(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に対して移動可能に配置されたノズルであって、使用時に前記基板に対して移動してインクを噴出させる開口を規定するノズルと、
前記基板と前記ノズルとの間に配置され、前記ノズルの周辺からのインク漏れを抑制する抑制手段と、
を備え、
前記ノズルは、ノズル開口を規定する冠部及びこの冠部に付随する裾部を含み、
前記裾部は前記抑制手段と共に、前記ノズル開口に連通したインクチャンバを規定する、
インクジェットノズルアセンブリ。
【請求項２】
前記基板内のアパーチャを介して前記チャンバと連通するインク供給路が前記基板を通って規定され、前記抑制手段は、前記アパーチャの周囲に配置されている、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項３】
前記抑制手段は、前記ノズルの裾部の外部に配置されている請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項４】
前記抑制手段は、前記ノズルの裾部の外表面に向かって内向きに延びるワイパー部を含んでいる、請求項３に記載のアセンブリ。
【請求項５】
前記抑制手段は、堆積及びエッチングの技術によって製造されている、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項６】
前記抑制手段は、セラミック材料からなる、請求項１に記載のアセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
発明の属する技術分野
本発明は、インクジェットプリントヘッドに関する。本発明は、特に、インクジェットプリンタのインクジェットノズルアセンブリに関する。
【０００２】
同時係属の出願
本発明に関連するさまざまな方法、システム及び装置が、本発明の出願人又はその譲受人によって本出願と同時に出願された下記の同時係属の出願に開示されている。
PCT/AU00/00518, PCT/AU00/00519, PCT/AU00/00520, PCT/AU00/00521,
PCT/AU00/00522, PCT/AU00/00523, PCT/AU00/00524, PCT/AU00/00525,
PCT/AU00/00526, PCT/AU00/00527, PCT/AU00/00528, PCT/AU00/00529,
PCT/AU00/00530, PCT/AU00/00531, PCT/AU00/00532, PCT/AU00/00533,
PCT/AU00/00534, PCT/AU00/00535, PCT/AU00/00536, PCT/AU00/00537,
PCT/AU00/00538, PCT/AU00/00539, PCT/AU00/00540, PCT/AU00/00541,
PCT/AU00/00542, PCT/AU00/00543, PCT/AU00/00544, PCT/AU00/00545,
PCT/AU00/00547, PCT/AU00/00546, PCT/AU00/00554, PCT/AU00/00556,
PCT/AU00/00557, PCT/AU00/00558, PCT/AU00/00559, PCT/AU00/00560,
PCT/AU00/00561, PCT/AU00/00562, PCT/AU00/00563, PCT/AU00/00564,
PCT/AU00/00565, PCT/AU00/00566, PCT/AU00/00567, PCT/AU00/00568,
PCT/AU00/00569, PCT/AU00/00570, PCT/AU00/00571, PCT/AU00/00572,
PCT/AU00/00573, PCT/AU00/00574, PCT/AU00/00575, PCT/AU00/00576,
PCT/AU00/00577, PCT/AU00/00578, PCT/AU00/00579, PCT/AU00/00581,
PCT/AU00/00580, PCT/AU00/00582, PCT/AU00/00587, PCT/AU00/00588,
PCT/AU00/00589, PCT/AU00/00583, PCT/AU00/00593, PCT/AU00/00590,
PCT/AU00/00591, PCT/AU00/00592, PCT/AU00/00584, PCT/AU00/00585,
PCT/AU00/00586, PCT/AU00/00594, PCT/AU00/00595, PCT/AU00/00596,
PCT/AU00/00597, PCT/AU00/00598, PCT/AU00/00516, PCT/AU00/00517,
PCT/AU00/00511, PCT/AU00/00501, PCT/AU00/00502, PCT/AU00/00503,
