(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
１）平均粒径が０．５μｍから１２μｍ、最大粒径が２０μｍ以下である球状無機フィラー、２）エポキシ当量が２００以上であり且つ２官能以上のエポキシ基を含むエポキシ樹脂、３）ジアミノジフェニルスルホン、４）チキソ性付与材を含む熱硬化性液状封止樹脂組成物において、該熱硬化性液状封止樹脂組成物のチキソ比（Ｅ型粘度計による回転数が０．５ｒｐｍと２．５ｒｐｍでの粘度比）が１〜２であり、上記チキソ性付与材が超微細シリカであり、エポキシ樹脂１００重量部に対して、３重量部以上５重量部以下であることを特徴とする熱硬化性液状封止樹脂組成物。
【請求項２】
１）平均粒径が０．５μｍから１２μｍ、最大粒径が２０μｍ以下である球状無機フィラー、２）エポキシ当量が２００以上であり且つ２官能以上のエポキシ基を含むエポキシ樹脂、３）ジアミノジフェニルスルホン、４）可とう性付与材を含む熱硬化性液状封止樹脂組成物において、該熱硬化性液状封止樹脂組成物のチキソ比（Ｅ型粘度計による回転数が０．５ｒｐｍと２．５ｒｐｍでの粘度比）が１〜２であり、上記可とう性付与材が両末端カルボン酸であるブタジエンアクリロニトリルコポリマーであり、エポキシ樹脂１００重量部に対して、１５重量部であることを特徴とする熱硬化性液状封止樹脂組成物。
【請求項３】
熱硬化性液状封止樹脂組成物が反応性フラックスを含む請求項１または２記載の熱硬化性液状封止樹脂組成物。
【請求項４】
１）基板と電気的接合させるためのバンプを有する多数個の半導体素子が形成されたウエハー又は該基板上にＢ−ステージ化可能な熱硬化性液状封止樹脂組成物を塗布する工程、２）該熱硬化性液状封止樹脂組成物をＢ−ステージ化する工程、３）該ウエハーをダイシングし、半導体素子を個片化する工程、４）個片化した半導体素子と基板とを仮接合し同時にＢ−ステージ化された熱硬化性液状封止樹脂組成物を加熱流動させ冷却する圧着工程、５）バンプを基板に接合する工程からなる半導体素子の組立方法において、該塗布する工程において熱硬化性液状封止樹脂組成物をウエハーに塗布する場合、一個の半導体素子のエリアの少なくとも外周バンプ部分を残して塗布し、かつＢ−ステージ後の塗布形状が素子の中央部分が凸状になるよう塗布され、もしくは基板に塗布する場合、塗布形状が素子の中央部分に対応する基板面が凸状になるよう塗布されることを特徴とする半導体素子の組立方法。
【請求項５】
塗布する工程において、熱硬化性液状封止樹脂組成物のＢ−ステージ後の塗布部中心の高さが、半導体素子最外周のバンプ高さ以上で２倍以下である請求項４記載の半導体素子の組立方法。
【請求項６】
熱硬化性液状封止樹脂組成物を塗布する工程が印刷法により行われる請求項４記載の半導体素子の組立方法。
【請求項７】
請求項１〜３のいずれかに記載の熱硬化性液状封止樹脂組成物を用いて塗布される請求項４記載の半導体素子の組立方法。
【請求項８】
請求項１〜３のいずれかに記載の熱硬化性液状封止樹脂組成物を用いて製作された半導体装置。
【請求項９】
請求項４〜７のいずれかに記載の半導体素子の組立方法を用いて製作された半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、バンプ接合方式で基板と接合する半導体素子の組立に関し、それに用いる液状封止樹脂組成物、半導体素子の組立方法及び半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣチップの高集積化、高密度化とＩＣパッケージの小型化という要求からフリップチップ実装方式が登場した。同実装方式はこれまでのワイヤーボンディングによる接続ではなく、ＩＣチップ表面とプリント基板とを金属バンプで電気的に接続することで小型、薄型化を可能としている。しかしチップ、プリント配線基板、半田の熱膨張係数が異なるために冷熱衝撃試験時に熱ストレスが発生する。特にチップ中央から遠いコーナー近辺の金属バンプには局所的に熱ストレスが集中する。このため接合部位にクラックが生じ、回路の作動信頼性は大きく低下する。
