(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層上に形成した金属層上に所定パターンのエッチングレジスト層を形成し、露出した上記金属層をエッチング除去し、上記エッチングレジスト層を除去して所定パターンの導体層を形成する導体層形成工程を検査する配線基板の導体層形成工程の検査方法であって、
テスト絶縁層上に形成したテスト金属層上に所定テストパターンのテストエッチングレジスト層を形成し、露出した上記テスト金属層をエッチング除去し、上記テストエッチングレジスト層を残すと共に、細く長い断線テスト部を有するテスト配線層を含むテスト導体層を形成するテスト導体層形成工程と、
上記テストエッチングレジスト層を残した状態で、上記断線テスト部の導通を調べ、上記断線テスト部での断線不良の有無を検知し、上記断線不良を生じたときは、その断線部位に上記テストエッチングレジスト層が残っているか否かを調べる断線検知工程と、
を備えることを特徴とする配線基板の導体層形成工程の検査方法。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板の導体層形成工程の検査方法であって、
前記断線テスト部は、長尺でありながら、蛇行状、ジグザグ状、渦巻き状などの配線パターンによりその配線パターン全体の占める面積が小型化された小型化長尺部を備える
ことを特徴とする配線基板の導体層形成工程の検査方法。
【請求項３】
絶縁層上に形成した金属層上に所定パターンのエッチングレジスト層を形成し、露出した上記金属層をエッチング除去し、上記エッチングレジスト層を除去して所定パターンの導体層を形成する導体層形成工程を検査する配線基板の導体層形成工程の検査方法であって、
テスト絶縁層上に形成したテスト金属層上に所定テストパターンのテストエッチングレジスト層を形成し、露出した上記テスト金属層をエッチング除去し、上記テストエッチングレジスト層を残すと共に、長い距離にわたって互いに小さい間隔を保つ短絡テスト部を有する複数のテスト配線層を含むテスト導体層を形成するテスト導体層形成工程と、
上記テストエッチングレジスト層を残した状態で、上記短絡テスト部間の導通または絶縁抵抗を調べ、上記短絡テスト部間の短絡不良または絶縁不良の有無を検知し、上記短絡不良または絶縁不良を生じたときは、その発生部位に上記テストエッチングレジスト層が残っているか否かを調べる短絡等検知工程と、
を備えることを特徴とする配線基板の導体層形成工程の検査方法。
【請求項４】
請求項３に記載の配線基板の導体層形成工程の検査方法であって、
前記短絡テスト部は、対となる前記テスト配線層が互いに並行して延び、長尺でありながら、蛇行状、ジグザグ状、渦巻き状などの配線パターンによりその配線パターン全体の占める面積が小型化された並行小型化長尺部を備える
ことを特徴とする配線基板の導体層形成工程の検査方法。
【請求項５】
請求項４に記載の配線基板の導体層形成工程の検査方法であって、
上記テストエッチングレジスト層を残した状態で、上記短絡テスト部の導通を調べ、上記短絡テスト部での断線不良の有無を検知し、上記断線不良を生じたときは、その断線部位に上記テストエッチングレジスト層が残っているか否かを調べる断線検知工程を備える
ことを特徴とする配線基板の導体層形成工程の検査方法。
【請求項６】
請求項３に記載の配線基板の導体層形成工程の検査方法であって、
対となる前記テスト配線層の短絡テスト部は、互いに噛み合う櫛歯状の配線パターンの櫛歯状部をそれぞれ備える
ことを特徴とする配線基板の導体層形成工程の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板の導体層を形成する導体層形成工程を検査する検査方法に関し、特に、導体層に生じる電気的不良を容易に予測したり、工程改善の効果を容易に確認することのできる配線基板の導体層形成工程の検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、配線基板の導通検査は、一般的には、次のようにして行われている。即ち、配線基板に形成された接続パッドやハンダバンプ、あるいは配線基板に立設された入出力端子としてのピンなどに、プローブピンを当接させる。そして、配線抵抗を測定したり、プローブピン間の絶縁抵抗を測定することにより、配線基板の配線層に生じた断線や短絡などの電気的不良を検査する。つまり、配線基板を製造した後に、形成された入出力端子等を用いて、配線層の断線や配線層同士の短絡などの電気的検査を行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような検査方法では、プローブピンの接触が可能な入出力端子が形成されるまで、従って一般には、配線基板が完成あるいはほぼ完成した状態になるまで検査をすることができない。入出力端子以外の部分では、寸法が小さい（幅が細い）などにより、プローブピンを当接させることが難しい上、プローブピンで配線層を傷つけてしまい、却って不具合を生じる可能性があるからである。また、配線基板の製造において、導体層形成工程で製造される導体層は、通常多数の配線層を含み、また、配線層同士が電気的に複雑に繋がっていることが多く、各配線層毎に検査するのは難しい。特に配線層と絶縁層とが順に複数層積層された配線基板では、各導体層を製造する度に、各導体層毎に導通検査をすることになるが、これは困難である。
【０００４】
従って、配線基板の製造時に、導体層を形成する工程で不具合が起こって配線層に電気的不良を生じたとしても、引き続き配線基板を製造してほぼ完成した状態にしないと、その電気的不良を見つけ出すことができない。即ち、製造中に不具合が生じているにも拘わらず、ほぼ最後まで製造しなければならないので、付加価値のついた状態で廃棄することとなり、無駄な作業が増え、ひいては、配線基板のコストアップとなっている。
【０００５】
さらに、上記の検査方法では、導体層を形成する工程における電気的不具合の発生頻度を予測したり、配線基板の電気的不良による歩留まりを予測したり、あるいは、電気的不良の発生についての対策の効果を比較検討する場合においても、配線基板をほぼ完成状態まで製造してから検査する必要があるので、多大な労力を要する。特に、電気的不良の発生率が低くなるほど、生産した配線基板を大量に検査する必要があり、電気的不良対策の効果を評価することが困難となる。
【０００６】
また、上記の検査方法では、検査した配線基板が、断線や短絡などの電気的不良を生じていることが判っても、そのような電気的不良を生じた原因が何であるのか、あるいは、配線基板製造時のどの工程で電気的不良を生じたかなどを特定することが極めて困難である。
従って、従来の配線基板の導通検査からは、電気的な不良品を発見することができても、その原因まで特定することは困難であるので、配線基板の製造時の歩留まりを向上させることが難しい。
【０００７】
本発明はかかる現状に鑑みてなされたものであって、導体層形成工程における電気的不具合の発生を容易に予測することができる、そして、その電気的不良の原因究明が可能で、その対策の効果を容易に比較検討することのできる配線基板の導体層形成工程の検査方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
その解決手段は、絶縁層上に形成した金属層上に所定パターンのエッチングレジスト層を形成し、露出した上記金属層をエッチング除去し、上記エッチングレジスト層を除去して所定パターンの導体層を形成する導体層形成工程を検査する配線基板の導体層形成工程の検査方法であって、テスト絶縁層上に形成したテスト金属層上に所定テストパターンのテストエッチングレジスト層を形成し、露出した上記テスト金属層をエッチング除去し、上記テストエッチングレジスト層を残すと共に、細く長い断線テスト部を有するテスト配線層を含むテスト導体層を形成するテスト導体層形成工程と、上記テストエッチングレジスト層を残した状態で、上記断線テスト部の導通を調べ、上記断線テスト部での断線不良の有無を検知し、上記断線不良を生じたときは、その断線部位に上記テストエッチングレジスト層が残っているか否かを調べる断線検知工程と、を備えることを特徴とする配線基板の導体層形成工程の検査方法である。
【０００９】
本発明では、金属層のエッチングにより配線基板の導体層を形成する導体層形成工程と同様な手法によってテスト導体層を形成し、このテスト導体層の断線テスト部での断線不良の有無を検知して、検査する。
この検査方法では、テスト導体層形成工程において、テスト絶縁層上に、断線になり易くするため細く、断線の可能性を増すため長い断線テスト部を有するテスト配線層を含むテスト導体層を形成する。このため、この断線テスト部では、各種の不具合によって容易に断線が生じるため、この断線テスト部について断線不良の有無を検知することで容易に断線不良品を発見し、またその断線部位を容易に発見することができる。
【００１０】
特に、断線テスト部ではテスト導体層の導体幅が細くされ、また、長くされているので、この断線テスト部で断線不良が発生しやすくなる。つまり、断線テスト部における断線の有無を検知することで、効率よく断線不良品を発見することができる。
従って、断線不良品を観察、分析等することで、断線不良の原因究明をすることができる。あるいは、断線の対策を施した場合に、断線不良品の減少の程度を確認する際にも、その対策の効果を容易に評価できる。
特に、配線基板の導体形成工程において形成する導体層のうち最も細い導体幅と同程度あるいはこれよりも細い導体幅で、導体層のうち最も長い導体長よりも長い断線テスト部を形成すれば、配線基板の導体形成工程における断線不良の発生率よりも高い確率で断線不良を発生させることができる。このため、テスト導体層を少数形成するだけで、断線不良品が現れるから、これを容易に発見しあるいは多数の断線不良品を入手することができる。従って、断線不良の原因究明が容易になる。また断線不良対策の効果を容易に評価できる。