PCT/AU00/00504, PCT/AU00/00505, PCT/AU00/00506, PCT/AU00/00507,
PCT/AU00/00508, PCT/AU00/00509, PCT/AU00/00510, PCT/AU00/00512,
PCT/AU00/00513, PCT/AU00/00514, PCT/AU00/00515
これらの同時係属の出願の開示は、ここで相互参照によって援用される。
【０００３】
本発明の背景
ノズルチャンバ内に配置された移動可能なエレメントがノズルアセンブルのノズル開口を通じてインクを噴出させるさまざまなタイプのインクジェットノズルアセンブリが知られている。これらのうちのある装置では、移動可能なエレメントそれ自体がアクチュエータである。他の装置では、アクチュエータはノズルチャンバの外部に配置され、ノズルチャンバの壁の開口を介して、移動可能なエレメントに接続されている。アクチュエータが移動可能なエレメントの外部に配置されている場合、その開口を通じてロスするインクを最小限にするためにシールを設ける必要がある。
【０００４】
さらに他の実施形態では、ノズル自体がインクを噴出させるために移動可能である。この場合、ノズルの周囲でのインクのロスを最小限にする必要がある。
【０００５】
発明の概要
本発明によれば、インクジェットノズルアセンブリは、基板と、基板に対して移動可能に配置されたノズルであって、使用時に基板に対して移動してインクを噴出させる開口を規定するノズルと、基板とノズルとの間に配置され、ノズルの周辺からのインク漏れを抑制する抑制手段と、を含んでいる。
【０００６】
本明細書において、「ノズル」は開口を規定するエレメントを意味し、開口自体を意味しない。
【０００７】
ノズルは、ノズル開口を規定する冠部及びこの冠部に付随する裾部とを含み、裾部は抑制手段と共に、ノズル開口に連通したインクチャンバを規定してもよい。
【０００８】
基板内のアパーチャを介してチャンバと連通するインク供給路が基板を通って規定され、抑制手段は、アパーチャの周囲に配置されてもよい。
【０００９】
抑制手段は、ノズルの裾部の外部に配置されてもよい。
【００１０】
抑制手段は、ノズルの裾部の外表面に向かって内向きに延びるワイパー部を含んでもよい。
【００１１】
抑制手段は、堆積及びエッチングの技術によって製造されてもよい。
【００１２】
抑制手段は、セラミック材料からなっていてもよい。抑制手段は、アセンブリの他の構成要素と共に堆積される導電性セラミックでもよく、チタン窒化物又はその他の材料を含んでもよい。
図面の詳細な説明
次に、本発明を、添付図面を参照した例によって説明する。
【００１３】
最初に図１を参照すると、本発明によるノズルアセンブリは、通常参照番号１０によって示されている。インクジェットプリントヘッドは、シリコン基板１６上のインクアレイ１４（図５及び図６参照）に配置された多数のノズルアセンブリ１０を有する。アレイ１４については、後に詳述する。
【００１４】
アセンブリ１０は、絶縁層１８が堆積されたシリコン基板又はウエハ１６を含む。ＣＭＯＳ保護層２０が絶縁層１８上に堆積されている。
【００１５】
それぞれのノズルアセンブリ１２は、ノズル開口２４を規定するノズル２２と、レバーアーム２６及びアクチュエータ２８からなる接続部と、を含む。レバーアーム２６は、アクチュエータ２８とノズル２２とを接続する。
【００１６】
図２から図４に詳細に示されるように、ノズル２２は冠部３０を有し、冠部３０は冠部３０に付随する裾部３２を有している。裾部３２は、ノズルチャンバ３４（図２から図４参照）の周辺の壁の一部を形成している。ノズル開口２４は、ノズルチャンバ３４と連通している。ノズル開口２４は、ノズルチャンバ３４内の半月状（図２）のインクの本体を「止めておく」隆起した周縁３６に取り囲まれていることに注意すべきである。
【００１７】
インク注入開口４２（図６に最もよく示されている）は、ノズルチャンバ３４の底部４６に規定されている。開口４２は、基板１６を通って規定されているインク注入チャネル４８と連通している。
【００１８】
壁部５０は開口４２と結合されており、底部４６から上方に向かって延びている。上述したノズル２２の裾部３２がノズルチャンバ３４の周辺の壁の第１の部分を規定し、壁部５０がノズルチャンバ３４の周辺の壁の第２の部分を規定する。
【００１９】
壁５０の自由端には、ノズル２２が移動されたときにインクを逃がさないように機能する内向きのへり５２が設けられている。この点については、後に詳述する。インク４０の粘性とへり５２及び裾部３２の狭いスペースのため、内向きのへり５２及び界面張力が、ノズルチャンバ３４からインクが逃げないようにする効果的なシールとして機能することが理解される。
【００２０】
アクチュエータ２８は、熱によって曲がるアクチュエータであり、基板１６、特にＣＭＯＳ保護層２０から上方に延びるアンカー５４に接続されている。アンカー５４は、アクチュエータ２８と電気的接続を形成する導電パッド５６上に搭載されている。
【００２１】
