(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記＜１＞、＜２＞及び＜３＞の方法からなる群から選ばれる１種以上の方法で、下記式１で示される分岐構造の含フッ素芳香族化合物（Ｂ）から製造される、１分子中に２個以上の架橋性官能基（Ａ）を含有し、架橋性官能基（Ａ）がエチニル基であって、数平均分子量が１×１０３〜５×１０５である、エーテル結合を有する含フッ素芳香族ポリマー。
【化１】
0004206925.tif 000009
ここで、ｍ及びｎはそれぞれ独立に１〜４の整数、ｐ、ｑ及びｒはそれぞれ独立に０又は１〜５の整数、ａ、ｂ及びｃはそれぞれ独立に０又は１〜３の整数、を表し、２≦ｍ＋ｎ≦５である。
＜１＞上記式１で示される分岐構造の含フッ素芳香族化合物（Ｂ）と、架橋性官能基（Ａ）及びフェノール性水酸基を有する化合物（Ｙ１）とを、脱ＨＦ剤存在下に縮合反応させる方法。
＜２＞前記含フッ素芳香族化合物（Ｂ）と、架橋性官能基（Ａ）及びフェノール性水酸基を有する化合物（Ｙ１）と、架橋性官能基を有さず、フェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｙ２）とを、脱ＨＦ剤存在下に縮合反応させる方法。
＜３＞前記含フッ素芳香族化合物（Ｂ）と、架橋性官能基（Ａ）を有し、芳香核にフッ素置換基を有する芳香族化合物（Ｚ）と、架橋性官能基を有さず、２個以上のフェノール性水酸基を有する化合物（Ｙ２）とを、脱ＨＦ剤存在下に縮合反応させる方法。
【請求項２】
前記含フッ素芳香族化合物（Ｂ）が、下記式２で示される、ペルフルオロ（１，３，５−トリフェニルベンゼン）又はペルフルオロ（１，２，５−トリフェニルベンゼン）である請求項１に記載の含フッ素芳香族ポリマー。
【化２】
0004206925.tif 000010
【請求項３】
請求項１又は２に記載の含フッ素芳香族ポリマーからなる電子デバイス用絶縁膜。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の含フッ素芳香族ポリマーからなる多層配線板用絶縁膜。
【請求項５】
絶縁膜中に空孔を含有する請求項３又は４に記載の絶縁膜。
【発明の詳細な説明】
＜技術分野＞
本発明は、含フッ素芳香族ポリマー及びその用途に関する。
＜背景技術＞
電子デバイス及び多層配線板等が益々微細化及び高集積化されるに伴い、それらに適用するために、より低い比誘電率の絶縁膜が要求されている。その要求を満足し、かつ電子デバイス又は多層配線板の製造工程で必要な、３５０℃以上、好ましくは４２５℃以上の耐熱性を確保するために、含フッ素芳香族ポリマー（以下、ＦＡＰという。）が検討されている。
例えば、特許第３０６４０１１号公報、米国特許５１１５０８２号明細書、米国特許５９５９１５７号明細書、特開平９−２０２８２４号公報、特開平１０−２４７６４６号公報、Ｊ．Ｐｏｌｍ．Ｓｃｉ．：ＰａｒｔＡ：Ｐｏｌｍ．Ｃｈｅｍ．，ｖｏｌ．３６，２８８１（１９９８）等に、ＦＡＰとしてエーテル結合を有する含フッ素芳香族ポリマー（以下、ポリアリーレンエーテル又はＰＡＥという。）が記載されている。それらの比誘電率は２．５〜２．９程度で、電子デバイス又は多層配線板の絶縁膜（以下、本絶縁膜という。）としての応用も検討されている。
これらのＰＡＥ中のアリーレン構造はペルフルオロフェニレン、ペルフルオロビフェニレン、ペルフルオロナフタニレン等である。そして、ＰＡＥは直鎖状で、そのガラス転移温度（以下、Ｔｇという。）が低く耐熱性が充分ではない。ＰＡＥに架橋性官能基を導入して架橋するとＴｇを高くできるが、比誘電率が２．７〜３．０程度に上昇し、低い比誘電率と高いＴｇを両立することが困難である。
Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．，６６，１０５３（１９９３）等には、直鎖状ＦＡＰである含フッ素ポリ（１，４−フェニレン）が記載されているが、本絶縁膜としての応用の記載がない。また、重合度が３を超えると溶媒への溶解性が大きく低下し、本絶縁膜として必要なコーティング性を失うことに加えて、絶縁膜の製造工程中の熱処理によって昇華し、本絶縁膜に適用できない。
Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２２，１８３２（２０００）には、分岐構造のＦＡＰであるデンドリマーが記載されている。これらのデンドリマーは溶媒に溶解できるが、Ｔｇは１４０℃未満と低く、かつ昇華性を有するため本絶縁膜として適用できない。
本発明の目的は、低い比誘電率及び高い耐熱性を有するＦＡＰ及びその絶縁膜としての用途を提供することである。
＜発明の開示＞
本発明は、下記▲１▼、▲２▼及び▲３▼の方法からなる群から選ばれる１種以上の方法で、下記式１で示される分岐構造の含フッ素芳香族化合物（Ｂ）から製造される、１分子中に２個以上の架橋性官能基（Ａ）を含有し、数平均分子量が１×１０３〜５×１０５である、エーテル結合を有する含フッ素芳香族ポリマーを提供する。
0004206925.tif 000002
ここで、ｍ及びｎはそれぞれ独立に１〜４の整数、ｐ、ｑ及びｒはそれぞれ独立に０又は１〜５の整数、ａ、ｂ及びｃはそれぞれ独立に０又は１〜３の整数、を表し、２≦ｍ＋ｎ≦５である。
▲１▼上記式１で示される分岐構造の含フッ素芳香族化合物（Ｂ）と、架橋性官能基（Ａ）及びフェノール性水酸基を有する化合物（Ｙ１）とを、脱ＨＦ剤存在下に縮合反応させる方法。
▲２▼前記含フッ素芳香族化合物（Ｂ）と、架橋性官能基（Ａ）及びフェノール性水酸基を有する化合物（Ｙ１）と、架橋性官能基を有さず、フェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｙ２）とを、脱ＨＦ剤存在下に縮合反応させる方法。
▲３▼前記含フッ素芳香族化合物（Ｂ）と、架橋性官能基（Ａ）を有し、芳香核にフッ素置換基を有する芳香族化合物（Ｚ）と、架橋性官能基を有さず、２個以上のフェノール性水酸基を有する化合物（Ｙ２）とを、脱ＨＦ剤存在下に縮合反応させる方法。
また、本発明は、該含ＦＡＰからなる電子デバイス用絶縁膜及び多層配線板用絶縁膜を提供する。
＜発明を実施するための最良の形態＞
本発明のＦＡＰは、下記▲１▼、▲２▼及び▲３▼の方法からなる群から選ばれる１種以上の方法で、下記式１で示される分岐構造の含フッ素芳香族化合物（Ｂ）から製造される、１分子中に２個以上の架橋性官能基（Ａ）を含有し、数平均分子量が１×１０３〜５×１０５である、エーテル結合を有するＦＡＰである。
0004206925.tif 000003
ここで、ｍ及びｎはそれぞれ独立に１〜４の整数、ｐ、ｑ及びｒはそれぞれ独立に０又は１〜５の整数、ａ、ｂ及びｃはそれぞれ独立に０又は１〜３の整数、を表し、２≦ｍ＋ｎ≦５である。
▲１▼上記式１で示される分岐構造の含フッ素芳香族化合物（Ｂ）と、架橋性官能基（Ａ）及びフェノール性水酸基を有する化合物（Ｙ１）とを、脱ＨＦ剤存在下に縮合反応させる方法。
▲２▼前記含フッ素芳香族化合物（Ｂ）と、架橋性官能基（Ａ）及びフェノール性水酸基を有する化合物（Ｙ１）と、架橋性官能基を有さず、フェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｙ２）とを、脱ＨＦ剤存在下に縮合反応させる方法。