特に、配線基板の導体形成工程における断線不良の発生率が低い場合に、有用である。
なお、断線テスト部は、１つのテスト配線層内に１ヶ所に限定されることはなく、複数箇所形成されていても良い。
【００１１】
さらに、本発明のテスト導体層形成工程では、通常はエッチング後に除去するテストエッチングレジスト層を残しておく。テストエッチングレジスト層を残しておくと、断線が生じたときに、その断線部位にもテストエッチングレジスト層が残っているか否かを視認等することで、断線の生じた原因を推定することができる。即ち、断線部位でテスト導体層が切断されているにも拘わらず、テストエッチングレジスト層は連続している場合には、テストエッチングレジスト層の浮きによって生じた可能性などが推定される。一方、テストエッチングレジスト層も切断されている場合には、異物による露光不良やハンドリング時の接触によるテストエッチングレジスト層の欠損などによるテストエッチングレジスト層のパターン不良によって生じた可能性が推定される。
【００１２】
さらに、上記の配線基板の導体層形成工程の検査方法であって、前記断線テスト部は、長尺でありながら、蛇行状、ジグザグ状、渦巻き状などの配線パターンによりその配線パターン全体の占める面積が小型化された小型化長尺部を備えることを特徴とする配線基板の導体層形成工程の検査方法とすると良い。
【００１３】
本発明では、断線テスト部が小型化長尺部を備えるので、テスト配線層（断線テスト部）の占める面積が小型化されていながらも、断線テスト部の長さは長くできる。このため、小面積でも、テスト配線中に断線不良の現れる確率が高く、断線不良の原因究明やその対策の効果の評価が容易にできる。
さらに、小型化長尺部によって断線テスト部はその長さの割に占める面積が小さくできるため、テスト絶縁層上にテスト導体層をいくつも並べて形成することも可能である。このようにすると、テスト絶縁層上の四隅や中央部などの位置の違いによる断線不良発生率の違いなども容易に測ることができ、断線の原因究明や、製品の歩留まり予測などに役立てることができる。
なお、小型化長尺部は、１つの断線テスト部内に複数箇所形成されていても良い。
【００１４】
また、他の解決手段は、絶縁層上に形成した金属層上に所定パターンのエッチングレジスト層を形成し、露出した上記金属層をエッチング除去し、上記エッチングレジスト層を除去して所定パターンの導体層を形成する導体層形成工程を検査する配線基板の導体層形成工程の検査方法であって、テスト絶縁層上に形成したテスト金属層上に所定テストパターンのテストエッチングレジスト層を形成し、露出した上記テスト金属層をエッチング除去し、上記テストエッチングレジスト層を残すと共に、長い距離にわたって互いに小さい間隔を保つ短絡テスト部を有する複数のテスト配線層を含むテスト導体層を形成するテスト導体層形成工程と、上記テストエッチングレジスト層を残した状態で、上記短絡テスト部間の導通または絶縁抵抗を調べ、上記短絡テスト部間の短絡不良または絶縁不良の有無を検知し、上記短絡不良または絶縁不良を生じたときは、その発生部位に上記テストエッチングレジスト層が残っているか否かを調べる短絡等検知工程と、を備えることを特徴とする配線基板の導体層形成工程の検査方法である。
【００１５】
本発明では、金属層のエッチングにより導体層を形成する導体層形成工程と同様な手法によってテスト導体層を形成し、このテスト導体層の短絡テスト部間の短絡不良や絶縁不良（以下、併せて短絡等不良ともいう）の有無を検知して、検査する。
この検査方法では、テスト導体層形成工程において、短絡等を生じやすくするためにテスト絶縁層上に長い距離にわたって互いに小さい間隔を保つ短絡テスト部を有する複数のテスト配線層を含むテスト導体層を形成する。このため、この短絡テスト部間では、各種の不具合によって、容易に短絡等不良が生じるため、この短絡テスト部について短絡等不良等を検知することで短絡等不良品及びその発生部位を発見することができる。
【００１６】
特に、短絡テスト部間の間隔が小さくされ、短絡テスト部が長く形成されているので、この短絡テスト部で短絡不良や絶縁不良が発生しやすくなる。つまり、短絡テスト部における短絡等の有無を検知することで、効率よく短絡等不良品を発見することができる。
特に、配線基板の導体形成工程において形成する導体層同士の間隔のうち、最も小さい導体間隔と同程度あるいはこれよりも小さい間隔で、導体層同士の並行部分のうち最も長い距離のものよりも長い距離の短絡テスト部を形成すれば、配線基板の導体形成工程における短絡等不良の発生率よりも高い確率で短絡等不良を発生させることができる。このため、テスト導体層を少数形成するだけで、短絡等不良品が現れるから、これを容易に発見しあるいは多数の短絡等不良品を入手することができる。従って、短絡等不良の原因究明が容易になる。また短絡等不良対策の効果を容易に評価できる。
特に、配線基板の導体形成工程における短絡等不良の発生率が低い場合に有用である。
なお、短絡テスト部は、１つのテスト配線層内に複数箇所形成しても良い。
【００１７】
さらに、本発明のテスト導体層形成工程では、通常はエッチング後に除去するテストエッチングレジスト層を残しておく。テストエッチングレジスト層を残しておくと、短絡不良や絶縁不良を生じたときに、それらの短絡等の発生部位にもテストエッチングレジスト層が残っているか否かを視認等することで、短絡等の生じた原因を推定することができる場合がある。即ち、短絡等の発生部位でテスト導体層同士が接続（ブリッジ）したり近接しているにも拘わらず、テストエッチングレジスト層同士はブリッジや近接等をしていない場合には、異物によるエッチングの阻害の可能性が推定される。一方、テストエッチングレジスト層同士もブリッジや近接等をしている場合には、異物による露光不良などによる、テストエッチングレジスト層のパターン不良によって生じた可能性を推定できることがある。。
【００１８】
さらに、上記の配線基板の導体層形成工程の検査方法であって、前記短絡テスト部は、対となる前記テスト配線層が互いに並行して延び、長尺でありながら、蛇行状、ジグザグ状、渦巻き状などの配線パターンによりその配線パターン全体の占める面積が小型化された並行小型化長尺部を備えることを特徴とする配線基板の導体層形成工程の検査方法とすると良い。
【００１９】
本発明では、短絡テスト部が並行小型化長尺部を備えるので、テスト配線層の占める面積が小型化されていながらも、短絡テスト部の長さは長くできる。このため、小面積でも、テスト配線層中に短絡不良や絶縁不良が現れる確率が高く、原因の究明やその対策の効果の評価が容易にできる。
さらに、小型化長尺部によって短絡テスト部はその長さの割に占める面積が小さくできるため、テスト絶縁層上にテスト導体層をいくつも並べて形成することも可能である。このようにすると、テスト絶縁層上の四隅や中央部などの位置の違いによる短絡等の不良発生率の違いなども容易に測ることができ、短絡等の原因究明や、製品の歩留まり予測などに役立てることができる。
なお、並行小型化長尺部は、１つの短絡テスト部内に複数箇所形成されていても良い。
【００２０】
さらに、上記の配線基板の導体層形成工程の検査方法であって、上記テストエッチングレジスト層を残した状態で、上記短絡テスト部の導通を調べ、上記短絡テスト部での断線不良の有無を検知し、上記断線不良を生じたときは、その断線部位に上記テストエッチングレジスト層が残っているか否かを調べる断線検知工程を備えることを特徴とする配線基板の導体層形成工程の検査方法とすると良い。
【００２１】
本発明では、短絡テスト部の導通をも調べ、短絡テスト部での断線不良の有無をも検知する。つまり、短絡テスト部間についての短絡不良や絶縁不良の有無を検知するとともに、これら短絡テスト部での断線不良の有無も検知することで、断線不良及び短絡等不良の両方についての電気的不良品を発見することができる。
さらに、通常は除去するテストエッチングレジスト層を残しておき、電気的不良が生じたときに、その不良（断線、短絡、絶縁不良）の生じた部位を観察することで、不良の生じた原因を推定することができる。
【００２２】
あるいは、前記の配線基板の導体層形成工程の検査方法であって、対となる前記テスト配線層の短絡テスト部は、互いに噛み合う櫛歯状の配線パターンの櫛歯状部をそれぞれ備えることを特徴とする配線基板の導体層形成工程の検査方法とすると良い。
【００２３】
本発明では、対となるテスト配線層の短絡テスト部が櫛歯状部を備えるので、テスト配線層の占める面積が小型化されながらも、２つのテスト配線層間で小さい間隔を保つ長さは長くとれる。このため、小面積でも、テスト配線層間に短絡不良や絶縁不良の現れる確率が高く、原因の究明やその対策の効果の評価が容易にできる。
さらに、櫛歯状部によって短絡テスト部はその長さの割に占める面積が小さくできるため、テスト絶縁層上にテスト導体層をいくつも並べて形成することも可能である。このようにすると、テスト絶縁層上の四隅や中央部などの位置の違いによる短絡等の不良発生率の違いなども容易に測ることができ、短絡等の原因究明、製品の歩留まり予測などに役立てることができる。
なお、櫛歯状部は、１つの短絡テスト部内に複数箇所形成されていても良い。
【００２４】
また、上記いずれかの配線基板の導体層形成工程の検査方法であって、前記エッチングレジスト層は、感光性樹脂を露光現像により前記所定パターンに形成したものであり、前記テストエッチングレジスト層は、上記エッチングレジスト層と同じ感光タイプの感光性樹脂を露光現像により前記所定テストパターンに形成したことを特徴とする配線基板の導体層形成工程の検査方法とするのが好ましい。
【００２５】
本発明によれば、テストエッチングレジスト層はエッチングレジスト層と同じ感光タイプの感光性樹脂、つまりエッチングレジスト層に用いた感光性樹脂と同じネガ型あるいはポジ型の感光性樹脂を用いる。このため、配線基板の導体層形成工程において、異物などによる感光性樹脂の露光不良に起因して発生する断線あるいは短絡等を、テスト導体層形成工程でも起こさせることができるので、不具合の原因究明がより容易になる。
