(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
設置面と背面とを備え、抵抗発熱体が内部に埋設されたセラミックス製のサセプター、および前記サセプターを支持するセラミックス製の支持部材を備えている支持装置であって、
前記支持部材が、前記抵抗発熱体に接続された電力供給部材が内側空間に収容された筒状の本体部分と、この本体部分の端部に設けられた平板状部とを備えており、この平板状部が前記サセプターに対向する対向面を備えており、前記平板状部が、前記対向面の内周側に設けられたリング状内周側突起と外周側に設けられたリング状外周側突起とを備えており、前記内周側突起および前記外周側突起が前記サセプターに対して接合されており、前記サセプターと前記平板状部との間で前記内周側突起と前記外周側突起によってリング状空隙部が形成されており、前記空隙部が、バックサイドガスまたはパージガスを流すためのガス供給路であり、前記サセプターに前記空隙部と前記設置面とに開口する貫通孔が形成されている支持装置を製造するのに際して、
前記サセプターを一体焼結によって作製する工程、
前記支持部材を焼結法で形成する工程、および
前記内周側突起および前記外周側突起を前記サセプターの背面に対して固相接合する工程
を有することを特徴とする、支持部材の製造方法。
【請求項２】
設置面と背面とを備え、抵抗発熱体が内部に埋設されたセラミックス製のサセプター、および前記サセプターを支持するセラミックス製の支持部材を備えている支持装置であって、
前記支持部材が、前記抵抗発熱体に接続された電力供給部材が内側空間に収容された筒状の本体部分と、この本体部分の端部に設けられた平板状部とを備えており、前記サセプターの背面側に、この背面の内周側にある円盤状内周側突起と外周側にあるリング状外周側突起とが設けられており、前記内周側突起および前記外周側突起が前記支持部材の前記平板状部に対して接合されており、前記サセプターと前記平板状部との間で前記内周側突起と前記外周側突起によってリング状空隙部が形成されており、前記空隙部が、バックサイドガスまたはパージガスを流すためのガス供給路であり、前記サセプターに前記空隙部と前記設置面とに開口する貫通孔が形成されている支持装置を製造するのに際して、
前記サセプターを一体焼結によって作製する工程、
前記サセプターの前記背面に前記内周側突起および前記外周側突起を形成する工程、および
前記内周側突起および前記外周側突起を前記平板状部に対して固相接合する工程
を有することを特徴とする、支持部材の製造方法。
【請求項３】
前記サセプターに前記設置面と前記背面とに開口する第二の貫通孔を形成し、前記支持部材に前記本体部分および前記平板状部を貫通する連通孔を形成し、前記連通孔が前記内側空間から隔離されており、前記第二の貫通孔と前記連通孔とを連通させ，前記第二の貫通孔および前記連通孔を通じて気体を吸引する前記支持部材を製造することを特徴とする、請求項１または２記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、支持装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
特開平１１−１７１６５９号公報には、窒化アルミニウム質セラミックスからなるセラミックスヒーターを、略円筒形状の支持部材に対して接合する方法が開示されている。この技術について、図１１を参照しつつ説明する。セラミックスヒーター４は、セラミックス基体２と、基体２内に埋設された抵抗発熱体３とを備えている。支持部材２０Ａは略円筒形状をしている。この支持部材２０Ａの端面を基体２の背面２ｂに接合する。この際、ポリアルキルイミノアランの重合体のゲルを、基体２の背面２ｂと支持部材２０Ａの端面との間に塗布し、１６００℃程度で熱処理し、基体２の背面２ｂと支持部材２０Ａの端面との間に窒化アルミニウムの接合層を生成させる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、サセプターの設計を検討する過程において、次の要望が生じてきており、前述した従来技術のサセプターでは、新たな要望に答えることが困難であった。