(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報の記録、再生を行なう記録媒体において、基板上に記録層が少なくとも２層以上構成され、光の入射側の記録層がＳｂ元素とＴｅ元素を少なくとも含み、２つの記録層の間に熱伝導率が傾斜した保護層を有し、該保護層は、光入射側の熱伝導率が小さいことを特徴とする相変化型記録媒体。
【請求項２】
情報の記録、再生を行なう記録媒体において、基板上に記録層が少なくとも２層以上構成され、光の入射側の記録層がＳｂ元素とＴｅ元素を少なくとも含み、２つの記録層の間に熱伝導率の違う層を３層以上含む保護層を有し、該保護層は、光入射側の熱伝導率が小さいことを特徴とする相変化型記録媒体。
【請求項３】
情報の記録、再生を行なう記録媒体において、基板上に記録層が少なくとも２層以上構成され、光の入射側の記録層がＳｂ元素とＴｅ元素を少なくとも含み、２つの記録層の間に、記録波長での光透過率が違う層を３層以上含む保護層を有し、該保護層は、光入射側の光透過率が高いことを特徴とする相変化型記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、コンピューターメモリ、画像および音声ファイル用メモリー、光カードなどに利用される光記録媒体に関し、また、レーザなどの光により情報の記録あるいは再生などを行なう情報記録媒体に関し、特に高記録密度化あるいは感度に優れた相変化型情報記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
レーザービームの照射による記録、再生が可能な光媒体として、結晶−非晶質の転移を利用する相変化媒体や、色素−穴明きによる反射率差を利用する色素媒体がある。従来記録、再生可能な光媒体に関して光入射する側から再生専用のメディアに関しては２層の記録層（ピット）形成が容易であった。しかしながら記録再生ができる層を２層設ける場合、１層は光を透過しかつ吸収させて記録をするという相反する現象を起こさせなくてはならない。透過するということは通常の膜厚では吸収が少なく、厚い放熱層を設けると、光が透過しないので、放熱が十分ではないので、アモルファス化しにくい。このことから高速で記録しにくい、高密度で記録できない現象が生じていた。また記録層間が１０μｍから３０μｍ程度と狭いので初期化時や記録時に層間の熱的な干渉が起き記録層２層製膜後に初期化しても十分な記録再生特性が得られず、各記録層毎に初期化することなどが行われている。しかし記録層の一方に記録している場合、もう一方の記録層のデータが消滅するという不具合があった。
【０００３】
ＣＤ−ＲやＣＤ−ＲＷなどの光ディスクは、ポリカーボネートなどプラスチックの円形基板、またはその上に設けた記録層に、円周方向に沿って、音や文字や画像の信号を記録し、その面にアルミニウムや金、銀などの金属を蒸着またはスパッタリングして反射層を形成したもので、基板面側からレーザー光を入射して、信号の記録、再生を行なう。近年、コンピューター等で扱う情報量が増加したことから、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷのような光ディスクの信号記録容量の増大および信号情報の高密度化が進んでいる。ＣＤの記録容量は６５０ＭＢ程度で、ＤＶＤは４．７ＧＢ程度であるが、今後、更なる高記録密度化が要求されている。このような高記録密度媒体を実現するために使用するレーザー波長を青色光領域まで短波長化することが提案されている。しかしながら従来の技術としては、特開平０８−２８７４７４号公報のように多層化することは述べられていても、具体的なメディアに関する情報がなかったり、特開平９−１９８７０９号公報では、実施例が相変化記録層２層で、光が最初に透過する層がＳｂＳｅ、もう一層がＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５組成からなる記録層であった。実際には高速記録の観点では記録感度が悪くなり、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５の組成では高密度記録がしづらいことがわかっている。
