(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜部材を切断する方法であって、
表面の粘着強度が互いに異なる２つのテンプレートで前記薄膜部材を挟持するように前記薄膜部材を前記テンプレートに接着するステップと、
１以上の部材形成物を生成するべく、前記テンプレートの一方に事前形成された切抜部の外周線に沿ってレーザーを移動させて、前記テンプレートを切断することなく前記薄膜部材を切断するステップと、
前記薄膜部材のうち前記切抜部に対応する部分を維持するとともに他の部分を廃棄するべく、前記薄膜部材から切抜部が形成されたテンプレートを取り去るステップと、
を有する方法。
【請求項２】
前記薄膜部材は、金属層と合成層とからなる多層フィルムを含み、
前記合成層は、１０ミクロンの厚みを有し、０．１ミクロンの厚みを有する前記金属層を追加的に支える、
請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、改良された切断方法、特に、層、膜部材または、薄膜構造体をレーザーカットすることによって構造体を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
様々な構造体において、必要とする形成体を形成するために、膜や層、薄膜をレーザーカットにより切断しなければならない場合が多々ある。例えば、超小型電気機械および超小型電子素子といった分野では形成体を切断する際に、レーザーカットの正確さなどの特徴が必要とされる。また、このような素子では、ソース基板から切り抜いた繊細な薄膜構造体をターゲット基板上の新たな場所に輸送しなければならない場合が多々ある。したがって、薄膜形成体を切断し輸送する多数の異なる方法が開発された。例えば、低粘着性の粘着物や静電気を利用する方法である。これらにより、このような薄膜形成体を構成し、輸送することが可能になった。
【０００３】
【特許文献１】
米国特許第６，２１０，５１４号
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
薄膜形成体を加工し、装着する方法が米国特許第６，２１０，５１４号（チャング等）に教示されている。薄膜形成体を切出し、切出し元の層や粘着性の輸送層から分離する処理では、該薄膜形成体を変形、変更、加圧、破損するという、望ましくない結果になり得る場合が多々ある。こうした欠陥は、僅かな変形や不適切な位置決めといったものから、大きな裂け目や構造的な欠損といったものまで多岐にわたるが、こうした欠陥が生じると、最終的に、かかる薄膜形成体を装着する超小型電気機械素子が不良となる可能性がある。
【０００５】
上記米国特許が開示する装着物の加工方法を要約すると次のようになる。つまり、薄膜を低粘着性の重合体膜に固着し、その位置で、これを加工して薄膜構造体を規定する。次に、この薄膜構造体（または薄膜構造体列）を、ほぼ変形が生じない状態で、重合体膜から分離する。この方法により、ガラス、シリコン、プリント回路ボード等の多様なターゲット基板に、多様な超小型電気機械および超小型電子素子における使用に適した、ほぼストレスフリーの薄膜構造体を、装着できる。
【０００６】
しかし、低粘着性の重合体膜を貫通して切断された構造体は、融解した重合体物質や、低粘着性の重合体膜を薄膜構造体から剥がす際に生じる可塑性の変形に因る縁部の汚染によって誘引される大きなストレスを有する。更に、低粘着性の重合体膜を貫通してレーザーカットすると、ダストが溜まる。こうしたダストは、該薄膜や、該薄膜が最終的に装着される超小型電気機械素子を更に汚染する元となる。薄膜上に溜まったダストは、超小型電気機械または超小型電子素子の機能に悪影響を及ぼす。更に、薄膜形成体の製造中に低粘着性の重合体膜をレーザーカットしてしまうと、別の薄膜構造体を切断して同様の形成体を作るために、この重合体膜を再使用することができない。もし再使用可能であれば、コスト削減を推進し、効率を改善すると思われる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
したがって、正確なレーザーカットが求められる薄い形成体等の構造体を製造する改良されたレーザーカット方法および装置が必要とされる。本発明は、この必要性に対する解決策に関する。
