(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
バリウム成分と亜鉛成分との少なくとも一方、珪素成分およびアルミニウム成分を含有しており、
前記バリウム成分と前記亜鉛成分との合計量がＢａＯおよびＺｎＯに換算して４６．０〜５６．０重量％であり、
前記珪素成分の含有量がＳｉＯ２に換算して３９．０〜４７．０重量％であり、
前記アルミニウム成分の含有量がＡｌ２Ｏ３に換算して０．５〜１０．０重量％であり、
ホウ素成分をＢ２Ｏ３に換算して０．３〜１．５重量％、および ビスマス成分をＢｉ２Ｏ３に換算して１．０〜１０．０重量％含有しており、
強力Ｘ線回折装置によって下記の条件下で測定したときにサンボーナイト相、セルシアン相およびβ−クリストバライト相を主結晶相として含んでおり、前記サンボーナイト相の（１０１）面のピーク強度に対するα−クリストバライト相の（１０１）面のピーク強度の比率が５％以下であることを特徴とする、低温焼成磁器。
管球：Cu
管電圧：50kV
管電流：300mA
モノクロメーター：入射側Ｇｅ
発散スリット：1/2deg
散乱スリット：1/2deg
受光スリット：0.15ｍｍ
ステップ：0.02deg
計数時間：7.00sec
【請求項２】
前記バリウム成分と前記亜鉛成分との合計量がＢａＯおよびＺｎＯに換算して４８．０〜５４．０重量％であり、
前記珪素成分の含有量がＳｉＯ２に換算して３９．０〜４１．０重量％であり、
前記アルミニウム成分の含有量がＡｌ２Ｏ３に換算して１．０−５．０重量％であることを特徴とする、請求項１記載の低温焼成磁器。
【請求項３】
実質的に、前記バリウム成分、前記珪素成分、前記アルミニウム成分、前記ホウ素成分、前記亜鉛成分および前記ビスマス成分からなることを特徴とする、請求項１記載の低温焼成磁器。
【請求項４】
出発原料として、Ｂ２Ｏ３を含むガラスとＢｉ２Ｏ３を含むセラミックとを使用して得られたことを特徴とする、請求項１記載の低温焼成磁器。
【請求項５】
前記ガラスが、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３およびＺｎＯを含有するガラスであることを特徴とする、請求項４記載の低温焼成磁器。
【請求項６】
前記α−クリストバライト相の（１０１）面のピーク強度が検出限界未満であることを特徴とする、請求項１記載の低温焼成磁器。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一つの請求項に記載の低温焼成磁器によって少なくとも一部が構成されていることを特徴とする、電子部品。
【請求項８】
前記低温焼成磁器が前記電子部品の他部材に対して接合されており、前記他部材が、誘電体層、磁性体層、圧電体層または金属電極であることを特徴とする、請求項７記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、低温焼成磁器、およびこれを用いた電子部品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
携帯電話機等の高周波回路無線機器においては、高周波回路フィルターとして、例えばトップフィルター、送信用段間フィルター、ローカルフィルター、受信用段間フィルター等として、積層型誘電体フィルターが使用されている。こうした誘電体積層フィルターの例は、例えば特開平５−２４３８１０号公報に開示されている。
【０００３】
誘電体積層フィルターを製造するためには、誘電体を構成するセラミック粉末の成形体を複数作製し、各成形体に対して、所定の導体ペーストを塗布することによって所定の電極パターンを各成形体に作製する。次いで、各成形体を積層して積層体を得、この積層体を焼成することによって、導体ペースト層と各成形体とを同時に焼成し、緻密化させる。
【０００４】
