(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
0004288729.tif 000076
（式中、Ｒ1は水素原子または炭素数１〜１５のアルキル基を表し、このアルキル基中の相隣接しない１個以上のメチレン基は酸素原子、硫黄原子、または−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていてもよく、またこのアルキル基中の任意の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく；Ａ1、Ａ2およびＡ3はそれぞれ独立して、環を構成する１個以上のメチレン基が酸素原子または硫黄原子で置換されていてもよいトランス−１，４−シクロヘキシレン基、または環上の１個以上の水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基を表し；Ｚ1、Ｚ2およびＺ3はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ2ＣＨ2−、−（ＣＨ2）4−、−ＣＨ2Ｏ−または−ＯＣＨ2−を表し；ｌ、ｍおよびｎはそれぞれ独立して０または１を表し；Ｘは水素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す）で表されるベンゼン誘導体に塩基を作用させ、得られるカルボアニオンに一般式（２）（式中、Ｙ1およびＹ2はそれぞれ独立してフッ素原子以外のハロゲン原子を表す）で表されるジフルオロメタン誘導体を作用させることを特徴とする、一般式（３）
（式中、Ｒ1、Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、ｌ、ｍ、ｎ、およびＹ1は上記と同一の意味を表す）で表されるベンゼン誘導体の製造方法。
【請求項２】
一般式（２）において、Ｙ1およびＹ2が共に臭素原子である化合物を用いることを特徴とする請求項１に記載のベンゼン誘導体の製造方法。
【請求項３】
塩基としてアルキルリチウムを用いることを特徴とする請求項２に記載のベンゼン誘導体の製造方法。
【請求項４】
塩基としてｎ−ブチルリチウムを用いることを特徴とする請求項３に記載のベンゼン誘導体の製造方法。
【請求項５】
一般式（４）
【化２】
0004288729.tif 000077
（式中、Ｒ1、Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、ｌ、ｍおよびｎは上記と同一の意味を表し；Ｙ3は臭素原子またはヨウ素原子を表す）で表されるベンゼン誘導体。
【請求項６】
一般式（４）で表される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする２成分以上よりなる液晶組成物。
【請求項７】
一般式（３）（式中、Ｒ1、Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、Ｙ1、ｌ、ｍおよびｎは上記と同一の意味を表す）で表されるベンゼン誘導体に、塩基の存在下、一般式（５）
【化３】
0004288729.tif 000078
（式中、Ｒ2はハロゲン原子、シアノ基、または炭素数１〜１５のアルキル基を表し、このアルキル基中の相隣接しない１個以上のメチレン基は酸素原子、硫黄原子、または−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていてもよく、またこのアルキル基中の１個以上の水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよい；Ａ4は環上の１個以上の水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基を表し；Ｚ4は単結合、−ＣＨ2ＣＨ2−、−（ＣＨ2）4−、−ＣＨ2Ｏ−または−ＯＣＨ2−を表し；Ｌ1およびＬ2はそれぞれ独立して水素原子またはハロゲン原子を表し；ｏは０または１である）で表されるフェノール誘導体を作用させることを特徴とする、一般式（６）
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ａ4、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、Ｚ4、Ｌ1、Ｌ2、ｌ、ｍ、ｎおよびｏは上記と同一の意味を表す）で表されるジフルオロベンジルエーテル誘導体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶材料として有用なベンゼン誘導体およびその簡便かつ効率的な製造方法に関し、さらに、該ベンゼン誘導体を中間体とする、液晶材料として好適な諸物性を発現するジフルオロベンジルエーテル誘導体の簡便かつ効率的な製造方法を提供することに関する。
【０００２】
【背景技術】
近年、コントラスト、表示容量、応答時間等の表示性能の良いアクティブマトリックス駆動方式、中でも薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）方式の液晶表示装置がテレビジョン、ビューファインダー、パーソナルコンピューター等の表示装置として盛んに使用されている。また、アクティブマトリックス方式の表示装置と比較して、大きな表示容量を持ちながら構造が比較的簡単で安価に製造できるＳＴＮ方式の表示装置もパーソナルコンピューター等の表示装置として多く採用されている。
これら分野における近年の開発傾向は、液晶表示装置の小型化、携帯化、低消費電力化および高速応答化を中心に推進され、液晶材料としては駆動電圧（すなわちしきい値電圧）が低く、粘度が低い液晶性化合物ならびに液晶組成物が要求されてきた。
【０００３】
しきい値電圧（Ｖth）は、以下の式にて表されるように誘電率異方性値（△ε）の関数である（Mol.Cryst.Liq.Cryst.,12,57(1970)）。
Ｖth＝π（Ｋ／ε0Δε）1/2
（式中、Ｋは弾性定数、ε0は真空の誘電率である。）
式から判るように、Ｖthを小さくするには△εを大きくするか、またはＫを小さくするかの２通りの手法が考えられる。しかし、既存の技術ではＫのコントロールは困難であることから、△εの大きな液晶材料を使用して要求に対処しているのが現状であり、このような目的で△εの大きな液晶性化合物の開発が活発に行われてきた。
また、粘度は液晶分子の電場に対する応答速度を支配する要素であり、高速応答性を示す液晶組成物を調製するには粘性の低い液晶性化合物を多量に使用することが好ましい。
ＴＦＴ方式の液晶表示装置に使用する低電圧駆動用の液晶材料として開発された化合物の代表として下記の化合物（７）および（８）（特開平２−２３３６２６号）を示すことができる。
【０００４】
【化４】
0004288729.tif 000002
【０００５】
化合物（７）および化合物（８）はいずれも分子の末端に３，４，５−トリフルオロフェニル基を有し、低電圧駆動用の液晶材料として期待されるものである。しかし、駆動電圧の更なる低下の要求に対しては、化合物（７）（△ε＝１０）では誘電率異方性値が小さく、その達成が困難であり、一方化合物（８）（△ε＝１５）ではその大きな誘電率異方性値から低電圧駆動は可能なものの、分子中央にエステル基が存在するので粘度が高く、高速応答が困難である。
以上のように低消費電力化および高速応答化の要求を満足する化合物は未だ知られていない。
エステル基と同様に化合物の△εを増大させる結合基としてジフルオロメチレンオキシ基を有する化合物が知られている。
【０００６】
【化５】
0004288729.tif 000003
【０００７】
化合物（９）（ＤＥ−１９５３１１６５Ａ１）および化合物（１０）（ＷＯ９６／１１８９７）はいずれも結合基としてジフルオロメチレンオキシ基を有する液晶性化合物であり、２件の明細書中にはこれらの化合物が大きな△εを示すと共に比較的低粘性であり、低電圧駆動でかつ高速応答を可能とする液晶組成物の構成成分として有用であることが開示されている。
