(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
５〜１５重量％のアルカノールアミンと、
３５〜５５重量％のスルホキシド化合物又はスルホン化合物と、
３５〜５５重量％のグリコールエーテルと、
0004358935.tif 000009
（式中、ｎは０又は１〜１０の整数）
で表される群より選択される少なくとも１つの界面活性剤とを含むことを特徴とするフォトレジスト用ストリッパー組成物。
【請求項２】
前記アルカノールアミンは、モノイソプロパノールアミン及びモノエタノールアミンからなる群より選択される少なくとも１つの化合物を含む請求項１に記載のフォトレジスト用ストリッパー組成物。
【請求項３】
前記スルホキシド化合物は、ジメチルスルホキシド及びジエチルスルホキシドからなる群より選択される少なくとも１つの化合物を含み、前記スルホン化合物は、ジエチルスルホン及びジメチルスルホンからなる群より選択される少なくとも１つの化合物を含む請求項１又は２に記載のフォトレジスト用ストリッパー組成物。
【請求項４】
前記グリコールエーテルは、エチルジグリコール、メチルジグリコール及びブチルジグリコールからなる群より選択される少なくとも１つの化合物を含む請求項１〜３のいずれか１つに記載のフォトレジスト用ストリッパー組成物。
【請求項５】
１０重量％のアルカノールアミンと、
４５重量％のスルホキシド化合物又はスルホン化合物と、
４５重量％のグリコールエーテルとを含む請求項１〜４のいずれか１つに記載のフォトレジスト用ストリッパー組成物。
【請求項６】
フォトレジストを剥離するためのエアナイフ工程又は浸漬法を使った単一ウェハ処理方法に適用可能である請求項１〜５のいずれか１つに記載のフォトレジスト用ストリッパー組成物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フォトレジスト用ストリッパー組成物に関し、より詳しくは、液晶表示装置回路の製造において、エアナイフ装備が取付けられた枚葉方式によりフォトレジストを剥離する場合でも、不純物粒子の生成を抑制することができるフォトレジスト用ストリッパー組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置回路または半導体集積回路は極めて微細な構造で構成されており、このような微細構造回路は、基板上に形成された酸化膜等の絶縁膜、及びアルミニウム合金膜等の導電性金属膜にフォトレジストを均一にコーティングあるいは塗布し、このフォトレジストを露光して現像することにより、所定の形状のパターンを作成する。そして、パターンが形成されたフォトレジストをマスクを用いて上記絶縁膜又は金属膜をエッチングして微細回路を形成した後、フォトレジストパターンを除去して製造する。このようなフォトレジスト除去のためのストリッパーには、一般に、低温及び高温条件下でのフォトレジストの剥離性に優れ、剥離時に不純物微粒子を基板に残さず、かつアルミニウム等の金属層を腐食しないことが要求される。また、大型の液晶表示装置回路の製造においては、多量のストリッパーが用いられるため、人体に対する毒性が少なくなければならず、また環境的にも害が少ないのが好ましい。
【０００３】
このような要件を満たすために、多様なフォトレジスト用ストリッパー組成物が開発されているが、例えば、米国特許第５，４８０，５８５号及び日本国特開平５−２８１７５３号には、化学式Ｈ3-nＮ（（ＣＨ2）mＯＨ）n（ｍは２又は３、ｎは１，２又は３）のアルカノールアミンと，スルホン化合物又はスルホキシド化合物と、化学式Ｃ6Ｈ6-n（ＯＨ）n（ｎは１，２又は３）のヒドロキシル化合物とを含むフォトレジスト用有機ストリッパーが開示されている。日本国特開平４−１２４６６８号には、有機アミン２０〜９０重量％と、リン酸エステル界面活性剤０．１〜２０重量％と、２−ブチン−１，４−ジオール０．１〜２０重量％と、残部としてグリコールモノアルキルエーテル及び／又は非プロトン性極性溶媒とからなるフォトレジスト用剥離性組成物が開示されている。
