(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、少なくとも下誘電体層、相変化記録層、上誘電体層および反射層を順次積層してなる光学的情報記録用媒体において、該下誘電体層が、硫化亜鉛と酸化ケイ素との混合物の組成を有し、且つ該上誘電体層が硫化亜鉛と酸化セリウムとの混合物の組成を有し、該上誘電体層の厚みが、５−６０ｎｍであり、該下誘電体層の厚みが該上誘電体層の厚みよりも大きいことを特徴とする光学的情報記録用媒体。
【請求項２】
上誘電体層の組成が、（ＺｎＳ）a  （ＣｅＯ2）b  （５０≦ａ≦９９、ａ＋ｂ＝１００）で表される請求項１に記載の光学的情報記録用媒体。
【請求項３】
下誘電体層の組成が、（ＺｎＳ）a  （ＳｉＯ2）b  （５０≦ａ≦９９、ａ＋ｂ＝１００）で表される請求項１又は２に記載の光学的情報記録用媒体。
【請求項４】
下誘電体層の厚みが、２０−３００ｎｍである請求項１乃至３のいずれか１つに記載の光学的情報記録用媒体。
【請求項５】
相変化記録層が、ゲルマニウム、アンチモン及びテルルを含有する請求項１乃至４のいずれか１つに記載の光学的情報記録用媒体。
【請求項６】
ゲルマニウム、アンチモン及びテルルの割合が、Ｇｅx  Ｓｂy  Ｔｅz  （１８≦ｘ≦２５、１８≦ｙ≦２５、５０≦ｚ≦６４、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００）で表される請求項５に記載の光学的情報記録用媒体。
【請求項７】
相変化記録層の厚みが、８−１００ｎｍである請求項１乃至６のいずれか１つに記載の光学的情報記録用媒体。
【請求項８】
反射層がＡｕもしくはその合金、Ａｇもしくはその合金、又はＡｌもしくはその合金である請求項１乃至７のいずれか１つに記載の光学的情報記録媒体。
【請求項９】
反射層の厚みが、１００−４００ｎｍである請求項１乃至８のいずれか１つに記載の光学的情報記録用媒体。
【請求項１０】
基板の厚みが、０．５−０．７ｍｍである請求項１乃至９のいずれか１つに記載の光学的情報記録用媒体。
【請求項１１】
記録、消去及び再生に用いるレーザー光の波長が６００〜７００ｎｍである請求項１乃至１０のいずれか１つに記載の光学的情報記録用媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光照射による相変化によって生じる反射率差または反射光位相差を利用した、繰り返し記録消去可能な光学的情報記録用媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、書き換え型の光記録媒体として、可逆的な結晶状態の変化に伴う反射率変化等を利用した所謂相変化媒体がある。一般的な相変化型の光学的情報記録用媒体においては、誘電体からなる第１の誘電体層（下誘電体層）と、相変化記録層と、誘電体からなる第２の誘電体層（上誘電体層）と、反射層とがこの順に積層されている。
【０００３】
一般に、書換え型の相変化記録媒体では、相異なる結晶状態を実現するために、２つの異なるレーザービームパワーを用いる。この場合、結晶化は記録層の結晶化温度より十分高く、融点よりは低い温度まで記録層を加熱することによってなされ、非晶質化は記録層を融点より高い温度まで加熱し、急冷することによって行われる。
【０００４】
上記の場合、上記２つの誘電体層は、結晶化が十分になされるために冷却速度を遅くする機能を有すると共に、非晶質化するのに十分な冷却速度（過冷却速度）を得るための放熱層としての機能も有する。
また、上述のような、非晶質マーク形成過程における溶融・相変化に伴う記録層の体積変化による変形を抑制したり、基板への熱的ダメージを防いだり、湿気による記録層の劣化を防止するためにも、誘電体層は重要である。
従来、このような誘電体層の材料として、硫化亜鉛と酸化ケイ素の混合物や硫化亜鉛と希土類酸化物との混合物が公知である（特開平３−１２５３４４号公報等）。同公報には、硫化亜鉛と希土類酸化物との混合物の組成を有する誘電体層を用いることによって、繰り返し特性が向上することが記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
