(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体パッケージ用のベースに、光ファイバ挿通用のウインドパイプとパッケージの内外を電気的に接続するための接続端子とを備えたパッケージが接合され、パッケージの内側に電子部品収容用のキャビティが形成された半導体パッケージであって、
前記ベースは、
長方形状部分と、該長方形状部分の周縁部の四隅に方形状に延設され、ねじ挿通用の穴が開口するねじ止め部とを備える第１Ｃｕ板と、
前記第１Ｃｕ板の長方形状部分と同一の長方形状に形成され、前記ねじ止め部を避けて、前記第１Ｃｕ板の長方形状部分上にろう付け接合されたＭｏ板と、
前記第１Ｃｕ板の長方形状部分と同一の長方形状に形成され、前記Ｍｏ板の長方形状部分上にろう付け接合された第２Ｃｕ板とにより、前記第１Ｃｕ板のみに延設されたねじ止め部を除いて３層に積層して形成され、
前記パッケージは方形筒状の側壁を備え、該側壁の下端が前記ベースの前記第１Ｃｕ板の長方形状部分の上層の前記第２Ｃｕ板上にろう付け接合され、前記側壁の前記ベースへの接合部分が、前記第１Ｃｕ板、Ｍｏ板、第２Ｃｕ板の３層構造からなり、前記ねじ止め部が前記第１Ｃｕ板のみに延設されていることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
次の工程を含むことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
ａ．長方形状部分と、該長方形状部分の周縁部の四隅に方形状に延設され、ねじ挿通用の穴が開口するねじ止め部とを備える第１Ｃｕ板を形成する工程。
ｂ．前記第１Ｃｕ板の長方形状部分と同一の長方形状に形成され、前記ねじ止め部を避けて、前記第１Ｃｕ板に重ね合わせ可能な外形を有するＭｏ板と、
前記第１Ｃｕ板の長方形状部分と同一の長方形状に形成され、前記Ｍｏ板の長方形状部分に重ね合わせ可能な第２Ｃｕ板とを形成する工程。
ｃ．前記Ｍｏ板の表面に、ろう材形成用のＣｕめっきとＡｇめっきとを施す工程。
ｄ．前記ねじ止め部を避けて、前記第１Ｃｕ板の前記長方形状部分上に前記Ｍｏ板を重ね合わせ、前記Ｍｏ板の長方形状部分上に前記第２Ｃｕ板を重ね合わせたものを、上下方向に起立させた状態で、その重ね合わせたものを、その厚さ方向に加圧すると共に加熱して、前記Ｍｏ板の表面に施されたＣｕめっきとＡｇめっきとを溶融させ、前記第１Ｃｕ板と前記Ｍｏ板との間、前記Ｍｏ板と前記第２Ｃｕ板との間に存在する残留気体を上方に排出し、前記第１Ｃｕ板と前記Ｍｏ板との間、前記Ｍｏ板と前記第２Ｃｕ板との間を隙間なく密着させて接合し、前記第１Ｃｕ板のみに延設されたねじ止め部を除いて、前記第１Ｃｕ板と前記Ｍｏ板と前記第２Ｃｕ板とが互いに接合された３層の半導体パッケージ用のベースを形成する工程。
ｅ．前記ベース上に、方形筒状の側壁を備えるパッケージを、前記側壁の下端を前記ベースの前記第１Ｃｕ板の長方形状部分の上層の前記第２Ｃｕ板上にろう付け接合し、前記側壁の前記ベースへの接合部分が、前記第１Ｃｕ板、Ｍｏ板、第２Ｃｕ板の３層構造からなり、前記ねじ止め部が前記第１Ｃｕ板のみに延設された半導体パッケージを形成する工程。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、主として光半導体装置形成用の半導体パッケージ用のベースと、該ベースを用いて形成された半導体パッケージと、該半導体パッケージ用のベースの製造方法とに関する。
【０００２】
【従来の技術】
上記の光半導体装置形成用の半導体パッケージ用のベースには、図８ないし図１０に示されたものが使用されている。
