(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層、半導体積層物又は半導体層構造体と基板との間の界面で、ＩＩＩ族−窒化物材料からなる半導体層、半導体積層物又は半導体層構造体を、他の材料からなる基板から分離して、前記半導体層、半導体積層物又は半導体層構造体と前記基板とを得る、基板から半導体層、半導体積層物又は半導体層構造体を分離する方法において、
前記基板又は前記半導体層、半導体積層物又は半導体層構造体を通して、前記界面の領域に電磁放射線を照射し、
前記界面の領域での前記電磁放射線の吸収により前記界面での材料の分解を誘導し、かつ
引き続き、前記半導体層、半導体積層物又は半導体層構造体を前記基板から分離する、基板から半導体層、半導体積層物又は半導体層構造体を分離する方法。
【請求項２】
前記界面に、前記電磁放射線を吸収し、それにより分解される犠牲層が配置される、請求項１記載の方法。
【請求項３】
犠牲層の光学バンドギャップが両方の材料層の一方のバンドギャップよりも小さいように犠牲層が選択される、請求項２記載の方法。
【請求項４】
吸収された放射線のエネルギーが熱の形で材料の分解を誘導する、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前記電磁放射線は界面付近の領域で吸収され、吸収された電磁放射線のエネルギーは熱の形で犠牲層中へ拡散し、その箇所で材料の分解が生じる、請求項２、３又は前記請求項２又は３を引用する４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
吸収された電磁放射線のエネルギーが、化学反応、昇華に基づくガス発生又はその他のガス発生を引き起こす、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
半導体層、半導体積層物又は半導体層構造体は、機械的安定化のために支持体材料上に取り付けられる、請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
前記界面の領域に、１つ以上の光パルスの形の電磁放射線を照射する、請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
前記界面の領域内で、２つ以上のコヒーレントレーザ放射線を用いて、高めた局所的光強度を生じる干渉パターンを、露光において実現する、請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
半導体層は、完全に又は部分的にＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ又はこれらの混晶からなるか、又はＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ又はこれらの混晶からなる積層物、積層構造体又は部品構造体からなる、請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
基板がサファイア、ＬｉＡｌＯ2、ＬｉＧａＯ2、ＭｇＡｌ2Ｏ4、ＳｃＡｌＭｇＯ4又はＳｉＣからなる、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
ＧａＮ又はＩｎxＧａ1-xＮからなる半導体層、半導体積層物又は半導体層構造体とサファイア基板とを、前記サファイヤ基板を通してＮｄ：ＹＡＧの第三調波レーザを用いて３５５ｎｍの波長で露光することにより分離する、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
Ｎｄ：ＹＡＧレーザはＱ−スイッチを用いてパルス化される、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
ダイオード、発光ダイオード（ＬＥＤ）、半導体レーザ、トランジスタ、及び検出器を含めた分離された部品構造体を製造するための、請求項１から１３までのいずれか１項記載の方法の使用。
【請求項１５】
回折格子、薄層フィルタ、光カップラ及び導波路を含めた光学的部品を製造するための、請求項１から１３までのいずれか１項記載の方法の使用。
【請求項１６】
ＩＩＩ族−窒化物からなる層を他の基板上に移行する際の、請求項１から１３までのいずれか１項記載の方法の使用。
【発明の詳細な説明】
本発明は、２つの材料層を相互に分離する方法、特に半導体層を基板から分離する方法に関する。さらに、本発明は、この方法により製造された電子部品に関する。
