(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機フィラーとガラスとを含有し、無機フィラーとガラスとの合計を１００質量％とした場合に、該無機フィラーを２０〜６０質量％、該ガラスを４０〜８０質量％含有し、該ガラスは、Ｓｉと、Ｂと、Ａｌと、Ｃａと、Ｚｎと、Ｏと、からなり、該ガラス全体を１００質量％とした場合に、各々酸化物換算で、該Ｓｉを２０〜３０質量％、該Ｂを５〜３０質量％、該Ａｌを２０〜３０質量％、該Ｃａを１０〜２０質量％、該Ｚｎを１０〜２０質量％含有し、且つ、Ｌｉ、Ｎａ及びＫを含有しないことを特徴とする誘電体磁器。
【請求項２】
上記無機フィラーは、ガーナイトフィラー及びチタニアフィラーである請求項１記載の誘電体磁器。
【請求項３】
３ＧＨｚにおける誘電損失が５０×１０−４以下である請求項１又は２に記載の誘電体磁器。
【請求項４】
３ＧＨｚにおける比誘電率が６〜１３である請求項１乃至３のうちのいずれか１項に記載の誘電体磁器。
【請求項５】
２５〜４００℃における熱膨張係数が５〜１０ｐｐｍ／℃である請求項１乃至４のうちのいずれか１項に記載の誘電体磁器。
【請求項６】
抗折強度が１８５ＭＰａ以上である請求項１乃至５のうちのいずれか１項に記載の誘電体磁器。
【請求項７】
上記ガーナイトフィラーの含有量ｍＧ（質量換算）に対する上記チタニアフィラーの含有量ｍＴ（質量換算）の比であるｍＴ／ｍＧは０．１〜１．５である請求項２に記載の誘電体磁器。
【請求項８】
上記ｍＴ／ｍＧは０．７１〜０．７６である請求項７に記載の誘電体磁器。
【請求項９】
上記ガラスのガラス転移点Ｔｇと屈伏点Ｍｇとの温度差が３０〜４５℃である請求項１乃至８うちのいずれか１項に記載の誘電体磁器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は誘電体磁器に関する。更に詳しくは、低温焼結性及び機械的強度に優れ、且つ、ＧＨｚ帯において優れた誘電特性を有する誘電体磁器に関する。本発明の誘電体磁器は電子部品として広く利用される。特に、電子部品及び電子部品を実装する配線基板、なかでも、多層に形成される多層配線基板等として好適であり、更には、ＧＨｚ帯で使用される高周波用途の電子部品やそのパーケージ及び多層配線基板等として好適である。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、各種の電子部品や、電子部品を実装する配線基板等として誘電体磁器が使用されている。このような用途で用いられる誘電体磁器には、１０００℃以下という低温において焼結できること、及び、機械的強度が大きいこと等が必要とされる。これまで、このような要求を充足できる誘電体磁器として主にガラス（軟化点が５００〜８００℃程度であり、アルミノ硼珪酸をベースとして酸化鉛、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属酸化物及び酸化亜鉛等を含有するガラス粉）と無機フィラー（アルミナ、ムライト、コーディエライト、チタン、ジルコン、フォルステライト、ジルコニア及び石英等）とから得られるものが用いられてきた。
【０００３】
このような誘電体磁器は、特開昭５３−６０９１４号公報、特開昭６０−２３５７４４号公報、特開昭６３−２３９８９２号公報、特開平３−３３０２６号公報、特開平７−１３５３７９号公報及び特開平９−２０８２５８号公報等に開示されている。これらの誘電体の誘電損失は１ＭＨｚにおいて６×１０−４〜２０×１０−４程度である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
近年は、その使用が増えているＧＨｚ帯における誘電損失が小さいことが特に求められている。このため、Ａｇ系金属及びＣｕ系金属等の低抵抗導体と１０００℃以下で同時焼成することができ、機械的強度が高く、且つ、得られた焼結体において反りが少ない（反りが少ないことで、寸法安定性がよくなりＧＨｚ帯域での使用においても伝送損失を抑えることができる）誘電体磁器が必要とされている。
【０００５】