そのうちの、図８と図９に示されたベース１００は、ＣｕＷからなる部材を切削加工して形成されたり、ＣｕＷ粉末を、粉末成形法により、成形金型を用いて成形して形成されたりしている。
もう１つの、図１０に示されたベース１００は、Ｃｕ板１８とＭｏ板２８とＣｕ板１８とがこの順に熱圧着により一体に接合されてなる複合板をプレス加工して形成されている。
【０００３】
このベース１００を用いて、半導体パッケージを形成する場合には、図１１ないし図１３に示したように、ベース１００に、コバール（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金）等の金属からなるパッケージの側壁６０をろう付け接合して形成している。そして、パッケージの側壁６０の内側に、電子部品収容用のキャビティ８０を形成している。
パッケージの側壁６０には、光ファイバ挿通用のウインドパイプ４０と、セラミックからなる端子本体５２にパッケージの側壁６０の内外を電気的に接続するための接続線路５４が形成された接続端子５０とを備えている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図８と図９に示されたベース１００は、そのＣｕＷからなる部材を切削加工するのに多大な手数と時間を要したり、そのＣｕＷ粉末を成形金型を用いて粉末形成するのに多大な手数と時間を要したり、そのＣｕＷからなる部材や粉末が高価であったり、その粉末成形金型が高価であったりした。そのために、一般に汎用される半導体パッケージには、利用しにくかった。
【０００５】
また、図１０に示されたベースにおいては、複合板をプレス加工して形成する都合上、その周縁部に延設するねじ止め部１２を、ベース１００上面に比べて、段差を持たせて丈低く形成することが困難であった。
他方、図１１ないし図１３に示した半導体パッケージにおいては、そのねじ止め部１２に設けられた穴１４にねじ９０を挿通して、そのねじ９０の先端を基板２００に螺挿して締め付ける操作を行うための空間９２や、ウインドパイプ４０の外側周囲に光ファイバ周囲を覆うキャップ１６０を被冠するための空間９２を、ねじ９０の頭部とその近くのパッケージの側壁６０に備えられたウインドパイプ４０との間に設ける必要がある。
そのために、図１１ないし図１３に示した半導体パッケージでは、そのねじ止め部１２を丈低く形成することができない分、ウインドパイプ４０をパッケージの側壁６０の上方に寄せて備える必要があり、その結果、パッケージの側壁６０の丈が高くなってしまい、半導体パッケージの小型化を図れなかった。
【０００６】
また、ねじ止め部１２に設けられた穴１４に挿通したねじ９０の先端を基板２００に螺挿して締め付けた場合に、そのねじ９０の締め付け力がねじ止め部１２からベース１００にそのまま直接に伝わってしまった。そして、そのねじ９０の締め付け力を受けて、ベース１００及びベース１００に接合されたパッケージの側壁６０が、歪んでしまった。そして、ベース１００に搭載された光用電子部品や、パッケージの側壁６０に備えられたウインドパイプ４０等に、光軸ずれが生じてしまった。
【０００７】
本発明は、このような課題を解消可能な、半導体パッケージと、該半導体パッケージの製造方法を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の半導体パッケージは、半導体パッケージ用のベースに、光ファイバ挿通用のウインドパイプとパッケージの内外を電気的に接続するための接続端子とを備えたパッケージが接合され、パッケージの内側に電子部品収容用のキャビティが形成された半導体パッケージであって、前記ベースは、長方形状部分と、該長方形状部分の周縁部の四隅に方形