(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体基板と、前記絶縁体基板上に形成された多結晶薄膜と、前記多結晶薄膜上に形成されたソース、ドレイン、チャネル及びゲートからなるトランジスタとを有し、前記トランジスタのチャネル部における前記多結晶薄膜は、シリコンゲルマニウム多結晶Ｓｉ１−ｘＧｅｘからなり、ただし、Ｓｉに対するＧｅの組成比ｘは０＜x＜１であり、かつ前記多結晶薄膜中のＧｅの組成比xは、結晶粒内でＧｅ組成が最小となる部分よりも粒界において大きく、前記多結晶Ｓｉ１−ｘＧｅｘ薄膜は、粒界における表面凹凸が３０ｎｍ以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ装置。
【請求項２】
前記多結晶薄膜の厚さが１０〜１００nmであり、前記多結晶薄膜を構成する結晶粒内でＧｅ組成が最小となる部分におけるＧｅの組成比xが０＜x≦０.１、粒界におけるＧｅの組成比xが０.３≦x＜１.０であって、前記Ｇｅの組成比xは常に結晶粒の中心部よりも粒界において大きいことを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項３】
前記トランジスタのチャネル部を流れる主キャリアが正孔であることを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項４】
絶縁体基板上に、膜厚10〜100nmの非晶質Ｓｉ1-xGex層、ただし、Ｓｉに対するＧｅの組成比ｘは０＜x＜１、を形成する工程と、前記非晶質Ｓｉ1-xGex層をエネルギー密度200〜300mJ/cm2、パルス数1〜50個のエキシマレーザーにより結晶化する熱処理工程とを有し、非晶質Ｓｉ1-xGex層を多結晶Ｓｉ1-xGexにＧｅの組成比ｘを０＜x＜１で変化させ、前記多結晶薄膜中のＧｅの組成比ｘを、結晶粒内でＧｅ組成が最小となる部分よりも粒界において大きくなるようにしたことを特徴とする薄膜トランジスタ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜トランジスタ装置およびその製造方法に係り、特に多結晶シリコン（poly-Si）薄膜を用いたトランジスタに好適な薄膜トランジスタ装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
薄膜トランジスタ装置は、例えば液晶表示装置（ＬＣＤ）やプラズマ表示装置（ＰＤＰ）等の主として画像表示装置に、画素もしくは周辺回路駆動用薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）として用いられている。
【０００３】
従来の薄膜トランジスタが形成される母体薄膜には、主として高温多結晶Siが用いられてきた。これは絶縁体基板である石英基板上に、900℃前後の高温熱処理によって多結晶Si（poly-Si）薄膜を形成したもので、比較的大きな粒径（例えば500〜600nm）の多結晶Siが形成される。
【０００４】
この高温多結晶Si（以下、高温poly-Siと言う）薄膜上に形成されたＴＦＴは、粒界密度が低く結晶性のよいSi薄膜をチャネルとして利用するために、電界効果移動度が100〜150[cm2/Vs]とSi基板上の従来型Si-LSiのそれ(〜500[cm2/Vs],文献 S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, p.29, Second Edition, Wiley)に近い値を得ることができる。
【０００５】
しかし、この高温poly-Siは、高温プロセスに耐えられるよう絶縁体基板として高価な石英基板を使用する必要があるため、基板コストが原因となって半導体装置全体のコスト低減が困難でＴＦＴの普及が制限されていた。
【０００６】
