(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定媒体の圧力変化を電気信号に変換する半導体チップと、この半導体チップを収納する樹脂ケースと、この樹脂ケースからケース外部に引き出されるとともに樹脂ケースと一体成形されたリード端子と、上記半導体チップと上記リード端子を電気的に接続する接続部材とから構成されるゲージケースクミと、
圧力導入管を有するとともに、前記ゲージケースクミが接着固定される外装ケースとを有する半導体圧力センサにおいて、
上記樹脂ケースは、剛体部と、剛体部の外周に位置する変形部と、上記剛体部と上記変形部との間に設けられた溝部と、上記変形部に形成された平面状の封止面とを備え、
上記剛体部に半導体チップを配設したことを特徴とする半導体圧力センサ。
【請求項２】
請求項１記載の半導体圧力センサにおいて、
上記樹脂ケースの封止面の端面がリング形で、側面が円筒形状に形成され、
上記溝部は、上記円筒形状部の内側にリング状に形成されることを特徴とする半導体圧力センサ。
【請求項３】
請求項１記載の半導体圧力センサにおいて、
上記樹脂ケースの側面の平面部に設けられ、樹脂ケースのチップが収納された側の開口部を覆う蓋を固定するためのスナップフィット勘合部を備えたことを特徴とする半導体圧力センサ。
【請求項４】
圧力変換回路と特性補償回路を有する半導体チップと、この半導体チップを収納する樹脂ケースと、この樹脂ケースからケース外部に引き出されるとともに樹脂ケースと一体成形されたリード端子と、上記半導体チップと上記リード端子を電気的に接続する接続部材とから構成されるゲージケースクミと、
圧力導入管を有するとともに、前記ゲージケースクミが接着固定される外装ケースとを有する半導体圧力センサの特性を調整する半導体圧力センサの調整方法において、
上記樹脂ケースは、剛体部と、剛体部の外周に位置する変形部と、上記剛体部と上記変形部との間に設けられた溝部と、上記変形部に形成された平面状の封止面とを備え、
上記封止面の設けられた部分の樹脂ケースを固定し、上記半導体チップに圧力を印加して、上記半導体チップの特性調整を行うことを特徴とする半導体圧力センサの調整方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体圧力センサ及びその調整方法に係り、特に、特性調整に適したケース構造を有する半導体圧力センサ及びその調整方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体圧力センサは、例えば、特開昭５７−７９４１９号公報に記載されているように、次のような構成となっている。圧力検出回路を有した半導体チップと、ガラス台とを接合してチップクミを構成する。次に、このチップクミをガラスベースに接着した後、リード端子一体型樹脂ケースに接着して、チップとリード端子をワイヤで接続し、更に、樹脂カバーを樹脂ケースに接着してゲージケースクミを構成する。さらに、圧力導入管を有した樹脂ベースに、ゲージケースクミを構成する樹脂ケースを接着し、更に、特性調整回路を有した厚膜混成回路基板を樹脂ベースに接着して、ゲージケースクミのリード端子と厚膜混成回路基板とコネクタリード端子を各々ワイヤで接続したのち、外装ケースに圧力を印加して厚膜混成回路基板の抵抗を所定の値に合わせることでセンサの特性調整（０−スパン調整，感度調整，温度特性調整等）を行っている。特性調整後、外装ケースに樹脂カバーを接着して半導体圧力センサを構成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開昭５７−７９４１９号公報に記載されている半導体圧力センサでは、ゲージケースクミを外装ケースに固定した状態で、センサの特性調整を行うものであり、外装ケースが大きく熱容量が大きいため、高温や低温状態に曝してセンサの温度特性を測定する際等に装置が大型化するという問題点があった。また、特性調整不良品が発生した場合、外装ケースごと廃棄する必要があり、経済的損失が大きいという問題点があった。
【０００４】
そこで、本発明者らは、外装ケースを取り付ける前の状態であるゲージケースクミ単体で特性調整を行うことを検討したが、ゲージケースクミの樹脂ケースを、上下から冶具で挟み込み押え力を加えて圧力を印加して調整作業を行なおうとすると、ガラスベースの周辺部で直接押さえ力を受けるため、ガラスベースの割れや、圧力を検出するための半導体チップに応力が加わり、正確な特性調整が行えないという問題が生じることが判明した。
