(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光照射による結晶とアモルファスの相転移現象を利用した光記録媒体において、該光記録媒体は、溝を形成した基板上に反射放熱層、第１の保護層、記録層、第２の保護層をこの順序で積層した構成とし、該第２の保護層はＺｎＳとＳｉＯ２の混合物よりなり、該記録層はＧｅ，Ｓｂ，Ｔｅを主たる構成元素とし、該反射放熱層はＡｌ合金よりなる記録媒体であって、第２の保護層に接着層とカバー層を構成し、該第１保護層がＺｎＳとＳｉＯ２の混合物層とＴａ２Ｏ５層の２層からなりＴａ２Ｏ５層が反射放熱層側に形成されたものであり、前記第１保護層のＴａ２Ｏ５層の膜厚が該第１保護層のＺｎＳとＳｉＯ２の混合物層膜厚の１／５以上、１／２以下であることを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
前記第１保護層のＴａ２Ｏ５層の膜厚が反射放熱層膜厚０．２０以上、０．８０以下あることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項３】
前記カバー層にハードコートを形成したことを特徴とする請求項１または２に記載の光記録媒体。
【請求項４】
前記ハードコートの膜厚が１μｍ以上、５μｍ未満であることを特徴とする請求項３に記載の光記録媒体。
【請求項５】
前記基板の溝形状においてグルーブの幅の平均がトラックピッチの０．３以上、０．５以下であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１に記載の光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、書換え可能なＤＶＲなど、相変化型記録層を有する高密度記録用の光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般にコンパクトディスク（ＣＤ）やＤＶＤは、凹ピットの底部及び鏡面部からの反射光の干渉により生じる反射率変化を利用して２値信号の記録及びトラッキング信号の検出が行われている。近年、ＣＤと互換性のある媒体として、相変化型の書換え可能なコンパクトディスク（ＣＤ−ＲＷ、ＣＤ−Ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅ）が広く使用されつつある。また、ＤＶＤについても、相変化型の書換え可能なＤＶＤが各種提案されている。またＤＶＤの容量が４．７ＧＢに対して、記録再生波長を３９０ｎｍ〜４２０ｎｍと短波長化し、開口数、ＮＡ（Numerical Aperture）を上げ、２０ＧＢ以上の容量のシステムＤＶＲが提案されている。(: ISOM Technical Digest'00 (2000), 210)
【０００３】
これら相変化型の書換え可能なＣＤ、ＤＶＤおよびＤＶＲは、非晶質と結晶状態の屈折率差によって生じる反射率差および位相差変化を利用して記録情報信号の検出を行なう。通常の相変化媒体は、基板上に下部保護層、相変化型記録層、上部保護層、反射層を設けた構造を有し、これら層の多重干渉を利用して反射率差および位相差を制御しＣＤやＤＶＤと互換性を持たせることができる。ＣＤ−ＲＷにおいては、反射率を１５〜２５％に落とした範囲内ではＣＤと記録信号及び溝信号の互換性が確保でき、反射率の低いことをカバーする増幅系を付加したＣＤドライブでは再生が可能である。
【０００４】
なお、相変化型記録媒体は消去と再記録過程を１つの集束光ビームの強度変調のみによって行なうことができるため、ＣＤ−ＲＷや書換え可能ＤＶＤ等の相変化型記録媒体において記録とは、記録と消去を同時に行なうオーバーライト記録を含む。相変化を利用した情報の記録には、結晶、非晶質、又はそれらの混合状態を用いることができ、複数の結晶相を用いることもできるが、現在実用化されている書換可能相変化型記録媒体は、未記録・消去状態を結晶状態とし、非晶質のマークを形成して記録するのが一般的である。記録層の材料としてはいずれもカルコゲン元素、即ちＳ，Ｓｅ，Ｔｅを含むカルコゲナイド系合金を用いることが多い。
【０００５】
例えば、ＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３疑似二元合金を主成分とするＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３疑似二元合金を主成分とするＩｎＳｂＴｅ系、Ｓｂ０．７Ｔｅ０．３を共晶系を主成分とするＡｇＩｎＳｂＴｅ系合金，ＧｅＳｎＴｅ系などである。このうち、ＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３疑似二元合金に過剰のＳｂを添加した系、特に、Ｇｅ１Ｓｂ２Ｔｅ４、もしくはＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５などの金属間化合物近傍組成が主に実用化されている。
【０００６】
これら組成は、金属間化合物特有の、相分離を伴わない結晶化を特徴とし結晶成長速度が速いため、初期化が容易で、消去時の再結晶化速度が速い。このため従来より、実用的なオーバーライト特性を示す記録層としては、疑似二元合金系や金属間化合物近傍組成が注目されていた（文献Jpn.J.Appl.Phys.,vol.69(1991),p2849，あるいはSPIE,Vol.2514(1995),pp294-301等）。
【０００７】
また、従来よりＧｅＳｂＴｅ三元組成、もしくはこの三元組成を母体として添加元素を含有する記録層組成に関して報告がなされている（特開昭６１−２５８７８７号公報、特開昭６２−５３８８６号公報、特開昭６２−１５２７８６号公報、特開平１−６３１９５号公報、特開平１−２１１２４９号公報、特開平１−２７７３３８号公報等記載）。しかしながら、このような組成の材料を書換え可能なＤＶＲなどの高密度記録用の光記録媒体への適用は、まだ開発が始まったばかりであり、解決しなければならない問題が多々ある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上述のごとき実情に鑑みてなされたもので、第１の目的は、このような書換え可能なＤＶＲなど、相変化型記録層を有する高密度記録用の光記録媒体において、高速記録に対応して記録感度も良く（ＺｎＳＳｉＯ２の役割）、急冷構造（Ｔａ２Ｏ５と放熱層の役割）のメディアにさせることにある。
