(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の上にゲート絶縁膜、ポリシリコン膜及びシリサイド膜を順番に形成する段階と、
前記シリサイド膜の上に５００℃以上の温度で低圧化学気相蒸着方法にて形成したシリコン窒化膜マスク層を形成する段階と、
塩素ガス（Ｃｌ2）、酸素ガス（Ｏ2）、及びフッ素（Ｆ）を含有するガスを含む蝕刻ガスを用い、前記シリサイド膜及びポリシリコン膜を蝕刻する段階とを含むことを特徴とするポリサイドゲートの形成方法。
【請求項２】
前記フッ素（Ｆ）を含有するガスは総流量の８０％以下を用いることを特徴とする請求項１に記載のポリサイドゲートの形成方法。
【請求項３】
前記蝕刻ガスは塩素ガス（Ｃｌ2）、酸素ガス（Ｏ2）、窒素ガス（Ｎ2）にフッ素（Ｆ）を含有するガスが混合されたガスであることを特徴とする請求項１に記載のポリサイドゲートの形成方法。
【請求項４】
前記フッ素（Ｆ）を含有するガスはＳＦ6及びＣＦ4からなる群より選択された何れか一つであることを特徴とする請求項２及び請求項３のうち何れか一つに記載のポリサイドゲートの形成方法。
【請求項５】
前記塩素ガス（Ｃｌ2）と酸素ガス（Ｏ2）の割合は４：１であることを特徴とする請求項２及び請求項３のうち何れか一つに記載のポリサイドゲートの形成方法。
【請求項６】
半導体基板の上にゲート絶縁膜、ポリシリコン膜及び化学気相蒸着方法で蒸着されたシリサイド膜を順番に形成する段階と、
前記シリサイド膜の上に５００℃以上の温度で低圧化学気相蒸着方法にて形成したシリコン窒化膜マスク層を形成する段階と、
塩素ガス（Ｃｌ2）、酸素ガス（Ｏ2）、及び炭素（Ｃ）−フッ素（Ｆ）系列のガスを含む蝕刻ガスを用い、前記シリサイド膜及びポリシリコン膜を蝕刻する段階とを含むことを特徴とするポリサイドゲートの形成方法。
【請求項７】
前記Ｃ−Ｆ系列のガスはＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、Ｃ4Ｆ10、ＣＨ3Ｆからなる郡より選択された何れか一つを用いることを特徴とする請求項６に記載のポリサイドゲートの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特にシリサイドとポリシリコンとからなるポリサイドゲートの形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子の集積度が増加しゲート電極の線幅が０．２５ミクロン程度に狭まるに伴い、既存の不純物がドーピングされたポリシリコンから構成されたゲート電極は多方面において限界に至っている。特に、線幅の減少に応じる抵抗の増加に起因して信号の伝達が遅延されている。かつ、p-MOS トランジスタの場合には、スレショルド電圧を下げるために埋没型チャンネルを形成しなければならないので、ショートチャンネル効果が大きくなる問題点があった。
【０００３】
かかる問題点を解決するために、比抵抗が低く、シリコンの中間ギャップに当たる仕事関数(work function) を有する導電物質を用いてゲート電極を形成しようとする研究が行なわれている。最近では、ポリシリコンの代りに耐火性金属のシリサイドとポリシリコンとが積層された、所謂ポリサイド構造がゲート構造として広く用いられている。
【０００４】
現在、ポリサイド構造としてはタングステンシリサイド(WSix)あるいはチタンシリサイド(TiSix) を用いた構造が広く用いられており、その外にもコバルトシリサイド(CoSix) 等の耐火性金属のシリサイドが用いられている。その中でも、TiSix は熱的安定性や障壁特性に優れ、WSixに比べて約１／４程度の低い比抵抗を有するので、１ギガDRAM級以上の素子のゲート物質として非常に注目を浴びている。TiSix をトランジスタのゲート電極として用いる場合、低い比抵抗とシリコンの中間ギャップに当たる仕事関数を有する特性のために優れたトランジスタ特性を有することができる。