アクチュエータ２８は、第２の受動の梁６０上に配置された第１の能動の梁５８を有する。好ましい実施形態では、梁５８、梁６０は共に、窒化チタン（ＴｉＮ）のような導電性セラミックであるか、あるいはそれを含む。
【００２２】
梁５８と梁６０は共にアンカー５４に固定された第１の端部と、アーム２６に接続された反対の端部とを有する。能動の梁５８に電流が流されると、梁５８は熱的に膨張する。電流が流されない受動の梁６０は同じ割合では膨張せず、アーム２６に作用する曲げモーメントが生じ、これにより、ノズル２２は図３に示されるように、基板１６に向かって下方に移動する。これにより、図３中の６２で示されるように、ノズル開口２４からインクが突出する。能動の梁５８から熱源が取り去られると、すなわち、電流が止められると、ノズル２２は図４に示されるように静的な位置に戻る。ノズル２２が静的な位置に戻ると、図４中の６６で示されるように、インクの液滴の根元が途切れ、インクの液滴６４が形成される。インクの液滴６４は、その後、紙のシートなどの印刷媒体まで移動する。インクの液滴６４が形成された結果、図４中の６８に示されるように「負の」半月が形成される。この「負の」半月によってノズルチャンバ３４にインク４０が流れこんで新しい半月３８（図２参照）が形成され、次のインクの液滴をノズルアセンブリ１０から突出させるための準備がなされる。
【００２３】
次に、図５及び図６を参照して、ノズルアレイ１４について詳細に説明する。アレイ１４は４色用プリントヘッドである。従って、アレイ１４は、それぞれの色のため、４つのノズルアセンブリのグループ７０を有する。それぞれのグループ７０は、２つの列７２、７４に配置された複数のノズルアセンブリ１０を有する。グループ７０の一つを図６に詳細に示す。
【００２４】
列７２と列７４のノズルアセンブリ１０を密接して配置することを容易にするため、列７４のノズルアセンブリは列７２のノズルアセンブリに対して、オフセットを有するか、あるいは、ずらしてある。また、列７２のノズルアセンブリ１０は互いに十分に離隔され、列７４のノズルアセンブリ１０のアーム２６は列７２の隣り合うアセンブリ１０のノズル２２の間を通る。それぞれのノズルアセンブリ１０は実質的にダンベル形状であり、列７２のノズル２２は、隣接する列７４のノズルアセンブリ１０のノズル２２とアクチュエータ２８との間に入れ子にされていることに注意すべきである。
【００２５】
さらに、列７２と列７４のノズル２２を密接して配置することを容易にするため、それぞれのノズル２２は実質的に六角形である。
【００２６】
使用の際に、ノズル２２が基板１６に向かって移動するときに、ノズル開口２４がノズルチャンバ３４に対して僅かな角度を有するので、インクが垂直からわずかにずれて噴出することは、当業者に理解される。図５及び図６に示される配置の長所は、列７２、７４のノズルアセンブリ１０のアクチュエータ２８が列７２、７４の片方に向かって同じ方向に延びている点である。これにより、列７２のノズル２２から噴出したインクと列７４のノズル２２から噴出したインクは互いに同じ角度のオフセットを有し、印刷の質の改善につながる。
【００２７】
また、図５に示されるように、基板１６はボンドパッド７６を有し、これはパッド５６を経由してノズルアセンブリ１０のアクチュエータ２８に電気的接続を供給するように配置されている。これらの電気的接続は、ＣＭＯＳ層（図示せず）を経由して形成されている。
【００２８】
図７を参照しながら、本発明の実施形態を示す。前の図を参照し、別な番号を特定しないかぎり、同じ部分を同じ番号で引用する。
【００２９】
この実施形態では、ノズルガード８０がアレイ１４の基板１６上に搭載されている。ノズルガード８０は本体部８２を含み、本体部８２はそれを貫通する複数の通路８４を有する。通路８４は、アレイ１４のノズルアセンブリ１０のノズル開口２４と位置が合っており、いずれのノズル開口２４からインクが噴出しても、インクは印刷媒体にあたる前に、関連付けられた通路を通過する。
【００３０】
リム又は支柱８６によって、本体部８２はノズルアセンブリ１０に対して隙間をあけて搭載されている。一の支柱８６は、その中に規定された空気流入開口８８を有する。
【００３１】
使用する際に、アレイ１４が操作状態になると、空気が流入開口８８を通じて充填され、通路８４を通って移動するインクと共に通路８４を通るようにされる。
【００３２】
インクの液滴６４とは異なる速度で通路８４を通る空気が充填されたときに、空気中でインクは引っ張られない。例えば、インクの液滴６４はノズル２２から約３ｍ／ｓの速度で噴出する。約１ｍ／ｓの速度で通路８４を通る空気が充填される。
【００３３】
空気の目的は、通路８４に異物粒子がつかないように保持することである。ごみの粒子などの異物粒子がノズルアセンブリ１０に落ちて、その動作に悪影響を及ぼす危険がある。ノズルガード８０に空気流入開口８８を設けることにより、この問題をほとんど防止できる。
【００３４】
図８から図１０を参照しながら、ノズルアセンブリ１０の製造方法について説明する。
