(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂封止型半導体装置用のリードフレーム部材において、
外枠部材と、アウターリードと該アウターリード先端部に延設されたインナ−リードとからなり前記外枠部材から内側へ略同一面内に突設された複数のリードフレームと、前記外枠部材から接続リードを介して配設されたダイパッドと、前記インナーリードの一方の面に各インナーリードを非接触で連結するように固着された電気絶縁性の固定テープとを備え、前記インナーリードは先端部側がリードフレームの定厚部よりも薄い薄肉部であり、かつ、該薄肉部の先端から突出した細幅部を有し、該細幅部の幅が前記薄肉部の先端の幅よりも小さく、かつ、隣接するインナーリード間の距離よりも小さく、前記固定テープは前記細幅部を含むインナーリード先端部側に固着され、かつ、前記固定テープの内側端部と前記細幅部の先端とが一致していることを特徴とするリードフレーム部材。
【請求項２】
請求項１に記載のリードフレーム部材のダイパッド上に半導体素子を搭載し、該半導体素子の端子部とインナーリードとをワイヤにて電気的に接続し、少なくともアウターリードを外部に露出させるように全体を樹脂封止した状態でリードフレーム部材の外枠部材を除去したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項３】
樹脂封止型半導体装置用のリードフレーム部材の製造方法において、
（Ａ）導電性基材をエッチングして、外枠部材と、アウターリードと該アウターリード先端部に延設されたインナ−リードとからなり前記外枠部材から内側へ略同一面内に突設された複数のリードフレームと、インナーリードの先端部側の一部にリードフレームの定厚部よりも薄くなるように設けられた薄肉部と、インナーリードの先端部から突出し該先端部の幅よりも小さい幅をもち、かつ、隣接するインナーリード間の距離よりも幅が小さい細幅部と、前記外枠部材に接続リードを介して保持されたダイパッドと、を備えた外形加工部材を作成する第１の工程と、
（Ｂ）前記外形加工部材のインナーリードの少なくとも薄肉部の一方の面に前記細幅部も覆うように電気絶縁性の固定テープを固着し、その後、前記細幅部においてインナーリードと固定テープとをプレスにて同時に打ち抜いて前記細幅部の先端側を固定テープの一部とともに除去することにより、各リードフレームのインナーリードの先端部を電気的に非接触の状態で前記固定テープにより連結する第２の工程と、を備えることを特徴とするリードフレーム部材の製造方法。
【請求項４】
第１の工程において作成する外形加工部材は、前記細幅部の先端が前記ダイパッドに連結されていることを特徴とする請求項３に記載のリードフレーム部材の製造方法。
【請求項５】
樹脂封止型半導体装置用のリードフレーム部材において、
外枠部材と、アウターリードと該アウターリード先端部に延設されたインナ−リードとからなり前記外枠部材から内側へ略同一面内に突設された複数のリードフレームと、絶縁性の接合部材を介して前記複数のインナーリードの一方の面に接合された放熱板とを備え、前記インナーリードは先端部側がリードフレームの定厚部よりも薄い薄肉部であり、かつ、該薄肉部の先端から突出した細幅部を有し、該細幅部の幅が前記薄肉部の先端の幅よりも小さく、かつ、隣接するインナーリード間の距離よりも小さく、前記接合部材は前記細幅部を含む少なくともインナーリード先端部側に固着され、かつ、前記接合部材の内側端部と前記細幅部の先端とが一致していることを特徴とするリードフレーム部材。
【請求項６】
樹脂封止型半導体装置用のリードフレーム部材において、
外枠部材と、アウターリードと該アウターリード先端部に延設されたインナ−リードとからなり前記外枠部材から内側へ略同一面内に突設された複数のリードフレームと、絶縁性の接合部材を介して前記複数のインナーリードの一方の面に接合された放熱板とを備え、前記インナーリードは先端部側がリードフレームの定厚部よりも薄い薄肉部であり、かつ、該薄肉部の先端から突出した細幅部を有し、該細幅部の幅が前記薄肉部の先端の幅よりも小さく、かつ、隣接するインナーリード間の距離よりも小さく、前記インナーリードの薄肉部であって放熱板が接合された面と反対側の面に、各インナーリードを非接触で連結するように固定テープが固着され、該固定テープは前記細幅部を含むインナーリード先端部側に固着され、かつ、前記固定テープの内側端部と前記細幅部の先端とが一致していることを特徴とするリードフレーム部材。
【請求項７】
