(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｉＯ２を３５ｗｔ％以上で且つ６０ｗｔ％以下、
Ａｌ２Ｏ３を１０ｗｔ％以上で且つ３０ｗｔ％以下、
ＭｇＯを１０ｗｔ％以上で且つ３０ｗｔ％以下、
Ｌｉ２Ｏを２．５ｗｔ％以上で且つ９ｗｔ％以下、
Ｐ２Ｏ３を０．１ｗｔ％以上で且つ９ｗｔ％以下、
Ｂ２Ｏ３を０％以上０．５ｗｔ％以下、
含有し、
ＴｉＯ２、Ｎａ２Ｏ、ＳｎＯ２、ＣｅＯ２を含有しない、
主析出結晶相がマグネシウムアルミノシリケートであることを特徴とする結晶化ガラス組成物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は結晶化ガラス組成物に関する。さらに詳しくは、結晶化ガラス磁気ディスクの組成に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、磁気ディスク用の基板としては、アルミニウム基板、ガラス基板等が実用化されている。中でもガラス基板は、表面の平滑性や機械的強度が優れていることから、最も注目されている。そのようなガラス基板としては、ガラス基板表面をイオン交換で強化した化学強化ガラス基板や、基板に結晶成分を析出させて結合の強化を図る結晶化ガラス基板が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで最近の基板に対する性能の要求は、日に日に厳しくなってきており、とくに高速回転時のたわみやそりに直接的に関わる強度に対する性能の向上が求められている。これは基板材料の比弾性率（＝ヤング率／比重）によって表すことができ、数値が高ければ高いほど望ましい。またこのような要求を満たしながら、生産性の向上が求められている。そこで本発明は、ガラスの比弾性率が向上し、さらに生産性の高いを組成を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために請求項１に記載された発明は、ＳｉＯ2を３５ｗｔ％以上で且つ６０ｗｔ％以下、Ａｌ2Ｏ3を１０ｗｔ％以上で且つ３０ｗｔ％以下、ＭｇＯを１０ｗｔ％以上で且つ３０ｗｔ％以下、Ｌｉ2Ｏを２．５ｗｔ％以上で且つ９ｗｔ％以下、P２Ｏ３を０．１ｗｔ％以上で且つ９ｗｔ％以下、Ｂ２Ｏ３を０％以上０．５ｗｔ％以下含有し、ＴｉＯ２、Ｎａ２Ｏ、ＳｎＯ２、ＣｅＯ２を含有しない、主析出結晶相がマグネシウムアルミノシリケートであることを特徴とする。
【０００５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について説明する。
本発明に係る実施形態のガラス基板は、ＳｉＯ2を３５ｗｔ％以上で且つ６０ｗｔ％以下、Ａｌ2Ｏ3を１０ｗｔ％以上で且つ３０ｗｔ％以下、ＭｇＯを１０ｗｔ％以上で且つ３０ｗｔ％以下、Ｌｉ2Ｏを０．１ｗｔ％以上で且つ９ｗｔ％以下、P２Ｏ３を０．１ｗｔ％以上で且つ９ｗｔ％以下、Ｂ２Ｏ３を０％以上０．５ｗｔ％以下含有し、ＴｉＯ２、Ｎａ２Ｏ、ＳｎＯ２、ＣｅＯ２を含有しない、ことを特徴としている。
【０００６】
ＳｉＯ2はガラス形成酸化物のため組成比が３５ｗｔ％より少ないと、溶融性が悪くなり、６０ｗｔ％を越えるとガラスとして安定状態になるため、結晶が析出しにくくなる。
【０００７】
Ａｌ2Ｏ3はガラス中間酸化物であり、熱処理によって析出する結晶相であるホウ酸アルミニウム系結晶の構成成分である。組成比が１０ｗｔ％より少ないと析出結晶が少なく、強度が得られず、３０ｗｔ％を越えると溶融温度が高くなり失透しやすくなる。
【０００８】
ＭｇＯは融剤であり粒状の結晶を凝集させ結晶粒子塊を形成する。ただし、組成比が１０ｗｔ％より少ないと作業温度幅が狭くなりう、ガラスマトリクス相の化学的耐久性が向上しない。３０ｗｔ％を越えると、他の結晶相が析出して求める強度を得ることが難しくなる。
【０００９】
Ｌｉ2Ｏは融剤であり生産時の安定性が向上している。組成比が２．６ｗｔ％より少ないと溶融性が悪くなり、８ｗｔ％を越えると、また研磨−洗浄工程における安定性が悪くなる。
【００１０】
以下製造方法を説明する。最終的に生成されるガラス基板の主成分の組成を含む原料を所定の割合にて充分に混合し、これを白金るつぼに入れ溶融を行う。溶融後金型に流し概略の形状を形成する。これを室温までアニールする。続いて、示される１次熱処理温度と１次処理時間により保持し（熱処理）、結晶核生成が行われる。引き続き、２次熱処理温度と２次処理時間により保持し結晶核成長を行う。これを除冷することにより目的とする結晶化ガラスが得られる。
【００１１】
以上の製造方法によって得られたガラス基板は、ＳｉＯ2が３５ｗｔ％以上で且つ６０ｗｔ％以下、Ａｌ2Ｏ3が１０ｗｔ％以上で且つ３０ｗｔ％以下、ＭｇＯが１０ｗｔ％以上で且つ３０ｗｔ％以下、Ｌｉ2Ｏが２．６ｗｔ％以上で且つ８ｗｔ％以下とするために、非常に高い比弾性率と高い生産性を得ることが可能となった。
【００１２】
【実施例】
