(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ素化合物のガスを放電させて生成した活性種をノズルを介してシリコンウエハの表面に噴射することで局部エッチングしたシリコンウエハを、酸素ガス又は酸素混合ガスを放電させて生成した酸素活性種の雰囲気中に曝して、シリコンウエハに付着した硫黄または炭素系化合物を取り除くことにより、シリコンウエハの表面処理を行うシリコンウエハの表面処理方法において、
上記シリコンウエハを、上記酸素活性種の雰囲気中に１０秒間〜３００秒間曝す、
ことを特徴とするシリコンウエハの表面処理方法。
【請求項２】
ＳＦ6，ＣＦ4又はＣ2Ｆ6のいずれかを含むガスを放電させて生成した活性種をノズルを介してシリコンウエハの表面に噴射することで局部エッチングしたシリコンウエハを、酸素ガス又は酸素混合ガスを放電させて生成した酸素活性種の雰囲気中に１０秒間〜３００秒間曝して、シリコンウエハに付着した硫黄または炭素系化合物を取り除くことにより、表面汚染除去されたシリコンウエハを製造する、
ことを特徴とするシリコンウエハ製造方法。
【請求項３】
所定のガスを放電させて生成した活性種をノズルを介してシリコンウエハの表面に噴射することで局部エッチングしたシリコンウエハを、酸素ガス又は酸素混合ガスを放電させて生成した酸素活性種の雰囲気中に曝して、シリコンウエハ全体に所定厚さのシリコン酸化膜を形成するシリコンウエハの酸化膜形成方法において、
上記シリコン酸化膜の厚さは、５ｎｍから５０ｎｍ以内である、
ことを特徴とするシリコンウエハの酸化膜形成方法。
【請求項４】
所定のガスを放電させて生成した活性種をノズルを介してシリコンウエハの表面に噴射することで局部エッチングしたシリコンウエハを、酸素ガス又は酸素混合ガスを放電させて生成した酸素活性種の雰囲気中に曝すことにより、５ｎｍから５０ｎｍ以内の厚さのシリコン酸化膜が形成されたシリコンウエハを製造する、
ことを特徴とする酸化シリコンウエハ製造方法。
【請求項５】
平坦化処理されたシリコンウエハを出し入れするためのゲートを有し且つ内部を略真空状態にすることが可能なチャンバと、
上記チャンバ内に設けられ、上記シリコンウエハを少なくとも平坦化処理された表面を露出させた状態で保持するウエハ保持体と、
放電管のノズル部の開口を上記チャンバ内と連通させ、放電管内の酸素ガス又は酸素混合ガスを放電させて、酸素活性種を生成し、この酸素活性種を上記ノズル部の開口から上記チャンバ内に噴射するプラズマ発生器と、
上記プラズマ発生器の放電管内に上記酸素ガス又は酸素混合ガスを供給するためのガス供給器と
を具備することを特徴とする酸素活性種雰囲気形成装置。
【請求項６】
請求項５に記載の酸素活性種雰囲気形成装置において、
上記ウエハ保持体は、上記平坦化処理された表面全面と裏面の大部分を露出させた状態で、裏面外縁部３ｍｍ以内を固定することにより、上記シリコンウエハを保持するチャックである、
ことを特徴とする酸素活性種雰囲気形成装置。
【請求項７】
請求項５に記載の酸素活性種雰囲気形成装置において、
上記ウエハ保持体は、複数の上記シリコンウエハをそれぞれ収納可能な複数の収納部を有し、各収納部が上記平坦化処理された表面全面と裏面とを露出させた状態でシリコンウエハの裏面を略点接触状態で支持するウエハカセットである、
ことを特徴とする酸素活性種雰囲気形成装置。
【請求項８】
内部を略真空状態にすることが可能なチャンバと、
上記チャンバ内に設けられ、シリコンウエハの表面全面と裏面の大部分を露出させた状態で、裏面外縁部を吸着することにより、上記シリコンウエハを保持するチャックと、ノズル部の開口を上記シリコンウエハの表面に対向させた状態で上記チャンバに取り付けられた放電管内のガスを放電させて、活性種を生成し、この活性種を上記ノズル部の開口から噴射するプラズマ発生器と、
上記プラズマ発生器の放電管内に局部エッチング用のガスを供給するための局部エッチングガス供給器と、
上記プラズマ発生器の放電管内に上記酸素ガス又は酸素混合ガスを供給するための酸素ガス供給器と、
上記シリコンウエハの表面が上記ノズル部の開口と平行に移動するように、上記チャックを移動させるための平面駆動機構と、
を具備することを特徴とする平坦化処理システム。
【請求項９】
局部エッチング装置と酸素活性種雰囲気形成装置と搬送装置とを具備する平坦化処理システムであって、
上記局部エッチング装置は、シリコンウエハを出し入れするためのゲートを有し且つ内部を略真空状態にすることが可能なチャンバと、このチャンバ内に設けられ且つシリコンウエハの表面を露出させた状態で裏面を吸着することにより、上記シリコンウエハを保持するチャックと、ノズル部の開口を上記シリコンウエハの表面に対向させた状態で上記チャンバに取り付けられた放電管内の所定のガスを放電させて、活性種を生成し、この活性種を上記ノズル部の開口から噴射するプラズマ発生器と、このプラズマ発生器の放電管内に上記所定のガスを供給するための局部エッチングガス供給器と、上記シリコンウエハの表面が上記ノズル部の開口と平行に移動するように、上記チャックを移動させるための平面駆動機構とを備え、
酸素活性種雰囲気形成装置は、上記シリコンウエハを出し入れするためのゲートを有し且つ内部を略真空状態にすることが可能なチャンバと、このチャンバ内に設けられ且つ複数の上記シリコンウエハをそれぞれ収納可能な複数の収納部を有し且つ各収納部が上記局部エッチング処理された表面全面と裏面とを露出させた状態でシリコンウエハの裏面を略点接触状態で支持するウエハカセットと、放電管のノズル部の開口を上記チャンバ内と連通させ、放電管内の酸素ガス又は酸素混合ガスを放電させて、酸素活性種を生成し、この酸素活性種を上記ノズル部の開口から上記チャンバ内に噴射するプラズマ発生器と、このプラズマ発生器の放電管内に上記酸素ガス又は酸素混合ガスを供給するための酸素ガス供給器とを備え、
