(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
枚葉式リアクタ内でウェーハ上に膜を堆積する方法であって、
側壁を有する堆積チャンバをチャンバ上部及びチャンバ下部に分割しているサセプタに、ウェーハを配置するステップと、
堆積ガスを、前記チャンバ上部に流し入れ、前記ウェーハを横切らせ、前記チャンバ上部から前記側壁を通って延びた排気通路を通して流出させるステップと、
パージガスを、前記チャンバ下部に流し入れ、前記チャンバ下部から前記排気通路に延びた下方通路を通して流出させるステップと、
前記パージガスを、前記堆積チャンバ内にある間に加熱するステップと、
前記パージガスを、前記排気通路内における前記堆積ガスの凝縮を防止する流量で前記下方通路を通して流すステップと、
を備える方法。
【請求項２】
枚葉式リアクタ内のウェーハ上に膜を堆積する方法であって、
側壁を有する堆積チャンバ内にウェーハを配置するステップと、
前記堆積チャンバ内において、前記ウェーハよりも上側の上部に堆積ガスを流入するステップと、
前記堆積チャンバの前記上部から前記側壁を通って延びる排気通路を通して前記堆積ガスを排出するステップと、
前記堆積チャンバ内において、前記ウェーハよりも下側の下部にパージガスを流入するステップであって、前記パージガスが前記堆積ガスの前記堆積チャンバの前記下部への流入を実質的に防止しているステップと、
前記パージガスを前記堆積チャンバ内において加熱するステップと、
前記堆積チャンバの前記下部から前記排気通路に延びた下方通路を通して前記パージガスを排出するステップであって、前記加熱されたパージガスが前記排気通路内における前記堆積ガスの凝縮を防止しているステップと、
を備える方法。
【請求項３】
ウェーハ上に材料層を堆積するための堆積装置であって、
側壁を有する堆積チャンバと、
堆積ガスとパージガスとを前記堆積チャンバ内に導入するガス入口マニホルドと、
前記堆積チャンバ内部の第１の平面上に設けられたサセプタ板であって、前記堆積チャンバを横断して延び、前記堆積チャンバを前記ウェーハが支持されるサセプタ板上面より上方にある上部とサセプタ板の裏面より下方にある下部とに分割しているサセプタ板と、
前記ウェーハを加熱するための手段と、
前記第１の平面上で前記サセプタ板を取り囲み、第１の断面積を有する隙間によって前記サセプタ板と隔てられている予熱リングと、
前記堆積チャンバの前記上部から前記側壁を通って延びた排気通路と、
前記堆積チャンバの前記下部から前記排気通路に延びた、第２の断面積を有する通気穴と、
を備え、
前記下部で加熱された前記パージガスにより前記上部の前記堆積ガスが前記隙間を通って前記下部に流れることを防止し、且つ、前記排気通路内に十分な量の前記加熱されたパージガスを供給することにより前記排気通路中の前記堆積ガスが同通路内で凝縮しないような相対的関係を満たすように、前記第１の断面積と前記第２の断面積との比率が決定されている堆積装置。
【請求項４】
前記通気穴が、前記排気通路開口部の真下に配置された１個の細長い開口部を備える請求項３に記載の堆積装置。
【請求項５】
前記通気穴が、別個に設けられた複数の開口部を備える請求項３に記載の堆積装置。
【請求項６】
前記第１の断面積と前記第２の断面積が、約３：１の比率である請求項３に記載の堆積装置。
【請求項７】
前記パージガスが、前記加熱するための手段である複数のランプによって加熱される請求項３に記載の堆積装置。
【請求項８】
上部ドームと下部ドームとを更に備え、前記側壁が前記上部ドームと前記下部ドームとの間に設けられた請求項３に記載の堆積装置。
【請求項９】
