(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属配線上に絶縁膜を形成するステップと、前記絶縁膜上に感光膜パターンを形成するステップと、前記絶縁膜をエッチングして前記金属配線の一部領域が露出された露出領域を形成するステップと、前記感光膜パターンを除去し洗浄する感光膜除去及び洗浄ステップとを含む半導体素子の製造方法において、前記感光膜除去及び洗浄ステップは、感光膜ストリップ装置で高周波（ＲＦ）電力とマイクロ波を利用してＮ２Ｈ２、Ｈ２Ｏ、ＣＦ４、Ｏ２混合ガス雰囲気で前記露出領域の側壁に生成されたポリマーを除去する第１ステップと、前記感光膜ストリップ装置で第１ステップ後、マイクロ波を利用してＮ２、ＣＦ４、Ｏ２混合ガス雰囲気で前記感光膜パターンを除去する第２ステップと、前記感光膜ストリップ装置で第２ステップ後、マイクロ波を利用してＮ２、Ｈ２Ｏ、ＣＦ４、Ｏ２混合ガス雰囲気で前記露出領域の底に生成された残留物を除去する第３ステップとを含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記感光膜除去及び洗浄ステップは、前記残留物を除去する第３ステップ後、超純水で洗浄する第４ステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記第１ステップは、  前記Ｎ２Ｈ２ガス量を５００ｓｃｃｍないし２５００ｓｃｃｍ、前記Ｈ２Ｏガス量を５０ｓｃｃｍないし５００ｓｃｃｍ、前記ＣＦ４ガス量を１０ｓｃｃｍないし１００ｓｃｃｍ、前記Ｏ２ガス量を１００ｓｃｃｍないし５００ｓｃｃｍとすることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項４】
前記第２ステップは、前記Ｎ２ガス量を５０ｓｃｃｍないし５００ｓｃｃｍ、前記ＣＦ４ガス量を１０ｓｃｃｍないし１００ｓｃｃｍ、前記Ｏ２ガス量を１００ｓｃｃｍないし２０００ｓｃｃｍとすることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項５】
前記第３ステップは、  前記Ｎ２ガス量を５０ｓｃｃｍないし５００ｓｃｃｍ、前記Ｈ２Ｏガス量を５０ｓｃｃｍないし５００ｓｃｃｍ、前記ＣＦ４ガス量を１０ｓｃｃｍないし１００ｓｃｃｍ、前記Ｏ２ガス量を１００ｓｃｃｍないし２０００ｓｃｃｍとすることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項６】
前記金属配線は、アルミニウム、銅、及びタングステンのグループから選択されたいずれか一つまたはこれらの組み合わせであることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項７】
前記絶縁膜は、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＣ、ＳｉＯＣＮ、ＰＥ−ＴＥＯＳ、ＳＲＯＮ、ＨＤＰ酸化膜、及び低誘電率絶縁膜のグループから選択されたいずれか一つまたはこれらの組み合わせであることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項８】
前記絶縁膜は、ＳｉＯＮ、ＨＳＱ、ＳＲＯＮが順に積層されたものであることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項９】
前記感光膜ストリップ装置において使用される高周波（ＲＦ）電力は、５００Ｗまで適用し、マイクロ波は、２５００Ｗまで適用することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、半導体素子の製造方法に関し、特に、半導体素子のビアコンタクトエッチング後の感光膜除去及び洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在ＶＬＳＩ（Ｖｅｒｙ  Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）の高密度化、高性能化が進められており、多層金属配線技術の重要性が急速に高まっている。多層金属配線構造においては、金属配線層とそれを分離する層間絶縁膜が積層化されて形成されている。デバイスの高性能化のためには、配線構造におけるＲＣ遅延要素の低減が要求されているため、金属配線では抵抗値の低減、すなわち固有抵抗値がアルミニウム（Ａｌ）よりも小さい銅（Ｃｕ）の使用が検討されており、層間絶縁膜では配線間及び層間容量低減のために、低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）を有する絶縁膜が導入されようとしている。