【０００５】
ポリサイド膜を蝕刻する工程はSF6 又はCF4 のようなフッ素系のガスと、HCl 、Cl2 又はBCl3のようなCl系のガス、あるいはHBr 等を蝕刻ガスとして用いる乾式蝕刻工程により施される。しかしながら、前記蝕刻工程中シリサイド膜とポリシリコン膜との界面の周辺でパターンの側壁侵害が発生しやすくなる。このようなパターン側壁における侵害現象は、後続工程段階（例えば、パッド電極の形成段階）の進行後、侵害された部分に導電物質が残留してストリンガを招く。前記ストリンガは導電膜間のブリッジを招いて素子の信頼性を低下させ、収率を低下させる要因になり得る。
【０００６】
かつ、フッ素(F) 系のガスとBCl3は酸化膜に対する蝕刻選択比が低いため、ポリサイド膜を蝕刻する時にゲート酸化膜が損なわれる問題があるので、蝕刻ガスとして用い難い。HBr の場合には、TiSix との反応に応じて非揮発性残留物のポリマーが多量生成されゲートパターン間に残留することにより、ゲートパターンのサイズ(CD)を調節しがたいという問題点がある。
【０００７】
なお、塩素ガス(Cl2) を用いる場合には、フォトレジスト以外のハードマスクを用いる時に深刻な側壁侵害現象が発生するという問題点がある。
図１はCl2 のみを用い蝕刻したTiSix 膜を走査型電子顕微鏡にて観測した写真であり、TiSix 膜とポリシリコン膜との界面付近のパターンの側壁が激しく損なわれたことが分かる。
【０００８】
一方、ポリサイド膜を蝕刻する際の蝕刻マスクとしては、７８０℃程度の高温で低圧化学気相蒸着(LP-CVD)方法にて蒸着されたシリコン窒化膜（以下、"LP-CVD"窒化膜という）と、４００℃程度の低温でプラズマ化学気相蒸着(PE-CVD)方法にて蒸着したシリコン窒化膜（以下、"PE-CVD"窒化膜という）が主に用いられている。
【０００９】
しかしながら、LP-CVD窒化膜の場合、面抵抗の側面ではPE-CVD窒化膜より有利であるが、図２に示されたSEM 写真から分かるように、蝕刻後にオープン領域で残留物が発生されるという問題点がある。この残留物はシリサイド膜が熱を受ける時に余分のシリコン(Si)が析出されて生成される。マスクとしてPE-CVD窒化膜を用いる場合には、蝕刻残留物が発生しないが、後続の自己整列接点(SAC) 工程でゲートパターンの側壁にポリマーが多量発生し、LP-CVD窒化膜を用いる場合に比べてゲートの面抵抗が大きくなる問題点がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は前記のような問題点を解決するために案出されたものであり、良好なプロファイルを有し、蝕刻残留物が存在しないポリサイドゲートの形成方法を提供することにその目的がある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために本発明によるポリサイドゲートの形成方法は、半導体基板の上にゲート絶縁膜、ポリシリコン膜及びシリサイド膜を順番に形成する段階と、前記シリサイド膜の上にマスク層を形成する段階と、塩素ガス(Cl2) と酸素ガス(O2)との混合ガスを用い、前記シリサイド膜及びポリシリコン膜を蝕刻する段階とを含むことを特徴とする。
【００１２】
前記酸素ガス(O2)は全体蝕刻ガスのうち１０乃至３０％の割合で添加することが望ましい。かつ、前記シリサイド膜を蝕刻する段階は０℃以上の温度で１５０Ｗ以上のバイアス電力を用いて行われるかあるいは０℃以下の温度で２００Ｗ以上のバイアス電力を用いて行われることが望ましい。
前記目的を達成するために本発明による他のポリサイドゲート形成方法は、半導体基板の上にゲート絶縁膜、ポリシリコン膜及びシリサイド膜を順番に形成する段階と、前記シリサイド膜の上にマスク層を形成する段階と、塩素ガス(Cl2) 、酸素ガス(O2)、及びフッ素(F) を含有するガスを含む蝕刻ガスを用い、前記シリサイド膜及びポリシリコン膜を蝕刻する段階とを含むことを特徴とする。
