(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に一連の処理を施す基板処理装置であって、
基板に熱処理を施す熱処理ユニットと、
前記熱処理ユニットと他のユニットとの間で基板の受渡しを行うための主搬送手段と
を備え、
前記熱処理ユニットは、上下に配設された複数個の基板処理部と、前記主搬送手段とは別の基板搬送手段であって前記複数個の基板処理部の間で基板の受渡しを行うためのローカル搬送手段とを備え、
前記ローカル搬送手段の待機位置が前記熱処理ユニットの前記基板処理部の内部に設定されており、
前記主搬送手段が基板を受け渡した基板処理部に前記ローカル搬送手段の待機位置が設定され前記ローカル搬送手段が待機収納されており、
さらに、前記複数個の基板処理部は基板を加熱処理する基板加熱処理部と、基板を冷却処理する基板冷却処理部または基板を待機させるための基板待機処理部とを含み、
前記ローカル搬送手段の待機位置は、前記基板冷却処理部または前記基板待機処理部の内部に設定されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
基板に一連の処理を施す基板処理装置であって、
基板に熱処理を施す熱処理ユニットと、
前記熱処理ユニットと他のユニットとの間で基板の受渡しを行うための主搬送手段と
を備え、
前記熱処理ユニットは、上下に配設された複数個の基板処理部と、前記主搬送手段とは別の基板搬送手段であって前記複数個の基板処理部の間で基板の受渡しを行うためのローカル搬送手段とを備え、
前記基板処理部の一つは、前記ローカル搬送手段のための待機位置を備え、
前記ローカル搬送手段は、基板を保持した状態でこの基板を冷却する基板冷却手段を備え、
前記複数個の基板処理部は基板を加熱処理する基板加熱処理部と、基板を冷却処理する基板冷却処理部または基板を待機させるための基板待機処理部とを含み、
前記主搬送手段が基板を受け渡した基板処理部に前記ローカル搬送手段の待機位置が設定され前記ローカル搬送手段が待機収納されており、
前記ローカル搬送手段の待機位置は、前記基板冷却処理部または前記基板待機処理部の内部に設定されている
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
基板に一連の処理を施す基板処理装置であって、
基板に熱処理を施す熱処理ユニットと、
前記熱処理ユニットと他のユニットとの間で基板の受渡しを行うための主搬送手段と
を備え、
前記熱処理ユニットは、上下に配設された複数個の基板処理部と、前記主搬送手段とは別の基板搬送手段であって前記複数個の基板処理部の間で基板の受渡しを行うためのローカル搬送手段とを備え、
前記基板処理部の一つは、前記ローカル搬送手段のための待機位置を備え、
前記待機位置を備える基板処理部は、待機位置にある前記ローカル搬送手段を冷却するための冷却手段を備え、
前記主搬送手段が基板を受け渡した基板処理部に前記ローカル搬送手段の待機位置が設定されており、
前記複数個の基板処理部のうちで前記待機位置を備える基板処理部以外の基板処理部であって基板を加熱処理する基板加熱処理部による加熱処理時に、前記ローカル搬送手段は待機位置に待機収納され、前記ローカル搬送手段は冷却される
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
基板に一連の処理を施す基板処理装置であって、
基板に熱処理を施す熱処理ユニットと、
前記熱処理ユニットと他のユニットとの間で基板の受渡しを行うための主搬送手段と
を備え、
前記熱処理ユニットは、上下に配設された複数個の基板処理部と、前記主搬送手段とは別の基板搬送手段であって前記複数個の基板処理部の間で基板の受渡しを行うためのローカル搬送手段とを備え、
前記複数個の基板処理部は、基板を加熱処理する基板加熱処理部と、基板を冷却処理する基板冷却処理部または基板を待機させるための基板待機処理部とを含み、
前記主搬送手段が基板を受け渡した基板処理部に前記ローカル搬送手段の待機位置が設定され前記ローカル搬送手段が待機収納されており、
前記ローカル搬送手段の待機位置は、前記基板冷却処理部または前記基板待機処理部の内部に設定され、
前記主搬送手段は、前記基板冷却処理部または前記基板待機処理部と基板を受け渡しするための第一主搬送機構と、前記基板加熱処理部と基板を受け渡しするための第二主搬送機構とを備えている
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置において、
前記基板待機処理部は、前記ローカル搬送手段を自然冷却することを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記基板処理部は、前記ローカル搬送手段が出入されるローカル搬送用出入口と、前記主搬送手段が出入される主搬送用出入口とを別々に備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
基板に一連の処理を施す基板処理装置であって、
基板に熱処理を施す熱処理ユニットと、
前記熱処理ユニットと他のユニットとの間で基板の受渡しを行うための主搬送手段と
を備え、
前記熱処理ユニットは、上下に配設された複数個の基板処理部と、前記主搬送手段とは別の基板搬送手段であって前記複数個の基板処理部の間で基板の受渡しを行うためのローカル搬送手段とを備え、
前記複数個の基板処理部は、基板を加熱処理する基板加熱処理部と、基板を冷却処理する基板冷却処理部または基板を待機させるための基板待機処理部とを含み、
前記主搬送手段が基板を受け渡した基板処理部に前記ローカル搬送手段の待機位置が設定され前記ローカル搬送手段が待機収納されており、
前記ローカル搬送手段の待機位置は、前記基板冷却処理部または前記基板待機処理部の内部に設定され、
前記基板冷却処理部または前記基板待機処理部は、その内部に待機中の前記ローカル搬送手段を冷却するための冷却手段を備えている
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記複数個の基板処理部は、基板を冷却処理する基板冷却処理部を２個以上含み、
前記ローカル搬送手段の待機位置は、前記基板冷却処理部の内部に設定されていることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板などの基板（以下、単に基板と称する）に、一連の処理を施す基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、このような基板処理装置は、例えば、フォトレジスト膜を基板に塗布形成し、フォトレジスト膜が塗布されたその基板に対して露光処理を行い、さらに露光処理後の基板を現像するフォトリソグラフィ工程に用いられている。
【０００３】
これを図１６の平面図に示し、以下に説明する。この基板処理装置は、未処理の複数枚（例えば２５枚）の基板Ｗ又は後述する処理部１０４での処理が完了した基板Ｗが収納されるカセットＣが複数個載置されるカセット載置台１０１と、この各カセットＣの前を水平移動し、各カセットＣと後述する処理部１０４間で基板Ｗの受け渡しを行う搬送機構１０８ａとを備えたインデクサ１０３と、複数個の処理部１０４と、複数個の処理部１０４間で基板Ｗを搬送する経路である基板主搬送経路１０５と、処理部１０４および外部処理装置１０７間で基板Ｗの受け渡しを中継するインターフェイス１０６とから構成されている。
【０００４】
外部処理装置１０７は、基板処理装置とは別体の装置であって、基板処理装置のインターフェイス１０６に対して着脱可能に構成されている。基板処理装置が、上述したレジスト塗布および現像処理を行う装置である場合、この外部処理装置１０７は、基板Ｗの露光処理を行う露光装置となる。
【０００５】
また、基板主搬送経路１０５上を搬送する主搬送機構１０８ｂと、インターフェイス１０６の搬送経路上を搬送する搬送機構１０８ｃとがそれぞれ配設されている。その他に、インデクサ１０３と基板主搬送経路１０５との連結部には載置台１０９ａ、基板主搬送経路１０５とインターフェイス１０６との連結部には載置台１０９ｂがそれぞれ配設されている。
【０００６】
上述した基板処理装置において、以下の手順で基板処理が行われる。未処理の基板Ｗを収納したカセットＣから１枚の基板を搬送機構１０８ａが取り出して、主搬送機構１０８ｂに基板Ｗを渡すために、載置台１０９ａまで搬送する。主搬送機構１０８ｂは、載置台１０９ａに載置された基板Ｗを受け取った後、各処理部１０４内で所定の処理（例えば、レジスト塗布などの処理）をそれぞれ行うために、それらの処理部１０４に基板Ｗをそれぞれ搬入する。所定の各処理がそれぞれ終了すると、主搬送機構１０８ｂはそれらの処理部１０４から基板Ｗをそれぞれ搬出して、次の処理を行うために別の処理部１０４（例えば、熱処理）に基板Ｗを搬入する。
【０００７】
なお、上述した複数個の処理部１０４のうちで熱処理を行うための処理部１０４（以下、適宜に「熱処理ユニット」と呼ぶ。）としては、例えば、フォトレジスト膜を塗布した後の基板を熱処理するレジスト塗布後の熱処理や、後述する露光処理を受けた基板を熱処理する露光後の熱処理などをそれぞれ行うものがある。この熱処理ユニットは、例えば、基板Ｗを加熱するホットプレートと、熱処理後の基板Ｗを冷却するためのクールプレートとが上下に配置され、主搬送機構１０８ｂとは別の独立した搬送機構であって、ホットプレートとクールプレートとの間で基板Ｗを搬送するローカル搬送機構を備えている。