材料層とはこの場合、唯一の材料からなる層、ならびに多数の材料からなる積層物又は層構造体であると解釈される。
半導体からなる製品、例えば電子部品又は光電子部品の製造は、一般に半導体結晶及び半導体層の成長のために必要なプロセスを含めて、層の局所的選択除去及び構造化のために多数の作業工程を必要とする。多数の部品は部分的に、単結晶の形で基板上にエピタキシャル成長された異なる半導体材料の積層物からなる。
半導体層を構造化するため又は２つの半導体層を相互に分離するための作業工程として、たいていは半導体層を半導体表面から取り去るエッチング法が使用される。このようなプロセスはたいてい著しく緩慢に進行し、腐食性の化学薬品を必要とする。さらに、各々の公知の半導体−材料系に対して、適正な費用で相応する層を構造化できるようなエッチング法が存在するわけではない。
特に、半導体材料の窒化インジウム、窒化ガリウム及び窒化アルミニウム（ＩｎＮ、ＧａＮ及びＡｌＮ）及びこれらの混晶又は合金（以後「ＩＩＩ族の窒化物」と包括して記載する）は、化学的にエッチングするのが極めて困難である。この材料系において、現在信頼性のある湿式化学エッチング法が提供されていない。従って、工業的に極めて高価な、反応性−イオン−エッチング（ドライエッチング）法を使用しなければならない。しかしながら、この方法はエッチング速度が比較的遅く、毒性のガス（例えば三塩化ホウ素）を必要とする。エッチング法は表面上に作用するため、所望の深さを達成するためにエッチング速度及びエッチング時間を正確に制御する必要がある。
さらに、たいていの半導体材料にとって、例えば特にＩＩＩ族の窒化物にとって、同一の又は格子整合した半導体材料からなる容量結晶（Volumenkristall）は製造できないか技術的に多大な費用を用いて製造できるにすぎない。従って、この種の半導体層を成長させるための基板の提供は著しく制限される。このような理由から、しばしばこれらの半導体層の成長のために代用品として、継続する作業工程にとって不十分な特性又は部品の運転のために不十分な特性を有する他の材料からなる基板が使用される。ＩＩＩ族の窒化物層の成長のために、このような基板は例えばサファイア−基板又は炭化ケイ素−基板である。
この「代用」基板は、不整合な原子格子間隔及び異なる熱膨張率のような問題をもたらし、この問題はその上に成長させた半導体層の材料品質に不利に作用する。さらに、たいていの作業工程、例えばＧａＡｓからなるレーザダイオードの共振器ミラーを製造するための半導体層と基板との公知の分離は困難であるか又は全く不可能である。
この問題を克服する目的で、半導体層又は他の層を相互に分離するか又は障害となる基板から分離するために、今までエッチングのための多様な方法が公知である。
E. Yablonovitch et al., Appl. Phys. Lett. 51,222（1987）、米国特許第４８４６９３１、Thomas J. Gmitter and E. Yablonovitch, 11. Juli 1989において、ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ材料系において部品の製造の際に、湿式化学的に溶解させることができるＡｌＡｓ犠牲層を設置することが提案されている。この方法は層又は構造体を基板から分離することを可能にする。この方法は、僅かな横側方向（lateral）のエッチング速度のために著しく時間がかかる。さらに、ＩＩＩ族の窒化物に対しては湿式化学的エッチングは生じない。
米国特許第４４４８６３６号明細書には基板から金属皮膜を除去する方法が記載されている。この場合、金属皮膜は光により加熱される。支持体と金属皮膜との間の有機犠牲層を供給された熱により蒸発させ、金属層を除去している。有機中間層の使用は、特にＩＩＩ族の窒化物のエピタキシャル成長の場合に使用できない。
二酸化ケイ素層をガリウムヒ素ニトリドから除去するための比較可能な方法は、Y.-F. Lu, Y. Aoyagi, Jpn. J. Appl. Phys. 34, L1669（1995）に記載されている。この場合、有機中間層は光の吸収により加熱され、ＳｉＯ2層が持ち上げられる。
Y.-F. Lu et al., Jpn. J. Appl. Phys. 33, L324（1994）から、エキシマレーザを用いてＳｉＯ2ストランドをＧａＡｓ層から分離することは公知である。
ドイツ国特許（ＤＥ−Ｃ２）第３５０８４６９号明細書中に、透明な基板上に設置された積層物を構造化する方法が記載されており、この場合、構造化すべき層は局所的に透明な基板を通して裏からレーザー放射線により露光され、このレーザー放射線は構造化すべき層中で吸収される。