ここで、グリコールモノアルキルエーテルとしては、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等が用いられ、非プロトン性極性溶媒としては、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等が用いられている。また、２−ブチン−１，４−ジオール及びりん酸エステル界面活性剤は、フォトレジストに吸湿された有機アミンによりアルミニウム及び銅等の金属層が腐食されるのを防止するために、剥離特性を低下させない限度で添加された。
【０００４】
また、日本国特開平８−８７１１８号では、Ｎ−アルキルアルカノールアミン５０〜９０重量％と、ジメチルスルホキシド又はＮ−メチル−２−ピロリドン５０〜１０重量％とからなる組成物が開示されており、このようにＮ−アルキルアルカノールアミンと特定の有機溶媒とからなる溶剤を剥離剤として用いることにより、高温の厳しい剥離条件下でも不溶物の析出が起こらず、微粒子が基板に残らないと記載されている。
日本国特開昭６４−４２６５３号では、ジメチルスルホキシド５０重量％以上、さらに好ましくは７０重量％以上を含み、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル，ジエチレングリコールジアルキルエーテル，γ−ブチロラクトン及び１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンより選択された少なくとも一種の溶剤１〜５０重量％、及びモノエタノールアミン等の含窒素有機ヒドロキシル化合物０．１〜５重量％を含むフォトレジスト用ストリッパー組成物が開示されている。ここで、ジメチルスルホキシドが５０重量％未満である場合には、剥離性が著しく弱化し、含窒素有機ヒドロキシル化合物の溶剤が５重量％を超えると、アルミニウム等の金属層が腐食すると記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする問題】
このような多様なストリッパー組成物は、成分化合物及び成分比によってフォトレジストの剥離性、金属の腐食性、フォトレジスト剥離後の洗浄工程の複雑性、環境安定性、作業性、価格などが著しく異なっており、多様な工程条件に対し最適な性能を有するフォトレジスト組成物の開発が現在も行われている。
これまでに開発されたフォトレジスト組成物は、エッチングされた多数の半導体集積回路又は液晶表示装置回路を剥離液に含浸させてフォトレジストを除去する浸漬（dipping）方式の設備に適合した組成であって、剥離性能、金属の腐食防止性能及び人体安全性等の改良をその主な目的としている。
したがって、フォトレジストを除去するためにエアナイフ（air knife）を用いる枚葉式設備に従来のフォトレジスト用ストリッパーを用いる場合には、浸漬方式の設備において現われる長所が発揮されず、不純物微粒子が基板に残存するだけではなく、剥離性能が低下して液晶表示装置や半導体の微細な回路を形成し難いという欠点があった。
また、設備内の粒子を測定するためのベアガラス（bare glass）は、ＩＴＯ（indium tin oxide）膜、アルミニウム、クロム、窒化シリコン膜及びアモルファスシリコン膜に比べ物理的な特性が異なるため、同様な剥離剤を用いて処理しても、洗浄後の不純物微粒子がベアガラス上に残存するという問題点が残る。このような問題点は、フォトレジストが形成された絶縁膜及び導電性金属膜とベアガラスとでは表面性質が異なることに起因している。このため、エアナイフを用いて多様な膜状に形成されたフォトレジストを剥離させる場合には、このような対象物質の特性が考慮されるべきである。
【０００６】
特に、近年は液晶表示装置が大型化し大量生産が行われるため、ストリッパーの使用量が多い浸漬方式よりも、液晶表示装置回路を一枚ずつ処理する枚葉式設備（single-wafer treatment method）を用いたフォトレジストの剥離が一般化している。このため、エアナイフ工程によりフォトレジストを剥離するのに適したストリッパー組成物の開発が求められている。
