(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の間隔をあけて相互に対向するカラーフィルタ基板及びＴＦＴ基板と、該双方の基板間に形成された柱状スペーサとを備える液晶表示装置において、
前記柱状スペーサは、前記ＴＦＴ基板側に形成されており、前記カラーフィルタ基板上に順次に形成されたブラックマトリックス層、色層及びオーバーコート層の内のオーバーコート層が除去された部分で当接することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記柱状スペーサは、前記ＴＦＴ基板上に直接に形成された配線層の上に直接に形成されている、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記柱状スペーサは、色層及びオーバーコート層が除去された部分で前記カラーフィルタ基板に当接する、請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
所定の間隔をあけて相互に対向するカラーフィルタ基板及びＴＦＴ基板と、該双方の基板間に形成された柱状スペーサとを備える液晶表示装置において、
前記柱状スペーサは、前記カラーフィルタ基板上のブラックマトリックス層、色層及びオーバーコート層の何れもが形成されていない部分に直接に形成され、前記ＴＦＴ基板上に直接に形成された配線層に当接することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
前記カラーフィルタ基板上にブラックマトリックス層、色層及びオーバーコート層を形成する工程に先立って、前記柱状スペーサには、前記ブラックマトリックス層、色層及びオーバーコート層の作製用の各樹脂材料に対するぬれ性が前記柱状スペーサよりも低い被膜が形成されている、請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
請求項５に記載の液晶表示装置を製造する製造方法であって、
前記ブラックマトリックス層、色層及びオーバーコート層を形成する工程に先立って、前記柱状スペーサに、各層の作製用の樹脂材料に対するぬれ性を低減する加工を施すことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示パネル等の液晶表示装置及びその製造方法に関し、特に、相互に対向する第１及び第２基板間のセルギャップ内に柱状スペーサが形成される液晶表示装置、及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示パネルでは、相互に対向する一対のガラス基板間のセルギャップ内に液晶が封入され、この液晶を挟むように設けられた電極に電圧を印加することによって液晶の配向状態を変化させる。双方の基板間には、基板に外力が加わった際等に基板間のセルギャップを一定に保持するために、ビーズ状又は柱状のスペーサが設けられている。
【０００３】
図９は、従来の液晶表示パネルにおける柱状スペーサの一例（第１従来例）を示す断面図である。液晶表示装置は、所定の間隔をあけて相互に対向するカラーフィルタ基板１１と、薄膜トランジスタ（以下、TFT(Thin Film Transistor)と呼ぶ）を有するＴＦＴ基板１２とを備えており、双方の基板１１、１２間のセルギャップ１３に液晶１４が封入されている。
【０００４】
カラーフィルタ基板１１上には、ブラックマトリックス層（以下、ＢＭ層とも呼ぶ）１５、色層１６、及びオーバーコート層（以下、ＯＣ層とも呼ぶ）１７が順次に形成されている。ＴＦＴ基板１２上には、ゲート電極２５を含むＴＦＴ（図示せず）が配設されている。ＢＭ層１５の形成領域、つまり、画素として機能するカラーフィルタ開口の形成領域以外の領域では、ＯＣ層１７上に柱状スペーサ２０Ａがゲート電極２５に向かって突出形成され、柱状スペーサ２０Ａの先端がゲート電極２５に当接している。
【０００５】
図１０は、柱状スペーサ２０Ａの別の例（第２従来例）を示す断面図である。この例では、ＢＭ層１５の形成領域におけるゲート電極２５側に柱状スペーサ２０Ａが設けられ、柱状スペーサ２０Ａの先端がＯＣ層１７に当接している。
