(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体を外部雰囲気に暴露することなく、気流搬送装置の内部空間と外部処理装置の内部空間との間を移動させる機能を備えた基体の移載装置において、
前記移載装置は、
内部が減圧可能な真空容器と、
該真空容器の内部を上部空間と下部空間の２室に水平に仕切る隔壁と、
該上部空間に設けた前記外部処理装置の内部空間と通じる開口部と、
該下部空間に設けた前記気流搬送装置の内部空間と通じる開口部と、
該隔壁の中央に設けた他の開口部と、
該他の開口部の周縁に沿って上下両面に設けた弁座と、
該上部空間内に配置され上下動できる水平型の上部弁と、
該下部空間内に配置され、前記基体を載置して上下動できる水平型の下部弁と、
該上部弁全体を上下動させる手段と、
該下部弁全体を上下動させる手段と、
を有しており、
前記基体に向けて、該下部弁の搬送面に設けた気体の噴射口からガスを噴射することにより、前記基体を浮上させて、搬送することを特徴とする基体の移載装置。
【請求項２】
基体を外部雰囲気に暴露することなく、気流搬送装置の内部空間と外部処理装置の内部空間との間を移動させる機能を備えた基体の移載装置において、
前記移載装置は、
内部が減圧可能な真空容器と、
該真空容器の内部を上部空間と下部空間の２室に水平に仕切る隔壁と、
該上部空間に設けた前記気流搬送装置の内部空間と通じる開口部と、
該下部空間に設けた前記外部処理装置の内部空間と通じる開口部と、
該隔壁の中央に設けた他の開口部と、
該開口部の周縁に沿って上下両面に設けた弁座と、
該上部空間内に配置され、上下動できる水平型の上部弁と、
該下部空間内に配置され、前記基体を載置して上下動できる水平型の下部弁と、
該上部弁全体を上下動させる手段と、
該下部弁全体を上下動させる手段と、
を有しており、
前記基体に向けて、該下部弁の搬送面に設けた気体の噴射口からガスを噴射することにより、前記基体を浮上させて、搬送することを特徴とする基体の移載装置。
【請求項３】
内部が減圧可能な真空容器と、
該真空容器の内部を上部空間と下部空間の２室に水平に仕切る隔壁と、
該上部空間に設けた開口部と、
該下部空間に設けた開口部と、
該隔壁の中央に設けた他の開口部と、
該他の開口部の周縁に沿って上下両面に設けた弁座と、
該上部空間内に配置され上下動できる水平型の上部弁と、
該下部空間内に配置され、前記基体を載置して上下動できる水平型の下部弁と、
該上部弁全体を上下動させる手段と、
該下部弁全体を上下動させる手段と、
を有しており、
前記基体に向けて、該下部弁の搬送面に設けた気体の噴射口からガスを噴射することにより、前記基体を浮上させて、搬送することを特徴とする基体の移載装置。
【請求項４】
前記下部弁の基体裏面と対向する搬送面は、該基体を上下可動させる手段を備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基体の移載装置。
【請求項５】
前記他の開口部の周縁部及び前記弁座を構成する材料は、セラミック、ダイヤモンド薄膜で被覆されたセラミック、又は超硬合金から選択される材料であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基体の移載装置。
【請求項６】
前記セラミックは、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、窒化ボロン（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）のいずれかであることを特徴とする請求項５に記載の基体の移載装置。
【請求項７】
前記上部弁及び前記下部弁を前記弁座に密着させる際、該上部弁及び該下部弁の進行速度は、接触寸前の距離から密着するまで５×１０-3ｍ／ｓｅｃ以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基体の移載装置。
【請求項８】
前記下部弁は、
基体裏面と対向する搬送面に、基体の浮上若しくは着地、基体の捕捉若しくは発射、基体の中心出し、又は、基体の水平回転若しくは水平静止、を行う機能を備えた気体の噴射口と、
該噴射口に所定のタイミング、流量及び圧力の気体を送る手段と、
