(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）平面形状が、一対の第１辺と、前記第１辺よりも長い一対の第２辺を有する四角形から成り、前記第２辺に沿って形成された複数のボンディングパッドを含む主面、及び前記主面に対向する裏面を有する半導体チップと、
（ｂ）平面形状が、前記第１辺と並んで配置された一対の第３辺と、前記第３辺よりも長く、前記第２辺と並んで配置された一対の第４辺を有する四角形から成り、前記半導体チップを封じている、樹脂から成る封止体と、
（ｃ）前記封止体に封じられた第１インナ部、前記半導体チップの前記主面の前記第２辺に沿って、前記半導体チップの前記主面に接着体を介在して固定された前記第１インナ部の先端部、及び前記第１インナ部の前記先端部と反対側に位置し、前記封止体から露出し、前記封止体の第４辺に沿って配置された第１アウタ部を有する第１リードと、
（ｄ）前記第１インナ部の長さよりも長く、前記封止体に封じられた第２インナ部、前記半導体チップの前記第１辺と前記封止体の前記第３辺の間において折り曲げ部を有し、前記封止体の厚さ方向において前記第１インナ部の前記先端部よりも前記半導体チップの前記裏面側に近い位置に配置された前記第２インナ部の先端部、前記第２インナ部に形成された貫通孔、及び前記第２インナ部と反対側に位置し、前記封止体から露出し、前記封止体の第４辺に沿って配置された第２アウタ部を有する第２リードと、
（ｅ）前記封止体に封じられ、前記第１インナ部の前記先端部と前記複数のボンディングパッドのうち前記第１インナ部と対応するボンディングパッドを電気的に接続する第１ワイヤと、
（ｆ）前記封止体に封じられ、前記第２インナ部の前記先端部と前記複数のボンディングパッドのうち前記第２インナ部と対応するボンディングパッドを電気的に接続する第２ワイヤとを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置であって、前記封止体は、前記半導体チップの主面側に形成された上面と、前記半導体チップの裏面側に形成された下面とを有し、前記第１アウタ部および第２アウタ部は、前記半導体チップの主面と前記封止体の第１面との間において、前記封止体から露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置であって、前記封止体は、前記半導体チップの主面側に形成された上面と裏面側に形成された下面と、側面とを有し、前記封止体の前記側面において前記第１リードが突出する突出箇所と前記封止体の前記上面との距離が、前記突出箇所と前記封止体の前記下面との距離よりも短いことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置であって、前記封止体は、前記半導体チップの主面側に形成された上面と、前記半導体チップの裏面側に形成された下面とを有し、前記第１アウタ部および第２アウタ部は、前記封止体の前記第４辺から遠ざかる方向に突出する第１部分と、前記封止体の前記下面側に折れ曲がる第２部分と、前記第２部分から遠ざかる方向に折れ曲げられた第３部分とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置であって、前記複数のボンディングパッドが、前記半導体チップの前記主面の前記第２辺に沿って、前記第１辺の中央に一列に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置であって、前記封止体は、前記半導体チップの主面側に形成された上面と、前記半導体チップの裏面側に形成された下面とを有し、前記第１インナ部の前記先端部と前記封止体の前記上面との間における前記封止体の厚さは、前記半導体チップの前記裏面と前記封止体の前記下面との間における前記封止体の厚さと同じ厚さであることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１記載の半導体装置であって、前記第１リードは、前記半導体チップの第２辺と直交する方向に延び、前記第２辺に沿って複数並んで配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１記載の半導体装置であって、さらに、前記半導体チップの前記主面上に延在する第３リードを有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置であって、前記第３リードは、電源用もしくはグランド用として用いられるバスバーリードであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１記載の半導体装置であって、前記封止体は、前記半導体チップの主面側に形成された上面と、前記半導体チップの裏面側に形成された下面とを有し、前記第２インナ部の前記先端部と前記封止体の前記上面との間における前記封止体の厚さは、前記第２インナ部の前記先端部と前記封止体の前記下面との間における前記封止体の厚さと同じ厚さであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１記載の半導体装置であって、前記第２リードは、スリットを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１記載の半導体装置であって、前記第１ワイヤの長さは、前記第２ワイヤの長さよりも長いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１記載の半導体装置であって、前記半導体チップの主面には、半導体素子が形成され、前記複数のボンディングパッドは、前記半導体素子と接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１３記載の半導体装置であって、前記複数のボンディングパッドは、データ入出力用の第１ボンディングパッドと、電源またはグランド用の第２ボンディングパッドとを有し、前記第１インナ部は、前記第１ワイヤを介して前記第１ボンディングパッドと電気的に接続され、前記第２インナ部は、前記第２ワイヤを介して前記第２ボンディングパッドと電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１記載の半導体装置であって、前記第１および第２リードは、鉄、銅、または鉄とニッケルの合金から成ることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造技術に関し、特に、半導体チップの主面上にリードのインナ部が配置されるＬＯＣ（Lead On Chip) の封止体の反り防止に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
以下に説明する技術は、本発明を研究、完成するに際し、本発明者によって検討されたものであり、その概要は次のとおりである。
【０００３】
ＬＳＩ（Large Scale Integrated Circuit）チップなどの半導体チップを搭載した半導体装置において、パッケージサイズを小さくした半導体デバイスとして、ＬＯＣと呼ばれる半導体装置が知られている。
【０００４】
前記ＬＯＣでは、半導体チップの主面（回路形成面）上にリードのインナ部の端部が配置され、これにより、半導体チップのボンディングパッドとこれに対応するインナ部の端部のボンディング部とがボンディング用のワイヤによって電気的に接続されている。
【０００５】
また、半導体チップは、絶縁性テープなどによってインナ部の端部に接合され、これにより、この絶縁性テープを介してリードのインナ部の端部によって支持されている。
【０００６】
