(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の表面に所定の規則に従って形成され、レーザ光の照射を受けて再結合電流を生成させる複数個のＰＮ接合部と、
前記ＰＮ接合部に重ねて積層され、レーザ光を透過させる積層間絶縁層と、
前記ＰＮ接合部上のレーザ光を透過させる所定の部分を除いて前記積層間絶縁層に重ねて積層される配線層と、
前記積層間絶縁層を貫通して前記半導体基板の表面と前記配線層を導通させる、複数個のコンタクトを備え、
前記複数個のコンタクトの前記半導体基板上での配置は、所定量以上のコンタクトの合わせズレ量が発生している場合に前記複数個のＰＮ接合部の何れかと、前記複数のコンタクトの何れかが導通するように配置され、この導通する前記ＰＮ接合部と前記コンタクトとの特定の組み合わせが、前記コンタクトの合わせズレ量の大小によって異なるように配置されることを特徴とするコンタクトの合わせズレ量測定パターン。
【請求項２】
前記請求項１に記載のコンタクトの合わせズレ量測定パターンにおいて、前記複数個のコンタクトの前記半導体基板上での配置は、
Ｘ軸方向に前記所定量以上のコンタクトの合わせズレ量が発生している場合に前記複数個のＰＮ接合部の何れかと、前記複数のコンタクトの何れかが導通するように配置され、Ｙ軸方向に前記所定量以上のコンタクトの合わせズレ量が発生している場合に前記複数個のＰＮ接合部の何れかと、前記複数のコンタクトの何れかが導通するように配置され、この導通するＰＮ接合部とコンタクトとの特定の組み合わせが、前記Ｙ軸方向及び前記Ｘ軸方向毎に前記コンタクトの合わせズレ量の大小によって異なるように配置されることを特徴とするコンタクトの合わせズレ量測定パターン。
【請求項３】
半導体基板の表面に所定の規則に従って形成され、レーザ光の照射を受けて再結合電流を生成させる複数個のＰＮ接合部と、
前記ＰＮ接合部に重ねて積層されるレーザ光を透過させる第一の積層間絶縁層と、
前記ＰＮ接合部上のレーザ光を透過させる所定の部分を除いて前記第一の積層間絶縁層に重ねて積層される第一の配線層と、
前記第一の配線層に重ねて積層されるレーザ光を透過させる第二の積層間絶縁層と、
前記ＰＮ接合部上のレーザ光を透過させる所定の部分を除いて前記第二の積層間絶縁層に重ねて積層される第二の配線層と、
前記第一の積層間絶縁層を貫通して前記第一の半導体基板の表面と前記配線層を導通させる、複数個の第一のコンタクトと、
前記第一の積層間絶縁層と前記第二の積層間絶縁層とを貫通して前記第一の半導体基板の表面と前記第二の配線層を導通させる、複数個の第二のコンタクトとを備え、
前記複数個の、第一のコンタクト又は第二のコンタクトの前記半導体基板上での配置は、所定量以上のコンタクトの合わせズレ量が発生している場合に前記複数個のＰＮ接合部の何れかと、前記複数のコンタクトの何れかが導通するように配置され、この導通するＰＮ接合部とコンタクトとの特定の組み合わせが、前記コンタクトの合わせズレ量の大小によって異なるように配置されることを特徴とするコンタクトの合わせズレ量測定パターン。
【請求項４】
前記請求項３に記載のコンタクトの合わせズレ量測定パターンにおいて、
Ｘ軸方向に前記所定量以上のコンタクトの合わせズレ量が発生している場合に前記複数個のＰＮ接合部の何れかと、前記複数個の、第一のコンタクト又は第二のコンタクトの何れかが導通するように配置され、Ｙ軸方向に前記所定量以上のコンタクトの合わせズレ量が発生している場合に前記複数個のＰＮ接合部の何れかと、前記複数個の、第一のコンタクト又は第二のコンタクトの何れかが導通するように配置され、この導通する前記ＰＮ接合部と前記第一のコンタクト又は前記第二のコンタクトとの特定の組み合わせが、前記Ｙ軸方向及び前記Ｘ軸方向毎に前記コンタクトの合わせズレ量の大小によって異なるように配置されることを特徴とするコンタクトの合わせズレ量測定パターン。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路のウェハー製造プロセスにおけるコンタクトの合わせズレ量測定パターンに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のコンタクトの合わせズレ量測定パターンでは、半導体基板上に積層されたパターン上に所定の寸法規則に従って複数個のコンタクトが配置される。