(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査ゾーンに均一な安定した磁場を発生する開磁石系と、上記磁場の方向にずれた上記検査ゾーンの２つの側のうちの少なくとも一方の同調コンデンサによって同調される共振器を有する直交コイル系とを有するＭＲ装置であって、
上記共振器は、上記検査ゾーンに面する側に大きい第１面積の第１の導体を有し、上記検査ゾーンから遠い側に上記第１の導体から距離をおいて配置される第２の導体を有し、
上記２つの導体は、少なくとも上記共振器が共振する周波数において、電気的に相互に接続され、
上記共振器は、互いに対して位相がずれているＲＦ磁場を受け取る又は発生させるように周囲に沿って分布される少なくとも２つの端子を有する、ＭＲ装置。
【請求項２】
上記第２の導体は大きい第２面積の導体であり、上記第２面積は上記第１面積より大きい寸法を有し、従ってＲＦシールドとして作用する、請求項１記載のＭＲ装置。
【請求項３】
上記第２の導体は、上記第１の導体と上記ＲＦシールドとの間に配置され、上記第２の導体は上記ＲＦシールドから絶縁され、その上記ＲＦシールドからの距離は上記第１の導体からの距離よりもかなり小さい、請求項１記載のＭＲ装置。
【請求項４】
上記第１の導体は、円形の形状又は正多角形の形状を有し、その周囲に沿って規則的に分布された複数の接続点で上記第２の導体に電気的に接続され、上記接続点と上記端子は、各端子について同じ形態が得られるよう互いに対してずらされて配置される、請求項１記載のＭＲ装置。
【請求項５】
上記共振器の上記２つの導体は、上記接続点において同調コンデンサを介して互いに接続される、請求項４記載のＭＲ装置。
【請求項６】
上記共振器の上記２つの導体の間に誘電体が設けられる、請求項１記載のＭＲ装置。
【請求項７】
上記第１の導体及び上記第２の導体は、同調コンデンサによってブリッジされるスリットによって分割され、上記第１の導体及び上記第２の導体は上記接続点において非オームに導電的に接続される、請求項５記載のＭＲ装置。
【請求項８】
上記導体には、そのうちの少なくとも幾つかがブリッジコンデンサによってブリッジされるスリットが設けられる、請求項１記載のＭＲ装置。
【請求項９】
上記２つの導体のうちの少なくとも１つは、少なくとも高周波数において導電性となるよう外縁において相互接続され、スリットによって多数の狭い帯へ分割される２つの導電面を有し、上記帯は夫々、ブリッジコンデンサによってブリッジされるスリットによって少なくとも１つの場所で中断され、スリットによって形成されるスリットを有する上記２つの導電面のパターンは、互いに対して回転される、請求項１記載のＭＲ装置。
【請求項１０】
上記導体は、両面にスリットパターンを有するプリント回路板を有する、請求項９記載のＭＲ装置。
【請求項１１】
２つの共振器を有し、λを上記共振器の動作周波数における波長とし、ｎを正の整数ｎ＞０であるとすると、共振器のうちの一方は、長さｎλ／２の導体を介して他方の共振器に接続される、請求項１記載のＭＲ装置。
【請求項１２】
上記導体のうちの少なくとも一方には、上記検査ゾーンから遠い側において導体帯によって覆われるスリットが設けられる、請求項１記載のＭＲ装置。
【請求項１３】
検査ゾーンに均一な安定した磁場を発生する開磁石系と、同調コンデンサによって同調される少なくとも１つの共振器を含む直交コイル系とを含むＭＲ装置のための直交コイル系であって、
上記共振器は、一方の側に大きい面積の第１の導体を有し、上記検査ゾーンから遠い側に上記第１の導体から距離をおいて配置される第２の導体を有し、
上記２つの導体は、少なくとも上記共振器が共振する周波数において、電気的に相互に接続され、
