(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
サンギアおよびインターナルギアに噛合い係合するキャリア内に被研磨物であるワークを位置し、上下面を上下定盤で挟持した状態で研磨する両面の研磨装置を用いたワークの研磨方法であって、前記キャリアに定寸キャリアを用いて被研磨物の外周縁部を前記定寸キャリアの厚みと略同一に研磨した時、中央部が外周縁部より薄く研磨される一次研磨工程と、前記キャリアに定寸キャリアを用いずに被研磨物の外周縁部を研磨して全体を中央部と略同一の厚みに研磨する二次研磨工程との二つの研磨工程としたことを特徴とするワークの研磨方法。
【請求項２】
サンギアおよびインターナルギアに噛合い係合するキャリア内に被研磨物であるワークを位置し、上下面を上下定盤で挟持した状態で研磨する両面の研磨装置を用いたワークの研磨方法であって、前記キャリアに定寸キャリアを用いずに被研磨物を研磨した時、被研磨物の外周縁部が中央部より薄く研磨される一次研磨工程と、前記キャリアに定寸キャリアを用いて被研磨物の中央部を研磨して全体を外周縁部と略同一の厚みに研磨する二次研磨工程との二つの研磨工程としたことを特徴とするワークの研磨方法。
【請求項３】
前記一次および二次の研磨工程において前記サンギアおよびインターナルギアの回転方向と回転数とによって前記キャリアは自転するが公転しないように設定されている請求項１又は２に記載のワークの研磨方法。
【請求項４】
被研磨物であるワークの搬送痕およびキャリアとの接触痕を研磨する仕上げ研磨工程を含む請求項１〜３の何れか１項に記載のワークの研磨方法。
【請求項５】
前記仕上げ研磨工程は二次研磨工程と同時に仕上げ研磨を行う請求項４に記載のワークの研磨方法。
【請求項６】
被研磨物であるワークの研磨対象面の面積よりも小さい面積形状に形成された上下定盤により被研磨物が偏心状態で挟持保持されて研磨される請求項１〜５の何れか１項に記載のワークの研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、被研磨物、たとえば半導体ウエハであるワークの研磨方法に関し、特に、一次研磨および二次研磨の二回の研磨工程で研磨を行うようにしたワークの研磨方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、アルミディスク、ウエハ等の薄板のワークを研磨するための研磨装置にあっては、環状をなす定盤の中央側にサンギアが、また、外周側にインターナルギアがそれぞれ設けられ、そして、定盤の研磨側の面には研磨パッドが配設され、この研磨パッドによって環状の定盤の研磨側の面を覆った状態になっている。
そして、この研磨パッドの上面に、外周に設けた歯部が前記サンギアおよびインターナルギアに噛合い係合し、ワークである半導体ウエハを収納する孔が複数個設けられた円盤状のキャリアを位置して、サンギアおよびインターナルギアの回転時にキャリアが自転および公転するようにして孔内に配設した半導体ウエハを研磨するようになっている。
【０００３】
このような構造になっている一般的に公知な研磨装置にあっては、上記のようにキャリアの孔内に位置した半導体ウエハはキャリアの自転および公転時に研磨パッドの幅方向を繰り返し往復移動して研磨されるようになっている。
【０００４】
そして、前記研磨パッドによる半導体ウエハの最終研磨時においては、もともと、半導体ウエハの厚みよりもキャリアの厚みの方が薄くなっているので、半導体ウエハの上下部が研磨パッドに潜った状態となって研磨され、これによって、半導体ウエハの上下周縁部が、所謂「だれ」てしまうという問題点を有している。
【０００５】
この発明の目的は、被研磨物であるワーク、たとえば半導体ウエハの研磨工程を一次および二次の二回の工程とし、しかも、研磨が完了した半導体ウエハの上下内外周部がだれてしまうことがないワークの研磨方法を提供することにある。
この発明の他の目的は、二回に分けた研磨工程において一次工程は両面研磨装置を用いるとともに、二次工程は両面研磨装置および片面研磨装置のいずれであっても用いることができるワークの研磨方法を提供することにある。
この発明のさらに他の目的は、ワークの両面を二回に分けて研磨するとともに、両面の研磨後または両面の研磨時にエッジの研磨も行うようにしたワークの研磨方法を提供することにある。
