(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
バルク音響波（ＢＡＷ）共振器を製作する方法であって、
基板を提供するステップと、
第１の構造を設けるステップと、
圧電体層を含む共振器部分を設けるステップと、
共振器部分が基板と対面する側とは反対の側で、第２の構造を共振器部分の上に位置するように設けるステップと、
第２の構造の上にフリップチップ・ボールを提供するステップと
を含み、
第１の構造が、高および低の音響インピーダンスが交互に変わる導電層のみから作られた音響ミラーを含み、
共振器部分は第２の構造と基板とのあいだにあり、
共振器部分と基板とのあいだに第１の構造が位置するものである、方法。
【請求項２】
第１の構造が、高および低の音響インピーダンスが交互に変わる材料層から作られた音響ミラーを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第１の構造が薄膜を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
バルク音響波（ＢＡＷ）共振器であって、
基板と、
第１の構造と、
圧電体層を含む共振器部分と
を備え、
第１の構造は、高および低の音響インピーダンスが交互に変わる導電層のみから作られた音響ミラーを含み、
第２の構造が、基板と対面する共振器部分の側とは反対の側で共振器部分の上に位置し、共振器部分は第２の構造と基板とのあいだにあり、
共振器部分と基板とのあいだに第１の構造が位置しており、
第２の構造の上にフリップチップ・ボールをさらに含むＢＡＷ共振器。
【請求項５】
第１の構造が、高および低の音響インピーダンスが交互に変わる材料層から作られた音響ミラーを含む、請求項４に記載のＢＡＷ共振器。
【請求項６】
第１の構造が薄膜を含む、請求項４に記載のＢＡＷ共振器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、たとえばバルク音響波フィルタを提供するときに使用されるバルク音響波共振器に関する。さらに具体的には、本発明は、金属層のみを含む多様な音響ミラーを有するバルク音響波共振器に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】
薄膜バルク音響波（ＢＡＷ）フィルタは、さまざまな基板、たとえばシリコン（Ｓｉ）ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、または二酸化シリコン（ＳｉＯ2）の上に製作することができる。薄膜ＢＡＷフィルタは、多くの場合、分路ＢＡＷ共振器および直列ＢＡＷ共振器を含む。しかしながら、幾つかのフィルタは、直列共振器および分路キャパシタのみを含むか、分路共振器および直列キャパシタのみを含み、また他の共振器は、トポロジ、たとえば格子フィルタ・トポロジをベースとしている。さらに、直列共振器および分路共振器を含むＢＡＷフィルタは、いわゆる梯子形フィルタを形成するように、そのような共振器の幾つかのペアを含むことができる。おのおののＢＡＷ共振器は、圧電材料層の上に堆積された上部電極を含み、圧電材料層は下部電極の上に乗っている。これら３つの層のアセンブリは、ときには、ＢＡＷ共振器の共振器部分と呼ばれる。さらに、ＢＡＷ共振器は、ＢＡＷ共振器のパフォーマンスを微細に同調するため、他の材料層または異なった材料の構造配置を含む。
【０００３】
