(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンテナが接続されるアンテナ端子と、第１の周波数帯Ｆ１と第２の周波数帯Ｆ２（３００ＭＨｚ＜Ｆ１＜Ｆ２）とを分離する２つのダイプレクサ部を有するダイプレクサと、前記ダイプレクサ部と接続される送受信制御回路とを具備する高周波回路において、
前記第１の周波数帯Ｆ１を分離するダイプレクサ部に、直列インダクタンス成分と並列インダクタンス成分とのＴ型回路で構成された、カットオフが３００ＭＨｚと前記第１の周波数帯Ｆ１との間の周波数に設定され、少なくとも前記第１の周波数帯Ｆ１を通過させるハイパスフィルタを配置したことを特徴とする高周波回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は携帯電話等の無線通信機器の高周波回路に関するものであり、特に、アンテナ回路及びその後段の回路での静電破壊を防止することができる高周波回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
携帯電話機などで用いられる異なる周波数帯の２つの通信システムに対応したデュアルモードの高周波回路は、アンテナと、２つの通信システムの送受信周波数帯を分離するダイプレクサと、該ダイプレクサと接続して第１の周波数帯（第１の通信システム）Ｆ１の送受信制御を行う送受信制御回路、同じく該ダイプレクサと接続して第２の周波数帯（第２の通信システム）Ｆ２の送受信制御を行う送受信制御回路とから構成されていた。その回路図を図４に示す。
【０００３】
第１の送受信制御回路Ａは、第１の送信端子ＴＸ１、第１の受信端子ＲＸ１、第１の制御端子Ｖｔ１を有している。そして、第１の送信端子ＴＸ１は、コンデンサ５６を介してＰＩＮダイオード５５のアノード側に接続され、このＰＩＮダイオード５５のカソード側はコンデンサ５１を介してダイプレクサＤの一方のダイプレクサ部Ｄ１の第１の端子に接続されている。また、同時に、ストリップ線路５２に並列に接続されている。
【０００４】
このストリップ線路５２は、第１の送信端子ＴＸ１に入力される第１の送信信号の周波数帯ＦＴ１の中心的な周波数の波長に対して、１／４相当の線路長となっている。
【０００５】
そして、ストリップ線路５２は、コンデンサ５３を介して第１の受信端子ＲＸ１に接続される。また、ストリップ線路５２と受信端子ＲＸ１との接続点と、グラウンド電位との間にＰＩＮダイオード５４が接続される。
【０００６】
尚、２つのダイオード５４、５５は、バイアス電流を与えることにより、スイッチ素子として動作する。具体的には、第１の制御端子Ｖｔ１より、抵抗５８、コイル５７を介してバイアス電流が供給されることになる。ここでコンデンサ５１は、ダイオード５５に流れるバイアス電流がダイプレクサＤ及び高周波回路の外に流れ出すことを防止するためのカップリングコンデンサであり、コイル５７は第１の制御端子Ｖｔ１と第１の送信端子ＴＸ１との間をハイインピーダンス状態に保ち、第１の送信信号が第１の制御端子Ｖｔ１に流れることを防ぐために用いられる。
【０００７】
上述の第１の送受信制御回路Ａにおいて、送信動作時は、第１の制御端子Ｖｔ１に正の電圧を供する。これより、ダイオード５５、５４はＯＮ状態となる。これにより、ストリップ線路５２の受信端子側の端部は、グランド電位に接続され、ストリップ線路５２がショートスタブとして動作し、送信信号が受信端子ＲＸ１に漏れることを防止している。これより、第１の送信信号は、ダイプレクサＤの一方のダイプレクサＤ１を介してアンテナＡＮＴに導出される。
【０００８】
また、受信動作時は、第１の制御端子Ｖｔ１に、ダイオード５４、５５がＯＦＦ状態となる電圧（例えば、０又は負の電圧）を供給する。
【０００９】
