(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に隣接して配列され、第１の方向に延在する複数の電極パターンよりなる第１の電極群と、
前記基板上に隣接して配列され、前記第１の方向とは異なる第２の方向に延在する複数の電極パターンよりなる第２の電極群と、
各々、前記第１の電極群中の一つの電極パターンと前記第２の電極群中の一つの電極パターンの交点に対応して形成された、複数の表示要素とよりなる表示装置であって、
少なくとも前記第１の電極群は、各々一端において駆動回路に接続され前記一端から他端までの長さが互いに異なる複数の電極パターンを含み、
前記第１の電極群を構成する複数の電極パターンの各々は、第１のシート抵抗を有する第１の導電体と、前記第一のシート抵抗よりも小さい第２のシート抵抗を有する第２の導電体とを含む積層構造を有し、
前記第１の電極群を構成する複数の電極パターンの各々には、前記第２の導電体を除去した高抵抗領域が設けられており、
前記高抵抗領域の長さは、前記第１の電極群を構成する複数の電極パターン毎に、前記電極パターンの長さが増大するほど減少し、
前記基板上には、前記第１の電極群を構成する複数の電極パターンが第１の間隔で平行に延在する表示領域と、前記表示領域中の前記第１の電極群を構成する複数の電極パターンの前記一端が、前記第１の間隔より小さな間隔で配列する端子領域と、前記表示領域中の前記第１の電極群を構成する複数の電極パターンが、前記端子領域中の対応する前記一端にそれぞれ接続される接続領域とが、含まれており、前記接続領域においては前記第１の電極群を構成する電極パターンの各々において、抵抗値が一定となるように前記第２の導電体が複数箇所において除去されている表示装置。
【請求項２】
前記第１の電極群を構成する複数の電極パターンは、前記一端から他端まで、実質的に同一の抵抗値を有する請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記高抵抗領域は、前記接続領域中に、前記端子領域に連続するように形成されている請求項１記載の表示装置。
【請求項４】
前記接続領域において前記第１の電極群を構成する前記複数の電極パターンは前記第２の方向に繰り返し形成されており、前記第１の電極群を構成する複数の電極パターンのうち、中央の電極パターンの長さが最短であり、前記第１の電極群を構成する複数の電極パターンの長さは、前記中央の電極パターンから両外側方向に、対称的に増大する請求項３記載の表示装置。
【請求項５】
前記接続領域において、前記第１の電極群を構成する複数の電極パターンは平行関係を維持しながら延在する請求項４記載の表示装置。
【請求項６】
前記高抵抗領域は、前記中央の電極パターンにおいて最大の長さを有し、前記高抵抗領域の長さは、前記中央の電極パターンから両外側方向に、対称的に減少する請求項４記載の表示装置。
【請求項７】
前記高抵抗領域の長さは、前記中央の電極パターンから両外側方向に、前記中央の電極パターンからの距離に応じて直線的に減少する請求項６記載の表示装置。
【請求項８】
前記高抵抗領域の長さは、前記中央の電極パターンから両外側方向に、前記中央の電極パターンからの距離に応じて階段状に減少する請求項６記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１の導電体は透明酸化物電極材料よりなり、前記第２の導電体は金属材料よりなる請求項１記載の表示装置。
【請求項１０】
除去されていない前記第２の導電体は、前記第１の導電体上に積層されている請求項１記載の表示装置。
【請求項１１】
除去されていない前記第２の導電体は、前記第１の導電体中に埋設されている請求項１記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第２の電極群中の電極パターンは、別の駆動回路に接続され、前記第１の電極群中の電極パターンは、前記第２の電極群中の電極パターンと共に、前記交点に形成された表示要素中を流れる駆動電流の電流路を形成する請求項１〜請求項１１のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記表示装置は有機ＥＬ表示装置である請求項１〜請求項１２のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第２の導電体は前記第１の導電体に対し、前記第１の電極群を構成する電極パターンの幅方向に部分的に重なるように形成されている請求項１０記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第１の導電体は、前記第２の導電体上に積層されている請求項１記載の表示装置。
【請求項１６】
前記第２の導電体は前記第１の導電体に対し、前記第１の電極群を構成する電極パターンの幅方向に部分的に重なるように形成されている請求項１５記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般に表示装置に係り、特に電流駆動型の発光素子を用いた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の表示装置は、主に液晶表示装置により構成されているが、最近ではプラズマ表示装置により構成された表示装置が使われ始めている。さらに、有機ＥＬ表示装置により表示装置を構成することも行われている。【０００３】