【００２６】
また、絶縁層上に形成した金属層上に所定パターンのメッキレジスト層を形成し、露出した上記金属層上に電解メッキを施し、上記メッキレジスト層を除去し、露出した上記金属層をエッチング除去して所定パターンの導体層を形成する導体層形成工程を検査する配線基板の導体層形成工程の検査方法であって、テスト絶縁層上に形成したテスト金属層上に所定パターンのテストメッキレジスト層を形成し、その後、露出した上記テスト金属層上に電解メッキを施し、上記テストメッキレジスト層を除去し、露出した上記テスト金属層をエッチング除去して、細く長い断線テスト部を有するテスト配線層を含むテスト導体層を形成するテスト導体層形成工程と、上記断線テスト部の導通を調べ、上記断線テスト部での断線不良の有無を検知する断線検知工程と、を備えることを特徴とする配線基板の導体層形成工程の検査方法とするのが好ましい。
【００２７】
この検査方法では、電解メッキを施し金属層をエッチングすることにより配線基板の導体層を形成する導体層形成工程と同様な手法によってテスト導体層を形成し、このテスト導体層の断線テスト部での断線不良の有無を検知して、検査する。
この検査方法では、テスト導体層形成工程において、テスト絶縁層上に、断線になり易くするため細く、断線の可能性を増すため長い断線テスト部を有するテスト配線層を含むテスト導体層を形成する。このため、この断線テスト部では、各種の不具合によって容易に断線を生じるため、断線不良品及びその断線部位を容易に発見することができる。
【００２８】
特に、断線テスト部ではテスト導体層の細さが細くされ、また、長くされているので、この断線テスト部で断線不良が発生しやすくなる。つまり、断線テスト部における断線の有無を検知することで、効率よく断線不良品を発見することができる。
従って、断線不良品を観察、分析等することで、断線不良の原因究明をすることができる。あるいは、断線の対策を施した場合に、断線不良品の減少の程度を確認する際にも、その対策の効果を容易に評価できる。
特に、配線基板の導体形成工程において形成する導体層のうち最も細い導体幅と同程度あるいはこれよりも細い導体幅で、導体層のうち最も長い導体長よりも長い断線テスト部を形成すれば、配線基板の導体形成工程における断線不良の発生率よりも高い確率で断線不良を発生させることができる。このため、テスト導体層を少数形成するだけで、断線不良品が現れるから、これを容易に発見しあるいは多数の断線不良品を入手することができる。従って、断線不良の原因究明が容易になる。また断線不良対策の効果を容易に評価できる。
特に、配線基板の導体形成工程における断線不良の発生率が低い場合に、有用である。
なお、断線テスト部は、１つのテスト配線層内に１ヶ所に限定されることはなく、複数箇所形成されていても良い。
【００２９】
さらに、上記の配線基板の導体層形成工程の検査方法であって、前記断線テスト部は、長尺でありながら、蛇行状、ジグザグ状、渦巻き状などの配線パターンによりその配線パターン全体の占める面積が小型化された小型化長尺部を備えることを特徴とする配線基板の導体層形成工程の検査方法とすると良い。
【００３０】
この検査方法では、断線テスト部が小型化長尺部を備えるので、テスト配線層（断線テスト部）の占める面積が小型化されていながらも、断線テスト部の長さは長くできる。このため、小面積でも、テスト配線中に断線不良の現れる確率が高く、断線不良の原因究明やその対策の効果の評価が容易にできる。
さらに、小型化長尺部によって断線テスト部はその長さの割に占める面積が小さくできるため、テスト絶縁層上にテスト導体層をいくつも並べて形成することも可能である。このようにすると、テスト絶縁層上の四隅や中央部などの位置の違いによる不良発生率の違いなども容易に測ることができ、断線の原因究明や製品歩留まりの予測などに役立てることができる。
なお、小型化長尺部は、１つの断線テスト部内に複数箇所形成されていても良い。
【００３１】
また、絶縁層上に形成した金属層上に所定パターンのメッキレジスト層を形成し、露出した上記金属層上に電解メッキを施し、上記メッキレジスト層を除去し、露出した上記金属層をエッチング除去して所定パターンの導体層を形成する導体層形成工程を検査する配線基板の導体層形成工程の検査方法であって、テスト絶縁層上に形成したテスト金属層上に所定パターンのテストメッキレジスト層を形成し、その後、露出した上記テスト金属層上に電解メッキを施し、上記テストメッキレジスト層を除去し、露出した上記テスト金属層をエッチング除去して、長い距離にわたって互いに小さい間隔を保つ短絡テスト部を有する複数のテスト配線層を含むテスト導体層を形成するテスト導体層形成工程と、上記短絡テスト部間の導通または絶縁抵抗を調べ、上記短絡テスト部間の短絡不良または絶縁不良の有無を検知する短絡等検知工程と、を備えることを特徴とする配線基板の導体層形成工程の検査方法とするのも好ましい。
【００３２】
この検査方法では、電解メッキを施し金属層をエッチングすることにより配線基板の導体層を形成する導体層形成工程と同様な手法によってテスト導体層を形成し、このテスト導体層の短絡テスト部間の短絡不良や絶縁不良の有無を検知して、検査する。
この検査方法では、テスト導体層形成工程において、短絡等を生じやすくするためにテスト絶縁層上に長い距離にわたって互いに小さい間隔を保つ短絡テスト部を有する複数のテスト配線層を含むテスト導体層を形成する。このため、この短絡テスト部間では、各種の不具合によって容易に短絡等不良が生じるため、電短絡等不良品及びその発生部位を発見することができる。
【００３３】
特に、短絡テスト部間の間隔が小さくされ、短絡テスト部が長く形成されているので、この短絡テスト部で短絡不良や絶縁不良が発生しやすくなる。つまり、短絡テスト部における短絡等の有無を検知することで、効率よく短絡等不良品を発見することができる。
特に、配線基板の導体形成工程において形成する導体層同士の間隔のうち、最も小さい導体間隔と同程度あるいはこれよりも小さい狭さで、導体層同士の並行部分のうち最も長い距離よりも長い短絡テスト部を形成すれば、配線基板の導体形成工程における短絡等不良の発生率よりも高い確率で短絡等不良を発生させることができる。このため、テスト導体層を少数形成するだけで、短絡等不良品が現れるから、これを容易に発見しあるいは多数の短絡等不良品を入手することができる。従って、短絡等不良の原因究明が容易になる。また短絡等不良対策の効果を容易に評価できる。
特に、配線基板の導体形成工程における短絡等不良の発生率が低い場合に有用である。
なお、短絡テスト部は、１つのテスト配線層内に複数箇所形成しても良い。
【００３４】
さらに、上記の配線基板の導体層形成工程の検査方法であって、前記短絡テスト部は、対となる前記テスト配線層が互いに並行して延び、長尺でありながら、蛇行状、ジグザグ状、渦巻き状などの配線パターンによりその配線パターン全体の占める面積が小型化された並行小型化長尺部を備えることを特徴とする配線基板の導体層形成工程の検査方法とすると良い。
【００３５】
この検査方法では、短絡テスト部が並行小型化長尺部を備えるので、テスト配線層の占める面積が小型化されていながらも、短絡テスト部の長さは長くできる。このため、小面積でも、テスト配線層中に短絡不良や絶縁不良が現れる確率が高く、原因の究明やその対策の効果の評価が容易にできる。
さらに、小型化長尺部によって短絡テスト部はその長さの割に占める面積が小さくできるため、テスト絶縁層上にテスト導体層をいくつも並べて形成することも可能である。このようにすると、テスト絶縁層上の四隅や中央部などの位置の違いによる短絡等の不良発生率の違いなども容易に測ることができ、短絡等の原因究明や、製品の歩留まり予測などに役立てることができる。
なお、並行小型化長尺部は、１つの短絡テスト部内に複数箇所形成されていても良い。
【００３６】
さらに、上記の配線基板の導体層形成工程の検査方法であって、上記短絡テスト部の導通を調べ、上記短絡テスト部での断線不良の有無を検知する断線検知工程を備えることを特徴とする配線基板の導体層形成工程の検査方法とすると良い。
【００３７】
この検査方法では、短絡テスト部の導通をも調べ、短絡テスト部での断線不良の有無をも検知する。つまり、短絡テスト部間についての短絡不良や絶縁不良の有無を検知するとともに、これら短絡テスト部での断線不良の有無も検知することで、断線不良及び短絡不良等の両方についての電気的不良品を発見することができる。
【００３８】
あるいは、前記の配線基板の導体層形成工程の検査方法であって、対となる前記テスト配線層の短絡テスト部は、互いに噛み合う櫛歯状の配線パターンの櫛歯状部をそれぞれ備えることを特徴とする配線基板の導体層形成工程の検査方法とすると良い。
【００３９】
この検査方法では、対となるテスト配線層の短絡テスト部が櫛歯状部を備えるので、テスト配線層の占める面積が小型化されながらも、２つのテスト配線層間で小さい間隔を保つ長さは長くとれる。このため、小面積でも、テスト配線中に短絡不良や絶縁不良の不良の現れる確率が高く、原因の究明やその対策の効果の評価が容易にできる。
さらに、櫛歯状部によって短絡テスト部はその長さの割に占める面積が小さくできるため、テスト絶縁層上にテスト導体層をいくつも並べて形成することも可能である。このようにすると、テスト絶縁層上の四隅や中央部などの位置の違いによる短絡等の不良発生率の違いなども容易に測ることができ、短絡等の原因究明、製品の歩留まり予測などに役立てることができる。
なお、櫛歯状部は、１つの短絡テスト部内に複数箇所形成されていても良い。
【００４０】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
以下、本発明にかかる第１の実施の形態を、図を参照しつつ説明する。