しかし、優れた低温焼結性、機械的強度及びＧＨｚ帯における優れた誘電特性を同時に達成することは困難であった。
本発明は、上記課題を解決するものであり、Ａｇ系金属及びＣｕ系金属等の低抵抗導体と同時焼結が可能であり、機械的強度に優れ、且つ、ＧＨｚ帯において優れた誘電特性を発揮する誘電体磁器を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の誘電体磁器は、無機フィラーとガラスとを含有し、無機フィラーとガラスとの合計を１００質量％とした場合に、該無機フィラーを２０〜６０質量％、該ガラスを４０〜８０質量％含有し、該ガラスは、Ｓｉと、Ｂと、Ａｌと、Ｃａと、Ｚｎと、Ｏと、からなり、該ガラス全体を１００質量％とした場合に、各々酸化物換算で、該Ｓｉを２０〜３０質量％、該Ｂを５〜３０質量％、該Ａｌを２０〜３０質量％、該Ｃａを１０〜２０質量％、該Ｚｎを１０〜２０質量％含有し、且つ、Ｌｉ、Ｎａ及びＫを含有しないことを特徴とする。
また、上記無機フィラーは、ガーナイトフィラー（ガーナイトからなるフィラー）及びチタニアフィラー（チタニアからなるフィラー）とすることができる。更に、３ＧＨｚにおける誘電損失を５０×１０−４以下とすることができる。更に、３ＧＨｚにおける比誘電率を６〜１３とすることができる。また、２５〜４００℃における熱膨張係数を５〜１０ｐｐｍ／℃とすることができる。更に、抗折強度を１８５ＭＰａ以上とすることができる。
【０００７】
【発明の効果】
本発明の誘電体磁器によると、Ａｇ系金属及びＣｕ系金属等の低抵抗導体と同時焼結が可能であり、機械的強度に優れ、且つ、ＧＨｚ帯において優れた誘電特性を得ることができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳しく説明する。
上記「無機フィラー」は、その種類及び含有量等により、誘電特性及び機械的特性を変化させることができるものである。無機フィラーを構成する材質としては、例えば、ガーナイト、チタニア、アルミナ、チタン酸塩（チタン酸マグネシウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム等）、ムライト、ジルコニア、石英、コーディエライト、フォルステライト、ワラストナイト、アノーサイト、エンスタタイト、ジオプサイト、アーケルマナイト、ゲーレナイト及びスピネル等を挙げることができる。これらのなかでも、高周波帯域（特にＧＨｚ帯域）における誘電率（以下、単に「εｒ」という）を大きくすることができるためガーナイト、チタニア、チタン酸塩、アルミナが好ましい。また、機械的強度を向上させることができるためガーナイト、チタニア、ジルコニア、アルミナが好ましい。これらは１種のみであっても、２種以上であってもよい。
【０００９】
更に、誘電体磁器の各種特性(誘電特性及び機械的強度等)を調整するために２種以上を組合せて用いることができる。例えば、誘電特性のうち高周波帯域（特にＧＨｚ帯域）における共振周波数の温度依存性（以下、単に「τｆ」という）を低く抑える（τｆの絶対値を小さく抑える）ために、τｆが負の値になる無機フィラーと正の値になる無機フィラーとを組み合わせて用いることができる。この組合せとしては、ガーナイトとチタニア、ガーナイトとチタン酸塩、アルミナとチタン酸塩、ガーナイトとアルミナとチタン酸塩等を挙げることができる。
なかでも、ガーナイトフィラーとチタニアフィラーとの組合せは、十分な機械的強度を発揮させ且つ焼成による反りを防止しつつ、高周波帯域（ＧＨｚ帯域）における大きなεｒ及び絶対値の小さいτｆを得ることができる。
【００１０】
無機フィラーは、無機フィラーとガラスとの合計を１００質量％とした場合に２０〜６０質量％（より好ましくは３０〜６０質量％、更に好ましくは４０〜５５質量％）が含有される。２０質量％未満であると、ガラスが融出し焼成治具と反応する場合があり、また、十分な抗折強度が得られ難い場合もあり好ましくない。一方、６０質量％を超えると１０００℃以下での焼結が困難となる場合があり、低抵抗導体との同時焼成が達成できなくなる場合がある。
【００１１】
