(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高濃度ｎ型ゲートの第１の電界効果トランジスタと、該第１の電界効果トランジスに直列に接続された低濃度ｎ型ゲートの第２の電界効果トランジスタと、該第２の電界効果トランジスタにゲート電圧を与える第１のソースフォロア回路からなり、正または負の温度係数を有する第１出力電圧及び該第１出力電圧に比例した比例電圧をそれぞれ出力する第１の電圧源回路と、
該第１の電圧源回路の第１出力電圧と逆の温度係数を有する電圧を生成し、該生成した電圧と該第１出力電圧とを加算して温度係数を持たない基準電圧を生成する第２の電圧源回路と、
前記第１の電圧源回路から出力された比例電圧と、前記第２の電圧源回路で生成された基準電圧に応じた電圧とを比較する比較回路とを備え、
前記第１のソースフォロア回路は、前記第１の電界効果トランジスタと前記第２の電界効果トランジスタとの接続部にゲートが接続された前記第１出力電圧を出力するための第３の電界効果トランジスタ、前記第２の電界効果トランジスタのゲート電圧の電圧調整を行うための第１の抵抗、前記第１出力電圧の電圧調整を行うための第２の抵抗、および前記比例電圧の電圧調整を行うための第３の抵抗の直列回路からなり、前記第１から第３の各抵抗の値を調整可能とする手段を備えることを特徴とする温度検出回路。
【請求項２】
前記第２の電圧源回路は、異種導電型のゲートを持つ複数の電界効果トランジスタからなることを特徴とする請求項１記載の温度検出回路。
【請求項３】
前記第２の電圧源回路は、高濃度ｎ型ゲートの第４の電界効果トランジスタと、高濃度ｐ型ゲートの第５の電界効果トランジスタと、第５の電界効果トランジスタにゲート電圧を与える第２のソースフォロア回路からなり、前記基準電圧および該基準電圧に比例した比例基準電圧をそれぞれ出力し、前記比較回路は、前記比例電圧と該比例基準電圧との電圧比較を行うことを特徴とする請求項２記載の温度検出回路。
【請求項４】
前記第２のソースフォロア回路は、第６の電界効果トランジスタと、複数の抵抗から構成され、前記基準電圧を加減できるように、製造の際の拡散、成膜工程後に、前記各抵抗の値を調整可能とする手段を備えることを特徴とする請求項３記載の温度検出回路。
【請求項５】
前記比較回路は、前記第１のソースフォロア回路の出力がゲートに入力される第７の電界効果トランジスタと、前記第２のソースフォロア回路の出力がゲートに入力される第８の電界効果トランジスタとを入力トランジスタとした差動アンプからなり、前記両入力電圧の大小を比較して所定の判定信号を出力することを特徴とする請求項４記載の温度検出回路。
【請求項６】
前記第２の電圧源回路は、前記基準電圧を外部に出力することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の温度検出回路。
【請求項７】
前記抵抗の値を調整可能とする手段は、製造の際の拡散、成膜工程後に行うことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の温度検出回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、任意に設定した温度を検出するための温度検出回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路に異常に大きな電流が流れたり、周囲温度が上昇して半導体集積回路が高温になると、半導体集積回路は破壊されてしまう。この破壊を防ぐためには、検出した温度が高温になると半導体集積回路の動作を停止させることが必要になる。このような機能を有する回路は、絶対温度に比例する電圧(ＰＴＡＴ：proportional to absolute temperature)を発生する回路と、基準電圧発生回路と、両者の出力を比較処理する回路から構成されている。
【０００３】
検出したＰＴＡＴが、基準電圧(あらかじめ半導体集積回路を停止させたい温度Ｔに対応する電圧)を超えると、半導体集績回路を停止させる信号(チップイネーブルＣＥ信号)をアクティブにする。