次に実施形態を実施した具体的な実施例について説明する。第１〜第５実施例のガラスを構成する材料組成比（単位：ｗｔ％）、溶融温度と溶融時間、１次熱処理温度と１次処理時間、２次熱処理温度と２次処理時間、主析出結晶相、副析出結晶相、平均結晶粒径、比重、ヤング率、比弾性率を表１に示す。同様に第６〜第１０実施例のガラスを表２に示す。同様に第１１〜第１５実施例のガラスを表３に示す。同様に第１６〜第２０実施例のガラスを表４に示す。ただし、実施例１，２，５−２０は本発明の単なる参考例であり、本発明に属さないものである。
【００１３】
【表１】
0004265035.tif 000002
【００１４】
【表２】
0004265035.tif 000003
【００１５】
【表３】
0004265035.tif 000004
【００１６】
【表４】
0004265035.tif 000005
【００１７】
第１の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2を４６．７ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を１８．７ｗｔ％、ＭｇＯを１８ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を１．９ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを３．２ｗｔ％、ＴｉＯ2を９ｗｔ％、Ｋ2Ｏを２ｗｔ％、Ｓｂ2Ｏ3を０．５ｗｔ％の組成比である。
【００１８】
上記組成比を含むよう原料を調合し、前述の製造方法に従って、溶融温度１３００度、溶融時間３．５時間、１次処理温度６４０度、１次処理時間５．５時間、２次処理温度７００度、２次処理時間５時間にて処置した結果、主析出結晶相がマグネシウムアルミナシリケート、副析出結晶相がルチルで、比弾性率が３６．７６という特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【００１９】
また組成として、基本組成であるＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ｌｉ2Ｏに加えて、融剤として働くＰ2Ｏ5を加えており、それはシリケート系結晶を析出させる核形成剤であり、ガラス全体に結晶を均一に析出させるために重要な成分である。組成比が０．１ｗｔ％より少ないと十分な結晶核が形成されにくくなり、結晶粒子が粗大化したり結晶が不均質に析出し、微細で均質な結晶構造が得られにくくなり、研磨加工においてディスク基板として必要な平滑面が得られなくなる。９ｗｔ％を越えると、溶融時の炉剤に対する反応性が増し、また失透性も強くなることから溶融成形時の生産性が低下する。また化学的耐久性が低下し、磁気膜に影響を与える恐れがあると共に、研磨−洗浄工程における安定性が悪くなる。
【００２０】
また、融剤として働くＴｉＯ2を加えているため生産時の安定性が向上している。組成比が０．１ｗｔ％より少ないと溶融性が悪くなると共に、結晶成長がしにくくなり、１２ｗｔ％を越えると結晶化が急激に促進され、結晶化状態の制御が困難となり析出結晶の粗大化、結晶相の不均質が発生し、微細で均質な結晶構造が得られなくなり、研磨加工においてディスク基板として必要な平滑面が得られなくなる。さらに溶融成形時に失透しやすくなり、生産性が低下する。
【００２１】
また、融剤として働くＫ2Ｏを加えているため生産時の安定性が向上している。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少ないと十分な溶融性改善がなされない。５ｗｔ％を越えると、ガラスが安定となり結晶化が抑制され、また化学的耐久性が低下し、磁気膜に影響を与える恐れがあると共に、研磨−洗浄工程における安定性が悪くなる。
【００２２】
また、清澄剤として働くＳｂ2Ｏ3を加えているため生産時の安定性が向上している。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少ないと十分な清澄効果が得られなくなり、生産性が低下する。５ｗｔ％を越えると、ガラスの結晶化が不安定となり析出結晶相を制御できなくなり、求める特性が得られにくくなる。
【００２３】
第２の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2を５０ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を１６．６ｗｔ％、ＭｇＯを２２．１ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を１．５ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを２．７ｗｔ％、ＴｉＯ2を７．１ｗｔ％の組成比である。
【００２４】
上記組成比を含むよう原料を調合し、前述の製造方法に従って、溶融温度１３５０度、溶融時間４時間、１次処理温度６７０度、１次処理時間５．５時間、２次処理温度７２０度、２次処理時間５時間にて処置した結果、主析出結晶相がマグネシウムアルミナシリケート、副析出結晶相がルチルで、比弾性率が３４．７６という特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【００２５】