【０００６】
上記第１及び第２従来例では、一対の基板１１、１２間に挟まれた柱状スペーサ２０Ａの圧縮応力と、両基板１１、１２に作用する圧縮荷重との釣り合いでセルギャップ１３が所定間隔に保持される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上記第１及び第２従来例では、柱状スペーサ２０Ａは、ＯＣ層１７とゲート電極２５とによって挟まれた狭い空間内に収容可能に短く形成されるので、弾性力を有する樹脂材料で形成されたとしても、両基板１１、１２に外力が加わった際には必要な弾性力を充分に発揮することができない。つまり、柱状スペーサ２０Ａの歪は、微小な変形量に対して大きく、或る歪率を越えると弾性変形領域から外れて塑性変形を引き起こす。
【０００８】
また、柱状スペーサ２０Ａは、環境温度の変化で液晶１４が膨張／収縮することによって間隔が変化するセルギャップ１３に追従して伸縮することが難しい。そのため、環境温度の変化で液晶１４が高温になって膨張しセルギャップ１３が拡張しても、これに充分に追従できず、表示画面の歪みを招き、或いは、液晶１４が収縮してもそれに追従しては収縮できない柱状スペーサ２０Ａがセルギャップ１３を堅固に支えることにより、液晶１４内に真空発泡が生ずる等の不具合を招くことがあった。
【０００９】
また、図９に示すように、充分な弾性力を期待できない柱状スペーサ２０Ａが非弾性体であるＯＣ層１７の表面に設けられ、或いは、図１０に示すように、ゲート電極２５側の柱状スペーサ２０ＡがＯＣ層１７に当接する場合に、両基板１１、１２に外力が加わった際に、荷重が各層１５〜１７に作用して塑性変形を引き起こし、これに起因する局所的な輝度ムラを発生させることがあった。
【００１０】
本発明は、上記に鑑み、充分な弾性力を有し温度変化時の液晶の膨張／収縮で間隔が変化するセルギャップに効率良く追従する柱状スペーサを構成し、高温時にセルギャップが局所的に拡張する際に起こり易い表示異常や、低温下で液晶内に発生し易い真空発泡等の不具合が防止できる液晶表示装置、及びそのような液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
本発明は更に、外部から加わった荷重の作用でＢＭ層、色層及びＯＣ層が塑性変形を引き起こし、これに起因して局所的な輝度ムラを引き起こすような不具合が防止できる液晶表示装置、及びそのような液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係る液晶表示装置は、所定の間隔をあけて相互に対向する第１及び第２基板と、双方の基板間に形成された柱状スペーサとを備え、前記第１基板の第２基板と対向する面に所定膜が形成された液晶表示装置において、
前記所定膜は前記柱状スペーサに当接する部分が除去されていることを特徴とする。
【００１３】
本発明に係る液晶表示装置では、所定膜の柱状スペーサに当接する部分が除去されているので、双方の基板間のセルギャップ内での柱状スペーサの有効長を充分に確保することができる。これにより、液晶の温度変化に追従して伸縮する、充分な弾性力を備えた柱状スペーサを得ることができる。このため、高温時にセルギャップが局所的に拡張する際に起こり易い表示異常や、低温下で液晶内に発生し易い真空発泡等の不具合を防止することができる。
【００１４】
ここで、前記第１基板が配線層を有するＴＦＴ基板、前記第２基板がカラーフィルタ基板から夫々成り、前記所定膜が、前記ＴＦＴ基板上に形成された有機層間絶縁膜から成ることが好ましい。この場合、低硬度の有機層間絶縁膜が除去されることによって露出した、例えば高硬度の無機層間絶縁膜や配線層に柱状スペーサを当接させることができる。これにより、柱状スペーサの支持状態が安定し、セルギャップの不均一に起因する表示ムラが解消できる。
【００１５】