また、第２の目的は、このような光記録媒体において、急冷構成のＴａＯ２の膜厚とＺｎＳＳｉＯ２の膜厚比を限定することで記録感度を悪くせず急冷構造にして高速記録で高密度記録させることにある。
さらに第３の目的は、このような光記録媒体において、急冷構成のＴａ２Ｏ５の膜厚を限定することで記録感度を悪くせず急冷構造にして高速記録で高密度記録させることにある。
さらに第４の目的は、このような光記録媒体において、基板の反りを矯正するだけでなく、ゴミ等が付着した場合、ふき取ることができることやキズがつきにくくすることにある。
さらに第５及び６の目的は、基板に溝幅を最適化することでＧｅ，Ｓｂ，Ｔｅを主たる構成元素とした相変化記録層で高密度で高振幅（高モジュレーション）を得ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題は、本発明の（１）「光照射による結晶とアモルファスの相転移現象を利用した光記録媒体において、該光記録媒体は、溝を形成した基板上に反射放熱層、第１の保護層、記録層、第２の保護層をこの順序で積層した構成とし、該第２の保護層はＺｎＳとＳｉＯ２の混合物よりなり、該記録層はＧｅ，Ｓｂ，Ｔｅを主たる構成元素とし、該反射放熱層はＡｌ合金よりなる記録媒体であって、第２の保護層に接着層とカバー層を構成し、該第１保護層がＺｎＳとＳｉＯ２の混合物層とＴａ２Ｏ５層の２層からなりＴａ２Ｏ５層が反射放熱層側に形成されたものであり、前記第１保護層のＴａ２Ｏ５層の膜厚が該第１保護層のＺｎＳとＳｉＯ２の混合物層膜厚の１／５以上、１／２以下であることを特徴とする光記録媒体。」、（２）「前記第１保護層のＴａ２Ｏ５層の膜厚が反射放熱層膜厚０．２０以上、０．８０以下あることを特徴とする前記第（１）項に記載の光記録媒体」、（３）「前記カバー層にハードコートを形成したことを特徴とする前記第（１）項または第（２）項に記載の光記録媒体」、（４）「前記ハードコートの膜厚が１μｍ以上、５μｍ未満であることを特徴とする前記第（３）項に記載の光記録媒体」、（５）「前記基板の溝形状においてグルーブの幅の平均がトラックピッチの０．３以上、０．５以下であることを特徴とする前記第（１）項乃至第（４）項何れか１に記載の光記録媒体」により達成される。
【００１０】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の光記録媒体の記録部部分断面図を模式的に描いたものであり、基板（１）／反射放熱層（２）／第１の保護層（３）／記録層（４）／第２の保護層（５）／の構成を有している。また、その上（保護層（５）の上）を紫外線もしくは熱硬化性の樹脂で被覆（保護コート層（６））されている（これについては後述する）、もしくはカバー層（７）を接着層（６）で接着する。ハードコートはカバー層の上に紫外線もしくは熱硬化性の樹脂で被覆する。
図１のような各層の順序は、透明基板を介して記録再生用の集束光ビーム、例えばレーザ光を記録層に照射する場合に適している。
【００１１】
最初に基板（１）について説明する。基板（１）には、ポリカーボネート、アクリル、ポリオレフィンなどの透明樹脂、あるいは透明ガラスを用いることができる。なかでも、ポリカーボネート樹脂はＣＤにおいて最も広く用いられている実績もあり、安価でもあるので最も好ましい。
基板（１）には記録再生光を案内するピッチ０．８μｍ以下の溝を設けるが、この溝は、必ずしも幾何学的に矩形あるいは台形状の溝である必要はなく、たとえば、イオン注入などによって、屈折率の異なる導波路のようなものを形成して光学的に溝が形成されていても良い。
【００１２】
次に、本発明の記録層（４）について説明する。本発明の光記録媒体の記録層（４）は相変化型の記録層であり、その厚みは一般的に５ｎｍから１００ｎｍの範囲が好ましい。記録層（３）の厚みが５ｎｍより薄いと充分なコントラストが得られ難く、また結晶化速度が遅くなる傾向があり、短時間での消去が困難となりやすい。一方１００ｎｍを越すとやはり光学的なコントラストが得にくくなり、また、クラックが生じやすくなる。さらに、ＤＶＤなど再生専用ディスクと互換性をとれるほどのコントラストを得る必要があり、かつ、最短マーク長が０．５μｍ以下となるような高密度記録では、５ｎｍ以上２５ｎｍ以下が好ましい。５ｎｍ未満では反射率が低くなりすぎ、また、膜成長初期の不均一な組成、疎な膜の影響が現れやすいので好ましくない。
一方、２５ｎｍより厚いと熱容量が大きくなり記録感度が悪くなるし、結晶成長が３次元的になるため、非晶質マークのエッジが乱れジッタが高くなる傾向にある。さらに、記録層の相変化による体積変化が顕著になり繰返しオーバーライト耐久性が悪くなるので好ましくない。マーク端のジッタ及び繰返しオーバーライト耐久性の観点からは２０ｎｍ以下とすることがより望ましい。また、記録層の密度はバルク密度の８０％以上、より好ましくは９０％以上であることが望ましい。
【００１３】
記録層の密度はスパッタ成膜法においては、成膜時のスパッタガス（Ａｒ等の希ガス）の圧力を低くする、ターゲット正面に近接して基板を配置するなどして、記録層に照射される高エネルギーＡｒ量を多くすることが必要である。高エネルギーＡｒはスパッタのためにターゲットに照射されるＡｒイオンが、一部跳ね返されて基板側に到達するものか、プラズマ中のＡｒイオンが基板全面のシース電圧で加速されて基板に達するものかのいずれかである。このような高エネルギーの希ガスの照射効果をａｔｏｍｉｃ  ｐｅｅｎｉｎｇ効果という。一般的に使用されるＡｒガスでのスパッタではａｔｏｍｉｃ  ｐｅｅｎｉｎｇ効果により、Ａｒがスパッタ膜に混入される。膜中のＡｒ量により、ａｔｏｍｉｃ  ｐｅｅｎｉｎｇ効果を見積もることができる。すなわち、Ａｒ量が少なければ、高エネルギーＡｒ照射効果が少ないことを意味し、密度の疎な膜が形成されやすい。一方、Ａｒ量が多ければ高エネルギーＡｒの照射が激しく、密度は高くなるものの、膜中に取り込まれたＡｒが繰返しオーバーライト時にｖｏｉｄとなって析出し、繰返しの耐久性を劣化させる。記録層膜中の適当なＡｒ量は、０．１原子％以上、１．５原子％以下である。さらに、直流スパッタリングよりも高周波スパッタリングを用いたほうが、膜中Ａｒ量が少なくして、高密度膜が得られるので好ましい。