また組成として、基本組成であるＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ｌｉ2Ｏに加えて、融剤として働くＰ2Ｏ5を加えており、それはシリケート系結晶を析出させる核形成剤であり、ガラス全体に結晶を均一に析出させるために重要な成分である。組成比が０．１ｗｔ％より少ないと十分な結晶核が形成されにくくなり、結晶粒子が粗大化したり結晶が不均質に析出し、微細で均質な結晶構造が得られにくくなり、研磨加工においてディスク基板として必要な平滑面が得られなくなる。９ｗｔ％を越えると、溶融時の炉剤に対する反応性が増し、また失透性も強くなることから溶融成形時の生産性が低下する。また化学的耐久性が低下し、磁気膜に影響を与える恐れがあると共に、研磨−洗浄工程における安定性が悪くなる。
【００２６】
また、融剤として働くＴｉＯ2を加えているため生産時の安定性が向上している。組成比が０．１ｗｔ％より少ないと溶融性が悪くなると共に、結晶成長がしにくくなり、１２ｗｔ％を越えると結晶化が急激に促進され、結晶化状態の制御が困難となり析出結晶の粗大化、結晶相の不均質が発生し、微細で均質な結晶構造が得られなくなり、研磨加工においてディスク基板として必要な平滑面が得られなくなる。さらに溶融成形時に失透しやすくなり、生産性が低下する。
【００２７】
第３の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2を４８ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を１８ｗｔ％、ＭｇＯを２７ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を４．５ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを２．５ｗｔ％の組成比である。
【００２８】
上記組成比を含むよう原料を調合し、前述の製造方法に従って、溶融温度１３５０度、溶融時間４時間、１次処理温度６７０度、１次処理時間６時間、２次処理温度７２０度、２次処理時間５．５時間にて処置した結果、主析出結晶相がマグネシウムアルミナシリケート、比弾性率が３７．３２という特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【００２９】
また組成として、基本組成であるＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ｌｉ2Ｏに加えて、融剤として働くＰ2Ｏ5を加えており、それはシリケート系結晶を析出させる核形成剤であり、ガラス全体に結晶を均一に析出させるために重要な成分である。組成比が０．１ｗｔ％より少ないと十分な結晶核が形成されにくくなり、結晶粒子が粗大化したり結晶が不均質に析出し、微細で均質な結晶構造が得られにくくなり、研磨加工においてディスク基板として必要な平滑面が得られなくなる。９ｗｔ％を越えると、溶融時の炉剤に対する反応性が増し、また失透性も強くなることから溶融成形時の生産性が低下する。また化学的耐久性が低下し、磁気膜に影響を与える恐れがあると共に、研磨−洗浄工程における安定性が悪くなる。
【００３０】
第４の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2を４９ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を２０．２ｗｔ％、ＭｇＯを２４．６ｗｔ％、Ｐ2Ｏ5を０．２ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを６ｗｔ％の組成比である。
【００３１】
上記組成比を含むよう原料を調合し、前述の製造方法に従って、溶融温度１３５０度、溶融時間４時間、１次処理温度６７０度、１次処理時間６時間、２次処理温度７２０度、２次処理時間５．５時間にて処置した結果、主析出結晶相がマグネシウムアルミナシリケート、比弾性率が３６．２８という特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【００３２】
また組成として、基本組成であるＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ｌｉ2Ｏに加えて、融剤として働くＰ2Ｏ5を加えており、それはシリケート系結晶を析出させる核形成剤であり、ガラス全体に結晶を均一に析出させるために重要な成分である。組成比が０．１ｗｔ％より少ないと十分な結晶核が形成されにくくなり、結晶粒子が粗大化したり結晶が不均質に析出し、微細で均質な結晶構造が得られにくくなり、研磨加工においてディスク基板として必要な平滑面が得られなくなる。９ｗｔ％を越えると、溶融時の炉剤に対する反応性が増し、また失透性も強くなることから溶融成形時の生産性が低下する。また化学的耐久性が低下し、磁気膜に影響を与える恐れがあると共に、研磨−洗浄工程における安定性が悪くなる。
【００３３】
