(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に積層形成された陽極、有機発光膜及び陰極を含む有機電界発光素子の前記陽極と前記陰極間に電圧を印加して前記有機電界発光素子を発光駆動する有機電界発光素子の発光駆動方法であり、前記有機電界発光素子を発光駆動するための駆動電圧又は駆動電流の波形の立上り及び（又は）立下りを、その立上り時間及び（又は）立下り時間を１００μ秒以上として徐々に変化させ、該徐々の変化は、前記有機電界発光素子の発光駆動電圧を立ちげる時間及び（又は）立ち下げる時間を遅らせる電気回路を用いて生じさせることを特徴とする有機電界発光素子の発光駆動方法。
【請求項２】
前記駆動電圧又は駆動電流の波形の立上り時間及び（又は）立下り時間は、１秒以下である請求項１に記載の有機電界発光素子の発光駆動方法。
【請求項３】
前記駆動電圧又は駆動電流の波形の立上り及び（又は）立下りを立上りについては単調増加により、立下りについては単調減少により連続的に変化させる請求項１又は２記載の有機電界発光素子の発光駆動方法。
【請求項４】
前記駆動電圧又は駆動電流の波形の立上り及び（又は）立下りを時定数を有する形で連続的に変化させる請求項１又は２記載の有機電界発光素子の発光駆動方法。
【請求項５】
前記駆動電圧又は駆動電流の波形の立上り及び（又は）立下りを２以上の電圧レベル又は電流レベルからなる階段状波形で変化させる請求項１又は２記載の有機電界発光素子の発光駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上に積層形成された陽極、有機発光膜及び陰極を含む有機電界発光素子の前記陽極と前記陰極間に電圧を印加して前記有機電界発光素子を発光駆動する有機電界発光素子の発光駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機電界発光素子は、通常、その陽極、陰極間に有機発光膜を有しており、該両電極間へ電圧を印加することで発光する。
有機電界発光素子は、有機物質や不安定な金属薄膜を構成要素として含んでいるため劣化し易いので、素子発光特性の安定性の向上が大きな課題となっている。
【０００３】
このような課題に対し、素子発光駆動時の有機薄膜の酸化や分解或いは金属薄膜の酸化による素子劣化を抑制するために、発光素子を封止部材等で外部から遮断することが行われている。
また、上記の提案とは別に、素子特性の安定性を向上させるために、次のような提案がなされている。
【０００４】
すなわち、特許第２７４７１６８号公報は、陽極と陰極間に加えられる基本駆動波形によって有機エレクトロルミネッセンス素子（有機電界発光素子）を駆動する有機エレクトロルミネッセンス素子の発光駆動方法において、基本駆動波形のピーク値よりも大きなピーク値を持つパルス波形列を重ね合わせた発光駆動波形によって、素子を駆動する有機エレクトロルミネッセンス素子の発光駆動方法を教えている。また、特開平７−２３０８８０号公報は、陽極及び陰極間に定常的に順方向直流電圧を印加し、さらに間欠的に順方向電圧を前記直流電圧に重畳印加し、駆動する有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置を教えている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、有機電界発光素子では、印加される電圧の波形として、例えば、単純な矩形波が用いられると、有機電界発光素子にかかる電界が急激に変化するので、有機電界発光素子における有機物質や不安定な金属からなる薄膜構造のわずかな不均質部、薄膜界面の不均質部にストレスがかかり、素子の劣化をはやめる。
【０００６】
このような問題に対して、既述のように素子を封止部材で封止することや、特許第２７４７１６８号公報が教える有機エレクトロルミネセンス素子の発光駆動方法や特開平７−２３０８８０号公報が教える有機ＥＬ表示装置のいずれの従来技術においても、有機電界発光素子にかかる急激な電界変化を基本的に解消することは困難である。
【０００７】
そこで本発明は、基板上に積層形成された陽極、有機発光膜及び陰極を含む有機電界発光素子の前記陽極と前記陰極間に電圧を印加して前記有機電界発光素子を発光駆動する有機電界発光素子の発光駆動方法であって、素子にかかる急激な電界変化を防止でき、それにより、素子劣化を抑制でき、素子発光寿命を向上させることができる有機電界発光素子の発光駆動方法を提供することを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は前記課題を解決するため、基板上に積層形成された陽極、有機発光膜及び陰極を含む有機電界発光素子の前記陽極と前記陰極間に電圧を印加して前記有機電界発光素子を発光駆動する有機電界発光素子の発光駆動方法であり、前記有機電界発光素子を発光駆動するための駆動電圧又は駆動電流の波形の立上り及び（又は）立下りを徐々に変化させる有機電界発光素子の発光駆動方法を提供する。
【０００９】
本発明に係る有機電界発光素子の発光駆動方法では、基板上に積層形成された陽極、有機発光膜及び陰極を含む有機電界発光素子の前記陽極と前記陰極間に電圧を印加することにより、前記有機発光膜が発光する。
本発明に係る有機電界発光素子の発光駆動方法によると、前記有機電界発光素子を発光駆動するための駆動電圧又は駆動電流の波形の立上り及び（又は）立下りを徐々に、換言すれば緩やかに変化させるので、該駆動電圧又は駆動電流の立上り及び（又は）立下りの変化が緩和され、該有機電界発光素子にかかる急激な電界変化を防止できる。それにより、素子劣化を抑制でき、素子発光寿命を向上させることができる。
【００１０】
前記駆動電圧又は駆動電流の波形の立上り時間及び（又は）立下り時間は、１００μ秒以上とする。なお、前記駆動電圧又は駆動電流の波形の立上り時間とは、該駆動電圧又は駆動電流が振幅の１０％から９０％に達するに要する時間をいい、前記駆動電圧又は駆動電流の波形の立下り時間とは、該駆動電圧又は駆動電流が振幅の９０％から１０％に達するに要する時間をいう。
【００１１】
前記駆動電圧又は駆動電流の波形の立上り時間及び（又は）立下り時間の値が大きい程、その立上り及び（又は）立下りを緩やかにでき、前記有機電界発光素子にかかる急激な電界変化を防止し易いが、その上限としては、表示の用途、形態の観点から、それには限定されないが、１秒以下を例示できる。