これにより、ダイオード５５はＯＦＦ状態となるため、ダイプレクサＤの一方のダイプレクサ部Ｄ１を介して、アンテナＡＮＴから送られる受信信号は、送信端子ＴＸ１から漏れることがない。これにより、受信信号は、受信端子ＲＸ１に供給される。
【００１０】
第２の送受信制御回路Ｂにおいては、実質的に第１の送受信制御回路と同一の構成となっている。尚、この第２の送受信制御回路は、ダイプレクサＤを介して、アンテナＡＮＴに接続されている。また、ストリップ線路６２の長さは、第２の送信端子ＴＸ２に入力される第２の送信信号の周波数帯ＦＴ２の中心的な周波数の波長に対して、１／４相当の線路長となっている。
【００１１】
このような第１の送受信制御回路Ａ及び第２の送受信制御回路Ｂは、ダイプレクサＤの第１の端子及び第２の端子に各々接続されている。そして、ダイプレクサＤは、アンテナＡＮＴに接続される。
【００１２】
ダイプレクサＤは、第１の送受信制御回路Ａに接続する一方のダイプレクサ部Ｄ１と、第２の送受信制御回路Ｂに接続する他方のダイプレクサ部Ｄ２とから構成されている。
【００１３】
そして、一方のダイプレクサ部Ｄ１は、第１の送受信制御回路Ａで処理される送受信信号の第１の周波数帯（ＦＴ１、ＦＲ１を総じてＦ１と記す）を抽出するものであり、他方のダイプレクサ部Ｄ２は、第２の送受信制御回路Ｂで処理される送受信信号の第２の周波数帯（ＦＴ２、ＦＲ２を総じてＦ２と記す）を抽出するものである。いま、第１、第２の周波数帯Ｆ１、Ｆ２が、Ｆ１＜Ｆ２との関係である場合、一方のダイプレクサ部Ｄ１は、少なくとも第２の周波数帯Ｆ２未満の周波数帯を通過させるローパスフィルタ（ＬＰＦ）の機能を有する。また、他方のダイプレクサ部Ｄ２は、少なくとも第１の周波数帯Ｆ１を越える周波数帯を通過させるハイパスフィルタ（ＨＰＦ）の機能を有する。尚、一般に、ＧＳＭとＤＣＳのデュアルバンド型の高周波回路は、ＧＳＭ通信方式（Ｆ１＝約９００ＭＨｚ）とＤＣＳ通信システム（約１．８ＧＨｚ）などの関係があり、その他においても、ＧＨｚ帯どうしの２つの通信システムに使用される。
【００１４】
従って、ダイプレクサＤにおける一方のダイプレクサ部Ｄ１におけるローパスフィルタのしきい値（カットオフ周波数）は、約１．１ＧＨｚ〜１．５ＧＨｚの間の値が選択され、同時に、他方のダイプレクサ部Ｄ２におけるハイパスフィルタとして機能するための境界周波数（カットオフ周波数）も、約１．１ＧＨｚ〜１．５ＧＨｚの間の値になっている。また、他の組合せの通信システムにおいても、すくなともＧＨｚ帯のしきい値を有するものとなってしまう。
【００１５】
これにより、アンテナを介して、ダイプレクサＤに供給される第２の周波数帯Ｆ２未満の信号、即ち、第１の周波数帯Ｆ１の信号は、第１の送受信制御回路Ａ側に分離されることになる。また、第１の周波数帯Ｆ１を越える周波数帯の信号、即ち、第２の周波数帯Ｆ２の信号は、第２の送受信制御回路Ｂに分離されることになる。尚、送信時においても、第１の送受信制御回路Ａで処理された第１の送信信号は、支障なく一方のダイプレクサ部Ｄ１を通過してアンテナＡＮＴに導出される。また、第２の送受信制御回路Ｂで処理された第２の送信信号は、支障なく、他方のダイプレクサ部Ｄ２１を通過して、アンテナＡＮＴに導出されることになる。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このような高周波回路においては、安定した周波数選別及び送受信制御が要求されるものの、実用的には、アンテナＡＮＴから侵入する静電気パルス対策が重要である。
【００１７】
このような静電気パルスは、通信機器、取り分け携帯用通信機器では非常に発生しやすい。即ち、人体や静電気の発生しやすい布などと接触・摩擦しやすい環境で使用されるためである。
【００１８】
