(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
芳香族ポリカーボネート樹脂（Ａ成分）６５〜８５重量部と平均粒径が２００〜４００μｍである鱗状黒鉛（Ｂ成分）１５〜３５重量部の合計１００重量部、およびトリメチルホスフェート（Ｃ成分）０．００１〜２重量部からなる、体積固有抵抗値が１０2〜１０9Ω・ｍの電気抵抗に制御された搬送箱用芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気抵抗の制御された搬送箱用芳香族ポリカーボネート樹脂組成物に関する。更に詳しくは、耐衝撃性、剛性及び寸法精度に優れ、かつ樹脂組成物の体積固有抵抗値がいわゆる制電領域において一定の範囲に制御された搬送箱用芳香族ポリカーボネート樹脂組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
熱可塑性樹脂は、その製造、成形の容易さのため、あらゆる産業において広く用いられている。特に芳香族ポリカーボネート樹脂組成物は、一般に優れた電気絶縁性、耐熱性や耐衝撃性を示すことから、半導体、電子回路基板等の電子部品や、各種エレクトロニクス機器、精密機器等の収納や搬送に用いられる容器等に用いられることも多い。一般的に、芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の電子部品の用途に用いられる搬送箱に対しては、より高い電気絶縁性が求められているのではあるが、実際に使われる際には、そのままでは搬送中に帯電が起こり、塵埃の吸着のような不都合が生じる。また環境によっては帯電がさらに進行し、静電気により電子部品に対し電気的障害を与える場合すらある。
【０００３】
このような塵埃の吸着、電気的障害の防止が特に必要とされる半導体部品製造等の分野においては、通常は体積固有抵抗値で表わして１０13〜１０14Ω・ｍ程度である熱可塑性樹脂を、何等かの手段を用いて若干の導電性を付与し、いわゆる制電領域とされる１０2〜１０9Ω・ｍ程度にする必要がある。かかる抵抗値の樹脂組成物を得るために、有機系の帯電防止剤あるいは導電性を有する樹脂を添加する方法、樹脂組成物にカーボンブラック、炭素繊維あるいは炭素フレーク、金属繊維あるいは金属フレーク、導電性酸化チタン等の金属コート繊維あるいは導電性マイカ等の金属コートフレークを添加する方法等が用いられてきた。
【０００４】
しかしながら、有機系の帯電防止剤や導電性樹脂を用いた場合は、所望の抵抗値を得るために多量の添加が必要となるため実用的でない。特に芳香族ポリカーボネート樹脂に代表される芳香族ポリエステル系樹脂はイオン性の物質により分解されやすく、かつ高温の加工温度が必要とされるため、更にかかる分解が促進されやすいため好ましくない。
【０００５】
カーボンブラックの添加は熱可塑性樹脂に対する導電性付与の一つの代表的な方法論であり、これについては、例えば日本接着協会誌Ｖｏｌ．２３，Ｎｏ．３，１０３〜１１１ページ（１９８７）の住田の総説にこれまでの基礎研究の成果がまとめられている。確かにカーボンブラックの添加によっても容易に導電性を付与することはできるが、実際にはそれが強力な導電性を有することと粉体であることから、分散性を高くすると電気の導通状態を段階的に高くすることが難しく、添加量がある程度を超えると急激に導電性が上昇する。そのため、カーボンブラックを用いることによっては、１０2〜１０9Ω・ｍ程度の微弱な導電性を有する熱可塑性樹脂組成物またはその成形体を高い生産性で製造することは極めて難しい。
【０００６】
また従来から機械的物性向上を考慮して使用されてきた炭素繊維、金属繊維あるいは金属フレーク、導電性酸化チタン等の金属コート繊維あるいは導電性マイカ等の金属コートフレーク、等の導電性フィラーは、電気抵抗が低く、所望の抵抗値を得るために配合量を少ない範囲としなければならず、わずかな配合量のズレによる抵抗値への影響が大きく、ロット間の抵抗値のバラツキが大きくなり、実際的でない。
【０００７】
かかる問題点の解決策として、特定の体積固有抵抗値を有する炭素繊維を添加させる方法が複数提案されている。特開平５−１１７４４６号公報では、体積固有抵抗値が１０-5Ω・ｍオーダーである炭素繊維を作成後、炭素繊維の表面を酸化させることにより、体積固有抵抗値を高めた炭素繊維を作成し、かかる炭素繊維を熱可塑性樹脂に配合する方法が具体的に開示されている。また特開平７−２２８７０７号公報には、８００℃未満の温度で短時間焼成することにより体積固有抵抗値を高めた炭素繊維を作成し、かかる炭素繊維を樹脂に配合する方法が具体的に開示されている。しかしながら、炭素繊維は異方性が高いため成形品の形状によっては成形品の反りや寸法精度が問題になる場合がある。搬送箱に反り等が発生した場合、搬送中に部品の特定部位へ曲げ、引張りや圧縮などの負荷がかかることになり特に精密な部品については改良が求められている。
【０００８】
反りを低減させる方法として、特開平１０−２３７３１６号公報には炭素繊維の異方性改良を目的として、炭素繊維とともに特定粒径の鱗状黒鉛を配合する方法が開示されているが、上記問題に対して十分対応できているとはいえない。