を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基体の移載装置。
【請求項９】
前記基体の浮上若しくは着地を行う機能を備えた噴射口は、前記下部弁の搬送面に対して２２度の角度で穿孔され、該噴射口から噴射される気流の水平分力は、該下部弁の中心を指向して４象限分割又は３象限分割されていることを特徴とする請求項８に記載の基体の移載装置。
【請求項１０】
前記基体の捕捉若しくは発射を行う機能を備えた噴射口は、前記下部弁の搬送面に対して２２度の角度で穿孔され、該噴射口から噴射される気流の水平分力は、前記気流搬送装置の内部空間に通じる気流搬送路と平行となるように配列されていることを特徴とする請求項８に記載の基体の移載装置。
【請求項１１】
前記基体の水平回転若しくは水平静止を行う機能を備えた噴射口は、該基体の結晶軸方向を決めて、該基体を前記下部弁の搬送面に設けた該基体を上下可動させる手段の上に載せる機能を有することを特徴とする請求項８に記載の基体の移載装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、基体の移載装置に係る。より詳細には、半導体産業や液晶産業などで用いられる基体を外部雰囲気に暴露することなく、気流搬送装置の内部空間と外部処理装置の内部空間との間を移動させる機能を備えた基体の移載装置であって、基体周囲の雰囲気を遮断又は置換することが可能な、いわゆるロードロック室又はトランスファ室と呼称される基体の移載装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体等の製造工程では、各工程で用いる製造装置間において基体（例えば半導体ウェハ）を移動させるため、基体の搬送装置を用いている。この種の搬送装置としては、例えば基体を入れたカセット治具を搬送車に積載して搬送する搬送装置、基体を一枚毎にロボットアームで搬送する搬送装置が挙げられる。しかし、これらの搬送装置においては基体が処理される空間の雰囲気は大気中であり、充分な高清浄雰囲気空間とはなっていないのが現状である。最近では基体を入れたカセット治具を密閉容器に入れて搬送する方法も利用されているが、基体に対する容器材質・気密用ガスケット等からの汚染という問題が解決されていない。
【０００３】
この問題を解消する方法としては、例えば、基体を気流（エアべアリング）によって搬送路内を搬送する気流搬送装置が提案されている。この気流搬送装置は搬送路内をクローズドタイプ（密閉系）にすることができるので、基体の周囲は充分な高清浄雰囲気空間とすることができる。気流搬送装置の構成及び動作の一例を以下に示す。
（１）気流搬送装置は、内部に清浄空間トンネルと、該トンネルの入口、出口となる開口部と、気流搬送面とを有する。
（２）気流搬送面には、基体の周辺を支持して上下動するリフトピンが設けてあり、トンネルの入口において外部処理装置の受け渡しハンド（例えばロボットのフィンガー等）により基体をリフトピンに載置する。
（３）リフトピンを下降させ、高純度気体からなる気流に基体を乗せて浮上させることによって、トンネルの出口に向けて基体を搬送する。
（４）トンネルの出口では、気流搬送されて停止位置でホバリングしている基体をリフトピンで上昇支持した後、外部処理装置の受け渡しハンドが基体を持ち去る。
【０００４】
上記気流搬送装置は、装置内に発塵部がなく清浄空間トンネル内を基体搬送できるという利点を有するものの、トンネルの入口、出口において他の基体処理装置との受渡しに際して次のような問題があった。
【０００５】
▲１▼外部処理装置の雰囲気が、気流搬送装置の入口、出口から気流搬送トンネル内に侵入し、トンネル内の高純度気体を汚染する。
【０００６】
▲２▼外部処理装置が真空装置あるいは減圧装置である場合には、気流搬送トンネル内の高純度気体が流出し、外部処理装置内に侵入することから気流搬送機能や真空・減圧機能に支障を来たす。
【０００７】
