(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
天井部が開口されて内部が真空引き可能になされた処理容器と、前記処理容器の天井部の開口に気密に装着された絶縁板と、被処理体を載置するために前記処理容器内に設けられた載置台と、前記絶縁板の上方に設けられて所定のピッチで形成された複数のマイクロ波放射孔からプラズマ発生用のマイクロ波を前記絶縁板を透過させて前記処理容器内へ導入する平面アンテナ部材と、前記平面アンテナ部材の上方に設けられて前記マイクロ波の波長を短縮するための遅波材と、前記処理容器内へ所定のガスを導入するガス供給手段とを有するプラズマ処理装置において、
前記遅波材と前記平面アンテナ部材の外周部に、前記遅波材の周縁部と前記平面アンテナ部材の周縁部とに接すると共にその接する面が傾斜されたテーパ面、又は断面円弧状の面、又は凹凸形状の面に形成されて、不要なマイクロ波を吸収するためのマイクロ波吸収材を設けるように構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
天井部が開口されて内部が真空引き可能になされた処理容器と、前記処理容器の天井部の開口に気密に装着された絶縁板と、被処理体を載置するために前記処理容器内に設けられた載置台と、前記絶縁板の上方に設けられて所定のピッチで形成された複数のマイクロ波放射孔からプラズマ発生用のマイクロ波を前記絶縁板を透過させて前記処理容器内へ導入する平面アンテナ部材と、前記平面アンテナ部材の上方に設けられて前記マイクロ波の波長を短縮するための遅波材と、前記処理容器内へ所定のガスを導入するガス供給手段とを有するプラズマ処理装置において、
前記遅波材の周縁部と前記平面アンテナ部材の周縁部とに接すると共に、前記遅波材の上方において平面的に広がらせて、不要なマイクロ波を吸収するためのマイクロ波吸収材を設けるように構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記マイクロ波吸収材は、マイクロ波に対して誘電損失の大きな材料よりなることを特徴とする請求項１または２記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記マイクロ波吸収材は、フェライト系の材質を含むことを特徴とする請求項３記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記マイクロ波吸収材は、液体よりなることを特徴とする請求項３記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記マイクロ波吸収材の一部には、前記遅波材及び前記平面アンテナ部材に対して平面的に伝播してくるマイクロ波を、前記遅波材の上方において平面的に広がる前記マイクロ波吸収材へ反射させるためのマイクロ波反射面が形成されていることを特徴とする請求項２乃至５のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ等に対してマイクロ波により生じたプラズマを作用させて処理を施す際に使用されるプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体製品の高密度化及び高微細化に伴い半導体製品の製造工程において、成膜、エッチング、アッシング等の処理のためにプラズマ処理装置が使用される場合があり、特に、０．１ｍＴｏｒｒ（１３．３ｍＰａ）〜数１０ｍＴｏｒｒ（数Ｐａ）程度の比較的圧力が低い高真空状態でも安定してプラズマを立てることができることからマイクロ波を用いて、或いはマイクロ波とリング状のコイルからの磁場とを組み合わせて高密度プラズマを発生させるマイクロ波プラズマ装置が使用される傾向にある。
このようなプラズマ処理装置は、特開平３−１９１０７３号公報、特開平５−３４３３３４号公報や本出願人による特開平９−１８１０５２号公報等に開示されている。ここで、マイクロ波を用いた一般的なプラズマ処理装置を図７を参照して概略的に説明する。図７は従来の一般的なプラズマ処理装置を示す構成図である。
【０００３】
図７において、このプラズマ処理装置２は、真空引き可能になされた処理容器４内に半導体ウエハＷを載置する載置台６を設けており、この載置台６に対向する天井部にマイクロ波を透過する例えば円板状の窒化アルミ等よりなる絶縁板８を気密に設けている。
