(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内に配置された一対の電極から構成された電極ユニット間に被処理体を配置する被処理体載置工程と、
前記処理容器内を所定の圧力に減圧する減圧工程と、
前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給工程と、
前記電極ユニットに高周波電力を供給し、両電極間に電界を形成する電界形成工程と、
前記電極ユニットに前記電界方向と直交する成分を持つ又は前記被処理体と平行な第１磁場状態を形成する磁場形成工程と、
前記第１磁場状態から、前記被処理体の表面近傍の磁場強度が電子の平均自由行程よりラーマ半径が大きくなるような第２磁場状態に切り換える磁場状態切換工程と
を備え、
前記磁場状態切換工程では、前記被処理体の対象物の下層に形成された下地層が１ヶ所も露出することなく、当該対象物を最も薄くすることができるタイミングで、前記第１磁場状態から前記第２磁場状態に切り換える、ことを特徴とする処理方法。
【請求項２】
前記第２磁場状態を前記電界方向と直交する成分を持つ又は前記被処理体と平行な磁場に形成する、ことを特徴とする請求項１に記載の処理方法。
【請求項３】
前記処理ガスには反応性イオン種を有するガスが用いられ、前記被処理体にマグネトロン反応性イオン処理を行う、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の処理方法。
【請求項４】
前記第１磁場状態及び前記第２磁場状態では前記被処理体上に均一な磁場が形成される、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、処理方法に関し、特に被処理体のシェーディングダメージを抑えることができる処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
反応性イオンエッチング装置には、マグネトロンからの磁場を利用して効率的にエッチング処理を行うマグネトロン反応性イオンエッチング装置がある。
【０００３】
マグネトロン反応性イオンエッチング装置は、まず処理容器内に配置された一対の電極に高周波電力を供給して電界を形成し、エッチングガスの放電を誘起して電極上に載置された被処理体、例えば半導体ウエハの表面近傍にプラズマを形成させる。次に、磁場形成手段、例えば永久磁石により磁場を半導体ウエハに対して水平方向に形成させる。これにより、電子にサイクロトロン運動（らせん運動）を起こさせて、電子と中性粒子とが衝突する頻度を高くする。これら電子と中性粒子との衝突により、半導体ウエハの表面近傍での反応性ガスのイオン化が促進される。そして、このイオンが半導体ウエハの処理面に入射され、イオンによるスパッタ作用と化学反応の両方の効果でエッチングが効率的に進行する。
【０００４】
このようなマグネトロン反応性イオンエッチング装置では、半導体ウエハに対して水平方向に均一な磁場を形成することが大切になる。これは、水平方向に均一な磁場を形成できないと、半導体ウエハに対するエッチング速度の面内ばらつきが生じるからである。図７に、マグネトロン反応性イオンエッチング装置に用いられるダイポールリング磁石を示す。
【０００５】
図７に示すように、ダイポールリング磁石１０１は、リング状に形成されたダイポールリング本体１０２に複数の異方性セグメント柱状磁石１０３を等間隔に配置した構造に形成されている。異方性セグメント柱状磁石１０３は、全体として一様な水平磁場を形成するように、磁化の方向が徐々にずれるように配置されている。このダイポールリング磁石１０１は処理容器１０４の外側に配置されており、磁場Ｂは半導体ウエハ１０５に対して水平方向に形成される。
【０００６】