【０００８】
本発明の一例示的実施形態によると、レーザーを用いて部材を切断する方法は、部材を提供するステップから開始される。次に、テンプレートを用意し、部材に接着する。更に、レーザーを、該テンプレートに交差せずにこれを通過するように放射し、該部材を切断して、所望の形成体を製造する。この時、レーザーはテンプレート構造体と交差しないのでこれを切断せず、余計なレーザーカットダストが生じない。
【０００９】
本発明の更に別の態様によると、テンプレートを通過するようにレーザーを放射するステップは、レーザーが該テンプレートを切断せずにこれを通過し、部材を、該テンプレートに対応するパターンに切断するように、レーザーの方向を定めることを含む。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明の実例となる実施形態は、レーザーを用いて部材を切断する改良された方法および装置に関する。本発明に係る方法によれば、まず、部材（膜または薄膜の場合が多い）をテンプレートに固着する。このテンプレートは、通常は該部材を切り抜きたい所望の形成体の形状を有する複数の開口部またはパターンを有する。このテンプレートにより、部材、特に、追加的な支えを必要とする薄膜部材等の部材を支え、更に、レーザーが該テンプレートに形成された開口部を通過して該部材を直接切断できるようにする。この時、テンプレートの層を切断することはない。テンプレートによる支えのために、部材に加わるストレスが軽減され、切断処理の前および処理中において、部材をより確かに保持する。さらに、このテンプレートにより、部材だけでなくテンプレート層も貫通して切断することによって生じていたレーザーダスト粒子を生じないようなアクセスをレーザーに提供する。レーザーダストの発生量が減ることで、仕上げられた形成物の全体的な品質が向上し、部材形成物の輸送や使用を妨げる不要なダスト粒子が減少する。
【００１１】
図１は、本発明の教示に係る重合体部材１６を示す。重合体部材１６に言及して、本明細書における説明を行なう。当業者は、該部材が多数の他の物質から作られても良いことが分かるであろう。例えば、薄いシリコンタック層を有する金属や、静電気粘着によって付着する無被膜プラスチック等である。重合体部材１６は、第１切抜部２４と、第２切抜部２６と、第３切抜部２８とを有する。重合体部材１６は、化学的に不活性である多数の異なる重合体物質から形成できる。重合体部材１６は低粘着性特性を有し、例えば、ポリシロキサン、ポリウレタン、ウレタン、スチレン、オレフィン、コポリエステル、ポリアミド、金属処理可能なその他のゴム物質等から形成されることが好適である。適切な２種類の物質が、Ｄｏｗ  Ｃｏｒｎｉｎｇ  Ｃｏｒｐ．製のＳＹＬＧＡＲＤ１８４、Ｖｉｃｈｅｍ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｕｎｎｙｖａｌｅ，ＣＡ製のＧＥＬ−ＰＡＫとして周知である。
【００１２】
第１、第２、第３の切抜部２４，２６，２８は、レーザーが重合体部材１６に交差せず、つまり重合体部材を切断せずに通過できるようにする、重合体部材１６に形成された切込みを示す。レーザーは重合体部材１６を通過し、重合体部材１６の反対側にある物体を切断する。これを以下で詳述する。
【００１３】
図２〜図１５は、図１の線Ａ−Ａに沿った、重合体部材１６（および、重合体部材１６の代替的な形成物または構造物）の断面図である。
【００１４】
本明細書で教示する切断方法は、多数の異なる層、膜、薄膜、面、物体等に適用できるが、説明を明瞭にするために、図２に示すような薄膜アセンブリ１０を例にとって、本発明の特徴や態様を説明する。薄膜アセンブリは、レーザーである切断要素によって切断される。また、レーザー以外の切断要素も使用できる。これは、一部には、切断する物によって異なる。当業者は、本発明の教示が薄膜アセンブリ以外の物体にも適用できることが分かるだろう。実際、本発明の教示は、レーザーカットが必要な他の、例えば、金属ホイル、テキスタイル、薄織物、生体膜等といった周知の物体に加え、本明細書に記載された多数の構造体にも適用できる。
【００１５】
