(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に発光素子が形成された第１の基板の前記発光素子上に表面被覆層を形成し、
前記表面被覆層上の前記発光素子に重なる位置に、前記接着剤よりも光透過率が高い材質からなる複数の間隔保持部材を形成し、
前記表面被覆層に接着剤を塗布して、第２の基板を前記接着剤からなる接着層上に配置して前記表面被覆層と前記第２の基板との接着を行う
ことを特徴とする基板接着方法。
【請求項２】
前記表面被覆層上に感光性樹脂層を積層して、前記感光性樹脂層を選択的に露光して硬化させ、前記間隔保持部材を形成することを特徴とする請求項１記載の基板接着方法。
【請求項３】
前記間隔保持部材を加熱処理して、前記間隔保持部材の角部分を鈍化することを特徴とする請求項１記載の基板接着方法。
【請求項４】
前記第２の基板を前記接着層上に配置した後に、前記第１の基板および前記第２の基板を、２枚の加圧板によって加圧することを特徴とする請求項１記載の基板接着方法。
【請求項５】
前記第１の基板が半導体成長基板であり、前記半導体成長基板上に半導体素子を形成して前記発光素子が形成されることを特徴とする請求項１記載の基板接着方法。
【請求項６】
表面に発光素子が形成された第１の基板の前記発光素子上に表面被覆層を形成し、
前記表面被覆層上の前記発光素子に重なる位置に、前記接着剤よりも光透過率が高い材質からなる複数の間隔保持部材を形成し、
前記第１の基板または第２の基板の接着面と反対側の面に、フィルム層と粘着層とで構成される粘着フィルムを貼り付け、前記表面被覆層に接着剤を塗布して、前記第２の基板を前記接着剤からなる接着層上に配置し、前記表面被覆層と前記第２の基板との接着を行う
ことを特徴とする基板接着方法。
【請求項７】
前記フィルム層はポリイミド系フィルムまたはＰＥＴフィルムであり、前記粘着層はシリコーン粘着材またはアクリル粘着材であることを特徴とする請求項６記載の基板接着方法。
【請求項８】
前記第１の基板および前記第２の基板を、前記粘着フィルムを介して、２枚の加圧板によって加圧することを特徴とする請求項６記載の基板接着方法。
【請求項９】
表面に凸部が形成された第１の基板の前記凸部上に表面被覆層を形成し、
前記表面被覆層上に、複数の間隔保持部材を形成し、
前記第１の基板の接着面と反対側の面に、フィルム層と粘着層とで構成される第１の粘着フィルムを貼り付け、第２の基板の接着面と反対側の面に、フィルム層と粘着層とで構成される第２の粘着フィルムを貼り付け、前記第１の粘着フィルムの前記第１の基板と接着される面の面積が、前記第１の基板の前記第１の粘着フィルムと接着される面の面積よりも大であり、前記第２の粘着フィルムの前記第２の基板と接着される面の面積が、前記第２の基板の前記第２の粘着フィルムと接着される面の面積よりも大であり、前記表面被覆層に接着剤を塗布して、前記第２の基板を前記接着剤からなる接着層上に配置し、
前記表面被覆層と前記第２の基板との接着を行う
ことを特徴とする基板接着方法。
【請求項１０】
前記第１の基板および前記第２の基板を、前記第１の粘着フィルムおよび前記第２の粘着フィルムを介して、２枚の加圧板によって加圧することを特徴とする請求項９記載の基板接着方法。
【請求項１１】
表面に半導体素子が配置された第１の基板の前記半導体素子上に、導電材料からなる間隔保持部材を形成し、
前記半導体素子上に表面被覆層を形成し、
前記表面被覆層に接着剤を塗布して、第２の基板を前記接着剤からなる接着層上に配置して、前記間隔保持部材により、前記第１の基板と前記第２の基板とが電気的に接続されるように、前記表面被覆層と前記第２の基板との接着を行う
ことを特徴とする基板接着方法。
【請求項１２】
前記間隔保持部材を、前記接着剤に対して選択的に除去可能な材質により形成することを特徴とする請求項１１記載の基板接着方法。
【請求項１３】
前記第１の基板の接着面と反対側の面に、フィルム層と粘着層とで構成される第１の粘着フィルムを貼り付け、前記第２の基板の接着面と反対側の面に、フィルム層と粘着層とで構成される第２の粘着フィルムを貼り付け、前記表面被覆層に接着剤を塗布して、第２の基板を前記接着剤上に配置し、前記表面被覆層と前記第２の基板との接着を行うことを特徴とする請求項１１記載の基板接着方法。
【請求項１４】
前記フィルム層はポリイミド系フィルムまたはＰＥＴ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）フィルムであり、前記粘着層はシリコーン粘着材またはアクリル粘着材であることを特徴とする請求項１３記載の基板接着方法。
【請求項１５】
前記第１の粘着フィルムの前記第１の基板と接着される面の面積が、前記第１の基板の前記第１の粘着フィルムと接着される面の面積よりも大であり、前記第２の粘着フィルムの前記第２の基板と接着される面の面積が、前記第２の基板の前記第２の粘着フィルムと接着される面の面積よりも大であることを特徴とする請求項１３記載の基板接着方法。
【請求項１６】
前記第１の基板および前記第２の基板を、前記第１の粘着フィルムおよび前記第２の粘着フィルムを介して、２枚の加圧板によって加圧することを特徴とする請求項１３記載の基板接着方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表面に凸部が形成された基板の凸部が存在する面と、他の基板とを接着するための基板接着方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から半導体素子の製造過程において、サファイア基板などの半導体成長基板上に半導体素子を形成して、半導体素子が形成された面を他の基板である支持基板に接着して、半導体素子と半導体成長基板とを剥離することで支持基板側に半導体素子の転写を行い、半導体素子の取り扱いを行う場合があった。
【０００３】
一般的に半導体成長基板上に半導体素子を形成する場合には、製造コストの低減のために半導体素子同士の間隔を小さくして、半導体成長基板一枚あたりの半導体素子個数を多くすることが求められる。図１８（ａ）に示すように、半導体素子基板１上に形成された複数の半導体素子２上に、接着剤３を塗布して支持基板４と接着する。このとき、半導体素子２同士の間隔と接着剤３の粘性に起因して、接着剤３が十分に半導体素子２の間に回りこむことができないことがあり、半導体成長基板１と支持基板４とを貼り合わせたときに、図１８（ｂ）に示すように接着剤３の充填がなされない領域であるボイド５が発生してしまっていた。
【０００４】
半導体成長基板１と支持基板４との貼り合わせ時に、接着剤３にボイド５が発生してしまうと、後工程で半導体成長基板１と半導体素子２を剥離する際に半導体素子２の飛散などを引き起こす原因となってしまう。このため、ボイド５が発生しないように接着剤の塗布を行い、半導体素子基板１と支持基板４との貼り合わせを慎重かつ繊細に制御する必要があるが、作業効率の低下ひいては製造コストの増加につながってしまい好ましくない。
【０００５】
また、半導体素子基板１と半導体素子２を剥離した後の工程においても、支持基板４および半導体素子２の取り扱いのためには、ボイド５によって半導体素子２に配列の乱れが生じることは好ましくない。また、エッチング等によって半導体素子２まで到達するビアホールを形成する場合には、半導体素子２の配列が平坦なものではない場合には、部分的オーバーエッチングによる半導体素子２の損傷や、エッチング不足による電気的接続不良が後工程で発生する可能性があるため、基板同士の貼り付けの際には、良好な平坦度も必要となってくる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
従って本願発明は、半導体成長基板上に複数の半導体素子を形成して、半導体素子を形成した面上に接着剤を塗布して他の基板と半導体成長基板とを貼り合わせるような、微小な凸部が存在する基板を他の基板に接着する際に、接着剤に生じるボイドを効率よく抑制することが可能であり、なおかつ良好な平坦精度の基板貼り合わせが可能な基板接着方法を提供することを課題とする。
【０００９】
本願発明の基板接着方法は、表面に発光素子が形成された第１の基板の前記発光素子上に表面被覆層を形成し、前記表面被覆層上の前記発光素子に重なる位置に、前記接着剤よりも光透過率が高い材質からなる複数の間隔保持部材を形成し、前記表面被覆層に接着剤を塗布して、第２の基板を前記接着剤からなる接着層上に配置して前記表面被覆層と前記第２の基板との接着を行うことを特徴とする。
【００１０】
半導体成長基板の半導体素子が形成されて発光素子が存在する面に、表面被覆層を形成した後に接着剤の塗布を行うことにより、接着剤の回りこみ不良であるボイドの発生を防止することができる。また、実質的に同一の高さの間隔保持部材であるポストを介して、半導体成長基板と支持基板とが接着剤によって接着されるため、接着剤の膜厚を均一にすることができる。また、間隔保持部材を発光素子に重なる位置に、接着剤よりも光透過率が高い材質によって形成することで、光の取り出し効率を向上させることができる。また、接着剤を光透過率が低い材質とすることにより、発光素子が発光していない場合には黒沈み化した表示を行うことが可能である。
【００１１】
また、本願発明の基板接着方法は、表面に発光素子が形成された第１の基板の前記発光素子上に表面被覆層を形成し、前記表面被覆層上の前記発光素子に重なる位置に、前記接着剤よりも光透過率が高い材質からなる複数の間隔保持部材を形成し、前記第１の基板または第２の基板の接着面と反対側の面に、フィルム層と粘着層とで構成される粘着フィルムを貼り付け、前記表面被覆層に接着剤を塗布して、前記第２の基板を前記接着剤からなる接着層上に配置し、前記表面被覆層と前記第２の基板との接着を行うことを特徴とする。