２つのタイプのＢＡＷ共振器が、当技術分野で知られている。すなわち、ブリッジ形ＢＡＷ共振器と音響ミラー形ＢＡＷ共振器である。ブリッジ形ＢＡＷ共振器において、共振器部分は薄膜（異なった材料の１つまたは複数の層から作られる）の上に堆積され、共振器によって生成された音響波は、上部電極の上、および共振器部分が堆積された薄膜の下にあるエア・インタフェースから反射される。ミラー形ＢＡＷ共振器では、共振器は、いわゆる音響ミラーを形成する層スタックの上に固体的に（ｓｏｌｉｄｌｙ）取り付けられる。各層は、共振器部分によって作り出された音響波に対して、高および低の音響インピーダンスを交互に与えるように選択される。音響ミラー内のおのおのの材料層は、通常波長の１／４の厚さである。そのような音響ミラーは、共振器によって作り出された音響波のために、音響ミラーの方向へ伝搬して共振器へ戻る大きな反射率を提供する。さらに、共振器によって作り出された音響波の反射が、上部電極のエア・インタフェースでもおこる。
【０００４】
双方のタイプのＢＡＷ共振器は、共振器部分の上に空洞を有する防護パッケージが必要であるという欠点を有する。典型的に使用されるパッケージは、ＳＡＷフィルタで使用されるパッケージ、すなわち密封性（ハーメチックシール）または少なくとも半密封性のセラミック・パッケージに類似している。そのようなパッケージは、構成要素のサイズおよび価格を増大させる。さらに、そのようなパッケージは、寄生インダクタンスおよび抵抗を作り出す。
【０００５】
必要とされるものは、共振器部分の上および下の双方で、必要な高反射率を提供し、寄生インダクタンスおよび抵抗並びに他の欠点をともなう密封性または半密封性のパッケージを不要にする構造である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
したがって、本発明は、バルク音響波（ＢＡＷ）共振器を製作する方法、およびその方法によって製作されたＢＡＷ共振器を提供する。この方法は、基板を提供し、第１の構造を設け、圧電体層を含む共振器部分を設け、ここで第１の構造が、高および低の音響インピーダンスが交互に生じる導電層のみから作られた音響ミラーを含むステップを備えている。
【０００７】
本発明のさらなる様相において、音響ミラーの層は圧電体層に隣接して電極として働く。
【０００８】
本発明の他のさらなる様相において、第１の構造は共振器部分と基板とのあいだに置かれている。
【０００９】
本発明の他のさらなる様相において、第１の構造は、共振器部分が基板と対面する側とは反対の共振器部分の側で、共振器部分の上に置かれ、したがって共振器部分は、第１の構造と基板とのあいだに置かれる。さらに、この方法は、共振器部分と基板とのあいだに位置する第２の構造を設けるステップを含む。幾つかのそのような応用において、第２の構造は、高および低の音響インピーダンスが交互に変わる材料層から作られた音響ミラーを含み、他のそのような応用において、第２の構造は薄膜を含む。さらに他のそのような応用において、本発明の方法は、第１の構造の上にフリップチップ・ボールを設けるステップを含む。
【００１０】
本発明のさらに他の様相において、方法は、キャッピング材料を提供するステップを含む。第１の構造および共振器部分が、基板とキャッピング材料とのあいだに挟まれ、したがって単一の絶縁構造のみを含む共振器の場合には共振器部分とキャッピング材料とのあいだまたは共振器部分と基板とのあいだにあるエア・インタフェースによって、機械的負荷から防護されるように、キャッピング材料が配置される。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明の上記および他の目的、特徴、および利点は、添付の図面と一緒に提示される後の詳細な説明を考察することによって明らかになるであろう。
【００１２】