この際、電極は一般的に銀系導体、銅系導体、ニッケル系導体のような低融点金属の導体を使用しているが、これらの融点は例えば１１００℃以下であり、９３０℃程度まで低下する場合もある。このため、電極を構成する低融点金属よりも低い焼成温度で誘電体を焼結させることが必要である。
【０００５】
ストレー容量を低減し、遅延時間を低減し、内蔵共振器およびコンデンサーの高周波損失を低減するために、低温焼成磁器の誘電率εｒを低くし、かつ品質係数Ｑを増加させることが望まれている。本出願人は、特開２０００−２１１９６９号公報において、１０００℃以下の最適焼成温度を有しており、誘電率εｒが１０以下であり、品質係数Ｑが２５００以上である低温焼成磁器を開示した。この磁器はシリカ−アルミナ−酸化バリウム系であり、強度の高いセルシアン相を析出させている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
低温焼成磁器を内蔵共振器やコンデンサーに利用する際には、磁器と内層電極、外装電極との間の熱膨張を合わせる必要があり、このために一般に磁器或いは電極の線膨張率を制御する必要がある。シリカ−アルミナ−酸化バリウム系低温焼成磁器の熱膨張を制御するためには、ＳｉＯ２単相（例：クリストバライト、石英、トリジマイト）の含有率を制御することが有効である。しかし、磁器にクリストバライト相を析出させると、メッキプロセスや鉛フリーメッキプロセスの際に磁器にクラックが発生し、不良品が増加する傾向があることが判明した。
【０００７】
本発明の課題は、クリストバライト相が析出したシリカ−アルミナ−酸化バリウム系の低温焼成磁器において、磁器内でのクラックの発生率を低く抑えられるようにすることである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、強力Ｘ線回折装置によって測定したときにサンボーナイト相、セルシアン相およびβ−クリストバライト相を結晶相として含んでおり、サンボーナイト相の（１０１）面のピーク強度に対するα−クリストバライト相の（１０１）面のピーク強度の比率が５％以下であることを特徴とする、低温焼成磁器に係るものである。
【０００９】
本発明の低温焼成磁器は，更に、バリウム成分と亜鉛成分との少なくとも一方、珪素成分およびアルミニウム成分を含有しており、バリウム成分と亜鉛成分との合計量がＢａＯおよびＺｎＯに換算して４６．０〜５６．０重量％であり、珪素成分の含有量がＳｉＯ２に換算して３９．０〜４７．０重量％であり、アルミニウム成分の含有量がＡｌ２Ｏ３に換算して０．５−１０．０重量％であり、ホウ素成分をＢ２Ｏ３に換算して０．３〜１．５重量％、および
ビスマス成分をＢｉ２Ｏ３に換算して１．０〜１０．０重量％含有している。
【００１０】
また、本発明は、前記低温焼成磁器によって少なくとも一部が構成されていることを特徴とする、電子部品に係るものである。
【００１１】
本発明者は、前述した磁器内でのクラックの発生状況について検討した結果、次の知見を得た。即ち、磁器上に例えば金属ペーストを塗布した状態で８５０〜１０００℃の温度で焼結させる。この際、焼結後の磁器内にクリストバライト相を析出させることによって、磁器の線膨張率を低減する。この後、金属電極上にメッキや鉛フリー半田を設ける。この際の温度は低温焼成磁器の一般的な焼結温度（８５０〜１０００℃）に比べて遥かに低いので、磁器内でのクラック発生に影響を及ぼすとは考えにくかった。しかし、実際には、焼結によって磁器が生成した後の比較的低温でのプロセスがクラック発生に大きく影響していた。
【００１２】
本発明者は、こうしたクラックの原因について検討した結果、クリストバライト相の相変態が影響していることを見いだした。クリストバライト相は、一般に、３００℃以上の高温で安定なβ−クリストバライト相と、低温で安定なα−クリストバライト相とがある。β−クリストバライト相は、一般的には高温相であるが、低温焼成磁器内では他の結晶相の粒子によって拘束されており、このためα−クリストバライト相への相転移が阻止されているものと考えられる。