また、ガーナイトフィラーとチタニアフィラーとが併用される場合、無機フィラー全体に占めるガーナイトフィラーとチタニアフィラーとの合計量は５０質量％以上（より好ましくは８０質量％、更に好ましくは９０質量％、１００質量％であってもよい）とすることが好ましい。５０質量％未満であるとガーナイトフィラーとチタニアフィラーとを含有する効果が十分に発揮され難い傾向にある。更に、ガーナイトフィラーの含有量ｍＧ（質量換算）に対するチタニアフィラーの含有量ｍＴ（質量換算）の比であるｍＴ／ｍＧは０．１〜１．５であることが好ましく、０．４〜１．０であることがより好ましく、０．６〜０．９であることが更に好ましい。０．１未満であるとτｆの絶対値を小さく抑える効果が得られ難くなる傾向にある。
【００１２】
また、無機フィラーの形状は特に限定されず、例えば、粒子状、鱗片状、繊維状（特にウィスカ）等種々の形状とすることができるが、通常、粒子状である。更に、その大きさも特に限定されないが、通常、その大きさは１〜１０μｍ（粒子形状の場合には平均粒径）とすることが好ましい。１０μｍを超えて大きいと誘電体磁器の組織が過度に粗くなる傾向にある。また、１μｍ未満であっても誘電体磁器の特性に影響はないが、製造に困難を伴う場合がある。
尚、無機フィラーは、通常、誘電体磁器の製造時に無機フィラー粉末等として添加された形状及び大きさのままで誘電体磁器中に存在する。しかし、製造時にガラス粉末等として添加され、焼成により結晶質成分（アノーサイト、スピネル及びガーナイト等）として析出したものも含む。
【００１３】
上記「ガラス」は、その組成及び含有量等により、焼成温度及び誘電特性を変化させることができる成分である。このガラスは、無機フィラーとガラスとの合計を１００質量％とした場合に４０〜８０質量％（より好ましくは４０〜７０質量％、更に好ましくは５０〜６０質量％）である。このガラスが４０質量％未満であると、焼成温度を１０００℃以下とすることが困難となり好ましくなく、８０質量％を超えると、機械的強度が低下し、高周波域における誘電特性も十分なものでなくなる傾向にある。特にεｒが小さくなるため好ましくない。
このガラスは、少なくともＳｉ元素、Ｂ元素、Ａｌ元素、Ｃａ元素及びＺｎ元素を含有する。これらがガラス内でどのような化合物として含有されるかは特に限定されない。
【００１４】
本発明における上記「酸化物換算」は、Ｓｉ、Ｂ、Ａｌ、Ｃａ及びＺｎの各々がガラス中でどのような化合物として存在してかに関係なく、ＳｉはＳｉＯ２として、ＢはＢ２Ｏ３として、ＡｌはＡｌ２Ｏ３として、ＣａはＣａＯとして、ＺｎはＺｎＯとして各々換算するものとする。
【００１５】
また、ガラス全体を１００質量％とした場合に、これらの各元素の各々の含有量は、Ｓｉは酸化物換算で２０〜３０質量％（より好ましくは２０〜２７質量％、更に好ましくは２１〜２５質量％）である。Ｓｉの含有量が２０質量％未満であると、ガラスの軟化温度が低くなり過ぎ、低抵抗導体との同時焼結性が十分でなくなり反りを生じる場合があるため好ましくなく、また、εｒが過度に大きくなる場合があるため好ましくない。一方、３０質量％を超えると、εｒは適度な値とすることができるが、焼結に要する温度が高くなるため、このままでは低抵抗配線との同時焼結が困難となる場合がある。これに対して、ガラス成分の配合割合を増加させて焼結させることができるが、こんどは誘電損失が過度に増加する傾向にあるため好ましくない。
【００１６】
Ｂは酸化物換算で５〜３０質量％である。Ｂの含有量が５質量％未満であると、焼結できる温度が高くなり過ぎ、低抵抗導体との同時焼結性が十分でなくなり反りを生じることが多くなるため好ましくない。一方、３０質量％を超えると、ガラスの軟化温度が低くなり過ぎ、低抵抗導体との同時焼結性が十分でなくなり反りを生じる場合がある。また、誘電体磁器中におけるガラスの化学的安定性が低下し、耐薬品性が十分に得られなくなる場合があるため好ましくない。
【００１７】
