(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に、気相堆積法により柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層を形成した放射線画像変換パネルにおいて、該柱状結晶の先端部が、結晶成長方向の中心を通る垂線と結晶先端断面部の接線とのなす角度（θ）が３５度以上、７０度以下であることを特徴とする放射線画像変換パネル。
【請求項２】
支持体上に、気相堆積法により柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層を形成した放射線画像変換パネルにおいて、該柱状結晶の平均結晶径が０．５μｍ以上、５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の放射線画像変換パネル。
【請求項３】
前記柱状結晶の結晶成長方向は、前記支持体の法線方向に対し５度以内の傾きであることを特徴とする請求項１または２に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項４】
前記輝尽性蛍光体層が、下記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体を含有し、かつ気相成長法により５０μｍ以上の膜厚を有するよう形成されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネル。
一般式（１）
Ｍ１Ｘ・ａＭ２Ｘ′２・ｂＭ３Ｘ″３：ｅＡ
〔式中、Ｍ１はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、Ｍ２はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、ＣｕおよびＮｉからなる群から選ばれる少なくとも一種の二価金属であり、Ｍ３はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、ＧａおよびＩｎからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、Ｘ、Ｘ′およびＸ″は各々Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属であり、また、ａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｅ≦０．２の範囲の数値を表す。〕
【請求項５】
前記一般式（１）におけるＭ１がＫ、ＲｂおよびＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であることを特徴とする請求項４に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項６】
前記一般式（１）におけるＸがＢｒおよびＩから選ばれる少なくとも一種のハロゲンであることを特徴とする請求項４または５に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項７】
前記一般式（１）におけるＭ２がＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａから選ばれる少なくとも一種の二価金属であることを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項８】
前記一般式（１）におけるＭ３がＹ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ａｌ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ、ＧａおよびＩｎからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であることを特徴とする請求項４〜７のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項９】
前記一般式（１）におけるｂが０≦ｂ≦１０−２であることを特徴とする請求項４〜８のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項１０】
前記一般式（１）におけるＡが、Ｅｕ、Ｃｓ、Ｓｍ、Ｔｌ及びＮａからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属であることを特徴とする請求項４〜９のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネル。
【請求項１１】
前記柱状結晶が、主成分として下記一般式（２）で表される輝尽性蛍光体を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネル。
一般式（２）
ＣｓＸ：Ａ
〔式中、ＸはＢｒまたはＩを表し、ＡはＥｕ、Ｉｎ、ＴｂまたはＣｅを表す。〕
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネルを用いた放射線画像読み取り装置において、輝尽性蛍光体層に照射されるレーザー径が１００μｍ以下であることを特徴する放射線画像読み取り装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は輝尽性蛍光体を有する放射線画像変換パネル及びそれを用いる放射線画像読み取り装置に関するものであり、更に詳しくは輝度及び鮮鋭性の向上した放射線画像変換パネル及びそれを用いる放射線画像読み取り装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、輝尽性蛍光体を利用した放射線画像変換パネルにより放射線像を画像化する方法が用いられるようになってきた。
【０００３】
これは、例えば、米国特許第３，８５９，５２７号及び特開昭５５−１２１４４号等に開示された様に支持体上に輝尽性蛍光体層を形成した放射線画像変換パネルを使用するものである。この放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放射線を当てて、被写体各部の放射線透過度に対応する放射線エネルギーを輝尽性蛍光体層に蓄積させて潜像（蓄積像）を形成し、この輝尽性蛍光体層を輝尽励起光（レーザ光が用いられる）で走査することによって各部に蓄積された放射線エネルギーを放射させて光に変換し、この光の強弱を読みとって画像を得る。この画像はＣＲＴ等各種のディスプレイ上に再生してもよいし、又ハードコピーとして再生してもよい。
