(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハロゲンを含む珪化物ガスとハロゲンを含まない珪化物ガスとをチャンバ内に導入しプラズマを形成するために高周波を印加して多結晶シリコン膜を成膜する方法において、前記印加する高周波の周波数が低いときにハロゲンを含まない珪化物ガスをチャンバ内に導入し、前記印加する高周波の周波数が高いときにハロゲンを含む珪化物ガスをチャンバ内に導入することを特徴とする多結晶シリコン膜の成膜方法。
【請求項２】
変化する周波数が高い側であるとき、成膜が行われる基板に負の基板バイアスが印加されることを特徴とする請求項１に記載の多結晶シリコン膜の成膜方法。
【請求項３】
ハロゲンを含む珪化物ガスとハロゲンを含まない珪化物ガスとをチャンバ内に導入しプラズマを形成して多結晶シリコン膜を成膜する方法において、ハロゲンを含む珪化物ガスとハロゲンを含まない珪化物ガスとをそれぞれ異なる反応室に導入し、かつ、ハロゲンを含む珪化物ガスが導入される反応室ではプラズマを形成するために印加される高周波の周波数が高くハロゲンを含まない珪化物ガスが導入される反応室ではプラズマを形成するために印加される高周波の周波数が低いことを特徴とする多結晶シリコン膜の成膜方法。
【請求項４】
前記印加する高周波の周波数は、その低い側ではハロゲンを含む珪化物ガスの分解が起こり難くその高い側ではハロゲンを含む珪化物ガスの分解が起こり易いように設定されることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の多結晶シリコン膜の成膜方法。
【請求項５】
ハロゲンを含む珪化物ガスとハロゲンを含まない珪化物ガスとをチャンバ内に導入しプラズマを形成して多結晶シリコン膜を成膜する方法において、前記ハロゲンを含む珪化物ガスをプラズマ分解し前記ハロゲンを含まない珪化物ガスを熱分解することを特徴とする多結晶シリコン膜の成膜方法。
【請求項６】
ハロゲンを含む珪化物ガスとハロゲンを含まない珪化物ガスとをチャンバ内に導入しプラズマを形成して多結晶シリコン膜を成膜する方法において、前記チャンバ内には第１のメッシュ電極を挟んでプラズマ発生室と基板処理室とが形成されており、前記プラズマ発生室にハロゲンを含む珪化物ガスを導入し前記基板処理室にハロゲンを含まない珪化物ガスを導入することを特徴とする多結晶シリコン膜の成膜方法。
【請求項７】
前記第１のメッシュ電極には一定電圧が印加されることを特徴とする請求項６記載の多結晶シリコン膜の成膜方法。
【請求項８】
前記基板処理室内にはプラズマを発生させるための高周波が印加される第２のメッシュ電極が設置されており、前記基板処理室内においてもプラズマが形成されることを特徴とする請求項６または７記載の多結晶シリコン膜の成膜方法。
【請求項９】
ハロゲンを含む珪化物ガスとハロゲンを含まない珪化物ガスとが導入されプラズマを形成して多結晶シリコン膜を成膜する装置において、プラズマを形成するために印加される高周波の発振器が低・高周波用と高・高周波用との２つが用意され、２つの高周波が切り替えられて交互に印加されることを特徴とする多結晶シリコン膜の成膜装置。
【請求項１０】
ハロゲンを含む珪化物ガスが導入される第１の反応室とハロゲンを含まない珪化物ガスが導入される第２の反応室とが設けられ、それぞれの反応室にてプラズマを形成して多結晶シリコン膜を成膜する装置であって、それぞれの反応室の一壁面はガス噴出口を備えた高周波印加用電極であり、かつ、各反応室の壁面を構成する前記高周波印加用電極は、互いに入り組んで設けられ、かつ、基板が載置される基板ステージと平行に設けられていることを特徴とする多結晶シリコン膜の成膜装置。
【請求項１１】
前記第１の反応室の前記高周波印加用電極に印加される高周波の周波数は、前記第２の反応室の前記高周波印加用電極に印加される高周波の周波数より高いことを特徴とする請求項１０に記載の多結晶シリコン膜の成膜装置。
【請求項１２】
ハロゲンを含む珪化物ガスが導入される、高周波印加用電極を備えたプラズマ発生室と、ハロゲンを含まない珪化物ガスが導入される、一定電圧が印加される基板ステージを備えた基板処理室とを有し、前記プラズマ発生室と前記基板処理室との間に一定電圧が印加される第１のメッシュ電極が設けられ、前記基板処理室内には、高周波が印加される第２のメッシュ電極が前記第１のメッシュ電極と平行に設けられており、前記第２のメッシュ電極と前記基板ステージ間においてもプラズマが形成されることを特徴とする多結晶シリコン膜の成膜装置。