一方、配線構造が微細化、多層配線化されることにより、配線間を電気的に接続するビアコンタクト孔も微細化されており、ビアコンタクトの抵抗も増大している。ビアコンタクト孔は、感光膜を塗布、現像するマスク工程を経た後、ビアコンタクトエッチングを施して形成する。
ところが、ビアコンタクトエッチングは、絶縁膜の下部層が金属という点で他のコンタクトエッチングとは差がある。すなわち、下部層が金属であるので、絶縁膜エッチング時に、金属が物理的にスパッタ（ｓｐｕｔｔｅｒ）され、このスパッタされた金属原子がビアコンタクト孔の側壁及び底に付着して残留物を形成する。この場合、形成された側壁及び底の残留物には金属成分が多量含まれているので除去が困難である。
【０００３】
図１は、従来の技術に係るビアコンタクトエッチング後の断面図である。
金属下部配線１００上に層間絶縁膜１０５を形成し、ビアコンタクトエッチングのために感光膜パターンを形成する。前記感光膜パターン１２０をエッチングバリヤにして層間絶縁膜を選択的エッチングしてビアコンタクト孔を形成する。この時、感光膜パターン１２０はエッチング中に変形されなかった感光膜１１０と感光膜除去時に使用するフッ素系ガス等によって変形された感光膜１１５が形成される。また形成されたビアコンタクト孔底と側壁には、金属成分が多量含まれた残留物１２５が形成される。
したがってビアコンタクトエッチング後には、洗浄工程を実施して感光膜、残留物及び金属汚染を除去する。従来のビアコンタクトエッチング後の洗浄工程順は、感光膜除去、ＡＣＴを利用したウェット洗浄、金属蒸着前のスクラブ順に進行した。以下従来の感光膜除去及び洗浄方法について説明する。
【０００４】
まず、ビアコンタクト孔エッチングバリヤに用いられた感光膜は、既に機能的には必要ないために除去する必要がある。大部分が有機物から構成された感光膜を除去するには、燃焼、すなわち酸素と反応させて除去する方法が一般的に利用されている。具体的には、酸素プラズマで感光膜を分解する。即ち、プラズマに励起された酸素原子が感光膜の炭素と反応して二酸化炭素（ＣＯ２）ガスとなって感光膜を分解する。
しかし単純に感光膜といっても種類が多く、それぞれ高分子の材質が異なり、その化学構造も複雑であるので、実際に分解反応は単純でなく、また感光膜成分中にその酸化物が揮発性ではない物質を含む場合には、それがアッシング（ａｓｈｉｎｇ）中に酸化物となって滓になることもある。このように、イオンやエッチングガスによって変質された感光膜を完全に除去することは簡単ではなく、デバイスの集積度が高まることにより配線寸法が縮小されれば、若干の感光膜の残留が欠陥となって断線や短絡等の不良原因になって、収率低下の原因となる問題点がある。
【０００５】
一方、感光膜除去時酸素ガスに添加されるガスが多数検討されているが、感光膜除去率（ａｓｈｉｎｇ  ｒａｔｅ）の向上、剥離性改善面でフッ素系反応ガスと水素系反応ガス、または水素を含む混合ガスなどがプロセスガスとして酸素ガスに添加されて用いられている。
【０００６】
次に、感光膜除去後には、底と側壁に付着された残留物１２５を除去するために、ＡＣＴウェット洗浄とスクラブを行なう。しかし、近年ウェット洗浄は、ＡＣＴ需給に問題があり、経済的な方法ではない。また低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）絶縁膜に使用する場合、洗浄の際絶縁膜に衝撃（ａｔｔａｃｋ）を与えてビアコンタクト孔にボーイング（ｂｏｗｉｎｇ）現象が発生する。これは、後続工程である金属蒸着後にステップカバレッジが悪くなり、収率が低下する問題点がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明は、上記従来の技術の問題点に鑑みてなされたものであって、感光膜除去時にドライ洗浄を共に行なってビアコンタクト孔に形成された残留物を效果的に除去して、良好なコンタクト抵抗を示す感光膜除去及び洗浄方法を含む半導体素子の製造方法を提供することにその目的がある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するための本発明の半導体素子の製造方法は、金属配線上に絶縁膜を形成するステップと、前記絶縁膜上に感光膜パターンを形成するステップと、前記絶縁膜をエッチングして前記金属配線の一部領域が露出された露出領域を形成するステップと、前記感光膜パターンを除去し洗浄する感光膜除去及び洗浄ステップとを含む半導体素子の製造方法において、前記感光膜除去及び洗浄ステップは、感光膜ストリップ装置で高周波（ＲＦ）電力とマイクロ波を利用してＮ２Ｈ２、Ｈ２Ｏ、ＣＦ４、Ｏ２混合ガス雰囲気で前記露出領域の側壁に生成されたポリマーを除去する第１ステップと、前記感光膜ストリップ装置で第１ステップ後、マイクロ波を利用してＮ２、ＣＦ４、Ｏ２混合ガス雰囲気で前記感光膜パターンを除去する第２ステップと、前記感光膜ストリップ装置で第２ステップ後、マイクロ波を利用してＮ２、Ｈ２Ｏ、ＣＦ４、Ｏ２混合ガス雰囲気で前記露出領域の底に生成された残留物を除去する第３ステップとを含む。
