(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電層の少なくとも一部の上の絶縁層の中に形成されたキャビティと、前記キャビティの上方に形成された開口を有する第２導電層とを有し、前記第２導電層はリフト・オフ層および閉鎖層をその上に配置されるように成された電界放出構造中のリフト・オフ層および閉鎖層の除去法において、
ａ）底部にトランスデューサを有するタンクにためられた前記リフト・オフ層を腐食するエッチング剤の中に、前記タンクの内側側部に前記閉鎖層が対面し、且つ前記閉鎖層が前記トランスデューサの上部に位置するように前記電界放出構造を浸漬する段階と、
ｂ１）前記エッチング剤の中に浸漬された前記トランスデューサを作動させて、前記電界放出構造のリフト・オフ層に対して前記トランスデューサによって発生された振動力を加え、前記振動力が前記エッチング剤と協働して前記リフト・オフ層およびその上の前記閉鎖層とを前記第２導電層から除去させる段階と、
ｂ２）循環ポンプに連結され、前記閉鎖層に対面するように配置されたフィルタを用いて、前記第２導電層から除去された前記リフト・オフ層及び前記閉鎖層をろ過する段階と、
ｃ）前記電界放出構造を前記エッチング剤から取り出す段階と、
ｄ）前記電界放出構造から残留エッチング剤を除去する段階と、
ｅ）前記電界放出構造を乾燥する段階とを含む方法。
【請求項２】
電界放出構造を形成する方法において、
ａ）第１導電層の上に形成された絶縁層の中に形成されたキャビティを有する構造において、また前記構造は、前記絶縁層の上に配置されて前記キャビティ上方に形成された開口を有する第２導電層を有するように成された構造を形成する段階と、
ｂ）前記第２導電層の上にリフト・オフ層を堆積する段階と、
ｃ）前記リフト・オフ層の上に電子放出物質層からなる閉鎖層を堆積させ、この際にこの電子放出物質が前記第２導電層中の前記開口を覆って前記キャビティの中に電子放出素子を形成する段階と、
ｄ）前記電界放出構造を、底部にトランスデューサを有するタンクにためられたエッチング剤の中に、前記タンクの内側側部に前記閉鎖層が対面し、且つ前記閉鎖層が前記トランスデューサの上部に位置するように浸漬して前記リフト・オフ層を腐食する段階と、
ｅ１）前記エッチング剤の中に浸漬されたトランスデューサを作動して、前記電界放出構造の前記リフト・オフ層に対して前記トランスデューサの発生する振動力を加え、前記振動力が前記エッチング剤と協働して、前記リフト・オフ層と前記閉鎖層とを前記第２導電層から除去させる段階と、
ｅ２）循環ポンプに連結され、前記閉鎖層に対面するように配置されたフィルタを用いて、前記第２導電層から除去された前記リフト・オフ層及び前記閉鎖層をろ過する段階と、
ｆ）前記電界放出構造を前記エッチング剤から取り出す段階と、
ｇ）前記電界放出構造から残留エッチング剤を除去する段階と、
ｈ）前記電界放出構造を乾燥する段階とを含む前記電界放出構造の形成法。
【請求項３】
前記方法は前記電界放出構造のゲート電極としての前記第２導電層から前記リフト・オフ層および前記閉鎖層を選択的に除去するため、
前記浸漬段階において、前記エッチング剤として水酸化ナトリウムの溶液を使用し、前記トランスデューサを動作させる段階において、前記トランスデューサは前記水酸化ナトリウムの前記エッチング剤の中に浸漬されたメガソニックトランスデューサであって前記電界放出構造の前記リフト・オフ層に対して前記トランスデューサの発生するメガソニック振動力を加え、前記振動力が前記エッチング剤と協働して、前記リフト・オフ層と前記閉鎖層とを前記ゲート電極から除去させ、前記電界放出構造から残留エッチング剤を除去する段階において、前記除去は前記電界放出構造を脱イオン水によって洗浄する事によって実施され、前記電界放出構造の乾燥段階において、前記乾燥はアルコールをベースとする流体除去乾燥法を使用して実施されることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の方法。
【請求項４】
前記浸漬段階はさらに、
前記電界放出構造を水酸化ナトリウムからなるエッチング剤の中に浸漬する段階を含むことを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記浸漬段階はさらに、
前記電界放出構造を９０−１１０モルの水酸化ナトリウムからなるエッチング剤の中に浸漬する段階を含むことを特徴とする請求項３または４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
