(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一酸化炭素を制御弁を通して供給すると共にメタノールおよび／またはその反応性誘導体を供給することにより酢酸を連続生成させ、反応器内に少なくとも５％ｗ／ｗの酢酸メチルと有限濃度の水と１〜３０％ｗ／ｗの沃化メチルと第ＶＩＩＩ族貴金属触媒と必要に応じ少なくとも１種の促進剤とからなる液体反応組成物および組成物の残部からなる酢酸を維持する反応器への一酸化炭素流の制御方法において：（ｉ）制御弁を通る一酸化炭素流を測定し；
（ｉｉ）時間平均の一酸化炭素流速に達するまでバックグランド計算を行い；
（ｉｉｉ）時間平均の一酸化炭素流に一定値を加算して最大可能な一酸化炭素流速に到達させ；
（ｉｖ）計算された最大可能な一酸化炭素流速からなる情報を制御システムに給送して、反応器への一酸化炭素流速が任意の時点で計算最大流速を越えないように操作する
ことを特徴とする反応器への一酸化炭素流の制御方法。
【請求項２】
反応器圧力制御器または一酸化炭素供給流制御器からの入力に呼応して、制御弁を低シグナルセレクタを介し付勢させる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
最大可能な一酸化炭素流速（ＦＣｓｐ）を式
ＦＣｓｐ＝Ｆａｖ＋Ｘ
［式中、Ｆａｖは直前の特定時間にわたる一酸化炭素流速（トン／ｈｒ）であり、Ｘは０．１〜１．０トン／ｈｒの範囲の所定量である］に従って計算する請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
第ＶＩＩＩ族貴金属触媒がロジウムもしくはイリジウムである請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
液体反応組成物における触媒が５０〜５０００重量ｐｐｍの範囲の金属である請求項４に記載の方法。
【請求項６】
促進剤を金属促進剤、無機沃化物および有機沃化物から選択する請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
水を０．１〜３０％ｗ／ｗの濃度にて存在させる請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
１０〜１００ｂａｒｇの圧力および１００〜３００℃の温度の下で行う請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は一般に酢酸を製造するためのカルボニル化方法に関し、特にメタノールおよび／またはその反応性誘導体を触媒としての第ＶＩＩＩ族貴金属触媒と助触媒としてのヒドロカルビルハロゲン化物と必要に応じ促進剤との存在下にカルボニル化することによる酢酸の製造方法に関するものである。
【０００２】
第ＶＩＩＩ族貴金属触媒による一酸化炭素のヒドロカルビルハロゲン化物助触媒での反応により酢酸を製造する均質液相法は周知されている。貴金属触媒としてロジウムを使用する方法は、たとえばＧＢ−Ａ−１，２３３，１２１号；ＥＰ−Ａ−０３８４６５２号；およびＥＰ−Ａ−０３９１６８０号に記載されている。貴金属触媒としてイリジウムを使用する方法は、たとえばＧＢ−Ａ−１２３４１２１号、ＵＳ−Ａ−３７７２３８０号；ＤＥ−Ａ−１７６７１５０号；ＥＰ−Ａ−０６１９９７号；ＥＰ−Ａ−０６１８１８４号；ＥＰ−Ａ−０６１８１８３号；ＥＰ−Ａ−０６５７３８６号；およびＷＯ−Ａ−９５／３１４２６号に記載されている。ロジウムもしくはイリジウムのいずれかのカルボニル化触媒の存在下に酢酸を製造するためのカルボニル化方法は工業規模にて世界中の数カ所にて運転されている。
【０００３】
