(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハ（１２）の表面（１４）に吸着した有機物を分析装置を用いて評価する半導体ウェハの評価方法において、
前記半導体ウェハ（１２）の表面（１４）と略同一の有機物汚染状態の保護面（２２）を有する保護基板（１６）を作製する保護基板作製工程（Ｓ１２）と、
前記半導体ウェハ（１２）の表面（１４）を前記保護基板（１６）の保護面（２２）に接触させて、該表面（１４）を保護する表面保護工程（Ｓ１４）と、
前記分析装置による評価前に、前記半導体ウェハ（１２）を前記保護基板（１６）から分離して、該半導体ウェハ（１２）の表面（１４）を露呈させる表面露呈工程（Ｓ１６）と、
前記表面露呈工程（Ｓ１６）が露呈した半導体ウェハ（１２）の表面（１４）に吸着した有機物を前記分析装置を用いて評価する表面評価工程（Ｓ１８）と
を具備することを特徴とする半導体ウェハの評価方法。
【請求項２】
前記表面保護工程（Ｓ１４）は、
２枚の半導体ウェハ（１２）を前記保護基板（１６）の両面にそれぞれ接触させて、該各半導体ウェハ（１２）の表面（１４）を同時に保護し、
前記表面露呈工程（Ｓ１６）は、
前記保護基板（１６）に接触させた２枚の半導体ウェハ（１２）を順次分離する
ことを特徴とする請求項１記載の半導体ウェハの評価方法。
【請求項３】
前記表面保護工程（Ｓ１４）が保護した半導体ウェハ（１２）を金属箔（１８）で被覆するウェハ被覆工程（Ｓ２０）をさらに具備する
ことを特徴とする請求項１または請求項２記載の半導体ウェハの評価方法。
【請求項４】
前記金属箔（１８）を揮発性の高い溶媒で洗浄した後、該金属箔（１８）を不活性ガス雰囲気下で空焼きし、該金属箔（１８）を浄化する金属箔浄化工程（Ｓ２２）をさらに具備し、
前記ウェハ被覆工程（Ｓ２０）は、
前記金属箔浄化工程（Ｓ２２）が浄化した金属箔（１８）を用いる
ことを特徴とする請求項３記載の半導体ウェハの評価方法。
【請求項５】
前記保護基板作製工程（Ｓ１２）は、
前記半導体ウェハ（１２）の製造工程と同一の工程である
ことを特徴とする請求項１記載の半導体ウェハの評価方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェハの評価方法に関し、特に、半導体ウェハの表面状態を保存し、任意のタイミングでの評価に有効な半導体ウェハの評価方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
シリコンウェハの表面に吸着した有機物は、該シリコンウェハを用いて形成した素子の電気的特性を劣化させる原因となる。このため、従来から、製造工程中にシリコンウェハが受ける汚染レベルや洗浄効果を評価し、製造されたシリコンウェハが所定の基準を満たしているかどうかを判断していた。
【０００３】
上記シリコンウェハの評価は、ガスクロマトグラフィー等の分析装置を用いて行われる。このとき、評価対象となるシリコンウェハは、プラスチック製のウェハケースに収容されて、分析装置まで移送される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、評価対象となるシリコンウェハは、プラスチック製のウェハケースに収容されている間に、プラスチックの添加剤によって汚染されるため、製造工程終了後の汚染状態を評価することができなかった。
【０００５】
また、ウェハケース内には、シリコンウェハの収容時に浸入したクリーンルームエアが存在するため、ウェハケースに収容されたシリコンウェハは、クリーンルームエアに含まれた有機物によっても汚染される。
【０００６】
上記のような、移送時の２次汚染を防止するために、ウェハケース内を不活性ガスでパージする手段や添加剤を低減させたウェハケースの開発が行われている。しかし、これらの方法は、コストがかかるだけでなく、不活性ガスでパージしている間にウェハ表面の状態が変化するという問題がある。
【０００７】
