(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ記憶装置のための記憶モジュールであって、その記憶モジュールが、
上側エッジ（16）、下側エッジ（18）、左側エッジ（20）、右側エッジ（22）によって画定されたロータ（12）と、
前記ロータ（12）を支持するためのフレーム（14）と、
前記ロータ（12）の前記上側エッジ（16）から延在する第１の一対の結合用梁（30a、30b）と、
前記ロータ（12）の前記下側エッジ（18）から延在する第２の一対の結合用梁（32a、32b）と、
前記ロータ（12）の前記上側エッジ（16）に隣接して配置された第１の結合質量体（34a）と、
前記ロータ（12）の前記下側エッジ（18）に隣接して配置された第２の結合質量体（34b）と、
前記第１の一対の結合用梁（30a、30b）と前記第１の結合質量体（34a）との間に延在する第１の組の可撓性部材（36a）と、
前記第２の一対の結合用梁（32a、32b）と前記第２の結合質量体（34b）との間に延在する第２の組の可撓性部材（36b）と、
前記フレーム（14）から延在し、前記ロータ（12）の前記左側エッジ（20）に隣接して配置される第１の可撓性マウント（40a）と、
前記フレーム（14）から延在し、前記ロータ（12）の前記右側エッジ（22）に隣接して配置される第２の可撓性マウント（40b）と、
前記第１の可撓性マウント（40a）と前記第１および第２の結合質量体（34a、34b）との間に延在する第３の組の可撓性部材（42a）と、および
前記第２の可撓性マウント（40b）と前記第１および第２の結合質量体（34a、34b）との間に延在する第４の組の可撓性部材（42b）とからなる、記憶モジュール。
【請求項２】
前記第１および第２の組の可撓性部材（36a、36b）の軸方向が、前記ロータ（12）の前記上側エッジ（16）および前記下側エッジ（18）と揃えられ、前記第３および前記第４の組の可撓性部材（42a、42b）の軸方向が、前記ロータ（12）の前記左側エッジ（20）および前記右側エッジ（22）と揃えられる、請求項１に記載の記憶モジュール。
【請求項３】
前記第１、第２、第３および第４の組の可撓性部材（36a、36b、42a、42b）が、それぞれ少なくとも２つの個別の可撓性部材からなる、請求項１に記載の記憶モジュール。
【請求項４】
前記第１および第２の組の可撓性部材（36a、36b）の前記軸方向が、前記第３および第４の組の可撓性部材の長さに沿って、前記第３および第４の可撓性部材（42a、42b）と交差する、請求項２に記載の記憶モジュール。
【請求項５】
前記ロータを動かすために前記ロータ（12）と相互作用するマイクロムーバ（28）をさらに含み、そのマイクロムーバ（28）が、前記ロータの前面（24）と反対側にある、前記ロータの背面に隣接して配置される、請求項１に記載の記憶モジュール。
【請求項６】
前記ロータ（12）が、記憶媒体を含む、請求項１に記載の記憶モジュール。
【請求項７】
前記記憶媒体が、データを記憶するための複数の記憶領域（26）を含み、前記記憶領域（26）のそれぞれが、その領域に格納されるデータを表すために複数の状態のうちの１つになる、請求項６に記載の記憶モジュール。
【請求項８】
請求項１に記載された記憶モジュールを含む記憶装置のフレーム内で複数の記憶モジュールロータのパッキング密度を高めるための方法であって、
ロータ（12）のエッジと前記記憶装置のフレーム（114）との間に延在する前記第１、第２、第３および第４の組の可撓性部材（36a、36b、42a、42b）を用いて、前記記憶装置のフレーム（114）内に複数の前記ロータ（12）をそれぞれ支持することを含み、前記第１、第２、第３および第４の組の可撓性部材が前記ロータの周囲に配置され、前記ロータ（12）の各エッジ（16、18、20、22）に隣接する可撓性部材が前記隣接するエッジに揃えられる、方法。
【請求項９】
