(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学データ担体から読取る及び／又は光学データ担体に書込む光学読取／書込装置であって、
−放射ビームを生成する放射源と、
−前記データ担体を介して放射感応検出器に前記放射ビームを送る光学系であって、前記検出器が検出信号を供給する出力端子を持つ光学系と、
−前記検出信号を受信すべく前記検出器の前記出力端子に結合される共通入力端子を持つ信号処理ユニットとを有し、
前記信号処理ユニットが、
−容量性素子を有する、前記検出信号から高周波成分及び低周波成分を分離する第１手段と、
−低周波成分を処理する第２手段であって、第１入力端子及び第１出力端子を持つカレントミラーを含み、前記第１入力端子が前記共通入力端子に結合される第２手段と、
−高周波成分を処理する第３手段であって、第２入力端子及び第２出力端子を持ち、前記第２入力端子が前記容量性素子を介して前記共通入力端子に結合される第３手段と、
を有する光学読取／書込装置であり、
前記高周波成分を処理する第３手段がバイアス電流源及び第２カレントミラーを含み、前記第２カレントミラーの入力枝及び前記バイアス電流源の電流出力端子が共に前記第３手段の前記第２入力端子に接続され、
前記第２手段の前記カレントミラーが第１半導体素子及び第２半導体素子を有し、各前記半導体素子が主電流路を規定する各主電極及び制御電極を有し、前記第１半導体素子の前記制御電極及び前記第２半導体素子の前記制御電極は互いに接続され、該カレントミラーは入力電流を伝送する第１入力枝を有し、前記第１入力枝は前記第１半導体素子の前記主電流路を介して第１中央端子に前記第１入力端子を接続し、該カレントミラーは更に出力電流を伝送する第１出力枝を有し、前記第１出力枝は前記第２半導体素子の前記主電流路を介して前記第１出力端子に前記第１中央端子を接続し、前記第１半導体素子及び前記第２半導体素子が、各々、第１抵抗性素子及び第２抵抗性素子を介して前記第１中央端子に接続されることを特徴とする光学読取／書込装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光学読取／書込装置であって、
前記第２手段の前記カレントミラーが演算増幅器、バイアス電圧源、第１半導体素子及び第２半導体素子を含み、前記演算増幅器が反転入力、非反転入力及び出力を持ち、各前記半導体素子が主電流路を規定する各主電極及び制御電極を有し、前記第１半導体素子の前記制御電極及び前記第２半導体素子の前記制御電極は互いに接続され、前記第２手段の前記カレントミラーが入力電流を伝送する第１入力枝を有し、前記第１入力枝は前記第１半導体素子の前記主電流路を介して第１中央端子に前記第１入力端子を接続し、前記第１半導体素子の第１主電極は前記第１入力端子に接続され、該カレントミラーは更に出力電流を伝送する第１出力枝を有し、前記第１出力枝は前記第２半導体素子の前記主電流路を介して前記第１出力端子に前記第１中央端子を接続し、前記演算増幅器の入力の一方は前記バイアス電圧源の電圧出力端子に接続され、前記演算増幅器の入力の他方は前記第１半導体素子の前記第１主電極に接続され、前記演算増幅器の出力は前記第１半導体素子の他の前記電極の一方に結合されることを特徴とする光学読取／書込装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の光学読取／書込装置であって、
前記第２手段の前記カレントミラーが更なる出力電流を供給する更なる出力端子を持ち、前記信号処理ユニットが更に前記第２手段を前記第３手段に結合する第４手段を有し、前記第４手段は前記更なる出力電流を受信する第３入力端子及び前記第３手段の前記第２入力端子に前記更なる出力電流に関連付けられる電流を供給する第３出力端子を有することを特徴とする光学読取／書込装置。
【請求項４】
請求項３に記載の光学読取／書込装置であって、
前記第４手段は入力電流を伝送する第３入力枝を持つ第３カレントミラーの形態を採り、前記第３入力枝は自身の主電流路を介して第３中央端子に前記第４手段の前記第３入力端子を接続する第５半導体素子を持ち、第３出力枝が自身の主電流路を介して前記第３出力端子に前記第３中央端子を接続する第６半導体素子を持つことを特徴とする光学読取／書込素子。
