(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＦｅＡｌＳｉ合金膜と、前記ＦｅＡｌＳｉ合金膜を支持するセラミックス基板とを備えた薄膜磁気ヘッド用基板であって、
前記ＦｅＡｌＳｉ合金膜と前記セラミックス基板との間に配置された中間積層膜を備え、
前記中間積層膜が前記セラミックス基板に近い側から順番にＣｒ膜およびＦｅ膜を含んでいる薄膜磁気ヘッド用基板。
【請求項２】
前記Ｆｅ膜が前記ＦｅＡｌＳｉ合金膜および前記Ｃｒ膜の各々と直接に接触しており、
前記Ｆｅ膜の厚さが２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下に設定されている請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド用基板。
【請求項３】
前記セラミックス基板と前記Ｃｒ膜との間に絶縁膜が設けられている請求項１または２に記載の薄膜磁気ヘッド用基板。
【請求項４】
前記Ｃｒ膜の厚さが５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である請求項１から３の何れかひとつに記載の薄膜磁気ヘッド用基板。
【請求項５】
ＦｅＡｌＳｉ合金膜と、前記ＦｅＡｌＳｉ合金膜を支持するセラミックス基板とを備えた薄膜磁気ヘッド用基板であって、
前記セラミックス基板の表面に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜と前記ＦｅＡｌＳｉ合金膜との間に配置された中間積層膜を備え、
前記中間積層膜は、
前記ＦｅＡｌＳｉ合金膜に接触する金属層であって前記ＦｅＡｌＳｉ合金膜の面内一軸磁気異方性を制御する金属層と、
前記セラミックス基板上の前記絶縁膜と前記金属層との間に形成され、前記絶縁膜に対して前記金属層よりも高い密着性を示す密着層と、
を含んでいる薄膜磁気ヘッド用基板。
【請求項６】
前記金属層の厚さは、前記金属層の表面において前記密着層の影響を実質的に反映しなくなる大きさを持つ請求項５に記載の薄膜磁気ヘッド用基板。
【請求項７】
請求項１から６の何れかに記載の薄膜磁気ヘッド用基板と、
前記薄膜磁気ヘッド用基板上に形成された磁気抵抗素子と、
を備えた薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
ＦｅＡｌＳｉ合金膜と、前記ＦｅＡｌＳｉ合金膜を支持するセラミックス基板とを備えた薄膜磁気ヘッド用基板の製造方法であって、
前記セラミックス基板上に中間積層膜を形成する工程と、
前記中間積層膜上に前記ＦｅＡｌＳｉ合金膜を堆積する工程と、
を包含し、
前記中間積層膜を堆積する工程は、
前記セラミックス基板の上にＣｒ膜を堆積する工程と、
前記Ｃｒ膜の上にＦｅ膜を堆積する工程と、
を包含する薄膜磁気ヘッド用基板の製造方法。
【請求項９】
前記Ｆｅ膜の厚さを２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下にする請求項８に記載の薄膜磁気ヘッド用基板の製造方法。
【請求項１０】
前記セラミックス基板として、表面に絶縁膜が形成された導電性セラミックス基板を用いる請求項８または９に記載の薄膜磁気ヘッド用基板の製造方法。
【請求項１１】
前記Ｆｅ膜の堆積をスパッタリング法によって実行する請求項８から１０の何れかに記載の薄膜磁気ヘッド用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜磁気ヘッド用基板、薄膜磁気ヘッド、および薄膜磁気ヘッド用基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
