(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶媒中で、式（１）
【化１】
0004219608.tif 000014
{式中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基又はＣ２〜Ｃ８アルケニル基を表し、ｍ及びｎは、それぞれ独立して０又は１〜４の整数を表す。Ｑは、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基、Ｃ２〜Ｃ８アルケニル基、Ｃ３〜Ｃ８のシクロアルキル基、置換基を有してもよいアラルキル基、又は式（２）
【化２】
0004219608.tif 000015
〔式中、Ｘ及びＹは、それぞれ独立して、置換基を有してもよいＣ１〜Ｃ１２の飽和若しくは不飽和の炭化水素基、エーテル結合を有するＣ１〜Ｃ１２の飽和若しくは不飽和の炭化水素基、式（３）
【化３】
0004219608.tif 000016
（式中、Ｒ７は、メチレン基又はエチレン基を表す。）で表される基、又は式（４）
【化４】
0004219608.tif 000017
（式中、Ｒ８は、水素原子又はＣ１〜Ｃ４アルキル基を表す。）で表される基を表す。Ｒ３〜Ｒ６は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基又はＣ２〜Ｃ８アルケニル基を表し、ｐ、ｑ、ｒ及びｔは、それぞれ独立して、０又は１〜４の整数を表し、ａは０又は１〜１０の整数を表す。〕で表される基を表す。}で表されるジフェニルスルホン化合物を得る反応を行なう反応工程を有する式（１）で表されるジフェニルスルホン化合物の製造方法であって、前記溶媒として、鉄分含有量が０．０５ｐｐｍ以下の溶媒を用いることを特徴とする式（１）で表されるジフェニルスルホン化合物の製造方法。
【請求項２】
前記溶媒として、水を含む反応溶媒を用いることを特徴とする請求項１に記載の式（１）で表されるジフェニルスルホン化合物の製造方法。
【請求項３】
式（１）
【化５】
0004219608.tif 000018
{式中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基又はＣ２〜Ｃ８アルケニル基を表し、ｍ及びｎは、それぞれ独立して０又は１〜４の整数を表す。Ｑは、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基、Ｃ２〜Ｃ８アルケニル基、Ｃ３〜Ｃ８のシクロアルキル基、置換基を有してもよいアラルキル基、又は式（２）
【化６】
0004219608.tif 000019
〔式中、Ｘ及びＹは、それぞれ独立して、置換基を有してもよいＣ１〜Ｃ１２の飽和若しくは不飽和の炭化水素基、エーテル結合を有するＣ１〜Ｃ１２の飽和若しくは不飽和の炭化水素基、式（３）
【化７】
0004219608.tif 000020
（式中、Ｒ７は、メチレン基又はエチレン基を表す。）で表される基、又は式（４）
【化８】
0004219608.tif 000021
（式中、Ｒ８は、水素原子又はＣ１〜Ｃ４アルキル基を表す。）で表される基を表す。Ｒ３〜Ｒ６は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基又はＣ２〜Ｃ８アルケニル基を表し、ｐ、ｑ、ｒ及びｔは、それぞれ独立して、０又は１〜４の整数を表し、ａは０又は１〜１０の整数を表す。〕で表される基を表す。}で表されるジフェニルスルホン化合物を含む混合物から、式（１）で表されるジフェニルスルホン化合物以外の化合物を除去する精製工程を有する式（１）で表されるジフェニルスルホン化合物の製造方法であって、精製工程に用いる水として、鉄分含有量が０．０５ｐｐｍ以下の水を用いることを特徴とする式（１）で表されるジフェニルスルホン化合物の製造方法。
【請求項４】
溶媒中で、式（１）
【化９】
0004219608.tif 000022
{式中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基又はＣ２〜Ｃ８アルケニル基を表し、ｍ及びｎは、それぞれ独立して０又は１〜４の整数を表す。Ｑは、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基、Ｃ２〜Ｃ８アルケニル基、Ｃ３〜Ｃ８のシクロアルキル基、置換基を有してもよいアラルキル基、又は式（２）
【化１０】
0004219608.tif 000023
〔式中、Ｘ及びＹは、それぞれ独立して、置換基を有してもよいＣ１〜Ｃ１２の飽和若しくは不飽和の炭化水素基、エーテル結合を有するＣ１〜Ｃ１２の飽和若しくは不飽和の炭化水素基、式（３）
【化１１】
0004219608.tif 000024
（式中、Ｒ７は、メチレン基又はエチレン基を表す。）で表される基、又は式（４）
【化１２】
0004219608.tif 000025
（式中、Ｒ８は、水素原子又はＣ１〜Ｃ４アルキル基を表す。）で表される基を表す。Ｒ３〜Ｒ６は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基又はＣ２〜Ｃ８アルケニル基を表し、ｐ、ｑ、ｒ及びｔは、それぞれ独立して、０又は１〜４の整数を表し、ａは０又は１〜１０の整数を表す。〕で表される基を表す。}で表されるジフェニルスルホン化合物を得る反応を行なう反応工程を有する式（１）で表されるジフェニルスルホン化合物の製造方法であって、反応工程を内壁に耐腐蝕性層を有する槽を用いて行なうことを特徴とする式（１）で表されるジフェニルスルホン化合物の製造方法。
【請求項５】
溶媒中で、式（１）
【化１３】
0004219608.tif 000026
{式中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基又はＣ２〜Ｃ８アルケニル基を表し、ｍ及びｎは、それぞれ独立して０又は１〜４の整数を表す。Ｑは、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基、Ｃ２〜Ｃ８アルケニル基、Ｃ３〜Ｃ８のシクロアルキル基、置換基を有してもよいアラルキル基、又は式（２）
【化１４】
0004219608.tif 000027
〔式中、Ｘ及びＹは、それぞれ独立して、置換基を有してもよいＣ１〜Ｃ１２の飽和若しくは不飽和の炭化水素基、エーテル結合を有するＣ１〜Ｃ１２の飽和若しくは不飽和の炭化水素基、式（３）
【化１５】
0004219608.tif 000028
（式中、Ｒ７は、メチレン基又はエチレン基を表す。）で表される基、又は式（４）
【化１６】
0004219608.tif 000029