前述したように、相変化記録媒体では、原理的に可逆的な相変化を起こす物質を記録層に用いているため、ライフの上で問題があり、この改善が望まれている。また、近年要求の著しい高速記録に対応するため、ダイレクトオーバーライトによる繰り返し記録特性や記録線速度依存性の向上も望まれていた。さらに、これらの高性能の媒体を生産性高く製造するのも工業的には重要である。しかしながら、これまでの誘電体はこれらの要求を十分に満足することはできていなかったのが現状であった。
【０００６】
例えば、本発明者らの検討によれば、前述の特開平３−１２５３４４号公報に記載の硫化亜鉛と酸化セリウムとの混合物は、性能的には優れているが生産性の点で大きな問題があることが分かった。即ち、硫化亜鉛と酸化セリウムとの混合物からなる膜は製膜速度が遅いため、特に一般的に膜厚の大きな下誘電体層に用いると、極端に製膜に時間がかかる結果となる。特に、酸化セリウムを含むターゲットは脆いため、製膜時間を短縮しようとスパッタリングパワーを上げると割れてしまうことがあるという問題もある。さらに、下誘電体層が基板と接する場合、製膜時間が長いと基板が反ってしまい機会特性が悪化するという問題も生じる。この基板の反りの問題は、基板が薄くなるに従ってより顕著となるので、最近使用されつつあるより薄い基板（例えば０．５−０．７ｍｍ程度）を用いた場合は深刻である。
【０００７】
本発明は、上記従来の問題を解決し、相変化記録媒体の繰り返し記録特性やライフ、特にシェルフ・ライフ（光情報記録媒体の未記録部分の保存安定性）を改善し、かつ、低速から高速までの広い記録線速度に同時に対応できる光学的情報記録媒体を提供することを目的とするものである。また、本発明の他の目的は生産性の高い光学的情報記録媒体を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記問題点を解決するために検討した結果、記録層の両面に設けられる誘電体層のうち、反射層側に設けられる誘電体層（上誘電体層）の材質として硫化亜鉛と酸化セリウムとの混合物を選び、その反対側に設けられる誘電体層（下誘電体層）の材質として硫化亜鉛と酸化ケイ素との混合物とを選ぶことによって、両者の組成の持つ特性を最大限に生かすことができることを見出し本発明を完成した。
【０００９】
本発明の要旨は、基板上に、少なくとも下誘電体層、相変化記録層、上誘電体層および反射層を順次積層してなる光学的情報記録用媒体において、該下誘電体層が、硫化亜鉛と酸化ケイ素との混合物の組成を有し、且つ該上誘電体層が硫化亜鉛と酸化セリウムとの混合物の組成を有し、該上誘電体層の厚みが、５−６０ｎｍであり、該下誘電体層の厚みが該上誘電体層の厚みよりも大きいことを特徴とする光学的情報記録用媒体、に存する。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の光学的情報記録媒体を詳細に説明する。
図１は、本発明の光学的情報記録用媒体の層構成の一例を示す模式的断面図である。図１の光学的情報記録媒体は、基板１／下誘電体層２／相変化記録層３／上誘電体層４／反射層５／保護層６からなる。また、必要に応じて保護層６上に接着層７を設けて、ダミー基板との貼合せによる片面記録再生タイプとしたり、２枚の光学的情報記録媒体を貼合せて両面記録再生タイプとすることができる。本発明においては、基板上に、少なくとも下誘電体層、相変化記録層、上誘電体層および反射層を順次有していればよく、例えば、基板上に、反射層、上誘電体層、相変化記録層及び下誘電体層をこの順に積層しても良い。従って、本発明においては、下誘電体層と上誘電体層とにおける「上」、「下」とは必ずしも絶対的な位置関係を示すものではなく、便宜上、反射層側に存在する誘電体層を上誘電体層、その反対側に存在する誘電体層を下誘電体層と称する。好ましい層構成は、基板上に下誘電体層が向けられ、その上に相変化記録層、上誘電体層、反射層が設けられた層構成である。また、上記の層の相互の間に他の層が存在していても良い。
【００１１】