【０００８】
熱処理ユニットに、主搬送機構１０８ｂとは別の独立したローカル搬送機構を備えている理由は、次の通りである。上述の塗布後，露光後の２種類の熱処理は、ホットプレートでの一定加熱時間経過後のクールプレートでの冷却処理までの時間がプロセス上非常に重要となっている。なぜならば、その時間（熱処理後の冷却開始時間）にばらつきが生じてしまうと、塗布後の膜厚のばらつきや現像後の線幅均一性のばらつきを引き起こすことになるからである。例えば、主搬送機構１０８ｂで熱処理ユニット内のホットプレートとクールプレートとの間の基板Ｗの搬送をも行うことにすると、主搬送機構１０８ｂは他の処理部１０４への搬送に要する時間や、他の処理部の処理時間の影響によって連続して投入される複数の基板の全てについて、常に熱処理後すぐに冷却処理を行うことが困難な場合が生じ、いわゆるオーバーベークが生じたり、熱処理後の冷却開始時間がばらつくことになるので、主搬送機構１０８ｂとは別の独立したローカル搬送機構によって、上述の熱処理後の冷却開始時間を一定にしているのである。
【０００９】
また、同一の主搬送機構がホットプレートとの間でも基板の受け渡しを行うと、主搬送機構が蓄熱し、その影響で基板に不必要な熱を与えてレジスト塗布や現像などの他の処理部１０４における処理に悪影響を与えるため、これを回避するためである。
【００１０】
このように露光前の一連の処理が終了すると、主搬送機構１０８ｂは、処理部１０４で処理された基板Ｗを載置部１０９ｂまで搬送する。搬送機構１０８ｃに基板Ｗを渡すために、上述した載置台１０９ｂに基板Ｗを載置する。搬送機構１０８ｃは、載置台１０９ｂに載置された基板Ｗを受け取った後、外部処理装置１０７まで搬送する。外部処理装置１０７に搬入して、所定の処理（例えば、露光処理などの処理）が終了すると、搬送機構１０８ｃは外部処理装置１０７から基板Ｗを搬出して、載置部１０９ｂまで搬送する。後は、主搬送機構１０８ｂによって各処理部１０４に基板が搬送され、露光後の一連の加熱処理、冷却処理、現像処理が行われ、全ての処理完了した基板は搬送機構１０８ａを通じて所定のカセットＣに搬入される。そして、カセット載置台１０１から払い出されて、一連の基板処理が終了する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の基板処理装置では、前述の熱処理ユニットのローカル搬送機構により、ホットプレートとクールプレートとの間の基板Ｗの搬送を行うことで、上述の熱処理後の冷却開始時間を一定にするなど、基板処理精度の向上に努めているが、それでもなお、基板処理精度にむらが生じ、高精度に基板処理を行うことができないという問題がある。
【００１２】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、高精度に基板処理を行うことができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を達成するために、発明者が鋭意研究をした結果、次のような知見を得た。すなわち、従来の基板処理装置では、熱処理ユニットのローカル搬送機構は、ホットプレートとクールプレートとの間で基板Ｗを搬送するためのものであり、基板搬送の際にホットプレートまたはクールプレートにアクセスし、それ以外の待機状態ではホットプレートおよびクールプレートの外部で待機することになる。つまり、熱処理ユニットのローカル搬送機構は、ホットプレートおよびクールプレートの外部に待機位置が設定されていて、ホットプレートまたはクールプレートに基板を搬送した後には、熱処理ユニット外部の環境に曝された状態で待機することになるので、熱処理ユニットのローカル搬送機構が熱処理ユニット外の環境による影響（例えば熱的影響等）を受け易くなっているだけでなく、逆に、熱処理ユニットのローカル搬送機構が熱処理ユニット外の環境に影響（例えば熱的影響等）を及ぼしているという現象が存在することを解明した。そして、この熱処理ユニットのローカル搬送機構が熱処理ユニット外の環境による影響を受けることや、この熱処理ユニットのローカル搬送機構が熱処理ユニット外の環境に影響を及ぼしていることによって、基板処理精度にむらが生じ、基板処理装置の処理精度が低下しているという因果関係があることを見出したのである。
【００１４】
このような知見に基づく本発明は次のような構成を採る。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板に一連の処理を施す基板処理装置であって、基板に熱処理を施す熱処理ユニットと、前記熱処理ユニットと他のユニットとの間で基板の受渡しを行うための主搬送手段とを備え、前記熱処理ユニットは、上下に配設された複数個の基板処理部と、前記主搬送手段とは別の基板搬送手段であって前記複数個の基板処理部の間で基板の受渡しを行うためのローカル搬送手段とを備え、前記ローカル搬送手段の待機位置が前記熱処理ユニットの前記基板処理部の内部に設定されており、前記主搬送手段が基板を受け渡した基板処理部に前記ローカル搬送手段の待機位置が設定され前記ローカル搬送手段が待機収納されていることを特徴とするものである。
【００１５】
（作用・効果）請求項１に記載の発明によれば、ローカル搬送手段は、待機時には熱処理ユニットの基板処理部の内部の待機位置に収納されて待機されるので、ローカル搬送手段が熱処理ユニット外に曝された状態で待機させられることによってこのローカル搬送手段が熱処理ユニット外環境の影響を受けることを低減できるし、待機中のローカル搬送手段が熱処理ユニット外環境に影響を及ぼすことも低減できるし、この影響に起因して生じていた基板処理精度のむらを低減でき、高精度に基板処理を行うことができる。また、ローカル搬送手段の温度制御が容易にできる。また、ローカル搬送手段は、熱処理ユニット内の複数個の基板処理部の間で基板の受け渡しができるので、主搬送手段の負担を低減することができる。
【００１８】
また、請求項２に記載の発明は、基板に一連の処理を施す基板処理装置であって、基板に熱処理を施す熱処理ユニットと、前記熱処理ユニットと他のユニットとの間で基板の受渡しを行うための主搬送手段とを備え、前記熱処理ユニットは、上下に配設された複数個の基板処理部と、前記主搬送手段とは別の基板搬送手段であって前記複数個の基板処理部の間で基板の受渡しを行うためのローカル搬送手段とを備え、前記基板処理部の一つは、前記ローカル搬送手段のための待機位置を備え、前記ローカル搬送手段は、基板を保持した状態でこの基板を冷却する基板冷却手段を備え、前記複数個の基板処理部は基板を加熱処理する基板加熱処理部と、基板を冷却処理する基板冷却処理部または基板を待機させるための基板待機処理部とを含み、前記主搬送手段が基板を受け渡した基板処理部に前記ローカル搬送手段の待機位置が設定され前記ローカル搬送手段が待機収納されており、前記ローカル搬送手段の待機位置は、前記基板冷却処理部または前記基板待機処理部の内部に設定されていることを特徴とするものである。
【００１９】
（作用・効果）請求項２に記載の発明によれば、ローカル搬送手段は、基板を保持した状態でこの基板を冷却する基板冷却手段を備えているので、ローカル搬送手段は、基板搬送のみならず、基板を保持した時点から基板冷却が開始できる。また、ローカル搬送手段は、基板冷却処理部または基板待機処理部の内部の待機位置に収納されて待機される。
【００２０】
また、請求項３に記載の発明は、基板に一連の処理を施す基板処理装置であって、基板に熱処理を施す熱処理ユニットと、前記熱処理ユニットと他のユニットとの間で基板の受渡しを行うための主搬送手段とを備え、前記熱処理ユニットは、上下に配設された複数個の基板処理部と、前記主搬送手段とは別の基板搬送手段であって前記複数個の基板処理部の間で基板の受渡しを行うためのローカル搬送手段とを備え、前記基板処理部の一つは、前記ローカル搬送手段のための待機位置を備え、前記待機位置を備える基板処理部は、待機位置にある前記ローカル搬送手段を冷却するための冷却手段を備え、前記主搬送手段が基板を受け渡した基板処理部に前記ローカル搬送手段の待機位置が設定されており、前記複数個の基板処理部のうちで前記待機位置を備える基板処理部以外の基板処理部であって基板を加熱処理する基板加熱処理部による加熱処理時に、前記ローカル搬送手段は待機位置に待機収納され、前記ローカル搬送手段は冷却されることを特徴とするものである。また、請求項４に記載の発明は、基板に一連の処理を施す基板処理装置であって、基板に熱処理を施す熱処理ユニットと、前記熱処理ユニットと他のユニットとの間で基板の受渡しを行うための主搬送手段とを備え、前記熱処理ユニットは、上下に配設された複数個の基板処理部と、前記主搬送手段とは別の基板搬送手段であって前記複数個の基板処理部の間で基板の受渡しを行うためのローカル搬送手段とを備え、前記複数個の基板処理部は、基板を加熱処理する基板加熱処理部と、基板を冷却処理する基板冷却処理部または基板を待機させるための基板待機処理部とを含み、前記主搬送手段が基板を受け渡した基板処理部に前記ローカル搬送手段の待機位置が設定され前記ローカル搬送手段が待機収納されており、前記ローカル搬送手段の待機位置は、前記基板冷却処理部または前記基板待機処理部の内部に設定され、前記主搬送手段は、前記基板冷却処理部または前記基板待機処理部と基板を受け渡しするための第一主搬送機構と、前記基板加熱処理部と基板を受け渡しするための第二主搬送機構とを備えていることを特徴とするものである。また、請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の基板処理装置において、前記基板待機処理部は、前記ローカル搬送手段を自然冷却することを特徴とするものである。また、請求項６に記載の発明は、請求項１から請求項５のいずれかに記載の基板処理装置において、前記基板処理部は、前記ローカル搬送手段が出入されるローカル搬送用出入口と、前記主搬送手段が出入される主搬送用出入口とを別々に備えていることを特徴とするものである。