前記ガス入口マニホルドが、前記堆積チャンバの前記下部内にガスを導く少なくともひとつの通路開口部と前記堆積チャンバの前記上部内にガスを導く少なくともひとつの通路開口部とを有する請求項３に記載の堆積装置。
【請求項１０】
前記ガス入口マニホルドが、前記堆積チャンバの前記下部内にガスを導く少なくともひとつの通路開口部と前記堆積チャンバの前記上部内にガスを導く少なくともひとつの通路開口部とを有する請求項７に記載の堆積装置。
【請求項１１】
ウェーハ上に材料層を堆積するための堆積装置であって、
側壁を有する堆積チャンバと、
堆積ガスとパージガスとを前記堆積チャンバ内に導入するガス入口マニホルドと、
前記堆積チャンバ内部の第１の平面上に設けられたサセプタ板であって、前記堆積チャンバを横断して延び、前記堆積チャンバを前記ウェーハが支持されるサセプタ板上面より上方にある上部とサセプタ板の裏面より下方にある下部とに分割しているサセプタ板と、
前記ウェーハを加熱するための手段と、
前記第１の平面上で前記サセプタ板を取り囲み、第１の断面積を有する隙間によって前記サセプタ板と隔てられている予熱リングと、
前記堆積チャンバの前記上部内で前記側壁の内面に接して設置された上部ライナと、
前記堆積チャンバの前記下部内で前記側壁の内面に接して設置された下部ライナと、
前記上部ライナと前記下部ライナとの間に位置し、前記堆積チャンバの前記上部から前記側壁を通って延びた排気通路と、
前記堆積チャンバの前記下部から前記下部ライナを通って前記排気通路まで延びた、第２の断面積を有する前記通気穴と、
を備え、
前記下部で加熱された前記パージガスにより前記上部の前記堆積ガスが前記隙間を通って前記下部に流れることを防止し、且つ、前記排気通路内に十分な量の前記加熱されたパージガスを供給することにより前記排気通路中の前記堆積ガスが同通路内で凝縮しないような相対的関係を満たすように、前記第１の断面積と前記第２の断面積との比率が決定されている装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の背景】
１)発明の分野
本発明は半導体処理設備に関し、より詳細には、半導体処理装置内の粒子汚染を低減するための方法及び装置に関する。
【０００２】
２)関連技術の検討
半導体ウェーハ処理装置の一形式に、処理チャンバ内で一回につき一枚のウェーハを処理する枚葉式プロセッサがある。枚葉式リアクタの例を図１に示す。サセプタ１２０が、チャンバ１１２を、サセプタより下方の一部分(下部)１２４と、サセプタより上部の第２の部分(上部)１２２とに分割している。サセプタ１２０は、一般に、中心を軸としてサセプタを回転させて、より均一なウェーハ処理を達成するシャフト１２６に取り付けられている。堆積ガス１１５等の処理ガス流は、チャンバ上部１２２に供給される。一般に、チャンバは、その一方の側面にガス入口通路１７８を有し、また反対側の側面に排気通路１１６を有し、ウェーハを横切る処理ガス流を達成している。サセプタ１２０は、ウェーハを所望の処理温度まで加熱するために加熱される。サセプタを加熱するために用いられる方法のひとつに、チャンバ周囲に備えられたランプ１３４を使用して、それらの光をチャンバ内及びサセプタ１２０上に向ける方法がある。ウェーハの加熱温度を制御するために、常時サセプタの温度は測定される。これは多くの場合加熱されたサセプタから放射される赤外線を検知する赤外線温度センサ１３６によって達成される。
【０００３】
この種の処理装置の問題点は、一部の処理ガス（これは多くの場合ウェーハ表面に材料層を堆積させるための単一ガス又は混合ガスである）が、サセプタの縁部周辺に流れて、サセプタの裏面に材料層を堆積する傾向があることである。一般に堆積される材料はサセプタの材料とは異なっているため、堆積層は、サセプタの放射率とは異なる放射率を有している。従って、材料層がサセプタ裏面に堆積すると、赤外線温度センサは、赤外線が放射される表面の放射率変動に起因する変動を検知してしまう。この変動は、実際には存在しないサセプタの温度変動を示す。
