(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ミクロ機械的圧力センサと電気化学的センサが基板の上に集積されており、該基板が電気化学的センサを形成するための第一の範囲と、圧力センサを形成するための別の範囲とを含んでなる、圧力センサおよび電気化学的センサを組み合わせたセンサの製造方法であって、
ａ）基板内にドープした範囲を形成することによって、基板内に導電範囲を形成し、
ｂ）基板を部分酸化することによって、基板の別の範囲上に犠牲層を形成し、
ｃ）基板の第一の範囲上に、少なくとも１つの電気絶縁層を含んでなる電気化学的センサ（ＣＳ）用の基本構造を形成し、
ｄ）別の範囲を露出させておく一方で、電気化学的センサのこの基本構造に、保護層を設け、
ｅ）別の範囲上に、圧力センサ用のセンサ層を析出させ、センサ層を構造化し、さらにセンサ層内にエッチング開口を設け、
ｆ）エッチング開口を使用して犠牲層をエッチング除去し、それによってセンサ層と基板との間に空所を形成させ、
ｇ）第一の範囲上に形成した電気化学センサ用の基本構造に保護層が形成され、且つ別の範囲上に形成したセンサ層と基板との間に空所が形成された基板の全領域に、誘電材料から成るプレーナー化層を析出させ、
ｈ）プレーナー化層内に接触孔をエッチングして、接触孔をメタライジングすることによって、少なくともいくつかの導電範囲に導電接続部を設け、
ｉ）第一の範囲をエッチング除去して、第１の範囲を覆うプレーナー化層の部分をエッチング除去し、第一の範囲の少なくとも一部の上に少なくとも１つの貴金属を析出させ、この少なくとも１つの貴金属を構造化して電気化学的センサの貴金属電極を形成し、
ｊ）貴金属電極の少なくとも一部を覆う別の保護層を析出させ、次いで
ｋ）電気化学的センサの予定されている形態を完成させるための、複数の別の層を析出させ、構造化する
ことを含んでなり、
圧力センサが予定されているように十分に機能できるように圧力センサのセンサ層の少なくとも一部を外方に向かって露出することをさらに含んでなり、ここでこの外方に向かって露出する工程が工程ｈ）とｉ）との間もしくは工程ｊ）とｋ）との間で行われる、方法。
【請求項２】
センサ層の少なくとも一部が、工程ｈ）とｉ）との間で乾式エッチング法により露出され、ここで乾式エッチング方法が、センサ層を覆うプレーナー化層の少なくとも一部をエッチング除去することを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
センサ層の少なくとも一部が、工程ｊ）とｋ）との間で乾式エッチング法により露出され、ここで乾式エッチング方法が、センサ層を覆うプレーナー化層の少なくとも一部をエッチング除去することを含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
工程ｃ）で電気化学的センサの電気絶縁層が窒化物層を施こすことより製造され、また工程ｉ）で電気化学的センサ用に予定されている範囲が、湿式化学的エッチングプロセスが実行されることによってエッチング除去され、保護層がそこで除去される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
ＰＥＣＶＤを用いて酸化物層が、またその後に窒化物層が析出されることによって、工程ｊ）が実行される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
最初に電気化学的センサ用に予定されている範囲がエッチング除去され、次いで白金メタライジング層が析出され、少なくとも電気化学的センサの基本構造の絶縁層の一部分およびエッチング除去された範囲の側方に配置されている層のエッジの一部分を覆う白金接触部として構造化されることによって、貴金属電極が作られることによって、工程ｉ）が実行される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
電気化学的センサに対する工程ｃ）でＩＳＦＥＴの基本構造が作られ、また貴金属電極が銀／塩化銀接触部を設けられる、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
工程ｄ）で保護層が酸化物層の被覆および部分的除去により作られる、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
センサが電子回路と共に集積され、工程ａ）で、この電気回路の少なくとも１つのデバイスが基板の上に設けられ、また少なくとも工程ａ）、ｇ）およびｈ）がＣＭＯＳプロセスまたはＢｉＣＭＯＳプロセスである、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
