(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空排気可能な少なくとも一つの処理室と、基板を収納し内部が真空排気可能な少なくとも一つのロードロック室と、真空排気可能でありゲートバルブを介して上記処理室とロードロック室とを連結し、基板をロードロック室から処理室に搬送可能な搬送室とを有する基板処理装置において、
基板処理後に初期排気時間だけ真空排気された上記処理室のゲートバルブが開かれた際に処理室から上記搬送室に流入するガス濃度を検知する分析手段と、
この分析手段が検知するガス濃度が基準値を超える場合には、上記ゲートバルブを閉鎖して処理室を、あらかじめ決められた一定時間真空排気する動作とゲートバルブを開いてガス濃度を検知する動作とを、上記分析手段が検知するガス濃度が基準値以下となるまで繰り返させ、上記分析手段が検知するガス濃度が基準値以下になるまでに要した真空排気の積算時間を記憶するとともに、次の基板の処理以降の処理室の上記初期排気時間を上記積算時間に変更する制御手段と、
上記分析手段が検知するガス濃度が基準値を超える場合に、その旨を出力し、かつ、上記初期排気時間が上記積算時間に変更されたとき、その旨を出力する出力手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の基板処理装置において、上記出力手段は、表示手段、警報手段、及び記録手段のうちの少なくとも一つを有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１記載の基板処理装置において、上記分析手段は、質量分析計であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
真空排気可能な少なくとも一つの処理室と、基板を収納し内部が真空排気可能な少なくとも一つのロードロック室と、真空排気可能でありゲートバルブを介して上記処理室とロードロック室とを連結し、基板をロードロック室から処理室に搬送可能な搬送室とを用いて基板を処理する基板処理方法において、
基板処理後に初期排気時間だけ真空排気された上記処理室のゲートバルブが開かれた際に処理室から上記搬送室に流入するガス濃度を分析手段により検知し、
この分析手段が検知するガス濃度が基準値を超える場合には、上記ゲートバルブを閉鎖して処理室を、あらかじめ決められた一定時間真空排気する動作とゲートバルブを開いてガス濃度を検知する動作とを、上記分析手段が検知するガス濃度が基準値以下となるまで繰り返し、
上記分析手段が検知するガス濃度が基準値以下になるまでに要した真空排気の積算時間を記憶するとともに、次の基板の処理以降の処理室の上記初期排気時間を上記積算時間に変更し、
上記分析手段が検知するガス濃度が基準値を超える場合に、その旨を出力し、かつ、上記初期排気時間が上記積算時間に変更されたとき、その旨を出力することを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ロードロック室、搬送室および処理室の間で基板を搬送し、かつ処理室内での処理にプラズマの活性ガスを使用する基板処理装置、および処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の半導体製造工程等における薄膜形成おいては、真空雰囲気において反応性の高い活性なガスやプラズマを利用するＣＶＤ(chemical vapor   deposition)、ドライエッチングなどのドライプロセスが重要になっている。
【０００３】
このようなプロセスでは、処理室を大気にさらさないロードロックタイプの装置が一般的である。このロードロックタイプの装置は、複数の処理室と、大気圧と真空とに切り替え可能であり、大気中に設置された基板を真空室内に搬入するためのロードロック室と、ゲートバルブを介して処理室およびロードロック室と連結して基板をロードロック室から処理室に搬送可能な搬送装置が設置された搬送室から構成される。
【０００４】
