(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオード又は半導体レーザ素子の半導体素子を製造する方法において、絶縁性又は高抵抗のウエハーの基板の表面上にＮ層、活性層及びＰ層を順次積層する工程と、Ｎ層、活性層及びＰ層の一部をエッチングして前記Ｎ層の表面上の外側端部を露出させる工程と、前記Ｎ層の露出表面上に各素子のオーミック電極を各々形成するとともに前記基板の裏面の全面に裏面側ボンディングパット部を形成する工程と、前記基板を切断することにより複数の素子が形成された短冊状の基板を作成する工程と、前記Ｎ層の露出表面上及び基板裏面上の外側端部が露出するように複数の前記短冊状の基板を板状のスペーサを挟んで交互に重ね合わせる工程と、重ね合わされた状態の前記短冊状の基板及びスペーサに金属蒸着を行うことにより前記各素子のオーミック電極と裏面側ボンディングパット部との間を電気接続するための導電性膜を各々形成する工程と、前記短冊状の基板を切断することにより前記基板から各素子を切り離す工程とを具備することを特徴とする半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、絶縁性又は高抵抗の基板の上に各層が積層されてなる発光ダイオード又は半導体レーザ素子である半導体素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子としての発光ダイオード素子３０００のうち、ＧａＮ系のものは、図１０に示すように、Ａｌ2 Ｏ3 （サファイヤ）やＳｉＣ（シリコンカーバイド）等の絶縁性又は高抵抗の基板３１００の上にＮ層３１１０、活性層３１２０、Ｐ層３１３０、透明電極層３１４０等の各層を積層することによって構成されている。このような発光ダイオード素子３０００では、基板３１００の下面側に電極を形成することはできないので、発光ダイオード素子３０００の表面側に２つの電極３１５１、３１５２を形成するようにしている。すなわち、透明電極層３１４０の上に一方の電極３１５１が、露出されたＮ層３１１０の上に他方の電極３１５２がそれぞれ形成されている。
【０００３】
このように表面側に２つの電極３１５１、３１５２が形成された発光ダイオード素子３０００は、図１１に示すように、リードフレーム３３００Ａ、３３００Ｂに、ダイボンディングされる。図１１（Ａ）に示すタイプであると、電極３１５１、３１５２が形成された表面側をリードフレーム３３００Ａに向けて、すなわち発光ダイオード素子３０００を逆立ちさせて、各電極３１５１、３１５２をバンプ３３３１Ａ、３３３２Ａを介してリードフレーム３３００Ａの第１接続部３３１０Ａ及び第２接続部３３２０Ａに接続する。
【０００４】
また、図１１（Ｂ）に示すタイプであると、発光ダイオード素子３０００を第１接続部３３１０Ｂにダイボンディングし、２つの電極３１５１、３１５２をボンディングワイヤ３３３１Ｂ、３３３２Ｂで第１接続部３３１０Ｂ及び第２接続部３３２０Ｂに接続する。
【０００５】
これは、発光ダイオード素子３０００に限らず半導体レーザ素子４０００の場合でも同様である。半導体レーザ素子４０００は、図１２に示すように、Ａｌ2 Ｏ3 （サファイヤ）やＳｉＣ（シリコンカーバイド）等の絶縁性又は高抵抗の基板４１００の上にＮ層４１１０、活性層４１２０、Ｐ層４１３０、絶縁層４１４０等の各層を積層することによって構成されている。このような半導体レーザ素子４０００では、基板４１００の下面側に電極を形成することはできないので、半導体レーザ素子４０００の表面側に２つの電極４１５０、４１６０を形成するようにしている。すなわち、絶縁層４１４０から溝４１４１を介して露出したＰ層４１３０の上に一方の電極４１５０が、露出されたＮ層４１１０の上に他方の電極４１６０がそれぞれ形成されている。