これらジフルオロベンジルエーテル誘導体の製造方法としては特許公報（ＤＥ−１９５３１１６５Ａ１、特開平５−２５５１６５号）に下記の製造方法が開示されている。
【０００８】
【化６】
0004288729.tif 000004
【０００９】
（式中Ｘ’はフッ素または塩素原子を表し；Ｌ3およびＬ4はそれぞれ独立して水素原子またはフッ素原子を表し；Halはハロゲン原子を表し；Ｒ’はアルキル基を表す）
【００１０】
【化７】
（式２）
0004288729.tif 000005
【００１１】
（式中 Phはフェニル基を表す）
Scheme 3 に示した製造ルートは、中間体（Ａ）とフェノール誘導体とのエーテル化反応の後、アルキル化反応を実施するという、工程数の多いルートであることから、副生成物の生成が予想される。
Scheme 3  に示した方法で原料として使用する化合物（Ａ）は、A.Haas等がその製造方法（Scheme 5 ）を報告している（Chem. Ber., 121, 1329-1340(1988)）。
【００１２】
【化８】
0004288729.tif 000006
【００１３】
（式中Ｙ’は水素原子、塩素原子、ニトロ基、トリフルオロメチル基、ｔ−ブチル基を表す）
Scheme 5 の製造ルートは、ベンズアルデヒド誘導体（ａ）のカルボニル基をを四フッ化硫黄でフッ素化した後、光反応にて臭素化する方法である。フッ素化に用いる四フッ化硫黄は極めて反応性に富む気体であり、毒性が強いことから、その使用には特殊な反応設備が必要である。また、ベンジル位の臭素化を光反応（ラジカル反応）で行うので、置換基Ｙ’が直鎖状のアルキル基あるいは１，４−シクロヘキシレン基である場合には、置換基Ｙ’上のベンジル位が臭素化された副生成物が生成することが予想される。
また、Scheme 4 に示した製造ルートも、その中間体として使用するチオン−Ｏ−エステル誘導体自身も長い製造工程を必要とする上、さらにチオカルボニル基のフッ素化を必要とする等、簡便な方法とは言えない。
以上のように液晶材料として有用なジフルオロベンジルエーテル誘導体の製造方法ならびにその製造中間体として重要なベンゼン誘導体の簡便かつ効率的な製造方法は未だ知られておらず、今後液晶材料としてのジフルオロベンジルエーテル誘導体の開発と共にその簡便な製造方法への要求は高まるものと予想される。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、液晶材料として有用なジフルオロベンジルエーテル誘導体およびその簡便かつ効率的な製造方法を提供し、また、このジフルオロベンジルエーテル誘導体の原料でありそれ自身も液晶材料として好適な諸物性を発現し、医薬、農薬等の製造原料としても有用なベンゼン誘導体およびその簡便かつ効率的な製造方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは前述した問題を解決すべく鋭意検討した結果、３，５−ジフルオロベンゼン誘導体に塩基を作用させて生じるカルボアニオンにジフルオロメタン誘導体を作用させることにより、ベンゼン環上の４位に容易にジフルオロハロメチル基を導入できることを見出した。
また、この反応で得られるベンゼン誘導体の物性を検討した結果、本化合物が電気光学材料として有用な特性、すなわち無色であり、電気光学用途に対して非常に好ましい温度範囲で液晶相を形成し、比較的低い粘度および中程度の正の誘電率異方性を有し、液晶組成物の成分として適した挙動を示すことを見出した。
さらに、このベンゼン誘導体に、通常のエーテル化の条件下において、フェノール誘導体を作用させることでジフルオロベンジルエーテル誘導体が高収率で得られることを見出し本発明を完成させるに至った。
すなわち本発明は、
（１） 一般式（１）
【００１６】
【化９】
0004288729.tif 000007
【００１７】
（式中、Ｒ1は水素原子または炭素数１〜１５のアルキル基を表し、このアルキル基中の相隣接しない１個以上のメチレン基は酸素原子、硫黄原子、または−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていてもよく、またこのアルキル基中の任意の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく；Ａ1、Ａ2およびＡ3はそれぞれ独立して、環を構成する１個以上のメチレン基が酸素原子または硫黄原子で置換されていてもよいトランス−１，４−シクロヘキシレン基、または環上の１個以上の水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基を表し；Ｚ1、Ｚ2およびＺ3はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ2ＣＨ2−、−（ＣＨ2）4−、−ＣＨ2Ｏ−または−ＯＣＨ2−を表し；ｌ、ｍおよびｎはそれぞれ独立して０または１を表し；Ｘは水素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す）で表されるベンゼン誘導体に塩基を作用させ、得られるカルボアニオンに一般式（２）（式中、Ｙ1およびＹ2はそれぞれ独立してフッ素原子以外のハロゲン原子を表す）で表されるジフルオロメタン誘導体を作用させることを特徴とする、一般式（３）
（式中、Ｒ1、Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、ｌ、ｍ、ｎ、およびＹ1は上記と同一の意味を表す）で表されるベンゼン誘導体の製造方法（Scheme 1）。
【００１８】
（２）一般式（２）においてＹ1およびＹ2が共に臭素原子である化合物を用いた１項に記載の製造方法。
（３）塩基としてアルキルリチウムを用いる２項に記載の製造方法。
（４）塩基としてｎ−ブチルリチウムを用いる３項に記載の製造方法。
（５）一般式（４）
【００１９】
【化１０】
0004288729.tif 000008
【００２０】
（式中、Ｒ1、Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、ｌ、ｍおよびｎは上記と同一の意味を表し；Ｙ3は臭素原子またはヨウ素原子を表す）で表されるベンゼン誘導体。
（６）一般式（４）で表される化合物を少なくとも１種類含有することを特徴とする２成分以上よりなる液晶組成物。
（７）一般式（３）（式中、Ｒ1、Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、Ｙ1、ｌ、ｍおよびｎは上記と同一の意味を表す）で表されるベンゼン誘導体に、塩基の存在下、一般式（５）
【００２１】
【化１１】
0004288729.tif 000009
【００２２】
（式中、Ｒ2はハロゲン原子、シアノ基、または炭素数１〜１５のアルキル基を表し、このアルキル基中の相隣接しない１個以上のメチレン基は酸素原子、硫黄原子、または−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていてもよく、またこのアルキル基中の１個以上の水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよく；Ａ4は環上の１個以上の水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基を表し；Ｚ4は単結合、−ＣＨ2ＣＨ2−、−（ＣＨ2）4−、−ＣＨ2Ｏ−または−ＯＣＨ2−を表し；Ｌ1、およびＬ2はそれぞれ独立して水素原子またはハロゲン原子を表し、ｏは０または１である）で表されるフェノール誘導体を作用させることを特徴とする、一般式（６）（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ａ4、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、Ｚ4、Ｌ1、Ｌ2、ｌ、ｍ、ｎおよびｏは上記と同一の意味を表す）で表されるジフルオロベンジルエーテル誘導体の製造方法（Scheme 2）。
