(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線パッドが設けられた第１の集積回路装置と、前記第１の集積回路装置の前記配線パッドに対向した位置に配線パッドが設けられた第２の集積回路装置とが異方性導電膜を挟んで接続され、前記第２の集積回路装置側から外部端子が導出されている半導体集積装置において、
前記第２の集積回路装置に、前記第１の集積回路装置の各静電保護用ダイオードが接続されている電源線のための前記配線パッドと対向する位置に電源用配線パッドを設け、この第２の集積回路装置に設けた電源用配線パッドは直接に外部端子へ接続し、
前記第２の集積回路装置側にモニタ用外部端子を１端子のみ設けると共に、前記第２の集積回路装置に前記モニタ用外部端子と任意の配線パッドとが選択的に結合され、且つ前記モニタ用外部端子からの信号によってテストコントロール回路の出力信号を制御し、その出力信号に応じていずれか一つのみが選択される複数のスイッチ手段を設ける、
ことを特徴とする半導体集積装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、集積回路装置と集積回路装置とを電気的に接続し、一体とした半導体集積装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
１つの集積回路装置に他の集積回路装置を電気的に接続し、これらを一体として構成した半導体集積装置が、開発され利用されている。図６は、従来のそのような一体化構成の半導体集積装置を示す図である。
【０００３】
図６において、第１の半導体集積回路装置６１０には配線パッド６４０が形成され、この配線パッド６４０に突起電極、すなわちバンプ６５０が形成されている。第２の半導体集積回路装置６２０には、第１の半導体集積回路装置６１０の配線パッド６４０に対向するように、配線パッド６６０が形成され、この配線パッド６６０に突起電極、すなわちバンプ６７０が形成されている。そして、この第１の半導体集積回路装置６１０と第２の半導体集積回路装置６２０の間に、接着性の樹脂層とこの樹脂層中に散在された導電粒子から構成されている異方性導電膜６３０が配置されている。
【０００４】
この異方性導電膜６３０は、第１の半導体集積回路装置６１０と第２の半導体集積回路装置６２０との間に挟まれ、バンプ６５０とバンプ６７０とが向き合うようにして、当接させた状態で加圧（および加熱）されている。したがって、第１の半導体集積回路装置６１０のバンプ６４０と第２の半導体集積回路装置６２０のバンプ６７０に挟まれた部分では、異方性導電膜６３０が加圧され、その部分の異方性導電膜６３０に導電性が生じ、バンプ６５０とバンプ６７０とが電気的に接続されている。
【０００５】
この状況は、第１の半導体集積回路装置６１０と第２の半導体集積回路装置６２０間で電気的に接続すべき複数の箇所で同時に得られ、第１の半導体集積回路装置６１０と第２の半導体集積回路装置６２０とは所要の接続が行われている。
【０００６】
そして、このように第１の半導体集積回路装置６１０と第２の半導体集積回路装置６２０とが一体化された半導体集積装置６００は、第２の半導体集積回路装置６２０の端部に設けられた配線パッド６８０と外部接続用リード端子Ｔとの間をワイヤＷでボンディング接続したうえで、樹脂により封止して、最終的にパッケージされる。
【０００７】
この方式による一体化構成の半導体集積装置６００では、一体化のための接続にワイヤによるボンディングの必要がなく短時間で作業が行えるし、また小型化できる、といった利点がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このチップオンチップ方式による一体化構成の半導体集積装置６００では、上のチップである第１の半導体集積回路装置６１０の配線パッド（以下、バンプを用いる場合には、それも含めて使用する）が、下のチップである第２の半導体集積回路装置６２０の対抗した配線パッドに接続されており、さらに第２の半導体集積回路装置６２０の内部のゲート類を介して外部端子Ｔと接続されている。