さらに、いわゆるレーザアブレーションが、材料を除去するために多数の材料系に適用された。しかしながら、この方法の場合、常に表面構造が破壊され、２つのさらに使用すべき部品の分離は不可能である。
ＩＩＩ族の窒化物に対して特異的に、Leonard and Bedair, Appl. Phys. Lett. 68, 794（1996）において、ＨＣｌガス下でのレーザパルスを用いたＧａＮのエッチングは記載されており、このエッチングは塩酸の関与の下での光化学的反応に起因する。
Morimoto, J. Electrochem. Soc. 121, 1383（1974）及びGroh et al., physica status solidi（a）26, 353（1974）にはＧａＮの熱により活性化される分解が記載されている。
Kelly et al., Appl. Phys. Lett. 69（12）, 16. Sept. 1996, p. 1749-1751には、ＩＩＩ族の窒化物がレーザにより誘導されて熱的に活性化される分解を行うことができることが示されている。しかしながら、この方法は、同様に半導体層の表面に作用する方法であり、特に表面破壊を引き起こす。
本発明の課題は、半導体層の自由表面の破壊が生じないか又は僅かに生じるだけの改善された方法を提供することである。特にサファイア基板又はＳｉＣ基板からＩＩＩ族の窒化物層を分離するための方法を開発すべきである。
前記の課題は、請求項１の特徴部に記載された方法により解決される。基板上に設置された、少なくとも１種のＩＩＩ族の窒化物材料からなる半導体層又は半導体積層物の横側方向（lateral）の構造化方法は請求項２の対象である。この方法の有利な実施態様は、従属形式請求項３〜１５である。この方法により有利に製造された部品は従属形式請求項１６〜１８の対象である。
本発明により、冒頭に記載した種類の方法において、双方の材料層の一方を通して、双方の層間の界面又は界面付近の領域を露光し、界面上又は界面付近の一方の材料層を放射線の吸収により分解することが想定されている。
この方法は、例えば半導体テクノロジーにおいて個々の層及び部品の構造化及び製造のために使用される湿式化学的及び乾式化学的エッチングプロセスとは別の方法である。この方法は、本質的に、双方の層の間の境界面に接する内部領域に直接作用させ、自由表面には作用させないことによって区別される。この方法は、特に所望の深さの構造化を、例えばエッチング時間及びエッチング速度の正確な基準を用いて決定する代わりに、直接実現することができる。本発明による方法の場合、双方の材料層の破壊は行われない。この方法により層系同士または層系と基板とを分離する新しい可能性が生じる。分離された部品又は積層物は次の作業工程において利点を有する；これらは例えばホモエピタキシーのための基板として格子欠陥整合の問題及び熱膨張率の差異の問題はなく適しており、又は基板の分離性に依存せずに分離を行うことができることにより光学部品（レーザダイオード）の製造のために適している。他の基板上でのＩＩＩ族の窒化物材料からなる層、層系及び部品の移行が、ＩＩＩ族の窒化物と技術的に該当する他の半導体系、例えばケイ素の適合及び統合を可能にする。
この方法は、内部界面又は界面付近の領域での直接的でかつ著しく局所的な作用により、層−基板−系の積層の分離を可能にする。一般に本願明細書に記載された方法は材料系に適用することができ、その際、分離すべき界面に電磁放射線が、特に光線が到達可能であり、この放射線は界面の材料に吸収され、光線又は光パルスの吸収により界面付近の材料を分解することができる。この方法は少なくとも１種の分解生成物がガス状である場合により容易に行われる。この作業のための半導体として、特にＩＩＩ族の窒化物、酸化物材料、及びＳｉ3Ｎ4が適している。
光電子部品、例えば発光ダイオード及び半導体レーザ及び電子部品、例えばトランジスタ、ダイオード、表面波部品は、一般に大多数が一つの基板上に製造される。ここで光誘導された構造化の前記した方法を、個々の部品の分離のために使用することができる。部品を基板から分離することは、すでに前記したように犠牲層の分解により行うことができるが、犠牲層を製造工程の間に分離すべき面の下又は上に設置しなければならない。このためにＩｎＧａＮ薄層が、比較的小さなバンドギャップ及び化学的安定性に基づいて特に適している。