近年、これに代わるものとして低温多結晶Si（以下、低温poly-Siと言う）が盛んに研究されてきた。これは、低コストのガラス基板あるいはプラスティック基板上にプラズマＣＶＤ法等のプロセスで形成した非晶質Siを、エキシマレーザーアニールなどの溶融再結晶化法を用いて結晶化した多結晶Siである。この手法を用いると、多結晶Si薄膜を低温（〜150℃）で形成可能のため、非常に廉価なＴＦＴを形成できるという利点がある。
【０００７】
しかし、これまでの低温poly-Siは、高温poly-Siと比べて結晶粒径が小さく（〜100nm）、かつ表面凹凸の大きな（〜50nm）多結晶Siしか形成することができなかった。
【０００８】
結晶粒径が小さいと、キャリア経路に存在する粒界密度が大きくなり、粒界散乱を通してキャリア移動度を低下させてしまうという欠点がある。
また、表面凹凸が大きいと、ゲートリーク電流を抑えるためにその分ゲート絶縁膜を厚く（〜100nm）する必要が生じ、そのため同じゲート電圧によってチャネルに誘起されるキャリア数が小さくなるために、やはりキャリア移動度を低下させてしまう。
【０００９】
このため従来の低温poly-Siを素子材とした製品ベースのＴＦＴでは電界効果移動度が電子キャリアの場合で〜150[cm2/Vs]、正孔キャリアの場合で〜50[cm2/Vs]程度に抑えられていた。このような小さな移動度では必要とされる素子速度に到達できないために、同一のガラス（あるいはプラスティック）基板上に形成できる素子の種類が制限されるという問題が起こる。
【００１０】
例えば画像表示装置の場合では、比較的要求性能が低い画素回路部はガラス（あるいはプラスティック）上に形成できるがその他の要求性能が高いソースドライバ、ゲートドライバ、シフトレジスタ、周辺コントローラなどの回路は、同一基板上に形成できないため、従来のSi-LSI技術を用いた半導体チップとしてプリント基板上に集積し、これをガラス基板と接続して用いなければならない。
【００１１】
このような方法では、周辺回路部を実装する面積によって画面サイズが小さく（４インチ〜１０インチ）なる上に、画像表示装置全体のコストが非常に高くなってしまうという問題があった。さらに、将来の市場が有望視される省電力画像表示装置ではＴＦＴのCMOS（相補型MOS）化が必須であるが、そのためには正孔キャリアの電界効果移動度に対する要求性能はさらに大きくなると予測される。
【００１２】
このような問題を改善するためには、低温poly-Siの粒界散乱を抑制し、かつ表面凹凸を小さくできるような多結晶薄膜を実現することでＴＦＴを高性能化する技術が必要である。これまで低温poly-Siを、このように高機能化するために以下に例示するように様々な技術が提案されてきた。
【００１３】
それらは例えば、絶縁体基板上に形成された非晶質Si膜に選択的に結晶化を助長する金属元素を導入し、基板に平行方向に結晶成長を行わせることにより、キャリア移動方向に[111]軸を持った多結晶Siを形成する技術（例えば特開平7-321339号公報）；熱処理用ビームの形状と照射位置移動量を精密に制御して基板垂直方向に＜100＞軸、ビーム走査方向に平行（または45°の角度）の{220}面を持った矩形状多結晶Siを形成する技術（例えば特開平10-41234号公報）；基板上に第１の多結晶Si層を形成し、異方性エッチングで特定面（{100}、{110}、{111}）のいずれかを持った種結晶を形成、その上に第２の多結晶Si層を形成することにより、面方位の揃った柱状の多結晶Si層を形成する技術（例えば特開平8-55808号公報）などである。
しかし、これら数多くの試みにもかかわらず、十分高移動度のＴＦＴを得るにはいたっていない。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の低温poly-Si薄膜の結晶化法はいずれも十分に完成した技術とは言えず、到達できる最大粒径、表面凹凸のいずれをとっても、例えば周辺回路集積型の液晶表示パネルに要求されるＴＦＴの要求性能には及んでいない。このためこれらの技術では既存の低機能の薄膜トランジスタ装置を十分に置き換えるにはいたっていない。従って高性能で大面積の画像表示装置を低コストで実現すると言う技術課題は極めて重要である。