（式中、Ｒ８は、水素原子又はＣ１〜Ｃ４アルキル基を表す。）で表される基を表す。Ｒ３〜Ｒ６は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基又はＣ２〜Ｃ８アルケニル基を表し、ｐ、ｑ、ｒ及びｔは、それぞれ独立して、０又は１〜４の整数を表し、ａは０又は１〜１０の整数を表す。〕で表される基を表す。}で表されるジフェニルスルホン化合物を含む混合物から式（１）で表されるジフェニルスルホン化合物以外の化合物を除去する精製工程を有する式（１）で表されるジフェニルスルホン化合物の製造方法であって、精製工程を内壁に耐腐蝕性層を有する槽を用いて行なうことを特徴とする式（１）で表されるジフェニルスルホン化合物の製造方法。
【請求項６】
前記耐腐蝕性層として、チタン、ガラス及びフッ素樹脂からなる群から選ばれる少なくとも１種からなる層を有する槽を用いることを特徴とする請求項４又は５に記載の式（１）で表されるジフェニルスルホン化合物の製造方法。
【請求項７】
前記式（１）で表されるジフェニルスルホン化合物が、式（５）
【化１７】
0004219608.tif 000030
（式中、Ｒ９は、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基、Ｃ２〜Ｃ８アルケニル基、Ｃ３〜Ｃ８シクロアルキル基又は置換基を有してもよいアラルキル基を表す。）で表される化合物である請求項１〜６のいずれかに記載のジフェニルスルホン化合物の製造方法。
【請求項８】
前記式（１）で表されるジフェニルスルホン化合物が、式（７）
【化１８】
0004219608.tif 000031
（式中、Ｒ１〜Ｒ６、ｍ、ｎ、ｐ、ｑ、ｒ、ｔ、ａ、Ｘ及びＹは、前記と同じ意味を表す。）で表される化合物である請求項１〜６のいずれかに記載のジフェニルスルホン化合物の製造方法。
【請求項９】
前記ジフェニルスルホン化合物が、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンと、式（６）：Ｒ９−Ａ１（式中、Ｒ９は前記と同じ意味を表し、Ａ１はハロゲン原子を表す。）で表される化合物とを、塩基存在下に反応させて得られる化合物である請求項１〜６のいずれかに記載のジフェニルスルホン化合物の製造方法。
【請求項１０】
前記式（１）で表されるジフェニルスルホン化合物が、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン又は２，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンと、式（８）：Ａ２−Ｘ−Ａ３及び式（９）：Ａ４−Ｙ−Ａ５（式中、Ａ２〜Ａ５は、それぞれ独立して、ハロゲン原子を表し、Ｘ及びＹは、前記と同じ意味を表す。）で表される化合物とを、塩基存在下に反応させて得られる化合物である請求項１〜６のいずれかに記載のジフェニルスルホン化合物の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、感熱記録剤の顕色剤及びその原料等として有用なジフェニルスルホン化合物を高純度かつ工業的に有利に製造する方法に関する。より詳しくは、反応工程若しくは精製工程で用いる溶媒（水）として、鉄分含有量が極めて少ない溶媒（水）を用いることにより、及び／又は反応槽若しくは精製槽として内壁に耐腐蝕性層を有する槽を用いることにより、重金属イオンの混入を極力防止して、着色のない高純度なジフェニルスルホン化合物を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
式（１０）
【０００３】
【化１９】
0004219608.tif 000002
【０００４】
（式中、Ｒ’、Ｒ”及びＱ’はアルキル基等を表し、ｍ’及びｎ’は０又は１〜４の整数を表す。）で表される化合物（以下、「ジフェニルスルホン化合物」という。）は、顕色剤及びその他の製造原料等として有用である。
【０００５】
従来、４−置換ヒドロキシ−４’−ヒドロキシジフェニルスルホンの製造方法としては、例えば、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンとアルキルハライド等のハロゲン化合物とを、アルカリの存在下に反応させる方法が知られている（特開平６−２５１２４８号公報、特開平５−２５５２３４号公報、特許公報第２５００５３２号等参照）。
また、式（１１）
【０００６】
【化２０】
0004219608.tif 000003
【０００７】
で表される化合物の製造方法としては、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン又は２，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンと、一般式：Ａ２’−Ｘ’−Ａ３’及び一般式：Ａ４’−Ｙ’−Ａ５’（式中、Ａ２’〜Ａ５’は、それぞれ独立して、ハロゲン原子を表し、Ｘ’及びＹ’は、前記と同じ意味を表す。）で表される化合物とを、アルカリ存在下に反応させる方法が知られている（特開平１０−２９９６９号公報参照）。
【０００８】
しかしながら、ジフェニルスルホン化合物を上記のいずれかの方法により工業的規模で製造する場合には、反応液が着色し、それが目的物であるジフェニルスルホン化合物（結晶中）に取り込まれ、その後精製を繰り返しても完全に脱色することが困難な場合があった。
【０００９】
かかる場合には、反応混合物の液に活性炭を添加等して脱色する作業を行なっていた。しかしながら、活性炭を添加する方法ではある程度脱色することができるものの完全に脱色することが困難であり、また、添加した活性炭を濾別しなければならず、作業が煩雑となっていた。
【００１０】
ジフェニルスルホン化合物は、主に顕色剤として用いられる。出発原料に着色物質が不純物として含まれていると、それがそのまま最終製品にも取り込まれ、最終製品も着色してしまうことになる。特にこれらの化合物は顕色剤として用いられるため、僅かな着色があっても問題となる。
したがって、着色がなく高純度なジフェニルスルホン化合物を工業的に有利に製造する方法を確立することが必要とされていた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、かかる実状に鑑みてなされたものであり、着色がなく高純度なジフェニルスルホン化合物を工業的に有利に製造する方法を提供することを課題とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決すべく、ジフェニルスルホン化合物の製造工程において、反応混合物が着色する原因を詳細に調べた。その結果、反応工程及び／又は精製工程において、槽（反応槽又は精製槽）から溶出し、又は溶媒として用いられる工業用水中に含まれる鉄分等の重金属イオンがジフェニルスルホン化合物等と反応して着色性の金属錯体を形成し、これが着色の原因物質であると考えられた。
【００１３】
