(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数画素を有し、各画素において受光した信号を対数圧縮変換してその出力値を画素毎の測光値として出力する積分型の測光センサと、該測光センサの出力が均一輝度上の被写界に対し前記各画素の出力値が特定の同一値となるように、前記各画素のレベル補正値を算出するレベル補正演算手段により算出される複数の積分時間に対応したレベル補正値を格納する第１のメモリ手段と、前記各画素が輝度変化に対してある特定のゲイン特性となるように、ゲイン補正演算手段により算出されるゲイン補正値を格納する第２のメモリ手段とを有し、
前記第１のメモリ手段は、前記複数の積分時間のうちの基準の積分時間におけるレベル補正値に関しては、画素毎にレベル補正値を格納し、他の積分時間におけるレベル補正値に関しては、前記基準の積分時間に対する各画素の単位光量当りの出力変化量の平均値と積分時間変化に伴う積分光量変化量により算出される全画素共通の一つのレベルシフト量をレベル補正値として格納することを特徴とする露出演算装置。
【請求項２】
複数画素を有し、各画素において受光した信号を対数圧縮変換してその出力値を画素毎の測光値として出力する積分型の測光センサと、該測光センサの出力が均一輝度上の被写界に対し前記各画素の出力値が特定の同一値となるように、前記各画素のレベル補正値を算出するレベル補正演算手段により算出される複数の積分時間に対応したレベル補正値を格納する第１のメモリ手段と、前記各画素が輝度変化に対してある特定のゲイン特性となるように、ゲイン補正演算手段により算出されるゲイン補正値を格納する第２のメモリ手段とを有し、
前記第１のメモリ手段は、前記複数の積分時間のうちの基準の積分時間におけるレベル補正値に関しては、画素毎にレベル補正値を格納し、他の積分時間におけるレベル補正値に関しては、先に算出され前記第２のメモリ手段に格納されているゲイン補正値を用いて前記各画素の単位光量当りの出力変化量を求め、該各画素の単位光量当りの出力変化量と積分時間変化に伴う積分光量変化量により画素毎のレベルシフト量を求める際に用いられる、前記積分時間変化に伴う積分光量変化量をレベル補正値として格納することを特徴とする露出演算装置。
【請求項３】
前記第２のメモリ手段は、ゲイン補正値の平均値と前記各画素のゲイン補正値の差を前記各画素のゲイン補正値として格納することを特徴とする請求項１または２に記載の露出演算装置。
【請求項４】
前記測光センサにて得られる測光値と前記第１及び第２のメモリ手段に格納された各補正値より露出値を算出する露出演算手段を有することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の露出演算装置。
【請求項５】
前記第１のメモリ手段及び前記第２のメモリ手段の少なくとも一方は、書き換え可能な不揮発性メモリであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の露出演算装置。
【請求項６】
前記第１のメモリ手段と前記第２のメモリ手段は、書き換え可能な一つの不揮発性メモリより成ることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の露出演算装置。
【請求項７】
複数画素を有し、各画素において受光した信号を対数圧縮変換してその出力値を画素毎の測光値として出力する積分型の測光センサと、該測光センサの出力が均一輝度上の被写界に対し前記各画素の出力値が特定の同一値となるように、前記各画素のレベル補正値を算出するレベル補正演算手段により算出される複数の積分時間に対応したレベル補正値を格納する第１のメモリ手段と、前記各画素が輝度変化に対してある特定のゲイン特性となるように、ゲイン補正演算手段により算出されるゲイン補正値を格納する第２のメモリ手段とを有し、
前記第１のメモリ手段は、前記複数の積分時間のうちの基準の積分時間におけるレベル補正値に関しては、画素毎にレベル補正値を格納し、他の積分時間におけるレベル補正値に関しては、前記基準の積分時間に対する各画素の単位光量当りの出力変化量の平均値と積分時間変化に伴う積分光量変化量により算出される全画素共通の一つのレベルシフト量をレベル補正値として格納することを特徴とする撮像装置。