そこで、本発明は、半導体ウェハの表面状態を保存し、任意のタイミングでの評価に有効な半導体ウェハの評価方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１記載の発明は、半導体ウェハ（１２）の表面（１４）に吸着した有機物を分析装置を用いて評価する半導体ウェハの評価方法において、前記半導体ウェハ（１２）の表面（１４）と略同一の有機物汚染状態の保護面（２２）を有する保護基板（１６）を作製する保護基板作製工程（Ｓ１２）と、前記半導体ウェハ（１２）の表面（１４）を前記保護基板（１６）の保護面（２２）に接触させて、該表面（１４）を保護する表面保護工程（Ｓ１４）と、前記分析装置による評価前に、前記半導体ウェハ（１２）を前記保護基板（１６）から分離して、該半導体ウェハ（１２）の表面（１４）を露呈させる表面露呈工程（Ｓ１６）と、前記表面露呈工程（Ｓ１６）が露呈した半導体ウェハ（１２）の表面（１４）に吸着した有機物を前記分析装置を用いて評価する表面評価工程（Ｓ１８）とを具備することを特徴とする。
【０００９】
また、請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記表面保護工程（Ｓ１４）は、２枚の半導体ウェハ（１２）を前記保護基板（１６）の両面にそれぞれ接触させて、該各半導体ウェハ（１２）の表面（１４）を同時に保護し、前記表面露呈工程（Ｓ１６）は、前記保護基板（１６）に接触させた２枚の半導体ウェハ（１２）を順次分離することを特徴とする。
【００１０】
また、請求項３記載の発明は、請求項１または請求項２記載の発明において、前記表面保護工程（Ｓ１４）が保護した半導体ウェハ（１２）を金属箔（１８）で被覆するウェハ被覆工程（Ｓ２０）をさらに具備することを特徴とする。
【００１１】
また、請求項４記載の発明は、請求項３記載の発明において、前記金属箔（１８）を揮発性の高い溶媒で洗浄した後、該金属箔（１８）を不活性ガス雰囲気下で空焼きし、該金属箔（１８）を浄化する金属箔浄化工程（Ｓ２２）をさらに具備し、前記ウェハ被覆工程（Ｓ２０）は、前記金属箔浄化工程（Ｓ２２）が浄化した金属箔（１８）を用いることを特徴とする。
また、請求項５記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記保護基板作製工程（Ｓ１２）は、前記半導体ウェハ（１２）の製造工程と同一の工程であることを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１３】
（発明の概要）
本発明の特徴は、評価対象となる半導体ウェハ１２を該半導体ウェハ１２と略同一の汚染状態を有する保護基板１６で保護することにある。これにより、半導体ウェハ１２の汚染状態が保存され、信頼性の高い評価を行うことができる（図１参照）。
【００１４】
（第１の形態）
本発明の第１の形態は、半導体ウェハの表面保護に関する発明である。
半導体ウェハの２次汚染は、前述したように、プラスチックケースの添加剤や外気に含まれる汚染物質が半導体ウェハの表面に付着することにより発生する。そこで、本発明者は、まず、保護したい表面を外気にさらさない点に留意し、該表面を別の基板に接触させる構成を考え出した。さらに、信頼性の高い評価を行うために、半導体ウェハの表面状態を変化を防止する点に留意し、保護用の基板を評価対象となる半導体ウェハと略同一の汚染状態にしておく構成を考え出した。
本発明の第１の形態は、上記観点から構成された発明であり、任意のタイミングで半導体ウェハの表面状態を保存する技術を提供する。
【００１５】
図１は、本発明の第１の形態に係る半導体ウェハの評価方法の構成を示す工程図である。以下、同図に基づいて、本発明の第１の形態を説明する。
【００１６】
製造工程Ｓ１０は、評価対象となる半導体ウェハ１２を製造し、評価したいタイミングで表面保護工程Ｓ１４に引き渡す。この製造工程Ｓ１０には、半導体ウェハ１２の鏡面研磨や洗浄等の各種処理が含まれ、鏡面研磨後の汚染状態を評価したい場合には、鏡面研磨が終了した半導体ウェハ１２を表面保護工程Ｓ１４に引き渡し、洗浄後の汚染状態を評価したい場合には、洗浄後の半導体ウェハ１２を表面保護工程Ｓ１４に引き渡す。