上記搬送装置は、上記局部エッチング装置と酸素活性種雰囲気形成装置の各ゲートを開き、局部エッチング処理されたシリコンウエハを外部の空気に曝すことなく、上記チャックから上記ウエハカセットの収納部内に搬送するものである、
ことを特徴とする平坦化処理システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、平坦化処理されたシリコンウエハの表面汚染除去やシリコンウエハに酸化膜を形成するためのシリコンウエハの表面処理方法，シリコンウエハ製造方法，シリコンウエハの酸化膜形成方法，酸化シリコンウエハ製造方法，酸素活性種雰囲気形成装置，及び平坦化処理システムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
シリコンウエハの平坦化には、シリコンウエハの表面を機械的及び化学的に研磨するＣＭＰ装置などが多用されてきた。
しかし、半導体の高密度化に伴い、シリコンウエハの平坦度を高めるため、近年では、プラズマ中に発生する活性種によってシリコンウエハを局部的にエッチングする局部エッチング装置が使用されるようになってきた。
図１９は、一般的な局部エッチング装置を示す断面図である。
この局部エッチング装置は、ＳＦ6（六フッ化硫黄）ガス等をプラズマ発生器１００で放電させて、Ｆ活性種等を生成し、このＦ活性種Ｇをノズル部１０１からチャック１２０上のシリコンウエハＷの表面Ｗａに噴射することで、表面Ｗａの部分のうち基準厚さ値よりも厚い部分（以下「相対厚部」という）を局部的にエッチングする。
具体的には、厚い相対厚部に対しては、チャック１２０の移動速度即ちノズル部１０１の相対速度を遅くして、Ｆ活性種Ｇの噴射時間を長くし、低い相対厚部に対しては、ノズル部１０１の相対速度を速くして、Ｆ活性種Ｇの噴射時間を短くすることにより、シリコンウエハＷの表面Ｗａ全体を平坦化する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来の技術では、次のような問題がある。
エッチング速度の観点からＳＦ6ガスを用いているため、局部エッチング後のシリコンウエハＷからＳ（硫黄）又はＳ化合物と思われるわずかな臭いを伴う化合物が堆積する。これを放置することは、後工程の洗浄槽の汚染やカセット等での汚染を生じることになるので、従来は、シリコンウエハＷを純水などの液体に漬けてＳ成分等を洗い流すようにしていた。しかし、純水などの液体で洗浄するだけでは、臭が残存し、シリコンウエハＷから十分に洗い落とすことができず、この汚染を除去する技術の誕生が切望されていた。
また、平坦化されたシリコンウエハＷの表面は活性化されており、シリコンウエハＷを空気中に曝すと、シリコンウエハＷが空気中の不純物を吸着し、シリコンウエハＷが汚染される事態が発生する。
そこで、特開平１０−１３５１６１号公報記載の技術のように、平坦化後のシリコンウエハＷをオゾン水などに漬けて、シリコンウエハＷの表面に酸化膜を形成する処理方法を利用することにより、シリコンウエハＷの汚染を防止することも考えられる。しかしながら、この技術では、シリコンウエハＷの表面に所定厚さの酸化膜を形成するまでに長時間を要するという問題がある。さらに、上記局部エッチング処理はドライ処理であり、このドライ処理後に、オゾン水に漬けるというウエット処理を施すと、次工程に、洗浄工程と乾燥工程が必要となり、処理工程が多くなってしまい、設備コストが高くなるという問題も生じる。
【０００４】
この発明は上述した課題を解決するためになされたもので、局部エッチング後の表面汚染されたシリコンウエハを短時間で表面汚染除去することができ、また、平坦化されたシリコンウエハのさらなる汚染を防止することができるシリコンウエハの表面処理方法，シリコンウエハ製造方法，シリコンウエハの酸化膜形成方法，酸化シリコンウエハ製造方法，酸素活性種雰囲気形成装置，及び平坦化処理システムを提供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１の発明は、フッ素化合物のガスを放電させて生成した活性種をノズルを介してシリコンウエハの表面に噴射することで局部エッチングしたシリコンウエハを、酸素ガス又は酸素混合ガスを放電させて生成した酸素活性種の雰囲気中に曝して、シリコンウエハに付着した硫黄または炭素系化合物を取り除くことにより、シリコンウエハの表面処理を行うシリコンウエハの表面処理方法において、シリコンウエハを、酸素活性種の雰囲気中に１０秒間〜３００秒間曝す構成とした。
かかる構成により、シリコンウエハに付着した硫黄や炭素成分が取り除かれ、表面汚染除去が行われるので、従来のようなシリコンウエハの洗浄工程の負荷を軽減できる。なお、シリコンウエハの表面汚染除去は、酸素活性種と硫黄成分或いは酸素活性種と炭素成分との化学反応によるものと考えられる。このため、表面処理時間が短くて済む。
また、表面汚染のないシリコンウエハの製造方法も方法の発明として成立し得る。そこで、請求項２の発明に係るシリコンウエハ製造方法は、ＳＦ6，ＣＦ4又はＣ2Ｆ6のいずれかを含むガスを放電させて生成した活性種をノズルを介してシリコンウエハの表面に噴射することで局部エッチングしたシリコンウエハを、酸素ガス又は酸素混合ガスを放電させて生成した酸素活性種の雰囲気中に１０秒間〜３００秒間曝して、シリコンウエハに付着した硫黄または炭素系化合物を取り除くことにより、表面汚染除去されたシリコンウエハを製造する構成とした。
【０００６】
請求項３の発明は、所定のガスを放電させて生成した活性種をノズルを介してシリコンウエハの表面に噴射することで局部エッチングしたシリコンウエハを、酸素ガス又は酸素混合ガスを放電させて生成した酸素活性種の雰囲気中に曝して、シリコンウエハ全体に所定厚さのシリコン酸化膜を形成するシリコンウエハの酸化膜形成方法において、シリコン酸化膜の厚さは、５ｎｍから５０ｎｍ以内である構成とした。
かかる構成により、シリコンウエハに酸化膜が形成されているので、シリコンウエハを空気中に曝した場合においても、シリコンウエハが空気中の不純物質を吸着することはない。
