(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の間隔をあけて対向配置された第１基板と第２基板との間に液晶層が設けられ、前記第１基板の液晶層側には該液晶層側の表面が平坦な平坦化膜が設けられたものからなり、画素がマトリクス状に形成されているとともに、隣合う画素の間が遮光領域とされた液晶パネルにおいて、
前記液晶層側のほぼ全面に対向電極を設けた前記第２基板には複数のマイクロレンズが設けられており、
前記平坦化膜の表面には、前記遮光領域の位置で且つ前記マイクロレンズ間に対応する位置に、前記第２基板の液晶層側の最表面に当接して第１基板と第２基板との間に所定の間隔を形成する突起部が、当該平坦化膜と同じ材料で形成されてなると共に、各画素の領域に、前記突起部を覆うことなく画素電極が形成されている
ことを特徴とする液晶パネル。
【請求項２】
前記突起部は、これを平面視したときの面積が前記遮光領域のほぼ半分以下となるように形成されている
ことを特徴とする請求項１記載の液晶パネル。
【請求項３】
前記第２基板の液晶層側には、カラーフィルターが設けられている
ことを特徴とする請求項１記載の液晶パネル。
【請求項４】
前記画素がマトリクス状に形成されてなる有効画素部を避けた位置の前記平坦化膜の表面には、前記突起部と同様に構成された他の突起部と、前記他の突起部を覆うように形成された導電膜とからなって、前記第１基板が前記第２基板との間でコモン電位を取るコモン電極部が形成されている
ことを特徴とする請求項１記載の液晶パネル。
【請求項５】
前記平坦化膜および突起部は、有機材料で形成されてなる
ことを特徴とする請求項１記載の液晶パネル。
【請求項６】
前記有機材料は、感光性または非感光性のアクリル樹脂もしくはこのアクリル樹脂を主成分とする材料からなる
ことを特徴とする請求項５記載の液晶パネル。
【請求項７】
第１基板と第２基板とを所定の間隔をあけて対向配置してこの第１基板と第２基板との間に液晶層を設けてなり、画素をマトリクス状に形成しかつ隣合う画素の間を遮光領域とした液晶パネルを製造する方法であって、
絶縁基板の一面側に、表面が平坦な平坦化膜を形成するとともに、該平坦化膜と同じ材料を用いて平坦化膜の表面でかつ遮光領域の位置に突起部を形成して前記第１基板を得る工程と、
前記突起部を前記液晶層側となる一主面側に対向電極を備えた前記第２基板に設けられたマイクロレンズ間に対応する位置の最表面に当接させて前記第１基板と前記第２基板とを対向した状態に貼り合わせる工程とを有し、
前記平坦化膜および突起部の形成工程の後でかつ前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる工程の前に、前記平坦化膜の表面でかつ各画素を形成する領域に、前記突起部を避けた状態に画素電極を形成する工程を行う
ことを特徴とする液晶パネルの製造方法。
【請求項８】
前記第２基板には、その液晶層側となる面側に、カラーフィルターが設けられたものを用いる
ことを特徴とする請求項７記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項９】
前記平坦化膜および突起部の形成工程の際には、前記画素がマトリクス状に形成されてなる有効画素部を避けた位置の前記平坦化膜の表面に、前記突起部と同様に構成される他の突起部を形成し、
前記画素電極を形成する工程の際には、該画素電極用の導電膜の形成とともに該導電膜で前記他の突起部を覆い、これにより前記他の突起部と該他の突起部を覆う導電膜とからなって前記第１基板が前記第２基板との間でコモン電位を取るためのコモン電極部を形成する
ことを特徴とする請求項７記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項１０】
前記平坦化膜および突起部の形成工程の際には、有機材料を用いる
ことを特徴とする請求項７記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項１１】
前記有機材料には、感光性または非感光性のアクリル樹脂もしくはこのアクリル樹脂を主成分とする材料を用いる
ことを特徴とする請求項１０記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項１２】
所定の間隔をあけて対向配置された第１基板と第２基板との間に液晶層が設けられ、前記第１基板の液晶層側には該液晶層側の表面が平坦な平坦化膜が設けられたものからなり、画素がマトリクス状に形成されているとともに、隣合う画素の間が遮光領域とされ、且つ前記液晶層側のほぼ全面に対向電極を設けた前記第２基板には複数のマイクロレンズが設けられたもので、
前記平坦化膜の表面には、前記遮光領域の位置でかつ前記各マイクロレンズ間に対応する位置に、前記第２基板の液晶層側の最表面に当接して第１基板と第２基板との間に所定の間隔を形成する突起部が、当該平坦化膜と同じ材料で形成された液晶パネルを備え、
前記液晶パネルには、前記平坦化膜の表面でかつ各画素の領域に、前記突起部を覆うことなく画素電極が形成されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１３】
