(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂製絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に半導体素子を気密に収容してなり、前記樹脂製絶縁基体中にフィラーを７０〜９７重量％埋入させるとともにその１０〜８０重量％のフィラーに対し全容積が０．１〜３．０ｍｌ／ｇと成る多数の細孔を形成した半導体装置であって、前記細孔は孔径が３〜１００オングストロームのものが全容積のうち０．０１〜０．３ｍｌ／ｇ分、１０００〜３００００オングストロームのものが前記３〜１００オングストロームの孔径を有する細孔の全容積に対し１〜２０倍の容積分含有されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基体と、該基体上に固定される半導体素子と、該半導体素子の電極が接続される外部リード端子と、前記半導体素子、前記基体および前記外部リード端子の一部を被覆する樹脂製被覆材とから成り、該樹脂製被覆材中にフィラーを７０〜９７重量％埋入させるとともにその１０〜８０重量％のフィラーに対し全容積が０．１〜３．０ｍｌ／ｇと成る多数の細孔を形成した半導体装置であって、前記細孔は孔径が３〜１００オングストロームのものが全容積のうち０．０１〜０．３ｍｌ／ｇ分、１０００〜３００００オングストロームのものが前記３〜１００オングストロームの孔径を有する細孔の全容積に対し１〜２０倍の容積分含有されていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子を内部に収容するための半導体装置に関するものでありより詳しくは、絶縁基体を蓋体により気密封止するプリモールドタイプ半導体装置や樹脂により封止するモールドタイプ半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、コンピュータ等の情報処理装置に搭載されるプリモールドタイプ、あるいはモールドタイプの半導体装置は、例えばプリモールドタイプの場合、エポキシ樹脂から成り、上面に半導体素子を収容するための凹部を有する絶縁基体と、絶縁基体の凹部側から外側にかけて導出する複数個の外部リード端子と、絶縁基体の上面に封止材を介して取着され、絶縁基体の凹部を塞ぐ蓋体とから構成される半導体素子収納用パッケージを準備し、次に絶縁基体の凹部底面に半導体素子を樹脂製接着材を介して取着するとともに半導体素子の各電極を外部リード端子の一端にボンディングワイヤを介して電気的に接続し、しかる後、絶縁基体の上面に蓋体を樹脂製封止材を介して接合させ、半導体素子を絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に気密に収容することによって製作され、また、モールドタイプの場合には、半導体素子と、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金等の金属材料から成る基体および複数個の外部リード端子と、エポキシ樹脂等から成る被覆材とから構成されており、基体上に半導体素子を金−シリコン共晶合金等のロウ材を介して固定するとともに半導体素子の各電極を外部リード端子にボンディングワイヤを介して電気的に接続し、しかる後、半導体素子、基体および外部リード端子の一部を被覆材で被覆することによって製作されている。
【０００３】
しかしながら、この従来の半導体装置においては、プリモールドタイプの場合は絶縁基体が、またモールドタイプの場合は被覆材がそれぞれ、エポキシ樹脂等から成り、エポキシ樹脂等の樹脂材は耐湿性に劣り水分を吸収し易いために、大気中に含まれる水分が絶縁基体もしくは被覆材を通して内部に容易に浸入し、その結果、半導体素子の電極やボンディングワイヤ等にこの水分に起因する酸化腐食が発生するとともに半導体素子の電極やボンディングワイヤに断線を招来して半導体装置としての機能が喪失するという欠点を有していた。
【０００４】
上記欠点を解消するために、絶縁基体や被覆材に水分の浸入を防止するためシリカやアルミナ等の粒子から成るフィラーを埋入させておくことが考えられる。
【０００５】
しかしながら、絶縁基体もしくは被覆材にシリカやアルミナ等の粒子から成るフィラーを埋入させた場合、絶縁基体もしくは被覆材の成形性を考慮するとその埋入量は最大で97重量％であり、３重量％程度は依然としてエポキシ樹脂等の樹脂材が存在するために、絶縁基体や被覆材における水分の浸入は完全に遮断されず、その結果、半導体素子の電極等に依然として酸化腐蝕が発生するという問題点を有していた。
