(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、信号記録層と、この信号記録層に対して照射されるべきレーザ光が透過する公称厚さ１．２ｍｍ基板層とを有するディスク状記録媒体の製造方法において、
上記公称厚さを数ミクロンの範囲で変更することによってトラッキングエラー信号のレベルが最大となるフォーカスバイアス値となる基板層の厚さを決定し、この決定された厚さを有するように上記基板層を形成することを特徴とするディスク状記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ディスク状記録媒体及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、書き換え可能なディスク状記録媒体として光磁気ディスクが広く普及してきている。
上記光磁気ディスクに対応するディスクドライブ装置では、スピンドルモータにより回転されているディスクに対して、光ピックアップからそのディスク上のトラックに対してレーザ光を照射し、その反射光を検出することでデータの読出を行い、また、記録データにより変調されたレーザ光を照射することでデータの記録を行うようにされる。
【０００３】
レーザ光により記録又は再生動作を行うためには、レーザ光のスポットがディスクの記録面上において合焦状態で保たれなければならず、このためディスクドライブ装置には、レーザ光の出力端である対物レンズをディスクに接離する方向に移動させてフォーカス状態を制御するフォーカスサーボ回路系が搭載されている。このフォーカスサーボ回路系としては、通常、対物レンズをディスクに接離する方向に移動させるフォーカスコイル及びディスク半径方向に移動させることのできるトラッキングコイルを有する二軸機構と、ディスクからの反射光情報からフォーカスエラー信号（即ち合焦状態からのずれ量の信号）を生成し、そのフォーカスエラー信号に基づいてフォーカスドライブ信号を生成して、上記二軸機構のフォーカスコイルに印加するフォーカスサーボ制御系から構成されている。
【０００４】
上記フォーカスサーボ回路系の基本的な動作としては、フォーカスエラー信号レベルが０となるように、二軸機構のフォーカスコイルにフォーカスドライブ信号を印加して対物レンズと信号面との距離を調節するようにされる。つまり、対物レンズが信号面に対して合焦している状態が得られる状態となるように制御を行う。
【０００５】
そして、上記したフォーカスサーボ制御に関しては、デフォーカスマージンといわれるマージンを考慮して実機についての調整が行われる。
このデフォーカスマージンとは、ディスクドライブ装置におけるＲｅａｄ（再生）／Ｗｒｉｔｅ（記録）特性を規定するマージンの１つであり、例えばディスクの面振れや振動等によるジャストフォーカス位置のずれを考慮して与えられるものである。
例えば、実際のディスクドライブ装置としては、このデフォーカスマージンの範囲を考慮してフォーカスバイアス等をはじめとする各種設定を行うことで、安定したフォーカスサーボが得られるように設計されるものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
光磁気ディスクの種別としては、いわゆる４倍密度ディスクが広く知られているのであるが、近年においては、その２倍の記録密度を有する、いわゆる８倍密度ディスクも現れてきている。この８倍密度ディスクは、４倍密度ディスクよりもトラックピッチを狭くするなどの技術によって高記録密度化を実現しているものである。
【０００７】
ただし、ディスクドライブ装置として８倍密度ディスクに対応する場合には、そのデフォーカスマージンが、例えば４倍密度ディスクに対応する場合と比較して相当に小さくなってしまうことが問題となる。これは例えば上記のようにしてトラックピッチを狭くしたことなどによって、或る一定のデフォーカス量に対するエラーレートの増加率が高くなることに起因している。
例えばこのようにしてデフォーカスマージンが小さくなってしまった場合、これに関わらず安定した記録再生が実行されるようにするには、例えばフォーカスバイアスなどをシビアに設定して、すこしでもマージン範囲を大きく確保ことが必要とされることになる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