いずれにしても、前記駆動電圧又は駆動電流の立上り及び（又は）立下りを徐々に、換言すれば緩やかに変化させるための該駆動電圧又は駆動電流の波形の立上り及び（又は）立下りの変化については、例えば、次の場合を挙げることができる。すなわち、
▲１▼前記駆動電圧又は駆動電流の波形の立上り及び（又は）立下りを立上りについては単調増加、換言すれば傾斜直線的増加により、立下りについては単調減少、換言すれば傾斜直線的減少により連続的に変化させる場合、
▲２▼前記駆動電圧又は駆動電流の波形の立上り及び（又は）立下りを時定数を有する形で、換言すれば、立上りについては所定の正の時定数による指数関数的増加により、立下りについては所定の負の時定数による指数関数的減少により連続的に変化させる場合、
▲３▼前記駆動電圧又は駆動電流の波形の立上り及び（又は）立下りを２以上の電圧レベル又は電流レベルからなる階段状波形で、換言すれば、立上りについては２以上の電圧レベル又は電流レベルの所定時間毎の段階的増加により、立下りについては２以上の電圧レベル又は電流レベルの所定時間毎の段階的減少により変化させる場合である。
【００１２】
以下に、本発明の有機電界発光素子の発光駆動方法に用いることができる有機電界発光素子について記述する。
前記有機電界発光素子における有機発光膜としては次のものを例示できる。
▲１▼陽極側から陰極側へ、正孔移動関連層及び有機発光層を積層したもの、
▲２▼陽極側から陰極側へ、正孔移動関連層、有機発光層及び電子移動関連層を積層したもの、
▲３▼陽極側から陰極側へ、有機発光層及び電子移動関連層を積層したもの。
【００１３】
正孔移動関連層や電子移動関連層は、電極の特性や有機発光層の特性にあわせて必要に応じて設けるようにすればよい。▲１▼〜▲３▼において、正孔移動関連層としては、ａ）正孔注入層、ｂ）正孔輸送層、ｃ）正孔注入層及び正孔輸送層、ｄ）正孔注入輸送層からなる群より選択されるいずれかの層とすることができ、電子移動関連層としては、ａ）電子注入層、ｂ）電子輸送層、ｃ）電子注入層及び電子輸送層、ｄ）電子注入輸送層からなる群より選択されるいずれかの層とすることができる。これらの各層も、電極の特性や有機発光層の特性に合わせて適当なものを選択して設けるようにすればよい。
【００１４】
また▲１▼〜▲３▼において、有機発光層については、例えば正孔輸送層や正孔注入輸送層の全部若しくは一部、又は電子輸送層や電子注入輸送層の全部若しくは一部に、蛍光物質をドープすることで、これらの層の全部又は一部を発光層とすることもできる。
前記有機電界発光素子の陽極として使用される導電性材料として、４ｅＶ程度よりも大きい仕事関数を持つ導電性物質を用いることが好ましい。かかる物質として、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、タングステン、銀、錫、金等及びそれらを含む合金のような金属のほか、酸化錫、酸化インジウム、酸化アンチモン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム等の金属酸化物及びそれらの固溶体や混合体などの導電性金属化合物のような導電性化合物を例示できる。
【００１５】
前記有機電界発光素子において発光が見られるように、少なくとも陽極或いは陰極は透明電極にする必要がある。
透明電極を形成する場合、透明基板上に、前記したような導電性物質を用い、蒸着、スパッタリング等の手法やゾルゲル法或いはかかる物質を樹脂等に分散させて塗布する等の手段を用いて所望の透光性と導電性が確保されるように形成すればよい。
【００１６】
透明基板としては、適度の強度を有し、有機電界発光素子作製時、膜蒸着時等における熱に悪影響を受けず、透明なものであれば特に限定されないが、そのようなものを例示すると、ガラス基板、透明な樹脂、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルエーテルケトン等を挙げることができる。ガラス基板上に透明電極が形成されたものとしては、ガラス基板上にインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）からなる透明電極を設けたもの、ＮＥＳＡガラスと通称されているコーニング社製の、透明電極をガラス基板上に形成したもの等を使用してもよい。
【００１７】
陽極は透明電極膜形成後、いろいろな形状にパターニングできる。陽極は正孔注入が起こりやすくするために、十分洗浄する必要がある。陽極の洗浄には必要に応じて、エキシマーランプの光照射による洗浄法、湿式洗浄法やプラズマ処理による洗浄法、紫外線（ＵＶ）／オゾン（Ｏ3 ）による洗浄法等の清浄方法を用いることができる。またこれらの洗浄方法を組み合わせることによりさらに効果的な洗浄を行うことができる。
【００１８】
例えば正孔注入輸送層の形成のために用いることができる正孔注入輸送材料としては、公知のものが使用可能である。
例えばＮ，Ｎ’―ジフェニル―Ｎ，Ｎ’―ビス（３―メチルフェニル）―１，１’―ジフェニル―４，４’―ジアミン、Ｎ，Ｎ’―ジフェニル―Ｎ，Ｎ’―ビス（４―メチルフェニル）―１，１’―ジフェニル―４，４’―ジアミン、Ｎ，Ｎ’―ジフェニル―Ｎ，Ｎ’―ビス（１―ナフチル）―１，１’―ジフェニル―４，４’―ジアミン、Ｎ，Ｎ’―ジフェニル―Ｎ，Ｎ’―ビス（２―ナフチル）―１，１’―ジフェニル―４，４’―ジアミン、Ｎ，Ｎ’―テトラ（４―メチルフェニル）―１，１’―ビス（３―メチルフェニル）―４，４’―ジアミン、Ｎ，Ｎ’―ジフェニル―Ｎ，Ｎ’―ビス（３―メチルフェニル）―１，１’―ビス（３―メチルフェニル）―４，４’―ジアミン、Ｎ，Ｎ’―ビス（Ｎ―カルバゾリル）―１，１’―ジフェニル―４，４’―ジアミン、４，４’，４”―トリス（Ｎ―カルバゾリル）トリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ”―トリフェニル―Ｎ，Ｎ’，Ｎ”―トリス（３―メチルフェニル）―１，３，５―トリ（４―アミノフェニル）ベンゼン、４，４’，４”―トリス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ”―トリフェニル―Ｎ，Ｎ’，Ｎ”―トリス（３―メチルフェニル）］トリフェニルアミンなどを挙げることができる。これらのものは２種以上を混合して使用してもよい。
