(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電界発光を示す蛍光膜を互いに直交する複数のストライプ状の行電極と複数のストライプ状の列電極とで挟み、行電極と列電極のうち一方の電極のいずれか１つに基準電位を与えて順次選択しつつ全ての他方の電極にパルス信号を供給して走査を行い表示を行うマトリクス駆動表示装置において、
前記パルス信号を供給される他方の電極の形成面より絶縁物を介して面電極を設け、
前記面電極に前記基準電位を与え、
前記絶縁物の厚みと誘電率の少なくとも一方によって、非表示画素部の前記パルス信号を供給される前記他方の電極と前記面電極との間の静電容量を、非表示画素部の前記列電極と前記行電極との間の静電容量より小さくし、表示素子が有する時定数を前記面電極を設けないときの時定数よりも小さくしたことを特徴とするマトリクス駆動表示装置。
【請求項２】
請求項１記載のマトリクス駆動表示装置において、
前記蛍光膜を行電極と列電極とで挟んだ素子を絶縁体の支持基板の一面に形成し、
前記面電極を、前記支持基板の他面に形成したことを特徴とするマトリクス駆動表示装置。
【請求項３】
請求項１記載のマトリクス駆動表示装置において、
前記蛍光膜を行電極と列電極とで挟んだ素子を支持基板の一面に形成し、
前記素子の表面に絶縁体層を形成し、
前記面電極を、前記絶縁体層の表面に形成したことを特徴とするマトリクス駆動表示装置。
【請求項４】
請求項１記載のマトリクス駆動表示装置において、
前記蛍光膜を行電極と列電極とで挟んだ素子を絶縁体の支持基板の一面に形成し、
前記面電極を、高融点金属材料を用いて前記支持基板の内部に形成したことを特徴とするマトリクス駆動表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はマトリクス駆動表示装置に関し、特に、ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ）ディスプレイ等のマトリクス駆動表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１は、従来のマトリクス駆動表示装置に用いられる表示素子の一例の構造図を示す。同図中、電気応答性を有する薄膜３の上面に、複数のストライプ状の行電極４が互いに平行に形成され、また、薄膜３の下面に、行電極４に直交するよう複数のストライプ状の列電極２が形成されている。
【０００３】
上記の薄膜３と行電極４と列電極２の構造は通常、基板１上に形成される。薄膜３の種類としては、電気光学特性をもつ液晶、電界発光を示す無機ＥＬ薄膜、電流注入によって発光を示す有機ＥＬ薄膜などが挙げられる。液晶の場合は列電極２及び行電極４は透明電極であり、ＥＬの場合は列電極２，行電極４の少なくとも一方が透明電極である。
【０００４】
このような表示素子で静止画あるいは動画表示を行うための手法の１つがパッシブマトリクス駆動である。駆動手順は、行電極（走査電極）４が順次１本づつ選択され、それと同時に、選択された行電極４上の各画素に対応した信号Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，…が全ての列電極（信号電極）２に一斉に与えられる。なお、図１においては、信号Ｖ２は０Ｖであり、表示画素をハッチングで示す。全ての行電極の走査がひと通り完了した時点で１枚（１フレーム）の画像が完成し、これが繰り返し行われて線順次走査表示が行われる。このとき、１本の行電極４の選択時間ｔｓは式（１）で表される。
【０００５】
ｔｓ＝１／（Ｎ×ｆ）                …（１）
但し、Ｎは行電極数、ｆは画像のフレーム周波数である。このため、例えば高精細度の動画像を表示しようとする場合には選択時間が短くなる。
【０００６】
一方、電気回路的には、図２に示すように１本の列電極２の長手方向に沿った各画素の静電容量Ｃと電極抵抗ＲからなるＲＣ回路網が形成されている。列電極２にパルス信号Ｖｎを印加する場合、容量Ｃと抵抗Ｒの積である時定数の大きさのパルス幅に対する比に関係して信号の立ち上がり、および立ち下がり時間が変化する。