或いは、上記に代えて、前記第１基板がカラーフィルタ基板、前記第２基板が配線層を有するＴＦＴ基板から夫々成り、前記所定膜が、前記カラーフィルタ基板上に順次に形成されたブラックマトリックス層、色層及びオーバーコート層の内の少なくとも１層から成ることも好ましい態様である。この場合、非弾性体であるブラックマトリックス層、色層及びオーバーコート層の何れか又は全層における柱状スペーサに当接する部分が除去されるので、外力が加わった際でも、各層の何れかが塑性変形を引き起こすことに起因して局所的な輝度ムラを生じるような不具合が防止できる。
【００１６】
また、前記柱状スペーサには、前記ブラックマトリックス層、色層及びオーバーコート層の作製用の各樹脂材料に対するぬれ性が前記柱状スペーサよりも低い被膜が形成されていることが好ましい。このような構成の液晶表示装置を作製する際には、柱状スペーサを作製した後に、カラーフィルタ基板上に各層を単に成膜するだけで、柱状スペーサを露出させつつその周囲に容易に積層することができる。このため、ブラックマトリックス層、色層及びオーバーコート層内に後端が食い込み且つ先端がオーバーコート層から突出する柱状スペーサを備えた構成を容易に得ることができる。
【００１７】
また、前記第２基板上に薄膜トランジスタを備え、該薄膜トランジスタのソース電極、ドレイン電極及びゲート電極が交わるチャネル部上には前記柱状スペーサを接触させない構成を有することが好ましい。この場合、柱状スペーサの摩擦による帯電で、薄膜トランジスタの特性が変化するような不具合を防止することができる。
【００１８】
或いは、上記に代えて、前記第１基板及び／又は第２基板上における段差部分には前記柱状スペーサを接触させない構成を有することも好ましい態様である。この場合、柱状スペーサの高さ精度が安定しない等の不具合が回避できるので、水平方向の摩擦が高くなり重ね合わせ工程が困難になるような不都合が防止できる。また、液晶表示装置の製品化後に、ねじれ等で第１及び第２基板の相対的な位置関係がずれた際の復元は難しいが、この場合の光漏れ等の問題を防止することができる。
【００１９】
本発明に係る液晶表示装置は、所定の間隔をあけて相互に対向する第１及び第２基板と、双方の基板間に形成された柱状スペーサとを備え、前記第１及び第２基板の相互に対向する各面に所定膜が夫々形成された液晶表示装置において、
前記所定膜は前記柱状スペーサに当接する部分が除去されていることを特徴とする。
【００２０】
本発明に係る液晶表示装置では、柱状スペーサ（柱構造体）の有効長をより充分に確保することができる。また、柱状スペーサ以外の材料が弾性特性に関与しない構成が得られるので、柱状スペーサの柱特性を１００％発揮させることができる。
【００２１】
本発明に係る液晶表示装置を製造する製造方法は、前記液晶表示装置を製造する製造方法であって、前記ブラックマトリックス層、色層及びオーバーコート層を形成する工程に先立って、前記柱状スペーサに、各層の作製用の樹脂材料に対するぬれ性を低減する加工を施すことを特徴とする。
【００２２】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法では、柱状スペーサを通常通りに製造するだけで、ブラックマトリックス層、色層及びオーバーコート層を、柱状スペーサを避けつつ容易にその周囲に積層できるので、柱状スペーサをオーバーコート層内に食い込んだ状態とし、柱状スペーサの有効長を充分に確保することができる。これにより、高温時にセルギャップが局所的に拡大する際に起こり易い表示異常等の不具合を防止する液晶表示装置が得られる。
【００２３】
ぬれ性の低減加工工程では、柱状スペーサ自身を構成する材料に、ぬれ性が所定値より低い材料を使用することができる。ぬれ性が所定値以下の材料として、例えばシリコン系樹脂やフッ素系樹脂を挙げることができる。この樹脂材料を使用し、別の材料から成る柱状スペーサの表面に、ぬれ性を低減する被膜を形成することもできる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照し、本発明に係る実施形態例に基づいて本発明を更に詳細に説明する。図１は、本発明に係る第１実施形態例の液晶表示パネル（液晶表示装置）の柱状スペーサ２０を示す断面図であり、図２の柱状スペーサの当接部３７及びその周囲を矢印Ｄａ−Ｄｂで示す方向に見た状態で示している。図１では便宜上、配向膜等を図示省略している。本液晶表示パネルは、高開口率ＩＰＳ(In Plane Switing)構造を備えている。
