(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１成分として、一般式（１−１）および（１−２）で表される化合物群から選ばれる少なくとも１種類の化合物を含有し、第２成分として、一般式（２−１）〜（２−３）で表される化合物群から選ばれる少なくとも１種類の化合物を含有することを特徴とする液晶組成物。
0004206525.tif 000011
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は各々独立して、炭素数１〜１０のアルキル基を表し；Ａ１およびＡ２は−Ｃ２Ｈ４−を表し、Ａ３、Ａ４、Ａ５およびＡ６は各々独立して、−Ｃ２Ｈ４−または単結合を表し、但し、Ａ３とＡ４のいずれかの一方は必ず単結合であり；Ｘ１およびＸ３は各々独立して、Ｆ、−ＯＣＦ３、または−ＯＣＦ２Ｈを表し；Ｘ２およびＸ４は各々独立して、ＨまたはＦを表す。）
【請求項２】
第１成分を液晶組成物の全重量に対して２０〜７０重量％含有し、第２成分を液晶組成物の全重量に対して３０〜８０重量％含有することを特徴とする請求項１に記載の液晶組成物。
【請求項３】
第１成分として、請求項１に記載の一般式（１−１）および（１−２）で表される化合物群から選ばれる少なくとも１種類の化合物を液晶組成物の全重量に対して、２０〜７０重量％含有し、第２成分として、請求項１に記載の一般式（２−１）〜（２−３）で表される化合物群から選ばれる少なくとも１種類の化合物を液晶組成物の全重量に対して、３０〜８０重量％含有し、第３成分として、一般式（３）で表される化合物の少なくとも１種類を液晶組成物の全重量に対して、２０％以下含有することを特徴とする液晶組成物。
0004206525.tif 000012
（式中、Ｒ6およびＲ7は各々独立して、炭素数１〜１０のアルキル基を表する。）
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載した液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ネマチック液晶組成物に関し、さらに詳しくは、アクティブ・マトリックス（ＡＭ）方式用の液晶組成物およびこの液晶組成物を用いた液晶表示素子（ＬＣＤ）に関するものである。
【０００２】
【背景技術】
アクティブ・マトリックス方式の液晶表示素子（ＡＭ−ＬＣＤ）は、高精細な表示が可能のため、ＬＣＤの本命として注目を集めており、ノート型パソコン、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラの表示画面に応用されている。ＡＭ−ＬＣＤ用の液晶組成物に要求される特性は、下記の（１）〜（５）が挙げられる。
（１）  液晶表示素子を使用する環境の温度範囲を広げるために、液晶組成物は、極力広い温度範囲でネマチック相を示すこと（ネマチック相の上限温度を極力高くし、かつ、ネマチック相の下限温度を極力低くすること）。
（２）  液晶表示素子の応答速度を速くするために、液晶組成物の粘度を極力小さくすること。
（３）  液晶表示素子のコントラストを高くするために、液晶組成物の屈折率異方性値（Δｎ）は、液晶表示素子のセル厚（ｄ）に応じて適度な値を取り得ること。
（４）  液晶表示素子のコントラストを高くするために、液晶組成物の比抵抗値を高くすること、および液晶組成物を注入したセルの電圧保持率を高くすること。特に、高温領域での電圧保持率を高くすること。高温領域での電圧保持率測定は、液晶組成物の耐久性を見極めるための加速試験に相当する。
（５）  液晶表示素子を駆動させるための電源であるバッテリーを小型化するために、液晶組成物のしきい値電圧を小さくすること。
【０００３】
このような背景に伴って、特開平８−７３８５７号には、高い電圧保持率を有し、しきい値電圧がを低く、かつ、屈折率異方性が適度に大きい液晶組成物が開示されている。また、特開平９−３１４６０には、ＡＭ−ＬＣＤ用液晶組成物に求められる種々の特性を満たしながら、特に、しきい値電圧の小さい、かつ低温相溶性に優れ、ネマチック相温度範囲の広い液晶組成物が開示されている。さらに、ＷＯ９６／１１８９７には、ＡＭ方式およびＳＴＮ方式をはじめ種々のモードにおける低電圧駆動用液晶化合物として、大きな誘電率異方性を有すると共に著しく低粘性である新規な液晶化合物およびこれを含有する液晶組成物が開示されている。
液晶組成物のしきい値電圧を小さくするためには、誘電率異方性の大きな液晶化合物を使用する必要がある。一般に、誘電率異方性の大きな液晶化合物を使用して、液晶組成物を作成すると、液晶組成物の粘度が大きくなる。Ｅ．Ｊａｋｅｍａｎ等（Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．，  Ａ，  ３９（１９７２）６９によって提唱されているように、応答速度がセルギャップの二乗に比例する。従って、しきい値電圧を低くした液晶組成物を使用した液晶表示素子は、応答速度が遅くる。
応答速度を速くするためには、液晶表示素子のセルのセル厚（ｄ）を薄くすれば良い。しかしながら、上記（３）の項目で示したように、ＴＮモードのファースト・ミニマム条件で高コントラストを得るためには、セル厚（ｄ）と液晶組成物の屈折率異方性の積（Δｎ・ｄ）で表される値を約０．５と一定の値に設定する必要があり、セル厚を薄くすると、必然的に、液晶組成物の屈折率異方性を大きくしなければならない。
【０００４】
特開平８−７３８５７号に開示された組成物は、本願の比較例で示すように、しきい値電圧が低く、屈折率異方性が適度に大きいものの、ネマチック相の上限温度が低すぎ、高温領域における電圧保持率が低いという欠点があるものであったり、あるいは、屈折率異方性が適度に大きく、ネマチック相の上限温度が高いもののしきい値電圧が高すぎ、高温領域での電圧保持率が低いという欠点があるものであった。
特開平９−３１４６０号に開示された組成物は、本願の比較例で示すように、屈折率異方性が小さかったり、しきい値電圧が高かったり、ネマチック相の上限温度が低いという欠点を有している。ＷＯ９６／１１８９７に開示されたＡＭ−ＬＣＤ用の液晶組成物（化合物の末端にシアノ基を有している化合物を含有しない組成物、シアノ基を有する化合物は電圧保持率が低いためＡＭ−ＬＣＤ用の液晶組成物として使用することはできない）は、本願の比較例で示すように、しきい値電圧が十分に低くなっていなかったり、屈折率異方性が小さいという欠点を有している。
このように、液晶組成物は鋭意検討されているが、ＡＭ−ＬＣＤ用の液晶組成物は、上記（１）〜（４）の特性を維持しながら、高温領域での電圧保持率を高く維持し、しきい値電圧が十分に低く、屈折率異方性が大きい、という条件を満足するものはまだ知られていない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、ＡＭ−ＬＣＤに求められる一般的な特性を満たしながら、特に、高温領域において電圧保持率が高く、しきい値電圧が十分に低く、屈折率異方性の大きな液晶組成物を提供することにある。
本発明者らは、これらの課題を解決すべく、種々の液晶化合物を用いた組成物を鋭意検討した結果、ＡＭ−ＬＣＤに好適に使用できる液晶組成物を発見し、本発明の目的を達成できることを見いだした。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
以下に本発明を詳細に説明する。
まず、本発明の液晶組成物を構成する化合物の好ましい形態について説明する。（１）  本発明の第１は、第１成分として、一般式（１−１）および（１−２）で表される化合物群から選ばれる少なくとも１種類の化合物を含有し、第２成分として、一般式（２−１）〜（２−３）で表される化合物群から選ばれる少なくとも１種類の化合物を含有することを特徴とする液晶組成物である。
【０００７】
【化３】
0004206525.tif 000002
【０００８】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は各々独立して、炭素数１〜１０のアルキル基を表し；Ａ１およびＡ２は−Ｃ２Ｈ４−を表し、Ａ３、Ａ４、Ａ５およびＡ６は各々独立して、−Ｃ２Ｈ４−または単結合を表し、但し、Ａ３とＡ４のいずれかの一方は必ず単結合であり；Ｘ１およびＸ３は各々独立して、Ｆ、−ＯＣＦ３、または−ＯＣＦ２Ｈを表し；Ｘ２およびＸ４は各々独立して、ＨまたはＦを表す。）