【請求項８】
複数画素を有し、各画素において受光した信号を対数圧縮変換してその出力値を画素毎の測光値として出力する積分型の測光センサと、該測光センサの出力が均一輝度上の被写界に対し前記各画素の出力値が特定の同一値となるように、前記各画素のレベル補正値を算出するレベル補正演算手段により算出される複数の積分時間に対応したレベル補正値を格納する第１のメモリ手段と、前記各画素が輝度変化に対してある特定のゲイン特性となるように、ゲイン補正演算手段により算出されるゲイン補正値を格納する第２のメモリ手段とを有し、
前記第１のメモリ手段は、前記複数の積分時間のうちの基準の積分時間におけるレベル補正値に関しては、画素毎にレベル補正値を格納し、他の積分時間におけるレベル補正値に関しては、先に算出され前記第２のメモリ手段に格納されているゲイン補正値を用いて前記各画素の単位光量当りの出力変化量を求め、該各画素の単位光量当りの出力変化量と積分時間変化に伴う積分光量変化量により画素毎のレベルシフト量を求める際に用いられる、前記積分時間変化に伴う積分光量変化量をレベル補正値として格納することを特徴とする撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、積分型の測光センサを有する露出演算装置の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
受光部からの電気信号を対数圧縮変換し、各画素の測光出力として出力する多分割積分型測光センサを用い、全画素の測光出力が輝度変化を伴う均一輝度面の被写界に対してある特定の同一の出力値を得るように、測光センサの各画素に対しレベル補正、ゲイン補正を施し、その各々の補正値と測光センサ出力値より露出値を演算する露出演算装置において、補正値を格納するメモリに対しては、各画素毎にレベル補正値、ゲイン補正値を持たせていた。例えば、６分割の測光センサにおいて、１画素辺りのレベル補正値、ゲイン補正値が各々１byte必要だとすると、全画素の補正に必要なメモリ量は「２byte×６＝１２byte」の容量が必要となっていた。
【０００３】
また、積分型測光センサを用いる場合の特徴として、測光センサのダイナミックレンジを広げるために、被写界の輝度変化に対して測光センサの積分時間を変化させる用途があり、信頼性の高い露出値を得る為には、複数の積分時間に対してもセンサの補正が必要となっていた。前述の例の場合で、５種類の積分時間に対応したセンサ調整を施す場合には、「１２×５＝６０byte」がセンサ補正値を格納するメモリとして必要になっていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
前述した従来の露出演算装置として、多分割積分型測光センサを用い、測光センサ出力が各輝度に対して特定の値となるように補正値を持たせ、その値を用いて露出演算を行うものにおいて、センサの分割数が増え、また多種類の積分時間を使用し、且つ信頼性の高い露出演算装置を提供するためには、センサ補正の為に膨大なメモリ量が必要となってしまう。例えば、１００分割の測光センサにおいて、３種類の積分時間に対応させようとすると、図１３に示すように、１画素のゲイン補正値を１byteとすると、ゲイン補正の為にＲＯＭには「１００×１＝１００byte」のメモリ量が必要となる。
【０００５】
また、図１４に示すように、１画素のレベル補正値を１byteとすると、レベル補正値は「１００×３＝３００byte」必要となり、補正値全体として「４００byte」の容量が必要となる。
【０００６】
また、センサ補正値を算出し、露出演算部内のメモリに格納するセンサ調整工程においても数多くの工程が必要となり、センサ調整の為に膨大な時間を費やしてしまう。
【０００７】
（発明の目的）