【００１３】
この磁器を処理する際に、２００〜３００℃の温度範囲において、比較的少量のα−クリストバライト相がβ−クリストバライト相へと相転移し、この際に結果的に線膨張率の変化をもたらしたものと考えられる。一般に、相転移に伴う線膨張率の変化は、相転移速度に依存しているものと考えられる。相転移速度が大きい場合（相転移が速い場合）には、相転移した結晶相が少量であったとしても、その相転移の前後で急激な線膨張率の増減が起こる。しかし、相転移の速度を定量的に測定することはきわめて困難であり、明確な理論もない。まして特定磁器系における特定結晶相の相転移速度を予測した事例は、これまで報告されていない。従って、本発明の磁器系において、比較的少量のα−クリストバライト相からβ−クリストバライト相への相転移の速度、更には磁器の線膨張率の増減を予測することは困難であった。
【００１４】
本発明においては、サンボーナイト相、セルシアン相およびβ−クリストバライト相を結晶相として含んでいる低温焼成磁器において、サンボーナイト相の（１０１）面のピーク強度に対するα−クリストバライト相の（１０１）面のピーク強度の比率が５％以下とすることによって、前述した磁器内のクラックを防止できる。
【００１５】
本発明の磁器における各結晶相は以下のとおりである。
サンボーナイト相（ＢａＳｉ２Ｏ５）は、ＪＣＰＤＳカード番号２６−０１７６のＸ線回折ピークを有するものである。
セルシアン相（ＢａＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８）は、ＪＣＰＤＳカード番号３８−１４５０のＸ線回折ピークを有するものである。
β−クリストバライト相（ＳｉＯ２）は、ＪＣＰＤＳカード番号２７−０６０５のＸ線回折ピークを有するものである。
α−クリストバライト相（ＳｉＯ２）は、ＪＣＰＤＳカード番号３９−１４２５のＸ線回折ピークを有するものである。
【００１６】
本発明において、Ｘ線回折チャートおよびピーク強度は、以下の条件で測定する。
Ｘ線回折装置名：  RIGAKU製「RINT2500」
管球：Cu
管電圧：50kV
管電流：300mA
モノクロメーター：入射側Ｇｅ
発散スリット：1/2deg
散乱スリット：1/2deg
受光スリット：0.15ｍｍ
ステップ：0.02deg
計数時間：7.00sec
【００１７】
サンボーナイト相の（１０１）面のピーク強度に対するα−クリストバライト相の（１０１）面のピーク強度の比率は、４％以下とすることが更に好ましく、２％以下とすることが一層好ましい。更には、α−クリストバライト相のピーク強度は検出限界未満であることが特に好ましい。
【００１８】
サンボーナイト相の（１０１）面のピーク強度に対するセルシアン相の（-2 2 0）面のピーク強度の比率は、１％以上とすることが好ましく、あるいは、２０％以下とすることが好ましい。
【００１９】
サンボーナイト相、セルシアン相、β−クリストバライト相は、合計で、全結晶相の９０重量％以上を占めていることが好ましく、９５重量％以上を占めていることが更に好ましい。
【００２０】
サンボーナイト相、セルシアン相、β−クリストバライト相およびα−クリストバライト相以外の結晶相は、後述の測定条件で検出限界未満であることが特に好ましい。
【００２１】
本発明の低温焼成磁器においては、珪素成分をＳｉＯ２に換算して２０重量％以上含有させることが好ましく、これによって誘電率を１０以下に制御できる。誘電率を一層低くするという観点からは、珪素成分をＳｉＯ２に換算して３０重量％以上含有させることが好ましい。また、珪素成分をＳｉＯ２に換算して８０重量％以下含有させることが好ましく、これによって磁器の最適焼成温度を低くできる。この観点からは、６５重量％以下とすることが一層好ましい。