また、ダイポールリング磁石１０１はその周方向に沿って回転できるような構造に形成されている。そして、このダイポールリング磁石１０１を回転させることにより、半導体ウエハ１０５に対して水平な方向に均一な回転磁場が形成され、半導体ウエハ１０５上のプラズマ密度が均一になる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、磁場強度が大きいマグネトロン反応性イオンエッチングでは、例えばオーバエッチング時にシェーディングダメージが入りやすいという問題がある。このシェーディングダメージを説明するため、図８にオーバエッチング時のトランジスタの模式図を示す。
【０００８】
図８に示すように、トランジスタ１１１は、半導体ウエハ１１２上にゲート絶縁膜１１３、及びゲート電極１１４が形成されたＭＯＳ型のトランジスタである。ゲート酸化膜１１３及びゲート電極１１４が形成されていない半導体ウエハ１１２上には第１層間絶縁膜１１５が形成され、第１層間絶縁膜１１５及びゲート電極１１４上には金属配線１１６が形成されている。金属配線１１６上には第２層間絶縁膜１１７が成膜され、第２層間絶縁膜１１７上にレジスト１１８が配置されている。そして、マグネトロン反応性イオンエッチングにより、レジスト１１８によってマスクされていない部分の第２層間絶縁膜１１７がエッチングされて、穴１１９が形成されている。
【０００９】
マグネトロン反応性イオンエッチングの間、電子は磁場による拘束（サイクロトロン運動による拘束）を受けており、電子が穴１１９方向に向かう速度（図８の上から下に向かう速度）が遅くなって、穴１１９内に入りにくくなる。一方、正の電荷を帯びたイオン（陽イオン）は、電子に比べて、その質量が重いこと等の理由により、磁場による拘束を受けにくい。このため、陽イオンの穴１１９方向に向かう速度は電子の速度より速く、穴１１９内に入りやすくなる。従って、図８に示すように、オーバエッチング時に陽イオン１２０が穴１１９の底にチャージアップされやすく、電子１２０がレジスト１１８上にチャージアップされやすくなる。この結果、電位の差が生じ、ゲート絶縁膜１１３を通る矢印１２２で示すような電流が流れ、ゲート絶縁膜１１３が破壊されるシェーディングダメージを生じやすい。
【００１０】
このような絶縁膜の劣化を防止する方法として、特開平５−３０８０５５号公報には、ゲート電極に接続された金属配線をパターニングするのに際し、有磁場高密度プラズマエッチングを行い、パターンが完全に分離する前に、無磁場低密度プラズマエッチングに切り換えてパターニングを行うことにより、ゲート酸化膜の劣化を招くことなくゲート電極配線が形成できるとの提案がなされている。
【００１１】
この提案のように、有磁場高密度プラズマエッチングから無磁場低密度プラズマエッチングに切り換えれば、電子が磁場の拘束を受けることがなくなり、シェーディングダメージのような絶縁膜の劣化を抑えることは可能である。
しかしながら、有磁場高密度プラズマエッチングから無磁場低密度プラズマエッチングに切り換えるとエッチング速度が大きく減速する。このため、エッチング処理が終了する直前まで有磁場高密度プラズマエッチングを行わないと、効率的にエッチング処理を行うというマグネトロン反応性イオンエッチング本来の意義が失われてしまう。
【００１２】
一方、エッチング処理が終了する直前まで有磁場高密度プラズマエッチングを行うと、エッチングされた穴の一部からゲート酸化膜が露出してしまうおそれがある。そして、このゲート酸化膜の露出によって、半導体ウエハ上の電子が偏在して、チャージアップダメージが生じるという新たな問題が発生してしまう。
【００１３】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、被処理体のシェーディングダメージを抑えるとともに、効率的な処理を行うことができる処理方法を提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