複数個のコンタクトのそれぞれに入出力電極が所定の寸法規則に従って配置される。この入出力電極を介してそれぞれのコンタクトの導通状態が個別に測定される。この測定結果に基づいてコンタクトの合わせズレ量が検出されていた。ここでコンタクトとは、絶縁層を介して積層される導電パターン間を電気的に接続する導電孔である。コンタクトの合わせズレ量測定パターンとは、半導体集積回路のウェハー製造プロセスにおいてコンタクトの合わせズレ量を測定するために所望の集積回路チップとは別に半導体基板上にコンタクトの合わせズレ量の測定のみを目的として積層される積層パターンである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
複数個のコンタクトのそれぞれに入出力電極が所定の寸法規則に従って配置されるために入出力電極パターンが煩雑となる。更に、それぞれのコンタクトの導通状態を個別に測定するために端子数が多くなり、かつ、測定に長時間を要するという解決すべき課題が残されていた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明は以上の点を解決するため次の構成を採用する。
〈構成１〉
半導体基板の表面に所定の規則に従って形成され、レーザ光の照射を受けて再結合電流を生成させる複数個のＰＮ接合部と、上記ＰＮ接合部に重ねて積層され、レーザ光を透過させる積層間絶縁層と、上記ＰＮ接合部上のレーザ光を透過させる所定の部分を除いて上記積層間絶縁層に重ねて積層される配線層と、上記積層間絶縁層を貫通して上記半導体基板の表面と上記配線層を導通させる、複数個のコンタクトを備え、上記複数個のコンタクトの上記半導体基板上での配置は、所定量以上のコンタクトの合わせズレ量が発生している場合に上記複数個のＰＮ接合部の何れかと、上記複数のコンタクトの何れかが導通するように配置され、この導通する上記ＰＮ接合部と上記コンタクトとの特定の組み合わせが、上記コンタクトの合わせズレ量の大小によって異なるように配置されることを特徴とするコンタクトの合わせズレ量測定パターン。
【０００５】
〈構成２〉
上記構成１に記載のコンタクトの合わせズレ量測定パターンにおいて、上記複数個のコンタクトの上記半導体基板上での配置は、Ｘ軸方向に上記所定量以上のコンタクトの合わせズレ量が発生している場合に上記複数個のＰＮ接合部の何れかと、上記複数のコンタクトの何れかが導通するように配置され、Ｙ軸方向に上記所定量以上のコンタクトの合わせズレ量が発生している場合に上記複数個のＰＮ接合部の何れかと、上記複数のコンタクトの何れかが導通するように配置され、この導通するＰＮ接合部とコンタクトとの特定の組み合わせが、上記Ｙ軸方向及び上記Ｘ軸方向毎に上記コンタクトの合わせズレ量の大小によって異なるように配置されることを特徴とするコンタクトの合わせズレ量測定パターン。
【０００６】
〈構成３〉
半導体基板の表面に所定の規則に従って形成され、レーザ光の照射を受けて再結合電流を生成させる複数個のＰＮ接合部と、上記ＰＮ接合部に重ねて積層されるレーザ光を透過させる第一の積層間絶縁層と、上記ＰＮ接合部上のレーザ光を透過させる所定の部分を除いて上記第一の積層間絶縁層に重ねて積層される第一の配線層と、上記第一の配線層に重ねて積層されるレーザ光を透過させる第二の積層間絶縁層と、上記ＰＮ接合部上のレーザ光を透過させる所定の部分を除いて上記第二の積層間絶縁層に重ねて積層される第二の配線層と、上記第一の積層間絶縁層を貫通して上記第一の半導体基板の表面と上記配線層を導通させる、複数個の第一のコンタクトと、上記第一の積層間絶縁層と上記第二の積層間絶縁層とを貫通して上記第一の半導体基板の表面と上記第二の配線層を導通させる、複数個の第二のコンタクトとを備え、上記複数個の、第一のコンタクト又は第二のコンタクトの上記半導体基板上での配置は、所定量以上のコンタクトの合わせズレ量が発生している場合に上記複数個のＰＮ接合部の何れかと、上記複数のコンタクトの何れかが導通するように配置され、この導通するＰＮ接合部とコンタクトとの特定の組み合わせが、上記コンタクトの合わせズレ量の大小によって異なるように配置されることを特徴とするコンタクトの合わせズレ量測定パターン。