【００１４】
本発明において、記録層は上述の組成を有するＧｅ，Ｓｂ，Ｔｅを主たる構成元素とした合金を主成分とする薄膜からなる。すなわち、記録層中のＧｅ，Ｓｂ，Ｔｅの各元素量の比が上述の組成範囲にあればよく、記録層には必要に応じて他の元素を、合計１０原子％程度まで添加してもよい。記録層にさらに、Ｏ，Ｎ，及びＳから選ばれる少なくとも一つの元素を、０．１原子％以上５原子％以下添加することで、記録層の光学定数を微調整することができる。しかし、５原子％を超えて添加することは、結晶化速度を低下させ消去性能を悪化させるので好ましくない。
【００１５】
また、オーバーライト時の結晶化速度を低下させずに、経時安定性を増すために、Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｐｔ及びＺｒの少なくとも一種を、８原子％以下添加するのが好ましい。より好ましくは、０．１原子％以上５原子％以下添加する。ＳｂＴｅに対する、これら添加元素とＧｅの合計の添加量は全部で１５原子％以下であることが望ましい。過剰に含まれるとＳｂ以外の相分離を誘起してしまう。特に、Ｇｅ含有量が３原子％以上、５原子％以下の場合には添加効果が大きい。経時安定性の向上と屈折率の微調整のために、Ｓｉ，Ｓｎ，及びＰｂの少なくとも一種を、５原子％以下添加するのが好ましい。これら添加元素とＧｅの合計の含有量は１５原子％以下が好ましい。これら元素はＧｅと同じ４配位ネットワークを持つ。
Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎを８原子％以下添加することは，結晶化温度を上昇させると同時に、ジッタを低減させたり、記録感度を改善する効果もあるが、偏析も生じやすいため、６原子％以下とするのが好ましい。また、Ｇｅとあわせた含有量は１５原子％以下、好ましくは１３％以下とすることが望ましい。Ａｇを８原子％以下添加することはやはり記録感度を改善する上で効果があり、特にＧｅ原子量が５原子％を超える場合に用いれば、効果が顕著である。しかし、８原子％を超える添加は、ジッタを増加させたり、非晶質マークの安定性を損ねるので好ましくないし、Ｇｅと合わせた添加量が１５原子％を超えると偏析を生じやすいので好ましくない。Ａｇの含有量として最も好ましいのは、５原子％以下である。
【００１６】
さて、本発明の記録媒体の記録層（４）は、成膜後の状態は通常、非晶質である。従って、成膜後に、記録層全面を結晶化して初期化された状態（未記録状態）とする必要がある。初期化方法としては、固相でのアニールによる初期化も可能であるが、一旦記録層を溶融させ再凝固時に徐冷して結晶化させる溶融再結晶化による初期化が望ましい。本記録層は成膜直後には結晶成長の核がほとんどなく、固相での結晶化は困難であるが、溶融再結晶化によれば、少数の結晶核が形成されてのち、溶融して、結晶成長が主体となって高速で再結晶化が進む。
【００１７】
また、本発明の記録層は、溶融再結晶化による結晶と、固相でのアニールによる結晶とは反射率が異なるため、混在するとノイズの原因となる。そして、実際のオーバーライト記録の際には、消去部は溶融再結晶化による結晶となるため、初期化も溶融再結晶化により行なうのが好ましい。このとき、記録層を溶融するのは局所的かつ、１ミリ秒程度以下の短時間に限る。溶融領域が広かったり、溶融時間あるいは冷却時間が長すぎると、熱によって各層が破壊されたり、プラスチック基板表面が変形したりするためである。このような熱履歴を与えるには、波長６００〜１０００ｎｍ程度の高出力半導体レーザー光を、長軸１００〜３００μｍ、短軸１〜３μｍに集束して照射し、短軸方向を走査軸として、１〜１０ｍ／ｓの線速度で走査することが望ましい。同じ集束光でも円形に近いと溶融領域が広すぎ、再非晶質化がおきやすく、また、多層構成や基板へのダメージが大きく好ましくない。初期化が溶融再結晶化によって行われたことは以下のようにして確認できる。すなわち、該初期化後の媒体に、直径約１．５μｍより小さいスポット径に集束された、記録層を溶融するにたる記録パワーＰｗの記録光を、直流的に、一定線速度で照射する。案内溝がある場合は、その溝もしくは溝間からなるトラックに、トラッキングサーボ及びフォーカスサーボをかけた状態で行なう。
その後、同じトラック上に消去パワーＰｅ（≦Ｐｗ）の消去光を直流的に照射して得られる消去状態の反射率が、全く未記録の初期状態の反射率とほとんど同じであれば、該初期化状態は溶融際結晶状態と確認できる。なぜなら、記録光照射により記録層は一旦溶融されており、それを消去光照射で完全に再結晶化した状態は、記録光による溶融と消去光による再結晶化の過程を経ており、溶融再結晶化された状態にあるからである。なお、初期化状態の反射率Ｒiniと溶融再結晶化状態Ｒcryの反射率がほぼ同じであるとは、（Ｒini−Ｒcry）／｛（Ｒini＋Ｒcry）／２｝で定義される両者の反射率差が２０％以下であることをいう。通常、アニール等の固相結晶化だけでは、その反射率差は２０％より大きい。
【００１８】
このような本発明の記録層は図１に示すように、第１の保護層（３）と第２の保護層（５）の間にはさみ込まれた構成となって基板（１）表面（溝形成面）に設けられる。ここで第１の保護層（３）は主として、記録時の高温による基板（１）表面の変形を防止するのに有効である。また、第２の保護層（５）は記録層（３）と反射放熱層（５）の相互拡散を防止し、記録層（３）の変形を抑制しつつ、反射放熱層（２）へ効率的に熱を逃すという機能を併せ持つ。
