(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱伝達プレートと、
前記熱伝達プレートとの熱交換を通じて熱処理されるウェーハを該熱伝達プレートから離隔した状態で対面支持するように前記熱伝達プレートの上面から突設してなる複数のスペーサーと、
載置されるウェーハに周設するように前記熱伝達プレートに設けられ、ウェーハの水平方向への移動を制御する複数のガイドピンと、を具備してなり、
前記各スペーサーは、前記各ガイドピンに嵌合し、取り替え可能であり、かつ該スペーサーに支持されたウェーハと前記熱伝達プレートとの間隔及び前記熱伝達プレートに対するウェーハの傾度が調整できるように、それぞれ独立して前記熱伝達プレートの上面からの突出高さが調整可能に設けられていることを特徴とするウェーハ用熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置製造工程のうちウェーハを熱処理する工程に用いられる熱処理装置及び方法に係り、特に、熱処理されるウェーハの表面温度分布が予め調整できるように構造が改善されたウェーハ用熱処理装置及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程中には、ウェーハの構造を安定化させたり、ウェーハ上に形成されたフォトレジスト膜、導電膜および誘電体膜など各種の膜の安定化のためにウェーハを所定の温度にて熱処理する工程が含まれる。
【０００３】
この熱処理工程は、ウェーハ上にフォトレジストを塗布した後に所定のパターンが形成されたレチクルを通じてそのフォトレジストを露光および現像し、不要なフォトレジストを除去することによって、レチクル上のパターンをウェーハ上のフォトレジストにパターニングするフォトリソグラフィ工程にも含まれる。例えば、０．３μｍ以下の線幅（ＣＤ；ｃｒｉｔｉｃａｌ  ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）をもつ高集積度の半導体装置を製造するために化学増幅型フォトレジストを使用するフォトリソグラフィ工程では、フォトレジストが塗布された後にフォトレジストの溶媒を除去しフォトレジスト膜を安定させるために約８０〜３００℃にてベークする熱処理が行われる。そして、露光後には、光酸生成剤（ＰＡＧ；ｐｈｏｔｏ  ａｃｉｄ  ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）の分解によって生成した酸を触媒とする化学反応を促進させてＨ+の生成及び連続的な反応をさせるために、いわゆる露光後べーク（ｐｏｓｔ  ｅｘｐｏｓｕｒｅ  ｂａｋｅ、以下ＰＥＢと称する）という熱処理が施される。また現像後には、ウェーハの乾燥及びフォトレジストの硬化のための熱処理として、ハードべークが施される。これ以外にも、必要によっては、現像後にウェーハ上のフォトレジストが適正量ウェーハの上面に流れて所望の線幅が得られるように、フォトレジストを融解温度以上に加熱する熱処理が施されたりもする。
【０００４】
前述のウェーハに熱処理を施すための熱処理装置の一例として、フォトリソグラフィ工程に用いられるべークユニットの概略図を図１に示す。この種のべークユニットはハウジング１と、ハウジング１内に設けられる熱伝達プレート２、及び熱伝達プレート２に組み込まれたヒーター３を具備する。このべークユニットによって熱処理されるウェーハ９は、ハウジング１内に挿入されて熱伝達プレート２上に置かれ、ヒーター３からの熱を熱伝達プレート２を介して伝達することにより加熱される。熱伝達プレート２上のウェーハ９は、そのウェーハ９の水平位置を制御するためのガイド手段（図示せず）によって水平方向への流動が制限される。
【０００５】
一方、熱伝達プレート２の各部位のわずかな規格差や構造差及びヒーター３の配置構造などによって、熱伝達プレート２の表面はヒーター３の発熱時に各部位ごとに異なる温度となり、その熱伝達プレート２に固有の表面温度分布をもつことになる。従って、熱処理されるウェーハ９もそのウェーハ９が置かれた熱伝達プレート２の表面温度分布に影響されて、ウェーハ９上の各部位の温度は使用される熱伝達プレートによって異なるものとなる。また、べークユニットの周りの気流の方向や速度などによっても、ハウジング１の内部の各部位の温度が変わり、これにより、そのべークユニットによって熱処理されるウェーハ９の表面温度分布も変わる。
【０００６】