また、所定厚さの酸化膜が形成されたシリコンウエハの製造方法も方法の発明として成立し得る。
そこで、請求項４の発明に係る酸化シリコンウエハ製造方法は、所定のガスを放電させて生成した活性種をノズルを介してシリコンウエハの表面に噴射することで局部エッチングしたシリコンウエハを、酸素ガス又は酸素混合ガスを放電させて生成した酸素活性種の雰囲気中に曝すことにより、５ｎｍから５０ｎｍ以内の厚さのシリコン酸化膜が形成されたシリコンウエハを製造する構成とした。
【０００７】
ところで、平坦化処理されたシリコンウエハを酸素活性種の雰囲気中に曝すことができる特別な装置も物の発明として成立し得る。
そこで、請求項５の発明に係る酸素活性種雰囲気形成装置は、平坦化処理されたシリコンウエハを出し入れするためのゲートを有し且つ内部を略真空状態にすることが可能なチャンバと、チャンバ内に設けられ、シリコンウエハを少なくとも平坦化処理された表面を露出させた状態で保持するウエハ保持体と、放電管のノズル部の開口をチャンバ内と連通させ、放電管内の酸素ガス又は酸素混合ガスを放電させて、酸素活性種を生成し、この酸素活性種をノズル部の開口からチャンバ内に噴射するプラズマ発生器と、プラズマ発生器の放電管内に酸素ガス又は酸素混合ガスを供給するためのガス供給器とを具備する構成とした。
かかる装置においては、ウエハ保持体の構造によって、シリコンウエハの表面処理や酸化膜形成の確実性が影響される。
そこで、ウエハ保持体の一例として、請求項６の発明は、請求項５に記載の酸素活性種雰囲気形成装置において、ウエハ保持体は、平坦化処理された表面全面と裏面の大部分を露出させた状態で、裏面外縁部３ｍｍ以内を固定することにより、シリコンウエハを保持するチャックである構成とした。
また、他の例として、請求項７の発明は、請求項５に記載の酸素活性種雰囲気形成装置において、ウエハ保持体は、複数のシリコンウエハをそれぞれ収納可能な複数の収納部を有し、各収納部が平坦化処理された表面全面と裏面とを露出させた状態でシリコンウエハの裏面を略点接触状態で支持するウエハカセットである構成とした。
【０００８】
また、局部エッチング処理と酸素活性種に曝す処理との双方を実行することができる平坦化処理システムも物の発明として成立し得る。
そこで、かかる平坦化処理システムの一例として、請求項８の発明に係る平坦化処理システムは、内部を略真空状態にすることが可能なチャンバと、チャンバ内に設けられ、シリコンウエハの表面全面と裏面の大部分を露出させた状態で、裏面外縁部を吸着することにより、シリコンウエハを保持するチャックと、ノズル部の開口をシリコンウエハの表面に対向させた状態でチャンバに取り付けられた放電管内のガスを放電させて、活性種を生成し、この活性種をノズル部の開口から噴射するプラズマ発生器と、プラズマ発生器の放電管内に局部エッチング用のガスを供給するための局部エッチングガス供給器と、プラズマ発生器の放電管内に酸素ガス又は酸素混合ガスを供給するための酸素ガス供給器と、シリコンウエハの表面がノズル部の開口と平行に移動するように、チャックを移動させるための平面駆動機構とを具備する構成とした。
さらに、平坦化処理システムの他の例として、請求項９の発明は、局部エッチング装置と酸素活性種雰囲気形成装置と搬送装置とを具備する平坦化処理システムであって、局部エッチング装置は、シリコンウエハを出し入れするためのゲートを有し且つ内部を略真空状態にすることが可能なチャンバと、このチャンバ内に設けられ且つシリコンウエハの表面を露出させた状態で裏面を吸着することにより、シリコンウエハを保持するチャックと、ノズル部の開口をシリコンウエハの表面に対向させた状態でチャンバに取り付けられた放電管内の所定のガスを放電させて、活性種を生成し、この活性種をノズル部の開口から噴射するプラズマ発生器と、このプラズマ発生器の放電管内に所定のガスを供給するための局部エッチングガス供給器と、シリコンウエハの表面がノズル部の開口と平行に移動するように、チャックを移動させるための平面駆動機構とを備え、酸素活性種雰囲気形成装置は、シリコンウエハを出し入れするためのゲートを有し且つ内部を略真空状態にすることが可能なチャンバと、このチャンバ内に設けられ且つ複数のシリコンウエハをそれぞれ収納可能な複数の収納部を有し且つ各収納部が局部エッチング処理された表面全面と裏面とを露出させた状態でシリコンウエハの裏面を略点接触状態で支持するウエハカセットと、放電管のノズル部の開口をチャンバ内と連通させ、放電管内の酸素ガス又は酸素混合ガスを放電させて、酸素活性種を生成し、この酸素活性種をノズル部の開口からチャンバ内に噴射するプラズマ発生器と、このプラズマ発生器の放電管内に酸素ガス又は酸素混合ガスを供給するための酸素ガス供給器とを備え、搬送装置は、局部エッチング装置と酸素活性種雰囲気形成装置の各ゲートを開き、局部エッチング処理されたシリコンウエハを外部の空気に曝すことなく、チャックからウエハカセットの収納部内に搬送するものである構成とした。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
（第１の実施形態）
図１は、この発明の第１の実施形態に係る平坦化処理システムを示す断面図である。
この実施形態の平坦化処理システムは、チャンバ１とチャック２とプラズマ発生器３と局部エッチングガス供給器４と酸素ガス供給器５と平面駆動機構としてのＸ−Ｙ駆動機構６とＺ駆動機構７とを備えている。
【００１１】
チャンバ１は、シリコンウエハＷを処理するための箱体であり、真空ポンプ１０によってその内部を略真空にすることができる。
【００１２】
チャック２は、チャンバ１内に配設され、シリコンウエハＷの裏面を吸着して保持する部材である。このチャック２は静電式のチャックであり、静電気の力でシリコンウエハＷを吸着する機能を有している。
図２は、チャック２を示す断面図であり、図３はその平面図である。
これらの図に示すように、チャック２は、シリコンウエハＷの外縁を支持するリング状の外壁部２０と、外壁部２０の下部内側に形成され、シリコンウエハＷを下方から支持するための下壁部２１とを有している。そして、下壁部２１の上面には所定高さの３つの突起２１ａが突設されている。
