(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも以下の工程（ａ）〜（ｇ）を含んでいることを特徴とするフィルムキャリアの製造方法。
（ａ）長尺状の絶縁性フィルムの両面に第一導体層及び第二導体層を有する基材を使用し、前記絶縁性フィルムの両端に長手方向に沿って複数のスプロケットホールを形成する工程。
（ｂ）前記絶縁性フィルムの一方の面よりレーザー光を照射し、第一導体層と絶縁性フィルムを貫通し、第二導体層に達する直径１２０μｍ以下の導通用孔を形成する工程。
（ｃ）前記第一導体層及び第二導体層の表面を、研磨して平坦化する工程。
（ｄ）前記導通用孔の壁面に、パラジウム微粒子、カーボン、導電性ポリマーから選ばれる薄膜導体を付着させる工程。
（ｅ）電解めっきにより、少なくとも導通用孔内に導電層を形成する工程。
（ｆ）前記第一導体層及び第二導体層をエッチングし、配線層を形成する工程。
（ｇ）第一導体層及び第二導体層上に、ソルダーレジスト層を形成する工程。
【請求項２】
前記（ｅ）工程として、電解めっきにより導通用孔の内壁に導電層を形成する工程と、導通用孔内を樹脂埋めする工程とを行うことを特徴とする請求項１記載のフィルムキャリアの製造方法。
【請求項３】
前記（ｅ）工程の電解めっきにより、導通用孔内を埋めることを特徴とする請求項１記載のフィルムキャリアの製造方法。
【請求項４】
前記（ａ）乃至（ｇ）の工程をリールツーリール法で行うことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項記載のフィルムキャリアの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、絶縁性フィルムの両面に配線層を有するフィルムキャリアの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、フィルムキャリアは、絶縁性フィルム上に配線を形成したものであり、携帯電話、ゲーム機、テレビ、ラジオ、 ＶＴＲ、音響機器等の民生用機器や、電子計算機、ＯＡ機器、電子応用機器、電気計測器、通信機器の産業用機器に広く使用されている。
【０００３】
また、これら電子機器は、より一層の高性能化とより一層の小型化とを達成するように要求が高まっている。高性能化とコンパクト化を満たすため、電子機器部品としてのフィルムキャリアにおいても、電子機器の小型化、多ピン化及び高性能化が急速に進められ、これに伴い、半導体パッケージにも配線の細線化、ビアホールの小径化、ランド、パッドの小径化、多層化及びファイン化が急速に進んでいる。
【０００４】
また、フィルムキャリアに用いられる絶縁性フィルムとしては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂等が従来から使用されていたが、特に、機械的度及び耐熱性に優れたポリイミドフィルムやポリエステルフィルム等が使用されており、更に高性能化の観点からフッ素系樹脂及びポリフェニルエーテル樹脂の開発が進んでいる。また、環境対策の点からも検討された樹脂の開発が進んでいる。
【０００５】
フィルムキャリアにおいても、以前は絶縁性フィルムの片面だけに配線を形成した片面フィルムキャリアが用いられていたが、さらなる高密度化、生産性向上のために、絶縁性フィルムの両面に回路パターンを形成する両面フィルムキャリアが求められていた。
一般的な両面フィルムキャリアの製造方法を挙げる。即ち、両面に金属箔を有する絶縁性フィルムが用いられ、一方の面からレーザ加工を行い、一方の面の銅箔と絶縁性フィルムに孔加工が行われる。あるいは、一方の面の銅箔を化学エッチングした後、開孔した箇所にレーザ照射あるいはポリイミドエッチングして絶縁性フィルムに孔加工が行われるが、孔径が小さい場合には、精度の高い化学エッチングが困難なため、孔径や形状が変化するという問題がある。また、化学エッチングを行うために、工程が増加し、高コスト生産となっていた。
続いて、導通孔内に無電解めっきあるいはスパッタリングで、導電化処理が施された後、電解めっきを行って、両面の導体層を電気的接続する金属層が形成される。そして、金属箔に配線パターン及び電極パッド等がパターニングされる。このパターニングの完了により、半導体チップを搭載可能なフィルムキャリアが完成する。
なお、フィルムキャリアの完成後、半導体チップが搭載されて樹脂封止されることにより、外部要素のマザーボード等に実装可能な半導体装置が製造される。