そして、この絶縁板８の上面に厚さ数ｍｍ程度の円板状の平面アンテナ部材１０と、必要に応じてこの平面アンテナ部材１０の半径方向におけるマイクロ波の波長を短縮するための例えば誘電体よりなる遅波材１２を設置している。この遅波材１２の上方には、内部に冷却水を流す冷却水流路１４が形成された天井冷却ジャケット１６が設けられており、遅波材１２等を冷却するようになっている。そして、アンテナ部材１０には多数の略円形の貫通孔よりなるマイクロ波放射孔１８が形成されている。このマイクロ波放射孔１８は一般的には、同心円状に配置されたり、或いは螺旋状に配置されている。そして、平面アンテナ部材１０の中心部に同軸導波管２０の内部ケーブル２２を接続して図示しないマイクロ波発生器より発生した、例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を導くようになっている。そして、マイクロ波をアンテナ部材１０の半径方向へ放射状に伝播させつつアンテナ部材１０に設けたマイクロ波放射孔１８からマイクロ波を放出させてこれを絶縁板８に透過させて、下方の処理容器４内へマイクロ波を導入し、このマイクロ波により処理容器４内にプラズマを立てて半導体ウエハにエッチングや成膜などの所定のプラズマ処理を施すようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記平面アンテナ部材１０は、電気的に導電性の良好な銅などを使用し、このマイクロ波放射孔１８の寸法や配列ピッチ等は、計算上においてアンテナ部材１０の中心部からその周辺部へ放射状に伝播するマイクロ波がアンテナ外周端にて反射して戻らないように設計されてはいるが、実際には、遅波材１２の実際の誘電率が設計値と異なる等の理由から、最外周のマイクロ波放射孔１８にマイクロ波が伝播した時点で全てのマイクロ波が下方向へ放射されてしまうのではなく、その一部のマイクロ波がアンテナ部材外周端で反射してアンテナ中心部に戻ってくることは避けられない。
このため、反射波がアンテナ部材１０の中心部で集中してアンテナ部材１０の中心部の近傍のマイクロ波の電界及びこれに付随する処理空間Ｓの中心部のプラズマ密度は、それぞれの周辺部よりも高くなる傾向にあり、この結果、半導体ウエハＷの中心部近傍のプラズマ処理がその周辺部よりも促進されてしまい、プラズマ処理の面内均一性を十分に高く維持することができなくなる場合が生ずる、といった問題があった。
【０００５】
そして、このようなマイクロ波の反射波の問題は、平面アンテナ部材１０のみならず、遅波材１２においても、程度の差こそあれ、同様に発生している。
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、主に平面アンテナ部材を平面方向へ伝播する反射波の悪影響を大幅に抑制することができるプラズマ処理装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１に規定する発明は、天井部が開口されて内部が真空引き可能になされた処理容器と、前記処理容器の天井部の開口に気密に装着された絶縁板と、被処理体を載置するために前記処理容器内に設けられた載置台と、前記絶縁板の上方に設けられて所定のピッチで形成された複数のマイクロ波放射孔からプラズマ発生用のマイクロ波を前記絶縁板を透過させて前記処理容器内へ導入する平面アンテナ部材と、前記平面アンテナ部材の上方に設けられて前記マイクロ波の波長を短縮するための遅波材と、前記処理容器内へ所定のガスを導入するガス供給手段とを有するプラズマ処理装置において、前記遅波材と前記平面アンテナ部材の外周部に、前記遅波材の周縁部と前記平面アンテナ部材の周縁部とに接すると共にその接する面が傾斜されたテーパ面、又は断面円弧状の面、又は凹凸形状の面に形成されて、不要なマイクロ波を吸収するためのマイクロ波吸収材を設けるように構成したものである。
これによれば、平面アンテナ部材や遅波材を放射状に伝播して下方向へ放射（透過）されずに残留したマイクロ波をマイクロ波吸収材により吸収することができるので、これがアンテナ部材の中心方向へ向かって反射することがなくなり、これにより反射波の悪影響を大幅に抑制することが可能となる。従って、被処理体に対するプラズマ処理の面内均一性を向上させることが可能となる。
【０００７】