さらに、半導体チップとリードのインナ部とワイヤとが封止用樹脂によって樹脂封止され、これにより、封止体（パッケージともいう）が形成される。
【０００７】
最近では、コスト低減のためにチップシュリンク化が行われ、封止体の内部に比較的広い面積のチップ外側領域が形成される構造のＬＯＣがあり、このようなＬＯＣでは、チップサイズが小さくなったため、半導体チップの主面上に配置されるリード（第１リード）以外に、半導体チップの主面上には配置されずに、インナ部が半導体チップの近傍で終端しているリード（第２リード）を有しているものも検討されている。
【０００８】
このように半導体チップの主面上に配置されないリードを有したＬＯＣでは、このリード（第２リード）のインナ部がモールド時のレジンバランス（インナ部の上側と下側のレジンバランス）に悪影響を及ぼし、その結果、パッケージ反りを発生させることがある。
【０００９】
さらに、チップシュリンク化が進むと、封止体のチップ外側領域が広くなるため、レジンバランスが悪くなる領域がより増加する。
【００１０】
なお、封止体形成時のレジン流れの均一化を図ってパッケージ反りを防止するＬＯＣとして、例えば、特開平９−１１６０７４号公報にその記載があり、このＬＯＣでは、リードから枝分かれした分岐リードに屈曲したレジンバランス部が設けられている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、前記した特開平９−１１６０７４号公報に記載されたＬＯＣにおいては、レジンバランス部が、リードから枝分かれした分岐リードにしか設けられておらず、かつ、半導体チップの長手方向のチップ外側領域（チップ長手方向外側部）の中央付近にしか設けられていない。
【００１２】
したがって、チップシュリンク化がさらに進んだ場合、封止体におけるチップ外側領域（チップ長手方向外側部とチップ幅方向外側部）が増えるため、レジンバランス部の設置領域が半導体チップの長手方向のチップ外側領域だけでは不充分となり、パッケージ反りが発生することが問題となる。
【００１３】
また、半導体チップの主面上に配置されないリードと、これに対応するボンディングパッドとをワイヤボンディングする際、ワイヤの距離が長くなり、その結果、モールド時にワイヤ流れが発生して、半導体装置の性能および信頼度が低減するという問題が起こる。
【００１４】
さらに、半導体チップの主面上に配置されないリード（第２リード）は、主面上に配置されるリード（第１リード）より高い位置（半導体チップより離れる位置）に配置されるため、このリード（第２リード）上の封止体の厚さが薄くなり、したがって、ワイヤが封止体の外部に露出したり、また、リード（第２リード）およびワイヤが封止体の外部から透けて見えるという問題が発生する。
【００１５】
本発明の目的は、半導体チップ上に配置されないリードを有するＬＯＣにおいてパッケージ反りを防止するとともに、性能および信頼度を向上させる半導体装置を提供することにある。
【００１６】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１８】
すなわち、本発明による半導体装置は、（ａ）平面形状が、一対の第１辺と、前記第１辺よりも長い一対の第２辺を有する四角形から成り、前記第２辺に沿って形成された複数のボンディングパッドを含む主面、及び前記主面に対向する裏面を有する半導体チップと、（ｂ）平面形状が、前記第１辺と並んで配置された一対の第３辺と、前記第３辺よりも長く、前記第２辺と並んで配置された一対の第４辺を有する四角形から成り、前記半導体チップを封じている、樹脂から成る封止体と、（ｃ）前記封止体に封じられた第１インナ部、前記半導体チップの前記主面の前記第２辺に沿って、前記半導体チップの前記主面に接着体を介在して固定された前記第１インナ部の先端部、及び前記第１インナ部の前記先端部と反対側に位置し、前記封止体から露出し、前記封止体の第４辺に沿って配置された第１アウタ部を有する第１リードと、（ｄ）前記第１インナ部の長さよりも長く、前記封止体に封じられた第２インナ部、前記半導体チップの前記第１辺と前記封止体の前記第３辺の間において折り曲げ部を有し、前記封止体の厚さ方向において前記第１インナ部の前記先端部よりも前記半導体チップの前記裏面側に近い位置に配置された前記第２インナ部の先端部、前記第２インナ部に形成された貫通孔、及び前記第２インナ部と反対側に位置し、前記封止体から露出し、前記封止体の第４辺に沿って配置された第２アウタ部を有する第２リードと、（ｅ）前記封止体に封じられ、前記第１インナ部の前記先端部と前記複数のボンディングパッドのうち前記第１インナ部と対応するボンディングパッドを電気的に接続する第１ワイヤと、（ｆ）前記封止体に封じられ、前記第２インナ部の前記先端部と前記複数のボンディングパッドのうち前記第２インナ部と対応するボンディングパッドを電気的に接続する第２ワイヤとを含むものである。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２４】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１の半導体装置の構造の一例を封止体を透過してその内部構成を示す部分平面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿う断面の構造を示す拡大部分断面図、図３は本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法においてダイボンディング終了時点でのリードフレームと半導体チップの構造の一例を示す拡大部分平面図、図４は図３のＡ−Ａ線に沿う断面の構造を示す拡大部分断面図、図５は本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法においてワイヤボンディング終了時点でのボンディング状態の一例を示す拡大部分平面図、図６は図５のＡ−Ａ線に沿う断面の構造を示す拡大部分断面図、図７は本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法において樹脂封止終了時点でのパッケージ内部の構造を透過して示す拡大部分平面図、図８は図７のＡ−Ａ線に沿う断面の構造を示す拡大部分断面図である。
【００２５】
図１および図２に示すように、本実施の形態１の半導体装置は、パッケージサイズを小さくした半導体デバイスとして、ＬＯＣ（Lead On Chip) 構造の半導体装置であるとともに、チップシュリンク化を図ったものである。
【００２６】
この場合、半導体チップ１は、メモリ系としてのＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory) を構成している半導体素子が形成されているものであり、その半導体チップ１の表面にボンディングパッド（外部電極）１ａが５４個（複数個）形成されている。なお、本実施の形態１の半導体チップ１の他の態様としては、ＳＲＡＭ(Static Random Access Memory) などのメモリ系またはロジック系の半導体素子を構成要素として備えているものであって、複数個のボンディングパッド１ａなどの外部電極を備えている半導体チップ１を適用することができる。
【００２７】
また、半導体チップ１の表面に、リードフレーム２に形成されている第１リード２ａが接着体を介在して固定されている。第１リード２ａは、例えば、５０個あり、そのうち２５個が半導体チップ１の長手方向の中心を境に一方の側に固定されており、他の２５個が半導体チップ１の他方の側に固定されている。
【００２８】
また、半導体チップ１の外部電極としてのボンディングパッド１ａと第１リード２ａとが、例えば金線またはアルミニウム線などからなるボンディング用のワイヤ３によって電気的に接続されている。
