(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に形成された複数本の走査線及び信号線と、前記走査線及び信号線で囲ま
れた画素領域毎に絶縁膜を介して対向配置された透明導電性材料からなる下電極及び複数
のスリットを有する上電極と、前記下電極の下部の一部に形成された反射板と、を備える
アレイ基板と、
前記画素領域毎に対向配置されたカラーフィルタ層を備えるカラーフィルタ基板と、
を備える半透過型液晶表示パネルにおいて、
前記上電極に形成された複数のスリットは、その一端部が開放され他端部が閉鎖されて
形成されており、前記カラーフィルタ層には、前記反射板上の前記スリットの閉鎖された
他端部に対向する位置に該カラーフィルタ層が形成されていない窓部が形成されているこ
とを特徴とする半透過型液晶表示パネル。
【請求項２】
前記窓部は、該窓部が形成される前記カラーフィルタ層の色成分毎に異なる面積とされ
ていることを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示パネル。
【請求項３】
前記カラーフィルタ基板の前記反射板に対向する位置にはセルギャップ調整用のトップ
コート層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示パネル。
【請求項４】
前記アレイ基板には前記画素領域毎にスイッチング素子が形成されているとともに、前
記スイッチング素子を覆うように層間膜が形成されており、前記反射板及び下電極は前記
層間膜上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示パネル。
【請求項５】
前記窓部の全ての角は曲線状とされていることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記
載の半透過型液晶表示パネル。
【請求項６】
請求項１〜５の何れかに記載の半透過型液晶表示パネルを備えたことを特徴とする電子
機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半透過型液晶表示パネル及びこの半透過型液晶表示パネルを備えた電子機器に
関するものである。詳しくは、いわゆるＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードの反透
過型液晶表示パネルにおいて、開口率が大きく、光漏れを抑制した半透過型液晶表示パネ
ル及びこの半透過型液晶表示パネルを備えた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示パネルとして、透過型と反射型の性質を併せ持つ半透過型液晶表示パネルの開
発が多く進められてきている。この半透過型液晶表示パネルは、一つの画素領域内に画素
電極を備えた透過部と画素電極及び反射板の両方を備えた反射部を有している。そして、
暗い場所においてはバックライトを点灯して透過部を利用して画像を表示し、明るい場所
においてはバックライトを点灯することなく反射部において外光を利用して画像を表示す
るものである。
【０００３】
ところで、従来の液晶表示パネルにおいては、その多くが一対の基板のそれぞれに電極
を備えるいわゆる縦方向電界モード（例えばＴＮ（Twisted Nematic）型あるいはＶＡ（V
ertical Alignment）型）のものであるが、一対の基板の何れか一方にのみ電極を備える
いわゆる横方向電界モード（例えばＦＦＳ型）のものも知られている（下記特許文献１及
び２参照）。ＦＦＳ型の液晶表示パネルは、広視野角かつ高コントラストであり、更に高
開口度であるため明るい表示が可能となるという特徴を備えている。
【０００４】
そして、このＦＦＳ型の液晶表示パネルにおいても半透過型のものが近年開発されてい
る（下記特許文献３及び４参照）。そこで、このような従来のＦＦＳ型の半透過型液晶表
示パネルを図７及び図８を用いて説明する。なお、この明細書における説明のために用い
られた各図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、
各層や各部材毎に縮尺を異ならせて表示しており、必ずしも実際の寸法に比例して表示さ
れているものではない。
【０００５】
図７は従来のＦＦＳ型の半透過型液晶表示パネルの１画素分の平面図である。図８は図
７のVIII−VIII線に沿った模式断面図である。
【０００６】
このＦＦＳ型の半透過型液晶表示パネル５０は、アレイ基板ＡＲとカラーフィルタ基板
ＣＦとを備えている。アレイ基板ＡＲは、第１の透明基板５１の表面にそれぞれ平行に複