【００２３】
【発明の実施の形態】
原料として一般式（１）で表されるベンゼン誘導体を用い、Scheme 1 に示した方法で好適に製造できる一般式（３）で表されるベンゼン誘導体として、具体的には下記の一般式群（３−１）〜（３−４）で表される化合物を例示できる。
【００２４】
【化１２】
0004288729.tif 000010
【００２５】
（式中、Ｒ1、Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、およびＹ1は上記と同一の意味を表す）
原料としてベンゼン誘導体（３）を用い Scheme 2に示した方法で好適に製造できる一般式（６）で表されるジフルオロベンジルエーテル誘導体として、具体的には次の一般式群（６−１）〜（６−５）で表される化合物を例示できる。
【００２６】
【化１３】
0004288729.tif 000011
【００２７】
（式中、Ｒ1、Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ａ4、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、Ｚ4、Ｌ1、Ｌ2、およびＲ2は上記と同一の意味を表す）
ベンゼン誘導体（３）において、Ｒ1は水素原子、または炭素数１〜１５のアルキル基を表し、このアルキル基中の相隣接しない１個以上のメチレン基は酸素原子、硫黄原子、または−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていてもよく、またこのアルキル基中の任意の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく；Ａ1、Ａ2およびＡ3はそれぞれ独立して、環を構成する１以上のメチレン基が酸素原子または硫黄原子で置換されていてもよいトランス−１，４−シクロヘキシレン基、または環上の１個以上の水素原子がフッ素原子で置換されていても良い１，４−フェニレン基を表し；Ｚ1、Ｚ2およびＺ3はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ2ＣＨ2−、−（ＣＨ2）4−、−ＣＨ2Ｏ−または−ＯＣＨ2−を表し；ｌ、ｍおよびｎはそれぞれ独立して０または１を表し、Ｙ1は塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す。
【００２８】
Ｒ1の具体例として、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルキル基、アルキルチオ基、アルキルチオアルキル基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アルケニルチオ基を示すことができる。
より具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、プロポキシエチル基、メトキシプロピル基、エトキシプロピル基、プロポキシプロピル基、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、メチルチオメチル基、エチルチオメチル基、プロピルチオメチル基、ブチルチオメチル基、メチルチオエチル基、エチルチオエチル基、プロピルチオエチル基、メチルチオプロピル基、エチルチオプロピル基、プロピルチオプロピル基、ビニル基、１−プロペニル基、１−ブテニル基、１−ペンテニル基、３−ブテニル基、３−ペンテニル基、アリルオキシ基、アリルチオ基等を示すことができる。
一般式（３）におけるＡ1、Ａ2およびＡ3の具体例として、下記の式（ｒ−１）〜（ｒ−１６）で表される基を示すことができる。
【００２９】
【化１４】
0004288729.tif 000012
【００３０】
ジフルオロベンジルエーテル誘導体（６）において、Ｒ1、Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、ｌ、ｍ、およびｎは上記と同一の意味を表し、Ｒ2はハロゲン原子、シアノ基、または炭素数１〜１５までのアルキル基を表し、このアルキル基中の相隣接しない１個以上のメチレン基は酸素原子、硫黄原子、または−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていてもよく、またこのアルキル基中の１個以上の水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよく；Ａ4は環上の１個以上の水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン基を表し；Ｚ4は単結合、−ＣＨ2ＣＨ2−、−（ＣＨ2）4−、−ＣＨ2Ｏ−または−ＯＣＨ2−をを表し；Ｌ1およびＬ2はそれぞれ独立して、水素原子またはハロゲン原子を表し；ｏは０または１を表す。
【００３１】
Ｒ2の具体例として、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルコキシアルキル基、アルキルチオアルキル基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アルケニルチオ基、ハロゲン置換アルキル基、ハロゲン化アルコキシ基、ハロゲン置換アルコキシアルキル基、ハロゲン置換アルケニル基を示すことができる。
より具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、メトキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、プロポキシエチル基、メトキシプロピル基、エトキシプロピル基、プロポキシプロピル基、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、メチルチオメチル基、エチルチオメチル基、プロピルチオメチル基、ブチルチオメチル基、メチルチオエチル基、エチルチオエチル基、プロピルチオエチル基、メチルチオプロピル基、エチルチオプロピル基、プロピルチオプロピル基、ビニル基、１−プロペニル基、１−ブテニル基、１−ペンテニル基、３−ブテニル基、３−ペンテニル基、アリルオキシ基、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、ジフルオロクロロメチル基、２、２、２−トリフルオロエチル基、２−フルオロエチル基、３−フルオロプロピル基、４−フルオロブチル基、５−フルオロペンチル基、３−クロロプロピル基、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、ジフルオロクロロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、１，１，２，２−テトラフルオロエトキシ基、ヘプタフルオロプロポキシ基、１，１，２，３，３，３−ヘキサフルオロプロポキシ基、トリフルオロメトキシメチル基、２−フルオロエテニル基、２，２−ジフルオロエテニル基、１，２，２−トリフルオロエテニル基、３−フルオロ−１−ブテニル基、４−フルオロ−１−ブテニル基を示すことができる。
Ａ4の具体例として、上記の式（ｒ−１０）〜（ｒ−１６）で表される基を示すことができる。
【００３２】
本発明のベンゼン誘導体（３）の製造法で原料として使用するベンゼン誘導体（１）は、以下に示す方法にて容易に製造できる。
一般式（１）においてｎ＝１であり、Ａ3がトランス−１，４−シクロヘキシレン基、Ｚ3が単結合、Ｘが水素原子である化合物（１−１）は、以下の方法で容易に製造できる。すなわち、３，５−ジフルオロブロモベンゼンから調製したGrignard試薬（１４）をシクロヘキサノン誘導体（１３）に作用させてアルコール体（１５）とした後、塩酸、硫酸等の鉱酸、ｐ−トルエンスルホン酸等の有機酸あるいは非水系の酸性イオン交換樹脂等を作用させて脱水し、パラジウム炭素、ラネーニッケル等水素還元用触媒の存在下、接触水素添加反応を実施することで製造できる。