【００２９】
一方、半導体チップ１の外側に配置されている第２リード２ｂには、本実施の形態１の半導体装置の特徴である折り曲げ部２ｂ1 が形成されており、折り曲げ部２ｂ1 を備えている第２リード２ｂが、半導体チップ１の外側に、例えば、４個（複数個）配置されている。この場合、第２リード２ｂにおける折り曲げ部２ｂ1 は、封止体４（パッケージともいう）の内部に配置されている第２リード２ｂに形成されているものである。封止体４には、封止用樹脂８（図１８参照）などからなる実装用絶縁体が適用されている。
【００３０】
また、半導体チップ１の外部電極としてのボンディングパッド１ａと第２リード２ｂとが、例えば金線またはアルミニウム線などからなるワイヤ３によって電気的に接続されている。本実施の形態１の第２リード２ｂにおいてワイヤ３が電気的に接続されている領域は、折り曲げ部２ｂ1 が形成されたことにより、折り曲げ部２ｂ1 の上部の第２リード２ｂの表面より下部に配置されていることを特徴としている。
【００３１】
前述した本実施の形態１の半導体装置によれば、封止体４によって封止されている半導体チップ１の表面に固定されている第１リード２ａ以外の半導体チップ１の外側に配置されている第２リード２ｂには、折り曲げ部２ｂ1 が複数個形成されており、さらに、本実施の形態１の第２リード２ｂにおけるワイヤ３が電気的に接続されている領域は、折り曲げ部２ｂ1 が形成されたことにより、折り曲げ部２ｂ1 の上部の第２リード２ｂの表面より下部に配置されていることとなり、その結果、ワイヤ３が電気的に接続されている領域近傍の第２リード２ｂの上の封止体４の樹脂厚を増加することができる。
【００３２】
したがって、本実施の形態１の半導体装置によれば、ワイヤ３が電気的に接続されている領域近傍の第２リード２ｂの上の封止体４（封止用樹脂）の厚さを増加することができ、したがって、ワイヤ３が電気的に接続されている領域近傍の第２リード２ｂの上の封止体４の厚さを、ワイヤ３が電気的に接続されている領域近傍の第２リード２ｂの下の封止体４の厚さと近似の値とすることができる。
【００３３】
これにより、封止体４の反り（パッケージ反り）を低減化することができ、その結果、高性能でしかも高信頼度の半導体装置とすることができる。
【００３４】
また、本実施の形態１の半導体装置によれば、ワイヤ３が電気的に接続されている領域近傍の第２リード２ｂの上の封止体４の厚さを増加することができるため、第２リード２ｂが変形しても、封止体４の外側から第２リード２ｂが透けて見えるという現象を防止することができる。
【００３５】
さらに、本実施の形態１の半導体装置によれば、半導体チップ１の外側に配置されている第２リード２ｂには、折り曲げ部２ｂ1 が複数個形成されており、本実施の形態１の第２リード２ｂにおけるワイヤ３が電気的に接続されている領域は、折り曲げ部２ｂ1 が形成されたことによって、折り曲げ部２ｂ1 の上部の第２リード２ｂの表面より下部に配置されたこととなり、その結果、第２リード２ｂにおけるワイヤ３が電気的に接続されている領域と半導体チップ１におけるボンディングパッド１ａ（外部電極）１ａとの距離を短くすることができる。
【００３６】
これにより、ワイヤ３の長さを短くすることができ、したがって、ワイヤ３の樹脂封止時のワイヤ流れなどの変形現象を低減化することができ、その結果、高性能で、かつ高信頼度の半導体装置を実現することができる。
【００３７】
次に、本実施の形態１の半導体装置の製造方法を説明する。
【００３８】
まず、リードフレーム２における第１リード２ａを半導体チップ１の表面に配置し、さらに、半導体チップ１の表面に第１リード２ａを接着体を介在して固定する（図３、図４）。
【００３９】
この場合、本実施の形態１のリードフレーム２は、半導体チップ１の表面に固定される第１リード２ａ以外の第２リード２ｂにおいて、封止体４の内部に配置される箇所に折り曲げ部２ｂ1 が形成されていることを特徴としている。
【００４０】
また、本実施の形態１の第２リード２ｂにおいてワイヤ３が電気的に接続される領域は、折り曲げ部２ｂ1 が形成されたことにより、折り曲げ部２ｂ1 の上部の第２リード２ｂの表面より下部に配置されていることを特徴としている。
【００４１】
その後、ワイヤボンディング装置を使用して、半導体チップ１の外部電極としてのボンディングパッド１ａと第１リード２ａとを、およびボンディングパッド１ａと第２リード２ｂとを、例えば金線またはアルミニウム線などからなるボンディング用のワイヤ３によって電気的に接続する工程を行う（図５、図６）。
【００４２】
次に、樹脂封止装置（モールド装置ともいう）を使用して、半導体チップ１、第１リード２ａ、第２リード２ｂおよびワイヤ３を封止用樹脂８（図１８参照）によって封止して封止体４を形成する（図７、図８）。なお、本実施の形態１の封止体４の他の態様として、封止用樹脂以外の材料からなる実装用絶縁体を適用することができる。
【００４３】
その後、リード加工機を使用して、封止体４の外部の第１リード２ａおよび第２リード２ｂを曲げ加工した後、リードフレーム２におけるフレーム枠を切断して、本実施の形態１の半導体装置の実装レベルの製造工程を終了する（図１、図２）。
【００４４】
本実施の形態１の半導体装置の製造方法によれば、封止体４の内部の半導体チップ１の外側に配置される第２リード２ｂに折り曲げ部２ｂ1 が形成されているリードフレーム２であって、第２リード２ｂにおけるワイヤ３が電気的に接続される領域は、折り曲げ部２ｂ1 が形成されたことにより、折り曲げ部２ｂ1 の上部の第２リード２ｂの表面より下部に配置されたこととなり、このようなリードフレーム２を用いていることを特徴としている。
【００４５】
したがって、本実施の形態１の半導体装置の製造方法によれば、ワイヤボンディング工程において、第２リード２ｂにおけるワイヤ３が電気的に接続されている領域と半導体チップ１におけるボンディングパッド１ａとの距離を短くすることができ、これにより、ワイヤ３の長さを短くすることができ、したがって、ワイヤ３の流れなどの変形現象を低減化することができる。
【００４６】
その結果、高性能で、かつ高信頼度の半導体装置を実現できるとともに製造歩留りを高くすることができる。
【００４７】
また、本実施の形態１の半導体装置の製造方法によれば、封止体４を形成する工程において、ワイヤ３が電気的に接続されている領域近傍の第２リード２ｂの上の封止体４の厚さを増加することができるため、ワイヤ３が電気的に接続されている領域近傍の第２リード２ｂの上の封止体４の厚さを、ワイヤ３が電気的に接続されている領域近傍の第２リード２ｂの下の封止体４の厚さと近似の値とすることができる。
【００４８】
これにより、封止体４における第２リード２ｂの上側と下側のレジンバランスを良くすることができ、その結果、封止体４の反り（パッケージ反り）を低減化することができる。
【００４９】
したがって、高性能で、かつ高信頼度の半導体装置を実現することができるとともに製造歩留りを高くすることができる。
【００５０】
さらに、本実施の形態１の半導体装置の製造方法によれば、封止体４を形成する工程において、ワイヤ３が電気的に接続されている領域近傍の第２リード２ｂの上の封止体４の厚さを増やすことが可能になるため、ワイヤ３が電気的に接続されている領域近傍の第２リード２ｂの上の封止体４の厚さを厚くすることができ、その結果、第２リード２ｂが変形した際にも、封止体４の外側から第２リード２ｂが透けて見えるという現象を防止することができる。
【００５１】
（実施の形態２）