本実施形態の検査方法で検査される導体層形成工程にかかる配線基板１００は、図１に示すように、３３０ｍｍ×３３０ｍｍの略正方形板状で、多数個取り用大判形状の配線基板である。即ち、この大判の配線基板１００は、大別して、最終的に切断により個分けして製品（配線基板）とする多数の製品部１０１（４０ｍｍ×４０ｍｍ）と、製品部１０１同士を接続し、最終的には廃棄する接続部１０２とからなる。本実施形態において、製品部１０１は接続部１０２を介して縦横３ヶずつ（合計９ヶ）並べられ、更に、この９ヶの群は接続部１０２を介して縦横２群ずつ（合計４群）並べられているので、１つの配線基板１００には、３６ヶ（＝９×４）の製品部１０１が属している。
この配線基板１００は、本実施形態の検査方法で検査される導体層形成工程を含め、種々の工程を経て、製品部１０１に回路配線その他が作り込まれ、大判で完成後、製品部１０１毎に切断し、ハンダリフローなど、更に必要な処理を施した後、図３に示す個分けされた配線基板１１０となる。この配線基板１１０は、その上面１１０Ａに、破線で示すＩＣチップＣＨとの接続が可能なハンダバンプ１１１が多数形成され、下面１１０Ｂには、破線で示すマザーボードＭＢの上面ＭＢＡに搭載可能なように、ハンダバンプ１１２が多数形成されている。
【００４１】
本実施形態の検査方法で検査される導体層形成工程で形成される導体層１０３は、主として製品部１０１に形成される。各製品部１０１に形成される導体層１０３のパターンは、平面視において図２に示すように、主として、中心付近から周縁に向かって略放射状に延びる多数の配線層１０４を含むパターンである。なお、図１ではこれらの記載は省略した。
容易に理解できるように、この配線層１０４が途中で断線したり、隣り合う配線層１０４同士で短絡したり、あるいは接近して配線層１０４同士の間の絶縁抵抗が低下したりすると、そのような不具合を含む配線基板１１０は正常に動作しない。従って、断線や短絡等の不具合のある配線基板１１０を排除するため、配線基板１１０の完成後あるいは完成直前に検査を行うが、多数の複雑な配線を検査するのは容易でなく、検査費用もかかり、不良品の廃棄に伴う損失も大きい。
【００４２】
このため、各工程における検査や不具合原因の追及が行われるが、例えば、図２に示す各配線層１０３を検査するのも容易ではない。そこで本発明では、以下に示すように、導体層１０３を形成するのと同様のテスト導体層形成工程によってテスト配線基板にテスト導体層を形成して、テスト導体層について検査を行う。その結果から、導体層形成工程における各装置や材料が所期の特性通り適正に作動運用しているかどうかなどを評価し、あるいは次工程以降の製品（配線基板１００や配線基板１１０など）の歩留まりを予測可能とする。このため、例えば、１日の作業の開始前、終了後、途中、あるいは、導体層形成工程に配線基板１００を投入する前や後、間などに、定期的にテスト配線基板を投入して、検査を行うと良い。
また、不具合対策の適否、効果の大小等を評価することもできるので、各種の改善を行った際に、検査を行うと良い。
【００４３】
なお、図２に示す導体層１０３（配線層１０４）は、以下のようにして形成する。即ち、配線基板１００の表面には、予めエポキシ系樹脂からなる樹脂絶縁層を形成しておき、その上に予め形成しておいた金属層、具体的には銅層上に、ネガ型感光性樹脂からなるドライフィルムを貼り付け、露光現像して所定パターンのエッチングレジスト層を形成する。その後、露出した銅層をエッチングにより溶解除去して、導体層１０３を形成し、更に不要となったエッチングレジスト層を除去して形成する。
【００４４】
次に、本実施形態で製造されるテスト配線基板１の平面図を図４に示す。
このテスト配線基板１は、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなるテストコア基板１１の上下にエポキシ樹脂系のテスト樹脂絶縁層１２，１３をそれぞれ形成したテスト基板１０（図６（ａ）参照）からなり、上記した大判の配線基板１００と同じく、３３０×３３０ｍｍの平面視略正方形板状である。そして、テスト配線基板１は、上記した製品部１０１（４０×４０ｍｍ）に対応する連結テスト領域３を３６ヶ（＝４×９）備えている。この連結領域３には、それぞれ２０×２０ｍｍの略正方形状のテスト領域２が４つ連結した状態で含まれている。各連結テスト領域３同士は、上記接続部１０２に対応する不要部５によって接続されている。従って、このテスト配線基板１は、１４４ヶ（＝４×９×４）のテスト領域２と不要部５により構成されている。また、各テスト領域２には、後述するように、図５に示すパターンのテスト導体層２３が形成される（図４では、図示を省略する）
なお、本実施形態では、テスト配線基板１の図示しない下面側にも、同様にテスト領域と不要部が形成される。
【００４５】
次に、このテスト配線基板１のテスト領域２の平面図を図５に示す。
各テスト領域２には、上記した配線基板１００の表面と同材質のエポキシ樹脂系からなるテスト絶縁層１２上に、テスト導体層２３が形成されている。このテスト導体層２３は、２つのテスト配線層（第１テスト配線層２１、第２テスト配線層２２）を含む。
さらに、第１テスト配線層２１及び第２テスト配線層２２は、上記配線層１０４（図２参照）とほぼ同じ線幅（４５μｍ）の細くて長い断線テスト部２１Ａ，２２Ａと、その両端に形成され、導通などの電気的特性測定するためのプローブを当接可能な一対のチェックパッド２１Ｂ１及び２１Ｂ２、２２Ｂ１及び２２Ｂ２（それぞれ１×１ｍｍ）とをそれぞれ有する。さらに、図中、一点鎖線で囲まれた領域２４では、この断線テスト部２１Ａ，２２Ａがジグザグの配線パターンにされており、断線テスト部２１Ａ，２２Ａはいずれも、この領域２４で長さが長尺でありながら、ジグザグ状の配線パターンによりその占める面積が領域２４内に収まるように小型化された小型化長尺部２１Ｃ，２２Ｃとされている。
【００４６】
また、第１テスト配線層２１及び第２テスト配線層２２は、領域２４内において、互いに３５μｍの間隔保ち、不具合によって短絡が容易に生じるようにした短絡テスト部２１Ｄ，２２Ｄをも構成している。さらに、それら短絡テスト部２１Ｄ，２２Ｄは、２つのテスト配線層２１，２２が対となって互いに並行してジグザグに延び、長尺でありながら、ジグザグ状の配線パターンによりそのパターン全体の占める面積が小型化されて並行小型化長尺部２１Ｅ，２２Ｅともされている。
このように、本実施形態では、小型化長尺部２１Ｃ，２２Ｃは、短絡テスト部２１Ｄ，２２Ｄであり、かつ、並行小型化長尺部２１Ｅ，２２Ｅでもある。
【００４７】
次に、配線基板の導体層形成工程の検査方法について、図６〜図１１を参照しつつ説明する。
本実施形態において、検査対象である配線基板１００の導体層形成工程は、上記したように、樹脂絶縁層上に形成した金属層上に所定パターンのエッチングレジスト層を形成し、露出した金属層をエッチング除去し、エッチングレジスト層を除去して所定パターンの導体層１０３を形成するものである。そこで、上記テスト配線基板１のテスト導体層２３も、以下に述べるように、同様に金属層をエッチングすることにより形成する。
【００４８】
まず、図６（ａ）に部分拡大断面図を示すように、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなるテストコア基板１１の上下にテスト絶縁層１２，１３が形成されたテスト基板１０を用意する。この両面１０Ａ，１０Ｂ上には、予め厚さ１５μｍの銅からなるテスト金属層１４，１５をそれぞれ形成しておく。このテスト金属層１４，１５は、テスト絶縁層１２，１３上に銅箔を積層したり、テスト絶縁層１２，１３上に無電解メッキ及び電解メッキを施すなど、公知の手法により形成する。なお、実際の製品の配線基板１１０を製造するのと同様の手法によってテスト金属層１４，１５を形成するのが好ましい。
【００４９】
次に、テスト導体層形成工程において、まず図６（ｂ）に示すように、各テスト金属層１４，１５の略全面に、アクリル系樹脂（水溶性アクリル）からなるネガ型感光性のドライフィルムをそれぞれ貼り付け、テストエッチングレジスト層１６，１７を形成する。このドライフィルム（テストエッチングレジスト層１６，１７）の材質は、検査対象の配線基板１００の導体層形成工程で用いるものと同様のものであり、貼付条件や後述する露光現像条件などの製造条件も製品の製造時と同様にする。
【００５０】
次に、図７（ａ）に示すように、貼り付けたテストエッチングレジスト層１６，１７を、所定パターン（図５参照）に露光し、その後現像して、第１テスト配線層２１及び第２テスト配線層２２などに対応した所定パターンのテストエッチングレジスト層１８，１９をそれぞれ形成する。なお、本実施形態で用いたドライフィルムは、露光された部分が硬化するネガタイプであるので、露光部が、現像後、所定パターンのテストエッチングレジスト層１８，１９となる。
【００５１】
次に、図７（ｂ）に示すように、所定パターンのテストエッチングレジスト層１８，１９から露出したテスト金属層１４，１５上に、エッチング液を噴射し、露出したテスト金属層１４，１５をエッチング除去する。これにより、上面１０Ａ上に第１テスト配線層２１及び第２テスト配線層２２を含むテスト導体層２３が、また、下面１０Ｂにもテスト導体層２７が形成される。
なお、検査対象の配線基板の導体層形成工程では、導体層１０３を形成した後、エッチングレジスト層を剥離して導体層１０３を露出させるが、本実施形態の検査方法では、後述するように、不具合の原因が発見しやすくなるため、エッチング後も、所定パターンのテストエッチングレジスト層１８，１９をそのまま残しておく。
【００５２】
次に、断線検知工程において、第１テスト配線層２１の各チェックパッド２１Ｂ１，２１Ｂ２上のテストエッチングレジスト層１８を全部または一部除去してから、チェックパッド２１Ｂ１等にプローブピンを当接させて、チェックパッド２１Ｂ１，２１Ｂ２間の導通を調べ、断線テスト部２１Ａ及び小型化長尺部２１Ｃの断線不良の有無を検知する。また、第２テスト配線層２２についても同様に、断線テスト部２２Ａ及び小型化長尺部２２Ｃの断線不良の有無を検知する。