前記液晶パネルの突起部は、これを平面視したときの面積が前記遮光領域のほぼ半分以下となるように形成されている
ことを特徴とする請求項１２記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記液晶パネルにおける前記第２基板の液晶層側には、カラーフィルターが設けられている
ことを特徴とする請求項１２記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記液晶パネルには、前記画素がマトリクス状に形成されてなる有効画素部を避けた位置の前記平坦化膜の表面に、前記突起部と同様に構成された他の突起部と、前記画素電極と同じ材料で前記他の突起部を覆うように形成された導電膜とからなって、前記第１基板が前記第２基板との間でコモン電位を取るコモン電極部が形成されている
ことを特徴とする請求項１２記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記液晶パネルの前記平坦化膜および前記突起部は、有機材料からなる
ことを特徴とする請求項１２記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
前記有機材料は、感光性または非感光性のアクリル樹脂もしくはこのアクリル樹脂を主成分とする材料からなる
ことを特徴とする請求項１６記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、透過型や反射型の液晶表示装置および強誘電体液晶表示装置等に適用される液晶パネル、液晶パネルの製造方法および液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の液晶表示装置に備えられる液晶パネルには、一対のガラス等からなる基板が所定の間隔（ギャップ）をあけて対向配置され、これら基板間に液晶層が設けられて、多数の画素がマトリックス状に設けられた構造のものが知られている。一対の基板の一方には、その液晶層側に例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等のスイッチング素子および画素電極が画素毎に形成されており、他方にはその液晶層側に、上記画素電極に対向して対向電極が形成されている。また他方の基板にはその他、カラーフィルターやマイクロレンズ等が設けられている場合もある。
【０００３】
このような液晶パネルでは、応答速度やコントラスト、視野角等の特性が、液晶層の厚みとなる上記ギャップの寸法と密接な関係があるため、ギャップを所要の寸法に厳密に制御することが高い表示品質を得るうえで重要となっている。またギャップ寸法が不均一であると、表示ムラ等が生じて視認性の低下を招く。そこで従来では、一対の基板間に棒状や球状のガラスやプラスチック等からなるスペーサを分散してギャップ寸法の調整を行っている。このスペーサの分散方法としては、例えば一対の基板のいずれかに対して、基板全面にランダムに塗布する方法が採用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のスペーサを用いたギャップ調整は、スイッチング素子を構成する半導体層にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）や低温条件で成膜されるポリシリコン（Poly−Ｓｉ）が用いられて画素サイズが大きい液晶パネルにおいて有効であっても、スイッチング素子の半導体層に高温条件で成膜されるPoly−Ｓｉが用いられて画素サイズが小さい（例えば、２０μｍ×２０μｍ程度以下のピッチ等）液晶パネルでは、輝点等を発生させる等、表示品質を低下させてしまう。
【０００５】
これは、スペーサが基板全面にランダムに塗布され、したがってマトリクス状の多数の画素で構成された有効画素部にも配置されるため、画素サイズが小さい液晶パネルでは、スペーサによる液晶分子の配向秩序の乱れが表示品質に大きな影響を与えることによる。
【０００６】
しかも従来では、スペーサの密度を調整して塗布できないため、いずれの半導体層を用いた液晶パネルにおいても、ギャップ寸法が不均一となり易く、表示品質の低下を招き易いといった難点も生じている。
【０００７】
またスペーサを用いてギャップ調整を行う場合には、基板にスペーサを塗布する工程とともに、コモン電極部用の導電ペーストを塗布する工程が必要となる。このコモン電極部とは、スイッチング素子側と対向電極との間でコモン電位を取るべく有効画素部を避けた液晶パネルの周縁部に設けるものである。よって、このような独自の工程およびそれぞれの工程に用いる装置が必要であるため、製造工程が煩雑となって生産性が悪く、製造コストが高くついてしまう。
【０００８】
さらに、複屈折率を利用した反射型の液晶表示装置において、強誘電性液晶を用いた液晶パネルを備えたものでは、強誘電性液晶が層構造を有しているもののため、配向不良を生じさせることなくスペーサの塗布によるギャップ調整を行うことが困難である。また、強誘電性液晶を用いた液晶パネルでは、極めて精度の高いギャップ寸法の調整が要求されており、スペーサを用いてもこの要求を満足する高精度なギャップ調整が難しいのが現状となっている。
