(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱エネルギ源の上作用面の調節自在のスペーサ上に、調節プレートを載置するとともに、調節プレートの開口部をスペーサに接近させる工程と、
スペーサ上に調節プレートを載置した状態で、調節プレートの開口部を介してスペーサを調節しながら、調節プレートの上面と熱エネルギ源の上作用面との間の距離を定める工程と、
このように定められた距離に対応する調節プレートの加熱状況をチェックし、当該加熱状況が所望の温度に到達しているかどうかを判断するとともに、所望の温度に到達していない場合、所望の温度に到達するようスペーサを調節する工程と、
調節プレートを前記熱エネルギ源の前記上作用面のスペーサ上から取り外す工程と、
露呈された放射線感受層を有するマスク基材を前記熱エネルギ源の前記上作用面のスペーサ上に配置する工程と、
露呈された放射線感受層の様々な領域を、前記熱エネルギ源により同時に処理することによって、露呈された放射線感受層を修正する工程とを含む、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、修正した放射線感受層を現像することにより、かつこの現像に基づいてエッチングを行うことによってマスクを形成する工程を更に含む、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、調節は、調節自在のねじスペーサを回転させることを含む、方法。
【請求項４】
マスク基材が上面上に置かれている場合に、マスク基材に設けられた放射線感受層に輻射熱を提供する上面を持つ、熱エネルギ源と、
前記放射線感受層と前記上面との間の離間距離を調節するため、前記熱エネルギ源に回転するように連結された調節自在のねじスペーサであって、前記調節自在のねじスペーサの頂部が前記熱エネルギ源の上面の上にある所定位置まで回転することによって調節される調節自在のねじスペーサと、
前記熱エネルギ源の前記上面のねじスペーサ上に前記マスク基材よりも前に置かれるとともにねじスペーサに整合した開口部を有する調節プレートであって、ねじスペーサ上に調節プレートを載置した状態で前記調節自在のねじスペーサを開口部を介して回転させ、これによって調節プレートの上面と熱エネルギ源の上面との間の距離を定めながら、調節プレートの加熱状況を所望の温度に到達させることができる調節プレートを含む、システム。
【請求項５】
請求項４に記載のシステムにおいて、前記放射線感受層と前記上面との間の複数の離間距離を調節するために前記熱エネルギ源に回転可能に連結された複数の追加の調節自在のねじスペーサであって、前記追加の調節自在のねじスペーサの頂部が前記熱エネルギ源の上面上にある様々な位置まで回転させることによって調節される、ねじスペーサと、
調節プレートに設けられ、前記追加の調節自在のねじスペーサを回転させることができるように前記追加の調節自在のねじスペーサと整合した複数の追加の開口部とを含む、システム。
【請求項６】
請求項５に記載のシステムにおいて、前記複数の追加の開口部は、調節プレートの周辺部に設けられた穴を含む、システム。
【請求項７】
請求項４に記載のシステムにおいて、前記調節自在のねじスペーサの頂部が前記熱エネルギ源の上面上にある位置で前記調節自在のねじスペーサと接触するように前記熱エネルギ源に取り付けられた断熱体を更に含む、システム。
【請求項８】
請求項７に記載のシステムにおいて、前記断熱体は、厚さが約２００μｍ以下のポリイミドフィルムのシートを含む、システム。
【請求項９】
マスク基材に設けられた放射線感受層を加熱するため調節自在の熱修正システムであって、前記マスク基材が前記熱修正システムに位置決めされている場合に前記マスク基材を変位させるように調節できる調節自在のスペーサを含む、熱修正システムと、
前記調節自在のスペーサが前記熱修正システムに位置決めされている場合に、マスク基材よりも前に調節自在のスペーサ上に置かれるとともに、調節自在のスペーサへ接近しかつスペーサの調節を可能にする開口部を持つ調節プレートであって、前記調節自在のスペーサ上に調節プレートを載置した状態で調節自在のスペーサを開口部を介して回転させ、これによって調節プレートの上面と熱エネルギ源の上面との間の距離を定めながら、調節プレートの加熱状況を所望の温度に到達させることができる調節プレートを含む、システム。
【請求項１０】
請求項９に記載のシステムにおいて、
前記調節自在のスペーサは調節自在のねじスペーサを含み、
前記調節プレートの開口部は、前記調節自在のねじスペーサのヘッドよりも小さい、システム。
【請求項１１】
請求項９に記載のシステムにおいて、前記調節自在のねじスペーサと前記マスク基材との間の伝導による熱伝達を減少するための断熱体手段を更に含む、システム。
【請求項１２】
露呈された放射線感受層を持つマスク基材を加熱するための熱エネルギ源であって、少なくとも前記マスク基材と同じ大きさの上面を持ち、複数のねじ穴を前記上面の様々な位置に有する熱エネルギ源と、
前記複数のねじ穴にねじ込んだ複数の調節自在のねじスペーサであって、スロット及びヘッド上面を備えたヘッドを持ち、前記ヘッド上面をホットプレート上面に対して移動するために回転されるように作動でき、前記ヘッド上面を前記ホットプレート上面の上方に延長するために回転されるように作動できる、複数のねじスペーサと、
前記熱エネルギ源に取り付けられた複数の断熱体であって、前記マスク基材と接触する上面と対応する調節自在のねじスペーサのヘッド上面と接触する下面とを各々有し、対応する調節自在のねじスペーサのスロットへ接近できる穴を各々有する複数の断熱体と、
前記複数の調節自在のねじスペーサを前記マスク基材の加熱前に調節できる調節プレートと、を含み
前記調節プレートは、前記マスク基材よりも前に調節自在のねじスペーサ上に置かれるとともに、調節自在のねじスペーサへ接近しかつねじスペーサの調節を可能にする開口部を持ち、このため、調節自在のスペーサ上に調節プレートを載置した状態で調節自在のねじスペーサを開口部を介して回転させ、これによって調節プレートの上面と熱エネルギ源の上面との間の距離を定めながら、調節プレートの加熱状況を所望の温度に到達させることができる、システム。
【請求項１３】
請求項１２に記載のシステムにおいて、
前記調節プレートの厚さは前記マスク基材の厚さとほぼ同じであり、
前記調節プレートは、前記複数の断熱体の前記上面と接触する下面を有し、
前記調節プレートは、対応する調節自在のねじスペーサのスロットへ接近できる断熱体の穴と各々対応する複数の穴を有する、システム。
【請求項１４】
請求項１２に記載のシステムにおいて、前記複数の断熱体は、厚さが約１００μｍ以下のポリマーフィルムを含む、システム。
【請求項１５】
請求項１４に記載のシステムにおいて、前記ポリマーフィルムはポリイミドを含む、システム。
【請求項１６】
請求項９に記載のシステムにおいて用いられる調節プレートであって、前記調節自在のスペーサが前記熱修正システムの上作用面の上方に位置決めされている場合に、前記マスク基材よりも前に調節自在のスペーサ上に置かれるとともに、調節自在のスペーサへ接近しかつスペーサの調節を可能にする開口部を持ち、このため、調節自在のスペーサ上に調節プレートを載置した状態で調節自在のスペーサを開口部を介して回転させ、これによって調節プレートの上面と熱エネルギ源の上面との間の距離を定めながら、調節プレートの加熱状況を所望の温度に到達させることができる、調節プレート。
【請求項１７】
請求項１６に記載の調節プレートにおいて、前記調節プレートは、熱修正システムの上作用面の上方に位置決めされている場合に、前記熱修正システムの複数の調節自在のスペーサへの接近及び調節を可能にする複数の開口部を有し、これらの複数の開口部は、前記調節プレートに設けられた穴を含む、調節プレート。
【請求項１８】
請求項１６に記載の調節プレートにおいて、
前記調節自在のスペーサは調節自在のねじスペーサを含み、これらの調節自在のねじスペーサは、所定のヘッド直径のヘッド及び回転係合用インターフェースを有し、
前記調節マスクの開口部の直径は、調節自在のねじスペーサへの接近及び回転調節を可能にするのに十分大きく、ヘッド直径よりも小さい、調節プレート。
【請求項１９】
請求項１６に記載の調節プレートにおいて、前記調節プレートの厚さは、熱修正システムによって修正が施されるべき露呈画像を持つマスク基材の厚さとほぼ同じである、調節プレート。
【請求項２０】
請求項１６に記載の調節プレートにおいて、前記熱修正システムの複数の追加の調節自在のスペーサへの接近及び調節を可能にする複数の追加の開口部を更に含む、調節プレート。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願は、２００１年９月２６日に出願された「マスクの製造におけるクリチカル寸法の露呈後の修正方法」という標題の米国特許出願第０９／９６５，２８０号の優先権を主張する。
【０００２】
本発明は、全体として、半導体マスク製造の分野に関する。更に詳細には、本発明は、露呈画像の露呈後の修正を用いたマスク製造システム及び方法に関する。
【０００３】
【従来の技術】