さらに、短絡等検知工程において、第１テスト配線層２１のチェックパッド２１Ｂ１，２１Ｂ２のいずれかと、第２テスト配線層２２のチェックパッド２２Ｂ１，２２Ｂ２のいずれか（例えば、２１Ｂ１と２２Ｂ１）に、それぞれプローブピンを当接させて、その間の導通や絶縁抵抗を調べ、短絡テスト部２１Ｃ，２２Ｃ間（並行小型化長尺部２１Ｄ，２２Ｄ間）の短絡不良や絶縁不良の有無を検知する。
なお、テストエッチングレジスト層１８を貫通するようにしてプローブピンをチェックパッド２１Ｂ１，２１Ｂ２（２２Ｂ１，２２Ｂ２）に当接させても良い。
【００５３】
このように、第１テスト配線層２１及び第２テスト配線層２２は、それらの両端にそれぞれチェックパッド２１Ｂ１，２１Ｂ２，２２Ｂ１，２２Ｂ２が形成されているので、容易ににプローブピンを当接させて電気的な検査をすることができる。
一つのテスト領域２について上記の断線や短絡等の検査を行った後は、さらに、このような検査を他のテスト領域２についても行い、テスト配線基板１内の１４４ヶすべてのテスト領域２について検査して、断線不良、短絡不良、絶縁不良の有無を検知する。また、下面１０Ｂに形成したテスト導体層２７についても同様にして、検査をする。
【００５４】
このようにすると、検査対象である配線基板の導体層形成工程そのものの歩留まりではないが、同様な導体層形成工程によるテスト配線層２１，２２の歩留まりが判る。従って、従来のように、配線基板をほぼ完成した状態まで製造してから検査する必要がなく、導体層形成工程毎に容易に歩留まりの高低の推定や評価ができることになる。
また、本実施形態では、テスト導体層２３の形状を、図４、図５に示すテスト領域２に収まるような小型なものとしたので、データの集計方法によっては、テスト配線基板１のうち、例えば、四隅付近と中央付近での不具合発生割合の違い、上面１０Ａ上のテスト導体層２３と下面１０Ｂ上のテスト導体層２７での不具合発生率の違いなどを算出することもでき、これを用いて不具合原因の探求も可能となる。
さらに、テスト配線基板１を用いているので、プローブピンによって製品となる配線基板１００内の配線層の一部が傷付くなど、検査に伴う不具合を生じることもない。
【００５５】
さらに、本実施形態の検査方法では、テスト導体層形成工程において、テスト絶縁層１２上に、テスト導体層２３、具体的には、細く長い断線テスト部２１Ａ，２２Ａを有する第１テスト配線層２１及び第２テスト配線層２２を形成している。特に、この断線テスト部２１Ａ，２２Ａは、製品部１０１の配線層１０４（図２参照）と同等の細さで、そのいずれの長さよりも長い小型化長尺部２１Ｃ，２２Ｃを備えている。このため、各種の不具合があると、検査対象の配線基板１００の導体層形成工程の場合に比して、遙かに高い確率でこれらに断線が生じるので、テスト導体層２３を少量形成するだけで断線不良品が現れる。従って、例えば、検査対象である配線基板１００の導体層形成工程において、歩留まりが十分高く、断線不良の生じる可能性が低い場合にも、少数のテスト配線層２１，２２を検査することで、断線不良が現れるので、多数の配線基板１１０（または製品部１０１）を検査する必要がなく、導体層形成工程の歩留まりを推定や評価することができる。
【００５６】
また、本実施形態の検査方法では、テスト導体層形成工程において、並行して延びる配線層１０４の並行部分と同等の間隔（４０μｍ）で、そのいずれの長さよりも長い距離にわたって互いに小さい間隔を保つ短絡テスト部２１Ｄ，２２Ｄ（並行小型化長尺部２１Ｅ，２２Ｅ）を有する第１テスト配線層２１及び第２テスト配線層２２を形成した。このため、この短絡テスト部２１Ｄ，２２Ｄ間では、各種の不具合があると、配線基板１００の導体層形成工程の場合に比して、短絡不良や絶縁不良が遙かに高い確率で生じるので、テスト導体層２３を少量形成するだけで断線不良品が現れる。
従って、例えば検査対象である配線基板１００の導体層形成工程において、歩留まりが十分高く、短絡不良などの生じる可能性が低い場合にも、少数のテスト配線層２１，２２を検査することで、短絡不良や絶縁不良が現れるので、多数の配線基板１０１（または製品部１０１）を検査する必要が無く、導体層形成工程の歩留まりを推定や評価することができる。
【００５７】
その上、上述の検査により、断線不良、短絡不良または絶縁不良が発見された場合には、不良個所を特定し観察することで、不具合の原因を探る手掛かりをえることができる。まず、目視、あるいは通常の光学顕微鏡や偏光顕微鏡などを用いてテストエッチングレジスト層１８，１９やテスト配線層２１，２２の状態を調べ、断線不良、短絡不良または絶縁不良を生じた部位を探し、その状態を観察する。
【００５８】
なお、小型化長尺部２１Ｃ，２２Ｃでは、第１，第２テスト配線層２１，２２が密集したパターンにされているため、狭い領域２４を観察するだけで容易に断線部位を発見できるので、この点でも都合がよい。同様に、並行小型化長尺部２１Ｅ，２２Ｅでは、第１第２テスト配線層２１，２２が密集したパターンにされているため、狭い領域２４を観察するだけで容易に短絡部位あるいは絶縁不良部位を発見できるので、この点でも都合がよい。
【００５９】
テスト配線層２１Ａ（２２Ａ）に断線不良が生じた場合、断線部位２１Ｒの上にテストエッチングレジスト層１８があるかどうかを観察する。
まず、図８（ａ）に示すように、断線部位２１Ｒ上にもテストエッチングレジスト層１８が正常に存在する場合、即ち、テストエッチングレジスト層１８が所定の形状をなしているにも拘わらず、その下のテスト配線層２１Ａでは、断線部位２１Ｒでテスト配線層２１Ａが存在せず断線を生じている場合がある。この場合には、図８（ｂ）（ｃ）に示すように、テスト金属層１４上にテストエッチングレジスト層１６（ドライフィルム）を貼り付けた際に、テストエッチングレジスト層１８とテスト金属層１４との間に、異物ＦＭあるいは空気によるボイドＶが入り込んだため、テストエッチングレジスト層１８がその近くだけ浮き上がって浮き部分１８Ｒとなる。これによって、エッチング液がテストエッチングレジスト層１８とテスト金属層１４との間に浸み込み、テスト配線層２１Ａの断線部位２１Ｒがエッチング除去されたものと考えられる。
【００６０】
これに対し、図９（ａ）に示すように、断線部位２１Ｒではテストエッチングレジスト層１８も欠損している場合がある。この場合には、テストエッチングレジスト層１６に所定パターンの露光をする際に、テストエッチングレジスト層１６上に、異物ＦＭ２が付着して無用な影ができ、本来、硬化し残存すべき部分が現像により除去されてパターン不良を生じたと考えられる。あるいは、現像後エッチングまでのハンドリングにおいて、治工具や他の基板などと接触したために、テストエッチングレジスト層１８の一部が欠損し、テスト配線層２１Ａにも欠損部（断線部位２１Ｒ）が生じたと考えられる。
このように、テストエッチングレジスト層１８を除去せずに残したため、断線不良の原因を推定することができるので、不具合対策を検討することが容易になり、またその効果を容易に測ることができる。
【００６１】
一方、短絡不良や絶縁不良の場合、即ち、図１０（ａ）に示すように、テスト配線層２１Ａと２２Ａとの間でテスト金属層１４の一部が溶け残り、短絡金属層１４Ｓとなって両者間を短絡している場合には、具体的には、次のような原因が挙げられる。
第１は、図１０（ｂ）に示すように、テストエッチングレジスト層１８を形成後、エッチング前に異物ＦＭ３が、隣り合うテストエッチングレジスト層１８間を跨ぐようにして載った場合である。この場合、異物ＦＭ３がいわばエッチングガードの役割を果たし、この下のテスト金属層１３のエッチング除去を阻害するため、短絡金属層１４Ｓとなって残ると考えられる。
第２は、図１０（ｃ）に示すように、テストエッチングレジスト層１６とテスト金属層１４との間に異物ＦＭ４が入り、現像してテストエッチングレジスト層１８を形成した状態で、２つのテストエッチングレジスト層１８の間に異物ＦＭ４が位置する場合である。この場合にも、異物ＦＭ４がいわばエッチングガードの役割を果たし、短絡金属層１４Ｓが残ると考えられる。
これらの場合、異物ＦＭ３あるいはＦＭ４が残っている場合にはもちろん、これらが無くなった場合にも、短絡金属層１４Ｓ付近のテストエッチングレジスト層１８の浮き上がりをチェックすることで、いずれによるものか識別が可能となる場合がある。
【００６２】
このように、テスト導体層に電気的不良が生じた場合に容易にその原因を究明することができるので、電気的不良対策を容易にすることができる。さらに、電気的不良対策をした後は、再び、この導体層形成工程の検査方法によって検査をすれば、その対策の効果の評価を容易にすることができる。
【００６３】
（変形形態１）
次いで、上記実施形態１の変形形態について説明する。
上記実施形態１では、テストエッチングレジスト層として、ネガ型ドライフィルムを用いた。しかし、検査対象である配線基板１００の導体層形成工程で、ポジ型のドライフィルムを用いている場合には、これと同タイプのドライフィルムを用いてテスト導体層を形成するのが好ましい。できるだけ配線基板１００と同一の条件でテスト導体層を形成するためである。
そこで、本変形形態では、テストエッチングレジスト層として、露光された部分が溶解除去可能となるポジ型ドライフィルムを用いる。従って、これに伴い、露光時のマスクの遮光パターンもネガポジ反転したものに変更する。
【００６４】
このようなポジ型のテストエッチングレジスト層を用いても、上記実施形態１と同様に、テスト導体層形成工程でテスト導体層を形成し、断線検知工程で断線不良を、短絡等検知工程で短絡不良や絶縁不良の有無を検知することができるので、詳細な説明は省略する。
さらに、それらの不良を生じたときには、その不良部位を容易に発見することもでき、また、その形態からその原因を究明することもできる。但し、この不良部位の形態と不良原因については、ネガ型レジストを用いた実施形態１と、本変形形態とでは異なる部分があるので、以下に説明する。
【００６５】