【０００４】
この放射線画像変換方法に用いられる放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層には、放射線吸収率及び光変換率が高いこと、画像の粒状性がよく、高鮮鋭性であることが要求される。
【０００５】
通常、放射線輝度を高くするには輝尽性蛍光体層の膜厚を厚くする必要があるが、余り厚くなりすぎると、輝尽性蛍光体粒子間での輝尽発光の散乱のため発光が外部に出てこなくなる現象があり限界がある。
【０００６】
また、鮮鋭性については、輝尽性蛍光体層を薄層化するほど向上するが、薄すぎると輝度の現象が大きくなる。
【０００７】
また、粒状性についても画像の粒状性は放射線量子数の場所的ゆらぎ（量子モトル）或いは放射線画像変換パネルの輝尽性蛍光体層の構造的乱れ（構造モトル）等によって決定されるので、輝尽性蛍光体層の層厚が薄くなると輝尽性蛍光体層に吸収される放射線量子数が減少してモトルが増加したり、構造的乱れが顕在化して構造モトルが増加したりして画質の低下を生ずる。従って画像の粒状性を向上させるためには輝尽性蛍光体層の層厚が厚い必要があった。
【０００８】
この様に様々な要因により、放射線画像変換パネルを用いた放射線画像変換方法の画質及び輝度は決定される。これらの輝度や画質に関する複数の因子を調整して輝度、画質を改良するため、これまで様々な検討がされてきた。
【０００９】
それらのなかで、放射線画像の鮮鋭性改善の為の手段として、例えば、形成される輝尽性蛍光体の形状そのものをコントロールし輝度及び鮮鋭性の改良を図る試みがされている。
【００１０】
これらの試みの１つとして、例えば特開昭６１−１４２４９７号等において行われている様な、微細な凹凸パターンを有する支持体上に輝尽性蛍光体を堆積させ形成した微細な擬柱状ブロックからなる輝尽性蛍光体層を用いる方法がある。
【００１１】
又、特開昭６１−１４２５００号に記載のように微細なパターンを有する支持体上に、輝尽性蛍光体を堆積させて得た柱状ブロック間のクラックをショック処理を施して更に発達させた輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルを用いる方法、更には、特開昭６２−３９７３７号に記載されたような、支持体の面に形成された輝尽性蛍光体層にその表面側から亀裂を生じさせ擬柱状とした放射線画像変換パネルを用いる方法、更には、特開昭６２−１１０２００号に記載のように、支持体の上面に蒸着により空洞を有する輝尽性蛍光体層を形成した後、加熱処理によって空洞を成長させ亀裂を設ける方法等も提案されている。
【００１２】
又、特開平２−５８０００号においては、気相堆積法によって支持体上に、支持体の法線方向に対し一定の傾きをもった細長い柱状結晶を形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルが提案されている。
【００１３】
これらの輝尽性蛍光体層の形状をコントロールする試みにおいては、いずれも輝尽性蛍光体層を柱状とすることで、輝尽励起光（又輝尽発光）の横方向への拡散を抑える（クラック（柱状結晶）界面において反射を繰り返しながら支持体面まで到達する）ことができるため、輝尽発光による画像の鮮鋭性を著しく増大させることができるという特徴がある。
【００１４】
しかしながら、これらの気相成長（堆積）により形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいても、前記の様に、輝度と鮮鋭性の関係は充分な特性を有しているとはいえず、更に改良が必要である。
【００１５】
これらの気相成長（堆積）法により形成された輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、更に画質特に鮮鋭性を改善しようとする試みが特開平１−１３１４９８号において行われている。これは前記擬柱状輝尽性蛍光体結晶からなる蛍光体層と低屈折率層を組み合わせることによって、放射線像変換パネル中の層界面での反射や屈折を抑え、画質を更に向上させるものである。
【００１６】
放射線像記録再生方法における読み取り工程では一般に、放射線像変換パネルの一方の表面側から励起光を照射し、蛍光体粒子から発せられる輝尽光（輝尽発光光）を、その励起光照射側に備えた集光ガイドで取り出し、光電変換して読み取る方法が利用されている。しかし、輝尽性蛍光体粒子から発せられる輝尽光をできるだけ多く取り出したい場合、あるいは輝尽性蛍光体層内に形成された放射線エネルギーの蓄積像が該層内でその深さ方向でエネルギー強度分布が変化している時にそのエネルギー強度分布の変化を放射線画像情報として得たい場合などには、放射線像変換パネルの両側から輝尽光を集光する方法（両面集光読取方法）を利用することがある。この両面集光読取方法については、たとえば特開昭５５−８７９７０号公報に記載がある。
【００１７】
放射線画像変換パネルを使用した放射線画像変換方式の優劣は、該パネルの輝尽性発光輝度（感度ともいう）および得られる画像の鮮鋭性に大きく左右され、特に、これらの特性に対しては、用いる輝尽性蛍光体の特性が大きく影響を与えることが知られている。
【００１８】
輝度を高くする方法としては、一般には、輝尽性蛍光体層の膜厚を厚くする必要があるが、余り厚くなりすぎると、輝尽性蛍光体粒子間での輝尽発光の散乱のため、発光が外部に出てこなくなる現象があり限界がある。
【００１９】
また、鮮鋭性改良に対しては、輝尽性蛍光体層を薄層化するほど向上するが、過度に薄くしすぎると輝度低下が大きくなり、単に輝尽性蛍光体層の膜厚をコントロールするだけでは、輝度と鮮鋭性の両立を図ることは困難であった。
【００２０】
上記課題に対し様々な検討がなされており、放射線画像の鮮鋭性改善の為の手段として、例えば、形成される輝尽性蛍光体の形状そのものをコントロールして、輝度及び鮮鋭性の改良を図る試みがされており、例えば、特開昭６１−１４２４９７号等においては、微細な凹凸パターンを有する支持体上に輝尽性蛍光体を堆積させ形成した微細な擬柱状ブロックからなる輝尽性蛍光体層を用いる方法が提案されている。また、特開昭６１−１４２５００号には、微細なパターンを有する支持体上に、輝尽性蛍光体を堆積させて得た柱状ブロック間のクラックをショック処理を施した輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルを用いる方法、更には、特開昭６２−３９７３７号には、支持体の面に形成された輝尽性蛍光体層にその表面側から亀裂を生じさせ擬柱状とした放射線像変換パネルを用いる方法、更には、特開昭６２−１１０２００号には、支持体の上面に蒸着により空洞を有する輝尽性蛍光体層を形成した後、加熱処理によって空洞を成長させ亀裂を設ける方法等も提案されている。