【００３５】
まず、シリコン基板又はウエハ１６を準備し、絶縁層１８をウエハ１６上に堆積させる。絶縁層１８は、約１．５μｍのＣＶＤ酸化物によって形成される。層１８にレジストをスピン塗布し、マスク１００を用いて層１８を露光し、続いて現像する。
【００３６】
現像後、層１８をシリコン層１６までエッチングする。その後、レジストを剥離させ、層１８を洗浄する。このステップでは、インク注入開口４２を規定する。
【００３７】
図８ｂにあるように、約０．８μｍのアルミニウム１０２を層１８に堆積させる。レジストをスピン塗布し、マスク１０４を用いてアルミニウム１０２を露光し、現像する。アルミニウム１０２を酸化物層１８までエッチングし、レジストを剥離させ、装置を洗浄する。このステップは、ボンドパッドを準備し、インクジェットアクチュエータ２８と相互接続する。このＮＯＭＯＳ駆動トランジスタ及び出力平面への相互接続は、ＣＭＯＳ層（図示せず）によって作られる。
【００３８】
約０．５μｍのＰＥＣＶＤ窒化物をＣＭＯＳ保護層２０として堆積させる。レジストをスピン塗布し、マスク１０６を用いて層２０を露光し、その後現像する。現像後、窒化物をアルミニウム層１０２までエッチングし、注入開口４２の領域ではシリコン層１６までエッチングする。レジストを剥離させ、装置を洗浄する。
【００３９】
犠牲材料の層１０８を層２０にスピン塗布する。層１０８は、約６μｍの感光性のポリイミドか、約４μｍの高温レジストである。層１０８をソフトベークした後、マスク１１０を用いて露光し、その後現像する。層１０８がポリイミドからなる場合は４００℃で１時間、層１０８が高温レジストからなる場合は３００℃以上で、層１０８をハードベークする。収縮によって生じるポリイミド層１０８のパターンに依存する歪みをマスク１１０の設計において考慮に入れることに図では注意すべきである。
【００４０】
次のステップでは、図８ｅに見られるように、第２の犠牲層１１２を適用する。層１１２は、スピン塗布された２μｍの感光性のポリイミドか、約１．３μｍの高温レジストのいずれでも良い。層１１２をソフトベークし、マスク１１４を用いて露光する。マスク１１４を用いて露光した後、層１１２を現像する。層１１２がポリイミドである場合には、層１１２を４００℃で約１時間ハードベークする。層１１２がレジストである場合には、３００℃以上で約１時間ハードベークする。
【００４１】
その後、複数の層からなる０．２μｍの金属層１１６を堆積する。層１１６の一部はアクチュエータ２８の受動の梁６０を形成する。
【００４２】
層１１６は、１０００Åの窒化チタン（ＴｉＮ）をおよそ３００℃でスパッタリングし、続いて、５０Åの窒化タンタル（ＴａＮ）をスパッタリングすることによって形成する。さらに、５０ÅのＴａＮ、１０００ÅのＴｉＮに続いて、１０００ÅのＴｉＮをスパッタリングする。
【００４３】
ＴｉＮに代えて用いることができる他の材料は、ＴｉＢ2、ＭｏＳｉ2、又は（ＴｉＡｌ）Ｎである。
【００４４】
その後マスク１１８を用いて層１１６を露光し、現像して、層１１２までエッチングし、その後、層１１６に適用したレジストを、硬化した層１０８、１１２を取り除かないように注意しつつ、湿らせて剥離させる。
【００４５】
４μｍの感光性のポリイミドか、約２．６μｍの高温レジストをスピン塗布することによって、第３の犠牲層２０を適用する。第３の犠牲層１２０をソフトベークした後、マスク１２２を用いて露光する。露光された層を現像し、続いてハードベークする。ポリイミドの場合は層１２０を４００℃で約１時間ハードベークし、層１２０がレジストからなる場合は３００℃以上でハードベークする。
【００４６】
第２の複数の層からなる金属層１２４を層１２０に適用する。層１２４の成分は層１１６と同じであり、同様にして適用する。層１１６及び１２４は共に導電性であることが理解される。
【００４７】
マスク１２６を用いて層１２４を露光し、その後現像する。層１２４をポリイミド又はレジスト層１２０までプラズマエッチングし、その後、層１２４に適用したレジストを、硬化した層１０８、１１２、１２０を取り除かないように注意しつつ、湿らせて剥離する。層１２４の残った部分が、アクチュエータ２８の能動の梁５８を規定することに注意すべきである。
【００４８】
４μｍの感光性のポリイミド又は約２．６μｍの高温レジストをスピン塗布することにより、第４の犠牲層１２８を適用する。層１２８をソフトベークし、マスク１３０を用いて露光し、その後現像して、図９ｋに示されるように孤立した部分を残す。層１２８の残った部分を、ポリイミドの場合には４００℃で１時間、レジストの場合は３００℃以上でハードベークする。
【００４９】
図８ｌに見られるように、高いヤング率を有する絶縁層１３２を堆積させる。層１３２は、約１μｍのシリコン窒化物かアルミ酸化物によって構成される。層１３２は、犠牲層１０８、１１２、１２０、１２８をハードベークした温度より低い温度で堆積される。この絶縁層１３２の要求される主な特徴は、高い弾性率と、化学的に不活性であることと、ＴｉＮに接着性が良いことである。