【０００９】
このために、上のチップである第１の半導体集積回路装置６１０の配線パッドと、下のチップである第２の半導体集積回路装置６２０の配線パッドとの間の接触抵抗の値を測定することができず、したがって、製品として組み立てた後の接触不良品の選別とか、品質保証をすることができなかった。
【００１０】
本発明は、２つの集積回路装置の間に異方性導電膜が介在され、加圧接続される一体化構成の半導体集積装置において、上のチップである第１の半導体集積回路装置の配線パッドと、下のチップである第２の半導体集積回路装置の配線パッドとの間の接触抵抗の値を外部から測定できるようにし、接触信頼性を確実にすることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
請求項１の半導体集積装置は、配線パッドが設けられた第１の集積回路装置と、前記第１の集積回路装置の前記配線パッドに対向した位置に配線パッドが設けられた第２の集積回路装置とが異方性導電膜を挟んで接続され、前記第２の集積回路装置側から外部端子が導出されている半導体集積装置において、
前記第２の集積回路装置に、前記第１の集積回路装置の各静電保護用ダイオードが接続されている電源線のための前記配線パッドと対向する位置に電源用配線パッドを設け、この第２の集積回路装置に設けた電源用配線パッドは直接に外部端子へ接続し、
前記第２の集積回路装置側にモニタ用外部端子を１端子のみ設けると共に、前記第２の集積回路装置に前記モニタ用外部端子と任意の配線パッドとが選択的に結合され、且つ前記モニタ用外部端子からの信号によってテストコントロール回路の出力信号を制御し、その出力信号に応じていずれか一つのみが選択される複数のスイッチ手段を設ける、ことを特徴とする。
【００１４】
この請求項１記載の構成によれば、第２の集積回路装置に設けたスイッチ手段でモニタ用外部端子と任意の配線パッドとを選択的に結合し、モニタ用外部端子と電源用配線パッドに直接接続されている外部端子との間で、上のチップである第１の半導体集積回路装置の配線パッドと、下のチップである第２の半導体集積回路装置の配線パッドとの間の接触抵抗の値を外部端子から直接測定できるから、製品として組み立てた後の接触不良品の選別とか、品質保証をすることが可能になる。
【００１５】
また、上のチップである第１の半導体集積回路装置には、何らの構成も付加したり、改変する必要がないから、汎用の半導体集積回路装置をそのまま使用することができる。
【００１６】
また、すべての配線パッド間の接触抵抗の値を個別に外部端子から直接測定できるから、より適切に接触状況の評価をすることができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例について、図面を参照して、順次説明する。
図１は、本発明の第１実施例に係る半導体集積装置を示す図であり、理解のために展開した状態で示している。
【００２２】
図１において、第１の半導体集積回路装置１１０には、一般の配線パッドの他に、モニタ用配線パッドＣ１−１〜モニタ用配線パッドＣ８−１が４隅に設けられている。図のように、モニタ用配線パッドＣ１−１とＣ２−１，Ｃ３−１とＣ４−１，Ｃ５−１とＣ６−１およびＣ７−１とＣ８−１とが、直接接続されている。第２の半導体集積回路装置１２０には、第１の半導体集積回路装置１１０の一般の配線パッドおよび、モニタ用配線パッドＣ１−１〜Ｃ８−１に対向する位置に、一般の配線パッドおよび、モニタ用配線パッドＣ１−２〜Ｃ８−２が設けられている。
