(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に配した第１電極上に、光学的動作領域を含む積層体が設けられ、この積層体上が絶縁層で覆われている発光又は調光素子であって、
前記第１電極上の非光学的動作領域にて、前記積層体の上面より高い導電性の突起が
、前記絶縁層に形成されたスルーホールに埋め込まれ、この埋め込み状態では、前記突
起の上面が前記絶縁層の上面と同一若しくはそれ以下の深さレベルに存在し、
前記突起の前記上面を覆う導電層が所定パターンに被着され、この導電層及び前記突
起によって前記第１電極が前記絶縁層上に電気的に導出されており、
前記光学的動作領域上に前記第１電極に対向して設けられた第２電極も、前記絶縁層
に形成されたスルーホールに被着された導電層を介して前記絶縁層上に電気的に導出さ
れている
発光又は調光素子。
【請求項２】
前記突起及び前記導電層が、前記絶縁層上に実装された電子部品と接続されている、請求項１に記載した発光又は調光素子。
【請求項３】
前記突起が前記第１電極と前記絶縁層上のドライバー素子とを接続し、これによって前記積層体からなる単純マトリクス型発光素子が構成されている、請求項２に記載した発光又は調光素子。
【請求項４】
前記第２電極が、前記絶縁層上に実装された電子部品と接続されている、請求項１に記載した発光又は調光素子。
【請求項５】
前記第２電極が、単純マトリクス型発光素子を構成する前記積層体と前記絶縁層上のドライバー素子とを接続している、請求項４に記載した発光又は調光素子。
【請求項６】
光学的に透明な基体上に、光学的に透明な電極からなる前記第１電極と、有機ホール輸送層、有機発光層及び／又は有機電子輸送層と、金属電極からなる前記第２電極とが積層されている、請求項１に記載した発光又は調光素子。
【請求項７】
有機電界発光素子として構成されている、請求項６に記載した発光又は調光素子。
【請求項８】
基体上に配した第１電極上に、光学的動作領域を含む積層体が設けられ、この積層体上が絶縁層で覆われている発光又は調光素子を製造するに際し、
前記第１電極上の非光学的動作領域に、前記積層体の上面よりも高い導電性の突起を
形成する工程と、
前記突起をスペーサとして用い、このスペーサ上にマスクを配して、前記積層体の構
成層を成膜する工程と、
前記光学的動作領域上に前記第１電極に対向して設けた第２電極上を前記絶縁層で被
覆する工程と、
前記突起を前記絶縁層に形成されたスルーホールに埋め込み、この際、前記突起の上
面を前記絶縁層の上面と同一若しくはそれ以下の深さレベルに存在させる工程と、
前記突起の前記上面を覆う導電層を所定パターンに被着させ、この導電層及び前記突
起によって前記第１電極を前記絶縁層上に電気的に導出する工程と、
前記絶縁層に形成したスルーホールに導電層を被着し、この導電層を介して前記第２
電極を前記絶縁層上に電気的に導出する工程と
を行う、発光又は調光素子の製造方法。
【請求項９】
所定パターンの第１のマスクを用いて前記基体上に前記第１電極を成膜し、しかる後に物理蒸着法又はめっき法により前記突起を前記第１電極上の前記非光学的動作領域に所定パターンに形成した後、所定パターンの第２のマスクを前記突起上に配して前記積層体のうち少なくとも前記第２電極を物理蒸着法によって成膜する、請求項８に記載した発光又は調光素子の製造方法。
【請求項１０】
前記第２電極の形成後において、全面に前記絶縁層を成膜し、この絶縁層の一部分を除去して、前記突起の上面を露出させると共に、前記スルーホールを形成する、請求項８に記載した発光又は調光素子の製造方法。
【請求項１１】
前記突起の上面を露出させた後に、表面を研磨処理して平坦化する、請求項１０に記載した発光又は調光素子の製造方法。
【請求項１２】
金属バンプとしての前記突起の露出部上面及び前記スルーホールにこれらを覆う導電層を被着し、更にこの導電層を導電パターンに加工する、請求項１１に記載した発光又は調光素子の製造方法。
【請求項１３】
保護層及びハードコート層をこの順に成膜して前記絶縁層を形成する、請求項１０に記載した発光又は調光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、間隔を置くことなく画像パネルの接続が可能な発光又は調光素子及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、フラットな電子ディスプレイとして、有機発光材料を用いた電界発光素子（以下、有機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）素子と称することがある。）が、自発光で高速応答性と共に視野角依存性のないディスプレイとして広く用いられている。