【０００６】
このように構成された半導体レーザ素子４０００は、チップキャリア４３００にダイボンディングされるが、図１３（Ａ）に示すタイプであると、電極４１５０、４１６０が形成された表面側をチップキャリア４３０に向けて、すなわち半導体レーザ素子４０００を逆立ちさせて、各電極４１５０、４１６０をバンプ４３１０、４３２０を介してチップキャリア４３００のパッドに接続する。
【０００７】
また、図１３（Ｂ）に示すタイプであると、半導体レーザ素子４０００をチップキャリア４３００にダイボンディングし、２つの電極４１５０、４１６０をボンディングワイヤ４３３０、４３４０で各パッドに接続する。
【０００８】
なお、ＧａＡｓ系、ＧａＰ系の低抵抗基板を用いた発光ダイオード素子或いは半導体レーザ素子であれば、基板の下面側に電極を形成することは可能である。
【０００９】
【発明が解決しようとする問題】
しかしながら、上述したような発光ダイオード素子３０００や半導体レーザ素子４０００には以下のような問題点がある。まず、発光ダイオード素子３０００では、表面側に２つの電極３１５１、３１５２が形成されているために、基板の下面側に１つの電極を形成することができる低抵抗基板であるＧａＡｓ系、ＧａＰ系の発光ダイオード素子の評価のための装置や、組立のための装置を使用することができず、専用品が必要となる。また、リードフレーム等の副材料にも専用品が必要となる。
【００１０】
また、半導体レーザ素子４０００を図１３（Ａ）に示すようにダイボンディングするためには、半導体レーザ素子の高い寸法精度、組立時の位置合わせ精度が要求される。このため、前記精度の確保を図るために１枚のウエハに形成できる数を少なくして半導体レーザ素子を大きくすることが必要であった。すなわち、これでは、歩留りの向上は見込めないのである。また、１枚のウエハに形成できる数を優先して半導体レーザ素子を小さくし、図１３（Ｂ）に示すような基板の下面をダイボンディングするようにしていた。しかしこれでは、放熱性に問題があった。
【００１１】
本発明は上記事情に鑑みて創案されたもので、基板に絶縁性又は高抵抗のものを用いたとしても、従来のように組立装置や副材料に専用品を必要とせず、歩留りの向上が可能で、しかも放熱性に優れた半導体素子方法を提供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体素子の製造方法は、発光ダイオード又は半導体レーザ素子の半導体素子を製造する方法において、絶縁性又は高抵抗のウエハーの基板の表面上にＮ層、活性層及びＰ層を順次積層する工程と、Ｎ層、活性層及びＰ層の一部をエッチングして前記Ｎ層の表面上の外側端部を露出させる工程と、前記Ｎ層の露出表面上に各素子のオーミック電極を各々形成するとともに前記基板の裏面の全面に裏面側ボンディングパット部を形成する工程と、前記基板を切断することにより複数の素子が形成された短冊状の基板を作成する工程と、前記Ｎ層の露出表面上及び基板裏面上の外側端部が露出するように複数の前記短冊状の基板を板状のスペーサを挟んで交互に重ね合わせる工程と、重ね合わされた状態の前記短冊状の基板及びスペーサに金属蒸着を行うことにより前記各素子のオーミック電極と裏面側ボンディングパット部との間を電気接続するための導電性膜を各々形成する工程と、前記短冊状の基板を切断することにより前記基板から各素子を切り離す工程とを具備している。
【００１４】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の実施の形態に係る半導体素子である発光ダイオード素子の概略的断面図、図２は本発明の実施の形態に係る半導体素子である発光ダイオード素子の概略的斜視図、図３は本発明の実施の形態に係る半導体素子である発光ダイオード素子の製造方法を示す概略的斜視図、図４は本発明の実施の形態に係る半導体素子である発光ダイオード素子の製造方法を示す概略的斜視図、図５は本発明の実施の形態に係る半導体素子である発光ダイオード素子の製造方法を示す概略的斜視図、図６は本発明の実施の形態に係る半導体素子である発光ダイオード素子をリードフレームにダイボンディングした状態の概略的正面図である。