このような表示装置を安価に提供するには、パッシブマトリクス型の駆動構成を使うのが好ましい。パッシブマトリクス駆動構成を使うことにより、アクティブマトリクス駆動構成で必要な薄膜トランジスタを省略することができる。【０００４】
図１は、このようなパッシブマトリクス駆動構成の表示装置１０の概略的構成を示す。【０００５】
図１を参照するに、表示装置１０は表示領域１１Ａが形成された表示基板１１を含み、前記基板１１上にはＸ方向およびＹ方向に多数の走査ライン１１ａおよびデータライン１１ｂがそれぞれ延在している。
【０００６】
さらに前記基板１１には前記走査ライン１１ａの一つを選択的に駆動する駆動回路１２Ａと前記データライン１１ｂの一つあるいは複数を選択的に駆動する駆動回路１２Ｂとが接続されている。【０００７】
そこで前記駆動回路１２Ａにより一つの走査ライン１１ａを選択し、駆動回路１２Ｂにより一つあるいは複数のデータライン１１ｂを選択することにより、前記選択された走査ライン１１ａとデータライン１１ｂとの交点に対応する一または複数の画素が同時に発光する。【０００８】
一般に前記駆動回路１２Ａ，１２Ｂは集積回路チップの形に形成されており、前記表示基板１１との間は、表示装置の小型化のため、配線パターンが印刷されたフレキシブル基板により接続されるのが一般的である。このような実装形態は、チップ・オン・フィルム（ＣＯＦ）として知られている。特にＣＯＦ実装技術により駆動回路を実装する場合には、フレキシブル基板の圧着に適したＩＴＯ（Ｉｎ2Ｏ3・ＳｎＯ2）パターンが使われることが多い。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の発明者は、特に有機ＥＬ素子やプラズマ表示装置など、電流駆動型の表示装置を駆動する際に、駆動回路を走査ラインあるいはデータラインに接続する配線パターンの長さがラインごとに異なると、駆動が不均一になる問題が生じるのを発見した。【００１０】
図２，３は、図１の表示装置１０の駆動回路１２Ａと走査ライン１１ａとの接続部１１Ｃの構成を示す。【００１１】
図２，３を参照するに、前記接続部１１ＣはＡｌよりなる走査ライン１１ａに接続されるＩＴＯ配線パターン１１ｃより構成されているが、前記ＩＴＯ配線パターン１１ｃのピッチが前記駆動回路１２Ａと接続される側では、前記表示領域１１Ａに比べ、駆動回路の電極ピッチに対応して縮小されているのがわかる。なお図２では前記接続部１１Ｃにおいて前記ＩＴＯ配線パターン１１ｃは直線的に延在し、その結果、前記ＩＴＯ配線パターン１１ｃのパターン間隔が駆動回路１２Aと接続される側と表示領域の側とで変化するのに対し、図３では前記パターン間隔が一定に維持される。【００１２】
図２および図３のいずれの場合であっても、前記ＩＴＯ配線パターン１１ｃの前記接続部１１Ｃにおける長さは基板中央部と基板周辺部とで異なり、基板周辺部では基板中央部よりも長くなるのが避けられない。これに伴い、前記接続部１１Ｃでは基板中央部と基板周辺部とでＩＴＯ配線パターン１１ｃの抵抗が異なり、これに伴い、発光強度も基板中央部と基板周辺部とで異なる可能性がある。【００１３】
例えば、前記走査ライン引出し部１１ａを構成するＩＴＯ配線パターン１１ｃのシート抵抗を１０Ω／□とした場合、前記ＩＴＯ配線パターン１１ｃの配線抵抗は、配線長を５ｍｍ、配線幅を５０μmとすると１ｋΩとなり、上記１０ｍＡの駆動電流により、ＩＴＯ配線パターン１１ｃに沿って１０Ｖに達する電圧降下が生じることがわかる。【００１４】
このような電圧降下に加え、図２あるいは３に示すような、接続部１１CにおいてＩＴＯ配線パターン１１ｃのピッチが変化し、このため基板中央部と周辺部とで走査ライン１１ａを構成するＩＴＯ配線パターン１１ｃの長さが異なるような構成においては、基板中央の走査ライン１１ａにおいて配線抵抗が最小となり、上下端の走査ライン１１ａにおいてＩＴＯ配線パターン１１ｃの配線抵抗が最大となるのが避けられない。そこで例えば前記ＩＴＯ配線パターン１１ｃとしてシート抵抗が１０Ω／□、配線幅１０μmのものを使った場合、前記ＩＴＯ配線パターン１１ｃの長さの差が１０ｍｍだと、基板中央部の走査ライン１１ａと基板周辺部の走査ライン１１ａとの間において駆動電圧に２０Ｖに達する差が生じることがわかる。【００１５】
すなわち、本発明の発明者による調査の結果、このような構成の表示装置では、２０Ｖの駆動電圧を印加しても点灯しない画素が、ディスプレイ基板１１の周辺部に生じることになるのが明らかとなった。【００１６】
一般に、ＩＴＯパターンの抵抗値を、ＩＴＯパターン上にＣｒなどの低抵抗材料を積層することで低減する技術は公知である。しかしこのような方法では、図２，３の接続部１１Ｃにおけるような、ディスプレイ基板上におけるＩＴＯ配線パターンの長さの差に起因する抵抗変化を、個々のＩＴＯ配線パターンに対応して補償することはできない。【００１７】