この発明の処理方法は、処理容器内に配置された一対の電極から構成された電極ユニット間に被処理体を配置する被処理体載置工程と、前記処理容器内を所定の圧力に減圧する減圧工程と、前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給工程と、前記電極ユニットに高周波電力を供給し、両電極間に電界を形成する電界形成工程と、前記電極ユニットに前記電界方向と直交する成分を持つ又は前記被処理体と平行な第１磁場状態を形成する磁場形成工程と、前記第１磁場状態から、前記被処理体の表面近傍の磁場強度が電子の平均自由行程よりラーマ半径が大きくなるような第２磁場状態に切り換える磁場状態切換工程とを備え、前記磁場状態切換工程では、前記被処理体の対象物の下層に形成された下地層が１ヶ所も露出することなく、当該対象物を最も薄くすることができるタイミングで、前記第１磁場状態から前記第２磁場状態に切り換える、ことを特徴とする。
【００２１】
この構成では、効率的に処理を行いたい段階では、第１磁場状態を形成して処理が行われる。また、シェーディングダメージが発生しやすい段階では、磁場状態切換工程で第２磁場状態に切り換えて処理が行われる。この第２磁場状態では、電子の平均自由行程よりラーマ半径が大きくなるような磁場が存在することから、処理速度は大きく減速されない。また、処理ガスから発生した電子の平均自由行程よりそのラーマ半径が大きく、磁場を横切るように拡散する電子の割合が多くなり、この電子が処理面の穴の底に進入しやすくなる。このため、被処理体のシェーディングダメージを抑えることができる。
【００２２】
第２磁場状態を電界方向と直交する成分を持つ又は前記被処理体と平行な磁場に形成すると、処理速度が減速しにくくなり、効率的な処理を行うことができる。
処理ガスに反応性イオン種を有するガスを用い、被処理体にマグネトロン反応性イオン処理を行うと、イオンによるスパッタ作用と化学反応の両方の効果で処理が効率的に進行する。
【００２３】
第１磁場状態及び第２磁場状態で被処理体上に均一な磁場が形成されると、被処理体に水平な方向に均一な回転磁場が形成され、被処理体のプラズマ密度が均一になる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図１〜図４に従って説明する。図１は本実施の形態のマグネトロン反応性イオンエッチング装置の断面図を示したものである。
【００２５】
図１に示すように、マグネトロン反応性イオンエッチング装置１は、エッチング処理を行う処理容器２と、処理容器２内に磁場を形成するダイポールリング磁石２３とを備えている。
【００２６】
処理容器２は２段の略円筒状に形成され、半導体装置３のエッチング処理を行う小径の上部２ａと、半導体装置３を処理容器２内に搬入又は搬出する大径の下部２ｂとで構成されている。この処理容器２は、金属、例えばアルミニウムで形成されている。
【００２７】
処理容器２内には、半導体装置３を載置する載置台４が配置されている。載置台４は、金属、例えばアルミニウムで形成され、第１電極として機能する。この載置台４は、絶縁板５を介して導体の支持台６に支持されている。この支持台６はボールねじ７を有するボールねじ機構により昇降可能に構成され、この支持台６を昇降させることにより、載置台４（半導体装置３）が所定の高さに配置される。
【００２８】
載置台４には、ブロッキングコンデンサ８を介して、高周波電源９が接続されている。高周波電源９は、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力を載置台４に供給し、ブロッキングコンデンサ８の作用により、載置台４は負の電位に自己バイアスされる。
【００２９】
載置台４の上面には、半導体装置３を静電吸着するための静電チャック１０が設けられている。静電チャック１０は、絶縁体の間に電極が介在した構造に形成されており、電極は直流電源１１に接続されている。そして、直流電源１１から電極に電圧が印加されることにより、半導体装置３（半導体ウエハ）がクーロン力によって吸着され、載置台４上に載置される。
【００３０】
載置台４の上方の外周（載置台４に半導体装置３が載置された状態での半導体装置３の周囲）には、プラズマ密度を半導体装置３の処理面に集中させるためのフォーカスリング１２が設けられている。フォーカスリング１２は、導電性材料、例えば単結晶シリコンで形成されている。
【００３１】