【請求項１３】
前記高周波印加用電極には、前記プラズマ発生室へ珪化物ガスを導入するためのガス噴出口が備えられていることを特徴とする請求項１２に記載の多結晶シリコン膜の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多結晶シリコン膜の成膜方法とその成膜装置に関し、さらに詳しくは、大面積基板上に直接多結晶シリコン膜を成膜する方法とその成膜装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、安価なガラス基板上に多結晶シリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）薄膜を形成しこれを用いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成することにより、ガラス基板上に駆動回路が形成された液晶表示装置が実現されるようになってきている。一般にｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜の形成法としては、一旦非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）薄膜を堆積した後に、熱アニールまたはエキシマレーザアニールによりａ−Ｓｉ薄膜を結晶化させてｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜を得る間接的な形成法が用いられる。間接形成法によるｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜の場合、ＴＦＴの電界効果移動度は１００ｃｍ2／Ｖ・ｓ以上が得られ、特にレーザアニール法を用いた場合、３００ｃｍ2／Ｖ・ｓ以上の値を示すこともある。しかし、この間接的な形成法の場合、直接ｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜を成膜する方法と比較して結晶化工程が余分に必要となるため、コストが上がりスループットが低下するという問題点がある。
【０００３】
一方、プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）法あるいは減圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）法などにより、ｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜を直接成膜する場合、Ｓｉ結晶粒径が小さく、膜の電界効果移動度が低いという問題がある。従って、直接法によるｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜は実際のＴＦＴには、ゲート配線として利用されることはあっても、活性層として利用することは困難であった。
【０００４】
例えば、マテリアル・リサーチ・ソサエティ・シンポジウム・プロシーディングス２８３巻６２９−６３４頁（Ｍａｔ．Ｒｅｓ．Ｓｏｃ．Ｓｙｍｐ．Ｐｒｏｃ．，Ｖｏｌ．２８３，ｐｐ．６２９−６３４）にＫｏｎｏらにより開示されているように、ＳｉＨ4／ＳｉＦ4ガスを用いたＰＥＣＶＤ法によりｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜を直接形成することが可能であるが、しかしｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜を活性層としたＴＦＴの電界効果移動度は最大４４ｃｍ2／Ｖ・ｓに留まっている。ここで、ハロゲン元素であるフッ素（Ｆ）を含むＳｉＦ4ガスを用いているのは、ハロゲンが結晶化を促進するためである。
【０００５】
