(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第１と第２の物質層とからなり、外部からのエネルギーを加えることにより光学特性が変化して情報を記録する記憶部材であって、
少なくとも前記第１の物質層と前記第２の物質層との間に、記録のための外部エネルギー印加時には前記第１の物質層と前記第２の物質層との反応を可能とし、記録のための外部エネルギー非印加時には前記反応を抑制する第３の物質層を備え、
前記第１の物質層は少なくとも酸素原子を構成成分として含み、
前記第２の物質層は少なくとも２つの金属層を含み、該金属層のうち少なくとも１つの金属層は融点が３００℃以下の金属を主成分とすることを特徴とする記憶部材。
【請求項２】
少なくとも第１と第２の物質層とからなり、外部からのエネルギーを加えることにより光学特性が変化して情報を記録する記憶部材であって、
少なくとも前記第１の物質層と前記第２の物質層との間に、記録のための外部エネルギー印加時には前記第１の物質層と前記第２の物質層との反応を可能とし、記録のための外部エネルギー非印加時には前記反応を抑制する第３の物質層を備え、
前記第１の物質層は少なくとも硫黄、セレン、テルル原子のうち少なくとも１つの原子を構成成分として含み、
前記第２の物質層は少なくとも２つの金属層を含み、該金属層のうち少なくとも１つの金属層は融点が３００℃以下の金属を主要構成とすることを特徴とする記憶部材。
【請求項３】
前記第２の物質層において、少なくとも２種類の金属の積層を含む請求項１または請求項２に記載の記憶部材。
【請求項４】
前記第２の物質層において、少なくとも２つの金属層の間に少なくとも誘電体または半導体を主成分とする物質層を設けた請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の記憶部材。
【請求項５】
前記第２の物質層において、少なくとも金属と誘電体または金属と半導体の混合物からなる金属層を含む請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の記憶部材。
【請求項６】
前記第２の物質層において、融点が３００℃以下の金属を主要構成とする金属層の他に、融点が５００℃以下の金属を主要構成とする金属層を含む請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の記憶部材。
【請求項７】
前記第２の物質層において、該第２の物質層を構成する金属層の中で、同じ膜厚にしたときに記録したデータ等を再生するための光の波長に対する反射率が一番高い金属層が、該再生するための光を入射させる記録部材面に一番近い金属層とした請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の記憶部材。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、外部エネルギーを付与することにより光学特性を変化させて情報を記録する記憶材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】
この種の記憶部材としては、例えば、追記型コンパクトディスクなどに代表される光記憶部材がある。これは、基板上に有機色素などからなる記録層を設け、更にその上に反射層を設けた構造とし、外部エネルギーとしてレーザ光を照射することにより、前記の記録層を変形あるいは変性させて光学特性を変化させ情報を記録するものである。そして、記録部分と未記録部分との反射率の差を利用して情報を光学的に再生する。
【０００３】
しかしながら、上記の記憶層は有機系材料であるため、材料自体のコストおよび製造の歩留まりなどの面からコストが高いと言う問題がある。これらの問題に対して、有機色素に比べて安価な無機系材料を用い、真空蒸着法やスパッタ法などのコスト的に優れた方法で記録層を構成するようにしたものが提案されている。
【０００４】
例えば、特開平１１−３５３７０４号公報には、金属を構成要素の１つとする第１層と、硫黄（Ｓ），セレン（Ｓｅ）のうち少なくとも1種を構成要素とし記録用レーザ光の照射時に第１層と反応する第２層と、第１層と第２層との間に設けられ記録用レーザ光の照射時には第１層と第２層との反応を可能とし、記録用レーザ光の非照射時には前記反応を抑制する第３層と、からなる記録膜構成とした光記憶部材が開示されている。
【０００５】
実施例として、基板上に、第１層として厚さ６５ｎｍのインジウム（Ｉn）膜、第２層として厚さ１８４ｎｍの硫化ゲルマニウム（ＧｅＳｘ）膜、第３層として厚さ２ｎｍの硫化亜鉛（ＺｎＳ）膜、を形成した構成の光記録材料が示されている。
【０００６】
