(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に第１アルミニウム膜及び前記第１アルミニウム膜の下に積層され、インジウム錫酸化膜とのコンタクト抵抗がアルミニウムより低い金属からなる第１下地金属膜からなるゲート配線、ゲート端子、ゲート電極;
前記第１アルミニウム膜上に絶縁耐圧を高めるために形成された第１アルミニウム酸化膜;
前記第１アルミニウム酸化膜上に順に積層されたゲート絶縁膜及び半導体膜;
前記半導体膜上に第２アルミニウム膜及び前記第２アルミニウム膜の下に積層され、インジウム錫酸化膜とのコンタクト抵抗がアルミニウムより低い金属からなる第２下地金属膜からなるデータ端子、データ配線、ソース電極及びドレイン電極;
前記第２アルミニウム膜上に形成された第２アルミニウム酸化膜;
前記第２アルミニウム酸化膜上に形成されたパッシベーション膜;
前記ドレイン電極及びデータ端子上にパッシベーション膜と第２アルミニウム酸化膜と前記第２アルミニウム膜を貫通する第１及び第２コンタクトホール;
前記ゲート端子上に前記パッシベーション膜とゲート絶縁膜と第１アルミニウム酸化膜と前記第１アルミニウム膜を貫通する第３コンタクトホール;
前記パッシベーション膜上で前記第１、第２、第３コンタクトホールを通じて前記ドレイン電極、データ端子及びゲート端子それぞれの第１下地金属膜と第２下地金属膜に電気接続して、インジウム錫酸化膜から形成された画素電極とデータ上部端子とゲート上部端子を含んで成すことを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
【請求項２】
透明基板上に第１アルミニウム膜及び前記第１アルミニウム膜の下に積層され、インジウム錫酸化膜とのコンタクト抵抗がアルミニウムより低い金属からなる第１下地金属膜からなるゲート配線、ゲート端子、ゲート電極;
前記第１アルミニウム膜上に絶縁耐圧を高めるために形成された第１アルミニウム酸化膜;
前記第１アルミニウム酸化膜上に順に積層されたゲート絶縁膜及び半導体膜;
前記半導体膜上に第２アルミニウム膜及び前記第２アルミニウム膜の下に積層され、インジウム錫酸化膜とのコンタクト抵抗がアルミニウムより低い金属からなる第２下地金属膜からなるデータ端子、データ配線、ソース電極及びドレイン電極;
前記第２アルミニウム膜上に形成された第２アルミニウム酸化膜;
前記第２アルミニウム酸化膜上に形成されたパッシベーション膜;
前記ドレイン電極及びデータ端子上にパッシベーション膜と第２アルミニウム酸化膜と前記第２アルミニウム膜を貫通する第１及び第２コンタクトホール;
前記ゲート端子上に前記パッシベーション膜とゲート絶縁膜と第１アルミニウム酸化膜と前記第１アルミニウム膜を貫通する第３コンタクトホール;
前記パッシベーション膜上で前記第１、第２、第３コンタクトホールを通じて前記ドレイン電極、データ端子及びゲート端子それぞれの第１下地金属膜と第２下地金属膜に電気接続して、インジウム錫酸化膜から形成された画素電極とデータ上部端子とゲート上部端子を含んで成す薄膜トランジスタ基板;
前記薄膜トランジスタ基板と対向配置された一対の基板の間に形成された液晶を含んで成すことを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は薄膜トランジスタ基板およびこれを用いた液晶表示装置に関し、特に低抵抗配線としてアルミニウムを用いた薄膜トランジスタ基板およびこれを用いた液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
配線材料としてのアルミニウムは低抵抗であるという利点を有しており、電子機器において、基板上の配線や電極等に多用されてきている。
図６は、一般的な薄膜トランジスタ型液晶表示装置の薄膜トランジスタ部分を示す概略図である。