【００２３】
このモニタ用配線パッドＣ１−２〜Ｃ８−２は、第２の半導体集積回路装置１２０の端部側に設けられた外部端子との接続用パッドＢ１〜Ｂ８と直接接続され、さらに接続用パッドＢ１〜Ｂ８は外部端子Ｔ１〜Ｔ８にボンディングワイヤＷ１〜Ｗ８で接続されている。
【００２４】
なお、第２の半導体集積回路装置１２０の端部側に設けられているその他の接続用配線パッドは、一方において、外部端子にそれぞれワイヤボンディング接続されているが、他方においては通常は第２の半導体集積回路装置１２０の内部構成素子に接続されている。
【００２５】
そして、第１の半導体集積回路装置１１０は、間に異方性導電膜を挟んで第２の半導体集積回路装置１２０に位置を合わせて載置され、加圧加熱されて、対応する配線パッド間で導電接続されている。例えば、モニタ用配線パッドＣ１−１とＣ１−２が両配線パッド間の異方性導電膜Ｐ１で接続され、モニタ用配線パッドＣ８−１とＣ８−２が両配線パッド間の異方性導電膜Ｐ８で接続される。なお、他の配線パッド間も同様に接続される。
【００２６】
さて、このように構成された半導体集積装置１００において、第１の半導体集積回路装置１１０と第２の半導体集積回路装置１２０との接続状況は、次のように測定されて、確認される。
【００２７】
まず、外部端子Ｔ１と外部端子Ｔ２との間に所定の電圧を印加し、この時に流れる電流値を測定し、これから抵抗値を得る。この外部端子Ｔ１と外部端子Ｔ２との経路には、第１の半導体集積回路装置１１０と第２の半導体集積回路装置１２０との間の異方性導電膜Ｐ以外は金属配線抵抗が存在するだけであるから、第１の半導体集積回路装置１１０と第２の半導体集積回路装置１２０との間の接触抵抗を正確に数ミリオームの精度で測定することができる。
【００２８】
続いて、外部端子Ｔ３と外部端子Ｔ４，外部端子Ｔ５と外部端子Ｔ６，外部端子Ｔ７と外部端子Ｔ８間の接触抵抗値を、同様にして順次測定する。
【００２９】
その他の中間の場所にある配線パッド同士の接触抵抗値は、このようにして得られた４隅の抵抗値から、演算して定める。半導体集積回路装置は、堅く変形しにくい材料で構成されているから、この演算によっても、配線パッド同士の接触抵抗値の測定値には実質的に影響のあるほどの誤差は生じない。
【００３０】
以上の説明では、第１の半導体集積回路１１０のモニタ用配線パッドＣ１−１〜Ｃ８−１，第２の半導体集積回路１２０のモニタ用配線パッドＣ１−２〜Ｃ８−２，外部端子との接続用パッドＢ１〜Ｂ８、外部端子Ｔ１〜Ｔ８は、モニタ用として、各隅にそれぞれ２個、計８個を設けることとしている。しかし、各４隅における各２つの内のそれぞれ１つは、電源線、接地線、その他の第２の半導体集積回路１２０の一般の配線パッドと外部端子との一般の接続用パッドとが直接接続されていると見なせる入出力線などのための、第１の半導体集積回路１１０の配線パッドＣ、第２の半導体集積回路１２０の配線パッドＣ、外部端子との接続用パッドＢおよび外部端子Ｔを、モニタ用として兼用することができる。この場合においても、第１の半導体集積回路１１０のモニタ用配線パッド（Ｃ１−１など）とモニタ用として兼用する配線パッドＣとを直接接続することは言うまでもない。
【００３１】
このように、従来から備えられている、一般の配線パッドなどをモニタ用に兼用する場合には、モニタ用として必要になる、第１の半導体集積回路１１０のモニタ用配線パッド（Ｃ１−１〜Ｃ８−１），第２の半導体集積回路１２０のモニタ用配線パッド（Ｃ１−２〜Ｃ８−２），外部端子との接続用パッド（Ｂ１〜Ｂ８）、外部端子（Ｔ１〜Ｔ８）を、半分に減らすことができる。
【００３２】
なお、この実施例では、モニタ用の配線パッドを半導体集積回路装置の４隅に置いているが、影響が均等に現れるような、たとえば周辺部などに配置してもよい。