前記第１、第２、第３および第４の組の可撓性部材（36a、36b、42a、42b）が、肉厚の薄い微細加工された梁である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の組の可撓性部材（36a、36b）の軸が、前記第１の組の可撓性部材（36a、36b）に直角に配置された第２の組の可撓性部材（42a、42b）と交差するように、前記複数のロータ（12）のうちの１つの両側に第１の組の可撓性部材（36a、36b）を位置合わせすることをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、概してデータ記憶装置に関し、より詳細には、超高密度データ記憶装置で用いるための記憶モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
データ記憶の分野において、情報記憶装置の記憶密度を高め、記憶のコストを削減することが望ましいことは十分に認識されている。これは、磁気ハードドライブ、光ドライブ、ＲＡＭデバイスおよび他の情報記憶装置のような全てのタイプの情報記憶装置に一般に当てはまる。しかしながら、さらに多くの情報を記憶装置に詰め込むことは益々難しくなっている。さらに、それらの記憶装置を作成するための従来の技術は、記憶密度に関する根本的な限界に近づきつつある。
【０００３】
記憶装置の記憶密度を高めるために、数多くの代替案が提案されている。いくつかの例には、走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）、原子間力顕微鏡、走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）、近接場走査顕微鏡、走査力顕微鏡がある。これらの提案された代替案のそれぞれは、その利点と不利益とを有する。あるものは構築するのに莫大なコストがかかり、あるものは実現するのが困難であり、別のものは解像度および帯域幅が制限されるか、または不足しており、さらに別のものは信号対雑音比が不十分である。
【０００４】
記憶密度を高めることに成功したとしても、依然として別の大きな障害を乗り越えなければならない。具体的には、格納された情報にアクセスするのに必要な時間は、短くなければならない。簡単に言うと、いくら記憶密度が高くても、格納された情報を検索するのにあまりにも時間がかかる場合には、記憶装置の有用性が制限される。言い換えると、記憶密度が高いことに加えて、情報に迅速にアクセスするための方法を見いださなければならない。
【０００５】
Gibson等に付与された特許文献１には、速いアクセス時間と速いデータ速度とを有しながら、記憶密度を高めることができる超高密度記憶装置が記載され、請求されている。Gibson等の超高密度記憶装置は、標準的な半導体製造技術によって形成され、非常に鋭利な先端から電子のビームを放出する電界放出器を利用することに基づく。Gibson等の一実施形態では、記憶装置は、多数の電界放出器と、１つの記憶媒体と、１つのマイクロムーバとを含む。記憶媒体は多数の記憶領域を有し、電界放出器は、１つの放出器が記憶媒体上の多数の記憶領域に対して役割を果たすように間隔をおいて配置される。一実施形態では、各記憶領域は、記憶装置上に１ビットのデータを格納するための役割を果たす。媒体は、電界放出器に非常に接近して、たとえば数百マイクロメートルないし数マイクロメートル離れている。
【０００６】
各電界放出器は電子ビーム流を生成する。各記憶領域は、いくつかの異なる状態のうちの１つになることができる。一実施形態では、バイナリ情報がそれらの領域に格納され、その場合、１つの状態がハイビットを表し、別の状態がロービットを表す。電子ビーム流が記憶領域をボンバードするとき、信号電流が生成される。信号電流の大きさは、その記憶領域の状態に依存する。したがって、その領域に格納された情報は、信号電流の大きさを測定することにより読み出され得る。電子ビームを用いて、記憶領域上に情報を書き込むこともできる。各電子ビームの大きさを予め選択されたレベルまで増加して、その電子ビームが衝突する記憶領域の状態を変更することができる。記憶領域の状態を変更することにより、その領域上に情報が書き込まれる。
