(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射層を有する発光ダイオードと、
サブマウントと、
前記発光ダイオードの少なくとも一部の周りに配置され硫黄化合物を含む蛍光体材料と、
前記発光ダイオードの第１の表面と前記サブマウントの第１の表面との間のアンダーフィルと、
を備える発光素子であって、
前記アンダーフィルが、前記蛍光体材料により生成される硫化物イオンと反応して不溶性の反応生成物を形成するゲッタリングイオンを有するゲッタリング化合物を含む、
ことを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記反射層は、銀を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記サブマウントは、シリコン基板を備えることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項４】
前記蛍光体材料は、ストロンチウムチオガレート、カルシウムチオガレート、硫化ストロンチウム、及びそれらの任意の組み合わせからなる群から選択される材料を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項５】
前記蛍光体材料は、ゲッタリング化合物を更に含み、前記ゲッタリング化合物は、ゲッタリングイオン及び対イオンを含み、前記ゲッタリングイオンは、ＶＡ族元素、ＶＢ族元素、ＶＩＢ族元素、ＩＶＡ族元素、有機配位子、及びそれらの任意の組み合わせからなる群から選択される物質を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項６】
前記アンダーフィルは、シアン酸エステル樹脂、エポキシ樹脂、エポキシ、ウレタン、アクリレート、及びそれらの任意の組み合わせからなる群から選択される材料を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項７】
前記アンダーフィルは、充填材を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項８】
前記充填材は、二酸化ケイ素、ヒュームドシリカ、二酸化チタン、無機ケイ酸塩、無機粘土、不活性金属、金属酸化物、及びそれらの任意の組み合わせからなる群から選択される材料を含むことを特徴とする請求項７に記載の発光素子。
【請求項９】
前記充填材は、反射性であることを特徴とする請求項７に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記アンダーフィルは、ゲッタリング化合物を含み、前記ゲッタリング化合物は、ゲッタリングイオン及び対イオンを含み、前記ゲッタリングイオンは、ＶＡ族元素、ＶＢ族元素、ＶＩＢ族元素、ＩＶＡ族元素、有機配位子、及びそれらの任意の組み合わせからなる群から選択される物質を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記アンダーフィルは、ヒュームドシリカを更に含むことを特徴とする請求項１０に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記ゲッタリングイオンは、クロム、モリブデン、タングステン、バナジウム、ニオブ、タンタル、ビスマス、ハフニウム、鉛、及びそれらの任意の組み合わせからなる群から選択される物質を含むことを特徴とする請求項１０に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記ゲッタリングイオン及び硫化物イオンは、約１０-30未満の溶解度積を有する化合物を形成することを特徴とする請求項１０の発光素子。
【請求項１４】
発光素子を作る方法であって、
反射層を有する発光ダイオードを準備する段階と、
前記発光ダイオードの少なくとも一部の周りに硫黄化合物を含む蛍光体材料を配置する段階と、
前記発光ダイオードの第１の表面とサブマウントの第１の表面との間にアンダーフィルを配置する段階と、
を含み、