【０００７】
本発明の目的は、浸漬方式を用いる設備のみならず、エアナイフ工程を利用する枚葉式設備にも適したフォトレジスト用ストリッパー組成物を提供することにある。また、このようなエアナイフ工程が採用される枚葉式設備でフォトレジストを剥離させる場合でも、基板上に不純物粒子が残らないようにすることのできるフォトレジスト用ストリッパー組成物を提供することにある。
【０００８】
また、本発明の他の目的は、多様な液晶表示装置全膜質に対しても同一の剥離性能を表すことができ、ベアガラスの洗浄時にも不純物粒子を生成しないフォトレジスト用ストリッパー組成物を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、５〜１５重量％のアルカノールアミンと、３５〜５５重量％のスルホキシド又はスルホン化合物と、３５〜５５重量％のグリコールエーテルとを含むフォトレジスト用ストリッパー組成物である。
本発明のストリッパー組成物は、ベアガラスの洗浄時、不純物粒子の生成、残留を防止するために、界面活性剤をさらに含むことができ、エアナイフ工程を通じてフォトレジストを剥離するのに有用である。
【００１０】
大型ＴＦＴＬＣＤ（thin film transistor liquid crystal display）の量産ラインでは、高圧の空気圧力を用いるエアナイフが採用される枚葉式設備を用いることにより、一枚ずつ処理する方式にてストリッパー組成物が含浸されたフォトレジストを剥離させる。このような枚葉式設備に用いられるストリッパーは、ストリッパーの化学的性能が良好であるだけでなく、ＬＣＤ全膜質における物理的挙動が良好でなければならない。すなわち、枚葉式設備に適したストリッパーは、科学的に剥離性能、金属腐食の抑制性能などが基本的に良好であり、エアナイフ工程中の不純物微粒子が基板上に残る現象を防止できなければならない。
このように不純物微粒子の生成を防止するためには、ストリッパー組成物がＩＴＯ膜、アルミニウム、クロム、窒化シリコン、アモルファスシリコン膜等のＬＣＤ全膜質に容易に吸収されなければならない。また、ストリッパー組成物とＬＣＤ全膜質との表面張力をできるだけ小さく、かつ均一に維持することができ、さらにストリッパー組成物の粘度及び揮発度が小さくなければならない。また、このようなストリッパーはＬＣＤ全膜質上に滴下されたストリッパーとＬＣＤ全膜質表面との間の接触角（contact angle）が小さく、接触角の時間変化率も小さくなければならない。このようなストリッパーは、多様なＬＣＤ全膜質に対し同一の物理的な特性を示すだけでなく、設備内の粒子を測定する場合、ベアガラスに不純物粒子を生成しないものであればさらに好ましい。
本発明者は、浸漬方式だけでなく、枚葉式処理方式に特に適合し、多様な下部膜質に有用に適用し得るストリッパー組成物について研究した結果、本発明の完成に至った。
【００１１】
本発明のフォトレジスト用ストリッパー組成物は、５〜１５重量％のアルカノールアミンと、３５〜５５重量％のスルホキシド又はスルホン化合物と、３５〜５５重量％のグリコールエーテルとを含み、好ましくは、ストリッパー組成物１００重量部に対して、０．０５〜０．５重量部の界面活性剤をさらに含む。
【００１２】
アルカノールアミンは、フォトレジストを剥離させるための成分であって、モノイソプロパノールアミン（ＭＩＰＡ：ＣＨ3ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2ＮＨ2）又はモノエタノールアミン（ＭＥＡ：ＨＯ（ＣＨ2）2ＮＨ2）を用いるのが好ましく、モノエタノールアミンを用いるのが最も好ましい。アルカノールアミンの使用量が５重量％未満では、フォトレジストの剥離性能が低下してフォトレジスト微粒子が全膜質に残存するようになり、１５重量％を超えると、ＬＣＤ全膜質との吸水性が小さくなり、ＬＣＤ全膜質における接触角が大きくなってエアナイフ特性が低下する。
