(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電波吸収体の電波吸収材の複素比誘電率パラメータおよび電波吸収体の電波吸収材の複素比透磁率パラメータの少なくとも１方のパラメータと、この電波吸収材の厚みと、を含む複数の電波吸収材パラメータからなる電波吸収材パラメータ群の前記電波吸収材パラメータ各々の値を設定することによって、所望の電波吸収特性を持つ電波吸収体を作製する電波吸収体の作製方法であって、
前記電波吸収材パラメータ群を複数組生成し、これらの電波吸収材パラメータ群を解集合として初期設定する初期解集合設定工程と、
前記解集合の電波吸収材パラメータ群の各々について、評価関数を用いて所定の条件における電波吸収体の電波吸収特性の評価値を算出する評価値算出工程と、
前記解集合の電波吸収材パラメータ群から、前記評価関数を用いて算出される電波吸収材パラメータ群各々の評価値に基づいて、電波吸収材パラメータ群の対を複数組設定する対設定工程と、
この対設定工程で設定された電波吸収材パラメータ群の対の各々が有する電波吸収材パラメータ情報の一部を所定の確率でお互いに交叉させる交叉工程と、
この交叉工程で交叉して得られた電波吸収材パラメータ情報の一部を所定の確率で変更する変更工程と、
前記交叉工程前の電波吸収材パラメータ群を、前記変更工程を経て得られた電波吸収材パラメータ群に置き換えて前記解集合とする置き換え工程とを有し、
前記解集合の電波吸収材パラメータ群について前記評価関数を用いて算出される評価値の少なくとも１つが、収束条件を満足するまで、前記対設定工程、前記交叉工程、前記変更工程および前記置き換え工程を繰り返すことによって、最適な電波吸収材パラメータ群を求めることを特徴とする電波吸収体の作製方法。
【請求項２】
前記評価値算出工程は、前記電波吸収材パラメータ群から、前記所定の条件に対応して電波吸収量を複数求め、
前記評価関数は、この複数の電波吸収量の中の最小値とこれらの複数の電波吸収量の平均値とを重み付けして加算した評価値を算出することを特徴とする請求項１に記載の電波吸収体の作製方法。
【請求項３】
前記所定の条件は、電波の入射角度が異なる複数の斜入射の条件を含み、
前記評価値算出工程は、前記電波吸収材パラメータ群から、複数の電波の入射角度における電波吸収量を求め、
前記評価関数は、この求められた複数の電波吸収量の中の最小値を用いて、評価値を求めることを特徴とする請求項１または２に記載の電波吸収体の作製方法。
【請求項４】
前記所定の条件は、複数の異なる周波数の条件を含み、
前記評価値算出工程は、前記電波吸収材パラメータ群から、前記複数の異なる周波数における電波吸収量を求め、
前記評価関数は、この求められた複数の電波吸収量の中の最小値を用いて、評価値を求めることを特徴とする請求項１または２に記載の電波吸収体の作製方法。
【請求項５】
前記電波吸収材の複素比誘電率パラメータおよび前記電波吸収材の複素比透磁率パラメータの少なくとも１方のパラメータは、この電波吸収材に含有される所定の成分の含有量と電波の周波数を含み、前記電波吸収材の複素比誘電率および前記電波吸収材の複素比透磁率の少なくとも１つは前記含有量と前記周波数とを用いたモデル式で表されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電波吸収体の作製方法。
【請求項６】
電波吸収体の電波吸収材の複素比誘電率パラメータおよび電波吸収体の電波吸収材の複素比透磁率パラメータの少なくとも１方のパラメータと、この電波吸収材の厚みと、を含む複数の電波吸収材パラメータからなる電波吸収材パラメータ群の前記電波吸収材パラメータ各々の値を設定して、所望の電波吸収特性を持つ電波吸収体を設計するための、コンピュータに実行させるプログラムであって、
前記電波吸収材パラメータ群を複数組生成し、これらの電波吸収材パラメータ群を解集合として初期設定してコンピュータの記憶手段に記録させる初期解集合設定手順と、
前記解集合の電波吸収材パラメータ群の各々について、評価関数を用いて所定の条件における電波吸収体の電波吸収特性の評価値をコンピュータの演算手段に算出させる評価値算出手順と、
前記解集合の電波吸収材パラメータ群から、前記評価関数を用いて算出される電波吸収材パラメータ群各々の評価値に基づいて、電波吸収材パラメータ群の対を複数組設定し、前記記憶手段に記録させる対設定手順と、
この対設定手順で設定された電波吸収材パラメータ群の対の各々が有する電波吸収材パラメータ情報の一部を、コンピュータの乱数発生手段に発生させて得られる乱数を用いて、お互いに交叉させる交叉手順と、
この交叉手順で交叉して得られた電波吸収材パラメータ情報の一部を、前記乱数発生手段に発生させて得られる乱数を用いて、変更する変更手順と、
前記交叉手順前の電波吸収材パラメータ群の解集合を、前記変更手順を経て得られた電波吸収材パラメータ群に置き換えて、前記解集合として前記記憶手段に記録させる置き換え手順とを有し、
前記解集合の電波吸収材パラメータ群について前記評価関数を用いて算出される評価値の少なくとも１つが、収束条件を満足するまで、前記対設定手順、前記交叉手順、前記変更手順および前記置き換え手順を繰り返すことを特徴とするプログラム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電波吸収体、例えば誘電損失材料や磁性損失材料を金属板に積層した多層構造の電波吸収体を最適に設計するためのプログラムおよび電波吸収体の作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
今日、電波は通信分野においてマイクロ波やミリ波が用いられつつあるが、同時に、マイクロ波やミリ波の電波を吸収したりシールドする技術も環境の点から必要とされている。このような技術として、レーダ偽像防止対策用電波吸収体、無線障害防止対策用電波吸収体、また電波暗室用電波吸収体が挙げられる。
【０００３】