【０００３】
図１５は、従来の電界発光素子１０Ａの一例を示す。この有機ＥＬ素子１０Ａは、透明基板（例えばガラス基板）６上に、ＩＴＯ（Indium tin oxide) 透明電極５、ホール輸送層４、発光層３、電子輸送層２、陰極（例えばアルミニウム電極）１を例えば真空蒸着法で順次製膜したダブルヘテロ型である。
【０００４】
そして、陰極である透明電極５と陰極（以下、金属電極と称することがある。）１との間に直流電圧７を選択的に印加することによって、透明電極５から注入されたキャリアとしてのホールがホール輸送層４を経て、また陰極１から注入された電子が電子輸送層２を経て移動し、電子−ホールの再結合が生じ、ここから所定波長の発光８が生じ、透明基板６の側から観察できる。
【０００５】
図１６は、有機発光材料を用いた別の従来例を示すものであって、正孔輸送層材料又は電子輸送材料が発光材料を兼ねており、この場合は、発光層３を省略し、電子輸送層２に上記の如き発光物質を含有させ、電子輸送層２とホール輸送層４との界面から所定波長の発光８が生じるように構成したシングルヘテロ型の有機ＥＬ素子１０Ｂを示すものである。
【０００６】
図１７〜１９は、上記した図１５、図１６の如き基本的な形態を備えた上で、更に別の要素を付加した例を示す。これらの図において、図１５、図１６における電子輸送層２、発光層３及びホール輸送層４を総合して有機層９として示す。
【０００７】
まず、図１７は上記した基本形態であり、この場合は有機層９における発光が金属電極１で反射される領域が発光領域３６となる。
【０００８】
次に、図１８は、金属電極１が有機層９全体を覆うように形成され、有機層９の周縁と透明電極５との間が絶縁層３２で絶縁されており、この分発光領域３６が図１７の場合に比べて狭くなるが、有機層９の周縁部分の劣化を防止することができる。
【０００９】
また、図１９は、上記図１８の構造における透明基板６上部の積層体を保護層２１で覆ったものであり、これにより有機ＥＬ素子（特に金属電極）の酸化を防ぎ耐久性を高めることができる。
【００１０】
図２０は、上記した有機ＥＬ素子の具体例を示す。即ち、各有機層（ホール輸送層４、発光層３又は電子輸送層２）の積層体を陰極１と陽極５との間に配するが、これらの電極をマトリックス状に交差させてストライプ状に設け、輝度信号回路３３、シフトレジスタ内臓の制御回路３４によって時系列に信号電圧を印加し、多数の交差位置（画素）にてそれぞれ発光させるように構成されている。
【００１１】
従って、このような構成により、ディスプレイとしては勿論、画像再生装置としても使用可能となる。なお、上記のストライプパターンをＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色毎に配し、フルカラー又はマルチカラー用として構成することができる。
【００１２】
そして、このような有機ＥＬ素子を初めとする平面発光素子にドライバー回路などを接続する方法は、図２０に示すように、画像表示領域の外縁側までロウおよびコラム電極を引き出し、例えば、ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）等を異方性導電接着剤等で接着する方法が採られてきた。
【００１３】
このため、ディスプレイ上において複数の有機ＥＬ素子を平面状に接続した場合、図２１に示すように、配線用スペースとして、各有機ＥＬ素子３５間に所定の間隔Ｄが不可欠となる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような接続方法では、この有機ＥＬ素子間の間隔が障害となり、タイルを敷きつめたようなタイリングディスプレイ等で複数の画像パネルを繋ぎ目なく接続することができないため、一つの連続した画像を鮮明に形成することができないという問題がある。
【００１５】
本発明者は、この解決策として、有機ＥＬ素子の裏側にハードコーティングを施し、電極部分でハードコート層に穴をあけて、電極を露出させて、導電性塗料を穴を覆うように印刷することによって電極を引き出し、ハードコート層の上に配線した後に、ドライバーＩＣを載せる方法を既に提案しているが、なお改善の余地があることが分った。