【請求項５】
請求項３又は４に記載の光学読取／書込装置であって、
前記第３手段の前記第２カレントミラーが第３半導体素子及び第４半導体素子を有し、各前記半導体素子が主電流路を規定する各主電極及び制御電極を有し、前記第３半導体素子の前記制御電極及び前記第４半導体素子の前記制御電極は互いに接続され、該第２カレントミラーは入力電流を伝送する第２入力枝を有し、前記第２入力枝は前記第３半導体素子の前記主電流路を介して第２中央端子に前記第２入力端子を接続し、該第２カレントミラーは更に出力電流を伝送する第２出力枝を有し、前記第２出力枝は前記第４半導体素子の前記主電流路を介して前記第２出力端子に前記第２中央端子を接続し、該第２カレントミラーの前記第３半導体素子が第３抵抗性素子及び第２容量性素子の並列配列を介して前記第２中央端子に接続され、前記第４半導体素子が第４抵抗性素子及び第３容量性素子の並列配列を介して前記第２中央端子に接続されることを特徴とする光学読取／書込装置。
【請求項６】
信号を受信する共通入力端子を持つ信号処理ユニットであって、
−容量性素子を有する、前記信号から高周波成分及び低周波成分を分離する第１手段と、−低周波成分を処理する第２手段であって、第１入力端子及び第１出力端子を持つカレントミラーを含み、前記第１入力端子が前記共通入力端子に結合される第２手段と、
−高周波成分を処理する第３手段であって、第２入力端子及び第２出力端子を持ち、前記第２入力端子が前記容量性素子を介して前記共通入力端子に結合される第３手段と、
を有する信号処理ユニットであり、
前記高周波成分を処理する第３手段がバイアス電流源及び第２カレントミラーを含み、前記第２カレントミラーの入力枝及び前記バイアス電流源の電流出力端子が共に前記第３手段の前記第２入力端子に接続され、
前記第２手段の前記カレントミラーが第１半導体素子及び第２半導体素子を有し、各前記半導体素子が主電流路を規定する各主電極及び制御電極を有し、前記第１半導体素子の前記制御電極及び前記第２半導体素子の前記制御電極は互いに接続され、該カレントミラーは入力電流を伝送する第１入力枝を有し、前記第１入力枝は前記第１半導体素子の前記主電流路を介して第１中央端子に前記第１入力端子を接続し、該カレントミラーは更に出力電流を伝送する第１出力枝を有し、前記第１出力枝は前記第２半導体素子の前記主電流路を介して前記第１出力端子に前記第１中央端子を接続し、前記第１半導体素子及び前記第２半導体素子が、各々、第１抵抗性素子及び第２抵抗性素子を介して前記第１中央端子に接続されることを特徴とする光学読取／書込装置。
【請求項７】
請求項６に記載の信号処理ユニットであって、請求項１乃至５の何れか一項に記載の特徴部分に規定されることを特徴とする信号処理ユニット。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、請求項１の冒頭部分に記載の装置に関する。
本発明は更に、請求項７の冒頭部分に記載の信号処理ユニットに関する。
背景技術
斯かる光学読取／書込装置は、欧州特許第５０８５２２号明細書から既知である。検出信号の低周波成分及び高周波成分の処理に課される要求はかなり異なる。検出器の位置及び光学系の位置合わせは、検出信号の低周波成分から得られる制御信号により制御される。このため、精度が高くオフセットフリーの増幅が重要である。情報信号が得られる高周波成分に関しては、比較的広い帯域幅及び相対的に一定の群遅延が必要とされる。前述の欧州特許明細書は、高周波成分及び低周波成分が共通入力端子及び第１入力端子の間に配置されるレジスタと該第１入力端子及び第２入力端子の間に配置されるコンデンサとを持つフィルタにより互いから分離されるような光学読取／書込装置を提案している。次いで、高周波成分及び低周波成分は別個に処理される。
米国特許第４６６３７４９号明細書は、低周波成分が、入力電流がまたバイアス電流を成すような電流増幅器により増幅され、その結果としてオフセットフリーの低周波増幅が達成されるような光学読取／書込装置を記載している。高周波信号は別個の増幅器により処理される。
特開平１２−７９４２８号公報は、光電変換器からの信号が高周波成分及び低周波成分に分割され次いで演算増幅器により増幅されるような光学読取／書込装置を記載している。増幅された低周波信号は、高周波信号と再結合される。