ハワード等はキャタリシス・ツデー、第１８巻（１９９３）、第３２５〜３５４頁にて、メタノールから酢酸へのロジウムおよびイリジウム触媒によるカルボニル化を記載している。連続ロジウム触媒の均質メタノールカルボニル化法は、３種の基本的セクション；すなわち反応、精製およびオフガス処理で構成されると言われる。反応セクションは、高められた温度および圧力にて操作される撹拌反応器とフラッシュ容器とからなっている。液体反応組成物を反応器から抜き取ると共にフラッシュ弁を介してフラッシュタンクまで移送し、ここで液体反応組成物の軽質成分（沃化メチル、酢酸メチルおよび水）の大部分を生成物酢酸と一緒に気化させる。次いで蒸気フラクションを精製セクションまで移送すると共に、液体フラクション（酢酸におけるロジウム触媒を含む）を反応器まで循環させる（ハワード等の図２参照）。精製セクションは、第１蒸留カラム（ライトエンドカラム）と第２蒸留カラム（乾燥カラム）と第３蒸留カラム（ヘビーエンドカラム）とで構成されると言われる（ハワード等の図３参照）。ライトエンドカラムにて、沃化メチルと酢酸メチルとを若干の水および酢酸と一緒に頭上で除去する。蒸気を凝縮させると共にデカンタにて２つの相に分離させ、両相を反応器に戻す。湿潤酢酸を副流としてライトエンドカラムから除去すると共に乾燥カラムに供給し、ここで水を頭上で除去すると共に実質的に乾燥した酢酸流を蒸留帯域の底部から除去する。ハワード等の図３から見られるように、乾燥カラムからの頭上の水流は反応セクションに循環される。重質液体副生物をヘビーエンドカラムの底部から除去すると共に生成物酢酸を副流として採取する。
【０００４】
本発明に関するものは反応セクションおよびその操作である。上記方法に関し、本発明に主として関するものは特に反応器およびその操作である。連続運転に際し、一酸化炭素を圧力制御下で要求に応じ供給すると共にメタノールを特定一定濃度の酢酸メチルと水と沃化メチル助触媒と第ＶＩＩＩ族貴金属触媒と必要に応じ１種もしくはそれ以上の促進剤とからなる液体組成物および組成物の残部からなる酢酸を含有する反応器へ供給するのが通常であった。反応器内では酢酸を生成するカルボニル化が生じ、この酢酸を液体反応組成物にて除去し、その後に酢酸を前記のように回収する。未変換の一酸化炭素は反応器から除去されると共に、そこから揮発性成分を回収した後に一般に廃棄される。液体反応組成物における約６％ｗ／ｗ未満の酢酸メチル濃度（このレベルは一般にロジウム触媒の使用に関連する）にて、実際上全ての酢酸メチルがカルボニル化により酢酸まで変換される。このような状況下では、反応器温度を制御する際に殆ど困難に遭遇しない。しかしながら、少なくとも５％ｗ／ｗ、典型的には８％ｗ／ｗもしくはそれ以上（このレベルは一般にイリジウム触媒の使用に関連する）の酢酸メチル濃度にては液体反応組成物における酢酸メチルは必ずしも全部が変換されず、従って一酸化炭素に関する絶えず増加する要求および未変換の酢酸メチル反応体の存在から生ずる制御しえない発熱の可能性が存在する。この種の状況下でプラントはトリップすることがあり、これは生産を中断するので望ましくない。さらに、一定でない反応器温度は反応器の一酸化炭素吸収における不安定性をももたらす。これは制御目的で燃焼させるべく一酸化炭素を排気する必要性をもたらし、一酸化炭素変換効率の損失となる。高酢酸メチル濃度における反応温度制御は従って重要な問題である。この問題の解決策は、制御しえない発熱を回避すべく反応器に利用しうる一酸化炭素の量を制限するメカニズムを設けることである。
【０００５】
従って本発明は、一酸化炭素を制御弁を通して供給すると共にメタノールおよび／またはその反応性誘導体を供給することにより酢酸を連続生成させ、反応器内に少なくとも５％ｗ／ｗの酢酸メチルと有限濃度の水と１〜３０％ｗ／ｗの沃化メチルと第ＶＩＩＩ族貴金属触媒と少なくとも１種の促進剤とからなる液体反応組成物および組成物の残部からなる酢酸を維持する反応器への一酸化炭素流の制御方法において：
（ｉ）制御弁を通る一酸化炭素流を測定し；
（ｉｉ）時間平均の一酸化炭素流速に達するまでバックグランド計算を行い；