【００１９】
保護層（３）、（５）の材料としては、屈折率、熱伝導率、化学的安定性、機械的強度、密着性等に留意して決定される。一般的には透明性が高く高融点である金属や半導体の酸化物、硫化物、窒化物、炭化物やＣａ，Ｍｇ，Ｌｉ等のフッ化物を用いることができるが、本発明者らは種々の材料を検討した結果、上記観点および本発明の記録層（４）を構成する材料との整合性を考慮して、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物が最も好ましいと考えている。なおこの材料に限らず、上記酸化物、硫化物、窒化物、炭化物、フッ化物は必ずしも化学量論的組成をとる必要はなく、屈折率等の制御のために組成を制御したり、混合して用いることも有効である。
【００２０】
保護層の機能等について、もう少し詳述する。本発明の層構成は、急冷構造と呼ばれる層構成の一種に属する。急冷構造は、放熱を促進し、記録層再凝固時の冷却速度を高める層構成を採用することで、非晶質マーク形成のときの再結晶化の問題を回避しつつ、高速結晶化による高消去比を実現する。このため第２の保護層（５）の膜厚は、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下とする。５ｎｍより薄いと、記録層溶融時の変形等によって破壊されやすく、また、放熱効果が大きすぎて記録に要するパワーが不必要に大きくなってしまう。
【００２１】
本発明の、第１の保護層の膜厚は、繰返しオーバーライトにおける耐久性に大きく影響し、特にジッタの悪化を抑制する上でも重要である。膜厚が３０ｎｍより厚い場合には、記録時に、第２の保護層の記録側と、反射層側とで温度差が大きくなり、保護層の両側における熱膨張差から、保護層自体が非対称に変形しやすくなる。この繰返しは、保護層内部に微視的塑性変形を蓄積させ、ノイズの増加を招くので好ましくない。上記のような本発明の記録層材料を用いると、最短マーク長０．３μｍ以下の高密度記録において低ジッタを実現できるが、本発明者らの検討によれば、高密度記録を実現するために短波長のレーザーダイオード（例えば，波長４１０ｎｍ以下）を用いる場合には、上記急冷構造の層構成についても、一層の留意が必要になる。特に、波長が５００ｎｍ以下、開口数ＮＡが０．５５以上の小さな集束光ビームを用いた１ビームオーバーライト特性の検討において、マーク幅方向の温度分布を平坦化することが、高消去比及び消去パワーマージンを広く取るために重要であることが分かっている。
この傾向は、波長３９０〜４２０ｎｍ、ＮＡ＝０．８５前後の光学系を用いた、ＤＶＲ対応の光学系においても同様である。このような光学系を用いた高密度マーク長変調記録においては、特に熱伝導特性の低いものを第２の保護層として用いる。好ましくはその膜厚を７ｎｍ以上２５ｎｍ以下とする。いずれの場合にも、その上に設ける高熱伝導率な保護層を設けることで、高速記録時に熱が急激に逃げずかつ熱傾斜ができていることから高速記録が可能となる。
【００２２】
反射放熱層はとりわけ高熱伝導率の材料とすることにより、消去比及び消去パワーマージンを改善できる。検討によれば、広い消去パワー範囲において、本発明の記録層が持つ良好な消去特性を発揮させるには、単に膜厚方向の温度分布や時間変化のみならず、膜面方向（記録ビーム走査方向の垂直方向）の温度分布をできるだけ平坦化できるような層構成を用いるのが好ましい。また、本発明者らは、光記録媒体の層構成を適切に設計することにより、媒体中のトラック横断方向の温度分布を平坦にすることで、溶融して再非晶質化されることなく、再結晶化することのできる幅を広げ、消去率及び消去パワーマージンを広げることを試みた。一方、熱伝導率が低くごく薄い第１の保護層を介して、記録層から、極めて高熱伝導率の反射放熱層への放熱を促進させるために第１の保護層を２層にしたことで、記録層における温度分布が平坦になることがわかった。第２の保護層の熱伝導率を高くしても放熱効果は促進されるが、あまり放熱が促進されると、記録に要する照射パワーが高くなる、すなわち、記録感度が著しく低下してしまうので第１の保護層の２層のうち、熱伝導率が高いＴａ２Ｏ５層の膜厚をＺｎＳＳｉＯ２層の膜厚の１／２以下であり１／５以上とすることで高速で、高密度で高感度で記録が可能となる。
【００２３】
本発明においては第１の保護層を２層にし、記録層側には低熱伝導率の保護層を用いるのが好ましい。低熱伝導率の、薄い保護層を用いることにより、記録パワー照射開始時点の数ｎｓｅｃ〜数１０ｎｓｅｃにおいて、記録層から反射層への熱伝導に時間的な遅延をあたえ、その後に反射層への放熱を促進することができるため、放熱により必要以上に記録感度を低下させることがない。従来知られている、ＳｉＯ２，Ｔａ２Ｏ５，Ａｌ２Ｏ３，ＡｌＮ，ＳｉＮ等を主成分とする保護層材料は、それ自身の熱伝導率が高すぎて、単体で使用することは好ましくないが、第１の保護層（５）を２層のうち、反射放熱層側にこの熱伝導率の高くしかも放熱層としてＡｌ合金との相性およびスパッタでの安定性とＤＣ製膜が可能なＴａ２Ｏ５を形成することで、高速で記録が可能となる。
まず、記録時にはＺｎＳＳｉＯ２の低熱伝導率層を用いて記録し、熱を逃がす際に、直接金属ではなく熱傾斜層として熱伝導率が高いＴａ２Ｏ５層を用いることで熱も急冷させることができるので、記録感度を悪くせずに、高速記録が可能な記録メディアが製作可能となる。
【００２４】
図３に膜厚比（Ｔａ２Ｏ５膜厚／ＺｎＳＳｉＯ２／ＺｎＳＳｉＯ２膜厚）と記録できる線速および記録感度を示した。
モジュレーションが５０％以上得られると記録再生特性の良い許容範囲（例としてはジッタが１０％以下となり、エラーが１０6台なる領域）になる。また記録パワーは青紫色ＬＤでＮＡ＝０．８５にしてビーム径（１／ｅ2）で０．４μｍ近傍にすると媒体面でパルス８ｍＷ程度が最大出射パワーとなることから記録感度が８ｍＷ以下でモジュレーションが５０％以上となることが必要となる。