これにより、シリコンウエハＷの表面Ｗａを上向きにして、外壁部２０内に挿入し、シリコンウエハＷの裏面Ｗｂを３つの突起２１ａ上に載せることで、シリコンウエハＷがチャック２によって吸着され、シリコンウエハＷの表面Ｗａ全面と裏面Ｗｂの大部分とが露出された状態になる。
【００１３】
図１に示すプラズマ発生器３は、放電管３０とマイクロ波発振器３１と導波管３２とを有しており、放電管３０内で生成した活性種をノズル部３０ａから噴射する機能を有している。
放電管３０は、石英放電管やアルミナ放電管などであり、その下端部にノズル部３０ａが形成され、上端部には、後述する局部エッチングガス供給器４及び酸素ガス供給器５がそれぞれ連結された供給パイプ５４が接続されている。ノズル部３０ａは、チャンバ１の上面中央部に穿設された孔１０ａを介してチャンバ１内に挿入され、この孔１０ａとノズル部３０ａとの間にＯ−リング１１が装着されて、孔１０ａとノズル部３０ａとの間が気密に保持されている。また、ノズル部３０ａの周囲には、ダクト１２が設けられ、真空ポンプ１３の駆動によって、エッチング時の反応生成ガスをチャンバ１外部に排出するようになっている。
マイクロ波発振器３１は、マグネトロンであり、所定周波数のマイクロ波Ｍを発振することができる。
導波管３２は、マイクロ波発振器３１から発振されたマイクロ波Ｍを伝搬するためのもので、孔３３を介して放電管３０に外挿されている。このような導波管３２の左側端内部には、マイクロ波Ｍを反射して定在波を形成する反射板（ショートプランジャ）３４が取り付けられている。また、導波管３２の中途には、マイクロ波Ｍの位相合わせを行う３スタブチューナ３５と、マイクロ波発振器３１に向かう反射マイクロ波Ｍを９０゜方向（図１の表面方向）に曲げるアイソレータ３６が取り付けられている。
【００１４】
局部エッチングガス供給器４は、プラズマ発生器３の放電管３０内に局部エッチング用のガスであるＳＦ6（六フッ化硫黄）ガスを供給するための機器であり、ＳＦ6ガスのボンベ４０を流量制御器４１を介して供給パイプ５４に連結した構造になっている。
一方、酸素ガス供給器５は、放電管３０内に酸素活性種生成用のガスであるＯ2（酸素）ガスを供給するための機器であり、Ｏ2ガスのボンベ５０を流量制御器５１を介して供給パイプ５４に連結した構造になっている。
なお、符号４２，５２はバルブである。
【００１５】
Ｘ−Ｙ駆動機構６は、シリコンウエハＷの表面Ｗａがノズル部３０ａの開口３０ｂと平行に移動するように、チャック２を移動させるための機器である。
このＸ−Ｙ駆動機構６は周知の機器であり、Ｘ駆動モータ６０によってチャック２を図１の左右に移動し、Ｙ駆動モータ６１によってチャック２とＸ駆動モータ６０とを一体に図１の紙面表裏に移動するようになっている。このようなＸ−Ｙ駆動機構６はチャック支持体６２を介してチャック２に連結されている。
図４は、Ｘ−Ｙ駆動機構６のチャック支持体６２を示す断面図であり、図５はその平面図である。
チャック支持体６２は、十字状に結合された４本のアーム６２ａで形成され、各アーム６２ａの先端部６２ｂが上方に折曲されてチャック２の下面に接合されている。そして、４本のアーム６２ａの結合部６２ｃがＸ駆動モータ６０によってチャック２を移動させるための機構部６３に直結されている。
かかる構造により、チャンバ１内の気体がチャック支持体６２のアーム６２ａの間を通ってチャック２の孔２２内に至り、シリコンウエハＷの裏面Ｗｂの略全面と接触する。
一方、図１において、Ｚ駆動機構７は、シリコンウエハＷの表面Ｗａがノズル部３０ａの開口３０ｂに対して接近及び離反するように、チャック２を移動させるための機構であり、Ｘ−Ｙ駆動機構６を下方から支持している。具体的には、Ｚ駆動モータ７０によってＸ−Ｙ駆動機構６全体を上下に移動するようになっている。
このようなＸ−Ｙ駆動機構６のＸ駆動モータ６０，Ｙ駆動モータ６１やＺ駆動機構７のＺ駆動モータ７０の駆動制御は、制御コンピュータ６７が所定のプログラムに基づいて行う。
【００１６】
次に、この実施形態の平坦化処理システムを用いて、シリコンウエハＷの平坦化処理及び後処理を行う方法について説明する。
まず、平坦化処理である局部エッチング処理方法について説明する。  シリコンウエハＷをチャック２により吸着した状態で、真空ポンプ１０を駆動してチャンバ１内を低気圧状態にすると共に、Ｚ駆動機構７を駆動させてＸ−Ｙ駆動機構６全体を上昇させることにより、シリコンウエハＷを放電管３０の開口３０ｂに近付ける。
【００１７】
この状態で局部エッチングガス供給器４のバルブ４２を開き、ボンベ４０内のＳＦ6ガスを流量制御器４１及び供給パイプ５４を介して放電管３０内に供給する。このとき、バルブ４２の開度を調整して、ＳＦ6ガスの圧力を所定の圧力に維持すると共に、流量制御器４１によりＳＦ6ガスの流量を調整する。
【００１８】
上記ＳＦ6ガスの供給作業と並行して、マイクロ波発振器３１を駆動させる。すると、マイクロ波Ｍによって、放電部位に存在するＳＦ6ガスが放電し、Ｆ（フッ素）活性種Ｇが生成される。
そして、Ｆ活性種Ｇがノズル部３０ａに案内されて、ノズル部３０ａの開口３０ｂからシリコンウエハＷの表面Ｗａに噴射される。
【００１９】
この状態で、制御コンピュータ６７によりＸ−Ｙ駆動機構６を駆動させ、シリコンウエハＷが吸着されたチャック２をＸ−Ｙ方向にジグザグ状に移動させる。
すなわち、図６に示すように、ノズル部３０ａをシリコンウエハＷに対して相対的にジグザグ状に走査させる。このとき、ノズル部３０ａのシリコンウエハＷに対する相対速度は、相対厚部の厚さに略反比例するように設定しておく。
これにより、図７に示すように、ノズル部３０ａが非相対厚部Ｗ１の真上を高速度で移動し、相対厚部Ｗ２の上方にくると、相対厚部Ｗ２の厚さに応じて速度を下げる。この結果、相対厚部Ｗ２に対するエッチング時間が長くなり、相対厚部Ｗ２が平坦に削られることとなる。