【０００６】
【問題点を解決するための手段】
上記の目的を達成するためにこの発明は、サンギアおよびインターナルギアに噛合い係合するキャリア内に被研磨物であるワークを位置し、上下面を上下定盤で挟持した状態で研磨する両面の研磨装置を用いたワークの研磨方法であって、前記キャリアに定寸キャリアを用いて被研磨物の外周縁部を前記定寸キャリアの厚みと略同一に研磨した時、中央部が外周縁部より薄く研磨される一次研磨工程と、前記キャリアに定寸キャリアを用いずに被研磨物の外周縁部を研磨して全体を中央部と略同一の厚みに研磨する二次研磨工程との二つの研磨工程とした手段を採用した。また、この発明は、サンギアおよびインターナルギアに噛合い係合するキャリア内に被研磨物であるワークを位置し、上下面を上下定盤で挟持した状態で研磨する両面の研磨装置を用いたワークの研磨方法であって、前記キャリアに定寸キャリアを用いずに被研磨物を研磨した時、被研磨物の外周縁部が中央部より薄く研磨される一次研磨工程と、前記キャリアに定寸キャリアを用いて被研磨物の中央部を研磨して全体を外周縁部と略同一の厚みに研磨する二次研磨工程との二つの研磨工程とした手段を採用した。そして、前記一次および二次の研磨工程において前記サンギアおよびインターナルギアの回転方向と回転数とによって前記キャリアは自転するが公転しないように設定されていたり、被研磨物であるワークの搬送痕およびキャリアとの接触痕を研磨する仕上げ研磨工程を加えた手段を採用したものである。また、前記仕上げ研磨工程は二次研磨工程と同時に仕上げ研磨を行う手段を採用したものである。さらに、被研磨物であるワークの研磨対象面の面積よりも小さい面積形状に形成された上下定盤により被研磨物が偏心状態で挟持保持されて研磨される手段を採用したものである。
【０００７】
【作用】
この発明は上記の手段を採用したことにより、被研磨物であるワークの研磨時に二回に分けて研磨するので、一次研磨によって周縁部を定寸キャリアの厚みに研磨すると、中央部が定寸キャリアよりも僅かに薄く研磨され、二次研磨によって、僅かに薄くなっている中央部の厚みに合わせて上下面を研磨して全体を中央部の厚みに研磨することができ、ワークの上下周縁部がだれることがない。また、一次研磨によって定寸キャリアを用いずに被研磨物を研磨すると、外周縁部が中央部より僅かに薄く研磨され、二次研磨によって、僅かに薄くなっている外周縁部の厚みに合わせて上下面を研磨して全体を外周縁部の厚みに研磨することができ、ワークの上下周縁部がだれることがない。さらに、サンギアおよびインターナルギアの回転方向と回転数とによってキャリアは自転するが公転しないように設定され、搬入（ロード）位置および取り出し（アンロード）位置が一定となり、常にワークは同一位置に存在して研磨されることになる。しかも、二次研磨工程においては通常の両面の研磨装置や片面の研磨装置を使用することができ、さらにエッジポリッシング工程等の仕上げ研磨工程を加えることで、ワークの外周面を全面に渡って研磨することが可能になる。また、前記仕上げ研磨工程は二次研磨工程と同時に仕上げ研磨を行うこととしており、二次研磨と同時に、被研磨物の搬送痕およびキャリアとの接触痕を研磨することが可能になる。さらに、被研磨物の研磨対象面の面積よりも小さい面積形状に形成された上下定盤により被研磨物を偏心状態で挟持保持して研磨するので、被研磨物の所望部分を集中的に研磨することが可能になり、特に定寸キャリアを用いずに二次研磨する場合において被研磨物の中央部を集中的に研磨することが可能になる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、図面に示すこの発明の実施の形態を行うための装置について説明する。図１にはこの発明の実施の形態を実行するために使用される一般的な両面の研磨装置の概略正面図が示されている。
【０００９】
図１において、一般的な研磨装置は、水平方向に回転可能に設けられる環状の下定盤１と、この下定盤１の上方において対向して設けられるとともに、水平方向に回転可能、かつ、上下移動機構によって上下方向に移動可能な環状の上定盤２と、前記下定盤１および上定盤２に取付けられる研磨パッド３、４とを有している。
