(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレームの連結部から直角方向に延びる３本のリード部（３，４，５）と、３本のリード部（３，４，５）のうち、中央のリード部（３）の先端に、中央のリード部（３）と一体的に形成されたベース部（３Ａ）を有し、該ベース部（３Ａ）の上面側に半導体チップ（２）が搭載固着され、該半導体チップ（２）を含んで前記ベース部（３Ａ）の全体及び３本のリード部（３，４，５）の一部が、ゲート部（１０）からキャビティ（９）内に導入される樹脂（１１）により樹脂封止される樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
前記中央のリード部（３）を挟む両側のリード部（４，５）の先端に、前記ゲート部（１０）に対向する樹脂の流動抑制用折曲部（４Ａ，５Ａ）を設け、
中央のリード部（３）の上面側の樹脂（１１）の流れと、中央のリード部（３）の下面側の樹脂（１１）の流れとがリード部の金型鋏持部（１４）の位置で交わることにより、キャビティ（９）内の空気がリード部の金型鋏持部（１４）を介してキャビティ（９）外に排出されることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記樹脂の流動抑制用折曲部（４Ａ，５Ａ）に、キャビティ（９）内の流動樹脂（１１）を導くスリット（１３）を形成したことを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、キャビティ内にリードフレーム組立体を載置し、ゲート部から流入する樹脂により樹脂封止する樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
この種の樹脂封止型半導体装置の構造例を、図３を参照して説明する。
なお、図３は樹脂モールド部形成前のリードフレーム組立体の斜視図である。
図において、１は樹脂封止型半導体装置全体を示し、この樹脂封止型半導体装置１は、図示を省略したリードフレームの連結部から直角方向に延びる３本のリード部３，４，５を有する。
該リード部のうち、中央のリード部３の先端に、該リード部３と一体的に形成されたベース部３Ａを有し、該ベース部３Ａの上面側に半導体チップ２が搭載固着されている。
【０００３】
上記半導体チップ２の上面電極と両側のリード部４，５とは、ボンディングワイヤ６にて結線されている。
また、上記のベース部３Ａの端部近傍には、外部取付用の貫通孔７が形成されている。
上記のリードフレーム組立体を、図５に略図で示した金型８のキャビティ９内に載置する。
すなわち、ゲート１０部にベース部３Ａが対向するように、かつ、該ベース部３Ａの裏面側とキャビティ９の底面の間に薄い樹脂層が形成されるように載置する。
【０００４】
上記のようにするのは、完成した樹脂封止型半導体装置１を放熱板等に搭載して使用する場合に、半導体チップ２から発生する熱をベース部３Ａから放熱板等に薄い樹脂モールド部を介して効率良く伝達し、放熱効率を高めるためである。
【０００５】
上記の状態でゲート１０から樹脂１１をキャビティ９内に導入する。
すると、キャビティ９内に流入した樹脂は２方向に分かれて流れる。
すなわち、ベース部３Ａの上面側と下面側の流れが形成され、上面側の流れは、キャビティ９内の空隙が大きいために、下面側の樹脂の流れよりも流動速度が速く、概略、符号▲１▼→▲２▼→▲３▼→▲４▼の経路を辿って流れる。
【０００６】
これに対して、ベース部３Ａの下面側の流れは、キャビティ９の底面との隙間が狭いために、上面側の樹脂の流れに比較してその流動速度が相対的に遅くなり、概略、符号イ→ロ→ハ→ニの経路を辿って流れる。
そして、最終的に上面側の樹脂と下側の樹脂がキャビティ９内で交わることなく、ピンホール、ボイド等の樹脂の未充填部分１２が形成されてしまう場合があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
従来の樹脂封止型半導体装置は上記のように構成されるので、ベース部３Ａの下面側に樹脂の未充填部分が形成され易く、このため最終的に絶縁不良となるものがあった。
【０００８】
本発明は上記のような課題を解決すためになされたもので、ベース部の下面側に樹脂の未充填部分が形成されず、絶縁不良を発生させない樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明によれば、リードフレームの連結部から直角方向に延びる３本のリード部（３，４，５）と、３本のリード部（３，４，５）のうち、中央のリード部（３）の先端に、中央のリード部（３）と一体的に形成されたベース部（３Ａ）を有し、該ベース部（３Ａ）の上面側に半導体チップ（２）が搭載固着され、該半導体チップ（２）を含んで前記ベース部（３Ａ）の全体及び３本のリード部（３，４，５）の一部が、ゲート部（１０）からキャビティ（９）内に導入される樹脂（１１）により樹脂封止される樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
