(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶表示板の製造工程において上記液晶表示板を構成する基板を支持するための支持プレートと，該支持プレートに熱を伝えることにより該支持プレートを介して上記基板を加熱するための発熱手段とを有する加熱装置において，
上記支持プレートは，その一部又は全部が炭素結合炭素繊維複合材料からなり，
かつ，上記支持プレートの表面には，少なくとも脱粉を防止するための被膜が形成されていることを特徴とする液晶表示板用の基板の加熱装置。
【請求項２】
請求項１において，上記被膜は，熱分解炭素又はガラス状炭素からなることを特徴とする液晶表示板用の基板の加熱装置。
【請求項３】
請求項１又は２において，上記被膜の厚みは，１〜５００μｍであることを特徴とする液晶表示板用の基板の加熱装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項において，上記被膜は，総灰分量が３０ｐｐｍ以下であることを特徴とする液晶表示板用の基板の加熱装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項において，上記加熱装置の支持プレートは，スパッタリング装置において上記基板を支持するものであることを特徴とする液晶表示板用の基板の加熱装置。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか一項において，上記加熱装置の支持プレートは，プラズマＣＶＤ装置において上記基板を支持するものであることを特徴とする液晶表示板用の基板の加熱装置。
【請求項７】
請求項１〜４のいずれか一項において，上記加熱装置の支持プレートは，貼り合せ装置において一対の上記基板を支持して貼り合せる定盤であることを特徴とする液晶表示板用の基板の加熱装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項において，上記基板には，上記液晶表示板のＴＦＴ側基板が含まれることを特徴とする液晶表示板用の基板の加熱装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項において，上記基板には，上記液晶表示板のカラーフィルタ側基板が含まれることを特徴とする液晶表示板用の基板の加熱装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【技術分野】
本発明は，液晶表示板の製造工程において上記液晶表示板を構成する基板を支持すると共に加熱するための加熱装置に関する。
【０００２】
【従来技術】
液晶表示板はＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を形成した基板とカラーフィルタを形成した基板とを貼り合せることにより製造する。
上記基板（ＴＦＴ側基板）にＴＦＴを形成する際には，プラズマＣＶＤ装置やスパッタリング装置を用いる。
例えば，上記プラズマＣＶＤ装置によって，シリコン窒化膜，シリコン酸化膜，シリコンオキシナイトライド膜等からなる絶縁膜や，アモルファスシリコン，Ｐドープアモルファスシリコン等からなる半導体層を形成する。
【０００３】
また，上記スパッタリング装置により，Ａｌ，Ｍｏ，Ｔａ等の金属膜からなる導体配線や，ゲート電極，ソース電極，ドレイン電極，或いはＩＴＯ膜等からなる透明電極層を形成する。
また，上記基板（カラーフィルタ側基板）にカラーフィルタを形成する際にも，プラズマＣＶＤ装置やスパッタリング装置を用いる。
【０００４】
例えば，上記スパッタリング装置により，Ｃｒ／ＣｒＯX膜等からなるブラックマトリックスや，ＩＴＯ膜等からなる透明電極層を形成する。
更に，上記ＴＦＴ側基板とカラーフィルタ側基板を貼り合せる際には，貼り合せ装置を用いる。即ち，該貼り合せ装置により，上記ＴＦＴ側基板とカラーフィルタ側基板とを貼り合せ，加圧，加熱することにより，所定の間隔をもって両者を接合する。
【０００５】
ところで，上記スパッタリング装置，プラズマＣＶＤ装置，及び貼り合せ装置には，上記基板を支持すると共に加熱する加熱装置が配設されている（図４〜図６参照）。該加熱装置は，基板を支持するための支持プレートと，該支持プレートを発熱させることにより上記基板を加熱するための発熱手段とを有する。
【０００６】
即ち，スパッタリング装置には，支持プレートが配設されており，該支持プレートによって上記基板を支持すると共に加熱しながら，該基板の表面に成膜する。
また，上記プラズマＣＶＤ装置にも支持プレートが配設されており，該支持プレートによって上記基板を支持すると共に加熱しながら，該基板の表面に成膜する。
【０００７】
