(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
過弗化物を排気する製造設備に接続された過弗化物処理業者所有の前記過弗化物処理装置を用いて、前記製造設備から排出された前記過弗化物の分解処理を行い、前記過弗化物処理装置で処理された前記過弗化物の処理量を、各エッチャーに供給される各過弗化物ガス毎の流量計の積算計によって計測された流量積算値に、記憶装置に記憶された対応する積算係数を掛けて過弗化物ガス分解等価量を算出して過弗化物ガス分解等価量の合計値で求め、該合計値に分解処理単価を掛けて算出された前記過弗化物の処理費を前記製造装置の所有者に伝送手段により連絡することを特徴とする過弗化物処理の処理方法。
【請求項２】
過弗化物を排気する製造設備に接続された、過弗化物処理業者所有の前記過弗化物処理装置を用いて、前記製造設備から排出された前記過弗化物の分解処理を行い、前記過弗化物処理装置で処理された前記過弗化物の処理量を、ウエハー供給装置によってカウントされる各エッチャーのウエハー枚数に、記憶装置に記憶されている対応するＰＦＣガス使用負荷係数を掛けて求められる等価ウエハー枚数から等価ウエハー枚数の合計値で求め、該合計値に分解処理単価を掛けて算出された前記過弗化物の処理費を前記製造装置の所有者に伝送手段により連絡することを特徴とする過弗化物処理の処理方法。
【請求項３】
過弗化物を排気する製造設備に接続された、過弗化物処理業者所有の前記過弗化物処理装置を用いて、前記製造設備から排出された前記過弗化物の分解処理を行い、前記過弗化物処理装置で処理された前記過弗化物の処理量を、各エッチャーで行われるエッチング処理に対する複数のレシピから選択されたレシピ番号情報から対応するウエハー供給装置によってカウントされる各エッチャーのウエハー枚数を読み出し、記憶装置に記憶されている対応するＰＦＣガス使用負荷係数を掛けて求められる等価ウエハー枚数から等価ウエハー枚数の合計値で求め、該合計値に分解処理単価を掛けて算出された前記過弗化物の処理費を前記製造装置の所有者に伝送手段により連絡することを特徴とする過弗化物処理の処理方法。
【請求項４】
過弗化物を排気する製造設備に接続された過弗化物処理業者所有の前記過弗化物処理装置を用いて、前記製造設備から排出された前記過弗化物の分解処理を行い、前記過弗化物処理装置で処理された前記過弗化物の処理量を、チャンバ内にプラズマが発生している時間を高周波電力を印加する電力系統に設置されたタイマで計測して求めた各エッチャーの実働時間に記憶装置に記憶された対応するＰＦＣガス使用負荷係数を掛けて求められる等価ウエハー枚数から等価ウエハー枚数の合計値で求め、該合計値に分解処理単価を掛けて求められた前記過弗化物の処理費を前記製造装置の所有者に伝送手段により連絡することを特徴とする過弗化物処理の処理方法。
【請求項５】
通信回線を介して送信されてくる前記過弗化物処理装置の所定の状態量を表示装置に表示する請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の過弗化物処理の処理方法。
【請求項６】
前記製造設備は、半導体製造設備及び液晶製造設備のいずれかである請求項１ないし請求項４の過弗化物処理の処理方法。
【請求項７】
通信手段を介して過弗化物を排気する製造設備に接続された、過弗化物処理業者所有の前記過弗化物処理装置から送信されてきた、各エッチャーに供給される各過弗化物ガス毎の流量積算値に記憶装置に記憶された対応する積算係数を掛けて過弗化物ガス分解等価量を算出して過弗化物ガス分解等価量の合計値を求めて前記製造設備から排出された排ガスに含まれた過弗化物の分解処理量を推定する推定手段と、該推定手段により求められた過弗化物の分解処理量に分解処理単価を掛けて過弗化物の処理費用を算出する手段と、該手段によって算出された処理費用を前記製造装置の所有者に連絡する伝送手段を備えたことを特徴とする過弗化物処理の課金システム。
【請求項８】
通信手段を介して過弗化物を排気する製造設備に接続された、過弗化物処理業者所有の前記過弗化物処理装置から送信されてきた、過弗化物を排出する製造設備の状態量に記憶装置に記憶された対応するＰＦＣガス使用負荷係数を掛けて等価ウエハー枚数を算出して等価ウエハー枚数の合計値を求めて前記製造設備から排出された排ガスに含まれた過弗化物の分解処理量を推定する推定手段と、該推定手段により求められた等価ウエハー枚数の合計値で求め、該合計値に分解処理単価を掛けて算出された前記過弗化物の処理費費用を算出する手段と、該手段によって算出された処理費用を前記製造装置の所有者に連絡する伝送手段を備えたことを特徴とする過弗化物処理の課金システム。
【請求項９】
前記過弗化物を排出する製造設備の状態量が、ウエハー供給装置によってカウントされる各エッチャーのウエハー枚数である請求項８に記載の過弗化物処理の課金システム。
【請求項１０】
前記過弗化物を排出する製造設備の状態量が、各エッチャーで行われるエッチング処理に対する複数のレシピから選択されたレシピ番号情報から対応するウエハー枚数を読み出すものである請求項８に記載の過弗化物処理の課金システム。
【請求項１１】
前記過弗化物を排出する製造設備の状態量が、チャンバ内にプラズマが発生している時間をタイマで計測して求めた各エッチャーの実働時間である請求項８に記載の過弗化物処理の課金システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、過弗化物の処理方法に係り、特に半導体製造設備及び液晶製造装置から排出される過弗化物を処理するのに好適な過弗化物の処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体産業は、技術革新が早く２から４年で半導体の世代交代が進む分野である。半導体製造設備には、半導体の世代交代に対応して製造技術の進歩にあった最新の微細化加工設備の導入が必要である。このため、半導体の製造メーカーは常に最新の半導体製造設備を導入する必要性が生じる。
【０００３】
