(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の貫通孔、並びに、この複数の貫通孔にそれぞれ形成された複数の蓋付スルーホール導体であって、上記貫通孔の内周面に形成された略筒状のスルーホール導体、及び、このスルーホール導体の端部に形成され、このスルーホール導体と導通する蓋状導体層、を有する複数の蓋付スルーホール導体、を備える略板形状のスルーホール基板と、
上記スルーホール基板上に形成された絶縁層と、
上記絶縁層上に形成された導体層と、
上記絶縁層を貫通し、上記貫通孔よりも径が小さいビア用貫通孔内に形成され、上記蓋状導体層と上記導体層とを接続するビア導体であって、上記蓋付スルーホール導体よりも径が小さいビア導体と、
を備え、
少なくともいずれかの上記蓋付スルーホール導体は、上記蓋状導体層の上に複数の上記ビア導体が設けられ、１つの蓋付スルーホール導体について複数の上記ビア導体を介して上記導体層と接続している
配線基板。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板であって、
前記複数のビア導体を介して接続している前記蓋付スルーホール導体及び前記導体層は、電源電位を供給する電源配線の一部である
配線基板。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の配線基板であって、
前記ビア用貫通孔は、いずれも同径である
配線基板。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれかに記載の配線基板であって、
前記絶縁層及び導体層の上方に形成された、少なくとも１層の上部絶縁層と、
上記上部絶縁層上、または、上記上部絶縁層上及び上部絶縁層の層間に形成された上部導体層と、
上記上部絶縁層を貫通して、上記導体層と上記上部導体層とを、または上記上部導体層同士を接続する上部ビア導体と、
を備え、
上記上部導体層のうち、前記複数のビア導体を介して前記蓋付スルーホール導体に接続された上記導体層に接続する上記上部導体層は、上記導体層と複数の上記上部ビア導体を介して接続する、または、上記導体層と複数の上記上部ビア導体を介して接続すると共に、上記上部導体層同士もそれぞれ複数の上記上部ビア導体を介して接続する
配線基板。
【請求項５】
配線基板の製造方法であって、
複数の貫通孔、並びに、この複数の貫通孔にそれぞれ形成された複数の蓋付スルーホール導体であって、上記貫通孔の内周面に形成された略筒状のスルーホール導体、及び、このスルーホール導体の端部に形成され、このスルーホール導体と導通する蓋状導体層、を有する複数の蓋付スルーホール導体、を備える略板形状のスルーホール基板上に、絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
レーザ加工により、上記絶縁層を貫通し、上記蓋状導体層が底部に露出するビア用貫通孔を穿孔する穿孔工程であって、いずれも同径で上記貫通孔よりも径が小さい上記ビア用貫通孔を穿孔し、しかも、少なくともいずれかの上記蓋状導体層について複数のビア用貫通孔を形成する穿孔工程と、
メッキにより、上記ビア用貫通孔内に蓋状導体層と接続するビア導体を形成すると共に、上記絶縁層上に上記ビア導体と接続する導体層を形成する導体形成工程と、
を備える配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、蓋付のスルーホール導体が形成されたスルーホール基板に絶縁層が積層された配線基板及び配線基板の製造方法に関し、特に、スルーホール基板上の絶縁層に、蓋付スルーホール導体と接続するビア導体が形成された配線基板及び配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、蓋付のスルーホール導体を有するスルーホール基板に、この蓋付スルーホール導体と直接接続するビア導体を有する絶縁層が積層された配線基板が知られている。例えば、図８に部分拡大断面図を示す配線基板１０１が挙げられる。
この配線基板１０１は、その中心に略板形状のコア基板（スルーホール基板）１０３を備え、その両面には絶縁層１０７が形成され、さらにそれらの上には、ソルダーレジスト層１０９が形成されている。
【０００３】
