(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パルス電圧の累積印加回数に応じて抵抗値を変化させると共に、抵抗値を不揮発的に保持する物質にて作成され、１又は複数の入力端子それぞれと接地電位との間に直列に接続された可変抵抗器と、
該可変抵抗器によって変換された入力信号に基づいて演算を行い、演算結果が所定値を越えた場合に所定の出力信号を出力する演算手段と、
前記１又は複数の入力端子それぞれと前記演算手段との間に直列に接続された固定抵抗器と
を備えたことを特徴とする集積回路装置。
【請求項２】
前記物質は、少なくともマンガンを含有するペロブスカイト構造の酸化物であることを特徴とする請求項１に記載の集積回路装置。
【請求項３】
前記ペロブスカイト構造の酸化物は、Pr(1-x) CaX MnO 3 、La(1-x) CaXMnO 3 、又はLa(1-x-y) CaX PbyMnO 3 （但し、ｘ＜１、ｙ＜１、ｘ＋ｙ＜１）で表されるいずれかの物質であることを特徴とする請求項２に記載の集積回路装置。
【請求項４】
前記ペロブスカイト構造の酸化物は、Pr0.7 Ca0.3 MnO 3 、La0.65Ca0.35MnO 3 、又はLa0.65Ca0.175 Pb0.175 MnO 3 のいずれかの物質であることを特徴とする請求項２に記載の集積回路装置。
【請求項５】
前記可変抵抗器は、初期状態において入力されたパルス電圧と同極性のパルス電圧が印加されることにより抵抗値を増加させ、初期状態において入力されたパルス電圧と逆極性のパルス電圧が印加されることにより抵抗値を減少させるようにしてあることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の集積回路装置。
【請求項６】
パルス電圧の累積印加回数に応じて重み付け係数を変化させると共に、重み付け係数を不揮発的に保持する物質にて形成され、１又は複数の入力端子と接地電位との間に直列に接続された可変抵抗器からなる重み付け手段と、
該重み付け手段によって重み付けされた入力信号に基づいて演算を行い、演算結果が所定値を越えた場合に発火して所定の出力信号を出力する演算手段と、
前記１又は複数の入力端子それぞれと前記演算手段との間に直列に接続された固定抵抗器と
を備えたことを特徴とするニューロ素子。
【請求項７】
前記物質は、少なくともマンガンを含有するペロブスカイト構造の酸化物であることを特徴とする請求項６に記載のニューロ素子。
【請求項８】
前記ペロブスカイト構造の酸化物は、Pr(1-x) CaX MnO 3 、La(1-x) CaXMnO 3 、又はLa(1-x-y) CaX PbyMnO 3 （但し、ｘ＜１、ｙ＜１、ｘ＋ｙ＜１）で表されるいずれかの物質であることを特徴とする請求項７に記載のニューロ素子。
【請求項９】
前記ペロブスカイト構造の酸化物は、Pr0.7 Ca0.3 MnO 3 、La0.65Ca0.35MnO 3 、又はLa0.65Ca0.175 Pb0.175 MnO 3 のいずれかの物質であることを特徴とする請求項７に記載のニューロ素子。
【請求項１０】
前記重み付け手段は、初期状態において入力されたパルス電圧と同極性のパルス電圧が印加されることにより一方向へ重み付け係数を変化させ、初期状態において入力されたパルス電圧と逆極性のパルス電圧が印加されることにより逆方向へ重み付け係数を変化させるようにしてあることを特徴とする請求項６乃至９のいずれかに記載のニューロ素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の入力端子から入力された入力信号に対して個々に重み付けし、この重み付けした後の各入力信号を演算部へ入力して演算を行ない、演算結果が所定値を越えた場合に発火して所定の出力信号を出力するという、人間の神経細胞を模擬したニューロ素子に関する。また、そのようなニューロ素子を実現するための集積回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ニューロ素子とは、人間の脳、眼等のような組織を形成する神経細胞を電子回路で模擬したものであり、具体的には神経細胞を形成する１個の細胞体と、１本の軸索と、複数の樹状突起及びシナプスとを同等の電子部品または電子回路で置換することにより実現される。
【０００３】
図１１はニューロ素子の概念を説明するための模式図である。複数の入力端子Ｉ1 〜Ｉn から入力されるそれぞれの電圧がＶ1 〜Ｖn である複数の入力信号に対してそれぞれ重み付け係数Ｗ1 〜Ｗn による重み付けが行なわれ、これらの重み付けされた後の入力信号により演算、たとえば
θ＝ΣＶi Ｗi 
＝Ｖ1 Ｗ1 ＋Ｖ2 Ｗ2 ＋Ｖ3 Ｗ3 ＋…＋Ｖn Ｗn 