【０００７】
電界放出器と同様に、マイクロムーバは、半導体微細加工技術によって作成される。マイクロムーバは電界放出器に対して記憶媒体を走査するか、または記憶媒体に対して電界放出器を走査する。こうして、各放出器は、記憶媒体上の多数の記憶領域からの情報にアクセスすることができる。数百または数千の電界放出器が同時に情報を読み出し、および／または書き込む場合、その記憶装置は、非常に速いアクセス時間とデータ速度とを有する。
【０００８】
記憶媒体がマイクロムーバによって移動する際に、正確に書込みおよび読出しを行うことを保証するために、記憶媒体は、記憶媒体の平面内で全く容易に動くことができ、記憶媒体の平面に垂直な方向には全く動かないことが望ましい。このようにして、電界放出器と記憶媒体との間の距離は、一定に保持される。
【０００９】
記憶媒体は１つの平面内でのみ動くことが望ましいが、この結果を達成するのは難しい。たとえば、マイクロムーバは、単に記憶媒体の平面（すなわち、Ｘ−Ｙ面）において記憶媒体を動かすように意図されている。しかしながら、マイクロムーバのタイプによっては、マイクロムーバが平面から外れて記憶媒体を動かす（すなわち、記憶媒体をＺ方向に動かす）傾向を有する場合もある。また、振動のような環境的な要因が、平面から外れた動きを引き起こすか、またはその一因になる場合もある。平面外コンプライアンスを低減することにより記憶媒体の平面外への動きを制限する結果として、多くの場合に平面内コンプライアンスも同様に低減される。したがって、平面内コンプライアンスと平面外コンプライアンスとの比（「コンプライアンス比」）ができる限り高くなるように記憶媒体を浮いた状態で支持することが１つのバランスになる。同時に、記憶媒体の空間的な制約が考慮されなければならない。すなわち、記憶媒体サスペンションシステムは、できる限り小さな空間を占め、それによりデータ記憶のために利用することができる記憶媒体を増加しなければならない。
【００１０】
【特許文献１】
米国特許第５，５５７，５９６号明細書
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、モジュールのコンプライアンス比とそのパッキング密度との間の適切なバランスを提供する高密度記憶モジュールが必要とされている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、高密度データ記憶装置のためのデータ記憶モジュールである。この記憶モジュールは、上側エッジ、下側エッジ、左側エッジ、右側エッジを有するロータを含む。ロータは、ロータの上側エッジ、下側エッジ、左側エッジ、右側エッジを包囲するフレーム内に懸架される。ロータは複数の可撓性部材によってフレーム内に懸架され、上側エッジに隣接する可撓性部材は上側エッジと揃えられ、下側エッジに隣接する可撓性部材は下側エッジと揃えられ、左側エッジに隣接する可撓性部材は左側エッジと揃えられ、右側エッジに隣接する可撓性部材は右側エッジに揃えられる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
好適な実施形態の以下の詳細な説明では、その一部を形成し、一例として本発明が実施され得る特定の実施形態が示される添付の図面を参照する。本発明の範囲から逸脱することなく、他の実施形態を利用でき、構造的または論理的変更を行うことができることは理解されたい。したがって、以下の詳細な説明は限定する意味にとられるべきではなく、本発明の範囲は特許請求の範囲によって規定される。
【００１４】