（２）  本発明の第２は、第１成分を液晶組成物の全重量に対して、２０〜７０重量％含有し、第２成分を液晶組成物の全重量に対して、３０〜８０重量％含有することを特徴とする上記第（１）項に記載の液晶組成物である。
（３）  本発明の第３は、第１成分として、上記（１）項に記載の一般式（１−１）および（１−２）で表される化合物群から選ばれる少なくとも１種類の化合物を液晶組成物の全重量に対して、２０〜７０重量％含有し、第２成分として、上記（１）項に記載の一般式（２−１）〜（２−３）で表される化合物群から選ばれる少なくとも１種類の化合物を液晶組成物の全重量に対して、３０〜８０重量％含有し、第３成分として、一般式（３）で表される化合物の少なくとも１種類を液晶組成物の全重量に対して、２０％以下含有することを特徴とする液晶組成物である。
【０００９】
【化４】
0004206525.tif 000003
【００１０】
（式中、Ｒ６およびＲ７は各々独立して、炭素数１〜１０のアルキル基を表する。）
（４）  本発明の第４は、上記（１）〜（３）項いずれか１項に記載した液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子である。
次に、本発明の液晶組成物を構成する化合物の好ましい形態について説明する。
本発明の液晶組成物に用いられる一般式（１−１）で表される化合物として、下記の一般式（１−１−７）〜（１−１−１２）で表される化合物を例示できる。
【００１１】
【化５】
0004206525.tif 000004
【００１２】
（式中、Ｒは炭素数１〜１０のアルキル基を表す。）
本発明の液晶組成物に用いられる一般式（１−２）で表される化合物として、下記の一般式（１−２−７）〜（１−２−１２）で表される化合物を例示できる。
【００１３】
【化６】
0004206525.tif 000005
【００１４】
（式中、Ｒは炭素数１〜１０のアルキル基を表す。）
本発明の液晶組成物で用いられる一般式（２−１）で表される化合物として、下記の一般式（２−１−１）〜（２−１−３）で表される化合物を例示できる。
【００１５】
【化７】
0004206525.tif 000006
【００１６】
（式中、Ｒは炭素数１〜１０のアルキル基を表す。）
本発明の液晶組成物で用いられる一般式（２−２）で表される化合物として、下記の一般式（２−２−１）および（２−２−２）で表される化合物を例示できる。
【００１７】
【化８】
0004206525.tif 000007
【００１８】
（式中、Ｒは炭素数１〜１０のアルキル基を表す。）
本発明の液晶組成物に用いられる一般式（２−３）で表される化合物として、下きの一般式（２−３−１）および（２−３−２）で表される化合物を例示できる。
【００１９】
【化９】
0004206525.tif 000008
【００２０】
（式中、Ｒは炭素数１〜１０のアルキル基を表す。）
本発明の液晶組成物で用いられる一般式（３）で表される化合物として、下記の一般式（３−１）で表される化合物を例示できる。
【００２１】
【化１０】
0004206525.tif 000009
【００２２】
（式中、ＲおよびＲ’は各々独立して、炭素数１〜１０のアルキル基を表す。）
次に、本発明の液晶組成物を構成する化合物の使用目的について説明する。
一般式（１−１）で表される化合物は、誘電率異方性がかなり大きく、粘度が比較的小さく、屈折率異方性が比較的大きく、比抵抗値が高いという特徴を有している。このため、一般式（１−１）で表される化合物は、液晶組成物の高温領域における電圧保持率を高く維持しながら、粘度を比較的小さく保ち、屈折率異方性を比較的大きくし、しきい値電圧をかなり低くするという目的で使用する。
一般式（１−２）で表される化合物は、誘電率異方性がかなり大きく、粘度が比較的小さく、屈折率異方性が比較的大きく、比抵抗値が高く、さらに、一般式（１−１）で表される化合物よりもネマチック相の上限温度が高いという特徴を有している。このため、一般式（１−２）で表される化合物は、液晶組成物の高温領域での電圧保持率を高く維持しながら、粘度を比較的小さく保ち、しきい値電圧をかなり低くし、屈折率異方性を比較的大きくしながら、ネマチック相の上限温度を高くするという目的で使用する。
【００２３】
一般式（２−１）で表される化合物は、一般式（１−１）および（１−２）で表される化合物より小さな正の誘電率異方性値を有し、また、一般式（１−１）および（１−２）で表される化合物よりも粘度が小さく、比抵抗値が高いという特徴を有し、さらに、一般式（１−１）および（１−２）で表される化合物より屈折率異方性が小さいという特徴も有している。このため、一般式（２−１）で表される化合物は、液晶組成物の高温領域における電圧保持率を高く維持しながら、粘度を小さくし、しきい値電圧を調整し、屈折率異方性を調整するという目的で使用する。
一般式（２−２）で表される化合物は、一般式（１−１）および（１−２）で表される化合物より小さな正の誘電率異方性値を有し、また、一般式（１−１）または（１−２）で表される化合物よりも粘度が小さく、比抵抗値が高いという特徴を有し、さらに、一般式（１−１）および（１−２）で表される化合物とほぼ同等の屈折率異方性値を示するという特徴を有している。このため、一般式（２−２）で表される化合物は、液晶組成物の高温領域における電圧保持率を高く維持しながら、粘度を小さくし、しきい値電圧を調整し、屈折率異方性をさらに大きくするという目的で使用する。
一般式（２−３）で表される化合物は、一般式（１−１）および（１−２）で表される化合物より小さな正の誘電率異方性値を有し、比抵抗値が高いという特徴を有し、また、一般式（２−２）で表される化合物よりもネマチック相の上限温度が高いという特徴を有している。このため、一般式（２−３）で表される化合物は、液晶組成物の高温領域での電圧保持率を高く維持しながら、ネマチック相の上限温度を高くし、しきい値電圧を調整するという目的で使用する。
一般式（３）で表される化合物は、誘電率異方性がほぼゼロであり、比抵抗値が高く、屈折率異方性がかなり大きく、ネマチック相の上限温度がかなり高いという特徴を有している。このため、一般式（３）で表される化合物は、液晶組成物の高温領域での電圧保持率を高く維持しながら、ネマチック相の上限温度を高くし、しきい値電圧を調整し、屈折率異方性を大きくする目的で使用する。
【００２４】
次に、本発明の液晶組成物を構成する化合物の好ましい成分比並びにその理由を説明する。
一般式（１−１）または（１−２）で表される化合物は、液晶組成物中へ多量に含有させると、液晶組成物のネマチック相下限温度を高くしてしまうことがある。このため、一般式（１−１）または（１−２）で表される化合物の液晶組成物に占める割合は、液晶組成物の全重量に対して７０重量％以下とすることが望ましい。また、液晶組成物の高温領域での電圧保持率を高く維持しながら、しきい値電圧を小さくするためには、一般式（１−１）または（１−２）で表される化合物の液晶組成物に占める割合は、液晶組成物の全重量に対して２０重量％以上とすることが望ましい。
一般式（２−１）〜（２−３）で表される化合物は、液晶組成物中へ多量に含有させると、液晶組成物のネマチック相下限温度を高くしてしまうことがある。このため、一般式（２−１）〜（２−３）で表される化合物の液晶組成物に占める割合は、液晶組成物の全重量に対して８０重量％以下とすることが望ましい。また、液晶組成物の高温領域での電圧保持率を高くし、しきい値電圧を低く維持しながら、粘度を小さくするまたはネマチック相の上限温度を高くするためには、一般式（２−１）〜（２−３）で表される化合物の液晶組成物に占める割合は、液晶組成物の全重量に対して３０重量％以上とすることが望ましい。
一般式（３）で表される化合物は、液晶組成物中へ多量に含有させると、液晶組成物のネマチック相下限温度を高くし、かつ、しきい値電圧を高くてしまうことがある。このため、一般式（３）で表される化合物の液晶組成物に占める割合は、液晶組成物の全重量に対して２０重量％以下とすることが望ましい。
【００２５】
一般式（１−１）および（１−２）で表される化合物の中で、一般式（１−１−４）および（１−２−４）で表される化合物は、特願平９−７２７０８号に合成法が記載されている。一般式（２−１）、（２−２）、および（２−３）で表される化合物の中で、一般式（２−１−１）、（２−２−１）、および（２−３−２）で表される化合物は、特開平２−２３３６２６号に合成法が記載されている。一般式（３）で表される化合物の中で、一般式（３−１）で表される化合物は、特開平２−２３７９４９号に合成法が記載されている。このように、本願発明の組成物を構成する各々の化合物は、先行技術によって、合成し得るものである。