状に延設され、ねじ挿通用の穴が開口するねじ止め部とを備える第１Ｃｕ板と、前記第１Ｃｕ板の長方形状部分と同一の長方形状に形成され、前記ねじ止め部を避けて、前記第１Ｃｕ板の長方形状部分上にろう付け接合されたＭｏ板と、前記第１Ｃｕ板の長方形状部分と同一の長方形状に形成され、前記Ｍｏ板の長方形状部分上にろう付け接合された第２Ｃｕ板とにより、前記第１Ｃｕ板のみに延設されたねじ止め部を除いて３層に積層して形成され、前記パッケージは方形筒状の側壁を備え、該側壁の下端が前記ベースの前記１Ｃｕ板の長方形状部分の上層の前記第２Ｃｕ板上にろう付け接合され、前記側壁の前記ベースへの接合部分が、前記第１Ｃｕ板、Ｍｏ板、第２Ｃｕ板の３層構造からなり、前記ねじ止め部が前記第１Ｃｕ板のみに延設されていることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の半導体パッケージの製造方法は、次の工程を含むことを特徴としている。
ａ．長方形状部分と、該長方形状部分の周縁部の四隅に方形状に延設され、ねじ挿通用の穴が開口するねじ止め部とを備える第１Ｃｕ板を形成する工程。
ｂ．前記第１Ｃｕ板の長方形状部分と同一の長方形状に形成され、前記ねじ止め部を避けて、前記第１Ｃｕ板に重ね合わせ可能な外形を有するＭｏ板と、
前記第１Ｃｕ板の長方形状部分と同一の長方形状に形成され、前記Ｍｏ板の長方形状部分に重ね合わせ可能な第２Ｃｕ板とを形成する工程。
ｃ．前記Ｍｏ板の表面に、ろう材形成用のＣｕめっきとＡｇめっきとを施す工程。
ｄ．前記ねじ止め部を避けて、前記第１Ｃｕ板の前記長方形状部分上に前記Ｍｏ板を重ね合わせ、前記Ｍｏ板の長方形状部分上に前記第２Ｃｕ板を重ね合わせたものを、上下方向に起立させた状態で、その重ね合わせたものを、その厚さ方向に加圧すると共に加熱して、前記Ｍｏ板の表面に施されたＣｕめっきとＡｇめっきとを溶融させ、前記第１Ｃｕ板と前記Ｍｏ板との間、前記Ｍｏ板と前記第２Ｃｕ板との間に存在する残留気体を上方に排出し、前記第１Ｃｕ板と前記Ｍｏ板との間、前記Ｍｏ板と前記第２Ｃｕ板との間を隙間なく密着させて接合し、前記第１Ｃｕ板のみに延設されたねじ止め部を除いて、前記第１Ｃｕ板と前記Ｍｏ板と前記第２Ｃｕ板とが互いに接合された３層の半導体パッケージ用のベースを形成する工程。
ｅ．前記ベース上に、方形筒状の側壁を備えるパッケージを、前記側壁の下端を前記ベースの前記１Ｃｕ板の長方形状部分の上層の前記第２Ｃｕ板上にろう付け接合し、前記側壁の前記ベースへの接合部分が、前記第１Ｃｕ板、Ｍｏ板、第２Ｃｕ板の３層構造からなり、前記ねじ止め部が前記第１Ｃｕ板のみに延設された半導体パッケージを形成する工程。
【００１１】
このベース、半導体パッケージ、又はベースの製造方法においては、第１Ｃｕ板にＭｏ板と第２Ｃｕ板とが、第１Ｃｕ板の周縁部から延設されたねじ止め部を避けて、この順に重ね合わされて接合されている。そして、第１Ｃｕ板の周縁部に延設されたねじ止め部が、Ｍｏ板や第２Ｃｕ板よりも、段差を持たせて丈低く形成されている。
そのために、その第１Ｃｕ板にＭｏ板と第２Ｃｕ板とが重ね合わされて接合されてなるベースの第２Ｃｕ板に、光ファイバー挿通用のウインドパイプと接続端子とを備えたパッケージの側壁が接合されて形成される半導体パッケージの、ウインドパイプとねじ止め部との間に、ねじ止め部の穴に挿通したねじの頭部を回転操作するための空間や、ウインドパイプの外側周囲に光ファイバ周囲を覆うキャップを被冠するための空間を設ける場合に、第１Ｃｕ板とＭｏ板と第２Ｃｕ板との合計厚み分のねじ止め部が周縁部に延設さたベースに比べて、Ｍｏ板と第２Ｃｕ板との合計厚み分、ウインドパイプを、パッケージの側壁の下方に寄せて、パッケージの側壁に備えることができる。そして、その分、パッケージの側壁を丈低く抑えて、半導体パッケージを小型化できる。
