(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板を内部に収容して真空下において処理する処理室と、
真空状態と大気圧状態とを前記処理室とは独立して切り替えることが可能であり、前記被処理基板を前記処理室に搬入し又は前記処理室から搬出する際に前記被処理基板を一時的に収容するロードロック室と、
真空状態にある前記ロードロック室の内部にベントガスを導入して大気圧状態に切り替えるベント手段と、
前記ベントガスのろ過作用を有し前記ロードロック室の内部に収容された前記被処理基板の表面に対向して離間配置された板状のベントフィルタと、
を備え、前記ベントフィルタは前記被処理基板の略全面を覆っており、前記ベント手段から前記ロードロック室の内部に導入された前記ベントガスは、前記ベントフィルタによりろ過された後に前記被処理基板の表面の略全体に吹き付けられることを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】
前記ベント手段は前記ロードロック室の内部に前記ベントガスを導入するガス導入口を有し、前記ガス導入口は前記ロードロック室の内部に収容された前記被処理基板と同心位置に配置されており、前記ベントフィルタは前記ガス導入口と前記被処理基板との間に配置されていることを特徴とする請求項１記載の真空処理装置。
【請求項３】
前記ガス導入口は、前記被処理基板を前記ロードロック室に搬入し又は前記ロードロック室から搬出する際に開放されるバルブ蓋に形成されていることを特徴とする請求項２記載の真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理基板、特に半導体基板を真空下において処理するための真空処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体製造工程においては、半導体基板である被処理基板に対して真空下でエッチング、アッシング、スパッタリング等の処理を施すための各種の真空処理装置が使用されている。
【０００３】
一般に真空処理装置は、被処理基板を内部に収容して真空下で処理するための処理室と、この処理室に被処理基板を搬入し又は搬出する際に被処理基板が一時的に収容されるロードロック室とを備えている。ロードロック室は、真空状態と大気圧状態とを切り替えることが可能であり、被処理基板を処理室に搬入し又は搬出する際にはロードロック室は真空状態とされ、一方、真空処理装置の外部（大気圧状態）から被処理基板をロードロック室に搬入し又は外部へ搬出する際にはロードロック室は大気圧状態とされる。
【０００４】
真空状態にあるロードロック室を大気圧状態に切り替える際には、ロードロック室の内部に空気等のベントガスが導入される。図２は、従来の真空処理装置におけるベント手段を説明するための概略構成図であり、ロードロック室２０の内部に供給されるベント用空気は、ロードロック室２０内に配置されたフィルター２１を介してロードロック室２０内に供給される。このフィルター２１によって、ベント用空気内のダストが除去されると共に、ロードロック室２０内でのダストの巻き上げを防止することができる。これにより、巻き上げられたダストによる被処理基板Ｗの汚染を防止することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、図２に示した従来の真空処理装置のベント手段では、ダストの巻き上げは防止できるものの、被処理基板Ｗの表面に付着しているダストをベント用空気によって吹き飛ばすことはできない。
【０００６】
そこで、ベント用空気によって被処理基板の表面に付着しているダストを吹き飛ばすためには、例えば図３に示したようにフィルタを省略して被処理基板Ｗの表面にベント用空気を直接吹き付ける方法が考えられる。
【０００７】
しかしながら、図３に示したようなベント方法では、被処理基板Ｗの表面の一カ所にベント用空気を吹き付ける為、ロードロック室２０内で乱流が発生し、ダストの舞い上がりにより被処理基板Ｗがかえって汚染されてしまう恐れがある。
【０００８】
本発明は、上述した事情を考慮してなされたものであって、ロードロック室をベントする際にベントガスによって被処理基板の表面に付着したダストを吹き飛ばし且つロードロック室内でのダストの舞い上がりを防止することができる真空処理装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明による真空処理装置は、被処理基板を内部に収容して真空下において処理する処理室と、真空状態と大気圧状態とを前記処理室とは独立して切り替えることが可能であり、前記被処理基板を前記処理室に搬入し又は前記処理室から搬出する際に前記被処理基板を一時的に収容するロードロック室と、真空状態にある前記ロードロック室の内部にベントガスを導入して大気圧状態に切り替えるベント手段と、前記ベントガスのろ過作用を有し前記ロードロック室の内部に収容された前記被処理基板の表面に対向して離間配置された板状のベントフィルタと、を備え、前記ベントフィルタは前記被処理基板の略全面を覆っており、前記ベント手段から前記ロードロック室の内部に導入された前記ベントガスは、前記ベントフィルタによりろ過された後に前記被処理基板の表面の略全体に吹き付けられることを特徴とする。