本発明の液晶組成物には、本発明の目的を害さない範囲で、前記の一般式で表される化合物以外の液晶化合物を混合して使用することもできる。本発明の液晶組成物には、液晶分子のらせん構造を誘起して必要なねじれ角を調整するためにコレステリックノナノエート等のキラルドープ材を添加して使用してもよい。また、本発明の液晶組成物は、メロシアニン系、スチリル系、アゾ系、アゾメチン系、アゾキシ系、キノフタロン系、アントラキノン系およびテトラジン系等の二色性色素を添加してゲストホストモードの液晶組成物としても使用することができるし、ポリマー分散型液晶表示素子、複屈折制御モードおよび動的散乱モードの液晶組成物としても使用することができる。イン・プレイン・スイッチング方式の液晶組成物としても使用することができる。
本発明に従い使用される液晶組成物は、それ自体慣用な方法で調整される。一般には、種々の化合物を混合し、高い温度で互いに溶解させる方法をとる。
【００２６】
【実施例】
以下に、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるもではない。比較例および実施例に示した組成比は全て重量％で表した。比較例および実施例で用いる化合物は、表１に示した定義に基づき、記号で表した。
液晶組成物の特性は、ネマチック液晶相の上限温度をＴNI、ネマチック液晶相の下限温度をＴC、粘度をη、屈折率異方性をΔｎ、しきい値電圧をＶｔｈ、２５℃における電圧保持率をＶＨＲ（２５）、１００℃における電圧保持率をＶＨＲ（１００）、１２０℃における電圧保持率をＶＨＲ（１２０）、応答速度をτで表した。
ＴNIは、偏光顕微鏡を用い、昇温過程において、ネマチック相から等方相液体に変化するときの温度を測定することにより求めた。ＴCは、１０℃、０℃、−１０℃、−２０℃、−３０℃、−４０℃の各々のフリーザー中に、液晶組成物を３０日間放置し、発現する液晶相で判断した（例えば、一つの液晶組成物について、−２０℃でネマチック状態をとなり、−３０℃で結晶化またはスメクチック状態となった場合には、その液晶組成物のＴCは、＜−２０℃と表現した）。ηは、２０℃で測定した。Δｎは、５８９ｎｍの波長を有する光源ランプを使用し、２５℃で測定した。Ｖｔｈは、２５℃で測定した。なお、Ｖｔｈは、セルギャップが（０．４／Δｎ）μｍ、ツイスト角が８０°のセルを用い、ノーマリーホワイトモードで、周波数が３２Ｈｚの矩形波を印加し、セルを通過する光の透過率が９０％になったときに印加されている電圧の値とした。電圧保持率は、面積法にて求めた。τは、液晶組成物にコレステリックノナノエートをねじれのピッチが８０μｍになるように添加し、調整したものをセルギャップが（０．４／Δｎ）μｍ、ツイスト角が９０°のセルに入れ、これを周波数が３２Ｈｚの矩形波を印加し、液晶が立ち上がるときの応答速度（τｏｎ）と液晶が立ち下がるときの応答速度（τｏｆｆ）が等しくなるときの印加電圧において測定した。なお、このときの測定温度は２５℃であり、τはτｏｎとτｏｆｆの和の値と定義した。
【００２７】
【表１】
0004206525.tif 000010
【００２８】
比較例１
特開平８−７３８５７号に開示された組成物の中でＴNIが最も高い組成物（同号：実施例６）を調製した。
２−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                ５％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                ５％
５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                ５％
３−ＢＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                ５％
２−ＨＨＢ−ＣＬ                          ５％
４−ＨＨＢ−ＣＬ                        １０％
５−ＨＨＢ−ＣＬ                          ５％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ              １０％
５−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ              １０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                １０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                １０％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                ５％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                ５％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ              ５％
４−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ              ５％
上記の組成物の特性は、以下のようであった。
ＴNI            ＝  １１３．６℃
ＴC             ＜  ０℃
η              ＝  ３８．３ｍＰａ・ｓ
Δｎ            ＝  ０．１３３
Ｖｔｈ          ＝  １．６４Ｖ
ＶＨＲ（２５）  ＝  ９８．３％
ＶＨＲ（１２０）＝  ９０．１％
τ              ＝  ４０ｍｓ
この組成物は、ＴNIが高く、Δｎが大きく、応答速度が比較的速いものの、Ｖｔｈが高く、高温でのＶＨＲが低く、ＴCが高いという欠点を有している。
【００２９】
比較例２
特開平８−７３８５７号に開示された組成物の中でＶｔｈが最も低い組成物（同号：実施例２）を調製した。
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                ５％
２−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                ５％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                ５％
５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                ５％
３−ＢＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                ５％
４−ＢＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                ５％
５−ＢＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                ５％
４−ＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                １０％
４−ＨＢ−ＣＬ                          １０％
７−ＨＢ（Ｆ）−Ｆ                        ３％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    ９％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                １０％
５−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                １０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ              １３％