図２は、薄膜アセンブリ１０の例を示す。金属層１２は、合成層１４と組み合わされて薄膜アセンブリ１０を形成する。合成層１４は、例えば、ＭＹＬＡＲ等でも良い。これは、Ｅ．Ｉ．Ｄｕ  Ｐｏｎｔ  ｄｅ  Ｎｅｍｏｕｒｓ  ａｎｄ  Ｃｏｍｐａｎｙ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｗｉｌｍｉｎｇｔｏｎ，Ｄｅｌａｗａｒｅから入手できる。合成層１４が金属層１２を支え、絶縁するので、金属層１２にかかる不要なストレスが軽減される。同様の方法で取扱うことができる均質または合成薄層のアセンブリは、他にも多数あるだろう。
【００１６】
レーザー３６である切断要素（図７）が、薄膜アセンブリ１０を切断して所望の数の形成体片にする。しかし、レーザー３６の熱によってストレスが生じることや、その後に形成体を輸送すること等のために、図３に示す重合体部材１６が有益になる。重合体部材１６を薄膜アセンブリ１０の上面に接着する。重合体部材１６は、第１切抜部２４と、第２切抜部２６と、第３切抜部２８とを有する。切抜部２４、２６，２８の各々は、薄膜アセンブリ１０を切断するための所望のパターンまたは形状に対応する。
【００１７】
図４および図５は、薄膜アセンブリ１０の底面に接着された重合体ベース１８である追加的な重合体部材に関する代替的な変形例を示す。図４の重合体ベース１８は固体構造体であり、これが追加的な支えとなるので、製造処理中に薄膜アセンブリ１０を輸送することが容易になる。重合体ベース１８は開口部を有さず、低粘着性の表面を有して、薄膜アセンブリ１０の合成層１４に緩やかに接着できる。
【００１８】
図５では、重合体部材１６に加えて第２の重合体部材２０が設けられている。薄膜アセンブリ１０は、第１の重合体部材１６と第２の重合体部材２０との間に挟持される。第２の重合体部材２０は、図４の重合体ベース１８と同様の基礎構造として機能する。固体重合体部材１８の構造とは異なり、第２の重合体部材２０は、自身を貫通する開口部群を有する。第４切抜部３０、第５切抜部３２、第６切抜部３４である開口部群は、上述の第１、第２、第３切抜部２４、２６，２８とほぼ同じ形状で、ほぼ同じ場所に形成されている。したがって、重合体部材１６と第２の重合体部材２０とを並び揃えると、第１、第２、第３切抜部２４、２６，２８と第４、第５、第６切抜部３０、３２，３４とがほぼ一致し、重合体部材１６と第２の重合体部材２０とのアセンブリを完全に貫通する開口部が形成される。
【００１９】
切抜部２４、２６，２８，３０，３２，３４により、レーザーは、重合体部材１６、２０に挟持された薄膜アセンブリ１０を、これらの部材１６，２０のいずれをも切断または接触することなく、貫通できる。あるいは、図４のアセンブリでは、レーザーが薄膜アセンブリ１０を貫通して固体重合体部材１８をキスカットする際にレーザーが薄膜アセンブリ１０の底端で切断を止めるように、調節しなければならない。２枚の支持層重合体膜１６、２０の粘着性は異なるので、第１の膜１６を剥がす際に、薄膜は第２の膜２０に接着されたまま残る。
【００２０】
実際の多数の層構造は、当業者が理解するように、多様性があっても良いことが分かるであろう。例えば、他の層とは異なる開口部や切抜部を有する層があっても良いし、他の層とは異なる物質で作られた層があっても良いし、他の層より大きな、または小さな層があっても良い。図６は、例えば、図５の構成体と類似する層が積層された様子を示す。図６では、８層の薄膜アセンブリ１０が積層され、各々が重合体部材によって分離されている。これにより、薄膜アセンブリと組み合わされた重合体部材の積層２２が形成される。重合体部材の各々は、第１切抜部２４と、第２切抜部２６と、第３切抜部２８とを有する。したがって、積層２２を通過するレーザーは、重合体部材を切断することなく、切抜部２４、２６，２８の各々を通過できる。
【００２１】
図７および図８は、薄膜アセンブリ１０を切断して所望の形成体にするレーザーカット処理の一部を示す。レーザー３６は、図示するように、第１、第２、第３切抜部２４、２６，２８の各々の外辺部に沿って下向きの切断方向に向けられる。図７では、レーザー３６は重合体部材１６とは接触しないが、薄膜アセンブリ１０の金属層１２および合成層１４を貫通して切断する際に、固体重合体部材１８をキスカットする。切抜部２４、２６，２８が存在するので、レーザーは、切断処理中および、その後の薄膜アセンブリ１０の輸送中において薄膜アセンブリ１０を所定の場所に保持する追加的な支えとなる重合体部材１６を通過できる。