【０００４】
このＰＴＡＴ電圧および基準電圧の精度が悪いと、半導体集積回路が動作温度範囲内であるにもかかわらずＣＥ信号がアクティブになってしまい半導体集積回路の動作を停止させたり、動作温度範囲を超えているにもかかわらずＣＥ信号がアクティブにならず半導体回路の破壊を引き起こしたりする。従っこの種の温度保護回路ではＰＴＡＴ電圧および基準電圧の双方の出力精度が重要となる。
【０００５】
特開平９−２４３４６６「半導体温度センサ」は、図７に示すように、チャネル幅Ｗとチャネル長Ｌの比(Ｗ／Ｌ)が互いに異なる２つのＭＯＳトランジスタＮ１、Ｎ２に同じ電流Ｉdを流すと、２つのＭＯＳトランジスタのゲート・ソース間電圧Ｖgs1、Ｖgs2が異なり、その差(Ｖgs1−Ｖgs2)が両トランジスタの動作温度に比例することから、これをＰＴＡＴ信号として用いている。２つのＭＯＳトランジスタのＷ／Ｌ比の大小を調整することで、正あるいは負の温度係数を持つ信号を得ることができる。
【０００６】
また、図８に示すようにＰＮＰトランジスタもしくはＮＰＮトランジスタをダイオード接続とし、これに一定電流を流した時に、ダイオードの両端に負の温度係数を持つ電圧Ｖtが得られる。そのＶtが基準電圧Ｖrefを上回った時に、比較器から所定の信号Ｔoutが出力される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、２つのＭＯＳトランジスタのＶgsの差を出力するものでは、ＰＴＡＴ電圧を精度よく取り出せる温度範囲が−５０〜１００℃の範囲に限られ、半導体集積回路の破壊につながるような１００℃以上の高温では精度が保証されない。
【０００８】
またダイオード接続を用いた回路は、ＰＴＡＴ電圧はプロセスのバラツキの影響を受けてしまい、精度の高いＰＴＡＴ電圧を出力することはできない。またＰＴＡＴ電圧の絶対温度に比例する傾き(温度傾斜)はプロセスにより決まってしまい自由に設定することはできないので、温度傾斜が大きな高精度な回路や温度傾斜が小さい低電圧動作の回路などを作ることはできなかった。
【０００９】
更には、このように検出されたＰＴＡＴ電圧の比較対象となる基準電圧は、温度に依存しない一定電圧でなくてはならないがそのような基準電圧を作るのも容易ではなかった。
【００１０】
本発明の目的は、高温動作が可能で、かつ温度傾斜を自由に設定できるＰＴＡＴ電圧発生回路を実現し、それを用いた高精度もしくは低電圧動作可能な温度検出機能を有する基準電圧発生回路を得ることである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、特開2001-284464号公報に開示されたゲートの仕事関数差の原理を応用した温度検出回路である。この温度検出回路は、図１に示すように、絶対温度に比例して正の温度係数を有するＰＴＡＴ電圧(以下これをＴvptatと記す)と、このＴvptatを抵抗分圧回路により得た、正の温度係数を有する電圧(以下これをＶptatと記す)を発生する第１の電圧源回路Ａと、絶対温度に比例して負の温度係数を有する電圧を発生し、この負の温度係数の電圧にＶptatを所定の比で加算することにより、温度係数に依存しない第１の基準電圧Ｔvrefおよび第２の基準電圧Ｖrefを出力する第２の電圧源回路Ｂと、この第１の基準電圧Ｔvrefと前記Ｔvptatを比較してその比較結果Ｔoutを出力する比較回路Ｃとから構成される。
【００１２】
Ｖptatを発生する第１の電圧源回路Ａにゲートの仕事関数差の原理を応用したため、Ｖptatを半導体の動作限界温度まで精度よく発生することができる。また、簡単な抵抗分割でＶptatの温度傾斜を調整できるので、高精度版や低電圧版など目的に応じた温度検出機能を有する基準電圧発生回路を得ることができる。さらに、第２の電圧源回路Ｂにもゲートの仕事関数差の原理を応用しているため、基準電圧であるＶrefおよびＴvrefも半導体の動作限界温度まで精度よく発生することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
図２に本発明の温度検出機能を有する基準電圧発生回路の実施形態を示す。この実施形態では本回路をｎ型基板上に構築している。