ところで、基板処理直後の処理室内の残留ガスには、反応性の強いガスや処理の結果生じた堆積性の強い反応生成物が含まれるために、ゲートバルブを開けるタイミングで処理室から残留ガス中に含まれる反応生成物が搬送室やロードロック室、さらには別の処理室に流入し、搬送室等を汚染することが懸念される。
【０００５】
これらの汚染物質は、処理した製品の表面に付着して電気的な特性不良を引き起こしたり、あるいは塵埃の発生原因となる場合がある。
【０００６】
このような、処理室から搬送室、ロードロック室、他の処理室へ反応生成物が流入することを防ぐための方法として、例えば、特開平５−１６０２４１号公報、特開平６−５５２０号公報に記載された技術がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来技術である特開平５−１６０２４１号公報に記載された技術は、搬送室に複数個設置されている処理装置において、二つのゲートバルブを同時に開かないことが特徴となっている。
【０００８】
しかしながら、上記特開平５−１６０２４１号公報によれば、一つの処理室から他の処理室への反応生成物の流入を防止する効果は期待できるが、搬送室の汚染を防止することはできない。
【０００９】
また、特開平６−５５２０号公報に記載された技術では、処理室の真空排気において処理プロセス前後の真空排気時のみ排気速度の大きいポンプを作動させて、残留ガス中を除去することが特徴となっている。
【００１０】
ところが、上記特開平６−５５２０号公報に記載された技術では、排気能力を増加させるものであるために真空排気時間短縮や排気効率の向上の効果は期待することはできるが、排気の終了時間を処理室の全圧で判断しているために、問題となる反応生成物そのものは他の部屋に流入する可能性が残る。
【００１１】
つまり、残留ガスの全圧は、最も高い分圧を持つ窒素（Ｎ2)や水(Ｈ2Ｏ)でほぼ決まるために、除去しようとするガス成分が除去されたか否かの正確な判断はできない。
【００１２】
残留ガスの全圧は低い値になっていても、そのオーダー以下の反応性の強いガス成分が搬送室等の他の部屋に流入し、長期間、装置を稼動する間に堆積し、結果的に汚染原因となることが懸念される。
【００１３】
本発明の目的は、処理室から搬送室、ロードロック室などの他の処理室へ反応生成物が流入する事を防止し、異物発生の抑制、プロセスの高品質化が可能な基板処理装置及び基板処理方法を実現することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は次のように構成される。
（１）真空排気可能な少なくとも一つの処理室と、基板を収納し内部が真空排気可能な少なくとも一つのロードロック室と、真空排気可能でありゲートバルブを介して上記処理室とロードロック室とを連結し、基板をロードロック室から処理室に搬送可能な搬送室とを有する基板処理装置において、基板処理後に初期排気時間だけ真空排気された上記処理室のゲートバルブが開かれた際に処理室から上記搬送室に流入するガス濃度を検知する分析手段と、この分析手段が検知するガス濃度が基準値を超える場合には、上記ゲートバルブを閉鎖して処理室を、あらかじめ決められた一定時間真空排気する動作とゲートバルブを開いてガス濃度を検知する動作とを、上記分析手段が検知するガス濃度が基準値以下となるまで繰り返させ、上記分析手段が検知するガス濃度が基準値以下になるまでに要した真空排気の積算時間を記憶するとともに、次の基板の処理以降の処理室の上記初期排気時間を上記積算時間に変更する制御手段と、上記分析手段が検知するガス濃度が基準値を超える場合に、その旨を出力し、かつ、上記初期排気時間が上記積算時間に変更されたとき、その旨を出力する出力手段とを備える。
【００１５】
（２）好ましくは、上記（１）において、上記出力手段は、表示手段、警報手段、及び記録手段のうちの少なくとも一つを有する。
【００１６】
（３）また、好ましくは、上記（１）において、上記分析手段は、質量分析計である。
【００１７】