高密度記憶モジュール１０の一実施形態が、図１ａおよび図１ｂに示される。記憶モジュール１０は、ロータ１２と、ロータ１２を支持するためのフレーム１４とを含む。ロータ１２は、その上側エッジ１６と、下側エッジ１８と、左側エッジ２０と、右側エッジ２２とによって画定される。ロータ１２の前面２４はＸ−Ｙ面を画定し、上側エッジ１６および下側エッジ１８はＸ軸に合わせられ、左側エッジ２０および右側エッジ２２はＹ軸に合わせられる。ロータ１２の前面２４は、データ記憶のための複数の記憶領域２６を有する記憶媒体から形成される。記憶領域２６（全体として図１ｂに示される）は、その領域に格納されるデータを表すために複数の状態のうちの１つになる。ロータフレーム１４は、ロータエッジ１６、１８、２０、２２から間隔をおいて配置される。一実施形態では、ロータフレーム１４はＸ−Ｙ面においてロータ１２を包囲する。ロータ１２はマイクロムーバまたはアクチュエータ２８によって動かされ、本発明の一実施形態では、マイクロムーバまたはアクチュエータ２８は、前面２４と反対側にある、ロータ１２の背面に配置される。マイクロムーバ２８は全体として図１ａに示される（本明細書で用いられるような、上側、下側、左側、右側、前面、背面などの方向に関する用語は相対的な用語であり、記憶モジュール１０の向き全体に関する制限として解釈されるべきではない）。
【００１５】
ロータ１２とロータフレーム１４とを相互に接続する複数の支持構造体によって、ロータ１２はロータフレーム１４によって支持される。多くのＭＥＭＳ装置は、質量体およびそれらのシステムを支持するために、梁または可撓性部材を用いる。梁は、システムの質量の支持と、システムの質量の動きに対するコンプライアンスとの両方を提供する。多くの場合に、最も大きな平面内対平面外コンプライアンス比（ここではコンプライアンス比と呼ばれる）を可能にすることが望ましい。しかしながら、この比は、選択される機械的な構成によって制限される可能性がある。高いコンプライアンス比が望ましい理由は、ＭＥＭＳ装置において用いられるアクチュエータ装置によって提供されるマイクロムーバまたはアクチュエータの力があまり強くないことである。したがって、コンプライアンス比を維持または改善しながら、平面内コンプライアンスを改善することが望ましい。平面内コンプライアンスを高めることは、梁または可撓性部材を軸方向に短縮できるようにすることにより達成され得る。すなわち、梁が曲げられるとき、それらは軸方向において短くなる傾向があり、それにより平面内コンプライアンスが減少することにつながる。この軸方向の短縮を補償することにより、平面内コンプライアンスが高くなるであろう。平面外コンプライアンスを低く保ち、かつ依然としてコンプライアンス比を改善しながら、平面内コンプライアンスを改善するためのさらなる方法は、梁または可撓性部材の端部が角度をなして動けるようにすることである。梁の一端または両端において小さな角度であっても、平面内コンプライアンスを著しく高めることができる。多くの事例において、同じ構造によって軸方向の短縮を補償し、梁が角度をなして動くことも可能にする。
【００１６】
図１ａおよび図１ｂに示されるように、軸方向の短縮を補償し、かつ支持用梁が角度をなして動くことができるようにするために、第１の一対の結合用梁３０ａ、３０ｂが、ロータ１２の上側エッジ１６から延在し、一方、第２の一対の結合用梁３２ａ、３２ｂが、ロータ１２の下側エッジ１８から延在する。図１ａおよび図１ｂに示される実施形態では、ロータ１２は長方形であり、結合用梁３０ａ、３０ｂ、３２ａ、３２ｂはロータ１２の角部から延在する。例示される実施形態では、結合用梁３０ａ、３０ｂ、３２ａ、３２ｂはロータ１２の左側エッジ２０および右側エッジ２２と概ね揃えられる。しかしながら、結合用梁３０ａ、３０ｂ、３２ａ、３２ｂは、図１ａおよび図１ｂに示されるものとは異なる起点および向きを有しても良い。たとえば、図２ａおよび図２ｂに示される代替の実施形態は、結合用梁３０ａにさらなる回転の自由度を与え、それによりロータ１２に付加的な平面内コンプライアンスを与える。
【００１７】