【０００７】
〈構成４〉
上記構成３に記載のコンタクトの合わせズレ量測定パターンにおいて、Ｘ軸方向に上記所定量以上のコンタクトの合わせズレ量が発生している場合に上記複数個のＰＮ接合部の何れかと、上記複数個の、第一のコンタクト又は第二のコンタクトの何れかが導通するように配置され、Ｙ軸方向に上記所定量以上のコンタクトの合わせズレ量が発生している場合に上記複数個のＰＮ接合部の何れかと、上記複数個の、第一のコンタクト又は第二のコンタクトの何れかが導通するように配置され、この導通する上記ＰＮ接合部と上記第一のコンタクト又は上記第二のコンタクトとの特定の組み合わせが、上記Ｙ軸方向及び上記Ｘ軸方向毎に上記コンタクトの合わせズレ量の大小によって異なるように配置されることを特徴とするコンタクトの合わせズレ量測定パターン。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を具体例を用いて説明する。
〈具体例１〉
図１は、具体例１の構成図（その１）である。
図１より、具体例１のコンタクトの合わせズレ量測定パターンは、半導体基板１と、素子間絶縁層２と、ＰＮ接合部３と、積層間絶縁層４と、アクティブ領域５と、配線層６と、コンタクト７と、端子８と、裏面端子９とによって構成される。
【０００９】
半導体基板１は、その表面に所定の規則に従って後に説明するＰＮ接合部３が形成される部分であり例えばシリコン単結晶基板等が用いられる。
素子間絶縁層２は、ここでは上記半導体基板１の表面に形成される複数個のＰＮ接合部３間を絶縁するための絶縁酸化被膜である。
【００１０】
ＰＮ接合部３は、ＰＮ接合のダイオードであり、本発明ではレーザ光の照射を受けて再結合電流を生成させる部分である。複数個のＰＮ接合部３の配置位置については後に図を用いて詳細に説明する。
積層間絶縁層４は、ＰＮ接合部３に重ねて積層されレーザ光を透過させる絶縁皮膜である。通常はＣＶＤ法等によって積層されるシリコン単結晶などの絶縁皮膜によって構成される。
【００１１】
アクティブ領域５は、積層間絶縁層４上の一部に、後に説明する配線層６の被膜を除去してＰＮ接合部３へのレーザ光の照射を可能にする部分である。
配線層６は、ＰＮ接合部３上の所定の部分、即ち、アクティブ領域５を除いて積層間絶縁層４に重ねて積層される金属被膜である。
コンタクト７は、積層間絶縁層４を貫通して半導体基板１の表面と配線層６とを導通させる部分である。複数個のコンタクト７の配置位置については後に図を用いて詳細に説明する。
【００１２】
次に具体例１のコンタクトの合わせズレ量測定パターンを用いたズレ量の検出について説明する。
具体例１のコンタクトの合わせズレ量測定パターンを用いたズレ量の検出について説明する前に、本発明の進歩性を明確にするために、以下に比較例を挙げて、そのズレ量の検出について説明する。
図２は、比較例の原理説明図（その１）である。
（ａ）は、平面図であり、（ｂ）は、Ａ−Ａ断面図である。
比較例によるコンタクトの合わせズレ量測定パターンは、半導体基板１と、積層間絶縁層４と、配線層６と、Ｃ１〜Ｃ６まで６個（一例）のコンタクト７と、半導体基板上のアクティブ領域Ｚ１〜Ｚ６と、配線層６上の端子ｚ１〜ｚ６を備える。
各構成要素は、上記具体例１の構成要素と同様なので説明を割愛する。
【００１３】
（ａ）より、半導体基板上のアクティブ領域Ｚ１〜Ｚ６は半導体基板１上にＸ方向に所定の間隔で一列に配置されている。
この半導体基板上のアクティブ領域Ｚ１〜Ｚ６に重ねて積層間絶縁層４と配線層６とが積層される。その後Ｃ１〜Ｃ６まで６個のコンタクト７が一枚のスクリーンに基づいて一括して設定される。従ってＣ１〜Ｃ６まで６個のコンタクト７相互間の配置位置は固定されており、製造工程でのコンタクトの合わせズレ量は６個すべてのコンタクト７が一方向へ全体としてずれることになる。ここではＹ方向へのズレのみについて説明する。
