(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）シリコン基板（１）の第一の面（２）に感光性検出部（３）を形成する工程、
ｂ）この感光性検出部（３）に対向する、シリコン基板（１）の第二の面（６）から出発して開口（５）を形成する工程、
ｃ）この開口（５）をＸ線を吸収する物質で少なくとも部分的に充填する工程、
ｄ）シリコン基板（１）を除去することによってＸ線を吸収する物質の間の範囲（８）を形成する工程、
ｅ）かくして感光性検出部（３）に形成された境界面をドーピング或いは酸化によってパッシベーションする工程、および
ｆ）前記範囲（８）にＸ線を光に変換する膜（９）を形成する工程、
を備えることを特徴とする平面画像増幅器の製造方法。
【請求項２】
工程ａ）がシリコン基板（１）の上に少なくとも１つの読み取り電子回路（４）を付加的に形成することによって補完されていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
開口（５）がシリコン基板（１）のエッチングにより形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
開口（５）が直線状に或いは円形に形成されていることを特徴とする請求項１乃至３の１つに記載の方法。
【請求項５】
Ｘ線を吸収する物質がタングステン或いは鉛からなることを特徴とする請求項１乃至４の１つに記載の方法。
【請求項６】
Ｘ線を吸収する物質の間のシリコン基板（１）がエッチングにより除去されることを特徴とする請求項１乃至５の１つに記載の方法。
【請求項７】
Ｘ線を光に変換する膜がＣｓＩを備えることを特徴とする請求項１乃至６の１つに記載の方法。
【請求項８】
開口（５）が１５０μｍから６００μｍの深さを持つことを特徴とする請求項３又は４に記載の方法。
【請求項９】
シリコン基板（１）が１０μｍから１００μｍの膜厚を残して除去されることを特徴とする請求項１又は６に記載の方法。
【請求項１０】
Ｘ線を光に変換する膜（９）の膜厚が５０μｍから３００μｍの範囲にあることを特徴とする請求項１又は７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、平面画像増幅器の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ドイツ連邦共和国特許第１９５３５２８５号明細書により、マトリックスに配置された画素を持ちＸ線に感ずるデジタル固体画像変換器からなるＸ線像変換器を備えたＸ線診断装置が公知である。Ｘ線源とＸ線像変換器との間には被検査体から出る散乱Ｘ線を抑制するための散乱Ｘ線除去用格子が配置されている。この散乱Ｘ線除去用格子はＸ線検出器に固定されているので、これはＸ線検出器に密接して配置されるか、これと一体を形成している。Ｘ線像変換器の詳細な構成は開示されていない。
【０００３】
ドイツ連邦共和国特許第３９００２４５号明細書および米国特許第５３８６１２２号明細書には検出器アレイとシンチレーター膜とからなり、後から堀が刻み込まれるかエッチングされ、この堀を再び反射性物質で充填して、散乱Ｘ線除去用格子を形成した複合装置が記載されている。
【０００４】
日本特許英文抄録第１１巻第２７９号６１４頁に挙げられた特開昭６２−７６４７８号公報により、検出器を備えた半導体基板の裏面に窪みをエッチングで形成し、その中にシンチレーション物質を堆積させることが公知である。この基板は積層体に纏められ、シンチレーターから出るＸ線をその下にある第二の基板の検出器で検出する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
この発明の課題は、できるだけ少ないＸ線照射量で高い分解能と高いコントラストを持つＸ線写真を作成可能である平面画像増幅器の製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この課題は、この発明によれば、
ａ）シリコン基板の第一の面に感光性検出部を形成する工程、
ｂ）この感光性検出部に対向する、シリコン基板の第二の面から出発して開口を形成する工程、
ｃ）この開口をＸ線を吸収する物質で少なくとも部分的に充填する工程、
ｄ）シリコン基板を除去することによってＸ線を吸収する物質の間の範囲を形成する工程、