分離する層及び積層の製造は、その構造上の特性、機械的特性及び熱的特性においてＩＩＩ族の窒化物の特性とは著しく異なることができる他の基板（例えばシリコン）上へＩＩＩ族の窒化物からなる層を移行させるのを可能にする。この方法は、平面スクリーンの製造のためのＩＩＩ族の窒化物からなる発光ダイオード及び半導体レーザと通常の支持体材料との組合せ、又は回路及び集積回路中へのこのような部品の組込を可能にする。分離する層構造又は積層構造は光学的導波路及び光カップラーとしても利用することもできる。これが回折格子を用いて構造化されている場合、光は光子を通して連結することができる。特別な厚さの層は光学フィルターとしても適用することもできる。
マスクを通した露光、干渉パターンと組み合わせたコヒーレント放射線の露光、ホログラフィー又は選択された異なる位置の連続的又は同時露光を用いて、材料層のなかの１つの横側方向の構造化を行うことができる。
本発明による方法において主要な工程は次のものである：
（ｉ）  分離のために利用すべき放射線を用いて達成可能な所望な層系中での分離すべき界面の同定、選択又は製造
（ｉｉ）  入射光を吸収する材料の同定、又は界面での犠牲層としての材料の組込、又は
（ｉｉｉ）  界面付近の犠牲層としての材料の同定又は組込、この材料は吸収された光又は光から生じるエネルギーによって分解することができ、かつ分解の際に十分な量のガス生成物を生じる、及び
（ｉｖ）  選択された波長及び強度の放射線を用いた露光、その結果この放射線は主に分離すべき界面又は犠牲層により吸収され、そこで分解反応が生じ、その際、透明な基板の場合には界面又は犠牲層を基板を通して露光することができる。
本発明の方法は、特に、例えばＳｉＣ基板又はサファイア基板上に設置されたＩＩＩ族の窒化物からなる半導体積層物の構造化のために適用することがでる。
本発明による方法の他の利点及び有利な実施態様を次に図１〜９に記載された実施例と関連して説明する。
図１は第１の実施例の略図を表す。
図２は第２の実施例の略図を表す。
図３は第３の実施例の略図を表す。
図４は第４の実施例の略図を表す。
図５は第５の実施例の略図を表す。
図６は第６の実施例の略図を表す。
図７は第７の実施例の略図を表す。
図８は第８の実施例の略図を表す。
図９は第９の実施例の略図を表す。
図１の実施例の場合には、第１の半導体層２及び第２の半導体層４とからなる層系の界面を光線１で第２の半導体層を通して露光し、第２の半導体層４の材料中で光は著しく吸収される。第２の半導体層２は光線１に対して透過性である。
これらの図において、同じ成分又は同じ作用の成分にはそれぞれ同じ符号がふってある。
双方の半導体層２，４の間の界面付近で主に第２の半導体層４中で生じる吸収エネルギーは、この領域内で第２の半導体層４の半導体材料の分解を誘導し、双方の半導体層２，４の分離が行われる。分解メカニズムは例えば昇華又は化学反応であることができる。この場合、この分解は熱的でも光化学的でも誘導することができる。この分離は分解の際にガス生成物が生じる場合に特に促進される。
しかしながら、半導体層４中で吸収されたエネルギーは半導体材料２内へも拡散し、そこで分解を引き起こさせることも可能である。双方の半導体材料の相対的厚さはこの場合著しく変化することができ、図１に示されたように等しい厚さである必要はない。
半導体材料を製造するために使用される多種の方法の一つは、基板上での成長法である。本願明細書に記載された方法と関連して、基板と半導体材料との間の区別は重要ではない。反応体層２，４が基板上で成長させられており、半導体層２，４,間の界面での分離を行うこともできる。
図２の実施例において、半導体層４は基板６から分離される。このために、基板６を通して半導体層４を光１で露光し、この放射エネルギーは半導体層４の材料中で吸収される。吸収特性に応じて、半導体層４を通して界面を照射し、基板６で光エネルギーを吸収させることも可能である。しかしながら、上記したように、構造体の吸収する部分で分解を引き起こす必要はなく、エネルギーを場合により他の部分へも拡散させ、そこで分解を生じさせることもできる。
半導体層２，４は、それぞれ半導体からなる均一な層であることができるが、図３中の半導体層４が示すように半導体の異なる積層物からなることもできる。この積層物中ではすでに具体的な部品が予備加工又は加工し終えた状態で存在することもでき、集積された電子回路又は光電子回路の形で存在することもできる。全ての構造体は、本願発明の範囲内で半導体層であると解釈されるべきである。