【００２２】
図８は、レーザー３６が薄膜アセンブリ１０を貫通して切断した後の様子を示す。レーザーは、第１切抜部２４を通過し、金属層１２およびそれに続く合成層１４を貫通して切断した後に固体重合体部材１８の上辺部まで達する。こうしたレーザーカット３８により、薄膜アセンブリ１０を、金属層１２および合成層１４と、新たな合成層形成体１５と接合された新たな金属層形成体１３とに分離する。図８では、金属層および合成層形成体１３、１５の各々を、レーザーカット３８によって囲まれた３片の分離した片として図示する。
【００２３】
製造処理における次のステップは、多くの場合、重合体部材１６と共に、元来の薄膜アセンブリ１０の不要な金属層１２および合成層１４を除去することである。図９は、これらの不要な要素を除去した結果を示す。除去後、金属層形成体１３と合成層形成体１５とが重合体部材１８の上面に残される。重合体部材１８の低粘着特性が、金属層形成体１３および合成層形成体１５を所定場所に保持する助けとなる。以下で詳述するように、図４、図５、図６に示す例示的な実施形態において、不要な要素は、除去時に落下する（または吹き飛ばされる）。
【００２４】
図１０は、金属層形成体１３および合成層形成体１５を所望の場所に移動する移動処理の第１のステップを示す。この図では、粘着部材である輸送部材４０が金属層形成体１３の表面に押し付けられる。輸送部材４０との粘着力は、固体重合体部材１８との粘着力より大きい。したがって、図１１に示すように、輸送部材４０を持ち上げると、合成層形成体１５が重合体部材１８から剥がれ、輸送部材４０と共に輸送される。
【００２５】
次に、図１２に示すように、輸送部材４０から金属層形成体１３および合成層形成体１５を、例えば回路基板４４等の所望の位置に落下させる。スポット溶接４２、つまり接着を行なうことで、金属層形成体１３および合成層形成体１５を基板４４に結合させる。続いて、図１３に示すように、輸送部材４０を金属層形成体１３から剥がすと、基板４４に溶接された金属層形成体１３および合成層形成体１５が所望の位置に残される。
【００２６】
図１４は、本発明の教示にしたがった代替的なアプローチを示す。この構成は、図５の構成と類似しており、第１、第２、第３切抜部２４、２６，２８を有する重合体部材１６と、第４、第５、第６切抜部３０、３２，３４を有する第２の重合体部材２０とが設けられている。レーザー３６によって、薄膜アセンブリ１０に所望の切り込みを入れる。
【００２７】
図１５は、レーザーカットを行なった結果を示す。ここでは、レーザー３６による切断後、金属層形成体１３および合成層形成体１５が、金属層１２および合成層１４から基板４４上に落下する。重合体部材１６および第２の重合体部材２０であるテンプレートに開口部または切込部が形成されているので、金属層１２および合成層１４の形成体１３、１５は直接、基板４４の上に落下する。輸送部材４０は必要ない。この構成体によれば、金属層形成体１３および合成層形成体１５を切断場所から基板４４に移動することによって薄膜に加えられるストレスが非常に軽減される。金属層形成体１３および合成層形成体１５を基板４４上に落下させると、図１３に示すように、追加的な溶接処理４２を行って、金属層形成体１３および合成層形成体１５を所定の位置に装着することができる。
【００２８】
図１６は、本発明の更に別の実施形態を示す。この形態において、重合体物質４６は、個々のフラップ５０を形成する多様な異なる切込部４８を有する。当業者は、図１６および他の図に示すような、任意の数の異なるパターンを使用して、薄膜形成体のための多様な異なるパターンおよび形状を作成できることが分かるであろう。
【００２９】
当業者が理解するように、多数の異なる切断用具を用して、金属層および合成層１２，１４を切断できる。例えば、多様な機械、電気、化学、音波、光学技術である。本発明において活用するような重合体部材１６と共に使用できる切断技術としては、スタンピング、型抜き切断、キスカット、せん断、パンチ、ブレーキング、成形、曲げ、鍛造、粒状化、等々がある。電気技術は、高周波数による電気スパークを用いた電気放電加工等を更に含む。化学技術は、化学／機械研磨、電気機械加工、電解研磨、電気化学アーク加工、酸電解毛管ドリリング（acid electrolyte capillary drilling）等を含むことができる。音波技術は、超音波加工、超音波ツインドリリング、レーザーカットやドリリング等のその他の光学的技術を含むことができる。