（４）真空排気可能な少なくとも一つの処理室と、基板を収納し内部が真空排気可能な少なくとも一つのロードロック室と、真空排気可能でありゲートバルブを介して上記処理室とロードロック室とを連結し、基板をロードロック室から処理室に搬送可能な搬送室とを用いて基板を処理する基板処理方法において、基板処理後に初期排気時間だけ真空排気された上記処理室のゲートバルブが開かれた際に処理室から上記搬送室に流入するガス濃度を分析手段により検知し、この分析手段が検知するガス濃度が基準値を超える場合には、上記ゲートバルブを閉鎖して処理室を、あらかじめ決められた一定時間真空排気する動作とゲートバルブを開いてガス濃度を検知する動作とを、上記分析手段が検知するガス濃度が基準値以下となるまで繰り返し、上記分析手段が検知するガス濃度が基準値以下になるまでに要した真空排気の積算時間を記憶するとともに、次の基板の処理以降の処理室の上記初期排気時間を上記積算時間に変更し、上記分析手段が検知するガス濃度が基準値を超える場合に、その旨を出力し、かつ、上記初期排気時間が上記積算時間に変更されたとき、その旨を出力する。
【００２４】
上記したように、一つの処理室から他の処理室等への残留ガス成分の流入による汚染は、残留ガス中のガス組成、分圧に依存する。そこで、処理室とロードロック室との両者に繋がっている搬送室について、ガス組成、分圧を測定し、反応性の強いガス成分の濃度変化を把握する。
【００２５】
すなわち、ガス濃度の変化を検知し、その結果に基づいて処理室の排気時間を制御することによって、上記目的を達成することができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照にし、本発明の実施形態について詳細に説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の概略構成図であり、この第１の実施形態においては、Ｓｉウエハ等の半導体基板上のパターン形成を行うドライエッチング装置の概略構成図である。また、図２及び図３は、真空排気及び装置操作の動作フローチャートである。
【００２７】
図１において、本発明の第１の実施形態であるドライエッチング装置は、ウエハを収納し内部を真空雰囲気と大気圧状態とに切り替え可能な二つのロードロック室（ここではウエハ搬入に用いられるロード室１１、ウエハ搬出に用いられるアンロード室９）と、ウエハの処理プロセスが行われる複数個の処理室（この第１の実施形態では３個の処理室１３、１５、１７）と、Ｓｉウエハ１をロード室１１から処理室へ、また処理室からアンロード室へ搬送するための搬送ロボット３が設置された搬送室２とを備えている。
【００２８】
なお、複数個の処理室１３、１５、１７では、同一の処理が行われる場合もあるし、異なった処理が行われる場合もある。また、１０、１２、１４、１６、１８は夫々ウエハ１を設置するためのウエハステージを示す。
【００２９】
搬送室２とロード室１１、アンロード室９、各処理室１３、１５、１７との間はゲートバルブ４〜８が設置されており、ゲートバルブ４〜８の開閉によって搬送室２と各室９、１１、１３、１５、１７とは、同一雰囲気、あるいは隔絶状態になる。
【００３０】
搬送室２、ロード室１１、アンロード室９、各処理室１３、１５、１７の各室には各々真空排気のための真空排気系と、圧力測定のための真空計とが取り付け等れている。さらに、処理室１３、１５、１７についてはガス導入系が取り付けられているが、ロード室１１とアンロード室９、また処理室１３、１５、１７は動作が同じであるため、図１にはロード室１１、搬送室２、処理室１７についてのみ、真空排気系、ガス導入系を図示し、他の室については、これらを省略してある。
【００３１】
なお、３７は、ゲートバルブの開閉、真空排気系の動作を制御するための制御装置である。
【００３２】
真空排気系は、ロード室１１には、バルブ１９を介してドライポンプ２０が取り付けられている。処理室１７には、可変バルブ２２を介してターボ分子ポンプ２５が取り付けられている。さらに、ターボ分子ポンプ２５には、バルブ２３を介してドライポンプ２６が取り付けられている。また、処理室１７には、バルブ２４を介してドライポンプ２６が取り付けられている