【０００６】
このような問題点をを解消するために、特開平９−208809号公報では半導体素子収納用パッケージを形成する樹脂中に、特定の粒子径・比表面積・平衡水分吸湿量（ＲＨ50％）および嵩密度を有する非晶質シリカ系定型粒子を埋入し、半導体素子収納用パッケージの吸湿性を改善することが提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の非晶質シリカ系定型粒子を埋入した樹脂を用いて形成された半導体装置においては吸湿性は改善されるものの、非晶質シリカ系定形粒子と樹脂の密着性が悪く、非晶質シリカ系定形粒子を含有した樹脂基板の曲げ強度が15ＧＰａ程度であり、特に、最近の半導体装置の軽量薄型の要求によって半導体装置の厚みが0.7ｍｍ程度と薄くなっていることもあり、例えば、プリモールドタイプの半導体装置の場合には、樹脂製絶縁基体に半導体素子を実装する際に樹脂製絶縁基体が撓んで半導体素子の位置ずれが生じ、その結果、ボンディングマシンでワイヤボンディング時にボンディングワイヤの接続不良が発生してしまうという問題点を有していた。また、モールドタイプの半導体装置においては、半導体装置が撓むことにより、被覆材で固定されたボンディングワイヤが断線してしまい、接続不良を発生させてしまうという問題点を有していた。
【０００８】
本発明はかかる従来技術の問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は、半導体素子の電極やボンディングワイヤ等に酸化腐食による断線を発生することがなく、かつ、絶縁基体や被覆部の曲げ強度が高く、ワイヤボンディング時に接続不良を発生したりボンディングワイヤが断線したりすることがない半導体装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は、樹脂製絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に半導体素子を気密に収容してなり、樹脂製絶縁基体中にフィラーを70〜97重量％埋入させるとともにその10〜80重量％のフィラーに対し全容積が0.1〜3.0ｍｌ／ｇと成る多数の細孔を形成した半導体装置であって、細孔は孔径が３〜100オングストロームのものが全容積のうち0.01〜0.3ｍｌ／ｇ分、かつ1000〜30000オングストロームのものが３〜100オングストロームの孔径を有する細孔の全容積に対し１〜20倍の容積分含有されていることを特徴とするものである。
【００１０】
また、本発明の半導体装置は、基体と、基体上に固定される半導体素子と、その半導体素子の電極が接続される外部リード端子と、半導体素子、基体および外部リード端子の一部を被覆する樹脂製被覆材とから成り、樹脂製被覆材中にフィラーを70〜97重量％埋入させるとともにその10〜80重量％のフィラーに対し全容積が0.1〜3.0ｍｌ／ｇと成る多数の細孔を形成した半導体装置であって、細孔は孔径が３〜100オングストロームのものが全容積のうち0.01〜0.3ｍｌ／ｇ分、かつ1000〜 30000オングストロームのものが３〜100オングストロームの孔径を有する細孔の全容積に対し１〜20倍の容積分含有されていることを特徴とするものである。
【００１１】
本発明の半導体装置によれば、半導体素子を収容する容器の樹脂製絶縁基体や半導体素子を被覆する樹脂製被覆材にシリカ等から成るフィラーを70〜97重量％埋入させたことから、樹脂製絶縁基体や樹脂製被覆材への水分の浸入が大幅に阻止される。
【００１２】
また、本発明の半導体装置によれば、10〜80重量％のフィラーに対し全容積が0.1〜3.0ｍｌ／ｇと成る多数の細孔を形成したことから、樹脂製絶縁基体や樹脂製被覆材に浸入した少量の水分は細孔内に吸着されることとなって半導体素子やボンディングワイヤに水分が到達することはなく、その結果、半導体素子の電極やボンディングワイヤに酸化腐蝕に起因する断線が発生することはなく、半導体素子を長期間にわたり正常かつ、安定に作動させることができる。
【００１３】
さらに、本発明の半導体装置によれば、樹脂がフィラーの孔径３〜100オングストロームおよび孔径1000〜30000オングストロームの細孔に充填され、孔径３〜100オングストロームの細孔に充填された樹脂のミクロなアンカー効果と孔径1000〜30000オングストロームの細孔に充填された樹脂のマクロなアンカー効果との相乗効果により樹脂とフィラーとの接合が強固なものとなり、樹脂製絶縁基体や樹脂製被覆材の曲げ強度を高くすることができることから、半導体装置の厚みが0.7ｍｍ程度と薄くなったとしても、樹脂製絶縁基体に半導体素子を実装する際に樹脂製絶縁基体が撓んで半導体素子の位置ずれが生じてしまったり、半導体装置が撓んで被覆材で固定されたボンディングワイヤが断線してしまうことはない。