【００１５】
また、図７は本発明の実施の形態に係る半導体素子である半導体レーザ素子の概略的断面図、図８は本発明の実施の形態に係る半導体素子である半導体レーザ素子をチップキャリアにダイボンディングした状態の概略的正面図、図９は本発明の実施の形態に係る半導体素子であるその他の半導体レーザ素子の概略的断面図である。
【００１６】
本発明の実施の形態に係る半導体素子である発光ダイオード素子１０００は、Ａｌ2 Ｏ3 （サファイヤ）からなる絶縁性の基板１１００の上にＮ層１１１０、活性層１１２０、Ｐ層１１３０、Ｐ側透明電極層１１４０等の各層が積層されて構成されている。そして、前記Ｎ層１１１０の一部が露出されている。従って、このＮ層１１１０は、発光ダイオード素子１０００の表面側に露出したことになる。かかるＮ層１１１０には、発光ダイオード素子１０００（半導体素子）の表面側に露出した電極としてのオーミックコンタクト部１１８０が形成されている。
【００１７】
そして、前記Ｐ側透明電極１１４０の片隅、それも前記オーミックコンタクト部１１８０が形成された側とは反対の側の片隅には、Ｐ側ボンディングパッド部１１５０が形成されている。
【００１８】
また、前記基板１１００は、裏面側に導電性を有する裏面側ボンディングパッド部１１６０（裏側電極部）が全面にわたって形成されている。そして、この裏面側ボンディングパッド部１１６０と、前記オーミックコンタクト部１１８０とは、発光ダイオード素子１０００の側面に形成された導電性膜１１７０によって電気的に接続されている。
【００１９】
このような発光ダイオード素子１０００は、次のような製造工程で製造される。まず、基板１１００の上にＮ型ＧａＮであるＮ層１１１０と、活性層１１２０と、Ｐ型ＧａＮであるＰ層１１３０とをＭＯＶＰＥ等の一般的な結晶成長の手法で積層する。なお、この状態では基板１１００はウエハ状である。
【００２０】
なお、前記Ｎ層１１１０の厚さは数μｍ、活性層１１２０の厚さは数十〜数百ｎｍ、Ｐ層１１３０の厚さは数百ｎｍとなっている。
【００２１】
最も上面のＰ層１１３０、活性層１１２０及びＮ層１１１０の一部をエッチングで除去して、発光部を独立させるとともに、Ｎ層１１１０を露出させる。
【００２２】
次に、Ｐ層１１３０等をエッチングで除去することで露出したＮ層１１１０に表面側に露出した電極としてのオーミックコンタクト部１１８０を形成する。このオーミックコンタクト部１１８０は、Ｔｉ／Ａｌを蒸着することによって形成する。そして、このオーミックコンタクト部１１８０は、図２に示すように、発光ダイオード素子１０００の奥行き寸法より若干小さく形成する。従って、オーミックコンタクト部１１８０は、隣接する発光ダイオード素子１０００のオーミックコンタクト部１１８０とは連ならないように形成される。
【００２３】
なお、前記オーミックコンタクト部１１８０の厚さは、数十〜数百ｎｍとなっている。
【００２４】
次に、前記Ｐ層１１３０のほぼ全面にわたってＰ側透明電極１１４０を積層する。このＰ側透明電極１１４０は、Ｎｉ／Ａｕからなる薄膜であって、オーミックコンタクトが可能なものである。
【００２５】
さらに、前記Ｐ側透明電極１１４０の上にＰ側ボンディングパッド部１１５０を形成する。このＰ側ボンディングパッド部１１５０は、Ｔｉ／Ａｌからなり、後述するボンディングワイヤ１３３０が接続される部分である。なお、このＰ側ボンディングパッド部１１５０の厚さは、数百ｎｍ〜数μｍとなっている。
【００２６】