【０００５】
本発明の目的は、ゲージケースクミの状態でセンサ特性調整を行える半導体圧力センサ及びその調整方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
（１）上記目的を達成するために、本発明は、被測定媒体の圧力変化を電気信号に変換する半導体チップと、この半導体チップを収納する樹脂ケースと、この樹脂ケースからケース外部に引き出されるとともに樹脂ケースと一体成形されたリード端子と、上記半導体チップと上記リード端子を電気的に接続する接続部材とから構成されるゲージケースクミと、圧力導入管を有するとともに、前記ゲージケースクミが接着固定される外装ケースとを有する半導体圧力センサにおいて、上記樹脂ケースは、剛体部と、剛体部の外周に位置する変形部と、上記剛体部と上記変形部との間に設けられた溝部と、上記変形部に形成された平面状の封止面とを備え、上記剛体部に半導体チップを配設するようにしたものである。
かかる構成により、ゲージケースクミの状態でセンサ特性調整を行えるものとなる。
【０００７】
（２）上記（１）において、好ましくは、上記樹脂ケースの封止面の端面がリング形で、側面が円筒形状に形成され、上記溝部は、上記円筒形状部の内側にリング状に形成されるようにしたものである。
【０００８】
（３）上記（１）において、好ましくは、上記樹脂ケースの側面の平面部に設けられ、樹脂ケースのチップが収納された側の開口部を覆う蓋を固定するためのスナップフィット勘合部を備えるようにしたものである。
（４）上記目的を達成するために、本発明は、圧力変換回路と特性補償回路を有する半導体チップと、この半導体チップを収納する樹脂ケースと、この樹脂ケースからケース外部に引き出されるとともに樹脂ケースと一体成形されたリード端子と、上記半導体チップと上記リード端子を電気的に接続する接続部材とをから構成されるゲージケースクミと、圧力導入管を有するとともに、前記ゲージケースクミが接着固定される外装ケースとを有する半導体圧力センサの特性を調整する半導体圧力センサの調整方法において、上記樹脂ケースは、剛体部と、剛体部の外周に位置する変形部と、上記剛体部と上記変形部との間に設けられた溝部と、上記変形部に形成された平面状の封止面とを備え、上記封止面の設けられた部分の樹脂ケースを固定し、上記半導体チップに圧力を印加して、上記半導体チップの特性調整を行うようにしたものである。
かかる方法により、ゲージケースクミの状態でセンサ特性調整を行えるものとなる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、図１〜図９を用いて、本発明の一実施形態による半導体圧力センサの構成について説明する。
最初に、図１及び図２を用いて、本発明の一実施形態による半導体相対圧センサのゲージケースクミの構成について説明する。
図１は、本発明の一実施形態による半導体相対圧センサのゲージケースクミ状態の構成を示す断面図である。図２は、図１の平面図である。
【００１２】
半導体チップ１は、シリコンから成る。半導体チップ１は、中央部の下面をエッチング等により、凹型形状に形成され、中央部には、薄肉のダイヤフラム２が形成されている。半導体チップ１の上面であって、ダイヤフラム２の部分には、図示しない圧力検出回路が半導体プロセスにより一体的に形成されている。圧力検出回路は、ダイアフラム２上に形成された４個の拡散抵抗から成り、アルミ導体でブリッジに配線して構成される。また、半導体チップ１の上面で、ダイヤフラム以外の周辺部には、図示しない特性補償回路及び保護回路が半導体プロセルにより一体的に形成されている。特性補償回路は、圧力と出力の関係を所定の伝達関数に調整するデジ・アナ混成回路である。デジ・アナ混成回路は、特性調整信号を記憶・保持するＥＰＲＯＭを有したデジタル部と、信号増幅をするアナログ部を主要部として構成される。特性調整信号とは、ゼロ−スパン調整，感度調整，温度特性調整時に得られたこれらの各特性を調整するための係数値等の調整値である。保護回路は、外部と接続される入出力段に設けられた入出力信号に対する保護を行う回路である。圧力検出回路，特性調整回路及び保護回路は、それぞれ、アルミ導線等で電気的に接続されている。
