(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリントヘッドの部分構造体であり、インク槽対峙側とその反対側のトランスデューサ支持側とを有する基板を貫いてマニホルドを形成する方法であって、
前記基板の前記トランスデューサ支持側をエッチ液と接触させるステップと、
前記基板に鉛直な軸に対して傾斜したレーザ光線を用いて前記基板の前記エッチ液との接触側を照射し、該照射した領域は、楔形状の断面を有する溝が前記トランスデューサ支持側の前記マニホルドの所定の開口部の周囲に沿って形成されるようにエッチングされて、前記照射した領域には前記溝で取り囲まれた基板の島が残され、これにより前記基板の前記マニホルドの第１の部分を画定するステップと、
前記インク槽対峙側から前記基板を貫いてサンドブラストを行って前記基板の島を除去することにより前記第１の部分と接続するよう前記マニホルドの第２の部分を形成するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記エッチ液を循環させることをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
トランスデューサを基板のトランスデューサ支持側に形成するステップであって、前記基板は、前記トランスデューサ支持側とその反対側のインク槽対峙側を有しているようなステップと、
前記基板によって支持されるバリアー層をパターニングして、前記トランスデューサに隣接するインクチャンバにインクを送出するインクチャネルを画定するステップと、
前記基板と接触するようにエッチ液を導入して、前記基板に鉛直な軸に対して傾斜したレーザ光線を用いて前記基板の前記トランスデューサ支持側を照射し、該照射した領域は、楔形状の断面を有する溝が前記トランスデューサ支持側のマニホルドの所定の開口部の周囲に沿って形成されるようにエッチングされて、前記照射した領域には前記溝で取り囲まれた基板の島が残され、これにより前記基板のマニホルドの第１の部分を画定し、さらに、前記インク槽対峙側から前記基板を貫いてサンドブラストを行って前記基板の島を除去し、マニホルドの第２の部分を前記第１の部分に接続して、これにより前記インクチャンバにインクを送出する前記基板を貫くマニホルドを形成するステップと
を含むプリントヘッドの部分構造体の製造方法。
【請求項４】
基板と接触するエッチ液を用意して、前記基板に鉛直な軸に対して傾斜したレーザ光線を用いて前記基板のトランスデューサ支持側を照射し、該照射した領域は、楔形状の断面を有する溝が前記トランスデューサ支持側のマニホルドの所定の開口部の周囲に沿って形成されるようにエッチングされて、前記照射した領域には前記溝で取り囲まれた基板の島が残され、これにより前記基板のマニホルドの第１の部分を画定して、さらに、インク槽対峙側から前記基板を貫いてサンドブラストを行って前記基板の島を除去し、マニホルドの第２の部分を前記第１の部分に接続して、これによりトランスデューサに隣接するインクチャンバにインクを送出し前記トランスデューサを有する前記基板の前記トランスデューサ支持側を貫くマニホルドを形成すること
を含むプリントヘッドの部分構造体の製造方法。
【請求項５】
インクジェットペン用のプリントヘッドの部分構造体であって、
インク槽対峙側とその反対側のトランスデューサ支持側とを有する基板と、
前記トランスデューサ支持側に支持されるトランスデューサと、
前記基板に支持されて、該トランスデューサに隣接するインクチャネルおよびインクチャンバを画定するバリアー層と、
前記基板を貫いて形成され、第２の部分に接続する第１の部分を有し、インクを槽から前記インクチャネルを通って前記インクチャンバに送出するマニホルドと、
前記トランスデューサを作動させる電気信号を伝える導体と
を具備しており、
前記第１の部分は、レーザ支援エッチング工程を用いて形成され、前記第２の部分は、非レーザ支援工程を用いて形成されており、
ここで、前記レーザ支援エッチング工程は、前記基板の前記トランスデューサ支持側と接触するエッチ液が用意し、前記基板に鉛直な軸に対して傾斜したレーザ光線を用いて前記基板の前記エッチ液との接触側を照射し、該照射した領域は、楔形状の断面を有する溝が前記トランスデューサ支持側の前記マニホルドの所定の開口部の周囲に沿って形成されるようにエッチングされて、前記照射した領域には前記溝で取り囲まれた基板の島が残され、これにより前記基板の前記マニホルドの前記第１の部分を画定することを含んでおり、