【００２５】
カラーフィルタ基板１１上には、ＢＭ層１５、色層１６及びＯＣ層１７がこの順に形成され、ＢＭ層１５の形成領域におけるＯＣ層１７上の所定の位置には、ゲート絶縁膜４０に向かって突出する断面台形状の柱状スペーサ２０が形成されている。柱状スペーサ２０は、アクリル系のネガ型感光性樹脂等によって構成されている。ネガ型感光性樹脂として、ＪＳＲ社製のＮＮ−７７７（商標）を使用することができる。
【００２６】
ＴＦＴ基板１２上には、ゲート電極（配線層）２５及び共通電極２６が相互に平行に延在し、ゲート電極２５及び共通電極２６を含むゲート絶縁膜４０上には、有機層間絶縁膜３９が形成されている。有機層間絶縁膜３９には、柱状スペーサ２０の当接部３７に対応して、開口３７Ａが、柱状スペーサ２０先端が進入可能なサイズにパターニング形成されている。
【００２７】
図２は、本実施形態例における液晶表示パネルの１つの画素をＴＦＴ基板１２側に関して示す正面図である。ＴＦＴ基板１２上には、相互に平行に延在する共通電極２２と、各共通電極２２の下方に延在するデータ線２３と、共通電極２２と直交するゲート電極（配線層）２５と、ゲート電極２５に平行に延在する共通電極２６とを備える。複数の画素電極２７と共通電極２９とが夫々、各共通電極２６から櫛歯状に突出している。ＴＦＴ基板１２上の隅部に配設されたＴＦＴ３４は、ゲート電極２５、ソース電極３１、及びドレイン電極３５によって構成されている。
【００２８】
ＴＦＴ基板１２上にはその全域に有機層間絶縁膜３９が形成されるが、図１で説明した本実施形態例の柱状スペーサ２０は、有機層間絶縁膜３９が除去されたゲート電極２５上にゲート絶縁膜４０を介して当接する。柱状スペーサ２０の当接部３７は、ＴＦＴ基板１２上の一部、特に、各一対ずつの共通電極２２と共通電極２６とに囲まれた画素領域を避けて、高硬度のゲート電極２５上に適用される。柱状スペーサ２０は、長さ方向と直交する方向の断面が楕円形状を呈している。
【００２９】
ここで、本実施形態例の当接部３７が設けられない領域を図３（ａ）〜（ｃ）に示す。図３（ａ）は図２のＡａ−Ａｂ線に沿った断面図、図３（ｂ）は図２のＢａ−Ｂｂ線に沿った断面図、図３（ｃ）は図２のＣａ−Ｃｂ線に沿った断面図である。
【００３０】
図３（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１２上には、ゲート絶縁膜４０、無機層間絶縁膜４１及び有機層間絶縁膜３９がこの順に形成され、有機層間絶縁膜３９上には共通電極２２、２９及び画素電極２７が形成されている。共通電極２２、２９及び画素電極２７は何れもＩＴＯ(Indium Tin Oxide)から成る。
【００３１】
図３（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板１２上には、ゲート絶縁膜４０と、アモルファスシリコン層３３と、層間絶縁膜３８と、ドレイン電極３５及びソース電極３１と、無機層間絶縁膜４１と、有機層間絶縁膜３９とが順次に形成される。また、図３（ｃ）に示すように、ＴＦＴ基板１２上には、ゲート絶縁膜４０、無機層間絶縁膜４１、及び有機層間絶縁膜３９がこの順に形成される。
【００３２】
以上のように、図３（ａ）〜（ｃ）で示した各領域では、有機層間絶縁膜３９を除去しても、ゲート電極２５のように高硬度の配線層を露出させることが困難である。従って、柱状スペーサ２０の当接部３７とするのは、図３（ａ）〜（ｃ）で示した各領域以外の領域を使用することが好ましい。
【００３３】
図３（ａ）〜（ｃ）から判るように、本実施形態例では、ＴＦＴ基板１２上のＴＦＴ３４のドレイン電極３５、ソース電極３１及びゲート電極２５が交わるチャネル部上には柱状スペーサ２０を接触させてはいない。このため、柱状スペーサ２０の摩擦で帯電することによってＴＦＴ３４のトランジスタ特性が変化するような不具合が防止できる。
【００３４】