【０００３】
そこで、熱ストレスを緩和する目的から液状注入封止アンダーフィル材による封止が行われる。しかしこの方法はチップとプリント配線基板との隙間にアンダーフィル材を注入し、硬化して封止する方法が採られるため工程が煩雑であり、コストもかかる。更にこのような半導体素子の場合は、ウエハー作製工程、ウエハー上への電気回路形成工程、個片化工程、バンプ形成工程、バンプ接合工程、アンダーフィル封止工程が必要であり、個々の工程は製造会社又は工場が異なる場合が多くデリバリーコストがかかるという問題があった。
【０００４】
そこで提案されたのがウエハーに電気回路を形成し個片化せずバンプを形成し、その後個片化する方法が考え出された。この方法はウエハー製造から一環のラインでバンプ付半導体素子を作ることも可能であり、大幅に素子のコストが下がる可能性がある。しかしこの方法であっても信頼性を上げるためにはアンダーフィル封止工程が必要であり、コストに反映してしまうという問題が残っていた。
【０００５】
そこでバンプ付半導体素子の前記の問題を解決するために、１）基板と電気的接合させるためのバンプを有する多数個の半導体素子が形成されたウエハーにＢ−ステージ化可能な熱硬化性液状封止樹脂組成物を塗布する工程、２）該液状封止樹脂組成物をＢ−ステージ化する工程、３）該ウエハーをダイシングし、個片化する工程、４）個片化した半導体素子と基板とを接合し同時にＢ−ステージ化された樹脂組成物を加熱流動させ冷却するこ圧着工程からなる半導体素子の組立方法が提案された。その目的とするところは製造工程の大幅な短縮がはかれ、且つ信頼性に優れた半導体素子の組立方法を提供することに有る。しかし本方法の場合でも、樹脂の粘性特性、塗布方法によっては塗布むらがおこり、封止をする際にボイドを巻き込むという問題を残していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
バンプ付の半導体素子において、半導体素子から低コストでかつボイドの発生がない半導体装置を製作できる熱硬化性液状封止樹脂組成物及び半導体素子の組立方法である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
１）平均粒径が０．５〜１２μｍ 、最大粒径が２０μｍ以下である球状無機フィラー
、２）エポキシ当量が２００以上であり且つ２官能以上のエポキシ基を含むエポキシ樹脂、３）ジアミノジフェニルスルホン、４）チキソ性付与材を含む熱硬化性液状封止樹脂組成物において、該熱硬化性液状封止樹脂組成物のチキソ比（Ｅ型粘度計による回転数が０．５ｒｐｍと２．５ｒｐｍでの粘度比）が１〜２であり、上記チキソ性付与材が超微細シリカであり、エポキシ樹脂１００重量部に対して、３重量部以上５重量部以下である熱硬化性液状封止樹脂組成物である。
１）平均粒径が０．５μｍから１２μｍ、最大粒径が２０μｍ以下である球状無機フィラー、２）エポキシ当量が２００以上であり且つ２官能以上のエポキシ基を含むエポキシ樹脂、３）ジアミノジフェニルスルホン、４）可とう性付与材を含む熱硬化性液状封止樹脂組成物において、該熱硬化性液状封止樹脂組成物のチキソ比（Ｅ型粘度計による回転数が０．５ｒｐｍと２．５ｒｐｍでの粘度比）が１〜２であり、上記可とう性付与材が両末端カルボン酸であるブタジエンアクリロニトリルコポリマーであり、エポキシ樹脂１００重量部に対して、１５重量部である熱硬化性液状封止樹脂組成物である。
更に好ましい形態としては、熱硬化性液状封止樹脂組成物が反応性フラックスを含む熱硬化性液状封止樹脂組成物である。
