(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体を保持する保持部材と、
前記保持部材に対して相対的に移動しながら、被処理体上に塗布液を供給する塗布液供給ノズルと、
前記塗布液供給ノズルが被処理体の外周部近傍上を移動する際に、吐出される塗布液を加熱する加熱手段と
を具備することを特徴とする塗布装置。
【請求項２】
保持部材上に保持された被処理体上に塗付液を塗布する塗布方法において、
塗布液供給ノズルを前記保持部材に対して相対的に移動させながら、前記被処理体上に塗付液を塗布する一方、前記塗布液供給ノズルが被処理体の外周部近傍に相対する位置上を通過する際に、吐出される塗付液を加熱することを特徴とする塗付方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば液晶ディスプレイ（Liquid Crystal Display：ＬＣＤ）に使われるガラス基板上にレジスト液を塗布する塗布装置および塗布方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＣＤの製造工程においては、ＬＣＤ用のガラス基板上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の薄膜や電極パターンを形成するために、半導体デバイスの製造に用いられるものと同様のフォトリソグラフィ技術が利用される。フォトリソグラフィ技術では、フォトレジストを基板に塗布し、これを露光し、さらに現像する。レジスト液の塗布方法としては、現在のところ、ガラス基板を回転させながらその中心にレジスト液を滴下し、遠心力を利用してレジスト液を拡散して塗布するスピンコーティング法が主流である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、スピンコーティング法では、レジスト液がガラス基板Ｇの外方に飛散し、かなりの量が無駄になる。このため、図１２に示したように、ガラス基板Ｇを保持する保持部材を回転させずに、レジスト液の供給ノズル１１０を縦横方向に、あるいは円周方向に移動するように走査し、レジスト液１００を細径の線状にしてガラス基板Ｇ上に塗布していく手段（スピンレス法）が提案されている。
【０００４】
ところが、スピンレス法の場合には、図１３に示したように、ガラス基板Ｇ上で塗布されたレジスト液が、その外周端部において、表面張力により他の部位よりも盛り上がるという問題がある。このような盛り上がり部分１０１が生じ、塗膜の均一性が損なわれる場合には、露光や現像工程における処理時間をこの盛り上がり部分１０１に合わせる必要があるため、処理時間が長くなり、その結果、パターンが形成される盛り上がり部分１０１の内側の部位の現像が進みすぎるおそれがある。一方、現像工程等において生じるこのような不都合を防止するために、レジスト液の塗布直後にエッジリムーバ等により、盛り上がり部分１０１を除去することも行われているが、これでは、処理工程が複雑化する。
【０００５】
本発明は上記した事情に鑑みなされたもので、被処理体の外周部近傍で生じる塗布液の盛り上がりを小さくし、塗布液の膜厚の均一性を向上させることができる塗布装置および塗布方法を提供することを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記した課題を解決するため、請求項１記載の本発明の塗布装置は、被処理体を保持する保持部材と、前記保持部材に対して相対的に移動しながら、被処理体上に塗布液を供給する塗布液供給ノズルと、前記保持部材に保持された被処理体の外周部近傍上を移動可能に設けられ、この外周部近傍上に、前記塗布液よりも低い粘度の液体を供給することができる液体供給ノズルとを具備することを特徴とする。
【０００７】
請求項２記載の本発明の塗布装置は、請求項１記載の塗布装置であって、前記液体供給ノズルから供給される液体が溶剤であることを特徴とする。
【０００８】
