(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の一般式（１）
Ｍ（ＯＲ１）ｚ                      （１）
によって表される第１化合物、該第１化合物の加水分解物及び該第１化合物の部分縮合物のうちの少なくとも１種、並びに下記の一般式（２）
（Ｒ２）ｎＭ（ＯＲ３）ｚ−ｎ        （２）
によって表される第２化合物、該第２化合物の加水分解物及び該第２化合物の部分縮合物のうちの少なくとも１種を重縮合させて得られ、平均粒径が３〜１０００ｎｍである重合体粒子を含有することを特徴とする研磨剤。
［一般式（１）及び一般式（２）において、ＭはＡｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｂ又はＣｅであり、ｚはＭの原子価である。一般式（１）におけるＲ１及び一般式（２）におけるＲ３は炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜６のアシル基又は炭素数６〜９のアリール基である。一般式（２）において、Ｒ２は炭素数１〜８の１価の有機基であって、ｎは１〜（ｚ−２）の整数である。Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は同一であってもよいし、異なっていてもよい。］
【請求項２】
請求項１記載の重合体粒子の存在下、請求項１記載の一般式（１）によって表される第１化合物、該第１化合物の加水分解物及び該第１化合物の部分縮合物のうちの少なくとも１種を重縮合させて得られ、平均粒径が３〜１０００ｎｍである重合体粒子を含有することを特徴とする研磨剤。
【請求項３】
更に水を含む請求項１又は２に記載の研磨剤。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、上記の第１化合物と第２化合物とを重縮合させて得られる重合体粒子を含有する研磨剤、及び重合体粒子を水に分散させた水系分散体からなる研磨剤に関する。この水系分散体からなる研磨剤は、半導体ウェハ、磁気ディスク等の化学機械研磨などに特に有用であり、保管時の増粘或いはゲル化、重合体粒子の分離、沈降などの問題がない。また、研磨速度が大きく、被研磨面の表面欠陥（スクラッチ）も抑えられ、洗浄後に被研磨面に残留する重合体粒子も僅かである。なお、本発明に用いられる重合体粒子は、化粧品、電子材料、磁性材料、半導体材料、コーティング材、塗料、スペーサ、光学材料、触媒、光触媒、充填材、電子材料フィルム易滑剤、診断薬、医薬、導電材料、センサ材料、トナー、樹脂改質剤、インク、吸着剤、耐紫外線材料及び隠蔽材料等、広範な用途においても利用することができる。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、半導体ウェハ等の化学機械研磨には、砥粒としてシリカ或いはアルミナ等、主に気相法によって合成された純度の高い無機粒子の水系分散体が用いられている。しかし、気相法によって合成された無機粒子は２次凝集が激しいため、水系分散体を調製する場合には、凝集体を水中で破壊し、解砕する必要がある。凝集体の破壊、解砕が不十分な場合は、保管時、水系分散体が経時的に増粘したり、ゲル化したりして流動性を失い、或いは凝集体が分離して沈殿し、研磨剤として使用できなくなるという問題がある。
【０００３】
そこで、気相法によって合成された無機粒子の凝集体を分散させるための種々の装置が提案されている。しかし、それらの装置を用いた場合、金属等の不純物が混入するとの問題がある。また、凝集体を十分に破壊し、解砕することができず、粒径が５μｍ以上の粗大粒子が残留し、増粘してゲル化したり、沈降物が生成したりするという問題もある。更に、これらの粗大粒子により、化学機械研磨等の研磨工程においてウェハ等の被研磨面にスクラッチを生ずることがあり、洗浄後、ウェハ等の表面に無機粒子が残留することもある。
【０００４】
一方、溶液中で粒子状のシリカを合成する方法も知られている。ＪＯＵＲＮＡＬ  ＯＦ  ＣＯＬＬＯＩＤ  ＡＮＤ  ＩＮＴＥＲＦＡＣＥ  ＳＣＩＥＮＣＥ  ２６，６２−６９（１９６８）には、テトラエトキシシランを原料とし、アルコール存在下、アルカリ性水溶液中で真球に近い形状で、平均粒径５０〜２０００ｎｍの高純度のシリカを合成する方法が記載されている。このシリカを化学機械研磨用の砥粒として使用した場合、ＣＭＰのサイエンス（株式会社サイエンスフォーラム発行、１９９７）の１４２頁に記載されているようにスクラッチが少ないという利点がある。しかし、研磨速度が小さく、洗浄後、砥粒が被研磨面に残留し易いとの問題がある。