【００１４】
【発明の実施の形態】
次に、本発明を添付図面に基づき詳細に説明する。
【００１５】
図１は本発明の半導体装置としてプリモールドタイプを例に取った実施の形態の一例を示す断面図であり、１は絶縁基体、２は蓋体である。この絶縁基体１と蓋体２とで半導体素子３を収容するための容器４が構成される。
【００１６】
絶縁基体１はその上面中央部に半導体素子３を収容するための凹部１ａを有しており、凹部１ａの底面には半導体素子３が樹脂性接着剤７を介して接着固定される。
【００１７】
絶縁基体１は、エポキシ樹脂・フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂やポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）・液晶ポリマー（ＬＣＰ）等の熱可塑性樹脂から成り、例えば、所定型内にタブレット状に成形された粉末のエポキシ樹脂をセットして注入するとともにこれを 150〜200℃の温度で熱硬化させることによって製作される。
【００１８】
また絶縁基体１は、その内部にシリカ等から成るフィラーが埋入されており、このフィラーは大気中に含まれる水分が絶縁基体１に浸入しようとするのを有効に阻止する作用を成す。
【００１９】
絶縁基体１に埋入されるフィラーはその埋入量が70重量％未満となると、絶縁基体１への水分の浸入を有効に阻止することが困難になる傾向があり、また97重量％を超えると金型を用いて絶縁基体１を形成する際の成形性が悪くなって、所定形状の絶縁基体１が得られなくなる傾向がある。したがって、絶縁基体１に埋入されるフィラーは70〜97重量％の範囲が好ましい。
【００２０】
なお、フィラーは所定型内に注入されたエポキシ樹脂を熱硬化させることにより絶縁基体１を形成する際、型内に注入されたエポキシ樹脂にあらかじめシリカ等から成る粉末を添加混合しておくことによって絶縁基体１に埋入される。
【００２１】
また、フィラーは直径が１〜10μｍの球状と成しておくと、絶縁基体１への埋入が絶縁基体１の全体にわたって均一、かつ高密度となり、これによって絶縁基体１全体における水分の浸入を有効に阻止することが可能と成る。したがって、絶縁基体１に埋入されるフィラーは直径が１〜10μｍの球状と成しておくことが好ましい。
【００２２】
絶縁基体１に埋入されたフィラーは、その10〜80重量％に対して、全容積が0.1〜3.0ｍｌ／ｇと成る多数の細孔が形成されており、この多数の細孔によって絶縁基体１に浸入した少量の水分を完全に吸着し、水分が半導体素子３や後述するボンディングワイヤ６にまで浸入し、半導体素子３の電極やボンディングワイヤ６が水分と接触するのを防止する。
【００２３】
このようなフィラーの細孔は、例えば、まず珪酸アルカリ金属やアルミン酸アルカリ金属・シリカゾル等の出発原料を混合するとともにこれを約80〜120℃の温度で水熱反応を起こさせてアルミニウムとシリコンからなるゼオライトの結晶を析出させ、次に、ゼオライトと珪酸アルカリ金属とを含有する水性スラリーを製作するとともにスラリーに酸を添加してゼオライトから成る芯体に非晶質シリカから成る多孔質の被膜層を被着させた被覆粒子を形成し、しかる後、被覆粒子に更に酸を作用させ、被覆粒子のゼオライト中のアルカリ金属成分およびアルミニウム成分の一部を溶出させることによって形成される。また、アルカリを作用させ、アルカリの濃度条件および処理時間を制御して所望とする細孔径の分布を得ることができる。
【００２４】
また、細孔を有するフィラーは、絶縁基体１に埋入させたフィラーに対して10重量％未満であると絶縁基体１の曲げ強度が弱くなる傾向があり、また、80重量％を超えると金型を用いて絶縁基体１を形成する際の成形性が悪くなって所定形状および寸法精度の良好な絶縁基体１が得られなくなる傾向がある。したがって、細孔を有するフィラーはその埋入量が10〜80重量％の範囲が好ましく、とりわけ成型時の樹脂の混練安定性の観点からは15〜70重量％の範囲であることがより好ましい。
【００２５】
さらに、フィラーに形成する細孔はその全容積が0.1ｍｌ／ｇ未満であると耐湿性に劣る傾向があり、また、3.0ｍｌ／ｇを超えると金型を用いて絶縁基体１を成形する際の成形性が悪くなって所定形状および良好な寸法精度の絶縁基体１が得られなくなる傾向がある。したがって、フィラーに形成する細孔はその全容積が0.1〜3.0ｍｌ／ｇの範囲が好ましい。