このような個々のＩＴＯ配線パターンの長さに起因する抵抗変化を補償する方法として、ＩＴＯ配線パターンの長さに対応してパターン幅を変化させることも考えられる。例えば１００本の走査ライン１１ａのうち、中央の走査ライン１１ａの前記接続部１１ＣにおけるＩＴＯ配線パターン１１ｃの配線長が５ｍｍ、パターン幅が２０μmで、基板上端あるいは下端における配線長が１０ｍｍであった場合を考えると、前記中央の走査ライン１１ａから上端あるいは下端の走査ライン１１ａに向かってＩＴＯ配線パターン１１ｃの幅を０．４μｍきざみで４０μmまで増加させれば、前記接続部１１Ｃにおける配線長の差に起因する抵抗値の変化は補償することができる。【００１８】
しかし、実際のＩＴＯパターンのパターン幅精度は±１μｍ程度もあり、抵抗値のばらつきがパターン幅２０μｍの場合±５％、４０μｍの場合で±２．５％となり、このような工程を実際に行うのは困難である。またこのようなパターン幅を調整する方法は、莫大な設計工数を必要とする。
【特許文献１】米国特許公開第２００１−０５０７９９号公報
【特許文献２】特開２００２−１６２６４７号公報
【特許文献３】特開２００２−２２１５３６号公報
【特許文献４】特開昭６２−１２４５２９号公報
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の一観点によれば、
基板と、
前記基板上に隣接して配列され、第１の方向に延在する複数の電極パターンよりなる第１の電極群と、
前記基板上に隣接して配列され、前記第１の方向とは異なる第２の方向に延在する複数の電極パターンよりなる第２の電極群と、
各々、前記第１の電極群中の一つの電極パターンと前記第２の電極群中の一つの電極パターンの交点に対応して形成された、複数の表示要素とよりなる表示装置であって、
少なくとも前記第１の電極群は、各々一端において駆動回路に接続され前記一端から他端までの長さが互いに異なる複数の電極パターンを含み、
前記複数の電極パターンの各々は、第１のシート抵抗を有する第１の導電体と、前記第１のシート抵抗よりも小さい第２のシート抵抗を有する第２の導電体とを含む積層構造を有し、
前記複数の電極パターンの各々には、前記第２の導電体を除去した高抵抗領域が設けられており、
前記高抵抗領域の長さは、前記複数の電極パターン毎に、前記電極パターンの長さに応じて異なる表示装置が提供される。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、前記区間長が、前記第1の電極群を構成する個々の電極パターンで異なり、その結果、前記第1の電極群を構成する電極パターンの全長にわたる抵抗値が電極パターン毎に変化するような場合でも、前記第２の導電体の長さを前記区間長に応じて変化させることで、このような抵抗値の変化を補償することが可能で、表示装置において、より一様な表示を実現することができる。【００２１】
本発明のその他の課題および特徴は、以下に図面を参照しながら行う本発明の詳細な説明より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】従来のパッシブマトリクス駆動型表示装置の概略的構成を示す図である。
【図２】本発明が解決する課題を示す図である。
【図３】本発明が解決する課題を示す図である。
【図４】本発明の第１実施例によるパッシブマトリクス駆動型有機ＥＬ表示装置の概略的構成を示す図である。
【図５】図４の有機ＥＬ表示装置の一部を示す断面図である。
【図６】図４の有機ＥＬ表示装置の接続部の詳細な構成を示す図である。
【図７Ａ】図４の有機ＥＬ表示装置の接続部の断面構造を示す図である。
【図７Ｂ】図４の有機ＥＬ表示装置の接続部の断面構造を示す図である。
【図８】本発明の第２実施例によるパッシブマトリクス駆動型有機ＥＬ表示装置の概略的構成を示す図である。
【図９】図８の有機ＥＬ表示装置の接続部の詳細な構成を示す図である。
【図１０Ａ】図８の有機ＥＬ表示装置の接続部の断面構造を示す図である。
【図１０Ｂ】図８の有機ＥＬ表示装置の接続部の断面構造を示す図である。
【図１１】本発明による有機ＥＬ表示装置の特性を示す図である。
【図１２】図６の有機ＥＬ表示装置の一変形例を示す図である。
【図１３】本発明の第３実施例によるパッシブマトリクス駆動型有機ＥＬ表示装置の一部を示す図である。
【図１４】本発明の第４実施例によるパッシブマトリクス駆動型有機ＥＬ表示装置の一部を示す図である。
【図１５】本発明の第４実施例によるパッシブマトリクス駆動型有機ＥＬ表示装置の一部を示す図である。
【図１６】本発明の第５実施例によるパッシブマトリクス駆動型有機ＥＬ表示装置の一部を示す図である。
【符号の説明】
【００２３】
１０，２０，４０    有機ＥＬ表示装置
１１，２１    基板
１１Ａ，２１Ａ    表示領域
１１Ｃ，２１Ｃ，４１Ｃ    接続部
１１ａ，２１ａ    走査ライン
１１ｂ，２１ｂ    データライン
１１ｃ    配線パターン
１２Ａ，１２Ｂ，２２Ａ，２２Ｂ    駆動回路
２０Ａ    正孔輸送層
２０Ｂ    発光層
２０Ｃ    電子輸送層
２０Ｄ    陰極
２０Ｅ    有機ＥＬ素子
２１Ｔ，４１Ｔ    端子部
２１ａ1，４１ａ1    ＩＴＯパターン
２１ａ2，４１ａ2    Ｃｒパターン
２１ｃ    配線パターン
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
［第１実施例］
図４は、本発明の第１実施例によるパッシブマトリクス駆動型有機ＥＬ表示装置２０の構成を示す。【００２５】