【００１５】
そこで、本発明の第一の目的はＴＦＴの素子材となる低温poly-Siにおいて、結晶粒界でのキャリア散乱を抑制し、表面凹凸を小さくして、正孔キャリアについても高移動度が実現できるような結晶構造を持つ多結晶薄膜を実現して、従来技術では得られない特性の優れた薄膜トランジスタ装置を提供することにあり、第二の目的はこの薄膜トランジスタ装置を容易に得ることのできる製造方法を提供することにあり、第三の目的はこの薄膜トランジスタ装置を用いた画像表示装置を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明者等はＴＦＴを形成するための低温poly-Siについて種々実験検討の結果、poly-Si薄膜中にGeを導入し、結晶化に伴う相分離で結晶粒内と結晶粒界との間にGe組成比を異ならせることで（詳しくは結晶粒界のGe組成比を結晶粒内でＧｅ組成が最小となる部分よりも大きくする）、結晶粒界におけるキャリア散乱要因を抑制し、かつ結晶の体積差を利用して表面凹凸を抑制することにより高移動度ＴＦＴを実現することができると言う重要な知見を得た。
【００１７】
本発明は、このような知見に基づいてなされたもので、上記第一の目的は、絶縁体基板と、前記絶縁体基板上に形成された多結晶薄膜と、前記多結晶薄膜上に形成されたソース、ドレイン、チャネル及びゲートからなるトランジスタとを有し、前記トランジスタのチャネル部における前記多結晶薄膜は、シリコンゲルマニウム多結晶Ｓｉ1-xＧｅxからなり、ただし、Ｓｉに対するＧｅの組成比ｘは０＜x＜１であり、かつ前記多結晶薄膜中のＧｅの組成比xは、結晶粒内でＧｅ組成が最小となる部分よりも粒界においてより大きいことを特徴とする薄膜トランジスタ装置により、達成される。
【００１８】
そして好ましくは、前記多結晶薄膜の厚さが１０〜１００nmであり、前記多結晶薄膜を構成する結晶粒の中心部におけるＧｅの組成比xが０＜x≦０.３、粒界におけるＧｅの組成比xが０.１≦x＜１.０であって、前記Ｇｅの組成比xは常に結晶粒内でＧｅ組成が最小となる部分よりも粒界においてより大きいことである。
【００１９】
さらに好ましい本発明薄膜トランジスタ装置の特徴点を以下に列挙する。
上記薄膜トランジスタ装置において、多結晶Ｓｉ1-xＧｅx薄膜は、粒界における表面凹凸が３０ｎｍ以下であることを特徴とする。
【００２０】
上記薄膜トランジスタ装置において、 前記トランジスタのチャネル部を流れる主キャリアが正孔であることを特徴とする。
【００２１】
上記薄膜トランジスタ装置は、絶縁体基板と、前記絶縁体基板上に形成された多結晶薄膜と、前記多結晶薄膜上に形成されたソース、ドレイン、チャネル及びゲートからなるトランジスタとを有し、前記トランジスタのチャネル部における前記結晶薄膜は、基板に平行な{110}結晶面を有し、粒界における平均格子定数が結晶粒内部における平均格子定数より大きいことを特徴とする。
【００２２】
上記薄膜トランジスタ装置は、絶縁体基板と、前記絶縁体基板上に形成された多結晶Ｓｉ1-xGex薄膜、ただし、Ｓｉに対するＧｅの組成比ｘは０＜x＜１と、前記多結晶Ｓｉ1-xGex薄膜上に形成されたソース、ドレイン、チャネル及びゲートからなるトランジスタを複数個集積して構成した回路部とを保持し、前記回路部はｐタイプのトランジスタ及びｎタイプのトランジスタの両者を混在させたＣＭＯＳ型トランジスタを含むことを特徴とする。
【００２３】
そして上記薄膜トランジスタ装置は、前記回路部を構成するｐタイプのトランジスタのGe組成比xが、ｎタイプのトランジスタのＧｅ組成比より大きいことを特徴とする。
【００２４】
上記第二の目的は、絶縁体基板上に、膜厚10〜100nmの非晶質Ｓｉ1-xGex層、ただし、Ｓｉに対するＧｅの組成比ｘは０＜x＜１、を形成する工程と、前記非晶質Ｓｉ1-xGex層をエネルギー密度200〜300mJ/cm2、パルス数1〜50個のエキシマレーザーにより結晶化する熱処理工程とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ装置の製造方法により、達成される。