数の走査線５２及びコモン配線５３が設けられ、これら走査線５２及びコモン配線５３に
交差する方向に複数の信号線５４が設けられている。このうち、走査線５２及びコモン配
線５３の表面はゲート絶縁膜５５で被覆されており、信号線５４はゲート絶縁膜５５の表
面に形成されている。そして、ゲート絶縁膜５５の表面には、走査線５２のゲート電極Ｇ
に対応する部分の表面に半導体層５６が形成され、この半導体層５６に部分的に積層され
るように、信号線５４から延在されたソース電極Ｓとドレイン電極Ｄが形成されている。
このゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ及びドレイン電極ＤがＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を形
成する。更に、これらの基板の表面全体を被覆するように保護絶縁膜５７が形成されてい
る。
【０００７】
この保護絶縁膜５７の表面は層間膜５８で被覆され、この層間膜５８は画素毎の反射部
ＲＡにおいては表面に凹凸（図示省略）が形成され、その他の領域は表面が平らになされ
ている。そして、反射部ＲＡの層間膜５８の表面にはそれぞれの画素毎にアルミニウム又
はアルミニウム合金からなる反射板６０が形成され、この反射板６０の表面及び層間膜５
８の表面は画素毎にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等から
なる透明導電性材料で形成された下電極６１が形成されている。この下電極６１は、コモ
ン配線５３上の保護絶縁膜５７及びゲート絶縁膜５５に形成されたコンタクトホール６２
を介して、コモン配線５３と電気的に接続されている。なお、ドレイン電極Ｄに対応する
位置の層間膜５８及び保護絶縁膜５７にはドレイン電極Ｄが露出するようにコンタクトホ
ール６３が形成されている。また、下電極６１が形成された領域のうち、反射板６０が形
成された領域が反射部ＲＡを構成し、反射板６０が形成されていない領域が透過部ＴＡを
構成している。
【０００８】
更に、それぞれの下電極６１の表面及び層間膜５８の表面全体に亘って窒化ケイ素層な
いし酸化ケイ素層からなる容量絶縁膜６４が形成されており、この容量絶縁膜６４はドレ
イン電極Ｄが露出するようにコンタクトホール６３の表面壁を被覆している。そして、そ
れぞれの画素毎に容量絶縁膜６４の表面にはＩＴＯやＩＺＯ等の透明導電性材料からなり
、複数の平行なスリット６５が設けられた上電極６６が形成されており、この上電極６６
に設けられたスリット６５はその両端部が閉塞している。この上電極６６はコンタクトホ
ール６３を介してドレイン電極Ｄと電気的に接続されている。そして、この上電極６６及
び複数のスリット６５の表面は配向膜（図示せず）により被覆されている。
【０００９】
また、カラーフィルタ基板ＣＦは、第２の透明基板６７の表面には、ブラックマトリク
ス６８、カラーフィルタ層６９及びオーバーコート層７０が形成されている。このオーバ
ーコート層７０はブラックマトリクス６８及びカラーフィルタ層６９の表面を被覆してお
り、更にオーバーコート層７０の表面には配向膜（図示せず）が設けられている。そして
、アレイ基板ＡＲの上電極６６とカラーフィルタ基板ＣＦのカラーフィルタ層６９とが互
いに対向するようにアレイ基板ＡＲ及びカラーフィルタ基板ＣＦを対向させ、その間に液
晶７１を封入することにより、ＦＦＳ型の半透過型液晶表示パネル５０が形成される。
【特許文献１】特開２００２−  １４３６３号公報
【特許文献２】特開２００２−２４４１５８号公報
【特許文献３】特開２００３−３４４８３７号公報
【特許文献４】特開２００６−３３７６２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記従来技術の半透過型液晶表示パネル５０によれば、縦方向電界モードに比べて高い
開口度での表示が行えるようになる。しかしながら、近年液晶表示パネル、特に携帯電話
機等に使用される小型の液晶表示パネルにおいては、高精細化がますます進み、より高い
開口度及び輝度を備える液晶表示パネルが要求されている。加えて、上述のような半透過
型液晶表示パネルにおいては、透過部を用いた表示と反射部を用いた表示との間に色調の
差が生じることがあるので、この表示品質の変化を低減して何れの表示方法であっても均
一な表示を行うことが可能な液晶表示パネルも要求されている。
【００１１】
本発明は上記要求に答えるべくなされたものであって、すなわち本発明の目的は、より
高い開口度及び輝度での表示が可能で、しかも透過部を用いた表示と反射部を用いた表示
との間の色調の差異を生じさせることなく、さらには、光漏れやクロストークの発生を抑