図４を参照するに、表示装置２０は全体としては図１の表示装置１０と同様な構成を有しており、表示領域２１Ａが形成された表示基板２１を含み、前記基板２１上にはＸ方向およびＹ方向に多数の走査ライン２１ａおよびデータライン２１ｂが延在している。
【００２６】
さらに前記基板２１上には前記走査ライン２１ａの一つを選択的に駆動する駆動回路２２Ａと前記データライン２１ｂの一つあるいは複数を選択的に駆動する駆動回路２２Ｂとが接続されている。【００２７】
そこで前記駆動回路２２Ａにより一つの走査ライン２１ａを選択し、駆動回路２２Ｂにより一つあるいは複数のデータライン２１ｂを選択することにより、前記選択された走査ライン２１ａとデータライン２１ｂとの交点に対応する一または複数の画素が同時に発光する。【００２８】
図５は、図４に示す表示装置２０のデータライン２１ｂに沿った断面図を示す。
【００２９】
図５を参照するに、前記データライン２１ｂはガラス基板２１上に平行にパターニングされており、陽極を構成する。各々のデータライン２１ｂ上には正孔輸送層２０Ａと発光層２０Ｂと電子輸送層２０Ｃとを積層した有機ＥＬ素子２０Ｅが、典型的にはマスクを使った蒸着法により、繰り返し形成されており、このようにして形成された有機ＥＬ素子２０Ｅは前記ガラス基板２１上においてマトリクス状に配列される。【００３０】
このようにマトリクス状に配列した有機ＥＬ素子２０Ｅの間の空間は絶縁膜（図示せず）により充填され、さらに前記有機ＥＬ素子２０Ｅのうち、Ｘ方向に整列した一群の有機ＥＬ素子を結ぶように、Ａｌなどよりなる陰極２０Ｄが形成される。前記陰極２０Ｄは、図４の構成における走査ライン２１ａを構成する。【００３１】
図６は、図１，２の接続部１１Ｃに対応する、前記走査ライン２１ａと駆動回路２２Ａとの接続部２１Ｃの構成を詳細に示す。【００３２】
図６を参照するに、前記接続部２１Ｃにおいては前記表示領域２１Ａを延在する走査ライン２１ａの繰り返し間隔が、前記駆動回路２２Ａを構成する集積回路チップの端子間隔に合わせて縮小されており、これに伴って前記表示領域２１Ａ中を平行に延在していた走査ライン２１ａの端部から延在する配線パターン２１ｃが前記接続部２１Ｃにおいて屈曲されている。なお、以下に説明するように、前記配線パターン２１ｃは、ＩＴＯパターン２１ａ1と、前記ＩＴＯパターン２１ａ1上に形成された低抵抗のＣｒパターン２１ａ2との積層により構成されている。【００３３】
より具体的に説明すると、前記接続部２１Ｃは、前記走査ライン２１ａの端部から延在する配線パターン２１ｃが前記表示領域２１Ａにおける延在方向（Ｘ方向）に対して斜めに延在する区間Ａと、前記配線パターン２１ｃが前記区間Ａの先で再び前記Ｘ方向に延在し、前記駆動回路２２Ａとの接続のための端子部２１Tに連続する区間Ｂと、により構成されており、区間Ａ，Ｂのいずれにおいても、異なった走査ライン２１ａに対応する配線パターン２１ｃは、互いに平行に延在している。
【００３４】
図６において、前記区間Ａは、前記複数の配線パターン２１ｃのうち、中央部の最も配線長の短いパターンにおける長さがゼロとなり、最も外側で最も配線長の長いパターンにおける長さが最大（Ｌａmax）となるように定義されており、また前記区間Bは、前記複数のＩＴＯ配線パターン２１ｃのうち、中央部の最も配線長の短いパターンにおける長さが最大（Ｌｂmax）となり、最も外側で最も配線長の長い配線パターンにおける長さがゼロになるように定義されている。【００３５】
かかる構成の結果、前記区間Ａにおける配線長は、最も外側のＩＴＯ配線パターン２１ｃから中央部の最も短い配線パターン２１ｃに向かって直線的に減少し、また区間Ｂにおける配線長は、最も外側の配線パターン２１ｃから中央部の最も短い配線パターン２１ｃに向かって直線的に増加する。【００３６】
本実施例においては、前記区間Ｂを第１の区間Ｂ1および第２の区間Ｂ2にさらに分割し、図７Ａ，７Ｂに示すように前記第２の区間Ｂ2において前記低抵抗Ｃｒ膜２１ａ2を選択的に除去することで区間Ｂ1における配線パターン２１ｃ中のＣｒパターン２１ａ2の長さをトリミングし、配線パターン２１ｃの抵抗値を一定値に合わせている。ただし図７Ａは前記区間Ｂ1における配線パターン２１ｃの断面を、図７Ｂは前記区間Ｂ２における配線パターン２１ｃの断面を示している。【００３７】
このように、本発明では前記区間Ｂ2において低抵抗Ｃｒ膜２１ａ2を選択的に除去することにより、前記区間Ｂ2に等価的な抵抗要素を挿入している。その際、本実施例においては前記抵抗要素の抵抗値を、図７Ａ，７Ｂに示すようにパターン２１ａの幅Ｗａを調整するのではなく、前記区間Ｂ2の長さを調整することにより、精度よく設定することができる。【００３８】
以下、このようなトリミングの具体的な手順を説明する。【００３９】
図６を再び参照するに、先にも述べたように前記走査ライン２１ａを構成する電極群の中央部では、区間Ａの長さＬａ（ｍｍ）はゼロである。そこで、前記配線群の最も外側での前記配線パターンの長さＬａをＬａmax（ｍｍ）とすると、配線群の中央部と最外部との間で、配線パターンの長さＬａ（Ｌａk）は直線的に変化し、ｋ番目の配線長Ｌａkは【００４０】
【数１】
0004382089.tif 000002
および【００４１】
【数２】
0004382089.tif 000003
で与えられる。【００４２】