このような電波吸収体は、図７（ａ）に示すように、金属板１００に厚みがｄの誘電損失材１０２を積層し、到来した電波が誘電損失材１０２の面上で反射する反射係数を小さくすることによって、反射する電波の強度を低下させるものである。ここで、金属板１００とこの金属板１００上に積層される誘電損失材１０２からなる電波吸収体の反射係数は、一般に、伝送線路理論におけるインピーダンスを用いて取り扱うことができる。
すなわち、電波吸収体は、図７（ｂ）に示すように、受端にインピーダンスＺl の負荷を接続した特性インピーダンスＺc の分布定数線路で表現することができる。従って、受端から距離ｄの位置にある点から受端側を見込んだインピーダンスＺinは、下記式（１）で表される。
【０００４】
【数１】
0004330812.tif 000002
ここで、受端の負荷は金属板１００に対応するので、インピーダンスＺl は０となり、特性インピーダンスＺc は、（誘電損失材１０２を誘電損失材料とすれば）誘電損失材１０２の特性インピーダンスであるので１／（εr ）(1/2) （εr は複素比誘電率である）となり、γは電波の誘電損失材１０２を伝搬する伝搬定数となり、ｊ・（２π・（εr ）(1/2) ）／λ（λは電波の波長である）となる。
【０００５】
そして、このインピーダンスＺinを用いて、下記式（２）に示す反射係数Γを求めることができる。
【数２】
0004330812.tif 000003
上記例は、電波が電波吸収体に垂直に入射する場合であるが、電波が斜めに入射する斜入射の場合も、同様に反射係数Γを斜入射の場合のインピーダンスＺinを用いて表すことができる。そして、電波吸収体の電波吸収特性を下記式（３）で表す電波吸収量Ｓで表すことができる。
【数３】
0004330812.tif 000004
【０００６】
このようにして、誘電損失材１０２の厚みｄと複素比誘電率εr と電波の周波数を用いて電波吸収量Ｓを解析的に算出することができる。そして、電波吸収体が所定のターゲット条件、例えば、所定の周波数で所望の電波吸収量を有するように、誘電損失材１０２の厚みｄや誘電損失材１０２の複素比誘電率εr を調整することによって、所望の電波吸収体を設計することができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記電波吸収体は、誘電損失材１０２が一層の例であるが、電波吸収体によっては、複数（ｎ個）の誘電損失材や磁性損失材を積層する電波吸収体も存在する。
例えば、誘電損失材で積層する場合、複数（ｍ個）の周波数における反射係数Γの値（Γf1・・・Γfmの実数部および虚数部の値）等を条件として与えることによって、未知数である複数（ｎ個）の誘電損失材の厚みと誘電損失材１０２中に含有され複素比誘電率εr を規定する特定の成分の含有量を、下記式（４）に示す多変数パラメータを算出する多次元ニュートン法を用いた逐次計算によって、算出することができる。しかし、算出可能な条件は、実数部および虚数部を合わせた反射係数Γの数（２ｍ個）と、未知数である誘電損失材の厚みと複素比誘電率εr を決定するパラメータの総数（２ｎ個）が一致する場合に限られている。
【数４】
0004330812.tif 000005
【０００８】
さらに、複素比誘電率εr が２つ以上の誘電率パラメータ、例えば、誘電損失材中の２つ以上の特定の含有成分の含有量で複素比誘電率εr を規定する場合や磁性損失材を含む場合等、求めるべき未知数が多くなると、式（４）のような多次元ニュートン法を用いて、誘電損失材や磁性損失材の厚みや上記複数の含有量を解析的に算出することはできない。さらに、電波の垂直入射に加えて、電波の斜入射における電波吸収量を制御する場合、式（４）のような連立方程式を立てることができず、電波吸収材を構成する誘電損失材や磁性損失材の厚みや上記複数の含有量を解析的に算出することはできない。
【０００９】
そこで、本発明は、所望の電波吸収特性を有するように、電波吸収材を積層した電波吸収体を設計し作製する際、周波数の設定や電波の入射角度やＴＥ波（Transverse Electric wave) やＴＭ波（Transverse Magnetic wave) の偏波の種類等のターゲット条件が制限されず、ターゲット条件を幅広く設定でき、このターゲット条件に基づき誘電損失材や磁性損失材を最適に設定することのできる電波吸収体の作製方法およびプログラムを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、電波吸収体の電波吸収材の複素比誘電率パラメータおよび電波吸収体の電波吸収材の複素比透磁率パラメータの少なくとも１方のパラメータと、この電波吸収材の厚みと、を含む複数の電波吸収材パラメータからなる電波吸収材パラメータ群の前記電波吸収材パラメータ各々の値を設定することによって、所望の電波吸収特性を持つ電波吸収体を作製する電波吸収体の作製方法であって、
前記電波吸収材パラメータ群を複数組生成し、これらの電波吸収材パラメータ群を解集合として初期設定する初期解集合設定工程と、
前記解集合の電波吸収材パラメータ群の各々について、評価関数を用いて所定の条件における電波吸収体の電波吸収特性の評価値を算出する評価値算出工程と、
前記解集合の電波吸収材パラメータ群から、前記評価関数を用いて算出される電波吸収材パラメータ群各々の評価値に基づいて、電波吸収材パラメータ群の対を複数組設定する対設定工程と、
この対設定工程で設定された電波吸収材パラメータ群の対の各々が有する電波吸収材パラメータ情報の一部を所定の確率でお互いに交叉させる交叉工程と、
この交叉工程で交叉して得られた電波吸収材パラメータ情報の一部を所定の確率で変更する変更工程と、
前記交叉工程前の電波吸収材パラメータ群を、前記変更工程を経て得られた電波吸収材パラメータ群に置き換えて前記解集合とする置き換え工程とを有し、
前記解集合の電波吸収材パラメータ群について前記評価関数を用いて算出される評価値の少なくとも１つが、収束条件を満足するまで、前記対設定工程、前記交叉工程、前記変更工程および前記置き換え工程を繰り返すことによって、最適な電波吸収材パラメータ群を求めることを特徴とする電波吸収体の作製方法を提供するものである。
【００１１】