ドライエッチング装置のメンテナンス後など、大気圧状態から処理室１７を真空排気する場合には、バルブ２４を介してドライポンプ２６によって粗引き排気が行われる。
【００３３】
また、搬送室２には、バルブ３０を介してターボ分子ポンプ３３が取り付けられる。さらに、ターボ分子ポンプ３３には、バルブ３１を介してドライポンプ３４が取り付けられる。また、搬送室２は、バルブ３２を介してドライポンプ３４が取り付けられる。
【００３４】
ドライエッチング装置のメンテナンス後など大気圧状態から搬送室２を真空排気する場合には、バルブ３２を介してドライポンプ３４によって粗引き排気が行われる。本発明の第１の実施形態では、処理室の排気をターボ分子ポンプで行う例を示したが、ドライポンプ３４のみで排気を行う場合も多い。
【００３５】
次に、本発明の第１の実施形態であるドライエッチング装置の動作を説明する。
まず、ゲートバルブ５が閉じた状態でロード室１１を大気圧状態にし、ウエハをロード室１１に搬入する。その後、バルブ１９を開きドライポンプ２０によって、ロード室１１を減圧状態にする。
【００３６】
真空計２１によって計測されるロード室１１の圧力が所定の値となったら、ゲートバルブ５を開き、搬送ロボット３によってウエハを搬出、ゲートバルブ５を閉じるとともにゲートバルブ８を開けて処理室１７にウエハを搬送し、ウエハステージ１８上にウエハを設置する。
【００３７】
ウエハステージ１８上へのウエハ設置後、ゲートバルブ８を閉じて、処理ガスを流量制御装置２８、２９から導入し、可変バルブ２２の制御によって、処理室１７の圧力調整を行いエッチング処理を開始する。
【００３８】
エッチング処理終了後、可変バルブ２２の開度を全開とし、真空計２７で計測される圧力が所定の値まで下がったところで、ゲートバルブ８を開いて、ウエハ１を搬出する。
【００３９】
ウエハ１を連続処理する場合には、次の処理室１５、あるいは１７に搬送され、処理が終了した場合には、ゲートバルブ４が開かれてアンロード室９に搬送され、ゲートバルブ４は再び閉じられる。処理終了後、アンロード室９は、大気圧状態にされてウエハ１が取り出される。
【００４０】
一連の処理において、各ゲートバルブ開閉のタイミングは、真空計２１、２７、３５等で計測された圧力の値によって制御される。ロード室１１の場合には、ウエハ１の導入時、大気圧状態から真空排気が行われるために、ゲートバルブ５を開く事によって、搬送室２の圧力を著しく上昇させない程度の圧力、例えば１００Ｐａ程度においてゲートバルブ５が開かれる。
【００４１】
一方、処理室１７内には、エッチング処理を行う事によって、エッチングガスがプラズマ中で重合する事、あるいはエッチングガスがエッチング対象とする基板上の膜と反応する事によって生じる、いわゆる反応生成物が発生する。
【００４２】
これら反応生成物が十分に排気されない状態で、ゲートバルブ８を開くと反応生成物は、処理室１７内から搬送室２へ、拡散し、各部屋を汚染する事になる。これを回避するため、通常は可変バルブ２２の開度を開き、真空計２７で計測される圧力が所定の値まで下がったところで、ゲートバルブ８を開いて、ウエハ１を搬出する。
【００４３】
ここで、真空計２７が計測している圧力は、残留したガスの全圧であり、その主体は反応生成物ではなく窒素（Ｎ2）や水（Ｈ2Ｏ）である。
【００４４】
圧力が１Ｐａ以下の領域では気体分子の運動は分子流に従うために、全圧よりも低いオーダーの反応生成物が残留していれば、たとえ処理室１７の方が搬送室２よりも低圧であっても処理室１７内の反応生成物は、搬送室２へ拡散する。
【００４５】
さらに、ウエハ搬送のためにゲートバルブ５が開いた際に、処理室１７の反応生成物は、ロード室１１へ拡散し、各部屋を汚染する事になる。
【００４６】
拡散した反応生成物は、搬送室２やロード室１１の壁に付着して堆積膜を形成する。長期間の装置使用の間には、堆積膜は徐々に厚くなり、剥がれ落ちてウエハ１上への異物となって、製作しようとしているデバイスの欠陥を引き起こす事になる。