一方、区間Ｂの長さＬｂ（ｍｍ）も同様に直線的に変化し、配線群中央で最大、配線群の最外端部でゼロとなる。そこで配線群中央でのLb をＬｂmaxとすると、ｋ番目の配線長Ｌｂkは【００４３】
【数３】
0004382089.tif 000004
および【００４４】
【数４】
0004382089.tif 000005
で与えられる。【００４５】
なお、図６の構成において、前記Ｃｒ膜２１ｂを設ける部分は、端子部２１ＴにＣｒ膜などの低抵抗補助配線を設けることによって生じる機械的強度の低下を避けるため、前記区間Ｂ1とし、前記Ｃｒ膜２１ｂは前記区間Ａから連続して延在するように形成するのが好ましい。【００４６】
先にも説明したように、区間Ｂは図７Ａに対応したＩＴＯ膜２１ａ1とＣｒ膜２１ａ2が積層した区間Ｂ１と、図７Ｂに対応したＩＴＯ膜２１ａ1のみの区間Ｂ２より構成され、前記走査ライン２１ａ各々の延在部の長さを、前記区間Ｂ１においてＬｂ１k （ｍｍ）、前記区間Ｂ２においてＬｂ２k （ｍｍ）とする。【００４７】
前記ＩＴＯ膜２１ａ1のシート抵抗をＲito（Ω／□）、Ｃｒ膜２１ａ2のシート抵抗をＲaux（Ω／□）とし、前記区間Ａにおける線幅をＷａ（ｍｍ）、区間Ｂの線幅をＷｂ（ｍｍ）とすると、前記区間ＡおよびＢでの配線抵抗Ｒａk、Ｒｂkは、【００４８】
【数５】
0004382089.tif 000006
で与えられる。【００４９】
そこで、ｋ番目の走査ライン２１ａに対応した接続部２１Ｃの配線抵抗Ｒkは
Ｒk＝Ｒａk＋Ｒｂｋ
で与えられる。【００５０】
次に、上記をもとに、Ｃｒ膜２１ａ2を補助配線パターンとして使った配線抵抗の均一化（トリミング）を検討する。【００５１】
このような配線の抵抗均一化は、上式でＲkが、ｋにかかわらず常に一定となるＬｂ１k，Ｌｂ２kを求める問題に帰着する。【００５２】
ここで簡単のため０≦ｋ≦ｎ／２の範囲で考えると、ｋ＝ｎ／２の、すなわち配線群中央部のパターンのＬｂ２k、すなわちＬｂ2（ｎ／２）は、
Ｌｂ１k＋Ｌｂ２k＝Ｌｂmax
の関係より、【００５３】
【数６】
0004382089.tif 000007
と表される。ただし、ここでは以下の導出を行っている。【００５４】
ｋ＝ｎ／２のとき、関係【００５５】
【数７】
0004382089.tif 000008
が成立する。【００５６】
ここで、【００５７】
【数８】
0004382089.tif 000009
とおくと、
関係式【００５８】
【数９】
0004382089.tif 000010
が得られる。【００５９】
全てのパターンで抵抗が等しい条件が課せられるため、トリミング後においては０番目のＲａｋ，すなわちＲａ(0)とｎ／２番目のＲｂkすなわちＲｂ(n/2)は等しくなければならない。すなわち、関係式【００６０】
【数１０】
0004382089.tif 000011
が成立し、このことから、関係式【００６１】
【数１１】
0004382089.tif 000012
が得られる。【００６２】
ところで、ｋ＝０の場合、配線群最外端部のＬｂ２k、すなわちＬｂ２(1)は０となり、Ｌｂ２ｋは０からＬｂ２(n/2)まで直線的に変化する。したがって、トリミング後におけるｋ番目の配線長Ｌｂ２kは、【００６３】
【数１２】
0004382089.tif 000013
および【００６４】
【数１３】
0004382089.tif 000014
と求められる。【００６５】
このように、本実施例においては前記接続部２１Ｃにおいて走査ライン２１ａから延在する配線群のうち、中央部に配線パターンの配線長を求めることで、容易に抵抗値のトリミングを行うことができる。【００６６】
このような抵抗値のトリミングを行う場合、前記区間Ｂ２における前記配線パターンのフォトマスクを、上式より求められた配線パターンデータに則って作成すればよく、特別な工数は必要としない。【００６７】
例えば、上記パラメータがＬａmax＝１０ｍｍ，Ｌｂmax＝５ｍｍ，Ｗａ＝２０μｍ、Ｗｂ＝２０μｍ，Ｒito＝１０Ω／□，Raux＝２Ω／□，ｎ＝１００である場合、上式より、区間Ｂにおける中央部（ｎ／２番目）の配線長Ｌｂ１(n/2)，Ｌｂ２(n/2)は、Ｌｂ１(n/2) ＝４ｍｍ、Ｌｂ２(n/2) ＝１ｍｍ、またＲitoとＲauxの合成シート抵抗は、１．６７Ω／□となるので、前記区間Ｂの配線抵抗は、Ｒｂ１(n/2)＝１．６７×４０００／２０＝３３４Ω、Ｒｂ２(n/2)＝１０×１０００／２０＝５００Ωとなる。【００６８】
次に、本実施例において±１μｍのパターニング誤差が生じた時の抵抗のばらつきを評価する。【００６９】
上で求めたＬｂ１(n/2)，Ｌｂ２(n/2)の値に対し、前記区間Ｂ１においてＣｒ膜２１ａ2が１μｍ短くパターニングされていて、Ｌｂ１(n/2) ＝３．９９９ｍｍ，Ｌｂ２(n/2)＝１．００１mmである場合Ｒｂ１(n/2)＝１．６７×３９９９／２０＝３３３．９２Ω,Ｒｂ２(n/2)＝１０×１００１／２０＝５００．５Ωとなり、抵抗値の変化は、−０．０５％となる。同様に、前記区間Ｂ１において前記Ｃｒ膜２１ａ2よりなる補助配線が１μｍ長くパターニングされ、Ｌｂ１(n/2) ＝４００１ｍｍ、Ｌｂ２(n/2) ＝０．９９９ｍｍである場合、抵抗値の変化は＋０．０５％となる。【００７０】
このように、本発明によれば、配線幅を調整することで抵抗調整に比べ、２桁の精度向上が達成できる。