【０００７】
参考文献１（Ｌａｗｒｅｎｃｅ  Ｌ．Ｈｏｐｅ  ｅｔｃ．，”Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ  Ｓｙｓｔｅｍｓ  ｆｏｒ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  Ｄｉｓｐｌａｙｓ”，Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  ｔｈｅ  ３ｒｄ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ（ＪＡＰＡＮ  ＤＩＳＰＬＡＹ’８３）  Ｐ．５８２）にて検討がなされているように、列電極２として透明電極を用いる場合、時定数τの大きさは式（２）で表される。
【０００８】
τ＝ｆｇ×ρｓ×Ｃｓ×Ｌ２              …（２）
但し、ρｓは列電極のシート抵抗値、Ｃｓは列電極の単位面積あたりの容量、Ｌは電極の長さ、ｆｇは１画素の縦横比（アスペクト比）である。
【０００９】
ここで、ρｓ，Ｃｓが一定である場合、時定数τはＬの２乗に比例する。例えば、信号出力回路から遠い位置にある画素にパルス信号を印加する場合には時定数が大きくなり、パルス幅が変わらなければ信号波形に伝搬歪みが現れる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
マトリクス駆動においては、時定数の大きさと選択時間（パルス信号の時間幅）の比に関係して、画素に印加される信号波形の歪みの度合いが変わってくる。これには２つの要素が考えられ、１つは、表示画面が大きくなることで列電極２が長くなり時定数が大きくなること、もう１つは、高精細な動画を表示するため走査線数（行電極数）を増加することで選択時間が短くなることである。
【００１１】
波形歪みの影響を考えると、時定数の大きさは選択時間の１／１０以下の値が望ましいが、例えば、無機ＥＬディスプレイの場合、走査線数Ｎ＝８００、フィールド周波数ｆ＝６０Ｈｚ、画素アスペクト比ｆｇ＝１、透明電極（列電極２）のシート抵抗値ρｓ＝１０Ω／□、電極長さＬ＝２０ｃｍ、また、ＥＬ薄膜部分の等価比誘電率が５．４、厚さが１μｍ程であるから、電極単位面積あたりの容量はおよそＣｓ＝２．７ｎＦ／ｃｍ２である。このため、式（１）から選択時間は２０μｓとなり、式（２）から信号出力回路より一番遠い位置にある画素に対応する時定数τは１０．８μｓとなる。
【００１２】
従って、時定数τの大きさは選択時間の１／２以上になる。更に大画面で、かつ高精細な動画表示を行うと、信号出力回路から遠い位置にある画素では時定数が選択時間に対して大きすぎるために、信号出力回路から遠ざかるにつれ電圧が低下していき、必要な電圧が印加されている時間も短くなり、画面全体に輝度傾斜が生じる。
【００１３】
この対策として、あらかじめ電圧が低下する分だけ信号出力回路の出力電圧を高くすることが考えられるが、その場合には信号出力回路の設計・作製の変更が必要であり、加えて消費電力の増加を招くことになる。
【００１４】
あるいは、逆に選択時間を長くするために、上下２分割駆動方法やデュアルライン走査方法があり、また専用の駆動タイミングチャートが参考文献２（Ｋ．Ｔａｋａｈａｒａ  ｅｔｃ．，”Ａ  Ｒｅｆｒｅｓｈ  Ａｄｄｒｅｓｓｉｎｇ  Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ  ｆｏｒ  Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  ＥＬ  Ｐａｎｅｌｓ”，Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  ｔｈｅ  ３ｒｄ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ  （ＪＡＰＡＮ  ＤＩＳＰＬＡＹ’８３）  ｐ．５７８）に示されているが、これらは選択時間が実質的に２倍長くなる程度であり、時定数の選択時間に対する比を１／１０以下とするような大きな改善は期待できないという問題があった。