【００２２】
本発明の低温焼成磁器においては、アルミニウム成分をＡｌ２Ｏ３に換算して０．１重量％以上含有させることが好ましく、これによって磁器中に強度の高いセルシアン相を増やし、磁器からなる基板の強度を２０００ｋｇ／ｃｍ２  以上まで上昇させることができる。この観点からは、アルミニウム成分をＡｌ２Ｏ３に換算して２．０重量％以上含有させることが好ましい。また、磁器の焼成温度を低下させるという観点からは、アルミニウム成分をＡｌ２Ｏ３  に換算して２０重量％以下含有させることが好ましく、１５重量％以下含有させることが更に好ましい。
【００２３】
本発明の低温焼成磁器においては、バリウム成分をＢａＯに換算して１０重量％以上含有させることが好ましく、これによって磁器の品質係数Ｑを一層高くすることができる。この観点からは、バリウム成分をＢａＯに換算して３０重量％以上含有させることが好ましい。また、バリウム成分をＢａＯに換算して６４重量％以下含有させることが好ましく、これによって１０以下の誘電率εｒを確保できる。誘電率εｒを一層低くするという観点からは、バリウム成分をＢａＯに換算して６０重量％以下含有させることが更に好ましい。
【００２４】
亜鉛成分をＺｎＯに換算して０．５重量％以上（特に好ましくは２．０重量％以上）含有させることによって、低温焼成磁器の線膨張率が減少し、焼結し易くなることから、低温焼成が可能となる。亜鉛成分をＺｎＯに換算して２０重量％以下（特に好ましくは１５重量％以下）含有させることによって、磁器の品質係数Ｑを一層向上させることができる。
【００２５】
本発明において特に好ましい組成は以下のとおりであり、これによってα−クリストバライト相の析出を特に抑制しやすい。
【００２６】
（バリウム成分と前記亜鉛成分との合計量）
ＢａＯおよびＺｎＯに換算して４６．０〜５６．０重量％（更に好ましくは、４８．０重量％以上であり、より一層好ましくは、４９．５重量％以上である。あるいは、更に好ましくは５４．０重量％以下である。より一層好ましくは５２．５重量％以下である。
（バリウム成分の量）
更に好ましくは、ＢａＯが４０重量％以上（更に好ましくは４２重量％以上）である。更に好ましくは、ＢａＯが５１重量％以下（更に好ましくは４９重量％以下）である。
（亜鉛成分の量）
更に好ましくは、ＺｎＯが1.0重量％以上であり、あるいは、10.0重量％以下である。
（珪素成分の量）
珪素成分の含有量がＳｉＯ２に換算して３９．０〜４７．０重量％（更に好ましくは３９．５重量％以上である。また、更に好ましくは４１．０重量％以下であり、より一層好ましくは４０．５重量％以下である）
（アルミニウム成分の量）
アルミニウム成分の含有量がＡｌ２Ｏ３に換算して０．５〜１０．０重量％（更に好ましくは１．０重量％以上であり、より一層好ましくは２．０重量％以上である。あるいは、更に好ましくは５．０重量％以下であり、より一層好ましくは４．０重量％以下である）
【００２７】
好適な実施形態においては、Ｂｉ２Ｏ３（磁器成分）と、Ｂ２Ｏ３を含む低融点ガラスとを併用する。これによって、磁器の品質係数Ｑを向上させることが可能となり、磁器のクラックも一層抑制される。
【００２８】
ホウ素成分をＢ２Ｏ３に換算して１．５重量％以下含有させることによって、磁器の品質係数Ｑを２５００以上とすることができる。磁器の品質係数Ｑを増大させるという観点からは、ホウ素成分をＢ２Ｏ３に換算して１．０重量％以下含有させることが好ましく、０．９重量％以下含有させることが一層好ましい。また、ホウ素成分をＢ２Ｏ３に換算して０．３重量％以上含有させることによって、磁器の低温焼成が可能となる。ホウ素成分をＢ２Ｏ３に換算して０．５重量％以上含有させることが更に好ましく、０．６重量％以上含有させることがより一層好ましい。