【００３３】
【化１５】
0004288729.tif 000013
【００３４】
（式中、Ｒ1、Ａ1、Ａ2、Ｚ1、Ｚ2、ｌおよびｍは上記と同一の意味を表す。）
一般式（１）においてｎ＝１であり、Ａ3がフッ素原子が置換していても良い１，４−フェニレン基、Ｚ3が単結合、Ｘが水素原子である化合物（１−２）は、以下の方法で容易に製造できる。すなわち、鈴木章等の文献（有機合成化学協会誌、第４６巻第９号、８４８（１９８８））記載の方法に従い、前記Grignard試薬（１４）にほう酸トリアルキルを作用させ、次いでその加水分解により調製できるボロン酸誘導体（１７）を、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（０）等の触媒の存在下、ハロゲン置換ベンゼン誘導体（１６）に作用させることで製造できる。
【００３５】
【化１６】
0004288729.tif 000014
【００３６】
（式中、Ｒ1、Ａ1、Ａ2、Ｚ1、Ｚ2、ｌおよびｍは上記と同一の意味を表し、Ｌ5、Ｌ6およびＬ7はそれぞれ独立して水素原子またはフッ素原子を表す。）
一般式（１）において、ｎ＝１であり、Ｚ3が−ＣＨ2ＣＨ2−、Ｘが水素原子である化合物（１−３）は、以下の方法で容易に製造できる。すなわち、アセトアルデヒド誘導体（１８）にGrignard試薬（１４）を作用させ、生成するアルコール体（１９）を、酸触媒の存在下で脱水し、次いで接触水素添加することで製造できる。
【００３７】
【化１７】
0004288729.tif 000015
【００３８】
（式中、Ｒ1、Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ｚ1、Ｚ2、ｌおよびｍは上記と同一の意味を表す。）
一般式（１）において、ｍ＝１であり、Ｚ2が−ＣＨ２Ｏ−、Ｘが水素原子である化合物（１−４）は、以下の方法で容易に製造できる。すなわち、対応するアルコール体を臭素化して（O.Kamm et al., Org. Synth., I, 25(1941), J.G.Calzada ey al., Org. Synth., 54, 63(1974)）得られるアルキルブロミド（２０）に、ＤＭＦ等の非プロトン性極性溶媒中、アルカリ金属水酸化物あるいはアルカリ金属水素化物等の塩基の存在下、アルコールあるいはフェノール誘導体（２１）を作用させることでエーテル結合を有する化合物（１−４）が製造できる。
【００３９】
【化１８】
0004288729.tif 000016
【００４０】
（上記一般式においてＲ1、Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ｚ1、Ｚ3、ｌおよびｎは上記と同一の意味を表す。）
一般式（１）において、Ｚ1、Ｚ2あるいはＺ3の位置に−ＣＨ＝ＣＨ−または−（ＣＨ2）4−を導入した化合物は、米国特許ＵＳＰ５，４６８，４２１号および米国特許ＵＳＰ５，６４１，４３２号記載の方法に準じて製造できる。
【００４１】
本発明のベンゼン誘導体（３）の製造法で使用する塩基としては、３，５−ジフルオロベンゼン誘導体（１）のベンゼン環の４位にカルボアニオンを発生させられるものであれば何れでも使用が可能であり、例えばアルカリ金属、アルカリ金属の水素化物、アルキルリチウム、アルカリ金属アルコラートが例示できる。中でも入手が容易で、安全に取り扱いができ、３，５−ジフルオロベンゼン環上の４位に高選択的にカルボアニオンを発生させられる、アルキルリチウムが好ましく、特にｎ−ブチルリチウムが好適である。
また、この反応において塩基の使用量は、一般式（１）においてＸが水素原子である化合物の場合、化合物（１）の0.9〜1.5等量が好ましく、さらに高い選択性を保持しながら転化率を向上させる目的にて1.1〜1.3等量が特に好ましい。
一般式（１）において、Ｘが塩素原子、臭素原子、またはヨウ素原子である化合物の場合、塩基の使用量は化合物（１）の1.8〜2.5等量が好ましく、特に2.1〜2.3等量が好ましい。
【００４２】
本発明のベンゼン誘導体（３）の製造法において使用するジフルオロメタン誘導体（２）は、Ｙ1およびＹ2がフッ素原子以外のいずれのハロゲン原子であるものも使用できる。
ジフルオロメタン誘導体（２）のなかで、ジブロモジフルオロメタン（Ｙ1＝Ｙ2＝Ｂｒ）およびブロモクロロジフルオロメタン（Ｙ1＝Ｃｌ、Ｙ2＝Ｂｒ）はHaszeldine R.N.等の報告（J. Chem. Soc., 1952, 4259）に記載の方法で製造が可能であり、またジクロロジフルオロメタン（Ｙ1＝Ｙ2＝Ｃｌ）はHanne, A.L.等の報告（Org. React., 1944, 2, 64）に記載の方法で製造できる。
尚、複数の試薬メーカーから市販されており、室温付近に沸点（ｂｐ．２５℃）を有し、取り扱いが容易なジブロモジフルオロメタン（Ｙ1＝Ｙ2＝Ｂｒ）が好適である。また、その使用量は、化合物（１）に対し1.5〜2.3等量が好ましいが、副生物である３、５−ジフルオロ−４−ハロベンゼン誘導体の生成を抑制し、且つ反応の転化率を向上させるには1.8〜2.1等量が好ましい。
【００４３】
本発明のベンゼン誘導体（３）の製造法で用いる反応溶媒としては、反応に不活性なものであれば何でも使用でき、ベンゼン、トルエン等の芳香族化合物、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素、シクロヘキサン等の脂環式炭化水素、ジエチルエーテル、メチル−ｔ−ブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等の脂肪族エーテル化合物、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル化合物がれいじできる。中でも、脂肪族エーテル化合物および環状エーテル化合物は一般式（１）で表される化合物に対する溶解度が大きいので好適である。またその使用量は、一般式（１）で表される化合物に対して、重量で、５〜２０倍量が好ましい。
本発明のベンゼン誘導体（３）の製造法における反応温度は、３、５−ジフルオロベンゼン誘導体（１）の４位に高選択的にジフルオロハロメチル基を導入するには、塩基を作用させる反応において−４０℃以下が好ましく、さらに好ましくは−７４〜−６０℃が好適である。またカルボアニオンにジフルオロジハロメタンを作用させる反応においては副生成物である３、５−ジフルオロ−４−ハロベンゼンの生成を抑制する目的にて−３０℃以下が好ましく、さらに好ましくは−７４〜−６０℃が好適である。
【００４４】
本発明のベンゼン誘導体（３）の製造法における反応時間は、塩基を作用させる反応段階においては反応を完全に進行させる目的にて塩基添加後０．５〜４時間放置し熟成させることが好ましく、またジフルオロメタン誘導体を作用させる反応においても同様にジフルオロメタン誘導体添加後、０．５〜４時間熟成させることが好ましく、反応全体としては１時間ないし８時間が好ましい。
なお、本発明のベンゼン誘導体（３）の製造法（Scheme1）においては、３，５−ジフルオロ−４−ハロベンゼン誘導体（１１）等の副生成物が若干（３５重量％以下）生成する。
【００４５】
【化１９】
0004288729.tif 000017
【００４６】
（式中、Ｒ1、Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、ｌ、ｍ、およびｎは上記と同一の意味を表し、Ｘ”は塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す。）
本発明のベンゼン誘導体（３）の製造において、反応液から目的物を分離・精製する方法は、通常の有機合成で使用されている手法による。すなわち、反応液に水および抽出用の有機溶媒を加えてよく撹拌し、分取した有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウム等の乾燥剤で乾燥した後、減圧下有機溶媒を除去することで、濃縮残査として純度６０％以上の目的物を得ることができる。この濃縮残査をシリカゲルクロマトグラフィー処理あるいは蒸留することにより、純度８０％以上の目的物が得られ、さらに再結晶により純度９５％以上の目的物が得られる。
