(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に、発光素子および受光素子の組を各組ごとに区画化して搭載するための矩形をした複数のチップエリアを複数行複数列に設けるとともに、各チップエリアに上記基板の厚み方向に貫通するスルーホールを設けておき、上記各チップエリアに搭載された上記発光素子および受光素子を封止する際には、上記基板の表面に樹脂成形用の金型を用いて樹脂パッケージを形成する、赤外線データ通信モジュールの製造方法であって、
上記基板の裏面には、上記各チップエリアと対極し、かつ各チップエリアと同大の矩形をした複数のダミーエリアが上記基板の裏面全面に一定厚みに形成した導体層を部分的に除去することにより規定され、各ダミーエリア内には、上記スルーホールの下部周辺の上記導体層と、ダミーパターンとしての上記導体層とが残置されていることを特徴とする、赤外線データ通信モジュールの製造方法。
【請求項２】
上記樹脂パッケージを形成する際には、上記発光素子および受光素子の組を２組以上一括にして、互いに共通する１つの樹脂パッケージにより封止する、請求項１に記載の赤外線データ通信モジュールの製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の赤外線データ通信モジュールの製造方法により製造されたことを特徴とする、赤外線データ通信モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願発明は、いわゆるＩｒＤＡ（Infrared Data Association ）規格に準じた赤外線データ通信などを行うために用いられる赤外線データ通信モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩｒＤＡ準拠の赤外線データ通信モジュールは、ノートパソコンの分野においてその普及が著しく、最近においては、携帯電話や電子手帳などにも普及しつつある。この種の赤外線データ通信モジュールは、赤外線ＬＥＤ、フォトダイオード、変復調回路などをワンパッケージ化して双方向にワイヤレス通信を可能としたものであり、通信速度や通信距離などがバージョンにより統一規格として定められている。このような赤外線データ通信機能の高性能化が推進されるなか、モジュール全体の形態は、ダウンサイジングによりますます小型化され、製造プロセスにおいては、厳しい寸法精度が要求されるとともにコスト低減が叫ばれている。
【０００３】
そのため、この種の分野で鋭意研究・開発に努めてきた本願発明者は、赤外線データ通信モジュールの製造方法として優れた方法を新たに完成し、その製造方法を本願とは別の出願によってすでに開示した。その製造方法の概要について説明すると、まず第１の工程では、基板の表面に赤外線ＬＥＤおよびフォトダイオードの組を各組ごとに区画化して搭載するためのチップエリアを規則正しく並べた状態に設ける。このチップエリアとは、エリア内に赤外線ＬＥＤやフォトダイオード用などのパッド部や電極などからなる配線パターンを有するのに加え、エリア境界付近に基板の厚み方向に貫通するスルーホールが設けられた一定区画の領域をいう。続いて第２の工程では、上記チップエリア内の配線パターンと接続するようにして赤外線ＬＥＤやフォトダイオードなどを搭載する。次いで第３の工程では、各チップエリアに搭載された赤外線ＬＥＤやフォトダイオードなどを封止するものとして、基板の表面に樹脂成形用の金型を用いて樹脂パッケージを形成する。この際、赤外線ＬＥＤおよびフォトダイオードの組は、その２組以上が一括して互いに共通する１つの樹脂パッケージにより封止される。そして最終的には、赤外線ＬＥＤおよびフォトダイオードの２組を各組に分離させるように樹脂パッケージと基板とが切断され、さらにシールド部品などを設けて赤外線ＬＥＤおよびフォトダイオードの１組からなる赤外線データ通信モジュールの単品が得られる。以上の製造方法によれば、製造過程において赤外線ＬＥＤおよびフォトダイオードの組を２組ごとにワンパッケージとすることにより、生産効率を高めて製造コストを低減することができるのである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、上記第３の工程において樹脂パッケージを形成する際、基板の表面には、樹脂パッケージの形状に応じたかたちの表面用の金型が圧接される一方、基板の裏面には、樹脂パッケージを形成する必要がないため、平坦な押圧面を有する裏面用の金型が圧接させられる。つまり、基板の表面側においては、表面用の金型と基板との間に充填された樹脂が固化して樹脂パッケージが形成される一方、基板の裏面側には、裏面用の金型が基板の裏面全体に面して密着した状態とされる。