マスクは、多くの場合、半導体装置及び論理回路製品の製造に使用される。図１は、マスク１３０に基づいて半導体装置を製造するのに使用される例示のリソグラフィーシステム１００を示す。このシステム１００は、放射線１２０を発生し、これをマスク１３０に伝達するための放射線源１１０を含む。マスク１３０は、パターンをなした放射線１５０を発生してこれを伝達する回路パターン１４０を含む。代表的には、パターンをなした放射線１５０は放射線１２０の一部にすぎない。
【０００４】
パターン化した放射線１５０は、回路情報を含み、半導体製造プロセス１６０に提供される。代表的には、パターン化した放射線１５０は、レジスト層の部分を選択的にプリントし即ち露呈するのに使用され、次いで、半導体装置又は論理回路製品を露呈に基づいて製造するために続いて行われるプロセスが使用される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題及び課題を解決するための手段】
一つの従来技術の問題点は、マスク１３０及びパターン化した放射線１４０に不正確さ、誤差、又はこれらの両方が含まれるということである。不正確さ又は誤差は、誤った製造機器、適正に構成されていない製造機器、及び他のファクタ等の多くのファクタによって生じる。原因に拘わらず、誤差はパターンをなした放射線１５０によって半導体製造プロセス１６０に転移し、製造された半導体装置に組み込まれる。これにより、半導体装置の大きな割合が仕様を満たさず、性能が低下し、使い物にならなくなる。
【０００６】
本発明の新規な特徴を添付の特許請求の範囲に記載する。本発明は限定でなく例として添付図面に示してあり、これらの図面では、同様のエレメントに同じ参照番号が附してある。しかしながら、本発明それ自体並びにその好ましい使用態様は、例示の実施例の以下の詳細な説明を参照し、添付図面と関連して読むことによって最もよく理解されるであろう。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下の説明には、本発明を完全に理解するために多くの特定の詳細が説明の目的で記載してある。しかしながら、本発明は、これらの特定の詳細のうちの幾つかなしで実施できるということは当業者には明らかであろう。他の場合では、周知の構造及び装置がブロックダイヤグラムで示してある。
【０００８】
マスク製造
「マスク」という用語は、放射線の通過に対する選択的障壁として作用する機能的パターンを含む構造に言及するために広範に使用される。マスクは、放射線感受層をマスクに対して位置決めし放射線に露呈した場合、放射線を放射線感受層に伝達する十分に放射線透過性の部分と、放射線感受層の特定の領域が露呈されないようにする十分に放射線不透過性の部分とを持つ実質的に平らなプレートである。放射線透過性部分は、放射線不透過性パターンが適用された支持体としてもよい。例えば、マスクは透明な石英プレートであってもよく、この石英プレートの一方の側部に不透過性クロムでパターンが描いてある。別の態様では、マスクは、石英及びクロムでなく、所期の用途に適した他の放射線透過性材料、例えばガラス、プラスチック、フィルム等、及び他の不透過性材料、例えばプラスチック及び他の金属から製造されていてもよい。
【０００９】
パターンは、半導体装置又は論理回路製品上に形成されるべき回路と関連していてもよいが、本発明はこれに限定されない。「半導体論理回路製品」という用語及び同様の用語は、デジタル式メモリー、マイクロプロセッサ、コプロセッサ、及びコア論理チップセットを含むがこれらに限定されない任意のデジタル式半導体論理回路製品装置に言及するために使用される。半導体論理回路製品は、カリフォルニア州サンタクララのインテル社の半導体論理回路製品に匹敵する対象物コードである。パターンは、半導体論理回路製品の製造に使用された多数の加工層のうちの一つと対応する。
【００１０】
図２は、マスクを一実施例に従って製造するための方法２００をブロックダイヤグラムの形態で示す。この方法は、ブロック２０１で開始した後、ブロック２１０に進み、ここで放射線感受層をマスク基材に付ける。「放射線感受層」という用語及び同様の用語は、放射線（光、紫外線、Ｘ線等の電磁放射線又は電子ビーム等の粒子ビーム）に露呈されたときに物理的に又は化学的に形態が変化する材料でできた言及するために広範に使用される。代表的には、放射線は、放射線感受層を現像中に除去するのを選択的に容易にし又は困難にするのを補助する。放射線感受層は、層の露呈部分を溶剤中での溶解等によって容易に且つ選択的に除去できるように形態を変えるポジ型レジストであってもよい。別の態様では、層は、露呈されたレジストが比較的除去困難であるように形態を変えるネガ型レジストであってもよい。
【００１１】
放射線感受層は、従来の方法を使用して付けられた従来技術の放射線感受層であってもよい。例えば、マスク基材（例えば、反射防止酸化物コーティングを備えた石英に付けたクロム）に処理を予め加え、脱イオン水で洗浄することによって潜在的汚染物を除去し、Ｏ2 プラズマで穏やかにエッチングした後、レジストの層を、マスク基材上で、約１００ｎｍ乃至６００ｎｍ、又は好ましくは約４００ｎｍの十分に均等で代表的には所定の層厚にスピンコーティングする。レジスト層を設けた後、これに続いてプロセスを加えるために層を形成するのに十分な時間に亘って温度を上昇させる。設けられた特定の層に応じて、この工程は、層の乾燥、溶剤の気化、基材との接触の改善、化学反応の助長、又はこの他の理由のために行われる。例えば、層及び溶剤の熱特性によっては、マスク基材及び放射線感受層をホットプレートに置き、約５分間乃至３０分間に亘って約８０℃乃至１００℃で、又は好ましくは２５分間に亘って約９０℃でベークし、溶剤を気化させるのがよい。
【００１２】
方法は、ブロック２１０からブロック２２０に進み、ここで放射線感受層をパターンをなした放射線に露呈する。従来の光システム及び電子ビームシステムを含む、パターン化した放射線を発生する従来のシステムを使用できる。例えば、放射線感受層は、電圧が約１０ｋＶ乃至１００ｋＶ、又は好ましくは約２０ｋＶで強さが約１μＣ／ｃｍ2 乃至２０μＣ／ｃｍ2 、好ましくは約６μＣ／ｃｍ2 の電子ビーム露呈システムを使用して露呈するのがよく、鏡の作動を使用してパターン化した放射線を形成するのがよい。
【００１３】
パターン化した放射線は、放射線感受層の一部を露呈し即ちプリントする。代表的には、放射線感受層のところで受け取られたパターンなした放射線は、クリチカル寸法（ＣＤ）を持つ特徴を露呈し即ちプリントする。「クリチカル寸法」、「ＣＤ」、及び同様の用語は、パターン化した放射線の特徴又は形状と関連した寸法又は距離に言及するために使用される。例えば、ＣＤは、特徴部（例えば線）の幅、二つの特徴部間の離間距離（例えば二つの線間の距離）、及びパターンの他の距離としてもよい。ＣＤは監視でき、所定の及び特定の設計寸法と、プロセス性能の表示として比較でき、受容可能なマスク製造標準及び許容差を維持する。
【００１４】
放射線感受層に入るパターン化した放射線は、ＣＤ誤差を持つＣＤを露呈し即ちプリントすることがある。「クリチカル寸法誤差」、「ＣＤ誤差」、及び同様の用語は、露呈されたＣＤと所定の特定の即ち所望のＣＤとの間の意図せぬ、望ましからぬ、又は誤った相違に言及するために広範に使用される。ＣＤ誤差には、種類（例えばアンダーサイジング又はオーバーサイジング）及び大きさがある。全体に亘ってＣＤ誤差があるマスクでは、マスクのＣＤ誤差の種類及び大きさはマスク上での位置で決まる。例えば、ＣＤ誤差は、放射線感受層に沿って右から左へ移動するときに大きさが増大する。代表的には、ＣＤ誤差は望ましくなく、補正されていない場合には、マスクを使用して製造される半導体装置に悪影響を及ぼす。
【００１５】
方法は、ブロック２２０からブロック２３０に進み、ここで、十分に不均一で不均等な可変の熱エネルギ相互作用によって放射線感受層を修正する。相互作用には、露呈層の第１領域への第１熱エネルギ入力及び露呈層の第２領域への実質的に異なる第２熱エネルギ入力が含まれる。代表的には、これらの異なる熱エネルギ入力は、第１領域及び第２領域への異なる熱束を含み、これによりこれらの領域の層に様々な温度を発生する。「束（ｆｌｕｘ）」という用語は、放射線感受層の所与の領域に伝達される熱エネルギの単位時間当りの量（例えば、１ｃｍ2 に１秒間で１Ｊのエネルギが伝達される）に関して使用される。これらの様々な温度により、十分に不均一で不均等な可変の物理化学的層変態及びその特性を生じさせることができる。これらの不均一の物理化学的変態により、ブロック２２０のプロセスによって層に以前に形成された露呈画像を変化させることができる。このようにして、任意の所望の種類の不均等な熱エネルギ相互作用を使用して露呈画像を修正できる。
【００１６】
このような修正は、露呈画像を修正するため、露呈画像における不正確さ即ち誤差を減少するため、ＣＤを修正するため、ＣＤにおける不正確さ即ち誤差を減少するため、ＣＤの大きさ及び形状を積極的に定めるため、ＣＤを小さくするため、及び他の所望の修正を図るために使用できる。例えば、特定の種類及び大きさの第１ＣＤ誤差を持つ第１ＣＤを含む層の第１領域に第１熱束を提供して第１ＣＤ誤差を減少でき、種類、大きさ又はこれらの両方が異なる第２ＣＤ誤差を持つ第２ＣＤを含む層の第２領域に大幅に異なる第２熱束を提供して第２ＣＤ誤差を減少できる。かくして、これらの異なる処理は、ＣＤの大きさを様々に変化させることによって、ＣＤ誤差の種類、大きさ、又はこれらの両方を様々に変化させることができる。