制して表示品質が低下することのない半透過型液晶表示パネル及びこの半透過型液晶表示
パネルを備える電子機器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明の半透過型液晶表示パネルは、マトリクス状に形成
された複数本の走査線及び信号線と、前記走査線及び信号線で囲まれた画素領域毎に絶縁
膜を介して対向配置された透明導電性材料からなる下電極及び複数のスリットを有する上
電極と、前記下電極の下部の一部に形成された反射板と、を備えるアレイ基板と、
前記画素領域毎に対向配置されたカラーフィルタ層を備えるカラーフィルタ基板と、
を備える半透過型液晶表示パネルにおいて、
前記上電極に形成された複数のスリットは、その一端部が開放され他端部が閉鎖されて
形成されており、前記カラーフィルタ層には、前記反射板上の前記スリットの閉鎖された
他端部に対向する位置に該カラーフィルタ層が形成されていない窓部が形成されているこ
とを特徴とする。
【００１３】
上記発明によれば、先ず、上電極に形成される複数のスリットの一端部を開放端とした
ので、電界発生領域が大きくなり、高い開口度及び輝度の表示を行うことが可能となる。
また、カラーフィルタ層に窓部を形成したことにより反射板が形成された反射部を用いた
表示と、反射板が形成されていない透過部を用いた表示との間に色調の差異が生じなくな
り、均一な表示品質を実現することができるようになる。更には、この窓部の形成位置を
反射板に対向する位置で、且つ上電極に形成されたスリットの開放端に対向する位置以外
に形成したことにより、スリットの開放端付近で発生する横電界に起因する光漏れ或いは
クロストークの発生により表示品質が著しく低下することを防ぐことが可能となる。した
がって、上記発明によれば、従来の半透過型液晶表示パネルに比べて高い開口度及び輝度
を有し、色調が均一で、しかも光漏れ等による表示品質の低下が抑制された半透過型液晶
表示パネルを提供することができるようになる。
【００１４】
また、上記発明にかかる半透過型液晶表示パネルにおいて、前記窓部は、該窓部が形成
される前記カラーフィルタ層の色成分毎に異なる面積とされていると好ましい。
【００１５】
上記発明によれば、窓部の面積をカラーフィルタ層の色成分に基づいて設定することに
より、窓部の形成されるカラーフィルタ層の色が、例えば視感度の高い色（緑色等）の場
合には窓部の面積を大きく、反対に視感度の低い色（青色等）の場合には窓部の面積を小
さくすることにより、容易に色調の均一化を実現することが可能となる。
【００１６】
また、上記発明にかかる半透過型液晶表示パネルにおいて、前記カラーフィルタ基板の
前記反射板に対向する位置にはセルギャップ調整用のトップコート層が形成されているこ
とを特徴とする。
【００１７】
上記発明によれば、トップコート層を形成することにより、外光を反射して表示を行う
場合に外光が液晶の影響を受ける距離を光源を用いて表示を行う場合と同一とすることが
でき、表示品質を均一にすることができるようになる。
【００１８】
また、上記発明にかかる半透過型液晶表示パネルにおいて、前記アレイ基板には前記画
素領域毎にスイッチング素子が形成されているとともに、前記スイッチング素子を覆うよ
うに層間膜が形成されており、前記反射板及び下電極は前記層間膜上に形成されているこ
とを特徴とする。
【００１９】
上記発明によれば、層間膜を配設することにより、下電極及び上電極の形成される面積
を大きくすることが可能となるので、開口度を更に大きくすることができる。
【００２０】
また、上記発明にかかる半透過型液晶表示パネルにおいて、前記窓部の全ての角は曲線
状とされていることを特徴とする。
【００２１】
上記発明によれば、窓部の角を全て曲線状とすることにより、パネル製造時において角
部が引っ掛かってカラーフィルタ層が剥がれることを抑制できるようになる。
【００２２】
本発明の電子機器は、上記半透過型液晶表示パネルを備えたことを特徴とする。
【００２３】
上記発明によれば、上述した効果を備える半透過型液晶表示パネルを備えることにより
、特に携帯電話機等の小型の電子機器に搭載された場合であっても良好な表示品質で表示
を行うことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、図面を参照して本発明の最良の実施形態を説明する。但し、以下に示す実施形態
は、本発明の技術思想を具体化するための半透過型液晶表示パネル及び電子機器として、
ＦＦＳ型の半透過型液晶表示パネルを例示するものであって、本発明をこの半透過型液晶
表示パネル及び電子機器に特定することを意図するものではなく、特許請求の範囲に含ま
れるその他の実施形態のものも等しく適応し得るものである。
【００２５】