本発明の好ましい実施形態は、音響ミラー形ＢＡＷ共振器をベースとしたＢＡＷ共振器である。従来技術から本発明を明瞭に区別するため、従来技術にしたがった音響ミラー形ＢＡＷ共振器を図１１（ａ）〜図１１（ｃ）に示す。図１１（ａ）は音響ミラー形ＢＡＷ共振器（ＢＡＷフィルタの分路共振器または直列共振器として働くことができる）を示す。この共振器において、上部電極、圧電体層、および下部電極から構成される共振器部分は、異なった材料のさまざまな層から構成される音響ミラーの上に堆積されている。前記異なった材料は、高および低の音響インピーダンスが交互に変わるように選択され、おのおのの材料は、典型的には、ＢＡＷ共振器の中心周波数（すなわち、分路共振器の共振周波数と、直列共振器の若干異なった共振周波数との中間にある周波数）における音響波の波長の１／４に等しい。音響ミラー層は、通常はシリコン、ヒ化ガリウム、またはガラスから作られた基板の上に堆積される。音響ミラーは、音響波を圧電体層へ閉じ込めて圧電体層を基板から機械的（音響的に）絶縁する助けとなる点で、（音響的）絶縁構造と考えることができる（そうでないと、圧電体層は基板に結合されているから、音響的に基板へ完全に結合されるであろう）。
【００１３】
直列共振器および分路共振器の少なくとも１つのペアから構成される音響ミラー型ＢＡＷフィルタが、１つまたは複数の金属層を含む音響ミラーをベースとして製作され、ＢＡＷ共振器が単一の基板の上に取り付けられるとき、音響ミラーの金属層が、少なくとも複数の共振器部分のあいだで取り除かれなければならない。このプロセスは、音響ミラーの金属層のパターン化と呼ばれる。図１１（ｂ）は、音響ミラー層が順次に堆積され、金属層がパターン化された構造、さらに具体的には、圧電体層の直下の領域に区画された構造を示す。
【００１４】
金属層だけでなく、音響ミラーのすべての層をパターン化することも可能である。そのような製作では、共振器部分のミラーの誘電（低音響インピーダンス）層もパターン化されてよく、そのような製作の最後のステップは、厚い材料層をパターン構造の上に堆積し、材料をエッチングによって取り除き、構造の上部を圧電体層の上部と同じ高さにして、平坦な平面を形成する。したがって、この構造は、平坦化された構造と呼ばれる。そのように平坦化された構造は、図１１（ｃ）に示されている。さらに、従来技術のミラーは、誘電体層だけから構成されることができる。その場合、ミラーは、パターン化される必要は全くない。そのようなすべて誘電体からなるミラーは、通常、高インピーダンス層として金属層を有するミラーと同じ反射率を達成するためには、もっと多くの層を必要とする。
【００１５】
ここで、本発明にしたがえば、共振器部分の下だけでなく、その上にも音響ミラーを設けるように別のタイプの音響ミラー方式のＢＡＷ共振器の任意のものを修正して、防護パッケージ層の必要性を除くことができる。本発明の基本的アイデアは、導電性（金属）材料（好ましくは、アルミニウムおよびタングステン）層のみからなる追加の上部音響ミラーを製作し、上部音響ミラーを介して、上部ミラーの下にある（オプションの）上部電極との電気接点を形成可能にすることである。（上部電極は、厳密に言えば必要ではない。なぜなら、ミラーは導電性だからである。しかし、それは製作を容易にする。）上部ミラーは、上部ミラーの上からの質量負荷から共振器部分を絶縁するので、フリップチップ・アセンブリを可能にする、いわゆるフリップチップ・ボール（バンプ）を、上部ミラーの上に直接置くことができる。（フリップチップ・アセンブリの語は、ここでは、先ず半田ボール（またはバンプ）をチップのおのおののパッドへ取り付けることによって、チップとも呼ばれるベアダイ（裸のチップ）を、いわゆるマザーボード、すなわちプリント回路板へ取り付けることを意味する。つぎに、チップは「フリップ」され（ひっくり返され）、セラミックまたは薄層ベース回路板の上に置かれる。つぎに、それは、半田ボールが溶解するように、通常、リフロー・オーブンの中で加熱され、フリップされたチップは、マザーボード上の対応するパッドへ取り付けられる。）
【００１６】
上部ミラーを作り上げる層の数は、特定の応用に基づいて決定されるが、１つの例として、発明者は、上部ミラーのためにアルミニウム層／タングステン層の３つのペア、および下部ミラーのために二酸化シリコン層／タングステン層の２つのペアを使用して、Ｅ−ＧＳＭ受信機用フィルタを製作した。