【００１７】
熱修正は、可変の熱入力性能を持つ熱修正システムによって提供できる。従来のマスク製造では、均等で不変の熱を放射線感受層に提供することによって、現像前に露呈された放射線感受層を硬化させるため、露呈後ベーク（ＰＥＢ）システムがよく使用された。適切に機能するＰＥＢシステムは、意図せぬ温度変化が非常に小さく、従来は表面に亘って約１℃以下であるが、意図的な又は露呈画像を任意の所望の方法で修正するために十分な不均一の熱束を提供することはしない。一実施例によれば、ＰＥＢシステムは、その従来の機能の他に、不均一の熱束を露呈画像の様々な部分に付与することによって露呈画像の修正を行なうように修正でき、即ち露呈画像に修正を提供するようになっている。好ましくは、改良された現存の機器を使用することによって、別のプロセス工程を導入することなく、露呈画像修正できる。
【００１８】
方法はブロック２３０からブロック２４０に進む。このブロックでは、放射線感受層を現像する。放射線感受層の特定の実施例及び物理化学的性質に応じて様々な現像が有用であると考えられる。例えば、テトラメチルアンモニウム水酸化物（ＴＭＡＨ）の約１−５重量％又は好ましくは２−３重量％の溶液を含む水性アルカリ現像剤を使用し、層を所定容積の現像剤に約３分間乃至３０分間の時間に亘って浸漬することによって層の部分をほぼ室温で溶解し、新たな溶剤で濯ぎ、溶剤を除去する。別の態様では、従来の方法及び有機溶剤（例えばメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ））を含む他の方法及び現像剤を使用できる。
【００１９】
方法はブロック２４０からブロック２５０に進む。このブロックでは、エッチングを行なってマスクパターンを形成する。例えば、クロム層の除去に適した金属エッチング剤を使用できる。これは、従来の材料及び方法を使用して行うことができる。方法はブロック２６０で終了する。
【００２０】
〔クリチカル寸法の修正及び誤差減少〕
図３は、一実施例によるマスク製造中のＣＤ誤差減少を示す。石英３３０Ａ上に一層のクロム３２０Ａを備えたマスク基材３０５Ａに放射線感受層３１０Ａを設ける。パターン情報を含む電子ビーム放射線３４０を放射線感受層３１０Ｂに付与する。放射線３４０は部分３４２、３４４、及び３４６を含み、これらの部分は層３１０Ｂの様々な領域に各々付与される。放射線部分３４６は、誤差を含む放射線部分の失われた半分として概念的に示してある。図示のように、誤差は、放射線の遮断又は伝達誤差により放射線が失われたことを示すが、誤差は、放射線部分３４６によって放射線感受層３１０Ｂに形成された露呈画像にＣＤ誤差を生じる別の種類の誤差を含むものと更に広く考えられるべきである。例えば、誤差は、放射線３４６の位置ずれによる。
【００２１】
放射線３４０が放射線感受層３１０Ｂを露呈し、露呈画像３５０を持つ放射線感受層３１０Ｃを形成する。画像３５０は露呈領域及び非露呈領域からなるパターンを含む。これには、非露呈領域３５１、３５３、３５５、及び３５７、及び露呈領域３５２Ｃ、３５４Ｃ、及び３５６Ｃが含まれる。露呈領域の幅がＣＤである。放射線部分３４６は、ＣＤ誤差を持つ領域３５６Ｃを露呈する。
【００２２】
露呈領域３５６Ｃに対応するＣＤ誤差を減少させることにより、ＣＤを所期のＣＤに近付けることができる。これは、ＣＤ誤差を含む領域、即ち３５６Ｃを含む領域、３５７を含む領域、又は他のＣＤ誤差を減少させた他の近接した領域３５８に処理を施すことによって行われる。上文中に論じたように、ＣＤ誤差減少３５８は、適用された層３１０Ｃの領域に、層３１０Ｃの他の領域の温度とは異なる温度を発生させる。これにより、層３１０Ｃ及び画像３５０に不均一の物理化学的変態を生じる。
【００２３】
ＣＤ誤差減少３５８による処理後、層３１０Ｃを現像する。３１０Ｄによって示す特定の現像は、非露呈領域３５１、３５３、３５５、及び３５７を除去し、露呈部分３５２Ｄ、３５４Ｄ、３５６Ｄをそのままにする。これは、現像、処理３５８、又はこれらの両方により、これらの除去が現像中に選択的に困難になるためである。ＣＤ誤差減少３５８により、領域３５６ＤのＣＤが増大し、領域３５６Ｃと対応するＣＤ誤差が減少する。
【００２４】
領域３５２Ｄ、３５４Ｄ、及び３５６Ｄ、及び層３２０Ｄにエッチングを施し、石英３３０Ｅ上にクロム領域３７２、３７４、及び３７６を含むパターン３７０を持つマスク３６０を形成する。クロム領域３７６のＣＤは、ＣＤ誤差減少３５８により、露呈領域３５６ＣのＣＤよりも領域３５６ＤのＣＤと類似している。好ましくは、３５８によるＣＤ誤差減少は、パターンが改良されたマスクを提供するため、現像及びエッチングプロセスの前に行われる。代表的には、これは、半導体装置の改良につながる。
【００２５】
〔例示のクリチカル寸法誤差〕
図４は、一実施例による例示の種類のＣＤ誤差を示す。ＣＤ誤差は、オーバーサイジング型であってもよいし、アンダーサイジング型であってもよく、様々な大きさを備えていてもよい。
【００２６】
破線で示す所期の特徴部４４０よりも大きさが大きい実際のオーバーサイズ特徴部４３０によって特徴オーバーサイジング誤差４２０を表す。所期の特徴部の大きさ及び形状は、所定の又は特定の設計パターン化した放射線と対応する。特徴部オーバーサイジング誤差は、実際の特徴部と所期の特徴部との間の大きさの相違と関連した大きさを有する。実際のオーバーサイズ特徴部は、実際のオーバーサイズＣＤ４３２と所期のＣＤ４４２との間の寸法上の長さの差と関連した大きさを持つＣＤオーバーサイジング誤差を含む。図示のように、ＣＤオーバーサイジング誤差は、潜在的に等しくない誤差寄与４５０を含む。これらのオーバーサイジング誤差は、実際の特徴部又は寸法が所期の特徴部又は寸法よりも大きいことから生じるポジ型誤差とも呼ばれる。
【００２７】
大きさが実際のアンダーサイズ特徴部４８０よりも大きい破線で示す所期の特徴部４７０によって特徴アンダーサイジング誤差４６０を表す。特徴部アンダーサイジング誤差は、実際の特徴部と所期の特徴部との間の大きさの相違と関連した大きさを有する。実際のアンダーサイズ特徴部は、所期のＣＤ４７２と実際のアンダーサイズＣＤ４８２との間の寸法上の長さの差と関連した大きさを持つＣＤアンダーサイジング誤差を含む。図示のように、ＣＤアンダーサイジング誤差は、潜在的に等しくない誤差寄与４９０を含む。これらのアンダーサイジング誤差は、実際の特徴部又は寸法が所期の特徴部又は寸法よりも小さいことから生じるネガ型誤差とも呼ばれる。
【００２８】
〔熱修正システム〕
図５は、ＣＤ誤差減少処理５６０を提供することによってＣＤ誤差５４０を減少する、一実施例による熱修正システム５５０を示す。放射線感受層５１０は、特徴部５３０を含む露呈画像５２０を有する。例として、特徴部５３０は、半導体装置の形成に使用されるマスク上に形成されるべき所期の回路パターンと関連している。
【００２９】
特徴部５３０はＣＤ誤差５４０を含むＣＤを有する。熱修正システム５５０は、ＣＤ誤差減少処理即ち線量５６０を、特徴５３０を含む放射線感受層層５１０の領域に加える。処理５６０は、熱エネルギを使用し、特徴部５３０を含む領域の温度を上昇する熱処理を含む。熱エネルギの大きさを含むこの処理は、ＣＤ誤差の種類及び大きさに基づいて行われる。この処理により、ＣＤ誤差の大きさを、減少させたＣＤ誤差５７０によって示されるように現状させる。
【００３０】
〔放射線感受層の影響〕
熱処理は、放射線感受層の特性に応じて行われる。例えば、ネガ型で作用する化学的に増幅されたレジストについての特徴オーバーサイジング誤差を減少させる処理は、ポジ型で作用する化学的に増幅されたレジストについての特徴オーバーサイジング誤差を減少させる処理とは全く異なる。
【００３１】
一実施例によれば、放射線感受層は、層の物理化学的変態を放射線に対する露呈及び露呈後熱経路の両方に基づいて補助する化学種を持つネガ型で作用する化学的に増幅されたレジストであってもよい。化学種は、放射線によって活性化されて分子量増大架橋反応物理化学的変態を促進する触媒であってもよい。化学種が変態に影響を及ぼす方法は、架橋動力学、拡散、触媒失活動力学、及び他のファクタで決まる。この架橋により、現像中、溶解度が低下し、耐久性が向上する。従って、化学種の露呈後熱経路を修正することによって、変態を修正できる。好ましくは、このような修正は、露呈画像の修正及びＣＤ誤差の減少に使用できる。
【００３２】