【０００４】
サセプタ裏面への堆積の問題を防止するために用いられてきた技法のひとつに、水素等の不活性ガス１２１の流れを、チャンバ上部内の堆積ガスの圧力より僅かに高い圧力でチャンバ下部に供給するものがある。これを達成するための装置のひとつは、１９９３年７月３０日に出願された、Roger N. Anderson他による米国特許出願第０８／０９９／９７７号明細書、発明の名称「ウェーハ処理チャンバのためのガス入口」に述べられている。チャンバ下部内の不活性ガスの方が高圧であるため、不活性ガスは、チャンバ下部からサセプタ縁部を回り込みチャンバ上部へと流れる。不活性ガスのこの流れが、チャンバ下部への堆積ガス１１５の流れを防止する。しかし残念なことに、パージガスがチャンバ１２２の上部１２２に配置する排気通路１１６を介して流出するために、チャンバ下部からチャンバ上部へと流れる際に、パージガスが金属汚染物質をチャンバ下部からチャンバ上部に運び、処理されるウェーハを汚染する結果となる。
【０００５】
図１の処理装置に関連するもうひとつの問題点は、堆積ガス１１５が、排気通路１１６を介してチャンバから退出する際に堆積ガスが冷却され、凝縮され、排気通路１１６内部に堆積物１１４を形成することにある。堆積ガスが冷却されるのは図１の装置が「冷壁リアクタ(cold wall reactor)」だからである。すなわち、リフレクタ１３５のために側壁がランプ１３４によって直接照射されず、また側壁中を冷却流体が循環しているために処理中の堆積チャンバの側壁がサセプタ１２０(及びウェーハ)の温度よりも実質的に低いからである。側壁及び排気出口通路が低温であるために、サセプタ１２０によって加熱された堆積ガスは通路内にある間に冷えて、内部に堆積物１１４が形成される。これらの堆積物１１４はチャンバ１１２内に戻り、処理中のウェーハ上に載ってしまう恐れがある。堆積物１１４は、膜の品質と均一性に悪影響を及ぼし、デバイスの歩留まりを実質的に低下させ得る。
【０００６】
従って、排気通路内の堆積物形成を低減し、チャンバ下部からの金属汚染を減らすことのできる方法及び装置が望まれる。
【０００７】
【発明の概要】
本発明は、排ガスを加熱するための通気穴を有する（vented、穴のあいた）下部ライナを有する枚葉式リアクタである。本発明の装置は、反応チャンバを含む。チャンバを上部と下部に分割するウェーハ支持部材が、チャンバ内部に配置されている。排気チャネルが、反応チャンバの側壁内に形成されており、チャンバ内部からガスが排出される。堆積ガスは、チャンバ上部と堆積チャンバ外面側壁との間に配置された排気通路を通して排出される。大流量の加熱されたパージガスは、チャンバ下部と排気通路との間に配置された通気穴を通してチャンバ下部より排出される。排気通路への大流量の加熱パージガスによって、排出される堆積ガスの排気通路内での凝縮並びに同通路内での堆積物形成が防止される。
【０００８】
【実施の形態の詳細な説明】
本発明では、枚葉式処理リアクタの排気通路内における堆積ガスの凝縮を防止するための方法及び装置について述べる。以下の説明では、特定な加熱エレメントやガス等の数多くの特定な詳細を、発明の完全な理解を提供するために示す。他の事例、例えば公知のリアクタ寸法形状及びプロセスについては、本発明を不必要に分かりにくくしないために詳しい説明はしていない。
【０００９】