【０００６】
ところで、従来からフィルムキャリアの製造方法として、リールツーリール法が知られていた。これは、そのフレキシブル性を利用して、製造工程の一部又はすべてをリール状で連続的に製造する方法である。
即ち、フィルム材料をリール状に巻いておき、製造ラインの一方から、フィルムを巻き出しながら、前述の加工工程を行い、最後に巻き取りを行うという方法でフィルムキャリアを製造するもので、高い効率でフィルムキャリアを製造することができる。なお、最後に巻き取ることは必ずしも必要ではなく、最終工程で、所望の形状に断裁するという工程もとりうる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、導電化処理のために、無電解めっきあるいはスパッタリングを用いているために、その処理に時間がかかるという欠点があった。スパッタリングは、真空チャンバー内で行わなければならず、排気時間を考えるとかなり時間を要し、また設備も大きくなることは避けられなかった。無電解めっきは、前処理等の工程が長く、めっき自体にも時間を要し、また、設備も大きくなるため、処理時間は長くならざるを得なかった。特にリールツーリール法で製造を行う場合には、このように、特定の工程に時間を要すると、その工程にあわせてフィルムの送り出し速度を決めなければならず、製造効率が高まらない結果になる。
また、無電解めっきは、めっき液が不安定な状態になりがちで、大量生産を行うためには、より安定した製造方法が望まれていた。めっき液が不安定な状態になると、無電解めっきに不良が生じ、さらには電解めっきにも影響を及ぼし、接続信頼性が低下する。加えて、無電解めっきはめっき槽の壁面などの不必要部にめっき金属が析出し、その一部が液中に脱落してフィルムの表面に再付着し、ショート等の原因となるなどの不良を生み出す問題もあった。そして、フィルムキャリアに半導体チップ等の電子部品を接続する際あるいは使用する際等に、絶縁性フィルムが吸湿、熱等によって膨張し、導通用孔にクラックが生ずるという問題があった。
即ち、このように接続信頼性が低下したり、ショートの原因となる不良を生み出す、クラックが生ずる、というような電気的信頼性が低下するという問題点があった。
【０００８】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、課題とするところは、電気的信頼性を向上させることができ、高い製造効率でフィルムキャリアを製造可能な製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は係る課題を解決するものであり、請求項１の発明は、
少なくとも以下の工程（ａ）〜（ｇ）を含んでいることを特徴とするフィルムキャリアの製造方法としたものである。
（ａ）長尺状の絶縁性フィルムの両面に第一導体層及び第二導体層を有する基材を使用し、前記絶縁性フィルムの両端に長手方向に沿って複数のスプロケットホールを形成する工程。
（ｂ）前記絶縁性フィルムの一方の面よりレーザー光を照射し、第一導体層と絶縁性フィルムを貫通し、第二導体層に達する直径１２０μｍ以下の導通用孔を形成する工程。
（ｃ）前記第一導体層及び第二導体層の表面を、研磨して平坦化する工程。
（ｄ）前記導通用孔の壁面に、パラジウム微粒子、カーボン、導電性ポリマーから選ばれる薄膜導体を付着させる工程。
（ｅ）電解めっきにより、少なくとも導通用孔内に導電層を形成する工程。
（ｆ）前記第一導体層及び第二導体層をエッチングし、配線層を形成する工程。
（ｇ）第一導体層及び第二導体層上に、ソルダーレジスト層を形成する工程。
【００１０】
本発明の請求項２の発明は、
前記（ｅ）工程として、電解めっきにより導通用孔の内壁に導電層を形成する工程と、導通用孔内を樹脂埋めする工程とを行うことを特徴とする請求項１記載のフィルムキャリアの製造方法としたものである。
【００１１】
本発明の請求項３の発明は、
前記（ｅ）工程の電解めっきにより、導通用孔内を埋めることを特徴とする請求項１記載のフィルムキャリアの製造方法としたものである。
【００１２】
本発明の請求項４の発明は、
前記（ａ）乃至（ｇ）の工程をリールツーリール法で行うことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項記載のフィルムキャリアの製造方法としたものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。