そこで本発明としては、上記のようにしてできるだけ多くのマージンを確保するために、次のように構成するものである。
【０００９】
本発明のディスク状記録媒体は、少なくとも、信号記録層と、この信号記録層に対して照射されるべきレーザ光が透過する公称厚さ１．２ｍｍの基板層とを有し、上記基板層は、上記公称厚さを数ミクロンの範囲で変更することによって得られたトラッキングエラー信号のレベルが最大となるフォーカスバイアス値となる基板層の厚さを有して形成されている。
【００１０】
また、少なくとも、信号記録層と、この信号記録層に対して照射されるべきレーザ光が透過する公称厚さ１．２ｍｍ基板層とを有するディスク状記録媒体の製造方法において、上記公称厚さを数ミクロンの範囲で変更することによってトラッキングエラー信号のレベルが最大となるフォーカスバイアス値となる基板層の厚さを決定し、この決定された厚さを有するように上記基板層を形成する。
【００１１】
例えば基板層は、それを形成する材質によって特定の屈折率を有するのであるが、上記構成のようにして基板層の厚さを変化させることで、基板層表面から信号層表面までの距離を変化させることができる。つまり、基板層の厚さを調整することによって、基板層表面から入射して信号層表面に到達した状態でのレーザ光のフォーカス状態を調整することが可能となるものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明する。説明は次の順序で行う。
１．ディスク層構造
２．ディスクドライブ装置
３．ディスク基板厚の調整
【００１３】
１．ディスク層構造
本実施の形態としてのディスク状記録媒体は、いわゆる８倍密度ディスクといわれる光磁気ディスクであるものとする。この光磁気ディスクは、直径サイズが公称５．２５インチとされ、ディスクの厚みは公称１．２ｍｍとされている。
【００１４】
図１は、本実施の形態としての光磁気ディスクＤの層構造を概念的に示している。
この光磁気ディスクＤの層構造としては、まずディスク表面１０７側に、光透過率が高くかつ耐機械的特性或いは耐化学特性を有する透明ポリカーボネイト樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、或いはアクリル樹脂等の透明な合成樹脂材料による基板（透明層）１０１が形成される。
そして基板１０１上に対しては、誘電体膜１０２が形成され、続いて実際にデータが磁気ピットとして記録される磁性膜（記録層）１０３が形成される。また、この磁性膜１０３上には、更に誘電体膜１０４が形成される。つまり、磁性膜１０３は、２つの誘電体膜１０２，１０４により挟まれるようにして位置している。
ここで、磁性膜１０３としては、記録トラックとしてのグルーブ１０８、及びグルーブ１０８間のランド１０９に対応した凹凸が形成される。
【００１５】
上記誘電体膜１０４上には、ディスク表面１０７から入射してきたレーザ光を反射するための反射膜１０５が形成される。
【００１６】
そして、反射膜１０５上には例えば接着剤１０６が塗布される。一般に、本実施の形態としての光磁気ディスクは、上記基板１０１〜反射膜１０５から成るディスク面部１１０を２枚貼り合わせた、いわゆる両面ディスクとして使用されることが多く、従って、接着剤１０６が塗布された層に対しては、図示しないもう１つのディスク面部１１０の反射膜１０５側が接着されることで両面ディスクの構造を得るようにされる。
なお、この図に示す光磁気ディスクＤが１つのディスク面部１１０のみを有する単層ディスクである場合には、この接着剤１０６の層上に対して、例えばラベル面などのダミー板層が形成される。
なお、この図に示す層構造は概念的なもので、実際の誘電体膜１０２〜反射膜１０５から成る層は非常に薄いものとなっており、１．２ｍｍとされているディスク厚のほとんどは、基板１０１が占めている。
【００１７】
２．ディスクドライブ装置
図２は、本実施の形態の光磁気ディスクＤに対応して記録再生を実行可能なディスクドライブ装置の要部の構成を示すブロック図である。
光磁気ディスクＤは、ターンテーブル７に載せられて再生動作時においてスピンドルモータ６によって一定線速度（ＣＬＶ）もしくは一定角速度（ＣＡＶ）で回転駆動される。そして光学ピックアップ１によって光磁気ディスクＤの信号面に記録されているデータの読み出しが行われる。
【００１８】