ここで、前記評価値算出工程は、前記電波吸収材パラメータ群から、前記所定の条件に対応して電波吸収量を複数求め、
前記評価関数は、この複数の電波吸収量の中の最小値とこれらの複数の電波吸収量の平均値とを重み付けして加算した評価値を算出するのが好ましい。
【００１２】
また、前記所定の条件は、電波の入射角度が異なる複数の斜入射の条件を含み、
前記評価値算出工程は、前記電波吸収材パラメータ群から、複数の電波の入射角度における電波吸収量を求め、
前記評価関数は、この求められた複数の電波吸収量の中の最小値を用いて、評価値を求めるのが好ましい。
あるいは、前記所定の条件は、複数の異なる周波数の条件を含み、
前記評価値算出工程は、前記電波吸収材パラメータ群から、前記複数の異なる周波数における電波吸収量を求め、
前記評価関数は、この求められた複数の電波吸収量の中の最小値を用いて、評価値を求めるものであってもよい。
【００１３】
また、前記電波吸収材の複素比誘電率パラメータおよび前記電波吸収材の複素比透磁率パラメータの少なくとも１方のパラメータは、この電波吸収材に含有される所定の成分の含有量と電波の周波数を含み、前記電波吸収材の複素比誘電率および前記電波吸収材の複素比透磁率の少なくとも１方は前記含有量と前記周波数とを用いたモデル式で表されるのが好ましい。
【００１４】
さらに、本発明は、上記目的を達成するために、電波吸収体の電波吸収材の複素比誘電率パラメータおよび電波吸収体の電波吸収材の複素比透磁率パラメータの少なくとも１方のパラメータと、この電波吸収材の厚みと、を含む複数の電波吸収材パラメータからなる電波吸収材パラメータ群の前記電波吸収材パラメータ各々の値を設定して、所望の電波吸収特性を持つ電波吸収体を設計するための、コンピュータに実行させるプログラムであって、
前記電波吸収材パラメータ群を複数組生成し、これらの電波吸収材パラメータ群を解集合として初期設定してコンピュータの記憶手段に記録させる初期解集合設定手順と、
前記解集合の電波吸収材パラメータ群の各々について、評価関数を用いて所定の条件における電波吸収体の電波吸収特性の評価値をコンピュータの演算手段に算出させる評価値算出手順と、
前記解集合の電波吸収材パラメータ群から、前記評価関数を用いて算出される電波吸収材パラメータ群各々の評価値に基づいて、電波吸収材パラメータ群の対を複数組設定し、前記記憶手段に記録させる対設定手順と、
この対設定手順で設定された電波吸収材パラメータ群の対の各々が有する電波吸収材パラメータ情報の一部を、コンピュータの乱数発生手段に発生させて得られる乱数を用いて、お互いに交叉させる交叉手順と、
この交叉手順で交叉して得られた電波吸収材パラメータ情報の一部を、前記乱数発生手段に発生させて得られる乱数を用いて、変更する変更手順と、
前記交叉手順前の電波吸収材パラメータ群の解集合を、前記変更手順を経て得られた電波吸収材パラメータ群に置き換えて、前記解集合として前記記憶手段に記録させる置き換え手順とを有し、
前記解集合の電波吸収材パラメータ群について前記評価関数を用いて算出される評価値の少なくとも１つが、収束条件を満足するまで、前記対設定手順、前記交叉手順、前記変更手順および前記置き換え手順を繰り返すことを特徴とするプログラムを提供するものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の電波吸収体の作製方法を実施する電波吸収体最適パラメータ算出装置について、添付の図面に示される好適実施例を基に詳細に説明する。
【００１６】
図１に示される電波吸収体最適パラメータ算出装置（以降、パラメータ算出装置という）１０は、電波吸収体入力設定部１２と、制御パラメータ入力設定部１４と、最適パラメータ算出部１６と、電波吸収特性算出部１８とを主に有し、上記各部位は、各部位の動作を制御管理する、図示されないＣＰＵ（中央処理ユニット）を介してモニタ２０に接続される。また、各部位で得られた情報を記憶するメモリを有する。なお、パラメータ算出装置１０は、それぞれの部位がプログラムを実行することによって機能を発揮するコンピュータによって構成されているが、それぞれの部位が回路等のハードウェアによって設計された専用装置であってもよい。
【００１７】
電波吸収体入力設定部１２は、電波吸収材の複素比誘電率や複素比誘電率や電波吸収材の厚みが最適に設定されるように、各誘電損失材の複素比誘電率εr や各磁性損失材の複素比透磁率μr を規定する所定の含有成分の含有量の範囲、例えば、炭素粒子の含有量、酸化チタンの含有量、さらには、フェライト粒子の含有量等の含有量の範囲や、各電波吸収材の厚みの範囲を電波吸収材の積層ごとに入力設定するとともに、最適パラメータ算出部１６で最適なパラメータの算出を行う際のターゲット条件を入力して設定し、コンピュータ内のメモリに記憶させる部位である。入力は、オペレータがモニタ２０に表示された入力設定画面を見ながら図示されないマウスやキーボードによって入力される。
ターゲット条件は、例えば、垂直入射における周波数の設定、斜入射におけるＴＥ波やＴＭ波等の偏波の設定および様々な入射角度と周波数の設定、および、これらの条件において最低条件として必要とされる最小電波吸収量の設定、すなわち収束条件の設定等が行われる。ＴＥ波とは、到来する入射波と反射波で構成される入射面に垂直な電界成分を有する電波をいい、ＴＭ波とは、到来する入射波と反射波で構成される入射面に垂直な磁界成分を有する電波をいう。
【００１８】
一方、制御パラメータ入力設定部１４は、最適パラメータ算出部１６で最適なパラメータの算出を行うための算出方法を規定する制御パラメータを入力する部位であり、オペレータがモニタ２０に表示された入力設定画面を見ながら図示されないマウスやキーボードによって入力され、コンピュータ内のメモリに記憶させる部位である。
制御パラメータとは、後述するように遺伝的アルゴリズムを用いて最適な電波吸収材パラメータ群の算出を行う際の、解集合の数や交配や突然変異の処理で用いられる電波吸収材パラメータ情報のビット表示のための表示ビット数や、交配確率や突然変異の発生確率や上限世代数や上限試行回数等のパラメータである。なお、詳細については後述する。