ウェーハ９上の化学増幅型フォトレジストを露光部位の全体に亘って同一のエネルギーにて露光した後に、そのウェーハをべークユニットでＰＥＢすると、前述のようなウェーハの表面温度差によりウェーハ９上の露光されたフォトレジストは、各部位によって化学反応速度に差が生じる。従って、現像時に除去される可溶化したポリマーの量にも差が生じ、その結果線幅が不均一になる。すなわち、ＰＥＢ時にウェーハ９の各部位のうち相対的に表面温度が高い部位に塗布されたフォトレジストでは反応が活発に進行し、可溶化したポリマー量が増加するので、現像後にその部位における線幅が広くなる。逆にウェーハ９の各部位のうち相対的に表面温度が低い部位に塗布されたフォトレジストでは相対的に反応が遅く進行するので、現像後にその部位における線幅が狭くなる。
【０００７】
この点に鑑みて、実際には前記べークユニット内における温度特性に基づき、ウェーハ９上のフォトレジストを露光する際、フォトレジストの各部位に対する露光エネルギーを異なる設定にし、そのべークユニット内における温度差を補償する方法を用いている。すなわち、任意のべークユニット内でウェーハ９に生じる表面温度分布を測定しそのデータを予め露光装置に入力させておき、ウェーハの各部位のうちべークユニット内で高い表面温度をもつ部位に塗布されたフォトレジストはウェーハの各部位のうち低い表面温度をもつ部位に塗布されたフォトレジストよりも低いエネルギーで露光する方法を用いる。こうすれば、低い露光エネルギーによって露光された部位では高い露光エネルギーによって露光された部位よりもＰＥＢ時に触媒として作用する酸の生成量が減るので、べークユニット内の温度特性が補償されて比較的に均一な線幅が得られる。
【０００８】
前述のようにべークユニット毎に温度特性が異なるため、いずれか１つのべークユニットの温度特性に鑑みて調整された露光エネルギーによって露光されたウェーハを他のべークユニット内で熱処理すれば、線幅不良が生じることは明らかである。従って、ある露光装置によって露光されたウェーハはあるべークユニットのみを使って順次熱処理しなければならない。
【０００９】
ところが、よく知られるように、フォトレジストの塗布工程、現像工程及び露光工程などは比較的に短時間内に行われるのに対し、露光段階後のウェーハをベークするＰＥＢ工程は長時間を要するので、そのＰＥＢ工程でボトルネック現像が生じ、フォトリソグラフィ工程全体の生産性が低下する。前述のボトルネック現象は、例えば、露光段階を経たウェーハを複数のべークユニットを並列に使って熱処理すれば容易に解消できるが、従来のべークユニットの構成では前述のようにある露光装置で露光されたウェーハはその露光装置に対応するべークユニットによってのみ熱処理されなければならないため、前記ボトルネック現象に対応できず、その結果生産性が著しく低下する問題点がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記事情に鑑みて成されたものであり、その目的は、熱処理の際のウェーハの表面温度分布をウェーハの熱処理前に予め所望の分布に調整できるように構造が改善されたウェーハ用熱処理装置及び方法を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明により上記課題を解決することができる。
【００１２】
すなわち本発明は、熱伝達プレートと、前記熱伝達プレートとの熱交換を通じて熱処理されるウェーハを該熱伝達プレートから離隔した状態で対面支持するように前記熱伝達プレートの上面から突設してなる複数のスペーサーと、載置されるウェーハに周設するように前記熱伝達プレートに設けられ、ウェーハの水平方向への移動を制御する複数のガイドピンと、を具備してなり、前記各スペーサーは、前記各ガイドピンに嵌合し、取り替え可能であり、かつ該スペーサーに支持されたウェーハと前記熱伝達プレートとの間隔及び前記熱伝達プレートに対するウェーハの傾度が調整できるように、それぞれ独立して前記熱伝達プレートの上面からの突出高さが調整可能に設けられていることを特徴とするウェーハ用熱処理装置である。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。
【００１９】
図２及び図３に本発明の熱処理装置の一実施形態を示す。該熱処理装置は、図１に示した従来の熱処理装置と同様に、例えば、フォトリソグラフィ工程でウェーハを熱処理する時に使用できるものであって、いわゆるべークユニットとも呼ばれ（以下、べークユニットと称する）、ハウジング１０及び熱伝達プレート２０を具備している。なお、ハウジング１０および熱伝達プレート２０は従来の熱処理装置で使用されているものをそのまま使用することができる。