【００１４】
コンタクト配置位置の一例として（ａ）では、コンタクトＣ３とコンタクトＣ４は、Ｙ方向にＹ０離れて配置されている。コンタクトＣ３とコンタクトＣ２及びコンタクトＣ４とコンタクトＣ５は、Ｙ方向にＹ１離れて配置されている。コンタクトＣ２とコンタクトＣ１及びコンタクトＣ５とコンタクトＣ６は、Ｙ方向にＹ２離れて配置されている。
尚、上記Ｙ０は、半導体基板上のアクティブ領域Ｚ１〜Ｚ６を中心にしてコンタクトＣ３とコンタクトＣ４とでブリッジさせたときにコンタクトＣ３とコンタクトＣ４の双方ともアクティブ領域Ｚ１〜Ｚ６に接触しない大きさに設定される。
【００１５】
（ａ）は、コンタクトの合わせズレ量が０の場合を表している。かかる場合には、半導体基板上のアクティブ領域Ｚ１〜Ｚ６を繋いだ直線に対してコンタクトＣ１とコンタクトＣ６、コンタクトＣ２とコンタクトＣ５、コンタクトＣ３とコンタクトＣ４は、それぞれ等間隔に設定される。
【００１６】
（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ断面を表している。
コンタクトＣ４は、アクティブ領域Ｚ４と接触していない。従って、アクティブ領域Ｚ４と端子ｚ４間の抵抗値を測定するとＲ＝∞となる。同様にアクティブ領域Ｚ１と端子ｚ１間の抵抗値、アクティブ領域Ｚ２と端子ｚ２間の抵抗値、アクティブ領域Ｚ３と端子ｚ３間の抵抗値、アクティブ領域Ｚ５と端子ｚ５間の抵抗値、アクティブ領域Ｚ６と端子ｚ６間の抵抗値、全てがＲ＝∞となる。以上の測定結果からコンタクトのＹ方向のズレ量は０であると判断される。
【００１７】
次にコンタクトの合わせズレ量が検出される場合について説明する。
図３は、比較例の原理説明図（その２）である。
（ａ）は、平面図であり、（ｂ）は、Ａ−Ａ断面図である。
（ａ）に示す通りコンタクトＣ４は、アクティブ領域Ｚ４と接触している。従ってアクティブ領域Ｚ４と端子ｚ４間の抵抗値を測定するとＲ≒０となる。同様にアクティブ領域Ｚ１と端子ｚ１間の抵抗値、アクティブ領域Ｚ２と端子ｚ２間の抵抗値、アクティブ領域Ｚ３と端子ｚ３間の抵抗値、アクティブ領域Ｚ５と端子ｚ５間の抵抗値、アクティブ領域Ｚ６と端子ｚ６間の抵抗値、全てがＲ＝∞となる。
【００１８】
以上の測定結果からコンタクトのＹ方向のズレ量は端子のＹ方向の寸法をＡ、ズレ量をＬとおくと（Ｙ０−Ａ）／２＜Ｌ＜（（Ｙ０−Ａ）／２）＋Ｙ１と求められる。同様にしてアクティブ領域Ｚ５と端子ｚ５間の抵抗値がＲ＝０になった場合のずれ量は（（Ｙ０−Ａ）／２）＋Ｙ１＜Ｌ＜（（Ｙ０−Ａ）／２）＋Ｙ１＋Ｙ２と求められる。
即ち、アクティブ領域Ｚ１と端子ｚ１間、アクティブ領域Ｚ２と端子ｚ２間、アクティブ領域Ｚ３と端子ｚ３間、アクティブ領域Ｚ４と端子ｚ４間、アクティブ領域Ｚ５と端子ｚ５間、アクティブ領域Ｚ６と端子ｚ６間、それぞれの抵抗値を個別に測定することによってコンタクトの合わせズレ量を検出することができる。
【００１９】
以上説明した比較例ではアクティブ領域Ｚ１と端子ｚ１間、アクティブ領域Ｚ２と端子ｚ２間、アクティブ領域Ｚ３と端子ｚ３間、アクティブ領域Ｚ４と端子ｚ４間、アクティブ領域Ｚ５と端子ｚ５間、アクティブ領域Ｚ６と端子ｚ６間、それぞれの抵抗値を個別に測定する必要があり、複数個のコンタクトのそれぞれに入出力電極が所定の寸法規則に従って配置されるために入出力電極パターンが煩雑となる。更に、それぞれのコンタクトの導通状態を個別に測定するために端子数が多くなり、かつ、測定に長時間を要していた。かかる問題点を解決するために、具体例１のコンタクトの合わせズレ量測定パターンでは、以下のようにしてコンタクトの合わせズレ量を検出する。
【００２０】
再度図１に戻って、具体例１のコンタクトの合わせズレ量の検出について説明する。
（ａ）は、平面図であり、（ｂ）は、Ａ−Ａ断面図である。
【００２１】
（ａ）より、半導体基板１上のＰＮ接合部３（一例としてＰ１〜Ｐ６までの６個）は半導体基板１上にＸ方向にＸ１の間隔で一列に配置されている。