【０００５】
研磨速度が小さい理由は、粒子が真球に近く、且つ硬すぎるため、被研磨面において砥粒が転がってしまい、研磨剤として十分に機能しないためである。また、特に、被研磨物が柔らかい金属である場合など、洗浄後も被研磨面に多くの砥粒が残留するのは、真球に近い形状であり、しかも硬い粒子が被研磨面に埋め込まれてしまうことが原因である。
【０００６】
また、従来より、標準粒子、診断薬用担体粒子、滑剤等の用途においては、ビニル単量体等を共重合して得られる粒径分布の狭い重合体粒子が用いられている。しかし、この重合体粒子は強度及び耐熱性が必ずしも十分ではなく、標準粒子或いは滑剤等として用いる場合に、過大な剪断応力が加わったり、高温に晒されたりすると、粒子が変形若しくは崩壊することがあり、その用途が制限されている。これらの問題点に対応するため、架橋性ビニル単量体等を共重合させて高度に架橋させた共重合体からなる粒子も提案されている。しかし、このような架橋重合体からなる粒子は無機系粒子と比較して硬度が低く耐熱性も不十分なため、広範な用途において使用し得るものではない。
【０００７】
また、電子材料、磁性材料、耐熱材料等の用途においては、多数の金属化合物からなる粒子が使用されており、用途の多様化のため種々の複合粒子が提案されている。そのような複合粒子としては、酸化鉄粒子をケイ素化合物によって被覆することにより、熱処理によって針状の磁性体を製造する際に、その形崩れ、磁性体間の焼結等が防止される複合粒子、粉末冶金のための強度の大きい材料として使用される鉄粉を銅によって被覆した複合粒子、及び酸化鉄粒子を酸化アンチモン及び酸化アルミニウムによって被覆し、その耐熱性を向上させた複合粒子等が挙げられる。しかし、これらの複合粒子を含む水系分散体は保存安定性に問題があり、更に、いずれも金属化合物からなるものであるため、硬度が高すぎて用途の多様化に必ずしも十分に対応することができるものではない。そのため、適度な硬度を有する重合体粒子の開発が、特に、電子材料、磁性材料、光学材料等の分野において必要とされている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記の従来の問題を解決するものであり、前記の第１化合物と第２化合物とを重縮合させて得られ、十分な強度及び硬度を有し、耐熱性に優れ、且つ適度に柔軟である重合体粒子を含有し、特に、半導体ウェハ、磁気ディスク等の化学機械研磨などに有用であり、研磨速度が大きく、スクラッチが少なく、被研磨面に残留し難い研磨剤を提供することを目的とする。更に、本発明は、従来、高々５０ｎｍ程度までしか小さくできなかった重合体粒子を、３ｎｍにまで小さくすることができる重合技術を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
第１発明の研磨剤に含有される重合体粒子は、前記の一般式（１）によって表される第１化合物、該第１化合物の加水分解物及び該第１化合物の部分縮合物のうちの少なくとも１種（以下、第１化合物、並びにその加水分解物及び部分縮合物を、まとめて「第１化合物類」という。）、並びに前記の一般式（２）によって表される第２化合物、該第２化合物の加水分解物及び該第２化合物の部分縮合物のうちの少なくとも１種（以下、第２化合物、並びにその加水分解物及び部分縮合物を、まとめて「第２化合物類」という。）を重縮合させて得られ、平均粒径が３〜１０００ｎｍであることを特徴とする。この重縮合は、第１及び第２化合物並びにそれらの加水分解物及び部分縮合物を溶解し得る有機溶媒と、アルカリ性水溶液とからなる混合媒体中で行うことができる。
【００１０】
また、第２発明の重合体粒子は、第１発明における重合体粒子の存在下、第１化合物類のうちの少なくとも１種を重縮合させて得られ、平均粒径が３〜１０００ｎｍであることを特徴とする。この重縮合も上記と同様の混合媒体中で行うことができる。
なお、第１及び第２発明の研磨剤に含有される重合体粒子は、適度な弾性を有する重合体からなり、真球に近い形状でありながら、硬すぎず、研磨剤の他、電子材料、磁性材料、光学材料等、各種の用途においても有用である。また、第３発明のように、水に分散させて、水系分散体からなる優れた性能の研磨剤とすることもできる。