アルミナチタンカーバイド（アルチック）等のセラミックス基板上にアルミナ膜等の絶縁膜を堆積したものをベースとして用いた磁気抵抗（ＭＲ：Magnetoresistance）型ヘッドが開発されている。このようなＭＲ型ヘッドでは、磁気シールド膜が上記絶縁膜上に堆積され、その磁気シールド膜上にＭＲ素子や記録ヘッド部が設けられる。磁気シールド膜は、パーマロイ、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ系やＣｏ−Ｆｅ−Ｂ−Ｓｉ系のＣｏ基アモルファス、ＦｅＡｌＳｉ合金などの軟磁性材料から形成される。
【０００３】
ＭＲ型ヘッドは、ＭＩＧ型ヘッドなどの電磁誘導型とは異なり磁気抵抗効果を利用するため、ヘッドと記憶媒体との間の相対速度に依存せず大きな再生電圧を取り出すことができる。近年、記録密度の向上のため、ＭＲ型ヘッドはコンピュータ用大容量ハードディスク装置（ＨＤＤ）やパソコン用ＨＤＤ等に用いられつつある。
【０００４】
ＭＲ型ヘッドの磁気シールド膜について、その高周波透磁率を向上させることが要請されている。具体的には、振動周波数約１００ＭＨｚ〜約３００ＭＨｚの範囲で高い透磁率を発揮することが望まれている。そのため、磁気シールド膜の面内磁気異方性を基板上の広いエリアで均一に制御する技術が必要になってきている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、磁気シールド膜としてセンダスト（sendust）膜などのＦｅＡｌＳｉ合金膜を使用する場合、アルミナ膜などの絶縁膜上に直接にＦｅＡｌＳｉ合金膜を堆積すると、絶縁膜とＦｅＡｌＳｉ合金膜との間の密着性が悪いという問題があり、また、ＦｅＡｌＳｉ合金膜の磁気異方性を広い面積範囲内で均一に制御することが困難であった。
【０００６】
本発明は斯かる諸点に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、ＦｅＡｌＳｉ合金膜とセラミックス基板との間に密着性を改善するとともに、ＦｅＡｌＳｉ合金膜の磁気異方性を制御した薄膜磁気ヘッド用基板、薄膜磁気ヘッド、および薄膜磁気ヘッド用基板の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明による薄膜磁気ヘッド用基板は、ＦｅＡｌＳｉ合金膜と、前記ＦｅＡｌＳｉ合金膜を支持するセラミックス基板とを備えた薄膜磁気ヘッド用基板であって、前記ＦｅＡｌＳｉ合金膜と前記セラミックス基板との間に配置された中間積層膜を備え、前記中間積層膜が前記セラミックス基板に近い側から順番にＣｒ膜およびＦｅ膜を含んでいる。
【０００８】
前記Ｆｅ膜が前記ＦｅＡｌＳｉ合金膜および前記Ｃｒの各々と直接に接触しており、前記Ｆｅ膜の厚さが２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下に設定されていることが好ましい。
【０００９】
前記セラミックス基板と前記Ｃｒ膜との間に絶縁膜が設けられていることが好ましい。
【００１０】
前記Ｃｒ膜の厚さが５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００１１】
本発明による他の薄膜磁気ヘッド用基板は、ＦｅＡｌＳｉ合金膜と、前記ＦｅＡｌＳｉ合金膜を支持するセラミックス基板とを備えた薄膜磁気ヘッド用基板であって、前記セラミックス基板の表面に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜と前記ＦｅＡｌＳｉ合金膜との間に配置された中間積層膜を備え、前記中間積層膜は、前記ＦｅＡｌＳｉ合金膜に接触する金属層であって前記ＦｅＡｌＳｉ合金膜の面内一軸磁気異方性を制御する金属層と、前記セラミックス基板上の前記絶縁膜と前記金属層との間に形成され、前記絶縁膜に対して前記金属層よりも高い密着性を示す密着層とを含んでいる。
【００１２】