請求項１記載の前記段階（ａ）、請求項２記載の前記段階（ｄ）、請求項１を引用する請求項３記載の前記段階（ａ）、請求項２を引用する請求項３記載の前記段階（ｄ）、請求項１を引用する請求項４記載の前記段階（ａ）、請求項２を引用する請求項４記載の前記段階（ｄ）、請求項１を引用する請求項３を引用する請求項５記載の前記段階（ａ）、請求項２を引用する請求項３を引用する請求項５記載の前記段階（ｄ）、請求項１を引用する請求項４を引用する請求項５記載の前記段階（ａ）、請求項２を引用する請求項４を引用する請求項５記載の前記段階（ｄ）は前記電界放出構造を前記エッチング剤の中に２５−５０秒間浸漬する段階を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
請求項１記載の前記段階（ｂ１）、請求項２記載の前記段階（ｅ１）は
前記エッチング剤の中に浸漬されたメガソニックトランスデューサを動作させて、前記電界放出構造の前記リフト・オフ層に対して前記メガソニックトランスデューサの発生するメガソニック振動力を加える段階を含むことを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記メガソニックトランスデューサは９５０ｋＨｚの周波数を有する前記メガソニック振動力を発生することを特徴とする請求項３乃至７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記の残留エッチング剤の除去段階は、さらに
前記電界放出構造を５−１０分間、８０−８５℃の温度を有する脱イオン水によって洗浄する段階を含むことを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記乾燥段階はさらに、
アルコールベース流体除去乾燥工程を使用して前記の電界放出構造を乾燥する段階を含むことを特徴とする請求項１，２、４または７のいずれかに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明はフラット・パネル・ディスプレイの分野に関するものである。さらに詳しくは、本発明は電界放出構造中のリフト・オフ層および閉鎖層の除去に関するものである。
背景技術
電界放出カソードは例えばフラット・パネル・ディスプレイにおいて使用される電子放出装置である。電界放出カソードまたは「電界エミッタ」は十分な強さの電界を受けた時に電子を放出する。先行技術において電界放出カソードの製造に使用される通常の段階を図示した側面断面図を第１Ａ図に示す。さらに詳しくは、この第１Ａ図において、第１導電層または「列電極」１０２はその上に抵抗層１０４を配置されている。抵抗層１０４の上に配置された金属間誘電層１０６はその中にキャビティ１０８を形成されている。第１Ａ図に図示のように、第２導電層またはゲート電極１１０が金属間誘電層１０６の上に配置されている。キャビティ１０８の直上においてゲート電極１１０を通して孔または開口１１２が形成されている。開口１１２は、キャビティ１０８中に存在する電界エミッタを形成するために使用される。代表的には、電界エミッタの形成は一部には、リフト・オフ層または「分離層」と閉鎖層とを使用して実施される。
次に先行技術の第１Ｂ図について述べれば、リフト・オフ層１１４の堆積を示す側面断面図が図示されている。リフト・オフ層１１４は通常、例えばアルミニウムの傾斜物理蒸着法を使用して形成される。矢印１１８はリフト・オフ層１１４の蒸着の角度的性質を示す。リフト・オフ層物質、すなわちアルミニウムがキャビティ１０８の底部に蒸着されないようにするため、リフト・オフ層１１４の傾斜蒸着が必要とされる。傾斜蒸着を実施するため、リフト・オフ層１１４の蒸着中、電界放出構造全体を回転させなければならない。
先行技術第１Ｃ図について述べれば、閉鎖層１１８の初期形成段階を示す側面断面図が図示されている。閉鎖層１１８は例えばモリブデンなどの電子放出物質からなる。また閉鎖層１１８を形成する電子放出物質は構造１２０に示されるようにキャビティ１０８の中にも堆積される。代表的には電子放出物質は例えばｅ−ビーム蒸着法を使用して蒸着される。
