(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子の前面の機能面と配電手段とを電気的に接続した接合物を、該接合物の配電手段をベース側にしてベース上に配置させた半導体装置において、
前記配電手段は前記半導体素子と前記ベースとの間に挟まれている被挟持部分を有し、前記ベースと前記半導体素子とは前記被挟持部分を除いた部分を介して固定されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体素子と前記ベースとを固定する接着剤が、前記半導体素子の機能面と前記ベースとの隙間に充填されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体素子と前記ベースとを固定する接着剤が、前記半導体素子の後面と前記ベースとに渡って接着固定していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体素子と前記ベースとを固定する接着剤が、前記半導体素子の前面および後面を共に除いた残りの面のうち少なくとも一つの面と前記ベースとを接着していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記接着剤が硬化した接着剤で被覆されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記接着剤の断面が円形であることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記接着剤の断面が多角形であることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記接着剤が接着剤保持体に保持されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記接着剤保持体がスポンジ状であることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記接着剤保持体が繊維集合体であることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記接着剤保持体が光透過性を有していることを特徴とする請求項８〜１０の何れかに記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記ベースが光透過性ベースであり、前記半導体素子が光学的機能面を有し、該光学的機能面と前記光透過性ベースとの間の光入射領域が空間であることを特徴とする請求項１、３〜１１の何れかに記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記接着剤は光硬化型接着剤であることを特徴とする請求項２〜１２の何れかに記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記接着剤は、その硬化温度が前記接合物の接合破壊温度を下回る熱硬化型接着剤であることを特徴とする請求項２〜１２に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記接合物を前記ベースに固定させる固定手段を有し、該固定手段が放熱手段を備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１６】
半導体素子の前面の機能面と配電手段とを電気的に接続した接合物を、該接合物の配電手段をベース側にしてベース上に配置させた半導体装置において、
前記配電手段は前記半導体素子と前記ベースとの間に前記ベースに対して摺動自在に挟まれている被挟持部分を有し、前記ベースと前記半導体素子とは前記被挟持部分を除いた部分を介して固定され、前記半導体素子の後面に放熱手段が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
前記半導体素子と前記ベースとを固定する接着剤が、前記半導体素子の機能面と前記ベースとの隙間に充填されていることを特徴とする請求項１６に記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記半導体素子と前記ベースとを固定する接着剤が、前記半導体素子の後面と前記ベースとに渡って接着固定していることを特徴とする請求項１６に記載の半導体装置。
【請求項１９】
前記半導体素子と前記ベースとを固定する接着剤が、前記半導体素子の前面および後面を共に除いた残りの面のうち少なくとも一つの面と前記ベースとを接着していることを特徴とする請求項１６に記載の半導体装置。
【請求項２０】
前記接着剤が硬化した接着剤で被覆されていることを特徴とする請求項１９に記載の半導体装置。
【請求項２１】
前記接着剤の断面が円形であることを特徴とする請求項２０に記載の半導体装置。
【請求項２２】
前記接着剤の断面が多角形であることを特徴とする請求項２０に記載の半導体装置。
【請求項２３】
前記接着剤が接着剤保持体に保持されていることを特徴とする請求項１９に記載の半導体装置。
【請求項２４】
前記接着剤保持体がスポンジ状であることを特徴とする請求項２３に記載の半導体装置。
【請求項２５】
前記接着剤保持体が繊維集合体であることを特徴とする請求項２３に記載の半導体装置。
【請求項２６】
前記接着剤保持体が光透過性を有していることを特徴とする請求項２３〜２５の何れかに記載の半導体装置。
【請求項２７】
前記ベースが光透過性ベースであり、前記半導体素子が光学的機能面を有し、該光学的機能面と前記光透過性ベースとの間の光入射領域が空間であることを特徴とする請求項１６、１８〜２６の何れかに記載の半導体装置。
【請求項２８】
前記接着剤は光硬化型接着剤であることを特徴とする請求項１６〜２７の何れかに記載の半導体装置。
【請求項２９】
前記接着剤は、その硬化温度が前記接合物の接合破壊温度を下回る熱硬化型接着剤であることを特徴とする請求項１６〜２７の何れかに記載の半導体装置。
【請求項３０】
前記接合物を前記ベースに固定させる固定手段を有し、該固定手段が放熱手段を備えていることを特徴とする請求項１６に記載の半導体装置。
【請求項３１】
前記放熱手段が前記半導体素子の機能面方向の熱変形に追従して弾性変形する弾性部材から構成されていることを特徴とする請求項１６〜２９に記載の半導体装置。
【請求項３２】
前記弾性部材が波状に形成されている波状部材であることを特徴とする請求項３１に記載の半導体装置。
【請求項３３】
前記弾性部材がスパイラル状に形成されているスパイラル状部材であることを特徴とする請求項３１に記載の半導体装置。
【請求項３４】
前記放熱手段が線状に形成されている線状部材であることを特徴とする請求項１６〜３０の何れかに記載の半導体装置。
【請求項３５】
前記放熱手段が針状に形成されている針状部材であることを特徴とする請求項１６〜３０の何れかに記載の半導体装置。
【請求項３６】
前記放熱手段が球状に形成されている球状部材であることを特徴とする請求項１６〜３０の何れかに記載の半導体装置。
【請求項３７】
前記放熱手段が前記半導体素子と同様な熱膨張係数を持つ物質から構成されていることを特徴とする請求項１６〜３０の何れかに記載の半導体装置。
【請求項３８】
前記半導体素子が固体撮像素子であることを特徴とする請求項１２又は２７に記載の半導体装置。
【請求項３９】
前記請求項３８に記載の半導体装置を備えていることを特徴とする画像読取ユニット。
【請求項４０】
前記請求項３９に記載の画像読取ユニットを備えていることを特徴とする画像形成装置。
【請求項４１】
半導体素子の前面の光学的機能面と配電手段とを電気的に接続した接合物を、該接合物の配電手段を光透過性ベース側にして光透過性ベース上に配置させた半導体装置において、
前記配電手段は前記半導体素子と前記光透過性ベースとの間に挟まれている被挟持部分を有し、前記光透過性ベースと前記半導体素子とは前記被挟持部分を除いた部分を介して固定され、
前記接合物は半導体素子の電極部と配電手段の配線部とを接触した状態でその周囲を第一の接着剤で固定され、
前記光透過性ベースと前記接合物とは前記配電手段を除いた部分を介して第二の接着剤で固定され、
前記光透過性ベースと前記半導体素子の前記光学的機能面との間には、第一の接着剤及び第二の接着剤が何れも入り込んでいないことを特徴とする半導体装置。
【請求項４２】
半導体素子の前面の光学的機能面と配電手段とを電気的に接続した接合物を、該接合物の配電手段を光透過性ベース側にして光透過性ベース上に配置させた半導体装置において、
前記配電手段は前記半導体素子と前記光透過性ベースとの間に挟まれている被挟持部分を有し、前記光透過性ベースと前記半導体素子とは前記被挟持部分を除いた部分を介して固定され、
前記接合物は半導体素子の電極部と配電手段の配線部を接触した状態でその周囲を第一の接着剤で固定され、
前記光透過性ベースと前記接合物とは前記配電手段を除いた部分を介して第二の接着剤で固定され、第三の接着剤が半導体素子と光透過性ベースを封止し、
前記光透過性ベースと、前記半導体素子の前面で光学的機能面との間には、第一の接着剤、第二の接着剤及び第三の接着剤が何れも入り込んでいないことを特徴とする半導体装置。
【請求項４３】
半導体素子の前面の光学的機能面と配電手段とを電気的に接続した接合物を、該接合物の配電手段を光透過性ベース側にして光透過性ベース上に配置させた半導体装置において、
前記配電手段は前記半導体素子と前記光透過性ベースとの間に挟まれている被挟持部分を有し、前記光透過性ベースと前記半導体素子とは前記被挟持部分を除いた部分を介して固定され、
前記接合物は半導体素子の電極部と配電手段の配線部とを接触した状態でその周囲を第一の接着剤で固定され、
前記光透過性ベースと前記接合物とは前記配電手段を除いた部分を介して第二の接着剤で固定され、
前記光透過性ベースと、前記半導体素子の前面で光学的機能部を除いた面部分との間には、第二の接着剤又は第三の接着剤が入り込んでいることを特徴とする半導体装置。
【請求項４４】
半導体素子の前面の光学的機能面と配電手段とを電気的に接続した接合物を、該接合物の配電手段を光透過性ベース側にして光透過性ベース上に配置させた半導体装置において、
前記配電手段は前記半導体素子と前記光透過性ベースとの間に挟まれている被挟持部分を有し、前記光透過性ベースと前記半導体素子とは前記被挟持部分を除いた部分を介して固定され、
前記接合物は半導体素子の電極部と配電手段の配線部を接触した状態でその周囲を第一の接着剤で固定され、
前記光透過性ベースと前記接合物とは前記配電手段を除いた部分を介して第二の接着剤で固定され、第三の接着剤が半導体素子と光透過性ベースを封止し、
前記光透過性ベースと、前記半導体素子の前面で光学的機能部を除いた面部分との間には、第二の接着剤又は第三の接着剤が入り込んでいることを特徴とする半導体装置。
【請求項４５】
前記第二の接着剤又は第三の接着剤が、前記半導体素子の前面で光学的機能部の周囲を全周に渡って、前記光透過性ベースと前記半導体素子とを接着していることを特徴とする請求項４１〜４４の何れかに記載の半導体装置。
【請求項４６】
前記半導体素子と前記光透過性ベースとを固定する第二の接着剤が、前記半導体素子の前面および後面を共に除いた残りの面のうち少なくとも一つの面と前記光透過性ベースとを接着していることを特徴とする請求項４１〜４５の何れかに記載の半導体装置。
【請求項４７】
前記半導体素子と前記光透過性ベースとを固定する第二の接着剤が、前記半導体素子の後面と前記光透過性ベースとに渡って接着固定していることを特徴とする請求項４１〜４５の何れかに記載の半導体装置。
【請求項４８】
半導体素子の電極部又は配電手段の配線部にバンプがついていることを特徴とする請求項４１〜４７の何れかに記載の半導体装置。
【請求項４９】
前記第一の接着剤が、前記半導体素子の電極部と配電手段の配線部の接触部周囲を全周に渡って接着固定していることを特徴とする請求項４１〜４８の何れかに記載の半導体装置。
【請求項５０】
前記第一の接着剤は熱硬化型接着剤であることを特徴とする請求項４１〜４９の何れかに記載の半導体装置。
【請求項５１】
前記第一の接着剤は光硬化型接着剤であることを特徴とする請求項４１〜４９の何れかに記載の半導体装置。
【請求項５２】
前記第一の接着剤は非導電性型接着剤であることを特徴とする請求項５０又は５１に記載の半導体装置。
【請求項５３】
前記第一の接着剤は異方導電性型接着剤であることを特徴とする請求項５０又は５１に記載の半導体装置。
【請求項５４】
前記第二の接着剤及び前記第三の接着剤は何れも熱硬化型接着剤であることを特徴とする請求項４１〜５３の何れかに記載の半導体装置。
【請求項５５】
前記第二の接着剤及び前記第三の接着剤は何れも光硬化型接着剤であることを特徴とする請求項４１〜５３の何れかに記載の半導体装置。
【請求項５６】
前記第二の接着剤及び前記第三の接着剤は非導電性型接着剤であることを特徴とする請求項５４又は５５に記載の半導体装置。
【請求項５７】
前記接着剤は、その硬化温度が半導体素子の破壊温度を下回ることを特徴とする請求項５０、５２〜５４、５６の何れかに記載の半導体装置。
【請求項５８】
前記半導体素子の後面に放熱手段が設けられていることを特徴とする請求項４１〜５７の何れかに記載の半導体装置。
【請求項５９】
前記ベースは光透過性ベースであり、そして、前記放熱手段は前記半導体素子の後面と前記光透過性ベースとに固定されていることを特徴とする請求項５８に記載の半導体装置。
【請求項６０】
前記放熱手段は前記第二の接着剤又は第三の接着剤で前記半導体素子の後面と前記光透過性ベースとに固定されていることを特徴とする請求項５９に記載の半導体装置。
【請求項６１】
前記放熱手段を固定する第四の接着剤は非導電性型接着剤であることを特徴とする請求項５８〜６０の何れかに記載の半導体装置。
【請求項６２】
前記放熱手段を固定する第四の接着剤はシリコン系の接着剤であることを特徴とする請求項５８〜６１の何れかに記載の半導体装置。
【請求項６３】
前記半導体素子が固体撮像素子であることを特徴とする請求項４１〜６２に記載の半導体装置。
【請求項６４】
請求項６３に記載の半導体装置を備えていることを特徴とする画像読取ユニット。
【請求項６５】
請求項６４に記載の画像読取ユニットを備えていることを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、熱膨張による電気的接続部の接点破壊を防止できる半導体装置、画像読取ユニット及び画像形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体素子上のボンディングパッドとリード間とを金属細線を用いて電気的に接続するワイヤボンディングに比べて、多ピン化や小型化に有利なワイヤレスボンディングが知られている。このワイヤレスボンディングの一つにフェースダウンボンディングがある。このフェースダウンボンディングは、半導体素子のボンディングパッドにバンプやビームリードを形成し、半導体素子の素子面を下側にして基板の導体層に直接面接続する方法である。フェースダウンボンディングの代表的なものとして、フリップチップ方式がある。
【０００３】
昨今の半導体装置小型化の要望により、半導体素子と基板との実装物を小型化する手法として、半導体素子を基板にフェースダウン接合することが行われている。
【０００４】
半導体素子を基板にフェースダウン接合する場合、半導体素子と基板との熱膨張率の違いから生じる、電気的な回路（接合点）切断を回避するため、半導体素子と基板との間に接着剤（封止剤）を使用し、熱膨張による回路上へのストレス低減を狙う手段は一般的に知られている。
【０００５】
物体の熱膨張は、一般的に温度差と物体の長さに比例して大きくなる。その大きさは物体によって異なる係数、即ち熱膨張係数に依存している。よって、複写機、ファクシミリ、スキャナ等に用いられるラインＣＣＤのような長尺の半導体は、特に長手方向の熱膨張量が大きくなる。
【０００６】
このため、上記のような半導体素子と基板との間に接着剤（封止剤）を使用しても、半導体素子と基板との熱膨張量の差が大きすぎて、電気的な接点が相対的に動かされる。その結果、半導体と基板との接合点が壊されてしまうという問題があった。
【０００７】
また、従来、特開平５-２１８２３０号として、半導体素子とガラス基板とを樹脂により被覆してなる半導体装置が知られている。この半導体装置は、ガラス基板上に、フリップチップ構造で搭載された半導体素子を樹脂で被覆したものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開平５-２１８２３０号の方法は、半導体素子の機能面の裏側も樹脂で被覆してしまうことになり、半導体の高速な駆動から生じる熱の逃げ場が無くなり、熱膨張をさらに加速させてしまうという問題があり、熱膨張による接点の破壊を十分に防止できるものではなかった。特に長尺の半導体素子にその影響が大きかった。