プレーナー化層内に、またはプレーナー化層およびその上に施されている別の誘電体層内に接触孔が乾式エッチングにより作られ、垂直な導電接続部のための接触孔充填物がこれらの接触孔内に入れられ、また導体路のための少なくとも１つのメタライジング面が被覆かつ構造化されることによって、工程ｈ）が実行される、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
工程ａ）およびｃ）で、ＩＳＦＥＴを有する基本構造と、比較測定のために設けられている別の基本構造の基準ＩＳＦＥＴとして設けられているＩＳＦＥＴを有する別の基本構造とが作られ、工程ｄ）でこの基準ＩＳＦＥＴの範囲も保護層で覆われ、また最初に電気化学的センサ用に予定されている範囲および別の構造に対して予定されている範囲がエッチング除去され、また保護層が両範囲内で除去されることによって、また白金メタライジング層が析出され、また少なくとも基準ＩＳＦＥＴのチャネル範囲およびエッチング除去された範囲の側方に配置されている層のエッジの一部分を覆う別の白金接触部として構造化されることによって、前記別の構造に対して予定されている貴金属電極が作られることによって、工程ｉ）が実行される、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、圧力センサおよび電気化学的センサを組み合わせたセンサを製造するための方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
医学技術での応用のために、たとえば、物理的量を測定し、また同時に化学的測定（たとえばｐＯ2 値、ｐＣＯ2 値、ｐＨ値、電解質濃度）を行うことができるセンサが必要とされる。電気化学的センサはたとえばＩＳＦＥＴ（イオン選択性電界効果トランジスタ）を含んでいる。このようなセンサはたとえばヨーロッパ特許出願公開第 0465708号（米国特許第 5,225,063号）明細書、米国特許第 5,376,255号明細書およびグンブレヒト（W.Gumbrecht ）ほか著の刊行物「センサーズ・アンド・アクチュエーターズ（Ｓｅｎｓｏｒｓ  ａｎｄ  Ａｃｔｕａｔｅｒｓ）Ｂ，１８‐１９」第７０４〜７０８頁（１９９４年）および同書「Ｂ１」第４７７〜４８０頁（１９９０年）に記載されている。ドイツ特許第 4441908号明細書には、標準的ＣＭＯＳプロセス技術の枠内で行われるシリコン上の薄膜圧力センサの製造方法が記載されている。このような表面ミクロ機械技術で製造されるセンサは他のデバイスと共にモノリシックに集積され、またわずかな労力でケースのなかに組み込むことができる。このようなセンサと他のデバイス、特に電気化学的センサとの組み合わせはいわゆるモジュール構成の集積、すなわち種々のチップ上の種々のデバイスの集積により、デバイスが共通の保持体の上または共通のケースの中に組み込まれることによって可能となる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、物理的および電気化学的センサが集積して組み合わせられたセンサを製造するための簡単かつ経済的に実行可能な方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
この課題は請求項１の特徴を有する方法により解決される。他の実施態様は従属請求項に記載されている。
【０００５】
本発明による方法は簡単な仕方で圧力センサとたとえば電位差センサとして、電流センサとして、または導電率センサとしてそのつどの液体中の化学的成分の濃度に対して特徴的である液体中の電圧、電流または導電率を測定する電気化学的センサとのモノリシックな集積を可能にする。電位差センサの好ましい実施態様はＩＳＦＥＴを含んでいる。他のデバイスたとえば電子的駆動および評価回路のトランジスタは、本発明による方法の枠内で同じくモノリシックに集積されて製造することができる。この製造プロセスはたとえばマスク技術の使用および蒸着、乾式エッチング、湿式エッチングおよび種々のホトリソグラフィのような個々のデバイスの製造から知られている工程を含んでいる。この方法では、必要に応じて電子的測定または駆動回路に対する他の電子的デバイスも集積される半導体材料から成る基板の上に、電気化学的センサに対して予定されている範囲が、基板に関係するセンサの部分が完成されている範囲内で準備される。電位差センサの製造の際にはたとえばチャネル範囲の特性（しきい電圧）を定めるために設けられている酸化物層と基本構造を覆うたとえばｐＨ感受性層、たとえば窒素化物層とを含めてソースおよびドレイン範囲を有する従来のＩＳＦＥＴの基本構造が製造される。