【００１２】
粘着フィルムは粘着剤とフィルムによって構成される多層構造であるため、粘着フィルムと半導体成長基板の間または粘着フィルムと支持基板との間に、微小な付着物などが存在した場合には、付着物が粘着剤の層に埋没する。したがって、加圧板を用いて粘着フィルム上から加圧を行った場合の、付着物周辺への圧力の集中を防止することができ、全面に均一な加圧を行って、接着剤の膜厚が均一となるように半導体成長基板と支持基板の接着を行うことが可能となる。
【００１３】
また、本願発明の基板接着方法は、表面に凸部が形成された第１の基板の前記凸部上に表面被覆層を形成し、前記表面被覆層上に、複数の間隔保持部材を形成し、前記第１の基板の接着面と反対側の面に、フィルム層と粘着層とで構成される第１の粘着フィルムを貼り付け、第２の基板の接着面と反対側の面に、フィルム層と粘着層とで構成される第２の粘着フィルムを貼り付け、前記第１の粘着フィルムの前記第１の基板と接着される面の面積が、前記第１の基板の前記第１の粘着フィルムと接着される面の面積よりも大であり、前記第２の粘着フィルムの前記第２の基板と接着される面の面積が、前記第２の基板の前記第２の粘着フィルムと接着される面の面積よりも大であり、前記表面被覆層に接着剤を塗布して、前記第２の基板を前記接着剤からなる接着層上に配置し、前記表面被覆層と前記第２の基板との接着を行うことを特徴とする基板接着方法。
【００１４】
半導体成長基板と支持基板に貼り付けた粘着フィルムが、半導体成長基板と支持基板よりも大きく、その余剰部分で半導体成長基板および支持基板および表面被覆層の側面に廻り込んだ接着剤を矜持して保持するため、支持基板と表面被覆層との間から接着剤が流出して、支持基板と表面被覆層との間隙部分に接着剤が不在となるようなボイドの発生を抑制することが可能となる。
【００１５】
また、本願発明の基板接着方法は、表面に半導体素子が配置された第１の基板の半導体素子上に、導電材料からなる間隔保持部材を形成し、半導体素子上に表面被覆層を形成し、表面被覆層に接着剤を塗布して、第２の基板を接着剤からなる接着層上に配置して、前記間隔保持部材により、前記第１の基板と前記第２の基板とが電気的に接続されるように、表面被覆層と第２の基板との接着を行うことを特徴とする。
【００１６】
半導体素子上に形成するポストを導電材料とすることにより、ポストを半導体素子の電極として利用することができる。このため、後工程において半導体素子との電気的接続を確保するために、半導体素子まで到達するビアホールを形成して金属を充填する工程を省略することができる。また、半導体素子上に形成するポストを、接着剤に対して選択的に除去される材質とすることにより、保持基板と支持基板とを接着した後に支持基板を除去し、ポストを選択的に除去することができ、半導体素子まで到達するビアが形成されるので、半導体素子の電極を形成するためのビア形成を簡便に行うことが可能になる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
［第１の実施の形態］
以下、本発明を適用した半導体成長基板と支持基板との接着方法について、図面を参照して詳細に説明する。図１は本願発明の実施の形態として、半導体成長基板１上に半導体素子２を複数形成し、半導体成長基板１の半導体素子２が形成された面と支持基板４とを接着剤３によって接着した状態の模式的断面図を示す。
【００１８】
半導体素子基板１上には複数の半導体素子２が形成され、半導体成長基板１の半導体素子２が形成された側の面（貼り合わせ面）には、半導体素子２を覆うように表面被覆層６が形成されている。
【００１９】
ここで、半導体素子基板１としては例えばサファイア（Ａｌ２Ｏ３、Ａ面、Ｒ面、Ｃ面を含む。）基板を用いるが、面上に半導体素子２を形成することに適した材質であれば良く、ＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、３Ｃを含む。）ＧａＮ、Ｓｉ、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＡｌＮ、ＬｉＭｇＯ、ＧａＡｓ、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＩｎＡｌＧａＮなどであってもよい。半導体素子２は例えば窒化ガリウム（ＧａＮ）系化合物半導体素子であるが、半導体素子基板１上に形成される半導体素子であれば組成および構造は問わない。また、表面被覆層６としては、例えばポリイミド樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が挙げられる。
【００２０】
支持基板４は、サファイア基板や石英基板や金属板などであり、用途に応じて選択されるが、接着剤３との接着性および表面の平坦度が良好なものであることが望ましい。
【００２１】
次に、半導体成長基板１と支持基板４を接着する工程について、図２を用いて以下に詳細に説明する。図２（ａ）は半導体成長基板１であるサファイア基板上に、有機金属化合物気相成長法（ＭＯＣＶＤ（ＭＯＶＰＥ）法）を用いてＧａＮ系の半導体素子２を形成した状態を示す概略断面図である。図２（ａ）においては簡略化のために半導体素子２の形状を直方体形状に表現しているが、円柱形状や円錐形状，六角錐形状などの形状として半導体素子２を形成してもよい。
【００２２】
ＭＯＣＶＤ法では、ＧａソースとしてＴＭＧ（トリメチルガリウム）、ＴＥＧ（トリエチルガリウム）、ＡｌソースとしてはＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、ＴＥＡ（トリエチルアルミニウム）、Ｉｎソースとしては、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）、ＴＥＩ（トリエチルインジウム）などのアルキル金属化合物が多く使用され、窒素源としてはアンモニア、ヒドラジンなどのガスが使用される。また、不純物ソースとしてはＳｉであればシランガス、Ｇｅであればゲルマンガス、ＭｇであればＣｐ２Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）、ＺｎであればＤＥＺ（ジエチルジンク）などのガスが使用される。一般的なＭＯＶＰＥ法では、これらのガスを例えば６００°Ｃ以上に加熱された基板の表面に供給して、ガスを分解することにより、ＩｎＡｌＧａＮ系化合物半導体をエピタキシャル成長させることができる。ＭＯＶＰＥ法に限らず、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）などの気相成長法や、ハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ法）などを用いて半導体素子２を形成してもよい。
【００２３】
次に図２（ｂ）に示すように、半導体成長基板１の半導体素子２を形成した面（接着面）に、スピンコートによってポリイミド樹脂を塗布して、加熱処理を行ってポリイミド樹脂の固化を行い、表面被覆層６を形成する。このとき、ポリイミド樹脂を用いる代わりにエポキシ樹脂などの樹脂を用いてもよい。
【００２４】
次に図２（ｃ）に示すように、表面被覆層６上に接着剤３を塗布する。接着剤３を塗布しただけでは、接着剤３の表面張力によって接着剤は凸形状となってしまい、表面被覆層６の表面全体を覆うとは限らない。その後図２（ｄ）に示すように、支持基板４であるサファイア基板を接着剤３上に配置する。この際、支持基板４により接着剤３を圧迫することにより、接着剤３は支持基板４表面と表面被覆層６表面との間を拡がり、支持基板４および表面被覆層６の接着面全体に充填される。接着剤３が硬化すると、図１に示したような凸部の存在する基板表面と支持基板との接着が完了する。
【００２５】
半導体成長基板１の半導体素子２が形成されて凸部が存在する面に、表面被覆層６を形成した後に接着剤３の塗布を行うことにより、表面被覆層６表面が平坦であることから、凸部が存在することによって生じる接着剤３の回りこみ不良であるボイドの発生を防止することができる。
【００２６】
また、表面被覆層６の形成が終了した図２（ｂ）の段階で、表面被覆層６の表面に対して、表面を活性化して接着剤３との濡れ性が向上するような表面処理を施してもよい。表面処理としては、酸素プラズマアッシングやアルゴンプラズマ処理や酸処理、アルカリ処理などが挙げられるが、表面被覆層６の材質および接着剤３の種類に応じて適宜選択可能である。表面被覆層６の表面を表面処理した後に接着剤３の塗布を行うことにより、接着剤３が表面被覆層６上を拡散していく過程での接着剤３への気泡の混入やボイドの発生を抑制することができる。
【００２７】
さらに、支持基板４を接着剤３上に配置する際に、支持基板４の接着面側に予め部分的に接着剤３を配置しておくことも可能である。図３（ａ）は支持基板４の接着面中心部分に接着剤３を塗布した状態を示す平面図である。表面被覆層６上の接着剤３が表面張力によって凸形状になっている場合には、支持基板４の接着面中心部分と表面被覆層６上の接着剤３が最初に接触するため、支持基板４の接着面中心部分に接着剤３を予め塗布しておくことで、接着剤３と支持基板４との最初の接触の際に、接着剤３中にボイドが発生することを防止することができる。
【００２８】