本発明は枚葉式リアクタである。処理対象のウェーハを支持するサセプタが、堆積チャンバ内部に配置されて、チャンバを上部と下部に分割している。チャンバ上部に送られてウェーハを横切る堆積ガスは、チャンバ上部から堆積チャンバ内側壁を通って外部に延びた排気通路を通して排出される。Ｈ2等の不活性ガスがチャンバ下部に送られて、チャンバ下部と排気通路との間に形成された通気穴から排出される。大流量の不活性パージガスによって、大量の加熱ガスを排気通路内部に提供されて、同通路内における堆積ガスの凝縮及び堆積物の形成が防止される。加えて、パージガスがチャンバ下部から直接排出されて、チャンバ下部からの金属汚染物質が低減される。
【００１０】
本発明による半導体ウェーハ処理装置２１０を図２に示す。図示の処理装置２１０は堆積リアクタであって、上部ドーム２１４と、下部ドーム２１６と、上部ドーム２１４と下部ドーム２１６との間の側壁２１８とを有する堆積チャンバ２１２を備えている。ドーム２１４及び２１６を側壁２１８に取付けるために用いる複数の“Ｏ”リングを冷却する目的で、冷却流体(図示せず)が側壁２１８の中を循環している。上部ライナ２８２及び下部ライナ２８４が、側壁２１８の内部表面に接して取り付けられている。上部ドーム２１４及び下部ドーム２１６は、透過性素材から形成されており、加熱光がチャンバ２１２内部に通過できるようになっている。
【００１１】
チャンバ２１２内部には、ウェーハを支持するための平坦で円形のサセプタ２２０がある。このサセプタ２２０は、側壁２１８にチャンバ２１２全体を横切って延びており、チャンバ２１２をサセプタ２２０より上の上部２２２と、サセプタ２２０より下の下部２２４とに分割している。サセプタ２２０は、サセプタ２２０の底部中央から垂直下方に延びたシャフト２２６上に取り付けられている。シャフト２２６は、シャフト２２６を回転させてサセプタ２２０を回転させるモータ(図示せず)と連結されている。環状の予熱リング２２８が、外側周縁部で下部ライナ２８４の内側周縁部と連結しており、サセプタ２２０を取り囲んで延びている。予熱リング２２８はサセプタ２２８と同平面にあって、予熱リング２２８の内縁は隙間２２９によってサセプタ２２０の外縁から離間されている。入口マニホルド２３０が、チャンバ２１２の側面に配置されており、ガスをチャンバ２１２内に導入するように適合されている。出口ポートが、入口マニホルドから対角に対向するチャンバ２１２の側面上に配置されており、堆積チャンバ２１２からガスを排出できるように適合されている。
【００１２】
複数の高輝度ランプ２３４がチャンバ２１２の周りに装着されており、それらの光を上部ドーム２１４及び下部ドーム２１６を通してサセプタ２２０上に向け、サセプタ２２０を加熱する。上部ドーム２１４及び下部ドーム２１６は、ランプ２３４からの光に対して透過性のある透明な石英等の材料から形成されている。上部ドーム２１４及び下部ドーム２１６は、一般に石英から形成されているが、その理由は、石英が可視光線と赤外線周波数の両方の光に対して透過性である点、比較的高い構造強度を示す点、そして堆積チャンバ２１２の処理環境においても化学的に安定している点にある。ランプは、堆積チャンバ２２０内のウェーハを加熱するための望ましい手段ではあるが、抵抗加熱器やＲＦ誘導加熱器等の他の手段を用いても良い。高温計等の赤外線温度センサ２３６は、下部ドーム２１６より下に装着されており、下部ドーム２１６を通してサセプタ２２０表面の底部と向かい合っている。温度センサ２３６が、サセプタ２２０が加熱される際にサセプタ２２０から放射される赤外線を受けてサセプタ２２０の温度をモニタするために用いられる。任意で、ウェーハの温度を測定するための温度センサ２３７を同時に組み込んでも良い。
【００１３】
上部クランプリング２４８が、上部ドーム２１４の外面周縁部を囲んで延びている。下部クランプリング２５０は、下部ドーム２１６の外面周縁部を囲んで延びている。上部及び下部クランプリングは共締めされていて、上部ドーム２１４及び下部ドーム２１６は側壁２１８に締め付けられている。