上述したようにして各層としてのＮ層１１１０、活性層１１２０、Ｐ層１１３０等を積層した基板１１００の裏面を研削、研磨し、厚さを１００μｍ程度にし、裏面側ボンディングパッド部１１６０を形成する。この裏面側ボンディングパッド部１１６０は、研磨、鏡面処理した基板１１００の裏面の全面にＴｉ／Ａｌを蒸着することで形成する。かかる裏面側ボンディングパッド部１１６０は、ボンディングパッドとして機能するのみならず、反射材としても機能する。
【００２７】
次に、基板１１００を切断して、図３に示すような短冊状の基板１１００Ｔとする。この短冊状の基板１１００Ｔには、複数個（図３では５個）の発光ダイオード素子１０００となるべき部分が１列に並んでいる。そして、この短冊状の基板１１００Ｔの長手辺の一方（図３では左側）には、前記オーミックオーミック部１１８０が並んでいる。従って、この短冊状の基板１１００Ｔの長手辺の他方（図３では右側）には、Ｐ側ボンディングパッド部１１５０が並ぶことになる。
【００２８】
このような短冊状の基板１１００Ｔを間にスペーサ１２００を介在させて複数個（図４及び図５では１１個）を重ね合わせる。ここで、前記スペーサ１２００の長さ寸法をＬ1 、幅寸法をＷ1 とし、短冊状の基板１１００Ｔの長さ寸法をＬ2 、幅寸法をＷ2 とした場合、Ｌ1 ＝Ｌ2 、Ｗ1 ＞Ｗ2 の関係が成立する。しかも、短冊状の基板１１００Ｔのエッチングされた部分の幅寸法をｗとした場合、Ｗ1 −ｗ＜Ｗ2 の関係が成立するようになっている。
【００２９】
従って、図４に示すように、短冊状の基板１１００Ｔとスペーサ１２００との短手辺を一致させるとともに、Ｐ側ボンディングパッド部１１５０が形成された側の長手辺を一致させた状態で、短冊状の基板１１００Ｔとスペーサ１２００とを交互に重ね合わせると、オーミックコンタクト部１１８０が形成された部分と、その裏面側の裏面側ボンディングパッド部１１６０は、スペーサ１２００に覆われることなく露出する。
【００３０】
この状態で、短冊状の基板１１００Ｔとスペーサ１２００とが交互に重ね合わされたものの側面に導電性膜１１７０を形成する。この導電性膜１１７０としては、Ｔｉ／Ａｌを蒸着することで形成する。
【００３１】
この導電性膜１１７０は、１つの短冊状の基板１１００Ｔに着目すると、オーミックコンタクト部１１８０と裏面側ボンディングパッド部１１６０とを電気的に接続することになる。換言すると、短冊状の基板１１００Ｔの側面、短冊状の基板１１００Ｔを構成する発光ダイオード素子１０００となるべきもののオーミックコンタクト部１１８０及び裏面側ボンディングパッド部１１６０の３箇所以外は、スペーサ１２００で覆われているため、導電性膜１１７０は前記３箇所以外には付着しないのである。
【００３２】
このようにして導電性膜１１７０が形成された短冊状の基板１１００Ｔをスペーサ１２００とともに、ダイシングラインＤＬ（図３参照）から切断すると、図１や図２に示す個々の発光ダイオード素子１０００が完成する。
【００３３】
このようにして構成された発光ダイオード素子１０００は、次のようにしてリードフレーム１３００にボンディングされる。まず、図６に示すように、第１リードフレーム１３１０の反射部１３１１の底部に発光ダイオード素子１０００をダイボンディングする。これによって、裏面側ボンディングパッド１１６０と導電性膜１１７０とを介してオーミックコンタクト部１１８０が第１リードフレーム１３１０に電気的に接続される。
【００３４】
次に、発光ダイオード素子１０００の表面に形成されているＰ側ボンディングパッド部１１５０と第２リードフレーム１３２０とをボンディングワイヤ１３３０で電気的に接続する。
【００３５】
このようにしてリードフレーム１３００にボンディングされた発光ダイオード素子１０００は、図示しないモールド樹脂等によってパッケージされる。