請求項３記載の本発明の塗布装置は、請求項１記載の塗布装置であって、前記液体供給ノズルから供給される液体が前記塗布液よりも低い粘度に調整された塗布液であることを特徴とする。
【０００９】
請求項４記載の本発明の塗布装置は、被処理体を保持する保持部材と、前記保持部材に対して相対的に移動しながら、被処理体上に塗布液を供給する塗布液供給ノズルと、ノズル径が前記塗布液供給ノズルのノズル径よりも小さく形成されていると共に、前記保持部材に保持された被処理体の外周部近傍上を移動可能に設けられ、この外周部近傍上に、前記塗布液供給ノズルから供給される塗布液よりも少ない量の塗布液を供給することができる小径供給ノズルとを具備することを特徴とする。
【００１０】
請求項５記載の本発明の塗布装置は、被処理体を保持する保持部材と、前記保持部材に対して相対的に移動しながら、被処理体上に塗布液を供給する塗布液供給ノズルと、前記塗布液供給ノズルが被処理体の外周部近傍上を移動する際に、吐出される塗布液を加熱する加熱手段とを具備することを特徴とする。
【００１１】
請求項６記載の本発明の塗布装置は、被処理体を保持する保持部材と、前記保持部材に対して相対的に移動しながら、被処理体上に塗布液を供給する塗布液供給ノズルと、前記塗布液供給ノズルから吐出される塗布液の塗布量を、前記保持部材に保持された被処理体の外周部近傍上を移動する際に少なくなるように制御する塗布量制御機構とを具備することを特徴とする。
【００１２】
請求項７記載の本発明の塗布装置は、請求項６記載の塗布装置であって、前記塗布量制御機構が、前記塗布液供給ノズルのスキャンスピードを、被処理体の外周部近傍上を移動する際に加速させる制御手段を含むことを特徴とする。
【００１３】
請求項８記載の本発明の塗布装置は、請求項６記載の塗布装置であって、前記塗布量制御機構が、前記塗布液供給ノズルから供給される塗布液の吐出レートを、被処理体の外周部近傍上を移動する際に減少させる制御手段を含むことを特徴とする。
【００１４】
請求項９記載の本発明の塗布方法は、保持部材上に保持された被処理体上に塗布液を塗布する塗布方法において、前記保持部材に保持された被処理体の外周部近傍に沿って、前記塗布液よりも低い粘度の液体を供給して塗布し、その後、塗布液供給ノズルを前記保持部材に対して相対的に移動させながら、前記被処理体上に塗布液を塗布していくことを特徴とする。
【００１５】
請求項１０記載の本発明の塗布方法は、保持部材上に保持された被処理体上に塗布液を塗布する塗布方法において、塗布液供給ノズルを前記保持部材に対して相対的に移動させながら、前記被処理体上に塗布液を塗布する一方、被処理体の外周部近傍に相対する位置では、既に塗布された塗布液の外周端部に対して切れ目がないよう連続的に、塗布液よりも低い粘度の液体を供給することを特徴とする。
【００２０】
本発明に係る塗布装置では、被処理体を保持する保持部材と、前記保持部材に対して相対的に移動しながら、被処理体上に塗布液を供給する塗布液供給ノズルと、前記塗布液供給ノズルが被処理体の外周部近傍上を移動する際に、吐出される塗布液を加熱する加熱手段とを具備する。本発明に係る塗布方法は、保持部材上に保持された被処理体上に塗付液を塗布する塗布方法において、塗布液供給ノズルを前記保持部材に対して相対的に移動させながら、前記被処理体上に塗付液を塗布する一方、前記塗布液供給ノズルが被処理体の外周部近傍に相対する位置上を通過する際に、吐出される塗付液を加熱する。この結果、加熱により、通常の塗布液よりも粘度が低くなった塗布液を、塗布液供給ノズルのみで供給することができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
図１は本発明の一実施形態に係る塗布・現像処理システムの斜視図である。