【０００９】
また、マイクロレンズ等が設けられた液晶パネルの製造において、マイクロレンズ等が例えばガラスからなる一対の基板と熱膨張係数が異なる種類の材料で形成されている場合には、液晶パネルの製造時に加わる熱による歪みが生じる等し、これが原因となってギャップ寸法を高精度に設定することが難しいという不具合が生じている。
【００１０】
以上のことから、透過型や反射型等、どのような種類のものでも、ギャップ寸法が高精度かつ均一に調整された表示品質の良好な液晶パネルを低コストで生産性良く製造可能な技術の開発が切望されている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
そこで、上記課題を解決するために本発明に係る液晶パネルは、所定の間隔をあけて対向配置された第１基板と第２基板との間に液晶層が設けられ、第１基板の液晶層側にはこの液晶層側の表面が平坦な平坦化膜が設けられたものからなり、画素がマトリクス状に形成されているとともに、隣合う画素の間が遮光領域とされたものにおいて、上記平坦化膜の表面でかつ遮光領域の位置に、第２基板の液晶層側の最表面に当接して第１基板と第２基板との間に所定の間隔を形成する突起部が、平坦化膜と同じ材料で形成された構成となっている。
【００１２】
また本発明に係る液晶パネルの製造方法は、上記発明の液晶パネルを製造する方法であって、絶縁基板の一面側に表面が平坦な平坦化膜を形成するとともに、平坦化膜と同じ材料を用いて平坦化膜の表面でかつ遮光領域の位置に突起部を形成して上記第１基板を得、次いで突起部を上記第２基板の最表面に当接して第１基板と第２基板とを対向した状態に貼り合わせるようになっている。
【００１３】
さらに本発明に係る液晶表示装置は、本発明の液晶パネルを備えて構成されたものとなっている。
【００１４】
本発明の液晶パネルでは、平坦化膜の表面でかつ遮光領域の位置に、第２基板の液晶層側の最表面に当接して第１基板と第２基板との間に所定の間隔を形成する突起部が形成されているため、各画素の領域にて突起部による液晶分子の配向秩序の乱れが生じない。よって画素サイズが小さいものであっても、表示品質の低下が起きない。
【００１５】
また突起部は、平坦化膜の表面に平坦化膜と同じ材料で形成されていることから、平坦化膜の形成に兼ねて突起部を形成することが可能となる。よって、従来行っていたギャップ調整のためのスペーサの塗布工程が不要となるため、その分だけ製造工程数が削減される。また上記突起部と同様に構成された他の突起部をコモン電極部として、多数の画素からなる有効画素部を避けた位置の平坦化膜の表面に設ける構造とする場合にも、コモン電極部の構成要素となる他の突起部を平坦化膜の形成に兼ねて形成可能である。しかも、平坦化膜の表面に形成する画素電極の形成に兼ねて他の突起部にも画素電極用の導電膜を形成すれば、新たにコモン電極部用の導電ペーストを塗布する工程を行う必要もなくなる。この結果、更なる製造工程数の削減が図れる。
【００１６】
さらに突起部は、平坦化膜と同様の材料にて形成されているものであるため、高精度に微細加工可能な半導体装置製造プロセスを用いて、所要の高さおよび所要の形状に高精度に形成可能であるとともに所要の密度で形成可能なものである。よって、本発明の液晶パネルでは、スペーサを用いた場合に比較してより高精度にギャップ寸法が調整され、かつギャップ寸法の均一性が向上する。
【００１７】
また平坦化膜および突起部が有機材料で形成されていれば、例えば第２基板がガラスからなり、第２基板にガラスとは熱膨張係数の大きく異なる有機材料からなるマイクロレンズ等が設けられていた場合、液晶パネルの製造工程により加わる熱に起因して発生する第１基板側と第２基板側との歪み等差を小さく抑えられる。よって、ギャップ寸法の高精度な調整を容易に行える。
【００１８】
本発明の液晶パネルの製造方法では、第１基板の液晶層側に表面が平坦な平坦化膜を形成するとともに、平坦化膜と同じ材料を用いて平坦化膜の表面でかつ遮光領域の位置に突起部を形成するため、従来行っていたギャップ調整のためのスペーサの塗布工程が不要であり、従来に比較して少ない工程数で液晶パネルが製造される。また上記突起部と同様に構成される他の突起部をコモン電極部として、多数の画素からなる有効画素部を避けた位置の平坦化膜の表面に設ける工程も、平坦化膜の形成に兼ねて行える。しかも、次工程にて平坦化膜の表面に画素電極を形成する場合、この工程に兼ねて他の突起部にも画素電極用の導電膜を形成することが可能となり、新たにコモン電極部用の導電ペーストを塗布する工程を行う必要もない。結果として工程数が大幅に削減して液晶パネルの製造が行える。
【００１９】
また突起部は、平坦化膜と同様の材料で形成するため、高精度に微細加工可能な半導体装置製造プロセスを用いて、所要の高さおよび所要の形状に高精度に形成可能であるとともに所要の密度に形成可能となる。さらに、突起部を遮光領域の位置に形成するため、その後の工程にて、突起部を第２基板の最表面に当接して第１基板と第２基板とを対向した状態に貼り合わせ第１基板と第２基板との間に液晶層を形成する際、各画素の領域にて突起部による液晶分子の配向秩序の乱れを生じさせることもない。したがって、ギャップ寸法が高精度にかつ均一に調整された上記発明の液晶パネルが実現される。
