(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶からなる平板に、全ての側壁が結晶学的に等価な結晶面から構成されるとともに、間口形状が六角形である凹部を設ける工程、及び、前記凹部に半田ペーストを充填したのち、加熱処理を行なうことによって半田ボールを形成する工程を有することを特徴とする半田バンプの製造方法。
【請求項２】
上記平板が単結晶シリコン基板であり、前記単結晶シリコン基板の主面が（１１０）面から５．０°以上ずれていることを特徴とする請求項１記載の半田バンプの製造方法。
【請求項３】
半田ボールを転写する電子部品との線熱膨張係数の差が５．０×１０-6／℃以下の平板に被膜を形成する工程と、前記被膜に平板に達する凹部を形成する工程と、前記凹部に半田ペーストを充填したのち、加熱処理を行なうことによって半田ボールを形成する工程と、前記被膜を除去したのち、前記半田ボールを前記電子部品の電極端子に転写する工程とを有することを特徴とする半田バンプの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半田バンプの製造方法に関するものであり、特に、ベアチップや半導体ウェハ等に微小半田バンプを再現性良く転写するための半田バンプ形成手段に特徴のある半田バンプの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年の電子装置の小型軽量化への要求、及び、ＩＣ，ＬＳＩ等の電子デバイスの高集積化技術の進展に伴い、電子デバイスからの入出力用電極端子の数は、数百〜数千にも及ぶようになっている。
【０００３】
このような多端子の電子デバイスをＭＣＭ（Ｍｕｌｔｉ  Ｃｈｉｐ  Ｍｏｄｕｌｅ）基板或いはプリント配線板等の回路基板上に高密度に搭載するために、ベアチップやパッケージの表面に半田バンプを形成し、この半田バンプを介して回路基板に実装することが行なわれている。
【０００４】
ベアチップ、半導体ウェハ、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｃａｌｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）、及び、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）への金属バンプの製造方法としては、各種の提案が成されている。
【０００５】
例えば、本発明者等は、Ｓｉウェハに異方性エッチングを施して、電極端子に対応する位置に凹部を形成した後、この凹部に半田ペーストを充填して加熱することによって、凹部内に半田金属ボールを形成し、次いで、半田金属ボールと電極端子とを位置合わせしたのち、加熱リフローすることによって、電極端子に半田金属ボールを転写して半田バンプを形成することを提案している（必要ならば、特開平７−２４９６３１号公報参照）。
【０００６】
また、本出願人は、（１１０）面を主面とするＳｉ基板に（１１１）面と結晶学的に等価な面から構成される間口形状が菱形の凹部を異方性エッチングによって形成し、この凹部に半田ペーストを充填して加熱することによって、凹部内に半田金属ボールを形成することを提案している（必要ならば、特開平９−３６１１８号公報参照）。
【０００７】
ここで、図９乃至図１１を参照して、従来の半田ボール形成用凹部基板を用いた半田バンプの製造工程の一例を説明する。
図９（ａ）乃至（ｃ）参照
図９（ａ）は、従来の半田ボール形成用凹部基板の概略的斜視図であり、図９（ｂ）は、その平面図であり、また、図９（ｃ）は図９（ａ）におけるＡ−Ａ′を結ぶ一点鎖線に沿った断面図であり、実際には、この様な間口形状が菱形の凹部をＬＳＩチップの電極のピッチに合わせて１２０μｍのピッチで多数形成されている。
【０００８】
まず、（１１０）面を主面とするシリコン基板５１に、ＫＯＨ水溶液をエッチャントとした異方性エッチングを施すことによって間口形状が一辺が９８μｍの菱形の凹部５２を形成する。