第５の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2を４８．８ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を２６．５ｗｔ％、ＭｇＯを１９．５ｗｔ％、Ｎｂ2Ｏ5を２ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを３．２ｗｔ％の組成比である。
【００３４】
上記組成比を含むよう原料を調合し、前述の製造方法に従って、溶融温度１３５０度、溶融時間４時間、１次処理温度６７０度、１次処理時間６時間、２次処理温度７２０度、２次処理時間５．５時間にて処置した結果、主析出結晶相がマグネシウムアルミナシリケート、比弾性率が３６．５２という特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【００３５】
また組成として、基本組成であるＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ｌｉ2Ｏに加えて、
融剤として働くＮｂ2Ｏ5を加えており、結晶核剤物質が増加することになる。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少ないと十分な剛性の向上がなされない。９ｗｔ％を越えると、ガラスの結晶化が不安定となり、析出結晶相を制御できなくなり、求める特性が得られにくくなる。
【００３６】
第６の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2を４７．５ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を２４．２ｗｔ％、ＭｇＯを１６．９ｗｔ％、Ｎｂ2Ｏ5を４ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを７．４ｗｔ％の組成比である。
【００３７】
上記組成比を含むよう原料を調合し、前述の製造方法に従って、溶融温度１３５０度、溶融時間４時間、１次処理温度６７０度、１次処理時間６時間、２次処理温度７２０度、２次処理時間５．５時間にて処置した結果、主析出結晶相がマグネシウムアルミナシリケート、比弾性率が３６．９７という特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【００３８】
また組成として、基本組成であるＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ｌｉ2Ｏに加えて、
融剤として働くＮｂ2Ｏ5を加えており、結晶核剤物質が増加することになる。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少ないと十分な剛性の向上がなされない。９ｗｔ％を越えると、ガラスの結晶化が不安定となり、析出結晶相を制御できなくなり、求める特性が得られにくくなる。
【００３９】
第７の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2を４６．５ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を２３．５ｗｔ％、ＭｇＯを２５ｗｔ％、Ｔａ2Ｏ5を２．２ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを２．８ｗｔ％の組成比である。
【００４０】
上記組成比を含むよう原料を調合し、前述の製造方法に従って、溶融温度１３５０度、溶融時間４時間、１次処理温度６７０度、１次処理時間６時間、２次処理温度７２０度、２次処理時間５．５時間にて処置した結果、主析出結晶相がマグネシウムアルミナシリケート、比弾性率が３６．５８という特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【００４１】
また組成として、基本組成であるＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ｌｉ2Ｏに加えて、融剤として働くＴａ2Ｏ5を加えているため溶融性、強度を向上させ、またガラスマトリクス相の化学的耐久性を向上させる。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少ないと十分な剛性の向上がなされない。９ｗｔ％を越えると、ガラスの結晶化が不安定となり、析出結晶相を制御できなくなり、求める特性が得られにくくなる。
【００４２】
第８の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2を４９ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を２２ｗｔ％、ＭｇＯを１５．８ｗｔ％、Ｔａ2Ｏ5を５．２ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを８ｗｔ％の組成比である。
【００４３】