【００１７】
図２は、図１に示す製造工程Ｓ１０が製造した半導体ウェハの構造を示す斜視図である。同図に示すように、製造工程Ｓ１０が製造した半導体ウェハ１２は、評価面となる表面１４と、その反対側の裏面２０を有し、一般に、表面１４には鏡面加工が施される。
【００１８】
図１に示す保護基板作製工程Ｓ１２は、半導体ウェハ１２の表面１４と略同一の汚染状態を有する保護基板１６を作製し、表面保護工程Ｓ１４に引き渡す。略同一の汚染状態とは、半導体ウェハ１２の表面１４に吸着した汚染物質のうち、評価対象となる汚染物質が等量吸着した状態を意味する。例えば、半導体ウェハ１２の表面１４に吸着した有機物を評価する場合には、該表面１４に吸着した有機物と等量の有機物を保護基板１６上にも吸着させる。好ましくは、半導体ウェハ１２を製造する製造工程Ｓ１０と同一の工程で保護基板１６を作製し、表面保護工程Ｓ１４に引き渡す。この保護基板１６は、半導体ウェハ１２と同一の材料、例えば、単結晶シリコンを用いて作製することが好ましい。
【００１９】
図３は、図１に示す保護基板作製工程Ｓ１２が作製した保護基板１６の構造を示す斜視図である。同図に示すように、保護基板作製工程Ｓ１２が作製した保護基板１６は、半導体ウェハ１２の表面１４と接触する保護面２２を有する。この保護面２２は、半導体ウェハ１２の表面１４と同様に鏡面研磨が施される。
【００２０】
図１に示す表面保護工程Ｓ１４は、半導体ウェハ１２の表面１４を保護基板１６の保護面２２に接触させて該表面１４を保護し、表面が保護された半導体ウェハを表面露呈工程Ｓ１６に引き渡す。このとき、半導体ウェハ１２の表面１４と保護基板１６の保護面２２はいずれも鏡面であるため、密着した状態となる。
【００２１】
図４は、図１に示す表面保護工程Ｓ１４が保護した半導体ウェハ１２の構造を示す斜視図である。同図に示すように、保護基板１６の保護面２２に密着した半導体ウェハ１２の表面１４は、外気から隠蔽され、汚染状態が保存される。そして、同図に示す状態で、分析装置まで移送する。このとき、従来使用していたプラスチック製のウェハケースに収納して移送してもよい。半導体ウェハ１２の評価をすぐに行わない場合には、評価時期がくるまで、同図に示す状態で保管する。尚、この表面保護工程Ｓ１４は、図４に示す形態以外の構成とすることもできる。
【００２２】
図５は、半導体ウェハ１２を２枚用いて、該各半導体ウェハ１２の表面１４を保護する方法を示す斜視図である。同図に示すように、製造工程Ｓ１０が製造した同じ半導体ウェハ１２を２枚用いて、該各半導体ウェハ１２の表面１４同士を相互に接触させてもよい。同図に示す方法では、分離時に各半導体ウェハ１２の表面１４が同時に露呈するため、２枚同時に評価するか、または、いずれか一方を評価する。
【００２３】
図６は、２枚の半導体ウェハ１２の表面１４をそれぞれ独立に保護する方法を示す斜視図である。同図に示すように、保護基板１６の両面に保護面２２を形成し、各保護面２２にそれぞれ、２枚の半導体ウェハ１２の表面１４を接触させて、各半導体ウェハ１２を独立に保護する。このようにすれば、評価時に一枚ずつ分離することができる。
【００２４】
図１に示す表面露呈工程Ｓ１６は、表面１４が保護された半導体ウェハ１２を保護基板１６から分離し、表面１４が露呈した半導体ウェハ１２を表面評価工程Ｓ１８に引き渡す。半導体ウェハ１２の分離は、金属性の治具を半導体ウェハ１２と保護基板１６の接触面に挿入して行えばよい。
【００２５】