前記非レーザ支援工程は、前記インク槽対峙側から前記基板を貫いてサンドブラストを行って前記基板の島を除去し、これにより前記マニホルドの前記第２の部分を前記第１の部分に接続することを含む
プリントヘッドの部分構造体。
【請求項６】
前記エッチ液を循環させることをさらに含む請求項５に記載のプリントヘッドの部分構造体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は一般的に、プリントヘッドの部分構造体の基板にマニホルドを形成する方法に関し、より詳細には、レーザにより支援されたエッチング工程を用いて基板にマニホルドを形成する方法およびそのような基板を有するプリントヘッドの部分構造体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
通常、従来技術のインクジェットプリンタは、内部で小さなインク滴が形成されて印刷媒体に向かって噴出される印刷カートリッジ、すなわちペンを含む。このようなペンは、オリフィス板を有するプリントヘッドを含む。オリフィス板は、そこを通ってインク滴が噴出される非常に小さなノズルを有する。プリントヘッド内部には、ノズルに隣接してインクチャンバがある。インクチャンバには、噴出前のインクが保管されている。インクチャンバへは、インクチャネルを経由してインクが送出される。プリントヘッド内のマニホルドがインクチャネルに接続して、インク供給容器（ink supply）からインクチャンバへインクを送出する。インク供給容器は、例えば、ペンの槽部分に収容されていてもよい。
【０００３】
ノズルを通るインク滴の噴出は、隣接するインクチャンバ内のある体積のインクを急速に加熱することによって行うことができる。気体のインクが急速に膨張することによって、ノズルを通って１滴のインクが押し出される。この工程を、「発射」と呼ぶ。チャンバ内のインクは、ノズルに隣接して整列した抵抗器等のトランスデューサで、加熱することができる。マニホルドから抵抗器までのインクチャネルの長さは、一般にその抵抗器のシェルフ長さとして知られている。
【０００４】
発射中、インクチャネルに沿ったインクは、インクチャンバから遠ざかるようマニホルドに向かって押しやられる。インクチャンバから遠ざかるよう押しやられるこのインクは、インクチャンバに向かって流れ戻るのには、ある限られた時間がかかる。この有限の時間によって、ペンを発射することができる最大周波数が決まる。印刷中、キャリッジ上にペンが搭載されて、媒体の上方を移動し、その媒体上に印刷を行う。いかなる時点においても、全数のノズルのうちの一部のみを発射することができる。キャリッジの動きによって生じる位置ずれを補償するために、各ノズルはプリントヘッド上で互い違いに配置されており、プリントヘッドがキャリッジの移動する軸に垂直な直線に沿って印刷することができるようにしている。このように各ノズルを互い違いに配置すると、プリントヘッド内で異なるシェルフ長さが存在する結果になることが多い。シェルフが長くなると、発射後補充するのにかかる時間もそれに比例して長くなる。したがって、最長補充時間によって、ペンの動作の最大周波数が制限される。シェルフ長さが一様でないプリントヘッドに関連する問題は、他にもある。シェルフ長さが一様でないと、異なるインクチャンバについての補充速度が異なる。補充速度が異なると、異なるトランスデューサによって滴の体積、または滴の重量が異なる結果となり、これが結局は印刷品質に影響を及ぼす。
【０００５】
【特許文献１】
米国特許第５，４７８，６０６号明細書
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
通常、マニホルドは、例えば、特許文献１で開示されているように、プリントヘッドの基板を貫くスロットをサンドブラストで形成することによって、作成される。サンドブラスト中、圧縮空気と砂粒子との流れが基板に向けられて、砂粒子が基板を貫いてスロットをくり抜き、マニホルドを画定することができるようにする。砂粒子は粒径にばらつきがあり水分を含んでいるので、基板のトランスデューサ支持側のマニホルド開口部は、中心を外れるかもしれず、縁がぎざぎざになってしまう。このような開口部は、シェルフ長さが一様でないことによってもたらされる問題を悪化させてしまう。
【０００７】
サンドブラストにより生じる基板への衝撃によってまた、基板のトランスデューサ側に亀裂が生じる可能性もある。亀裂が生じると、マニホルドからインクが漏れてしまうことになる。
