(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、
（Ｂ）アルカリに対して不溶性あるいは難溶性であり、酸の作用でアルカリ可溶性となる少なくとも１つの芳香環及び酸で分解し得る基を含有する樹脂、
（Ｃ）分子内に少なくとも炭素数９以上の置換又は無置換の脂肪族炭化水素基を含有する塩基性化合物、及び、
（Ｄ）フッ素及び／又はシリコン系界面活性剤
を含有することを特徴とするポジ型感光性組成物。
【請求項２】
（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、
（Ｂ）下記一般式（ＩＶ）で表される繰り返し単位及び下記一般式（Ｖ）で表される繰り返し単位を含む、アルカリに対して不溶性あるいは難溶性であり、酸の作用でアルカリ可溶性となる少なくとも１つの芳香環及び酸で分解し得る基を含有する樹脂、及び
（Ｃ）分子内に少なくとも炭素数９以上の置換又は無置換の脂肪族炭化水素基を含有する塩基性化合物（但し、ジメチル・ｎ−ドデシルアミンを除く）
を含有することを特徴とするポジ型感光性組成物。
【化１】
0004248168.tif 000055
上記式中、Ｌは、水素原子、置換されてもよい、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、又は置換されていてもよいアラルキル基を表す。Ｚは、置換されてもよい、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、又は置換されていてもよいアラルキル基を表す。またＺとＬが結合して５又は６員環を形成してもよい。
【請求項３】
更に、（Ｄ）フッ素及び／又はシリコン系界面活性剤を含有することを特徴とする請求項２に記載のポジ型感光性組成物。
【請求項４】
前記（Ｂ）の樹脂が、下記一般式（ＩＶ）で表される繰り返し単位及び下記一般式（Ｖ）で表される繰り返し単位を含むことを特徴とする請求項１に記載のポジ型感光性組成物。
【化２】
0004248168.tif 000056
上記式中、Ｌは、水素原子、置換されてもよい、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、又は置換されていてもよいアラルキル基を表す。Ｚは、置換されてもよい、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、又は置換されていてもよいアラルキル基を表す。またＺとＬが結合して５又は６員環を形成してもよい。
【請求項５】
更に、（Ｅ）水酸基を含有する溶剤と水酸基を含有しない溶剤とを混合した混合溶剤を含有する請求項１〜４のいずれかに記載のポジ型感光性組成物。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載のポジ型感光性組成物により膜を形成し、当該膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程に使用されるポジ型感光性組成物に関するものである。さらに詳しくは２５０ｎｍ以下の遠紫外線等を露光光源とする場合に好適なポジ型感光性組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
化学増幅系ポジ型レジスト組成物は、遠紫外光等の放射線の照射により露光部に酸を生成させ、この酸を触媒とする反応によって、活性放射線の照射部と非照射部の現像液に対する溶解性を変化させ、パターンを基板上に形成させるパターン形成材料である。
【０００３】
ＫｒＦエキシマレーザーを露光光源とする場合には、主として２４８ｎｍ領域での吸収の小さい、ポリ（ヒドロキシスチレン）を基本骨格とする樹脂を主成分に使用するため、高感度、高解像度で、且つ良好なパターンを形成し、従来のナフトキノンジアジド／ノボラック樹脂系に比べて良好な系となっている。
【０００４】
しかしながら、更なる短波長の光源、例えばＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）を露光光源として使用する場合は、芳香族基を有する化合物が本質的に１９３ｎｍ領域に大きな吸収を示すため、上記化学増幅系でも十分ではなかった。また、１９３ｎｍ波長領域に吸収の小さいポリマーとして、ポリ（メタ）アクリレートの利用がＪ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，Ｂ９，３３５７（１９９１）. に記載されているが、このポリマーは一般に半導体製造工程で行われるドライエッチングに対する耐性が、芳香族基を有する従来のフェノール樹脂に比べ低いという問題があった。
【０００５】
また、化学増幅系ポジ型レジスト組成物の酸発生剤として、トリアリールスルホニウム塩系酸発生剤及びフェナシルスルホニウム塩系酸発生剤が知られているが、トリアリールスルホニウム塩系酸発生剤は１９３ｎｍの吸収が高い、フェナシルスルホニウム塩系酸発生剤は酸発生能が低い等の理由により、いずれも感度が低かった。
【０００６】
また、近年、半導体チップの微細化の要求に伴い、その微細な半導体の設計パターンは、０．１３〜０．３５μｍの微細領域に達している。しかしながら、これまでの技術では、ハーフトーン露光適性などの諸特性を満足することはできなかった。
ここで、ハーフトーン露光適性とは、ハーフトーン位相シフトマスクを用いた露光を実施した際に発生するサイドローブ（未露光部の表面が弱くなって穴があきはじめる現象）が、発生しないか、もしくは発生しにくいことを示し、サイドローブ耐性ともいう。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、ハーフトーン露光適性（サイドローブ耐性）に優れたポジ型感光性組成物を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、下記構成のポジ型感光性組成物であり、これにより本発明の上記目的が達成される。
【０００９】
（１）（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、
（Ｂ）アルカリに対して不溶性あるいは難溶性であり、酸の作用でアルカリ可溶性となる少なくとも１つの芳香環及び酸で分解し得る基を含有する樹脂、
（Ｃ）分子内に少なくとも炭素数９以上の置換又は無置換の脂肪族炭化水素基を含有する塩基性化合物、及び、
（Ｄ）フッ素及び／又はシリコン系界面活性剤
を含有することを特徴とするポジ型感光性組成物。
（２）（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、
（Ｂ）下記一般式（ＩＶ）で表される繰り返し単位及び下記一般式（Ｖ）で表される繰り返し単位を含む、アルカリに対して不溶性あるいは難溶性であり、酸の作用でアルカリ可溶性となる少なくとも１つの芳香環及び酸で分解し得る基を含有する樹脂、及び
（Ｃ）分子内に少なくとも炭素数９以上の置換又は無置換の脂肪族炭化水素基を含有する塩基性化合物（但し、ジメチル・ｎ−ドデシルアミンを除く）
を含有することを特徴とするポジ型感光性組成物。
【化３】
0004248168.tif 000002
上記式中、Ｌは、水素原子、置換されてもよい、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、又は置換されていてもよいアラルキル基を表す。Ｚは、置換されてもよい、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、又は置換されていてもよいアラルキル基を表す。またＺとＬが結合して５又は６員環を形成してもよい。
（３）更に、（Ｄ）フッ素及び／又はシリコン系界面活性剤を含有することを特徴とする前記（２）に記載のポジ型感光性組成物。
（４）前記（Ｂ）の樹脂が、上記一般式（ＩＶ）で表される繰り返し単位及び上記一般式（Ｖ）で表される繰り返し単位を含むことを特徴とする前記（１）に記載のポジ型感光性組成物。
（５）更に、（Ｅ）水酸基を含有する溶剤と水酸基を含有しない溶剤とを混合した混合溶剤を含有する前記（１）〜（４）のいずれかに記載のポジ型感光性組成物。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に使用する化合物について詳細に説明する。
≪（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物≫
【００１１】
本発明の組成物は、成分（Ａ）として活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（光酸発生剤）を含有する。
そのような光酸発生剤としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。
【００１２】
たとえば、ジアゾニウム塩、アンモニウム塩、ホスホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、セレノニウム塩、アルソニウム塩等のオニウム塩、有機ハロゲン化合物、有機金属／有機ハロゲン化物、ｏ−ニトロベンジル型保護基を有する光酸発生剤、イミノスルフォネ−ト等に代表される光分解してスルホン酸を発生する化合物、ジスルホン化合物を挙げることができる。
【００１３】
また、これらの活性光線又は放射線の照射により酸を発生する基、あるいは化合物をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した化合物、たとえば、米国特許第３，８４９，１３７号、独国特許第３９１４４０７号、特開昭６３−２６６５３号、特開昭５５−１６４８２４号、特開昭６２−６９２６３号、特開昭６３−１４６０３８号、特開昭６３−１６３４５２号、特開昭６２−１５３８５３号、特開昭６３−１４６０２９号等に記載の化合物を用いることができる。
【００１４】