【００３６】
また、上述した発光ダイオード素子１０００の製造工程において、短冊状の基板１１００Ｔは、複数個の発光ダイオード素子１０００となるべき部分が１列に並んでいるとして説明した。しかしながら、複数個の発光ダイオード素子１０００となるべき部分は、２列に並んでもよい。この場合には、導電性膜１１７０の形成のために、オーミックコンタクト部１１８０が形成される側が外側になるようにすることが大切である。また、この場合には、個々の発光ダイオード素子１０００への切断は、まず発光ダイオード素子１０００が１列に並ぶように切断した後に、個々の発光ダイオード素子１０００となるように切断する必要がある。しかし、このように発光ダイオード素子１０００となるべき部分を２列とした場合には、より多くの発光ダイオード素子１０００に導電性膜１１７０を同時に形成することができるので、生産効率の向上に資する。
【００３７】
次に、本発明の実施の形態に係る半導体素子である半導体レーザ素子２０００について説明する。本発明に係る半導体レーザ素子２０００は、図７に示すように、Ａｌ2 Ｏ3 （サファイヤ）からなる絶縁性の基板２１００の上にＮ層２１１０、活性層２１２０、Ｐ層２１３０、絶縁層２１４０、Ｐ側電極２１５０等の各層が積層されて構成されている。そして、前記Ｎ層２１１０の一部が露出されている。従って、このＮ層２１１０は、半導体レーザ素子２０００の表面側に露出したことになる。
【００３８】
また、半導体レーザ素子２００の表面に露出したＮ層２１１０には、オーミックコンタクト部２１８０が形成されている。
【００３９】
前記基板２１００は、裏面側に導電性を有するＮ側電極２１６０が全面にわたって形成されている。そして、このＮ側電極２１６０と、前記オーミックコンタクト部２１８０とは、半導体レーザ素子２００の側面に形成された導電性膜２１７０によって電気的に接続されている。
【００４０】
次に、上述したような半導体レーザ素子２０００の製造工程について説明する。まず、基板２１００の上にＮ型ＧａＮであるＮ層２１１０と、活性層２１２０と、Ｐ型ＧａＮであるＰ層２１３０とを一般的な結晶成長の手法で積層する。なお、この状態では基板２１００はウエハ状である。
【００４１】
なお、前記Ｎ層２１１０の厚さは数μｍ、活性層２１２０の厚さは数十ｎｍ、Ｐ層２１３０の厚さは数百ｎｍとなっている。
【００４２】
また、この時点で最も上面のＰ層２１３０の上に絶縁層２１４０となるＳｉＯ2 を積層する。そして、この絶縁層２１４０となるＳｉＯ2 にストライプ状の溝２１４１をエッチング等で形成する。
【００４３】
最も上面のＰ層２１３０、活性層２１２０及びＮ層２１１０の一部をエッチングで除去して、Ｎ層２１１０を露出させる。特に、半導体レーザ素子２０００の対向する一対のエッジ部に沿ってエッチングで除去するとよい。
【００４４】
次に、溝２１４１が形成されて絶縁層２１４０となったＳｉＯ2 の上にＰ側電極２１５０を形成する。このＰ側電極２１５０は、Ｎｉ／Ａｕの膜である。従って、Ｐ側電極２１５０は、絶縁層２１４０の溝２１４１を介してＰ層２１３０に電気的に接続されている。
【００４５】
次に、Ｐ層２１３０等をエッチングで除去することで露出したＮ層２１１０にオーミックコンタクト部２１８０を形成する。このオーミックコンタクト部２１８０は、Ｎｉ／Ａｕを蒸着することによって形成する。なお、このオーミックコンタクト部２１８０は、半導体レーザ素子２０００の奥行き寸法より若干小さく形成する。従って、オーミックコンタクト部２１８０は、隣接する半導体レーザ素子２０００のオーミックコンタクト部２１８０とは連ならないように形成される。
【００４６】
上述したようにして各層としてのＮ層２１１０、活性層２１２０、Ｐ層２１３０等を積層した基板２１００の裏面を研削、研磨し厚さを１００μｍ程度にした後、Ｎ側電極２１６０（裏側電極部）を形成する。このＮ側電極２１６０は、研磨、鏡面処理した基板２１００の裏面の全面にＴｉ／Ａｌを蒸着することで形成する。