前記アンダーフィルが、前記蛍光体材料により生成される硫化物イオンと反応して不溶性の反応生成物を形成するゲッタリングイオンを有するゲッタリング化合物を含む、
ことを特徴とする方法。
【請求項１５】
前記発光ダイオードを準備する段階は、銀の反射層を有する発光ダイオードを準備する段階を含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記蛍光体材料を配置する段階は、ストロンチウムチオガレート、カルシウムチオガレート、硫化ストロンチウム、及びそれらの任意の組み合わせからなる群から選択される材料を配置する段階を含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記アンダーフィルを配置する段階は、シアン酸エステル樹脂、エポキシ樹脂、エポキシ、ウレタン、アクリレート、及びそれらの任意の組み合わせからなる群から選択される材料を配置する段階を含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記アンダーフィルを配置する段階は、ゲッタリング化合物を配置する段階を含み、前記ゲッタリング化合物は、ゲッタリングイオン及び対イオンを含み、前記ゲッタリングイオンは、ＶＡ族元素、ＶＢ族元素、ＶＩＢ族元素、ＩＶＡ族元素、有機配位子、及びこれらの任意の組み合わせからなる群から選択される物質を含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般的には発光素子に関し、より詳細には発光素子の汚染の低減に関する。
【０００２】
【従来技術】
一般に、発光ダイオード（ＬＥＤ）の発光スペクトルは、発光ダイオードの構造及び構成材料の組成により決定される波長（ピーク波長）での、多少狭い単一ピークを示す。例えば、ＩｎＧａＮベースのＬＥＤの発光スペクトルは、通常、約４００ナノメートル（ｎｍ）から約４５０ｎｍ（ＵＶから青色）の波長で最大になり、約２０ｎｍから約５０ｎｍの半値全幅を有する。
【０００３】
蛍光物質（蛍光体）はＬＥＤと共に使用され、種々の波長を有する発光素子が製造される。ＬＥＤによって放射された光は蛍光体に吸収され、蛍光体は、吸収された光に応じて異なる波長の光を放射する。例えば、ＩｎＧａＮベースのＬＥＤは、蛍光体と共に使用され約５３６ｎｍの波長の緑色光を発生できる。ＩｎＧａＮベースのＬＥＤにより放射される青色光の一部は、蛍光体によって吸収され、蛍光体は緑色光を放射する。
【０００４】
蛍光体変換方式のＬＥＤは、種々の光を発生させるのに有用であるが、蛍光体は、ＬＥＤの性能を劣化させる汚染物質を含有するか又は生じる場合がある。汚染物質は、ＬＥＤ層に移動して反応し、結果的にＬＥＤの性能を劣化させる場合がある。汚染物質は、封止材料等のＬＥＤをパッケージ化するのに使用される材料内に存在する場合もある。水分はＬＥＤの他の汚染源である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従って、発光ダイオードの汚染の可能性を低減させる必要がある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、発光素子に関する。発光素子は、発光ダイオード（ＬＥＤ）及びサブマウントを含む。蛍光体材料は、発光ダイオードの少なくとも一部の周りに配置される。ＬＥＤの第１の表面とサブマウントの第１の表面との間にアンダーフィルが配置される。アンダーフィルは、蛍光体材料によるＬＥＤの汚染を低減する。
【０００７】
１つの実施形態において、ＬＥＤは銀等の反射層を含み、蛍光体材料は硫黄を含有する。硫黄含有蛍光体材料は、限定されるものではないが、ストロンチウムチオガレート、カルシウムチオガレート、硫化ストロンチウム、及びこれらの組み合わせを含む。湿度の高い環境において、水分は蛍光体と反応し、蛍光体は銀層（又は他の反射層）と反応する硫化物イオンを生成し、ＬＥＤの効率を低下させことになる。アンダーフィルは、この反応の発生を防止する。
【０００８】