次に先行技術第１Ｄ図について述べれば、電子放出物質の堆積完了を示す側面断面図が図示されている。この第１Ｄ図に図示のように、閉鎖層１１８がキャビティ１０８を完全に密封している。さらに第１Ｃ図と第１Ｄ図に図示のように、一般に「スピント型」電界エミッタと呼ばれる電子放出構造１２０がキャビティ１０８の中に形成される（スピント型エミッタはスピント等の米国特許第3,665,241号に記載され、この特許をここに引例とする）。エミッタ１２０が形成された後に、閉鎖層１１８を除去しなければならない。
次に先行技術第１Ｅ図について述べれば、閉鎖層１１８の除去段階を示す側面断面図が図示されている。閉鎖層１１８を除去する際に、エミッタ１２０を損傷しまたはその他の悪影響を与えないように注意しなければならない。さらにこのような除去工程は閉鎖層１１８とエミッタ１２０とが同一電子放出物質からなるという事実によって複雑化される。先行技術は、アルミニウムリフト・オフ層１１４を腐食するエッチング剤を使用してリフト・オフ層１１４をエッチングする事によって閉鎖層１１８を除去する。その結果、リフト・オフ層１１４が下層のゲート電極１１０から「持ち上」がり、従って第１Ｅ図に図示のように閉鎖層１１８を除去する。
不幸にして、このような先行技術のリフト・オフ層および閉鎖層除去は代表的には電界放出構造をエッチング剤に対して長時間、露出させる。さらに詳しくは一部の先行技術のリフト・オフ層および閉鎖層除去工程は電界放出構造をエッチング剤に対して数時間にわたって露出する。このようなエッチング剤に対する長時間の露出の結果、エミッタの損傷を生じる。またこのようなリフト・オフ層および閉鎖層除去工程の結果として、代表的に１２２ａ−１２２ｄによって示されるようなフレークまたは汚染塊を生じ、またこれらのフレークまたは汚染塊は汚染塊１２２ｃによって示されるように、キャビティ１０８の中にまたはその上に再堆積し、このキャビティの中に形成されたエミッタ１２０の純粋性を損なう。その結果、エミッタは激しく損傷され、または電極１１０に短絡され、またはその他の形で放出に影響する。
リフト・オフ層および閉鎖層の通常の除去法は必ずしも完全に有効でない。すなわち、リフト・オフ層と閉鎖層とを完全に除去するために追加的な事後処理段階が必要となる可能性がある。一例として一部の先行技術の方法は、エッチング剤に対して長時間露出した後においても、リフト・オフ層と閉鎖層をゲート電極から物理的に擦りとる必要がある。他の先行技術の方法は、エッチング剤に対する露出後に、閉鎖層に対してテープを被着する。このテープが、ゲート電極上に残存するリフト・オフ層および閉鎖層部分に接着する。次に電界放出構造からテープを引き剥がす事によってリフト・オフ層と閉鎖層の残存部分が除去される。このようなエッチング後のリフト・オフ層および閉鎖層の除去工程はきわめて時間と労力を要し、大量生産には不適当である。
さらに他の問題点として、通常のリフト・オフ層および閉鎖層の除去工程は収束壁体を含む電界放出構造について使用するには不適当である。すなわち先行技術のエッチング剤に対する長時間露出は収束壁体を損傷する可能性がある。また先行技術のアプローチにおいては、収束壁体はリフト・オフ層および閉鎖層の持ち上がった部分または脱離部分がゲート電極から泳動する事を妨害する可能性がある。その結果、リフト・オフ層および閉鎖層の持ち上げられた部分が再びゲート電極の上に沈殿する。さらにリフト・オフ層および閉鎖層の手による擦り落とし作業またはテープの引き剥がし作業などのエッチング後処理が収束壁体構造の存在によっていっそう複雑になる。
従って、電界放出構造を長時間エッチング剤に露出する必要のないリフト・オフ層および閉鎖層除去法が必要とされる。さらに、リフト・オフ層および閉鎖層を完全に除去するための擦り作業およびテープ引き剥がし作業を必要としないリフト・オフ層および閉鎖層除去法が必要である。さらに収束壁体の使用と両立するリフト・オフ層および閉鎖層除去法が必要である。
発明の開示
本発明は、電界放出構造をエッチング剤に対して長時間露出する必要のないリフト・オフ層および閉鎖層除去法に関するものである。さらに本発明は、リフト・オフ層および閉鎖層を完全に除去するために事後の擦り作業またはテープ引き剥がし作業を必要としないリフト・オフ層および閉鎖層除去法を提供するにある。さらに本発明は収束壁体と両立するリフト・オフ層および閉鎖層除去法を提供する。