▲３▼前記含フッ素芳香族化合物（Ｂ）と、架橋性官能基（Ａ）を有し、芳香核にフッ素置換基を有する芳香族化合物（Ｚ）と、架橋性官能基を有さず、２個以上のフェノール性水酸基を有する化合物（Ｙ２）とを、脱ＨＦ剤存在下に縮合反応させる方法。
本発明において、分岐構造の含フッ素芳香族化合物（Ｂ）は上記式１で示される含フッ素芳香族化合物である。好ましくは、ｎ＋ｍは２〜３、ｐ、ｑ及びｒはそれぞれ独立に０〜３、ａ、ｂ及びｃはそれぞれ独立に０〜２、である。各値がこの範囲にあるとＦＡＰの溶剤への溶解性に優れ、含フッ素芳香族化合物（Ｂ）の製造が容易であるので好ましい。
含フッ素芳香族化合物（Ｂ）としては、下記式３の構造がより好ましい。
0004206925.tif 000004
ここで、ａ１、ｂ１及びｃ１はそれぞれ独立に０、１又は２であると、ガラス転移温度が高く、溶剤への溶解性に優れたＦＡＰが得られるので、より好ましい。
含フッ素芳香族化合物（Ｂ）の具体例としては、下記式４で示される構造が挙げられる。これらは単独で用いても、２種以上混合して用いてもよい。
最も好ましくは、下記式２で示される、ペルフルオロ（１，３，５−トリフェニルベンゼン）又はペルフルオロ（１，２，４−トリフェニルベンゼン）である。
0004206925.tif 000005
本発明のＦＡＰは、１分子中に２個以上の架橋性官能基（Ａ）を含有する。好ましくは２〜３０個、より好ましくは３〜２０個である。架橋性官能基（Ａ）により、ＦＡＰ分子間の架橋又は鎖延長反応が進行し、ＦＡＰの耐熱性及び耐溶剤性が向上する。
架橋性官能基（Ａ）としては、熱、光、電子線等により架橋する官能基が好ましい。加熱により架橋する官能基は、電子デバイス又は多層配線板の製造工程での適用性に優れるのでより好ましい。また、極性基を含まない架橋性官能基（Ａ）がＦＡＰの比誘電率を上昇させないので好ましい。
架橋性官能基（Ａ）の具体例としては、エチニル基、１−オキソシクロペンタ−２，５−ジエン−３−イル基（以下、シクロペンタジエノン基ともいう。）、シアノ基、アルコキシシリル基、ジアリールヒドロキシメチル基、ヒドロキシフルオレニル基等が挙げられる。耐熱性の観点より、エチニル基がより好ましい。
本発明のＦＡＰにおける架橋性官能基（Ａ）の含有量は、含フッ素芳香族化合物（Ｂ）の１モルに対して架橋性官能基（Ａ）が０．０５〜６モルの割合が好ましく、０．１〜４モルの割合がより好ましい。この範囲を超えるとＦＡＰ塗膜の脆性が大きくなり、比誘電率が上昇することがある。また、この範囲より少ないと、耐熱性及び耐溶剤性が低下することがある。
本発明のＦＡＰは、下記▲１▼、▲２▼及び▲３▼の方法からなる群から選ばれる１種以上の方法で製造される。
▲１▼上記式１で示される分岐構造の含フッ素芳香族化合物（Ｂ）と、架橋性官能基（Ａ）及びフェノール性水酸基を有する化合物（Ｙ１）とを、脱ＨＦ剤存在下に縮合反応させる方法。
▲２▼前記含フッ素芳香族化合物（Ｂ）と、架橋性官能基（Ａ）及びフェノール性水酸基を有する化合物（Ｙ１）と、架橋性官能基を有さず、フェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｙ２）とを、脱ＨＦ剤存在下に縮合反応させる方法。
▲３▼前記含フッ素芳香族化合物（Ｂ）と、架橋性官能基（Ａ）を有し、芳香核にフッ素置換基を有する芳香族化合物（Ｚ）と、架橋性官能基を有さず、２個以上のフェノール性水酸基を有する化合物（Ｙ２）とを、脱ＨＦ剤存在下に縮合反応させる方法。
前記ＦＡＰの▲１▼、▲２▼及び▲３▼の製造方法において、縮合反応では、下記式５で示されるように、フェノール性水酸基（−ＯＨ基）から誘導されるフェノキシ基（−Ｏ−基）が、含フッ素芳香族化合物（Ｂ）のフッ素原子が結合した炭素原子を攻撃し、ついでフッ素原子が脱離する反応機構等によりエーテル結合が生成する。また、化合物（Ｙ２）がオルト位置関係にある２個のフェノール性水酸基を有する場合には、同様の反応機構等により、下記式６に示すようにジオキシン骨格が生成する可能性がある。
0004206925.tif 000006
架橋性官能基（Ａ）及びフェノール性水酸基を有する化合物（Ｙ１）としては、架橋性官能基としてエチニル基を有する芳香族化合物がより好ましい。
フェノール性水酸基を１個有する化合物（Ｙ１）の具体例としては、３−エチニルフェノール、４−フェニルエチニルフェノール、４−（４−フルオロフェニル）エチニルフェノール等のエチニルフェノール類が挙げられる。
フェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｙ１）の具体例としては、２，２’−ビス（フェニルエチニル）−５，５’−ジヒドロキシビフェニル、２，２’−ビス（フェニルエチニル）−４，４’−ジヒドロキシビフェニル等のビス（フェニルエチニル）ジヒドロキシビフェニル類、４，４’−ジヒドロキシトラン、３，３’−ジヒドロキシトラン等のジヒドロキシジフェニルアセチレン類等が挙げられる。これらは単独で用いても、２種以上を混合して用いてもよい。
フェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｙ２）としては、多官能フェノール類が好ましい。その具体例としては、ジヒドロキシベンゼン、ジヒドロキシビフェニル、ジヒドロキシターフェニル、ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシアントラセン、ジヒドロキシフェナントラセン、ジヒドロキシ−９，９−ジフェニルフルオレン、ジヒドロキシジベンゾフラン、ジヒドロキシジフェニルエーテル、ジヒドロキシジフェニルチオエーテル、ジヒドロキシベンゾフェノン、ジヒドロキシ−２，２−ジフェニルプロパン、ジヒドロキシ−２，２−ジフェニルヘキサフルオロプロパン、ジヒドロキシビナフチル、テトラフェニルハイドロキノン、ヘキサフェニルジヒドロキシビフェニル、トリヒドロキシベンゼン、トリヒドロキシビフェニル、トリヒドロキシナフタレン、テトラヒドロキシベンゼン、テトラヒドロキシビフェニル、テトラヒドロキシビナフチル、テトラヒドロキシスピロインダン類等が挙げられる。
ジヒドロキシベンゼン、ジヒドロキシ−９，９−ジフェニルフルオレン、ジヒドロキシ−２，２−ジフェニルヘキサフルオロプロパン、テトラフェニルハイドロキノン及びトリヒドロキシベンゼンは、得られるＦＡＰが低い誘電率値と高い耐熱性を有するのでより好ましい。
架橋性官能基を有し、芳香核にフッ素置換基を有する芳香族化合物（Ｚ）としては、架橋性官能基としてエチニル基を有する、ペルフルオロフェニル、ペルフルオロビフェニル等のペルフルオロ芳香族化合物が好ましい。その具体例としては、ペンタフルオロフェニルアセチレン、ノナフルオロビフェニルアセチレン等の含フッ素アリールアセチレン類、フェニルエチニルペンタフルオロベンゼン、フェニルエチニルノナフルオロビフェニル、デカフルオロトラン等の含フッ素ジアリールアセチレン類等が挙げられる。これらは単独で用いても２種以上を混合して用いてもよい。
本発明において、脱ＨＦ剤としては、塩基性化合物が好ましく、特にアルカリ金属の炭酸塩、炭酸水素塩又は水酸化物が好ましい。具体例としては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が挙げられる。