図９は本発明の実施の形態２の半導体装置の基本構造の一例を示す拡大部分断面図、図１０は本発明の実施の形態２の半導体装置の構造の一例を示す図であり、（ａ）は封止体の各領域を示した平面図、（ｂ）は断面図、図１１は本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法に用いられるリードフレームの構造の一例を示す拡大部分平面図、図１２は本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法においてダイボンディング終了時点でのリードフレームと半導体チップの構造の一例を示す拡大部分平面図、図１３は図１２のＡ−Ａ線に沿う断面の構造を示す拡大部分断面図、図１４は図１２のＡ−Ｂ線に沿う断面の構造を示す拡大部分断面図、図１５は図１２のＣ−Ｃ線に沿う断面の構造を示す拡大部分断面図、図１６は図１２のＤ−Ｄ線に沿う断面の構造を示す拡大部分断面図、図１７は本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法においてワイヤボンディング終了時点でのボンディング状態の一例を示す拡大部分平面図、図１８は本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法の樹脂封止工程における封止用樹脂注入方法の一例を示す図であり、図１２のＥ−Ｅ線に沿った箇所の拡大部分断面図、図１９は本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法における組み立て手順の一例を示すプロセスフロー図、図２０は本発明の実施の形態２の半導体装置における実装形態の一例を示す部分正面図である。
【００５２】
本実施の形態２の半導体装置は、実施の形態１で説明した半導体装置と同様に、チップシュリンク化を図ったＬＯＣ構造のものであり、したがって、半導体チップ１の主面１ｂ上に端部が配置されてこの主面１ｂと接合して半導体チップ１を支持する第１リード２ａと、半導体チップ１の主面１ｂ上には配置されずに半導体チップ１の外側近傍で終端している第２リード２ｂとを混在して有しているものである。
【００５３】
まず、図９を用いて本実施の形態２におけるＬＯＣ型半導体装置５の基本構成について説明する。
【００５４】
なお、図９は、完成品のＬＯＣ５において、図１２のＡ−Ａ線と同じ箇所で切断した断面を表した図である。
【００５５】
前記ＬＯＣ５は、半導体素子および複数のボンディングパッド１ａが形成された主面１ｂと主面１ｂに対向する裏面１ｃとを備えた半導体チップ１と、それぞれにインナ部２ｃおよびアウタ部２ｄを備え、かつ半導体チップ１の主面１ｂ上に延びる複数の第１リード２ａとワイヤ３が接合されるボンディング部２ｆが半導体チップ１の近傍で終端している複数の第２リード２ｂとからなる複数のリード２ｅと、ボンディングパッド１ａと第１リード２ａおよび第２リード２ｂのインナ部２ｃのボンディング部２ｆとをそれぞれ電気的に接続するワイヤ３と、半導体チップ１、リード２ｅのインナ部２ｃおよびワイヤ３を封じている封止体６（パッケージともいう）とを有しており、第２リード２ｂの封止体６内に配置されるインナ部２ｃは、半導体チップ１の主面１ｂから裏面１ｃに向かう方向に折り曲げられているものである。
【００５６】
なお、一般的にＬＯＣ構造の半導体装置では、複数の第２リード２ｂが半導体チップ１の主面１ｂに接合されるため、第２リード２ｂと第１リード２ａとからなるリード２ｅは、封止体６の側面６ａにおいてその上面６ｂ寄りの箇所から外部に突出し、さらに、実装用として突出箇所から封止体６の下面６ｃ方向に向かって折り曲げられている。
【００５７】
すなわち、図９に示すように、封止体６の側面６ａにおいてリード２ｅの突出箇所と封止体６の上面６ｂとの距離をＨとし、さらに、リード２ｅの突出箇所と封止体６の下面６ｃとの距離をＩとすると、Ｈ≪Ｉの関係となる。
【００５８】
これにより、本実施の形態２のＬＯＣ５において、封止体６の側面６ａの突出箇所から下方に向かって折り曲げられたリード２ｅのアウタ部２ｄの長さをＬとすると、Ｌを非常に長くすることができ、その結果、実装基板１１（図２０参照）に半田実装してサイクル（信頼性）テストなどを行った際に、アウタ部２ｄの長さである前記Ｌが長いことにより、半田に対する応力を緩和することができる。
【００５９】
したがって、半田実装における接続寿命を伸ばすことができる。
【００６０】
さらに、ＬＯＣ５では、第２リード２ｂのインナ部２ｃに、半導体チップ１の主面１ｂから裏面１ｃに向かう方向に折り曲げられた箇所が形成されていることにより、封止体６の厚さ方向においてその中央付近にインナ部２ｃを配置でき、これにより、封止体６のうちインナ部２ｃの上側の厚さをＪとし、インナ部２ｃの下側の厚さをＫとすると、Ｊ≒Ｋの関係を形成することができる。
【００６１】
すなわち、本実施の形態２のＬＯＣ５は、チップシュリンク化を図ったＬＯＣ５であり、このＬＯＣ５の封止体６において、第２リード２ｂのインナ部２ｃのボンディング部２ｆを有した同一高さ領域の上側（上側樹脂部６ｆ）と下側（下側樹脂部６ｇ）のレジンバランスを良好にしてパッケージ反りを防止するものである。
【００６２】
なお、本実施の形態２では、半導体チップ１、封止体６およびリード２ｅ（アウタ部２ｄおよびインナ部２ｃを含む）に対して「上」、「上方」、「高い」、「下」、「下方」、「低い」などの表現は、ＬＯＣ５のリード２ｅのアウタ部２ｄの被実装面２ｇを基準として、この被実装面２ｇの封止体側において被実装面２ｇから遠ざかる（離れる）方向を上または高い方向とし、被実装面２ｇに近づく方向を下または低い方向として説明する。
【００６３】
次に、図１０〜図１７を用いて、本実施の形態２のＬＯＣ５（半導体装置）の詳細構造を説明する。
【００６４】
なお、図１３〜図１６は、図１２に示すダイボンディング終了時点でのリードフレームと半導体チップの構造において、それぞれＡ−Ａ線、Ａ−Ｂ線、Ｃ−Ｃ線およびＤ−Ｄ線に沿う断面の構造を示したものであるが、図１２〜図１６における一点鎖線で示した封止体６の形状については、モールド後の封止体６の外形形状を仮想線として表したものである。
【００６５】
また、図１０（ｂ）に示すように、第１リード２ａのインナ部２ｃの端部はポリイミドテープなどの絶縁性テープ７によって半導体チップ１の主面１ｂに固着されている。
【００６６】
すなわち、半導体チップ１は、絶縁性テープ７を介して複数の第１リード２ａによって支持されている。
【００６７】
また、封止体６の側面６ａから突出する各リード２ｅのアウタ部２ｄは、まず封止体６から遠ざかる方向に突出し、次に封止体６の下面６ｃ方向に折れ曲がり、さらに封止体６から遠ざかる方向に折れ曲げられており、本実施の形態２のＬＯＣ５のリード２ｅのアウタ部２ｄは、ガルウィング状に曲げ成形されたものである。
【００６８】
その際、第１リード２ａおよび第２リード２ｂのアウタ部２ｄは、封止体６の側面６ａにおいて半導体チップ１の主面１ｂの高さよりも上方の箇所で封止体６から外部に突出している。
【００６９】
なお、封止体６は、図１０（ｂ）に示すように、半導体チップ１の主面１ｂ側に形成された上面６ｂと、半導体チップ１の裏面１ｃ側に形成された下面６ｃと、半導体チップ１の側部周囲に形成された４つの側面６ａとからなり、封止体６の側面６ａのリード２ｅが突出する突出箇所において、リード２ｅと封止体６の上面６ｂとの距離（図９に示す距離Ｈ）が、リード２ｅと封止体６の下面６ｃとの距離（図９に示す距離Ｉ）よりも遙に短い（Ｈ≪Ｉ）。
【００７０】
これにより、図９に示すＬＯＣ５の基本構造で説明したように、リード２ｅのアウタ部２ｄの高さ方向の長さＬを非常に長く形成することができ、したがって、実装基板１１（図２０参照）に半田実装してサイクルテストなどを行った際に、半田に対する応力を緩和することができる。
【００７１】
その結果、チップシュリンク化を行ったＬＯＣ５の半田実装における接続寿命を伸ばすことができる。
【００７２】