【００２０】
さらに平坦化膜および突起部を有機材料で形成すれば、例えば第１基板や第２基板がガラス基板からなり、第２基板に有機材料からなるマイクロレンズ等が設けられていても、液晶パネルの製造時に加わる熱に起因して発生する第１基板側と第２基板側との歪み等差を小さく抑えられる。よって、ギャップ寸法の高精度な調整を容易に行える。
【００２１】
さらに本発明の液晶表示装置では、上記発明の液晶パネルを備えていることから、この発明の液晶パネルと同様の作用が得られる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１は本発明の液晶表示装置に備えられた液晶パネルの一実施形態を示す要部断面図であり、例えば透過型の液晶表示装置の液晶パネルの例を示したものである。また図２は実施形態に係る液晶パネルを構成する第１基板側を示した平面図である。
【００２３】
本実施形態に係る透過型の液晶表示装置は、図１に示す液晶パネル１と、駆動用（ＬＳＩ）ドライバー（図示略）と、液晶パネル１の光が入射する側（前面側）と反対の側（背面側）に設けられた照明（バックライト）等を備えて構成され、背面側から液晶パネル１に入射した光を出射して表示するものである。
【００２４】
液晶パネル１は、図１に示すように所定の間隔をあけて対向配置された一対の基板である第１基板２および第２基板３と、これら第１基板２と第２基板３との間に設けられた液晶層４とを備えて構成されている。この液晶パネル１では、多数の画素がマトリクス状に設けられて有効画素部が形成されており、有効画素部にて隣合う画素の間が遮光領域とされている。
【００２５】
すなわち、第１基板２においては、例えばガラス等の透光性を有する絶縁基板５の液晶層４側に、複数のゲート配線１０がそれぞれ間隔をあけて略平行に配置され、また複数の信号配線１１がゲート配線１０とは略直交する方向に間隔をあけて配置されている。また、ゲート配線１０と信号配線１１とにより囲まれた矩形の各領域内には、ゲート配線１０と信号配線１１とが交差する付近に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等からなる液晶駆動用のスイッチング素子６が形成されているとともに、矩形の各領域をほぼ覆うように画素電極１９が設けられている。
【００２６】
このように第１基板２では、有効画素部において多数の画素電極１９が各々独立してマトリクス状に配列され、各画素電極１９の配置部分が概ね画素の領域となっている。
【００２７】
スイッチング素子６は、第１基板２の液晶層４側の面に形成された島状の半導体層７と、半導体層７上にゲート絶縁膜８を介して形成されたゲート電極９と、ソース電極１３と、ドレイン電極１４とを有して構成される。半導体層７は、トランジスタのソース，ドレインを構成するもので、例えばａ−ＳｉやPoly−Ｓｉからなっている。またゲート電極９は、絶縁基板５の液晶層４側の面に形成されたゲート配線１０に接続する状態で形成されている。
【００２８】
なお、第１基板２の内面には、半導体層７，ゲート絶縁膜８，ゲート電極９およびゲート配線１０を覆う状態で例えば無機材料からなる第１層間絶縁膜１２が形成されている。そして、ソース電極１３，ドレイン電極１４はそれぞれ、第１層間絶縁膜１２に形成されたコンタクト部（図示略）を介して半導体層７のソース，ドレインに接続された状態で第１層間絶縁膜１２上に設けられている。また上記の信号配線１１も第１層間絶縁膜１２上に形成されており、ソース電極１３はこの信号配線１１と接続した状態に形成されている。
【００２９】
これら信号配線１１，ソース電極１３，ドレイン電極１４や上記したゲート電極９、ゲート配線１０は、第２基板３の液晶層４と反対側、つまり液晶パネル１の背面側に配置されている照明から第２基板３に入射する光を遮光する例えばアルミニウム（Ａｌ）の材料で形成されたものとなっている。本実施形態においてこれらゲート配線１０や信号配線１１等は、後述のブラックマトリクス１６に覆われる状態となるが、ブラックマトリクス１６が設けられない場合には、隣合う画素間（画素電極１９間）を遮光する遮光領域を構成するものとなる。
【００３０】
第１層間絶縁膜１２上には、無機材料あるいは有機材料からなる第２層間絶縁膜１５が、信号配線１１，ソース電極１３およびドレイン電極１４を覆う状態で形成されており、第２層間絶縁膜１５上にはスイッチング素子６への光の入射を遮断するためおよび蓄積容量を構成するためのブラックマトリクス１６が設けられている。ブラックマトリクス１６は、例えばチタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ），モニブデン（Ｍｏ）等の遮光材料で形成されており、各ゲート配線１０に沿ってスイッチング素子６，ゲート配線１０等を覆う状態に設けられている。
【００３１】