一般的に、静電気パルスは、図３に示すように、高い周波数成分を有し、取り分け、２５０ＭＨｚ以下の周波数成分において、高い電圧を示す。
【００１９】
ここで、重要なことは、この静電気パルス（静電ノイズ）の周波数成分は、一方のダイプレクサ部Ｄ１で設定されるしきい値に比較して、必ず低い周波数となり、一方のダイプレクサＤ１を通過してしまうものである。
【００２０】
このため、第１の送受信制御回路Ａの第１の受信端子ＲＸ１、第１の送信端子ＴＸ１、第２の送受信制御回路Ｂの第１の受信端子ＲＸ２、第２の送信端子ＴＸ２の４つの端子から現れる静電ノイズによる発生電圧を比較すると、第１の送受信制御回路Ａの第１の送信端子ＴＸ１に最も顕著に現れる。
【００２１】
これは、ダイプレクサＤの特性上、第１の送受信制御回路Ａのように、ＧＨｚ帯の周波数をしきい値とするローパス機能を有するダイプレクサ部Ｄ１側に静電ノイズが流れやすい。さらに、第１の受信端子ＲＸ１側はダイオード５４を介してグランド電位に接続されるために、高周波ノイズは、グランドに逃げ易い。これに対して、送信側ラインは、直接第１の送信端子ＴＸ１に主に発生されやすいものと考えられる。
【００２２】
このように、電圧の高い静電ノイズ（電圧が非常に高い、例えば、２００Ｖ以上）が、ダイプレクサＤを介して、送受信制御回路Ａ、Ｂを介して、後段の受信回路や送信回路に流れてしまう。その結果、各回路を構成するダイオード、抵抗あるいはＩＣ等の電子部品を破壊する電圧が発生する。
【００２３】
本発明は、上述の課題に鑑みて案出されたものであり、その目的は、静電ノイズが発生しても、後段の送受信制御回路などの破壊を有効的に防止し、安定した動作が可能な高周波回路を提供することにある。
【００２４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、アンテナが接続されるアンテナ端子と、第１の周波数帯Ｆ１と第２の周波数帯Ｆ２（３００ＭＨｚ＜Ｆ１＜Ｆ２）とを分離する２つのダイプレクサ部を有するダイプレクサと、前記ダイプレクサ部と接続される送受信制御回路とを具備する高周波回路において、前記第１の周波数帯Ｆ１を分離するダイプレクサ部に、直列インダクタンス成分と並列インダクタンス成分とのＴ型回路で構成された、カットオフが３００ＭＨｚと前記第１の周波数帯Ｆ１との間の周波数に設定され、少なくとも前記第１の周波数帯Ｆ１を通過させるハイパスフィルタを配置したことを特徴とする高周波回路である。
【００２５】
【作用】
本発明は、２つの通信システムのうち、低い送受信周波数となる第１の周波数帯Ｆ１を通過させるダイプレクサ部Ｄ１に、３００ＭＨｚと第１の周波数帯Ｆ１との間の周波数をカットオフ周波数とするハイパスフィルタ（ＨＰＦ）Ｆ機能を付加している。
【００２６】
このため、静電ノイズ（静電パルス）がアンテナに印加されても、ダイプレクサＤよりも後段の回路に伝わりにくく、後段の回路を構成する電子部品素子などが破壊されることなく、安定した動作が維持できる高周波回路となる。
【００２７】
アンテナより印加される静電ノイズは、複数の周波数成分を有しており、特に、２００ＭＨｚ以下の高周波成分が特に電圧値が高い。
【００２８】
この約２００ＭＨｚ以下の周波数成分の静電ノイズは、ダイプレクサＤのうち、他方のダイプレクサ部Ｄ２においては、そのハイパスフィルタ機能により遮断されることになる。
【００２９】
また、一方のダイプレクサＤ１においては、３００ＭＨｚ以上のハイパスフィルタを具備しているため、３００ＭＨｚ未満の高周波成分は、遮断される。即ち、２００ＭＨｚ以下の静電ノイズは遮断されることになる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の高周波回路を図面に基づいて詳説する。
【００３１】