【００３３】
この実施例によれば、上のチップである第１の半導体集積回路装置１１０の配線パッドと、下のチップである第２の半導体集積回路装置１２０の配線パッドとの間の接触抵抗の値を外部端子Ｔから高精度に直接測定できるから、製品として組み立てた後の接触不良品の選別とか、品質保証をすることが可能になる。
【００３４】
図２は、本発明の第２実施例に係る半導体集積装置を示す図であり、理解のために展開した状態で示している。
【００３５】
図２において、第１の半導体集積回路装置２１０は、汎用の集積回路装置であり、この中に標準的に設けられている静電用保護素子としてのダイオードＤ１，Ｄ２を有効に利用するものである。すなわち、各入出力配線パッドＣ１−１〜Ｃ３−１はダイオードＤ１を介して正電源線に接続され、またダイオードＤ２を介して負電源線に接続されている。なお、このダイオードＤ１，Ｄ２は、たとえば入出力配線パッドに異常電圧が誘起されたときにはその異常電圧を電源ラインに吸収させ、内部素子への影響を抑制する機能を持っている。
【００３６】
一方、第２の半導体集積回路装置２２０には、第１の半導体集積回路装置２１０の配線パッドに対向する位置に、一般の配線パッドおよび、第１の半導体集積回路装置２１０の電源用配線パッドＣｖｄｄ−ｕ１および接地用配線パッドＣｇｎｄ−ｕ１に対向して、電源用配線パッドＣｖｄｄ−ｕ２および接地用配線パッドＣｇｎｄ−ｕ２が設けられている。電源用配線パッドＣｖｄｄ−ｕ２は第２の半導体集積回路装置２２０の外部接続用配線パッドＢｖｄｄ−ｕを経て外部端子Ｔｖｄｄ−ｕに直接接続され、また接地用配線パッドＣｇｎｄ−ｕ２は第２の半導体集積回路装置２２０の外部接続用配線パッドＢｇｎｄ−ｕを経て外部端子Ｔｇｎｄ−ｕに直接接続されている。
【００３７】
また、第２の半導体集積回路装置２２０の電源系は、外部接続用配線パッドＢｖｄｄ−ｌを経て外部端子Ｔｖｄｄ−ｌに接続され、また外部接続用配線パッドＢｇｎｄ−ｌを経て外部端子Ｔｇｎｄ−ｌに接続されている。つまり、第１の半導体集積回路装置２１０用の電源ライン、接地ラインと、第２の半導体集積回路装置２２０用の電源ライン、接地ラインとは別系統で構成されている。
【００３８】
また、配線パッドＣ１−２〜Ｃ３−２には、切換接続回路２３１、２３４、２３５が接続され、本来の回路接続用のバッファ回路２３２とテスト用のアナログスイッチ２３３とが切換接続されるように構成されている。そして、テストコントロール回路２３０の指令により、いずれか一つの切換接続回路のアナログスイッチＳＷがオンされるようになっており、配線パッドＣ１−２〜Ｃ１−３のひとつがテスト用外部端子Ｔｔｅｓｔに接続される。
【００３９】
そして、間に異方性導電膜を挟んで第１の半導体集積回路装置２１０を第２の半導体集積回路装置２２０に位置を合わせて載置し、加圧加熱して、対応する配線パッド間で導電接続している。例えば、配線パッドＣ１−１と配線パッドＣ１−２が両配線パッド間の異方性導電膜Ｐ１で接続され、電源用配線パッドＣｖｄｄ−ｕ１と電源用配線パッドＣｖｄｄ−ｕ２が両配線パッド間の異方性導電膜Ｐｖｄｄ−ｕで接続される。なお、他の配線パッド間も同様に接続される。
【００４０】
さて、このように構成された半導体集積装置２００において、第１の半導体集積回路装置２１０と第２の半導体集積回路装置２２０との接続状況は次のように測定されて、確認される。
【００４１】
まず、テスト用外部端子Ｔｔｅｓｔからの信号、或いは他の外部端子からの信号などにより、テストコントロール回路２３０の出力信号を制御し、接触抵抗を測定したい、いずれか一つの切換接続回路のアナログスイッチＳＷをオンして、当該接触抵抗を測定する。
【００４２】