米国特許第４７８５４４号明細書は、光学読取／書込装置において信頼性のあるトラッキングを達成する手段を記載している。この装置においては、高周波成分がまた、低周波成分と別個に処理される。
従って、光学読取／書込装置に関して、高周波成分及び低周波成分が検出器の出力後直接互いから分離され別個に処理されるような信号処理ユニットを持つと言う必要性がある。
発明の開示
これを満足するために、本発明によれば、冒頭段落に記載の型式の装置が、前記高周波成分を処理する第３手段がバイアス電流源及び第２カレントミラーを含み、前記第２カレントミラーの入力枝及び前記バイアス電流源の電流出力端子が共に前記第３手段の前記第２入力端子に接続されることを特徴とする。バイアス電流源により、第２手段の動作に影響を及ぼすことなく満足のいく帯域幅を得ることができる値に第３手段の第２カレントミラーをバイアスすることが出来る。
第２手段は、通常、自己バイアス増幅器として実施され、検出器により供給される電流もバイアス電流として働く。これは、前記検出器により供給される電流の強さに依存する第２手段の入力インピーダンスに至るかもしれない。これは、第１手段の動作に影響を及ぼし、その場合に低周波成分から高周波成分へのクロストークに至るかもしれない。請求項２に記載の装置の目的はこれを防止することにある。演算増幅器の効果は、第２手段が第１手段の動作に如何なる重大な影響を与えないような低入力インピーダンスを持つ、と言うことである。
請求項３は、クロストークを防止する他の実施例を規定する。この場合、第２手段は比較的高い入力インピーダンスを持つ。しかしながら、入力インピーダンスはここでは実質的には信号インピーダンスであるので、第１手段の選択にこのことを考慮することができ、所望であるなら、入力インピーダンスが、第１手段の一部を形成しても良い。
検出信号の高周波成分及び低周波成分を分離する第１手段は、検出器から高周波成分を処理する第３手段への信号伝送に零点を引き起こす。零点の存在は、信号の伝送にとって如何なる重要性もない。なぜなら、低周波成分は、如何なるデータ情報も含有しないからである。しかしながら、零点は、情報信号の群遅延応答の平滑さに悪影響を及ぼす。請求項４に記載の実施例の目的は、この悪影響を軽減することにある。この実施例においては、第３手段の入力に到達する信号の低周波成分が再構築され、故に、零点が極により相殺される。再構築は、情報信号のより平滑な群遅延応答をもたらす。
請求項５は、前記実施例の実際的な変形例を規定する。この変形例は、単純にして、第４手段により供給される電流が第２手段の入力上の信号を再構築するための正確な位相を持つ、と言うことを確実にする。
一方においては、低周波成分の満足のいくゲインマッチングが、精度の高い極／零点相殺、従って、平滑な群遅延応答のために重要である。他方においては、高周波成分に関し、広い帯域幅が重要であり、ゲインマッチングはそれ程関係ない。請求項６に記載の実施例は、低周波成分の非常に精度の高いゲインマッチング及び高周波成分に関する広い帯域幅を提供する。
【図面の簡単な説明】
本発明の上述の及び他の特徴を図を参照してより詳細に説明する。
図において、
第１図は、本発明による光学読取／書込装置のブロック図を示し、
第２図は、検出信号の高周波成分及び低周波成分を分離する手段ＭI、低周波成分を処理する手段ＭII及び高周波成分を処理する手段ＭIIIのブロック図を示し、
第３図は、手段ＭI、ＭII及びＭIIIをより詳細に示し、第１実施例の手段ＭIIIを手段ＭIIに結合する手段ＭIVを図的に示し、
第４図は、第１実施例の手段ＭIVをより詳細に示し、
第５図は、第２実施例の手段ＭIIIをより詳細に示し、
第６図は、第３実施例の手段ＭI及びＭIIをより詳細に示している。
発明を実施するための最良の形態
第１図は、光学データ担体１から読取る及び／又は光学データ担体１に書込む光学読取／書込装置を図的に示している。本例の場合、光学データ担体１は、例えば、欧州特許出願公開第２６５９８４号明細書に記載の通例の型式の書込可能光学データ担体である。光学データ担体１は、互いに略々同心であるトラック構造が設けられた透明基板２を持つ。これらトラックは、半径方向のウォブル（wobble）を呈し、その周波数はDCフリーのディジタルアドレス信号に応じて変調される。基板２は、光学パターンが設けられた層を担持する。層３は、例えば、放射感応色素層即ちいわゆる相変化層である。データ担体１は、通例の手段により軸４を中心とする回転動作が与えられる。