また，上記貼り合せ装置には，一対の定盤が配設されており，該一対の定盤によって上記ＴＦＴ側基板とカラーフィルタ側基板をそれぞれ支持して貼り合せ，その両面から加圧すると共に加熱する。これにより，両者を接合する。
以上のごとく，液晶表示板の製造工程において使用される各装置には，基板を加熱するための加熱装置が設けてある。
【０００８】
【解決しようとする課題】
しかしながら，上記従来の液晶表示板用の基板の加熱装置には，以下の問題がある。
上記加熱装置は，上記のごとく，上記支持プレートを発熱させることにより上記基板を加熱する。そのため，上記支持プレートは高温となる。それ故，該支持プレートに金属等の熱膨張率の大きい素材を用いると，その熱膨張により歪み等を生じる。かかる支持プレートの歪みは，上記液晶表示板の製造工程において，成膜が不均一となったり，基板間の間隔が不均一となったりする原因となる。
【０００９】
かかる不具合を防ぐために，上記支持プレートとして，熱膨張率の小さい黒鉛材料を用いることが考えられる。
ところが，上記支持プレートに黒鉛材料を用いると，成膜時や貼り合せ時において，上記支持プレートから黒鉛粉末が発生するおそれがある。この黒鉛粉末の発生（脱粉）により，基板上に形成される膜の中に黒鉛粉末が混入したり，上記基板間に黒鉛粉末が入り込むなど，製品に悪影響を及ぼすおそれがある。
【００１０】
かかる問題に対して，上記支持プレートにガラス状カーボンを用いることも考えられる。しかし，ガラス状カーボンは硬く，加工が困難であるため所望の形状の支持プレートを製造することが困難である。また，上記ガラス状カーボンは製造加工が複雑で製造コストが高い。
また，上記ガラス状カーボンは，衝撃によってクラックが生じ易いという問題もある。
【００１１】
本発明は，かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので，耐衝撃性，加工性に優れ，かつ歪み，脱粉の生じない支持プレートを有する液晶表示板用の基板の加熱装置を提供しようとするものである。
【００１２】
【課題の解決手段】
請求項１に記載の発明は，液晶表示板の製造工程において上記液晶表示板を構成する基板を支持するための支持プレートと，該支持プレートに熱を伝えることにより該支持プレートを介して上記基板を加熱するための発熱手段とを有する加熱装置において，
上記支持プレートは，その一部又は全部が炭素結合炭素繊維複合材料からなり，
かつ，上記支持プレートの表面には，少なくとも脱粉を防止するための被膜が形成されていることを特徴とする液晶表示板用の基板の加熱装置にある。
【００１３】
本発明において最も注目すべきことは，上記支持プレートの一部又は全部が炭素結合炭素繊維複合材料からなることである。
該炭素結合炭素繊維複合材料（いわゆるＣ／Ｃコンポジット）は，例えば炭素繊維をフィラメントワインディング法等によって一方向を強化したもの，炭素繊維で編んだ布，不織布を重ね合せて二方向を強化したもの，あるいは多方向に編み込むことにより多方向に強化したもの等があり，一次元構造，二次元構造，あるいは三次元構造に組立てられ，必要に応じて黒鉛化して作製されるものである。
【００１４】
上記炭素結合炭素繊維複合材料からなる支持プレートの製造は，例えば以下のようにして行う。即ち，上記炭素結合炭素繊維複合材料の出発材料である炭素繊維によって，上記支持プレートを形成するためのプレ構造体を形成しておく。
次いで，該プレ構造体に，フェノール樹脂やフラン樹脂等の熱硬化性樹脂，あるいはタール，ピッチ等を含浸して，これらの硬化後に焼成，黒鉛化して，支持プレートを得る。
なお，上記炭素繊維は，例えばポリアクリルニトリル，レーヨン，フェノール樹脂等の合成高分子材料，或いは石油ピッチ，石炭等の高分子材料を原料として形成されるものである。
【００１５】
上記支持プレートは，黒鉛材料の表面に炭素繊維をフィラメントワインディング法によって巻回したり，炭素繊維からなる布や不織布を巻き付けておき，これに前述した熱硬化性樹脂，タール，あるいはピッチを含浸して黒鉛化することにより形成してもよい。
【００１６】
更には，炭素繊維の巻回等と，これに含浸された熱硬化性合成樹脂，タール，またはピッチの焼成あるいは黒鉛化を複数回繰り返して上記支持プレートを形成してもよい。
また，上記発熱手段としては，上記支持プレートに埋め込まれたニクロム線，或いは上記支持プレートに取付けられたコイルなどの誘導加熱手段等がある。
【００１７】
上記液晶表示板を構成する基板としては，例えばその表面にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を形成するガラス基板（ＴＦＴ側基板）や，カラーフィルタを形成するガラス基板（カラーフィルタ側基板）がある。
また，上記基板として，ガラス基板の他に各種セラミック基板，樹脂基板，金属基板，或いは各種材料を混合してなる混合材料からなる基板等を用いることができる。
【００１８】