このＢの含有量は１０〜３０質量％とすることにより、製造時に焼成温度を７５０〜９５０℃の範囲で幅広く調整できるものとなる。また、１５〜３０質量％とすることにより、上記に加えて、低抵抗導体との同時焼結性が特に良好となり、反りの発生を特に効果的に防止できるものとなる。更に、２０〜３０質量％とすることにより、上記に加えて、誘電体磁器の耐薬品性が特に高くなり、例えば、多層配線基板の製造時のメッキ工程において、誘電体磁器の溶解及び侵食を効果的に防止できるものとなる。
【００１８】
更に、Ａｌの含有量は酸化物換算で２０〜３０質量％（より好ましくは２１〜２９質量％、更に好ましくは２２〜２６質量％）である。Ａｌの含有量が２０質量％未満であると、誘電体の機械的強度が十分に得られなくなり、特に１０質量％未満ではガラスの安定性が損なわれる傾向にあり好ましくない。一方、３０質量％を超えると、焼結できる温度が高くなり過ぎて好ましくない。
【００１９】
また、Ｃａの含有量は酸化物換算で１０〜２０質量％（より好ましくは１２〜２０質量％、更に好ましくは１５〜１８質量％）である。Ｃａの含有量が１０質量％未満であると、ガラスの溶融性が十分に向上しないことがあるため好ましくない。一方、２０質量％を超えると、熱膨張係数が大きくなり過ぎる場合があり好ましくない。
【００２０】
更に、Ｚｎの含有量は酸化物換算で１０〜２０質量％（より好ましくは１０〜１８質量％、更に好ましくは１１〜１６質量％）である。Ｚｎの含有量が１０質量％未満であると、低抵抗導体との同時焼結性が十分でなくなり反りを生じるため好ましくない。一方、２０質量％を超えると、誘電体磁器の耐薬品性が十分に得られなくなる場合があるため好ましくない。
【００２１】
上述のこれらの各元素の酸化物換算における好ましい含有量は、各々の組み合わせとすることができる。即ち、例えば、Ｓｉの含有量が２０〜２７質量％であり、Ｂの含有量が１０〜３０質量％であり、Ａｌの含有量が２１〜２９質量％であり、Ｃａの含有量が１２〜２０質量％であり、Ｚｎの含有量が１０〜１８質量％であるものとすることができる。更に、Ｓｉの含有量が２１〜２５質量％であり、Ｂの含有量が１５〜３０質量％であり、Ａｌの含有量が２２〜２６質量％であり、Ｃａの含有量が１５〜１８質量％であり、Ｚｎの含有量が１１〜１６質量％であるものとすることができる。
【００２２】
また、このガラスに、Ｌｉ、Ｎａ及びＫは実質的に含有されない。即ち、積極的には含有されないが、製造上不可避的に含有される場合もある。この場合はＬｉ、Ｎａ及びＫが含有されることによる影響が現れない程度、即ち、ガラス全体を１００質量％とした場合に０．２質量％未満（より好ましくは含有されない）であることが好ましい。
【００２３】
本発明の誘電体磁器によると、１〜１５ＧＨｚ（特に３〜１０ＧＨｚ）における誘電損失を５０×１０−４以下（更には４０×１０−４以下、特に３０×１０−４以下、通常２０×１０−４以上）とすることができる。一般に、誘電損失は使用周波数が高くなるに従い大きくなるが、本発明の誘電体磁器においてはＧＨｚ帯における誘電損失を上記のように小さく抑えることができる。この誘電損失はガラスの組成だけでなく、無機フィラーによっても変化させることができる。このため、製造時に添加する無機フィラーの組成及び量、並びに焼成温度等の焼成条件により調整することができる。
【００２４】
また、１〜１５ＧＨｚ（特に３〜１０ＧＨｚ）におけるεｒを６〜１３（更には７〜１３、特に９〜１３）とすることができる。一般に、εｒは、使用周波数が高くなるに従い低くなる。このεｒが小さくなりすぎると、ＧＨｚ帯域で使用するためにはそれだけ大きな誘電体磁器を得る必要があるため、小型化を図ることが困難となる。従って、ＧＨｚ帯域での使用を考えるとεｒが大きいことが好ましい。これにより、ＧＨｚ帯域で使用する場合にも各種の電子部品等を小型化することができる。
【００２５】
更に、１〜１５ＧＨｚ（特に３〜１０ＧＨｚ）におけるτｆ（温度範囲：２５〜８０℃）を−２０〜１０ｐｐｍ／℃（更には−１０〜１０ｐｐｍ／℃、特に−１０〜０ｐｐｍ／℃）とすることができる。また、一般に、共振周波数の温度係数は、使用周波数が高くなるにつれて絶対値が負側に大きくなる。絶対値が負側に大きいとパッケージ基板として使用する場合にバンドパスフィルターを内蔵することが困難となり、電気的な信頼性が低下することとなる。従って、ＧＨｚ帯域での使用を考えるとτｆの絶対値が小さいことが好ましい。これにより、ＧＨｚ帯域で使用する場合にも各種の電子部品等を安定して作動させることができる。