【００１２】
また、ベースが、第１Ｃｕ板にＭｏ板と第２Ｃｕ板とがこの順に重ね合わされて接合された構造をしているため、そのベースを構成する第１Ｃｕ板とＭｏ板と第２Ｃｕ板との板厚の比率を自在に調整できる。そして、ベースが加熱された場合に生ずる、第１Ｃｕ板とＭｏ板と第２Ｃｕ板との熱膨張率の差異に起因するベースの反りを防ぐことができる。そして、そのベースに搭載された光用電子部品やパッケージの側壁に備えられたウインドパイプ等に光軸ずれが生ずるのを防ぐことができる。
【００１３】
また、第１Ｃｕ板の周縁部から延設されたねじ止め部が容易に弾性変形可能な薄い第１Ｃｕ板のみで形成されているため、そのねじ止め部に開口された穴に挿通したねじの先端を基板に螺挿して締め付けた場合に、そのねじの締め付け力がベースにそのまま直接に伝わるのを、第１Ｃｕ板からなるねじ止め部を弾性変形させて防ぐことができる。そして、そのねじの締め付け力を受けて、ベースやパッケージの側壁に反りが生じて、ベースに搭載された光用電子部品やパッケージの側壁に備えられたウインドパイプ等に光軸ずれが生ずるのを的確に防ぐことができる。
【００１４】
また、ベースを、第１Ｃｕ板にＭｏ板と第２Ｃｕ板とをこの順に重ね合わせて接合して形成できるため、切削加工又は粉末成形法等により形成するベースに比べて、そのベースの形成作業の容易化、迅速化を図れる。
【００１５】
また、第１Ｃｕ板にＭｏ板と第２Ｃｕ板とを重ね合わせたものを上下方向に起立させた状態で、その第１Ｃｕ板にＭｏ板と第２Ｃｕ板とを重ね合わせたものをその厚さ方向に加圧すると共に加熱して、接合するため、その互いに接合する第１Ｃｕ板とＭｏ板との間、及びＭｏ板と第２Ｃｕ板との間に存在する空気等の残留気体を、それらの間から、その上方に的確に追い出すことができる。そして、それらの第１Ｃｕ板とＭｏ板との間、及びＭｏ板と第２Ｃｕ板との間にボイド（虚空）が発生するのを防いで、それらの間を互いに隙間なく確実に密着接合できる。そして、第１Ｃｕ板にＭｏ板と第２Ｃｕ板とがこの順に接合されてなるベースの熱伝導性を、単にＣｕ板とＭｏ板とＣｕ板とが互いに熱圧着された複合板を用いて形成されたベースに比べて、向上させることができる。
【００１６】
また、ベースが、熱伝導率の良い第１Ｃｕ板と第２Ｃｕ板等を用いて形成されているため、ＣｕＷからなるベースに比べて、そのベースの熱伝導率を向上させることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
図１と図２は本発明のベースの好適な実施の形態を示し、図１はその正面図、図２はその平面図である。以下に、このベースを説明する。
【００１８】
図のベースにおいては、第１Ｃｕ板１０が横長方形状をしていて、その周縁部の四隅には、小方形状のねじ止め部１２がそれぞれ延設されている。ねじ止め部１２には、その表面中央にねじ挿通用の穴１４が開口されている。
【００１９】
第１Ｃｕ板１０には、同じく横長方形状をしたＭｏ板２０と、同じく横長方形状をした第２Ｃｕ板３０とが、第１Ｃｕ板１０の周縁部に延設されたねじ止め部１２を避けて、この順に重ね合わされてろう付け接合されている。
【００２０】
図１と図２に示したベースは、以上のように構成されている。
【００２１】
図３ないし図５は本発明の半導体パッケージの好適な実施の形態を示し、図３はその使用状態を示す正面図、図４はその平面図、図５はその使用状態を示す側面図である。以下に、この半導体パッケージを説明する。
【００２２】
