(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ形導電性の珪素（Ｓｉ）単結晶からなる基板と、該基板上に設けられた、リン化硼素（ＢＰ）系材料からなる緩衝層と、該緩衝層上に接して設けられた、ＢＰ系材料からなる立方晶のｐ形単結晶層と、該ｐ形単結晶層に接して設けられた立方晶のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層と、該ｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層上に設けられた六方晶のｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層とを具備するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
【請求項２】
前記ｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層の層厚が１０ナノメータ（ｎｍ）以上で５００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
【請求項３】
前記ｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層のドーパントが亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）または炭素（Ｃ）であることを特徴とする請求項１または２に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
【請求項４】
前記立方晶のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層及び六方晶のｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層を発光部に用いることを特徴とする請求項１乃至３に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
【請求項５】
ｐ形導電性のＳｉ単結晶からなる基板上に、ＢＰ系材料からなる緩衝層と、ＢＰ系材料からなる立方晶のｐ形単結晶層と、立方晶のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層と、六方晶のｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層とを順次形成するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法において、前記ｐ形単結晶層を前記緩衝層の積層温度より高い温度で積層することを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記緩衝層の積層温度を３００℃〜４００℃とすることを特徴とする請求項５に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記立方晶のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層の積層温度が、８００℃〜１０００℃であることを特徴とする請求項５または６に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記六方晶のｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層の積層温度が、１０００℃以上であることを特徴とする請求項５乃至７に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ｐ形の珪素（Ｓｉ）単結晶表面上にリン化硼素（ＢＰ）系材料からなる結晶層を介してＩＩＩ族窒化物半導体結晶層を形成したエピタキシャルウェーハを用いて、ｎサイドアップ（ｓｉｄｅ−ｕｐ）型の発光ダイオード（ＬＥＤ）或いはレーザーダイオード等のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を作製するための技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の作製に用いるＩＩＩ族窒化物半導体結晶層を備えたエピタキシャルウェーハとして、導電性のＳｉ等の立方晶結晶を基板に用いて、その上にＩＩＩ族窒化物半導体であるＡｌXＧａYＩｎZＮ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｚ≦１、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）層を形成し、エピタキシャルウェーハを作製する従来技術が知られている（特開平１１−４０８５０号公報）。Ｓｉ等のダイアモンド型、或いはリン化ガリウム（ＧａＰ）等の閃亜鉛鉱型の立方晶結晶を基板として利用すれば、劈開性を利用して発光素子の端面が簡便に構成できる。さらにｐ形或いはｎ形導電性の低抵抗のＳｉ単結晶を基板とすれば、簡易に電極が形成できるという利点がある。
【０００３】