【００１７】
フリップチップ・ボールは上部ミラーの上に直接置かれる必要はない。さらに、フリップチップ・ボールは、上部ミラーが水蒸気のような表面汚染物の防護のみをすればよいように、上部ミラーに隣接して設けられることができる。オフミラー（ミラー上にない）フリップチップ・ボールの場合、単一のミラー・ペアでも、通常、充分な防護を提供する。上部ミラー層の３つのペアが完全な防護を提供する極端な場合と、材料層の単一のペアが表面汚染物に対する防護のみを提供する極端な場合とのあいだに、層の２つのペアが存在する中間ケースがある。これは、たとえば、下部充填材が使用されて、上部ミラーと接触する場合に有用である。（図４〜５に示されるように、下部充填材は、フリップされたチップとマザーボードとのあいだに適用されてアセンブリの機械的信頼性を改善する膠状の材料である。したがって、チップは、半田ボールだけでなく下部充填材によっても、マザーボードへ固定される。）
【００１８】
もちろん、上部音響ミラーを構成するためには、幾つかの方法が存在する。つぎに、２つの例を説明する。１つの例は、上部ミラーのために層の３つのペアを使用し、またミラーの上でフリップチップ・ボールを使用し、他の例は、上部ミラーのために層の１つだけのペアを使用し、またオフミラーのフリップチップ・ボールを使用する。
【００１９】
ここで、図１（ａ）〜（ｄ）を参照すると、本発明にしたがったＢＡＷ共振器は、下部ミラー（図１（ａ））および上部ミラー（図１（ｄ））の双方を含み、フリップチップ・ボールが上部ミラーの上に取り付けられるように示されている。そのような製作において、本発明にしたがえば、図１（ａ）に示されるように、下部ミラーが完成し下部電極が堆積およびパターン化された後、圧電体層が堆積され、もし必要であればパターン化される。つぎに、図１（ｂ）に示されるように、厚いパッシベーション（保護）層が堆積され、圧電体層（または上部電極）まで下方に伸びるパッシベーション層の中にチャネルが形成される。チャネルのサイズは、パッシベーション材料が、実質的に圧電体層の上のすべての場所で取り除かれるようなサイズである。（明瞭にするため、上部電極および他のオプションの層、たとえば分路同調層は示されていない。上部電極は、通常、パッシベーション層よりも前に堆積されるであろう。）つぎに、図１（ｃ）に示されるように、すべての上部ミラー層が順次に堆積される。一度、すべての上部層が堆積されると、上部ミラーの金属層がパターン化される（すなわち、圧電体層のすぐ上の場所を除くすべての場所で選択的に取り除かれる）。金属層の除去は、たとえば化学的機械的ポリッシング（ＣＭＰ）によって実行される。そのような除去は、滑らかな表面のウェーハを生じ、上部ミラーの金属は、共振器へ導かれるチャネルの内部を除くすべての場所で取り除かれる（図１（ｄ））。つぎに、フリップチップ・ボールが上部ミラーの上に形成される。ここでさらに図１（ｅ）を参照すると、図１（ｄ）に示されるフリップチップ・ボールの代わりに、共振器の上部ミラーに結合されたワイヤが、共振器を回路へ接続する手段として使用されてよい。ワイヤは、導電性ミラーを介して、上部ミラーの下にある上部電極へ接続される（それによって、導電性ミラーはミラーとして働くだけでなく、一種のバイア（接続経路）として働く）。そのような実施形態における導電性ミラーは、バンプまたはボンドワイヤのパッドとして働き、またさらに、圧電体層の表面への接続を提供する。
【００２０】
代替的に、上記のフリップチップ・アセンブリ形プロセスの代わりに、ダイに切り分け、ワイヤで結合することができる。本発明のＢＡＷフィルタのようなＩＣチップは、回路へ電気的に接続される手段を設けられなければならない。ここで図６を参照すると、そのような接続を提供するため、多くの場合、ＩＣチップは、先ずリードフレームへワイヤで結合され、つぎにプラスチック成型されて、完成されたパッケージ構成要素にされる。ワイヤボンディングは、２５〜５０μｍの太さの金または銀のワイヤを使用して、ＩＣ入力／出力端子をパッケージ入力／出力ピンへ接続する方法である。さらに現代的な方法は、前述したフリップチップ方法であって、その場合、ワイヤボンディングによって作り出される接続は半田バンプによって置き換えられる。