また、本実施形態例では、著しい段差（凹凸）部分がある面上には柱状スペーサ２０を接触させない構成になっているので、柱状スペーサ２０の高さ精度が安定しない等の不具合が回避できる。これにより、水平方向の摩擦が高くなり重ね合わせ工程が困難になるような不都合を防止できる。液晶表示装置の製品化後に、パネルのねじれ等でＴＦＴ基板１２とカラーフィルタ基板１１との位置関係がずれたときの復元は難しいが、この場合の光漏れ等の現象を回避することができる。
【００３５】
図４は、柱状スペーサが位置しない、図１の部分とは異なる部分を示す断面図である。液晶表示パネル１０は、相互に所定の間隔をあけて対向するカラーフィルタ基板１１及びＴＦＴ基板１２を備える。ＴＦＴ基板１２の一面には偏光板４６が設けられ、他面には、ゲート絶縁膜４０、無機層間絶縁膜４１、有機層間絶縁膜３９及び配向膜４７がこの順に形成される。ゲート絶縁膜４０上にはデータ線２３及び画素補助電極３２が相互に平行に延在し、有機層間絶縁膜３９上には共通電極２２及び２９が相互に平行に延在している。
【００３６】
カラーフィルタ基板１１の一面には導電層５０及び５１が順次に形成される。他面には、表示部周辺の光漏れを防ぐＢＭ層１５が形成され、ＢＭ層１５を含むカラーフィルタ基板１１上に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の色層１６が形成され、色層１６上にＯＣ層１７が形成され、ＯＣ層１７上に配向膜４９が設けられる。配向膜４７、４９間には、液晶１４が封入されたセルギャップ１３が設けられる。
【００３７】
図４に示す液晶表示パネル１０に、本実施形態例の柱状スペーサ２０を形成する工程は以下のように行う。つまり、ＴＦＴ基板１２上に、ゲート絶縁膜４０、無機層間絶縁膜４１、有機層間絶縁膜３９及び配向膜４７を順次に形成した後、配向膜４７及び有機層間絶縁膜３９にパターニングを施し、所定の位置に開口３７Ａ（図１）を形成する。
【００３８】
一方、カラーフィルタ基板１１上に、ＢＭ層１５、色層１６及びＯＣ層１７を順次に形成した後、配向膜４９形成前のＯＣ層１７上に、レジスト膜の塗布工程と同様の工程で、アクリル系のネガ型感光性樹脂をＯＣ層１７上に塗布する。更に、ネガ型感光性樹脂を露光及び現像して硬化させることにより、均等な高さ（長さ）を有する柱状スペーサ２０として作製する。この際に、柱状スペーサ２０は、開口３７Ａに進入する分の長さも見込んで従来に比して長く形成されるので、セルギャップ１３を安定に支持するのに必要な充分な弾力性が付与される。
【００３９】
次いで、カラーフィルタ基板１１及びＴＦＴ基板１２を数μｍ程度のセルギャップ１３を設けた状態で相互に貼り合わせ、両基板１１、１２間に液晶１４を注入してから、基板外周部をシーリングして液晶１４を密封する。
【００４０】
本実施形態例では、柱状スペーサ２０の先端におけるＴＦＴ基板１２上の有機層間絶縁膜３９の一部を除去し、柱状スペーサ２０の有効長を充分に確保することによって、柱状スペーサ２０の変形量に対する歪を小さくすることができる。これにより、最大弾性変形領域を大きくし、柱状スペーサ２０に充分な弾性力を付与できるので、環境温度変化に起因して膨張／収縮する液晶１４によって変化するセルギャップ１３に追従して柱状スペーサ２０を適正に伸縮させることができる。これにより、高温時にセルギャップ１３が局所的に拡張する際に生じ易い表示異常や、低温下で液晶１４に発生し易い真空発泡等の不具合を確実に防止することができる。
【００４１】
また、本実施形態例では、柱状スペーサ２０の先端を、高硬度の無機膜から成るゲート絶縁膜４０を介して高硬度のゲート電極２５に当接させることができるので、液晶表示パネルに強い外力が加わった際でも、柱状スペーサ２０が、低硬度の有機層間絶縁膜３９の影響を受けること無く、セルギャップ１３を安定に支持することができる。
【００４２】