図１は本発明の一実施形態に係るフィルムキャリアの構成を示す模式図であり、図２は図１の２−２線矢視断面図である。このフィルムキャリア１０は、巻取り自在な絶縁性フィルム１１の両面に接着層１２を有し、銅箔１７ａ、１７ｂを接着させた構成となっており、この銅箔付フィルムの長手方向に沿ってスプロケットホール１３が形成され、両端のスプロケットホール１３間には、配線パターン１８とパッド電極１６をフィルム１１と接着剤１２の構成上片面ごとに備え、配線パターン１８とパッド電極１６は導通孔１４に形成された導電層１５ｂにより接続される構成となっている。
【００１４】
ここでフィルムキャリア１０には、配線板として要求される誘電率、熱膨張係数の点から主にポリイミド、高分子液晶、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル、フッ素系樹脂及びポリフェニルエーテル樹脂などが挙げられる。両面配線板はこれら絶縁性フィルムの両面に銅やアルミニウムなどの金属層を形成した複合材を用いる。これは、絶縁性フィルムの両面にポリイミド系、または、エポキシ系接着剤を用いて金属箔を貼り付けた銅箔付フィルム、或いは、スパッタリング等の処理後に電解金属めっきにより金属層を形成した銅箔付フィルムである。また、銅箔に液状のポリイミド材料を塗布し、これを貼り合わせる製法による銅箔付フィルムなどがある。
【００１５】
例えば、銅箔付ポリイミドフィルム５０としては、エスパネックス（新日鉄化学社製）、ネオフレックス（三井化学社製）、ユピセルＮ（宇部興産社製）、パイララックス（デュポン社製）、メタロイヤル（東洋メタライジング社製）、エスパーフレックス（住友金属鉱山社製）などの商品名で販売されているものを使用することができる。これらは、ポリイミドフィルムの厚み、銅箔の厚み、フィルムの幅などの規格値を任意に選択することが可能である。本発明においても、最終製品の仕様として当事者間で取り決められた値となるような規格値の出発材料を用い、それを加工するものである。ポリイミドフィルムの厚さは２５μｍから７５μｍ程度、銅箔の厚さは１μｍから１５μｍ程度が、加工性の面から好ましい。特に銅箔が厚くなりすぎると、ファインパターンを形成することが難しくなる。
【００１６】
（第一の実施形態）
次に、以上のようなフィルムキャリアの製造方法の第一の実施形態について図３及び図４を用いて説明する。図３（ａ）に示すように、ポリイミドフィルムからなる長尺状の絶縁性のフィルム１１の両面に接着テープからなる接着剤層１２が貼着され、更に接着剤層１２を介して厚さが１２μｍの銅箔１７ａ、１７ｂを貼り付けたフィルム１１を所定幅に断裁し、銅箔付ポリイミドフィルム５０が作製される。これが、リールに巻き取られた状態となっている。
【００１７】
次に、リールから巻き出しながら、図３（ｂ）に示すように、銅箔付ポリイミドフィルム５０の両端の長手方向に沿ってスプロケットホール１３が打ち抜き加工により形成される。形成されたスプロケットホール１３は、フィルムキャリア１０の製造工程において、テープ材をリールツーリール法で連続搬送する時に必要であり、また、この後の工程での各加工における位置精度を確保する目的で形成するものである。
【００１８】
次に、図３（ｃ）に、示すように上記スプロケットホール１３を作製したフィルムキャリア１０に導通孔１４が形成される。導通孔１４を形成するには、ＵＶ−ＹＡＧレーザー加工機を用い、レーザースポット径は１０〜１４０μｍとして各径に適する照射条件で銅箔１７ａ側より孔加工する。また、導通孔の位置決めには、レーザー光の位置を制御する方式又はガラス版等のマスクを使用する方式などが使用可能となっている。例えば、４０μｍ径の場合のレーザー加工条件は、０．３ｍＪ／ショットを４ショットで銅箔を貫通し、さらに０．０３６ｍＪ／ショットを３０ショットでポリイミドを貫通することができる。
なお、レーザーとしては、ＹＡＧ、ＹＬＦ、ＹＡＰ、ＹＶＯ4等の固体レーザーや炭酸ガスレーザーがあげられる。
しかし、炭酸ガスレーザーは原理的には熱で加工を行うため、孔加工を施すとフィルム基材を貫通する孔を形成できるが、第一銅箔に厚い銅箔を用いると、選択的に第一銅箔層と絶縁材層だけに加工を施し、第二銅箔層の上面で加工を止めることが難しくなる。そのために炭酸ガスレーザーを用いる場合には、第一銅箔として１３μｍ以下の銅箔を用いることが好ましい。さらに、炭酸ガスレーザーはマスクを使用しない場合、ビームを絞りにくくなる。そのため、前述の固体レーザーを用いることが好ましい。