上記光記録材料は、無機材料のみを利用した光記録材料としては格段に優れた記録再生特性を有しており、現状の光ディスク用の記憶材料としては問題無いと思われる。
【０００７】
しかし、今後期待される光ディスクの記録密度の向上に際し、記録ビットの微小化が必要となることから、現状の材料よりも、さらに信号純度が高い（Ｃ／Ｎ(carrier to noise ratio)が高い）記録ビット形成が可能で、且つ、記録感度が良好な、光記録材料が必要とされている。
【０００８】
この高密度化を狙った要求に対し、上記光記憶材料で必ずしも十分対応可能な状況ではない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、より高密度化が可能で記録感度が良好な記憶材料を提案することを課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の記憶部材は、少なくとも第１と第２の物質層とからなり、外部からのエネルギーを加えることにより光学特性が変化して情報を記録する記憶部材であって、
少なくとも前記第１の物質層と前記第２の物質層との間に、記録のための外部エネルギー印加時には前記第１の物質層と前記第２の物質層との反応を可能とし、記録のための外部エネルギー非印加時には前記反応を抑制する第３の物質層を備え、
前記第１の物質層は少なくとも酸素原子を構成成分として含み、
前記第２の物質層は少なくとも２つの金属層を含み、該金属層のうち少なくとも１つは融点が３００℃以下の金属を主成分とすることを特徴とする。
また、本発明の記憶部材は、少なくとも第１と第２の物質層とからなり、外部からのエネルギーを加えることにより光学特性が変化して情報を記録する記憶部材であって、
少なくとも前記第１の物質層と前記第２の物質層との間に、記録のための外部エネルギー印加時には前記第１の物質層と前記第２の物質層との反応を可能とし、記録のための外部エネルギー非印加時には前記反応を抑制する第３の物質層を備え、
前記第１の物質層は少なくとも硫黄、セレン、テルル原子のうち少なくとも１つの原子を構成成分として含み、
前記第２の物質層は少なくとも２つの金属層を含み、該金属層のうち少なくとも１つの金属層は融点が３００℃以下の金属を主要構成とすることを特徴とする。
【００１１】
前記第２の物質層において、少なくとも２種類の金属の積層を含むこと、並びに、少なくとも２つの金属層の間に少なくとも誘電体または半導体を主成分とする物質層を設けることはより好ましい。
【００１２】
また、前記第２の物質層において、少なくとも金属と誘電体または金属と半導体の混合物質からなる金属層を含むこと、並びに、融点が３００℃以下の金属を主要構成とする金属層の他に、融点が５００℃以下の金属を主要構成とする金属層を含むことも好ましい。
【００１３】
さらに、前記第２の物質層において、該第２の物質層を構成する金属層の中で、同じ膜厚にしたときに記録したデータ等を再生するための光の波長に対する反射率が一番高い金属層が、該再生するための光を入射させる記録部材面に一番近い金属層とすることも好ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の記憶部材は、少なくとも基板と記録層により構成される。基板は記録層を担持させるためにある。情報等の記録またはその再生のための光を基板側から（記録層が形成されている面の反対側の基板表面から）照射する場合、基板材料はこの光を透過させる機能を有していなければならない。照射光の波長が近赤外から可視域の場合、基板材料として、例えば、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリアクリレート等の透明な樹脂を用いることができる。これらの樹脂は、軽量且つ安価である点で優れている。また、透明なガラスを用いても良い。ガラスは表面硬度や機械的強度が高い点で寸法安定性が良好な点で優れている。
【００１５】
基板の形状については光記録媒体の用途に応じて選択すれば良い。
【００１６】
基板の記録層が形成されている面には、レーザ光を案内するトラック（案内溝）を形成することができる。トラックの形状は、光記憶媒体の形状、用途、記録層の特性等に応じて適切に形成すれば良い。
【００１７】
記録層は、外部からエネルギーを加えることにより光学特性が変化する。情報等の内容に併せ持つ外部エネルギーにより、情報は光学特性の変化の形で記録層に記録され、また保持される。記録された情報は、外部から光を照射することにより再生することができる。
【００１８】
以下に記録層を、実施の形態に基づいて説明する。
【００１９】
（第１の実施の形態）
本実施の形態の記録層は、少なくとも２種類の金属層の積層を含む第２の物質層と、酸素原子を構成要素として含む物質の第１の物質層とを含む。
【００２０】