【００１９】
正孔注入輸送層は、前記のような正孔注入輸送材料を蒸着して形成してもよいし、正孔注入輸送材料を溶解した溶液や正孔注入輸送材料を適当な樹脂とともに溶解した液を用い、ディップコート法やスピンコート法等の塗布法により形成してもよい。蒸着法で形成する場合、その厚さは３０ｎｍ〜１００ｎｍ程度とし、塗布法で形成する場合は、その厚さは５０ｎｍ〜２００ｎｍ程度に形成すればよい。
【００２０】
正孔注入層や正孔輸送層を採用する場合も、それらの材料として公知のものを種々採用でき、前記の正孔注入輸送層と同様に形成できる。
有機発光層を形成するために用いる有機発光材料としては、公知のものが使用可能である。
例えばエピドリジン、２，５―ビス［５，７―ジ―ｔ―ペンチル―２―ベンゾオキサゾリル］チオフェン、２，２’―（１，４―フェニレンジビニレン）ビスベンゾチアゾール、２，２’―（４，４’―ビフェニレン）ビスベンゾチアゾール、５―メチル―２―｛２―［４―（５―メチル―２―ベンゾオキサゾリル）フェニル］ビニル｝ベンゾオキサゾール、２，５―ビス（５―メチル―２―ベンゾオキサゾリル）チオフェン、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレン、ペリノン、１，４―ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、２―（４―ビフェニル）―６―フェニルベンゾオキサゾール、アルミニウムトリスオキシン、マグネシウムビスオキシン、ビス（ベンゾ―８―キノリノール）亜鉛、ビス（２―メチル―８―キノリノール）アルミニウムオキサイド、インジウムトリスオキシン、アルミニウムトリス（５―メチルオキシン）、リチウムオキシン、ガリウムトリスオキシン、カルシウムビス（５―クロロオキシン）、ポリ亜鉛―ビス（８―ヒドロキシ―５―キノリノリル）メタン、ジリチウムエピンドリジオン、亜鉛ビスオキシン、１，２―フタロペリノン、１，２―ナフタロペリノン、トリス（８―ヒドロキシキノリン）アルミニウム錯体などを挙げることができる。また、一般的な蛍光染料、例えば蛍光クマリン染料、蛍光ペリレン染料、蛍光ピラン染料、蛍光チオピラン染料、蛍光ポリメチン染料、蛍光メシアニン染料、蛍光イミダゾール染料等も使用できる。このうち特に好ましいものとして、キレート化オキシノイド化合物を挙げることができる。
【００２１】
有機発光層は前記発光物質からなる単層構成でもよいし、発光の色、発光の強度等の特性を調整するために、多層構成としてもよい。また、２種以上の発光物質を混合して形成したり、発光物質（例えばルブレンやクマリンなどの蛍光色素）をドープしたものでもよい。
有機発光層は、前記のような有機発光材料を蒸着して形成してもよいし、有機発光材料を溶解した溶液や有機発光材料を適当な樹脂とともに溶解した液を用い、ディップコート法やスピンコート法等の塗布法により形成してもよい。蒸着法で形成する場合、その厚さは１ｎｍ〜２００ｎｍ程度とし、塗布法で形成する場合は、その厚さは５ｎｍ〜５００ｎｍ程度に形成すればよい。
【００２２】
有機発光層は、その膜厚が厚いほど発光させるための印加電圧を高くする必要があり発光効率が悪くなり、有機電界発光素子の劣化を招きやすい。また膜厚が薄くなると発光効率はよくなるがブレイクダウンしやすくなり有機電界発光素子の寿命が短くなる。従って、発光効率及び素子の寿命を考慮して前記の膜厚の範囲で形成すればよい。
【００２３】
また、例えば電子注入輸送層を形成するための電子注入輸送材料としては、公知のものが使用可能である。
例えば、２―（４―ビフェニルイル）―５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，３，４―オキサジアゾール、２―（１―ナフチル）―５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，３，４―オキサジアゾール、１，４―ビス｛２―［５―（４―ｔｅｒｔブチルフェニル）―１，３，４―オキサジアゾリル］｝ベンゼン、１，３―ビス｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，３，４―オキサジアゾリル］｝ベンゼン、４，４’―ビス｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，３，４―オキサジアゾリル］｝ビフェニル、２―（４―ビフェニルイル）―５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，３，４―チアジアゾール、２―（１―ナフチル）―５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，３，４―チアジアゾール、１，４―ビス｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，３，４―チアジアゾリル］｝ベンゼン、１，３―ビス｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，３，４―チアジアゾリル］｝ベンゼン、４，４’―ビス｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，３，４―チアジアゾリル］｝ビフェニル、３―（４―ビフェニルイル）―４―フェニル―５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，２，４―トリアゾール、３―（１―ナフチル）―４―フェニル―５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，２，４―トリアゾール、１，４―ビス｛３―［４―フェニル―５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，２，４―トリアゾリル］｝ベンゼン、１，３―ビス｛２―［１―フェニル―５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，３，４―トリアゾリル］｝ベンゼン、４，４’―ビス｛２―［１―フェニル―５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，３，４―トリアゾリル］｝ビフェニル、１，３，５―トリス｛２―［５―（４―ｔｅｒｔ―ブチルフェニル）―１，３，４―オキサジアゾリル］｝ベンゼンなどを挙げることができる。これらのものは、２種以上を混合して使用してもよい。また、トリス（８―ヒドロキシキノリン）アルミニウム錯体など有機発光材料として用いられる物質のうち比較的電子輸送能の高いものを用いることもできる。