電流センサの製造の場合には基板材料が電気絶縁層、たとえばＳｉＯ2 または好ましくはＳｉ3 Ｎ4 により覆われる。その後に電気化学的センサのこの準備された部分、特にＩＳＦＥＴの窒化物層が保護層により覆われる。ダイアフラムとして設けられている層の下側の空所を含めて圧力センサの基本構造が製造され、またプレーナー化層により覆われる。電気配線のために誘電体（中間酸化物）中の接触孔の充填物が場合によっては多層に製造され、その上にメタライジングが施され、また導体帯平面として（同時に予定されている集積電子回路に対しても）構造化（パターニング）される。電気化学的センサの他の構成部分が製造され、そのためにＩＳＦＥＴの窒化物層または他の形式の電気化学的センサの絶縁層が部分的にエッチング除去される。これらのプロセス工程には電気接続のための１つまたは、予定されているセンサの形式によっては、複数個の電極の製造も含まれている。酸化物層およびその上に窒化物層が全面的に施され、構造化される。物理的センサは好ましくは電気化学的センサの湿式化学的エッチング除去の前にまたは酸化物層または窒化物層を施した後に乾式エッチングにより外側が露出される。電気化学的センサを製造するための別の工程が引き続いて行われる。このようにして、圧力センサおよび電気化学的センサが共に最適な機能特性（感度、測定範囲など）を有することが達成される。すべての製造方法はＶＬＳＩに関する参考文献に記載されているような標準的ＣＭＯＳプロセスと共用可能である。これには標準的ＢｉＣＭＯＳプロセスも含まれている。従ってこの方法により、センサの駆動および測定結果の評価のための電子回路をモノリシックに集積することも可能である。この方法では、電気化学的センサの基本構造上の保護層により、最適化されたミクロ機械的センサの製造が電気化学的センサのこの基本構造を損傷することなしに可能になる。電気化学的センサの最適化された構成が先行および後続の工程で層構造の被覆により保護された物理的センサを損傷することなしに製造される。
【０００６】
【実施例】
以下、図１ないし図１０により本発明による方法を一層詳細に説明する。これらの図面において、断面を示すハッチングと、図示されているデバイスの紙面の下に位置する部分とは、図面を見易くするために省略されている。
【０００７】
図１には基板１（たとえばシリコン）およびそのなかに構成されドープされている種々の範囲が示されている。たとえば高ｎ導電性にドープされた範囲３０と、そのなかに埋込まれたｐ導電性にドープされた範囲３とはこの実施例で予定されている電位差センサＣＳのＩＳＦＥＴ用に構成されている。反対の導電性の範囲４０内のｎ導電性または（ここでは一例として）ｐ導電性にドープされた範囲４は電子回路ＥＣの構成要素としてＭＯＳＦＥＴを製造するために予定されている。たとえばｎ導電性にドープされた範囲５は圧力センサ用の基板電極として予定されている。この範囲５は、同一の導電形（ここではｎ導電性）に対して高濃度にドープされその上に接触部（垂直な導電接続部１２）も施されている範囲５０に埋込まれている。種々のデバイス用に予定さている範囲３０、４０、５０は互いに反対の導電性の範囲により隔てられている。これらの範囲のそれぞれ最も下の高濃度にドープされた部分は省略することができる。基板１はたとえばシリコンであり、その表面の一部の範囲、たとえばＬＯＣＯＳ法により絶縁すべき範囲２は酸化される。これらの範囲２は個々の集積デバイスのまわりを絶縁し、また好ましくは後で圧力センサの範囲内で除去すべき犠牲層としての役割もする。ｐドープ範囲３内にＩＳＦＥＴのソースＳおよびドレインＤがｎドーピングにより製造される。チャネル範囲Ｃの電気的特性、特にしきい電圧を設定するため、チャネル範囲に別の注入を行うこともできる。ＩＳＦＥＴのチャネル範囲Ｃの電気的特性をマッチングするための特別な熱的酸化またはその代わりにチャネル範囲Ｃの上に酸化物層６を形成するための酸化物の析出ならびにそれに続くｐＨ感受性層７（好ましくは窒化物層）の析出は物理的センサ用に予定されている工程の前に行われる。このｐＨ感受性層７の形成は、この層の質に関して課せられる要求のゆえに、好ましくはＬＰＣＶＤ（低圧化学的蒸着）により製造すべきＩＳＦＥＴの範囲内に１０ｎｍないし１００ｎｍの厚みの窒化物層が施されるようにして行われる。
【０００８】