図１に示すように、この塗布・現像処理システム１の前方には、ガラス基板Ｇを、塗布・現像処理システム１に対して搬出入するローダ・アンローダ部が設けられている。このローダ・アンローダ部には、ガラス基板Ｇを例えば２５枚ずつ収納したカセットＣを所定位置に整列させて載置させるカセット載置台３と、各カセットＣから処理すべきガラス基板Ｇを取り出し、また塗布・現像処理システム１において処理の終了したガラス基板Ｇを各カセットＣへ戻すローダ・アンローダ４が設けられている。図示のローダアンローダ４は、本体５の走行によってカセットＣの配列方向に移動し、本体５に搭載された板片状のピンセット６によって各カセットＣからガラス基板Ｇを取り出し、また各カセットＣへガラス基板Ｇを戻すようになっている。また、ピンセット６の両側には、ガラス基板Ｇの四隅を保持して位置合わせを行う基板位置合わせ部材７が設けられている。
【００２７】
塗布・現像処理システム１の中央部には、長手方向に配置された廊下状の搬送路１０、１１が第１の受け渡し部１２を介して一直線上に設けられており、この搬送路１０、１１の両側には、ガラス基板Ｇに対する各処理を行うための各種処理装置が配置されている。
【００２８】
図示の塗布・現像処理システム１にあっては、搬送路１０の一側方に、ガラス基板Ｇをブラシ洗浄すると共に高圧ジェット水により洗浄を施すための洗浄装置１６が例えば２台並設されている。また、搬送路１０を挟んで反対側に、二基の現像装置１７が並設され、その隣りに二基の加熱装置１８が積み重ねて設けられている。
【００２９】
また、搬送路１１の一側方に、ガラス基板Ｇにレジスト液を塗布する前にガラス基板Ｇを疎水処理するアドヒージョン装置２０が設けられ、このアドヒージョン装置２０の下方には冷却用のクーリング装置２１が配置されている。また、これらアドヒージョン装置２０とクーリング装置２１の隣には加熱装置２２が二列に二個ずつ積み重ねて配置されている。また、搬送路１１を挟んで反対側に、ガラス基板Ｇの表面にレジスト液を塗布することによってガラス基板Ｇの表面にレジスト膜を形成するレジスト塗布装置２３が配置されている。図示はしないが、これら塗布装置２３の側部には、第２の受け渡し部２８を介し、ガラス基板Ｇ上に形成されたレジスト膜に所定の微細パターンを露光するための露光装置等が設けられる。第２の受け渡し部２８は、ガラス基板Ｇを搬入および搬出するための搬出入ピンセット２９および受け渡し台３０を備えている。
【００３０】
以上の各処理装置１６〜１８および２０〜２３は、何れも搬送路１０、１１の両側において、ガラス基板Ｇの出入口を内側に向けて配設されている。第１の搬送装置２５がローダ・アンローダ部、各処理装置１６〜１８および第１の受け渡し部１２との間でガラス基板Ｇを搬送するために搬送路１０上を移動し、第２の搬送装置２６が第１の受け渡し部１２、第２の受け渡し部２８および各処理装置２０〜２３との間でガラス基板Ｇを搬送するために搬送路１１上を移動するようになっている。
【００３１】
各搬送装置２５、２６は、それぞれ上下一対のアーム２７、２７を有しており、各処理装置１６〜１８および２０〜２３にアクセスするときは、一方のアーム２７で各処理装置のチャンバから処理済みのガラス基板Ｇを搬出し、他方のアーム２７で処理前のガラス基板Ｇをチャンバ内に搬入するように構成されている。
【００３２】
図２は図１のシステムで用いた本発明の一の実施の形態に係るレジスト塗布装置２３の概略構成を示す一部断面図、図３はその平面図である。
これらの図に示すように、レジスト塗布装置２３のほぼ中央には、フレーム２３ａが配置され、フレーム２３ａ内にはガラス基板Ｇを固定保持するための保持部材である基板吸着テーブル２３ｂが配置されている。フレーム２３ａの上部には、ガラス基板Ｇを出し入れするための開口部３１が設けられている。開口部３１には、上蓋３９が被せられるようになっている。上蓋３９は開閉機構（図示を省略）によって移動可能に支持されている。
【００３３】
また、基板吸着テーブル２３ｂの外周側下面には、シール部材３７が取り付けられており、基板吸着テーブル２３ｂを下降させて、シール部材３７をフレーム２３ａの底部に当接させると、気密な処理スペース３８が形成されるようになっている。
【００３４】