【０００９】
鱗状黒鉛を配合して組成物の導電性を制御する試みが特開昭６０−１２４２４７号公報などに開示されている。しかし、搬送箱は繰り返しの使用に耐え得ることも必要とされるため、搬送中の落下や激突に対して十分な耐衝撃性も要求されている。かかる点でも芳香族ポリカーボネート樹脂の使用が好ましく行われている。しかしながら、鱗状黒鉛の配合は芳香族ポリカーボネート樹脂の耐衝撃性を低下させる方向にあり、体積固有抵抗値との両立を十分に図ることが求められている。かかる点において特開昭６０−１２４２４７号公報に記載された提案は、この種の考慮が十分とは言えなかった。
【００１０】
また、重量物を搬送する場合、搬送箱は適度な剛性を有していなければ搬送箱は搬送物の重みにより撓みが生じ、搬送箱に変形が生じるので、搬送箱用組成物には適度な剛性が要求されている。特開平１０−２３７３１６号公報には鱗状黒鉛を添加することにより剛性が向上することが開示されているが、その組成物が示す電気抵抗は制電領域に制御されていない。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、鱗状黒鉛を使用する組成物の体積固有抵抗値がいわゆる制電領域において一定の範囲に安定に制御され、良好な耐衝撃性、剛性及び寸法精度を示す搬送箱用芳香族ポリカーボネート樹脂組成物を提供することを目的とする。
【００１２】
本発明者は、上記の従来技術の問題点に鑑み、鋭意検討した結果、特定範囲の鱗状黒鉛含有量の場合には、特定の平均粒径の鱗状黒鉛を使用し、同時にトリメチルホスフェートを含むと、組成物の体積固有抵抗値を一定の範囲に制御しつつ、良好な耐衝撃性を達成し得ることを見出し、更に検討を重ねた結果本発明に到達した。
【００１３】
本発明は、芳香族ポリカーボネート樹脂（Ａ成分）６５〜８５重量部と平均粒径が２００〜４００μｍである鱗状黒鉛（Ｂ成分）１５〜３５重量部の合計１００重量部、およびトリメチルホスフェート（Ｃ成分）０．００１〜２重量部からなる、体積固有抵抗値が１０2〜１０9Ω・ｍの電気抵抗に制御された搬送箱用芳香族ポリカーボネート樹脂組成物に係るものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明のＡ成分である芳香族ポリカーボネート樹脂は、通常二価フェノールとカーボネート前駆体とを界面重縮合法、溶融エステル交換法で反応させて得られたものの他、カーボネートプレポリマーを固相エステル交換法により重合させたもの、または環状カーボネート化合物の開環重合法により重合させて得られるものである。
【００１５】
本発明で使用するＡ成分の芳香族ポリカーボネート樹脂とは、通常二価フェノールとカーボネート前駆体とを界面重縮合法、溶融エステル交換法で反応させて得られたものの他、カーボネートプレポリマーを固相エステル交換法により重合させたもの、または環状カーボネート化合物の開環重合法により重合させて得られるものである。
【００１６】
ここで使用される二価フェノールの代表的な例としては、ハイドロキノン、レゾルシノール、４，４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス｛（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチル）フェニル｝メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（通称ビスフェノールＡ）、２，２−ビス｛（４−ヒドロキシ−３−メチル）フェニル｝プロパン、２，２−ビス｛（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチル）フェニル｝プロパン、２，２−ビス｛（３−イソプロピル−４−ヒドロキシ）フェニル｝プロパン、２，２−ビス｛（４−ヒドロキシ−３−フェニル）フェニル｝プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３−メチルブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３−ジメチルブタン、２，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２−メチルブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペンタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−メチルペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−イソプロピルシクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス｛（４−ヒドロキシ−３−メチル）フェニル｝フルオレン、α，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｏ−ジイソプロピルベンゼン、α，