【０００９】
そこで、本発明は、熱膨張による接点の破壊を防止した半導体装置、画像読取ユニット及び画像形成装置を提供することをその目的とする。
また、本発明の更なる目的は、光学機能面を備えた半導体装置の熱膨張による反りを防止してピントボケを防止した半導体装置、画像読取ユニット及び画像形成装置を提供することをその目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために請求項１の発明は、半導体素子の前面の機能面と配電手段とを電気的に接続した接合物を、該接合物の配電手段をベース側にしてベース上に配置させた半導体装置において、前記配電手段は前記半導体素子と前記ベースとの間に挟まれている被挟持部分を有し、前記ベースと前記半導体素子とは前記被挟持部分を除いた部分を介して固定されていることを特徴とする半導体装置である。この構成では、熱の影響により半導体素子とベースとが異なる量の伸縮をしたとき、配電手段の少なくとも被挟持部は半導体素子と一体に移動し、被挟持部とベースとは固定されていないので、配電手段の被挟持部はベースの動きの影響を受けることがない。よって、配電手段と半導体素子との電気的接合部にストレスがかかることがなく、この接合部の破壊を防ぐことが出来る。
【００１１】
また、請求項２の発明は、請求項１に記載の半導体装置において、前記半導体素子と前記ベースとを固定する接着剤が、前記半導体素子の機能面と前記ベースとの隙間に充填されていることを特徴としている。この構成では、請求項１の作用に加え、半導体素子とベースとの熱による伸縮のストレスが一部に集中することが無くなり、全体でストレスを受けるようになり、半導体素子とベースの局部的な破壊を防ぐことが出来る。
【００１２】
また、請求項３の発明は、請求項１に記載の半導体装置において、前記半導体素子と前記ベースとを固定する接着剤が、前記半導体素子の後面と前記ベースとに渡って接着固定していることを特徴としている。この構成では、請求項１の作用に加え、半導体素子とベースとの熱による伸縮のストレスが一部に集中することが無くなり、全体でストレスを受けるようになり、半導体素子とベースの局部的な破壊を防ぐことが出来る。また、接着剤が半導体機能面に接することがなくなり、接着剤が目に見えない電気的回路となり、有害な寄生容量としてコンデンサ的な働きをし、所望の機能を果たさなくなるという問題を解決できるとともに、半導体素子を光学的な素子とした場合、接着剤が受光面（発光面）側に回り込み、接着剤中の泡や不純物が光路を遮るという問題を解決することができる。
【００１３】
また、請求項４の発明は、請求項１に記載の半導体装置において、前記半導体素子と前記ベースとを固定する接着剤が、前記半導体素子の前面および後面を共に除いた残りの面のうち少なくとも一つの面と前記ベースとを接着していることを特徴としている。この構成では、請求項１の作用に加え、半導体素子とベースとの熱による伸縮のストレスが一部に集中することが無くなり、全体でストレスを受けるようになり、半導体素子とベースの局部的な破壊を防ぐことが出来る。また、接着剤が半導体機能面に接することがなくなるので、接着剤が半導体機能面に接した場合に接着剤が目に見えない電気的回路となり、有害な寄生容量としてコンデンサ的な働きをし、所望の機能を果たさなくなるという問題を解決することができる。さらに、半導体素子を光学的な素子とした場合、接着剤が受光面（発光面）側に回り込み、接着剤中の泡や不純物が光路を遮るという問題を解決することができる。
【００１４】
また、請求項５の発明は、請求項４に記載の半導体装置において、前記接着剤が硬化した接着剤で被覆されていることを特徴としている。この構成では、請求項４の作用に加え、接着剤が流れ出すことがなくなり、接着剤の流出により半導体機能面とベースとの間に接着剤が入り込むことが無くなる。また、接着剤の初期形状が保持されるので、接着剤の配置が容易である。
【００１５】
また、請求項６の発明は、請求項５に記載の半導体装置において、前記接着剤の断面が円形であることを特徴としている。この構成では、請求項５の作用に加え、接着剤の硬化前に内外圧力に対して強度を持たせることができる。また、製造が容易である。
【００１６】
また、請求項７の発明は、請求項５に記載の半導体装置において、前記接着剤の断面が多角形であることを特徴としている。この構成では、請求項５の作用に加え、接着剤と、半導体素子及びベースとの接着面積を広げることができるため、接着強度を高くできる。
【００１７】
また、請求項８の発明は、請求項４に記載の半導体装置において、前記接着剤が接着剤保持体に保持されていることを特徴としている。この構成では、請求項４の作用に加え、低粘性の接着剤を用いた場合でも接着剤の流出を防止することができ、半導体機能面とベースとの間に、接着剤が入り込むことが無くなる。したがって、接着剤として低粘性の接着剤を用いることができる。
【００１８】
また、請求項９の発明は、請求項８に記載の半導体装置において、前記接着剤保持体がスポンジ状であることを特徴としている。この構成では、接着剤保持体材内に接着剤に対して負圧を働かすことができ、この負圧により接着剤を保持することが出来る。
【００１９】
また、請求項１０の発明は、請求項８に記載の半導体装置において、前記接着剤保持体が繊維集合体であることを特徴としている。この構成では、接着剤保持部材は、繊維集合体により接着剤を保持することが出来る。
【００２０】
また、請求項１１の発明は、請求項８〜１０の何れかに記載の半導体装置において、前記接着剤保持体が光透過性を有していることを特徴としている。この構成では、光が接着剤保持体を透過して、保持されている接着剤の全てに照射することができるので、光硬化型接着剤を使うことが出来る。
【００２１】
また、請求項１２の発明は、請求項１、３〜１１の何れかに記載の半導体装置において、前記ベースが光透過性ベースであり、前記半導体素子が光学的機能面を有し、該光学的機能面と前記光透過性ベースとの間の光入射領域が空間であることを特徴としている。この構成では、請求項１、３〜１１の何れかの作用に加え、光入射領域内に接着剤が配置されていないので、半導体素子に入光（または出光）する光の光路を接着剤中の泡や不純物が遮ることがなく、半導体素子の性能を発揮出来ないという問題が生じることがない。
【００２２】
また、請求項１３の発明は、請求項２〜１２の何れかに記載の半導体装置において、前記接着剤は光硬化型接着剤であることを特徴としている。この構成では、接着剤を硬化させる時、接着剤の温度上昇がほとんどなく、熱の影響によるベースと接合物との位置関係のズレを生じることなく、ベースと接合物とを接着することが出来る。また、接着時に熱の影響による残留応力が発生しない。
【００２３】
また、請求項１４の発明は、請求項２〜１２に記載の半導体装置において、前記接着剤は、その硬化温度が前記接合物の接合破壊温度を下回る熱硬化型接着剤であることを特徴としている。この構成では、熱硬化型接着剤により光を照射できない場所でも接着剤の硬化を行うことができる。また、その硬化温度は半導体素子を配電手段に電気的に接続した接合物の、接合を壊さない温度以下であるため、半導体素子と配電手段の位置関係のズレがなく、ハンダ溶着部等の接合点を壊すことなく、電気的接合の信頼性を保持したまま、ベースと接合物とを接着することが出来る。
【００２４】
また、請求項１５の発明は、請求項１に記載の半導体装置において、前記接合物を前記ベースに固定させる固定手段を有し、該固定手段が放熱手段を備えていることを特徴としている。この構成では、請求項１の作用に加えて、半導体素子の熱を効果的に大気に放熱することが出来る。また、放熱のための部品を追加する必要が無い。
【００２５】
また、請求項１６の発明は、半導体素子の前面の機能面と配電手段とを電気的に接続した接合物を、該接合物の配電手段をベース側にしてベース上に配置させた半導体装置において、前記配電手段は前記半導体素子と前記ベースとの間に前記ベースに対して摺動自在に挟まれている被挟持部分を有し、前記ベースと前記半導体素子とは前記被挟持部分を除いた部分を介して固定され、前記半導体素子の後面に放熱手段が設けられていることを特徴とする半導体装置である。この構成では、熱の影響により半導体素子とベースとが異なる量の伸縮をしたとき、配電手段の少なくとも被挟持部は半導体素子と一体に移動し、被挟持部とベースとは固定されていないので、配電手段の被挟持部はベースの動きの影響を受けることがない。よって、配電手段と半導体素子との電気的接合部にストレスがかかることがなくなり、この接合部の破壊を防ぐことが出来、更に、放熱手段があるため、半導体素子から放出する熱を効率的に大気に逃がすことができ、半導体素子の変形を抑えることが出来る。
【００２６】
また、請求項１７の発明は、請求項１６に記載の半導体装置において、前記半導体素子と前記ベースとを固定する接着剤が、前記半導体素子の機能面と前記ベースとの隙間に充填されていることを特徴としている。この構成では、請求項１６の作用に加え、半導体素子とベースとの熱による伸縮のストレスが一部に集中することが無くなり、全体でストレスを受けるようになり、半導体素子とベースの局部的な破壊を防ぐことが出来る。
【００２７】
また、請求項１８の発明は、請求項１６に記載の半導体装置において、前記半導体素子と前記ベースとを固定する接着剤が、前記半導体素子の後面と前記ベースとに渡って接着固定していることを特徴としている。この構成では、請求項１６の作用に加え、半導体素子とベースとの熱による伸縮のストレスが一部に集中することが無くなり、全体でストレスを受けるようになり、半導体素子とベースの局部的な破壊を防ぐことが出来る。また、接着剤が半導体機能面に接することがなくなり、接着剤が目に見えない電気的回路となり、有害な寄生容量としてコンデンサ的な働きをし、所望の機能を果たさなくなるという問題を解決できるとともに、半導体素子を光学的な素子とした場合、接着剤が受光面（発光面）側に回り込み、接着剤中の泡や不純物が光路を遮るという問題を解決することができる。
【００２８】
また、請求項１９の発明は、請求項１６に記載の半導体装置において、前記半導体素子と前記ベースとを固定する接着剤が、前記半導体素子の前面および後面を共に除いた残りの面のうち少なくとも一つの面と前記ベースとを接着していることを特徴としている。この構成では、請求項１６の作用に加え、半導体素子とベースとの熱による伸縮のストレスが一部に集中することが無くなり、全体でストレスを受けるようになり、半導体素子とベースの局部的な破壊を防ぐことが出来る。また、接着剤が半導体機能面に接することがなくなるので、接着剤が半導体機能面に接した場合に接着剤が目に見えない電気的回路となり、有害な寄生容量としてコンデンサ的な働きをし、所望の機能を果たさなくなるという問題を解決することができる。さらに、半導体素子を光学的な素子とした場合、接着剤が受光面（発光面）側に回り込み、接着剤中の泡や不純物が光路を遮るという問題を解決することができる。
【００２９】
また、請求項２０の発明は、請求項１９に記載の半導体装置において、前記接着剤が硬化した接着剤で被覆されていることを特徴としている。この構成では、請求項１９の作用に加え、接着剤が流れ出すことがなくなり、接着剤の流出により半導体機能面とベースとの間に接着剤が入り込むことが無くなる。また、接着剤の初期形状が保持されるので、接着剤の配置が容易である。
【００３０】
また、請求項２１の発明は、請求項２０に記載の半導体装置において、前記接着剤の断面が円形であることを特徴としている。この構成では、請求項２０の作用に加え、接着剤の硬化前に内外圧力に対して強度を持たせることができる。また、製造が容易である。
【００３１】
また、請求項２２の発明は、請求項２０に記載の半導体装置において、前記接着剤の断面が多角形であることを特徴としている。この構成では、請求項２０の作用に加え、接着剤と、半導体素子及びベースとの接着面積が広がるため、接着強度を高くできる。
【００３２】
また、請求項２３の発明は、請求項１９に記載の半導体装置において、前記接着剤が接着剤保持体に保持されていることを特徴としている。この構成では、請求項１９の作用に加え、低粘性の接着剤を用いた場合でも接着剤の流出を防止することができ、半導体機能面とベースとの間に、接着剤が入り込むことが無くなる。したがって、接着剤として低粘性の接着剤を用いることができる。
【００３３】
また、請求項２４の発明は、請求項２３に記載の半導体装置において、前記接着剤保持体がスポンジ状であることを特徴としている。この構成では、接着剤保持体材内に接着剤に対して負圧を働かすことができ、この負圧により接着剤を保持することが出来る。
【００３４】
また、請求項２５の発明は、請求項２３に記載の半導体装置において、前記接着剤保持体が繊維集合体であることを特徴としている。この構成では、接着剤保持部材は、繊維集合体により接着剤を保持することが出来る。
【００３５】
また、請求項２６の発明は、請求項２３〜２５の何れかに記載の半導体装置において、前記接着剤保持体が光透過性を有していることを特徴としている。この構成では、光が接着剤保持体を透過して、保持されている接着剤の全てに照射することができるので、光硬化型接着剤を使うことが出来る。
【００３６】
また、請求項２７の発明は、請求項１６、１８〜２６の何れかに記載の半導体装置において、前記ベースが光透過性ベースであり、前記半導体素子が光学的機能面を有し、該光学的機能面と前記光透過性ベースとの間の光入射領域が空間であることを特徴としている。この構成では、請求項１６、１８〜２６の何れかの作用に加え、光入射領域内に接着剤が配置されていないので、半導体素子に入光（または出光）する光の光路を接着剤中の泡や不純物が遮ることがなく、半導体素子の性能を発揮出来ないという問題が生じることがない。
【００３７】
また、請求項２８の発明は、請求項１６〜２７の何れかに記載の半導体装置において、前記接着剤は光硬化型接着剤であることを特徴としている。この構成では、接着剤を硬化させる時、接着剤の温度上昇がほとんどなく、熱の影響によるベースと接合物との位置関係のズレを生じることなく、ベースと接合物を接着することが出来る。また、接着時に熱の影響による残留応力が発生しない。
【００３８】
また、請求項２９の発明は、請求項１６〜２７に記載の半導体装置において、前記接着剤は、その硬化温度が前記接合物の接合破壊温度を下回る熱硬化型接着剤であることを特徴としている。この構成では、熱硬化型接着剤により光を照射できない場所でも接着剤硬化を行うことができる。また、その硬化温度は半導体素子を配電手段に電気的に接続した接合物の、接合を壊さない温度以下であるため、半導体素子と配電手段の位置関係のズレがなく、ハンダ溶着等の接合点を壊すことなく、電気的接合の信頼性を保持したまま、ベースと接合物とを接着することが出来る。
【００３９】
また、請求項３０の発明は、請求項１６に記載の半導体装置において、前記接合物を前記ベースに固定させる固定手段を有し、該固定手段が放熱手段を備えていることを特徴としている。この構成では、請求項１６の作用に加えて、半導体素子の熱を効果的に大気に放熱することが出来る。また、放熱のための部品を追加する必要が無い。
【００４０】
また、請求項３１の発明は、請求項１６〜２９に記載の半導体装置において、前記放熱手段が前記半導体素子の機能面方向の熱変形に追従して弾性変形する弾性部材から構成されていることを特徴としている。この構成では、請求項１６〜２９の作用に加えて、熱による半導体素子の伸縮に対し、放熱手段がその伸縮を規制することは無く、放熱手段の伸縮が半導体素子に影響を及ぼすことが無い。このことにより、半導体素子とベースとが自分自身以外の熱のストレスを受けることが無くなり、外力により変形させられることがない。
【００４１】
また、請求項３２の発明は、請求項３１に記載の半導体装置において、前記弾性部材が波状に形成されている波状部材であることを特徴としている。この構成では、請求項３１の作用に加えて、放熱手段が固い材料であっても、半導体素子の伸縮方向に対して弾性を持たせることが出来る。
【００４２】
また、請求項３３の発明は、請求項３１に記載の半導体装置において、前記弾性部材がスパイラル状に形成されているスパイラル状部材であることを特徴としている。この構成では、請求項３１の作用に加えて、放熱手段が固い材料であっても、半導体素子の伸縮方向に対して放熱手段に弾性を持たせることが出来る。
【００４３】
また、請求項３４の発明は、請求項１６〜３０の何れかに記載の半導体装置において、前記放熱手段が線状に形成されている線状部材であることを特徴としている。この構成では、請求項１６〜３０の何れかの作用に加えて、半導体素子の熱の影響による伸縮に対して、放熱手段は半導体素子に対する接触面積が小さく、伸縮方向に対して放熱手段はその伸縮を規制することが無い。また、放熱手段自身の変形により半導体素子にストレスを与えることも無い。
【００４４】