この薄膜トランジスタ８２は、透明基板８３上にゲート電極８４が設けられ、このゲート電極８４を覆うようにゲート絶縁膜８５が設けられている。ゲート電極８４上方のゲート絶縁膜８５上にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）からなる半導体能動膜８６が設けられ、リン等のｎ型不純物を含むアモルファスシリコン（ｎ+型ａ−Ｓｉ）からなるオーミックコンタクト層８７を介して半導体能動膜８６上からゲート絶縁膜８５上にわたってソース電極８８およびドレイン電極８９が設けられている。そして、これらソース電極８８、ドレイン電極８９、ゲート電極８４等で構成される薄膜トランジスタ８２を覆うパッシベーション膜９０が設けられ、ドレイン電極８９上のパッシベーション膜９０にコンタクトホール９１が設けられている。さらに、このコンタクトホール９１を通じてドレイン電極８９と電気的に接続されるインジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと略記する）等の透明性導電膜からなる画素電極９２が設けられている。
【０００３】
また、図６左側の部分は表示領域外に位置するゲート配線端部のゲート端子パッド部９３の断面構造を示している。透明基板８３上のゲート配線材料からなる下部パッド層９４上にゲート絶縁膜８５およびパッシベーション膜９０を貫通するコンタクトホール９５が設けられ、このコンタクトホール９５を通じて下部パッド層９４と電気的に接続される画素電極９２と同一の透明性導電膜からなる上部パッド層９６が設けられている。尚、ソース配線端部においても類似の構造となっている。
以上のように、薄膜トランジスタにおいては、ゲート端子、ソース端子および画素電極を成す透明性導電膜と、ゲート配線、ソース配線およびドレイン電極を成す配線用金属が直接接続されるように構成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、この種の液晶表示装置において配線抵抗を下げる目的で、透明性導電膜としてＩＴＯを、配線用金属としてアルミニウムを用いた場合、ＩＴＯとアルミニウムを直接接触させると、ＩＴＯ中の酸素がアルミニウムを酸化してしまい、その結果コンタクト部分の電気抵抗が上昇してしまう。
また、アルミニウムを配線材料として使用した場合、ヒロックを生じるという問題がある。ヒロックとは、アルミニウムの表面に発生する針状突起のことであり、この突起がアルミニウム上に積層された絶縁層を突き抜け、他の導電層とショートしたり絶縁不良を起こしたりする恐れがあった。
上記の点に鑑み、本発明は、上述の２つの問題点、すなわちアルミニウムとＩＴＯの接触による電気抵抗値上昇およびヒロックによるショート不良、絶縁不良を解決し、アルミニウムを配線材料として使用する薄膜トランジスタ基板およびこれを用いた液晶表示装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る薄膜トランジスタ基板は、基板上に、ゲート端子、ソース端子および画素電極を成すインジウム錫酸化膜との電気接続が可能な金属からなる下地金属膜と、ゲート配線、ソース配線およびドレイン電極を成すアルミニウム膜と、アルミニウム酸化膜と、絶縁膜とが順に積層され、絶縁膜表面から絶縁膜とアルミニウム酸化膜とアルミニウム膜とを通して下地金属膜に達するコンタクトホールが形成され、絶縁膜上およびコンタクトホール内にインジウム錫酸化膜が形成されて、コンタクトホール内成膜のインジウム錫酸化膜が下地金属膜に電気的に接続されたことを特徴とする。
【０００６】
すなわち、薄膜トランジスタ基板においては、インジウム錫酸化膜からなるゲート端子、ソース端子、画素電極等と、アルミニウム膜からなるゲート配線、ソース配線、ドレイン電極等を電気的に接続する必要がある。本発明においては、インジウム錫酸化膜とアルミニウム膜を直接接続するのではなく、ゲート配線、ソース配線、ドレイン電極の部分を下地金属膜とアルミニウム膜の２層構造にしておき、その上の絶縁膜に形成するコンタクトホールをアルミニウム膜まで除去して下地金属膜表面を露出させ、インジウム錫酸化膜と下地金属膜を直接接続するようにした。この場合、下地金属膜にはインジウム錫酸化膜との電気接続が可能な金属を用いるので、ゲート端子、ソース端子、画素電極とゲート配線、ソース配線、ドレイン電極とを支障なく接続することができる。
【０００７】