従来、ジフェニルスルホン化合物を反応させたり、反応混合物を精製する場合においては、反応溶媒又は精製溶媒として重金属イオンを比較的多く含む工業用水を用いていた。また、反応槽や精製槽として汎用性の高いＳＵＳ製の槽を用いていたため、強酸や強アルカリによって槽の内壁面が腐蝕される場合があり、鉄分等の重金属イオンが反応液に混入し易いものとなっていた。
【００１４】
そこで、反応工程又は精製工程において、鉄分含有量が０．０５ｐｐｍ以下の溶媒を用い、及び／又は内壁に耐腐蝕性層を有する槽を使用して重金属イオンの混入を極力防止することにより、ジフェニルスルホン化合物の着色を効果的に防止できることを見出し、本発明を完成するに到った。
【００１５】
かくして本発明の第１によれば、溶媒中で、式（１）
【００１６】
【化２１】
0004219608.tif 000004
【００１７】
{式中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基又はＣ２〜Ｃ８アルケニル基を表し、ｍ及びｎは、それぞれ独立して０又は１〜４の整数を表す。Ｑは、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基、Ｃ２〜Ｃ８アルケニル基、Ｃ３〜Ｃ８のシクロアルキル基、置換基を有してもよいアラルキル基、又は式（２）
【００１８】
【化２２】
0004219608.tif 000005
【００１９】
〔式中、Ｘ及びＹは、それぞれ独立して、置換基を有してもよいＣ１〜Ｃ１２の飽和若しくは不飽和の炭化水素基、エーテル結合を有するＣ１〜Ｃ１２の飽和若しくは不飽和の炭化水素基、式（３）
【００２０】
【化２３】
0004219608.tif 000006
【００２１】
（式中、Ｒ７は、メチレン基又はエチレン基を表す。）で表される基、又は式（４）
【００２２】
【化２４】
0004219608.tif 000007
【００２３】
（式中、Ｒ８は、水素原子又はＣ１〜Ｃ４アルキル基を表す。）で表される基を表す。Ｒ３〜Ｒ６は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基又はＣ２〜Ｃ８アルケニル基を表し、ｐ、ｑ、ｒ及びｔは、それぞれ独立して、０又は１〜４の整数を表し、ａは０又は１〜１０の整数を表す。〕で表される基を表す。}で表されるジフェニルスルホン化合物を得る反応を行なう反応工程を有する式（１）で表されるジフェニルスルホン化合物の製造方法であって、前記溶媒として、鉄分含有量が０．０５ｐｐｍ以下の溶媒を用いることを特徴とする式（１）で表されるジフェニルスルホン化合物の製造方法が提供される。
本発明の第１においては、前記溶媒として、水を含む反応溶媒を用いるのが好ましい。
【００２４】
本発明の第２によれば、前記式（１）で表されるジフェニルスルホン化合物を含む混合物から、式（１）で表されるジフェニルスルホン化合物以外の化合物を除去する精製工程を有する式（１）で表されるジフェニルスルホン化合物の製造方法であって、精製工程に用いる水として、鉄分含有量が０．０５ｐｐｍ以下の水を用いることを特徴とする式（１）で表されるジフェニルスルホン化合物の製造方法が提供される。
【００２５】
本発明の第３によれば、溶媒中で、前記式（１）で表されるジフェニルスルホン化合物を得る反応を行なう反応工程を有する式（１）で表されるジフェニルスルホン化合物の製造方法であって、反応工程を内壁に耐腐蝕性層を有する槽を用いて行なうことを特徴とする式（１）で表されるジフェニルスルホン化合物の製造方法が提供される。
【００２６】
また、本発明の第４によれば、溶媒中で、前記式（１）で表されるジフェニルスルホン化合物を含む混合物から式（１）で表されるジフェニルスルホン化合物以外の化合物を除去する精製工程を有する式（１）で表されるジフェニルスルホン化合物の製造方法であって、精製工程を内壁に耐腐蝕性層を有する槽を用いて行なうことを特徴とする式（１）で表されるジフェニルスルホン化合物の製造方法が提供される。
【００２７】
本発明の第３及び／又は第４においては、前記耐腐蝕性層として、チタン、ガラス及びフッ素樹脂からなる群から選ばれる少なくとも１種からなる層を有する槽を用いるのが好ましい。
【００２８】
本発明においては、前記式（１）で表されるジフェニルスルホン化合物が、次の（ａ）又は（ｂ）のいずれかであるのが好ましい。
（ａ）式（５）
【００２９】
【化２５】
0004219608.tif 000008
【００３０】
（式中、Ｒ９は、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基、Ｃ２〜Ｃ８アルケニル基、Ｃ３〜Ｃ８シクロアルキル基又は置換基を有してもよいアラルキル基を表す。）で表される化合物。
(ｂ)式（７）
【００３１】
【化２６】
0004219608.tif 000009
【００３２】
（式中、Ｒ１〜Ｒ６、ｍ、ｎ、ｐ、ｑ、ｒ、ｔ、ａ、Ｘ及びＹは、前記と同じ意味を表す。）で表される化合物。
【００３３】
また、本発明においては、前記式（１）で表されるジフェニルスルホン化合物を含む混合物が、次の（ｃ）又は(ｄ)のいずれかであるのが好ましい。
【００３４】
(ｃ)４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンと、式（６）：Ｒ９−Ａ１（式中、Ｒ９は前記と同じ意味を表し、Ａ１はハロゲン原子を表す。）で表される化合物とを、塩基存在下に反応させて得られる前記式（５）で表される化合物を含む反応混合物。
【００３５】
(ｄ)４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン又は２，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンと、式（８）：Ａ２−Ｘ−Ａ３及び式（９）：Ａ４−Ｙ−Ａ５（式中、Ａ２〜Ａ５は、それぞれ独立して、ハロゲン原子を表し、Ｘ及びＹは、前記と同じ意味を表す。）で表される化合物とを、塩基存在下に反応させて得られる前記式（７）で表される化合物。
【００３６】
本発明によれば、着色の問題がない高純度なジフェニルスルホン化合物を工業的に有利に製造することができる。
【００３７】
【発明の実施の形態】
本発明は、前記式（１）で表されるジフェニルスルホン化合物の製造方法である。式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基等のＣ１〜Ｃ８アルキル基；プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基等のＣ２〜Ｃ８アルケニル基を表す。
ｍ及びｎは、それぞれ独立して、０又は１〜４の整数を表す。
【００３８】