図の半導体パッケージでは、図１と図２に示した前述のベース１００の第２Ｃｕ板３０に、光ファイバ挿通用のウインドパイプ４０とパッケージの内外を電気的に接続するための接続端子５０とを備えたパッケージの側壁６０が接合されている。
パッケージの側壁６０は、横長の方形筒状をしていて、その開口部を上下に向けて第２Ｃｕ板３０に接合されている。そして、パッケージの側壁６０の内側に、電子部品収容用のキャビティ８０が形成されている。
パッケージの側壁６０は、前述のコバール等の金属を用いて形成されていて、その下端が第２Ｃｕ板３０に気密にろう付け接合されている。
ウインドパイプ４０は、前述のコバール等の金属を用いて形成されていて、円筒状をしている。ウインドパイプ４０は、パッケージの側壁６０を貫通させて、パッケージの側壁６０に気密にろう付け接合されている。そして、そのウインドパイプ４０の先端と後端とが、パッケージの側壁６０の内側と外側とに突出している。
接続端子５０は、そのセラミックからなる端子本体５２が、パッケージの側壁６０を貫通させて、パッケージの側壁６０にメタライズ層（図示せず）を介して気密にろう付け接合されている。端子本体５２には、パッケージの側壁６０の内外を電気的に接続するためのメタライズからなる接続線路５４が形成されている。接続線路５４の外端には、外部リード５６が接続されている。
【００２３】
図３ないし図５に示した半導体パッケージは、以上のように構成されている。
【００２４】
次に、図１と図２に示したベースの製造方法であって、本発明のベースの製造方法の好適な実施の形態を説明する。
【００２５】
図１と図２に示したような、周縁部の四隅に小方形状のねじ止め部１２が延設されて、そのねじ止め部１２にねじ挿通用の穴１４が開口された約０．３ｍｍの厚さの横長方形状の第１Ｃｕ板１０を、プレス加工又はエッチング加工等により形成している。そして、本発明のベースの製造方法のａ工程を行っている。
【００２６】
次いで、第１Ｃｕ板１０に、その周縁部の四隅に延設されたねじ止め部１２を避けて、重ね合わせ可能な外形を有する、約０．３ｍｍの厚さの横長方形状のＭｏ板２０と、同じく約０．３ｍｍの厚さの横長方形状の第２Ｃｕ板３０とを、プレス加工又はエッチング加工等により形成している。そして、本発明のベースの製造方法のｂ工程を行っている。
【００２７】
次いで、Ｍｏ板２０の周囲表面に、高融点の共晶ろう等のろう材を形成するための、厚さ約３μｍのＣｕめっきと、厚さ約６μｍのＡｇめっきとを、電解めっき法により施している。そして、本発明のベースの製造方法のｃ工程を行っている。
【００２８】
次いで、図６に示したように、第１Ｃｕ板１０に、Ｍｏ板２０と第２Ｃｕ板３０とを、第１Ｃｕ板１０の周縁部の四隅部に延設されたねじ止め部１２を避けて、この順に重ね合わせている。そして、その第１Ｃｕ板１０にＭｏ板２０と第２Ｃｕ板３０とを重ね合わせたもの１１０を上下方向に起立させた状態で、その第１Ｃｕ板１０にＭｏ板２０と第２Ｃｕ板３０とを重ね合わせたもの１１０を、その厚さ方向に、約５Ｋｇ／ｃｍ２の圧力で、加圧すると共に、加熱炉等に入れて、約８２０℃に加熱している。そして、Ｍｏ板２０の周囲表面に施されたＣｕめっきとＡｇめっきとを溶融させている。そして、図６に示したように、そのＣｕめっきとＡｇめっきとを溶融させてなる共晶ろう等のろう材１２０を用いて、第１Ｃｕ板１０とＭｏ板２０とをろう付け接合している。それと共に、Ｍｏ板２０と第２Ｃｕ板３０とをろう付け接合している。そして、本発明のベースの製造方法のｄ工程を行っている。