また、ＬＯＣ５に組み込まれた半導体チップ１は、図１０（ａ）に示すように、その平面形状が長方形であるとともに、図１７に示すように、複数のボンディングパッド１ａが、半導体チップ１の主面１ｂの長辺にほぼ平行に主面１ｂの中央付近に一列に並んで配置されている。
【００７３】
ここで、本実施の形態のＬＯＣ５における半導体チップ１の各ピン機能を図１２を用いて説明する。
【００７４】
図１２は、各ピン機能をこれに対応するリード２ｅに置き換えたものであり、Ｖｃｃは電源、Ｖｓｓはグラウンド、Ａ1 〜Ａ13はアドレス入力、ＲＡＳはロウ・アドレス・ストローブ、ＣＡＳはカラム・アドレス・ストローブ、ＤＱ0 〜ＤＱ15はデータ入出力、ＣＬＫはクロック入力、ＣＫＥはクロック・イネーブル入力、ＷＥはライト・イネーブル入力、ＣＳはチップ・セレクト、およびＮＣは無接続である。
【００７５】
また、ＬＯＣ５における封止体６の平面形状は、図１０（ａ）に示すように、半導体チップ１に対応した長方形である。その際、チップシュリンク化によって半導体チップ１の小形化が図られると、封止体６の内部には比較的広い面積のチップ外側の領域であるチップ外側部が形成される。
【００７６】
ここでは、図１０（ａ）に示すように、封止体６の前記チップ外側部をチップ長手方向外側部６ｄとチップ幅方向外側部６ｅとに区分けして説明する。すなわち、チップ長手方向外側部６ｄは、封止体６における半導体チップ１の長手方向の外側領域であり、一方、チップ幅方向外側部６ｅは、封止体６における半導体チップ１の幅方向の外側領域である。
【００７７】
したがって、封止体６のチップ長手方向外側部６ｄおよびチップ幅方向外側部６ｅのうち、少なくともチップ長手方向外側部６ｄに配置されるリード２ｅのインナ部２ｃに折り曲げが形成されており、本実施の形態のＬＯＣ５では、チップ長手方向外側部６ｄおよびチップ幅方向外側部６ｅの両者に前記折り曲げが形成されている。
【００７８】
また、ＬＯＣ５では、半導体チップ１の短辺と封止体６の短辺との間の領域、すなわち、封止体６のチップ長手方向外側部６ｄに第１リード２ａよりも長い第２リード２ｂが配置されている。
【００７９】
すなわち、チップ長手方向外側部６ｄにおいて第１リード２ａよりも長い第２リード２ｂを配置することにより、封止体６における比較的面積の広いチップ長手方向外側部６ｄの剛性を高くすることができ、その結果、ＬＯＣ５におけるパッケージ反りを防止することができる。
【００８０】
また、第１リード２ａは、図１７に示すように、半導体チップ１の長辺と直交する方向に延びるとともに、前記長辺に沿って複数並んで配置されている。
【００８１】
さらに、図１２に示すように、第２リード２ｂの一部、ここでは、第２リード２ｂから枝分かれして設けられたリード２ｅとして、例えば、電源用もしくはグランド用のバスバーリード２ｈが、半導体チップ１の主面１ｂ上に延在しており、このバスバーリード２ｈが半導体チップ１の一方の短辺からこれに対向する他方の短辺に跨がって設けられている。
【００８２】
また、封止体６のチップ長手方向外側部６ｄに配置されるリード２ｅのうち少なくとも第２リード２ｂには、貫通孔２ｉまたは細長いスリット２ｊが設けられている。
【００８３】
ただし、貫通孔２ｉまたはスリット２ｊは、チップ長手方向外側部６ｄに配置される第１リード２ａに設けられていてもよく、その際、貫通孔２ｉおよびスリット２ｊの両者が設けられていてもよく、あるいは、何れか一方が設けられていてもよく、これらが、チップ幅方向外側部６ｅに設けられていてもよい。
【００８４】
なお、貫通孔２ｉまたはスリット２ｊが設けられていることにより、レジン注入時に、封止用樹脂（図１８参照、レジンともいう）８が貫通孔２ｉやスリット２ｊに入り込むため、封止体６とリード２ｅの密着性を向上でき、その結果、ＬＯＣ５におけるパッケージ反りを低減できる。
【００８５】
さらに、レジン注入時に、封止用樹脂８が貫通孔２ｉやスリット２ｊを通過できるため、封止体６におけるリード２ｅのインナ部２ｃの上側と下側とのレジンバランスを良くすることができ、これによっても前記同様パッケージ反りを低減できる。
【００８６】
ここで、ＬＯＣ５の各インナ部２ｃにおける折り曲げ量について説明する。
【００８７】
図１３〜図１６に示すように、ＬＯＣ５のインナ部２ｃの折り曲げには、２種類の曲げ量があり、折り曲げＰは、例えば、０.2７ｍｍであり、さらに、差分Ｑ（図１６では折り曲げＱ）は、例えば、０.1０ｍｍであるため、もう一方（チップ近傍）の折り曲げ量は、０.2７ｍｍ−０.1０ｍｍ＝０.1７ｍｍである。
【００８８】
なお、ＬＯＣ５には、封止体６の側面６ａの近傍内部において半導体チップ１の主面１ｂから裏面１ｃに向かう方向に折り曲げられた第１折り曲げ部（折り曲げ部）２ｋおよびそこからさらに延び、かつ半導体チップ１の裏面１ｃから主面１ｂに向かう方向に折り曲げられた第２折り曲げ部２ｌが形成された図１４および図１５に示す複数の第１リード２ａと、封止体６の側面６ａの近傍内部において半導体チップ１の主面１ｂから裏面１ｃに向かう方向に折り曲げられた第１折り曲げ部２ｋのみが形成された図１３に示す第２リード２ｂと、半導体チップ１の主面１ｂから裏面１ｃに向かう方向に折り曲げられた第１折り曲げ部２ｋのみが形成された図１６に示す複数の第３リード２ｍとが設けられている。
【００８９】
すなわち、図１４および図１５に示す第１リード２ａは、チップ長手方向外側部６ｄにおいてそのインナ部２ｃに２つの折り曲げが形成されるとともに、インナ部２ｃの先端が半導体チップ１の主面１ｂ上に配置され、さらに、図１３に示す第２リード２ｂは、チップ長手方向外側部６ｄにおいてそのインナ部２ｃに１つの折り曲げが形成されるとともに、インナ部２ｃの先端が半導体チップ１の近傍で終端しており、また、図１６に示す第３リード２ｍは、チップ幅方向外側部６ｅにおいてそのインナ部２ｃに１つの折り曲げが形成されるとともに、インナ部２ｃの先端が半導体チップ１の主面１ｂ上に配置されている。
【００９０】
その際、第１折り曲げ部２ｋおよび第２折り曲げ部２ｌは、封止体６において半導体チップ１の外側に配置されている。
【００９１】
つまり、ＬＯＣ５では、第１折り曲げ部２ｋおよび第２折り曲げ部２ｌの両者が形成された第１リード２ａにおける第１折り曲げ部２ｋと第２折り曲げ部２ｌとは、何れの曲げもチップ長手方向外側部６ｄに形成されている。
【００９２】
また、第１折り曲げ部２ｋは、第２折り曲げ部２ｌよりも高い箇所に配置されている。
【００９３】
さらに、第１折り曲げ部２ｋと第２折り曲げ部２ｌとの間の領域は、第１リード２ａの半導体チップ１上に配置される先端部よりも低い箇所に配置されている。
【００９４】
これらにより、チップ長手方向外側部６ｄにおいては第１折り曲げ部２ｋが封止体６の側面６ａの近傍内部に形成されているため、インナ部２ｃの低い箇所すなわち第１折り曲げ部２ｋから第２折り曲げ部２ｌまでの距離を長くすることができ、その結果、封止体６のチップ長手方向外側部６ｄにおけるリード２ｅの上側と下側のレジンバランスを良くすることができる。
【００９５】
したがって、ＬＯＣ５におけるパッケージ反りを低減できる。
【００９６】
なお、ＬＯＣ５では、図１４、図１５および図１６に示すように、半導体チップ１上に配置される第１リード２ａおよび第３リード２ｍから封止体６の上面６ｂまでの距離Ｍと、半導体チップ１の裏面１ｃと封止体６の下面６ｃとの距離Ｎとが、ほぼ等しくなるように封止体６中に半導体チップ１が配置されており、したがって、半導体チップ１の上下のレジンバランスを良くすることができる。
【００９７】
次に、ＬＯＣ５の構造の特徴を、第１リード２ａのインナ部２ｃを用いて説明する。
【００９８】