【００２６】
また、２５℃から４００℃まで昇温させた場合の熱膨張係数を５〜１０ｐｐｍ／℃とすることができる。一般に、近年使用されているプリント配線基板の熱膨張係数は１３〜１４ｐｐｍ／℃程度であり、また、ＩＣ等の半導体部品の熱膨張係数は３〜４ｐｐｍ／℃程度である。従って、誘電体磁器を多層配線基板等として使用する場合には、これらプリント配線板の熱膨張係数と半導体部品の熱膨張係数との両方により近い熱膨張係数を有することが必要であり、本発明の誘電体磁器はこれを満足するものである。
【００２７】
更に、抗折強度を１６０ＭＰａ以上（更には１８０ＭＰａ以上、特に１９０ＭＰａ以上）とすることができる。抗折強度が１６０ＭＰａ以上であれば、本発明の誘電体磁器から得られる多層配線基板や電子部品等の製品を落下させた場合にも、その衝撃による破損を抑えることができる。更に、ＧＨｚ帯域で使用される多層配線基板や電子部品等には、電磁シールドのためにシールリング等の金具がロー付けされることがあるが、このロー付け工程に課される熱応力による破損を抑えることができる。
【００２８】
本発明の誘電体磁器では、１〜１５ＧＨｚ（特に３〜１０ＧＨｚ）における誘電損失が５０×１０−４以下であり、εｒが６〜１３であり、τｆが−２０〜１０ｐｐｍ／℃であり、２５〜４００℃における熱膨張係数が５〜１０ｐｐｍ／℃であり、且つ、抗折強度が１６０ＭＰａ以上である誘電体磁器を得ることができる。更に、１〜１５ＧＨｚ（特に３〜１０ＧＨｚ）における誘電損失が４０×１０−４以下であり、εｒが７〜１３であり、τｆが−１０〜１０ｐｐｍ／℃であり、２５〜４００℃における熱膨張係数が５〜１０ｐｐｍ／℃であり、且つ、抗折強度が１８５ＭＰａ以上である誘電体磁器を得ることができる。
【００２９】
特に、無機フィラーとしてガーナイトフィラーとチタニアフィラーとの両方が含有される場合には、３〜１０ＧＨｚにおけるεｒが９〜１３であり、τｆが−２０〜０ｐｐｍ／℃であり、且つ、抗折強度が１８０ＭＰａ以上である誘電体磁器を得ることができる。
更に、ガーナイトフィラーとチタニアフィラーとの両方を含有し、且つこれら無機フィラーとガラスとの合計を１００質量％とした場合に、無機フィラーを３０〜６０質量％となるように含有する場合には、３〜１０ＧＨｚにおけるεｒが９〜１３であり、τｆが−２０〜０ｐｐｍ／℃であり、且つ、抗折強度が１９０ＭＰａ以上である誘電体磁器を得ることができる。
【００３０】
また、ガーナイトフィラーとチタニアフィラーとの両方を含有し、これら無機フィラーとガラスとの合計を１００質量％とした場合に、無機フィラーを３０〜６０質量％となるように含有し、且つ、ｍＴ／ｍＧが０．６以上となるように含有する場合には、３〜１０ＧＨｚにおけるεｒが１０〜１３であり、τｆが−５〜０ｐｐｍ／℃であり、且つ、抗折強度が１９０ＭＰａ以上である誘電体磁器を得ることができる。
尚、本発明における誘電損失、εｒ、τｆ、熱膨張係数及び抗折強度は、いずれも後述する実施例における測定方法と同様な方法によるものである。
【００３１】
本発明の誘電体磁器を得る方法は特に限定されないが、例えば、以下の方法により得ることができる。即ち、無機フィラー粉末と、ガラス粉末全体を１００質量％とした場合に、各々酸化物換算で、Ｓｉを２０〜３０質量％、Ｂを５〜３０質量％、Ａｌを２０〜３０質量％、Ｃａを１０〜２０質量％、Ｚｎを１０〜２０質量％含有し、且つ、Ｌｉ、Ｎａ及びＫを含有しないガラス粉末とを、該無機フィラー粉末と該ガラス粉末との合計量を１００質量％とした場合に、該無機フィラー粉末が３０〜６０質量％であり、該ガラス粉末が４０〜７０質量％となるように配合して得られた誘電体磁器用組成物を、温度１０００℃以下で焼成する。
【００３２】
この製造方法における上記無機フィラー粉末としては、前記無機フィラーの粉末を適用できる他、焼成により前記無機フィラーとなるチタン、アルミニウム及びジルコニウム等の各粉末を挙げることができる。これらのうち１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