【００２１】
最近では、特開昭６２−１５７６００号には、支持体上に輝尽性蛍光体層を気相堆積法を用いて形成し、輝尽性蛍光体成分の蒸気流の流線と支持体面との交角を特定の範囲に調節しながら、輝尽性蛍光体層を所定の厚みに形成する方法が開示され、また、特許第２８９９８１２号には、気相堆積法によって支持体上に、支持体の法線方向に対し一定の傾きをもった細長い柱状結晶を形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルが提案されている。
【００２２】
これらの蛍光体層の形状をコントロールする試みにおいては、蛍光体層を柱状結晶構造にすることにより、画質向上を目途としている。特に、柱状にすることにより、輝尽励起光（又輝尽発光）の横方向への拡散を抑える（クラック（柱状結晶）界面において反射を繰り返しながら支持体面まで到達する）ことができるため、輝尽発光による画像の鮮鋭性を著しく増大させることができるという特徴があるとされている。
【００２３】
しかしながら、上記記載の気相成長（堆積）により形成した、アルカリ土類金属型蛍光体を用いた輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルにおいては、未だ市況で求められている輝度と鮮鋭性に対しては、充分な特性とはいえず、更に改良が必要であった。
【００２４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、輝度及び鮮鋭性の向上した放射線像変換パネル及びそれを用いる放射線画像読み取り装置を提供するものである。
【００２５】
【課題を解決するための手段】
本発明の上記目的は、以下の構成により達成された。
【００２６】
１．支持体上に、気相堆積法により柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層を形成した放射線画像変換パネルにおいて、該柱状結晶の先端部が、結晶成長方向の中心を通る垂線と結晶先端断面部の接線とのなす角度（θ）が３５度以上、７０度以下であることを特徴とする放射線画像変換パネル。
【００２７】
２．支持体上に、気相堆積法により柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層を形成した放射線画像変換パネルにおいて、該柱状結晶の平均結晶径が０．５μｍ以上、５０μｍ以下であることを特徴とする前記１項放射線画像変換パネル。
【００２８】
３．前記柱状結晶の結晶成長方向は、前記支持体の法線方向に対し５度以内の傾きであることを特徴とする前記１または２に記載の放射線画像変換パネル。
【００２９】
４．前記輝尽性蛍光体層が、前記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体を含有し、かつ気相成長法により５０μｍ以上の膜厚を有するよう形成されることを特徴とする前記１〜３のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネル。
【００３０】
５．前記一般式（１）におけるＭ1がＫ、ＲｂおよびＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であることを特徴とする前記４項に記載の放射線画像変換パネル。
【００３１】
６．前記一般式（１）におけるＸがＢｒおよびＩから選ばれる少なくとも一種のハロゲンであることを特徴とする前記４または５項に記載の放射線画像変換パネル。
【００３２】
７．前記一般式（１）におけるＭ2がＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａから選ばれる少なくとも一種の二価金属であることを特徴とする前記４〜６項のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネル。
【００３３】
８．前記一般式（１）におけるＭ3がＹ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ａｌ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ、ＧａおよびＩｎからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であることを特徴とする前記４〜７項のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネル。
【００３４】
９．前記一般式（１）におけるｂが０≦ｂ≦１０-2であることを特徴とする前記４〜８項のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネル。
【００３５】
１０．前記一般式（１）におけるＡが、Ｅｕ、Ｃｓ、Ｓｍ、Ｔｌ及びＮａからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属であることを特徴とする前記４〜９項のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネル。
【００３６】
１１．前記柱状結晶が、主成分として前記一般式（２）で表される輝尽性蛍光体を有することを特徴とする前記１〜３のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネル。
【００３７】
１２．前記１〜１１項のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネルを用いた放射線画像読み取り装置において、輝尽性蛍光体層に照射されるレーザー径が１００μｍ以下であることを特徴する放射線画像読み取り装置。
【００３８】
以下、本発明の詳細について説明する。
【００３９】
請求項１に係る発明では、支持体上に気相堆積法により柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層を形成した放射線画像変換パネルにおいて、該柱状結晶の先端部が、結晶成長方向の中心を通る垂線と結晶先端断面部の接線とのなす角度（θ）が３５度以上、７０度以下であることが特徴である。