このような問題を解決するため、従来は装置間受渡し部に、内外の雰囲気遮断用の２個の遮断弁（ゲートバルブ等）で囲った室内に搬送用ハンド（真空ロボット等）を設置した、いわゆるロードロック室を設けている。しかしながら、発塵・汚染が殆ど許されないウルトラクリーンレべル（不純物濃度がｐｐｔオーダーのレベル）ではこれらの現状部品は充分満足できるといえず、また上記構成のロードロック室は気流搬送装置に最適な構造とは必ずしも言えないものであった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、外部処理装置と気流搬送装置の雰囲気を遮断して相互の汚染を防止すると共に、ウルトラクリーンレべルを満足し得る低発塵・低汚染で基体の受け渡しも可能な基体の移載装置であって、枚葉式気流搬送装置に最適なものを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る第１の基体の移載装置は、基体を外部雰囲気に暴露することなく、気流搬送装置の内部空間と外部処理装置の内部空間との間を移動させる機能を備えた基体の移載装置において、前記移載装置は、内部が減圧可能な真空容器と、該真空容器の内部を上部空間と下部空間の２室に水平に仕切る隔壁と、該上部空間に設けた前記外部処理装置の内部空間と通じる開口部と、該下部空間に設けた前記気流搬送装置の内部空間と通じる開口部と、該隔壁の中央に設けた他の開口部と、該他の開口部の周縁に沿って上下両面に設けた弁座と、該上部空間内に配置され上下動できる水平型の上部弁と、該下部空間内に配置され、前記基体を載置して上下動できる水平型の下部弁と、該上部弁全体を上下動させる手段と、該下部弁全体を上下動させる手段と、を有しており、前記基体に向けて、該下部弁の搬送面に設けた気体の噴射口からガスを噴射することにより、前記基体を浮上させて、搬送することを特徴とする基体の移載装置。
【００１０】
本発明に係る第２の基体の移載装置は、基体を外部雰囲気に暴露することなく、気流搬送装置の内部空間と外部処理装置の内部空間との間を移動させる機能を備えた基体の移載装置において、前記移載装置は、内部が減圧可能な真空容器と、該真空容器の内部を上部空間と下部空間の２室に水平に仕切る隔壁と、該上部空間に設けた前記気流搬送装置の内部空間と通じる開口部と、該下部空間に設けた前記外部処理装置の内部空間と通じる開口部と、該隔壁の中央に設けた他の開口部と、該開口部の周縁に沿って上下両面に設けた弁座と、該上部空間内に配置され、上下動できる水平型の上部弁と、該下部空間内に配置され、前記基体を載置して上下動できる水平型の下部弁と、該上部弁全体を上下動させる手段と、
該下部弁全体を上下動させる手段と、を有しており、前記基体に向けて、該下部弁の搬送面に設けた気体の噴射口からガスを噴射することにより、前記基体を浮上させて、搬送することを特徴とする。
【００１１】
上記構成からなる２つの基体の移載装置は、いずれも、気流搬送装置の内部空間と外部処理装置の内部空間に通じる入口と出口を備えた真空容器を有し、水平円盤形の上部弁と下部弁を真空容器内に格納し、上下弁に囲われた空間に基体を位置させて密閉空間とした後、この空間を真空または気体と置換することが可能となる。従って、外部処理装置と気流搬送装置の雰囲気を遮断して相互の汚染を防止すると共に、低発塵・低汚染で基体の受け渡しも可能な基体の移載装置が得られる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下では、本発明の実施の形態を本発明の作用等と共に説明する。
【００１３】
（第一の実施の形態）
図１〜３は、本発明に係る第１の基体の移載装置を示す模式的な断面図である。第１の基体の移載装置は、上部空間に設けた開口部が外部処理装置の内部空間と、下部空間に設けた開口部が気流搬送装置の内部空間と、それぞれ通じる構成を有している。図１は移載装置の上部空間と下部空間が下部弁で遮断され、外部処理装置から移載装置の上部空間へ基体が移動した状態を、図２は移載装置において上部弁と下部弁に囲まれて基体が密閉された状態を、図３は移載装置の上部空間と下部空間が上部弁で遮断され、下部弁の搬送面上に基体が載置された状態を、それぞれ示す。
【００１４】