【００４７】
次に、基板２１００を切断して、短冊状の基板とする。この短冊状の基板には、複数個（例えば、５個）の半導体レーザ素子２０００となるべき部分が１列に並んでいる。そして、この短冊状の基板の長手辺の一方には、前記オーミックオーミック部２１８０が並んでいる。従って、この短冊状の基板の長手辺の他方には、Ｐ側電極２１５０が並ぶことになる。
【００４８】
このような短冊状の基板を間にスペーサを介在させて複数個（例えば、１１個）を重ね合わせる。ここで、前記スペーサの長さ寸法をＬ1 、幅寸法をＷ1 とし、短冊状の基板の長さ寸法をＬ2 、幅寸法をＷ2 とした場合、Ｌ1 ＝Ｌ2 、Ｗ1 ＞Ｗ2 の関係が成立する。しかも、短冊状の基板のエッチングされた部分の幅寸法をｗとした場合、Ｗ1 −ｗ＜Ｗ2 の関係が成立するようになっている。
【００４９】
従って、短冊状の基板とスペーサとの短手辺を一致させるとともに、Ｐ側電極２１５０が形成された側の長手辺を一致させた状態で、短冊状の基板とスペーサとを交互に重ね合わせると、オーミックコンタクト部２１８０が形成された部分と、その裏面側のＮ側電極２１６０の一部とは、スペーサに覆われることなく露出する。
【００５０】
この状態で、短冊状の基板とスペーサとが交互に重ね合わされたものの側面に導電性膜２１７０を形成する。この導電性膜２１７０としては、Ｔｉ／Ａｌを蒸着することで構成する。
【００５１】
すると、導電性膜２１７０は、１つの短冊状の基板に着目すると、オーミックコンタクト部２１８０とＮ側電極２１６０とを電気的に接続することになる。換言すると、短冊状の基板の側面、短冊状の基板を構成する半導体レーザ素子２０００となるべきもののオーミックコンタクト部２１８０及びＮ側電極２１６０の３箇所以外は、スペーサで覆われているため、導電性膜２１７０は前記３箇所以外には付着しないのである。
【００５２】
このようにして導電性膜２１７０が形成された短冊状の基板をスペーサとともに、ダイシングラインＤＬから切断すると、図７に示す個々の半導体レーザ素子２０００が完成する。
【００５３】
なお、上述した短冊状の基板への切断、スペーサとの交互の重ね合わせ、導電性膜２１７０の形成、個々の半導体レーザ素子２０００への切断は、上述した発光ダイオード素子１０００の場合とまったく同一である。
【００５４】
このようにして構成された半導体レーザ素子２０００は、次のようにしてチップキャリア２３００にボンディングされる。まず、図８に示すように、チップキャリア２３００の表面に形成されたダイボンディング部２３１０の上に、半導体レーザ素子２０００のＰ側電極２１５０がダイボンディングされる。すると、半導体レーザ素子２０００は、Ｎ側電極部２１６０が上を向いた状態でチップキャリア２３００にダイボンディングされる。
【００５５】
次に、チップキャリア２３００の表面に形成されたワイヤボンディング部２３２０と、半導体レーザ素子２０００のＮ側電極２１６０とをボンディングワイヤ２３３０で電気的に接続する。
【００５６】
このようにしてチップキャリア２３００にボンディングされた半導体レーザ素子２０００は、図示しないステム、カバー等によってパッケージされる。
【００５７】
さらに、上述した説明では、導電性膜２１７０は溝２１４１に対して平行な側面に形成したが、図９に示すように、導電性膜２１７０を溝２１４１に対して直交する側面に形成してもよい。この場合には、導電性膜形成には、マスキングが必要であるが、この工程と相前後して端面の保護もしくは反射率調整を目的とした端面コーティングを同じ短冊状のまま行なうことができるという利点がある。
【００５８】
【発明の効果】