［第２実施例］
図８は、本発明の第２実施例による有機ＥＬ表示装置４０の概略的構成を、図９は前記表示装置４０の走査電極に沿った断面図を示す。ただし図中、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。【００７１】
図８を参照するに、表示装置４０も図４の表示装置２０と同様なパッシブマトリクス駆動型の表示装置であるが、前記駆動回路２２Ａと前記走査ライン２１ａとを接続するのに、図６の接続部２１Ｃの代わりに図９に示す接続部４１Ｃを使う。【００７２】
図９を参照するに、前記接続部４１Ｃは平面図上では図６の接続部２１Ｃと略同様な構成を有するが、前記走査ライン２１ｃの延在部より構成される配線パターン２１ｃの代わりに、前記走査ライン２１ａの端部に接続され、前記駆動回路２２Ａの端子に対応して形成された端子部４１Ｔに収斂する配線パターン４１ｃを含んでいる。【００７３】
前記配線パターン４１ｃは前記配線パターン２１ｃと同様に、その延在方向に沿って区間Ａと区間Ｂに分けられ、区間Ａの区間長Ｌａkは、最外部の走査ライン４１ａに対応する配線パターン４１ｃで最大となり、中央部の走査ライン４１ａに対応する配線パターン４１ｃでゼロとなる。【００７４】
また前記区間Ｂは区間Ｂ１とＢ２とに分けられ、区間Ｂ１では配線パターン４１ｃは図１０Ａに示すように走査ライン４１ａと同様なＩＴＯ膜４１ａ1と銀合金膜４１ａ２の積層構造を有するのに対し、前記区間Ｂ２では配線パターン４１ｃは図１０Ｂに示すようにＩＴＯ膜４１ａ１のみより構成されている。この区間Ｂ２のＩＴＯパターン４１ａ1がさらに延在して、駆動回路２２Ａの電極と圧着される前記端子部４１Ｔを構成している。【００７５】
本実施例でも、先の実施例と同様に、前記配線パターン４１ｃの前記区間Ｂ１における区間長Ｌｂkをトリミングすることにより、前記接続部４１Cにおいて走査ライン４１ａ相互に生じる抵抗値の差を除去している。【００７６】
前記銀合金としては銀とパラジウムあるいは銅の合金が使われ、これによりＣｒよりもさらに低いシート抵抗を実現することができる。一方、銀合金はＣｒよりもエレクトロマイクレーションあるいは酸化による特性の劣化を生じやすいため、図１０Ａに示すように前記区間Ｂ1において前記銀合金膜４１ａ2は前記ＩＴＯ膜４１ａ1の下層に、前記ガラス基板２１とＩＴＯ膜４１ａ1とにより保護されるように形成されている。【００７７】
以下、図１１の接続部１１Ｃにおけるトリミングについて詳細に説明する。【００７８】
先にも述べたように中央部の走査ライン４１ａに対応する配線パターン４１ｃでは、前記区間Ａにおける配線長Ｌａはゼロとなるのに対し、この配線長Ｌａは外側の走査ライン４１ａでは前記中央部からの距離に比例して直線的に増大する。【００７９】
そこで最外端の配線パターン４１ｃの長さをＬａmax（ｍｍ）とすると、中央（ｋ＝０）からｋ番目の配線パターン４１ｃの前記区間Ａにおける配線長Ｌａkは、【００８０】
【数１４】
0004382089.tif 000015
および【００８１】
【数１５】
0004382089.tif 000016
と表される。【００８２】
一方、前記区間Ｂにおける前記配線パターン４１ｃの長さＬｂ（ｍｍ）も同様に基板中央部から外側に向かって直線的に変化し、中央の走査ライン４１ａに対応する配線パターン４１ｃで最大、最外端でゼロになる。そこで前記中央部における区間長ＬｂをＬｂmaxとすると、中央部からｋ番目の配線長Ｌｂｋは、【００８３】
【数１６】
0004382089.tif 000017
および【００８４】
【数１７】
0004382089.tif 000018
と表される。【００８５】
ここで前記ＩＴＯ膜４１ａ1のシート抵抗をＲito（Ω／□），銀合金膜４１ａ2のシート抵抗をＲaux（Ω／□）とし、区間Ａにおける前記ＩＴＯ膜４１ａ1の幅、従って配線パターン４１ｃの幅をＷａ，また区間Ａにおける銀合金膜４１ａ2の幅をＷａ'、区間Ｂにおける前記ＩＴＯ膜４１ａ1の幅、従って配線パターン４１ｃの幅をＷｂ，また区間Ｂにおける銀合金膜４１ａ2の幅をＷｂ'とすると、区間ＡおよびＢの配線抵抗Ｒａk，Ｒｂkは、それぞれ【００８６】
【数１８】
0004382089.tif 000019
と表され、前記接続部４１Ｔにおけるｋ番目の配線パターン４１ｃの抵抗Ｒｋは、
Ｒk＝Ｒａk＋Rｂk
と表される。ここでＬｂ1k，Ｌｂ2kは、前記配線パターン４１ｃの前記区間Ｂ1およびＢ2における配線長を表す。【００８７】
次に、前記配線長Ｌｂ1k，Ｌｂ2kのトリミングについて説明する。【００８８】
先の実施例の場合と同様、トリミングの目的は。前記抵抗Ｒkを全てのパターンで同一値に設定することである。以下では簡単のため、０≦ｋ≦ｎ／２の場合を取り扱う。【００８９】
ｋ＝ｎ／２の場合、すなわち中央部の配線パターン４１ｃを考えると、その長さＬｂ2k、すなわちＬｂ2(n/2)は、関係Ｌｂ1k＋Ｌｂ2k＝Ｌｂmaxより、【００９０】
【数１９】
0004382089.tif 000020
と表される。【００９１】
ｋ＝ｎ／２の場合、上記関係【００９２】
【数２０】
0004382089.tif 000021
において【００９３】
【数２１】
0004382089.tif 000022
とおくと、以下の表現が得られる。
Ｒｂk=Ｃ1（Ｃ2・Ｌｂ1k＋Ｌｂ2k）【００９４】