一方、半導体製造設備は、半導体の製造工程でエッチング用ガス，クリーニング用ガスとして過弗化物（Perfluorocompound）を使用している。過弗化物(以下、ＰＦＣという）は、ＣＦ4，ＣＨＦ3，Ｃ2Ｆ6，ＣＨ2Ｆ2，Ｃ3Ｆ8，Ｃ5Ｆ8，ＳＦ6，ＮＦ3などの、塩素を含まない、カーボンとフッ素，カーボンと水素とフッ素，硫黄とフッ素、及び窒素とフッ素の化合物質の総称である。ＰＦＣは、寿命が長く（Ｃ2Ｆ6で１０,０００年 ，ＳＦ6で３,２００年）、温暖化係数が大きい地球温暖化ガスであり、大気放出の規制対象となっている。このため、ＰＦＣを分解する種々の方法が検討されている。その分解方法の１つが、特開平１１−７０３２２号公報及び特開平１１−３１９４８５号公報に記載されている。すなわち、ＰＦＣを、触媒を利用して加水分解し、ＰＦＣの分解によって生じる分解ガスを含む排ガスを、水（あるいはアルカリ溶液）で洗浄し、その後、その排ガスを、ブロワを用いて排気することが記載されている。
【０００４】
ＰＦＣの分解処理としては、触媒を用いる触媒法以外に、ＰＦＣを燃焼により分解する燃焼法、及びＰＦＣをプラズマ化することによって分解するプラズマ法がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
半導体製造メーカーは、最新の半導体製造設備を導入する際の多大の投資に加えて、環境対策としてのＰＦＣ分解処理装置の導入に対する投資が必要となる。しかしながら、半導体製造設備の導入に多大の投資が必要だからといって、環境対策である、半導体製造設備から排出されるＰＦＣの分解処理をやめるわけにはいかない。
【０００６】
本発明の目的は、製造事業者が支払う過弗化物の分解処理に要する費用を低減できる過弗化物の処理方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成する本発明の特徴は、過弗化物処理業者が過弗化物を排気する製造設備に接続された前記過弗化物処理装置を用いて前記製造設備から排出された前記過弗化物の分解処理を行い、前記過弗化物処理装置で処理された前記過弗化物の処理量に応じて算出された前記過弗化物の処理費を前記製造装置の所有者に連絡することにある。
【０００８】
市場環境が変化した場合に対応して過弗化物の処理量が変動する。製造事業者は、過弗化物処理装置を購入する必要がないためその設備購入のための投資が不要になり、また、市場環境が変化した場合でも過弗化物の処理量に応じてその処理費用を負担するため過弗化物の処理費用の負担を低減できる。
【０００９】
また好ましい実施形態では、過弗化物処理事業者がＰＦＣ分解処理装置の保守点検作業を自発的に実施するため、製造事業者は、ＰＦＣ分解処理装置の保守点検作業を自ら行う必要がなく、またその保守点検作業をＰＦＣ分解処理装置の製造メーカーに依頼する必要がない。
【００１０】
【発明の実施の形態】
（実施例1）
本発明の好適な一実施例である過弗化物処理方法を、図１，図２及び図３を用いて以下に説明する。半導体製造事業者Ａ（以下、Ａ社という）のサーバ４７及び半導体製造事業者Ｂ（以下、Ｂ社という）のサーバ４９と、過弗化物処理事業者Ｃ（以下、処理事業者Ｃという）のサーバ５１は、図２に示すようにインターネット５４によって接続されている。処理事業者Ｃが所有する情報端末５２及び記憶装置５３はサーバ５１に接続される。Ａ社が所有する情報端末４８はサーバ４７に接続される。Ｂ社が所有する情報端末５０はサーバ４９に接続される。情報端末４８，５０及び５２は例えばパーソナルコンピュータである。
【００１１】
Ａ社は半導体製造設備１を、Ｂ社は半導体製造設備１Ａを用いてそれぞれ半導体を製造している。半導体製造設備１におけるエッチャー付近の概略構成を図１を用いて説明する。半導体製造設備１は、エッチャー２，ウエハー供給装置３，ＰＦＣ供給装置４及び５を備える。ＰＦＣ供給装置４は、ＰＦＣ充填容器６，ＰＦＣ充填容器６に接続される配管８Ａ、及び配管８Ａに設置されるバルブ９Ａを有する。ＰＦＣ供給装置５は、ＰＦＣ充填容器７，ＰＦＣ充填容器７に接続される配管８Ｂ、及び配管８Ｂに設置されるバルブ９Ｂを有する。半導体製造設備１は、エッチャー２として、エッチャーＡ、及びエッチャーＢ（図示せず）を備える。配管８Ａ及び８ＢはエッチャーＡのエッチングチャンバー（図示せず）に接続される。エッチャーＢのエッチングチャンバー（図示せず）には、バルブ９Ａ及び９Ｂの上流側で配管８Ａ及び８Ｂから分岐されたそれぞれの分岐配管が接続される。これらの分岐配管にも、それぞれバルブ（図示せず）及び流量計（図示せず）が設置される。
【００１２】
ＰＦＣ充填容器６はＰＦＣの一種であるＣ2Ｆ6を充填している。ＰＦＣ充填容器７はＰＦＣの他の一種であるＳＦ6 を充填している。エッチャーＡのエッチングチャンバー(チャンバーＡと称する)内でウエハーにエッチング処理を行う場合、ウエハーがウエハー供給装置３によってチャンバーＡ内に供給される。その後、バルブ９Ａ及び９Ｂを開きそれぞれの開度を調節することによって、第１設定量のＣ2Ｆ6ガスがＰＦＣ充填容器６から配管８Ａを通って、第２設定量のＳＦ6ガスがＰＦＣ充填容器７から配管８Ｂを通って、真空に減圧されたチャンバーＡ内にそれぞれ供給される。Ｃ2Ｆ6ガス及びＳＦ6ガスはチャンバーＡ内へ同時に供給される。Ｃ2Ｆ6ガス及びＳＦ6ガスはプラズマ化され、半導体の材料であるウエハーに対するエッチング処理を行う。チャンバーＡ内に供給されたＣ2Ｆ6ガスの一部及びＳＦ6 ガスの一部は、チャンバーＡ内で消費されずに真空ポンプ１５Ａによる吸引によってチャンバーＡに接続されたガス排出管１６Ａに排出される。図示されていないエッチャーＢのエッチングチャンバー（チャンバーＢと称する）内でも、ウエハー供給装置３によって供給されたウエハーに対して、２本の分岐配管から供給されるＣ2Ｆ6ガス及びＳＦ6 ガスを用いたエッチング処理が施される。チャンバーＢ内には、ＳＦ6 ガスは、Ｃ2Ｆ6ガスによるウエハーへのエッチング処理が終了した後に供給され、そのウエハーに対するエッチング処理に用いられる。チャンバーＢ内で消費されなかったＣ2Ｆ6ガスの一部及びSF6ガスの一部は、真空ポンプ１５Ｂによる吸引によってチャンバーＢに接続されたガス排出管１６Ｂに排出される。エッチング処理が終了したウエハーは、ウエハー供給装置３によってチャンバーＡ及びＢからそれぞれ取出される。チャンバーＡ及びＢで、Ｃ2Ｆ6ガス及びＳＦ6ガスの供給の仕方が異なるのは、エッチング処理の対象となるウエハーによって異なる半導体が製造されるからである。
【００１３】