【００１９】
最適パラメータ算出部１６は、メモリに記憶された入力情報と制御パラメータを呼び出し、後述する遺伝的アルゴリズムによって、ターゲット条件の最小電波吸収量を満足するように、各電波吸収材の複素比誘電率εr や複素比透磁率μr を規定する所定の含有成分の含有量、例えば、炭素粒子の含有量や酸化チタンの含有量や、各電波吸収材の厚みを、最適なパラメータとして算出する部位である。算出された最適パラメータは、モニタ２０に表示される他、電波吸収特性算出部１８に送られる。
【００２０】
電波吸収特性算出部１８は、算出された最適パラメータを用いて電波吸収特性を算出する部位であり、横軸を周波数とする電波吸収スペクトルを電波吸収特性としてモニタ２０に画面表示する部位である。
パラメータ算出装置１０は以上のように構成される。
【００２１】
次に、本発明の電波吸収体の作製方法を、コンピュータを用いたパラメータ算出装置１０で行われる処理に基づき、図２に示されるフローチャートに従って説明する。
【００２２】
以降では、電波吸収体を誘電損失材を用いて例に従って説明を行う。
図３に示す電波吸収体４０の誘電損失材４２、４４がエポキシ樹脂に酸化チタン及び炭素粒子を含み、この誘電損失材４２、４４の複素比誘電率εr が、周波数Ｆ（ＧＨｚ）、酸化チタンの含有量（重量部(Parts Hundred Rubber)）Ｇと炭素粒子の含有量（重量部(Parts Hundred Rubber)）Ｇ' を複素比誘電率パラメータとする下記式（５）、（６）で表される電波吸収体の例を用いつつ説明する。
【数５】
0004330812.tif 000006
【数６】
0004330812.tif 000007
【００２３】
このような誘電損失材４２、４４を有する電波吸収体４０に関し、まず、電波吸収体入力設定部１２および制御パラメータ入力設定部１４においてマウスやキーボードを用いて入力設定が行われる（ステップ１００）。
上記例における入力設定では、実数部εr ’および虚数部−εr ’’で表される複素比誘電率εr を周波数Ｆ（ＧＨｚ）と酸化チタンの含有量Ｇと炭素粒子の含有量Ｇ' を用いて規定するように、εr ’およびεr ’’のそれぞれを規定する係数ａ〜ｈの値が下記表１に従って入力される。
【表１】
0004330812.tif 000008
【００２４】
表１に示す値は、複素比誘電率εr を周波数Ｆ（ＧＨｚ）と含有量Ｇ、Ｇ’を用いて予めカーブフィッティングによって係数ａ〜ｈを定めたものである。入力された係数ａ〜ｈは、コンピュータ内のメモリに記憶される。
【００２５】
次に、最適な電波吸収材パラメータ群を算出するための各電波吸収材パラメータの値の範囲が設定される。上記例では、酸化チタンの含有量Ｇの範囲を、例えば０〜３０（重量部）と設定し、炭素粒子の含有量Ｇ’の範囲を、例えば０〜２（重量部）と設定し、それぞれの誘電損失材の厚みｄ1 、ｄ2 の範囲を、例えば０〜３ｍｍと設定する。このような入力設定は、マウスやキーボードによって画面表示された入力設定画面に従って行われる。
また、ターゲット条件が設定される。上記例では、電波を垂直入射とし、周波数が６０（ＧＨｚ）と６５（ＧＨｚ）の２つ設定される。さらに収束条件として、少なくとも電波吸収量が保持すべき値、最小電波吸収量が、例えば４０（ｄＢ）と設定される。
入力された内容は、メモリに記憶される。
こうして、２つの誘電損失材４２、４４における各々の厚みｄ1 、ｄ2 と、それぞれの酸化チタンの含有量Ｇと、炭素粒子の含有量Ｇ’の計４つの含有量と合わせた計６つの未知のパラメータの値が、後述する最適な電波吸収材パラメータ群の算出において、上記設定されたターゲット条件下、後述する評価値が収束条件を満たすように、算出される。
【００２６】
次に、初期解集合の生成が行われる（ステップ１０２）。
すなわち、ステップ１００で設定された厚みｄ1 、ｄ2 の範囲と、酸化チタンの含有量Ｇの範囲と、炭素粒子の含有量Ｇ’の範囲を、設定されたビット表示数、例えば１６ビットに応じて２16−１分割し、この分割によって離散化された数値で、厚みｄ1 、ｄ2 と、誘電損失材料４２、４４の酸化チタンの含有量Ｇ1 、Ｇ2 と、炭素粒子の含有量Ｇ1 ’、Ｇ2 ’の計６つの電波吸収材パラメータの値を表現する。このような厚みｄ1 、ｄ2 と、誘電損失材料４２、４４の酸化チタンの含有量Ｇ1 、Ｇ2 と、炭素粒子の含有量Ｇ1 ’、Ｇ2 ’の計６つの電波吸収材パラメータの離散化された値からなる電波吸収材パラメータ群（ｄ1 ，ｄ2 ，Ｇ1 ，Ｇ2 ，Ｇ1 ’，Ｇ2 ’）が、Ｋ組、例えば３００組ランダムに作成され、初期解集合とされ、メモリに記憶される。
【００２７】
次に、Ｋ組の電波吸収材パラメータ群（ｄ1 ，ｄ2 ，Ｇ1 ，Ｇ2 ，Ｇ1 ’，Ｇ2 ’）から誘電損失材４２、４４に対応する複素比誘電率εr をターゲット条件における周波数に対応してそれぞれＫ個、算出され、メモリに記憶される（ステップ１０４）。
【００２８】
次に、この算出されメモリに記憶された複素比誘電率εr を呼び出し、この複素比誘電率εr を用いて、ターゲット条件における電波吸収量が、Ｋ組の電波吸収材パラメータ群（ｄ1 ，ｄ2 ，Ｇ1 ，Ｇ2 ，Ｇ1 ’，Ｇ2 ’）に対して算出され、メモリに記憶される（ステップ１０６）。
上記例では、ターゲット条件が、垂直入射における６０（ＧＨｚ）と６５（ＧＨｚ）であるので、この２つの周波数での垂直入射における電波吸収量がコンピュータ内のＣＰＵで演算されて算出される。
電波吸収量の算出は、伝送線路理論から得られる下記式（７）を用いて行われる。ここで、誘電損失材は、誘電損失材４２、４４の２層形成されるので、式（７）中のｎは２となる。Ｚ1 は、金属板４６を０番目とした際の金属板４６と誘電損失材４２とでできるインピーダンスであり、Ｚ2 は金属板４６と誘電損失材４２、４４ととでできるインピーダンスである。従って、電波が垂直入射する場合のインピーダンスＺ2 は、式（７）においてｋ＝２として求めることができる。その際、Ｚ1 は式（７）においてｋ＝１として求める。ここで、Ｚ0 は、金属板４６のインピーダンスであるので、Ｚ0 は０となる。また、式（７）中のεrkは、金属板４６側から数えたｋ番目の誘電損失材の複素比誘電率である。
