(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電領域間を電気的に分離し、Ｓｉ、Ｏ、Ｆを含み、ＳｉＯ2 の網目構造を有する絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により形成する際に、
前記Ｓｉに結合した元素がＦと置換するのに必要な活性化エネルギーが、前記ＳｉにＦが結合している場合のほうが、前記ＳｉにＦが結合していない場合よりも大きくなる原料ガスとして、ＳｉＦ（ＯＣＨ2 ＣＦ3 ）3 、ＳｉＦ（ＯＣＨ2 Ｃ（ＯＲ）3 ）3 （Ｒは官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ2 ＣＦ2 Ｒ）3 （Ｒは官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ2 Ｃ（ＯＲ）2 Ｒ′）3 （Ｒ，Ｒ′は官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ2 Ｃ（ＮＲ2 ）3 ）3 （Ｒは官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ2 Ｃ（ＮＲ2 ）2 Ｒ′）3 （Ｒ，Ｒ′は官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ2 ＣＲＯ）3 （Ｒは官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ2 ＣＮ）3 、ＳｉＦ（ＯＣＨ2 ＮＯ2 ）3 、ＳｉＦ（ＯＣＨ2 ＣＯＯＲ）3 （Ｒは官能基）またはＳｉＦn （ＯＣＨ2 ＣＦ2 Ｒ）4-n （ｎ＝１〜３、Ｒは官能基）のガスを用い、かつ、前記二つの活性化エネルギー差をΔＥa ［ｋｃａｌ／ｍｏｌ］（＞０）、成膜温度をＴ［Ｋ］、ボルツマン定数をｋB とした場合に、ΔＥa ／（ｋB ・Ｔ）≧１．５×１０-3の条件を満たす条件で、前記絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線間の導電領域間を電気的に分離するための絶縁膜、特にＦ（フッ素）を含有する絶縁膜を有する半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、素子の配線間を電気的に分離するための絶縁膜（層間絶縁膜）としては、熱酸化ＳｉＯ2 膜、またはシランやテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）などのガスを原料ガスとして用いた減圧または常圧でのＣＶＤ法により形成されたＳｉＯ2 膜が主に使用されている。
【０００３】
特にアルミニウム（Ａｌ）配線間の絶縁には、原料ガスとしてＴＥＯＳとＯ2 とＯ3 との混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ法によるＳｉＯ2 膜が４００℃程度の低温で形成できることから使用されている。
【０００４】
ところで、近年、半導体素子の高集積化、高速化に伴い信号伝達の遅延の問題が顕著化している。その原因は、素子の微細化に伴い配線間隔が狭くなり配線間容量（Ｃ）が増大すること、および配線断面積の縮小による配線抵抗（Ｒ）の増大の相乗により信号伝達の時定数が増大する（ＲＣ遅延）ことによる。
【０００５】
ＲＣ遅延は、半導体装置の高速動作を妨げ、特にロジックデバイスや高速ＳＲＡＭの性能向上を妨げる主要因となる。その対策としては、Ａｌより比抵抗の低いＣｕ、Ａｇを配線材料として用いて配線抵抗を低減すること、および配線間に介在する絶縁膜の比誘電率を低下させ配線間容量を低減することの２点が重要である。
【０００６】
従来のプラズマＣＶＤ法により形成されるＳｉＯ2 膜の比誘電率は４．０〜５．０であり、熱酸化ＳｉＯ2 膜のそれ（３．９）に対しても大きな値を示すことが分かっている。そこで、比誘電率の低減化について、ＳｉＯ2 膜中にＦを導入することが検討されており、また、Ｆの導入により実際に比誘電率が低減されることが報告されている。
【０００７】
Ｆの導入法としては、Ｆイオン注入法や、ＳｉＦ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 とＨ2 Ｏとを用いたＣＶＤ法や、Ｈ2 ＳｉＦ6 の過飽和水溶液に硼酸水溶液を添加し液相でＳｉＯ2 を析出させる方法や、ＦＥＯＳとＯ2 とＦとを含有するガス（ＣＦ4 、ＮＦ3 等）を用いたプラズマＣＶＤ法等が知られている。
【０００８】
ＳｉＯ2 膜中のＦの状態については、赤外吸収スペクトル測定によりＳｉ−Ｆ結合の形成が確認されている。また、Ｆ2 分子またはＦＯx 分子（ｘ＝２，３）として取り込まれているものも存在するといわれている。
【０００９】
また、Ｆの導入に伴ってＳｉＯ2 膜の密度が減少することも見出され、この密度の減少と、Ｓｉ−Ｆ結合の生成による電子分極率およびイオン分極率の減少との相乗効果により、ＳｉＯ2 膜の比誘電率は低減される。
【００１０】
しかしながら、この種のＦが添加されたＳｉＯ2 膜（Ｆ添加ＳｉＯ2 膜）には以下のような問題があった。
【００１１】
すなわち、Ｆ添加ＳｉＯ2 膜は大気放置等によって吸湿し、この吸湿により、新たなＳｉ−ＯＨの生成とＦの脱離とが起こり、これにより、比誘電率が再上昇し、高速動作が達成されないという問題があった。しかも、Ｆ添加ＳｉＯ2 膜の吸湿性はＦ濃度増加に伴って高くなる。