例示のネガ型で作用する化学的に増幅されたレジストは、ペンシルバニア州フィラデルフィアのロームアンドハースの子会社であるマサチューセッツ州マールボロのシップレー社から入手できる、商業的に入手できるネガ型で作用する化学的に増幅されたレジストＳＡＬ−６０１を含むのがよい。レジストＳＡＬ−６０１は、ベースポリマー、放射線で活性化した酸触媒発生体、及び架橋剤を含む。放射線に対して露呈することにより、放射線により活性化された触媒領域及び未露呈の非活性領域を持つ活性化された触媒露呈画像を発生できる。露呈後、及び十分に高い温度により、酸触媒が拡散し、重合鎖上のメラミン架橋剤と別の重合鎖上の対応する近接した水酸化物官能基との間の架橋反応を促進する。架橋により、水性アルカリ現像剤による露呈領域の除去を非露呈領域と比べて選択的に困難にする。この変態を生じる正確な方法は、架橋反応動力学、触媒拡散速度、触媒失活速度を含むがこれらに限定されないファクタで決まる（触媒は、代表的には、熱分解や架橋等により、露呈後ベーク作業中に失活される）。
【００３３】
このような架橋プロセスは、少なくとも、反応動力学及び拡散速度が温度で決まることが周知であるという理由により、温度に左右される。露呈と現像との間でレジストの温度を変化させる方法は、レジストの変態領域の拡がり及び性質に影響を及ぼす。露呈画像の熱処理経路に不均一性又は不均等性を導入することによって、活性化させた触媒露呈画像の様々な修正を行うことができる。様々な処理経路は、層の様々な部分に様々な熱束を供給し、これらの部分に様々な温度分布を経時的に加え、これによりこれらの様々な部分についての架橋を修正する。これには、架橋反応の密度に影響を及ぼすこと、露呈された特徴と露呈されていない特徴との間の縁部での架橋の「リーチ（ｒｅａｃｈ）」に影響を及ぼすことが含まれる。例えば、拡散を全体として大きくする温度シナリオは、架橋領域の拡がりを大きくするのに対し、拡散を全体として小さくする温度シナリオは、架橋領域の拡がりを減少する。従って、様々な時期に様々な温度に露呈された層部分には様々な露呈後熱修正が加わり、それを反映する。有利には、これは、露呈画像の所望の露呈後修正、誤ったクリチカル寸法、又はこれらの両方に影響を及ぼすのに使用できる。
【００３４】
このようなレジストでは、アンダーサイジング誤差即ちネガ型誤差及びオーバーサイジング誤差即ちポジ型誤差の両方を減少できる。アンダーサイジング誤差即ちネガ型ＣＤ誤差の場合には、大きさが小さいアンダーサイジングＣＤ誤差、ゼロ誤差のＣＤ、又はオーバーサイジングＣＤ誤差を減少するのに使用される処理よりもかなり大きな熱エネルギをこうした処理よりも短い時間で、アンダーサイズ特徴を含む層領域に加える高熱束処理によって減少できる。限定でなく、この追加のエネルギは、酸触媒の活性が低下し、架橋反応を触媒作用で進めるのにもはや利用できない期間の前の期間中、アンダーサイズＣＤの露呈−未露呈境界近くで架橋を促進する。このようにして、初期活性触媒露呈画像の外側で架橋する上で好ましい条件を発生させることによってアンダーサイジングＣＤ誤差を減少するのに高熱束処理を使用できる。
【００３５】
同様に、大きさが小さいＣＤオーバーサイジング誤差、ゼロ誤差のＣＤ、又はＣＤアンダーサイジング誤差の減少に使用される処理よりもかなり小さい熱エネルギをＣＤ誤差と近接しているか或いはＣＤ誤差を含む層の領域に加える低熱束処理によって、オーバーサイジング誤差又はポジ型ＣＤ誤差を減少させることができる。限定でなく、この減少したエネルギにより、触媒が活性状態にあるときに特徴の露呈−未露呈境界近くでの架橋を妨げ、即ち促進しない。このようにして、架橋反応のリーチを、高熱エネルギ束による高温が加わる他の領域と比較して制限でき且つ減少できる。このような架橋の制限は、オーバーサイズＣＤの架橋成長を、高熱束を受け取る他のＣＤよりも大きく制限することによって効果的に収縮させることができる。
【００３６】
変形例によれば、放射線感受層は、露呈に基づいて、及び露呈後温度処理に基づいて層の変態を補助する化学的に増幅された種を持つポジ型で作用する化学的に増幅されたレジストであってもよい。レジストは、露呈部分の除去が現像により選択的に容易になるデプロテクション機構に基づいて作動できる。
【００３７】
デプロテクション化学に基づくポジ型で作用する化学的に増幅されたレジストは、ニューヨーク州アーモンクのＩＢＭ社から入手できるｔ−ブトキシカルボニル（ｔＢＯＣ）である。ｔＢＯＣレジストは、親油基（オイルロービング基（ｏｉｌ  ｌｏｖｉｎｇ））及び放射線に露呈された場合に酸触媒を発生する酸触媒発生剤を含む。高温では、親油基を開裂して現像剤溶解性親水基を発生することによって、触媒がレジストを物理化学的に変態する。変態は、レジストの露呈後温度を修正することによって変態の修正を可能にする温度で決まる。露呈画像の熱処理経路に不均一性又は不均等性を導入することによって露呈画像を様々に修正できる。従って、レジストの様々な部分を異なる熱エネルギ入力束で処理すると、層部分に異なる時期に異なる温度が発生し、これにより、開裂／デプロテクション変態の「リーチ」が異なり、特徴部の解像度が異なる。他のレジストの露呈後熱修正が考えられる。例えば、温度で決まる露呈後変態機構を持つ任意のレジストを、露呈画像の様々な部分に不均一の露呈後熱処理を加えることによって修正できると考えられる。この考えは、ネガ型で作用する様々なレジスト、ポジ型で作用するレジスト、化学的に増幅されたレジスト、及び温度で決まるこのような機構反応（例えば、デプロテクション、解重合、転位、分子間脱水、凝縮、陽イオン重合、拡散）を含む変態に基づくレジストに適用できるものと考えられる。
【００３８】
簡単な調査を使用し、任意の種類の放射線感受層についての以下の露呈後熱修正を決定できる。即ち、（１）実質的に同じ大きさの複数の特徴部をレジストに露呈すること、（２）複数の第１サブセットをベースライン熱束で処理し、第２サブセットを比較的低い熱束で処理し、及び第３サブセットを比較的高い熱束により処理し、及び（３）第２サブセット又は第３サブセットの大きさが平均して第１サブセットに対して拡大されているかどうかを確認し、アンダーサイジング誤差を熱的に減少できることを示す。所望のように、簡単な調査は、熱束のタイミング及び他のパラメータを含む更に洗練された調査によって成功させることができる。
【００３９】
〔ＣＤ誤差はマスク位置で決まる〕
図６は、ＣＤ誤差が、一実施例によれば、マスク６００上での位置で決まるということを示す。種類、大きさ、又はこれらの両方は、マスク又はその幾つかの部分上で規則的に変化する。幾つかの誤差は、グローバル（ｇｌｏｂａｌ）誤差と呼ぶことができる。
【００４０】
マスク６００は、ＣＤ誤差の大きさが図示の大きさと比例する基準ＣＤ誤差６１０を含む。マスクは、マスク上での位置によりＣＤ誤差６１０と大きさが異なる他のＣＤ誤差６２０、６３０、６４０を更に含む。詳細には、ＣＤ誤差６２０は、ｘ軸と平行な線６１５に沿ってＣＤ誤差６１０から幾らかの距離だけ離間されているため、ＣＤ誤差６１０よりも大きい。同様に、ＣＤ誤差６３０は、ｙ軸と平行な線６２５に沿ってＣＤ誤差６１０から幾らかの距離だけ離間されているため、ＣＤ誤差６１０よりも大きい。ＣＤ誤差６４０は、マスク上の任意の随意の線を表す線６３５に沿ってＣＤ誤差６１０から幾らかの距離だけ離間されているため、ＣＤ誤差６１０よりも大きい。
【００４１】
マスク６００は、別の態様では、他のグローバルＣＤ誤差を含んでもよい。例えば、ＣＤ誤差６６０、６６５、６７０、及び６７５は、図示のように、半径に応じて、ＣＤ誤差６５０よりも大きい（又は小さい）。以上の説明は、個々のＣＤ誤差を論じたけれども、一般的には、領域６８０等の領域のＣＤ誤差は、平均して、領域６９０等の他の領域よりも大きい（又は小さい）
〔ＣＤ誤差のドリフトの減少〕
露呈画像修正は、前に製造したマスクのＣＤ誤差を監視することによって、及びこの監視情報を使用して熱修正システムを調節し、ＣＤ誤差減少を一実施例に従って行うことによって、マスク製造の改良に使用できる。表には、マスク製造中に集めた例示のＣＤ誤差データが記載してある。
【００４２】
0004354166.tif 000002
第１コラムには、ＣＤ誤差導入マスク製造機で多数のマスクを製造した日付が記載してある。第２及び第３コラムは、Ａ及びＢに関する毎日のＣＤ誤差データを含む。ここで、Ａ及びＢは、日付６−１３−０１のｘ方向及びｙ方向での随意のＣＤ誤差の増大を表す。更に詳細には、第２コラムは、ｘがｘ＝０からｘ＝ｘmax まで増大する際のマスクに沿ったＣＤ誤差の平均的増大を含む。第３コラムは、ｙが０からｙmax まで増大する際の同様の増大を含む。
【００４３】
図示のように、ＣＤ誤差の平均的大きさ及び位置依存性は、経時的にドリフトし、即ち変化する。例えば、表１に示すように、最初、ＣＤ誤差はマスクに亘ってｘ方向及びｙ方向の両方向で増大するが、後にＣＤ誤差はｘ及びｙがｘmax 及びｙmax の夫々に近付くにつれて減少する傾向を示す。従来のＣＤ誤差のこのような種類の知識は、ＣＤ誤差減少を行うのに使用できる。例えば、実質的にＣＤアンダーサイジング誤差及びネガ型の化学的に増幅されたレジストの場合、日付７−０２−０１についてのＣＤ誤差減少プロセスは更に多くの熱エネルギをＣＤ誤差に加えることによって（０，０）に近付け、比較的小さなエネルギをＣＤ誤差に加えることによって（ｘmax ，ｙmax ）に近付けると予想できる。
【００４４】
〔熱入力の調節によるＣＤ誤差減少〕
