(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの光でマスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターンを基板上に投影する投影光学系と、を備える投影露光装置において、
前記基板の露光量を制御する制御装置を備え、
前記照明光学系は、前記光源からの光を集光する集光ミラーを有し、
前記制御装置は、
前記光源と前記集光ミラーとの相対位置を変化させることにより予め取得された前記基板上の照度のデータを用いて、前記基板を露光する際の露光量に基づいて決定された前記基板上の照度となるときの前記相対位置を算出し、
前記光源と前記集光ミラーとの相対位置を、前記基板上の照度が最大となるときの前記相対位置から、該算出された相対位置となるように変化させることにより、前記基板に到達する前記光源からの光の量を減少させ、前記基板上の照度を調整することを特徴とする投影露光装置。
【請求項２】
前記基板の露光量を計測する露光量センサーを更に備え、前記制御装置は、前記露光量センサーの出力に基いて前記基板の露光量を制御することを特徴とする請求項１記載の投影露光装置。
【請求項３】
各照明条件において、前記相対位置と前記基板上の照度との関係をあらかじめ関連付けることを特徴とする請求項１記載の投影露光装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項記載の投影露光装置を用いて基板を露光し、露光した前記基板を現像することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、照度制御を行う投影露光装置に関し、特に、半導体素子、液晶表示素子、ＣＣＤ（電荷結合素子）等の撮像素子又は薄膜磁気ヘッド等を製造するためのリソグラフィ工程中で使用される投影露光装置に関する。本発明は、一括露光型の投影露光装置にも使用できるが、マスク上のパターンの一部を感光性の基板上に投写した状態でそのマスクおよび基板を投影光学系に対して同期して走査することにより、そのマスクのパターンを逐次その基板上の各ショット領域に転写露光する、ステップ−アンド−スキャン方式等の走査露光型の投影露光装置に適している。
【０００２】
【従来の技術】
図１３に従来技術における、高圧水銀ランプなどの、特定の分布を持って特定の範囲から光を発散する光源を用いて、パターンを均一に照明するように照度制御を行い、照明されたパターンを基板上に投影する投影光学系を有する走査型投影露光装置を示す。
【０００３】
１は光源であり、２は光源１から放射された光束を、集光するための集光ミラーである。１から発散された光線は集光され、光学系３を通り、内面反射部材４に入射する。１の光源の集光ミラーに対する相対的な位置は、被照射面の照度が最大になるように位置決めされている。
【０００４】
内面反射部材４は、入射した光線が内面反射部材４の側面で複数回反射することによって、内面反射部材の入射面で不均一であった光強度を内面反射部材の出射面で均一化する働きがある。内面反射部材４としては、例えば、向かい合って配置された鏡で有っても良いし、単にロッド状の硝材であっても良い。ロッド状の硝材の場合には、光線はロッド状の側面に当った際に、硝材と空気の屈折率が違いにより全反射するように設計する必要がある。
【０００５】
５は光学系であり、内面反射部材４の出射面に形成された均一な光強度分布を、６のハエノ目レンズの入射面に投影する。ハエノ目レンズ６は入射面と出射面が互いの面のパワーの焦点となっているロッドレンズを束ねたものであり、同一角度でロッドレンズに入射した光束はロッドレンズの出射面で集光し、全体としてハエノ目レンズの出射面に多数の集光点を形成する。
【０００６】
光学系７は、ハエノ目レンズ６の出射面に形成された集光点群を２次光源として利用することによって照明領域を均一に照明するための光学系である。投影露光装置の場合には照明領域を制御する必要があるので、直接照明領域を照明せずに、一度マスク面と共役な位置で均一な光強度分布を作る。８の照明領域を制御する絞りの位置が前記マスク面と共役な位置であり、ここでの均一な光強度分布を９のリレー光学系により投影し、照明領域であるマスク１０を照明する構成となっている。８の照明領域を制御する絞りは可動であり、マスクの照明領域にあわせて絞りを移動させることができる。
【０００７】