第１の電圧源回路は、ｎ型チャンネルの電界効果トランジスタ(以下単にトランジスタと記す)Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３と抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５で構成されている。このトランジスタＭ１、Ｍ２は、基板やチャネルドープの不純物濃度は等しく、ｎ型基板のｐウェル内に形成され、各トランジスタの基板電位はソース電位と等しくしてある。また、チャネル幅Ｗとチャネル長Ｌの比(Ｗ／Ｌ)は互いに等しい。
【００１４】
トランジスタＭ１は高濃度ｎ型ゲートを持ち、トランジスタＭ２は低濃度ｎ型ゲートを持ち、両トランジスタは直列に接続される。トランジスタＭ１は、そのゲートをソースに結線して定電流回路として用いる。トランジスタＭ３と抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５との直列接続によるソースフォロア回路が形成される。トランジスタＭ３は低濃度ｎ型ゲートで、そのソースと抵抗Ｒ１との接続点からＴvptatが出力され、抵抗Ｒ１とＲ２との接続点からＶptatが出力され、そして、抵抗Ｒ２とＲ５の接続点の電位が、トランジスタＭ２のゲートに供給される。
【００１５】
第２の電圧源回路は、ｎ型チャネル電界効果トランジスタＭ４、Ｍ５と、ｐ型チャネル電界効果トランジスタＭ６、Ｍ７、Ｍ８と抵抗Ｒ３、Ｒ４で構成されている。このトランジスタＭ４、Ｍ５は、基板やチャネルドープの不純物濃度は等しく、ｎ型基板のｐウェル内に形成され、各トランジスタの基板電位はソース電位と等しくしてある。また、チャネル幅Ｗとチャネル長Ｌの比(Ｗ／Ｌ)は互いに等しい。
【００１６】
トランジスタＭ４は、高濃度ｎ型ゲートで、トランジスタＭ５は、高濃度ｐ型ゲートである。この導電型のみ異なるペアのトランジスタＭ４とＭ５は、差動増幅器の入力トランジスタであり、そしてトランジスタＭ６とＭ７でカレントミラー回路を構成するため、トランジスタＭ４、Ｍ５には同じドレイン電流が流れる。また、この差動増幅器(Ｍ４、Ｍ５)とトランジスタＭ８との間でフィードバックループを構成している。トランジスタＭ５のゲートの出力Ｖrefは、抵抗Ｒ３と抵抗Ｒ４で分圧され、Ｔvrefとして比較回路に供給される。
【００１７】
比較回路は、ｎ型チャネル電界効果トランジスタＭ９、Ｍ１０、Ｍ１４と、ｐ型チャネル電界効果トランジスタＭ１１、Ｍ１２、Ｍ１３から構成されている。トランジスタＭ１１とＭ１２は、カレントミラー回路を構成しており、トランジスタＭ９とＭ１０は、差動増幅器の入力トランジスタであり、トランジスタＭ９のゲートには第２の電圧源回路よりＴvrefが、トランジスタＭ１０のゲートには第１の電圧源回路よりＴvptatが供給される。この差動増幅器を比較器として用いる。差動増輻器の出力は、ｐ型チャネルのトランジスタＭ１３とｎ型チャネルのトランジスタＭ１４からなるインバータ回路に供給され、このインバータ回路の出力がＴoutとなる。
【００１８】
次に図２の回路動作を説明する。まず、第１の電圧源回路は、同一導電型で不純物濃度のみ異なるペアのトランジスタＭ１、Ｍ２には同一のドレイン電流が流れ、かつトランジスタＭ１のソース・ゲート間電圧が０のため、特開2001-284464号公報に記載されている通り、ソース・ゲート間電圧の差は、トランジスタＭ２のソース・ゲート間の電圧に等しく、そのためこれがＰＴＡＴ電圧となり、これをＶptat'とする。
【００１９】
従って、第２の電圧源回路のトランジスタＭ４に供給されるＶptatは、
Ｖptat＝(Ｒ２＋Ｒ５)／Ｒ５＊Ｖptat'
となる。また、比較回路のトランジスタＭ１０に供給されるＴvptatは、
Ｔvptat＝(Ｒ１＋Ｒ２＋Ｒ５)／Ｒ５＊Ｖptat'  …(１)
となる。もともとＶptat'は正の温度係数を持つので、ＶptatおよびＴvptatも正の温度係数を持つ。
【００２０】