次に，本発明の作用効果につき説明する。
本発明の加熱装置は，上記液晶表示板を製造する際の種々の工程において，種々の装置に組み込まれて使用される。このとき，上記加熱装置は，上記支持プレートにより上記基板を支持する。これにより，該支持プレートを発熱させ，該支持プレートに支持された基板を加熱する。
【００１９】
ここで，上述のごとく，上記支持プレートは，その一部又は全部が炭素結合炭素繊維複合材料からなる。
炭素結合炭素繊維複合材料は熱膨張率が小さいため，上記支持プレートを発熱させて高温とした場合にも，熱膨張が殆ど起こらない。そのため，上記加熱装置は，上記支持プレートには歪みが殆ど生じない。
【００２０】
それ故，上記加熱装置により上記基板を加熱しながら成膜したり貼り合せを行なったりする際に，基板が反ったり，貼り合せ時の押圧力が不均一となったりするおそれがない。また，上記支持プレートと基板との接触状態を全面にわたって均一に維持することができるため，上記支持プレートから基板への熱伝導を均一に行なうことができる。
【００２１】
また，上記支持プレートの一部又は全部を構成する炭素結合炭素繊維複合材料は，機械的強度に優れている。そのため，上記支持プレートは耐衝撃性に優れ，クラック等が発生するおそれがない。また，上記加熱装置の使用中等に，上記炭素結合炭素繊維複合材料からカーボン粉末が離脱するおそれがなく，上記支持プレートからの脱粉による製品への悪影響を防止することができる。
また，上記支持プレートは，その一部又は全部が上記炭素結合炭素繊維複合材料からなるため，上述したごとく容易に所望の形状に形成することができ，加工性に優れている。
【００２２】
以上のごとく，本発明によれば，耐衝撃性，加工性に優れ，かつ歪み，脱粉の生じない支持プレートを有する液晶表示板用の基板の加熱装置を提供することができる。
【００２３】
次に，上記支持プレートの表面には，少なくとも脱粉を防止するための被膜が形成されている。
これにより，上記液晶表示板の種々の製造工程において，上記加熱装置を用いる際に，カーボン粉末が発生することを更に確実に防ぐことができる。
【００２４】
また，上記被膜により，上記炭素結合炭素繊維複合材料における微細孔を塞ぐことも可能である。そのため，上記製造工程において，上記炭素結合炭素繊維複合材料中に混入している不純物質やガス等が上記微細孔から放出されることを防ぐことができる。そのため，上記不純物質やガス等が製品に悪影響を与えるおそれもない。
【００２５】
次に，請求項２に記載の発明のように，上記被膜は，熱分解炭素又はガラス状炭素からなることが好ましい。
上記熱分解炭素とは，炭化水素ガス等を加熱することにより分解生成される炭素物質をいう。また，上記熱分解炭素を上記支持プレートにコーティングする際には，例えばＣＶＤ法により行なうことができる。
【００２６】
また，上記ガラス状炭素は，無定形の均質な連続緻密組織を呈する高強度の炭素材料である。即ち，黒鉛材のようにカーボン粉末粒子の集合体からなる組織とは全く異質な炭素質構造体である。
これにより，一層強度の高い被膜を有する支持プレートを得ることができる。そのため，上記被膜が剥がれたり，亀裂を生じたりすることを一層確実に防ぐことができる。
【００２７】
次に，請求項３に記載の発明のように，上記被膜の厚みは，１〜５００μｍであることが好ましい。
これにより，上記支持プレートからの脱粉を確実に防ぐことができると共に，上記基板を効率的に加熱することができる加熱装置を得ることができる。
【００２８】
上記被膜の膜厚が１μｍ未満の場合には，使用中に上記被膜が上記支持プレートの表面から脱落したり，亀裂が生じたり，或いは上記支持プレートの表面全体に確実に被膜することができなかったりするおそれがある。そのため，上記脱粉を確実に防止することができないおそれがある。
一方，上記膜厚が５００μｍを超える場合には，上記支持プレートから基板への伝熱が効率的に行われないおそれがある。
【００２９】
次に，請求項４に記載の発明のように，上記被膜は，総灰分量が３０ｐｐｍ以下であることが好ましい。
これにより，上記被膜を形成することによって，これに含まれる不純物が製品に悪影響を及ぼすおそれがない。
上記総灰分量が３０ｐｐｍを超える場合には，上記被膜の離脱が生じた際に，これに含まれる不純物が製品に悪影響を及ぼすおそれがある。
ここで，上記総灰分量とは，上記被膜の純度特性を示す数値であり，例えば，鉄，ニッケル，コバルト，バナジウム等の不純物の含有量を示している。
【００３０】
次に，請求項５に記載の発明のように，上記加熱装置の支持プレートは，スパッタリング装置において上記基板を支持するものとすることもできる。
上記液晶表示板の製造工程の一例につき簡単に説明すると，まず，上記ＴＦＴ側基板である基板の表面にＴＦＴを形成する。次いで，該ＴＦＴの上面から透明電極層を形成し，次いでその上から配向膜を形成する。