【０００８】
また、１）基板と電気的接合させるためのバンプを有する多数個の半導体素子が形成されたウエハー又は該基板上にＢ−ステージ化可能な熱硬化性液状封止樹脂組成物を塗布する工程、２）該熱硬化性液状封止樹脂組成物をＢ−ステージ化する工程、３）該ウエハーをダイシングし、半導体素子を個片化する工程、４）個片化した半導体素子と基板と仮接合し同時にＢ−ステージ化された熱硬化性液状封止樹脂組成物を加熱流動させ冷却する圧着工程、５）バンプを基板に接合する工程からなる半導体素子の組立方法において、該塗布する工程において熱硬化性液状封止樹脂組成物をウエハーに塗布する場合、一個の半導体素子のエリアの少なくとも外周バンプ部分を残して塗布し、かつＢ−ステージ後の塗布形状が素子の中央部分が凸状になるよう塗布され、もしくは基板に塗布する場合、塗布形状が素子の中央部分に対応する基板面が凸状になるよう塗布される半導体素子の組立方法である。
更に好ましい形態としては、塗布する工程において、Ｂ−ステージ後の塗布部中心の高さが半導体素子最外周のバンプ高さ以上で２倍以下であり、熱硬化性液状封止樹脂組成物を塗布する工程が印刷法により行われ、前述の熱硬化性液状封止樹脂組成物を用いて塗布される半導体素子の組立方法である。
また、前述の熱硬化性液状封止樹脂組成物を用いて製作された半導体装置であり、前述の半導体素子の組立方法を用いて製作された半導体装置である。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明で用いる熱硬化性液状封止樹脂組成物は、 Ｂ−ステージ化可能な樹脂組成物である。ここでいうＢ−ステージ化可能とは、樹脂組成物を塗布した後低い温度で硬化を進めタックフリーの状態にすることができ、常温で１ヶ月以上ほとんど反応が進行せず、バンプ接合時の温度で溶融し接着することできる特性を有するものである。このような特性を有する樹脂組成物の例として、エポキシ樹脂／ジシアンジアミド系、エポキシ樹脂／芳香族アミン系等がある。そのメカニズムは活性水素とエポキシ樹脂の反応性を利用したものである。例えばエポキシ樹脂／芳香族アミンの場合、第一級アミンは１２０℃以下で容易に反応するが、次に残存する第二級アミンを反応させるためには少なくとも１４０℃以上の熱をかける必要がある。これは立体障害に伴い反応性が低下するためである。その中で特にエポキシ樹脂／ジアミノジフェニルスルホン系は前記特性を有する樹脂系として好適である。
【００１０】
本発明で用いる熱硬化性液状封止樹脂組成物は、半導体素子の封止用途として用いるため高い信頼性が必要である。特に耐水性、線膨張係数を被着体に近づけるために無機フィラーを添加することが好ましい。その形状は接合時に流動性が必要であるため球状が好ましい。更にその大きさは平均粒径が０．５μｍから１２μｍの範囲で且つ最大粒径が２０μｍ以下の球状フィラーであることが好ましい。平均粒径が０．５μｍ未満であるとバンプ接合時にＢ−ステージ化された熱硬化性液状封止樹脂組成物の流動性が不足となり、チップの外への樹脂組成物の浸み出しが不十分となり、接着性不足による信頼性の低下を招く恐れがある。また平均粒径が１２μｍを超えると熱硬化性液状封止樹脂組成物の塗布時に最外周以外のバンプ上にフィラーが残存し、バンプ接合時に接触不良を起こす恐れがある。最大粒径が２０μｍを超えると塗布厚みのばらつきが大きくなりボイドを巻き込む恐れがある。
【００１１】
本発明で用いる無機フィラーの種類は、窒化アルミ、アルミナ、シリカなどがあるが、熱放散性とコストの面からシリカ粒子が好ましく、低放射線性であればより好ましい。形状は球状、破砕状、フレーク状等があるが、フィラーの高充填化により線膨張係数の低減化が図られる為、球状であることが望ましい。球状無機フィラーの添加量は、全組成物に対して１０〜８０重量％が望ましい。１０重量％未満だと、耐湿性や硬化物の線膨張係数が大きくなりまたフィラーの分散むらも生じる。一方、８０重量％を越えると結果として得られる組成物の粘度が高くなり過ぎ、接合時の流動特性が悪化するため好ましくない。