本実施の形態の場合、情報等の記録は、記録用のレーザ光を記録層に入射させ、その記録層部分の光学特性を変化させることにより行う。この光学特性の変化は次のように誘発されると思われる。記録用のレーザ光が入射した記録層部分は温度が上昇し、第１の物質層と第２の物質層が酸化還元反応することにより光学特性が変化することが１つの要因であると思われる。この場合、第２の物質層の金属に低融点の金属を用いているためこの金属が融解する場合もあり、反応が固体と固体の反応ではなく固体と液体の反応になり、反応速度がより向上すると考えられる。この光学特性の変化は、第１の物質から酸素が一部またはすべてが奪われることにより第１の物質層が変質すること、第２の物質層が酸素を取り込み一部またはすべてが酸化して第２の物質層が変質すること、または、第１の物質層と第２の物質層が一部またはすべてが混合または化合することにより変質したりすることが、単独または複数誘発されることに起因すると考えられる。さらに、第２の物質層が融解して孔が形成されることに起因した光学特性の変化も合わせて考えることができる。この様に様々な要因が絡み合って、記録用レーザ光が入射した記録層部分の光学特性の変化が誘発されると思われる。
【００２１】
本実施の形態の第１の物質層の酸素を構成要素とする物質としては、元素の周期律表における、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ等の６族、Ｆｅ、Ｒｕ等の８族、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ等の９族、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等の１１族および、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｒｅ、Ｃｄ、Ａｓ、Ｇｅ、Ｐｂ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｔｂのうち少なくとも１つの元素を含む酸化物等の酸素を構成要素とする物質を用いることができる。例えば、ＷＯ3、ＭｏＯ3、Ｒｈ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ａｓ2Ｏ3、ＧｅＯ2、ＳｅＯ2、ＣｅＯ2等の酸化物、ＧｅＯXＮY、ＧｅＯXＳY、Ｃｅ（ＯＨ）4、ＡｇＩＯ3等を用いることができる。
【００２２】
本実施の形態の第２の物質層は、少なくとも２種類の金属層が積層されたものである。この２種類以上の金属層のうち少なくとも１種類は、融点が３００℃以下の金属を主成分とする。２種類以上の金属層物質の組合せとしては、例えば、インジウム（Ｉｎ）とＳｎＢｉＧｅ合金、ＩｎＳｎ合金とＡｕＧｅ合金、ＡｕＳｎ合金とアルミニウム（Ａｌ）とＳｉＯ2の混合体、銀（Ａｇ）とＩｎ、ＳｎＢｉＧｅ合金とＡｇとＡｇＯXの混合体、ＩｎとＡｌ2Ｏ3の混合体とＡｇ、ＩｎとＡｌ2Ｏ3の混合体とＡｇとＡｇＯXの混合体、ＩｎＳｎ合金とＡｕＳｎ合金、Ｉｎとテルル（Ｔｅ）、ＩｎＳｎ合金と亜鉛（Ｚｎ）などの組合せが利用できるが、もちろん、この限りではない。
【００２３】
第２の物質層において、融点が３００℃以下の金属を主要構成とする金属層と融点が５００℃以下の金属を主要構成とする金属層を積層させると、記録感度向上の点からより好ましい。
【００２４】
また、第１の物質層と第２の物質層との間に、被記録時に、第１の物質層と第２の物質層との反応を抑制し、記録再生特性の劣化を効率よく抑制することができる、第３の物質層を設けることが好ましい。この第３の物質層としては、例えば、ＺｎＳ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉＯ2、ＧｅＯ2、ＳｉＮX（１≦ｘ≦１．５）、ＧｅＮX（１≦ｘ≦１．５）、炭素（Ｃ）、ＳｉＡｌＯＮ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、ハイドロカーボンなどを利用することができる。
【００２５】
従来の第２の物質層として単一の金属層を用いた記憶部材の場合、記録感度を向上させるためには、該金属層の厚さを薄くする必要があった。これは、記録感度の向上させるためには、記録層に入射し吸収された光によって発生する熱の散逸を少なくして、記録層の温度をより速く上昇させより早い反応を誘発する必要があったことによる。そのため、主な熱の散逸媒体である金属層の熱拡散を、その厚さを薄くすることにより抑制する必要があった。しかし、このように単に金属膜を薄くすると。結果的に記憶媒体の反射率が低下し、充分な再生信号強度が取れないという問題があった。
【００２６】
しかし、本実施の形態によれば、第２の物質層を従来の単一金属層から少なくとも複数の金属層の積層とすることで第２の物質層内の界面が増加し、これにより、界面で誘発される熱流の散乱が増加するなどして、結果的に、光記録部材の光学的反射率の著しい低下を招くこと無く、第２の物質層内の熱拡散の抑制が可能となった。