第１の一対の結合用梁３０ａ、３０ｂは、第１の一対の結合用梁３０ａ、３０ｂと第１の結合質量体３４ａとの間に延在する第１の組の可撓性部材３６ａによって、第１の結合質量体３４ａ（ロータ１２の上側エッジ１６に隣接して配置される）に接続される。第２の一対の結合用梁３２ａ、３２ｂは、第２の一対の結合用梁３２ａ、３２ｂと第２の結合質量体３４ｂとの間に延在する第２の組の可撓性部材３６ｂによって、第２の結合質量体３４ｂ（ロータ１２の下側エッジ１８に隣接して配置される）に接続される。第１および第２の組の可撓性部材３６ａ、３６ｂの軸方向は、ロータ１２の上側および下側エッジ１６および１８と概ね合わせられる。
【００１８】
ロータフレーム１４は第１および第２の可撓性マウント４０ａ、４０ｂを含み、それらはロータ１２の両側に（図１ａに示されるような左側エッジ２０および右側エッジ２２に隣接して）配置される。第１および第２の結合質量体３４ａ、３４ｂは、可撓性部材４２ａによって第１の可撓性マウント４０ａに接続される。第１および第２の結合質量体３４ａ、３４ｂは、可撓性部材４２ｂによって第２の可撓性マウント４０ｂに接続される。可撓性部材４２ａ、４２ｂの軸方向は、ロータ１２の左側および右側エッジ２０および２２と概ね合わせられる。結合質量体３４ａ、３４ｂは単に、可撓性部材４２ａ、４２ｂと可撓性部材３６ａ、３６ｂとの間の動きを平行移動させるための剛体としての役割を果たす。
【００１９】
図１ａおよび図１ｂに示される実施形態では、組をなす可撓性部材３６ａ、３６ｂ、４２ａ、４２ｂのそれぞれは全部で４個の個別の可撓性部材からなることに留意されたい。しかしながら、可撓性部材の組において異なる数の個別の可撓性部材（たとえば、各組において全部で２個または６個の可撓性部材）を用いても良い。
【００２０】
一実施形態では、結合用梁３０ａ、３０ｂ、３２ａ、３２ｂおよび可撓性部材３６ａ、３６ｂ、４２ａ、４２ｂは、肉厚の薄い微細加工された梁である。可撓性部材３６ａ、３６ｂの面は、Ｘ−Ｚ面内にある。この可撓性部材の組はＹ方向に撓むことができ、ロータ１２がフレーム１４に対してＹ方向に動くことを可能にする。可撓性部材４２ａ、４２ｂの面は、Ｙ−Ｚ方向内にある。この可撓性部材の組はＸ方向に撓むことができ、ロータ１２がフレーム１４に対してＸ方向に動くことを可能にする。
【００２１】
梁可撓性部材のうちの１つの断面図が、図３に示される。梁が平面内および平面外に撓むとき、その梁において捻れが生じる。この捻れは、梁がその軸平面に対して捻れない場合であっても生じる。図３は、無負荷時（位置Ａ）、平面内および平面外負荷時（位置Ｂ）、ならびに平面内、平面外および捻れ負荷時（位置Ｃ）の梁の断面を示す。ロータ１２の動きが、変位から生じるモーメントアームに起因して梁を捻れた状態にするので、その梁の傾向は、図３に示される位置Ｃから図３に示される位置Ｂに向かって戻るように曲がることである。上述のように、多くの場合に、最も大きな平面内対平面外コンプライアンス比を可能にすることが望ましい。しかしながら、このコンプライアンス比は多くの場合に、上述の梁の捻れによって低減される。より高いコンプライアンス比を維持するために、その平面内コンプライアンス比を最大にしながら、梁の捻れおよび平面外コンプライアンスを低減することが望ましい。
【００２２】
本明細書で説明される本発明においては、梁の捻れおよび平面外コンプライアンスは、ロータ１２がＺ軸に沿って移動する際に（すなわち、ロータ１２がマイクロムーバによって上下に動かされる際に）、可撓性部材内に生成される捻れの影響を効率的に打ち消すように可撓性部材を位置合わせすることにより低減される。最大の相殺作用は、可撓性部材３６ａ、３６ｂが可撓性部材４２ａ、４２ｂの軸方向の中間点に向けられる際に達成される。しかしながら、捻れの相殺は、その相殺が可撓性部材４２ａ、４２ｂの中間点で行われない場合であっても、ある程度は達成される。したがって、第１および第２の組の可撓性部材３６ａ、３６ｂの位置は、第１および第２の組の可撓性部材３６ａ、３６ｂの軸が可撓性部材４２ａ、４２ｂの長さに沿ったいずれかの場所で可撓性部材４２ａ、４２ｂと交差するような位置である。
【００２３】