この下地金属膜を形成する金属としては、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ等を好適に使用することができる。例えば、アルミニウムとＩＴＯのコンタクト抵抗は、１０2 ないし１０-2 Ω・ｃｍ2であるが、モリブデンとＩＴＯのコンタクト抵抗は、１０-4 ないし１０-7 Ω・ｃｍ2 であり、モリブデンを使用することによってコンタクト抵抗を低くすることができる。
また、アルミニウム膜の表面にアルミニウム酸化膜を設けることで、アルミニウム膜表面にバリア層が形成され、その後の熱処理等によるアルミニウム膜表面ヒロックの成長が抑えられるため、ヒロックによるショートや絶縁不良を効果的に防ぐことができる。
【０００８】
従って、本発明によれば、ゲート端子、ソース端子、画素電極と、ゲート配線、ソース配線、ドレイン電極とのコンタクト部分における抵抗の増大と、アルミニウム膜のヒロックに起因するショート不良、絶縁不良の発生という２つの問題点を同時に解決することができる。その結果、電気的特性が良好であり、歩留まりの高い薄膜トランジスタ基板を得ることができる。
【０００９】
上記のアルミニウム酸化膜は、種々の方法によって形成することができるが、簡単な方法として、オゾン水を用いたアルミニウム膜の酸化処理により形成してもよいし、酸素雰囲気中でのアルミニウム膜への紫外線照射により形成しても差し支えない。あるいはこれら２つの手段を併用しても構わない。
また、本発明に係る液晶表示装置は、対向配置された一対の基板の間に液晶が挟持され、一対の基板の一方が上述の薄膜トランジスタ基板であることを特徴とする。
低抵抗配線としてアルミニウムを用いた薄膜トランジスタ基板を用いた液晶表示装置は、配線抵抗に起因する信号電圧降下や配線遅延が生じにくく、配線が長くなる大面積の表示や配線が細くなる高精細な表示に最適な表示装置を容易に実現できる、という利点を有する。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、図面により本発明について詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態例のみに限定されるものではない。
図１は、本実施形態例の薄膜トランジスタ基板１の部分断面図である。符号Ａの部分は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、Ｂの部分はＴＦＴマトリクス外側に位置するソース配線の端子部、Ｃの部分はゲート配線の端子部を示している。なおこれら３つの部分は、実際の液晶表示装置においては離れた箇所にあり、本来断面図を同時に示せるものではないが、図示の都合上、近接させて図示する。
【００１１】
まず、薄膜トランジスタ部Ａの部分について説明する。
薄膜トランジスタ部Ａには、基板２上に膜厚５００Å程度のモリブデンからなる下地金属膜３および膜厚２０００Å程度のアルミニウム膜４からなるゲート電極５が設けられ、その上に膜厚１００ないし２００Å程度のアルミニウム酸化膜６が設けられている。その上にゲート絶縁膜７が設けられ、このゲート絶縁膜７上にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）からなる半導体膜８が設けられ、さらにこの半導体膜８上にｎ+ 型ａ−Ｓｉ層９が設けられ、その上に膜厚２００ないし５００Å程度のモリブデンからなる下地金属膜１０と膜厚１５００ないし２０００Å程度のアルミニウム膜１１からなるソース電極１２および下地金属膜１０とアルミニウム膜１４からなるドレイン電極１５が設けられている。アルミニウム膜１１およびアルミニウム膜１４の上には膜厚１００ないし２００Å程度のアルミニウム酸化膜１６が設けられている。
【００１２】
また、ソース電極１２やドレイン電極１５の上方にこれらを覆うパッシベーション膜１７（絶縁膜）が形成され、このパッシベーション膜１７に、アルミニウム酸化膜１６とアルミニウム膜１４とを貫通して下地金属膜１０に達するコンタクトホール１８が形成されている。そして、コンタクトホール１８の内壁面および底面に沿って画素電極となるＩＴＯ層１９が形成されている。このコンタクトホール１８を通じてドレイン電極１５とＩＴＯ層１９（画素電極）が電気的に接続されている。