光学ピックアップ１は、レーザ光の光源となるレーザダイオード４と、偏向ビームスプリッタや対物レンズ２からなる光学系、及びディスクに反射したレーザ光のカー回転角変化を検出するためのフォトディテクタ５等が備えられて構成されている。ここで、対物レンズ２は、二軸機構３によってトラッキング方向及びフォーカス方向に移動可能に支持されている。
【００１９】
図３は、光学ピックアップ１における光学系の構造例を示す。
この図に示す光学系としては、レーザダイオード４から出力されるレーザビームは、コリメータレンズ５１で平行光にされた後、ビームスプリッタ５２により光磁気ディスクＤ側に９０度反射され、対物レンズ２から光磁気ディスクＤに照射される。
光磁気ディスクＤで反射された反射光は、対物レンズ２を介してビームスプリッタ５２に入り、そのまま透過して集光レンズ５３に達する。そして集光レンズ５３で集光された後、円筒レンズ（シリンドリカルレンズ）５４を介してフォトディテクタ５に入射される。
【００２０】
ここで、レーザーダイオード４は、実際に再生されるべきディスク種別に対応してその中心波長が設定され、対物レンズ２の開口率ＮＡも実際に再生されるべきディスク種別に対応して設定される。
【００２１】
当該ディスクドライブ装置の再生動作によって、光磁気ディスクＤから反射されたレーザ光はフォトディテクタ５によって受光電流として検出される。そして、この受光電流をディスクから読み出した情報信号としてＲＦアンプ９に対して出力する。
ＲＦアンプ９は、電流−電圧変換回路、増幅回路、マトリクス演算回路（ＲＦマトリクスアンプ）等を備え、フォトディテクタ５からの信号に基づいて必要な信号を生成する。例えば再生データであるＲＦ信号、サーボ制御のためのプッシュプル信号ＰＰ、フォーカスエラー信号ＦＥ、トラッキングエラー信号ＴＥ、いわゆる和信号であるプルイン信号ＰＩなどを生成する。
【００２２】
フォトディテクタ５としては図４（ａ）のような向きで、検出部Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄから成る４分割ディテクタ５ａが設けられており、この場合フォーカスエラー信号ＦＥは検出部Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの出力について、ＦＥ＝（Ａ＋Ｃ）−（Ｂ＋Ｄ）の演算により生成される。
【００２３】
図５には、対物レンズ２のディスク信号面に対するフォーカス状態に応じて４分割ディテクタ５ａにて得られる、反射光としてのビームスポットＳＰのパターン例を示している。
例えば、対物レンズ２のディスク信号面に対するフォーカス状態として、ジャストフォーカスの状態であるとされる場合には、図５（ａ）に示すようにして、受光素子Ａ，Ｂ，Ｃ，ＤにてビームスポットＳＰが受光される。つまり、受光素子Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄに対してほぼ均等な受光量が得られる。
これに対して、対物レンズ２のディスク信号面に対するフォーカス状態として、合焦状態よりも近い位置にある場合には、図５（ｂ）に示すようにして、受光素子Ｂ，Ｄよりも受光素子Ａ，Ｃにて多くの受光量が得られるようにしてビームスポットＳＰが受光される。また、合焦状態よりも遠い位置にある場合には、図５（ｃ）に示すようにして、受光素子Ａ，Ｃよりも受光素子Ｂ，Ｄにて多くの受光量が得られるようにしてビームスポットＳＰが受光される。
【００２４】
このようにして、フォーカス状態に応じて受光素子Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄにおける受光領域が変化するが、このような受光素子Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄについて、上記した演算を行う結果フォーカスエラー信号ＦＥが得られることになる。この場合には、ジャストフォーカス状態よりも近ければデフォーカスに応じて、０レベルに対応する基準値に対して正の領域で変動し、逆に、ジャストフォーカス状態よりも遠ければデフォーカスに応じて、基準値に対して負の領域で変動する信号となる。
【００２５】
また、プルイン信号ＰＩについては、ＰＩ＝（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ）となる。