記憶モジュール１０が、フレーム１４によって支持される単一のロータ１２に関して上述してきたが、実際には、複数のロータ１２がフレーム１４によって支持されても良い。ロータ１２のアレイを有する記憶モジュール１１０が、図４に示される。可撓性部材３６ａ、３６ｂ、４２ａ、４２ｂの向きは、記憶モジュール１１０において複数のロータ１２が用いられるときに、大きな利点を提供することに留意されたい。具体的には、可撓性部材３６ａ、３６ｂ、４２ａ、４２ｂは、それらがロータ１２のそれぞれ隣接するエッジに対して概ね平行に配置されるように、ロータ１２の周囲に配列される。したがって、各ロータ１２およびその関連するサスペンションシステムに必要な全面積は低減され、記憶モジュール１１０内のロータ１２のパッキング密度は、それに応じて増加する。
【００２４】
記憶モジュール１１０におけるロータ１２のパッキング密度は、図４に示されるように、隣接するロータ１２間のフレーム１１４の大部分をなくすことによりさらに増加できる。具体的には、フレーム１１４が、隣接するロータ１２の可撓性マウント４０ａ、４０ｂのみを残すように削減されることが図４から明らかである。すなわち、隣接するロータ間のフレーム１１４の部分のみが、可撓性マウント４０ａ、４０ｂである。可撓性マウントはモーショングランドに機械的に固定され、その結果、ロータ１２のアレイの各ロータ１２が別個に動くことができる。当然、望まれる場合には、フレーム１１４は、それが各ロータを完全に包囲するように延在させることもできる。
【００２５】
好適な実施形態を説明するために、本明細書において特定の実施形態が図示および説明されてきたが、同じ目的を果たすように意図された種々の代替および／または等価な実施形態が、本発明の範囲から逸脱することなく、図示および説明された特定の実施形態の代わりに用いられ得ることは当業者には理解されよう。化学、機械、電気機械、電気およびコンピュータの分野の熟練者であれば、本発明が多種多様な実施形態において実施され得ることは容易に理解されよう。本特許出願は、本明細書で説明された好適な実施形態の任意の適応形態または変形形態を網羅することが意図されている。したがって、本発明は、特許請求の範囲およびその等価物によってのみ制限されることが明らかに意図されている。
【００２６】
以下においては、本発明の種々の構成要件の組み合わせからなる例示的な実施形態を示す。
１．データ記憶装置のための記憶モジュールであって、その記憶モジュールが、
上側エッジ（16）、下側エッジ（18）、左側エッジ（20）、右側エッジ（22）によって画定されたロータ（12）と、
前記ロータ（12）を支持するためのフレーム（14）と、
前記ロータ（12）の前記上側エッジ（16）から延在する第１の一対の結合用梁（30a、30b）と、
前記ロータ（12）の前記下側エッジ（18）から延在する第２の一対の結合用梁（32a、32b）と、
前記ロータ（12）の前記上側エッジ（16）に隣接して配置された第１の結合質量体（34a）と、
前記ロータ（12）の前記下側エッジ（18）に隣接して配置された第２の結合質量体（34b）と、
前記第１の一対の結合用梁（30a、30b）と前記第１の結合質量体（34a）との間に延在する第１の組の可撓性部材（36a）と、
前記第２の一対の結合用梁（32a、32b）と前記第２の結合質量体（34b）との間に延在する第２の組の可撓性部材（36b）と、
前記フレーム（14）から延在し、前記ロータ（12）の前記左側エッジ（20）に隣接して配置される第１の可撓性マウント（40a）と、
前記フレーム（14）から延在し、前記ロータ（12）の前記右側エッジ（22）に隣接して配置される第２の可撓性マウント（40b）と、
前記第１の可撓性マウント（40a）と前記第１および第２の結合質量体（34a、34b）との間に延在する第３の組の可撓性部材（42a）と、および
前記第２の可撓性マウント（40b）と前記第１および第２の結合質量体（34a、34b）との間に延在する第４の組の可撓性部材（42b）とからなる、記憶モジュール。