表面評価工程Ｓ１８は、表面露呈工程Ｓ１６が分離した半導体ウェハ１２を分析装置に投入し、該半導体ウェハ１２の表面１４を評価する。半導体ウェハ１２の評価に用いる分析装置としては、例えば、ＴＤ−ＧＣ／ＭＳ（ＴｈｅｒｍａｌＤｅｓｏｒｐｔｉｏｎ−Ｇａｓ  Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈ），ＴＤＳ（Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ），ＦＴ−ＩＲ（Ｆｏｕｒｉｅｒ  Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ  Ｉｎｆｒａｒｅｄ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ），ＸＰＳ（Ｘ−ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ），ＳＩＭＳ（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ），ＴＯＦ−ＳＩＭＳ（Ｔｉｍｅ  ｏｆ  Ｆｌｉｇｈｔ−Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ），ＴＤ−ＡＰＩＭＳ（Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ−Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ），ＴＤ−ＧＣ／ＦＩＤ（Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ−Ｇａｓ  Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈ／Ｆｌａｍｅ  Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ  Ｄｅｔｅｃｔｏｒ）を用いる。
【００２６】
以上説明した本発明の第１の形態によれば、評価対象となる半導体ウェハの評価面が外気から保護されるため、汚染状態を任意のタイミングで保存することができる。
【００２７】
（第２の形態）
本発明の第２の形態は、評価対象となる半導体ウェハ１２の裏面保護に関する発明である。
前述した本発明の第１の形態では、半導体ウェハ１２の表面１４のみを保護する構成としたが、分析装置によっては、半導体ウェハ１２の裏面２０に付着した汚染物の影響を受ける場合がある。
そこで、本発明者は、より信頼性の高い評価を行うべく、半導体ウェハ１２の表面１４だけでなく裏面２０をも保護する構成を想到した。
本発明の第２の形態は、上記観点から構成された発明であり、より信頼性の高い評価を実現する技術を提供する。
【００２８】
図７は、本発明の第２の形態に係る半導体ウェハの評価方法の構成を示す工程図である。以下、同図に基づいて、本発明の第２の形態を説明する。
【００２９】
ウェハ被覆工程Ｓ２０は、表面保護工程Ｓ１４が保護した半導体ウェハ１２の裏面２０を保護し、表面露呈工程Ｓ１６に引き渡す。裏面２０の保護は、前述した保護基板１６をもう一枚用意して、該保護基板１６の保護面２２を裏面２０に接触させてもよいし、保護基板１６ごとアルミ箔等の金属箔で被覆してもよい。このように、半導体ウェハ１２を金属箔で被覆することにより、該半導体ウェハ１２の全体が外気から隠蔽される。  金属箔浄化工程Ｓ２２は、半導体ウェハ１２を被覆する金属箔１８を浄化して、該浄化した金属箔１８をウェハ被覆工程Ｓ２０に引き渡す。金属箔１８の浄化は、該金属箔１８をアセトンやアルコール等の揮発性の高い溶媒で洗浄し、その後、該洗浄した金属箔１８を不活性ガスでパージしたオーブンに投入し、所定時間空焼きして行う。保護基板１６で半導体ウェハ１２の裏面２０を保護する場合には、該保護基板１６を金属箔１８と同様の方法で浄化する。このように、浄化された金属箔１８または保護基板１６を用いて、半導体ウェハ１２の裏面２０を保護することが好ましいが、金属箔や保護基板１６から受ける汚染の影響は微量であるため、この金属箔浄化工程Ｓ２２は、必要に応じて施せばよい。もっとも、これらの金属箔および保護基板１６を再利用することは本発明の範囲内である。
【００３０】
以上説明した本発明の第２の形態によれば、半導体ウェハ１２の裏面２０も保護されるため、より信頼性の高い評価を行うことができる。