また、この４分割ディテクタ５ａでプッシュプル信号ＰＰを生成する場合は、図４（ｂ）に示すようにディテクタ５ａの検出部Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの出力について、差動アンプ５ｂで（Ａ＋Ｄ）−（Ｂ＋Ｃ）の演算を行うことにより生成することができる。
また、トラッキングエラー信号ＴＥは、いわゆる３ビーム方式を考えれば、図４に示した４分割ディテクタとは別にサイドスポット用のディテクタＥ，Ｆを用意し、Ｅ−Ｆの演算で生成してもよい。
【００２６】
図１に説明を戻す。
ＲＦアンプ９で生成された各種信号は、二値化回路１１、サーボプロセッサ１４に供給される。即ちＲＦアンプ９からの再生ＲＦ信号は二値化回路１１へ、プッシュプル信号ＰＰ、フォーカスエラー信号ＦＥ、トラッキングエラー信号ＴＥ、プルイン信号ＰＩはサーボプロセッサ１４に供給される。
【００２７】
ＲＦアンプ９から出力される再生ＲＦ信号は二値化回路１１で二値化されること
で二値化信号（例えばＥＦＭ信号（８−１４変調信号）、或いはＥＦＭ＋信号（８−１６変調信号）等）とされ、エンコーダ／デコーダ１２、ＰＬＬ(Phase Locked Loop)回路２０、及びジッター検出回路２１に対して分岐して供給される。
【００２８】
ＰＬＬ回路２０では、入力された二値化信号のチャンネルビット周波数に同期した再生クロックＰＬＣＫを生成する。この再生クロックＰＬＣＫは、再生時における信号処理等のための基準クロックとして利用され、例えば図のようにエンコーダ／デコーダ１２に対して供給されて、エンコーダ／デコーダ１２における再生信号処理タイミングの基準となる。
【００２９】
再生時において、エンコーダ／デコーダ１２のデコード部ではＥＦＭ復調、又はＥＦＭ＋復調，更に、所定方式に従った誤り訂正処理（ＲＳ−ＰＣ方式、ＣＩＲＣ方式等）を行い光磁気ディスクＤから読み取られた情報の再生を行う。そして、エンコーダ／デコーダ１２によりデコードされたデータはインターフェース部１３を介して、図示しないホストコンピュータなどに供給される。
また、エンコーダ／デコーダ１２においては、再生クロックＰＬＣＫからディスク回転速度情報を得る。このディスク回転情報は光学ピックアップ１から出力されるレーザスポットと、記録ピットが形成されているトラックとの相対的な速度を示す。
【００３０】
また、光磁気ディスクＤにデータを記録する場合には、例えば図示しないホストコンピュータから供給されたデータがインターフェース部１３を介してエンコーダ／デコーダ１２のエンコード部に送られる。
【００３１】
このエンコード部では、上記インターフェース部１３から入力されたデータについて、所定方式に従った誤り訂正符号の付加とエンコード処理とを施し、さらに光磁気ディスクＤへの記録のための所定の変調処理を行って記録データＷＤを生成する。
ここで、光変調オーバーライト方式により記録を行うのであれば、この記録データＷＤをレーザドライバ１８に出力する。レーザドライバ１８では、供給された記録データに基づいて変調したレーザダイオード駆動電圧を生成して、光学ピックアップ１のレーザダイオード４を駆動する。これにより、レーザダイオード４からは、記録データＷＤにより変調されたパルス発光を行うようにされる。この一方で、例えばシステムコントローラ１０では、磁気ヘッドドライバ２２を制御することで、磁気ヘッド２３から例えば所要の一定レベルの磁界を発生させて光磁気ディスクＤに印加させる。このようにして、光変調オーバーライト方式によるデータ記録が実現される。
【００３２】
また、磁界変調オーバーライト方式（ここでは単純磁界変調方式を例に挙げる）により記録を行うのであれば、エンコーダ／デコーダ１２のエンコード部にて生成された記録データＷＤを磁気ヘッドドライバ２２に供給するようにされる。磁気ヘッドドライバ２２では、入力された記録データＷＤに対応する駆動信号を磁気ヘッド２３に出力することで、磁気ヘッド２３からは、記録データに応じたＮ又はＳの磁界を発生してディスクに印加する。これと共に、システムコントローラ１０では、所要の記録レベルに対応するレーザパワーを設定したレーザ駆動制御データを生成し、例えばサーボプロセッサ１４を介してレーザドライブ信号としてレーザドライバ１８に出力する。これにより、レーザダイオード４からは記録レベルに対応するレーザパワーによる発光が行われる。
このようにして、記録データにより変調された外部磁界を印加すると共に、記録レベルのレーザパワーによるレーザ光の照射を行うことで、磁界変調オーバーライト方式による記録が可能となる。