【０００９】
本発明の感光膜除去及び洗浄ステップは、前記残留物を除去する第３ステップ後、超純水で洗浄する第４ステップをさらに含む。
【００１３】
第４ステップは、超純水（ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ  ｗａｔｅｒ）を使用して洗浄するステップである。洗浄は、超純水（ＤＩ  ｗａｔｅｒ）を使用して基板表面の化工薬品や微塵などがないようにするために、洗浄することをいう。
【００１４】
前記露出領域は、ホール（ｈｏｌｅ）、ライン（ｌｉｎｅ）またはバー（ｂａｒ）などの種々の形状に露出される。露出領域エッチング後には、感光膜を除去しながら同時にドライ洗浄を行い、ＡＣＴのようなウェット溶媒（ｗｅｔ  ｓｏｌｖｅｎｔ）を使用しないので、経済的な工程であり、またコンタクト抵抗が小さく抑えられる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、添付する図面を参照しながら本発明に係る好ましい一実施例を詳細に説明する。実施例はビアコンタクト孔形成時の感光膜除去及び洗浄工程である。
本実施例の実験に使用する感光膜ストリップ装置は、高周波（ＲＦ）とマイクロ波を両方使用することができる二重プラズマソース（ｄｕａｌ  ｐｌａｓｍａｓｏｕｒｃｅ）方式であって、３ｋＷ、２．４５ＧＨｚのマイクロ波とプレートに印加される５００Ｗ、１３．５６ＭＨｚの高周波（ＲＦ）ソースを使用している。マイクロ波ダウンストリームプラズマ（Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ｄｏｗｎｓｔｒｅａｍ  Ｐｌａｓｍａ）と高周波（ＲＦ）バイアスの混合使用は、感光膜除去率（ａｓｈｉｎｇ  ｒａｔｅｓ）と洗浄能力（ｃｌｅａｎ  ｃａｐａｂｉｌｉｔｙ）を向上させる。
【００１６】
この工程で活性化されたフッ素とＯＨ基を形成するために、マイクロ波ダウンストリームプラズマでＨ２ＯガスとＣＦ４ガスを使用する。ＣＦ４のような、フッ素系ガス（Ｆｌｕｏｒｉｎｅ  ｂａｓｅｄ  ｇａｓ）は、感光膜除去率（ａｓｈｉｎｇ  ｒａｔｅｓ）とエッチング後の残留物除去（ｐｏｓｔ−ｅｔｃｈ  ｒｅｓｉｄｕｅ  ｒｅｍｏｖａｌ）を向上させる。フッ素系ドライプラズマ洗浄（Ｆｌｕｏｒｉｎｅ  ｂａｓｅｄ  ｄｒｙ  ｐｌａｓｍａ  ｃｌｅａｎｓ）後の超純水洗浄は、エッチング後の残留物除去に有用である。有機物質のフッ化（Ｆｌｕｏｒｉｎａｔｉｏｎ）は、揮発性ラジカルを生成させ、揮発されない物質は、超純水に溶解されることになる。
【００１７】
実験には、下部の金属配線のパターンをアルミニウムで形成し、層間絶縁膜として、ＳｉＯＮの１０００Å蒸着／ＨＳＱ（Ｈｙｄｒｏｇｅｎ  Ｓｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅ）５０００Å蒸着後、４００℃で３０分硬化（ｃｕｒｉｎｇ）実施／ＳＲＯＮ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｒｉｃｈ  Ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）５０００Åが蒸着された積層構造を使用した。