Ｑは、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基等のＣ１〜Ｃ８アルキル基；ビニル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基等のＣ２〜Ｃ８アルケニル基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のＣ３〜Ｃ８のシクロアルキル基；ベンジル基、４−クロロベンジル基、２−フェニルエチル基等の置換基を有してもよいアラルキル基；又は前記式（２）で表される基；を表す。
【００３９】
式（２）中、ｐ、ｑ、ｒ及びｔは、それぞれ独立して、０又は１〜４の整数を表し、ａは１〜１０の整数を表す。
Ｘ及びＹは、それぞれ独立して、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、ウンデカメチレン基、ドデカメチレン基、メチルメチレン基、ジメチルメチレン基、メチルエチレン基、メチレンエチレン基、エチルエチレン基、１，２−ジメチルエチレン基、１−メチルトリメチレン基、１−メチルテトラメチレン基、１，３−ジメチルトリメチレン基、１−エチル−４−メチル−テトラメチレン基、
【００４０】
２−ヒドロキシトリメチレン基、２−ヒドロキシ−２−メチルトリメチレン基、２−ヒドロキシ−２−エチルトリメチレン基、２−ヒドロキシ−２−プロピルトリメチレン基、２−ヒドロキシ−２−イソプロピルトリメチレン基、２−ヒドロキシ−２−ブチルトリメチレン基等の置換基を有してもよいＣ１〜Ｃ１２の飽和炭化水素基；ビニレン基、プロペニレン基、２−ブテニレン基、エチニレン基、２−ブチニレン基、１−ビニルエチレン基等の置換基を有してもよいＣ１〜Ｃ１２の不飽和炭化水素基；エチレンオキシエチレン基、テトラメチレンオキシテトラメチレン基、エチレンオキシエチレンオキシエチレン基、エチレンオキシメチレンオキシエチレン基、１，３−ジオキサン−５，５−ビスメチレン基等のエーテル結合を有するＣ１〜Ｃ１２の飽和若しくは不飽和炭化水素基；式（３）で表される基、又は式（４）で表される基のいずれかを表す。
【００４１】
式（３）中、Ｒ７はメチレン基又はエチレン基を表す。
また、式（４）中、Ｒ８は、水素原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基等のＣ１〜Ｃ４アルキル基；を表す。
【００４２】
Ｒ３〜Ｒ６は、それぞれ独立して、フッ素、塩素、臭素等のハロゲン原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基等Ｃ１〜Ｃ８アルキル基；ビニル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基等のＣ２〜Ｃ８アルケニル基；を表す。
【００４３】
前記式（５）中、Ｒ９は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基等のＣ１〜Ｃ８アルキル基；エテニル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基等のＣ２〜Ｃ８アルケニル基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のＣ３〜Ｃ８シクロアルキル基；又はベンジル基、４−クロロベンジル基、２−フェニルエチル基等の置換基を有してもよいアラルキル基を表す。
【００４４】
式（５）で表される化合物の具体例としては、４−メトキシ−４’−ヒドロキシジフェニルスルホン、４−エトキシ−４’−ヒドロキシジフェニルスルホン、４−ｎ−プロポキシ−４’−ヒドロキシジフェニルスルホン、４−イソプロポキシ−４’−ヒドロキシジフェニルスルホン、４−ｎ−ブトキシ−４’−ヒドロキシジフェニルスルホン、４−ｓｅｃ−ブトキシ−４−ヒドロキシジフェニルスルホン、４−ｔ−ブトキシ−４’−ヒドロキシジフェニルスルホン等が挙げられる。
【００４５】
式（７）で表される化合物としては、例えば、以下のものが挙げられる。
１）Ｘ及び／又はＹが置換基を有してもよいＣ１〜Ｃ１２の飽和炭化水素基である化合物；
４−[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ−４−ブチルオキシ]−４’−[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ−３−プロピルオキシ]ジフェニルスルホン、４，４’−ビス[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ−２−エチルオキシ]ジフェニルスルホン、４，４’−ビス[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ−３−プロピルオキシ]ジフェニルスルホン、４，４’−ビス[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ−４−ブチルオキシ]ジフェニルスルホン、４，４’−ビス[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ−５−ペンチルオキシ]ジフェニルスルホン、４，４’−ビス[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ−６−ヘキシルオキシ]ジフェニルスルホン、４−[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ−４−ブチルオキシ]−４’−[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ−２−エチルオキシ]ジフェニルスルホン、４−[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ−３−プロピルオキシ]−４’−[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ−２−エチルオキシ]ジフェニルスルホン、４，４’−ビス[４−[４−（２−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ]ブチルオキシ]ジフェニルスルホン、４，４’−ビス[４−[２−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ]ブチルオキシ]ジフェニルスルホン、１，１−ビス[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ]メタン、１，２−ビス[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ]エタン、１，３−ビス[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ]プロパン、１，４−ビス[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ]ブタン、１，５−ビス[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ]ペンタン、１，６−ビス[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ]ヘキサン