なお、磁界変調オーバーライト方式として、単純磁界変調方式よりも高記録密度化を図ったいわゆるレーザストローブ磁界変調方式が提案されているが、この方式に依るデータ記録を行う場合には、記録データにより変調された外部磁界を印加すると共に、記録データのクロックタイミングに応じてレーザ光をパルス発光させるようにシステムコントローラ１０が制御を実行すればよい。
【００３３】
上記した何れの光磁気記録方式においてもいえることであるが、記録時の光学ピックアップ３のレーザダイオード４は、光磁気ディスクＤの記録面上の温度をいわゆるキュリー点まで上昇させるだけのパワーを有するレーザ光を発生し、当該レーザ光によりキュリー点まで温度が上昇した光磁気ディスクＤの記録面に対して、上記磁気ヘッド２３が磁界を印加し、その後、光磁気ディスクＤの回転に伴って当該記録面の温度が低下することで上記印加した磁界が残り、これにより記録が行われたことになるものである。
【００３４】
サーボプロセッサ１４は、ＲＦアンプ９からのフォーカスエラー信号ＦＥ、トラッキングエラー信号ＴＥ、プッシュプル信号ＰＰ等から、フォーカス、トラッキング、スレッド、スピンドルの各種サーボドライブ信号を生成しサーボ動作を実行させる。即ちフォーカスエラー信号ＦＥ、トラッキングエラー信号ＴＥに応じてフォーカスドライブ信号ＦＤＲ、トラッキングドライブ信号ＴＤＲを生成し、二軸ドライバ１６に供給する。
【００３５】
二軸ドライバ１６は、例えばフォーカスコイルドライバ１６ａ、及びトラッキングコイルドライバ１６ｂを備えて構成される。フォーカスコイルドライバ１６ａは、上記フォーカスドライブ信号ＦＤＲに基づいて生成した駆動電流を二軸機構３のフォーカスコイルに供給することにより、対物レンズ２をディスク面に対して接離する方向に駆動する。トラッキングコイルドライバ１６ｂは、上記トラッキングドライブ信号ＴＤＲに基づいて生成した駆動電流を二軸機構３のトラッキングコイルに供給することで、対物レンズ２をディスク半径方向に沿って移動させるように駆動する。
これによって光学ピックアップ１、ＲＦアンプ９、サーボプロセッサ１４、二軸ドライバ１６によるトラッキングサーボループ及びフォーカスサーボループが形成される。
【００３６】
また、サーボプロセッサ１４は、後述するスピンドルモータドライバ１７に対して、スピンドルエラー信号ＳＰＥから生成したスピンドルドライブ信号を供給する。スピンドルモータドライバ１７はスピンドルドライブ信号に応じて例えば３相駆動信号をスピンドルモータ６に印加し、スピンドルモータ６が所要の回転速度となるように回転駆動する。
また、サーボプロセッサ１４はシステムコントローラ１０からのスピンドルキック（加速）／ブレーキ（減速）信号に応じてスピンドルドライブ信号を発生させ、スピンドルモータドライバ１７によるスピンドルモータ６の起動または停止などの動作も実行させる。
【００３７】
また、サーボプロセッサ１４は、例えばトラッキングエラー信号ＴＥの低域成分から得られるスレッドエラー信号や、システムコントローラ１０からのアクセス実行制御などに基づいてスレッドドライブ信号を生成し、スレッドドライバ１５に供給する。スレッドドライバ１５はスレッドドライブ信号に応じてスレッド機構８を駆動する。スレッド機構８は光学ピックアップ１全体をディスク半径方向に移動させる機構であり、スレッドドライバ１５がスレッドドライブ信号に応じてスレッド機構８内部のスレッドモータを駆動することで、光学ピックアップ１の適正なスライド移動が行われる。
【００３８】
更に、サーボプロセッサ１４は、光学ピックアップ１におけるレーザダイオード４の発光駆動制御も実行する。レーザダイオード４はレーザドライバ１８によってレーザ発光駆動されるのであるが、サーボプロセッサ１４は、システムコントローラ１０からの指示に基づいて記録再生時などにおいてレーザ発光を実行すべきレーザドライブ信号を発生させ、レーザドライバ１８に供給する。これに応じてレーザドライバ１８がレーザダイオード４を発光駆動することになる。
【００３９】
なお、サーボプロセッサ１４のフォーカスサーボ系においては、フォーカスサーボループによる回路系が収束するための目標値として、フォーカスエラー信号に重畳すべきフォーカスバイアスとしての電圧レベルを発生して出力する。