その他に、本発明における金属配線には、銅またはタングステンを使用することができ、層間絶縁膜には、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＨ、ＳｉＯＣ、ＳｉＯＣＨ、ＰＥ−ＴＥＯＳ（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｔｅｔｒａ  Ｅｔｈｙｌ  Ｏｒｔｈｏ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ）、ＳＲＯＮ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｒｉｃｈ  Ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）、ＨＤＰ（Ｈｉｇｈ  Ｄｅｎｓｉｔｙ  Ｐｌａｓｍ）酸化膜、及び誘電率３．０以下の低誘電率絶縁膜の中から選択されたいずれか一つまたはこれらの組み合わせを使用することができる。低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）絶縁膜は、銅配線とともに使用して、配線間寄生容量及び配線抵抗を減少し、デバイスの速度をより速くし、デバイスの相互干渉（ｃｒｏｓｓｔａｌｋ）を低減し得る方法として知られている。
低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）絶縁膜は、現在多様に開発されており、大きくＳｉＯ２系（Ｓｉ−Ｏ系）とカーボン系（Ｃ系）ポリマーとに分けられる。ＳｉＯ２系は、ＦＳＧ（Ｆｌｕｏｒｉｎｅ−ｄｏｐｅｄ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）、ＨＳＱ（Ｈｙｄｒｏｇｅｎ  Ｓｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅ）、無機ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）、有機ＳＯＧなどがあり、カーボン系ポリマーは、Ｆを含有するか否かにより分類できる。
【００１８】
前記層間絶縁膜を形成し、感光膜パターンを形成する工程を実施し、ビアエッチングをした後、次の表に示す工程条件によって感光膜除去及び洗浄工程を実施する。また、従来のＡＣＴによる洗浄工程後と本発明による洗浄工程後の電気的特性を比較する。
まず表１、表２のような条件下で感光膜除去及びドライ洗浄を実施し、各々残留物除去如何を検討する。そして、その後に工程条件を変化させて最適の感光膜除去及びドライ洗浄条件を探す。
なお、表１、表２のみならず、以後の表中で、第１ステップは前記第１ステップ、即ち、露出領域側壁のポリマーを除去するステップの工程条件を示し、以下同様に、表中の第２ステップは前記第２ステップの工程条件、表中の第３ステップは前記第３ステップの工程条件を示す。但し、表９及び表１０は従来技術の条件を示すもので、この２表については、表中に記載ステップは本発明のステップと無関係である。また、各表の条件で実験を実施するのに用いたウエハ番号を表中に記載する。
【００１９】
【表１】
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【００２０】
【表２】
0004298975.tif 000003
表１と表２に示す条件下で、それぞれ、ウエハ番号ＷＦ＃０１、ＷＦ＃０２に対して第１、第２、第３ステップを実行した。表１および表２の条件で処理したウエハをＳＥＭ（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で観察した結果を、それぞれ、図２及び図３に示す。図２、図３からわかるように、表１及び表２のいずれの条件で処理した場合も、感光膜除去後、或いは超純水（ＤＩ）洗浄後に於いても、全てビアコンタクト孔周辺で残留物がきれいに除去されなかったし、表１の条件下では、層間絶縁膜表面に損傷（ａｔｔａｃｋ）を受けたと判断される状態が見られる。
以後、各々の工程条件を変化させて、感光膜除去と洗浄の状態を評価して、最適の条件を探す。
【００２１】
【表３】
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表３の条件は、第１ステップの高周波（ＲＦ）電力を４５０Ｗから１００Ｗに減らした以外は表１と同様の条件である。表３の条件で処理したウエハのＳＥＭ写真を図４に示す。図４からわかるように、感光膜が完全に除去されなかった。これは、第１ステップにおいて感光膜の残留物を效果的に除去できなかった結果であると考えられる。
【００２２】
【表４】
0004298975.tif 000005
表４の条件は、第１ステップのＣＦ４ガスの流量（ｆｌｏｗ  ｒａｔｅ）を１００ｓｃｃｍから５０ｓｃｃｍに減らした以外は表１と同様の条件である。表４の条件で処理したウエハのＳＥＭ写真を図５に示す。図５からわかるように、感光膜が完全に除去されなかった。
【００２３】
【表５】
0004298975.tif 000006
