(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
硝子基板上に形成された半導体集積回路に接続される複数の信号線部分における配線構造において、
前記硝子基板上に形成され、一方が複数の端子電極のいずれかに接続され、他方が前記半導体集積回路に接続された第１の信号線と、
前記第１の信号線の上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に設けられ、かつ前記第１の信号線の上を横切り、一方が複数の端子電極のいずれかに接続され、他方が前記半導体集積回路に接続される第２の信号線と、
前記第２の信号線が前記第１の信号線の上を横切る部分の周辺で、前記第１の信号線と同じ配線層にて、前記第２の信号線に沿ってその下に設けられた補助導電体と、を具備し、
前記第２の信号線は、前記端子電極側において前記補助導電体との間に生じる容量よりも、前記第１の信号線上を横切る側において前記補助導電体との間に生じる容量が大きくなるように、途中で一旦切れており、
かつコンタクト部および前記補助導電体を介して相互に電気的に接続されていることを特徴とする配線構造。
【請求項２】
硝子基板上に形成された半導体集積回路に接続される複数の信号線部分における配線構造において、
前記硝子基板上に形成され、一方が複数の端子電極のいずれかに接続され、他方が前記半導体集積回路に接続された第１の信号線と、
前記第１の信号線の上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に設けられ、かつ前記第１の信号線の上を横切り、一方が複数の端子電極のいずれかに接続され、他方が前記半導体集積回路に接続される第２の信号線と、
前記第２の信号線が前記第１の信号線の上を横切る部分の周辺で、前記第１の信号線と同じ配線層にて、前記第２の信号線に沿ってその下に設けられた補助導電体と、を具備し、
前記第２の信号線は、前記端子電極側において前記補助導電体との重なり長さ（Ｌ１）よりも、前記第１の信号線上を横切る側において前記補助導電体との重なり長さ（Ｌ２）が大きくなるように、途中で一旦切れており、
かつコンタクト部および前記補助導電体を介して相互に電気的に接続されていることを特徴とする配線構造。
【請求項３】
前記第１の信号線から分岐して前記第２の信号線の下を横切る分岐部を具備することを特徴とする請求項１または２に記載の配線構造。
【請求項４】
前記第２の信号線から分岐して前記第１の信号線の上を横切る分岐部を具備することを特徴とする請求項１または２に記載の配線構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線構造に関し、特に、ポリシリコン薄膜トランジスタを用いて形成された駆動回路一体型アクティブマトリクス液晶表示装置のように、硝子等の基板上に形成された半導体集積回路に対する配線構造に関する。
【０００２】
近時、液晶表示装置の低コスト化を図るため、低温プロセスで硝子基板上にポリシリコン薄膜トランジスタを形成する技術が注目されている。この技術によれば、硝子基板上に液晶表示パネルとともにドライバ回路などの周辺回路を内蔵させることができるため、従来のような駆動用ＩＣが不要となり、コスト削減が可能となる。しかし、薄膜トランジスタにより硝子基板上にドライバ回路を形成する場合、プロセス工程またはアセンブリ工程で偶発的に発生することがある静電気からドライバ回路を保護する必要がある。
【０００３】
【従来の技術】
図１２〜図１４は、それぞれ従来の静電破壊防止構造の要部を示す図である。従来、硝子基板上に形成したドライバ回路に対する静電破壊防止構造は、図１２に示すように、図示しないドライバ回路に信号線１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄを介して接続された端子電極１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄどうしを、終端抵抗１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄを介して接続した構成となっている。
【０００４】