【００１１】
一般式（１）で表される上記「第１化合物」としては、４官能の有機シリコン化合物、並びに３官能の有機アルミニウム化合物、４官能の有機チタニウム化合物及び４官能の有機ジルコニウム化合物等の他、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｂ又はＣｅを含む有機金属化合物のうちの少なくとも１種を使用することができる。また、一般式（２）で表される上記「第２化合物」としては、ｎが１〜（ｚ−２）の整数である有機シリコン化合物、並びに有機アルミニウム化合物、有機チタニウム化合物及び有機ジルコニウム化合物等の有機金属化合物、のうちの少なくとも１種を用いることができる。これら第１化合物及び第２化合物は、それぞれ１種のみを使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００１２】
一般式（１）におけるＲ1及び一般式（２）におけるＲ3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基及びｎ−ペンチル基等が挙げられる。また、アシル基としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、バレリル基及びカプロイル基等を挙げることができる。更に、アリール基としては、フェニル基及びトリル基等が挙げられる。尚、第１化合物のＲ1並びに第２化合物のＲ2及びＲ3は同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【００１３】
更に、一般式（２）において、Ｒ2としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基及び２−エチルヘキシル基等のアルキル基が挙げられる。また、ビニル基、アリル基、シクロヘキシル基、フェニル基、アシル基、グリシジル基、アクリルオキシ基、メタアクリルオキシ基、ウレイド基、アミド基、フルオロアセトアミド基及びイソシアナート基等、各種の有機基の他、これら各種の有機基の置換誘導体などを挙げることができる。
【００１４】
この置換誘導体における置換基としては、ハロゲン原子、置換若しくは非置換のアミノ基、水酸基、メルカプト基、イソシアナート基、グリシドキシ基、３，４−エポキシシクロヘキシル基、アクリルオキシ基、メタアクリルオキシ基、ウレイド基及びアンモニウム塩基等が挙げられる。但し、これらの置換誘導体からなるＲ2の炭素数は、置換基を構成する炭素原子を含めて８以下である。
【００１５】
以下、第１化合物及び第２化合物のうち、好ましいものとして有機シリコン化合物、有機アルミニウム化合物、有機チタニウム化合物及び有機ジルコニウム化合物について具体的に説明する。
第１化合物の具体例としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｉｓｏ−プロポキシシラン及びテトラ−ｎ−ブトキシシラン等が挙げられる。また、これらの化合物に含まれるシリコン原子がチタニウム原子と置き換わったテトラメトキシチタン、テトラエトキシチタン、テトラプロポキシチタン及びテトラブトキシチタン等の有機チタニウム化合物を挙げることができる。更に、シリコン原子がジルコニウム原子と置き換わったテトラプロポキシジルコニウム及びテトラブトキシジルコニウム等の有機ジルコニウム化合物、並びにシリコン原子がアルミニウム原子と置き換わったトリエトキシアルミニウム及びトリプロポキシアルミニウム等の有機アルミニウム化合物が挙げられる。
【００１６】
第２化合物としては、有機シリコン化合物が多用され、それらのうち、ｎ＝１である化合物の具体例としては以下の各種のものが挙げられる。
メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、ｉｓｏ−プロピルトリメトキシシラン、ｉｓｏ−プロピルトリエトキシシラン、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、ｎ−ブチルトリエトキシシラン、ｎ−ペンチルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリメトキシシラン、ｎ−ヘプチルトリメトキシシラン、ｎ−オクチルトリメトキシシラン、
【００１７】
ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、シクロヘキシルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン、３−クロロプロピルトリエトキシシラン、３，３，３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、３，３，３−トリフルオロプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、２−ヒドロキシエチルトリメトキシシラン、２−ヒドロキシエチルトリエトキシシラン、２−ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、２−ヒドロキシプロピルトリエトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルトリエトキシシラン、
【００１８】
３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−イソシアナートプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアナートプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン、３−（メタ）アクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、３−（メタ）アクリルオキシプロピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン等のトリアルコキシシラン。
【００１９】
また、ｎ＝２である化合物としては以下のものを挙げることができる。
ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジメトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジエトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジメトキシシラン、ジ−ｉｓｏ−プロピルジエトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｎ−ペンチルジメトキシシラン、ジ−ｎ−ペンチルジエトキシシラン、
【００２０】
ジ−ｎ−ヘキシルジメトキシシラン、ジ−ｎ−ヘキシルジエトキシシラン、ジ−ｎ−ヘプチルジメトキシシラン、ジ−ｎ−ヘプチルジエトキシシラン、ジ−ｎ−オクチルジメトキシシラン、ジ−ｎ−オクチルジエトキシシラン、ジ−ｎ−シクロヘキシルジメトキシシラン、ジ−ｎ−シクロヘキシルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン。
第２化合物としては、この他、メチルトリアセチルオキシシラン、ジメチルジアセチルオキシシラン等のオキシシランを使用することもできる。この第２化合物としては、ｉｓｏ−プロピルトリオクタノイルチタネートのようなチタネートカップリング剤、アセチルアセトンジルコニウムブチラート等の有機ジルコニウム化合物、及びアセトアルコキシアルミニウムイソプロピレート等の有機アルミニウム化合物を用いることもできる。
【００２１】
これらの第２化合物のうち、ｎ＝１の場合は、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシランが好ましく、ｎ＝２の場合は、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシランが好ましい。また、第１化合物としてテトラエトキシシランを用いる場合は、これと組み合わせて用いる最も好ましい第２化合物はメチルトリエトキシシランである。このように、４個のＲ1及び２又は３個のＲ3が同じであり、且つＲ1とＲ3とが同じであれば、重縮合がより容易に進むため好ましい。
【００２２】
第１及び第２発明においては、第１化合物を使用することができ、この第１化合物に代えて、第１化合物の「加水分解物」又は「部分縮合物」を用いることもできる。更に、第１化合物、その加水分解物又は部分縮合物のうちの２種以上を使用することもできる。また、第１発明においては、第２化合物を使用することができ、この第２化合物に代えて、第２化合物の「加水分解物」又は「部分縮合物」を用いることもできる。更に、第２化合物、その加水分解物又は部分縮合物のうちの２種以上を使用することもできる。尚、第１又は第２化合物の部分縮合物としては、重縮合可能な官能基を有しているものを使用することができる。