という加算演算が行なわれる。そして、この演算結果であるθの値が所定閾値THを越えた場合に所定の電圧Ｖout の出力信号が出力され、これが次段のニューロ素子への入力信号となる。
【０００４】
図１２は従来の一般的なニューロ素子の回路図である。この例では、シナプスを複数の固定抵抗器13-1〜13-nで、細胞体を演算回路12で、樹状突起及び軸索をそれらの配線等でそれぞれ置換することにより、全体として人の神経細胞を模擬している。複数の入力端子Ｉ1 〜Ｉn からの入力信号（それぞれの電圧はＶ1 〜Ｖn ）に対する重み付けは各固定抵抗器13-1〜13-nの抵抗値Ｒ1 〜Ｒn で行なわれる。従って、入力電圧Ｖ1 〜Ｖn はそれぞれＶ1 ／Ｒ1 ，Ｖ2 ／Ｒ2 ，Ｖ3 ／Ｒ3 ，…，Ｖn ／Ｒn という大きさの電流に変換されて算術和され、たとえば比較器等で構成された演算回路12へ入力される。そして、演算回路12への入力電流の合計値が所定閾値を越えた場合に演算回路12から所定電圧Ｖout の出力信号が出力され、これが次段のニューロ素子へ入力信号として与えられる。なお、演算回路12の具体的な構成としては、図１２に示された回路構成以外にも種々の回路が可能である。
【０００５】
ところで、上述のようなニューロ素子は複数が組み合わされてたとえば文字認識、音声認識等のような通常のデジタルコンピュータが不得意とする分野に使用される。しかし、たとえば人間の神経細胞に見られる特性、即ち同一の刺激を何度も反復して受けることにより反応が次第に迅速化する、換言すれば敏感になるというような機能を模擬したニューロ素子を実現する場合、人間が受ける刺激に相当する入力信号の入力（印加）回数の累積値に応じて重み付け係数を段階的に変化させ、しかもこの段階的に変化した重み付け係数を不揮発的に保持することが必要になる。
【０００６】
このような、重み付け係数を段階的に変化させ、しかもこの段階的に変化した重み付け係数を不揮発的に保持することが可能なニューロ素子として、図１２の重み付け手段として機能する抵抗器をカルゴゲン化合物を用いた可変抵抗器で構成した特開平６−２１５３１号公報に開示された発明が知られている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の特開平６−２１５３１号公報に開示された発明のニューロ素子では、重み付け手段（可変抵抗器）として使用されているカルゴゲン化合物に印加されるパルス電圧の大きさによって重み付け係数を変化させることはできるが、パルス電圧の印加回数に応じて重み付け係数を変化させることはできない。
【０００８】
その理由は、カルゴゲン化合物の抵抗値の変化は、電流が発生させるジュール熱による結晶状態−アモルファス状態間の相転移を利用しているため、印加されたパルス電圧の振幅の大きさは形成される結晶領域とアモルファス領域との間の占有比率に反映されて記憶されるが、その直前までカルゴゲン化合物による重み付け手段に記憶されていた前回の入力パルス電圧の情報（前回の入力パルス電圧により形成された結晶領域とアモルファス領域との間の占有比率）は新たに印加されたパルス電圧の情報で上書きされてしまうからである。即ち、このカルゴゲン化合物による重み付け手段に記憶されている情報は、最も近い過去に印加されたパルス電圧に対応したもののみになるからである。
【０００９】
このため、上述の特開平６−２１５３１号公報に開示された発明のニューロ素子では、一つの入力信号が印加された後のカルゴゲン化合物の抵抗値と、この後に同一の入力信号が再度印加された場合の抵抗値とでは変化は無い。説明を簡単にするために、１入力のニューロ素子について考える。たとえば、振幅３Ｖのパルス電圧が印加されることにより、カルゴゲン化合物の結晶領域とアモルファス領域との間の占有比率は振幅３Ｖのパルス電圧が印加された場合の状態となって抵抗値が１００ｋΩから１０ｋΩに変化したとする。この後に同一の振幅３Ｖのパルス電圧が再度印加された場合、カルゴゲン化合物の結晶領域とアモルファス領域との間の占有比率は振幅３Ｖのパルス電圧が印加された場合の状態にしかならない。従って、振幅３Ｖのパルス電圧を何度反復して印加したとしても、カルゴゲン化合物の抵抗値は１０ｋΩのままで変化しない。
【００１０】
このように、特開平６−２１５３１号公報に開示された発明のニューロ素子では、同一の入力信号が反復して入力された場合には重み付け手段となるカルゴゲン化合物の抵抗値が変化しないため、ニューロ素子を発火させるためには、ニューロ素子を発火させるに足るより大きな振幅のパルス電圧を印加する必要がある。従って、この従来のニューロ素子では、同一の入力信号を印加し続けることにより発火するようになるということはあり得ない。以上のことから、特開平６−２１５３１号公報に開示された発明のニューロ素子では、同一の刺激を何度も反復して受けることにより反応が敏感になる、という人間の神経細胞の働きを模擬することはできない。