【００１３】
スルホキシド及びスルホン化合物は、フォトレジストを溶解させる溶剤の役割を有しているだけではなく、ストリッパー組成物とＬＣＤ全膜質との表面張力を調節するための成分であって、ジエチルスルホキシド（Ｃ2Ｈ5ＳＯＣ2Ｈ5）、ジメチルスルホキシド（ＣＨ3ＳＯＣＨ3）、ジエチルスルホン（Ｃ2Ｈ5ＳＯ2Ｃ2Ｈ5）、又はジメチルスルホン（ＣＨ3ＳＯ2ＣＨ3）を用いるのが好ましく、ジメチルスルホキシドを用いるのがより好ましい。スルホキシド又はスルホン化合物の使用量が３５重量％未満では、ＬＣＤ全膜質との吸水性が小さくなり、ＬＣＤ全膜質における接触角が大きくなってエアナイフ特性が低下し、５５重量％を超えると、フォトレジストの剥離性能が低下する。
【００１４】
グリコールエーテルは、スルホキシド又はスルホン化合物とともにフォトレジストを溶解させる溶剤の役割を有しているだけでなく、ＬＣＤ全膜質との表面張力を調節するための成分であって、アルカノールアミンとスルホキシドとからなるストリッパー組成物のエアナイフ特性をさらに向上させる役割を有している。すなわち、ジメチルスルホキシド自体はエアナイフ特性が良好であるが、これをモノエタノールアミン等と混合すると、エアナイフ特性が著しく低下する。しかし、ジメチルスルホキシドとモノエタノールアミンとからなる２成分系に適当な量のグリコールエーテルを添加すると、エアナイフ特性及びフォトレジストの剥離性能をともに向上させることができる。グリコールエーテル化合物としては、カルビトール（Ｃ2Ｈ5（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）2Ｈ）、メチルジグリコール（ＣＨ3（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）2Ｈ）又はブチルジグリコール（Ｃ4Ｈ9（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）2Ｈ）を用いるのが好ましく、ブチルジグリコールを用いるのが最も好ましい。グリコールエーテルの使用量が３５重量％未満では、ストリッパー組成物がＬＣＤ全膜質に容易に吸収されず、ＬＣＤ全膜質における接触角が大きくなりエアナイフ特性が低下し、５５重量％を超えると、フォトレジストの剥離性能が低下する。
【００１５】
界面活性剤は、設備内の粒子測定の際にベアガラスに不純物粒子が残る現象を防止するための成分であって、剥離剤組成物１００重量部に対して、０．０５〜０．５重量部を添加して用いるのが好ましい。剥離剤組成物の使用量がストリッパー組成物１００重量部に対して０．０５重量部未満では、ベアガラスに塗布されたストリッパー組成物を水などで洗滌して除去するか、又はエアナイフ工程後にストリッパー組成物が不均一に残留して、不純物微粒子がベアガラス上に不均一に生成されるので好ましくない。また、界面活性剤の使用量がストリッパー組成物１００重量部に対して０．５重量部を超えると、ストリッパーの物性の改善効果が現われない。ベアガラスは、実際工程では露出しないが、実際工程を適用する前の設備上の粒子チェック工程においてストリッパーできれいに洗浄しなければならない。しかし、一般的にベアガラス上においてのストリッパーの物理的特性は、ＩＴＯ、アルミニウム、クロム、窒化シリコン及びアモルファスシリコン膜上における物理的な特性と異るため、本発明のストリッパー組成物をそのまま用いると、不純物微粒子がベアガラス上に不均一に生成されるので、かかる問題点を界面活性剤を添加して解決する。
【００１６】
このような界面活性剤としては親水基と疎水基をともに有している下記化学式３（ｎは０〜１０の整数であるのが好ましい）のＦ−１４系列の化合物（日本メカペース株式会社製）、又は下記化学式４（Ｒはアルキル基）のＬＰ１００系列の化合物（米国ＩＳＰ株式会社製）を用いるのが好ましい。
【化３】
0004358935.tif 000002
【化４】
0004358935.tif 000003