【００１２】
また、脱離したＦはＦ添加ＳｉＯ2 膜の上層および下層に配置された配線にまで拡散し、これにより、配線の腐食や密着性劣化が発生し、信頼性が低下するという問題があった。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
上述の如く、低比誘電率の絶縁膜として、Ｆ添加ＳｉＯ2 膜が提案されていたが、吸湿性が原因でＦの脱離が起こり、これにより、比誘電率化が再上昇したり、配線が腐食するなどの問題があった。
【００１４】
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、吸湿性による配線の腐食や密着性劣化を防止でき、Ｓｉ、Ｏ、Ｆを含み、ＳｉＯ2 の網目構造を有する絶縁膜の形成工程を含む半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
［概要］
本発明の骨子は、ＳｉＯ2 膜中のＦが結合したＳｉを中心とした周辺のＳｉＯ2 網目構造（局所ＳｉＯ2 網目構造）に着目し、この局所ＳｉＯ2 網目構造においてＳｉに結合するＦの数が２以上にならない成膜条件で、Ｆ添加絶縁膜を形成することにある。
すなわち、上記目的を達成するために、本発明に係る半導体装置の製造方法（請求項１）は、導電領域間を電気的に分離し、Ｓｉ、Ｏ、Ｆを含み、ＳｉＯ2 の網目構造を有する絶縁膜を形成する際に、前記Ｓｉに結合した元素がＦと置換するのに必要な活性化エネルギーが、前記ＳｉにＦが結合している場合のほうが、前記ＳｉにＦが結合していない場合よりも大きくなる原料ガスとして、ＳｉＦ（ＯＣＨ2 ＣＦ3 ）3 、ＳｉＦ（ＯＣＨ2 Ｃ（ＯＲ）3 ）3 （Ｒは官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ2 ＣＦ2 Ｒ）3 （Ｒは官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ2 Ｃ（ＯＲ）2 Ｒ′）3 （Ｒ，Ｒ′は官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ2 Ｃ（ＮＲ2 ）3 ）3 （Ｒは官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ2 Ｃ（ＮＲ2 ）2 Ｒ′）3 （Ｒ，Ｒ′は官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ2 ＣＲＯ）3 （Ｒは官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ2 ＣＮ）3 、ＳｉＦ（ＯＣＨ2 ＮＯ2 ）3 、ＳｉＦ（ＯＣＨ2 ＣＯＯＲ）3 （Ｒは官能基）またはＳｉＦn （ＯＣＨ2 ＣＦ2 Ｒ）4-n （ｎ＝１〜３、Ｒは官能基）のガスを用い、かつ、前記二つの活性化エネルギー差をΔＥa ［ｋｃａｌ／ｍｏｌ］（＞０）、成膜温度をＴ［Ｋ］、ボルツマン定数をｋB とした場合に、ΔＥa ／（ｋB ・Ｔ）≧１．５×１０-3の条件を満たす条件で、前記絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により形成することを特徴とする
【００１６】
また、本発明の他の半導体装置の製造方法（請求項２）は、上記半導体装置の製造方法（請求項１）において、前記二つの活性化エネルギーをΔＥa ［ｋｃａｌ／ｍｏｌ］（＞０）、成膜温度をＴ［Ｋ］、ボルツマン定数をｋB とした場合に、ΔＥa ／（ｋB ・Ｔ）≧１．５×１０-3の条件を満たすことを特徴とする。
【００１９】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法（請求項１〜請求項４）と同様な効果が得られる発明としては以下のものがあげられる。
【００２０】
すなわち、導電領域間を電気的に分離し、Ｓｉ、Ｏ、Ｆを含み、ＳｉＯ2 の網目構造を有する絶縁膜をＣＶＤ法により形成する際に、膜材物質として、前記Ｓｉに結合した元素がＦと置換するのに必要な活性化エネルギーが、前記ＳｉにＦが結合している場合のほうが、前記ＳｉにＦが結合していない場合よりも所定値（＝ΔＥa ［ｋｃａｌ／ｍｏｌ］）だけ大きく、かつ前記Ｓｉに結合した元素がＦと置換するのに必要な活性化エネルギーが、前記ＳｉにＦ置換の起きたＳｉおよびＯが結合している場合のほうが、前記ＳｉにＦ置換の起きていないＳｉおよびＯが結合している場合よりも所定値（＝δＥa ［ｋｃａｌ／ｍｏｌ］）だけ大きい物質を用いたときに、（ΔＥa ＋δＥa ）／（ｋB ・Ｔ）≧１．５×１０-3およびΔＥa ≧δＥa の条件を満たす成膜条件で、前記絶縁膜を形成する。
【００２１】
上記発明において、導電領域間とは、基板表面の拡散層等と配線または電極との間や、配線間や、電極間や、配線と電極との間や、その他、異なる層の導電性部材からなる二つの領域の間をいう。
【００２２】
膜材物質とは、原料ガス、原料ガスより生成された前駆体、原料ガスより生成された反応中間体をいう。
【００２３】
上記発明の望ましい形態は以下の通りである。
【００２５】
（２）本発明を層間絶縁膜に適用した場合、層間絶縁膜として、本発明に係るＦが添加されたＳｉＯ2 膜と、このＳｉＯ2 膜よりも吸湿性の低い絶縁膜（例えばＦを含まない純ＳｉＯ2 膜）との積層膜を使用する。
【００３０】