一般にＰＥＣＶＤ法による成膜においては、気相中の原子が基板あるいは既に成膜された膜表面に吸着する堆積と、既に成膜された膜表面の原子が気相中に乖離するエッチングとが共存する。ハロゲン元素の役割としては、既に堆積された膜のエッチング効果と原子の再配列効果により、結晶化を促進すると考えられている。しかし、この方法により得られるものは結晶組織の欠陥密度が大きく、結晶粒径が小さいため、高移動度の膜を得ることは困難である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、上述の従来例の問題点を解決することであって、その目的は、堆積とエッチングの反応をそれぞれ独立に制御できるようにすることにより、大面積基板上に大粒径、高移動度の多結晶シリコン薄膜を直接形成できるようにすることである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明によれば、ハロゲンを含む珪化物ガスとハロゲンを含まない珪化物ガスとをチャンバ内に導入しプラズマを形成するために高周波を印加して多結晶シリコン膜を成膜する方法において、前記印加する高周波の周波数が低いときにハロゲンを含まない珪化物ガスをチャンバ内に導入し、前記印加する高周波の周波数が高いときにハロゲンを含む珪化物ガスをチャンバ内に導入することを特徴とする多結晶シリコン膜の成膜方法、が提供される。
【０００８】
また、上記の目的を達成するため、本発明によれば、ハロゲンを含む珪化物ガスとハロゲンを含まない珪化物ガスとをチャンバ内に導入しプラズマを形成して多結晶シリコン膜を成膜する方法において、ハロゲンを含む珪化物ガスとハロゲンを含まない珪化物ガスとがそれぞれ異なる反応室に導入し、かつ、ハロゲンを含む珪化物ガスが導入される反応室ではプラズマを形成するために印加される高周波の周波数が高くハロゲンを含まない珪化物ガスが導入される反応室ではプラズマを形成するために印加される高周波の周波数が低いことを特徴とする多結晶シリコン膜の成膜方法、が提供される。
【０００９】
また、上記の目的を達成するため、本発明によれば、ハロゲンを含む珪化物ガスとハロゲンを含まない珪化物ガスとをチャンバ内に導入しプラズマを形成して多結晶シリコン膜を成膜する方法において、前記チャンバ内には第１のメッシュ電極を挟んでプラズマ発生室と基板処理室とが形成されており、前記プラズマ発生室にはハロゲンを含む珪化物ガスが導入され前記基板処理室にはハロゲンを含まない珪化物ガスが導入されることを特徴とする多結晶シリコン膜の成膜方法、が提供される。
【００１０】
また、上記の目的を達成するため、本発明によれば、ハロゲンを含む珪化物ガスとハロゲンを含まない珪化物ガスとが導入されプラズマを形成して多結晶シリコン膜を成膜する装置において、プラズマを形成するために印加される高周波の発振器が低・高周波用と高・高周波用との２つが用意され、２つの高周波が切り替えられて交互に印加されることを特徴とする多結晶シリコン膜の成膜装置、が提供される。
【００１１】
また、上記の目的を達成するため、本発明によれば、ハロゲンを含む珪化物ガスが導入される第１の反応室とハロゲンを含まない珪化物ガスが導入される第２の反応室とが設けられ、それぞれの反応室にてプラズマを形成して多結晶シリコン膜を成膜する装置であって、それぞれの反応室の一壁面はガス噴出口を備えた高周波印加用電極であり、かつ、各反応室の壁面を構成する前記高周波印加用電極は、互いに入り組んで設けられ、かつ、基板が載置される基板ステージと平行に設けられていることを特徴とする多結晶シリコン膜の成膜装置、が提供される。
【００１２】
また、上記の目的を達成するため、本発明によれば、ハロゲンを含む珪化物ガスが導入される、高周波印加用電極を備えたプラズマ発生室と、ハロゲンを含まない珪化物ガスが導入される、一定電圧が印加される基板ステージを備えた基板処理室とを有し、前記プラズマ発生室と前記基板処理室との間に一定電圧が印加される第１のメッシュ電極が設けられ、前記基板処理室内には、高周波が印加される第２のメッシュ電極が前記第１のメッシュ電極と平行に設けられており、前記第２のメッシュ電極と前記基板ステージ間においてもプラズマが形成されることを特徴とする多結晶シリコン膜の成膜装置、が提供される。
【００１３】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について実施例に即して説明する。
［第１の実施例］