このうちコア基板１０３には、これを貫通する貫通孔１１１が複数形成され、各貫通孔１１１には蓋付スルーホール導体１１３が形成されている。即ち、各貫通孔１１１の内周面には、略筒状のスルーホール導体１１５がそれぞれ形成され、各スルーホール導体１１５の端部には、これと導通する蓋状導体層１１９がそれぞれ形成されている。なお、各蓋付スルーホール導体１１３内には、略円柱状のプラグ材１１７がそれぞれ充填されている。
【０００４】
コア基板１０３上、即ち、コア基板１０３と絶縁層１０７との層間には、蓋付スルーホール導体１１３や後述するビア導体１２５と接続する第１導体層１２１が形成されている。
絶縁層１０７には、これを貫通するビア用貫通孔１２３が複数形成され、各ビア用貫通孔１２３内には、蓋付スルーホール導体１１３または第１導体層１２１と接続する略椀状のビア導体１２５がそれぞれ形成されている。
絶縁層１０７上、即ち、絶縁層１０７とソルダーレジスト層１０９との層間には、第２導体層１２７が形成され、ビア導体１２５を介して、蓋付スルーホール導体１１３または第１導体層１２１と接続されている。そして、この第２導体層１２７のうち接続パッド１２９は、ソルダーレジスト層１０９を貫通して形成された開口１３１内に露出している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような配線基板１０１では、蓋付スルーホール導体１１３は、その径が大きく、電気抵抗が小さいのに対して、これと接続するビア導体１２５は、その径が小さく、しかも椀形状であるため、その電気抵抗が比較的大きい。このため、蓋付スルーホール導体１１３と第２導体層１２７との接続抵抗が大きくなる。
特に、ビア導体１２５を介して接続する蓋付スルーホール導体１１３及び第２導体層１２７が、＋電位や−電位、あるいは接地電位を供給する電源配線の一部を構成している場合には、ビア導体１２５により接続抵抗が大きくなると、ＩＣチップなど配線基板１０１に実装する電子部品等に効率よく電力を供給することが困難となる。
【０００６】
本発明はかかる現状に鑑みてなされたものであって、スルーホール基板に形成された蓋付スルーホール導体と、スルーホール基板に積層された絶縁層の上に形成された導体層との間の接続抵抗を低くすることができる配線基板及び配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
その解決手段は、複数の貫通孔、並びに、この複数の貫通孔にそれぞれ形成された複数の蓋付スルーホール導体であって、上記貫通孔の内周面に形成された略筒状のスルーホール導体、及び、このスルーホール導体の端部に形成され、このスルーホール導体と導通する蓋状導体層、を有する複数の蓋付スルーホール導体、を備える略板形状のスルーホール基板と、上記スルーホール基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された導体層と、上記絶縁層を貫通し、上記貫通孔よりも径が小さいビア用貫通孔内に形成され、上記蓋状導体層と上記導体層とを接続するビア導体であって、上記蓋付スルーホール導体よりも径が小さいビア導体と、を備え、少なくともいずれかの上記蓋付スルーホール導体は、上記蓋状導体層の上に複数の上記ビア導体が設けられ、１つの蓋付スルーホール導体について複数の上記ビア導体を介して上記導体層と接続している配線基板である。
【０００８】
本発明によれば、スルーホール基板に形成された蓋付スルーホール導体の少なくともいずれかは、その上の絶縁層上に形成された導体層と、１つではなく、複数のビア導体を介して接続されている。
このように複数のビア導体で接続されていれば、個々のビア導体の抵抗値が比較的高くても、これが複数あることにより、蓋付スルーホール導体と導体層との接続抵抗を低くすることができる。
【０００９】
さらに、上記の配線基板であって、前記ビア導体は、フィルドビアである配線基板とするのが好ましい。
ビア用貫通孔の内周面に沿って形成され、中央が凹んだ椀状のビア導体は、ビア導体の抵抗値が大きい傾向にある。これに対し、ビア用貫通孔内に導体が充填されたフィルドビアは、中央に凹みがないので、比較的その抵抗値が小さい。従って、蓋付スルーホール導体と導体層とを、複数のフィルドビアを介して接続すれば、これらの接続抵抗をさらに低くすることができる。
【００１０】
さらに、上記のいずれかに記載の配線基板であって、前記複数のビア導体を介して接続している前記蓋付スルーホール導体及び前記導体層は、電源電位を供給する電源配線の一部である配線基板とすると良い。
【００１１】