脱ＨＦ剤の使用量は、▲１▼の製造方法では、化合物（Ｙ１）中のフェノール性水酸基のモル数に対してモル比で１倍以上が必要であり、１．１〜３倍が好ましい。▲２▼の製造方法では、化合物（Ｙ１）及び化合物（Ｙ２）のフェノール性水酸基の合計モル数に対してモル比で１倍以上が必要であり、１．１〜３倍が好ましい。▲３▼の製造方法では、化合物（Ｙ２）のフェノール性水酸基のモル数に対してモル比で１倍以上が必要であり、１．１〜３倍が好ましい。
▲１▼、▲２▼及び▲３▼の製造方法において、縮合反応は、極性溶媒中で行うことが好ましい。極性溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、スルホラン等の非プロトン性の極性溶媒を含有する溶媒が好ましい。極性溶媒には、生成するＦＡＰの溶解性を低下せず、縮合反応に悪影響を及ぼさない範囲で、トルエン、キシレン、ベンゼン、ベンゾトリフルオライド、キシレンヘキサフルオライド等が含有されてもよい。
縮合反応条件としては、１０〜２００℃で１〜８０時間が好ましい。より好ましくは６０〜１８０℃で２〜６０時間、最も好ましくは８０〜１６０℃で３〜２４時間である。
本発明のＦＡＰの数平均分子量は、５００〜１，０００，０００である。この範囲にあると、その塗布特性が良好であり、得られた塗膜は良好な耐熱性、機械特性、及び耐溶剤性等を有する。好ましくは１，０００〜５００，０００、より好ましくは１，５００〜１００，０００、である。電子デバイス用絶縁膜用途において、下地の微細スペース間に充分に浸透し、かつ表面を平滑にする特性（いわゆる埋め込み平坦性）が要求される場合には、数平均分子量は１，５００〜５０，０００が最も好ましい。
ＦＡＰの数平均分子量は、▲１▼の製造方法では、含フッ素芳香族化合物（Ｂ）と化合物（Ｙ１）との仕込み比率を変化させることによって制御できる。同様に、▲２▼の製造方法では、含フッ素芳香族化合物（Ｂ）と化合物（Ｙ１）と化合物（Ｙ２）との仕込み比率を、▲３▼の製造方法では、含フッ素芳香族化合物（Ｂ）と芳香族化合物（Ｚ）と化合物（Ｙ２）との仕込み比率を変化させることによって制御できる。
▲１▼の製造方法において、化合物（Ｙ１）の使用量は含フッ素芳香族化合物（Ｂ）に対するモル比で２〜６倍が好ましく、より好ましくは２〜４倍である。▲２▼の製造方法において、化合物（Ｙ１）の使用量は含フッ素芳香族化合物（Ｂ）に対するモル比で０．３〜３倍が好ましく、より好ましくは０．８〜２倍であり、化合物（Ｙ２）の使用量は含フッ素芳香族化合物（Ｂ）に対するモル比で０．３〜２倍が好ましく、より好ましくは０．５〜１．５倍である。
▲３▼の製造方法において、化合物（Ｚ）の使用量は含フッ素芳香族化合物（Ｂ）に対するモル比で０．３〜３倍が好ましく、より好ましくは０．５〜２倍であり、化合物（Ｙ２）の使用量は含フッ素芳香族化合物（Ｂ）に対するモル比で０．５〜２倍が好ましく、より好ましくは０．８〜１．８倍である。各値がこの範囲にあると、得られたＦＡＰが低い誘電率値と高い耐熱性を併せ持つので好ましい。
本発明において、▲１▼、▲２▼及び▲３▼の製造方法によって得られたＦＡＰの溶解性が不充分であったり、該ＦＡＰの塗膜が脆い場合には、ＦＡＰの溶解性を向上するために、または可とう性を改良するためにＦＡＰ製造時に共縮合成分を添加することが好ましい。
共縮合成分としては、分岐構造を有しない、単環又は多環の含フッ素芳香族化合物（Ｗ）が好ましく、ペルフルオロ芳香族化合物がより好ましい。その具体例としては、ペルフルオロベンゼン、ペルフルオロトルエン、ペルフルオロキシレン、ペルフルオロビフェニル、ペルフルオロターフェニル、ペルフルオロナフタレン、ペルフルオロアントラセン等が挙げられる。これらは単独で用いても２種以上混合して用いてもよい。
含フッ素芳香族化合物（Ｗ）の使用量は、含フッ素芳香族化合物（Ｂ）に対して１〜２００質量％が好ましく、１０〜１５０質量％がより好ましい。多すぎると得られた塗膜の耐熱性が低くなり、少なすぎると可とう性や溶解性の向上効果が不充分である。
本発明のＦＡＰは縮合反応後又は溶液化後に、中和、再沈殿、抽出、ろ過等の方法で精製される。電子デバイス用絶縁膜及び多層配線板用絶縁膜としての用途において、縮合反応時の脱ＨＦ剤であるカリウム、ナトリウム等の金属及び遊離したハロゲン原子はトランジスタの動作不良や配線の腐食等を引き起こす原因物質と成りうるので充分に精製することが好ましい。
本発明のＦＰＡの架橋反応時、架橋反応速度を上げる又は反応欠陥を低減させる等の目的で各種の触媒又は添加剤を用いることも好ましい。
本発明のＦＡＰが架橋性官能基（Ａ）としてエチニル基を含有する場合には、触媒としてはアニリン、トリエチルアミン、アミノフェニルトリアルコキシシラン、アミノプロピルトリアルコキシシラン等のアミン類や、モリブデン、ニッケル等を含有する有機金属化合物等が例示できる。触媒の添加量はＦＡＰ中のエチニル基１モルに対して０．０１〜１モルが好ましく、さらには好ましくは０．０５〜０．５モルである。
添加剤としては、ビスシクロペンタジエノン誘導体が好ましい。エチニル基とシクロペンタジエノン基（１−オキソシクロペンタ−２，５−ジエン−３−イル基）は熱によりディールスアルダー反応で付加物を形成した後、脱一酸化炭素反応して芳香環を形成する。したがって、ビスシクロペンタジエノン誘導体を使用すると芳香環が結合部位である架橋又は鎖延長ができる。
ビスシクロペンタジエノン誘導体の具体例としては、１，４−ビス（１−オキソ−２，４，５−トリフェニル−シクロペンタ−２，５−ジエン−３−イル）ベンゼン、４，４’−ビス（１−オキソ−２，４，５−トリフェニル−シクロペンタ−２，５−ジエン−３−イル）ビフェニル、４，４’−ビス（１−オキソ−２，４，５−トリフェニル−シクロペンタ−２，５−ジエン−３−イル）１，１’−オキシビスベンゼン、４，４’−ビス（１−オキソ−２，４，５−トリフェニル−シクロペンタ−２，５−ジエン−３−イル）１，１’−チオビスベンゼン、１，４−ビス（１−オキソ−２，５−ジ−［４−フルオロフェニル］−４−フェニル−シクロペンタ−２，５−ジエン−３−イル）ベンゼン、４，４’−ビス（１−オキソ−２，４，５−トリフェニル−シクロペンタ−２，５−ジエン−３−イル）１，１’−（１，２−エタンジイル）ビスベンゼン、４，４’−ビス（１−オキソ−２，４，５−トリフェニル−シクロペンタ−２，５−ジエン−３−イル）１，１’−（１，３−プロパンジイル）ビスベンゼン等を挙げることができる。
これらのビスシクロペンタジエノン誘導体のうち、耐熱性の観点から全芳香族骨格のビスシクロペンタジエノン誘導体が好ましい。これらは単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。ビスシクロペンタジエノン誘導体の添加量はＦＡＰ中のエチニル基モル数に対するモル比で０．１〜０．５倍が好ましく、０．１５〜０．５倍がより好ましい。
本発明のＦＡＰは、通常、溶媒に溶解して実用に供される。この際、ＦＡＰ中の架橋性官能基（Ａ）は、溶液中では反応せず、製膜後の加熱（ベーク）工程で架橋反応することが好ましい。
ＦＡＰ溶液に架橋触媒又は添加剤を添加する場合やＦＡＰが蒸気圧を有する低分子量体を含有する場合には、ベーク時の揮発を防止するために、溶液中で架橋性官能基（Ａ）の一部がそれ同士及び／又は触媒又は添加剤と反応することも好ましい。
その方法としては加熱が好ましい。加熱条件としては５０℃〜２５０℃で１〜５０時間が好ましく、より好ましくは７０〜２００℃で１〜２０時間である。架橋性官能基の溶液中での反応率は、溶液中でのＦＡＰのゲル化を防止する観点より、５０％未満とするのが好ましく、より好ましくは３０％未満である。