【００２１】
発明者は、これまでの説明にしたがって製作された二重層音響ミラー形ＢＡＷ共振器に基づいて、６つの共振器（３つの直列共振器および３つの分路共振器）から構成されるレシーバ（受信機用）フィルタを組み立てた。共振器から共振器への相互接続は、下部電極金属、および完成した上部ミラーの上にある追加の金属、たとえばバンプ下地金属、または、ある場合には、上部ミラーの下にあって圧電体層の上にある追加の上部電極金属を使用して作り出された。バンプ金属の語は、集積チップのＩ／Ｏパッドのあいだにある金属層を意味する。これらの金属層は、半田ボールとＩ／Ｏパッドとの化学的（冶金学的）両立性を確保するために使用される。
【００２２】
分路共振器は、フィルタの所望の帯域通過挙動を得るように共振周波数を減少させる追加の層を含むことを除いて、同じプロセスにしたがって製作された。追加の層は、追加の上部電極の上に置かれたが、下部電極の下に置くこともできた。上部から下部の基板へ向かって、上部ミラーは、タングステン層／アルミニウム層の３つのペア、分路共振器（だけ）のための薄い銅の同調層、アルミニウムの上部電極、酸化亜鉛の圧電体層、および金の下部電極を含んだ。双方の共振器は、１つの層が二酸化シリコンで他の層はタングステンである層の２つのペアから構成される下部音響ミラーを含んだ。そのように構成されたフィルタは、直列に接続された３つのＢＡＷフィルタから構成されておのおののＢＡＷフィルタが直列共振器および分路共振器から構成される梯子形ＢＡＷフィルタであった。フィルタの略図は図２（ａ）に示され、フィルタの応答は図２（ｂ）に示される。フィルタの応答は、帯域フィルタの特性を有し、最大応答は約９４２ＭＨｚを中心とし、帯域幅は約３５ＭＨｚであった。
【００２３】
図３は、単一の基板上に取り付けられたＢＡＷフィルタの一部分（分路共振器および直列共振器）を示す。おのおののＢＡＷ共振器は、２つの音響ミラーを含むように、本発明にしたがって製作された。２つのＢＡＷ共振器は、上部電極を介して相互に接続されるように示されている。さらに、フリップチップ・ボール（フィルタの信号ポートを提供するために使用される）は、いずれの上部ミラーからもオフセットされ、薄い金属層を介して１つの上部ミラーへ接続されるように示されている。共振器の相互接続は、上部電極を使用して行なわれるように示されている。
【００２４】
一般的議論
前述したように、上部ミラーを製作する場合の１つの問題は、チャネル生成ステップのあいだに、厚いパッシベーション層のエッチングを、どのようにして圧電体層の表面で正確に停止するかということである。１つの解法は、厚いパッシベーション層を堆積する前に、圧電体層の上に薄い上部電極を堆積してパターン化することである。そのようにすることは、良好な選択性、すなわち異なった材料に対して顕著に異なったエッチング・レートを与える。パッシベーション層を介して圧電体層へ導かれるチャネルを作り出す場合、圧電体層の上部電極へ達したとき、直ちに材料の除去を停止するため、パッシベーション層に対して高いエッチング・レートを使用し、上部電極に対して低いエッチング・レートを使用することが望ましい。したがって、一度、エッチング（ウエットまたはドライ）が上部電極の表面に達すると、それは、停止したと言える程度に遅くなる。
【００２５】