【０００８】
より正確に中心に配置され縁が整った開口部を有するマニホルドを形成する、ウェットエッチングとサンドブラストとを組み合わせた工程が検討されている。この組み合わせた工程は、（１）基板のトランスデューサ支持側にエッチングによって凹みを形成し、開口部を画定すること、（２）基板の反対側からサンドブラストを行って、凹みに接続するスロットをくり抜くことを含む。ウェットエッチングでは、プリントヘッドのうちエッチングしてはいけない領域の表面を保護する好適なマスキング層を形成させる開発が必要である。このようなマスキング層を形成するのは簡単ではない。適切な保護を行わなければ、ウェットエッチングにおいて用いるエッチ液が、プリントヘッドのエッチングしてはいけない部分をエッチングして取り除いてしまう。したがって、この組み合わせた工程は、実施するのに非常に注意が必要である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の実施形態によれば、プリントヘッドの部分構造体の基板を貫いてマニホルドを形成する方法が提供される。基板は、インク槽と対峙する側と、その反対側のトランスデューサ支持側とを有する。本方法は、（１）基板のトランスデューサ支持側と接触するエッチ液を導入すること、（２）レーザ光線を用いて基板のエッチ液接触側を照射することを含む。基板のうちの照射した領域はエッチングされ、内部にマニホルドの第１の部分を画定する。本方法はさらに、第１の部分に接続するマニホルドの第２の部分を形成することを含む。好ましくは、第２の部分を形成することは、基板のインク槽と対峙する側から基板を貫いてサンドブラストを行うことを含む。
【００１０】
本発明の実施形態によれば、インクジェットペン用のプリントヘッドの部分構造体が提供される。この部分構造体は、槽と対峙する側と、その反対側のトランスデューサ支持側とを設けた基板を含む。基板のトランスデューサ支持側は、トランスデューサを支持する。また、基板はトランスデューサに隣接するインクチャネルおよびインクチャンバを画定するバリアー層も支持する。基板を貫いてインクを槽からインクチャネルを通ってインクチャンバに送出するマニホルドが形成される。このマニホルドは、上述の方法にしたがって製造される。さらに、この部分構造体はトランスデューサを作動させる電気信号を伝える導体を含む。
【００１１】
図面を参照すれば、本発明がよりよく理解されるであろう。
【００１２】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の実施形態によるプリントヘッドの部分構造体２の拡大等角図である。プリントヘッドの部分構造体２は、槽と対峙する面、すなわち側面６と、その反対側のトランスデューサ支持面、すなわち支持側８とを有する基板４を含む。基板４のトランスデューサ支持側８は、複数のトランスデューサ１０を支持する。また、基板４のトランスデューサ支持側８は、トランスデューサ１０に隣接するインクチャネル１４およびインクチャンバ１６を画定するようパターニングされたバリアー層１２も支持する。基板４を貫いて形成したマニホルド１８が、インクを槽（図示せず）からインクチャネル１４を通ってインクチャンバ１６に送出する。マニホルド１８は、トランスデューサ支持側８に隣接する第１の部分２０を有する。第１の部分２０は、槽と対峙する側面６に隣接する第２の部分２２に接続している。また、プリントヘッドの部分構造体２は、トランスデューサ１０を作動させる電気信号を伝える導体（図２）も含む。レーザにより支援されたエッチング工程により、マニホルド１８の第１の部分２０を形成する。レーザ支援エッチング工程については、以下で詳細に説明する。第２の部分は、非レーザ支援工程を用いて形成する。
【００１３】
使用中、インクがマニホルド１８からインクチャネル１４を通って流れ、インクチャンバ１６を充填する。電流パルスがトランスデューサ１０を通ることができる場合には、熱エネルギーが発生する。この熱エネルギーがインクチャンバ１６内のインクを加熱して、爆発的な気泡が形成される。インクチャンバ１６内で気泡が形成されることにより、オリフィス板２６（図２）の対応するノズル２４からインク滴が押し出される。
【００１４】
図２は、図１のラインＸ−Ｘに沿った、プリントヘッドの部分構造体の拡大断面図である。この断面図は、プリントヘッドの部分構造体２のバリアー層１２に取り付けたオリフィス板２６を含む。