分離すべき界面での光の吸収を改善し、意図的に影響を及ぼすために、図４による第４の実施例では、第１の半導体層２と第２の半導体層４との間に、又は基板６と半導体層４（図２参照）との間に特別な吸収層８を挿入することができる。この吸収層８、例えば半導体層は、例えば光学的バンドギャップが周囲の材料よりも小さい。この層８はそれ自体分解され、つまり犠牲層として作用する。しかしながら、吸収されたエネルギーが拡散し、層８の付近で分解及び分離を引き起こすことも可能である。
分解させるためには安定でありすぎる半導体層４中でエネルギーを吸収させることも可能である。この場合、層８は特別簡単に分解する、つまり犠牲層として機能するように選択することもできる。本願明細書中に記載された方法の特別な利点は、層８が結晶性であり及び格子整合していることができる点である。
電磁放射線は、分離すべき界面に到達することができ、そこで十分吸収されるように選択しなければならない。このことは、最も簡単な場合には、ランプを用いて場合によりフィルターにかけた後で露光することにより生じる。こうして供給されたフォトン流が十分でない場合、適当なレーザーを用いた露光を実施することもできる。
特に熱により分解を行う場合には、材料の熱伝導性のために分解すべき領域から熱が急速に拡散することがある。それにもかかわらず分解のために必要な温度を達成するためには、従って、著しく短い光パルスの形で光エネルギーを供給する必要がある。
本願明細書中に記載した方法は、横側方向の構造化のためにも使用することができる。この方法は多様な方法により実現することもできる。一連の空間的に離れた点の材料を露光し、分解させるためにフォーカスされた光線を利用することができる。図５の実施例に示したように、露光マスク１０を使用することができ、このマスクを通してサンプルの選択された面を除去することができる。
同様に、図６の実施例では、ホログラフィーによる手段（例えば干渉格子を用いた露光）により露光を行うことができ、この場合１つ以上のコヒーレント放射線を用いて同時に露光することにより干渉効果が利用される。
界面の分解により分離された部品は著しく薄いか又は著しく小さいことがあり、従って機械的に不安定であり、取り扱いが困難である。この部品は図７の実施例により分離の前又は分離の後で、例えば接着剤１２を用いて新規の支持体１４上に載せることも可能である。界面の分解の前に固定する場合が図７に例示されている。分離の後に基板６から分離された半導体薄層４が支持体材料１４上に提供される。
本発明の方法を、非導電性基板上に構築された電子部品又は光電子部品の積層物４又は全ての部品構造体の製造のために使用するのが特に有利である。この場合、積層物４又は部品構造体の基板とは反対側にそれぞれ配置された電気的コンタクト部１６に対してさらに、基板付近に配置された半導体層に電気的コンタクト部を配置するのはしばしば困難である。このためにはたいてい複雑なエッチングプロセス及びメサ構造の形成が必要である。本願明細書に記載された方法を用いて、図８の実施例に従って、積層物４又は全ての部品構造体を非導電性基板から分離することができる。積層物４又は部品構造体の分離されたあらかじめ基板に向かう側は、電気的コンタクト部１８にとって容易に利用可能である。
この方法の実現は材料系に依存している。半導体材料のための有利な実施態様は、分離すべき界面で、他の全ての層の材料又は界面の一方の側上の材料よりもバンドギャップの小さい材料を利用する。露光のために、放射線が界面にまで侵入することができ、かつバンドギャップの小さい材料に吸収されるような放射線の波長が選択される。それにより、この材料中で又はその隣接する材料中で分解を引き起こさなければならない。
この作業は特にＩＩＩ族の窒化物の層又は層系に適している、それというのもこの種の材料はこの方法にとって特に適した物理的特性を有しているためである。第１に、ＩＩＩ族の窒化物は個々の光パルスの吸収により、空間的に限定的にかつ制御されてその分解温度を越えて加熱することができる。光パルスの吸収により生じた温度で、窒化物の分解及びガス状の窒素の形成が行われる（６００℃〜１８００℃、窒化物の組成に依存する）。第２に、前記の方法に対して、ＩＩＩ族の窒化物の溶融温度が分解温度よりもかなり高いため、強力な光パルスを吸収した場合に溶融液により層及び部品が不利な影響を受けないことである。第３に、この半導体材料は特に光学的プロセスにとって適している、それというのもこの半導体材料は光の波長に依存して、十分に限定的でかつシャープな閾値、つまり直接的なバンドギャップを有しているためであり、このバンドギャップでこの半導体材料は透過性から完全に吸収性に変わる。さらに、吸収が起こる波長は窒化物の混晶（ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＮ）により広いスペクトル領域にわたり変えることができる（バンドギャップ：ＩｎＮ  １．９ｅＶ、ＧａＮ  ３．４ｅＶ、ＡｌＮ  ６．２ｅＶ）。さらに、ＩＩＩ族の窒化物はしばしばサファイア基板上に製造され、このサファイア基板は全ての可視領域及び紫外線領域において透過性である。従って基板を通して層を露光することも可能である。