【００１３】
前記マスク層としては、５００℃以上の温度で低圧化学気相蒸着(LP-CVD)方法にて形成されたシリコン窒化膜を用いる。かつ、前記蝕刻ガスとしては、塩素ガス(Cl2) 及び酸素ガス(O2)にフッ素(F) を含有するガスが混合されたガスを用いるかあるいは塩素ガス(Cl2) 、酸素ガス(O2)、窒素ガス(N2)にフッ素(F) を含有するガスが混合されたガスを用いることができる。前記塩素ガス(Cl2) と酸素ガス(O2)の割合は４：１であることが望ましい。
【００１４】
前記目的を達成するために本発明による更に他のポリサイドゲートの形成方法は、半導体基板の上にゲート絶縁膜、ポリシリコン膜及びシリサイド膜を順番に形成する段階と、前記シリサイド膜の上にマスク層を形成する段階と、塩素ガス(Cl2) 、酸素ガス(O2)、及び炭素(C)-フッ素(F) 系列のガスを含む蝕刻ガスを用い、前記シリサイド膜及びポリシリコン膜を蝕刻する段階とを含むことを特徴とする。
【００１５】
前記シリサイド膜は化学気相蒸着(CVD) 方法にて蒸着されたシリサイド膜であり、前記C-F 系列のガスは総流量の８０％以下を用いることが望ましい。
本発明によると、ポリサイド構造のパターンを蝕刻する時、蝕刻ガスとして適正割合で調節された塩素ガス(Cl2)/酸素ガス(O2)との混合ガスを用い、基板の温度及びバイアス電力を適正水準に保つことにより、蝕刻残留物が蝕刻ガスからゲートの側壁を守る保護膜の役割を果すことができ、側壁侵害現象を改善することができる。
【００１６】
このような場合には、既存にポリサイドゲートを蝕刻する時にマスク層として多用されるLP-CVD窒化膜をマスク層として用いたり、CVD シリサイド膜を用いてもオープン領域に残留物を発生させないことができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を添付した図面に基づき更に詳細に説明する。
本発明ではポリサイド膜を蝕刻する時にパターン側壁の侵害現象や残留物の生成問題を改善するために適正な蝕刻条件を提示する。
（参考例）
ポリサイドを、例えばTi−ポリサイド膜を蝕刻する時に蝕刻ガスによる側壁侵害の程度を実験した結果、既存のCl２ ガスにO２ガスを適量だけ添加した場合、Ti−ポリサイドパターンの側壁侵害現象が相当改善されることが分かった。この際、蝕刻ガス以外の蝕刻条件についてはすべて同一な条件を与える。例えば、基板の温度は常温、工程中のチャンバーの圧力は２ｍTorrに保たせる。
【００１８】
O2ガスとCl2 ガスを混合したガスを用いチタンシリサイド膜を蝕刻する時に発生する化学反応は下記の通りである。
［式１］
TiSix  ＋ Cl2  →  TiClx, SiClx
［式２］
TiSix  ＋ O2   →  TiOx, SiOx
式(1) と式(2) によると、Cl2 ガスにO2ガスを混合したガスを用いTiSix を蝕刻する場合、その副産物としてTiCl4 、SiCl4 等の塩化物と、TiO 、SiO 等の酸化物が生成される。
【００１９】
前記式(1) で生成されたTiCl4 あるいはSiCl4 等の塩化物は揮発性物質であり、工程が進行されるに伴い揮発される。ところが、前記式(2) で生成されたTiO あるいはSiO 等の酸化物は非揮発性物質であり、蝕刻工程中にポリサイドパターンの側壁に吸着される。前記酸化物はポリサイドパターンの側壁に保護膜を形成し、蝕刻ガスからパターンの側壁が侵害されることを抑制する役割を果たす。
【００２０】
図３乃至図５はCl2 ガスに所定量のO2ガスを混合して蝕刻したTiSix パターンの断面を観測したSEM 写真である。それぞれO2ガスを全体蝕刻ガスの１０％、２０％、３０％の割合で添加した場合を示している。