【０００４】
【本発明が解決しようとする課題】
従って、本発明は、高速、高記録密度化に優れた相変化型情報記録媒体を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の第（１）は、情報の記録、再生を行なう記録媒体において、基板上に記録層が少なくとも２層以上構成され、光の入射側の記録層がＳｂ元素とＴｅ元素を少なくとも含み、２つの記録層の間に熱伝導率の傾斜した層を有し、該保護層は、光入射側の熱伝導率が小さくすることで高密度記録を可能とすることと、初期化時に光入射方向から見て遠い側の記録層を初期化している場合、熱的に光入射側の記録層へ熱の干渉が少なくして記録層２層とも初期化を可能にし、記録時も同様に記録層間の熱干渉を少なくできエラーが少ない相変化型記録媒体を提供することである。
【０００７】
また、本発明の第（２）は、情報の記録、再生を行なう記録媒体において、基板上に記録層が少なくとも２層以上構成され、光の入射側の記録層がＳｂ元素とＴｅ元素を少なくとも含み、２つの記録層の間に熱伝導率の違う層を３層以上設け光入射側の層の熱伝導率を小さくすることで、初期化時に光入射方向から見て遠い側の記録層を初期化している場合、熱的に光入射側の記録層へ熱の干渉が少なくして記録層２層とも初期化を可能にし、記録時も同様に記録層間の熱干渉を少なくできエラーが少ない相変化型記録媒体を提供することである。
【０００９】
また、本発明の第（３）は、情報の記録、再生を行なう記録媒体において、基板上に記録層が少なくとも２層以上構成され、光の入射側の記録層がＳｂ元素とＴｅ元素を少なくとも含み、該記録層２層間に形成した透過率が違う層３層以上のうち、光入射側の層の透過率を高くすることで、初期化時に光入射方向から見て遠い側の記録層を初期化している場合、熱的に光入射側の記録層へ熱の干渉が少なくして記録層２層とも初期化を可能にし、記録時も同様に記録層間の熱干渉を少なくできエラーが少ない相変化型記録媒体を提供することである。
【００１２】
この発明の実施の形態にかかる基板および光ディスクの構成を図１に示す。
基板の材料は通常ガラス、セラミックスあるいは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コストの点で好適である。樹脂の例としてはポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられるが、成形性、光学特性、コストの点で優れるポリカーボネート樹脂、アクリル系樹脂が好ましい。基板面の一方に凹凸パターンが形成されており、こちら側に耐熱層、記録層などが成膜される。基板の厚さは特に制限されるものではない。基板側からレーザー光を照射しない場合は、光学特性を考慮する必要がなく、剛性の優れたポリエチレンテレフタレートなどが好ましい。
【００１３】
保護層（１）、保護層（２）、保護層（３）および保護層（４）は記録層の劣化変質を防ぎ、記録層の接着強度を高め、かつ記録特性を高めるなどの作用を有するもので、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２などの金属酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＴａＳ４などの硫化物、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物やダイヤモンド状カーボンあるいは、それらの混合物が挙げられる。これらの材料は、単体で耐熱層とすることもできるが、互いの混合物としてもよい。また、必要に応じて不純物を含んでもよい。耐熱層の融点は記録層よりも高いことが必要である。このような耐熱層は、各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。なかでも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