【００３１】
一方，上記カラーフィルタ側基板である基板の表面に，カラーフィルタを形成する。次いで，該カラーフィルタの上面から透明電極層を形成し，次いでその上から配向膜を形成する。
上記のごとく表面に成膜したＴＦＴ側基板とカラーフィルタ側基板とを，成膜された面同士を対向させて貼り合せる（図２参照）。
【００３２】
そして，上記基板へのＴＦＴの形成やカラーフィルタの形成には，例えばスパッタリング装置を用いることができる（実施形態例２参照）。
上記スパッタリング装置には，本発明にかかる加熱装置が配設されている。そして，該加熱装置により上記基板を加熱しながら成膜を行なう。
【００３３】
この場合に，上記加熱装置により該基板を加熱しても，上記支持プレートには歪みが殆ど生じない。そのため，上記基板が反ったりするおそれもない。それ故，均一な成膜を実現することができる。また，上記支持プレートと基板との接触状態を全面にわたって均一に維持することができるため，上記支持プレートから上記基板への熱伝導を均一に行なうことができる。
【００３４】
また，上記支持プレートは，その一部又は全部が炭素結合炭素繊維複合材料からなるため，耐衝撃性に優れ，クラック等が発生するおそれがない。
また，上記基板への成膜時に，上記支持プレートからの脱粉が生ずるおそれもないため，カーボン粉末が成膜中に混入するなどという不具合が発生するおそれもない。
それ故，品質の高い液晶表示板を製造することができるスパッタリング装置が得られる。
【００３５】
次に，請求項６に記載の発明のように，上記加熱装置の支持プレートは，プラズマＣＶＤ装置において上記基板を支持するものとすることもできる。
即ち，上述したＴＦＴやカラーフィルタの形成には，上記プラズマＣＶＤ装置を用いることもできる。
【００３６】
この場合，上記プラズマＣＶＤ装置により上記基板に成膜する際に，上記加熱装置により該基板を加熱しても，熱膨張係数が金属等の１／５〜１／１０と低く，上記支持プレートには歪みが殆ど生じない。そのため，上記基板が反ったりするおそれもなく，上記支持プレートと基板との接触状態を全面にわたって均一に維持することができるため，基板を均一に加熱することができると共に，均一な成膜を実現することができる。
【００３７】
また，上記支持プレートは，その一部又は全部が炭素結合炭素繊維複合材料からなるため，耐衝撃性に優れ，クラック等が発生するおそれがない。
また，上記基板への成膜時に，上記支持プレートからの脱粉が生ずるおそれもないため，カーボン粉末が成膜中に混入するなどという不具合が発生するおそれもない。
そのため，品質の高い液晶表示板を製造することができるプラズマＣＶＤ装置が得られる。
【００３８】
次に，請求項７に記載の発明のように，上記加熱装置の支持プレートは，貼り合せ装置において一対の上記基板を支持して貼り合せる定盤とすることもできる。即ち，上述した上記ＴＦＴ基板とカラーフィルタ側基板との貼り合せには，上記貼り合せ装置を用いることができる。
【００３９】
この場合，上記張り合わせ装置により一対の上記基板を貼り合せる際に，上記加熱装置により該基板を加熱しても，上記定盤には歪みが殆ど生じない。そのため，上記基板の全面において押圧力が均一となり，貼り合された一対の基板の間に形成される隙間の厚みが均一となる。
【００４０】
また，上記支持プレートは，その一部又は全部が炭素結合炭素繊維複合材料からなるため，耐衝撃性に優れ，クラック等が発生するおそれがない。
また，上記一対の基板を貼り合せる際に，上記支持プレートから脱粉が生じることがない。そのため，上記基板の間にカーボン粉末が入り込むなどの不具合が生じない。
それ故，品質の高い液晶表示板を得ることができる。
【００４１】
次に，請求項８に記載の発明のように，上記基板には，上記液晶表示板のＴＦＴ側基板を含めることもできる。
この場合には，ＴＦＴを構成する絶縁膜や半導体膜等を，基板の位置に関わらず均一の膜厚に形成することができると共に，上記絶縁膜や半導体膜等にカーボン粉末が混入することを防ぐことができる。
【００４２】
次に，請求項９に記載の発明のように，上記基板には，上記液晶表示板のカラーフィルタ側基板を含めることもできる。
この場合には，カラーフィルタを構成するブラックマトリックス等を，基板の位置に関わらず均一の膜厚に形成することができると共に，上記ブラックマトリックス等にカーボン粉末が混入することを防ぐことができる。
【００４３】
【発明の実施の形態】
実施形態例１
本発明の実施形態例にかかる液晶表示板用の基板の加熱装置につき，図１〜図３を用いて説明する。
図１に示すごとく，本例の液晶表示板用の基板の加熱装置１は，液晶表示板の製造工程において，図２に示す上記液晶表示板２０を構成するガラス基板２を支持するための支持プレート１１を有する。更に，上記加熱装置１は，図１に示すごとく，上記支持プレート１１を発熱させることにより上記ガラス基板２を加熱するための発熱手段１２を有する。