本変形形態において、断線不良が生じた場合、上記実施形態１の場合とほぼ同様であるので、図８、図９を用いて説明する。まず、断線部位２１Ｒ上にポジ型のテストエッチングレジスト層２１８が正常に存在する場合（図８（ａ）参照）には、図８（ｂ）または図８（ｃ）に示したように、テストエッチングレジスト層２１８（ポジ型テストエッチングレジスト層２１６）とテスト金属層１４との間に、異物ＦＭあるいはボイドＶが入り込み、テストエッチングレジスト層２１８が浮き上がったためと考えられる。
これに対し、断線部位２１Ｒでテストエッチングレジスト層２１８も欠損している場合（図９（ａ）参照）には、現像後エッチングまでのハンドリングにおいて、治工具や他の基板などと接触したために、テストエッチングレジスト層２１８の一部が欠損し、断線部位２１Ｒが生じたと考えられる。
このように、本変形形態でも、テストエッチングレジスト層２１８を除去せずに残したため、断線不良の原因を推定することができので、不具合対策を検討することが容易になり、またその効果を容易に測ることができる。
【００６６】
一方、短絡不良や絶縁不良の場合には、図１０を参照して説明したのと同様に、異物ＦＭ３，ＦＭ４によって短絡金属層１４Ｓが残った場合の他、図１１に示すように、露光前の異物の付着による露光不良が考えられ、これも識別することができる。即ち、図１０（ａ）に示すように、短絡金属層１４Ｓの上にポジ型のテストエッチングレジスト層２１８が残っていない場合には、実施形態１で説明したのと同様に、異物ＦＭ３あるいはＦＭ４がエッチングガードとして働き、短絡金属層１４Ｓが溶け残ったものと考えられる（図１０（ｂ）（ｃ）参照）。
これに対し、図１１（ａ）に示すように、短絡金属層１４Ｓ上にもポジ型の連結テストエッチングレジスト層２１８Ｓが存在する場合には、図１１（ｂ）に示すように、ポジ型のテストエッチングレジスト層２１６上に付着した異物ＦＭ５が露光時に影を生じさせ、現像時に未露光の部分（２１８Ｓ）が溶解せずに残り、連結テストエッチングレジスト層２１８Ｓ及び短絡金属層１４Ｓとなったものと推定される。
従って、異物ＦＭ３，ＦＭ４，ＦＭ５が残っている場合にはもちろん、これらが無くなった場合にも、短絡金属層１４Ｓ上にテストエッチングレジスト層２１８が残っているか否か、及び短絡金属層１４Ｓ付近のテストエッチングレジスト層２１８の浮き上がりをチェックすることで、いずれによるものか識別が可能となる場合がある。
【００６７】
このように、テスト導体層に電気的不良が生じた場合に容易にその原因を究明することができるので、電気的不良対策を容易にすることができる。さらに、電気的不良対策をした後は、再び、この導体層形成工程の検査方法によって検査をすれば、その対策の効果の評価を容易にすることができる。
【００６８】
（参考形態１）
次いで、実施形態２について、図１２〜図１４を参照しつつ説明する。
本参考形態１では、まず、検査される配線基板の導体層形成工程が上記実施形態１と異なるため、テスト導体層形成工程も異なる。また、テスト導体層形成工程で形成するテスト配線層の形状も、上記実施形態１のテスト配線層（第１テスト配線層２１及び第２テスト配線層２２）と異なり、渦巻き状（図１２参照）とされる。しかし、その他はほぼ同様である。そこで、実施形態１と異なる部分を中心に説明し、同様な部分の説明は省略または簡略化する。
【００６９】
本参考形態１の検査方法で検査される導体層形成工程にかかる配線基板３００は、次述するように製造方法が実施形態１と異なるものの、その形状は同様であり（図１参照）、１つの配線基板３００に３６ヶ（＝９×４）の製品部３０１（４０×４０ｍｍ）及びこれを接続する接続部３０２が含まれている。
この配線基板３００も、本参考形態１の検査方法で検査される導体層形成工程を含め、種々の工程を経て、製品部３０１に回路配線その他が作り込まれ、大判で完成後、製品部３０１毎に切断し、ハンダリフローなど、更に必要な処理を施した後、個分けされた配線基板３１０となる（図３参照）。この配線基板３１０も実施形態１と同様、上面３１０Ａに、ＩＣチップＣＨと接続可能なハンダバンプ３１１が多数形成され、下面３１０Ｂには、マザーボードＭＢの上面ＭＢＡに搭載可能なハンダバンプ３１２が多数形成される。
【００７０】
なお、本参考形態１の検査方法で検査される導体層形成工程で形成される導体層も、実施形態１（図２参照）とほぼ同様であり、導体層３０３は、主として製品部３０１に形成される。各製品部３０１に形成される導体層３０３のパターンも、主として、中心付近から周縁に向かって略放射状に延びる多数の配線層３０４を含むパターンである。
これらの配線層３０３をそれぞれ検査するのは容易ではない。そこで、本参考形態１でも、導体層３０３を形成するのと同様のテスト導体層形成工程によってテスト配線基板にテスト導体層を形成して、テスト導体層について検査を行う。そしてその結果から、導体層形成工程を評価し、あるいは次工程以降の製品の歩留まりを予測可能とする。このため、例えば、１日の作業の開始前、終了後、途中、あるいは、導体層形成工程に配線基板３００を投入する前や後、間などに、定期的にテスト配線基板を投入して、検査を行うと良い。
また、不具合対策の適否、効果の大小等を評価することもできるので、各種の改善を行った際に、検査を行うと良い。
【００７１】
なお、本参考形態１の導体層３０３（配線層３０４）は、以下のようにして形成する。即ち、配線基板３００の表面には、予めエポキシ系樹脂からなる樹脂絶縁層を形成しておき、その上に予め形成しておいた金属層、具体的には銅層上に、ネガ型感光性樹脂からなるドライフィルムを貼り付け、露光現像して所定パターンのメッキレジスト層を形成する。その後、露出した銅層上に電解銅メッキ層を形成してその部分の厚さを増加させる。さらに、メッキレジスト層を除去後、露出した銅層をエッチングにより溶解除去して、銅層と電解銅メッキ層からなる導体層３０３を形成する。
【００７２】
本参考形態１で製造されるテスト配線基板１（図４参照）も、実施形態１と同様であり、テスト配線基板１は、テスト基板１０からなり、上記した大判の配線基板３００と同形状である。テスト配線基板１は、製品部３０１に対応する３６ヶの連結テスト領域３と不要部５とを備え、この連結領域３には、それぞれ略正方形状のテスト領域３２が４つ連結した状態で含まれるので、１つのテスト配線基板１には、１４４ヶのテスト領域３２が含まれる。各テスト領域３２には、次述するように、図１２に示す渦巻き状パターンのテスト導体層３３が形成される（図４では、図示を省略する）
なお、本参考形態１でも、テスト配線基板１の図示しない下面側にも、同様にテスト領域と不要部が形成される。
【００７３】
次に、このテスト配線基板１のテスト領域３２の平面図を図１２に示す。
各テスト領域３２には、上記した配線基板３００の表面と同材質のエポキシ樹脂系からなるテスト絶縁層１２上に、テスト導体層３３が形成されている。このテスト導体層３３は、２つのテスト配線層（第１テスト配線層３４、第２テスト配線層３５）を含む。
さらに、第１テスト配線層３４及び第２テスト配線層３５は、上記配線層３０４（図２参照）とほぼ同じ線幅（４５μｍ）の細くて長い断線テスト部３４Ａ，３５Ａと、その両端に形成され、導通などの電気的特性測定するためのプローブを当接可能な一対のチェックパッド３４Ｂ１及び３４Ｂ２、３５Ｂ１及び３５Ｂ２（それぞれ１×１ｍｍ）とをそれぞれ有する。さらに、図中、一点鎖線で囲まれた領域３６では、この断線テスト部３４Ａ，３５Ａが渦巻き状の配線パターンにされており、いずれの断線テスト部３４Ａ，３５Ａも、この領域３６で長さが長尺でありながら、渦巻き状の配線パターンによりその占める面積が領域３６内に収まるように小型化された小型化長尺部３４Ｃ，３５Ｃとされている。
【００７４】
また、第１テスト配線層３４及び第２テスト配線層３５は、領域３６内において、互いに４０μｍの間隔保ち、不具合によって短絡が容易に生じるようにした短絡テスト部３４Ｄ，３５Ｄをも構成している。さらに、それら短絡テスト部３４Ｄ，３５Ｄは、２つのテスト配線層３４，３５が対となって互いに並行して渦巻き状に延びる２重渦巻きパターンとされており、長尺でありながら、二重渦巻き状の配線パターンによりそのパターン全体の占める面積が小型化されて並行小型化長尺部３４Ｅ，３５Ｅともされている。
このように、本参考形態１では、小型化長尺部３４Ｃ，３５Ｃは、短絡テスト部３４Ｄ，３５Ｄであり、かつ、並行小型化長尺部３４Ｅ，３５Ｅでもある。
【００７５】
次に、配線基板の導体層形成工程の検査方法について、図１３、図１４を参照しつつ説明する。
本参考形態１において、検査対象である配線基板３００の導体層形成工程は、上記したように、樹脂絶縁層上に形成した金属層上に所定パターンのメッキレジスト層を形成し、露出した金属層上に電解メッキ層を形成し、メッキレジスト層を除去して露出した金属層をエッチングで除去して、所定パターンの導体層３０３を形成するものである。そこで、上記テスト配線基板１のテスト導体層３３も、以下に述べるように、同様に金属層に電解メッキ及びエッチングすることにより形成する。
【００７６】
まず、図１３（ａ）に部分拡大断面図を示すように、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなるテストコア基板１１の上下にテスト絶縁層１２，１３が形成されたテスト基板１０を用意する。この両面１０Ａ，１０Ｂ上には、予め厚さ０．７μｍの銅からなるテスト金属層４１，４２をそれぞれ形成しておく。このテスト金属層４１，４２は、テスト絶縁層１２，１３上に銅箔を積層したり、テスト絶縁層１２，１３上に無電解メッキを施すなど、公知の手法により形成する。このテスト金属層４１，４２は、次述する電解メッキにおいて、共通電極の役割を果たす。なお、実際の製品の配線基板３００（３１０）を製造するのと同様の手法によってテスト金属層４１，４２を形成するのが好ましい。
【００７７】