この半導体集積装置２００における具体的な接触抵抗の測定方法を図３および図４を参照して説明する。図３は切換接続回路２３１のアナログスイッチＳＷがオンされ、配線パッドＣ１−１と配線パッドＣ１−２間の接触抵抗を測定する場合を例にしている。図４は、横軸に電圧Ｖｔを取り、縦軸電流Ｉｔを取って、電圧・電流特性を示したものである。
【００４３】
さて、図３において、可変電圧電源Ｂ２が、テスト用外部端子Ｔｔｅｓｔと電源用外部端子Ｔｖｄｄ−ｕおよび接地用外部端子Ｔｇｎｄ−ｕに電流計Ａ１，Ａ２を介して接続される。図示の極性では、可変電圧電源Ｂ２からの電流は、アナログスイッチＳＷ、配線パッドＣ１−２、異方性導電膜Ｐ１、配線パッドＣ１−１、ダイオードＤ１、電源用配線パッドＣｖｄｄ−ｕ１、異方性導電膜Ｐｖｄｄ−ｕ、電源用配線パッドＣｖｄｄ−ｕ２の経路を経て流れ、そのときの電流値が電流計Ａ１で測定される。このときの可変電圧電源Ｂ２の電圧値と、電流計Ａ１の電流値とから、この経路の抵抗値が求められる。
【００４４】
ここで、アナログスイッチＳＷの抵抗値、ダイオードＤ１，Ｄ２の抵抗値は事前に測定されており、既知であるから、上記経路中のＣ１−２、異方性導電膜Ｐ１、配線パッドＣ１−１、電源用配線パッドＣｖｄｄ−ｕ１、異方性導電膜Ｐｖｄｄ−ｕ、電源用配線パッドＣｖｄｄ−ｕ２の抵抗値が測定されたことになる。
【００４５】
そして、ダイオードＤ１，Ｄ２の電圧電流特性は図４の実線に示されるような非線形の特性を有しているから、可変電圧電源Ｂ２の電圧値をＶ１，Ｖ２，Ｖ３など順次変化させてその時々の電流値を測定し、接触状況を詳しくチェックすることができる。ここで、上記経路中の配線パッドＣ１−２、異方性導電膜Ｐ１、配線パッドＣ１−１、電源用配線パッドＣｖｄｄ−ｕ１、異方性導電膜Ｐｖｄｄ−ｕ、電源用配線パッドＣｖｄｄ−ｕ２に接触不良などで高抵抗が現れると、図４の破線のような特性となるので、その抵抗値と共に、良・不良の判定は容易に行うことができる。
【００４６】
つぎに、図３の接続例において、可変電圧電源Ｂ２の極性を逆極性にすると、可変電圧電源Ｂ２からの電流は、アナログスイッチＳＷ、配線パッドＣ１−２、異方性導電膜Ｐ１、配線パッドＣ１−１、ダイオードＤ２、接地用配線パッドＣｇｎｄ−ｕ１、異方性導電膜Ｐｇｎｄ−ｕ、接地用配線パッドＣｇｎｄ−ｕ２の経路を経て流れ、そのときの電流値が電流計Ａ２で測定される。このときの可変電圧電源Ｂ２の電圧値と、電流計Ａ２の電流値とから、この経路の抵抗値を求める。
【００４７】
このように、両極性での測定の結果を得て、更に総合的に、接続不良箇所の判別をも容易にかつ正確に行う。
【００４８】
そして、図３の接続例に引き続いて、切換接続回路の選択状況を変えて、すべての配線パッド間の接続状況を順次、個別に測定していく。
【００４９】
この実施例によれば、第２の集積回路装置２２０に設けたスイッチ手段２３１〜２３５でモニタ用外部端子Ｔｔｅｓｔと任意の配線パッドＣとを選択的に結合し、モニタ用外部端子Ｔｔｅｓｔと電源用配線パッドに直接接続されている外部端子Ｔｖｄｄ−ｕ、Ｔｇｎｄ−ｕとの間で、上のチップである第１の半導体集積回路装置２１０の配線パッドと、下のチップである第２の半導体集積回路装置２２０の配線パッドとの間の接触抵抗の値を外部端子から直接測定できるから、製品として組み立てた後の接触不良品の選別とか、品質保証をすることが可能になる。
【００５０】
また、上のチップである第１の半導体集積回路装置２１０には、何らの構成も付加したり、改変する必要がないから、汎用の半導体集積回路装置をそのまま使用することができる。
【００５１】
また、すべての配線パッド間の接触抵抗の値を個別に外部端子から直接測定できるから、より適切に接触状況の評価をすることができる。
【００５２】
更に、測定用の電圧値を可変したり、或いは逆極性電圧にしたりすることで、より正確な測定を行うことができる。
【００５３】