前記SEM 写真を観測した結果、Cl2 ガスのみを用いた場合（図１を参照）とは異なり、Cl2 ガスに適正量のO2ガスを添加する場合に側壁侵害現象が発生しない良好なパターンプロファイルを得ることができた。特に、一番良好なポリサイドパターンのプロファイルが得られるO2ガスの割合は２０％±αであった。O2ガスの割合が３０％以上の場合には、前記酸化物性ポリマーの生成が多すぎて、逆にパターンのプロファイルがポジティブになったり、セル内に残留物が形成される問題が発生する。よって、O2ガスの割合を３０％以下に保たせることが望ましい。
【００２１】
基板の温度及びバイアス電力
次は、蝕刻ガスとしてCl2/O2を用いる場合、側壁の侵害現象を更に改善しオープン領域の底面に残留物が形成されることを防止するための条件を提示する。
図６乃至図８はO2が２０％の割合で混合されたCl2/O2混合ガスを用いポリサイド膜を蝕刻する際、基板の温度に応じるパターンの断面を観測したSEM 写真である。
【００２２】
図６は基板の温度が０℃である場合、図７は基板の温度が−３０℃である場合、図８は基板の温度が−５０℃である場合のポリサイドパターンのSEM 写真である。
前記SEM 写真で観測されたように、基板の温度が下がるほど側壁の活性反応が抑制されてTiO のような酸化性の副産物による保護膜の効果が良好に現れる。基板の温度が−５０℃の場合のSEM 写真である図８を参照すると、側壁の侵害現象がほとんど発生しないことが分かる。
【００２３】
ところが、基板の温度が段々下がるほど、パターンの底面に残留物が存在することが分かる。このような残留物は、基板の温度が下がるに伴いポリシリコン膜とTiSix 膜との蝕刻選択比が減少し、蝕刻されるべき部分のTiSix 膜が完全に蝕刻されず残留することにより発生する。
図９は基板の温度によるポリシリコン膜とTiSix 膜の蝕刻率を示したグラフであり、基板の温度を−５０℃乃至５０℃の範囲に変化させた場合の二つの膜質における蝕刻率を示している。示したように、基板の温度が高いほどポリシリコン膜とTiSix 膜との蝕刻選択比が高まる。従って、残留物の観点から見ると、基板の温度が高いほど有利である。
【００２４】
一方、基板の温度が低い場合に発生する残留物は適宜なバイアス電力を印加することにより取り除き得る。
図１０はバイアス電力に応じるポリシリコン膜及びTiSix 膜の蝕刻率を示したグラフであり、蝕刻ガス及び基板の温度を適宜な水準に保った場合、バイアス電力が増加するほどポリシリコン膜とTiSix 膜との蝕刻選択比が増加することを示す。
【００２５】
図１１乃至図１３はバイアス電力に応じる残留物の除去効果を説明するために観測したポリサイドパターンのSEM 写真である。基板の温度は−５０℃、ソース電力は６００Ｗに保たせた状態で、バイアス電力をそれぞれ１５０Ｗ、２００Ｗ、２５０Ｗに印加した場合を示す。
図示されたように、基板の温度を−５０℃程度に低く調整した場合にも２５０Ｗ程度のバイアス電力を印加すると残留物がほとんど存在しない。
【００２６】
図１４及び図１５は基板の温度とバイアス電力に応じるポリサイドパターンのプロファイルを比較するためのSEM 写真である。
図１４は基板の温度を５０℃に保ち、１５０Ｗのバイアス電力を印加した場合のポリサイドパターンのSEM 写真であり、図１５は基板の温度を−５０℃に保ち、２００Ｗのバイアス電力を印加した場合のポリサイドパターンのSEM 写真である。
【００２７】
図示されたように、基板の温度が５０℃の場合に１５０Ｗのバイアス電力を印加すると、良好な側壁のプロファイルと残留物の除去効果を同時に得ることができる。かつ、基板の温度が−５０℃の場合には２００Ｗのバイアス電力を印加しても側壁のプロファイルは良好に現れるが底面に少しの残留物が存在するようになる。