さらに米国特許第３，７７９，７７８号、欧州特許第１２６，７１２号等に記載の光により酸を発生する化合物も使用することができる。
【００１５】
上記活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物の中で、特に有効に用いられるものについて以下に説明する。
【００１６】
（１）下記の一般式（ＰＡＧ１）で表されるヨードニウム塩、又は一般式（ＰＡＧ２）で表されるスルホニウム塩。
【００１７】
【化３】
0004248168.tif 000003
【００１８】
ここで式Ａｒ1、Ａｒ2は各々独立に置換もしくは未置換のアリール基を示す。好ましい置換基としては、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、ヒロドキシ基、メルカプト基及びハロゲン原子が挙げられる。
【００１９】
Ｒ203、Ｒ204、Ｒ205は各々独立に、置換もしくは未置換のアルキル基、アリール基を示す。好ましくは、炭素数６〜１４のアリール基、炭素数１〜８のアルキル基及びそれらの置換誘導体である。
好ましい置換基としては、アリール基に対しては炭素数１〜８のアルコキシ基、炭素数１〜８のアルキル基、ニトロ基、カルボキシル基、ヒロドキシ基及びハロゲン原子であり、アルキル基に対しては炭素数１〜８のアルコキシ基、カルボキシル基、アルコシキカルボニル基である。
【００２０】
Ｚ-は対アニオンを示し、例えばＢＦ4-、ＡｓＦ6-、ＰＦ6-、ＳｂＦ6-、ＳｉＦ62-、ＣｌＯ4-、ＣＦ3ＳＯ3-等のパーフルオロアルカンスルホン酸アニオン、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸アニオン、ナフタレン−１−スルホン酸アニオン等の縮合多核芳香族スルホン酸アニオン、アントラキノンスルホン酸アニオン、スルホン酸基含有染料等を挙げることができるがこれらに限定されるものではない。
【００２１】
またＲ203、Ｒ204、Ｒ205のうちの２つ及びＡｒ1、Ａｒ2はそれぞれの単結合又は置換基を介して結合してもよい。
【００２２】
具体例としては以下に示す化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２３】
【化４】
0004248168.tif 000004
【００２４】
【化５】
0004248168.tif 000005
【００２５】
【化６】
0004248168.tif 000006
【００２６】
【化７】
0004248168.tif 000007
【００２７】
【化８】
0004248168.tif 000008
【００２８】
【化９】
0004248168.tif 000009
【００２９】
【化１０】
0004248168.tif 000010
【００３０】
【化１１】
0004248168.tif 000011
【００３１】
【化１２】
0004248168.tif 000012
【００３２】
【化１３】
0004248168.tif 000013
【００３３】
【化１４】
0004248168.tif 000014
【００３４】
一般式（ＰＡＧ１）、（ＰＡＧ２）で示される上記オニウム塩は公知であり、例えば米国特許第２,８０７,６４８ 号及び同４,２４７,４７３号、特開昭５３−１０１,３３１号等に記載の方法により合成することができる。
【００３５】
（２）下記一般式（ＰＡＧ３）で表されるジスルホン誘導体又は一般式（ＰＡＧ４）で表されるイミノスルホネート誘導体。
【００３６】
【化１５】
0004248168.tif 000015
【００３７】
式中、Ａｒ3、Ａｒ4は各々独立に置換もしくは未置換のアリール基を示す。
Ｒ206は置換もしくは未置換のアルキル基、アリール基を示す。Ａは置換もしくは未置換のアルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基を示す。
具体例としては以下に示す化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００３８】
【化１６】
0004248168.tif 000016
【００３９】
【化１７】
0004248168.tif 000017
【００４０】
【化１８】
0004248168.tif 000018
【００４１】
【化１９】
0004248168.tif 000019
【００４２】
【化２０】
0004248168.tif 000020
【００４３】
（３）下記一般式（ＰＡＧ５）で表されるジアゾジスルホン誘導体。
【００４４】
【化２１】
0004248168.tif 000021
【００４５】
ここでＲは、直鎖状、分岐状又は環状アルキル基、あるいは置換していてもよいアリール基を表す。
具体例としては以下に示す化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００４６】
【化２２】
0004248168.tif 000022
【００４７】
また、上記化合物の他に、下記一般式（Ｉ）で表される化合物も本発明の成分（Ａ）の酸発生剤として有効に用いられる。
【００４８】
【化２３】
0004248168.tif 000023
式（Ｉ）中、
Ｒ1〜Ｒ5は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、ハロゲン原子、アルキルオキシカルボニル基又はアリール基を表し、Ｒ1〜Ｒ5のうち少なくとも２つ以上が結合して環構造を形成してもよい。
Ｒ6及びＲ7は、水素原子、アルキル基、シアノ基又はアリール基を表す。
Ｙ1及びＹ2は、アルキル基、アリール基、アラルキル基又はヘテロ原子を含む芳香族基を表し、Ｙ1とＹ2とが結合して環を形成してもよい。
Ｙ3は、単結合または２価の連結基を表す。
Ｘ-は、非求核性アニオンを表す。
但し、Ｒ1からＲ5の少なくとも１つとＹ1又はＹ2の少なくとも一つが結合して環を形成するか、若しくは、Ｒ1からＲ5の少なくとも１つとＲ6又はＲ7の少なくとも１つが結合して環を形成する。
尚、Ｒ1からＲ7のいずれか、若しくは、Ｙ1又はＹ2のいずれかの位置で、連結基を介して結合し、式（Ｉ）の構造を２つ以上有していてもよい。
【００４９】
Ｒ1〜Ｒ7のアルキル基は、置換あるいは無置換のアルキル基であり、好ましくは炭素数１〜５のアルキル基であり、無置換のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基等を挙げることができる。
Ｒ1〜Ｒ5のアルコキシ基及びアルキルオキシカルボニル基におけるアルコキシ基は、置換あるいは無置換のアルコキシ基であり、好ましくは炭素数１〜５のアルコキシ基であり、無置換のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等を挙げることができる。
Ｒ1〜Ｒ7、Ｙ1、Ｙ2のアリール基は、置換あるいは無置換のアリール基であり、好ましくは炭素数６〜１４のアリール基であり、無置換のアリール基としては、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。
Ｒ1〜Ｒ5のハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子等を挙げることができる。
【００５０】
Ｙ1及びＹ2のアルキル基は、置換あるいは無置換のアルキル基であり、好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基である。無置換のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基等の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、及びシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボニル基、ボロニル基等の環状のアルキル基を挙げることができる。
【００５１】
Ｙ1及びＹ2のアラルキル基は、置換あるいは無置換のアラルキル基であり、好ましくは炭素数７〜１２のアラルキル基であり、無置換のアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基、クミル基等を挙げることができる。
【００５２】
ヘテロ原子を含む芳香族基とは、例えば炭素数６〜１４のアリール基等の芳香族基に、ヘテロ原子、例えば、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等を有する基を表す。
Ｙ1及びＹ2のヘテロ原子を含む芳香族基としては、置換あるいは無置換のヘテロ原子を含む芳香族基であり、無置換のものとしては、例えば、フラン、チオフェン、ピロール、ピリジン、インドール等の複素環式芳香族炭化水素基が挙げられる。
【００５３】
Ｙ1とＹ2とは結合して、式（Ｉ）中のＳ+とともに、環を形成してもよい。
この場合、Ｙ1とＹ2とが結合して形成する基としては、例えば、炭素数４〜１０のアルキレン基、好ましくはブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、特に好ましくはブチレン基、ペンチレン基を挙げることができる。
また、Ｙ1とＹ2と結合して、式（Ｉ）中のＳ+とともに形成した環の中に、ヘテロ原子を含んでいても良い。
【００５４】
上記のアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アリール基、アラルキル基の各々は、例えば、ニトロ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜５)等で置換されていてもよい。更にアリール基、アラルキル基については、アルキル基（好ましくは炭素数１〜５）で置換されていてもよい。
また、アルキル基の置換基としては、ハロゲン原子が好ましい。
【００５５】