【００１７】
また、本発明のフォトレジスト用剥離剤組成物は、ベアガラス及びＬＣＤ全膜質上のポリマーを除去するために１〜１０重量％のＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）又は３〜１５重量％のベンゼンジオールをさらに含むのが好ましく、またＬＣＤ全膜質の腐食を防止するために１〜１５重量％のアルキルスルホン酸をさらに含むこともできる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例及び比較例について詳細に説明する。なお、下記実施例は本発明を例示するものであり、本発明がこれらに限られるわけではない。
【００１９】
［実施例１−３、比較例１−１６］
有機アミン類剥離剤と溶剤とからなるそれぞれのストリッパー組成物を表１に示す成分比にしたがって混合し、実施例１−３及び比較例１−１６を調製した。表１において、ＭＩＰＡ及びＭＥＡはフォトレジストを剥離させる有機アミン類であって、それぞれモノイソプロパノールアミン（ＣＨ3ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2ＮＨ2）及びモノエタノールアミン（ＨＯ（ＣＨ2）2ＮＨ2）を示す。また、ＮＭＰ、ＤＭＳＯ、ＤＭＡｃ、ＣＡＲＢＩＴＯＲ、ＢＤＧ及びＤＰＧＭＥは、フォトレジスト溶剤であって、それぞれＮ−メチルピロリドン（Ｃ5Ｈ9ＮＯ）、ジメチルスルホキシド（ＣＨ3ＳＯＣＨ3）、ジメチルアセトアミド（ＣＨ3ＣＯＮ（ＣＨ3）2）、カルビトール（Ｃ2Ｈ5（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）2Ｈ）、ブチルジグリコール（Ｃ4Ｈ9（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）2Ｈ）及びジプロピレングリコールモノメチルエテール（Ｃ7Ｈ16Ｏ3）を示す。
【表１】
0004358935.tif 000004
次に、実施例１〜３及び比較例１〜１６によるフォトレジスト用ストリッパー組成物に対し、フォトレジスト剥離性能、エアナイフ特性、接触角及びストリッパー組成物の蒸発率をそれぞれ以下の方法により測定した。
【００２０】
Ａ）剥離性能測定
３インチベアウェーハ（bare wafer）にヘキサメチルジシラザン（HMDS）を塗布し、１３００Åの厚さでフォトレジスト層を形成した後、ホットプレートで１５０℃、１６０℃、１７０℃及び１８０℃の温度で２〜３分間焼成してウェーハ試料を準備した。このようなウェーハを５０００枚処理する場合には、実施例及び比較例のストリッパー組成物にフォトレジスト固形分を１重量％含むようにし、１００００枚を処理する場合にはフォトレジスト固形分を２重量％含むようにした後、ストリッパー組成物を５０又は７０℃で加熱した。そして、ウェーハを２〜３分間ストリッパー組成物に浸漬させた後、浸漬させたウェーハを出して脱イオン水（deionized water）で３０秒間洗浄し、先ず肉眼観察、次いで顕微鏡観察をして、剥離性能が良好であれば○、普通であれば△、良好でなければ×と判定した。この結果を表２に示す。
【００２１】
Ｂ）エアナイフ特性測定
７×７cmのベアガラスにＩＴＯを蒸着し、１３００Åの厚みでフォトレジスト層cmを形成した後、所定のパターンで露光して現象し、ＩＴＯをエッチングして所定のパターンを形成した。このように、フォトレジストが蒸着されたガラスを５０００枚処理する場合には、実施例及び比較例のストリッパー組成物にフォトレジスト固定分が１重量％含有されるようにしており、１００００枚を処理する場合にはフォトレジスト固形分が２重量％含有されるようにした後、ストリッパー組成物を５０又は７０℃で加熱した。次に、前記ストリッパー組成物２０mlをフォトレジストが蒸着されたガラスに滴下し、３０秒経過後、フォトレジストを除去するために１kgf/cm2の圧力で空気を加えてエアナイフ工程を行った。このように、フォトレジストが除去されたガラスを超純水で３０秒間洗浄して乾燥させた後、先ず肉眼観察、次いで顕微鏡観察をし、エアナイフ特性が良好であれば○、普通であれば△、良好でなければ×と判定し、このような実験を２回繰返した。この結果を表２に示す。