【００１４】
リアクタ２１０は、堆積チャンバ２１２の中に堆積ガスを送るための堆積ガス入口マニホルド２３０を含む。ガス入口マニホルド２３０は、バッフル２７４、側壁２１８内部に配置された挿入プレート２７９、及び上部ライナ２８２と下部ライナ２８４との間に形成された通路２６０を含む。通路２６０はチャンバ２１２の上部２２２と繋いでいる。シリコンソースガス、ドーパントソースガス、及びキャリヤガス等の堆積ガスは、ガスキャップ２３８からバッフル２７４、挿入プレート２７９、及び通路２６０を介して、チャンバ２１２の上部２２２に送られる。
【００１５】
リアクタ２１０はまた、水素(Ｈ2)又は窒素(Ｎ2)等（これらに限定されないが）の不活性パージガスを、堆積チャンバ２１２の下部２２４に送るための独立した不活性ガス入口２６２を含む。図２に示すように、不活性パージガス入口２６２は、所望であれば、バッフル２７４、挿入プレート２７９及び下部ライナ２８４を通り抜ける物理的に分離された個別の通路２６２が不活性ガスのために備えられている限り、ガス入口マニホルド２３０と一体化することもでき、その結果、不活性パージガスは、堆積ガスとは関係なく制御及び方向付けができる。不活性パージガス入口２６２は、必ずしも堆積ガス入口マニホルド２３０と一体化又はそれに沿って配置する必要はなく、例えば堆積ガス入口マニホルド２３０に対して９０゜の角度を有するようにリアクタ２１０上に配置しても良い。
【００１６】
本発明における枚葉式リアクタのガス出口２３２の実施形態の側方断面図を図３に示す。ガス出口２３２は、チャンバ上部２２２から側壁２１８の外径まで延びた排気通路３００を含む。排気通路３００は、上部ライナ２８２と下部ライナ２８４との間に形成され、チャンバ上部２２２と側壁２１８の内径との間に延びた上部通路３０２を含む。加えて、排気通路３００は、側壁２１８内部に配置された挿入プレート２７８の内部に形成された排気チャネル３０４も含む。堆積チャンバ２１２内に低圧あるいは減圧状態を作り出すための、ポンプ(図示せず)等の負圧ソースが、出口パイプ２３３を介して側壁２１８の外側で排気チャネル３０４に連結されている。従ってチャンバ上部２２２に送り込まれた堆積ガスは、上部通路３０２から排気チャネル３０４を通って、出口パイプ２３３へと排出される。
【００１７】
図２に示す枚葉式リアクタは、「冷壁」リアクタである。すなわち、側壁２１８並びに上部ライナ２８２及び下部ライナ２８４は、各々処理中はサセプタ２２０(及びその上に置かれているウェーハ)よりも実質的に低い温度である。例えば、ウェーハ上にエピタキシャルシリコン膜を堆積させるプロセスでは、サセプタ及びウェーハは９００〜１２００℃の間の温度まで加熱され、一方、側壁(及びライナ)は約４００〜６００℃の温度である。側壁及び各ライナの温度が低いのは、リフレクタ２３５があってランプ２３４からの直接照射を受けないためと、側壁２１８を通って冷却流体が循環しているためとによる。
【００１８】
ガス出口２３２はまた、チャンバ下部２２４から下部ライナ２８４を通して排気通路３００まで延びた通気穴３０６も含んでいる。通気穴３０６は、図３に示すように排気通路３００の上部通路３０２と交差しているのが望ましい。不活性パージガスは、チャンバ下部２２４から通気穴３０６を通り、上部チャンバ通路３０２の一部を抜け、排気チャネル３０４を通り、出口パイプ２３２へと排出される。通気穴３０６はチャンバ下部から排気通路３００へパージガスが直接排出されることができるようにしている。
【００１９】