（ｉｉｉ）時間平均の一酸化炭素流に一定値を加算して最大可能な一酸化炭素流速に到達させ；
（ｉｖ）計算された最大可能な一酸化炭素流速からなる情報を制御システムに給送して、反応器への一酸化炭素流速が任意の時点で計算最大流速を越えないように操作する
ことを特徴とする反応器への一酸化炭素流の制御方法を提供する。
【０００６】
１実施形態において、この方法は反応器圧力制御器または一酸化炭素供給流制御器のいずれかからの入力に呼応する低シグナルセレクタを介し制御弁を付勢することからなり、流れ制御器は時間平均の一酸化炭素流速を測定すると共に一定値をこれに加算するよう機能する計算ブロックにより計算される最大可能な一酸化炭素流速により支配され、シグナルセレクタへの入力および／従って制御弁の操作は反応器への一酸化炭素供給流速が最大可能な一酸化炭素流速よりも高くなった際に流れ制御器を介して行われ、さらに反応器への一酸化炭素供給流速が最大可能な一酸化炭素流速よりも低くなった際には圧力制御器により行われる。この実施形態において、流れ制御器は一般に流れ弁操作の制御下にない。何故なら、流速は一般に計算ブロックにより測定される最大可能な一酸化炭素流速より低くかつ圧力制御器がセレクタを介して作動するからである。より高い一酸化炭素吸収を含む反応器障害の場合、一酸化炭素流出力は圧力制御器出力よりも低くなり、流れ制御器はセレクタを介して制御を行う。
【０００７】
本発明の方法を適用しうる他の方法が存在する。たとえば流れ制御器を制御弁の永久的操作に担当させ、この場合は計算ブロックは制御弁を流下する流れがこの数値を越えないよう最大可能な一酸化炭素流につき数値を設定する。
【０００８】
本発明による方法の利点は、この方法の満足な制御が高い酢酸メチル変換率にて達成され、これによりプラント安定性およびその結果として信頼性を向上させる点にある。
【０００９】
最大可能な一酸化炭素流速は好適には次式に従う：
ＦＣｓｐ＝Ｆａｖ＋Ｘ            （Ｉ）
［式中、ＦＣｓｐ＝最大可能な一酸化炭素流速、すなわち流れ制御器の設定点、Ｆａｖ＝特定の直前時間にわたる一酸化炭素流速（トン／１ｈｒ）、
Ｘ＝０．１〜１．０トン／ｈｒの範囲の所定量］。
ここで特定の直前時間は任意所望の時間とすることができる。１０分間が適する時間である。Ｘにつき適する数値はたとえば２．５％Ｆａｖである。たとえばＦａｖが２０トン／ｈｒであれば、Ｘは好ましくは０．５トン／ｈｒであり、ＦＣｓｐは２０．５トン／ｈｒである。
【００１０】
本発明の好適実施形態においては反応器への一酸化炭素流を制御する他に、高圧排気ガスの流れを用いて反応器圧力を制御する。好適には、これを達成する方法は流れ制御器または第２圧力制御器のいずれかからの入力に呼応するシグナルセレクタを介し高圧排気ガス制御弁を付勢することからなり、第２圧力制御器は上記した第１圧力制御器の圧力よりも低い設定点により支配され、シグナルセレクタおよび／従って制御弁の操作に対する入力は反応器圧力が設定点より下降すれば第２圧力制御器を介して行われ、さらに反応器圧力が設定点に等しく或いはそれ以上であれば流れ制御器を介して行われる。必要に応じ、これは高圧排気ガス制御器に対する設定点の高限界により或いは他のプロセス制御技術により達成することもできる。
【００１１】
第２圧力制御器の設定点は、好適には第１圧力制御器の設定点より１．０〜５．０％、たとえば約２％低く設定される。たとえば第１圧力制御器の設定点が２７．６バールに設定されれば、第２圧力制御器の設定点を好適には２７．１バールに設定することができる。一般に、流れ制御器は高圧排気ガス制御弁の担当である。
【００１２】
反応器には、メタノールおよび／またはその反応性誘導体が供給される。メタノールの反応性誘導体は酢酸メチル、ジメチルエーテルおよび沃化メチルを包含する。
【００１３】