その際には、例えば、図７に示したような、治具を用いて、第１Ｃｕ板１０にＭｏ板２０と第２Ｃｕ板３０とを重ね合わせたもの１１０をその厚さ方向に加圧している。この治具は、複数の第１Ｃｕ板１０にＭｏ板２０と第２Ｃｕ板３０とを重ね合わせたもの１１０をガイドスペーサー１３０を介して積み重ねたものを収容する方形状の枠体１４０と、該枠体に螺挿されたボルト１５０とから構成されている。そして、枠体１４０に螺挿されたボルト１５０を締め付けて、そのボルト１５０の先端で枠体１４０の内側に左右方向に積み重ねられた状態で上下に起立させて収容された複数の第１Ｃｕ板１０にＭｏ板２０と第２Ｃｕ板３０とを重ね合わせたもの１１０を、ガイドスペーサー１３０を介して左右方向に加圧できるように構成されている。ガイドスペーサー１３０は、ほぼ逆Ｕ字状をしていて、その内側に第１Ｃｕ板１０に重ね合わせたＭｏ板２０と第２Ｃｕ板３０とを動かぬように抱持できる構造をしている。
そして、図１と図２に示したような、ベースを形成している。
【００２９】
本発明のベースの製造方法は、以上の工程からなる。
【００３０】
このベース、半導体パッケージ、又はベースの製造方法においては、第１Ｃｕ板１０にＭｏ板２０と第２Ｃｕ板３０とがこの順にろう付け接合されてなるベース１００の第２Ｃｕ板３０に、光ファイバー挿通用のウインドパイプ４０と接続端子５０とを備えたパッケージの側壁６０を接合して形成する半導体パッケージの、パッケージの側壁６０のウインドパイプ４０とベース１００のねじ止め部１２との間に、図３と図５に示したような、ねじ止め部の穴１４に挿通したねじ９０を回転操作するための空間９２を設けたり、ウインドパイプ４０の外側周囲に光ファイバ周囲を覆うキャップ１６０を被冠するための空間９２を設けたりする場合に、第１Ｃｕ板１０とＭｏ板２０と第２Ｃｕ板３０との合計厚み分のねじ止め部１２が周縁部に延設さた図１１に示されたベースに比べて、Ｍｏ板２０と第２Ｃｕ板３０との合計厚み分、ウインドパイプ４０を、パッケージの側壁６０の下方に寄せて、パッケージの側壁６０に備えることができる。そして、その分、ウインドパイプ４０を備えたパッケージの側壁６０を丈低く抑えて、半導体パッケージを小型化できる。
【００３１】
また、ベース１００が、プレス加工又はエッチング加工等により形成された第１Ｃｕ板１０に同じくプレス加工又はエッチング加工等により形成されたＭｏ板２０と第２Ｃｕ板３０とがこの順にろう付け接合されて、形成されているため、切削加工又は粉末成形法等により形成するベースに比べて、そのベース１００の形成作業の容易化、迅速化が図れる。
【００３２】
また、第１Ｃｕ板１０とＭｏ板２０と第２Ｃｕ板３０とを重ね合わせたもの１１０を上下方向に起立させた状態で、その第１Ｃｕ板１０とＭｏ板２０と第２Ｃｕ板３０とを重ね合わせたもの１１０をその厚さ方向に加圧すると共に加熱して、ろう付け接合するため、その互いにろう付け接合する第１Ｃｕ板１０とＭｏ板２０との間、及びＭｏ板２０と第２Ｃｕ板３０との間に存在する空気等の残留気体を、それらの間から、その上方に的確に追い出すことができる。そして、それらの第１Ｃｕ板１０とＭｏ板２０との間、及びＭｏ板２０と第２Ｃｕ板３０との間にボイド（虚空）が発生するのを防いで、それらの間を互いに隙間なく確実に密着接合できる。そして、第１Ｃｕ板１０にＭｏ板２０と第２Ｃｕ板３０とがこの順に接合されてなるベース１００の熱伝導性を、単にＣｕ板１８とＭｏ板２８とＣｕ板１８とが互いに熱圧着された複合板を用いて形成されたベース１００に比べて、向上させることができる。
【００３３】
図３ないし図５に示した上述の半導体パッケージにおいては、そのパッケージの側壁６０を、セラミックを用いて形成しても良い。接続端子５０は、リード線をパッケージの側壁に設けられた貫通穴に挿通して、その貫通穴にリード線をガラス部材を介して気密に接合したものを用いても良い。