【表２】
0004358935.tif 000005
表２に示すように、比較例１〜４及び６のストリッパー組成物は剥離性能は非常に優れていたが、エアナイフ特性は良好ではなかった。比較例５，７，９，１１，１４，１６のストリッパー組成物はエアナイフ特性は良好であったが、剥離性能は良好でなく、比較例８、１０，１２，１３及び１５の組成物はエアナイフ特性及び剥離性能すべてが良好でないことが分かる。表２のエアナイフ特性から、ＭＩＰＡ、ＭＥＡ等のアミン類は、その含量が増加することによってエアナイフ特性を低下させ、また、ＣＡＲＢＩＴＯＬ、ＤＰＧＭＥを溶媒として用いる場合にもエアナイフ特性が低下することが分かった。
【００２２】
Ｃ)接触角測定
剥離性能及びエアナイフ特性が優れた実施例及び比較例のストリッパー組成物をフォトレジストに滴下したときの接触角を測定した。この結果を表３及び図１に示す。接触角の測定方法は次の通りである。
まず、７×７cmのベアガラスにＩＴＯを蒸着し、１３００Åの厚さでフォトレジスト層を形成した。このように、フォトレジスト層が形成されたガラスを５０００枚処理する場合には実施例及び比較例のストリッパー組成物にフォトレジスト固形分が１重量％含有されるようにし、１００００枚を処理する場合にはフォトレジスト固形分が２重量％含有されるようにした後、ストリッパー組成物を７０℃で加熱した。次に、ストリッパー組成物５μlをフォトレジストが蒸着されたガラスに滴下し、2秒間隔で50回の写真を撮って幅と高さを測定して接触角を計算する。
【表３】
0004358935.tif 000006
表３に示すように、比較例のこれらストリッパー組成物は接触角が大きく、時間による接触角の変化が大きいため、ストリッパーをフォトレジストに塗布した初期の表面張力と一定時間経過後の表面張力との差異が生じて好ましくないことが分かる。また、実施例１〜３のストリッパー組成物は剥離性能、エアナイフ特性及び接触角の変化がすべて優れているため、浸漬方式だけでなく、特に、枚葉式フォトレジスト剥離工程において有用なことが分かる。
【００２３】
Ｄ）蒸発量測定
剥離性能及びエアナイフ特性が優れた実施例２と比較例１５及び比較例１７のストリッパー組成物に対し、蒸発量を測定した結果を表４に示す。ストリッパー組成物の蒸発量はストリッパー組成物４０mlをガラスヴァイアル（vial）に入れ、ガラスヴァイアル（vial）を７０℃のオイルバス（bath）に入れた後、２４時間及び４８時間後に蒸発による重量の損失量を測定することによって計算した。
【表４】
0004358935.tif 000007
【００２４】
表４に示すように、比較例１５及び１７のストリッパー組成物の蒸発率は実施例２のストリッパー組成物より大きいため、ストリッパーの損失及び追加供給の問題が生じ、有毒溶媒の排気問題などを誘発することが分かる。特に、比較例１５は沸騰点が低いＤＭＡｃを含有しており、蒸発率が非常に高く現われた。
Ｅ）Al溶出量評価
各ストリッパー組成物の腐食性を評価するために、実施例１、３及び比較例４、１５のストリッパー組成物をバス（bath）に７２時間浸漬させた後、ストリッパー組成物に溶出されたアルミニウムの量（REF）及びストリッパー組成物で２０００枚、４０００枚のアルミニウムが蒸着されたガラスを処理した後、ストリッパー組成物に溶出されたアルミニウムの量を測定して表５に示した。
【表５】
0004358935.tif 000008
【００２５】
表５から、実施例のストリッパー組成物がアルミニウムを少なく溶出させることが分かる。
【００２６】
［実施例４］
実施例２の組成物１００重量部に、界面活性剤としてF−１４及びLP１００を各々０．１重量部添加し、ストリッパー組成物を製造した。このように、界面活性剤が含まれたストリッパー組成物と、界面活性剤が含まれていない実施例２のストリッパー組成物のベアガラス上においての特性を対比するために、２つの組成物を各々ベアガラスに滴下させて塗布した後、これらストリッパー組成物のエアナイフ特性、リンス効果及びフォーム生成程度を評価した。