即ち、本発明者は、セラミックスヒーターの内部に冷却媒体を流すための通路を形成することを試みていた。しかし、セラミックスのバルクの内部に、抵抗発熱体を埋設した後に、細長い通路を加工によって形成することは不可能である。このため、本発明者は、グリーンシート積層法によってセラミックスサセプターの内部に通路を形成することを試みた。グリーンシート積層法によって、所定深さの通路をサセプター内部に形成するためには、グリーンンシートに所定深さの溝を予め形成し、この後に複数のグリーンシートを積層し、一体焼結させる必要がある。しかし、こうした方法では、グリーンシートの焼結段階で溝の近辺でシートの変形が生じ、所定深さの溝を正確に形成することはできない。特に、複数のグリーンシートの接合界面において、焼結後の接合界面における気体漏れが発生し易く、気密性を維持することが困難であった。このように、セラミック基体２の内部に、高い気密性をもって気体や液体の流路を形成することは困難であり、かつ高コストである。
【０００４】
本発明の課題は、設置面と背面とを備えるセラミックス製のサセプター、およびサセプターを支持するセラミックス製の支持部材を備えている支持装置において、高い気密性をもって容易に空隙部を形成可能な装置を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、設置面と背面とを備え、抵抗発熱体３が内部に埋設されたセラミックス製のサセプター、およびサセプターを支持するセラミックス製の支持部材を備えている支持装置であって、
支持部材が、抵抗発熱体に接続された電力供給部材が内側空間に収容された筒状の本体部分と、この本体部分の端部に設けられた平板状部とを備えており、この平板状部がサセプターに対向する対向面を備えており、平板状部が、対向面の内周側に設けられたリング状内周側突起と外周側に設けられたリング状外周側突起とを備えており、内周側突起および外周側突起がサセプターに対して接合されており、サセプターと平板状部との間で内周側突起と外周側突起によってリング状空隙部が形成されており、空隙部が、バックサイドガスまたはパージガスを流すためのガス供給路であり、サセプターに空隙部と設置面とに開口する貫通孔が形成されている支持装置を製造するのに際して、
サセプターを一体焼結によって作製する工程、
支持部材を焼結法で形成する工程、および
内周側突起および外周側突起をサセプターの背面に対して固相接合する工程を有することを特徴とする。
また、本発明は、設置面と背面とを備え、抵抗発熱体が内部に埋設されたセラミックス製のサセプター、およびサセプターを支持するセラミックス製の支持部材を備えている支持装置であって、
支持部材が、抵抗発熱体に接続された電力供給部材が内側空間に収容された筒状の本体部分と、この本体部分の端部に設けられた平板状部とを備えており、サセプターの背面側に、この背面の内周側にある円盤状内周側突起と外周側にあるリング状外周側突起とが設けられており、内周側突起および外周側突起が支持部材の平板状部に対して接合されており、サセプターと平板状部との間で内周側突起と外周側突起によってリング状空隙部が形成されており、空隙部が、バックサイドガスまたはパージガスを流すためのガス供給路であり、サセプターに空隙部と設置面とに開口する貫通孔が形成されている支持装置を製造するのに際して、
サセプターを一体焼結によって作製する工程、
サセプターの背面に内周側突起および外周側突起を形成する工程、および
内周側突起および外周側突起を平板状部に対して固相接合する工程を有することを特徴とする。
【０００６】