【００２６】
また、本発明においては、このような細孔の全容積の内、孔径３〜100オングストロームのものが全容積0.01〜0.3ｍｌ／ｇ分、1000〜30000オングストロームのものが孔径３〜100オングストロームの細孔の全容積分に対し１〜20倍となっている。
【００２７】
孔径３〜100オングストロームの細孔は、その全容積が0.01ｍｌ／ｇ未満であると樹脂との接着強度が低くなり、その結果、絶縁基体１の曲げ強度が低くなる傾向があり、また0.3ｍｌ／ｇを超えると金型を用いて絶縁基体１を形成する際の成形性が悪くなって所定形状および良好な寸法精度の絶縁基体１が得られなくなる傾向がある。したがって、孔径３〜100オングストロームの細孔の全容積は0.01〜0.3ｍｌ／ｇの範囲であることが好ましい。なお、絶縁基体１の吸湿性の向上の観点からは、孔径３〜100オングストロームの細孔の全容積は0.05〜0.3ｍｌ／ｇの範囲であることがより好ましい。
【００２８】
また、孔径1000〜30000オングストロームの細孔の全容積が孔径３〜100オングストロームの細孔の全容積の１倍未満であると、孔径1000〜30000オングストロームの細孔の絶対数が少なくなり、孔径1000〜30000オングストロームの細孔に充填された樹脂のマクロなアンカー効果が発現されず、絶縁基体１の曲げ強度が低下する傾向がある。また、20倍を超えると孔径３〜100オングストロームの細孔の絶対数が少なくなり、孔径３〜100オングストロームの細孔に充填された樹脂のミクロなアンカー効果が発現されず、樹脂とフィラーの接着強度が低下し、絶縁基体１の曲げ強度が低下する傾向がある。したがって、孔径1000〜30000オングストロームの細孔の全容積は、孔径３〜100オングストロームの細孔の全容積の１〜20倍の範囲とすることが好ましい。また、接着強度をより強くしてリフロー時の高温でのクラックの発生を防止するという観点からは、孔径1000〜30000オングストロームの細孔の全容積が孔径３〜100オングストロームの細孔の全容積の２〜12.5倍とすることがより好ましい。
【００２９】
なお、フィラーの細孔の内、孔径３〜100オングストロームの細孔の容積は、固体に対する気体の吸着に対し提案されている吸着等温式（B.E.T.法）より算出するガス吸着法により測定したものであり、他方、孔径1000〜30000オングストロームの細孔の容積は、試料を没した水銀に順次圧力を加えながら異なる孔径の細孔中への水銀圧入量を測定することにより細孔の容積を求める水銀圧入法により測定したものである。
【００３０】
このようなフィラーが埋入された絶縁基体１は、凹部１ａ内側から外側にかけて複数個の外部リード端子５が取着されており、外部リード端子５の凹部１ａ内側に露出するそれぞれの部位には、半導体素子３の各電極がボンディングワイヤ６を介して電気的に接続され、また、外側に露出する部位には外部電気回路が接続される。
【００３１】
外部リード端子５は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金や42アロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）等の金属材料から成り、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等のインゴット（塊）を圧延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法を採用することによって所定の板状に形成される。
【００３２】
外部リード端子５は、タブレット状に成形された粉末のエポキシ樹脂をセットして注入することによって絶縁基体１を製作する際、所定型内の所定位置にあらかじめセットしておくことによって絶縁基体１の凹部１ａ内側から外側にかけて一体的に取着される。
【００３３】
なお、外部リード端子５はその露出する表面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、且つロウ材と濡れ性の良い金属を 0.1〜20μｍの厚みに被着させておくと外部リード端子５の酸化腐食を有効に防止することができるとともに、外部リード端子５とボンディングワイヤ６との接続および外部リード端子５と外部電気回路との接続を強固なものと成すことができる。
【００３４】