【００２５】
そして好ましくは、上記薄膜トランジスタ装置の製造方法において、前記熱処理工程は、前記非晶質Ｓｉ1-xGex層の膜厚がＴnmのときエネルギー密度を（180+Ｔ）〜（200+Ｔ）mJ/cm2として、膜厚に対応して変化させることを特徴とする。
【００２６】
上記第三の目的は、画像表示部と、前記画像表示部の表示を制御し、少なくともデータドライバ、ゲートドライバ及びバッファアンプを含む画像表示回路と、前記画像表示回路の周辺に位置して前記画像表示回路を制御する周辺回路部とを有する画像表示装置であって、前記画像表示回路及び前記周辺回路部は、前記画像表示部を構成する基板と同一の基板上に集積されると共に、前記画像表示回路及び前記周辺回路部は、絶縁体基板と、前記絶縁体基板上に形成された多結晶Ｓｉ1-xGex薄膜、ただし、Ｓｉに対するＧｅの組成比ｘは０＜x＜１と、前記多結晶Ｓｉ1-xGex薄膜上に形成されたソース、ドレイン、チャネル及びゲートからなるトランジスタを複数個集積して構成した回路部とを保持し、前記回路部はｐタイプのトランジスタもしくはｎタイプのトランジスタのいずれか一方、もしくは両者を混在させたＣＭＯＳ型トランジスタを含むことを特徴とする画像表示装置により、達成される。
【００２７】
そして好ましくは、上記画像表示装置において、前記回路部を構成するｐタイプトランジスタのGe組成比xが、ｎタイプトランジスタのＧｅ組成比より大きいことを特徴とする。
【００２８】
更に好ましくは、前記回路部に前記ｐタイプトランジスタ、前記ｎタイプトランジスタ及び前記ＣＭＯＳ型トランジスタのいずれかの種類を区別するために、これら回路近傍に設けられた位置合わせマークを保持することを特徴とする。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、図６〜図１２を用い従来技術との対比において、本発明の特徴であるSiGeの結晶成長特性について詳細に説明する。なお、本明細書では結晶面方位(110)、(101)、(011)のように結晶学的に等価な面方位群をまとめて{110}のように表記している。
【００３０】
図６は、従来ＴＦＴの母材であるエキシマレーザーアニールにより形成した多結晶Si薄膜の表面SEM（走査電子顕微鏡）像である。
なお、この多結晶Si薄膜は、ガラス基板上に周知のプラズマＣＶＤ法によって膜厚50nmに成膜し、それをエキシマレーザーにより、エネルギー密度340mJ/cm2の条件でアニールしたものである。
【００３１】
この低温poly-Siの平均粒径は50〜100nmと比較的小さめの例を挙げたが、現在到達できる最大粒径は200〜300nm程度である。しかし、粒径が大きくなるにしたがい粒径ばらつきも増大し、その結果ＴＦＴ移動度に大きなばらつきが生じることが問題となっている。
【００３２】
このため実用的な結晶粒径としては図に挙げた50〜100nmが典型例である。各結晶粒の粒界は暗いコントラストとなっているが、それに隣接した部分においてところどころ明るいコントラストの領域が見られる。このようなコントラストの違いは表面凹凸に相当する。
【００３３】
エキシマレーザーアニールなどの熱処理法では溶融から固化する過程でSi結晶の体積膨張を伴う。このため各結晶粒がぶつかり合う粒界付近では膨張した体積分を逃がすために基板に垂直な上方向へ膜を持ち上げる力が働く。結晶粒界の３重点付近ではこの力がさらに大きくなり表面凹凸の原因となっている。膜厚50nmのSi多結晶に対し平均的表面凹凸は50nmにも達する。
【００３４】
図７は、本発明の低温多結晶Si1-xGex薄膜の表面SEM像（左図）および平面TEM（透過電子顕微鏡）像である。Ge組成比はx=0.3、KrFエキシマレーザーエネルギー密度240mJ/cm2、30回照射により形成したものである。
【００３５】