この場合、４つの側壁５３は、全て（１１０）面に対して垂直な（１１１）面と結晶学的に等価な面からなり、図９（ｂ）における側壁５３のなす角βは１０９．４８°（＝５４．７４°×２）である。
また、表面から緩やかに移行する２つの側底面５４も（１１１）面と結晶学的に等価な面から構成され、２つの側底面５４の接合部において底部短対角線５５が形成され、また、図９（ｃ）における側底面５４のなす角αは１０９．４８°（＝５４．７４°×２）となる。
【０００９】
図１０（ａ）参照
次いで、シリコン基板５１に形成した凹部５２にＳｎ−３．５Ａｇ、即ち、９６．５Ｓｎ−３．５Ａｇの組成の半田ペースト５６を充填する。
【００１０】
図１０（ｂ）及び（ｃ）参照
次いで、２５０℃で加熱することによって、凹部５２内に直径が７０μｍの半田ボール５７を形成する。
なお、図１０（ｃ）は図１０（ｂ）におけるＡ−Ａ′を結ぶ一点鎖線に沿った断面図であり、この場合の半田ボール５７の突出量は１５μｍであり、また、符号５８は半田ペースト５６中に含まれていた残留フラックスである。
【００１１】
図１１（ｄ）参照
次いで、ＬＳＩ５９に設けた電極端子６０と半田ボール５７とがほぼ一致するように位置合わせして熱圧着し、仮固定したのち、コンベア炉で再度２５０℃に加熱して半田ボール５７を電極端子６０に転写する。
この工程において、転写された半田ボール５７は半田バンプ６１となる。
【００１２】
図１１（ｅ）参照
次いで、キレシン溶液中で洗浄処理することによって残留フラックス５８等を除去することによって、ＬＳＩ５９とシリコン基板５１とを剥離させることによって、高さが６０μｍの半田バンプ６１を有するＬＳＩ５９が得られる。
【００１３】
この様な半田ボールの製造に用いる半田ペーストは、半田粒子と粘稠性フラックスからなるもので、ペースト体積に占める半田粒子体積の総量は、概ね５０％となっている。
したがって、半田ペーストをＳｉウェハ等の平板に形成した凹部に充填して半田ボールを形成した場合、得られる半田ボールの体積は平板凹部容積の約１／２となるので、半田ボールを電子部品の電極端子に安定して転写するためには、平板表面からの半田ボールの突出量を大きくする必要がある。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、近年の電子デバイスの高集積化に伴って半田ボールも小さくなり、電子デバイスの電極端子に半田ボールを転写する際に、電極端子への接触不良によって欠損を生じるという問題がある。
即ち、上述のように、半田ボールの大きさは平板に設けた凹部の容積に依存するので、平板凹部の容積が小さくなれば充填される半田ペーストの量が減少して半田ボールも小さくなり、その結果、平板からの半田ボールの突出量が減少するためである。
【００１５】
因に、図１１（ｄ）の工程において、半田ボール５７の突出量不足が原因と推定される仮固定不足が多発し、半田ボール５７の転写歩留りは７０％程度に留まった。
また、図１０（ｂ）から明らかなように、半田ボール５７は、残留フラックス５８によって仮固定されているが、半田ボール５７の形成直後においては残留フラックス５８は流動的であるので、半田ボール５７が底部短対角線５５に沿って移動可能であり、凹部５２中における半田ボール５７の仮固定位置が必ずしも一定ではないという問題がある。
【００１６】
また、プリント配線板に半田バンプを形成する場合、平板凹部からなる半田ボールの突出量が小さいと、プリント配線板表面を被覆しているソルダーレジストの厚みやプリント配線板の撓みによって、半田ボールがプリント配線板の電極端子に全く接触せず、半田バンプを形成することができないという問題が発生する。
【００１７】
したがって、本発明は、微小な半田ボールを再現性良く転写することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
図１は本発明の原理的構成の説明図であり、この図１を参照して本発明における課題を解決するための手段を説明する。