【００１４】
反射放熱層としては、一般的にはＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔａなどの金属材料、またはそれらの合金などを用いることができる。また、添加元素としては、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｔａなどが使用される。このような反射放熱層は、各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。なかでも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
【００１５】
薄型基板は、高ＮＡの対物レンズを用いる場合、０．３ｍｍ以下の厚さが要求されるため、シート状であることが好ましい。材料としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられるが、光学特性、コストの点で優れるポリカーボネート樹脂、アクリル系樹脂が好ましい。上記透明シートを用いて光透過層を形成する方法としては、紫外線硬化性樹脂、あるいは透明な両面粘着シートを介して、透明シートを貼りつける方法が挙げられる。また、紫外線硬化性樹脂を保護層上に塗布してこれを硬化させて光透過層を形成してもよい。
【００１６】
以上のような層構成で、情報の記録、再生を行なう記録媒体において、基板上に記録層が少なくとも２層以上構成され、光の入射側の記録層がＳｂ元素およびＴｅ元素を少なくとも含み、２つの記録層の間に熱伝導率の傾斜した層を設けて高密度記録を可能とすることと初期化時に光入射方向から見て遠い側の記録層を初期化している場合、熱的に光入射側の記録層へ熱の干渉が少なくして記録層２層とも初期化を可能にし、記録時も同様に記録層間の熱干渉を少なくできエラーが少ない相変化型記録媒体を提供することができ、熱伝導率の傾斜した層のつくる方法は窒化物、酸化物それぞれ、窒素量、酸素量を製膜時間で変化させることで形成が可能である。
【００１７】
【実施例】
（実施例１）
トラックピッチ０．３５μｍ、１．１ｍｍ厚みポリカーボネート基板にメディア構成では図１のように保護層（１）（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）を４０ｎｍ、記録層（１）のＳｂ６８Ｔｅ２９Ｇｅ３を１２ｎｍ、保護層（２）のＺｎＳＳｉＯ２層を１４ｎｍとＡｌＮｘを１００ｎｍ形成しその窒化量を時間とともに（膜厚方向に）変化させ、製膜時に窒素量を時間とともに増やし、膜厚方向に熱伝導率が傾斜した膜にした。
このＡｌＮｘの上に紫外線硬化樹脂のスピンコートによる樹脂層を２０μｍ、この樹脂層にスタンパーによる転写を硬化する前に行い、次に保護層（３）であるＺｎＳＳｉＯ２を７０ｎｍ、記録層（２）(Ａｇ６Ｉｎ７Ｓｂ６９Ｔｅ２４)を１０ｎｍ、保護層（４）のＺｎＳＳｉＯを１５ｎｍ、放熱層のＡｇＰｂＣｕを１２０ｎｍを順次、枚葉スパッタ装置にて成膜しさらにラジカルＵＶ樹脂で形成しメディア化した。
【００１８】
（比較例１）