さらに、図１３に示すように、端子電極１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄの近くにダイオード１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄを設ける場合もある。あるいは、図１４に示すように、ドライバ回路内の電源端子１５とグランド端子１６との間にダイオード１７を設ける場合もある。駆動回路一体型アクティブマトリクス液晶表示装置では、これらのダイオード１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ，１７は、図１５または図１６にそれぞれ示すように、Ｎ型のポリシリコン薄膜トランジスタ１８またはＰ型のポリシリコン薄膜トランジスタ１９により形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、端子電極１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄどうしを、終端抵抗１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄを介して接続しただけでは、ドライバ回路の静電破壊を十分に防ぐことは困難である。また、ポリシリコン薄膜トランジスタの耐圧は３０Ｖ程度であり、ポリシリコン薄膜トランジスタ自身が静電気に対して弱い。そのため、薄膜トランジスタによりダイオード１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ，１７を形成しても、プロセスやアセンブリの工程中にダイオード１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ，１７が静電破壊を起こしてしまうと、それ以降の工程では十分な静電気破壊防止機能が得られないという問題点がある。
【０００６】
また、上述した端子電極から印加される静電気による静電破壊に加えて、剥離帯電によって静電破壊が起こる場合がある。図１７は、剥離帯電による静電破壊を説明するための信号線レイアウトを示す図であり、図１８は、その信号線レイアウトにおいて静電気印加時の等価回路を示す図である。
【０００７】
図１７に示す例では、多層配線構造が採用されている。第１〜第４の端子電極１２ａ〜１２ｄにそれぞれ接続された信号線１１ａ〜１１ｄは、第２層目の配線層２２に形成されている。そのうち信号線１１ｂ，１１ｃ，１１ｄは、それぞれ第１層目の配線層２１に形成された信号線１１ｅ，１１ｆ，１１ｇにコンタクト部２３を介して接続されている。信号線１１ｅ，１１ｆ，１１ｇは信号線１１ａの下を横切る、すなわち交差している。
【０００８】
つまり、信号線どうしが交差する場合、その交差する部分において、一方の信号線は第１層目の配線層２１に形成される。他方の信号線は第２層目の配線層２２に形成される。通常、第１層目の配線層２１にはゲート配線が形成され、第２層目の配線層２２にはデータ配線が形成される。
【０００９】
このようなレイアウトにおいて剥離帯電が発生し、静電気が印加されると、図１８に示すように、基板搬送系２４と信号線１１ａとの間、および基板搬送系２４と信号線１１ｂ，１１ｃ，１１ｄとの間には、それぞれ、硝子基板を誘電体（容量：Ｃｄ１、Ｃｄ２）として電圧Ｖ１およびＶ２が発生する。その際、硝子基板の厚さがたとえば０．７ｍｍと薄いため、Ｃｄ１およびＣｄ２は非常に小さくなる。そのため、剥離帯電が発生すると、ＶｌおよびＶ２は１０００〜２０００Ｖ程度となり、Ｖ１とＶ２の電位差は１００Ｖ以上になることがある。
【００１０】
図１７に示される第１層目の配線層２１と第２層目の配線層２２との間に介設される層間絶縁膜の耐圧は３０〜６０Ｖ程度である。したがって、第１層目の配線層２１に形成された信号線１１ｅ，１１ｆ，１１ｇと第２層目の配線層２２に形成された信号線１１ａとの交差部分に１００Ｖの電圧が印加されると、静電破壊が発生する。つまり、従来は剥離帯電によって容易に静電破壊が発生するという問題点がある。
【００１１】
なお、図１８において、Ｖｉｎ１およびＶｉｎ２は端子電極をあらわし、Ｖｏｕｔ１およびＶｏｕｔ２は交差部分でのノードをあらわす。また、Ｃ１２は層間絶縁膜の容量であり、Ｒｃはコンタクト部２３による抵抗である。
【００１２】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、硝子等の基板上に形成された半導体集積回路に対する配線構造を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
図１は、本発明にかかる配線構造の原理を説明するために信号線のレイアウトを示す図である。図２は、図１に示すレイアウトの回路図であり、図３は、その回路に静電気が印加された時の等価回路を示す図である。本発明は、図１に示すように、静電気が発生すると推定される箇所（Ｖｉｎ）と、静電気から保護すべき箇所（Ｖｏｕｔ）とを電気的に接続する信号線３１に沿って、その信号線３１の下の配線層に補助導電体３３を形成したことを特徴とする。