図７は、ＣＤ誤差を減少するのに使用できる熱修正システム７００を示す。このシステムは、様々な量の熱エネルギを放射線感受層に輸送媒体を介して伝達することによって層７１０のＣＤ誤差を減少するため、互いに連結された放射線感受層７１０と、熱エネルギ輸送媒体７６０と、可変熱入力システム７７０とを含む。
【００４５】
放射線感受層は、システムの左側７２０に第１ＣＤ誤差７３０を有し、システムの右側７４０に第２ＣＤ誤差７５０を有する。熱エネルギ輸送媒体は、熱エネルギを伝達できる任意の媒体であるのがよい。例えば、熱エネルギ輸送媒体は、石英層に設けられたクロム層を含むのがよい。特定の実施例に応じて、媒体７６０は、システム７７０に対してインターフェースをなすガスで充填した空所等の他の媒体を含んでもよい。所望のように、媒体７６０は十分に一貫した均等な熱束を層７１０に提供できる。
【００４６】
例として、放射線感受層７１０は、架橋反応を拡散し且つ促進する酸触媒を持つネガ型の化学的に増幅したレジストであってもよい。第１ＣＤ誤差がＣＤアンダーサイジング誤差であるという知識又は推定に基づき、可変熱入力システムを調節し、形成し、又は第１ＣＤ誤差の減少を指示できる。これは、左側に高い熱エネルギ束処理を加えることによって行われる。即ち、アンダーサイジング誤差が少ないＣＤ、無ＣＤ誤差、又はＣＤオーバーサイジング誤差と比較して、比較的大きなエネルギ束をアンダーサイジング誤差７３０に付与する可変熱入力システムを含む熱修正システムによって、ＣＤアンダーサイジング誤差７３０を減少できる。
【００４７】
変形例では、第２ＣＤ誤差７５０はＣＤオーバーサイジング誤差であり、低い熱エネルギ束を右側７４０に作用させることによって減少できる。即ち、ＣＤオーバーサイジング誤差７５０は、オーバーサイジング誤差が少ないＣＤ、実質的に無ＣＤ誤差、又はＣＤアンダーサイジング誤差に提供される束と比較して比較的小さな束をオーバーサイジング誤差７５０に提供するシステムによって減少できる。
【００４８】
様々な種類の可変熱入力システム７７０が考えられる。伝導、対流、及び輻射により可変の熱エネルギを提供するシステムの例を以下に論じる。他の例が考えられる。
【００４９】
第１の例として、システム７７０は、温度設定点が異なる温度制御システムによって各々制御される可変の不均等な温度を持つ表面から、可変の熱入力を伝導により提供できる。異なる温度設定点の各々は、層７１０の異なる領域、例えば四分円領域、グリッド、半径方向グリッド、又は他の領域と対応する。
【００５０】
第２の例として、システム７７０は、強制対流又は自然対流により可変の熱入力を提供できる。強制対流の場合、温度が異なるガスを様々な領域に提供するか或いは異なる流量の同じ温度のガスを様々な領域に提供する。別の態様では、これは、自然対流により、自然対流ゾーン内のガスを様々な温度の又は様々な熱伝導率の表面と接触させることによって行うことができる。
【００５１】
第３の例として、システム７７０は、輻射熱ランプ、高温の表面からの輻射束、又は他の手段によって層７１０に可変の輻射熱エネルギを提供できる。輻射熱ランプの場合、層７１０の様々な領域に対して様々な強さを、様々な領域に対して様々な露呈持続時間で、様々な領域に対して様々な放射線波長を送出する赤外線熱ランプによって輻射熱入力を提供できる。
【００５２】
輻射熱入力は、高温の表面からの輻射熱束によっても提供できる。輻射熱束は、様々な方法によって変化させることができ、及び不均等にすることができる。第１の方法は、可変の及び不均等な温度を持つ高温の表面を提供することを含む。このような表面からの輻射熱束は、様々な熱エネルギを層７１０の様々な領域に伝達してこれらの領域を様々な温度にするため、可変であり且つ不均等であるのがよい。例えば、表面は、右側に高い輻射エネルギ束を提供する高温の右側を備え、及び左側に輻射エネルギの低い束を提供する比較的低温の左側を備えていてもよい。
【００５３】
第２の方法は、実質的に均等な温度の高温表面と層７１０との間の離間距離を変化させることを含む。高温表面によって層７１０に伝達される輻射熱エネルギの大きさは、層７１０と高温表面との間の離間距離が大きくなるにつれて減少する。これにより、層７１０と高温表面の対応する近接領域との間の離間距離を調節することによって、層７１０の領域に提供される輻射熱エネルギの量を調節できる。これにより、第１ＣＤ誤差を含む第１領域の温度と第２ＣＤ誤差を含む第２領域の温度とを異ならせることができる。このような調節は、これらの領域と、多くの直接的輻射エネルギ束をこれらの領域に伝達する可変熱入力システムの対応する領域との間の様々な離間距離を調節することにより行われる。以下に更に詳細に説明するように、このような調節は、層７１０の一部と温度が実質的に均等な露呈後ベークホットプレート表面との間の離間距離を調節するための一つ又はそれ以上の高さ調節可能なスペーサを提供することによって行うことができる。
【００５４】
〔調節自在のスペーサを持つ誤差減少システム〕
図８は、ＣＤ誤差の減少に使用できる本発明の一実施例による調節自在のスペーサを持つ熱修正システム８００を示す。このシステムは、熱エネルギ輸送媒体８６０に連結された放射線感受層８１０を含み、熱エネルギ輸送媒体は、可変熱入力システム８７０に連結されている。熱エネルギ輸送媒体は、放射線透過層８６４（例えば石英）に取り付けられた放射線不透過層８６２（例えばクロム）と、ガス（例えば空気）で充填されている空所８６６とを含む。可変熱入力システムは、熱エネルギ源８７２と、離間距離８７５を持つ調節自在の第１スペーサ８７４と、離間距離８７７を持つ調節自在の第２スペーサ８７６と、距離決定システム８８０とを含む。熱エネルギ源は、空所を通る距離が様々な離間距離８７５及び８７７に基づいて異なる熱エネルギ輸送媒体に輻射熱を伝達する。一実施例では、熱エネルギ源８７２を約９０℃の実質的に均等なベーキング温度にする。離間距離の相違に基づいて、放射線感受層の様々な領域が様々な輻射エネルギ入力を受け取り、様々な温度に達する。これらの温度は、上文中に論じたように、有利には、露呈画像の修正及びＣＤ誤差の減少に使用できる。
【００５５】
第１スペーサ８７４及び第２スペーサ８７６が熱エネルギ源を放射線透過層（又は放射線透過層を支持する何等かの他の構造）に夫々の離間距離８７５及び８７７で連結する。これらの離間距離８７５及び８７７を大きくすることにより、層８１０に伝達されるべき輻射エネルギを小さくする。同様に、これらの距離８７５及び８７７を小さくすることにより、更に多くの輻射エネルギが層８１０に伝達されるようにする。距離８７５及び８７７が異なる場合、可変の不均等な輻射エネルギが左側８２０及び右側８４０に伝達される。例えば、距離８７７が距離８７５よりも小さい場合、更に多くのエネルギが層８１０の右側８４０に伝達される。限定でなく、層８１０の右側８４０に伝達され例えば輻射熱エネルギの量は、距離８７７の平方と実質的に比例して変化する。図示のように、スペーサ８７４及び８７６は、熱エネルギ源の側部や隅部といった周辺近くに配置されているのがよい。
【００５６】
第１ＣＤ誤差８３０及び第２ＣＤ誤差８５０のＣＤ誤差減少は、層８１０、ＣＤ誤差の種類、及びＣＤ誤差の大きさに基づいて行われる。例えば、大きなアンダーサイジングＣＤ誤差８３０及び小さなアンダーサイジングＣＤ誤差８５０を持つネガ型で作用する化学的に増幅されたレジストについて、調節自在の第１スペーサ８７４は、ＣＤ誤差８５０に伝達される輻射エネルギよりも更に多くの輻射エネルギがＣＤ誤差８３０に伝達されるように、距離８７５を距離８７７と比較して減少するように調節できる。
【００５７】
第１及び第２の調節自在のスペーサ８７４及び８７６は、放射線感受層を熱エネルギ源に調節自在の離間距離８７５及び８７７で連結するのに十分な任意の種類のスペーサであることが好ましい。これらのスペーサは、離間距離を特定の実施例について所望の増分で正確に且つ確実に調節できる。例えば、特定の実施例によっては、スペーサは、これらの距離を約５０μｍ以上、又は好ましくは５μｍ以上の精度で確実に調節できる。
【００５８】
代表的には、スペーサ８７４及び８７６は、エネルギを受け取り、高さ８７５及び８７７の夫々を調節することによって作動する。スペーサは機械的に調節自在であり、これらのスペーサは、人間又は装置（例えばモータ）から機械的エネルギ（例えば回転、並進、圧力／容積、又は他の従来の形態）を受け取り、高さを調節し、放射線感受層と熱エネルギ源との間の離間距離を変化させる。例えば、スペーサは、レバーを通して加えられた並進エネルギ又はギヤを通して加えられた回転エネルギに基づいて調節できるジャッキ、圧力に基づいて調節自在のピストン、調節自在であり且つ回転エネルギ入力に基づく線型移動を提供するねじ、並進エネルギによって調節自在の釘又はスパイク、及び他の従来の高さ調節システムであるのがよい。
【００５９】
変形例によれば、スペーサ８７４及び／又は８７６は、電気エネルギを直接受け取って高さ８７５及び／又は８７７を調節する電気的に調節自在のスペーサであってもよい。例えば、これらのスペーサは、距離と関連した、入力電圧と対応する特定の所定の機械的な力を発生する圧電スペーサであってもよい。
【００６０】