図１は本発明の高周波回路の回路図であり、図２は、送受信端子に現れる静電ノイズの状況を説明する特性図である。
【００３２】
本発明のダイプレクサＤ、第１の送受信制御回路Ａ、第２の送受信制御回路Ｂとから構成されている。
【００３３】
第１の送受信制御回路Ａは、従来の例で説明したように、第１の送信端子ＴＸ１、第１の受信端子ＲＸ１、第１の制御端子Ｖｔ１を有している。そして、第１の送信端子ＴＸ１は、コンデンサ１６を介してＰＩＮダイオード１５のアノード側に接続されている。このＰＩＮダイオード１５のカソード側はコンデンサ１１を介してダイプレクサＤの一方のダイプレクサ部Ｄ１の第１の端子に接続されている。また、同時に、ストリップ線路１２に並列に接続されている。
【００３４】
このストリップ線路１２は、第１の送信端子ＴＸ１に入力される第１の送信信号の中心的な周波数帯ＦＴ１の波長に対して、１／４相当の線路長となっている。
【００３５】
そして、ストリップ線路１２は、コンデンサ１３を介して第１の受信端子ＲＸ１に接続される。また、ストリップ線路１２と受信端子ＲＸ１との接続点と、グラウンド電位との間にＰＩＮダイオード１４が接続される。
【００３６】
尚、２つのダイオードに１４、１５は、バイアス電流を与えることにより、ＯＮ−ＯＦＦ制御するスイッチ素子として動作する。具体的には、第１の制御端子Ｖｔ１より、抵抗１８、コイル１７を介して供給されることになる。
【００３７】
ここでコンデンサ１１は、ダイオード１５に流れるバイアス電流がダイプレクサＤ及び高周波回路Ａの外に流れ出すことを防止するためのカップリングコンデンサである。また、コイル１７は第１の制御端子Ｖｔ１と第１の送信端子ＴＸ１との間をハイインピーダンス状態に保ち、第１の送信信号が第１の制御端子Ｖｔ１に流れることを防ぐために用いられる。
【００３８】
第２の送受信制御回路Ｂにおいては、実質的に第１の送受信制御回路Ａと同一の構成となっている。尚、この第２の送受信制御回路Ｂは、ストリップ線路２２の長さが、第２の送信端子ＴＸ２に入力される第２の送信信号の中心的な周波数帯ＦＴ２の波長に対して、１／４相当の線路長となっている。
【００３９】
この第１の送受信制御回路Ａ及び第２の送受信制御回路Ｂは、夫々１つのダイプレクサＤを介して、アンテナに接続される。
【００４０】
ダイプレクサＤは、２つのダイプレクサ部Ｄ１、Ｄ２を有し、ダイプレクサ部Ｄ１は、第１の端子を介して、第１の送受信制御回路Ａと接続し、また、ダイプレクサ部Ｄ２は、第２の端子を介して、第２の送受信制御回路Ｂに接続している。また、２つのダイプレクサ部Ｄ１、Ｄ２は、１つのアンテナ端子（第３の端子）ＡＮＴを介して、アンテナに接続される。
【００４１】
ここで、第１の送受信制御回路Ａで処理される受信信号の中心的な周波数帯をＦＲ１、送信信号の中心的な周波数帯をＦＴ１及び送受信信号を併せた時の周波数帯の中心的な周波数帯をＦ１とし、また、第２の送受信制御回路Ｂで処理される受信信号の中心的な周波数帯をＦＲ２、送信信号の中心的な周波数帯をＦＴ２及び送受信信号を併せた時の周波数帯の中心的な周波数帯をＦ２として、周波数帯Ｆ１とＦ２との関係が、Ｆ１＜Ｆ２とする。
【００４２】
この時、ダイプレクサＤのダイプレクサ部Ｄ１は、第１の送受信制御回路Ａで処理される周波数帯Ｆ１を通過させ、且つ第２の送受信制御回路Ｂで処理される周波数帯Ｆ２が通過できないローパス機能部分Ｄ１１と、３００ＭＨｚ未満の周波数成分を遮断するハイパスフィルタ部Ｆ１１とから構成されている。
【００４３】
具体的な構成としては、ローパス機能部分Ｄ１１は、図１に記載されているように、ストリップ線路Ｌ１、該ストリップ線路Ｌ１の両端とグランド電位との間に配置されたコンデンサＣ１、Ｃ２、及びストリップ線路Ｌ１に対して並列に接続されたコンデンサＣ３とから構成される。
【００４４】