１つの実施形態において、アンダーフィル材料は、限定されるものではないが、シアン酸エステル樹脂、エポキシ樹脂、エポキシ、ウレタン、アクリレート、及びそれらの組み合わせを含む。別の実施形態において、アンダーフィルは、ゲッタリング化合物を含む。ゲッタリング化合物は、ゲッタリングイオン及びゲッタリングイオンに対する対イオンを含む。ゲッタリングイオンは、限定されるものではないが、ＶＡ族元素、ＶＢ族元素、ＶＩＢ族元素、ＩＶＡ族元素、有機配位子、及びそれらの組み合わせを含むことができる。ゲッタリングイオン及び硫化物イオンは、約１０-30未満の溶解度積をもつ化合物を形成することができる。
【０００９】
また、発光素子を作る方法が提供される。蛍光体材料は、ＬＥＤの少なくとも一部の周りに配置される。アンダーフィルは、ＬＥＤの第１の表面とサブマウントの第１の表面との間に配置される。アンダーフィルは、蛍光体材料によるＬＥＤの汚染を低減させる。
【００１０】
添付図面と併せて以下の説明を参照すると、本発明、及び、更なる特徴及び利点とを完全に理解できる。図面において、同一又は類似部分には同じ符号が用いられている。
【００１１】
【発明の実施の形態】
汚染物質は、パッケージ発光素子（ＬＥＤ）における問題の発生源である。汚染物質は、ＬＥＤ層と反応してその層の性質を変え、ＬＥＤの性能を劣化させる場合がある。ＬＥＤにおける汚染物質の発生源には、蛍光体、封止材料、及び水分が含まれる。
【００１２】
蛍光体は、ＬＥＤと反応する汚染物質を含有又は生じることができる。例えば、硫黄含有蛍光体は、汚染物質である硫化物イオンを、他の汚染物質である水の存在下で生じさせる。硫黄含有蛍光体は、限定されるものではないが、ストロンチウムチオガレート、カルシウムチオガレート、硫化ストロンチウム、及びそれらの組み合わせを含む。湿度の高い環境下で、湿気即ち水分は、パッケージＬＥＤ内に拡散し蛍光体と反応して硫化物イオンを形成することができる。例えば、硫化ストロンチウムは、水と反応して水酸化ストロンチウム及び硫化水素を形成することができる。
ＳｒＳ＋２Ｈ2Ｏ→Ｓｒ（ＯＨ）2＋Ｈ2Ｓ                      （１）
硫化水素は、硫化物イオンと水素イオンとに更に解離することができる。
Ｈ2Ｓ→ＨＳ-＋Ｈ+                                          （２）
硫化物イオンは移動性が高く、全ての方向に移動できる。
【００１３】
移動性硫化物イオンは、ＬＥＤの汚染源であり得る。移動性硫化物イオンは、反射性の金属層等のＬＥＤ層の一部と反応することができる。例えば、窒化ガリウム（ＧａＮ）エピタキシャル層内に反射鏡を形成してＬＥＤ内での光抽出を増強するために、銀を用いることができる。銀は、硫化物イオンと反応して茶褐色の硫化銀を作ることができる。硫化銀は、暗色で非反射性でありＬＥＤの有効光出力を減少させる。
【００１４】
パッケージＬＥＤの他の汚染源としては、湿気及び封止層を挙げることができる。封止層は、ハロゲン等の汚染物質を含有できる。塩化物又は臭化物等のハロゲンは、ＬＥＤ上のアルミニウム・メタライゼーションと反応してＬＥＤを腐食することができる。一般に、封止層は、フリップチップ形状にパッケージ化されているＬＥＤ内に存在するが、一般に、従来型の形状を有するＬＥＤ内には存在しない。
【００１５】
図１は、フリップチップ型ＬＥＤ１０を示す。パッケージ化されたフリップチップＬＥＤ１０は、ＬＥＤ１１、及びレンズ１９によって取り囲まれている反射カップ１５内に配置されたサブマウント１３を備える。ＬＥＤ１１は、第１の表面１２（即ち、陽電極及び陰電極）がサブマウントの第１の表面１４に向かい合い、サブマウント１３上の電気端子に接続されるように裏返しになっている。サブマウント１３は、シリコン基板又は任意の他の適切なサブマウントであってもよい。
【００１６】
蛍光体材料１７は、少なくとも一部のＬＥＤ１１上に配置される。蛍光体材料は、ストロンチウムチオガレート、カルシウムチオガレート、硫化ストロンチウム、及びそれらの組み合わせ等の硫黄化合物を含むことができる。１つの実施形態において、蛍光体材料１７は、従来型のシリコーンポリマ組成物等の他の材料内に蛍光体粒子４７として分散できる。
【００１７】