本発明の目的は、レベル補正値を格納する為のメモリ領域を少なくすることができ、しかも、全画素の複数の積分時間に対応した、信頼性の高い、測光センサの出力補正を行うことができるようにすることである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係る露出演算装置は、複数画素を有し、各画素において受光した信号を対数圧縮変換してその出力値を画素毎の測光値として出力する積分型の測光センサと、該測光センサの出力が均一輝度上の被写界に対し前記各画素の出力値が特定の同一値となるように、前記各画素のレベル補正値を算出するレベル補正演算手段により算出される複数の積分時間に対応したレベル補正値を格納する第１のメモリ手段と、前記各画素が輝度変化に対してある特定のゲイン特性となるように、ゲイン補正演算手段により算出されるゲイン補正値を格納する第２のメモリ手段とを有し、前記第１のメモリ手段が、前記複数の積分時間のうちの基準の積分時間におけるレベル補正値に関しては、画素毎にレベル補正値を格納し、他の積分時間におけるレベル補正値に関しては、前記基準の積分時間に対する各画素の単位光量当りの出力変化量の平均値と積分時間変化に伴う積分光量変化量により算出される全画素共通の一つのレベルシフト量をレベル補正値として格納することを特徴とする。
【００１０】
また、上記目的を達成するために、本発明に係る露出演算装置は、複数画素を有し、各画素において受光した信号を対数圧縮変換してその出力値を画素毎の測光値として出力する積分型の測光センサと、該測光センサの出力が均一輝度上の被写界に対し前記各画素の出力値が特定の同一値となるように、前記各画素のレベル補正値を算出するレベル補正演算手段により算出される複数の積分時間に対応したレベル補正値を格納する第１のメモリ手段と、前記各画素が輝度変化に対してある特定のゲイン特性となるように、ゲイン補正演算手段により算出されるゲイン補正値を格納する第２のメモリ手段とを有し、前記第１のメモリ手段が、前記複数の積分時間のうちの基準の積分時間におけるレベル補正値に関しては、画素毎にレベル補正値を格納し、他の積分時間におけるレベル補正値に関しては、先に算出され前記第２のメモリ手段に格納されているゲイン補正値を用いて前記各画素の単位光量当りの出力変化量を求め、該各画素の単位光量当りの出力変化量と積分時間変化に伴う積分光量変化量により画素毎のレベルシフト量を求める際に用いられる、前記積分時間変化に伴う積分光量変化量をレベル補正値として格納することを特徴とする。
【００１１】
また、上記目的を達成するために、本発明に係る撮像装置は、複数画素を有し、各画素において受光した信号を対数圧縮変換してその出力値を画素毎の測光値として出力する積分型の測光センサと、該測光センサの出力が均一輝度上の被写界に対し前記各画素の出力値が特定の同一値となるように、前記各画素のレベル補正値を算出するレベル補正演算手段により算出される複数の積分時間に対応したレベル補正値を格納する第１のメモリ手段と、前記各画素が輝度変化に対してある特定のゲイン特性となるように、ゲイン補正演算手段により算出されるゲイン補正値を格納する第２のメモリ手段とを有し、前記第１のメモリ手段が、前記複数の積分時間のうちの基準の積分時間におけるレベル補正値に関しては、画素毎にレベル補正値を格納し、他の積分時間におけるレベル補正値に関しては、前記基準の積分時間に対する各画素の単位光量当りの出力変化量の平均値と積分時間変化に伴う積分光量変化量により算出される全画素共通の一つのレベルシフト量をレベル補正値として格納することを特徴とする。
また、上記目的を達成するために、本発明に係る撮像装置は、複数画素を有し、各画素において受光した信号を対数圧縮変換してその出力値を画素毎の測光値として出力する積分型の測光センサと、該測光センサの出力が均一輝度上の被写界に対し前記各画素の出力値が特定の同一値となるように、前記各画素のレベル補正値を算出するレベル補正演算手段により算出される複数の積分時間に対応したレベル補正値を格納する第１のメモリ手段と、前記各画素が輝度変化に対してある特定のゲイン特性となるように、ゲイン補正演算手段により算出されるゲイン補正値を格納する第２のメモリ手段とを有し、前記第１のメモリ手段が、前記複数の積分時間のうちの基準の積分時間におけるレベル補正値に関しては、画素毎にレベル補正値を格納し、他の積分時間におけるレベル補正値に関しては、先に算出され前記第２のメモリ手段に格納されているゲイン補正値を用いて前記各画素の単位光量当りの出力変化量を求め、該各画素の単位光量当りの出力変化量と積分時間変化に伴う積分光量変化量により画素毎のレベルシフト量を求める際に用いられる、前記積分時間変化に伴う積分光量変化量をレベル補正値として格納することを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】