【００２０】
前記ハウジング１０は、下部ケース１１及び上部ケース１２で構成することができる。熱処理されるウェーハ９が収納される時には上部ケース１２が下部ケース１１に対して上方に離隔され、ウェーハ９が収納された後、図２に示すように、上部ケース１２が下部ケース１１に密着してウェーハ９の熱処理のための空間を形成することになる。前記熱伝達プレート２０はウェーハ９の水平方向への移動を制御するためにウェーハ９の周りに配置される複数のガイドピン２５を具備している。その熱伝達プレート２０の内部には熱源としてウェーハ９を加熱するためのヒーター３が組み込まれている。このヒーター３からの熱が熱伝達プレート２０を通じてその熱伝達プレート２０の上方に位置するウェーハ９に伝達されることにより、ウェーハ９が熱処理される。
【００２１】
従来のべークユニットとは異なり、本実施形態のべークユニットは、スペーサー３０を具備しており、これにより以下に説明する本発明の特徴的な効果が得られる。スペーサー３０は薄いリング状に形成されてなり、各スペーサー３０は前記各ガイドピン２５に嵌合する状態で熱伝達プレート２０の上面に設置される。これらのスペーサー３０は、ハウジング１０内に挿入されたウェーハ９を熱伝達プレート２０から離隔して支持するように熱伝達プレート２０の上面から突出している。各スペーサー３０は、ウェーハ９と熱伝達プレート２０との間隔や熱伝達プレート２０に対するウェーハ９の傾度を調整する場合に、異なる厚さのスペーサーに取り替えできるように設けられる。各スペーサー３０は、その取り替え時にガイドピン２５から容易に外れるようにガイドピン２５に緩やかに嵌合されることが好ましい。前記スペーサー３０を異なる厚さのスペーサーに取り替えることにより、熱伝達プレート２０の上面からの高さを調整できる。スペーサー３０の材質は、効率良い熱伝達のために熱伝達プレート２０の材質と同一であることが好ましい。
【００２２】
本実施形態のべークユニットでも、従来のべークユニットと同様に熱伝達プレート２０はヒーター３の発熱時に固有の表面温度分布特性を有する。また、べークユニットが設けられる位置や周囲環境によって、べークユニットのハウジング１０内部の温度も部位ごとに異なる。従って、べークユニット内で熱処理されるとき、ウェーハ９も、そのべークユニットで使用された熱伝達プレート２０の表面温度分布特性及びそのべークユニットの周りの気流方向や速度などにより、特定の温度分布特性を有する。なお、同一のべークユニットで同一の高さ及び状態で順次熱処理されるウェーハ９は実質的に同一の温度分布特性をもつことになる。
【００２３】
一方、前述のようなスペーサー３０が設けられている場合には、スペーサーの作用により複数のべークユニットの内部温度分布特性を実質的に同一にすることができ、ウェーハの熱処理工程、例えば前記ＰＥＢ工程において並列に使用できる。
【００２４】
以下、前述のべークユニットの並列使用方法について、二つのべークユニットを並列使用するために本発明者らによって行われた方法を例にとって、具体的に説明する。参考に、並列に使用された２つのべークユニットのうち１つのべークユニット（以下、第１べークユニットと称する）に設けられた熱伝達プレート２０の表面温度分布を図４に示し、もう１つのべークユニット（以下、第２べークユニットと称する）に設けられた熱伝達プレート２０の表面温度分布を図５に示す。まず、前記第１べークユニット内の熱伝達プレート２０のガイドピン２５それぞれに０．１０ｍｍの厚さをもつスペーサー３０を嵌合して、第１べークユニット内の熱伝達プレート２０の上面からのスペーサー３０の突出高さがいずれも０．１０ｍｍになるようにした。そして、ヒーター３を作動させた後に熱伝達プレート２０が所望の温度に達して十分に安定化した状態で、サンプル用ウェーハ９を前記第１べークユニット内のスペーサー３０上に支持させ、ウェーハ９の温度が所望の熱処理温度範囲まで加熱されて十分安定した後、そのウェーハ９の表面温度分布を測定した。
【００２５】
ウェーハ９の表面温度分布を測定するための方法としては各種公知のものを適用でき、本発明者らは多数の部位にそれぞれ温度測定センサーを設けたダミーウェーハを前記サンプル用ウェーハとして使って、その温度測定センサーによって発生される信号に基づき表面温度分布を測定する方法を使用した。
【００２６】
前記測定の結果、ウェーハ９の表面は、図６に等温線で示すように、中央部の温度が高く周辺部の温度が低く、且つ左側縁部９１及び右側縁部９２の温度がほぼ同様の形態の温度分布となった。このとき、ウェーハ９の表面のうち最高温度となった中央部位の温度は１４６．３６℃、最低温度となった縁部の温度は１４５．８１℃であり、その差は０．５５℃、ウェーハ９表面全体の平均温度は１４６．０６℃であった。