したがって、信号配線１１およびブラックマトリクス１６により、隣合う画素の間（画素電極１９間）を遮光する遮光領域が構成されている。またブラックマトリクス１５は、第２層間絶縁膜１５に形成されたコンタクトホール（図示略）を介してドレイン電極１４に接続されている。
【００３２】
第２層間絶縁膜１５上には、ブラックマトリクス１６を覆うようにして、液晶層４側の表面が平坦な絶縁性の平坦化膜１７が形成されており、平坦化膜１７の液晶層４側の表面には、有効画素部における遮光領域の位置に柱状の突起部１８が形成されている。本実施形態では、平坦化膜１７の表面でかつブラックマトリクス１６の位置に突起部１８が形成された状態となっている。また平坦化膜１７には、ブラックマトリクス１６に達するコンタクトホール１７ａが形成されている。
【００３３】
突起部１８は、第２基板３の液晶層４側の最表面に当接して第１基板２と第２基板３との間に所定寸法の間隔（ギャップ）を形成するためのものである。したがって、第１基板２と第２基板３との間に所定寸法のギャップを形成でき、かつそのギャップ寸法を維持できる強度を有する形状、寸法に形成されている。換言すると、形状については、このような条件を満たしていれば、平面視した状態で略正方形や略長方形をなす角柱や、平面視した状態で略円形をなす円柱等の様々な形状を採用することができる。
【００３４】
また突起部１８の寸法については、高さが第１基板２と第２基板３との間に形成するギャップの寸法に等しい寸法であり、かつ縦横（または径）がそのギャップ寸法を維持できる強度を保てる寸法であるとともに、平面視した状態における面積が、突起部１８を設けた遮光領域（ブラックマトリクス１６）の面積のほぼ半分以下となるように設定されている。上限値をこのように設定するのは、ドメイン・ディスクリネーションの影響を無くすためである。
【００３５】
突起部１８を平面視したときの面積が、ブラックマトリクス１６の面積のほぼ半分となるのは、例えばスイッチング素子６の半導体層７が高温条件のPolyＳｉで形成され、ブラックマトリクス１６が平面視略長方形をなしてその短辺の寸法Ｌdarkが１０μｍ〜２０μｍ程度であると、突起部１８が平面視略正方形の場合には、その一辺の寸法Ｌs がＬdarkの１／２以下の約７μｍ以下となり、突起部１８が平面視略円形の場合には、その直径の寸法Ｌs が約９μｍ〜１０μｍ以下となる。
【００３６】
また、例えばスイッチング素子６の半導体層７が低温条件のPolyＳｉあるいはａ−Ｓｉで形成され、ブラックマトリクス１６が平面視略長方形をなしてその短辺の寸法Ｌdarkが１５μｍ〜６０μｍ程度であると、突起部１８が平面視略正方形の場合には、その一辺の寸法Ｌs がＬdarkの１／２以下の約２５μｍ以下となり、突起部１８が平面視略円形の場合には、その直径の寸法Ｌs が約３０μｍ以下となる。
【００３７】
上記の突起部１８は、平坦化膜１７と同じ材料で形成されている。平坦化膜１７および突起部１８を構成する材料としては、平坦化膜１７の表面を容易に平坦に形成可能であるとともに、その表面に突起部１８を容易にかつ一体的に形成可能な材料、例えば有機材料が採用される。この有機材料の一例としては、感光性または非感光性のアクリル樹脂もしくはこのアクリル樹脂を主成分とする材料が挙げられる。本実施形態では、そのような有機材料にネガティブ型の感光性のアクリル樹脂を用いて平坦化膜１７および突起部１８が構成されている。
【００３８】
また、有効画素部を避けたパネル周縁部位置の平坦化膜１７の表面には、上記突起部１８と同様に構成された他の突起部（図示略）が形成されている。この他の突起部は、第１基板２のスイッチング素子６が第２基板３の後述する対向電極との間でコモン電位をとるためのコモン電極部の構成要素となるものとなる。
【００３９】
このような突起部１８および他の突起部が形成された平坦化膜１７の表面には、各画素の画素電極１９が、コンタクトホール１７ａの内面を覆う一方、突起部１８を覆うことなく形成されている。また有効画素部を避けたパネル周縁部において平坦化膜１７の表面には、他の突起部の上面および側面を覆う状態で画素電極１９と同様の材料からなる導電膜が形成され、他の突起部とこの導電膜とから上述のコモン電極部が構成されている。画素電極１９およびコモン電極部の導電膜は、ＩＴＯ膜からなる透明導電膜で形成されている。さらに、平坦化膜１７の表面には、コモン電極部を除いて画素電極１９等を覆う状態に配向膜（図示略）が設けられている。
【００４０】
一方、第２基板３では、例えばガラス等の透光性を有する絶縁基板２０の液晶層４側に、絶縁基板２０のほぼ全面に対向電極２１が形成され、さらに対向電極２１上に配向膜（図示略）が設けられている。対向電極２１は、例えばＩＴＯ膜からなる透明導電膜で形成されている。
【００４１】
そして、液晶パネル１では、第１基板２と第２基板３とが、第１基板２の突起部１８を第２基板３の液晶層４側の最表面である配向膜に当接させた状態で液晶層４を挟んで対向配置されている。
【００４２】
次に、上記のごとく構成される液晶パネル１の製造に基づき、本発明に係る液晶パネルの製造方法の一実施形態を説明する。
図３（ａ）〜（ｄ）および図４（ｅ），（ｆ）は、実施形態の液晶パネル１の製造方法を工程順に示す要部断面図である。
【００４３】