前記金属層の厚さは、前記金属層の表面において前記密着層の影響を実質的に反映しなくなる大きさを持つことが好ましい。
【００１３】
本発明による薄膜磁気ヘッドは、上記何れかの薄膜磁気ヘッド用基板と、前記薄膜磁気ヘッド用基板上に形成された磁気抵抗素子とを備えている。
【００１４】
本発明による薄膜磁気ヘッド用基板の製造方法は、ＦｅＡｌＳｉ合金膜と、前記ＦｅＡｌＳｉ合金膜を支持するセラミックス基板とを備えた薄膜磁気ヘッド用基板の製造方法であって、前記セラミックス基板上に中間積層膜を形成する工程と、前記中間積層膜上に前記ＦｅＡｌＳｉ合金膜を堆積する工程とを包含し、前記中間積層膜を堆積する工程は、前記セラミックス基板の上にＣｒ膜を堆積する工程と、前記Ｃｒ膜の上にＦｅ膜を堆積する工程と、前記Ｆｅ膜の上に前記ＦｅＡｌＳｉ合金膜を堆積する工程とを包含する。
【００１５】
前記Ｆｅ膜の厚さを２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下にすることが好ましい。
【００１６】
前記セラミックス基板として、表面に絶縁膜が形成された導電性セラミックス基板を用いることが好ましい。
【００１７】
前記Ｆｅ膜の堆積をスパッタリング法によって実行することが好ましい。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本願発明者は、ＦｅＡｌＳｉ合金膜の密着性を改善する目的でＦｅＡｌＳｉ合金膜と下地絶縁膜との間にＣｒ膜を設け、ＦｅＡｌＳｉ合金膜の磁気特性を評価した。その結果、ＦｅＡｌＳｉ合金膜の面内一軸磁気異方性が基板面内（ウェハ面内）で大きくばらつき、磁気異方性を制御できないことがわかった。
【００１９】
本発明者は、基板側から順番に密着層／Ｆｅ膜／ＦｅＡｌＳｉ合金膜という積層構造を作製し、そのＦｅＡｌＳｉ合金膜について磁気特性を評価した。その結果、密着層とＦｅＡｌＳｉ合金膜との間に所定範囲内の厚さを有するＦｅ膜を形成することによって、ＦｅＡｌＳｉ合金膜の面内一軸磁気異方性をウェハ面内の広い範囲にわたって均一化できることを見いだした。
【００２０】
以下、図面を参照しながら、本発明による薄膜磁気ヘッド用基板およびその製造方法の実施形態を説明する。
【００２１】
図１は、本実施形態にかかる薄膜磁気ヘッド用基板２０の断面構成を示している。本実施形態では、質量百分率で６４％のアルミナを含むアルミナチタンカーバイドからなる厚さ２ｍｍの導電性セラミックス基板２１をウェハとして使用している。この薄膜磁気ヘッド用基板２０は、セラミックス基板２１と、セラミックス基板２１上に堆積された厚さ５μｍのアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）膜２２と、アルミナ膜２２上に堆積されたＣｒ膜２３と、Ｃｒ膜２３上に堆積されたＦｅ膜２４と、Ｆｅ膜２４上に堆積されたＦｅＡｌＳｉ合金膜２５とを備えている。ＦｅＡｌＳｉ合金膜２５中のＦｅ、Ａｌ、およびＳｉの含有量は、それぞれ、質量百分率で、８５．０％、５．４％、および９．６％であり、ＦｅＡｌＳｉ合金膜２５はセンダスト膜として機能する。
【００２２】
セラミックス基板として絶縁性材料から形成されたものを採用する場合、必ずしもセラミックス基板の上面をアルミナ膜等の絶縁膜で覆う必要はない。しかし、セラミックス基板の表面には、平滑度Ｒａが１．０ナノメータ以上の凹凸が存在するため、その導電性の有無にかかわらず、表面の平坦性を向上させるために、アルミナ膜等の絶縁膜を堆積しておくことが好ましい。このような絶縁膜の堆積によって、その表面の平坦性を向上させることができる。本実施形態の場合、アルミナ膜２２の表面をバフ研磨することによって、その平滑度Ｒａを０．５ナノメータ（ｎｍ）以下にした。研磨後、ブラシと純水によって絶縁膜２２の表面を洗浄し、不純物などのコンタミネーションをできる限り基板上から排除した。