【００１３】
半導体チップ１は、ガラス台３とアノーデイックボンデイング等で接合されている。半導体チップ１とガラス台３により、チップクミを構成する。ガラス台３は、その中央に貫通孔４を有している。貫通孔４は、半導体チップ１のダイヤフラム２の下面に圧力を導入する圧力導入口となる。ガラス台３の線膨張係数は、半導体チップ１の線膨張係数を、略等しいものである。
【００１４】
樹脂ケース６は、リード端子７及び補強板８をインサートモールドして形成される。樹脂ケース６は、熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂からなる。リード端子７は、リン青銅からなる。補強板８は、円形形状であり、４２アロイからなる。補強板８の中央には、貫通孔９が形成されている。貫通孔９は、半導体チップ１のダイヤフラム２の下面に圧力を導入する圧力導入口となる。樹脂ケース６の中央部にも、半導体チップ１のダイヤフラム２の下面に圧力を導入する圧力導入口となる貫通孔１５が形成されている。樹脂ケース６に対してインサートモールド成形された補強板８の中央上面は、樹脂ケース６から露出している。リード端子７は、図２に示すように、チップクミ５の配設部近傍を取り囲むように設置され、樹脂ケースを介して外側に引き出されている。
【００１５】
半導体チップ１とガラス台３からなるチップクミは、樹脂ケース６の中央部に露出した補強板８に、シリコーン接着剤１６を用いて、接着・固定されている。半導体チップ１のチップ電極は、アルミワイヤ１７で、リード端子７をワイヤボンデイングで接続されている。
【００１６】
樹脂ケース６には、溝１３，１４が形成されている。溝１３，１４は、図２に示すように、リング状である。溝１３，１４の半径は、共に等しく、リード端子７の形成されている面に対して、上下の同じ位置に設けられている。樹脂ケース６の外径形状の内、リード端子７が設けられる部分は、図２に示すように、平面形状が正方形状である。樹脂ケース６の外径形状の内、溝１３が設けられる部分は、図２に示すように、平面形状が円形形状である。樹脂ケース６の外径形状の内、溝１４が設けられる部分は、溝１３に対応する部分と同じように、平面形状が円形形状である。樹脂ケース６は、溝１３、１４の内周側の剛体部分６Ａと、溝１３の外周側のリング状の変形部分６Ｂ１と、溝１４の外周のリング状の変形部分６Ｂ２とに分けることができる。補強板８は、剛体部分６Ａにインサートモールドにより埋設されており、剛体部分６Ａの剛性をさらに高めている。リング状の変形部分６Ｂ１の上面は、平坦であり、リング状の凸型気密封止面６Ｃ１となっている。また、リング状の変形部分６Ｂ２の下面は、平坦であり、リング状の凸型気密封止面６Ｃ２となっている。凸型気密封止面６Ｃ１と、凸型気密封止面６Ｃ２とは、上下略対称となっている。
【００１７】
凸型気密封止面６Ｃ２から溝１４の底面までの高さをＨ１とし、凸型気密封止面６Ｃ２から補強板８の上面（ガラス台３の取付面）までの高さをＨ２とすると、Ｈ１≧Ｈ２なる関係となるように、溝１４の深さを設定している。また、別の見方をすると、凸型気密封止面６Ｃ１から溝１４の底面までの高さをＨ３とし、凸型気密封止面６Ｃ１から補強板８の上面（ガラス台３の取付面）までの高さをＨ４とすると、Ｈ４≧Ｈ３なる関係となるように、溝１４の深さを設定している。なお、図示の例では、Ｈ１＝Ｈ２，Ｈ４＝Ｈ３としているが、Ｈ１＞Ｈ２とし、Ｈ４＞Ｈ３としてもよいものである。すなわち、溝１４は、開口部側（凸型気密封止面６Ｃ２の側）を基準にしたとき、その底面は、補強板８の上面（ガラス台３の取付面）よりも深い位置まで形成されている。したがって、リング状の凸型気密封止面６Ｃ１の上面から均一に力Ｆ１を加え、また、リング状の凸型気密封止面６Ｃ２の下面から均一に力Ｆ２を加えた場合、溝１３，１４が形成されていることによって、変形部分６Ｂ１，６Ｂ２が変形したとしても、力Ｆ１，Ｆ２は、剛体部分６Ａには作用しないものである。また、仮に多少の応力が剛体部分６Ａに作用したとしても、剛体部分６Ａに設けられている補強板８は、樹脂ケース６よりも強度の強い金属製であるため、力Ｆ１．Ｆ２による応力が、補強板８の上に取り付けられたガラス台３及び半導体チップ１には及ばないものである。
【００１８】