図１〜３において、１は移載装置を構成する真空容器、２は真空容器内の上部空間、３は真空容器内の下部空間、４は真空容器の内部を上部空間と下部空間の２室に水平に仕切る隔壁、５は上部空間に設けた外部処理装置の内部空間と通じる開口部、６は下部空間に設けた気流搬送装置の内部空間と通じる開口部、７は隔壁の中央に設けた円形の開口部、８は開口部の周縁に沿って上面に設けた弁座、９は開口部の周縁に沿って下面に設けた弁座、１０は上部空間内に配置され上下動できる水平円盤型の上部弁、１１は下部空間内に配置され、基体を載置して上下動できる水平円盤型の下部弁、１２は上部弁全体を上下動させる手段、１３は下部弁全体を上下動させる手段、１４は基体、１５は下部弁の基体裏面と対向する搬送面、１６と１７は下部弁の基体裏面と対向する搬送面の設けた基体を上下可動させる手段、１８は上部弁のガス導入口、１９は上部弁における弁座との接触部、２０は下部弁における弁座との接触部、２１はコイル、２２は外部処理装置、２３は外部処理装置の内部空間、２４は気流搬送装置、２５は気流搬送装置の内部空間、２６は気流搬送装置の搬送面、２７は気流搬送装置の搬送面の末端である。
【００１５】
図１〜３に示すように、基体の移載装置を構成する真空容器１の内部は上下２つの空間２、３を備え、上部空間２と下部空間３の中段には水平の隔壁４があり、隔壁中央部には円形の開口部７を設けてある。円形開口部７の周縁の上面８及び下面９は弁座となっている。上部空間２には水平円盤形の上部弁１０が格納されており、上部弁１０は上部弁全体を上下動させる手段１２により上下動できる。上部弁１０が下降した場合は上部弁における弁座との接触部１９が隔壁開口部７の上面弁座８に密着して真空容器１の上部空間２を下部空間３から遮断する。
【００１６】
一方、下部空間３には基体１４を載置して上下動できる水平円盤型の下部弁１１が格納されている。下部弁全体を上下動させる手段１３で下部弁１１を上下動させることにより、気流搬送装置２４の搬送面２６の末端２７に近接できる。下部弁１１が上昇した場合は下部弁における弁座との接触部２０が隔壁開口部７の下面弁座９に密着して真空容器１の下部空間３を上部空間２から遮断する。ここで、上部弁全体を上下動させる手段１２と下部弁全体を上下動させる手段１３は独立して動作できるものとした。また、下部弁全体を上下動させる手段１３とは独立して、下部弁１１の基体裏面と対向する搬送面１５には基体１４を上下可動させる手段１６と１７が設けてある。例えば１６としてはリフトピンが、１７としてはベローズが用いられる。さらに、下部弁１１の基体裏面と対向する搬送面１５は、基体１４の浮上若しくは着地、基体の捕捉若しくは発射、基体の中心出し、又は、基体の水平回転若しくは水平静止、を行う機能を備えた気体の噴射口（不図示）と、該噴射口に所定のタイミング、流量及び圧力の気体を送る手段（不図示）を備えた構造となっている。
【００１７】
以下では、外部処理装置２２から気流搬送装置２４に向けて基体を移動する場合の移載装置の動作について、図１〜３を用い詳細に説明する。
【００１８】
図１では、下部弁１１が上昇（矢印の方向）し、下部弁における弁座との接触部２０が隔壁開口部７の下面弁座９に密着した状態にあり、真空容器１の上部空間２が下部空間３から遮断されている。この状態にある上部空間２内に、外部処理装置２２の内部空間２３と通じる開口部５を通して、外部処理装置２２の受け渡しハンド（不図示）がリフトピン１６上に基体１４を載せて外部へ離脱することによって、外部処理装置２２の内部空間２３から真空容器１の上部空間２へ基体１４が移される。
【００１９】
その後、リフトピン１６が下降すると共に、上部弁１０が下降して上部弁における弁座との接触部１９が隔壁開口部７の上面弁座８に密着する（図２）。その結果、基体１４は上部弁１０と下部弁１１の搬送面１５との間で密閉される。次いで、上部弁１０と下部弁１１で囲まれた密閉空間内を上部弁１０のガス導入口１８を通じて真空排気した後、密閉空間内にＮ2ガスを導入し大気圧力に封入する。
【００２０】
図３に示すように、搬送面１５が気流搬送面の末端２７と同一の高さになるまで下部弁１１が下降（矢印の方向）する。次に、基体１４に向けて、下部弁１１の搬送面１５に設けた気体の噴射口（不図示）から浮上ガスＮ2の噴射を開始する。次に、リフトピン１６を搬送面１５より低い高さに下降させることにより、基体１４は浮上してホバリング状態となる。その後、気流搬送装置２４の搬送面２６の末端２７でも浮上ガスＮ2の噴射を開始し、さらに下部弁１１の搬送面１５において基体の発射ガスＮ2を噴出させることにより、気流搬送装置２４の内部空間２５内へ基体１４を搬送する。以上の動作により、外部処理装置２２から気流搬送装置２４に向けた基体の移動は完了する。