また、導通用孔の直径は１２０μｍ以下が好ましい。これは、メッキ液の侵入が良く、更新しやすいためである。よって、孔内のメッキ厚がかせぎやすくなり、更にビア内の樹脂埋めも確実に出来る。１２０μｍを越える大きさのビアであると樹脂埋めのソルダーレジストの供給が足りなくなるため、絶縁が不完全となる場合がある。
【００１９】
上記フィルムキャリア１０のレーザー加工後には、導通孔の銅箔表面にレーザー加工を施した際に銅が溶融するが、溶融した一部が導通孔の周辺部の銅箔１７ａ上に付着し突起物３０を形成する。
次に、図３（ｄ）に示すように、これを除去するために研磨機を用いて研磨し、銅表面全体を整面する。
上記研磨工程は、後の電気めっき工程で上記突起物３０を起点にしてめっきが異常析出し、孔上部を塞いで内部にボイドを形成したり、電気的信頼性に影響を与えるなどの可能性があるため、研磨して除去することにより、そのような不良の発生を防ぐことができる。
この研磨加工に用いる研磨機としては、バフ研磨、ペーパー研磨、サンドブラスト、ウェットブラストが挙げられる。
【００２０】
例えば、バフ研磨であれば、先ず、＃８００の粗さのバフ研磨を行い、仕上げに＃１０００のバフ研磨を行うことで平滑な銅箔表面が得られる。工業的には、回転した円筒形のバフローラーを用いた研磨機に、テープを連続的に通すことで、テープの片面、或いは、両面を研磨する。
【００２１】
上記レーザー加工により形成された導通孔１４の内部には、加工時の熱，光反応によるスミアが残留、或いは、付着する。これは、後の工程により形成する銅めっき層と孔底の銅箔層との接合性を阻害する恐れがあるため、接合の信頼性を確保するために、スミアを除去するデスミア工程を行うことが好ましい。
次に、図４（ａ）に示すように、過マンガン酸塩を含有する薬液を作用させる公知の方法によりスミアの除去を行う。一般的なスミア除去工程は、（１）膨潤（２）デスミア（３）中和という三段階の工程からなり、本発明においてもこれらの工程により順次処理が行われる。使用される薬液は、多層プリント配線板の加工用のものを用いることが可能であり、例えば、エンプレートＭＬＢ−４９６、４９７、７９０（メルテックス社製）を使用できる。通常、ＵＶ−ＹＡＧレーザーを用いた場合には、炭酸ガスレーザーを用いた場合に比べ、スミアの発生を軽度にすることが可能であるため、本発明におけるデスミアの条件も、一般的な条件に比較して、処理時間の短縮等が可能である。
【００２２】
次に、図４（ｂ）に示すように、上記導通孔１４の壁面に薄膜導体１５を付着させる。薄膜導体１５は、パラジウム微粒子、カーボン、導電性ポリマーから選ばれるものである。パラジウム微粒子を付着させる処理には、さらに、スズ−パラジウムコロイドを用いる処理、パラジウム有機コロイドを用いる処理、スズ−フリーパラジウムイオン等のパラジウムイオンを吸着させて還元する処理等がある。これらはダイレクトプレーティングシステムとして、公知のものである。
【００２３】
中でも、ポリイミドと銅めっきとの密着性、めっきプロセスの安定性、導通孔内のめっき厚均一性等で優れているために、パラジウム微粒子を付着させる工程が好ましく、特にスズ−パラジウムコロイドを用いる処理が好ましい。
【００２４】
以下、スズ−パラジウムコロイドを用いる処理を例に説明する。
導電化処理は、フィルムキャリアを処理液中に浸漬し、銅箔と絶縁材料及び導通孔内の基材樹脂表面にスズ−パラジウムコロイドである導電化被膜を形成する。
この処理は、一連の調整された薬液の中に、材料を順次浸せき、洗浄することを繰り返していくことによりなされる。
【００２５】
このダイレクトプレーティングシステムによる導電化処理のための工程は、次のようなプロセスから成っている。
（１）コンディショニング  基材の表面を湿潤化し、後工程でのスズ−パラジウムコロイドの吸着を促進するよう、コンディショニングする。液の主成分としては、非イオン界面活性剤，カチオン界面活性剤，（それぞれ０．１〜１０ｇ／Ｌ）および、トリエタノールアミンなどの銅（＋２）イオンの錯化剤（１〜１００ｇ／Ｌ）である。
（２）ソフトエッチング    銅箔表面を粗化し、電気めっきされた銅層と密着させる。液の主成分としては、過硫酸ナトリウム（１０〜２００ｇ／Ｌ），硫酸（１〜５０ｍＬ／Ｌ）が適当である。
（３）酸洗    銅箔表面の酸化物を溶解除去する。液の主成分としては、硫酸（１〜１００ｇ／Ｌ）が適当である。