なお、本実施形態例では、カラーフィルタ基板１１側にＢＭ層１５、色層１６及びＯＣ層１７が形成され、且つＴＦＴ基板１２側に有機層間絶縁膜３９が形成された構成において、一方の所定膜である有機層間絶縁膜３９における柱状スペーサ２０との接触部分を除去した構成について説明した。しかし、この構成に限定されることはなく、有機層間絶縁膜３９と共に、カラーフィルタ基板１１側のＢＭ層１５、色層１６及びＯＣ層１７の少なくとも１層を除去した構成とすることもできる。これにより、柱状スペーサ（柱構造体）の有効長をより充分に確保することができ、また、柱状スペーサ以外の材料が弾性特性に関与しない構成が得られるので、柱状スペーサの柱特性を１００％発揮させることができる。
【００４３】
次に、本発明に係る第２実施形態例について説明する。図５は、本発明に係る第２実施形態例の液晶表示パネルの柱状スペーサ２０を示す断面図であり、図６の柱状スペーサの当接部６７及びその周囲を矢印Ｆａ−Ｆｂで示す方向に見た状態で示している。図５では便宜上、配向膜等を図示省略している。本液晶表示パネルは、ＴＮ(Twisted Nematic)構造を備える。
【００４４】
カラーフィルタ基板１１上に順次に形成されたＢＭ層１５、色層１６及びＯＣ層１７には、ＴＦＴ基板１２上のゲート電極（配線層）６５に対向する位置に、パターニングで形成された開口１５ａ、１６ａを含む開口５４が設けられている。これにより、ゲート電極６５に対向する位置でカラーフィルタ基板１１が露出している。開口５４から露出したカラーフィルタ基板１１上には、ゲート電極６５に向かって突出する断面台形状の柱状スペーサ２０が設けられ、この柱状スペーサ２０の先端が、露出したゲート電極６５に当接している。
【００４５】
図６は、本実施形態例における液晶表示パネルの１つの画素をＴＦＴ基板１２側に関して示すもので、（ａ）は正面図、（ｂ）は（ａ）のＥａ−Ｅｂ線に沿った断面図である。
【００４６】
図６（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１２上には、相互に平行に延在する一対のデータ線６２と、データ線６２と直交するゲート電極６５と、このゲート電極６５と隣接する別の画素のゲート電極６５との間に配設された透明電極６８とを備えている。ＴＦＴ基板１２上の隅部には、ゲート電極６５、ソース電極６６及びドレイン電極６９から成るＴＦＴ６４が設けられている。また、図６（ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板１２上にはゲート絶縁膜７０が形成され、ゲート絶縁膜７０上には一対のデータ線６２が相互に平行に延在し、データ線６２を含むゲート絶縁膜７０上には、薄い無機層間絶縁膜７１が形成される。無機層間絶縁膜７１上の両データ線６２の間には透明電極６８が配設される。
【００４７】
図５で説明した本実施形態例の柱状スペーサ２０は、図６（ａ）に示したゲート電極６５に当接する。柱状スペーサ２０の当接部６７は、透明電極６８上の画素領域を避けて、高硬度のゲート電極６５上に適用されている。
【００４８】
図７は柱状スペーサ２０の変形例を示す断面図である。この変形例では、ゲート電極６５と開口１５ａ、１６ａとの配置関係は図５と同様であるが、柱状スペーサ２０は、ゲート電極６５側から上方に突出してカラーフィルタ基板１１に直に接触している。
【００４９】
図８は柱状スペーサ２０の別の変形例を示す断面図である。この変形例では、柱状スペーサ２０に、ＢＭ層１５、色層１６及びＯＣ層１７の作製用の各樹脂材料に対するぬれ性が柱状スペーサ２０よりも低い被膜が形成される。このような被膜の材料として、水に対する接触角が３０゜以上の材料、例えばシリコン系樹脂やフッ素系樹脂を使用することができる。このような樹脂材料を用いる場合、柱状スペーサ２０の表面に被膜を形成する以外に、柱状スペーサ２０自身を上記樹脂材料で形成しその表面をぬれ性が低い被膜とすることができる。これにより、柱状スペーサ２０の先端部分をＯＣ層１７から容易に露出させてゲート電極６５に当接させる構成が得られる。
【００５０】