封止材料１８は、蛍光体材料１７の上に配置できる。封止材料１８は、従来型のシリコーンポリマ組成物であってもよい。封止材料は、例えば、塩化物又は臭化物であるハロゲン等の汚染物質を含むことができる。
【００１８】
フリップチップＬＥＤは、１９９９年１２月２２日に出願された、Ｍｉｃｈａｅｌ  Ｋｒａｍｅｓ、Ｄａｎｉｅｌ  Ａ．Ｓｔｅｉｇｅｒｗａｌｄ、Ｆｒｅｄ  Ａ．Ｋｉｓｈ  Ｊｒ．、Ｐｒａｄｅｅｐ  Ｒａｊｋｏｍａｒ、ＪｏｎａｔｈａｎＪ．Ｗｉｅｒｅｒ  Ｊｒ．、及びＴｕｎ  Ｓ．Ｔａｎの米国特許出願番号０９／４６９，６５７「ＩＩＩ−Ｎｉｔｒｉｄｅ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｅｖｉｃｅ  Ｗｉｔｈ  Ｉｎｃｒｅａｓｅｄ  Ｌｉｇｈｔ  Ｇｅｎｅｒａｔｉｎｇ  Ｃａｐａｂｉｌｉｔｙ」に詳細に説明されており、本開示内容は、引用によって本明細書に組み込まれている。蛍光体は、２００１年４月４日に出願されたＧｅｒｄ  Ｏ．Ｍｕｅｌｌｅｒ及びＲｅｇｉｎａ  Ｂ．Ｍｕｌｌｅｒ−Ｍａｃｈの米国特許出願番号０９／８２７，３８２「Ｐｈｏｓｐｈｏｒ  Ｃｏｎｖｅｒｔｅｄ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ」及び、２０００年１０月１３日に出願されたＣｈｒｉｓｔｏｐｈｅｒ  Ｈａｙｄｎ  Ｌｏｗｅｒｙの米国特許出願番号０９／６８８，０５３「Ｓｔｅｎｃｉｌｉｎｇ  ＰｈｏｓｐｈｏｒＬａｙｅｒｓ  ｏｎ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅｓ」に詳細に説明されており、これらの開示内容は、引用によって本明細書に組み込まれている。
【００１９】
フリップチップ型ＬＥＤとは対照的に、従来型ＬＥＤは、一般に基板上に接触するために、基板から向きがそれているＬＥＤの表面上の電極に電気接続する１つ又はそれ以上のワイヤーボンドを有する。蛍光体材料は、少なくとも一部のＬＥＤ上に配置できる。本発明は、全ての形式のＬＥＤに適用できる。
【００２０】
図２は、典型的なＬＥＤ１１及びサブマウント１３を詳細に示す。ＬＥＤ１１は、透明な上層（ｓｕｐｅｒｓｔｒａｔｅ）２１、第１の導電型の半導体層２３、活性領域２５、及び第２の導電型の半導体層２７を含む。透明な上層２１は、例えば、サファイア（Ａｌ2Ｏ3）又は炭化ケイ素で形成できる。第１の導電型の半導体層２３及び第２の導電型の半導体層２７は、活性領域２５に電気接続されている。活性領域２５は、例えば、層２３及び２７の界面に結合されているｐｎ接合、又は量子井戸を形成する複数の半導体層である。各々の半導体層は、ドープされていてもよく、又はドープされていなくてもよい。
【００２１】
コンタクト層３１及び４１は、それぞれ半導体層２７及び２３に電気接続する。相互接続層３３は、それぞれコンタクト層３１及び４１をサブマウントコンタクト層３５及び４３へ電気接続する。コンタクト層３１と４１との間にかかる適切な電圧の印加によって活性領域２５は光を放射する。光の一部は、層２７を通過して進み、反射層２９により上方に反射され、透明な上層２１及び側壁を通過する。反射層２９は、銀又は他の適切な反射性金属で作ることができる。
【００２２】
蛍光体材料１７は、少なくとも一部のＬＥＤ１１の上に配置される。蛍光体材料は、ストロンチウムチオガレート、カルシウムチオガレート、硫化ストロンチウム、及びそれらの組み合わせ等の硫黄化合物を含むことができる。１つの実施形態においては、蛍光体材料１７は、従来型シリコーンポリマ組成物等の他の材料内に蛍光体粒子４７として分散することができる。
【００２３】
図２は、特定のＬＥＤ構造を示しているが、本発明は、ＬＥＤ１１の半導体層の数に依存せず、更に活性領域２５の詳細構造に依存しない。
【００２４】
硫化物イオン、ハロゲン、水、又は他の汚染物品によるＬＥＤの汚染は、物的障壁又はゲッタリング化合物の使用により低減される。物的障壁は、図示のようなアンダーフィル３７、又はコーティングであってもよい。フリップチップ型ＬＥＤにおいて、アンダーフィル３７は、ＬＥＤの第１の活性表面１２とサブマウント１３の第１の表面１４との間に配置される。
【００２５】