信号を伝える信号配線は電流があまり流れないのに対し、＋電位や−電位、あるいは接地電位を供給する電源配線は、配線基板に搭載するＩＣチップなどを駆動するため、比較的多くの電流が流される。従って、このような電源配線について、蓋付スルーホール導体と導体層とを複数のビア導体で接続すれば、その一部の接続抵抗を低下させることができ、ＩＣチップなどの電子部品に効率よく電力を送ることができる。
【００１２】
さらに、上記のいずれかに記載の配線基板であって、前記ビア用貫通孔は、いずれも同径である配線基板とすると良い。
【００１３】
本発明では、蓋付スルーホール導体と導体層とを複数のビア導体で接続するものも、単数のビア導体で接続するものも、ビア用貫通孔が同径である。ビア用貫通孔が同径であると、ビア用貫通孔を形成する際、絶縁層に同じ条件で形成できるので効率的に形成できて都合がよい。特に、ビア用貫通孔をレーザ加工によって形成する場合には、同一条件で次々に形成できるので都合がよい。
さらに、ビア導体をフィルドビアとする場合には、ビア用貫通孔内をメッキで充填するに際して、ビア用貫通孔の径が同じであると、各ビア導体をほぼ同じ速度で精度よく充填することができる。
【００１４】
さらに、上記のいずれかに記載の配線基板であって、前記絶縁層及び導体層の上方に形成された、少なくとも１層の上部絶縁層と、上記上部絶縁層上、または、上記上部絶縁層上及び上部絶縁層の層間に形成された上部導体層と、上記上部絶縁層を貫通して、上記導体層と上記上部導体層とを、または上記上部導体層同士を接続する上部ビア導体と、を備え、上記上部導体層のうち、前記複数のビア導体を介して前記蓋付スルーホール導体に接続された上記導体層に接続する上記上部導体層は、上記導体層と複数の上記上部ビア導体を介して接続する、または、上記導体層と複数の上記上部ビア導体を介して接続すると共に、上記上部導体層同士もそれぞれ複数の上記上部ビア導体を介して接続する配線基板とすると良い。
【００１５】
本発明によれば、蓋付スルーホール導体とその上の導体層とを複数のビア導体で接続するだけでなく、この導体層とその上の上部導体層との間や上部導体層同士についても、複数の上部ビア導体を介して接続している。
従って、スルーホール基板上の絶縁層上に、さらに上部絶縁層がある場合にも、導体層と上部導体層との接続抵抗を低くすることができ、ひいては、蓋付スルーホール導体から上部絶縁層上の上部導体層までの接続抵抗を低くすることができる。
【００１６】
さらに、上記の配線基板であって、前記上部ビア導体は、フィルドビアである配線基板とするのが好ましい。
上部ビア導体が、その中央が凹んだ椀状のビア導体である場合は、上部ビア導体の抵抗値が大きいのに対して、中央に凹みがないフィルドビアである場合は、その抵抗値が比較的小さい。従って、導体層と上部導体層を、あるいは、上部導体層同士を、複数のフィルドビアを介して接続すれば、これらの接続抵抗をさらに低くすることができる。
【００１７】
また、他の解決手段は、配線基板の製造方法であって、複数の貫通孔、並びに、この複数の貫通孔にそれぞれ形成された複数の蓋付スルーホール導体であって、上記貫通孔の内周面に形成された略筒状のスルーホール導体、及び、このスルーホール導体の端部に形成され、このスルーホール導体と導通する蓋状導体層、を有する複数の蓋付スルーホール導体、を備える略板形状のスルーホール基板上に、絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、レーザ加工により、上記絶縁層を貫通し、上記蓋状導体層が底部に露出するビア用貫通孔を穿孔する穿孔工程であって、いずれも同径で上記貫通孔よりも径が小さい上記ビア用貫通孔を穿孔し、しかも、少なくともいずれかの上記蓋状導体層について複数のビア用貫通孔を形成する穿孔工程と、メッキにより、上記ビア用貫通孔内に蓋状導体層と接続するビア導体を形成すると共に、上記絶縁層上に上記ビア導体と接続する導体層を形成する導体形成工程と、を備える配線基板の製造方法である。
【００１８】
本発明の配線基板の製造方法では、穿孔工程において、少なくともいずれかの蓋状導体層について複数のビア用貫通孔を形成するので、導体形成工程を経ると、少なくともいずれかの蓋付スルーホール導体とその上の導体層とは、複数のビア導体で接続される。従って、これらの間では、接続抵抗を小さくすることができる。
また、穿孔工程では、レーザ加工により同径のビア用貫通孔を形成するので、レーザ加工の加工条件をビア用貫通孔毎に変更する必要が無く、効率よく同径のビア用貫通孔を穿孔することができる。