Ａ社は情報端末５６により半導体製造設備１から排気されるＰＦＣの処理を依頼する情報をインターネット６２を介してサーバ５９宛に送信する。処理事業者Ｃは、情報端末６０のディスプレィに表示されたその依頼情報を見ることによって、Ａ社からのＰＦＣの処理依頼を知る。その後、処理事業者Ｃは、触媒を用いた、図３に示すＰＦＣ分解処理装置１７を、Ａ社まで搬送して半導体製造設備１に接続する。すなわち、処理事業者Ｃは、配管３３を、ガス排出管１６Ａ及び１６Ｂにそれぞれ接続し、更にＰＦＣ分解処理装置１７に接続する。更に、処理事業者Ｃは、流量計１０に積算計１３Ａを、流量計１１に積算計１３Ｂを、前述の１つの分岐配管に設置された流量計に積算計１３Ｃを、他の分岐配管に設置された流量計に積算計１３Ｄをそれぞれ接続する。ＰＦＣ分解処理装置１７及び積算計１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄは処理事業者Ｃの所有である。このため、処理事業者Ｃが、ＰＦＣ分解処理装置１７を用いて、ガス排出管１６Ａ及び16Ｂに排出されたＣ2Ｆ6ガス及びＳＦ6の処理を実施する。ＰＦＣガスの処理を、ＰＦＣの一種であるＳＦ6及びＣ2Ｆ6を用いた場合を例にとって以下に説明する。
【００１４】
チャンバーＡ及びＢからガス排出管１６Ａ及び１６Ｂに排出されたＰＦＣガスであるＳＦ6 及びＣ2Ｆ6，ＳｉＦ4 及びＨＦを含む排ガスは、真空ポンプ１５Ａ及び１５Ｂにより配管３３に排出され、更にケイ素除去装置の入口充填塔２３に供給される。真空ポンプ１５Ａ及び１５Ｂには、軸受け部がＨＦにより腐食されるのを防止するためにＮ2ガスが供給される。このＮ2ガスも排ガスと共に入口充填塔２３内に供給される。排ガスは入口充填塔２３内で充填層２４内を上昇し、配管３４を介してケイ素除去装置のスプレイ塔２５内に供給される。水供給管４３により供給される新しい水が、スプレイ２６よりスプレイ塔２５内に噴射され、配管３４により入口充填塔２３に導かれる。入口充填塔２３には、排水タンク２７内の排水が排水ポンプ３２の駆動により、排水管３７及び配管３９を経て供給される。この排水とスプレイ水は、充填層２４内を下降する。
【００１５】
排ガスに含まれたＳｉＦ4 は、入口充填塔２３内で水（排水、及びスプレイ塔２５内に噴射されたスプレイ水）と接触することにより（１）式の反応を生じ、ＳｉＯ2とＨＦとに分解される。
【００１６】
ＳｉＦ4 ＋ ２Ｈ2Ｏ → ＳｉＯ2 ＋ ４ＨＦ                     …（１）入口充填塔２３に供給された排ガスに含まれたＨＦ及び（１）式の反応で生成されたＨＦは、入口充填塔２３内で水に吸収され、排ガスから除去される。固形分であるＳｉＯ2 もその水によって洗い流される。ＳｉＯ2 を含みＨＦを吸収した水は、配管４０を通って、入口充填塔２３よりも下方に位置する排水タンク２７内に導かれる。排ガスに含まれた他の不純物も、入口充填塔２３及びスプレイ塔２５内で水によって除去される。
【００１７】
入口充填塔２３内で水に吸収されなかったＨＦは、排ガスと共にスプレイ塔２５内に導かれ、そこで噴射されたスプレイ水に吸収される。スプレイ塔２５内に導かれる排ガス中に残存するＳｉＦ4 は、スプレイ塔２５内でスプレイ水と接触することにより、（１）式の反応を生じる。この反応で発生したＨＦは、スプレイ水に吸収される。発生したＳｉＯ2 も、スプレイ水によって入口充填塔２３を経て配管４０に排出される。
【００１８】
スプレイ塔２５から配管３５内に排出された、ＳＦ6 及びＣ2Ｆ6を含む排ガスは、反応器１８の加熱空間２１内に供給される。この排ガスは、ＨＦ，ＳｉＦ4 、及び（１）式の反応で生成されたＳｉＯ2 を含んでいない。加熱空間２１内には、配管４１により水（または水蒸気）が供給され、配管４２により空気が供給される。触媒の作用によるＰＦＣの分解反応が加水分解であるため、この反応に必要な水(または水蒸気)が供給されるのである。排ガスは、水及び空気と共に、触媒の作用によりＳＦ6 及びＣ2Ｆ6の分解が開始される７５０℃の温度に、加熱器２０によって加熱される。ＰＦＣの種類によって異なるが、約６５０〜７５０℃に加熱される。水は、水蒸気となる。水蒸気，空気，ＳＦ6 及びＣ2Ｆ6を含んで７５０℃に加熱された排ガスは、触媒カートリッジ１９内に供給される。
【００１９】
触媒カートリッジ３内の、Ａｌの酸化物であるＡｌ2Ｏ3を８０％，Ｎｉ酸化物であるＮｉＯを２０％含んでいるアルミナ系触媒の作用によって、ＳＦ6 及びＣ2Ｆ6とＨ2Ｏとによる下記の（２）式及び（３）式の反応が促進され、ＳＦ6 は
ＳＦ6 ＋ ３Ｈ2Ｏ → ＳＯ3 ＋ ６ＨＦ                         …（２）
Ｃ2Ｆ6 ＋ ３Ｈ2Ｏ ＋ 空気(Ｏ2) → ２ＣＯ2  ＋ ６ＨＦ        …（３）
ＳＯ3 とＨＦに分解され、Ｃ2Ｆ6はＣＯ2 とＨＦに分解される。（２）式及び(３）式の反応は水蒸気の存在下で行われる。ＳＦ6 及びＣ2Ｆ6は１００％分解される。空気、特に酸素が触媒カートリッジ３内に供給されない場合には、Ｃ2Ｆ6とＨ2Ｏ との反応によって有害なＣＯが生成される。空気の供給により、空気に含まれた酸素がＣＯを無害なＣＯ2 に変換するため、（３）式に示すようにＣＯが発生しない。上記のアルミナ系触媒を用いることによって、７５０℃になる触媒カートリッジ３内で、ＳＦ6及びＣ2Ｆ6は１００％分解される。
【００２０】
本実施例は、ケイ素除去装置内で（１）式の反応を発生させて、排ガスにＳｉＦ4 等の化合物の形態で含まれているケイ素を除去するため、触媒によるＰＦＣの分解効率を向上できる。ケイ素を含む排ガスが反応器１８内に供給された場合、配管４０によって供給される水(または水蒸気)との(１)式の反応により加熱空間２１内でＳｉＯ2 が生成される。このＳｉＯ2 が触媒カートリッジ１９内に流入した場合には、以下の▲１▼及び▲２▼の問題を生じる。▲１▼ＳｉＯ2 が触媒に形成されたポーラスを塞ぐ。▲２▼触媒間に形成される間隙を閉塞する。▲１▼及び▲２▼により触媒の表面積が減少し、ＰＦＣの分解反応が低下する。また、▲２▼に起因して触媒間における排ガスの流れが悪くなり、触媒と排ガスの接触が阻害される。これも、ＰＦＣの分解反応の低下につながる。本実施例は、ケイ素除去装置においてＳｉＯ2 を事前に除去しているので、上記の問題が生じなくＰＦＣの分解効率が向上する。
【００２１】