表５の条件は、第１ステップでＨ２Ｏガスを除去し、Ｏ２ガスを５００ｓｃｃｍ追加した以外は表１と同様の条件である。表５の条件で処理したウエハのＳＥＭ写真を図６に示す。図６からわかるように、感光膜が完全に除去されなかった。
【００２４】
【表６】
0004298975.tif 000007
表６の条件は、第２ステップで電極の温度を７０℃から２５０℃に高くした以外は表１と同様の条件である。表６の条件で処理したウエハのＳＥＭ写真を図７に示す。図７からわかるように、感光膜が完全に除去されなかった。
【００２５】
【表７】
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表７は、第２ステップでＣＦ４を減少させ、第３ステップで圧力、高周波（ＲＦ）電力及びＣＦ４を減少させた以外は表２と同様の条件である。表７の条件で処理したウエハのＳＥＭ写真を図８に示す。図８からわかるように、感光膜が完全に除去されなかった。
【００２６】
【表８】
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表８は、前記表７の条件に、第２ステップにおける１２５ｓｃｃｍのＮ２を追加した場合の条件である。表８の条件で処理したウエハのＳＥＭ写真を図９に示す。図９からわかるように、感光膜が完全に除去されなかった。
【００２７】
【表９】
0004298975.tif 000010
表９は、他のウエハとは違って、既に実施（ｓｅｔ−ｕｐ）している高エネルギー感光膜除去（Ｈｉｇｈ  Ｅｎｅｒｇｙ  Ｉｍｐｌａｎｔ  Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ  Ｓｔｒｉｐ）条件を適用した工程条件である。表９の条件で処理したウエハのＳＥＭ写真を図１０に示す。図１０からわかるように、感光膜が完全に除去されなかった。
【００２８】
【表１０】
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表１０は、前記表９の条件に、第３ステップにおける３００ｓｃｃｍのＨ２Ｏガスを追加した場合の工程条件である。表１０の条件で処理したウエハのＳＥＭ写真を図１１に示す。図１１からわかるように、感光膜が完全に除去されなかった。
【００２９】
【表１１】
0004298975.tif 000012
表１１は、最善の工程条件を表す工程条件である。
図１２は、表１１の工程条件で処理したウエハのＳＥＭ写真であって、残留物が完全に除去されたことが分かる。
表１ないし表１０の条件は、高周波（ＲＦ）電力を下げた表１の条件を除いては、残留物がほとんど除去されるが、ホール（ｈｏｌｅ）周囲に僅かの残留物が残る大同小異な状態を示している。したがって、各パラメーター（ｐａｒｅｍｅｔｅｒ）の小さい変化では完全な残留物除去が困難であると考えて、全く新しい条件を探した。
前記表１１の条件は、表１ないし表１０までの実験結果とＶＤＳ（ＶａｐｅｒＤｅｌｉｖｅｒｙ  Ｓｙｓｔｅｍ）装着前に実施した基礎実験、既に実施（Ｓｅｔ  Ｕｐ）したインプラント感光膜除去（Ｉｍｐｌａｎｔ  ＰＲ  Ｓｔｒｉｐ）条件などを考慮して設定した。
【００３０】
全体的に、表１、２の条件よりＣＦ４の量を減らし、第１ステップにＯ２ガスを追加した。第２ステップと第３ステップでは、高周波（ＲＦ）電力よりはマイクロ波を使用することが有利であると判断してマイクロ波に変更し、Ｎ２ガスを追加した。また第３ステップでは、圧力、Ｏ２ガス、Ｈ２Ｏの量を増加させた。したがって、本発明の第１ステップは、高周波（ＲＦ）電力とマイクロ波を利用してＮ２Ｈ２、Ｈ２Ｏ、ＣＦ４、Ｏ２混合ガス雰囲気下で側壁のポリマーを除去するステップであって、Ｎ２Ｈ２ガス量を５００ｓｃｃｍないし２５００ｓｃｃｍ、Ｈ２Ｏガス量を５０ｓｃｃｍないし５００ｓｃｃｍ、ＣＦ４ガス量を１０ｓｃｃｍないし１００ｓｃｃｍ、Ｏ２ガス量を１００ｓｃｃｍないし５００ｓｃｃｍとする。
【００３１】
本発明の第２ステップは、マイクロ波を利用してＮ２、ＣＦ４、Ｏ２混合ガス雰囲気下で感光膜を除去するステップであって、Ｎ２ガス量を５０ｓｃｃｍないし５００ｓｃｃｍ、ＣＦ４ガス量を１０ｓｃｃｍないし１００ｓｃｃｍ、Ｏ２ガス量を１００ｓｃｃｍないし２０００ｓｃｃｍとする。
【００３２】
本発明の第３ステップは、マイクロ波を利用してＮ２、Ｈ２Ｏ、ＣＦ４、Ｏ２混合ガス雰囲気下でビアコンタクト孔の底部分の残留物を除去するステップであって、Ｎ２ガス量を５０ｓｃｃｍないし５００ｓｃｃｍ、Ｈ２Ｏガス量を５０ｓｃｃｍないし５００ｓｃｃｍ、ＣＦ４ガス量を１０ｓｃｃｍないし１００ｓｃｃｍ、Ｏ２ガス量を１００ｓｃｃｍないし２０００ｓｃｃｍとする。本発明の第４ステップは、超純水（ＤＩ）洗浄を実施して、前記ステップで揮発されなかった物質を除去する。第１ステップないし第３ステップで用いられた装置の高周波電力は、５００Ｗまで適用し、マイクロ波は、２５００Ｗまで適用する。また、装置における反応室の壁及びプレート温度は、２０℃ないし９０℃にする。