さらに詳しくは、１つの実施態様において、電界放出構造は、第１導電層の少なくとも一部の上に配置された絶縁層の中に形成されたキャビティを含む。第２導電層は前記キャビティの上方に形成された開口を有する。第２導電層はその上にリフト・オフ層および閉鎖層を配置されている。本発明は下記の方法によって、前記第２導電層から前記リフト・オフ層および閉鎖層を除去する。第１に本発明はリフト・オフ層を腐食するエッチング剤の中に電界放出構造を浸漬する。次に本発明は前記エッチング剤の中に浸漬されたトランスデューサを生かして、電界放出構造のリフト・オフ層に対してトランスデューサによって発生された振動力を加える。この振動力がエッチング剤と協働して、リフト・オフ層およびその上の閉鎖層を第２導電層から除去させる。次に本発明は電界放出構造をエッチング剤から取り出し、電界放出構造から残留エッチング剤を除去し、マランゴニ（Marangoni）乾燥法を使用して電界放出構造を乾燥する。
【図面の簡単な説明】
以下、本発明を図面に示す実施例について詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。付図において、
先行技術の第１Ａ図はリフト・オフ層を堆積する前の電界放出構造の側面断面図、
先行技術の第１Ｂ図はリフト・オフ層の堆積状態を示す側面断面図、
先行技術の第１Ｃ図は閉鎖層の初形成状態を示す側面断面図、
先行技術の第１Ｄ図は電子放出物質の堆積の完了を示す側面断面図、
先行技術の第１Ｅ図はリフト・オフ層除去工程を示す側面断面図、
第２Ａ図は本発明による電界放出構造の初期形成段階を示す側面断面図、
第２Ｂ図は本発明により直接にゲート電極上に電子放出物質を堆積させる第１段階を示す側面断面図、
第２Ｃ図は本発明により完成された閉鎖層および電子放出素子を示す側面断面図、
第３図は本発明によりリフト・オフ層および閉鎖層を除去する段階のフローチャート、
第４図は本発明による電界放出構造を含むトランスデューサ装備エッチングタンクの概略側面図、また
第５図は本発明によりリフト・オフ層および閉鎖層ボタンを除去された電界放出構造を収容するトランスデューサ装備エッチングタンクの概略側面図である。
好ましい実施態様の説明
本発明の好ましい実施態様を下記に詳細に説明する。その実施例は付図に図示されている。本発明は好ましい実施態様について説明されるが、本発明はこれらの実施態様に限定されない事を了解されたい。逆に本発明はその趣旨の範囲内において種々の変更、変形および等価物を包括するものとする。さらに下記の詳細な説明において、本発明の完全な理解のために種々の特定の細部を記載するが、当業者には明かなように、本発明はこれらの特定の細部なしでも実施する事ができる。さらに公知の方法、手順、成分および回路は本発明のアスペクトを不必要に暖昧にしないため、詳細に記載されなかった。
第２Ａ図について述べれば、本発明による電界放出構造の製造に使用される初期形成段階を説明する側面断面図が示されている。第２Ａ図に図示のように、第１導電層または列電極２０２の上に抵抗層２０４が配置されている。（しかし本発明はその他種々の構造に適し、例えば第１導電層が抵抗層の一部のみの下に配置された構造とする事ができる）例えば二酸化ケイ素からなる金属間誘電層２０６が抵抗層２０４の上方に配置される。前記の金属間誘電層２０６の中にキャビティ２０８が形成されている。金属間誘電層２０６の上に第２導電層またはゲート電極２１０が存在する。キャビティ２０８の直上においてゲート電極２１０を通して孔または開口２１２が形成されている。開口２１２は、キャビティ２０８の中に入るべき電界エミッタを形成するために使用される。
第２Ｂ図について述べれば、本発明による下層のリフト・オフ層の上に電子放出物質を堆積する段階を示す側面断面図が示されている。リフト・オフ層２１４は例えばアルミニウム、酸化アルミニウム、および類似物の物理的傾斜蒸着法を使用して形成される。この実施態様において、閉鎖層２１８の電子放出物質はモリブデンからなり、このモリブデンは例えばｅ−ビーム蒸着技術などの物理的蒸着法を使用して蒸着される。この実施態様においては、電子放出物質としてモリブデンが使用されるが、本発明はその他種々の蒸着法によるその他種々の電子放出物質の蒸着にも適している。また電子放出物質は構造２２０によって示されるように、キャビティ２０８の中に堆積される。
次に第２Ｃ図について述べれば、本発明による完成された閉鎖層と電子放出素子とを示す断面側面図が示されている。この第２Ｃ図に図示のように、閉鎖層２１８がキャビティ２０８を完全に閉鎖する。さらに電子放出物質が開口２１２，２１６を通してゲート電極２１０の上に堆積されるので、キャビティ２０８の中にスピント型エミッタ２２０が形成される。この実施態様においては特にスピント型エミッタを記載するが、本発明はその他種々の型のエミッタに使用にも適している。