こうして、金属板４６と誘電損失材４２、４４ととでできるインピーダンスＺ2 を算出し、このインピーダンスＺ2 を式（２）中のＺinに替えて用い、さらに式（３）を介して、ターゲット条件、上記例では、垂直入射における６０（ＧＨｚ）と６５（ＧＨｚ）での電波吸収量Ｓを算出する。
【数７】
0004330812.tif 000009
【００２９】
なお、ターゲット条件が、電波の入射が入射角度θの斜入射である場合、インピーダンスＺk は、下記式（８）で表される。その際、入射する電波がＴＥ波である場合、式（９）、式（１０）が用いられ、入射する電波がＴＭ波である場合、式（１０）、式（１１）が用いられる。また、反射係数Γは、ＴＥ波の場合、式（１２）が、ＴＭ波の場合、式（１３）が、それぞれ用いられ、式（３）によって電波吸収量Ｓが求められる。
【００３０】
【数８】
0004330812.tif 000010
【数９】
0004330812.tif 000011
【数１０】
0004330812.tif 000012
【数１１】
0004330812.tif 000013
【数１２】
0004330812.tif 000014
【数１３】
0004330812.tif 000015
【００３１】
次に、ターゲット条件に対応した複数（ｍ個）の電波吸収量Ｓi （ｉ＝１〜ｍ）を用いて、Ｋ組の電波吸収材パラメータ群（ｄ1 ，ｄ2 ，Ｇ1 ，Ｇ2 ，Ｇ1 ’， Ｇ2 ’）のそれぞれによって規定される電波吸収体の電波吸収特性が、演算されて評価される。すなわち、下記式（１４）に示すフィットネス関数Ｆit（評価関数）を用いて評価値Ｖが算出される（ステップ１０８）。上記例では、ターゲット条件における周波数が６０（ＧＨｚ）と６５（ＧＨｚ）の２つであるのでｍ＝２となる。こうして、Ｋ組の電波吸収材パラメータ群（ｄ1 ，ｄ2 ，Ｇ1 ，Ｇ2 ， Ｇ1 ’，Ｇ2 ’）に対応した評価値Ｖを得る。
【数１４】
0004330812.tif 000016
【００３２】
フィットネス関数Ｆitは、ターゲット条件に対応した複数の周波数における電波吸収量Ｓi （ｉ＝１〜ｍ）の最小値Ｍｉｎ（Ｓi ）と、電波吸収量Ｓi の平均値とを、それぞれ重み付け係数、例えば０．９９と０．０１を用いて重み付け加算して１つの評価値を算出する。重み付け係数は、電波吸収量の最小値の重み付け係数が電波吸収量の平均値の重み付け係数に比べて圧倒的に大きく、実質的には、概略電波吸収量の最小値が評価値となっている。
なお、電波吸収量Ｓi の平均値を僅かながら重み付けして加算するのは、後述するように、評価値Ｖが最小電波吸収量以上となるように、評価値Ｖに基づいて解集合の生成を何度も繰り返し行うが、電波吸収量Ｓi （ｉ＝１〜ｍ）の最小値Ｍｉｎ（Ｓi ）が同じ２つの電波吸収材パラメータ群がある場合であっても、平均値が高い電波吸収量Ｓi を持つ電波吸収材パラメータ群の方が、少ない解集合の生成回数で最小電波吸収量以上となる確率が高くなることから、評価値Ｖに僅かな差を持たせているのである。つまり、評価値Ｖに僅かな差を持たせることで、平均値が高い電波吸収量Ｓi を持つ電波吸収材パラメータ群を解集合の電波吸収材パラメータ群とすることができ、最適な電波吸収材パラメータ群の算出効率が高くなるからである。勿論、フィットネス関数Ｆitは、ターゲット条件に対応した複数の電波吸収量の最小値を評価し、評価値が同じ場合、平均値が高い方を選択するものであってもよい。
【００３３】
なお、上記例のフィットネス関数Ｆitは、ターゲット条件に対応した複数の周波数の電波吸収量の最小値とこの複数の電波吸収量の平均値を重み付け加算した評価値を算出するものであるが、本発明においては、ターゲット条件によって、斜入射における複数の入射角度、ＴＥ波やＴＭ波の偏波の種類、さらに、電波の周波数等に対応した複数の電波吸収量の中の最小値とこれらの電波吸収量の平均値を重み付け加算した評価値を算出するものであってもよい。
【００３４】
次に、親の選定、すなわち、初期解集合であるＫ組の電波吸収材パラメータ群の中から、それぞれの電波吸収材パラメータ群に対応する評価値Ｖに基づいて、電波吸収材パラメータ群の対がＫ／２組設定され、メモリに記憶される（ステップ１１０）。
すなわち、初期解集合であるＫ組の電波吸収材パラメータ群からＫ／２組の親Ａと親Ｂが例えばトーナメント方式を用いて選定される。より具体的には、Ｋ組の電波吸収材パラメータ群について第１番目から第Ｋ番目まで番号が付されるとともに、１〜Ｋまでの整数の乱数をコンピュータ内で２回発生させ、この乱数発生によって出た２つの数に対応した２つの電波吸収材パラメータ群が取り出され、この２つの電波吸収材パラメータ群に対応した評価値Ｖの大小が比較され、評価値Ｖの大きい方が親Ａとして選出される。同様に、１〜Ｋまでの乱数を２回発生させ、この乱数の発生によって出た２つの数に対応した２つの電波吸収材パラメータ群が取り出され、この２つの電波吸収材パラメータ群に対応した評価値Ｖの大小が比較され、評価値Ｖの大きい方が親Ｂとして選出される。こうして１組の親Ａと親Ｂが選出される。
【００３５】
このような親Ａと親Ｂの組はＫ／２組選出される。親Ａと親Ｂの電波吸収材パラメータ群は、１〜Ｋまでの乱数を２回発生させ、この乱数発生によって出た２つの数に対応した２つの電波吸収材パラメータ群がＫ組の解集合から選出されるので、親Ａと親Ｂが、同一の電波吸収材パラメータによって構成される同一の電波吸収材パラメータ群が選出される場合がある他、別の組の親Ａ、Ｂに、同一の電波吸収材パラメータから構成される同一の電波吸収材パラメータ群が選出される場合もある。
【００３６】
次に、親Ａと親Ｂの交配（交叉）工程が各組の親Ａと親Ｂの間で行われる（ステップ１１２）。
親Ａと親Ｂの交配は、コンピュータに０〜１までの乱数を発生させ、この乱数によって出た値が、ステップ１００で入力設定された交配確率以下の場合、例えば０．７以下の場合、以下の交配が行われる。所定の値より大きい場合、交配はおこなわれず、親Ａ、Ｂの２つの電波吸収材パラメータ群が、そのまま保持される。