【００３０】
本発明は、脆い薄膜や薄膜アセンブリのレーザーカットに関連して特に有益である。薄膜は有機、無機、または合成膜でも良い。通常、薄膜は、異なるストレスが加えられることに対して非常に敏感である。薄膜を取扱ったり処理することで、シワ、折り目、スクラッチ、ストレッチ、汚染、残留ストレス等が生じることが多々ある。こうした異なる行為のいずれに因っても、薄膜を永久に損傷してしまう可能性がある。薄膜を重合体部材と共に積層することで、こうした損傷が生じる可能性は非常に軽減される。
【００３１】
本明細書で説明する重合体部材は任意の数の異なる物質から形成できて、薄膜アセンブリを支える。重合体部材は、化学的に不活発である多様な重合体物質から形成でき、クロスリンクまたはゲルの状態で使用できる。透明または実質的に透明である重合体部材を使用しなければならない実施形態もある。低粘着性のエラストマー膜を活用して、膜の、フィルムに対する粘着を助けることが好適である。しかし、無被膜プラスチック、金属、または薄いシリコン層を有する金属等の層構造体を支持膜として使用しても良い。支持部材は可撓性を有し、寸法的に安定した非可伸性を有することができる。
【００３２】
通常、金属層を追加的に支える薄膜アセンブリの合成層は、約１０ミクロンの厚みを有し、約０．１ミクロンの厚みを有する金属層を支える。当業者は、ポリエステルまたはアルミニウムの薄膜（これらは非常に一般的である）に加えて、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド等の有機ポリマを含むその他の重合体に基づく薄膜を使用できることが分かるだろう。実施形態の中には、シランまたはその他シリコン等の無機ポリマを追加的に使用しなければならないかもしれない形態もある。また、超小型電気機械および超小型電子素子の中には、ガラスまたはポリクリスタルフィルム、シリカウェーハ、または、半導体処理産業において通常使用されているその他の結晶物質を使用しなければならない物もある。多数の非導電誘電性フィルムに加え、クロミウミ、銅、錫、または金等の導電性金属フィルムも活用できる。重合体層を有さない均質で薄い金属ホイルや、金属ホイルを有さない重合体薄膜や、生体膜等も、同様の方法で扱うことができる。
【００３３】
本明細書で説明するような薄膜アセンブリのレーザーカットに用いられる一般的なレーザーは、従来の５０ワット赤外二酸化炭素レーザーであり、これは、２００ミクロンビームダイアメタニアフォーカス(diameter near focus)によって約１０ワットで動作する。レーザーカット処理の間、薄膜アセンブリは、加熱され、蒸発し、レーザーによる切り口が残る。本発明においては、薄膜アセンブリだけが切断され、重合体部材であるテンプレートは切断されない。
【００３４】
前述のように、薄膜アセンブリをレーザーカットした場合に出る粒子やダストの集積は、品質制御の問題を意味する。重合体部材１６、２０を使用すれば、レーザーによって切断される物質の量は大幅に削減され、レーザーカットによって生じるダストの量も大幅に削減される。これにより、粒子等による汚染に関連する品質制御の問題が大幅に軽減する。重合体部材１６、２０によるテンプレートを用いて追加的な支えとすることで、薄膜アセンブリを所望通りに輸送するために必要な支えが得られる。
【００３５】
さらに、テンプレートまたは重合体部材１６に形成される切抜部の形状を、実質的に変えることができる。この形状は、所望の形成体を厳密に真似ても良いし、もっと大胆に異なる形状にしても良い。例えば、所定の縁によって、所望の形成体の線を正確になぞる形状としても良い。また、例えば、正方形、長方形、円等といった一般的な形状の開口部でも良く、この場合、レーザーは、テンプレートの切込部の縁に囲まれた領域において、薄膜フィルムを、より独特な形状に切り抜くことができる。
【００３６】