また、請求項３５の発明は、請求項１６〜３０の何れかに記載の半導体装置において、前記放熱手段が針状に形成されている針状部材であることを特徴としている。この構成では、請求項１６〜３０の何れかの作用に加えて、半導体素子の熱の影響による伸縮に対して、放熱手段は半導体素子に対して接する面積が小さく、伸縮の方向に対して放熱手段はその伸縮を規制することが無い。また、放熱手段自身の変形により半導体素子にストレスを与えることも無い。
【００４５】
また、請求項３６の発明は、請求項１６〜３０の何れかに記載の半導体装置において、前記放熱手段が球状に形成されている球状部材であることを特徴としている。この構成では、請求項１６〜３０の何れかの作用に加えて、半導体素子の熱の影響による伸縮に対して、放熱手段は半導体素子に対して接する面積が小さく、伸縮方向に対して放熱手段はその伸縮を規制することが無い。また、放熱手段自身の変形により半導体素子にストレスを与えることも無い。
【００４６】
また、請求項３７の発明は、請求項１６〜３０の何れかに記載の半導体装置において、前記放熱手段が前記半導体素子と同様な熱膨張係数を持つ物質から構成されていることを特徴としている。この構成では、請求項１６〜３０の何れかの作用に加えて、半導体素子は、熱の影響により長手方向に伸縮するが、放熱手段は半導体素子と同様な熱膨張係数を持つため、同じような量で伸縮する。このことより放熱手段は半導体素子の伸縮を規制することは無い。よって放熱手段が半導体素子にストレスを与えることなく、放熱効果を上げることが出来る。
【００４７】
また、請求項３８の発明は、請求項１２又は２７に記載の半導体装置において、前記半導体素子が固体撮像素子であることを特徴としている。この構成では、請求項１２又は２７の作用に加えて、固体撮像素子の光入射領域内に接着剤が配置されていないので、固体撮像素子への入射光の光路を接着剤中の泡や不純物が遮ることがなく、固体撮像素子の性能を発揮出来ないという問題が生じることがない。
【００４８】
また、請求項３９の発明は、前記請求項３８に記載の半導体装置を備えていることを特徴とする画像読取ユニットである。この構成では、固体撮像素子と配電手段との接合部が熱により破壊されることがなく、入射光の光路が遮られることもなく、固体撮像素子が十分に性能を発揮できるので、画像の読み取りエラーを生じることがなく、高信頼性の画像読取ユニットを得ることができる。
【００４９】
また、請求項４０の発明は、前記請求項３９に記載の画像読取ユニットを備えていることを特徴とする画像形成装置である。この構成では、固体撮像素子と配電手段との接合部が熱により破壊されることがなく、入射光の光路が遮られることもなく、固体撮像素子が十分に性能を発揮できるので、画像の読み取りエラーを生じることがなく、高信頼性の画像読取ユニットを得ることができる画像読取ユニットを備えているので、原稿画像の読み取りエラーを生じることがなく、感光体上に高精度な静電潜像を形成することができる。
【００５０】
また、請求項４１の発明は、半導体素子の前面の光学的機能面と配電手段とを電気的に接続した接合物を、該接合物の配電手段を光透過性ベース側にして光透過性ベース上に配置させた半導体装置において、
前記配電手段は前記半導体素子と前記光透過性ベースとの間に挟まれている被挟持部分を有し、前記光透過性ベースと前記半導体素子とは前記被挟持部分を除いた部分を介して固定され、
前記接合物は半導体素子の電極部と配電手段の配線部とを接触した状態でその周囲を第一の接着剤で固定され、
前記光透過性ベースと前記接合物とは前記配電手段を除いた部分を介して第二の接着剤で固定され、
前記光透過性ベースと前記半導体素子の前記光学的機能面との間には、第一の接着剤及び第二の接着剤が何れも入り込んでいないことを特徴とする半導体装置である。
【００５１】
また、請求項４２の発明は、半導体素子の前面の光学的機能面と配電手段とを電気的に接続した接合物を、該接合物の配電手段を光透過性ベース側にして光透過性ベース上に配置させた半導体装置において、
前記配電手段は前記半導体素子と前記光透過性ベースとの間に挟まれている被挟持部分を有し、前記光透過性ベースと前記半導体素子とは前記被挟持部分を除いた部分を介して固定され、
前記接合物は半導体素子の電極部と配電手段の配線部を接触した状態でその周囲を第一の接着剤で固定され、
前記光透過性ベースと前記接合物とは前記配電手段を除いた部分を介して第二の接着剤で固定され、第三の接着剤が半導体素子と光透過性ベースを封止し、
前記光透過性ベースと、前記半導体素子の前面で光学的機能面との間には、第一の接着剤、第２に接着剤及び第三の接着剤が何れも入り込んでいないことを特徴とする半導体装置である。
【００５２】
また、請求項４３の発明は、半導体素子の前面の光学的機能面と配電手段とを電気的に接続した接合物を、該接合物の配電手段を光透過性ベース側にして光透過性ベース上に配置させた半導体装置において、
前記配電手段は前記半導体素子と前記光透過性ベースとの間に挟まれている被挟持部分を有し、前記光透過性ベースと前記半導体素子とは前記被挟持部分を除いた部分を介して固定され、
前記接合物は半導体素子の電極部と配電手段の配線部とを接触した状態でその周囲を第一の接着剤で固定され、
前記光透過性ベースと前記接合物とは前記配電手段を除いた部分を介して第二の接着剤で固定され、
前記光透過性ベースと、前記半導体素子の前面で光学的機能部を除いた面部分との間には、第二の接着剤又は第三の接着剤が入り込んでいることを特徴とする半導体装置である。
【００５３】
また、請求項４４の発明は、半導体素子の前面の光学的機能面と配電手段とを電気的に接続した接合物を、該接合物の配電手段を光透過性ベース側にして光透過性ベース上に配置させた半導体装置において、
前記配電手段は前記半導体素子と前記光透過性ベースとの間に挟まれている被挟持部分を有し、前記光透過性ベースと前記半導体素子とは前記被挟持部分を除いた部分を介して固定され、
前記接合物は半導体素子の電極部と配電手段の配線部を接触した状態でその周囲を第一の接着剤で固定され、
前記光透過性ベースと前記接合物とは前記配電手段を除いた部分を介して第二の接着剤で固定され、第三の接着剤が半導体素子と光透過性ベースを封止し、
前記光透過性ベースと、前記半導体素子の前面で光学的機能部を除いた面部分との間には、第二の接着剤又は第三の接着剤が入り込んでいることを特徴とする半導体装置である。
【００５４】
また、請求項４５の発明は、前記第二の接着剤又は第三の接着剤が、前記半導体素子の前面で光学的機能部の周囲を全周に渡って、前記光透過性ベースと前記半導体素子とを接着していることを特徴とする請求項４１〜４４の何れかに記載の半導体装置である。
【００５５】
また、請求項４６の発明は、前記半導体素子と前記光透過性ベースとを固定する第二の接着剤が、前記半導体素子の前面および後面を共に除いた残りの面のうち少なくとも一つの面と前記光透過性ベースとを接着していることを特徴とする請求項４１〜４５の何れかに記載の半導体装置である。
【００５６】
また、請求項４７の発明は、前記半導体素子と前記光透過性ベースとを固定する第二の接着剤が、前記半導体素子の後面と前記光透過性ベースとに渡って接着固定していることを特徴とする請求項４１〜４５の何れかに記載の半導体装置である。
【００５７】
また、請求項４８の発明は、半導体素子の電極部又は配電手段の配線部にバンプがついていることを特徴とする請求項４１〜４７の何れかに記載の半導体装置である。
【００５８】
また、請求項４９の発明は、前記第一の接着剤が、前記半導体素子の電極部と配電手段の配線部の接触部周囲を全周に渡って接着固定していることを特徴とする請求項４１〜４８の何れかに記載の半導体装置である。
【００５９】
また、請求項５０の発明は、前記第一の接着剤は熱硬化型接着剤であることを特徴とする請求項４１〜４９の何れかに記載の半導体装置である。
【００６０】
また、請求項５１の発明は、前記第一の接着剤は光硬化型接着剤であることを特徴とする請求項４１〜４９の何れかに記載の半導体装置である。
【００６１】
また、請求項５２の発明は、前記第一の接着剤は非導電性型接着剤であることを特徴とする請求項５０又は５１に記載の半導体装置である。
【００６２】
また、請求項５３の発明は、前記第一の接着剤は異方導電性型接着剤であることを特徴とする請求項５０又は５１に記載の半導体装置である。
【００６３】
また、請求項５４の発明は、前記第二の接着剤及び前記第三の接着剤は何れも熱硬化型接着剤であることを特徴とする請求項４１〜５３の何れかに記載の半導体装置である。
【００６４】
また、請求項５５の発明は、前記第二の接着剤及び前記第三の接着剤は何れも光硬化型接着剤であることを特徴とする請求項４１〜５３の何れかに記載の半導体装置である。
【００６５】
また、請求項５６の発明は、前記第二の接着剤及び前記第三の接着剤は非導電性型接着剤であることを特徴とする請求項５４又は５５に記載の半導体装置である。
【００６６】
また、請求項５７の発明は、前記接着剤は、その硬化温度が半導体素子の破壊温度を下回ることを特徴とする請求項５０、５２〜５４、５６の何れかに記載の半導体装置である。
【００６７】
また、請求項５８の発明は、前記半導体素子の後面に放熱手段が設けられていることを特徴とする請求項４１〜５７の何れかに記載の半導体装置である。
【００６８】
また、請求項５９の発明は、前記ベースは光透過性ベースであり、そして、前記放熱手段は前記半導体素子の後面と前記光透過性ベースとに固定されていることを特徴とする請求項５８に記載の半導体装置である。
【００６９】
また、請求項６０の発明は、前記放熱手段は前記第二の接着剤又は第三の接着剤で前記半導体素子の後面と前記光透過性ベースとに固定されていることを特徴とする請求項５９に記載の半導体装置である。
【００７０】
また、請求項６１の発明は、前記放熱手段を固定する第四の接着剤は非導電性型接着剤であることを特徴とする請求項５８〜６０の何れかに記載の半導体装置である。
【００７１】
また、請求項６２の発明は、前記放熱手段を固定する第四の接着剤はシリコン系の接着剤であることを特徴とする請求項５８〜６１の何れかに記載の半導体装置である。
【００７２】
また、請求項６３の発明は、前記半導体素子が固体撮像素子であることを特徴とする請求項４１〜６２に記載の半導体装置である。
【００７３】
また、請求項６４の発明は、請求項６３に記載の半導体装置を備えていることを特徴とする画像読取ユニットである。
【００７４】
また、請求項６５の発明は、請求項６４に記載の画像読取ユニットを備えていることを特徴とする画像形成装置である。
【００７５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。なお、以下の実施例において、同一または相当する部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
図１は本発明の半導体装置に備える接合物の全体を示す斜視図、図２は図１の接合物の素子長手方向と直交する方向の断面図である。
【００７６】
図１に示すように、この接合物１００はベアチップである半導体素子２と、半導体素子２にフリップチップ接合されている配電手段５とを備えている。
前記半導体素子２は、前面側に形成されている回路面である半導体機能面２ａと、半導体機能面２ａの周囲に立設されている側面２ｃと、側面２ｃの他端側で半導体機能面２ａに対向して裏面側に形成されている後面２ｂとから構成されている。
前記配電手段５は、例えば可撓性を有するフレキシブル配線板からなる。
【００７７】
図２に示すように、半導体素子２の半導体機能面２ａには、ハンダ、金等のバンプ（突起状接続電極）であるバンプ６があり、バンプ６を通じ、半導体機能面２ａの回路と配電手段５とが電気的に接合されている。このとき、半導体素子２の半導体機能面２ａと配電手段５とは、例えばフリップチップボンディング、ＴＡＢ（tape automated bonding）、ビームリードボンディング等のフェースダウンボンディングされているので、半導体素子２の半導体機能面２ａと配電手段５とは接着剤により接着されていても、接着されていなくてもかまわない。なお、図２ではフリップチップボンディングの場合を示している。
【００７８】
図３は本発明に係る第１実施形態の半導体装置の全体を示す斜視図、図４は図３の半導体装置の素子長手方向に沿った断面図、図５は図３の半導体装置の素子長手方向に直交する方向に沿った断面図である。
【００７９】
図３に示すように、この半導体装置は、上述した接合物１００と、接合物１００を接着により固定するベース１と、接合物１００の一対の配電手段５の間であって、且つ半導体素子２とベース１との間に設けた接着剤３とから構成されている。
図３の半導体装置は、ベース１に対し、半導体素子２に配電手段５がフリップチップ接合された接合物１００が、接着剤３を介して接着されている状態である。
【００８０】
図４、５に示すように、ベース１と半導体素子２との間には配電手段５とバンプ６との合計厚さに相当する隙間４が形成されている。
前記配電手段５のうちで、半導体素子２とベース１との間に挟まれる被挟持部分７が存在し、この被挟持部分７とベース１とは固定されていない。ただし、配電手段５をフレキシブル配線板等の可撓性を有する部材から構成した場合には、図示していないが、配電手段５のうちで、半導体素子２とベース１との間に挟まれない部分、即ち被挟持部分７を除く部分においては、ベース１と配電手段５とが固定されていてもかまわない。その理由は、配電手段５が可撓性を有しているので、この可撓性によりベース１の熱膨張量が吸収され、バンプ６に応力が集中しないからである。
【００８１】
図６は本発明に係る第２実施形態の半導体装置の全体を示す斜視図であり、図７は図６の半導体装置の素子長手方向に直交する方向に沿った断面図である。
図６、７に示すように、第２実施形態の半導体装置は、第１実施形態の半導体装置において、半導体素子２の半導体機能面２ａとベース１の表面とを接着剤３で接着する代わりに、半導体素子２の後面２ｂ及び側面２ｃとベース１の表面とに渡って帯状の接着剤３が覆うように被さって接着固定している点が異なっている。このとき、ベース１と半導体素子２との間には隙間４が形成されており、この隙間４は接着剤３の無い空間になっている。
【００８２】
前記帯状の接着剤３の半導体素子長手方向の幅は、図６に示すように、一対の配電手段５の間隔より短く形成されている。この幅は図６に一例として示したが、一対の配電手段５の間隔、即ち、一対の配電手段５の内端間の幅より、短ければ図６に示した接着剤３の幅より長くても短くてもよい。また、帯状の接着剤３を一対の配電手段５の間に設ける代わりに、配電手段５とオーバーラップしないように一対の配電手段５の外側の少なくとも一方に設けるようにしてもよい。また、帯状の接着剤３を一対の配電手段の間と外側とを組み合わせて設けるようにしてもよい。即ち、配電手段５と接着剤３とは、干渉しないように半導体素子２の長手方向に位置がずれていればよい。これにより、配電手段５の被挟持部分７とベース１とは接着されることはない。
【００８３】
図６、図７に示した実施形態によれば、接着剤３が、半導体素子２の半導体機能面の反対面である後面２ｂとベース１とに渡って共に被覆しているので、半導体素子２とベース１の熱による伸び縮みのストレスが一部に集中することが無くなり、全体でストレスを受けるようになり、半導体素子２とベース１の局部的な破壊を防ぐことが出来る。
【００８４】
また、接着剤３が半導体機能面２ａに接することがなくなり、接着剤が目に見えない電気的回路となり、有害な寄生容量としてコンデンサ的な働きをし、所望の機能を果たさなくなる問題が解決されたり、半導体素子を光学的素子とした場合、接着剤が受光面（発光面）側に回り込み、接着剤が光路をさえぎる問題が解決されることとなる。
【００８５】
図８は本発明に係る第３実施形態の半導体装置の全体を示す斜視図であり、図９は図８の半導体装置の素子長手方向に直交する方向に沿った断面図である。
図８、９に示すように、第３実施形態の半導体装置は、第２実施形態の半導体装置において、半導体素子２の後面２ｂ及び側面２ｃとベース１の表面とに渡って帯状の接着剤３が覆うように被さって接着固定する代わりに、半導体素子２の半導体機能面２ａ及びその反対面である後面２ｂ以外の面、即ち、側面２ｃとベース１とを円柱状の接着剤３で接着している点が異なっている。このとき、ベース１と半導体素子２との間には隙間４が形成されており、この隙間４は接着剤３の無い空間になっている。
【００８６】
前記円柱状の接着剤３は、その表面部分が硬化されて被覆されており、接着面に接触する部分のみ被覆が破れて硬化前の接着剤が接着面に付着することにより、ベース１の表面と半導体素子２の側面２ｃとを接着している。接着剤３の表面の硬化は、例えば、熱硬化型接着剤を用いた場合には表面を加熱することにより、表面のみを硬化させ、紫外線硬化型接着剤を用いた場合には短時間の紫外線照射により表面のみ硬化させる。そして、表面が硬化した接着剤を接着位置に配置した後、加圧、加熱、又はレーザ照射等により接触面を破断する。