【００１３】
次に、ソース配線の端子部Ｂに関しては、ゲート絶縁膜７上に下地金属膜１０とアルミニウム膜１１とからなる下部パッド層が形成され、その上にはアルミニウム酸化膜１６とパッシベーション膜１７が形成され、この２層を貫通するコンタクトホール２０が形成されている。そして、コンタクトホール２０の内壁面および底面に沿ってＩＴＯからなる上部パッド層２１が形成されている。このコンタクトホール２０を通じて下部パッド層と上部パッド層２１が電気的に接続されている。
【００１４】
次に、ゲート配線の端子部Ｃに関しては、基板２上に下地金属膜３とアルミニウム膜４とからなる下部パッド層が形成され、その上にはアルミニウム酸化膜６とパッシベーション膜１７が形成され、この２層を貫通するコンタクトホール２２が形成されている。そして、コンタクトホール２２の内壁面および底面に沿ってＩＴＯからなる上部パッド層２３が形成されている。このコンタクトホール２２を通じて下部パッド層と上部パッド層２３が電気的に接続されている。
【００１５】
このような構成とすることで、ＩＴＯ層とアルミニウム層はＩＴＯとの電気接続が可能な金属からなる下地金属膜を介して接続されるので、お互いが直接接触することによる抵抗値の上昇を起こすことはない。
前記パッシベーション膜の例としては、ａ（アモルファス）−ＳｉＮx：Ｈ、ａ−ＳｉＮx、ａ−ＳｉＯ2：Ｈ、ＳｉＯ2等を挙げることができる。
【００１６】
次に、本実施形態の薄膜トランジスタ基板１の製造工程について、図２を用いて説明する。尚、図２の４つの図は、図１の薄膜トランジスタ部Ａの製造工程について示した概略図である。
まず、基板２上の全体にわたってスパッタ法を用いて下地金属膜３、アルミニウム膜４を順に成膜した後、図２Ａに示すように、この２つの膜を乾式法あるいは乾式法と湿式法との併用によりエッチングしてゲートパターンを形成する。その後、アルミニウム膜４の表面を酸化処理することでアルミニウム酸化膜６を形成する。この際には、オゾン水を用いた酸化処理を採用してもよいし、酸素雰囲気中での紫外線照射を用いた酸化処理を採用してもよい。あるいは、これら２つの手段を併用しても構わない。
【００１７】
次に、基板２の上面全体にＣＶＤ法を用いてゲート絶縁膜７、半導体膜８、ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層９を形成した後、ＴＦＴのチャネル部となるアルミニウム酸化膜６の上方部分を残すように半導体膜８、ｎ+型ａ−Ｓｉ層９をエッチングする。そして、図２Ｂに示すように、下地金属膜１０とアルミニウム膜１１（１４）を順に成膜する。
【００１８】
次に、図２Ｃに示すように、アルミニウム酸化膜６上方のアルミニウム酸化膜１６、アルミニウム膜１１（１４）、下地金属膜１０を乾式法あるいは乾式法と湿式法との併用によりエッチングしてソース・ドレインパターンを形成する。次いで、アルミニウム膜１１（１４）の表面を酸化処理することでアルミニウム酸化膜１６を形成する。この際には、オゾン水を用いた酸化処理を採用してもよいし、酸素雰囲気中での紫外線照射を用いた酸化処理を採用してもよい。または、これら２つの手段を併用しても構わない。
その後、ｎ+ 型ａ−Ｓｉ層９を乾式法あるいは乾式法と湿式法との併用によりエッチングしてチャネル２４を形成する。
次に、アルミニウム酸化膜１６上にパッシベーション膜１７を形成し、図２Ｄに示すように、パッシベーション膜１７、アルミニウム酸化膜１６、アルミニウム膜１４を乾式法あるいは乾式法と湿式法との併用によりエッチングしてコンタクトホール１８を形成する。
【００１９】
次に、ＩＴＯ層を全面に形成した後、パターニングすることにより、図１に示すように、コンタクトホール１８の底面および内壁面、パッシベーション膜１７の上面にかけてＩＴＯ層１９を形成する。
ソース配線の端子部Ｂ、ゲート配線の端子部Ｃについても同様で、アルミニウム酸化膜１６、６上にパッシベーション膜１７を形成した後、パッシベーション膜１７、アルミニウム酸化膜１６、６、アルミニウム膜１１、４を乾式法あるいは乾式法と湿式法との併用によりエッチングしてコンタクトホール２０、２２を形成する（ただし、ゲート配線端子部Ｃでは上記の膜の他、さらにゲート絶縁膜７もエッチングしてコンタクトホール２２を形成する）。ＩＴＯ層を全面に形成した後、パターニングすることにより、図１に示すように、コンタクトホール２０、２２の底面および内壁面、パッシベーション膜１７の上面にかけて上部パッド層２１、２３を形成する。