【００１５】
一方、表示素子に用いる材料の見直しによって時定数の大きさを小さくすることが考えられる。前記の式（２）から、透明電極（列電極２）のシート抵抗値ρｓが小さくなれば時定数が小さくなる。しかしながら、シート抵抗値ρｓが最小になるよう透明電極（列電極２）を形成し、更に透明電極の縁に金属のバスラインを設けても、透明電極のシート抵抗値は１／５の大きさの１Ω／□程度であり、選択時間を長くする方法と組み合わせたとしても、時定数と選択時間の比は１／１０が限界である。従って、現状よりも大画面で高精細な動画表示を行う場合に対応ができないという問題があった。
【００１６】
本発明は、上記の点に鑑みなされたもので、表示素子が有するＲＣ時定数を小さくしてパルス信号波形の伝搬歪みを低減でき、大画面高精細表示を実現する上で極めて有効なマトリクス駆動表示装置を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、電界発光を示す蛍光膜を互いに直交する複数のストライプ状の行電極と複数のストライプ状の列電極とで挟み、行電極と列電極のうち一方の電極のいずれか１つに基準電位を与えて順次選択しつつ全ての他方の電極にパルス信号を供給して走査を行い表示を行うマトリクス駆動表示装置において、前記パルス信号を供給される他方の電極の形成面より絶縁物を介して面電極を設け、前記面電極に前記基準電位を与え、前記絶縁物の厚みと誘電率の少なくとも一方によって、非表示画素部の前記パルス信号を供給される前記他方の電極と前記面電極との間の静電容量を、非表示画素部の前記列電極と前記行電極との間の静電容量より小さくし、表示素子が有する時定数を前記面電極を設けないときの時定数よりも小さくしたことにより、パルス信号波形の伝搬歪みを低減でき、大画面高精細表示を実現する上で極めて有効となる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明は、素子構造を変更して列電極の単位面積あたりの容量Ｃｓを低減することで時定数を小さくし、選択時間に対する時定数の大きさを十分小さくしょうとするものである。これにより表示素子の充放電が高速に行われ、信号波形の伝搬歪みは低減される。
【００１９】
図３に従来の表示素子の一例の動作説明用断面構造図、図４に本発明になる表示素子の一実施例の動作説明用断面構造図を示す。
【００２０】
まず、従来の表示素子を駆動する場合、列電極２には接地電位、あるいは信号電位Ｖｎが印加される。行電極４については、選択される１本の行電極４にのみ図３（Ｂ）に示すように接地電位が印加され、残りの非選択の行電極４はすべて図３（Ａ）に示すように無電位とする。図３（Ｂ）に示す選択される行電極４については、表示画素部８では充放電６が行われ、非表示画素部９では両端が接地電位であるため充放電は行われない。
【００２１】
しかし、図３（Ａ）に示す非選択の行電極４については、電気回路的に行電極４を介して厚さｄの誘電体である薄膜３を媒質とする複数のコンデンサが容量結合しているため、非表示画素部９では誘電体３において充放電６が行われる。
【００２２】
本発明の表示素子では、図４（Ａ），（Ｂ）に示すように、基板１の背面に電極プレート５が設けられており、電極プレート５は接地電位とされている。この表示素子を駆動する場合には、電極プレート５に対して列電極２に接地電位、あるいは信号電位Ｖｎが印加される。行電極４については、選択される１本の行電極４にのみ図４（Ｂ）に示すように接地電位が印加され、残りの非選択の行電極４はすべて図４（Ａ）に示すように無電位とする。図４（Ｂ）に示す選択される行電極４については、表示画素部８では充放電６が行われ、非表示画素部９では両端が接地電位であるため充放電は行われない。
【００２３】
図４（Ａ）に示す非選択の行電極４については、電極プレート５が接地電位であるため、非表示画素部９で列電極２とそれに対向する接地電位の電極プレート５との間で充放電７が行われる。つまり、非表示画素部９では誘電体である薄膜３に替わって、基板１がコンデンサ媒質となるため、形成されるコンデンサの電極間隔を薄膜３の１０倍以上に拡大することができる。