図１は、本発明の第１の実施例において用いられる平行平板型ＰＥＣＶＤ装置の断面図である。チャンバ１１０内には、基板１０６が搭載される下部電極を兼ねた基板ステージ１０５と、下方に向けてガス噴出口１０８が開口した上部電極１０１とが配置されている。基板ステージ１０５は接地され、またその内部には基板１０６を加熱するためのヒータ１０９が配置されている。上部電極１０１は、切り替えスイッチ１０４を介して１００ＭＨｚの高周波を出力するＶＨＦ発振源１０２と１３．５６ＭＨｚの高周波を出力するｒｆ発振源１０３の何れかに接続される。上部電極１０１の上部には、反応ガスを導入するためのガス導入口１１１が設けられている。チャンバ１１０にはチャンバ内のガスを排出するための排気口１０７が設けられている。
【００１４】
本実施例の成膜条件は、基板温度４５０℃、圧力１００Ｐａ、ＳｉＨ4／Ｈ2／ＳｉＦ4ガス流量５／２０／６０ｓｃｃｍである。上部電極１０１が、ｒｆ発振源１０３側に２０秒、ＶＨＦ発振源１０２側に１０秒の間隔で接続されるように切り替えスイッチ１０４にて切り替えて、１３．５６ＭＨｚと１００ＭＨｚの高周波が２０秒および１０秒の間隔で繰り返し印加されるようにした。発振出力は何れも３００Ｗとした。発振時間が合計１８０秒で基板１０６上に膜厚が６０ｎｍで、膜平面方向の粒径が約８５ｎｍのｐｏｌｙ−Ｓｉ膜が形成された。膜平面方向の粒径は、膜断面を透過型電子顕微鏡にて観察することにより求めた。
【００１５】
このｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を用いて、通常の低温ｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴ形成プロセスでｎ-ｃｈ．ＴＦＴを作成したところ、８０ｃｍ2／Ｖ・ｓの移動度が得られた。また、１００ＭＨｚ発振時に合わせて、基板バイアス−５０Ｖを印加すると、約５％の移動度向上が見られた。このとき粒径には顕著な増大は観察されなかった。従って、バイアス印加は結晶粒内の欠陥密度減少に効果があったものと判断される。
なお、図５に、各実施例の成膜条件と結果をまとめて示す。
【００１６】
［比較例］
図１に示した装置を用い、他の条件は同じにして、上部電極に印加する高周波を１３．５６ＭＨｚのみあるいは１００ＭＨｚのみとして成膜した場合、粒径および移動度は５ｎｍおよび１０ｃｍ2／Ｖ・ｓあるいは５０ｎｍおよび４０ｃｍ2／Ｖ・ｓ程度に留まった。
【００１７】
［第２の実施例］
第２の実施例においても図１に示したＰＥＣＶＤ装置を用いた。本実施例においては、基板温度、圧力、発振出力、２種類の周波数およびその印加時間は第１の実施例と同条件とした。ここで、成膜ガスは周波数に伴い変化させ、１３．５６ＭＨｚ印加時にＳｉＨ4／Ｈ2ガスを５／２０ｓｃｃｍ、１００ＭＨｚ印加時にＨ2／ＳｉＦ4 ガスを５／６０ｓｃｃｍガス導入口より導入した。両周波数の印加時間が合計１８０秒で基板１０６上に膜厚が６０ｎｍで、粒径が約１１０ｎｍのｐｏｌｙ−Ｓｉ膜が形成された。このｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を用いてｎ-ｃｈ．ＴＦＴを作成したところ、１００ｃｍ2／Ｖ・ｓの移動度が実現された。また、第１の実施例と同様に、１００ＭＨｚ印加時に合わせて、基板バイアス−５０Ｖを印加すると、約５％の移動度向上が見られた。このとき粒径には顕著な増大は観察されなかった。従って、第１の実施例と同様にバイアス印加は結晶粒内の欠陥密度減少に効果があったものと判断される。
【００１８】
［第３の実施例］
図２（ａ）は、本発明の第３の実施例において用いられる平行平板型ＰＥＣＶＤの断面図であり、図２（ｂ）は、その上部電極部の平面図である。図２（ａ）は、図２（ｂ）をＡ−Ａ線で見た断面図に相当している。図２（ｂ）に示されるように、第１、第２上部電極２０１、２０２は、間仕切り２１１により互いに隔離されると共にスパイラル形状をなして互いに入り組んで形成されている。そして、これらの上部電極にはガスを放出するためのガス噴出口２０８が、全面にわたって多数開けられている。また、第１上部電極２０１の上部には、間仕切り２１１に仕切られた第１ガス供給路２１６が形成されており、その第１ガス供給路の一端は第１ガス導入口２１４に接続されている。同様に、第２上部電極２０２の上部にも、一端が第２ガス導入口２１５に接続された第２ガス供給路２１７が形成されている。第１、第２上部電極の下部には、第１、第２上部電極２０１、２０２と間仕切り２１１とにより区画された第１、第２反応室２０３、２０４が形成されている。各ガス供給路と各反応室との間は各上部電極に形成されたガス噴出口２０８により接続されている。また、第１、第２上部電極２０１、２０２は、ｒｆ発振源２１３とＶＨＦ発振源２１２にそれぞれ接続さている。また、第１、第２上部電極２０１、２０２の対極面に、接地された、下部電極を兼ねた基板ステージ２０５が設置されており、その上に基板２０６が搭載されている。この基板ステージ２０５内には基板２０６を加熱するヒータ２０９が設けられている。チャンバ２１０内のガスは、排気口２０７により外部に排気される。