【００５０】
２μｍの感光性のポリイミドか、約１．３μｍの高温レジストをスピン塗布することにより第５の犠牲層１３４を適用する。層１３４をソフトベークし、マスク１３６を用いて露光し、現像する。その後、層１３４の残った部分を、ポリイミドである場合には４００℃で１時間、レジストである場合には３００℃以上でハードベークする。
【００５１】
犠牲層１３４を少しも取り除かないように注意しつつ、絶縁層１３２を犠牲層１２８までプラズマエッチングする。
【００５２】
このステップは、ノズルアセンブリ１０のノズル開口２４、レバーアーム２６、アンカー５４を規定する。
【００５３】
高いヤング率の絶縁層１３８を堆積する。この層１３８は、犠牲層１０８，１１２，１２０，１２８をハードベークした温度より低い温度で、０．２μｍのシリコン窒化物かアルミ窒化物を堆積することによって形成する。
【００５４】
その後、図８ｐに示されるように、層１３８を０．３５μｍの深さまで異方性プラズマエッチングをする。このエッチングは、絶縁層１３２及び犠牲層１３４の側壁を除くすべての表面から絶縁することを意図している。このステップでは、上述したように半月状のインクを「止めておく」ノズル開口２４の周囲のノズルリム３６を作っている。
【００５５】
紫外線（ＵＶ）リリーステープ１４０を適用する。４μｍのレジストをシリコンウエハ１６の背面にスピン塗布する。ウエハ１６をマスク１４２を用いて露光し、ウエハ１６を背面からエッチングし、インク注入チャネル４８を規定する。その後、レジストをウエハ１６から剥離させる。
【００５６】
さらに、ＵＶリリーステープ（図示せず）をウエハ１６の背面の適用し、テープ１４０を取り除く。犠牲層１０８，１１２，１２０，１２８，１３４を酸素プラズマの中で剥離させ、図８ｒ、図９ｒに見られる最終のノズルアセンブリ１０を得る。参照を容易にするため、これらの２つの図の参照番号は、図１におけるそれと同じであり、ノズルアセンブリ１０の関連する部品を示す。図１１及び図１２は、図８及び図９を参照して説明したプロセスによって製造され、図２から図４の対応する図に示されたノズルアセンブリ１０の動作を示す。
【００５７】
特定の実施形態によって示された発明を、広く記述された本発明の精神又は範囲内で、さまざまに変形、及び／又は修正してもよいことは当業者に理解される。従って、本実施形態は、あらゆる点で例示的なものであり、限定的ではない。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明によるインクジェットプリントヘッドのためのノズルアセンブリを示す３次元概略図である。
【図２】  図１のノズルアセンブリの動作を示す３次元概略図である。
【図３】  図１のノズルアセンブリの動作を示す３次元概略図である。
【図４】  図１のノズルアセンブリの動作を示す３次元概略図である。
【図５】  インクジェットプリントヘッドを構成するノズルアレイを示す立体図である。
【図６】  図５のアレイの一部を拡大して示す図である。
【図７】  ノズルガードを含むインクジェットプリントヘッドを示す立体図である。
【図８ａ】  インクジェットプリントヘッドのノズルアセンブリの製造工程を示す立体図である。
【図８ｂ】  インクジェットプリントヘッドのノズルアセンブリの製造工程を示す立体図である。
【図８ｃ】  インクジェットプリントヘッドのノズルアセンブリの製造工程を示す立体図である。
【図８ｄ】  インクジェットプリントヘッドのノズルアセンブリの製造工程を示す立体図である。
【図８ｅ】  インクジェットプリントヘッドのノズルアセンブリの製造工程を示す立体図である。
【図８ｆ】  インクジェットプリントヘッドのノズルアセンブリの製造工程を示す立体図である。
【図８ｇ】  インクジェットプリントヘッドのノズルアセンブリの製造工程を示す立体図である。
【図８ｈ】  インクジェットプリントヘッドのノズルアセンブリの製造工程を示す立体図である。
【図８ｉ】  インクジェットプリントヘッドのノズルアセンブリの製造工程を示す立体図である。
【図８ｊ】  インクジェットプリントヘッドのノズルアセンブリの製造工程を示す立体図である。
【図８ｋ】  インクジェットプリントヘッドのノズルアセンブリの製造工程を示す立体図である。
【図８ｌ】  インクジェットプリントヘッドのノズルアセンブリの製造工程を示す立体図である。
【図８ｍ】  インクジェットプリントヘッドのノズルアセンブリの製造工程を示す立体図である。
【図８ｎ】  インクジェットプリントヘッドのノズルアセンブリの製造工程を示す立体図である。
【図８ｏ】  インクジェットプリントヘッドのノズルアセンブリの製造工程を示す立体図である。
【図８ｐ】  インクジェットプリントヘッドのノズルアセンブリの製造工程を示す立体図である。
【図８ｑ】  インクジェットプリントヘッドのノズルアセンブリの製造工程を示す立体図である。
【図８ｒ】  インクジェットプリントヘッドのノズルアセンブリの製造工程を示す立体図である。