続いてこの窒化物層が保護層を施される。この保護層としてたとえばとりあえず追加的な酸化物層８が施すことができる。この酸化物層はたとえば１００ｎｍの厚みのＴＥＯＳ（テトラエチルオルソシリケート）層である。窒化物層７およびこの酸化物層８は、図１中に示されているように、同じ工程でホト技術によりＩＳＦＥＴの外側の範囲が除去される。次いで、物理的センサに予定されているたとえば３０ｎｍの厚みのＴＥＯＳ層９が施される。このＴＥＯＳ層９が窒化物層に対する保護層として十分である場合には、前記の追加的な酸化物層８は省略できる。次いでこのＴＥＯＳ層９の上に無定形シリコンまたはポリシリコンから成るたとえば約４００ｎｍの厚みの層がセンサ層１０として施され、このセンサ層はこの例ではｎ導電性にドープされ、また圧力センサＰＳのダイアフラム用に予定されている。これらの両層９、１０は圧力センサＰＳの予定されている寸法に相応して図１中に記入されている構造化された層としてエッチングされこの層は圧力センサＰＳの範囲内にのみ存在しておりまたそこでシリコンに対して選択的にエッチング可能で犠牲層としての役割をする補助層の上に施されている。この補助層として最も簡単には、基板表面の熱酸化により構成される平坦な絶縁範囲２が使用される。電気化学的センサＣＳの範囲内には、比較的に非常に薄くまた図面中に特別に示されていないＴＥＯＳ層９をとりあえず残しておくことも可能である。
【０００９】
１つの実施態様では先ず回路のＭＯＳＦＥＴのゲート電極に対するポリシリコン（“ポリ１”）の第１の析出および構造化が行われる。圧力センサのダイアフラムの製造のためには酸化物層８を施した後にポリシリコン（“ポリ２”）の第２の析出および構造化が行われる。その代わりに保護層はゲート電極を施す前に析出することもできる。保護層は、ゲート電極が圧力センサのダイアフラムと一緒に同一の工程で施されおよび構造化されるように、回路ＥＣの範囲内でも除去される。
【００１０】
構造化の後に圧力センサＰＳの層９、１０が基板１に向かって必要な範囲内で露出される。そのためにセンサ層１０内にエッチング開口２９が作られ、これらのエッチング開口が引き続いて基板１とセンサ層１０との間の空所１１をエッチング除去するために使用される。センサ層１０は基板１に向かってこの空所１１により、ダイアフラムの予定されている大きさおよび運動可能性に対して必要な範囲で露出される。その後に、空所１１が外方に対して密閉されるように、エッチング開口２９が閉じられる。このことはたとえば別々に施される密封層により行われる。その後に全面的に、たとえば熱的に流動化し得る材料から成るプレーナー化層１３が施される。このプレーナー化層１３に対する材料としてはたとえば、十分に平坦な表面を達成し得るホウリン酸ケイ酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）を用いることができる。このプレーナー化層は同時に、別個の密封層が省略できるように、ダイアフラム内のエッチング開口を閉じるための密封層としての役割もする。この工程の際にはＩＳＦＥＴは保護層８により電気化学的センサＣＳ用に予定されている範囲内で保護されている。
【００１１】
別の集積デバイス（たとえば駆動回路のＭＯＳＦＥＴ）の必要とされる微細構造のゆえにプレーナー化層１３内の接触孔のエッチングは乾式エッチングにより行われる。デバイスの接触すべき構成部分への垂直な導電接続部１２を形成するこれらの接触孔は金属により満たされる。次いで、接触面および導体路３１が生ずるように、第１のメタライジング面が施されかつ構造化される。ＩＳＦＥＴのソースＳおよびドレインＤに対する接触部は、製造方法の後続の部分で施される誘電体層により覆われた状態にとどまる（紙面の前または裏）範囲内に、同じく接触孔充満物として形成される。場合によってはそのためにソースおよびドレインの範囲の上の窒化物層が部分的に除去される。この実施例の際に少なくとも部分的に導電性に形成されるセンサ層１０とドープ範囲５とは接触孔充填物の形成の際に同様に電気端子を設けられる。基板１の上面における絶縁範囲２は、このドープ範囲５およびダイアフラムがドイツ特許第 4441908号明細書のセンサの場合のように静電容量式圧力測定のための電極として使用できるように、このドープ範囲５とセンサ層１０との間の電気絶縁の役割をする。
【００１２】
場合によっては別の全面的な誘電体層１４が種々の導体路面の間の絶縁として施される（中間酸化物、ＩＭＯＸ）。別のメタライジングが施され、また別の接触面または導体路３２、３３として構造化される。電気化学的センサの製造のための別の工程は、好ましくはその他のデバイスに対して行われるプレーナー技術的な（すべての層面に該当しまた多数の層面を含む構造化を生じない）工程に続く。従って好ましくはプロセスの進行が種々のメタライジング面の完全な形成まで継続される。上面に好ましくは窒化物なしにプラズマ酸化物から成る保護層１５が析出される。
【００１３】