この半導体基板１上のＰＮ接合部３に重ねて素子間絶縁層２と積層間絶縁層４と配線層６とが積層される。その後Ｃ１〜Ｃ６まで６個のコンタクト７が一枚のスクリーンに基づいて一括して設定される。従ってＣ１〜Ｃ６まで６個のコンタクト７相互間の配置位置は固定されており、製造工程でのコンタクトの合わせズレ量は、６個すべてのコンタクト７が一方向への全体としてずれることになる。ここではＹ方向へズレのみについて説明する。
【００２２】
コンタクト配置位置の一例として（ａ）では、コンタクトＣ３とコンタクトＣ４は、Ｙ方向にＹ０離れて配置される。コンタクトＣ３とコンタクトＣ２及びコンタクトＣ４とコンタクトＣ５は、Ｙ方向にＹ１離れて配置される。コンタクトＣ２とコンタクトＣ１及びコンタクトＣ５とコンタクトＣ６は、Ｙ方向にＹ２離れて配置されている。
尚、上記Ｙ０は、コンタクトＣ３とコンタクトＣ４の双方ともＰＮ接合部３（Ｐ３）及びＰＮ接合部３（Ｐ４）に接触しない限度で設定される。
【００２３】
（ａ）は、コンタクトの合わせズレ量が０の場合を表している。かかる場合には、半導体基板上のＰＮ接合部３（Ｐ１）〜ＰＮ接合部３（Ｐ６）を繋いだ直線に対してコンタクトＣ１とコンタクトＣ６、コンタクトＣ２とコンタクトＣ５、コンタクトＣ３とコンタクトＣ４は、それぞれＹ方向に等間隔に設定される。
【００２４】
（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ断面を表している。
コンタクトＣ４は、ＰＮ接合部３（Ｐ４）と接触していない。ここでＰＮ接合部３（Ｐ４）にレーザ光を照射する（ｂ）。レーザ光はアクティブ領域５を通ってＰＮ接合部３（Ｐ４）に照射される。レーザ光を照射されたＰＮ接合部３（Ｐ４）は、その空乏層に光起電力を生成する。しかし、ＰＮ接合部３（Ｐ４）とコンタクトＣ４は接触していないので端子８と裏面端子９間に接続されているＯＢＩＣアンプ１０に電流は流れない。
【００２５】
同様にＰＮ接合部３（Ｐ１）〜ＰＮ接合部３（Ｐ６）へと順番にレーザ光を照射する。
しかし、コンタクトＣ１〜コンタクトＣ６の全てがＰＮ接合部３（Ｐ１）〜ＰＮ接合部３（Ｐ６）の何れにも接触していないので端子８と裏面端子９間に接続されているＯＢＩＣアンプ１０に電流が流れることは無い。
【００２６】
次にコンタクトの合わせズレ量が検出される場合について説明する。
図４は、具体例１の構成図（その２）である。
（ａ）は、平面図であり、（ｂ）は、Ａ−Ａ断面図である。
（ａ）に示す通りコンタクトＣ４は、ＰＮ接合部３（Ｐ４）と接触している。従って、ここでＰＮ接合部３（Ｐ４）にレーザ光を照射する（ｂ）。レーザ光はアクティブ領域５を通ってＰＮ接合部３（Ｐ４）に照射される。レーザ光を照射されたＰＮ接合部３（Ｐ４）は、その空乏層に光起電力を生成する。ここで、ＰＮ接合部３（Ｐ４）とコンタクトＣ４は接触しているので端子８と裏面端子９間に接続されているＯＢＩＣアンプ１０に電流が流れる。
【００２７】
以上の測定結果からＰＮ接合部３のＹ方向の大きさをＡ、ズレ量をＬとおくと、ズレ量をＬは、（Ｙ０−Ａ）／２＜Ｌ＜（（Ｙ０−Ａ）／２）＋Ｙ１と求められる。
即ち、ＰＮ接合部３（Ｐ１）〜ＰＮ接合部３（Ｐ６）に順次レーザ光を照射し、その時に端子８と裏面端子９間に接続されているＯＢＩＣアンプ１０に電流が流れるかどうかによってズレ量を判断することができる。ここでの照射は短時間の内にＰＮ接合部３（Ｐ１）〜ＰＮ接合部３（Ｐ６）の全てを掃引することも可能になる。
【００２８】
以上の説明では、Ｙ方向へのズレ量のみについて説明したが、本発明は、この例に限定されるものではない。即ち、ＸＹ２方向への適用も可能である。
以下に適用について説明する。
図５は、具体例１のＸＹ２方向への適用例の構成図である。
（ａ）は、コンタクトの合わせズレ量が０の場合を表している。
（ｂ）は、コンタクトの合わせズレ量が検出される場合を表している。
（ａ）より具体例１のＸＹ２方向への適用例ではＸ方向ズレ検出パターンとＹ方向ズレ検出パターンを備える。Ｙ方向ズレ検出パターンについては既に説明済みなので、Ｘ方向ズレ検出パターンのみについて説明する。
【００２９】