【００１６】
一方、有機ＥＬ素子の発光画素を２次元状に配列した単純マトリクスディスプレイを製造する際には、背面電極層をライン状にパターン形成しなければならない。また、さらにフルカラーにするには、発光層をパターン形成する必要がある。
【００１７】
一般に有機ＥＬ素子は溶媒に弱いため、レジストを用いたリソグラフィは難しい。従って、複雑な工程を要するマスク蒸着がパターン形成に用いられているが、パターンが微細なほど、マスクをより接近させ、マスク裏への蒸着物質の回り込みを少なくする必要がある。
【００１８】
しかし、マスクを基板に接触させると、既に成膜されている有機ＥＬ層を傷つけたり、汚染するため、基板とマスクの間に高さが定まったスペーサが存在することが望まれていた。このように画像内にスペーサがなく、外端部にスペーサをいれた場合、マスク及び基板をできるだけ平面に保つ必要がある。特に薄いマスクについてはテンションを加える機構などが必要である。
【００１９】
そこで本発明の目的は、例えば、素子間がすき間のない間隔で配置されて実装部品等の接続が可能であり、かつ成膜時にマスクにより既成膜面が損傷されない発光又は調光素子及びその製造方法を提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明は、基体上に配した第１電極上に、光学的動作領域を含む積層体が設けられ、この積層体上が絶縁層で覆われている発光又は調光素子であって、
前記第１電極上の非光学的動作領域にて、前記積層体の上面より高い導電性の突起が
、前記絶縁層に形成されたスルーホールに埋め込まれ、この埋め込み状態では、前記突
起の上面が前記絶縁層の上面と同一若しくはそれ以下の深さレベルに存在し、
前記突起の前記上面を覆う導電層が所定パターンに被着され、この導電層及び前記突
起によって前記第１電極が前記絶縁層上に電気的に導出されており、
前記光学的動作領域上に前記第１電極に対向して設けられた第２電極も、前記絶縁層
に形成されたスルーホールに被着された導電層を介して前記絶縁層上に電気的に導出さ
れている
発光又は調光素子に係るものである。
【００２１】
本発明の素子によれば、第１電極上の非光学的動作領域に設けた導電性の突起が絶縁層上に電気的に導出されているので、これに実装する電子部品の如き実装部品との配線を上記の導出部で行うことができる。その結果、発光又は調光素子（例えば有機ＥＬ素子）の平面状の接続を素子間の間隔を設けずに行うことができる。また、前記突起の露出部（上面）から絶縁層上に電気的に導出する際、絶縁層に形成したスルーホールに埋め込まれた突起の上面が絶縁層と同一若しくはそれ以下の深さレベルに存在しているので、例えば導電層の被着性が良く、配線が形成し易く、実装部品の装着が安定する。更に、この突起が積層体面より高く形成されるので、光学的動作領域の積層体の成膜時に、この突起が、例えば、蒸着マスクのスペーサを兼ねるため、マスクによる既成膜面の損傷を防ぐことができる。
しかも、光学的動作領域でも、絶縁層に形成したスルーホールに被着した導電層によって同様の導電層を形成すれば、第２電極もその導電層の位置で電気的に導出して実装部品と容易に接続できるため、第１電極のみならず第２電極も併せて容易に外部接続することができる。
【００２２】
また、本発明は、基体上に配した第１電極上に、光学的動作領域を含む積層体が設けられ、この積層体上が絶縁層で覆われている発光又は調光素子を製造するに際し、
前記第１電極上の非光学的動作領域に、前記積層体の上面よりも高い導電性の突起を
形成する工程と、
前記突起をスペーサとして用い、このスペーサ上にマスクを配して、前記積層体の構
成層を成膜する工程と、
前記光学的動作領域上に前記第１電極に対向して設けた第２電極上を前記絶縁層で被
覆する工程と、
前記突起を前記絶縁層に形成されたスルーホールに埋め込み、この際、前記突起の上
面を前記絶縁層の上面と同一若しくはそれ以下の深さレベルに存在させる工程と、
前記突起の前記上面を覆う導電層を所定パターンに被着させ、この導電層及び前記突
起によって前記第１電極を前記絶縁層上に電気的に導出する工程と、
前記絶縁層に形成したスルーホールに導電層を被着し、この導電層を介して前記第２