【００８７】
前記円柱状の接着剤３の半導体素子長手方向の長さは、図８に示すように、一対の配電手段５の間隔より短く形成されている。この長さは図８に一例として示したが、一対の配電手段５の間隔、即ち、一対の配電手段５の内端間の幅より、短ければ図８に示した接着剤３の幅より長くても短くてもよい。また、円柱状の接着剤３を一対の配電手段５の間に設ける代わりに、配電手段５とオーバーラップしないように一対の配電手段５の外側の少なくとも一方に設けるようにしてもよい。また、円柱状の接着剤３を一対の配電手段５の間と外側とを組み合わせて設けるようにしてもよい。即ち、配電手段５と接着剤３とは、干渉しないように半導体素子２の長手方向に位置がずれていればよい。これにより、配電手段５の被挟持部分７とベース１とは接着されることはない。
【００８８】
前記接着剤３は円柱形状、即ち断面円形であるので、接着剤３の内外圧力に対して強度を持たせることができる。また、接着剤３が多角柱形状、即ち、断面が多角形であると側面２ｃとベース１との接着面積を広げることができるので接着には有利となる。
【００８９】
この多角柱形状の場合には接着面となる２面のなす角度が半導体素子２の側面２ｃとベース１表面とのなす角度とほぼ等しいことが望ましい。また、接着面となる２面のなす角度が半導体素子２の側面２ｃとベース１表面とのなす角度とほぼ等しければ、円柱の一部を切り欠いた形状等であってもよい。
【００９０】
また、図示はしてないが、接着剤３は、表面を硬化させる代わりに、接着剤保持体である接着剤保持部材に保持されていても同じ構成が取れる。接着剤３は、接着剤保持部材に保持されているので、接着剤３が流れ出すことがなくなり、半導体機能面２ａとベース１との間に接着剤３が入り込むことが無くなる。接着剤保持部材としては、例えば、スポンジ状のものを用いることができる。接着剤保持部材はスポンジ状であるので、接着剤保持部材内に接着剤に対して負圧を働かすことができ、接着剤３を保持することが出来る。また、接着剤保持部材として、繊維の集合体等を用いることができる。即ち、接着剤保持部材は、接着剤３が流れださないだけの保持力があればよい。また、接着剤保持部材に光透過性を持たせた場合、光が接着剤保持部材を透過して接着剤３に照射できるので、光硬化型の接着剤を使えるようになる。
【００９１】
図１０は、図８、９の半導体装置が光学的機能部品としての固体撮像装置である場合における図９の断面図に対応する断面図である。
図１０に示すように、この半導体装置としての固体撮像装置は、図８、９に示した第３実施形態の半導体装置において、ベース１としてガラス、プラスチック等の光透過性ベース１Ａを用い、半導体素子２として固体撮像素子１７を用いたものであり、他の構成は図８、９と同様である。この固体撮像素子１７では、半導体素子２の半導体機能面２ａに対応する光学的機能面１７ａを備えている。
【００９２】
この固体撮像装置では、前面である光学的機能面１７ａおよびその反対の面である後面１７ｂ以外の面、即ち側面１７ｃとベース１Ａとが、接着剤３によって接着されている。この時光学的機能面１７ａが接着剤３に覆われてはいない。
【００９３】
図８〜図１０に示した何れかの実施形態によれば、接着剤３が、半導体機能面２ａ（光学的機能面１７ａ）およびその反対の面である後面２ｂ（１７ｂ）以外の面である側面２ｃ（１７ｃ）の少なくとも１つの面と、ベース１（１Ａ）とを接着しているので、半導体素子２（固体撮像素子１７）とベース１（１Ａ）の熱による伸び縮みストレスが一部に集中することが無くなり、全体でストレスを受けるようになり、半導体素子２（固体撮像素子１７）とベース１（１Ａ）の局部的な破壊を防ぐことが出来る。
【００９４】
また、接着剤３が半導体機能面２ａ（光学的機能面１７ａ）に接することがなくなり、接着剤が目に見えない電気的回路となり、有害な寄生容量としてコンデンサ的な働きをし、所望の機能を果たさなくなる問題が解決されたり、半導体素子を光学的素子とした場合、接着剤が受光面（発光面）側に回り込み、接着剤が光路を遮る問題が解決されることとなる。
【００９５】
また、図８〜図１０に示した何れかの実施形態によれば、接着剤３は、その表面が硬化した接着剤３で被覆されているので、接着剤３が流れ出すことがなくなり、半導体機能面２ａ（光学的機能面１７ａ）とベース１（１Ａ）との間に接着剤３が入り込むことが無くなる。
【００９６】
また、図８〜図１０に示した何れかの実施形態によれば、接着剤３は、断面が円形であるので、接着剤３の硬化前に内外圧力に対して強度を持たせることができる。また、製造が容易である。
【００９７】
また、図１０に示した実施形態によれば、ベース１が光透過性ベースであり、半導体素子２が光学機能部品であるとき、光学的機能面１７ａが接着剤３に覆われていないので、接着剤３が入光（または出光）する光路を遮り、光学性能を発揮出来ないという問題が生じることがない。
【００９８】
図１１は本発明に係る第４実施形態の半導体装置の全体を示す斜視図である。
図１１に示すように、接合物１００には接着剤９を介し、接合物１００をベース１に固定させる固定手段８が接着されている。図１１に示した接着剤９と、上述した半導体素子２とベース１とを接着する接着剤３とは別物であり、接着剤３は存在せず、接合物１００は、ベース１に固定させる固定手段８のみでベース１に固定されている。
【００９９】
前記固定手段８は熱伝導率の良い部材から構成され、固定手段８自身も放熱効果を持っているが、図１１では一例として曲げ部８ａを持っており、この曲げ部８ａが放熱手段としての表面積拡大機能を有しているので、放熱効果を高めることができる。
【０１００】
図１１に示した実施形態によれば、半導体素子２を配電手段５に電気的に接続した接合物１００をベース１に固定させる固定手段８を有し、固定手段８には、放熱手段が備わっているので、半導体素子２の熱を効果的に大気に放熱することが出来る。また、放熱のための部品を追加する必要が無い。
【０１０１】
図６〜図１１の実施形態によれば、半導体素子２（固体撮像素子１７）とベース１（１Ａ）との間に接着剤３がなく、一対の配電手段５間で接着しているので、接着長さを短くすることにより、半導体素子２（固体撮像素子）とベース１（１Ａ）との熱膨張係数の違いによる反りも防止することができる。さらに、応力集中や反りを防止できるので、ベース１（１Ａ）として使用できる材料として熱膨張係数を考慮する必要がなくなり、使用材料の選択の自由度が大幅に増加する。また、半導体素子２を固体撮像素子１７に代えた場合には、反りの防止によりピントボケが防止できるとともに、入射する光の透過率が高いという効果もある。
【０１０２】
図１２は本発明に係る第５実施形態の半導体装置の全体を示す斜視図である。
図１２に示すように、この第５実施形態の半導体装置は、図３〜５に示した第１実施形態の半導体装置と比べて、放熱手段２１を設けた点のみ異なり、他の構成は第１実施形態の半導体装置と同様である。
【０１０３】
この放熱手段２１は、山２１ａと谷２１ｂを繰り返す波状に形成され、半導体素子２の後面２ｂに谷２１ｂの部分を接着等により取り付けたものである。このように半導体素子２の長手方向に沿って、波状の放熱手段２１を設けているので、半導体素子２の熱による長手方向の伸縮に対して放熱手段２１は弾性を有している。このため、熱による半導体素子２の伸び縮みに対し、放熱手段２１がその伸び縮みを邪魔することは無い。また、放熱手段２１の伸び縮みが半導体素子２に影響を及ぼすことが無い。このことにより、半導体素子２とベース１とが自分自身以外の熱のストレスを受けることが無くなり、外力により変形させられることがない。
【０１０４】
図１３は図１２の半導体装置の放熱手段の変形例を示す図である。
図１３に示すように、この半導体装置は、図１２の第５実施形態の半導体装置の放熱手段のみ異なり、他の構成は第５実施形態の半導体装置と同様である。
【０１０５】
この放熱手段２２は、図１２の放熱手段２１の向きを変えて設置したものである。上述したように、半導体素子２は、熱の影響により長手方向に大きく伸縮するが、その方向に対して放熱手段２２は弾性を持つので、図１２の放熱手段２１と同様の作用効果を有している。
【０１０６】
図１４は図１２の半導体装置の放熱手段のその他の変形例を示す図である。
図１４に示すように、この半導体装置は、図１２の第５実施形態の半導体装置の放熱手段のみ異なり、他の構成は第５実施形態の半導体装置と同様である。
【０１０７】
この放熱手段２３は、スパイラル状に形成され、螺旋の中心軸を半導体素子の長手方向に沿わせて取り付けたものである。上述したように、半導体素子２は、熱の影響により長手方向に大きく伸縮するが、その方向に対して放熱手段２３は弾性を持つので、図１２の放熱手段２１と同様の作用効果を有している。
【０１０８】
図１２〜図１４に示した何れかの実施形態によれば、放熱手段２１〜２３は熱による半導体機能面２ａの面方向の変形に対して、弾性を持つ部材であるので、熱による半導体素子２の伸縮に対し、放熱手段２１〜２３がその伸縮を邪魔することは無い。また、放熱手段２１〜２３の伸縮が半導体素子２に影響を及ぼすことが無い。このことにより、半導体素子２とベース１が自分自身以外の熱のストレスを受けることが無くなり、外力により変形させられることがない。
【０１０９】
図１２〜図１４に示した何れかの実施形態によれば、放熱手段２１、２２は波状の部材であり、放熱手段２３はスパイラル状の部材であるので、放熱手段２１〜２３が固い材料であっても、半導体素子２の伸縮方向に対して弾性を持たせることが出来る。
【０１１０】
図１５は図１２の半導体装置の放熱手段のその他の変形例を示す図である。
図１５に示すように、この半導体装置は、図１２の第５実施形態の半導体装置の放熱手段のみ異なり、他の構成は第５実施形態の半導体装置と同様である。
【０１１１】
この放熱手段２４は、既存の熱圧着法、超音波ボンディング法等を用いたワイヤーボンディング装置により、途中で止めて切ることにより線状に形成されたものである。上述したように、半導体素子２は、熱の影響により長手方向に大きく伸縮するが、その方向に対して放熱手段２４は半導体素子２に対して接する面積が小さいので、熱による半導体素子２の伸び縮みに対し、放熱手段２４がその伸び縮みを邪魔することは無い。また、放熱手段２４の伸び縮みが半導体素子２に影響を及ぼすことが無い。このことにより、半導体素子２とベース１とが自分自身以外の熱のストレスを受けることが無くなり、外力により変形させられることがない。
【０１１２】
図１６は図１２の半導体装置の放熱手段のその他の変形例を示す図である。
図１６に示すように、この半導体装置は、図１２の第５実施形態の半導体装置の放熱手段のみ異なり、他の構成は第５実施形態の半導体装置と同様である。
この放熱手段２５は、既存の熱圧着法、超音波ボンディング法等を用いたワイヤーボンディング装置により、途中で止めて切ることにより針状に形成されたものである。図１６に示すように、ハンダをワイヤーボンディングしたときにできる針状の形状でも放熱効果はある。
【０１１３】
上述したように、半導体素子２は、熱の影響により長手方向に大きく伸縮するが、その方向に対して放熱手段２５は半導体素子２に対して接する面積が小さいので、図１５の放熱手段と同様の作用効果を有している。
【０１１４】
即ち、図１６に示した実施形態によれば、放熱手段２５は針状の部材であるので、半導体素子２の熱の影響による伸縮の際に、放熱手段２５は半導体素子２に対する接触面積が小さく、伸縮方向に対して放熱手段２５はその伸縮を邪魔することが無い。また、放熱手段自身の変形により半導体素子２にストレスを与えることも無い。
【０１１５】
図１７は図１２の半導体装置の放熱手段のその他の変形例を示す図である。
図１７に示すように、この半導体装置は、図１２の第５実施形態の半導体装置の放熱手段のみ異なり、他の構成は第５実施形態の半導体装置と同様である。
【０１１６】
この放熱手段２６は、球状に形成されたものである。図１７に示すように、ボール形状になったハンダを半導体素子２上に載せて、接合した物でも放熱効果はある。
【０１１７】
上述したように、半導体素子２は、熱の影響により長手方向に大きく伸縮するが、その方向に対して放熱手段２６は半導体素子２に対して接する面積が小さいので、図１５の放熱手段と同様の作用効果を有している。
【０１１８】
即ち、図１７に示した実施形態によれば、放熱手段２６は球状の部材であるので、半導体素子２の熱の影響による伸縮の際に、放熱手段２６は半導体素子２に対する接触面積が小さく、伸縮の方向に対して放熱手段２６はその伸び縮みを邪魔することが無い。また、放熱手段自身の変形により半導体素子２にストレスを与えることも無い。
【０１１９】
図１８は図１２の半導体装置の放熱手段のその他の変形例を示す図である。
図１８に示すように、この半導体装置の放熱手段２７は、図１５に示した線状の放熱手段の他の例である。ワイヤーボンディング装置で図１５に示すように放熱手段２４をまっすぐに立てるのが困難な場合、図１８に示すように、２箇所に圧着したものを多数置くようにしてもよい。この放熱手段２７は、例えば逆Ｖ字状の線状に形成されている。この放熱手段２７においても図１５の放熱手段２４と同様の作用効果を有している。
【０１２０】
図１９は図１２の半導体装置の放熱手段のその他の変形例を示す図である。
図１９に示すように、この半導体装置の放熱手段２８は、図１５に示した線状の放熱手段２４の他の例である。ワイヤーボンディング装置で図１５に示すように放熱手段２４をまっすぐに立てるのが困難な場合、図１９に示すように一本の線を多数箇所で圧着するのでも良い。この放熱手段２８は、例えば逆Ｖ字状の線状のものが連続的に屈曲形成されている。この放熱手段２８においても図１８の放熱手段２７と同様の作用効果を有している。
【０１２１】
図１２〜図１９に示す放熱手段２１〜２８は、金属等の熱伝導性の高い物がよく、接着で付けても、圧着で付けても良い。特に図１５〜図１９に示す放熱手段２４〜２８においては、既存のワイヤーボンディング装置を使って圧着させる方法を取っても良く、その場合の形状は、図１５〜１７に示すような形状になる。
【０１２２】
図６の半導体装置に放熱手段２１〜２９を取り付ける場合は、半導体素子２の半導体機能面の反対面である後面２ｂの接着剤３が付いていない部分を対象として行う。
【０１２３】
図１５、図１８、図１９に示した何れかの実施形態によれば、放熱手段２４、２７、２８は線状の部材であるので、半導体素子２の熱の影響による伸縮の際に、放熱手段２４、２７、２８は半導体素子２に対する接触面積が小さく、伸縮方向に対して放熱手段２４、２７、２８はその伸縮を邪魔することが無い。また、放熱手段自身の変形により半導体素子２にストレスを与えることも無い。
【０１２４】
図２０は図１２の半導体装置の放熱手段のその他の変形例を示す図である。
図２０に示すように、この半導体装置は、図１２の第５実施形態の半導体装置の放熱手段のみ異なり、他の構成は第５実施形態の半導体装置と同様である。
【０１２５】
この放熱手段２９は、板状に形成され、半導体素子２の後面２ｂに立設されている。そして、この放熱手段２９は半導体素子２と近い熱膨張係数のものが選択されている。このように半導体素子２の長手方向に沿って、半導体素子２と近い熱膨張率を有する放熱手段２９を設けているので、半導体素子２の熱による長手方向の伸縮に対して放熱手段２１も同様に伸縮する。このため、熱による半導体素子２の伸び縮みに対し、放熱手段２１がその伸縮を邪魔することは無い。また、放熱手段２１の伸縮が半導体素子２に影響を及ぼすことが無い。このことにより、半導体素子２とベース１とが自分自身以外の熱のストレスを受けることが無くなり、外力により変形させられることがない。よって放熱手段２９が半導体素子２にストレスを与えることなく、放熱効果を上げることが出来る。
【０１２６】
前記放熱手段２９は図２０では半導体素子２の長手方向に長い形状となっているが、半導体素子２の長手方向と直交する方向に設けたり、傾斜する方向に設けてもよい。
なお、上述した放熱手段は、必要に応じて表面積を増加させたり複数設けてもよく、半導体素子２の発熱量と放熱効果とを考え適宜構成すれば良い。
【０１２７】
また、図６、７に示した第２実施形態の半導体装置、図８、９に示した第３実施形態の半導体装置及び図１１の第４実施形態の半導体装置においても、図１２〜図２０の放熱手段２１〜２９の何れかを設けることができる。
【０１２８】
また、図１０に示した半導体装置である固体撮像装置の固体撮像素子１７の後面１７ｂに図１２〜図２０の放熱手段２１〜２９の何れかを設けることができる。
【０１２９】
また、図１〜図９、図１１〜図２０に示した半導体素子を図１０の固体撮像素子に置き換えることができる。ただし、この場合、ベース１として図１０で説明したように、光透過性ベースを用い、固体撮像素子の光学的機能面１７ａを接着剤で全て被覆するか、光学的機能面１７ａを接着剤で全て覆わないようにする必要がある。例えば、図６〜図１１で半導体素子を固体撮像素子にした場合には、光学的機能面１７ａが接着剤で被覆されない。また、図３〜図５、図１２〜図２０で半導体素子を固体撮像素子にした場合には、光学的機能面１７ａを接着剤で全て覆うか、光学的機能面１７ａの周囲の少なくとも一部に接着剤を設けるようにして、光学的機能面１７ａを接着剤で覆わないようにすることができる。