なお、この場合も多結晶Si薄膜は、ガラス基板上に周知のプラズマＣＶＤ法によって膜厚50nmに成膜したが、その際にＣＶＤガス中にソースとしてＧｅをＳｉに対して３０mol％導入し、Si0.7Ge0.3薄膜（以下、単にSiGe薄膜と略記）とした。それをエキシマレーザーにより、エネルギー密度240mJ/cm2の条件でアニールしたものである。
【００３６】
図７の左図を見ると、結晶粒径は図６の多結晶Si薄膜のそれとほとんど同じであるが、粒内と粒界のコントラスト関係が反転していることがわかる。これは図６の場合とは逆に、粒界の方が粒内より上に凸となっていることが原因である。元素分析の結果、この粒界には粒内よりはるかに高濃度のGeが検出され、その高濃度領域と本図における明るいコントラスト領域とはほぼ一致した。
【００３７】
この多結晶Si0.7Ge0.3薄膜の平面TEMの暗視野像（図７の右図）を見ると結晶構造の詳細を知ることができる。本図（図７の右図）では基板面に平行な{110}面が明るく表示されるような条件で測定されている。図を見るとほとんどの結晶粒は同じ明るさに揃っており、若干数の黒い粒が間に存在することがわかる。結晶粒内にはスタッキングフォールトか双晶と思われる直線上の模様がところどころ見えるがそれ意外はほぼきれいな単結晶となっていることがわかる。
【００３８】
図８は、図７に示した本発明の低温多結晶SiGe薄膜の結晶構造模式図である。大部分の結晶粒が基板に平行な{110}面を持って揃っており、若干数の面方位の異なる粒が間に存在している。これら面方位の異なる粒は条件を変えたTEM観察によって、{110}面が基板平行面から1〜10度傾いたものであることがわかっている。このため本発明の多結晶SiGe薄膜は基本的に{110}面方位を持った多結晶であることがわかる。各粒内はアニール前に導入していたGe組成比よりSi-richであり、粒界ではそれに対しGe組成比の大きな結晶となっている。
【００３９】
このような相分離（Ge組成比が結晶粒内と粒界とで異なる）が起こる原因は、Si中におけるGeの拡散係数とSi対Geの結合エネルギーに起因している。非晶質Si中のGe拡散係数は比較的大きく600℃でもD=8.0×10-20[m2/s]である（文献S. M. Prokes and F. Spaepen, Appl. Phys. Lett., vol 47, p234 (1985)参照）。
【００４０】
このような移動条件のもと結晶が安定な格子を組むためには、各原子間の結合エネルギーを最小化した方がよい。Si-Si、Si-Ge、Ge-Ge間の結合エネルギーはそれぞれ3.73eV、3.65eV、3.56eVである（文献K. Nakagawa, N. Sugii, S. Yamaguchi, and M. Miyao, J. Cryst. Growth, vol 210, p560, (1999)参照）。
【００４１】
このためGeはSiと結合するよりGe同士で結合する方がエネルギー的に安定となる。アニール前にSiの方がGeより多い条件に設定しておくと、結晶化の初期段階である任意の場所にSi結晶核ができ、それが成長する過程においてGeを周辺に追い出しながらSiを多く内包した結晶粒が成長する。このような結晶粒がいたるところ成長することにより、上述のような結晶構造を持つ多結晶SiGeが形成されると思われる。
【００４２】
このような複数種からなる元素間の相分離自体は従来から知られている。相分離した元素それぞれをｐ型／ｎ型に切り分けることで多結晶薄膜を熱電変換材料に利用した例もある（例えば特開平2000-261043号公報）。しかし、本発明の多結晶SiGe薄膜のように粒界構造のいたるところできれいにGe-richとなり、以下で述べるように粒界における表面凹凸を抑制できＴＦＴに応用できる多結晶SiGe薄膜はこれまで知られていない。
【００４３】
また、このようにGe-richな相ができると特に正孔移動度にとって有利な構造となる。材料自体の性質として単結晶Ge（電子移動度〜3000cm2/Vs、正孔移動度〜1500cm2/Vs）は、単結晶Si（電子移動度〜1500cm2/Vs、正孔移動度〜500cm2/Vs）より大きな移動度を持っている（文献M. V. Fischetti and S. E. Laux, J. Appl. Phys. Vol 80, p2234, (1996)参照）。