他の問題は、ＢＡＷ共振器の層、とくに圧電体層は、均一の厚さにならない傾向があり、したがって、従来技術にしたがって製作されたＢＡＷ共振器から作られるフィルタの中心周波数は、ウェーハのなかで差異が存在することである。ＢＡＷ層の厚さの差異は、周波数の誤差が許容できないほど大きい区域で材料を選択的に堆積または除去することによって補償することができる。そのような調節は、従来技術の共振器の上で実行することができるが、除去または追加される材料の厚さは、通常は非常に小さい。２つだけの層を有する上部ミラーを使用することは、そのようにして製作されたＢＡＷ共振器が、上部ミラーの上にある表面汚染物にかなり鈍感であるという点で従来技術より優れた利点を有する。さらに、構造に対する材料の追加または除去は、ある絶対誤差（堆積されている材料および使用されている機器に依存して顕著に変動する誤差）の範囲でのみ達成されることができ、追加（または除去）されるべき材料が多ければ、追加（または除去）されるべき材料が少ない場合よりも相対誤差は小さくなるので、相対的に厚い上部ミラーへ材料を追加することによって、相対的に小さな相対誤差をともなって周波数のトリミングを実行することができる。たとえば、周波数のトリミングを実行するとき、従来技術の共振器で、もし追加の２０ｎｍ（ナノメートル）を堆積する必要があり、堆積の厚さの公差（絶対誤差）がプラスまたはマイナス２ｎｍであれば、周波数のトリミングは１０％の相対的正確度を有するであろう。ところが、上部ミラーの上に材料を追加する場合、必要とされる全体的厚さが８０ｎｍであり、これが同様に２ｎｍの絶対誤差で堆積されるので、２．５％の相対的正確度を与えるであろう。
【００２６】
他の実施の形態
さらに、本発明は、共振器の上に音響ミラーを有するブリッジ形ＢＡＷ共振器の提供を包含する。とはいえ、発明者の経験では、好ましい実施形態は２つの音響ミラー（上部ミラーおよび下部ミラー）をもつＢＡＷ共振器である。従来技術にしたがった２種のブリッジ形ＢＡＷ共振器が図６に示される。ここで図６を参照すると、導電性音響ミラーのカバーを有する本発明にしたがったブリッジ形ＢＡＷ共振器を提供するため、先ず共振器（薄膜、および薄膜の下の空洞を有する）が製作され、つぎに、薄膜の代わりに下部音響ミラーを有するＢＡＷ共振器を提供するときに行なわれる方法と本質的に同じ方法で、製作の残りが実行される。ブリッジ形ＢＡＷ共振器の薄膜は、絶縁構造の他のタイプである。
【００２７】
ここで図８を参照すると、本発明は、さらに、下部音響ミラーを有するＢＡＷ共振器を作り、下部ミラーは導電性を有するように作り（すなわち、金属層のみから作り）、つぎにある種のウェーハレベル（ウェーハによる）パッケージングを利用することを包含する。言い換えれば、共振器は、下部ミラーに金属のみを使用することを除いて、通常のように（下部音響ミラーを有するように）製作されるが、上部ミラーは設けられない。その代わりに、ウェーハ（共振器および導電性ミラー）が完成した後、フィルタを含むウェーハの上にキャッピング・ウェーハが取り付けられる。キャッピング・ウェーハは、フィルタの場所に小さな穴を有し、おのおののフィルタ能動区域（共振器）の上にエア空間を提供する。キャッピング・ウェーハは、陽極接合、接着剤、または半田によってフィルタ・ウェーハへ取り付けられる。２つのウェーハが接合された後、元のフィルタ・ウェーハは薄くされ、および／またはバイアが背面から開口されて、導電性ミラーの最下層へのアクセスが得られる。つぎに、バイアは半田ボールで充填され、半田ボールはパッケージの信号ポートとして働く。
【００２８】
パッケージの信号ポートを実現するためには、多くの異なった方法が存在する。バイアをプラグで充填し、上にバンプを置くことは、１つの方法である。他の方法は、メタライゼーションをパターン化し、オフミラー・バンプを使用することである。すなわち、この方法は、すでにキャッピングされているがダイス（溝切り）されていないウェーハの背面に金属層を堆積または成長させ、層をパターン化して、穴からのリードを形成し、ミラーの下からバンプへの電気接触を作る。その場合、バンプはオフミラーである。
【００２９】