基板としては、ポリカーボネート系樹脂、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル系樹脂、非晶質ポリオレフィン等のポリオレフィン系樹脂などのプラスチックまたはガラス等が挙げられる。通常本発明の媒体は、図１のような記録層に対して反射層と基板とが反対側に存在するので、記録或いは再生のための光は通常基板を通過して記録層に照射される。したがって、好ましくは、基板は、記録・再生用の光の波長に対して透明である。基板の表面には、スパイラル状のグルーブ（案内溝）、または他の形状によるトラッキングガイドを設けておいてもよい。基板の厚みは、通常０．１ｍｍ以上、好ましくは０．３ｍｍ以上、さらに好ましくは０．５ｍｍ以上であり、また通常は２ｍｍ以下、好ましくは１．２ｍｍ以下、さらに好ましくは０．７ｍｍ以下である。もっとも好ましくは使用される基板の厚さは０．６ｍｍである。
【００１２】
下誘電体保護層は、硫化亜鉛と酸化ケイ素との混合物の組成を有する。これ以外の元素を含有していてもよいが、通常は実質的に、硫黄、亜鉛、酸素及びケイ素からなる。特に、（ＺｎＳ）a （ＳｉＯ2 ）b （但しａ＋ｂ＝１００）のターゲット組成において、ａを５０以上、好ましくは６０以上、さらに好ましくは６５以上、最も好ましくは７０以上とし、またａを９９以下、好ましくは９５以下、さらに好ましくは９０以下、最も好ましくは８５以下とするのが、本願発明の効果が大きく好ましい。
【００１３】
下誘電体層の膜厚としては、通常２０ｎｍ以上、好ましくは６０ｎｍ以上、さらに好ましくは７０ｎｍ以上であり、また通常３００ｎｍ以下、好ましくは１４０ｎｍ以下、さらに好ましくは１２０ｎｍ以下、もっとも好ましくは１０５ｎｍ以下とする。薄すぎると熱による基板の変形が起こりやすいくなり、厚すぎると膜にクラックが入りやすくなる上製膜に時間がかかりすぎる傾向にある。
【００１４】
下誘電体層の膜密度としては、バルク状態の密度（バルク密度）の７０％以上、特に８０％以上であることが機械的強度の面から望ましい（Ｔｈｉｎ  Ｓｏｌｉｄ  Ｆｉｌｍｓ、第２７８巻（１９９６年）、ｐｐ．７４〜８１）。尚、複数の誘電体からなる複合誘電体のバルク密度は（１）式の理論密度を用いる。
【００１５】
【数１】
ρ＝Σｍi ρi                 （１）
（ただし、各成分ｉのモル濃度をｍｉ、単独のバルク密度をρi とする）
【００１６】
下誘電体層の形成方法としては、通常ＤＣスパッタリングやＲＦスパッタリング等のスパッタリング法が用いられるが、好ましくはＲＦスパッタリング法が用いられる。スパッタするターゲットとしては、ＺｎＳとＳｉＯ2 の複合ターゲット、あるいはＺｎＳとＳｉＯ2 の２つのターゲットを同時に用いる方法があるが、ＺｎＳとＳｉＯ2 の複合ターゲットが好ましく用いられる。
【００１７】
相変化記録層の材質としては、結晶状態と非晶質状態との間で相変化を起こしオーバーライト可能な材料を選ぶ。例えば、カルコゲン系合金薄膜のＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＴｅ系、ＧｅＳｎＴｅ系、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系合金が挙げられるが、好ましくは、ゲルマン、アンチモン及びテルルを含有するＧｅＳｂＴｅ系合金である。ＧｅＳｂＴｅ系合金におけるゲルマニウムとアンチモンとテルルとの好ましい割合は、Ｇｅx Ｓｂy Ｔｅz （１８≦ｘ≦２５、１８≦ｙ≦２５、５０≦ｚ≦６４、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００）である。これらの合金には、その他Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖのうち一種又は複数種が含まれていてもよい。なお、Ｓｂ2 Ｔｅ3 とＧｅＴｅとを結んだ線上の組成においてＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 金属間化合物組成近傍とすれば、線速１０ｍ／ｓ以上でもオーバーライト可能となる。