親Ａと親Ｂの交配は、上記例で説明すると、図４に示す様に、親Ａと親Ｂの各電波吸収材パラメータｄ1 、ｄ2 、Ｇ1 、Ｇ2 、Ｇ1 ’、Ｇ2 ’を、ステップ１００で設定された電波吸収材パラメータ情報の表示ビット数、例えば１６ビットの２進数で表し、この数値を（ｄ1 ，ｄ2 ，Ｇ1 ，Ｇ2 ，Ｇ1 ’，Ｇ2 ’）の順番に一列に並べ、合計１６・６ビット（９６ビット）の０または１の数値から成る数値列を作り、電波吸収材パラメータ情報とする。さらに、１〜（１６・６−１）までの整数の乱数を発生させ、発生した値に対応した数値列のビット以降の下位ビットの数値列Ａ’およびＢ’が入れ替えられて交配が行われる。
【００３７】
さらに、突然変異の工程（変更工程）が行われる（ステップ１１４）。
突然変異の工程は、まず、０〜１までの乱数をコンピュータで発生させ、この乱数によって出た値が、ステップ１００で入力設定された突然変異の発生確率以下、例えば０．０８以下の場合、ステップ１１２の交配によって得られた０または１からなる数値列のうち、乱数によって決定されたビットの数値が反転される。すなわち、数値が０の場合１に変更され、数値が１の場合０に変更される。このような突然変異の工程は、交配されて得られた数値列の数値毎に行われる。このように突然変異の工程を設けるのは、解集合の電波吸収材パラメータ群の電波吸収材パラメータを所定の範囲でばらつかせることによって、収束条件を満たす電波吸収材パラメータ群を適格に見つけ出すようにするためである。
【００３８】
次に、突然変異の工程を経て得られた数値列から、数値列の順番に１６ビット毎に分けて、送りピッチの値を１０進数で表し、１０進数で表した電波吸収材パラメータの値からなる電波吸収材パラメータ群が生成され、メモリに記憶される（ステップ１１６）。
上記実施例では、図４に示すように、突然変異の工程を経て得られた数値列が、上位１６ビットずつ分けられて、それぞれ１０進法で表されて、電波吸収材パラメータｄ1 、ｄ2 、Ｇ1 、Ｇ2 、Ｇ1 ’、Ｇ2 ’が得られる。
このような電波吸収材パラメータ群は、各組の親Ａ、Ｂを交配させることによって２つの送りピッチ群が生成され、親Ａ、Ｂの交配がない場合でも、親Ａ、Ｂの２つの送りピッチ群が生成される電波吸収材パラメータ群としてそのまま保持されるので、Ｋ／２組の親Ａ、ＢからＫ組の電波吸収材パラメータ群が生成される。
【００３９】
次に、ステップ１１６で生成されたＫ組の電波吸収材パラメータ群の各々で規定される誘電損失材に対応した複素比誘電率εr がターゲット条件における周波数に対応してＣＰＵで演算され算出される（ステップ１１８）。
【００４０】
次に、この算出された複素比誘電率εr を用いて、ターゲット条件における電波吸収量がＫ組の電波吸収材パラメータ群各々についてＣＰＵで演算され算出される（ステップ１２０）。
算出方法は、ステップ１０６と同様であり、ターゲット条件が垂直入射の場合、式（７）、式（２）および式（３）を介して、斜入射の場合、ＴＥ波は式（８）〜式（１０）および式（１２）を用い、ＴＭ波は、式（８）、式（１０）、式（１１）および式（１３）を用い、ターゲット条件に対応した複数の電波吸収量Ｓi （ｉ＝１〜ｍ）が算出される。
【００４１】
次に、Ｋ組の電波吸収材パラメータ群に対してフィットネス関数Ｆitの演算が、ＣＰＵにおいて行われ、Ｋ組の電波吸収材パラメータ群の各々に対応して評価値Ｖが算出される（ステップ１２２）。
このようなＫ組の電波吸収材パラメータ群は次世代の解集合として置き換えられる（ステップ１２４）。
【００４２】
次に、この次世代の解集合の電波吸収材パラメータ群の評価値Ｖの少なくとも１つが、収束条件を満たすかどうか、すなわち、ステップ１００で設定された最小電波吸収量以上となっているかＣＰＵで判断され（ステップ１２６）、評価値Ｖの少なくとも１つが最小電波吸収量以上である場合、ターゲット条件に最適な電波吸収材パラメータ群が得られたと判断されて、最小電波吸収量以上となる評価値Ｖを持つ電波吸収材パラメータ群のパラメータ、すなわち、誘電吸収材の厚みｄおよび複素比誘電率εr を規定する所定の成分の含有量の値がメモリに記録され、また、電波吸収材パラメータ群の数値がモニタ２０に出力される（ステップ１２８）。
なお、ステップ１２６では、評価値Ｖの少なくとも１つが、最小電波吸収量以上となっているかを判断するが、評価値Ｖの少なくとも１つが、最小電波吸収量より大きいかどうかを判断してもよい。
【００４３】
評価値Ｖのいずれも最小電波吸収量より小さい場合、ステップ１１０に戻され、再度ステップ１１０からステップ１２６が繰り返される。この場合、ステップ１１０からステップ１２６への繰り返し回数（世代数）が、ステップ１００で設定された上限世代数以下であるか判断され（ステップ１３０）、世代数が上限世代数以下である場合に限りステップ１１０に戻る。一方、世代数が世代上限を超える場合、ステップ１２８に進む。この場合、評価値Ｖが最も大きな電波吸収材パラメータ群が取り出され、収束条件を満たさず最適ではない旨の識別情報とともに、解集合の中で最適な電波吸収材パラメータ群に近い電波吸収材パラメータ群として、世代数とともに、メモリに記録されてもよい。
【００４４】
このようなステップ１０２〜ステップ１２８の工程は１回の試行回数としてカウントされ、この試行回数がステップ１００で設定された上限試行回数を超えないか判断され（ステップ１３２）、試行回数が上限試行回数を超えない範囲内でステップ１０２〜ステップ１２８が繰り返し行われる。
試行回数が上限試行回数を超える場合、終了する。
【００４５】
こうして、ターゲット条件を満たす最適な電波吸収材パラメータ群が得られ、この電波吸収材パラメータ群の電波吸収材パラメータの値がモニタ２０に表示されるとともに、この電波吸収材パラメータ群および電波吸収量がファイルに出力される。こうして、最適な電波吸収体の仕様が決定される。
【００４６】