【０１３０】
なお、上記で説明してきた接着剤３は、光硬化型接着剤または、熱硬化型接着剤であり、熱硬化型接着剤の硬化温度は配電手段５と半導体素子２との接合を壊す温度を下回っている。
【０１３１】
接着剤３を熱硬化型とした場合には、光の当てられない場所での接着剤硬化を行える。また、その硬化温度は半導体素子２を配電手段５に電気的に接続した接合物１００の接合を壊さない温度以下であるので、半導体素子２と配電手段５との位置関係のズレがなく、ハンダ溶着等の接合点を壊すことなく、電気的接合の信頼性を保持したまま、ベース１と接合物１００とを接着することが出来る。
【０１３２】
また、接着剤３を光硬化型とした場合には、接着剤３を硬化させるとき、接着剤３の温度上昇がほとんどなく、熱の影響によるベース１と接合物１００との位置関係のズレを生じることなく、ベース１と接合物１００とを接着することが出来る。また、接着時に熱の影響による残留応力が発生しない。
【０１３３】
なお、上記接着剤３及び接着剤９の面積は、接着物が自重や外部の力で壊れない程度まで小さくてよく、半導体素子２の中央近辺の小さな領域のみに接着剤３又は接着剤９を付けて半導体素子２を固定してもよい。上記実施形態の如く長尺の半導体素子の場合には、長手方向に対して短くするようにしてもよい。このようにすることで、半導体素子とベースとの熱膨張係数の違いによる反りを防止できる。特に半導体素子を固体撮像素子とした場合には、光透過性ベースから固体撮像素子へ入射する結像光のピントボケを防止することができる。
【０１３４】
図３〜図２０の何れかに示した実施形態によれば、前面に半導体機能面２ａ（光学的機能面１７ａ）を有する半導体素子２（固体撮像素子１７）と半導体機能面２ａ（光学的機能面１７ａ）と配電手段５とを電気的に接続した接合物１００を、接合物１００の配電手段５をベース１（１Ａ）側にしてベース１（１Ａ）上に配置させた半導体装置において、配電手段５は半導体素子２（固体撮像素子１７）とベース（１Ａ）１との間に挟まれている被挟持部分７を有し、ベース１（１Ａ）と半導体素子２（固体撮像素子１７）とは被挟持部分７を除いた部分を介して固定されているので、熱の影響により半導体素子２（固体撮像素子１７）とベース１（１Ａ）が伸び縮みした時、半導体素子２（固体撮像素子１７）と配電手段５との電気的接合部は半導体素子２（固体撮像素子１７）の配電部と同じ動きをし、ベース１（１Ａ）の動きの影響を受けない。よって電気的接合部にストレスがかかることがなくなり、電気的接合部の破壊を防ぐことが出来る。
【０１３５】
また、半導体素子２（固体撮像素子１７）とベース１（１Ａ）とは接着剤３のみで固定されており、半導体素子２（固体撮像素子１７）とベース１（１Ａ）とが接着される面積は、接着物が自重や外部の力で壊れない程度まで小さくできる。これにより、熱の影響により半導体素子２（固体撮像素子１７）とベース１（１Ａ）とが伸び縮みしたとき、半導体素子２（固体撮像素子１７）の動きはベース１（１Ａ）の動きの影響を受けないので、半導体素子２（固体撮像素子１７）に余計な力が加わることが無く、半導体素子２（固体撮像素子１７）が反ることがなく、半導体素子２（固体撮像素子１７）を光学素子とした場合、変形による光学的位置関係のズレが生じることがなく、光学的特性が変化することがない。
【０１３６】
図３〜図５、図１２〜図２０の何れかに示した実施形態によれば、接着剤３が、半導体素子２の半導体機能面２ａとベース１の隙間４に充填されているので、半導体素子２とベース１の熱による伸び縮みのストレスが一部に集中することが無くなり、全体でストレスを受けるようになり、半導体素子２とベース１の局部的な破壊を防ぐことが出来る。
【０１３７】
図１２〜図２０に示した何れかの実施形態によれば、前面に半導体機能面２ａを有する半導体素子２と半導体機能面２ａと配電手段５とを電気的に接続した接合物１００を、接合物１００の配電手段５をベース１側にしてベース１上に配置させた半導体装置において、配電手段５は半導体素子２とベース１との間にベース１に対して摺動自在に挟まれている被挟持部分７を有し、ベース１と半導体素子２とは被挟持部分７を除いた部分を介して固定され、半導体素子２の後面２ｂに放熱手段２１〜２９が設けられているので、熱の影響により半導体素子２とベース１とが伸び縮みした時、半導体素子２と配電手段５との電気的接合部は半導体素子２の配電部と同じ動きをし、ベース１の動きの影響を受けない。よって電気的接合部にストレスがかかることがなく、壊されることが無い。また、放熱手段２１〜２９があるので、半導体素子２から放出する熱を効率的に大気に逃がすことができ、半導体素子２の変形を抑えることが出来る。
【０１３８】
また、半導体素子２とベース１とは接着剤３のみで固定されており、半導体素子２とベース１とが接着される面積は、接着物１００が自重や外部の力で壊れない程度まで小さくできる。これにより、熱の影響により半導体素子２、ベース１及び固定手段８が伸び縮みしたとき、半導体素子２の動きはベース１の動きの影響を受けないので、半導体素子２に余計な力が加わることがなく、半導体素子２が反ることがなく、半導体素子２を光学素子とした場合、変形による光学的位置関係のズレが生じることがなく、光学的特性が変化することがない。
【０１３９】
以下に一実施例を図８、図９の構成の場合について説明する。
ベース１をセラミックスベースとし、半導体素子２を演算回路を形成したシリコン基板とし、配電手段５をフレキシブル基板とした。図８に示すように、演算回路とフレキシブル基板とは、フェイスダウン接合にて接合され、その接合物はセラミックスベースに接着されている。駆動用電源、入力信号及び出力信号はフレキシブル基板を通り外部とやり取りを行う。
【０１４０】
ここで、演算回路の駆動熱や、外部環境の影響で周囲温度が上がってくると、演算回路を形成したシリコン基板とセラミックスベースとはそれぞれの熱膨張率に基づいて、膨張を始める。この時、演算回路を形成したシリコン基板とセラミックスベースとの熱膨張率の違いにより、熱膨張量は異なる。
【０１４１】
セラミックスとシリコンとは熱膨張係数が似ているといわれ、熱膨張の影響は受けにくいと言われるが、シリコン基板の大きさが大きいものであると、熱膨張率の少しの違いは、全体的な伸び量の違いとして、大きな影響を及ぼす場合が出てくる。
【０１４２】
一般的にセラミックスの場合、シリコンより熱膨張率が大きく、伸び量は大きい。この時、演算回路を形成したシリコン基板とフレキシブル基板との接合点がセラミックスベースに固定されていると、その接合点は演算回路に固定されているため、セラミックスベースの膨張により引き伸ばされ、接合点に応力が集中して接合点が破壊されてしまう。しかしながら、本発明では接合点がセラミックスベースには固定されていないため、セラミックスベースの熱膨張による力は接合点には伝わらず、接合点が破壊されることは無い。
【０１４３】
よって、本発明では、ベース１の熱膨張率を半導体素子２（シリコン）の熱膨張率を近づける必要が無いため、ベース１の材料として、プラスチックモールド、金属、セラミックス、ガラス等の任意のものを選択することが可能となる。
【０１４４】
次に、他の実施例を図１０の構成の場合について説明する。
光透過性ベース１Ａをガラスベースとし、固体撮像素子１７をラインＣＣＤを形成したシリコン基板とし、配電手段５をフレキシブル基板とした。図１０に示すように、ラインＣＣＤを形成したシリコン基板とフレキシブル基板とは、フェイスダウン接合にて接合され、その接合物はガラスベースに接着されている。光はガラスベースを透過してラインＣＣＤに入射され、ラインＣＣＤにより光電変換された電気信号はフレキシブル基板を通り外部に出力される。ガラスベースはラインＣＣＤの受光面保護用になっているだけではなく、ラインＣＣＤの保持部材も兼ねている。
【０１４５】
ここで、ラインＣＣＤの駆動熱や、外部環境の影響で周囲温度が上がってくると、ラインＣＣＤを形成したシリコン基板とガラスベースとはそれぞれの熱膨張率に基づいて、膨張を始める。この時、ラインＣＣＤを形成したシリコン基板とガラスベースとの膨張率の違いにより、熱膨張量は異なる。
【０１４６】
一般的なガラスの場合、シリコンより膨張率が大きく、伸び量は大きい。この時、ラインＣＣＤを形成したシリコン基板とフレキシブル基板との接合点がガラスベースに固定されていると、その接合点はラインＣＣＤに固定されているため、ガラスの膨張により引き伸ばされ、接合点に応力が集中して接合点が破壊されてしまう。しかしながら、本発明では結合点がガラスベースには固定されていないため、ガラスベースの熱膨張による力は接合点には伝わらず、接合点が破壊されることは無い。
【０１４７】
また、ベース１がガラスの例をあげたが、透過性の物質であれば、プラスチックや、サファイヤ等でも良い。ただし、ＣＣＤが必要としている光学特性を満たすことが条件である。
【０１４８】
上記実施例では、配電手段５として、可撓性を有するフレキシブル基板を用いているが、これに限られるものではなく、硬い配電手段（プリント基板）でもよい。
【０１４９】
ただし、配電手段５は半導体素子２の長手方向に対して、電気的接合に必要な最小限の大きさが良い。これは、特に半導体素子２がラインＣＣＤのように長い（大きい）場合、配電手段５を半導体素子２の長手方向に長くして、配電手段５を半導体素子２に結合（固定）してしまう（例えば、図３にある２つの配電手段５を１つにまとめる）と、半導体素子２と配電手段５の熱膨張量の違いが顕著になり、結合部が破壊されてしまう。この問題は配電手段５の硬さも関わり、フレキシブル基板よりも硬い配電手段（プリント基板）の方がより顕著になる。よって、配電手段５は半導体素子２の長手方向に対して、電気的接合に必要な最小限の大きさが良い。
【０１５０】
また、本発明に係る配電手段５をフレキシブル基板とした場合には、半導体素子２とベース１との間に挟まれる被挟持部分７が存在し、この被挟持部分７はベース１とは固定されていないが、配電手段５のうちで、半導体素子２とベース１との間に挟まれない部分（被挟持部分７を除く部分）においては、上述したようにベース１と配電手段５とが固定されていてもかまわない。しかし、配電手段５をプリント基板等の硬いものとした場合には、配電手段５の被挟持部分７及び被挟持部分７を除く部分共にベース１とは固定しないようにする必要がある。
【０１５１】
なお、本説明の中では、半導体素子２と配電手段５がフリップチップ接合されているが、これにこだわることなく、半導体素子２から配電手段５にワイヤーボンディングされた物を接合物１００として取り扱ってもよい。
【０１５２】
なお、接着剤３の接着に関して、半導体素子２がラインＣＣＤのように長い（大きい）場合、接着箇所を大きくしておくと、配電手段５と半導体素子２との接合部が壊れなくても、ベース１の伸び縮みにより半導体素子２内部の回路が破壊される時がある。その時は接着剤３とつける場所を半導体素子２の中央近辺のみにするとか、接着剤３の硬度を柔らかいものにして、ベース１の伸び縮みを直接半導体素子２に伝わらない様にしてやると良い。
【０１５３】
なお、本発明の実施例ではラインＣＣＤのような長細い形状の半導体素子を対象としているが、この形状にとらわれることなく、正方形や、多角形、円形など、あらゆる形の半導体素子を対象としている。
【０１５４】
図２１は本発明に係る半導体装置である固体撮像装置を用いた画像読取ユニットの斜視図である。
図２１に示すように、上述した固体撮像装置を用いた画像読取ユニット１０は、原稿面からの画像光としての光線が透過する透過面の周囲に側面であるコバ面１３ａを有する、光学エレメントであるレンズ１３と、コバ面１３ａに対向する第１の取付面１５ａと第１の取付面１５ａとは異なる角度、本実施形態では第１の取付面１５ａに対して９０度に形成されている第２の取付面１５ｂとを有し、レンズ１３と筐体１２とを接合する中間保持部材１５と、第２の取付面１５ｂに対向する取付面１２ｃを有するベース部材である筐体１２とを備えている。
この画像読取ユニット１０では、筐体１２と筐体１２に対して位置調整されたレンズ１３とが中間保持部材１５を介して接着固定されている。
【０１５５】
前記レンズ１３は、そのコバ面１３ａに同一直径上に配置される平坦面１３ｂを備えている。この平坦面１３ｂは切削、研削等により形成され、必要に応じて研磨されている。このように平坦面１３ｂを形成することにより、中間保持部材１５の第１の取付面１５ａとの接着面積を拡大することができ、固定強度を高めることができる。
【０１５６】
前記筐体１２は、レンズ１３と固体撮像装置１７Ａとを調整後に調整された配置関係で固定する。この筐体１２は、円弧状溝部１２ｂと、円弧状溝部１２ｂに隣接する平面状の取付面１２ｃと、固体撮像装置１７Ａを取り付ける取付面１２ｄと、レンズ１３，１６等から構成される結像レンズ系と固体撮像装置１７Ａとの間を遮光する遮光用カバー１２ａとを備えている。この遮光用カバー１２ａを設けることによって、外乱光等の影響を防ぐことができ良好な画像を得られる。この筐体１２は後述する複写機等の画像走査装置の所定位置にねじ締め、カシメ、接着、溶着等の固定手段により固定される。
【０１５７】
前記中間保持部材１５に用いる材質は、光（紫外線）透過率の高い部材、例えば、アートン、ゼオネックス、ポリカーボネイト等が用いられる。
前記中間保持部材１５は接着剤の表面張力により、レンズ調整によるレンズ位置の移動に対して、両接着面がすべるようにして動き、レンズ１３の移動に追従することができる。
【０１５８】
前記中間保持部材１５の第１の取付面１５ａ及び第２の取付面１５ｂ、即ち両接着面を直交させることによって、レンズ１３の位置調整が６軸可能となり各軸が独立して調整することができる。
【０１５９】
図２１に示すように、２個の中間保持部材１５を用いて光学エレメント側接着面であるレンズ１３のコバ１３ａの平坦面１３ｂが対向するように配置することによって、接着剤が硬化するときの硬化収縮による影響を少なくすることができる。
【０１６０】
図２１に示すように、中間保持部材１５の両接着面間に光透過性のリブ１５ｃを設けることによって、光硬化型接着剤を硬化させるときの光のロスを増加することなく、中間保持部材１５の強度を高めることができる。
【０１６１】
前記中間保持部材１５のレンズ側固定面である第１の取付面１５ａと保持部材側固定面である第２の取付面１５ｂとは互いに垂直であるので、レンズのＸ、Ｙ、Ｚ、α、β、γ各位置調整方向への移動に対して互いに独立して調整することができる。
【０１６２】
中間保持部材１５が紫外線硬化型の接着剤によってレンズ１３と筐体１２とに接続されている場合について考えてみると、まずＸ、Ｚ方向の調整の場合、レンズ１３と中間保持部材１５とが筐体１２の保持部材側固定面である筐体取付面１２ｃを介して筐体上をすべる動きをして調整される。
また、Ｙ方向の調整の場合、レンズ１３が中間保持部材１５のレンズ側固定面である第１の取付面１５ａをすべる動きをして調整される。
【０１６３】
以下α、β、γも同様にして調整される。さらに、光学エレメントがレンズの場合光軸を中心とした球面形状をしているため、光軸（γ軸）周りに回転させてもレンズの加工誤差等で発生した光軸倒れを補正することはできない（光軸が回転するのみ）。したがってγ軸周りの調整は不要となる。
【０１６４】
図２２は本発明に係る半導体装置である固体撮像装置を用いた画像読取ユニットを備えた画像走査装置の一例として多機能型デジタル画像形成装置の概略構成図である。
【０１６５】
図２２に示すように、上述した画像読取ユニットを備えた画像形成装置は、自動原稿送り装置１０１、読み取りユニット１５０、書込ユニット１５７、給紙ユニット１３０及び後処理ユニット１４０とを備えて構成されている。自動原稿送り装置１０１は、原稿を読取ユニット１５０のコンタクトガラス１０６上に自動的に給送し、読み取りが終了した原稿を自動的に排出する。読み取りユニット１５０はコンタクトガラス１０６上にセットされた原稿を照明して光電変換装置である固体撮像装置１７Ａによって読み取り、書込ユニット１５７は読み取られた原稿の画像信号に応じて感光体１１５上に画像を形成し、給紙ユニット１３０から給紙された転写紙上に画像を転写して定着する。定着が完了した転写紙は後処理ユニット１４０に排紙され、ソートやステープルなどの所望の後処理が行われる。
【０１６６】
まず、読み取りユニット１５０は、原稿を載置するコンタクトガラス１０６と光学走査系で構成され、光学走査系は露光ランプ１５１、第１ミラー１５２、レンズ１３、固体撮像装置１７Ａ、第２ミラー１５５および第３ミラー１５６などからなっている。露光ランプ１５１および第１ミラー１５２は図示しない第１キャリッジ上に固定され、第２ミラー１５５および第３ミラー１５６は図示しない第２キャリッジ上に固定されている。原稿を読み取る際には、光路長が変化しないように第１キャリッジと第２キャリッジとは２対１の相対速度で機械的に走査される。この光学走査系は図示しないスキャナ駆動モータによって駆動される。