載置台４の内部には図示しない冷媒流路が設けられ、この冷媒流路内に所定の温度の冷媒を循環させることによって、半導体装置３を所定の温度に制御できる構造になっている。
【００３２】
処理容器２の上部２ａには、載置台４に対向するようにシャワーヘッド１３が設けられている。このシャワーヘッド１３は第２電極として機能し、シャワーヘッド１３と載置台４とが一対の電極として電極ユニットを構成する。
【００３３】
シャワーヘッド１３は、その内部に中空部１３ａを有する中空構造に形成されている。シャワーヘッド１３の下部には、中空部１３ａと処理容器２内とを連通させる多数のガス噴出孔１４が設けられている。また、シャワーヘッド１３の上部には、中空部１３ａ（処理容器２）内にエッチングガスを供給するガス供給管１５が接続されている。このガス供給管１５には、反応ガス、例えばハロゲン系の反応性イオン種を有するガス、及び希釈ガス、例えばＡｒ、Ｈｅ等のガスを供給する処理ガス供給系１６が接続されている。そして、処理ガス供給系１６から供給されたエッチングガスがガス供給管１５、シャワーヘッド１３の中空部１３ａ、ガス噴出孔１４を介して半導体装置３の処理面に均一に噴出される。
【００３４】
処理容器２の下部２ｂの下部側壁には排気孔１７が形成され、排気孔１７には排気系１８が接続されている。排気系１８は真空ポンプ等から構成されている。この真空ポンプの作動により、処理容器２内が所定の圧力（真空度）まで減圧される。
また、処理容器２の下部２ｂの上部側壁には、半導体装置３の搬入出口を開閉するゲートバルブ１９が設けられている。
【００３５】
支持台６の下端には伸縮可能に構成されたベローズ２０の一端が気密に接続され、この他端は処理容器２の底面に気密に接続されている。このベローズ２０はステンレス鋼（ＳＵＳ）で形成されている。また、ベローズ２０の外部にはベローズカバー２１が設けられている。
【００３６】
また、フォーカスリング１２の外側にはバッフル板２２が設けられている。このバッフル板２２には処理ガスを処理容器２の下部２ｂ方向に流動させるための複数の孔が設けられている。このバッフル板２２は支持台６、ベローズ２０を通じて処理容器２と導通している。
【００３７】
処理容器２の上部２ａの周囲には、載置台４とシャワーヘッド１３との間の空間（以下、処理空間という）を挟むように、ダイポールリング磁石２３が配置されている。図２にダイポールリング磁石２３付近の水平断面図を示す。
【００３８】
図２に示すように、ダイポールリング磁石２３は複数のセグメント磁石２４を備えている。セグメント磁石２４は図示しない支持部材により支持された状態でリング状に配置されている。本実施の形態では１６個のセグメント磁石２４がリング状に配置され、セグメント磁石２４に鉄芯とコイルとから構成された電磁石が用いられている。
【００３９】
ダイポールリング磁石２３には、各セグメント磁石２４に電流を流して磁場を形成させる切換機構２５が接続されている。切換機構２５は、各セグメント磁石２４に流す電流の量を第１電流量と、第１電流量より電流の量が少ない第２電流量との２段階に切換可能に構成されている。そして、各セグメント磁石２４に第１電流量の電流が流れると、処理空間に全体として一方向に向かう磁場を形成する第１磁場状態が形成される。また、各セグメント磁石２４に第２電流量の電流が流れると、処理空間に全体として一方向に向かう第１磁場状態より磁場強度の弱い磁場であって、半導体装置３の表面近傍の磁場強度が電子の平均自由行程よりラーマ半径が大きくなるような磁場となる第２磁場状態が形成される。
【００４０】
切換機構２５がセグメント磁石２４のコイルに供給する電流を切り換えるタイミングは、マイクロプロセッサ等から構成された制御装置２６により制御されている。制御装置２６の内部メモリには、各処理条件での第１磁場状態から第２磁場状態への最適な切り換え時間が予め登録されている。この切り換え時間は、エッチング処理の対象物の下層に形成された下地層が１ヶ所も露出することなく、対象物を最も薄くすることができる時間をいう。なお、切り換え時間は、種々のエッチング条件による実験結果を基にして定められている。制御装置２６はエッチング処理を開始すると、内部タイマにより処理時間を計測し、切り換え時間に到達したと判別すると、切換機構２５にコイルに供給する電流を第２電流量に切り換える旨の切換指示を出力する。