図１７および図１８に操作の流れを示す。図１７では、最初に切断対象となる物体（例えば薄膜アセンブリ１０）を、事前に切断されたテンプレート（例えば、重合体部材１６）とベース部材（例えば、重合体ベース１８）とによって挟持する（ステップ６０）。切断装置（例えば、レーザー３６）は、テンプレートに形成された開口部を通過して、薄膜アセンブリ１０を所望のパターンまたは形状に切断し、ベース部材をキスカットする（ステップ６２）。テンプレートおよび薄膜アセンブリの不要な部分を除去する（ステップ６４）。輸送部材（例えば、粘着被膜部材）を薄膜アセンブリに押し当て、ベース部材の一部を持ち上げる（ステップ６６）。輸送部材により、切り取り部分を所望の場所に移動し（ステップ６８）、例えば基板上に降ろす。切り取り部分を基板に、例えば溶接処理等によって固定し（ステップ７０）、この、所定の場所に装着された切り取り部分から輸送部材を剥がす（ステップ７２）。
【００３７】
図１８は、本発明の教示に係る代替的な方法を示す。最初に、物体を、テンプレートと、テンプレートと同様の切り抜き区分を含むベースとで挟持する（図１４に示す）（ステップ７４）。切断装置を、上面テンプレートの穴に通し、続いて、下のベースの開口部にも通しながら、これらに挟持された物体を切断する（ステップ７６）。目的物の切り取り部分を、薄膜アセンブリの下に置かれた基板上に落とし（ステップ７８）、所望通りに基板に固定する（ステップ８０）。
【００３８】
【発明の効果】
以上、説明したように、本発明によれば、レーザーによって切断される物質の量は大幅に削減され、レーザーカットによって生じるダストの量が大幅に削減される。これにより、粒子などによる汚染に関する品質制御の問題が大幅に改善される。また、テンプレートによる支えのために、部材に加わるストレスが軽減され、切断処理の前及び処理中において、部材をより確かに保持することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の一態様に係る重合体部材を示す図である。
【図２】  図１の薄膜アセンブリの、線Ａ−Ａに沿った断面図である。
【図３】  本発明の一態様に係る薄膜アセンブリと重合体部材の断面図である。
【図４】  本発明の一態様に係る薄膜アセンブリと２枚の重合体部材の断面図である。
【図５】  本発明の別の態様に係る薄膜アセンブリと２枚の重合体部材の断面図である。
【図６】  本発明の一態様に係る積層アセンブリの断面図である。
【図７】  本発明の別の態様に係る２枚の重合体部材に挟持された薄膜アセンブリの断面図である。
【図８】  本発明の一態様に係るレーザー切り込みを入れた図７のアセンブリを示す図である。
【図９】  本発明の別の態様に係る粘着層上の金属層およびポリエステル形成体の断面図である。
【図１０】  本発明の一態様に係る粘着層を有する、図９のアセンブリの断面図である。
【図１１】  本発明の一態様に係る形成体に結合された、図１０の粘着層の断面図である。
【図１２】  本発明に別の態様に係る基板に結合される接着剤および形成体の断面図である。
【図１３】  本発明の教示に係る基板上に装着された形成体の断面図である
【図１４】  本発明の一態様に係る２枚の重合体部材の間に挟持された薄膜アセンブリの断面図である。
【図１５】  本発明の別の態様に係る、抜き落とされて基板上に置かれた形成体を有する、図１４のアセンブリの断面図である。
【図１６】  本発明の別の態様に係る重合体部材の代替的な実施形態を示す図である。
【図１７】  本発明の一態様に係る切断処理を示すフローチャートである。
【図１８】  本発明の別の態様に係る追加的な切断処理を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１０  薄膜アセンブリ、１２  金属層、１３  金属層形成体、１４  合成層、１５  合成層形成体、１６  重合体部材、２２  積層、２４  第１切抜部、２６第２切抜部、２８  第３切抜部、３０  第４切抜部、３２  第５切抜部、３４第６切抜部、３６  レーザー、３８  レーザーカット、４０  輸送部材、４２溶接、４４  基板、４６  重合体物質、５０  フラップ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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