請求項２に規定する発明は、天井部が開口されて内部が真空引き可能になされた処理容器と、前記処理容器の天井部の開口に気密に装着された絶縁板と、被処理体を載置するために前記処理容器内に設けられた載置台と、前記絶縁板の上方に設けられて所定のピッチで形成された複数のマイクロ波放射孔からプラズマ発生用のマイクロ波を前記絶縁板を透過させて前記処理容器内へ導入する平面アンテナ部材と、前記平面アンテナ部材の上方に設けられて前記マイクロ波の波長を短縮するための遅波材と、前記処理容器内へ所定のガスを導入するガス供給手段とを有するプラズマ処理装置において、前記遅波材の周縁部と前記平面アンテナ部材の周縁部とに接すると共に、前記遅波材の上方において平面的に広がらせて、不要なマイクロ波を吸収するためのマイクロ波吸収材を設けるように構成したものである。
この場合、例えば請求項３に規定するように、前記マイクロ波吸収材は、マイクロ波に対して誘電損失の大きな材料よりなる。
【０００８】
また、例えば請求項４に規定するように、前記マイクロ波吸収材は、フェライト系の材質を含む。
また、例えば請求項５に規定するように、前記マイクロ波吸収材は、液体よりなる。
この場合、例えば請求項６に規定するように、前記マイクロ波吸収材の一部には、前記遅波材及び前記平面アンテナ部材に対して平面的に伝播してくるマイクロ波を、前記遅波材の上方において平面的に広がる前記マイクロ波吸収材へ反射させるためのマイクロ波反射面が形成されている。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の係るプラズマ処理装置の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
図１は本発明に係るプラズマ処理装置の一例を示す構成図、図２は図１に示すプラズマ処理装置のマイクロ波吸収材の近傍を示す拡大断面図である。
本実施例においてはプラズマ処理装置をプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）処理に適用した場合について説明する。図示するようにこのプラズマ処理装置３０は、例えば側壁や底部がアルミニウム等の導体により構成されて、全体が筒体状に成形された処理容器３２を有しており、内部は密閉された処理空間Ｓとして構成されている。
【００１０】
この処理容器３２内には、上面に被処理体としての例えば半導体ウエハＷを載置する載置台３４が収容される。この載置台３４は、例えばアルマイト処理したアルミニウム等により凸状に平坦になされた略円柱状に形成されており、この下部は同じくアルミニウム等により円柱状になされた支持台３６により支持されると共にこの支持台３６は処理容器３２内の底部に絶縁材３８を介して設置されている。
上記載置台３４の上面には、ここにウエハを保持するための静電チャック或いはクランプ機構（図示せず）が設けられ、この載置台３４は給電線４０を介してマッチングボックス４２及び例えば１３．５６ＭＨｚのバイアス用高周波電源４４に接続されている。尚、このバイアス用高周波電源４４を設けない場合もある。
【００１１】
上記載置台３４を支持する支持台３６には、プラズマ処理時のウエハを冷却するための冷却水等を流す冷却ジャケット４６が設けられる。尚、必要に応じてこの載置台３４中に加熱用ヒータを設けてもよい。
上記処理容器３２の側壁には、ガス供給手段として、容器内にプラズマ用ガス、例えばアルゴンガスを供給する石英パイプ製のプラズマガス供給ノズル４８や処理ガス、例えばデポジションガスを導入するための例えば石英パイプ製の処理ガス供給ノズル５０が設けられ、これらのノズル４８、５０はそれぞれガス供給路５２、５４によりマスフローコントローラ５６、５８及び開閉弁６０、６２を介してそれぞれプラズマガス源６４及び処理ガス源６６に接続されている。処理ガスとしてのデポジションガスは、ＳｉＨ４ 、Ｏ２ 、Ｎ２ ガス等を用いることが
できる。
【００１２】
また、容器側壁の外側には、この内部に対してウエハを搬入・搬出する時に開閉するゲートバルブ６８が設けられると共に、この側壁を冷却する冷却ジャケット６９が設けられる。また、容器底部には、排気口７０が設けられると共に、この排気口７０には図示されない真空ポンプが介接された排気路７２が接続されており、必要に応じて処理容器３２内を所定の圧力まで真空引きできるようになっている。
そして、処理容器３２の天井部は開口されて、ここに例えばＡｌＮなどのセラミック材よりなるマイクロ波に対しては透過性を有する厚さが２０ｍｍ程度の絶縁板７４がＯリング等のシール部材７６を介して気密に設けられる。