なお、図１は本発明の実施例１に係るＦＦＳ型の半透過型液晶表示パネルのカラーフィ
ルタ基板を透視して示す３画素分の平面図である。図２は図１のII−II線で切断した断面
図である。図３は図１に示すアレイ基板の画素に対するカラーフィルタ層の状態を示す平
面図である。図４は図３のIV−IV線で切断した断面図である。図５は本発明の実施例２に
係るＦＦＳ型の半透過型液晶表示パネルの図２に対応する断面図である。図６Ａは本発明
のＦＦＳ型の半透過型液晶表示パネルを搭載したパーソナルコンピュータを示す図であり
、図６Ｂは本発明のＦＦＳ型の半透過型液晶表示パネルを搭載した携帯電話機を示す図で
ある。
【実施例１】
【００２６】
実施例１のＦＦＳ型の半透過型液晶表示パネル１０の構成を図１及び図２を用いて説明
する。この実施例１のＦＦＳ型の液晶表示パネル１０のアレイ基板ＡＲは、ガラス基板等
からなる透明基板１１の表面に例えばＭｏ／Ａｌの２層配線からなる複数の走査線１２が
互いに平行になるように形成されている。またこの走査線１２に沿うように走査線１２と
同一の材料からなるコモン配線１３が形成されている。
【００２７】
次に、後述する反射部ＲＡに該当する領域にアルミニウム又はアルミニウム合金からな
る反射板Ｒを形成する。そして、走査線１２及びコモン配線１３で囲まれたそれぞれの領
域（画素領域）に例えばＩＴＯやＩＺＯ等の透明導電性材料からなる下電極１４が形成さ
れている。この下電極１４は、コモン配線１３及び反射板Ｒに重畳配置され、コモン配線
１３とは電気的に接続されているが、走査線１２ないしゲート電極Ｇとは接続されておら
ず、共通電極として作用する。
【００２８】
また、この走査線１２、コモン配線１３、反射板Ｒ及び下電極１４が形成された透明基
板１１の表面全体に亘って窒化ケイ素ないしは酸化ケイ素等の透明絶縁材料からなるゲー
ト絶縁膜１５が被覆されている。更に、このゲート絶縁膜１５の表面のＴＦＴ形成領域に
は例えばアモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓｉ」という。）層からなる半導体層１６が
形成されている。この半導体層１６が形成されている位置の走査線１２の領域がＴＦＴの
ゲート電極Ｇを形成する。
【００２９】
また、ゲート絶縁膜１５の表面には、例えばＭｏ／Ａｌ／Ｍｏの３層構造の導電性層か
らなるソース電極Ｓを含む信号線１７及びドレイン電極Ｄが形成されている。この信号線
１７のソース電極Ｓ部分及びドレイン電極Ｄ部分は、いずれも半導体層１６の表面に部分
的に重なっている。更に、この基板の表面全体に窒化ケイ素又は酸化ケイ素等の透明絶縁
材料からなる保護絶縁膜（パッシベーション膜ともいう）１８が被覆されており、ドレイ
ン電極Ｄに対応する位置の保護絶縁膜１８にはコンタクトホール１９が形成されている。
【００３０】
そして、図１に示したパターンとなるように、走査線１２及び信号線１７で囲まれた領
域の保護絶縁膜１８上に複数のスリット２０を有する透明導電性材料、例えばＩＴＯ乃至
ＩＺＯからなる上電極２１が形成されている。この上電極２１はコンタクトホール１９を
介してドレイン電極Ｄと電気的に接続されている。そのため、この上電極２１は画素電極
として作用する。更に、この基板の表面全体に亘り所定の配向膜（図示せず）が形成され
ている。
【００３１】
スリット２０を有する上電極２１は、走査線１２及び信号線１７で囲まれた領域毎に平
面視でくし歯状となるよう、スリット２０の信号線１７側の一端が開放端２０ａとなって
いるとともに他端が閉鎖端２０ｂとなっている。これにより、開放端２０ａ側の開口度が
向上し、より明るい表示を行うことができるようになっている。
【００３２】
また、カラーフィルタ基板ＣＦは、ガラス基板等からなる透明基板２５の表面にアレイ
基板ＡＲの走査線１２、信号線１７及びＴＦＴに対応する位置を被覆するようにブラック
マトリクス２６が形成されている。更に、ブラックマトリクス２６で囲まれた透明基板２
５の表面には、複数色、例えばＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色からなるカラーフィ
ルタ層２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂ（図３及び図４参照）が形成され、更にブラックマトリク
ス２６及びカラーフィルタ層２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂの表面を被覆するように樹脂等から
なる保護膜２８が形成されている。更にまた、好ましくは、この基板表面のうち、反射部
ＲＡとなる位置にはセルギャップ調整用のトップコート層２９が形成されている。そして