【００１１】
また、上述の特開平６−２１５３１号公報には、複数のトランジスタと、これらのゲートに接続されたたとえばＳＲＡＭセル、キャシタ、フローティングゲートを用いた重み付け手段とで構成されたニューロ素子が記載されている（その公報の第２２図参照）。しかし、このようなニューロ素子では、重み付け手段による回路上での占有面積が大きくなると言う問題もあった。
【００１２】
本発明は以上のような事情に鑑みてなされたものであり、たとえば人間の神経細胞に見られる特性、即ち同一の刺激を何度も反復して受けることにより反応が次第に迅速化する、換言すれば敏感になるというような機能を模擬させるために、入力信号の累積印加回数に応じて重み付け係数が変化し、且つこの重み付け係数を不揮発的に保持できるニューロ素子の提供を目的とする。
【００１３】
また、このようなニューロ素子を実現するために、本発明は入力信号の累積印加回数に応じて抵抗値が変化し、且つこの抵抗値を不揮発的に保持する可変抵抗器を備えた集積回路装置の提供を目的とする。
【００１４】
更に、重み付け手段による回路上での占有面積を極力小さくしたニューロ素子の提供を目的とする。
【００１５】
また、このようなニューロ素子を実現するために、本発明は入力信号の累積印加回数に応じて抵抗値が変化し、且つこの抵抗値を不揮発的に保持する可変抵抗器を備えた集積回路装置の提供を目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る集積回路化装置は、パルス電圧の累積印加回数に応じて抵抗値を変化させると共に、抵抗値を不揮発的に保持する物質にて作成され、１又は複数の入力端子それぞれと接地電位との間に直列に接続された可変抵抗器と、該可変抵抗器によって変換された入力信号に基づいて演算を行い、演算結果が所定値を越えた場合に所定の出力信号を出力する演算手段と、前記１又は複数の入力端子それぞれと前記演算手段との間に直列に接続された固定抵抗器とを備えたことを特徴とする。
【００１７】
また本発明に係るニューロ素子は、パルス電圧の累積印加回数に応じて重み付け係数を変化させると共に、重み付け係数を不揮発的に保持する物質にて形成され、１又は複数の入力端子と接地電位との間に直列に接続された可変抵抗器からなる重み付け手段と、該重み付け手段によって重み付けされた入力信号に基づいて演算を行い、演算結果が所定値を越えた場合に発火して所定の出力信号を出力する演算手段と、前記１又は複数の入力端子それぞれと前記演算手段との間に直列に接続された固定抵抗器とを備えたことを特徴とする。
【００１８】
このような本発明の集積回路装置及びニューロ素子では、可変抵抗器（重み付け手段）がパルス電圧の累積印加回数に応じて抵抗値（重み付け係数）を変化させると共に、抵抗値（重み付け係数）を不揮発的に保持するので、演算手段は各可変抵抗器（重み付け手段）によって変換された入力信号に基づいて演算を行い、演算結果が所定値を越えた場合に所定の出力信号を出力すると共に、電源を遮断した後にも可変抵抗器（重み付け手段）はその抵抗値を記憶している。
そして、このような本発明の集積回路装置及びニューロ素子では、１又は複数の入力端子それぞれと接地電位との間に直列に可変抵抗器が接続されており、更に、１又は複数の入力端子それぞれと演算手段との間に直列に接続された固定抵抗器を備えているので、可変抵抗器の抵抗値が増加するに伴って、各入力端子からの入力電流は各固定抵抗器へより多く流れるようになり、結果的にニューロ素子の演算手段へ流入する電流も増加する。
【００１９】
また本発明に係る集積回路装置及びニューロ素子は、前記物質は、少なくともマンガンを含有するペロブスカイト構造の酸化物であることを特徴とする。
【００２０】
このような本発明の集積回路装置及びニューロ素子では、少なくともマンガンを含有するペロブスカイト構造の酸化物で構成された可変抵抗器（重み付け手段）により、パルス電圧の累積印加回数に応じて抵抗値（重み付け係数）を変化させると共に、抵抗値（重み付け係数）を不揮発的に保持する。
【００２１】
また本発明に係る集積回路装置及びニューロ素子は、前記ペロブスカイト構造の酸化物は、Pr(1-x) Cax MnO 3 、La(1-x) Cax MnO 3 、又はLa(1-x-y) Cax Pby MnO 3 （但し、ｘ＜１、ｙ＜１、ｘ＋ｙ＜１）で表されるいずれかの物質であることを特徴とする。
【００２２】
このような本発明の集積回路装置及びニューロ素子では、その分析値が、Pr(1-x) Cax MnO 3 、La(1-x) Cax MnO 3 、又はLa(1-x-y) Cax Pby MnO 3 （但し、ｘ＜１、ｙ＜１、ｘ＋ｙ＜１）のいずれかで表される酸化物で構成された可変抵抗器（重み付け手段）により、パルス電圧の累積印加回数に応じて抵抗値（重み付け係数）を変化させると共に、抵抗値（重み付け係数）を不揮発的に保持する。
