に電気的に接続されるので、製造工程の各所で発生する静電気による破損を回避できる。しかも、本実施の形態においては、不純物抵抗Ｒ1 〜ＲN ，ＧＲ1 〜ＧＲN ，ＤＲ1 〜ＤＲN を比較的初期の段階で形成し、ゲートバスライン１５及びデータバスライン１７はその形成と同時に終端配線１５ａ，１７ａに接続するので、製造工程の初期段階から静電気による破損を防止する効果が得られる。
【００３１】
更に、本実施の形態においては、基板を切断するときに、不純物抵抗Ｒ1 〜ＲN ，ＧＲ1 〜ＧＲN ，ＤＲ1 〜ＤＲN の部分、すなわちポリシリコン膜の部分で切断するので、アルミニウム等の金属配線と異なり、配線の剥がれによる短絡が防止される。これにより製造歩留まりが向上し、延いては製品コストの低減が可能になる。また、切断面からの金属の腐食が回避される。
【００３２】
（第２の実施の形態）
図８は本発明の第２の実施の形態の液晶表示装置の製造方法を示す模式図である。なお、図８において、図６と同一物には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。
本実施の形態においては、図８に示すように、ゲートバスライン及びデータバスラインの一端側にはドライバ回路２２，２３を形成し、他端側には検査回路２５，２６を形成する。そして、ゲートバスライン及びデータバスラインと検査回路２５，２６との間には第１の不純物抵抗ＧＲ1 〜ＧＲN ，ＤＲ1 〜ＤＲN を形成し、検査回路２５，２６と終端配線１５ａ，１７ａとの間には第２の不純物抵抗Ｇｒ1 〜ＧｒN ，Ｄｒ1 〜ＤｒN を形成する。これらの不純物抵抗Ｇｒ1 〜ＧｒN ，Ｄｒ1 〜ＤｒN は、第１の実施の形態と同様に、ポリシリコンＴＦＴのソース・ドレインとなるポリシリコン膜と同時に形成する。
【００３３】
基板検査時には、検査回路２５，２６に電源電圧及び信号を供給して所定の検査を行う。その後、図中破線で示す部分、すなわち、不純物抵抗ＧＲ1 〜ＧＲN ，ＤＲ1 〜ＤＲN を通る直線に沿って基板を切断する。
本実施の形態においても、第１の実施例と同様の効果が得られるのに加えて、専用の検査回路２５，２６を設けるので、外部の検査回路に接続する必要がなく、検査工程を簡略化できるという効果がある。
【００３４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、信号電極及び走査電極と終端配線との間に、不純物導入ポリシリコンからなる不純物抵抗を形成するので、信号電極及び走査電極に電圧を印加しても、信号電極と走査電極との間には不純物抵抗が介在するので短絡状態となることはなく、終端配線が接続されたままの状態で検査を行うことができる。これにより、液晶表示装置の信頼性が向上する。
【００３５】
また、本発明においては、ポリシリコンからなる不純物抵抗の部分で基板を切断するので、金属薄膜の剥がれに起因する短絡が回避されるとともに切断面からの腐食を回避でき、製造歩留まりが向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の液晶表示装置の製造方法を示す断面図（その１）であり、ＴＦＴ形成領域における断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の液晶表示装置の製造方法を示す断面図（その２）であり、ＴＦＴ形成領域における断面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態の液晶表示装置の製造方法を示す断面図（その３）であり、不純物抵抗形成領域における断面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態の液晶表示装置の製造方法を示す断面図（その４）であり、不純物抵抗形成領域における断面図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態の製造途中のＴＦＴ基板の一部を拡大して示す平面図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態の製造途中のＴＦＴ基板の全体を示す模式図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態の液晶表示装置の製造方法において、ＴＦＴ基板と対向基板との接合部分を示す断面図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態の液晶表示装置の製造方法を示す模式図である。
【図９】従来方法による製造途中の液晶表示装置のＴＦＴ基板の一部を拡大して示す平面図である。
【図１０】同じくその液晶表示装置のＴＦＴ基板の全体を示す模式図である。
【図１１】従来方法による液晶表示装置の製造方法において、ＴＦＴ基板と対向基板との接合部分を示す断面図である。
【図１２】従来の問題点（その１）を示す断面図である。
【図１３】従来の問題点（その２）を示す断面図である。
【符号の説明】
１０，５０  ガラス基板、
１２  アモルファスシリコン膜、
１２ａ〜１２ｃ，５２ａ  ポリシリコン膜、
１５，５５  ゲートバスライン（走査電極）、
１５ａ，１７ａ，５５ａ，５７ａ  終端配線、
１７，５７  データバスライン（信号電極）、
１９  画素電極、
２０  ＴＦＴ、
２２  ゲートドライバ回路、
２３  データドライバ回路、
２５，２６  検査回路、
３１，８１  ＴＦＴ基板、
３２，８２  対向基板、
３４，８４  封止剤、
Ｒ1 〜ＲN ，ＧＲ1 〜ＧＲN ，ＤＲ1 〜ＤＲN   不純物抵抗。
【図１】
0004252126.tif 000002
【図２】
0004252126.tif 000003
【図３】
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【図４】
0004252126.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
0004252126.tif 000008
【図８】
0004252126.tif 000009
【図９】
0004252126.tif 000010
【図１０】
0004252126.tif 000011
【図１１】
0004252126.tif 000012
【図１２】
0004252126.tif 000013
【図１３】
0004252126.tif 000014