【００１４】
静電気が発生すると推定される箇所は、たとえば端子電極Ｖｉｎである。静電気から保護すべき箇所は、たとえば、端子電極Ｖｉｎに接続された信号線３１が他の配線層に形成された図示しない信号線と交差する箇所Ｖｏｕｔである。また、信号線３１が第２層目の配線層４２に形成される場合、補助導電体３３は、図示省略した絶縁膜を介して第１層目の配線層４１に形成される。図１に示す例では、信号線３１と補助導電体３３とはコンタクト部４３を介して電気的に接続されている。
【００１５】
なお、図２において、Ｒｃはコンタクト部４３による抵抗であり、ＲｏおよびＲｄは配線抵抗であり、Ｃｄは硝子基板による容量であり、Ｃｇｄは第１層目の配線層と第２層目の配線層との間の層間絶縁膜の容量である。
【００１６】
静電気が発生した場合、図３に示すように、基板搬送系４４と補助導電体３３との間には、硝子基板を誘電体として電圧Ｖ２が発生する。また、補助導電体３３と信号線３１との間には、層間絶縁膜を誘電体として電圧Ｖ１が発生する。Ｖ１、Ｖ２、ＣｄおよびＣｇｄの間には、つぎの（１）式の関係が成り立つ。
Ｖ１：Ｖ２＝１／Ｃｇｄ：１／Ｃｄ  ・・・（１）
【００１７】
ここで、硝子基板の容量Ｃｄは層間絶縁膜の容量Ｃｇｄのおおよそ１／１０００であるため、Ｖ１はおおよそＶ２の１／１０００、すなわちＶ２／１０００となる。したがって、静電気によりＶ２が１０００〜２０００Ｖになっても、Ｖ１は、層間絶縁膜の耐圧（３０〜６０Ｖ程度）よりも低い数Ｖ程度にしかならないため、層間絶縁膜の静電破壊を防止することができる。
【００１８】
また、つぎの発明は、上層の配線層に形成された第２の信号線が、その下の配線層に形成された第１の信号線の上を横切る場合に、第１の信号線から分岐する分岐部を形成し、第２の信号線が第１の信号線とともにその分岐部の上を横切るようにしたものである。また、第２の信号線に分岐部を形成し、第２の信号線と分岐部が第１の信号線の上を横切るようにしてもよい。
【００１９】
このようにすれば、第１の信号線と第２の信号線とが交差する部分において、第１の信号線と第２の信号線との間に設けられた層間絶縁膜の容量が２倍になるので、層間絶縁膜に印加される電圧が従来の１／２の５０Ｖ程度となる。したがって、層間絶縁膜の静電破壊が起こり難くなる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態にかかる配線構造について図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００２１】
〔実施の形態１〕
図４は、実施の形態１にかかる静電破壊防止構造の信号線レイアウトを示す図である。第１〜第４の端子電極５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄにそれぞれ接続された第１〜第４の信号線５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄは、第２層目の配線層４２に形成されている。そのうち第２〜第４の信号線５１ｂ，５１ｃ，５１ｄは、それぞれ第１層目の配線層４１に形成された第５〜第７の信号線５１ｅ，５１ｆ，５１ｇにコンタクト部４３を介して接続されている。第５〜第７の信号線５１ｅ，５１ｆ，５１ｇは第１の信号線５１ａの下を横切っている。通常、第１層目の配線層４１にはゲート配線が形成され、第２層目の配線層４２にはデータ配線が形成される。
【００２２】
実施の形態１にかかる静電破壊防止構造では、第１層目の配線層４１に第１〜第４群の補助導電体５３ａ１〜５３ａ３，５３ｂ１〜５３ｂ３，５３ｃ１〜５３ｃ３，５３ｄ１〜５３ｄ３が形成されている。これら補助導電体５３ａ１〜５３ａ３，５３ｂ１〜５３ｂ３，５３ｃ１〜５３ｃ３，５３ｄ１〜５３ｄ３は、第１〜第４の端子電極５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄと、第５〜第７の信号線５１ｅ，５１ｆ，５１ｇが第１の信号線５１ａと交差する箇所との間で、各信号線５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄに沿って断続的、すなわち互いに離れた状態で設けられる。
【００２３】
補助導電体５３ａ１〜５３ａ３，５３ｂ１〜５３ｂ３，５３ｃ１〜５３ｃ３，５３ｄ１〜５３ｄ３が断続的に設けられる理由は、第１層目の配線層４１が通常ゲート配線であるからである。つまり、第１層目の配線層４１において配線長が長くなると、第１層目の配線層４１に形成された信号線どうしの間で放電が起こり、薄膜トランジスタの特性が劣化してしまうからである。