すなわち、インナ部２ｃは、第１リード２ａの半導体チップ１上に配置された先端部以外の箇所であり、封止体６の半導体チップ１の外側の領域において、半導体チップ１の主面１ｂから裏面１ｃに向かう方向に折り曲げられた折り曲げ部（第２折り曲げ部２ｌ）が形成されてインナ部２ｃの前記先端部よりも低くなる箇所を有している。
【００９９】
さらに、インナ部２ｃは封止体６の内部であり、折り曲げ部（第２折り曲げ部２ｌ）よりもさらに半導体チップ１から遠い領域において、半導体チップ１の裏面１ｃから主面１ｂに向かう方向に折り曲げられた折り曲げ部（第１折り曲げ部２ｋ）が形成されてインナ部２ｃの低くなる箇所（ここでは、第１折り曲げ部２ｋと第２折り曲げ部２ｌとの間の領域）より高くなる箇所（インナ部２ｃが封止体６から外部に突出する箇所）を有している。
【０１００】
すなわち、インナ部２ｃは、半導体チップ１よりも高い箇所で封止体６から外部に向かって突出してアウタ部２ｄとなっている。
【０１０１】
次に、ＬＯＣ５の構造の特徴を、封止体６の体積を用いて説明する。
【０１０２】
すなわち、ＬＯＣ５では、１つまたは２つの前記折り曲げ部と、封止体６の上面６ｂおよび前記折り曲げられた箇所のインナ部２ｃの面積とによって規定される体積（容積）は、前記１つまたは２つの折り曲げ部と、封止体６の下面６ｃおよび前記折り曲げられた箇所のインナ部２ｃの面積とによって規定される体積（容積）とがほぼ等しくなっている。
【０１０３】
これにより、封止体６におけるインナ部２ｃの上下のレジンバランスを良くすることができる。
【０１０４】
次に、ＬＯＣ５の構造の特徴を、封止体６の半導体チップ１の外側の領域であるチップ外側部を区分けした表現で説明する。
【０１０５】
すなわち、ＬＯＣ５では、封止体６における前記チップ外側部に、リード２ｅのインナ部２ｃが半導体チップ１の主面１ｂから裏面１ｃに向かう方向に折り曲げられて形成された折り曲げ部（第１折り曲げ部２ｋおよび第２折り曲げ部２ｌ）を有しており、その際、前記チップ外側部に複数の折り曲げ量の前記折り曲げ部が形成されている。
【０１０６】
例えば、本実施の形態２のＬＯＣ５には、図１３〜図１６に示すように、２種類の折り曲げ量（図１３〜図１５に示すチップ長手方向外側部６ｄの第１折り曲げ部２ｋは０.2７ｍｍ、第２折り曲げ部２ｌは０.1７ｍｍ、ただし、図１６に示すチップ幅方向外側部６ｅの第１折り曲げ部２ｋは０.1７ｍｍ）の折り曲げ部が形成されている。
【０１０７】
なお、ＬＯＣ５におけるリード２ｅのインナ部２ｃの折り曲げ量の種類は何種類であってもよい。
【０１０８】
また、ＬＯＣ５では、図１６に示すように、封止体６における半導体チップ１の幅方向の外側領域であるチップ幅方向外側部６ｅに、インナ部２ｃの前記折り曲げ部である第１折り曲げ部２ｋが形成されており、したがって、チップ長手方向外側部６ｄとチップ幅方向外側部６ｅとで異なった折り曲げ量の前記折り曲げ部が両外側部に形成されていることになる。
【０１０９】
さらに、ＬＯＣ５では、チップ長手方向外側部６ｄに形成されたインナ部２ｃの前記折り曲げ部の折り曲げ量が、チップ幅方向外側部６ｅに形成されたインナ部２ｃの前記折り曲げ部の折り曲げ量より大きい。
【０１１０】
つまり、図１３〜図１６に示すように、ＬＯＣ５におけるチップ長手方向外側部６ｄに形成されたインナ部２ｃの第１折り曲げ部２ｋの折り曲げ量は０.2７ｍｍであり、チップ幅方向外側部６ｅに形成されたインナ部２ｃの第１折り曲げ部２ｋの折り曲げ量は０.1７ｍｍである。
【０１１１】
これは、ＬＯＣ５の封止体６においては、チップ長手方向外側部６ｄの方が、チップ幅方向外側部６ｅよりも面積が広いため、封止体６の長手方向に反りが発生し易く、これを防止するために、少なくともチップ長手方向外側部６ｄに形成されたインナ部２ｃの第１折り曲げ部２ｋの折り曲げ量を大きくしてチップ長手方向外側部６ｄのインナ部２ｃの上側と下側のレジンバランスを良くするものである。
【０１１２】
これにより、ＬＯＣ５において封止体６の長手方向の反りを防止することができる。
【０１１３】
また、ＬＯＣ５では、封止体６のチップ長手方向外側部６ｄに配置された複数のリード２ｅのインナ部２ｃが、ほぼ均一の間隔で、かつほぼ均一の幅に形成されている。
【０１１４】
すなわち、ＬＯＣ５では、図１１に示すように、チップ長手方向外側部６ｄ（図１０参照）に配置された第２リード２ｂに細長いスリット２ｊや貫通孔２ｉが形成され、これにより、このチップ長手方向外側部６ｄに配置された第２リード２ｂや第１リード２ａのリード幅をほぼ均一に形成し、かつ、第２リード２ｂや第１リード２ａをほぼ均一の間隔で設けている。
【０１１５】
これにより、広い面積のチップ長手方向外側部６ｄにおいて、封止体６に応力が付与された際にも、前記応力を分散させることができ、したがって、チップ長手方向外側部６ｄにおける局所的応力集中を防止できる。
【０１１６】
その結果、ＬＯＣ５において封止体６の長手方向の反りを防止することができる。
【０１１７】
ここで、本実施の形態２のＬＯＣ５に用いられる各部材の材質について説明すると、第１リード２ａ、第２リード２ｂおよび第３リード２ｍを有するリードフレーム２は、例えば、鉄、銅、または鉄とニッケルの合金などである。
【０１１８】
さらに、ボンディング用のワイヤ３は、金属細線であり、例えば、金線などである。
【０１１９】
また、封止体６を形成する封止用樹脂８（レジン）は、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂などであり、さらに、半導体チップ１を第１リード２ａのインナ部２ｃの先端に取り付ける際に用いられる絶縁性テープ７は、耐熱性の高いテープ材であり、例えば、ポリイミドテープなどである。
【０１２０】
次に、本実施の形態２の半導体装置（ＬＯＣ５）の製造方法を図１９に示すプロセスフロー図にしたがって説明する。
【０１２１】
まず、図１９のステップＳ１に示すように、半導体チップ１の主面１ｂ上に配置される複数の第１リード２ａおよび第３リード２ｍと半導体チップ１の近傍で終端している複数の第２リード２ｂとからなる複数のリード２ｅを備え、かつ封止体６の内部に配置されるリード２ｅのインナ部２ｃに半導体チップ１の主面１ｂから裏面１ｃに向かう方向に折り曲げられた折り曲げ部である第１折り曲げ部２ｋおよび第２折り曲げ部２ｌが形成された図１１に示すリードフレーム２を準備する。
【０１２２】
なお、リードフレーム２には、半導体チップ１を固定するための絶縁性テープ７が、第１リード２ａおよび第３リード２ｍのインナ部２ｃの先端およびバスバーリード２ｈに取り付けられている。
【０１２３】
さらに、図１２に示す第１リード２ａ、第２リード２ｂおよびバスバーリード２ｈにおける×マークは、ワイヤボンディング時のボンディング部２ｆを示している。
【０１２４】
続いて、リード２ｅのインナ部２ｃと半導体チップ１の主面１ｂとを接合するダイボンディング（ステップＳ２）を行う。
【０１２５】
ここでは、図１２に示すように、絶縁性テープ７を介して熱圧着し、これによって、半導体チップ１の主面１ｂを第１リード２ａおよび第３リード２ｍのインナ部２ｃの先端およびバスバーリード２ｈに取り付ける。
【０１２６】
したがって、半導体チップ１は、絶縁性テープ７を介して第１リード２ａおよび第３リード２ｍのインナ部２ｃの先端およびバスバーリード２ｈによって支持された状態となる。
【０１２７】
さらに、ワイヤボンディング（ステップＳ３）を行って、図１７に示すように、半導体チップ１のボンディングパッド１ａとこれに対応するインナ部２ｃの先端およびバスバーリード２ｈとをボンディング用のワイヤ３によって電気的に接続する。
【０１２８】
その後、ステップＳ４に示す樹脂封止を行う。
【０１２９】
すなわち、半導体チップ１、各リード２ｅのインナ部２ｃおよびワイヤ３を樹脂封止する。
【０１３０】
なお、本実施の形態２では、図１８に示すモールド金型９を用いて、トランスファーモールド方式によって樹脂封止を行う。