【００４０】
本発明者は、支持体上に気相堆積法（気相成長法ともいう）により形成した柱状結晶からなる輝尽性蛍光体の形状について鋭意検討を行った結果、結晶先端の形状を特定の鋭角的な角度を有する尖角形状とすることにより、高い輝度と優れた鮮鋭性とを両立できることを見いだしたものである。この特定の角度を有する尖角形状とすることで、輝尽性蛍光体層（以下、単に蛍光体層ともいう）に入射するＸ線の蛍光体表面での散乱を防止し、吸収したＸ線の取り出しを高めた結果であると推測している。
【００４１】
図１は、本発明の支持体上に形成した柱状結晶形状の一例を示す概略図である。図１のａ）、ｂ）において、２は、気相堆積法により、支持体１上に形成された輝尽性蛍光体の柱状結晶であり、その結晶先端部において、結晶成長方向の中心を通る垂線３と結晶先端断面部の接線４とのなす角度（θ）が３５度以上、７０度以下であることが特徴である。
【００４２】
図１のａ）は、柱状結晶のほぼ中心部に尖角部を有する一例であり、また図１のｂ）は、柱状結晶の先端部が一定の傾斜を有し、柱状結晶の側面部に尖角部を有する一例である。
【００４３】
本発明において、先端形状として、本発明で規定する角度（θ）とするには、特に制限はないが、例えば、後述の気相堆積法により結晶成長時の支持体の温度、真空度、結晶成長速度、輝尽性蛍光体の種類等を適宜選択することにより得ることができる。
【００４４】
また、請求項２に係る発明においては、柱状結晶の平均結晶径が０．５μｍ以上、５０μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１μｍ以上、５０μｍ以下である。
【００４５】
上記で規定する柱状結晶の平均結晶径とすることにより、輝尽性蛍光体層のヘイズ率を低下することができ、結果として高い鮮鋭性を実現することができる。
【００４６】
柱状結晶の平均結晶径とは、柱状結晶を支持体と平行な面から観察したときの各柱状結晶の断面積の円換算した直径の平均値であり、少なくとも１００個以上の柱状結晶を視野中に含む電子顕微鏡写真から計算する。
【００４７】
柱状結晶径は、支持体温度、真空度、蒸気流入射角度等によって影響を受け、これらを制御することによって所望の太さの柱状結晶を形成することができる。例えば、支持体温度については、温度が低くなるほど細くなる傾向にあるが、低すぎると柱状状態の維持が困難となる。好ましい支持体の温度としては、１００〜３００℃であり、より好ましくは１５０〜２７０℃である。蒸気流の入射角度としては、０〜５°が好ましい。また、真空度については、１．３×１０-1Ｐａ以下であることが好ましい。
【００４８】
また、請求項３に係る発明においては、柱状結晶の結晶成長方向は、支持体の法線方向に対し５度以内の傾きであることが好ましい。
【００４９】
次いで、本発明に係る気相堆積法について詳細に説明する。
【００５０】
気相堆積法で形成する輝尽性蛍光体層で用いることのできる輝尽性蛍光体としては、例えば、特開昭４８−８０４８７号に記載されているＢａＳＯ4：Ａｘで表される蛍光体、特開昭４８−８０４８８号記載のＭｇＳＯ4：Ａｘで表される蛍光体、特開昭４８−８０４８９号に記載されているＳｒＳＯ4：Ａｘで表される蛍光体、特開昭５１−２９８８９号に記載されているＮａ2ＳＯ4、ＣａＳＯ4及びＢａＳＯ4等にＭｎ、Ｄｙ及びＴｂの中少なくとも１種を添加した蛍光体、特開昭５２−３０４８７号に記載されているＢｅＯ、ＬｉＦ、ＭｇＳＯ4及びＣａＦ2等の蛍光体、特開昭５３−３９２７７号に記載されているＬｉ2Ｂ4Ｏ7：Ｃｕ，Ａｇ等の蛍光体、特開昭５４−４７８８３号に記載されているＬｉ2Ｏ・（Ｂｅ2Ｏ2）ｘ：Ｃｕ，Ａｇ等の蛍光体、米国特許第３，８５９，５２７号に記載されているＳｒＳ：Ｃｅ，Ｓｍ、ＳｒＳ：Ｅｕ，Ｓｍ、Ｌａ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ及び（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｍｎｘで表される蛍光体があげられる。又、特開昭５５−１２１４２号に記載されているＺｎＳ：Ｃｕ，Ｐｂ蛍光体、一般式がＢａＯ・ｘＡｌ2Ｏ3：Ｅｕであげられるアルミン酸バリウム蛍光体、及び、一般式がＭ（II）Ｏ・ｘＳｉＯ2：Ａで表されるアルカリ土類金属珪酸塩系蛍光体があげられる。
【００５１】
又、特開昭５５−１２１４３号に記載されている一般式が（Ｂａ1-x-yＭｇxＣａy）Ｆx：Ｅｕ2+で表されるアルカリ土類フッ化ハロゲン化物蛍光体、特開昭５５−１２１４４号に記載されている一般式がＬｎＯＸ：ｘＡで表される蛍光体、特開昭５５−１２１４５号に記載されている一般式が（Ｂａ1-xＭ（II）x）Ｆx：ｙＡで表される蛍光体、特開昭５５−８４３８９号に記載されている一般式がＢａＦＸ：ｘＣｅ，ｙＡで表される蛍光体、特開昭５５−１６００７８号に記載されている一般式がＭ（II）ＦＸ・ｘＡ：ｙＬｎで表される希土類元素賦活二価金属フルオロハライド蛍光体、一般式ＺｎＳ：Ａ、ＣｄＳ：Ａ、（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａ，Ｘで表される蛍光体、特開昭５９−３８２７８号に記載されている下記いずれかの一般式
ｘＭ3（ＰＯ4）2・ＮＸ2：ｙＡ
ｘＭ3（ＰＯ4）2：ｙＡ
で表される蛍光体、特開昭５９−１５５４８７号に記載されている下記いずれかの一般式
ｎＲｅＸ3・ｍＡＸ′2：ｘＥｕ
ｎＲｅＸ3・ｍＡＸ′2：ｘＥｕ，ｙＳｍ
で表される蛍光体、特開昭６１−７２０８７号に記載されている下記一般式
Ｍ（Ｉ）Ｘ・ａＭ（II）Ｘ′2・ｂＭ（III）Ｘ″3：ｃＡ
で表されるアルカリハライド蛍光体、及び特開昭６１−２２８４００号に記載されている一般式Ｍ（Ｉ）Ｘ：ｘＢｉで表されるビスマス賦活アルカリハライド蛍光体等があげられる。特に、アルカリハライド蛍光体は、蒸着、スパッタリング等の方法で柱状の輝尽性蛍光体層を形成させやすく好ましい。
【００５２】
本発明においては、下記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体粒子であることが好ましい。
【００５３】
一般式（１）
Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ′2・ｂＭ3Ｘ″3：ｅＡ