このような手順で、本実施の形態の薄膜トランジスタ基板を製造することができる。
【００２０】
図３は、本実施形態例の薄膜トランジスタ基板を使用した反射型液晶表示装置の一例を示す概略図である。
この反射型液晶表示装置は、液晶層５９を挟んで対向する上側および下側のガラス基板５１、５２の上側ガラス基板５１の内面側に上側透明電極層５５、上側配向膜５７が上側ガラス基板５１側から順に設けられ、下側ガラス基板５２の内面側に下側透明電極層５６、下側配向膜５８が下側ガラス基板５２側から順に設けられている。
【００２１】
液晶層５９は、上側と下側の配向膜５７、５８間に配設されている。上側ガラス基板５１の外面側には上側偏光板６０が設けられ、下側ガラス基板５２の外面側には下側偏光板６１が設けられ、さらに下側偏光板６１の外面側に反射板６２が、反射膜６４の凹凸面６５を下側偏光板６１側に向けて取り付けられている。反射板６２は、例えば、表面にランダムな凹凸面が形成されたポリエステルフィルム６３の凹凸面上にアルミニウムや銀などからなる金属反射膜６４を蒸着等で成膜することにより形成されており、表面にランダムな凹凸面６５を有しているものである。
この反射型液晶表示装置においては、ガラス基板５２が本実施形態例の薄膜トランジスタ基板１の基板２、下側透明電極層５６がＩＴＯ層（画素電極）１９に相当する。
【００２２】
本実施の形態の薄膜トランジスタ基板においては、以下のような効果を奏することができる。すなわち、アルミニウム膜の下に積層されている下地金属膜とＩＴＯ層とを接続しているので、コンタクト抵抗を上昇させることなく、ＩＴＯ層とアルミニウム膜とを電気的に接続することができる。また、アルミニウム膜の表面にアルミニウム酸化膜を設けることで、アルミニウム膜表面に生じるヒロックの表面にアルミニウム酸化膜というバリア層を形成することができ、ヒロックによるショートや絶縁不良を防ぐことができる。
【００２３】
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、例えばアルミニウム膜、アルミニウム酸化膜、下地金属膜、パッシベーション膜等の膜厚や、形状等について、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
【００２４】
【実施例】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
まず、アルミニウム表面のヒロックが、オゾン水処理、オゾン水と紫外線処理でどのように変化するかについて実験した。
３枚の基板に厚さ１７００Åのアルミニウム膜を成膜した。各基板を熱処理し、アルミニウム膜の表面にヒロックを形成させた。３枚の基板のうち、１枚はアルミニウム膜の表面をオゾン水で５分間処理し、１枚はアルミニウム膜の表面をオゾン水と紫外線で５分間処理してアルミニウム酸化膜を形成させた。残りの１枚は表面処理をしなかった。各基板のアルミニウム膜表面の１５０μｍ四方を、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて５１２×５１２点走査し、ヒロックの高さと密度を測定した。結果を図４に示す。図４中、▲および太い実線は未処理のアルミニウム膜、●および破線はオゾン水で５分間処理したアルミニウム膜、■および細い実線はオゾン水と紫外線で５分間処理したアルミニウム膜である。
【００２５】
図４から明らかなように、未処理のアルミニウム膜よりオゾン水で処理したアルミニウム膜の方が、また、オゾン水で処理したアルミニウム膜よりオゾン水と紫外線で処理したアルミニウム膜の方が、ヒロックの高さ、密度とも減少している。すなわち、オゾン水処理、紫外線処理とも、アルミニウム膜表面に酸化膜を形成するのみならず、ヒロック自体を小さくしてアルミニウム膜表面を平滑化する効果があることが確認された。また、オゾン水処理と紫外線処理を併用することで、さらなる効果の向上が見られた。