また、無機フィラー粉末の粒径は特に限定さないが、通常、１〜１０μｍとすることが好ましい。１０μｍを超えて大きいと得られる誘電体磁器の組織が過度に粗くなり、１μｍ未満であると粉砕に要する時間が長くなると共に、取り扱いも困難となる傾向にある。
尚、無機フィラー粉末は、配合した全量が誘電体磁器中において無機フィラーとして存在する必要はなく、その一部が誘電体磁器中のガラスに溶解することでガラスとして存在していてもよい。
【００３３】
また、ガラス粉末は、例えば、上記組成となるように調合された原料粉末を加熱溶融させた後、急冷してフリットとし、このフリットを粉砕することで得ることができる。ガラス粉末に含有される各元素の含有量については前記誘電体磁器中に含有されるガラスの量と同様な理由を有する。
更に、ガラス粉末の粒径は特に限定さないが、通常、１〜１０μｍとすることができる。１０μｍを超えて大きいと特にシート形状に成形する際に好ましくない影響を生じる場合があり、１μｍ未満であると粉砕に要する時間が長くなると共に、取り扱いも困難となる傾向にある。
尚、ガラス粉末は、配合した全量が誘電体磁器中においてガラスとして存在する必要はなく、その一部が誘電体磁器中で析出することにより無機フィラーとして存在していてもよい。
【００３４】
また、ガラス粉末のガラス転移点Ｔｇは特に限定されないが５６０〜６７０℃（より好ましくは５７０〜６６０℃、更に好ましくは５７０〜６４０℃）であることが好ましい。この範囲であれば、Ａｇ系金属（Ａｇ単体、Ａｇ／Ｐｄ合金、Ａｇ／Ｐｔ合金、Ａｇ／Ｃｕ合金、Ａｇ／Ａｕ合金等）やＣｕ系金属（Ｃｕ単体に少量の他元素を含有するもの等）などの低抵抗導体との同時焼結性を特に良好に保つことができ、更には、焼結による反りを特に効果的に抑制することができる。
更に、ガラス粉末の屈服点Ｍｇは特に限定されないが、Ｔｇとの温度差が３０〜４５℃（より好ましくは３０〜４０℃、更に好ましくは３０〜３８℃）であることが好ましい。ＴｇとＭｇとの温度差がこの範囲内であれば焼成による収縮のバラツキを効果的に抑制することができる。従って、高い寸法精度で電子部品や配線基板の設計を行うことができる。
【００３５】
誘電体磁器用組成物中における無機フィラー粉末とガラス粉末との混合割合は、前記誘電体磁器と同様な理由から無機フィラー粉末が３０〜６０質量％（ガラス粉末は４０〜７０質量％）となるように混合することが好ましい。更に、無機フィラー粉末が４０〜６０質量％（ガラス粉末は４０〜６０質量％）となるように配合することがより好ましく、４５〜５５質量％（ガラス粉末は４５〜５５質量％）となるように配合することが更に好ましい。
【００３６】
また、誘電体磁器用組成物は、無機フィラー粉末とガラス粉末のみからなってもよく、これら以外に、例えば、バインダ、溶剤、可塑剤及び分散剤等を含有することもできる。この誘電体磁器用組成物の性状は特に限定されず、例えば、粉末状、スラリー状及びペースト状等とすることができる。更に、この誘電体磁器用組成物は、これらの粉末、スラリー及びペースト等を各種成形法（粉末は圧粉、ＣＩＰ、ＨＩＰ等、スラリー及びペーストはドクターブレード法、スクリーン印刷法、プレス成形法等）を用いて成形した成形体であってもよい。
【００３７】
更に、焼成は、１０００℃以下（通常７５０℃以上、より好ましくは８００〜９９０、更に好ましくは８５０〜９９０℃、特に好ましくは９００〜９８０℃）で行えることが好ましい。１０００℃を超える温度においては、多くの低抵抗導体との同時焼結が困難となるため好ましくない。
【００３８】
【実施例】
以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。
［１］ガーナイトフィラーを含有しない誘電体磁器
（１）ガラス粉末の調製
表１に示す割合で、ＳｉＯ２粉末、Ｂ２Ｏ３粉末、Ａｌ２Ｏ３粉末、ＣａＯ粉末、ＺｎＯ粉末等の他、ＭｇＯ粉末、ＢａＯ粉末、ＳｒＯ粉末及びＺｒＯ粉末を混合して原料粉末を調合した。得られた原料粉末を加熱溶融させた後、水に投入して急冷すると共に水砕させてガラスフリットを得た。このガラスフリットをボールミルにて更に粉砕して、平均粒径３μｍのガラス粉末１１種（ガラスＮｏ１〜１１）を得た。