【００２７】
一方、第２べークユニット内の熱伝達プレート２０上のスペーサー３０も、いずれも０．１０ｍｍの厚さのものを使って、熱伝達プレート２０の上面からの高さをいずれも０．１０ｍｍに設定した。その後、前記第１べークユニットと同様の方法によりウェーハ９のベークを行ない、そのウェーハ９の表面温度分布を測定した。
【００２８】
前記第２べークユニット内での測定の結果、ウェーハ９の表面温度分布は、図７に等温線で示すように、左側縁部９１の温度が右側縁部９２の温度よりも高く、その差も第１ベークユニットを用いた場合に比べて大きかった。このとき、ウェーハ９の表面のうち最高温度となった中央部位の温度は１４５．８１℃、最低温度となった右側縁部９２の温度は１４５．１６℃であり、その差は０．６５℃、ウェーハ９表面全体の平均温度は１４５．４９℃であった。
【００２９】
その後、第１べークユニット内でのウェーハの表面温度分布に基づき、従来の方法と同様にして、露光装置の露光エネルギーを調整し、その露光装置によって処理されたウェーハのうち１つを第１べークユニットによって熱処理し、もう１つを第２ベートユニットにより熱処理した結果、第２べークユニット内でベークされたウェーハで多くの線幅不良が確認された。
【００３０】
その後、第２べークユニット内で熱処理されるウェーハ９の左側部位が右側部位よりも高い温度で熱処理される点に鑑み、ウェーハ９の左側部位の温度は相対的に下がり右側部位の温度は相対的に上がるように、第２べークユニット内でウェーハ９の左側縁部９１と熱伝達プレート２０との間隔が０．１１ｍｍとなり且つウェーハ９の右側縁部９２と熱伝達プレート２０との間隔が０．０９ｍｍとなるように、スペーサーの取り替えによって、スペーサーの高さをそれぞれ調整した。そして、第２べークユニット内の前記高さ調整されたスペーサー上にさらにウェーハ９を支持させ、熱処理を行なったときのウェーハ９の表面温度分布を測定した。
【００３１】
その結果、図８に示すように、ウェーハ９は中央部で温度が高くて周辺部の温度が低く、且つ左側縁部９１と右側縁部９２との温度差が大幅に減った温度分布、すなわち、図６に示した前記第１べークユニット内でのウェーハ表面温度分布と類似した温度分布を示した。このとき、ウェーハ９の表面のうち最高温度となった中央部位の温度は１４５．８６℃、最低温度となった縁部の温度は１４５．３０℃であり、その差は０．５６℃、ウェーハ９表面全体の平均温度は１４５．５５℃であった。
【００３２】
また、前述の露光装置によって露光されたウェーハのうち幾つかを第２べークユニット内の高さ調整されたスペーサー上でさらに熱処理した後に現像して線幅を測定した結果、線幅に対する不良率が第１べークユニットによって熱処理されたウェーハの線幅不良率とほぼ等しくなることが確認できた。これは生産性の向上のために第１べークユニット及び第２べークユニットを並列に使用してもなんら問題無いことを意味する。
【００３３】
製品レベルに適用する際には、ウェーハ９と熱伝達プレート２０との間隔が小さいほど最高温度に達する時間及び安定化される時間は短くなるが、ウェーハ９の表面温度分布は熱伝達プレート２０の温度分布に近づくので好ましくなく、前記間隔が大きいほど熱伝達プレート２０の温度分布の影響は小さくなるが、最高温度に達する時間及び安定化される時間は遅くなる。従って、ウェーハ９と熱伝達プレート２０との間隔は実際の作業現場での要求条件に鑑みて適宜設定することが好ましい。なお、前述のテストは、本発明者らによる前記ウェーハ９と熱伝達プレート２０との平均間隔は０．１０ｍｍが最適であるとのシュミレーション作業結果に基づき行われたものである。
【００３４】
上記のように、本発明によれば、スペーサー３０の高さ調整によってウェーハ９の傾度及びそのウェーハ９と熱伝達プレート２０との間隔を調整することにより、ウェーハ９の表面温度分布を適宜調整し得る。従って、例えば、いずれか１つのべークユニット内で熱処理されるウェーハの表面温度分布を基準とし、その基準となる表面温度分布に合わせて他のべークユニット内でのウェーハの表面温度分布を調整すれば、ＰＥＢ工程などのように精度良い温度制御が要求される工程でも複数のべークユニットを使って複数のウェーハを同時に熱処理することが可能になる。
【００３５】