光学読取／書込装置は、トラックに情報パターンを書込む又はトラックから斯かるパターンを読取る光学読取／書込ヘッド５を有している。このヘッドは、放射ビームを生成する放射源６を持つ。放射源６は、例えば、固体レーザである。光学読取／書込ヘッドは、更に、データ担体１を介して放射感応検出器１０に放射ビームを送る光学系を持つ。検出器１０は、検出信号を供給する出力１０Aを持つ。検出信号は、前記検出器により検出された放射の測度である。本例においては、前記光学系は、レンズ７、集束対物レンズ８及びビームスプリッタ９を有する。放射源６により生成された放射ビームは、レンズ７及び集束対物レンズ８により光学データ担体１の層３上に集束される。層３から反射された放射ビームは、ビームスプリッタ９、例えば、半透鏡を介して検出器１０に反射される。更に、本例の場合、集束誤りを検出する非点収差素子１１が、ビームスプリッタ９と検出器１０との間に介在されている。
検出器１０の出力１０Aは、検出信号ＩINを受信される信号処理ユニット１２の共通入力端子０に結合される。信号処理ユニット１２は、検出信号ＩINの高周波成分及び低周波成分を分離する手段ＭI、低周波成分を処理する手段ＭII及び高周波成分を処理する手段ＭIIIを含んでいる。
信号処理ユニット１２は、更に、高周波成分に基づいて情報信号を得る手段１６を含んでいる。この情報信号は、データ担体上に記憶されている情報を表すものである。手段１６は、例えば、復調器、時間基準訂正器（time-base corrector）、誤り訂正器及びＤ／Ａ変換器を有する。
信号処理ユニット１２は、更に、低周波成分に基づいて制御信号ＦＥ（集束誤り信号）及びＲＥ（半径方向プッシュプル信号）を得る手段１３を含んでいる。集束誤り信号ＦＥは、それ自体は既知であるようにして集束誤りを最少にする制御回路１４の入力により受信される。半径方向プッシュプル信号ＲＥは、周波数変調トラックウォブルに起因して周波数変調される。ＦＭ復調器が、信号ＲＥからアドレス信号を得る。これら制御信号を得る種々の方法が既知であり、それら方法は、光検出器のセクションへの分割、例えば、４象限、即ち、例えば、整列して配置される４つのセクションに基づく。実際には、これは、手段ＭI及びＭIIの比例数を用いることが出来ることを意味する。しかしながら、ここでは、これら手段が、単純さを目的として１つの検出器に関してしか示されていない。好ましくは、他の検出器に関する手段ＭI及びＭIIはそれと同じである。
手段ＭI、ＭII及びＭIIIが、第２図により詳細に示されている。
検出信号の高周波成分及び低周波成分を分離する手段ＭIは、容量性素子１８を有している。
低周波成分を処理する手段ＭIIは、第１入力端子２４及び第１出力端子２８を持つカレントミラーを含んでいる。第１入力端子２４は、共通入力端子０に結合される。
高周波成分を処理する手段ＭIIIは、容量性素子１８を介して共通入力端子０に結合される第２入力端子４０を持つ。高周波成分を処理する手段ＭIIIは、バイアス電流源６０及び第２カレントミラーを含む。第２カレントミラーの入力枝４１及びバイアス電流源６０の出力端子６２は共に、手段ＭIIIの第２入力端子４０に接続される。
第３図は、本発明による光学読取／書込装置の第１実施例の手段ＭI、ＭII及びＭIIIをより詳細に示している。本例の場合、手段ＭIIの自己バイアスカレントミラーが、第１半導体素子２０及び第２半導体素子２２を有している。第１半導体素子２０及び第２半導体素子２２は各々、制御電極並びに第１及び第２主電極を有し、主電流路が、該第１主電極及び該第２主電極の間に介在される。この図及び後続の図における半導体素子は、ベース、コレクタ及びエミッタが、各々、制御電極、第１主電極及び第２主電極を構築するバイポーラトランジスタであることに注意されたい。しかしながら、他の例においては、半導体素子が、ゲート、ドレイン及びソースが、各々、制御電極、第１主電極及び第２主電極を構築するユニポーラトランジスタとすることが出来る。