図３（ｂ）は、支持基板４の接着面中心部分に加えて、接着面の外縁部分４箇所に接着剤３を予め塗布した状態を示す平面図である。外縁部分にも接着剤３を塗布しておくことにより、支持基板４で接着剤３を圧迫して接着剤３を表面被覆層６上で拡げる際に、接着剤３が一定方向に偏って拡がったとしても、外縁部分に塗布されている接着剤３が一時的に接着剤３の拡大を抑制し、他の方向への接着剤３の拡大を促す効果が得られる。これにより一定方向にのみ接着剤３が拡がって接着剤３の充填失敗がおこることを防止することができ、均一な膜厚の接着剤３の塗布を行うことができると考えられる。ここでは４箇所に均等間隔で接着剤３を塗布した場合を示したが、３箇所以上に均等間隔に接着剤３を塗布しておくことで同様の効果を得ることが可能であり、塗布位置および塗布箇所数は限定しない。
【００２９】
［第２の実施の形態］
次に、本願発明の基板接着方法の他の実施の形態について、以下に図を参照して詳細に説明する。図４は本願発明の他の実施の形態として、半導体成長基板２１上に半導体素子２２を複数形成し、半導体成長基板２１の半導体素子２２が形成された面と支持基板２４とを接着剤２３によって接着した状態の模式的断面図を示す。
【００３０】
半導体素子基板２１上には複数の半導体素子２２が形成され、半導体成長基板２１の半導体素子２２が形成された側の面（貼り合わせ面）には、半導体素子２２を覆うように表面被覆層２６が形成されている。表面被覆層２６の面上には間隔保持部材としての複数のポスト２７が形成され、ポスト２７を介して支持基板２４と表面被覆層２６とが接着剤２３によって貼り付けられている。また、接着剤２３は支持基板２４と表面被覆層２６との間に、ポスト２７が介在することによって生じる間隙部分を充填している。
【００３１】
ここで、半導体素子基板２１としては例えばサファイア（Ａｌ２Ｏ３、Ａ面、Ｒ面、Ｃ面を含む。）基板を用いるが、面上に半導体素子２２を形成することに適した材質であれば良く、ＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、３Ｃを含む。）ＧａＮ、Ｓｉ、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＡｌＮ、ＬｉＭｇＯ、ＧａＡｓ、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＩｎＡｌＧａＮなどであってもよい。半導体素子２２は例えば窒化ガリウム（ＧａＮ）系化合物半導体素子であるが、半導体素子基板２１上に形成される半導体素子であれば組成および構造は問わない。また、表面被覆層２６としては、例えばポリイミド樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が挙げられる。
【００３２】
ポスト２７は表面被覆層２６と支持基板２４との間隔を一定量に保つための柱状部材であり、各ポスト２７の高さは実質的に同一である。ポスト２７を構成する材質は特に限定されないが、接着剤２３との濡れ性が良い材質であることが望ましい。また、表面被覆層２６上に形成されるため、表面被覆層２６と同一の材質により形成しても良い。支持基板２４は、サファイア基板や石英基板や金属板などであり、用途に応じて選択されるが、接着剤２３との接着性および表面の平坦度が良好なものであることが望ましい。
【００３３】
次に、半導体成長基板２１と支持基板２４を接着する工程について、図５を用いて以下に詳細に説明する。図５（ａ）は半導体成長基板２１であるサファイア基板上に、有機金属化合物気相成長法（ＭＯＣＶＤ（ＭＯＶＰＥ）法）を用いてＧａＮ系の半導体素子２２を形成した状態を示す概略断面図である。図５（ａ）においては簡略化のために半導体素子２２の形状を直方体形状に表現しているが、円柱形状や円錐形状，六角錐形状などの形状として半導体素子２２を形成してもよい。
【００３４】
次に図５（ｂ）に示すように、半導体成長基板２１の半導体素子２２を形成した面（接着面）に、スピンコートによってポリイミド樹脂を塗布して、加熱処理を行ってポリイミド樹脂の固化を行い、表面被覆層２６を形成する。このとき、ポリイミド樹脂を用いる代わりにエポキシ樹脂などの樹脂を用いてもよい。
【００３５】
次に図５（ｃ）に示すように、表面被覆層２６上に感光性樹脂層２８を積層する。感光性樹脂層２８は感光性ポリイミドや感光性エポキシ樹脂を用い、スピンコートおよびベーキングによって積層を行う。その後、フォトリソグラフィ技術によって所定領域を選択的に感光させて硬化させ、感光性樹脂層２８の硬化していない部分的除去を行って、図５（ｄ）に示すように表面被覆層２６上に複数のポスト２７を形成する。
【００３６】
次に図５（ｅ）に示すように、表面被覆層２６上に接着剤２３を塗布する。接着剤２３を塗布しただけでは、接着剤２３の表面張力によって接着剤は凸形状となってしまい、表面被覆層２６の表面全体を覆うとは限らない。その後図５（ｆ）に示すように、支持基板２４であるサファイア基板を接着剤２３およびポスト２７上に配置する。この際、支持基板２４によって接着剤２３を圧迫することで、接着剤２３は支持基板２４表面と表面被覆層２６表面との間を拡がり、支持基板２４および表面被覆層２６の接着面全体に充填される。接着剤２３が硬化すると、図４に示したような凸部の存在する基板表面と支持基板とが接着される。
【００３７】
半導体成長基板２１の半導体素子２２が形成されて凸部が存在する面に、表面被覆層２６を形成した後に接着剤２３の塗布を行うことにより、接着剤２３の回りこみ不良であるボイドの発生を防止することができる。また、実質的に同一の高さの柱状部材であるポスト２７を介して、半導体成長基板２１と支持基板２４とが接着剤２３によって接着されるため、接着剤２３の膜厚を均一にすることができる。
【００３８】
また、図５（ｄ）に示したポスト２７の形成が終了した直後は、ポスト２７の外形は図６（ａ）に示すように角部分が角張っている。したがって半導体成長基板２１全体に加熱処理を施すことで、ポスト２７の熱処理を行って図６（ｂ）に示す角部分が丸みを帯びた柱状部材へと変形してもよい。角部分が丸みを帯びていることにより、接着剤２３の回りこみ不良であるボイドの発生を抑制することができると考えられる。
【００３９】
ポスト２７を形成する位置としては、後工程で半導体素子２２まで到達するビアホールを表面被覆層２６に形成する場合を考慮すると、半導体素子２２が形成されている領域に重ならない位置になることが望ましい。または、半導体素子２２が形成されている領域に重なる位置にポスト２７を形成した場合には、該半導体素子２２は利用しない無効領域としてもよい。
【００４０】
または、半導体素子２２が形成されている領域に重なる位置に、ポスト２７を透明な材質によって形成してもよい。半導体素子２２が発光素子であって接着剤２３の光の透過率が低い場合には、表面被覆層２６を介しての発光効率が悪化してしまうが、半導体素子２２が形成されている領域に重なる位置にポスト２７を接着剤２３よりも光透過率の高い材質で形成することで、ポスト２７を介した光の透過が行われるために、発光効率を改善することが可能となる。また、さらに接着剤２３を光透過率が低い材質とすることにより、半導体素子２２が発光していない場合には黒沈み化した表示を行うことが可能である。
【００４１】
また図７に示すように、支持基板２４をポスト２７および接着剤２３上に配置して、接着剤２３が硬化するまでの間に、金属板や石英板などの硬質かつ平坦な板である加圧板２９，３０を用いて、半導体成長基板２１および支持基板２４に加圧することもできる。この際、表面被覆層２６およびポスト２７を介して接着剤２３により接着される半導体成長基板２１と支持基板２４とが、加圧板２９，３０によって矜持され、加圧板２９，３０に印加された圧力は、半導体成長基板２１および支持基板２４の面全体に均一な加圧となる。
【００４２】
半導体成長基板２１および支持基板２４の面全体に均一な加圧が行われるため、基板の反りやうねりが半導体成長基板２１または支持基板２４に生じているような場合にも、接着剤２３の膜厚を均一なものにすることが可能となる。半導体成長基板２１または支持基板２４に反りやうねりが生じる原因としては、半導体成長基板２１または支持基板２４自体の研磨精度や、半導体成長基板２１上に形成した半導体素子２２と半導体成長基板２１との結晶格子の不整合、半導体成長基板２１上に形成した半導体素子２２と半導体成長基板２１との熱膨張係数の相違、半導体成長基板２１と表面被覆層２６との熱膨張係数の相違などが挙げられる。基板の貼り合わせにおいて接着剤２３の膜厚が均一であることにより、後工程での加工精度が向上する効果が期待できる。また半導体素子２２の配列でピッチのずれが発生しにくくなる効果も期待できる。
【００４３】
また第１の実施の形態と同様に、表面被覆層６の形成が終了した図５（ｂ）の段階で、表面被覆層２６の表面に対して、表面を活性化して接着剤２３との濡れ性が向上するような表面処理を施してもよい。表面処理としては、酸素プラズマアッシングやアルゴンプラズマ処理や酸処理、アルカリ処理などが挙げられるが、表面被覆層２６の材質および接着剤２３の種類に応じて適宜選択可能である。表面被覆層２６の表面を表面処理した後に接着剤２３の塗布を行うことにより、接着剤２３が表面被覆層２６上を拡散していく過程での接着剤２３への気泡の混入やボイドの発生を抑制することができる。
【００４４】
さらに、第１の実施の形態と同様に、支持基板２４を接着剤２３上に配置する際に、支持基板２４の接着面側に予め部分的に接着剤２３を配置しておくことも可能である。支持基板２４の接着面中心部分に接着剤２３を塗布した状態は、図３（ａ）に示されるものと同様である。表面被覆層２６上の接着剤２３が表面張力によって凸形状になっている場合には、支持基板２４の接着面中心部分と表面被覆層２６上の接着剤２３が最初に接触するため、支持基板２４の接着面中心部分に接着剤２３を予め塗布しておくことで、接着剤２３と支持基板２４との最初の接触の際に、接着剤２３中に気泡が混入することやボイドが発生するを防止することができる。