基板吸着テーブル２３ｂには、ガラス基板Ｇを真空吸着保持するための真空吸着装置３２が接続されている。また、この基板吸着テーブル２３ｂは、ロッド３５を介して昇降シリンダ３３によって上下方向に昇降可能になっている。なお、この昇降シリンダ３３は、ＣＰＵ３４によって、その動作が制御される。具体的には、ロッド３５の下部側が図示しない筒体内に配設されており、この筒体内においてロッド３５はバキュームシール部３６を介して昇降シリンダ３３の駆動によって上下方向に移動し得るようになっている。
【００３５】
図２および図３に示すように、フレーム２３ａの両側には、搬送レール４１、４１が配置されている。搬送レール４１、４１間には、スキャン機構が設けられている。このスキャン機構は、搬送レール４１、４１間に掛け渡され、この搬送レール４１、４１に沿ってＹ方向に移動する第１のスライダ４２と、この第１のスライダ４２に付設され、第１のスライダ４２に沿ってＸ方向に移動する第２のスライダ４３とを有して構成される。そして、このうち、第２のスライダ４２に設けられたノズル装着部４４に、本実施形態では、塗布液供給ノズルであるレジスト液供給ノズル４５、又は液体供給ノズルであるシンナ供給ノズル４６が装着され保持される。なお、搬送レール４１の一方の走行端付近には、ＣＰＵ３４の指令により、該搬送レール４１に沿って第１のスライダ４２を移動させると共に、第１のスライダ４２を第２のスライダ４３に沿って移動させる駆動部４８が設けられている。また、ＣＰＵ３４は、ノズル装着部４４を昇降動作させる指令も発する。
【００３６】
搬送レール４１、４１の走行端であって、フレーム２３ａの外側には、レジスト液供給ノズル４５とシンナ供給ノズル４６を待機させておくノズル待機部４７が設けられている。上記したように、図３に示した態様では、ノズル装着部４４が第２のスライダ４３に一カ所しか設けられておらず、いずれかのノズル４５又は４６しか保持することができない構成である。従って、第１のスライダ４２を搬送レール４１に沿ってＹ方向に移動し、第２のスライダ４３を第１のスライダ４２に沿ってＸ方向に移動して、ノズル待機部４７で待機しているレジスト液供給ノズル４５とシンナ供給ノズル４６のうちのいずれかをピックアップしてノズル装着部４４に装着し、ガラス基板Ｇ上にレジスト液又はシンナを供給する。
【００３７】
次に、このように構成されたレジスト塗布装置２３の動作について説明する。
まず、基板吸着テーブル２３ｂがフレーム２３ａの開口部３１より上方に上昇している状態で、搬送装置２６よりこの基板吸着テーブル２３ｂ上にガラス基板Ｇが移載され、真空吸着保持される。次に、昇降シリンダ３３の駆動により基板吸着テーブル２３ｂが下降され、ガラス基板Ｇが開口部３１を通過してフレーム２３ａ内に搬入される。
【００３８】
この際、ノズル装着部４４には、第１のスライダ４２がノズル待機部４７上まで搬送レール４１に沿ってＹ方向に移動し、第２のスライダ４３が第１のスライダ４２に沿ってＸ方向に移動すると共に、このノズル装着部４４が昇降動作することにより、シンナ供給ノズル４６が装着されている。そして、さらに、このノズル装着部４４は、シンナ供給ノズル４６が所定の吐出開始点上に位置するように、セットされている。
【００３９】
図４に示したように、この吐出開始点Ｓ１を、例えば、ガラス基板Ｇのある一の外周部Ｇ４の外方位置であって、隣接する外周部Ｇ１寄りに設定する。そして、第２のスライダ４３を第１のスライダ４２に沿ってＸ方向に移動することにより、外周部Ｇ１に沿った一方の端部から他方の端部に向かってシンナを供給する。外周部Ｇ１の他方の端部に到達したならば、外周部Ｇ１に隣接する外周部Ｇ２に沿うように、第１のスライダ４２を搬送レール４１に沿ってＹ方向に移動し、この外周部Ｇ２に沿った一方の端部から他方の端部に向かってシンナを供給する。外周部Ｇ２の他方の端部に到達したならば、この外周部Ｇ２に隣接する外周部Ｇ３に沿うように、第２のスライダ４３を第１のスライダ４２に沿ってＸ方向に移動し、外周部Ｇ３に沿った一方の端部から他方の端部に向かってシンナを供給する。さらに、外周部Ｇ３の他方の端部に到達したならば、第１のスライダ４２を搬送レール４１に沿ってＹ方向に移動し、外周部Ｇ４に沿った一方の端部から他方の端部に向かってシンナを供給する。
これにより、シンナは、図４に示したように、ガラス基板Ｇの各外周部Ｇ１〜Ｇ４近傍に沿って供給される。