【数２２】
0004382089.tif 000023
ここで【００９５】
【数２３】
0004382089.tif 000024
とおくと、抵抗Ｒａkは、【００９６】
【数２４】
0004382089.tif 000025
と表されるが、トリミング後においては全ての配線パターン４１ｃで抵抗が等しいとの条件から、０番目のＲａk，すなわちＲａ(0)とｎ／２番目のＲｂk、すなわちＲｂ(n/2)は等しくなければならない。【００９７】
すなわち、【００９８】
【数２５】
0004382089.tif 000026
が成立することになるが、これから【００９９】
【数２６】
0004382089.tif 000027
となり、上記関係が得られる。【０１００】
一方、ｋ＝０の場合、すなわち最外端の配線パターン４１ｃを考えると、長さＬｂ2k（＝Ｌｂ2(0)）はゼロとなり、Ｌｂ2kは、ゼロからＬｂ2(n/2)まで直線的に変化する。【０１０１】
従って、トリミング後におけるｋ番目の配線長は、【０１０２】
【数２７】
0004382089.tif 000028
および【０１０３】
【数２８】
0004382089.tif 000029
と求められる。【０１０４】
ここで上式のパラメータを、Ｌａmax＝１０ｍｍ，Ｌｂmax＝５ｍｍ，Ｗａ＝２０μｍ、Ｗｂ＝２０μｍ、Ｗａ'＝１５μｍ、Ｗｂ'＝１５μｍ、Ｒito＝１０Ω／□、Ｒmax＝０．２Ω／□，ｎ＝１００として、前記配線長は、
Ｌｂ１(n/2)＝４．８６７（ｍｍ）、Ｌｂ2(n/2)＝０．１３３（ｍｍ）と求められる。【０１０５】
さらにＲitoとＲauxの合成シート抵抗は、０．１９６Ω／□となるので、前記区間Ｂにおける配線パターン４１ｃの配線抵抗は、
Ｒｂ1(n/2)＝０．２６０×４８９７／２０＝６３．２１Ω、
Ｒｂ2(n/2)＝１０×１３３／２０＝６６．５Ω、
と求められる。【０１０６】
次に、本実施例におけるトリミングに対するパターニング誤差の影響を評価する。【０１０７】
上記最適配線長Ｌｂ1(n/2)，Ｌｂ1(n/2)において−１μｍのパターニング誤差が生じた場合を考えると、Ｌｂ1(n/2)＝３．９９９（ｍｍ），Ｌｂ1(n/2)＝１．００１（ｍｍ）となるが、この場合、
Ｒｂ1(n/2)＝０．２６０×４８６６／２０＝６３．２６Ω、
Ｒｂ2(n/2)＝１０×１３４／２０＝６７Ω、
となり、−０．５％の抵抗変化が生じると予想される。【０１０８】
同様に上記最適配線長Ｌｂ1(n/2)，Ｌｂ1(n/2)において＋１μｍのパターニング誤差が生じた場合を考えると、Ｌｂ1(n/2)＝４．００１（ｍｍ），Ｌｂ1(n/2)＝０．９９９（ｍｍ）となるが、この場合には＋０．５％の抵抗変化が生じると予想される。【０１０９】
このように本実施例によるトリミングにおいても、パターン幅を調節してトリミングを行った場合に比べ、１０倍以上のトリミング精度を確保することが可能になる。【０１１０】
図１１は、前記実施例１および２によるトリミングを行った場合の、走査ライン２１ａあるいは４１ａ全体の配線抵抗およびこれに伴う電圧降下、さらに前記配線抵抗の最大値と最小値の差ΔＲ、および前記ΔＲに伴って生じる電圧降下の最大値と最小値の差ΔＶを、比較例１および２と共に示す。ただし比較例１では、Ｃｒ膜あるいは銀合金などの補助配線は設けておらず、抵抗値のトリミングは配線パターン１１ｃの幅を調整することにより行っている。また比較例２ではＣｒ膜を補助配線として設けているが、抵抗値のトリミングは、配線パターン２１ｃの幅を調整することにより行っている。これに対し、実験例１は先に説明した実施例１に対応し、トリミングを図６の区間Ｂ１における補助配線、すなわちＣｒパターン２１ａ2の配線長の調整により行っている。また実験例２は先に説明した実施例２に対応し、トリミングを図１１の区間Ｂ1における補助配線、すなわちＡｇ合金パターン４１ａ2の配線長の調整により行っている。【０１１１】
図１１を参照するに、比較例の場合、抵抗値の変動ΔＲは７５０Ωあるいは１２５．１Ωに達し、これに対応して電圧降下の差ΔＶdropも１０ｍＡの駆動電流が流れた場合、７．５Ｖあるいは１．２５Ｖに達する。これに対し、本発明では、接続部２１Ｃあるいは４１Ｃにおける配線長差に起因する配線パターン２１ｃあるいは４１ｃの抵抗値の変動ΔＲが、実験例１の場合８３．４Ωまで、また実験例２の場合には１５．１Ωまで低減され、これに伴い、電圧降下の差ΔＶdropも実験例１の場合０．８３Ｖまで、実験例２の場合には０．１５Ｖまで減少しているのがわかる。【０１１２】
なお、以上の説明では、前記区間Ｂ1とＢ2とで、配線長Ｌｂ1kと配線長Ｌｂ2kとが番号ｋと共に直線的に変化する場合を考察したが、本発明のように配線長でトリミングする場合には、図１１からもわかるように多少のパターニング誤差が生じても抵抗値の変動には余り影響しないため、例えば図１２に示すように、区間Ｂ1での配線長Ｌｂ1kおよび区間Ｂ２での配線長Ｌｂ2kを、階段状に、あるいは円弧状に変化させることも可能である。ただし図１２中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。【０１１３】
なお、図６あるいは１１の接続部１１Ｃあるいは２１Ｃは、必要に応じてデータ電極２１ｂと駆動回路２２Ｂの接続部にも設けることができる。
［第３実施例］