【００４６】
２）Ｘ及び／又はＹが置換基を有してもよいＣ１〜Ｃ１２の不飽和炭化水素基である化合物；
１，２−ビス[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ]エチレン、４，４’−ビス[４−[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ]−２−トランス−ブテニルオキシ]ジフェニルスルホン、４−[４−[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ]−２−トランス−ブテニルオキシ]−４’−[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ−４−ブチルオキシ]ジフェニルスルホン、４−[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ−２−トランス−ブテニルオキシ]−４’−[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ−３−プロピルオキシ]ジフェニルスルホン、４−[４−[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ]−２−トランス−ブテニルオキシ]−４’−[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ−２−エチルオキシ]ジフェニルスルホン、１，４−ビス[４−[４−[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ−２−トランス−ブテニルオキシ]フェニルスルホニル]フェノキシ]−シス−２−ブテン、１，４−ビス[４−[４−[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ−２−トランス−ブテニルオキシ]フェニルスルホニル]フェノキシ]−トランス−２−ブテン
【００４７】
３）Ｘ及び／又はＹがエーテル結合を有するＣ１〜Ｃ１２の飽和若しくは不飽和の炭化水素基である化合物；
４，４’−ビス[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ]ジブチルエーテル、２，２’−ビス[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ]ジエチルエーテル、４，４’−ビス[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ−２−エチレンオキシエトキシ]ジフェニルスルホン、２，２’−ビス[４−[４−[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ−２−エチレンオキシエトキシ]フェニルスルホニル]フェノキシ]ジエチルエーテル、２，４’−ビス[２−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ−２−エチレンオキシエトキシ]ジフェニルスルホン、２，４’−ビス[４−（２−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ−２−エチレンオキシエトキシ]ジフェニルスルホン、４，４’−ビス[３，５−ジメチル−４−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ−２−エチレンオキシエトキシ]ジフェニルスルホン、４，４’−ビス[３−アリル−４−（３−アリル−４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ−２−エチレンオキシエトキシ]ジフェニルスルホン
【００４８】
４）Ｘ及び／又はＹが式（３）で表される基である化合物；
α，α’−ビス[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ]−ｐ−キシレン、α，α’−ビス[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ]−ｍ−キシレン、α，α’−ビス[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ]−ｏ−キシレン、α，α’−ビス[４−[４−[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェニル−１，４−フェニレンビスメチレンオキシ]フェニルスルホニル]フェノキシ]−ｐ−キシレン、α，α’−ビス[４−[４−[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェニル−１，３−フェニレンビスメチレンオキシ]フェニルスルホニル]フェノキシ]−ｍ−キシレン、α，α’−ビス[４−[４−[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェニル−１，２−フェニレンビスメチレンオキシ]フェニルスルホニル]フェノキシ]−ｏ−キシレン、
【００４９】
４，４’−ビス[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェニル−１，４−フェニレンビスメチレンオキシ]ジフェニルスルホン、４，４’−ビス[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェニル−１，３−フェニレンビスメチレンオキシ]ジフェニルスルホン、４，４’−ビス[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェニル−１，２−フェニレンビスメチレンオキシ]ジフェニルスルホン、４，４’−ビス[３，５−ジメチル−４−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェニル−１，４−フェニレンビスメチレンオキシ]ジフェニルスルホン、４，４’−ビス[３，５−ジメチル−４−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェニル−１，３−フェニレンビスメチレンオキシ]ジフェニルスルホン、４，４’−ビス[３，５−ジメチル−４−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェニル−１，２−フェニレンビスメチレンオキシ]ジフェニルスルホン、４，４’−ビス[３−アリル−４−（３−アリル−４−ヒドロキシフェニルスルホニル）−１，４−フェニレンビスメチレンオキシ]ジフェニルスルホン、４，４’−ビス[３−アリル−４−（３−アリル−４−ヒドロキシフェニルスルホニル）−１，３−フェニレンビスメチレンオキシ]ジフェニルスルホン、４，４’−ビス[３−アリル−４−（３−アリル−４−ヒドロキシフェニルスルホニル）−１，２−フェニレンビスメチレンオキシ]ジフェニルスルホン