【００４５】
支持基板２４の接着面中心部分に加えて、接着面の外縁部分４箇所に接着剤３を予め塗布した状態は図３（ｂ）に示されるものと同様である。外縁部分にも接着剤２３を塗布しておくことにより、支持基板２４で接着剤２３を圧迫して接着剤２３を表面被覆層２６上で拡げる際に、接着剤２３が一定方向に偏って拡がったとしても、外縁部分に塗布されている接着剤２３が一時的に接着剤２３の拡大を抑制し、他の方向への接着剤２３の拡大を促す効果が得られる。これにより一定方向にのみ接着剤２３が拡がって接着剤２３の充填失敗がおこることを防止することができ、均一な膜厚の接着剤２３の塗布を行うことができると考えられる。ここでは４箇所に均等間隔で接着剤２３を塗布した場合を示したが、３箇所以上に均等間隔に接着剤２３を塗布しておくことで同様の効果を得ることが可能であり、塗布位置および塗布箇所数は限定しない。
【００４６】
［第３の実施の形態］
さらに、本願発明の基板接着方法の他の実施の形態について、以下に図を参照して詳細に説明する。図８は本願発明の実施の形態として、半導体成長基板４１上に半導体素子４２を複数形成し、半導体成長基板４１の半導体素子４２が形成された面と支持基板４４とを接着剤４３によって接着した状態の模式的断面図を示す。
【００４７】
半導体素子基板４１上には複数の半導体素子４２が形成され、半導体成長基板４１の半導体素子４２が形成された側の面（貼り合わせ面）には、半導体素子４２を覆うように表面被覆層４６が被膜されている。表面被覆層４６の面上には複数のポスト４７が形成され、ポスト４７を介して支持基板４４と表面被覆層４６とが接着剤４３によって貼り付けられている。また、支持基板の貼り合わせ面と反対側の面には、粘着フィルム５２が貼り付けられている。粘着フィルム５１，５２は、それぞれ半導体素子基板４１，支持基板４４よりも貼り付け面の面積が大きく、半導体素子基板４１，支持基板４４の側方に一定量の余剰部分がはみ出した状態になっている。また、接着剤４３は支持基板４４と表面被覆層４６との間に、ポスト４７が介在することによって生じる間隙部分を充填している。
【００４８】
ここで、半導体素子基板４１としては例えばサファイア（Ａｌ２Ｏ３、Ａ面、Ｒ面、Ｃ面を含む。）基板を用いるが、面上に半導体素子４２を形成することに適した材質であれば良く、ＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、３Ｃを含む。）ＧａＮ、Ｓｉ、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＡｌＮ、ＬｉＭｇＯ、ＧａＡｓ、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＩｎＡｌＧａＮなどであってもよい。半導体素子４２は例えば窒化ガリウム（ＧａＮ）系化合物半導体素子であるが、半導体素子基板４１上に形成される半導体素子であれば組成および構造は問わない。また、表面被覆層４６としては、例えばポリイミド樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が挙げられる。
【００４９】
ポスト４７は表面被覆層４６と支持基板４４との間隔を一定量に保つための柱状部材であり、各ポスト４７の高さは実質的に同一である。ポスト４７を構成する材質は特に限定されないが、接着剤４３との濡れ性が良い材質であることが望ましい。また、表面被覆層４６上に形成されるため、表面被覆層４６と同一の材質により形成しても良い。支持基板４４は、サファイア基板や石英基板や金属板などであり、用途に応じて選択されるが、接着剤４３との接着性および表面の平坦度が良好なものであることが望ましい。
【００５０】
粘着フィルム５２は、シリコーン粘着剤を塗布したポリイミド系フィルムや、アクリル粘着剤を塗布したＰＥＴ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）フィルムなどの、粘着剤とフィルムによる多層構造で構成されている。
【００５１】
次に、半導体成長基板４１と支持基板４４を接着する工程について、図９を用いて以下に詳細に説明する。図９（ａ）は半導体成長基板４１であるサファイア基板上に、有機金属化合物気相成長法（ＭＯＣＶＤ（ＭＯＶＰＥ）法）を用いてＧａＮ系の半導体素子４２を形成した状態を示す概略断面図である。図９（ａ）においては簡略化のために半導体素子４２の形状を直方体形状に表現しているが、円柱形状や円錐形状，六角錐形状などの形状として半導体素子４２を形成してもよい。
【００５２】
次に図９（ｂ）に示すように、半導体成長基板４１の半導体素子４２を形成した面（接着面）に、スピンコートによってポリイミド樹脂を塗布して、加熱処理を行ってポリイミド樹脂の固化を行い、表面被覆層４６を形成する。このとき、ポリイミド樹脂を用いる代わりにエポキシ樹脂などの樹脂を用いてもよい。
【００５３】
次に図９（ｃ）に示すように、表面被覆層４６上に感光性樹脂層４８を積層する。感光性樹脂層４８は感光性ポリイミドや感光性エポキシ樹脂を用い、スピンコートおよびベーキングによって積層を行う。その後、フォトリソグラフィ技術によって所定領域を選択的に感光させて硬化させ、感光性樹脂層４８の硬化していない部分的除去を行って、図９（ｄ）に示すように表面被覆層４６上に複数のポスト４７を形成する。
【００５４】
次に図９（ｅ）に示すように、表面被覆層４６上に接着剤４３を塗布する。接着剤４３を塗布しただけでは、接着剤４３の表面張力によって接着剤は凸形状となってしまい、表面被覆層４６の表面全体を覆うとは限らない。このとき塗布される接着剤４３の量は、ポスト４７および表面被覆層４６の接着面の面積によって決定される容積よりも多くしておくことで、接着剤４３が表面被覆層４６の表面全体を覆うように形成できる。
【００５５】
その後、図９（ｆ）に示すように、支持基板４４であるサファイア基板の接着面と反対側の面に、粘着フィルム５２を貼り付ける。その後図９（ｇ）に示すように、粘着フィルム５２を接着面と反対側に貼り付けた支持基板４４を接着剤４３およびポスト４７上に配置する。この際、支持基板４４によって接着剤４３を圧迫することで、接着剤４３は支持基板４４表面と表面被覆層４６表面との間を拡がり、支持基板４４および表面被覆層４６の接着面全体に充填される。接着剤４３が硬化すると、図８に示したような凸部の存在する基板表面と支持基板とが接着される。
【００５６】
その後図１０に示すように、粘着フィルム５２を貼り付けた支持基板４４を、接着剤４３およびポスト４７上に配置し、金属板や石英板などの硬質かつ平坦な板である加圧板４９，５０を用いて、半導体成長基板４１および粘着フィルム５２上から支持基板４４に加圧する。この際、加圧板４９，５０に印加された圧力は、半導体成長基板４１および支持基板４４の面全体に均一な加圧となる。
【００５７】
図１１に粘着フィルム５２を支持基板４４に貼り付けたときの部分拡大図を示す。粘着フィルム５２は粘着剤５３とフィルム５４とによって構成される多層構造であるため、粘着フィルム５２と支持基板４４の間に、塵や金属粉などの微小な付着物５５などが存在した場合には、付着物５５が粘着剤５３の層に埋没する。したがって、加圧板４９，５０を用いて粘着フィルム５２上から加圧を行った場合の、付着物周辺への圧力の集中を防止することができ、全面に均一な加圧を行って、接着剤４３の膜厚が均一となるように半導体成長基板４１と支持基板４４の接着を行うことが可能となる。ここでは、支持基板４４の接着面と反対側に粘着フィルムを貼り付けた場合を示したが、半導体成長基板４１の接着面と反対側に粘着フィルムの貼り付けを行っても、同様の効果が期待できる。
【００５８】
また、図９（ｄ）に示したポスト４７の形成が終了した直後は、ポスト４７の外形は図６（ａ）に示したと同様に角部分が角張っている。したがって半導体成長基板４１全体に加熱処理を施すことで、ポスト４７の熱処理を行って図６（ｂ）に示す角部分が丸みを帯びた柱状部材へと変形してもよい。角部分が丸みを帯びていることにより、接着剤４３の回りこみ不良であるボイドの発生を抑制することができると考えられる。
【００５９】
ポスト４７を形成する位置としては、後工程で半導体素子４２まで到達するビアホールを表面被覆層４６に形成する場合を考慮すると、半導体素子４２が形成されている領域に重ならない位置になることが望ましい。または、半導体素子６２が形成されている領域に重なる位置にポスト４７を形成した場合には、該半導体素子４２は利用しない無効領域としてもよい。
【００６０】
または、半導体素子４２が形成されている領域に重なる位置に、ポスト４７を透明な材質によって形成してもよい。半導体素子４２が発光素子であって接着剤４３の光の透過率が低い場合には、表面被覆層４６を介しての発光効率が悪化してしまうが、半導体素子４２が形成されている領域に重なる位置にポスト４７を接着剤４３よりも光透過率の高い材質で形成することで、ポスト４７を介した光の透過が行われるために、発光効率を改善することが可能となる。また、さらに接着剤４３を光透過率が低い材質とすることにより、半導体素子４２が発光していない場合には黒沈み化した表示を行うことが可能である。
【００６１】