［作用］
本発明者等の研究によれば、本発明の成膜条件を満たせば、ＳｉＯ2 網目構造を有するＦ添加ＳｉＯ2 膜において、Ｆ濃度を高くしても、吸湿性の劣化原因となる２個以上のＦが結合したＳｉを有するＳｉＯ2 網目構造の発生を効果的に抑制できることが分かった。したがって、本発明によれば、吸湿性による配線の腐食や密着性劣化を招かずに、従来よりも低誘電率のＦ添加ＳｉＯ2 膜を形成できるようになる。
【００３１】
【発明の実施の形態】
（実験・考察）
先ず、本発明の創作のもとになった実験およびその考察等について説明する。本発明者等は、Ｆを含まないＳｉＯ2 をモデル化した３次元メッシュのＳｉＯ2 にＦを順次ランダムに導入した場合に、ＦがＯを置換して形成されるＳｉＦn Ｏ(4-n)/2 （ｎ＝１、２、３、４）の統計分布のＦ濃度依存性をモンテカルロ法をもちいて調べた。
【００３２】
図１、図２に、上記手法により得られたＳｉＦn Ｏ(4-n)/2 （ｎ＝１，２，３，４）の統計分布を示す。
【００３３】
図１は成膜温度Ｔがある一定の条件で、活性化エネルギーＥa を変えた場合の統計分布を示し、図２は逆に活性化エネルギーＥa が一定の条件で、成膜温度Ｔを変えた場合の統計分布を示している。
【００３４】
Ｓｉと該Ｓｉ隣接原子との結合にＦが挿入される際の反応確率Ｐは、Ｆ挿入の活性化エネルギーＥa 、成膜温度Ｔ、Ｓｉに既に結合しているＦの個数ｎで決定されると仮定した。
【００３５】
活性化エネルギーＥa は、Ｓｉに既に結合しているＦの個数ｎ（ｎ≧１）に比例してＦが全く結合していない場合（ｎ＝０）のＥ0 a よりもΔＥa づつ大きくなり、Ｅa ＝Ｅa 0 ＋ｎΔＥa となる。
【００３６】
このとき、反応確率Ｐは、
Ｐ＝α(4-n）／４×exp(−Ｅa ／ｋB Ｔ）
＝α(4-n）／４×exp(−Ｅa 0 ／ｋB Ｔ) ×exp(−ｎΔＥa ／ｋB Ｔ）
α    ：比例係数
Ｅa 0 ：Ｓｉ−（Ｏ）4 のＳｉ−Ｏ結合でのＦ←→Ｏ置換反応の活性化エネルギー［kcal/mol］
ΔＥa ：活性化エネルギーの差［kcal/mol］
ｋB   ：ボルツマン定数＝1.9872×10-3［kcal/mol］
Ｔ    ：成膜温度［Ｋ］
となる。
【００３７】
成膜温度Ｔを４００℃に固定し、ΔＥa を変化させながら、ＳｉＦn Ｏ(4-n)/2 （ｎ＝１、２、３、４）の統計分布のＦ濃度依存性を調べた図１の結果から、ｎ≧２の濃度分布の立ち上がり、つまり、耐吸湿性を劣化させる構造であるＳｉにＦが複数個結合した局所ＳｉＯ2 網目構造の形成が顕著となるクリティカルなＦ濃度は、ΔＥa ＞１．０ｋｃａｌ／ｍｏｌの場合に高濃度側に顕著にシフトし、特にＦ濃度１０ａｔ％以下におけるＳｉにＦが複数個結合した局所ＳｉＯ2 網目構造の形成は、Ｆが１個だけ結合した構造の５％以下に抑制されることがわかる。
【００３８】
活性化エネルギーの差ΔＥa を１．５ｋｃａｌ／ｍｏｌに固定し、成膜温度Ｔを変化させながら、ＳｉＦn Ｏ(4-n)/2 （ｎ＝１、２、３、４）の統計分布のＦ濃度依存性を調べた図２の結果から、ｎ≧２の濃度分布の立ち上がり、つまり、耐吸湿性を劣化させる構造であるＳｉにＦが複数個結合した局所ＳｉＯ2 網目構造の形成が顕著となるクリティカルな濃度、はＴ≦４００℃の場合に高濃度側に顕著にシフトし、特にＦ濃度１０ａｔ％以下におけるＳｉにＦが複数個結合した局所ＳｉＯ2 網目構造の形成は、Ｆが１個だけ結合した構造の５％以下に抑制されることがわかる。
【００３９】
以上の結果をもとにさらに広範囲のΔＥa ，Ｔに対して調べたところ、ΔＥa ／ｋB Ｔ≧１．５×１０-3を満たすような、活性化エネルギーの差ΔＥa を示す原料ガス、原料ガスより生成された前駆体あるいは反応中間体を用いることにより、また、原料ガスが固定された場合には成膜温度Ｔを所定レベルに設定したＣＶＤ法を用いることにより、加水分解反応が激しい構造であるＦが２個以上結合したＳｉの生成が、従来よりも高Ｆ濃度においても抑制できることがわかった。加えて、Ｆの置換反応を起こすＳｉが、既にＦ置換を受けた隣接ＳｉとＯにより連結されている場合には、さらに大きな活性化エネルギーを要することが、ａｂ  ｉｎｉｔｉｏ分子軌道計算により明らかになった。
【００４０】
この活性化エネルギーの増分をδＥa として、上記活性化エネルギーＥa をＥa ＝Ｅ0 a ＋ｎΔＥa ＋χδＥa （χ：隣接ＳｉにＦが結合済みの場合χ＝１、隣接ＳｉにＦが未結合の場合χ＝０）に置き換えて、ＳｉＦn Ｏ(4-n)/2 （ｎ＝１，２，３，４）およびＦl ＳｉＯＳｉＦm （隣接ＳｉにＦが同時に存在する構造）の統計分布をモンテカルロ法で調べた。
【００４１】
その結果を図１０〜図１２に示す。図中、Ｙ軸は１０3 ／Ｔ［Ｋ］を示しており、その範囲は１．２５〜２．２５である。また、図中、パラメータ１０，１５，２０はＦ濃度［ａｔ％］を示している。
【００４２】
これら図から、δＥa （＞０）が増加するにつれて、隣接ＳｉにＦが同時に存在する構造は急激に形成され難くなる。特に、ΔＥa がδＥa より小さい場合には、加水分解が激しいＳｉＦ2 構造の方が形成されやすくなってしまう。これを抑制するには、（ΔＥa ＋δＥa ）／ｋB Ｔ≧１．５×１０-3とΔＥa ≧δＥa とを同時に満たすような、ΔＥa とδＥa を示す原料ガス、原料ガスより生成された前駆体あるいは反応中間体を用いる、または成膜温度Ｔを設定したＣＶＤ法を用いることにより、加水分解反応が激しい構造であるＦが２個以上結合したＳｉの生成が、従来よりも高Ｆ濃度においても抑制できることが分かる。