【００２７】
前記の如く、第２の物質層を従来の単一金属層から少なくとも複数の金属層の積層とすることで記録感度の向上が可能となった。
【００２８】
また、第２の物質層を構成する金属層の中で、同じ膜厚にしたときに記録したデータ等を再生するための光の波長に対する反射率が一番高い金属層が、該再生するための光を入射させる記録部材面に一番近い金属層とすることがより好ましい。
【００２９】
第１の物質層と第２の物質層との積層の順序は特に限定されないが、第１の物質層が、ＷＯ3、ＭｏＯ3、ＧｅＯ2等の場合は、第２の物質層を基板側に形成するのがより望ましい。
【００３０】
記録層の形成は、スパッタ法、真空蒸着法等の公知の方法を用いて行うことができる。
【００３１】
保護層は記録層を保護する層であり、例えば、スピンコート法によって紫外線硬化樹脂を用いて形成することができるが、特に限定されない。
【００３２】
記録層の厚さは特に限定されるものではなく、適切な厚さにすることができる。本実施の形態においては、第１の物質層の厚さは概ね１０〜２００ｎｍとすれば良く、第２の物質層の厚さは概ね１０〜３００ｎｍとすれば良い。また、第３の物質層も適切に選択すればよく、０．５〜５ｎｍが好ましい。
【００３３】
（第２の実施の形態）
本実施の形態では、第１の実施の形態において、第２の物質層が、少なくとも２つの金属の間に少なくとも誘電体または半導体を主成分とする物質層を設けた点が異なる。
【００３４】
本実施の形態の第２の物質層は、例えば、同じ種類の金属の２つの層の間に少なくとも誘電体または半導体を主成分とする物質層を設けた構成とすることもできる。
【００３５】
本実施の形態によれば、第２の物質層を従来の単一金属層から少なくとも２つの金属層の間に少なくとも誘電体または半導体を主成分とする物質素を設けることで、第２の物質層内の界面が増加し、これにより界面で誘発される熱流の散乱が増加する。さらに、金属層間に該金属より熱拡散率の小さい物質を設けることにより熱流の散逸が抑制されるなどして、結果的に、光記録部材の光学的反射率の著しい低下を招くこと無く、第２の物質層内の熱拡散の抑制が可能となった。
【００３６】
前記の如く、第２の物質層を従来の単一金属層から、少なくとも２つの金属層の間に少なくとも誘電体または半導体を主成分とする物質層を設けることにより記録感度の向上が可能となった。
【００３７】
第２の物質層には、例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、ＧｅＯ2、ＳｉＮX、ＡｇＯX、ＴｅＯX、Ｃ、ＳｉＡｌＯＮ、ハイドロカーボン等の誘電体が利用でき、また、ＺｎＳ、Ｇｅ、ＧｅＮx、Ｓｉなどの半導体が利用できるが、もちろん、この限りではない。
【００３８】
第２の物質層の中の積層の順序は特に限定されないが、第２の物質層を構成する金属層の中で、同じ膜厚にしたとき記録したデータ等を再生するための光の波長に対する反射率が一番高い金属層が、該再生するための光を入射させる記録部材面に一番近い金属層とすることがより好ましい。
【００３９】
記録層の形成は、スパッタ法、真空蒸着法等の公知の方法を用いて行うことができる。
【００４０】
記録層の厚さは特に限定されるものではなく、適切な厚さにすることができる。
【００４１】
（第３の実施の形態）
本実施の形態は、第１の実施の形態において、第１の物質層が、少なくとも硫黄（Ｓ）、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）原子のうち少なくとも１つの原子を構成成分として含む点が異なる。
【００４２】
本実施の形態の場合、情報等の記録は、記録用のレーザ光を記録層に入射させ、その記録層部分の光学特性を変化させることにより行う。この光学特性の変化は次のように誘発されると思われる。記録用のレーザ光が入射した記録層部分は温度が上昇し、第１の物質層と第２の物質層が酸化還元反応することにより光学特性が変化することが１つの要因であると思われる。この場合、第２の物質層の金属に低融点の金属を用いているためこの金属が融解する場合もあり、反応が固体と固体の反応だけでなく固体と液体の反応になり、反応速度がより向上すると考えられる。この光学特性の変化は、第１の物質からＳ、Ｓｅ、Ｔｅが一部またはすべてが奪われることにより第１の物質が変質すること、第２の物質層がＳ、Ｓｅ、Ｔｅを取り込み一部またはすべてが変質すること、または、第１の物質層と第２の物質層が一部またはすべてが混合または化合することにより変質したりすることが、単独または複数誘発されることに起因すると考えられる。さらに、第２の物質層が融解して孔が形成されることに起因した光学特性の変化も合わせて考えることができる。この様に様々な要因が絡み合って、記録用レーザ光が入射した記録層部分の光学特性の変化が誘発されると思われる。