膜厚比（Ｔａ２Ｏ５膜厚／ＺｎＳＳｉＯ２膜厚）が１／５（０．２）以上で記録できる線速（記録パワー８ｍＷ以下、モジュレーション５０％以上）が急激に高速で記録でき、しかもＴａ２Ｏ５を形成しないメディアに比較して記録線速が約２倍早く記録可能となっている。
また、膜厚比（Ｔａ２Ｏ５膜厚／ＺｎＳＳｉＯ２膜厚）が１／２（０．５）を超えると急激に記録感度が悪くなり、記録パワーを入力したにもかかわらず記録線速が急激に減少した。すなわち、第１の保護層の２層の膜厚比（Ｔａ２Ｏ５膜厚／ＺｎＳＳｉＯ２膜厚）は１／５以上１／２以下が記録感度が良く（８ｍＷ以下）線速が急激に早く記録できる範囲であった。
【００２５】
一方、反射放熱層（２）における放熱は、反射放熱層（２）の厚みを厚くしても達成できるが、反射放熱層（５）の厚みが３００ｎｍを超えると、記録層（３）膜面方向よりも膜厚方向の熱伝導が顕著になり、膜面方向の温度分布改善効果が得られない。また、反射放熱層（５）自体の熱容量が大きくなり、反射放熱層（２）、ひいては記録層（３）の冷却に時間がかかるようになって、非晶質マークの形成が阻害される。最も好ましいのは、高熱伝導率の反射放熱層（５）を薄く設けて横方向への放熱を選択的に促進することである。従来用いられていた急冷構造は、膜厚方向の１次元的な熱の逃げにのみ注目し、記録層（４）から反射放熱層（２）に早く熱を逃すことのみを意図しており、この平面方向の温度分布の平坦化に充分な留意が払われていなかった。
【００２６】
なお、本発明の、いわば「第１の保護層での熱伝導遅延効果を考慮した超急冷構造」は、本発明に係る記録層（４）に適用すると、従来のＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３記録層に比べて一層効果がある。なぜなら、本発明の記録層（４）はＴｍ近傍での再凝固時の結晶成長が再結晶化の律速になっているからである。Ｔｍ近傍での冷却即速度を極限まで大きくして、非晶質マーク及びそのエッジの形成を確実かつ明確なものとするには、超急冷構造が有効であり、かつ、膜面方向の温度分布の平坦化で、もともとＴｍ近傍で高速消去可能であったものが、より高消去パワーまで確実に再結晶化による消去を確保できるからである。
【００２７】
本発明においては、第２の保護層（５）の材料としては熱伝導特性が低い方が望ましいが、その目安は１×１０−３ｐＪ／（μｍ・Ｋ・ｎｓｅｃ）である。しかしながら、このような低熱伝導率材料の薄膜状態の熱伝導率を直接測定するのは困難であり、代わりに、熱シミュレーションと実際の記録感度の測定結果から目安を得ることができる。好ましい結果をもたらす低熱伝導率の第２の保護層材料としては、ＺｎＳ，ＺｎＯ，ＴａＳ２又は希土類硫化物のうちの少なくとも一種を５０ｍｏｌ％以上９０ｍｏｌ％以下含み、かつ、融点又は分解点が１０００℃以上の耐熱性化合物とを含む複合誘電体が望ましい。
より具体的にはＬａ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｙ等の希土類の硫化物を６０ｍｏｌ％以上９０ｍｏｌ％以下含む複合誘電体が望ましい。あるいは、ＺｎＳ，ＺｎＯもしくは希土類硫化物の組成の範囲を７０〜９０ｍｏｌ％とすることが望ましい。
これらと混合されるべき、融点又は分解点が１０００℃以上の耐熱化合物材料としては、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｐｂ等の酸化物、窒化物、炭化物やＣａ，Ｍｇ，Ｌｉ等のフッ化物を用いることができる。
特にＺｎＳと混合されるべき材料としてはＳｉＯ２が望ましく、本発明ではこの組み合わせが最適であると考えている。また第１の保護層（４）はＺｎＳＳｉＯ２とＴａ２Ｏ５の２層にすることが良い。この第１の保護層（４）の膜厚が３０ｎｍより厚いとマーク幅方向の温度分布の充分な平坦化効果が得られないため、３０ｎｍ以下とする。好ましくは２５ｎｍ以下とする。５ｎｍ未満では、第１の保護層部での熱伝導の遅延効果が不充分で、記録感度低下が著しくなり好ましくない。第１の保護層（４）の厚さは、記録レーザー光の波長が６００〜７００ｎｍでは１５ｎｍ〜２５ｎｍが好ましく、波長が３５０〜６００ｎｍでは５〜２０ｎｍが好ましく、より好ましくは５〜１５ｎｍである。
なお、本発明においては、上記のように第１、第２の保護層ともＺｎＳとＳｉＯ２を混合したものとしているが、このように同じ材料にすると、製造上のコスト低減の面からも有利である。
【００２８】
次に、反射放熱層（２）について説明する。本発明においては、非常に高熱伝導率で３００ｎｍ以下の薄い反射放熱層（２）を用いて、横方向の放熱効果を促進するのが特徴である。一般には薄膜の熱伝導率はバルク状態の熱伝導率と大きく異なり、小さくなっているのが普通である。特に４０ｎｍ未満の薄膜では成長初期の島状構造の影響で熱伝導率が１桁以上小さくなる場合があり好ましくない。さらに、成膜条件によって結晶性や不純物量が異なり、これが同じ組成でも熱伝導率が異なる要因になる。
【００２９】
本発明において良好な特性を示す高熱伝導率の反射放熱層（２）を規定するために、反射放熱層（２）の熱伝導率は直接測定することも可能であるが、その熱伝導の良否を電気抵抗を利用して見積もることができる。金属膜のように電子が熱もしくは電気伝導を主として司る材料においては熱伝導率と電気伝導率は良好な比例関係があるためである。薄膜の電気抵抗はその膜厚や測定領域の面積で規格化された抵抗率値で表わす。体積抵抗率と面積抵抗率は通常の４探針法で測定でき、ＪＩＳ  Ｋ  ７１９４によって規定されている。本法により、薄膜の熱伝導率そのものを実測するよりもはるかに簡便かつ再現性の良いデータが得られる。
【００３０】
本発明において好ましい反射放熱層（２）の特性としては、体積抵抗率が２０ｎΩ・ｍ以上１５０ｎΩ・ｍ以下であり、より好ましくは２０ｎΩ・ｍ以上１００ｎΩ・ｍ以下である。体積抵抗率２０ｎΩ・ｍ未満の材料は薄膜状態では実質的に得にくい。体積抵抗率１５０ｎΩ・ｍより体積抵抗率が大きい場合でも、例えば３００ｎｍを超える膜厚とすれば面積抵抗率を下げることはできるが、本発明者らの検討によれば、このような高体積抵抗率材料で面積抵抗率のみ下げても、充分な放熱効果は得られなかった。膜厚では単位面積当たりの熱容量が増大してしまうためと考えられる。また、このような膜厚では成膜に時間がかかり、材料費も増えるため製造コストの観点から好ましくない。さらに、膜表面の微視的な平坦性も悪くなってしまう。好ましくは、膜厚３００ｎｍ以下で面積抵抗率０．２以上０．９Ω／□以下が得られるような、低体積抵抗率材料を用いる。０．５Ω／□が最も好ましい。