【００３３】
いままでの実験で感光膜除去及び洗浄に対する本発明に係る新しい工程条件を設定したが、既存の感光膜除去及びＡＣＴを利用したウェット洗浄との電気的特性を比較した。
図１３は、各々のウエハ別にビアコンタクト抵抗を測定したグラフである。
ウエハ番号２１ないし２４（ＷＦ＃２１〜＃２４）の工程順は、ビアコンタクト孔のエッチングまでは従来と同様に進行し、既存に実施した感光膜除去及びＡＣＴウェット洗浄を進行し、この後パッドエッチングを実施した。
ウエハ番号１３ないし１９（ＷＦ＃１３〜１９）の工程順は、ビアコンタクト孔のエッチングまでは従来と同様に進行し、本発明に係る感光膜除去及びドライ洗浄を進行し、その後パッドエッチングを実施した。
グラフで示すように、本発明に係る感光膜除去と洗浄を進行した場合が、コンタクト抵抗が少なく、また、ダイ（ｄｉｅ）間のコンタクト抵抗の偏差（ｄｅｖｉａｔｉｏｎ）が少ないことが分かる。
前記実施例では、ビアコンタクト孔エッチング後の感光膜除去及び洗浄工程に関するものであるが、本発明は、その他の下部構造が金属であるホール（ｈｏｌｅ）、ライン（ｌｉｎｅ）またはバー（ｂａｒ）などの多様な露出領域形成工程での感光膜除去及び洗浄工程に適用することができる。
尚、本発明は、本実施例に限られるものではない。本発明の技術的な範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【００３４】
【発明の効果】
上述したようになされる本発明によると、従来の半導体素子のビアコンタクトエッチング後の感光膜除去及びＡＣＴウェット洗浄を感光膜ストリップ装置で感光膜を除去すると同時に、ドライ洗浄を行なうことに変更することによって、経済的かつ収率が向上し、感光膜除去及び洗浄を同一反応室で一緒に進行することによって、待機時間を短縮しプロセスの一貫性を維持できる効果がある。
また従来の感光膜除去及びＡＣＴウェット洗浄と比較して、ビアコンタクト抵抗が小さくなり、偏差（ｄｅｖｉａｔｉｏｎ）も小さくなる顕著な効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の技術に係るビアコンタクトエッチング後の  断面図である。
【図２】ビアコンタクトエッチング後に表１の工程条件で洗浄した後の写真である。
【図３】ビアコンタクトエッチング後に表２の工程条件で洗浄した後の写真である。
【図４】ビアコンタクトエッチング後に表３の工程条件で洗浄した後の写真である。
【図５】ビアコンタクトエッチング後に表４の工程条件で洗浄した後の写真である。
【図６】ビアコンタクトエッチング後に表５の工程条件で洗浄した後の写真である。
【図７】ビアコンタクトエッチング後に表６の工程条件で洗浄した後の写真である。
【図８】ビアコンタクトエッチング後に表７の工程条件で洗浄した後の写真である。
【図９】ビアコンタクトエッチング後に表８の工程条件で洗浄した後の写真である。
【図１０】ビアコンタクトエッチング後に表９の工程条件で洗浄した後の写真である。
【図１１】ビアコンタクトエッチング後に表１０の工程条件で洗浄した後の写真である。
【図１２】ビアコンタクトエッチング後に表１１の工程条件で洗浄した後の写真である。
【図１３】各々のウエーハ別にビアコンタクト抵抗を測定したグラフである。
【符号の説明】
１００      金属下部配線
１０５      層間絶縁膜
１２０      感光膜パターン
１２５      残留物
【図１】
0004298975.tif 000013
【図２】
0004298975.tif 000014
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0004298975.tif 000019
【図８】
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【図９】
0004298975.tif 000021
【図１０】
0004298975.tif 000022
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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