【００４３】
本実施の形態の第１の物質層の少なくともＳ、Ｓｅ、Ｔｅを構成要素とする物質としては、例えば、ＧｅＳx（１＜ｘ≦２）、Ｙ5Ｓ7、Ｌａ2Ｏ2Ｓ2、Ｃｅ2Ｏ2Ｓ2、ＧｅＳｅｘ（１＜ｘ≦２）、ＳｅＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＰｂＴｅ、ＴｅＩ2等を利用することができるが、もちろん、これらに限定されない。
【００４４】
本実施の形態の第２の物質層は、少なくとも２種類の金属層が積層されたものである。この２種類以上の金属層のうち少なくとも１種類は、融点が３００℃以下の金属を主成分とし、２種類の以上の金属層物質の組合せとしては、例えば、第１の実施の形態で示した部室等が利用できる。インジウム（Ｉｎ）とＳｎＢｉＧｅ合金、ＩｎＳｎ合金とＡｕＧｅ合金、ＡｕＳｎ合金とアルミニウム（Ａｌ）とＳｉＯ2の混合体、銀（Ａｇ）とＩｎ、ＳｎＢｉＧｅ合金とＡｇとＡｇＯXの混合体、ＩｎとＡｌ2Ｏ3の混合体とＡｇ、ＩｎとＡｌ2Ｏ3の混合体とＡｇとＡｇＯXの混合体、ＩｎＳｎ合金とＡｕＳｎ合金、Ｉｎとテルル（Ｔｅ）、ＩｎＳｎ合金と亜鉛（Ｚｎ）などの組合せが利用できるが、もちろん、この限りではない。
【００４５】
第２の物質層において、融点が３００℃以下の金属を主要構成とする金属層と融点が５００℃以下の金属を主要構成とする金属層を積層させると、記録感度向上の点からより好ましい。
【００４６】
また、第１の物質層と第２の物質層との間に、非記録時に、第１の物質層と第２の物質層との反応を抑制し、記録再生特性の劣化を効率よく抑制することができる、第３の物質層を設けることが好ましい。この第３の物質層としては、例えば、ＺｎＳ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉＯ2、ＧｅＯ2、ＳｉＮX（１≦ｘ≦１．５）、ＧｅＮX（１≦ｘ≦１．５）、炭素（Ｃ）、ＳｉＡｌＯＮ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、ハイドロカーボンなどを利用することができる。
【００４７】
従来の第２の物質層として単一の金属層を用いた記憶部材の場合、記録感度を向上させるためには、該金属層の厚さを薄くする必要があった。これは、記録感度の向上させるためには、記録層に入射し吸収された光によって発生する熱の散逸を少なくして、記録層の温度をより速く上昇させより早い反応を誘発する必要があったことによる。そのため、主な熱の散逸媒体である金属層の熱拡散を、その厚さを薄くすることにより抑制する必要があった。しかし、このように単に金属膜を薄くすると、結果的に記憶媒体の反射率が低下し、十分な再生信号強度が取れないという問題があった。
【００４８】
しかし、本実施の形態によれば、第２の物質層を従来の単一金属層から少なくとも複数の金属層の積層とすることで第２の物質層内の界面が増加し、これにより、界面で誘発される熱流の散乱が増加するなどして、結果的に、光記録部材の光学的反射率の著しい低下を招くこと無く、第２の物質層内の熱拡散の抑制が可能となった。
【００４９】
前記の如く、第２の物質層を従来の単一金属層から少なくとも複数の金属層の積層とすることで記録感度の向上が可能となった。
【００５０】
また、第２の物質層を構成する金属層の中で、同じ膜厚にしたときに記録したデータ等を再生するための光の波長に対する反射率が一番高い金属層が、該再生するための光を入射させる記録部材面に一番近い金属層とすることがより好ましい。
【００５１】
記録層の形成は、スパッタ法、真空蒸着法等の公知の方法を用いて行うことができる。
【００５２】
保護層は記録層を保護する層であり、例えば、スピンコート法によって紫外線硬化樹脂を用いて形成することができるが、特に限定されない。
【００５３】
記録層の厚さは特に限定されるものではなく、適切な厚さにすることができる。本実施の形態においては、第１の物質層の厚さは概ね１０〜２００ｎｍとすれば良く、第２の物質層の厚さは概ね１０〜３００ｎｍとすればよい。また第３の物質層も適切に選択すればよく、０．５〜１０ｎｍが好ましい。
【００５４】
（第４の実施の形態）
本実施の形態は、第３の実施の形態において、第２の物質層が、少なくとも２つの金属層の間に少なくとも誘電体または半導体を主成分とする物質層を設けた点が異なる。
【００５５】
本実施の形態の第２の物質層は、例えば、同じ種類の金属の２つの層の間に少なくとも誘電体または半導体を主成分とする物質層を設けた構成とすることもできる。
【００５６】