下記表２には、上記例におけるターゲット条件を満たす最適な電波吸収材パラメータ群が４つ示されている。ここで、複素比誘電率εr は、式（６）と表１の係数ａ〜ｈによって定められ、酸化チタンの含有量の範囲を０〜３０（ＰＨＲ）とし、炭素粒子の含有量の範囲を０〜２（ＰＨＲ）とし、誘電損失材４２、４４の厚みの範囲を０〜３ｍｍとし、上限世代数を１００とし、上限試行回数を２０回とし、最小電波吸収量を４０（ｄＢ）として得られたものである。
【表２】
0004330812.tif 000017
【００４７】
表２から判るように、垂直入射における６０（ＧＨｚ）および６５（ＧＨｚ）において、いずれも４０（ｄＢ）以上の電波吸収量を達成している。
【００４８】
また、下記表３には、誘電損失材を炭素粒子含有発泡ウレタン２層とし、垂直入射とＴＥ波およびＴＭ波の斜入射における角度を２つ設定した計５つの条件からなるターゲット条件を示している。
【表３】
0004330812.tif 000018
【００４９】
ここで、複素比誘電率εr を下記式のように定めた。
εr ＝  （３．０＋２．８８１・Ｇ1.236 ・Ｆ-0.610）
−  ｊ（０．３＋０．８３２・Ｇ1.777 ・Ｆ-0.782）
この場合最小電波吸収量を１５（ｄＢ）とし、炭素粒子の含有量の範囲を０〜１５（ＰＨＲ）とし、厚みの範囲を０〜１０ｍｍとし、上限世代数を１００とし、上限試行回数を２０回とした。
表４には、最適な電波吸収材パラメータ群として４つの電波吸収材パラメータ群を挙げている。表４から判るように、いずれも、ターゲット条件における電波吸収量が最小電波吸収量以上であり、収束条件を満足している。このように、垂直入射および斜入射、さらには、斜入射の入射角度や偏波の種類（ＴＥ波、ＴＭ波）を設定した複数の条件からなるターゲット条件に対しても、最適な電波吸収材パラメータ群を求めることができ、この最適な電波吸収材パラメータ群に基づいて電波吸収体を作製することができる。
【表４】
0004330812.tif 000019
【００５０】
また、６０（ＧＨｚ）の電波吸収を目的として、誘電損失材を２層とした塗布型ミリ波吸収体における最適な電波吸収材パラメータ群を求めた。
ターゲット条件として、垂直入射１つを条件とする垂直入射ターゲット条件と、垂直入射の他に１５度、３０度および４５度を入射角度、さらにはＴＥ波およびＴＭ波の斜入射の条件を合わせた広角度入射条件とについて、それぞれの条件で得られる最適な電波吸収材パラメータ群の電波吸収量を比較した。なお、広角度入射条件は、式（４）のような多次元ニュートン法で従来求めることのできなかった条件である。
結果を表５に示す。
【表５】
0004330812.tif 000020
【００５１】
明らかに、垂直入射条件では、垂直入射において電波吸収量が５０ｄＢを超えるが入射角度が大きくなるにつれ、電波吸収量が小さくなることが判る。図５からも判るように、広角度入射条件では、入射角度が０度の電波吸収量は、垂直入射条件の電波吸収量に比べて３０ｄＢ以上小さいが、入射角度が大きくなっても、電波吸収量は一定に保たれ、垂直入射条件の電波吸収量に比べて大きな電波吸収量を持つことが判る。このように、ターゲット条件を広角度入射条件とすることによって、電波吸収量が電波の入射方向に左右されない広角度設計を実現することができ、この最適な電波吸収材パラメータ群に基づいて広角度で電波吸収性能を保持する電波吸収体を作製することができる。
【００５２】
なお、上記説明では、２層の電波吸収材を用いた例であるが、本発明では、電波吸収材の層の数は２層に限定されず、３層や４層等いくらであってもよい。また、上記例は、いずれも電波吸収材として、複素比透磁率は変化せず、複素比誘電率が変化する誘電損失材の例であるが、電波吸収材として複素比誘電率のみならず複素比透磁率が変化する電波吸収材であってもよい。また、複素比誘電率が変化せず、複素比透磁率が変化する電波吸収材であってもよい。
誘電損失材として、炭素粒子や繊維や金属・金属酸化物等の粒子や繊維を含有するものが挙げられ、磁性損失材として、フェライト粒子や金属・金属酸化物等の磁性体を含有するものが挙げられる。
【００５３】
複素比誘電率εr と複素比透磁率μr の両方が変化する誘電損失材および磁性損失材の両方の機能を有する電波吸収体の材料として、例えば、フェライト粒子、酸化チタン及び炭素粒子を含有した電波吸収材が挙げられる。図６には、周波数Ｆ（ＧＨｚ）、酸化チタンの含有量Ｇ、炭素粒子の含有量Ｇ' およびフェライト粒子の含有量Ｇ’’を複素比誘電率パラメータとし、周波数Ｆ（ＧＨｚ）およびフェライト粒子の含有量Ｇ’’を複素比透磁率パラメータとする誘電損失材および磁性損失材の両方の機能を備える誘電・磁性損失材６２および６４の２層が金属板６６上に設けられた電波吸収材６０が示されている。ここで、複素比誘電率εr は式（５）で表されるとともに、複素比透磁率μr は下記式（１５）で表される。
【数１５】
0004330812.tif 000021
【００５４】
さらに、複素比透磁率μr の実数部μr ’と虚数部μr ’’は、下記式（１６）のように、フェライト粒子の含有量Ｇ’’と周波数Ｆで表される。
【数１６】
0004330812.tif 000022
さらに、複素比誘電率εr の実数部εr ’と虚数部εr ’’は、下記式（１７）で表される。
【数１７】
0004330812.tif 000023
ここで、ａ１〜ｅ１やａ２〜ｋ２は、オペレータの入力に従って設定される複素比誘電率や複素比透磁率を表現する係数である。
【００５５】
電波の垂直入射時の電波吸収量の算出は、伝送線路理論から得られる下記式（１８）を用いて行われる。ここで、電波吸収材は、誘電・磁性損失材６２、６４の２層で形成されるので、式（１８）中のｎは２となる。Ｚ1 は、金属板６６を０番目とした際の金属板６６と誘電・磁性損失材６２とでできるインピーダンスであり、Ｚ2 は金属板６６と誘電・磁性損失材６２、６４ととでできるインピーダンスである。従って、電波が垂直入射する場合のインピーダンスＺ2 は、式（１８）においてｋ＝２として求めることができる。その際、Ｚ1 は式（１８）においてｋ＝１として求める。ここで、Ｚ0 は、金属板６６のインピーダンスであるので、Ｚ0 は０となる。式（１８）中のεrkおよびμrkは、金属板６６側から数えたｋ番目の誘電・磁性損失材の複素比誘電率および複素比透磁率である。