Ｓｉ結晶との格子ミスマッチ（ｍｉｓｍａｔｃｈ）を低減して、結晶欠陥密度の低い結晶性に優れるＩＩＩ族窒化物半導体結晶層をＳｉ単結晶基板上に形成するために、ＢＰからなる結晶層を、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層をその上に形成するための下地層としてＳｉ単結晶基板上に形成する技術が開示されている（特開平１１−１６２８４８号明細書参照）。また、閃亜鉛鉱型の結晶構造のＢＰからなる結晶層上には、バンド（ｂａｎｄ）構造からして、六方晶結晶に比較して低抵抗の立方晶のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体層が形成され易い（特開平２−２７５６８２号明細書参照）。低抵抗の立方晶のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層は、発光素子のｐｎ接合型ダブルヘテロ（ＤＨ）構造の発光部を簡易に構成するために有利である。
【０００４】
しかし、一方でＩＩＩ族窒化物半導体結晶層は、生成エネルギーの低さからすれば、六方晶の結晶層となり易い傾向がある。（赤崎  勇編著、「ＩＩＩ族窒化物半導体」（１９９９年１２月８日初版）（株）培風館発行、３７頁参照）このため、立方晶のＢＰからなる結晶層を下地層として、その上に立方晶のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層の形成を意図しても、成長したＩＩＩ族窒化物半導体結晶層が下地層の結晶構造型の影響が薄れる層厚となると、六方晶のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層が成長しやすくなる。そのため、立方晶のバンド構造上の特性を生かせば簡便に作製できる低抵抗のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層が、層厚が厚くなると安定して形成できない問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
積層構造から判別して、ＩＩＩ族窒化物半導体を用いたＬＥＤはｐサイドアップ型とｎサイドアップ型とに大別される。ｐサイドアップ型とは、ｎ形基板を下方として、発光層の上方に在る上部クラッド層がｐ形結晶層から構成されているＬＥＤである。逆に、ｎサイドアップ型とは、ｐ形基板を下方として、発光層の上方にｎ形結晶層からなる上部クラッド層が配置されてなるＬＥＤを指す。ｎサイドアップ型ＬＥＤでは、上部クラッド層或いはその上の電流拡散層がｐ形化合物半導体層に比較すれば一般に移動度が大きいｎ形化合物半導体層から構成されるため、元来、発光部の広範囲に素子動作電流を拡散するに有利となっている。即ち、高輝度のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を簡便に獲得するに有利な構造となっている。
【０００６】
従って本発明では、従来の技術上の問題点を克服して、高輝度のｎサイドアップ型のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を作製するための技術を提供するものとする。特に本発明では、ｐ形Ｓｉ単結晶基板上にＢＰ系材料からなる結晶層を介して設けたＩＩＩ族窒化物半導体結晶層を具備するエピタキシャルウェーハを利用して、ｎサイドアップ型のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を作製する際に、低抵抗のｐ形層を形成するのに有利である立方晶のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層と、簡便に形成され得る六方晶のｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層とをうまく組み合わせて作製するための技術を提供する。さらに本発明は、立方晶と六方晶の結晶構造型を相違するＩＩＩ族窒化物半導体結晶層を備えたエピタキシャルウェーハから作製したｎサイドアップ型のＩＩＩ族窒化半導体発光素子を提供する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明は、ｐ形導電性の珪素（Ｓｉ）単結晶からなる基板と、該基板上に設けられた、リン化硼素（ＢＰ）系材料からなる緩衝層と、該緩衝層上に接して設けられた、ＢＰ系材料からなる立方晶のｐ形単結晶層と、該ｐ形単結晶層に接して設けられた立方晶のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層と、該ｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層上に設けられた六方晶のｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層とを具備するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子である。
特に本発明は、前記ｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層の層厚が１０ナノメータ（ｎｍ）以上で５００ｎｍ以下であるのが望ましい。また、前記ｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層のドーパントが亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）または炭素（Ｃ）であることが望ましい。
本発明は、前記立方晶のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層及び六方晶のｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層をＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の発光部に用いるものである。