【００３９】
【表１】
0004358480.tif 000002
但し、表１中の「＊」は本発明の範囲外であることを表す。
【００４０】
（２）ガラス粉末のＴｇ及びＭｇ測定
上記（１）で得られたガラス粉末１１種のＴｇ及びＭｇを、示差熱測定装置（株式会社リガク製、形式「ＴＨＥＲＭＯＦＬＥＸ  ＴＡＳ  ３００  ＴＧ８１０Ｄ」）により測定し、表２にＴｇ、Ｍｇ及びＭｇ−Ｔｇの値を各々示した。
【００４１】
【表２】
0004358480.tif 000003
但し、表２中の「＊」は本発明の範囲外であることを表す。
【００４２】
（３）グリーンシート（誘電体磁器用組成物）の製造
上記（２）までに得られたガラス粉末１１種の各々と、無機フィラー粉末であるアルミナ粉末とを、表１に示すように各々５０質量％の割合となるように秤量し、ボールミルにて混合して混合粉末を得た。得られた混合粉末に、バインダ（アクリル樹脂）、可塑剤｛ジブチルフタレート（ＤＢＰ）｝及び溶剤（トルエン）を添加し、混練してスラリー１１種を調合した。得られた各スラリーをドクターブレード法により、焼成後の厚みが１００μｍになるようにシート状に成形して１１種類のグリーンシートを得た。
【００４３】
（４）第１測定用磁器（誘電特性測定用）の製造及び誘電特性の測定
上記（３）で得られた１１種類のグリーンシートを各々所定形状に打ち抜いたシート片を１１枚づつ熱圧着により積層し、次いで、９００℃において１５分間焼成して磁器を得た。得られた各磁器を縦５０ｍｍ、横５０ｍｍ、厚さ０．６３５ｍｍの板状に研磨加工して、第１測定用磁器１１種を得た。この第１測定用磁器を用い、誘電体共振器摂動法により２５℃、３ＧＨｚにおいて誘電損失及びεｒを測定した。その結果を表３に示した。
【００４４】
【表３】
0004358480.tif 000004
但し、表３中の「＊」は本発明の範囲外であることを表す。
【００４５】
（５）第２測定用磁器（熱膨張係数測定用）の製造及び熱膨張係数の測定
上記（３）で得られた１１種のグリーンシートを所定形状に打ち抜いたシート片を２０枚づつ熱圧着により積層し、次いで、９００℃において１５分間焼成して磁器を得た。得られた磁器を縦３ｍｍ、横３ｍｍ、高さ１．６ｍｍの柱状に研磨加工して、第２測定用磁器１１種を得た。この第２測定用磁器を用い、２５℃から４００℃まで昇温させた時の熱膨張係数を示差膨張式熱機械分析装置（株式会社リガク社製、型式「ＴＭＡ８１４０Ｃ」）を用いて測定した。その結果を表３に併記した。
【００４６】
（６）第３測定用磁器（同時焼結性測定用）の製造及び同時焼結性の評価
上記（３）で得られた１１種のグリーンシートの所定位置にＡｇペーストをスクリーン印刷法により厚さ１５μｍで印刷した。更に、このＡｇペースト層上に別のグリーンシートを熱圧着により積層した後、このグリーンシート上にも同様にＡｇペーストを印刷し、更に同様な作業を繰り返してグリーンシート５枚が積層され、各層間にＡｇペーストが所定のパターン形状で印刷された未焼成積層体を得た。この未焼成積層体を直径４ｃｍの大きさに打ち抜き、９００℃で１５分焼成して低抵抗導体が配設された第３測定用磁器１１種を得た。
得られた１１種の第３測定用磁器を平面上に静置し、平面からの最高位置と最低位置（平面との接触位置）との差を計測し、その差が５０μｍ未満（実使用上問題のない程度の反り）又は反りを生じていない場合には「◎」と示し、５０μｍを超えるものには「×」と各々表３に併記した。
【００４７】
（７）第４測定用磁器（抗折強度測定用）の製造方法及び抗折強度の測定
上記（３）で得られたグリーンシートのうち、実験例１、２、３及び４にあたるものを所定形状に打ち抜いたシート片を１１枚づつ熱圧着により積層し、次いで、９００℃において１５分間焼成して磁器を得た。得られた磁器を縦４ｍｍ、横３ｍｍ、長さ３６ｍｍの柱状に研磨加工して、第４測定用磁器３種を得た。この第４測定用磁器を用いＪＩＳ  Ｒ  １６０１に従い、その抗折強度（３点曲げ）を測定した。この結果を表３に併記した。