【００４７】
一度、このような事態になれば、装置の汚染を除去するために装置全体の分解清掃を行わなければならず、著しい生産効率低下の原因となる。
【００４８】
本発明では、搬送室２に特定のガス濃度を検知する分析手段３６を有することが特徴となっている。図１に示した第１の実施形態では、ガス濃度検知手段として質量分析器３６を備え、ここではガス分圧としてモニタする。
【００４９】
どの質量数のガスをモニタするかということと、処理室２の排気時間の初期設定値を幾らにするかを、まず、図２に示すフローチャートにしたがって説明する。
【００５０】
すなわち、実際にエッチングを行い、所定の圧力、例えば真空計２７の計測される全圧の値で１０-4Ｐａ程度まで排気して、ゲートバルブ８を開け、ウエハを搬出し、ゲートバルブを閉じてウエハをアンロード室へ移動する（ステップ２００〜２０８）。
【００５１】
ステップ２０５において、ゲートバルブ８を開とした後、どのような質量数のガスが残留しているかを実際に計測する（ステップ２０９）。
【００５２】
もし、反応性の強いと考えられるガスが残留していた場合には、ゲートバルブ８を直ちに閉鎖して、処理室の真空排気時間をあらかじめ決められた一定時間、例えば１０秒程度、追加する動作と、再びゲートバルブを開いてガス分圧を検知する操作とを、反応性の強いと考えられるガス分圧の値が質量分析器の感度以下になるまで繰り返し（ステップ２０９〜２１２）、それまでの排気時間の合計をエッチング処理後の排気時間とする（ステップ２１３）。
【００５３】
反応性の強いと考えられるガスが残留していなければ、全圧が所定の圧力になるまでの排気時間をエッチング処理後の排気時間とする。この場合は、モニタすべきガス分圧が特定できないために、再度、実際にエッチング処理を行い排気時間を短くして残留ガスの組成分析を実施する。
【００５４】
これらのバルブ、および真空排気系の制御、真空排気条件の設定は制御装置３７によって行う。このような初期の条件設定は、必ずしもマスクが形成されている実際の製品で行う必要はなく。例えば、ウエハ全面にエッチング対象としている膜を堆積させた、ダミーウエハを使っても良い。
【００５５】
経済的でもあり、エッチング面積が大きいために反応生成物の量が多く、安全側に初期条件を設定する事ができる。
【００５６】
実際のウエハの連続処理は、図３に示す動作フローチャートに従い行う。
すなわち、ウエハの連続処理の最中でｎ枚目の処理終了後に、ゲートバルブ８開いてｎ枚目のウエハを搬出する（ステップ３００〜３０５）。その際に、ステップ３０６において、質量分析器３６が反応生成物について設定値以上のガス分圧を検知しなければ、そのまま(ｎ＋１)枚目のウエハを処理室に搬入して処理に移る（ステップ３０７）。
【００５７】
一方、ゲートバルブ８を開いた際に、ステップ３０６において、質量分析器３７が、反応生成物について設定値以上のガス分圧を検知した場合には、ゲートバルブ８を直ちに閉鎖してその旨（警報）を出力する（ステップ３０８）。
【００５８】
警報の出力形態は、ブザーなどのアラームでも良いし、操作パネルへの表示、もしくは装置オペレーターのパーソナルコンピューターへの表示などでもよい。これにより、直ちに条件設定の変更を実行できるし、もし装置異常が原因である場合には、例えば、ゲートバルブ８などに異常が発生している場合には直ちに対処が可能となる。また、搬送室２への反応生成物の拡散を最小限に抑える事ができる。
【００５９】
以上のように、本発明の第１の実施形態によれば、処理室とロードロック室とが接続されている搬送室について、ガス組成、ガス分圧を質量分析器にて、測定して、それに基づき所定のガスの分圧等が一定値以下となるように、処理室の排気時間を制御装置により制御するように構成したので、処理室から搬送室、ロードロック室などの他の処理室へ反応生成物が流入する事を防止し、異物発生の抑制、プロセスの高品質化が可能な基板処理装置及び基板処理方法を実現することができる。