【００２１】
（作用・効果）請求項３に記載の発明によれば、基板処理部の一つに備えられた、ローカル搬送手段のための待機位置での冷却手段は、待機でローカル搬送手段を冷却する。基板加熱処理部による加熱処理時に、ローカル搬送手段は待機位置に待機収納され、ローカル搬送手段は冷却される。また、請求項４に記載の発明によれば、第一主搬送機構は、基板冷却処理部または基板待機処理部と基板を受け渡し、第二主搬送機構は、基板加熱処理部と基板を受け渡しする。また、請求項５に記載の発明によれば、基板待機処理部はローカル搬送手段を自然冷却する。また、請求項６に記載の発明によれば、基板処理部は、ローカル搬送手段が出入されるローカル搬送用出入口と、主搬送手段が出入される主搬送用出入口とを別々に備えているので、ローカル搬送手段と主搬送手段との干渉を低減できる。
【００２２】
また、請求項７に記載の発明は、基板に一連の処理を施す基板処理装置であって、基板に熱処理を施す熱処理ユニットと、前記熱処理ユニットと他のユニットとの間で基板の受渡しを行うための主搬送手段とを備え、前記熱処理ユニットは、上下に配設された複数個の基板処理部と、前記主搬送手段とは別の基板搬送手段であって前記複数個の基板処理部の間で基板の受渡しを行うためのローカル搬送手段とを備え、前記複数個の基板処理部は、基板を加熱処理する基板加熱処理部と、基板を冷却処理する基板冷却処理部または基板を待機させるための基板待機処理部とを含み、前記主搬送手段が基板を受け渡した基板処理部に前記ローカル搬送手段の待機位置が設定され前記ローカル搬送手段が待機収納されており、前記ローカル搬送手段の待機位置は、前記基板冷却処理部または前記基板待機処理部の内部に設定され、前記基板冷却処理部または前記基板待機処理部は、その内部に待機中の前記ローカル搬送手段を冷却するための冷却手段を備えていることを特徴とするものである。
【００２３】
（作用・効果）請求項７に記載の発明によれば、基板冷却処理部または基板待機処理部は、その内部に待機中のローカル搬送手段を冷却するための冷却手段を備えているので、基板冷却処理部または基板待機処理部の内部に待機中のローカル搬送手段を冷却することができる。
【００２６】
また、請求項８に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記複数個の基板処理部は、基板を冷却処理する基板冷却処理部を２個以上含み、前記ローカル搬送手段の待機位置は、前記基板冷却処理部の内部に設定されていることを特徴とするものである。
【００２７】
（作用・効果）請求項８に記載の発明によれば、ローカル搬送手段は、待機時には基板冷却処理部の内部の待機位置に収納されて待機されるので、待機中のローカル搬送手段が熱処理ユニット外環境による影響を受けることを低減できるし、待機中のローカル搬送手段が熱処理ユニット外環境に影響を及ぼすことも低減できる。また、待機中のローカル搬送手段に冷却処理を施すことができる。
【００２８】
なお、本明細書は、次のような基板処理方法、基板熱処理装置および基板処理装置における基板搬送方法に係る発明も開示している。
（１）基板に一連の処理を施す基板処理方法において、
主搬送手段によって、基板に熱処理を施す熱処理ユニットと他のユニットとの間で基板の受渡しを行う主搬送過程と、
前記主搬送手段とは別のローカル搬送手段によって、前記熱処理ユニット内の上下に配設された複数個の基板処理部の間で基板の受渡しを行うローカル搬送過程と、
前記熱処理ユニット内の所定の前記基板処理部に基板搬送した前記ローカル搬送手段を、それ以外の前記基板処理部の内部に設定された待機位置に待機させる待機過程と
を備えていることを特徴とする基板処理方法。
【００２９】
前記（１）に記載の基板処理方法によれば、待機過程では、所定の基板処理部に基板を搬送し終えたローカル搬送手段が、それ以外の基板処理部の内部の待機位置に収納されて待機されるので、ローカル搬送手段が熱処理ユニット外に曝された状態で待機させられることによってこのローカル搬送手段が熱処理ユニット外環境の影響を受けることを低減できるし、待機中のローカル搬送手段が熱処理ユニット外環境に影響を及ぼすことも低減でき、この影響に起因して生じていた基板処理精度のむらを低減でき、高精度に基板処理を行うことができる。また、ローカル搬送手段の温度制御が容易にできる。また、ローカル搬送手段は、熱処理ユニット内の複数個の基板処理部の間で基板の受け渡しができるので、主搬送手段の負担を低減することができる。
【００３０】
（２）基板に一連の処理を施す基板処理装置を構成するための基板熱処理装置であって、
基板に所定の処理を施すための、上下に配設された複数個の基板処理部と、
前記基板熱処理装置と他の装置との間で基板の受渡しを行う主搬送手段とは別の基板搬送手段であって、前記複数個の基板処理部の間で基板の受渡しを行うためのローカル搬送手段と
を備え、
前記ローカル搬送手段の待機位置が前記基板処理部の内部に設定されていることを特徴とする基板熱処理装置。
【００３１】
前記（２）に記載の基板熱処理装置によれば、ローカル搬送手段は、待機時には基板処理部の内部の待機位置に収納されて待機されるので、ローカル搬送手段が基板熱処理装置外に曝された状態で待機させられることによってこのローカル搬送手段が基板熱処理装置外環境の影響を受けることを低減できるし、待機中のローカル搬送手段が基板熱処理装置外環境に影響を及ぼすことも低減でき、この影響に起因して生じていた基板処理精度のむらを低減でき、高精度に基板処理を行うことができる。また、ローカル搬送手段の温度制御が容易にできる。また、ローカル搬送手段は、基板熱処理装置内の複数個の基板処理部の間で基板の受け渡しができるので、主搬送手段の負担を低減することができる。
【００３２】
（３）基板に一連の処理を施す基板処理装置における基板搬送方法において、第１主搬送手段によって、基板に熱処理を施す熱処理ユニット内の冷却または待機用の基板処理部と他のユニットとの間で基板の受渡しを行う第１主搬送過程と、
第２主搬送手段によって、前記熱処理ユニット内の冷却または待機用の基板処理部とは別の熱処理用の基板処理部と他のユニットとの間で基板の受渡しを行う第２主搬送過程と、
前記第１，第２主搬送手段とは別の単一のローカル搬送手段によって、前記熱処理ユニット内の上下に配設された、冷却または待機用の前記基板処理部と熱処理用の前記基板処理部との間で基板の受渡しを行うローカル搬送過程と、
前記熱処理ユニットの一方の前記基板処理部に基板搬送した前記ローカル搬送手段を、他方の前記基板処理部の内部に設定された待機位置に待機させる待機過程と
を備えていることを特徴とする基板処理装置における基板搬送方法。
【００３３】
前記（３）に記載の基板処理装置における基板搬送方法によれば、待機過程では、一方の基板処理部に基板を搬送し終えたローカル搬送手段が、他方の基板処理部の内部の待機位置に収納されて待機されるので、ローカル搬送手段が熱処理ユニット外に曝された状態で待機させられることによってこのローカル搬送手段が熱処理ユニット外環境の影響を受けることを低減できるし、待機中のローカル搬送手段が熱処理ユニット外環境に影響を及ぼすことも低減でき、この影響に起因して生じていた基板処理精度のむらを低減でき、高精度に基板処理を行うことができる。また、ローカル搬送手段の温度制御が容易にできる。さらに、第１主搬送手段は冷却または待機用の基板処理部にのみアクセスし、第２主搬送手段は熱処理用の基板処理部にのみアクセスすることになるので、第１主搬送手段と第２主搬送手段とを熱分離できる。
【００３４】
（４）基板に一連の処理を施す基板処理装置における基板搬送方法において、
単一の主搬送手段によって、基板に熱処理を施す熱処理ユニット内に上下に配設された複数個の基板処理部のうちの特定の基板処理部と、他のユニットとの間で基板の受渡しを行う主搬送過程と、
前記主搬送手段とは別の単一のローカル搬送手段によって、前記熱処理ユニット内の複数個の前記基板処理部の間で基板の受渡しを行うローカル搬送過程と、
前記熱処理ユニットの特定の前記基板処理部内の基板をそれ以外の基板処理部に搬送した前記ローカル搬送手段を、前記特定の基板処理部の内部に設定された待機位置に待機させる待機過程と