この分解を熱的に活性化する場合、一方で必要な入射強度を最小にし、他方で周囲の材料への不所望な作用を回避するために、熱の発生を界面又は犠牲層に集中させることが重要である。光により生じた熱源が材料の熱伝導性によって熱い区域から急速に排出されるため、必要な温度は著しく短時間で生じさせなければならない。これは、短いレーザパルスによって実現することができる。ＩＩＩ族の窒化物の典型的な熱伝導性について、吸収された熱エネルギーは、１ｎｓ〜１０ｎｓの時間でレーザパルスを使用することにより、吸収される光の入射深さ又は犠牲層の厚さに集中させることができる。ＩＩＩ族の窒化物の構造化及び分解のために、例えば「Ｑ−スイッチ」パルスＮｄ：ＹＡＧレーザが適している。
ＧａＮ及びＩｎＧａＮ（バンドギャップ１．９〜３．４ｅＶ）材料の光により誘導される分解についての特別な実施態様として、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第三調波レーザー系列を使用することができる。このレーザー系列は、例えば非線上の光学結晶を用いて作り出され、３５５ｎｍ（３．５ｅＶ）の波長を有する。ＧａＮ及びＩｎＧａＮ層は、この光パルスを吸収し、分解される。ＡｌＧａＮ層及びたいてい使用されるサファイア基板はこの波長に対して透過性である。分離するＧａＮ及びＩｎＧａＮ層は基板−層界面の分解により直接作成することができる。ＡｌＧａＮ−層及びＡｌＧａＮ−部品は薄いＧａＮ又はＩｎＧａＮ犠牲層の光誘導性の分解により基板から分離することができる。図７中では、例えばＧａＮ−層４を両面研磨されたサファイア−基板６から分離することができることが図示されている。ＧａＮとサファイアとの間の界面は、基板を通して３５５ｎｍの波長の唯一のレーザパルスを用いて露光される。このレーザ放射線は、ＧａＮの約１００ｎｍの深さまでの界面付近で吸収され、それにより界面は加熱される。８５０℃より高い温度が達成されると、窒素ガスを形成しながらのＧａＮの分解が起こる。基板６とＧａＮ−層４との界面での完全な分解のためのエネルギー密度は約０．２Ｊ／ｃｍ2を上回るパルスエネルギーで十分である。それにより基板６とＧａＮ−層４との間の結合は露光された面において分離される。分離された層を安定化するために、この試料は露光の前に層の側を樹脂又はワックス１２を使用して支持板又はシート１４上に接着することができる。ＧａＮ−層４を基板６から分解反応により分離する場合、サファイア−基板６が取り外され、ＧａＮ−層４は支持板又はシート１４上に残留する。ワックス又は樹脂はアセトン中で溶解され、ＧａＮ−層は分離した層として残留する。
ＧａＮ−層をサファイア基板を通した界面の露光により構造化する場合、垂直ではなく、つまり傾斜した側面を有するＧａＮ−構造体が得られる。この側面は図９において示されたように分解箇所から拡がる。この挙動は、例えば干渉格子又はマスクの横側方向の幅を層厚に適合させた場合、先端状又はピラミッド状に形成された構造体２０を作成するために利用することができる。この挙動は分離された層の製造も促進する。
ＩＩＩ族の窒化物からなる多様な部品は、前記の方法により構造化することができる。干渉格子を用いて露光することで周期的な格子線及び表面構造体を製造することは、ＩＩＩ族の窒化物をベースとするブラッグ−リフレクタ及びＤＦＢレーザを製造するために利用することができる。場合により透過光のために利用することもできる光学的分散格子も、層の厚さを変更することにより干渉格子を用いた構造化により得ることができる。ＡｌＮ及びＡｌＧａＮからなるピラミッド構造は、その負の電子親和性のために例えば平面スクリーン中の冷陰極エミッタとして使用することができる。
【図１】
0004285776.tif 000002
【図２】
0004285776.tif 000003
【図３】
0004285776.tif 000004
【図４】
0004285776.tif 000005
【図５】
0004285776.tif 000006
【図６】
0004285776.tif 000007
【図７】
0004285776.tif 000008
【図８】
0004285776.tif 000009
【図９】
0004285776.tif 000010