【００４４】
また，上記支持プレート１１は炭素結合炭素繊維複合材料からなる。そして，図１に示すごとく，上記支持プレート１１の表面には，少なくとも脱粉を防止するための被膜１３が形成されている。また，該被膜１３は，熱分解炭素からなり，膜厚は約４０μｍである。また，発光分光法で測定した上記被膜１３の総灰分量は８ｐｐｍである。
【００４５】
上記支持プレート１１は，以下のようにして作製した。
即ち，まず上記炭素結合炭素繊維複合材料の出発材料である炭素繊維フィラメントによって，上記支持プレートを形成するためのプレ構造体を形成しておく。
次いで，該プレ構造体に，フェノール樹脂を含浸して，これらの硬化と焼成を２回繰り返し，全体を黒鉛化する。これにより，炭素結合炭素繊維複合材料からなる支持プレート１１を得る。
得られた支持プレート１１の曲げ強度は４０００ｋｇ／ｃｍ2であった。
【００４６】
次いで，上記被膜１３を，ＣＶＤ法を用いて以下のようにして形成した。
即ち，炭素結合炭素繊維複合材料からなる上記支持プレート１１を反応炉内において加熱する。次いで，上記反応炉内に炭化水素ガスを導入する。これにより，該炭化水素ガスは，熱によって構成分子の結合が解かれ，炭素及び定分子量の炭素化合物よりなる熱分解炭素を発生する。次いで，該熱分解炭素が炭素結合炭素繊維複合材料からなる上記支持部材１１と接触反応し，上記支持プレート１１の表面において膜状の構造を形成する。これにより，上記支持プレート１１の表面に熱分解炭素の被膜１３を形成する。
【００４７】
また，上記発熱手段１２はニクロム線であり，上記支持プレート１１の内部に埋め込まれいる。
また，上記液晶表示板２０を構成するガラス基板２としては，その表面にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）３を形成するもの（ＴＦＴ側基板２１）とカラーフィルタ４を形成するもの（カラーフィルタ側基板２２）がある。
【００４８】
上記加熱装置１は，後述する上記液晶表示板２０の製造工程において用いられるスパッタリング装置，プラズマＣＶＤ装置，或いは貼り合せ装置に配設されている。なお，上記各装置についての詳細は，実施形態例２〜４において説明する。
【００４９】
次に，上記液晶表示板２０の製造工程につき，図２，図３を用いて説明する。
まず，上記ＴＦＴ側基板２１の表面にＴＦＴ３を形成する（ステップＴ１）。即ち，上記ＴＦＴ側基板２１の表面に絶縁層，半導体層，導体配線，ゲート電極，ソース電極，ドレイン電極等を形成することによりＴＦＴ３を形成する。
次いで，該ＴＦＴ３の上面から透明電極層３１を形成する（ステップＴ２）。次いで，該透明電極層３１の上から配向膜３２を形成し（ステップＴ３），該配向膜３２にラビング処理を施す（ステップＴ４）。
【００５０】
一方，上記カラーフィルタ側基板２２の表面に，カラーフィルタ４を形成する（ステップＣ１）。即ち，上記カラーフィルタ側基板２２の表面にブラックマトリックス等を形成することにより，上記カラーフィルタ４を形成する。
次いで，該カラーフィルタ４の上面から透明電極層４１を形成する（ステップＣ２）。次いで，該透明電極層４１の上から配向膜４２を形成し（ステップＣ３），該配向膜４２にラビング処理を施す（ステップＣ４）。
【００５１】
上記のごとく表面に成膜したＴＦＴ側基板２１とカラーフィルタ側基板２２とを，成膜された面同士を対向させて貼り合せる。即ち，上記ＴＦＴ側基板２１の配向膜上にシール材２５を印刷すると共にプラスチックビーズ２６を撒布した後（ステップＳ５，Ｓ６），上記カラーフィルタ側基板２２を貼り合せる（ステップＳ７）。
【００５２】
次いで，両ガラス基板２を両面から加圧して，該ガラス基板２間の間隔（図２の符号Ｄ）が上記プラスチックビーズ２６の直径（１０μｍ程度）に等しくなるまで押圧する（ステップＳ８）。次いで，加熱することにより上記シール材２５を両ガラス基板２に融着させると共に硬化させる（ステップＳ９）。
その後，上記２枚のガラス基板２間に液晶２７を注入する（ステップＳ１０）。次いで，上記２枚のガラス基板２の両面に，偏向板２８を貼り付けることにより（ステップＳ１１），液晶表示板２０を製造する（図２）。
【００５３】
上述したガラス基板２へのＴＦＴ３の形成やカラーフィルタ４の形成には，実施形態例２において説明するスパッタリング装置５（図４），或いは実施形態例３において説明するプラズマＣＶＤ装置６（図５）を用いる。また，上記ＴＦＴ側基板２１と上記カラーフィルタ側基板２２との貼り合せには，実施形態例４において説明する貼り合せ装置７（図６）を用いる。
そして，上記各装置には，上記ガラス基板２を支持すると共に加熱する加熱装置１が配設されている。そして，上記各装置は，上記加熱装置１によりガラス基板２を加熱しながら成膜あるいは加圧する。