【００２４】
電子注入輸送層は、前記のような電子注入輸送材料を蒸着して形成してもよいし、電子注入輸送材料を溶解した溶液や電子注入輸送材料を適当な樹脂とともに溶解した液を用い、ディップコート法やスピンコート法等の塗布法により形成してもよい。蒸着法で形成する場合、その厚さは１ｎｍ〜５００ｎｍ程度とし、塗布法で形成する場合は、５ｎｍ〜１０００ｎｍ程度に形成すればよい。
【００２５】
電子注入層や電子輸送層を採用する場合も、それらの材料として公知のものを種々採用でき、前記の電子注入輸送層と同様に形成できる。
陰極を形成する材料としては、４ｅＶよりも小さい仕事関数を持つ金属を含有するものがよく、マグネシウム、カルシウム、チタニウム、イットリウム、リチウム、ガドリニウム、イッテルビウム、ルテニウム、マンガン及びそれらを含有する合金を例示できる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図１１は本発明に係る有機電界発光素子の発光駆動方法を実施できる有機電界発光素子の１例の概略構成を示す断面図である。
図１１に示す有機電界発光素子１００（有機エレクトロルミネッセンス素子）は、ガラスからなる透明基板１０１上に透明電極である陽極１０２、有機正孔注入輸送層１０３、有機発光層１０４及び陰極１０５が、この順に積層形成されたものである。この素子１００では、正孔注入輸送層１０３及び有機発光層１０４の２層で有機発光膜１０８を構成している。
【００２７】
また、素子１００は、封止部材１０９を有している。封止部材１０９は、ガラスからなる封止用基板１０６及び封止用樹脂１０７からなっている。さらに言うと、封止部材１０９は、陰極１０５の前記発光膜１０８に重ねられた部分の上方に設けた封止用基板１０６と、封止用基板１０６の周縁部分の下方領域を封止する封止用樹脂１０７からなり、封止用樹脂１０７は上端が封止用基板１０６に、下端が陽極１０２及び陰極１０５の端部をそれぞれ介在させる状態で基板１０１にそれぞれ気密に接続されている。そして、有機発光膜１０８の全体を覆って外気から遮断している。
【００２８】
素子１００において、陽極１０２と陰極１０５との間に所定の電圧を印加することにより有機発光層１０４が発光する。
次に、本発明に係る有機電界発光素子の発光駆動方法を実施する発光駆動装置について説明する。
図７から図１０に本発明に係る有機電界発光素子の発光駆動方法を実施する発光駆動装置における電気回路例の概略構成のブロック図を示す。また、図１、図２及び図４にぞれぞれ図７、図８及び図１０に示す電気回路から出力される駆動電圧の波形のグラフを示し、図３及び図５に図９に示す電気回路から出力される駆動電圧の波形のグラフを示す。
【００２９】
図７に示す電気回路Ａは、素子１００に印加する駆動電圧の波形の立上り及び立下りを立上りについては単調増加、換言すれば傾斜直線的増加により、立下りについては単調減少、換言すれば傾斜直線的減少により連続的に変化させるものである。
電気回路Ａにおいて、基準クロック発生回路３は基準クロックを発生させることができる。
【００３０】
カウンタ回路２は基準クロック発生回路３からの基準クロックをカウントし、そのカウント値を定電流回路１１、２１に送ることができる。
定電流回路１１はカウンタ回路２から送られてくるカウント値に基づいて、基準コンデンサ１に定電流を送り、基準コンデンサ１を充電することができる。
コンパレータ１２は基準電圧Ｖm と基準コンデンサ１の端子電圧とを比較して基準コンデンサ１の端子電圧が基準電圧Ｖm に達した時点、換言すれば駆動電圧Ｖt が最大電圧ＶM （本例では６Ｖ）に達した時点で定電流回路１１をＯＦＦする。これにより定電流回路１１の基準コンデンサ１に対する充電動作が停止される。
【００３１】
定電流回路２１はカウンタ回路２から送られてくるカウント値に基づいて、基準コンデンサ１から定電流を流し、基準コンデンサ１を放電することができる。
コンパレータ２２は基準電圧Ｖs と基準コンデンサ１の端子電圧とを比較して基準コンデンサ１の端子電圧が基準電圧Ｖs となった時点、換言すれば駆動電圧Ｖt が最小電圧ＶS （本例では０Ｖ）となった時点で定電流回路２１をＯＦＦする。これにより定電流回路２１の基準コンデンサ１に対する放電動作が停止される。
【００３２】
バッファアンプ４は基準コンデンサ１の端子電圧に基づいた電圧を出力することができる。これにより、駆動電圧Ｖt を出力できる。
電気回路Ａによると、基準クロック発生回路３にて発生した基準クロックがカウンタ回路２にてカウントされる。カウンタ回路２でカウントされたカウント値は定電流回路１１、２１に送られる。なお、このとき定電流回路１１、２１はいずれもＯＦＦの状態である。
【００３３】
カウンタ回路２が所定のカウント値をカウントしたとき、定電流回路１１はＯＮされ、基準コンデンサ１が充電される。これにより、基準コンデンサ１は所定の立上り速さで充電され、バッファアンプ４から単調増加、換言すれば傾斜直線的増加により連続的に変化する波形が出力される（波形の立上り：図１中ａ参照）。
【００３４】
コンパレータ１２にて基準コンデンサ１の端子電圧と基準電圧Ｖm とが比較され、基準コンデンサ１の端子電圧が基準電圧Ｖm に達した時点、換言すれば駆動電圧Ｖt が最大電圧ＶM （本例では６Ｖ）に達した時点で定電流回路１１はＯＦＦされ、定電流回路１１の基準コンデンサ１に対する充電動作が停止される。これにより、基準コンデンサ１の端子電圧はホールドされ、バッファアンプ４から一定の最大電圧ＶM が出力される（図１中ｂ参照）。
【００３５】
最大電圧ＶM が所定時間出力された後、すなわちカウンタ回路２が所定のカウント値をカウントしたとき、定電流回路２１はＯＮされ、基準コンデンサ１が放電する。これにより、基準コンデンサ１は所定の立下り速さで放電し、バッファアンプ４から単調減少、換言すれば傾斜直線的減少により連続的に変化する波形が出力される（波形の立下り：図１中ｃ参照）。
【００３６】