上記の組成物の特性は、以下のようであった。
ＴNI            ＝  ４６．１℃
ＴC             ＜  −１０℃
η              ＝  ３６．３ｍＰａ・ｓ
Δｎ            ＝  ０．０９６
Ｖｔｈ          ＝  ０．９１Ｖ
ＶＨＲ（２５）  ＝  ９８．３％
ＶＨＲ（１００）＝  ９２．３％
τ              ＝  ６０ｍｓ
この組成物は、Ｖｔｈが低いもののＴNIが低く、高温でのＶＨＲが低く、Δｎが小さく、応答速度が遅いという欠点を有している。
【００３０】
比較例３
特開平９−３１４６０号に開示された組成物の中でＴNIが最も高い組成物（同号：実施例５）を調製した。
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  １０％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    ５％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                １０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  ９％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                １１％
５−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  ７％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    ８％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    ８％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  ４％
５−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  ４％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  ３％
４−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  ３％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  ４％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  ４％
上記の組成物の特性は、以下のようであった。
ＴNI            ＝  ８３．７℃
ＴC             ＜  −３０℃
η              ＝  ２８．５ｍＰａ・ｓ
Δｎ            ＝  ０．０９０
Ｖｔｈ          ＝  １．２１Ｖ
ＶＨＲ（２５）  ＝  ９８．３％
ＶＨＲ（１００）＝  ９１．８％
τ              ＝  ５９ｍｓ
この組成物は、ＴNIは比較的度高いもののＶｔｈが高く、Δｎが小さく、応答速度が遅いという欠点を有している。
【００３１】
比較例４
特開平９−３１４６０号に開示された組成物の中でＶｔｈが最も低い組成物（同号：実施例７）を調製した。
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  ７％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                ３％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                ７％
５−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                ２１％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                ２１％
２−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                ３％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                ５％
５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                ３％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ              １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                ３％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                ５％
上記の組成物の特性は、以下のようであった。
ＴNI            ＝  ６１．４℃
ＴC             ＜  −３０℃
η              ＝  ３０．７ｍＰａ・ｓ
Δｎ            ＝  ０．０９４
Ｖｔｈ          ＝  １．０５Ｖ
ＶＨＲ（２５）  ＝  ９８．３％
ＶＨＲ（１００）＝  ９２．５％
τ              ＝  ５１ｍｓ
この組成物は、Ｖｔｈが低いものの、ＴNIが低く、Δｎが小さく、高温におけるＶＨＲが低いという欠点を有している。
【００３２】
比較例５
特開平９−３１４６０号に開示された組成物の中で最もΔｎが大きい組成物（同号：実施例１２）を調製した。
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    ９％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                １０％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                ７％
５−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                １８％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                １８％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                ５％
５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                ３％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                ８％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                ５％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                ４％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                ４％
５−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ              ４％
上記の組成物の特性は、以下のようであった。
ＴNI            ＝  ７８．３℃
ＴC             ＜  −３０℃
η              ＝  ３０．２ｍＰａ・ｓ
Δｎ            ＝  ０．１０３
Ｖｔｈ          ＝  １．２１Ｖ
ＶＨＲ（２５）  ＝  ９８．４％
ＶＨＲ（１００）＝  ９１．５％
τ              ＝  ４９ｍｓ
この組成物は、Δｎが比較的小さく、しきい値電圧が高く、高温におけるＶＨＲが低いという欠点を有している。
【００３３】
比較例６