を備えていることを特徴とする基板処理装置における基板搬送方法。
【００３５】
前記（４）に記載の基板処理装置における基板搬送方法によれば、待機過程では、特定の基板処理部以外の基板処理部に基板を搬送し終えたローカル搬送手段が、特定の基板処理部の内部の待機位置に収納されて待機されるので、ローカル搬送手段が熱処理ユニット外に曝された状態で待機させられることによってこのローカル搬送手段が熱処理ユニット外環境の影響を受けることを低減できるし、待機中のローカル搬送手段が熱処理ユニット外環境に影響を及ぼすことも低減でき、この影響に起因して生じていた基板処理精度のむらを低減でき、高精度に基板処理を行うことができる。また、ローカル搬送手段の温度制御が容易にできる。
【００３６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。
＜第１実施例＞
本発明の第１実施例の基板処理装置について説明する。図１は本発明の第１実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
【００３７】
また、この第１実施例の基板処理装置では、後述するように、例えば、フォトリソグラフィ工程において基板を回転させながらレジスト塗布を行うスピンコータ、および、レジスト塗布されてさらに露光処理が行われた基板を回転させながら現像処理を行うスピンデベロッパを備え、一連の基板処理を行うものである。
【００３８】
本第１実施例の基板処理装置は、図１に示すように、インデクサ１と処理ブロック３とインターフェイス４とから構成されている。インターフェイス４は、本第１実施例に係る基板処理装置と別体の装置とを連結するように構成されている。本第１実施例の場合には、インターフェイス４は、レジスト塗布および現像処理を行う基板処理装置と、基板の露光処理を行う図１中の二点鎖線で示した露光装置（例えば、ステップ露光を行うステッパなど）ＳＴＰとを連結するように構成されている。
【００３９】
インデクサ１（以下、適宜『ＩＤ』と略記する）は、図１に示すように、カセット載置台２と搬送経路７と搬送機構８とから構成されている。カセット載置台２は、複数枚（例えば２５枚）の未処理基板Ｗまたは処理済基板を収納したカセットＣが複数個（図１では４個）載置可能に構成されている。また、搬送経路７は、複数個のカセットＣが載置されるカセット載置台２に沿って水平方向に形成されている。搬送機構８は、図示しない水平移動機構、昇降機構および回動機構を備えており、搬送経路７上において、水平移動および昇降移動を行うことによって、カセット載置台２上のカセットＣと処理ブロック３との間で基板の受け渡しを行うことができるように構成されている。
【００４０】
次に、処理ブロック３の具体的構成について説明する。処理ブロック３は、複数個の処理ユニットと、これらの複数個の処理ユニットの間で基板Ｗを搬送する主搬送機構とを備えている。
【００４１】
上述の複数個の処理ユニットとしては、後述するように、露光装置ＳＴＰに払い出すまでの処理を担う、ＢＡＲＣユニット、ＢＡＲＣ後の熱処理ユニット、ＳＣユニット、ＳＣ後の熱処理ユニット、および、ＥＥユニットなどがあり、露光装置ＳＴＰから受け取った基板に露光後処理を施すための、ＥＥ後の熱処理ユニットであるＰＥＢユニット、ＳＤユニット、および、ＳＤ後の熱処理ユニットなどがある。
【００４２】
例えば、ＢＡＲＣユニットは、基板Ｗ上に形成されたフォトレジスト膜からの光の反射を防止するために下地用の反射防止膜（Bottom Ant-Reflection Coating）（以下、『ＢＡＲＣ』と呼ぶ）を基板Ｗに塗布形成するものである。なお、ＢＡＲＣユニットでのＢＡＲＣ処理前には、基板Ｗとフォトレジスト膜との密着性を向上させるためのアドヒージョン処理（Adhesion）（以下、『ＡＨＬ』と呼ぶ）を予め行っている。
【００４３】
ＢＡＲＣ後の熱処理ユニットは、ＢＡＲＣユニットでＢＡＲＣ処理された後の基板Ｗを加熱してベーク処理を行うものである。ＳＣユニットは、基板Ｗを回転させながらフォトレジスト膜を基板Ｗに塗布形成するスピンコータ（Spin Coater）（以下、『ＳＣ』と呼ぶ）を備えたものである。ＳＣ後の熱処理ユニットは、ＳＣユニットでフォトレジスト膜の塗布処理された後の基板Ｗを加熱してベーク処理を行うものである。ＥＥユニットは、基板Ｗの端縁（エッジ）部分を露光するエッジ露光処理（Edge Exposure Unit）（以下、『ＥＥ』と呼ぶ）をするためのものである。
【００４４】
ＰＥＢユニットは、露光処理後の基板Ｗを加熱する（Post Exposure Bake）（以下、『ＰＥＢ』と呼ぶ）ためのものである。ＳＤユニットは、露光処理後の基板Ｗを回転させながら現像処理を行うスピンデベロッパ（Spin Developer）（以下、『ＳＤ』と呼ぶ）を備えたものである。ＳＤ後の熱処理ユニットは、ＳＤユニットで現像処理された後の基板Ｗを加熱してベーク処理を行うものである。
【００４５】
本第１実施例装置では、図１に示すように、主搬送機構として、例えば、第１主搬送機構ＴＲ１と第２主搬送機構ＴＲ２との２系統を備えている。図１の処理ブロック３の一部分には、第１主搬送機構ＴＲ１によって他のユニットからの基板Ｗを、上述した熱処理ユニットのうちのある熱処理ユニット２０に搬送し、この熱処理ユニット２０で熱処理された基板Ｗを第２主搬送機構ＴＲ２で他のユニットに搬送する様子を例示している。なお、上述した第１，第２主搬送機構ＴＲ１，ＴＲ２が本発明に係る主搬送手段に相当する。
【００４６】
ここで、熱処理ユニット２０の構成について、図２〜図５を用いて説明する。図２（ａ）は熱処理ユニット２０の外観を示す概略斜視図であり、図２（ｂ）は熱処理ユニット２０での基板Ｗの搬送経路を示す説明図である。図３はローカル搬送機構５０の外観を示す概略斜視図である。図４は図２（ａ）の熱処理ユニット２０のＡ−Ａ線断面図であり、図５は図２（ａ）の熱処理ユニット２０のＢ−Ｂ線断面図である。
【００４７】
図２に示すように、熱処理ユニット２０は、基板Ｗを冷却する冷却ユニット３０と、この冷却ユニット３０の下に配設された、基板Ｗを加熱する加熱ユニット４０と、第１，第２主搬送機構ＴＲ１，ＴＲ２とは別の基板搬送機構であって、冷却ユニット３０と加熱ユニット４０との間で基板Ｗを受渡しを行うためのローカル搬送機構５０とを備えている。以下に、冷却ユニット３０、加熱ユニット４０、およびローカル搬送機構５０をその順に説明する。
【００４８】
図２（ｂ）に示すように、冷却ユニット３０は、基板Ｗが収納されるその内部空間を、強制冷却する冷却部３１を備えている。この冷却部３１としては、例えば、冷却気体、冷却水あるいは熱電冷却素子（例えばペルチェ素子）などによって強制冷却するものがある。図４，図５に示すように、冷却ユニット３０は、その内部の所定位置に複数本（例えば３本）の支持ピン３２が間隔を空けて配設されており、基板Ｗの裏面を３本の支持ピン３２の先端に接触させてこの基板Ｗを水平姿勢に保持し、基板Ｗを冷却処理する。冷却ユニット３０のハウジング３３の正面側の壁面３３ａには、第１主搬送機構ＴＲ１により他ユニットから搬送されてきた基板Ｗの搬入を受けるために、第１主搬送機構ＴＲ１が出入される主搬送機構用出入口３４が備えられている。また、冷却ユニット３０のハウジング３３の後面側の壁面３３ｂには、冷却ユニット３０内の基板Ｗをローカル搬送機構５０で搬出するための、主搬送機構用出入口３４とは別のローカル搬送機構用出入口３５が備えられている。なお、主搬送機構用出入口３４およびローカル搬送機構用出入口３５には、例えば、シャッター機構（図示省略）が備えられている。主搬送機構用出入口３４およびローカル搬送機構用出入口３５は、シャッター機構（図示省略）によって、第１主搬送機構ＴＲ１やローカル搬送機構５０の出入の際に開かれ、それ以外の際には閉じられるようになっている。
【００４９】
なお、上述の主搬送機構用出入口３４は本発明の主搬送用出入口に相当し、上述のローカル搬送機構用出入口３５は本発明のローカル搬送用出入口に相当する。
【００５０】
次に、加熱ユニット４０について説明する。図５に示すように、加熱ユニット４０は、基板Ｗを加熱処理するための加熱処理炉（チャンバー）４１を備えている。加熱処理炉４１は、基板Ｗが挿入される容器本体４１ａと、この容器本体４１ａの開口部分を閉塞するための開閉自在な上蓋４１ｂと、上面に基板Ｗを載置して基板Ｗを加熱するホットプレート４１ｃとを備えている。加熱処理炉４１の内部には、複数本（例えば３本）の支持ピン４２が間隔を空けて所定位置に配設されている。加熱処理炉４１は、基板Ｗの裏面を３本の支持ピン４２の先端に接触させてこの基板Ｗを水平姿勢に保持し、支持ピン４２を図示しない昇降機構の駆動によって下降させることによってホットプレート４１ｃの上面に基板Ｗを載置して、基板Ｗを加熱処理する。加熱ユニット４０のハウジング４３の後面側の壁面４３ｂには、ローカル搬送機構５０により冷却ユニット３０から搬送されてきた基板Ｗの搬入を受けるために、ローカル搬送機構５０が出入されるローカル搬送機構用出入口４５が備えられている。また、加熱ユニット４０のハウジング４３の正面側の壁面４３ａには、加熱ユニット４０内の基板Ｗを第２主搬送機構で搬出するための、ローカル搬送機構用出入口４５とは別の主搬送機構用出入口４４が備えられている。なお、主搬送機構用出入口４４およびローカル搬送機構用出入口４５には、例えば、シャッター機構（図示省略）が備えられている。主搬送機構用出入口４４およびローカル搬送機構用出入口４５は、シャッター機構（図示省略）によって、第２主搬送機構ＴＲ２やローカル搬送機構５０の出入の際に開かれ、それ以外の際には閉じられるようになっている。