なお、図１（ａ）は、半田ボール形成用の凹部を設けた平板の要部平面図であり、また、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ′を結ぶ一点鎖線に沿った断面図であり、夫々、実線は本発明を、破線は従来例を示すものである。
図１（ａ）及び（ｂ）参照
（１）本発明は、半田バンプの製造方法において、単結晶からなる平板１に、全ての側壁３が結晶学的に等価な結晶面から構成されるとともに、間口形状が六角形である凹部２を設ける工程、及び、この凹部２に半田ペーストを充填したのち、加熱処理を行なうことによって半田ボール５を形成する工程を有することを特徴とする。
【００１９】
この様に、凹部２の間口形状を六角形、特に、菱形の鋭角部を切り落とした六角形とすることによって、従来の菱形の凹部６と同じ容積の凹部２を形成しても、凹部２の深さＨは側壁３の間口部の長さＬと、
Ｈ＝Ｌ×ｃｏｓ（５４．７４°）
の関係にあるので、凹部２の最低部の位置、即ち、底部短対角線４の位置は、従来よりもｈだけ浅くなり、それによって、半田ボール５の突出量が多くなるので半田ボール５の転写歩留りが大幅に向上する。
また、この様な凹部２は、単結晶からなる平板１に異方性エッチングを施すことによって、全ての側壁３が結晶学的に等価な結晶面から構成される凹部２を再現性良く形成することができる。
【００２０】
（２）また、本発明は、上記（１）において、平板１が単結晶シリコン基板であり、主面が（１１０）面から５．０°以上ずれていることを特徴とする。
【００２１】
この様に、平板１として、主面が（１１０）面から５．０°以上、例えば、５．０°〜１５．０°、好適には１０．０°ずれている単結晶シリコン基板を用いることによって、最低部となる底部短対角線４の位置を間口における短対角線直下からずらすことができ、それによって、半田ボール５の突出量を大きくし、且つ、底部短対角線４に沿った移動量をより小さくすることができる。
【００２２】
（３）また、本発明は、半田バンプの製造方法において、半田ボールを転写する電子部品との線熱膨張係数の差が５．０×１０-6／℃以下の平板に被膜を形成する工程と、この被膜に平板に達する凹部を形成する工程と、この凹部に半田ペーストを充填したのち、加熱処理を行なうことによって半田ボールを形成する工程と、被膜を除去したのち、半田ボールを電子部品の電極端子に転写する工程とを有することを特徴とする。
【００２３】
この様に、平板に積層させた被膜に凹部を形成し、この凹部を利用して半田ボールを形成したのち転写前に被膜を除去することによって、半田ボールの突出量は半田ボールの直径そのものとなるので、半田ボールの転写歩留りが大幅に向上する。
なお、平板と電子部品との線熱膨張係数の差が５．０×１０-6／℃以下とすることによって、転写の際の加熱による位置ずれによって転写不良が発生することは実用上殆どない。
但し、この場合には、単結晶基板を用いた場合と異なって、再使用が不可能となる。
【００２４】
また、本発明は、上記（３）において、被膜として、感光性樹脂を用い、フォトリソグラフィー工程によって凹部を形成することを特徴とする。
即ち、被膜として感光性樹脂を用いることによって、簡単な通常のフォトリソグラフィー工程によって凹部の形成が可能になる。
【００２５】
また、本発明は、上記（３）において、被膜として、非感光性樹脂を用い、レーザ加工によって凹部を形成することを特徴とする。
即ち、被膜は感光性樹脂である必要はなく、非感光性樹脂を用いた場合には、レーザ加工により凹部を形成すれば良い。
【００２６】
また、本発明は、上記（３）において、平板がシリコン基板であり、電子部品がシリコン半導体装置であることを特徴とする。
即ち、電子部品がＬＳＩ等のシリコン半導体装置である場合、平板としてシリコン基板を用いることによって、転写の際の加熱による位置ずれの問題が発生することがない。
【００２７】
また、本発明は、上記（３）において、平板がＮｉ基板であり、電子部品がプリント配線基板であることを特徴とする。
即ち、電子部品が熱膨張係数が１５×１０-6／℃程度のガラス−エポキシ樹脂等をベースとするプリント配線基板である場合、平板として熱膨張係数が１３×１０-6／℃程度のＮｉ基板を用いることによって、転写の際の加熱による位置ずれの問題が発生することがない。