【００２４】
また、図示例では、各補助導電体５３ａ１〜５３ａ３，５３ｂ１〜５３ｂ３，５３ｃ１〜５３ｃ３，５３ｄ１〜５３ｄ３は、コンタクト部４３を介して各信号線５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄに電気的に接続されている。上述した構造は、周知のデバイスプロセスにより作製することができる。
【００２５】
つぎに、実施の形態１の作用について説明する。図５は、図４に示す信号線レイアウトの静電気印加時の等価回路を示す図である。このようなレイアウトにおいて剥離帯電が発生し、静電気が印加されると、基板搬送系４４と第１群の補助導電体５３ａ１〜５３ａ３との間に電圧Ｖ２１が発生する。第１群の補助導電体５３ａ１〜５３ａ３と第１の信号線５１ａとの間には電圧Ｖ１１が発生する。
【００２６】
また、基板搬送系４４と第２〜第４群の補助導電体５３ｂ１〜５３ｂ３，５３ｃ１〜５３ｃ３，５３ｄ１〜５３ｄ３との間に電圧Ｖ２２が発生する。第２〜第４群の補助導電体５３ｂ１〜５３ｂ３，５３ｃ１〜５３ｃ３，５３ｄ１〜５３ｄ３と第２〜第４の信号線５１ｂ，５１ｃ，５１ｄとの間には電圧Ｖ１２が発生する。
【００２７】
基板搬送系４４と補助導電体５３ａ１〜５３ａ３，５３ｂ１〜５３ｂ３，５３ｃ１〜５３ｃ３，５３ｄ１〜５３ｄ３との間の硝子基板の容量をＣｄ１とする。また、補助導電体５３ａ１〜５３ａ３，５３ｂ１〜５３ｂ３，５３ｃ１〜５３ｃ３，５３ｄ１〜５３ｄ３と第１〜第４の信号線５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄとの間の層間絶縁膜の容量をＣｇｄ１とする。Ｖ１１、Ｖ２１、Ｃｄ１およびＣｇｄ１の間には、つぎの（２）式の関係が成り立つ。
Ｖ１１：Ｖ２１＝１／Ｃｇｄ１：１／Ｃｄ１  ・・・（２）
【００２８】
また、Ｖ１２、Ｖ２２、Ｃｄ１およびＣｇｄ１の間には、つぎの（３）式の関係が成り立つ。
Ｖ１２：Ｖ２２＝１／Ｃｇｄ１：１／Ｃｄ１  ・・・（３）
【００２９】
ここで、Ｃｄ１はＣｇｄ１のおおよそ１／１０００であるため、Ｖ１１およびＶ１２はそれぞれＶ２１およびＶ２２のおおよそ１／１０００となる。さらに、第１層で形成された補助導電体がレイアウト的にほぼ等間隔に分散して配置されているため、補助導電体間の電位差は±１０Ｖ程度におさえられる。
【００３０】
さらに、Ｖｏｕｔ１−Ｖｏｕｔ２＝Ｃｇｄ２（Ｖｉｎ１−Ｖｉｎ２）／Ｃ１２＋Ｃｇｄ２となり、Ｖｉｎ１とＶｉｎ２の間にできた電位差の半分以下におさえることが可能である。
【００３１】
したがって、剥離帯電等によりＶ２１およびＶ２２が１０００〜２０００Ｖになっても、層間絶縁膜に印加される電圧Ｖｏｕｔ２−Ｖｏｕｔ１は数Ｖ程度となる。つまり、剥離帯電によって発生する電荷量がばらついても、層間絶縁膜には数Ｖ程度しか印可されないため、静電破壊は起こらない。
【００３２】
図５において、Ｃｄ２は基板搬送系４４と第５〜第７の信号線５１ｅ，５１ｆ，５１ｇとの間の硝子基板の容量であり、Ｃｇｄ２は第２〜第４の信号線５１ｂ，５１ｃ，５１ｄと第５〜第７の信号線５１ｅ，５１ｆ，５１ｇとの間の層間絶縁膜の容量であり、Ｃ１２は第５〜第７の信号線５１ｅ，５１ｆ，５１ｇと第１の信号線５１ａとの間の層間絶縁膜の容量である。
【００３３】
上述した実施の形態１によれば、剥離帯電等により静電気が印加されて基板搬送系４４と補助導電体５３ａ１〜５３ａ３，５３ｂ１〜５３ｂ３，５３ｃ１〜５３ｃ３，５３ｄ１〜５３ｄ３との間の電圧が１０００〜２０００Ｖになっても、補助導電体５３ａ１〜５３ａ３，５３ｂ１〜５３ｂ３，５３ｃ１〜５３ｃ３，５３ｄ１〜５３ｄ３と信号線５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄとの間の電圧、すなわち層間絶縁膜に印加される電圧は数Ｖ程度にしかならない。層間絶縁膜の耐圧は３０〜６０Ｖ程度であるため、剥離帯電により発生する電荷量がばらついても層間絶縁膜の静電破壊を防止することができる。したがって、歩留りの高い液晶ディスプレイを形成することができるため、生産性の向上が可能となり、液晶表示装置を安価に提供することが可能となる。
【００３４】
なお、上述した実施の形態１においては、各信号線にそれぞれ補助導電体が３個ずつ配置されている場合について説明したが、これに限らず、各信号線における補助導電体の数は２個以下でもよいし、４個以上でもよい。また、できるだけレイアウト的に全面に均等に配置してあればなおよい。その際でも補助導電体の数はいくつでもかまわない。また、第１〜第４の信号線５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄと第１〜第４群の補助導電体５３ａ１〜５３ａ３，５３ｂ１〜５３ｂ３，５３ｃ１〜５３ｃ３，５３ｄ１〜５３ｄ３とを電気的に接続しなくてもよい。