【００４４】
従来問題視されてきたGe／酸化膜界面安定性の問題も熱酸化膜ではなく堆積酸化膜であればそれほど問題ではないこともわかっている。このような潜在能力の高いGeがＴＦＴで用いられていない理由は形成できる多結晶Geの粒径が極めて小さく粒界散乱が大きくて実用にならないからである。しかし本発明のような多結晶SiGe薄膜構造であれば粒径は多結晶Si薄膜のそれに匹敵し、散乱の大きい粒界付近に高移動度のGe-rich相が存在することにより全体として高移動度を実現できるという利点がある。
【００４５】
図９は、従来の多結晶Si薄膜のSEM像（左図）の四角領域におけるAFM（原子間力顕微鏡）像（右図）である。このAFM像は表面凹凸をそのまま直接コントラスト比で表示している。多結晶Si薄膜における結晶粒の３重点付近でいたるところ明るい凸部が見られる。これら凸部の頂点と凹部の底との高低差は上述したように約50nmと非常に大きい。これは体積膨張によって働く上向きの力が３重点で極めて大きいためである。
【００４６】
一方、図１０は、本発明の多結晶SiGe薄膜のSEM像（左図）、およびその四角領域におけるAFM像（右図）である。AFM像を見れば明らかなように粒界に相当する部分でまんべんなく明るく、凸部が形成されていることがわかる。
【００４７】
図１１の左図は、上記図１０の右図と同様のAFM像であるが、右図はその直線部分における高低差分布を示す図である。この図から明るい部分が凸部、暗い部分が凹部に相当することがはっきりわかる。この凸部の頂点と凹部の底との高低差は最大で20nm程度と上述の図７に示した多結晶Si薄膜の50nmと比較して大幅に抑制されていることがわかる。
【００４８】
これは主としてSi、Ge間で体積膨張係数や弾性係数が異なることが原因と考えられる。つまり、アニール前には非晶質SiGe混晶としての格子定数（＞非晶質Si）で薄膜が形成されていたが、固化する際の相分離によって比較的硬いSi結晶の周りに柔らかいGe-rich相が形成されることで体積膨張分を粒界で緩和でき、その結果表面凹凸を抑制できていると考えられる。いずれにしても本発明の多結晶SiGe薄膜は、従来の多結晶Si薄膜より非常に小さな表面凹凸しか持たないことがわかる。
【００４９】
図１２は、本発明の多結晶SiGe薄膜を形成するために必要なレーザーアニール条件を、Ge組成比x＝0.3の場合を例に示したものである。横軸は、エキシマ(KrF)レーザーのエネルギー密度[mJ/cm2]、縦軸は多結晶SiGe薄膜の膜厚(nm)であり、照射回数はすべて30回である。エネルギー密度を最低の140[mJ/cm2]から徐々に増大させていくと、表面凸部を示す明るいコントラスト領域がしだいに増していく。
【００５０】
このうち膜厚50nmおよび30nmの場合だけ、それぞれ240[mJ/cm2]、220[mJ/cm2]で特異的に凸部が結晶粒界構造に一致することがわかる。このような構造は他のGe組成比（たとえばx=0.1など）でも見ることができるが、いずれの場合も極めて狭いアニール条件においてしか実現できないことがわかっている。この原因は、アニール前に導入したGe濃度が固化過程でちょうど偏析できる条件がそれほど広くないことによるためと思われるが、本発明ではこれら特異的なアニール処理条件で実現する多結晶SiGe薄膜を有効利用する。
以上で本発明の特徴である多結晶SiGe薄膜の結晶成長特性についての説明を終わる。以下では本発明の実施例に関する説明を行。
【００５１】
【実施例】
以下、図１〜図５を用いて本発明の実施例を具体的に説明する。
（実施例１）
図１は、本発明の第１の実施例に係わる薄膜ｔランジスタ装置の展開図である。上段が縦断面図、その下段はチャネル部分を横（Ｘ−Ｘ‘方向）に切断した平面図である。ガラス板からなる絶縁体基板１上に、下記のプラズマＣＶＤによる成膜条件、及びレーザーアニール条件で多結晶Si1-xGex薄膜２を形成した。