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼン、α，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジイソプロピルベンゼン、１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−５，７−ジメチルアダマンタン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、４，４’−ジヒドロキシジフェニルケトン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルエーテルおよび４，４’−ジヒドロキシジフェニルエステル等が挙げられ、これらは単独または２種以上を混合して使用できる。
【００１７】
なかでもビスフェノールＡ、２，２−ビス｛（４−ヒドロキシ−３−メチル）フェニル｝プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３−メチルブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３−ジメチルブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−メチルペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンおよびα，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼンからなる群より選ばれた少なくとも１種のビスフェノールより得られる単独重合体または共重合体が好ましく、更に、ビスフェノールＡの単独重合体および１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンとビスフェノールＡ、２，２−ビス｛（４−ヒドロキシ−３−メチル）フェニル｝プロパンまたはα，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼンとの共重合体が好ましく使用される。特にビスフェノールＡの単独重合体が好ましい。
【００１８】
カーボネート前駆体としてはカルボニルハライド、カーボネートエステルまたはハロホルメート等が使用され、具体的にはホスゲン、ジフェニルカーボネートまたは二価フェノールのジハロホルメート等が挙げられる。
【００１９】
上記二価フェノールとカーボネート前駆体を界面重縮合法または溶融エステル交換法によって反応させて芳香族ポリカーボネート樹脂を製造するに当っては、必要に応じて触媒、末端停止剤、二価フェノールの酸化防止剤等を使用してもよい。また芳香族ポリカーボネート樹脂は三官能以上の多官能性芳香族化合物を共重合した分岐ポリカーボネート樹脂であっても、芳香族または脂肪族の二官能性カルボン酸を共重合したポリエステルカーボネート樹脂であってもよく、また、得られた芳香族ポリカーボネート樹脂の２種以上を混合した混合物であってもよい。
【００２０】
三官能以上の多官能性芳香族化合物としては、フロログルシン、フロログルシド、または４，６−ジメチル−２，４，６−トリス（４−ヒドロキジフェニル）ヘプテン−２、２，４，６−トリメチル−２，４，６−トリス（４−ヒドロキシフェニル）ヘプタン、１，３，５−トリス（４−ヒドロキシフェニル）ベンゼン、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１，１−トリス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）エタン、２，６−ビス（２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−４−メチルフェノール、４−｛４−［１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン｝−α，α−ジメチルベンジルフェノール等のトリスフェノール、テトラ（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２，４−ジヒドロキシフェニル）ケトン、１，４−ビス（４，４−ジヒドロキシトリフェニルメチル）ベンゼン、またはトリメリット酸、ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸およびこれらの酸クロライド等が挙げられ、中でも１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１，１−トリス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）エタンが好ましく、特に１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタンが好ましい。
【００２１】