【００２３】
本実施形態では、Ｃｒ膜２３の厚さを２０ｎｍ、Ｆｅ膜２４の厚さを１００ｎｍ、ＦｅＡｌＳｉ合金膜２５の厚さを２μｍとした。何れの金属膜２３〜２５も共通のスパッタ装置内で異なるターゲットを用いたスパッタ法により堆積した。スパッタリング時のＲＦパワーは５．５Ｗ／ｃｍ２、雰囲気は１．３ＰａのＡｒガス（流量：２５ｓｃｃｍ）、基板温度は２００℃とした。スパッタ法による膜の堆積後、薄膜磁気ヘッド用基板２０に対し、６．７×１０−４Ｐａ以下の真空下あるいは窒素、アルゴンをはじめとする不活性ガス雰囲気下で４８０℃６０分の熱処理を施した。
【００２４】
スパッタ法による薄膜堆積およびその後の熱処理に際して、薄膜磁気ヘッド用基板２０は直径約１２５ｍｍの大きさを持っていた（図２参照）。しかし、薄膜磁気ヘッドとして最終的に製品化されるとき、このウェハ状態の基板２０は数ｍｍ角の大きさを持つ多数のチップに切断分離される。従って、膜特性がウェハ面内でばらつくと、最終的に得られる薄膜磁気ヘッドの製造歩留まりが大きく低下してしまうことになる。しかし、本実施形態によれば、ウェハの広い範囲において磁気特性がばらつかず、高い品質が達成された。
【００２５】
上記薄膜磁気ヘッド用基板２０について、図２に示すようにウェハ上の各ポイント１〜１３における磁気特性をマイクロカール（Ｋｅｒｒ）効果測定装置によって評価した。各ポイントの距離間隔は２０ｍｍである。その評価結果の代表例を図３（ａ）および（ｂ）に示す。グラフの横軸は磁界Ｈに対応し、縦軸は磁束密度Ｂに対応している。ただし、縦軸の値はＫｅｒｒ回転角の測定値に基づいている。図３（ａ）には、磁化困難軸（図２の矢印ａ）についての測定結果が示され、図３（ｂ）には、磁化容易軸（図２の矢印ｂ）についての測定結果が示されている。図３（ａ）および（ｂ）に示す特性が全ての測定ポイント１〜１３で観察された。このことから、ウェハ上のどの位置においても面内一軸磁気異方性が均一に得られていることがわかる。
【００２６】
図４は、この試料の高周波透磁率特性を示す。縦軸は透磁率μを示し、横軸は周波数（Frequency）を示している。図４からわかるように、周波数が１００ＭＨｚ以下の領域だけではなく１００ＭＨｚ〜３００ＭＨｚにおいても、従来例より高い透磁率が達成された。
【００２７】
次に、Ｃｒ膜２３の厚さを変化させた場合の密着性および膜特性に関する評価結果を下記の表１に示す。ここで、「密着性」は、砥石切断を行ったときのアルミナ膜と金属膜との剥離強度で評価し、「膜特性」は、面内一軸磁気異方性のばらつきを評価したものである。剥離強度については、切断加工によって膜チッピングの大きさを判断し、製品化に耐えるレベルにあったものに白丸を付与している。
【００２８】
【表１】
0004206585.tif 000002
【００２９】
密着性向上の観点から、Ｃｒ膜２３の厚さは５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましい。Ｃｒ膜２３が２００ｎｍを越えて厚くなると、密着性は低下しないが、Ｃｒ膜２３の表面が荒れるなどして、金属膜全体の磁気特性に悪影響が及び始めるので好ましくない。また、Ｃｒ膜２３は薄くても密着性を向上させる機能を発揮しうるので、特に厚く形成する必要はない。量産性向上の観点からは、密着性を維持しながら可能な限り薄く形成することが好ましい。
【００３０】
Ｆｅ膜２４の厚さを変化させた場合の密着性および膜特性についての評価結果を以下の表２および表３に示す。評価基準は表１の場合と同様である。
【００３１】
【表２】
0004206585.tif 000003
【００３２】
【表３】
0004206585.tif 000004
【００３３】