上記共振器は、互いに対して位相がずれているＲＦ磁場を受け取る又は発生させるように、上記周囲に沿って分布される少なくとも２つの端子を有する、直交コイル系。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、検査ゾーンに均一の安定した磁場を発生する開磁石系と、検査ゾーン中のＲＦ磁場を発生又は検出する直交コイル系とを有するＭＲ（ＭＲ＝磁気共鳴）装置に関する。ここでは、「開」磁石系は、永久磁石の２つの磁極板の間、又は、電磁石の２つのコイルパッケージの間に（通常は垂直な）磁場を発生する磁石系を意味すると理解されるべきである。検査ゾーンを円筒状に囲む「閉」磁石系の場合とは対照的に、このような開磁石系は高い度合いで開いている。本発明は、また、このような開磁石系のための直交コイル系に関連する。
【０００２】
【従来の技術】
独国特許４２３２８８４号は、既に、開磁石系と、ＲＦ磁場を受け取る又は発生するコイル系とを有するＭＲ装置を開示している。コイル系は、主磁場方法に互いにずらされ検査ゾーンの両側に配置された２つの同様の共振器を含み、これらの共振器は同調キャパシタンスによって同調されている。各共振器は、表面積が大きくＲＦシールドとしても作用する導体と、同一平面上に位置し互いに距離をおいて配置される多数の帯状導体を含む導体構造とを含む。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
この種類の導体構造では、検査ゾーン中に直線偏波されたＲＦ磁場を発生し受け取ることのみが可能である。しかしながら、各共振器に第１の導体構造に対して９０°回転した第２の導体構造を追加し、円偏波された磁場を発生する直交コイル系を形成することが可能である。２つの導体構造は、互いに非常に近く配置され、それにより導体構造間に電界と望ましくない静電結合とを生じさせ、この現象は１以上のインダクタンスによって補正されねばならない。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、検査ゾーンに均一な安定した磁場を発生する開磁石系と、
安定した磁場の方向上にずれた検査ゾーンの２つの側のうちの少なくとも一方の同調コンデンサによって同調される共振器を含む直交コイル系とを含むＭＲ装置であって、
共振器は、検査ゾーンに面する側に第１の大きい面積の導体を有し、検査ゾーンから遠い側に第１の導体から距離をおいて配置される第２の導体を有し、
２つの導体は、少なくとも共振器が共振する周波数において、電気的に相互に接続され、
共振器は、互いに対して位相がずれているＲＦ磁場を受け取る又は発生させるために周囲に沿って分布される少なくとも２つの端子を有することを特徴とするＭＲ装置を提供することを目的とする。
【０００５】
従って、両方の偏波方向のために、共通の大きい面積の導体が設けられ（帯状の導体からなる２つの導体構造ではない）、公知のＭＲ装置よりもかなり簡単な構造が実現される。ここでは、「大きい面積」という用語は、２次元に広がり、まとまった及び連続的な（中断していない）形状を有する、又は、連続的な形状を有さない場合は、高周波数では実際的に連続的な導体として作用するものと理解されるべきである。
【０００６】
大きい面積の導体により、共振器は低い誘導性を有し、公知の装置よりも感度の高い直交コイル系を与える（即ち、検査ゾーン中の所与の磁場をより小さい電流で生じさせうること、又は検査ゾーン中の核磁気崩壊により端子上により高いＭＲ信号が誘導されることを意味する）。共振器のインダクタンスが低いということは、共振器が所与の周波数で共振することを確実とするためには同調キャパシタンスがより大きくなくてはならないことを意味する。より高いキャパシタンスにより、同調キャパシタンスの間で生ずる最大電圧は公知の装置のものよりも小さくなる。このことは、直交コイル系が送信コイルとして動作している間の患者の安全の点で更に有利である。更に、本発明によれば、ＲＦ磁場は大きい面積の導体の面に対して、その近傍においてでさえ平行に延びるのに対して、公知の装置中のこの領域における個々の導体はＲＦ磁場の均質性に影響を与える。
【０００７】
原理的には、共振器が大きい寸法を有するが検査ゾーンの寸法は共振器に対して垂直な方向では比較的小さい場合には、空間的に適切に均一なＲＦ磁場は、原理的には単一の共振器によって発生される。しかしながら反対側に配置される２つの共振器を用いると、公知のＭＲ装置のように高い空間的な均質性を達成することができる。