【０００８】
また本発明は、ｐ形導電性のＳｉ単結晶からなる基板上に、ＢＰ系材料からなる緩衝層と、ＢＰ系材料からなる立方晶のｐ形単結晶層と、立方晶のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層と、六方晶のｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層とを順次形成するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法において、前記ｐ形単結晶層を前記緩衝層の積層温度より高い温度で積層することを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法である。
特に本発明は、前記緩衝層の積層温度を３００℃〜４００℃とすることが望ましい。
また本発明は、前記立方晶のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層の積層温度が、８００℃〜１０００℃であることが望ましい。
また本発明は、前記六方晶のｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層の積層温度を１０００℃以上とするのが望ましい。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態では、ｐ形Ｓｉ単結晶を基板としてエピタキシャルウェーハを形成する。この場合、結晶面の方位を｛１００｝または｛１１１｝とする、硼素（Ｂ）が添加されたｐ形のＳｉ単結晶が基板として利用できる。｛１００｝−Ｓｉ単結晶を基板とすれば劈開を利用して簡易に個別素子に分割できる利点がある。また｛１１１｝−Ｓｉ単結晶を基板とすれば、その表面上には密着性に優れるＢＰ系材料からなる結晶層が形成できる利点がある。
【００１０】
上記のｐ形Ｓｉ単結晶基板表面上に、先ずＢＰ系材料からなる緩衝層を設ける。ＢＰ系材料とは、少なくとも、硼素（Ｂ）とリン（Ｐ）とを構成元素として含有する材料である。ＢＰ系材料には、リン化硼素（ＢＰ）の他に、窒化リン化硼素（組成式ＢＰXＮ1-X：０＜Ｘ＜１）や砒化リン化硼素（組成式ＢＡｓ1-XＰX：０＜Ｘ＜１）が含まれる。これらのＢＰ系材料からなる結晶層は、ハロゲン（ｈａｌｏｇｅｎ）またはハイドライド（ｈｙｄｒｉｄｅ）気相成長（ＶＰＥ）法により積層できる。あるいは有機金属熱分解気相成長（ＭＯＣＶＤ）法により積層できる。
【００１１】
ＢＰ系材料からなる緩衝層は、アズグローン（ａｓ−ｇｒｏｗｎ）状態で非晶質（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ）を主体として構成されているのが最適である。これは例えばＢＰからなる単結晶層とＳｉ単結晶基板との約１７％に及ぶ大きな格子ミスマッチを効率的に緩和し、Ｓｉ単結晶基板上にＢＰ系材料からなる緩衝層を介してＢＰ系材料からなる立方晶のｐ形単結晶層を形成するためである。そのためＢＰ系材料からなる緩衝層の積層温度は、上記の成長法のいずれかによらず３００℃〜４００℃の低温とするのが好ましい。また上記緩衝層の層厚は、約５ｎｍから約５０ｎｍ程度が適する。また、緩衝層の層厚がおよそ１５ｎｍを越える場合は、ｐ形不純物をドーピングしてｐ伝導形の層となすのが望ましい。
このＢＰ系材料からなる緩衝層は、その上にＢＰ系材料からなる立方晶のｐ形単結晶層を積層した後は、多結晶あるいは非晶質からなる層となる。
【００１２】
ＢＰ系材料からなる立方晶のｐ形単結晶層は、上記の緩衝層上に接して成長させる。上記の緩衝層は、Ｓｉ単結晶基板とｐ形単結晶層との格子ミスマッチを緩和して、ミスフィット（ｍｉｓｆｉｔ）転位等の結晶欠陥の密度が小さく結晶性に優れるｐ形単結晶層をもたらす下地層として作用する。また上記の緩衝層は、その上にＢＰ系材料からなる立方晶のｐ形単結晶層を積層させるに際し、該ｐ形単結晶層が基板から剥離するのを抑制する機能層として作用する。
Ｓｉ単結晶及びＢＰ系材料からなるｐ形単結晶層が立方晶の結晶であることは、その上に立方晶のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層を積層するのに有利に作用し、ＢＰ系材料からなるｐ形単結晶層に接合させて設けたＩＩＩ族窒化物半導体結晶層は、閃亜鉛鉱型の立方晶の結晶層となる。
【００１３】
本発明においてはｐ形Ｓｉ単結晶基板上に上記の緩衝層を介してＢＰ系材料からなるｐ形単結晶層を設ける。ＢＰ系材料からなるｐ形単結晶層は、三塩化硼素（ＢＣｌ3）、三塩化リン（ＰＣｌ3）、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）やホスフィン（ＰＨ3）等を原料として上記の一般的なＶＰＥ法により積層できる。また、トリエチルボラン（（Ｃ2Ｈ5）3Ｂ）やＰＨ3等を原料とするＭＯＣＶＤ法により積層できる。ＢＰ系材料からなる単結晶層の積層時にｐ形不純物をドーピングすれば、ｐ形の単結晶層が形成できる。好適なｐ形不純物として亜鉛（Ｚｎ）やマグネシウム（Ｍｇ）が例示できる。ｐ形のキャリア濃度としては約５×１０17ｃｍ-3以上で約５×１０19ｃｍ-3以下であるのが好適である。約５×１０19ｃｍ-3を越える高キャリア濃度の単結晶層では、総じて表面の平坦性が損なわれるため、表面の平坦性に優れる層をその上部に形成するのに不都合となる。
【００１４】