まず、本発明の実施の第１の形態の詳細な説明に入る前に、測光センサのゲイン補正値及びレベル補正値について、どのように求め、メモリに格納しておくか等について簡単に説明しておく。
【００１３】
ゲイン補正では、対数圧縮型の光センサの特性を考慮すると、同一ロット上の同一回路で構成された各画素の光量変化に対する対数圧縮後の出力変化特性は各画素毎に大きくバラツクことが無いため、全画素のゲイン補正値の平均値を算出し、その平均値と各画素のゲイン補正値との差（偏差量）を各画素の補正値として持たせることで、各画素のゲイン補正データとしては、小メモリ容量で保存でき、ゲイン補正時の補正メモリを削減することが可能となる。
【００１４】
例えば、１００画素の測光センサ（図１参照）において、ゲイン補正に対し１画素８bit の補正メモリが必要であるとすると、各画素に対し、全画素のゲインの平均補正値（GAIN_AVE）からの偏差量ΔGAIN(i) を各画素の補正値として持たせると、各画素の補正値ΔGAIN(i) は約４bit 程度で補正可能となり、従来では図１３に示した様に１００byte必要であったものが、図１に示す様に、ゲイン補正値に対する使用メモリとしては、各画素の４bit 補正値と全画素の平均のゲイン補正値の８bit で、計５１byteのメモリ量で補正を実現できる。
【００１５】
また、各画素の均一輝度面に対する出力特性（レベル補正値）においては、センサ自身の持つ画素間のオフセットバラツキ、被写界を測光センサに集光させるまでの光学系の歪み等による画素間の出力バラツキを持つという問題があり、センサ各画素が均一輝度の被写界に対して同一値となるようにレベル補正をかけるためには、各画素毎にある容量のメモリを必要とすることは避けることができない。ただ、複数の積分時間に対応する場合、受光部からの電気信号を対数圧縮変換し出力する測光センサの特徴を考慮すると、基準積分時間に対しての積分時間変化量による積分光量変化と、各画素の輝度変化に対する出力変化特性（１Ｅｖ辺りの出力変化）より基準積分時間からの出力差を算出することが可能であり、一つの基準積分時間よりレベル補正を行うことが可能となる。
【００１６】
また、前述のゲイン補正の際に説明した様に、各画素が同一ロット上に同一回路で構成されてあれば、各画素の出力変化特性が大きくバラツクことが無い為、積分時間の違いによる出力変化は各画素毎にほぼ同一であるとみなすことが出来る。従って、図２に示す様に、異なる積分時間に対してのレベル補正値は各画素の出力変化特性の平均値と積分時間変化に伴う積分光量変化量を掛け合わせた値を全画素共通のレベルシフト量（ΔLVL(bs,m)ave、ΔLVL(bs,n)ave）として使用し、調整値メモリとしては、一つの補正データ（平均レベルシフト量）のみで、その積分時間におけるレベル補正が可能となる。これに対応する従来例は、前述した図１４に示した通りである。
【００１７】
以上を実現する為の本発明の実施の第１の形態について、以下に詳述する。なお、この実施の第１の形態では、１０×１０の測光センサを有した一眼レフカメラを例にすると共に、異なる積分時間のレベル補正に対し、基準積分時間からの全画素共通のレベルシフト補正を施す例について述べる。
【００１８】
図３は、一眼レフカメラに搭載される露出演算装置等の全体の電気的構成を示すブロック図である。
【００１９】
図３において、１は、複数の画素を有し、撮影レンズを通した光を各画素毎に測光し、各画素では受光した信号を対数圧縮変換し、その出力値を各画素毎の測光値として出力する測光センサであり、この出力は露出演算部３内のＡ／Ｄ変換器９によりＡ／Ｄ変換され、補正演算部２と露出演算部３内のＲＡＭ６に出力される。２は補正演算部であり、二つの輝度に対する前記Ａ／Ｄ変換されたセンサ出力よりゲイン補正値を算出するゲイン補正演算部４、一つの輝度に対する前記Ａ／Ｄ変換されたセンサ出力よりレベル補正値を算出するレベル補正演算部５を有しており、各々で算出された補正値は、露出演算部３内のＲＯＭ７に保存される。なお、ＲＯＭ７に書かれた補正値は、露出値のチェック後、再度補正値を変更する可能性が有る為、該ＲＯＭ７は書き換え可能なＥＥＰＲＯＭ等を用いられる。ここで、前記補正演算部２は、カメラに具備される露出演算部３内のＡ／Ｄ変換器９からセンサ出力を読み込み、算出した補正値を露出演算部ＲＯＭに書き込む為の手段であり、カメラとは独立した、該カメラと通信可能な工具（ＰＣ等）である。