トラックピッチ０．３５μｍ、１．１ｍｍ厚みポリカーボネート基板にメディア構成では図１のように保護層（１）（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）を４０ｎｍ、記録層（１）Ｓｂ６８Ｔｅ２９Ｇｅ３を１２ｎｍ、保護層（２）ＺｎＳＳｉＯ２層を１４ｎｍとＡｌ−Ｔｉ（１ｗｔ％）の５ｎｍを枚葉スパッタ装置にて成膜し、紫外線硬化樹脂のスピンコートによる樹脂層を２０μｍ、この樹脂層にスタンパーによる転写を硬化する前に行い、次に保護層（３）であるＺｎＳＳｉＯ２を７０ｎｍ、記録層（２）(Ａｇ６Ｉｎ７Ｓｂ６９Ｔｅ２４)を１０ｎｍ、保護層（４）のＺｎＳＳｉＯを１５ｎｍ、放熱層のＡｇＴｉ（１ｗｔ％）を１２０ｎｍを順次、枚葉スパッタ装置にて成膜しさらにラジカルＵＶ樹脂で形成しメディア化した。
実施例１の結晶化を行うための初期化を８００ｍＷで処理し、記録再生を行った。評価条件４００ｎｍ，ＮＡ＝０．８５、６．０ｍ／ｓ、０．１４μｍ／ｂｉｔで評価した結果、記録層２層ともジッタ９．０％以下の良好な特性が得られた。比較例１は記録層（２）初期化後に記録層（１）が熱的なダメージを起こし良好に初期化ができず、記録再生特性が悪くジッタが１８．３％であった。
【００１９】
（実施例２）
トラックピッチ０．３５μｍ、１．１ｍｍ厚みポリカーボネート基板に、メディア構成では図１のように保護層（１）（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）を４０ｎｍ、記録層（１）Ｓｂ６８Ｔｅ２９Ｇｅ３を１２ｎｍ、保護層（２）ＺｎＳＳｉＯ２層を１４ｎｍと酸化インジウム(Ｉｎ２Ｏ３)１５０ｎｍとＡｕ５ｎｍを枚葉スパッタ装置にて成膜し（正確な薄膜での熱伝導率は測定不能であるがＺｎＳＳｉＯ２＜ＩｎＯ２＜Ａｕの順で熱伝導率が良い。）紫外線硬化樹脂のスピンコートによる樹脂層を２０μｍ、この樹脂層にスタンパーによる転写を硬化する前に行い、次に保護層（３）であるＺｎＳＳｉＯ２を７０ｎｍ、記録層（２）（Ａｇ６Ｉｎ７Ｓｂ６９Ｔｅ２４）を１０ｎｍ、保護層（４）のＺｎＳＳｉＯを１５ｎｍ、放熱層のＡｇＰｂＣｕを１２０ｎｍを順次、枚葉スパッタ装置にて成膜しさらにラジカルＵＶ樹脂で形成しメディア化した。
実施例１の結晶化を行うための初期化を８００ｍＷで処理し、記録再生を行った。評価条件４００ｎｍ、ＮＡ＝０．８５、６．０ｍ／ｓ、０．１４μｍ／ｂｉｔで評価した結果、記録層２層ともジッタ９．０％以下の良好な特性が得られた。熱伝導率の違う層が２層では比較例１のように熱的な遮断がうまくいかずに良好な記録再生特性が得られない。
【００２０】
（実施例３）
トラックピッチ０．３５μｍ、１．１ｍｍ厚みポリカーボネート基板にメディア構成では図１のように保護層（１）（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）を４０ｎｍ、記録層（１）Ｓｂ６８Ｔｅ２９Ｇｅ３を１０ｎｍ、保護層（２）ＺｎＳＳｉＯ２層を１０ｎｍと（酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）２００ｎｍとＭｏＣｒを１２ｎｍを枚葉スパッタ装置にて成膜した。紫外線硬化樹脂のスピンコートによる樹脂層を２５μｍ、この樹脂層にスタンパーによる転写を硬化する硬化する前に行い、次に保護層（３）であるＺｎＳＳｉＯ２を７０ｎｍ、記録層（２）（Ａｇ１Ｉｎ３Ｓｂ６８Ｔｅ２４）を１０ｎｍ、保護層（４）のＺｎＳＳｉＯを１５ｎｍ、放熱層のＡｇＰｂＣｕを１２０ｎｍを順次、枚葉スパッタ装置にて成膜しさらにラジカルＵＶ樹脂で形成しメディア化した。
【００２１】
（比較例２）
トラックピッチ０．３５μｍ、１．１ｍｍ厚みポリカーボネート基板にメディア構成では図１のように保護層（１）（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）を４０ｎｍ、記録層（１）ＳｂＴｅＧｅを１０ｎｍ、保護層（２）ＺｎＳＳｉＯ２層を１０ｎｍとＡｌ−Ｔｉ（１ｗｔ％）５ｎｍを枚葉スパッタ装置にて成膜し青色波長での透過率が（ＺｎＳＳｉＯ２が９８％、Ａｌ−Ｔｉで７３％であった、紫外線硬化樹脂のスピンコートによる樹脂層を２５μｍ、この樹脂層にスタンパーによる転写を硬化する前に行い、次に保護層（３）であるＺｎＳＳｉＯ２を７０ｎｍ、記録層（２）を１０ｎｍ、保護層（４）のＺｎＳＳｉＯを１５ｎｍ、放熱層のＡｇＴｉ（１ｗｔ％）を１２０ｎｍを順次、枚葉スパッタ装置にて成膜しさらにラジカルＵＶ樹脂で形成しメディア化した。