【００２３】
また、重縮合の反応媒体の一種として一般に使用される有機溶媒は特に限定されず、第１及び第２化合物類の良溶媒であって、これらの化合物類を反応媒体中に均一に分散させ、混合させることができるものを用いることができる。この有機溶媒としては、アルコール類、芳香族炭化水素類、エーテル類、ケトン類及びエステル類などが挙げられる。これらは１種のみを使用してもよいし、均一に混合し得る２種以上を併用することもできる。
【００２４】
アルコール類としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、ｉｓｏ−プロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、ｎ−ヘキシルアルコール及びｎ−オクチルアルコール等が挙げられる。また、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル及びエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等を挙げることもできる。
【００２５】
更に、芳香族炭化水素類としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等が、エーテル類としては、テトラヒドロフラン、ジオキサン等が挙げられる。また、ケトン類としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン等を、エステル類としては、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、炭酸プロピル等を挙げることができる。
【００２６】
有機溶媒とともに、通常、反応媒体として使用されるアルカリ性水溶液としては、第１及び第２化合物類を加水分解させ、重縮合させることができるものであれば、特に限定はされない。このアルカリ性水溶液としては、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及びアミン化合物等の水溶液が挙げられ、これらのうちで特に好ましいものはアンモニア水である。
【００２７】
第１発明では、第１及び第２化合物類を、有機溶媒とアルカリ性水溶液とからなる混合媒体中で加水分解させ、重縮合させることにより重合体粒子を含む分散体を得ることができる。そして、第２発明では、この分散体に更に第１化合物類を添加し、第１発明における重合体粒子の表面において加水分解させ、重縮合させて、その表面のみがより硬くなった重合体粒子を含む分散体とすることができる。また、これによって、親水性が付与され、水を主たる媒体とする研磨剤として使用した場合に、その性能が向上するだけではなく、水系分散体がより安定なものとなり、取り扱い易くなる。
【００２８】
このようにして得られる第１及び第２発明の重合体粒子の粒径を透過型電子顕微鏡写真により測定した。２００個以上の重合体粒子の粒径から算出される平均粒径は３〜１０００ｎｍであり、特に５〜５００ｎｍ、更には１０〜３００ｎｍである。この平均粒径が３ｎｍ未満では、粒径が小さすぎて、研磨剤として使用した場合に、研磨速度が小さくなり、また、電子材料、磁性材料、光学材料等、各種の用途において所要の特性が得られないため好ましくない。一方、平均粒径が１０００ｎｍを越える場合は、水系分散体の保存安定性が低下し、研磨剤として用いた場合に、被研磨面にスクラッチが発生することがあるため好ましくない。
【００２９】
第１及び第２発明においては、第１及び第２化合物類を、上記の混合媒体中、３０〜９０℃、特に４０〜８０℃、更には５０〜７０℃で、３０〜３００分間、攪拌し、混合することにより、容易に重合体粒子を生成させることができる。これら第１化合物類と第２化合物類との合計量を１００重量部とした場合に、第２化合物類の量比は０．１〜６０重量部とすることができ、特に１〜４０重量部、更には２〜２０重量部とすることが好ましい。第２化合物類の量比が０．１重量部未満では、第１及び第２発明における重合体粒子を適度に柔らかくすることができないため、研磨剤として使用した場合に被研磨面にスクラッチが発生することがあり、また、前記の各種の用途において所要の性能が得られないため好ましくない。一方、第２化合物類の量比がが６０重量部を越える場合は、重量部粒子の硬さが不足し、研磨性能の低下等を招くため好ましくない。