【００１３】
そして、この絶縁板７４の上面に円板状の平面アンテナ部材７８と高誘電率特性を有する遅波材８０とが設けられる。具体的にはこの平面アンテナ部材７８は、上記処理容器３２と一体的に成形されている中空円筒状容器よりなる導波箱８２の底板として構成され、前記処理容器３２内の上記載置台３４に対向させて設けられる。
この導波箱８２及び上記処理容器３２は共に接地されると共に、この導波箱８２の上部の中心には、同軸導波管８４の外管８４Ａが接続され、内部の内部ケーブル８４Ｂは、上記遅波材８０の中心の貫通孔８６を通って上記平面アンテナ部材７８の中心部に接続される。そして、この同軸導波管８４は、モード変換器８８及び導波管９０を介して例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波発生器９２に接続されており、上記平面アンテナ部材７８へマイクロ波を伝播するようになっている。この周波数は２．４５ＧＨｚに限定されず、他の周波数、例えば８．３５ＧＨｚを用いてもよい。この導波管としては、断面円形或いは矩形の導波管や同軸導波管を用いることができる。上記導波箱８２の上部には、内部に冷却水を流す冷却水流路９４が形成された天井冷却ジャケット９６が設けられており、上記遅波材８０等を冷却するようになっている。そして、上記導波箱８２内であって、平面アンテナ部材７８の上面には、上記高誘電率特性を有する遅波材８０を設けて、この波長短縮効果により、マイクロ波の管内波長を短くしている。この遅波材８０としては、例えば窒化アルミ等を用いることができる。
【００１４】
また、上記平面アンテナ部材７８は、８インチサイズのウエハ対応の場合には、例えば直径が３０〜４０ｍｍ、厚みが１〜数ｍｍ、例えば５ｍｍの導電性材料よりなる円板、例えば表面が銀メッキされた銅板或いはアルミ板よりなり、この円板には例えば円形の貫通孔よりなる多数のマイクロ波放射孔９８が、アンテナ部材７８に略均等に配置させて設けられている。このマイクロ波放射孔９８の配置形態は、特に限定されず、例えば同心円状、螺旋状、或いは放射状に配置させてもよい。また、マイクロ波放射孔９８の形状は円形に限定されず、例えば長溝のスリット形状等でもよく、また、このスリット形状の放射孔をハの字状に配列させるようにしてもよい。
【００１５】
そして、上記遅波材８０と上記平面アンテナ部材７８の外周部に、本発明の特徴とするマイクロ波吸収材１００が設けられている。具体的には、このマイクロ波吸収材１００は、マイクロ波に対して誘電損失の大きな材料、例えばフェライト系の材質を合成ゴム等に混入しているフェライト混入ゴムよりなる。このマイクロ波吸収材１００は、円形の導電箱８２の天井部周囲に沿うようにリング状になされると共に、その断面形状は三角形状になっている。そして、このマイクロ波吸収材１００の断面三角形のテーパ面を接触面１００Ａとし、これを遅波材８０の周縁部である外周端のテーパ面８０Ａと平面アンテナ部材７８の周縁部とに面接触させた状態で配置しており、上記平面アンテナ部材７８及び遅波材８０の平面方向にそれぞれの外周端まで伝播してくる不要なマイクロ波を吸収し得るようになっている。
【００１６】
次に、以上のように構成されたプラズマ処理装置を用いて行なわれる処理方法について説明する。
まず、ゲートバルブ６８を介して半導体ウエハＷを搬送アーム（図示せず）により処理容器３２内に収容し、リフタピン（図示せず）を上下動させることによりウエハＷを載置台３４の上面の載置面に載置する。
そして、処理容器３２内を所定のプロセス圧力、例えば０．０１〜数Ｐａの範囲内に維持して、プラズマガス供給ノズル４８から例えばアルゴンガスを流量制御しつつ供給すると共に処理ガス供給ノズル５０から例えばＳｉＨ４ 、Ｏ２ 、Ｎ
２ 等のデポジションガスを流量制御しつつ供給する。同時にマイクロ波発生器９
２からのマイクロ波を、導波管９０及び同軸導波管８４を介して平面アンテナ部材７８に供給して処理空間Ｓに、遅波材８０によって波長が短くされたマイクロ波を導入し、これによりプラズマを発生させて所定のプラズマ処理、例えばプラズマＣＶＤによる成膜処理を行う。
【００１７】
ここで、平面アンテナ部材７８をその中心部より放射状にマイクロ波が伝播する時、大部分のマイクロ波は、多段に形成したマイクロ波放射孔９８から下方へ放射されてしまうが、図２に示すように一部のマイクロ波Ｍ１は下方へ放射されることなく、そのまま平面アンテナ部材７８の外周端にまで至ることになる。