コンタクト配置位置の一例として、コンタクトの合わせズレ量が０の場合、即ち（ａ）では、コンタクトｃ３は、ＰＮ接合部３（ｐ３）の中心からＸ方向の左側にｘ１、コンタクトｃ４は、ＰＮ接合部３（ｐ３）の中心からＸ方向の右側にｘ１離れて配置される。コンタクトｃ２は、ＰＮ接合部３（ｐ２）の中心からＸ方向の左側にｘ２、コンタクトｃ５は、ＰＮ接合部３（ｐ５）の中心からＸ方向の右側にｘ２離れて配置される。コンタクトｃ１は、ＰＮ接合部３（ｐ１）の中心からＸ方向の左側にｘ３、コンタクトｃ６は、ＰＮ接合部３（ｐ６）の中心からＸ方向の右側にｘ３離れて配置される。ここでｘ１は、コンタクトｃ３とコンタクトｃ４がＰＮ接合部３（ｐ３）とＰＮ接合部３（ｐ４）にそれぞれ接触しない最低限の寸法に設定され、かつ、ｘ３＞ｘ２＞ｘ１に設定される。
【００３０】
次に、コンタクトの合わせズレ量が検出される場合、即ち（ｂ）では、図に示す通りコンタクトｃ３と、ＰＮ接合部３（ｐ３）が、接触している。この場合にＰＮ接合部３のＸ方向での大きさをＡとすると、Ｘ方向へのコンタクトの合わせズレ量Ｌは、（Ｘ１−Ａ／２）＜Ｌ＜（Ｘ２−Ａ／２）として容易に求めることができる。
【００３１】
〈具体例１の効果〉
以上説明した構成を採用することによって以下の効果を得る。
１．ズレ量検出に要する電極は、基板の裏表に各１個のみであり、測定精度を上げても入出力電極パターンが煩雑となるのを避けることができる。
２．ズレ量検出に当たって、アクティブ領域をレーザ光で掃引するのみであり、コンタクト毎に個別に測定する必要がないため測定が簡単であり測定時間が短縮される。
【００３２】
〈具体例２〉
具体例１で、４（図１）は、１層のみであった。従って、コンタクト７（図１）の設定は、１工程で一枚のスクリーンに基づいて設定された。
しかし、具体例２では、積層間絶縁層が複数層（一例として２層）の場合を想定する。かかる場合は、複数工程（一例として２工程）で複数枚（一例として２枚）のスクリーンに基づいて設定される。以下にその詳細について説明する。
【００３３】
図６は、具体例２の構成図（その１）である。
（ａ）は、平面図を、（ｂ）は、Ａ−Ａ断面図を表している。
図６より、具体例２のコンタクトの合わせズレ量測定パターンは、半導体基板１と、素子間絶縁層２と、ＰＮ接合部３と、アクティブ領域５と、第一の積層間絶縁層２１と、第二の積層間絶縁層２２と、第一の配線層２３と、第二の配線層２４と、第一のコンタクト２５と、第二のコンタクト２６と、端子８と、裏面端子９と、によって構成される。
【００３４】
第一の積層間絶縁層２１は、ＰＮ接合部３に重ねて積層されレーザ光を透過させる絶縁皮膜である。通常はＣＶＤ法等によって積層されるシリコン単結晶などの絶縁皮膜によって構成される。
第二の積層間絶縁層２２は、第一の積層間絶縁層２１又は第一の配線層２３に重ねて積層されレーザ光を透過させる絶縁皮膜である。通常はＣＶＤ法等によって積層されるシリコン単結晶などの絶縁皮膜によって構成される。
【００３５】
第一の配線層２３は、ＰＮ接合部３上の所定の部分、即ち、アクティブ領域５を除いて第一の積層間絶縁層２１に重ねて積層される金属被膜である。
第二の配線層２４は、ＰＮ接合部３上の所定の部分、即ち、アクティブ領域５を除いて第一の積層間絶縁層２１と第二の積層間絶縁層２２に重ねて積層される金属被膜である。
【００３６】
第一のコンタクト２５は、第一の積層間絶縁層２１を貫通して半導体基板１の表面と第一の配線層２３とを導通させる部分である。複数個のコンタクト２５の配置位置については後に図を用いて詳細に説明する。
第二のコンタクト２６は、第一の積層間絶縁層２１と第二の積層間絶縁層２２を貫通して半導体基板１の表面と第二の配線層２４とを導通させる部分である。複数個のコンタクト２６の配置位置については後に図を用いて詳細に説明する。
他の構成部分は具体例１と同様なので説明を割愛する。
【００３７】
次に第一のコンタクト２５と第二のコンタクト２６の配置位置について図を用いて詳細に説明する。
（ａ）は、コンタクトの合わせズレ量が０の場合を表している。
（ａ）より、半導体基板１上のＰＮ接合部３（一例としてＰ１〜Ｐ６までの６個）は半導体基板１上にＸ方向に所定の間隔で一列に配置されている。