【０１６７】
原稿画像は固体撮像装置１７Ａによって読み取られ、光信号から電気信号に変換されて処理される。レンズ１３および固体撮像装置１７Ａを図２２において左右方向に移動させると画像倍率を変化させることができる。すなわち、指定された倍率に対応してレンズ１３および固体撮像装置１７Ａの図において左右方向の位置が設定される。
【０１６８】
書き込みユニット１５７はレーザ出力ユニット１５８、結像レンズ１５９およびミラー１６０によって構成され、レーザ出力ユニット１５８の内部には、レーザ光源であるレーザダイオードおよびモータによって高速で定速回転するポリゴンミラーが設けられている。
【０１６９】
レーザ出力ユニット１５８から照射されるレーザ光は、前記定速回転するポリゴンミラーによって偏向され、結像レンズ１５９を通ってミラー１６０で折り返され、感光体面上に集光されて結像する。偏向されたレーザ光は感光体１１５が回転する方向と直交する所謂主走査方向に露光走査され、画像処理部によって出力された画像信号のライン単位の記録を行う。そして、感光体１１５の回転速度と記録密度に対応した所定の周期で主走査を繰り返すことによって感光体面上に画像、すなわち静電潜像が形成される。
【０１７０】
このように書き込みユニット１５７から出力されるレーザ光が、画像作像系の感光体１１５に照射されるが、感光体１１５の一端近傍のレーザ光の照射位置に主走査同期信号を発生する図示しないビームセンサが配されている。このビームセンサから出力される主走査同期信号に基づいて主走査方向の画像記録タイミングの制御、および後述する画像信号の入出力用の制御信号の生成が行われる。
【０１７１】
以上の発明においては、半導体素子とベースの線膨張係数の差から起こされるひずみが接点を破壊するという問題を解決するため、配電部の裏側をベースに接着させないという方法をとり接点を保護するとした。しかし、この発明に基づき物を製作しようとすると、配電部の裏はベースとは固定されていないものの、接触している（チップとベースにはさまれている）ため、熱による膨張により、挟まれた配電手段がすこしは動かされることが分かった。
また、半導体素子の全体ではなく配電部がある周辺のみに配電手段をつけたが（上記実施形態では、ＣＣＤの両端のみ）、その配電部がある周辺の長さ分は線膨張係数が異なる分ひずみは生じることになる。
【０１７２】
よって、接点の周辺の補強が必要となる。半導体素子と配電手段の接合を行なうのにあたり、半導体素子の電極部と配電手段の配電部をはんだで接合する方法がよくとられているが、はんだのような硬い物での接合では繰返しの変形（ひずみ）によるストレスによって、電気的接点の破壊の問題が生じてくる。長尺の半導体の接合に関しては後述する発明にある接着剤による接合が接合信頼性の面では有利である。
【０１７３】
また、製造工程においてもはんだのような導電性材料は接点のみの塗布が必要となり、微細な実装工程には向いていない。半導体素子の微細な接点を接合するには本発明にある接着剤による接合が製造工程面で有利である。
【０１７４】
また、半導体素子が光学的機能部品であるとき、半導体素子の位置は重要なものになってくる。たとえば光学的機能部品がＣＣＤであるとき、本来、実像（原稿）がレンズによって結像された場所にＣＣＤがあり、ＣＣＤに入光された光が情報として取り出されることが望ましいが、ＣＣＤの発熱により、ベースとＣＣＤの膨張差が出てくるとＣＣＤが反る問題が生じる。これは、レンズの結像位置からＣＣＤが位置ズレをおこし、ピントがずれた状態を作ることになってしまう。これを回避するために放熱効果を上げることが必要である。これは、ＣＣＤのような光を受けるものだけでは無く、ＬＤアレイのような発光体に関しても同じことが言える。
【０１７５】
また、接着剤の機能面への回り込みが、光学素子のみならず、高周波回路でも問題視されることがある。この場合、接着剤が目に見えない電気的回路となり、有害な寄生容量としてコンデンサー的な働きをし、目的の機能を果たさなくなってしまう場合がある。接着剤のはいり込み量を予測して、寄生容量を予測することも出来なくは無いが、手間であり、大量生産時に、はいり込み量をバラつきなくするのは至難の技である。
【０１７６】
昨今の半導体駆動高速化の動きの中では、この寄生容量の問題が顕著化し、半導体実装業界全体で無視できない問題となっている。
寄生容量の問題は半導体素子表面の実際の機能面上に接着剤が付かなければほぼ問題無く、機能部以外の面に接着剤が付いてベースと固定される面積が広がることは、接合強度の向上と言う面では利点となる。
【０１７７】
そこで、以下に説明する発明では、（１）フリップチップ接合時の熱の影響（熱膨張）による接点破壊防止と、（２）半導体素子（光学機能部品）機能面の保護と、（３）高周波回路の有害な寄生容量の発生防止と、（４）放熱効果の向上と、（５）放熱することにより光学機能素子の変形防止をはかり、ピントズレを防止することで、光学特性の劣化防止とを達成するために発案された。
【０１７８】
以下の実施形態では前面に光学的機能面１７ａを有する半導体素子として、例えば受光素子の一例である固体撮像素子１７の場合について説明する。
図２３は前面に光学的機能面を有する半導体素子の一例としての固体撮像素子を示す図である。
図２３に示すように、この固体撮像素子１７は、前面に光学的機能面１７ａを有する半導体素子である。固体撮像素子１７は前面である光学的機能面１７ａと、光学的機能面１７ａの裏面である後面１７ｂと、光学的機能面１７ａ（前面）および後面１７ｂを共に除いた残りの面である側面１７ｃで構成され、光学的機能面１７ａには光学的機能部１７ｄと電極部１７ｅとが配置されている。このとき電極部１７ｅは長尺形状の固体撮像素子１７の両端にあり、光学的機能部１７ｄをはさむように配置されている。
【０１７９】
図２４は固体撮像素子の電極部にバンプをつけた状態を局部的に見た図である。
図２４に示すように、固体撮像素子１７の電極部１７ｅには、バンプ６がつけられている。このバンプ６は熱と超音波を使い金線を電極部１７ｅに接合した物である（金線を使う場合には金バンプと呼ばれる）。
【０１８０】
図２５は、図２４でバンプをつけた固体撮像素子の光学的機能面を配電手段に向かいあわせにし、フリップチップ接合を行なう直前の図である。
図２５に示すように、図２４でバンプ６をつけた固体撮像素子１７の光学的機能面１７ａを配電手段５に向かいあわせにし、配電手段５の配線部５ａを覆って電極保護用の第一の接着剤３ａを塗布した後に、フリップチップ接合を行なう。このときの接着剤３ａは熱硬化性でも光硬化性でもよい。
【０１８１】
フリップチップ接合により固体撮像素子１７の電極部１７ｅと配電手段５の配線部５ａとがバンプ６を介して電気的に接続される。フリップチップ接合した後に、電気的接続部の回りには保護用の第一の接着剤３ａが塗布されている。
【０１８２】
図２６は図２５の状態から固体撮像素子を配電手段に押し込んだ状態で第一の接着剤を硬化させ、固体撮像素子と配電手段とが接合完了した状態の図である。
図２６に示すように、図２５の状態から固体撮像素子１７を配電手段５に押し込んだ状態で第一の接着剤３ａを硬化させ、固体撮像素子１７と配電手段５とが接合完了する。固体撮像素子１７は図示しない接合装置により配電手段５と位置決めされた後（詳細には電極部１７ｅにつけたバンプ６と配線部５ａの位置決め）、荷重をかけながら第一の接着剤３ａの硬化条件に合わせた硬化方法で第一の接着剤３ａを硬化させる。硬化条件とは熱硬化性の接着剤であれば熱硬化するための加熱温度であり、光硬化型の接着剤であれば光の波長や強度である。このとき、バンプ６は荷重によりつぶされ、配線部５ａに食い込むようなかたちになる。
【０１８３】
またこのとき、第一の接着剤３ａは固体撮像素子１７の光学的機能面１７ａと配電手段５との間に入るが、光学的機能部１７ｄには入り込んでいない。また、第一の接着剤３ａは、固体撮像素子１７の電極部１７ｅ又はバンプ６と配電手段５の配線部５ａの接触部周囲を全周に渡って覆い、接着固定している。第一の接着剤３ａには耐湿性がありバンプ６と配電手段５の配線部５ａの接合部を外気から保護している。
【０１８４】
なお、このとき固体撮像素子１７の電極部１７ｅにはバンプ６をつけたが、電気的接続が図れるのであればバンプ６を付ける必要はないが、バンプ６を付けたほうが電気的な信頼性は向上する。また、図２５及び図２６に示した第一の接着剤３ａは非導電性の接着剤であるが、異方導電性接着剤を使うことでより信頼性は向上する。
【０１８５】
異方導電性接着剤とは非導電性の接着剤のなかに配線部５ａのパターン間隔より十分小さい導電性の粒子が分布され、隣接する電極間では絶縁性を示すが、加圧した方向には導電性の粒子が被加圧物の間にはさまり導電性を示し、結果接触している電極同士が導電するという物である。ただし、配線部５ａのパターン間隔が狭くなってくると隣接する電極間の絶縁性を保つのが難しくなってくるので、信頼性及び集積度に応じて非導電性接着剤と異方導電性接着剤とを適宜選択することができる。
【０１８６】
図２７は本発明に係る第６実施形態の半導体装置の全体を示す斜視図、図２８は本発明に係る第６実施形態の半導体装置の素子長手方向に沿った断面図、図２９は本発明に係る第６実施形態の半導体装置を光透過性ベース側から見た図である。
【０１８７】
この第６実施形態及び後述する第７実施形態の半導体装置では、図２４〜図２６で説明したように作製された接合物を用いている。
図２７、図２８に示すように、第６実施形態の半導体装置は、第３実施形態の半導体装置と同様に、固体撮像素子１７の光学的機能面１７ａ及びその反対面である後面１７ｂ以外の面、即ち、側面１７ｃと光透過性ベース１ａとを円柱状の第二の接着剤３ｂで接着している。
【０１８８】
図２９に示すように、図２６の状態から光透過性ベース１ａに第二の接着剤３ｂを塗布し、硬化させた。第二の接着剤３ｂは前記半導体素子の前面１７ａおよび後面１７ｂを共に除いた残りの面１７ｃと光透過性ベース１ａとを接着しており、配電手段５と固体撮像素子１７の前面で光学的機能部１７ｄを除いた面との間には、第一の接着剤３ａ及び第二の接着剤３ｂが入り込んでいるが、光学的機能部１７ｄには入り込んでいない（図２９の第１の状態Ｚ１）。
【０１８９】
このとき第二の接着剤３ｂの入り込みは、入り込みがない場合に比べ、光透過性ベース１ａと固体撮像素子１７との固定を強固な物にし、結果、熱膨張などのひずみや外力に対して強度が上がることになる。また、第１の接着剤３ａ及び第二の接着剤３ｂの何れもが光学的機能部１７ｄには入り込んでいないため、光透過性ベース１ａ側から入射（又は出射）する光に対して、接着剤による屈折、吸収等の劣化の問題は生じない。
【０１９０】
図３０は本発明に係る第７実施形態の半導体装置の全体を示す斜視図、図３１は本発明に係る第７実施形態の半導体装置の素子長手方向に沿った断面図、図３２は本発明に係る第７実施形態の半導体装置を光透過性ベース側から見た図である。
図３０に示すように、光透過性ベース１ａに対して接合物１００が第二の接着剤３ｂを介し接着されている。
【０１９１】
また、固体撮像素子１７と光透過性ベース１ａとの固定された部分に位置する第二の接着剤３ｂ以外の部分であって、かつ、配電手段５と光透過性ベース１ａとの間にはさまれる部分である間７（図３１参照）を除いた部分には、シーリング部材である第三の接着剤３ｃが配置されている。
このとき、第三の接着剤３ｃは、固体撮像素子１７と光透過性ベース１ａとの固定部分、本実施形態では第二の接着剤３ｂよりも弱い弾性力を持つ。
【０１９２】
なお、このとき、固体撮像素子１７の光学的機能面１７ａの後面１７ｂには、第二の接着剤３ｂならびに第三の接着剤３ｃが付いていない。
【０１９３】
図３２に示すように、図２６の状態から光透過性ベース１ａに第二の接着剤３ｂを塗布し硬化させ、第三の接着剤３ｃを塗布し硬化させた。
このとき第一の接着剤３ａは固体撮像素子１７の光学的機能面１７ａと配電手段５との間に入るが、光学的機能部１７ｄには入り込んでいない。また、第二の接着剤３ｂ及び第三の接着剤３ｃは固体撮像素子１７の光学的機能面１７ａと光透過性ベース１ａの間にはいるが、光学的機能部１７ｄには入り込んでいない（第２の状態Ｚ２）。
【０１９４】
このとき第二の接着剤３ｂ及び第三の接着剤３ｃの入り込みは、入り込みがない場合に比べ、光透過性ベース１ａと固体撮像素子１７との固定を強固なものにする。その結果、熱膨張などのひずみや外力に対して強度が上がることになる。また、第一の接着剤３ａ、第二の接着剤３ｂ及び第三の接着剤３ｃが光学的機能部１７ｄには入り込んでいないため、光透過性ベース１ａ側から入射（又は出射）する光に対して、接着剤による屈折、吸収等の劣化の問題は生じない。
【０１９５】
また、配線部５ａは第三の接着剤３ｃの外に出ていて、外部との信号のやり取りを行なえるようになっている。なおこのとき第三の接着剤３ｃは配線部５ａのショート防止のため、非導電性である。
【０１９６】
図３３は本発明に係る第８実施形態の半導体装置の素子長手方向に沿った断面図である。
図３３に示すように、図３１の状態から固体撮像素子１７の後面１７ｂに放熱部材５０を第四の接着剤３ｄにて固定した。このとき第１の接着剤３ａ、第二の接着剤３ｂ、第三の接着剤３ｃ及び第四の接着剤３ｄは光学的機能部１７ｄには入り込んでいない。また、配電手段５は第三の接着剤３ｃ及び第四の接着剤３ｄの外に出ていて、外部との信号のやり取りを行なえるようになっている。なおこのとき第三の接着剤３ｃ及び第四の接着剤３ｄは配電手段５のショート防止のため、非導電性である。
【０１９７】
図３４は本発明に係る第９実施形態の半導体装置の素子長手方向に沿った断面図である。
図３４に示すように、図３１の状態から固体撮像素子１７の後面１７ｂに放熱部材５０を第二の接着剤３ｂ及び第三の接着剤３ｃにて固定した。このとき第一の接着剤３ａ、第二の接着剤３ｂ、第三の接着剤３ｃ及び第四の接着剤３ｄは光学的機能部１７ｄには入り込んでいない。また、配電手段５は第三の接着剤３ｃ及び第四の接着剤３ｄの外に出ていて、外部との信号のやり取りを行なえるようになっている。
【０１９８】
この状態にするのに、固体撮像素子１７と配電手段５との接合物１００を光透過性ベース１ａに固定することと、放熱部材５０の固定を行なうわけだが、接合物１００と光透過性ベース１ａとの固定を先に行ない、別工程で放熱部材５０と接合物１００及び光透過性ベース１ａとの固定物の接着を行なっても良いし、工程短縮のため、一度の塗布で接合物１００、光透過性ベース１ａ及び放熱部材５０の接着固定をしてもかまわない。
【０１９９】
放熱部材５０の形状は図に示したもののみが対象になるのではなく、固体撮像素子１７の発熱量と、必要放熱量との関係から最適な形状を選定すれば良く、発熱量が大きければ放熱部材５０の表面積を大きくしたり、発熱量が少なければコストダウンを兼ねて放熱部材５０を単純な形状にするのもよい。
【０２００】
以上の図では分かりやすいように厚さ方向（半導体素子２の機能面に垂直な方向）を非常に厚く描いてある。実際には、配電手段５と半導体素子２との間隔は約５０μｍ程度、配電手段５と光透過性ベース１ａとの間隔はほとんど０、半導体素子２と放熱板５０との間隔は数１０μｍ程度の薄さとなっている。
【０２０１】
（実施例１）
光透過性ベース１ａが透明なガラスで、配電手段５がフレキシブルプリント配線板（フレキシブル基板）であり、固体撮像素子１７がラインＣＣＤのチップとしたときの接合を行う。
配電手段５についた配線部５ａは、フレキシブルプリント配線板上の銅配線をエッジングし、パターニングした後で金メッキをした物である。金メッキにより導電性及び接合性は向上する。固体撮像素子１７の電極部１７ｅにつけるバンプ６は、金バンプと呼ばれるものであり、熱と超音波を使い金線を電極部１７ｅに接合した物ものである。
【０２０２】
第一の接着剤３ａは非導電性接着剤である新日鐵化学製のエスアレックスＮＥＸ−１５１を用い（接合方式としては非導電性接合方式（ＮＣＰ（non conductive Regin paste）方式））、第二の接着剤３ｂはＵＶ接着剤である日本電気化学工業製のＯＰ−２０７０（硬度Ｄ７０）、第三の接着剤３ｃは硬化後の硬度が第二の接着剤３ｂより柔らかい、ＵＶ接着剤である日本電気化学工業製のＯＰ−１０６０Ｌ（硬度Ａ４０）を用いる。
この条件にて製作した物は、効果として光学機能面に接着剤が入り込まず、光学特性に異常が出ないことがあげられる。
【０２０３】
（実施例２）
実施例１の材料のうち、第一の接着剤３ａを異方導電性接着剤である新日鐵化学製のエスアレックスＮＥＸ−２５１を用いた（接合方式としては異方導電性接合方式（ＡＣＰ（Anisotropic conductive paste）方式））。
この条件にて製作した物は、効果として光学機能面に接着剤が入り込まず、光学特性に異常が出ないことがあげられる。