本発明者は、中空の本体部分と、この本体部分の端部に設けられた平板状部とを備えるセラミックス製の一体の支持部材を準備し、この支持部材の平板状部とサセプターとを接合することを想到した。これによって、サセプターと平板状部との界面に沿って、あるいは支持部材の平板状部の内部に空隙部を比較的容易に形成することができ、空隙部の気密性を高く維持できる。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、適宜図面を参照しつつ、本発明を更に詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る支持装置１Ａを示す断面図であり、図２は、図１の装置をＩＩ−ＩＩ線に沿って矢視方向に見た図であり、図３は、図１の装置をＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿って矢視方向に見た図である。ＩＩ−ＩＩ線、ＩＩＩ−ＩＩＩ線は、いずれも接合面に沿って切っている。
【０００８】
本実施形態の装置１Ａは、サセプター４Ａと支持部材５Ａとを備えている。サセプター４Ａは、円板形状のセラミック基体２と、基体２の内部に埋設された機能部材３と、機能部材３に接続された端子１４とを備えている。基体２の上面２ａは、物品（例えば本例では半導体）を設置するための設置面である。ただし、半導体と設置面２ａとの間に別部材を挟むことは可能である。設置面２ａと背面２ｂとの間には、所定箇所に貫通孔１０が形成されている。
【０００９】
支持部材５Ａは、円板形状の平板状部１１Ａと、細長い中空の本体部分６とを備えている。本体部分６の内側空間８には電力供給部材１３が挿入されており、部材１３の末端が端子１４に接続されている。平板状部１１Ａには、図２に示すように、リング状の外周側突起１１ｂと、リング状の内周側突起１１ｃとが形成されている。突起１１ｂと１１ｃとの間には凹部９Ａが形成されている。突起１１ｂおよび１１ｃは、図１に示すように背面２ｂに対して接合されており、それぞれリング状の接合面１２Ａ、１２Ｂを形成している。９Ａは、平板状部１１Ａと背面２ｂとの界面に沿って空隙部を形成する。
【００１０】
本例では、支持部材５Ａの本体部分６および平板状部１１Ａを貫通する連通孔７が設けられている。連通孔７の一端７ａは、本体部分６の末端面６ａに対して開口している。連通孔７の他端は空隙部９Ａに連通している。そして、上述の基体２側の貫通孔１０は、それぞれ空隙部９Ａに連通している。なお、図３においては、接合面１２Ａ、１２Ｂの位置を点線で示した。
【００１１】
このような空隙部９Ａは、例えば平板状部や背面に凹部を形成し、次いで平板状部と基体２とを接合することによって、容易に形成できる。しかも、平板状部５Ａと本体部分６とはセラミックスからなる一体の部材であるので、気密性が保持されている。そして、空隙部を平面的に見て包囲している接合面１２Ａや１２Ｂの形状や寸法、および接合方法を選択することによって、空隙部に対して容易に所望の度合いの気密性を確保することができる。
【００１２】
基体２や支持部材を構成するセラミックスの種類は特に限定されないが、窒化アルミニウム、窒化珪素、炭化珪素、アルミナが特に好適である。
【００１３】
好適な実施形態においては、サセプターと平板状部との間に空隙部を形成する。この場合には、サセプターの背面側、あるいは平板状部の表面側に、凹部を形成することによって、前記した空隙部を容易に形成できる。
【００１４】
この場合、サセプターの背面に凹部を形成することができる。あるいは、支持部材の平板状部に凹部を形成することができる。支持部材側は、通常は常圧焼結法によって製造できるので、焼結前に凹部を成形することができる。従って、空隙部の形成を一層低コストで容易に実施できる。更に、平板状部とサセプターの背面との双方に凹部を形成することもできる。
【００１５】
本発明においては、上述のように、サセプターと平板状部との界面に沿って、両者の間に空隙部を形成する。
【００１６】
図４は、本発明の他の実施形態に係る支持装置１Ｂを示す断面図であり、図５は、図４の装置をＶ−Ｖ線に沿って矢視方向に見た図であり、図６は、図４の装置をＶＩ−ＶＩ線に沿って矢視方向に見た図である。この実施形態では、支持部材の平板状部側には凹部を設けず、基体２の背面２ｂ側に凹部を設ける。
【００１７】