次に、テスト導体層形成工程において、まず図１３（ｂ）に示すように、各テスト金属層４１，４２の略全面に、ネガ型感光性のドライフィルムをそれぞれ貼り付け、テストメッキレジスト層４３，４４を形成する。このドライフィルム（テストメッキレジスト層４３，４４）の材質は、検査対象の配線基板３００の導体層形成工程で用いるものと同様のものであり、貼付条件や後述する露光現像条件などの製造条件も製品の製造時と同様にする。
【００７８】
次に、図１４（ａ）に示すように、貼り付けたテストメッキレジスト層４３，４４を、所定パターン（図１２参照）に露光し、その後現像して、第１テスト配線層３４及び第２テスト配線層３５などに対応した所定パターンの開口４５Ｐ，４６Ｐを有するテストメッキレジスト層４５，４６をそれぞれ形成する。なお、本参考形態１で用いたドライフィルムは、露光された部分が硬化するネガタイプであるので、露光部が、現像後、所定パターンのテストメッキレジスト層４５，４６となる。
【００７９】
次に、図１４（ｂ）に示すように、所定パターンのテストメッキレジスト層４５，４６を共通電極として電解銅メッキを施し、開口４５Ｐ，４６Ｐ内のテスト金属層上に電解メッキ層４７，４８（厚さ１５μｍ）をそれぞれ形成する。
さらに、図１４（ｃ）に示すように、テストメッキレジスト層４５，４６を除去し、露出したテスト金属層４１，４２をエッチング除去する。これにより、上面１０Ａ上に、テスト金属層４１Ｌ及び電解メッキ層４７からなる第１テスト配線層３４及び第２テスト配線層３５を含むテスト導体層３３が、また、下面１０Ｂにもテスト導体層３９が形成される。
【００８０】
次に、断線検知工程において、実施形態１と同様に、第１テスト配線層３４の各チェックパッド３４Ｂ１，３４Ｂ２にプローブピンを当接させて、チェックパッド３４Ｂ１，３４Ｂ２間の導通を調べ、断線テスト部３４Ａ及び小型化長尺部３４Ｃの断線不良の有無を検知する。また、第２テスト配線層３５についても同様に、断線テスト部３５Ａ及び小型化長尺部３５Ｃの断線不良の有無を検知する。なお、実施形態１と異なり、チェックパッド３４Ｂ１等の上にはレジスト層は存在しない。
さらに、短絡等検知工程においても実施形態１と同様に、第１テスト配線層３４のチェックパッド３４Ｂ１，３４Ｂ２のいずれかと、第２テスト配線層３５のチェックパッド３５Ｂ１，３５Ｂ２のいずれか（例えば、３４Ｂ１と３５Ｂ１）に、それぞれプローブピンを当接させて、その間の導通や絶縁抵抗を調べ、短絡テスト部３４Ｃ，３５Ｃ間（並行小型化長尺部３４Ｄ，３５Ｄ間）の短絡不良や絶縁不良の有無を検知する。
【００８１】
このように、第１テスト配線層３４及び第２テスト配線層３５は、それらの両端にそれぞれチェックパッド３４Ｂ１，３４Ｂ２，３５Ｂ１，３５Ｂ２が形成されているので、容易ににプローブピンを当接させて電気的な検査をすることができる。
一つのテスト領域３２について上記の断線や短絡等の検査を行った後は、さらに、このような検査を他のテスト領域３２についても行い、テスト配線基板１内の１４４ヶすべてのテスト領域３２について検査して、断線不良、短絡不良、絶縁不良の有無を検知する。また、下面１０Ｂに形成したテスト導体層３７（第３テスト配線層３８，第４テスト配線層３９）についても同様にして、検査をする。
【００８２】
このようにすると、検査対象である配線基板の導体層形成工程そのものの歩留まりではないが、同様な導体層形成工程によるテスト配線層３４，３５、３８，３９の歩留まりが判る。従って、従来のように、配線基板３１０あるいは３００をほぼ完成した状態まで製造してから検査する必要がなく、導体層形成工程毎に容易に歩留まりの高低の推定や評価ができることになる。
また、本参考形態１でも、テスト導体層３３の形状を、図４及び図１２に示すテスト領域３２に収まるような小型なものとしたので、データの集計方法によっては、テスト配線基板１のうち、例えば、四隅付近と中央付近での不具合発生割合の違い、上面１０Ａ上のテスト導体層３３と下面１０Ｂ上のテスト導体層３７での不具合発生率の違いなどを算出することもでき、これを用いて不具合原因の探求も可能となる。
さらに、テスト配線基板１を用いているので、プローブピンによって製品となる配線基板１００内の配線層の一部が傷付くなど、検査に伴う不具合を生じることもない。
【００８３】
さらに、本参考形態１の検査方法でも、テスト導体層形成工程において、テスト基板１０（テスト絶縁層１２）の上面１０Ａ上に、細く長い断線テスト部３４Ａ，３５Ａを有する第１テスト配線層３４及び第２テスト配線層３５を形成している。特に、この断線テスト部３４Ａ，３５Ａは、製品部３０１の配線層３０４（図２参照）と同等の細さ（導体幅）で、そのいずれの長さよりも長い小型化長尺部３４Ｃ，３５Ｃを備えている。このため、各種の不具合があると、検査対象の配線基板３００の導体層形成工程の場合に比して、遙かに高い確率でこれらに断線が生じるので、テスト導体層３３を少量形成するだけで断線不良品が現れる。従って、配線基板３００の導体層形成工程において、断線不良の生じる可能性が低い場合にも、少数のテスト配線層３４，３５を検査することで、断線不良が現れるので、多数の配線基板３１０（または製品部３０１）を検査する必要がなく、導体層形成工程の歩留まりの推定や評価をすることができる。
【００８４】
また、本参考形態１の検査方法でも、テスト導体層形成工程において、並行して延びる配線層３０４の並行部分と同等の間隔（４０μｍ）で、そのいずれの長さよりも長い距離にわたって互いに小さい間隔を保つ短絡テスト部３４Ｄ，３５Ｄ（並行小型化長尺部３４Ｅ，３５Ｅ）を有する第１テスト配線層３４及び第２テスト配線層３５を形成した。このため、この短絡テスト部３４Ｄ，３５Ｄ間では、各種の不具合があると、配線基板３００の導体層形成工程の場合に比して、短絡不良や絶縁不良が遙かに高い確率で生じるので、テスト導体層３３を少量形成するだけで断線不良品が現れる。
従って、検査対象である配線基板３００の導体層形成工程において、短絡不良などの生じる可能性が低い場合にも、少数のテスト配線層３４，３５を検査することで、短絡不良や絶縁不良が現れるので、多数の配線基板３０１（製品部３０１）を検査する必要が無く、導体層形成工程の歩留まりを推定や評価することができる。
但し、本参考形態では、実施形態１と異なり、テストメッキレジスト４５，４６を残したままにしておくことができない。
【００８５】
（参考形態２）
次いで、上記参考形態１の変形形態について説明する。
上記参考形態１では、テストメッキレジスト層として、ネガ型ドライフィルムを用いた。しかし、検査対象である配線基板３００の導体層形成工程で、ポジ型のドライフィルムを用いている場合には、これと同タイプのドライフィルムを用いてテスト導体層を形成するのが好ましい。できるだけ配線基板３００と同一の条件でテスト導体層を形成するためである。
そこで、本参考形態２では、テストメッキレジスト層として、露光された部分が溶解除去可能となるポジ型ドライフィルムを用いる。従って、これに伴い、露光時のマスクの遮光パターンもネガポジ反転したものに変更する。
【００８６】
このようなポジ型のテストメッキレジスト層を用いても、テスト導体層形成工程でテスト導体層を形成し、断線検知工程で断線不良を、短絡等検知工程で短絡不良や絶縁不良の有無を検知することができるが、上記参考形態１と同様であるので、詳細な説明は省略する。
【００８７】
（参考形態３）
上記実施形態１、変形形態１及び参考形態１，２では、いずれも図５あるいは図１２に示されるように、テスト配線層２１，２２，３４，３５などの断線の有無の他、テスト配線層２１と２２，３４と３５との間の短絡や絶縁不良が判別できるように、２つのテスト配線層２１，２２あるいは３４，３５を備えているものを示した。
しかし、断線不良のみを検知できれば良い場合には、例えば、図１５に示すジグザグ状パターンのテスト導体層を形成しても良い。即ち、テスト領域２内に、１本の断線テスト部５１Ａ及びその両端にチェックパッド５１Ｂ１，５１Ｂ２を備えるテスト配線層５１を形成するようにしても良い。このテスト配線層５１では、一点鎖線で示す領域５２では、断線テスト部５１Ａがジグザグ状の配線パターンにされ、この領域５２で長さが長尺でありながら、ジグザグ状の配線パターンによりその占める面積が領域５２内に収まるように小型化された小型化長尺部５１Ｃとされている。
このため、断線不良が発生し易くなり、このテスト導体層５１の断線不良による歩留まりを用いて、実際の配線基板１００の導体層形成工程の歩留まりを推定したり、各種の改善の効果を測定することができる。特に、小型化長尺部５１Ｃを有するので、テスト配線基板１（配線基板１００）の場所による歩留まりの違いなどを算出することもできる。また、断線不良個所を探すのに、ほとんどの場合、小さな領域５２内、つまり小型化長尺部５１Ｃを観察すれば足りるので、断線不良個所を容易に発見することもできる。
なお、上記形状は、上記実施形態１に示すテスト導体層形成工程の他、変形形態１、参考形態１、参考形態２など、いずれのテスト導体層形成工程においても適用することができる。
【００８８】
（参考形態４）
その他、図１６に示す渦巻き状パターンのテスト導体層を形成しても良い。即ち、テスト領域２内に、１本の断線テスト部６１Ａ及びその両端にチェックパッド６１Ｂ１，６１Ｂ２を備えるテスト配線層６１を形成するようにしても良い。このテスト配線層６１でも、一点鎖線で示す領域６２では、断線テスト部６１Ａが渦巻き状の配線パターンにされ、この領域６２で長さが長尺でありながら、渦巻き状の配線パターンによりその占める面積が領域６２内に収まるように小型化された小型化長尺部６１Ｃとされている。
このため、本参考形態４でも、断線不良が発生し易くなり、このテスト導体層６１の断線不良による歩留まりを用いて、実際の配線基板１００の導体層形成工程の歩留まりを推定したり、その原因究明あるいは各種の改善の効果を測定することができる。特に、小型化長尺部６１Ｃを有するので、テスト配線基板１（配線基板１００）の場所による歩留まりの違いなどを算出することもできる。また、断線不良個所を探すのに、ほとんどの場合、小さな領域６２内を観察すれば足りるので、断線不良個所を容易に発見することもできる。