ＳＦ6 及びＣ2Ｆ6の各々の分解ガスであるＳＯ3，ＣＯ2及びＨＦを含む排ガスは、触媒カートリッジ１９から冷却室２２内に供給される。水供給管４５によって供給される水は、スプレイ４６から冷却室２２内にスプレイされる。その排ガスは、スプレイされた水との接触によって冷却されるため、排ガス温度が１００℃以下に低下する。これにより、反応器１８よりも下流側の機器（冷却室２２，排ガス洗浄塔２８）、配管３６及び３８を耐食性の優れたプラスチックである塩化ビニル樹脂等で構成できる。排ガスに含まれているＨＦの一部はスプレイされた水に吸収される。スプレイされた水及び排ガスは、配管３６を通って冷却室２２から排水タンク２７内に導かれる。水は排水タンク２７内に一時的に貯蔵される。排水ポンプ３２の駆動により、排水タンク２７内の水は、排水管３７内に排出され、図示されていない建屋側の排水処理設備に導かれる。
【００２２】
分解ガスを含む排ガスは、排水タンク２７から排ガス洗浄塔２８内に導かれる。水供給管４４によって供給される水が、スプレイ３０より噴射される。この水は、上方より、充填層２９内を下降して排水タンク２７内に落下する。排ガスは、充填層２９内を上昇する。排ガスに含まれた酸性ガスであるＳＯ3 及びＨＦは、噴射された水に吸収され、排ガスから分離される。水の替りにアルカリ水溶液（ＮａＯＨ水溶液またはＫＯＨ水溶液）をスプレイ３０から噴射してもよい。酸性ガスが除去された排ガスが、排風機３１の駆動によって、排ガス洗浄塔２８より配管３８に排出され、更に系外に排出される。
【００２３】
ＰＦＣ分解処理装置１７において、温度計５７が反応器１８内で触媒カートリッジ１９の入り口付近に設置されている。入口充填塔２３の上流側に位置する配管３３と排風機３１より上流側の配管３８との間の差圧を測定する差圧計５８が設置される。また、ＰＦＣ濃度計５９が、排風機３１よりも下流側で配管３８に設置される。
【００２４】
配管８Ａ及び８ＢによってエッチャーＡのチャンバーＡ内に供給されるＣ2Ｆ6ガス及びＳＦ6 ガスの流量が、配管８Ａに設置された流量計１０、及び配管８Ｂに設置された流量計１１によって測定される。積算計１３Ａは流量計１０の測定値を入力し、チャンバーＡに供給されるＣ2Ｆ6ガスの流量を積算する。積算計１３Ｂは流量計１１の測定値を入力し、チャンバーＡに供給されるＳＦ6 ガスの流量を積算する。エッチャーＢのチャンバーＢ内に供給されるＣ2Ｆ6ガス及びＳＦ6 ガスの流量も、図示されていないが、各分岐配管に設置されたそれぞれの流量計によって測定される。Ｃ2Ｆ6ガスを供給する分岐配管に設置された流量計の測定値も、他の積算計１３Ｃにより積算される。ＳＦ6 ガスを供給する分岐配管に設置された流量計の測定値も、更に別の積算計１３Ｄに積算される。積算計１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄで得られた各ＰＦＣガスの流量積算値は、サーバ４７よりインターネット５４を介して処理事業者Ｃのサーバ５１に伝えられ、記憶装置５３に記憶される。
【００２５】
記憶装置５３は、Ａ社のエッチャーで使用するＰＦＣガス毎に設定された積算計数を記憶する。積算係数は、ＰＦＣガス分解処理の難易度、ＰＦＣガスの使用量等の、Ａ社で使用したＰＦＣ分解処理装置１７への負荷を考慮した係数である。情報端末５２は、記憶装置５３に記憶されている、各エッチャーに供給される各ＰＦＣガス毎の流量積算値に、記憶装置５３に記憶された対応する積算計数を掛けることによって、ＰＦＣガス分解等価量を算出する。表１には、エッチャーＡ及びＢにおけるＣ2Ｆ6ガス及びＳＦ6ガスに対する流量積算値，積算係数及びＰＦＣガス分解等価量がまとめられている。ＰＦＣガス分解等価量は、該当するＰＦＣの処理の難易度を考慮した、ＰＦＣの処理費を算出するベースとなる数値
【００２６】
【表１】
0004374814.tif 000002
【００２７】
の概念である。更に、情報端末５２は、ＰＦＣガス分解等価量の合計値に分解処理単価を掛けることによってＣ2Ｆ6ガス及びＳＦ6 ガスをＰＦＣ分解処理装置１７で処理することに対する処理費用を算出する。ＰＦＣガス分解等価量の合計値は半導体製造設備１に対するＰＦＣ処理量に関する情報（以下、ＰＦＣ処理量関連情報という）である。すなわち、ＰＦＣ処理量関連情報は実質的にＰＦＣ分解処理装置１７で分解処理されたＰＦＣ処理量に相当する。このため、本実施例では、エッチャーへのＰＦＣガスの供給流量に基づいてＰＦＣ分解処理装置１７で分解処理されるＰＦＣの処理量を推定しているのである。
【００２８】
算出された処理費用は、定期的に、例えば１ケ月ごとに情報端末５２から、サーバ５１及びインターネット５４を介してＡ社のサーバ４７宛に送信される。Ａ社は情報端末４８のディスプレィに処理費用を表示することによってその金額を知ることができる。Ａ社は処理事業者Ｃが指定した銀行の口座にその処理費用を振り込む。
【００２９】
各積算計を設けずに、ＰＦＣガス流量を測定する各流量計の測定値をサーバ４７よりサーバ５１宛に送信し、情報端末５２で各流量計の測定値を求めて該当するＰＦＣガスの流量積算値を算出することが可能である。この流量積算値を用いて前述したように処理費用を算出する。
【００３０】
温度計５７で測定された温度測定値６０，差圧計５８で測定された差圧測定値６１及びＰＦＣ濃度計５９で測定されたＰＦＣ濃度測定値６２は、それぞれサーバ４７に入力され、サーバ４７よりインターネット５４及びサーバ５１を介して記憶装置５３に記憶される。処理事業者Ｃは記憶装置５３に記憶されている温度測定値６０，差圧測定値６１及びＰＦＣ濃度測定値６２を情報端末５２のディスプレィに表示することによってＡ社に設置したＰＦＣ分解処理装置１７の運転状態を遠隔で監視することができる。ＰＦＣ濃度計５９で測定されたＰＦＣ濃度が設定濃度を超えた場合には、触媒カートリッジ１９内の触媒が劣化して触媒によるＰＦＣの分解反応が進まなくなっている事象が生じている。差圧計５８の測定値が設定差圧を超えた場合には、例えば、触媒カートリッジ１９内の触媒層内に不純物がたまっている事象が生じている。温度計５７の測定値が設定温度よりも低くなった場合には、加熱器２０の故障または加熱器２０に電力を導く電力系統の故障が生じている。例えば、処理事業者Ｃが情報端末５２によるＰＦＣ分解処理装置１７を用いた運転状態の監視により配管３８のＰＦＣ濃度が設定濃度を越えたことを知ったとき、処理事業者ＣはＡ社に設置しているＰＦＣ分解処理装置１７の触媒カートリッジ１９を新しい触媒カートリッジ１９と交換する。