【００４３】
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態（以下、実施形態という）を説明する。
【００４４】
（第１の実施形態）
図３は、本発明の第１の実施形態に係る層間絶縁膜の形成に用いるプラズマＣＶＤ装置の概略構成を示す模式図である。本実施形態では、原料ガスとしてＳｉＦ（ＯＣＨ2 ＣＦ3 ）3 とＯ2 とＴＥＯＳとの混合ガスを用いている。
【００４５】
次に上記プラズマＣＶＤ装置を用いた多層配線の形成方法について説明する。まず、素子を形成したシリコン基板等の半導体基板１１を基板支持台１２上にセットする。次に基板支持台１２内に設けられた抵抗加熱ヒータ１３により半導体基板１１を加熱し、所定の基板温度（成膜温度）に設定する。
【００４６】
基板支持台１２内には冷却剤を循環させるための冷却パイプ１４が設けられ、これにより、基板温度（成膜温度）が所定温度を越える高温になるのを防止できるようになっている。
【００４７】
基板温度（成膜温度）は、予め行なった熱脱離スペクトル（ＴＤＳ；Thermal Desorption Spectroscopy)測定において、ＳｉＯ2 に取り込まれた構造水（Ｓｉ−ＯＨ、Ｈ−ＯＨ）の脱水縮合が顕著になる４００℃以上（例えば、４７０℃）に設定する。
【００４８】
これにより、ＳｉＯ2 ネットワークの緻密化の達成、および構造水残留によるＳｉＯ2 ネットワークの弛緩とＳｉ−Ｆの伸長とに要する自由体積（空隙）の形成の抑制が実現される。
【００５０】
次に成膜チャンバー（反応容器）１６内に原料ガスであるＴＥＯＳを５０ｃｍ3 ／ｍｉｎ、Ｏ2 を５００ｃｍ3 ／ｍｉｎ、ＳｉＦ（ＯＣＨ2 ＣＦ3 ）3 を０〜１５００ｃｍ3 ／ｍｉｎ、ＳｉＨ4 を５０ｃｍ3 ／ｍｉｎの流量で同時に導入するとともに、排気装置１０により成膜チャンバー１６内の圧力を１３３Ｐａに保持する。流量の調整はゲートバルブ１８により行なう。
【００５１】
次に半導体基板１１に対向する電極（対向電極）１７に高周波電源１９により１３．５６ＭＨｚのＲＦ電力を１ｋＷ印加して放電を開始し、同時に、基板支持台１２に設けられた高周波電源１５により基板支持台１２に３５０ｋＨｚのＲＦバイアスを５００Ｗ印加することにより、層間絶縁膜であるＦが添加されたＳｉＯ2 膜（Ｆ添加ＳｉＯ2 膜）の成膜を行なう。
【００５２】
このとき、層間絶縁膜に取り込まれ得るＳｉ−ＯＨ、Ｈ−ＯＨのＯ−Ｈ結合の切断に要するエネルギーである約１２ｅＶ以上のエネルギーを成膜中の層間絶縁膜の表面に与え得るエネルギーを持つ電子あるいはイオン（典型的にはＦ±、Ｏ±、Ｏ2 ±イオン）を成膜中の層間絶縁膜の表面に照射することにより、膜表面でのＳｉ−ＯＨの分解を促進してＳｉＯ2 ネットワークを緻密化する。また、成膜中に生成しうる非架橋酸素は、酸素イオン照射によるネットワーク緻密化とＳｉＨ4 分解生成物ＳｉＨn （ｎ＝１〜３）による終端により除去する。
【００５３】
このようにして、図４（ａ）に示すように、半導体基板１１上に厚さ５００ｎｍのＦが添加されたＳｉＯ2 膜（Ｆ添加ＳｉＯ2 膜）２０が形成される。
【００５４】
次に同図（ａ）に示すように、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより、Ｆ添加ＳｉＯ2 膜２０上にＡｌ膜を成膜した後、このＡｌ膜をパターニングして配線幅５００ｎｍ、配線厚４００ｎｍの１層目のＡｌ配線２１を形成する。
【００５５】
次に図４（ｂ）に示すように、Ｆ添加ＳｉＯ2 膜２０と同じ成膜方法で厚さ８００ｎｍのＦ添加ＳｉＯ2 膜２２を形成した後、Ａｌ配線２１と同様に厚さ４００ｎｍのＡｌ膜を成膜し、このＡｌ膜をパターニングして２層目のＡｌ配線２３を形成する。
【００５６】
最後に、同図（ｂ）に示すように、、Ｆ添加ＳｉＯ2 膜２０と同じ成膜方法で厚さ８００ｎｍのＦ添加ＳｉＯ2 膜２４を形成する。
【００５７】
Ｆ添加ＳｉＯ2 膜２４にＳｉ−Ｆ結合が形成されていることは、赤外吸収スペクトル測定により確認した。すなわち、赤外吸収スペクトルには、約１０８０ｃｍ-1、約８００ｃｍ-1、約４５０ｃｍ-1にＳｉＯ2 固有の基準振動モードに帰属される吸収ピークの他、約９３５ｃｍ- にＳｉ−Ｆ結合に帰属される吸収ピークが観測された。また、このＦ添加ＳｉＯ2 膜の屈折率は１．３６、比誘電率は２．８であった。
【００５８】
また、実施形態の場合、Ｆ濃度の高いＦ添加ＳｉＯ2 膜を形成したが、ＳｉにＦが２個結合した構造に帰属される約９８０ｃｍ-1の吸収バンド強度は、従来の場合とは異なり、検出限界以下であった。したがって、Ｆ原子が２個以上結合したＳｉ原子の存在割合が、１個結合したＳｉ原子の存在割合に対して、十分に小さい構造を有するＳｉＯ2 が実現される。
【００５９】
なお、本実施形態においては、プラズマＣＶＤ装置として、成膜チェンバ内での放電を半導体基板に対向させた電極に高周波を印加することにより行なうＣＶＤ装置を用いたが、他のＣＶＤ装置を用いても良い。
【００６０】
例えば、従来用いられている平行平板型プラズマＣＶＤ装置や、マイクロ波放電やマグネトロン放電など１×１０11イオン／ｃｍ3 以上の高密度プラズマを形成できるＣＶＤ装置、例えば、サイクロトロン共鳴を利用したプラズマＣＶＤ装置、誘導電流を用いたプラズマＣＶＤ装置、ヘリコン波を用いたプラズマＣＶＤ装置、ダイポールリングマグネトロンプラズマＣＶＤ装置またはマグネトロン平行平板ＣＶＤ装置などを用いても、絶縁膜形成時の条件を制御することにより、本実施形態と同様のＦ添加ＳｉＯ2 膜を形成できる。