【００２８】
前記のように、適正割合で混合されたCl2/O2を蝕刻ガスとして用いると、基板の温度が０℃以上の場合に１５０Ｗ以上のバイアス電力を印加した時、良好な側壁のプロファイルを得ることは勿論、残留物が存在することを防止することができる。かつ、基板の温度が０℃以下の場合にもバイアス電力を２５０Ｗ程度に印加すると、良好なプロファイルや残留物の除去効果を同時に得ることができる。
【００２９】
１ギガDRAM級程度の高集積メモリ素子に適用されるポリサイドゲートの場合、ポリシリコン膜とゲート酸化膜の厚みがそれぞれ５００Å、数十Å程度に著しく減少するので、TiSix 膜の蝕刻時に高いバイアス電力を印加すると、ゲート酸化膜にピッチング現象を招き得る。従って、素子が高集積化されてゲート酸化膜及びポリシリコン膜が薄まっており、このようなゲート酸化膜のピッチング現象を考える時、バイアス電力マージンが広い、高い基板温度を採用することが有利である。この際に発生されるゲートパターン側壁のややの侵害現象は他の工程条件の最適化を通して改善することができる。
【００３０】
（第１実施例）
次は、マスクとしてLP-CVD窒化膜を用いる場合、オープン領域で残留物を発生させないための蝕刻条件を提示する。
前述したように、シリサイド膜を蝕刻する時、マスクとしてLP-CVD窒化膜又はPE-CVD窒化膜が用いられているが、面抵抗(Rs)の側面で有利な LP-CVD 窒化膜をマスクとして用いる場合、オープン領域で残留物が発生される。
【００３１】
図２はLP-CVD窒化膜をマスクとして用いてチタンポリサイド膜を蝕刻した後のSEM 写真である。前記窒化膜は７８０℃の高温で蒸着されたLP-CVD窒化膜であり、蝕刻ガスとしてはCl2/O2又はCl2/O2/N2 混合ガスを用いた。
示されたように、ポリサイドパターンの側壁侵害現象は発生しなかったが、パターンの側壁に残留物が吸着されていることが分かった。残留物の吸着問題はPE-CVD窒化膜をマスクとして用いる場合にはほとんど発生せず、５００℃以上の高温で蒸着されたLP-CVD窒化膜を用いる場合にのみに発生された。このように残留物が生成される理由は、シリサイド膜が熱を受ける場合、余分のシリコン(Si)が析出され蝕刻ガスとして用いられるCl2/O2ガス中のO2と反応してシリコン(Si)−酸素(0) のような非揮発性の副産物を生成するからである。
【００３２】
従って、本発明ではPE-CVD窒化膜より低い抵抗値を有するLP-CVD窒化膜を用いて残留物が発生されない工程条件を確保するために、既存のCl2/O2又はCl2/O2/N2 ガスにフッ素(F) を含むガス、例えばCF4 を添加して蝕刻工程を施した。前述したフッ素(F) を含むガスとしては、例えばCF4 又はSF6 等を用いることができる。この際、Cl2/O2ガスの割合は４：１を保つことが望ましい。
【００３３】
フッ素(F) はシリコン(Si)を蝕刻する効果があるため、フッ素(F) を含むガスを添加すると、チタンシリサイド膜に存在する余分のシリコン(Si)をフッ素を含むガスが効率よく蝕刻してSi-F又はC-O 状の揮発性の副産物を生成させることにより、蝕刻後に残留物が存在しなくなる。
図１６はCl2/O2ガスに全体ガス流量の２０％程度のCF4 ガスを添加して蝕刻したチタンポリサイドパターンのSEM 写真である。
【００３４】
図示されたように、パターンの側壁侵害及び残留物がほとんど発生せず、ゲート酸化膜の厚みを測定した結果、初期の７０Åから蝕刻後に平均６６．７Åに変化された。よって、ポリサイドパターンの側壁侵害の防止に効果的なCl2/O2又はCl2/O2/N2 ガスにフッ素(F) を含むガスを添加すると、側壁侵害現象は勿論残留物の生成が効率よく防止でき、ゲート酸化膜の損失が抑制されることが分かった。
【００３５】
（第２実施例）