【００３１】
このように本実施例は、処理事業者Ｃの情報端末５２を用いてＡ社に設置しているＰＦＣ分解処理装置１７の運転状態を遠隔監視でき、ＰＦＣ分解処理装置１７の保守を適切に行うことができる。処理事業者Ｃは、自分が所有するＰＦＣ分解処理装置１７の保守を行うことになる。触媒カートリッジ１９の交換等の、ＰＦＣ分解処理装置１７の保守に要する費用は、前述の分解処理単価に含まれており、前述の処理費用の一部としてＡ社に支払ってもらう。本実施例では、PFC分解処理装置１７の運転状態の情報を遠隔で監視している処理事業者Ｃが、その装置の健全性をチェックでき、交換部品，消耗品等の交換時期，点検時期等の保守計画を作成する。
【００３２】
半導体（半導体チップ）の生産量は、市場環境の変化を受けやすく、市場環境が好転したときには増加され、逆に市場環境が悪化したときには減少される。半導体の生産量が増加した場合には半導体製造事業者が半導体生産のために使用するＰＦＣガスの総量が増大する。逆に、半導体生産量が減少した場合には、使用するＰＦＣガスの総量が減少する。処理事業者Ｃは、半導体の生産量が増大したときでもある程度対応できるように処理能力が大きなＰＦＣ分解処理装置１７を半導体製造事業者の半導体製造工場内に設置する（または、ＰＦＣ分解処理装置１７の設置台数を増加）。処理事業者Ｃは、市場環境の変化に関係なく、ＰＦＣ分解処理装置１７でのＰＦＣ処理量に相当するＰＦＣ処理量関連情報（本実施例では流量計１０，１１で測定されたＰＦＣ供給流量の積算値に基づいて推定）に応じて算出されたＰＦＣの処理費用をＡ社に請求する。Ａ社は、ＰＦＣ分解処理装置１７を購入することなく、市場環境の変化に対応して半導体の製造量を容易に調整でき、しかも半導体製造量が増加した場合でも排出されるＰＦＣガスを分解処理することができる。本実施例は、ＰＦＣ分解処理装置１７の設置のためのＡ社の初期投資を不要にし、Ａ社はＰＦＣの処理量に応じてＰＦＣ処理費用を負担するため、市場環境の変化で半導体生産量の減少を余儀なくされる場合を考えると、Ａ社のＰＦＣ処理費用の負担は軽減される。Ａ社が自らＰＦＣの分解処理を行う場合には、半導体の生産量が増大したときでもある程度対応できるように処理能力が大きなＰＦＣ分解処理装置１７を購入して設置する必要がある。このため、Ａ社はその装置の購入のために初期投資が必要となり、半導体生産量が減少してＰＦＣの発生量が少なくなっても処理能力の大きなＰＦＣ分解処理装置１７を用いてＰＦＣを処理する必要がある。このため、ＰＦＣ分解処理装置１７の運転に要する費用及び維持管理に要する費用はエッチャー２からのＰＦＣの排出量が低下する割には減少しない。本実施例はこのようなＡ社の負担を軽減できる。
【００３３】
分解処理装置１７処理事業者ＣがＰＦＣ分解処理装置１７の保守点検作業を自発的に実施するため、Ａ社は、ＰＦＣ分解処理装置１７の保守点検作業を自ら行う必要がなく、またその保守点検作業をＰＦＣ分解処理装置１７の製造メーカーに依頼する必要がない。
【００３４】
Ｂ社からＰＦＣガスの処理依頼が処理事業者Ｃにあった場合には、処理事業者Ｃは、半導体製造設備１ＢにＰＦＣ分解処理装置１７を接続し、Ａ社に対する場合と同様に、ＰＦＣ分解処理装置１７を用いたＰＦＣの分解処理を実施する。
【００３５】
半導体製造事業者は、多額の生産設備建設の投資を行う必要に迫られている。これらの生産設備の中で、エッチャー，ＣＶＤ，描画装置ならびに環境安全装置(例えばＰＦＣ分解処理装置)を装置メーカーより直接購入するか３から５年のリース契約で導入している。それらの装置を一括購入してもリース契約によりリースを受けて使用しても、毎年ほぼ一定の減価償却ないしは経費負担の発生が生じる。これらの初期投資による費用は半導体の生産量にかかわらず発生するため、その生産量が減少した場合には収益が悪化する。リース契約の場合にはその契約の途中解約は可能であるが、契約満了前の解約は多額の違約金を負担することになる。本実施例では、半導体製造事業者はＰＦＣ分解処理装置１７を購入またはリース契約により貸与を受ける必要がないので、ＰＦＣ分解処理装置１７に対する初期投資が不要になる。
【００３６】
（実施例２）
本発明の他の実施例であるＰＦＣ処理方法を、図４を用いて説明する。実施例１は二台のエッチャーから排出されたＰＦＣを分解処理するものであるが、本実施例は三台のエッチャーを有する半導体製造設備１Ｂに適用されるものである。
【００３７】
半導体製造設備１Ｂは、エッチャー２としてエッチャーＡ，Ｂ及びＣを備える。エッチャーＢは実施例１でも設置されているが、エッチャーＢの接続構造について図４を用いて詳細に説明する。エッチャーＢのチャンバーＢ（図示せず）は、配管８Ａに接続された配管８Ｃ（分岐配管）と、配管８Ｂに接続された配管８Ｄ（分岐配管）とに接続される。バルブ９Ｃ及び流量計１０Ｂが配管８Ｃに設置され、バルブ９Ｄ及び流量計１１Ｂが配管８Ｄに設置される。チャンバーＢ内にはウエハー供給装置３Ｂによってウエハー６３が出入れされる。次に、エッチャーＣについて説明する。エッチャーＣの図示されていないエッチングチャンバー（チャンバーＣという）は、配管８Ａに接続された配管８Ｅと、配管８Ｂに接続された配管８Ｆとに接続される。バルブ９Ｅ及び流量計１０Ｃが配管８Ｅに設置され、バルブ９Ｆ及び流量計１１Ｃが配管８Ｆに設置される。チャンバーＣ内にはウエハー供給装置３Ｃによってウエハー６３が出入れされる。真空ポンプ１５Ｃを設置したガス排出管１６Ｃは、チャンバーＣに接続されている。ＰＦＣ供給装置４Ａは、ＰＦＣ充填容器６，配管８Ａ，８Ｃ，８Ｅ及びバルブ９Ａ，９Ｃ，９Ｅを有する。ＰＦＣ供給装置５は、ＰＦＣ充填容器７、配管８Ｂ，８Ｄ，８Ｆ及びバルブ９Ｂ，９Ｄ，９Ｆを有する。
【００３８】
処理事業者Ｃは、半導体製造設備１Ｂを所有する半導体製造事業者からＰＦＣの分解処理の依頼を受けた後、ＰＦＣ分解処理装置１７を、配管３３により、ガス排出管１６Ａ，１６Ｂ及び１６Ｃに接続する。更に、処理事業者Ｃは、実施例１と同様に、流量計１０に積算計１３Ａを、流量計１１に積算計１３Ｂを、流量計１０Ｂに積算計１３Ｃを、流量計１１Ｂに積算計１３Ｄを、流量計１０Ｃに積算計１３Ｅを、流量計１１Ｃに積算計１３Ｆをそれぞれ接続する。