コンパレータ２２にて基準コンデンサ１の端子電圧と基準電圧Ｖs とが比較され、基準コンデンサ１の端子電圧が基準電圧Ｖs となった時点、換言すれば駆動電圧Ｖt が最小電圧ＶS （本例では０Ｖ）となった時点で定電流回路２１はＯＦＦされ、定電流回路２１の基準コンデンサ１に対する放電動作が停止される。所定時間経過後、すなわちカウンタ回路２が所定のカウント値をカウントしたとき、定電流回路１１は再びＯＮされ、前記の動作が繰り返されて所定周期Ｔの駆動電圧Ｖt がバッファアンプ４から出力される。
【００３７】
電気回路Ａによる発光駆動方法によると、有機エレクトロルミネッセンス素子１００を発光駆動するための駆動電圧の波形の立上り及び立下りを徐々に、換言すれば緩やかに変化させるので、該駆動電圧の波形の立上り及び立下りが緩和され、有機エレクトロルミネッセンス素子１００にかかる急激な電界変化を防止できる。それにより、素子劣化を抑制でき、素子発光寿命を向上させることができる。
【００３８】
図８に示す電気回路Ｂは、素子１００に印加する駆動電圧の波形の立上り及び立下りを時定数を有する形で、換言すれば、立上りについては所定の正の時定数による指数関数的増加により、立下りについては所定の負の時定数による指数関数的減少により連続的に変化させるものである。
電気回路Ｂにおいて、基準波形（基準矩形波）発生回路５は駆動電圧Ｖt の波形の基準となる所定の電圧値、周波数、Duty ratioの基準矩形波を発生させることができる。
【００３９】
時定数（ＣＲ時定数）回路６は図示を省略したコンデンサ及び抵抗器を備えており、基準波形発生回路５からの基準矩形波形の立上り及び立下りを所望の時定数を持たせて連続的に変化させることができる。
バッファアンプ４は時定数回路６の出力電圧に基づいた電圧を出力することができる。これにより、駆動電圧Ｖt を出力できる。
【００４０】
電気回路Ｂによると、基準波形発生回路５にて発生した基準矩形波は時定数回路６に通され、バッファアンプ４から駆動電圧Ｖt として出力される。
すなわち、基準波形発生回路５からの基準矩形波形の立上りが時定数回路６に通されると、所定の時定数を有する形で、換言すれば所定の正の時定数による指数関数的増加により連続的に変化し、その出力波形がバッファアンプ４から出力される（波形の立上り：図２中ａ参照）。
【００４１】
基準波形発生回路５からの基準矩形波形の半値幅部分が時定数回路６に通されると、その出力波形がバッファアンプ４から一定の最大電圧ＶM として出力される（図２中ｂ参照）。
最大電圧ＶM （本例では６Ｖ）が所定時間出力された後、基準波形発生回路５からの基準矩形波形の立下りが時定数回路６に通されると、所定の時定数を有する形で、換言すれば所定の負の時定数による指数関数的減少により連続的に変化し、その出力波形がバッファアンプ４から出力される（波形の立下り：図２中ｃ参照）。そのあと、基準波形発生回路５からの基準矩形波形の次の立上りが時定数回路６に通されると、前記の動作が繰り返されて所定周期Ｔの駆動電圧Ｖt がバッファアンプ４から出力される。
【００４２】
電気回路Ｂによる発光駆動方法によると、有機エレクトロルミネッセンス素子１００を発光駆動するための駆動電圧の波形の立上り及び立下りを徐々に、換言すれば緩やかに変化させるので、図７に示す電気回路Ａによる発光駆動方法と同様の利点がある。
図９に示す電気回路Ｃは、素子１００に印加する駆動電圧の波形の立上り及び立下り、又は立上りのみを２つの電圧レベルからなる階段状波形で、換言すれば、立上りについては２つの電圧レベルの所定時間毎の段階的増加により、立下りについては２つの電圧レベルの所定時間毎の段階的減少により変化させるものである。
【００４３】
電気回路Ｃにおいて、基準クロック発生回路３は基準クロックを発生させることができる。
カウンタ回路２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄは基準クロック発生回路３からの基準クロックをカウントし、そのカウント値をそれぞれアナログＳＷ（スイッチ）７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄに送ることができる。
【００４４】
アナログＳＷ７ａ〜７ｃはそれぞれカウンタ回路２ａ〜２ｃから送られてくるカウント値に基づいて、アナログスイッチをＯＮ／ＯＦＦでき、アナログＳＷ７ａ〜７ｃがＯＮのときにバッファアンプ４に対してそれぞれ基準電圧Ｖa 、Ｖb 、Ｖm を入力できる。
アナログＳＷ７ｄはカウンタ回路２ｄから送られてくるカウント値に基づいて、スイッチをＯＮ／ＯＦＦでき、アナログＳＷ７ｄがＯＮのときにバッファアンプ４の入力をＧＮＤに接地できる。
【００４５】
バッファアンプ４はアナログＳＷ７ａ〜７ｄの出力電圧に基づいた電圧を出力することができる。これにより、駆動電圧Ｖt を出力できる。
電気回路Ｃによると、基準クロック発生回路３にて発生した基準クロックがカウンタ回路２ａ〜２ｄにてカウントされる。カウンタ回路２ａ〜２ｄでカウントされたカウント値はそれぞれアナログＳＷ７ａ〜７ｄに送られる。なお、このときアナログＳＷ７ａ〜７ｃはいずれもＯＦＦの状態であり、アナログＳＷ７ｄはＯＮの状態である。これにより、バッファアンプ４の入力がＧＮＤに接地され、バッファアンプ４から０Ｖが出力される。
【００４６】
カウンタ回路２ａが所定のカウント値をカウントしたとき、アナログＳＷ７ａはＯＮされ、アナログＳＷ７ｂ〜７ｄはＯＦＦされる。これにより、基準電圧Ｖa がバッファアンプ４に入力され、バッファアンプ４から一定の第１の駆動電圧ＶA （本例では２Ｖ）が出力される（図３中ａ１参照）。
カウンタ回路２ｂが所定のカウント値をカウントしたとき、アナログＳＷ７ｂはＯＮされ、アナログＳＷ７ａ、７ｃ、７ｄはＯＦＦされる。これにより、基準電圧Ｖb がバッファアンプ４に入力され、バッファアンプ４から一定の第２の駆動電圧ＶB （本例では４Ｖ）が出力される（図３中ａ２参照）。
【００４７】
このようにして、バッファアンプ４から２つの電圧レベルからなる階段状波形で、換言すれば２つの電圧レベルの所定時間毎の段階的増加により変化する波形が出力される（波形の立上り：図３中ａ参照）。
さらに、カウンタ回路２ｃが所定のカウント値をカウントしたとき、アナログＳＷ７ｃはＯＮされ、アナログＳＷ７ａ、７ｂ、７ｄはＯＦＦされる。これにより、基準電圧Ｖm がバッファアンプ４に入力され、バッファアンプ４から一定の最大電圧ＶM （本例では６Ｖ）が出力される（図３中ｂ参照）。