図５は、本発明の第３実施例に係る半導体集積装置を示す図であり、理解のために展開した状態で示している。
【００５４】
図５において、第１の半導体集積回路装置３１０は、汎用の集積回路装置であり、第２実施例と同様に、この中に標準的に設けられている静電用保護素子としてのダイオードＤ１，Ｄ２を有効に利用するものである。すなわち、各入出力配線パッドＣ１−１〜Ｃ４−１は、ダイオードＤ１を介して正電源線に接続され、またダイオードＤ２を介して負電源線に接続されている。なお、このダイオードＤ１，Ｄ２は、たとえば入出力配線パッドの異常電圧が誘起されたときには電源ラインに吸収させ、内部素子への影響を抑制する機能を持っている。
【００５５】
一方、第２の半導体集積回路装置３２０には、第１の半導体集積回路装置３１０の配線パッドに対向する位置に、一般の配線パッドおよび、第１の半導体集積回路装置３１０の電源用配線パッドＣｖｄｄ−ｕ１および接地用配線パッドＣｇｎｄ−ｕ１に対向して、電源用配線パッドＣｖｄｄ−ｕ２および接地用配線パッドＣｇｎｄ−ｕ２が設けられている。電源用配線パッドＣｖｄｄ−ｕ２は第２の半導体集積回路装置３２０の外部接続用配線パッドＢｖｄｄ−ｕを経て外部端子Ｔｖｄｄ−ｕに直接接続され、また接地用配線パッドＣｇｎｄ−ｕ２は第２の半導体集積回路装置３２０の外部接続用配線パッドＢｇｎｄ−ｕを経て外部端子Ｔｇｎｄ−ｕに直接接続されている。
【００５６】
また、第２の半導体集積回路装置３２０の電源系は、外部接続用配線パッドＢｖｄｄ−ｌを経て外部端子Ｔｖｄｄ−ｌに接続され、また外部接続用配線パッドＢｇｎｄ−ｌを経て外部端子Ｔｇｎｄ−ｌに接続されている。つまり、第１の半導体集積回路装置３１０用の電源ライン、接地ラインと、第２の半導体集積回路装置２２０用の電源ライン、接地ラインとは別系統で構成されている。
【００５７】
また、配線パッドＣ１−２〜Ｃ４−２には、本来の回路接続用のバッファ回路３３１〜３３４とテスト用外部端子Ｔｍ１〜Ｔｍ４が接続されている。そして、テストコントロール回路３３０の指令により、バッファ回路３３１〜３３４がオフ状態にされる。
【００５８】
このテスト用外部端子Ｔｍ１〜Ｔｍ４は、第１の半導体集積回路装置３１０の４隅（或いは４辺）に位置する配線パッドに対向する、第２の半導体集積回路装置３２０の配線パッド、すなわちここでは配線パッドＣ１−２〜Ｃ４−２に接続されている。
【００５９】
そして、間に異方性導電膜を挟んで第１の半導体集積回路装置３１０を第２の半導体集積回路装置３２０に位置を合わせて載置し、加圧加熱して、対応する配線パッド間で導電接続されている。例えば、Ｃ１−１とＣ１−２が両配線パッド間の異方性導電膜Ｐ１で接続され、Ｃｖｄｄ−ｕ１とＣｖｄｄ−ｕ２が両配線パッド間の異方性導電膜Ｐｖｄｄ−ｕで接続される。なお、他の配線パッド間も同様に接続される。
【００６０】
さて、このように構成された半導体集積装置３００において、第１の半導体集積回路装置３１０と第２の半導体集積回路装置３２０との接続状況は次のように測定されて、確認される。
【００６１】
まず、テストコントロール回路３３０の出力信号を制御し、バッファ回路３３１〜３３４をオフする。なお、第２の半導体集積回路装置３２０に電源電圧が印加されていない場合には、バッファ回路３３１〜３３４はオフとなっている。
【００６２】
そして、測定したいテスト用外部端子Ｔｍ１〜Ｔｍ４と電源用外部端子Ｔｖｄｄ−ｕ或いは接地用外部端子Ｔｇｎｄ−ｌとの間に可変電圧源を接続し、流れる電流から、その経路の抵抗値を測定する。この測定のための回路および方法は、第２実施例で説明した図３，図４と同様のものとなるので、その説明を援用して、重ねての説明は省略する。
【００６３】