本発明の第１のかつ好ましい実施態様では、次いで既に圧力センサＰＳのダイアフラムの露出エッチングおよびパッド（接続個所、上側のメタライジング面３２の上の小さい露出範囲）の開放がこの上側保護層１５の範囲内で行われる（図２参照）。そのためには乾式エッチングプロセスが特に適している。しかし湿式化学的エッチングも原理的には可能である。導体路を介して上側のメタライジング面のそのために予定されているパッドまたは集積回路の構成要素への引き続いて形成すべき貴金属電極の接続が予定されている場合には、上側の保護層１５内にそのためにその下に記入されている上側メタライジング面の導体３３まで達する接触孔もエッチングされる。図２中に示すように、圧力センサのダイアフラムの上にはその中央に、一種のステンプルがダイアフラムの慣性および可撓性を修正するように、誘電性の層構造１３、１４、１５が残されている。記入されている開口３６は平面図で見て（中空正方形状またはリング状の）閉じられた条片を形成し、またその幅は層の厚みに対して相対的に、正しい尺度では示されていない幅よりもかなり広い。本方法の他の変形例では圧力センサはとりあえず図３中に示されているように、なお誘電体により覆われている状態にとどまる。白金接触部の接続のための接触孔３４が次いで好ましくは湿式化学的に電気化学的センサの露出エッチングと一緒にエッチングされる。
【００１４】
図２および図３中に記入されているＩＳＦＥＴの範囲の上の開口２５は、できるだけわずかしかｐＨ感受性層の窒化物が除去されないように、好ましくは湿式化学的にエッチングされる。この例で本発明の重要な保護層として使用される酸化物層８のうち残りの部分２８が残されている。電気化学的センサを製造するための下記の工程が続けられる。上側の保護層１５の上に、電気化学的センサ用に予定されている貴金属、たとえば白金から成る薄い層が析出され、また以下では簡単に白金接触部２１（図４ないし図６参照）と呼ぶ接触部として（たとえばリフトオフ法により）構造化される。以下で説明を簡単にするため白金接触部と呼ぶときには、一般的にはたとえば銀であってもよいこの貴金属電極およびその導線を意味する。接触孔３４は白金の析出と同時に満たされるしまたは予め別個に他の金属によっても満たされる。白金接触部は、それが接触孔３４の充填の結果としての最も上側の（上側保護層１５の下に施された）メタライジング面の導体３３への導電接続部３５と接続されているように施されかつ構造化される。この導電接続部３５は、白金接触部が横方向に配置されている大面積の範囲（パッド）に接触されるべきであれば、省略することができる。白金接触部は本方法の別の変形例では開口２５のエッチングの前に既に製造することができる。この接触部は次いで上側保護層１５の表面の一部分のみを覆う。開口が白金接触部の形成前にエッチングされるときには、白金接触部は、白金接触部により形成される電極の主要な部分が窒化物層の上にゲート範囲の横側に施されるように施されかつ構造化される。このことは図面中に、白金接触部がドレイン範囲の一部分を覆うように概略的に示されている。場合によっては寄生キャパシタンスが生ずるのを避けるため、白金接触部をソース、チャネルおよびドレインの横側にたとえば図面の紙面の裏に記入されているチャネル範囲Ｃの裏に施すと有利である。
【００１５】
特に白金接触部に対する保護層として予定されているＳｉＯ2 層１６およびＳｉ3 Ｎ4 層１７はたとえばＰＥＣＶＤ（プラズマ富化化学的蒸着）により全面的に上面の上に施される。この窒化物層１７は次いで構造化され、また別の工程に対するマスクとしての役割をする。この工程にはそれぞれ望まれる部分を除いての酸化物層１６の除去が属する。図４中には、圧力センサの開口３６が既にエッチングされており、また白金接触部２１が電気化学的センサの開口２５の底部を除いて施されている実施例が示されている。酸化物層１６はたとえば５００ｎｍの厚みに、また窒化物層１７はたとえば８００ｎｍの厚みに析出される。窒化物層１７は、それが電気化学的センサの露出すべき部分および再びＰＥＣＶＤ酸化物から解放すべき圧力センサの外部への電気接続のための接続パッドの範囲内に開口を有するように構造化される。ＰＥＣＶＤ酸化物は開口３６内の誘電体層１３、１４、１５の側部も覆い、またそこで側部保護の働きもする。スペースの節約のため酸化物層１６のこの部分は図面には記入されていない。
【００１６】