【００１０】
また、前記ベント手段は前記ロードロック室の内部に前記ベントガスを導入するガス導入口を有し、前記ガス導入口は前記ロードロック室の内部に収容された前記被処理基板と同心位置に配置されており、前記ベントフィルタは前記ガス導入口と前記被処理基板との間に配置されていることが望ましい。
【００１１】
また、前記ガス導入口は、前記被処理基板を前記ロードロック室に搬入し又は前記ロードロック室から搬出する際に開放されるバルブ蓋に形成されていることが望ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態による真空処理装置について図１を参照して説明する。
【００１３】
図１は、本実施形態による真空処理装置のロードロック室１の部分を示した縦断面図である。また、この真空処理装置は、被処理基板Ｗを内部に収容して真空下において処理するための処理室（図示せず）を備えている。この処理室では、被処理基板Ｗに対してエッチング、アッシング等の処理が施される。
【００１４】
図１に示したロードロック室１は、真空状態と大気圧状態とを処理室とは独立して切り替えることが可能であり、被処理基板Ｗを処理室に搬入し又は処理室から搬出する際に、図１に示したように被処理基板Ｗを一時的にその内部に収容する。
【００１５】
また、本実施形態による真空処理装置は、真空状態にあるロードロック室１の内部に空気等のベントガスＧを導入して大気圧状態に切り替えるベント手段２を備えている。このベント手段２は、ロードロック室１の内部にベントガスＧを導入するガス導入口３を有し、このガス導入口３は、被処理基板Ｗをロードロック室１に搬入し又はロードロック室１から搬出する際に開放されるバルブ蓋５の中央に形成されている。言い換えると、ガス導入口３は、ロードロック室１の内部に収容された被処理基板Ｗの中心の上方に同心位置で配置されている。
【００１６】
さらに、本実施形態による真空処理装置は、ロードロック室１の内部に収容された被処理基板Ｗの表面に離間対向して近接配置された板状のベントフィルタ４を備えている。このベントフィルタ４は、ガス導入口３と被処理基板Ｗとの間に配置され且つ被処理基板Ｗの略全面を覆っている。
【００１７】
真空状態にある被処理基板Ｗは、昇降可能な載置台６の上面にて保持されており、図１に示した状態から載置台６を降下させると、載置台６と共に下降した被処理基板Ｗが回転可能な搬送テーブル７の基板受け部８に受け渡される。そして、載置台６を搬送テーブル７よりも下方まで降下させた状態で搬送テーブル７を回転させ、これにより、被処理基板Ｗを処理室（図示せず）まで移送することができる。
【００１８】
そして、上記構成より成る本実施形態においては、真空状態にあるロードロック室１をベントする際に、ベント手段２のガス導入口３からロードロック室１の内部に導入されたベントガスＧは、ベントフィルタ４によりろ過された後、被処理基板Ｗの表面の略全体にわたって均等に吹き付けられ、被処理基板Ｗの表面に付着していたダストがベントガスＧによって吹き飛ばされる。
【００１９】
以上述べたように本実施形態による真空処理装置によれば、ベントフィルタ４によりろ過されたベントガスＧを被処理基板Ｗの表面の略全体にわたって均等に吹き付けるようにしたので、ベントガスＧ中のダストの除去ができるばかりでなく、被処理基板Ｗの表面に付着していたダストをベントガスＧによって吹き飛ばすことができる。
【００２０】
また、ベントガスＧは被処理基板Ｗの表面の略全体にわたって均等に吹き付けられるので、ロードロック室１の内部で乱流が発生することが無く、ダストの舞い上がりによる被処理基板Ｗの汚染を防止することができる。
【００２１】
さらに、板状のベントフィルタ４の全面を通してベントガスＧを供給するようにしたので、ベント速度が増大し、ロードロック室１を迅速にベントすることができる。
【００２２】
【発明の効果】
以上述べたように本発明による真空処理装置によれば、ベントフィルタによりろ過されたベントガスを被処理基板の表面の略全体にわたって吹き付けるようにしたので、ベントガス中のダストの除去ができるばかりでなく、被処理基板Ｗの表面に付着していたダストをベントガスによって吹き飛ばすことが可能であり、また、ロードロック室の内部で乱流が発生することが無く、ダストの舞い上がりによる被処理基板の汚染を防止することができ、さらに、ベント速度が増大し、ロードロック室を迅速にベントすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態による真空処理装置のロードロック室を示した縦断面図。
【図２】従来の真空処理装置のロードロック室のベント手段を説明するための概略構成図。
【図３】従来の真空処理装置のロードロック室のベント手段の他の例を説明するための概略構成図。
【符号の説明】
１  ロードロック室
２  ベント手段
３  ガス導入口
４  ベントフィルタ
５  バルブ蓋
Ｇ  ベントガス
Ｗ  被処理基板
【図１】
0004320087.tif 000002
【図２】
0004320087.tif 000003
【図３】
0004320087.tif 000004