Ｙ3は、単結合または２価の連結基を表し、２価の連結基としては、置換していてもよいアルキレン基、アルケニレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＮＲ−（Ｒは、水素、アルキル基、アシル基である。）、及びこれらのうち２つ以上を含んでもよい連結基が好ましい。
【００５６】
Ｘ-の非求核性アニオンとしては、例えば、スルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン等を挙げることができる。
非求核性アニオンとは、求核反応を起こす能力が著しく低いアニオンであり、分子内求核反応による経時分解を抑制することができるアニオンである。これによりレジストの経時安定性が向上する。
スルホン酸アニオンとしては、例えば、アルキルスルホン酸アニオン、アリールスルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオンなどが挙げられる。
カルボン酸アニオンとしては、例えば、アルキルカルボン酸アニオン、アリールカルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニオンなどが挙げられる。
【００５７】
アルキルスルホン酸アニオンにおけるアルキル基としては、好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボニル基、ボロニル基等を挙げることができる。
アリールスルホン酸アニオンにおけるアリール基としては、好ましくは炭素数６〜１４のアリール基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。
【００５８】
上記アルキルスルホン酸アニオン及びアリールスルホン酸アニオンにおけるアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。
置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基等を挙げることができる。
【００５９】
ハロゲン原子としては、例えば、塩素原子、臭素原子、弗素原子、沃素原子等を挙げることができる。
アルキル基としては、例えば、好ましくは炭素数１〜１５のアルキル基、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基等を挙げることができる。
アルコキシ基としては、例えば、好ましくは炭素数１〜５のアルコキシ基、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等を挙げることができる。
アルキルチオ基としては、例えば、好ましくは炭素数１〜１５のアルキルチオ基、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ネオペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、ウンデシルチオ基、ドデシルチオ基、トリデシルチオ基、テトラデシルチオ基、ペンタデシルチオ基、ヘキサデシルチオ基、ヘプタデシルチオ基、オクタデシルチオ基、ノナデシルチオ基、エイコシルチオ基等を挙げることができる。尚、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基は、更にハロゲン原子(好ましくはフッ素原子）で置換されていてもよい。
【００６０】
アルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基としては、アルキルスルホン酸アニオンにおけるアルキル基と同様のものを挙げることができる。
アリールカルボン酸アニオンにおけるアリール基としては、アリールスルホン酸アニオンにおけるアリール基と同様のものを挙げることができる。
アラルキルカルボン酸アニオンにおけるアラルキル基としては、好ましくは炭素数６〜１２のアラルキル基、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチルメチル基等を挙げることができる。
【００６１】
上記アルキルカルボン酸アニオン、アリールカルボン酸アニオン及びアラルキルカルボン酸アニオンにおけるアルキル基、アリール基及びアラルキル基は置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、アリールスルホン酸アニオンにおけると同様のハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基等を挙げることができる。
【００６２】
その他の非求核性アニオンとしては、例えば、弗素化燐、弗素化硼素、弗素化アンチモン等を挙げることができる。
【００６３】
尚、式（Ｉ）において、Ｒ1からＲ5の少なくとも１つとＹ1又はＹ2の少なくとも一つが結合して環が形成されるか、若しくは、Ｒ1からＲ5の少なくとも１つとＲ6又はＲ7の少なくとも１つが結合して環が形成されている。式（Ｉ）に示す化合物は、環を形成することにより、立体構造が固定され、光分解能が向上する。また、Ｒ1からＲ7のいずれか、若しくは、Ｙ1又はＹ2のいずれかの位置で、連結基を介して結合し、式（Ｉ）の構造を２つ以上有していてもよい。
【００６４】
さらに式（Ｉ）の化合物は、下記一般式（ＩＡ）又は（ＩＢ）であるのが好ましい。
【００６５】
【化２４】
0004248168.tif 000024
【００６６】
式（ＩＡ）中、Ｒ1〜Ｒ4、Ｒ7、Ｙ1、Ｙ2及びＸ-は、上記式（Ｉ）中のものと同様であり、Ｙは、単結合又は２価の連結基を表す。
式（ＩＢ）中、Ｒ1〜Ｒ4、Ｒ6、Ｒ7、Ｙ1及びＸ-は、上記式（Ｉ）中のものと同様であり、Ｙは、単結合又は２価の連結基を表す。
【００６７】
Ｙは、単結合又は２価の連結基を表し、２価の連結基としては、置換していてもよいアルキレン基、アルケニレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＮＲ−（Ｒは、水素、アルキル基、アシル基である。）、及びこれらのうち２つ以上を含んでもよい連結基が好ましい。
式（ＩＡ）中、Ｙとしてはアルキレン基又は酸素原子を含むアルキレン基、硫黄原子を含むアルキレン基が好ましく、具体的にはメチレン基、エチレン基、プロピレン基、−ＣＨ2−Ｏ−、−ＣＨ2−Ｓ−が好ましく、最も好ましくはエチレン基、−ＣＨ2−Ｏ−、−ＣＨ2−Ｓ−のように６員環を形成する連結基である。６員環を形成することによりカルボニル平面とＣ−Ｓ＋シグマ結合がより垂直に近くなり、軌道相互作用により光分解効率が向上する。
【００６８】
式（ＩＡ）に示す化合物は、対応するα−ハロ環状ケトンとスルフィド化合物を反応させる方法、或いは対応する環状ケトンをシリルエノールエーテルに変換した後、スルホキシドと反応させることにより得ることができる。式（ＩＢ）に示す化合物は、アルールアルキルスルフィドにα−又はβ−ハロゲン化ハライドを反応させることにより得ることができる。
【００６９】
以下に、上記式（Ｉ）で表される化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００７０】
【化２５】
0004248168.tif 000025
【００７１】
【化２６】
0004248168.tif 000026
【００７２】
【化２７】
0004248168.tif 000027
【００７３】
【化２８】
0004248168.tif 000028
【００７４】
【化２９】
0004248168.tif 000029
【００７５】
【化３０】
0004248168.tif 000030
【００７６】
【化３１】
0004248168.tif 000031
【００７７】
【化３２】
0004248168.tif 000032
【００７８】
【化３３】
0004248168.tif 000033
【００７９】
上記一般式（Ｉ）で表される酸発生剤の具体例において、（ＩＡ−１）〜（ＩＡ−３０）及び（ＩＢ−１）〜（ＩＢ−１２）がより好ましい。
【００８０】
上記式（Ｉ）の化合物は、１種単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００８１】
（Ａ）成分の化合物の本発明のポジ型感光性組成物中の含量は、組成物の固形分を基準として、０．１〜２０重量％が好ましく、より好ましくは０．５〜１０重量％、更に好ましくは１〜７重量％である。
【００８２】
本発明に使用される（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物の中で、特に好ましいものの例を以下に挙げる。
【００８３】
【化３４】
0004248168.tif 000034
【００８４】
【化３５】
0004248168.tif 000035
【００８５】
【化３６】
0004248168.tif 000036
【００８６】
【化３７】
0004248168.tif 000037
【００８７】
≪（Ｂ）樹脂≫
本発明で用いられる（Ｂ）成分は、アルカリに対して不溶性又は難溶性であり、酸の作用でアルカリ可溶性となる少なくとも１つの芳香環及び酸で分解し得る基を含有する樹脂（以下、酸で分解し得る基を有する樹脂と呼ぶことがある）である。
芳香環としては、フェニル基、ナフチル基等が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。置換基としては、ヒドロキシ基、メチル基などのアルキル基、メトキシ基などのアルコキシ基などが挙げられる。
好ましくは、これら芳香環基を有する単位を繰り返し単位に有することであり、具体的に、本発明においては、ヒドロキシスチレンに相当する繰り返し単位を有することが好ましい。
ここで、ヒドロキシスチレンとしては、ｏ−，ｍ−，あるいはｐ−ヒドロキシスチレンのいずれでもよく、また一部水素添加されていてもよい。更に、水酸基以外の置換基を有していてもよい。そのような置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基等が挙げられる。