さらに、樹脂ケース６の内部の補強板８の上に取り付けられた半導体チップ１とガラス台３からなるチップクミの上面は、フロロシリコーン系またはフッ素系のコートゲル１８を充填・硬化させている。コートゲル１８は、半導体チップ１に圧力を伝達するとともに、半導体チップ１に腐食性の液体や気体が接触することを防止している。
【００１９】
なお、凹部４４は、スナップフィット固定用の凹部（スナップフィット勘合部）であり、この点については、図８を用いて後述する。
【００２０】
以上のようにして、半導体チップ１とガラス台３からなるチップクミと、補強板８及びリード端子７を一体成形した樹脂ケース６によって、ゲージケースクミ１０が構成される。
【００２１】
次に、図３を用いて、本実施形態による半導体相対圧センサのゲージケースクミを用いた特性調整方法について説明する。
図３は、本発明の一実施形態による半導体相対圧センサのゲージケースクミを用いた特性調整装置の構成を示す要部断面図である。
【００２２】
特性調整冶具２７は、固定冶具２２と、可動冶具２６とから構成される。固定冶具２２は、Ｏリング２０と、圧力導入孔２１とを、主要部として構成される。可動冶具２６は、Ｏリング２３と、圧力導入孔２４と、プローブ２５とを、主要部として構成される。
【００２３】
ゲージケースクミ１０は、固定冶具２２に、下面気密封止面１２とＯリング２０が合致するよう搭載され、次に、可動冶具２６のＯリング２３と上部気密封止面１１が合致し、且つ、リード端子７とプローブ２５がそれぞれ合致するように、ゲージケースクミ１０を固定冶具２２と可動冶具２６で挟み込むように、図３に示した状態でセットする。
【００２４】
図３に示した状態で、例えば、固定冶具２２側に大気圧ＰAを印加し、可動冶具２６側に被測定圧力ＰMを印加することで、半導体チップ１は大気圧を基準とした相対圧（ＰA−ＰM）が印加される。相対圧力によって、半導体チップ１のダイヤフラム２が変形すると、シリコンのピエゾ抵抗効果で拡散抵抗値が変化し、圧力検出回路のブリッジ電圧変化として、出力信号に変換することができる。
【００２５】
特性調整冶具２７とゲージケースクミ１０に所定の温度と圧力を与えながら、センサ出力が所定値となるように、図示しない調整装置からプローブ２５を介して、チップ１に内在するＥＰＲＯＭに調整値に記憶・保持することで、センサの特性調整作業が行われる。
【００２６】
ここで、ゲージケースクミ１０を固定冶具２２と可動冶具２６で挟み込んだ際、樹脂ケース６の上下気密封止面１１，１２に応力が発生するが、補強板８と上下気密封止面１１，１２の間に配置された凹型溝１３，１４により、樹脂ケース６の変形部６Ｂ１，６Ｂ２で変形を吸収し、且つ金属の補強板８の剛性によって、補強板８上に配設されたガラス台３及びその上に固定された半導体チップ１に歪が伝達されることはなく、安定した状態で調整作業が行える。したがって、ゲージケースクミ１０の状態で特性調整作業が行えるため、高温や低温状態に曝してセンサの温度特性を測定する際等でも、調整装置を小型化することができる。また、不良品が発生した場合でも、ゲージケースクミ１０を廃棄するだけですみ、経済的損失を小さくすることができる。
【００２７】
なお、本実施形態による樹脂ケース構造を採用することで、ガラス台３の高さＨ５を従来のものよりも低くすることができる。すなわち、従来のガラス台は、チップに伝達する外力（例えば、樹脂ケース、調整冶具などからの外力・応力）を緩和する目的で用いているため、ある程度の高さを有するものとして、それによって、外力を緩和している。それに対して、本実施形態では、外力は樹脂ケース６の構造（溝１３，１４を有することと、補強板８を用いること）で吸収され、ガラス台３には及ばないため、ガラス台３の高さを低くすることができる。その結果、半導体圧力センサを、小型・低コスト化することができる。ちなみに、従来のガラス台の高さは、２．５ｍｍ程度あったものを、本実施形態では、０．６ｍｍまで低くすることができる。
【００２８】
次に、図４を用いて、本発明の一実施形態による半導体相対圧センサのゲージケースクミの他の構成について説明する。
図４は、本発明の一実施形態による半導体相対圧センサのゲージケースクミ状態の他の構成を示す断面図である。なお、図１と同一符号は、同一部分を示している。
【００２９】