この半導体基板１上のＰＮ接合部３に重ねて素子間絶縁層２と第一の積層間絶縁層２１と第二の積層間絶縁層２２と第二の配線層２４とが積層されている複層部Ｄ１とＤ２、ＰＮ接合部３に重ねて素子間絶縁層２と第一の積層間絶縁層２１と第一の配線層２３とが積層されている単層部Ｂ１とＢ２とが交互に配置されている。
【００３８】
複層部Ｄ１とＤ２には、Ｃ１〜Ｃ６まで６個のコンタクト２６が一枚のスクリーンに基づいて一括して設定されている。従ってＣ１〜Ｃ６まで６個の第二のコンタクト２６相互間の位置配置は固定されており、製造工程でのコンタクトの合わせズレ量は６個すべての第二のコンタクト２６が一方向への全体としてずれることになる。ここではＹ方向へのズレのみについて説明する。
【００３９】
同様に単層部Ｂ１とＢ２には、ｃ１〜ｃ６まで６個の第一のコンタクト２５が一枚のスクリーンに基づいて一括して設定されている。従ってｃ１〜ｃ６まで６個の第一のコンタクト２５相互間の配置位置は固定されており、製造工程でのコンタクトの合わせズレ量は６個すべての第一のコンタクト２５が一方向への全体としてずれることになる。ここではＹ方向へのズレのみについて説明する。
【００４０】
複層部Ｄ１とＤ２上へのコンタクト配置位置の一例として（ａ）では、第二のコンタクト２６（Ｃ３）と第二のコンタクト２６（Ｃ４）は、Ｙ方向にＹ０離れて配置されている。第二のコンタクト２６（Ｃ３）と第二のコンタクト２６（Ｃ２）及び第二のコンタクト２６（Ｃ４）と第二のコンタクト２６（Ｃ５）は、Ｙ方向にＹ１離れて配置されている。第二のコンタクト２６（Ｃ２）と第二のコンタクト２６（Ｃ１）及び第二のコンタクト２６（Ｃ５）と第二のコンタクト２６（Ｃ６）は、Ｙ方向にＹ２離れて配置されている。
尚、上記Ｙ０は、第二のコンタクト２６（Ｃ３）と第二のコンタクト２６（Ｃ４）の双方ともＰＮ接合部３（Ｐ３）とＰＮ接合部３（Ｐ４）に接触しない限度で設定される。
【００４１】
単層部Ｂ１とＢ２上へのコンタクトも上記複層部Ｄ１とＤ２上への配置位置と同様に配置される。再度（ｂ）に戻る。（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ断面を表している。
（ｂ）より第一のコンタクト２５第二のコンタクト２６、とも、ＰＮ接合部３（Ｐ４）と接触していない。ここでＰＮ接合部３にレーザ光を照射する（ｂ）。レーザ光はアクティブ領域５を通ってＰＮ接合部３に照射される。レーザ光を照射されたＰＮ接合部３は、その空乏層に光起電力を生成する。しかし、ＰＮ接合部３（Ｐ４）と第一のコンタクト２５、第二のコンタクト２６とも接触していないので端子８と裏面端子９間に接続されているＯＢＩＣアンプ１０に電流は流れない。
【００４２】
同様にＰＮ接合部３（Ｐ１）〜ＰＮ接合部３（Ｐ６）へと順番にレーザ光を照射する。
しかし、コンタクトＣ１〜コンタクトＣ６の全てがＰＮ接合部３（Ｐ１）〜ＰＮ接合部３（Ｐ６）の何れにも接触していないので端子８と裏面端子９間に接続されているＯＢＩＣアンプ１０に電流が流れることは無い。
【００４３】
次にコンタクトの合わせズレ量が検出される場合について説明する。
図７は、具体例２の構成図（その２）である。
（ａ）は、平面図であり、（ｂ）は、Ａ−Ａ断面図である。
（ａ）に示す通り単層部Ｂ２の第一のコンタクトｃ４は、ＰＮ接合部３（Ｐ４）と接触している。従って、ここでＰＮ接合部３（Ｐ４）にレーザ光を照射する（ｂ）。レーザ光はアクティブ領域５を通ってＰＮ接合部３（Ｐ４）に照射される。レーザ光を照射されたＰＮ接合部３（Ｐ４）は、その空乏層に光起電力を生成する。ここで、ＰＮ接合部３（Ｐ４）とコンタクトＣ４は接触しているので端子８と裏面端子９間に接続されているＯＢＩＣアンプ１０に電流が流れる。
【００４４】
同様に（ａ）に示す通り複層部Ｄ２の第二のコンタクトＣ４は、ＰＮ接合部３（Ｐ４）と接触している。従って、ここでＰＮ接合部３（Ｐ４）にレーザ光を照射する（ｂ）。レーザ光はアクティブ領域５を通ってＰＮ接合部３（Ｐ４）に照射される。レーザ光を照射されたＰＮ接合部３（Ｐ４）は、その空乏層に光起電力を生成する。ここで、ＰＮ接合部３（Ｐ４）とコンタクトＣ４は接触しているので端子８と裏面端子９間に接続されているＯＢＩＣアンプ１０に電流が流れる。
【００４５】