ここで、従来装置にあっては、このアンテナ外周端まで伝播するマイクロ波Ｍ１が端面で反射すると、この反射波が平面アンテナ部材７８の中央部近傍に集中して相乗すると、この部分におけるマイクロ波の電界が異常に大きくなっていたが、本実施例の場合には、平面アンテナ部材７８の外周端に誘電損失の大きいマイクロ波吸収材１００を配置しているので、アンテナ部材７８の中心部から半径方向へ伝播して外周端に到達するマイクロ波Ｍ１は、このマイクロ波吸収材１００によって誘電損失として吸収されて熱になり、略消滅することになる。
このようなマイクロ波吸収材１００によるマイクロ波の吸収作用は、平面アンテナ部材７８の全周において発生することになり、結果的に、平面アンテナ部材７８の中心部に戻ってくる反射波を略ゼロにすることが可能となる。
【００１８】
このため、マイクロ波及びその電界が平面アンテナ部材７８の中心部の近傍に集中することがなくなり、この結果、処理空間Ｓにおけるプラズマ密度の面内均一性及び半導体ウエハＷに対するプラズマ処理の面内均一性を大幅に向上させることが可能となる。
同様にして、このようなマイクロ波吸収材１００によるマイクロ波の吸収作用は、図２に示すように、遅波材８０に対してその中心部より平面方向に放射状に伝播してその外周端まで到達するマイクロ波Ｍ２に対しても生じ、このマイクロ波Ｍ２はこの遅波材８０の外周端に設けたマイクロ波吸収材１００によってほとんど吸収されてしまい、反射することがない。従って、この点よりも遅波材８０の中心部近傍にマイクロ波が集中することがなくなり、プラズマ密度の面内均一性及び半導体ウエハＷに対するプラズマ処理の面内均一性を一層向上させることが可能となる。
【００１９】
また、ここでは、遅波材８０や平面アンテナ部材７８の外周端が接するマイクロ波吸収材１００の面は、それぞれの平面方向に対して傾斜されたテーパ面１００Ａとなっているので、すなわちマイクロ波の伝播方向に対して直角ではなく、ある程度のテーパ角θを有しているので、万一、マイクロ波がマイクロ波吸収材１００により完全に吸収されることなく一部が反射されたとしても、その反対方向は遅波材８０や平面アンテナ部材７８の中心方向に向かうことはないので、この点よりも反射波による悪影響を防止することが可能となる。
尚、上記実施例においては、平面アンテナ部材７８や遅波材８０に対するマイクロ波吸収材１００の接触面１００Ａをテーパ状としたが、これに限定されず、図３（Ａ）に示すようにこの接触面１００Ａをマイクロ波の伝播方向に対して垂直となる垂直面に形成してもよいし、図３（Ｂ）に示すように、この接触面１００Ａを断面円弧状の面となるように形成してもよいし、更には、図３（Ｃ）に示すように、断面が複数の三角形状となるような凹凸形状の面となるように形成してもよい。
【００２０】
また、上記実施例では、遅波材８０や平面アンテナ部材７８の外周部のみにマイクロ波吸収材１００を設けたが、よりマイクロ波の吸収を確実にさせるために、マイクロ波吸収材１００を遅波材８０の上方にまで延在させるようにしてもよい。
図４は、このように形成した本発明のプラズマ処理装置の変形例を示す構成図、図５は図４中の一部を示す拡大図である。
図４及び図５に示すように、ここではマイクロ波吸収材１００を、図１にて示した構造と同様に遅波材８０の周縁部（外周端）と平面アンテナ部材７８の周縁部とに接して設けると共に、それを上方向へ１８０度折り返して、このマイクロ波吸収材１００を遅波材８０の上方の略全面にまで亘って延在させている。この場合、遅波材８０の上面とこの遅波材８０の上方に位置するマイクロ波吸収材１００との間には、例えば銅のような導電性材料よりなる円板状のマイクロ波案内板１０２が介在されており、その中心部は、上記同軸導波管８４の外管８４Ａへ接続されている。
【００２１】
また、このマイクロ波吸収材１００の上方への折れ曲がり部の外周端には、開き角が略９０度になされた一対のマイクロ波反射面１００Ｂ、１００Ｃが形成されており、このマイクロ波反射面１００Ｂ、１００Ｃに沿うように導波箱８２の内面も成形されている。
この実施例によれば、図５にも示すように、平面アンテナ部材７８の平面を放射状に伝播してこの外周端まで到達したマイクロ波や、遅波材８０の平面を放射状に伝播してこの外周端まで到達したマイクロ波は、共にマイクロ波吸収材１００内に伝播し、この吸収材１００内を吸収により減衰しつつ、図５中において矢印１０４に示すように、マイクロ波吸収材１００の一対のマイクロ波反射面１００Ｂ、１００Ｃにて順次反射して、遅波材８０の上方に位置するマイクロ波吸収材１００まで至ることになる。