図５には図４とは異なり、圧力センサの事後の露出エッチングが行われる変形例が示されている。電気化学的センサに対する開口２５のエッチングおよび白金接触部２１を施した後に酸化物層１６および窒化物層１７がＰＥＣＶＤにより析出される。窒化物層１７が次いで構造化される。そのために用意されたレジストマスクまたはマスクとしての構造化された窒化物層１７の使用のもとにたとえば中空円筒状の開口３６が図６中に破線で示されている圧力センサダイアフラムの上にエッチングされる。これは好ましくは乾式エッチング法により行われる。その後に窒化物層１７が外部への電気接続のための接続パッドおよび電気化学的センサの露出すべき部分の範囲内でエッチングされる。このエッチングは好ましくは湿式化学的に行われる。このエッチングの際に圧力センサはレジストマスクにより保護される。白金接触部上の保護層としては単一層、たとえばＳｉＯ2 またはＴＥＯＳのような酸化物層も使用できる。しかし別々の酸化物層１６および窒化物層１７を使用する上記の方法は、窒化物層が後続の工程のためのマスクとして使用できるという利点を有する。
【００１７】
圧力センサのダイアフラムが所定の範囲内でその上に存在している誘電材料から解放され、また窒化物層１７が完全に構造化された後に、第１のポリマー層１８および第２のポリマー層１９が施され（両方の場合に好ましくはポリイミドまたはポリベンズオクサゾール）、またミクロ‐プール（Micro-Pools)の製造に適するように構造化される。その後にすべての酸化物が湿式化学的にエッチングされ、その際に窒化物層１７（および場合によっては以下に説明する図７の構造が製造されるならば第１のポリマー層１８）がマスクとして使用される。ＰＥＣＶＤ酸化物層１６の除去は圧力センサの範囲内の窒化物層１７のそのために適した構造化の際に、誘電体層の残部から成るステンプルがダイアフラムの中央に所定の厚みで残るように行われる。好ましい実施態様ではエッチング開口はセンサ層１０内においてこのステンプルが残っている個所にのみ施されるので、ダイアフラムの上に析出された酸化物層１６の除去の際にすべてのエッチング開口がわずかな部分しか除去されない厚いステンプルにより保護された状態にとどまる。（従って図４ないし図６中には概要のみを記入されたエッチング開口の外側部分は省略されている。）
【００１８】
電気化学的センサの範囲内の酸化物の湿式化学的エッチング（ホト技術は使用せず）は、ＬＰＣＶＤにより析出された窒化物層７の窒化物をできるだけ除去しないように、少なくとも最終のエッチング段階では低いエッチングレートで行われる。エッチングストップ層としての役割はこの窒化物層７または白金接触部２１が行う。白金接触部２１の露出部分の上に銀が（たとえば電解的に）析出される。白金接触部のこの銀被覆は、この貴金属電極に対する材料として白金の代わりに銀が使用される場合には、省略できる。この銀は化学的または電気化学的に（たとえば塩化物パッドにおいて）部分的に塩化銀に変えられる。外部接続に対するパッドはこれらの工程中レジストマスクにより保護される。種々の電極の間の導電率のみを測定する導電率センサの製造の際にはＡｇ／ＡｇＣｌ接触部は省略できる。次いで開口２５において、第１のポリマー層１８の構造により囲まれる電解質層４２が施され、その上またはその横に、第２のポリマー層１９の構造により囲まれる疎水性層４４が施される。このようにして図６中に示されている構造が得られる。圧力センサに対する保護構造としては、この実施例では、たとえば疎水性層４４の材料から成る別の層４６が圧力センサダイアフラムの上の開口に入れられている。この方法の変形例（ＰＥＣＶＤ酸化物層１６およびＰＥＣＶＤ窒化物層１７を施した後の圧力センサの露出エッチングまたは既に解放された圧力センサ範囲からの酸化物の新たな除去）に応じて、図６中に破線で記入されている層部分が圧力センサの上に存在したり存在しなかったりする。
【００１９】
図７には、第１のポリマー層１８が電気化学的センサのためにエッチングされた開口の内側に析出され、かつ構造化されている代替的な実施例が示されている。センサに対して予定されている開口の内部の窒化物層１７の縁は電解質層４２の囲いとして設けられている構造化された第１のポリマー層１８の下側に位置している。このポリマー層１８は、図示のように酸化物層１６の内側の縁が構造化されたポリマー層１８の内側の側面と合致して終端するように、電気化学的センサの範囲内の酸化物層１６の除去に対するマスクとしての役割もする。白金接触部２１は第１のポリマー層１８により囲まれる範囲の内部に施されており、また外部への導線を設けられている。この導線は疎水性層４４に対して酸化物層１６および窒化物層１７から成る二重層により保護されている。白金接触部２１の導線は側方で誘電体の層列１３、１４、１５の上に案内されている。電解質層４２の下側で白金接触部２１は完全にＡｇ／ＡｇＣｌ接触部２３により覆われている。第２のポリマー層１９の構造化は、図示のように、第２のポリマー層１９が少なくとも圧力センサに対して予定されている開口の上で除去されており、また第２のポリマー層１９が電気化学的センサに対して予定されている開口の内部の第１のポリマー層１８により形成される囲いの外側の十分な部分を露出させるようにして行われる。第２のポリマー層１９は、電気化学的センサに対して予定されている開口の内部に記入されているように、境界層の側面、すなわちここでは特にそこに存在している窒化物層１７の表面のまわりを囲むように覆う。