（４）プレディップ   キャタリストの液中のスズ−パラジウムコロイドは、塩化物イオン濃度の低い水と接触すると分解するため、その前工程として基材を塩化物イオン濃度の高い液に浸せきしてから、次工程のキャタリストに持ち込む。液の主成分としては、塩化ナトリウム（５０〜３００ｇ／Ｌ），塩酸（３５％）（１０〜１００ｍＬ／Ｌ）が適当である。
（５）キャタリスト    基材の表面を導電化するため、スズ−パラジウムコロイドを吸着させる。液の主成分としては、パラジウム（２０〜２００ｍｇ／Ｌ），塩化スズ（＋２）  （５ｇ／Ｌ以上）、および、塩化ナトリウム（５０〜３００ｇ／Ｌ），塩酸（３５％）（１０〜１００ｍＬ／Ｌ）が適当である。パラジウムと塩化スズは、予め、塩酸溶液の入った反応容器中で加熱時に混合することにより反応させ、スズ−パラジウムコロイドを形成させてから、塩化ナトリウムと塩酸を溶解した液中に加えることにより、液を調整する。
（６）アクセラレータ    スズ−パラジウムコロイドから余分なスズ分を除去する。液の主成分としては、硫酸（１０〜２００ｇ／Ｌ）または、水酸化ナトリウム（５〜２００ｇ／Ｌ）が適当である。
また、このような一連の工程を含むプロセスが、各業者からもダイレクトプレーティングシステムとして市販されており、それらを使用することができる。例えば、コンダクトロンＤＰ−Ｈ（メルテックス社製）、ＥＥ−１（上村工業社製）、ライザトロン（荏原ユージライト社製）、エコリュート（ジャパンエナジー社製）などが挙げられる。
【００２６】
続いて、図４（ｃ）に示すように、薄膜導体１５、銅箔１７ａ、１７ｂをカソード電極とし、硫酸銅めっき液を用いて、電解銅めっきを施して導通孔１４内及び銅箔１７ａ面上に導電層１５ｂが形成される。銅箔１７ａ及び銅箔１７ｂは、導通孔１４を介して電気的に接続される。但し、銅箔１７ｂの表面には、銅めっきを施さない場合は、液体レジストの印刷、あるいは、ドライフィルムレジストまたは粘着テープのラミネートにより保護層を形成して、めっき液の接触から保護する必要がある。
【００２７】
硫酸銅めっき液の主成分は、硫酸銅と硫酸であり、その濃度は例えば、次の通りである。
硫酸銅（硫酸銅５水和物）      ４０〜２３０  ｇ／Ｌ
硫酸  （９８％）              ５０〜２００  ｇ／Ｌ
めっき条件としては、液温  ２０〜３０℃、電流密度  ０．５〜２Ａ／ｄｍ2が適当である。
【００２８】
この銅めっきは導通用孔内を埋めるものであり、使用する添加剤は、孔埋めめっき用のものである。これは、従来のスルーホールめっき用の添加剤とは、銅の析出のモードが異なる。導通用孔の表面と導通用孔内の析出速度は、従来の添加剤の場合には、同等か、表面の方が大きいのに対し、孔埋めめっき用は、孔内の方が速度が大きくなる。この効果は、孔埋めめっき用の添加剤では、添加剤成分が、孔の内部よりも表面に選択的に吸着して、その部分の析出を抑制し、相対的に孔内の析出速度が高くなるものと考えられる。このような効果を生じる添加剤の成分として、次のようなものが挙げられる。
ＳＰＳ（ビス（3-スルフォプロピル）ジスルフィド２ナトリウム塩）  0.1〜10ppm
ポリエチレングリコール                          10〜1000ppm
ヤヌスグリーンＢ                                1〜100ppm
塩素                                            30〜100ppm
なお、ポリエチレングリコールの平均分子量は  ５００〜２００００が適当である。
導通用孔内の孔埋めを行う際に、孔径が１２０μｍ以下、特に６０μｍ以下の径の小さい導通用孔に適用すると、孔の入り口への電流集中のため、めっき析出速度が早く、導通用孔内の銅めっき充填が完了する前に孔の上部が塞がり、内部に空間、いわゆるボイドが生じやすい。そこで、レベリング特性の高い添加剤の選択やめっき電源としてＰＲ電源を用いた処理等を行うことにより、導通用孔内の銅めっき析出を優先的に促進させてめっきボイドの発生を完全に無くすことができる。ＰＲ電源とは、一時的に正負極を反転させるものである。
【００２９】
孔埋めめっきを行うことにより、導通用孔の電気的接続がより強固になり、フィルムキャリアに半導体チップ等の電子部品を接続する際あるいは接続して電子部品として使用する際等に、高温、高湿の環境下におかれても、絶縁性フィルムが吸湿、熱等によって膨張し、導通用孔にクラックが生ずることがない。
【００３０】