また図１０に示すように、支持基板４４をポスト４７および接着剤４３上に配置して、接着剤４３が硬化するまでの間に、金属板や石英板などの硬質かつ平坦な板である加圧板４９，５０を用いて、半導体成長基板４１および支持基板４４に加圧することもできる。この際、表面被覆層４６およびポスト４７を介して接着剤４３により接着される半導体成長基板４１と支持基板４４とが、加圧板４９，５０によって矜持され、加圧板４９，５０に印加された圧力は、半導体成長基板４１および支持基板４４の面全体に均一な加圧となる。
【００６２】
半導体成長基板４１および支持基板４４の面全体に均一な加圧が行われるため、基板の反りやうねりが半導体成長基板４１または支持基板４４に生じているような場合にも、接着剤４３の膜厚を均一なものにすることが可能となる。半導体成長基板４１または支持基板６４に反りやうねりが生じる原因としては、半導体成長基板４１または支持基板４４自体の研磨精度や、半導体成長基板４１上に形成した半導体素子４２と半導体成長基板４１との結晶格子の不整合、半導体成長基板４１上に形成した半導体素子４２と半導体成長基板４１との熱膨張係数の相違、半導体成長基板４１と表面被覆層４６との熱膨張係数の相違などが挙げられる。基板の貼り合わせにおいて接着剤４３の膜厚が均一であることにより、後工程での加工精度が向上する効果が期待できる。また半導体素子４２の配列でピッチのずれが発生しにくくなる効果も期待できる。
【００６３】
また、表面被覆層４６の形成が終了した図９（ｂ）の段階で、表面被覆層４６の表面に対して、表面を活性化して接着剤４３との濡れ性が向上するような表面処理を施してもよい。表面処理としては、酸素プラズマアッシングやアルゴンプラズマ処理や酸処理、アルカリ処理などが挙げられるが、表面被覆層４６の材質および接着剤４３の種類に応じて適宜選択可能である。表面被覆層４６の表面を表面処理した後に接着剤４３の塗布を行うことにより、接着剤４３が表面被覆層４６上を拡散していく過程での接着剤４３への気泡の混入やボイドの発生を抑制することができる。
【００６４】
さらに、支持基板４４を接着剤４３上に配置する際に、支持基板４４の接着面側に予め部分的に接着剤４３を配置しておくことも可能である。支持基板４の接着面中心部分に接着剤３を塗布した状態は、図３（ａ）に示したものと同様になる。表面被覆層４６上の接着剤４３が表面張力によって凸形状になっている場合には、支持基板４４の接着面中心部分と表面被覆層４６上の接着剤４３が最初に接触するため、支持基板４４の接着面中心部分に接着剤４３を予め塗布しておくことで、接着剤４３と支持基板４４との最初の接触の際に、接着剤４３中に気泡が混入することやボイドが発生するを防止することができる。
【００６５】
支持基板４の接着面中心部分に加えて、接着面の外縁部分４箇所に接着剤３を予め塗布した状態は、図３（ｂ）に示したものと同様になる。外縁部分にも接着剤４３を塗布しておくことにより、支持基板４４で接着剤４３を圧迫して接着剤４３を表面被覆層４６上で拡げる際に、接着剤４３が一定方向に偏って拡がったとしても、外縁部分に塗布されている接着剤４３が一時的に接着剤４３の拡大を抑制し、他の方向への接着剤４３の拡大を促す効果が得られる。これにより一定方向にのみ接着剤４３が拡がって接着剤４３の充填失敗がおこることを防止することができ、均一な膜厚の接着剤４３の塗布を行うことができると考えられる。ここでは４箇所に均等間隔で接着剤４３を塗布した場合を示したが、３箇所以上に均等間隔に接着剤４３を塗布しておくことで同様の効果を得ることが可能であり、塗布位置および塗布箇所数は限定しない。
【００６６】
［第４の実施の形態］
さらに、本願発明の基板接着方法の他の実施の形態について、以下に図を参照して詳細に説明する。図１２は本願発明の実施の形態として、半導体成長基板６１上に半導体素子６２を複数形成し、半導体成長基板６１の半導体素子６２が形成された面と支持基板６４とを接着剤６３によって接着した状態の模式的断面図を示す。
【００６７】
半導体素子基板６１上には複数の半導体素子６２が形成され、半導体成長基板６１の半導体素子６２が形成された側の面（貼り合わせ面）には、半導体素子６２を覆うように表面被覆層６６が被膜されている。表面被覆層６６の面上には複数のポスト６７が形成され、ポスト６７を介して支持基板６４と表面被覆層６６とが接着剤６３によって貼り付けられている。また、半導体成長基板６１の貼り合わせ面と反対側の面には、粘着フィルム７１が貼り付けられ、支持基板の貼り合わせ面と反対側の面には、粘着フィルム７２が貼り付けられている。粘着フィルム７１，７２は、それぞれ半導体素子基板６１，支持基板６４よりも貼り付け面の面積が大きく、半導体素子基板６１，支持基板６４の側方に一定量の余剰部分がはみ出した状態になっている。また、接着剤６３は支持基板６４と表面被覆層６６との間に、ポスト６７が介在することによって生じる間隙部分を充填している。また、半導体素子基板６１，支持基板６４および表面被覆層６６の側面に廻り込んだ接着剤６３は、粘着フィルム７１，７２の余剰部分によって矜持されている。
【００６８】
ここで、半導体素子基板６１としては例えばサファイア（Ａｌ２Ｏ３、Ａ面、Ｒ面、Ｃ面を含む。）基板を用いるが、面上に半導体素子６２を形成することに適した材質であれば良く、ＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、３Ｃを含む。）ＧａＮ、Ｓｉ、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＡｌＮ、ＬｉＭｇＯ、ＧａＡｓ、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＩｎＡｌＧａＮなどであってもよい。半導体素子６２は例えば窒化ガリウム（ＧａＮ）系化合物半導体素子であるが、半導体素子基板６１上に形成される半導体素子であれば組成および構造は問わない。また、表面被覆層６６としては、例えばポリイミド樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が挙げられる。
【００６９】
ポスト６７は表面被覆層６６と支持基板６４との間隔を一定量に保つための柱状部材であり、各ポスト６７の高さは実質的に同一である。ポスト６７を構成する材質は特に限定されないが、接着剤６３との濡れ性が良い材質であることが望ましい。また、表面被覆層６６上に形成されるため、表面被覆層６６と同一の材質により形成しても良い。支持基板６４は、サファイア基板や石英基板や金属板などであり、用途に応じて選択されるが、接着剤６３との接着性および表面の平坦度が良好なものであることが望ましい。
【００７０】
粘着フィルム７１，７２は、シリコーン粘着剤を塗布したポリイミド系フィルムや、アクリル粘着剤を塗布したＰＥＴ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）フィルムなどの、粘着剤とフィルムによる多層構造で構成されている。
【００７１】
次に、半導体成長基板６１と支持基板６４を接着する工程について、図１３を用いて以下に詳細に説明する。図１３（ａ）は半導体成長基板６１であるサファイア基板上に、有機金属化合物気相成長法（ＭＯＣＶＤ（ＭＯＶＰＥ）法）を用いてＧａＮ系の半導体素子６２を形成した状態を示す概略断面図である。図１３（ａ）においては簡略化のために半導体素子６２の形状を直方体形状に表現しているが、円柱形状や円錐形状，六角錐形状などの形状として半導体素子６２を形成してもよい。
【００７２】
次に図１３（ｂ）に示すように、半導体成長基板６１の半導体素子６２を形成した面（接着面）に、スピンコートによってポリイミド樹脂を塗布して、加熱処理を行ってポリイミド樹脂の固化を行い、表面被覆層６６を形成する。このとき、ポリイミド樹脂を用いる代わりにエポキシ樹脂などの樹脂を用いてもよい。
【００７３】
次に図１３（ｃ）に示すように、表面被覆層６６上に感光性樹脂層６８を積層する。感光性樹脂層６８は感光性ポリイミドや感光性エポキシ樹脂を用い、スピンコートおよびベーキングによって積層を行う。その後、フォトリソグラフィ技術によって所定領域を選択的に感光させて硬化させ、感光性樹脂層６８の硬化していない部分的除去を行って、図１３（ｄ）に示すように表面被覆層６６上に複数のポスト６７を形成する。
【００７４】
次に図１３（ｅ）に示すように、表面被覆層６６上に接着剤６３を塗布する。接着剤６３を塗布しただけでは、接着剤６３の表面張力によって接着剤は凸形状となってしまい、表面被覆層６６の表面全体を覆うとは限らない。このとき塗布される接着剤６３の量は、ポスト６７および表面被覆層６６の接着面の面積によって決定される容積よりも多くしておくことで、接着剤６３が表面被覆層６６の表面全体を覆うように形成できる。
【００７５】
その後、図１３（ｆ）に示すように、半導体成長基板６１の接着面と反対側の面に粘着フィルム７１を貼り付け、支持基板６４であるサファイア基板の接着面と反対側の面に、粘着フィルム７２を貼り付ける。この際、図１３（ｇ）に示すように粘着フィルム７１，７２は半導体成長基板６１および支持基板６４よりも貼り付け面の面積を大きくし、半導体成長基板６１と支持基板６４に貼り付けると、一定量の余剰部分がはみ出した状態となる。
【００７６】
図１４に示すように、粘着フィルム７２を貼り付けた支持基板６４を、接着剤６３およびポスト６７上に配置し、金属板や石英板などの硬質かつ平坦な板である加圧板６９，７０を用いて、粘着フィルム７１，７２上から半導体成長基板６１および支持基板６４に加圧する。この際、表面被覆層６６およびポスト６７を介して接着剤６３により接着される半導体成長基板６１と支持基板６４とが、粘着フィルム７１，７２を介して加圧板６９，７０によって矜持され、加圧板６９，７０に印加された圧力は、半導体成長基板６１および支持基板６４の面全体に均一な加圧となる。