かかる分岐ポリカーボネート樹脂を生ずる多官能性化合物を含む場合、かかる割合は、芳香族ポリカーボネート全量中、０．００１〜１モル％、好ましくは０．００５〜０．５モル％、特に好ましくは０．０１〜０．３モル％である。また特に溶融エステル交換法の場合、副反応として分岐構造が生ずる場合があるが、かかる分岐構造量についても、芳香族ポリカーボネート全量中、０．００１〜１モル％、好ましくは０．００５〜０．５モル％、特に好ましくは０．０１〜０．３モル％であるものが好ましい。尚、かかる割合については1Ｈ−ＮＭＲ測定により算出することが可能である。
【００２２】
界面重縮合法による反応は、通常二価フェノールとホスゲンとの反応であり、酸結合剤および有機溶媒の存在下に反応させる。酸結合剤としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物またはピリジン等のアミン化合物が用いられる。有機溶媒としては、例えば塩化メチレン、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素が用いられる。また、反応促進のために例えばトリエチルアミン、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムブロマイド、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムブロマイド等の第三級アミン、第四級アンモニウム化合物、第四級ホスホニウム化合物等の触媒を用いることもできる。その際、反応温度は通常０〜４０℃、反応時間は１０分〜５時間程度、反応中のｐＨは９以上に保つのが好ましい。
【００２３】
また、かかる重合反応において、通常末端停止剤が使用される。かかる末端停止剤として単官能フェノール類を使用することができる。単官能フェノール類は末端停止剤として分子量調節のために一般的に使用され、また得られた芳香族ポリカーボネート樹脂は、末端が単官能フェノール類に基づく基によって封鎖されているので、そうでないものと比べて熱安定性に優れている。かかる単官能フェノール類としては、一般にはフェノールまたは低級アルキル置換フェノールであって、下記一般式（１）で表される単官能フェノール類を示すことができる。
【００２４】
【化１】
0004330744.tif 000002
【００２５】
（式中、Ａは水素原子または炭素数１〜９の直鎖または分岐のアルキル基あるいはフェニル基置換アルキル基であり、ｒは１〜５、好ましくは１〜３の整数である。）
【００２６】
上記単官能フェノール類の具体例としては、例えばフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ｐ−クミルフェノールおよびイソオクチルフェノールが挙げられる。
【００２７】
また、他の単官能フェノール類としては、長鎖のアルキル基あるいは脂肪族ポリエステル基を置換基として有するフェノール類または安息香酸クロライド類、もしくは長鎖のアルキルカルボン酸クロライド類も示すことができる。これらのなかでは、下記一般式（２）および（３）で表される長鎖のアルキル基を置換基として有するフェノール類が好ましく使用される。
【００２８】
【化２】
0004330744.tif 000003
【００２９】
【化３】
0004330744.tif 000004
【００３０】
（式中、Ｘは−Ｒ−Ｏ−、−Ｒ−ＣＯ−Ｏ−または−Ｒ−Ｏ−ＣＯ−である、ここでＲは単結合または炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の二価の脂肪族炭化水素基を示し、ｎは１０〜５０の整数を示す。）
【００３１】
かかる一般式（２）の置換フェノール類としてはｎが１０〜３０、特に１０〜２６のものが好ましく、その具体例としては例えばデシルフェノール、ドデシルフェノール、テトラデシルフェノール、ヘキサデシルフェノール、オクタデシルフェノール、エイコシルフェノール、ドコシルフェノールおよびトリアコンチルフェノール等を挙げることができる。
【００３２】
また、一般式（３）の置換フェノール類としてはＸが−Ｒ−ＣＯ−Ｏ−であり、Ｒが単結合である化合物が適当であり、ｎが１０〜３０、特に１０〜２６のものが好適であって、その具体例としては例えばヒドロキシ安息香酸デシル、ヒドロキシ安息香酸ドデシル、ヒドロキシ安息香酸テトラデシル、ヒドロキシ安息香酸ヘキサデシル、ヒドロキシ安息香酸エイコシル、ヒドロキシ安息香酸ドコシルおよびヒドロキシ安息香酸トリアコンチルが挙げられる。
【００３３】
末端停止剤は、得られた芳香族ポリカーボネート樹脂の全末端に対して少くとも５モル％、好ましくは少くとも１０モル％末端に導入されることが望ましい。より好ましくは全末端に対して末端停止剤が８０モル％以上導入されること、すなわち二価フェノールに由来する末端の水酸基（ＯＨ基）が２０モル％以下であることがより好ましく、特に好ましくは全末端に対して末端停止剤が９０モル％以上導入されること、すなわちＯＨ基が１０モル％以下の場合である。また、末端停止剤は単独でまたは２種以上混合して使用してもよい。
【００３４】