、この基板の表面全体に亘り所定の配向膜（図示せず）が形成されている。なお、トップ
コート層２９により、透過部ＴＡの基板間距離Ｌ１と反射部ＲＡの基板間距離Ｌ２とが、
以下の式（１）に示す関係となっている。下記式（１）に示すような関係とすることによ
り、透過部ＴＡと反射部ＲＡとの間のリタデーションが均一になるので、表示品質の差異
が生じなくなる。なお、このトップコート層２９は半透過型液晶表示パネル１０の必須の
構成ではなく、省略したり、あるいは保護膜２８の肉厚を可変することで代用したりする
ことも可能である。
Ｌ２＝（１／２）Ｌ１                                                （１）
【００３３】
そして、アレイ基板ＡＲの上電極２１とカラーフィルタ基板ＣＦのカラーフィルタ層２
７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂが互いに対向するようにアレイ基板ＡＲ及びカラーフィルタ基板Ｃ
Ｆを対向させ、その間に液晶３０を封入することにより実施例１のＦＦＳ型の半透過型液
晶表示パネル１０が得られる。
【００３４】
次に、カラーフィルタ基板ＣＦに形成されるカラーフィルタ層２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂ
について、図３及び図４を参照して詳細に説明する。なお、図３においては、理解を容易
にするためにアレイ基板ＡＲ上に形成された各種配線については走査線１２及び信号線１
７以外の図示を省略し、カラーフィルタ層２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂには格子状のハッチン
グを付与して示している。
【００３５】
カラーフィルタ層２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂは、図３に示すように、信号線１７によって
区画された領域に沿ってストライプ配列で形成されている。なお、カラーフィルタ層２７
Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂの配列形状はストライプ配列に限らず、例えばデルタ配列やモザイク
配列等としてもよい。そして、このカラーフィルタ層２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂのうち、反
射部ＲＡを形成する部分の、更に上電極２１に形成されたスリット２０の閉鎖端２０ｂに
対向する位置には、所定面積を有する窓部３１が形成されている。この窓部３１には、図
４に示すように、カラーフィルタ層２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂに代わって樹脂材からなる保
護膜２８が配設されている。なお、このように窓部３１に保護膜２８を配設するのに代え
て、例えば無色のフィルタを配設するようにしてもよい。
【００３６】
この窓部３１を形成することにより、透過部ＴＡを用いた表示と反射部ＲＡを用いた表
示との間で色調に差が生じることを防止できる。すなわち、反射部ＲＡを用いた表示の際
には外光を半透過液晶表示パネル１０の表示面から入射させ、反射板Ｒで反射して表示面
から出射する構造となるため、光は入射の際及び出射の際の合計２回カラーフィルタ基板
ＣＦを通過する。そのため、反射部ＲＡの全面にカラーフィルタ層２７Ｒ、２７Ｇ、２７
Ｂを設けると、反射部ＲＡを用いた表示は透過部ＴＡを用いた表示に比べて色調が濃くな
り、表示方法によって色調が変化してしまう。しかし、本発明のように反射部ＲＡにカラ
ーフィルタ層２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂが形成されていない窓部３１を形成すれば、反射部
ＲＡを用いた表示を行う際の色が薄くなり、ほぼ透過部ＴＡを用いた表示の際の色調と同
一とすることが可能となる。なお、カラーフィルタ層２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂはその色成
分毎にユーザに対する視感度が異なるので、視感度が高い色、例えばＧ（緑）のカラーフ
ィルタ層２７Ｇには比較的大きな面積の窓部３１を形成し、視感度が低い色、例えばＢ（
青）のカラーフィルタ層２７Ｂには比較的小さな面積の窓部３１を形成すると好ましい。
【００３７】
ところで、本実施例１に係る半透過型液晶表示パネル１０の上電極２１には一方が開放
端２０ａとなったスリット２０が形成されている。しかしながら、このスリット２０の開
放端２０ａ部分においては、近接する走査線１２や信号線１７及び隣接する画素領域との