実施例３の場合、光入射側の記録層を評価条件実施例１記載の条件で記録後、記録層（２）の記録再生実験を行っても記録層（１）の記録された状態が保持されていた。
比較例２では記録層（１）のみの初期化や記録再生特性は実施例１記載の条件で評価するとジッタが９．２％と良好な特性を示したが、記録層（２）の初期化後、記録層（１）の記録再生特性はジッタ１８％と良くなかった。
【００２２】
（実施例４）
トラックピッチ０．３５μｍ、１．１ｍｍ厚みポリカーボネート基板にメディア構成では図１のように保護層（１）（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）を１１０ｎｍ、記録層（１）Ｓｂ６８Ｔｅ２９Ｇｅ３を１２ｎｍ、保護層（２）ＺｎＳＳｉＯ２層を１０ｎｍとＳｉＣ１００ｎｍとＡｕ１２ｎｍを枚葉スパッタ装置にて成膜した。青色波長での各透過率はＺｎＳＳｉＯ２（９８％）＜ＳｉＣ（９４％）＜Ａｕ（７１％，反射率２９％）の順で透過率が良い。紫外線硬化樹脂のスピンコートによる樹脂層を２５μｍ、この樹脂層にスタンパーによる転写を硬化する硬化する前に行い、次に保護層（３）であるＺｎＳＳｉＯ２を７０ｎｍ、記録層（２）（Ａｇ１Ｉｎ３Ｓｂ６８Ｔｅ２４）を１０ｎｍ,保護層（４）のＺｎＳＳｉＯを１５ｎｍ、放熱層のＡｇＰｂＣｕを１２０ｎｍを順次、枚葉スパッタ装置にて成膜しさらにラジカルＵＶ樹脂で形成しメディア化した。
実施例４の場合、光入射側の記録層を評価条件実施例１記載の条件で記録後、記録層（２）の記録再生実験を行っても記録層（１）の記録された状態が保持されていた。
比較例２では記録層（１）のみの初期化や記録再生特性は実施例１記載の条件で評価するとジッタが９．２％と良好な特性を示したが、記録層（２）の初期化後、記録層（１）の記録再生特性はジッタ１８％と良くなかった。
【００２３】
（実施例５）
トラックピッチ０．３５μｍ、１．１ｍｍ厚みポリカーボネート基板にメディア構成では図１のように保護層（１）（ＺｎＳ−ＳｉＯ２）を１６０ｎｍ、記録層（１）Ｓｂ６８Ｔｅ２９Ｇｅ３を１２ｎｍ、保護層（２）ＺｎＳＳｉＯ２層を１０ｎｍとＡＴＯ１７０ｎｍとＡｕ１０ｎｍを枚葉スパッタ装置にて成膜した。青色波長での各透過率はＺｎＳＳｉＯ２（９８％）＜ＡＴＯ（９０％）＜Ａｕ（７２％，反射率２８％）の順で透過率が良い。紫外線硬化樹脂のスピンコートによる樹脂層を２５μｍ、この樹脂層にスタンパーによる転写を硬化する硬化する前に行い、次に保護層（３）であるＺｎＳＳｉＯ２を７０ｎｍ、記録層（２）(Ａｇ１Ｉｎ３Ｓｂ６８Ｔｅ２４)を１０ｎｍ、保護層（４）のＺｎＳＳｉＯを１５ｎｍ、放熱層のＡｇＰｄＣｕを１２０ｎｍを順次、枚葉スパッタ装置にて成膜しさらにラジカルＵＶ樹脂で形成しメディア化した。
実施例５の場合、光入射側の記録層を評価条件実施例１記載の条件で記録後、記録層（２）の記録再生実験を行っても記録層（１）の記録された状態が保持されていた。
比較例２では記録層（１）のみの初期化や記録再生特性は実施例１記載の条件で評価するとジッタが９.２％と良好な特性を示したが、記録層（２）の初期化後、記録層（１）の記録再生特性はジッタ１８％と良くなかった。
【００２４】
【発明の効果】
以上、詳細かつ具体的な説明から明らかなように、本発明により、情報の記録、再生を行なう記録媒体において、基板上に記録層が少なくとも２層以上構成され、光の入射側の記録層がＳｂＴｅを少なくとも含み、２つの記録層の間に熱伝導率の傾斜した層を有し、該保護層は、光入射側の熱伝導率が小さくすることで高密度記録が可能となり初期化時に光入射方向から見て遠い側の記録層を初期化している場合、熱的に光入射側の記録層へ熱の干渉が少なくできるので記録層２層とも良好で初期化が可能となり、記録時も同様に記録層間の熱干渉を少なくできエラーが少ない相変化型記録媒体が提供できる。