なお、メッキ工程おいて、フィルドビアであるビア導体を形成する場合には、ビア用貫通孔がいずれも同径となっているので、各ビア用貫通孔に同じ速度で精度よくメッキを充填することができて、さらに都合がよい。
【００１９】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しつつ説明する。
本実施形態の配線基板１について、図１に基板主面２側の部分拡大断面図を示す。この配線基板１は、基板主面２と基板裏面（図示しない）とを有する略矩形の略板形状をなし、その中心にスルーホール基板３を備える。
【００２０】
スルーホール基板３は、ガラス繊維布にエポキシ樹脂を含浸させた複合材からなるコア基板５の両面に、エポキシ樹脂等からなる第１絶縁層７がそれぞれ積層されたものである。
スルーホール基板３の両面、即ち第１絶縁層７上には、エポキシ樹脂等からなる第２絶縁層９がそれぞれ形成されている。そして、第２絶縁層９上には、エポキシ樹脂等からなるソルダーレジスト層１１がそれぞれ形成されている。
【００２１】
配線基板１のうちスルーホール基板３には、これを貫通する直径約３００μｍの貫通孔１３が複数形成され、各貫通孔１３には、蓋付スルーホール導体１５がそれぞれ形成されている。この蓋付スルーホール導体１５は、貫通孔１３の内周面に沿って略筒状に形成された厚さ約２０μｍのスルーホール導体１７と、このスルーホール導体１７の端部に形成され、このスルーホール導体１７と導通する直径約５００μｍの略円盤形状の蓋状導体層２１とからなり、内部には、エポキシ樹脂等からなる略円柱形状のプラグ材１９が充填されている。
【００２２】
また、スルーホール基板３のうちコア基板５と第１絶縁層７との層間には、所定パターンの配線やパッドなどを有する第１導体層２３が形成され、その一部は、蓋付スルーホール導体１５のうちスルーホール導体１７に接続している。
また、第１絶縁層７には、これを貫通する直径約７５μｍの第１ビア用貫通孔２５が複数形成され、各第１ビア用貫通孔２５内には、メッキにより充填されたフィルドビアである第１ビア導体２７が形成されている。この第１ビア導体２７は、それぞれ上記の第１導体層２３と接続している。
【００２３】
スルーホール基板３上、即ち、スルーホール基板３と第２絶縁層９との層間には、所定パターンの配線やパッドなどを有する第２導体層２９が形成され、第１ビア導体２７等と接続している。
第２絶縁層９には、これを貫通する直径約７５μｍの第２ビア用貫通孔３１が複数形成され、各第２ビア用貫通孔３１内には、メッキにより充填されたフィルドビアである第２ビア導体３３が形成されている。これらの第２ビア導体３３は、蓋付スルーホール導体１５の蓋状導体層２１あるいは第２導体層２９と接続している。このうち、電源電位を供給する蓋付スルーホール導体１５の蓋状導体層２１には、図１中に示すように、１つの蓋状導体層２１に対して、複数の第２ビア導体３３がそれぞれ接続している。
【００２４】
第２絶縁層９上、即ち、第２絶縁層９とソルダーレジスト層１１との層間には、所定パターンの配線やパッドなどを有する第３導体層３５が形成され、第２ビア導体３３と接続している。
ソルダーレジスト層１１には、これを貫通する開口３７が複数形成され、各開口３７内には、第３導体層３５のうち接続パッド３９が露出している。
【００２５】
このような配線基板１は、一部の蓋付スルーホール導体１５が、その上の第３導体層３５と複数の第２ビア導体３３を介して接続している。従って、これらの蓋付スルーホール導体１５と第３導体層３５との接続は、従来の単数のビア導体で接続していた場合に比べて、その接続抵抗を低くすることができる。
特に、本実施形態では、第２ビア導体３３をいずれもフィルドビアとしたので、椀状のビア導体に比して、その抵抗値が低く、従って、蓋付スルーホール導体１５と第３導体層３５との接続抵抗を低くすることができる。
【００２６】
また、本実施形態では、＋電位や−電位、あるいは接地電位を供給する電源配線の一部である蓋付スルーホール導体１５が、複数の第２ビア導体３３と接続している。
電源配線は、信号配線に比して比較的多くの電流が流れるので、このように複数の第２ビア導体３３を介して接続することにより、その接続抵抗を低下させることができ、外部へ効率よく電力を送ることができる。
【００２７】
また、本実施形態では、同一の絶縁層（第２絶縁層９）に形成されたいずれの第２ビア用貫通孔３１も同径である。このため、第２ビア用貫通孔３１を形成するときに、レーザ加工等によって第２絶縁層９に同じ条件で形成することができる。従って、第２ビア用貫通孔３１を効率的に形成することができて都合がよい。なお、異なる絶縁層では、ビア用貫通孔を同時にあるいは連続して形成しないので、ビア用貫通孔の径を同じにする必要はない。