【００４８】
最大電圧ＶM が所定時間出力された後、すなわちカウンタ回路２ｂが所定のカウント値をカウントしたとき、アナログＳＷ７ｂは再びＯＮされ、アナログＳＷ７ａ、７ｃ、７ｄはＯＦＦされる。これにより、基準電圧Ｖb がバッファアンプ４に入力され、バッファアンプ４から一定の第２の駆動電圧ＶB （本例では４Ｖ）が出力される（図３中ｃ１参照）。
【００４９】
カウンタ回路２ａが所定のカウント値をカウントしたとき、アナログＳＷ７ａは再びＯＮされ、アナログＳＷ７ｂ〜７ｄはＯＦＦされる。これにより、基準電圧Ｖa がバッファアンプ４に入力され、バッファアンプ４から一定の第１の駆動電圧ＶA （本例では２Ｖ）が出力される（図３中ｃ２参照）。
このようにして、バッファアンプ４から２つの電圧レベルからなる階段状波形で、換言すれば２つの電圧レベルの所定時間毎の段階的減少により変化する波形が出力される（波形の立下り：図３中ｃ参照）。
【００５０】
さらに、カウンタ回路２ｄが所定のカウント値をカウントしたとき、アナログＳＷ７ｄはＯＮされ、アナログＳＷ７ａ〜７ｃはＯＦＦされる。これにより、バッファアンプ４がＧＮＤに接地され、バッファアンプ４から０Ｖが出力される。所定時間経過後、すなわちカウンタ回路２ａが所定のカウント値をカウントしたとき、アナログＳＷ７ａは再びＯＮされ、アナログＳＷ７ｂ〜７ｄはＯＦＦされ、前記の動作が繰り返されて所定周期Ｔの駆動電圧Ｖt がバッファアンプ４から出力される。
【００５１】
また、この電気回路Ｃには次のように動作させてもよい。
すなわち、基準クロック発生回路３にて発生した基準クロックがカウンタ回路２ａ〜２ｄにてカウントされる。カウンタ回路２ａ〜２ｄでカウントされたカウント値はそれぞれアナログＳＷ７ａ〜７ｄに送られる。なお、このときアナログＳＷ７ａ〜７ｃはいずれもＯＦＦの状態であり、アナログＳＷ７ｄはＯＮの状態である。これにより、バッファアンプ４がＧＮＤに接地され、バッファアンプ４から０Ｖが出力される。
【００５２】
カウンタ回路２ａが所定のカウント値をカウントしたとき、アナログＳＷ７ａはＯＮされ、アナログＳＷ７ｂ〜７ｄはＯＦＦされる。これにより、基準電圧Ｖa がバッファアンプ４に入力され、バッファアンプ４から一定の第１の駆動電圧ＶA （本例では２Ｖ）が出力される（図５中ａ１参照）。
カウンタ回路２ｂが所定のカウント値をカウントしたとき、アナログＳＷ７ｂはＯＮされ、アナログＳＷ７ａ、７ｃ、７ｄはＯＦＦされる。これにより、基準電圧Ｖb がバッファアンプ４に入力され、バッファアンプ４から一定の第２の駆動電圧ＶB （本例では４Ｖ）が出力される（図５中ａ２参照）。
【００５３】
このようにして、バッファアンプ４から２つの電圧レベルからなる階段状波形で、換言すれば２つの電圧レベルの所定時間毎の段階的増加により変化する波形が出力される（波形の立上り：図５中ａ参照）。
さらに、カウンタ回路２ｃが所定のカウント値をカウントしたとき、アナログＳＷ７ｃはＯＮされ、アナログＳＷ７ａ、７ｂ、７ｄはＯＦＦされる。これにより、基準電圧Ｖm がバッファアンプ４に入力され、バッファアンプ４から一定の最大電圧ＶM （本例では６Ｖ）が出力される（図５中ｂ参照）。
【００５４】
最大電圧ＶM が所定時間出力された後、すなわちカウンタ回路２ｄが所定のカウント値をカウントしたとき、アナログＳＷ７ｄはＯＮされ、アナログＳＷ７ａ〜７ｃはＯＦＦされる。これにより、バッファアンプ４がＧＮＤに接地され、バッファアンプ４から０Ｖが出力される。所定時間経過後、すなわちカウンタ回路２ａが所定のカウント値をカウントしたとき、アナログＳＷ７ａは再びＯＮされ、アナログＳＷ７ｂ〜７ｄはＯＦＦされ、前記の動作が繰り返されて所定周期Ｔの駆動電圧Ｖt がバッファアンプ４から出力される。
【００５５】
電気回路Ｃによる発光駆動方法によると、有機エレクトロルミネッセンス素子１００を発光駆動するための駆動電圧の波形の立上り及び立下り、又は立上りのみを徐々に、換言すれば緩やかに変化させるので、図７に示す電気回路Ａによる発光駆動方法と同様の利点がある。
図１０に示す電気回路Ｄは、素子１００に印加する駆動電圧の波形の立上りのみを単調増加、換言すれば傾斜直線的増加により連続的に変化させるものである。
【００５６】
電気回路Ｄにおいて、基準クロック発生回路３は基準クロックを発生させることができる。
カウンタ回路２は基準クロック発生回路３からの基準クロックをカウントし、そのカウント値を定電流回路１１に送ることができる。
定電流回路１１はカウンタ回路２から送られてくるカウント値に基づいて、基準コンデンサ１に定電流を送り、基準コンデンサ１を充電することができる。
【００５７】
コンパレータ１２は基準電圧Ｖm と基準コンデンサ１の端子電圧とを比較して基準コンデンサ１の端子電圧が基準電圧Ｖm に達した時点、換言すれば駆動電圧Ｖt が最大電圧ＶM （本例では６Ｖ）に達した時点で定電流回路１１をＯＦＦする。これにより定電流回路１１の基準コンデンサ１に対する充電動作が停止される。
【００５８】
ＳＷ（スイッチ）８はカウンタ回路２から送られてくるカウント値に基づいて、基準コンデンサ１から電流を流し、基準コンデンサ１を放電することができる。
バッファアンプ４は基準コンデンサ１の端子電圧に基づいた電圧を出力することができる。これにより、駆動電圧Ｖt を出力できる。
【００５９】
電気回路Ｄによると、基準クロック発生回路３にて発生した基準クロックがカウンタ回路２にてカウントされる。カウンタ回路２でカウントされたカウント値は定電流回路１１、ＳＷ８に送られる。なお、このとき定電流回路１１はＯＦＦの状態であり、ＳＷ８はＯＮの状態である。これにより、バッファアンプ４の入力がＧＮＤに接地され、バッファアンプ４から０Ｖが出力される。
【００６０】
カウンタ回路２が所定のカウント値をカウントしたとき、定電流回路１１はＯＮ、ＳＷ８はＯＦＦされ、基準コンデンサ１が充電される。これにより、基準コンデンサ１は所定の立上り速さで充電され、バッファアンプ４から単調増加、換言すれば傾斜直線的増加により連続的に変化する波形が出力される（波形の立上り：図４中ａ参照）。
【００６１】