【００３５】
〔実施の形態２〕
図６は、実施の形態２にかかる静電破壊防止構造の信号線レイアウトを示す図である。第１〜第４の端子電極６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄにそれぞれ接続された第１〜第４の信号線６１ａ，６１ｂ，６１ｃ，６１ｄは、第２層目の配線層４２に形成されており、いずれも途中で一旦切れている。そのうち第２〜第４の信号線６１ｂ，６１ｃ，６１ｄは、それぞれ第１層目の配線層４１に形成された第５〜第７の信号線６１ｅ，６１ｆ，６１ｇにコンタクト部４３を介して接続されている。第５〜第７の信号線６１ｅ，６１ｆ，６１ｇは第１の信号線６１ａの下を横切っている。
【００３６】
実施の形態２にかかる静電破壊防止構造では、第１層目の配線層４１に第１〜第４の補助導電体６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄが形成されている。これら補助導電体６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄは、第１〜第４の端子電極６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄと、第５〜第７の信号線６１ｅ，６１ｆ，６１ｇが第１の信号線６１ａと交差する箇所との間で、各信号線６１ａ，６２ｂ，６２ｃ，６１ｄに沿って設けられる。
【００３７】
第１〜第４の信号線６１ａ，６１ｂ，６１ｃ，６１ｄは、補助導電体６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄの上で、端子電極６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄ寄りの位置で一旦途切れる。つまり、第１〜第４の信号線６１ａ，６１ｂ，６１ｃ，６１ｄと補助導電体６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄとが重なる部分のうち、第５〜第７の信号線６１ｅ，６１ｆ，６１ｇと第１の信号線６１ａとが交差する側で重なる部分の長さＬ２が、端子電極６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄ側で重なる部分の長さＬ１よりも長くなる。好ましくは、Ｌ２はＬ１の２倍以上の長さであるとよい。
【００３８】
第１〜第４の信号線６１ａ，６１ｂ，６１ｃ，６１ｄのうち、長さＬ１の部分と長さＬ２の部分は、それぞれコンタクト部４３を介して補助導電体６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄに電気的に接続されている。上述した構造は、周知のデバイスプロセスにより作製することができる。
【００３９】
つぎに、実施の形態２の作用について説明する。図７は、図６に示す信号線レイアウトの各信号線について静電気印加時の等価回路を示す図である。端子電極Ｖｉｎに静電気が印加されると、端子電極Ｖｉｎと信号線の交差部分Ｖｏｕｔとの間において、第１〜第４の信号線６１ａ，６１ｂ，６１ｃ，６１ｄと各補助導電体６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄとの間の層間絶縁膜を誘電体として電圧Ｖ１およびＶ２が発生する。
【００４０】
電圧Ｖ１は、第１〜第４の信号線６１ａ，６１ｂ，６１ｃ，６１ｄと補助導電体６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄとが重なる部分のうち、端子電極６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄ側で重なる部分（図６において長さＬ１の部分）に発生する。電圧Ｖ２は、第１〜第４の信号線６１ａ，６１ｂ，６１ｃ，６１ｄと補助導電体６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄとが重なる部分のうち、信号線が交差する側で重なる部分（図６において長さＬ２の部分）に発生する。Ｃ１およびＣ２は、それぞれ長さＬ１およびＬ２の部分での層間絶縁膜の容量である。
【００４１】
ここで、Ｖ１、Ｖ２、Ｃ１およびＣ２の間には、つぎの（４）式の関係が成り立つ。