【００２０】
３は露出演算部であり、内部に、測光センサ１のアナログ出力をデジタル信号に変換する上記のＡ／Ｄ変換器、前記補正演算部２で算出された補正値を保存するＲＯＭ７と、測光センサ１のＡ／Ｄ変換されたセンサ出力を一時保管するＲＡＭ６と、、前記ＲＯＭ７，ＲＡＭ６よりの各データから露出値を算出する演算部８とを具備している。前記演算部８は、ＲＡＭ６に格納されたセンサ出力に対し、ＲＯＭ７内に格納されているゲイン，レベルの各補正値を用いて、各画素の露出値を算出する。最終的な全画面での露出値の算出においては、被写体の位置情報、フィルム露出情報等の情報も加味して、演算を行うが、本発明とは直接関係ないのでこれ以上の説明は割愛する。
【００２１】
次に、前記測光センサ１，露出演算部３が搭載された一眼レフカメラに対し、前記測光センサ１の値を取得し、センサ出力の各補正値の演算を行う補正演算部２が接続された状態での処理について以下に説明を行う。
【００２２】
まず、図４を用いて、測光センサ１のレベル補正、ゲイン補正における補正原理について簡単に説明する。
【００２３】
基本的にセンサ補正とは、図４（ａ）に示すセンサ出力特性１６をこのカメラ固有の露出特性１５に変換することを意味している。図４（ａ）は初期状態であり、１５はカメラ固有の被写界輝度に対する露出値の特性を示している（ここでは、Ｅｖ１５の時に出力Ａ８(h) ，Ｅｖ−６時に出力０(h) をカメラ固有の露出特性とする）が、まず、センサの出力特性１６のゲイン補正を行うことにより、図４（ｂ）のような特性を得られる。次に、図４（ｂ）の状態からレベル補正を行うことで、図４（ｃ）１４のように、センサの出力特性をカメラ固有の露出特性１５に変換することが可能となる。
【００２４】
次に、ゲイン補正値の算出方法、レベル補正値の算出方法、積分時間変更時のレベルシフト量の算出方法、また、その補正値のメモリへの保存と、補正値の確認についてまでを、図５〜図７の式（１）〜（９），図８及び図９を参照しながら説明する。
【００２５】
図５に示す式（１）は、センサの出力特性１６をカメラ固有の露出特性１５に変換する為の基本式である。 GAIN ，LEVEL とは、ゲインとレベルの補正値であり、また、Ｔは温度に対する補正値、AEBaseは温度に関わらずセンサ出力が変化しない値であり、Ｔ，AEBaseはそのセンサの温度における固有の値である。尚、Ｔ，AEBaseは本発明の本筋と外れるためこれ以上の説明は省略する。
【００２６】
ゲインの補正値は、ある特定の二つの輝度に対するセンサの出力値を式（１）に代入し、それぞれ代入した２式よりLEVEL を消去することで、算出できる。ここでは、輝度ａを代入した式を式（２）に、輝度ｂを代入した式を式（３）として、これらよりＬＥＶＥＬを消去することにより、式（４）に示すGAIN補正式を得ることができる。尚、各式において、ＡＤ(a) ，ＡＤ(b) はセンサの生の出力値を示したものであり、また、Exp(a)， Exp(b) は、輝度ａ，ｂに対するカメラ固有の露出値を示したものである。
【００２７】
レベルの補正値は、図６の式（５）より得ることができ、これはある特定の一つの輝度に対するセンサの出力値を式（１）に代入したもので、ここでは輝度ｂに対してセンサの出力ＡＤ(b) を代入して得ている。前述と同様、 Exp(b) は輝度ｂに対するカメラ固有の値である。
【００２８】
次に、積分時間が異なった場合のレベルシフト量について説明する。
【００２９】
レベルシフトの基本式は、図７の式（６）に示す様に、積分時間変化による光量変化量ΔＴ_EV(bs,m) と１Ｅｖ辺りの出力変化を示す出力変化特性ΔAEの積算により得られる。実際には、式（６）に対し、式（７），式（８）を代入することにより、式（９）のレベルシフト量の算出式を得られる。
【００３０】
次に、図８のフローチャートを用いて、ゲイン補正，レベル補正を行い、実際の露出値の確認に至るまでの処理について説明する。
【００３１】