【００２０】
さらに図７には、説明を完全なものにするため、本発明による方法の別の変形例も示されている。下側の保護層の残りの部分２８はここでは電気化学的センサの範囲の上に制限されずに示されているが、圧力センサの範囲を露出させる。圧力センサのダイアフラムはここでは例として測定に対して予定されているすべての面で露出エッチングされている。図示の密閉層４１はプレーナー化層１３のエッチングの際に一緒に除去されない最も下側の層部分であってもよいし、またはたとえば金属から成る別個に施された層であってもよく、またたとえばダイアフラムの補強または対向電極としての役割をし得る。
【００２１】
電気化学的センサに加えて、このセンサと同じ基本構造を有するが化学物質の測定すべき濃度に対して中性に挙動する別の構造も製造することができる。ＩＳＦＥＴを有する電位差センサを有する実施態様では、比較測定（差測定）用に基準ＩＳＦＥＴが製造される。基準ＩＳＦＥＴに対しては直接測定のために設けられているセンサに対するものと同一形式の基本構造が製造される。この基本構造は図８中に示すようにチャネル範囲の上の酸化物層２６とｐＨ感受性層、たとえば窒化物層２７とを含んでいる。エッチングプロセスにより白金接触部の製造の前に誘電体層１３、１４、１５が基準ＩＳＦＥＴの範囲内で窒化物層２７まで除去され、それにより開口３８が生じ、また窒化物層が少なくとも部分的に露出されている。このエッチングは好ましくは本来のセンサの上の開口２５を形成するための湿式化学的なエッチングプロセスと一緒に行われ、その際に同時に接触孔（最も上のメタライジング面における白金接触部の接続のための接触孔３４、図２または図３を参照）も上側の保護層１５にエッチングできる。図８には下側の保護層８の残留する側方の残部２８が示されている。本来のセンサに対する白金接触部２１の製造と一緒に基準ＩＳＦＥＴの範囲内に別の白金接触部２２が施され、またｐＨ感受性層（窒化物層２７）の上、開口３８の側面の上および保護層１５の境する上面の一部分の上で、この別の白金接触部２２がＩＳＦＥＴのチャネル範囲を覆い、また比較測定のために設けられている回路部分への電気接続、たとえば図９に示されているように接触孔充填物４５を介して電子回路の最も上のメタライジング面の導体４３との電気接続を形成するように構造化される。続いて、ここでも前記のようにＳｉＯ2 層１６およびＳｉ3 Ｎ4 層１７がＰＥＣＶＤにより、また第２のポリマー層１９が施されかつ構造化される。すべての酸化物は基準ＩＳＦＥＴの範囲内でも湿式化学的にエッチングされ、その際にここでも窒化物層１７の構造化のために使用されるレジストマスクまたは窒化物層１７がマスクとしての役割をする。白金メタライジング２２層の上に銀から成る層が（たとえば電解的に）析出され、この銀が、Ａｇ／ＡｇＣｌ接触部２４が形成されるように、化学的または電気化学的に（たとえば塩化物浴内で）部分的に銀塩化物に変えられる。基準ＩＳＦＥＴの上に電解質層および疎水性層を施ず必要はない。その他の工程の実行および順序は電気化学的センサに対して先に説明したものに相当する。
【００２２】
図９は図６中に示されているようなすべての配置の実施態様と組み合わせて基準ＩＳＦＥＴにより形成された構造に対する代替的な実施態様を示す。別の白金接触部２２はここでは全面的に窒化物層２７の上および誘電体層１３、１４、１５の側面の上に施され、また全面的にＡｇ／ＡｇＣｌ接触部２３により覆われる。この実施態様は配置のその他の構成要素の特別な実施態様と無関係であり、従ってこれらの全面的な接触部は図７の圧力センサの変形例においても設けることができる。
【００２３】
電位差センサ用に使用されるＩＳＦＥＴと同じ横寸法および同一の層構造（ゲート範囲内の酸化物層および窒化物層）が基準ＩＳＦＥＴに対する工程と同一の工程で形成される。その際にＡｇ／ＡｇＣｌ接触部を施すことは省略され、またこのＭＯＳＦＥＴの上の開口はＰＥＣＶＤ酸化物層およびＰＥＣＶＤ窒化物層により、場合によっては第２のポリマー層１９によっても閉じられる。このＭＯＳＦＥＴは測定の際に比較量を有するようにするために基準構成要素として使用され、また評価回路の構成部分である。
【００２４】