スペーサ８７４及び／又は８７６は、金属（例えばステンレス鋼、アルミニウム、クロム）、プラスチック（例えばポリスチレン）、セラミック、ガラス、石英、又は他の材料を含むがこれらの材料に限定されない様々な構造材料でできているのがよい。所望の材料は、熱エネルギ源から放射線感受層へ伝導により伝達される熱エネルギを減少するため、熱伝導率が十分に低いのがよい。別の態様では、熱伝導率が低い絶縁スペーサをエネルギ源８７２と層８１０との間に機能的に連結する。例えば、一片のポリアミド又はＯ−リングをスペーサ８７４に取り付けて放射線透過層８６４と接触させる。
【００６１】
システム８００は、スペーサ８７４と関連した距離を決定し、又は計測するための距離決定システム８８０を含むことが好ましい。従来の距離計測システム及び方法を使用できる。例えば、距離決定システムは、導電性、抵抗、静電容量、又は距離８７５と関連した空所８６６の長さの他の性質等の電気的性質を計測する電気的計測システムであることが好ましい。別の態様では、距離の計測にレーザーを用いたシステムを使用できる。距離計測システムは、定規に設けられているような距離間隔の目盛りを含む。望ましくは、距離決定システムは、放射線感受層に発生する温度に影響を及ぼす解像度で距離を計測できる。例えば、距離決定システムは、距離を約５μｍ以下又は好ましくは約２μｍ以下の誤差で正確に計測できる。
【００６２】
熱エネルギ源８７２は、伝導、対流、及び輻射といった従来の熱エネルギ交換形態により熱エネルギを供給する熱エネルギ源であってもよい。一実施例によれば、熱エネルギ源は、媒体８６０を通して輻射エネルギを伝達する高温の輻射エネルギ源であってもよい。媒体には、ガス（例えば窒素、空気、乾燥空気、等）が入った空所８６６が含まれ、輻射エネルギを放射線感受層８１０に層８６４及び８６２を介して伝達する。例えば、熱エネルギ源はホットプレートと同様であり、電気エネルギ源（例えばコンセント、発電機、又は蓄電池）から電気エネルギを引き出し、ヒートコイル、抵抗器、等の電気エネルギ変換手段に電気エネルギを提供する。別の態様では、熱エネルギ源８８０にはランプ（例えば輻射エネルギランプ又は赤外線ランプ）が含まれる。
【００６３】
〔例示の温度分布〕
図９は、一実施例による放射線感受層の露呈後熱処理についての例示の温度分布を示す。白ヌキの四角形及び白ヌキの三角形で示す二つの曲線は、放射線感受層の不均一で不均等な露呈後熱処理により、異なる時期に放射線感受層で得られる異なる温度を示す。
【００６４】
これらの曲線によって示されているように、層の温度は、ほぼ室温である開始温度から、この開始温度の約２倍乃至５倍、好ましくは約３．５倍高い最終温度まで、約３分間乃至５分間、好ましくは約４分間の期間中に上昇する。異なる部分は異なる熱束を受け取り、異なる時期に異なる温度に達する。白ヌキの四角形で示す曲線には、高い熱束を受け取る放射線感受層の部分と対応するということを示すため、「高温部分」と表示してある。同様に、白ヌキの三角形で示す曲線には、低い熱束を受け取り、比較的低い温度に達する部分と対応するということを示すため、「低温部分」と表示してある。温度の相違は、最初のほぼゼロから上掲の期間中の所望の大きな値まで変化する。約５℃の特定の最大の相違を示すが、他の層を修正する上でこれよりも大きい又は小さい相違が有用であると考えられる。例えば、ＣＤ誤差の大きさが大幅に変化する層について、約１０℃の最大の相違を使用できる。
【００６５】
温度が約５０℃乃至７０℃以上の時間の最初の部分は、これよりも低温の前の時間又はこれよりも高温の続く時間よりも更に強い影響を露呈画像の修正に及ぼす。シップレーレジストの場合には、４０℃以下の温度では架橋反応が緩慢であり、これに続く高温及び長い時間に触媒が失活され、又は架橋領域によって囲まれる。従って、これらの期間中の二つの曲線間の相違を使用して露呈画像の不均一修正に影響を及ぼすことができる。詳細には、相違は、架橋反応の運動加速度、酸触媒の拡散、及びシップレーＳＡＬレジスト等のレジストでの酸触媒の失活を様々にバランスさせる上で効果的であり、これにより露呈画像修正を行う。例えば、層のこのような不均一の露呈後熱処理を使用し、高温処理でアンダーサイズ特徴部の「拡大（ｇｒｏｗ）」を行い、シップレーＳＡＬレジスト等のネガ型の化学的増幅したレジストでオーバーサイズ露呈特徴部の比較的「収縮（ｓｈｒｉｎｋ）」を行う。
【００６６】
所望のように、放射線感受層の硬化、層の硬化、水分の除去、放射線感受性成分の拡散、良好な現像に十分な時間に亘って高温を維持するのがよい。例えば、温度を約５分間乃至３０分間に亘って約８０℃乃至１２０℃に維持するのがよく、又は約１０分間に亘って約９０℃乃至１００℃に維持するのがよい。
【００６７】
異なる熱処理も考えられる。温度を図９に示すよりももっとゆっくりと上昇させる。例えば、温度を、０分のところでのほぼ室温から、１分のところで約３０℃乃至４０℃まで上昇させ、２分のところで約７０℃乃至８０℃まで上昇させ、３分のところで約８０℃乃至９０℃まで上昇させ、その後約８５℃乃至９５℃まで上昇させる。別の態様では、温度の変化率が一定であるのがよい。例えば、層の温度を一定の割合で上昇させ、温度加速度を一定にし、又は温度減速度を一定にする。別の態様では、これらの熱処理及びそれらの熱処理と等価な処理でなく、当業者は、任意の種類の放射線感受層について効果的な処理を決定できる。これらの効果的な処理により、露呈画像に、不当な実験なしで、本開示に基づいて露呈後修正を加えることができる。これは、多数の異なる温度傾斜分布を経験的に調査し、その分布が所望の露呈画像修正を達成することを確認することによって行われる。
【００６８】
表には、一実施例によるシステム８００と対応する例示の熱エネルギ勾配データが記載してある。データは、熱エネルギ源８７２の温度が約６０℃である場合、図９の傾斜分布に従って傾斜した１分後のシステム８００を示す。
【００６９】
0004354166.tif 000003
第１コラムには、様々な調節状態についての放射線感受層８１０と熱エネルギ源との間の距離の相違が記載してある。第１コラムに記載の相違は、主に、距離８７５と８７７との間の距離を考慮している。第２コラムには、距離８７７と対応する右側８４０と距離８７５と対応する左側８２０との間の温度の相違が記載してある。図示のように、第２コラムにおける温度の相違は距離間の相違が増大するに従って増大する。比較的短い距離は、比較的高い温度と対応する。温度の相違は、放射線感受層に達する輻射熱エネルギの減少並びにこれに寄与する他のファクタ（例えば、源８７２から立ち昇る高温のガスによる自由対流）による。
【００７０】
〔ＣＤ誤差減少温度〕
図１０は、シップレーＳＡＬレジスト等のネガ型の化学的に増幅したレジストを含む一実施例によるシステム８００等のシステムについてＣＤ誤差減少温度の決定に使用できる例示の相関を概念的に示す。この例示の相関は、図９に示す傾斜分布に従った傾斜１分後の時間と関連している。
【００７１】
相関は、ＣＤ誤差の大きさ、及びＣＤ誤差減少温度（ＴCD error）とゼロ誤差の概念的ＣＤと対応するベースライン温度（ＴNO error）との間の相違と関連する。例えば、大きさが＋５のオーバーサイジング誤差は、概念的ゼロＣＤ誤差温度と比較して１０℃低温のＣＤ誤差減少温度と対応し、大きさが−５のアンダーサイジング誤差は、概念的ゼロＣＤ誤差温度と比較して１０℃高温の温度と対応する。この例示の線型相関は、多くの実施例で、特に狭いＣＤ誤差範囲に亘って有用であるが、更に洗練された非線型相関が考えられる。
【００７２】
〔触媒濃度の増幅における減少〕
図１１は、特定のネガ型の化学的に増幅したレジストで起こる活性触媒濃度の経時的減少を示す。活性触媒濃度は、高温では、初期濃度（ＣO ）からほぼゼロまで数分間で減少する。この特定の例では、濃度は、温度傾斜の開始後約１分で初期濃度の半分（即ちＣO ／２）まで減少し、温度傾斜の開始後約４分でほぼゼロまで減少する。限定でなく、活性触媒濃度のこのような減少は、熱分解、立体障害、又はこれらの両方による。本発明の用途は、触媒濃度の減少に基づく露呈画像の修正に限定されないということは、当業者には、本開示を読むことにより明らかになるであろう。これは、本発明は、更に一般的には、温度に左右される任意の露呈後変態に適用できるためである。
【００７３】
〔ねじスペーサ〕
図１２は、一実施例による例示の調節自在のねじスペーサを示す。「ねじ」という用語は、回転エネルギ入力に基づいて実質的に線型の移動を発生するための装置に言及するために広範に使用されている。ねじは、円筒形シャフト１２１０と、傾斜した平らなねじ山１２２０とを含む。このねじ山は、シャフトに連結されており、このシャフトに亘って螺旋をなしている。ねじ山は、シャフトに、所望に応じて、接着されているか或いは切り込んであるのがよい。ねじ山は、少なくとも一つのピッチ長１２３０を有し、このピッチ長は、特定の実施例に応じて約０．１ｍｍ乃至１ｍｍである。ピッチ長が長いと、更に丈夫になり、製造が更に経済的になるが、非常に精密な高さ調節を行うには短いピッチ長が望ましく、非常に粗い高さ調節を行うには長いピッチ長が望ましい。多数の異なるピッチを持つ実施例、及びピッチがシャフトに沿って変化する実施例も考えられる。シャフトの直径は、代表的には約１ｍｍ乃至２０ｍｍであるが、好ましくは約１ｍｍ乃至１０ｍｍである。
【００７４】