本実施形態のべークユニットではハウジング１０が下部ケース１１及び上部ケース１２からなるものとして説明及び図示したが、これに限られるものではなく、例えばハウジングが１つの胴体からなり、そのハウジングの一側面にウェーハの出入りのための出入口が形成できることはもちろんである。
【００３６】
前述の実施形態においてはスペーサーの取り替えによってウェーハ９と熱伝達プレート２０との間隔が調整されると説明したが、スペーサーの高さ調整を可能にするための構成はこれに限られるものではない。
【００３７】
図９に本発明の他の実施形態のべークユニットが示してあり、図１０には図９の熱伝達プレート部位を平面図として示してある。本実施形態のべークユニットで、ハウジング１０と熱伝達プレート２０及びヒーター３は前記説明したものと同じ機能をもつ。一方、本実施形態のべークユニットは、図２に示した実施形態とは異なり、伝達プレートに螺合されてなり、回転によって昇降するスペーサーを有する形態であり、より具体的にはピン形状のスペーサー４０を具備している。
【００３８】
各スペーサー４０の上端部は、ハウジング１０内に挿入されたウェーハ９を熱伝達プレート２０から離隔して支持するように、熱伝達プレート２０の上面から突出している。このスペーサー４０は熱伝達プレート２０に対してそれぞれ独立して昇降できる。昇降可能なようにスペーサー４０を熱伝達プレート２０と結合するための構造としては各種の形態のものが適宜採用でき、各スペーサー４０が熱伝達プレート２０に螺合した構造が例として挙げられる。従って、各スペーサー４０に回転力が加えられたときにそのスペーサー４０が上昇または下降され、これによりスペーサー４０の突出高さが適宜調整でき且つ選択できる。スペーサー４０の材質は、効率良い熱伝達のために熱伝達プレート２０の材質と同一であることが好ましい。
【００３９】
このような実施形態において、作業者がスペーサー４０をそれぞれ独立して回転させるとそのスペーサー４０の高さが調整され、これによりスペーサー４０により支持されるウェーハ９の傾度やウェーハ９と熱伝達プレート２０との間隔が調整できる。従って、本実施形態の熱処理装置も図２を参照して説明した実施形態の熱処理装置と同様に複数のウェーハを並列して熱処理することができ、ボトルネック現象の問題を解決できる。
【００４０】
図１１に本発明に係るさらに他の実施形態のべークユニットの熱伝達プレートを示し、図１２に図１１の熱伝達プレート底面図を示す。本実施形態によるスペーサーはそれぞれ対応するモーター、およびこのモーターの動力をスペーサーに伝達する動力伝達機構をさらに備えたものである。
【００４１】
図１１に示した熱伝達プレートには３つのスペーサー４０が設けられているが、各スペーサー４０と熱伝達プレート２０との結合構造は図１１に示した実施形態のべークユニットと同様である。また、スペーサー４０の材質は、効率良い熱伝達のために熱伝達プレート２０の材質と同一であることが好ましい。一方、本実施形態では３つのモーター５０と、動力伝達機構が具備された例を図示したが、スペーサーの数は本例に限られるものではない。この動力伝達機構は各モーター５０からの動力をそれに対応するスペーサー４０に伝えるために設けられたものであって、各スペーサー４０に結合したウォームホイール４１と、スペーサー４０に対応するモーター５０の出力軸に結合したウォーム５１を具備しており、前記ウォーム５１は、前記ウォームホイール４１と噛み合うようになっている。
【００４２】
前述の構成において、いずれか１つのモーター５０が回転すれば、そのモーター５０の出力軸に結合したウォーム５１とそのウォーム５１に噛み合ったウォームホイール４１を通じてそのモーター５０と対応するスペーサー４０が回転し、これによりスペーサー４０が熱伝達プレート２０に対して上昇または下降する。このような構成により、熱伝達プレート２０からのスペーサー４０の突出高さがそれぞれ独立して調整できるので、前記実施形態の熱処理装置と同様に複数のウェーハを並列して熱処理することができる。
【００４３】
本実施形態では、動力伝達機構として、モーター５０の出力軸に固定されたウォーム５１および該ウォーム５１と噛み合う、スペーサー４０に結合したウォームホイール４１のみを具備したものを説明及び図示した。しかし、前述の構成は動力伝達機構の一実施形態に過ぎず、これ以外にも各種の構成のものが採用できる。例えば、ウォームホイール４１がスペーサー４０に直接結合する代わりに、適正な減速比を得るためにウォームホイール４１が多数のギア群（図示せず）を挟んでスペーサー４０に連結できるのはもちろんである。このような構成のほかにも、モーターの回転力をスペーサーの昇降運動に変換させるための構成は種々当業者に広く知られたものがあり、そのうち適切なものを本発明の技術的思想から免脱しない範囲内で自由に採用できる。