【００４１】
また、ダイポールリング磁石２３には、ダイポールリング磁石２３をその周方向に沿って回転させる回転機構２７が接続されている。そして、第１磁場状態又は第２磁場状態が形成された状態で、回転機構２７によりダイポールリング磁石２３を回転すると、半導体装置３に水平な方向に均一な回転磁場が形成される。
【００４２】
次に、以上のように構成されたマグネトロン反応性イオンエッチング装置１を用いたマグネトロン反応性イオンエッチング方法について説明する。なお、以下に説明する各工程は制御装置２６によって制御されており、制御装置２６によって実行される。
【００４３】
まず、ボールねじ７を有するボールねじ機構により載置台４を下降させた状態でゲートバルブ１９を開いて、図示しない搬送手段により半導体装置３を処理容器２内の載置台４上に搬送する。次に、載置台４をボールねじ７を有するボールねじ機構により、図１に示す状態まで上昇させる。そして、直流電源１１から静電チャック１０の電極に所定の電圧を印加し、半導体装置３をクーロン力により吸着させ、載置台４上に載置する（被処理体載置工程）。
【００４４】
次に、ゲートバルブ１９を閉じて処理容器２を密閉し、排気系１８の真空ポンプにより排気孔１７を介して処理容器２内を所定の圧力（真空度）になるまで減圧する（減圧工程）。そして、処理ガス供給系１６からエッチングガスをガス供給管１５、シャワーヘッド１３、ガス噴出孔１４を介して半導体装置３の処理面に均一に噴出し、処理容器２内を所定の圧力、例えば４５ｍＴｏｒｒに保持する（処理ガス供給工程）。
【００４５】
半導体装置３の処理面にエッチングガスが供給されると、高周波電源９から載置台４に周波数が例えば１３．５６ＭＨｚ、パワーが例えば１５００Ｗの高周波電力を供給する。すると、ブロッキングコンデンサ８の作用により、載置台４は負の電位に自己バイアスされ、シャワーヘッド１３から載置台４方向に向かう電界が形成される（電界形成工程）。この電界により、エッチングガスの放電が誘起され、載置台４上に載置された半導体装置３の表面近傍にプラズマが形成される。さらに、このプラズマがフォーカスリング１２により、半導体装置３の表面近傍に集中する。
【００４６】
半導体装置３の表面近傍にプラズマが形成されると、切換機構２５を介してセグメント磁石２４に第１電流量の電流を流す。そして、ダイポールリング磁石２３により処理空間に全体として一方向に向かう均一磁場（第１磁場状態）を形成するとともに、回転機構２７を介してダイポールリング磁石２３を回転させ、半導体装置３に水平な方向に均一な回転磁場を形成する（磁場形成工程）。
【００４７】
半導体装置３に水平な方向に磁場が形成されると、処理空間内の電子がサイクロトロン運動を起こし、この電子と中性粒子とが衝突する頻度が高くなる。これら電子と中性粒子との衝突により、半導体装置３の表面近傍でのエッチングガスのイオン化が促進される。この結果、半導体装置３にイオンが入射され、このイオンによるスパッタ作用と化学反応の両方の効果でエッチングが効率的に進行する。
【００４８】
エッチングが進行して、第１磁場状態から第２磁場状態への最適な切り換え時間になると、切換機構２５を介して各セグメント磁石２４に流す電流を第２電流量に切り換える。これにより、半導体装置３の表面近傍の磁場強度が、エッチングガスから発生した電子の平均自由行程より、そのラーマ半径が大きくなる程度の弱い均一な回転磁場からなる第２磁場状態を形成する（磁場状態切換工程）。
【００４９】
ここで、電子の平均自由行程とラーマ半径との関係について説明する。
ラーマ半径は磁場強度に反比例することから、磁場強度が弱くなるとラーマ半径は大きくなる。磁場強度が弱くなり平均自由行程よりラーマ半径が大きくなると、電子は十分に回転することができず、サイクロトロン運動（磁場）からの拘束を受けない電子の割合が多くなる。このため、電子が半導体装置３の処理面（エッチング処理により形成された穴の底）に進入しやすくなる。このため、電子は半導体装置３の処理面に到達し、半導体装置３の面内での電位の不均一（電位の差）が生じなくなる。従って、オーバエッチング時などに発生しやすい絶縁膜を破壊するシェーディングダメージを抑えることができる。