【００３１】
本発明に適した材料は、以下のとおりである。例えば、Ｃｕを０．３重量％以上５．０重量％以下含有するＡｌ−Ｃｕ系合金である。特に、ＺｎＳとＳｉＯ２を混合し、Ｔａ２Ｏ５の２層の保護層（４）に対しては、Ｃｕを０．５重量％以上４．０重量％以下含有するＡｌ−Ｃｕ系合金が、耐食性、密着性、高熱伝導率のすべてをバランス良く満足する反射放熱層として望ましい。
また、Ｓｉを０．３重量％以上０．８重量％以下、Ｍｇを０．３重量％以上１．２重量％以下含有するＡｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系合金も有効である。
さらに、ＡｌにＴａ，Ｔｉ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｓｉ，Ｓｃ，Ｈｆ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｍｇ，Ｚｒ，Ｍｏ，又はＭｎを０．２原子％以上２原子％以下含むＡｌ合金は、添加元素濃度に比例して体積抵抗率が増加し、また、耐ヒロック性が改善され、耐久性、体積抵抗率、成膜速度等考慮して用いることができる。Ａｌ合金に関しては、添加不純物量０．２原子％未満では、成膜条件にもよるが、耐ヒロック性は不充分であることが多い。また、２原子％より多いと上記の低抵抗率が得られにくい。経時安定性をより重視する場合には添加成分としてはＴａが好ましい。
また、ＺｎＳとＳｉＯ２を混合したものを主成分とし、Ｔａ２Ｏ５の２層とした第１の保護層（４）に対しては、Ｔａを０．５原子％以上，０．８原子％以下とするＡｌＴａ合金が、耐食性、密着性，高熱伝導率のすべてをバランス良く満足する反射放熱層として望ましい。また、Ｔａの場合、わずか０．５原子％の添加で純ＡｌやＡｌ−Ｍｇ−Ｓｉ合金に比べて、スパッタリング時の成膜レートが３〜４割アップするという製造上好ましい効果が得られる。
【００３２】
上記Ａｌ合金を反射放熱層として用いる場合、好ましい膜厚は１５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。１５０ｎｍ未満では純Ａｌでも放熱効果は不充分である。３００ｎｍを超えると、熱が水平方向より垂直方向に逃げて、水平方向の熱分布改善に寄与しないし、反射放熱層そのものの熱容量が大きく、却って記録層の冷却速度が遅くなってしまう。また、膜表面の微視的な平坦性も悪くなる。
さらに、ＡｇにＴｉ，Ｖ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｗ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｓｃ，Ｈｆ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｍｇ，Ｚｒ，Ｍｏ，又はＭｎを０．２原子％以上５原子％以下含むＡｇ合金も望ましい。経時安定性をより重視する場合には添加成分としてはＴｉ，Ｍｇが好ましい。上記Ａｇ合金を反射放熱層として用いる場合、好ましい膜厚は３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。３０ｎｍ未満では純Ａｇでも放熱効果は不充分である。２００ｎｍを超えると、熱が水平方向より垂直方向に逃げて、水平方向の熱分布改善に寄与しないし、不必要な膜厚は生産性を低下させる。また、膜表面の微視的な平坦性も悪くなる。
【００３３】
本発明者らは上記、Ａｌへの添加元素、Ａｇへの添加元素は、その添加元素濃度に比例して、体積抵抗率が増加することを確認している。ところで、不純物の添加は一般的に結晶粒径を小さくし、粒界の電子散乱を増加させて熱伝導率を低下させると考えられる。添加不純物量を調節することは、結晶粒径を大きくすることで材料本来の高熱伝導率を得るために必要である。なお、反射放熱層は通常スパッタ法や真空蒸着法で形成されるが、ターゲットや蒸着材料そのものの不純物量もさることながら、成膜時に混入する水分や酸素量も含めて全不純物量を２原子％以下とする必要がある。このためにプロセスチャンバの到達真空度は１×１０-3Ｐａ以下とすることが望ましい。また、１０-4Ｐａより悪い到達真空度で成膜するなら、成膜レートを１ｎｍ／秒以上、好ましくは１０ｎｍ／秒以上として不純物が取り込まれるのを防ぐことが望ましい。
【００３４】
あるいは、意図的な添加元素を１原子％より多く含む場合は、成膜レートを１０ｎｍ／秒以上として付加的な不純物混入を極力防ぐことが望ましい。成膜条件は不純物量とは無関係に結晶粒径に影響を及ぼす場合もある。例えば、ＡｌにＴａを２原子％程度混入した合金膜は、結晶粒の間に非晶質相が混在するが、結晶相と非晶質相の割合は成膜条件に依存する。また、低圧でスパッタするほど結晶部分の割合が増え、体積抵抗率が下がり、熱伝導率が増加する。膜中の不純物組成あるいは結晶性は、スパッタに用いる合金ターゲットの製法やスパッタガス（Ａｒ，Ｎｅ，Ｘｅ等）にも依存する。このように、薄膜状態の体積抵抗率は金属材料、組成のみによっては決まらない。高熱伝導率を得るためには、上記のように、不純物量を少なくするのが望ましいが、一方で、ＡｌやＡｇの純金属は耐食性や耐ヒロック性に劣る傾向があるため、両者のバランスを考慮して最適組成が決まる。
【００３５】