さらに、第２ビア導体３３が、フィルドビアであるので、第２ビア用貫通孔３１がそれぞれ同径であることにより、メッキにより、同時に精度よく、ほぼ同形状のフィルドビアを容易に形成することができる。
【００２８】
次に、上記配線基板１の製造方法について、図２〜図６を参照しつつ説明する。
まず、図２に示すように、コア基板５の両面に銅箔５１が張られた略板形状の両面銅張コア基板５３を用意する。
次に、第１導体層形成工程において、銅箔５１上に所定パターンのエッチングレジスト層を形成し、このレジスト層から露出する銅箔５１をエッチング除去することにより、第１導体層２３を形成する（図３参照）。
【００２９】
次に、第１絶縁層形成工程において、コア基板５上及び第１導体層２３上に、第１絶縁層７を形成する（図３参照）。
その後、第１レーザ穿孔工程において、第１絶縁層７の所定の位置をレーザにより穿孔して、第１絶縁層７を貫通し、底面に第１導体層２３が露出する第１ビア用貫通孔２５を形成する（図３参照）。
その際、第１ビア用貫通孔２５は、いずれも同径であるので、第１ビア用貫通孔２５毎にレーザの条件を変更する必要がなく、効率よく穿孔することができる。
次に、ドリル穿孔工程において、図３に示すように、ドリルにより、コア基板５及び第１絶縁層７等（スルーホール基板３）を貫通する貫通孔１３を所定の位置に形成する。
【００３０】
次に、第１メッキ工程において、スルーホール基板３の両面、即ち、第１絶縁層７上にメッキ層を形成すると共に、貫通孔１３の内周面に略筒状のスルーホール導体１７を形成し、また、第１ビア用貫通孔２５内をメッキで充填して、フィルドビアである第１ビア導体２７を形成する（図４参照）。
具体的には、まず、無電解メッキを施し、スルーホール基板３の両面、貫通孔１３の内周面、並びに第１ビア用貫通孔２５の内周面に、無電解メッキ層を形成する。その後、ブライトナー（光沢剤）を希釈したプレディップ槽で前処理した後、電解メッキを施し、無電解メッキ層上に電解メッキ層を形成することにより、メッキ層、スルーホール導体１７及び第１ビア導体２７を形成する。
この際、第１ビア用貫通孔２５は、いずれも同径となっているので、フィルドビア（第１ビア導体２７）を、同じ速度で精度よく充填することができる。
【００３１】
次に、プラグ材形成工程において、スルーホール導体１７内に、エポキシ樹脂に無機フィラー、金属フィラー、硬化剤等を混ぜた樹脂ペーストを印刷充填し、これを加熱して半硬化させる。その後、スルーホール基板３の両面から膨出した余分な樹脂を研磨除去し、さらに、半硬化の樹脂を加熱硬化させて、プラグ材１９を形成する（図４参照）。
【００３２】
次に、第２メッキ工程において、スルーホール基板３の両面上、即ち、上記メッキ層及びプラグ材１９の端面等の上に、さらにメッキ層を形成する。
次に、第２導体層形成工程において、上記メッキ層上に所定パターンのエッチングレジスト層を形成し、このレジスト層から露出するメッキ層をエッチング除去する。これにより、図４に示すように、第１絶縁層７上に所定パターンの第２導体層２９が形成され、また、プラグ材１９の端面及びスルーホール導体１７の端部上に、略円盤状の蓋状導体層２１が形成される。
【００３３】
次に、第２絶縁層形成工程において、第１絶縁層形成工程と同様にして、スルーホール基板３上、即ち、第１絶縁層７、第２導体層２９及び蓋状導体層２１上に、第２絶縁層９を形成する（図５参照）。
その後、第２レーザ穿孔工程において、図５に示すように、第２絶縁層９の所定の位置をレーザにより穿孔して、第２絶縁層９を貫通し、底面に蓋状導体層２１または第２導体層２９が露出する第２ビア用貫通孔３１を形成する。このとき、電源電位を供給する配線の一部をなす蓋状導体層２１については、複数の第２ビア用貫通孔３１を形成する。
穿孔の際、第２ビア用貫通孔３１も、いずれも同径であるので、第２ビア用貫通孔３１毎にレーザの条件を変更する必要がなく、効率よく穿孔することができる。
【００３４】
次に、導体形成工程において、まず、第１メッキ工程と同様にして、第２絶縁層９上にメッキ層を形成すると共に、第２ビア用貫通孔３１内をメッキで充填して、フィルドビアである第２ビア導体３３を形成する（図６参照）。
その際、第２ビア用貫通孔３１も、いずれも同径となっているので、第２ビア導体３３の充填速度のバラツキをなくし、ほぼ均一に充填することができる。