次に、外部リード端子５が取着された絶縁基体１は、更にその上面にガラスやセラミックス・金属・樹脂等の板材から成る蓋体２が樹脂製封止材を介して取着され、蓋体２で絶縁基体１の凹部１ａを塞ぎ、絶縁基体１と蓋体２とから成る容器４の内部を気密に封止し、容器４内部に半導体素子３を気密に収容することによって最終製品としての半導体装置となる。
【００３５】
また、図２は本発明の他の実施例の断面図であり、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金や４２アロイ等の金属材料から成る基体11と、複数個の外部リード端子13とを準備し、基体11上に半導体素子12を金−シリコン共晶合金等のロウ材16を介して固定するとともに半導体素子12の各電極を外部リード端子13にボンディングワイヤ14を介して電気的に接続し、しかる後、半導体素子12、基体11および外部リード端子13の一部を樹脂材料からなる被覆材15で被覆することによって製作したものである。
【００３６】
この場合、被覆材15に上述の実施例と同様に、シリカ等から成るフィラーを70〜97重量％埋入させ、そのうちの10〜80重量％のフィラーに対して全容積が0.1〜3.0ｍｌ／ｇと成る多数の細孔を形成して、孔径３〜100オングストロームのものが全容積0.01〜0.3ｍｌ／ｇ分、孔径1000〜30000オングストロームのものが孔径３〜100オングストロームの細孔の全容積に対し１〜20倍の容積分としたことから、樹脂がフィラーの孔径３〜100オングストロームおよび孔径1000〜30000オングストロームの細孔に充填され、孔径３〜100オングストロームの細孔に充填された樹脂のミクロなアンカー効果と孔径1000〜30000オングストロームの細孔に充填された樹脂のマクロなアンカー効果との相乗効果により樹脂とフィラーとの接合が強固なものとなり、被覆材15の曲げ強度を高くすることができ、半導体装置の厚みが0.7ｍｍ程度と薄くなったとしても、半導体装置が撓んで被覆材15で固定されたボンディングワイヤが断線してしまうことはない。
【００３７】
【実施例】
次に本発明の半導体装置を以下のようにして評価した。
【００３８】
先ず、プリモールドタイプ半導体装置として、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂とフェノールノボラックとからなる熱硬化性樹脂に、表１に示した配合比でフィラーおよび添加剤を添加混合して、42アロイ製の外部リードをセットした所定型内に注入するとともにこれを150〜200℃の温度で熱硬化させることによって製作製作した。
【００３９】
【表１】
0004360578.tif 000002
【００４０】
なお、本発明の評価用に用いたフィラーは、溶融シリカと多孔質シリカを混合したもので、多孔質シリカを全フィラーの37.5重量％の割合で混合したものであり、その細孔容積は0.6ｍｌ／ｇで、孔径1000〜30000オングストロームの細孔の容積が孔径３〜100オングストロームの細孔の容積の５倍のフィラーである。
【００４１】
また、比較用として用いたフィラーは、溶融シリカと多孔質シリカを混合したもので、多孔質シリカを全フィラーの37.5重量％の割合で混合したものであり、その細孔容積は0.6ｍｌ／ｇで、孔径1000〜30000オングストロームの細孔の容積が、孔径３〜100オングストロームの細孔の容積の0.3倍と1000倍のフィラーである。
【００４２】
評価は、まず評価用および比較用試料の半導体収納用パッケージの裏面中央部に、４ｍｍφの剛球で58.8Ｎの点荷重を負荷したときの荷重点変位によりたわみ量の測定を行った。
【００４３】
次に、接続信頼性の評価を、ボンディングマシーンを用いて半導体素子を半導体収納用パッケージに搭載しワイヤーボンダーにより半導体素子と外部リード端子とを電気的に接続した後、リード間の導通抵抗値をデジタルマルチメータで測定することにより接続の有無を測定し、接続不良のサンプル数で評価を行なった。
【００４４】
さらに、耐湿性の評価は、半導体素子を搭載したパッケージにビスフェノールＡ型エポキシ封止材によりガラス製の蓋体を接着し、121℃、2.1×10５Ｐａの飽和蒸気中でプレッシャー・クッカ−・テスト（ＰＣＴ）を行い、蓋体内面に結露が発生するまでの時間で行なった。
【００４５】
また、曲げ弾性率は、配合材を所定の形状に成形した樹脂硬化体を用いて、ＪＩＳ  Ｋ−6911に準ずる方法で曲げ強度測定を行い曲げ弾性率を得た。
【００４６】