【００２３】
また本発明に係る集積回路装置及びニューロ素子は、前記ペロブスカイト構造の酸化物は、Pr0.7 Ca0.3 MnO 3 、La0.65Ca0.35MnO 3 、又はLa0.65Ca0.175 Pb0.175 MnO 3 のいずれかの物質であることを特徴とする。
【００２４】
このような本発明の集積回路装置及びニューロ素子では、Pr0.7 Ca0.3 MnO 3 、La0.65Ca0.35MnO 3 、又はLa0.65Ca0.175 Pb0.175 MnO 3 のいずれかの物質で構成された可変抵抗器（重み付け手段）により、パルス電圧の累積印加回数に応じて抵抗値（重み付け係数）を変化させると共に、抵抗値（重み付け係数）を不揮発的に保持する。
【００３１】
また本発明に係る集積回路装置は、前記可変抵抗器は、初期状態において入力されたパルス電圧と同極性のパルス電圧が印加されることにより抵抗値を増加させ、初期状態において入力されたパルス電圧と逆極性のパルス電圧が印加されることにより抵抗値を減少させるようにしてあることを特徴とする。
【００３２】
また本発明に係るニューロ素子は、前記重み付け手段は、初期状態において入力されたパルス電圧と同極性のパルス電圧が印加されることにより一方向へ重み付け係数を変化させ、初期状態において入力されたパルス電圧と逆極性のパルス電圧が印加されることにより逆方向へ重み付け係数を変化させるようにしてあることを特徴とする。
【００３３】
このような本発明の集積回路装置及びニューロ素子では、初期状態において入力されたパルス電圧と同極性のパルス電圧が印加されることにより可変抵抗器が抵抗値を増加させ、初期状態において入力されたパルス電圧と逆極性のパルス電圧が印加されることにより抵抗値を減少させる。
【００３４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて詳述する。
【００３５】
なお、本発明のニューロ素子の重み付け手段、即ち集積回路装置の可変抵抗器としては、米国特許ＵＳ６, ２０４, １３９Ｂ１に開示されているような、常温でのパルス電圧印加により抵抗値が変化し、しかも不揮発性、即ち電源が遮断された場合にもその時点の抵抗値を保持し続けるという特性を有するマンガンを含有するペロブスカイト構造の酸化物、たとえばPr0.7 Ca0.3 MnO 3 薄膜（以下、ＰＣＭＯ膜という）等により構成された可変抵抗器を使用する。
【００３６】
なお、ペロブスカイト構造とは、ペロブスキー石（Provskite:CaTiO 3 ）によって最初に解析された結晶構造であり、理想格子としての単純立方体構造のものを意味する。
【００３７】
図３は  本発明で用いる酸化物薄膜（ＰＣＭＯ膜）におけるパルス電圧印加により生じる抵抗値の変化量を示すグラフである。上述のようなＰＣＭＯの薄膜にパルス電圧を印加すると、最初はパルス電圧の極性には拘わらず、パルス電圧の振幅のみに応じて指数関数的に抵抗値が増加することが示されている。この場合の抵抗値の変化は滑らかであるため、細かい重み付けの変化を実現できる。また図３には示していないが、逆に、最初に印加したパルス電圧とは逆極性のパルス電圧を印加することによりＰＣＭＯ薄膜の抵抗値が減少する。
【００３８】
図４は本発明で用いる酸化物薄膜（ＰＣＭＯ膜）における短時間パルス電圧印加により生じる抵抗値の変化を示すグラフで、(a) は正のパルス、(b) は負のパルスを印加したときの抵抗値の変化を示している。
【００３９】
具体的には、上述のようなＰＣＭＯ膜は短いパルス幅（１０-9秒オーダー）を持つパルス電圧に対しては図４のグラフに示すような抵抗値の変化を示す。上述の図３のグラフに示されている特性によれば、パルス電圧の振幅に応じて抵抗値が増加するのに対し、図４(a) のグラフに示されているように、最初に印加されたパルス電圧と同極性（正極性）のパルス電圧（＋３〜＋５Ｖ）の累積印加回数に応じて抵抗値が増加することが判る。
【００４０】
また、最初に印加されたパルス電圧と逆極性（負極性）のパルス電圧（−３〜−５Ｖ）を印加した場合は、図４(b) のグラフに示すようにＰＣＭＯ薄膜の抵抗値はパルス電圧の累積印加回数に応じて減少する。このパルス電圧の累積印加回数に応じた抵抗値の変化を利用した可変抵抗器を重み付け手段として利用することにより、同一の刺激を反復して受けることにより迅速に反応する、換言すれば学習により敏感になるという人間の神経細胞の働きを実現することが可能になる。
【００４１】
以上のような特性に加えて、上述のようなＰＣＭＯ等のようなマンガンを含有するペロブスカイト構造の酸化物の薄膜が本来有している不揮発性により、電源が遮断された後も抵抗値が保持される、即ち重み付け手段の重み付け係数が電源遮断後も記憶される。また、個々の重み付け手段が後述するように、上述のような酸化物の薄膜の一つの可変抵抗器、またはこれと一つの固定抵抗器とで実現可能であるとうことにより、個々の重み付け手段の占有面積を小さくすることができ、このためにニューロ素子全体のの面積を大幅に縮小できる。