電極を前記絶縁層上に電気的に導出する工程と
を行う、発光又は調光素子の製造方法に係るものである。
【００２３】
本発明の製造方法によれば、前記した発光又は調光素子の再現性良い製造方法を提供することができると共に、積層体面より高い導電性突起を設けるので、この突起を介して電子部品の如き実装部品との配線の接続部を導出できる。その結果、実装部品との接続のための穴形成プロセスを省くことができ、生産性が向上する。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい実施の形態を、添付した図面を参照しながら製造工程の順に説明するが、本発明が以下に述べる実施の形態に限定されるものでないことは勿論である。
【００２５】
上記した発光又は調光素子及び製造方法においては、図１〜図３に示すように、前記突起が、前記第１電極上に設けられた金属バンプからなり、そして、この金属パンプ上にこれを覆う導電層が被着され、この導電層が導電パターンに加工されていることが望ましい。この金属バンプの材料としては、例えばニッケル、銀ペースト、カーボンペースト等を用いることができる。
【００２６】
この場合、所定パターンの第１のマスクを用いて前記基体上に前記第１電極を成膜し、しかる後に物理蒸着法又はめっき法により前記突起を前記第１電極上の前記非光学的動作領域に所定パターンに形成した後、所定パターンの第２のマスクを前記突起上に配して前記積層体のうち少なくとも前記第１電極に対向した第２電極（対向電極）を物理蒸着法によって成膜することが望ましい。
【００２７】
図１は、有機ＥＬ素子の製造過程における概略平面図を示し、例えば、画素ピッチが１ｍｍ、発光画素サイズが０．７ｍｍ角となるディスプレイ用の単純マトリクス型単色有機ＥＬ素子であり、約１ｍｍ厚のガラス基板１１上に幅０．７ｍｍのストライプ状のＩＴＯ透明電極（厚さ２００ｎｍ）１２を１ｍｍピッチで形成し、この透明電極１２上において、発光画素１４を形成しない領域に０．１×０．６ｍｍのサイズ、２０μｍの厚さの金属バンプ１３を真空成膜法又はめっき法等により形成する。
【００２８】
図２は、図１におけるII−II線断面図、図３は、同じくIII − III線断面図である。
【００２９】
また、これ以外にも例えば、図１に仮想線で示すように、透明電極１２上に絶縁層を設け、この絶縁層に０．７ｍｍ2 の開口部を形成し、発光画素１４Ａとしてもよい。その場合は絶縁層の外縁部を透明電極１２の幅や発光画素サイズより少し広くする。このように、絶縁膜の窓には発光画素（即ち電極交差部）のエッジが露出しないため、エッジでの電流集中による劣化や電極間のショート（短絡）を防止できる。そして、金属パンプ１３を形成する位置にも絶縁膜の窓を設け、透明電極１２と金属バンプ１３とが導通するようにする。この金属バンプ１３の位置は発光画素から離れているため、有機ＥＬ層に傷がついてもよく、また、対向電極を形成しない領域であるので、蒸着時のスペーサとしても機能するバンプを形成できる位置である。バンプの平面形状はこれに限らず任意に行うことができる。
【００３０】
このように、ガラス基板１１に単色の有機ＥＬ素子を形成する場合は、有機ＥＬ膜の形成には蒸着マスクを用いる必要はなく、画面全体に連続する膜を形成してもよい。しかし、マスクを用いて蒸着してもよく、画素毎に分離した構造にしてもよい。有機ＥＬ層としては、例えば、緑単色であればホール輸送層として例えばＣｕＰＣ（銅フタロシアニン）を２５ｎｍ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン）を１５ｎｍ、発光層としてα−ＮＰＤ（α−ナフチルフェニルジアミン）を３０ｎｍ、電子輸送層としてＡｌｑ3 （８−ヒドロキシキノリンアルミニウム）を５０ｎｍ積層する。使用できる有機材料はこれに限らず、膜厚も前述の値に限定されないが、前述の厚さが高効率発光には望ましい。
【００３１】
但し、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）発光の有機ＥＬ素子をストライプ状に形成するには、マスクを用いた蒸着が必要であり、この場合は、対向電極はストライプ状マスクを使った一回の蒸着や、ドット状のマスクを用い、マスクをずらしながら複数回蒸着して透明電極１２のパターンとは直交する方向にライン状のパターン蒸着を行ってもよい。
【００３２】