本実施の形態によれば、第２の物質層を従来の単一金属層から少なくとも２つの金属層の間に少なくとも誘電体または半導体を主成分とする物質層を設けることで、第２の物質層内の界面が増加し、これにより界面で誘発される熱流の散乱が増加する。さらに、金属層間に該金属より熱拡散率の小さい物質を設けることにより熱流の散逸が抑制されるなどして、結果的に、光記録部材の光学的反射率の著しい低下を招くこと無く、第２の物質層内の熱拡散の抑制が可能となった。
【００５７】
前記の如く、第２の物質層を従来の単一金属層から、少なくとも２つの金属層の間に少なくとも誘電体または半導体を主成分とする物質層を設けることにより記録感度の向上が可能となった。
【００５８】
第２の物質層には、例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、ＧｅＯ2、ＳｉＮX、ＡｇＯX、ＴｅＯX、Ｃ、ＳｉＡｌＯＮ、ハイドロカーボン等の誘電体が利用でき、また、ＺｎＳ、Ｇｅ、ＧｅＮx、Ｓｉなどの半導体が利用できるが、もちろん、この限りではない。
【００５９】
第２の物質層の中の積層の順序は特に限定されないが、第２の物質層を構成する金属層の中で、同じ膜厚にしたときに記録したデータ等を再生するための光の波長に対する反射率が一番高い金属層が、該再生するための光を入射させる記録部材面に一番近い金属層とすることがより好ましい。
【００６０】
記録層の形成は、スパッタ法、真空蒸着法等の公知の方法を用いて行うことができる。
【００６１】
記録層の厚さは特に限定されるものではなく、適切な厚さにすることができる。
【００６２】
以上のすべての実施の形態において、記録時に該記録層の光学特性を変化させる外部エネルギーは、特に光に限定されるものではなく、例えば、電磁波等であっても良い。
【００６３】
【実施例】
以下実施例により具体的に説明する。
【００６４】
（実施例１）
（第１の実施態様の例）
光記録媒体は全体として円盤状をなしており、円盤状の基板の片面には少なくとも記録層と保護層とが積層されて形成されている。円盤は、厚さ１．２mmのポリカーボネート製の透明な基板である。記録層等が形成されている面の反対面から、情報等を記録再生するためのレーザ光が基板を透して記録層に入射する。このレーザ光入射面は平面であり、記録層が形成される面には、レーザ光を導くためのスパイラル状または同心円状の内溝が形成されている。
【００６５】
まず、下地層として、この案内溝が形成されている面上に、公知のスバッタ法により、厚さ２ｎｍのＧｅ膜を形成する。
【００６６】
記録層は、この下地層が形成されている面上に、公知のスバッタ法にて形成する。まず、第２の物質層として、厚さ２５ｎｍのＩｎ膜を形成し、さらに、厚さ２０ｎｍのＳｎ−４２．５原子％Ｂｉ−１原子％Ｇｅ（ＳｎＢｉＧｅ合金）膜を形成して、２種類の金属積層を形成する。次いで、その上面に、第３の物質層として、厚さ１ｎｍのＧｅ膜を形成する。最後に、その上面に、第１の物質層として、厚さ２０ｎｍのＷＯ3膜を形成する。これにより記録層を形成した。
【００６７】
保護層は、上記記録層の上面に、紫外線硬化樹脂により形成した。
【００６８】
以上により、光記録媒体を形成した。
【００６９】
表１に記録層の構成を示した。
【００７０】
【表１】
0004366625.tif 000002
【００７１】
この光記録媒体に、基板のレーザ光入射面から、波長７８０ｎｍのレーザ光をＮＡ（開口数）０．５３の対物レンズを通して記録を行った。このとき、線速度を２．８ｍ／sec、記録レーザ波形：デューティー比５０％の矩形波とした。未記録部反射率は６１％であった。
【００７２】
記録周波数４００ｋＨｚの場合、レーザパワーが７ｍＷのとき、Ｃ／Ｎ（carrier to noise ratio）は５２ｄＢ、変調度は７３％、レーザパワーが８ｍＷのとき、Ｃ／Ｎは５５ｄＢ、変調度は８１％であった。また記録周波数２０００ｋＨｚの場合、レーザパワーが９ｍＷのとき、Ｃ／Ｎは４９ｄＢ、変調度は４６％、レーザパワーが０ｍＷのとき、Ｃ／Ｎは５１ｄＢ、変調度は５５％であった。結果を表２に纏めて示した。
【００７３】
【表２】
0004366625.tif 000003
【００７４】
（実施例２）
（第２の実施態様の例）
実施例１と同じ基板を用いた。
【００７５】
まず、下地層として、案内溝が形成されている面上に、公知のスパッタ法にて、厚さ２ｎｍのＧｅ膜を形成する。
【００７６】
記録層は、この下地層が形成されている面上に、公知のスパッタ法にて形成する。まず、第２の物質層として、厚さ２５ｎｍのＩｎ膜を形成し、次いで、厚さ１ｎｍのＺｎＳ−２０mol％ＳｉＯ2（ＺｎＳ−ＳｉＯ2）膜を形成し、さらに、厚さ２０ｎｍのＩｎの膜を形成して、２つの金属層の間に誘電体層を設けた積層体を形成した。次いで、その上面に、第３の物質層として、厚さ１ｎｍのＧｅ膜を形成する。最後に、その上面に、第１の物質層として、厚さ２０ｎｍのＷＯ3膜を形成する。これにより、記録層を形成した。