【００４０】
次に、第１のスライダ４２をノズル待機部４７上まで搬送レール４１に沿ってＹ方向に移動し、第２のスライダ４３を第１のスライダ４２に沿ってＸ方向に移動すると共に、ノズル装着部４４を下降させて、所定の位置にシンナ供給ノズル４６を戻し、これに代えて、該ノズル装着部４４にレジスト液供給ノズル４５をセットする。
【００４１】
次に、図５に示したように、所定の吐出開始点Ｓ２、例えば、外周部Ｇ２の外側であって、外周部Ｇ１のほぼ延長線上の適宜位置に、第１のスライダ４２と第２のスライダ４３の移動によって、レジスト液供給ノズル４５を位置させる。次に、第２のスライダ４３をＸ方向に移動させることにより、該吐出開始点Ｓ２から外周部Ｇ１に沿ってレジスト液を吐出していく。外周部Ｇ２に対向する反対側の外周部Ｇ４に至ったならば、さらに、この外周部Ｇ４を乗り越えてその外側に至るまで走査する。次に、第１のスライダ４２を搬送レール４１に沿って移動させることにより、レジスト液供給ノズル４５を、僅かにＹ方向に（外周部Ｇ３寄り）に移動させ、その地点から、再び第２のスライダ４３を外周部Ｇ２に向かってＸ方向に移動させ、外周部Ｇ２を乗り越えてその外側に至ったならば、第１のスライダ４２を外周部Ｇ３に向かってＹ方向に僅かに移動した後、第２のスライダ４３を外周部Ｇ４に向かってＸ方向に移動していく。なお、図６で模式的に示したように、レジスト液供給ノズル４５を外周部Ｇ３に向かってＹ方向に僅かに移動させる際の距離Ｄは、レジスト液供給ノズル４５の吐出孔の直径よりも短い距離（通常は約半分程度）であり、これにより、吐出されたレジスト液がガラス基板Ｇ上で、隣接して吐出されたレジスト液の塗布ラインＲ１、Ｒ２…Ｒｎ同士が互いに溶け込むようになり均一な厚みで隙間無く塗布されていく。
【００４２】
最終的に、第２のスライダ４３をＸ方向に移動させることにより、レジスト液供給ノズル４５が外周部Ｇ３のほぼ真上を走行するようになるまで、すなわち、外周部Ｇ３上にレジスト液が吐出されるようになるまで、上記した操作を繰り返す。
【００４３】
この際、本実施形態によれば、ガラス基板Ｇの各外周部Ｇ１〜Ｇ４上に吐出されたレジスト液は、各外周部Ｇ１〜Ｇ４に塗布された、粘度の低い液体であるシンナに溶け込むようになる。従って、レジスト液のガラス基板Ｇに対するぬれ性が、シンナを塗布しない場合と比較して高くなり、接触角が小さくなるため、図７に示したように、外周部Ｇ３上におけるレジスト液の盛り上がりがほとんどなくなる。このことは、他の外周部Ｇ１、Ｇ２およびＧ４においても同様である。この結果、ガラス基板Ｇの全面に亘り、レジスト液が均一に塗布されることになり、従来のように、エッジリムーバを用いなくても、その後の露光や現像工程における処理時間の長時間化、現像処理の不均一性といった問題が発生することを防止できる。
【００４４】
なお、上記した説明では、塗布液であるレジスト液よりも低い粘度の液体として、シンナを用いてレジスト液のガラス基板Ｇに対するぬれ性を向上させているが、かかる性能を発揮できる液体である限り、シンナに限られるものではなく、シンナ以外の他の溶剤や、あるいは、レジスト液を予め溶剤、例えば、シンナと混合して、塗布液としてのレジスト液よりも粘度を低くしたもの（低粘度レジスト液）を供給する構成とすることもできる。
【００４５】
次に、本発明の他の実施形態について説明する。図８は、本実施形態に係るレジスト塗布装置２３を示す平面図であり、図３に示したレジスト塗布装置２３と同じ部材は同一の符号を用いて示す。
【００４６】
このレジスト塗布装置２３は、フレーム２３ａの両側に、搬送レール４１、４１が配置され、この搬送レール４１、４１間に、搬送レール４１に沿ってＸ方向に移動する第１のスライダ４２と第１のスライダ４２に沿ってＹ方向に移動する第２のスライダ４３とから構成されるスキャン機構が設けられており、これらの点では、上記した実施形態に係るものと全く同一である。但し、第２のスライダ４３の構造が異なる。
【００４７】