【０００８】
請求項２及び３は、本発明の他の実施例を開示する。請求項２による実施例は、請求項３に記載の実施例と比較して高い感度（即ち同じパラメータに対する同じ電流で、より強いＲＦ磁場が発生される）とより低い損失とを有し、請求項３に記載の実施例は、ＲＦシールドと第１の導体が互いに結合していないという利点を有する。
【０００９】
請求項４に記載の望ましい実施例では、第１の導体の形状と空間中における接続点及び端子の配置により、検査ゾーン中に円偏波されたＲＦ磁場が発生されうる。しかしながら、例えば共振器の両側に配置される構成要素（例えば支持体）によって共振器の近傍の場が歪む場合、共振器は、例えばわずかに楕円形の形状といった逸脱した形状を有しうる。直交コイル系によって発生されうるＲＦ磁場の空間中の形状は、直交コイル系が中心軸回りに所与の角度（例えば９０°）に亘って回転されたときは安定した磁場の平面に対して垂直に延びる検査ゾーンの平面中に保たれることが本質的である。
【００１０】
請求項５は、同調キャパシタンスの可能な配置を開示する。公知のＭＲ装置とは異なり、同調キャパシタンスは２つの（互いに垂直な）偏波方向のうちの１つに対してのみ与えられるのではなく、通常は両方向に与えられる。従って、共振器はあまり複雑でなく実現される。全ての同調キャパシタンスは同じキャパシタンスを有しうる。同量キャパシタンスは異なるキャパシタンスを有してもよいが、これは端子について同じ空間的及び電気的形態が得られることが確実な場合のみである。
【００１１】
接続点に接続された別個の同調コンデンサによって同調キャパシタンスを実現する代わりに、請求項６によれば、２つの導体の間に適当な（望ましくは損失の低い）誘電材料が与えられてもよく、この材料は導体と共に分散した（同調）キャパシタンスを構成する。誘電材料（相対誘電定数∈ｒが６０乃至８０である）は、円弧状でありうる。しかしながら、導体間のまとまった領域は、例えば輪或いは円の形状の、又は、円板或いは箔の形状の誘電材料で埋められうる。同調は、誘電体の中の孔によって実現されえ、磁場の形態は誘電体を適当な形状とすることによって影響を受けうる。ＲＦ磁場による患者の加熱は、問題となるほどではない。
【００１２】
請求項５に記載の配置では、送信モードでは（直交コイル系がＲＦ磁場を発生するために使用される場合）同調キャパシタンスの間の導体の近傍において数ｋＶの電圧及び高い電界強度が生じうる。患者が同調キャパシタンスの近傍に入ると、患者の組織は（電気）ＲＦ場によって不必要に加熱される。請求項６に記載される実施例では、共振器の２つの導体が接続点において導電的に相互接続されているため、このような加熱は防止されうる。同調キャパシタンスは、通常は患者が届くことのできない領域に配置される。
【００１３】
ＲＦ磁場に関する状況は、導体が連続的な望ましくは平坦な板又は層によって形成されているときに最適である。しかしながら、ＭＲ検査中、傾斜磁場の低周波数での切換えによりこれらの導体中に渦電流が誘導され、この渦電流は、導体を加熱させると共に傾斜系に影響を与え、発生される傾斜磁場の時間的及び空間的な形態に影響を与えうる。
【００１４】
この望ましくない効果は、請求項７に記載の実施例によって軽減されうる。この実施例では、スリットは対称性が維持されるよう端子に対して延び、同調キャパシタンスよりもかなり高いキャパシタンスを有するブリッジコンデンサは渦電流に対しては高いインピーダンスを構成するが共振器の共振周波数においては実質的に短絡回路を形成するような比率とされるべきである。この段階の効果は、スリット導体は、傾斜シーケンスの周波数範囲については、夫々においてかなり小さい渦電流が生成される多数の小さい領域へ分割され、ＲＦ電流については、以前と同様に単一の大きい導電性の面を構成することに基づく。
【００１５】
スリットによって形成される導体領域が小さいほど、渦電流は良く抑制される。しかしながら、より多くのスリットが存在すると、ＲＦはより多くのブリッジコンデンサを通らねばならない。ブリッジコンデンサは損失を生じさせるため、共振器における損失を増加させ、共振器のＱ値は低下する。