酸で分解し得る基は、下記に詳述するが、これらの基は樹脂の主鎖又は側鎖、あるいは、主鎖及び側鎖の両方に存在していてもよいが、側鎖に有するのが好ましい。
【００８８】
酸で分解し得る基として好ましくは、−ＣＯＯＡ0、−Ｏ−Ｂ0基であり、更にこれらを含む基としては、−Ｒ0−ＣＯＯＡ0、又は−Ａｒ−Ｏ−Ｂ0で示される基が挙げられる。
ここでＡ0は、−Ｃ（Ｒ01）（Ｒ02）（Ｒ03）、−Ｓｉ（Ｒ01）（Ｒ02）（Ｒ03）もしくは−Ｃ（Ｒ04）（Ｒ05）−Ｏ−Ｒ06基を示す。Ｂ0は、Ａ0又は−ＣＯ−Ｏ−Ａ0基を示す。
Ｒ01、Ｒ02、Ｒ03、Ｒ04及びＲ05は、同一または異なり、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基もしくはアリール基を示し、Ｒ06はアルキル基もしくはアリール基を示す。但し、Ｒ01〜Ｒ03の内少なくとも２つは水素原子以外の基であり、又、Ｒ01〜Ｒ03及びＲ04〜Ｒ06の内の２つの基が結合して環を形成してもよい。
Ｒ0は置換基を有していてもよい２価の脂肪族もしくは芳香族炭化水素基を示し、−Ａｒ−は単環もしくは多環の置換基を有していてもよい２価の芳香族基を示す。
【００８９】
ここで、アルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基の様な炭素数１〜４個のものが好ましく、シクロアルキル基としてはシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基の様な炭素数３〜１０個のものが好ましく、アルケニル基としてはビニル基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基の様な炭素数２〜４個のものが好ましく、アリール基としてはフェニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基、アントラセニル基の様な炭素数６〜１４個のものが好ましい。
また、これらの置換基としては水酸基、ハロゲン原子（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、ニトロ基、シアノ基、上記のアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ヒドロキシプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ベンジル基、フェネチル基、クミル基等のアラルキル基、アラルキルオキシ基、ホルミル基、アセチル基、ブチリル基、ベンゾイル基、シアナミル基、バレリル基等のアシル基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ基、上記のアルケニル基、ビニルオキシ基、プロペニルオキシ基、アリルオキシ基、ブテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基、上記のアリール基、フェノキシ基等のアリールオキシ基、ベンゾイルオキシ基等のアリールオキシカルボニル基を挙げることができる。
【００９０】
酸で分解し得る基（−ＣＯＯＡ0あるいは−Ｏ−Ｂ0）としては好ましくは、シリルエーテル基、クミルエステル基、アセタール基、テトラヒドロピラニルエーテル基、エノールエーテル基、エノールエステル基、第３級のアルキルエーテル基、第３級のアルキルエステル基、第３級のアルキルカーボネート基等である。更に好ましくは、第３級アルキルエステル基、第３級アルキルカーボネート基、クミルエステル基、アセタール基、テトラヒドロピラニルエーテル基である。特に好ましくはアセタール基である。
【００９１】
次に、これら酸で分解し得る基が側鎖として結合する場合の母体樹脂としては、上記ヒドロキシスチレンに相当する繰り返し単位を有し、側鎖に−ＯＨもしくは−ＣＯＯＨ、好ましくは−Ｒ0−ＣＯＯＨもしくは−Ａｒ−ＯＨ基を有するアルカリ可溶性樹脂である。例えば、後述するアルカリ可溶性樹脂を挙げることができる。
【００９２】
また、矩形プロファイルを達成する点から遠紫外光やエキシマレーザー光に対する透過率が高いアルカリ可溶性樹脂が好ましい。好ましくは、１μｍ膜厚の２４８ｎｍでの透過率が２０〜９０％である。
このような観点から、特に好ましいアルカリ可溶性樹脂は、ｏ−、ｍ−、ｐ−ポリ（ヒドロキシスチレン）及びこれらの共重合体、水素化ポリ（ヒドロキシスチレン）、ハロゲンもしくはアルキル置換ポリ（ヒドロキシスチレン）、ポリ（ヒドロキシスチレン）の一部Ｏ−アルキル化もしくはＯ−アシル化物、スチレン−ヒドロキシスチレン共重合体、α−メチルスチレン−ヒドロキシスチレン共重合体及び水素化ノボラック樹脂である。
【００９３】
本発明に用いられる酸で分解し得る基を有する樹脂は、欧州特許２５４８５３号、特開平２−２５８５０号、同３−２２３８６０号、同４−２５１２５９号等に開示されているように、アルカリ可溶性樹脂に酸で分解し得る基の前駆体を反応させる、もしくは、酸で分解し得る基の結合したアルカリ可溶性樹脂モノマーを種々のモノマーと共重合することにより得ることができる。
【００９４】
本発明に使用される（Ｂ）酸で分解し得る基を有する樹脂の具体例（１）〜（１８）を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００９５】
（１）：ｐ−ｔ−ブトキシスチレン／ｐ−ヒドロキシスチレン共重合体、
（２）：ｐ−（ｔ−ブトキシカルボニルオキシ）スチレン／ｐ−ヒドロキシスチレン共重合体、
（３）：ｐ−（ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシ）スチレン／ｐ−ヒドロキシスチレン共重合体、
（４）：４−（ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシ）−３−メチルスチレン／４−ヒドロキシ−３−メチルスチレン共重合体、
（５）：ｐ−（ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシ）スチレン／ｐ−ヒドロキシスチレン（１０％水素添加物）共重合体、
（６）：ｍ−（ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシ）スチレン／ｍ−ヒドロキシスチレン共重合体、
（７）：ｏ−（ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシ）スチレン／ｏ−ヒドロキシスチレン共重合体、
（８）：ｐ−（クミルオキシカルボニルメチルオキシ）スチレン／ｐ−ヒドロキシスチレン共重合体、
【００９６】
（９）：ｐ−（ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシ）スチレン／ｐ−ヒドロキシスチレン／スチレン共重合体、
（１０）：ｐ−ｔ−ブトキシスチレン／ｐ−ヒドロキシスチレン／フマロニトリル共重合体、
（１１）：ｐ−ヒドロキシスチレン／ｔ−ブチルメタクリレート共重合体、
（１２）：スチレン／ｐ−ヒドロキシスチレン／ｔ−ブチルメタクリレート共重合体
（１３）：ｐ−ヒドロキシスチレン／ｔ−ブチルアクリレート共重合体、
（１４）：スチレン／ｐ−ヒドロキシスチレン／ｔ−ブチルアクリレート共重合体
（１５）：ｐ−（ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシ）スチレン／ｐ−ヒドロキシスチレン／Ｎ−メチルマレイミド共重合体、
（１６）：ｐ−ヒドロキシスチレン／ｔ−ブチルアクリレート／ｐ−（ｔ−ブトキシカルボニルオキシ）スチレン共重合体、
（１７）：ｐ−ヒドロキシスチレン／ｔ−ブチルアクリレート／ｐ−（ｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシ）スチレン共重合体、
【００９７】
（１８）：ｐ−ヒドロキシスチレン／ｔ−ブチルアクリレート／ｐ−アセトキシスチレン共重合体（下記構造式を参照）。
【化３８】
0004248168.tif 000038
【００９８】
本発明において、酸で分解し得る基を有する樹脂（Ｂ）としては、下記一般式（IV）及び一般式（Ｖ）で示される繰り返し構造単位を含む樹脂が好ましい。これにより、本発明の効果がより顕著になる。
【００９９】
【化３９】
0004248168.tif 000039
【０１００】
［上記式中、Ｌは、水素原子、置換されてもよい、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、又は置換されていてもよいアラルキル基を表す。Ｚは、置換されてもよい、直鎖、分岐もしくは環状のアルキル基、又は置換されていてもよいアラルキル基を表す。またＺとＬが結合して５又は６員環を形成してもよい。］
【０１０１】
一般式（IV）のＬ及びＺにおけるアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基、ドデシル基などの炭素数１〜２０個の直鎖、分岐あるいは環状のものが挙げられる。
【０１０２】
Ｌ及びＺのアルキル基が有しうる好ましい置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、アシル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基、チオフェンカルボニルオキシ基、チオフェンメチルカルボニルオキシ基、ピロリドン残基等のヘテロ環残基などが挙げられ、好ましくは、炭素数１２以下である。
【０１０３】
置換基を有するアルキル基として、例えばシクロヘキシルエチル基、アルキルカルボニルオキシメチル基、アルキルカルボニルオキシエチル基、アリールカルボニルオキシエチル基、アラルキルカルボニルオキシエチル基、アルキルオキシメチル基、アリールオキシメチル基、アラルキルオキシメチル基、アルキルオキシエチル基、アリールオキシエチル基、アラルキルオキシエチル基、アルキルチオメチル基、アリールチオメチル基、アラルキルチオメチル基、アルキルチオエチル基、アリールチオエチル基、アラルキルチオエチル基等が挙げられる。