カレントミラー２０及び２２は、入力電流（ＩLF）を伝送する第１入力枝を持つ。第１入力枝は、第１半導体素子２０の主電流路を介して第１中央端子２６に第１入力端子２４を接続する。第１半導体素子２０の制御電極及び第１主電極は相互接続される。カレントミラーは、更に、出力電流（Ｉ’LF）を伝送する第１出力枝を持つ。第１出力枝は、第２半導体素子の主電流路を介して第１出力端子２８に第１中央端子２６を接続する。第２半導体素子２２の制御電極は、第１半導体素子２０の制御電極に接続される。第３図は又、破線で、第１入力端子２４と第１中央端子２６との間の検出器１０の寄生容量性インピーダンス１０Bも示している。
手段ＭIIのカレントミラーの第１半導体素子２０は、第１抵抗性素子３０を介して第１中央端子２６に接続される。手段ＭIIのカレントミラーの第１入力枝内に第１抵抗性素子３０が存在することは、手段ＭIIが相対的に信号に依存する入力インピーダンスを持つことを確実にする。これは、低周波成分の高周波成分に対するクロストークを相殺する。容量性素子１８に加えて、手段ＭIは、検出器１０の寄生コンデンサ１０Bを含んでいる。手段ＭIは、更に、本例の場合手段ＭIIの一部も形成する抵抗性素子３０を有する。本例の場合、抵抗性素子が手段ＭI及びＭII両方で用いられているため、手段ＭI及びＭIIに対する別個の抵抗性素子は必要とされない。これは損失（dissipation）を低減する。本例の場合、手段ＭIは、２π／Ｒ（ＣP＋ＣAC）の周波数ｆで伝達関数ＩLF／ＩINにおける極を生成する。ここで、Ｒは、第１抵抗性素子３０の抵抗値であり、ＣP及びＣACは、各々、寄生コンデンサ１０B及び容量性素子１８の容量値である。検出器１０から手段ＭIIIへの信号に対する伝達関数は、同一の周波数ｆに対して零点を持つ。高周波中央端子は、手段ＭIIIの第２入力端子４０に減衰係数α＝ＣAC／（ＣP＋ＣAC）で伝達される。
対称性の理由のため、カレントミラーの第２半導体素子２２は、第２抵抗性素子３１を介して中央端子２６に接続される。
手段ＭIIは検出信号の低周波成分を扱うことしか必要ないため、第１半導体素子２０及び第２半導体素子２２は、ＩＣとして実施する場合比較的大きくすることができ、その結果、満足のいくゲインマッチング及び満足のいくDC送信が達成される。
第３図に示される実施例においては、手段ＭIIのカレントミラーが、更なる出力電流（Ｉ”LF）を供給する更なる出力端子３２を持つ。信号処理ユニット１２は、更に、手段ＭIIを手段ＭIIIに結合する手段ＭIVを含んでいる。手段ＭIVは、更なる出力電流（Ｉ”LF）を受信する第３出力端子７２を持つ。手段ＭIVは、更に、手段ＭIIIの第２入力端子４０に関連付けられる電流αＩ”LFを供給する第３出力端子７２を持つ。
更なる出力端子３２は、更なる出力枝を介して第１中央端子２６に接続される。更なる出力枝は、更なる半導体素子３６の主電流路により及び該主電流路と第２中央端子２６との間に配される更なる抵抗性素子３８により形成される。更なる半導体素子３６の制御電極は、第１半導体素子２０及び第２半導体素子２２の制御電極に接続される。
手段ＭIVは、検出信号の低周波成分ＩLFに比例する電流αＩ”LFを供給する。比例係数αは、前述の減衰係数に等しく選択される。斯くして、比例係数αを除き、検出信号ＩINが、手段ＭIIIの第２入力端子４０上で再構築される。
手段ＭIIIの第２カレントミラーは、主電流路を規定する第１及び第２主電極並びに制御電極を各々持つ第３半導体素子４２及び第４半導体素子４４を含んでいる。第３半導体素子４２の制御電極及び第４半導体素子４４の制御電極は互いに接続される。第２カレントミラーは、入力電流（ＩINIII＋ＩDCHF）を伝送する第２入力枝４１を持つ。第２入力枝４１は、第３半導体素子４２の主電流路を介して第２中央端子４６を第２入力端子４０に接続する。第２カレントミラーは、更に、出力電流（ＩOUT）を伝送する第２出力枝を持つ。第２出力枝は、第４半導体素子４４の主電流路を介して第２出力端子４７に第２中央端子４６を接続する。