そして、マスクの下への蒸着物質の廻り込みを防ぐために、蒸着マスクはできるだけ基板に接近させる方がよい。そこで、蒸着マスクの材料としては、鉄、ニッケル、コバルト等の強磁性体を含む合金、特に、熱膨張率がガラスに近いコバール合金が望ましい。
【００３３】
また、マスクの弾性は、１ｍｍで２０μｍもたわむほどには柔らかくなく、ガラス基板が多少反っていても、磁力による吸着で基板形状に追従するように、硬すぎることのないものがよく、薄膜としては５０〜２００μｍ程度が望ましい。マスクの厚みは画素のサイズにも依存し、蒸着パターンが微細なほど薄くする必要がある。
【００３４】
基板のホルダーには磁石が設置されており、ガラス基板を介して、磁力でマスクを吸引しガラス基板に密着させる。マスクはガラス基板の金属バンプの上面でのみ接触するので、発光画素領域はマスクに接触せず保護される。
【００３５】
対向電極は陰極にするのが一般的であり、そのため、仕事関数の小さい金属を含む材料を真空成膜する。この際に、蒸着金属はＬｉ：Ａｌ合金、ＭｇＡｇ合金等が電流の注入効率が高く、低電圧で明るい発光が得られる。その他、ＭｇＩｎやＡｌ単独でもよい。また、金属と有機層の間に０．５〜１ｎｍ程度の誘電体層、例えばＬｉＦ、Ｌｉ2 Ｏ、ＣａＦ2 、ＣａＯなどアルカリ、アルカリ土類金属の弗化物、酸化物等を挿入してもよい。
【００３６】
図４は、金属バンプ１３を形成後に、マスクを用いず画面全体に有機層を成膜し、次に、対向電極を形成するためにマスク１８をかけた状態を示す概略平面図である。
【００３７】
図５は、図４におけるV −V 線断面図であり、ガラス基板１１上に透明電極１２がストライプ状に形成された画面全体に有機層１９が成膜され、そこに形成した金属バンプ１３をスペーサとしてマスク１７がかけられ、マスクの開口部１８から金属電極（カソード）１５が形成された状態を示している。上記したようにこの金属バンプ１３の高さ（厚さ）は２０μｍであり、有機層１９及び金属電極１５の合計の厚さ１μｍ以下よりは十分な高さを有しているので、マスク１７で既成膜部分を傷つけることがない。
【００３８】
対向電極としての金属電極１５を形成後、図６に示すように、保護膜２１、更にハードコート層２２を全面に形成する。保護膜２１の材料としては、ガーボンやａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）、ＳｉＮ、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ、ＴｉＯ2 などの絶縁性のスパッタ膜やＣＶＤ（化学的気相成長法）膜を形成してもよい。これらは、電極のエッジや欠陥から水等が侵入して非発光領域（ダークスポット）が形成されるのを制御することができる。ハードコート層２２の材料としては、比較的低温条件で硬化するのが望ましく、例えば、ポリエステル系レジンであるアサヒ化学研究所製の商品名（ＣＲ−１８Ｇ−ＫＦ）を用いることができる。この材料は１００℃、２０分の乾燥条件で硬化させることができる。このハードコート剤のスクリーン印刷の際にも、金属バンプ１３は有機ＥＬ素子表面を保護するスペーサの役割をする。
【００３９】
次いで図７に示すように、各金属バンプ１３及び各金属電極１５上の保護膜２１及びハードコート層２２を、レーザ加工によってスルーホール２３、２７を形成する。このように、対向電極の形成後において、全面に絶縁層を成膜し、この成膜によって金属バンプ１３上が露出しなくなった場合は、この成膜の一部分を除去して、前記突起の上面を露出させることが望ましい。
【００４０】
しかし、ハードコート層２２をスクリーン印刷の際に厚みが１０〜２０μｍとなるように塗布すれば、金属バンプ１３上のハードコート層２２の膜厚は数μｍ程度となる。従って、金属バンプ１３が高いとハードコート層２２が薄く形成されるので、加工に要するレーザパワーや時間が少なくて済み、生産性が向上する。
【００４１】
次いで、図８に示すように、金属バンプ１３の上面を露出させた後に、表面を研磨処理して平坦化することが望ましい。しかし、この場合、金属バンプ１３が十分にハードコート層２２の表面から突き出ていれば、この機械研磨でも金属バンプ１３を露出することができる。
【００４２】