【００１２】
本発明で用いられるＢ−ステージ化可能な熱硬化性液状封止樹脂組成物の中で、特にエポキシ樹脂／ジアミノジフェニルスルホン系が好ましい材料である。しかし、エポキシ樹脂／ジアミノジフェニルスルホンにフィラーを添加した系で、Ｂ−ステージ化するとダイシングの時に樹脂組成物層が剥離したり、欠けたりするため、エポキシ樹脂としてはエポキシ当量が２００以上で且つエポキシ基が２官能以上のものが主成分であることが好ましい。エポキシ当量が２００より小さいとＢ−ステージ化後の樹脂が脆く、ダイシング時に剥離、欠けが生じてしまうためである。また、半導体の封止に用いられるためエポキシ樹脂のイオン性不純物、特に加水分解性塩素は1000ppm以下であることが好ましい。
【００１３】
更に、ダイシング時の剥離、欠けを防ぐため本発明で用いる熱硬化性液状封止樹脂組成物に可塑性ポリマーを添加することもできる。添加できる可塑性ポリマーとしては、例えば、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、フェノキシ樹脂、ブチラール樹脂、アクリロニトリルーブタジエン共重合体、ブタジエン樹脂等をあげることが出来る。その添加量は熱硬化性液状封止樹脂組成物に対して１〜３０重量％である。１重量％未満であれば、熱可塑性ポリマーの持つ可とう性が発現しないという問題があり、３０重量％を越えるとＢ−ステージ化後の再溶融時の流動性に支障をきたすという問題がある。
【００１４】
本発明で用いる熱硬化性液状封止樹脂組成物の粘性挙動としては、チキソ比（東機産業社製、Ｅ型粘度計（コーンサイズ：３°コーン、28mmφ,25℃、回転数：0.5rpm、2.5rpm）での粘度比（0.5rpmの粘度／2.5rpmの粘度）が１〜２であることが必要である。好ましくは１〜１．５である。２を越えるとＢ−ステージ後の塗布形状が中央が凸な形状になりにくい。また１を下回ると、Ｂ−ステージ後に樹脂のだれ、広がりが起こるため凸状封止形状が得られず、接合時ボイドを巻き込み易くなる。
【００１５】
本発明で用いる熱硬化性液状封止樹脂組成物の製造方法は、まずエポキシ樹脂（固形の場合溶剤で溶解させる）、ジアミノジフェニルスルホン、フィラーを秤量し、ロール混練等を用いて均一分散させる。さらに脱泡して作製する。
また熱硬化性液状封止樹脂組成物には、前記の必須成分の他に必要に応じて他の樹脂や反応を促進するための触媒、希釈剤、顔料、カップリング剤、難燃剤、レベリング剤、消泡剤等の添加物を用いても差し支えない。
【００１６】
熱硬化性液状封止樹脂組成物を塗布する方法としては、ウエハー上に電気回路が形成された多数個の半導体素子にバンプを形成させた後、熱硬化性液状封止樹脂組成物を回路形成面のウエハー上または接合する基板上に塗布する場合とがある。
前者の場合、塗布形状は図１のような形状にする。最外周のバンプを残す理由は接合時のバンプと基板の接合部位とのアライメントを決めるためにバンプを残すためである。それ以外のバンプは封止樹脂で被われても構わない。熱硬化性液状封止樹脂組成物は素子のほぼ中央、又は素子の中央部に相当する基板の箇所が凸状になるように塗布される。またＢ−ステージ後の塗布形状の最大高さは外周バンプの高さ以上、２倍以下が好ましい。バンプ高さより最大塗布厚みが低すぎると接合時に樹脂が素子外周部まで流動せず信頼性が著しく低下する。２倍より高すぎるとバンプと基板が接続された時位置ずれを起こす可能性がある。またこのような塗布方法の場合、ウエハーにおける各素子の個片化も全面封止の場合に比べダイシングガイドラインが認識でき、容易に個片化できる。熱硬化性液状封止樹脂組成物は素子のほぼ中央、又は素子の中央部に相当する基板の箇所が凸状になるように塗布されるのは、例えば、塗布形状が凹状になっていると接合後にボイドが残るためである。