図１０は、本発明による方法がＩＳＦＥＴを有する電気化学的電位差センサの製造に制限されないことを明らかにするため、電流センサに対する図６の相応する構造を示す。冒頭に記載したヨーロッパ特許出願公開第 0465708号明細書中の説明に相応して電流センサは貴金属または炭素から成る動作電極への対向電極として少なくとも１つの貴金属電極を、また場合によっては基準電極（参照電極）として別の貴金属電極を含んでいる。図１０の例ではＡｇ／ＡｇＣｌ接触部２３を施された白金接触部２１または銀接触部が基準電極として設けることができる。好ましくは接触孔充填物５５でＣＭＯＳ配線の上側メタライジング面の導体路５３と導電的に接続されている別の白金接触部４８が動作電極としての役割をする。対向電極は、動作電極４８と基準電極２１／２３との間に施されており、また紙面の表および裏の範囲内で類似の仕方で電気的に接続される第３の白金接触部４９により形成されている。ＩＳＦＥＴの基本構造はここでは省略される。しかし好ましくは、電流センサの際にも窒化物層４７が電極配置のベースとして存在している。基板１に対する絶縁として好ましくは、熱酸化（ＬＯＣＯＳ法）により絶縁性にされた平坦な絶縁範囲２が電流センサの範囲内に存在している。この絶縁範囲２の上に窒化物層４７が平坦に被覆される。このことはここでも好ましくは行われるが、必ずしもＬＰＣＶＤにより行われなくてもよい。電流センサに対して同じく電解質層４２および疎水性層４４を設けることができる。または貴金属電極がヨーロッパ特許出願公開第 0465708号明細書中に記載されているように親水性のダイアフラムにより被覆される。
【００２５】
導電率センサの場合には、周囲媒体の導電率の変化を決定し得るように、互いに密に隣接して、またできるかぎり大きい互いに向かい合う面をもってたとえば櫛状に配置されている２つの電極が作られる。電極の覆いは保護のために圧力センサの場合のように行われてもよいし、省略されてもよい。電極および電気的接続の製造は電流センサの例で説明したように基本的に等しい工程で行われる。
【００２６】
好ましくは、本発明による方法はＣＭＯＳプロセスまたはＢｉＣＭＯＳプロセスの枠内で、またはＣＭＯＳプロセスまたはＢｉＣＭＯＳプロセスに類似して行われる。センサと一緒にモノリシックに集積されるべき、また駆動および評価のための電子回路を形成する別のデバイスがたとえばＭＯＳＦＥＴとしてこのプロセスの枠内で製造できる。図面には例として、ドープ範囲４に作られ、また酸化された範囲２によりその他のデバイスから電気的に絶縁されているＭＯＳＦＥＴが電子回路ＥＣの構成要素として記入されている。従って、ここに説明した方法によりセンサに電子的構成要素を広範囲に集積することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】種々の工程後のＩＳＦＥＴを有する電位差センサおよび圧力センサのモノリシック集積の中間構造を示す断面図。
【図２】種々の工程後のＩＳＦＥＴを有する電位差センサおよび圧力センサのモノリシック集積の中間構造を示す断面図。
【図３】本方法の図２中に示されている構造の変形例を示す断面図。
【図４】貴金属電極および二層保護層を施した後の中間構造を示す断面図。
【図５】貴金属電極および二層保護層を施した後の中間構造を示す断面図。
【図６】電位差センサのための本発明による方法により製造された構造を示す断面図。
【図７】電位差センサのための本発明による方法により製造された構造を示す断面図。
【図８】電位差基準センサのための本発明による方法により製造された構造を示す断面図。
【図９】電位差基準センサのための本発明による方法により製造された構造を示す断面図。
【図１０】電流センサのための本発明による方法により製造された構造を示す断面図。
【符号の説明】
１    基板
２    絶縁範囲
３、５    導電範囲
６    酸化物層
７    窒化物層、ｐＨ感受性の層
８    酸化物層
９    ＴＥＯＳ層
１０    センサ層
１１    空所
１２    導電接続部
１３    プレーナー化層
１４、１５    誘電体層
１６    酸化物層
１７    窒化物層
２１    貴金属電極、白金接触部
２３    銀／塩化銀接触部
２７    窒化物層
２９    エッチング開口
３１〜３３    導体路
３５    導電接続部
４３    導体路
４５    導電接続部
４７    窒化物層
５３    導体路
５５    導電接続部
ＣＳ    電気化学的センサ
ＥＣ    電子回路
ＰＳ    圧力センサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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