【００４２】
図５は上述のような酸化物の薄膜により構成される不揮発性可変抵抗器の構造の一例を示す模式図である。この図５に示されている不揮発性可変抵抗器の製造方法は以下の如くである。
【００４３】
まず最初に、シリコンウェハ１上にSiO2膜または単結晶絶縁物であるLaAlO 3 膜の絶縁膜２を成膜し、その上にPt、Ir、Tiまたは導電性酸化物YBaCu 3 O 7 を材料とした下部電極３を成膜し、更にその上に分析値がPr(1-x) Cax MnO 3 、La(1-x) Cax MnO 3 、又はLa(1-x-y) Cax Pby MnO 3 （但し、ｘ＜１、ｙ＜１、ｘ＋ｙ＜１）で表されるいずれかの物質、たとえばPr0.7 Ca0.3 MnO 3 、La0.65Ca0.35MnO 3 、La0.65Ca0.175 Pb0.175 MnO 3 等のマンガン酸化膜４をMOCVD 法、スピンコーティング法、レーザアブレーション、スパッタリング法等で成膜し、その上に上部電極５としてPtを蒸着させる。配線とのコンタクトにはAu、Ag、PtまたはIrO 2 等の導電性酸化物を用いる。
【００４４】
なお、図５に示されている例では、絶縁膜２としてはSiO2膜を、下部電極３としてはTiを下地としてPtを、マンガン酸化膜４としてはＰＣＭＯ（Pr0.7 Ca0.3 MnO 3 ）を、上部電極としてはPtをそれぞれ使用している。また、この図５に示さされている不揮発性可変抵抗器のサイズは、直径が約２００μｍの円形で、厚みは約３０００Åであり、回路上での占有面積は極めて小さい。
【００４５】
次に、本発明の集積回路装置、即ちニューロ素子の回路構成について、その基本構成の一例を示す図１の回路図を参照して説明する。
【００４６】
不揮発性可変抵抗器11-1〜11-n（それぞれの抵抗値はＲ1 〜Ｒn ）は、米国特許ＵＳ６, ２０４, １３９Ｂ１で開示されている、常温でのパルス電圧印加により抵抗値の変化を示す物質、即ちマンガンを含有するペロブスカイト構造の酸化物、たとえばPr0.7 Ca0.3 MnO 3 （ＰＣＭＯ）等の薄膜を図５に示されているマンガン酸化膜４として使用した構造を有するように形成される。このような不揮発性抵抗器11-1〜11-nを用いることにより、印加されたパルス電圧の累積印加回数に応じてそれぞれの抵抗値Ｒ1 〜Ｒn を変化させることが可能となる。
【００４７】
図１において破線で囲繞された参照符号１２で示された部分が演算部であり、神経細胞の細胞体に相当する。この演算部１２の回路そのものは一例として文献「アナログVLSIと神経システム」（Carver Mead 著、臼井支朗／米津宏雄訳、株式会社トッパン発行）に掲載されているものを採用している。この演算部１２の回路は具体的には、二つのキャパシタ14-1、14-2を含む容量性分割回路、増幅器121 、二つのトランジスタMa、Mbを含むリセット回路からなり、神経細胞において軸索小丘が神経パルスを発生し、その後に元の状態に戻るという機能を電子回路で実現している。演算部１２には入力端子Ｉ1 〜Ｉn （それぞれへの入力信号の電圧値はＶ1 〜Ｖn ）から不揮発性可変抵抗器11-1〜11-nを介して他（前段）のニューロ素子の出力が入力信号として与えられており、これらがシナプス及び他の神経細胞の軸索に相当する。
【００４８】
図１に示す本発明のニューロ素子では、最初に負極性のパルス電圧を重み付け手段である不揮発性可変抵抗器11-1〜11-nにそれぞれ印加しておき、その後に最初の入力パルスと同極性のパルス電圧を更に印加することにより予め抵抗値を上げておく。その後の入力で、正極性の入力電圧Ｖ1 〜Ｖn が入力端子Ｉ1 〜Ｉn から不揮発性可変抵抗器11-1〜11-nにそれぞれ印加され、各不揮発性可変抵抗器11-1〜11-nを介して電流が算術和されて演算部１２へ流入する。この際の電流値の総量Ｉは
0004248187.tif 000002
となる。
【００４９】
但し、この例では正極性の入力パルス電圧を反復して印加することにより、その累積印加数に応じて不揮発性可変抵抗器11-1〜11-nの抵抗値Ｒ1 〜Ｒn が段階的に低下するため、各不揮発性可変抵抗器11-1〜11-nの抵抗値Ｒ1 〜Ｒn の逆数である重み付け係数Ｗ1 〜Ｗn の値は増加する。なお、前述の図１１における物理量θには電流Ｉが、重み付け係数Ｗ1 〜Ｗn には１／Ｒ1 〜１／Ｒn が関係しており、実質的にはこの図１に示されている回路は従来技術として例示した図１１に示されている回路と等価である。
【００５０】