【００１７】
熱硬化性液状封止樹脂組成物を塗布する方法としては印刷、ディスペンス、転写等従来から知られた方法を用いることができる。その中で生産性を考慮すると印刷法が好ましい。これは一括して塗布できるからである。
【００１８】
次に、熱硬化性液状封止樹脂組成物が塗布されたウエハーを熱処理することにより、熱硬化性液状封止樹脂組成物をＢ−ステージ化する。その方法は前述のとおり硬化温度よりも十分低い温度で熱処理する。
次にダイシング工程は従来より知られている通常の方法により行うことができる。
【００１９】
最後に圧着工程について説明する。半田バンプを例にとると１００℃以上の温度と加重を加え半田ボールを基板に圧接する。その時Ｂ−ステージ化された樹脂組成物が融解して素子と基板の間隙を充填する。本発明の場合、Ｂ−ステージ後の形状が凸になっているため融解する際樹脂は対抗する面にほぼ点で接することになる。その後徐々に樹脂が押し広げられるため巻き込みによるボイドの発生は全くない。一方、Ｂ−ステージ後の塗布形状が図４のような場合は中央の凹部と対抗する面が接するときボイドとなって残ってしまう。
【００２０】
次にリフロー炉を通すことにより半田バンプが基板に接合され、封止も完了する。なお、鉛フリー半田の様に半田の濡れ不足がおこる場合は予め基板又はバンプにフラックス処理を行うこともできる。更には、樹脂組成物中にフラックス材を添加することもできる。この場合は、組立後の信頼性を高めるためフラックスは熱硬化性樹脂樹脂と反応する事が好ましい。一般に用いられているフラックス活性剤は吸湿処理するとイオンになりやすく、電気特性の大幅な低下をもたらすため好ましくないからである。その例としてはフェノール性水酸基とカルボン酸を有する化合物、トリメリット酸のようなカルボン酸を含む酸無水物、ハイドロキノン骨格を有する化合物等が挙げられる。
また液状封止樹脂組成物がより十分な特性を発現させるためにオーブン等に入れ後硬化することも可能である。
半導体装置の製作は、本発明の熱硬化性液状封止樹脂組成物及び半導体素子の組立方法以外は従来の公知の方法を用いることができる。
【００２１】
【実施例】
＜実施例１＞
・Ｂ−ステージ可能熱硬化性液状封止樹脂組成物の調製
ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（エポキシ当量250）100重量部を溶剤として30重量部のブチルセロソルブアセテートに溶解させたワニス100部、ジアミノジフェニルスルホン19.1重量部、密着性付与材としてγ-グリシドオキシトリメトキシシラン１重量部、シリコーン系消泡剤１重量部、硬化促進剤として2フェニル4エチルイミダゾール0.5重量部、フィラーとして球状シリカ（平均粒径0.8μｍ、最大粒径10μｍ）120重量部、チキソ性付与材として超微細シリカ（アエロジルR-805、日本アエロジル社製）５重量部を秤量し、３本ロールにて混練・分散後、真空脱泡処理を行い熱硬化性液状封止樹脂組成物を作製した。チキソ比は１．３であった。