本実施例においては、第３半導体素子４２が、第３抵抗性素子４８及び第２容量性素子５０の並列配列を介して第２中央端子４６に接続される。第４半導体素子４４は、第４抵抗性素子５２及び第３容量性素子５４の並列配列を介して第２中央端子４６に接続される。第３抵抗性素子４８及び第４抵抗性素子５２は、低周波に関する精度の高いゲインマッチングを与える。第２容量性素子５０及び第３容量性素子５４は、高周波に関する短絡回路を構築し、その結果、手段ＭIIIは依然広い帯域幅を持つ。
本実施例においては、手段ＭIIIは、演算増幅器５６及びバイアス電圧源５８も含む。演算増幅器５６は、手段ＭIIIの入力４０に接続される反転第１入力を持つ。演算増幅器５６は、バイアス電圧源５８の電圧出力端子５９に接続される非反転第２入力を持つ。バイアス電圧源の電圧出力端子５９は、第３半導体素子４２及び第４半導体素子４４の制御電極にも接続される。演算増幅器５６は、第２中央端子４６に接続される出力を持つ。演算増幅器５６は、第３半導体素子４２の制御電極及び第１主電極の間の仮想短絡回路を構築し、その結果、この半導体素子は、非常に低い入力インピーダンスを持つ入力４１として動作する。
第４図は、第３図の実施例で用いられる手段ＭIVをより詳細に示している。本例の場合、手段ＭIVは、第３カレントミラーとして構築されている。第３カレントミラーは、入力電流を伝送する第３入力枝を持つ。第３入力枝は、自身の主電流路を介して第３中央端子７８に第３入力端子７０を接続する第５半導体素子７４を持つ。第３カレントミラーは、出力電流を伝送する第３出力枝を持つ。第３出力枝は、自身の主電流路を介して第３出力端子７２に第３中央端子７８を接続する第６半導体素子７６を持つ。
本例の場合、抵抗性インピーダンスＲ１を持つ第５抵抗性素子８０が、第５半導体素子７４の主電流路と第３中央端子７８との間に配され、抵抗性インピーダンスＲ２を持つ第６抵抗性素子８２が、第６半導体素子７６の主電流路と第３中央端子７８との間に配される。斯くして、出力電流が係数Ｒ１／Ｒ２により乗算される入力電流に等しい、と言うことが達成される。他の例においては、この係数を、手段ＭIIのカレントミラー内の抵抗性素子３０及び３８の選択により実現することが出来る。その場合、第５半導体素子７４及び第６半導体素子７６の主電流路を第３端子７８に直接結合することが出来る。
第５図は、手段ＭIIIの他の変形例を示している。第３図の部分に対応する部分には、１００増加された対応する参照番号が付されている。第５図においては、演算増幅器１５６の非反転入力が、手段ＭIIIの第２入力端子１４０に接続される。演算増幅器１５６の反転入力は、バイアス電圧源１５８の電圧出力端子１５９に接続される。演算増幅器１５６の出力は、半導体素子１４２及び１４４の制御電極に接続される。
第３図及び第５図に示されるように、手段ＭIIIにおいて演算増幅器を使用することは、手段ＭIIIが比較的広い帯域幅を得ることを可能にする。高周波成分が比較的狭い帯域幅しか持たないような単純な使用に関しては、演算増幅器を用いない手段ＭIIIの変形例が考えられる。その場合、第３半導体素子の制御電極が、手段ＭIIIの入力に接続される。
第６図は、手段ＭI及びＭIIの他の変形例を示している。第３図の部分に対応する部分には、２００増加された対応する参照番号が付されている。第６図においては、手段ＭIIも、演算増幅器２３５及びバイアス電圧源２３３を含む。演算増幅器２３５の入力の一方、この場合反転入力が、第１半導体素子２２０の第１主電極に接続される。演算増幅器２３５の他方の非反転入力は、バイアス電圧源２３３の電圧出力端子２３４に接続される。演算増幅器２３５の出力は、第１半導体素子２２０の他の電極の一方、この場合第２主電極に結合される。
本例の手段ＭIは、容量性素子２１８及び抵抗性素子２１９を含む。本例の場合、抵抗性素子２１９は、共通入力端子２００と手段ＭIIの第１入力端子２２４との間に配される。
手段ＭIIの変形例においては、第５図に示される変形例と同様に、バイアス電圧源２３３の電圧出力端子２３４が、演算増幅器２３５の反転入力に接続され、第１半導体素子２２０の第１主電極が、非反転入力に接続される。この変形例における半導体素子２２０、２２２及び２３６の制御電極は、演算増幅器の出力に接続される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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