液晶パネル１を製造するにあたっては、まず既知の技術によって、図３（ａ）に示すように、絶縁基板５の液晶層４側となる一面側にスイッチング素子６の半導体層７，ゲート絶縁膜８，ゲート電極９，ゲート配線１０（図２参照）を形成し、これらを覆う状態で絶縁基板５の一面側に第１層間絶縁膜１２を形成する。続いて、第１層間絶縁膜１２上にソース電極１３，ドレイン電極１４，信号配線１１（図２参照）を形成する。このことにより、有効画素部の各画素の領域にスイッチング素子６が設けられる。
【００４４】
さらに図３（ｂ）に示すように、第１層間絶縁膜１２上にソース電極１３，ドレイン電極１４，信号配線１１を覆う状態で第２層間絶縁膜１５を形成し、第２層間絶縁膜１５上に例えばスパッタリング，フォトリソグラフィ，エッチングの技術によりブラックマトリクス１６を形成する。
【００４５】
次いで、図３（ｃ）および（ｄ）に示すように、平坦化膜１７および突起部１８を形成する工程を行う。本実施形態では、例えば平坦化膜１７および突起部１８の材料にネガティブ型の感光性を有するアクリル樹脂を用い、スピンコート技術によって、ブラックマトリクス１６を覆うようにして第２層間絶縁膜１５上に表面が平坦となる膜厚、例えば５μｍ程度の膜みの樹脂材料膜２２を形成する。
【００４６】
続いて、図３（ｄ）に示すように、平坦化膜１７のコンタクトホール１７ａを形成する箇所に遮光パターン３１を有するとともに、突起部１８を形成するブラックマトリクス１６の直上位置に開口パターン３２を有し、その他の平坦な面を形成する箇所がハーフトーンのパターン３３からなるマスク３０を用い、フォトリソグラフィによって、樹脂材料膜２２からなる平坦化膜１７と、ブラックマトリクス１６に達するコンタクトホール１７ａと、樹脂材料膜２２からなる突起部１８とを同時に形成する。
【００４７】
本実施形態のフォトリソグラフィでは、例えば紫外線による多重露光を行った後、現像、ポストベークを経て平坦化膜１７，コンタクトホール１７ａおよび突起部１８を得る。その際、ギャップ寸法となる突起部１８の高さを、例えば３μｍ〜４μｍ程度に形成する。
【００４８】
なお、平坦化膜１７および突起部１８の形成は、これらの材料に非感光性のアクリル樹脂を用い、エッチングの技術によって行ってもよい。その場合には、例えば、上記と同様に樹脂材料膜２２を形成した後、樹脂材料膜２２上にレジストパターンを形成する。そして、レジストパターンをマスクとしたドライエッチングを行うことにより、平坦化膜１７，コンタクトホール１７ａおよび突起部１８を形成可能である。このドライエッチングで用いるエッチングガスとしては、例えばテトラフロロメタン（ＣＦ4 ）および酸素（Ｏ2 ）の混合ガスが挙げられる。
【００４９】
次に、図４（ｅ）に示すように、例えばスパッタリング技術によって、コンタクトホール１７ａの内面と、コモン電極部を構成する他の突起部の上面および側面を覆う一方、突起部１８を覆うことなくＩＴＯ膜を形成する。そして、フォトフォトリソグラフィおよびエッチングの技術によってＩＴＯ膜をパターニングして画素電極１９を形成する。さらに、平坦化膜１７の表面に、コモン電極部を除いて画素電極１９等を覆う状態に配向膜（図示略）を形成する。以上の工程によって、画素電極１９がマトリクス状に配置された第１基板２が作製される。
【００５０】
その後は、図４（ｆ）に示すように、予め既知の技術によって、絶縁基板２０の液晶層４側となる一面側に対向電極２１と、配向膜（図示略）とが設けられて作製された第２基板３を用意し、この第２基板３と上記のごとく作製された第１基板２とを、第１基板２の突起部１８を第２基板３の液晶層４側の最表面である配向膜に当接させた状態で対向配置し、液晶の注入口をあけて第１基板２および第２基板３の周縁部を貼り合わせる。そして、突起部１８により形成されたギャップに、注入口から液晶を注入して液晶層４を形成し、注入口を封止することにより液晶パネル１が製造される。
【００５１】
このように上記の実施形態の製造方法では、第１基板２の液晶層４側に平坦化膜１７を形成するとともに、平坦化膜１７と同じ材料を用いて突起部１８を形成するので、従来行っていたギャップ調整のためのスペーサの塗布工程が不要である。また、突起部１８と同様に構成されてコモン電極部となる他の突起部も、平坦化膜１７および突起部１８の形成に兼ねて行うことができる。しかも、平坦化膜１７の表面への画素電極１９の形成に兼ねて、他の突起部１９を覆う導電膜を形成できるため、コモン電極部用の導電ペーストを塗布する工程を行う必要もない。したがって、従来に比較して製造工程数を大幅に削減でき、低コストで液晶パネル１を製造することができる。
【００５２】
また実施形態の製造方法では、突起部１８の材料に平坦化膜１７と同様の材料を用いることから、高精度に微細加工可能な半導体装置製造プロセスを用いて、突起部１８を所要の高さおよび所要の形状に高精度に形成可能できる。また所要の密度に形成することができる。さらに、平坦性に優れた平坦膜１７も形成可能である。
【００５３】