【００１５】
次に、一例として、プリントヘッドの部分構造体２の製造工程を説明する。基板４のトランスデューサ支持側８の上に、絶縁層２８を施す。例えば、基板４は、シリコンウエハーである。絶縁層２８は、基板４の断熱および絶縁を行う。この絶縁層２８は、全部省略してもよいことが留意される。次に、通常、抵抗加熱材料でできた層３０を絶縁した基板４上に堆積し、その上にトランスデューサ１０を形成する。次に、抵抗層３０の上に導電層３２を堆積する。従来のマスキング、紫外線露光、およびエッチングの技術を用いて、導電層３２と抵抗層３０の上にパターンをリソグラフィーで形成し、トランスデューサ１０の寸法を規定する。導電層３２と抵抗層３０の上に、１つまたはそれよりも多い不活性層３４を施し、次に選択的に除去して、バイア（図示せず）を作成する。バイアは、第２の導電層３６を第１の導電層３２から作成した導電トレースに電気接続する。第２の「相互接続」導電層３６をパターニングして、それぞれのトレースから、対応するトランスデューサ１０から離れて露出しているボンディングパッド（図示せず）への、別個の導電路を画定する。ボンディングパッドによって、ペン上に担持されているフレキシブル回路（図示せず）からの導電リード線との接続が容易になる。回路は、制御信号または「発射」信号を、マイクロプロセッサ（図示せず）からトランスデューサ１０に伝える。下部構造２を、インクバリアー層１２で覆う。フォトリソグラフィー工程を用いてインクバリアー層１２をエッチングし、インクチャネル１４およびインクチャンバ１６をパターニングする。インクチャネル１４およびインクチャンバ１６は、トランスデューサ１０の上方に位置し、トランスデューサ１０に整列している。
【００１６】
本発明の実施形態により、基板４を貫いてマニホルド１８を形成する工程を、次に説明する。プリントヘッドの部分構造体２をチャンバ４２内のエッチ液４０に浸して、基板４のトランスデューサ支持側８がエッチ液４０に接触するように導く。エッチ液４０によるエッチング速度は遅い方が好ましい。エッチ液４０は循環して、エッチングによって取り除いたくずを除去するのを助け、レーザ照射によって生じた熱が蓄積するのを防止することが好ましい。レーザ照射によって生じた熱が蓄積すると、結果として亀裂が生じてしまう可能性がある。次に、制御したレーザ光線４４を用いて、エッチ液４０に接触している基板４のトランスデューサ支持側８を、選択的に照射する。基板４上の照射した領域は活性化され、エッチ液４０と反応する。この反応によって、照射した領域が腐食する。したがって、基板４上の照射した領域をエッチングして、内部にマニホルド１８の第１の部分２０を画定する。図３Ａおよび図３Ｂに示すように、基板４から凹み４６をエッチングして、第１の部分２０を規定してもよい。または、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、トランスデューサ支持側８のマニホルド１８の所定の開口部の周囲に沿って、溝４８をエッチングしてもよい。溝４８をエッチングすることによって、溝４８で取り囲まれた基板の島５０が残る。このようなレーザ支援エッチング工程では、基板４にいかなる機械的衝撃を与えることがなく、したがって、基板４が欠けたり亀裂が生じる危険性が低下する。マニホルド１８の第１の部分２０の形成後、プリントヘッドの部分構造体２をクリーニングして乾燥させる。
【００１７】
マニホルド１８の第２の部分２２は、好ましくは、第１の部分２０の後に、非レーザ支援工程を用いて形成される。この非レーザ支援工程には、サンドブラスト、レーザドリル、その他当業者に既知の同様の工程が含まれる。好ましくは、基板４の槽対峙側面６からサンドブラストを行って、第２の部分２２を画定する。それぞれ図３Ｃおよび図３Ｄ、ならびに図４Ｃおよび図４Ｄに示すように、サンドブラストは、第２の部分２２が凹み４６に接続するまで、または、第２の部分２２が溝４８に出会って基板の島５０を除去するまで、続けられる。
【００１８】