【０１０４】
これらの基におけるアルキルは特に限定されないが、鎖状、環状、分岐状のいずれでもよく、更に前述のアルキル基、アルコキシ基等の置換基を有してもよい。
上記アルキルカルボニルオキシエチル基の例としては、シクロヘキシルカルボニルオキシエチル基、ｔ−ブチルシクロヘキシルカルボニルオキシエチル基、ｎ−ブチルシクロヘキシルカルボニルオキシエチル基等を挙げることができる。
【０１０５】
アリールも特に限定されないが、一般的にフェニル基、キシリル基、トルイル基、クメニル基、ナフチル基、アントラセニル基のような炭素数６〜１４のものが挙げられ、更に前述のアルキル基、アルコキシ基等の置換基を有してもよい。上記アリールオキシエチル基の例としては、フェニルオキシエチル基、シクロヘキシルフェニルオキシエチル基等を挙げることができる。
アラルキルも特に限定されないが、ベンジル基などを挙げることができる。
上記アラルキルカルボニルオキシエチル基の例としては、ベンジルカルボニルオキシエチル基等を挙げることができる。
【０１０６】
一般式（IV）におけるＬ及びＺのアラルキル基としては、例えば、置換又は未置換のベンジル基、置換又は未置換のフェネチル基などの炭素数７〜１５個のものを挙げることができる。
アラルキル基ヘの好ましい置換基としてはアルコキシ基、水酸基、ハロゲン原子、ニトロ基、アシル基、アシルアミノ基、スルホニルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アラルキルチオ基等が挙げられ、置換基を有するアラルキル基としては、例えば、アルコキシベンジル基、ヒドロキシベンジル基、フェニルチオフェネチル基等を挙げることができる。ＬまたはＺとしてのアラルキル基が有しうる置換基の炭素数の範囲は、好ましくは１２以下である。
【０１０７】
上記のように置換アルキル基や置換アラルキル基は末端にフェニル基やシクロヘキシル基のような嵩高い基を導入することで、更にエッジラフネスの向上が認められる。
【０１０８】
ＬとＺが互いに結合して形成する５又は６員環としては、テトラヒドロピラン環、テトラヒドロフラン環等が挙げられる。
【０１０９】
上記樹脂中の一般式（IV）で示される繰り返し構造単位と一般式（Ｖ）で示される繰り返し構造単位との比率は、好ましくは１／９９〜６０／４０であり、より好ましくは５／９５〜５０／５０であり、更に好ましくは１０／９０〜４０／６０である。
【０１１０】
上述の一般式（IV）及び一般式（Ｖ）で示される繰り返し構造単位を含む樹脂には、他のモノマーから誘導される構造単位が含まれてもよい。
他のモノマーとしては、水素化ヒドロキシスチレン；ハロゲン、アルコキシもしくはアルキル置換ヒドロキシスチレン；スチレン；ハロゲン、アルコキシ、アシロキシもしくはアルキル置換スチレン；無水マレイン酸；アクリル酸誘導体；メタクリル酸誘導体；Ｎ−置換マレイミド等を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
一般式（IV）及び一般式（Ｖ）の構造単位と他のモノマーの構造単位との比率は、モル比〔（IV） ＋（Ｖ）〕／〔他のモノマー成分〕で、好ましくは１００／０〜５０／５０、より好ましくは１００／０〜６０／４０、更に好ましくは１００／０〜７０／３０である。
【０１１１】
上述の一般式（IV）及び一般式（Ｖ）で示される繰り返し構造単位を含む樹脂の具体例としては、下記のものが挙げられる。
【０１１２】
【化４０】
0004248168.tif 000040
【０１１３】
【化４１】
0004248168.tif 000041
【０１１４】
【化４２】
0004248168.tif 000042
【０１１５】
【化４３】
0004248168.tif 000043
【０１１６】
【化４４】
0004248168.tif 000044
【０１１７】
【化４５】
0004248168.tif 000045
【０１１８】
【化４６】
0004248168.tif 000046
【０１１９】
【化４７】
0004248168.tif 000047
【０１２０】
【化４８】
0004248168.tif 000048
【０１２１】
【化４９】
0004248168.tif 000049
【０１２２】
上記具体例において、Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基、ｎ−Ｂｕはｎ−ブチル基、ｉｓｏ−Ｂｕはイソブチル基、ｔ−Ｂｕはｔ−ブチル基を表す。
【０１２３】
酸分解性基としてアセタール基を用いる場合、アルカリ溶解速度調整及び耐熱性向上のために合成段階においてポリヒドロキシ化合物を添加してポリマー主鎖を多官能アセタール基で連結する架橋部位を導入してもよい。ポリヒドロキシ化合物の添加量は樹脂の水酸基の量に対して、好ましくは０．０１〜５ｍｏｌ％、更に好ましくは０．０５〜４ｍｏｌ％である。ポリヒドロキシ化合物としては、フェノール性水酸基あるいはアルコール性水酸基を２〜６個持つものがあげられ、好ましくは水酸基の数が２〜４個であり、更に好ましくは水酸基の数が２又は３個である。
以下にポリヒドロキシ化合物の具体例を示すが、これに限定されるものではない。
【０１２４】
【化５０】
0004248168.tif 000050
【０１２５】
本発明において、（Ｂ）の樹脂中の酸で分解し得る基を有する繰り返し単位の含有量としては、全繰り返し単位に対して５〜５０モル％が好ましく、より好ましくは１０〜４０モル％である。
本発明において、（Ｂ）の樹脂中の芳香環（特にはヒドロキシスチレン）を有する繰り返し単位の含有量としては、全繰り返し単位に対して５〜９５モル％が好ましく、より好ましくは１０〜８５モル％である。
酸で分解し得る基を有する樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、２，０００〜３００，０００の範囲であることが好ましい。２，０００未満では未露光部の現像により膜減りが大きく、３００，０００を超えると樹脂自体のアルカリに対する溶解速度が遅くなり感度が低下してしまう傾向がある。ここで、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値をもって定義される。
【０１２６】
酸で分解し得る基を有する樹脂の分散度（重量平均分子量／数平均分子量）は、１．０〜５．０の範囲が好ましい。分散度が５．０を超えると解像力が低下したり、レジストパターンがテーパー形状になってしまうので好ましくない。
【０１２７】
また、本発明のレジスト組成物の樹脂（Ｂ）［即ち，酸で分解し得る基を有する樹脂］は、２種類以上混合して使用してもよい。樹脂（Ｂ）の使用量は、レジスト組成物の全重量（溶媒を除く）を基準として４０〜９９重量％が好ましく、より好ましくは６０〜９８重量％である。
【０１２８】
≪（Ｃ）塩基性化合物≫
本発明のポジ型感光性組成物は、（Ｃ）分子内に少なくとも炭素数９以上、好ましくは９〜１９の置換又は無置換の脂肪族炭化水素基を含有する塩基性化合物を含有する。
【０１２９】
これら塩基性化合物は、分子内に少なくとも炭素数９以上の置換又は無置換の脂肪族炭化水素基を少なくとも一つ含有すればよく、もちろん二つ以上有していてもよい。
少なくとも炭素数９以上の置換又は無置換の脂肪族炭化水素基としては、ｎ−ノニル基、ｉ−ノニル基、ｔ−ノニル基、ｎ−デカニル基、ｉ−デカニル基、ｔ−デカニル基、ｎ−ウンデカニル基、ｉ−ウンデカニル基、ｔ−ウンデカニル基、ｎ−ドデカニル基、ｉ−ドデカニル基、ｔ−ドデカニル基、ｎ−トリデカニル基、ｉ−トリデカニル基、ｔ−トリデカニル基、ｎ−テトラデカニル基、ｉ−テトラデカニル基、ｔ−テトラデカニル基、ｎ−ペンタデカニル基、ｉ−ペンタデカニル基、ｔ−ペンタデカニル基、ｎ−ヘキサデカニル基、ｉ−ヘキサデカニル基、ｔ−ヘキサデカニル基、ｎ−ヘプタデカニル基、ｉ−ヘプタデカニル基、ｔ−ヘプタデカニル基、ｎ−オクタデカニル基、ｉ−オクタデカニル基、ｔ−オクタデカニル基、ｎ−ノナデカニル基、ｉ−ノナデカニル基、ｔ−ノナデカニル基等が挙げられ、これらの基はさらに他の置換基によって置換されていてもよい。置換基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基，ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基などのアルキル基、ベンジル基などのアラルキル基、フェニル基、トリル基などのアリール基、アリル基、ハロゲン原子などが挙げられる。
これら脂肪族炭化水素基は、炭素数１０以上であることがより好ましく、炭素数１２以上であることが特に好ましい。
【０１３０】
これら脂肪族炭化水素基を有する塩基性化合物としては以下に記載するものが挙げられるが、これに限定されない。