【００４８】
（８）実験例１〜１１の効果
表１〜３の結果より、実験例４〜１１はいずれも９００℃の低温において焼結することができ、ある程度の誘電特性は発揮できる。しかし、ガラス粉末の熱特性が良好でないために誘電体磁器に反りを生じたり、いずれかの誘電特性が十分に得られないものや、焼成により低抵抗導体の拡散を生じたり、抗折強度が十分に得られない場合があるなど、各特性を十分にバランスよく備えるものが得られていない。これに対して、本発明品である実験例１〜３ではいずれも温度９００℃で低抵抗導体と同時焼結でき、且つ、全ての誘電特性において良好な値（誘電損失３０〜３９×１０−４、εｒ７．５〜７．６、抗折強度２６０〜２７０ＭＰａ）を示している。また、低抵抗導体を構成する成分の拡散及び基板の反りが認められず、十分に大きな抗折強度が得られていることが分かる。更に、熱膨張係数も５．３〜５．４ｐｐｍ／℃であり配線基板として用いるに好適な特性を示している。
【００４９】
［２］ガーナイトフィラーを含有する誘電体磁器
（１）第５測定用磁器（誘電体特性測定用）の製造及び誘電特性の測定
ガラス粉末として上記［１］（１）で得られたガラスＮｏ１、Ｎｏ２及びＮｏ３を用い、無機フィラー粉末としてガーナイト粉末、チタニア粉末及びチタン酸カルシウム粉末の各々を用い、表４に示す組合せ及び割合で混合し、上記［１］（３）と同様にしてグリーンシートを得た。その後、上記［１］（４）と同様に焼成し、研磨加工を行い第５測定用磁器９種を得た。得られた誘電体磁器のうち焼成時に発泡した実験例１２を除く８種について、上記［１］（４）と同様にして、３ＧＨｚにおける比誘電率εｒ、温度２５〜８０℃における共振周波数の温度係数τｆを測定した。その結果を表４に併記した。
【００５０】
【表４】
0004358480.tif 000005
但し、表４中の「＊」は本発明の範囲外であることを表す。
【００５１】
（２）第６測定用磁器（同時焼結性測定用）の製造及び同時焼結性の評価
上記［１］（６）と同様にして反りを測定し、同じ評価基準により表５に、「◎」又は「×」を示した。
（３）第７測定用磁器（抗折強度測定用）の製造及び抗折強度の測定
上記［２］（１）において発泡を生じなかった磁器を得ることができた上記［２］（１）のグリーンシートを用いた以外は、上記［１］（７）と同様にして第６測定用磁器８種を得た。その後、同様の測定方法により抗折強度を測定し、表４に併記した。
【００５２】
（４）実験例１２〜２０の効果
表４の結果より、実験例１３〜２０はいずれも９００℃の低温において焼結することができた。これに対して、実験例１２では、ガラスと無機フィラーとの割合が本発明の範囲外であったために、焼成時に発泡し、誘電体磁器として使用できないものであった。
更に、ガラスだけの場合εｒは、通常、６程度である。これに対して、無機フィラーがガーナイトフィラーとチタニアフィラーとである誘電体磁器（実験例１３〜１７、１９及び２０）のεｒは９．３〜１０．５と大きくすることができた。また、τｆも−１６〜−２ｐｐｍ／℃と絶対値の小さい値を得ることができた。一方、無機フィラーがガーナイトフィラーとチタン酸カルシウムフィラーとである誘電体磁器（実験例１８）でもεｒは１０．７と大きくすることができ、同時にτｆも７ｐｐｍ／℃と絶対値の小さい値を得ることができた。
更に、無機フィラーがガーナイトフィラーとチタン酸カルシウムフィラーである誘電体磁器では１６５ＭＰａの抗折強度が得られた。また、特に、無機フィラーがガーナイトフィラーとチタニアフィラーである誘電体磁器では１８０〜２２２ＭＰａの極めて優れた抗折強度が得られた。
【００５３】
また、磁器全体を１００質量％とした場合に、ガーナイトフィラーとチタニアフィラーとを合計で４１〜４７質量％含有し、更には、ガーナイトフィラー（ｍＧ）とチタニアフィラー（ｍＴ）との比ｍＴ／ｍＧが０．７１〜０．７６である場合に、１０．１〜１０．４の大きなεｒを保持し、１９０〜１９３ＭＰａの高い抗折強度を保持しながら、τｆは−５〜−２ｐｐｍ／℃と非常に小さい値に抑えられることが分かる。