【０００５】
ところが、基板の裏面には、スルーホールの開口部に繋がる端子が形成されるのみであって、この端子は極めて薄膜の導体といえども厚みを有するため、基板の裏面にわずかな起伏を生じるので、基板に対する裏面用の金型の密着性に問題があった。要するに、裏面用の金型と基板との密着性が悪い状態では、基板の裏面側におけるスルーホール付近の面圧が不十分となり、特に裏面側の基板と金型に隙間が生じるおそれがある。このようなおそれを抱えた状態で表面用の金型と基板との間に樹脂を充填すると、基板の表面側にあるべき樹脂がスルーホールを通じて基板の裏面側へと回り込んでしまい、基板の裏面側に不要な樹脂が付着してしまうおそれがあった。
【０００６】
そこで、本願発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、金型を用いて基板の表面に樹脂パッケージを形成する際、基板に対する金型の密着性を高め、スルーホールを通じた基板の裏面側への樹脂の回り込みを十分に防ぐことができる赤外線データ通信モジュールの製造方法、および赤外線データ通信モジュールを提供することをその課題とする。
【０００７】
【発明の開示】
上記課題を解決するため、本願発明では、次の技術的手段を講じている。
【０００８】
すなわち、本願発明の第１の側面により提供される赤外線データ通信モジュールの製造方法は、基板の表面に、発光素子および受光素子の組を各組ごとに区画化して搭載するための矩形をした複数のチップエリアを複数行複数列に設けるとともに、各チップエリアに上記基板の厚み方向に貫通するスルーホールを設けておき、上記各チップエリアに搭載された上記発光素子および受光素子を封止する際には、上記基板の表面に樹脂成形用の金型を用いて樹脂パッケージを形成する、赤外線データ通信モジュールの製造方法であって、上記基板の裏面には、上記各チップエリアと対極し、かつ各チップエリアと同大の矩形をした複数のダミーエリアが上記基板の裏面全面に一定厚みに形成した導体層を部分的に除去することにより規定され、各ダミーエリア内には、上記スルーホールの下部周辺の上記導体層と、ダミーパターンとしての上記導体層とが残置されていることを特徴としている。
【０００９】
上記技術的手段が講じられた本願発明の第１の側面により提供される赤外線データ通信モジュールの製造方法によれば、樹脂パッケージが形成されるべき基板の表面におけるチップエリアに対し、基板の裏面には、上記チップエリアと同じ大きさで対極する箇所にダミーエリアが設けられ、金型を用いて樹脂パッケージを形成する際には、基板のチップエリアおよびダミーエリアとして設けられた部分が他の部分よりも厚手となって金型により強く押圧される。したがって、基板のチップエリアおよびダミーエリアが設けられた部分には、金型により付与される面圧が十分とされ、たとえ基板の表面側からスルーホール内に樹脂が流れ込んでも、基板の裏面側においては、スルーホール付近を含むダミーエリア全体が金型に強く密着するので、スルーホールを通じた基板の裏面側への樹脂の回り込みを十分に防ぐことができる。
【００１１】
また、基板の裏面側におけるダミーエリアには、ダミーパターンが設けられるので、基板のチップエリアおよびダミーエリアが設けられた部分がわずかながらも全体的に厚手とされ、そのような厚手の部分における面圧が十分高められることから、基板と金型との密着性がより良好に保たれるとともに、スルーホールを通じた基板の裏面側への樹脂の回り込みを確実に防ぐことができる。
【００１３】
さらに、樹脂成形に際して基板の裏面側に平坦面を有する部材を密着させた場合、スルーホール付近を含めて基板の裏面側全体が均一に押圧され、スルーホールを通じた基板の裏面側への樹脂の回り込みを確実に防ぐことができる。
【００１４】
他の好ましい実施の形態としては、上記樹脂パッケージを形成する際には、上記発光素子および受光素子の組を２組以上一括にして、互いに共通する１つの樹脂パッケージにより封止する構成とすることができる。
【００１５】