反応器内には少なくとも５％ｗ／ｗ、典型的には少なくとも８％ｗ／ｗの酢酸メチルと有限濃度の水と１〜３０％ｗ／ｗの沃化メチルと第ＶＩＩＩ族貴金属触媒と必要に応じ少なくとも１種の促進剤と組成物の残部からなる酢酸とを含む液体反応組成物が維持される。
【００１４】
たとえば第ＶＩＩＩ族貴金属触媒としてロジウムを少なくとも５％ｗ／ｗ、典型的には少なくとも８％ｗ／ｗの液体反応組成物における高酢酸メチル濃度にて使用しうるが、このような高濃度はイリジウム触媒の使用に関し一層特徴的である。反応器への一酸化炭素流を制御する方法は従って好ましくはイリジウム触媒と組み合わせて使用される。酢酸メチルの濃度は好適には３０％ｗ／ｗまで、好ましくは２５％ｗ／ｗまでとすることができる。典型的には、酢酸メチルの濃度は１０〜２０％ｗ／ｗの範囲とすることができる。
【００１５】
水を有限濃度、すなわち少なくとも０．１％ｗ／ｗにて液体反応組成物に存在させる。好適には水は０．１〜３０％ｗ／ｗ、典型的には０．１〜２０％ｗ／ｗ、たとえば０．１〜１０％ｗ／ｗの量にて存在させることができる。好ましくは水を１〜６％ｗ／ｗの量にて存在させる。水は、たとえばメタノールおよび／またはその反応性誘導体の反応体とカルボン酸生成物との間のエステル化反応によりカルボニル化反応に際しその場で生成させることもできる。水は、カルボニル化反応器に他の液体反応体と一緒に或いはそれとは別途に導入することができる。水を反応器から抜き取られた液体反応組成物より分離して、カルボニル化反応組成物における所要濃度を維持すべく制御量にて循環させることができる。
【００１６】
好適には沃化メチル助触媒は液体反応組成物中に１〜３０％ｗ／ｗ、より好ましくは１〜２０％ｗ／ｗ、たとえば１〜１０％ｗ／ｗの範囲の量にて存在させることができる。
【００１７】
第ＶＩＩＩ族貴金属は液体反応組成物中に、この組成物に可溶性である任意の形態で存在させることができる。これは液体反応組成物に、この組成物中で可溶性または可溶性形態まで変換しうるいずれの形態でも添加することができる。塩素フリーの化合物、たとえばカルボン酸塩（たとえば酢酸塩）としてイリジウムが好適に使用され、これは１種もしくはそれ以上の液体反応成分（たとえば水および／または酢酸）に可溶性であって、溶液として添加することができる。液体反応組成物に添加しうる適するイリジウム含有化合物の例はＩｒＣｌ３、ＩｒＩ３、ＩｒＢｒ３、［Ｉｒ（ＣＯ）２Ｉ］２、［Ｉｒ（ＣＯ）２Ｃｌ］２、［Ｉｒ（ＣＯ）２Ｂｒ］２、［Ｉｒ（ＣＯ）４Ｉ２］−Ｈ＋、［Ｉｒ（ＣＯ）２Ｂｒ２］−Ｈ＋、［Ｉｒ（ＣＯ）２Ｉ２］−Ｈ＋、［Ｉｒ（ＣＨ３）Ｉ３（ＣＯ）２］−Ｈ＋、Ｉｒ（ＣＯ）１２、ＩｒＣｌ３・４Ｈ２Ｏ、ＩｒＢｒ３・４Ｈ２Ｏ、Ｉｒ３（ＣＯ）１２、イリジウム金属、Ｉｒ２Ｏ３、ＩｒＯ２、Ｉｒ（ａｃａｃ）（ＣＯ）２、Ｉｒ（ａｃａｃ）３、酢酸イリジウム、［Ｉｒ３Ｏ（ＯＡｃ）６（Ｈ２Ｏ）３］［ＯＡｃ］およびヘキサクロルイリジウム酸Ｈ２［ＩｒＣｌ３］、好ましくはたとえば酢酸塩、蓚酸塩およびアセト酢酸塩のようなイリジウムの塩素フリー錯体を包含する。
【００１８】
好ましくは、液体反応組成物における触媒の濃度は５０〜５０００重量ｐｐｍの金属、好ましくは１００〜１５００重量ｐｐｍの金属の範囲である。
【００１９】
必要に応じ１種もしくはそれ以上の促進剤を液体反応組成物に存在させることもできる。或る程度、促進剤の選択は用いる触媒金属の性質に依存する。触媒としてイリジウムを用いる場合、金属促進剤の使用が好適である。金属促進剤は好適にはオスミウム、レニウム、ルテニウム、カドミウム、水銀、亜鉛、ガリウム、インジウムおよびタングステンの１種もしくはそれ以上とすることができる。好ましくは促進剤はルテニウムおよびオスミウムから選択され、特に好ましくはルテニウムである。促進剤は、液体反応組成物に対し可溶性である任意の促進性金属含有化合物で構成することができる。促進剤は液体反応組成物に溶解し、或いは可溶性型まで変換しうる任意適する形態で添加することができる。適する促進性金属含有化合物の例はカルボン酸塩、たとえば酢酸塩およびカルボニル錯体を包含する。好ましくは塩素フリー化合物が使用される。好ましくは促進性金属化合物は、イリジウム触媒の存在下に反応を抑制しうるイオン性沃化物、たとえばアルカリ金属塩もしくはアルカリ土類金属塩または他の金属塩を生成もしくはその場で発生するような不純物を含まない。