上記組成比を含むよう原料を調合し、前述の製造方法に従って、溶融温度１３５０度、溶融時間４時間、１次処理温度６７０度、１次処理時間６時間、２次処理温度７２０度、２次処理時間５．５時間にて処置した結果、主析出結晶相がマグネシウムアルミナシリケート、比弾性率が３８．０４という特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【００４４】
また組成として、基本組成であるＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ｌｉ2Ｏに加えて、融剤として働くＴａ2Ｏ5を加えているため溶融性、強度を向上させ、またガラスマトリクス相の化学的耐久性を向上させる。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少ないと十分な剛性の向上がなされない。９ｗｔ％を越えると、ガラスの結晶化が不安定となり、析出結晶相を制御できなくなり、求める特性が得られにくくなる。
【００４５】
第９の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2を４８ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を２８ｗｔ％、ＭｇＯを２０．２ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを３．８ｗｔ％の組成比である。
【００４６】
上記組成比を含むよう原料を調合し、前述の製造方法に従って、溶融温度１３５０度、溶融時間４時間、１次処理温度６７０度、１次処理時間６時間、２次処理温度７２０度、２次処理時間５．５時間にて処置した結果、主析出結晶相がマグネシウムアルミナシリケート、比弾性率が４０．６３という特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【００４７】
第１０の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2を４０ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を２６．５ｗｔ％、ＭｇＯを２７．５ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを６ｗｔ％の組成比である。
【００４８】
上記組成比を含むよう原料を調合し、前述の製造方法に従って、溶融温度１３５０度、溶融時間４時間、１次処理温度６７０度、１次処理時間６時間、２次処理温度７２０度、２次処理時間５．５時間にて処置した結果、主析出結晶相がマグネシウムアルミナシリケート、比弾性率が３９．３２という特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【００４９】
第１１の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2を４７．２ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を２４．２ｗｔ％、ＭｇＯを２２ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを２．６ｗｔ％、ＴｉＯ2を４ｗｔ％の組成比である。
【００５０】
上記組成比を含むよう原料を調合し、前述の製造方法に従って、溶融温度１３５０度、溶融時間４時間、１次処理温度６７０度、１次処理時間６時間、２次処理温度７２０度、２次処理時間５．５時間にて処置した結果、主析出結晶相がマグネシウムアルミナシリケート、副析出結晶相がルチルで、比弾性率が３７．２４という特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【００５１】
また組成として、基本組成であるＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ｌｉ2Ｏに加えて、融剤として働くＴｉＯ2を加えているため生産時の安定性が向上している。組成比が０．１ｗｔ％より少ないと溶融性が悪くなると共に、結晶成長がしにくくなり、１２ｗｔ％を越えると結晶化が急激に促進され、結晶化状態の制御が困難となり析出結晶の粗大化、結晶相の不均質が発生し、微細で均質な結晶構造が得られなくなり、研磨加工においてディスク基板として必要な平滑面が得られなくなる。さらに溶融成形時に失透しやすくなり、生産性が低下する。
【００５２】
第１２の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2を３８ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を２９．４ｗｔ％、ＭｇＯを１５．８ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを７．８ｗｔ％、ＴｉＯ2を９ｗｔ％の組成比である。
【００５３】
上記組成比を含むよう原料を調合し、前述の製造方法に従って、溶融温度１３５０度、溶融時間４時間、１次処理温度６７０度、１次処理時間６時間、２次処理温度７２０度、２次処理時間５．５時間にて処置した結果、主析出結晶相がマグネシウムアルミナシリケート、副析出結晶相がルチルで、比弾性率が３６．５４という特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【００５４】