コンパレータ１２にて基準コンデンサ１の端子電圧と基準電圧Ｖm とが比較され、基準コンデンサ１の端子電圧が基準電圧Ｖm に達した時点、換言すれば駆動電圧Ｖt が最大電圧ＶM （本例では６Ｖ）に達した時点で定電流回路１１はＯＦＦされ、定電流回路１１の基準コンデンサ１に対する充電動作が停止される。これにより、基準コンデンサ１の端子電圧はホールドされ、バッファアンプ４から一定の最大電圧ＶM が出力される（図４中ｂ参照）。
【００６２】
最大電圧ＶM が所定時間出力された後、すなわちカウンタ回路２が所定のカウント値をカウントしたとき、ＳＷ８はＯＮされ、基準コンデンサ１が放電され、バッファアンプ４からの駆動電圧Ｖt が０Ｖに低下する。所定時間経過後、すなわちカウンタ回路２が所定のカウント値をカウントしたとき、定電流回路１１は再びＯＮされ、前記の動作が繰り返されて所定周期Ｔの駆動電圧Ｖt がバッファアンプ４から出力される。
【００６３】
電気回路Ｄによる発光駆動方法によると、有機エレクトロルミネッセンス素子１００を発光駆動するための駆動電圧の波形の立上りを徐々に、換言すれば緩やかに変化させるので、図７に示す電気回路Ａによる発光駆動方法と同様の利点がある。
なお、本例では、有機エレクトロルミネッセンス素子１００を駆動する駆動波形として出力電圧を制御する例を示したが、駆動波形として、出力電流を制御する場合も同様の効果を得ることができる。
【００６４】
また、本例においては電圧出力のＯＦＦの期間の出力値を０Ｖに設定しているが、それに代えて有機エレクトロルミネッセンス素子に対して逆バイアス（逆方向電圧）とすることも可能であり、その場合、素子発光の安定性はさらに向上する。
次に、図１１に示す有機エレクトロルミネッセンス素子１００を用いて、本発明の有機電界発光素子の発光駆動方法を実施例１から実施例５として実施したので、比較例とともに以下に説明する。
【００６５】
有機エレクトロルミネッセンス素子１００の封止領域外の陽極部１０２ａ及び陰極部１０５ａにリード線を接続し、後述する実施例１から実施例５及び比較例のように各種駆動電圧を印加し、素子１００を発光させて発光輝度の変化及び素子の発光状態を評価、観察した。
先ず、実施例１から実施例５及び比較例に用いた有機エレクトロルミネッセンス素子１００の作製について説明し、次いで、実施例１から実施例５及び比較例について説明する。
（有機エレクトロルミネッセンス素子の作製）
市販のＩＴＯ（インジウム錫酸化物）膜コート済みのガラス基板（日本板硝子社製）１０１上のＩＴＯ膜が２ｍｍ幅となるようにエッチングにより、該ＩＴＯ膜に対してパターニングを行い、ガラス基板１０１上に陽極１０２を形成した。このパターニング後の基板１０１を界面活性剤水溶液で１５分間超音波洗浄し、さらに基板１０１に波長１７２ｎｍのエキシマランプによる光を５分間照射した後、その表面を酸素プラズマにて１０分間洗浄した。
【００６６】
このように洗浄したＩＴＯ基板１０１上にＮ，Ｎ’―ジフェニル―Ｎ，Ｎ’―ビス（３―メチルフェニル）―１，１’―ジフェニル―４，４’―ジアミンを真空蒸着法により、蒸着速度１Å／ｓｅｃで６０ｎｍ成膜し、正孔注入輸送層１０３を形成した。
続いて、トリス（８―ヒドロキシキノリン）アルミニウム錯体を正孔注入輸送層１０３と同様に、真空蒸着法により、蒸着速度１Å／ｓｅｃで６０ｎｍ成膜し、発光層１０４を形成した。
【００６７】
次に陰極１０５として、マグネシウムと銀を抵抗加熱の共蒸着により蒸着速度比１０：１（マグネシウム：銀）にコントロールし、開口部２ｍｍ幅の成膜マスクを用いて、２００ｎｍの膜厚になるように薄膜を形成した。
以上のように作製した素子を、予め真空引き、窒素置換したグローブボックス中に持ち込み、素子上に洗浄済みの封止用ガラス基板１０６を載せ、その周辺の隙間を覆うように紫外線硬化樹脂１０７を塗布し、その後、その紫外線硬化樹脂にＵＶ（紫外線）を２００秒間照射し、該樹脂を硬化させ、有機エレクトロルミネッセンス素子１００を作製した。
（実施例１）
図７に示す電気回路Ａによる発光駆動方法によって、図１に示す波形、すなわち立上りについては単調増加により、立下りについては単調減少により連続的に変化する電圧波形の駆動電圧を以下の条件で有機エレクトロルミネッセンス素子１００の陽極１０２及び陰極１０５間に印加した。
0004306026.tif 000002
この条件で、図１に示す電圧波形を連続的に印加し、有機エレクトロルミネッセンス素子１００を発光駆動したところ、発光駆動開始から５００時間経過後の発光輝度が、初期輝度に対して８９％であった。
【００６８】
また、ダークスポットの発生などの発光状態の変化は認められなかった。
（実施例２）
図８に示す電気回路Ｂによる発光駆動方法によって、図２に示す波形、すなわち立上り及び立下りが時定数を有する形で連続的に変化する電圧波形の駆動電圧を以下の条件で有機エレクトロルミネッセンス素子１００の陽極１０２及び陰極１０５間に印加した。
0004306026.tif 000003
この条件で、図２に示す電圧波形を連続的に印加し、有機エレクトロルミネッセンス素子１００を発光駆動したところ、発光駆動開始から５００時間経過後の発光輝度が、初期輝度に対して８６％であった。
【００６９】
また、ダークスポットの発生などの発光状態の変化は認められなかった。
（実施例３）
図９に示す電気回路Ｃによる発光駆動方法によって、図３に示す波形、すなわち立上り及び立下りが２つの電圧レベルからなる階段状波形で変化する電圧波形の駆動電圧を以下の条件で有機エレクトロルミネッセンス素子１００の陽極１０２及び陰極１０５間に印加した。
0004306026.tif 000004
この条件で、図３に示す電圧波形を連続的に印加し、有機エレクトロルミネッセンス素子１００を発光駆動したところ、発光駆動開始から５００時間経過後の発光輝度が、初期輝度に対して８３％であった。
【００７０】
また、ダークスポットの発生などの発光状態の変化は認められなかった。
（実施例４）
図１０に示す電気回路Ｄによる発光駆動方法によって、図４に示す波形、すなわち立上りのみについて単調増加により連続的に変化する電圧波形の駆動電圧を以下の条件で有機エレクトロルミネッセンス素子１００の陽極１０２及び陰極１０５間に印加した。
0004306026.tif 000005
この条件で、図４に示す電圧波形を連続的に印加し、有機エレクトロルミネッセンス素子１００を発光駆動したところ、発光駆動開始から５００時間経過後の発光輝度が、初期輝度に対して８４％であった。
【００７１】
また、ダークスポットの発生などの発光状態の変化は認められなかった。
（実施例５）