【００２１】
これに対して、気流搬送装置２４から外部処理装置２２に向けて基体１４を移動する場合の移載装置の動作は、基本的に上述した動作の逆を行えばよい。すなわち、気流搬送装置２４の搬送面２６と下部弁１１の搬送面１５における浮上ガスＮ2の噴射を用いて、基体１４を気流搬送装置２４の内部空間から移載装置の下部空間３内へ移動させた後、浮上ガスの噴射を停止することによって、リフトピン１６上に基体１４を載せる。次に、下部弁１１の搬送面１５が上昇し、基体１４は上部弁１０と下部弁１１の搬送面１５との間で密閉される。その後、上部弁１０と下部弁１１で囲まれた密閉空間内を上部弁１０のガス導入口１８を通じて真空排気するか、又は、その後基体１４が移動する先である外部処理装置２２と同一のガスを封入する。次いで、上部弁１０を上昇させ、上部空間２を外部処理装置２２の内部空間２３と連通させ、外部処理装置２２の受け渡しハンド（不図示）が基体１４を持ち去り、基体１４の移動が完了する。
【００２２】
（第二の実施の形態）
図４は、本発明に係る第２の基体の移載装置を示す模式的な断面図である。第２の基体の移載装置は、上部空間に設けた開口部が気流搬送装置の内部空間と、下部空間に設けた開口部が外部処理装置の内部空間と、それぞれ通じる構成を有している点が、第一の実施の形態に示した第１の基体の移載装置と異なる。他の点は、第１の基体の移載装置と同じである。
【００２３】
図４において、１０１は移載装置を構成する真空容器、１０２は真空容器内の上部空間、１０３は真空容器内の下部空間、１０４は真空容器の内部を上部空間と下部空間の２室に水平に仕切る隔壁、１０５は上部空間に設けた気流搬送装置の内部空間と通じる開口部、１０６は下部空間に設けた外部処理装置の内部空間と通じる開口部、１０７は隔壁の中央に設けた円形の開口部、１０８は開口部の周縁に沿って上面に設けた弁座、１０９は開口部の周縁に沿って下面に設けた弁座、１１０は上部空間内に配置され上下動できる水平円盤型の上部弁、１１１は下部空間内に配置され、基体を載置して上下動できる水平円盤型の下部弁、１１２は上部弁全体を上下動させる手段、１１３は下部弁全体を上下動させる手段、１１４は基体、１１５は下部弁の基体裏面と対向する搬送面、１１６と１１７は下部弁の基体裏面と対向する搬送面の設けた基体を上下可動させる手段、１１８は上部弁のガス導入口、１１９は上部弁における弁座との接触部、１２０は下部弁における弁座との接触部、１２１はコイル、１２２は外部処理装置、１２３は外部処理装置の内部空間、１２４は気流搬送装置、１２５は気流搬送装置の内部空間、１２６は気流搬送装置の搬送面、１２７は気流搬送装置の搬送面の末端である。
【００２４】
以下では、外部処理装置２２から気流搬送装置２４に向けて基体を移動する場合の移載装置の動作について、図４を用い詳細に説明する。
【００２５】
まず、移載装置の下部空間１０３に設けた外部処理装置１２２の内部空間１２３と通じる開口部１０６では、外部処理装置１２２の受け渡しハンド（不図示）が下部空間１０３内に挿入され、気流搬送装置１２４の末端１２７より下の位置にある、下部弁１１１の搬送面１１５に設けたリフトピン１１６上に基体１１４を載せる。その後、受け渡しハンド（不図示）は下部空間１０３から処理装置１２２の内部空間１２３へ離脱する。
【００２６】
次に、下部弁１１１の搬送面１１５は、気流搬送装置１２４の搬送面１２６と同一高さまで上昇し、隔壁下面弁座１０９に密着して下部空間１０３を上部空間１０２から遮断し、基体１１４を上部弁１１０との間に密閉する。次いで、上部弁１１０と下部弁１１１で囲まれた密閉空間内を上部弁１１０のガス導入口１１８を通じて真空排気した後、密閉空間内にＮ2ガスを導入し大気圧力に封入する。
【００２７】
その後、上部弁１１０を上昇し、下部弁１１１の搬送面１１５の浮上ガスＮ2の噴射を開始する。次に、リフトピン１１６を搬送面１１５より低い高さに下降させることにより、基体１１４は浮上してホバリング状態となる。続いて、気流搬送装置１２４の搬送面１２６の末端１２７でも浮上ガスＮ2の噴射を開始し、さらに下部弁１１１の搬送面１１５において基体の発射ガスＮ2を噴出させることにより、気流搬送装置１２４の内部空間１２５内へ基体１１４を搬送する。以上の動作により、外部処理装置１２２から気流搬送装置１２４に向けた基体の移動は完了する。