【００３９】
チャンバーＡ及びＢ内でのエッチング処理は字指令１と同様に行われる。チャンバーＣ内でウエハーに対してエッチング処理を行う場合には、バルブ９Ｅ及び９Ｆを開いて設定流量のＣ2Ｆ6及びＳＦ6 を、配管８Ｅ，８Ｆより、ウエハー６３が供給されたチャンバーＣ内に供給する。エッチング処理により消費されなかったＣ2Ｆ6及びＳＦ6 は、チャンバーＣからガス排出管１６Ｃに排出され、配管３３を経てＰＦＣ分解処理装置１７に送られて分解処理される。流量計１０Ｃで測定されたＣ2Ｆ6供給流量の測定値は積算計１３Ｅで積算され、流量計１１Ｃで測定されたＳＦ6 供給流量の測定値は積算計１３Ｆで積算される。流量計10Ｂで測定されたＣ2Ｆ6供給流量の測定値は積算計１３Ｃで積算され、流量計１１Ｂで測定されたＳＦ 6供給流量の測定値は積算計１３Ｄで積算される。積算計13Ａ〜１３Ｆで積算された各積算値は、サーバ４７及びインターネット５４を介して処理事業者Ｃのサーバ５１宛に送信され、記憶装置５３（図２）に記憶される。
【００４０】
情報端末５２は、実施例１と同様に、記憶装置５３に記憶されている、各エッチャー２に供給される各ＰＦＣガス毎の流量積算値、及び該当するＰＦＣガスの積算係数を用いて、三台のエッチャー２毎でかつ各ＰＦＣガス毎にＰＦＣガス分解等価量を算出する。三台のエッチャー２に対する全てのＰＦＣガス分解等価量を合計してその等価量の合計値を算出する。情報端末５２は、更にその合計値に分解処理単価を掛けることによってＣ2Ｆ6ガス及びＳＦ6 ガスをＰＦＣ分解処理装置１７で処理することに対する処理費用を算出する。この処理費用は、サーバ５１よりインターネット５４を介して該当する半導体製造事業者のサーバ宛に送信される。この半導体製造事業者はその処理費用を支払う。本実施例も、実施例１と同様にＰＦＣ分解処理装置１７の運転状態の遠隔監視を行う。本実施例は実施例１と同様な効果を生じる。
【００４１】
（実施例３）
本発明の他の実施例であるＰＦＣ処理方法を、図５を用いて説明する。ＰＦＣの分解処理が図２に示すＡ社より処理事業者Ｃに依頼される。処理事業者ＣはＰＦＣ分解処理装置１７をＡ社まで搬送してＰＦＣ分解処理装置１７を配管３３により半導体製造設備１のガス排出管１６Ａ及び１６Ｂに接続する。処理事業者Ｃは、ウエハーの枚数をカウントするウエハー枚数カウント計６４Ａを、チャンバーＡへのウエハーの出入れを行うウエハー供給装置３に接続する。更に、処理事業者Ｃは、ウエハーの枚数をカウントするウエハー枚数カウント計６４Ｂを、チャンバーＢへのウエハーの出入れを行うウエハー供給装置３Ｂ(図４)に接続する。チャンバーＡ及びＢにおけるウエハーに対するエッチング処理、及びＰＦＣ分解処理装置１７を用いた各チャンバーから排出されたＰＦＣガスの分解処理は実施例１と同様に行われる。
【００４２】
ウエハー枚数カウント計６４Ａは、ウエハー供給装置３によってウエハー６３がチャンバーＡ内に供給される回数（またはウエハー供給装置３によってウエハー６３がチャンバーＡ内から取出される回数）をカウントする。ウエハー枚数カウント計６４Ｂは、ウエハー供給装置３Ｂによってウエハー６３がチャンバーＢ内に供給される回数（またはウエハー供給装置３Ｂによってウエハー６３がチャンバーＢ内から取出される回数）をカウントする。カウントされた各回数の値は、各チャンバー内でエッチング処理されたそれぞれのウエハーの枚数の値を表している。ウエハー枚数カウント計６４Ａ及び６４Ｂから出力された各回数値、すなわち各ウエハー枚数値は、サーバ４７に伝えられ、サーバ４７よりインターネット５４を介して処理事業者Ｃのサーバ５１に伝送されて記憶装置５３に記憶される。
【００４３】
記憶装置５３は、表２に示す、各エッチャーに対するＰＦＣガス使用負荷係数
【００４４】
【表２】
0004374814.tif 000003
【００４５】
を記憶する。ＰＦＣガス使用負荷係数は各エッチャー毎にＰＦＣガスの使用量，ＰＦＣの種類及びＰＦＣ分解処理装置の負荷を考慮して決められる係数である。情報端末５２は、記憶装置５３から各エッチャー毎のウエハー枚数値及び各エッチャー毎のＰＦＣガス使用負荷係数を読み出し、エッチャー毎にウエハー枚数値とＰＦＣガス使用負荷係数とを掛け算して等価ウエハー枚数を算出する。更に、情報端末５２は、各等価ウエハー枚数の合計値を求める。この等価ウエハー枚数の合計値も、半導体製造設備１に対するＰＦＣ処理量に関する情報（ＰＦＣ処理量関連情報）であり、実質的にＰＦＣ分解処理装置１７で分解処理されたＰＦＣ処理量に相当する。このため、本実施例では、エッチャーに供給される（またはエッチャーから取出される）ウエハーの枚数に基づいてＰＦＣ分解処理装置１７で分解処理されるＰＦＣの処理量を推定しているのである。
【００４６】
情報端末５２は、等価ウエハー枚数の合計値に分解処理単価を掛けることによってＣ2Ｆ6ガス及びＳＦ6 ガスをＰＦＣ分解処理装置１７で処理することに対する処理費用を算出する。算出された処理費用は、定期的に、例えば１ケ月ごとに情報端末５２から、サーバ５１及びインターネット５４を介してＡ社のサーバ４７宛に送信される。Ａ社は処理事業者Ｃが指定した銀行の口座にその処理費用を振り込む。本実施例も、実施例１と同様にＰＦＣ分解処理装置１７の運転状態の遠隔監視を行う。本実施例は、実施例１で生じる効果を得ることができる。
【００４７】
（実施例４）
本発明の他の実施例であるＰＦＣ処理方法を、図６を用いて説明する。ＰＦＣの分解処理が図２に示すＡ社より処理事業者Ｃに依頼される。処理事業者ＣはＰＦＣ分解処理装置１７をＡ社まで搬送してＰＦＣ分解処理装置１７を配管３３により半導体製造設備１のガス排出管１６Ａ及び１６Ｂに接続する。処理事業者Ｃは、ウエハー枚数カウント計６４Ａをウエハー供給装置３に接続し、ウエハー枚数カウント計６４Ｂをウエハー供給装置３Ｂに接続する。エッチング処理及びＰＦＣガスの分解処理は実施例１と同様に行われる。
【００４８】