【００５０】
５）Ｘ及び／又はＹが式（４）で表される基である化合物；
４，４’−ビス[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ−２−ヒドロキシプロピルオキシ]ジフェニルスルホン、１，３−ビス[４−[４−[４−（４−ヒドロキシフェニルスルホニル）フェノキシ−２−ヒドロキシプロピルオキシ]フェニルスルホニル]フェノキシ]−２−ヒドロキシプロパン
【００５１】
これらの化合物の中でも、本発明は、４−イソプロポキシ−４’−ヒドロキシジフェニルスルホン、又は式（７）中、ａが０又は１〜３の整数であり、Ｘ及び／又はＹが、−ＣＨ２ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ２−又は−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ２−である化合物を製造する場合に好ましく適用することができる。
【００５２】
前記式（１）で表されるジフェニルスルホン化合物は、（ｉ）所定の原料を所定の条件下に反応させて、目的とするジフェニルスルホン化合物を含む反応混合物を得る反応工程と、（ii）該反応混合物から目的とするジフェニルスルホン化合物を単離する精製工程からなる製造方法によって製造することができる。
【００５３】
本発明は、前記式（１）で表されるジフェニルスルホン化合物の製造において、鉄分含有量が０．０５ｐｐｍ以下の溶媒を用いることを第１の特徴とする。本発明において鉄分含有量とは、用いられる溶媒に含まれる鉄、鉄化合物及び鉄イオン（鉄原子を含むイオンを含む）等の鉄分であって、溶媒中に存在する形態で、又は酸若しくはアルカリと反応して鉄イオン又は鉄原子を含むイオンとなって、ジフェニルスルホン化合物と錯体を形成して着色物質となり得る物質のトータルの含有量をいう。
【００５４】
鉄分含有量が０．０５ｐｐｍ以下の溶媒を得る方法としては、例えば、蒸留する方法や、イオン交換樹脂等の鉄分を捕獲する機能を持つ物質を充填したカラムの中に通す方法等の公知の方法が挙げられる。
溶媒中に含まれる鉄分含有量は、例えば、紫外線又は可視分光光度計、誘導結合高周波プラズマ発光分光分析装置、原子吸光分析装置、光電光度計及び比色計等の測定装置によって測定することができる。
【００５５】
本発明は、内壁に耐腐蝕性層を有する反応槽又は精製槽（以下、これらを「槽」ともいう。）を用いることを第２の特徴とする。
耐腐蝕性層の材料としては、反応工程又は精製工程において用いられる硫酸等の酸や水酸化ナトリウム等のアルカリに対し腐食されない性質を有するものであれば特に制限はない。
【００５６】
かかる耐腐蝕性材料としては、例えば、チタン、ジルコニウム、タンタル、ニオブ、ニッケル等の耐腐蝕性金属；ほうケイ酸ガラス、中性ガラス、石英ガラス、耐アルカリガラス等のガラス、ほうろう等の無機材料；四フッ化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ又はＴＦＥ）、四フッ化エチレン−パーフルオロアルコキシビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体（ＦＥＰ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、四フッ化エチレン−エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、クロロトリフルオロエチレン−エチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）、ポリビニリデンフロライド（ＰＶＤＦ）、ポリビニルフロライド（ＰＶＦ）等のフッ素樹脂等の有機材料；等が挙げられる。これらの中でも、入手が容易であること及び優れた耐腐食性を有すること等の観点から、チタン、ガラス及びフッ素樹脂からなる群から選ばれる少なくとも１種が好ましい。
【００５７】
耐腐食性層を内壁に形成する方法としては、例えば、内壁に耐腐食性材料をライニング又はコーティングする方法が挙げられる。ライニングあるいはコーティングする方法としては、例えば、ガラスを用いる場合には、槽を構成する基材（鋼板）表面にガラス質の釉を焼き付けるガラスライニングが挙げられる。また、フッ素樹脂を用いる場合には、例えば、粉体焼き付けによるコーティングやガラスクロスを用いるシートライニング等が挙げられる。これらの中でも、耐熱性、耐久性等の観点から、ガラス又はフッ素樹脂を槽の内壁にライニング又はコーティングした槽の使用が好ましく、ガラスを槽の内壁にライニングした槽（通称：ＧＬ）の使用がより好ましい。
【００５８】
本発明においては、（ａ）鉄分含有量が０．０５ｐｐｍ以下の溶媒、好ましくは鉄分含有量が０．０５ｐｐｍ以下の（水を含む反応溶媒及び／又は精製水）を用い、従来通りＳＵＳ製の槽中で行う方法、（ｂ）従来通りの溶媒を用い、内壁に耐腐蝕性層を有する槽中で反応又は精製を行う方法、又は（ｃ）鉄分含有量が０．０５ｐｐｍ以下の溶媒、好ましくは鉄分含有量が０．０５ｐｐｍ以下の（水を含む反応溶媒及び／又は精製水）を用い、かつ、内壁に耐腐蝕性層を有する槽を使用する方法のいずれかであってよいが、より確実に着色のない高純度なジフェニルスルホン化合物を得ることができる観点から、（ｃ）の方法が特に好ましい。
【００５９】
以下、本発明の製造方法を得られるジフェニルスルホン化合物の種類に分けて説明する。以下の説明においては、反応溶媒及び精製水として、鉄分含有量が０．０５ｐｐｍ以下の反応溶媒及び精製水を使用し、かつ、内壁に耐腐蝕性層を有する槽を使用している。
【００６０】
（I）式（５）で表される４−置換ヒドロキシ−４’−ヒドロキシジフェニルスルホンの製造
前記式（５）で表される化合物（以下、「化合物（５）」という）は、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンと式（６）：Ｒ９−Ａ１で表される化合物（以下、「化合物（６）」という）とを、溶媒中、塩基存在下に反応させることで得ることができる（下記反応式参照）。
【００６１】
【化２７】
0004219608.tif 000010
【００６２】
式中、Ｒ９は前記と同じ意味を表し、Ａ１はハロゲン原子を表す。ハロゲン原子としては、例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられるが、臭素原子が特に好ましい。化合物（６）の使用量は、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン１モルに対して、通常１〜３モル、好ましくは１〜１．５モルの範囲である。