また、３００ＭＨｚ以上の周波数成分を通過させるハイパスフィルタＦは、直列インダクタンス成分Ｌ２と並列インダクタンス成分Ｌ３とのＴ型回路で構成される。
【００４５】
また、ダイプレクサＤのダイプレクサ部Ｄ２は、第２の送受信制御回路Ｂで処理される周波数帯Ｆ２を通過させ、且つ第１の送受信制御回路Ａで処理される周波数帯Ｆ１が通過できないハイパス機能部分Ｄ２１で構成される。具体的には、結合コンデンサＣ４、コンデンサＣ５、該コンデンサＣ５の両端とグランド電位との間に接続されたインダクタンス成分Ｌ４、Ｌ５などから構成される。
【００４６】
このような構成により、アンテナ端子ＡＮＴとダイプレクサ部Ｄ２を介して、第２の端子との間に通過する信号は、少なくとも第１の送受信制御回路Ａで処理される周波数帯Ｆ１を越える、即ち、第２の送受信制御回路Ｂで処理される周波数帯Ｆ２となる。
【００４７】
また、アンテナ端子ＡＮＴとダイプレクサ部Ｄ１を介して、第１の端子との間に通過する信号は、少なくとも第２の送受信制御回路Ｂで処理される周波数帯Ｆ２未満の周波数成分の信号であり、且つ、３００ＭＨｚ以上の高周波信号となる。即ち、３００ＭＨｚ未満の高周波静電ノイズ成分は、このダイプレクサ部Ｄ１で遮断するとともに、同時に、第１の送受信制御回路Ａで処理される周波数帯Ｆ１の信号を通過させることができる。尚、この３００ＭＨｚ未満の高周波成分を遮断するために、例えば直列インダクタンス成分Ｌ２を５．６ｎＨ、並列インダクタンス成分Ｌ３を３．９ｎＨとしている。
【００４８】
上述の第１の送受信制御回路Ａにおいて、送信動作時は、第１の制御端子Ｖｔ１に正の電圧を供する。これより、ダイオード１５、１４には、バイアス電流が流れ、ＯＮ状態となる。
【００４９】
これにより、第１の送信信号の周波数帯を遮断するショートスタブとして動作して、第１の送信信号が受信端子ＲＸ１に漏れることを防止している。これにより、第１の送信信号は、ダイプレクサＤの一方のダイプレクサ部Ｄ１を介してアンテナ端子ＡＮＴに導出される。
【００５０】
また、受信動作時は、第１の制御端子Ｖｔ１により、ダイオード１４、１５をＯＦＦ状態とする。
【００５１】
これにより、ダイオード１５は、ＯＦＦ状態となるため、ダイプレクサＤの一方のダイプレクサ部Ｄ１を介して、アンテナ端子ＡＮＴから送られる受信信号は、送信端子ＴＸ１に漏れることがない。これにより、受信信号は、受信端子ＲＸ１に供給される。
【００５２】
また、第２の送受信制御回路Ｂにおいても、同様の送受信制御が行われる。
【００５３】
ここで、本発明は上述のようにダイプレクサＤ内、特に、ローパス機能（カットオフ周波数が、第１の送受信制御回路Ａで処理される周波数帯Ｆ１と第２の送受信制御回路Ｂで処理される周波数帯Ｆ２との間の周波数）に、さらに、３００ＭＨｚ未満の高周波成分を遮断するハイパスフィルタＦが付加されている。
【００５４】
これにより、アンテナ端子ＡＮＴに供給される高周波の静電ノイズのうち、図３に示すように、影響度の高い２００ＭＨｚ以下の高周波成分が、第１の送受信制御回路Ａ側に導出されないことになる。
【００５５】
これにより、第１の送受信制御回路Ａ及びそれに接続された受信回路、送信回路での静電破壊を有効に抑えることができる。
【００５６】
尚、アンテナ端子ＡＮＴから、第２の送受信制御回路Ｂに対しては、その間に介在させたダイプレクサ部Ｄ２は、カットオフ周波数が第１の送受信制御回路Ａで処理される周波数帯Ｆ１と第２の送受信制御回路Ｂで処理される周波数帯Ｆ２との間の周波数であるハイパスフィルタＦとなるため、３００ＭＨｚ未満の高周波成分は到底通過することがない。
【００５７】
本発明者は、デュアルバンド型の高周波回路として、第１の送受信制御回路Ａの対応として、ＧＳＭ通信方式（Ｆ１＝約９００ＭＨｚ）とし、第２の送受信制御回路Ｂの対応として、ＤＣＳ通信システム（Ｆ２＝約１．８ＧＨｚ）とした場合を例に説明する。