【００５２】
すなわち、原料ガスとして、シラン及びゲルマンを用い、Ｓｉ対Ｇｅの流量比が0.7対0.3になるようにガス量を調整しながら、合計膜厚が50nmとなるようプラズマＣＶＤにより非晶質Si1-xGex薄膜を形成した。
【００５３】
次に、成膜した表面に対し、レーザーアニール条件としてエネルギー密度240[mJ/cm2]、パルス数３０回、パルス周波数100Hzでエキシマレーザーを照射し、多結晶Si1-xGex薄膜２を形成した。
【００５４】
この多結晶Si1-xGex薄膜には、ソース３、ドレイン４、およびチャネル上にゲート絶縁膜５、ゲート６が形成されている。チャネルのうち、特にゲート絶縁膜５直下の領域は電界効果トランジスタの活性領域であり電流密度が最も大きい。その部分の平面図が図１の下段の図に描かれているが、本実施例ではこの平面上における多結晶Si1-xGex薄膜の結晶粒７内部のGe組成比xを0＜x≦0.1、結晶粒界８におけるGe組成比xを0.3≦x＜１とした。
【００５５】
このような格子構造をとると、上述したように結晶粒界８の表面（凸部）と結晶粒７の表面（凹部）との高低差が20nm程度と大幅に抑制されて、ゲート絶縁膜５を比較的薄く（〜50nm）することができる。このため比較的小さなゲート電圧で多くのキャリアをチャネルに誘起することができ高移動度を実現できる。
【００５６】
また、結晶粒７の大半が基板１に平行な{110}面に揃っていることで結晶粒界８の格子整合が比較的整いキャリアの粒界散乱を抑制できる効果も持つ。さらに、粒界８に高移動度のGe-rich相が形成されていることで膜全体の移動度が向上されるという利点も持つことが本実施例の特徴である。
【００５７】
なお、多結晶Si1-xGex薄膜中のＳｉに対するＧｅ組成比xの測定は、以下の方法で行った。
透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）内に備えたＸ線微量分析計のプローブ用の電子ビームを小さく（約100nm）絞って試料表面に照射し、照射された領域から放出される特性Ｘ線の波長と強度を測定することにより、ＳｉとＧｅとの濃度を測定する。
次に、このＳｉとＧｅとの濃度の測定結果から計算により、Ｓｉに対するＧｅ組成比xを求める。
【００５８】
また、結晶粒の組成比の測定は、ビーム照射領域が結晶粒内部に納まるように行う。粒界の組成比の測定は、ビーム照射領域が粒界を含むように行う。ここで、ビーム照射領域が粒界からはみ出して結晶粒にまたがっても良い。
（実施例２）
図２〜図４は、本発明の第２の実施例に係わる薄膜半導体装置とその製造過程を模式的に示したものである。本実施例では多結晶Si1-xGex薄膜を部分的に導入してトランジスタをCMOS（相補型MOS）化するものである。
【００５９】
まず、図２に示したように、絶縁体基板（ガラス板）１上に非晶質Si薄膜９を形成する。その一部を通常のフォトプロセスでエッチング除去し、埋め込み型のGe組成比増加領域１０を設ける。このようにして得た薄膜表面をKrFエキシマレーザーで照射しつつ、基板１を保持したステージを順次移動させることでレーザービーム照射領域１１を走査させる。このとき予めステージ移動領域をプログラム制御することで、後にトランジスタ領域となる部分だけを選択的に結晶化する。
【００６０】
このようにして、図３に示したように非晶質Si薄膜９の必要領域にのみ、純粋Si多結晶１２および多結晶Si1-xGex薄膜２領域が形成される。
【００６１】
次に、図４に示したように、結晶化した薄膜にAsイオンを注入することでｎ型領域１４を、また、Bイオンを注入することでｐ型領域１３を、それぞれ注入用マスクを使用して順序よくかつ領域選択的に形成する。この後窒素雰囲気中で600℃1時間程度の炉アニールを行いｎ型領域１４およびｐ型領域１３のキャリア活性化を行い、その上にゲート絶縁膜５、ゲート６を設けてトランジスタを形成する。