【００６３】
用いる塩基としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物；水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等のアルカリ土類金属水酸化物；炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩；等が挙げられる。これらの中でも、水酸化ナトリウム等のアルカリ金属水酸化物の使用が好ましい。塩基の使用量は、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン１モルに対して、通常１〜５モル、好ましくは１．５〜３モルの範囲である。
【００６４】
用いる溶媒としては、例えば、水、又は水−トルエン、水−キシレン、水−ベンゼン等の２相系混合溶媒等が挙げられるが、水又は水−トルエンの混合溶媒の使用が好ましい。溶媒の使用量は、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン１ｇに対して、通常、０．１〜１０ｍｌの範囲である。反応は、通常、室温〜溶媒の沸点、好ましくは４５〜６５℃の温度範囲で行われ、通常、２０〜２５時間で終了する。
【００６５】
この反応においては、反応が完全に進行せず副反応も進行することから、通常、反応混合物には目的物の他に、未反応の化合物（６）や未反応の４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、副生成物である４，４’−ジ置換ヒドロキシジフェニルスルホン等の不純物が含まれている。
【００６６】
未反応の化合物（６）を除去する方法としては、例えば、反応終了後、反応液を加熱して化合物（６）を蒸発留去させる方法が挙げられる。また、化合物（６）を溶媒とともに共沸留去させることもできる。４，４’−ジ置換ヒドロキシジフェニルスルホンを除去する方法としては、このものがアルカリ水に不溶である性質であることから、反応混合物をトルエン、キシレン、ベンゼン等の非水混和性溶媒で洗浄する方法が挙げられる。
【００６７】
また、ｐＨ調整による未反応の４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンを除去する方法としては、例えば、反応液に非水混和性溶媒を添加して有機層と水層の２相系とした後、水層のｐＨ値を所定の値に調整して、目的とする化合物（５）を有機層側へ、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンを水層側へ分離する方法等が挙げられる。
【００６８】
反応混合物のｐＨ値の調整は、例えば、反応混合物に硫酸、硝酸、塩酸等の酸又は水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ水溶液を撹拌しながら少量ずつ添加することにより行われる。ｐＨ値の調整は、均一かつ正確に行う必要がある。また、アルカリ可溶性の副生成物と目的物との分離を確実に達成するために、ｐＨ値の設定値を変化させて抽出する操作を複数回繰り返して行うこともできる。
【００６９】
次いで、得られた有機層を冷却して晶析させ、析出結晶をろ取し、水洗及び乾燥することにより、着色のない４−置換ヒドロキシ−４’−ヒドロキシジフェニルスルホンを高純度かつ収率よく得ることができる。
【００７０】
（II）式（７）で表される化合物の製造
式（７）で表される化合物（以下、「化合物（７）」という。）は、例えば、特開平１０−２９９６９号公報の記載の方法に準じて製造することができる。具体的には、次の反応式で示される方法で行うことができる。
【００７１】
【化２８】
0004219608.tif 000011
【００７２】
（式中、Ｒ１〜Ｒ６、Ａ２〜Ａ５、ａ、ｍ、ｎ、ｐ、ｑ、ｒ、ｔ、Ｘ及びＹは、前記と同じ意味を表す。）
出発原料としては、入手容易性及び汎用性の観点から、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン若しくはその誘導体又は２，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン若しくはその誘導体が好ましい。
【００７３】
式（８）及び式（９）中、Ａ２〜Ａ５は、それぞれ独立して、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子を表す。これらの中でも、Ａ２とＡ３、及びＡ４とＡ５の間で反応性に差をもたせて、反応を制御できる観点から、Ａ２とＡ３、及びＡ４とＡ５は、例えば塩素原子と臭素原子等のように異なるハロゲン原子であるのが好ましい。
【００７４】
反応は、塩基の存在下、水、極性有機溶媒又は水−非水混和性有機溶媒の二層系のいずれかで行うのが好ましい。
水混和性有機溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセタミド、１，３−ジメチルイミダゾリジン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、Ｎ−メチルピロリドン、ヘキサメチルリン酸トリアミド等のアミド系溶媒；テトラヒドロフラン；アセトン；ジメチルスルホキシド；等が挙げられる。
【００７５】
また、非水混和性有機溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸プロピル等のエステル系溶媒；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル等のエーテル系溶媒；等が挙げられる。
【００７６】
これらの中でも、収率よく目的物が得られること等から、アセトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−アセタミド等のアミド系溶媒；テトラヒドロフラン；等の水混和性又は非水混和性極性有機溶媒の使用が好ましい。
【００７７】
用いる塩基としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物；水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等のアルカリ土類金属水酸化物；炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩；炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム等のアルカリ土類金属炭酸塩；が挙げられる。これらの中でも、水酸化ナトリウム等のアルカリ金属水酸化物の使用が好ましい。反応温度は、通常−２０℃から１５０℃、好ましくは３０℃から１２０℃の範囲であり、反応時間は、通常、数時間から十数時間である。