何れの試料についても、厚さ２０ｎｍのＣｒ膜２３を設けているため、密着性はＦｅ膜２４の厚さによらず良好である。しかし、膜特性向上の観点から、Ｆｅ膜２４の厚さは、表１および表２に示した試料について、５０ｎｍ以上であることが好ましい。これに対して、Ｆｅ膜２４の好ましい厚さ範囲の上限は、その上に堆積するＦｅＡｌＳｉ合金膜の厚さによって変化する。Ｆｅ膜２４は、ＦｅＡｌＳｉ合金膜の厚さの１０分の１以下に薄く形成することが好ましい。例えば、ＦｅＡｌＳｉ合金膜の厚さが２μｍの場合、Ｆｅ膜２４の好ましい厚さ範囲の上限は２００ｎｍである。ＦｅＡｌＳｉ合金膜の厚さが１μｍの場合、Ｆｅ膜２４の好ましい厚さ範囲の上限は１００ｎｍである。
【００３４】
なお、別の実験によると、Ｆｅ膜２４の厚さが２０ｎｍであっても、膜特性は充分なレベルにあった。一方、ＦｅＡｌＳｉ合金膜の厚さが５μｍ以上の場合、Ｆｅ膜２４の厚さが５００ｎｍであっても膜特性は充分なレベルにあることがわかっている。従って、Ｆｅ膜２４の厚さは、２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましいと言える。
【００３５】
上記実施形態では、Ｆｅ膜を用いて、ＦｅＡｌＳｉ合金膜の面内一軸磁気異方性の分散（ばらつき）を抑制している。しかし、Ｆｅ膜以外の金属膜であっても、ＦｅＡｌＳｉ合金膜の面内一軸磁気異方性のばらつきを抑制することのできる金属膜であれば、Ｆｅ膜に代えて、あるいはＦｅ膜に付加して使用することができる。また、下地絶縁膜に対して実用的に充分高い密着性を示す金属膜であれば、Ｃｒ膜に代えて、あるいはＣｒ膜に積層させて使用することができる。
【００３６】
上記実施形態では、ＦｅＡｌＳｉ合金膜２５の厚さを１μｍまたは２μｍとしているが、その厚さはこれに限定されず、適宜必要な値に設定される。ＦｅＡｌＳｉ合金膜２５を１μｍより薄くする場合、Ｆｅ膜の厚さを２０〜８０ｎｍ程度の範囲内に設定することが好ましい。ＦｅＡｌＳｉ合金膜２５が比較的に薄い場合においてＦｅ膜が厚くなりすぎると、金属膜全体の磁気特性に与えるＦｅ膜の影響が強くなり過ぎ、好ましくないからである。
【００３７】
上記実施形態では、ＦｅＡｌＳｉ合金膜２５中のＦｅ、ＡｌおよびＳｉの含有量を、それぞれ、質量百分率で、８５．０％、５．４％、および９．６％としているが、本発明のＦｅＡｌＳｉ合金膜がこの組成に限定されるわけではない。Ｆｅ、ＡｌおよびＳｉの含有量は適宜必要な値に設定され得る。
【００３８】
次に、図５を参照しながら、本発明による薄膜磁気ヘッドの実施形態を説明する。図５は、薄膜磁気ヘッド５０の主要部斜視図である。
【００３９】
本実施形態の薄膜磁気ヘッド５０は、アルミナチタンカーバイドからなるセラミックス基板５１と、セラミックス基板５１上に堆積された厚さ３〜１５μｍのアルミナ絶縁膜５２と、絶縁膜５２上に堆積されたＣｒ膜（密着層）５３と、Ｃｒ膜５３上に堆積されたＦｅ膜５４と、Ｆｅ膜５４上に堆積されたＦｅＡｌＳｉ合金膜５５とを備えている。ＦｅＡｌＳｉ合金膜５５中のＦｅ、Ａｌ、およびＳｉの含有量は、それぞれ、質量百分率で、８５．０％、５．４％、および９．６％であり、ＦｅＡｌＳｉ合金膜５５はセンダスト膜として機能する。本実施形態でのＣｒ膜５３、Ｆｅ膜５４、およびＦｅＡｌＳｉ合金膜５５の厚さは、それぞれ、２７ｎｍ、１００ｎｍ、および２μｍである。なお、ＦｅＡｌＳｉ合金膜５５の磁化困難軸は、図５の矢印ｃで示される方向を向いている。
【００４０】
ＦｅＡｌＳｉ合金膜５５上には、０．４μｍ程度のギャップ５６が設けられており、そのギャップ５６内に再生用のＭＲ素子５７が配置されている。ＭＲ素子５７は不図示の電極やＭＲ膜を有する公知の構成を備えている。ギャップ５６は、ＭＲ素子５７を覆うようにしてＦｅＡｌＳｉ合金膜５５上に堆積されたアルミナなどの絶縁膜から形成されている。ＭＲ素子５７の厚さは、例えば０．１μｍ程度である。
【００４１】