フォーカスオフセット値として「０」であるとすれば、フォーカスエラー信号レベルが０となるようにしてフォーカスサーボループ回路系が動作することになる。また、値「ｘ」としてのフォーカスバイアス値が設定されたとすれば、フォーカスエラー信号の０レベルに対して、このフォーカスバイアス値「ｘ」によりシフトされたレベルに収束するように動作することになる。
【００４０】
以上のようなサーボ及びエンコード／デコードなどの各種動作はマイクロコンピュータ等を備えて構成されるシステムコントローラ１０により制御される。
例えば再生開始、終了、トラックアクセス、早送り再生、早戻し再生などの動作は、システムコントローラ１０がサーボプロセッサ１４を介して光学ピックアップ１の動作を制御することで実現される。
【００４１】
なお、図２に示すディスクドライブ装置としては、本実施の形態としての光磁気光磁気ディスクＤである８倍密度ディスクに加え、これより以前から知られている４倍密度ディスクに対応しての記録再生も可能なように構成されて良いものである。
【００４２】
３．ディスク基板厚の調整
本実施の形態としての光磁気ディスクＤ、つまり８倍密度ディスクは、従来例においても説明したように、例えばこれより以前から知られている４倍密度ディスクと比較して、デフォーカスマージンの範囲が狭くなっている。
そして、本実施の形態としては、このデフォーカスマージンをできるだけ大きく確保して、より信頼性の高い記録再生動作が得られるようにするのにあたり、以降説明するようにして、製品としての光磁気ディスクＤの基板１０１の厚みを調整するものである。
【００４３】
ところで光磁気ディスクとしては、前述したように４倍密度ディスクと８倍密度ディスクとが規格上存在するのであるが、これら４倍密度ディスクと８倍密度ディスクとのデフォーカスマージンについて説明しておく。
図８には、４倍密度ディスクについてのＲｅａｄ／Ｗｒｉｔｅ特性として、フォーカスバイアスに対する、Ｖ−ｊｉｔｔｅｒ値及びトラッキングエラー信号ＴＥのレベル（以降、ＴＥレベルと略す）が示される。
【００４４】
ここで、Ｖ−ｊｉｔｔｅｒとは、ここでの詳しい説明は省略するが、信号の時間軸的なジッターではなく、レベル的なジッターを計測して得られる値とされる。このＶ−ｊｉｔｔｅｒは、その値が小さいほど、ジャストフォーカスに近い状態が得られていることになる。このＶ−ｊｉｔｔｅｒはデフォーカスマージンのための評価関数として扱われる。
また、トラッキングエラー信号ＴＥとしては、ここではそのレベルが大きくなるほど適正なオントラック状態に近づくものとされている。
【００４５】
そして、図８に示されるように、フォーカスバイアス変化に対するＶ−ｊｉｔｔｅｒ値の特性は、共に比較的ブロードなものとなっている。このため、Ｖ−ｊｉｔｔｅｒ値のデフォーカスマージンとしても、フォーカスバイアスの保証範囲を充分にカバーできる程度に大きなものとなっている。
なお、ＴＥレベルとしても、上記Ｖ−ｊｉｔｔｅｒ値と同様な特性が示されている。
【００４６】
これに対して、８倍密度ディスクのＲｅａｄ／Ｗｒｉｔｅ特性は図７に示される。図７においても、フォーカスバイアス変動に対するＶ−ｊｉｔｔｅｒ値及びＴＥレベルが示されている。この図では、Ｖ−ｊｉｔｔｅｒの特性として曲線ｊ１，ｊ２が示され、ＴＥレベルの特性として曲線ＴＥ１，ＴＥ２が示されているが、ここでは便宜上、曲線ｊ２を参照して説明する。曲線ｊ２は、或る特定の基板厚を有する８倍密度ディスクに関するＶ−ｊｉｔｔｅｒの特性を示しているものである。
【００４７】
例えば、図７に示す曲線ｊ２と、図８に示したＶ−ｊｉｔｔｅｒ値の特性とを比較して分かるように、フォーカスバイアス変化に対する曲線ｊ２の特性としては、共に範囲が狭くなっており、従って、デフォーカスマージンも非常に小さくなっている。
【００４８】
このように、８倍密度ディスクとしては、４倍密度ディスクよりもデフォーカスマージンが小さくなるため、その分、ディスクドライブ装置としては安定した記録再生を行うことがむずかしくなる。
【００４９】
ところで、デフォーカスマージンは、前述もしたように、各種要因によっても変化することが分かっている。例えば、ディスクドライブ装置のディスク回転駆動系や光学系の特性によっても変化し、また、ディスクの物理的なばらつき要因によっても変化するものである。