【００１９】
基板温度、圧力および発振出力は第１の実施例と同条件とした。ここで、第１反応室２０４には、第１ガス導入口２１４、第１ガス供給路２１６を介して、ＳｉＨ4／Ｈ2ガスを５／２０ｓｃｃｍ導入し、第１上部電極２０１にｒｆ発振源２１３により１３．５６ＭＨｚの高周波を印加する。第１上部電極２０１に高周波印加を開始した２０秒後に、第２反応室２０４に第２ガス導入口２１５、第２ガス供給路２１７を介して、Ｈ2／ＳｉＦ4ガスを５／６０ｓｃｃｍ導入し、第２上部電極２０２にＶＨＦ発振源２１２により１００ＭＨｚの高周波を印加する。１４０秒後に両発振源の発振を停止させると、ガラス基板上に膜厚が６０ｎｍで、粒径が約１１０ｎｍのｐｏｌｙ−Ｓｉ膜が形成された。このｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を用いてｎ-ｃｈ．ＴＦＴを作成したところ、１００ｃｍ2／Ｖ・ｓの移動度が実現できた。また、第１および第２の実施例と同様に反応室２０３および反応室２０４で交互に発振させても、高移動度ｐｏｌｙ- Ｓｉ膜が形成できる。
【００２０】
［第４の実施例］
図３は、本発明の第４の実施例において用いられるリモートプラズマＣＶＤ装置の断面図である。上部に第１ガス導入口３１０が開口され、下側にガス噴出口３０３が形成された上部電極３０１は、高周波発振源３０９に接続されている。この上部電極３０１の対極面に、接地された下部電極を兼ねた基板ステージ３０４が設置されており、その上に基板３０５が搭載されている。この基板ステージ３０４内には基板３０５を加熱するヒータ３０７が設けられている。上部電極３０１と基板ステージ３０４との間の上部電極寄りに接地されたメッシュ電極３０２が設けられており、メッシュ電極３０２と基板ステージ３０４との間のチャンバ壁面に第２ガス導入口３１１が設けられている。チャンバ３０８内のガスは、排気口３０６により外部に排気される。
【００２１】
第２ガス導入口３１１よりＳｉＨ4／Ｈ2ガスをそれぞれ１０／４０ｓｃｃｍ導入する。ＳｉＨ4／Ｈ2ガス導入開始の１５秒後に第１ガス導入口３１０よりＨ2／ＳｉＦ4ガスを１０／８０ｓｃｃｍ導入し、上部電極３０１に高周波発振源３０９より高周波パワーを供給して上部電極３０１とメッシュ電極３０２との間にプラズマを発生させる。このときの高周波発振源３０９の発振周波数は１３．５６ＭＨｚ、発振出力を２００Ｗ、基板温度は４５０℃、圧力は１２０Ｐａとした。２００秒後に発振およびガス導入を停止すると、ガラス基板上に膜厚が５０ｎｍで、粒径が約１３０ｎｍのｐｏｌｙ- Ｓｉ膜が形成された。このｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を用いてｎ-ｃｈ．ＴＦＴを作成したところ、１００ｃｍ2／Ｖ・ｓの移動度が得られた。
【００２２】
［第５の実施例］
図４は、本発明の第５の実施例において用いられるリモートプラズマＣＶＤ装置の断面図である。上部に第１ガス導入口４１２が開口され、下側にガス噴出口４０４が形成された上部電極４０１は、第１高周波発振源４１０に接続されている。この上部電極４０１の対極面に、接地された下部電極を兼ねた基板ステージ４０５が設置されており、その上に基板４０６が搭載されている。この基板ステージ４０５内には基板４０６を加熱するヒータ４０９が設けられている。上部電極４０１と基板ステージ４０５との間の上部電極寄りに接地された上部メッシュ電極４０２が設けられ、またその上部メッシュ電極４０２と基板ステージ４０５との間に、第２高周波発振源４１１に接続された下部メッシュ電極４０３が設けられている。下部メッシュ電極４０３と基板ステージ４０５との間のチャンバ壁面に第２ガス導入口４１３が設けられている。チャンバ４０８内のガスは、排気口４０７により外部に排気される。
【００２３】