また、本発明により、情報の記録、再生を行なう記録媒体において、基板上に記録層が少なくとも２層以上構成され、光の入射側の記録層がＳｂ元素とＴｅ元素を少なくとも含み、２つの記録層の間に熱伝導率の違う層を３層以上設けることで高密度記録が可能となり初期化時に光入射方向から見て遠い側の記録層を初期化している場合、熱的に光入射側の記録層へ熱の干渉が少なくできるので記録層２層とも良好で初期化が可能となり、記録時も同様に記録層間の熱干渉を少なくできエラーが少ない相変化型記録媒体が提供できる。
また、本発明により、情報の記録、再生を行なう記録媒体において、基板上に記録層が少なくとも２層以上構成され、光の入射側の記録層がＳｂ元素とＴｅ元素を少なくとも含み、２つの記録層の間に熱伝導率の違う層を３層以上設け光入射側の層の熱伝導率を小さくすることで、初期化時に光入射方向から見て遠い側の記録層を初期化している場合、熱的に光入射側の記録層へ熱の干渉が少なくできるので記録層２層とも良好で初期化が可能となり、記録時も同様に記録層間の熱干渉を少なくできエラーが少ない相変化型記録媒体が提供できる。
また、本発明により、情報の記録、再生を行なう記録媒体において、基板上に記録層が少なくとも２層以上構成され、光の入射側の記録層がＳｂ元素とＴｅ元素を少なくとも含み、２つの記録層の間に、記録波長での透過率が違う層を３層以上設けることで初期化時に光入射方向から見て遠い側の記録層を初期化している場合、熱的に光入射側の記録層へ熱の干渉が少なくできるので記録層２層とも良好で初期化が可能となり、記録時も同様に記録層間の熱干渉を少なくできエラーが少ない相変化型記録媒体が提供できる。
また、本発明により、記録層２層間に形成した透過率が違う層３層以上のうち、光入射側の層の透過率を高くすることで初期化時に光入射方向から見て遠い側の記録層を初期化している場合、熱的に光入射側の記録層へ熱の干渉が少なくできるので記録層２層とも良好で初期化が可能となり、記録時も同様に記録層間の熱干渉を少なくできエラーが少ない相変化型記録媒体が提供できる。
また、本発明により、記録層２層間に形成した透過率が違う層３層以上のうち、光入射側とは反対側の光反射率が記録波長で５０％以下とすることで、光入射側への戻る光が少ないので初期化時に光入射方向から見て遠い側の記録層を初期化している場合、熱的に光入射側の記録層へ熱の干渉が少なくできるので記録層２層とも良好で初期化が可能となり、記録時も同様に記録層間の熱干渉を少なくできエラーが少ない相変化型記録媒体が提供できる。
さらにまた、本発明により、情報の記録、再生を行なう記録媒体において、基板上に記録層が少なくとも２層以上構成され、記録層に挟まれた層が酸化インジウム／酸化スズ複合酸化物（ＩＴＯ）、酸化スズ／酸化アンチモン複合酸化物（ＡＴＯ）、ＳｉＣ、ＶＯ、ＴｉＯｘ、ＺｒＯｘ、ＺｎＯｘから選ばれた１層以上の層と金属Ａｕ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗもしくはこれらの合金の層を少なくとも含むことで初期化時に光入射方向から見て遠い側の記録層を初期化する場合、熱的に光入射側の記録層へ熱の干渉が少なくして初期化も可能になり、記録時も同様に記録層間の熱干渉を少なくできエラーが少ない相変化型記録媒体が提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態にかかる基板および光ディスクの構成を示した図である。
【符号の説明】
１  記録層
１’ 保護層
２  記録層
２’ 保護層
３  保護層
４  保護層
【図１】
0004223703.tif 000002