【００５４】
次に，本例の作用効果につき説明する。
上記加熱装置１は，図１に示すごとく，上記支持プレートにより上記ガラス基板２を支持する。そして，上記発熱手段１２であるニクロム線に通電して発熱させ，その熱を上記支持プレート１１に伝える。これにより，該支持プレートを発熱させ，該支持プレート１１に支持されたガラス基板２を加熱する。
【００５５】
ところで，上述のごとく，上記加熱装置１における支持プレート１１は，炭素結合炭素繊維複合材料からなる。
炭素結合炭素繊維複合材料は熱膨張率が小さいため，上記支持プレート１１を発熱させて高温とした場合にも，反りなどは殆ど起こらない。そのため，上記加熱装置１は，上記支持プレート１１には歪みが殆ど生じない。
【００５６】
それ故，上記加熱装置１により上記ガラス基板２を加熱しながら成膜したり貼り合せを行なったりする際に，ガラス基板２が反ったり，貼り合せ時の押圧力が不均一となったりするおそれがない。また，上記支持プレート１１とガラス基板２との接触状態を全面にわたって均一に維持することができるため，上記支持プレート１１からガラス基板２への熱伝導を均一に行なうことができる。
従って，高品質の液晶表示板２０を製造することができる。
【００５７】
また，上記支持プレート１１を構成する炭素結合炭素繊維複合材料は，機械的強度に優れている。そのため，上記支持プレート１１は耐衝撃性に優れ，クラック等が発生するおそれがない。また，上記加熱装置１の使用中に，上記炭素結合炭素繊維複合材料からカーボン粉末が離脱するおそれもない。即ち，上記支持プレート１１からの脱粉によって，上記カーボン粉末が成膜中に混入するおそれがない。
また，上記支持プレート１１は，上記炭素結合炭素繊維複合材料からなるため，容易に所望の形状に形成することができ，加工性に優れている。
【００５８】
また，図１に示すごとく，上記支持プレート１１の表面には，少なくとも脱粉を防止するための被膜１３が形成されている。そのため，上記液晶表示板２０の種々の製造工程において，上記加熱装置１を用いる際に，カーボン粉末の発生を更に確実に防ぐことができる。
【００５９】
また，上記被膜１３により，上記炭素結合炭素繊維複合材料における微細孔を塞ぐことも可能である。そのため，上記製造工程において，上記炭素結合炭素繊維複合材料中に混入している不純物質やガス等が上記微細孔から放出されることを防ぐことができる。そのため，上記不純物質やガス等が製品に悪影響を与えるおそれもない。
【００６０】
また，上記被膜１３は，上記炭素結合炭素繊維複合材料の微細孔にも入り込むようにしてコーティングされる。そのため，上記微細孔のアンカー効果により，上記被膜１３は剥がれ難く，亀裂も生じ難い。
【００６１】
以上のごとく，本例によれば，耐衝撃性，加工性に優れ，かつ歪み，脱粉の生じない支持プレートを有する液晶表示板用の基板の加熱装置を提供することができる。
【００６２】
実施形態例２
本例は，図４に示すごとく，スパッタリング装置５に配設した加熱装置１の例である。即ち，上記スパッタリング装置５においてガラス基板２を支持すると共に加熱する基板電極治具５１が，上記加熱装置１の支持プレート１１となる。
【００６３】
まず，上記スパッタリング装置５の構成につき説明する。
上記スパッタリング装置５は，図４に示すごとく，上記基板電極治具５１と該基板電極治具５１に対向配置されたカソード板５２を，チャンバー５０内に配設している。上記カソード板５２における上記基板電極治具５１に対向する面には，Ａｌなど上記ガラス基板２に成膜するための材料からなるターゲット５３が保持されている。
また，上記チャンバー５０には，Ａｒガスを導入するためのガス導入管５４と，チャンバー５０内を真空引きするための排気管５５が配設されている。
【００６４】
上記スパッタリング装置５によりスパッタリングを行なうに当っては，排気管５５から上記チャンバー５０内を真空引きした後，上記ガス導入管５４からＡｒガスを導入する。次いで，電源５６を用いて上記カソード板５２に電圧を印加することにより，Ａｒイオンを，上記カソード板５２に保持されたターゲット５３に衝突させる。これにより，ターゲット５３のＡｌがはじき出され，上記基板電極治具５１に支持されているガラス基板２の表面に付着する。
これにより，上記ガラス基板２の表面にＡｌ膜を成膜する。
【００６５】
上記スパッタリング装置５は，実施形態例１で示した液晶表示板の製造工程において，ＴＦＴ３の形成（図３のステップＴ１），カラーフィルタ４の形成（ステップＣ１），あるいは透明電極層３１，４１の形成（ステップＴ２，Ｃ２）に用いられる。
即ち，ＴＦＴ３における導体配線，ゲート電極，ソース電極，ドレイン電極等を形成する際には，例えばＡｌ金属をスパッタリング装置５により上記ガラス基板２にスパッタリングして成膜する。そして，その上にレジストによりパターン形成してエッチングした後，レジストを剥離することにより，各配線，電極を形成する。