ＢＰ系材料からなるｐ形単結晶層は、上記のＢＰ系材料からなる緩衝層の場合とは異なり単結晶から形成する。この単結晶層は、積層温度を緩衝層の積層温度を越える温度とすることによって得られる。例えば、（Ｃ2Ｈ5）3ＢとＰＨ3とを原料ガスとして用いＨ2を雰囲気ガスとする常圧（大気圧）のＭＯＣＶＤ法によるｐ形単結晶層の気相成長を例にすれば、単結晶層は積層温度を約５００℃〜８５０℃とすれば得られる。
また、上記のｐ形単結晶層の層厚は約５０ｎｍから約５μｍの範囲とするのが好適である。
【００１５】
ここで、例えば閃亜鉛鉱結晶型の立方晶のＢＰ結晶の格子定数は４．５３８Åであり、ＩＩＩ族窒化物半導体のひとつである立方晶の窒化ガリウム（ＧａＮ）結晶の格子定数（＝４．５１０Å）と略同等なため、両者の格子ミスマッチは小さい。従って立方晶のＢＰからなる単結晶層の上には、結晶欠陥が少なく結晶性に優れる立方晶のＧａＮ結晶層が成長できる。このように界面での格子ミスマッチが小さくなるように、ＢＰ系材料からなる立方晶のｐ形単結晶層と立方晶のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層の組成を調整することにより、ｐ形単結晶層に接して、結晶欠陥が少なく結晶性に優れるｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層を形成することが可能となる。
【００１６】
一般に立方晶のＩＩＩ族窒化物半導体は、そのバンド構造からしてｎ形伝導層及びｐ形伝導層が簡便に形成できる。そのため六方晶のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層に比較して、低抵抗のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層が簡便に形成できる。立方晶のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層は、積層時に亜鉛（Ｚｎ）或いはマグネシウム（Ｍｇ）等の第ＩＩ族元素、或いは第ＩＶ族元素の炭素（Ｃ）をドーピングすれば形成できる。立方晶のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層を積層するためには、積層温度を六方晶のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層を積層する場合に比較して低温である８００℃〜１０００℃とするのが好都合である。本発明に係わる立方晶のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層としては、キャリア濃度が１×１０17ｃｍ-3以上であり、抵抗率が１０オーム・センチメートル（Ω・ｃｍ）以下であるのが好ましい。上記のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層は、上記の気相成長手段のほかに、分子線エピタキシャル（ＭＢＥ）成長法によっても形成できる。
【００１７】
立方晶のＢＰ系材料からなるｐ形単結晶層上に立方晶のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層を設ける場合でも、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層の層厚が大になると該結晶層中で六方晶の結晶形態が優勢となる傾向がある。極端に層厚を大とするＩＩＩ族窒化物半導体結晶層は、立方晶と六方晶が混在する結晶層となり、立方晶を主体とするＩＩＩ族窒化物半導体結晶層が得られなくなる。従って、立方晶のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層を得るには、層厚を５００ｎｍ以下、好ましくは２００ｎｍ以下とするのがよい。立方晶のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層は、例えばｐｎ接合型ＤＨ構造の発光部をなすｐ形クラッド層として利用できる。ｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層をｐ形クラッド層として利用する場合には、キャリアの閉じ込め効果を充分に発揮させるために、層厚は１０ｎｍ以上であるのが好ましい。
【００１８】
六方晶のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層は、ＶＰＥ法やＭＯＣＶＤ法などの気相成長法により、立方晶のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層上に形成できる。特に、気相成長手段によらずに、積層温度を立方晶のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層の積層温度より高い１０００℃以上に設定することにより、六方晶のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層を効率的に形成することができる。但しこの場合、六方晶のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層の積層温度は、該結晶の昇華の影響が無視できる温度とする。六方晶のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層は、立方晶のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層上に他の層を介して積層してもよい。
ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層が立方晶か六方晶かは、一般的なＸ線回折分析法や電子線回折法等に依る回折パターン（ｐａｔｔｅｒｎ）から判定される。また例えばＸ線回折法に依れば、Ｘ線回折強度の比率から立方晶と六方晶との混在比率（重量比率）を知ることができる。ここで、立方晶のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層または六方晶のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層とは、それぞれ立方晶または六方晶を少なくとも８０重量％以上含む、立方晶または六方晶を主体とする結晶層をいう。
【００１９】
ｐｎ接合型ＤＨ構造のｎ形クラッド層は、立方晶よりも六方晶のｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層から、より好都合に構成できる。例えば、ウルツ鉱結晶型（ｗｕｒｔｚｉｔｅ）の六方晶ＧａＮの禁止帯幅は約３．４エレクトロンボルト（ｅＶ）であり、立方晶のＧａＮの禁止帯幅は約３．２ｅＶである。従って、ｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層を六方晶結晶から構成すれば、発光層に対してより接合障壁の高く、従ってより効率的にキャリアの閉じ込め効果を得られるクラッド層が形成できる利点がある。六方晶のｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層は、アンドープ（ｕｎｄｏｐｅ）状態でも得られるが、ｎ形不純物として周知の珪素（Ｓｉ）、硫黄（Ｓ）やセレン（Ｓｅ）を積層時にｎ形不純物としてドーピングすれば、キャリア濃度並びに抵抗率が調整されたｎ形結晶層を形成できる。ｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層がクラッド層として適切なキャリア濃度はおよそ１×１０18ｃｍ-3前後或いはそれ以上である。また層厚は約５０ｎｍ以上で約５μｍ以下の範囲であるのが望ましい。
【００２０】
本発明に係わるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子は、ｐ形Ｓｉ単結晶基板上にＢＰ系材料からなる緩衝層及びＢＰ系材料からなるｐ形単結晶層を介して設けた立方晶のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層及び六方晶のｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層を具備し、立方晶のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層及び六方晶のｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層をｐｎ接合型ＤＨ構造の発光部に用いたエピタキシャルウェーハから作製する。このエピタキシャルウェーハのｐ形Ｓｉ単結晶基板の裏面にｐ形オーミック（Ｏｈｍｉｃ）電極を、またウェーハのエピタキシャル層の上にｎ形オーミック電極を各々形成し、個別素子に分離することによりｎサイドアップ型の発光素子が作製できる。この場合、ｐ形オーミック電極は例えばアルミニウム（Ａｌ）または金（Ａｕ）或いはそれらの合金から構成でき、ｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層へのｎ形オーミック電極は例えばＡｕまたはＡｕ合金などから構成できる。
【００２１】
【作用】
本発明のＳｉ単結晶基板上に設けたＢＰ系材料からなる緩衝層は、その上のＢＰ系材料からなるｐ形単結晶層とＳｉ単結晶基板との密着性を増強させる作用を有する。また、Ｓｉ単結晶基板とＢＰ系材料からなるｐ形単結晶層との格子ミスマッチを緩和して結晶性に優れるｐ形単結晶層をもたらす作用を有する。
【００２２】
また本発明のＢＰ系材料からなるｐ形単結晶層と立方晶のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層との界面での格子ミスマッチを小さくなるように、ｐ形単結晶層とｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層の調整することにより、ｐ形単結晶層の上には、結晶欠陥が少なく結晶性に優れるｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層を形成することができる。また立方晶のｐ形単結晶層は、立方晶のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層を効率的にもたらす作用を有する。
【００２３】
また本発明では、発光部のｐ形クラッド層を立方晶のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層、ｎ形クラッド層を六方晶のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層で構成することにより、ｐ形クラッド層の抵抗率が低く、またｎクラッド層のキャリアの閉じ込め効果の大きいｐｎ接合型ＤＨ構造の発光部を作製できる。
【００２４】
【実施例】
以下に本発明に係わるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を、実施例を基に詳細に説明する。図１はｐ形Ｓｉ単結晶基板を用いＩＩＩ族窒化物半導体層を発光部とする本実施例に係わるＬＥＤ１００の平面模式図である。また、図２は図１に示すＬＥＤ１００の破線Ａ−Ａ’に沿った断面模式図である。
【００２５】