本発明に係る半導体素子の製造方法は、絶縁性又は高抵抗のウエハーの基板の表面上にＮ層、活性層及びＰ層を順次積層する工程と、Ｎ層、活性層及びＰ層の一部をエッチングして前記Ｎ層の表面上の外側端部を露出させる工程と、前記Ｎ層の露出表面上に各素子のオーミック電極を各々形成するとともに前記基板の裏面の全面に裏面側ボンディングパット部を形成する工程と、前記基板を切断することにより複数の素子が形成された短冊状の基板を作成する工程と、前記Ｎ層の露出表面上及び基板裏面上の外側端部が露出するように複数の前記短冊状の基板を板状のスペーサを挟んで交互に重ね合わせる工程と、重ね合わされた状態の前記短冊状の基板及びスペーサに金属蒸着を行うことにより前記各素子のオーミック電極と裏面側ボンディングパット部との間を電気接続するための導電性膜を各々形成する工程と、前記短冊状の基板を切断することにより前記基板から各素子を切り離す工程とを具備している。
【００５９】
このように発光ダイオード素子や半導体レーザ素子の表裏両面に電極を形成することができるので、従来の低抵抗基板を用いた半導体素子の製造に用いられる組立装置や副材料を流用することができるとともに、放熱特性に優れた半導体素子を得ることができる。また、歩留りを向上させることが可能となる。更に、各素子の導電性膜を同時に形成することができるとので、生産効率の向上に資することになる。
【００６４】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体素子である発光ダイオード素子の概略的断面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る半導体素子である発光ダイオード素子の概略的斜視図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る半導体素子である発光ダイオード素子の製造方法を示す概略的斜視図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る半導体素子である発光ダイオード素子の製造方法を示す概略的斜視図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る半導体素子である発光ダイオード素子の製造方法を示す概略的斜視図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る半導体素子である発光ダイオード素子をリードフレームにダイボンディングした状態の概略的正面図である。
【図７】本発明の実施の形態に係る半導体素子である半導体レーザ素子の概略的断面図である。
【図８】本発明の実施の形態に係る半導体素子である半導体レーザ素子をチップキャリアにダイボンディングした状態の概略的正面図である。
【図９】本発明の実施の形態に係る半導体素子であるその他の半導体レーザ素子の概略的断面図である。
【図１０】従来の発光ダイオード素子の概略的断面図である。
【図１１】従来の発光ダイオード素子をリードフレームにボンディングした状態の概略的正面図である。
【図１２】従来の半導体レーザ素子の概略的断面図である。
【図１３】従来の半導体レーザ素子をリードフレームにボンディングした状態の概略的正面図である。
【００６５】
【符号の説明】
１０００  発光ダイオード素子
１１００  基板
１１１０  Ｎ層
１１２０  活性層
１１３０  Ｐ層
１１４０  Ｐ側透明電極
１１５０  Ｐ側ボンディングパッド部
１１６０  裏面側ボンディングパッド部
１１７０  導電性膜
１１８０  オーミックコンタクト部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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