【００７７】
塗布された接着剤６３の量は、ポスト６７および表面被覆層６６の接着面の面積によって決定される容積よりも多いため、支持基板６４と表面被覆層６６との間隙部分に収まらない接着剤６３は、半導体成長基板６１および支持基板６４および表面被覆層６６の側面に回りこむ。この際、粘着フィルム７１，７２の余剰部分が半導体成長基板６１および支持基板６４の側方にまで延びていることにより、図１３（ｇ）に示したように、接着剤６３は粘着フィルム７１，７２によって矜持され、接着剤６３の表面張力が働いて接着剤６３の外部への流出を防止している。
【００７８】
本願発明者が以上に説明した工程を実施したところ、直径２インチの半導体成長基板６１と支持基板６２を、表面被覆層６６表面と支持基板６４表面との間隔を１０μｍとなるようにポスト６７で保持して接着を行ったところ、接着剤６３の層厚は誤差１．０〜１．５μｍ程度であった。
【００７９】
第３の実施の形態において図１１に示したと同様に、粘着フィルム７１を半導体成長基板６１に貼り付けた場合、粘着フィルム７１は粘着剤７３とフィルム７４とによって構成される多層構造であるため、粘着フィルム７１と半導体成長基板６１の間に、塵や金属粉などの微小な付着物７５などが存在した場合には、付着物７５が粘着剤７３の層に埋没する。粘着フィルム７２と支持基板６４との間でも同様の効果が期待できる。したがって、加圧板６９，７０を用いて粘着フィルム７１，７２上から加圧を行った場合の、付着物周辺への圧力の集中を防止することができ、全面に均一な加圧を行って、接着剤６３の膜厚が均一となるように半導体成長基板６１と支持基板６４の接着を行うことが可能となる。
【００８０】
また、粘着フィルム７１，７２の余剰部分で、半導体成長基板６１および支持基板６４および表面被覆層６６の側面に廻り込んだ接着剤６３を矜持して保持することにより、支持基板６４と表面被覆層６６との間から接着剤６３が流出して、支持基板６４と表面被覆層６６との間隙部分に接着剤６３が不在となるようなボイドの発生を抑制することが可能となる。
【００８１】
また、半導体成長基板６１や支持基板６４の接着面と反対側の面に、接着剤６３が廻り込んでしまうと、後工程での基板剥離時やフォトリソグラフィ時の加工精度が低下してしまう。しかし、半導体成長基板６１および支持基板６４の接着面と反対側の面には、粘着フィルム７１，７２が面全体に渡って貼り付けられているために、半導体成長基板６１および支持基板６４の接着面と反対側の面に接着剤６３が回りこむことを防止することができる。
【００８２】
また、図１３（ｄ）に示したポスト６７の形成が終了した直後は、ポスト６７の外形は図６（ａ）に示したと同様に角部分が角張っている。したがって半導体成長基板６１全体に加熱処理を施すことで、ポスト６７の熱処理を行って図６（ｂ）に示す角部分が丸みを帯びた柱状部材へと変形してもよい。角部分が丸みを帯びていることにより、接着剤６３の回りこみ不良であるボイドの発生を抑制することができると考えられる。
【００８３】
ポスト６７を形成する位置としては、後工程で半導体素子６２まで到達するビアホールを表面被覆層６６に形成する場合を考慮すると、半導体素子６２が形成されている領域に重ならない位置になることが望ましい。または、半導体素子６２が形成されている領域に重なる位置にポスト６７を形成した場合には、該半導体素子６２は利用しない無効領域としてもよい。
【００８４】
または、半導体素子６２が形成されている領域に重なる位置に、ポスト６７を透明な材質によって形成してもよい。半導体素子６２が発光素子であって接着剤６３の光の透過率が低い場合には、表面被覆層６６を介しての発光効率が悪化してしまうが、半導体素子６２が形成されている領域に重なる位置にポスト６７を接着剤６３よりも光透過率の高い材質で形成することで、ポスト６７を介した光の透過が行われるために、発光効率を改善することが可能となる。また、さらに接着剤６３を光透過率が低い材質とすることにより、半導体素子６２が発光していない場合には黒沈み化した表示を行うことが可能である。
【００８５】
また図１４に示すように、支持基板６４をポスト６７および接着剤６３上に配置して、接着剤６３が硬化するまでの間に、金属板や石英板などの硬質かつ平坦な板である加圧板６９，７０を用いて、半導体成長基板６１および支持基板６４に加圧することもできる。この際、表面被覆層６６およびポスト６７を介して接着剤６３により接着される半導体成長基板６１と支持基板６４とが、加圧板６９，７０によって矜持され、加圧板６９，７０に印加された圧力は、半導体成長基板６１および支持基板６４の面全体に均一な加圧となる。
【００８６】
半導体成長基板６１および支持基板６４の面全体に均一な加圧が行われるため、基板の反りやうねりが半導体成長基板６１または支持基板６４に生じているような場合にも、接着剤６３の膜厚を均一なものにすることが可能となる。半導体成長基板６１または支持基板６４に反りやうねりが生じる原因としては、半導体成長基板６１または支持基板６４自体の研磨精度や、半導体成長基板６１上に形成した半導体素子６２と半導体成長基板６１との結晶格子の不整合、半導体成長基板６１上に形成した半導体素子６２と半導体成長基板６１との熱膨張係数の相違、半導体成長基板６１と表面被覆層６６との熱膨張係数の相違などが挙げられる。基板の貼り合わせにおいて接着剤６３の膜厚が均一であることにより、後工程での加工精度が向上する効果が期待できる。また半導体素子６２の配列でピッチのずれが発生しにくくなる効果も期待できる。
【００８７】
また、表面被覆層６６の形成が終了した図１３（ｂ）の段階で、表面被覆層６６の表面に対して、表面を活性化して接着剤６３との濡れ性が向上するような表面処理を施してもよい。表面処理としては、酸素プラズマアッシングやアルゴンプラズマ処理や酸処理、アルカリ処理などが挙げられるが、表面被覆層６６の材質および接着剤６３の種類に応じて適宜選択可能である。表面被覆層６６の表面を表面処理した後に接着剤６３の塗布を行うことにより、接着剤６３が表面被覆層６６上を拡散していく過程での接着剤６３への気泡の混入やボイドの発生を抑制することができる。
【００８８】
さらに、支持基板６４を接着剤６３上に配置する際に、支持基板６４の接着面側に予め部分的に接着剤６３を配置しておくことも可能である。支持基板４の接着面中心部分に接着剤３を塗布した状態は、図３（ａ）に示したものと同様になる。表面被覆層６６上の接着剤６３が表面張力によって凸形状になっている場合には、支持基板６４の接着面中心部分と表面被覆層６６上の接着剤６３が最初に接触するため、支持基板６４の接着面中心部分に接着剤６３を予め塗布しておくことで、接着剤６３と支持基板６４との最初の接触の際に、接着剤６３中に気泡が混入することやボイドが発生するを防止することができる。
【００８９】
支持基板４の接着面中心部分に加えて、接着面の外縁部分４箇所に接着剤３を予め塗布した状態は、図３（ｂ）に示したものと同様になる。外縁部分にも接着剤６３を塗布しておくことにより、支持基板６４で接着剤６３を圧迫して接着剤６３を表面被覆層６６上で拡げる際に、接着剤６３が一定方向に偏って拡がったとしても、外縁部分に塗布されている接着剤６３が一時的に接着剤６３の拡大を抑制し、他の方向への接着剤６３の拡大を促す効果が得られる。これにより一定方向にのみ接着剤６３が拡がって接着剤６３の充填失敗がおこることを防止することができ、均一な膜厚の接着剤６３の塗布を行うことができると考えられる。ここでは４箇所に均等間隔で接着剤６３を塗布した場合を示したが、３箇所以上に均等間隔に接着剤６３を塗布しておくことで同様の効果を得ることが可能であり、塗布位置および塗布箇所数は限定しない。
【００９０】
［第５の実施の形態］
さらに、本願発明の基板接着方法の他の実施の形態について、以下に図を参照して詳細に説明する。図１５は本願発明の実施の形態として、保持基板８１上に半導体素子８２を複数配置し、保持基板８１上の半導体素子８２が形成された面と支持基板８４とを接着剤８３によって接着した状態の模式的断面図を示す。
【００９１】
保持基板８１上には複数の半導体素子８２が配置され、個々の半導体素子８２上にはポスト８７が形成され、保持基板８１の半導体素子８２が配置された側の面（貼り合わせ面）には、半導体素子８２を覆うように表面被覆層８６が被膜されている。ポスト８７は表面被覆層８６から一定量突出しているため、ポスト８７を介して支持基板８４と保持基板８１とが接着剤８３によって貼り付けられている。また、保持基板８１の貼り合わせ面と反対側の面には、粘着フィルム９１が貼り付けられ、支持基板の貼り合わせ面と反対側の面には、粘着フィルム９２が貼り付けられている。粘着フィルム９１，９２は、それぞれ保持基板８１，支持基板８４よりも貼り付け面の面積が大きく、保持基板８１，支持基板８４の側方に一定量の余剰部分がはみ出した状態になっている。また、接着剤８３は支持基板８４と表面被覆層８６との間に、ポスト８７が介在することによって生じる間隙部分を充填している。また、保持基板８１，支持基板８４および表面被覆層８６の側面に廻り込んだ接着剤８３は、粘着フィルム９１，９２の余剰部分によって矜持されている。
【００９２】
ここで、保持基板８１としては例えばサファイア（Ａｌ２Ｏ３、Ａ面、Ｒ面、Ｃ面を含む。）基板を用いるが、面上に半導体素子８２を配置することに適した材質であればよい。半導体素子８２は例えば窒化ガリウム（ＧａＮ）系化合物半導体素子である。また、表面被覆層８６としては、例えばポリイミド樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が挙げられる。