【００７７】
保護層は、上記規則層の上面に紫外線硬化樹脂により形成した。
【００７８】
以上により、光記録媒体を形成した。
【００７９】
表１に記録層の構成を示した。
【００８０】
この光記録媒体に、実施例１と同じ評価を行った。未記録部反射率は６０％であった。
【００８１】
記録周波数４００ｋＨｚの場合、レーザパワーが７ｍＷのとき、Ｃ／Ｎは５０ｄＢ、変調度は６９％、レーザパワーが８ｍＷのとき、Ｃ／Ｎは５４ｄＢ、変調度：７９％であった。また、記録周波数：２０００ｋＨｚの場合、レーザパワーが９ｍＷのとき、Ｃ／Ｎは４９ｄＷ、変調度は４７％、レーザパワーが１０ｍＷのとき、Ｃ／Ｎは５１ｄＢ、変調度は５７％であった。結果を表２に纏めて示した。
【００８２】
（比較例１）
（第１および第２の実施態様の比較例）
実施例１と同じ基板を用いた。
【００８３】
まず、下地層として、案内溝が形成されている面上に、公知のスパッタ法にて、厚さ２ｎｍのＧｅ膜を形成する。
【００８４】
記録層は、この下地層が形成されている面上に、公知のスパッタ法にて形成する。まず、第２の物質層として、厚さ４０ｎｍのＳｎ−４２．５原子％Ｂｉ−１原子％Ｇｅ（ＳｎＢｉＧｅ合金）膜を形成する。次いで、その上面に、第３の物質層として厚さ１ｎｍのＧｅ膜を形成する。最後に、その上面に第１の物質層として、厚さ２０ｎｍのＷＯ3膜を形成する。最後に、紫外線硬化樹脂製の保護膜を形成して光記録媒体を形成した。これにより、記録層を形成した。
【００８５】
保護層は、上記規則層の上面に紫外線硬化樹脂により形成した。
【００８６】
以上により、第２の物質層が金属層１層の記録層を有する光記録媒体を形成した。表１に記録層の構成を示した。
【００８７】
この光記録媒体に、実施例１と同じ評価を行った。未記録部反射率は６１％であった。
【００８８】
記録周波数４００ｋＨｚの場合、レーザパワーが８ｍＷのとき、Ｃ／Ｎは５０ｄＢ、変調度は７７％、レーザパワーが９ｍＷのとき、Ｃ／Ｎは５３ｄＢ、変調度は８３％であった。また記録周波数２０００ｋＨｚの場合、レーザパワーが１１ｍＷのとき、Ｃ／Ｎは４７ｄＢ、変調度は５４％であった。結果を表２に纏めて示した。
【００８９】
表２に示したように、第２の金属層を比較例１の金属１層から、実施例１の２種類の金属の積層としたこと、または、実施例２の２つの金属層の間に少なくとも誘電体または半導体を主成分とする物質層を設けたことにより、実施例１または実施例２の光記録媒体は低いレーザパワーでも比較例１の光記録媒体よりも高いＣ／Ｎを得ることができるようになった。これは、第２の物質層の金属層を第１の実施例の形態または第２の実施例の形態とすることにより、記録感度が向上したことを示している。
【００９０】
（実施例３）
（第３の実施態様の例）
実施例１と同じ基板を用いた。
【００９１】
記録層は、案内溝が形成されている面上に、公知のスパッタ法にて形成する。まず、第１の物質層として、厚さ１８２ｎｍのＧｅＳx膜を形成する。次いで、その上面に、第３の物質層として、厚さ１ｎｍのＺnＳ−２０mol%ＳｉＯ2(ＺｎＳ−ＳｉＯ2）膜を形成する。最後に、その上面に、第２の物質層として、厚さ２５ｎｍのＩｎ膜を形成し、さらに厚さ２５ｎｍのＳｎ−４２．５原子％Ｂｉ−１原子％Ｇｅ（ＳｎＢｉＧｅ合金）膜を形成して、２種の金属積層層を形成した。これにより、記録層を形成した。
【００９２】
保護層は、上記の記録層の上面に、紫外線硬化樹脂により形成した。
【００９３】
以上により、記録媒体を形成した。
【００９４】
表３に記録層の構成を示した。
【００９５】
【表３】
0004366625.tif 000004
【００９６】
この光記録媒体は、実施例１と同じ評価を行った。未記録部反射率は６０％であった。
【００９７】
記録周波数４００ｋＨｚの場合、レーザパワーが６ｍＷのとき、Ｃ／Ｎは５２ｄＢ、変調度は８９％、レーザパワーが７ｍＷのとき、Ｃ／Ｎは６０ｄＢ、変調度は９３％であった。また記録周波数２０００ｋＨｚの場合、レーザパワーが７ｍＷのとき、Ｃ／Ｎは５０ｄＢ、変調度は４０％、レーザパワーが８ｍＷのとき、Ｃ／Ｎは５３ｄＢ、変調度は６４％であった。結果を表２に纏めて示した。
【００９８】
（実施例４）
（第４の実施態様の例）
実施例１と同じ基板を用いた。
【００９９】
記録層は、案内溝が形成されている面上に、公知のスパッタ法にて形成する。まず、第１の物質層として、厚さ１８２ｎｍのＧｅＳx膜を形成する。次いで、その上面に、第３の物質層として、厚さ１ｎｍのＺnＳ−２０mol%ＳｉＯ2(ＺｎＳ−ＳｉＯ2）膜を形成する。最後に、その上面に第２の物質層として、厚さ２５ｎｍのＩｎの膜を形成し、次いで、厚さ１ｎｍのＺｎＳ−２０mol％ＳｉＯ2（ＺｎＳ−ＳｉＯ2）膜を形成し、さらに、厚さ２０ｎｍのＩｎの膜を形成して、２つの金属層の間に誘電体層を設けた積層体を形成した。これにより、記録層を形成した。