ところで、各不揮発性可変抵抗器11-1〜11-nを構成するＰＣＭＯには、最初にパルス電圧が印加された場合にその極性には拘わらず抵抗値が増加し、それ以降はこの初期入力パルスと同極性のパルス電圧が印加された場合には抵抗値が増加し、逆極性のパルス電圧が印加された場合には抵抗値が減少するという特徴がある。更に、この不揮発性可変抵抗器11-1〜11-nは抵抗値を減少させるよりも増加させる場合の方が制御が容易であるという特性がある。従って、不揮発性可変抵抗器11-1〜11-nの数が増加するに伴って、制御を容易にするという観点から、重み付け手段の重み付け係数を増加させることにより入力電流を増加させるという回路設計を採用すれば、非常に取り扱いが容易なニューロ素子を実現することが可能になる。
【００５１】
このような理由から、図２の回路図に示すように、各不揮発性可変抵抗器11-1〜11-nを各入力端子Ｉ1 〜Ｉn と接地電位との間に直列に接続し、また各入力端子Ｉ1 〜Ｉn と演算部１２との間に固定抵抗器13-1〜13-nをそれぞれ直列に接続することにより、演算部１２への入力パルス電圧を固定抵抗器13-1〜13-nを介して入力させる構成が有効である。不揮発性可変抵抗器11-1〜11-nの抵抗値Ｒ1 〜Ｒn が増加するに伴って、各入力端子Ｉ1 〜Ｉn からの入力電流は各固定抵抗器13-1〜13-nへより多く流れるようになり、結果的にニューロ素子の演算部１２へ流入する電流も増加する。
【００５２】
以上のことから、図２に示すニューロ素子では、図１に示すニューロ素子のように予め各不揮発性可変抵抗器11-1〜11-nの抵抗値を上げておく必要がないと共に、ニューロ素子の利用目的に合わせて予め各固定抵抗器13-1〜13-nの抵抗値を固定的に設定しておくことができるという利点もある。
【００５３】
図１及び図２に示されているニューロ素子の演算部１２の動作原理は以下の通りである。なお、演算部１２は、各不揮発性可変抵抗器11-1〜11-nの出力端が共通に、または各固定抵抗器13-1〜13-nの出力端が共通にそれぞれ一端に接続され、接地電位が他端に接続されたキャパシタ14-1（容量値はＣ1 ）と、このキャパシタ14-1の一端が入力端に接続された増幅器121 と、この増幅器121 の出力端に一端が、増幅器121 の入力端に他端がそれぞれ接続されてフィードバックループを形成するキャパシタ14-2（容量値はＣ2 ）と、増幅器121 の入力端と接地電位との間に直列に接続されたトランジスタMa、Mbとで構成されている。なお、トランジスタMaのゲートには増幅器121 の出力端が、トランジスタMbのゲートには次段に接続されているニューロ素子の出力Ｖbackがそれぞれ接続されている。
【００５４】
演算部１２への入力電流がキャパシタ14-1に流入して電荷が蓄積してゆくと、これに伴なってキャパシタ14-1の一端（増幅器121 の入力端）の電位Ｖinが上昇する。Ｖinが比較的低い間は、増幅器122 の利得が１以下であるためにキャパシタ14-2を介した正のフィードバックはほとんど機能せず、Ｖinの上昇は比較的緩やかである。しかし、Ｖinがある値にまで上昇すると増幅器122 の利得が急激に増加し、これに伴なって増幅器122 の出力端の電位Ｖout の増加分がキャパシタ14-2を介した正のフィードバックによりＣ2 ／（Ｃ1 ＋Ｃ2 ）倍分だけ増幅器121 の入力端へフィードバックされるため、増幅器121 の出力信号、即ち演算部12の出力信号の電圧Ｖout は急激に電源電圧ＶDDまで上昇する。これが神経細胞における発火に相当する。
【００５５】
実際の神経細胞においては、軸索小丘における正のフィードバックは電圧に依存したナトリウムチャネルによってなされており、細胞体内部の電位が上昇することによりナトリウムチャネルが開いてナトリウム電流が増加することにより、ナトリウムの反転電位（５５ｍＶ）に向かって細胞質をより正にする。即ち、キャパシタ14-2による正のフィードバックは、神経細胞におけるナトリウムチャネルによる正のフィードバックの役目を果たしていることになる。一方、キャパシタ14-1は細胞膜の役目を担っている。
【００５６】
リセット回路は、増幅器121 の出力端の電位Ｖout と次段に接続されているニューロ素子の出力電位Ｖbackとが共に十分高くなった場合にそれぞれをゲートへの入力としているトランジスタMa及びMbが共に導通することにより、キャパシタ14-1に蓄積されていた電荷が接地電位へ流出するため、演算部１２がリセットされるようになっている。従って、各ニューロ素子は、自身の出力が安定し、更にこの出力が次段のニューロ素子を発火させた後にリセットされることになる。
【００５７】