ＷＯ９６／１１８９７号に開示された組成物の中で最もＶｔｈが低い組成物（同号：実施例３６）を調製した。
３−ＨＢＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ          ５％
５−ＨＢＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ        １０％
５−ＨＢＣＦ２ＯＢ−ＣＦ３                ５％
５−ＨＢＣＦ２ＯＢ（Ｆ）−Ｆ              ５％
３−ＨＢＣＦ２ＯＢ−ＯＣＦ３              ５％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    ８％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  ６％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  ３％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ              １０％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                ６％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                ６％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ              １０％
５−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  ５％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  ５％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                ３％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ              ３％
上記の組成物の特性は、以下のようであった。
ＴNI            ＝  ６１．８℃
ＴC             ＜  −２０℃
η              ＝  ２３．６ｍＰａ・ｓ
Δｎ            ＝  ０．０８３
Ｖｔｈ          ＝  １．５０Ｖ
ＶＨＲ（２５）  ＝  ９８．７％
ＶＨＲ（１００）＝  ９５．６％
τ              ＝  ４０ｍｓ
この組成物は、粘性は低いものの、Δｎが小さく、しきい値電圧が高く、ＴNIが低いという欠点を有している。
【００３４】
比較例７
ＷＯ９６／１１８９７号に開示された組成物中で最もΔｎが大きい組成物（同号：実施例３７）を調製した。
３−ＨＢＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ          ５％
３−ＨＢＣＦ２ＯＢ−ＯＣＦ３              ５％
３−ＨＢ−ＣＬ                            ４％
５−ＨＢ−ＣＬ                            ４％
７−ＨＢ−ＣＬ                            ５％
２−ＨＨＢ−ＣＬ                          ６％
３−ＨＨＢ−ＣＬ                          ７％
５−ＨＨＢ−ＣＬ                          ６％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ                      ６％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ                      ６％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ                    １２％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                １３％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                １３％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−ＣＬ                  ３％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２                    ３％
３−ＨＢ（Ｆ）ＶＢ−２                    ２％
上記の組成物の特性は、以下のようであった。
ＴNI            ＝  ８９．３℃
ＴC             ＜  −２０℃
η              ＝  ２１．９ｍＰａ・ｓ
Δｎ            ＝  ０．１２８
Ｖｔｈ          ＝  ２．０８Ｖ
ＶＨＲ（２５）  ＝  ９８．４％
ＶＨＲ（１００）＝  ９３．５％
τ              ＝  ３０ｍｓ
この組成物は、粘性が低くΔｎが大きいものの、しきい値電圧が高く、高温におけるＶＨＲが若干低いという欠点を有している。
【００３５】
実施例１（参考例）
下記の液晶組成物を調製した。
第一成分、
２−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ      １５％
３−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ      １５％
４−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ      １５％
２−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ      ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ      ５％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ      ５％
５−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ      ５％
第二成分、
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                        １０％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                        ５％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                        ５％
４−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                        ５％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                        ５％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                      ５％
上記の組成物の特性は、以下のようであった。
ＴNI            ＝  ８４．２℃
ＴC             ＜  −２０℃
η              ＝  ４４．０ｍＰａ・ｓ
Δｎ            ＝  ０．１０６
Ｖｔｈ          ＝  １．０４Ｖ
ＶＨＲ（２５）  ＝  ９８．７％
ＶＨＲ（１００）＝  ９５．１％
τ              ＝  ５７ｍｓ
この組成物は、高温におけるＶＨＲが高く、Ｖｔｈが小さく、Δｎが大きく、τも速い。
【００３６】
実施例２（参考例）
下記の液晶組成物を調製した。
第一成分、
３−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ        ６％