Ｖ１：Ｖ２＝１／Ｃ１：１／Ｃ２  ・・・（４）
【００４２】
上述したように、Ｌ２はＬ１よりも長いため、Ｃ２はＣ１よりも大きくなる。したがって、Ｖ２はＶ１よりも小さくなる。つまり、静電気印加時に、信号線が交差する側の層間絶縁膜には、端子電極側の層間絶縁膜よりも小さな電圧が印加されることになる。Ｌ１とＬ２との比を適切に設定することによって、信号線が交差する側の層間絶縁膜に印加される電圧を低く抑えることができる。
【００４３】
図８は、図６に示す信号線レイアウトの静電気印加時の等価回路を示す図である。端子電極Ｖｉｎ１，Ｖｉｎ２に静電気が印加されると、第１の信号線６１ａと補助導電体６３ａとの間で、図６の長さＬ１の部分に電圧Ｖ１１が発生し、図６の長さＬ２の部分に電圧Ｖ１２が発生する。また、第２〜第４の信号線６１ｂ，６１ｃ，６１ｄと補助導電体６３ｂ，６３ｃ，６３ｄとの間で、図６の長さＬ１の部分に電圧Ｖ２１が発生し、図６の長さＬ２の部分に電圧Ｖ２２が発生する。
【００４４】
図７に関連して説明したように、Ｃ２がＣ１よりも大きいため、Ｖ１２およびＶ２２はそれぞれＶ１１およびＶ２１よりも小さくなる。ここで、Ｃ１がＣ２のおおよそ１／１０となるようにＬ１およびＬ２を設定すると、Ｖ１２およびＶ２２はそれぞれＶ１１およびＶ２１のおおよそ１／１０となる。したがって、端子電極間に印加される静電気にばらつきがあり、Ｖ１１およびＶ２１に電位差が生じても、Ｖ１２およびＶ２２の電位差はその１／１０となる。つまり、信号線どうしが交差する部分の層間絶縁膜に印可される電圧は、Ｖ１１とＶ２１の電位差の１／１０となる。
【００４５】
図８において、Ｒｃはコンタクト部による抵抗であり、Ｃ１２は第５〜第７の信号線６１ｅ，６１ｆ，６１ｇと第１の信号線６１ａとの間の層間絶縁膜の容量である。
【００４６】
上述した実施の形態２によれば、端子電極間に印加される静電気に電位差が生じても、信号線どうしが交差する部分の層間絶縁膜に印可される電圧は、端子電極間の電位差よりも小さくなり、たとえば１／１０となる。つまり、その交差部分の層間絶縁膜に印加される電圧を耐圧以下に抑えることができるので、層間絶縁膜の静電破壊を防止することができる。したがって、歩留りの高い液晶ディスプレイを形成することができるため、生産性の向上が可能となり、液晶表示装置を安価に提供することが可能となる。
【００４７】
〔実施の形態３〕
図９は、実施の形態３にかかる静電破壊防止構造の信号線レイアウトを示す図である。第１および第２の端子電極７２ａ，７２ｂにそれぞれ接続された第１および第２の信号線７１ａ，７１ｂは、第２層目の配線層４２に形成されている。第３〜第５の信号線７１ｃ，７１ｄ，７１ｅは第２層目の配線層４２に形成されている。第１および第２の信号線７１ａ，７１ｂは、コンタクト部４３を介して、第１層目の配線層４１に形成された第６および第７の信号線７１ｆ，７１ｇに接続されている。
【００４８】
実施の形態３にかかる静電破壊防止構造では、第１層目の配線層４１に、第６および第７の信号線７１ｆ，７１ｇからそれぞれ分岐した分岐部７３ａ，７３ｂが形成されている。これら分岐部７３ａ，７３ｂはそれぞれ第６および第７の信号線７１ｆ，７１ｇに電気的に接続されている。第６および第７の信号線７１ｆ，７１ｇは、分岐部７３ａ，７３ｂとともに、第３〜第５の信号線７１ｃ，７１ｄ，７１ｅの下を横切っている。なお、分岐部７３ａ，７３ｂは端子電極７２ａ，７２ｂ側に向かって分岐していてもよいし、その反対向きに分岐していてもよい。上述した構造は、周知のデバイスプロセスにより作製することができる。
【００４９】
上述した実施の形態３によれば、第１層目の配線層４１に形成された第６および第７の信号線７１ｆ，７１ｇが、それらから分岐した分岐部７３ａ，７３ｂとともに、第２層目の配線層４２に形成された第３〜第５の信号線７１ｃ，７１ｄ，７１ｅの下を横切っているため、その交差部分において第１層目の配線層４１と第２層目の配線層４２との間の層間絶縁膜の容量が２倍になる。つまり、層間絶縁膜に印加される電圧が従来の１／２の５０Ｖ程度となる。層間絶縁膜の耐圧は最大６０Ｖであるため、信号線どうしが交差する部分において、層間絶縁膜の静電破壊が起こり難くなる。したがって、歩留りの高い液晶ディスプレイを形成することができるため、生産性の向上が可能となり、液晶表示装置を安価に提供することが可能となる。
【００５０】
〔実施の形態４〕