【００５０】
このことは、電子の磁場を横切る拡散の式によって説明することができる。
電界に沿って移動する電子に対して垂直方向からの磁場が形成されると、電子は磁場に拘束されてサイクロトロン運動を起こすが、この磁場からの拘束を受けずに磁場を横切って処理面に進行（拡散）すればシェーディングダメージは生じにくくなる。
この電子の磁場を横切る拡散Ｄは、以下の式で表される。
Ｄ＝Ｄ０／（１＋（λｍ／ｒ）２）
ここでＤ０は拡散係数、λｍは電子の平均自由行程、ｒはラーマ半径である。この式から、λｍ／ｒが小さいほど電子の磁場を横切る拡散が大きくなる。特に、λｍ／ｒの２乗であることから、平均自由行程よりラーマ半径が大きくなると、拡散Ｄは拡散係数に近づくように大きくなり、電子が磁場からの拘束を受けずに処理面に進行しやすくなる。
【００５１】
一方、第２磁場状態であっても弱い磁場が存在することから、処理空間内の電子の一部がサイクロトロン運動を起こし、この電子と中性粒子とが衝突して、半導体装置３の表面近傍でのエッチングガスのイオン化が促進される。このため、エッチング速度は大きく減速されない。
【００５２】
エッチング処理が終了すると、処理ガス供給系１６からのエッチングガスの供給を停止させる。次に、ボールねじ７を有するボールねじ機構により載置台４を下降させ、直流電源１１からの静電チャック１０への電圧の印加を解除する。最後に、ゲートバルブ１９を開き、図示しない搬送手段により半導体装置３を処理容器２の外に移動させる。
【００５３】
本実施の形態の効果を確認するため、図３に示すようなアンテナＭＯＳを用いてマグネトロン反応性イオンエッチングを行った。なお、アンテナＭＯＳは半導体ウエハ（８インチ）上に１１２個形成されており、図３はこの内の１つを模式図で示したものである。
【００５４】
図３に示すように、アンテナＭＯＳ３１は、半導体ウエハ３２、ゲート酸化膜３３、第１絶縁膜３４、電極膜３５、及び第２絶縁膜３６から構成されている。半導体ウエハ３２上にはゲート酸化膜３３が配置され、半導体ウエハ３２上のゲート酸化膜３３が配置されていない部分には第１絶縁膜３４が形成されている。ゲート酸化膜３３及び第１絶縁膜３４の上には電極膜３５が形成されている。電極膜３５上には、電極膜３５を覆うように第２絶縁膜３６が形成されている。また、第２絶縁膜３６には電極膜３５に達する複数の穴３７が形成されている。以上の構造のアンテナＭＯＳ３１にエッチング処理を行った。そして、このエッチングによって、ゲート酸化膜３３が絶縁破壊を起こしているか否かについて、測定を行った。
【００５５】
この測定は、図４に示すように、エッチング処理によってゲート酸化膜３３が通電するか否かを、半導体ウエハ３２上の全１１２個について行った。この結果、ゲート酸化膜３３が破壊されているのはわずか５個であった。比較のために、従来のマグネトロン反応性イオンエッチング装置でエッチング処理（第１磁場状態のみでエッチング処理）したものについても同様の測定を行うと、ゲート酸化膜が破壊されているのは５５個であった。このように本実施の形態のマグネトロン反応性イオンエッチング装置１を用いてエッチング処理を行うと、ゲート酸化膜３３の破壊を従来の１／１０以下に減少させることができ、シェーディングダメージを抑えることができること実験からも確認できた。
【００５６】
以上説明したように、本実施の形態によれば、第１磁場状態と第２磁場状態とを最適な時間で切り換えてエッチング処理を行っているので、オーバエッチング時などに発生しやすいシェーディングダメージを抑えることができるとともに、効率的なエッチング処理を行うことができる。