【０２０４】
（実施例３）
実施例１、２の物にアルミ製の放熱板５０を第四の接着剤３ｄにて固定する。このとき第四の接着剤３ｄはシリコン系の熱硬化性接着剤である、ＧＥ東芝シリコーン製のＴＳＥ３２２ＳＸを用いる。
この第四の接着剤３ｄをエポキシ系の物にして固定するとヒートサイクル試験にて固体撮像素子とアルミ放熱板との間に剥離破壊が生じたが、上記シリコン系の接着剤であると剥離破壊は生じなかった。
【０２０５】
（実施例４）
実施例３の物でアルミ製の放熱板（放熱部材５０）は第二の接着剤３ｂ及び第三の接着剤３ｃにて固定する。このとき第二の接着剤３ｂはシリコン系の熱硬化性接着剤である、ロックタイト製５０８３（硬度Ｄ７０）を用いて、第三の接着剤３ｃもシリコン系の熱硬化性接着剤である、ＧＥ東芝シリコーン製のＴＳＥ３２２ＳＸ（硬度Ａ３２）を用いる。これにより、光透過性ベース１ａ、固体撮像素子１７及び放熱部材５０の接着を一度に行える。
【０２０６】
（実施例５）
実施例３の固体撮像素子１７を発光素子のＬＥＤアレイにしたものであり、接点の破壊は生じない。
【０２０７】
本発明の実施例では、長細い形状の半導体素子である長尺形状の固体撮像素子を対象としているが、この形状にとらわれることなく、正方形や、多角形、円形など、あらゆる形の半導体素子を対象としている。
【０２０８】
以上説明したように、前面に機能面２ａを有する半導体素子２と前記機能面２ａと配電手段５とを電気的に接続した接合物１００を、該接合物１００の配電手段５をベース１側にしてベース１上に配置させ、前記配電手段５は前記半導体素子２と前記ベース１との間に挟まれている被挟持部分７を有し、前記ベース１と前記半導体素子２とは前記被挟持部分７を除いた部分を介して固定されている半導体装置において、接合物１００は半導体素子２の電極部２ｅと配電手段５の配線部５ａを接触した状態でその周囲を第一の接着剤３ａで固定され、前記ベース１と前記接合物１００とは前記配電手段５を除いた部分を介して第二の接着剤３ｂで固定されているので、熱の影響により半導体素子２とベース１が伸び縮みした時、半導体素子２と配電手段５との電気的接合部は半導体素子２の配電部と同じ動きをし、ベース１の動きの影響を受けない。よって電気的接合部にストレスがかかることがなくなり、接合部の破壊を防ぐことが出来る。また、接着剤１で接着することにより接点の強度をより高くすることができ、温度によるのびに対して配電手段がベース部との摩擦力に対して接点を保護するため、より高い電気的信頼性を確保することができる。
【０２０９】
また、前記半導体素子２と前記ベース１とを固定する第二の接着剤３ｂが、前記半導体素子２の前面２ａおよび後面２ｂを共に除いた残りの面２ｃのうち少なくとも一つの面と前記ベース１とを接着しているので、さらに、半導体素子２とベース１の熱による伸び縮みのストレスが一部に集中することが無くなり、全体でストレスを受けるようになり、半導体素子２とベース１の局部的な破壊を防ぐことが出来る。さらに、第二の接着剤３ｂが半導体機能面２ａに接することがなくなり、接着剤が目に見えない電気的回路となり、有害な寄生容量としてコンデンサー的な働きをし、目的の機能を果たさなくなる問題が解決されたり、半導体が光学的な素子だった場合、接着剤が受光面（発光面）側に回り込み、接着剤が光の経路をさえぎる問題が解決されることとなる。
【０２１０】
また、前記半導体素子２とベース１とを固定する第二の接着剤３ｂが、半導体素子２の後面２ｂとベース１とに渡って接着固定しているので、さらに、半導体素子２とベース１の熱による伸び縮みのストレスが一部に集中することが無くなり、全体でストレスを受けるようになり、半導体素子２とベース１の局部的な破壊を防ぐことが出来る。さらに、接着剤３が半導体機能面２ａに接することがなくなり、接着剤が目に見えない電気的回路となり、有害な寄生容量としてコンデンサー的な働きをし、目的の機能を果たさなくなる問題が解決されたり、半導体が光学的な素子だった場合、接着剤が受光面（発光面）側に回り込み、接着剤が光の経路をさえぎる問題が解決されることとなる。
【０２１１】
また、第三の接着剤３ｃが半導体素子２とベース１との隙間を封止しているので、さらに、半導体機能部２ｄを大気から遮断することができ、機能部への不純物の付着を防ぐことができる。
【０２１２】
また、前記半導体素子２とベース１とを固定する接着剤３ｃが、半導体素子２の機能面２ａとベース１との隙間に充填されているので、さらに、半導体素子２とベース１の熱による伸び縮みのストレスが一部に集中することが無くなり、全体でストレスを受けるようになり、半導体素子２とベース１の局部的な破壊を防ぐことが出来る。
【０２１３】
また、前面に光学的機能面１７ａを有する固体撮像素子１７と光学的機能面１７ａと配電手段５とを電気的に接続した接合物１００を、接合物１００の配電手段５を光透過性ベース１ａ側にして光透過性ベース１ａに配置させ、配電手段５は固体撮像素子１７と光透過性ベース１ａとの間に挟まれている被挟持部分７を有し、光透過性ベース１ａと固体撮像素子１７とは被挟持部分７を除いた部分を介して固定されている半導体装置において、接合物１００は固体撮像素子１７の電極部１７ｅと配電手段５の配線部５ａを接触した状態でその周囲を第一の接着剤３ａで固定され、光透過性ベース１ａと接合物１００とは配電手段５を除いた部分を介して第二の接着剤３ｂで固定され、光透過性ベース１ａと固体撮像素子１７の前面で光学的機能面１７ａとの間には、第一の接着剤３ａ又は第二の接着剤３ｂが入り込んでいないので、接着剤が受光面（発光面）側に回り込み、接着剤が光の経路をさえぎる問題が解決されることとなる。また、電気的接点は固体撮像素子に固定されているため、電気的な結合を確保するための固体撮像素子１７と光透過性ベース１ａの固定を強固にする必要が無くなり、両者の延びの違いによる反りが起きにくいため、半導体素子の位置がずれるのを解決でき、光学的特性への影響を減らすことができる。
【０２１４】
また、前面に光学的機能面１７ａを有する半導体素子１７と前記機能面１７ａと配電手段５とを電気的に接続した接合物１００を、該接合物１００の配電手段５を光透過性ベース１ａ側にして光透過性ベース１ａ上に配置させ、前記配電手段５は固体撮像素子１７と光透過性ベース１ａとの間に挟まれている被挟持部分７を有し、光透過性ベース１ａと固体撮像素子１７とは被挟持部分７を除いた部分を介して固定されている半導体装置において、接合物１００は固体撮像素子１７の電極部１７ｅと配電手段５の配線部５ａを接触した状態でその周囲を第一の接着剤３ａで固定され、光透過性ベース１ａと接合物１００とは配電手段５を除いた部分を介して第二の接着剤３ｂで固定され、第三の接着剤３ｃが固体撮像素子１７と光透過性ベース１ａを封止し、光透過性ベース１ａと、固体撮像素子１７の前面で光学的機能面１７ａとの間には、第一、又は第二、又は第三の接着剤３ａ、３ｂ、３ｃが入り込んでいないので、さらに、光学的機能部１７ｄを大気から遮断することができ、機能部へのごみの侵入を防ぐことができる。また、接着剤が受光面（発光面）側に回り込み、接着剤が光の経路をさえぎる問題が解決されることとなる。また、電気的接点は固体撮像素子に固定されているため、電気的な結合を確保するための固体撮像素子１７と光透過性ベース１ａの固定を強固にする必要が無くなり、両者の延びの違いによる反りが起きにくいため、固体撮像素子の位置がずれるのを解決でき、光学的特性への影響を減らすことができる。
【０２１５】
また、前記光透過性ベース１ａと、半導体素子１７の前面で光学的機能部１７ｄを除いた面との間には、第二、又は第三の接着剤３ｂ、３ｃが入り込んでいるので、ベース１と前記半導体素子１７との接着強度を高くでき、半導体素子の発熱による線膨張係数の違いによる変形や外力からのひずみに対して強くなる。
【０２１６】
また、前記第二、又は第三の接着剤３ｂ、３ｃが、固体撮像素子１７の前面で光学的機能部１７ｄの周囲を全周に渡って、光透過性ベース１ａと固体撮像素子１７とを接着しているので、光透過性ベース１ａと固体撮像素子１７との接着強度を高くでき、固体撮像素子の発熱による線膨張係数の違いによる変形や外力からのひずみに対して強くなるのと同時に、光学的機能部１７ｄを大気から遮断することができ、機能部へのごみの侵入を防ぐことができる。
【０２１７】
また、固体撮像素子１７と光透過性ベース１ａとを固定する第二の接着剤３ｂが、固体撮像素子１７の前面１７ａおよび後面１７ｂを共に除いた残りの面１７ｃのうち少なくとも一つの面と光透過性ベース１ａとを接着しているので、光学的機能面の反対の面１７ｂに接着剤がついていないため、固体撮像素子１７から放出する熱を効率的に大気に逃がすことができ、線膨張係数の違いによる熱変形やひずみの発生を少なくしたり、半導体素子の位置をずらすことをなくすことができ光学的特性への影響を減らすことができる。
【０２１８】
また、固体撮像素子１７と光透過性ベース１ａとを固定する第二の接着剤３ｂが、固体撮像素子１７の後面１７ｂと光透過性ベース１ａとに渡って接着固定しているためので、さらに、製造がしやすい。
【０２１９】
また、前記第二、又は第三の接着剤３ｂ、３ｃは硬化前に固体撮像素子１７と光透過性ベース１ａの間に生じる毛細管力より強い形状保持力を持つ接着剤であるので、硬化前に光透過性ベース１ａと固体撮像素子１７を接合する際、接着剤がベース上、または固体撮像素子上で移動することがなくなり、光学的機能部への接着剤の流出をなくすことができ、光学的機能の低下を防ぐことができる。
【０２２０】
また、前記固体撮像素子１７の電極部１７ｅ、又は、配電手段５の配線部５ａに導電性のバンプ６がついているので、電極部１７ｅと配線部５ａとが接触しやすくなり、固体撮像素子１７の電極部１７ｅ、又は、配電手段５の配線部５ａを接合しやすくする。また、バンプ６の高さ分の距離を配電手段５と固体撮像素子１７との間におくことで、線膨張係数の違いによる変形を緩和し、そり量を低減させることができ、固体撮像素子の位置をずらすことをなくすことができ光学的特性への影響を減らすことができる。
【０２２１】
また、前記第一の接着剤３ａが、固体撮像素子１７の電極部１７ｅと配電手段５の配線部５ａの接触部周囲を全周に渡って接着固定しているので、線膨張係数の違いによる変形によるひずみ応力から接合部を保護することができ、電気的信頼性を高くすることができる。
【０２２２】
また、前記第一の接着剤３ａが、耐湿性能を持っているので、水分による接点電極の保護ができるようになったり、光学的機能部１７ｄへの水分の付着による光学的機能の低下を防ぐことができる。
【０２２３】
また、前記第一の接着剤３ａは熱硬化型接着剤であるので、接着剤の硬化までの時間をコントロールすることができ、固体撮像素子１７と配電手段５との接合時の位置決めに調整する時間的余裕ができる。また、外部から熱がかかった場合、さらに接合強度が強化される。（はんだ接合の場合は熱がかかると接点が破壊される。）
【０２２４】
また、前記第一の接着剤３ａは光硬化型接着剤であるので、第一の接着剤３ａを硬化させる時、第一の接着剤３ａの温度上昇がほとんどなく、熱の影響による配電手段５と固体撮像素子１７の位置関係のズレを生じることなく、配電手段５と固体撮像素子１７を接着することが出来る。また、接着時に熱の影響による残留応力が発生しない。
【０２２５】
また、前記第一の接着剤３ａは非導電性接着剤であるので、隣接する配電部（接合部）をショートさせることがない。
【０２２６】
また、前記第一の接着剤３ａは異方導電性接着剤であるので、隣接する配電部（接合部）をショートさせることがない。さらに、被接合物の接点の間には導電性の物がはさまれることになるので、接合の信頼性を上げることができる。
【０２２７】
また、前記第二、第三の接着剤３ｂ、３ｃは熱硬化型接着剤であるので、半導体素子からの発熱によりさらに接着強度が強化される。
【０２２８】
また、前記第二、第三の接着剤３ｂ、３ｃは光硬化型接着剤であるので、第二の接着剤３ｂを硬化させるとき、第二の接着剤３ｂの温度上昇がほとんどなく、熱の影響による光透過性ベース１ａと固体撮像素子１７の位置関係のズレを生じることなく、光透過性ベース１ａと固体撮像素子１７を接着することが出来る。また、接着時に熱の影響による残留応力が発生しない。
【０２２９】
また、前記第二、第三の接着剤３ｂ、３ｃは非導電性型接着剤であるので、光透過性ベース１ａ上にある配線部５に第二、第三の接着剤３ｂ、３ｃがついたときもショートさせることがない。
【０２３０】
また、第一〜第四の接着剤３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄは、その硬化温度が固体撮像素子１７の破壊温度を下回るので、接着剤の硬化時に固体撮像素子を破壊することがない。
【０２３１】
また、前記固体撮像素子１７の後面１７ｂに放熱手段５０が設けられているので、固体撮像素子１７から放出する熱を効率的に大気に逃がすことができ、線膨張係数の違いによる熱変形やひずみの発生を少なくしたり、固体撮像素子の位置をずらすことをなくすことができ光学的特性への影響を減らすことができる。
【０２３２】
また、放熱手段５０は固体撮像素子１７の後面１７ｂと光透過性ベース１ａとに固定されているので、放熱手段５０に対する接着面積を大きくとることができ、接着強度を増やすことができる。
【０２３３】
また、前記放熱手段５０は前記第二、又は第三の接着剤３ｂ、３ｃで固体撮像素子１７の後面１７ｂと光透過性ベース１ａとに固定されているので、固体撮像素子１７の封止と放熱手段の接着を一度にでき、工程の簡素化がはかれる。また、接着剤の種類を減らすことで、接着剤の線膨張係数の違いによるひずみを発生させないようにできる。
【０２３４】
また、放熱手段５０を固定する第四の接着剤３ｄは非導電性型接着剤であるので、配電手段５上にある配線部５ａに第四の接着剤３ｄがついたときもショートさせることがない。
【０２３５】
また、放熱手段５０を固定する第四の接着剤３ｄはシリコン系の接着剤であるので、放熱手段５０と固体撮像素子の線膨張係数の違いによる熱変形のひずみをシリコンのやわらかさで消すことができ、そりの発生を少なくしたり、固体撮像素子の位置をずらすことをなくすことができ光学的特性への影響を減らすことができる。
【０２３６】
また、前記放熱手段５０が固体撮像素子１７の長手方向の熱変形に追従して弾性変形する弾性部材（波状部材２１、２２、スパイラル状部材２３）で構成されているので、熱による固体撮像素子１７の伸び縮みに対し、放熱手段がその伸び縮みを邪魔することは無い。また、放熱手段の伸び縮みが固体撮像素子１７に影響を及ぼすことが無い。このことにより、固体撮像素子が放熱板によりそりを生じさせられることがなくなり、固体撮像素子の位置をずらすことをなくすことができ光学的特性への影響を減らすことができる。
【０２３７】
また、前記放熱手段５０が波状に形成されている波状部材２１、２２であるので、放熱手段が固い材料であっても、固体撮像素子１７の伸び縮み方向に対して
弾性を持たせることが出来る。
【０２３８】
また、前記放熱手段５０がスパイラル状に形成されているスパイラル状部材２３であるので、放熱手段５０が固い材料であっても、固体撮像素子１７の伸び縮み方向に対して放熱手段５０に弾性を持たせることが出来る。
【０２３９】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではない。例えば、前面に光学的機能面を有する半導体素子として、上記実施形態では受光素子の一例である固体撮像素子の場合を説明したが、固体撮像素子以外にもＬＤ、ＬＥＤ等の発光素子であってもよい。また、例えば、図２３〜図３４で説明した半導体装置を図２１の画像読取ユニットや図２２の画像形成装置に用いることができる。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【０２４０】
【発明の効果】
以上、説明したように、請求項１の発明によれば、配電手段と半導体素子との電気的接合部にストレスがかかることがなく、この接合部の破壊を防ぐことが出来る。また、ベースの熱膨張係数を考慮する必要がないので、ベースとして使用可能な材料の選択の幅が大幅に増加する。
【０２４１】
また、請求項２の発明によれば、請求項１の効果に加え、半導体素子とベースの局部的な破壊を防ぐことが出来る。
【０２４２】
また、請求項３、４の発明によれば、請求項１の効果に加え、半導体素子とベースの局部的な破壊を防ぐことが出来るとともに、有害な寄生容量の発生を防止でき、半導体素子を光学的な素子とした場合には、接着剤中の泡や不純物が光路を遮ることがない。
【０２４３】
また、請求項５の発明によれば、請求項４の効果に加え、接着剤の流出により半導体機能面とベースとの間に接着剤が入り込むのを防止でき、また、接着剤の配置が容易であるという利点もある。
【０２４４】
また、請求項６の発明によれば、請求項５の効果に加え、接着剤の硬化前に内外圧力に対して強度を持たせることができるとともに、製造が容易であるという利点がある。
【０２４５】