すなわち、本実施形態においては、第２のスライダ４３は、２つのノズル装着部４４ａ、４４ｂを備えており、一方にレジスト液供給ノズル４５が装着され、他方にシンナ供給ノズル４６が装着されている。
【００４８】
従って、本実施形態によれば、次のように動作させることができる。まず、シンナ供給ノズル４６のみを吐出可能状態にしておき、レジスト液供給ノズル４５は、レジスト液が吐出されない状態にセットしておく。かかる状態で、ガラス基板Ｇの外周部Ｇ１〜Ｇ４の近傍に沿ってシンナを供給し（図４参照）、次に、シンナ供給ノズル４６をシンナが吐出されない状態にすると共に、レジスト液供給ノズル４５からはレジスト液が吐出される状態に設定を変更し、上記した実施形態と同様に、第１のスライダ４２と第２のスライダ４３をそれぞれＸ方向、Ｙ方向に動作させて、外周部Ｇ１から外周部Ｇ３に向かって隙間無くレジスト液を塗布していく（図５および図６参照）。
【００４９】
このようにすれば、結局、上記した実施形態と全く同様の動作が行われることになるため、外周部近傍におけるレジスト液の盛り上がりを少なくすることができる一方で、本実施形態によれば、シンナ供給ノズル４６とレジスト液供給ノズル４５との間での供給ラインの切り替えを行うだけでよく、上記実施形態のように、シンナの塗布後に、ノズル待機部４７まで、レジスト液供給ノズル４５を取りに行く必要がなく、シンナ塗布後、迅速にレジスト液の塗布を開始することができる。
【００５０】
また、本実施形態によれば、次のように動作させることも可能である。図９に基づいて説明する。まず、動作状態を、第２のスライダ４３が、ガラス基板Ｇのある一つの外周部Ｇ２から、対向する外周部Ｇ４に向かってＸ方向に動作しているとする（図５参照）。図９（ａ）に示したように、レジスト液供給ノズル４５の供給ラインのみを開放して、Ｘ方向に沿ってレジスト液を塗布していく。そして、ガラス基板Ｇの外周部Ｇ４近傍に至ったならば、レジスト液供給ノズル４５の供給ラインを閉める。なお、この時点では、レジスト液の表面張力により、図９（ａ）に示したように、塗布されたレジスト液の外周端部に盛り上がり部が生じている。そして、レジスト液供給ノズル４５の供給ラインを閉止した直後、シンナ供給ノズル４６の供給ラインを開放する。これにより、図９（ｂ）に示したように、ガラス基板Ｇ上に塗布されたレジスト液の外周端部に切れ目なく、シンナが滴下される。滴下されたシンナは、粘度がレジスト液よりも低いため、図９（ｃ）に示したようにレジスト液の外周端部の盛り上がり部はシンナに溶け込もうとするため、レジスト液全体がほぼ平坦となる。
【００５１】
上記と反対にガラス基板Ｇの外周部Ｇ４から外周部Ｇ２に向かってＸ方向に動作している場合には、外周部Ｇ２近傍で、レジスト液供給ノズル４５の供給ラインを閉止して、シンナ供給ノズル４６の供給ラインを開放し、レジスト液の外周端部にシンナを供給する。また、外周部Ｇ１および外周部Ｇ３近傍を通過する際には、レジスト液を供給した後、この塗布したレジスト液の外周端部に、ガラス基板Ｇの外周部Ｇ１および外周部Ｇ３の一端側から他端側までシンナを供給する。これにより、いずれの外周部Ｇ１〜Ｇ４においてもレジスト液の盛り上がりを防ぐことができる。
【００５２】
また、ガラス基板Ｇの外周部上に予めシンナを塗布する方法（プリウエット法）と、レジスト液を塗布した後、ガラス基板Ｇの外周部上であって該レジスト液の外周端部に切れ目なくシンナを塗布していく方法（ポストウエット法）とを併用する場合、例えば、ガラス基板Ｇの外周部Ｇ１および外周部Ｇ３上には、予めシンナを供給しておき、外周部Ｇ２および外周部Ｇ４上を通過する際のみ、レジスト液の塗布直後にシンナを供給する構成をとることもできる。逆に、外周部Ｇ２および外周部Ｇ４に沿って予めシンナを塗布しておき、外周部Ｇ１および外周部Ｇ３上においてシンナを後から供給する構成とすることもできる。
【００５３】