【００２８】
これに対して、気流搬送装置１２４から外部処理装置１２２に向けて基体１１４を移動する場合の移載装置の動作は、基本的に上述した動作の逆を行えばよい。すなわち、基体１１４がリフトピン１１６上に支持された後、上部弁１１０が下降して基体１１４を密閉すると共に、上部空間１０２を下部空間１０３から遮断する。その後、上部弁１１０のガス導入口１１８を通じ、密閉空間内の真空化または外部処理装置１２２と同一のガスを封入する。次に、下部弁１１１を下降させ、下部空間１０３を外部処理装置１２２の内部空間１２３と連通させ、外部処理装置１２２の受け渡しハンド（不図示）が基体１１４を持ち去り、基体１１４の移動が完了する。
【００２９】
以上説明した通り、第一の実施の形態に示した第１の基体の移載装置は、気流搬送装置２４の基体搬送レべルより高い位置で外部処理装置２２と基体の受け渡しを行っているのに対して、第二の実施の形態に示した第２の基体の移載装置は、気流搬送装置１２４の基体搬送レべルより低い位置で外部処理装置１２２と基体の受け渡しを行っている点が相違している。上述した２種類の基体の移載装置を使い分けることによって、外部処理装置との基体の受け渡し高さの整合に広い自由度が得られる。
【００３０】
上述した実施の形態において、隔壁の中央に設けた円形の開口部の周縁部及び弁座を構成する材料を、例えばシリコンカーバイド（ＳｉＣ）、窒化ボロン（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、高純度アルミナＡｌ2Ｏ3等のセラミックス類及びこれらの材料の表面にダイヤモンド薄膜を被覆したもの、又は超高純度石英あるいは超硬合金から選択され、真空気密性を有し、かつ搬送される製品に汚染をもたらさない材料とすることにより、移載装置の内部空間におけるパーティクル数、汚染度はウルトラクリーンレベル（すなわち、ｐｐｔオーダーの不純物濃度）となることが確認された。しかしながら、パーティクル数、汚染度が許容できる気流搬送装置の場合は、弁及び弁座のシール部にポリマーあるいは合成樹脂からなるガスケット等を用い、本発明に係る構造を適用しても構わないことは言うまでもない。
【００３１】
また、上述した実施の形態において、上部弁及び下部弁を弁座に密着させる際、上部弁及び下部弁の進行速度を、接触寸前の距離から密着するまで５×１０-3ｍ／ｓｅｃ以下にすることによって、移載装置の内部空間におけるパーティクルの発生をウルトラクリーンレベルに維持できることも分かった。
【００３２】
さらに、上述した実施の形態において、下部弁は、基体裏面と対向する搬送面に、基体の浮上若しくは着地、基体の捕捉若しくは発射、基体の中心出し、又は、基体の水平回転若しくは水平静止、を行う機能を備えた気体の噴射口と、該噴射口に所定のタイミング、流量及び圧力の気体を送る手段と、を備えることによって、基体を浮上させながら移動させる際に基体を精密に制御できる。
【００３３】
この場合、基体の浮上若しくは着地を行う機能を備えた噴射口は、下部弁の搬送面に対して２２度の角度で穿孔され、該噴射口から噴射される気流の水平分力は、該下部弁の中心を指向して４象限分割又は３象限分割されていることが好ましい。また、基体の捕捉若しくは発射を行う機能を備えた噴射口は、下部弁の搬送面に対して２２度の角度で穿孔され、該噴射口から噴射される気流の水平分力は、前記気流搬送装置の内部空間に通じる気流搬送路と平行となるように配列されていることが望ましい。さらに、基体の水平回転若しくは水平静止を行う機能を備えた噴射口は、該基体の結晶軸方向を決めて、該基体を下部弁の搬送面に設けた該基体を上下可動させる手段の上に載せる機能を有することによって、下部弁が上下動した場合や基体の周囲が減圧あるいは加圧された場合にも、下部弁上に基体を確実に保持することが可能となる。