一般式（１）において、Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、ＣｕおよびＮｉからなる群から選ばれる少なくとも一種の二価金属であり、Ｍ3はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、ＧａおよびＩｎからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、Ｘ、Ｘ′およびＸ″は各々Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属であり、また、ａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｅ≦０．２の範囲の数値を表す。
【００５４】
更に、前記一般式（１）においては、Ｍ1がＫ、ＲｂおよびＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であること、ＸがＢｒおよびＩから選ばれる少なくとも一種のハロゲンであること、Ｍ2がＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａから選ばれる少なくとも一種の二価金属であること、Ｍ3がＹ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ａｌ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ、ＧａおよびＩｎからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であること、ｂが０≦ｂ≦１０-2であること、Ａが、Ｅｕ、Ｃｓ、Ｓｍ、Ｔｌ及びＮａからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属であることが好ましい。
【００５５】
また、本発明においては、柱状結晶が、主成分として下記一般式（２）で表される輝尽性蛍光体を有することが好ましい。
【００５６】
一般式（２）
ＣｓＸ：Ａ
一般式（２）において、ＸはＢｒまたはＩを表し、ＡはＥｕ、Ｉｎ、ＴｂまたはＣｓを表す。
【００５７】
本発明に係る支持体上に、気相堆積法により蛍光体層を形成する方法としては、例えば、支持体上に特定の入射角で輝尽性蛍光体の蒸気又は該原料を供給し、蒸着等の気相成長（堆積）させる方法によって独立した細長い柱状結晶からなる輝尽性蛍光体層を得ることができる。蒸着時の輝尽性蛍光体の蒸気流の入射角に対し、約半分の成長角で該柱状結晶は結晶成長することができる。また、常温近傍で蒸着することにより分子状の蒸着膜を設けることもできる。
【００５８】
輝尽性蛍光体の蒸気流を支持体面に対しある入射角をつけて供給する方法には、支持体を蒸発源を仕込んだ坩堝に対し互いに傾斜させる配置を取る、或いは、支持体と坩堝を互いに平行に設置し、蒸発源を仕込んだ坩堝の蒸発面からスリット等により斜め成分のみ支持体上に蒸着させる様規制する等の方法をとることができる。
【００５９】
これらの場合において、支持体と坩堝との最短部の間隔は輝尽性蛍光体の平均飛程に合わせて概ね１０ｃｍ〜６０ｃｍに設置するのが適当である。
【００６０】
蒸発源となる輝尽性蛍光体は、均一に溶解させるか、プレス、ホットプレスによって成形して坩堝に仕込まれる。この際、脱ガス処理を行うことが好ましい。蒸発源から輝尽性蛍光体を蒸発させる方法は電子銃により発した電子ビームの走査により行われるが、これ以外の方法にて蒸発させることもできる。
【００６１】
また、蒸発源は必ずしも輝尽性蛍光体である必要はなく、輝尽性蛍光体原料を混和したものであってもよい。
【００６２】
また、蛍光体の母体に対して賦活剤を後からドープしてもよい。例えば、母体であるＲｂＢｒのみを蒸着した後、賦活剤であるＴｌをドープしてもよい。即ち、結晶が独立しているため、膜が厚くとも充分にドープ可能であるし、結晶成長が起こりにくいので、ＭＴＦは低下しないからである。
【００６３】
ドーピングは形成された蛍光体の母体層中にドーピング剤（賦活剤）を熱拡散、イオン注入法によって行うことが出来る。
【００６４】
又各柱状結晶間の間隙の大きさは３０μｍ以下がよく、更に好ましくは５μｍ以下がよい。即ち、間隙が３０μｍを越える場合は蛍光体層中のレーザー光の散乱が増加し、鮮鋭性が低下してしまう。
【００６５】
該輝尽性蛍光体を気相成長（堆積）させる方法としては蒸着法、スパッタ法及びＣＶＤ法がある。
【００６６】
蒸着法は、支持体を蒸着装置内に設置したのち、装置内を排気して１．３３３×１０-4Ｐａ程度の真空とし、次いで、輝尽性蛍光体の少なくとも１つを抵抗加熱法、エレクトロンビーム法などの方法で加熱蒸発させて支持体表面に輝尽性蛍光体を所望の厚みに斜め堆積させる。この結果、結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層が形成されるが、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。また、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器或いはエレクトロンビームを用いて蒸着を行うことも可能である。また蒸着法においては、輝尽性蛍光体原料を複数の抵抗加熱器或いはエレクトロンビームを用いて蒸着し、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。更に蒸着法においては、蒸着時に必要に応じて被蒸着物を冷却或いは加熱してもよい。また、蒸着終了後、輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。
【００６７】
スパッタ法は、前記蒸着法と同様に支持体をスパッタ装置内に設置した後、装置内を一旦排気して１×１０-4Ｐａ程度の真空度とし、次いでスパッタ用のガスとしてＡｒ、Ｎｅ等の不活性ガスを装置内に導入して１×１０-1Ｐａ程度のガス圧とする。次に、前記輝尽性蛍光体をターゲットとして、斜めにスパッタリングすることにより支持体表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに斜めに堆積させる。このスパッタ工程では蒸着法と同様に複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能であるし、それぞれを用いて同時或いは順次、前記ターゲットをスパッタリングして輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。また、スパッタ法では、複数の輝尽性蛍光体原料をターゲットとして用い、これを同時或いは順次スパッタリングして、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体層を形成する事も可能であるし、必要に応じてＯ2、Ｈ2等のガスを導入して反応性スパッタを行ってもよい。更に、スパッタ法においては、スパッタ時必要に応じて被蒸着物を冷却或いは加熱してもよい。また、スパッタ終了後に輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。