【００３４】
以上説明したように、本発明の半導体パッケージによれば、ウインドウパイプを、パッケージの側壁の下方に寄せて、パッケージの側壁に備えることができる。そして、その分、パッケージの側壁の丈を低く抑えて、半導体パッケージの小型化を図れる。
【００３５】
また、ベースを構成する第１Ｃｕ板とＭｏ板と第２Ｃｕ板との板厚の比率を自在に調整できる。そして、第１Ｃｕ板とＭｏ板と第２Ｃｕ板との熱膨張率の差異に起因するベースの反りを防ぐことができる。そして、ベースに搭載された光用電子部品やパッケージの側壁に備えられたウインドパイプ等に光軸ずれが生ずるのを的確に防ぐことができる。
【００３６】
また、第１Ｃｕ板の周縁部から延設されたねじ止め部に開口された穴に挿通したねじの先端を基板に螺挿して締め付けた場合に、そのねじの締め付け力を受けて、ベースやパッケージの側壁に反りが生じて、ベースに搭載された光用電子部品やパッケージの側壁に備えられたウインドパイプ等に光軸ずれが生ずるのを的確に防ぐことができる。
【００３７】
また、本発明の半導体パッケージの製造方法によれば、ベースを構成する第１Ｃｕ板とＭｏ板との間、及びＭｏ板と第２Ｃｕ板との間を、ろう材を用いて、ボイドなく、隙間なく確実に密着接合できる。そして、その第１Ｃｕ板にＭｏ板と第２Ｃｕ板とをこの順に接合してなるベースの熱伝導率を向上させることができる。そして、そのベースを用いて形成された半導体パッケージの熱放散性を向上させることができる。
【００３８】
また、ベースを、プレス加工又はエッチング加工等により形成された第１Ｃｕ板に、同じくプレス加工又はエッチング加工等により形成されたＭｏ板と第２Ｃｕ板とをこの順にろう付け接合するのみで形成でき、切削加工や粉末成形により形成する従来のベースに比べて、そのベースの形成作業の大幅な容易化と迅速化とを図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のベースの正面図である。
【図２】本発明のベースの平面図である。
【図３】本発明の半導体パッケージの使用状態を示す正面図である。
【図４】本発明の半導体パッケージの平面図である。
【図５】本発明の半導体パッケージの使用状態を示す側面図である。
【図６】ベースの一部拡大正面図である。
【図７】本発明の半導体パッケージの製造方法に用いる治具の使用状態を示す平面図である。
【図８】従来のベースの平面図である。
【図９】従来のベースの正面図である。
【図１０】従来のベースの正面図である。
【図１１】従来の半導体パッケージの使用状態を示す正面図である。
【図１２】従来の半導体パッケージの平面図である。
【図１３】従来の半導体パッケージの使用状態を示す側面図である。
【符号の説明】
１０  第１Ｃｕ板
１２  ねじ止め部
１４  穴
２０  Ｍｏ板
３０  第２Ｃｕ板
４０  ウインドパイプ
５０  接続端子
６０  パッケージの側壁
９０  ねじ
１００  ベース
１１０  第１Ｃｕ板にＭｏ板と第２Ｃｕ板とを重ね合わせたもの
１２０  ろう材
１３０  ガイドスペーサー
１４０  枠体
１５０  ボルト
２００  基板
【図１】
0004351775.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
0004351775.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
0004351775.tif 000012
【図１２】
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【図１３】
0004351775.tif 000014