さらに、突起部１８を平坦化膜１７の表面にてブラックマトリクス１６の直上に形成するので、その後の工程にて、突起部１８を第２基板３の最表面に当接して第１基板２と第２基板３とを対向した状態に貼り合わせ、これらのギャップに液晶層４を形成する際、各画素の領域にて突起部１８による液晶分子の配向秩序の乱れが生じることもない。よって、液晶層４における液晶分子の配向性の向上を図ることができる。
【００５４】
またブラックマトリクス１６の直上位置に突起部１８を形成するため、画素サイズを小さく形成する場合にも、表示品質の低下を回避することができる。よって、いかなる画素サイズであっても、ギャップ寸法が高精度にかつ均一に調整されて表示品質の高い液晶パネル１を製造できる。
【００５５】
また上記実施形態の液晶パネル１では、平坦化膜１７の表面でかつブラックマトリクス１６の直上位置に、第２基板３の液晶層４側の最表面に当接して第１基板２と第２基板３との間に所定のギャップを形成する突起部１９が設けられているので、各画素の領域にて突起部１８による液晶分子の配向秩序の乱れが生じることなく、画素サイズが小さくても突起部１８による表示品質の低下が抑えられたものとなる。
【００５６】
また液晶パネル１では、突起部１８およびコモン電極部を構成する他の突起部が、平坦化膜１７の表面に平坦化膜１７と同じ材料で形成されていることから、上記実施形態の製造方法のように平坦化膜１７の形成に兼ねて突起部１８および他の突起部を形成することができる。また画素電極１９と同じ材料によりコモン電極部の導電部が形成されているので、画素電極１９の形成に兼ねてこの導電部の形成も行うことができる。したがって、従来に比較して生産性を向上でき、低コストで製造できるものとなる。
【００５７】
さらに突起部１８は、平坦化膜１７と同様の材料にて形成されて、上記実施形態の製造方法のように、高精度に微細加工可能な半導体装置製造プロセスを用いて、所要の高さおよび所要の形状に高精度に形成可能であるとともに所要の密度で形成可能なものである。よって、スペーサを用いた場合に比較してより高精度にギャップ寸法が調整され、かつギャップ寸法の均一性が向上した高表示品質でかつ低コストで製造される液晶パネル１を実現できる。
【００５８】
また本実施形態の透過型の液晶表示装置によれば、このような液晶パネル１を備えていることにより、表示品質の向上とともに製造コストの低減を図ることができる。
【００５９】
なお、上記実施形態では、透過型の液晶表示装置に備えられる液晶パネルについて述べたが、本発明はこの例に限定されない。例えば反射型の液晶表示装置や強誘電性液晶を用いた液晶表示装置にも本発明を適用可能であるのもちろんである。このうち例えば反射型の液晶表示装置は、バックライト方式の照明を用いず、外光のみを利用するものであり、例えば上記実施形態の画素電極が反射板を兼ねて例えばＡｌ等で形成され、第２基板の液晶層と反対の側から入射した光を画素電極により反射させて表示するものである。
【００６０】
よって、ブラックマトリクスが不要となることから、反射型の液晶表示装置に本発明を適用する場合には、平坦化膜１７の表面でかつ有効画素部にてブラックマトリクス以外の遮光領域、例えば図５に示すように平坦化膜１７の表面でかつＡｌ等の遮光材料からなるゲート配線１０と信号配線１１とが交差する位置等に突起部１８が形成されることになる。そして、突起部１８を避けた状態に反射板を兼ねた画素電極２３が形成される。
【００６１】
また上記実施形態では、第２基板３の液晶層４側に対向電極２１および配向膜が設けられている例を述べたが、その他に、カラーフィルターおよびマイクロレンズのうちの少なくとも一方が設けられた構成としてもよい。例えば図６（ａ），（ｂ）に示すごとく第２基板３の絶縁膜２０の液晶層４側に、平面視略四角形状のマイクロレンズ２４が各画素の領域毎に設けられている場合には、マイクロレンズ２４のコーナー位置となるブラックマトリクス１６と信号配線１１との交差する位置に突起部１８（図６（ｂ）にてハッチングで示す）を設けることができる。
【００６２】
また図７に示すように、第２基板３の絶縁膜２０の液晶層４側に、平面視略六角形状のマイクロレンズ２４が各画素の領域毎に設けられている場合には、マイクロレンズ２４の頂点位置でかつブラックマトリクス１６の直上に突起部１８（図７にてハッチングで示す）を設けることができる。
【００６３】
このような位置に突起部１８が設けれた構成では、マイクロレンズ２４による集光機能が突起部１８により妨げられないため、集光率が向上し、しかも突起部１８によりギャップ寸法が高精度にかつ均一に調整された液晶パネル１を得ることができる。
【００６４】
また、第２基板３に上記したマイクロレンズ２４やカラーフィルターが設けられた液晶パネル１では、通常、第１基板２の絶縁基板５や第２基板３の絶縁基板２０と熱膨張係数の異なる種類の例えば有機材料でマイクロレンズ２４やカラーフィルターが形成されることが多い。しかしながら、平坦化膜１７および突起部１８等を有機材料で形成すれば、液晶パネル１の製造時に加わる熱に起因して発生する第１基板２側と第２基板３側との歪み等差を小さく抑えることができる。
【００６５】
したがって、ギャップ寸法の高精度な調整を容易に行うことができるので、本発明は、第１基板や第２基板の絶縁基板と異種材料からなるマイクロレンズやカラーフィルター等を備えた第２基板を有する液晶パネルに特に有効となる。