ノニルアミン、ジノニルアミン、トリノニルアミン、ジノニルメチルアミン、デシルアミン、ジデシルアミン、トリデシルアミン、ジデシルメチルアミン、ウンデシルアミン、ジウンデシルアミン、トリウンデシルアミン、ジウンデシルメチルアミン、ドデシルアミン、ジドデシルアミン、トリドデシルアミン、ジドデシルメチルアミン、トリデシルアミン、ジトリデシルアミン、トリトリデシルアミン、ジトリデシルメチルアミン、テトラデシルアミン、ジテトラデシルアミン、トリテトラデシルアミン、ジテトラデシルメチルアミン、ペンタデシルアミン、ジペンタデシルアミン、トリペンタデシルアミン、ジペンタデシルメチルアミン、ヘキサデシルアミン、ジヘキサデシルアミン、トリヘキサデシルアミン、ジヘキサデシルメチルアミン、ヘプタデシルアミン、ジヘプタデシルアミン、トリヘプタデシルアミン、ジヘプタデシルメチルアミン、オクタデシルアミン、ジオクタデシルアミン、トリオクタデシルアミン、ジオクタデシルメチルアミン、ノナデシルアミン、ジノナデシルアミン、トリノナデシルアミン、ジノナデシルメチルアミン、ｉ−ノニルアミン、ジ−ｉ−ノニルアミン、トリ−ｉ−ノニルアミン、ジ−ｉ−ノニルメチルアミン、ｉ−デシルアミン、ジ−ｉ−デシルアミン、トリ−ｉ−デシルアミン、ジ−ｉ−デシルメチルアミン、ｉ−ウンデシルアミン、ジ−ｉ−ウンデシルアミン、トリ−ｉ−ウンデシルアミン、ジ−ｉ−ウンデシルメチルアミン、ｉ−ドデシルアミン、ジ−ｉ−ドデシルアミン、トリ−ｉ−ドデシルアミン、ジ−ｉ−ドデシルメチルアミン、トリ−ｉ−デシルアミン、ジ−ｉ−トリデシルアミン、トリ−ｉ−トリデシルアミン、ジ−ｉ−トリデシルメチルアミン、ｉ−テトラデシルアミン、ジ−ｉ−テトラデシルアミン、トリ−ｉ−テトラデシルアミン、ジ−ｉ−テトラデシルメチルアミン、ｉ−ペンタデシルアミン、ジ−ｉ−ペンタデシルアミン、トリ−ｉ−ペンタデシルアミン、ジ−ｉ−ペンタデシルメチルアミン、ｉ−ヘキサデシルアミン、ジ−ｉ−ヘキサデシルアミン、トリ−ｉ−ヘキサデシルアミン、ジ−ｉ−ヘキサデシルメチルアミン、ｉ−ヘプタデシルアミン、ジ−ｉ−ヘプタデシルアミン、トリ−ｉ−ヘプタデシルアミン、ジ−ｉ−ヘプタデシルメチルアミン、ｉ−オクタデシルアミン、ジ−ｉ−オクタデシルアミン、トリ−ｉ−オクタデシルアミン、ジ−ｉ−オクタデシルメチルアミン、ｉ−ノナデシルアミン、ジ−ｉ−ノナデシルアミン、トリ−ｉ−ノナデシルアミン、ジ−ｉ−ノナデシルメチルアミンなどが挙げられる。
これらのうち、トリデシルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン、ジデシルアミン、メチルオクタデシルアミン、トリイソデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルウンデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルドデシルアミン、トリドデシルアミン、メチルジオクタデシルアミンがより好ましい。
また、これら塩基性化合物の他に、従来一般に知られている塩基性化合物も併用することが出来る。併用できる塩基性化合物としては例えば含窒素塩基性化合物が挙げられる。
【０１３１】
含窒素塩基性化合物としては、有機アミン、塩基性のアンモニウム塩、塩基性のスルホニウム塩などが用いられ、昇華やレジスト性能を劣化させないものであればよい。
これらの含窒素塩基性化合物の中でも、有機アミンが画像性能が優れる点で好ましい。例えば特開昭６３−１４９６４０号、特開平５−２４９６６２号、特開平５−１２７３６９号、特開平５−２８９３２２号、特開平５−２４９６８３号、特開平５−２８９３４０号、特開平５−２３２７０６号、特開平５−２５７２８２号、特開平６−２４２６０５号、特開平６−２４２６０６号、特開平６−２６６１００号、特開平６−２６６１１０ 号、特開平６−３１７９０２号、特開平７−１２０９２９号、特開平７−１４６５５８号、特開平７−３１９１６３号、特開平７−５０８８４０号、特開平７−３３３８４４号、特開平７−２１９２１７号、特開平７−９２６７８号、 特開平７−２８２４７号、特開平８−２２１２０号、特開平８−１１０６３８号、特開平８−１２３０３０号、特開平９−２７４３１２号、特開平９−１６６８７１号、特開平９−２９２７０８号、特開平９−３２５４９６号、特表平７−５０８８４０号、米国特許５５２５４５３号、同第５６２９１３４号、同第５６６７９３８号等に記載の塩基性化合物を用いることができる。
【０１３２】
含窒素塩基性化合物としては、好ましくは、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン、４−ジメチルアミノピリジン、１−ナフチルアミン、ピペリジン、ヘキサメチレンテトラミン、イミダゾール類、ヒドロキシピリジン類、ピリジン類、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、ピリジニウムｐ−トルエンスルホナート、２，４，６−トリメチルピリジニウムｐ−トルエンスルホナート、テトラメチルアンモニウムｐ−トルエンスルホナート、及びテトラブチルアンモニウムラクテート、トリエチルアミン、トリブチルアミン等が挙げられる。
これらの中でも、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン、４−ジメチルアミノピリジン、１−ナフチルアミン、ピペリジン、ヘキサメチレンテトラミン、イミダゾール類、ヒドロキシピリジン類、ピリジン類、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、トリエチルアミン、トリブチルアミン等の有機アミンが好ましい。
【０１３３】
これら塩基性化合物は、単独であるいは２種以上で用いられる。（Ｃ）塩基性化合物の使用量は、ポジ型感光性組成物の固形分を基準として、本発明の分子内に少なくとも炭素数９以上の置換又は無置換の脂肪族炭化水素基を含有する塩基性化合物の他に併用可能な塩基性化合物も含む総量として通常、０．００１〜１０重量％、好ましくは０．０１〜５重量％である。０．００１重量％未満では上記塩基性化合物の添加の効果が得られにくい。一方、１０重量％を超えると感度の低下や非露光部の現像性が悪化する傾向がある。
また、本発明の分子内に少なくとも炭素数９以上の置換又は無置換の脂肪族炭化水素基を含有する塩基性化合物と併用可能な塩基性化合物との混合比率としては、重量比で通常は１０／９０〜９０／１０であり、好ましくは１５／８５〜８５／１５、より好ましくは２０／８０〜８０／２０である。
【０１３４】
≪（Ｄ）フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤≫
本発明のポジ型感光性組成物は、少なくとも上記成分（Ａ）〜（Ｃ）を含有するが、更に（Ｄ）フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤（フッ素系界面活性剤及びシリコン系界面活性剤、フッソ原子と珪素原子の両方を含有する界面活性剤）のいずれか、あるいは２種以上を含有することが好ましい。
本発明のポジ型感光性組成物が上記（Ｄ）界面活性剤とを含有することにより、２５０ｎｍ以下、特に２２０ｎｍ以下の露光光源の使用時に、良好な感度及び解像度で、密着性及び現像欠陥の少ないレジストパターンを与えることが可能となる。
これらの（Ｄ）界面活性剤として、例えば特開昭６２−３６６６３号、特開昭６１−  ２２６７４６号、特開昭６１−２２６７４５号、特開昭６２−１７０９５０号、特開昭６３−３４５４０号、特開平７−２３０１６５号、特開平８−６２８３４号、特開平９−５４４３２号、特開平９−５９８８号、米国特許５４０５７２０号、同５３６０６９２号、同５５２９８８１号、同５２９６３３０号、同５４３６０９８号、同５５７６１４３号、同５２９４５１１号、同５８２４４５１号記載の界面活性剤を挙げることができ、下記市販の界面活性剤をそのまま用いることもできる。
使用できる市販の界面活性剤として、例えばエフトップＥＦ３０１、ＥＦ３０３、(新秋田化成(株)製)、フロラードＦＣ４３０、４３１(住友スリーエム(株)製)、メガファックＦ１７１、Ｆ１７３、Ｆ１７６、Ｆ１８９、Ｒ０８（大日本インキ（株）製）、サーフロンＳ−３８２、ＳＣ１０１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０６（旭硝子（株）製）、トロイゾルＳ−３６６（トロイケミカル（株）製）等のフッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤を挙げることができる。またポリシロキサンポリマーＫＰ−３４１（信越化学工業（株）製）もシリコン系界面活性剤として用いることができる。
【０１３５】
界面活性剤の使用量は、ポジ型感光性組成物全量（溶剤を除く）に対して、好ましくは０．０００１〜２重量％、より好ましくは０．００１〜１重量％である。
【０１３６】
≪（Ｅ）有機溶剤≫
本発明のポジ型感光性組成物は、上記の成分を所定の有機溶剤に溶解して用いる。
使用し得る有機溶剤としては、例えば、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、２−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、２−メトキシエチルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン、テトラヒドロフラン等を挙げることができる。
【０１３７】
本発明においては、有機溶剤として構造中に水酸基を含有する溶剤と、水酸基を含有しない溶剤とを混合した混合溶剤を使用することが好ましい。これによりレジスト液保存時のパーティクル発生を軽減することができる。
水酸基を含有する溶剤としては、例えば、エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、乳酸エチル等を挙げることができ、これらの内でプロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチルが特に好ましい。
水酸基を含有しない溶剤としては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、２−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチル、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等を挙げることができ、これらの内で、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、２−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチルが特に好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、２−ヘプタノンが最も好ましい。