第３図について述べれば、リフト・オフ層および閉鎖層の除去に使用される本発明の各段階のフローチャートが示されている。本発明のリフト・オフ層および閉鎖層の除去法をさらに明瞭に説明するため、第３図の各段階を第４図と第５図に関連して説明する。段階３０２に図示のように、本発明は電界放出構造をエッチング剤の中に浸漬してリフト・オフ層を腐食する。第４図は本発明による電界放出構造を収容したトランスデューサ装備エッチング・タンクの概略側面図である。第２Ｂ図と第２Ｃ図においてはリフト・オフ層２１４および閉鎖層２１８はゲート電極２１０の表面全体をカバーするように図示されているが、リフト・オフ層および閉鎖層はホトリソグラフィ的に画成されている。すなわち、リフト・オフ層２１４および閉鎖層２１８はサブピクセル区域を含む電界エミッタグループの上方にのみ存在する。従ってリフト・オフ層２１４および閉鎖層２１８はさらに代表的には、ゲート電極２１０の表面にそった個別区域または「ボタン」の中に配置される。収束壁体を有する実施態様の場合、収束壁体はリフト・オフ層および閉鎖層のボタンの外周に存在する。図面を明瞭にするため、第４図は単一の電界エミッタ２２０の上方に存在するリフト・オフ層および閉鎖層物質のホトリソグラフィ画成されたボタン４０２を有する電界放出構造の部分を図示する。この実施態様においてボタン４０２は収束壁体４０４ａおよび４０４ｂによって外周を包囲されている。
さらに第３図の段階３０２について述べれば、この実施態様において本発明によれば、電界放出構造をトランスデューサ装備エッチングタンク４０６の中に浸漬する。このエッチングタンクはエッチング剤を含み、リフト・オフ層２１４を「腐食」しまたはエッチングする。この実施態様において、エッチング剤４０８は近似的に９０−１１０モルの水酸化ナトリウムからなる。この実施態様においてはこのようなエッチング剤が使用されているが、他の種々の型のエッチング剤および他の種々の型の水酸化ナトリウムのモル数も適当である。
次に第３図の段階３０４について述べれば、本発明はエッチングタンク中のトランスデューサを生かして振動力を発生する。第４図の実施態様においてトランスデューサ４１０はエッチングタンク４０６の底部近くに配置されて、電源４１２に接続されている。振動力がリフト・オフ層２１４並びに電界放出構造の他の部分に加えられる。この実施態様において、トランスデューサ４１０は近似的に９５０ＫＨｚの周波数の振動を発生するメガソニックトランスデューサである。この実施態様においてはこのようなメガソニック周波数が使用されているが、本発明はこれより高いまたは低い周波数を使用する場合にも適している。メガソニックトランスデューサは例えば日本、東京、カイジョー・コーポレーションから市販されている。
さらに第４図および第３図の段階３０４について述べれば、トランスデューサ４１０によって発生された振動力がエッチング剤４０８と共に作用してリフト・オフ層２１４を下層のゲート電極２１０から分離させる。リフト・オフ層２１４がゲート電極２１０から持ち上げられるに従って、その上の閉鎖層２１８もゲート電極２１０の上方から除去される。この実施態様において、水酸化ナトリウムエッチング剤４０８とメガソニックトランスデューサ４１０との結合作用がリフト・オフ層２１４とその上の閉鎖層２１８をゲート電極２１０からわずか数秒で分離させる。さらに詳しくはこの実施態様においては、リフト・オフ層２１４と閉鎖層２１８のボタン４０２はゲート電極２１０から近似的に２５−５０秒以内で持ち上げられる。従って本発明の方法は、先行技術の方法と相違し、電界放出構造を長時間エッチング剤に露出しない。従って本発明においては、電界エミッタの純粋性はエッチング剤に対する有害な長時間露出によって損なわれない。同様に、収束壁体４０４ａ、４０４ｂもエッチング剤４０８に対する非常に短時間の露出の故に、悪影響を受けない。