作製した熱硬化性液状封止樹脂組成物を、高さ70μｍ、ピッチ間隔300μm、バンプ配置フルアレイ半田バンプ（融点183℃の共晶半田）が形成されたウエハー（厚み350μｍ、個々の素子サイズ10mm角）に印刷にて個々の素子の中心に外周バンプを封止しないように塗布した。尚、印刷版は個々の素子の中心に直径8mmのメッシュを切ったものを用いた。その後80℃、3時間加熱してＢ−ステージ化を行った。Ｂ−ステージ後の塗布厚みは100μｍであった。塗布形状は中心部が凸状であり、その高さは最外周のパンプの高さの１．４倍であった。次にダイシングソーを用いてウエハーを素子毎に個片化した。カット面付近にＢ−ステージ化した熱硬化性液状封止樹脂組成物層に剥離、クラックは見られなかった。次に120℃の温度にて接合部は半田メッキパッドそれ以外はソルダーレジストである有機基板に素子を圧着した。樹脂組成物の封止は1〜2秒で完了し、続けてIRリフローに通し（最大温度235℃、183℃以上のさらし時間６０秒）、半田を基板に接合した。内部ボイドを超音波探傷装置(SAT)で観察したがボイドは全くなかった。また断面観察による接続性も問題なかった。信頼性試験は試験片をさらに150℃,１時間後硬化させたものを用いた。
更に、試験片をＢ−ステージ化した後３ヶ月常温にて保存したものを同様に接合し、初期のものと同様に樹脂組成物の封止と接合を同時に行うことができた。
【００２２】
＜樹脂組成物特性試験＞
（１）信頼性試験：基板に接合した素子を30℃、60%RH吸湿処理を一週間行い、IRリフローに通した後、クラック、剥離を観察した。さらにサーマルサイクルテスト（-55〜125℃、各さらし３０分）を1000サイクルを行い、同様にクラック、剥離を観察した。
（２）接着試験：有機基板としてビスマレイミド−トリアジン（ＢＴ）レジン製基板上にソルダーレジスト（太陽インキ社製ＰＳＲ−4000／ＣＡ−40）を形成したものを、ウエハー表面にパッシベーション膜用ポリイミド（住友ベークライト社製ＣＲＣ−6050）を塗布し、更に熱硬化性液状封止樹脂組成物をスピンコート法でコートし、80℃、3時間かけＢ−ステージ化し、60μｍの厚みに塗布し最後にダイシングソーにて6×6ｍｍ角にカットした。シリコーンチップをポリイミド塗布面と熱硬化性液状封止樹脂組成物が向き合う形で搭載し、150℃で圧着後更に150℃、60分で硬化し試験片とした。このものの240℃におけるダイシェア強度をDAGE製ＢＴ100にて測定した（接着強度１）。また、同試験片に湿度85％温度85℃の吸湿処理を72時間施し、同様にダイシェア強度を測定し吸湿処理後の密着性とした（接着強度２）。
また、Ｂ−ステージ化した熱硬化性液状封止樹脂組成物を塗布したチップを常温にて３ケ月保管し同様の実験を行った。
【００２３】
＜実施例２＞
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量250）100重量部を溶剤として30重量部のブチルセロソルブアセテートに溶解させたワニス100部、ジアミノジフェニルスルホン19.1重量部、密着性付与材としてγ-グリシドオキシトリメトキシシラン１重量部シリコーン系消泡剤１重量部、硬化促進剤として2フェニル4エチルイミダゾール0.5重量部、フィラーとして球状シリカ（平均粒径0.8μｍ、最大粒径20μｍ）120重量部、さらに可とう性付与材として両末端カルボン酸であるブタジエンアクリロニトリルコポリマー(CTBN1300X9：宇部興産製)15部を秤量し３本ロールにて混練・分散後、真空脱泡処理を行い熱硬化性液状封止樹脂組成物を作製した。チキソ比は１．６であった。実施例１と同様に接続試験を行い、さらに信頼性試験、接着試験を行った。
【００２４】
＜実施例３＞
・Ｂ−ステージ可能熱硬化性液状封止樹脂組成物の調製
ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（エポキシ当量200）100重量部を溶剤として60重量部のブチルセロソルブアセテートに溶解させたワニス100部、ジアミノジフェニルスルホン16重量部、密着性付与材としてγ-グリシドオキシトリメトキシシラン１重量部、シリコーン系消泡剤１重量部、硬化促進剤として2フェニル4エチルイミダゾール0.5重量部、フィラーとして球状シリカ（平均粒径0.8μｍ、最大粒径10μｍ）120重量部、チキソ性付与材としてアエロジルR-805（日本アエロジル社製）３重量部、フラックス材として2,5-ジヒドロキシ安息香酸１０重量部をを秤量し３本ロールにて混練・分散後、真空脱泡処理を行い熱硬化性液状封止樹脂組成物を調製した。チキソ比は１．６であった。