このような構成によれば、樹脂パッケージと基板とを切断する工程数を少なくし、赤外線データ通信モジュールの生産効率を高めることができる。
【００１６】
本願発明の第２の側面により提供される赤外線データ通信モジュールは、本願発明の第１の側面によって提供される赤外線データ通信モジュールの製造方法により製造されたことを特徴としている。
【００１７】
このような本願発明の第２の側面により提供される赤外線データ通信モジュールによれば、上記第１の側面によって得られるのと同様な効果を期待できる。
【００１８】
本願発明のその他の特徴および利点については、以下に行う発明の実施の形態の説明から、より明らかになるであろう。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の好ましい実施の形態について、図面を参照して具体的に説明する。
【００２０】
図１〜図１２は、本願発明に係る赤外線データ通信モジュールの製造方法の一例を示す。赤外線データ通信モジュールを製造するには、まず図１および図２に示すような基板１を用いる。図１は、基板１の表面側を表した図であり、図２は、基板１の裏面側を表した図である。この基板１は、たとえばガラスエポキシ樹脂製であり、一定方向に延びる帯状または長矩形状を有している。基板１の表面１０ａには、１つの赤外線データ通信モジュールに必要とされる配線パターン（その一部は図示略）７０が各チップエリア１９ごとに区切って形成されている。この配線パターン７０は、後述する発光素子、受光素子、ＬＳＩチップを搭載するためのパッド部や、電極端子部などを有したものであり、図１においては、パッド部のみが示されている。チップエリア１９は、基板１の長手方向および幅方向のそれぞれに複数並べて設けられている。このようなチップエリア１９として区画された長手方向境界付近には、基板１の厚み方向に貫通するスルーホール７が一列に並んだ状態に設けられている。一方、基板１の裏面１０ｂには、上記チップエリア１９と対極するように、そのチップエリア１９と同じ大きさのダミーエリア２１が形成されている。ダミーエリア２１内には、チップエリア１９内における配線パターン７０の全体面積と同程度の大きさを有したダミーパターン２２が設けられている。そして、ダミーエリア２１の境界付近にも、基板１の厚み方向に貫通形成されたスルーホール７が位置している。
【００２１】
さらに図３および図４も参照して詳しく説明すると、基板１の表面１０ａにおけるチップエリア１９は、その表面１０ａ全体に導体層１０を薄膜形成した後、チップエリア１９に相当する矩形区画領域をエッチング処理などで除去して形成されたものである。このエッチング処理などの際、チップエリア１９内には、配線パターン７０として必要な導体部分が残された状態とされる。また、スルーホール７は、軸方向に沿う内壁部分に導体膜７ａを有するとともに、その導体膜７ａが導体層１０に繋がったかたちとされている。一方、基板１の裏面１０ｂにおけるダミーエリア２１は、上記チップエリア１９と同様に、基板１の裏面１０ｂ全体に導体層２０を薄膜形成した後、ダミーエリア２０に相当する矩形区画領域をエッチング処理などで除去して形成されたものである。このエッチング処理などの際、ダミーエリア２１内には、ダミーパターン２２として必要な部分が残された状態とされる。そして、スルーホール７は、その内壁部分の導体膜７ａが導体層２０に繋がったかたちとされている。つまり、基板１の表面１０ａには、チップエリア１９の外形を縁取ってスルーホール７の上部周辺にまで至る導体層１０と、チップエリア１９内の配線パターン７０とが、互いに同等の厚みを有して形成される。一方、基板１の裏面１０ｂには、ダミーエリア２１の外形を縁取ってスルーホール７の下部周辺にまで至る導体層２０と、ダミーエリア２１内のダミーパターン２２とが、互いに同等の厚みを有して形成される。したがって、基板１の裏面１０ｂ側は、ダミーパターン２２を含む多数のダミーエリア２１と、これらを縁取る導体層２０とによって全体的に起伏の少ないほぼ平坦な面とされる。なお、ダミーエリア２１を設けた理由については、後述する。
【００２２】
また、基板１には、その長手方向に間隔を隔てて複数のスリット１８が設けられており、これら複数のスリット１８は基板１の幅方向に延びている。これら複数のスリット１８は、後述するように基板１上に樹脂パッケージを形成した際に、基板１がその長手方向に反り変形することを防止するのに役立つ。
【００２３】