そして実験結果として、デフォーカスマージンに関しては、ディスクに起因する変化が非常に大きいことが分かった。そこで本出願人としては、ここに着目し、意図的にディスクの基板厚を変更することにより、デフォーカスマージンを確保するという発想に到った。
【００５０】
図６は、ディスクの基板厚を変更することによるフォーカス状態の変化を概念的に示している。また、この図に示される光磁気ディスクＤとしては、図１に示した断面構造において、ここでの説明に関わるとされる基板１０１〜磁性膜（記録層）１０３の層のみを示し、残る他の層についての図示は省略している。
ここで、例えば図６（ａ）に示すようにして、光磁気ディスクＤの基板１０１が或る特定の厚さａを有しているとする。そして、ディスクドライブ装置のハード的特性及びフォーカスサーボ制御特性、また、ディスクの物理的諸スペックが或る一定の条件の下で、この光磁気ディスクＤに対してデータ記録または再生を行ったとする。
この図６（ａ）の場合では、対物レンズ２をその出力端として出射されるレーザ光Ｌは、例えばジャストフォーカスとされる状態に対して、これよりも近い傾向での、或る特定量のデフォーカス状態となっていることが示されている。
【００５１】
これに対して、図６（ｂ）には、上記図６（ａ）に示す光磁気ディスクＤの基板１０１の厚さａに対して厚さｂを足した、厚さｃの基板１０１が形成された光磁気ディスクＤが示されている。なお、実際におけるこの基板１０１の厚さの変化量（即ち厚さｃ）は数ミクロンのオーダーとされる。
そして、例えば図６（ａ）の場合と同じ条件のもとで記録又は再生を実行したとする。
【００５２】
基板１０１は、その材質によって固有となる屈折率を有している。基板１０１のディスク表面１０７から入射したレーザ光Ｌは、基板１０１に固有の屈折率によって屈折されて基板１０１を透過するのであるが、基板１０１の厚さ、即ちディスク表面１０７から磁性膜１０３までの距離が変わっていることで、レーザ光Ｌが磁性膜１０３に到達したときの合焦状態も自ずと変化することになる。この図６（ｂ）の場合には、図６（ａ）の場合よりも、焦点距離が遠くなるようにされることで、ほぼジャストフォーカスに近い状態にあることが示されている。
以上の説明からディスクの基板厚を変更することで、フォーカス特性は変化することが理解される。
【００５３】
そして、上記図６に示した概念に基づいて、実際にディスクドライブ装置の特性や、ディスク基板厚以外のディスクの物理的スペックなどの条件を一定として、ディスク基板厚のみを変更してデフォーカスマージンの測定を行ったところ、このデフォーカスマージンの評価関数であるＶ−ｊｉｔｔｅｒ値の最も小さくなるフォーカスバイアス値が変化することが確認できた。
【００５４】
この点について、図７を再度参照して説明する。
ここで、確認のために述べておくと、図７は、８倍密度ディスクに関するＲｅａｄ／Ｗｒｉｔｅ特性として、フォーカスバイアス変化に対するＶ−ｊｉｔｔｅｒ値及びＴＥレベルを示している。
また、曲線ｊ２，曲線ＴＥ２は、或る特定の基板厚を有する８倍密度ディスクに関する特性である。ここでは、曲線ｊ２，曲線ＴＥ２の特性を有する基板厚のディスクについて、ディスク２ということにする。
また、曲線ｊ１，曲線ＴＥ１は、上記ディスク２とは異なる基板厚を有する８倍密度ディスクに関する特性を示している。このディスクについては、ディスク１ということにする。
また、このディスク１とディスク２についての特性は、同一条件下で得られたものとする。
【００５５】
図７におけるディスク１とディスク２についてのＶ−ｊｉｔｔｅｒ値の特性である曲線ｊ１，ｊ２を比較して分かるように、ディスク２の特性である曲線ｊ２の場合、Ｖ−ｊｉｔｔｅｒ値の最も小さくなるフォーカスバイアス値は、矢印Ａで示されることになる。これに対して、ディスク２の特性である曲線ｊ１では、Ｖ−ｊｉｔｔｅｒ値の最も小さくなるフォーカスバイアス値は、矢印Ｂにより示される位置に変化していることが分かる。そして、例えば曲線ｊ１，ｊ２を比較した場合には、Ｖ−ｊｉｔｔｅｒ値の最も小さくなるフォーカスバイアス値としては、曲線ｊ１のほうがフォーカスバイアス基準値（０）に近いために、例えば動作保証範囲内で有効となるデフォーカスマージンも広いことになる。つまり、ディスク１のほうがより広いデフォーカスマージンを得ていることになる。
【００５６】
これはつまり、光磁気ディスクの基板厚を調整することで、できるだけ広いデフォーカスマージンが確保できることを意味している。