本発明のＦＡＰの溶媒としては、ＦＡＰ及び触媒又は添加剤類を有効に溶かし、所望の方法で所望の膜厚、均一性、又は埋め込み平坦性を有する塗膜が得られれば特に制限は無く、芳香族炭化水素類、双極子非プロトン系溶媒類、ケトン類、エステル類、エーテル類、ハロゲン化炭化水素類が挙げられる。
芳香族炭化水素類としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、キュメン、メシチレン、テトラリン、メチルナフタレン等が挙げられる。
双極子非プロトン系溶媒類としては、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、γ−ブチロラクトン、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。
ケトン類としては、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、メチルアミルケトン等が挙げられる。
エーテル類としては、テトラヒドロフラン、ピラン、ジオキサン、ジメトキシエタン、ジエトキシエタン、ジフェニルエーテル、アニソール、フェネトール、ジグライム、トリグライム等が挙げられる。
エステル類としては、乳酸エチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸ブチル、安息香酸ベンジル、メチルセルソルブアセテート、エチルセルソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等が挙げられる。
ハロゲン化炭化水素類としては、四塩化炭素、クロロホルム、塩化メチレン、テトラクロロエチレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等が挙げられる。
ＦＡＰの濃度は１〜５０質量％が好ましく、５〜３０質量％がより好ましい。
本発明のＦＡＰの塗膜形成方法としては、スピンコート、ディップコート、スプレーコート、ダイコート、バーコート、ドクターコート、押し出しコート、スキャンコート、はけ塗り、ポッティング等の公知のコーティング方法が挙げられる。電子デバイスの絶縁膜として用いる場合には、膜厚の均一性の観点からスピンコート又はスキャンコートが好ましい。塗布後、溶媒を揮発させ、架橋や鎖延長反応を完結させるためにベーク（加熱）を行う。ベーク条件は２００〜４５０℃で１〜１２０分間が好ましく、３００〜４２５℃で２〜６０分間がより好ましい。
ＦＡＰ塗膜の厚さは０．０１〜５０μｍが好ましく、０．１〜３０μｍがより好ましい。塗膜の表面平滑性を確保したり、塗膜の微細スペース埋込性を向上させるために、５０〜２５０℃程度のプリベーク工程を追加したり、ベーク工程を何段階かに分けて実施することもできる。
本発明のＦＡＰと基材との接着性の向上のため接着促進剤を使用することも好ましい。接着促進剤としては、シラン系カップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤等が挙げられ、エポキシシラン類、アミノシラン類などのシラン系カップリング剤がより好ましい。アミノシラン類としては、γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシランなどの脂肪族アミノシラン類、アミノフェニルトリメトキシシラン、アミノフェニルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシランなどの含芳香族基アミノシラン類が例示される。
接着促進剤の適用方法としては、ＦＡＰ溶液の塗布前に基材を接着促進剤で処理する方法やＦＡＰ溶液中に接着促進剤を添加する方法が好ましい。基材を接着促進剤で処理する方法としては、アミノシラン類の例では、０．０１〜３質量％のアルコール系溶液として基材にスピンコートする方法が挙げられる。接着促進剤をＦＡＰ溶液中に添加する方法では、接着促進剤の添加量は含有されるＦＡＰに対して０．０５〜１０質量％が好ましく、０．１〜５質量％がより好ましい。接着促進剤の添加量が少ないと接着性向上効果が充分でなく、多すぎると電気特性や耐熱性が低下する。
本発明のＦＡＰの用途としては、保護膜、燃料電池等の各種電池用膜材料、フォトレジスト、光導波材料、被覆材、電子用部材、封止剤、オーバーコート剤、透明フィルム材、接着剤、繊維材、耐候性塗料、撥水剤、撥油剤、防湿コート剤等が挙げられる。特に、電子デバイス用絶縁膜又は多層配線板用絶縁膜の用途が好ましい。
電子デバイスとしては、ダイオード、トランジスタ、化合物半導体、サーミスタ、バリスタ、サイリスタ等の個別半導体、ＤＲＡＭ（ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ）、ＳＲＡＭ（スタティック・ランダム・アクセス・メモリ）、ＥＰＲＯＭ（イレイザブル・プログラマブル・リード・オンリー・メモリ）、マスクＲＯＭ（マスク・リード・オンリー・メモリ）、ＥＥＰＲＯＭ（エレクトリカル・イレイザブル・プログラマブル・リード・オンリー・メモリ）、フラッシュメモリなどの記憶素子、マイクロプロセッサ、ＤＳＰ、ＡＳＩＣなどの理論回路素子、ＭＭＩＣ（モノリシック・マイクロウェーブ集積回路）に代表される化合物半導体などの集積回路素子、混成集積回路（ハイブリッドＩＣ）、発光ダイオード、電荷結合素子などの光電変換素子等が挙げられる。
多層配線板としては、電子デバイス等を実装するための各種基板であり、プリント配線板、ビルドアップ配線板、ＭＣＭなどの高密度配線板等が挙げられる。
絶縁膜としては、バッファコート膜、パッシベーション膜、層間絶縁膜、アルファ線遮蔽膜等が挙げられる。
ＦＡＰ塗膜を用いる電子デバイス用絶縁膜又は多層配線板用絶縁膜の用途において、より低い比誘電率の絶縁膜を得るために、ＦＡＰ絶縁膜中に空孔を含有することも好ましい。空孔の導入方法としては、次の２方法等が挙げられる。
（１）本発明のＦＡＰと熱分解温度の低いポリマー（以下、熱分解性ポリマーという。）を複合化し、熱分解性ポリマー部分を絶縁膜形成過程において除去する方法。
（２）本発明のＦＡＰに分散する微粒子を添加し、微粒子部分を絶縁膜形成過程において、又は絶縁膜形成後に除去する方法。
（１）の方法において、熱分解性ポリマーとしては脂肪族ポリエーテル、脂肪族ポリエステル、アクリル系重合体、スチレン系重合体等が挙げられる。熱分解性ポリマーの分子量は１，０００〜１００，０００が好ましく、１，０００〜５０，０００がより好ましい。分子量がこの範囲にあるとＦＡＰとの相溶性を確保できるので好ましい。ＦＡＰと熱分解性ポリマーを複合化する手法として、ＦＡＰと熱分解性ポリマーの混合溶液を作成し、製膜することによって複合膜を得る方法、ＦＡＰと熱分解性ポリマーとをブロック化又はグラフト化することにより複合化する方法等が例示できる。
ブロック化又はグラフト化方法は公知のものが適用できるが、例えば、末端に含フッ素芳香環又はフェノール性水酸基を有する熱分解性ポリマーを作成し、ＦＡＰ合成の縮合反応時に共縮合する手法が例示できる。ＦＡＰの縮合反応は、前記式５又は６の反応機構で進行するため、末端の含フッ素芳香環又はフェノール性水酸基部分がＦＡＰ鎖と結合する。ここで、熱分解性ポリマーが片末端に含フッ素芳香環又はフェノール性水酸基を有する場合、熱分解性ポリマーがグラフトしたＦＡＰを得ることができる。熱分解性ポリマーが両末端に含フッ素芳香環又はフェノール性水酸基を有する場合、ＦＡＰと熱分解性ポリマーのブロック体を得ることができる。