本実施例ではまず、下記（１）〜（６）のｐ形のＳｉ単結晶からなる基板１０１、ＢＰからなる緩衝層１０２、ＢＰからなる立方晶のｐ形単結晶層１０３、立方晶のｐ形ＧａＮ層１０４、窒化ガリウムインジウムからなる発光層１０５、六方晶のｎ形ＧａＮ層１０６を備えたエピタキシャルウェーハを作製した。
（１）硼素（Ｂ）をドープしたｐ形の（１００）面を有するＳｉ単結晶からなる基板１０１。
（２）トリエチルボラン（（Ｃ2Ｈ5）3Ｂ）とホスフィン（ＰＨ3）を原料に用い水素（Ｈ2）を雰囲気ガスとする常圧（大気圧）のＭＯＣＶＤ法により、ＰＨ3と（Ｃ2Ｈ5）3Ｂとの供給比率（Ｖ／ＩＩＩ比率）を約１００に設定して、３５０℃で成長させた、層厚を約２０ｎｍとする非晶質のリン化硼素（ＢＰ）からなるＺｎドープでｐ形の緩衝層１０２。
（３）ジメチル亜鉛（（Ｃ2Ｈ5）2Ｚｎ）をＺｎのドーピング原料とし、上記のＭＯＣＶＤ法により、上記緩衝層１０２上に約５５０℃で積層された、層厚を約１μｍとし、キャリア濃度が約２×１０18ｃｍ-3である立方晶のＢＰからなるＺｎドープのｐ形単結晶層１０３。
（４）トリメチルガリウム（（ＣＨ3）3Ｇａ）とアンモニア（ＮＨ3）を原料に用いＨ2を雰囲気ガスとする常圧（大気圧）ＭＯＣＶＤ法により、８８０℃で成長させた層厚を約５０ｎｍとし、キャリア濃度を約１×１０18ｃｍ-3としたＭｇドープの立方晶のｐ形ＧａＮ層１０４。
（５）（ＣＨ3）3Ｇａとシクロペンタジエニルインジウム（Ｉ）（Ｃ5Ｈ5Ｉｎ（Ｉ））とＮＨ3を原料に用いＨ2を雰囲気ガスとする常圧のＭＯＣＶＤ法により、８８０℃で成長させた、平均的なインジウム（Ｉｎ）組成比を約０．１５とする、Ｉｎ組成を相違する複数の相（ｐｈａｓｅ）からなる多相構造からなり、層厚を約１２ｎｍとするｎ形窒化ガリウムインジウム混晶（Ｇａ0.85Ｉｎ0.15Ｎ）からなる発光層１０５。
（６）（ＣＨ3）3ＧａとＮＨ3を原料に用いＨ2を雰囲気ガスとする常圧ＭＯＣＶＤ法により１０８０℃で成長させた、層厚を約１．５μｍとしキャリア濃度を約３×１０17ｃｍ-3とした六方晶のｎ形ＧａＮ層１０６。ＬＥＤ１００は、上記のエピタキシャルウェーハから作製した。ここで、立方晶のｐ形ＧａＮ層１０４と発光層１０５と六方晶のｎ形ＧａＮ層１０６がＬＥＤ１００のｐｎ接合型ＤＨ構造の発光部となり、ｐ形ＧａＮ層１０４とｎ形ＧａＮ層１０６とがそれぞれｐ形クラッド層、ｎ形クラッド層に相当する。
【００２６】
このエピタキシャルウェーハを透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）法を利用した断面ＴＥＭ法及びＸ線回折法で解析した結果、ｐ形ＧａＮ層１０４は閃亜鉛鉱型の立方晶に起因する回折を示した。またｐ形ＧａＮ層１０４は、上記の如くキャリア（正孔）濃度が高く、且つ、抵抗率を約１Ω・ｃｍとする低抵抗の結晶層となった。
【００２７】
ＬＥＤ１００は、周知のフォトリソグラフィー（写真食刻）技術を利用して、上記のエピタキシャルウェーハに次のｎ形およびｐ形のオーミック（Ｏｈｍｉｃ）電極１０７、１０８を形成して作製した。
（７）最表面のｎ形ＧａＮ層１０６上に形成した、金（Ａｕ）からなる直径を約１３０μｍとする円形のｎ形オーミック電極１０７。
（８）Ｓｉ単結晶基板１０１の裏面の略全面に形成したアルミニウム（Ａｌ）からなるｐ形オーミック電極１０８。
次に、基板１０１のＳｉ単結晶の［１１０］方向の劈開性を利用して、オーミック電極１０７、１０８が形成されたエピタキシャルウェーハを、一般的なスクライブ手段により個別素子（チップ）に分割した。チップの平面形状は一辺を約３５０μｍとする正方形とした。
【００２８】
ｎ形およびｐ形オーミック電極１０７、１０８の間に順方向に動作電流を流通し、ＬＥＤ１００を発光させて次の発光特性を得た。
（ａ）発光波長＝４６０ｎｍ
（ｂ）発光輝度＝１．０カンデラ（ｃｄ）
（ｃ）順方向電圧＝３．６ボルト（Ｖ）（ただし順方向電流＝２０ｍＡとする）
（ｄ）逆方向電圧＝２０Ｖ以上（ただし逆方向電流＝１０μＡ）
特に本実施例では、ｐ形ＧａＮ層１０４を立方晶のＢＰからなるｐ形単結晶層１０３に接合させて設けたため、上記のように低抵抗の立方晶の結晶層とすることができ、その結果ＬＥＤ１００では順方向電圧を従来のＬＥＤより低下させることができた。
【００２９】
【発明の効果】
本発明によれば、ｐ形Ｓｉ単結晶基板上に、閃亜鉛鉱結晶型のＢＰ系材料からなる単結晶層に接合させて、立方晶のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層を形成するため、ｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層が低抵抗となり易い。また、六方晶のｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層からｐｎ接合型ダブルヘテロ（ＤＨ）接合構造の発光部のｎ形クラッド層を形成できるため、高輝度のｎサイドアップ型のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子が作製できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例にかかわるＬＥＤの平面模式図である。
【図２】図１に示すＬＥＤの破線Ａ−Ａ’に沿った断面模式図である。
【符号の説明】
１００  ＬＥＤ
１０１  基板
１０２  緩衝層
１０３  Ｐ形単結晶層
１０４  ｐ形ＧａＮ層
１０５  発光層
１０６  ｎ形ＧａＮ層
１０７  ｎ形オーミック電極
１０８  ｐ形オーミック電極
【図１】
0004374720.tif 000002
【図２】
0004374720.tif 000003