前述した参考例によると、既存にシリサイド膜として多用されるスパッタされたチタンシリサイドの場合、Cl２/O２を用いるとパターンプロファイルは垂直に形成されるが、残留物の除去側面で蝕刻マージンが足りないためピッチング現象と残留物が同時に発生される可能性が存在した。ところが、第１実施例のように、フッ素(F) を含むガスを添加する場合にはピッチング現象と残留物の問題を同時に解決することができる。残留物問題の場合、前述したように残留物の原因であるSi-Oを、フッ素(F) を含むガスを添加することによりSi-F、C-O等の揮発性副産物を形成して効率よく取り除くことができるからである。かつ、フッ素(F) を含むガスの割合が増加するほど主な蝕刻ソースである塩素ガス(Cl２) の割合が減少するようになる。従って、チタンシリサイド膜の蝕刻率が下がり、蝕刻後にポリシリコン膜のモポロジ(morphology)が向上される。結局、ゲート酸化膜の蝕刻マージンが広まりピッチング問題も解決される。
【００３６】
ところが、スパッタされたチタンシリサイドとは異なり、CVD 方法にて蒸着されたチタンシリサイドをCl2/O2にて蝕刻する場合には、図１７に示されたようにパターンの側壁が激しく損なわれた。結局、Cl2/O2だけでは側壁保護が行われなかった。ところが、Cl2/O2ガスにC-F 系列のガスを添加してCVD チタンシリサイド膜を蝕刻する場合にはパターンの側壁侵害現象が著しく改善され、残留物の問題も発生しなかった。Cl2/O2を用いる時には側壁損傷現象が発生されたCVD チタンシリサイド膜も、Cl2/O2ガスにC-F 系列のガスを添加する場合には残留物及び側壁損傷現象が発生しない垂直パターンプロファイルを得ることができた。これは、C-F 系列のガスを添加する場合にはTi-C、Si-Cのような炭素化合物又はTiF のような化合物が生成されて側壁に保護膜を形成するからである。
【００３７】
次は、スパッタされたチタンシリサイド膜の蝕刻時にC-F 系列のガスの側壁保護効果を確認するため、C-F 系列ガスの流量を変化させながら側壁侵害の程度を観察した。この際、蝕刻工程は下記のように施された。
1)スパッタされたチタンシリサイド膜の主な蝕刻
工程圧力は２ｍTorr、電力は３７５／３００Ｗ、蝕刻ガスとしてはCF4/Cl2/O2を用い、蝕刻方法はEPD(End Point Detection)方法を用いた。特に、前記CF4 の割合を全体蝕刻ガスの２０％、３０％、４０％、５０％、８０％に変化させながら行い、Cl2/O2は前記CF4 ガスを除いたガス量で４：１を保つようにした。
【００３８】
2)チタンシリサイド膜の過度蝕刻
前記1)と同一な蝕刻条件で３０％の過度蝕刻を行った。
3)ポリシリコン膜の蝕刻
工程圧力は３．５ｍTorr、電力は３００／９０Ｗ、蝕刻ガスとしては２１Cl2/９O2を用い、蝕刻方法はタイムエッチ方法を用いた。
【００３９】
図１８乃至図２２はCF4/Cl2/O2を用いて蝕刻したチタンポリサイド膜を観測したSEM 写真であり、CF4 を全体蝕刻ガスの２０％、３０％、４０％、５０％、８０％の割合で添加した。
前述したSEM 写真から分かるように、Cl2/O2ガスを用いる場合には垂直プロファイルが得られるが、残留物及びピッチング現象が存在する可能性が高かった。ところが、Cl2/O2ガスにC-F 系列のガスを添加する場合には垂直したプロファイルはもちろん残留物の問題も解決される。
【００４０】
前記C-F 系列のガスとしては、CF4 の他にC2F6、C4F10 、CH3F等を用いることができる。この際、前記C-F 系列のガスの割合を総流量の８０％以上にする場合にはマスクの損失(loss)が発生するので、C-F 系列ガスの割合は総流量の８０％以下に調整することが望ましい。
【００４１】
【発明の効果】