図９は、図８に示されるようなバルク波共振器のウェーハレベルパッケージ、すなわちオフミラーのフリップチップ・バンプを有するパッケージを示す立面図である。図１０は、図８に示されるようなバルク波共振器のウェーハレベルパッケージ、すなわちオンミラー・フリップチップ・バンプを有するパッケージを示す立面図である。図９および図１０に示されるキャッピングは、機械的負荷からフィルタを防護する。フィルタの１つの構成要素として、二重ミラー共振器（ミラーが全面的に導電性であるかどうかに関係なく）を使用する場合の問題点の１つは、フィルタの達成可能なバンド幅が、１つだけのミラーを使用する共振器を含むフィルタよりも幾分狭くなることである。したがって、１つだけのミラーを使用する共振器を含むが、同時に、たとえば図９および図１０に示されるようなキャッピング・ウェーハを含むことによって防護を提供する構造が、ある場合には好ましい。
【００３０】
これまで説明した配列は、本発明の原理の応用を例示するだけであることを理解すべきである。多くの修正および代替配列が、本発明の趣旨および範囲から逸脱することなく当業者によって案出されてよく、添付のクレイムは、そのような修正および配列をカバーするように意図されている。
【００３１】
【発明の効果】
本発明のバルク音響波共振器は、基板と、音響的絶縁構造と、圧電体層を含む共振器部分とを備え、絶縁構造が音響インピーダンスが交互に変わる導電層のみからなる音響ミラーを含み、音響ミラー層が圧電体層と接して電極として働くので、共振器部分の上と下の双方で必要な高反射率が得られ、寄生インダクタンスや抵抗がなく、密封性のパッケージが不要なバルク音響波共振器が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の音響ミラーを含むバルク音波共振器の１つの実施形態を示す立面図である。（ａ）〜（ｅ）の異なった図面は、バルク音波共振器の作製における異なったステージを示し、最後のステージ（図１（ｄ））はフリップチップ・バンプを提供し、また代替の最後のステージ（図１（ｅ））では、フリップチップ・バンプの代わりにボンドワイヤを提供することを示す。
【図２】図２（ａ）は、３つのＬセクションから構成されるバルク音波フィルタの略図であり、各々のＬセクションは直列バルク音波共振器および分路バルク音波共振器から構成され、各々の共振器は、本発明にしたがって作製されたタイプであることを示す。図２（ｂ）は、図２（ａ）のフィルタの応答をプロットしたものである。
【図３】直列共振器および分路共振器から構成され、双方の共振器が単一の基板上に取り付けられ、また双方の共振器が本発明にしたがって作製されたフィルタの立面図である。
【図４】フリップチップ・アセンブリ・プロセスを使用して作製されている集積回路構成要素の立面図である。
【図５】フリップチップ・アセンブリ・プロセスを使用して作製されている集積回路構成要素の立面図である。
【図６】従来のブリッジ形バルク音波共振器の２つのタイプを示す立面図である。
【図７】本発明のブリッジ形バルク音波共振器の立面図であって、上部電極の上に導電性音響ミラーを有することを示す。
【図８】本発明のバルク音波共振器の立面図であって、通常タイプの（一部分が誘電性の）音響ミラーの代わりに、また、その場所に、導電性音響ミラーを有することを示す。
【図９】図８に示されるようなバルク波共振器のウェーハ平坦パッケージ、すなわちオフミラーのフリップ・チップ・バンプを有するパッケージを示す立面図である。
【図１０】図８に示されるようなバルク波共振器のウェーハ平坦パッケージ、すなわちオンミラーのフリップ・チップ・バンプを有するパッケージを示す立面図である。
【図１１】従来の音響ミラーを含むバルク音波共振器の立面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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