図１０は、実施の形態４にかかる静電破壊防止構造の信号線レイアウトを示す図である。実施の形態４は、実施の形態３の静電破壊防止構造に実施の形態１の静電破壊防止構造を適用したものである。すなわち、第２層目の配線層４２に形成された信号線８１の下を、第１層目の配線層４１に形成された信号線８２が横切る部分において、信号線８２から分岐した分岐部８３も信号線８１の下を横切っている。さらに、信号線８１の下には、信号線８１に沿って断続的に補助導電体８４が複数設けられている。このような構造は、周知のデバイスプロセスにより作製することができる。実施の形態４によれば、上述した実施の形態３の効果に加えて、実施の形態１の効果も奏する。
【００５１】
〔実施の形態５〕
図１１は、実施の形態５にかかる静電破壊防止構造の信号線レイアウトを示す図である。実施の形態５は、実施の形態３の静電破壊防止構造に実施の形態２の静電破壊防止構造を適用したものである。すなわち、第２層目の配線層４２に形成された信号線９１の下を、第１層目の配線層４１に形成された信号線９２が横切る部分において、信号線９１に分岐部９３を設け、その分岐部９３の下を信号線９２が横切っている。さらに、信号線９１の下には、信号線９１に沿って補助導電体９４が設けられている。信号線９１は、途中で一旦切れており、コンタクト部４３および補助導電体９４を介して相互に電気的に接続されている。このような構造は、周知のデバイスプロセスにより作製することができる。実施の形態５によれば、上述した実施の形態３の効果に加えて、実施の形態２の効果も奏する。
【００５２】
以上において本発明は、硝子基板上に形成された半導体集積回路に対する静電破壊防止構造に限らず、半導体基板上に形成された集積回路に対する静電破壊防止構造にも適用することができる。
【００５３】
〔付記〕
また、以下のような付記１〜付記１３を請求項とすることもできる。
【００５４】
（付記１）  硝子基板上に形成された第１の信号線と、
前記第１の信号線の上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に設けられ、かつ前記第１の信号線の上を横切る第２の信号線と、
前記第２の信号線が前記第１の信号線の上を横切る部分の周辺で、前記第１の信号線と同じ配線層にて、前記第２の信号線に沿ってその下に設けられた補助導電体と、
を具備することを特徴とする静電破壊防止構造。
【００５５】
（付記２）  前記補助導電体は互いに離れた状態で複数設けられていることを特徴とする付記１に記載の静電破壊防止構造。
【００５６】
（付記３）  前記補助導電体はコンタクト部を介して前記第２の信号線に電気的に接続されていることを特徴とする付記１または２に記載の静電破壊防止構造。
【００５７】
（付記４）  前記第２の信号線は、途中で一旦切れており、コンタクト部および前記補助導電体を介して相互に電気的に接続されていることを特徴とする付記１に記載の静電破壊防止構造。
【００５８】
（付記５）  前記第２の信号線の基部は端子電極に接続されており、前記第２の信号線は、前記端子電極側において前記補助導電体との間に生じる容量よりも、前記第１の信号線上を横切る側において前記補助導電体との間に生じる容量が大きくなるように、途中で一旦切れていることを特徴とする付記４に記載の静電破壊防止構造。
【００５９】
（付記６）  第１の信号線と、
前記第１の信号線の上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に設けられ、かつ前記第１の信号線の上を横切る第２の信号線と、
前記第１の信号線から分岐して前記第２の信号線の下を横切る分岐部と、
を具備することを特徴とする静電破壊防止構造。
【００６０】
（付記７）  前記第１の信号線と同じ配線層にて、前記第２の信号線に沿ってその下に補助導電体が設けられていることを特徴とする付記６に記載の静電破壊防止構造。
【００６１】
（付記８）  前記補助導電体は互いに離れた状態で複数設けられていることを特徴とする付記７に記載の静電破壊防止構造。
【００６２】
（付記９）  前記補助導電体はコンタクト部を介して前記第２の信号線に電気的に接続されていることを特徴とする付記７または８に記載の静電破壊防止構造。
【００６３】
（付記１０）  第１の信号線と、
前記第１の信号線の上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜の上に設けられ、かつ前記第１の信号線の上を横切る第２の信号線と、
前記第２の信号線から分岐して前記第１の信号線の上を横切る分岐部と、
を具備することを特徴とする静電破壊防止構造。
【００６４】
（付記１１）  前記第１の信号線と同じ配線層にて、前記第２の信号線に沿ってその下に設けられた補助導電体をさらに具備し、