ギャップ５６として機能する絶縁膜上にボトムポール（厚さ：２〜３μｍ）５８が堆積されている。ボトムポール５８は、例えばパーマロイなどの軟磁性材料から形成されており、磁気シールド膜としての機能も発揮する。ボトムポール５８上には、０．４〜０．６μｍの書き込みギャップ５９を介してトップポール（厚さ：２〜３μｍ）６０が形成されている。ボトムポール５８とトップポール６０との間には、厚さ５μｍ程度のＣｕ膜をパターニングすることによって形成したコイルパターン６１が設けられている。コイルパターン６１は、その周囲が有機絶縁膜で覆われている。ボトムポール５８、コイルパターン６１およびトップポール６０等によって記録ヘッド部が構成されている。コイルパターン６１に通電することによって書き込みギャップ５９近傍に磁界が形成され、不図示の記録媒体へのデータの書き込み（記録）が実行される。記録ヘッド部はオーバーコート（厚さ：例えば４０μｍ）によって覆われている。
【００４２】
これらの積層構造は、通常の薄膜堆積技術やリソグラフィ技術によって製造される。本実施形態でも、Ｃｒ膜５３、Ｆｅ膜５４およびＦｅＡｌＳｉ合金膜５５の堆積をスパッタリング法によって行っているが、他の薄膜堆積法を用いても良い。
【００４３】
この薄膜磁気ヘッド５０は、ＭＲ素子５７の下方に前述の薄膜磁気ヘッド用基板２０と同様の構成を有しているため、Ｆｅ膜５４によってＦｅＡｌＳｉ合金膜５５の一軸異方性が制御され、高周波透磁率特性が向上している。また、Ｃｒ膜５３によって密着性が高められているので、ＦｅＡｌＳｉ合金膜５５等の剥がれの問題も生じない。
【００４４】
以上、アルミナチタンカーバイドからなるセラミックス基板を用いた例について本願発明を説明してきたが、本願発明に使用するセラミックス基板はこれに限定されない。本願明細書では、ガラスから形成された基板も「セラミックス基板」に包括されるものとする。ガラス基板を用いた場合でも、本願発明の効果が充分に発揮されるからである。
【００４５】
また、磁気シールド膜上に形成される再生素子は、ＭＲ素子に限定されない。他のタイプの素子であってもよい。
【００４６】
【発明の効果】
本発明によれば、ＦｅＡｌＳｉ合金膜とセラミックス基板との間の密着性を改善するとともに、ＦｅＡｌＳｉ合金膜に面内一軸磁気異方性を制御し、高周波透磁率特性を改善した薄膜磁気ヘッド用基板および薄膜磁気ヘッドを提供することができる。本発明によれば、面積の広いウェハ上にＦｅＡｌＳｉ合金膜等を堆積する場合でも、面内一軸磁気異方性が広いウェハ面内で均一に達成されるため、歩留まり良く多数の薄膜磁気ヘッドを安価に製造することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本実施形態にかかる薄膜磁気ヘッド用基板の断面図である。
【図２】本発明の実施例におけるウェハ上の測定ポイントを示す平面図である。
【図３】（ａ）および（ｂ）は、本発明の実施例についてマイクロＫｅｒｒ効果測定装置による評価結果を示すグラフである。
【図４】本発明の実施例と比較例に関する高周波透磁率特性を示すグラフである。
【図５】本発明による薄膜磁気ヘッドの主要部斜視図である。
【符号の説明】
２０  薄膜磁気ヘッド用基板
２１  セラミックス基板
２２  絶縁膜（アルミナ膜）
２３  Ｃｒ
２４  Ｆｅ
２５  ＦｅＡｌＳｉ合金膜
５１  セラミックス基板（基体）
５２  絶縁膜（アルミナ膜）
５３  Ｃｒ
５４  Ｆｅ
５５  ＦｅＡｌＳｉ合金膜
５６  ギャップ
５７  ＭＲ素子
５８  ボトムポール
５９  書き込みギャップ
６０  トップポール
６１  コイルパターン
６２  オーバーコート
【図１】
0004206585.tif 000005
【図２】
0004206585.tif 000006
【図３】
0004206585.tif 000007
【図４】
0004206585.tif 000008
【図５】
0004206585.tif 000009