次いで、図９に示すように、前工程において平坦化した露出部を含む全面に、これを覆うように、金属（例えば、金、銅、ニッケル、アルミニウム）からなる導電層２４を被着し、更にこの導電層２４を導電パターンに加工することが望ましい。これにより、図１０に示すように、金属バンプ１３上に導電パターン２５が形成され、金属電極１５上には導電パターン２６が形成される。但し、この場合、表面を研磨処理しないで図７の状態の上に導電層２４を設けて導電パターンを形成してもよく、これにより導電層２４の被着性が良くなる。
【００４３】
このように、本実施の形態における光学的素子としての有機ＥＬ素子は、対向電極である金属電極１５もスルーホールに被着された導電層２６を介してハードコート層２２上に電気的に導出されていることが望ましい。
【００４４】
次いで、図１１に示すように、導電パターン２５、２６上に、導電性ペースト２８、２９を塗布し、ドライバーＩＣと接続するための配線や接点をハードコート膜上に形成する。
【００４５】
この上で、図１２に示すように、金属バンプ１３及び金属電極１５が、ハードコート層２２上に実装される電子部品３０と接続し、更にドライバー素子と接続することによって単純マトリクスが構成されていることが望ましい。この場合、電子部品３０のリード端子３１を導電ペーストからなる接点２８、２９に接続する。
【００４６】
本実施の形態の有機ＥＬ素子は、光学的に透明な基体上に、光学的に透明な電極からなる第１電極と、有機ホール輸送層、有機発光層及び／又は有機電子輸送層と、金属電極からなる第２電極とが積層されていることが望ましい。
【００４７】
これにより、有機電界発光素子としての良好な有機ＥＬ素子を構成することができる。
【００４８】
図１３は、上記の如く作製した有機ＥＬ素子３５に電子部品３０を実装した状態の概略を示す有機ＥＬ素子の背面図である。この図においては、有機ＥＬ素子３５の背面のハードコート層上に導出された導電ペーストからなる金属バンプの接点２８、金属電極の接点２９を黒丸及び白丸で表示したが、実際にはこのような接点２８、２９が多数形成される。しかし、理解容易のために、これらを簡略図示し、電子部品３０を含めて模式的に示している。
【００４９】
図示の如く、本実施の形態における有機ＥＬ素子３５への電子部品３０の実装は、アノード側の透明電極１２は金属バンプ１３を介し、カソード側の金属電極１５は導電パターン２６を介し、それぞれが有機ＥＬ素子３５の背面に導出されるので、電子部品３０を有機ＥＬ素子３５の背面で接続することができる。
【００５０】
また、透明電極１２を複数のブロックに分割し、各ブロック毎に接続して駆動させることも可能である。
【００５１】
従って、従来のように、有機ＥＬ素子３５の画面領域の外側までロウ及びコラム電極を引き出して配線する必要がない。その結果、図１４に示すように、有機ＥＬ素子３５同士をすき間なく接触し合うように、平面状に並べてディスプレイの画面を形成することができる。
【００５２】
しかも、図７〜図１１の工程において、金属バンプ１３の露出部からハードコート層２２上に電気的に導出する際に、金属バンプ１３がハードコート層２２と同一若しくはそれ以下の深さレベルになっているので、導電層２４の被着性が良く、配線が形成し易く、電子部品３０の実装が安定する。
【００５３】
以上、本実施の形態を説明したが、本実施の形態は本発明の技術的思想に基づき種々変形することができる。
【００５４】
例えば、上記した実施の形態では、金属バンプ１３を非発光領域に多数形成したが、極端には１個でもスペーサとしては機能し得るが、実装部品との接続機能も含めれば、複数の金属バンプ１３によって要所に×型又は四角形等に形成しておけばスペーサとしても安定性が保たれ、実装部品との接続性も保つことができる。また、上述の導電ペーストからなる配線ペースト２８は種々のパターンに形成可能である。実装部品の接続は、上述したリード方式以外にもフェイスダウン型の如きリードレス方式も可能である。
【００５５】
また、金属バンプの材料としては、実施の形態以外の適宜の材料であってもよく、この形状やサイズも適宜であってよい。
【００５６】
また、実施の形態に示した有機ＥＬ素子における金属バンプ以外の各部の構成材料や形状等も適宜に実施することができる。
【００５７】
また、上記の実施の形態は単純マトリクス型有機ＥＬ素子以外にもアクティブマトリクス型有機ＥＬ素子等の自発光型発光素子に適用できる他、自発光型以外のＥＣＤ（エレクトロクロミック表示素子）、ＬＣＤ（液晶表示素子）等、調光素子一般に適用することができる。
【００５８】