【００２０】
好ましくは金属促進剤は液体反応組成物におけるその溶解度限界までの有効量にて存在させる。促進剤は好適には液体反応組成物中に各促進剤（存在させる場合）：イリジウムの［０．１〜１００］：１、好ましくは［０．５より大］：１、より好ましくは［１５まで］：１、さらに好ましくは［１０まで］：１の範囲のモル比にて存在させる。たとえばルテニウムのような促進剤の有利な効果は、所定の酢酸メチルおよび沃化メチルの濃度にて最大カルボニル化速度を与える水濃度において最大となることが判明した。適する促進剤濃度は４００〜５０００ｐｐｍである。促進剤：金属の同様なモル比をイリジウム以外の他の第ＶＩＩＩ族貴金属に関しても使用することができる。
【００２１】
カルボニル化触媒としてロジウムを用いる場合、沃化物促進剤の使用が好適である。無機および有機の両沃化物を用いることができる。適する無機沃化物はアルカリ金属およびアルカリ土類金属の沃化物を包含する。好適金属沃化物は沃化リチウムである。沃化物はそのままで或いは塩として、たとえばカルボン酸塩（たとえば酢酸塩）として添加することができ、これらはカルボニル化条件下にて沃化物まで変換しうる。代案として、好適には第四アンモニウム、ピリジニウムおよびピコリニウム沃化物から選択される有機沃化物も用いることができる。
【００２２】
カルボニル化プロセスへの一酸化炭素供給物は実質的に純粋とすることができ、或いはたとえば二酸化炭素、メタン、窒素、希ガス、水およびＣ１〜Ｃ４パラフィン系炭化水素のような不純物を含有することもできる。一酸化炭素における水素の存在は一般に望ましくない。カルボニル化反応容器における一酸化炭素の分圧は好適には１〜７０ｂａｒｇ、好ましくは１〜３５ｂａｒｇ、より好ましくは１〜１５ｂａｒｇの範囲とすることができる。
【００２３】
カルボニル化プロセスの全圧力は好適には１０〜１００ｂａｒｇ、好ましくは１０〜５０ｂａｒｇの範囲である。カルボニル化プロセスを操作する温度は好適には１００〜３００℃の範囲、好ましくは１５０〜２２０℃の範囲である。
【００２４】
本発明の方法は、ルテニウムおよび／またはオスミウム（好ましくはルテニウムを触媒促進剤として存在させるイリジウムカルボニル化触媒の使用に特に適用しうる。何故なら、高いカルボニル化速度がこの種の触媒で達成しうるからである。
【００２５】
以下、本発明の方法を添付図面を参照してさらに説明するが、ここで、図１および図２はカルボニル化反応器への制御された一酸化炭素流を達成するための２つの手段の略図であり、図３および図４は高圧排気ガスの流れを制御することにより反応器圧力制御を達成する２つの手段の略図である。
【００２６】
図１を参照して、
符号１は、一酸化炭素およびメタノールおよび／またはその反応性誘導体を供給することにより酢酸を連続生成させる反応器であり、反応器内には少なくとも５％ｗ／ｗ、典型的には少なくとも８％ｗ／ｗの酢酸メチルと有限濃度の水と１〜３０％ｗ／ｗの沃化メチルと第ＶＩＩＩ族貴金属触媒と必要に応じ少なくとも１種の促進剤とからなる液体反応組成物および組成物の残部を占める酢酸を維持し、
符号２は、反応器１内の一酸化炭素スパージャであり、
符号３は、経路４を介しスパージャ２に連通する一酸化炭素流制御弁であり、
符号５は、一酸化炭素の供給源（図示せず）に連通する一酸化炭素供給ラインであり、
符号６は、流れトランスミッタであり、
符号７は、流れ表示器であり、
符号８は、計算ブロックであり、
符号９は、流れ制御器であり、
符号１０は、シグナルセレクタであり、