溶融エステル交換法による反応は、通常二価フェノールとカーボネートエステルとのエステル交換反応であり、不活性ガスの存在下に二価フェノールとカーボネートエステルとを加熱しながら混合して、生成するアルコールまたはフェノールを留出させる方法により行われる。反応温度は生成するアルコールまたはフェノールの沸点等により異なるが、通常１２０〜３５０℃の範囲である。反応後期には系を１．３３×１０3〜１３．３Ｐａ程度に減圧して生成するアルコールまたはフェノールの留出を容易にさせる。反応時間は通常１〜４時間程度である。
【００３５】
カーボネートエステルとしては、置換されていてもよい炭素数６〜１０のアリール基、アラルキル基あるいは炭素数１〜４のアルキル基などのエステルが挙げられる。具体的にはジフェニルカーボネート、ビス（クロロフェニル）カーボネート、ジナフチルカーボネート、ビス（ジフェニル）カーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、ジブチルカーボネートなどが挙げられ、なかでもジフェニルカーボネートが好ましい。
【００３６】
また、重合速度を速めるために重合触媒を用いることができ、かかる重合触媒としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、二価フェノールのナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属化合物、水酸化カルシウム、水酸化バリウム、水酸化マグネシウム等のアルカリ土類金属化合物、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルアミン、トリエチルアミン等の含窒素塩基性化合物、アルカリ金属やアルカリ土類金属のアルコキシド類、アルカリ金属やアルカリ土類金属の有機酸塩類、亜鉛化合物類、ホウ素化合物類、アルミニウム化合物類、珪素化合物類、ゲルマニウム化合物類、有機スズ化合物類、鉛化合物類、オスミウム化合物類、アンチモン化合物類マンガン化合物類、チタン化合物類、ジルコニウム化合物類などの通常エステル化反応、エステル交換反応に使用される触媒を用いることができる。触媒は単独で使用してもよいし、２種以上を組み合わせて使用してもよい。これらの重合触媒の使用量は、原料の二価フェノール１モルに対し、好ましくは１×１０-8〜１×１０-3当量、より好ましくは１×１０-7〜５×１０-4当量の範囲で選ばれる。
【００３７】
また、かかる重合反応において、フェノール性の末端基を減少するために、重縮反応の後期あるいは終了後に、例えばビス（クロロフェニル）カーボネート、ビス（ブロモフェニル）カーボネート、ビス（ニトロフェニル）カーボネート、ビス（フェニルフェニル）カーボネート、クロロフェニルフェニルカーボネート、ブロモフェニルフェニルカーボネート、ニトロフェニルフェニルカーボネート、フェニルフェニルカーボネート、メトキシカルボニルフェニルフェニルカーボネートおよびエトキシカルボニルフェニルフェニルカーボネート等の化合物を加えることが好ましい。なかでも２−クロロフェニルフェニルカーボネート、２−メトキシカルボニルフェニルフェニルカーボネートおよび２−エトキシカルボニルフェニルフェニルカーボネートが好ましく、特に２−メトキシカルボニルフェニルフェニルカーボネートが好ましく使用される。
【００３８】
芳香族ポリカーボネート樹脂の分子量は特定されないが、分子量が１０，０００未満であると高温特性等が低下し、４０，０００を超えると成形加工性が低下するようになるので、粘度平均分子量で表して１０，０００〜４０，０００のものが好ましく、１４，０００〜３０，０００のものが更に好ましく、特に好ましくは２０，０００〜３０，０００のものである。また、芳香族ポリカーボネート樹脂の２種以上を混合しても差し支えない。本発明でいう粘度平均分子量は塩化メチレン１００ｍｌに芳香族ポリカーボネート樹脂０．７ｇを２０℃で溶解した溶液から求めた比粘度（ηSP）を次式に挿入して求める。
0004330744.tif 000005
【００３９】
本発明でＢ成分として使用される鱗状黒鉛は、鉱物名で石墨とされる天然黒鉛、または無定形炭素を３０００℃前後で熱処理し、不規則な配列の微小黒鉛結晶の配向を人工的に行わせた人造黒鉛のいずれか一方または双方を混合して使用することができる。鱗片形状を有する黒鉛の平均粒径は、２００〜４００μｍの範囲である。制電領域を維持するために必要な含有量の範囲では、平均粒径が２００μｍ未満であると耐衝撃性が低下し、また寸法精度改良効果が低下する。平均粒径が４００μｍを超えると、耐衝撃性も若干低下すると共に、成形品表面にいわゆる鱗状黒鉛の浮きが目立つようになり好ましくない。かかる表面の浮きは成形品表面から鱗状黒鉛が脱落し、電子部品等と導通して部品を損傷する可能性を有するためである。更に本発明で好ましくは、固定炭素量が９０重量％以上であり、また揮発分が２重量％以下のものである。
【００４０】
本発明における鱗状黒鉛の平均粒径は、組成物となる以前のＢ成分自体の粒径をいい、またかかる粒径はレーザー回折法によって求められたものをいう。また鱗状黒鉛の表面は、本発明の組成物の特性を損なわない限りにおいて芳香族ポリカーボネート樹脂との親和性を増すために、表面処理、例えばエポキシ処理、ウレタン処理、シランカップリング処理、酸化処理等が施されていてもよい。Ｂ成分の配合量としては１５〜３５重量部であり、特に１５〜３０重量部が好ましい。１５重量部未満では体積固有抵抗が請求の範囲より大きくなるうえ剛性に劣り、３５重量部を超えると耐衝撃性が低下する。