【００６０】
次に、本発明の第２の実施形態を図４に示す動作フローチャートに従って説明する。なお、装置構成については、図１に示した例と同様であるので、詳細な説明は省略する。
【００６１】
図４において、第１の実施形態と同様に、ｎ枚目のウエハの処理後に、質量分析器３６が反応生成物について設定値以上のガス分圧を検知しなければ、そのまま（ｎ＋１）枚目のウエハ処理に移る。つまり、ステップ３００〜３０７とステップ４００〜４０７とは同様な処理となる。
【００６２】
しかし、ｎ枚目のウエハの処理後に、質量分析器３６が反応生成物について設定値以上のガス分圧を検知した場合には、ゲートバルブ８を直ちに閉鎖し、可変バルブ２２の開度を全開として、あらかじめ決められた一定時間、例えば１０秒程度、処理室の真空排気時間を追加する。
【００６３】
その後、再びゲートバルブ８を開いてガス分圧を検知する操作を、反応生成物のガス分圧の値が質量分析器３６の感度以下になるまで繰り返し（ステップ４０６、４０８、４０９）、ウエハを搬出して、次いで(ｎ＋１)枚目の処理に移る。
【００６４】
これにより、搬送室２への反応生成物の拡散を最小限に抑えながら連続処理を続行できる。
【００６５】
本発明の第２の実施形態においても、第１の実施形態と同様な効果を得ることができる。
【００６６】
次に、本発明の第３の実施形態を図５に示す動作フローチャートに従って説明する。なお、装置構成については、図１に示した例と同様であるので、詳細な説明は省略する。
【００６７】
本発明の第３の実施形態では、図４に示した第２の実施形態のステップ４００〜４０９とステップ５００〜５０９とは同様な処理となっている。ただし、第３の実施形態において、反応生成物のガス分圧の値が質量分析器３６の感度以下になるまで処理室の真空排気時間を追加する操作を、繰り返し行う際、それに要した排気時間の積算値を、制御装置３７に記憶させ、(ｎ＋１)枚目以降のウエハ処理後の真空排気時間として新たに設定する（ステップ５０８、５１０、５０７）。
【００６８】
さらに、反応生成物のガス分圧を検知した事と処理室の真空排気時間を変更した旨を出力する（ステップ５１１）。このステップ５１１における出力形態は、操作パネルへの表示や記録計への記録、もしくは装置オペレーターのパーソナルコンピューターへの表示などでもよい。
【００６９】
これにより、搬送室２への反応生成物の拡散を最小限に抑えながら連続処理を続行できる。さらに、オペレーターは、反応生成物のガス分圧を検知した事と処理室の真空排気時間を変更した事を知る事ができるために、初期設定値の余裕が少なかったためなのか装置異常があるのか等、搬送室１７において反応生成物を検知した原因についてで直ちに対処が可能となる。
【００７０】
図６、図７は、本発明の第４の実施形態の説明図及び動作フローチャートである。なお、装置構成については、図１に示した例と同様であるので、詳細な説明は省略する。
【００７１】
本発明の第４の実施形態では、モニタした反応生成物ガスを積算し、その積算値があらかじめ決めておいた設定値を超えた場合に、その旨出力する例である。
【００７２】
単位時間当たり、あるガス分子が容器の壁面に衝突する数は、温度が一定であれば圧力に比例する。
【００７３】
したがって、ゲートバルブ８の開閉動作の間に、質量分析器３６で検知した反応生成物の分圧が、例えば、図６に示すように、ゲートバルブが開となって、反応生成物の分圧が急上昇した後、徐々に減少した場合、ゲートバルブが閉となるまでの斜線で示した積分値に比例した値の分子数が搬送室２の壁面に衝突することになる。
【００７４】
一方、壁面に衝突した反応生成物の分子は、ある割合で壁面において固体化するために、処理室２から拡散した反応生成物が搬送室２の壁面において汚染物や堆積膜となる量は、拡散してきた反応生成物のガス分圧の積算値に比例することになる。
【００７５】
したがって、図７のフローチャートに示したように、ｎ枚目のウエハ処理を行い（ステップ７００）、ゲートバルブを開とした（ステップ７０１）後、ガス分圧を測定して、積分し、設定値以上であれば、設定値以下となるまで、ステップ７０２〜７０４を繰り返す。