１１はマスク１０上のパターンを基板１２上に結像するための投影光学系であり、前述の照明系により実現される均一な照明光によって照明されたマスク上のパターンを、基板に塗布された感光剤に感光させ、パターンを転写する。投影光学系１１はマスク１０の位置や基板の位置が光軸方向にずれても、投影倍率が変化しないように、テレセントリックな系になっている。
【０００８】
この従来の技術は、走査型投影露光装置であるので、マスク１０と基板１２は同期して走査される。また、マスク１０が移動することから、それにともない照明領域も変わるため、照明領域を制御する絞り８も同期して動く。
【０００９】
１３は基板１２と露光量センサー１４が載せられた可動なステージであって、基板１２上へ走査露光するためのスキャンと複数のショットを露光するためのステップと、基板１２と同じ位置で露光量を計測するために露光量センサー１４を、基板が露光の際に存在するのと同じ位置に移動させることができるようになっている。
【００１０】
半導体素子等の製造に用いられる投影露光装置は、マスク１０上のパターンを基板１２上に良好に転写する為に、基板１２上に塗布された感光剤とマスク１０のパターンに依存した適切な露光量を基板１２に露光する必要がある。例えば、ポジティブパターンとネガレジストを使用した場合、適切な露光量以下の露光がされると、感光不足となりパターンの線が細ったり、線が途中で切れてしまったりする。一方、適切な露光量以上の露光がされると、感光過多となりパターンの線が太り、隣の線とつながってしまったりする。
【００１１】
適切な露光量を露光する為に、基板１２上への露光量を制御する必要があるが、マスク１０上のパターンを基板１２上へ転写中に基板１２上の露光量を直接計測することはできない。また、露光光の光路中で露光量を計測すると露光量センサーの影が基板１２上へマスク１０上のパターンを転写する際に影響を及ぼす。したがって、基板と共役かつ露光光の光路から分岐された位置で露光量を計測し露光量制御を行っている。
【００１２】
１５は基板と共役でかつ露光光の光路から分岐された位置を作り出すために光路中に差し込まれた反射率の非常に低いハーフミラーであり、露光光の光軸に対して斜めに配置され、露光光を分岐して１６の露光量を計測する露光量センサーの位置に基板と共役でかつ露光光の光路から分岐された位置を作っている。
【００１３】
適正露光量を基板１２上に露光するために、基板１２を露光する前に、ステージ１３上に取り付けられた露光量センサー１４を照明領域に移動させて較正を行う。較正はダミー露光を行い、露光量センサー１４と１６の出力を比較することによって行う。基板１２を露光する際には、露光量を制御するための制御装置１７が、露光量センサー１６の出力に基いて露光量制御を行う。
【００１４】
走査型投影露光装置の露光量は、照明領域の走査方向の長さｓと基板上の照度Ｉとスキャンスピードｖより、ｓ×Ｉ／ｖで決まる。よって、走査型投影露光装置の露光量を制御する為には、照明領域の走査方向の長さｓか基板上の照度Ｉかスキャンスピードｖの少なくとも１つを制御することとなる。照明領域の走査方向の長さｓは、照明領域を制御する絞り８を動かすことによりかえられ、スキャンスピードｖ基板、マスク、照明領域を制御する絞りの走査スピードをかえることによってかえられる。
【００１５】
従来の技術では、基板１２上の照度Ｉは１８で示した光路中に置かれた透過率が可変な減光装置によって変えていた。透過率が可変な減光装置１８とは、例えば、ターレット状に数種の透過率の異なる光学部材を配置し、それを選択することにより透過率を可変にする減光装置や、光線となす角度によって反射率の異なるミラーの角度を変えて透過率を可変とする減光装置などが考えられる。
【００１６】
１９はシャッターであり開閉する。一括露光型の投影露光装置においては、基板上の露光量が適切な露光量に達成した際に、シャッターを閉じることによって、露光量を制御することができる。しかし、走査型投影露光装置においては、走査が終了するまでは露光を終了することはできないので、シャッターの開閉を用いて、露光量を制御することはできない。走査型投影露光装置において、シャッターはショット間のステップ、もしくは露光作業をしていない際に照明系の硝材の劣化を抑えるために使用される。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