【０１３１】
その際、ＬＯＣ５では、第２リード２ｂの一部、すなわち、第２リード２ｂから枝分かれした分岐リードが、電源用もしくはグランド用として用いられるバスバーリード２ｈであり、モールド金型９においては、図１８に示すように、バスバーリード２ｈ（図１１参照）の吊りリード２ｔに対応した箇所にモールド用の樹脂注入口であるゲート９ａが設けられている。
【０１３２】
したがって、樹脂封止時に、モールド金型９のゲート９ａからキャビティ９ｂに封止用樹脂８を注入する。
【０１３３】
なお、図１８に示すように、キャビティ９ｂ内に配置される第２リード２ｂは、そのキャビティ９ｂ内壁の近傍に第１折り曲げ部２ｋが形成されているため、吊りリード２ｔに沿って形成されたゲート９ａから封止用樹脂８をキャビティ９ｂに注入した際に、封止用樹脂８は第１折り曲げ部２ｋに衝突して乱流を形成する。
【０１３４】
これにより、封止用樹脂８がインナ部２ｃの低い箇所２ｐの上下に分かれてキャビティ９ｂ内に流れ込んでいく。
【０１３５】
さらに、第２リード２ｂには、貫通孔２ｉおよびスリット２ｊ（図１１参照）が形成されているため、貫通孔２ｉおよびスリット２ｊに封止用樹脂８を通してキャビティ９ｂに封止用樹脂８を充填させることができる。
【０１３６】
したがって、図１３、図１４に示す上側樹脂部６ｆと下側樹脂部６ｇとのレジンバランスをほぼ等しくして封止体６を形成することができる。
【０１３７】
また、チップ長手方向外側部６ｄにおいては、第２リード２ｂに貫通孔２ｉおよびスリット２ｊが形成されているため、貫通孔２ｉおよびスリット２ｊを通して上側樹脂部６ｆと下側樹脂部６ｇとを繋ぐことができるため、リード２ｅのインナ部２ｃと封止体６との密着性を向上できる。
【０１３８】
これにより、封止体６における長手方向のパッケージ反りを防止できる。
【０１３９】
なお、図１８に示すゲートレジン溜り部９ｃは、キャビティ９ｂに封止用樹脂８を注入する際に、一旦封止用樹脂８を溜める箇所である。
【０１４０】
樹脂封止終了後、ステップＳ５に示す切断・成形を行う。
【０１４１】
すなわち、リードフレーム２の枠部２ｕから封止体６が形成されたリード２ｅのアウタ部２ｄを切断してこれを分離し、これと同時にリード２ｅのアウタ部２ｄを図１０（ｂ）に示すようにガルウィング状に曲げ成形する。
【０１４２】
これによって、ＬＯＣ５の組み立てを終了する。
【０１４３】
なお、種々のテストに合格して完成品となったＬＯＣ５は、例えば、図２０に示すようなモジュール品１０などに実装される。前記モジュール品１０は、例えば、実装基板１１の表裏両面に複数のＬＯＣ５を、半田によるリフロー実装などによって実装したメモリモジュールなどであり、したがって、その際にＬＯＣ５に組み込まれる半導体チップ１はメモリチップである。
【０１４４】
ただし、モジュール品１０は、メモリモジュールに限定されるものではなく、メモリ以外の他の機能を備えた製品であってもよく、また、ＬＯＣ５はモジュール品１０以外に、単品としてプリント配線基板などに実装されるものであってもよい。
【０１４５】
本実施の形態２の半導体装置（ＬＯＣ５）およびその製造方法によれば、以下のような効果が得られる。
【０１４６】
すなわち、チップシュリンク化を図ったＬＯＣ５において半導体チップ１の主面１ｂ上に配置されない第２リード２ｂのインナ部２ｃに、半導体チップ１の主面１ｂから裏面１ｃに向かう方向に折り曲げ部（第１折り曲げ部２ｋまたは第２折り曲げ部２ｌのうちの少なくとも何れか一方）が形成されていることにより、封止体６のチップ長手方向外側部６ｄにおいてモールド時の第１リード２ａおよび第２リード２ｂの上側と下側とのレジンバランスを良好にできる。
【０１４７】
これにより、チップシュリンク化を図ったＬＯＣ５におけるパッケージ反りを防止できる。
【０１４８】
また、第２リード２ｂおよび第３リード２ｍのインナ部２ｃに前記折り曲げ部が形成されたことにより、第２リード２ｂおよび第３リード２ｍのインナ部２ｃに対して比較的低い位置でワイヤ３が接合されるため、ワイヤ３の封止体６からの露出を防止することができるとともに、ワイヤ３が封止体６の外部から透けて見えることがなくなる。
【０１４９】
さらに、第２リード２ｂおよび第３リード２ｍのインナ部２ｃに前記折り曲げ部が形成されたことにより、第２リード２ｂおよび第３リード２ｍのインナ部２ｃに対して比較的低い位置でワイヤ３が接合されるため、第２リード２ｂおよび第３リード２ｍに接合したワイヤ３のワイヤ流れを低減でき、これにより、ワイヤ３の変形を低減できる。
【０１５０】
したがって、ＬＯＣ５の性能および信頼度を向上させることができる。
【０１５１】
また、半導体チップ１の主面１ｂ上に配置される第１リード２ａの一部に、半導体チップ１の主面１ｂから裏面１ｃに向かう方向に折り曲げられた第１折り曲げ部２ｋが形成され、かつこの第１リード２ａには、第１折り曲げ部２ｋよりも半導体チップ１に近い箇所において半導体チップ１の裏面１ｃから主面１ｂに向かう方向に折り曲げられた第２折り曲げ部２ｌが形成されていることにより、封止体６におけるチップ長手方向外側部６ｄとチップ幅方向外側部６ｅとで、レジンバランスを良好にできる。
【０１５２】
したがって、チップシュリンク化をさらに図ったＬＯＣ５においてさらにパッケージ反りを防止できる。
【０１５３】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【０１５４】
例えば、前記実施の形態１，２で説明したＬＯＣ５のリード２ｅのインナ部２ｃの折り曲げについては、その形成箇所や高さ方向の形成位置、あるいは形成数などにおいて、様々な構造が考えられる。
【０１５５】
そこで、図２１（ａ）に示す他の実施の形態のＬＯＣ５は、第２リード２ｂのインナ部２ｃが、図２１（ｂ）に示すように半導体チップ１の主面１ｂより高い箇所２ｎと低い箇所２ｐとを有しており、半導体チップ１の主面１ｂより低い箇所２ｐの総面積が、半導体チップ１の主面１ｂより高い箇所２ｎの総面積よりも大きくなるように形成されている。
【０１５６】
これにより、低い箇所２ｐは、封止体６の高さ方向においてほぼ中央付近に配置されるため、インナ部２ｃにおいてこの低い箇所２ｐの面積が大きい方が、封止体６のチップ長手方向外側部６ｄにおけるレジンバランスを良くすることができ、その結果、封止体６のパッケージ反りを防止できる。
【０１５７】
さらに、第２リード２ｂの半導体チップ１の主面１ｂより高い箇所２ｎは、図２１（ｃ）に示すように、半導体チップ１との間に第２リード２ｂの半導体チップ１より低い箇所２ｐを介して設けられるとともに、封止体６の内部の外周際に配置される第１の高い箇所２ｑと、半導体チップ１の主面１ｂ上に延びる第２の高い箇所２ｒとからなっていても良い。
【０１５８】
これにより、チップ長手方向外側部６ｄにおいて、高い箇所２ｎが封止体６の内部の外周際に配置されているため、チップ長手方向外側部６ｄのレジンバランスに悪影響を及ぼすことを防げる。
【０１５９】
なお、第２リード２ｂの第２の高い箇所２ｒは、第２リード２ｂの低い箇所２ｐより高い位置に配置されており、さらに、第２リード２ｂの第１の高い箇所２ｑは、半導体チップ１の主面１ｂを基準として第２の高い箇所２ｒよりも高い位置に配置されている。
【０１６０】
また、図２２（ａ),（ｂ）に示す他の実施の形態のように、第１リード２ａに設けられる折り曲げ部は、０〜３箇所のいずれの数設けられていてもよい。
【０１６１】
すなわち、一部の第１リード２ａおよび第２リード２ｂには、図２２（ｂ）に示すように、半導体チップ１の主面１ｂから裏面１ｃに向かう方向に折り曲げられた第１折り曲げ部２ｋが形成され、さらに、前記一部の第１リード２ａには、第１折り曲げ部２ｋよりも半導体チップ１に近い箇所において半導体チップ１の裏面１ｃから主面１ｂに向かう方向に折り曲げられた第２折り曲げ部２ｌが形成されている。