なお、この場合、半田ボールの接着を防止するために、Ｎｉ基板の表面にＣｒ層等の接着防止層を設ける必要がある。
【００２８】
また、本発明は、上記（１）乃至（３）のいずれかにおいて、転写前における半田ボールを、半田ペーストに由来する残留フラックスによって仮固定することを特徴とする。
即ち、残留フラックスを利用して半田ボールを仮固定することによって、半田ボールの脱落・移動が阻止されるので、転写工程における半田ボールと電極との位置合わせが容易になる。
【００２９】
また、本発明は、上記（１）乃至（３）のいずれかにおいて、半田ボールを、ベアチップ、ウェハ、チップ・スケール・パッケージ、ボール・グリッド・アレイ、テープ・キャリア・パッケージ、マルチチップ・モジュール基板、或いは、プリント配線基板のいずれかに設けた電極に転写することを特徴とする。
即ち、この様な半田ボールの転写技術は、ベアチップ、ウェハ、チップ・スケール・パッケージ（ＣＳＰ）、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）、テープ・キャリア・パッケージ（ＴＣＰ）、マルチチップ・モジュール（ＭＣＭ）基板、或いは、プリント配線基板等の電子部品に適用されるものであり、特に、高集積化された電子部品に対して好適である。
【００３０】
【発明の実施の形態】
ここで、図２乃至図４を参照して本発明の第１の実施の形態を説明する。
図２（ａ）乃至（ｃ）参照
図２（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に用いる凹部基板の概略的斜視図であり、図２（ｂ）は、その平面図であり、また、図２（ｃ）は図２（ａ）におけるＡ−Ａ′を結ぶ一点鎖線に沿った断面図であり、実際には、この様な間口形状が六角形の凹部をＬＳＩチップの電極端子のピッチに合わせて１２０μｍのピッチで多数形成されている。
【００３１】
まず、（１１０）面から傾き角θが５．０°以上、例えば、５．０°〜１５．０°、好適には、１０°傾いた面を主面とするシリコン基板１１に、鈍角β＝１０９．４８°（＝５４．７４°×２）の菱形の鋭角部を切り落とした、例えば、Ｌ1 ＝８７μｍ、Ｌ2 ＝２８μｍの六角形の開口部を有するＳｉＯ2 マスクをマスクとして、ＫＯＨ水溶液をエッチャントとした異方性エッチングを施すことによって間口形状が六角形の凹部１２を形成する。
この場合、４つの側壁１３は、全て（１１０）面に対して垂直で、且つ、（１１１）面と結晶学的に等価な面からなり、また、２つの側底面１４も（１１１）面と結晶学的に等価な面から構成され、２つの側底面１４の接合部において底部短対角線１５が形成され、また、図２（ｃ）における側底面１４のなす角αは当然、βと同じ１０９．４８°（＝５４．７４°×２）となる。
【００３２】
図３（ａ）参照
次いで、シリコン基板１１に形成した凹部１２にＳｎ−３．５Ａｇの組成の半田ペースト１６を充填する。
【００３３】
図３（ｂ）及び（ｃ）参照
次いで、２５０℃で加熱することによって、凹部１２内に直径が７０μｍの半田ボール１７を形成する。
なお、図３（ｃ）は図３（ｂ）におけるＡ−Ａ′を結ぶ一点鎖線に沿った断面図であり、この場合の半田ボール１７の突出量は２２μｍであり、また、半田ボール１７は半田ペースト１６に由来する残留フラックス１８によって仮固定された状態となる。
【００３４】
図４（ｄ）参照
次いで、ＬＳＩ１９に設けた電極端子２０と半田ボール１７とがほぼ一致するように位置合わせして熱圧着し、仮固定したのち、コンベア炉で再度２５０℃に加熱して半田ボール１７を電極端子２０に転写する。
この工程において、転写された半田ボール１７は半田バンプ２１となる。
【００３５】
図４（ｅ）参照
次いで、キレシン溶液中で洗浄処理することによって残留フラックス１８等を除去することによって、ＬＳＩ１９とシリコン基板１１とを剥離させることによって、高さが６０μｍの半田バンプ２１を有するＬＳＩ１９が得られる。