本実施形態の装置１Ｂは、サセプター４Ｂと支持部材５Ｂとを備えている。サセプター４Ｂは、円板形状のセラミック基体２Ａと、基体２Ａの内部に埋設された機能部材３と、機能部材３に接続された端子１４とを備えている。設置面２ａと背面２ｂとの間には、所定箇所に貫通孔１０が形成されている。
【００１８】
支持部材５Ｂは、円板形状の平板状部１１Ｂと、細長い中空の本体部分６とを備えている。本体部分６の内側の空間８には電力供給部材１３が挿入されており、部材１３の末端が端子１４に接続されている。平板状部１１Ｂの上面２０は略平坦面である。
【００１９】
図６に示すように、リング状の外周側突起２ｃと、内周側の円盤状突起２ｄとが形成されている。突起２ｃと２ｄとの間には凹部９Ｂが形成されている。突起２ｃおよび２ｄは、図４に示すように平板状部１１Ｂの上面２０に対して接合されており、それぞれリング状の接合面１２Ａ、１２Ｂを形成している。空隙部９Ｂは、平板状部１１Ｂと背面２ｂとの界面に沿って形成されている。
【００２０】
本例では、支持部材５Ｂの本体部分６および平板状部１１Ｂを貫通する連通孔７が設けられている。連通孔７の端部は空隙部９Ｂに連通しており、基体２側の貫通孔１０もそれぞれ空隙部９Ｂに連通している。なお、図５、図６においては、接合面１２Ａ、１２Ｂの位置を一部点線で示した。
【００２１】
本発明においては、支持部材の製法は特に限定されない。例えば、支持部材を、ゲルキャスト法、コールドアイソスタティックプレス法、イソシアネート法または型プレス法など、任意の方法によって成形し、次いで焼成することができる。
【００２２】
好適な実施形態においては、支持部材をゲルキャスト法によって成形する。これによって、平板状部と細長い中空の本体部分とを含む一体のセラミックス製の支持部材を比較的に容易に成形することができる。特に、平板状部の前記凹部を容易に成形することができる。その上、得られた成形体を常圧焼成させた後に、焼結体の形状や寸法が、成形体の形状や寸法に比べて大きく変化しない。
【００２３】
ゲルキャスト法を採用した場合には、セラミック粉末とゲル生成物質の粉末とを溶剤に分散してスラリーとし、このスラリーをキャスト成形して成形体を得る。このゲル生成物質としては、ゼチラン、デンプン、カラギーナン、寒天、ペクチン、グルカンを例示できる。
【００２４】
本発明においては、前記空隙部をバックサイドガスやパージガスのガス供給路とする。
【００２５】
図１の例では、連通孔７、空隙部９Ａ、貫通孔１０をガス流路として機能させる。
【００２６】
好適な実施形態においては、サセプターの側面側からパージガスを噴出させることによって、腐食性ガスや成膜ガス、クリーニングガスなどがサセプターの背面側に回り込むことを有効に防止できる。
【００２７】
好適な実施形態においては、図１に示すように、支持部材に、空隙部と連通する連通孔７を形成する。この場合には、支持部材の内側空間８に対して、連通孔や空隙部を隔離することができる。
【００２８】
本発明のサセプターには、抵抗発熱体や静電チャック電極を埋設することができる。また、サセプターに、高周波を発生させるための電極を埋設することができる。更には、サセプター内部に、抵抗発熱体と静電チャック電極との双方を埋設でき、あるいはサセプター内部に、静電チャック電極と、高周波を発生させるための電極との双方を埋設でき、あるいはサセプター内部に、抵抗発熱体と、高周波を発生させるための電極との双方を埋設できる。
【００２９】
本発明の支持部材によって支持されるべき物品は限定はされないが、半導体（特に半導体ウエハー）や、アルミニウムウエハー、鉄ウエハーなどの金属ウエハーを例示できる。
【００３０】
好適な実施形態においては、サセプターを構成するセラミックスの熱伝導率が、支持部材を構成するセラミックスの熱伝導率よりも高い。このように、サセプターを構成するセラミックスの熱伝導率を高くすることによって、サセプターにおいて横方向への熱伝導が促進され、設置面２ａの温度の均一性に寄与する。これと共に、支持部材を構成するセラミックスの熱伝導率を低くすることによって、サセプターの背面から支持部材を通る熱伝導を抑制することができ、これによって設置面の一部にコールドスポットが生ずる傾向を抑制できる。これによって、設置面について所望の温度の均一性を確保することが容易になる。