続いて、図４（ｄ）に示すように、配線のエッチング工程は、従来と同様に液状感光性レジストあるいはフィルムタイプ感光性レジストを銅箔表面にコーティングし、レジスト層４０を形成した後、所望のパターンをフォトリソグラフィ工程を用いて露光、現像する。
【００３１】
続いて、図４（ｅ）に示すように、これによって得られたフォトリソグラフィパターンをマスクとし、塩化第二鉄エッチング液によって銅箔をエッチング処理し、配線パターン１８とパッド電極１６が形成される。この配線のエッチング工程は、一括レジスト印刷、一括露光、一括現像、及び一括エッチング（レジスト剥離を含む）で施したが、この方法に限定されるものではない。
【００３２】
続いて、図４（ｆ）に示すように、形成した回路の外部環境から保護の目的で、ソルダーレジストを回路パターン上にスクリーン印刷などにより印刷してソルダーレジスト層１９を形成する。ソルダーレジスト材料としては、テーププリント基板用材料としてＴＡＢ等に使用されているものが使用できる。感光性を有するものでも、有しないものでもよい。感光性を有しないものを用いる場合で、電極を露出させる等の目的で、パターニングを行う場合には、レーザー加工等を行うことになる。
例えば、感光性を有するものではＳ−５００（太陽インキ社製）等、感光性を有しないものではＰＳＲ−４０００（太陽インキ社製）や、ＤＳＲ−２２００（タムラ製作所社製）等が適当である。
【００３３】
続いて、図４（ｇ）に示すように、形成した回路の外部環境から保護と半田ボールの接合位置合わせの目的で、回路パターン上にスクリーン印刷などにより感光性材料からなるフォトソルダーレジストを塗布する。続いて、図４（ｈ）に示すように、形成した感光性材料からなるフォトソルダーレジスト層２０をマスクを介してＵＶ露光し、現像することにより半田ボール接合孔２１がパッド電極１６上に形成される。
【００３４】
（第二の実施形態）
第一の実施形態と同様の方法で製造するが、第一の実施形態のめっき液に代えて、スルーホール用のめっき液を用いる。これによって、孔埋めされていない導通用孔が形成される。
【００３５】
（第三の実施形態）
第二の実施形態と同様の方法で製造するが、孔埋めしない状態でめっきを施した後に、孔内に樹脂をスクリーン印刷で充填する。これによって、孔内が樹脂埋めされた導通用孔が形成される。
樹脂埋めに用いられる樹脂としては、Ｓ−５００（太陽インキ社製）、ＰＳＲ−４０００（太陽インキ社製）、ＤＳＲ−２２００（タムラ製作所社製）等が挙げられる。また導電性を有するものでもよい。
樹脂埋めを行うことにより、導通用孔内の導電層が補強されたような状態になり、フィルムキャリアに半導体チップ等の電子部品を接続する際、あるいは、接続して電子部品として使用する際等に、高温、高湿の環境下におかれても、絶縁性フィルムが吸湿、熱等によって膨張し、導通用孔にクラックが生ずることがない。
【００３６】
【実施例】
（実施例１）
次に、実施例１について図３及び図４を用いて説明する。図３（ａ）に示すように、厚さ５０μｍのポリイミドフィルムからなる絶縁性のフィルム１１の両面に接着テープからなる接着剤層１２が貼着され、更に接着剤層１２を介して厚さが１２μｍの銅箔１７ａ、１７ｂを貼り付けたフィルム１１を４８ｍｍ幅に断裁し、銅箔付ポリイミドフィルム５０が作製された。これが、リールに巻き取られた状態となっている。
【００３７】
次に、リールから巻き出しながら、図３（ｂ）に示すように、銅箔付ポリイミドフィルム５０の両端の長手方向に沿ってスプロケットホール１３が打ち抜き加工により形成された。次に、図３（ｃ）に示すように上記スプロケットホール１３を作製したフィルムキャリア１０に、ＵＶ−ＹＡＧレーザー加工機を用い、銅箔１７ａ側より孔加工することにより、孔径が１００μｍの導通孔用１４が形成された。次に、図３（ｄ）に示すように、＃８００の粗さのバフ研磨を行い、仕上げに＃１０００のバフ研磨を行うことで銅表面全体を整面した。
【００３８】
次に、図４（ａ）に示すように、エンプレートＭＬＢ−４９６（メルテックス社製）を使用して、デスミア工程を行った。次に、図４（ｂ）に示すように、上記導通孔１４の壁面に導電物を付着させる。下記の工程で行った。
・コンディショニング  コンダクトロンDP-H  コンディショナ（メルテックス社製）
５０℃、１０秒
・ソフトエッチンク゛  過硫酸ナトリウム  １００ｇ／Ｌ，硫酸  ３０ｇ／Ｌ
２５℃、３０秒
・酸洗      硫酸  １００ｇ／Ｌ
２５℃、１０秒
・プレディップ    コンダクトロンDP-H  プレディップ液  （メルテックス社製）