【００５１】
なお、上述の主搬送機構用出入口４４は本発明の主搬送用出入口に相当し、上述のローカル搬送機構用出入口４５は本発明のローカル搬送用出入口に相当する。
【００５２】
続いて、ローカル搬送機構５０の構成について説明する。図３〜図５に示すように、ローカル搬送機構５０は、基板Ｗを水平姿勢に保持するためのプレート５１と、このプレート５１を鉛直方向に移動させる鉛直方向移動機構６０と、このプレート５１と鉛直方向移動機構６０とを水平方向に移動させる水平方向移動機構７０とを備えている。
【００５３】
図３，図４に示すように、プレート５１の先端側には、基板Ｗを水平姿勢に保持する基板保持部５２が備えられている。基板保持部５２には、基板Ｗ保持面側の所定の複数箇所にｚ方向に僅かに突出する微小突起物（例えば半球状のもの）５２ａが配設されており、基板Ｗの裏面側を複数個の微小突起物５２ａでのみ接触させて支持し、基板Ｗ面とプレート５１面との間に僅かのギャップを形成し、基板Ｗをいわゆる点接触支持するようになっている。また、基板保持部５２は、冷却ユニット３０または加熱ユニット４０の内部に搬入される際に、冷却ユニット３０内の基板Ｗ支持のための３本の支持ピン３２および加熱ユニット４０内の基板Ｗ支持のための３本の支持ピン４２に衝突することが無いように、これらの支持ピン３２，４２を逃がすためにｙ方向に切り欠かれた複数個（例えば３個）の切り欠き部５３を備えている。
【００５４】
図３に示すように、鉛直方向移動機構６０は、プレート５１の基端部に形成されたねじ孔５４に螺合された鉛直方向（ｚ方向）に延びる回動ねじ６１と、この回動ねじ６１の下端を回動自在に軸支する軸受６２を備えた下支持板６３と、回動ねじ６１が非接触で貫通された貫通孔６５ａと回動ねじ６１の上端を回動自在に軸支する軸受６４とを備えた上支持板６５と、プレート５１の基端部に形成された案内溝５５に当接された鉛直方向（ｚ方向）に延びるガイドレール６６と、回転軸６７ａが鉛直方向（ｚ方向）に向くように上支持板６５に配設されたモータ６７と、このモータ６７の回転軸６７ａの先端の回転部材６７ｂと回動ねじ６１に螺合された螺合部材６８とを連結するタイミングベルト６９とを備えている。このように、モータ６７が所定方向に回転する（例えば「正転」と呼ぶ）すると、このモータ６７の回転（正転）がタイミングベルト６９を介して回動ねじ６１に伝動されてこの回動ねじ６１が回転（正転）し、プレート５１がガイドレール６６に沿って上昇移動することになるし、モータ６７が上述とは逆方向に回転する（例えば「逆転」と呼ぶ）と、このモータ６７の回転（逆転）がタイミングベルト６９を介して回動ねじ６１に伝動されてこの回動ねじ６１が回転（逆転）し、プレート５１がガイドレール６６に沿って下降移動することになる。
【００５５】
図３に示すように、鉛直方向移動機構６０は、プレート５１の基端部に形成されたねじ孔５４に螺合された鉛直方向（ｚ方向）に延びる回動ねじ６１と、この回動ねじ６１の下端を回動自在に軸支する軸受６２を備えた下支持板６３と、回動ねじ６１が非接触で貫通された貫通孔６５ａと回動ねじ６１の上端を回動自在に軸支する軸受６４とを備えた上支持板６５と、プレート５１の基端部に形成された案内溝５５に当接された鉛直方向（ｚ方向）に延びるガイドレール６６と、回転軸６７ａが鉛直方向（ｚ方向）に向くように上支持板６５に配設されたモータ６７と、このモータ６７の回転軸６７ａの先端の回転部材６７ｂと回動ねじ６１に螺合された螺合部材６８とを連結するタイミングベルト６９とを備えている。このように、モータ６７が所定方向に回転する（例えば「正転」と呼ぶ）と、このモータ６７の回転（正転）がタイミングベルト６９を介して回動ねじ６１に伝動されてこの回動ねじ６１が回転（正転）し、プレート５１がガイドレール６６に沿って上昇移動することになるし、モータ６７が上述とは逆方向に回転する（例えば「逆転」と呼ぶ）と、このモータ６７の回転（逆転）がタイミングベルト６９を介して回動ねじ６１に伝動されてこの回動ねじ６１が回転（逆転）し、プレート５１がガイドレール６６に沿って下降移動することになる。
【００５６】
図５に示すように、ローカル搬送機構５０のプレート５１は、待機時には、冷却ユニット３０の内部に設定された待機位置に待機収納されるようになっている。待機位置にあるローカル搬送機構５０のプレート５１は、冷却ユニット３０の内部の底面付近に待機収納されている、つまり、支持ピン３２の先端から所定距離分下がった位置に沈み込んでいるので、第１主搬送機構ＴＲ１が基板Ｗを冷却ユニット３０内の支持ピン３２上に搬入する際に、待機位置のローカル搬送機構５０のプレート５１に接触することやこのプレート５１が邪魔になることはない。
【００５７】
次に、インターフェイス４の構成について説明する。図１に示すように、インターフェイス４（以下、適宜『ＩＦ』と略記する）は、搬送経路９と搬送機構１０と載置台１１とから構成されている。搬送経路９は、インデクサ１の搬送経路７と平行に形成されている。搬送機構１０は、図示しない水平移動機構、昇降機構および回動機構を備えており、搬送経路９上において、水平移動および昇降移動を行うことによって載置台１１と、図１中の二点鎖線で示した露光装置（ステッパ）ＳＴＰとの間で基板Ｗを搬送する。この露光装置ＳＴＰは、本第１実施例装置とは別体の装置で構成されるとともに、かつ本第１実施例装置に連設可能に構成されており、本第１実施例装置と露光装置ＳＴＰとの間で基板Ｗの受け渡しを行わないときには、本第１実施例装置のインターフェイス４から露光装置ＳＴＰを退避させてもよい。
【００５８】
載置台１１は、図１に示すように、第１，第２主搬送機構ＴＲ１，ＴＲ２と搬送機構１０との間で露光装置ＳＴＰに払い出す基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置するＰａｓｓ１と、露光装置ＳＴＰに払い出す基板Ｗをそれぞれ仮置きするための複数のバッファ（以下、『ＢＦ１』と呼ぶ）と、第１，第２主搬送機構ＴＲ１，ＴＲ２と搬送機構１０との間で露光装置ＳＴＰからの基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置するＰａｓｓ２と、露光装置ＳＴＰからの基板Ｗをそれぞれ仮置きするための複数のバッファ（以下、『ＢＦ２』と呼ぶ）とをそれぞれ積層して構成されている。
【００５９】
なお、上述したローカル搬送機構５０が本発明におけるローカル搬送手段に相当する。また、上述した冷却ユニット３０、加熱ユニット４０が本発明における基板処理部に相当し、さらに、冷却ユニット３０が本発明における基板冷却処理部に相当し、加熱ユニット４０が本発明における基板加熱処理部に相当する。
【００６０】
続いて、本第１実施例の基板処理装置でのフォトリソグラフィ工程における一連の基板処理のうちの熱処理、つまり、処理ブロック３内の熱処理ユニット２０での熱処理動作について、図６〜図８を参照して説明する。図６（ａ）〜（ｃ）、図７（ａ）〜（ｃ）、および、図８（ａ），（ｂ）は、熱処理ユニット２０のローカル搬送機構５０の動作を説明するための図である。
【００６１】
（１）第１主搬送機構ＴＲ１による冷却ユニット３０への基板Ｗ搬入
図６（ａ）に示すように、第１主搬送機構ＴＲ１が、基板Ｗを保持した状態で冷却ユニット３０の主搬送機構用出入口３４の付近まで移動してくると、この冷却ユニット３０の主搬送機構用出入口３４が開かれる。第１主搬送機構ＴＲ１は、基板Ｗを保持した状態で冷却ユニット３０の主搬送機構用出入口３４から進入し、搬送してきた他ユニットからの基板Ｗを冷却ユニット３０の内部の受渡し位置（例えば、３本の支持ピン３２上）に受け渡した後、冷却ユニット３０内から後退する。このとき、ローカル搬送機構５０のプレート５１は、冷却ユニット３０内の底面付近の待機位置に待機収納されていて、第１主搬送機構ＴＲ１が基板Ｗを冷却ユニット３０内の支持ピン３２上に搬入する際に、第１主搬送機構ＴＲ１が待機位置のローカル搬送機構５０のプレート５１に接触することはないし、ローカル搬送機構５０は邪魔にならない。冷却ユニット３０の主搬送機構用出入口３４は、第１主搬送機構ＴＲ１の退避後に閉じられる。冷却ユニット３０は、基板Ｗを待機させる。また、冷却ユニット３０では、必要に応じて待機中に基板Ｗに対して冷却処理が行われる。
【００６２】
（２）ローカル搬送機構５０による基板Ｗ受取
冷却ユニット３０による基板Ｗの受け入れもしくは冷却処理が完了すると、図６（ｂ）に示すように、ローカル搬送機構５０のプレート５１が鉛直方向移動機構６０の駆動によって上昇し、３本の支持ピン３２で支持された基板Ｗをすくい上げる。そして、冷却ユニット３０のローカル搬送機構用出入口３５が開かれ、図６（ｃ）に示すように、ローカル搬送機構５０のプレート５１が水平方向移動機構７０の駆動によって冷却ユニット３０の外部に出るようにｙ方向に移動し、ローカル搬送機構５０のプレート５１が外部に出た後に、冷却ユニット３０のローカル搬送機構用出入口３５が閉じられる。