５−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ        ５％
２−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ      ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ      ５％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ      ５％
５−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ      ５％
第二成分、
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                          ５％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                        ５％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                        ５％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                        ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                        １９％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                        １９％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                        ４％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                        ４％
４−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                        ３％
上記の組成物の特性は、以下のようであった。
ＴNI            ＝  ８０．６℃
ＴC             ＜  −３０℃
η              ＝  ３９．０ｍＰａ・ｓ
Δｎ            ＝  ０．１１０
Ｖｔｈ          ＝  １．２０Ｖ
ＶＨＲ（２５）  ＝  ９８．７％
ＶＨＲ（１００）＝  ９５．８％
τ              ＝  ４０ｍｓ
この組成物は、高温におけるＶＨＲが高く、Ｖｔｈが小さく、Δｎが大きく、τも速い。
【００３７】
実施例３
下記の液晶組成物を調製した。
第一成分、
２−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ          ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ          ５％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ          ５％
５−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ          ５％
２−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ        ４％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ        ４％
第二成分、
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                            ２７％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                            ２７％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                            ５％
５−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                            ５％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                            ４％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                            ４％
上の記組成物の特性は、以下のようであった。
ＴNI            ＝  ７７．１℃
ＴC             ＜  −２０℃
η              ＝  ４４．０ｍＰａ・ｓ
Δｎ            ＝  ０．１２３
Ｖｔｈ          ＝  １．１９Ｖ
ＶＨＲ（２５）  ＝  ９８．７％
ＶＨＲ（１００）＝  ９６．２％
τ              ＝  ４５ｍｓ
この組成物は、高温におけるＶＨＲが高く、Ｖｔｈが小さく、Δｎが大きく、τも速い。
【００３８】
実施例４（参考例）
下記の液晶組成物を調製した。
第一成分、
３−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３          ４％
４−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３          ４％
５−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３          ３％
２−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ          ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ          ５％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ          ５％
５−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ          ５％
第二成分、
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                            ５％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                            ５％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                            ５％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                            ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                            １９％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                            １９％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                            ４％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                            ４％
４−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                            ３％