本例のゲージケースクミ１０’では、下面気密封止面６Ｂ２を、補強板８の下面より上部に配置している。すなわち、凸型気密封止面６Ｃ２’から溝１４’の底面までの高さＨ１’は、図１に示したものよりも、小さくなっている。しかしながら、上述したように、凸型気密封止面６Ｃ１から溝１４’の底面までの高さＨ３と、凸型気密封止面６Ｃ１から補強板８の上面（ガラス台３の取付面）までの高さＨ４との間には、Ｈ４≧Ｈ３なる関係があるように、溝１４’の深さを設定している。すなわち、溝１４’は、開口部側（凸型気密封止面６Ｃ２の側）を基準にしたとき、その底面は、補強板８の上面（ガラス台３の取付面）よりも深い位置まで形成されている。したがって、リング状の凸型気密封止面６Ｃ１の上面と、リング状の凸型気密封止面６Ｃ２の下面から均一に力を加えた場合、溝１３，１４’が形成されていることによって、変形部分６Ｂ１，６Ｂ２’が変形したとしても、力は、剛体部分６Ａには作用しないものである。また、仮に多少の応力が剛体部分６Ａに作用したとしても、剛体部分６Ａに設けられている補強板８は、樹脂ケース６よりも強度の強い金属製であるため、応力が、補強板８の上に取り付けられたガラス台３及び半導体チップ１には及ばないものである。
【００３０】
以上のようにして、変形部分６Ｂ２’の高さを低くすることにより、樹脂ケース６の惰肉が排除でき、ゲージケースクミを、更にコンパクトにすることができる。
【００３１】
次に、図５を用いて、本発明の一実施形態による半導体相対圧センサの構成について説明する。
図５は、本発明の一実施形態による半導体相対圧センサの構成を示す断面図である。なお、図１と同一符号は、同一部分を示している。
【００３２】
本例の相対圧センサクミ４０は、スタンドアロン型のものである。外装ケース３２の内部に、相対圧用ゲージケースクミ１０’を設置し、固定する。外装ケースは、例えば、ＰＢＴからなる。なお、ゲージケースクミ１０’は、図４に示したゲージケースクミ１０’の上下を逆して、外装ケース３２内に取り付けている。
【００３３】
図４に示した相対圧用ゲージケースクミ１０’の凸型気密封止面１１を、外装ケース３２の凹型溝に接着剤３３により固定する。リード端子７と、コネクタ端子３４をアルミワイヤ３５で接続する。リード端子７やコネクタ端子３４を覆うように、シリコーンゲル３６を充填する。大気導入孔３７を有したカバー３８が、外装ケース３２に、接着剤３９により取り付けられる。
【００３４】
外装ケース３２の圧力導入管３１から導入された被測定圧力は、半導体センサのチップ上面に受圧し、カバー３８の大気導入孔３７からチップ下面に大気圧を受圧することで、大気圧基準の相対圧が測定できる。
【００３５】
外装ケース３２とゲージケースクミ１０の接合部には、接着時に生じる残留歪や、両ケースが異なる材料で構成された場合に生じる熱歪が生じるが、ゲージケースクミ１０の接着面１１と補強板８の間に配置した凹型溝１３，１４と補強板８が上記歪みを吸収してチップクミ５に影響を与えないため、ゲージケースクミ１０の状態でセンサ特性を調整したのち、センサクミ４０に組み込んでも、特性変化が生じないものである。
【００３６】
本例では、図４に示したゲージケースクミ１０’を用いているが、図１に示したゲージケースクミ１０を同様に実装しても同様の効果が得られる。また、図１に示したゲージケースクミ１０は、上下面に勘合溝を有しているので、上下反転させてチップ下面に被測定圧、上面に大気圧を印加できるように配設しても良い構造となっている。
【００３７】
次に、図６及び図７を用いて、本発明の一実施形態による半導体絶対圧センサの構成について説明する。
図６は、本発明の一実施形態による半導体絶対圧センサのゲージケースクミ状態の構成を示す断面図である。図７は、本発明の一実施形態による半導体絶対圧センサの構成を示す断面図である。なお、図１，図５と同一符号は、同一部分を示している。
【００３８】
図６に示すように、本例による絶対圧測定用のゲージケースクミ１０Ａにおいて、図１に示した例と相違する点は、ガラス台３Ａに貫通孔４がない点及び、半導体チップ１のダイヤフラム２の下面とガラス台３Ａの上面に挟まれた部分に真空室３０を設けた点である。これにより、半導体チップ１の上面から被測定圧力ＰMを印加することで、絶対圧を基準としたゲージケースクミ１０Ａが得られる。
【００３９】