２．前記第１および第２の組の可撓性部材（36a、36b）の軸方向が、前記ロータ（12）の前記上側エッジ（16）および前記下側エッジ（18）と概ね揃えられ、前記第３および前記第４の組の可撓性部材（42a、42b）の軸方向が、前記ロータ（12）の前記左側エッジ（20）および前記右側エッジ（22）と概ね揃えられる、上記１に記載の記憶モジュール。
３．前記第１、第２、第３および第４の組の可撓性部材（36a、36b、42a、42b）が、それぞれ少なくとも２つの個別の可撓性部材からなる、上記１に記載の記憶モジュール。
４．前記第１および第２の組の可撓性部材（36a、36b）の前記軸方向が、前記第３および第４の組の可撓性部材の長さに沿って、前記第３および第４の可撓性部材（42a、42b）と交差する、上記１に記載の記憶モジュール。
５．前記ロータを動かすために前記ロータ（12）と相互作用するマイクロムーバ（28）をさらに含み、そのマイクロムーバ（28）が、前記ロータの前面（24）と反対側にある、前記ロータの背面に隣接して配置される、上記１に記載の記憶モジュール。
６．前記ロータ（12）が、記憶媒体を含む、上記１に記載の記憶モジュール。
７．前記記憶媒体が、データを記憶するための複数の記憶領域（26）を含み、前記記憶領域（26）のそれぞれが、その領域に格納されるデータを表すために複数の状態のうちの１つになる、上記１に記載の記憶モジュール。
８．記憶装置のフレーム内の複数の記憶モジュールロータのパッキング密度を高めるための方法であって、
ロータ（12）のエッジとフレーム（114）との間に延在する可撓性部材（36a、36b、42a、42b）を用いて、前記フレーム（114）内に複数の前記ロータ（12）をそれぞれ支持することを含み、前記可撓性部材が前記ロータの周囲に配置され、前記ロータ（12）の各エッジ（16、18、20、22）に隣接する可撓性部材が前記隣接するエッジに揃えられる、方法。
９．前記可撓性部材（36a、36b、42a、42b）が、肉厚の薄い微細加工された梁である、上記８に記載の方法。
１０．前記第１の組の可撓性部材（36a、36b）の軸が、前記第１の組の可撓性部材（36a、36b）に直角に配置された第２の組の可撓性部材（42a、42b）と交差するように、前記複数のロータ（12）のうちの１つの両側に第１の組の可撓性部材（36a、36b）を位置合わせすることをさらに含む、上記８に記載の方法。
【００２７】
【発明の効果】
本発明によれば、モジュールのコンプライアンス比とそのパッキング密度との間の適切なバランスを提供する高密度記憶モジュールを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１ａ】単一のロータを有する本発明の一実施形態の平面図である。
【図１ｂ】単一のロータを有する本発明の一実施形態の斜視図である。
【図２ａ】本発明の代替の実施形態である。
【図２ｂ】本発明の代替の実施形態である。
【図３】本発明の一実施形態における梁の動きと捻れとを示す図である。
【図４】複数のロータを有する本発明の別の実施形態の平面図である。
【符号の説明】
10、110  記憶モジュール
12  ロータ
14、114  フレーム
16、18、20、22  エッジ
26  記憶領域
28  マイクロムーバ
30a、30b、32a、32b  結合用梁
34a、34b  結合質量体
36a、36b、42a、42b  可撓性部材
40a、40b  可撓性マウント
【図１ａ】
0004386661.tif 000002
【図１ｂ】
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【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図３】
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【図４】
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