【図９ａ】  製造工程を示す断面図である。
【図９ｂ】  製造工程を示す断面図である。
【図９ｃ】  製造工程を示す断面図である。
【図９ｄ】  製造工程を示す断面図である。
【図９ｅ】  製造工程を示す断面図である。
【図９ｆ】  製造工程を示す断面図である。
【図９ｇ】  製造工程を示す断面図である。
【図９ｈ】  製造工程を示す断面図である。
【図９ｉ】  製造工程を示す断面図である。
【図９ｊ】  製造工程を示す断面図である。
【図９ｋ】  製造工程を示す断面図である。
【図９ｌ】  製造工程を示す断面図である。
【図９ｍ】  製造工程を示す断面図である。
【図９ｎ】  製造工程を示す断面図である。
【図９ｏ】  製造工程を示す断面図である。
【図９ｐ】  製造工程を示す断面図である。
【図９ｑ】  製造工程を示す断面図である。
【図９ｒ】  製造工程を示す断面図である。
【図１０ａ】  製造プロセスのさまざまな工程で用いられるマスクのレイアウトを示す図である。
【図１０ｂ】  製造プロセスのさまざまな工程で用いられるマスクのレイアウトを示す図である。
【図１０ｃ】  製造プロセスのさまざまな工程で用いられるマスクのレイアウトを示す図である。
【図１０ｄ】  製造プロセスのさまざまな工程で用いられるマスクのレイアウトを示す図である。
【図１０ｅ】  製造プロセスのさまざまな工程で用いられるマスクのレイアウトを示す図である。
【図１０ｆ】  製造プロセスのさまざまな工程で用いられるマスクのレイアウトを示す図である。
【図１０ｇ】  製造プロセスのさまざまな工程で用いられるマスクのレイアウトを示す図である。
【図１０ｈ】  製造プロセスのさまざまな工程で用いられるマスクのレイアウトを示す図である。
【図１０ｉ】  製造プロセスのさまざまな工程で用いられるマスクのレイアウトを示す図である。
【図１０ｊ】  製造プロセスのさまざまな工程で用いられるマスクのレイアウトを示す図である。
【図１０ｋ】  製造プロセスのさまざまな工程で用いられるマスクのレイアウトを示す図である。
【図１１ａ】  図８及び図９の方法で製造されたノズルアセンブリの動作を示す立体図である。
【図１１ｂ】  図８及び図９の方法で製造されたノズルアセンブリの動作を示す立体図である。
【図１１ｃ】  図８及び図９の方法で製造されたノズルアセンブリの動作を示す立体図である。
【図１２ａ】  図８及び図９の方法で製造されたノズルアセンブリの動作を示す横断面図である。
【図１２ｂ】  図８及び図９の方法で製造されたノズルアセンブリの動作を示す横断面図である。
【図１２ｃ】  図８及び図９の方法で製造されたノズルアセンブリの動作を示す横断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８ａ】
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【図９ａ】
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【図１０ａ】
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【図８ｂ】
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【図９ｂ】
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【図１０ｂ】
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【図８ｃ】
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【図９ｃ】
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【図１０ｃ】
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【図８ｄ】
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【図９ｄ】
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【図１０ｄ】
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【図８ｅ】
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【図９ｅ】
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【図１０ｅ】
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【図８ｆ】
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【図９ｆ】
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【図８ｇ】
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【図９ｇ】
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【図１０ｆ】
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【図８ｈ】
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【図９ｈ】
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【図１０ｇ】
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【図８ｉ】
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【図９ｉ】
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【図８ｊ】
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【図９ｊ】
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【図１０ｈ】
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【図８ｋ】
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【図９ｋ】
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【図１０ｉ】
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【図８ｌ】
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【図９ｌ】
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【図８ｍ】
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【図９ｍ】
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【図１０ｊ】
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【図８ｎ】
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【図９ｎ】
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【図８ｏ】
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【図９ｏ】
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【図８ｐ】
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【図９ｐ】
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【図８ｑ】
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【図９ｑ】
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【図１０ｋ】
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【図８ｒ】
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【図９ｒ】
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【図１１ａ】
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【図１２ａ】
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【図１１ｂ】
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【図１２ｂ】
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【図１１ｃ】
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【図１２ｃ】
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