【００２７】
エアナイフ特性を評価するために、ベアガラスにストリッパー組成物を各々塗布した後、１kgf/cm2の圧力で空気を加えた後、ベアガラス表面のストリッパー状態を観察して図２及び３に各々概略的に示した。図２及び３における曲線はベアガラス上にストリッパーが形成されている模様を概略的に示したもので、界面活性剤を含んでいないストリッパー組成物はエアナイフ工程後ベアガラス表面上に水滴形態に固まった（図２参照）反面、界面活性剤を含んだストリッパー組成物は均一な膜を形成した（図３参照）。したがって、界面活性剤を含んだストリッパー組成物とベアガラスとの界面張力（adhesion force）が高いため、均一膜を容易に形成することにより、ストリッパーの固形化によって生成される粒子の生成が防止できることが分かる。
【００２８】
各ストリッパー組成物のリンス効果を評価するために、各々のストリッパー組成物にベアガラスを浸漬した後、ベアガラスを取り出して水で洗浄した。水で洗浄したベアガラスを乾燥させた後、水滴を滴下してその挙動を観察した結果、水滴の挙動が良好な状態を示すためには、界面活性剤を含んでいないストリッパー組成物をより長時間洗浄しなければならないことが分かった。したがって、界面活性剤を含んだストリッパー組成物がベアガラスから均一に洗浄されることが分かった。
【００２９】
各ストリッパー組成物のフォーム生成程度を評価するために、各々のストリッパー組成物をASTM D８９６方法によって実験した。このとき、ガスの供給速度は８５ml／分であり、ストリッパー組成物の使用量は８５ml、実験温度及び湿度は各々２１℃及び４０％であった。１分間ガスを供給した結果、界面活性剤を含んだストリッパー組成物と、含んでいないストリッパー組成物の総体積はそれぞれ１０７ml及び９９mlであり、これらバブルは、１５０秒以内に完全に消滅し、すべてフォーム形成抑制性能が良好であることが示された。したがって、ベアガラスを処理するためには、界面活性剤を本発明のストリッパー組成物に添加するのが好ましいことが分かる。
【００３０】
【発明の効果】
本発明のフォトレジスト用ストリッパー組成物は、剥離性能が良好であり、金属の腐食を抑制するだけでなく、ストリッパー組成物の各構成成分と多様なLCD全膜質との表面張力が均一に維持されるため、浸漬方式だけでなく、枚葉方式を用いてフォトレジストを除去してもフォトレジストの不純物残部が基板上に残らない。また、本発明のストリッパー組成物は、界面張力が向上されて蒸発損失が少ないため、使用時間が増加（３００％）しており、再利用が可能であることで環境的に優れている。さらに、アルミニウム、クロム、窒化シリコン（SiNx）及びアモルファスシリコン膜上での性質だけでなく、ベアガラス上においての物理的性質も優れており、ベアガラス洗浄の際、不純物微粒子の生成を抑制する。また、本発明の組成物は、フォトレジスト剥離工程における不良発生を減らすことができ、エアナイフ工程が適用されるLCD回路を一枚ずつ処理する工程に有用に用いることもできる。
【００３１】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例及び比較例のストリッパー組成物をフォトレジストに適用した時の接触角の時間変化を示すグラフ。
【図２】界面活性剤が含まれていないストリッパー組成物をベアガラスに塗布してエアナイフ工程を遂行した後、ストリッパー状態を示す概略図。
【図３】界面活性剤が含まれたストリッパー組成物をベアガラスに塗布してエアナイフ工程を遂行した後、ストリッパー状態を示す概略図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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