前記放熱板は前記インナーリードの薄肉部と定厚部とに亘って接合されていることを特徴とする請求項５または請求項６に記載のリードフレーム部材。
【請求項８】
前記放熱板は、銅材、表面の少なくとも一部に黒化処理または無電解銅めっき処理が施された銅材、アルミニウム材、および、表面の少なくとも一部に陽極酸化処理が施されたアルミニウム材のなかの１種であることを特徴とする請求項５乃至請求項７のいずれかに記載のリードフレーム部材。
【請求項９】
請求項５乃至請求項８のいずれかに記載のリードフレーム部材の放熱板上に半導体素子を搭載し、該半導体素子の端子部とインナーリードとをワイヤにて電気的に接続し、少なくともアウターリードを外部に露出させるように全体を樹脂封止した状態でリードフレーム部材の外枠部材を除去したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項１０】
放熱板の半導体素子搭載面と反対側の面を外部に露出させるように樹脂封止したことを特徴とする請求項９に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項１１】
樹脂封止型半導体装置用のリードフレーム部材の製造方法において、
（Ａ）導電性基材をエッチングして、外枠部材と、アウターリードと該アウターリード先端部に延設されたインナ−リードとからなり前記外枠部材から内側へ略同一面内に突設された複数のリードフレームと、インナーリードの先端部側の一部にリードフレームの定厚部よりも薄くなるように設けられた薄肉部と、該薄肉部の先端から突出し該先端の幅よりも小さい幅をもち、かつ、隣接するインナーリード間の距離よりも幅が小さい細幅部と、各インナーリードの細幅部を連結保持する保持部材と、を備えた外形加工部材を作成する第１の工程と、
（Ｂ）前記外形加工部材のインナーリードの少なくとも薄肉部の一方の面に前記細幅部を覆うように電気絶縁性の接合部材を固着し、その後、前記細幅部においてインナーリードと接合部材とをプレスにて同時に打ち抜いて前記保持部材を除去することにより、各リードフレームのインナーリードの先端部を電気的に非接触の状態で前記接合部材により連結する第２の工程と、
（Ｃ）前記インナーリードに前記接合部材を介して放熱板を接合し、その後、前記接着層を硬化させる第３の工程と、を備えることを特徴とするリードフレーム部材の製造方法。
【請求項１２】
樹脂封止型半導体装置用のリードフレーム部材の製造方法において、
（Ａ）導電性基材をエッチングして、外枠部材と、アウターリードと該アウターリード先端部に延設されたインナ−リードとからなり前記外枠部材から内側へ略同一面内に突設された複数のリードフレームと、インナーリードの先端部側の一部にリードフレームの定厚部よりも薄くなるように設けられた薄肉部と、該薄肉部の先端から突出し該先端の幅よりも小さい幅をもち、かつ、隣接するインナーリード間の距離よりも幅が小さい細幅部と、各インナーリードの細幅部を連結保持する保持部材と、を備えた外形加工部材を作成する第１の工程と、
（Ｂ）前記外形加工部材のインナーリードの少なくとも薄肉部の一方の面に前記細幅部を覆うように固定テープを固着し、その後、前記細幅部においてインナーリードと固定テープとをプレスにて同時に打ち抜いて前記保持部材を除去することにより、各リードフレームのインナーリードの先端部を電気的に非接触の状態で前記固定テープにより連結する第２の工程と、
（Ｃ）前記インナーリードの少なくとも薄肉部の前記固定テープが配設されていない面に、電気絶縁性の接着剤を介して放熱板を接合する第３の工程と、を備えることを特徴とするリードフレーム部材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体素子を搭載した樹脂封止型の半導体装置に用いられるリードフレーム部材と、これを製造するための方法、および、このリードフレーム部材を用いた樹脂封止型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置は、高集積化や小型化技術の進歩、電子機器の高性能化と軽薄短小化の傾向から、ＬＳＩのＡＳＩＣに代表されるように、ますます高集積化、高機能化が進んできている。このように高集積化、高機能化された半導体装置においては、外部端子（ピン）の総和の増加や更なる多端子（ピン）化が要請されている。
【０００３】