【００５７】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、例えばセグメント磁石２４に永久磁石を用いてもよい。例えば図５（ａ）に示すように、セグメント磁石２４の磁極の向きをダイポール状態に配置して第１磁場状態を形成するとともに、セグメント磁石２４の磁極の向きを変化させて第２磁場状態を形成する。この場合、第１磁場状態時に大きな磁場を形成することができ、さらに効率的な処理を行うことができる。
【００５８】
第２磁場状態は、被処理体の表面近傍の磁場強度が電子の平均自由行程よりラーマ半径が大きくなるような磁場であればよく、実質的に無磁場な状態であってもよい。この場合、図５（ｂ）に示すように、セグメント磁石２４の磁極の向きをマルチポール状態に配置すると第２磁場状態を形成させることができる。
【００５９】
また、図６に示すように、処理容器２の上部２ａの周囲にダイポールリング磁石２３を上下方向に２段設けた構造にしてもよい。なお、図６は理解を容易にするために、ダイポールリング磁石２３のうち、２組のセグメント磁石２４のみを側面から図示した模式図である。この場合、図６（ａ）のダイポール状態の第１磁場状態から、下段のセグメント磁石２４の磁極の向きを切り換えると、図６（ｂ）のように、磁力線が上段から下段に向かう実質的に無磁場な第２磁場状態を形成させることができる。
【００６０】
処理容器２とダイポールリング磁石２３との間を出没可能な電磁波シールドを配置した構造であってもよい。この場合、電磁波シールドを処理容器２とダイポールリング磁石２３との間から取り出すと第１磁場状態を形成し、電磁波シールドを処理容器２とダイポールリング磁石２３との間に挿入すると第２磁場状態を形成する。
【００６１】
本実施の形態では、マグネトロン反応性イオンエッチング装置について説明したが、これに限らず、例えばマグネトロン反応性イオンＣＶＤ装置、マグネトロン反応性イオンスパッタリング装置、マグネトロンプラズマエッチング装置、マグネトロンプラズマＣＶＤ装置、マグネトロンプラズマスパッタリング装置等にも適用することができる。
【００６２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、被処理体のシェーディングダメージを抑えるとともに、効率的な処理を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態のマグネトロン反応性イオンエッチング装置を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態のダイポールリング磁石を示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態のアンテナＭＯＳを示す模式図である。
【図４】本発明の実施の形態のアンテナＭＯＳのシェーディングダメージを測定する状態を示す模式図である。
【図５】（ａ）は別の実施の形態の第１磁場状態でのダイポールリング磁石の模式図であり、（ｂ）は同じく第２磁場状態でのダイポールリング磁石の模式図である。
【図６】（ａ）は別の実施の形態の第１磁場状態でのダイポールリング磁石の模式図であり、（ｂ）は同じく第２磁場状態でのダイポールリング磁石の模式図である。
【図７】従来のダイポールリング磁石を示す模式図である。
【図８】シェーディングダメージを説明するための模式図である。
【符号の説明】
１  マグネトロン反応性イオンエッチング装置
２  処理容器
３  半導体装置
４  載置台
９  高周波電源
１３  シャワーヘッド
１６  ガス供給系
１８  排気系
２３  ダイポールリング磁石
２４  セグメント磁石
２５  切換機構
２６  制御装置
【図１】
0004285853.tif 000002
【図２】
0004285853.tif 000003
【図３】
0004285853.tif 000004
【図４】
0004285853.tif 000005
【図５】
0004285853.tif 000006
【図６】
0004285853.tif 000007
【図７】
0004285853.tif 000008
【図８】
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