続いて基板１の表面１０ａにおける各チップエリア１９には、図５ないし図７によく表れているように、上記配線パターン７０のパッド部に面して発光素子２、受光素子３およびＬＳＩチップ６が搭載される。発光素子２は、たとえば赤外線発光ダイオードからなる。受光素子３は、たとえば赤外線を感知可能なＰＩＮフォトダイオードからなる。ＬＳＩチップ６は、発光素子２および受光素子３による赤外線の送受信動作を制御するものであり、具体的には、変復調回路や波形整形回路などが造り込まれたものである。さらに、発光素子２、受光素子３およびＬＳＩチップ６は、配線パターン７０の電極端子部に対してワイヤボンディングにより接続される。このような発光素子２、受光素子３、およびＬＳＩチップ６は、配線パターン７０を介してスルーホール７と電気的に接続された状態とされている。なお、基板１の裏面１０ｂにおいて各スルーホール７の導体膜７ａに繋がった導体層２０の一部を端子７１という。
【００２４】
次に、図８によく表れているように、基板１の表面１０ａ上には、複数の樹脂パッケージ４を形成する。各樹脂パッケージ４は、たとえば顔料を含んだエポキシ樹脂からなり、可視光に対しては透光性を有しない反面、赤外線については十分良好に透過させるようになっている。各樹脂パッケージ４には、１つのエリア１９上の１組の電子部品群のみを封止するのではなく、基板１の長手方向において互いに隣り合う２つのチップエリア１９上の組の電子部品群、すなわち２つずつの発光素子２、受光素子３、ＬＳＩチップ６およびそれらの周辺領域を一括して封止するように形成されている。したがって、基板１の表面１０ａ上にたとえば８つのチップエリア１９が並んで設けられている場合には、その方向に計４つの樹脂パッケージ４が並べて形成されることとなり、それら４つの樹脂パッケージ４の各間の隙間９２は、合計３箇所となる。
【００２５】
このように、上記した樹脂パッケージ４の形成工程によれば、１つのチップエリア１９の電子部品群ごとに独立して樹脂パッケージを形成する場合と比較すると、隙間９２の総数を少なくすることができる。このため、本実施形態においては、基板１上の無駄なスペースを少なくし、基板１の長手方向における赤外線データ通信モジュールの取り数を増加させることが可能となる。また、基板１の長手方向おいて、隙間９２が適当数設けられていれば、基板１の表面１０ａのみに樹脂パッケージ４が密着して設けられたことに起因して基板１がその長手方向に反り変形することを適切に防止し、または抑制する効果が得られることとなる。
【００２６】
一方、基板１の幅方向においては、１つのチップエリア１９に１つの樹脂パッケージ４が対応するように、複数の樹脂パッケージ４を形成する。このため、基板１の幅方向においても、複数の樹脂パッケージ４どうしの間の隙間９３が適当数設けられることとなる。このようにすれば、基板１上に樹脂パッケージ４を設けたことに起因して基板１がその幅方向に反り変形することも適切に防止し、または抑制することができることとなる。
【００２７】
このような各樹脂パッケージ４は、図９によく表れているように、表面用および裏面用の金型Ｐ１，Ｐ２を用いてたとえばトランスファモールド法により成形することができ、たとえば次のように形成する。すなわち、表面用の金型Ｐ１には、樹脂パッケージ４の形状に応じたキャビティ部４ａを有するものが用いられるが、裏面用の金型Ｐ２には、基板１の裏面１０ｂ側に面して平坦な押圧面Ｐ２ａを有するものが用いられる。表面用の金型Ｐ１におけるキャビティ部４ａは、そのうちの基板１の幅方向に沿う各列がゲート（図示略）を介して空間を共有するように繋げられている。そして、表面用の金型Ｐ１は、各キャビティ部４ａがチップエリア１９の２つ分を包囲するように、基板１の表面１０ａ上において正確に位置合わせされる。一方、裏面側の金型Ｐ２は、基板１の裏面１０ｂ全体に面して単に押圧するだけである。このようにして両金型Ｐ１，Ｐ２の間においては、基板１が両金型Ｐ１，Ｐ２によって押圧保持された状態とされ、ライナー４ｂを通じてキャビティ部４ａ内に樹脂を注入した後、樹脂が硬化してから両金型Ｐ１，Ｐ２を開くことにより図８に示す成形品を得る。
【００２８】