【００７８】
反応混合物の精製方法は、不純物を除去できる方法であれば特に制限はないが、ｐＨ調整により化合物（７）と不純物とを分離する方法が簡便である。例えば、反応混合物に水又は水−アルコール溶媒を添加した後、反応混合物を所定のｐＨ値に調整し、冷却することにより溶解度の差を利用して化合物（７）を優先的に析出させる方法が挙げられる。
【００７９】
用いるアルコールとしては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール等の低級アルコールが挙げられる。水又は水−アルコール溶媒の使用量は、反応混合物に対して、１〜５倍重量部である。
【００８０】
反応混合物のｐＨ値の調整は、例えば、反応混合物に硫酸、硝酸、塩酸等の酸又は水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ水溶液を、撹拌下に少量ずつ添加することにより行われる。ｐＨ値の調整は均一かつ正確に行う必要がある。また、分離を確実に達成するために、ｐＨ値の設定値を変化させて抽出する操作を複数回繰り返して行うこともできる。
最後に、析出結晶をろ取し、水又は水−アルコール溶媒で洗浄、乾燥することにより、着色のない化合物（７）を高純度かつ収率よく得ることができる。
【００８１】
【実施例】
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明する。本発明は下記の実施例に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で、ジフェニルスルホン化合物の種類、反応及び精製工程において用いる槽の種類等を自由に変更することができる。
【００８２】
なお、実施例においては全て蒸留水を用い、比較例においては全て工業用水を使用した。用いた蒸留水及び工業用水について鉄分含有量を、誘導結合高周波プラズマ発光分光分析装置により測定したところ、蒸留水の鉄分含有量は０．０５ｐｐｍ以下であり、工業用水の鉄分含有量は０．２６ｐｐｍであった。
また、実施例においては、反応槽及び精製槽として、内壁をガラスライニングした槽（以下、「ＧＬ槽」という。）を用い、比較例においては、一般的に用いられているＳＵＳ製の槽を用いた。
【００８３】
（実施例１）４−イソプロポキシ−４’−ヒドロキシジフェニルスルホンの製造
【００８４】
【化２９】
0004219608.tif 000012
【００８５】
４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン４５０ｇ、４８％水酸化ナトリウム水溶液２５５ｍｌ及び蒸留水１２０ｍｌをＧＬ槽に仕込み、撹拌しながら７５℃に昇温させて全容を均一な溶液とした。得られた溶液に、イソプロピルブロマイド２２５ｇを５５±３℃でゆっくりと滴下し、滴下終了後さらに５５±５℃で撹拌を継続した。滴下開始からトータルで２０時間経過後、反応液に８０℃の蒸留水２３５ｍｌを加え、８０℃で１時間加熱して、未反応のイソプロピルブロマイドを蒸発留去させた。その後、８０℃の蒸留水３００ｍｌ及びトルエン２５０ｍｌを８０℃で加えて十分に撹拌し、水層を分取した。
【００８６】
次いで、水層にトルエン１１００ｍｌ及び蒸留水２００ｍｌを７９℃で加え、同温度で３０分間撹拌した。さらに、３０％希硫酸を撹拌しながら８２℃で少量ずつ１時間かけて滴下して、反応液が均一にｐＨ８．３〜８．７になるように調整した。このものを８２℃で３０分間静置した後、トルエン層を分取した。さらに、このトルエン層にトルエン２５０ｍｌ及び水２５０ｍｌを８２℃で加え、同温度で２時間撹拌した後、８２℃で３０分間静置して、トルエン層を分取した。得られたトルエン層を冷却することにより、結晶を晶析させ、析出結晶をろ取し、水で洗浄、乾燥することにより、目的とする４−イソプロポキシ−４’−ヒドロキシジフェニルスルホンの粉末３６８．０ｇを得た（収率７０％）。
得られた４−イソプロポキシ−４’−ヒドロキシジフェニルスルホンの純度は９８％以上であった。また、このものを色差計（日本電色工業（株）製、型式：１００１ＤＰ）で測定したところ、ｂ値は２．５以下であり、着色は見られなかった。
【００８７】
（比較例１）４−イソプロポキシ−４’−ヒドロキシジフェニルスルホンの製造ＧＬ槽に代えてＳＵＳ製の槽を用い、蒸留水に代えて工業用水を用いる以外は、実施例２と同様にして、４−イソプロピポキシ−４’−ヒドロキシジフェニルスルホンの粉末３６８．０ｇを得た（収率７０％）。
得られた４−イソプロポキシ−４’−ヒドロキシジフェニルスルホンの純度は９８％以上であった。また、このものを色差計（日本電色工業（株）製、型式：１００１ＤＰ）で測定したところ、ｂ値は４．１であり、淡桃色の着色が見られた。
【００８８】
（実施例２）化合物〔下記化学式（１２）〕の製造
【００８９】
【化３０】
0004219608.tif 000013
【００９０】
（式中、ｘは１〜１０の整数を表す。）
ＧＬ槽中に、蒸留水４７．５ｍｌ、水酸化ナトリウム２５．６ｇ、４，４'−ジヒドロキシジフェニルスルホン８０．０ｇを加え、１１０±２℃で４時間撹拌し溶解させた。そこへ、ビス（２−クロロエチル）エーテル２０．３４ｇを１１０〜１１２℃で加え、同温度で８時間撹拌した。反応終了後、反応液に熱水１０８．１ｍｌを加えて８０℃まで冷却し、９０％メタノール水溶液１６７．４ｍｌを７０℃で加えて均一な溶液となるように３０分間撹拌した。次いで、７１℃で１０％塩酸１１６．４ｇをゆっくりと滴下してｐＨを４〜５とした。７１℃で１時間放置した後、２５〜３０℃に冷却して、さらに８時間放置した。析出結晶をろ取し、５０％メタノール水溶液２００ｍｌで洗浄し、乾燥して目的物（１２）の粉末６３．２ｇを得た（収率７８％）。
得られた化合物（１２）の純度は９９％以上であった。また、このものを色差計（日本電色工業（株）製、型式：１００１ＤＰ）で測定したところ、ｂ値は２．５以下であり、着色は見られなかった。
【００９１】
（比較例２）化合物〔前記化学式（１２）〕の製造
ＧＬ槽に代えてＳＵＳ製の槽を用い、蒸留水に代えて工業用水を用いる以外は実施例２と同様にして、化合物（１２）の粉末６３．２ｇを得た（収率７８％）。
得られた化合物（１２）の純度は９８％以上であった。また、このものを色差計（日本電色工業（株）製、型式：１００１ＤＰ）で測定したところ、ｂ値は４．１であり、淡桃色の着色が見られた。
【００９２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、従来の製造ラインに大幅に変更を加えることなく簡便に、着色のない高純度なジフェニルスルホン化合物を効率よく製造することができる。