次に、第２の電圧源回路は、差動増幅器の入力トランジスタとして、異種導電型のペアのトランジスタＭ４、Ｍ５を用い、ｐ型チャネルトランジスタＭ６、Ｍ７でカレントミラー回路を構成しているのでトランジスタＭ４、Ｍ５には同一の電流が流れる。また、この差動増幅器(Ｍ４、Ｍ５)とトランジスタＭ８との間でフィードバックループが形成されているため、特開2001-284464号公報に記載されている通り、この差動増幅器(Ｍ４、Ｍ５)は、トランジスタＭ４のゲートと、トランジスタＭ５のゲートとでＶpnの入力オフセットを持ち、しかもこのＶpnは負の温度係数を持つ。
【００２１】
従って、トランジスタＭ４のゲートに第１の電圧源回路からのＶptatが印加されると、トランジスタＭ５のゲートに、ＶptatにＶpnを加算したＶｘが出力される。
【００２２】
このＶｘは、正の温特を持つＶptatと負の温特を持つＶpnを足し合わせているので温度特性を持たず、一定の基準電圧Ｖrefとなる。また、第３の電圧源回路のトランジスタＭ９に供給されるＴvrefは、
Ｔvref＝Ｒ４／(Ｒ３＋Ｒ４)＊Ｖref  …(２)
となり、これも温度特性を持たない。
【００２３】
最後に、第３の比較回路は、ｐ型チャネルトランジスタＭ１１、Ｍ１２でカレントミラー回路を構成し、入力トランジスタとして、ｎ型チャネルトランジスタＭ９、Ｍ１０をもち、トランジスタＭ９のゲートにはＴvrefが、トランジスタＭ１０のゲートにはＴvptatが入力される。図３に示すように、Ｔvrefは、温度特性を持たないので温度が変化しても常に一定である。それに対し、Ｔvpatは正の温度特性を持ち、絶対温度に比例して電圧が上昇する。
【００２４】
半導体集積回路を保護したい温度Ｔで両特性のラインが交差するようにＴvrefまたはＴvptatを設定すれば、検出温度が設定温度Ｔより低いときは、Ｔvptat＜Ｔvrefなので、比較器(Ｍ９、Ｍ１０)部の出力はHighとなり、最終出力ＴoutはLowになる。検出温度が上昇して設定温度Ｔより高くなると、Ｔvptat＞Ｔvrefとなるので、比較器の出力はLowとなり、最終出力ＴoutはHighになる。このＴoutをチップイネーブル信号として使用すれば、半導体集積回路を温度保護できる。
【００２５】
Ｔvrefを所望の大きさにするには、(２)式にあるように抵抗Ｒ３とＲ４との比を調整し、また、Ｔvptatを所望の大きさにするには、(１)式にあるように(Ｒ１＋Ｒ２＋Ｒ５)とＲ５との比を調整すればよい。
【００２６】
図４に示すように、Ｔvptatは、(Ｒ１＋Ｒ２＋Ｒ５)/Ｒ５＊Ｖptat'なので、前記温度傾斜、即ち、検出温度１℃の変化に対する電圧変化量ΔＴvptatもΔＶptat'の(Ｒ１＋Ｒ２＋Ｒ５)/Ｒ５倍になる。この△Ｔvptatが大きければ、抵抗Ｒ３とＲ４の抵抗比のばらつきなどでＴvrefがばらついても、そのばらつきが△Ｔvptatより小さければ精度への影響は小さく、より高精度が期待できる。
【００２７】
逆に△Ｔvptatを小さくすると、設定温度Ｔになっても、Ｔvptatが高い電圧にならないので回路を低電圧化ができる。これらのＴvptatとＴvrefは、抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ５と、抵抗Ｒ３とＲ４で簡単に調整できる。これらの抵抗比は製造時に固定してもいいし、製造後、図５に示すように、×の個所をレーザ一でトリミングをして抵抗値を調整してもよい。
【００２８】
半導体集積回路に供給する基準電圧としては、第２の電圧源回路で発生させたＶrefを使用できる。以上述べたこれらの電圧は、ゲートの仕事関数差の原理を応用して発生させたものであるので、動作温度に影響を受けず、半導体自身の動作限界温度まで精度よく出力される。
【００２９】
第６図に本発明の第２の実施形態を示す。この実施形態では温度検出機能を有する基準電圧発生回路を、ｐ型基板上に構築しており、第１の電圧源回路と第２の電圧源回路と比較回路から構成される。
【００３０】