【００３４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、枚葉型の気流搬送装置と他の外部処理装置との間で基体を受け渡しする際に、相互の機能に支障を与えず、かつ、基体周辺の雰囲気を置換可能な基体の移載装置が得られる。そのため、本発明に係る基体の移載装置は、気流搬送装置と外部処理装置の内部雰囲気の違いに影響されることなく、気流搬送装置と外部処理装置を容易に結合できる。また、本発明に係る基体の移載装置は、その内部の弁及び弁座に塑性変形を生じ難い超高硬度材質を用い、その内部の弁及び弁座はシンプルな平面接触構造であり、かつ接触寸前の位置から密着までの進行速度を５×１０-3ｍ／ｓｅｃ以下としたことで無発塵に近いシールを達成できることから、ウルトラクリーンレべルで稼働させることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る第１の基体の移載装置を示す模式的な断面図であり、移載装置の上部空間と下部空間が下部弁で遮断され、外部処理装置から移載装置の上部空間へ基体が移動した状態を示す。
【図２】本発明に係る第１の基体の移載装置を示す模式的な断面図であり、移載装置において上部弁と下部弁に囲まれて基体が密閉された状態を示す。
【図３】本発明に係る第１の基体の移載装置を示す模式的な断面図であり、移載装置の上部空間と下部空間が上部弁で遮断され、下部弁の搬送面上に基体が載置された状態を示す。
【図４】本発明に係る第２の基体の移載装置を示す模式的な断面図である。
【符号の説明】
１  移載装置を構成する真空容器、
２  真空容器内の上部空間、
３  真空容器内の下部空間、
４  真空容器の内部を上部空間と下部空間の２室に水平に仕切る隔壁、
５  上部空間に設けた外部処理装置の内部空間と通じる開口部、
６  下部空間に設けた気流搬送装置の内部空間と通じる開口部、
７  隔壁の中央に設けた円形の開口部、
８  開口部の周縁に沿って上面に設けた弁座、
９  開口部の周縁に沿って下面に設けた弁座、
１０  上部空間内に配置され上下動できる水平円盤型の上部弁、
１１  下部空間内に配置され、基体を載置して上下動できる水平円盤型の下部弁、
１２  上部弁全体を上下動させる手段、
１３  下部弁全体を上下動させる手段、
１４  基体、
１５  下部弁の基体裏面と対向する搬送面、
１６、１７  下部弁の基体裏面と対向する搬送面の設けた基体を上下可動させる手段、
１８  上部弁のガス導入口、
１９  上部弁における弁座との接触部、
２０  下部弁における弁座との接触部、
２１  コイル、
２２  外部処理装置、
２３  外部処理装置の内部空間、
２４  気流搬送装置、
２５  気流搬送装置の内部空間、
２６  気流搬送装置の搬送面、
２７  気流搬送装置の搬送面の末端、
１０１  移載装置を構成する真空容器、
１０２  真空容器内の上部空間、
１０３  真空容器内の下部空間、
１０４  真空容器の内部を上部空間と下部空間の２室に水平に仕切る隔壁、
１０５  上部空間に設けた気流搬送装置の内部空間と通じる開口部、
１０６  下部空間に設けた外部処理装置の内部空間と通じる開口部、
１０７  隔壁の中央に設けた円形の開口部、
１０８  開口部の周縁に沿って上面に設けた弁座、
１０９  開口部の周縁に沿って下面に設けた弁座、
１１０  上部空間内に配置され上下動できる水平円盤型の上部弁、
１１１  下部空間内に配置され、基体を載置して上下動できる水平円盤型の下部弁、
１１２  上部弁全体を上下動させる手段、
１１３  下部弁全体を上下動させる手段、
１１４  基体、
１１５  下部弁の基体裏面と対向する搬送面、
１１６、１１７  下部弁の基体裏面と対向する搬送面の設けた基体を上下可動させる手段、
１１８  上部弁のガス導入口、
１１９  上部弁における弁座との接触部、
１２０  下部弁における弁座との接触部、
１２１  コイル、
１２２  外部処理装置、
１２３  外部処理装置の内部空間、
１２４  気流搬送装置、
１２５  気流搬送装置の内部空間、
１２６  気流搬送装置の搬送面、
１２７  気流搬送装置の搬送面の末端。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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