従来型ＬＥＤにおいて、物的障壁は、ダイコーティングであってもよい。蛍光体材料１７は、ＬＥＤ１１の第１の表面１２の上に配置でき、コーティングは、蛍光体材料１７の上に配置できる。コーティングは、ＬＥＤ１１により放射される波長に対して透明であってもよい。
【００２６】
アンダーフィル３７は、配置を容易にするために低粘度であってもよい。アンダーフィル３７は、シアン酸エステル樹脂、エポキシ樹脂、エポキシ、ウレタン、アクリレート、他の有機材料、又はそれらの組み合わせを含むことができる。１つの実施形態において、アンダーフィル３７は、カリフォルニア州カールスバッドのＨａｎｅｙｗｅｌｌ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓから入手できる製品番号ＵＦ８８００であってもよい。アンダーフィル材料の密度は、汚染物質に対する物的障壁を形成でき、アンダーフィルを通過する汚染物質の拡散を遅くする。
【００２７】
１つの実施形態において、アンダーフィル３７は、熱膨張係数を低減できる充填材を含む。硬化処理及び熱処理の間に、典型的にはアンダーフィルは膨張し、ＬＥＤに応力を加える。充填材は、アンダーフィルの熱膨張を低減できる。充填材は、二酸化ケイ素、ヒュームドシリカ、二酸化チタン、無機ケイ酸塩、無機粘土、不活性金属、金属酸化物、又はそれらの組み合わせを含むことができる。充填材の粒径は、直径約１０ミクロン未満であってもよい。
【００２８】
１つの実施形態において、充填材は反射性である。充填材は、ＬＥＤ活性領域２５から下向きに照射される光の一部を反射する。反射性充填材は、二酸化チタン及び炭酸カルシウムを含む。二酸化チタン粒子は、蛍光体粒子４７とほぼ同じ寸法であり、活性領域２５により放射される光の散乱を高めるので、蛍光体粒子４７による光の吸収を増大させる。他の実施形態において、充填材は、約１００°Ｃであるダイ接合温度に耐えることができる。
【００２９】
ゲッタリング化合物は、ＬＥＤ上又はアンダーフィル３７の一部として配置できる。ゲッタリング化合物は、汚染物質がＬＥＤに達する前にゲッタリング化合物に達するように汚染物質の移動経路内に配置できる。例えば、ゲッタリング化合物は、フリップチップ型ＬＥＤにおいてはアンダーフィルの一部、従来型ＬＥＤにおいてはダイコーティング、又は蛍光体剤の１つの成分であってもよい。従来型ＬＥＤ上へのダイコーティングとして、ゲッタリング化合物は、適切な担体と混合され、ＬＥＤダイの上面又は底面の上に配置できる。適切な担体は、限定されるものではないが、２成分硬化型シリコーン、エポキシ、又はアクリル系を含む。蛍光体剤の成分として、ゲッタリング化合物は、蛍光体剤の約１重量パーセントから約１０重量パーセントであってもよい。
【００３０】
ゲッタリング化合物は、ゲッタリングイオン及び対イオンを含む。ゲッタリングイオンは、汚染物質と反応して不溶性の反応生成物を形成する。例えば、汚染物質が硫化物イオンであり、ゲッタリングイオンが金属イオンＭ+である場合、反応式は以下の通りである。
【数１】
0004280042.tif 000002
不溶性の反応生成物ＭｘＳｙは、ＬＥＤ環境において不活性であり、捕捉した硫化物イオンの放出が防止される。即ち、ＬＥＤ環境における反応生成物の溶解度積Ｋｓｐは、硫化物イオンがゲッタリングイオンに結合したままであるよう非常に小さな値である必要がある。溶解度積は、
Ｋｓｐ＝［Ｍ+］x［Ｓ2-］y                            （４）
であり、式中［  ］表示はモル／リットルで表した各々のイオンのイオン濃度を示し、上付き文字ｘ及びｙは、式（３）の解離反応で作り出された各々のイオン数を示す。大きな溶解度積は、溶解性物質であることを表すが、小さな溶解度積は、不溶性物質であることを表す。溶解性物質は、不溶性物質に比べて捕捉したイオンを放出し易い。従って、硫化物イオンに対して小さな溶解度積を形成するイオンは、ゲッタリングイオンとして望ましい。小さな溶解度積とは、約１０-30未満であってもよい。
【００３１】