【００６８】
ＣＶＤ法は、目的とする輝尽性蛍光体或いは輝尽性蛍光体原料を含有する有機金属化合物を熱、高周波電力等のエネルギーで分解することにより、支持体上に結着剤を含有しない輝尽性蛍光体層を得るものであり、いずれも輝尽性蛍光体層を支持体の法線方向に対して特定の傾きをもって独立した細長い柱状結晶に気相成長させることが可能である。
【００６９】
これらの方法により形成した輝尽性蛍光体層の層厚は目的とする放射線像変換パネルの放射線に対する輝度、輝尽性蛍光体の種類等によって異なるが、１０μｍ〜１０００μｍの範囲から選ばれるのが好ましく、２０μｍ〜８００μｍから選ばれるのがより好ましい。
【００７０】
次に、本発明に係る輝尽性蛍光体層の形成を図２を用いて説明する。
【００７１】
図２は、支持体上に輝尽性蛍光体層が蒸着により形成される様子を示す図であるが、輝尽性蛍光体蒸気流１６を支持体面の法線方向に対する入射角度として０〜５°の範囲で照射とすることにより、柱状結晶が形成される。
【００７２】
この様にして支持体上に形成した輝尽性蛍光体層は、結着剤を含有していないので、指向性に優れており、輝尽励起光及び輝尽発光の指向性が高く、輝尽性蛍光体を結着剤中に分散した分散型の輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルより層厚を厚くすることができる。更に輝尽励起光の輝尽性蛍光体層中での散乱が減少することで像の鮮鋭性が向上する。
【００７３】
又、柱状結晶間の間隙に結着剤等充填物を充填してもよく、輝尽性蛍光体層の補強となるほか、高光吸収の物質、高光反射率の物質等を充填してもよい、これにより前記補強効果をもたせるほか、輝尽性蛍光体層に入射した輝尽励起光の横方向への光拡散の低減に有効である。
【００７４】
高反射率の物質とは、輝尽励起光（５００〜９００ｎｍ、特に６００〜８００ｎｍ）に対する反射率の高いものをいい例えばアルミニウム、マグネシウム、銀、インジウムその他の金属など、白色顔料及び緑色から赤色領域の色材を用いることができる。
【００７５】
白色顔料は輝尽発光も反射することができる。白色顔料として，ＴｉＯ2（アナターゼ型、ルチル型）、ＭｇＯ、ＰｂＣＯ3・Ｐｂ（ＯＨ）2、ＢａＳＯ4、Ａｌ2Ｏ3、Ｍ（II）ＦＸ（但し、Ｍ（II）はＢａ、Ｓｒ及びＣａの中の少なくとも一種であり、ＸはＣｌ、及びＢｒのうちの少なくとも一種である。）、ＣａＣＯ3、ＺｎＯ、Ｓｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、リトポン（ＢａＳＯ4・ＺｎＳ）、珪酸マグネシウム、塩基性珪硫酸塩、塩基性燐酸鉛、珪酸アルミニウムなどがあげられる。これらの白色顔料は隠蔽力が強く、屈折率が大きいため、光を反射したり、屈折させることにより輝尽発光を容易に散乱し、得られる放射線像変換パネルの感度を顕著に向上させうる。
【００７６】
また、高光吸収率の物質としては、例えば、カーボン、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化鉄など及び青の色材が用いられる。このうちカーボンは輝尽発光も吸収する。
【００７７】
また、色材は、有機若しくは無機系色材のいずれでもよい。有機系色材としては、ザボンファーストブルー３Ｇ（ヘキスト製）、エストロールブリルブルーＮ−３ＲＬ（住友化学製）、Ｄ＆ＣブルーＮｏ．１（ナショナルアニリン製）、スピリットブルー（保土谷化学製）、オイルブルーＮｏ．６０３（オリエント製）、キトンブルーＡ（チバガイギー製）、アイゼンカチロンブルーＧＬＨ（保土ヶ谷化学製）、レイクブルーＡＦＨ（協和産業製）、プリモシアニン６ＧＸ（稲畑産業製）、ブリルアシッドグリーン６ＢＨ（保土谷化学製）、シアンブルーＢＮＲＣＳ（東洋インク製）、ライオノイルブルーＳＬ（東洋インク製）等が用いられる。またカラーインデクスＮｏ．２４４１１、２３１６０、７４１８０、７４２００、２２８００、２３１５４、２３１５５、２４４０１、１４８３０、１５０５０、１５７６０、１５７０７、１７９４１、７４２２０、１３４２５、１３３６１、１３４２０、１１８３６、７４１４０、７４３８０、７４３５０、７４４６０等の有機系金属錯塩色材もあげられる。無機系色材としては群青、コバルトブルー、セルリアンブルー、酸化クロム、ＴｉＯ2−ＺｎＯ−Ｃｏ−ＮｉＯ系顔料があげられる。
【００７８】
本発明の放射線像変換パネルに用いられる支持体としては各種のガラス、高分子材料、金属等が用いられるが、例えば石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラスなどの板ガラス、又、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム等のプラスチックフィルム、アルミニウムシート、鉄シート、銅シート等の金属シート或いは該金属酸化物の被覆層を有する金属シートが好ましい。これら支持体の表面は滑面であってもよいし、輝尽性蛍光体層との接着性を向上させる目的でマット面としてもよい。
【００７９】
また、本発明においては、支持体と輝尽性蛍光体層の接着性を向上させるために、必要に応じて支持体の表面に予め接着層を設けてもよい。これら支持体の厚みは用いる支持体の材質等によって異なるが、一般的には８０μｍ〜２０００μｍであり、取り扱い上の観点から、更に好ましいのは８０μｍ〜１０００μｍである。
【００８０】
また、本発明に係る輝尽性蛍光体層は、保護層を有していても良い。
【００８１】