熱分解性ポリマーは熱分解温度が低いため、絶縁膜形成中の加熱により選択的に分解除去され、除去された部分が空孔となる。熱分解性ポリマーの添加量により空孔率の制御が可能である。添加量は、通常ＦＡＰに対して５〜８０容積％が好ましく、１０〜７０容積％がさらに好ましい。
（２）の方法において、本発明のＦＡＰに分散する微粒子としては無機微粒子が好ましい。無機微粒子としては、シリカ、金属等の微粒子が挙げられる。微粒子は製膜後の酸処理等で溶解除去され、除去された部分が空孔となる。微粒子の添加量により空孔率の制御が可能である。添加量は、通常ＦＡＰに対して５〜８０容積％が好ましく、１０〜７０容積％がさらに好ましい。
本発明におけるＦＡＰの塗膜は、他の膜と複合化することも好ましい。例えば、半導体素子パッシベーション膜又は半導体素子用層間絶縁膜として適用する場合、ＦＡＰ塗膜の下層及び／又は上層に無機膜を形成することが好ましい。
無機膜としては、常圧、減圧又はプラズマ化学気相成長（ＣＶＤ）法や塗布法で形成される膜であり、例えばシリコン酸化膜に必要に応じてリン及び／又はホウ素をドープしたいわゆるＰＳＧ膜又はＢＰＳＧ膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸化窒化膜、ＳｉＯＣ膜、スピン−オン−グラス（ＳＯＧ）膜等が挙げられる。
ＦＡＰ塗膜と金属配線との間に無機膜を形成することによって、金属配線の剥がれを防止し、ダマシン形状等のエッチング加工が容易にできる。無機膜は、ＦＡＰ塗膜をエッチバック法又はＣＭＰ（ケミカル・メカニカル・ポリッシング）法により部分的に削除した後にＦＡＰ塗膜上層へ形成することも好ましい。
ＦＡＰ塗膜上層に無機膜を形成する時に、ＦＡＰ塗膜と無機膜の密着性が充分でないか無機膜形成時に膜減りする等の場合には、次の２方法の適用が好ましい。
（Ｉ）多層無機膜を形成する方法：シリコン酸化膜をプラズマＣＶＤ法により形成する場合、用いるガス組成によっては膜減りが発生する。この場合には、まずシリコン窒化膜又は常圧ＣＶＤ−シリコン酸化膜などの膜減りを生起しない無機膜の薄膜を形成する。ついでこの薄膜をバリア層としてシリコン酸化膜を形成する。
（ＩＩ）ＦＡＰ塗膜をエネルギー線で処理する方法：エネルギー線による処理がＦＡＰ塗膜と無機膜との界面の密着性を向上させる効果を有する場合がある。エネルギー線処理としては、光を含む広義の意味での電磁波、すなわちＵＶ光照射、レーザ光照射、マイクロ波照射等、又は電子線を利用する処理、すなわち電子線照射、グロー放電処理、コロナ放電処理、プラズマ処理などの処理が例示される。
これらのうち半導体素子の量産工程に好適な処理方法としては、ＵＶ光照射、レーザ光照射、コロナ放電処理、プラズマ処理が挙げられる。
プラズマ処理は半導体素子に与えるダメージが小さくより好ましい。プラズマ処理を行う装置としては装置内に所望のガスを導入でき、電場を印加できるものであれば特に限定されず、市販のバレル型、平行平板型のプラズマ発生装置が適宜使用できる。プラズマ装置へ導入するガスとしては、表面を有効に活性化するものであれば特に限定されず、アルゴン、ヘリウム、窒素、酸素、これらの混合ガス等が挙げられる。また、ＦＡＰ塗膜の表面を活性化させ、膜減りも殆どないガスとしては、窒素と酸素の混合ガス及び窒素ガスが挙げられる。
本発明を以下の実施例及び比較例より具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されない。例１〜１７、及び例２０〜２２が実施例、例１８、１９が比較例である。例１〜４は含フッ素芳香族化合物（Ｂ）の合成、例５〜１９はＦＡＰの合成と基本特性の評価結果、例２０は塗膜の接着性評価、例２１が空孔導入塗膜の作成、例２２が絶縁膜特性の評価、である。なお、分子量、比誘電率、Ｔｇは下記の方法により測定した。
［分子量］真空乾燥したＦＡＰ粉末をゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）によりポリスチレン換算の数平均分子量を求めた。溶媒はテトラヒドロフランを使用した。
［比誘電率］真空乾燥したＦＡＰ粉末をシクロヘキサノンに溶解させて得た１５％溶液をポア径０．２μｍのＰＴＦＥ製フィルタでろ過した。得られた溶液を用いてシリコンウェハ上にスピンコートして４００〜７００ｎｍの塗膜を形成した。スピン条件は２０００ｒｐｍ×３０秒とし、ホットプレートによる１００℃×９０秒、２００℃×９０秒のプリベークの後、縦型炉で４２５℃×１時間、窒素雰囲気下でのファイナルベークを行った。続いて水銀プローバーによるＣＶ測定を行うことにより１ＭＨｚの比誘電率を求めた。塗膜厚さは分光エリプソメータによって求めた値を使用した。
［Ｔｇ］真空乾燥したＦＡＰ粉末をシクロヘキサノンに溶解させて得た１５％溶液をポア径０．２μｍのＰＴＦＥ製フィルタでろ過した。得られた溶液を用いてシリコンウェハ上にポッティングし、ホットプレートによる２００℃×３００秒のプリベークの後、縦型炉で４２５℃×１時間、窒素雰囲気下でのファイナルベークを行った。シリコンウエハから塗膜を掻き取りＤＳＣ測定を行ってＴｇを求めた。ＤＳＣ測定において、４０℃から４５０℃まで窒素雰囲気下、昇温速度１０℃／分の条件でスキャンを行った。
［例１］含フッ素芳香族化合物（Ｂ）（ペルフルオロ（１，３，５−トリフェニルベンゼン））の合成
ジムロートコンデンサ、熱電対温度計、滴下ロート、メカニカルスターラの付いた２Ｌパイレックス（登録商標）製４つ口フラスコにペンタフルオロブロモベンゼンの１４８．２ｇとＴＨＦの５００ｍＬを仕込んだ。その後、氷浴下、激しく撹拌しながら０．９６ｍｏｌ／ＬのエチルマグネシウムブロマイドＴＨＦ溶液の６００ｍＬを徐々に滴下し、滴下終了後１時間撹拌を続けた。次に固体の臭化銅（ＣｕＢｒ）の１７２．２ｇを添加し、１時間撹拌した後にジオキサンの２００ｍＬを加え、そのまま３０分間撹拌した。
次に１，３，５−トリヨード−２，４，６−トリフルオロベンゼンの７６．５ｇを添加し、氷浴からオイルバス上での加熱に切り替え、撹拌しながら１６時間還流を続けた。その後反応液から溶媒を留去して濃縮し、残留物を水中に入れ、急冷した。濾過して集めた固体を２０００ｇのジクロロペンタフルオロプロパンで抽出した後、エバポレーターで乾固すると９２ｇの黄色結晶が得られた。さらにこの結晶をヘキサンから再結晶し、４０℃で真空乾燥することにより白色結晶を得た。マススペクトル及びＮＭＲ分析により、本結晶はペルフルオロ（１，３，５−トリフェニルベンゼン）（以下、１３５ＴＰＢという。）と同定された。
［例２］含フッ素芳香族化合物（Ｂ）（ペルフルオロ（１，２，４−トリフェニルベンゼン））の合成
１，３，５−トリヨード−２，４，６−トリフルオロベンゼンを１，２，４−トリヨード−３，５，６−トリフルオロベンゼンに変更した以外は例１と同様の方法にてペルフルオロ（１，２，４−トリフェニルベンゼン）の白色結晶（以下、１２４ＴＰＢという。）を得た。
［例３］含フッ素芳香族化合物（Ｂ）（下記式で示される化合物）の合成
0004206925.tif 000007