上述のようなニューロ素子のリセット動作は神経細胞におけるカリウムチャネルの作用と同等である。カリウムチャネルはナトリウムチャネルよりも数が多いものの、細胞質電位を変化させる反応が鈍く、神経細胞がナトリウムチャネルの作用で完全に脱分極した後に徐々に開いたチャネルの数を増加させる共に、一方では開いたナトリウムチャネルはこのチャネル本来の不活性のために減少してゆく。開いたカリウムチャネルが開いたナトリウムチャネルよりも多くなると、細胞質はカリウムの反転電位（−９２ｍＶ）に向かって負になる。細胞体が再分極すると、開いたナトリウムチャネルが急速に減少し、ナトリウム電流も減少して細胞質電位を更に低下させる。最終的にはカリウムチャネルも閉じ、細胞体は再び発火可能な状態に戻る。
【００５８】
現実の回路ではキャパシタ14-1にリークがあるため、他のニューロ素子からの信号入力、即ち各入力端子Ｉ1 〜Ｉn への入力信号が途絶えればいずれキャパシタ14-1の電荷は全てリークしてしまう。従って、上述のようなリセット回路は必ずしも必要ではないが、キャパシタ14-1の電荷が全てリークしてしまう以前に連続してニューロ素子を発火させる必要がある場合には、キャパシタ14-1の電荷を強制的にリークさせるために備えておくべきである。
【００５９】
図６は本発明の集積回路装置及びニューロ素子の発火に至る時間を模式的に示すグラフである。具体的には、図６は重み付け手段、即ち可変抵抗器を上述のようなマンガンを含有するペロブスカイト構造の酸化物とした本発明のニューロ素子の発火に至る時間を示すグラフであり、本発明の集積回路装置及びニューロ素子の可変抵抗器（重み付け手段）に一連のパルス電圧を反復して印加する都度、抵抗値が変化する、換言すれば演算部１２の増幅器１２１への流入電流の電圧（Ｖin）が変化する様子を示している。
【００６０】
まず、１回目に一連のパルス電圧を反復して印加した場合の電圧Ｖinの上昇の程度は比較的緩やかであり、タイミングｔ１において増幅器１２１の閾値電圧ＴＨに達して発火する。この後演算部１２を一旦リセットして２回目に一連のパルス電圧を反復して印加した場合の電圧Ｖinの上昇の程度は１回目に比してやや急激になる。これは、１回目の一連のパルス電圧の印加によって各不揮発性可変抵抗器11-1〜11-nの抵抗値が既に変化しており、またそれが不揮発的に保持されているため、キャパシタ14-1への電荷の蓄積が１回目に比して迅速に行なわれるためである。この結果、２回目に一連のパルス電圧を反復して印加した場合の発火タイミングは１回目のｔ１よりも短時間のｔ２となる。更に、上述同様にして、３回目に一連のパルス電圧を反復して印加した場合の発火タイミングはｔ２よりも更に短時間のｔ３となる。
【００６１】
このように、発火するタイミングが次第に迅速になるということは、同一の信号を多数回印加すればするほど本発明のニューロ素子が敏感に反応することを意味しており、人間の神経細胞により近いニューロ素子が実現されることを意味している。
【００６２】
なお、従来のカルゴゲン化合物からなる可変抵抗器を重み付け手段として用いた場合、同一の入力信号を反復して印加しても可変抵抗器の抵抗値に変化が生じないため、発火タイミングは不変である。また、従来のカルゴゲン化合物からなる可変抵抗器を使用した重み付け手段では、入力パルス電圧として少なくともｔ３の期間以上のパルス幅を与えなければ発火しないが、本発明では、入力パルス電圧として、ｔ３の期間未満のパルス幅であっても反復して与え続ければ、いづれは発火する。その理由は、パルス電圧を反復して与えることにより、可変抵抗器の抵抗値が徐々に低下して必ず入力パルスが発火するのに適応したパルス幅になるためである。
【００６３】
ところで、演算部１２、特に増幅器121 に関しては種々の実施の形態が可能であるが、図７の回路図に示すような２個のインバータ２２、２３を直列に接続した構成が最も簡単である。但し、入力信号が生き残っている状態でトランジスタMa、Mbからなるリセット回路を活性化させてリセットした場合には出力が発振してしまう虞がある。この問題は、現実の神経細胞では、電子回路ほどには高速なクロックで動作しているわけではないため、シナプスへの入力が衰えるまでの時間が十分である場合が多く、それほど大きな問題にはならない。しかし、半導体により実現される高速動作するニューロ素子では出力信号の発振の問題に関しては十分考慮する必要がある。
【００６４】
このようなニューロ素子における出力信号の発振を防止するためには、リセット回路のトランジスタMbのゲートへの入力Ｖbackとして次段のニューロ素子からではなく、十分先の段のニューロ素子の出力を接続すること、リセット回路のトランジスタの駆動能力を十分に高くすること、各ニューロ素子の出力端にパストランジスタを接続して次段への入力をクロック制御する、等の対策をとればよいことになる。
【００６５】