間で発生する横電界の影響を受けやすく、光漏れやクロストーク等が発生する場合がある
。そして、この開放端２０ａに対向する位置にカラーフィルタ層２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂ
が配設されていない場合、光漏れは一層大きくなり、表示品質に支障をきたす恐れがある
。したがって、本発明における窓部３１の配設位置は、図３に示すように、スリット２０
の開放端２０ａに対向する位置を除く部分、例えばスリット２０の閉鎖端２０ｂに対向す
る位置に設けるものとする。このような構成となせば、スリット２０の開放端２０ａ部分
で光漏れが発生したとしても、表示画面にはカラーフィルタ層２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂに
より色づけされた光が出射するので、表示品質が著しく低下する恐れがない。
【００３８】
さらにまた、カラーフィルタ層２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂに形成される窓部３１はカラー
フィルタ層２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂの一側端から切り欠き状に形成すると好ましい。そし
て、この窓部３１の角部は全て円弧状に面取り加工が施されていると更に好ましい。窓部
３１をカラーフィルタ層２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂの一側端から切り欠き状に形成すること
により、カラーフィルタ層２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂを例えば公知のフォトリソグラフィー
法を用いて形成する場合に使用されるマスクパターンの形状が簡単になる。また、この窓
部３１の角部を円弧状とすることにより、一連のパネル製造工程において、カラーフィル
タ層２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂが形成された後の工程でこのカラーフィルタ層２７Ｒ、２７
Ｇ、２７Ｂの剥がれ等が生じることを未然に防止することが可能となる。
【実施例２】
【００３９】
次に、図５を参照して実施例２に係るＦＦＳ型の半透過型液晶表示パネル１０Ａについ
て説明する。なお、本実施例２の半透過型液晶表示パネル１０Ａは、カラーフィルタ基板
ＣＦの構造及びアレイ基板ＡＲの一部の構造は実施例１の半透過型液晶表示パネル１０と
同様である。そこで、以下には実施例１の半透過型液晶表示パネル１０と同一の構成から
なる部分には同一の符号を付してその説明を省略し、実施例１の半透過型液晶表示パネル
１０とは異なる構造を備えるアレイ基板ＡＲについてのみ詳細に説明するものとする。
【００４０】
本実施例２の半透過型液晶表示パネル１０Ａのアレイ基板ＡＲは、ガラス基板等からな
る透明基板１１の表面に例えば複数の走査線１２及び複数のコモン配線１３が互いに平行
になるように形成されている。そして、この走査線１２及びコモン配線１３が形成された
透明基板１１の表面全体に亘ってゲート絶縁膜１５が被覆されている。更に、このゲート
絶縁膜１５の表面のＴＦＴ形成領域には半導体層１６が形成されている。この半導体層１
６が形成されている位置の走査線１２の領域がＴＦＴのゲート電極Ｇを形成する。
【００４１】
また、ゲート絶縁膜１５の表面には、ソース電極Ｓを含む信号線１７及びドレイン電極
Ｄが形成されている。このソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄは、いずれも半導体層１６の
表面に部分的に重なっている。更に、この基板の表面全体に保護絶縁膜１８が被覆されて
おり、さらにこの保護絶縁膜１８上に透明絶縁材料からなる層間膜３３が形成されている
。この層間膜３３は画素毎の反射部ＲＡにおいては表面に凹凸（図示省略）が形成され、
透過部ＴＡを含むその他の領域は表面が平らになされている。
【００４２】
更に、コモン配線１３の一部を被覆しているゲート絶縁膜１５、保護絶縁膜１８及び層
間膜３３にはコンタクトホール３２が設けられている。また、反射部ＲＡの層間膜３３の
表面にはそれぞれの画素毎に反射板Ｒが形成され、この反射板Ｒの表面及び層間膜３３の
表面は同じく画素毎に下電極１４が形成されている。この下電極１４はコンタクトホール
３２を介してコモン配線１３と電気的に接続されている。そのため、下電極１４は共通電
極として作用する。なお、ドレイン電極Ｄに対応する位置の層間膜３３及び保護絶縁膜１
８にはドレイン電極Ｄが露出するようにコンタクトホール１９が形成されている。