本発明のポリサイドゲート形成方法によると、蝕刻ガスとして適正割合のCl2/O2ガスを用い、基板の温度を適正水準に保つことにより、ポリサイドパターンの側壁侵害現象を防止することができ、バイアス電力を適宜に印加することにより残留物問題を解決することができる。かつ、Cl2/O2ガスにF 又はC-F 系列のガスを所定量だけ添加することにより、パターンの側壁侵害及び残留物問題を同時に解決することができ、ゲート酸化膜の損失も抑制できる。
【００４２】
本発明は前記実施例に限られず、本発明が属した技術的思想内で当分野において通常の知識を有する者により多くの変形がかのうであることは明白である。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の塩素ガスを用いて蝕刻したポリサイドパターンの断面の走査型電子顕微鏡(SEM) 写真による組織図である。
【図２】  LP-CVD窒化膜マスクを用いて蝕刻したポリサイドパターンのSEM 写真による組織図である。
【図３】本発明の方法により蝕刻されたポリサイドゲートの断面を酸素ガスの割合に応じて観測したSEM 写真による組織図である。
【図４】本発明の方法により蝕刻されたポリサイドゲートの断面を酸素ガスの割合に応じて観測したSEM 写真による組織図である。
【図５】本発明の方法により蝕刻されたポリサイドゲートの断面を酸素ガスの割合に応じて観測したSEM 写真による組織図である。
【図６】本発明の方法により蝕刻されたポリサイドゲートの断面を基板の温度に応じて観測したSEM 写真による組織図である。
【図７】本発明の方法により蝕刻されたポリサイドゲートの断面を基板の温度に応じて観測したSEM 写真による組織図である。
【図８】本発明の方法により蝕刻されたポリサイドゲートの断面を基板の温度に応じて観測したSEM 写真による組織図である。
【図９】基板の温度に応じるポリシリコン膜とTiSix 膜の蝕刻率を示したグラフである。
【図１０】バイアス電力に応じるポリシリコン膜及びTiSix 膜の蝕刻率を示したグラフである。
【図１１】バイアス電力に応じる残留物の除去効果を説明するためのポリサイドゲートのSEM 写真による組織図である。
【図１２】バイアス電力に応じる残留物の除去効果を説明するためのポリサイドゲートのSEM 写真による組織図である。
【図１３】バイアス電力に応じる残留物の除去効果を説明するためのポリサイドゲートのSEM 写真による組織図である。
【図１４】基板温度とバイアス電力に応じるポリサイドゲートパターンのプロファイル及び残留物を比較するためのSEM 写真による組織図である。
【図１５】基板温度とバイアス電力に応じるポリサイドゲートパターンのプロファイル及び残留物を比較するためのSEM 写真による組織図である。
【図１６】  Cl2/O2ガスにCF4 ガスを添加して蝕刻したチタンポリサイドパターンのSEM 写真による組織図である。
【図１７】  Cl2/O2ガスを用いて蝕刻したCVD チタンシリサイド膜パターンのSEM 写真による組織図である。
【図１８】  CF4/Cl2/O2を用いて蝕刻したチタンポリサイド膜を側変及び上部で観測したSEM 写真による組織図である。
【図１９】  CF4/Cl2/O2を用いて蝕刻したチタンポリサイド膜を側面及び上部で観測したSEM 写真による組織図である。
【図２０】  CF4/Cl2/O2を用いて蝕刻したチタンポリサイド膜を側面及び上部で観測したSEM 写真による組織図である。
【図２１】  CF4/Cl2/O2を用いて蝕刻したチタンポリサイド膜を側面及び上部で観測したSEM 写真による組織図である。
【図２２】  CF4/Cl2/O2を用いて蝕刻したチタンポリサイド膜を側面及び上部で観測したSEM 写真による組織図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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