【０１６２】
また、第１折り曲げ部２ｋは、封止体６の側面６ａとリード２ｅとが直角に交わる箇所の近傍に形成されていることが好ましい。
【０１６３】
なお、第１リード２ａは、半導体チップ１の主面１ｂから裏面に向かう方向に折り曲げられた折り曲げ部を１箇所のみ有する他のリード２ｓ（図２２（ａ）参照）を含んでいてもよい。
【０１６４】
また、第２リード２ｂにおいて、この第２リード２ｂがこれから枝分かれした分岐リードを有している場合、この第２リード２ｂから枝分かれした分岐リードが、半導体チップ１の主面１ｂに固定されていてもよい。
【０１６５】
さらに、第１折り曲げ部２ｋおよび第２折り曲げ部２ｌは、少なくとも半導体チップ１の短辺と封止体６との間の領域、すなわちチップ長手方向外側部６ｄに配置されていることが好ましく、また、少なくとも第１リード２ａおよび第２リード２ｂの両者もしくは何れか一方に、半導体チップ１の外側の領域において折り曲げが形成されていればよい。
【０１６６】
また、前記実施の形態１，２においては、ＬＯＣ５のアウタ部２ｄがガルウィング状に曲げ成形されている場合を説明したが、アウタ部２ｄの形状は、ガルウィング状に限定されるものではなく、例えば、Ｊ形状などであってもよい。
【０１６７】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【０１６８】
（１）．ＬＯＣにおいて半導体チップの主面上に配置されない第２リードのインナ部が半導体チップの主面から裏面に向かう方向に折り曲げられていることにより、封止体のチップ長手方向外側部においてモールド時の第２リードの上側と下側とのレジンバランスを良好にできる。これにより、チップシュリンク化を図ったＬＯＣにおけるパッケージ反りを防止できる。
【０１６９】
（２）．第２リードのインナ部に折り曲げ部が形成されたことにより、第２リードのインナ部に対して比較的低い位置でワイヤが接合されるため、ワイヤの封止体からの露出を防止することができるとともに、ワイヤが封止体の外部から透けて見えることがなくなる。さらに、第２リードに接合したワイヤのワイヤ流れを低減でき、これにより、ワイヤの変形を低減できる。したがって、ＬＯＣの性能および信頼度を向上させることができる。
【０１７０】
（３）．半導体チップの主面上に配置される第１リードのうち一部の第１リードおよび前記第２リードに第１折り曲げ部が形成され、かつ前記第１リードには、第１折り曲げ部よりも半導体チップに近い箇所において第２折り曲げ部が形成されていることにより、封止体におけるチップ長手方向外側部とチップ幅方向外側部とでレジンバランスを良好にできる。したがって、チップシュリンク化を図ったＬＯＣにおいてもさらにパッケージ反りを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１の半導体装置の構造の一例を封止体を透過してその内部構成を示す部分平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う断面の構造を示す拡大部分断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法においてダイボンディング終了時点でのリードフレームと半導体チップの構造の一例を示す拡大部分平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ線に沿う断面の構造を示す拡大部分断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法においてワイヤボンディング終了時点でのボンディング状態の一例を示す拡大部分平面図である。
【図６】図５のＡ−Ａ線に沿う断面の構造を示す拡大部分断面図である。
【図７】本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法において樹脂封止終了時点でのパッケージ内部の構造を透過して示す拡大部分平面図である。
【図８】図７のＡ−Ａ線に沿う断面の構造を示す拡大部分断面図である。
【図９】本発明の実施の形態２の半導体装置の基本構造の一例を示す拡大部分断面図である。
【図１０】（ａ),（ｂ）は本発明の実施の形態２の半導体装置の構造の一例を示す図であり、（ａ）は封止体の各領域を示した平面図、（ｂ）は断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法に用いられるリードフレームの構造の一例を示す拡大部分平面図である。
【図１２】本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法においてダイボンディング終了時点でのリードフレームと半導体チップの構造の一例を示す拡大部分平面図である。
【図１３】図１２のＡ−Ａ線に沿う断面の構造を示す拡大部分断面図である。
【図１４】図１２のＡ−Ｂ線に沿う断面の構造を示す拡大部分断面図である。
【図１５】図１２のＣ−Ｃ線に沿う断面の構造を示す拡大部分断面図である。
【図１６】図１２のＤ−Ｄ線に沿う断面の構造を示す拡大部分断面図である。
【図１７】本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法においてワイヤボンディング終了時点でのボンディング状態の一例を示す拡大部分平面図である。
【図１８】本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法の樹脂封止工程における封止用樹脂注入方法の一例を示す図であり、図１２のＥ−Ｅ線に沿った箇所の拡大部分断面図である。
【図１９】本発明の実施の形態２の半導体装置の製造方法における組み立て手順の一例を示すプロセスフロー図である。
【図２０】本発明の実施の形態２の半導体装置における実装形態の一例を示す部分正面図である。
【図２１】（ａ),（ｂ),（ｃ）は本発明の他の実施の形態の半導体装置の構造を示す図であり、（ａ）は封止体を透過して示す部分平面図、（ｂ）は（ａ）のＦ−Ｆ線に沿う部分断面図、（ｃ）は（ｂ）の変形例を示す部分断面図である。
【図２２】（ａ),（ｂ) は本発明の他の実施の形態の半導体装置の構造を示す図であり、（ａ）は封止体を透過して示す部分平面図、（ｂ）は（ａ）のＧ−Ｇ線に沿う部分断面図である。
【符号の説明】
１  半導体チップ
１ａ  ボンディングパッド（外部電極）
１ｂ  主面
１ｃ  裏面
２  リードフレーム
２ａ  第１リード
２ｂ  第２リード
２ｂ1   折り曲げ部
２ｃ  インナ部
２ｄ  アウタ部
２ｅ  リード
２ｆ  ボンディング部
２ｇ  被実装面
２ｈ  バスバーリード
２ｉ  貫通孔
２ｊ  スリット
２ｋ  第１折り曲げ部（折り曲げ部）
２ｌ  第２折り曲げ部（折り曲げ部）
２ｍ  第３リード
２ｎ  高い箇所
２ｐ  低い箇所
２ｑ  第１の高い箇所
２ｒ  第２の高い箇所
２ｓ  他のリード
２ｔ  吊りリード
２ｕ  枠部
３  ワイヤ
４  封止体
５  ＬＯＣ（半導体装置）
６  封止体
６ａ  側面
６ｂ  上面
６ｃ  下面
６ｄ  チップ長手方向外側部（チップ外側部）
６ｅ  チップ幅方向外側部（チップ外側部）
６ｆ  上側樹脂部
６ｇ  下側樹脂部
７  絶縁性テープ
８  封止用樹脂
９  モールド金型
９ａ  ゲート
９ｂ  キャビティ
９ｃ  ゲートレジン溜り部
１０  モジュール品
１１  実装基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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