なお、以下に述べる本発明のジフルオロベンジルエーテル誘導体（６）の製造法においては、上記ベンゼン誘導体（３）の製造において得られる反応液を精製することなく、純度６０％程度の濃縮残査をそのまま使用することができる。
本発明のジフルオロベンジルエーテル誘導体（６）の製造で使用するフェノール誘導体（５）は、R.L.Kidwell等の方法（Org. Synth., V, 918(1973)）に従い、ブロモベンゼン誘導体（２２）から調製したGrignard試薬にホウ酸トリアルキルを作用させてボロン酸エステル誘導体を調製し、これを過酢酸等の過酸化物で酸化することにより製造することができる。
【００４７】
【化２０】
0004288729.tif 000018
【００４８】
（式中、Ｒ2、Ａ4、Ｚ4、Ｌ1、Ｌ2およびｏは上記と同一の意味を表し、Ｒ3はアルキル基を表す。）
また、このフェノール誘導体（５）は以下に示す既知の方法によっても製造することができる。
１）ハロゲン置換誘導体の触媒存在下における加水分解による方法（特開昭62-11716号）。
２）アシル、ケトン誘導体のBaeyer Villiger酸化による方法（J. Fluorine Chem., (1994), 67,(1), 41）。
３）ジアゾニウム塩の加水分解による方法（特開平3-246244号）。
４）フェノール誘導体へのフッ素置換による方法（特開昭62-207229号、特開平2-34335号）。
一般式（５）においてＲ2がハロゲン置換アルコキシ基である化合物は、ＤＥ−１９５３１１６５Ａ１に記載の方法に準じて製造することができる。
【００４９】
本発明のジフルオロベンジルエーテル誘導体（６）の製造法で使用する塩基としては、アルカリ金属、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属水素化物、アルカリ金属アルコラート等が使用できるが、取り扱いが容易な水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等のアルカリ金属水酸化物、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム等のアルカリ金属炭酸塩が好ましい。また水素化ナトリウム等のアルカリ金属水素化物も安全に取り扱いの出来る油性のものが市販されており、好適に使用できる。
また、この化反応において塩基の使用量は、使用する塩基によって異なるが、ベンゼン誘導体（３）に対して１〜２等量使用することが好ましい。塩基としてアルカリ金属水酸化物またはアルカリ金属水素化物を使用する場合には１．１〜１．３等量が好ましく、アルカリ金属の炭酸塩を使用する場合には１．５〜２等量の使用が好ましい。また、このエーテル化反応においては触媒量のヨウ化カリウムの存在により反応が加速されるので、ベンゼン誘導体（３）に対して０．０３〜０．１等量のヨウ化カリウムを添加することが好ましい。
このエ−テル化反応においては、ベンゼン誘導体（３）に対して等量以上のフェノール誘導体（５）を使用すれば、問題なくジフルオロベンジルエーテル誘導体（６）が得られるが、反応液から目的物の分離・精製を容易にする目的で、１．１〜１．２等量が好適である。
【００５０】
本発明のジフルオロベンジルエーテル誘導体（６）の製造法で使用する溶媒としては、反応に不活性なものであれば何れも使用できるが、ベンゼン、トルエン等の芳香族化合物、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素、シクロヘキサン等の脂環式炭化水素、メチル−ｔ−ブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等の脂肪族エーテル化合物、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル化合物、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ヘキサメチルホスホリックトリアミド（ＨＭＰＡ）、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン等非プロトン性極性溶媒がいずれもを使用できる。なかでも、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）が好適である。
また、この反応における反応溶媒の使用量は、反応液の撹拌が良好に行え、反応が安全にかつ安定に実施できる量であれば支障がないが、具体的にはベンゼン誘導体（３）に対して重量で３〜１０倍量が好適である。
【００５１】
本発明のジフルオロベンジルエーテル誘導体（６）の製造法の反応温度は、ベンゼン誘導体（３）の構造にもよるが、室温から溶媒の沸点までの間とすることができるが、６０〜１３０℃が好適である。この反応における反応時間は、ベンゼン誘導体（３）の構造と量、使用する塩基の種類にもよるが、１〜４時間が好ましい。具体的には、塩基としてアルカリ金属水酸化物あるいはアルカリ金属の炭酸塩を使用する場合は、ベンゼン誘導体（３）、フェノール誘導体（５）、塩基および溶媒を混合し、前記反応温度で１〜３時間反応させることが好ましく、塩基としてアルカリ金属水素化物を使用する場合は、フェノール誘導体（５）と塩基とを上記溶媒中室温〜６０℃の温度にて０．５〜１時間反応させた後、ベンゼン誘導体（３）を添加し６０〜１３０℃にてさらに１〜３時間反応させることが好ましい。
【００５２】
本発明のジフルオロベンジルエーテル誘導体（６）の製造法において反応液から目的物を分離・精製する方法は、通常の有機合成で使用される手法による。すなわち、反応液に水および抽出用の有機溶媒を加えてよく撹拌し、分取した有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウム等の乾燥剤で乾燥した後、減圧下有機溶媒を除去することで、濃縮残査として純度９０％以上の目的物を得ることができる。この濃縮残査をシリカゲルクロマトグラフィー処理あるいは蒸留することにより、純度９５％以上の目的物が得られ、さらに再結晶により純度９９％以上の目的物が得られる。
本発明のジフルオロベンジルエーテル誘導体（６）の製造法においては、Scheme 1 で得られたベンゼン誘導体（３）を精製することなく、３，５−ジフルオロ−４−ハロベンゼン誘導体（１１）との混合物のままでしようすることが可能である。この場合、ジフルオロハロメチル基を有するベンゼン誘導体（３）のみが反応し、目的とするジフルオロベンジルエーテル誘導体（６）と３，５−ジフルオロ−４−ハロベンゼン誘導体（１１）との混合物が得られる。両者は再結晶、シリカゲルカラムクロマトグラフィーあるいは蒸留等既知の分離方法を用いて容易に分離可能であり、純度８０〜９５％以上の目的物を得ることができる。さらに、再結晶により純度９９％以上の目的物を得ることができる。
また、ジフルオロベンジルエーテル誘導体（６）と３，５−ジフルオロ−４−ハロベンゼン誘導体（１１）との混合物は、パラジウム−炭素等の触媒存在下に接触水素化反応に付すことにより、３，５−ジフルオロ−４−ハロベンゼン誘導体（１１）のみを化合物（１’）に還元することができる。
【００５３】
【化２１】
0004288729.tif 000019
【００５４】
（式中、Ｒ1、Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、ｌ、ｍ、およびｎは上記と同一の意味を表す。）
また、ジフルオロベンジルエーテル誘導体（６）と化合物（１’）との混合物は再結晶、シリカゲルカラムクロマトグラフィーあるいは蒸留等既知の分離方法を用いて容易に分離可能であり、純度８０〜９５％以上の目的物を得ることができ、さらに再結晶により純度９９％以上の目的物を得ることができる。なお、回収された化合物（１’）は一般式（１）で表される化合物と同様に、Scheme 1 の反応（ジフルオロハロメチル化）に使用することが可能である。