【００９３】
ポスト８７は表面被覆層８６と支持基板８４との間隔を一定量に保ち、半導体素子８２との電気的接続を行うための柱状部材であり、各ポスト８７の高さは実質的に同一である。ポスト８７を構成する材質は導電材料であり、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）などの電気抵抗が比較的小さな金属もしくは導電性ペーストなどであることが望ましい。支持基板８４は、サファイア基板や石英基板や金属板などであり、用途に応じて選択されるが、接着剤８３との接着性および表面の平坦度が良好なものであることが望ましい。
【００９４】
粘着フィルム９１，９２は、シリコーン粘着剤を塗布したポリイミド系フィルムや、アクリル粘着剤を塗布したＰＥＴ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）フィルムなどの、粘着剤とフィルムによる多層構造で構成されている。
【００９５】
次に、保持基板８１と支持基板８４を接着する工程について、図１６を用いて以下に詳細に説明する。図１６（ａ）は保持基板８１であるサファイア基板上に、ＧａＮ系の半導体素子８２を配置した状態を示す概略断面図である。図１６（ａ）においては簡略化のために半導体素子８２の形状を直方体形状に表現しているが、円柱形状や円錐形状，六角錐形状などの形状として半導体素子８２を形成してもよい。
【００９６】
次に、半導体素子８２に対応する位置にマスキングを施してスパッタなどにより金属を積層して、図１６（ｂ）に示すように、個々の半導体素子８２上にポスト８７を形成する。
【００９７】
次に図１６（ｃ）に示すように、保持基板８１の半導体素子８２を配置した面（接着面）に、スピンコートによってポリイミド樹脂を塗布して、加熱処理を行ってポリイミド樹脂の固化を行い、表面被覆層８６を形成する。このとき、ポリイミド樹脂を用いる代わりにエポキシ樹脂などの樹脂を用いてもよい。表面被覆層８６の層厚は、ポスト８７が表面被覆層８６表面から一定量突出する程度に設定する。ここではポスト８７を形成した後に表面被覆層８６を形成するとしたが、接着面に表面被覆層８６を形成した後に、表面被覆層８６の半導体素子８２に対応する位置にビアを開けて金属を積層してポスト８７を形成するとしてもよい。
また、ポスト８７を構成する物質を、接着剤８３に対して選択的に除去される材質としても良い。これは、保持基板８１と支持基板８４とを接着した後に支持基板８４を除去し、更にその後に接着剤８３を残留させつつポスト８７を除去することが可能になることを意味する。ポスト８７の選択的な除去方法としては、ドライエッチングや有機溶剤溶解やウェットエッチングなどが挙げられるが、接着剤８３とポスト８７を構成する材質によって適宜決定されるものとする。ポスト８７を選択的に除去することによって、半導体素子８２まで到達するビアが形成されるので、半導体素子８２の電極を形成するためのビア形成を簡便に行うことが可能になる。
【００９８】
次に図１６（ｅ）に示すように、表面被覆層８６上に接着剤８３を塗布する。接着剤８３を塗布しただけでは、接着剤８３の表面張力によって接着剤は凸形状となってしまい、表面被覆層８６の表面全体を覆うとは限らない。このとき塗布される接着剤８３の量は、ポスト８７および表面被覆層８６の接着面の面積によって決定される容積よりも多くしておく。
【００９９】
その後、図１６（ｆ）に示すように、保持基板８１の接着面と反対側の面に粘着フィルム９１を貼り付け、支持基板８４であるサファイア基板の接着面と反対側の面に、粘着フィルム９２を貼り付ける。この際、図１６（ｇ）に示すように粘着フィルム９１，９２は保持基板８１および支持基板８４よりも貼り付け面の面積を大きくし、保持基板８１と支持基板８４に貼り付けると、一定量の余剰部分がはみ出した状態となる。
【０１００】
図１４に示すように、粘着フィルム９２を貼り付けた支持基板８４を、接着剤８３およびポスト８７上に配置し、金属板や石英板などの硬質かつ平坦な板である加圧板８９，９０を用いて、粘着フィルム９１，９２上から保持基板８１および支持基板８４に加圧する。この際、表面被覆層８６およびポスト８７を介して接着剤８３により接着される保持基板８１と支持基板８４とが、粘着フィルム９１，９２を介して加圧板８９，９０によって矜持され、加圧板８９，９０に印加された圧力は、保持基板８１および支持基板８４の面全体に均一な加圧となる。
【０１０１】
塗布された接着剤８３の量は、ポスト８７および表面被覆層８６の接着面の面積によって決定される容積よりも多いため、支持基板８４と表面被覆層８６との間隙部分に収まらない接着剤８３は、保持基板８１および支持基板８４および表面被覆層８６の側面に回りこむ。この際、粘着フィルム９１，９２の余剰部分が保持基板８１および支持基板８４の側方にまで延びていることにより、図１６（ｇ）に示したように、接着剤８３は粘着フィルム９１，９２によって矜持され、接着剤８３の表面張力が働いて接着剤８３の外部への流出を防止している。
【０１０２】
以上の工程によって直径２インチの保持基板８１と支持基板８２を、表面被覆層８６表面と支持基板８４表面との間隔を１０μｍとなるようにポスト８７で保持して接着を行ったところ、接着剤８３の層厚は誤差１．０〜１．５μｍ程度であった。
【０１０３】
導電材料であるポスト８７を半導体素子８２上に形成することにより、ポスト８７を半導体素子８２の電極として利用することができる。このため、後工程において半導体素子８２との電気的接続を確保するために、半導体素子８２まで到達するビアホールを形成して金属を充填する工程を省略することができる。
【０１０４】
粘着フィルム９１を保持基板８１に貼り付けたときは図１１の部分拡大図と同様になる。粘着フィルム９１は粘着剤９３とフィルム９４とによって構成される多層構造であるため、粘着フィルム９１と保持基板８１の間に、塵や金属粉などの微小な付着物９５などが存在した場合には、付着物９５が粘着剤９３の層に埋没する。粘着フィルム９２と支持基板８４との間でも同様の効果が期待できる。したがって、加圧板８９，９０を用いて粘着フィルム９１，９２上から加圧を行った場合の、付着物周辺への圧力の集中を防止することができ、全面に均一な加圧を行って、接着剤８３の膜厚が均一となるように保持基板８１と支持基板８４の接着を行うことが可能となる。
【０１０５】
また、粘着フィルム９１，９２の余剰部分で、保持基板８１および支持基板８４および表面被覆層８６の側面に廻り込んだ接着剤８３を矜持して保持することにより、支持基板８４と表面被覆層８６との間から接着剤８３が流出して、支持基板８４と表面被覆層８６との間隙部分に接着剤８３が不在となるようなボイドの発生を抑制することが可能となる。
【０１０６】
また、保持基板８１や支持基板８４の接着面と反対側の面に、接着剤８３が廻り込んでしまうと、後工程での基板剥離時やフォトリソグラフィ時の加工精度が低下してしまう。しかし、保持基板８１および支持基板８４の接着面と反対側の面には、粘着フィルム９１，９２が面全体に渡って貼り付けられているために、保持基板８１および支持基板８４の接着面と反対側の面に接着剤８３が回りこむことを防止することができる。
【０１０７】
また図１７に示すように、支持基板８４をポスト８７および接着剤８３上に配置して、接着剤８３が硬化するまでの間に、金属板や石英板などの硬質かつ平坦な板である加圧板８９，９０を用いて、保持基板８１および支持基板８４に加圧することもできる。この際、表面被覆層８６およびポスト８７を介して接着剤８３により接着される保持基板８１と支持基板８４とが、加圧板８９，９０によって矜持され、加圧板８９，９０に印加された圧力は、保持基板８１および支持基板８４の面全体に均一な加圧となる。
【０１０８】
保持基板８１および支持基板８４の面全体に均一な加圧が行われるため、基板の反りやうねりが保持基板８１または支持基板８４に生じているような場合にも、接着剤８３の膜厚を均一なものにすることが可能となる。保持基板８１または支持基板８４に反りやうねりが生じる原因としては、保持基板８１または支持基板８４自体の研磨精度や、保持基板８１上に形成した半導体素子８２と保持基板８１との結晶格子の不整合、保持基板８１上に形成した半導体素子８２と保持基板８１との熱膨張係数の相違、保持基板８１と表面被覆層８６との熱膨張係数の相違などが挙げられる。基板の貼り合わせにおいて接着剤８３の膜厚が均一であることにより、後工程での加工精度が向上する効果が期待できる。また半導体素子８２の配列でピッチのずれが発生しにくくなる効果も期待できる。
【０１０９】
また、表面被覆層８６の形成が終了した図１６（ｃ）の段階で、表面被覆層８６とポスト８７の表面に対して、表面を活性化して接着剤８３との濡れ性が向上するような表面処理を施してもよい。表面処理としては、酸素プラズマアッシングやアルゴンプラズマ処理や酸処理、アルカリ処理などが挙げられるが、表面被覆層８６の材質および接着剤８３の種類に応じて適宜選択可能である。表面被覆層８６とポスト８７の表面を表面処理した後に接着剤８３の塗布を行うことにより、接着剤８３が表面被覆層８６上を拡散していく過程での接着剤８３への気泡の混入やボイドの発生を抑制することができる。
【０１１０】
さらに、支持基板８４を接着剤８３上に配置する際に、支持基板８４の接着面側に予め部分的に接着剤８３を配置しておくことも可能である。支持基板４の接着面中心部分に接着剤３を塗布した状態は、図３（ａ）に示したものと同様になる。表面被覆層８６上の接着剤８３が表面張力によって凸形状になっている場合には、支持基板８４の接着面中心部分と表面被覆層８６上の接着剤８３が最初に接触するため、支持基板８４の接着面中心部分に接着剤８３を予め塗布しておくことで、接着剤８３と支持基板８４との最初の接触の際に、接着剤８３中に気泡が混入することやボイドが発生するを防止することができる。