本発明によれば、堆積ガスあるいは各種ガス４００が、ガス入口マニホルド２３０からチャンバ上部２２２に送られる。本発明で堆積ガスとは、チャンバ２１２内に配置されるウェーハあるいは基板上に膜を堆積するように作用するガスあるいは混合ガスと定義する。本発明の好ましい方法で堆積ガスは、サセプタ２２０の上に配置されたウェーハ上にシリコンのエピタキシャル層を堆積させるために用いる。堆積ガス４００は一般に、モノシラン、トリクロラルシラン（trichloralsilane）、ジクロラルシラン（dichloralsilane）、及びテトラクロロルシラン（tetrachlorolsilane）等（これらに限定されないが）のシリコンソース、並びにホスフェン（phosphene）、ジボラン、及びアルシン等（これらに限定されない）のドーパントガスソースを含んでいる。Ｈ2等のキャリヤガスが、一般に堆積ガス流に含まれている。約５リットルの堆積チャンバに対して、３５〜７５ＳＬＭの堆積ガス流(キャリヤガスを含む) が、通常チャンバ上部２２２に送られて、ウェーハ上にシリコン層が堆積される。堆積ガス４００の流れは、本質的に入口通路２６０から予熱リング２２８を横切り、サセプタ２２０(及びウェーハ)を横切り、反対側の予熱リング２２８を横切り、排気通路３００から外に出る層流である。堆積ガスは、予熱リング２２８、サセプタ２２０、及び処理されるウェーハによって堆積温度あるいはプロセス温度まで加熱される。エピタキシャルシリコン層をウェーハ上に堆積するプロセスでは、サセプタ及び予熱リングは８００〜１２００℃の間の温度まで加熱される。
【００２０】
更に、堆積ガスがチャンバ上部へと送られる一方で、単数あるいは複数の不活性ガスが、別個にチャンバ下部２２４へと送られる。不活性パージガスとは、プロセス温度においてチャンバのフィーチャ（feature）と、堆積チャンバ２１２内部に配置されたウェーハとに対して実質的に反応を起こさないガスと定義する。この不活性パージガスは、チャンバ２１２内にある間、予熱リング２２８及びサセプタ２２０によって基本的に堆積ガスと同じ温度に加熱される。不活性パージガス４０２は、チャンバ上部２２２における堆積ガスの圧力に対して正の圧力をチャンバ下部２２４内部に発生させるような流量でチャンバ下部２２４へと送られる。従って、膜堆積ガス４００が隙間２２９を通ってチャンバ下部２２４へと漏れ、サセプタ２２０の裏側に堆積するのを防止できる。
【００２１】
更に、不活性パージガス４０２は、通気穴３０６を通る排気通路３００への十分な不活性パージガス流４０２ｂを提供できる流量でチャンバ下部２２４内に送られ、堆積ガスが排気通路３００の排気チャネル３０４内で凝縮してその中に堆積物が形成されないようにしている。すなわち、十分な量の加熱されたパージガスが排気チャネル３０４に送られて、排気チャネル３０４が加熱され、それによって排気チャネル３０４内における堆積ガス４００の冷却及びその結果生じる同チャネル内の堆積物形成が防止される。排気チャネル３０４への大流量の加熱パージガス４０２ｂがないと、排気チャネル３０４は、側壁２１８が水冷されているために、サセプタ２２０よりも実質的に冷えた状態になり、同チャネル内に堆積物が形成される点を正しく認識すべきである。従って本発明によれば、望ましくは２〜２４ＳＬＭである大流量不活性パージガス４０２ｂによって堆積ガスが隙間２２９を通って下方に漏れることが防止されて、また堆積ガスは排気チャネル３０４内での凝縮を防止する目的でチャンバ２１２の下部２２４へと送られる。
【００２２】