その後、上記のメッキ層上に所定パターンのエッチングレジスト層を形成し、このレジスト層から露出するメッキ層をエッチング除去することにより、図６に示すように、第３導体層３５を形成する。
この工程により、一部の蓋付スルーホール導体１５と第３導体層３５とが複数の第２ビア導体３３で接続される。従って、これらの間の接続抵抗を小さくすることができる。
【００３５】
次に、ソルダーレジスト層形成工程において、第２絶縁層９及び第３導体層３５上に、接続パッド３９が内部に露出する開口３７を有するソルダーレジスト層１１を形成する。
具体的には、第２絶縁層９及び第３導体層３５上に、半硬化のソルダーレジスト層を形成し、開口３７に対応した所定パターンのマスクを用いて露光し、現像する。その後、さらに加熱処理し硬化させて、開口３７を有するソルダーレジスト層１１を形成する。
このようにして、配線基板１が完成する。なお、この配線基板１の接続パッド３９にハンダなどでピンを立設したり、あるいはハンダバンプを形成してもよい。
【００３６】
（実施形態２）
次いで、第２の実施形態の配線基板２０１及び配線基板２０１の製造方法について、図を参照しつつ説明する。
本実施形態の配線基板２０１は、図７に示すように、スルーホール基板２０３上に形成された第２絶縁層２０９上に、さらに２層の上部絶縁層２４１，２４９を積層してからソルダーレジスト層２１１を形成している点が、上記実施形態１の配線基板１と異なる。
【００３７】
さらに詳細に説明すると、この配線基板２０１は、上記実施形態１の配線基板１と同様に、コア基板２０５に第１絶縁層２０７が積層されたスルーホール基板２０３を備える。スルーホール基板２０３には、貫通孔２１３が複数形成されている。各貫通孔２１３には、スルーホール導体２１７及び蓋状導体層２２１からなる蓋付スルーホール導体２１５が形成され、その内部には、プラグ材２１９が充填されている。また、スルーホール基板２０３は、第１導体層２２３と、第１ビア用貫通孔２２５に形成された第１ビア導体２２７と、第２導体層２２９とを備える。そして、スルーホール基板２０３上には、第２ビア用貫通孔２３１に第２ビア導体２３３が形成された第２絶縁層２０９が積層され、その上には、第３導体層２３５が形成されている。なお、電源電位を供給する配線の一部を構成する蓋付スルーホール導体２１５と第３導体層２３５とは、複数の第２ビア導体２３３を介して接続している。
【００３８】
さらに、本実施形態では、第２絶縁層２０９及び第３導体層２３５上に、エポキシ樹脂等からなる第３絶縁層（上部絶縁層）２４１が形成されている。この第３絶縁層２４１には、直径約７５μｍの第３ビア用貫通孔２４３が形成され、各第３ビア用貫通孔２４３には、第３導体層２３５と接続するフィルドビアである第３ビア導体（上部ビア導体）２４５がそれぞれ形成されている。このうち、蓋付スルーホール導体２１５と複数の第２ビア導体２３３を介して接続した第３導体層２３５（図中中央）には、複数の第３ビア導体２４５が接続している。
また、第３絶縁層２４１上には、所定パターンの配線やパッドなどからなり、第３ビア導体２４５と接続する第４導体層（上部導体層）２４７が形成されている。
【００３９】
またさらに、第３絶縁層２４１及び第４導体層２４７上には、エポキシ樹脂等からなる第４絶縁層（上部絶縁層）２４９が形成されている。この第４絶縁層２４９には、直径約７５μｍの第４ビア用貫通孔２５１が形成され、各第４ビア用貫通孔２５１には、第４導体層２４７と接続するフィルドビアである第４ビア導体（上部ビア導体）２５３が形成されている。このうち、蓋付スルーホール導体２１５と、複数の第２ビア導体２３３、第３導体層２３５及び複数の第３ビア導体２４５を介して接続した第４導体層２４７（図中中央）には、複数の第４ビア導体２５３が接続している。
【００４０】
また、第４絶縁層２４９上には、所定パターンの配線やパッドなどからなり、第４ビア導体２５３と接続する第５導体層（上部導体層）２５５が形成されている。
第４絶縁層２４９及び第５導体層２５５上には、上記実施形態１と同様に、第５導体層２５５の接続パッド２３９が内部に露出する開口２３７を有するソルダーレジスト層２１１が形成されている。
【００４１】
このような配線基板２０１も、一部の蓋付スルーホール導体２１５とその上の第３導体層２３５とが、複数の第２ビア導体２３３で接続されているので、この蓋付スルーホール導体２１５と第３導体層２３５との接続抵抗を低くすることができる。