【００６３】
（３）ローカル搬送機構５０による加熱ユニット４０への基板Ｗ搬入
図７（ａ）に示すように、ローカル搬送機構５０のプレート５１が鉛直方向移動機構６０の駆動によって、加熱ユニット４０への基板搬入高さまで下降する。そして、加熱ユニット４０のローカル搬送機構用出入口４５が開かれ、図７（ｂ）に示すように、ローカル搬送機構５０のプレート５１が水平方向移動機構７０の駆動によって加熱ユニット４０の内部に入るようにｙ方向に移動する。そして、図７（ｃ）に示すように、加熱ユニット４０の加熱処理炉４１の内部の受渡し位置（例えば、３本の支持ピン４２上）に受け渡しするように、ローカル搬送機構５０のプレート５１が鉛直方向移動機構６０の駆動によって、加熱ユニット４０への基板受渡し高さまで下降する。もしくは加熱ユニット４０のピンが上昇することによって基板Ｗを受け取る。そして、ローカル搬送機構５０のプレート５１は水平方向移動機構７０の駆動によって加熱ユニット４０の外部に退避するようにｙ方向に移動し、これまでとは逆の動作でローカル搬送機構５０のプレート５１は移動していき、図６（ａ）に示すように、ローカル搬送機構５０のプレート５１は、冷却ユニット３０内の底面付近の待機位置に待機収納される。なお、ローカル搬送機構５０のプレート５１が加熱ユニット４０から出た後に、加熱ユニット４０のローカル搬送機構用出入口が閉じられる。
【００６４】
（４）加熱ユニット４０による基板Ｗ加熱処理
図８（ａ）に示すように、加熱処理炉４１は、その上蓋４１ｂを下降させて、容器本体４１ａの開口部分を閉塞するとともに、支持ピン４２を下降させて基板Ｗをホットプレート４１ｃの上面に載置して、この加熱処理炉４１内の基板Ｗに所定の加熱処理を施す。加熱処理後、加熱処理炉４１は、その上蓋４１ｂを上昇させて、容器本体４１ａの開口部分を開口するとともに、支持ピン４２を上昇させ、ホットプレート４１ｃの上面から離間した位置で、基板Ｗを支持する。この加熱処理としては、上述したように、ＢＡＲＣユニットで下地膜が塗布された後の基板Ｗを加熱してベーク処理を行うものや、ＳＣユニットでフォトレジスト膜が塗布された後の基板Ｗを加熱してベーク処理を行うものや、露光処理後の基板Ｗを加熱するＰＥＢ処理を行うものや、現像処理された後の基板Ｗを加熱してベーク処理を行うものなどがある。
【００６５】
（５）第２主搬送機構ＴＲ２による加熱ユニット４０からの基板Ｗ搬出
第２主搬送機構ＴＲ２が、加熱ユニット４０の主搬送機構用出入口４４の付近まで移動してくると、この加熱ユニット４０の主搬送機構用出入口４４が開かれる。図８（ｂ）に示すように、第２主搬送機構ＴＲ２は、加熱ユニット４０の主搬送機構用出入口４４から進入し、加熱処理炉４１内の加熱処理後上昇している３本の支持ピン４２で支持された基板Ｗをすくい上げて保持した後に、加熱ユニット４０から後退させて、この加熱処理後の基板Ｗを所定の他のユニットに搬送する。
【００６６】
なお、上述の（１），（５）における第１，第２主搬送機構ＴＲ１，ＴＲ２の基板Ｗ搬送が主搬送過程に相当し、上述の（２），（３）におけるローカル搬送機構５０の基板Ｗ搬送がローカル搬送過程に相当し、上述の（１），（３）におけるローカル搬送機構５０の冷却ユニット３０内の待機位置への待機が待機過程に相当する。さらに詳細に述べると、上述の（１）における第１主搬送機構ＴＲ１の冷却ユニット３０への基板Ｗ搬送が第１主搬送過程に相当し、上述の（５）における第２主搬送機構ＴＲ２の加熱ユニット４０から基板Ｗを取り出し、他ユニットに搬送することが、第２主搬送過程に相当し、上述の（２），（３）におけるローカル搬送機構５０の基板Ｗの搬送がローカル搬送過程に相当し、上述の（１），（３）におけるローカル搬送機構５０の冷却ユニット３０内の待機位置への待機が待機過程に相当する。
【００６７】
上述したように本第１実施例の基板処理装置によれば、ローカル搬送機構５０は、待機時には熱処理ユニット２０の冷却ユニット３０の内部の待機位置に収納されて待機されるので、ローカル搬送機構５０が熱処理ユニット２０外に曝された状態で待機させられることによってこのローカル搬送機構５０が熱処理ユニット２０外の環境の影響を受けることを低減できるし、待機中のローカル搬送機構５０が熱処理ユニット２０外の環境に影響を及ぼすことも低減でき、この影響に起因して生じていた基板処理精度のむらを低減でき、高精度に基板処理を行うことができる。また、ローカル搬送機構５０の温度制御が容易にできる。また、ローカル搬送機構５０は、熱処理ユニット２０内の冷却ユニット３０および加熱ユニット４０の間で基板Ｗの受け渡しができるので、第１，第２主搬送機構ＴＲ１，ＴＲ２の負担を低減することができる。
【００６８】
また、従来例の基板処理装置では、熱処理ユニット（図１６では処理部１０４のうちで熱処理を行う処理部）のローカル搬送機構が通常状態でこの熱処理ユニット外に出っ張ったままであり、基板搬送時にのみ熱処理ユニットの方に一時的に挿入されるだけであったので、従来例の基板処理装置のメンテナンス時に、熱処理ユニット外に出っ張ったローカル搬送機構が邪魔でインターフェイスなどが移動できないなど、メンテナンス性が悪いという問題があった。しかしながら、本第１実施例の基板処理装置では、熱処理ユニット２０のローカル搬送機構５０は、一時的に熱処理ユニット２０の外部に出るだけ、つまり、基板Ｗの搬送時のみ熱処理ユニット２０の外部に出るだけであり、基板Ｗの搬送時以外の通常状態では、熱処理ユニット２０のローカル搬送機構５０は外部に出っ張っていないので、本第１実施例の基板処理装置のメンテナンス時に、インターフェイス４などを移動できるし、メンテナンス性に優れている。
【００６９】
また、冷却ユニット３０および加熱ユニット４０は、ローカル搬送機構５０が出入されるローカル搬送用出入口３５，４５と、第１主搬送機構ＴＲ１または第２主搬送機構ＴＲ２が出入される主搬送用出入口３４，４４とを別々に備えているので、ローカル搬送機構５０と第１，第２主搬送機構ＴＲ１，ＴＲ２との干渉を低減できる。
【００７０】
さらに、第１主搬送機構ＴＲ１は熱処理ユニット２０の冷却ユニット３０にのみアクセスし、第２主搬送機構ＴＲ２は熱処理ユニット２０の加熱ユニット４０にのみアクセスすることになるので、第１，第２主搬送機構ＴＲ１，ＴＲ２を熱分離できる。
【００７１】
＜第２実施例＞
図９，図１０を参照して第２実施例について説明する。図９は、本発明の第２実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。図１０（ａ）は熱処理ユニット２０の外観を示す概略斜視図であり、図１０（ｂ）は熱処理ユニット２０での基板Ｗの搬送経路を示す説明図である。
【００７２】
なお、上述した第１実施例では、図２に示すように、処理ブロック３は、２系統の主搬送機構（第１，第２主搬送機構ＴＲ１，ＴＲ２）を備え、第１主搬送機構ＴＲ１が熱処理ユニット２０の冷却ユニット３０にアクセスし、第２主搬送機構ＴＲ２が熱処理ユニット２０の加熱ユニット４０にアクセスするものとしているが、本第２実施例では、図１０に示すように、処理ブロック３は、主搬送機構として１系統の主搬送機構（第１主搬送機構ＴＲ１）のみを備え、第１主搬送機構ＴＲ１が熱処理ユニット２０の冷却ユニット３０にアクセスするものとしている。なお、上述した第１実施例と同じ構成には同じ符号を付すことで詳細な説明については省略する。
【００７３】
図１０に示すように、この第２実施例の熱処理ユニット２０の加熱ユニット４０は、前述の第１実施例の加熱ユニット４０と比べて、ハウジング４３の正面側の壁面４３ａの主搬送機構用出入口４４と、この主搬送機構用出入口４４を開閉するためのシャッター機構（図示省略）とが排除されたものとなっている。
【００７４】
続いて、本第２実施例の基板処理装置でのフォトリソグラフィ工程における一連の基板処理のうちの熱処理、つまり、処理ブロック３内の熱処理ユニット２０での熱処理動作について、図１１〜図１３を参照して説明する。図１１（ａ）〜（ｃ）、図１２（ａ）〜（ｃ）、および、図１３（ａ），（ｂ）は、熱処理ユニットのローカル搬送機構５０の動作を説明するための図である。
【００７５】
（１１）第１主搬送機構ＴＲ１による冷却ユニット３０への基板Ｗ搬入
図１１（ａ）に示すように、第１主搬送機構ＴＲ１が、基板Ｗを保持した状態で冷却ユニット３０の主搬送機構用出入口３４の付近まで移動してくると、この冷却ユニット３０の主搬送機構用出入口３４が開かれる。第１主搬送機構ＴＲ１は、基板Ｗを保持した状態で冷却ユニット３０の主搬送機構用出入口３４から進入し、搬送してきた他ユニットからの基板Ｗを冷却ユニット３０の内部の受渡し位置（例えば、３本の支持ピン３２上）に受け渡した後、冷却ユニット３０内から後退する。このとき、ローカル搬送機構５０のプレート５１は、冷却ユニット３０内の底面付近の待機位置に待機収納されていて、第１主搬送機構ＴＲ１が基板Ｗを冷却ユニット３０内の支持ピン３２上に搬入する際に、第１主搬送機構ＴＲ１が待機位置のローカル搬送機構５０のプレート５１に接触することはないし、ローカル搬送機構５０は邪魔にならない。冷却ユニット３０の主搬送機構用出入口３４は、第１主搬送機構ＴＲ１の退避後に閉じられる。冷却ユニット３０は基板Ｗを待機させる。また、冷却ユニット３０では、必要に応じて待機中に基板Ｗに対して冷却処理が行われる。