初めにゲイン補正値を算出する為に、特定の輝度ａ，ｂについて、測光センサ１の出力値ＡＤ(a) ，ＡＤ(b) を保存し（＃１，＃２）、前述した式（４）より、各画素毎にゲイン補正値を算出する（＃３）。次に、全画素のゲイン補正値の平均値を算出し（＃４）、各画素毎に平均値からのゲイン補正値の偏差量を算出する（＃５）。そして、算出された各画素のゲイン補正偏差量と、ゲイン補正の平均値を、図１に示すような状態で、メモリ（ＲＯＭ）に保存する（＃６）。
【００３２】
受光部からの電気信号を対数圧縮変換し、出力する測光センサにおいては、特性上、各画素毎のゲインバラツキは少なくなるため、図１に示す様に、平均値からの補正の偏差量は、１画素に対し従来の約半分のメモリ容量で補正する事が可能である。
【００３３】
次に、レベル補正値を算出する際には、上記算出されたゲイン補正値、輝度ｂによる測光値ＡＤ(b) を用い、式（５）を使用することで、各画素のレベル補正値を算出する（＃７）。続いて、図２に示す様に、基準積分時間のメモリ容量に各々のレベル補正値を保存する（＃８）。
【００３４】
次に、異なる積分時間に対してのレベルシフト補正を行う際には、ゲイン算出時に得られる輝度ａ，ｂのセンサ出力値（測光値）ＡＤ(a) ，ＡＤ(b) より、式（８）を用いて各画素の出力変化特性を算出する（＃９）。さらに、その平均値を算出し（＃１０）、式（９）を用いる事で全画素の平均的なレベルシフト量を算出する（＃１１）。更に、図２に示すように、全画素の共通のレベルシフト量として、メモリに保存する（＃１２）。
【００３５】
以上、３つの補正値、つまりゲイン補正値，レベル補正値，レベルシフト補正値をメモリに書き込んだ上で、カメラとして実際の動作を行い（＃１３）、次に測光センサ１の出力を得（＃１４）、このセンサ出力と前記各補正値により露出演算を行って露出値を算出する（＃１５）。そして、均一輝度分布で輝度変化をする被写界に対し、全画素の補正後の前記露出値が、均等な値で且つ特定な値になっているか（例えば、Ｅｖ１５でＡ８(h) ：図４の露出特性１５）の確認を行い（＃１６）、正しい値が出力されている場合は、上記補正値を採用することにする。一方、補正後の値で画素間にバラツキが生じたり、輝度変化に対応していなかったり等の問題が生じた場合には、もう一度、ゲイン補正値からの補正値算出を行う必要がある為、ステップ＃１へ戻り、以下同様の動作を繰り返す。
【００３６】
以上で、ゲイン補正値の算出方法、レベル補正値の算出方法、積分時間変更時のレベルシフト量の算出方法、また、その補正値のメモリ保存と、補正値の確認についてまでの説明を終える。
【００３７】
最後に、積分時間ｂｓ，ｍについてのＲＯＭ上に書き込む、全補正値の状況と、その格納値より露出演算に使用する為のレベル補正値、ゲイン補正値の算出式を記載した図９について説明を行う。
【００３８】
基準積分時間ｂｓに対しては、１００画素のレベル補正値(LVL_bs(i)) を持たせ、また、異なった積分時間ｍのレベル補正に関しては、積分時間変化に伴う全画素の平均的なシフト量ΔLVL(bs,m)aveのみを補正パラメータとして持たせ、各画素に対しては、基準積分時間の各画素レベル補正量LVL_bs(i) に対しそのシフト量ΔLVL(bs,m)aveを加算することで、補正を行うようにしている。
【００３９】
また、ゲイン補正においては、基準の積分時間において、全画素のゲイン補正値の平均値GAIN_AVEと各画素の平均値からの偏差量ΔGAIN(i) を補正パラメータとして持たせている。また、他の積分時間においては、前述の対数圧縮型光センサの特性を考慮し、同一の調整パラメータを持たせることにしている。
【００４０】
（実施の第２の形態）
図１０〜図１２を用いて、異なる積分時間のレベル補正において、個々の画素に対してレベル補正をかける例を、本発明の実施の第２の形態として以下に説明する。
【００４１】
上記積分時間の異なるレベル補正において、更に信頼性の高い補正を行いたい場合、各画素毎の出力変化特性から、各画素のレベルシフト量を求め、各画素毎に積分時間変化に伴うレベルシフトの補正を行うようにすれば良い。この場合、図１０に示す様に、各画素の出力変化特性においては、各画素のゲイン補正値より算出する事が可能である為、メモリ（ＲＯＭ）に保存する補正値としては、積分時間変化に伴う光量変化のみを補正値として持たせることで、ゲイン補正値を算出する事が出来る。つまり、ゲイン補正値を先に算出するセンサ補正においては、新たなデータを保存する事無しに、各画素毎に正確なレベルシフトの補正を行う事が出来る。