【００２２】
このように、結果的に、マイクロ波吸収材１００中におけるマイクロ波の伝播経路が長くなったと同様な構造になるので、このマイクロ波を完全に吸収して反射波をより確実になくすことが可能となる。すなわち、図１に示した構造の実施例よりも、マイクロ波吸収材１００中におけるマイクロ波の伝播経路を長くした分だけ、そのマイクロ波の吸収効率を一層向上させることが可能となる。
また、ここではマイクロ波吸収材１００として、固体の材料を用いたが、これに限定されず、図６に示すように、図５中に示したマイクロ波吸収材１００を取り外して、ここに密閉空間１１０を形成するために、遅波材８０の周縁部において、これと平面アンテナ部材７８及びマイクロ波案内板１０２との間に、それぞれＯリング等のシール部材１０６、１０８を環状に介在させる。
そして、この密閉空間１１０の一端に液体導入口１１２を設けると共に、反対側の他端に液体排出口１１４を設け、この密閉空間１１０内にマイクロ波吸収材として液体、例えば冷却水１１６を流すようにしてもよい。
【００２３】
これによれば、マイクロ波吸収材として作用する冷却水１１６によりマイクロ波を吸収できるのみならず、この近傍の冷却も行うことができ、場合によっては、例えば導波箱８２の上部に設けた天井冷却ジャケット９６を設けないで省略することも可能となる。
また、この冷却水１１６を温度調整しつつ循環使用すれば、遅波材８０や平面アンテナ部材７８も最適な温度に維持することが可能となる。
尚、本実施例では、固体のマイクロ波吸収材として合成ゴムにフェライト系の材質を混入させたものを用いた場合を例にとって説明したが、これに限定されずにマイクロ波の吸収効率が高い材料ならばどのようなものでもよく、例えば合成ゴムにカーボニールを混入したもの等も用いることができる。
また、本実施例では、半導体ウエハに成膜処理する場合を例にとって説明したが、これに限定されず、プラズマエッチング処理、プラズマアッシング処理等の他のプラズマ処理にも適用することができる。
また、被処理体としても半導体ウエハに限定されず、ガラス基板、ＬＣＤ基板等に対しても適用することができる。
【００２４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のプラズマ処理装置によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
本発明によれば、平面アンテナ部材や遅波材を放射状に伝播して下方向へ放射（透過）されずに残留したマイクロ波をマイクロ波吸収材により吸収することができるので、これがアンテナ部材の中心方向へ向かって反射することがなくなり、これにより反射波の悪影響を大幅に抑制することができる。従って、被処理体に対するプラズマ処理の面内均一性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るプラズマ処理装置の一例を示す構成図である。
【図２】図１に示すプラズマ処理装置のマイクロ波吸収材の近傍を示す拡大断面図である。
【図３】マイクロ波吸収材ほ変形例を示す部分拡大断面図である。
【図４】本発明のプラズマ処理装置の変形例を示す構成図である。
【図５】図４中の一部を示す拡大図である。
【図６】本発明のプラズマ処理装置の変形例を示す図である。
【図７】従来の一般的なプラズマ処理装置を示す構成図である。
【符号の説明】
３０  プラズマ処理装置
３２  処理容器
３４  載置台
４８，５０  ノズル（ガス供給手段）
７４  絶縁板
７８  平面アンテナ部材
８０  遅波材
９２  マイクロ波発生器
９８  マイクロ波放射孔
１００  マイクロ波吸収材
１００Ａ  接触面（テーパ面）
１００Ｂ，１００Ｃ  マイクロ波反射面
１１６  冷却水（マイクロ波吸収材）
Ｗ  半導体ウエハ（被処理体）
【図１】
0004252220.tif 000002
【図２】
0004252220.tif 000003
【図３】
0004252220.tif 000004
【図４】
0004252220.tif 000005
【図５】
0004252220.tif 000006
【図６】
0004252220.tif 000007
【図７】
0004252220.tif 000008