(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影光学系と、基板を搭載して移動するステージと、該ステージの位置を計測する位置計測手段と、前記投影光学系と前記位置計測手段とを保持する構造体と、該構造体を支持する支持台とを用い、原版および前記投影光学系を介して前記基板を露光する露光方法であって、
前記支持台から前記構造体を加振しながら、前記位置計測手段により前記ステージの位置を計測して前記ステージを逐次移動させながら、かつ前記構造体に作用する力を計測しながら、基準マークおよび比較マークを有するテスト用原版を介して基板を複数回露光する第１の工程と、
前記支持台から前記構造体を加振しながら、前記位置計測手段により前記ステージの位置を計測して前記ステージを逐次移動させながら、かつ前記構造体に作用する力を計測しながら、前記基準マークと前記比較マークとが前記基板上で重なるように前記テスト用原版を介して前記基板を複数回露光する第２の工程と、
前記基板上の前記基準マークと前記比較マークとの複数の組それぞれについての前記基準マークと前記比較マークとに関して露光中に計測された前記ステージの位置の差および前記力の差と、前記複数の組それぞれについて露光後に得られた前記基準マークと前記比較マークとの位置の差とに基づいて、前記位置計測手段により計測された前記ステージの位置を前記力に応じて補正するための係数を求める第３の工程と、
前記位置計測手段により前記ステージの位置を計測しながら、前記構造体に作用する力を計測しながら、かつ計測された前記力と求められた前記係数とに基づいて前記位置計測手段により計測された前記ステージの位置を補正して前記ステージを逐次移動させながら、デバイスのパターンを有する原版を介して基板を複数回露光する第４の工程とを有することを特徴とする露光方法。
【請求項２】
前記力の計測にロードセルを用いることを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項３】
前記係数は、前記構造体に作用する計測された複数の力に乗じられるべき行列の係数であることを特徴とする請求項１または２に記載の露光方法。
【請求項４】
前記第３の工程において、最小自乗法により前記係数を求めることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の露光方法。
【請求項５】
前記第１の工程における複数のショットの露光と前記第２の工程における複数のショットの露光とを不規則な順序で行うことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の露光方法。
【請求項６】
前記基準マークと前記比較マークとが前記基板上で重なるように行う前記第２の工程におけるショットの露光は、その基準マークに関して行われた前記第１の工程におけるショットの露光に続けて行うことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の露光方法。
【請求項７】
投影光学系と、基板を搭載して移動するステージと、該ステージの位置を計測する位置計測手段と、前記投影光学系と前記位置計測手段とを保持する構造体と、該構造体を支持する支持台とを有し、原版および前記投影光学系を介して前記基板を露光する露光装置であって、
前記支持台に設けられて前記構造体を加振する加振手段と、
前記支持台から前記構造体に作用する力を計測する力計測手段と、を有し、
前記加振手段により前記構造体を加振しながら、前記位置計測手段により前記ステージの位置を計測して前記ステージを逐次移動させながら、かつ前記力計測手段により前記構造体に作用する力を計測しながら、基準マークおよび比較マークを有するテスト用原版を介して基板を複数回露光し、
前記加振手段により前記構造体を加振しながら、前記位置計測手段により前記ステージの位置を計測して前記ステージを逐次移動させながら、かつ前記力計測手段により前記構造体に作用する力を計測しながら、前記基準マークと前記比較マークとが前記基板上で重なるように前記テスト用原版を介して前記基板を複数回露光し、
前記基板上の前記基準マークと前記比較マークとの複数の組それぞれについての前記基準マークと前記比較マークとに関して露光中に計測された前記ステージの位置の差および前記力の差と、前記複数の組それぞれについて露光後に得られた前記基準マークと前記比較マークとの位置の差とに基づいて、前記位置計測手段により計測された前記ステージの位置を前記力に応じて補正するための係数を求め、