【００１８】
また、Ｓｂ70Ｔｅ30共晶点近傍のＳｂＴｅ合金を主成分とするＭＳｂＴｅ合金（ただし、ＭはＩｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖのうち少なくとも１種）も高速でのオーバーライトが可能な材料として好ましい。
より好ましくは上記合金においてＭw （Ｓｂz Ｔｅ1-z ）1-w （ただし、０≦ｗ≦０．２０、０．６≦ｚ≦０．８）の範囲である。線速２．４ｍ／ｓ以上１１．２ｍ／ｓ以下（ＣＤ線速の２倍速から８倍速）で最大線速と最小線速の比が２以上の広範囲の線速において良好なオーバーライトが可能である。
【００１９】
なお、Ｓｂ70Ｔｅ30共晶点近傍の合金薄膜では、Ｓｂ／Ｔｅ比が大きいほど結晶化速度が速くなる傾向があるためＳｂ／Ｔｅ比により線速依存性が決まる。
相変化記録層の膜厚は、通常８ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、より好ましくは１８ｎｍ以上であり、また通常１００ｎｍ以下、好ましくは４０ｎｍ以下、さらに好ましくは３０ｎｍ以下、最も好ましくは２８ｎｍ以下とする。薄すぎると十分なコントラストが得られにくくなり、また結晶化速度が遅くなる傾向があり、短時間での記録消去が困難になりがちである。一方、厚すぎると、やはりコントラストが得られにくくなり、またクラックが入りやすくなる。特に、いわゆるＣＤとの互換性や書換型ＤＶＤとの互換性を考えると、反射率を高くするために１０ｎｍ以上が好ましく、また熱容量を下げ感度を向上させるために３０ｎｍ以下が好ましい。
【００２０】
相変化記録層の形成方法としては、スパッタリング法、真空蒸着法などが用いられるが、好ましくはスパッタリング法が用いられ、ＤＣスパッタリング法、ＲＦスパッタリング法のいずれを用いてもよい。こうして成膜された相変化記録層は通常非晶質であるため、一般的には後述するような初期化工程により、相変化記録層を結晶化させて未記録状態とする。
【００２１】
上誘電体保護層は、硫化亜鉛と酸化セリウムとの混合物の組成を有する。この組成の膜は、下誘電体保護層に用いる硫化亜鉛と酸化ケイ素ととからなる膜に比べて熱伝導率が２〜３割大きく、放熱性に優れている。また、硬度も２〜３倍あり、一般的に下誘電体保護層よりも薄く形成される上誘電体層として用いても十分な変形防止効果が発揮される。上誘電体保護層は、上記以外の元素を含有していてもよいが、通常は実質的に、硫黄、亜鉛、酸素及びセリウムからなる。特に、（ＺｎＳ）a （ＣｅＯ2 ）b （但しａ＋ｂ＝１００）のターゲット組成において、ａを５０以上、好ましくは７０以上、さらに好ましくは７２以上、最も好ましくは７５以上とし、またａを９９以下、好ましくは９０以下、さらに好ましくは８７以下、最も好ましくは８５以下とするのが、本願発明の効果が大きく好ましい。ａが大きすぎると硬度が不十分となり、繰り返しオーバーライトによって変形劣化しやすく、小さすぎると硬くなり過ぎ、もろくてクラックが入りやすくなる傾向にある。
【００２２】
上誘電体層の膜厚としては、通常５ｎｍ以上、好ましくは８ｎｍ以上、さらに好ましくは１２ｎｍ以上であり、また通常６０ｎｍ以下、好ましくは３０ｎｍ以下、さらに好ましくは２５ｎｍ以下とする。薄すぎると誘電体層としての機能が低下する傾向にあり、厚すぎると製膜に時間がかかりすぎる傾向にある。
一般に、硫化亜鉛と酸化セリウムの混合物の組成を有する膜は、硫化亜鉛と酸化ケイ素との混合物の組成を有する膜に比べ、製膜レートが低い傾向にある。従って、媒体全体の製膜時間を短縮して生産性を向上させるとの観点から、下誘電体層の厚みは上誘電体層の厚みよりも大きいのが好ましく、さらには、下誘電体層の厚さが上誘電体層の厚みの１．５倍以上、好ましくは２倍以上、さらに好ましくは３倍以上とするのがよい。このような構成とすることによって本願発明の効果が一層顕著になる。
【００２３】
上誘電体層の膜密度としては、バルク状態の密度（バルク密度）の７０％以上、特に８０％以上であることが機械的強度の面から望ましい（Ｔｈｉｎ  Ｓｏｌｉｄ  Ｆｉｌｍｓ、第２７８巻（１９９６年）、ｐｐ．７４〜８１）。尚、複数の誘電体からなる複合誘電体のバルク密度は前記式（１）を用いる。