【００４４】
前記各モーター５０は作業者のスイッチ操作によって作動させることができ、そのべークユニット内で測定されたウェーハの表面温度分布と制御部（図示せず）に予め入力されている温度分布の差に基づいて発生する信号によって、自動で作動させることもできる。
【００４５】
また、前記スペーサー３０、４０の数量や平面上での配置は、図３、図１０及び図１２に示されたものに限定されず、状況によって適宜設定できる。
【００４６】
また、フォトリソグラフィ工程でのウェーハ熱処理を例にとって本発明について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体製造プロセスのうちウェーハを熱処理する必要がある工程にはいずれにも適用できる。
【００４７】
また、ウェーハ９を加熱するために熱伝達プレート２０内にヒーター３が設けられたべークユニットを例にとって本発明を説明したが、例えば熱伝達プレート内に冷却水を流動させたりその他の冷却源を設け、その冷却水や冷却源によって熱伝達プレート及びウェーハを冷却する構成を有するものにも本発明が適用できることはもちろんである。
【００４８】
本発明は前述の実施形態や変形例に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で前述の実施形態や変形例の変更または組合せによる各種ウェーハ用熱処理装置及び方法も本発明の請求の範囲に含まれるべきものである。
【００４９】
【発明の効果】
上述したように、本発明によれば、熱処理される時のウェーハの表面温度分布が所定の基準温度分布に近づくようにウェーハの傾度やウェーハと熱伝達プレートとの間隔を予め調整できるので、きめ細かい温度制御が必要な場合にも複数セットの熱処理装置を使ってウェーハを並列に熱処理でき、これにより半導体製造工程中に現れるボトルネック現象の問題を解決でき、生産性が大幅に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  従来のウェーハ用熱処理装置の一例の概略断面図である。
【図２】  本発明の一実施形態に係るウェーハ用熱処理装置の概略断面図である。
【図３】  図２の熱処理装置を"Ａ"方向からみた概略図である。
【図４】  第１ベークユニットの熱伝達プレートの表面温度分布図である。
【図５】  第２ベークユニットの熱伝達プレートの表面温度分布図である。
【図６】  第１ベークユニットによって熱処理されたウェーハの表面温度分布図である。
【図７】  第２ベークユニットによって熱処理されたウェーハの表面温度分布図である。
【図８】  第２ベークユニットの各スペーサーの高さを調整した状態で熱処理されたウェーハの表面温度分布図である。
【図９】  本発明の他の実施形態に係るウェーハ用熱処理装置の概略断面図である。
【図１０】  図９の熱伝達プレートを"Ａ"方向からみた概略図である。
【図１１】  本発明のさらに他の実施形態に係るウェーハ用熱処理装置の熱伝達プレート部位の概略断面図である。
【図１２】  図１１の熱伝達プレートの概略底面図である。
【符号の説明】
１        ハウジング
２        熱伝達プレート
３        ヒーター
９        ウェーハ
１０        ハウジング
１１        下部ケース
１２        上部ケース
２０        熱伝達プレート
２５        ガイドピン
３０        スペーサー
４０        ピン型のスペーサー
４１        ウォームホイール
５０        モーター
５１        ウォーム
９１        左側縁部
９２        右側縁部
【図１】
0004363754.tif 000002
【図２】
0004363754.tif 000003
【図３】
0004363754.tif 000004
【図４】
0004363754.tif 000005
【図５】
0004363754.tif 000006
【図６】
0004363754.tif 000007
【図７】
0004363754.tif 000008
【図８】
0004363754.tif 000009
【図９】
0004363754.tif 000010
【図１０】
0004363754.tif 000011
【図１１】
0004363754.tif 000012
【図１２】
0004363754.tif 000013