増幅器121 の他の実施の形態としては、図８の回路図に示すようなレベルシフタ24を使用してもよい。図７の回路図に示されているインバータを２つ直列接続した構成に比して、図８の回路図に示されているレベルシフタ24を使用した構成では発振を生じた場合の発振周期が比較的長い。このため、高速動作中であれば万一発振が発生してもその発振のピークに達する以前に前段からの入力が衰えたり、またはリセット動作が完了していたりする場合が多いので、回路の暴走を回避できる可能性が高い。但し、図８にも示されているように、増幅器121 としてのレベルシフタ24のトランジスタ数が６個に増加するため、重み付け手段での占有面積の減少を相殺してしまう虞がある。
【００６６】
一方、増幅器121 として図９の回路図に示されているように、差動増幅器25を使用した場合には、基準電位ＶREF を変更することによりニューロ素子の出力の閾値を変更することができる。この場合、ＶREF を高くするとニューロ素子の出力の閾値も上昇して出力が出始めるまでに必要になる電流量が多くなるため、ニューロ素子自体が不活性な方向に進む。
【００６７】
厳密に同等ということではないが、ニューロ素子を外から見た場合、上述の働きは神経細胞において塩素チャネルの働きに非常に類似している。塩素チャネルは細胞質電位を変えることなく膜のコンダクタンスを上昇させる効果があるため、細胞膜に対するナトリウム及びカリウムの影響を小さくする。この結果、シナプスからの入力に対する神経細胞の反応が鈍くなる。
【００６８】
図９の回路図に示す差動増幅器は増幅能力が不十分な場合が多いため、図１０の回路図に示すようにインバータ26を介装することにより入出力特性を向上させることができる。
【００６９】
【発明の効果】
以上に詳述したように、本発明の集積回路装置及びニューロ素子によれば、常温でパルス電圧の印加回数の累積数に応じて抵抗値が変化し、しかもこの抵抗値を不揮発的に保持する酸化物薄膜、具体的にはマンガンを含有するペロブスカイト構造の酸化物の薄膜を使用して可変抵抗器を形成することにより、従来のニューロ素子のようにパルス電圧の振幅に応じて重み付けを変化させることもでき、なおかつ過去に入力されたパルス電圧の累積印加数に対して重み付けを変化させることができるため、人間の神経細胞により近いニューロ素子を実現することができる。
【００７０】
また図６のグラフに示されているように、本発明のニューロ素子では、一連のパルス電圧を反復して印加する都度、演算部への流入電流の電圧（Ｖin）がより迅速に高くなるため、発火タイミングが次第に迅速になる。発火タイミングが早いということは、同一の信号を多数回印加すればするほど敏感に反応することを意味しており、人間の神経細胞により近いニューロ素子が実現される。
【００７１】
また本発明の本発明の集積回路装置及びニューロ素子によれば、重み付け手段に固定抵抗器と不揮発性可変抵抗器を組み合わせたものを用いることにより、抵抗値を増加させる際の方が制御が容易であるという不揮発性可変抵抗器の性質を利用できる上、不揮発性可変抵抗器の抵抗値を予め上げておく必要もなくなるので、ニューロ素子回路の利用目的に合わせて固定抵抗器の抵抗値を設定しておくこともできるようになる。
【００７２】
更に本発明の集積回路装置及びニューロ素子によれば、重み付け手段が回路上で占有する面積を非常に小さくすることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の集積回路装置、即ちニューロ素子の回路構成の基本構成の一例を示す回路図である。
【図２】本発明の集積回路装置、即ちニューロ素子の回路構成の基本構成の他の例を示す回路図である。
【図３】本発明で用いる酸化物薄膜（ＰＣＭＯ膜）におけるパルス電圧印加により生じる抵抗値の変化量を示すグラフである。
【図４】本発明で用いる酸化物薄膜（ＰＣＭＯ膜）における短時間パルス電圧印加により生じる抵抗値の変化を示すグラフで、(a) は正のパルス、(b) は負のパルスを印加したときの抵抗値の変化を示している。
【図５】本発明の集積回路装置の酸化物薄膜（ＰＣＭＯ膜）により構成される不揮発性可変抵抗器の構造の一例を示す模式図である。
【図６】本発明の集積回路装置及びニューロ素子の発火に至る時間を模式的に示すグラフである。
【図７】本発明の実施形態の一例を示すニューロ素子の演算部の回路図である。
【図８】本発明の実施形態の一例を示すニューロ素子の演算部の回路図である。
【図９】本発明の実施形態の一例を示すニューロ素子の演算部の回路図である。
【図１０】本発明の実施形態の一例を示すニューロ素子の演算部の回路図である。
【図１１】ニューロ素子の概念を説明するための模式図である。
【図１２】従来の一般的なニューロ素子の回路図である。
【符号の説明】
１２    演算部
11-1〜11-n    可変抵抗器
13-1〜13-n    固定抵抗器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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