また、３，５−ジフルオロ−４−ハロベンゼン誘導体（１１）は、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の非プロトン性極性溶媒中、ヨウ化第１銅等の触媒存在下、シアン化銅を作用させることにより、液晶材料として有用な３，５−ジフルオロ−４−シアノベンゼン誘導体（１２）（例えば特開平１−１３１１４４号）へ変換することができる。
【００５５】
【化２２】
0004288729.tif 000020
【００５６】
（式中、Ｒ1、Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、ｌ、ｍ、およびｎは上記と同一の意味を表す。）
このように、本発明の方法においては、副生成物も有効利用が可能である。
【００５７】
【実施例】
以下実施例により本発明をより詳細に説明する。以下の実施例においてＣｒは結晶、Ｓｍはスメクチック相、Ｎはネマチック相、Ｉｓｏは等方相を表し、相転位温度の単位は℃である。また1Ｈ−ＮＭＲおよび19Ｆ−ＮＭＲのデータ表示においてｓは一重線、ｄは二重線、ｔは三重線、Ｊはカップリング定数（Ｈｚ）を表す。またＭＳスペクトルのデータ表示においてはＭ+は分子イオンピークを表し、（）内の数値は各フラグメントイオンピークの強度を表す。
【００５８】
実施例１
１−ブロモジフルオロメチル−２、６−ジフルオロ−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ベンゼン（一般式（３）においてＲ1がｎ−プロピル基、ｌ＝１、ｍ＝ｎ＝０、Ａ1がトランス−１，４−シクロヘキシレン基、Ｚ1が単結合、Ｙ1が臭素原子である化合物（化合物番号１０））の製造
【００５９】
撹拌機、温度計、滴下ロートおよび窒素導入管を備えたフラスコ中、窒素雰囲気下、２，６−ジフルオロ−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ベンゼン１４０ｇ（０．５９ｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（以下ＴＨＦと省略する）１０００ｍｌに溶解し、冷媒にて−６５℃以下まで冷却後、同温度を維持しながらｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液（１．５５Ｍ）４５５ｍｌ（０．７１ｍｏｌ）を滴下した。滴下終了後さらに２時間−６０℃以下を保ちながら撹拌し、次いでジブロモジフルオロメタン２４６．３ｇ（１．１８ｍｏｌ）をＴＨＦ１５０ｍｌに溶解した溶液を−４５℃以下を保ちながら滴下し、滴下終了後さらに２時間同温度にて撹拌した。反応液を室温に戻し、水１０００ｍｌを添加した後、トルエン１０００ｍｌで生成物を抽出した。抽出層を水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下溶媒を留去して、２２４ｇの反応物を得た。得られた反応物はシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒ヘプタン）にて精製して、１７７ｇのカラム処理物を得た。尚、得られた処理物をガスクロマトグラフィー（ＧＣ）で分析したところ目的物（６６％）と２、６−ジフルオロ−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ブロモベンゼン（３２％）およびその他の不純物の混合物であった。  尚、目的物の２，６−ジフルオロ−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ベンゼンからの収率は５３．６％であった。
上記のカラム処理物２５ｇをエタノールから数回再結晶し目的とする１−ブロモジフルオロメチル−２，６−ジフルオロ−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ベンゼン（室温で油状）を１１．３ｇ得た。このものの各種スペクトルデータはその構造を強く支持した。
【００６０】
1Ｈ−ＮＭＲ（δｐｐｍ）：０．５−２．２（ｍ，１６Ｈ），２．４２（ｍ，１Ｈ），６．７−６．９（ｂｄ，２Ｈ）．
19Ｆ−ＮＭＲ：−４０．３（ｍ，２Ｆ），−１１１．２（ｍ，２Ｆ）．
ＧＣ−ＭＳ  ：３４８（Ｍ+−Ｆ，  ２．８），３２２（６．７），２８８（８８．２），２２５（５．９），２０２（３８．９），１８９（１００），１７６（９７．２），１６３（７２．２），１３３（１６．９），８１（１６．９），６９（３８．９），５５（５７．６），４１（５０．７）．
【００６１】
実施例２
トランス−２−（３，５−ジフルオロ−４−ブロモジフルオロメチルフェニル）−５−プロピル−１，３−ジオキサン（一般式（３）においてＲ1がｎ−プロピル基、ｌ＝１、ｍ＝ｎ＝０、Ａ1がトランス−１、３−ジオキサン−２，５−ジイル基、Ｚ1が単結合、Ｙ1が臭素原子である化合物（化合物番号１５１）の製造
【００６２】
撹拌機、温度計、滴下ロートおよび窒素導入管を備えたフラスコ中、窒素雰囲気下、特表平４−５０３６７８号記載の方法に準じて合成したトランス−２−（３，５−ジフルオロフェニル）−５−プロピル−１，３−ジオキサン２０．３ｇ（８３．２ｍｍｏｌ）をＴＨＦ８０ｍｌに溶解し、冷媒にて−６５℃以下まで冷却後、同温度を維持しながらｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液（１．６１Ｍ）６５．５ｍｌ（１０４．８ｍｍｏｌ）を滴下した。滴下終了後さらに２時間−６０℃以下を保ちながら撹拌し、次いでジブロモジフルオロメタン３５．２ｇ（１６６．４ｍｍｏｌ）をＴＨＦ２５ｍｌに溶解した溶液を−４５℃以下を保ちながら滴下し、滴下終了後さらに２時間同温度にて撹拌した。反応液を室温に戻し、水２００ｍｌを添加した後、トルエン３００ｍｌで生成物を抽出した。抽出層を水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下で溶媒を留去して、３３．９ｇの反応物を得た。得られた反応物をＧＣで分析したところ目的物（８４．９％）とトランス−２−（３，５−ジフルオロ−４−ブロモフェニル）−５−プロピル−１，３−ジオキサン（１５．１％）との混合物であった。得られた反応物はシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン／トルエン＝１／１）にて精製し、２１．８ｇのカラム処理物（目的物９９．３％）を得た。
尚、目的物のトランス−２−（３，５−ジフルオロフェニル）−５−プロピル−１，３−ジオキサンからの収率は５８．６％であった。
上記の処理物をエタノールから再結晶して、目的とするトランス−２−（３，５−ジフルオロ−４−ブロモジフルオロメチルフェニル）−５−プロピル−１，３−ジオキサン（室温で油状）を１８．１ｇ得た。このものの各種スペクトルデータはその構造を強く支持した。
【００６３】
1Ｈ−ＮＭＲ（δｐｐｍ）：０．８−１．７（ｍ，７Ｈ），１．９−２．４（ｍ，１Ｈ），３．５１（ｔ，Ｊ＝１１．５Ｈｚ，２Ｈ），４．０−４．４（ｍ，２Ｈ），５．３４（ｓ，１Ｈ），７．０−７．３（ｍ，２Ｈ）．
19Ｆ−ＮＭＲ：−４１．３（ｍ，２Ｆ），−１０９．９（ｍ，２Ｆ）．
ＧＣ−ＭＳ  ：３７１（Ｍ+−Ｂｒ，８７．５），１９１（１０．４），１６３（４８．９），８３（２１．９），７０（３３．３），５５（１００），４２（７７．１），２９（２６．９）．
【００６４】
実施例１および２に示した方法に準じて以下のベンゼン誘導体（化合物番号１〜９、１１〜１５０、１５２〜３０２）が容易に製造できる。
【００６５】
【化２３】
0004288729.tif 000021
【００６６】
【化２４】
0004288729.tif 000022
【００６７】
【化２５】
0004288729.tif 000023
【００６８】