水酸基を含有する溶剤と水酸基を含有しない溶剤との混合比（重量）は、好ましくは１／９９〜９９／１、より好ましくは１０／９０〜９０／１０、最も好ましくは２０／８０〜６０／４０である。水酸基を含有しない溶剤を５０重量％以上含有する混合溶剤が塗布均一性の点で特に好ましい。
【０１３８】
≪（Ｆ）酸分解性溶解阻止化合物≫
本発明のポジ型感光性組成物は、更に（Ｆ）酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基を有し、分子量３０００以下、好ましくは１００以上３０００以下の溶解阻止低分子化合物（以下、「（Ｆ）酸分解性溶解阻止化合物」ともいう）を含有することが好ましい。
特に２２０ｎｍ以下の透過性を低下させないため、Proceeding of SPIE, ２７２４,３５５ (１９９６)に記載されている酸分解性基を含むコール酸誘導体の様な、酸分解性基を含有する脂環族又は脂肪族化合物が（Ｆ）酸分解性溶解阻止化合物として好ましい。酸分解性基、脂環式構造としては、上記酸分解性樹脂のところで説明したものと同様のものが挙げられる。
（Ｆ）酸分解性溶解阻止化合物の添加量は、ポジ型感光性組成物の全組成物の固形分に対し、好ましくは３〜５０重量％であり、より好ましくは５〜４０重量％である。
以下に（Ｆ）酸分解性溶解阻止化合物の具体例を示すが、これらに限定されない。
【０１３９】
【化５１】
0004248168.tif 000051
【０１４０】
≪（Ｇ）アルカリ可溶性樹脂≫
本発明のポジ型感光性組成物は、更に、酸分解性基を含有していない、（Ｇ）水に不溶でアルカリ現像液に可溶な樹脂を含有することができ、これにより感度が向上する。
本発明においては、分子量１０００〜２００００程度のノボラック樹脂類、分子量３０００〜５００００程度のポリヒドロキシスチレン誘導体をこのような樹脂として用いることができるが、これらは２５０ｎｍ以下の光に対して吸収が大きいため、一部水素添加して用いるか、又は全樹脂量の３０重量％以下の量で使用するのが好ましい。
また、カルボキシル基をアルカリ可溶性基として含有する樹脂も用いることができる。カルボキシル基を含有する樹脂中にはドライエッチング耐性向上のために単環、又は多環の脂環炭化水素基を有していることが好ましい。具体的には酸分解性を示さない脂環式炭化水素構造を有するメタクリル酸エステルと（メタ）アクリル酸の共重合体あるいは末端にカルボキシル基を有する脂環炭化水素基の（メタ）アクリル酸エステルの樹脂などを挙げることができる。
【０１４１】
≪その他の添加剤≫
本発明のポジ型感光性組成物には、必要に応じてさらに染料、可塑剤、上記（Ｄ）成分以外の界面活性剤、光増感剤、及び現像液に対する溶解性を促進させる化合物等を含有させることができる。
本発明で使用できる現像液に対する溶解促進性化合物は、フェノール性ＯＨ基を２個以上、又はカルボキシ基を１個以上有する分子量１，０００以下の低分子化合物である。カルボキシ基を有する場合は上記と同じ理由で脂環族又は脂肪族化合物が好ましい。
これら溶解促進性化合物の好ましい添加量は、（Ｂ）の樹脂に対して２〜５０重量％であり、さらに好ましくは５〜３０重量％である。５０重量％を越えた添加量では、現像残渣が悪化し、また現像時にパターンが変形するという新たな欠点が発生して好ましくない。
【０１４２】
このような分子量１０００以下のフェノール化合物は、例えば、特開平４−１２２９３８号、特開平２−２８５３１号、米国特許第４９１６２１０号、欧州特許第２１９２９４号等の各公報に記載の方法を参考にして、当業者において容易に合成することができる。
カルボキシル基を有する脂環族、又は脂肪族化合物の具体例としてはコール酸、デオキシコール酸、リトコール酸などのステロイド構造を有するカルボン酸誘導体、アダマンタンカルボン酸誘導体、アダマンタンジカルボン酸、シクロヘキサンカルボン酸、シクロヘキサンジカルボン酸などが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【０１４３】
本発明においては、上記（Ｄ）フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を加えることもできる。具体的には、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテ−ト、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤等を挙げることができる。
これらの界面活性剤は単独で添加してもよいし、また、いくつかの組み合わせで添加することもできる。
【０１４４】
≪使用方法≫
本発明のポジ型感光性組成物は、上記の成分を所定の有機溶剤、好ましくは前記混合溶剤に溶解し、次のように所定の支持体上に塗布して用いる。
すなわち、上記ポジ型感光性組成物を精密集積回路素子の製造に使用されるような基板（例：シリコン／二酸化シリコン被覆）上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法により塗布する。
塗布後、所定のマスクを通して露光し、ベークを行い現像する。このようにすると、良好なレジストパターンを得ることができる。ここで露光光としては、好ましくは２５０ｎｍ以下、より好ましくは２２０ｎｍ以下の波長の遠紫外線である。具体的には、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）、Ｆ2エキシマレーザー（１５７ｎｍ）、Ｘ線、電子ビーム等が挙げられる。
【０１４５】
現像工程では、現像液を次のように用いる。ポジ型感光性組成物の現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピヘリジン等の環状アミン類等のアルカリ性水溶液を使用することができる。
さらに、上記アルカリ性水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
【０１４６】
【実施例】
以下、本発明を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【０１４７】
合成例−１〔樹脂の合成〕
樹脂の合成は、アセタール化に関してはビニルエーテルを用いる方法、アルコールとアルキルビニルエーテルを用いたアセタール交換法のいずれを用いても合成することが出来る。
また、効率よく、かつ安定的に合成するため、以下に示すような脱水共沸法を用いることも出来る。ただし、これら合成法に限定されることはない。
【０１４８】
（１）（樹脂Ｒ−１の合成）
ｐ−アセトキシスチレン３２．４ｇ（０．２モル）を酢酸ブチル１２０ｍｌに溶解し、窒素気流及び攪拌下、８０℃にてアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）０．０３３ｇを２．５時間置きに３回添加し、最後に更に５時間攪拌を続けることにより、重合反応を行った。反応液をヘキサン１２００ｍｌに投入し、白色の樹脂を析出させた。得られた樹脂を乾燥後、メタノール１５０ｍｌに溶解した。これに水酸化ナトリウム７．７ｇ（０．１９モル）／水５０ｍｌの水溶液を添加し、３時間加熱還流することにより加水分解させた。その後、水２００ｍｌを加えて希釈し、塩酸にて中和し白色の樹脂を析出させた。この樹脂を濾別し、水洗・乾燥させた。更にテトラヒドロフラン２００ｍｌに溶解し、５リットルの超純水中に激しく攪拌しながら滴下、再沈を行った。この再沈操作を３回繰り返した。得られた樹脂を真空乾燥器中で１２０℃、１２時間乾燥し、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）アルカリ可溶性樹脂Ｒ−１を得た。
得られた樹脂の重量平均分子量は１２，０００であった。
【０１４９】
（２）（樹脂Ｒ−２の合成）
常法に基づいて脱水、蒸留精製したｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレンモノマー３５．２５ｇ（０．２モル）及びｔ−ブチルスチレンモノマー５．２１ｇ（０．０５モル）をテトラヒドロフラン１００ｍｌに溶解した。窒素気流及び攪拌下、８０℃にてアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）０．０３３ｇを２．５時間置きに３回添加し、最後に更に５時間攪拌を続けることにより、重合反応を行った。反応液をヘキサン１２００ｍｌに投入し、白色の樹脂を析出させた。得られた樹脂を乾燥後、テトラヒドロフラン１５０ｍｌに溶解した。
これに４Ｎ塩酸を添加し、６時間加熱還流することにより加水分解させた後、５リットルの超純水に再沈し、この樹脂を濾別し、水洗・乾燥させた。更にテトラヒドロフラン２００ｍｌに溶解し、５リツトルの超純水中に激しく攪拌しながら滴下、再沈を行った。この再沈操作を３回繰り返した。得られた樹脂を真空乾燥器中で１２０℃、１２時間乾燥し、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン／ｔ−ブチルスチレン）共重合体アルカリ可溶性樹脂Ｒ−２を得た。
得られた樹脂の重量平均分子量は１２，０００であった。
【０１５０】
（３）（樹脂Ｒ−３の合成）
日本曹達株式会社製、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）（ＶＰ８０００）をアルカリ可溶性樹脂Ｒ−３とした。重量平均分子量は９，８００であった。
【０１５１】
（４）（樹脂Ｒ−４の合成）
日本曹達株式会社製、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）（ＶＰ１５０００）をアルカリ可溶性樹脂Ｒ−４とした。重量平均分子量は１７，０００であった。
【０１５２】
（５）（アルカリ可溶性樹脂Ｂ−１の合成）