従って、例えば実際としては、一般的に想定される特定条件の下で、図７により説明した概念に従って、Ｖ−ｊｉｔｔｅｒ値の最も小さくなるフォーカスバイアス値と、基板厚との関係を求めるための試験を行い、この試験結果に基づいて決定した基板厚による光磁気ディスクを製造するようにされる。結果的に、このようにして製造された光磁気ディスクは、デフォーカスマージンの広いものとなり、記録再生に関して信頼性の高いディスクとしてユーザに提供できることになる。
【００５７】
また、本出願人が行った試験に依っては、光磁気ディスクの基板厚を変更することで、トラッキングエラー信号ＴＥが最適となるフォーカスバイアス値も変化することが確認された。この結果も、図７に概念的に示されている。
例えばディスク２のトラッキングエラー信号ＴＥの特性を示す曲線ＴＥ２では、オントラック状態とされてトラッキングエラー信号ＴＥが最大となるフォーカスバイアス値は、矢印Ｄで示される。
これに対して、基板厚を変更したディスク１のトラッキングエラー信号ＴＥの特性を示す曲線ＴＥ１では、トラッキングエラー信号ＴＥが最大となるフォーカスバイアス値は矢印Ｃで示される位置に変わっている。
従って、本実施の形態としては、基板厚を変更することで、デフォーカスマージンの拡大だけでなく、トラッキングエラー信号ＴＥに対応した最適なフォーカスバイアス値を設定することが可能になる。これによっても、ディスクドライブ装置側では、より容易に、安定した記録再生動作を得ることが可能になるものである。
【００５８】
なお、実際のディスク基板厚の設定にあたっては、Ｖ−ｊｉｔｔｅｒとトラッキングエラー信号ＴＥの何れか一方についての試験を行って設定を行うようにしても良いし、両者について試験を行って得られた結果に基づいて設定を行うようにしても良いものである。
【００５９】
また、上記実施の形態にあっては、光磁気ディスクとして８倍密度ディスクを例に挙げているが、これは現状の光磁気ディスク事情に対応した場合の例にすぎないものであり、他の倍密度ディスクに適用して全く構わないものである。また、例えば相変化方式により記録再生が行われるディスクなど、光磁気ディスク以外のディスクメディアについても適用が可能であり、さらには、書き換え不可の再生専用ディスクなどに対しても適用は可能とされる。
【００６０】
【発明の効果】
以上説明したように本発明は、ディスク状記録媒体の基板厚を調整することによって、フォーカスバイアス値が所定範囲内に収まるようにされる。或いは、このようなディスク状記録媒体を製造して得るようにされる。
このようにして得られたディスクでは、より広いデフォーカスマージンを確保することができるようになるため、実際にディスクドライブ装置によって記録又は再生されるときのエラーレートが低くなるものである。つまり、本発明は、記録再生に関して信頼性の高いディスクを提供することができるものであり、特に、高密度化を図っているためにデフォーカスマージンが狭くなったディスクに適用することで、多大な効果が得られるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態としての光磁気ディスクの層構造を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態のディスクドライブ装置の構成を示すブロック図である。
【図３】光学ピックアップの光学系の構造例を概念的に示す構造図である。
【図４】光学ピックアップのフォトディテクタによる検出動作を示す説明図である。
【図５】フォトディテクタにおいて受光するビームスポット形状をフォーカス状態に応じて示す説明図である。
【図６】ディスク基板厚に対応するフォーカス状態の変化を概念的に示す説明図である。
【図７】８倍密度ディスクのＲｅａｄ／Ｗｒｉｔｅ特性を示す説明図である。
【図８】４倍密度ディスクのＲｅａｄ／Ｗｒｉｔｅ特性を示す説明図である。
【符号の説明】
２  対物レンズ、１０１  基板、１０２  誘電体膜、１０３  磁性膜、１０４誘電体膜、１０５反射膜、１０６  接着剤、１０７  ディスク表面、１０８  グルーブ、１０９  ランド、１１０  ディスク面部、Ｄ  光磁気ディスク、Ｌ  レーザ光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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