【０１１１】
支持基板４の接着面中心部分に加えて、接着面の外縁部分４箇所に接着剤３を予め塗布した状態は、図３（ｂ）に示したものと同様になる。外縁部分にも接着剤８３を塗布しておくことにより、支持基板８４で接着剤８３を圧迫して接着剤８３を表面被覆層８６上で拡げる際に、接着剤８３が一定方向に偏って拡がったとしても、外縁部分に塗布されている接着剤８３が一時的に接着剤８３の拡大を抑制し、他の方向への接着剤８３の拡大を促す効果が得られる。これにより一定方向にのみ接着剤８３が拡がって接着剤８３の充填失敗がおこることを防止することができ、均一な膜厚の接着剤８３の塗布を行うことができると考えられる。ここでは４箇所に均等間隔で接着剤８３を塗布した場合を示したが、３箇所以上に均等間隔に接着剤８３を塗布しておくことで同様の効果を得ることが可能であり、塗布位置および塗布箇所数は限定しない。
【０１１２】
【発明の効果】
半導体成長基板の半導体素子が形成されて凸部が存在する面に、表面被覆層を形成した後に接着剤の塗布を行うことにより、接着剤の回りこみ不良であるボイドの発生を防止することができる。
【０１１３】
また、表面被覆層の形成が終了した段階で、表面被覆層の表面に対して、接着剤との濡れ性が向上するような表面処理を施し、表面被覆層の表面を表面処理した後に接着剤の塗布を行うことにより、接着剤が表面被覆層上を拡散していく過程での接着剤への気泡の混入やボイドの発生を抑制することができる。
【０１１４】
さらに、支持基板を接着剤上に配置する際に、支持基板の接着面側に予め部分的に接着剤を配置しておくことで、接着剤３と支持基板４との最初の接触の際に、接着剤３中に気泡が混入することやボイドが発生するを防止することができる。
【０１１５】
支持基板の接着面中心部分に加えて、接着面の外縁部分４箇所に接着剤を予め塗布しておくことにより、支持基板で接着剤を圧迫して接着剤を表面被覆層上で拡げる際に、接着剤が一定方向に偏って拡がったとしても、外縁部分に塗布されている接着剤が一時的に接着剤の拡大を抑制し、他の方向への接着剤の拡大を促す効果が得られる。これにより一定方向にのみ接着剤が拡がって接着剤の充填失敗がおこることを防止することができ、均一な膜厚の接着剤の塗布を行うことができると考えられる。
【０１１６】
また、実質的に同一の高さの柱状部材であるポストを介して、半導体成長基板と支持基板とが接着剤によって接着されるため、接着剤の膜厚を均一にすることができる。
【０１１７】
また、ポスト形成後に加熱処理を施すことで、ポストの熱処理を行って角部分が丸みを帯びた柱状部材へと変形する。角部分が丸みを帯びていることにより、接着剤の回りこみ不良であるボイドの発生を抑制することができると考えられる。
【０１１８】
また支持基板をポストおよび接着剤上に配置して、接着剤が硬化するまでの間に、金属板や石英板などの硬質かつ平坦な板である加圧板を用いて、半導体成長基板および支持基板に加圧すると、半導体成長基板および支持基板の面全体に均一な加圧が行われるため、基板の反りやうねりが半導体成長基板または支持基板に生じているような場合にも、接着剤の膜厚を均一なものにすることが可能となる。基板の貼り合わせにおいて接着剤の膜厚が均一であることにより、後工程での加工精度が向上する効果が期待できる。また半導体素子の配列でピッチのずれが発生しにくくなる効果も期待できる。
【０１１９】
半導体素子基板または支持基板に粘着フィルムを貼り付けて加圧を行うと、粘着フィルムは粘着剤とフィルムによって構成される多層構造であるため、粘着フィルムと半導体成長基板の間または粘着フィルムと支持基板との間に、微小な付着物などが存在した場合には、付着物が粘着剤の層に埋没する。したがって、加圧板を用いて粘着フィルム上から加圧を行った場合の、付着物周辺への圧力の集中を防止することができ、全面に均一な加圧を行って、接着剤の膜厚が均一となるように半導体成長基板と支持基板の接着を行うことが可能となる。
【０１２０】
また、半導体成長基板と支持基板に貼り付けた粘着フィルムの余剰部分で半導体成長基板および支持基板および表面被覆層の側面に廻り込んだ接着剤を矜持して保持することにより、支持基板と表面被覆層との間から接着剤が流出して、支持基板と表面被覆層との間隙部分に接着剤が不在となるようなボイドの発生を抑制することが可能となる。
【０１２１】
半導体素子上に形成するポストを導電材料とすることにより、ポストを半導体素子の電極として利用することができる。このため、後工程において半導体素子との電気的接続を確保するために、半導体素子まで到達するビアホールを形成して金属を充填する工程を省略することができる。また、半導体素子上に形成するポストを、接着剤に対して選択的に除去される材質とすることにより、保持基板と支持基板とを接着した後に支持基板を除去し、ポストを選択的に除去することができ、半導体素子まで到達するビアが形成されるので、半導体素子の電極を形成するためのビア形成を簡便に行うことが可能になる。
【０１２２】
半導体素子が形成されている領域に重なる位置にポストを透明な材質で形成すると、ポストを介した光の透過が行われるために、発光効率を改善することが可能となる。また、さらに接着剤を光透過率が低い材質とすることにより、半導体素子が発光していない場合には黒沈み化した表示を行うことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明の第１の実施の形態である基板接着方法により接着された基板の概略断面図である。
【図２】第１の実施の形態である基板接着方法の工程別概略断面図である。
【図３】支持基板側に接着剤を塗布する場合を示す平面図である。
【図４】本願発明の第２の実施の形態である基板接着方法により接着された基板の概略断面図である。
【図５】第２の実施の形態である基板接着方法の工程別概略断面図である。
【図６】第２の実施の形態において、ポストの形成後に加熱処理を施して、ポストの角部分を丸く変形した場合を示す模式断面図である。
【図７】加圧板を用いて全面に均一に加圧を行う場合を示す概略断面図である。
【図８】本願発明の第３の実施の形態である粘着フィルムを用いた基板接着方法により接着された基板の概略断面図である。
【図９】第３の実施の形態である粘着フィルムを用いた基板接着方法の工程別概略断面図である。
【図１０】第３の実施の形態で、加圧板を用いて全面に均一に加圧を行う場合を示す概略断面図である。
【図１１】粘着フィルムと基板の間に付着物が存在する場合を示す拡大断面図である。
【図１２】本願発明の第４の実施の形態である粘着フィルムを用いた基板接着方法により接着された基板の概略断面図である。
【図１３】第４の実施の形態である粘着フィルムを用いた基板接着方法の工程別概略断面図である。
【図１４】第４の実施の形態で、加圧板を用いて全面に均一に加圧を行う場合を示す概略断面図である。
【図１５】本願発明の第５の実施の形態である半導体素子上に金属のポストを形成する基板接着方法により接着された基板の概略断面図である。
【図１６】第５の実施の形態である半導体素子上に金属のポストを形成する基板接着方法の工程別概略断面図である。
【図１７】第５の実施の形態で、加圧板を用いて全面に均一に加圧を行う場合を示す概略断面図である。
【図１８】基板の凸部が存在する面に接着剤を塗布して、他の基板と貼り合わせた場合の、ボイドの発生を示す模式断面図である。
【符号の説明】
１，２１，４１，６１    半導体成長基板
８１            保持基板
２，２２，４２，６２，８２    半導体素子
３，２３，４３，６３，８３    接着剤
２４，４４，６４，８４    支持基板
５            ボイド
６，２６，４６，６６，８６    表面被覆層
２７，４７，６７，８７        ポスト
２８，４８，６８        感光性樹脂層
２９，３０，４９，５０，６９，７０，８９，９０    加圧板
５２，７１，７２，９１，９２        粘着フィルム
５３，７３，９３            粘着剤
５４，７４，９４            フィルム
５５，７５，９５            付着物
【図１】
0004333080.tif 000002
【図２】
0004333080.tif 000003
【図３】
0004333080.tif 000004
【図４】
0004333080.tif 000005
【図５】
0004333080.tif 000006
【図６】
0004333080.tif 000007
【図７】
0004333080.tif 000008
【図８】
0004333080.tif 000009
【図９】
0004333080.tif 000010
【図１０】
0004333080.tif 000011
【図１１】
0004333080.tif 000012
【図１２】
0004333080.tif 000013
【図１３】
0004333080.tif 000014
【図１４】
0004333080.tif 000015
【図１５】
0004333080.tif 000016
【図１６】
0004333080.tif 000017
【図１７】
0004333080.tif 000018
【図１８】
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