【００４１】
本発明のＣ成分であるトリメチルホスフェートは、芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の熱安定性改良よる耐衝撃性の向上を目的に配合した化合物である。Ｃ成分の配合量としては、０．００１〜２重量部であり、より好ましくは０．０１〜１重量部であり、特に０．０５〜０．５重量部が好ましい。０．００１重量部未満では耐衝撃性向上効果が得られず、２重量部を超えても耐衝撃性の向上は認められないかまたは成形条件等によっては逆に耐衝撃性が低下する。
【００４２】
本発明はかかるＡ成分〜Ｃ成分からなり搬送箱を形成するに適した芳香族ポリカーボネート樹脂組成物である。本発明で搬送箱とは、静電気発生によって破壊や誤作動を引き起こす可能性のある半導体、電子回路基板等の電子部品や、各種エレクトロニクス機器、精密機器等を搬送するために使用される搬送箱を指す。具体的には液晶ガラスコンテナ、液晶フィルター搬送ケース、ＩＣチップトレイ等が挙げられる。本発明の樹脂組成物からなる搬送箱は、制電領域の体積固有抵抗値を十分に満足するものであると共に、低反りであるため多様な電子機器部品等に対応可能であり、耐衝撃性に優れるため繰り返しの使用に対しても十分な特性を有する。
【００４３】
尚、本発明の目的を損なわない範囲で、難燃剤（例えば、臭素化ビスフェノール、臭素化ポリエチレン、臭素化ポリカーボネート、トリフェニルホスフェート、縮合リン酸エステル、ホスホン酸アミド）、難燃助剤（アンチモン酸ナトリウム、三酸化アンチモン等）、滴下防止剤（フィブリル形成能を有するポリテトラフルオロエチレン等）、核剤（例えば、ステアリン酸ナトリウム、エチレン−アクリル酸ナトリウム等）、酸化防止剤（例えば、ヒンダ−トフェノ−ル系化合物系）、紫外線吸収剤、光安定剤、離型剤、滑剤、着色剤等を配合してもよい。
【００４４】
また樹脂組成物の体積固有抵抗値が本特許の請求の範囲内であれば、使用目的に応じて、更にガラス繊維あるいはガラスフレーク、ワラストナイト、カオリンクレー、マイカ、タルク、等といった一般に知られている各種フィラーを用いることができる。またフィラーの形状は繊維状、フレーク状、粒状、中空状を自由に選択できる。好ましくは低反り性に影響を与えない、ガラスフレーク、ワラストナイト、カオリン、マイカ、タルク等のフレーク状、粒状、または繊維長が５０μｍとなるような微小な繊維状充填材が好ましい。
【００４５】
上記各成分を押出機、タンブラ−、Ｖ型ブレンダ−、ナウタ−ミキサ−、バンバリ−ミキサ−、混練ロ−ル等の混合機により混合して製造することができる。かくして得られた電気抵抗の制御された搬送箱用芳香族ポリカーボネート樹脂組成物は通常の成形方法によって成形品を製造することができる。
【００４６】
【発明の実施の形態】
以下に実施例を示し本発明を具体的に説明する。本発明はこれに限定されるものではない。
【００４７】
（１）体積固有抵抗値の測定
体積固有抵抗の測定は平板のほぼ中央部から試験片（長さ４０ｍｍ×幅４０ｍｍ×厚み２ｍｍ）を切り出し、東亜電波工業（株）製ＳＭ−１０Ｅ型超絶縁計、東亜電波工業（株）製ＤＳＭ−８１０３型超絶縁計（プローブ：ＳＭＥ−８３１１）およびＫＥＮＷＯＯＤ製ＤＬ−７１２を用いて行った。
測定する体積固有抵抗値のレベルが１０3Ω・ｍ未満のときＤＬ−７１２を用い、測定する体積固有抵抗値のレベルが１０3〜１０7Ω・ｍの範囲のときＤＳＭ−８１０３（プローブ：ＳＭＥ−８３１１）を用い、測定する体積固有抵抗値のレベルが１０7Ω・ｍ以上のときＳＭ−１０Ｅ型超絶縁計を用いた。
【００４８】
（２）衝撃値：ＡＳＴＭ  Ｄ−２５６により厚み３．２ｍｍのアイゾットノッチ付衝撃値［Ｊ／ｍ］を測定した。
【００４９】
（３）曲げ弾性率：ＡＳＴＭ  Ｄ−７９０により曲げ弾性率［ＭＰａ］を測定した。
【００５０】
（４）成形品の反り量：箱型平面度評価用金型を用いて射出成形により成形し、２３℃、５０％ＲＨ雰囲気にて２４時間放置した後に箱型成形品底面の３２点を測定点とし、その３２点を最小二乗法により平均化して求めた架空平面を基準面とし、その基準面からの各測定点の高さを三次元測定機（ミツトヨ（株）製）により測定し、その高さの最大幅を反り量［μｍ］とした。この評価方法によれば、反り量が小さいほど良好な寸法精度を示すことになる。以上の評価方法の要領を図３に示す。
【００５１】
（５）外観評価：上記試験片の表面外観を目視評価した。表面にザラツキが無い場合を◎、若干ザラツキがあるがフィラーの脱落が見られない場合を○、ザラツキが見られかつフィラーの脱落が多少見られる場合を△、ザラツキが激しくフィラーの脱落が見られる場合を×として評価した。
【００５２】
［実施例１〜４、および比較例１〜８］