ジムロートコンデンサ、熱電対温度計、滴下ロート、メカニカルスターラの付いた１００ｍＬパイレックス（登録商標）製４つ口フラスコにペンタフルオロブロモベンゼンの５．９４ｇとＴＨＦの３０ｍＬを仕込んだ。氷浴下、激しく撹拌しながら０．９６ｍｏｌ／ＬのエチルマグネシウムブロマイドＴＨＦ溶液の２５ｍＬを徐々に滴下し、滴下終了後１時間撹拌を続けた。次に合成例１で得られた１３５ＴＰＢの２．５２ｇを添加し、氷浴からオイルバス上での加熱に切り替え、撹拌しながら６０℃で１２時間加熱を行った。
その後、反応液を激しく撹拌した０．２Ｎ塩酸水３００ｍＬ中に投入すると白色結晶が生成した。この結晶を純水で３回洗浄した後に６０℃で真空乾燥を行って、５．１ｇの白色結晶を得た。ガスクロマトグラフィー、マススペクトル、及びＮＭＲ分析より、本結晶はａ、ｂ及びｃの平均値がいずれも約１．２である含フッ素芳香族化合物（以下、ＴＰＢ−４Ｐという。）と同定された。
［例４］含フッ素芳香族化合物（Ｂ）（２，２’，２’’，２’’’，２’’’’，３，３’’’’，４，４’，４’’，４’’’，４’’’’，５，５’’’’，６，６’，６’’，６’’’，６’’’’−ノナデカフルオロ−５’，５’’’’−ビス（ペンタフルオロフェニル）−５’’−（トリデカフルオロ［１，１’：３’，１’’−ターフェニル］−５’−イル）−１，１’：３’，１’’：３’’，１’’’：３’’’，１’’’’−キンクフェニル）の合成
ジムロートコンデンサ、熱電対温度計、滴下ロート、メカニカルスターラの付いた２Ｌパイレックス（登録商標）製４つ口フラスコに、１−ブロモ−２，４，６−トリフルオロベンゼンの１２６．６ｇとＴＨＦの４００ｍＬを仕込んだ。氷浴下、激しく撹拌しながら０．９６ｍｏｌ／ＬのエチルマグネシウムブロマイドＴＨＦ溶液の６００ｍＬを徐々に滴下し、滴下終了後１時間撹拌を続けた。次に固体の臭化銅（ＣｕＢｒ）の１７２．５ｇを添加、１時間撹拌した後にジオキサンの２００ｍＬ及びトルエンの２００ｍＬを加え、そのまま３０分間撹拌した。次に１，３，５−トリブロモ−２，４，６−トリフルオロベンゼンの５５．３ｇを添加し、氷浴からオイルバス上での加熱に切り替え、撹拌しながら３８時間還流を続けた。
その後反応液から溶媒を留去して濃縮し、残留物を水中に投入し、急冷した。濾過して集めた固体を２０００ｇのジクロロペンタフルオロプロパンで抽出した後、エバポレーターで乾固すると５０．３ｇの黄色結晶が得られた。ＮＭＲ、ガスクロマトグラフ、マススペクトル測定の結果、本結晶は２，２’，２’’，４，４’，４’’，６，６’，６’’−ノナフルオロ−５’−（２，４，６−トリフルオロフェニル）−１，１’：３’，１’’−ターフェニルと同定された。
次にジムロートコンデンサ、熱電対温度計、滴下ロート、メカニカルスターラの付いた２Ｌパイレックス（登録商標）製４つ口フラスコへ上記で得られた結晶の４１．８ｇ及び塩化メチレンの７００ｍＬを仕込み撹拌して均一溶液とし、さらに臭化アルミニウムの３ｇを加えた。臭素の６０ｇ及び塩化メチレンの２００ｍＬを滴下ロートへ仕込み、室温で激しく撹拌しながら徐々にフラスコ中へ滴下した。滴下終了後オイルバス上で加温し、３時間還流させた。室温まで冷却した後に１Ｌの飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液、続いて５００ｍＬの飽和塩化ナトリウム水溶液で２度洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。
溶媒を留去し、残った黄色結晶をヘキサンから再結晶することによって５８．５ｇの微黄色結晶を得た。ＮＭＲ、ガスクロマトグラフ、マススペクトル測定の結果、本結晶はヘキサブロモ体である、３，３’’，５，５’’−テトラブロモ−５’−（３，５−ジブロモ−２，４，６−トリフルオロフェニル）−２，２’，２’’，４，４’，４’’，６，６’，６’’−ノナフルオロ−１，１’：３’，１’’−ターフェニルと同定された。
次にジムロートコンデンサ、熱電対温度計、滴下ロート、メカニカルスターラの付いた１Ｌパイレックス（登録商標）製４つ口フラスコにペンタフルオロブロモベンゼンの７４．１ｇとＴＨＦの２００ｍＬを仕込んだ。氷浴下、激しく撹拌しながら０．９６ｍｏｌ／ＬのエチルマグネシウムブロマイドＴＨＦ溶液の３００ｍＬを徐々に滴下し、滴下終了後１時間撹拌を続けた。次に固体の臭化銅（ＣｕＢｒ）の８６．１ｇを添加、１時間撹拌した後にジオキサンの１００ｍＬ及びトルエンの２００ｍＬを加え、そのまま３０分間撹拌した。次に上記で得られたヘキサブロモ体の３７．３ｇを添加し、氷浴からオイルバス上での加熱に切り替え、撹拌しながら４５時間還流を続けた。
その後反応液から溶媒を留去して濃縮し、残留物を水中に投入し、急冷した。濾過して集めた固体を１５００ｇのクロロホルムで抽出した後、エバポレーターで乾固すると４４．１ｇの黄色結晶が得られた。さらにトルエン／ヘキサン混合溶媒によって再結晶を２度行い、６０℃で真空乾燥を行うことによって２２．９ｇの白色結晶を得た。ＮＭＲ、ガスクロマトグラフ、マススペクトルの結果、本結晶は、下記式に示す２，２’，２’’，２’’’，２’’’’，３，３’’’’，４，４’，４’’，４’’’，４’’’’，５，５’’’’，６，６’，６’’，６’’’，６’’’’−ノナデカフルオロ−５’，５’’’’−ビス（ペンタフルオロフェニル）−５’’−（トリデカフルオロ［１，１’：３’，１’’−ターフェニル］−５’−イル）−１，１’：３’，１’’：３’’，１’’’：３’’’，１’’’’−キンクフェニル（以下、ＴＰＢ−３５Ｐという。）と同定された。ＴＰＢ−３５Ｐの分子量は１７００であった。
0004206925.tif 000008
［例５］含フッ素芳香族化合物（Ｂ）と化合物（Ｙ１）とを用いた、▲１▼の製造方法によるＦＡＰの合成
ジムロートコンデンサ、熱電対温度計、メカニカルスターラの付いた１００ｍＬパイレックス（登録商標）製４つ口フラスコに、例３で得られたＴＰＢ−４Ｐの２．１９ｇ、化合物（Ｙ１）として４−（４−フルオロフェニルエチニル）フェノールの１．３７ｇ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（以下、ＤＭＡｃという。）の３５ｇ、トルエンの１５ｇを仕込んだ。撹拌しながらオイルバス上で加温し、液温が８０℃となった時点で炭酸カリウムの１．８４ｇを素早く添加し、撹拌を継続しながら１２０℃で４時間加熱した。
その後、反応液を室温に冷却し、激しく撹拌した、酢酸の７．１ｇを含む純水／メタノール（容積比約１／１）混合液４００ｍＬに徐々に投入すると微褐色粉状物が沈殿した。この微褐色粉状物をろ過し、さらに純水で５回洗浄した後に、８０℃で１５時間真空乾燥を行って２．７６ｇの白灰色粉末状のＦＡＰを得た。得られたＦＡＰはエーテル結合及び平均３．０個のエチニル基を有し、分子量は１６００、比誘電率は２．４であった。ＤＳＣ測定において転移点や発／吸熱ピークは観測されず、Ｔｇは４５０℃以上であった。
［例６］含フッ素芳香族化合物（Ｂ）と化合物（Ｙ１）とを用いた、▲１▼の製造方法によるＦＡＰの合成
４−（４−フルオロフェニルエチニル）フェノールの１．３７ｇの代わりに、４−フェニルエチニルフェノールの１．１５ｇを用いた以外は例５と同様にして２．５ｇの灰白色粉末状のＦＡＰを得た。得られたＦＡＰはエーテル結合及び平均２．８個のエチニル基を有し、分子量は１５００、比誘電率は２．４であった。ＤＳＣ測定において転移点や発／吸熱ピークは観測されず、Ｔｇは４５０℃以上であった。
［例７］含フッ素芳香族化合物（Ｂ）と化合物（Ｙ１）とを用いた、▲１▼の製造方法によるＦＡＰの合成