このようにして、シリコンウエハＷの表面ＷａをＦ活性種Ｇで局部的に局部エッチングしながら表面Ｗａ全面を平坦に削ることで、シリコンウエハＷの平坦化処理が終了する。
【００２０】
次に、シリコンウエハＷの後処理を行う。
上記平坦化処理においては、ＳＦ6ガスをシリコンウエハＷの局部エッチング用ガスとして用いているので、シリコンウエハＷの表面Ｗａに硫黄または硫黄化合物が付着する。
このような場合に、この平坦化処理システムを用いて、この発明のシリコンウエハの表面処理方法を実行することができる。
すなわち、図１に示すプラズマ発生器３及び局部エッチングガス供給器４を停止させると共に、真空ポンプ１０を駆動して、チャンバ１内に残存するガスをシリコンウエハＷ外部に排出した後、Ｚ駆動機構７を駆動させて、シリコンウエハＷを放電管３０の開口３０ｂから遠ざける。
この状態で酸素ガス供給器５のバルブ５２を開き、ボンベ５０内のＯ2ガスを流量制御器５１及び供給パイプ５４を介して放電管３０内に供給する。このとき、バルブ５２の開度を調整して、Ｏ2ガスの圧力を所定の圧力に維持すると共に、流量制御器５１によりＯ2ガスの流量を調整する。
【００２１】
上記Ｏ2ガスの供給作業と並行して、マイクロ波発振器３１を駆動させると、マイクロ波Ｍによって、放電部位に存在するＯ2ガスが放電し、Ｏ（酸素）活性種Ｇ１が生成される。すると、Ｏ活性種Ｇ１がノズル部３０ａの開口３０ｂから噴射されて、チャンバ１全体に拡散し、チャンバ１内部がＯ活性種Ｇ１の雰囲気になる。
この結果、シリコンウエハＷに付着したＳとＯ活性種Ｇ１とが反応し、ＳＯ2ガスになっているものと推測され、これがシリコンウエハＷから蒸発することとなる。なお、ＳＯ2の蒸気圧は非常に小さく、シリコンウエハＷから直ちに蒸発するので、シリコンウエハＷをＯ活性種Ｇ１の雰囲気中に１０秒〜３００秒間程度曝すことで、シリコンウエハＷが完全に汚染除去される。この結果、シリコンウエハＷの表面処理方法が達成され、表面汚染の無いシリコンウエハＷが製造されることとなる。
【００２２】
このように、この実施形態の平坦化処理システムによれば、一のシステムで局部エッチング処理と表面処理とを行うことができるだけでなく、シリコンウエハの表面処理方法を実行することで、表面汚染のない高品質のシリコンウエハＷを提供することができる。さらに、１０秒〜３００秒間という短い処理時間でシリコンウエハＷの完全な汚染除去が可能であり、従来のようなウエットプロセスの場合のように長時間を要しない。
【００２３】
発明者は、上記効果を実証すべく、以下の比較実験を行った。
まず、局部エッチング処理を行った。具体的には、８インチのシリコンウエハＷを２．０Ｔorrに維持されたチャンバ１内のチャック２に吸着させ、局部エッチングガス供給器４のバルブ４２を開くと共に流量制御器４１を調整して、ボンベ４０から３００ＳＣＣＭ即ち１分間当たり３００ミリリットルのＳＦ6ガスを放電管３０に供給し、マイクロ波発振器３１から出力３５０Ｗのマイクロ波Ｍを発振して、ＳＦ6ガスを放電させ、生成したＦ活性種Ｇにより、シリコンウエハＷを局部エッチング処理した。この局部エッチング処理を１１枚のシリコンウエハＷに対して行った。
次に、チャンバ１内を１．０Ｔｏｒｒにした後、酸素ガス供給器５のバルブ５２を開くと共に流量制御器５１を調整して、ボンベ５０から２００ＳＣＣＭのＯ2ガスを出力し、放電管３０に供給して、マイクロ波発振器３１から出力１２０Ｗのマイクロ波Ｍを発振し、Ｏ活性種Ｇ１を生成して、チャンバ１内をＯ活性種Ｇ１の雰囲気にし、９枚のシリコンウエハＷをそれぞれ表面処理した。
このとき、各シリコンウエハＷのＯ活性種Ｇ１雰囲気中に曝す時間を異ならしめた。すなわち、１枚目，２枚目，３枚目，４枚目，５枚目，６枚目，７枚目，８枚目，９枚目の各シリコンウエハＷをそれぞれ１秒間，２秒間，３秒間，５秒間，１５秒間，３０秒間，１分間，２分間，５分間だけＯ活性種Ｇ１雰囲気中に曝した。
すると、１枚目〜３枚目のシリコンウエハＷについては、汚染物が残存していたが、４枚目〜９枚目のシリコンウエハＷ、即ちＯ活性種Ｇ１雰囲気に５秒間〜５分間曝したシリコンウエハＷについては、汚染物が存在せず、ほぼ完全な汚染除去が行われた。
これに対して、１０枚目と１１枚目のシリコンウエハＷについては、従来の方法と同様に、ウエット処理な状態で汚染除去を試みた。具体的には、１０枚目のシリコンウエハＷを３分間純水で洗浄し、１１枚目のシリコンウエハＷを硫酸と過酸化水素水を３対１の割合で混合した液で５分間洗浄した。しかし、これらの処理を行ったにもかかわらず、１０枚目と１１枚目のシリコンウエハＷには、汚染物が残存し、汚染除去は成功しなかった。
以上の実験から明らかなように、本平坦化処理システムによって平坦化処理したシリコンウエハＷをＯ活性種Ｇ１中に僅か１０秒間〜３００秒間程度曝しておくことで、ほぼ完全な汚染除去を行うことができる。
【００２４】
ところで、上記したように、平坦化処理されたシリコンウエハＷの表面は活性化されている。特に、局部エッチングで平坦化されたシリコンウエハＷの活性度は非常に高く、このシリコンウエハＷを空気中に曝すと、空気中の不純物が全て吸着され、シリコンウエハＷの汚染度が著しい。
しかし、この平坦化処理システムを用いることによって、シリコンウエハＷの汚染を防止するシリコンウエハの酸化膜形成方法をも実行することができる。
すなわち、上記表面処理の場合と同様に、Ｚ駆動機構７を駆動させて、シリコンウエハＷを放電管３０の開口３０ｂから遠ざけた状態で、酸素ガス供給器５により、所定圧力且つ所定流量のＯ2ガスを放電管３０に供給し、プラズマ発生器３によって生成したＯ活性種Ｇ１をチャンバ１全体に拡散し、チャンバ１内部がＯ活性種Ｇ１の雰囲気にする。
この結果、シリコンウエハＷのＳｉ（シリコン）とＯ活性種Ｇ１とが反応し、所定時間経過後には、ＳｉＯ2（酸化シリコン）の膜がシリコンウエハＷの全面に形成される。したがって、シリコンウエハＷをＯ活性種Ｇ１の雰囲気中に所定時間曝すことで、シリコンウエハＷ全面に５ｎｍから５０ｎｍの以内厚さのシリコン酸化膜を形成するシリコンウエハの酸化膜形成方法を実現することができると共に、５ｎｍから５０ｎｍの以内厚さのシリコン酸化膜が形成されたシリコンウエハを製造することができる。