保護層は、保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層上に直接塗布して形成してもよいし、あらかじめ別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層上に接着してもよい。あるいは別途形成した保護層上に輝尽性蛍光体層を形成する手順を取ってもよい。保護層の材料としては酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化−塩化エチレン、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体等の通常の保護層用材料が用いられる。他に透明なガラス基板を保護層としてもちいることもできる。また、この保護層は蒸着法、スパッタリング法等により、ＳｉＣ、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、Ａｌ2Ｏ3などの無機物質を積層して形成してもよい。これらの保護層の層厚は一般的には０．１μｍ〜２０００μｍ程度が好ましい。
【００８２】
図３は、本発明の放射線画像変換パネル及び放射線画像読み取り装置の構成の１例を示す概略図である。
【００８３】
図３において２１は放射線発生装置、２２は被写体、２３は輝尽性蛍光体を含有する可視光ないし赤外光輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネル、２４は放射線画像変換パネル２３の放射線潜像を輝尽発光として放出させるための輝尽励起光源、２５は放射線画像変換パネル２３より放出された輝尽発光を検出する光電変換装置、２６は光電変換装置２５で検出された光電変換信号を画像として再生する画像再生装置、２７は再生された画像を表示する画像表示装置、２８は光源２４からの反射光をカットし、放射線画像変換パネル２３より放出された光のみを透過させるためのフィルタである。尚、図３は被写体の放射線透過像を得る場合の例であるが、被写体２２自体が放射線を放射する場合には、前記放射線発生装置２１は特に必要ない。また、光電変換装置２５以降は放射線画像変換パネル２３からの光情報を何らかの形で画像として再生できるものであればよく、前記に限定されない。
【００８４】
図３に示されるように、被写体２２を放射線発生装置２１と放射線画像変換パネル２３の間に配置し放射線Ｒを照射すると、放射線Ｒは被写体２２の各部の放射線透過率の変化に従って透過し、その透過像ＲＩ（すなわち放射線の強弱の像）が放射線画像変換パネル２３に入射する。この入射した透過像ＲＩは放射線画像変換パネル２３の輝尽性蛍光体層に吸収され、これによって輝尽性蛍光体層中に吸収された放射線量に比例した数の電子及び／または正孔が発生し、これが輝尽性蛍光体のトラップレベルに蓄積される。すなわち放射線透過像のエネルギーを蓄積した潜像が形成される。次にこの潜像を光エネルギーで励起して顕在化する。すなわち可視あるいは赤外領域の光を照射する光源２４によって輝尽性蛍光体層に照射してトラップレベルに蓄積された電子及び／または正孔を追い出し、蓄積されたエネルギーを輝尽発光として放出せしめる。この放出された輝尽発光の強弱は蓄積された電子及び／または正孔の数、すなわち放射線画像変換パネル２３の輝尽性蛍光体層に吸収された放射線エネルギーの強弱に比例しており、この光信号を例えば光電子増倍管等の光電変換装置２５で電気信号に変換し、画像処理装置２６によって画像として再生し、画像表示装置２７によってこの画像を表示する。画像処理装置２６は単に電気信号を画像信号として再生するのみでなく、いわゆる画像処理や画像の演算、画像の記憶、保存等が出来るものを使用するとより有効である。
【００８５】
また、光エネルギーで励起する際、輝尽励起光の反射光と輝尽性蛍光体層から放出される輝尽発光とを分離する必要があることと、輝尽性蛍光体層から放出される発光を受光する光電変換器は一般に６００ｎｍ以下の短波長の光エネルギーに対して感度が高くなるという理由から、輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発光はできるだけ短波長領域にスペクトル分布を持ったものが望ましい。本発明に係る輝尽性蛍光体の発光波長域は３００〜５００ｎｍであり、一方輝尽励起波長域は５００〜９００ｎｍであるので前記の条件を同時に満たすが、最近、診断装置のダウンサイジング化が進み、放射画像変換パネルの画像読み取りに用いられる励起波長は高出力で且つ、コンパクト化が容易な半導体レーザが好まれ、そのレーザ光の波長は６８０ｎｍであり、本発明の放射線画像変換パネルに組み込まれた輝尽性蛍光体は、６８０ｎｍの励起波長を用いた時に、極めて良好な鮮鋭性を示すものである。
【００８６】
すなわち、本発明に係わる輝尽性蛍光体はいずれも５００ｎｍ以下に主ピークを有する発光を示し、輝尽励起光の分離が容易でしかも受光器の分光感度とよく一致するため、効率よく受光できる結果、受像系の感度を固めることができる。
【００８７】
輝尽励起光源２４としては、放射線画像変換パネル２３に使用される輝尽性蛍光体の輝尽励起波長を含む光源が使用される。特にレーザ光を用いると光学系が簡単になり、又、輝尽励起光強度を大きくすることができるために輝尽発光効率をあげることができ、より好ましい結果が得られる。
【００８８】
本発明においては、輝尽性蛍光体層に照射されるレーザー径が１００μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは８０μｍ以下である。
【００８９】
レーザとしては、Ｈｅ−Ｎｅレーザ、Ｈｅ−Ｃｄレーザ、Ａｒイオンレーザ、Ｋｒイオンレーザ、Ｎ2レーザ、ＹＡＧレーザ及びその第２高調波、ルビーレーザ、半導体レーザ、各種の色素レーザ、銅蒸気レーザ等の金属蒸気レーザ等がある。通常はＨｅ−ＮｅレーザやＡｒイオンレーザのような連続発振のレーザが望ましいが、パネル１画素の走査時間とパルスを同期させればパルス発振のレーザを用いることもできる。又、フィルタ２８を用いずに特開昭５９−２２０４６号に示されるような、発光の遅延を利用して分離する方法によるときは、連続発振レーザを用いて変調するよりもパルス発振のレーザを用いる方が好ましい。
【００９０】
上記の各種レーザ光源の中でも、半導体レーザは小型で安価であり、しかも変調器が不要であるので特に好ましく用いられる。
【００９１】
フィルタ２８としては放射線画像変換パネル２３から放射される輝尽発光を透過し、輝尽励起光をカットするものであるから、これは放射線画像変換パネル２３に含有する輝尽性蛍光体の輝尽発光波長と輝尽励起光源２４の波長の組合わせによって決定される。
【００９２】