【００１６】
これについて、請求項９に記載の実施例は、導電性の面が渦電流の生成が増加するのを防止するよう各帯をスリットによって単一の中断をさせるのに十分であるほど非常に細い帯へ分割されうる。電流は、帯の中を一方から他方へ流れるようにされるとき、ブリッジコンデンサを一回だけ横切らねばならない。直交場を発生させるために、同じスリットパターンを有する第２の導体面を設け、２つのスリットパターンを互いに対して９０°回転させることが必要である。導体面の外側の縁は互いに接続され、従って環境に対しては、単一の大きい面積の連続的な導体として作用する。２つ以上の導体面、例えば４つの面をこのようにして接続することも可能である。
【００１７】
請求項９によれば、最も簡単な方法で２つの導体面を得ることができる。
【００１８】
共振器が夫々検査ゾーンの両側に設けられているとき、２つの共振器は主に誘電結合され、共振器のＱ値が高いとき、２つの結合された共振器はもはやそれらが同調された周波数では共振せず、この共振周波数の両側の２つの周波数で共振することとなる。これは、請求項１１に記載の実施例によって防止されうる。λ／２のリードを介した接続は、２つの共振器が共振周波数において並列に接続されることを確実とし、従ってラーモア周波数の近傍では１つの共通の共振周波数のみが生ずる。また、並列な接続により、患者がＭＲ装置に入れられたときに、共振器のＱ値がある程度減少するという利点を与える。リードがない場合は、患者と下方の共振器との間の距離は通常は患者と上方の共振器との間の距離よりも小さいため、下方の共振器のＱ値は通常は上方の共振器のＱ値よりも減少する。このようにＱ値が不均等に変化することにより、２つの共振器によって発生されるＲＦ磁場は更に不均質となる）。（もちろん、λ／２リードの代わりに、交差したλリード、又は、一般的にはｎを整数とすると、ｎλ／２リードが使用されうる）。
【００１９】
共振器の導体にスリットが設けられているとき、ＲＦ磁場は２つの導体と検査ゾーンとの間の領域を横切るだけでなく、例えば傾斜コイルが配置されうる外部領域を横切ることができる。従って、直交コイル系のエネルギーの一部は傾斜コイル系に結合され、それにより共振器のＱ値は大きく減少する。これは、請求項１２に開示される形態によって防止されうる。
【００２０】
請求項１３は、本発明による直交コイル系を開示する。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明について詳述する。図１は、患者１によって示される検査ゾーン中を垂直に、即ち図１に示されるｘｙｚ座標系のｚ方向に延びる均一な安定した磁場を発生する磁石系を含むＭＲ装置を示す。磁石系は永久磁石系によって形成されえ、その場合、部分２及び３は、ヨーク（図示せず）を介して互いに接続された永久磁石の磁極を構成する。しかしながら、磁石系は、望ましくはコイルパケット２及び３を有する超伝導磁石系でありうる。検査ゾーンにおいて核磁気が歳差運動を行うラーモア周波数は、静磁場の強さに比例する。静磁場１の磁束密度が１テスラであるとき、陽子のラーモア周波数は約４２．６ＭＨｚとなる。
【００２２】
磁石系の２つの部分２及び３は、検査ゾーンの側方に配置される柱２５、２６によって相互接続される。検査ゾーンに面する磁石系２、３の側方には、ｚ方向、ｙ方向、又はｚ方向上、ｚ成分が略線形の傾斜を有する時間的に変換する磁場を発生することが可能な傾斜コイル系６、７が設けられる。２つの傾斜コイル系６、７のすぐ近傍には、ラーモア周波数で共振する各共振器４、５が設けられる。２つの共振器は、検査ゾーン中にｚ方向に対して垂直に延びるラーモア周波数の円偏波されたＲＦ磁場を発生することが可能であり、検査ゾーン１から（ラーモア周波数を有する）ＭＲ信号を受信することが可能な直交コイル系の一部を形成する。検査ゾーンに対して線対称となるよう配置される共振器は、同一の構造を有することが有利であるため、以下、一方の共振器についてのみ詳述する。