第１の電圧源回路は、ｐ型チヤンネルの電界効果トランジスタＭ１、Ｍ２、Ｍ３と抵抗Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８で構成されている。このトランジスタＭ１、Ｍ２は、基板やチャネルドープの不純物濃度は等しく、ｐ型基板のｎウェル内に形成され、各トランジスタの基板電位はソース電位と等しくしてある。また、チャネル幅Ｗとチャネル長Ｌの比(Ｗ／Ｌ)は、共に等しい。トランジスタＭ２は、低濃度ｎ型ゲートでそのゲートをソースに結線して定電流回路として用いる。
【００３１】
トランジスタＭ１は、高濃度ｎ型ゲートで、トランジスタＭ３と抵抗Ｒ６からなるソースフォロア回路によりゲート電位が与えられる。また、トランジスタＭ１のソース・ゲート間の電位をＶptat、トランジスタＭ３のドレインよりＶptatB、さらにＶptatBを抵抗Ｒ７と抵抗Ｒ８で分圧してＴvptatBを出力している。
【００３２】
第２の電圧源回路は、ｎ型チャネル電界効果トランジスタＭ４、Ｍ５と、ｐ型チャネル電界効果トランジスタＭ６、Ｍ７、Ｍ８と、抵抗Ｒ９、Ｒ１０で構成されている。このトランジスタＭ４、Ｍ５は、基板やチャネルドープの不純物濃度は等しく、ｐ型基板に形成され、トランジスタの基板電位はＧＮＤ電位である。また、チャネル幅Ｗとチャネル長Ｌの比(Ｗ／Ｌ)は共に等しい。
【００３３】
トランジスタＭ４は、高濃度ｎ型ゲートで、トランジスタＭ５は、高濃度ｐ型ゲートである。ペアをなすトランジスタＭ４とＭ５は、差動増幅器の入力トランジスタである。そしてｐ型チャネル電界効果トランジスタＭ６とＭ７でカレントミラー回路を構成している。差動増幅器(Ｍ４、Ｍ５)と、ｐ型チャネル電界効果トランジスタＭ８との間でフイードバックループを構成している。差動増幅器(Ｍ４、Ｍ５)の出力Ｖrefは、抵抗Ｒ９と抵抗Ｒ１０で分圧され、Ｔvrefとして出力している。
【００３４】
比較回路は、ｎ型チャネル電界効果トランジスタＭ９、Ｍ１０、Ｍ１４と、ｐ型チャネル電界効果トランジスタＭ１１、Ｍ１２、Ｍ１３から構成されている。トランジスタＭ１１とＭ１２は、カレントミラー回路を構成しており、トランジスタＭ９とＭ１０は、差動増幅器の入力トランジスタであり、トランジスタＭ９のゲートには第２の電圧源回路よりＴvrefが、トランジスタＭ１０には第１の電圧源回路よりＶptatBが入力しされる。この差動増幅器(Ｍ９、Ｍ１０)の出力は、ｐ型チャネル電界効果トランジスタＭ１３とｎ型チャネル電界効果トランジスタＭ１４からなるインバータ回路へ入力されており、このインバーター回路の出力がＴoutとなる。
【００３５】
次に図６の回路動作を説明する。まず、第１の電圧源回路は、ペアをなすトランジスタＭ１とＭ２に、同一の電流が流れるため、第１の実施形態と同様に、トランジスタＭ１のソース・ゲート間の電圧がＶptatとなる。また、抵抗Ｒ６に流れる電流と同じ電流が抵抗Ｒ７とＲ８にも流れるので、ＶptatBは、((Ｒ７＋Ｒ８)／Ｒ６)＊Ｖptatとなる。さらに、ＴvptatBは、(Ｒ８／(Ｒ７＋Ｒ８))＊ＶptatBとなる。Ｖptatは既述したように正の温度係数を持つので、ＶptatBもＴvptatBも正の温度係数を持つ。
【００３６】
次に、第２の電圧源回路は、差動増幅器の入力トランジスタとして、異種導電型のペアのトランジスタＭ４、Ｍ５を用い、ｐ型チャネルトランジスタＭ６、Ｍ７でカレントミラー回路を構成しているのでトランジスタＭ４、Ｍ５には同一の電流が流れる。また、この差動増幅器(Ｍ４、Ｍ５)とトランジスタＭ８との間でフィードバックループが形成されているため、この差動増幅器(Ｍ４、Ｍ５)は、トランジスタＭ４のゲートと、トランジスタＭ５のゲートとでＶpnの入力オフセットを持ち、しかもこのＶpnは負の温度係数を持つ。
【００３７】
従って、トランジスタＭ４のゲートには第１の電圧源回路からのＶptatが印加されると、トランジスタＭ５のゲートに、ＶptatにＶpnを加算したＶrefが出力される。
【００３８】
このＶrefは、正の温特を持つＶptatと負の温特を持つＶpnを足し合わせているので温度特性を持たず、一定の基準電圧となる。また、第３の電圧源回路のトランジスタＭ９に供給されるＴvrefは、
Ｔvref＝Ｒ１０／(Ｒ９＋Ｒ１０)＊Ｖref
となり、これも温度特性を持たない。
【００３９】