【００２９】
ビスマス成分を含有させることによって、磁器におけるクラックの発生率が減少する。この作用効果は、本発明の磁器に対して金属電極を積層させる場合、あるいは磁器の成形体に金属電極を接触させた状態で磁器の成形体を焼成した場合、あるいは磁器の成形体中に金属電極を埋設した状態で磁器の成形体を焼成した場合に顕著である。ビスマス成分を含有させる場合は、ビスマス成分の量は、蛍光Ｘ線分析法によって検出可能であれば良い。しかし、好ましくは、ビスマス成分の含有量は、Ｂｉ２Ｏ３に換算して０．１重量％以上であることが好ましく、０．５重量％以上であることが更に好ましく、１．０重量％以上（更には１．５重量％以上、特に２．０重量％以上）であることが特に好ましい。
【００３０】
ビスマス成分をＢｉ２Ｏ３に換算して２０重量％含有させることにより、品質係数Ｑを一層増大させることができる。この観点からは、１５重量％以下が好ましく、１０重量％以下が特に好ましい。ビスマス成分をＢｉ２Ｏ３に換算して７．０重量％以下含有させることが更に好ましく、６．０重量％以下含有させることが一層好ましい。
【００３１】
本発明の磁器は、実質的にバリウム成分、珪素成分、アルミニウム成分のみからなっていてよく、また実質的にバリウム成分、珪素成分、アルミニウム成分、ホウ素成分、亜鉛成分およびビスマス成分からなっていてよい。しかし、これらの場合にも、各金属原料中に含まれる不可避的不純物は含有されていてよい。また、上記成分以外の酸化物や金属成分を含有していてよい。こうした酸化物や金属成分としては、例えば、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、Ｙ２Ｏ３、Ｖ２Ｏ５、ＭｎＯ、Ｍｎ２Ｏ３、ＣｏＯ、ＮｉＯ、Ｎｄ２Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、ＣｕＯ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄがある。
【００３２】
本発明の対象となる電子部品は特に限定されないが、例えば積層誘電体フィルター、多層配線基板、誘電体アンテナ、誘電体カプラー、誘電体複合モジュールを例示できる。
【００３３】
本発明の電子部品においては、低温焼成磁器が電子部品の他部品に対して接合されていることが好ましい。他部品が限定されないが、好ましくは誘電体層、磁性体層、圧電体層または金属電極である。
【００３４】
電子部品において使用できる金属電極は限定されないが、銀電極、銅電極、ニッケル電極、またはこれらの合金あるいはこれらの混合物からなる電極が好ましく、銀、銀合金、銀とその他の金属との混合物からなる電極が更に好ましく、銀電極が特に好ましい。
【００３５】
また金属電極上には、メッキ層および／または半田層を設けることができる。メッキ層の成分としては、Ｎｉ、Ｓｎを例示できる。半田層の成分としては、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｉｎ,Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｓｂ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎを例示できる。
【００３６】
本発明の電子部品においては、本発明の低温焼成磁器を、誘電率εｒが１０−１５０の他の低温焼成磁器と一体化することができる。
【００３７】
こうした磁器の組成系は限定されないが、以下の組成系が好ましい。
ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＺｎＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３