前記位置計測手段により前記ステージの位置を計測しながら、前記力計測手段により前記構造体に作用する力を計測しながら、かつ計測された前記力と求められた前記係数とに基づいて前記位置計測手段により計測された前記ステージの位置を補正して前記ステージを逐次移動させながら、デバイスのパターンを有する原版を介して基板を複数回露光することを特徴とする露光装置。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれかに記載の露光方法または請求項７に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された基板を現像する工程とを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、原版および投影光学系を介して基板を露光する方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
投影露光装置は、高い像性能と重ね合わせ精度が求められるため、露光装置に使用される位置決めステージの位置計測計は、投影光学系と共に重量構造で剛性の高い本体構造体に取付けられ、計測基準ズレを生じにくいようになっている。しかしながら、本体構造体を支持する支持台から侵入する床振動によって、僅かではあるが本体構造体が弾性変形する。また本体構造体に移動するステージを搭載した場合、移動するステージの重量によって本体構造体の支持力が変化するので、本体構造体の弾性変形を生じる。このような現象から、投影レンズの露光光軸に対するステージ位置計測計の取付け位置や姿勢が変化し、ステージの位置計測誤差を生じる。
【０００３】
一方、ＩＣやＬＳＩ等の半導体集積回路のパターンが微細化するのに伴い、より高い精度が要求される傾向にあるが、従来のような本体構造体の高剛性化は著しい重量増加を招き、装置の搬出、搬入、設置等の面で非常に取り扱いにくい製品にすることから、本体構造体の高剛性化はもはや限界に近づいていた。
【０００４】
そこで、投影本体構造体の弾性変形とそれによる計測誤差が、原因となる作用力の線形和になることを利用し、これを原因とするステージ位置計測誤差をリアルタイムに補正する技術が開発された。これは、例えばステージを移動することにより本体構造体に強制的な作用力を与えながら、ＴＴＬアライメントスコープとステージ位置計測用干渉計の計測値を同時に比較する実験から、補正係数を求め、露光時は、ステージ位置に基づいて、ステージ位置計測誤差をリアルタイムに補正するものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、ステージの位置を計測する手段の計測値をより高精度に補正することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の問題を解決するための本発明の露光方法は、投影光学系と、基板を搭載して移動するステージと、該ステージの位置を計測する位置計測手段と、前記投影光学系と前記位置計測手段とを保持する構造体と、該構造体を支持する支持台とを用い、原版および前記投影光学系を介して前記基板を露光する露光方法であって、前記支持台から前記構造体を加振しながら、前記位置計測手段により前記ステージの位置を計測して前記ステージを逐次移動させながら、かつ前記構造体に作用する力を計測しながら、基準マークおよび比較マークを有するテスト用原版を介して基板を複数回露光する第１の工程と、前記支持台から前記構造体を加振しながら、前記位置計測手段により前記ステージの位置を計測して前記ステージを逐次移動させながら、かつ前記構造体に作用する力を計測しながら、前記基準マークと前記比較マークとが前記基板上で重なるように前記テスト用原版を介して前記基板を複数回露光する第２の工程と、前記基板上の前記基準マークと前記比較マークとの複数の組それぞれについての前記基準マークと前記比較マークとに関して露光中に計測された前記ステージの位置の差および前記力の差と、前記複数の組それぞれについて露光後に得られた前記基準マークと前記比較マークとの位置の差とに基づいて、前記位置計測手段により計測された前記ステージの位置を前記力に応じて補正するための係数を求める第３の工程と、前記位置計測手段により前記ステージの位置を計測しながら、前記構造体に作用する力を計測しながら、かつ計測された前記力と求められた前記係数とに基づいて前記位置計測手段により計測された前記ステージの位置を補正して前記ステージを逐次移動させながら、デバイスのパターンを有する原版を介して基板を複数回露光する第４の工程とを有することを特徴とする。
【０００７】