図５（ａ）及び図５（ｂ）は、考えられる多くの通気穴３０６形状のうち２つの形状の正面断面図を示している。図５（ａ）に示す通り、例えば、通気穴３０６は、上部通路３０２の真下に配置されて、下部ライナ２８４の湾曲した内部表面に形成された単一の断面を有する開口部として構成されることができる。チャンバ２２２に繋がった横断面上の開口部は、少なくともサセプタ２２０の処理域直径と同じ長さを有しているのが望ましい。図５（ｂ）に示すような他の実施形態では、通気穴３０６は、下部ライナ２８４の湾曲した内部表面に形成されて、それぞれが排気通路３００と結合した複数の分離された孔又は通路５０２として構成されることもできる。通気穴３０６の形状は、チャンバ２１２の上部２２２内の堆積ガス４００の層流にほとんど悪影響を及ぼさない形状とすべきである。
【００２３】
隙間２２９と通気穴３０６を通過する相対的流量４０２ａ及び４０２ｂはそれぞれ、隙間２２９の断面積と通気穴３０６の断面積との比率によって決定される。図４に示す本発明の好ましい実施形態では、予熱リングとサセプタが同一平面上にある場合、隙間２２９の断面積は、予熱リング２２８で囲まれた面積からサセプタ２２０の面積を差し引いたものとなる(すなわちπＲp2−πＲs2)。サセプタ２２０と予熱リングが間にある場合、該当断面積は、予熱リング２２８とサセプタ２２０との間に存在する最小の面積ということになる。通気穴３０６の断面積は、チャンバ下部２２４内に開放した通気穴３０６の表面積の合計で画される。図５（ｂ）に示した複数の分離した通路の場合、該当断面積は、各開口部５０２の面積を合計したものとなる。
【００２４】
本発明によれば、通気穴２２９の表面積はできるだけ大量のパージガス流を通気穴３０６から排出するように最大化されている。この方法で十分な量の加熱された不活性パージガスが提供されて、排気通路内での堆積ガスの凝縮が防止される。通気穴３０６の断面積は、２つの要件によって決定付けられる。先ず、通気穴３０６の断面積は、下部ライナ２８４の機械的強度及び保全性に悪影響を及ぼすほど大きくできない。加えて、隙間２２９と通気穴３０６の断面積比率がバランス良く配分されて、その結果、隙間２２９を通る不活性パージガス流４０２ａが、チャンバ上部２２２からチャンバ下部２２４への堆積ガス拡散を防止できるだけの十分な量とならなければならない。隙間２２９の断面積と通気穴３０６の断面積との比率を約３：１にすると、５リットルのチャンバで堆積ガス流量が４５〜７０ｓｌｍ、パージガス流量が１２ｓｌｍを超える、良好な結果が得られることが見出された。
【００２５】
堆積装置の排気通路内における堆積ガスの凝縮を防止するための装置及び方法について述べた。本明細書で述べた本発明の特定実施形態は、単に本発明の一般的な原理を例証しているにすぎないことを認識し、理解すべきである。前記原理に沿った様々な変更を施すことができる。例えば、本発明を半導体ウェーハにシリコン膜を堆積するための枚葉式リアクタに関して説明してきたが、本発明は、マルチウェーハチャンバ等の他の機械装置用、またフラットパネルディスプレイの基板等の他の基板用、そして金属等の他種の膜用としても全く同様に適用することができる。
【００２６】
そのような、本発明の範囲は、請求項によって判断される。
【００２７】
以上、排気通路内における排ガスの凝縮を防止する新規な方法及び装置について説明した。
【図面の簡単な説明】
【図１】枚葉式リアクタの断面図である。
【図２】本発明の枚葉式リアクタである。
【図３】本発明の枚葉式リアクタにおけるガス排出口の拡大断面図である。
【図４】本発明の枚葉式リアクタにおける予熱部材及びサセプタの平面図である。
【図５】（ａ）は、本発明の実施形態における通気穴及び排気通路の正面図であり、（ｂ）は、本発明の別の実施形態における通気穴及び排気通路の正面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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