【００２６】
次に、アルミニウム膜をオゾン水と紫外線で処理する際の絶縁耐圧への影響について実験した。
３枚の基板に厚さ１３００Åのアルミニウム膜を成膜した。アルミニウム膜の表面をオゾン水と紫外線で、１枚目の基板は１分間、２枚目の基板は５分間、３枚目の基板は２０分間処理し、アルミニウム酸化膜を形成した。それぞれの酸化膜の上に絶縁層となる厚さ１０００ÅのＳｉＮx層、導電層を順に成膜して試料を作製した。各試料とも複数箇所においてアルミニウム膜と導電層との間の絶縁耐圧を測定した。
【００２７】
図５は３種類の試料について、アルミニウム膜と導電層との間の絶縁耐圧と、その絶縁耐圧を示した測定点の度数を示したグラフである。
オゾン水と紫外線で１分間処理した試料は、０ないし８Ｖ程度と絶縁耐圧が低く酸化条件としては不十分で、アルミニウム膜表面のヒロックの発生を完全に抑えるまで酸化膜が成長していないと判断された。
オゾン水と紫外線で５分間処理した試料は、１分間処理の試料と比較して、耐圧１０Ｖの点が多く、グラフが大きく右側に移動しており、酸化膜が十分成長してヒロックの発生を抑え、試料の耐圧が向上したと判断された。
オゾン水と紫外線で２０分間処理した試料は、５分間処理の試料と比較してグラフがやや左側に移動しており、処理時間を延長しても試料の耐圧は向上せず、逆に低下傾向にあることが判明した。
以上のことから、絶縁耐圧向上の観点からは、アルミニウム膜をオゾン水と紫外線で処理する最適時間は５分間であると結論された。
【００２８】
【発明の効果】
以上詳細に説明した通り、本発明の薄膜トランジスタ基板は、アルミニウム膜の下に積層されている下地金属膜とインジウム錫酸化膜とを接続しているので、コンタクト抵抗を上昇させることなく、インジウム錫酸化膜とアルミニウム膜とを電気的に接続することができる。また、アルミニウム膜の表面にアルミニウム酸化膜を設けることで、アルミニウム膜表面にバリア層を形成し、その後の熱処理等によるヒロックの成長が抑えられるため、ヒロックによるショートや絶縁不良を防ぐことができる。
また、低抵抗配線としてアルミニウムを用いた薄膜トランジスタ基板を用いた液晶表示装置は、配線抵抗に起因する信号電圧降下や配線遅延が生じにくく、配線が長くなる大面積の表示や配線が細くなる高精細な表示に最適な表示装置を容易に実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本実施形態例の薄膜トランジスタ基板１の部分断面図である。
【図２】  本実施形態例の薄膜トランジスタ基板１の製造工程を示した概略図である。
【図３】  本実施形態例の薄膜トランジスタ基板を使用した反射型液晶表示装置の一例を示す概略図である。
【図４】  未処理のアルミニウム膜、オゾン水で処理したアルミニウム膜、オゾン水と紫外線で処理したアルミニウム膜について、表面のヒロックの高さと密度を測定したグラフである。
【図５】  酸化条件を変更した３種類の試料について、アルミニウム膜と導電層との間に付加した電圧と、その電圧における導通数を示したグラフである。
【図６】  一般的な薄膜トランジスタ型液晶表示装置の薄膜トランジスタ部分を示す概略図である。
【符号の説明】
１  薄膜トランジスタ基板
２  基板
３  下地金属膜
４  アルミニウム膜
５  ゲート電極
６  アルミニウム酸化膜
７  ゲート絶縁膜
８  半導体膜
９  ｎ+型ａ−Ｓｉ層
１０  下地金属膜
１１  アルミニウム膜
１２  ソース電極
１４  アルミニウム膜
１５  ドレイン電極
１６  アルミニウム酸化膜
１７  パッシベーション膜
１８  コンタクトホール
１９  ＩＴＯ層（画素電極）
２０  コンタクトホール
２１  上部パッド層
２２  コンタクトホール
２３  上部パッド層
【図１】
0004363684.tif 000002
【図２】
0004363684.tif 000003
【図３】
0004363684.tif 000004
【図４】
0004363684.tif 000005
【図５】
0004363684.tif 000006
【図６】
0004363684.tif 000007