こうして、金属板６６と誘電・磁性損失材６２、６４とでできるインピーダンスＺ2 を算出し、このインピーダンスＺ2 を式（２）中のＺinに替えて用い、さらに式（３）を介して、ターゲット条件、例えば、垂直入射における５．８（ＧＨｚ）と９．４（ＧＨｚ）での電波吸収量Ｓを算出する。
【００５６】
【数１８】
0004330812.tif 000024
【００５７】
一方、電波の斜入射時の電波吸収量の算出の場合、インピーダンスＺk は、式（８）で表され、ＴＥ波の場合式（１９）、式（２０）が用いられ、ＴＭ波の場合式（２０）、式（２１）が用いられる。そして、反射係数Γは、ＴＥ波の場合式（１２）が、ＴＭ波の場合式（１３）が、それぞれ用いられ、式（３）によって電波吸収量Ｓが求められる。
【数１９】
0004330812.tif 000025
【数２０】
0004330812.tif 000026
【数２１】
0004330812.tif 000027
【００５８】
このような電波吸収体６０がターゲット条件において最適な電波吸収体の特性を示すように、誘電・磁性損失材６２、６４の酸化チタンの含有量Ｇ1 、Ｇ2 、炭素粒子の含有量Ｇ1'、Ｇ2 ’およびフェライト粒子の含有量Ｇ1 ’’、Ｇ2 ’’さらには、誘電・磁性損失材６２、６４の厚みｄ1 、ｄ2 を含んだ最適な電波吸収材パラメータ群が、上述した図２に示す方法によって、求められる。
【００５９】
また、本発明は、図２に示す電波吸収体の作製のための電波吸収体の最適設計を行うプログラムを提供する。
【００６０】
すなわち、電波吸収材パラメータ群を解集合として初期設定してメモリに記録させる初期解集合設定手順と、電波吸収材パラメータ群で規定されるターゲット条件における電波吸収体の電波吸収特性の評価値Ｖをフィットネス関数Ｆitを用いてＣＰＵによって算出させる評価値算出手順と、電波吸収材パラメータ群の解集合から、電波吸収特性の評価値Ｖに基づいて、電波吸収材パラメータ群の対を複数組設定し、メモリに記録させる対設定手順と、この対設定手順で設定された電波吸収材パラメータ群の対の各々が有する電波吸収材パラメータ情報の一部を、コンピュータ内に内蔵する乱数発生装置に発生させて得られる乱数を用いて、お互いに交叉させる交叉手順と、この交叉手順で交叉して得られた電波吸収材パラメータ情報を、乱数発生機構で発生する乱数を用いて、変更する変更手順と、交叉手順前の電波吸収材パラメータ群の解集合を、変更手順を経て得られた電波吸収材パラメータ群に置き換えて、新たな解集合としてメモリに記録させる置き換え手順とを有し、この置き換え手順で得られる解集合の電波吸収材パラメータ群に対してフィットネス関数Ｆitを用いて電波吸収特性の評価値ＶをＣＰＵに演算させて算出し、算出された評価値の少なくとも１つが、収束条件、例えば、最小電波吸収量以上になるまで、対設定手順、交叉手順、変更手順および置き換え手順を繰り返すプログラムである。
【００６１】
このようなプログラムは、上述した各工程を実行する各手順が記載されたものであり、ＣＤ−ＲＯＭ等の公知の記録媒体に記録されていてもよいし、インターネット等を介して搬送波によって伝送されるものであってもよい。なお、このようなプログラムの各手順は、上述したステップ１０２からステップ１３２までの各ステップと同一の手順で行われるのでその説明は省略する。
【００６２】
以上、本発明の電波吸収体の作製方法およびプログラムについて詳細に説明したが、本発明は上記実施例に限定はされず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良および変更を行ってもよいのはもちろんである。
【００６３】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明は、遺伝的アルゴリズムを用いてターゲット条件下、収束条件を満足する最適な電波吸収材パラメータ群を求めるので、周波数の設定数や電波の入射角度やＴＥ波やＴＭ波の偏波の種類等のターゲット条件が制限を受けずに幅広く設定でき、このターゲット条件に基づいて電波吸収体を最適に設計し作製することができる。特に、電波の入射角度の広い範囲で電波吸収特性を保持する電波吸収体を容易に設計することができる。また、電波吸収材を２層以上に積層した電波吸収体の設計も容易に行える。さらに、複素比誘電率や複素比透磁率を規定する電波吸収材中の所定の含有成分の含有量を用いて最適な電波吸収材パラメータを求めることができるので、電波吸収体の作製を容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の電波吸収体の作製方法を実施する電波吸収体最適パラメータ算出装置の構成を示す図である。
【図２】  本発明の電波吸収体の作製方法のフローの一例を示すフローチャートである。
【図３】  本発明の電波吸収体の作製方法を実施する電波吸収体の一例の断面を示す断面図である。
【図４】  本発明の電波吸収体の作製方法の一例を説明する説明図である。
【図５】  本発明の電波吸収体の作製方法によって得られる電波吸収特性の例を示す図である。
【図６】  本発明の電波吸収体の作製方法を実施する電波吸収体の他の例の断面を示す断面図である。
【図７】  （ａ）および（ｂ）は、従来の電波吸収体の一例を説明する説明図である。
【符号の説明】
１０  電波吸収体最適パラメータ算出装置
１２  電波吸収体入力設定部
１４  制御パラメータ入力設定部
１６  最適パラメータ算出部
１８  電波吸収特性算出部
２０  モニタ
４０，６０  電波吸収体
４２，４４，１０２  誘電損失材
６２，６４  誘電・磁性損失材
４６，６６，１００  金属板
【図１】
0004330812.tif 000028
【図２】
0004330812.tif 000029
【図３】
0004330812.tif 000030
【図４】
0004330812.tif 000031
【図５】
0004330812.tif 000032
【図６】
0004330812.tif 000033
【図７】
0004330812.tif 000034