【００６１】
図５（ａ）、図５（ｂ）は、それぞれ、本実施形態の方法（本発明）により成膜されたＦ添加ＳｉＯ2 膜の吸湿性を調べるために、堆積直後、１週間大気放置後での赤外吸収スペクトル変化を測定した結果である。
【００６２】
図中、横軸は添加したＦの濃度（Ｓｉ−Ｆ／Ｓｉ−Ｏ比）に対応し、約９３５ｃｍ-1のＳｉ−Ｆ伸縮ピーク積分強度を約１０８０ｃｍ-1のＳｉＯ2 逆対称伸縮ピーク積分強度で規格化した値である。また、縦軸はＳｉＯ2 に取り込まれた構造水濃度である吸収量（（Ｓｉ−ＯＨ，Ｈ−ＯＨ）／ＳｉＯ比）に対応し、約３７５０〜３０００ｃｍ-1のＳｉ−ＯＨ、Ｈ−ＯＨピーク積分強度を約１０８０ｃｍ-1のＳｉＯ2 逆対称伸縮ピーク積分強度で規格化した値である。
【００６３】
図５から、堆積直後に構造水が減少し、大気放置後の吸湿量が減少することが分かる。なお、Ｆ濃度が低い（２％より小さい）場合に、吸湿量が増えているのは、膜中にＯＨ基がかなり多く存在しているからであると思われる。
【００６４】
さらに、ＦＴ−ＩＲにより、膜中のＳｉ−Ｆ結合の対称性が大きくくずれていないことより、１個のＳｉにＦが２個以上ついた構造の形成が抑制されていることが分かった。
【００６５】
以上述べたように、本実施形態によれば、誘電率を低くするためにＦ濃度を高くしても吸湿性の劣化が生じないＦ添加ＳｉＯ2 膜を形成できる。したがって、配線間容量の低減により、信号遅延の抑制でき、もって、吸湿性の劣化に起因する信頼性の低下を招かずに、高速動作の半導体装置を実現できるようになる。
【００６６】
（第２の実施形態）
図６は、本発明の第２の実施形態に係る多層配線の形成方法を示す工程断面図である。これは、吸湿性を改善するために、層間絶縁膜として、Ｆ添加されたＳｉＯ2 膜（Ｆ添加ＳｉＯ2 膜）とＦ添加されていないＳｉＯ2 膜（純ＳｉＯ2 膜）との積層絶縁膜を用いた例である。
【００６７】
まず、図６（ａ）に示すように、素子を形成したシリコン基板等の半導体基板３１上に厚さ８００ｎｍのボロンリンガラス（ＢＰＳＧ）膜３２を形成する。次いで厚さ４００ｎｍのＡｌ膜をスパッタリング法で形成した後、このＡｌ膜をパターニングして１層目のＡｌ配線３３を形成する。
【００６８】
次に図６（ｂ）に示すように、原料ガスとしてＴＥＯＳとＯ2 との混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により、厚さ１００ｎｍの純ＳｉＯ2 膜３４を形成した後、第１の実施形態と同様に、原料ガスとしてＴＥＯＳとＯ2 とＳｉＨ4 とＳｉＦ（ＯＣＨ2 ＣＦ3 ）3 との混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により、厚さ５００ｎｍのＦ添加ＳｉＯ2 膜３５を形成する。
【００６９】
次に同図（ｂ）に示すように、原料ガスとしてＴＥＯＳとＯ2 との混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により、厚さ１００ｎｍの純ＳｉＯ2 膜３６をＦ添加ＳｉＯ2 膜３５上に形成する。
【００７０】
次に図６（ｃ）に示すように、全面にレジスト（不図示）を塗布して露光・現像してレジストパターンを形成した後、このレジストパターンをマスクに用いたドライエッチングにより、Ａｌ配線３３上の絶縁膜３４，３５，３６にヴィアホール３７を開孔する。
【００７１】
次に図６（ｄ）に示すように、原料ガスとしてＷＦ6 とＳｉＨ4 との混合ガスを用いた選択ＣＶＤ法、または非選択ＣＶＤ法と、ケミカルメカニカルポリッシングあるいはレジストエッチバックとを組み合わせて、ヴィアホール３７内にタングステン膜３８を埋め込む。
【００７２】
次に同図（ｄ）に示すように、厚さ４００ｎｍのＡｌ膜をスパッタリング法で形成し、このＡｌ膜をパターニングして２層目のＡｌ配線３９を形成した後、厚さ１００ｎｍの純ＳｉＯ2 膜４０、厚さの５００ｎｍのＦ添加ＳｉＯ2 膜４１、厚さ１００ｎｍの純ＳｉＯ2 膜４２を順次形成する。
【００７３】
純ＳｉＯ2 膜は、Ｆ添加ＳｉＯ2 膜に比べて吸湿性が小さい。したがって、本実施形態によれば、層間絶縁膜の吸湿を第１の実施形態に比較して更に抑制でき、誘電率の増加や配線の腐食に代表される信頼性の低下を効果的に防止できる。なお、純ＳｉＯ2 膜の代わりに、膜中Ｆ濃度が低く、吸湿性を示さないＳｉＯ2 を用いても同様の効果が得られた。
【００７４】
また、ＢＰＳＧ膜３２の代わりに、Ｆ添加ＳｉＯ2 膜３５を用いて、基板表面に形成された拡散層を基板上に形成された配線と絶縁するようにしても良い。
【００７５】
（第３の実施形態）
図７は、本発明の第３実施形態に係る層間絶縁膜の形成に用いるプラズマＣＶＤ装置の概略構成を示す模式図である。本実施形態では、原料ガスとしてＳｉＦ（ＯＣＨ2 ＣＦ3 ）3 、Ｏ2 、ＳｉＨ4 、ＮＦ3 とＴＥＯＳとの混合ガスを用いている。
【００７６】
図中、５０は絶縁材料からなる成膜チャンバ（反応容器）を示しており、この成膜チェンバ５０の内部には素子が形成されたシリコン基板等の半導体基板５１を載置するための基板支持台５２が設けられている。また、成膜チェンバ５０の上方には原料ガスを導入するためのノズル５６が設けられている。また、成膜チェンバ５０の下部には排気装置５５が設けられており、これにより、成膜チェンバ５０の内部を真空排気できるようになっている。