【化２６】
0004288729.tif 000024
【００６９】
【化２７】
0004288729.tif 000025
【００７０】
【化２８】
0004288729.tif 000026
【００７１】
【化２９】
0004288729.tif 000027
【００７２】
【化３０】
0004288729.tif 000028
【００７３】
【化３１】
0004288729.tif 000029
【００７４】
【化３２】
0004288729.tif 000030
【００７５】
【化３３】
0004288729.tif 000031
【００７６】
【化３４】
0004288729.tif 000032
【００７７】
【化３５】
0004288729.tif 000033
【００７８】
【化３６】
0004288729.tif 000034
【００７９】
【化３７】
0004288729.tif 000035
【００８０】
【化３８】
0004288729.tif 000036
【００８１】
【化３９】
0004288729.tif 000037
【００８２】
【化４０】
0004288729.tif 000038
【００８３】
【化４１】
0004288729.tif 000039
【００８４】
【化４２】
0004288729.tif 000040
【００８５】
【化４３】
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【００８６】
【化４４】
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【００８７】
【化４５】
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【００８８】
【化４６】
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【００８９】
【化４７】
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【００９０】
【化４８】
0004288729.tif 000046
【００９１】
【化４９】
0004288729.tif 000047
【００９２】
【化５０】
0004288729.tif 000048
【００９３】
【化５１】
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【００９４】
【化５２】
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【００９５】
【化５３】
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【００９６】
【化５４】
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【００９７】
【化５５】
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【００９８】
【化５６】
0004288729.tif 000054
【００９９】
実施例３
α、α−ジフルオロ−２，６−ジフルオロ−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ベンジル＝３，４，５−トリフルオロフェニル＝エーテル（一般式（６）においてＲ1がｎ−プロピル基、ｌ＝１、ｍ＝ｎ＝ｏ＝０、Ａ１がトランス−１、４−シクロヘキシレン基、Ｚ1が単結合、Ｌ1、Ｌ2、およびＲ2が共にフッ素原子である化合物（化合物番号５２７））の製造方法
【０１００】
撹拌機、温度計、冷却管および窒素導入管を備えたフラスコ中、窒素雰囲気下、実施例１で製造した１−ブロモジフルオロメチル−２，６−ジフルオロ−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ベンゼン１０．０ｇ（２７．２ｍｍｏｌ）、３，４，５−トリフルオロフェノール４．２ｇ（２８．６ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム７．５ｇ（５４．５ｍｍｏｌ）、ヨウ化カリウム０．２ｇ（１．４ｍｍｏｌ）およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド５０ｍｌを混合し、１２０℃まで加熱し、１．５時間撹拌した。反応液を室温まで冷却後、水１００ｍｌを添加した後、トルエン２００ｍｌで生成物抽出した。抽出層を水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下溶媒を留去して反応物１１．３ｇを得た。得られた反応物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）にて精製し、１０．１ｇのカラム処理物（目的物９８％）を得た。
上記の処理物をヘプタンから再結晶して、目的とするα、α−ジフルオロ−２、６−ジフルオロ−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ベンジル＝３，４，５−トリフルオロフェニル＝エーテル９．０ｇを得た。尚、このものの１−ブロモジフルオロメチル−２，６−ジフルオロ−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ベンゼンからの収率は７６．２％であった。また、化合物の各種スペクトルデータはその構造を強く支持した。
【０１０１】
相転移温度（℃）：  Ｃｒ  ４０．７  Ｉｓｏ
1Ｈ−ＮＭＲ（δｐｐｍ）  ：０．８−２．１（ｍ，１６Ｈ），２．５（ｍ，１Ｈ），６．５−７．１（ｍ，４Ｈ）．
19Ｆ−ＮＭＲ  ：−６６．０６（ｍ，２Ｆ），−１１１．９５（ｍ，２Ｆ），−１３３．０８（ｍ，２Ｆ），−１６３．８５（ｍ，１Ｆ）．
ＧＣ−ＭＳ  ：２８７（１００），１８９（６．５），１７６（４．３），１６３（２６．６），５５（３．４），４１（４．０）．
【０１０２】
参考例
実施例１において反応物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して得られたカラム処理物（１−ブロモジフルオロメチル−２，６−ジフルオロ−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ベンゼン（６６重量％）と２，６−ジフルオロ−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ブロモベンゼン３２重量％とを含有する）を使用して、以下に示す操作により、目的とするα、α−ジフルオロ−２，６−ジフルオロ−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ベンジル＝３，４，５−トリフルオロフェニル＝エーテルを製造した。
【０１０３】
撹拌機、温度計、冷却管および窒素導入管を備えたフラスコ中、窒素雰囲気下、実施例１のカラム処理物（１−ブロモジフルオロメチル−２，６−ジフルオロ−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ベンゼン２５．０ｇ（４４．９ｍｍｏｌ）相当量）、３，４，５−トリフルオロフェノール７．３ｇ（４９．４ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム１２．４ｇ（８９．９ｍｍｏｌ）、ヨウ化カリウム０．５ｇ（２．２ｍｍｏｌ）およびＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド１５０ｍｌを混合し、１２０℃まで加熱し、１．５時間撹拌した。反応液を室温まで冷却し、水３００ｍｌを添加した後、トルエン４００ｍｌで生成物抽出した。抽出層を水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下溶媒を留去して、反応物２８．０ｇを得た。得られた反応物をトルエン１００ｍｌおよびエタノール５０ｍｌの混合液に溶解し、５％−パラジウム炭素触媒２．２ｇおよびトリエチルアミン３．１ｇ（３０．３ｍｍｏｌ）を添加し、オートクレーブ中、水素圧２Ｋｇ／ｃｍ2の条件下、室温で８時間撹拌した。濾過により触媒を除去した後、反応液に水１５０ｍｌを添加し、トルエン２００ｍｌで生成物を抽出した。抽出層を１Ｍ塩酸水溶液１００ｍｌで洗浄後、水１５０ｍｌ、飽和炭酸ナトリウム水溶液１００ｍｌおよび水１５０ｍｌで順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥、溶媒を減圧下留去、濃縮し反応物２５．５ｇを得た。