ただ、この第３実施例が、前述の第２実施例と大きく異なる点は、測定経路中にアナログスイッチＳＷを持たないことである。アナログスイッチＳＷは、ある程度のインピーダンスを持ってしまうことから、測定すべき接触抵抗値にこのアナログスイッチの抵抗値が重畳されてしまうが、本実施例ではその点での問題はない。
【００６４】
また、この第３実施例では、測定するのは、４隅（或いは４辺）に位置する配線パッドの接続状況としている。理論的にはすべての配線パッドの接続状況の測定が可能ではあるが、それぞれ専用の外部端子が必要とされる構造上の制限と、実施効果とから見て、４隅（或いは４辺）での測定が現実的である。
【００６５】
この第３実施例の構成によれば、第２の集積回路装置第２の半導体集積回路装置３２０の各周辺（たとえば、４隅、４辺）に配置されている任意の配線パッドにそれぞれ接続された複数のモニタ用外部端子Ｔｍ１〜Ｔｍ４と電源用配線パッドに直接接続されている外部端子Ｔｖｖｄ−ｕ、Ｔｇｎｄ−ｕとの間で、上のチップである第１の半導体集積回路装置３１０の配線パッドと、下のチップである第２の半導体集積回路装置３２０の配線パッドとの間の接触抵抗の値を外部端子から直接測定できるから、製品として組み立てた後の接触不良品の選別とか、品質保証をすることが可能になる。
【００６６】
また、上のチップである第１の半導体集積回路装置３１０には、何らの構成も付加したり、改変する必要がないから、汎用の半導体集積回路装置をそのまま使用することができる。
【００６７】
また、四隅の配線パッド間など、任意の配線パッド間の接触抵抗の値を個別に、外部端子からアナログスイッチなどを介さずに直接測定できるから、より適切に接触状況の評価をすることができる。
【００６８】
更に、測定用の電圧値を可変したり、或いは逆極性電圧にしたりすることで、より正確な測定を行うことができる。
【００７０】
【発明の効果】
この請求項１記載の構成によれば、第２の集積回路装置に設けたスイッチ手段でモニタ用外部端子と任意の配線パッドとを選択的に結合し、モニタ用外部端子と電源用配線パッドに直接接続されている外部端子との間で、上のチップである第１の半導体集積回路装置の配線パッドと、下のチップである第２の半導体集積回路装置の配線パッドとの間の接触抵抗の値を外部端子から直接測定できるから、製品として組み立てた後の接触不良品の選別とか、品質保証をすることが可能になる。
【００７１】
また、上のチップである第１の半導体集積回路装置には、何らの構成も付加したり、改変する必要がないから、汎用の半導体集積回路装置をそのまま使用することができる。
【００７２】
また、すべての配線パッド間の接触抵抗の値を個別に外部端子から直接測定できるから、より適切に接触状況の評価をすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例に係る半導体集積装置を示す図。
【図２】本発明の第２実施例に係る半導体集積装置を示す図。
【図３】本発明の第２実施例に係る半導体集積装置の測定状態を示す図。
【図４】本発明の第２実施例に係る半導体集積装置の測定特性を示す図。
【図５】本発明の第３実施例に係る半導体集積装置を示す図。
【図６】従来の一体化構成の半導体集積装置を示す図。
【符号の説明】
１００，２００．３００  半導体集積装置
１１０，２１０，３１０  第１の半導体集積回路装置
１２０、２２０、３２０  第２の半導体集積回路装置
Ｔ  外部端子
Ｂ  配線パッド
Ｃ  配線パッド
Ｐ  異方導電性膜
【図１】
0004246835.tif 000002
【図２】
0004246835.tif 000003
【図３】
0004246835.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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