第２ガス導入口４１３よりＳｉＨ4／Ｈ2ガスを５／２０ｓｃｃｍ導入し、第２高周波発振源４１１より高周波パワーを供給して下部メッシュ電極４０３と基板４０６との間にプラズマを発生させる。このときの発振周波数は１３．５６ＭＨｚ、発振出力を１５０Ｗとした。
一方、同時に第１ガス導入口４１２よりＨ2／ＳｉＦ4ガスを１０／８０ｓｃｃｍ導入し、第１高周波発振源４１０より高周波パワーを供給して上部電極４０１と上部メッシュ電極４０２との間にプラズマを発生させる。このときの発振周波数は１３．５６ＭＨｚ、発振出力を２００Ｗとした。なお、基板温度は４５０℃、圧力は１２０Ｐａとした。２００秒後に発振およびガス導入を停止すると、ガラス基板上に膜厚が５０ｎｍで、粒径が約１３０ｎｍのｐｏｌｙ−Ｓｉ膜が形成された。このｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を用いてｎ-ｃｈ．ＴＦＴを作成したところ、１００ｃｍ2／Ｖ・ｓの移動度が実現できた。
【００２４】
図５から明らかなように、本発明の第１から第５の実施例によれば、堆積とエッチングの反応をそれぞれ独立に制御することにより、大粒径、高移動度のｐｏｌｙ−Ｓｉ薄膜が形成可能となった。
【００２５】
以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明は、これら実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱することのない範囲内において適宜の変更が可能なものである。例えば、第１から第５の本実施例に示されているガス流量、成膜圧力、発振出力などの条件は、基板サイズ、チャンバ容積、ガス導入口位置などにより変化するものである。また、第１、第２の実施例において、２つの発振源を用意して切り替えていたが発振源を一つにしてその発振源より２つの周波数の出力を得るようにしてもよい。また、図２に示した第３の実施例の第１、第２の上部電極の形状はインターディジット状等のスパイラル状以外のものであってもよい。また、図３に示した第４の実施例において、高周波発振源より１００ＭＨｚの高周波を供給するようにしてもよい。さらに、図４に示した第５の実施例においては、第１高周波発振源のみを１００ＭＨｚで発振させてもよくまた第１、第２高周波発振源の両方を１００ＭＨｚにて発振させるようにしてもよい。
【００２６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明による多結晶半導体薄膜の製造方法は、堆積とエッチングの反応をそれぞれ独立に制御したものであるので、大面積基板上に大粒径、高移動度の多結晶シリコン薄膜を直接形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１と第２の実施例において用いられる平行平板型ＰＥＣＶＤ装置の断面図。
【図２】  本発明の第３の実施例において用いられる平行平板型ＰＥＣＶＤ装置の断面図と平面図。
【図３】  本発明の第４の実施例において用いられるリモートプラズマＣＶＤ装置の断面図。
【図４】  本発明の第５の実施例において用いられるリモートプラズマＣＶＤ装置の断面図。
【図５】  本発明の第１から第５の実施例の成膜条件と結果をまとめた図表。
【符号の説明】
１０１、３０１、４０１  上部電極
１０２、２１２  ＶＨＦ発振源
１０３、２１３  ｒｆ発振源
１０４  切り替えスイッチ
１０５、２０５、３０４、４０５  基板ステージ（下部電極）
１０６、２０６、３０５、４０６  基板
１０７、２０７、３０６、４０７  排気口
１０８、２０８、３０３、４０４  ガス噴出口
１０９、２０９、３０７、４０９  ヒータ
１１０  ２１０、３０８、４０８  チャンバ
１１１  ガス導入口
２０１  第１上部電極
２０２  第２上部電極
２０３  第１反応室
２０４  第２反応室
２１１  間仕切り
２１４、３１０、４１２  第１ガス導入口
２１５、３１１、４１３  第２ガス導入口
２１６  第１ガス供給路
２１７  第２ガス供給路
３０２  メッシュ電極
３０９  高周波発振源
４０２  上部メッシュ電極
４０３  下部メッシュ電極
４１０  第１高周波発振源
４１１  第２高周波発振源
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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