図１３は、本発明の第３実施例によるパッシブマトリクス駆動型有機ＥＬ表示装置の構成の一部を示す。ただし図１３中、先に説明した部分には対応する参照符号を付し、説明を省略する。【０１１４】
図１３は、先に説明した図７Ａと同様な、区間Ｂ１における断面図であるが、本実施例によるパッシブマトリクス駆動有機ＥＬ表示装置は、先に図６で説明した有機ＥＬ表示装置２０の一変形例であり、これらとほぼ同様な構成を有するが、前記ＩＴＯパターン２１ａ1と低抵抗パターン２１ａ2の位置が相対的にずれている点で相違している。【０１１５】
このような場合でも、前記端子部２１Ｔにおいては、前記低抵抗Ｃｒ膜２１ａ2を除去することにより、ＩＴＯパターン２１ａ1のみが露出され、図７Ｂと同一の断面構造が得られる。したがって、本実施例においても、フレキシブル基板に対してＩＴＯパターンを介した良好な圧着が実現される。
［第４実施例］
図１４は、本発明の第４実施例によるパッシブマトリクス駆動型有機ＥＬ表示装置の構成の一部を示す。ただし図１４中、先に説明した部分には対応する参照符号を付し、説明を省略する。【０１１６】
図１４は、先に説明した図７Ａと同様な、区間Ｂ１における断面図であるが、本実施例によるパッシブマトリクス駆動有機ＥＬ表示装置は、先に図６で説明した有機ＥＬ表示装置２０の一変形例であり、これらとほぼ同様な構成を有するが、前記ＩＴＯパターン２１ａ1と低抵抗パターン２１ａ2の位置が上下で入れ替わっている点で相違している。すなわち、前記Ｃｒパターン２１ａ2が下側パターンとなり、ＩＴＯパターン２１ａ1が下側パターンとなっている。【０１１７】
このような場合でも、前記端子部２１Ｔにおいては、前記低抵抗Ｃｒ膜２１ａ2を除去することにより、ＩＴＯパターン２１ａ1のみが露出され、図７Ｂと同一の断面構造が得られる。したがって、本実施例においても、フレキシブル基板に対してＩＴＯパターンを介した良好な圧着が実現される。【０１１８】
図１５は、図１４のさらなる変形例であり、図１４における上側ＩＴＯパターン２１ａ1と下側Ｃｒパターン２１ａ2の関係が相対的にずれている場合を示す。【０１１９】
このような場合であっても、前記前記端子部２１Ｔにおいては、前記低抵抗Ｃｒ膜２１ａ2を除去することにより、ＩＴＯパターン２１ａ1のみが露出され、図７Ｂと同一の断面構造が得られる。したがって、本実施例においても、フレキシブル基板に対してＩＴＯパターンを介した良好な圧着が実現される。
［第５実施例］
図１６は、本発明の第５実施例によるパッシブマトリクス駆動型有機ＥＬ表示装置の構成の一部を示す。ただし図１６中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。【０１２０】
図１６を参照するに、本実施例においては、前記区間Ｂ１において前記ＩＴＯパターン２１ａ1上に形成された低抵抗Ｃｒパターン２１ａ2を一または複数箇所において除去し、これにより、この部分に抵抗を発生させている。【０１２１】
そこで、このような抵抗形成箇所を、各々の配線パターン２１ｃに、対応する走査ライン２１ａの位置に応じて設けることにより、すなわちその個数あるいは長さを調整することにより、前記配線パターン２１ｃの抵抗値を、対応する走査ライン２１ａに応じて調整することが可能になる。【０１２２】
さらに本発明は、有機ＥＬ表示装置のみならず、パッシブマトリクス駆動される他の電流駆動型表示装置、例えばプラズマ表示装置（ＰＤＰ）、ＬＥＤアレイ表示装置、あるいは光源などにも適用可能である。【０１２３】
さらに、本発明は電流駆動型表示装置のみならず、パッシブマトリクス駆動型あるいはアクティブマトリクス駆動型の液晶表示装置にも適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１２４】
本発明によれば、表示装置の表示領域を延在する駆動電極を収斂させて駆動回路に接続する接続部において、補助電極の長さをかかる接続部における配線パターンの長さに応じて変化させることにより、接続部において異なった配線パターン間で生じる抵抗差、従って電圧降下量の差を、配線パターンの位置にかかわらず一定に設定することが可能で、表示装置の均一な駆動が可能になる。
【図１】
0004382089.tif 000030
【図２】
0004382089.tif 000031
【図３】
0004382089.tif 000032
【図４】
0004382089.tif 000033
【図５】
0004382089.tif 000034
【図６】
0004382089.tif 000035
【図７Ａ】
0004382089.tif 000036
【図７Ｂ】
0004382089.tif 000037
【図８】
0004382089.tif 000038
【図９】
0004382089.tif 000039
【図１０Ａ】
0004382089.tif 000040
【図１０Ｂ】
0004382089.tif 000041
【図１１】
0004382089.tif 000042
【図１２】
0004382089.tif 000043
【図１３】
0004382089.tif 000044
【図１４】
0004382089.tif 000045
【図１５】
0004382089.tif 000046
【図１６】
0004382089.tif 000047