また、請求項７の発明によれば、請求項５の効果に加え、接着面積を広げることができるので、接着強度を高くすることができる。
【０２４６】
また、請求項８の発明によれば、請求項４の効果に加え、半導体素子の機能面とベースとの間に、接着剤が流入するのを防止でき、接着剤として低粘性の接着剤を用いることができる。
【０２４７】
また、請求項９の発明によれば、スポンジ状の接着剤保持体により接着剤を保持することが出来る。
【０２４８】
また、請求項１０の発明によれば、繊維集合体により接着剤を保持することが出来る。
【０２４９】
また、請求項１１の発明によれば、接着剤として光硬化型接着剤を使うことが出来る。
【０２５０】
また、請求項１２の発明によれば、半導体素子に入光（または出光）する光の光路を接着剤中の不純物が遮ることがなく、半導体素子の光学的機能部品としての性能を十分に発揮することができる。
【０２５１】
また、請求項１３の発明によれば、熱の影響によるベースと接合物との位置ズレを生じることなく、ベースと接合物とを接着することが出来るとともに、残留応力の発生を防止することができる。
【０２５２】
また、請求項１４の発明によれば、さらに、光を照射できない場所でも接着剤の硬化を行うことができるとともに、半導体素子と配電手段の位置関係のズレがなく、ハンダ溶着部等の接合点を壊すことなく、電気的接合の信頼性を保持したまま、ベースと接合物とを接着することが出来る。
【０２５３】
また、請求項１５の発明によれば、請求項１の効果に加えて、半導体素子の熱を効果的に大気に放熱することが出来るとともに、放熱のための部品を追加する必要が無いという利点がある。
【０２５４】
また、請求項１６の発明によれば、配電手段と半導体素子との電気的接合部にストレスがかかることがなくなり、この接合部の破壊を防ぐことが出来、更に、放熱手段があるため、半導体素子から放出する熱を効率的に大気に逃がすことができ、半導体素子の変形を抑えることが出来る。
【０２５５】
また、請求項１７の発明によれば、請求項１６の効果に加え、半導体素子とベースの局部的な破壊を防ぐことが出来る。
【０２５６】
また、請求項１８、１９の発明によれば、請求項１６の効果に加え、半導体素子とベースの局部的な破壊を防ぐことが出来るとともに、有害な寄生容量の発生を防止でき、半導体素子を光学的な素子とした場合には、接着剤中の泡や不純物が光路を遮ることがない。
【０２５７】
また、請求項２０の発明によれば、請求項１９の効果に加え、接着剤の流出により半導体素子の機能面とベースとの間に接着剤が入り込むのを防止でき、また、接着剤の配置が容易であるという利点もある。
【０２５８】
また、請求項２１の発明によれば、請求項２０の効果に加え、接着剤の硬化前に内外圧力に対して強度を持たせることができるとともに、製造が容易であるという利点がある。
【０２５９】
また、請求項２２の発明によれば、接着面積を広げることができるので、接着強度を高くすることができる。
【０２６０】
また、請求項２３の発明によれば、請求項１９の効果に加え、半導体素子の機能面とベースとの間に、接着剤が流入するのを防止でき、接着剤として低粘性の接着剤を用いることができる。
【０２６１】
また、請求項２４の発明によれば、スポンジ状の接着剤保持体により接着剤を保持することが出来る。
【０２６２】
また、請求項２５の発明によれば、繊維集合体により接着剤を保持することが出来る。
【０２６３】
また、請求項２６の発明によれば、接着剤として光硬化型接着剤を使うことが出来る。
【０２６４】
また、請求項２７の発明によれば、さらに、半導体素子に入光（または出光）する光の光路を接着剤中の泡や不純物が遮ることがなく、半導体素子の光学的機能部品としての性能を十分に発揮することができる。
【０２６５】
また、請求項２８の発明によれば、さらに、熱の影響によるベースと接合物との位置ズレを生じることなく、ベースと接合物とを接着することが出来るとともに、残留応力の発生を防止することができる。
【０２６６】
また、請求項２９の発明によれば、さらに、光を照射できない場所でも接着剤の硬化を行うことができるとともに、半導体素子と配電手段の位置関係のズレがなく、ハンダ溶着部等の接合点を壊すことなく、電気的接合の信頼性を保持したまま、ベースと接合物とを接着することが出来る。
【０２６７】
また、請求項３０の発明によれば、請求項１６の効果に加えて、半導体素子の熱を効果的に大気に放熱することが出来るとともに、放熱のための部品を追加する必要が無いという利点がある。
【０２６８】
また、請求項３１の発明によれば、請求項１６〜２９の効果に加えて、半導体素子とベースとが自分自身以外の熱のストレスを受けることが無く、外力により変形することがない。
【０２６９】
また、請求項３２、３３の発明によれば、請求項３１の効果に加えて、放熱手段が固い材料であっても、半導体素子の伸縮方向に対して弾性を持たせることが出来る。
【０２７０】
また、請求項３４〜３７の何れかに記載の発明によれば、請求項１６〜３０の何れかの効果に加えて、半導体素子の熱の影響による伸縮に対して、放熱手段はその伸縮を規制することが無く、放熱手段自身の変形により半導体素子にストレスを与えることも無い。
【０２７１】
また、請求項３８、６３の発明によれば、請求項１２又は２７の効果に加えて、さらに、固体撮像素子に入光（または出光）する光の光路を接着剤中の泡や不純物が遮ることがなく、固体撮像素子の光学的機能部品としての性能を十分に発揮することができる。
【０２７２】
また、請求項３９、６４の発明によれば、固体撮像素子と配電手段との接合部が熱により破壊されることがなく、入射光の光路が遮られることもなく、固体撮像素子が十分に性能を発揮できるので、画像の読み取りエラーを生じることがなく、高信頼性の画像読取ユニットを得ることができる。
【０２７３】
また、請求項４０、６５の発明によれば、固体撮像素子と配電手段との接合部が熱により破壊されることがなく、入射光の光路が遮られることもなく、固体撮像素子が十分に性能を発揮できるので、画像の読み取りエラーを生じることがなく、高信頼性の画像読取ユニットを得ることができる画像読取ユニットを備えているので、原稿画像の読み取りエラーを生じることがなく、感光体上に高精度な静電潜像を形成することができる。
【０２７４】
また、請求項４１の発明によれば、請求項１の効果に加え、接着剤が受光面（発光面）側に回り込み、接着剤が光の経路をさえぎる問題が解決されることとなる。また、電気的接点は半導体素子に固定されているため、電気的な結合を確保するための半導体素子とベースの固定を強固にする必要が無くなり、両者の延びの違いによる反りが起きにくいため、半導体素子の位置がずれるのを解決でき、光学的特性への影響を減らすことができる。
【０２７５】
また、請求項４２の発明によれば、光学的機能部を大気から遮断することができ、機能部へのごみの侵入を防ぐことができる。また、接着剤が受光面（発光面）側に回り込み、接着剤が光の経路をさえぎる問題が解決されることとなる。また、電気的接点は半導体素子に固定されているため、電気的な結合を確保するための半導体素子とベースの固定を強固にする必要が無くなり、両者の延びの違いによる反りが起きにくいため、半導体素子の位置がずれるのを解決でき、光学的特性への影響を減らすことができる。
【０２７６】
また、請求項４３の発明によれば、請求項４１の効果に加え、ベースと前記半導体素子との接着強度を高くでき、半導体素子の発熱による線膨張係数の違いによる変形や外力からのひずみに対して強くなる。
【０２７７】
また、請求項４４の発明によれば、請求項４２の効果に加え、ベースと前記半導体素子との接着強度を高くでき、半導体素子の発熱による線膨張係数の違いによる変形や外力からのひずみに対して強くなる。
【０２７８】
また、請求項４５の発明によれば、請求項４１〜４４の効果に加え、光透過性ベースと半導体素子との接着強度を高くでき、半導体素子の発熱による線膨張係数の違いによる変形や外力からのひずみに対して強くなるのと同時に、光学的機能部を大気から遮断することができ、機能部へのごみの侵入を防ぐことができる。
【０２７９】
また、請求項４６の発明によれば、請求項４１〜４５の何れかの効果に加え、半導体機能面の反対の面に接着剤がついていないため、半導体素子から放出する熱を効率的に大気に逃がすことができ、線膨張係数の違いによる熱変形やひずみの発生を少なくしたり、半導体素子の位置をずらすことをなくすことができ光学的特性への影響を減らすことができる。
【０２８０】
また、請求項４７の発明によれば、請求項４１〜４５の効果に加え、製造がしやすい。
【０２８１】
また、請求項４８の発明によれば、請求項４１〜４７の何れかの効果に加え、電極部と配線部とが接触しやすくなり、半導体素子の電極部、又は、配電手段の配線部を接合しやすくする。また、バンプの高さ分の距離を配電手段５と半導体素子１７との間におくことで、線膨張係数の違いによる変形を緩和し、そり量を低減させることができ、半導体素子の位置をずらすことをなくすことができ光学的特性への影響を減らすことができる。
【０２８２】
また、請求項４９の発明によれば、請求項４１〜４８の何れかの効果に加え、線膨張係数の違いによる変形によるひずみ応力から接合部を保護することができ、電気的信頼性を高くすることができる。
【０２８３】
また、請求項５０の発明によれば、請求項４１〜４９の何れかの効果に加え、接着剤の硬化までの時間をコントロールすることができ、半導体素子と配電手段との接合時の位置決めに調整する時間的余裕ができる。また、外部から熱がかかった場合、さらに接合強度が強化される。（はんだ接合の場合は熱がかかると接点が破壊される。）
【０２８４】
また、請求項５１の発明によれば、請求項４１〜４９の何れかの効果に加え、接着剤を硬化させる時、接着剤の温度上昇がほとんどなく、熱の影響による配電手段と半導体素子の位置関係のズレを生じることなく、配電手段と半導体素子を接着することが出来る。また、接着時に熱の影響による残留応力が発生しない。
【０２８５】
また、請求項５２の発明によれば、請求項５０又は５１の効果に加え、隣接する配電部（接合部）をショートさせることがない。
【０２８６】
また、請求項５３の発明によれば、請求項５０又は５１の効果に加え、隣接する配電部（接合部）をショートさせることがない。また、被接合物の接点の間には導電性の物がはさまれることになるので、接合の信頼性を上げることができる。
【０２８７】
また、請求項５４の発明によれば、請求項４１〜５３の何れかの効果に加え、半導体素子からの発熱によりさらに接着強度が強化される。
【０２８８】
また、請求項５５の発明によれば、請求項４１〜５３の何れかの効果に加え、接着剤を硬化させる時、接着剤の温度上昇がほとんどなく、熱の影響によるベース前記光透過性ベースと半導体素子の位置関係のズレを生じることなく、ベースと半導体素子を接着することが出来る。また、接着時に熱の影響による残留応力が発生しない。
【０２８９】
また、請求項５６の発明によれば、請求項５４又は５５の効果に加え、ベース上にある配線部に接着剤がついたときもショートさせることがない。
【０２９０】
また、請求項５７の発明によれば、請求項５１、５２〜５４、５６の何れかの効果に加え、接着剤の硬化時に半導体素子を破壊することがない。
【０２９１】
また、請求項５８の発明によれば、請求項４１〜５７の何れかの効果に加え、半導体素子から放出する熱を効率的に大気に逃がすことができ、線膨張係数の違いによる熱変形やひずみの発生を少なくしたり、半導体素子の位置をずらすことをなくすことができ光学的特性への影響を減らすことができる。
【０２９２】
また、請求項５９の発明によれば、請求項５８の効果に加え、放熱手段に対する接着面積を大きくとることができ、接着強度を増やすことができる。
【０２９３】
また、請求項６０の発明によれば、請求項５９の効果に加え、半導体素子の封止と放熱手段の接着を一度にでき、工程の簡素化がはかれる。また、接着剤の種類を減らすことで、接着剤の線膨張係数の違いによるひずみを発生させないようにできる。
【０２９４】
また、請求項６１の発明によれば、請求項５８〜６０の何れかの効果に加え、配電手段上にある配線部に接着剤がついたときもショートさせることがない。
【０２９５】
また、請求項６２の発明によれば、請求項５８〜６１の何れかの効果に加え、放熱板と半導体素子の線膨張係数の違いによる熱変形のひずみをシリコンのやわらかさで消すことができ、そりの発生を少なくしたり、半導体素子の位置をずらすことをなくすことができ光学的特性への影響を減らすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の半導体装置に備える接合物の全体を示す斜視図である。
【図２】  図１の接合物の素子長手方向と直交する方向の断面図である。
【図３】  本発明に係る第１実施形態の半導体装置の全体を示す斜視図である。
【図４】  図３の半導体装置の素子長手方向に沿った断面図である。
【図５】  図３の半導体装置の素子長手方向に直交する方向に沿った断面図である。
【図６】  本発明に係る第２実施形態の半導体装置の全体を示す斜視図である。
【図７】  図６の半導体装置の素子長手方向に直交する方向に沿った断面図である。
【図８】  本発明に係る第３実施形態の半導体装置の全体を示す斜視図である。
【図９】  図８の半導体装置の素子長手方向に直交する方向に沿った断面図である。
【図１０】  図８、９の半導体装置が光学的機能部品としての固体撮像装置である場合における図９の断面図に対応する断面図である。
【図１１】  本発明に係る第４実施形態の半導体装置の全体を示す斜視図である。
【図１２】  本発明に係る第５実施形態の半導体装置の全体を示す斜視図である。
【図１３】  図１２の半導体装置の放熱手段の変形例を示す図である。
【図１４】  図１２の半導体装置の放熱手段のその他の変形例を示す図である。
【図１５】  図１２の半導体装置の放熱手段のその他の変形例を示す図である。
【図１６】  図１２の半導体装置の放熱手段のその他の変形例を示す図である。
【図１７】  図１２の半導体装置の放熱手段のその他の変形例を示す図である。
【図１８】  図１２の半導体装置の放熱手段のその他の変形例を示す図である。
【図１９】  図１２の半導体装置の放熱手段のその他の変形例を示す図である。
【図２０】  図１２の半導体装置の放熱手段のその他の変形例を示す図である。
【図２１】  本発明に係る半導体装置である固体撮像装置を用いた画像読取ユニットの斜視図である。
【図２２】  本発明の半導体装置である固体撮像装置を用いた画像読取ユニットを備えた画像走査装置の一例として多機能型デジタル画像形成装置の概略構成図である。
【図２３】  前面に光学的機能面を有する半導体素子の一例としての固体撮像素子を示す図である。
【図２４】  固体撮像素子の電極部にバンプをつけた状態を局部的に見た図である。
【図２５】  図２４でバンプをつけた固体撮像素子の光学的機能面を配電手段に向かいあわせにし、フリップチップ接合を行なう直前の図である。
【図２６】  図２５の状態から固体撮像素子を配電手段に押し込んだ状態で第一の接着剤を硬化させ、固体撮像素子と配電手段とが接合完了した状態の図である。
【図２７】  本発明に係る第６実施形態の半導体装置の全体を示す斜視図である。
【図２８】  本発明に係る第６実施形態の半導体装置の素子長手方向に沿った断面図である。
【図２９】  本発明に係る第６実施形態の半導体装置を光透過性ベース側から見た図である。
【図３０】  本発明に係る第７実施形態の半導体装置の全体を示す斜視図である。
【図３１】  本発明に係る第７実施形態の半導体装置の素子長手方向に沿った断面図である。
【図３２】  本発明に係る第７実施形態の半導体装置を光透過性ベース側から見た図である。
【図３３】  本発明に係る第８実施形態の半導体装置の素子長手方向に沿った断面図である。
【図３４】  本発明に係る第９実施形態の半導体装置の素子長手方向に沿った断面図である。
【符号の説明】
１  ベース
１Ａ  光透過性ベース
２  半導体素子
２ａ  半導体機能面（前面）
２ｂ  後面
２ｃ  側面
５  配電手段
７  被挟持部分
８    固定手段
９  接着剤
１０  画像読取ユニット
１７  固体撮像素子
１７Ａ  固体撮像装置
１７ａ  光学的機能面（前面）
１７ｂ  後面
１７ｃ  側面
２１  波状の放熱手段
２２  波状の放熱手段
２３  スパイラル状の放熱手段
２４  線状の放熱手段
２５  針状の放熱手段
２６  球状の放熱手段
２７  線状の放熱手段
２８  線状の放熱手段
２９  板状の放熱手段
１００  接合物
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
0004309619.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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