また、前記環状の下定盤１の中央部にはサンギア５が、外周側にはインターナルギア６がそれぞれ配設され、そして、前記サンギア５およびインターナルギア６に噛合い係合する複数のキャリア７が前記上下定盤１、２の間に位置し、これにより、キャリア７で保持した複数の半導体ウエハ８を上下定盤１、２で上下両側から挟んで研磨するようになっている。
【００１０】
前記キャリア７は、外周面に前記サンギア５およびインターナルギア６と噛合い係合する歯部が設けられ、また、その中心を取り囲むように位置する複数の半導体ウエハ８の保持孔を有している。これらの半導体ウエハ８の保持孔の内部に半導体ウエハを位置させて保持するものである。
前記キャリア７とサンギア５およびインターナルギア６との回転方向と回転数とにより、研磨終了時に各キャリア７を常に一定の公転位置および自転位置に停止させることができるような関係に設定されている。
なお、場合によっては、回転方向と回転数とによりキャリア７が自転のみをして公転しないように設定しておけば、キャリア７は常に初期の位置で自転して半導体ウエハ８を研磨することができる。
【００１１】
前記下定盤１とサンギア５とインターナルギア６とは互いに同軸状に配置された駆動軸１ａ、５ａ、６ａにそれぞれ取付けられ、各駆動軸１ａ、５ａ、６ａの下端の歯車１ｂ、５ｂ、６ｂを介して駆動源（図示せず）に連結されている。
【００１２】
前記上定盤２は、その上面に中継プレート９を貫通して上方に延びている複数のスタッド１０が立設され、この複数のスタッド１０の上面には定盤吊り１１が取付けられている。
【００１３】
一方、上記のような研磨装置には下定盤１上の各キャリア７に未加工の半導体ウエハ８を供給する公知のローディング手段と、研磨加工後の各半導体ウエハ８をキャリア７から取り出す公知のアンローディング手段とが配設されている。
【００１４】
前記ローディング手段は、種々のタイプのものが知られているが、たとえば、半導体ウエハ８を真空吸着可能な吸着ヘッド｛たとえば、（有）ソーラーリサーチ研究所製の無接触搬送装置のフロートチャック｝を有し、旋回可能、かつ、上下動可能の吸着ヘッドで未加工の半導体ウエハ８を吸着して上記キャリア７の保持孔内に搬送するものがある。そして、サンギアおよびインターナルギアを一定の角度だけ間欠的に回転させることにより順次送られてきたキャリア７に対して半導体ウエハ８を供給するものであり、キャリア７の一つ分の半導体ウエハ８を同時に供給するものや、あるいは半導体ウエハ８を一つずつ供給するものがある。
【００１５】
前記アンローディング手段も、同様に種々のタイプのものが知られているが、たとえば、前記ローディング手段で用いたものと同様に半導体ウエハ８を真空吸着可能な吸着ヘッドを有し、旋回可能、かつ、上下動可能な吸着ヘッドで研磨済の半導体ウエハ８を吸着してキャリア７から取り出すようになっている。
【００１６】
前述した研磨装置においては、半導体ウエハ８の研磨対象面の面積よりも小さい面積形状に形成した態様の上下定盤を採用し、半導体ウエハ８を偏心状態で挟持保持して研磨するようにしてもよい。ここで、上下定盤は自転駆動および公転駆動させるようにしてもよく、その摺動軌道については水平面方向における円軌道、楕円軌道等、任意の軌道に設定してよい。このような態様の上下定盤を採用すれば、半導体ウエハ８の研磨対象面の所望部分を集中的に研磨することが可能になる。
【００１７】
上記のような構成を有している両面の研磨装置を用いてこの発明の実施の形態について説明する。
まず、上記の研磨装置を使用する場合には、ローディング手段によってローディング位置において複数の半導体ウエハ８をキャリア７に供給する。
この時に用いられるキャリア７は定寸キャリアと言われるキャリア７を用いることができる。この定寸キャリアとは、その厚みが研磨後の半導体ウエハの厚みと略一致するキャリアであり、言い換えればキャリアの厚みまで半導体ウエハを研磨する場合に使用されるキャリアである。
したがって、キャリアの厚みよりも厚い半導体ウエハをキャリアに位置して研磨を開始し、研磨を終了した時には半導体ウエハの厚みとキャリアの厚みとが略一致した状態となっているものである。
また、キャリアに前述したような定寸キャリアを用いずにキャリアの厚みよりも厚い半導体ウエハをキャリアに位置して研磨するようにしてもよい。
【００１８】
次に、下定盤１に対して上定盤２を接近させるとともに、両定盤１、２に取付けられた研磨パッド３、４間でキャリア７および半導体ウエハ８を挟持して半導体ウエハ８に対して所定の圧力を加える。