さらには、図示しないが、第２のスライダ４３に装着されるノズル装着部を３つにし、中央の装着部にレジスト液供給ノズルをセットし、両側の装着部にシンナ供給ノズルをセットする構成とすることもでき、例えば、Ｘ方向に移動する際、２つのシンナ供給ノズルの供給ラインを切り換えることにより、ガラス基板Ｇのいずれの外周部でもポストウエット法を採用することもできるし、逆にプリウエット法を採用することもできる。また、この場合、ガラス基板Ｇのいずれの外周部を通過する場合でも、レジスト液を供給する直前に先頭のシンナ供給ノズルからシンナを供給し、中央のレジスト液供給ノズルからレジスト液を供給した直後に、後方のシンナ供給ノズルからシンナを供給するようにして、レジスト液外周端部における盛り上がり部のさらなる抑制を図ることも可能である。
【００５４】
なお、本実施形態においても、上記したシンナに代えて、低粘度に調整したレジスト液を供給することができることはもちろんである。
【００５５】
また、図８に示したレジスト塗布装置と同様の構造とする一方、上記したシンナ供給ノズル４６に代えて、レジスト液供給ノズル４５よりもノズル径が小さく、かつレジスト液の供給源と接続された小径供給ノズル（図示せず）を採用することもできる。この実施形態の場合には、レジスト液供給ノズル４５からレジスト液を供給する一方で、小径供給ノズルを操作して、レジスト液供給ノズル４５からレジスト液を供給した直後に、ガラス基板Ｇの外周部近傍では、この小径供給ノズルからレジスト液を供給する。これにより、外周部近傍で吐出され塗布されるレジスト液の塗布量は他の部分と比較して少なくなる。
【００５６】
この結果、ガラス基板Ｇの外周部近傍でレジスト液供給ノズル４５からの吐出を停止した時点では、塗布されたレジスト液の外周端部は盛り上がっているが、小径供給ノズルから少ない量のレジスト液が供給されることにより、ガラス基板Ｇの外周部近傍におけるレジスト液の塗布厚は薄くなる。従って、盛り上がった部分が、塗布厚の薄い部分に溶け込もうとするため、ガラス基板Ｇに塗布されるレジスト液は全体として均一になる（図９参照）。
【００５７】
次に、図１０に基づき、本発明のさらに他の実施形態について説明する。本実施形態においては、構造的には、図３に示した実施形態とほぼ同様であるが、使用するノズル、すなわち、ノズル装着部４４に装着されるノズルは、レジスト液供給ノズル４５のみである。但し、レジスト液供給ノズル４５の供給ライン中には、ＣＰＵからの指令に基づき、供給されるレジスト液を加熱できる加熱手段４５ａが設けられている点で相違する。なお、加熱手段４５ａとしては電熱線等を採用することができるが、これは、レジスト液供給ノズル４５の内部に装填することも可能である。
【００５８】
本実施形態によれば、第１のスライダ４２および第２のスライダ４３を走査して、レジスト液供給ノズル４５からレジスト液を、ガラス基板Ｇに対して、図５に示した方法と同様に供給する。但し、レジスト液供給ノズル４５が外周部Ｇ１〜Ｇ４近傍上を通過する際のみ、ＣＰＵ３４からの指令に基づき、加熱手段４５ａを動作させて他の部位に供給したレジスト液の供給温度よりも供給温度を高くして供給する。供給するレジスト液を加熱することで、レジスト液の粘度が下がる。この結果、ガラス基板Ｇの外周縁には粘度の低いレジスト液が供給されることになるため、低温のレジスト液の外周端部に生じていた盛り上がり部分がこの高温のレジスト液に溶け込むようになり、盛り上がりを抑制することができる。
【００５９】
なお、本実施形態では、レジスト液供給ノズル４５のみを使用し、その供給ラインに加熱手段４５ａを設けているが、レジスト液供給ノズル４５は加熱手段４５ａを設けない構成として、これとは別に、加熱手段を有し、高温のレジスト液を供給できる供給ノズルを設けるようにしてもよい。すなわち、加熱手段４５ａを有することを除き、図８に示したものと同様の構造として、２本のノズルを図８に示したものと同様に動作させることにより、ガラス基板Ｇの外周部近傍における塗布されたレジスト液の盛り上がりを抑制することができる。
【００６０】
図１１は、本発明のさらに他の実施形態を示す構成図である。本実施形態においても、構造的には、図３に示した実施形態とほぼ同様で、使用するノズル、すなわち、ノズル装着部４４に装着されるノズルは、レジスト液供給ノズル４５のみである。但し、レジスト液供給ノズル４５の供給ライン中には、ＣＰＵからの指令に基づき、供給されるレジスト液の塗布量を制御できる塗布量制御機構４５ｂが設けられている点で相違する。すなわち、ガラス基板Ｇの外周部近傍をレジスト液供給ノズル４５が通過する際には、この塗布量制御機構４５ｂにより、吐出されるレジスト液の量を少なくする構成である。