上記の問題を解決するための本発明の露光装置は、投影光学系と、基板を搭載して移動するステージと、該ステージの位置を計測する位置計測手段と、前記投影光学系と前記位置計測手段とを保持する構造体と、該構造体を支持する支持台とを有し、原版および前記投影光学系を介して前記基板を露光する露光装置であって、前記支持台に設けられて前記構造体を加振する加振手段と、前記支持台から前記構造体に作用する力を計測する力計測手段と、を有し、前記加振手段により前記構造体を加振しながら、前記位置計測手段により前記ステージの位置を計測して前記ステージを逐次移動させながら、かつ前記力計測手段により前記構造体に作用する力を計測しながら、基準マークおよび比較マークを有するテスト用原版を介して基板を複数回露光し、前記加振手段により前記構造体を加振しながら、前記位置計測手段により前記ステージの位置を計測して前記ステージを逐次移動させながら、かつ前記力計測手段により前記構造体に作用する力を計測しながら、前記基準マークと前記比較マークとが前記基板上で重なるように前記テスト用原版を介して前記基板を複数回露光し、前記基板上の前記基準マークと前記比較マークとの複数の組それぞれについての前記基準マークと前記比較マークとに関して露光中に計測された前記ステージの位置の差および前記力の差と、前記複数の組それぞれについて露光後に得られた前記基準マークと前記比較マークとの位置の差とに基づいて、前記位置計測手段により計測された前記ステージの位置を前記力に応じて補正するための係数を求め、前記位置計測手段により前記ステージの位置を計測しながら、前記力計測手段により前記構造体に作用する力を計測しながら、かつ計測された前記力と求められた前記係数とに基づいて前記位置計測手段により計測された前記ステージの位置を補正して前記ステージを逐次移動させながら、デバイスのパターンを有する原版を介して基板を複数回露光することを特徴とする。
【０００８】
本発明の一つの実施態様は、例えば、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子を製造する際に、レチクル面上の電子回路パターンを投影光学系を介し、ウエハ面上に順にステップアンドリピートして投影露光する露光装置（いわゆるステッパ）や、同様に、レチクル面上の電子回路パターンを投影光学系を介し、ウエハ面上に順にステップアンドスキャンして投影露光する露光装置（いわゆるスキャナ）において、本体構造体を支持する力や本体構造体の振動を制御する力などが変化することによって生じる本体構造体の弾性変形によって、ステージの位置を計測するステージ位置計測計の取付位置にズレが生じても、本体構造体に作用する力を常に計測することによって、そのズレによる計測誤差をリアルタイムに算出して補正を行なうので、
本体構造体の変形に影響されにくい投影露光装置を実現できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の好ましい実施の形態では、ステージ位置計測値ｘ（ｔ）と本体構造体に作用する主たる力またはこれらに比例した物理量ｐ（ｔ）を連続的に計測記録した状態で、レチクル上の基準マークを投影露光して、ウエハ表面にこれを描画する。物理量ｐ（ｔ）としては、例えば支持台から受ける支持力を計測するロードセル、支持台との接点に空気バネ除振機構を設けた場合は当該空気バネの圧力、または支持台との接点付近に設置された歪ゲージなどの計測値を用いることができる。そしてステージを逐次移動させながらこの動作をＮ回繰り返し、ウエハ全面に複数の基準マークを描画する１次露光過程を実施する。次に、同じレチクル上の比較マークを、ウエハ全面に描画された基準マークと重なるようステージを移動させながら２次露光動作を実施する。なお、１次露光過程と２次露光過程のいずれの場合でも、露光中であることを示す信号、例えばシャッタの開閉指令信号や、露光レーザの発光に伴う信号などを計測記録する。
これらの露光過程を経た後、ウエハに描画された基準マークと比較マークの相対位置差Ｙ（ｉ）を顕微鏡等で観察記録する。
【００１６】
連続的に計測したステージ位置計測値ｘ（ｔ）と本体構造体に作用する主たる力またはこれらに比例した物理量ｐ（ｔ）のうち、露光中であった時間帯だけの計測値を露光回毎に平均値を求め、１次露光過程と２次露光過程で区別すると、基準マークと比較マークの相対位置差と同数のデータＸ1 （ｉ）、Ｘ2 （ｉ）、Ｐ1 （ｉ）、Ｐ2 （ｉ）が得られる。
このとき、基準マークと比較マークの相対位置差Ｙ（ｉ）は（１）式で表わされる。
【００１７】
【数１】
0004229348.tif 000002
ここで、ｉは基準マークと比較マークの相対位置差Ｙの順番を示す添え字で、ｉ＝ｌ〜Ｎ、Ｋは本体構造体に作用する主たる力またはこれらに比例した物理量による位置誤差を補正する係数、ｅは顕微鏡観察などの誤差である。
（１）式より、補正係数Ｋは最小自乗法によって容易に求められる。
【００１８】
本発明は、本体構造体に作用する主たる力またはこれらに比例した物理量ｐ（ｔ）に適切なる係数Ｋを乗じることによって、レチクル投影画像とステージ位置計測計との相対位置誤差を補正する投影露光装置を提案するものである。
【００１９】
従来の補正技術では、本体構造体に作用する主たる作用力によって生じるレチクル投影画像と干渉計基準との相対位置誤差補正値を、ＴＴＬアライメントスコープと干渉計基準との相対位置誤差の補正値で代用していたため、僅かではあるが補正残差を生じていた。
【００２０】