ＢａＯ−ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３−Ｎｄ２Ｏ３−ＺｎＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３
ＢａＯ−ＴｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３−Ｌａ２Ｏ３−Ｓｍ２Ｏ３−ＺｎＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３
ＭｇＯ−ＣａＯ−ＴｉＯ２−ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３
【００３８】
磁性体層を構成する磁性体は、以下のものを例示できる。
ＭｎＯ−ＺｎＯ−Ｆｅ２Ｏ３−ＣｕＯ：
ＭｎＯ−ＺｎＯ−Ｆｅ２Ｏ３−ＣｕＯ−ＳｉＯ２：
ＭｎＯ−ＺｎＯ−Ｆｅ２Ｏ３−ＣｕＯ−Ｔａ２Ｏ５：
ＭｎＯ−ＺｎＯ−Ｆｅ２Ｏ３−ＣｕＯ−ＳｉＯ２−Ｔａ２Ｏ５：
ＮｉＯ−ＺｎＯ−Ｆｅ２Ｏ３：
ＭｎＯ−ＺｎＯ−Ｆｅ２Ｏ３：
ＭｎＯ−ＺｎＯ−Ｆｅ２Ｏ３−Ｂｉ２Ｏ３−ＭｏＯ３：
ＮｉＯ−ＣｕＯ−ＺｎＯ
【００３９】
圧電体層を構成する圧電体は、以下のものを例示できる。
ＰｂＯ−ＺｒＯ２−ＴｉＯ２：ＰｂＯ−ＺｒＯ２−ＴｉＯ２−Ｓｂ２Ｏ３：
Ｋ２Ｏ−Ｎａ２Ｏ−Ｌｉ２Ｏ−Ｎｂ２Ｏ５−Ｔａ２Ｏ５−Ｂｉ２Ｏ３：
ＰｂＯ−ＣｏＯ−Ｎｂ２Ｏ３−ＺｒＯ２−ＴｉＯ２：
ＰｂＯ−ＭｇＯ−Ｎｂ２Ｏ３−Ｙｂ２Ｏ３−ＴｉＯ２−ＺｒＯ２：
ＢａＯ−ＴｉＯ２
【００４０】
本発明の低温焼成磁器を製造する際には、好ましくは、各金属成分の原料を所定比率で混合して混合粉末を得、混合粉末を８５０−１２００℃で仮焼し、仮焼体を粉砕し、セラミック粉末を得る。そして、好ましくは、セラミック粉末と、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３およびＺｎＯからなるガラス粉末とを使用して、グリーンシートを作製し、グリーンシートを８５０−９３０℃で焼成する。各金属成分の原料としては、各金属の酸化物、硝酸塩、炭酸塩、硫酸塩などを使用できる。
【００４１】
【実施例】
（セラミック粉末の製造）
炭酸バリウム、アルミナ、酸化珪素、酸化亜鉛、酸化ビスマスの各粉末を、所定の組成になるように秤量し、湿式混合する。この混合粉末を９００〜１０００℃で仮焼し、仮焼体を得る。仮焼物の結晶相とその結晶性を調べるために、粉末Ｘ線回折測定を行う。その後、仮焼粉末を、ボールミルにて、所定粒度まで粉砕し、粉末を乾燥し、セラミック粉末を得る。
【００４２】
（ガラス粉末の製造）
酸化亜鉛、酸化ホウ素および酸化珪素の各粉末を秤量し、乾式混合し、混合粉末を白金ルツボ中で溶融させ、溶融物を水中に投下して急速冷却し、塊状のガラスを得る。このガラスを湿式粉砕し、低融点ガラス粉末を得る。
【００４３】
（誘電特性評価用サンプルの製造）
得られたセラミック粉末とガラス粉末とを、イオン交換水、有機バインダーと共に、アルミナポット、アルミナボールを使用して混合し、スラリーを得、スラリーを乾燥して粉体を得る。得られた粉体を金型プレスにて所定の形状に成形し、９００〜９３０℃にて焼成し、３ＧＨｚ換算での誘電率εｒを測定する。
【００４４】
（クラック評価用サンプルの製造）
得られたセラミック粉末とガラス粉末とを、有機バインダー、可塑剤、分散剤および有機溶剤と共に、アルミナポット、アルミナボールを使用して湿式混合し、グリーンシート成形用スラリーを得る。このスラリーを用いてドクターブレード装置によって、厚み０．０３〜２ｍｍの各グリーンシートを成形する。
【００４５】
（クラックの評価）