【００３１】
【実施例】
以下、本発明の一実施例を添付図面を参照して詳細に説明する。
【００３２】
（実施例の要約）
２枚のシリコンウェハの評価面を互いに接触させた状態で分析装置まで移送し、分析直前に分離して、該分離したうちの一方を分析装置に投入し、ＴＤ−ＧＣ／ＭＳ測定を行う。この実施例による測定結果は、図８に示すように、本発明が２次汚染の防止に効果的であることを示す。
【００３３】
（実施例１）
以上説明した本発明の移送時における効果を実証するため、以下に示す２つの方法により、シリコンウェハの表面をそれぞれ測定し、該測定した結果を比較した。
【００３４】
・第１の評価方法
（１）２枚のシリコンウェハに熱処理を施し、各シリコンウェハに付着した有機物を除去する。
（２）その後、該各シリコンウェハの評価面同士を密着させ、この密着している２枚のシリコンウェハをアルミ箔で被覆する。
（３）そして、このアルミ箔で被覆したシリコンウェハをプラスチック製の第１のウェハケースに収容し、分析装置まで移送する。
（４）測定直前にアルミ箔を取り除き、密着している２枚のシリコンウェハを分離して、そのうちの一方を分析装置に投入し、ＴＤ−ＧＣ／ＭＳ測定を行う。
【００３５】
図８は、熱処理によりシリコンウェハに付着した有機物を除去した状態を示すグラフである。同図に示すように、第１の評価方法の（１）の熱処理を行った後は、シリコンウェハの表面から汚染物質が除去される。
【００３６】
図９は、第１の評価方法によって測定したシリコンウェハの汚染状態を示すグラフである。同図に示すように、表面が保護された状態で移送したシリコンウェハには、汚染物質がほとんどみられない。この汚染量のＨｅｘａｄｅｃａｎｅ換算のトータル量は０．１ｎｇ／ｃｍ２以下と非常に微量であり、本発明が２次汚染の防止に効果的であることがわかる。
【００３７】
・第２の評価方法
（１）１枚のシリコンウェハに熱処理を施し、該シリコンウェハに付着した有機物を除去する。
（２）有機物を除去したシリコンウェハを第１の評価方法で用いた第１のウェハケースに収容し、分析装置まで移送する。
（３）第１のウェハケースからシリコンウェハを取り出して、分析装置に投入し、ＴＤ−ＧＣ／ＭＳ測定を行う。
【００３８】
図１０は、第２の評価方法によって測定したシリコンウェハの汚染状態を示すグラフである。同図に示すように、表面が露呈した状態で移送したシリコンウェハには、ウェハケースの酸化防止剤と思われる汚染物が付着しており、２次汚染の影響を受けていることがわかる。この汚染量のＨｅｘａｄｅｃａｎｅ換算のトータル量は、２．５ｎｇ／ｃｍ２であった。
【００３９】
（実施例２）
次に、本発明が、プラスチックケースに長期間保管されたシリコンウェハの洗浄状態の維持にも効果的であることを実証するため、以下に示す２つの方法によって、シリコンウェハの表面をそれぞれ測定し、該測定した結果を比較した。
【００４０】
・第３の評価方法
（１）プラスチック製の第２のウェハケースに長期保管した２枚のシリコンウェハを洗浄する。
（２）その後、該各シリコンウェハの評価面同士を密着させ、この密着している２枚のシリコンウェハをアルミ箔で被覆する。
（３）そして、このアルミ箔で被覆したシリコンウェハをプラスチック製の第２のウェハケースに収容し、分析装置まで移送する。
（４）測定直前にアルミ箔を取り除き、密着している２枚のシリコンウェハを分離して、そのうちの一方を分析装置に投入し、ＴＤ−ＧＣ／ＭＳ測定を行う。
【００４１】
図１１は、第２のウェハケースに長期保管したシリコンウェハの汚染状態を示すグラフである。同図に示すように、シリコンウェハをプラスチックケースに長期保管すると、シリコンウェハの表面は汚染される。この汚染量のＨｅｘａｄｅｃａｎｅ換算のトータル量は、４．９ｎｇ／ｃｍ２であった。
【００４２】
図１２は、第３の評価方法によって測定したシリコンウェハの汚染状態を示すグラフである。同図に示すように、表面が保護された状態で移送したシリコンウェハには、汚染物質がみられず、本発明が２次汚染の防止に効果的であることがわかる。この汚染量のＨｅｘａｄｅｃａｎｅ換算のトータル量は、０．２ｎｇ／ｃｍ２と非常に微量であった。