【００３１】
この観点からは、サセプターを構成するセラミックスの熱伝導率は、１０Ｗ／ｍＫ 以上とすることが好ましく、５０Ｗ／ｍＫ以上とすることが更に好ましい。このようなセラミックスとしては以下を例示できる。
Ｙ添加系窒化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素
【００３２】
また、支持部材を構成するセラミックスの熱伝導率は、２００Ｗ／ｍＫ以下とすることが好ましく、１００Ｗ／ｍＫ以下とすることが一層好ましい。このようなセラミックスとしては以下を例示できる。
高純度窒化アルミ、アルミナ、窒化ケイ素、ＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３
【００３３】
また、サセプターを構成するセラミックスの熱伝導率は、支持部材を構成するセラミックスの熱伝導率以上であることが好ましく、その差は５０Ｗ／ｍＫ以上とすることが一層好ましい。
【００３４】
好適な実施形態においては、サセプターと支持部材との接合面の外径が、本体部分の外径の１．３倍以上である。例えば、図１を参照すると、サセプターと支持部材との接合面１２Ａの外径Ｌが、本体部分６の外径Ｍの１．３倍以上である。このような形態とすることによって、空隙部の設置余地が大きくなり、本発明の作用効果を達成する上で一層有益である。この観点からは、サセプターと支持部材との接合面の外径を、本体部分の外径の２倍以上とすることが更に好ましい。
【００３５】
好適な実施形態においては、サセプターを加圧焼結法によって製造する。これによって、サセプターの内部に機能部材３を埋設しつつ、基体２の相対密度を非常に高くすることが可能である。ただし、この場合には、基体２の内部に空隙部を形成することが一層困難になる。従って、平板状部側、あるいは平板状部とサセプターとの間に空隙部を形成できる本発明が、一層有効となる。
【００３６】
サセプターと支持部材の平板状部との接合方法は固相接合である。固液接合法は、特開平１０−２７３３７０号公報に記載された方法である。
【００３７】
本発明においては、サセプターと支持部材とが固相接合されている。固相接合法においては、サセプターを構成するセラミックスと、支持部材を構成するセラミックスとの少なくとも一方に対して有効な焼結助剤を含有する溶液を接合面に塗布し、接合面に対して略垂直方向へと向かって圧力を加えながら、焼結温度よりも若干低い程度の温度で熱処理する。特に好ましくは、以下のようにして固相接合を行う。
【００３８】
（１）アルミニウム−窒素結合を有する窒化アルミニウムの前駆体化合物を、支持部材の平板状部とサセプター背面との間に介在させた状態で熱分解させることによって、両者を接合する。この場合において好ましくは、平板状部およびサセプターが、窒化アルミニウム質セラミックスからなる。
【００３９】
この前駆体化合物としては、アルミニウム−窒素結合を有する有機金属化合物または無機化合物を使用できる。これには、Ｒ３Ａｌとアンモニアやエチレンジアミンの付加物（Ｒはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基）、ＡｌＨ３とＮＨ３との縮合生成物、ポリアルキルイミノアラン［（ＨＡｌＮＲ）ｎ］を使用できる。ポリアルキルイミノアランは、アルキルイミノアラン（ＨＡｌＮＲ）の重合体であり、いわゆるカゴ型構造を有するもので、Ｒはアルキル基である。これを製造するには、アルミニウムの水素化物を、アミンやアミン塩酸塩と反応させる。Ｒがエチル基の場合には８量体［（ＨＡｌＮＲ）８：Ｒはエチル基］が主として生成し、イソプロピル基の場合には６量体［（ＨＡｌＮＲ）６：Ｒはイソプロピル基］が主として生成する。Ｒがメチル基であると、不溶性の高分子が生成しやすい。
【００４０】