【００２３】
図２は、共振器５を示す斜視図である。共振器は、約２乃至３ｃｍの距離をおいて配置され、円形であり、互いに同心である２つの平行な平坦な導体５１及び５２を含む。検査ゾーンに対向する導体５１は、約５０乃至６０ｃｍの直径を有し、導体５２よりもかなり小さい。従って、導体５１と５２との間に発生するＲＦ磁場の磁界線は、検査ゾーン１に亘って本質的に閉じている。導体５２は、同時にＲＦシールドとして作用する。
【００２４】
２つの導体５１及び５２は、導体５１の周囲に沿って規則的に分布した多数の接続点５３において、別個の同調コンデンサ５４の形状の同調コンデンサを介して互いに接続される。コンデンサの数は、共振器の疑似静的振動モードの数を決定し、その最も低い周波数において生ずる振動モードのみが使用される。コンデンサのキャパシタンスは、共振器がラーモア周波数においてこの振動モードで共振するような比率とされる。
【００２５】
接続点の数と同調コンデンサのキャパシタンスは、２つの互いに９０°ずれた軸に対して対称性が得られるよう、又は、角度的な対称性が得られ９０°回転された後に系が同じ外観を有するよう選択される。このため、接続点５３の数又はコンデンサ５４の数は、４で割り切れなくてはならない（余りがない）。本実施例では、この数は８であるが、導体５１中でより均一な電流の分布を達成し、従って発生された磁界の均質性を高めるために、より大きな数、例えば２４又は３２を使用することがより魅力的である。
【００２６】
図４に示すように、ラーモア周波数の交流は、各同軸ケーブル５５を介して、導体５１の周囲に沿って規則的に分布される４つの端子５６に印加され、位相位置は、０°、９０°、１８０°、及び２７０°である。電流は、１つの端子５６から直径方向に反対側に配置された端子５６へ、接続点５３も介して流れるが、９０°空間的にずれた端子は電気的に相互に結合されていないため、９０°空間的にずれた端子は通らない。
【００２７】
必ずしも４つの端子５６が設けられる必要はない。これは、ＲＦ交流が、互いに空間的に９０°ずれている２つの点に与えられるときに十分である。しかしながら、ローディングの場合、４つの接続点が存在する場合はより対称性の高い場が得られる。しかしながら、周囲に沿って均一に分布された３つの端子が設けられてもよく、その場合、互いに１２０°ずれた電流が供給される。
【００２８】
いずれの同調コンデンサも全く同じキャパシタンスを有する必要はない。対称性が保たれるかぎり、即ち端子５６から見た装置が幾何学的及び電気的に異なるものではないかぎり、端子５６の間に配置される接続点のキャパシタンスは、端子５６と協働する接続点のキャパシタンスよりも高くなりうる。中間のキャパシタンスがより高い時、より均一な磁場が得られる。より有効であるよう。端子５６が接続点５３と一致する必要はない。接続は、端子の対称性が確実とされる限り、導体５１の他の点に配置されてもよい。
【００２９】
更に、導体５１、５２が円形を有する必要はない。上述の対称性の条件を見ると、これらの導体は矩形形状又は８角形形状を有しうる。検査ゾーン中のＲＦ磁場が例えば支持体２５、２６といった系の外部構成要素によって歪まされるとき、この問題は例えばわずかに楕円形の形状によって解決されうる。この形態については、全ての他の形態の場合と同様に、検査ゾーン中の、望ましくは中心平面において対照的な均一な磁場形態が達成されることが望ましい。
【００３０】
上方の共振器４の動作は、図４を参照して説明したものと同じであり、互いに上下に配置された２つの共振器４及び５の端子は、位相が逆であるよう供給される。従って、２つの共振器によって発生されるＲＦ磁場の方向は、全ての時点において一致する。しかしながら、これらの２つの共振器の間には、これらの共振器のインピーダンスが、これらの共振器が同調される周波数ではなくこの周波数の両側の２つの周波数において最大を有することを確実とする誘導結合がある。
【００３１】