キャリアに前述したような定寸キャリアを用いて半導体ウエハ８を研磨する場合においては、挟持時において半導体ウエハ８の厚みはキャリア７よりも厚いものであり、研磨後には半導体ウエハ８の厚みがキャリア７と略同一となる。したがって、研磨によって半導体ウエハ８は、図２に示すようにその周縁部がキャリア７と略同一の厚みであり、中央部はより大きく窪んだ状態に外周縁部より薄く研磨されることになる。
このように、キャリアに定寸キャリアを用いて半導体ウエハ８を研磨する場合においては、研磨後の半導体ウエハ８の周縁部の厚みがキャリア７と略同一の厚みであるとともに、中央部が窪んだ状態に外周縁部より薄く研磨された状態で半導体ウエハ８の一次研磨工程が終了する。
【００１９】
また、キャリアに前述したような定寸キャリアを用いずに半導体ウエハ８を研磨する場合においては、定盤をキャリアより厚く（約０〜２０μｍ）停止させるので、研磨によって半導体ウエハ８は、外周縁部が中央部よりも薄くなるように研磨されることになる。
このように、キャリアに定寸キャリアを用いずに半導体ウエハ８を研磨する場合においては、研磨後の半導体ウエハの外周縁部の厚みが中央部よりも僅かに薄くなっており中央部が外周縁部よりも僅かに隆起している状態で半導体ウエハ８の一次研磨工程が終了する。なお、この時点において中央部が外周縁部よりも僅かに隆起している状態は、所謂「だれ」に相当する。
【００２０】
つぎに上記のような形状に研磨された半導体ウエハを二次研磨するものである。この二次研磨工程においては一次研磨工程と同様の両面の研磨装置を使用する場合と、片面の研磨装置（たとえば、ＣＭＰ装置）を使用する場合とがある。
【００２１】
前述した一次研磨工程においてキャリアに定寸キャリアを用いて研磨された半導体ウエハを二次研磨するにあたって、両面の研磨装置を用いて研磨する場合は、前記定寸キャリアは一次研磨済の半導体ウエハの中央部の厚みと略同一の厚みの定寸キャリアを使用し、半導体ウエハの外周縁部を研磨して全体を中央部と略同一の厚みに研磨することにより、全体を中央部の厚みに揃える。
一方、前述した一次研磨工程においてキャリアに定寸キャリアを用いて研磨された半導体ウエハを二次研磨するにあたって、片面の研磨装置を用いて研磨する場合は、片面ずつ中央部が研磨される厚みまで研磨することにより、全体を中央部の厚みに揃える。
上記のようにキャリアに定寸キャリアを用いて研磨した一次研磨工程後および二次研磨工程後の半導体ウエハ８の断面形状は図６（ａ）および（ｂ）に示すようになる。すなわち、一次研磨工程後では図６（ａ）に示すように中央部が窪んだ形状となり、二次研磨工程後では図６（ｂ）に示すように平坦な形状になる。また、前述した一次研磨工程においてキャリアに定寸キャリアを用いずに研磨された半導体ウエハ８を二次研磨するにあたって、両面の研磨装置を用いて研磨する場合は、半導体ウエハの中央部を研磨して全体を外周縁部と略同一の厚みに研磨することにより、全体を外周縁部の厚みに揃える。
【００２２】
一方、前述した一次研磨工程においてキャリアに定寸キャリアを用いずに研磨された半導体ウエハを二次研磨するにあたって、片面の研磨装置を用いて研磨する場合は、一次研磨工程を終了した被研磨物の上下面のそれぞれを研磨して全体を外周縁部と略同一の厚みに研磨することにより、全体を外周縁部の厚みに揃える。
上記のようにキャリアに定寸キャリアを用いずに研磨した一次研磨工程後および二次研磨工程後の半導体ウエハ８の断面形状は図７（ａ）および（ｂ）に示すようになる。すなわち、一次研磨工程後では図７（ａ）に示すように外周縁部が中央部よりも僅かに薄く中央部が外周縁部よりも僅かに隆起した形状となり、二次研磨工程後では図７（ｂ）に示すように平坦な形状になる。
【００２３】
前述した一次研磨および二次研磨においては、後述する図４および図５に示すエッジポリッシャーのように構成した研磨装置（図４および図５参照）を用いる等して、上下定盤３１、３２をそれぞれ半導体ウエハ８の研磨対象面の面積よりも小さい面積形状に形成し、半導体ウエハ８を偏心状態で挟持保持して研磨するようにしてもよい。これにより半導体ウエハ８の所望部分を集中的に研磨することが可能になり、この集中研磨により一次研磨、二次研磨等において研磨作業の効率化を図ることができる。特に上下定盤３１、３２に取付けられている研磨パッド３３、３４によって半導体ウエハ８の中央部を集中的に研磨することが可能になり、キャリアに定寸キャリアを用いずに研磨する場合における一次研磨や二次研磨に最適である。