２５℃、１０秒
・キャタリスト    コンダクトロンDP-H  アクチベータ    （メルテックス社製）
４５℃、３０秒
・アクセラレータ    コンダクトロンDP-H  アクセラレータ（メルテックス社製）
５０℃、３０秒
【００３９】
続いて、図４（ｃ）に示すように、薄膜導体１５、銅箔１７ａ、１７ｂをカソード電極とし、電解銅めっきを施して導通孔１４内及び銅箔１７ａ面上に銅めっき層を形成した。導通孔内は孔埋めされた。銅箔１７ａ及び銅箔１７ｂは、導通孔１４を介して電気的に接続された。ここで、銅箔１７ｂの表面には、ドライフィルムレジストをラミネートして、銅めっきを施さなかった。
【００４０】
銅めっき液は次の組成のものを使用した。
硫酸銅５水和物                                １８０ｇ／Ｌ
硫酸                                            ５５ｇ／Ｌ
ＳＰＳ（ビス（3-スルフォプロピル）ジスルフィド２ナトリウム塩）  1ppm
ポリエチレングリコール（分子量  7500）          400ppm
ヤヌスグリーンＢ                                      10ppm
塩素                                            60ppm
めっき条件は、電流密度  １Ａ／ｄｍ2とし、析出膜厚が１５μｍとなるよう、めっき時間を調節した。
【００４１】
続いて、図４（ｄ）に示すように、レジスト層４０を１５μｍ厚で形成した後、所望のパターンをフォトリソグラフィ工程で露光、現像した。続いて、図４（ｅ）に示すように、これによって得られたフォトリソグラフィパターンマスクとし、塩化第二鉄エッチング液によって銅箔をエッチング処理し、配線パターン１８とパッド電極１６が形成された。
【００４２】
続いて、図４（ｆ）に示すように、形成した回路の外部環境から保護の目的で、ソルダーレジストを配線パターン１８上に厚さ２０μｍで塗布し、ソルダーレジスト層１９を形成した。
続いて、図４（ｇ）に示すように、感光性材料からなるソルダーレジストをパッド電極１６上に塗布した。そして、図４（ｈ）に示すように、露光、現像して、パッド電極１６上に半田ボール接合孔２１が形成された、厚さ２５μｍのフォトソルダーレジスト層２０を形成した。そして、同様に導通用孔の孔径が６０μｍ、４０μｍのものも作成した。
【００４３】
（実施例２）
実施例１と同様の方法で製造したが、実施例１のめっき液に代えて、スルーホール用のめっき液であるＳＴ−９０１（メルテックス社製）を用いた。これによって、孔埋めされていない導通用孔が形成された。
そして、同様に導通用孔の孔径が６０μｍ、４０μｍのものも作成した。
【００４４】
（比較例１）
実施例１と同様の方法で製造したが、相違点として、まず、導通用孔のレーザー加工時に、あらかじめ、レーザーを照射する側の銅箔を、エッチング加工した。
【００４５】
（比較例２）
実施例１と同様の方法で製造したが、相違点として、レーザー加工後に、銅箔表面の研磨工程を行わなかった。
【００４６】
（比較例３）
実施例１と同様の方法で製造したが、相違点として、レーザー加工後の銅箔表面の研磨工程後、導通用孔の壁面にパラジウム微粒子の導電物を付着させる工程に代えて、０．５μｍの厚さの無電解銅めっきを行った。無電解めっきの前処理を除いた、無電解めっき液に浸漬している時間だけで、１５分を要した。その後は、実施例１と同様に電解銅めっきを行った。
【００４７】
銅めっき後の状態を断面観察で評価し、結果を下記表のＡ欄に示した。また、これらのサンプルを１２５℃、１００％のプレッシャークッカー試験器に１００時間入れた後、２６０℃の溶融はんだ（Ｓｎ／Ｐｂ＝６３／３７％）に３０秒浸漬した後の状態の断線評価行い、結果を下記表のＢ欄に示した。
なお、表１の中で、Ａ欄については、丸印はビア孔の断面観察結果で問題がなかったことを示す。また、Ｂ欄については、丸印は孔内断線がなかったことを示す。
【００４８】
【表１】
0004250861.tif 000002
【００４９】
実施例１では、断面観察、孔内断線のいずれも生じず、優れた効果を奏することが確認された。
実施例２では、孔径が小さくなるにつれて、孔内のめっき膜厚が薄くなる現象が生じたが、問題がないと判断された。
【００５０】