しかし、本実施形態によれば、レチクル投影画像と干渉計基準との相対位置誤差を直接的に計測できるので、当該誤差と本体構造体に作用する主たる作用力との関係を正確に実験で求められるため、投影露光時のステージ位置補正精度を向上させることが可能となる。
【００２１】
【実施例】
以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。
実施例１
図１は、本発明が適用される投影露光装置の全体構成を示し、図２、図３および図４は図１の装置各部のより詳細な構成を示す。
図１において、１は投影レンズ、２は本体構造体、３はウエハステージ用レーザ干渉計、４は照明系、５はレチクル、６はウエハ、７はＸ軸用レーザ干渉計ミラー、８はウエハステージ天板、９はＹ軸用レーザ干渉計ミラー、１４はＸＹステージ、２１はウエハステージ定盤、２２はロードセル、２３は支持台である。
【００２２】
図２において、１７はＸ軸スライダ、１８はＹ軸スライダ、１９はＹ軸駆動リニアモータ可動子、２０はＹ軸駆動リニアモータ固定子である。
【００２３】
図３において、１０はＺチルトアクチュエータ、１１はθz ステージ、１２はθz ガイド、１３はθz アクチュエータ、１５はＸ軸駆動リニアモータ可動子、１６はＸ軸駆動リニアモータ固定子である。
【００２４】
図１の装置において、所定の位置までステージ１４を移動させ、レチクル原版５上のパターンをウエハ基板６上に投影露光する場合を考える。
このとき、本体構造体２に一切の変形が生じなければ、ステージ位置と投影露光光軸との相対位置は一定である。
【００２５】
逆に、本体構造体を支持する力を変動させることで、本体構造体に顕著な弾性変形を発生させ、ステージ位置計測計と投影露光光軸の相対位置を変化させれば、このステージ位置計測値の変動分は本体構造体の支持力変動の線形和になる。つまり、本体構造体を支持する全ての点において計測された支持力に何らかの係数行列を乗じれば、ステージ位置計測誤差を予測できる。
【００２６】
次に、この係数行列を求める方法について述べる。
ステージを位置決めした状態で各支持台２３の支持力を１つずつ変動させる。加振波は低周波成分が多く含まれるような加振波が好ましい。例えば、ピンクノイズやランダムノイズの累積和などを与えるとよい。
【００２７】
具体的な例として、投影露光装置の支持台によく用いられる空気バネ式除振脚を用いた加振方法について述べる。
図４は、図１における支持台（空気バネ式除振脚）２３の詳細を示す。この支持台は、互いに対向して取付けられた水平方向空気バネ２４と水平方向平衡バネ２６、垂直方向空気バネ２５を介して支持脚４１に取付けられたハウジング２７で構成され、各空気バネ２４、２５に供給する空気量は、ハウジング２７のレベルや空気バネの圧力などの計測値をフィードバック信号３３とする制御弁コントローラ２９が出力した制御信号３２によって制御弁２８を制御し、供給空気３５から各空気バネ２４、２５に供給される空気量を制御する。以上のような空気バネ式除振脚において、各空気バネの支持力を変動させるには、ウェーブジェネレータ３０から出力した加振信号３１を切り替えスイッチ３４などで分岐させ、各制御信号３２に加える。
【００２８】
なお、各支持台の支持力を同時に加振しても構わないが、その場合、各制御信号に加えられる波形は互いに独立なものでなくてはならない。
【００２９】
このような状態で、ＸＹステージ１４を順次移動させ、図５（ａ）に示す順序で、ウエハ全面に複数のショットを投影露光する。なお、１回の投影露光で描画されるショット内には図６のように基準マーク（■）３６と比較マーク（□）３７が同時に描画される。この過程を１次露光過程と呼ぶ。但し、１次露光過程で描画される比較マーク３７は使用しない。
【００３０】
続いて、図５（ｂ）に示す順序で、先に描画した基準マーク３６に比較マーク３７が重なるように複数のショットを投影露光する。この過程を２次露光過程と呼ぶ。但し、２次露光過程で描画される基準マーク３６は使用しない。
【００３１】
なお、露光装置が一括式露光型の場合、テスト用レチクルは固定した状態のままである。
一方、露光装置が走査式露光型の場合は、レチクルステージを一定の位置に静止させた状態にする。
【００３２】
また、加振方法に関係なく全ての支持力とステージ位置制御偏差、および投影露光中であることを判別できる信号、例えばシャッタ開閉信号や露光用レーザ光の発振信号なども同時に計測する。
【００３３】
また、支持力計測には、ロードセル２２を用いて各方向の支持力を計測するのが好ましいが、各空気バネの圧力を計測する圧力計（不図示）を用いても支持力変動に比例した計測値が得られるので、これを代用しても構わない。
【００３４】
このようにして投影された基準マーク３６と比較マーク３７の重心間距離データと、投影露光していた時間内で平均した各除振脚の支持力、位置決め制御残差を用いることでレチクル画像を投影露光する時のステージ位置計測誤差補正係数を求めることができる。
【００３５】
実施例２