次に、モールドタイプ半導体装置として、42アロイ製の基体上に半導体素子を搭載固定し、半導体素子をボンディングワイヤにより42アロイ製の外部リード端子と電気的に接続した後金型にセットし、表１に示した配合割合でフィラーおよび添加剤を添加混合したクレゾールノボラック型エポキシ樹脂とフェノールノボラックからなる熱硬化性樹脂を成形することにより製作した。
【００４７】
なお、このモールドタイプ半導体装置の評価は、まずプリモールドタイプと同じ方法によりたわみ量を測定し、次に、接続信頼性を、たわみ量測定後の半導体装置外部リード端子間の導通抵抗値をデジタルマルチメータで測定することにより電気的接続の有無を測定し、接続不良のサンプル数で評価した。
【００４８】
また、耐湿性の評価は、半導体装置を2.1×10５Ｐａの飽和蒸気中でプレッシャー・クッカー・テスト（ＰＣＴ）を行った後、260℃の半田層に５秒間浸漬した時に耐湿性不良が発生するまでのＰＣＴ投入時間をで行なった。
【００４９】
表２に、評価用および比較用試料の測定結果を示す。
【００５０】
【表２】
0004360578.tif 000003
【００５１】
表２から、プリモールドタイプ半導体装置の比較例である試料番号３および５は、曲げ弾性率が15ＧＰａ以下と低いためにたわみ量が50μｍ以上と大きく、接続信頼性においても60％以上の不良が生じた。また、モールドタイプ半導体装置の比較例である試料番号４および６も曲げ弾性率が15ＧＰａ以下と低いためにたわみ量が50μｍ以上と大きく、接続信頼性も40％以上と不良率が高かった。
【００５２】
それらに対して本発明の評価用のプリモールドタイプ半導体装置の場合、曲げ弾性率が21ＧＰａと高いためにたわみ量が43μｍと小さく、接続不良も発生しなかった。また、同じくモールドタイプ半導体装置の場合も、曲げ弾性率が21ＧＰａと高いためにたわみ量が38μｍと小さく、接続信頼性においても不良率は０％であった。
【００５３】
さらに、記プリモールドタイプにおける絶縁基体およびモールドタイプにおける被覆部を構成する樹脂の曲げ弾性率も比較例の1.4倍以上の大きさであった。
【００５４】
他方、耐湿性においても評価用の試料は比較例より 1.2倍以上の時間、不良が発生しないという優れたものであった。
【００５５】
なお、本発明の半導体装置は、前記実施例に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない限り種々の適用が可能である。
【００５６】
【発明の効果】
本発明の半導体装置によれば、半導体素子を収容する容器の樹脂製絶縁基体や半導体素子を被覆する樹脂製被覆材にシリカ等から成るフィラーを70〜97重量％埋入させたことから、樹脂製絶縁基体や樹脂製被覆材への水分の浸入が大幅に阻止される。
【００５７】
また、本発明の半導体装置によれば、10〜80重量％のフィラーに対し全容積が0.1〜3.0ｍｌ／ｇと成る多数の細孔を形成したことから、樹脂製絶縁基体や樹脂製被覆材に浸入した少量の水分は細孔内に吸着されることとなって半導体素子やボンディングワイヤに水分が到達することはなく、その結果、半導体素子の電極やボンディングワイヤに酸化腐蝕に起因する断線が発生することはなく、半導体素子を長期間にわたり正常かつ、安定に作動させることができる。
【００５８】
さらに、本発明の半導体装置によれば、樹脂がフィラーの孔径３〜100オングストロームおよび孔径1000〜30000オングストロームの細孔に充填され、孔径３〜100オングストロームの細孔に充填された樹脂のミクロなアンカー効果と孔径1000〜30000オングストロームの細孔に充填された樹脂のマクロなアンカー効果との相乗効果により樹脂とフィラーとの接合が強固なものとなり、樹脂製絶縁基体や樹脂製被覆材の曲げ強度を高くすることができることから、半導体装置の厚みが0.7ｍｍ程度と薄くなったとしても、樹脂製絶縁基体に半導体素子を実装する際に樹脂製絶縁基体が撓んで半導体素子の位置ずれが生じてしまったり、半導体装置が撓んで被覆材で固定されたボンディングワイヤが断線してしまうことはない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置の一例を示すプリモールドタイプの断面図である。
【図２】本発明の半導体装置の一例を示すモールドタイプの断面図である。
【符号の説明】
１・・・・・・樹脂性絶縁基体
２・・・・・・蓋体
３、12・・・・半導体素子
４、・・・・・容器
５、13・・・・外部リード端子
11・・・・・・基体
15・・・・・・樹脂性被覆材
【図１】
0004360578.tif 000004
【図２】
0004360578.tif 000005