比較例１では、孔径が小さいとビア開口径の調整が難しく、ビアが大きくなった。具体的には４０μmφの目標が５０μmφとなった。ビアエッチング時に開口内にエッチング液が溜まりやすく、エッチングが進んでしまうものと想像された。また、工程が増えるため、製造効率が低下した。
【００５１】
比較例２では、一括照射による銅の飛散によりビア付近にバンプを形成するが、研磨加工を施さなかった結果、何れのビア径のサンプルに於いても、ビア周囲にコブが形成した。また、６０μｍφと４０μｍφのサンプルでは、ビア内のめっき成長も不均一で、ビア内にボイドが形成され、プレッシャークッカー試験器に入れた後では断線が生じた。
【００５２】
比較例３では、評価に於いては本発明の実施例と同等の結果を得た。しかし、無電解銅めっきに長時間を要し、ラインスピードを遅くしなければならず、製造効率が低かった。
【００５３】
【発明の効果】
請求項1記載の発明によれば、少なくとも、（ａ）長尺状の絶縁性フィルムの両面に第一導体層及び第二導体層を有する基材を使用し、前記絶縁性フィルムの両端に長手方向に沿って複数のスプロケットホールを形成する工程、（ｂ）前記絶縁性フィルムの一方の面よりレーザー光を照射し、第一導体層と絶縁性フィルムを貫通し、第二導体層に達する直径１２０μｍ以下の導通用孔を形成する工程、（ｃ）前記第一導体層及び第二導体層の表面を、研磨して平坦化する工程、（ｄ）前記導通用孔の壁面に、パラジウム微粒子、カーボン、導電性ポリマーから選ばれる薄膜導体を付着させる工程、（ｅ）電解めっきにより、少なくとも導通用孔内に導電層を形成する工程、（ｆ）前記第一導体層及び第二導体層をエッチングし、配線層を形成する工程、（ｇ） 第一導体層及び第二導体層上に、ソルダーレジスト層を形成する工程、の各工程からなるため、レーザー加工前に銅箔のエッチング工程が不要で、無電解めっきやスパッタリングのような、長時間を要する処理を行う必要がなく、また設備も小さくでき、従って非常に高い効率で電気的信頼性も優れるフィルムキャリアを製造することが可能となる。
また、設備を小さくできるということは、設備コストの低減のみならず、設備を通過する時間の短縮もできるため、製造効率が高くなる。そして、リールツーリールでの製造を可能にする優れた製造方法である。
【００５４】
また、請求項２記載の発明によれば、請求項１記載のフィルムキャリアの製造方法において、前記（ｅ）工程として、電解めっきにより導通用孔の内壁に導電層を形成する工程と、導通用孔内を樹脂埋めする工程とを行うため、樹脂が導通用孔内壁の導電層を補強し、従って電気的信頼性の高いフィルムキャリアを製造することが可能となる。
【００５５】
そして、請求項３記載の発明によれば、請求項１記載のフィルムキャリアの製造方法において、前記（ｅ）工程の電解めっきにより、導通用孔内を埋めるため、導通用孔内の接続信頼性がより確実なものとなり、従って電気的信頼性の高いフィルムキャリアを製造することが可能となる。
【００５６】
さらに、請求項４記載の発明によれば、請求項１乃至請求項３のいずれか一項記載のフィルムキャリアの製造方法において、前記（ａ）乃至（ｇ）の工程をリールツーリールで行うため、極めて高い製造効率で、電気的信頼性の高いフィルムキャリアを製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の一実施形態にかかるフィルムキャリアの構成を示す図
【図２】  同実施形態における２−２線矢視断面図
【図３】同実施形態におけるフィルムキャリアの製造方法を説明するための工程断面図
【図４】同実施形態におけるフィルムキャリアの製造方法を説明するための工程断面図
【符号の説明】
１０・・・フィルムキャリア
１１・・・絶縁性フィルム
１２・・・接着剤層
１３・・・スプロケットホール
１４・・・導通孔
１５・・・薄膜導体
１５ｂ・・・導電層
１６・・・パッド電極
１７ａ、ｂ・・・銅箔
１８・・・配線パターン
１９・・・ソルダーレジスト層
２０・・・（感光性材料からなる）フォトソルダーレジスト層
２１・・・半田ボール実装孔
３０・・・銅突起物
４０・・・レジスト層
５０・・・銅箔付ポリイミドフィルム
Ｄ・・・デスミア液
Ｌ・・・レーザー光
ＵＶ・・・露光光
【図１】
0004250861.tif 000003
【図２】
0004250861.tif 000004
【図３】
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【図４】
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