【００７７】
基板支持台５２には、内部ヒータである抵抗加熱ヒータ５３および冷却剤を循環させるための冷却パイプ５４が設けられている。また、基板支持台５２には高周波電源５９が接続されている。また、成膜チェンバ５０の側壁には高周波コイル５７が巻き付けられ、この高周波コイル５７には高周波電源５８が接続されている。
【００７８】
次に上記プラズマＣＶＤ装置を層間絶縁膜の成膜に用いた多層配線の形成方法について説明する。これは本発明をＮ添加絶縁膜に適用した例である。
【００７９】
まず、素子を形成した半導体基板５１を基板支持台５２上にセットし、抵抗加熱ヒータ５４により、所定の基板温度（成膜温度）に設定する。
【００８０】
基板温度は、予め行なった熱脱離スペクトル（ＴＤＳ；Thermal Desorpion Spectroscopy）測定において、ＳｉＯ2 に取り込まれた構造水（Ｓｉ−ＯＨ、ＨＯＨ）の脱水縮合が顕著になる４００℃以上（例えば、４７０℃）に設定する。
【００８１】
これにより、ＳｉＯ2 ネットワークの緻密化の達成、および構造水残留によるＳｉＯ2 ネットワークの弛緩とＳｉ−Ｆの伸長とに要する自由体積（空隙）の形成の抑制が実現される。
【００８３】
次に成膜チャンバー５０内に原料ガスとしてＴＥＯＳを５０ｃｍ3 ／ｍｉｎ、Ｏ2 を５００ｃｍ3 ／ｍｉｎ、ＳｉＨ4 を５０ｃｍ3 ／ｍｉｎ、ＮＦ3 を５００ｃｍ3 ／ｍｉｎ、ＳｉＦ（ＯＣＨ2 ＣＦ3 ）3 を０〜１５００ｃｍ3 ／ｍｉｎの流量で同時に導入するとともに、成膜チェンバ５０内の圧力を１３３Ｐａに保たれるようにしておく。
【００８４】
次に成膜チェンバ５０の側壁の高周波コイル５７に１３．５６ＭＨｚのＲＦ電力を高周波電源５８により印加して放電を開始し、同時に、基板支持台５２に３５０ｋＨｚのＲＦバイアスを高周波電源５９により５００Ｗ印加して、層間絶縁膜の成膜を行なう。
【００８５】
このとき、層間絶縁膜に取り込まれ得るＳｉ−ＯＨ、Ｈ−ＯＨのＯ−Ｈ結合の切断に要するであるエネルギー約１２〜２５ｅＶ以上のエネルギーを成膜中の層間絶縁膜の表面に与え得るエネルギーを持つ電子あるいはイオン（典型的にはＦ±、Ｏ2 ±イオン）を成膜中の層間絶縁膜の表面に照射することにより、膜表面でのＳｉ−ＯＨの分解を促進してＳｉＯ2 ネットワークを緻密化する。
【００８６】
また、成膜中に生成しうる非架橋酸素は、酸素イオン照射によるネットワーク緻密化と、ＳｉＨ4 分解生成物ＳｉＨn （ｎ＝１〜３）による終端とにより除去する。
【００８７】
こうして図８（ａ）に示すように、半導体基板５１上に厚さ５００ｎｍのＦとＮとが添加されたＳｉＯ2 膜（Ｆ，Ｎ添加ＳｉＯ2 膜）７０が形成される。
【００８８】
次に図８（ｂ）に示すように、ＤＣマグネトロンスパッタリング法によりＡｌ膜を成膜した後、このＡｌ膜をパターニングして、配線幅５００ｎｍ、配線厚４００ｎｍの１層目のＡｌ配線７１を形成する。
【００８９】
次に図８（ｃ）に示すように、Ｆ，Ｎ添加ＳｉＯ2 膜７０と同じ成膜方法で、厚さ８００ｎｍのＦ，Ｎ添加ＳｉＯ2 膜７２を形成する。次いでＡｌ配線７１と同様に４００ｎｍのＡｌ膜を成膜し、このＡｌ膜をパターニングして、２層目のＡｌ配線７３を形成する。
【００９０】
最後に、同図（ｃ）に示すように、ＳｉＯ2 膜７０と同じ成膜方法で、厚さ８００ｎｍのＦ，Ｎ添加ＳｉＯ2 膜７４を形成する。
【００９１】
Ｎ添加ＳｉＯ2 膜は誘電率が高いが、本実施形態のようにＦを添加することにより誘電率を下げることができる。このとき、他の実施形態の場合と同様に、Ｆ濃度を高くしても吸湿性の劣化等の問題は起こらない。したがって、Ｆ原子が２個以上結合したＳｉ原子の存在割合が、１個結合したＳｉ原子の存在割合に対して、十分に小さい構造を有するＳｉＯ2 が実現される。
【００９２】
なお、本実施形態では、プラズマＣＶＤ装置として、成膜チェンバ内での放電を成膜チェンバの側壁に設けた電極に高周波電力を印加することにより行なうＣＶＤ装置を用いたが、他のＣＶＤ装置を用いても良い。
【００９３】
例えば、従来用いられている平行平板型プラズマＣＶＤ装置や、マイクロ波放電やマグネトロン放電など１×１０11イオン／ｃｍ3 以上の高密度プラズマを形成できるＣＶＤ装置、例えば、サイクロトロン共鳴を利用したプラズマＣＶＤ装置、誘導電流を用いたプラズマＣＶＤ装置、ヘリコン波を用いたプラズマＣＶＤ装置、ダイポールリングマグネトロンプラズマＣＶＤ装置またはマグネトロン平行平板ＣＶＤ装置などを用いても、絶縁膜形成時の条件を制御することにより、本実施形態と同様のＮ，Ｆ添加ＳｉＯ2 膜を形成できる。
【００９４】
（第４の実施形態）
図９は、本発明の第４の実施形態に係る多層配線の形成方法を示す工程断面図である。本実施形態では、原料ガスとしてＳｉＦ（ＯＣＨ2 ＣＦ3 ）3 、Ｏ2 、ＳｉＨ4 、ＢＦ3 およびＴＥＯＳとの混合ガスを用いている。また、層間絶縁膜の成膜装置としては、第３の実施形態と同じプラズマＣＶＤ装置を用いる。
【００９５】
まず、第３の実施形態と同様に、素子が形成された半導体基板５１を基板支持台５２上にセットし、抵抗熱ヒータ５４により、所定の加熱温度（成膜温度）に設定する。
【００９６】