上誘電体層の形成方法としては、通常ＤＣスパッタリングやＲＦスパッタリング等のスパッタリング法が用いられるが、好ましくはＲＦスパッタリング法が用いられる。スパッタするターゲットとしては、ＺｎＳとＣｅＯ2 の複合ターゲット、あるいはＺｎＳとＣｅＯ2 の２つのターゲットを同時に用いる方法があるが、ＺｎＳとＣｅＯ2 の複合ターゲットが好ましく用いられる。
【００２４】
反射層の材質としては、熱伝導率が高く放熱効果が高い金属が望ましく、通常Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｇａやそれらの各成分の１種以上を含有する合金等が用いられるが、好ましくはＡｕもしくはその合金、Ａｇもしくはその合金、又はＡｌもしくはその合金からなる。特に好ましくはＡｌ、Ａｌ合金、Ａｇ、Ａｇ合金であり、更に好ましくはＡｌ又はＡｌ合金である。合金への添加元素としては、通常Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂが挙げられ、その中でも好ましくは、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｍｇである。最も好ましくはＴａである。また、その添加量としては、通常０．１原子％以上、好ましくは０．２原子％以上、より好ましくは０．３原子％以上である、通常５．０原子％以下、好ましくは２．０原子％以下、より好ましくは１．０原子％以下である。反射層の膜厚としては、通常１００ｎｍ以上、好ましくは１５０ｎｍ以上、より好ましくは１７５ｎｍ以上であり、通常４００ｎｍ以下、好ましくは３５０ｎｍ以下、より好ましくは３００ｎｍ以下である。反射層の形成方法としては、例えばＤＣスパッタリング法が用いられる。
【００２５】
保護層は、媒体の表面に耐スクラッチ性や耐食性の向上のために、必要に応じて設けられる。保護層の材質としては、適当な硬度、化学的バリヤ性や下地との接着性があればよく、紫外線硬化樹脂や熱硬化樹脂、好ましくは紫外線硬化樹脂が用いられる。保護層の膜厚としては、通常１μｍ以上、好ましくは１．５μｍ以上、より好ましくは２μｍ以上であり、通常２０μｍ以下、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは７μｍ以下である。その形成方法としては、例えば、紫外線硬化樹脂の場合、モノマーをスピンコート法で塗布した後、紫外線を照射して硬化させて形成させる方法が挙げられる。
【００２６】
接着層は、通常２枚の媒体を貼合せて使う場合にそれらの間に設けられる。この場合、接着層は、貼合せる２枚のディスクのうちの一方または両方に形成させて貼合せればよい。貼合せの方法は、貼合せ後の記録媒体の機械特性、接着層の材質の腐食性を考慮して選べば良く、ホットメルト法、遅延硬化法等が挙げられる。また、貼合せるディスクとしては、必ずしも同じディスクを貼合せる必要はなく、例えばダミー面と貼合せることにより、片面仕様ディスクとすることも出来る。
【００２７】
前述したように、通常、相変化記録層は成膜時に非晶質として堆積するため、相変化記録層を初期化と言われるプロセスで結晶化しておくのが好ましい。初期化はフラッシュランプアニール、もしくは５０から２００μｍ程度に集光したレーザービームを照射して、瞬間的に相変化記録層を結晶化温度以上に加熱することで行われる。
【００２８】
記録、消去及び再生に用いる光としては通常レーザーが用いられ、例えば半導体レーザー、固体レーザー、ガスレーザーなどが挙げられるが、半導体レーザーが好ましく用いられる。レーザー光の波長としては、通常４５０―９００ｎｍ程度であるが、特に０．５―０．７ｍｍ厚の基板を使用している場合には６００−７００ｎｍ以下が好適に用いられる。
信号の記録は、グルーブ部、ランド部、あるいは、それら双方に行うことが出来る。
【００２９】
【実施例】
以下に実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