図９に示す電気回路Ｃによる発光駆動方法によって、図５に示す波形、すなわち立上りのみが２つの電圧レベルからなる階段状波形で変化する電圧波形の駆動電圧を以下の条件で有機エレクトロルミネッセンス素子１００の陽極１０２及び陰極１０５間に印加した。
0004306026.tif 000006
この条件で、図５に示す電圧波形を連続的に印加し、有機エレクトロルミネッセンス素子１００を発光駆動したところ、発光駆動開始から５００時間経過後の発光輝度が、初期輝度に対して８０％であった。
【００７２】
また、ダークスポットの発生などの発光状態の変化は認められなかった。
（比較例）
図６に示す波形、すなわち単純な矩形波の駆動電圧を以下の条件で有機エレクトロルミネッセンス素子１００の陽極１０２及び陰極１０５間に印加した。
0004306026.tif 000007
この条件で、図６に示す電圧波形を連続的に印加し、有機エレクトロルミネッセンス素子１００を発光駆動したところ、発光駆動開始から５００時間経過後の発光輝度が、初期輝度に対して６３％であった。
【００７３】
また、ダークスポットの発生が見られ、初期の均一な面発光状態が維持できていなかった。
このように実施例１から実施例５では、素子１００にかかる急激な電界変化を防止でき、それにより、素子劣化を抑制でき、素子発光寿命を向上させることができることがわかった。これに対し、比較例では、単純な電圧矩形波を素子１００に印加することで短時間で素子劣化を生じた。
【００７４】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によると、基板上に積層形成された陽極、有機発光膜及び陰極を含む有機電界発光素子の前記陽極と前記陰極間に電圧を印加して前記有機電界発光素子を発光駆動する有機電界発光素子の発光駆動方法であって、素子にかかる急激な電界変化を防止でき、それにより、素子劣化を抑制でき、素子発光寿命を向上させることができる有機電界発光素子の発光駆動方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図７に示す電気回路から出力される駆動電圧の波形のグラフであり、有機エレクトロルミネッセンス素子に印加する駆動電圧の波形の立上り及び立下りが立上りについては単調増加により、立下りについては単調減少により連続的に変化する波形のグラフである。
【図２】図８に示す電気回路から出力される駆動電圧の波形のグラフであり、有機エレクトロルミネッセンス素子に印加する駆動電圧の波形の立上り及び立下りが時定数を有する形で連続的に変化する波形のグラフである。
【図３】図９に示す電気回路から出力される駆動電圧の波形のグラフであり、有機エレクトロルミネッセンス素子に印加する駆動電圧の波形の立上り及び立下りが２つの電圧レベルからなる階段状波形で変化する波形のグラフである。
【図４】図１０に示す電気回路から出力される駆動電圧の波形のグラフであり、有機エレクトロルミネッセンス素子に印加する駆動電圧の波形の立上りのみが単調増加により連続的に変化する波形のグラフである。
【図５】図９に示す電気回路から出力される駆動電圧の波形のグラフであり、有機エレクトロルミネッセンス素子に印加する駆動電圧の波形の立上りのみが２つの電圧レベルからなる階段状波形で変化する波形のグラフである。
【図６】単純な電圧矩形波を示すグラフである。
【図７】本発明に係る有機電界発光素子の発光駆動方法を実施する発光駆動装置における電気回路の１例の概略構成のブロック図である。
【図８】本発明に係る有機電界発光素子の発光駆動方法を実施する発光駆動装置における電気回路の他の例の概略構成のブロック図である。
【図９】本発明に係る有機電界発光素子の発光駆動方法を実施する発光駆動装置における電気回路のさらに他の例の概略構成のブロック図である。
【図１０】本発明に係る有機電界発光素子の発光駆動方法を実施する発光駆動装置における電気回路のさらに他の例の概略構成のブロック図である。
【図１１】本発明に係る有機電界発光素子の発光駆動方法に用いることができる有機電界発光素子の１例の概略構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１  基準コンデンサ
２  カウンタ回路
２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ  カウンタ回路
３  基準クロック発生回路
４  バッファアンプ
５  基準波形（基準矩形波）発生回路
６  時定数（ＣＲ時定数）回路
７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ  アナログＳＷ（スイッチ）
８  ＳＷ（スイッチ）
１１、２１  定電流回路
１２、２２  コンパレータ
１００  有機電界発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）
１０１  ガラスからなる透明基板
１０２  透明電極である陽極
１０２ａ  素子１００の封止領域外の陽極部
１０３  有機正孔注入輸送層
１０４  有機発光層
１０５  陰極
１０５ａ  素子１００の封止領域外の陰極部
１０６  ガラスからなる封止用基板
１０７  封止用樹脂
１０８  有機発光膜
１０９  封止部材
Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ  電気回路
ｔr   立上り時間
ｔf   立下り時間
Ｔ  繰り返し周期
τ  最大電圧ＶM の持続する時間
Ｖa 、Ｖb 、Ｖm 、Ｖs   基準電圧
ＶA   第１の駆動電圧
ＶB   第２の駆動電圧
ＶM   最大電圧
ＶS   最小電圧
Ｖt   駆動電圧
【図１】
0004306026.tif 000008
【図２】
0004306026.tif 000009
【図３】
0004306026.tif 000010
【図４】
0004306026.tif 000011
【図５】
0004306026.tif 000012
【図６】
0004306026.tif 000013
【図７】
0004306026.tif 000014
【図８】
0004306026.tif 000015
【図９】
0004306026.tif 000016
【図１０】
0004306026.tif 000017
【図１１】
0004306026.tif 000018