前述のように、従来の技術においては、基板上の照度を変えるために、光路中に置かれた透過率が可変な減光装置１８を用いていた。しかし、減光装置１８に用いられる透過率を変えている光学部材は、光線の光学部材に入射する角度によって透過率が変わるという角度特性を持っている。例えば、ターレット上に数種の透過率の異なる光学部材を配置し、それを選択することにより透過率を可変にする減光装置において、所望の透過率を持った光学部材は、素ガラスに多層膜を着けたものからできている。多層膜は、屈折率と膜の厚さにより透過率を決めているが、斜めに入射したものは、垂直に入射したものに比べて、膜の厚さが見かけ上厚くなる。このため、光線の光学部材に入射する角度によって、透過率が異なる。透過率が角度によって異なることは、減光装置以降で照明光が均一ではない角度分布を持つことになり好ましくない。よって、減光装置に入射する照明光の角度分布が広がっていない場所に、減光装置１８を配置するのが望ましい。光学において良く知られているように、光学系の途中において、光束の位置分布の広がりが小さい場所では、角度分布の広がりが大きく、光束の位置分布の広がりが大きい場所では、角度分布の広がりが小さい。よって、減光装置１８は位置分布の広がっている場所に配置することが望ましいことになる。
【００１８】
しかし、所望の透過率を持った光学部材は、照明光がもれなく当るように配置しなければならないために、位置分布が広がっている場所におけば、減光用の光学部材の径は大きくなる。減光用の光学部材の径が大きくなれば、透過率が可変である減光装置１８も大きくなる。
【００１９】
以上のことから、光路の途中に透過率可変の減光装置１８を配置するためには、光路中に位置分布が広がっている場所をつくり、そこに減光装置１８を配置するスペースを作らなければならなかった。よって、光路中に置かれた減光装置１８において、照度を制御する装置は、設計負荷が非常に大きかった。
【００２０】
そこで、本発明は、透過率可変な減光装置を用いずに、高圧水銀ランプ等の発散光源の照度を制御することを課題としている。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための本発明は、光源からの光でマスクを照明する照明光学系と、前記マスクのパターンを基板上に投影する投影光学系と、を備える投影露光装置において、前記基板の露光量を制御する制御装置を備え、前記照明光学系は、前記光源からの光を集光する集光ミラーを有し、前記制御装置は、前記光源と前記集光ミラーとの相対位置を変化させることにより予め取得された前記基板上の照度のデータを用いて、前記基板を露光する際の露光量に基づいて決定された前記基板上の照度となるときの前記相対位置を算出し、前記光源と前記集光ミラーとの相対位置を、前記基板上の照度が最大となるときの前記相対位置から、該算出された相対位置となるように変化させることにより、前記基板に到達する前記光源からの光の量を減少させ、前記基板上の照度を調整している。
【００２３】
すなわち、本発明においては、光源の集光ミラーに対する相対位置を照度最大の位置から動かすことにより、被照明面の照度を均一にする。これによって、光路中に透過率可変な減光装置を設けるとなく照度を制御することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
投影露光装置のように、照明領域と、照明領域に入射する照明光の角度が決められている光学系においては、Ｈｅｌｍｈｏｌｔｚ−Ｌａｇｒａｎｇｅの関係と呼ばれる光学法則から照明領域に到達する光線が光路中において満足していなければならない条件がある。
【００２５】
Ｈｅｌｍｈｏｌｔｚ−Ｌａｇｒａｎｇｅの関係とは結像系において、２つの光線が、それぞれ物点と像点において満たしている関係である。
【００２６】
図１を用いて説明する。物点において光軸からの高さｈの点から角度αをなして発散した２つの光が、像点において高さｈ′の点で、角度α′をなして交わったとする。Ｈｅｌｍｈｏｌｔｚ−Ｌａｇｒａｎｇｅの関係とは、これらの量の間に、
ｈｓｉｎα＝ｈ′ｓｉｎα′      （１）
の関係があるというものである。
【００２７】
この関係を略テレセントリックな投影露光装置において適用すると、前述のＨｅｌｍｈｏｌｔｚ−Ｌａｇｒａｎｇｅの関係を、２つの光線に対する関係から、光強度分布の関係に応用することができる。この関係を用いると、楕円ミラーの第２焦点の位置における光強度分布の、光軸からの最大の高さをｈ、光軸となす最大角をαとし、基板上における光強度分布の、光軸からの最大の高さをｈ′、光軸となす最大角をα′とすると、これらの量の間には、