エッチャーＡ及びＢは、それぞれ個別にコントローラ（図示せず）を有している。エッチャーＡ用のコントローラ（図示せず、コントローラＡという）は、エッチャーＡで行われるエッチング処理に対する複数のレシピを記憶部に記憶している。これらのレシピにはレシピ番号情報が付与されている。コントローラＡは、Ａ社の従業員がエッチャー半導体製造事業者のエッチャーＡでエッチング処理を行うためのレシピ番号情報を選択し、コントローラＡに選択したレシピ番号情報を設定する。コントローラＡは、選択されたレシピ番号情報に対応するレシピに従って、チャンバーＡ内に供給すべきＰＦＣガス（例えばＣ2Ｆ6）に対するバルブ（例えばバルブ９Ａ）を、設定時間の間、開いて設定流量になるように開度を調節する。コントローラＡは、また、選択された上記レシピに基づいてチャンバーＡ内に供給されたＰＦＣをプラズマ化するために、チャンバーＡに高周波電力を高周波電源（図示せず）から印加する第１電力系統に設けられ第１開閉器（図示せず）を設定時間の間、閉じる。チャンバーＡに供給すべきＰＦＣ，バルブを開いている設定時間，第１開閉器を閉じている設定時間は、選択されたレシピに設定されている。エッチャーＢ用のコントローラ（図示せず、コントローラＢという）は、エッチャーＢ用のレシピを記憶部に記憶している。コントローラＢは、選択されたレシピ番号情報に対応するレシピに従って、該当するバルブの開閉制御、及びチャンバーＢに高周波電力を印加する第２電力系統（図示せず）に設けられた第２開閉器（図示せず）の開閉制御を行う。
【００４９】
エッチャーＡ及びＢのコントローラＡ，Ｂのそれぞれから入手した、ウエハーのエッチング処理に対するレシピ番号情報が、サーバ４７及びインターネット５４を介してサーバ５１に伝えられ、記憶装置５３に記憶される。ウエハー枚数カウント計６４Ａ及び６４Ｂでカウントされた、ウエハー６３がチャンバー内に供給される回数（またはウエハー６３がチャンバー内から取出される回数）が、実施例３と同様に、サーバ４７よりインターネット５４を介して処理事業者Ｃのサーバ５１に伝送されて記憶装置５３に記憶される。
【００５０】
記憶装置５３は、表３に示す、各レシピに対するＰＦＣガス使用負荷係数を記
【００５１】
【表３】
0004374814.tif 000004
【００５２】
憶する。ＰＦＣガス使用負荷係数は各レシピ毎にＰＦＣガスの使用量，ＰＦＣの種類及びＰＦＣ分解処理装置の負荷を考慮して決められる係数である。情報端末５２は、記憶装置５３に記憶されているウエハー枚数値をもとに各レシピ毎のウエハー枚数値を読み出し、更にレシピ毎のＰＦＣガス使用負荷係数を読み出す。レシピ毎にウエハー枚数値とＰＦＣガス使用負荷係数とを掛け算して等価ウエハー枚数を算出する。更に、情報端末５２は、各等価ウエハー枚数の合計値を求める。この等価ウエハー枚数の合計値も、半導体製造設備１に対するＰＦＣ処理量に関する情報（ＰＦＣ処理量関連情報）であり、実質的にＰＦＣ分解処理装置１７で分解処理されたＰＦＣ処理量に相当する。本実施例では、レシピ毎にエッチャーに供給される（またはエッチャーから取出される）ウエハーの枚数に基づいてＰＦＣ分解処理装置１７で分解処理されるＰＦＣの処理量を推定しているのである。
【００５３】
情報端末５２は、等価ウエハー枚数の合計値に分解処理単価を掛けることによってＣ2Ｆ6ガス及びＳＦ6 ガスをＰＦＣ分解処理装置１７で処理することに対する処理費用を算出する。算出された処理費用は、定期的に、例えば１ケ月ごとに情報端末５２から、サーバ５１及びインターネット５４を介してＡ社のサーバ４７宛に送信される。Ａ社は処理事業者Ｃが指定した銀行の口座にその処理費用を振り込む。本実施例も、実施例１と同様にＰＦＣ分解処理装置１７の運転状態の遠隔監視を行う。本実施例も、実施例１で生じる効果を得ることができる。
【００５４】
（実施例５）
本発明の他の実施例であるＰＦＣ処理方法を、図７を用いて説明する。ＰＦＣの分解処理が図２に示すＡ社より処理事業者Ｃに依頼される。処理事業者ＣはＰＦＣ分解処理装置１７をＡ社まで搬送してＰＦＣ分解処理装置１７を配管３３により半導体製造設備１のガス排出管１６Ａ及び１６Ｂに接続する。処理事業者Ｃは、チャンバーＡ内でプラズマが発生している時間(エッチャーＡ実稼働時間)を計測してその時間を積算するタイマ６６Ａを、チャンバーＡに高周波電力を印加する第１電力系統(図示せず)に設置する。更に、処理事業者Ｃは、チャンバーＢ内でプラズマが発生している時間（エッチャーＢ実稼働時間）を計測してその時間を積算するタイマ６６Ｂを、チャンバーＢに高周波電力を印加する電力系統(図示せず)に設置する。チャンバーＡ内でエッチング処理を行う際、チャンバーＡ内のＰＦＣをプラズマ化するために、第１電力系統に設けられた第１開閉器がコントローラＡによって閉じられる。タイマ６６Ａは第１開閉器が閉じられている時間を計測する。第１開閉器が閉じられている時間がチャンバーＡ内でプラズマが発生している時間である。また、チャンバーＢ内でエッチング処理を行う際、チャンバーＢ内のＰＦＣをプラズマ化するために、第２電力系統に設けられた第２開閉器がコントローラＢによって閉じられる。タイマ６６Ｂは第１開閉器が閉じられている時間を計測する。第２開閉器が閉じられている時間がチャンバーＢ内でプラズマが発生している時間である。ＰＦＣのプラズマ化は、ウエハーをチャンバー内に出入れするときには行われずに、チャンバー内の所定の位置に設置した後に行われる。チャンバーＡ及びＢにおけるウエハーに対するエッチング処理、及びＰＦＣ分解処理装置１７を用いた各チャンバーから排出されたＰＦＣガスの分解処理は実施例１と同様に行われる。
【００５５】
タイマ６６Ａ及び６６Ｂで計測された、それぞれのエッチャー実稼働時間の情報は、サーバ４７に伝えられ、サーバ４７よりインターネット５４を介して処理事業者Ｃのサーバ５１に伝送されて記憶装置５３に記憶される。
【００５６】
記憶装置５３は、表４に示す、各エッチャーに対するＰＦＣガス使用負荷係数
【００５７】
【表４】
0004374814.tif 000005
【００５８】
を記憶する。ＰＦＣガス使用負荷係数は各エッチャー毎に運転モードに合せたＰＦＣガスの使用量を考慮して決められる係数である。情報端末５２は、記憶装置５３から各エッチャー毎のエッチャー実稼働時間及び各エッチャー毎のＰＦＣガス使用負荷係数を読み出し、エッチャー毎にエッチャー実稼働時間とＰＦＣガス使用負荷係数とを掛け算して等価ウエハー枚数を算出する。更に、情報端末５２は、各等価ウエハー枚数の合計値を求める。この等価ウエハー枚数の合計値も、半導体製造設備１に対するＰＦＣ処理量に関する情報（ＰＦＣ処理量関連情報）であり、実質的にＰＦＣ分解処理装置１７で分解処理されたＰＦＣ処理量に相当する。本実施例では、エッチャー実稼働時間に基づいてＰＦＣ分解処理装置１７で分解処理されるＰＦＣの処理量を推定しているのである。