因に、この第１の実施の形態における半田ボール１７の転写歩留りは１００％であった。
【００３６】
この第１の実施の形態においては、凹部１２の間口形状を菱形の鋭角部を切り落とした六角形としているので、従来の菱形の凹部と同じ容積の凹部１２を形成しても、凹部１２の深さ、即ち、底部短対角線１５の位置は、従来よりも浅くすることができ、それによって、半田ボール１７の突出量を多くすることができる。
【００３７】
また、この第１の実施の形態においては、シリコン基板１１の主面を（１１０）面から傾き角θだけ傾けているので、底部短対角線１５の間口に対する投影的な長さを短くすることができ、底部短対角線１５に沿った半田ボール１７の移動可能量ｄ1 を、主面を（１１０）面から傾けない場合に比べて少なくすることができる。
したがって、半田ボール１７の仮固定位置のばらつきを低減することができる。
【００３８】
次に、図５及び図６を参照して、本発明の第２の実施の形態の製造工程を説明する。
なお、図５（ａ）及び（ｃ）における左側の図は概略的要部断面図であり、右側の図は平面図である。
図５（ａ）参照
まず、何もパターニングしていないシリコン基板３１上に液状フォトレジストを塗布し、露光・現像することによって、間口形状が一辺が８５μｍの正方形からなる凹部３３を有する膜厚が５０μｍのフォトレジスト３２を形成する。
なお、実際には、この様な正方形の凹部３３をＬＳＩチップの電極端子のピッチに合わせて１２０μｍのピッチで多数形成する。
【００３９】
図５（ｂ）参照
次いで、フォトレジスト３２に形成した凹部３３にＢｉ−４２Ｓｎ−１Ａｇの組成の半田ペースト３４を充填する。
なお、Ｂｉ系の半田は、融点が低くなる特長がある。
【００４０】
図５（ｃ）参照
次いで、１６０℃で加熱することによって、凹部３３内に直径が７０μｍの半田ボール３５を形成する。
なお、半田ボール３５は半田ペースト３４に由来する残留フラックス３６によって仮固定された状態となる。
【００４１】
図６（ｄ）参照
次いで、剥離液を用いてフォトレジスト３２を除去する。
【００４２】
図６（ｅ）参照
次いで、ＬＳＩ３７に設けた電極端子３８と半田ボール３５とがほぼ一致するように位置合わせして熱圧着し、仮固定したのち、コンベア炉で再度１６０℃に加熱して半田ボール３５を電極端子３８に転写する。
この工程において、転写された半田ボール３５は半田バンプ３９となる。
【００４３】
図６（ｆ）参照
次いで、キレシン溶液中で洗浄処理することによって残留フラックス３６等を除去することによって、ＬＳＩ３７とシリコン基板３１とを剥離させることによって、高さが６０μｍの半田バンプ３９を有するＬＳＩ３７が得られる。
因に、この第２の実施の形態における半田ボール３５の転写歩留りは１００％であった。
【００４４】
この第２の実施の形態においては、凹部３３を通常のフォトリソグラフィー工程によって形成しているので、凹部３３の形成が非常に容易になり、また、半田ボール３５の形成工程後に、凹部３３を構成するフォトレジスト３２を除去しているので、半田ボール３５の突出量は半田ボール３５の直径そのものとなり、半田ボール３５の突出量不足による半田ボールの転写時の欠損発生を回避することができる。
【００４５】
なお、この本発明の第２の実施の形態においては、凹部３３の底面が平面であるので最低位置がなく、したがって、半田ボール３５の仮固定位置のばらつきが大きくなりやすいので、半田ボール３５を形成する際に、シリコン基板３１を所定の方向に傾けることが望ましい。
また、転写の際にフォトレジストを剥離しているので、再利用は不可能となり、凹部３３の形成工程を最初から行なう必要がある。
【００４６】
次に、図７及び図８を参照して、本発明の第３の実施の形態の製造工程を説明する。
なお、図７（ａ）及び（ｃ）における左側の図は概略的要部断面図であり、右側の図は平面図である。
図７（ａ）参照
まず、Ｎｉ基板４１上に厚さが、例えば、３μｍのＣｒ層４２をメッキによって成膜したのち、Ｃｒ層４２上に感光性ドライフィルムを貼付し、露光・現像することによって、開口部が一辺が５０μｍの正方形からなる凹部４４を有する感光性ドライフィルム４３を形成する。