つまり、図８の変形例では、図５のように開口５４をパターニングで形成するのではなく、カラーフィルタ基板１１上に予め形成した柱状スペーサ２０のぬれ性を低減させることで、カラーフィルタ基板１１上に順次に形成するＢＭ層１５、色層１６及びＯＣ層１７を夫々、柱状スペーサ２０を避けながら成膜し、柱状スペーサ２０の先端を各層１５〜１７から突出させる。このような製造方法を採用すれば、予め形成した柱状スペーサ２０を避けながら、各層１５〜１７を柱状スペーサ２０の周囲に選択的に積層することができ、ＯＣ層１７内に食い込む分だけ柱状スペーサ２０の有効長を長くすることができる。
【００５１】
以上のように、図５、図７及び図８に示した各例では、非弾性体であるＢＭ層１５、色層１６及びＯＣ層１７を避けて柱状スペーサ２０が突出形成されるので、外力の作用時に各層１５〜１７が柱状スペーサ２０で押圧されて塑性変形を起こすことがない。従って、高温時にセルギャップ１３が局所的に拡大する際に起こり易い表示異常を防止すると共に、各層１５〜１７が外部からの荷重ダメージを受けることで発生する局所的な輝度ムラ等の不具合が防止できる液晶表示パネルを得ることができる。
【００５２】
以上、本発明をその好適な実施形態例に基づいて説明したが、本発明に係る液晶表示装置及びその製造方法は、上記実施形態例の構成にのみ限定されるものではなく、上記実施形態例の構成から種々の修正及び変更を施した液晶表示装置及びその製造方法も、本発明の範囲に含まれる。
【００５３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によると、充分な弾性力を有し温度変化時の液晶の膨張／収縮で間隔が変化するセルギャップに効率良く追従する柱状スペーサを構成し、高温時にセルギャップが局所的に拡張する際に起こり易い表示異常や、低温下で液晶内に発生し易い真空発泡等の不具合が防止できる液晶表示装置、及びそのような液晶表示装置の製造方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る第１実施形態例の液晶表示パネルの柱状スペーサを示す断面図である。
【図２】第１実施形態例における液晶表示パネルの１つの画素をＴＦＴ基板側に関して示す正面図である。
【図３】第１実施形態例における柱状スペーサの当接部が設けられない領域を示し、（ａ）は図２のＡａ−Ａｂ線に沿った断面図、（ｂ）は図２のＢａ−Ｂｂ線に沿った断面図、（ｃ）は図２のＣａ−Ｃｂ線に沿った断面図である。
【図４】図１の部分とは別の部分を示す断面図である。
【図５】本発明に係る第２実施形態例の液晶表示パネルの柱状スペーサを示す断面図である。
【図６】第２実施形態例における液晶表示パネルの１つの画素をＴＦＴ基板側に関して示すもので、（ａ）は正面図、（ｂ）は（ａ）のＥａ−Ｅｂ線に沿った断面図である。
【図７】柱状スペーサの変形例を示す断面図である。
【図８】柱状スペーサの別の変形例を示す断面図である。
【図９】従来の液晶表示パネルにおける柱状スペーサの一例を示す断面図である。
【図１０】柱状スペーサの別の例を示す断面図である。
【符号の説明】
１０：液晶表示パネル
１１：カラーフィルタ基板
１２：ＴＦＴ基板
１３：セルギャップ
１４：液晶
１５：ブラックマトリックス層（ＢＭ層）
１５ａ、１６ａ：開口
１６：色層
１７：オーバーコート層（ＯＣ層）
２１：駆動部
２２：共通電極
２３：データ線
２４：共通電極用コンタクトホール
２５：ゲート電極
２６：共通電極
２７：画素電極
２９：共通電極
３０：画素電極用コンタクトホール
３１：ソース電極
３２：画素補助電極
３３：アモルファスシリコン層
３４：薄膜トランジスタ(ＴＦＴ)
３５：ドレイン電極
３６：ラビング方向
３７：柱状スペーサの当接部
３７Ａ：開口
３８：層間絶縁膜
３９：有機層間絶縁膜
４０：ゲート絶縁膜
４１：無機層間絶縁膜
４４：カラーフィルタ開口
４６：偏光板
４７、４９：配向膜
５０、５１：導電層
６０：画素電極用コンタクトホール
６１：駆動部
６２：データ線
６４：ＴＦＴ
６５：ゲート電極
６６：ソース電極
６７：柱状スペーサの当接部
６８：透明電極
６９：ドレイン電極
７０：ゲート絶縁膜
７１：無機層間絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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