ピッチ０．８μｍの案内溝が設けられた０．６ｍｍ厚のポリカーボネート基板上に、下誘電体層として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2 ）20を１００ｎｍ、相変化記録層としてＧｅ22Ｓｂ23Ｔｅ55を２５ｎｍ、上誘電体層として（ＺｎＳ）80（ＣｅＯ2 ）20を１７ｎｍ、反射層としてＡｌ99.5Ｔａ0.5 を２５０ｎｍ、順次積層した。この時、上下誘電体層の成膜は、それぞれＡｒガス圧力０．４Ｐａのもと上記組成の複合ターゲットを用いたＲＦスパッタリング法（１３．５６ＭＨｚ）により行った。また、相変化記録層及び反射層の成膜は、Ａｒガス圧力０．４ＰａでＤＣスパッタリング法により行った。更に、反射層の上に保護層として紫外線硬化樹脂ＳＤ−１７（大日本インキ化学工業（株）製）を４μｍの厚みで積層したのち、ホットメルト法により０．６ｍｍ厚ダミー基板と貼り合わせて、光学的情報記録媒体を作製した。
【００３０】
こうして得られたディスクに波長８１０ｎｍＬＤバルクイレーザを用いて初期化、すなわち相変化記録層の結晶化処理を行った後、以下の条件でディスクの高速記録特性評価、繰り返し記録特性評価及び高温高湿試験を実施した。
ディスクの評価にはパルステック工業（株）製のＤＤＵ−１０００（レーザー波長：６５８ｎｍ、ＮＡ：０．６）を用い、ディスクを線速度３．０ｍ／ｓで回転させながら最短マーク長０．５３μｍの８−１６変調信号を同一グルーブ上に１０回連続して記録（オーバーライト）した。
【００３１】
この際、長さｎＴのマークを幅Ｔｐｗの（ｎ−１）個の記録パルスに分割し、各パルスの後端を基準データクロック（周期Ｔｗ）に同期させて、最後端については、長さＴｗのオフパルスを照射した。記録パルスのパワーＰｐは１４．０ｍＷ、オフパルス期間のバイアスパワーＰｂ２は１．５ｍＷ、マーク間のパワーＰｂ１は４．５ｍＷであった。また、Ｔｐｗは１２．０ｎｓ、Ｔｗは５８．８ｎｓとした。この記録の様子を図２に示す。なお、図２はｎ＝７の場合を示しているが、本実施例においては、ｎ＝３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１４の値を取りうる。
【００３２】
また、記録信号の再生では、ディスクを線速度４．９ｍ／ｓで回転させ、再生レーザーパワーは１．０ｍＷとした。このディスクを再生して得られた信号を、横川電子（株）製のタイムインターバルアナライザーＴＡ３２０を用いてジッター（ジッターは、再生信号をイコライザーに通した後、ＤＣスライスして２値化して測定し、タイミングウインドウ（３６ｎｓ）に対して規格化した。尚、再生系はＥＣＭＡ２７４規格に準拠し、ジッター値９％未満を合格とした。）を評価したところ、７．２％であった。
【００３３】
引き続き、このディスクを７．３ｍ／ｓの線速度で回転させながら、未記録のトラックに対して同様に最短マーク長０．５３μｍの８−１６変調信号を１０回連続して記録した。レーザーパルスのパターンは前記と同様である。ただしＴｗは２４．２ｎｓ、Ｐｐは１２．９ｍＷとした。記録信号の再生では、ディスクを４．９ｍ／ｓで回転させ、再生レーザーパワーは１．０ｍＷとした。このディスクを再生して得られた信号より、同様にジッターを評価したところ７．６％であり、良好な記録線速度依存性を示した。
【００３４】
また、繰り返し記録特性（ジッター値が９％を越えるまでのオーバーライト回数）を調べたところ、１５万回であり良好な特性を示した。
更に、このディスクを８０℃、８５％ＲＨの高温高湿度条件下に５００時間放置した後、室温に戻し１日放置してから、未記録のトラックに対して線速度４．９ｍ／ｓで１０回記録、再生を行いジッターを評価したところ、７．８％であり良好なシェルフライフ特性を示した。
【００３５】
（実施例２）
下誘電体層として（ＺｎＳ）75（ＳｉＯ2 ）25を９５ｎｍ、相変化記録層としてＧｅ22Ｓｂ23Ｔｅ55を２３ｎｍ、上誘電体層として（ＺｎＳ）85（ＣｅＯ2 ）15を２０ｎｍ、反射層としてＡｌ99.5Ｔａ0.5 を２５０ｎｍ積層したこと以外は、実施例１と同様にして光学的情報記録媒体を作製し評価を行った。