図５は、レーザ支援エッチング工程のいくつかの変形例を実施するのに好適な、組み合わせた装置６０を示す。これらの変形については、以下すぐに説明する。装置６０は、コンタクトマスク６２を含む。コンタクトマスク６２は、適切にパターニングされた開口部（図示せず）を有し、基板４を選択的に照明しエッチングする。チャンバ４２は、エッチ液４０で充填されている。エッチ液４０は、気体であっても水性であってもよい。チャンバ４２は、Ｅ．Ｉ．デュポン・ド・ヌムール社（E. I. DuPont de Nemours Company）（米国デラウェア州ウィルミントン市）からテフロン（Teflon）という商標で市販されているもの等の、耐腐食性が高い材料でできていてもよい。エッチ液４０もまた、当該技術分野において既知のように、酸性または塩基性であってもよい。基板４が支持する他の層３２〜３６をエッチ液４０が劣化させることがないということが重要である。チャンバ４２は、複数のプリントヘッドの部分構造体２を含むウエハー６４を収容するのに充分な大きさである。ウエハー６４は、取付け具６６によって支持されている。取付け具６６はまた、モーターをつけたＸ−Ｙステージによりウエハー６４を平行移動するのに使用してもよい。
【００１９】
エッチ液４０が気体である場合には、真空ポンプ７０に接続したバルブ６８を通じて、チャンバ４２を真空にすることができる。次にチャンバ４２を、いくつかの槽のうちの１つからの選択した気体で再充填してもよい。このような槽を、槽７４、７６で代表させる。個々のバルブ７８、８０、８２によって、チャンバ４２内の与えられた気体の圧力を制御することが可能になる。槽７４、７６内の気体と真空ポンプ７０とを用いて、チャンバ４２内の気体のエッチ液を選択的に制御する。
【００２０】
エッチ液４０が水性である場合には、チャンバ４２は、入口８６と出口８４とを設けることができる。エッチ液４０は、出口８４を通じてチャンバ４２から出る。ポンプ８８によって、入口８６を通じてチャンバ４２内にエッチ液４０を戻す。水性のエッチ液としては例えば、ＨＦ、ＨＮＯ3、Ｈ3ＰＯ4、ＫＯＨ、およびＣＦ4が挙げられる。
【００２１】
レーザ光線４４は、レーザ源９０で発生する。光線４４は、光学部品９２を用いて調整してもよく、シャッター機構９４でさらに制御してもよく、電気光学的または機械的手段９６によって偏向させてもよい。このような手段９６には、鏡や可変フィルタが含まれる。表面が平らで直径が１インチ（２５．４ｍｍ）のシリカの鏡は、好適な鏡である。平らな表面は、入射角が４５度の光線の反射率が高いコーティングがされている。鏡は、光線４４の波面の形状を変えずに光線の経路を変えるのに用いる。フィルタは、レーザ光線の出力を９０％まで下げることができる。チャンバ４２の一方の側には、好ましくはサファイアでできた光学的に透明な窓９８が形成されて、レーザ光線４４が入ることができるようにしている。レーザ支援エッチング工程の他の使用例によれば、コンタクトマスク６２を用いることによって、または投影マスク１００によって、基板４をレーザ光線４４で選択的に照射することができる。投影レンズ１０２を投影マスク１００と組み合わせて用いて、光線４４を変えてもよい。この場合、光線４４の倍率（倍幅度）は変えても変えなくてもよい。
【００２２】
レーザ源９０は、出力パワーが約５ワットである。他の出力パワーのレーザ源もまた、用いてもよい。レーザ源９０は、波長５１４．５ｎｍで動作するパルスアルゴンイオンレーザを適用してもよい。または、レーザ源９０は、波長５３２ｎｍまたは３５５ｎｍで動作する、Ｎｄ：ＹＡＧを適用してもよい。
【００２３】
図６Ａないし図６Ｃは、ウエハー６４を選択的に照明または照射する変形例の詳細を示す。図６Ａにおいて、パターニングしていない光線４４を用いて、コンタクトマスク６２を通じてウエハー６４を照射する。コンタクトマスク６２は、ウエハー６４と接触して、その近傍で保持されている。図６Ｂにおいて、投影マスク１００は、コンタクトマスク６２の必要なしに、ウエハー６４上のエッチングを引き起こすのに用いる画像を運ぶレーザ光線４４を規定している。最後に、図６Ｃにおいて、精密に焦点を合わせたレーザ光線４４がウエハー６４を横切って走査して、ウエハー６４を選択的に照射しエッチングする。走査レーザ光線４４を用いることによって、投影マスク１００やコンタクトマスク６２が不要になる。光線の光学部品９２は、当業者に既知のエネルギー密度で適当なスポットサイズになるように、ウエハー６４上のレーザ光線４４の焦点を合わせる。レーザ光線４４は、光線がレーザ源９０内へと反射しないよう垂直軸から約２．５度ずらして、ウエハー６４に向けられる。レーザ源９０内へと反射する光線が強いと、レーザ源９０が不安定になったり、電気光学的または機械的手段９６上の光学コーティングが損なわれたりする可能性がある。
【００２４】