さらなる高熱伝導と高信頼性をえるために反射放熱層を多層化することも有効である。このとき、少なくとも１層は全反射放熱層膜厚の５０％以上の膜厚を有する上記低体積抵抗率材料として実質的に放熱効果を司り、他の層が耐食性や保護層との密着性、耐ヒロック性の改善に寄与するように構成される。より具体的には、金属中最も高熱伝導率および低体積抵抗率であるＡｇはＳを含む保護層との相性が悪く、繰返しオーバーライトした場合の劣化がやや速いという傾向がある。また、高温高湿の加速試験環境下で腐食を生じやすい傾向がある。そこで、低体積抵抗率材料としてＡｇ及びＡｇ合金を用い、上部保護層との間に界面層としてＡｌを主成分とする合金層を１ｎｍ以上１００ｎｍ以下設けることも有効である。厚さを５ｎｍ以上とすれば、層が島状構造とならず均一に形成されやすい。
【００３６】
Ａｌ合金としては前述と同様に例えば、Ｔａ，Ｔｉ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｓｉ，Ｓｃ，Ｈｆ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｍｇ，Ｚｒ，Ｍｏ，又はＭｎを０．２原子％以上２原子％以下含むＡｌ合金が挙げられる。界面層の厚さは１ｎｍ未満では保護効果が不充分で、１００ｎｍを超えると放熱効果が犠牲になる。界面層の使用は、特に反射放熱層がＡｇ又はＡｇ合金の場合に有効である。なぜなら、Ａｇは本発明で好ましいとされる硫化物を含む保護層との接触により、比較的硫化による腐食を起こしやすいからである。
【００３７】
さらにＡｇ合金反射層とＡｌ合金界面層を用いる場合、ＡｇとＡｌは比較的相互拡散しやすい組み合わせであるので、Ａｌ表面を１ｎｍより厚く、酸化して界面酸化層を設けることがいっそう好ましい。界面酸化層が５ｎｍ、とくに１０ｎｍを越えるとそれが熱抵抗となり、本来の趣旨である、極めて放熱性の高い反射放熱層としての機能が損なわれるので好ましくない。反射放熱層の多層化は、高体積抵抗率材料と低体積抵抗率材料を組み合わせて所望の膜厚で所望の面積抵抗率を得るためにも有効である。合金化による体積抵抗率調節は、合金ターゲットの使用によりスパッタ工程を簡素化できるが、ターゲット製造コスト、ひいては媒体の原材料比を上昇させる要因にもなる。従って、純Ａｌや純Ａｇの薄膜と上記添加元素そのものの薄膜を多層化して所望の体積抵抗率を得ることも有効である。層数が３層程度までであれば、初期の装置コストは増加するものの、個々の媒体コストはかえって抑制できる場合がある。反射放熱層を複数の金属膜からなる多層反射放熱層とし、全膜厚を４０ｎｍ以上３００ｎｍ以下とし、多層反射放熱層の厚さの５０％以上が体積抵抗率２０ｎΩ・ｍ以上１５０ｎΩ・ｍ以下の金属薄膜層（多層であっても良い）とするのが好ましい。
【００３８】
単なる放熱層の多層よりも効果があるのは、図４に示すように、反射放熱層と保護層であるＺｎＳＳｉＯ２の熱伝導率が中間で反射放熱層よりも透過率があり、製膜時のデポレートがとれるＴａ２Ｏ５を反射放熱層と記録層の間に形成することである。しかも膜厚比（Ｔａ２Ｏ５膜厚／反射放熱層膜厚）と記録できる線速(Ｐｗ≦８ｍＷ＆モジュレーション≧５０％)および記録感度（５０％モジュレーションが得られる記録パワー（ｍＷ））を図４に示すように、反射放熱層とＴａ２０５膜厚比が０．２以上とすると、記録できる線速が０．１以下の倍以上と高速に記録できる。この効果は熱伝導率の良いＴａ２Ｏ５膜厚を限定することで、さらに熱伝導率の高い金属であるＡｌ合金やＡｇ合金へと熱の伝導をうまく処理できることを意味している。また膜厚比を０．８より大きくすると急激に記録感度が悪くなるので、モジュレーションがとれなくなる。以上から反射放熱層とＴａ２Ｏ５の膜厚比を０．２から０．８にすることで記録感度も良好で高速で記録可能なメディアができる。
【００３９】
カバー層（７）を設ける構成（図１）で、高ＮＡの対物レンズを用いる場合、０．３ｍｍ以下の厚さ、より好ましくは０．０６〜０．２０ｍｍの厚さが要求されるため、シート状であることが好ましい。材料としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられるが、光学特性、コストの点で優れるポリカーボネート樹脂、アクリル系樹脂が好ましい。上記透明シートを用いて薄型基板を形成する方法としては、紫外線硬化性樹脂、あるいは透明な両面粘着シートを介して、透明シートを貼りつける方法が挙げられる。また、紫外線硬化性樹脂を保護層上に塗布してこれを硬化させて薄型基板を形成してもよい。
【００４０】
ハードコートについては、紫外線硬化樹脂で鉛筆硬度でＨ以上で傷をつけられない硬さとディスクの面振れやチルト等の機械特性を調整するために通常５μｍから１０μｍを形成する。
一例として、紫外線硬化樹脂が挙げられる。たとえば三菱レーヨンの（製品名）ＭＨ７６１７Ｎを１μｍ形成することでホコリや傷に強くなる。通常ＭＯ等で形成されているハードコートの膜厚は５μｍ以上であるが、本発明者が鋭意、検討を行なった結果、本発明の記録媒体には５μｍ以上では膜厚ムラが生じ、ジッタ特性が悪くなることがわかった。
【００４１】
表１にハードコート膜厚を変えたサンプルを試作し、とディスクのジッタ特性（内周、中周、外周）を調べた結果を示した。
ハードコートはスピンコートで塗布するため、最外周で膜厚が厚くなるために、ハードコートの膜厚が６μｍ（設定）で外周のジッタ特性が９％以上と（クロック−データ）悪くなる。
ハードコートが５μｍ（設定）がジッタ特性で９％以下になる限界である。つまり、本発明には５μｍ未満とすることがジッタ特性を満足させるために必要であることがわかる。ハードコートは粘性によっても塗り方が変わるが、５μｍ以下を均一に塗るには７０ｃｐｓ程度の粘性の紫外線硬化樹脂を塗布する必要がある。
なお、下限であるが、０．５μｍ以下ではハードコート膜として機械的強度が不足して機能しないことがわかった。
【００４２】
【表１】
0004306988.tif 000002
【００４３】
図２は図１の保護基板（７）に代わって，保護コート層（６）を介して、もう１枚光記録媒体を下の光記録媒体と鏡像関係になるように貼り合わせたものである。
下の光記録媒体の基板（１）、反射放熱層（２）、第１の保護層（３）、記録層（４）、第２の保護層（５）、に対応して，基板（１’）、反射放熱層（２’）、第１の保護層（３’）、記録層（４’）、第２の保護層（５’）よりなり、材料、各層の厚さも同じにされる。