また組成として、基本組成であるＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ｌｉ2Ｏに加えて、融剤として働くＴｉＯ2を加えているため生産時の安定性が向上している。組成比が０．１ｗｔ％より少ないと溶融性が悪くなると共に、結晶成長がしにくくなり、１２ｗｔ％を越えると結晶化が急激に促進され、結晶化状態の制御が困難となり析出結晶の粗大化、結晶相の不均質が発生し、微細で均質な結晶構造が得られなくなり、研磨加工においてディスク基板として必要な平滑面が得られなくなる。さらに溶融成形時に失透しやすくなり、生産性が低下する。
【００５５】
第１３の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2を４８．８ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を２１ｗｔ％、ＭｇＯを２６．６ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを３．１ｗｔ％、ＺｒＯ2を０．５ｗｔ％の組成比である。
【００５６】
上記組成比を含むよう原料を調合し、前述の製造方法に従って、溶融温度１３５０度、溶融時間４時間、１次処理温度６７０度、１次処理時間６時間、２次処理温度７２０度、２次処理時間５．５時間にて処置した結果、主析出結晶相がマグネシウムアルミナシリケート、比弾性率が３６．３５という特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【００５７】
また組成として、基本組成であるＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ｌｉ2Ｏに加えて、ガラス修飾酸化物として働くＺｒＯ2を加えているためガラスの結晶核剤が有効に機能する。組成比が０．１ｗｔ％より少ないと十分な結晶核が形成されなくにくくなり、結晶粒子が粗大化したり結晶が不均質に析出し、微細で均質な結晶構造が得られなくなり、研磨加工においてディスク基板として必要な平滑面が得られなくなる。また化学的耐久性および耐マイグレーションが低下し、磁気膜に影響を与える恐れがあるとともに、研磨−洗浄工程において安定性が悪くなる。また１２ｗｔ％を越えると溶融温度が高くなり、また失透しやすくなり溶融成形が困難となる。また析出結晶相が変化し求める特性が得られにくくなる。
【００５８】
第１４の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2を４３．５ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を２３．１ｗｔ％、ＭｇＯを２４．７ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを４．５ｗｔ％、ＺｒＯ2を４．２ｗｔ％の組成比である。
【００５９】
上記組成比を含むよう原料を調合し、前述の製造方法に従って、溶融温度１３５０度、溶融時間４時間、１次処理温度６７０度、１次処理時間６時間、２次処理温度７２０度、２次処理時間５．５時間にて処置した結果、主析出結晶相がマグネシウムアルミナシリケート、比弾性率が３６．０５という特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【００６０】
また組成として、基本組成であるＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ｌｉ2Ｏに加えて、ガラス修飾酸化物として働くＺｒＯ2を加えているためガラスの結晶核剤が有効に機能する。組成比が０．１ｗｔ％より少ないと十分な結晶核が形成されなくにくくなり、結晶粒子が粗大化したり結晶が不均質に析出し、微細で均質な結晶構造が得られなくなり、研磨加工においてディスク基板として必要な平滑面が得られなくなる。また化学的耐久性および耐マイグレーションが低下し、磁気膜に影響を与える恐れがあるとともに、研磨−洗浄工程において安定性が悪くなる。また１２ｗｔ％を越えると溶融温度が高くなり、また失透しやすくなり溶融成形が困難となる。また析出結晶相が変化し求める特性が得られにくくなる。
【００６１】
第１５の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2を４８．５ｗｔ％、Ａｌ2Ｏを２４．１ｗｔ％、ＭｇＯを２３．２ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを３．７ｗｔ％、Ｂ2Ｏ3を０．５ｗｔ％の組成比である。
【００６２】
上記組成比を含むよう原料を調合し、前述の製造方法に従って、溶融温度１３００度、溶融時間３．５時間、１次処理温度６４０度、１次処理時間５．５時間、２次処理温度７００度、２次処理時間５時間にて処置した結果、主析出結晶相がマグネシウムアルミナシリケート、比弾性率が３６．７６という特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【００６３】