なお、Ｃｒ層４２は、Ｎｉ基板４１との半田ボールとの結合を防止するために設けるものであり、また、実際には、この様な正方形の凹部４４をガラス・エポキシ樹脂をベースとするプリント配線基板に設けた電極端子のピッチに合わせて１２０μｍのピッチで多数形成する。
【００４７】
図７（ｂ）参照
次いで、感光性ドライフィルム４３に形成した凹部４４にＳｎ−３．５Ａｇ−６Ｂｉの組成の半田ペースト４５を充填する。
【００４８】
図７（ｃ）参照
次いで、２５０℃で加熱することによって、凹部４４内に直径が７０μｍの半田ボール４６を形成する。
なお、半田ボール４６は半田ペースト４５に由来する残留フラックス４７によって仮固定された状態となる。
【００４９】
図８（ｄ）参照
次いで、剥離液を用いて感光性ドライフィルム４３を除去する。
【００５０】
図８（ｅ）参照
次いで、プリント配線基板４８に設けた電極端子４９と半田ボール４６とがほぼ一致するように位置合わせして熱圧着し、仮固定したのち、コンベア炉で再度２５０℃に加熱して半田ボール４６を電極端子４９に転写する。
この工程において、転写された半田ボール４６は半田バンプ５０となる。
【００５１】
図８（ｆ）参照
次いで、キレシン溶液中で洗浄処理することによって残留フラックス４７等を除去することによって、プリント配線基板４８とＮｉ基板４１とを剥離させることによって、高さが６０μｍの半田バンプ５０を有するプリント配線基板４８が得られる。
因に、この第３の実施の形態における半田ボール４６の転写歩留りは１００％であった。
【００５２】
この第３の実施の形態においても、凹部４４を通常のフォトリソグラフィー工程によって形成しているので、凹部４４の形成が非常に容易になり、また、半田ボール４６の形成工程後に、凹部４４を構成する感光性ドライフィルム４３を除去しているので、半田ボール４６の突出量は半田ボール４６の直径そのものとなる。
したがって、従来のプリント配線基板への半田バンプの形成を阻んでいたソルダーレジスト厚やプリント配線基板自身の撓みの問題を解消することができ、半田ボール４６の突出量不足による半田ボールの転写時の欠損発生を回避することができる。
【００５３】
また、この第３の実施の形態においては、プリント配線基板４８を構成するガラス・エポキシ樹脂の線膨張係数１５×１０-6／℃程度に合わせるために、凹部を線熱膨張係数が１３×１０-6／℃程度のＮｉ基板１上に形成しているので、転写の際の加熱による位置ずれを低減することができる。
【００５４】
なお、この場合も、凹部４４の底面が平面であるので最低位置がなく、したがって、半田ボール４６の仮固定位置のばらつきが大きくなりやすいので、半田ボール４６を形成する際に、Ｎｉ基板４１を所定の方向に傾けることが望ましい。
また、転写の度に感光性ドライフィルムを剥離しているので、再利用は不可能となり、凹部４４の形成工程を最初から行なう必要がある。
【００５５】
以上、本発明の各実施の形態を説明してきたが、本発明は各実施の形態に記載した構成及び条件に限られるものではなく、各種の変更が可能である。
例えば、上記の第１の実施の形態においては、シリコン基板１１の主面を（１１０）面から傾き角θだけ傾けた基板を用いているが、必ずしも傾ける必要はなく、（１１０）面を主面とした場合にも、従来の菱形の間口形状の凹部基板に比べて半田ボールの突出量を多くすることができる。
【００５６】
また、上記の各実施の形態において用いている半田ペーストの組成は互いに異なっているが、これらの組成は任意のものであり、各種電子部品において要求される半田の融点或いは機械的性質に応じて適宜変更されるものである。
【００５７】
また、上記各実施の形態においては、半田ボールを転写する対象が、Ｓｉ基板を用いたＬＳＩ或いはプリント配線基板であるが、これらに限られるものではなく、ＧａＡｓ等の化合物半導体装置であっても良いものであり、さらには、チップ・スケール・パッケージ（ＣＳＰ）、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）、テープ・キャリア・パッケージ（ＴＣＰ）、或いは、マルチチップ・モジュール（ＭＣＭ）基板等の電子部品であっても良いものである。