表１および表２記載の各成分を表１および表２記載の配合割合でドライブレンドした後、径３０ｍｍφのダルメージ２段のスクリューを装備したベント付き単軸押出機［ナカタニ機械（株）製：ＶＳＫ−３０］を用い、ベントの真空度を１．３３×１０3Ｐａとなるようにしてスレッドを押出し、通常の工業用水を流水した冷却バスでスレッドを冷却の後ペレット化した。このペレットをステンレス製バットに厚み２ｃｍ以下のとなるように入れ、真空乾燥機で１．３×１０2Ｐａ以下の吸引した状態で、このペレットを１２０℃で５時間乾燥した。その後射出成形機［住友重機械工業（株）製ＳＧ−１５０Ｕ］を用いて長さ９０ｍｍ×幅５０ｍｍ×厚み２ｍｍの平板を成形し、評価に用いた。評価結果を表１および表２に示す。
【００５３】
表１および表２記載の各成分を示す記号は下記の通りである。
（Ａ成分）
Ａ：粘度平均分子量２２，５００の芳香族ポリカ−ボネ−ト樹脂
［帝人化成（株）製  パンライトＬ−１２２５］
（Ｂ成分）
Ｂ−１：鱗状黒鉛（平均粒径２５０μｍ、固定炭素量９４．０％、揮発分１．５％、灰分４．５％）［日本板硝子（株）製  ８０９４］
Ｂ−２：鱗状黒鉛（平均粒径３５０μｍ、固定炭素量９８．０％、揮発分０．５％、灰分１．５％）［日本板硝子（株）製  ５０９８］
（Ｂ成分以外）
Ｂ−３：鱗状黒鉛（平均粒径６０μｍ、固定炭素量８５．０％、揮発分２．５％、灰分１２．５％）［日本板硝子（株）製  ＦＭ−２］
Ｂ−４：鱗状黒鉛（平均粒径６００μｍ、固定炭素量８５．０％、揮発分２．５％、灰分１２．５％）［日本板硝子（株）製  ３２８５］
Ｂ−５：炭素繊維（繊維径１２μｍ、カット長６ｍｍ、体積固有抵抗値１０-3〜１０-2Ω・ｍ）［三菱化学（株）製  Ｋ２２３Ｇ１］
（Ｃ成分）
Ｃ−１：トリメチルホスフェート
（Ｃ成分以外）
Ｃ−２：トリス（ノニルフェニル）ホスファイト
【００５４】
【表１】
0004330744.tif 000006
【００５５】
【表２】
0004330744.tif 000007
【００５６】
表１および表２で明らかなように、実施例１〜４から、特定の平均粒径を有する鱗状黒鉛とトリメチルホスフェートを請求項の範囲内で配合することにより、該樹脂組成物の体積固有抵抗は特定の範囲で制御され、かつ優れた耐衝撃性、剛性及び寸法精度を示す。さらに実施例は比較例に比べ表面外観に優れることがわかる。
【００５７】
比較例１はＢ成分である鱗状黒鉛の配合量が少ない場合であり、その組成物が示す体積固有抵抗値のレベルは十分とはいえない。
【００５８】
比較例２はＣ成分が本発明のトリメチルホスフェート以外のリン系安定剤であるトリス（ノニルフェニル）ホスファイトを配合したものであるが、その組成物が示す衝撃値は実施例４に比べて低く、耐衝撃性に劣ることがわかる。
【００５９】
比較例３はＣ成分の配合量が極めて少ないものであるが、その組成物が示す衝撃値は実施例４に比べて低く、耐衝撃性において十分とはいえない。
【００６０】
比較例４はＢ成分である鱗状黒鉛の配合量が必要以上に多い場合であり、その組成物が示す体積固有抵抗値が極めて低く、必要とされる制電領域を満足せず、また衝撃値が小さく耐衝撃性に劣り、そのうえ表面外観が劣ることがわかる。
【００６１】
比較例５はＢ成分である鱗状黒鉛の平均粒径が小さすぎる場合であるが、その組成物が示す耐衝撃性は実施例に比べて劣り、さらに寸法精度改良効果が低いことがわかる。
【００６２】
比較例６は平均粒径の小さい鱗状黒鉛を使用し、またその配合量が少ない場合であるが、配合量が少ない場合には逆に本願発明の鱗状黒鉛を使用するよりも高い衝撃値を示しており、特定範囲の配合量においては特定の粒径の鱗状黒鉛を使用した場合により良好な耐衝撃性を達成可能であることがわかる。
【００６３】
比較例７はＢ成分である鱗状黒鉛の平均粒径が本願発明の特定範囲より大きい場合であるが、その組成物は特に表面外観が劣ることがわかる。
【００６４】
比較例８はＢ成分が特定の体積固有抵抗値に制御された炭素繊維を使用した場合であり、その組成物が示す体積固有抵抗値のレベルは十分に制電領域となるものの、炭素繊維のみでは異方性が高いため実施例に比べ寸法精度に劣り、また表面外観も十分とはいえないことがわかる。
【００６５】
【発明の効果】
本発明の搬送箱用芳香族ポリカーボネート樹脂組成物は、特定の平均粒径を有する鱗状黒鉛とトリメチルホスフェートを使用することにより、体積固有抵抗値が一定の範囲に制御されるうえ、優れた耐衝撃性、剛性及び寸法精度を有するものであり、半導体、電子回路基板等の電子部品、各種エレクトロニクス機器、精密機器等の搬送箱として、特に液晶ガラスコンテナ、液晶フィルター搬送ケース、ＩＣチップトレイ等に要求される各種の特性を高度なレベルで満足し、繰り返しの使用にも十分に耐えうる経済性を有し、その奏する工業的効果は格別なものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】箱型平面度評価用金型の箱型成形品底面部を示す正面図である。反り量測定用の測定点は対称軸に対してそれぞれ対象に位置している。
【図２】箱型平面度評価用金型の箱型成形品の側面図（寸法は金型寸法）である。
【図３】成形品反り量の算出に対する概念図である。
【符号の説明】
１  成形品反り量算出時の測定点１である（金型においては直径５ｍｍ、高さ０．２ｍｍの円形凸部、成形品においては直径約５ｍｍ、深さ約０．２ｍｍの円形凹部。また一点鎖線は対称軸、交点は円中心）