【００４３】
・第４の評価方法
（１）第３の評価方法で用いて第２のウェハケースに長期保管したシリコンウェハを洗浄し、該シリコンウェハに付着した有機物を除去する。
（２）有機物を除去したシリコンウェハを第２のウェハケースに再び収容し、分析装置まで移送する。
（３）第２のウェハケースからシリコンウェハを取り出して、分析装置に投入し、ＴＤ−ＧＣ／ＭＳ測定を行う。
【００４４】
図１３は、第４の評価方法によって測定したシリコンウェハの汚染状態を示すグラフである。同図に示すように、表面が露呈した状態で移送したシリコンウェハには、移送中に付着した汚染物が存在しており、２次汚染の影響を受けていることがわかる。この汚染量のＨｅｘａｄｅｃａｎｅ換算のトータル量は、２．６ｎｇ／ｃｍ２であった。
【００４５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、半導体ウェハの表面状態を保存し、任意のタイミングでの評価に有効な半導体ウェハの評価方法を提供することができる。
【００４６】
また、本発明の第１の形態によれば、評価対象となる半導体ウェハの評価面が外気から保護されるため、汚染状態を任意のタイミングで保存することができる。
【００４７】
また、本発明の第２の形態によれば、半導体ウェハ１２の裏面２０も保護されるため、より信頼性の高い評価を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の形態に係る半導体ウェハの評価方法の構成を示す工程図である。
【図２】図１に示す製造工程Ｓ１０が製造した半導体ウェハの構造を示す斜視図である。
【図３】図１に示す保護基板作製工程Ｓ１２が作製した保護基板１６の構造を示す斜視図である。
【図４】図１に示す表面保護工程Ｓ１４が保護した半導体ウェハ１２の構造を示す斜視図である。
【図５】半導体ウェハ１２を２枚用いて、該各半導体ウェハ１２の表面１４を保護する方法を示す斜視図である。
【図６】２枚の半導体ウェハ１２の表面１４をそれぞれ独立に保護する方法を示す斜視図である。
【図７】本発明の第２の形態に係る半導体ウェハの評価方法の構成を示す工程図である。
【図８】熱処理によりシリコンウェハに付着した有機物を除去した状態を示すグラフである。
【図９】第１の評価方法によって測定したシリコンウェハの汚染状態を示すグラフである。
【図１０】第２の評価方法によって測定したシリコンウェハの汚染状態を示すグラフである。
【図１１】第２のウェハケースに長期保管したシリコンウェハの汚染状態を示すグラフである。
【図１２】第３の評価方法によって測定したシリコンウェハの汚染状態を示すグラフである。
【図１３】第４の評価方法によって測定したシリコンウェハの汚染状態を示すグラフである。
【符号の説明】
１２…半導体ウェハ、１４…表面、１６…保護基板、１８…金属箔、２０…裏面、２２…保護面、Ｓ１０…製造工程、Ｓ１２…保護基板作製工程、Ｓ１４…表面保護工程、Ｓ１６…表面露呈工程、Ｓ１８…表面評価工程、Ｓ２０…ウェハ被覆工程、Ｓ２２…金属箔浄化工程
【図１】
0004231131.tif 000002
【図２】
0004231131.tif 000003
【図３】
0004231131.tif 000004
【図４】
0004231131.tif 000005
【図５】
0004231131.tif 000006
【図６】
0004231131.tif 000007
【図７】
0004231131.tif 000008
【図８】
0004231131.tif 000009
【図９】
0004231131.tif 000010
【図１０】
0004231131.tif 000011
【図１１】
0004231131.tif 000012
【図１２】
0004231131.tif 000013
【図１３】
0004231131.tif 000014