次に試験片作成として、融点183℃の錫-亜鉛系共晶半田の代わりに錫-銀-銅系鉛フリー半田を用いて実施例１と同様の試験を行った。ただし、接続、半田クラック性試験の際のIRリフロー条件は、最大温度250℃、210℃以上のさらし温度６０秒とした。
【００２５】
＜比較例１＞
実施例１における超微細シリカの添加量を15重量部に変更した以外は実施例１と同様に熱硬化性液状封止樹脂組成物を調整した。チキソ比は2.4であった。これを用いて実施例１と同様に印刷法にて半導体素子に塗布した。Ｂ−ステージ化後の熱硬化性液状封止樹脂組成物の塗布形状はほぼ平坦であり、局所的にくぼみが生じていた。これを実施例１と同様に接続試験を行ったところ、SATによる観察により基板と熱硬化性液状封止樹脂組成物との界面にボイドがみられた。
さらに、実施例１と同様に信頼性試験、接着試験を行った。
【００２６】
＜比較例２＞
実施例１における超微細シリカ粉の添加量を０重量部とした以外は実施例１と同様に熱硬化性液状封止樹脂組成物を調整した。チキソ比は０．９であった。実施例１と同様に印刷を行いＢ−ステージ化を行ったが、樹脂が素子最外周まで流れてしまい、塗布厚みも不均一で外周バンプ高さより低くなってしまった。実施例１と同様の試験を行った。
【００２７】
試験の評価結果を表１に示す。
【表１】
0004206631.tif 000002
ダイシング性：実施例に示したウエハーをダイシングしたときのＢ−ステージ化した熱硬化性液状封止樹脂組成物層の状態
接続性：光学顕微鏡を用いた断面観察
接続後内部ボイド：SATによる観察
半田クラック性試験：30℃,60%RH１週間吸湿処理後、IRリフローを通した（一回）後の外観
＋T/C試験：半田クラック性試験の条件に更に、-55〜125℃、各さらし時間３０分を1000サイクル処理した後の外観
接着強度１：硬化直後の熱時強度（単位：kgf/6x6mmチップ）
接着強度２：８５℃、８５％RH、72時間処理後の熱時強度（単位：kgf/6x6mmチップ）
接着強度３：Ｂ−ステージ化後常温（２５℃）で３ヶ月保管した後の接着強度１の試験
接着強度４： Ｂ−ステージ化後常温（２５℃）で３ヶ月保管した後の接着強度２の試験
【００２８】
【発明の効果】
本発明の熱硬化性液状封止樹脂組成物、半導体素子の組立方法に従うと、熱硬化性樹脂によるウエハーレベルパッケージの接続封止に際し、ボイドのない封止が可能となり、これを用いた半導体装置の信頼性も大幅に向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体素子の個片化後の塗布形状を表す。（半導体素子上に塗布）
【図２】個片化後の塗布形状を表す。（基板上に塗布）
【図３】半導体素子の組立工程を表し、（１）バンピングウェハー、（２）個片化、（３）基板への塗布、Ｂ−ステージ化、（４）接合前、（５）封止、接合後を表す。
【図４】熱硬化性液状封止樹脂組成物が山状に塗布されなかった場合の形状不良の一例を表し、（１）バンピングウェハー、（２）ウエハーへの塗布、Ｂ−ステージ化、（３）個片化、（４）接合前、（５）封止、接合後を表す。
【符号の説明】
１；半導体素子
２；バンプ
３；熱硬化性液状封止樹脂組成物
４；基板
５；接合部位
６；ウエハー
７；ボイド
８；バンプ高さ
９；最大塗布高さ
【図１】
0004206631.tif 000003
【図２】
0004206631.tif 000004
【図３】
0004206631.tif 000005
【図４】
0004206631.tif 000006