アルミニウム−窒素結合を有する化合物の熱分解温度は、好ましくは１６００℃以下である。接合時の雰囲気は、アルゴン等の不活性ガスやアンモニア−窒素等の還元性雰囲気が好ましく、熱分解時にアルミニウム−窒素結合を有する化合物から発生する炭素を除去するためには、アンモニア−不活性ガスの雰囲気が好ましい。
【００４１】
接合時には、各接合面に対して略垂直の方向に向かって加圧することが、接合強度を一層向上させる上で好ましい。加圧の効果は、実質的には０．１ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で現れる。上限は５００ｋｇ／ｃｍ2 である。
【００４２】
なお、アルミニウム−窒素結合を有する化合物に加えて、珪素−窒素結合を有する化合物をも使用できる。
【００４３】
（２）平板状部とサセプター背面との間に、サセプターを構成するセラミックスと支持部材を構成するセラミックスとの少なくとも一方に対して有効な焼結助剤を含む溶液を介在させ、次いで熱処理を行う。例えば、セラミックスが窒化アルミニウムまたは窒化珪素からなる場合には、イットリウム化合物、イッテルビウム化合物およびアルカリ土類元素の化合物からなる群より選ばれた一種以上の接合助剤が好ましく、イットリウム化合物が特に好ましい。
【００４４】
焼結助剤は、例えば塩化物、硫酸塩、リン酸塩、硝酸塩、炭酸塩が濡れやすく、ハンドリング性が良い。例えば塩化イットリウム、塩化イットリウム水和物、硫酸イットリウム、酢酸イットリウムの水溶液や、塩化イットリウム、塩化イットリウム水和物、酢酸イットリウムの水溶液を使用することが好ましい。
【００４５】
接合時の加熱方法としては、常圧での熱処理、ホットプレス法、プラズマ活性化焼結、レーザーによる局部加熱法等がある。
【００４６】
本発明においては、サセプター以外の他の部材を、支持部材の平板状部に対して接合することができる。この接合方法は限定されず、前述した接合方法を利用可能である。また、サセプターを平板状部に対して接合するのと同じ接合工程で、他の部材も平板状部に接合することが好ましい。
【００４７】
他の部材は、サセプターの側面の外側に設置する環状部材である。この場合には、サセプターの側面と環状部材との間に気体通路を形成することができる。
【００４８】
図７は、本発明外の参考形態に係る支持装置１Ｃを概略的に示す断面図であり、図８は、図７において矢視方向に見た図である。本例においては、支持部材５Ｂの平板状部１１Ｂに対して、サセプター４Ｃの背面２ｂが接合されている。そして、サセプター４Ｃの外側に、円環形状の部材２２が、サセプター４Ｃを包囲するように設置されている。サセプター４Ｃと円環状部材２２との間には、円形の気体通路２１が形成されている。連通孔７が空隙部２３の一端に連通しており、連通孔２３の他端が気体通路２１に連通している。この気体通路は、前述したように、パージガスなどの各種のガスの通路として利用できる。１２、２７は各接合面である。
【００４９】
なお、本発明においては、支持装置内に、バックサイドガスやパージガスを流すための気体通路と、設置面側から気体を吸引するための気体吸引路との双方を設けることができる。
図９は、本発明外の参考形態に係る支持装置１Ｄを概略的に示す断面図であり、図１０は、図９の装置をＸ−Ｘ線に沿って矢視方向に見た図である。
【００５０】
本装置１Ｄにおいては、サセプター４Ｄに空隙部２３と気体通路２５とが形成されている。空隙部２３の一方の端部は連通孔７に連通しており、空隙部２３の他方の端部は気体通路２５に連通している。これらは、パージガスなどのガスの流通路として作用する。また、サセプター４Ｄには貫通孔２４が形成されており、この貫通孔２４が、支持部材６の連通孔７Ａに連通している。
【００５１】
【実施例】
図１〜図３を参照しつつ説明した前記方法に従って、支持装置１Ａを製造した。ただし、基体２は相対密度９９．９％の窒化アルミニウム焼結体によって形成した。この窒化アルミニウム焼結体の焼結温度は１８００−２０００℃であり、焼結助剤として５ｍｏｌ％のイットリウムを含有している。