ＴＰＢ−４Ｐの２．１９ｇの代わりに、例４で得られたＴＰＢ−３５Ｐの４．５６ｇを用い、４−（４−フルオロフェニルエチニル）フェノールの使用量を１．９ｇとした以外は例５と同様にして４．８９ｇの白色粉末状のＦＡＰを得た。得られたＦＡＰはエーテル結合及び平均３．１個のエチニル基を有し、分子量は２２００、比誘電率は２．３であった。ＤＳＣ測定において転移点や発／吸熱ピークは観測されず、Ｔｇは４５０℃以上であった。
［例８］含フッ素芳香族化合物（Ｂ）と化合物（Ｙ１）及び化合物（Ｙ２）とを用いた、▲２▼の製造方法によるＦＡＰの合成
ジムロートコンデンサ、熱電対温度計、メカニカルスターラの付いた１００ｍＬパイレックス（登録商標）製４つ口フラスコに、例１で得られた１３５ＴＰＢの３．７８ｇ、化合物（Ｙ２）として１，３−ジヒドロキシベンゼンの０．３３ｇ、ＤＭＡｃの６０ｇ、トルエンの５ｇ、及び炭酸カリウムの２．２１ｇを仕込んだ。オイルバス上で、撹拌しながら５時間１３０℃で加熱した後に、化合物（Ｙ１）として４−（４−フルオロフェニルエチニル）フェノールの２．１２ｇを投入し、さらに３時間１２０℃で加熱した。
その後反応液を室温に冷却し、激しく撹拌した、酢酸の８ｇを含む純水／メタノール（容積比約１／１）混合液５００ｍＬに徐々に投入すると褐色粉状物が沈殿した。この褐色粉状物をろ過し、さらに純水で５回洗浄した後に８０℃で１５時間真空乾燥を行って、５．３ｇの微褐色粉末状のＦＡＰを得た。得られたＦＡＰはエーテル結合及び平均３．７個のエチニル基を有し、分子量は２２００、比誘電率は２．５であった。ＤＳＣ測定において転移点や発／吸熱ピークは観測されず、Ｔｇは４５０℃以上であった。
［例９］含フッ素芳香族化合物（Ｂ）と化合物（Ｙ１）及び化合物（Ｙ２）とを用いた、▲２▼の製造方法によるＦＡＰの合成
１，３−ジヒドロキシベンゼンの使用量を０．５０ｇとした以外は、例８と同様にして５．５ｇの微褐色粉末状のＦＡＰを得た。得られたＦＡＰはエーテル結合及び平均８．３個のエチニル基を有し、分子量は５０００、比誘電率は２．４であった。ＤＳＣ測定において転移点や発／吸熱ピークは観測されず、Ｔｇは４５０℃以上であった。
［例１０］含フッ素芳香族化合物（Ｂ）と化合物（Ｙ１）及び化合物（Ｙ２）とを用いた、▲２▼の製造方法によるＦＡＰの合成
１，３−ジヒドロキシベンゼンの０．３３ｇの代わりに、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレンの１．４０ｇを用いた以外は例８と同様にして５．８ｇの白色粉末状のＦＡＰを得た。得られたＦＡＰはエーテル結合及び平均８．４個のエチニル基を有し、分子量は５８００、比誘電率は２．３であった。ＤＳＣ測定において転移点や発／吸熱ピークは観測されず、Ｔｇは４５０℃以上であった。
［例１１］含フッ素芳香族化合物（Ｂ）と化合物（Ｙ１）及び化合物（Ｙ２）とを用いた、▲２▼の製造方法によるＦＡＰの合成
１３５ＴＰＢの３．７８ｇの代わりに、例２で得られた１２４ＴＰＢの３．７９ｇを用いた以外は例１０と同様にして５．３ｇ白色粉末状のＦＡＰを得た。得られたＦＡＰはエーテル結合及び平均１１．８個のエチニル基を有し、分子量は８２００、比誘電率は２．４であった。ＤＳＣ測定において転移点や発／吸熱ピークは観測されず、Ｔｇは４５０℃以上であった。
［例１２］含フッ素芳香族化合物（Ｂ）及び化合物（Ｗ）と化合物（Ｙ１）及び化合物（Ｙ２）とを用いた、▲２▼の製造方法によるＦＡＰの合成
ジムロートコンデンサ、熱電対温度計、メカニカルスターラの付いた１００ｍＬパイレックス（登録商標）製４つ口フラスコを窒素置換した後に、１３５ＴＰＢの３．７８ｇ、化合物（Ｙ２）として１，３−ジヒドロキシベンゼンの０．９９ｇ、化合物（Ｗ）としてペルフルオロビフェニルの２．００ｇ、Ｎ−メチルピロリドンの６０ｇ、さらに炭酸カリウムの１．８６ｇを仕込んだ。撹拌しながらオイルバス上で、１５時間１６０℃で加熱した後、炭酸カリウムの０．８５ｇ、及び化合物（Ｙ１）として４−（４−フルオロフェニルエチニル）フェノールの１．９１ｇを投入し、さらに１２０℃で３時間加熱した。
その後反応液を室温に冷却し、激しく撹拌した、酢酸８ｇを含む純水／メタノール（容積比約１／１）混合液４００ｍＬに徐々に投入すると褐色粉状物が沈殿した。この褐色粉状物をろ過し、さらに純水で５回洗浄した後に８０℃で１５時間真空乾燥を行って、６．８ｇの微褐色粉末状のＦＡＰを得た。得られたＦＡＰはエーテル結合及び平均９．６個のエチニル基を有し、分子量は８７００、比誘電率は２．５、Ｔｇは３８４℃であった。
［例１３］含フッ素芳香族化合物（Ｂ）及び化合物（Ｗ）と化合物（Ｙ１）及び化合物（Ｙ２）とを用いた、▲２▼の製造方法によるＦＡＰの合成
１，３−ジヒドロキシベンゼンの０．９９ｇの代わりにジヒドロキシ−２，２−ジフェニルヘキサフルオロプロパンの２．０２ｇ及び１，２，４−トリヒドロキシベンゼンの０．４０ｇを混合して用いた以外は例１２と同様にして８．７ｇの褐色粉末状ＦＡＰを得た。得られたＦＡＰはエーテル結合及び平均１６．８個のエチニル基を有し、分子量は１７０００、比誘電率は２．４であった。ＤＳＣ測定において転移点や発／吸熱ピークは観測されず、Ｔｇは４５０℃以上であった。
［例１４］含フッ素芳香族化合物（Ｂ）及び芳香族化合物（Ｚ）と化合物（Ｙ２）とを用いた、▲３▼の製造方法によるＦＡＰの合成
ジムロートコンデンサ、熱電対温度計、メカニカルスターラの付いた１００ｍＬパイレックス（登録商標）製４つ口フラスコを窒素置換した後に、１３５ＴＰＢの２．５２ｇ、化合物（Ｚ）として４−フェニルエチニルノナフルオロビフェニルの１．６６ｇ、化合物（Ｙ２）として１，３，５−トリヒドロキシベンゼンの０．５１ｇ、ＤＭＡｃの４０ｇ、さらに炭酸カリウムの１．２５ｇを仕込んだ。オイルバス上で、撹拌しながら６時間１５０℃で加熱した。
反応液を室温に冷却し、激しく撹拌した０．２Ｎ塩酸水２００ｍＬに徐々に投入すると、微褐色粉状物が沈殿した。この微褐色粉状物をろ過し、約５０ｃｃのテトラヒドロフランに溶解させた。この溶液を、激しく撹拌した純水／メタノール（容積比約１／１）混合液３００ｍＬに徐々に投入することによって得られた灰白色沈殿を、純水で５回洗浄した後に８０℃で２０時間真空乾燥を行って、４．２ｇの白色粉末状ＦＡＰを得た。得られたＦＡＰはエーテル結合及び平均１３．５個のエチニル基を有し、分子量は１５０００、比誘電率は２．３であった。ＤＳＣ測定において転移点や発／吸熱ピークは観測されず、Ｔｇは４５０℃以上であった。
［例１５］含フッ素芳香族化合物（Ｂ）及び芳香族化合物（Ｚ）と化合物（Ｙ２）とを用いた、▲３▼の製造方法によるＦＡＰの合成
１，３，５−トリヒドロキシベンゼンの０．５１ｇの代わりに、ジヒドロキシ−２，２−ジフェニルヘキサフルオロプロパンの２．０２ｇを用いた以外は例１４と同様にして５．５ｇの褐色粉末状ＦＡＰを得た。得られたＦＡＰはエーテル結合及び平均８．７個のエチニル基を有し、分子量は１３０００、比誘電率は２．４であった。ＤＳＣ測定において転移点や発／吸熱ピークは観測されず、Ｔｇは４５０℃以上であった。
［例１６］含フッ素芳香族化合物（Ｂ）及び芳香族化合物（Ｚ）と化合物（Ｙ２）とを用いた、▲３▼の製造方法によるＦＡＰの合成