得られた反応物はシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン）にてＲｆ＝０．７４の成分（４．９ｇ）およびＲＦ＝０．４６の成分（１９．３ｇ）をそれぞれを得た。
上記のＲＦ＝０．４６の成分をヘプタンから再結晶することにより目的とするα、α−ジフルオロ−２，６−ジフルオロ−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ベンジル＝３，４，５−トリフルオロフェニル＝エーテル１６．９ｇを得た。この方法では、使用した３，４，５−トリフルオロフェノールからの収率は７８．８％、さらに実施例１において使用した２，６−ジフルオロ−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ベンゼンからの収率は４６．９％であった。
尚、上記のＲｆ＝０．７４の成分は２，６−ジフルオロ−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ベンゼンであった。したがって、実施例１における副成生物から回収が可能であることから、本発明の方法は効率的な製造方法であることがわかる。
【０１０４】
実施例４
α，α−ジフルオロ−２、６−ジフルオロ−４−（トランス−４−プロピル−１，３−ジオキサン−２−イル）ベンジル＝３，４，５−トリフルオロフェニル＝エーテル（一般式（６）においてＲ1がｎ−プロピル基、ｌ＝１、ｍ＝ｎ＝ｏ＝０、Ａ1がトランス−１，３−ジオキサンジイル基、Ｚ1が単結合、Ｌ1、Ｌ2、およびＲ2が共にフッ素原子である化合物（化合物番号５８３））の製造。
【０１０５】
撹拌機、温度計、冷却管および窒素導入管を備えたフラスコ中、窒素雰囲気下、ＤＭＦ２０ｍｌ中に水素化ナトリウム（６０％油性）１．４ｇ（３５．６ｍｍｏｌ）を懸濁させ、攪拌しながら３，４，５−トリフルオロフェノ−ル４．４ｇ（２９．６ｍｍｏｌ）のＤＭＦ溶液２０ｍｌを室温にて滴下した。滴下後１時間室温にて攪拌後、実施例２で得られたトランス−２−（３，５−ジフルオロ−４−ブロモジフルオロメチルフェニル）−５−プロピル−１，３−ジオキサン１０．０ｇ（２６．９ｍｍｏｌ）のＤＭＦ溶液５０ｍｌを滴下し、６０℃まで加熱し、４時間撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、水１００ｍｌを添加し、生成物をトルエン２００ｍｌで抽出した。抽出層を水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下溶媒を留去して、反応物１１．６ｇを得た。得られた反応物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン／トルエン＝３／２）にて精製後、さらにエタノールから再結晶して、目的とするα，α−ジフルオロ−２、６−ジフルオロ−４−（トランス−４−プロピル−１，３−ジオキサン−２−イル）ベンジル＝３，４，５−トリフルオロフェニル＝エーテル７．７ｇを得た。尚、トランス−２−（３，５−ジフルオロ−４−ブロモジフルオロメチルフェニル）−５−プロピル−１，３−ジオキサンからの収率は６５．９％であった。また、このものの各種スペクトルデータはその構造を強く支持した。
【０１０６】
相転位点（℃）：  Ｃｒ  ４１．６  Ｉｓｏ
1Ｈ−ＮＭＲ（δｐｐｍ）：０．８−２．６（ｍ，７Ｈ）、１．８−２．４（ｍ，１Ｈ），３．４−３．７（ｍ、２Ｈ）、４．１−４．５（ｍ、２Ｈ）、５．３６（ｓ、１Ｈ）、６．８−７．４（ｍ、２Ｈ）．
19Ｆ−ＮＭＲ：−６２．１（ｍ，２Ｆ），−１１０．５（ｍ，２Ｆ），−１３２．９（ｍ，２Ｆ），−１６３．６（ｍ，１Ｆ）．
ＧＣ−ＭＳ  ：２９１（Ｍ+−Ｃ6Ｈ2Ｆ3Ｏ，１００），１９１（２３．４），１６３（７０．２），８３（２４．３），５５（９１．７），４１（４６．８），２９（２２．３）．
【０１０７】
実施例３および４に示した方法に準じて下記のジフルオロベンジルエーテル誘導体（化合物番号５０１〜５２６、５２８〜５８２、５８４〜６６８）が容易に製造できる。
【０１０８】
【化５７】
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【０１０９】
【化５８】
0004288729.tif 000056
【０１１０】
【化５９】
0004288729.tif 000057
【０１１１】
【化６０】
0004288729.tif 000058
【０１１２】
【化６１】
0004288729.tif 000059
【０１１３】
【化６２】
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【０１１４】
【化６３】
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【０１１５】
【化６４】
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【０１１６】
【化６５】
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【０１１７】
【化６６】
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【０１１８】
【化６７】
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【０１１９】
【化６８】
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【０１２０】
【化６９】
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【０１２１】
【化７０】
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【０１２２】
【化７１】
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【０１２３】
【化７２】
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【０１２４】
【化７３】
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【０１２５】
【化７４】
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【０１２６】
【化７５】
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【０１２７】
【化７６】
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【０１２８】
【化７７】
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【０１２９】
【発明の効果】
従来法と比較し本発明の方法を用いることで電気光学材料その他の分野で有用であるベンゼン誘導体を簡便かつ効率的に製造することができる。また本発明の方法で得られるベンゼン誘導体を塩基の存在下フェノール誘導体と作用させることにより液晶材料として期待されるジフルオロベンジルエーテルが簡便かつ効率的に製造できる。