２  成形品反り量算出時の測定点２である（寸法等は測定点１と同様）
３  成形品反り量算出時の測定点３である（寸法等は測定点１と同様）
４  成形品反り量算出時の測定点４である（寸法等は測定点１と同様）
５  成形品反り量算出時の測定点５である（寸法等は測定点１と同様）
６  成形品反り量算出時の測定点６である（寸法等は測定点１と同様）
７  成形品反り量算出時の測定点７である（寸法等は測定点１と同様）
８  成形品反り量算出時の測定点８である（寸法等は測定点１と同様）
９  成形品反り量算出時の測定点９である（寸法等は測定点１と同様）
１０  成形品反り量算出時の測定点１０である（寸法等は測定点１と同様）
１１  成形品反り量算出時の測定点１１である（寸法等は測定点１と同様）
１２  成形品反り量算出時の測定点１２である（寸法等は測定点１と同様）
１３  成形品反り量算出時の測定点１３である（寸法等は測定点１と同様）
１４  成形品反り量算出時の測定点１４である（寸法等は測定点１と同様）
１５  成形品反り量算出時の測定点１５である（寸法等は測定点１と同様）
１６  成形品反り量算出時の測定点１６である（寸法等は測定点１と同様）
１７  成形品反り量算出時の測定点１７である（寸法等は測定点１と同様）
１８  成形品反り量算出時の測定点１８である（寸法等は測定点１と同様）
１９  成形品反り量算出時の測定点１９である（寸法等は測定点１と同様）
２０  成形品反り量算出時の測定点２０である（寸法等は測定点１と同様）
２１  成形品反り量算出時の測定点２１である（寸法等は測定点１と同様）
２２  成形品反り量算出時の測定点２２である（寸法等は測定点１と同様）
２３  成形品反り量算出時の測定点２３である（寸法等は測定点１と同様）
２４  成形品反り量算出時の測定点２４である（寸法等は測定点１と同様）
２５  成形品反り量算出時の測定点２５である（寸法等は測定点１と同様）
２６  成形品反り量算出時の測定点２６である（寸法等は測定点１と同様）
２７  成形品反り量算出時の測定点２７である（寸法等は測定点１と同様）
２８  成形品反り量算出時の測定点２８である（寸法等は測定点１と同様）
２９  成形品反り量算出時の測定点２９である（寸法等は測定点１と同様）
３０  成形品反り量算出時の測定点３０である（寸法等は測定点１と同様）
３１  成形品反り量算出時の測定点３１である（寸法等は測定点１と同様）
３２  成形品反り量算出時の測定点３２である（寸法等は測定点１と同様）
３３  箱型成形品の長さ（金型寸法２００ｍｍ）
３４  箱型成形品の幅（金型寸法１００ｍｍ）
３５  箱型成形品幅方向の対称軸
３６  箱型成形品長さ方向の対称軸
３７  測定点２０および３０の円中心の位置（対称軸（３６）からの長さであり、金型寸法において１６ｍｍである）
３８  測定点２５の円中心の位置（対称軸（３６）からの長さであり、金型寸法において２５ｍｍである）
３９  測定点３１の円中心の位置（対称軸（３６）からの長さであり、金型寸法において４５ｍｍである）
４０  測定点２１の円中心の位置（対称軸（３６）からの長さであり、金型寸法において５５ｍｍである）
４１  測定点２６の円中心の位置（対称軸（３６）からの長さであり、金型寸法において７５ｍｍである）
４２  測定点２２および３２の円中心の位置（対称軸（３６）からの長さであり、金型寸法において８４ｍｍである）
４３  測定点２０、２１および２２の円中心の位置（対称軸（３５）からの長さであり、金型寸法において１０ｍｍである）
４４  測定点２５よび２６の円中心の位置（対称軸（３５）からの長さであり、金型寸法において２７ｍｍである）
４５  測定点３０、３１および３２の円中心の位置（対称軸（３５）からの長さであり、金型寸法において４６ｍｍである）
４６  箱型成形品のゲート（４点、直径０．８ｍｍφピンゲート、それぞれ対称軸（３５）および対称軸（３６）に対して対称）
４７  箱型成形品のゲートの位置（対称軸（３５）からの長さであり、金型寸法において３５ｍｍである）
４８  箱型成形品のゲートの位置（対称軸（３６）からの長さであり、金型寸法において６０ｍｍである）
４９  箱型成形品の高さ（金型寸法において２０ｍｍである）
５０  箱型成形品底面部の厚み（金型寸法において１．５ｍｍである）
５１  箱型成形品側面部の厚み（長さ方向、幅方向ともに金型寸法において１．５ｍｍである）
５２  横軸（各測定点を示し、かっこ内の数値はそれぞれの測定点を示す（測定点１〜３２）
５３  縦軸（３２点の測定点の高さから最小二乗法により求められた架空平面からの各測定点の高さを示す）
５４  ３２点の測定点の高さから最小二乗法により求められた架空平面の基準線を示す
５５  基準線からの最も低い測定点を示す
５６  基準線からの最も高い測定点を示す
５７  高さの最大幅、すなわち反り量を示す
【図１】
0004330744.tif 000008
【図２】
0004330744.tif 000009
【図３】
0004330744.tif 000010