【００４２】
以下においては、前述の実施の第１の形態と重複した内容については省略し、異なる部分についてのみ説明をする。
【００４３】
レベルシフト量をゲイン値を用いて表す場合には、出力変化特性（図７の式（８））に対しゲイン補正（図５の式（４））を用いることで、図７の式（１０）を得る事が出来、この式（１０）に対し式（７）を積算することで、ゲイン補正値を用いたレベルシフト量（式（１１））を得る事ができる。
【００４４】
また、補正値を格納するメモリに対しては、図１０に示すように、積分時間変化に伴う光量変化ΔT_Ev(bs,m)（式（７））を格納する。これは、図１１のフローチャートのステップ＃１７，＃１８にも示す通り、積分時間が決まった時点で、補正値をメモリに書き込む事ができる。
【００４５】
これにより、図１２において、前記実施の第１の形態のレベルシフト量の項目の代わりに、積分時間変化に伴う光量変化を項目とし、その値を補正パラメータとする。前述の通り、メモリに格納する補正値としては、式（７）より算出した値が格納され、積分時間ｍに対するレベル補正値の算出式は、
LVL_bs(I) ＋ΔT_Ev(bs,m)×（Exp(b)−Exp(a)）×Ｔ／(b-a) ・GAIN(I)
となり、やや複雑になる。
【００４６】
以上の実施の第２の形態における、レベル補正に関して必要となるメモリ容量は、上記実施の第１の形態と同様であり、且つメモリに保存する値自身も簡単に算出できるにもかかわらず、信頼性の高い補正を行う事ができる。ただ、上述の様に算出式が複雑である為、画素数が増えた場合、露出の算出に時間を要する難点は存在する。
【００４７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、レベル補正値を格納する為のメモリ領域を少なくすることができ、しかも、全画素の複数の積分時間に対応した、信頼性の高い、測光センサの出力補正を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の第１の形態に係る露出演算装置においてゲイン補正値のメモリに対する格納の仕方について説明する為の図である。
【図２】本発明の実施の第１の形態に係る露出演算装置においてレベル補正値のメモリに対する格納の仕方について説明する為の図である。
【図３】本発明の実施の第１の形態に係る露出演算装置を搭載した一眼レフカメラの主要部の回路構成を示すブロック図である。
【図４】本実施の第１の形態においてゲイン補正とレベル補正の仕方を説明する為の図である。
【図５】本実施の第１の形態においてゲイン補正値の算出式を示す図である。
【図６】本実施の第１の形態においてレベル補正値の算出式を示す図である。
【図７】本実施の第１，第２の形態においてレベルシフト量の算出式を示す図である。
【図８】本発明の実施の第１の形態に係る露出演算装置の主要部分の動作を示すフローチャートである。
【図９】本発明の実施の第１の形態において補正値のメモリに対する格納状況と補正値の算出式を示す図である。
【図１０】本発明の実施の第２の形態に係る露出演算装置においてレベル補正値の格納の仕方について説明する為の図である。
【図１１】本発明の実施の第２の形態に係る露出演算装置の主要部分の動作を示すフローチャートである。
【図１２】本発明の実施の第２の形態において補正値のメモリに対する格納状況と補正値の算出式を示す図である。
【図１３】従来のゲンイ補正値のメモリに対する格納の仕方について説明する為の図である。
【図１４】従来のレベル補正値のメモリに対する格納の仕方について説明する為の図である。
【符号の説明】
１      測光センサ
２      補正演算部
３      露出演算部
６      ＲＡＭ
７      ＲＯＭ
８      演算部
【図１】
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【図２】
0004365929.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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