前記第２の信号線は、途中で一旦切れており、コンタクト部および前記補助導電体を介して相互に電気的に接続されていることを特徴とする付記１０に記載の静電破壊防止構造。
【００６５】
（付記１２）  前記第２の信号線の基部は端子電極に接続されており、前記第２の信号線は、前記端子電極側において前記補助導電体との間に生じる容量よりも、前記第１の信号線上を横切る側において前記補助導電体との間に生じる容量が大きくなるように、途中で一旦切れていることを特徴とする付記１１に記載の静電破壊防止構造。
【００６６】
（付記１３）  前記第１の信号線、前記絶縁膜および前記第２の信号線は同一の硝子基板上に形成されていることを特徴とする付記１〜１２のいずれか一つに記載の静電破壊防止構造。
【００６７】
【発明の効果】
本発明によれば、静電気が発生すると推定される箇所と、静電気から保護すべき箇所とを電気的に接続する信号線に沿って、その信号線の下の配線層に補助導電体を形成したため、剥離帯電等による静電気の発生時に基板搬送系と補助導電体との間に１０００〜２０００Ｖの電圧が発生しても、補助導電体と信号線との間に発生する電圧を数Ｖ程度に抑えることができる。補助導電体が形成された配線層と信号線が形成された配線層との間の層間絶縁膜の耐圧は３０〜６０Ｖ程度であるため、層間絶縁膜の静電破壊を防ぐことができる。
【００６８】
また、上層の配線層に形成された第２の信号線が、その下の配線層に形成された第１の信号線の上を横切る場合に、第１の信号線または第２の信号線に分岐部を形成し、その分岐部とともに第２の信号線と第１の信号線とが交差するようにしたため、その交差部分において第１の信号線と第２の信号線との間の層間絶縁膜の容量が２倍になる。したがって、層間絶縁膜に印加される電圧が従来の１／２の５０Ｖ程度となる。層間絶縁膜の耐圧が最大で６０Ｖであるため、層間絶縁膜の静電破壊が起こり難くなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる静電破壊防止構造の原理を説明するために信号線レイアウトを示す図である。
【図２】図１に示すレイアウトの回路図である。
【図３】図２に示す回路の静電気印加時の等価回路を示す図である。
【図４】実施の形態１にかかる静電破壊防止構造の信号線レイアウトを示す図である。
【図５】図４に示す信号線レイアウトの静電気印加時の等価回路を示す図である。
【図６】実施の形態２にかかる静電破壊防止構造の信号線レイアウトを示す図である。
【図７】図６に示す信号線レイアウトにおいて各信号線についての静電気印加時の等価回路を示す図である。
【図８】図６に示す信号線レイアウトの静電気印加時の等価回路を示す図である。
【図９】実施の形態３にかかる静電破壊防止構造の信号線レイアウトを示す図である。
【図１０】実施の形態４にかかる静電破壊防止構造の信号線レイアウトを示す図である。
【図１１】実施の形態５にかかる静電破壊防止構造の信号線レイアウトを示す図である。
【図１２】従来の静電破壊防止構造の要部を示す図である。
【図１３】従来の静電破壊防止構造の要部を示す図である。
【図１４】従来の静電破壊防止構造の要部を示す図である。
【図１５】Ｎ型の薄膜トランジスタにより構成されるダイオードを示す図である。
【図１６】Ｎ型の薄膜トランジスタにより構成されるダイオードを示す図である。
【図１７】剥離帯電による静電破壊を説明するために従来の信号線レイアウトを示す図である。
【図１８】図１７に示す信号線レイアウトにおいて剥離帯電による静電気印加時の等価回路を示す図である。
【符号の説明】
Ｃｄ，Ｃｄ１，Ｃｄ２    硝子基板の容量
Ｃｇｄ，Ｃｇｄ１，Ｃｇｄ２，Ｃ１２，Ｃ１，Ｃ２    層間絶縁膜の容量
３１，５１ａ〜５１ｇ，６１ａ〜６１ｇ，７１ａ〜７１ｇ，８１，８２，９１，９２    信号線
３３，５３ａ１〜５３ｄ３，６３ａ〜６３ｄ，８４，９４    補助導電体
４１    第１層目の配線層
４２    第２層目の配線層
４３    コンタクト部
５２ａ〜５２ｄ，６２ａ〜６２ｄ，７２ａ，７２ｂ    端子電極
７３ａ，７３ｂ，８３，９３    分岐部
【図１】
0004360733.tif 000002
【図２】
0004360733.tif 000003
【図３】
0004360733.tif 000004
【図４】
0004360733.tif 000005
【図５】
0004360733.tif 000006
【図６】
0004360733.tif 000007
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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