【００２５】
このように、この実施形態のウエハ平坦化システムによれば、一のシステムで局部エッチング処理と表面処理を行うことができるだけでなく、酸化膜形成処理とを行うことができる。この結果、不純物の付着のない高品質のシリコンウエハＷを提供することができる。特に、局部エッチング処理されたドライ状態のシリコンウエハに対して、Ｏ活性種Ｇ１とシリコンとの化学反応によって酸化膜を形成するので、ドライ状態のままで短時間で所望厚さの酸化膜を形成することができ、洗浄工程や乾燥工程を特設する必要がなく、その分設備コストの削減を図ることができる。
【００２６】
発明者は、上記効果を実証すべく、以下の比較実験を行った。
上記条件と同条件下で局部エッチング処理を行った２１枚のシリコンウエハＷのうち１１枚のシリコンウエハＷに対して、上記条件と同条件下でＯ活性種Ｇ１の雰囲気中に所定時間曝したところ、図８の曲線ａで示す結果を得た。一方、残りの１０枚のシリコンウエハＷに対しては、従来の酸化膜形成方法と同様に、所定時間オゾン水に漬けて酸化膜を形成したところ、図８の曲線ｂで示す結果を得た。
ところで、酸化膜の厚さは５ｎｍ以上であることが望ましい。この厚さよりも薄いと、酸化膜が均一に形成されず、局部的に平坦化処理した清浄な面が露出するおそれがあるからである。これに対して５ｎｍ以上の厚さにすることで、酸化膜がシリコンウエハの表面に均一に形成され、シリコンウエハＷの汚染を完全に防止することができる。
しかし、図８の曲線ｂで明らかなように、従来の方法では、酸化膜が５ｎｍ以上の厚さに成長するには、１日以上という長い時間を要する。これに対して、本実施形態の酸化膜形成方法では、１５０秒間程度曝すことで、酸化膜が５ｎｍ以上の厚さに成長するので、効率が非常に高いことが判る。
【００２７】
（第２の実施形態）
図９はこの発明の第２の実施形態に係る平坦化処理システムを示す断面図であり、図１０は平坦化処理システムの概略平面図である。
これらの図に示すように、平坦化処理システムは、局部エッチング装置８−１と酸素活性種雰囲気形成装置８−２と搬送装置９とを備えている。
【００２８】
局部エッチング装置８−１は、チャンバ１とチャック２′とプラズマ発生器３と局部エッチングガス供給器４とＸ−Ｙ駆動機構６とＺ駆動機構７とを有し、第１の実施形態の平坦化処理システムと略同じ構造になっているが、シリコンウエハＷの局部エッチング処理のみを目的とする装置であるので、酸素ガス供給器５がなく、且つチャック２′とＸ−Ｙ駆動機構６とを連結するチャック支持体６２もない。
図１１はチャック２′の構造を示す平面図であり、図１２はその断面図である。
チャック２′は、円板状の下壁部２１′の中央部に、シリコンウエハＷより若干小さめの円板状の突起２１ａ′を突設し、下壁部２１′上の左側部に弧状の外壁部２０′を突設した構造になっている。そして、図１２に示すように、下壁部２１′下面中央部がＸ−Ｙ駆動機構６の機構部６３に直結されている。
これにより、突起２１ａ′でシリコンウエハＷの裏面Ｗｂを吸着し、シリコンウエハＷをＸ−Ｙ駆動機構６とＺ駆動機構７とによって水平及び上下に移動させることができる。
【００２９】
このような局部エッチング装置８−１は、酸素活性種雰囲気形成装置８−２に気密に連結されている。
具体的には、図９及び図１０に示すように、酸素活性種雰囲気形成装置８−２のチャンバ１′に、シリコンウエハＷを出し入れするためのゲートバルブ８０が設けられ、このゲートバルブ８０を介して、局部エッチング装置８−１のチャンバ１と酸素活性種雰囲気形成装置８−２のチャンバ１′とが気密に連結されている。
このような酸素活性種雰囲気形成装置８−２のチャンバ１′には、真空ポンプ１０′が設けられ、チャンバ１′内部を略真空にすることができるようになっている。そして、チャンバ１′の上側に局部エッチング装置８−１のプラズマ発生器３と同構造のプラズマ発生器３′が設けられ、その放電管３０がチャンバ１′の上面に取り付けられており、そのノズル部３０ａの開口３０ｂがチャンバ１′内部と連通している。
なお、この酸素活性種雰囲気形成装置８−２は、チャンバ１′内をＯ活性種Ｇ１の雰囲気にする装置であるので、プラズマ発生器３′には、酸素ガス供給器５のみが接続されている。すなわち、Ｏ2ガスのボンベ５０が流量制御器５１及びポンプ５２を介して供給パイプ５４に連結され、供給パイプ５４が
プラズマ発生器３′の放電管３０の上端部に接続されている。
【００３０】
また、酸素活性種雰囲気形成装置８−２のチャンバ１′内には、ウエハカセット８１が配置されている。
図１３はウエハカセット８１を示す斜視図である。
ウエハカセット８１は、図１３に示すように、４本の支柱８２に保持された２５段の収納部８３を有しており、各段の収納部８３にシリコンウエハＷを収納することができるようになっている。
収納部８３は、枠８４に十字状のプレート８５を接合し、プレート８５上にシリコンウエハＷの裏面Ｗｂを載せるための突起８６が突設した構造になっている。すなわち、収納部８３は、シリコンウエハＷを収納部８３の４つの突起８６に載せて収納したときに、４つの突起８６とシリコンウエハＷの裏面Ｗｂとが点接触状態になり、シリコンウエハＷの表面Ｗａと裏面Ｗｂとの大部分とが露出する構造になっている。
【００３１】
上記ウエハカセット８１の各収納部８３に、局部エッチング装置８−１で局部エッチングされたシリコンウエハＷを搬送する装置が、図９及び図１０に示す搬送装置９である。
この搬送装置９はロボットであり、図９に示すように、チャンバ１′内に配置されている。
このロボット９は、ハンド９０が取り付けられた複数のアーム９１と、このアーム及びハンド９０を動かすための駆動部９２とで構成されている。