【００２４】
ここで、コンデンサの静電容量Ｃは式（３）で与えられる。
【００２５】
Ｃ＝ε×Ｓ／ｄ                      …（３）
誘電体３および基板１の誘電率εに大差はないとすると、１画素の面積Ｓが従来と同じ場合、式（３）により、列電極の単位面積あたりの静電容量Ｃｓは従来の１／１０以下となる。従って、現状で１／２程度であった時定数の選択時間に対する比が１／２０以下となるため、十分に高速な充放電が可能となり、信号波形の伝搬歪みが低減される。
【００２６】
なお、式（３）から分かるように、同時に基板１の誘電率εを誘電体３の誘電率εより小さくすることによっても列電極の単位面積あたりの静電容量Ｃｓを小さくすることが可能である。
【００２７】
次に、図４に示した表示素子の製作について詳細に説明する。図５は、本発明のマトリクス駆動表示装置に用いられる無機ＥＬ表示パネルの一実施例の詳細な断面構造図を示す。なお、図４が横断面を示しているとすれば、図５及び後述の図６，図７，図８は縦断面を示している。
【００２８】
図５において、まず、ガラス基板１１の片側全面に接地用の電極プレート１５としてＩＴＯ透明膜をスパッタリング法で形成した。このＩＴＯ透明膜を介してＥＬ光１０を取り出すため、ＩＴＯ透明膜の可視光透過率が８０％以上となる膜厚とした。次に、ガラス基板１１の反対側の面にパルス信号を与える列電極１２としてＩＴＯ透明膜をスパッタリング法で形成した。次に、絶縁層３１としてＳｉＯ２／Ｔａ２Ｏ５積層膜をスパッタリング法で形成し、発光層（蛍光膜）３２にはＺｎＳ：Ｍｎを真空蒸着した。更に、絶縁層３３としてＳｉＯ２／Ｔａ２Ｏ５積層膜をスパッタリング法で形成し、走査のため選択する行電極１４としてＡｌ膜を真空蒸着法で形成した。上記発光層３２からＥＬ光１０が取り出される。
【００２９】
走査線数Ｎ＝８００、フィールド周波数ｆ＝６０Ｈｚ、画素アスペクト比ｆｇ＝１、透明電極（列電極１２）のシート抵抗値ρｓ＝１０Ω／□、列電極１２の長さＬ＝２０ｃｍである。電極単位面積あたりの容量がガラス基板１１の比誘電率４、ガラス基板１１の厚さ１ｍｍであるから、およそＣｓ＝４ｐＦ／ｃｍ２であり、式（１）から選択時間は２０μｓとなり、式（２）より信号出力回路から一番遠い位置にある画素に対して時定数が１６ｎｓとなる。
【００３０】
従って、この無機ＥＬ表示パネルにおける時定数の選択時間に対する比は約１／１０００となり、パルスの伝搬特性を大幅に改善することができる。
【００３１】
図６，図７，図８は、本発明のマトリクス駆動表示装置に用いられる反転構造型無機ＥＬ表示パネルの各実施例の詳細な断面構造図を示す。
【００３２】
図６において、まず、ガラス基板２１の片面全面に接地用の電極プレート３５としてＡｌ膜を真空蒸着法で形成した。次に、ガラス基板２１の反対側の面に走査のため選択する列電極２２としてＡｌ膜を真空蒸着法で形成した。次に、列電極２２上に絶縁層３１としてＳｉＯ２／Ｔａ２Ｏ５積層膜をスパッタリング法で形成し、発光層（蛍光膜）３２にはＺｎＳ：Ｍｎを真空蒸着した。更に、絶縁層３３としてＳｉＯ２／Ｔａ２Ｏ５積層膜をスパッタリング法で形成し、その上にパルス信号を与える行電極２４としてＩＴＯ透明膜をイオンプレーティング法で形成した。上記発光層３２からＥＬ光２０が取り出される。
【００３３】
走査線数Ｎ＝８００、フィールド周波数ｆ＝６０Ｈｚ、画素アスペクト比ｆｇ＝１、行電極２４のシート抵抗値ρｓ＝１０Ω／□、行電極２４の長さＬ＝２０ｃｍである。電極単位面積あたりの容量がガラス基板２１の静電容量（４ｐＦ／ｃｍ２）と、絶縁層３１，３３，発光層３２の静電容量（２．７ｎＦ／ｃｍ２）との合成容量であるから、およそＣｓ＝４ｐＦ／ｃｍ２であり、式（１）から選択時間は２０μｓとなり、式（２）より信号出力回路から一番遠い位置にある画素に対して時定数が１６ｎｓとなる。従って、この無機ＥＬ表示パネルにおける時定数の選択時間に対する比は約１／１０００となり、パルスの伝搬特性を大幅に改善することができる。
【００３４】