【００２４】
図３には両面の研磨装置の概念構成の概略平面図が示されていて、この両面の研磨装置はサンギア５およびインターナルギア６の回転方向と回転数とによってキャリア７は自転のみを行い、公転を行わないようになっている。
なお、２１はローディング手段、２２はフロートチャック等のアンローディング手段、２３はドレッシングのための高圧ジェット手段であり、研磨済の半導体ウエハ８はアンローディング手段２２で上昇されるとともに、つぎの工程への排出部２４に搬送されるようになっている。
【００２５】
上記のような両面の研磨装置を用いた場合、半導体ウエハ８は公転しないので搬入（ロード）位置および取り出し（アンロード）位置が一定となる。すなわち、常に半導体ウエハ８は同一位置に存在して研磨されることになるので、研磨の終了後に真空吸着等で容易に取り出すことができ、このことは自動化に最適であることを意味するものであり、今後、主流になると思われる３００φの大きさの半導体ウエハ８に対しては非常に効果的である。
【００２６】
前記および上記のようにして一次研磨および二次研磨が終了した後に、次工程にエッジポリッシング工程を加えて仕上げ研磨工程とする場合もある。
すなわち、図４および図５には両面の研磨装置に連続して配設するエッジポリッシャーの概略が示されており、図４は概略平面配置図、図５は概略縦断面図である。
このエッジポリッシャーは、前記両面の研磨装置での研磨済の半導体ウエハ８を偏心状態で挟持保持する上下定盤３１、３２を有し、この上下定盤３１、３２の盤面には研磨パッド３３、３４が取付けられている。そして、前記半導体ウエハ８の外側の３か所には半導体ウエハ保持用のローラ３５が、また、１か所には半導体ウエハ８の保持用および端面の研磨用のローラ３６がそれぞれ設けられている。
なお、必要に応じて前記半導体ウエハ８の上面にスラリーを供給して研磨することも可能である。
【００２７】
したがって、上下定盤３１、３２が回転する時に半導体ウエハ８は４つのローラ３５、３６で所定の位置に保持されているので、上下定盤３１、３２の方が半導体ウエハ８の面上を摺動する。これにより半導体ウエハ８の上下面は上下定盤３１、３２で研磨され、また、半導体ウエハ８の端面は研磨用のローラ３６で研磨されることになる。ここで、上下定盤は自転駆動および公転駆動させるようにしてもよく、その摺動軌道については水平面方向における円軌道、楕円軌道等、任意の軌道に設定してよい。
【００２８】
上記のように研磨装置の後の工程にエッジポリッシャーを用いることで、半導体ウエハの両面の研磨後に、研磨装置から、たとえば真空吸着して取り出すと、吸着部材の吸着部および端面のキャリアとの接触部を再び研磨する必要が生じるがこの必要を満足させることができる。
したがって、エッジポリッシャーによって、半導体ウエハ８は上下面のみならず、その端面も研磨することができる。
【００２９】
このエッジポリッシャーにおいては、前述した二次研磨を兼ねるエッジポリッシング工程とした仕上げ研磨工程としてもよい。
したがって、キャリアに定寸キャリアを用いて一次研磨されて中央部が外周縁部よりも薄くなっている状態にある半導体ウエハ８については、半導体ウエハ８の外周縁部を研磨して全体を中央部と略同一の厚みに研磨する二次研磨と同時に、前述したようにワークの搬送痕およびキャリアとの接触痕を研磨することが可能になるので、重複した研磨作業を極力省いて簡略化を図ることができる。
また、キャリアに定寸キャリアを用いずに一次研磨されて外周縁部が中央部よりも僅かに薄く中央部が外周縁部よりも僅かに隆起した状態にある半導体ウエハ８については、半導体ウエハ８の中央部を研磨して全体を外周縁部と略同一の厚みに研磨する二次研磨と同時に、前述したようにワークの搬送痕およびキャリアとの接触痕を研磨することが可能になるので、重複した研磨作業を極力省いて簡略化を図ることができる。
しかも、上下定盤３１、３２はそれぞれ半導体ウエハ８の研磨対象面の面積よりも小さい面積形状に形成され、半導体ウエハ８を偏心状態で挟持保持して研磨するようにしており、半導体ウエハ８の所望部分を集中的に研磨することが可能になるので、この集中研磨による仕上げ研磨、二次研磨を兼ねた仕上げ研磨等において研磨作業の効率化を図ることができる。