次に、図７を用いて、スタンドアロン型絶対圧センサクミ４１の構成について説明する。図５に示した構成と同様に、図６に示す絶対圧用ゲージケースクミ１０Ａを外装ケース３２に実装する。カバー４２には、大気導入孔は設けられておらず、実装ケース３２に取り付けられる。外装ケース４２の圧力導入管３１を介して、チップ上面被測定圧力を受圧し、チップ下面に配設した真空室を基準に絶対圧の測定ができる。
【００４０】
以上のように、ガラス台３，３Ａを変えるのみで、絶対圧用と相対圧用圧力センサにおいて、他の構成部品を共用化することができる。
【００４１】
次に、図８を用いて、本発明の一実施形態による半導体センサの他の構成について説明する。
図８は、本発明の一実施形態による半導体センサの他の構成を示す斜視図である。なお、図１，図２と同一符号は、同一部分を示している。
【００４２】
図８に示す半導体センサは、オンボード型大気圧センサ４３である。相対圧用ゲージケースクミ１０の中央部の平面形状が正方形の部分（剛体部６Ａの外周部）には、スナップフィット固定用の凹部（スナップフィット勘合部）４４が４箇所形成されている（図２における凹部４４参照）。凹部４４は、平面形状が正方形の剛体部６Ａの４側面の内、リード端子７が配置されている２面とは異なる２面に設けられている。凹部４４に対して、カバー４７に形成されたスナップフィット用爪４５を用いて、カバー４７を嵌合させる。カバー４７には、大気導入孔４６が設けられている。なお、剛体部６Ａの平面形状は、正方形に限らず、長方形でもよいものである。
【００４３】
ゲージケースクミ１０にカバー４７を嵌合させた後、リード端子７をプリント板に挿入する。リード端子７には、予めはんだがデイップされており、このはんだを用いて、プリント基板に接合する。
【００４４】
以上説明したように、本実施形態によれば、ゲージケースクミの特性調整時や、外装ケース組み込み後に生じるケースの歪みを排除できるため、高精度・高信頼性な圧力センサを提供できる。
【００４５】
また、チップを保持するガラス台の高さを低くできるため、ゲージケースの小型化・低コスト化が可能となる。
【００４６】
さらに、オンボード用、相対圧と絶対圧のスタンドアロン用のゲージケースクミを共用化できるため、ゲージケースクミの製造ラインを共用化でき、混流ラインを構築することができるため、設備投資が削減でき、低コスト化が図れる。
【００４７】
なお、上述の各例において、基本的考え方としては請求項に示した内容に包括されており、これらの構成要素以外で個別の構成要素（例えばゲージケースと外装ケースとの接続を溶接にするなど）については全く限定しないものである。
【００４８】
【発明の効果】
本発明によれば、ゲージケースクミの状態でセンサ特性調整を行えるものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態による半導体相対圧センサのゲージケースクミ状態の構成を示す断面図である。
【図２】図１の平面図である。
【図３】本発明の一実施形態による半導体相対圧センサのゲージケースクミを用いた特性調整装置の構成を示す要部断面図である。
【図４】本発明の一実施形態による半導体相対圧センサのゲージケースクミ状態の他の構成を示す断面図である。
【図５】本発明の一実施形態による半導体相対圧センサの構成を示す断面図である。
【図６】本発明の一実施形態による半導体絶対圧センサのゲージケースクミ状態の構成を示す断面図である。
【図７】本発明の一実施形態による半導体絶対圧センサの構成を示す断面図である。
【図８】本発明の一実施形態による半導体センサの他の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
１…半導体チップ
２…ダイアフラム
３…ガラス台
４，９，１５…貫通孔
６…樹脂ケース
６Ａ…剛体部
６Ｂ１，６Ｂ２…変形部
６Ｃ１，６Ｃ２…凸型気密封止面
７…リード端子
８…補強板
１０…ゲージケースクミ
１３，１４…凹型溝
２０，２３…Ｏリング
２１，２４…圧力導入孔
２２…固定冶具
２５…プローブ
２６…可動冶具
２７…特性調整冶具
３０…真空室
３２…外装ケース
３８，４２…カバー
４３…オンボード型大気圧センサ
４４…スナップフィット固定用凹部
４５…スナップフィット用爪
４７…カバー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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