例えば、輝尽励起波長が５００〜９００ｎｍで輝尽発光波長が３００〜５００ｎｍにあるような実用上好ましい組合わせの場合、フィルタとしては、例えば、東芝社製Ｃ−３９、Ｃ−４０、Ｖ−４０、Ｖ−４２、Ｖ−４４、コーニング社製７−５４、７−５９、スペクトロフィルム社製ＢＧ−１、ＢＧ−３、ＢＧ−２５、ＢＧ−３７、ＢＧ−３８等の紫〜青色ガラスフィルタを用いることができる。又、干渉フィルタを用いると、ある程度、任意の特性のフィルタを選択して使用できる。光電変換装置２５としては、光電管、光電子倍増管、フォトダイオード、フォトトランジスタ、太陽電池、光導電素子等光量の変化を電子信号の変化に変換し得るものなら何れでもよい。
【００９３】
【実施例】
以下、実施例を挙げて本発明を例証するが、本発明はこれらの実施例に限定されない。
【００９４】
《放射線画像変換パネルの作製》
〔放射線画像変換パネル１の作製〕
１ｍｍ厚の結晶化ガラス（日本電気ガラス社製）支持体の表面を、２００℃に加温し、図４に示した蒸着装置でアルカリハライド蛍光体（ＣｓＢｒ：０．０００５Ｅｕ）を、支持体の表面の法線方向に対して５度の角度で、アルミニウム製のスリットを用いて、支持体１と蒸発源の距離ｄを６０ｃｍとして、支持体１を平行方向に搬送しながら蒸着を行って、３００μｍ厚の輝尽性蛍光体層（結晶先端角度（θ）が３５度、結晶の太さ５μｍ）を形成した。
【００９５】
尚、蒸着にあたっては、前記支持体を蒸着器内に設置し、次いで、蛍光体原料（ＣｓＢｒ：０．０００５Ｅｕ）を蒸着源としてプレス成形し水冷したルツボにいれた。その後、蒸着器内を一旦排気し、その後Ｎ2ガスを導入し６．６５×１０-4Ｐａに真空度を調整した後、支持体の温度（基板温度ともいう）を２００℃に保持しながら、蒸着した。輝尽性蛍光体層の膜厚が３００μｍとなったところで蒸着を終了させ、次いで、この蛍光体層を温度４００℃で加熱処理した。
【００９６】
次いで、乾燥空気の雰囲気内で、輝尽性蛍光体層を有するガラス状の側縁部にスペーサを介して、輝尽性蛍光体層と保護層として用いる保護ガラスの間に低屈折率層として空気層が３００μｍの厚みになるように、ガラス製の保護層を設けた。尚、スペーサとしてはプレートエッジ部に空気層ができるように、ガラス製のスペーサをたて、その上に保護ガラスを設置した。ガラス製のスペーサはガラス支持体及び保護ガラスの側縁部にエポキシ系接着剤（スリーボンド社製）を用いて接着して、放射線画像変換パネル１を作製した。
【００９７】
保護ガラス：着色無しの透明ガラス（厚みが５５０μｍ、屈折率１．５２、輝尽励起光（半導体レーザ；６８０ｎｍ）における透過率が９８％）
次いで、上記放射線画像変換パネル１の作製において、真空度（Ｐａ）及び支持体温度条件を表１の様に変更した以外は同様にして、表１に記載の結晶先端角度（θ）、平均結晶径（μｍ）からなる柱状結晶を有する蛍光体層を設けた放射線画像変換パネル２〜６を作製した。
【００９８】
なお、結晶先端角度（θ）及び平均結晶径は、形成した輝尽性蛍光体層断面を電子顕微鏡を用いて観察し、各々の特性値を測定した。
【００９９】
《放射線画像変換パネルの評価》
以上のようにして作製した各放射線画像変換パネルについて、下記の方法に従って、輝度及び鮮鋭性の評価を行った。
【０１００】
（輝度の測定）
輝度の評価は、作製した各放射線画像変換パネルに厚さ２ｍｍの鉛ディスクを写し込み、管電圧８０ｋＶｐのＸ線を均一に照射した後、蛍光体層を設けた面側から、レーザービーム径が８０μｍの半導体レーザー光（６９０ｎｍ）で走査して励起し、各蛍光体層から放射される輝尽発光を受光器（分光感度Ｓ−５の光電子像倍管）で受光し、その強度を測定してこれを輝度と定義し、放射線画像変換パネル５の輝度を１．００とした相対値で表示した。
【０１０１】
（鮮鋭性の測定）
鮮鋭性については、放射線画像変換パネルに鉛製のＭＴＦチャートを通して管電圧８０ｋＶｐのＸ線を照射した後、パネルを、レーザービーム径が８０μｍの半導体レーザー光（６９０ｎｍ）で走査して励起し、蛍光体層から放射される輝尽発光を上記と同じ受光器で受光して電気信号に変換し、これをアナログ／デジタル変換してハードディスクに記録し、記録をコンピューターで分析してハードディスクに記録されているＸ線像の変調伝達関数（ＭＴＦ）を調べた。空間周波数１ｌｐ／ｍｍにおけるＭＴＦ値（％）を測定した。ＭＴＦ値が高いほど良好な鮮鋭性が得られるので好ましい。なお、放射線画像変換パネルとして、良好な鮮鋭性といえるのは、５０％を越えることである。
【０１０２】
（レーザービーム径変化による相対輝度及び鮮鋭性の測定）
放射線画像変換パネル２及び５を用いて、半導体レーザー光のレーザービーム径を１２０μｍに変更した以外は上記の輝度の測定及び鮮鋭性測定と同様にして、各特性を測定した。
【０１０３】
以上により得られた結果を表１に示す。
【０１０４】
【表１】
0004265139.tif 000002
【０１０５】
表１より明らかなように、本発明の柱状結晶の先端部が、結晶成長方向の中心を通る垂線と結晶先端断面部の接線とのなす角度（θ）が３５度以上、７０度以下である放射線画像変換パネルは、比較例に対して、高い輝度を有すると共に、鮮鋭性に優れていることがわかる。更に、平均結晶径が０．５μｍ以上、５０μｍ以下であること、あるいは輝尽性蛍光体層に照射されるレーザー径として１００μｍ以下で行うことにより、本発明の効果がより一層発揮できることを確認することができた。
【０１０６】
【発明の効果】
本発明により、輝度及び鮮鋭性の向上した放射線像変換パネル及びそれを用いる放射線画像読み取り装置を提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】  支持体上に形成した柱状結晶形状の一例を示す概略図である。
【図２】  支持体上に輝尽性蛍光体層が蒸着により形成される様子の一例を示す概略図。
【図３】  本発明の放射線画像変換パネル及び放射線画像読み取り装置の構成の１例を示す概略図。
【図４】  蒸着により支持体上に輝尽性蛍光体層を形成する方法の一例を示す概略図。
【符号の説明】
１  支持体
２  柱状結晶
３  結晶成長方向の中心を通る垂線
４  結晶先端断面部の接線
５  柱状結晶の結晶径
１５  支持体ホルダ
２１  放射線発生装置
２２  被写体
２３  放射線画像変換パネル
２４  輝尽励起光源
２５  光電変換装置
２６  画像再生装置
２７  画像表示装置
２８  フィルタ
【図１】
0004265139.tif 000003
【図２】
0004265139.tif 000004
【図３】
0004265139.tif 000005
【図４】
0004265139.tif 000006