特に、上下定盤３１、３２に取付けられている研磨パッド３３、３４によって半導体ウエハ８の中央部を集中的に研磨することが可能になり、キャリアに定寸キャリアを用いずに研磨する場合における仕上げ研磨、および二次研磨を兼ねた仕上げ研磨に最適である。
【００３０】
【発明の効果】
この発明は前記のようにキャリアに定寸キャリアを用いて定寸キャリアの厚みまでワークを研磨する一次研磨工程と、一次研磨で研磨されたワークを、その最も薄い厚みまで研磨する二次研磨工程とを行うようにしたので、従来のように一回のみの研磨工程で研磨した場合のようにワークの端面がだれることがないという効果を有している。また、前記のようにキャリアに定寸キャリアを用いずにワークを研磨する一次研磨工程と、一次研磨で研磨されたワークを、その中央部を研磨して全体を外周縁部と略同一の厚みに研磨する二次研磨工程とを行うようにしたので、従来のように一回のみの研磨工程で研磨した場合のようにワークの端面がだれることがないという効果を有している。さらに、サンギアおよびインターナルギアの回転方向と回転数とによってキャリアは自転するが公転しないように設定され、搬入（ロード）位置および取り出し（アンロード）位置が一定となり、常にワークは同一位置に存在して研磨されることになり、搬入の際および取り出しの際に極めて便利である。しかも、この二次研磨工程においては通常の両面の研磨装置や片面の研磨装置を使用することができ、さらにエッジポリッシュの工程等の仕上げ研磨工程を加えることで、ワークの外周面を全面に渡って研磨することが可能になり、上下両面の研磨装置からワークを搬出した時に生じる恐れのある真空吸着痕（搬送痕）等や、あるいはキャリアとの接触痕等を無くすことができるという効果を有している。また、前記仕上げ研磨工程は二次研磨工程と同時に仕上げ研磨を行うこととしており、二次研磨と同時に、被研磨物の搬送痕およびキャリアとの接触痕を研磨することが可能になるので、重複した研磨作業を極力省いて簡略化を図ることができる。さらに、被研磨物の研磨対象面の面積よりも小さい面積形状に形成された上下定盤により被研磨物が偏心状態で挟持保持されて研磨されるようになっており、被研磨物の所望部分を集中的に研磨することが可能になるので、この集中研磨により一次研磨、二次研磨、仕上げ研磨等において研磨作業の効率化を図ることができる。特に、キャリアに定寸キャリアを用いない場合においては、中央部が外周縁部よりも隆起している被研磨物の中央部を集中的に研磨することが可能になるので、キャリアに定寸キャリアを用いずに研磨する場合における仕上げ研磨、および二次研磨を兼ねた仕上げ研磨に最適である。
【図面の簡単な説明】
【図１】一般的な両面の研磨装置を示す概略正面図である。
【図２】キャリアに定寸キャリアを用いて研磨した時の上下定盤と定寸キャリアと半導体ウエハの研磨状態とを示す概略説明図である。
【図３】他の両面研磨装置の概略配置図である。
【図４】エッジポリッシャーの概略平面配置図である。
【図５】エッジポリッシャーの概略縦断面図である。
【図６】図６（ａ）および（ｂ）はキャリアに定寸キャリアを用いて研磨した場合のワークを示すものであり、
（ａ）は一次研磨後のワークの断面形状を示す概略図であり、
（ｂ）は二次研磨後のワークの断面形状を示す概略図である。
【図７】図７（ａ）および（ｂ）はキャリアに定寸キャリアを用いずに研磨した場合のワークを示すものであり、
（ａ）は一次研磨後のワークの断面形状を示す概略図であり、
（ｂ）は二次研磨後のワークの断面形状を示す概略図である。
【符号の説明】
１、３１……下定盤
１ａ、５ａ、６ａ……駆動軸
１ｂ、５ｂ、６ｂ……歯車
２、３２……上定盤
３、４、３３、３４……研磨パッド
５……サンギア
６……インターナルギア
７……キャリア
８……半導体ウエハ
９……中継プレート
１０……スタッド
１１……定盤吊り
２１……ローディング手段
２２……アンローディング手段
２３……高圧ジェット手段
２４……排出部
３５、３６……ローラ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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