ｈｓｉｎα＝ｈ′ｓｉｎα′      （２）
の関係が成り立つ。
【００２８】
ところで、投影露光装置においては、基板上の照明範囲と、照明範囲内での照明光の入射光（照明条件）が決まっているので、基板上におけるｈ′とα′は決まっていることとなる。例えば、照明領域が半径１０ｍｍの円で、投影系のＮＡが０．６５、コヒーレンスファクターであるσ値が０．８である照明条件だとすると、ｈ′が１０ｍｍ、ｓｉｎα′が０．６５×０．８であることになる。照明領域まで到達する光は（２）式から楕円ミラーの第２焦点において、
ｈｓｉｎα＝１０×０．６５×０．８      （３）
をみたす、光軸からの最大の高さｈ、光軸となす最大角α、で表される光強度分布を形成することになる。反対にこの関係は、楕円ミラーの第２焦点において上述のｈよりも光軸からの高さが高い光線や、αよりも光軸となす角が大きい光線は、基板上まで到達しないことを示す。
【００２９】
一方、集光ミラーは楕円ミラーよりなり、第１焦点近傍より発散した光が、第２焦点付近に集光するようになっている。
【００３０】
図２に示すように、第１焦点Ｏ直上から発散した光は第２焦点Ｏ′に集光するが、第１焦点から離れた点Ａから発散された光は、第２焦点から離れた所Ｂを通る。前述のＨｅｌｍｈｏｌｔｚ−Ｌａｇｒａｎｇｅの関係から、例えば、Ｏから発散した光線は基板上に到達するが、Ａから発散した光線は基板上に到達しないというようになる。
【００３１】
本発明はこれを利用したものであり、光源の集光ミラーに対する相対位置を移動することにより、例えば図２において、光源の位置を第１焦点Ｏの位置から、第１焦点から離れたＡの位置に動かし、基板上へ到達する光線を減らし、照度を調整する。
【００３２】
図３に集光ミラーに対する光源の位置と、ある照明条件での基板上の照度の関係を、シミュレーションにより求めた結果を示す。また、グラフの縦軸は基板上の相対照度であり、横軸は陰極先端の楕円ミラーの第１焦点に対する光軸方向の位置を楕円ミラーの開口方向を正として表したものである。
【００３３】
図３をみると、高圧水銀ランプは点光源ではなく、特定の分布を持って特定の範囲から光を発散する光源であるために、最も基板上の照度が高い位置は陰極先端が第１焦点直上の位置ではなく、光軸に沿って、ミラー側に−１．５ｍｍ移動させた位置であることがわかる。例えば、この最大照度に対して５０％の照度に下げようとした場合、従来技術では、減光は光路中に配置した減光装置の透過率を５０％にして達成していた。
【００３４】
本発明は、図３のように光源位置を変えることで照度が変化することに注目し、例えば光源位置をミラー側に約３．５ｍｍ移動させることにより、照度を最大照度に対して５０％に下げる。なお、照度と光源の集光ミラーに対する相対位置との関係は、照明系の構成や照明条件などによるので、あらかじめ計測し関連づけて置かなければならない。また、光軸方向と垂直方向に光源の位置を移動させることによっても、照度を調整することができる。
【００３５】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
【００３６】
図４は、本発明の照度制御を行う投影露光装置の光路図である。従来例と同一の符号の部材は、同一の機能を有するので、従来例と異なる点についてのみ説明する。２０は可動なランプステージであり、３軸駆動が可能であり、光軸方向への移動、およびそれに垂直する方向へ光源を動かすことが可能である。
【００３７】
ランプは始め照度最大の位置に調整されていて、基板上の照度Ｉは、２０のランプステージを動かすことにより、光源１の集光ミラー２に対する相対的な位置を照度最大の位置から動かして調整する。
【００３８】
基板を露光する前に、あらかじめ光源１の集光ミラー２に対する相対的な位置変化と、基板上の照度Ｉの関係を関連付ける。関連付けは、ステージ上に取り付けられた露光量センサー１４を照明領域に移動させて、各照明条件において、光源を動かしながら露光量センサー１４の出力を計測することによって行えばよい。もしくは、露光量センサー１４と基板と共役な位置に配置された露光量センサー１６の出力の関係はあらかじめ求められているので、各照明条件において、光源を動かしながら、露光量センサー１６の出力を計測することによって、光源１の集光ミラー２に対する相対的な位置変化と、基板上の照度Ｉの関係を関連付けることも可能である。