例示の調節自在のねじスペーサ１２００は、更に、丈夫なヘッド１２５０を有する。このヘッドの直径１２６０は直径１２４０よりも大きく、例えば、直径１２４０は与えられた範囲の最小にある。ヘッド１２５０は、多くの場合、回転エネルギインターフェース１２７０を提供する。これは、少なくとも一つのスロットをなした溝からなり、ねじ回し等の回転エネルギ源とのインターフェースをなし、又はこれと係合する。ねじには、熱伝導率が低い断熱体１２８０が更に設けられており、これは、ポリアミドＯ−リングであり、高温の熱源と放射線感受層との間の伝導による熱伝達を減少する。
【００７５】
調節自在のねじスペーサ１２００は、任意の従来の種類のねじであってもよい。例えば、スペーサ１２００は、すり割り付きねじ、整準ねじ、ねじジャッキ、丸頭ねじ、インターラップねじ、ソケットヘッドねじ、ナベ小ねじ、右ねじ、左ねじ、フィリップス機械ねじ、プラス頭ねじ、アレンねじ、ボールねじ、微動ねじ、循環正接螺、蝶ねじ、ステップねじ、ステージねじ、又は他の種類のねじであってもよい。好ましくは、これらの従来の種類のねじのうちの一つ、特に商業的に入手できる従来の種類のねじを使用することにより、経済的な利点が提供される。別の態様では、ねじスペーサ１２００は、図示し且つ説明した性能を持つ、又は本開示に基づいて当業者に明らかな性能を持つ注文製作のねじであってもよい。例えば、特定の実施例によっては、所定の設計仕様によるスペーサを日本国川崎市麻生区のシグマメルテック社から得ることができる。
【００７６】
図１３Ａは、熱エネルギ源１３１０にねじ込んだ、一実施例による調節自在のねじスペーサ１３３０の平面図を示す。熱エネルギ源は、露呈後ベークオーブンのホットプレートを含んでもよい。熱エネルギ源は、スペーサ１３３０のねじ山を回転自在に受け入れるねじ穴１３２０を含む。ねじ回しをスペーサ１３３０のスロット１３５０に挿入して回し、ねじスペーサを回転により調節する。ねじ１３３０のヘッドの上面が示されているが、この上面には、断熱性Ｏ−リング１３４０が取り付けられている。これは、Ｏ−リングよりも熱伝導率が良好なねじの上面（例えば金属製）が熱エネルギ源の上方の位置に配置されたマスクと接触しないようにするためである。
【００７７】
図１３Ｂは、熱エネルギ源にねじ込んだ一実施例による調節自在のねじスペーサ１３３０の側面図である。図示のように、ねじ１３３０は、ヘッドの上面が熱エネルギ源の上面の上方に延びるように調節され、Ｏ−リング１３４０により高さが更に高くなる。このことにより、実際には、マスク１３６０の表面上に存在する放射線感受層と熱エネルギ源との間の離間距離が増大する。図示のように、これにより、他のスペーサの調節が異なる場合、マスクと熱エネルギ源との間に傾斜角度を生じることができる。このような傾斜角度により、マスクに不均一の輻射熱束が加えられることとなる。更に調節するためにねじを回転させることができる。一つの別の調節では、ねじのヘッド及びＯ−リングの両方を熱エネルギ源の上面の下に沈める。これは、熱エネルギ源を、均等で不均一の熱入力がマスクに提供される調節前の状態に戻すために使用できる。図示のように、穴１３２０にはこのような調節を可能にするのに十分な空所が設けられているのがよい。
【００７８】
図１４は、一実施例による例示の調節自在の圧電式スペーサシステム１４００を示す。スペーサシステム１４００は、電源から電圧１４２０を受け取り、圧電式スペーサ１４１０に提供される電圧の大きさを調整する電圧調整器１４３０を含む。この電圧調整器は、人間又はシステムによって提供された所定の調節又は設定（例えば設定点）に基づいて電圧を調整する。例えば、調整器１４３０は、スペーサ１４１０と関連した特定の領域について決定されたＣＤ誤差の種類及び大きさを確認するため、産業的製造品質制御データ（例えば、操作型電子顕微鏡によって確認したＣＤ誤差）にアクセスでき、データを出力電圧と相関させる所定の指令を加えることができる。
【００７９】
出力電圧の決定後、電圧調整器は第１電圧１４４０を圧電式スペーサ１４１０に与える。例示の目的で、圧電式スペーサ１４１０は、第１電圧１４４０と対応する第１距離即ち高さ１４５５を持つ第１状態１４５０で示してある。例として、第１状態及び高さは、ＣＤアンダーサイジング誤差を減少できる。システム１４００は調節自在であり、種類又は大きさが異なるＣＤ誤差に遭遇すると、電圧調整器が第２の異なる電圧１４６０を与え、圧電式スペーサを第２状態１４７０にする。この状態は、この場合には、追加の距離又は高さ１４７５を有する。例として、第２状態及び高さ１４７５はＣＤオーバーサイジング誤差を減少できる。
【００８０】
〔取り外し自在のスペーサを備えたＣＤ誤差減少システム〕
図１５は、一実施例による取り外し自在のスペーサを組み込んだ熱修正システム１５００を示す。このシステムは熱エネルギ源１５１０を有し、これは、露呈後ベーキング操作で従来使用されたホットプレートであることが好ましい。熱エネルギ源１５１０は、四つの空所１５１２、１５１５、１５１６、及び１５１８を有し、これらの空所は、取り外し自在の離間システム１５２２、１５２４、１５２６、及び１５２８の一つを各々受け入れるように形成されている。空所１５１２は、立方形、直方形、円筒形、三角形、又は他の形態の熱エネルギ源１５１０の空所であり、対応するほぼ同じ大きさ及び形状の離間システム１５２２のソリッド１５３２を収容する。ソリッド１５３２は、空所１５１２に良好に、ぴったりと及び一貫して嵌着され、システム１５００の信頼性を高める。図示のように、空所１５１２は、源１５１０の側部に沿って設けられていてもよい。別の態様では、空所１５１２は隅部等の別の周辺部に、又は内部の位置に設けられていてもよい。離間システム１５２２は、熱エネルギ源１５１０と同じ材料で形成されていてもよいし、異なる材料で形成されていてもよい。代表的には、材料が異なる場合には、材料の熱膨張率は、温度傾斜中に応力や不整合が発生しないように互いに近似している。
【００８１】
離間システム１５２２、１５２４、１５２６、及び１５２８の各々は、スペーサ１５５２、１５５４、１５５６、及び１５５８を含み、これらのスペーサは、夫々の機能的上面１５４２、１５４４、１５４６、及び１５４８の上方に延びる。これらの上面１５４２−１５４８は、熱エネルギ源１５１０の機能的上面と実質的に同一平面内にあってもよく、又は熱エネルギ源１５１０の上面に関して所望の通りに持ち上がっていてもよいし引っ込んでいてもよい。スペーサ１５５２−１５５８は、システム７００、及びシステム８００、又はこれらのシステムの両方について放射線感受層に可変の熱入力を提供できる。
【００８２】
一実施例によれば、スペーサ１５５２−１５５８は調節自在となっている。例えば、スペーサ１５５２は回転によって調節できるねじスペーサ１５５２Ｂであってもよい。ソリッド１５３２は、円形の開口部を通して表面１５４２に開放した円筒形空所（図示せず）を有する。円筒形空所は、ねじスペーサ１５５２Ｂのねじ山及びシャフトと対応する構造を備えていてもよい。スペーサ１５５２は、更に、ポリアミドＯ−リング１５６０等の断熱体を備えていてもよい。スペーサ１５５２Ｂを組み込んだこのようなシステム１５２２は、ソリッド１５３２を空所１５１２から取り外し、スペーサ１５５２Ｂが熱エネルギ源１５１０の機能的上面に対して所望の距離を提供するようにスペーサ１５５２Ｂをねじ回しで正確に調節し、所望であれば所望の距離を正確に計測し、使用前にソリッド１５３２を空所１５１２に戻すことによって使用できる。
【００８３】
別の態様では、システム１５２２−１５２８は、調節自在の離間システム１５２２−１５２８でなく、調節自在でない所定の異なる離間距離高さを持つ所定の離間システムであってもよい。様々な大きさ及び種類のＣＤ誤差減少に使用できるように複数のこのような所定のシステムを提供できる。その結果、所望の離間距離高さを持つ一つの離間システムを選択し、これを調節なしで使用できる。〔その場調節を可能にする熱修正システム〕
図１６は、調節を可能にする開口部（この場合には穴）が設けられた調節プレートを介してねじスペーサの調節を迅速に行うことができる、一実施例による熱修正システム１６００の平面図を示す。このシステムは、四つの調節自在のねじスペーサ１６３０Ａ−Ｄがねじ込まれた上面１６１０を持つホットプレートを含む。ホットプレートの上面には四つの断熱体１６４０Ａ−Ｄがファスナ１６５０Ａ−Ｄによって取り付けられており、これらの断熱体は四つの調節自在のねじスペーサの上面と接触している。システムは、調節プレート１６６０を更に含む。この調節プレートには、調節プレートを上面上に位置決めした場合にねじスペーサ１６３０Ａ−Ｄのその場調節を行うことができるようにする穴１６７０Ａ−Ｄが設けられている。
【００８４】
ホットプレートの上面１６１０は、代表的には、熱処理が施されるべきマスクと少なくとも同じ大きさを備えており、そのため、熱を上面からマスクの全ての領域に提供できる。ホットプレートには、ねじスペーサを受け入れるねじ山を持つ四つの穴が設けられている。
【００８５】