上記の組成物の特性は、以下のようであった。
ＴNI            ＝  ８４．０℃
ＴC             ＜  −３０℃
η              ＝  ３８．０ｍＰａ・ｓ
Δｎ            ＝  ０．１１２
Ｖｔｈ          ＝  １．２３Ｖ
ＶＨＲ（２５）  ＝  ９８．７％
ＶＨＲ（１００）＝  ９６．０％
τ              ＝  ３８ｍｓ
この組成物は、高温におけるＶＨＲが高く、Ｖｔｈが小さく、Δｎが大きく、τも速い。
【００３９】
実施例５（参考例）
下記の液晶組成物を調製した。
第一成分、
２−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ）−Ｆ              ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ）−Ｆ              ５％
２−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３        ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３        ５％
２−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ          ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ          ４％
第二成分、
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                            ２７％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                            ２７％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                            ５％
５−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                            ５％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                            ４％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                            ４％
上記の組成物の特性は、以下のようであった。
ＴNI            ＝  ７９．３℃
ＴC             ＜  −２０℃
η              ＝  ４２．０ｍＰａ・ｓ
Δｎ            ＝  ０．１２５
Ｖｔｈ          ＝  １．２０Ｖ
ＶＨＲ（２５）  ＝  ９８．７％
ＶＨＲ（１００）＝  ９５．５％
τ              ＝  ４２ｍｓ
この組成物は、高温におけるＶＨＲが高く、Ｖｔｈが小さく、Δｎが大きく、τも速い。
【００４０】
実施例６
下記の液晶組成物を調製した。
第一成分、
３−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ）−Ｆ                ３％
３−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ        ２％
３−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３      ２％
３−Ｈ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ          ２％
３−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ    ２％
２−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ          ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ          ５％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ          ５％
５−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ          ５％
第二成分、
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                            ５％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                            ５％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                            ５％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                            ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                            １９％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                            １９％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                            ４％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                            ４％
４−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                            ３％
上記の組成物の特性は、以下のようであった。
ＴNI            ＝  ８５．３℃
ＴC             ＜  −２０℃
η              ＝  ３８．５ｍＰａ・ｓ
Δｎ            ＝  ０．１２０
Ｖｔｈ          ＝  １．２１Ｖ
ＶＨＲ（２５）  ＝  ９８．５％
ＶＨＲ（１００）＝  ９５．９％
τ              ＝  ３６ｍｓ
この組成物は、高温におけるＶＨＲが高く、Ｖｔｈが小さく、Δｎが大きく、τも速い。
【００４１】
実施例７
下記の液晶組成物を調製した。
第一成分、
２−Ｈ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ）−Ｆ                  ２％
３−Ｈ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３            ２％
２−Ｈ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３        ２％
２−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ              １０％
３−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ              １４％
４−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ              １５％
２−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ          ２％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）ＯＣＦ３          ２％