また組成として、基本組成であるＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ｌｉ2Ｏに加えて、フォーマーとして働くＢ2Ｏ3を加えているためガラスの分相を促し、結晶析出および成長を促進させる。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少ないと十分な溶融性改善がなされない。５ｗｔ％を越えると、ガラスが失透しやすくなり成形が困難になると共に、結晶が粗大化し微細な結晶が得られなくなる。
【００６４】
第１６の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2を４８．２ｗｔ％、Ａｌ2Ｏを２５ｗｔ％、ＭｇＯを１６ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを７．６ｗｔ％、Ｂ2Ｏ3を３．２ｗｔ％の組成比である。
【００６５】
上記組成比を含むよう原料を調合し、前述の製造方法に従って、溶融温度１３００度、溶融時間３．５時間、１次処理温度６４０度、１次処理時間５．５時間、２次処理温度７００度、２次処理時間５時間にて処置した結果、主析出結晶相がマグネシウムアルミナシリケート、比弾性率が３６．７６という特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【００６６】
また組成として、基本組成であるＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ｌｉ2Ｏに加えて、フォーマーとして働くＢ2Ｏ3を加えているためガラスの分相を促し、結晶析出および成長を促進させる。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少ないと十分な溶融性改善がなされない。５ｗｔ％を越えると、ガラスが失透しやすくなり成形が困難になると共に、結晶が粗大化し微細な結晶が得られなくなる。
【００６７】
第１７の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2を４４．４ｗｔ％、Ａｌ2Ｏを２９．５ｗｔ％、ＭｇＯを２１．１ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを３．２ｗｔ％、Ｙ2Ｏ3を１．８ｗｔ％の組成比である。
【００６８】
上記組成比を含むよう原料を調合し、前述の製造方法に従って、溶融温度１３５０度、溶融時間４時間、１次処理温度６７０度、１次処理時間６時間、２次処理温度７２０度、２次処理時間５．５時間にて処置した結果、主析出結晶相がマグネシウムアルミナシリケート、比弾性率が３８．０１という特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【００６９】
また組成として、基本組成であるＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ｌｉ2Ｏに加えて、
融剤として働くＹ2Ｏ3を加えているため剛性が向上している。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少ないと十分な剛性向上が得られない。９ｗｔ％を越えると、結晶析出が抑制され、十分な結晶化度が得られず、所望の特性が達成されない。
【００７０】
第１８の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2を４６．２ｗｔ％、Ａｌ2Ｏを１５．３ｗｔ％、ＭｇＯを２６．９ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを７．４ｗｔ％、Ｙ2Ｏ3を４．２ｗｔ％の組成比である。
【００７１】
上記組成比を含むよう原料を調合し、前述の製造方法に従って、溶融温度１３５０度、溶融時間４時間、１次処理温度６７０度、１次処理時間６時間、２次処理温度７２０度、２次処理時間５．５時間にて処置した結果、主析出結晶相がマグネシウムアルミナシリケート、比弾性率が３８．１７という特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【００７２】
また組成として、基本組成であるＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ｌｉ2Ｏに加えて、
融剤として働くＹ2Ｏ3を加えているため剛性が向上している。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少ないと十分な剛性向上が得られない。９ｗｔ％を越えると、結晶析出が抑制され、十分な結晶化度が得られず、所望の特性が達成されない。
【００７３】