最後に、第３の比較回路は、ｐ型チャネルトランジスタＭ１１、Ｍ１２でカレントミラー回路を構成し、入力トランジスタとして、ｎ型チャネルトランジスタＭ９、Ｍ１０をもち、トランジスタＭ９のゲートにはＴvrefが、トランジスタＭ１０のゲートにはＴvptatが入力される。Ｔvrefは、温度特性を持たないので温度が変化しても常に一定である。それに対し、Ｔvpatは正の温度特性を持ち、絶対温度に比例して電圧が上昇する。
【００４０】
この場合も検出温度が設定温度Ｔより低いときは、ＴvptatB＜Ｔvrefなので、比較器(Ｍ９、Ｍ１０)部の出力はHighとなり、最終出力ＴoutはLowになる。検出温度が上昇して設定温度Ｔより高くなると、ＴvptatB＞Ｔvrefとなるので、比較器の出力はLowとなり、最終出力ＴoutはHighになる。このＴoutをチップイネーブル信号として使用すれば、半導体集積回路を温度保護できる。
【００４１】
Ｔvrefを所望の大きさにするには、抵抗Ｒ９とＲ１０との比を調整し、また、ＴvptatBを所望の大きさにするには、(Ｒ７＋Ｒ８)／Ｒ６の比を調整すればよい。
【００４２】
以上のように、本発明によれば、高温動作が可能な、かつ高精度あるいは低電圧動作ができる温度検出機能を有する基準電圧発生同路を得ることができる。また、第１の電圧源回路に正の温度係数を有する電圧を発生させ、第２の電圧源回路で負の温度係数を有する電圧を発生させているが、もちろん、第１の電圧源回路に負の温度係数を有する電圧を発生させ、第２の電圧源回路で正の温度係数を有する電圧を発生させても同様の結果が得られる。その場合は、第１の電圧源回路から負の温度係数を有する電圧Ｔvptatを得る。
【００４３】
尚、本出願人が先に提出した「温度検出回路」(特願2002-77915)は、温度信号に含まれる２次の温度係数をなくし、一次の温度係数のみを持つ高精度の温度信号を出力するものであり、この温度信号を、本発明の第１の電圧源回路で得た正の温度係数を有する電圧Ｔvptatに替えて採用すれば、更に高精度の温度検出が可能となる。
【００４４】
【発明の効果】
本発明は、第１の電圧源回路の出力電圧と第２の電圧源回路の出力電圧とを加算して作った温度係数を持たない基準電圧と、いずれか一方の電圧源回路よりの正もしくは負の温度特性を有する出力電圧とを比較するようにしたものであり、第１および第２の各電圧源回路にて、ゲートの仕事関数差の原理を応用して温度係数を有する電圧および温度係数を持たない基準電圧を得ているため、これらの電圧を半導体の動作限界温度まで精度よく発生することができ、広範囲の温度で精度の良い温度検出が可能となる。
【００４５】
また、発生電圧の大きさを決定する抵抗の値を製造の際の拡散、成膜工程後に調整可能したので、温度係数を持たない高精度な基準電圧を得ることができ、また、正の温度係数を有する電圧の温度傾斜を自在に設定できるため、温度傾斜を大きくしてより高精度な回路にしたり、温度傾斜を小さくして低電圧動作の回路などを作ることができる。
【００４６】
また、温度検出信号(判定信号)に加えて、基準電圧も外部出力するため、判定信号で保護しようとする半導体集積回路に基準電圧を供給でき、回路のサイズを小型化できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の温度検出回路のクレーム対応図
【図２】  本発明の第１実施形態を示した回路図
【図３】  図２の回路で作成されるＴvpat電圧とＴvref電圧の温度変化を示したグラフ
【図４】  図２の回路で作成されるＴvpat電圧とＶptat電圧の温度変化を示したグラフ
【図５】  トリミング可能な抵抗を示した図
【図６】  本発明の第２実施形態を示した回路図
【図７】  ＰＴＡＴ電圧を発生する従来の回路図
【図８】  温度判定信号を得るための従来の回路図
【符号の説明】
Ｍ  電界効果トランジスタ
Ｒ  抵抗
Ｖptat、Ｔvptat  正の温度係数を有する電圧
Ｖref、Ｔvref  基準電圧
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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