【００３０】
また、第１及び第２発明の研磨剤に含有される重合体粒子は研磨剤として使用され、そして、この重合体粒子を水に分散させることで、第３発明の研磨剤とすることができるが、この研磨剤は、特に、半導体ウェハ、磁気ディスク等の化学機械研磨用の研磨剤として有用である。水系分散体からなる研磨剤として使用する場合は、通常、分散体に含まれるアルコール等の有機溶媒の全量又はその一部を除去し、実質的に水系分散体として使用される。
【００３１】
この水系分散体からなる研磨剤は、所定の薬品を配合することにより、種々の被研磨物の研磨において使用することができる。水酸化カリウム及びアンモニア等を配合した場合は、絶縁膜の研磨に使用することができ、酸化剤及び酸などのエッチング剤を配合した場合は、タングステン、アルミニウム、銅などの金属膜の研磨に用いることができる。また、この研磨剤は他の研磨剤と適宜の量比で併用することもできる。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、実施例によって本発明を更に詳しく説明する。
実施例及び比較例においてウェハの研磨速度、スクラッチの有無は下記のようにして評価した。
研磨速度；研磨機としてラップマスターＳＦＴ社製の装置（型式「ＬＧＰ−５１０」）を用い、この装置の定盤にロデール・ニッタ社製のパッド（品番「ＩＣ１０００」）を貼り付け、このパッドにウェハを装着して３分間研磨した。研磨条件は、加工圧力３５０ｇ／ｃｍ2、定盤回転数５０ｒｐｍ及び研磨剤供給量２００ミリリットル／分とした。研磨速度は、研磨された酸化膜又は金属膜の一部をエッチングした後、残留した膜厚を段差計を用いて測定し、この膜厚（Å）を研磨時間（３分間）によって除して算出した。
スクラッチの有無；ウェハを上記と同様にして研磨した後、このウェハを流水によって十分に洗浄し、更に超音波によって２０分間洗浄した後、このウェハをスピン乾燥機で乾燥し、微分干渉顕微鏡を用いてウェハの表面を観察した。
【００３３】
（１）水系分散体からなる研磨剤の調製及びウェハの研磨
実施例１
エチルアルコール８００重量部と、１２重量％のアンモニア水６００重量部とを６０℃で攪拌し、混合しつつ、テトラエトキシシラン９６重量部とメチルトリエトキシシラン４重量部との混合物を投入した。投入初期には透明であったものが３分後には青白色に着色し、３時間後には白色の重合体粒子を媒質とする分散体が得られた。透過型電子顕微鏡によって観察したところ、重合体粒子は真球状であり、その平均粒径は２１０ｎｍであった。
【００３４】
その後、この分散体をロータリーエバポレータによって減圧状態とし、水を添加しつつエチルアルコールとアンモニアを除去することにより、固形分濃度１５重量％、ｐＨ＝９の化学的機械的研磨の作用を有する水系分散体を得た。次いで、この水系分散体に水酸化カリウムを添加し、固形分濃度１０重量％、Ｈ＝１１．５の水系分散体からなる研磨剤を得た。この研磨剤を使用して６インチ熱酸化膜付きシリコンウェハを研磨したところ、研磨速度は１５００Å／分と大きく、スクラッチも観察されなかった。
【００３５】
比較例１
テトラエトキシシラン９６重量部とメチルトリエトキシシラン４重量部に代えて、テトラエトキシシラン１００重量部を使用した他は、実施例１と同様にして重合体粒子を媒質とする分散体を得た。透過型電子顕微鏡によって観察したところ、重合体粒子は真球状であり、その粒子径は２３０ｎｍであった。その後、実施例１と同様にして化学機械研磨の作用を有する水系分散体を得た。また、同様にして、この水系分散体からなる研磨剤を得た。この研磨剤を使用して６インチ熱酸化膜付きシリコンウェハを研磨したところ、スクラッチは観察されなかったが、研磨速度は３００Å／分と小さかった。
【００３６】
比較例２
テトラエトキシシラン９６重量部とメチルトリエトキシシラン４重量部に代えて、メチルトリエトキシシラン１００重量部を使用した他は、実施例１と同様にして反応させたがゲル状となり重合体粒子を得ることができなかった。
【００３７】
実施例２