【００６６】
同様に，上記透明電極層の形成においては，ＩＴＯをスパッタリングする。また，カラーフィルターの形成においては，Ｃｒ／ＣｒＯXをスパッタリングしてブラックマトリックスを形成する。
【００６７】
上記のごとくスパッタリングを行なうに当っては，発熱手段１２により上記基板電極治具５１である支持プレート１１を発熱させて，上記ガラス基板２を約３００℃に加熱する。
その他は，実施形態例１と同様である。
【００６８】
上記支持プレート１１は，上述のごとく炭素結合炭素繊維複合材料からなるため，歪みを生ずることがない。
そのため，スパッタリングによりＡｌ等を成膜する際に，ガラス基板２が反ったりすることがない。それ故，ガラス基板２の全体に均一に成膜を行なうことができる。また，上記支持プレート１１とガラス基板２との接触状態を全面にわたって均一に維持することができるため，上記支持プレート１１から上記ガラス基板２への熱伝導を均一に行なうことができる。
【００６９】
また，上記支持プレート１１を構成する炭素結合炭素繊維複合材料は，機械的強度に優れている。そのため，上記支持プレート１１は耐衝撃性に優れ，クラック等が発生するおそれがない。また，上記加熱装置１の使用中に，上記炭素結合炭素繊維複合材料からカーボン粉末が離脱するおそれもない。即ち，上記支持プレート１１からの脱粉によって，上記カーボン粉末が成膜中に混入するおそれがない。
それ故，本例のスパッタリング装置５によれば，品質の高い液晶表示板２０を製造することができる。
その他，実施形態例１と同様の作用効果を有する。
【００７０】
実施形態例３
本例は，図５に示すごとく，プラズマＣＶＤ装置６に配設した加熱装置１の例である。即ち，上記プラズマＣＶＤ装置６においてガラス基板２を支持すると共に加熱するサセプター６１が，上記加熱装置１の支持プレート１１となる。
【００７１】
まず，上記プラズマＣＶＤ装置６の構成につき説明する。
上記プラズマＣＶＤ装置６は，上記サセプター６１と，該サセプター６１に対向配置された高周波電極６２とをチャンバー６０内に配設している。上記高周波電極６２には，原料ガスを導入するためのガス導入管６３，及び原料ガスを通過させるスリット６４１を多数有するシャワーヘッド６４が設けてある。
また，上記チャンバー６０には，チャンバー内を真空引きするための排気管６５が設けてある。
【００７２】
上記プラズマＣＶＤ装置６により成膜を行なうに当っては，成膜する材料の構成元素を含む原料ガス６９を，上記ガス導入管６３，シャワーヘッド６４を通じて上記チャンバー内に導入する。このとき，上記高周波電極６２における電圧により，シャワーヘッド６４を通過する原料ガス６９をプラズマ状態にする。プラズマ状態となった上記原料ガス６９は，上記サセプター６１に支持されたガラス基板２の表面に供給され，該ガラス基板２上において化学反応が起こり，成膜が行われる。
【００７３】
上記プラズマＣＶＤ装置６は，実施形態例１で示した液晶表示板の製造工程において，ＴＦＴの形成（図３のステップＴ１），カラーフィルタの形成（ステップＣ１）に用いられる。
【００７４】
即ち，上記ＴＦＴ３における絶縁膜や半導体層は，例えばシリコン窒化膜や，アモルファスシリコンをプラズマＣＶＤ装置６により上記ガラス基板２の表面に成膜する。そして，その上にレジストによりパターン形成してエッチングした後，レジストを剥離することにより，絶縁膜や半導体層を形成する。
【００７５】
上記のごとく成膜を行なうに当っては，発熱手段１２により上記サセプター６１である支持プレート１１を発熱させて，上記ガラス基板２を約３００℃に加熱する。
その他は，実施形態例１と同様である。
【００７６】
上記支持プレート１１は，上述のごとく炭素結合炭素繊維複合材料からなるため，歪みを生ずることがない。
そのため，プラズマＣＶＤ装置６によりシリコン窒化膜等を成膜する際に，ガラス基板２が反ったりすることがない。それ故，ガラス基板２の全体を均一に加熱することができると共に，均一に成膜を行なうことができる。
【００７７】
また，上記支持プレート１１は，炭素結合炭素繊維複合材料からなるため，耐衝撃性に優れ，クラック等が発生するおそれがない。
また，上記ガラス基板２への成膜時に，上記支持プレート１１からの脱粉が生ずるおそれもないため，カーボン粉末が成膜中に混入するなどという不具合が発生するおそれもない。
そのため，本例のプラズマＣＶＤ装置６によれば品質の高い液晶表示板を製造することができる。
その他，実施形態例１と同様の作用効果を有する。
【００７８】
実施形態例４
本例は，図６に示すごとく，貼り合せ装置７に配設した加熱装置１の例である。即ち，上記貼り合せ装置７において一対の上記ガラス基板２を各１枚支持して貼り合せ，その両面から加圧すると共に加熱する一対の定盤が，上記加熱装置１の支持プレート１１となる。