実施例２は、１回の露光で複数の基準マーク（■）３６と比較マーク（□）３７を同時に投影露光する場合である。θ軸のステージ位置計測誤差も補正する場合には、図７に示すように十分に離れた少なくとも２つの基準マーク３６と比較マーク３７を同時に投影露光することによってθ軸のステージ位置計測誤差の補正係数を求めることができる。
【００３６】
実施例３
実施例３は、基準マーク（■）３６を投影露光するショット順序と、比較マーク（□）３７を投影露光するショット順序を不規則にした場合である。実施例１や２のように、規則的な順序で投影露光を行なうと、図８のように重なりあう基準マーク３６と比較マーク３７が投影露光されるショット間隔は概ね一定となる。このショット間隔は概ねショットの時間間隔に比例するので、この時間間隔が強制的に与えた作用力３８の周期に近い場合、基準マーク３６と比較マーク３７を投影露光したときの作用力の差が小さくなり、強制的な作用力を与えた意味を失う恐れがある。
【００３７】
したがって、図９のように、重なりあう基準マーク３６と比較マーク３７を投影露光する時間間隔が適当にバラツクよう、露光順序を乱すことで、この問題を解決することができる。
【００３８】
実施例４
実施例４は、環境温度や気圧が比較的に短い周期（連続する投影露光の時間間隔とほぼ等しい周期）で変動し、これらを原因とする計測誤差が無視できない場合に適した投影露光順序である。この場合、図１０のように、基準マーク（■）３６を投影露光した次のショットで、これに重なる比較マーク（□）３７を投影露光する。このとき、両者を投影露光する時の環境温度や気圧はほぼ等しいので、環境温度や気圧の影響をほぼキャンセルすることができる。
【００３９】
【デバイス生産方法の実施例】
次に上記説明した露光装置または露光方法を利用したデバイスの生産方法の実施例を説明する。
図１１は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計したパターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００４０】
図１２は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明した露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００４１】
本実施例の生産方法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造することができる。
【００４２】
【発明の効果】
本発明によれば、ステージの位置を計測する手段の計測値をより高精度に補正することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の一実施例に係る投影露光装置の構成説明図である。
【図２】  図１の装置に搭載されたステージの構成説明図である。
【図３】  図２のステージの断面図である。
【図４】  図１の装置で用いられる除振機能付支持台の構成図である。
【図５】  実施例１および２における投影露光順序の説明図である。
【図６】  実施例１において投影露光されるショット内の図である。
【図７】  実施例２において投影露光されるショット内の図である。
【図８】  実施例１および２における各ショット位置の投影間隔一覧を示す図である。
【図９】  実施例３における投影露光順序の説明図と各ショット位置の投影間隔一覧を示す図である。
【図１０】  実施例４における投影露光順序の説明図と各ショット位置の投影間隔一覧を示す図である。
【図１１】  微小デバイスの製造の流れを示す図である。
【図１２】  図１１におけるウエハプロセスの詳細な流れを示す図である。
【符号の説明】
１：投影レンズ、２：本体構造体、３：ステージ位置決め用レーザ干渉計、４：照明系、５：レチクル、６：ウエハ、７：Ｘ軸用レーザ干渉計ミラー、９：Ｙ軸用レーザ干渉計ミラー、８：ウエハステージ天板、１０：Ｚチルトアクチュエータ、１１：θz ステージ、１２：θz ガイド、１３：θz アクチュエータ、１４：ＸＹステージ、１５：Ｘ軸駆動リニアモータ可動子、１６：Ｘ軸駆動リニアモータ固定子、１７：Ｘ軸スライダ、１８：Ｙ軸スライダ、１９：Ｙ軸駆動リニアモータ可動子、２０：Ｙ軸駆動リニアモータ固定子、２１：ウエハステージ定盤、２２：ロードセル、２３：支持台、２４：水平方向空気バネ、２５：垂直方向空気バネ、２６：水平方向平衡バネ、２７：ハウジング、２８：制御弁、２９：制御弁コントローラ、３０：ウェーブジェネレータ、３１：加振信号、３２：制御信号、３３：フィードバック信号、３４：切り替えスイッチ、３５：供給空気、３６：基準マーク、３７：比較マーク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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