なお、上記形状も、上記実施形態１に示すテスト導体層形成工程の他、変形形態１、参考形態１、参考形態２など、いずれのテスト導体層形成工程においても適用することができる。
【００８９】
（参考形態５）
一方、短絡不良や絶縁不良のみを検知できれば良い場合には、例えば、図１７に示すように対となるテスト配線層が互いにかみ合う櫛歯状パターンとされたテスト導体層を形成しても良い。即ち、テスト領域２内に形成した２つのテスト配線層７１，７２は、小さな間隔を開けて互いにかみ合う櫛歯状に形成された櫛歯状部７１Ａ，７２Ａの他、チェックパッド７１Ｂ，７２Ｂ、及び櫛歯状部７１Ａ，７２Ａとチェックパッド７１Ｂ，７２Ｂとを結ぶ連結部７１Ｃ，７２Ｃを備える。この櫛歯上部７１Ａ，７２Ａによって、テスト配線層７１，７２の占める面積が小型化されながらも、２つのテスト配線層間で小さい間隔を保つ長さは長くとれる。
このため、小面積でも、テスト配線層７１，７２（櫛歯状部７１Ａ，８２Ａ）間に短絡不良や絶縁不良の現れる確率が高くなり、その原因の究明やその対策の効果の評価が容易にできる。また、このテスト配線層７１，７２の短絡等不良による歩留まりを用いて、実際の配線基板１００の導体層形成工程の歩留まりを推定することもできる。特に、櫛歯状部７１Ａ，７２Ａを有するので、テスト配線基板１（配線基板１００）の場所による歩留まりの違いなどを算出することもできる。また、短絡等不良個所を探すのに、ほとんどの場合、小さな領域７３内、つまり櫛歯状部７１Ａ，７２Ａ間を観察すれば足りるので、短絡等不良個所を容易に発見することもできる。
【００９０】
以上において、本発明を各実施形態、変形形態及び参考形態に即して説明したが、本発明は上記実施形態等に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。
例えば、上記各実施形態１等では、製品の配線基板１００の配線層１０４の幅と同じ細さの断線テスト部２１Ａ等を形成しているが、断線テスト部２１Ａ等の幅は適宜変更することができる。その際、断線テスト部の幅を小さくすると、断線不良がより発生しやすくなるので、テスト導体層を少量形成するだけで、断線不良品が現れるので好適である。
【００９１】
また、上記実施形態等では、感光性樹脂を予め半硬化状態にしたドライフィルムを用いて、テストエッチングレジスト層１６，１７、あるいはテストメッキレジスト層４３，４４を形成したが、ワニス状の感光性樹脂を塗布・乾燥させて各レジスト層としても良い。さらに、レジスト層としてネガ型あるいはポジ型の感光性樹脂を用いたが、非感光性樹脂をスクリーン印刷法などによって所定パターンに塗布してレジスト層としても良い。
また、上記実施形態等では、いずれも、チェックパッドをテスト配線層の端部に設けたが、これに限らず、例えば、断線テスト部の途中部分にチェックパッドを設けることもできる。
【００９２】
また、上記実施形態等では、テスト導体層形成工程によって、テスト基板の両面にテスト導体層を形成したが、片面のみに形成しても良いことが明らかである。
また、上記実施形態等では、テスト基板１０として、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなるテストコア基板１１の上下に、エポキシ樹脂系のテスト絶縁層１２，１３をそれぞれ形成したものを用いたが、検査対象である配線基板の導体層形成工程とできるだけ同一の条件となるように、材質や処理等を考慮すればよい。
また、配線基板の導体層形成工程に先だって、導体層の下地となる絶縁層に、例えば、粗化処理などぼ表面処理などを施す場合には、テスト基板のテスト絶縁層の表面にも同様の処理を行っておくのが好ましい。
また、上記実施形態１、変形形態１及び参考形態１，２においては、２つのテスト配線層２１，２２、及び３４，３５を形成したが、３つ以上のテスト配線層を形成し、これら相互間の短絡や絶縁不良の有無を測るようにしても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】  実施形態１に係り、検査される導体層形成工程で導体層を形成した配線基板（途中工程品、大判）の平面図である。
【図２】  形成された導体層の平面形状を示す平面図である。
【図３】  完成後に個分けされた配線基板の説明図である。
【図４】  実施形態１に係るテスト配線基板の平面図である。
【図５】  実施形態１に係るテスト配線基板のテスト領域に形成するテスト導体層（テスト配線層）の平面形状を示す平面図である。
【図６】  実施形態１に係るテスト導体層を形成するテスト導体層形成工程のうち、（ａ）は両面銅張り板、（ｂ）はこの両面銅張り板の上下面にテストエッチングレジスト層を形成した状態を示す部分拡大断面図である。
【図７】  実施形態１に係るテスト導体層を形成するテスト導体層形成工程のうち、（ａ）は所定パターンのテストエッチングレジスト層を形成した状態を示し、（ｂ）はテストエッチングレジスト層を残しながら、テスト配線層を形成した状態を示す部分断面斜視図である。
【図８】  実施形態１に係り、（ａ）はテストエッチングレジスト層は繋がっていながらもテスト配線層に断線を生じた状態を示す部分断面斜視図であり、（ｂ）はテストエッチングレジスト層の下に異物が挟まった状態、（ｃ）はテストエッチングレジスト層の下に気泡が入った状態を示す部分拡大断面図である。
【図９】  実施形態１に係り、（ａ）はテストエッチングレジスト層及びテスト配線層のいずれも断線した状態を示す部分拡大断面図であり、（ｂ）はテストエッチングレジスト層上に異物が付着して露光不良を生じる様子を示す説明図である。
【図１０】  実施形態１に係り、（ａ）はテストエッチングレジスト層同士は繋がっていないもののテスト配線層間に短絡を生じた状態を示す部分断面斜視図であり、（ｂ）はテストエッチングレジスト層の上及び層間に異物が付着した状態、（ｃ）は金属層とテストエッチングレジスト層との間に異物が付着した状態を示す部分拡大断面図である。
【図１１】  変形形態１に係り、（ａ）はテストエッチングレジスト層同士が繋がってテスト配線層間に短絡を生じた状態を示す部分断面斜視図であり、（ｂ）はテストエッチングレジスト層上に異物が付着して露光不良を生じる様子を示す説明図である。
【図１２】  参考形態１に係るテスト配線基板のテスト領域に形成するテスト導体層（テスト配線層）の平面形状を示す平面図である。
【図１３】  参考形態１に係るテスト導体層を形成するテスト導体層形成工程のうち、（ａ）は両面に銅層を形成したテスト基板本体を示し、（ｂ）はこの銅層にテストメッキレジスト層を形成した状態を示す部分拡大断面図である。
【図１４】  参考形態２に係るテスト導体層を形成するテスト導体層形成工程のうち、（ａ）は所定パターンのテストメッキレジスト層を形成した状態（ｂ）は電解メッキ層を形成した状態、（ｃ）はエッチングしてテスト配線層を形成した状態を示す部分断面斜視図である。
【図１５】  参考形態３にかかるテスト導体層（テスト配線層）の平面形状を示す平面図である。
【図１６】  参考形態４にかかるテスト導体層（テスト配線層）の平面形状を示す平面図である。
【図１７】  参考形態５にかかるテスト導体層（テスト配線層）の平面形状を示す平面図である。
【符号の説明】
１００，３００            配線基板
１０１，３０１            製品部
１０２，３０２            接続部
１０３，３０３            導体層
１０４，３０４            配線層
１１０，３１０            配線基板
１                        テスト配線基板
２，３２                  テスト領域
５                        不要部
１０                      テスト基板
１１                      テストコア基板
１２，１３                テスト絶縁層
１４，１５                銅層（テスト金属層）
１６，１７                テストエッチングレジスト層
１８，１９，２１８        所定パターンのテストエッチングレジスト層
２１，３４                第１テスト配線層
２１Ａ，３４Ａ            （第１テスト配線層の）断線テスト部
２１Ｂ，３４Ｂ            （第１テスト配線層の）チェックパッド
２１Ｃ，３４Ｃ            （第１テスト配線層の）小型化長尺部
２１Ｄ，３４Ｄ            （第１テスト配線層の）短絡テスト部
２１Ｅ，３４Ｅ            （第１テスト配線層の）並行小型化長尺部
２２，３５                第２テスト配線層
２２Ａ，３５Ａ            （第２テスト配線層の）断線テスト部
２２Ｂ，３５Ｂ            （第２テスト配線層の）チェックパッド
２２Ｃ，３５Ｃ            （第２テスト配線層の）小型化長尺部
２２Ｄ，３５Ｄ            （第２テスト配線層の）短絡テスト部
２２Ｅ，３５Ｅ            （第２テスト配線層の）並行小型化長尺部
２３，３３                テスト導体層
４１，４２                テスト金属層
４３，４４                テストメッキレジスト層
４４，４５                所定パターンのテストメッキレジスト層
４４Ｐ，４５Ｐ            開口
４７，４８                電解メッキ層
５１，６１，７１，７２    テスト配線層
７１Ａ，７２Ａ            櫛歯状部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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