【０１００】
保護膜は、上記記録層の上面に紫外線硬化樹脂により形成した。
【０１０１】
以上により光り媒体を形成した。
【０１０２】
表３に記録層の構成を示した。
【０１０３】
この光記録媒体に、実施例１と同じ評価を行った。未記録部反射率は６０％であった。結果を表２に示した。
【０１０４】
記録周波数４００ｋＨｚの場合、レーザパワーが６ｍＷのとき、Ｃ／Ｎは５９ｄＢ、変調度は９４％、レーザパワーが7ｍＷのとき、Ｃ／Ｎは６０ｄＢ、変調度は９４％であった。また記録周波数２０００ｋＨｚの場合、レーザパワーが７ｍＷのとき、Ｃ／Ｎは５１ｄＢ、変調度は６８％レーザパワーが８ｍWのとき、Ｃ／Ｎは５２ｄＢ、変調度は６８％であった。結果を表２に纏めて示した。
【０１０５】
（実施例５）
（第４の実施態様の例）
実施例１と同じ基板を用いた。
【０１０６】
記録層は、案内溝が形成されている面上に、公知のスパッタ法にて形成する。まず、第１の物質層として、厚さ１８２ｎｍのＧｅＳx膜を形成する。次いで、その上面に、第３の物質層として、厚さ１ｎｍのＧｅＮx膜を形成する。最後に、その上面に第２の物質層として、厚さ２５ｎｍのＩｎ膜を形成し、次いで、厚さ1ｎｍのＧｅＳx膜を形成し、さらに、厚さ２０ｎｍのＳｎ−４２．５−原子％Ｂｉ−１原子％Ｇｅ（ＳｎＢｉＧｅ合金）膜を形成して、２つの金属層の間に半導体層を設けた積層体を形成した。これにより記録層を形成した。
【０１０７】
保護層は、上記記録層の上面に、紫外線硬化樹脂により形成した。
【０１０８】
以上により、光記録媒体を形成した。
【０１０９】
表３に記録層の構成を示した。
【０１１０】
この光記録媒体に、実施例１と同じ評価を行った。未記録部反射率は５９％であった。
【０１１１】
記録周波数４００ｋＨｚの場合、レーザパワーが６ｍＷのとき、Ｃ／Ｎは５０ｄＢ、変調度は６９ｄＢ、レーザパワーが７ｍＷのとき、Ｃ／Ｎは５７ｄＢ、変調度は８９％であった。  また、記録周波数２０００ｋＨｚの場合、レーザパワーが７ｍＷとき、Ｃ／Ｎは４８ｄＢ、変調度は５５１％、レーザパワーが８ｍＷとき、Ｃ／Ｎは５１ｄＢ、変調度は６１％であった。結果を表２に纏めて示した。
【０１１２】
（比較例２）
（第３および第四および第５の実施態様の比較例）
実施例１と同じ基板を用いた。
【０１１３】
記録層は、案内溝が形成されている面上に、公知のスパッタ法にて形成する。
【０１１４】
まず、第１の物質層として厚さ１８２ｎｍのＧｅＳｘ膜を形成する。次いで、その上面に、第３の部室層として、厚さ１ｎｍのＺｎＳ−２０mol％ＳｉＯ2（ＺｎＳ−ＳｉＯ2）膜を形成する。最後に、その上面に、第２の物質層として、厚さ４５ｎｍのＳｎ−４２．５原子％Ｂｉ−１原子Ｇｅ（ＳｎＢｉＧｅ合金）膜を形成した。これにより記録層を形成した。
【０１１５】
保護膜は、上記記録層の上面に、紫外線硬化樹脂により形成した。
【０１１６】
以上により、第２の物質層が金属１層の記録層を有する光記録媒体を形成した。表３に記録層の構成を示した。
【０１１７】
この光記録媒体に、実施例１と同じ評価を行った。未記録部反射率は６３％であった。
【０１１８】
記録周波数：４００ｋＨｚの場合、レーザパワーが８ｍＷのとき、Ｃ／Ｎは５２ｄＢ、変調度は８１％、レーザパワーが９ｍＷのとき、Ｃ／Ｎは５７ｄＢ、変調度は９４％であった。また、記録周波数２０００ｋＨｚの場合、レーザパワーが１０ｍＷのとき、Ｃ／Ｎは４８ｄＷ、変調度は４１％、レーザパワーが１１ｍＷのとき、Ｃ／Ｎは５１ｄＢ、変調度は５６％であった。結果を表２に纏めて示した。
【０１１９】
表２に示したように、第２の物質層を比較例２の金属１層から、実施例３の２種類の金属の積層としたこと、または、実施例４または実施例５の２つの金属層の間に少なくとも誘電体または半導体を主成分とする物質層を設けたことにより、実施例３または実施例４または実施例５の光記録媒体は低いレーザパワー出も比較例２の光記録媒体よりも高いＣ／Ｎを得ることができるようになった。これは、第２の物質層の金属層を第３の実施例の形態または第４の実施例の形態とすることにより、記録感度が向上したことを示している。
【０１２０】
【発明の効果】
本発明によれば、第２の物質層を少なくとも複数の金属層の積層としたり、少なくとも２つの金属層の間に少なくとも誘電体または半導体を主成分とする物質層を設けることで、第２の物質層内の界面が増加し、これにより、界面で誘発される熱流の散乱が増加したり、さらには、金属層間に該金属より熱拡散率の小さな物質を設けることにより熱流の散逸が抑制されるなどして、結果的に、光記録部材の光学的反射率が著しい低下を招くことなく、第２の物質層内の熱拡散の抑制が可能となった。
【０１２１】
これにより、格段に記録感度が向上した記憶部材を得ることが可能となった。