このような樹脂パッケージ４の成形の際、チップエリア１９上にある樹脂は、図１０によく表れているように、スルーホール７を通じて基板１の裏面１０ｂ側に回り込む可能性が考えられる。しかしながら、基板１の裏面１０ｂ側におけるスルーホール７の近傍には、導体層２０や端子７１に加えてそれらと同じ厚みを有するダミーパターン２２により、できる限り起伏の少ない平坦な面が形成されている。したがって、両金型Ｐ１，Ｐ２が基板１を押圧する状態では、基板１の表裏両面１０ａ，１０ｂに向けて均一に押圧力が作用するとともに、チップエリア１９とダミーエリア２１との重なる部分の面圧が十分高められる。特に、裏面用の金型Ｐ２の押圧面Ｐ２ａは、基板１の裏面１０ｂ上におけるスルーホール７付近を含む導体層２０、端子７１、ならびにダミーパターン２２と隙間なくぴったりと密着した状態とされる。要するに、スルーホール７は、基板１の裏面１０ｂにおいて金型Ｐ２の平坦な押圧面Ｐ２ａにより確実に塞がれ、たとえ基板１の表面１０ａ側からスルーホール７内に樹脂が流れ込んでも、裏面１０ｂ側においては、スルーホール７外に樹脂が溢れることなく樹脂の回り込みが防止されるのである。
【００２９】
こうして成形された各樹脂パッケージ４は、図１０および図１１によく表れているように、基板１の表面１０ａから上方に起立した複数の側面４０と、これら複数の側面４０の上端４２に繋がった天井面４１とを有している。複数の側面４０は、表面用の金型Ｐ１におけるキャビティ部４ａに抜き勾配が設けられていることに起因してそれらのいずれもが傾斜面となっている。天井面４１は、発光素子２および受光素子３の上方に位置しており、この天井面４１には、その一部分を上向きの半球状に膨出させた一対のレンズ４３ａ，４３ｂが設けられている。これら一対のレンズ４３ａ，４３ｂは、発光素子２の発光特性および受光素子３の受光特性に指向性を付与するためのものである。なお、図１０によく表れているように、各スルーホール７内には、その開口部を適当なレジスト膜（図示略）によって塞ぐことにより通常は樹脂が流入しない形態とされる。そうした形態でもレジスト膜が高温の樹脂とともに溶融する場合などがあり、そうすると基板１の裏面１０ｂ側にスルーホール７を通じて樹脂が回り込もうとする。しかしながら、スルーホール７の開口部は、裏面用の金型Ｐ２の押圧面Ｐ２ａが密着することで確実に塞がれていることから、基板１の裏面１０ｂ側に樹脂が付着することはない。
【００３０】
上記樹脂パッケージ４を形成した後には、基板１の切断作業を行う。ただし、その際には、樹脂パッケージ４の切断作業をも併せて行う。より具体的には、図１２の仮想線Ｌａ〜Ｌｄで示す位置において、基板１および樹脂パッケージ４を切断する。仮想線Ｌａで示す位置を切断する第１の切断工程は、樹脂パッケージ４の天井面４１を、レンズ４３ａ，４３ｂの基部４５（本実施形態において、基部４５は、天井面４１の平坦な部分とレンズ４３ａ，４３ｂとの境界部分を意味する）または近傍において切断するようにして、樹脂パッケージ４および基板１をそれらの厚み方向に切断する工程である。その切断箇所は、側面４０の上端４２よりも適当な寸法Ｓａだけ樹脂パッケージ４の幅方向内方寄りである。この切断作業は、後述する所定の厚みを有する駆動回転可能なブレード５を用いて行うことが可能であり、そのブレード５の一側面を仮想線Ｌａに沿わせて移動させて行う。なお、スルーホール７は、仮想線Ｌａ上に位置するように設けられており、上記第１の切断工程は、スルーホール７を分割するようにして行う。
【００３１】
第２の切断工程は、樹脂パッケージ４の幅方向中央部に相当する箇所を切断する工程であり、仮想線Ｌｂ，Ｌｃで示す位置を切断する。仮想線Ｌｂ，Ｌｃは、いずれもレンズ４３ａ，４３ｂの基部４５またはその近傍を通過するが、仮想線Ｌｃはスルーホール７をも通過する。ブレード５の厚みｔは、２つの仮想線Ｌｂ，Ｌｃの間隔と同寸法である。したがって、この第２の切断工程においては、１回の切断作業により、２つの仮想線Ｌｂ，Ｌｃの位置で樹脂パッケージ４および基板１を切断することができる。第３の切断工程は、仮想線Ｌｄで示す位置を切断する工程であり、この工程は実質的には上記した第１の切断工程と同様である。基板１の長手方向においては、以下上記と同様にして樹脂パッケージ４および基板１をそれらの厚み方向に切断していく。
【００３２】
基板１の切断作業は、基板１の幅方向においても行う。この場合、たとえば図１１に示す仮想線Ｌｅの位置で樹脂パッケージ４および基板１を切断する。この切断作業は、図１２に示した仮想線Ｌａ，Ｌｄを切断箇所とする切断工程と同様に、レンズ４３ａあるいは４３ｂの基部４５またはその近傍において、樹脂パッケージ４および基板１を切断する作業である。
【００３３】