【００７６】
（１２）ローカル搬送機構５０による基板Ｗ受取
冷却ユニット３０による基板Ｗの冷却処理がすると、図１１（ｂ）に示すように、ローカル搬送機構５０のプレート５１が鉛直方向移動機構６０の駆動によって上昇し、３本の支持ピン３２で支持された基板Ｗをすくい上げる。そして、冷却ユニット３０のローカル搬送機構用出入口３５が開かれ、図１１（ｃ）に示すように、ローカル搬送機構５０のプレート５１が水平方向移動機構７０の駆動によって冷却ユニット３０の外部に出るようにｙ方向に移動し、ローカル搬送機構５０のプレート５１が外部に出た後に、冷却ユニット３０のローカル搬送機構用出入口３５が閉じられる。
【００７７】
（１３）ローカル搬送機構５０による加熱ユニット４０への基板Ｗ搬入
図１２（ａ）に示すように、ローカル搬送機構５０のプレート５１が鉛直方向移動機構６０の駆動によって、加熱ユニット４０への基板搬入高さまで下降する。そして、加熱ユニット４０のローカル搬送機構用出入口４５が開かれ、図１２（ｂ）に示すように、ローカル搬送機構５０のプレート５１が水平方向移動機構７０の駆動によって加熱ユニット４０の内部に入るようにｙ方向に移動する。そして、図１２（ｃ）に示すように、加熱ユニット４０の加熱処理炉４１の内部の受渡し位置（例えば、３本の支持ピン４２上）に受け渡しするように、ローカル搬送機構５０のプレート５１が鉛直方向移動機構６０の駆動によって、加熱ユニット４０への基板受渡し高さまで下降する。もしくは加熱ユニット４０の支持ピン４２が上昇することによって基板Ｗを受け取る。そして、ローカル搬送機構５０のプレート５１は水平方向移動機構７０の駆動によって加熱ユニット４０の外部に退避するようにｙ方向に移動し、これまでとは逆の動作でローカル搬送機構５０のプレート５１は移動していき、図１１（ａ）に示すように、ローカル搬送機構５０のプレート５１は、冷却ユニット３０内の底面付近の待機位置に待機収納される。なお、ローカル搬送機構５０のプレート５１が加熱ユニット４０から出た後に、加熱ユニット４０のローカル搬送機構用出入口が閉じられる。
【００７８】
（１４）加熱ユニット４０による基板Ｗ加熱処理
図１３（ａ）に示すように、加熱処理炉４１は、その上蓋４１ｂを下降させて、容器本体４１ａの開口部分を閉塞するとともに、支持ピン４２を下降させて基板Ｗをホットプレート４１ｃの上面に載置して、この加熱処理炉４１内の基板Ｗに所定の加熱処理を施す。加熱処理後、加熱処理炉４１は、その上蓋４１ｂを上昇させて、容器本体４１ａの開口部分を開口するとともに、支持ピン４２を上昇させ、ホットプレート４１ｃの上面から離間した位置で、基板Ｗを支持する。この加熱処理としては、上述したように、ＢＡＲＣユニットで下地膜が塗布された後の基板Ｗを加熱してベーク処理を行うものや、ＳＣユニットでフォトレジスト膜が塗布された後の基板Ｗを加熱してベーク処理を行うものや、露光処理後の基板Ｗを加熱するＰＥＢ処理を行うものや、現像処理された後の基板Ｗを加熱してベーク処理を行うものなどがある。
【００７９】
（１５）ローカル搬送機構５０による冷却ユニット３０への基板Ｗ再搬入
ローカル搬送機構５０のプレート５１は、冷却ユニット３０内の待機位置から加熱ユニット４０内に移動し、加熱ユニット４０の加熱処理炉４１内の熱処理後上昇している熱処理後の基板Ｗをすくい上げて保持し、冷却ユニット３０内の３本の支持ピン３２上に熱処理後の基板Ｗを搬送する。このとき、ローカル搬送機構５０のプレート５１は、冷却ユニット３０内の底面付近の待機位置に待機収納される。
【００８０】
（１６）第１主搬送機構ＴＲ１による冷却ユニット３０からの基板Ｗ搬出
第１主搬送機構ＴＲ１が、冷却ユニット３０の主搬送機構用出入口３４の付近まで移動してくると、この冷却ユニット３０の主搬送機構用出入口３４が開かれる。図１３（ｂ）に示すように、第１主搬送機構ＴＲ１は、冷却ユニット３０の主搬送機構用出入口３４から進入し、冷却ユニット３０内の３本の支持ピン３２で支持された基板Ｗをすくい上げて保持した後に、冷却ユニット３０から後退させて、この加熱処理後の基板Ｗを所定の他のユニットに搬送する。
【００８１】
なお、上述の（１１），（１６）における第１主搬送機構ＴＲ１の基板Ｗ搬送が主搬送過程に相当し、上述の（１２），（１３），（１５）におけるローカル搬送機構５０の基板Ｗ搬送がローカル搬送過程に相当し、上述の（１１），（１５），（１６）におけるローカル搬送機構５０の冷却ユニット３０内の待機位置での待機が待機過程に相当する。
【００８２】
上述したように本第２実施例の基板処理装置によれば、ローカル搬送機構５０は、待機時には熱処理ユニット２０の冷却ユニット３０の内部の待機位置に収納されて待機されるので、ローカル搬送機構５０が熱処理ユニット２０外に曝された状態で待機させられることによってこのローカル搬送機構５０が熱処理ユニット２０外環境の影響を受けることを低減できるし、待機中のローカル搬送機構５０が熱処理ユニット２０外環境に影響を及ぼすことも低減でき、この影響に起因して生じていた基板処理精度のむらを低減でき、高精度に基板処理を行うことができる。また、ローカル搬送機構５０の温度制御が容易にできる。また、ローカル搬送機構５０は、熱処理ユニット２０内の冷却ユニット３０および加熱ユニット４０の間で基板Ｗの受け渡しができるので、第１主搬送機構ＴＲ１の負担を低減することができる。
【００８３】
また、従来例の基板処理装置では、熱処理ユニット（図１６では処理部１０４のうちで熱処理を行う処理部）のローカル搬送機構が通常状態でこの熱処理ユニット外に出っ張ったままであり、基板搬送時にのみ熱処理ユニットの方に一時的に挿入されるだけであったので、従来例の基板処理装置のメンテナンス時に、熱処理ユニット外に出っ張ったローカル搬送機構が邪魔でインターフェイスなどが移動できないなど、メンテナンス性が悪いという問題があった。しかしながら、本第１実施例の基板処理装置では、熱処理ユニット２０のローカル搬送機構５０は、一時的に熱処理ユニット２０の外部に出るだけ、つまり、基板Ｗの搬送時のみ熱処理ユニット２０の外部に出るだけであり、基板Ｗの搬送時以外の通常状態では、熱処理ユニット２０のローカル搬送機構５０は外部に出っ張っていないので、本第１実施例の基板処理装置のメンテナンス時に、インターフェイス４などを移動できるし、メンテナンス性に優れている。
【００８４】
また、冷却ユニット３０は、ローカル搬送機構５０が出入されるローカル搬送用出入口３５と、第１主搬送機構ＴＲ１が出入される主搬送用出入口３４とを別々に備えているので、ローカル搬送機構５０と第１主搬送機構ＴＲ１との干渉を低減できる。
【００８５】
さらに、第１主搬送機構ＴＲ１は熱処理ユニット２０の冷却ユニット３０にのみアクセスし、ローカル搬送機構５０は熱処理ユニット２０の冷却ユニット３０と加熱ユニット４０とにアクセスすることになるので、第１主搬送機構ＴＲ１とローカル搬送機構５０とを熱分離できる。
【００８６】
さらに、第１主搬送機構ＴＲ１は、熱処理ユニット２０内の特定の基板処理部としての冷却ユニット３０にのみアクセスする、つまり、熱処理ユニット２０内の冷却ユニット３０に基板Ｗを渡し、この冷却ユニット３０から基板Ｗを取り出すことになるので、熱処理ユニット２０または第１主搬送機構ＴＲ１を上下に移動させる必要がなく、熱処理ユニット２０や第１主搬送機構ＴＲ１の構成を簡単にできる。
【００８７】
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００８８】
（１）上述した第１実施例では、第１主搬送機構ＴＲ１によって他のユニットからの基板Ｗを熱処理ユニット２０の冷却ユニット３０に搬入し、ローカル搬送機構５０によって冷却ユニット３０内の基板を同一の熱処理ユニット２０の加熱ユニット４０に搬送し、第２主搬送機構ＴＲ２によって加熱ユニット４０内の基板Ｗを他のユニットに搬送しているが、これとは逆に、第２主搬送機構ＴＲ２によって他のユニットからの基板Ｗを熱処理ユニット２０の加熱ユニット４０に搬入し、ローカル搬送機構５０によって加熱ユニット４０内の基板を同一の熱処理ユニット２０の冷却ユニット３０に搬送し、第１主搬送機構ＴＲ１によって冷却ユニット３０内の基板Ｗを他のユニットに搬送するようにしてもよい。この場合でも、ローカル搬送機構５０のプレート５１の待機位置は、第１実施例と同様に、冷却ユニット３０内に設定されており、ローカル搬送機構５０のプレート５１は、加熱ユニット４０から冷却ユニット３０への基板Ｗの搬送時以外の通常状態時には、冷却ユニット３０内の待機位置に待機収納されている。
【００８９】