ｅ）かくして感光性検出部に形成された境界面をドーピング或いは酸化によってパッシベーションする工程、および
ｆ）前記範囲にＸ線を光に変換する膜を形成する工程、
を備えることによって解決される。
【０００７】
この発明の利点は、この発明による平面画像増幅器が、シリコン基板上に感光性検出部だけでなく、散乱Ｘ線除去用格子並びにＸ線を光に変換する膜も配置されているので、コンパクトな構造を持っているという点にある。それ故、Ｘ線を変換する膜および感光性検出部と散乱Ｘ線除去用格子との距離が小さいことにより、さらにＸ線を光に変換する膜と光を変換する検出器との距離が小さいことにより分解能並びにコントラストが高くなり、これに起因して損失が少なくなることにより像形成に必要な線量が削減される。
【０００８】
シリコン基板の開口並びにＸ線を吸収する範囲の間の部分はエッチングによって特に正確にかつコスト的に有利に除去することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
この発明のその他の利点および詳細は図面およびその他の請求項を参照した実施例の以下の説明により明らかにされる。
【００１０】
図１において、シリコンからなる基板はウエハとして形成され、符号１でもって示されている。この基板１の第一の面２にはドーピングによって感光性検出部３が形成されているが、これは図ではただ原理的に示され、マトリックスに配置することができる。特に第一の面２には、同様に原理的にのみ図示され、選択トランジスタ或いは選択ダイオードを持つ少なくとも１つの読み取り電子回路４が形成されている。この読み取り電子回路４は、しかしまた、必ずしも基板１の上に形成される必要はなく、別々にチップに設けることもできる。
【００１１】
図２には、基板１の第一の面２に対向する第二の面６側から出発し、感光性検出部３の方向に向いている開口５が基板１に形成されていることが示されている。この開口５は特に基板１に孔或いは線をエッチングすることにより形成される。散乱Ｘ線除去用格子を形成するために、約１５０μｍ乃至６００μｍの、好ましくは約３００μｍの深さの開口５にＸ線を吸収する物質、例えばタングステン或いは鉛が埋め込まれて散乱Ｘ線除去用格子の薄層７を形成している。その後の工程でこの薄層７の間の範囲が除去され、残った基板１は１０μｍから１００μｍの、好ましくは約５０μｍの厚さを持っている。この除去は同様にエッチングで行うのがよい。その後に続く、感光性検出部３に対する境界面のドーピング或いは酸化によるパッシベーション工程でＸ線を光に変換する膜９が範囲８、即ち薄層７間に設けられる。この膜９は好ましくはＣｓＩ、ＺｎＳ或いはＧｄＯ2Ｓからなり、厚さが５０μｍから３００μｍ、好ましくは１００μｍであるのがよく、特に範囲８に沈降によって設けられる。
【００１２】
かくして得られた平面画像増幅器は一平面内で広がっているか、円弧状或いは円蓋状に形成される。平面画像増幅器に当たる散乱Ｘ線は薄層７によって吸収され、これに対して直接のＸ線は膜９で吸収され、光量子に変換される。この光量子は基板１に電荷キャリアの対を形成し、これは基板１に拡散し感光性検出部３を介して電気信号を発生する。
【００１３】
それ故、コスト的に有利にかつ簡単に平面画像増幅器が得られ、その集積構造に基づき、不利益に作用するＸ線散乱成分は散乱Ｘ線除去用格子とＸ線検出部との距離が小さいことにより、また反射損失はＸ線を光に変換する膜９と感光性検出部３との間の直接接触により減少され、このようにして画像分解能が改善される。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明による平面画像増幅器のシリコン基板を示す断面図。
【図２】開口にＸ線を吸収する物質を配置したシリコン基板の断面図。
【図３】この発明による平面画像増幅器の断面図。
【符号の説明】
１        基板
２        第一の面
３        感光性検出部
４        読み取り電子回路
５        開口
６        第二の面
７        薄層
８        範囲
９        膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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