【００６１】
本実施形態によれば、第１のスライダ４２および第２のスライダ４３を走査して、レジスト液供給ノズル４５からレジスト液を、ガラス基板Ｇに対して、図５に示した方法と同様に供給する。但し、レジスト液供給ノズル４５が外周部Ｇ１〜Ｇ４近傍上を通過する際には、ＣＰＵ３４からの指令に基づき、塗布量制御機構４５ｂを動作させて少ない量のレジスト液を供給する。レジスト液の供給量が少ないため、外周部近傍におけるレジスト液の塗布厚は薄くなる。従って、盛り上がった部分が、塗布厚の薄い部分に溶け込もうとするため、ガラス基板Ｇに塗布されるレジスト液は全体として均一になる。
【００６２】
なお、塗布量制御機構４５ｂとしては、ガラス基板Ｇの外周部近傍を移動する際に、レジスト液供給ノズル４５のスキャンスピードを加速させる制御手段、レジスト液の吐出レートを減少させる制御手段、さらには、この２つの制御手段を備えた手段等を採用することができる。なお、レジスト液の吐出レートを減少させる制御手段としては、レジスト液を供給するポンプ（図示せず）の供給圧力を制御する手段や供給ラインに流量制御弁（図示せず）を介装して、この流量制御弁の開閉度を調整する手段等を採用することができる。
【００６３】
本発明は上述した実施の形態には限定されない。
例えば、上述した実施の形態では、レジスト液を塗布する装置に本発明を適用したが、他の塗布液を塗布する装置にも本発明を当然適用することができ、またガラス基板ばかりでなく他の被処理体にも当然本発明を適用できる。
【００６８】
本発明によれば、加熱により、通常の塗布液よりも粘度が低くなった塗布液を、塗布液供給ノズルのみで供給することができ、被処理体の外周部における塗布液の盛り上がりが小さくなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の一の実施の形態に係るレジスト塗布装置が利用される塗布・現像処理システムを示す斜視図である。
【図２】  図１で用いた本発明の一の実施の形態に係るレジスト塗布装置の概略構成を示す一部断面図である。
【図３】  図２に示したレジスト塗布装置の平面図である。
【図４】  上記した実施の形態においてガラス基板の外周部にシンナを塗布する工程を説明するための図である。
【図５】  上記した実施の形態においてガラス基板にレジスト液を塗布する工程を説明するための図である。
【図６】  上記した実施の形態においてレジスト液がガラス基板に塗布されていく過程を模式的に示す図である。
【図７】  上記した実施の形態においてガラス基板にレジスト液を塗布した状態を示す図である。
【図８】  本発明の他の実施の形態に係るレジスト塗布装置を示す平面図である。
【図９】  図８の実施の形態の作用を説明するための図である。
【図１０】  本発明のさらに他の実施の形態に係るレジスト塗布装置の要部を示す図である。
【図１１】  本発明のさらに他の実施の形態に係るレジスト塗布装置の要部を示す図である。
【図１２】  従来のレジスト塗布装置の塗布方法を説明するための図である。
【図１３】  従来の塗布方法の問題点を説明するための図である。
【符号の説明】
２３    レジスト塗布装置
２３ａ  フレーム
２３ｂ  基板吸着テーブル
４５    レジスト液供給ノズル
４５ａ  加熱手段
４５ｂ  塗布量制御機構
４６    シンナ供給ノズル
Ｇ      ガラス基板Ｇ
【図１】
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【図２】
0004252655.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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