【００５９】
情報端末５２は、等価ウエハー枚数の合計値に分解処理単価を掛けることによってＣ2Ｆ6ガス及びＳＦ6 ガスをＰＦＣ分解処理装置１７で処理することに対する処理費用を算出する。算出された処理費用は、定期的に、例えば１ケ月ごとに情報端末５２から、サーバ５１及びインターネット５４を介してＡ社のサーバ４７宛に送信される。Ａ社は処理事業者Ｃが指定した銀行の口座にその処理費用を振り込む。本実施例も、実施例１と同様にＰＦＣ分解処理装置１７の運転状態の遠隔監視を行う。本実施例は、実施例１で生じる効果を得ることができる。
【００６０】
（実施例６）
本発明の他の実施例であるＰＦＣ処理方法を、図１を用いて説明する。ＰＦＣの分解処理が図２に示すＡ社より処理事業者Ｃに依頼される。処理事業者ＣはＰＦＣ分解処理装置１７をＡ社まで搬送してＰＦＣ分解処理装置１７を配管３３により半導体製造設備１のガス排出管１６Ａ及び１６Ｂに接続する。本実施例では、配管３３には流量計（図示せず）が設置される。本実施例においては、処理事業者Ｃは積算計１３Ａ〜１３Ｄを該当する流量計１０，１１等に接続しなく１つの積算計を配管３３に設置された流量計に接続する。チャンバーＡ及びＢにおけるウエハーに対するエッチング処理、及びＰＦＣ分解処理装置１７を用いた各チャンバーから排出されたＰＦＣガスの分解処理は実施例１と同様に行われる。本実施例も、実施例１と同様にＰＦＣ分解処理装置１７の運転状態の遠隔監視を行う。
【００６１】
配管３３に設置された流量計で測定された、ＰＦＣ分解処理装置１７に供給される排ガスの流量は積算計で積算される。得られた排ガス流量の積算値は、サーバ４７に伝えられ、サーバ４７よりインターネット５４を介して処理事業者Ｃのサーバ５１に伝送されて記憶装置５３に記憶される。
【００６２】
上記の排ガス流量の積算値は、真空ポンプ１５Ａ及び１５Ｂに供給されるＮ2ガスの流量の積算値を含んでいる。真空ポンプ１５Ａ及び１５Ｂに供給されるＮ2 ガス流量はほぼ所定流量である。情報端末５２は、記憶装置５３から排ガス流量の積算値（１ケ月分）を読み出し、この積算値からＮ2ガス流量の１ケ月分の積算値を差し引いて、ＰＦＣ分解処理装置１７に供給されるＰＦＣガス流量の１ケ月分の積算値を算出する。更に、情報端末５２は、ＰＦＣガス流量の１ケ月分の積算値に分解処理単価を掛けることによってＣ2Ｆ6ガス及びＳＦ6 ガスをＰＦＣ分解処理装置１７で処理することに対する１ケ月分の処理費用を算出する。算出された処理費用は、定期的に、例えば１ケ月ごとに情報端末５２から、サーバ５１及びインターネット５４を介してＡ社のサーバ４７宛に送信される。Ａ社は処理事業者Ｃが指定した銀行の口座にその処理費用を振り込む。本実施例は、実施例１で生じる効果を得ることができる。
【００６３】
Ａ社の許可が得られれば、ガス排出管１６Ａ及び１６Ｂにそれぞれ流量計を設置して、チャンバーＡ及びＢから排出されるＰＦＣガスの流量を直接測定する。これらのＰＦＣガス流量はそれぞれ積算計で別々に積算され、それぞれの積算値がサーバ４７よりインターネット５４を介して処理事業者Ｃのサーバ５１に伝送されて記憶装置５３に記憶される。情報端末５２は、それぞれのＰＦＣガス流量の積算値を合計してこの合計値に分解処理単価を掛けて処理費用を算出する。この処理費用はＡ社に伝えられる。
【００６４】
以上述べた各実施例は、ＰＦＣの分解処理を触媒を有するＰＦＣ分解処理装置１７を用いた例で説明したが、触媒を有するＰＦＣ分解処理装置１７の替りに、燃焼方式のＰＦＣ分解処理装置またはプラズマ方式のＰＦＣ分解処理装置を用いた場合にも適用可能である。また、以上述べた各実施例は、半導体製造設備から排出されるＰＦＣの分解処理を対象にしているが、液晶製造装置から排出されるＰＦＣを分解処理する場合にも適用できる。
【００６５】
【発明の効果】
製造事業者は、過弗化物処理装置を購入する必要がないためその設備購入のための投資が不要になり、また、市場環境が変化した場合でも過弗化物の処理量に応じてその処理費用を負担するため過弗化物の処理費用の負担を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好適な一実施例であるＰＦＣ処理方法において、ＰＦＣ分解処理装置及び積算計を半導体製造設備に接続した状態を示す説明図である。
【図２】各半導体製造事業者の半導体製造設備に接続したＰＦＣ分解処理装置及び積算計から得た各情報をＰＦＣ処理事業者のサーバに伝える情報伝送システムの構成図である。
【図３】図１のＰＦＣ分解処理装置の詳細構成図である。
【図４】本発明の他の実施例であるＰＦＣ処理方法において、ＰＦＣ分解処理装置及び積算計を半導体製造設備に接続した状態を示す説明図である。
【図５】本発明の他の実施例であるＰＦＣ処理方法において、ＰＦＣ分解処理装置及び積算計を半導体製造設備に接続した状態を示す説明図である。
【図６】本発明の他の実施例であるＰＦＣ処理方法において、ＰＦＣ分解処理装置及び積算計を半導体製造設備に接続した状態を示す説明図である。
【図７】本発明の他の実施例であるＰＦＣ処理方法において、ＰＦＣ分解処理装置及び積算計を半導体製造設備に接続した状態を示す説明図である。
【符号の説明】
１Ａ，１Ｂ…半導体製造設備、２…エッチャー、４，４Ａ，５，５Ａ…ＰＦＣ供給装置、６，７…ＰＦＣ充填容器、１０，１１，１０Ｂ，１１Ｂ，１０Ｃ，１１Ｃ…流量計、１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄ，１３Ｅ，１３Ｆ…積算計、１７…ＰＦＣ分解処理装置、１８…反応器、１９…触媒カートリッジ、２０…加熱器、２２…冷却室、４７，４９，５１…サーバ、４８，５０，５２…情報端末、５４…インターネット、５７…温度計、５８…差圧計、５９…ＰＦＣ濃度計、６４Ａ，６４Ｂ…ウエハー枚数カウント計６４Ａ。
【図１】
0004374814.tif 000006
【図２】
0004374814.tif 000007
【図３】
0004374814.tif 000008
【図４】
0004374814.tif 000009
【図５】
0004374814.tif 000010
【図６】
0004374814.tif 000011
【図７】
0004374814.tif 000012