ゲッタリングイオンは、限定されるものではないが、ＶＡ族元素、ＶＢ族元素、ＶＩＢ族元素、ＩＶＡ族元素、有機配位子、及びそれらの組み合わせを含む。本明細書で用いる場合、「ＶＡ」、「ＶＢ」、「ＶＩＢ」、「ＩＶＡ」は、化学情報検索サービス機関の番号制度に基づく元素周期表の縦列を示す。ゲッタリングイオンは、クロム、モリブデン、タングステン、バナジウム、ニオブ、タンタル、ビスマス、ハフニウム、鉛、及びそれらの組み合わせであってもよい。
【００３２】
対イオンは、硫酸イオン又はクエン酸イオン等の、ゲッタリングイオンの陽電荷に対する任意の適切な陰イオンであってもよい。ある種の対イオンは不適切である。例えば、ハロゲンは、アルミニウム・メタライゼーション層との反応によりＬＥＤを腐食する場合があるので一般に不適切な対イオンである。
【００３３】
ゲッタリング化合物の１つの例は、３価の硫酸クロム（III）である。硫酸塩中に存在する硫黄は完全に酸化されて非反応性である。硫酸クロム（III）の溶解度積は、約６×１０-31である。ゲッタリング化合物の他の例は、クエン酸ビスマスであり、約１．８２×１０-99の溶解度積を有する。
【００３４】
１つの実施形態において、ゲッタリング化合物は、ヒュームドシリカと混ぜることができる。ヒュームドシリカは、粒子を分散させてゲッタリング化合物の「ケーキング（ｃａｋｉｎｇ）」すなわち凝集を防止する。ゲッタリング化合物は、０．１重量％のヒュームドシリカと混ぜることができる。ヒュームドシリカは、１０マイクロメートル以下であってもよい。
【００３５】
本発明は以下の実施例によりさらに詳細に説明される。以下の実施例は、単に本発明の１つの実施形態を例示して説明するためのものであり、本発明を限定するものではない。
【００３６】
実施例１
銀の反射層及び蛍光体を有する４セットのフリップチップを作った。蛍光体材料は、セリウムがドープされたストロンチウムチオガレートであった。第１のセットは、コーティング及びアンダーフィルを施さなかった。第２、第３、及び第４のセットは、アンダーフィル、詳細にはカリフォルニア州カールスバッドのＨａｎｅｙｗｅｌｌ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓから入手できる製品番号ＵＦ８８００を含んでいた。第３のセットは、アンダーフィル中に硫酸クロム（III）を含み、第４のセットはアンダーフィル中にクエン酸ビスマスを含んでいた。全セットは、湿度８５％で８５°Ｃの環境において３５０ミリアンペアの最大定格電流で作動させた。
【００３７】
１０００時間の作動で、アンダーフィルを備えていない第１のセットの光出力は約６５％低下した。アンダーフィルを備える第２のセットの光出力は約４５％低下した。アンダーフィル及び硫酸クロム（III）を備える第３のセットの光出力は約５５％低下した。アンダーフィル及びクエン酸ビスマスを備える第４のセットの光出力は約３５％低下した。
【００３８】
アンダーフィルを備えるＬＥＤは、アンダーフィルを備えないＬＥＤよりも劣化が少なかった。更に、アンダーフィルを備えるＬＥＤ、及びアンダーフィル及びクエン酸ビスマスを備えるＬＥＤの光の低下は、約５０％未満の性能低下である商用ＬＥＤの信頼性基準に適合した。従って、アンダーフィル及びクエン酸ビスマスを備えるＬＥＤは商業用途に適合する。
【００３９】
本発明の特定の実施形態が示され説明されているが、当業者には、本発明の広範な態様を逸脱することなく変更及び修正を行い得ることは明らかである。
【図面の簡単な説明】
【図１】パッケージ化されているフリップチップ発光ダイオードの概略図である。
【図２】本発明の実施形態によるフリップチップ発光ダイオードの概略図である。
【符号の説明】
１０  ＬＥＤ
１１  ＬＥＤ
１２  第１の表面
１３  サブマウント
１４  サブマウントの第１の表面
１５  反射カップ
１７  蛍光体材料
１８  封止材料
１９  レンズ
２３  第１の導電型の半導体層
２５  活性領域
２７  第２の導電型の半導体層
２９  反射層
３１  コンタクト層
３３  相互接続層
３５  サブマウントコンタクト層
３７  アンダーフィル
４１  コンタクト層
４３  サブマウントコンタクト層
４７  蛍光体粒子
【図１】
0004280042.tif 000003
【図２】
0004280042.tif 000004