これらの望ましくない影響は、２つの共振器が対向する点において図１中破線で示されるλ／２リード８によって互いに接続されることによって排除される。ラーモア周波数において、λ／２リードの一端における電流又は電圧の位相は、他端における電流又は電圧の位相と丁度１８０°ずれる。接続は、周囲に沿って規則的に分布された４つの点において、又は互いに９０°ずれた２つの点によって実現されうる。従って、ラーモア周波数において２つの共振器が平行に接続されることにより、ラーモア周波数の近傍において単一の共振周波数のみが存在することが達成される。この並列な接続の更なる利点は、例えば上方の共振器よりも下方の共振器により近くに患者が配置されるときに生ずることがあり、ＲＦ磁場の均質性に影響を与えうる共振器の不均一な減衰が防止される点である。このように両方の共振器は、検査されるべき対象１に対する夫々の位置とは無関係に、同じ程度にロードされる。
【００３２】
図３は、図２の実施例の他の変形例を示す図である。ここで、導体５１は同調コンデンサ５４を介して導体リング５２に接続され、このリングはそこから絶縁されるようＲＦシールド５２１上に配置される。導体５１の電流ラインは、本質的に導体リング５２全体に亘って閉じている。従って、ＲＦシールド５２１とは結合していないが、ＲＦシールドはやはりＲＦ磁場の空間中の変化に影響を与えうる。
【００３３】
しかしながら、図２に示す実施例については欠点がある。リング５２と板５１との間の磁束密度はより高い。従って、系全体の磁気エネルギーは大きくなり、コイルの感度は低くなり、換言すれば、リング５２を介した戻り電流は板５１上の有用な電流に近くなり、従ってコイルの感度を減少させる。更に、損失が高くなる。
【００３４】
送信モードでは、即ちＲＦ磁場が共振器４及び５によって発生される場合、同調コンデンサ５４に亘って数ｋＶの交流電圧が生じうる。従って、強いＲＦ電界がコンデンサの近傍に生じ、この電界は近傍にある患者１の人体の部分を加熱しうる。このような望ましくない加熱は、同調コンデンサがかならずしも２つの導体（特にその外縁）の間に配置される必要はなく、例えば２つの導体のうちの一方に配置されてもよいという認識に基づく図５に示された実施例によって防止されうる。従って、導体５１の外縁は接続点において、即ち導体５２への導体帯５６を介して導体５２の外縁に接続され、検査ゾーンから遠い導体５２には、放射状に互いに垂直に延び、数ｍｍの幅を有する２つのスリット５７が設けられ、これらのスリットは多数の同調コンデンサをブリッジする。従って、外縁領域に設けられた同調コンデンサは外側からは比較的容易にアクセス可能であるが、この領域では患者１までの距離は比較的大きいため問題ではない。更に、同じキャパシタンスに対して、この領域では同調コンデンサに亘る電圧降下はより小さい。従って、最大電界強度は、導体５１の下に配置された導体５２の中央領域において生ずる。検査ゾーンに関連して、これらの高い電界強度は、導体５１によって完全にシールドされる。しかしながら、電界は、スリット５７を介して後方に配置された傾斜コイル７と相互作用し始め、傾斜コイルにエネルギーを結合させ始める。この望ましくない効果は、すぐに後方に配置され図５中に破線で示される帯５８によってスリット５７を覆い、シールドすることによって除去されうる。この周波数では、導体は実際的には連続的な大きい面積の導体として作用する。
【００３５】
導体５１及び５２に設けられるスリットが多くなるほど、渦電流の抑制は良くなる。しかしながら、スリットの数が増加するにつれ、１つの端子から接続点のうちの１つ（図６には図示せず）まで電流が通るコンデンサの数もまた増加する。ブリッジコンデンサが損失を生じさせると、共振器のＱ値が減少される。
【００３６】
図７及び図８は、渦電流もまた効果的に抑制されうるが、その中を流れる電流は毎回ブリッジコンデンサのみを介して流れるため損失が小さいままである実施例の平面図及び断面図を夫々示す図である。理想的な場合の導電面５１ａ中のスリット５１１は、（スリットでない）導電板中の電流ラインに対して接線方向に延びる。しかしながら、約１ｍｍのみの幅を有するスリット５１１によって約２ｃｍの幅の多数の平行な帯５１２へ（図７に示すように）分割される導電面を形成することが容易であり、このとき約２ｃｍの幅を有する外縁５１３が残る。