【００７９】
まず，上記貼り合せ装置７の構成につき説明する。
即ち，図６に示すごとく，上記貼り合せ装置７は，機枠７０と，該機枠７０の下枠７０１に固定された固定定盤７１と，該固定定盤７１に対向配置されると共に上記機枠の上枠７０２に上下動可能に取付けられた可動定盤７２とからなる。上記可動定盤７２の上下動は，上記上枠７０２に固定されたエアシリンダー７３によって行なう。
【００８０】
上記貼り合せ装置７は，実施形態例１で示した液晶表示板２０の製造工程において，一対のガラス基板２の貼り合せ（図３のステップＳ７）に用いられる。
上記貼り合せ装置７により，一対のガラス基板２を貼り合せるに当っては，ＴＦＴ側基板２１を上記固定定盤７１にセットすると共に，カラーフィルム側基板２２を上記可動定盤７２にセットする。次いで，上記可動定盤７２を下降させ（図６の矢印Ｚ），上記ＴＦＴ側基板２１上に上記カラーフィルム側基板２２を貼り合せる。
【００８１】
次いで，上記エアシリンダ７３によって，両ガラス基板２の間隔が１０μｍ程度になるまで加圧する。次いで，上記固定定盤７１及び可動定盤７２に設けられた発熱手段１２によって，上記固定定盤７１及び可動定盤７２を発熱させて上記ガラス基板２を約２００℃に加熱する。
これにより，上記一対のガラス基板２の間のシール材を融着すると共に硬化させて，貼り合せを完了する。
その他は，実施形態例１と同様である。
【００８２】
上記支持プレート１１は，上述のごとく炭素結合炭素繊維複合材料からなるため，熱によって歪みを生ずることが殆どない。
そのため，貼り合せ装置７により一対のガラス基板２を両面から加圧する際に，上記ガラス基板２の全面において押圧力が均一となり，貼り合された一対のガラス基板２の間に形成される隙間が均一となる。また，上記支持プレート１１とガラス基板２との接触状態を全面にわたって均一に維持することができるため，上記支持プレート１１からガラス基板２への熱伝導を均一に行なうことができる。
【００８３】
また，上記支持プレート１１は，炭素結合炭素繊維複合材料からなるため，耐衝撃性に優れ，クラック等が発生するおそれがない。
また，上記一対のガラス基板２を貼り合せる際に，上記支持プレート１１から脱粉が生じることがない。そのため，上記ガラス基板２の間にカーボン粉末が入り込むなどの不具合が生じない。
それ故，本例の貼り合せ装置７によれば，品質の高い液晶表示板を製造することができる。
その他，実施形態例１と同様の作用効果を有する。
【００８４】
実施形態例５
本例は，支持プレート１１の被膜１３をガラス状炭素によって形成した加熱装置の例である。
上記被膜１３は，以下のようにして形成した。
即ち，有機樹脂を熱分解させてピッチ状とし，それを溶剤に溶かして支持プレート１１の炭素結合炭素繊維複合材料に含浸し，加熱炭化させてガラス状炭素被膜を形成した。上記被膜１３は，膜厚が約２μｍであり，発光分光法により測定した総灰分量が２５ｐｐｍであった。
その他は，実施形態例１と同様である。
【００８５】
上記支持プレート１１の被膜１３は，上述のごとく，ガラス状炭素からなる。そのため，ガラス基板２の接触や取扱い等により，上記被膜１３の表面から，組織が粉末として離脱する現象は発生しない。
そのため，確実に脱粉の生じない加熱装置１を得ることができる。
その他，実施形態例１と同様の作用効果を有する。
【００８６】
【発明の効果】
上述のごとく，本発明によれば，耐衝撃性，加工性に優れ，かつ歪み，脱粉の生じない支持プレートを有する液晶表示板用の基板の加熱装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態例１における，加熱装置の説明図。
【図２】実施形態例１における，液晶表示板の断面説明図。
【図３】実施形態例１における，液晶表示板の製造工程のフロー図。
【図４】実施形態例２における，スパッタリング装置の説明図。
【図５】実施形態例３における，プラズマＣＶＤ装置の説明図。
【図６】実施形態例４における，貼り合せ装置の説明図。
【符号の説明】
１．．．加熱装置，
１１．．．支持プレート，
１２．．．発熱手段，
１３．．．被膜，
２．．．ガラス基板，
２１．．．ＴＦＴ側基板，
２２．．．カラーフィルム側基板，
３．．．ＴＦＴ（薄膜トランジスタ），
３１，４１．．．透明電極層，
３２，４２．．．配向膜，
４．．．カラーフィルタ，
５．．．スパッタリング装置，
６．．．プラズマＣＶＤ装置，
７．．．貼り合せ装置，
【図１】
0004382214.tif 000002
【図２】
0004382214.tif 000003
【図３】
0004382214.tif 000004
【図４】
0004382214.tif 000005
【図５】
0004382214.tif 000006
【図６】
0004382214.tif 000007