四つのねじスペーサ１６３０Ａ−Ｄを四つの穴にねじ込む。ねじスペーサのヘッドは、断熱体１６４０Ａ−Ｄを支持する上面を有し、これらのスペーサをねじ回し又は他の手段によって回転させることによって調節できるようにするスロットが設けられている。ねじスペーサは、ヘッドの上面をホットプレートの上面に対して様々な位置に置くために回転させることができる。これらの様々な位置には、ヘッド上面がホットプレートの上面の上方に延びる第１位置と、ヘッド上面がホットプレートの上面の下に位置決めされる第２位置とが含まれる。第１位置では、ねじヘッドの上面が断熱体をホットプレートの上面から持ち上げ、ホットプレートプレート表面上に配置された調節プレート又はマスクのいずれかとの間の離間距離を実際に追加する。
【００８６】
断熱体１６４０Ａ−Ｄは、ファスナ１６５０Ａ−Ｄ（例えばボルト、ねじ、リベット、ステープル、釘、接着剤、又は他の所望のファスナ手段）によってホットプレート上面１６１０に取り付けられている。断熱体は、ホットプレート及び調節自在のねじスペーサの伝導部分とホットプレート上面の上の位置に配置されたマスクとの間が直接的に接触しないようになっており、熱伝達を減少するため、薄く（例えば２００μｍ以下又は１００μｍ以下）、可撓性で、熱的に安定した、断熱材でできた小さなシート（例えば例えば矩形のストリップ）であってもよい。ねじスペーサを調節し、ホットプレートの上面の下に置いた場合、断熱体がホットプレートの上面に載置される。ねじスペーサを調節してホットプレートの上面の上方に突出させた場合、これらのスペーサが断熱体を持ち上げてホットプレート上面から離す。断熱体には穴（これらの穴を通してねじスペーサが見える）が設けられている。これらの穴の直径は、ねじスペーサの頂部と係合し且つこれに載るようにねじスペーサのヘッドの直径よりも小さいが、ねじ回し又は他の手段をスロットにアクセスして調節できるのに十分大きい。
【００８７】
断熱体１６４０Ａ−Ｄについて様々な断熱材が考えられる。例えば、断熱体には、ポリマー材料のフィルム、ポリマーフォーム、複合材料、低熱伝導率のセラミック及びガラス、断熱材の布又はウィーブ、ガラスファイバ、アスベストパッド、セラミックファイバ、金属製マトリックス材料、等が含まれる。断熱体の材料の所望の品質には、入手が容易であること、同様の環境で予めうまく使用されていること、少なくとも約２５℃乃至約１２０℃の温度範囲に亘って熱的に安定していること、約２５℃乃至約１２０℃の間で安定しており且つ熱伝導率が低いこと、及び約２５℃乃至約１２０℃の間で安定しており且つ熱膨張率が低いことが含まれる。
【００８８】
一実施例によれば、断熱体１６４０Ａ−Ｄは、デラウェア州ウィルミントンのＥ．Ｉ．デュポン社の子会社であるデュポン高性能材料社から入手できるカプトン（カプトン（Ｋａｐｔｏｎ）は登録商標である）ポリイミドフィルムを含む。このようなフィルムは、薄く（例えば約２５μｍ乃至約７０μｍ）、広い温度範囲（例えば約−２６９℃乃至約４００℃）に亘って熱的に安定しており、断熱性が優れており（熱伝導率が約０．１−０．５Ｗ／ｍ／℃）、薄いフィルムとして付けられた場合でも十分な断熱性を提供する。
【００８９】
調節プレート１６６０は、ねじスペーサを回してホットプレート上面上にある調節プレートに関してその場で調節できるようにするため、ねじスペーサ１６３０Ａ−Ｄと位置が潜在的に対応する穴１６７０Ａ−Ｄを有する。調節プレートは、長さ、幅、及び厚さが製造されるべきマスクと実質的に同じであるのがよい。スペーサ１６３０Ａ−Ｄを調節プレートとともに製造するには、以下の作業が行われる。即ち（ａ）調節プレートをホットプレートの上作用面上の所定位置に置き、（ｂ）調節プレートの穴を通して調節自在のねじスペーサを調節し、（ｃ）距離決定システムを使用して調節プレートの上面とねじスペーサ１６３０Ａ−Ｄの各々と近接したホットプレートの上面との間の多数の距離を計測し、（ｄ）所望の形態に達するのに更に調節することが必要であるかどうかを決定し、（ｅ）所望の調節が得られるまで（ｂ）、（ｃ）、及び（ｄ）を繰り返し、（ｆ）調節プレートを上作用面から取り出す。好ましくは、穴を持つこのような調節プレートを使用することにより、ねじスペーサを、距離の決定を同時に協働して行いながら、迅速に調節できる。このような調節プレートを使用しない場合には、ねじスペーサの調節には、距離の計測を行う目的でマスクを所定位置に置く上で、及び調節を行う目的でマスクを取り外す上で、何回も繰り返す時間のかかる作業が必要となる。
【００９０】
図１７は、穴１７６０等の開口部を備えた調節プレート１７５０を含む熱修正システム１７００の一部の側面図である。穴１７６０は、一実施例によれば、調節プレートが熱エネルギ源１７１０（例えばホットプレート）上の所定位置に配置されている場合にねじスペーサ１７２０に対する接近及び調節を提供する。このシステムは、ファスナ１７４０によって熱エネルギ源に取り付けられており且つ熱エネルギ源の上作用面及びねじの上面と接触した断熱性フィルム１７３０のシートを更に含む。スペーサ１７２０の特定の調節を示すが、他の調節も考えられ、これらの他の調節には、ねじスペーサをその上面が熱エネルギ源の上面の上方に延びるように回転することによって、ねじスペーサ、断熱フィルム、及び調節プレートを垂直方向に移動する調節が含まれる。システムは、更に、調節プレートの上面の位置を検出することによって離間距離を決定するための距離決定システム１７７０を含む。離間距離には、調節自在のねじスペーサによる任意の離間距離が含まれる。
【００９１】
〔変形例〕
本発明は、上文中に説明した特定の文脈及び例に限定されない。一例として、変形例によれば、本発明は、マスク製造以外の目的で放射線感受層の露呈画像を修正するのに使用できる。例えば、製造中の半導体論理回路製品のシリコンウェーハにマスクを用いたリソグラフィック露呈に基づいて取り付けられた露呈画像を可変の露呈後熱処理によって修正できる。この他の実施例は、当業者が本開示を読むことによって明らかになるであろう。
【００９２】
結論として、本発明は、不均等な不均一の熱エネルギ入力を露呈画像に提供することによって放射線感受層の露呈画像を修正するためのシステム及び方法を提供する。
【００９３】
以上の記載では、本発明をその特定の実施例を参照して説明した。しかしながら、本発明の精神及び範囲から逸脱することなく様々な変形及び修正を行うことができるということは明らかである。従って、本明細書及び添付図面は、制限を意味するものではなく、例示であると考えられるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体装置の製造にマスクを使用する従来のリソグラフィーシステムを示す図である。
【図２】一実施例によるマスク製造方法のブロックダイヤグラムを示す図である。
【図３】一実施例によるクリチカル寸法誤差減少プロセスを組み込んだマスク製造プロセスを示す図である。
【図４】一実施例による異なる種類のクリチカル寸法誤差を示す図である。
【図５】一実施例に従ってクリチカル寸法誤差を減少するための熱修正システムを示す図である。
【図６】一実施例による、マスク位置で決まるクリチカル寸法誤差を示す図である。
【図７】一実施例による可変熱入力を持つ熱修正システムを示す図である。
【図８】一実施例による、調節自在のスペーサを持つ熱修正システムを示す図である。
【図９】一実施例による、露呈後熱処理についての例示の温度を示す図である。
【図１０】一実施例による、クリチカル寸法誤差と誤差減少温度との間の例示の相関を示す図である。
【図１１】一実施例による、活性触媒濃度の例示の経時的減少を示す図である。
【図１２】一実施例による調節自在のねじスペーサを示す図である。
【図１３】一実施例による、熱エネルギ源にねじ込だ調節自在のねじスペーサの平面図及び側面図である。
【図１４】一実施例による調節自在の圧電式スペーサシステムを示す図である。
【図１５】一実施例による、取り外し自在のスペーサを持つ熱修正システムを示す図である。
【図１６】一実施例による、調節自在のねじスペーサ及びスペーサの調節を可能にする開口穴を備えた調節プレートを持つ熱修正システムの平面図である。
【図１７】一実施例による、調節自在のねじスペーサ及びスペーサの調節を可能にする開口穴を備えた調節プレートを持つ熱修正システムの側面図である。
【符号の説明】
１１０  放射線源
１４０  パターン
３０５Ａ  マスク基材
３１０Ａ  放射線感受層
３２０Ａ  クロム
３３０Ａ  石英
３４０  電子ビーム放射線
３５０  露呈画像
【図１】
0004354166.tif 000004
【図２】
0004354166.tif 000005
【図３】
0004354166.tif 000006
【図４】
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【図５】
0004354166.tif 000008
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
0004354166.tif 000018
【図１６】
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【図１７】
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