図７において、まず、ガラス基板２１に走査のため選択する列電極２２としてＡｌ膜を真空蒸着法で形成した。次に、絶縁層３１としてＳｉＯ２／Ｔａ２Ｏ５積層膜をスパッタリング法で形成し、発光層（蛍光膜）３２にはＺｎＳ：Ｍｎを真空蒸着した。更に、絶縁層３３としてＳｉＯ２／Ｔａ２Ｏ５積層膜をスパッタリング法で形成した。パルス信号を与える行電極２４としてＩＴＯ透明膜をイオンプレーティング法で形成した。
【００３５】
そして、行電極２４上にウレタン系紫外線硬化型透明樹脂５１の接着剤を用いて、ＩＴＯ透明膜が片側全面に形成されているポリカーボネイト製フィルム５２をＩＴＯ膜のない面で接着した。このポリカーボネイト製フィルム５２上のＩＴＯ膜が接地用の電極プレート２５となる。上記発光層３２からＥＬ光２０が取り出される。
【００３６】
紫外線硬化型透明樹脂５１およびポリカーボネイト製フィルム５２部分の等価比誘電率が３．４、同部分の厚さが０．４ｍｍである。行電極２４の単位面積あたりの容量がおよそＣｓ＝８．５ｐＦ／ｃｍ２であり、信号出力回路から一番遠い位置にある画素に対して時定数が３４ｎｓとなる。従って、このパネルの時定数と選択時間との比は約１／５００になり、パルス信号の伝搬特性を改善することができる。
【００３７】
図８において、まず、アルミナ基板８１の片面全面に接地用の電極プレート４５としてタンタル（Ｔａ）膜を真空蒸着法で形成した。次に、電極プレート４５の上にアルミナ基板８２を密着させ仮焼成した。次に、アルミナ基板８２の上に、走査のため選択する列電極４２としてＴａ膜を真空蒸着法で形成した。次に、絶縁層３４としてＢａＴｉＯ３（チタン酸バリウム）強誘電体膜をスクリーン印刷法で形成した。そして、ここまで作製した素子を本焼成した。続いて、発光層（蛍光膜）３２としてＺｎＳ：Ｍｎを真空蒸着し、絶縁層３３としてＳｉＯ２／Ｔａ２Ｏ５積層膜をスパッタリング法で形成した。パルス信号を与える行電極２４としてＩＴＯ透明膜をイオンプレーティング法で形成した。上記発光層３２からＥＬ光２０が取り出される。
【００３８】
走査線数Ｎ＝８００、フィールド周波数ｆ＝６０Ｈｚ、画素アスペクト比ｆｇ＝１、行電極２４のシート抵抗値ρｓ＝１０Ω／□、行電極２４の長さＬ＝２０ｃｍである。また、アルミナ基板８２の比誘電率が８，厚さ０．２ｍｍであるからアルミナ基板８２の静電容量は４０ｐＦ／ｃｍ２である。ＢａＴｉＯ３強誘電体膜の絶縁層３４の厚み及び比誘電率は、共にＳｉＯ２／Ｔａ２Ｏ５積層膜の絶縁層３３のおよそ１００倍であるため、絶縁層３４の静電容量は絶縁層３３の静電容量とほぼ同じである。したがって、絶縁層３１，３３，発光層３２の静電容量は２．７ｎＦ／ｃｍ２である。電極単位面積あたりの容量がアルミナ基板８２のの静電容量（４０ｐＦ／ｃｍ２）と、絶縁層３１，３３，発光層３２の静電容量（２．７ｎＦ／ｃｍ２）との合成容量であるから、およそＣｓ＝３９ｐＦ／ｃｍ２であり、式（１）から選択時間は２０μｓとなり、式（２）より信号出力回路から一番遠い位置にある画素に対して時定数が１６０ｎｓとなる。従って、この無機ＥＬ表示パネルにおける時定数の選択時間に対する比は約１／１００となり、パルスの伝搬特性を大幅に改善することができる。
【００３９】
図９は、本発明のマトリクス駆動表示装置に用いられる液晶表示パネルの一実施例の詳細な断面構造図を示す。
【００４０】
図９において、まず、ガラス基板６１の片側全面に接地用の電極プレート６５としてＩＴＯ透明膜をスパッタリング法で形成した。このＩＴＯ透明膜を介してバックライト６３を取り出すため、ＩＴＯ透明膜の可視光透過率が８０％以上となる膜厚とした。次に、ガラス基板６１の反対側の面にパルス信号を与える列電極６２としてＩＴＯ透明膜をスパッタリング法で形成した。
【００４１】
また、もう１枚のガラス基板７１の片面に走査のため選択する行電極６４としてＩＴＯ透明膜をスパッタリング法で形成した。そして、ガラス基板６１，７１に形成された列電極６２と行電極６４とが対向するようにして両ガラス基板６１，７１で液晶７４を挟み、ガラス基板６１，７１の周囲に設けた透明樹脂製の隔壁７２で液晶７４を封止した。液晶層の厚みは５μｍ程度である。
【００４２】