記録線速度３．０ｍ／ｓではジッター７．５％、記録線速度７．３ｍ／ｓではジッター７．８％であり、良好な記録線速度依存性を示した。また、繰り返し記録特性は、１３万回であり良好な特性を示した。更に高温高湿条件放置後の１０回記録においてもジッター７．９％であり良好なシェルフライフ特性を示した。
【００３６】
（実施例３）
下誘電体層として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2 ）20を９０ｎｍ、相変化記録層としてＧｅ22Ｓｂ22Ｔｅ56を２６ｎｍ、上誘電体層として（ＺｎＳ）85（ＣｅＯ2 ）15を１８ｎｍ、反射層としてＡｌ99.2Ｔｉ0.8 を２２５ｎｍ積層したこと以外は、実施例１と同様にして光学的情報記録媒体を作製し評価を行った。記録線速度３．０ｍ／ｓではジッター７．３％、記録線速度７．３ｍ／ｓではジッター７．６％であり、良好な記録線速度依存性を示した。また、繰り返し記録特性は、１１万回であり良好な特性を示した。更に高温高湿条件放置後の１０回記録においてもジッター７．９％であり良好なシェルフライフ特性を示した。
【００３７】
（比較例１）
上誘電体層として（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2 ）20を１７ｎｍ積層したこと以外は、実施例１と同様にして光学的情報記録媒体を作製し評価を行った。記録線速度３．０ｍ／ｓではジッター７．５％、記録線速度７．３ｍ／ｓではジッター９．２％であり、高記録線速度でジッターの上昇を示した。また、繰り返し記録特性は、５万回であり不十分な特性を示した。更に高温高湿条件放置後の１０回記録においてはジッターが１１．４％まで上昇し、シェルフライフ特性の悪化が見られた。
【００３８】
（比較例２）
上誘電体層として（ＺｎＳ）85（ＳｉＯ2 ）15を１８ｎｍ積層したこと以外は、実施例１と同様にして光学的情報記録媒体を作製し評価を行った。記録線速度３．０ｍ／ｓではジッター７．２％、記録線速度７．３ｍ／ｓではジッター９．６％であり、高記録線速度でジッターの上昇を示した。また、繰り返し記録特性は、２万回であり不十分な特性を示した。更に高温高湿条件放置後の１０回記録においてはジッターが１０．７％まで上昇し、シェルフライフ特性の悪化が見られた。
【００３９】
（参考例）
（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2 ）20と（ＺｎＳ）80（ＣｅＯ2 ）20との製膜速度（スパッタリングレート）を比較した。
即ち、アルゴンガス圧力０．４Ｐａの下で上記それぞれのターゲット（４インチ）をＲＦスパッタリング法によってスパッタしスライドガラス上に製膜した。この際、スパッタパワーは３００ｗ、ターゲットを基板の距離は１０センチ、スパッタ時間は３０分であって。製膜後、膜の一部を剥がし、触針段差計で膜厚を測定し、製膜速度を求めた。
【００４０】
その結果、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2 ）20の製膜速度は１５５Åであり、（ＺｎＳ）80（ＣｅＯ2 ）20の製膜速度は９５Åであった。
このことは、硫化亜鉛と酸化セリウムとの混合物の膜は、製膜速度が遅いこと、及び、このような膜を膜厚の大きな層に用いた場合は特に生産性の悪化につながることを示している。
【００４１】
【発明の効果】
本発明によれば、相変化記録媒体の記録線速度依存性、繰り返し記録特性及びシェルフライフが大きく改善され、信頼性及び高速記録性能の向上した光学的情報記録媒体を生産性高く得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の光学的情報記録媒体の構成の一例を示す模式的断面図。
【図２】  実施例で用いた記録の際のレーザーパルスのパルスストラテジーを示す模式図。
【符号の説明】
１  基板
２  下誘電体層
３  相変化記録層
４  上誘電体層
５  反射層
６  保護層
【図１】
0004248645.tif 000002
【図２】
0004248645.tif 000003