上記合成例で得られたアルカリ可溶性樹脂Ｒ−２                ２０ｇ
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）３２０ｇ
をフラスコ中で溶解し、減圧蒸留を行い、水とＰＧＭＥＡを共沸留去した。
含水が十分低くなったことを確認した後、エチルビニルエーテル２４ｇ及びｐ−トルエンスルホン酸０．３５ｇを加え、室温にて１時間撹拌した。そこへトリエチルアミンを０．２８ｇ加えて反応を止めた。
反応液に酢酸エチルを添加、さらに水洗した後、減圧留去によって酢酸エチル、水、共沸分のＰＧＭＥＡを留去し、本発明に係わる酸分解性基で保護された樹脂Ｂ−１を得た。
【０１５３】
（６）（アルカリ可溶性樹脂Ｂ−２の合成）
上記合成例で得られたアルカリ可溶性樹脂Ｒ−３                ７０ｇ
ＰＧＭＥＡ                                                ３２０ｇ
をフラスコ中で溶解し、減圧蒸留を行い、水とＰＧＭＥＡを共沸留去した。
含水が十分低くなったことを確認した後、ベンジルアルコール２８ｇとｔ−ブチルビニルエーテル２６ｇとｐ−トルエンスルホン酸０．３５ｇを加え、室温にて１時間撹拌した。
そこへトリエチルアミン０．１ｇを加えて室温にて１０分撹拌して反応を止めた後、反応液に酢酸エチルを添加、さらに水洗した後、減圧留去によって酢酸エチル、水、共沸分のＰＧＭＥＡを留去し、本発明に係わる酸分解性基で保護された樹脂Ｂ−２を得た。
【０１５４】
（７）（アルカリ可溶性樹脂Ｂ−３の合成）
上記合成例で得られたアルカリ可溶性樹脂Ｒ−２                ７０ｇ
ＰＧＭＥＡ                                                ３２０ｇ
をフラスコ中で溶解し、減圧蒸留を行い、水とＰＧＭＥＡを共沸留去した。
含水が十分低くなったことを確認した後、シクロヘキシルエタノール２０ｇとｔ−ブチルビニルエーテル１５．５ｇとｐ−トルエンスルホン酸０．３５ｇを加え、室温にて１時間撹拌した。
そこへトリエチルアミン０．２８ｇを加えて室温にて１０分撹拌して反応を止めた後、反応液に酢酸エチルを添加、さらに水洗した後、減圧留去によって酢酸エチル、水、共沸分のＰＧＭＥＡを留去し、本発明に係わる酸分解性基で保護された樹脂Ｂ−３を得た。
【０１５５】
（８）（アルカリ可溶性樹脂Ｂ−４の合成）
上記合成例で得られたアルカリ可溶性樹脂Ｒ−３                ７０ｇ
ＰＧＭＥＡ                                                ３２０ｇ
をフラスコ中で溶解し、減圧蒸留を行い、水とＰＧＭＥＡを共沸留去した。
含水が十分低くなったことを確認した後、シクロヘキシルエタノール２２ｇとｔ−ブチルビニルエーテル１７．５ｇとｐ−トルエンスルホン酸０．３５ｇを加え、室温にて１時間撹拌した。
そこへトリエチルアミン０．２８ｇを加えて室温にて１０分撹拌して反応を止めた後、反応液に酢酸エチルを添加、さらに水洗した後、減圧留去によって酢酸エチル、水、共沸分のＰＧＭＥＡを留去し、本発明に係わる酸分解性基で保護された樹脂Ｂ−４を得た。
【０１５６】
（９）（アルカリ可溶性樹脂Ｂ−５の合成）
上記合成例で得られたアルカリ可溶性樹脂Ｒ−４                ２０ｇ
ＰＧＭＥＡ                                                ３２０ｇ
をフラスコ中で溶解し、減圧蒸留を行い、水とＰＧＭＥＡを共沸留去した。
含水が十分低くなったことを確認した後、シクロヘキシルエタノール２２．４ｇとｔ−ブチルビニルエーテル１７．５ｇ及びｐ−トルエンスルホン酸０．３５ｇを加え、室温にて１時間撹拌した。そこヘピリジン５．５ｇさらに無水酢酸５．９ｇを加えて室温にて１時間撹拌した。
反応液に酢酸エチルを添加、さらに水洗した後、減圧留去によって酢酸エチル、水、共沸分のＰＧＭＥＡを留去し、本発明に係わる酸分解性基で保護された樹脂Ｂ−５を得た。
【０１５７】
（１０）（アルカリ可溶性樹脂Ｂ−６の合成）
上記合成例で得られたアルカリ可溶性樹脂Ｒ−１                ２０ｇ
ＰＧＭＥＡ                                                ３２０ｇ
をフラスコ中で溶解し、減圧蒸留を行い、水とＰＧＭＥＡを共沸留去した。
含水が十分低くなったことを確認した後、シクロヘキシルエタノール２２．４ｇとｔ−ブチルビニルエーテル１７．５ｇ及びｐ−トルエンスルホン酸０．３５ｇを加え、室温にて１時間撹拌した。
そこヘピリジン５．５ｇさらに無水酢酸５．９ｇを加えて室温にて１時間撹拌した。
反応液に酢酸エチルを添加、さらに水洗した後、減圧留去によって酢酸エチル、水、共沸分のＰＧＭＥＡを留去し、本発明に係わる酸分解性基で保護された樹脂Ｂ−６を得た。
【０１５８】
実施例１
［ポジ型フォトレジスト組成物の調製と評価］
下記の組成から成るポジ型フォトレジスト組成物を固形分濃度が約１２％になるように混合し、０．１μｍのミクロフィルターで濾過し、ポジ型レジスト液を調製した。
組成：
樹脂      ：合成例５で得た樹脂（Ｂ−１）          ８７．８１重量部
酸発生剤  ：下記（Ａ−１）                          ２．００重量部
塩基性化合物：下記（Ｃ１）                          ０．１５重量部
界面活性剤：下記（Ｗ−２）                          ０．０４重量部
溶剤      ：下記（Ｓ−１）                      ７３３．３３重量部
【０１５９】
得られたポジ型フォトレジスト液をスピンコーター（東京エレクトロン社製Mark ８）を利用して、ブリュワーサイエンス製ＤＵＶ−４２が６０ｎｍ塗布してある６インチシリコンウエハー上に塗布し、１２０℃で９０秒間、真空吸着式のホットプレートで加熱処理し、約０．４μｍのレジスト膜を形成した。それにＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ、ＮＡ＝０．６３、のキャノン製ＦＰＡ−３０００ＥＸ５）でパターン露光した。露光後に１００℃で９０秒間加熱処理ＰＥＢを行い、直ちに２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像し、続いて純水でリンス後、スピン乾燥を行いレジストパターンを得た。
【０１６０】
実施例２〜１３
下記表１に記載される通りに、各成分の種類及び量を変更した以外は、上記実施例１と同様にポジ型フォトレジスト液を調製し、実施例１と同様にしてレジストパターを形成した。
【０１６１】
比較例１〜２
下記表１に記載される通りに、各成分の種類及び量を変更した以外は、上記実施例１と同様にポジ型フォトレジスト液を調製し、実施例１と同様にしてレジストパターンを形成した。
【０１６２】
【表１】
0004248168.tif 000052
【０１６３】
用いた酸発生剤（Ａ−１）〜（Ａ−３）を以下に示す。
【０１６４】
【化５２】
0004248168.tif 000053
【０１６５】
用いた塩基性化合物（Ｃ１）〜（Ｃ９）及び（１）、（２）を以下に示す。
Ｃ１：オクタデシルアミン
Ｃ２：メチルオクタデシルアミン
Ｃ３：トリイソデシルアミン
Ｃ４：Ｎ，Ｎ−ジメチルウンデシルアミン
Ｃ５：Ｎ，Ｎ−ジメチルドデシルアミン
Ｃ６：トリドデシルアミン
Ｃ７：メチルジオクタデシルアミン
Ｃ８：１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン
Ｃ９：トリフェニルイミダゾール
１：トリオクチルアミン
２：トリｎ−ブチルアミン
【０１６６】
用いた界面活性剤（Ｗ−１），（Ｗ−２）を以下に示す。
Ｗ−１：メガファックＲ０８（大日本インキ（株）製）
Ｗ−２：トロイゾルＳ−３６６（トロイケミカル（株）製）
【０１６７】
用いた溶剤（Ｓ−１）〜（Ｓ−３）を以下に示す。
Ｓ−１：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
Ｓ−２：プロピレングリコールモノメチルエーテル
Ｓ−３：プロピレンカーボネート
【０１６８】
得られたレジストパターンについて、サイドローブ耐性を下記手法により評価した。
【０１６９】
＜画像評価法＞
〔サイドローブ耐性評価〕
スピンコーターにてヘキサメチルジシラザン処理を施したシリコン基板上にブリューワーサイエンス社製反射防止膜ＤＵＶ−４２を６００オングストローム均一に塗布し、１００℃で９０秒間ホットプレート上で乾燥した後、１９０℃で２４０秒間加熱乾燥を行った。その後、各感光性樹脂組成物をスピンコーターで塗布し１２０℃で９０秒乾燥を行い０．３０μｍのレジスト膜を形成させた。このレジスト膜に対し、マスクを通してＡｒＦエキシマレーザーステッパー（ＩＳＩ社製  ＮＡ＝０．６）で露光し、露光後直ぐに１２０℃で９０秒間ホットプレート上で加熱した。さらに２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で２３℃で６０秒間現像し、３０秒間純水にてリンスした後、乾燥し、レジストラインパターンを得た。
サイドローブ耐性の評価は、ハーフトーン位相シフトマスクを使用して、０．２２μｍを０．２０μｍに解像させ、０．１８μｍでのパターン上を観察し、サイドローブの発現が認められず良好なものを○、若干サイドローブの兆候が認められるものを△、サイドローブがはっきり確認されるものを×として示した。
これらの評価結果を表２に示す。
【０１７０】
【表２】
0004248168.tif 000054
【０１７１】
表２の結果から明らかなように、本発明の組成物はハーフトーン露光適性（サイドローブ耐性）において優れている。
【０１７２】
【発明の効果】
本願発明は、ハーフトーン露光適性に優れたポジ型感光性組成物を提供することができる。