【００３９】
図４に示した照度制御を行う投影露光装置では、光源の移動のみで基板上の照度Ｉの調整を行うが、所望の減光を行うのに、光源の移動距離が大きく、ランプステージの可動範囲が取れない場合などには、図１３に示した減光装置１８と併用することも考えられる。この場合、被照明面の照度の租調整の光路中に置かれた減光手段で行い、微調整を、光源の集光ミラーに対する相対位置の移動で行えばよい。
【００４０】
以上の説明では、光源１のみを移動しているが、光源の移動に替えて、集光ミラー２を移動してもよい。
【００４１】
又、光学系のいずれかの場所で、基板に到達しない光線がケラレることになるが、フレアを発生させる要因となるので、フレア防止のために、絞り８を設けて特定の場所で光線をケルようにした方がより好ましい。
【００４２】
図５に示すように、内面反射部材４に替えて、ハエノ目レンズ２１を用いてもよい。
【００４３】
図６は、光強度均一化部材を一つだけ用いる本発明の照度制御を行う投影露光装置の光路図である。図６に示すように、この装置においては、集光ミラー２の第２焦点の光強度分布の変化が、そのまま光強度均一化部材としてのハエノ目レンズ６の入射面の光強度分布に影響をおよぼす。前述のように、本発明は、光源の集光ミラーに対する相対的な位置を変えて、集光ミラーの第２焦点での光強度分布を変えて照度を調整するので、照度を調整した際に、ハエノ目レンズ６の入射面での光強度分布も変わる。従って、図６に示す装置の場合は、投影露光装置のように照明条件への要求が厳しいものについては好ましくなく、内面反射部材とハエノ目レンズ、もしくはハエノ目レンズとハエノ目レンズ、ハエノ目レンズと内面反射部材、内面反射部材と内面反射部材のように、第２焦点における光強度分布の位置分布と角度分布を共に均一にして、被照明面を照明するように、均一化手段が２つ以上あることが望ましい。
【００４４】
図７は、本発明の参考例である照度制御を行う投影露光装置の光路図である。開口の異なる複数の絞りをターレット状に配置した可変開口絞り２２を備えている。開口を切り替えることによって、遮光量を変え、内面反射部材４に入射する光線数を制御する。
【００４５】
このように、光学系の中の適当な場所、例えば図７に示すように光学系３の後方に可変開口絞り２２を配置すれば、透過率可変の減光装置を用いなくても、光路の後方に位置する被照明面に達する光線数を制御することができる。
【００４６】
図８は、本発明の他の参考例である照度制御を行う投影露光装置の光路図である。虹彩絞り２２２を備えている。図８に示すように、可変開口絞り２２に替えて、連続的に開口の大きさを変えることができる虹彩絞り２２２を光学系３の後方に設けてもよい。
【００４７】
図９は、本発明の他の参考例である照度制御を行う投影露光装置の光路図である。ズーム光学系２４を備えている。ズーム光学系２４は簡単のため２枚のみ図示している。ズーム光学系２４の倍率を替えることによって、絞り２３の位置での光束の大きさを変えている。
【００４８】
図１０は、３枚のレンズ２４ａ、２４ｂ，２４ｃからなるズーム光学系２４の動作を説明する光路図である。図１０（ａ）に示すように、レンズ２４ｂ、２４ｃを光路の後方に移動させると、絞り２３の位置での光束は大きくなり、図１０（ｂ）に示すように、レンズ２４ｂ、２４ｃを光路の前方に移動させると、絞り２３の位置での光束は小さくなる。
【００４９】
このように、光学系の中の適当な場所にズーム光学系２４を配置すれば、透過率可変の減光装置を用いなくても、光路の後方に位置する被照明面に達する光線数を制御することができる。
【００５０】
図７、図９においては、光強度均一化部材として、内面反射部材４とハエの目レンズ６が各々一つずつ用いられているが、光強度均一化部材を３以上とすれば、被照明面の照度分布は更に均一化される。
【００５１】
又、図４、図５、図６、図７、図９においては、光源１として、ランプ等の発散光源が用いられているが、レーザー等の平行光を発する光源であってもよい。
【００５２】
図１１は、半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネルやＣＣＤ）の製造工程を説明するためのフローチャートである。
【００５３】
ステップ１の回路設計工程においては、半導体デバイスの回路設計を行う。
【００５４】
ステップ２のマスク制作工程においては、設計した回路パターンを形成したマスク、すなわちレチクル１２を作製する。