但し、いずれにしても、転写の際の加熱による位置ずれを低減するために、凹部基板と電子部品の線熱膨張係数の差を、５×１０-6／℃以下にすることが望ましい。
【００５８】
また、上記の第２及び第３の実施の形態においては、凹部を液状フォトレジストや感光性ドライフィルム等の感光性樹脂にフォトリソグラフィー工程を用いて形成しているが、感光性樹脂に限られるものではなく、ポリイミド等の非感光性樹脂を用いても良いものである。
この様な非感光性樹脂を用いた場合には、通常のレーザ加工によって凹部を形成すれば良い。
【００５９】
【発明の効果】
本発明によれば、凹部基板の凹部の間口形状を考慮したり、或いは、凹部を形成する被膜を半田ボール形成後に剥離しているので、半田ボールの突出量を増加することができ、それによって、微小半田バンプの形成や、プリント配線基板への半田バンプの形成が可能になり、高集積度の電子部品を実装する際の製造歩留りの向上及び電子機器の信頼性の向上に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の凹部基板の説明図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態の途中までの製造工程の説明図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態の図３以降の製造工程の説明図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態の途中までの製造工程の説明図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態の図５以降の製造工程の説明図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態の途中までの製造工程の説明図である。
【図８】本発明の第３の実施の形態の図７以降の製造工程の説明図である。
【図９】従来の半田ボール形成用凹部基板の説明図である。
【図１０】従来の半田バンプの途中までの製造工程の説明図である。
【図１１】従来の半田バンプの図１０以降の製造工程の説明図である。
【符号の説明】
１  平板
２  凹部
３  側壁
４  底部短対角線
５  半田ボール
６  凹部
７  側壁
８  半田ボール
１１  シリコン基板
１２  凹部
１３  側壁
１４  側底面
１５  底部短対角線
１６  半田ペースト
１７  半田ボール
１８  残留フラックス
１９  ＬＳＩ
２０  電極端子
２１  半田バンプ
３１  シリコン基板
３２  フォトレジスト
３３  凹部
３４  半田ペースト
３５  半田ボール
３６  残留フラックス
３７  ＬＳＩ
３８  電極端子
３９  半田バンプ
４１  シリコン基板
４２  Ｃｒ層
４３  感光性ドライフィルム
４４  凹部
４５  半田ペースト
４６  半田ボール
４７  残留フラックス
４８  プリント配線基板
４９  電極端子
５０  半田バンプ
５１  シリコン基板
５２  凹部
５３  側壁
５４  側底面
５５  底部短対角線
５６  半田ペースト
５７  半田ボール
５８  残留フラックス
５９  ＬＳＩ
６０  電極端子
６１  半田バンプ
【図１】
0004364383.tif 000002
【図２】
0004364383.tif 000003
【図３】
0004364383.tif 000004
【図４】
0004364383.tif 000005
【図５】
0004364383.tif 000006
【図６】
0004364383.tif 000007
【図７】
0004364383.tif 000008
【図８】
0004364383.tif 000009
【図９】
0004364383.tif 000010
【図１０】
0004364383.tif 000011
【図１１】
0004364383.tif 000012