符号１１は、圧力制御器である。
【００２７】
図２に示した代案方式においても同じ参照符号を用いる。しかしながら、この方式ではシグナルセレクタ１０が存在しない。
【００２８】
本発明の方法の操作を、図１を参照して以下説明する。正常条件下で一酸化炭素は経路５を通して流れ制御弁３と供給ライン４とを介し反応器１内のスパージャ２まで供給され、弁３を通る流速は圧力制御器１１により制御される。
【００２９】
弁３を通過する一酸化炭素の流速は流れトランスミッタ６により測定されて計算ブロック８に給送され、事前の１０分間にわたるその平均値を計算すると共にこの数値に一定量を加算して最大一酸化炭素流速を得、次いでこれを設定点として流れ制御器９に給送する。一般に弁３を介する反応器への一酸化炭素流速は圧力制御器１１により調整される。何故なら、流れトランスミッタ６により測定される流速は最大一酸化炭素流速よりも低く、従って一酸化炭素流れ制御器９における設定点よりも低いからである。これら条件下で、流れ制御器９は作動しない。
【００３０】
しかしながら、反応器内での一層高い一酸化炭素吸収を含む反応器障害が生じた場合、弁３を介する流れは、セレクタ１０が流れ制御器９により弁３を介する一酸化炭素流速を制御するよう切り替わってその設定点が最大可能な速度を越える流れを防止するという事実がなければ、計算された最大流速を越えて増大するであろう。この手段により流れが調整され、最終的にセレクタを介し圧力制御まで復帰する。
【００３１】
図２に示した方式においては、セレクタ１０が存在せず、流れ制御器９が弁３の操作を永久に担当する。この場合、計算ブロック８は、弁３を介する流れがこの数値を越えないよう最大可能な一酸化炭素流につき数値を設定する。
【００３２】
図３および図４は、前記したように一酸化炭素導入反応器制御を補充するために使用しうる一酸化炭素排気流制御の方式を示す。
【００３３】
図３を参照して、符号２１はカルボニル化反応器であり、符号２２は経路２３を介し一酸化炭素の供給源に連通する一酸化炭素スパージャであり、符号２４は第１圧力制御器であり、符号２５は第２圧力制御器であり、符号２６は反応器２１からの一酸化炭素排気経路であり、符号２７は適宜の沃化メチル除去装置であり、符号２８は高圧排気ガス制御弁であり、符号２９はガス排気部であり、符号３０は流れ制御器であり、符号３１はシグナルセレクタである。
【００３４】
図４を参照して、符号２１〜３０は図１に示したものと同一である。しかしながら、シグナルセレクタを示す代わりに符号３１は設定点の高限界を発生するインプットブロックを示す。
【００３５】
図３を参照して、高圧排気ガス制御弁（２８）は流れ制御器（３０）または第２圧力制御器（２５）のいずれかからの入力に呼応するシグナルセレクタ（３１）を介し付勢され、第２圧力制御器は第１圧力制御器（２４）の圧力よりも低い設定点により支配され、シグナルセレクタ（３１）からの出力および／従って制御弁（２８）の操作は反応器圧力が第２圧力制御器（２５）の設定点に等しく或いはそれより高くなれば流れ制御器（３０）により規定される。
【００３６】
これも図４に示した配置により高圧排気ガス制御弁（２８）への設定点の高限界により達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】カルボニル化反応器への制御された一酸化炭素流を達成する手段の略図である。
【図２】カルボニル化反応器への制御された一酸化炭素流を達成する手段の略図である。
【図３】高圧排気ガスの流れを制御することにより反応器圧力制御を達成する手段の略図である。
【図４】高圧排気ガスの流れを制御することにより反応器圧力制御を達成する手段の略図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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