【００５５】
一方、ステップ３のウエハ製造工程においては、シリコン等の材料を用いてウエハ１５を製造する。
【００５６】
ステップ４のウエハプロセス工程（前工程）においては、用意したれちくる１２とウエハ１５とを用いて、リソグラフィーによってウエハ１５上に実際の回路を形成する。
【００５７】
ステップ５の組立工程（後工程）においては、ステップ４で作成されたウエハ１５をチップ化する。具体的には、ダイシング、ボンディング、パッケージング等が行われる。
【００５８】
ステップ６の検査工程においては、ステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性試験等の検査が行われる。
【００５９】
ステップ７においては、こうして完成した半導体デバイスが出荷される。
【００６０】
図１２は、図１１に示したステップ４、すなわちウエハプロセス工程（前工程）を説明するためのフローチャートである。
【００６１】
ステップ１１の酸化工程では、ウエハ１５の表面を酸化させる。
【００６２】
ステップ１２のＣＶＤ工程では、ＣＶＤ（化学気相成長）によってウエハの表面に絶縁膜を形成する。
【００６３】
ステップ１３の電極形成工程では、ウエハ１５条に電極を蒸着等によって形成する。
【００６４】
ステップ１４のイオン打ち込み工程では、ウエハ１５にイオンを打ち込む。
【００６５】
ステップ１５のレジスト処理工程では、ウエハにレジスト、すなわち感光材料を塗布する。
【００６６】
ステップ１６の露光工程では、本発明の露光投影装置によって、レチクル１２の回路パターンの像でウエハ１５を露光する。
【００６７】
ステップ１７の現像工程では、露光したウエハを現像する。
【００６８】
ステップ１８のエッチング工程では、現像したレジスト以外の部分を除去する。
【００６９】
ステップ１９のレジスト隔離工程ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
【００７０】
これらのステップを繰り返すことによってウエハ上に回路パターンが形成される。
【００７１】
このような、本発明の半導体デバイスの製造方法によって、従来は困難であった高集積度の半導体デバイスを製造する。
【００７２】
【発明の効果】
本発明によれば、光路中に置かれた減光装置を用いなくても、半導体基板等の基板上の照度が制御でき、設計上の負荷を減らすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  ヘルムホルズ・ラグランジュの関係を説明するための光路図
【図２】  楕円ミラーにおける発光点と集光度を説明するための光路図
【図３】  光源位置と基板上の照度の関係を示すシュミレーション結果のグラフ
【図４】  本発明の照度制御を行う投影露光装置の光路図
【図５】  ハエノ目レンズを２個備えた本発明の照度制御を行う投影露光装置の光路図
【図６】  光強度均一化部材を一つだけ備えた本発明の照度制御装置を行う投影露光装置の光路図
【図７】  可変開口絞りを備えた本発明の参考例である照度制御を行う投影露光装置の光路図
【図８】  可変開口絞りに替えて用いる虹彩絞りの機能を説明するための光路図
【図９】  ズーム光学系を備えた本発明の他の参考例である照度制御を行う投影露光装置の光路図
【図１０】  ズーム光学系の機能を説明するための光路図
【図１１】  本発明の投影露光装置を用いる半導体デバイスの製造工程を説明するためのフローチャート
【図１２】  半導体デバイスの製造工程におけるウエハプロセスのフローチャート
【図１３】  従来の照度制御を行う投影露光装置の光路図
【符号の説明】
１  光源
２  集光ミラー
３  光学系
４  内面反射部材
５  光学系
６  ハエノ目レンズ
７  光学系
８  照明領域を制御する絞り
９  リレー光学系
１０  マスク
１１  投影光学系
１２  基板
１３  ステージ
１４  ステージ上に取り付けられた露光量センサー
１５  ハーフミラー
１６  基板と共役位置に置かれた露光量センサー
１７  露光量制御装置
１８  減光手段
１９  シャッター
２０  ランプステージ
２１  ハエノ目レンズ
２２２  虹彩絞り
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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