第１９の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2を４４．７ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を２６ｗｔ％、ＭｇＯを２１．６ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを４ｗｔ％、Ｋ2Ｏを１ｗｔ％、Ｓｂ2Ｏ3を０．２ｗｔ％、ＺｎＯを０．５ｗｔ％、Ｌａ2Ｏ3を２ｗｔ％の組成比である。
【００７４】
上記組成比を含むよう原料を調合し、前述の製造方法に従って、溶融温度１３００度、溶融時間４時間、１次処理温度６４０度、１次処理時間６時間、２次処理温度７００度、２次処理時間５．５時間にて処置した結果、主析出結晶相がマグネシウムアルミナシリケート、比弾性率が３５．１７という特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【００７５】
また組成として、基本組成であるＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ｌｉ2Ｏに加えて、融剤として働くＫ2Ｏを加えているため生産時の安定性が向上している。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少ないと十分な溶融性改善がなされない。５ｗｔ％を越えると、ガラスが安定となり結晶化が抑制され、また化学的耐久性が低下し、磁気膜に影響を与える恐れがあると共に、研磨−洗浄工程における安定性が悪くなる。
【００７６】
また、清澄剤として働くＳｂ2Ｏ3を加えているため生産時の安定性が向上している。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少ないと十分な清澄効果が得られなくなり、生産性が低下する。５ｗｔ％を越えると、ガラスの結晶化が不安定となり析出結晶相を制御できなくなり、求める特性が得られにくくなる。
【００７７】
また融剤として働くＺｎＯを加えているため均一な結晶析出を補助する。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少ないと十分な結晶均質化の改善がなされない。５ｗｔ％を越えると、ガラスが安定となり結晶化が抑制され、求める強度が得られにくくなる。
【００７８】
また融剤として働くＬａ2Ｏ3を加えているため結晶析出が抑制される。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少ないと十分な剛性の向上がなされない。５ｗｔ％を越えると、ガラスの結晶化が不安定となり、析出結晶相を制御できなくなり、求める特性が得られにくくなる。
【００７９】
第２０の実施例のガラス組成は、ＳｉＯ2を３６．２ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を２１．６ｗｔ％、ＭｇＯを２５．２ｗｔ％、Ｌｉ2Ｏを６．５ｗｔ％、Ｋ2Ｏを４ｗｔ％、Ｓｂ2Ｏ3を２ｗｔ％、ＺｎＯを２ｗｔ％、Ｌａ2Ｏ3を２．５ｗｔ％の組成比である。
【００８０】
上記組成比を含むよう原料を調合し、前述の製造方法に従って、溶融温度１３００度、溶融時間４時間、１次処理温度６４０度、１次処理時間６時間、２次処理温度７００度、２次処理時間５．５時間にて処置した結果、主析出結晶相がマグネシウムアルミナシリケート、比弾性率が３５．８１という特性のガラス基板が得られた。上記組成は高い比弾性率を有するだけでなく、非常に高い生産性を有する。
【００８１】
また組成として、基本組成であるＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、Ｌｉ2Ｏに加えて、融剤として働くＫ2Ｏを加えているため生産時の安定性が向上している。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少ないと十分な溶融性改善がなされない。５ｗｔ％を越えると、ガラスが安定となり結晶化が抑制され、また化学的耐久性が低下し、磁気膜に影響を与える恐れがあると共に、研磨−洗浄工程における安定性が悪くなる。
【００８２】
また、清澄剤として働くＳｂ2Ｏ3を加えているため生産時の安定性が向上している。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少ないと十分な清澄効果が得られなくなり、生産性が低下する。５ｗｔ％を越えると、ガラスの結晶化が不安定となり析出結晶相を制御できなくなり、求める特性が得られにくくなる。
【００８３】
また融剤として働くＺｎＯを加えているため均一な結晶析出を補助する。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少ないと十分な結晶均質化の改善がなされない。５ｗｔ％を越えると、ガラスが安定となり結晶化が抑制され、求める強度が得られにくくなる。
【００８４】
また融剤として働くＬａ2Ｏ3を加えているため結晶析出が抑制される。ただし、組成比が０．１ｗｔ％より少ないと十分な剛性の向上がなされない。５ｗｔ％を越えると、ガラスの結晶化が不安定となり、析出結晶相を制御できなくなり、求める特性が得られにくくなる。
【００８５】
【発明の効果】
本発明によると、比弾性率が３３以上かつ生産性の高いガラス基板を得ることができる。