加熱温度は、予め行なった熱脱離スペクトル（ＴＤＳ；Thermal Desorotion Spectroscopy)測定において、ＳｉＯ2 に取り込まれた構造水（Ｓｉ−ＯＨ、ＨＯＨ）の脱水縮合が顕著になる４００℃以上（例えば、４７０℃）に設定する。
【００９７】
これにより、ＳｉＯ2 ネットワークの緻密化の達成、および構造水残留によるＳｉＯ2 ネットワークの弛緩とＳｉ−Ｆの伸長とに要する自由体積（空隙）の形状の抑制が実現される。
【００９９】
次に成膜チャンバー５０内に原料ガスとしてＴＥＯＳを５０ｃｍ3 ／ｍｉｎ、Ｏ2 を５００ｃｍ3 ／ｍｉｎ、ＳｉＨ4 、ＢＦ3 を５００ｃｍ3 ／ｍｉｎ、ＳｉＦ（ＯＣＨ2 ＣＦ3 ）3 を０〜１５００ｃｍ3 ／ｍｉｎの流量で同時に導入し、成膜チェンバ５０内の圧力を１３３Ｐａに保たれるようにしておく。
【０１００】
次に成膜チェンバ５０の側壁の高周波コイル５７に１３．５６ＭＨｚのＲＦ電力を高周波電源５８により印加して放電を開始し、同時に、基板支持台４３に３５０ｋＨｚのＲＦバイアスを高周波電源５９により５００Ｗ印加して、層間絶縁膜の成膜を行なう。
【０１０１】
このとき、層間絶縁膜に取り込まれ得るＳｉ−ＯＨ、Ｈ−ＯＨのＯ−Ｈ結合の切断に要するエネルギーである約１２〜２５ｅＶ以上のエネルギーを成膜中の層間絶縁膜の表面に与え得るエネルギーを持つ電子あるいはイオン（典型的にはＦ±、Ｏ2 ±イオン）を成膜中の層間絶縁膜の表面に照射することにより、膜表面でのＳｉ−ＯＨの分解を促進してＳｉＯ2 ネットワークを緻密化する。
【０１０２】
さらに、Ｆ原子が２個以上結合したＳｉ原子の存在割合がＦ原子が１個結合したＳｉ原子の存在割合に対して十分に小さい構造を有するＳｉＯ2 が形成されることをＦＴ−ＩＲにより確認した。前記割合は多くとも１／３以下が望ましい。こうして図９（ａ）に示すように、半導体基板５１上にＦとＢとが添加された厚さ５００ｎｍのＳｉＯ2 膜（Ｆ，Ｂ添加ＳｉＯ2 膜）８０が形成される。
【０１０３】
次に図９（ｂ）に示すように、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、Ａｌ膜を成膜した後、このＡｌ膜をパターニングして、配線幅５００ｎｍ、配線厚４００ｎｍの１層目のＡｌ配線８１を形成する。
【０１０４】
次に図９（ｃ）に示すように、Ｆ，Ｂ添加ＳｉＯ2 膜８０と同じ成膜方法で、厚さ８００ｎｍのＦ，Ｂ添加ＳｉＯ2 膜８２を形成する。次にＡｌ配線８１と同様に厚さ４００ｎｍのＡｌ膜を成膜した後、このＡｌ膜をパターニングして２層目のＡｌ配線８３を形成する。
【０１０５】
最後に、同図（ｃ）に示すように、Ｆ，Ｂ添加ＳｉＯ2 膜８２と同じ成膜方法で、厚さ８００ｎｍのＦ，Ｂ添加ＳｉＯ2 膜８４を形成する。
【０１０６】
なお、本実施形態では、プラズマＣＶＤ装置として、成膜チェンバ内での放電を成膜チェンバの側壁に設けた電極に高周波電力を印加することにより行なうＣＶＤ装置を用いたが、他のＣＶＤ装置を用いても良い。
【０１０７】
例えば、従来用いられている平行平板型プラズマＣＶＤ装置や、マイクロ波放電やマグネトロン放電など１×１０11イオン／ｃｍ3 以上の高密度プラズマを形成できるＣＶＤ装置、例えば、サイクロトロン共鳴を利用したプラズマＣＶＤ装置、誘導電流を用いたプラズマＣＶＤ装置、ヘリコン波を用いたプラズマＣＶＤ装置、ダイポールリングマグネトロンプラズマＣＶＤ装置またはマグネトロン平行平板ＣＶＤ装置などを用いても、絶縁膜形成時の条件を制御することにより、本実施形態と同様のＢとＦとが添加されたＳｉＯ2 膜を形成できる。
【０１０８】
なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではない。
【０１０９】
例えば、上記実施形態ではプラズマを一定の状態にしておいたが、プラズマ生成のための高周波電力を断続的に加えてたりすることにより、プラズマを変調しても良い。
【０１１０】
また、原料ガスは上記実施形態のものに限定されるものではない。
【０１１２】
また、Ｆを構成元素の一つとする有機シランガスとしては、ＳｉＦ（ＯＣＨ2 ＣＦ3 ）3 、ＳｉＦ（ＯＣＨ2 Ｃ（ＯＲ）3 ）3 （Ｒは官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ2 ＣＦ2 Ｒ）3 （Ｒは官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ2 Ｃ（ＯＲ）2 Ｒ′）3 （Ｒ，Ｒ′は官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ2 Ｃ（ＮＲ2 ）3 ）3 （Ｒは官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ2 Ｃ（ＮＲ2 ）2 Ｒ′）3 （Ｒ，Ｒ′は官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ2 ＣＲＯ）3 （Ｒは官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ2 ＣＮ）3 （Ｒは官能基）、ＳｉＦ（ＯＣＨ2 ＮＯ2 ）3 、ＳｉＦ（ＯＣＨ2 ＣＯＯＲ）3 （Ｒは官能基）、ＳｉＦn （ＯＣＨ2 ＣＦ2 Ｒ）4-n （ｎ＝１〜３、Ｒは官能基）を使用することができる。
【０１１３】