このような一連の作業工程によれば、図１３〜図１５に示す赤外線データ通信モジュールＡが複数個製造されることとなる。この赤外線データ通信モジュールＡは、矩形状に切断された基板１ａ上に、発光素子２、受光素子３およびＬＳＩチップ６のそれぞれが１つずつ搭載され、かつこれらがその四方を切断された樹脂パッケージ４ａによって封止された構造となっている。樹脂パッケージ４からは、基板１ａに対して傾斜していた複数の側面４０がいずれも除去されている。樹脂パッケージ４ａの複数の側面４０ａは、いずれも滑らかな平面状の切断面であり、基板１ａの切断面１１と面一となっている。したがって、赤外線データ通信モジュールＡの複数の外面としては、切断面１１と側面４０ａとが面一状に繋がった２つずつの平面８Ａ，８Ｂがある。各平面８Ａは、この赤外線データ通信モジュールＡの長手方向に延びており、各平面８Ｂはそれと直交する面である。１つの平面８Ａには、複数のスルーホール７が分割されることによって形成された複数の凹部７Ａが設けられており、複数の端子７１に繋がったそれらの導体膜７ａが外部に露出した構造となっている。
【００３４】
上述した一連の作業工程によれば、図１３〜図１５に示すような赤外線データ通信モジュールＡの単品を複数個製造できるが、特に樹脂パッケージ４を形成する工程においては、基板１のチップエリア１９およびダミーエリア２１の部分に金型Ｐ１，Ｐ２による面圧が十分付与される。したがって、基板１の裏面１０ｂ側においては、スルーホール７付近の端子７１とともにダミーパターン２２が形成されているダミーエリア２１全体に裏面用の金型Ｐ２が強く密着した状態とされ、スルーホール７を通じて基板１の裏面１０ｂ側へと樹脂が回り込むことなく、基板１の表面１０ａ側にのみ樹脂パッケージ４ａを有した赤外線データ通信モジュールＡを得ることができる。
【００３５】
なお、本願発明は、上述の実施形態に限定されるものではない。
【００３６】
たとえば、樹脂パッケージ４を形成して発光素子２や受光素子３を封止する場合には、必ずしもそれらを２組にして一括封止させる必要もない。たとえば、３組あるいはそれ以上の組数の発光素子および受光素子を一括して封止するようにしてもかまわない。本願発明においては、１つの樹脂パッケージによって封止される発光素子および受光素子の組合せ数を増やすほど、複数の樹脂パッケージの相互間に形成される隙間の数を減らすことができ、１つの成形品から取り出される赤外線データ通信モジュールの単品数を増加させることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明にかかる赤外線データ通信モジュールの製造方法に用いられる基板の表面側を示す斜視図である。
【図２】図１に示す基板の裏面側を示す斜視図である。
【図３】図１のＩＩ−ＩＩ断面図である。
【図４】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ断面図である。
【図５】図１に示す基板上に電子部品群を搭載した状態を示す斜視図である。
【図６】図５のＩＶ−ＩＶ断面図である。
【図７】図５のＶ−Ｖ断面図である。
【図８】図５に示す基板上に樹脂パッケージを形成した状態を示す斜視図である。
【図９】図８に示す成形品を金型を用いて成形する際の状態を示した斜視図である。
【図１０】図８のＶＩ−ＶＩ断面図である。
【図１１】図８のＶＩＩ−ＶＩＩ断面図である。
【図１２】樹脂パッケージおよび基板の切断工程を示す断面図である。
【図１３】本願発明にかかる製造方法を経て製作された赤外線データ通信モジュールの一例を示す断面図である。
【図１４】図１３のＩＸ−ＩＸ断面図である。
【図１５】図１３の左側面図である。
【符号の説明】
Ａ        赤外線データ通信モジュール
Ｐ１      金型（表面用の）
Ｐ２      金型（裏面用の）
１，１ａ  基板
２        発光素子
３        受光素子
４，４ａ  樹脂パッケージ
６        ＬＳＩチップ
１０      導体層
１９      チップエリア
２０      導体層
２１      ダミーエリア
２２      ダミーパターン
７０      配線パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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