さらに、本実施形態では、さらに複数の上部絶縁層（第３絶縁層２４１及び第４絶縁層２４９）が形成されているが、第３絶縁層２４１上に形成された第４導体層２４７と、複数の第２ビア導体２３３を介して蓋付スルーホール導体２１５と接続する第３導体層２３５とは、複数の第３ビア導体２４５を介して接続されている。また、その第４導体層２４７と、その上の第５導体層２５５も、同様に、複数の第４ビア導体２５３で接続されている。
【００４２】
従って、第３導体層２３５と第４導体層２４７との接続抵抗も、第４導体層２４７と第５導体層２５５との接続抵抗も、低くすることができるので、結局、蓋付スルーホール導体２１５から第５導体層２５５までの接続抵抗を低くすることができる。
特に、第２ビア導体２３３だけでなく、第３ビア導体２４５及び第４ビア導体２５３もフィルドビアであるので、その抵抗値が低く、従って、接続抵抗を低くすることができる。
【００４３】
また、電源配線の一部である蓋付スルーホール導体２１５と第３導体層２３５とが、複数の第２ビア導体２３３で接続されているだけでなく、この第３導体層２３５と第４導体層２４７も複数の第３ビア導体２４５で接続され、さらに、この第４導体層２４７と第５導体層２５５も複数の第４ビア導体２５３で接続されている。従って、これらの接続抵抗を低くすることができ、これらを通して効率よく外部へ電力を供給することができる。
【００４４】
また、各第２ビア用貫通孔２３１だけでなく、各第３ビア用貫通孔２４３も同径であり、また、各第４ビア用貫通孔２５１も同径である。このため、第３ビア用貫通孔２４３を形成するとき、あるいは第４ビア用貫通孔２５１を形成するときも、第２ビア用貫通孔２３１を形成する場合と同様に、レーザ加工等の条件を同じにして、効率的に形成することができる。
【００４５】
次いで、上記配線基板２０１の製造方法について説明する。
まず、上記実施形態１と同様に、両面銅張コア基板を用意し、第１導体層形成工程、第１絶縁層形成工程、第１レーザ穿孔工程、ドリル穿孔工程、第１メッキ工程、プラグ材形成工程、第２メッキ工程、第２導体層形成工程、第２絶縁層形成工程、第２レーザ穿孔工程、及び導体形成工程を順次行い、第３導体層２３５まで形成する。
【００４６】
次に、第３絶縁層形成工程において、第２絶縁層形成工程と同様にして、第２絶縁層２０９及び第３導体層２３５上に、第３絶縁層２４１を形成する。
その後、第３レーザ穿孔工程において、第２レーザ穿孔工程と同様にして、第３ビア用貫通孔２４３を形成する。
次に、第２の導体形成工程において、前述した導体形成工程と同様にして、第３絶縁層２４１上にメッキ層を形成すると共に、第３ビア用貫通孔２４３内をメッキで充填して、第３ビア導体２４５を形成する。さらに、メッキ層を所定のパターンにエッチングして、第４導体層２４７を形成する。
【００４７】
次に、第４絶縁層形成工程において、第２絶縁層形成工程と同様にして、第３絶縁層２４１及び第４導体層２４７上に、第４絶縁層２４９を形成する。
その後、第４レーザ穿孔工程において、第２レーザ穿孔工程と同様にして、第４ビア用貫通孔２５１を形成する。
次に、第３の導体形成工程において、前述した導体形成工程と同様にして、第４絶縁層２４９上にメッキ層を形成すると共に、第４ビア用貫通孔２５１内をメッキで充填して、第４ビア導体２５３を形成する。さらに、メッキ層を所定のパターンにエッチングして、第５導体層２５５を形成する。
その後、ソルダーレジスト層形成工程において、上記実施形態１と同様にして、開口２３７を有するソルダーレジスト層２１１を形成すれば、配線基板２０１が完成する。
【００４８】
本実施形態の第３レーザ穿孔工程及び第４レーザ穿孔工程も、第１ビア用貫通孔２２５及び第２ビア用貫通孔２３１と同様に、いずれもそれぞれ同径の第３ビア用貫通孔２４３及び第４ビア用貫通孔２５１を形成するので、貫通孔毎にレーザの条件を変更することなく、効率よく穿孔することができる。
また、第２の導体形成工程及び第３の導体形成工程では、第３ビア用貫通孔２４３及び第４ビア用貫通孔２５１もそれぞれ同径となっているので、第１ビア導体２２７及び第２ビア導体２３３と同様に、それぞれ、ほぼ同じ速度で精度よくフィルドビア（第３ビア導体２４５及び第４ビア導体２５３）を形成することができる。
【００４９】