各グリーンシートに、コンデンサー電極パターンや共振器電極パターンをＡｇ−Ｐｔ（Ｐｔ１重量％）ペーストにてスクリーン印刷し、各グリーンシートを所定枚数積層して積層体を得、ダイサーにて１１ｍｍ×８ｍｍ×３ｍｍの形状に切断し、８５０℃−９３０℃で２時間焼成することによって、焼結体を得る。次いで、焼結体を洗浄し、ニッケル中で電解メッキを行い、次いでスズ中性浴中で電解メッキを行う。得られた試料を洗浄する。この試料について、クラックの有無を評価する。クラックの有無の確認は、超音波探傷装置（日立建機株式会社製「マイスコープ」）でクラックの部分からの超音波エコー反射の画像データにより判断した。それぞれ１００個の試料について測定し、不良品の発生個数を表に示す。
【００４６】
（Ｘ線回折ピークの測定）
各磁器試料について、Ｘ線回折ピークを前述の条件にて測定する。そして、サンボーナイト相の（１０１）面のピーク強度に対するα−クリストバライト相の（１０１）面のピーク強度の比率を表１〜４に示す。また、サンボーナイト相、セルシアン相、β−クリストバライト相、α−クリストバライト相以外の結晶相の有無を表４に示した。また、適正焼成温度は、焼成温度の変化に対する誘電率εｒの変化が０．１／℃以内となる温度とした。
【００４７】
（外装電極との線膨張率差）
外装電極および実験試料の各線膨張率（２５０℃）を熱膨張計によって測定し、線膨張率の差を得た。
【００４８】
（実験結果）
以上の実験において、各金属の割合を、表１〜表４に示すように種々変更した。そして、各試験試料について、上記の各特性を測定し、表１〜表４に示した。
【００４９】
【表１】
0004248165.tif 000002
【００５０】
【表２】
0004248165.tif 000003
【００５１】
【表３】
0004248165.tif 000004
【００５２】
【表４】
0004248165.tif 000005
【００５３】
表１の各試料においては、主として（ＢａＯ＋ＺｎＯ）および（ＳｉＯ２）の量を変化させた。そして、サンボーナイト相の（１０１）面のピーク強度に対するα−クリストバライト相の（１０１）面のピーク強度の比率（以下、前記比率と呼ぶ）を５％以下に制御することに成功した。この結果、前記比率を５％以下に制御することによって、２５０℃における外装電極との熱膨張差を小さくでき、外装電極を形成した後のクラックを抑制できることを確認した。
【００５４】
表２の各試料においては、主としてＡｌ２Ｏ３の量を変化させた。そして、前記比率を５％以下に制御することによって、２５０℃における外装電極との熱膨張差を小さくでき、外装電極を形成した後のクラックを抑制できることを確認した。Ｂ１では、適正焼成温度範囲が低温側に移行した。
【００５５】
表３の各試料においては、主としてＢｉ２Ｏ３の量を変化させた。そして、前記比率を５％以下に制御することによって、２５０℃における外装電極との熱膨張差を小さくでき、外装電極を形成した後のクラックを抑制できることを確認した。Ｃ１では、適正焼成温度範囲が低温側に移行した。Ｃ９では、適正焼成温度範囲が高温側に移行した。
【００５６】
表４の各試料においては、主としてＢ２Ｏ３の量を変化させた。そして、前記比率を５％以下に制御することによって、２５０℃における外装電極との熱膨張差を小さくでき、外装電極を形成した後のクラックを抑制できることを確認した。Ｄ１では、適正焼成温度範囲が低温側に移行した。Ｄ９では、適正焼成温度範囲が高温側に移行した。
【００５７】
なお，Cu及びAgからなる内層電極との同時焼成温度の適正範囲は８８０℃〜９３０℃であるので、本実施例の磁器の適正焼成温度範囲も８８０〜９３０℃の範囲内にあることが好ましい。この観点からも本実施例の磁器は電子部品用途に好適である。
【００５８】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、クリストバライト相が析出したシリカ−アルミナ−酸化バリウム系の低温焼成磁器において、磁器内でのクラックの発生率を低く抑えられる。