【００６６】
さらに上記実施形態では、平面視略四角形状の柱状の突起部を設けた例を述べたが、例えば強誘電性液晶を用いて大型の液晶パネルを構成した液晶表示装置のようなものの場合には、図８に示すように平坦化膜１７の表面にてブラックマトリクス１６の直上位置に細長いライン状の突起部１８を、例えば隣合う信号配線１１に亘って設けてもよい。なお、図８では画素電極の図示を省略してある。
【００６７】
突起部１８がこのような形状に設けられていることにより、第１基板２と第２基板３との間のギャップ寸法が、長期間に亘って所望の寸法に確実に維持される液晶パネル１を実現できるので、このような大型の液晶パネルにも本発明は特に有効である。また、突起部により高精度なギャップ寸法の設定を行える本発明は、非常に厳しいギャップ調整が要求される強誘電性液晶を用いた液晶パネルに特に有効となる。
【００６８】
【発明の効果】
以上説明したように本発明に係る液晶パネルによれば、平坦化膜の表面でかつ遮光領域の位置に、第２基板の液晶層側の最表面に当接して第１基板と第２基板との間に所定の間隔を形成する突起部が形成された構成としたので、液晶分子の配向性を向上でき、画素サイズが小さくても表示品質の向上を図れる。また突起部が平坦化膜の表面にこの平坦化膜と同じ材料で形成されていることにより、平坦化膜の形成に兼ねてスペーサとしての突起部が形成可能であり、またコモン電極部となる他の突起部も形成可能であるので、大幅な製造工程数の削減を図ることができ、低コストで製造できる。
【００６９】
さらに、突起部が平坦化膜と同様の材料にて形成され、これにより高精度に微細加工可能な半導体装置製造プロセスを用いて所要の形状に高精度にしかも要の密度に形成できるため、高精度にギャップ寸法が調整され、かつギャップ寸法の均一性が向上した液晶パネルが実現することになる。また平坦化膜および突起部が有機材料で形成されていれば、例えば第２基板にガラスとは熱膨張係数の大きく異なる有機材料からなるマイクロレンズ等が設けられていた場合にも、ギャップ寸法の高精度な調整を容易に行うとができる。
【００７０】
また本発明の液晶パネルの製造方法によれば、第１基板の液晶層側に表面が平坦な平坦化膜を形成すると同時に、平坦化膜と同じ材料を用いて平坦化膜の表面でかつ遮光領域の位置に突起部を形成するので、従来に比較して生産性良く、低コストで液晶パネルを製造できる。また突起部を平坦化膜と同様の材料で形成するので、高精度に微細加工可能な半導体装置製造プロセスを用いて、所要の高さ、所要の形状、所要の密度に突起部を形成できるとともに、突起部を遮光領域の位置に形成するため、各画素の領域にて突起部による液晶分子の配向性を向上できる。したがって、ギャップ寸法が高精度にかつ均一に調整された上記発明の液晶パネルを実現できる。
【００７１】
さらに上記発明と同様、平坦化膜および突起部を有機材料で形成すれば、第２基板にガラスとは熱膨張係数の大きく異なる有機材料からなるマイクロレンズ等が設けられていた場合にも、ギャップ寸法の高精度な調整を容易に行える効果も得られる。
【００７２】
また本発明の液晶表示装置によれば、上記発明の液晶パネルを備えていることから、この発明の液晶パネルと同様、透過型や反射型等、どのような種類のものでも、ギャップ寸法が高精度かつ均一に調整された表示品質の良好な液晶パネルを低コストで生産性良く製造できる効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の液晶表示装置に備えられた液晶パネルの一実施形態を示す要部断面図である。
【図２】実施形態に係る液晶パネルを構成する第１基板側を示した平面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明に係る液晶パネルの製造方法の一実施形態を工程順に示す要部断面図（その１）である。
【図４】（ｅ），（ｆ）は、本発明に係る液晶パネルの製造方法の一実施形態を工程順に示す要部断面図（その２）である。
【図５】本発明の液晶表示装置に備えられた液晶パネルの他の実施形態を示す要部平面図である。
【図６】本発明の液晶表示装置に備えられた液晶パネルの第２基板がマイクロレンズを有した場合の突起部形成例を示す図であり、（ａ）は第２基板側の要部断面図、（ｂ）は要部平面図である。
【図７】図６とは異なる形状のマイクロレンズを有した場合の突起部形成例を示す要部平面図である。
【図８】液晶パネルが大型のものの場合の突起部形成例を示す要部平面図である。
【符号の説明】
１…液晶パネル、２…第１基板、３…第２基板、４…液晶層、５，２０…絶縁基板、１０…ゲート配線、１１…信号配線、１６…ブラックマトリクス、１７…平坦化膜、１８…突起部、２３…画素電極、２４…マイクロレンズ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
0004362882.tif 000007
【図７】
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【図８】
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