【００７６】
ステップ７０２において、ガス分圧の積分値が設定値以下となれば、ステップ７０５において、（ｎ＋１）枚目のウエハを処理する。また、ステップ７０６において、処理ウエハ枚数全てのガス分圧積分値を加算する。
【００７７】
そして、ステップ７０７において、予めモニタしている反応生成物のガス分圧の積算値に対して、しきい値を決めておき、しきい値未満であれば、処理は行わず、しきい値以上である場合には、直ちにその旨出力し、警報する（ステップ７０８）。
【００７８】
ステップ７１２における警報出力形態は、ブザーなどのアラームでも良いし、操作パネルへの表示、もしくは装置オペレーターのパーソナルコンピューターへの表示などでもよい。
【００７９】
これにより、装置内の清掃などメンテナンスを行えば、加工しているウエハへの汚染や異物の付着などの不良原因を未然に防止する事が可能となる。
【００８０】
さらに、モニタしている反応生成物のガス分圧の積算値によって、装置の分解洗浄時期の管理を行うことができる。すなわち、ガス分圧の積算値を監視しておく事により、分解清掃の時期を予測する事ができるために、計画的に装置を停止でき、生産性の低下を最小限に抑える事ができる。
【００８１】
なお、しきい値を決めるためには、別手段によって反応生成物を作り一定表面積を持つ容器に閉じ込めて、ガス分圧の積分値と堆積量の関係を知る必要がある
【００８２】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、処理室から搬送室、ロードロック室などの他の処理室へ反応生成物が流入する事を防止し、異物発生の抑制、プロセスの高品質化が可能な基板処理装置及び基板処理方法を実現することができる。
【００８３】
つまり、処理室で発生した反応生成物の、他の処理室等への拡散を最小限に抑えながら、ウエハの連続処理を行う事ができる。これにより、長期に渡る装置稼動にともなう、汚染物の堆積、これによる塵埃の発生を防止することが可能となり、製造工程における歩留まりの向上を図る事ができる。また装置管理も効率的に行う事が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態である基板処理装置の概略構成図である。
【図２】本発明の第１の実施形態である基板処理装置の動作を説明する動作フローチャートである。
【図３】本発明の第１の実施形態である基板処理装置の動作を説明する動作フローチャートである。
【図４】本発明の第２の実施形態である基板処理装置の動作を説明する動作フローチャートである。
【図５】本発明の第３の実施形態である基板処理装置の動作を説明する動作フローチャートである。
【図６】反応生成物のガス分圧とゲートバルブが開となってからの時間との関係を示すグラフである。
【図７】本発明の第４の実施形態である基板処理装置の動作を説明する動作フローチャートである。
【符号の説明】
１                ウエハ
２                搬送室
３                搬送ロボット
４〜８            ゲートバルブ
９                アンロード室
１０、１２、１４  ウエハステージ
１１              ロード室
１３、１５、１７  処理室
１６、１８        ウエハステージ
１９、２３、２４  バルブ
２０、２６、３４  ドライポンプ
２１、２７、３５  真空計
２２              可変バルブ
２５、３３        ターボ分子ポンプ
２８、２９        流量制御装置
３０、３１、３２  バルブ
３６              質量分析器
【図１】
0004248753.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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