スキャナ等の機械的手段９６は、ウエハーの上方でそのスポットを走査して、ウエハーを選択的にエッチングする。ガルバノメータ方式の走査鏡や電気光学偏向器は、好適なスキャナである。あるいは、スポットのほうを静止した状態に保ち、平行移動ステージ６６を用いてウエハー６４を平行移動することによって、ウエハー６４を選択的に照射してもよい。リニアモータードライブとガラススケールエンコーダとを有するクロスローラーベアリングのＸ−Ｙステージは、好適な平行移動ステージ４３である。すなわちＸ−Ｙステージが規定する平面と垂直なＺ方向の平行移動については、ロータリーＤＣモーターとガラススケールエンコーダとを有する、同様のクロスローラーベアリングステージを用いることができる。最適には、当業者に既知のように、３軸のＸＹＺ系は、閉ループでサーボ制御されている。ウエハー全体にレーザ照射を行うために、通常ステップアンドリピート技術を用いる。
【００２５】
好ましくは、本発明によるマニホルド開口部のレーザ支援エッチングによって、マニホルドをより正確に形成することができる。また、開口部の縁もより一定になり、その結果、シェルフ長さも比較的に、より一様になる。
【００２６】
前述の動作原理および好ましい実施形態を参照して本発明を示し説明したが、当業者は、形式および詳細において他の変更を行ってもよいということが明白であろう。例として、レーザ支援工程を用いて基板をエッチングして、さまざまな形状、深さ、および大きさのマニホルド開口部を画定してもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る形成したマニホルドを有するプリントヘッドの部分構造体の一部の、拡大等角図である。
【図２】図１のラインＸ−Ｘに沿った、プリントヘッドの部分構造体の断面図である。
【図３Ａ】レーザ支援エッチング工程によって形成したマニホルドの第１の部分を有する基板の側面図である。
【図３Ｂ】レーザ支援エッチング工程によって形成したマニホルドの第１の部分を有する基板の平面図である。
【図３Ｃ】マニホルドの第２の部分に基板を貫くサンドブラストを行って、図３Ａおよび図３Ｂの第１の部分に接続している状態を示す、図３Ａと同様の図である。
【図３Ｄ】マニホルドの第２の部分に基板を貫くサンドブラストを行って、図３Ａおよび図３Ｂの第１の部分に接続している状態を示す、図３Ｂと同様の図である。
【図４Ａ】図３Ａないし図３Ｄのレーザ支援エッチング工程の変形によって形成したマニホルドの第１の部分を示す。
【図４Ｂ】図３Ａないし図３Ｄのレーザ支援エッチング工程の変形によって形成したマニホルドの第１の部分を示す。
【図４Ｃ】図３Ａないし図３Ｄのレーザ支援エッチング工程の変形によって形成したマニホルドの第１の部分を示す。
【図４Ｄ】図３Ａないし図３Ｄのレーザ支援エッチング工程の変形によって形成したマニホルドの第１の部分を示す。
【図５】レーザ支援エッチング工程を用いてマニホルドの第１の部分を形成するのに好適な、組み合わせた装置の概略図である。
【図６Ａ】図５の装置を用いたレーザ支援エッチング工程の変形を示す図である。
【図６Ｂ】図５の装置を用いたレーザ支援エッチング工程の変形を示す図である。
【図６Ｃ】図５の装置を用いたレーザ支援エッチング工程の変形を示す図である。
【符号の説明】
２  プリントヘッドの部分構造体
４  基板
１０  トランスデューサ
１２  バリアー層
１４  インクチャネル
１６  インクチャンバ
１８  マニホルド
２０  第１の部分
２２  第２の部分
２８  絶縁層
３０  抵抗層
３２  導電層
３４  不活性層
４０  エッチ液
４４  レーザ光線
４６  凹み
４８  溝
５０  島
６４  ウエハー
９０  レーザ源
１００  投影マスク
１０２  投影レンズ
【図１】
0004275387.tif 000002
【図２】
0004275387.tif 000003
【図３Ａ】
0004275387.tif 000004
【図３Ｂ】
0004275387.tif 000005
【図３Ｃ】
0004275387.tif 000006
【図３Ｄ】
0004275387.tif 000007
【図４Ａ】
0004275387.tif 000008
【図４Ｂ】
0004275387.tif 000009
【図４Ｃ】
0004275387.tif 000010
【図４Ｄ】
0004275387.tif 000011
【図５】
0004275387.tif 000012
【図６Ａ】
0004275387.tif 000013
【図６Ｂ】
0004275387.tif 000014
【図６Ｃ】
0004275387.tif 000015