【００５８】
そして、アンテナ端子ＡＮＴに、０〜３００ＭＨｚの高周波成分を含む、±８ｋＶの静電気パルスを加えた時、第１及び第２の送受信端子ＴＸ１、ＲＸ１、ＴＸ２、ＲＸ２に発生する電圧を調べた。
【００５９】
尚、図２の特性図において、左側の棒グラムは、従来の回路、即ち、対策前の回路での送受信端子から現れる電圧値であり、右側の棒グラフは、本発明の回路、即ち、３００ＭＨｚ以上の周波数をカットオフ周波数とするハイパスフィルタを付加したダイプレクサＤを有するものである。
【００６０】
図においては、従来の回路構成の場合は第１の受信端子ＲＸ１、第１の送信端子ＴＸ１からは、２００Ｖ以上の電圧が発生していた。これが、本発明の回路では、その発生電圧が２００Ｖ以下に抑えられる。
【００６１】
第２の受信端子ＲＸ２、第２の送信端子ＴＸ２については、従来と同様の５０Ｖ程度であった。この第２の受信端子ＲＸ２、第２の送信端子ＴＸ２については、ダイプレクサＤの第２のダイプレクサ部Ｄ２は、カットオフ周波数が第１の送受信制御回路Ａで処理される周波数帯Ｆ１と第２の送受信制御回路Ｂで処理される周波数帯Ｆ２との間の周波数であるハイパス機能であるため、高周波成分の静電ノイズに関しては、本発明の回路と従来の回路とは、同一条件であるため、変化はない。ただし、この５００Ｖ程度の電圧では、回路や電子部品素子の定格電圧の関係上、特に支障がない値である。
【００６２】
以上のように、本発明の回路では、高周波成分の静電ノイズを有効に除去できるため、アンテナより静電ノイズが侵入しても、後段の送受信制御回路などの破壊を有効的に防止し、安定した動作が可能な高周波回路となる。
【００６３】
尚、上述の実施例では、ダイプレクサ部Ｄ１に付加した３００ＭＨｚと第１の周波数帯Ｆ１との間の周波数をカットオフ周波数としたハイパスフィルタＦを付加している。このハイパスフィルタは、図１では、直列インダクタンス成分Ｌ２、並列インダクタンス成分Ｌ３とで構成しているが、他の電子部品素子の構成であってもよいし、また、ダイプレクサ部Ｄ１に直列接続するように、ハイパスフィルタ素子を接続しても構わない。
【００６４】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように本発明では、アンテナ端子に静電ノイズが印加されても、ダイプレクサで、実質的には、後段の回路に悪影響を与えることない程度に遮断することができるため、後段の回路を構成する電子部品を破壊することがない。
【００６５】
また、高周波回路の段々に、静電対策用の部品を省くことができ、小型化な高周波回路となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の高周波回路の回路を説明する回路図である。
【図２】本発明の高周波回路と従来の高周波回路における静電ノイズ印加時の各端子の発生電圧を示す特性図である。
【図３】アンテナから侵入する高周波ノイズの周波数と電圧との関係を示す特性図である。
【図４】従来の高周波回路の回路図である。
【符号の説明】
１１、２１、５１、６１：コンデンサ
１２、２２、５２、６２：ストリップ線路
１３、２３、５３、６３：コンデンサ
１４、２４、５４、６４、１５、２５、５５、６５：ダイオード
Ｄ：ダイプレクサ
Ｄ１、Ｄ２：ダイプレクサ部
Ａ：第１の送受信制御回路
Ｂ：第２の送受信制御回路
ＡＮＴ：アンテナ端子
ＲＸ１：第１の受信端子
ＲＸ２：第２の受信端子
ＴＸ１：第１の送信端子
ＴＸ２：第２の送信端子
【図１】
0004351343.tif 000002
【図２】
0004351343.tif 000003
【図３】
0004351343.tif 000004
【図４】
0004351343.tif 000005