ハンド９０は、図１１に示すように、駆動部９２の制御で開閉する一対の爪９３，９４である。これら爪９３，９４には、閉時に略半円状になり且つその内径がシリコンウエハＷの直径に略等しく設定された握持部９５，９５が形成されている。そして、握持部９５，９５の内側下部には握持したシリコンウエハＷを下側から支持するための支持部９６が形成されており、この支持部９６の上には、シリコンウエハＷを載せるための突起９７が突設されている。
【００３２】
図１０において、符号９８はロード／アンロード室であり、このロード／アンロード室９８内には、未処理のシリコンウエハＷを収納したカセット９９が置かれ、ロボット９はこのカセット９９内のシリコンウエハＷを１枚ずつ局部エッチング装置８−１内に搬入すると共に、既処理の２５枚のシリコンウエハＷを収納したウエハカセット８１をロード／アンロード室９８内に搬出する。
【００３３】
次に、この実施形態の平坦化処理システムが示す動作について説明する。
まず、局部エッチング装置８−１において、第１の実施形態と同様の局部エッチング処理が行われる。
すなわち、ＳＦ6ガスが局部エッチングガス供給器４のボンベ４０からプラズマ発生器３の放電管３０に供給され、マイクロ波発振器３１による放電によって生成されたＦ活性種Ｇにより、チャック２′上のシリコンウエハＷが局部エッチングされる。
【００３４】
この局部エッチング処理が終了すると、真空ポンプ１０によってチャンバ１内が略真空にされた後、駆動部９２によって制御されたロボット９のアーム９１が局部エッチング装置８−１のチャンバ１内に進入し、ハンド９０によってチャック２′のシリコンウエハＷを取り出す。
具体的には、図１１に示すハンド９０の爪９３，９４を若干開いた状態で、図１４に示すように、爪９３，９４の支持部９６をチャック２′の下壁部２１′の上に載せ、シリコンウエハＷの下側に進入させる。そして、爪９３，９４の先端が外壁部２０′に突き当たる寸前で、ハンド９０全体を上昇させることで、図１５に示すように、シリコンウエハＷが突起９７に載った状態でチャック２′から取り出される。
【００３５】
しかる後、ロボット９は、取り出したシリコンウエハＷを酸素活性種雰囲気形成装置８−２のチャンバ１′内に引き込み、図１３に示したウエハカセット８１の第一段目の収納部８３に収納する。
具体的には、ハンド９０を収納部８３の真上近傍まで持っていき、爪９３，９４を開いて、シリコンウエハＷを収納部８３の突起８６上にそっと落下させることで、シリコンウエハＷを収納部８３に収納する。
このようにして、局部エッチング処理済みのシリコンウエハＷを収納部８３に収納した後、ロボット９は、ロード／アンロード室９８のゲートバルブ９８ａを用いて、カセット９９から未処理のシリコンウエハＷを取り出し、局部エッチング装置８−１に搬入した後、アーム９１を酸素活性種雰囲気形成装置８−２内に戻して待機する。
この状態で、酸素活性種雰囲気形成装置８−２のゲートバルブ８０とロード／アンロード室９８のゲートバルブ９８ａとが閉じ、局部エッチング装置８−１において、２枚目のシリコンウエハＷの局部エッチング処理が行われる。
【００３６】
この動作と並行して、酸素活性種雰囲気形成装置８−２において、酸素活性種雰囲気形成動作が行われる。
すなわち、Ｏ2ガスが酸素ガス供給器５のボンベ５０から流量制御器５１，バルブ５２，供給パイプ５４を介して、プラズマ発生器３′の放電管３０内に供給され、マイクロ波発振器３１による放電で生成されたＯ活性種Ｇ１がノズル部３０ａの開口３０ｂからチャンバ１′内に噴射され、チャンバ１′内に充満する。
これにより、ウエハカセット８１の第一段の収納部８３に収納されているシリコンウエハＷの略全面がＯ活性種Ｇ１に曝されることとなる。
【００３７】
そして、局部エッチング装置８−１において２枚目のシリコンウエハＷに対する局部エッチング処理が終了すると、局部エッチング装置８−１のチャンバ１内及び酸素活性種雰囲形成装置８−２内が略真空にされた後、ゲートバルブ８０が開けられ、ロボット９によってこの２枚目のシリコンウエハＷがウエハカセット８１の第２段目の収納部８３に収納される。
以後、３枚目から２５枚目までのシリコンウエハＷについて、同様の局部エッチング処理と酸素活性種雰囲気中に曝す処理とが行われる。
【００３８】
ところで、２５枚目のシリコンウエハＷを第２５段目の収納部８３に収納した後、酸素活性種雰囲気形成装置８−２でこのシリコンウエハＷを１０秒間〜３００秒間だけＯ活性種Ｇ１に曝すことで、２５枚目のシリコンウエハＷを含めた全てのシリコンウエハＷの汚染除去が可能となる。
また、２５枚目のシリコンウエハＷを１５０秒以上Ｏ活性種Ｇ１に曝すことで、５ｎｍ以上の厚さの酸化膜をシリコンウエハＷの全面に形成することができる。
このとき、１枚目〜２４枚目までのシリコンウエハＷは、これらのシリコンウエハＷがウエハカセット８１に収納された後２５枚目のシリコンウエハＷがウエハカセット８１に収納されるまでの間、Ｏ活性種Ｇ１に曝されているので、これら２４枚のシリコンウエハＷに対する汚染除去と酸化膜形成が十分に行われていることになる。
すなわち、局部エッチング装置８−１における処理時間が例えば３分であるとすると、汚染除去時において、上記１枚目のシリコンウエハＷはウエハカセット８１に収納された後、Ｏ活性種Ｇ１中に７２分１０秒以上曝されたことになり、ほぼ完全に汚染除去される。また、酸化膜形成処理時には、１枚目のシリコンウエハＷがＯ活性種Ｇ１中に７２分１０秒以上曝されることとなり、このシリコンウエハＷの酸化膜の厚さは推定で４０ｎｍ以上になる。
【００３９】
このように、この実施形態の平坦化処理システムによれば、局部エッチング処理と表面処理又は酸化膜形成処理とを別の装置で連続的に行うことができるので、第１の実施形態の平坦化処理システムに比べ、スループットが極めて高い。また、最後のシリコンウエハＷの表面処理や酸化膜形成処理が終了するまで、その前のシリコンウエハＷをＯ活性種Ｇ１中に曝しておくので、これらのシリコンウエハＷの汚染除去や酸化膜形成のための時間を長時間確保することができる。
その他の構成，作用効果は上記第１の実施形態と同様であるので、その記載は省略する。