エチルアルコール８００重量部と、１２重量％のアンモニア水６００重量部とを６０℃で攪拌し、混合しつつ、テトラエトキシシラン８５重量部とメチルトリエトキシシラン１５重量部との混合物を投入した。投入初期には透明であったものが３分後には青白色に着色し、３時間後には重合体粒子を媒質とする白色の分散体が得られた。透過型電子顕微鏡によって観察したところ、重合体粒子は真球状であり、その平均粒径は１８０ｎｍであった。
【００３８】
その後、上記の分散体にテトラエトキシシラン５０重量部を１０分間かけて連続的に添加し、加水分解させ、重縮合させて、重合体粒子と、その表面に生成したテトラエトキシシランの重縮合物とからなる複合粒子（第２発明に対応する重合体粒子である。）を含む分散体を得た。透過型電子顕微鏡によって観察したところ、複合粒子の平均粒径は２０６ｎｍであった。また、テトラエトキシシランの重縮合物からなる新たな粒子の生成は認められなかった。
【００３９】
次いで、この複合粒子を含む分散体をロータリーエバポレータによって減圧状態とし、水を添加しつつエチルアルコールとアンモニアを除去することにより、固形分濃度２０重量％、ｐＨ＝９の化学機械研磨の作用を有する水系分散体を得た。その後、この水系分散体に、０．５重量％濃度のこはく酸水溶液及び０．５重量％濃度の過酸化水素をそれぞれ所要量配合し、固形分濃度５重量％の水系分散体からなる研磨剤を得た。この研磨剤を使用して６インチ５０００Å銅膜付きシリコンウェハを１分間研磨したところ、研磨速度は３０００Å／分と大きく、スクラッチも観察されなかった。
【００４０】
比較例３
比較例１の水系分散体を用い、この水系分散体に、実施例２における銅膜の化学機械研磨のための薬品を配合した研磨剤を用いた他は実施例２と同様にして６インチ、５０００Å銅膜付きシリコンウェハを研磨した。その結果、研磨速度は２５００Å／分で特に問題はなかったが、スクラッチが多く、走査型顕微鏡による観察によれば、洗浄後も重合体粒子が銅膜の表面に残留していることが分かった。
【００４１】
（２）磁気ディスク基板の研磨
実施例１及び２で得られた水系分散体に含有される重合体粒子若しくは複合粒子の濃度が５重量％となるように水によって希釈し、この希釈液に、研磨促進剤として硝酸アルミニウムを５重量％濃度となるように添加し、研磨剤を得た。また、比較のため、コロイダルシリカ（日産化学株式会社製、商品名「スノーテックス２０」）、ヒュームドシリカ（日本アエロジル株式会社製、商品名「アエロジル＃９０」）をそれぞれ５重量％含む他は同一組成の研磨剤を調製した。
【００４２】
上記の研磨剤を用い、以下の条件で磁気ディスク基板を研磨し、研磨速度及びスクラッチの有無を評価した。
＜研磨条件＞
基板：Ｎｉ−Ｐ無電解めっきを施した３．５インチのアルミディスク（１段研磨済み）
研磨装置：ラップマスターＳＦＴ株式会社製、型式「ＬＭ−１５Ｃ」
研磨パッド：Ｒｏｄｅｌ（米国）社製、商品名「ポリテックス  ＤＧ」
加工圧力：７０ｇ／ｃｍ2
定盤回転数：５０ｒｐｍ
研磨剤供給量：１５ミリリットル／分
研磨時間：１０分
【００４３】
＜評価方法＞
研磨速度：研磨によるディスクの重量減から下記の式によって研磨速度を求めた。
研磨速度（ｎｍ／分）＝［（Ｗ／ｄ）／Ｓ］×１０7
Ｗ；１分間当たりの研磨による重量減、ｄ；Ｎｉ−Ｐ無電解めっきの密度、Ｓ；被研磨面積
スクラッチ：研磨したディスクを洗浄し、乾燥した後、暗室内でスポットライトを当て、目視でスクラッチの有無を観察した。
【００４４】
上記のようにして研磨を行った結果、実施例１、実施例２の水系分散体では、研磨速度はそれぞれ１６０ｎｍ／分及び１８０ｎｍ／分であった。一方、コロイダルシリカ又はヒュームドシリカを用いた場合は、研磨速度はそれぞれ１２８ｎｍ／分及び１４５ｎｍ／分であった。このように、本発明の研磨剤を使用し、磁気ディスクを研磨した場合、研磨速度が大きく、且つスクラッチもまったく発生していなかった。一方、コロイダルシリカ又はヒュームドシリカを用いた場合は、研磨速度はやや低い程度であるものの、被研磨面には多数のスクラッチが観察された。
【００４５】
【発明の効果】
第１発明によれば、特定の有機シリコン化合物等からなり、特定の平均粒径を有する重合体粒子を含有する研磨剤を得ることができる。また、第２発明によれば、第１発明の重合体粒子の表面が、より硬い重合体によって覆われ、或いはより硬い重合体が皮膜状に生成し、表面硬度の大きい重合体粒子を含有する研磨剤を得ることができる。また、第３発明の重合体粒子と水とを含む水系分散体からなる研磨剤は、半導体ウェハ、磁気ディスク等の化学機械研磨の用途において特に有用である。