【００４３】
更に、それぞれの下電極１４の表面及び層間膜３３の表面全体に亘って窒化ケイ素ない
し酸化ケイ素等の透明絶縁材料からなる容量絶縁膜３４が形成されており、この容量絶縁
膜３４はドレイン電極Ｄが露出するようにコンタクトホール１９の表面壁を被覆している
。この容量絶縁膜３４は下電極１４と上電極２１との距離を調整するために設けられるも
のである。そして、平面視でくし歯状となるように、容量絶縁膜３４上に複数のスリット
２０を有する上電極２１が形成されている。この上電極２１はコンタクトホール１９を介
してドレイン電極Ｄと電気的に接続されている。そのため、上電極２１は画素電極として
作用する。更に、この基板の表面全体に亘り所定の配向膜（図示せず）が形成されている
。
【００４４】
上記のように、アレイ基板ＡＲの保護絶縁膜１８と反射板Ｒ及び下電極１４との間に層
間膜を形成することにより、下電極１４と上電極２１の形成領域を大きくすることが可能
となる。したがって、上記実施例１に比して電界発生領域が大きくなるため、開口度が大
きく明るい表示を行うことができるようになる。
【００４５】
また、上記実施例２の半透過型液晶表示パネル１０Ａにおいては、下電極１４を共通電
極、上電極２１を画素電極としてそれぞれ作用するように配線された例について説明した
が、これに限らず、例えば上電極２１をコモン配線１３に接続させることで共通電極とし
、下電極１４をドレイン電極Ｄに接続させることで画素電極とすることも可能である。
【００４６】
以上に説明したとおり、実施例１及び２の半透過型液晶表示パネル１０、１０Ａにおい
ては、上電極２１をくし歯状に形成することでより高い開口度を達成することができ、ま
た、反射部ＲＡの一部に対向するカラーフィルタ層２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂに窓部３１を
形成したことで色調を均一にすることもできる。そして、この窓部３１を上電極２１に形
成されたスリット２０の開放端２０ａに対向する位置以外に形成したので、光漏れ等によ
る表示品質の低下をも抑えることが可能となる。
【００４７】
以上、本発明の実施例としてＦＦＳ型の半透過型液晶表示パネル１０、１０Ａを説明し
た。このような本発明のＦＦＳ型の半透過型液晶表示パネルは、パーソナルコンピュータ
、携帯電話機、携帯情報端末などの電子機器に使用することができる。このうち、半透過
型のＦＦＳ型の液晶表示パネル４１をパーソナルコンピュータ４０に使用した例を図６Ａ
に、同じく半透過型のＦＦＳ型の液晶表示パネル４６を携帯電話機４５に使用した例を図
６Ｂに示す。ただし、これらのパーソナルコンピュータ４０及び携帯電話機４５の基本的
構成は当業者に周知であるので、詳細な説明は省略する
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の一実施形態に係るＦＦＳ型の半透過型液晶表示パネルのカラーフィルタ基板を透視して示す３画素分の平面図である。
【図２】図１のII−II線で切断した断面図である。
【図３】図１に示すアレイ基板の画素に対するカラーフィルタ層の状態を示す平面図である。
【図４】図３のIV−IV線で切断した断面図である。
【図５】本発明の実施例２に係るＦＦＳ型の半透過型液晶表示パネルの図２に対応する断面図である。
【図６】図６Ａは本発明のＦＦＳ型の半透過型液晶表示パネルを搭載したパーソナルコンピュータを示す図であり、図６Ｂは本発明のＦＦＳ型の半透過型液晶表示パネルを搭載した携帯電話機を示す図である。
【図７】従来のＦＦＳ型の半透過型液晶表示パネルの１画素分の平面図である。
【図８】図７のVIII−VIII線に沿った模式断面図である。
【符号の説明】
【００４９】
１０、１０Ａ：半透過型液晶表示パネル  １１、２５：透明基板  １２：走査線  １３：
コモン配線  １４：下電極  １５：ゲート絶縁膜  １６：半導体層  １７：信号線  １８
：保護絶縁膜  １９、３２：コンタクトホール  ２０：スリット  ２０ａ：開放端  ２０
ｂ：閉鎖端  ２１：上電極  ２６：ブラックマトリクス  ２７Ｒ、２７Ｇ、２７Ｂ：カラ
ーフィルタ層  ２８：保護膜  ２９：トップコート層  ３０：液晶  ３１：窓部  ３３：
層間膜  ３４：容量絶縁膜  ＡＲ：アレイ基板  ＣＦ：カラーフィルタ基板  Ｒ：反射板
Ｇ：ゲート電極  Ｓ：ソース電極  Ｄ：ドレイン電極  ＴＡ：透過部  ＲＡ：反射部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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