【００４１】
なお、この発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の変形や変更が可能である。
上記実施形態では、プラズマ発生器として、マイクロ波を発振してプラズマを発生するプラズマ発生器３を用いたが、活性種を生成しうる機器であれば良く、例えば高周波によってプラズマを発生して活性種を生成するプラズマ発生器など各種のプラズマ発生器を用いることができる。
また、上記実施形態では、局部エッチング処理用のガスとして、ＳＦ6ガスを用いたが、あらゆるフッ素化合物のガスを局部エッチング処理用のガスとして使用することができる。特に、シリコンウエハに酸化膜を形成することを前提とする場合には、硫黄化合物を含むガスだけでなく、あらゆるハロゲン化合物のガスを局部エッチング処理用のガスとして使用することができる。
また、上記第１及び第２の実施形態では、表面処理用及び酸化膜形成用ガスとして、酸素のみのガスを用いたが、酸素ガスに他のガスを混合したものでも、表面処理用及び酸化膜形成用ガスとして使用することができる。
また、上記第２の実施形態では、ロボット９のハンド９０に、突起９７を形成したが、突起９７を形成せずに、シリコンウエハＷを支持部９６に直接載せる構造としても良い。
また、上記第２の実施形態では、酸素活性種雰囲気形成装置８−２のプラズマ発生器３′において、放電管３０をチャンバ１′の上面に取り付けた。しかし、本装置では、チャンバ１′内をＯ活性種Ｇ１の雰囲気にできれば足りるので、ノズル部３０ａの開口３０ｂがチャンバ１′と連通している限り、放電管３０の取付位置は任意である。
また、上記第２の実施形態では、ロボット９を酸素活性種雰囲気形成装置８−２のチャンバ１′内に配設したが図１６に示すように、局部エッチング装置８−１と酸素活性種雰囲気形成装置８−２との間にチャンバ１−１を特設し、ロボット９をこのチャンバ１−１内に配設する構成としても良い。このように構成することで、図１７に示すように、マルチチャンバ方式の平坦化処理システムを構成することができる。すなわち、多角形のチャンバ１−１に複数の局部エッチング装置８−１と一つの酸素活性種雰囲気形成装置８−２と一のロード／アンロード室９８とを連結することで、スループットをさらに向上させることができる。
また、上記第１の実施形態において、シリコンウエハＷの表面処理方法及び酸化膜形成方法を実行する際に、孔２２を有したチャック２でシリコンウエハＷを保持したが、図１８に示すように、孔を有しない円盤状のチャック２"でシリコンウエハＷを保持した状態で、上記方法を実行することを除外するものではない。
【００４２】
【発明の効果】
以上詳しく説明したように、請求項１及び請求項２の発明によれば、汚染のない高品質のシリコンウエハを提供することができる。
さらに、短い処理時間でシリコンウエハの完全な汚染除去が可能である。
また、請求項３の発明によれば、不純物の付着のない高品質のシリコンウエハを提供することができる。
また、酸素活性種とシリコンとの化学反応によって酸化膜を形成するので、所望厚さの酸化膜を短時間で形成することができる。
さらに、局部エッチング処理されたドライ状態のシリコンウエハに対して、ドライ状態のままで酸化膜を形成することができるので、洗浄工程や乾燥工程を特設する必要がなく、その分設備コストの削減を図ることができる。
さらに、請求項５ないし請求項７の発明によれば、硫黄または炭素系化合物成分が多量に付着していると思われるシリコンウエハ表面を酸素活性種雰囲気中に曝して、汚染除去することができる。
特に、請求項６及び請求項７の発明によれば、酸素活性種をシリコンウエハの略全面に接触させることができるので、シリコンウエハの汚染除去や酸化膜の形成を確実に行うことができる。
また、請求項８の発明によれば、一のシステムで局部エッチング処理と汚染除去処理とを行うことができ、請求項９の発明に係る平坦化処理システムによれば、一のシステムで局部エッチング処理と酸化膜形成処理とを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明の第１の実施形態に係る平坦化処理システムを示す断面図である。
【図２】図１の平坦化処理システムに適用されたチャックを示す断面図である。
【図３】図２のチャックの平面図である。
【図４】Ｘ−Ｙ駆動機構のチャック支持体を示す断面図である。
【図５】図４のチャック支持体の平面図である。
【図６】ノズル部の走査状態を示す平面図である。
【図７】局部エッチングを説明するための概略断面図である。
【図８】実験結果を示す線図である。
【図９】この発明の第２の実施形態に係る平坦化処理システムを示す断面図である。
【図１０】図９の平坦化処理システムの概略平面図である。
【図１１】図９に適用されたチャックの構造を示す平面図である。
【図１２】図１１のチャックの断面図である。
【図１３】ウエハカセットを示す斜視図である。
【図１４】ハンドをシリコンウエハの下側に進入させた状態を示す断面図である。
【図１５】ハンドでシリコンウエハを取り出した状態を示す断面図である。
【図１６】第２の実施形態の変形例を示す概略断面図である。
【図１７】マルチチャンバ方式の平坦化処理システムを示す概略平面図である。
【図１８】表面処理方法及び酸化膜形成方法の実行変形例を示す断面図である。
【図１９】一般的な局部エッチング装置を示す断面図である。
【符号の説明】
１…チャンバ、 ２…チャック、 ３…プラズマ発生器、 ４…局部エッチングガス供給器、 ５…酸素ガス供給器、 ６…Ｘ−Ｙ駆動機構、 ７…Ｚ駆動機構、 ３０…放電管、 ３０ａ…ノズル部、 ３０ｂ…開口、 ４０，５０…ボンベ、 Ｇ…Ｆ活性種、 Ｇ１…Ｏ活性種、 Ｗ…シリコンウエハ、 Ｗａ…表面、 Ｗｂ…裏面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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