前記中央のリード部（３）を挟む両側のリード部（４，５）の先端に、前記ゲート部（１０）に対向する樹脂の流動抑制用折曲部（４Ａ，５Ａ）を設け、
中央のリード部（３）の上面側の樹脂（１１）の流れと、中央のリード部（３）の下面側の樹脂（１１）の流れとがリード部の金型鋏持部（１４）の位置で交わることにより、キャビティ（９）内の空気がリード部の金型鋏持部（１４）を介してキャビティ（９）外に排出されることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法が提供される。
【００１０】
請求項２に記載の発明によれば、前記樹脂の流動抑制用折曲部（４Ａ，５Ａ）に、キャビティ（９）内の流動樹脂（１１）を導くスリット（１３）を形成したことを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法が提供される。
【００１１】
【実施例】
以下に本発明の実施例を、図を参照して説明する。
図１は、図３と同様に樹脂モールド部形成前のリードフレーム組立体の斜視図である。
なお、図３と同等部分には同一符号が付してある。
本発明では、中央のリード部３を挟む両側のリード部４，５の先端に、樹脂の流動抑制用折曲部４Ａ，５Ａを形成することを特徴とするものである。この流動抑制用折曲部４Ａ，５Ａの形状は図示のように、リード部４，５から連続して延びた水平拡大頭部４Ｂ，５Ｂから下方に直角に折り曲げたもの、一定の曲率半径を有するようにしたもの等種々の形状、大きさが考えられる。
【００１２】
上記のリードフレーム組立体を図４に示す金型８のキャビティ９の所定の位置に載置してゲート１０から樹脂１１を導入した場合、該キャビティ９内で樹脂１１は次のように流れる。
【００１３】
すなわち、ゲート１０に対向する位置に樹脂の流動抑制用折曲部４Ａ，５Ａがあるために、ベース部３Ａの上面側での流動速度が抑制され、上面側では、概略、符合▲１▼→▲２▼→▲３▼→▲４▼の経路を辿って流れる。
一方、ベース部３Ａの下面側では、上面側での樹脂の流れに対して相対的に流動速度差が減少し、符号イ→ロ→ハ→ニの経路で流れ、かかる場合に、上面側の流れ▲４▼と下面側の流れニがリード部の金型鋏持部１４で交わるため、空気が該鋏持部１４より残らず出てピンホール、ボイド等の発生を抑制し、従来のように樹脂の未充填部分が形成されなくなる。
【００１４】
次に、本発明の他の実施例を、図２を参照して説明する。
この実施例では、樹脂の流動抑制用折曲部４Ａ，４Ｂ及び水平拡大頭部４Ｂ，５Ｂにそれぞれ複数のスリット１３を設けたものである。
【００１５】
この実施例によれば、キャビティ９内に導入された樹脂が該スリット１３を介してリード部４，５の下面側に回り込むために、キャビティ９内での樹脂１１の交わりが確実となり、より樹脂の未充填部分が形成され難くなる利点を有する。
なお、スリット１３の代わりに単なる丸形透孔であっても良い。
【００１６】
【発明の効果】
以上説明したように本発明は、リード部の先端に、ゲート部に対向する樹脂の流動抑制用折曲部を設けたので、キャビティ内でベース部上面側の樹脂の流動速度が抑制され、該ベース部下面側の流動速度との相対的速度差が縮小される。このため、上面側の樹脂の流れと下面側の樹脂の流れが、リード部の金型鋏持部で確実に交わることとなり、空気が該鋏持部より抜け、ピンホール、ボイドの発生等を抑制し、樹脂の未充填部分が形成されず、最終的に絶縁不良を回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の樹脂封止型半導体装置を製作するためのリードフレーム組立体の斜視図である。
【図２】他の実施例を示すリードフレーム組立体の斜視図である。
【図３】従来のリードフレーム組立体の斜視図である。
【図４】本発明の樹脂封止型半導体装置を製作する場合のキャビティ内の樹脂の流れを示す説明図である。
【図５】従来の樹脂封止型半導体装置を製作する場合のキャビティ内の樹脂の流れを示す示す説明図である。
【符号の説明】
１  樹脂封止型半導体装置
２  半導体チップ
３，４，５  リード部
３Ａ  ベース部
４Ａ，５Ａ  樹脂の流動抑制用折曲部
４Ｂ，５Ｂ  水平拡大頭部
６  ボンディングワイヤ
７  貫通孔
８  金型
９  キャビティ
１０  ゲート部
１１  樹脂
１２  未充填部分
１３  スリット
１４  リード部の金型鋏持部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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