次に第５図について述べれば、本発明の方法によりリフト・オフ層と閉鎖層のボタン４０２の分離された電界放出構造を収容するトランスデューサ装備エッチングタンクの概略断面図を示す。第５図に図示のように、エッチング剤４０８とトランスデューサ４１０との協働作用により、ボタン４０２がゲート電極２１０から分離されている。さらに本発明においては、分離されたボタンが再びゲート電極上に落ちる先行技術のアプローチと相違し、トランスデューサ４１０によって発生された振動力の故に、持ち上げられたボタン４０２は再びゲート電極２１０の上に堆積されない。すなわち、持ち上げられたボタン４０２は収束壁体４０４ａ、４０４ｂによって周囲を包囲されているにも関わらず、ゲート電極２１０から泳動する。さらにこの実施態様においては、循環ポンプ４１６に連結されたフィルタ４１４がタンク４０６から持ち上げられたボタンをろ過する。従ってエッチング剤４０８は持ち上げられたボタンおよび残留破砕物によって汚染されない。図面の簡略化のためフィルタ４１４はきわめて小型に図示されているが、このフィルタは第５図に図示されたよりもはるかに大型である事を了解されたい。
さらに第５図について述べれば、エッチング剤４０８とトランスデューサ４１０との協働作用はボタン４０２をゲート電極２１０からきれいに分離させる。すなわちボタン４０２はゲート電極２１０から一個の「塊」として分離する。このようにして本発明はリフト・オフ層および閉鎖層の物質の小片の形成を減少させる。従って、本発明はこれらの小片がキャビティ２０８の中に逆沈殿して電界エミッタ２２０をゲート電極２１０に対して短絡する可能性を低下させる。多くの先行技術のアプローチはリフト・オフ層と閉鎖層の小片を単に溶解させようとして、電界放出構造をエッチング剤の中に「再沈」させる。このような再沈工程は電界エミッタの先端を鈍くして電界放出構造の性能を劣化させる可能性がある。しかし本発明は、このように電界放出構造をエッチング剤の中に再沈させる必要がない。従って本発明は先行技術に伴なう電界エミッタの鈍化を生じない。
次に第３図の段階３０６について述べれば、本発明においては第４図と第５図のエッチングタンクから電界放出構造を除去する。この時点において、リフト・オフ層および閉鎖層の物質のボタンはゲート電極２１０から振動作用と化学作用とによってリフトしている。
次に第３図の段階３０８について述べれば、本発明は電界放出構造から残留エッチング剤を除去する。この実施態様において、電界放出構造を約５−１０分間、約８０−８５℃の温度の脱イオン水によって洗浄する事によって、電界放出構造から残留エッチング剤を除去する。この実施態様においてはこのような洗浄工程が使用されるが、本発明はまた他の種々の洗浄溶液または洗浄条件を使用して残留エッチング剤を除去するのに適している。
次に第３図の段階３１０について述べれば、本発明は電界放出構造を乾燥して、第３図の段階３０２−３０８の終了後に残った流体を除去する。この実施態様においては、アルコールをベースとする流体除去乾燥工程、例えばマランゴニ乾燥法を使用して電界放出構造を乾燥する。マランゴニ乾燥法においては、電界放出構造の上に存在する水を除去するためにアルコールが使用される。水が除去された後にアルコールがきれいに蒸発する。このようにして電界放出構造は乾燥状態となり汚染物を除去されている。マランゴニ乾燥機は例えばカリフォルニア、サニーベールのイールド・アップ・インコーポレイテッドから市販されている。多くの先行技術のアプローチは、２−２４時間のメタノール浸漬を使用して電界放出構造を乾燥する。本発明において使用されるマランゴニ乾燥法は数分程度で乾燥工程を終了させる事ができる。従って本発明のマランゴニ乾燥法を使用すれば生産性が実質的に増大される。
従って本発明は電界放出構造を長時間、エッチング剤に露出する事を必要としない。また本発明はリフト・オフ層および閉鎖層を完全に除去するために事後の擦り落とし工程またはテープ剥ぎ取り工程を必要としないリフト・オフ層および閉鎖層除去法を提供する。さらに本発明は収束壁体の使用と両立するリフト・オフ層および閉鎖層除去法を提供する。
本発明の上述した特定の実施例は、例示及び説明として提示されている。上記実施例は、本発明を限定することを意図しておらず、多くの変更や変形が可能である。上記実施例は、本発明の本質及びその実用的な適用を説明し、当業者が本発明を実用化し特定の用途に適合するように様々な修正、変更を行うことを可能にするために選択され記述されている。本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等物により定義される。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図１Ｅ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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