【００６２】
こうすることでｐ型領域１３には、多結晶Si薄膜１２からなるｎタイプトランジスタが、また、ｎ型領域１４には、多結晶Si1-xGex薄膜２からなるｐタイプトランジスタがそれぞれでき、低消費電力と高移動度を両立させたCMOS型トランジスタが形成されるという利点がある。
（実施例３）
図５は、本発明の薄膜半導体装置を利用した画像表示装置の分解組み立て図の例を示す。絶縁体基板（ガラス板）１上に多結晶Si薄膜と多結晶Si1-xGex薄膜を選択的に形成し、その上に画素ドライバ領域１７、バッファアンプ領域１８、ゲートドライバ領域１９、シフトレジスタ領域２０、データドライバ領域２１などからなる回路が集積されており、それらが一体となって、画素１６を持つ画像表示パネル１５に接続されて機能する。
【００６３】
これらの回路を構成するトランジスタには要求される性能がそれぞれ異なるため、本発明の実施例１〜３のトランジスタが選択的かつ複合的に組み合わされて利用されている。このような構成では、大面積のガラス基板上に主要な回路を集積することができ、従来の周辺回路のほとんどを集積した画像表示装置を形成することができる。さらに低コストのガラス基板を用いて数少ない工程により製造できるという利点がある。
【００６４】
【発明の効果】
本発明によれば、Si中にGeを導入し結晶化に伴う相分離で結晶粒内と結晶粒界との間にGe組成比を異ならせることで、結晶粒界におけるキャリア散乱要因を抑制し、かつ結晶の体積差を利用して表面凹凸を抑制することにより高移動度ＴＦＴを実現する。これにより、同一ガラス基板上に、画素部、周辺回路を集約的に形成することが可能となるため、大面積（例えば１５インチ以上）画像表示装置を高集積化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例に係わる薄膜トランジスタ装置の展開図である。上段が縦断面図、その下段はチャネル部分を横に切断した平面図である。
【図２】本発明の第２の実施例に係わる薄膜トランジスタ装置とその製造過程を模式的に示したものである。
【図３】同じく本発明の第２の実施例に係わる薄膜トランジスタ装置とその製造過程を模式的に示したものである。
【図４】同じく本発明の第２の実施例に係わる薄膜トランジスタ装置とその製造過程を模式的に示したものである。
【図５】本発明の薄膜トランジスタ装置を利用した画像表示装置の例を示したものである。
【図６】従来ＴＦＴの母材であるエキシマレーザーアニールにより形成した多結晶Si薄膜の表面SEM（走査電子顕微鏡）像である。
【図７】本発明の多結晶SiGe薄膜の表面SEM像（左図）および平面TEM（透過電子顕微鏡）像である。
【図８】本発明の多結晶SiGe薄膜の結晶構造模式図である。
【図９】従来多結晶Si薄膜のSEM像（左図）とその四角領域におけるAFM（原子間力顕微鏡）像（右図）である。
【図１０】本発明の多結晶SiGe薄膜のSEM像（左図）とその四角領域におけるAFM像（右図）である。
【図１１】上記図１０のAFM像（左図）と、その直線部分における高低差分布を示す図（右図）である。
【図１２】本発明の多結晶Si1-xGex薄膜を形成するために必要なレーザーアニール条件を、Ge組成比x＝0.3の場合で示したものである。
【符号の説明】
１…絶縁体基板、
２…多結晶Si1-xGex薄膜、
３…ソース、
４…ドレイン、
５…ゲート絶縁膜、
６…ゲート、
７…結晶粒、
８…結晶粒界、
９…非晶質Si薄膜、
１０…Ge組成比増加領域、
１１…レーザービーム照射領域、
１２…純粋Si多結晶、
１３…ｐ型領域、
１４…ｎ型領域、
１５…画像表示パネル、
１６…画素、
１７…画素ドライバ領域、
１８…バッファアンプ領域、
１９…ゲートドライバ領域、
２０…シフトレジスタ領域、
２１…データドライバ領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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