（２）上述した第２実施例では、第１主搬送機構ＴＲ１によって他のユニットからの基板Ｗを熱処理ユニット２０の冷却ユニット３０に搬入し、ローカル搬送機構５０によって熱処理ユニット２０内の冷却ユニット３０と加熱ユニット４０との間で基板Ｗを搬送し、第１主搬送機構ＴＲ１によって冷却ユニット３０内の基板Ｗを他のユニットに搬送しているが、これとは逆に、第１主搬送機構ＴＲ１によって他のユニットからの基板Ｗを熱処理ユニット２０の加熱ユニット４０に搬入し、ローカル搬送機構５０によって熱処理ユニット２０内の加熱ユニット４０と冷却ユニット３０との間で基板Ｗを搬送し、第１主搬送機構ＴＲ１によって加熱ユニット４０内の基板Ｗを他のユニットに搬送するようにしてもよい。この場合でも、ローカル搬送機構５０のプレート５１の待機位置は、第２実施例と同様に、冷却ユニット３０内に設定されており、ローカル搬送機構５０のプレート５１は、加熱ユニット４０と冷却ユニット３０との間の基板Ｗ搬送時以外の通常状態時には、冷却ユニット３０内の待機位置に待機収納されている。
【００９０】
（３）上述した各実施例のローカル搬送機構５０のプレート５１に、図１４に示すように、基板Ｗを保持した状態でこの基板Ｗを冷却する基板冷却部５６を設けるようにしてもよい。基板冷却部５６は、冷却媒体（冷却気体や冷却液体など）を供給する冷却媒体供給部５７と、この冷却媒体供給部５７からの冷却媒体を循環させるための、プレート５１内の所定経路に配設された冷却媒体通路５８とを備えている。基板冷却部５６は、プレート５１上に支持された基板Ｗを冷却する。この基板冷却部５６が本発明の基板冷却手段に相当する。このようにすることで、ローカル搬送機構５０は、基板Ｗの搬送のみならず、基板Ｗを保持した時点から基板冷却が開始できる。
【００９１】
（４）上述した各実施例では、熱処理ユニット２０は、冷却ユニット３０の下方位置に加熱ユニット４０を設けたものとしているが、それとは逆に、熱処理ユニットは、加熱ユニット４０の下方位置に冷却ユニット３０を設けたものとしてもよい。
【００９２】
（５）上述した各実施例では、熱処理ユニット２０は、冷却ユニット３０と加熱ユニット４０とを設けたものとしているが、熱処理ユニットは、待機ユニットと加熱ユニット４０とを設けたものとしてもよい。この場合の待機ユニットとは、単に基板を待機させる空間を持ち、この待機された基板を自然冷却させるものであり、前述の第１，第２実施例の冷却ユニット３０から冷却部３１を取り除いたものに相当する。なお、この待機ユニットが本発明に係る基板処理部に、さらには、基板待機処理部に相当する。この場合、上述したローカル搬送機構５０に、図１４に記載した基板冷却部５６を備えた構成としておけば、加熱処理後の基板を待機ユニットにおいて、ローカル搬送機構５０によって基板の冷却処理を行うことができる。
【００９３】
（６）上述した各実施例において、熱処理ユニット２０の冷却ユニット３０内の待機位置に収納されているローカル搬送機構５０のプレート５１を冷却部３１で積極的に冷却するようにしてもよい。上述した冷却部３１が本発明の冷却手段に相当する。こうすることで、冷却ユニット３０の内部に待機中のローカル搬送機構５０のプレート５１を冷却することができる。また、上述の待機ユニットに冷却部３１を設け、待機ユニット内の待機位置に収納されているローカル搬送機構５０のプレート５１を冷却部３１で積極的に冷却するようにしてもよい。
【００９４】
（７）上述した各実施例では、熱処理ユニット２０は、冷却ユニット３０と加熱ユニット４０とを設けたものとしているが、熱処理ユニットは、複数個の加熱ユニットを設けたものとしてもよい。この場合には、ある加熱ユニットの内部にローカル搬送機構５０のプレート５１を待機収納させる待機位置が設定されることになる。待機状態のローカル搬送機構５０のプレート５１は、加熱ユニットにアクセスする主搬送機構（第１主搬送機構ＴＲ１あるいは第２主搬送機構ＴＲ２など）に干渉しないように、その待機位置が設定されている。
【００９５】
（８）上述した各実施例では、熱処理ユニット２０は、冷却ユニット３０と加熱ユニット４０とを設けたものとしているが、熱処理ユニットは、複数個の冷却ユニットを設けたものとしてもよい。この場合には、前述の第１実施例のように、ある冷却ユニット３０の内部にローカル搬送機構５０のプレート５１を待機収納させる待機位置が設定されることになる。
【００９６】
（９）上述した各実施例等では、図３，図１４に示すように、ローカル搬送機構５０の板状部材のプレート５１、つまり、基板Ｗの裏面側に板状部材が位置しこの板状部材で基板Ｗを保持するもので、基板Ｗを保持しているが、ローカル搬送機構５０における基板Ｗの保持機構としてはこれに限定されるものではない。例えば、プレート５１に替えて、図１５に示すようなアーム５９をローカル搬送機構５０における基板Ｗの保持機構として採用してもよい。このアーム５９は、平面視で見て基板Ｗの周縁端部に沿った円弧形状のものであり、基板Ｗの周縁端部を支持することで基板Ｗを保持できるものである。この場合には、保持された基板Ｗの裏面側、特に、基板Ｗの周縁端部にのみアーム５９が位置している。このように、ローカル搬送機構５０における基板Ｗの保持機構として、種々の形態のプレート５１、アーム５９などを採用することが可能である。
【００９７】
（１０）上述した各実施例では、基板処理として、フォトリソグラフィ工程におけるレジスト塗布および現像処理を例に採って説明したが、上述した基板処理に限定されない。例えば、基板を処理液に浸漬して洗浄処理、乾燥処理を含む処理を施す薬液処理や、上述した浸漬タイプのエッチング以外のエッチング処理（例えばドライエッチングやプラズマエッチングなど）や、上述した浸漬タイプ以外であって基板を回転させて洗浄する洗浄処理（例えばソニック洗浄や化学洗浄など）、化学機械研磨（ＣＭＰ）処理や、スパッタリング処理や、化学気相成長（ＣＶＤ）処理や、アッシング処理などのように、半導体基板、液晶表示器のガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板を通常の手法でもって行う基板処理であれば、本発明に適用することができる。
【００９８】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、ローカル搬送手段は、待機時には熱処理ユニットの基板処理部の内部の待機位置に収納されて待機されるので、ローカル搬送手段が熱処理ユニット外に曝された状態で待機させられることによってこのローカル搬送手段が熱処理ユニット外環境の影響を受けることを低減できるし、待機中のローカル搬送手段が熱処理ユニット外環境に影響を及ぼすことも低減でき、この影響に起因して生じていた基板処理精度のむらを低減でき、高精度に基板処理を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】（ａ）は熱処理ユニットの外観を示す概略斜視図であり、（ｂ）は熱処理ユニットでの基板の搬送経路を示す説明図である。
【図３】ローカル搬送機構の外観を示す概略斜視図である。
【図４】図２（ａ）の熱処理ユニットのＡ−Ａ線断面図である。
【図５】図２（ａ）の熱処理ユニットのＢ−Ｂ線断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は熱処理ユニットのローカル搬送機構の動作を説明するための図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は熱処理ユニットのローカル搬送機構の動作を説明するための図である。
【図８】（ａ），（ｂ）は熱処理ユニットのローカル搬送機構の動作を説明するための図である。
【図９】本発明の第２実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
【図１０】（ａ）は熱処理ユニットの外観を示す概略斜視図であり、（ｂ）は熱処理ユニットでの基板Ｗの搬送経路を示す説明図である。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は熱処理ユニットのローカル搬送機構の動作を説明するための図である。
【図１２】（ａ）〜（ｃ）は熱処理ユニットのローカル搬送機構の動作を説明するための図である。
【図１３】（ａ），（ｂ）は熱処理ユニットのローカル搬送機構の動作を説明するための図である。
【図１４】本実施例とは別の実施例のローカル搬送機構の概略平面図である。
【図１５】本実施例とは別の実施例のローカル搬送機構の概略平面図である。
【図１６】従来の基板処理装置の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
２０  …  熱処理ユニット
３０  …  冷却ユニット（基板冷却処理部）
３４  …  主搬送機構用出入口（主搬送用出入口）
３５  …  ローカル搬送機構用出入口（ローカル搬送用出入口）
４０  …  加熱ユニット（基板加熱処理部）
４４  …  主搬送機構用出入口（主搬送用出入口）
４５  …  ローカル搬送機構用出入口（ローカル搬送用出入口）
５０  …  ローカル搬送機構（ローカル搬送手段）
５１  …  プレート
５６  …  基板冷却部（基板冷却手段）
ＴＲ１  …  第１主搬送機構（主搬送手段）
ＴＲ２  …  第２主搬送機構（主搬送手段）
Ｗ  …  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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