走査線数Ｎ＝８００、フィールド周波数ｆ＝６０Ｈｚ、画素アスペクト比ｆｇ＝１、透明電極（列電極６２）のシート抵抗値ρｓ＝１０Ω／□、列電極６２の長さＬ＝２０ｃｍである。電極単位面積あたりの容量がガラス基板６１の比誘電率４、ガラス基板６１の厚さ１ｍｍであるから、Ｃｓ≒４ｐＦ／ｃｍ２であり、式（１）から選択時間は２０μｓとなり、式（２）より信号出力回路から一番遠い位置にある画素に対して時定数が１６ｎｓとなる。従って、この液晶表示パネルにおける時定数の選択時間に対する比は約１／１０００となり、パルスの伝搬特性を大幅に改善することができる。
【００４３】
このように、本実施例ではＥＬディスプレイや液晶ディスプレイ等のマトリクス駆動表示装置において、表示素子が有するＲＣ時定数が大きいためにパルス信号波形の伝搬歪みが生じていたのを、新たに接地電位の電極プレートを設けることで負荷を低容量にしてパルス信号波形の伝搬歪みを低減でき、大画面高精細表示を実現する上で極めて有効である。同時に、上記の伝搬歪みの改善によって駆動電圧の低電圧化を図ることもできる。更に、列電極間あるいは行電極間の容量性結合が低減されるために、表示不良（クロストーク）を低減でき、かつ素子で消費される静電エネルギー量を少なくすることができる。
【００４４】
【発明の効果】
上述の如く、本発明は、電界発光を示す蛍光膜を互いに直交する複数のストライプ状の行電極と複数のストライプ状の列電極とで挟み、行電極と列電極のうち一方の電極のいずれか１つに基準電位を与えて順次選択しつつ全ての他方の電極にパルス信号を供給して走査を行い表示を行うマトリクス駆動表示装置において、パルス信号を供給される他方の電極の形成面より絶縁物を介して面電極を設け、面電極に基準電位を与え、絶縁物の厚みと誘電率の少なくとも一方によって、非表示画素部のパルス信号を供給される他方の電極と面電極との間の静電容量を、非表示画素部の列電極と行電極との間の静電容量より小さくし、表示素子が有する時定数を面電極を設けないときの時定数よりも小さくしたことにより、パルス信号波形の伝搬歪みを低減でき、大画面高精細表示を実現する上で極めて有効となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のマトリクス駆動表示装置に用いられる表示素子の一例の構造図である。
【図２】列電極の長手方向に沿った各画素の静電容量Ｃと電極抵抗ＲからなるＲＣ回路網を示す図である。
【図３】従来の表示素子の一例の動作説明用断面構造図である。
【図４】本発明になる表示素子の一実施例の動作説明用断面構造図である。
【図５】本発明のマトリクス駆動表示装置に用いられる無機ＥＬ表示パネルの一実施例の詳細な断面構造図である。
【図６】本発明のマトリクス駆動表示装置に用いられる反転構造型無機ＥＬ表示パネルの各実施例の詳細な断面構造図である。
【図７】本発明のマトリクス駆動表示装置に用いられる反転構造型無機ＥＬ表示パネルの各実施例の詳細な断面構造図である。
【図８】本発明のマトリクス駆動表示装置に用いられる反転構造型無機ＥＬ表示パネルの各実施例の詳細な断面構造図である。
【図９】本発明のマトリクス駆動表示装置に用いられる液晶表示パネルの一実施例の詳細な断面構造図である。
【符号の説明】
１  基板
２，１２，２２，４２，６２  列電極
３  薄膜
４，１４，２４，６４  行電極
５，１５，２５，４５，６５  電極プレート
６，７  充放電
８  表示画素部
９  非表示画素部
１０，２０  ＥＬ光
１１，２１，６１，７１  ガラス基板
３１，３３，３４  絶縁層
３２  発光層
５１  紫外線硬化型透明樹脂
５２  ポリカーボネイト製フィルム
６３  バックライト
７２  隔壁
７４  液晶
８１，８２  アルミナ基板
【図１】
0004336069.tif 000002
【図２】
0004336069.tif 000003
【図３】
0004336069.tif 000004
【図４】
0004336069.tif 000005
【図５】
0004336069.tif 000006
【図６】
0004336069.tif 000007
【図７】
0004336069.tif 000008
【図８】
0004336069.tif 000009
【図９】
0004336069.tif 000010