【００３７】
帯５１２は、中央において更なるスリット５１４によって中断され、中断点において夫々のブリッジコンデンサ５１５によってブリッジされる。更に、縁５１３はいくつかの位置で中断され、コンデンサ５１６によってブリッジされる。このような中断部がない場合、外縁５１３は傾斜磁場のための大きい環状の導体として作用し、傾斜磁場を一時的に変化させることによりその中に強い電流が生ずる。導体５１４、５１６は、ラーモア周波数においてそれらのインピーダンスが無視できるほど小さく、傾斜磁場の周波数範囲では非常に大きいような比率とされる。
【００３８】
導体がこのような形態であるとき、電流の流れは、ブリッジコンデンサを介してスリットによって予め決められている方向にのみ可能である。したがって、かかる配置を単独で使用する場合、円偏波された磁界を発生することはできない。このために、第２の同一の構成とされた導体が設けられねばならない。そのスリットパターンは、図７に示すパターンに対して９０°回転されねばならない。これは、図８に示されており、絶縁担体の一方の側には、図７に示すようなスリットパターンを有する導体面５１ａが設けられ、他方の側には導体面５１ａに対して９０°回転されているスリットパターンを有する同一の構成とされた導体面５１ｂが設けられる。これは、両面の導電性のスリットパターンを有するプリント回路板によって最も容易に実現されうる。
【００３９】
導電面５１ａ及び５１ｂの２つの外縁５１３は相互接続される。これらには、図２を参照して説明したのと同様に接続点が設けられうる。従って、両方の偏波方向も、同調コンデンサを共通に使用しうる。端子が適切に配置されれば、２つの導体面５１ａ及び５１ｂが一緒のときの高い周波数でのふるまいは、対応する接続点及び端子を用いた場合の単一の大きい面積を有し連続的な導体（スリットによって中断されていない）からほとんど逸脱しない。このようにして、２つ以上の導電面を相互接続させることが可能であり、例えば、４つの面が互いに上下に配置され４５°に亘って回転される。
【００４０】
ＲＦシールド５２は、同様に構成されうる。
【００４１】
本発明は、ＲＦ磁場の発生（送信モード）について説明されたが、本発明による直交コイル系は互いに９０°ずれた位相位置を有するＭＲ信号の受信のためにも使用されうる。原理的には、直交コイルは１つの共振器のみ、即ち上方の共振器又は下方の共振器を含む。しかしながら、その場合、検査ゾーンの中で適切に均一な磁場を発生するときは、唯一の共振器は比較的大きくなくてはならない（検査ゾーンはｚ方向に比較的小さくなくてはならない）。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による直交コイル系を有するＭＲ装置である。
【図２】直交コイル系の共振器の第１の実施例を示す図である。
【図３】第１の実施例の更なる変形例を示す図である。
【図４】共振器及び端子を示す平面図である。
【図５】第２の実施例を示す図である。
【図６】本発明の第３の実施例を示す平面図である。
【図７】第４の実施例の２つの導体のうちの１つを示す平面図である。
【図８】導体を示す側面図である。
【符号の説明】
５    直交コイル系
５１    第１の導体
５２    第２の導体
５３    接続点
５４    同調コンデンサ
【図１】
0004309095.tif 000002
【図２】
0004309095.tif 000003
【図３】
0004309095.tif 000004
【図４】
0004309095.tif 000005
【図５】
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【図６】
0004309095.tif 000007
【図７】
0004309095.tif 000008
【図８】
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