本実施の形態によれば、透明電極１２上の非発光領域に金属バンプ１３を設け、しかも、この金属バンプ１３をカソードの金属電極１５よりも高く形成するので、金属バンプ１３がスペーサとして機能し、有機ＥＬ素子をマスク蒸着する際や、その後のハードコート層のスクリーン印刷の際に発光画素領域に傷がつくのを防ぐことができる。
【００５９】
また、スクリーン印刷したハードコート層は、金属バンプ上の厚みが薄く形成されるので、配線するために電極を露出させる穴形成プロセスに要する時間と穴形成のエネルギーを減少することができ、生産性が向上すると共に、金属バンプ１３をハードコート層２２の厚みよりも十分厚くすることで、金属バンプ１３の露出方法として、レーザーによる穴形成よりも簡単で生産性の高い研磨法を用いることができる。更に、レーザー加工に伴う穴形成の際のＩＴＯのアブレーションの心配もない。
【００６０】
【発明の作用効果】
上述した如く、本発明は、基体上に配した第１電極上に、光学的動作領域を含む積層体が設けられ、この積層体上が絶縁層で覆われている発光又は調光素子において、前記第１電極上の非光学的動作領域にて、前記積層体面より高い導電性の突起が、前記絶縁層に形成されたスルーホールに前記絶縁層の上面と同一若しくはそれ以下の深さレベルまで埋め込まれ、前記突起の露出部が前記絶縁層上に電気的に導出されているので、この素子に実装する電子部品の如き実装部品との配線を上記突起の導出部で行うことができる。その結果、素子（例えば有機ＥＬ素子）の平面状の接続を素子間の間隔を設けずに行うことができる。また、光学的動作領域の積層体の成膜時に、この突起が、例えば、蒸着マスクのスペーサを兼ねるため、マスクによる既成膜面の損傷を防ぐことができる。また、導出部形成時に、例えば導電体の被着性が良く、配線が形成し易いので、実装部品が安定すると共に、例えば、導出部形成を研磨等で行え、レーザー加工に比べて工数が削減され、生産性を向上させることができる。
しかも、光学的動作領域でも、絶縁層に形成したスルーホールに被着した導電層によって同様の導電層を形成すれば、第２電極もその導電層の位置で電気的に導出して実装部品と容易に接続できるため、第１電極のみならず第２電極も併せて容易に外部接続することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態による有機ＥＬ素子の製造過程の概略平面図である。
【図２】図１におけるII−II線断面図である。
【図３】図１におけるIII −III 線断面図である。
【図４】同、製造工程の一例を示す概略平面図である。
【図５】図４におけるV −V 線断面図である。
【図６】同、他の製造工程を示す概略断面図である。
【図７】同、他の製造工程を示す概略断面図である。
【図８】同、他の製造工程を示す概略断面図である。
【図９】同、他の製造工程を示す概略断面図である。
【図１０】同、他の製造工程を示す概略断面図である。
【図１１】同、他の製造工程を示す概略断面図である。
【図１２】同、更に他の製造工程を示す概略断面図である。
【図１３】同、有機ＥＬ素子の背面における実装部品との接合状態を示す概略図である。
【図１４】同、有機ＥＬ素子のディスプレイへの設置状態を示す平面図である。
【図１５】従来例による有機ＥＬ素子の一例を示す概略図である。
【図１６】同、従来例による有機ＥＬ素子の他の一例を示す概略図である。
【図１７】同、従来例による有機ＥＬ素子の他の一例を示す概略図である。
【図１８】同、従来例による有機ＥＬ素子の他の一例を示す概略図である。
【図１９】同、従来例による有機ＥＬ素子の更に他の一例を示す概略図である。
【図２０】同、有機ＥＬ素子の具体例を示す概略斜視図である。
【図２１】同、有機ＥＬ素子のディスプレイへの設置状態を示す平面図である。
【符号の説明】
１１…ガラス基板、１２…ＩＴＯ電極、１３…金属バンプ、
１４、１４Ａ…画素、１５…金属電極、１７…マスク、１８…開口部、
１９…有機層、２１…保護層、２２…ハードコート層、
２３、２７…スルーホール、２４…導電層、２５、２６…導電パターン、
２８、２９…導電性ペースト、３０…電子部品、３１…リード端子、
３２…絶縁層、３５有機ＥＬ素子、Ｄ…間隔、Ｌ…レーザー光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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