【００５２】
支持部材５Ａは、寒天を使用したゲルキャスト法によって成形し、１８００℃で焼成した。Ｍは８０ｍｍであり、Ｌは３５０ｍｍであり、本体部分６の長さは１５０ｍｍである。
【００５３】
次いで、支持部材５Ａの平板状部１１Ａと基体２の背面２ｂとを、それぞれ研磨加工した。各接合面の間に、８量体［（ＨＡｌＮＣ２ｆＨ５）８］のゲルを介在させ、アルゴン雰囲気内で、１６００℃で２時間熱処理し、接合体を得た。空隙部９Ａの外径は３００ｍｍであり、内径は６０ｍｍであり、深さは２      ｍｍである。
【００５４】
得られた接合体を切り出し、接合界面を光学顕微鏡（１０００倍）で観察したところ、剥離、変形、クラックは見られなかった。
【００５５】
また、接合体の超音波探傷試験を行った。即ち、接合体の寸法２０ｍｍ×４０ｍｍ×２０ｍｍ、プローブ周波数２５ＭＨｚ、プローブ径０．２５秒、焦点距離４秒の条件下において、接合面に対して実施した。この結果、接合面に剥離は見られなかった。
【００５６】
また、アルバック社製のヘリウムリークディテクターを使用して、リーク量を測定した。この結果、ヘリームリーク量は１０−８ｓｃｃｍ未満であった。
【００５７】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、設置面と背面とを備えるセラミックス製のサセプター、およびサセプターを支持するセラミックス製の支持部材を備えている支持装置において、高い気密性をもって容易に空隙部を形成可能な装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１は、本発明の一実施形態に係る支持装置１Ａを示す断面図である。
【図２】  図１の装置をＩＩ−ＩＩ線に沿って矢印の方向に見た図である。
【図３】  図１の装置をＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿って矢印の方向に見た図である。
【図４】  本発明の他の実施形態に係る支持装置１Ｂを示す断面図である。
【図５】  図４の装置をＶ−Ｖ線に沿って矢印の方向に見た図である。
【図６】  図４の装置をＶＩ−ＶＩ線に沿って矢印の方向に見た図である。
【図７】  本発明外の参考形態に係る支持装置１Ｃを概略的に示す断面図である。
【図８】  図７の装置をＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿って矢視方向に見た図である。
【図９】  本発明外の参考形態に係る支持装置１Ｄを概略的に示す断面図である。
【図１０】  図９の装置をＸ−Ｘ線に沿って矢視方向に見た図である。
【図１１】  従来の支持装置を示す断面図である。
【符号の説明】
１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ  支持装置        ２、２Ａ  基体        ２ａ  設置面        ２ｂ  背面        ２ｃ  外周側のリング状突起        ２ｄ内周側の円形突起        ３  機能部材        ４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄ  サセプター        ５Ａ、５Ｂ  支持部材        ６  支持部材の本体部分        ７、７Ａ  連通孔        ８  本体部分６内の空間        ９Ａ  ９Ｂ、２３  空隙部        １０  基体内の貫通孔        １１Ａ、１１Ｂ  平板状部        １２Ａ、１２Ｂ  接合面        １３  電力供給部材        １４  端子        Ｌ  接合面の外径        Ｍ  支持部材の本体部分６の外径
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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