これらＦを構成元素の一つとする有機シランガスの特徴は、Ｓｉ−Ｏ−ＣＨ2 −部分のＣの電気的状態をより強い負電荷状態にすることにある。これらのガスは、ＦおよびＯを構成元素として含む有機シランガスとして、酸化剤ガスなしで用いることもできる。
【０１１４】
また、Ｆを構成元素の一つとする無機シランガスとしては、ＳｉＦn Ｈ4-n （ｎ＝１〜４）などを使用することができる。
【０１１５】
また、有機シランガスとしては、ＴＥＯＳ、Ｈn Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4-n （ｎ＝１〜３）、Ｈn Ｓｉ（ＯＣ4 Ｈ9 ）4-n （ｎ＝１〜３）などを使用することができる。
【０１１６】
また、無機シランガスとしては、ＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 などを使用することができる。
【０１１７】
また、酸化剤ガスとしては、Ｏ2 、Ｎ2 Ｏなどを使用することができる。
【０１１８】
また、Ｎ、Ｂを構成元素の一つとする化合物ガスとしては、ＮＯ、ＮＨ3 、Ｎ2 Ｈ4 、ＢＨ3 、Ｂ2 Ｈ6 などを使用することができる。
【０１１９】
また、上記実施形態においては、配線材料として純Ａｌを用いたが、他の配線材料、例えば、Ａｌを主成分とする合金でも良い。その他、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）あるいは白金（Ｐｔ）のうちいずれか、あるいはこれらのうち１つまたは複数の元素を主配線材料とする合金でも良い。
【０１２０】
その他、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。
【０１２１】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、ＳｉＯ2 網目構造を有するＦ添加ＳｉＯ2 膜において、Ｆ濃度を高くしても、吸湿性の劣化原因となる２個以上のＦが結合したＳｉを有するＳｉＯ2 網目構造の発生を効果的に抑制できるので、低吸湿性かつ低誘電率のＦ添加ＳｉＯ2 膜を実現できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】成膜温度一定の条件で、活性化エネルギーを変えた場合のＳｉＦn Ｏ(4-n)/2 （ｎ＝１，２，３，４）の統計分布を示す図
【図２】活性化エネルギー一定の条件で、成膜温度を変えた場合のＳｉＦn Ｏ(4-n)/2 （ｎ＝１，２，３，４）の統計分布を示す図
【図３】本発明の第１の実施形態に係る層間絶縁膜の形成に用いるプラズマＣＶＤ装置の概略構成を示す模式図
【図４】本発明の第１の実施形態に係る層間絶縁膜の形成方法を示す工程断面図
【図５】本発明に係るＦ，Ｎ添加ＳｉＯ2 膜の吸湿性を示す図
【図６】本発明の第２の実施形態に係る多層配線の形成方法を示す工程断面図
【図７】本発明の第３実施形態に係る層間絶縁膜の形成に用いるプラズマＣＶＤ装置の概略構成を示す模式図
【図８】本発明の第３の実施形態に係る多層配線の形成方法を示す工程断面図
【図９】本発明の第４の実施形態に係る多層配線の形成方法を示す工程断面図
【図１０】  活性化エネルギーの増分がない場合のＳｉＦn Ｏ(4-n)/2 （ｎ＝１，２，３，４）およびＦl ＳｉＯＳｉＦm （隣接ＳｉにＦが同時に存在する構造）の統計分布を示す図
【図１１】  活性化エネルギーの増分が１．５ｋｃａｌ／ｍｏｌの場合のＳｉＦn Ｏ(4-n)/2 （ｎ＝１，２，３，４）およびＦl ＳｉＯＳｉＦm （隣接ＳｉにＦが同時に存在する構造）の統計分布を示す図
【図１２】  活性化エネルギーの増分が３．０ｋｃａｌ／ｍｏｌの場合のＳｉＦn Ｏ(4-n)/2 （ｎ＝１，２，３，４）およびＦl ＳｉＯＳｉＦm （隣接ＳｉにＦが同時に存在する構造）の統計分布を示す図
【符号の説明】
１０…排気装置
１１…半導体基板
１２…基板支持台
１３…抵抗加熱ヒータ
１４…冷却パイプ
１５…高周波電源
１６…成膜チャンバー
１７…対向電極
１８…ゲートバルブ
１９…高周波電源
２０…Ｆ添加ＳｉＯ2 膜
２１…Ａｌ配線
２２…Ｆ添加ＳｉＯ2 膜
２３…Ａｌ配線
２４…Ｆ添加ＳｉＯ2 膜
３１…半導体基板
３２…ＢＰＳＧ膜
３３…Ａｌ配線
３４…純ＳｉＯ2 膜
３５…Ｆ添加ＳｉＯ2 膜
３６…純ＳｉＯ2 膜
３７…ヴィアホール
３８…タングステン膜
３９…Ａｌ配線
４０…純ＳｉＯ2 膜
４１…Ｆ添加ＳｉＯ2 膜
４２…純ＳｉＯ2 膜
５０…成膜チャンバ
５１…半導体基板
５２…基板支持台
５３…抵抗加熱ヒータ
５４…冷却パイプ
５５…排気装置
５６…ノズル
５７…高周波コイル
５８…高周波電源
５９…高周波電源
７０…Ｆ，Ｎ添加ＳｉＯ2 膜
７１…Ａｌ配線
７２…Ｆ，Ｎ添加ＳｉＯ2 膜
７３…Ａｌ配線
７４…Ｆ，Ｎ添加ＳｉＯ2 膜
８０…Ｆ，Ｂ添加ＳｉＯ2 膜
８１…Ａｌ配線
８２…Ｆ，Ｂ添加ＳｉＯ2 膜
８３…Ａｌ配線
８４…Ｆ，Ｂ添加ＳｉＯ2 膜
【図１】
0004250209.tif 000002
【図２】
0004250209.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0004250209.tif 000009
【図９】
0004250209.tif 000010
【図１０】
0004250209.tif 000011
【図１１】
0004250209.tif 000012
【図１２】
0004250209.tif 000013