また、本実施形態では、第３レーザ穿孔工程において、蓋状導体層２２１と第２ビア導体２３３を介して接続する第３導体層２３５について、複数の第３ビア用貫通孔２４３を形成し、同様に、この第３導体層２３５に接続する第４導体層２４７について、複数の第４ビア用貫通孔２５１を形成している。このため、第２の導体形成工程及び第３の導体形成工程を経ると、この第３導体層２３５と第４導体層２４７は、複数の第３ビア導体２４５で接続され、また、この第４導体層２４７と第５導体層２５５は、複数の第４ビア導体２５３で接続される。従って、これらの間の接続抵抗も、蓋状導体層２２１と第３導体層２３５の接続と同様に低くすることができる。
【００５０】
以上において、本発明を実施形態に即して説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。
例えば、上記実施形態１，２では、電源電位を供給する配線の一部をなす蓋付スルーホール導体１５，２１５に複数の第２ビア導体３３，２３３を設けているが、信号配線の一部をなす蓋付スルーホール導体１５，２１５を含めすべての蓋付スルーホール導体１５，２１５に複数の第２ビア導体３３，２３３を設けることもできる。
【００５１】
また、１つの蓋付スルーホール導体１５，２１５に設ける第２ビア導体３３，２３３の個数や配置は、蓋状導体層２１，２２１の大きさと第２ビア導体３３，２３３の大きさ、第２ビア導体３３等付近の第３導体層３５，２３５の配線の引き回しなどを考慮して、適宜変更することができる。
また同様に、実施形態２において、第３導体層２３５と第４導体層２４７を接続する第３ビア導体２４５の個数や配置、第４導体層２４７と第５導体層２５５とを接続する第４ビア導体２５３の個数や配置についても、適宜変更することができる。
【００５２】
また、上記実施形態１，２では、コア基板５，２０５に第１絶縁層７，２０７を形成した多層基板（積層基板）をスルーホール基板３，２０３として、これに蓋付スルーホール導体１５，２１５を形成したが、コア基板のみ、即ち、単一層の基板をスルーホール基板としてこれに蓋付スルーホール導体を形成したり、あるいは、コア基板に複数層の絶縁層を形成したものをスルーホール基板として、これに蓋付スルーホール導体を形成することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  実施形態１に係る配線基板の部分拡大断面図である。
【図２】  実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、両面銅張コア基板を示す説明図である。
【図３】  実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、第１導体層、第１絶縁層、第１ビア用貫通孔及び貫通孔を形成した状態を示す説明図である。
【図４】  実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、蓋付スルーホール導体、第１ビア導体及び第２導体層を形成した状態を示す説明図である。
【図５】  実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、第２絶縁層及び第２ビア用貫通孔を形成した状態を示す説明図である。
【図６】  実施形態１に係る配線基板の製造方法に関し、第２ビア導体及び第３導体層を形成した状態を示す説明図である。
【図７】  実施形態２に係る配線基板の部分拡大断面図である。
【図８】  従来技術に係る配線基板の部分拡大断面図である。
【符号の説明】
１，２０１      配線基板
３，２０３      スルーホール基板
９，２０９      第２絶縁層
１３，２１３    貫通孔
１５，２１５    蓋付スルーホール導体
１７，２１７    スルーホール導体
１９，２１９    プラグ材
２１，２２１    蓋状導体層
３１，２３１    第２ビア用貫通孔
３３，２３３    第２ビア導体
３５，２３５    第３導体層
２４１          第３絶縁層（上部絶縁層）
２４３          第３ビア用貫通孔
２４５          第３ビア導体（上部ビア導体）
２４７          第４導体層（上部導体層）
２４９          第４絶縁層（上部絶縁層）
２５１          第４ビア用貫通孔
２５３          第４ビア導体（上部ビア導体）
２５５          第５導体層（上部導体層）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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