以上の測定結果から、ＰＮ接合部３の大きさをＡ、第一のコンタクト２５及び第二のコンタクト２６とも、ズレ量をＬとおくと、ズレ量Ｌは、（Ｙ０−Ａ）／２＜Ｌ＜（（Ｙ０−Ａ）／２）＋Ｙ１と求められる。ここでＡ、Ｙ０、Ｙ１の値は図６の（ａ）による。
即ち、ＰＮ接合部３（Ｐ１）〜ＰＮ接合部３（Ｐ６）に順次レーザ光を照射し、その時に端子８と裏面端子９間に接続されているＯＢＩＣアンプ１０に電流が流れるかどうかによってズレ量を判断することができる。ここでの照射は短時間の内にＰＮ接合部３（Ｐ１）〜ＰＮ接合部３（Ｐ６）の全てを掃引することも可能になる。
【００４６】
以上の説明では、Ｙ方向へのズレ量のみについて説明したが、本発明は、この例に限定されるものではない。即ち、ＸＹ２方向への適用も可能である。
以下に適用について説明する。
図８は、具体例２のＸＹ２方向への適用例の構成図である。
（ａ）は、コンタクトの合わせズレ量が０の場合を表している。
（ｂ）は、コンタクトの合わせズレ量が検出される場合を表している。
【００４７】
（ａ）より具体例２のＸＹ２方向への適用例ではＸ方向ズレ検出パターンとＹ方向ズレ検出パターンを備える。図中上段の黒丸は複層部Ｙ方向検出パターンであり、図中下段の黒丸は複層部Ｘ方向検出パターンである。同様に図中上段の白丸は単層部Ｘ方向検出パターンであり、図中下段の白丸は単層部Ｙ方向検出パターンである。
Ｙ方向ズレ検出パターンについては既に説明済みなのでＸ方向ズレ検出パターンのみについて説明する。図中上段の白丸（単層部Ｘ方向検出パターン）のみについて説明する。
【００４８】
コンタクト位置配置の一例として、コンタクトの合わせズレ量が０の場合、即ち（ａ）では、コンタクトＥ３は、ＰＮ接合部３（Ｐ３）の中心からＸ方向の左側にｘ１、コンタクトＥ４は、ＰＮ接合部３（Ｐ３）の中心からＸ方向の右側にｘ１離れて配置される。コンタクトＥ２は、ＰＮ接合部３（Ｐ２）の中心からＸ方向の左側にｘ２、コンタクトＥ５は、ＰＮ接合部３（Ｐ５）の中心からＸ方向の右側にｘ２離れて配置される。コンタクトＥ１は、ＰＮ接合部３（Ｐ１）の中心からＸ方向の左側にｘ３、コンタクトＥ６は、ＰＮ接合部３（Ｐ６）の中心からＸ方向の右側にｘ３離れて配置される。ここでｘ１は、コンタクトＥ３とコンタクトＥ４がＰＮ接合部３（Ｐ３）とＰＮ接合部３（Ｐ４）にそれぞれ接触しない最低限の寸法に設定され、かつ、ｘ３＞ｘ２＞ｘ１に設定される。
【００４９】
次に、コンタクトの合わせズレ量が検出される場合、即ち（ｂ）では、図に示す通りコンタクトＥ３と、ＰＮ接合部３（Ｐ３）が、接触している。この場合にＰＮ接合部３のＸ方向での大きさをＡとすると、Ｘ方向へのコンタクトの合わせズレ量Ｌは、（Ｘ１−Ａ／２）＜Ｌ＜（Ｘ２−Ａ／２）として容易に求めることができる。
（ａ）図中下段の黒丸（複層部Ｘ方向検出パターン）についても全く同様にして検出できるので説明を割愛する。
【００５０】
〈具体例２の効果〉
以上説明した構成を採用することによって、積層間絶縁層が複数層（一例として２層）の場合であり、複数工程（一例として２工程）で複数枚（一例として２枚）のスクリーンに基づいてコンタクトが設定される場合であっても、上記具体例１と同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】具体例１の構成図（その１）である。
【図２】比較例の原理説明図（その１）である。
【図３】比較例の原理説明図（その２）である。
【図４】具体例１の構成図（その２）である。
【図５】具体例１のＸＹ方向への適用例の構成図である。
【図６】具体例２の構成図（その１）である。
【図７】具体例２の構成図（その２）である。
【図８】具体例２のＸＹ方向への適用例の構成図である。
【符号の説明】
１  半導体基板
２  素子間絶縁層
３  ＰＮ接合部
４  積層間絶縁層
５  アクティブ領域
６  配線層
７  コンタクト
８  端子
９  裏面端子
１０  ＯＢＩＣアンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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