４−フェニルエチニルノナフルオロビフェニルの１．６６ｇの代わりに、デカフルオロトランの１．５２ｇを、１，３，５−トリヒドロキシベンゼンの０．５１ｇの代わりに９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレンの１．９５ｇを用いた以外は例１４と同様にして５．２ｇの白色粉末状のＦＡＰを得た。得られたＦＡＰはエーテル結合及び平均６．６個のエチニル基を有し、分子量は９０００、比誘電率は２．３であった。ＤＳＣ測定において転移点や発／吸熱ピークは観測されず、Ｔｇは４５０℃以上であった。
［例１７］含フッ素芳香族化合物（Ｂ）、芳香族化合物（Ｚ）及び化合物（Ｗ）と化合物（Ｙ２）とを用いた、▲３▼の製造方法によるＦＡＰの合成
ジムロートコンデンサ、熱電対温度計、メカニカルスターラの付いた１００ｍＬパイレックス（登録商標）製４つ口フラスコを窒素置換した後に、１３５ＴＰＢの２．５２ｇ、化合物（Ｚ）として４−フェニルエチニルノナフルオロビフェニルの１．４２ｇ、化合物（Ｙ２）として１，３，５−トリヒドロキシベンゼンの０．６７ｇ、化合物（Ｗ）としてペルフルオロビフェニルの０．６６ｇ、ＤＭＡｃの４０ｇ、さらに炭酸カリウムの１．３０ｇを仕込んだ。オイルバス上で、撹拌しながら６時間１３０℃で加熱した。
反応液を室温に冷却し、激しく撹拌した０．２Ｎ塩酸水２００ｍＬに徐々に投入すると、微褐色粉状物が沈殿した。この微褐色粉状物をろ過し、約５０ｃｃのテトラヒドロフランに溶解させた。この溶液を、激しく撹拌した純水／メタノール（容積比約１／１）混合液３００ｍＬに徐々に投入することによって得られた灰白色沈殿を、純水で５回洗浄した後に８０℃で２０時間真空乾燥を行って、４．５ｇの白色粉末状ＦＡＰを得た。得られたＦＡＰはエーテル結合及び平均６．８個のエチニル基を有し、分子量は９８００、比誘電率は２．３であった。ＤＳＣ測定において転移点や発／吸熱ピークは観測されず、Ｔｇは４５０℃以上であった。
［例１８（比較例）］公知のＦＡＰの合成
ジムロートコンデンサ、熱電対温度計、メカニカルスターラの付いた１００ｍＬパイレックス（登録商標）製４つ口フラスコを窒素置換した後に、ペルフルオロビフェニルの２．５１ｇ、ジヒドロキシ−２，２−ジフェニルヘキサフルオロプロパンの１．６８ｇ、ＤＭＡｃの４０ｇ及びトルエンの５ｇを仕込み、さらに炭酸カリウムの１．６６ｇを仕込んだ。オイルバス上で、撹拌しながら５時間１２０℃で加熱した後に、炭酸カリウムの０．７ｇとフェニルエチニルフェノールの１．０５ｇを投入し、さらに１２０℃で３時間加熱した。
反応液を室温に冷却し、激しく撹拌した、酢酸の８ｇを含む純水／メタノール（容積比約１／１）混合液５００ｍＬに徐々に投入すると、微褐色粉状物が沈殿した。この微褐色粉状物をろ過し、さらに純水で５回洗浄した後に８０℃で１５時間真空乾燥を行って、４．２ｇの微褐色粉末状のＦＡＰを得た。得られたＦＡＰの分子量は５１００、比誘電率は２．８、Ｔｇは２９５℃であった。
［例１９（比較例）］架橋性官能基を有しないＦＡＰの特性評価
例４で得られた分子量１７００であるＴＰＢ−３５Ｐの比誘電率及びＴｇは２００℃のプリベーク後の膜については、それぞれ２．４及び１２１℃であった。４２５℃のファイナルベークを行うと膜がすべて揮発し消滅した。
［例２０］ＦＰＡ塗膜と基材との接着性
例１０で得られたＦＡＰのシクロヘキサノン１５％溶液（以下、溶液１０という。）の一部を取り出し、アミノフェニルトリメトキシシランをＦＡＰに対して３質量％添加して溶液１０−１を得た。また、アミノフェニルトリメトキシシランに代わりにγ−アミノプロピルトリエトキシシランをＦＡＰに対して３質量％添加して溶液１０−２を得た。次に膜厚２００ｎｍのｐ−ＳｉＮ（モノシラン、アンモニア及び窒素混合ガスを原料とするプラズマＣＶＤ法により製膜）、膜厚３００ｎｍのｐ−ＳｉＯ（モノシラン及び二窒化酸素混合ガスを原料とするプラズマＣＶＤ法により製膜）、膜厚５００ｎｍのＡｌ（スパッタリング法により製膜）、膜厚５０ｎｍのＴｉＮ（スパッタリング法により製膜）をそれぞれ形成した４インチシリコンウェハ上に、溶液１０、溶液１０−１及び溶液１０−２をスピンコートすることにより塗膜を形成した。
スピン回転数は塗膜厚が５００ｎｍとなるように調整し、ホットプレートによる１００℃×９０秒、２００℃×９０秒のプリベークの後、縦型炉で４２５℃×１時間、窒素雰囲気のファイナルベークを行った。これらサンプルに対して、ＪＩＳ  Ｄ０２０２に記載のゴバン目テープ剥離テストによりＦＡＰ塗膜と基材との接着性を評価した。
溶液１０より得られた塗膜は、ｐ−ＳｉＯ、Ａｌ上の塗膜に剥離は見られなかった。ｐ−ＳｉＮ上の塗膜に形成されたゴバン目のうち２０％が剥離し、Ｔｉ上の塗膜に形成されたゴバン目のうち８０％が剥離した。
溶液１０−１より得られた塗膜は、ｐ−ＳｉＮ、ｐ−ＳｉＯ、Ａｌ、ＴｉＮ上いずれの塗膜においても剥離は見られなかった。
溶液１０−２より得られた塗膜は、ｐ−ＳｉＮ、ｐ−ＳｉＯ、Ａｌ、ＴｉＮ上いずれの塗膜においても剥離は見られなかった。
本例により、アミノシランのごとき接着促進剤がＦＡＰの接着性向上に効果があることが明らかとなった。
［例２１］空孔を含有するＦＡＰ塗膜の作成
例１４で調整したＦＡＰのシクロヘキサノン１５％溶液に、数平均分子量３０００のポリ（ε−カプロラクトン）をＦＡＰに対して２５質量％添加し、溶解させた後、ＰＴＦＥ製フィルター（ポア径０．２μｍ）でろ過して均一透明な溶液（以下、溶液１４という。）を調整した。溶液１４を４インチシリコンウェハ上にスピンコート、続いてベークを行って塗膜を形成した。スピン条件は２５００ｒｐｍ×３０秒とし、例２０と同様にプリベーク、ファイナルベークした。得られた塗膜の断面をＳＥＭ観察した結果、ナノメートルオーダーの微小な空孔の存在が確認された。塗膜の比誘電率は１．８であった。また、ゴバン目テープ剥離テストによる剥離や膜の破壊は見られなかった。
［例２２］層間絶縁膜としての評価
溶液１０、溶液１０−１、溶液１４及び例１８で調整製したシクロヘキサノン１５％溶液（以下、溶液１８という。）より、以下の方法でシリコンウェハ／ｐ−ＳｉＯ（３００ｎｍ）／ＦＡＰ塗膜（５００ｎｍ）／ｐ−ＳｉＮ（５０ｎｍ）／ｐ−ＳｉＯ（５００ｎｍ）の積層膜を作成した。
ｐ−ＳｉＯ膜（膜厚３００ｎｍ）を形成した４インチシリコンウェハ上に溶液をスピンコートして膜厚５００ｎｍのＦＡＰ塗膜を例２０と同様にして形成した。ついで、モノシラン、アンモニア及び窒素混合ガスによりシリコン窒化膜を５０ｎｍ形成し、その後モノシランと二窒化酸素混合ガスにより５００ｎｍ厚のシリコン酸化膜を形成した。
得られた積層体を水素雰囲気下４２５℃で６０分ベークを行い、熱ストレスによるクラック耐性を金属顕微鏡にて調べた。結果を以下に示す。
溶液１０より形成された積層体は、クラックの発生及びその他の欠陥はなかった。
溶液１０−１より形成された積層体は、クラックの発生及びその他の欠陥はなかった。
溶液１４より形成された積層体は、クラックの発生及びその他の欠陥はなかった。
溶液１８より形成された積層体は、１μｍ程度の幅のクラックが全面に発生し、かつ一部にＦＡＰ／ｐ−ＳｉＮ間の剥離が見られた。
本実施例より本発明のＦＡＰは、公知のＦＡＰよりも無機膜の積層が容易であり、層間絶縁膜としての適合性に優れることが判明した。
＜産業上の利用可能性＞
本発明のＦＡＰは耐熱性に優れ、特にガラス転移温度Ｔｇが高く、比誘電率が低い。該ＦＡＰは、電子デバイス用絶縁膜及び多層配線板用絶縁膜としての適用性に優れる。また、該絶縁膜は、比誘電率が低く、素子の信号伝搬遅延時間の低減等の高性能化を達成でき、かつ高温域における優れた機械物性による高信頼性化を図れる。