２−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ              ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ              ４％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ              ４％
５−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ              ４％
第二成分、
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                １０％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                ５％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                ５％
４−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                ５％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                ５％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                              ５％
上記の組成物の特性は、以下のようであった。
ＴNI            ＝  ８５．０℃
ＴC             ＜  −２０℃
η              ＝  ４１．０ｍＰａ・ｓ
Δｎ            ＝  ０．１１０
Ｖｔｈ          ＝  １．１２Ｖ
ＶＨＲ（２５）  ＝  ９８．７％
ＶＨＲ（１００）＝  ９５．３％
τ              ＝  ５２ｍｓ
この組成物は、高温におけるＶＨＲが高く、Ｖｔｈが小さく、Δｎが大きく、τも速い。
【００４２】
実施例８（参考例）
下記の液晶組成物を調製した。
第一成分、
２−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ              １５％
３−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ              １５％
４−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ              １５％
２−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ              ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ              ５％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ              ５％
５−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ              ５％
第二成分、
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                １０％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                ５％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                ５％
４−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                ５％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                ５％
第三成分、
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２                                    ５％
上記の組成物の特性は、以下のようであった。
ＴNI            ＝  ８４．２℃
ＴC             ＜  −２０℃
η              ＝  ４３．６ｍＰａ・ｓ
Δｎ            ＝  ０．１１１
Ｖｔｈ          ＝  １．１２Ｖ
ＶＨＲ（２５）  ＝  ９８．７％
ＶＨＲ（１００）＝  ９６．１％
τ              ＝  ４９ｍｓ
この組成物は、高温におけるＶＨＲが高く、Ｖｔｈが小さく、Δｎが大きく、τも速い。
【００４３】
実施例９（参考例）
下記の液晶組成物を調製した。
第一成分、
３−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                ６％
５−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                ５％
２−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ              ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ              ５％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ              ５％
５−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＣＦ２ＯＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ              ５％
第二成分、
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                  ５％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                ５％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                ５％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                ５％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                １９％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                                １９％
第三成分、
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２                                    ６％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３                                    ５％
上の記組成物の特性は、以下のようであった。
ＴNI            ＝  ８０．６℃
ＴC             ＜  −２０℃
η              ＝  ３６．８ｍＰａ・ｓ
Δｎ            ＝  ０．１２１
Ｖｔｈ          ＝  １．２６Ｖ
ＶＨＲ（２５）  ＝  ９８．７％
ＶＨＲ（１００）＝  ９５．６％
τ              ＝  ３９ｍｓ
この組成物は、高温におけるＶＨＲが高く、Ｖｔｈが小さく、Δｎが大きく、τも速い。
【００４４】
【発明の効果】
実施例で示したように、本発明によって、ＡＭ−ＬＣＤに求められる一般的な特性を満たしながら、特に、高温領域において電圧保持率が高く、しきい値電圧が十分に低く、屈折率異方性が大きな液晶組成物を提供することができる。