このようにすると、単に光記録媒体を保護できるだけではなく、記録容量を２倍にすることができる。
【００４４】
次に本発明の他の特徴について説明する。
図５に平均溝（グルーブ）幅をトラックピッチで割った値に対して、高速記録１３ｍ／ｓ、０．１３０μｍ／ｂｉｔで記録したときのモジュレーションを示した。トラックピッチは０．３３μｍで溝記録である。
比（平均溝幅をトラックピッチで割った値）が０．２を超えるとモジュレーションが急激に高くなり、０．３以上でモジュレーションが５０％を超えて記録再生特性が良くなる。該比が０．３以上でモジュレーションが急激に大きくなる。モジュレーションが５０％以上得られると記録再生特性の良い許容範囲（例としてはジッタが１０％以下となり、エラーが１０6台なる領域）になる。また比（平均溝幅をトラックピッチで割った値）が０．６以上になるとグルーブの幅が狭くなりスタンパ形成する際にグルーブの幅変動が大きくなり、トラッキングが不安定でかからなかったので本発明では比（平均溝幅をトラックピッチで割った値）を０．３以上０．５以下で行なうことで安定したトラッキングで、モジュレーションも５０％以上あるので記録再生特性も良好な特性が得られた。
【００４５】
【実施例】
（実施例１）
トラックピッチ０．３３μｍ、比（平均溝幅０．１５をトラックピッチで割った値０．３３）を０．４５とし厚さ１．１ｍｍ、直径１２０ｍｍのディスク状ポリカーボネート基板に、反射放熱層（ＡｇＰｄＣｕ）１４０ｎｍ、第１保護層としてＴａ２Ｏ５を５ｎｍ、(ＺｎＳ−ＳｉＯ2)を１２ｎｍ厚、記録層（Ａｇ１Ｉｎ３Ｓｂ７０Ｔｅ２３Ｇｅ３）を１２ｎｍ厚、第２の保護層（ＺｎＳ・ＳｉＯ2）を１２０ｎｍ厚、順次、枚葉スパッタ装置にて成膜し、さらに変性アクリル性接着剤（（日東電工）社製：商品名：（ＤＡ８３１０−Ａ５０））で７０μのポリカーボネートカバー層を設けるとともに、該ディスクの入射側にハードコートとして（三菱レーヨン  社製：商品名（ＭＨ７６１７Ｎ  ））を１μｍ厚に形成し、最終厚み１．２ｍｍの本発明による相変化型光ディスクを作製した。メディア構成は図１に示すとおり。
評価は１３ｍ／ｓ、線密度０．１３μｍ／ｂｉｔ，４０５ｎｍ，ＮＡ＝０．８５で評価した。記録パワー６ｍＷ、消去パワー３ｍＷでマルチパルスで記録した。（先頭パルス幅０．４Ｔ、マルチパルス幅０．４Ｔ、オフパルス０．５Ｔ）
マルチパルスオフパルスはボトムパワー０．２ｍＷまで冷却した。
その結果、モジュレーション６３％、ジッタ６．８％と良好な特性を示した。
【００４６】
（比較例１）
トラックピッチ０．３３μｍ、比（平均溝幅０．１５をトラックピッチで割った値０．３３）を０．４５とし厚さ１．１ｍｍ、直径１２０ｍｍのディスク状ポリカーボネート基板に、反射放熱層（ＡｇＰｄＣｕ）１４０ｎｍ、第１保護層として(ＺｎＳ−ＳｉＯ2)を１２ｎｍ厚、記録層（Ａｇ１Ｉｎ３Ｓｂ７０Ｔｅ２３Ｇｅ３）を１２ｎｍ厚、第２の保護層（ＺｎＳ・ＳｉＯ2）を１２０ｎｍ厚、順次、枚葉スパッタ装置にて成膜し、さらに変性アクリル性接着剤（（日東電工）社製：商品名：（ＤＡ８３１０−Ａ５０））で７０μのポリカーボネートカバー層を設けるとともに、該ディスクの入射側にハードコートとして（三菱レーヨン社製：商品名（ＭＨ７６１７Ｎ））を１μｍ厚に形成し、最終厚み１．２ｍｍの本発明による相変化型光ディスクを作製した。
実施例と同じ条件で記録しようとしたが１３ｍ／ｓでは記録ができなかった。
【００４７】
【発明の効果】
以上、詳細かつ具体的な説明から明らかなように、本発明により、反射放熱層と記録層の間の保護層を急冷構造するためにＴａ２Ｏ５をＺｎＳＳｉＯ２の２層構成にすることで、記録感度が悪くならずに、高速記録が可能となる。
また、本発明により、反射放熱層と記録層間の２層保護層の膜厚比を１／２以下であり１／５以上としたので、記録感度を悪くせず急冷構造にして高速記録で高密度記録できる。
また、本発明により、反射放熱層と記録層間の保護層の一つであるＴａ2Ｏ5の膜厚が反射放熱層膜厚０．２０以上、０．８０以下であることで，記録感度を悪くせず急冷構造にして高速記録で高密度記録できる。
また、本発明により、ハードコートを形成することで、基板の反りを矯正するだけでなく、ゴミ等が付着した場合ごみをふけることやキズがつきにくくできる。
また、本発明により、ハードコートの膜厚を１μｍ以上、５μｍ未満形成することで、基板の反りを矯正するだけでなく、ハードコート自体の膜厚を減少させられ、ゴミ等が付着した場合ごみをふきとることやキズがつきにくくできるという効果がある。
また、本発明により、基板の平均溝幅をトラックピッチの０．３以上０．５以下することでＧｅ，Ｓｂ，Ｔｅを主たる構成元素とした相変化記録層で高速、高密度記録が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に適用される光記録媒体の記録層などの層構成を説明するための断面図である。
【図２】本発明が実際に完成した場合の他の構成例を説明するための部分断面図である。
【図３】本発明における膜厚比（Ｔａ２Ｏ５膜厚／ＺｎＳＳｉＯ２膜厚）と記録できる線速および記録感度を示した図である。
【図４】本発明おける膜厚比（Ｔａ２Ｏ５膜厚/反射放熱層膜厚）と記録できる線速(Ｐｗ≦８ｍＷ＆モジュレーション≧５０％)および記録感度（５０％モジュレーションが得られる記録パワー（ｍＷ））の関係を示した図である。
【図５】本発明における平均溝幅に対するモジュレーションである。
【符号の説明】
１  基板
１’  基板
２  反射放熱層
２’  反射放熱層
３  第１の保護層
３’  第１の保護層
４  記録層
４’  記録層
５  第２の保護層
５’  第２の保護層
６  保護コート層または接着層
７  カバー層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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