(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
両面銅張積層板を用いて一方の導体層に所要の配線パターン及び両面の導通用孔をウエットエッチング手法を用いて穴加工を行う際のマスク層となる導通用配線パターンを予め形成し、次いで、前記導通用配線パターンにより形成される開口よりも大きな開口部を有するレジスト層を前記導通用配線パターン及び他の配線パターン上に設け、ウエットエッチング手法を用いて前記開口部に位置する絶縁べース材を除去して導通用孔を形成し、更に前記レジスト層を残したまま導電化処理を行い、前記レジスト層表面の導電化層を選択的に除去した後、他方の導体層から電流を流し、電気メッキを施してビアホールを形成するする工程を含む両面可撓性回路基板の製造法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、両面可撓性回路基板の製造法に関し、特には、ウエットエッチング手法により絶縁ベース材に対するビアホール形成の為の導通用孔を好適に形成できる両面可撓性回路基板の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術とその問題点】
近年、電子機器の小型化と高機能化は益々促進されてきており、その為に回路基板にも、高密度実装に対応するため、回路配線パターンの狭ピッチ化の要求が高まってきている。
【０００３】
これに対して、従来の両面可撓性回路基板は、両面銅張積層板の第一の導体層を絶縁ベース材に対して両面の導通用孔を開口するためのマスク層として用い、レーザー加工、プラズマエッチング、ウエットエッチング手法を用いて穴加工を行い、導電化処理及びメッキを施しビアホールを形成し、両面の導通を確保した上で両面の導体層に対してエッチング処理を施すことにより、所要の配線パターンを形成していた。
【０００４】
即ち、図２（１）のように、絶縁べース材２０の両面に導体層２１、２２を設けた両面銅張積層板から両面可撓性回路基板を製造するには、同図（２）に示すように一方の導体層２１から絶縁ベース材２０をレーザー加工、、プラズマエッチング、ウエットエッチング手法で穴加工する為に必要な開口２３をこの導体層２１に形成し、この導体層２１をマスク層として機能させる。
【０００５】
次に、同図（３）に示すように、導体層２１をマスク層として用いて絶縁ベース材２０に穴加工をレーザー加工、、プラズマエッチング、ウエットエッチング手法で行い、開口２３の位置に両面の導通用孔２４を形成する。
【０００６】
更に、同図（４）に示すように、導電化処理及びメッキを施し、導電化処理後にメッキでビアホール２５を形成する。その後、同図（５）に示すように、両面の配線パターン２６，２７，２８，２９の加工を行い、両面可撓性回路基板を得るものである。
【０００７】
この方法を用いて製造された両面可撓性回路基板は、一方の導体層の上に更にメッキを厚付けする為、導体層厚みが増加し、両面に微細な配線パターンを形成することが困難であった。
【０００８】
そこで、本発明は、上記従来の問題を好適に解消し得る両面可撓性回路基板の製造法を提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
その為に本発明による両面可撓性回路基板の製造法では、両面銅張積層板を用いて一方の導体層に所要の配線パターン及び両面の導通用孔をウエットエッチング手法を用いて穴加工を行う際のマスク層となる導通用配線パターンを予め形成し、次いで、前記導通用配線パターンにより形成される開口よりも大きな開口部を有するレジスト層を前記導通用配線パターン及び他の配線パターン上に設け、ウエットエッチング手法を用いて前記開口部に位置する絶縁べース材を除去して導通用孔を形成し、更に前記レジスト層を残したまま導電化処理を行い、前記レジスト層表面の導電化層を選択的に除去した後、他方の導体層から電流を流し、電気メッキを施してビアホールを形成する手法が採用される。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、図示の実施例を参照しながら本発明を更に説明する。図１は、本発明の一実施例による両面可撓性回路基板の製造工程図である。
【００１１】
先ず、同図（１）の如く、絶縁べース材１の両面に導体層２，３を有する両面銅張積層板を用意する。そこで、同図（２）に示すように一方の導体層２から絶縁ベース材１をウエットエッチング手法で穴加工する際のマスク層となる導通用配線パターン４及び他の配線パターン５を常法により形成する。
【００１２】
次に、同図（３）に示すようにマスク層となる導通用配線パターン４の開口よりも大きな開口部７を有するレジスト層６を配線パターン４，５上に設ける。その後、同図（４）に示すようにレジスト層６及び配線パターン４を用いて絶縁ベース材１に穴加工をウエットエッチング手法で行って導通用孔８を形成し、レジスト層６を残したまま導電化処理を行う。
【００１３】
ウエットエッチング液としては水酸化カリウムを２０ｗｔ％以上含むような強アルカリ液を用いる為、レジスト層６には耐アルカリ性が要求されると考えられる。しかしながら、ネガ型ドライフィルムレジストは水酸化ナトリウム３ｗｔ％程度のアルカリ溶液で剥離を行うが、ウエットエッチング液は剥離液に比べｐｈが著しく高く、ウエットエッチング液中での剥離速度は剥離液中よりも著しく遅い。
【００１４】
この為、レジスト層６としてドライフィルムレジストを用いる場合には、通常よりも高温でラミネートしたり、現像後の後露光、ポストベーク等を行い耐アルカリ性を向上させることでウエットエッチング液中でマスク層として機能する。しかしながら、水洗を行うとレジスト層表面のｐｈが低下し、ドライフィルムレジストが剥離してしまうため、ウエットエッチング直後に乾燥し、レジスト表面のアルカリ成分を整面、研磨等の手法で除去し、さらに水洗等の前処理を行った後導電化処理を行うことが必要である。ポジ型レジストをレジスト層に用いる場合にはウエットエッチング後に水洗を行い、導電化処理を行うことができる。
【００１５】
次に、同図（５）に示すようにレジスト層６上にメッキがつかないようにする為、他方の導体層３から電流を流し、電気メッキを施してビアホール９を形成する。
【００１６】
このとき他方の導体層３にメッキがつかないようにするには、メッキリード部のみを開口し、それ以外の全面にマスク層を設けることにより可能である。或いは、導電化処理後にレジスト層６上を整面、研磨することでレジスト上の導電化処理層を取り除くことでも、レジスト層６上にメッキがつかないようにすることが可能である。
【００１７】
その後、同図（６）に示すように、導体層３側に所要の配線パターン１０及び１１の加工を行い、レジスト層６を剥離して両面可撓性回路基板を得る。
【００１８】
【発明の効果】
本発明による両面可撓性回路基板の製造法は、配線部分にメッキを厚付けすることなくビアホールを形成できるのみならず、両面の導通用孔のマスク加工と同じ面に位置する配線パターンを同時に形成できるので、ビアホールのランド部の面積を従来よりも小さく設定することが可能であるから、従来の両面可撓性回路基板の製造法では困難であった両面の配線パターンの狭ピッチ化を好適に達成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例による両面可撓性回路基板の製造工程図。
【図２】従来例による両面可撓性回路基板の製造工程図。
【符号の説明】
１  絶縁べース材
２  導体層
３  導体層
４  導通用配線パターン
５  配線パターン
６  レジスト層
７  開口部
８  導通用孔
９  ビアホール
１０  配線パターン
１１  配線パターン
【図１】
0004350922.tif 000002
【図２】
0004350922.tif 000003