上記のような多端子（ピン）化の要請に応えるものとして、多端子（ピン）ＩＣ、特にゲートアレイやスタンダードセルに体表されるＡＳＩＣ、あるいは、マイコン、ＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｓｉｇｎａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）等の半導体装置の製造においてリードフレーム部材を用いたものがある。具体的には、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）等の表面実装型パッケージがあり、ＱＦＰでは、３００ピンクラスのものまで実用化されている。リードフレーム部材の外形加工は、スタンピング法、あるいは、比較的高精細なものではフォトリソグラフィー技術を用いたエッチング加工方法により行われており、ＱＦＰでは、外部端子（アウターリード）ピッチを狭めることにより、パッケージサイズを大きくすることなく多端子化に対応してきた。
【０００４】
しかし、上記のエッチング加工方法の場合、アウターリードの板厚の薄肉化と狭ピッチ化に伴って、アウターリード自体が薄く幅が細くなり、強度が低下するため、フォーミング等の後工程におけるアウターリードのスキュー対応や平坦性維持が困難となり、実装に際しては、パッケージ搭載精度維持が難しくなるという問題があった。
【０００５】
これに対して、リードフレーム素材の板厚は薄くせずに、２段エッチング加工方法を用いパターン形状を工夫して、内部端子（インナーリード）を部分的に薄くしながら外形加工を行うことにより、インナーリードの狭ピッチ化を達成して多端子化に対応することが行われている。
【０００６】
しかし、このようなリードフレーム部材では、半導体素子の端子とインナーリードとのワイヤボンディングの際に、薄肉部の機械的強度不足により、キャピラリに引っ張られ（以降、この現象を跳ね上がりという）、薄肉部が変形するという問題がある。この跳ね上がりを防止するために、インナーリードの先端間を絶縁性のテープで固定することが行われている。
【０００７】
一方、高集積化、高機能化された半導体装置においては、信号の高速処理を行うことにより半導体素子の発熱が無視できない状況となってきている。このため、ヒートスラグ、ヒートスプレッダと称される放熱板を接着テープを介してインナーリードの薄肉部に接合したタイプのリードフレーム部材が使用されている。このような放熱板の接合においても、インナーリード先端部の薄肉部は機械的強度が弱く変形しやすいため、インナーリードの先端間を絶縁性のテープで固定することが必要となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように各インナーリードを絶縁性のテープで固定する場合、あるいは、インナーリードに放熱板を接合するためのテープで固定する場合、テープ貼付け機の機械的精度から、インナーリードの先端部にテープ端部を一致させて貼り付けることが困難であり、実際には、テープの内側端部からインナーリードが０．２ｍｍ以上突出したものとなっていた。しかし、このように僅かでもインナーリードが突出していると、ハンドリング時にインナーリードの変形が生じやすく、半導体装置の組み立て工程での歩留まりが低下するという問題があった。
【０００９】
また、インナーリード先端を連結した状態でリードフレームを作製し、インナーリード先端部（上記の連結部も含む）に予め固定用のテープを貼り付けた後、上記の連結部を固定用のテープとともに打ち抜くことにより、インナーリード最先端を確実に固定する方法も提案されている。しかし、金属材料単独で打ち抜く場合に比べて、テープと同時に金属材料を打ち抜く場合、打ち抜き刃のギャップ、応力の影響により、切断面から金属カスが発生しやすく、この金属カスがテープに付着して、後にインナーリード間の短絡を生じさせるという問題があった。
【００１０】
本発明は、上記のような事情に鑑みてなされたものであり、インナーリードの狭ピッチ化への対応が可能なリードフレーム部材、さらに、高放熱特性を備えたリードフレーム部材と、このようなリードフレーム部材を安定して製造できる製造方法、および、多ピン化への対応が可能で、また、半導体素子の放熱性に優れた樹脂封止型半導体装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために、リードフレーム部材の第１の発明は、樹脂封止型半導体装置用のリードフレーム部材において、外枠部材と、アウターリードと該アウターリード先端部に延設されたインナ−リードとからなり前記外枠部材から内側へ略同一面内に突設された複数のリードフレームと、前記外枠部材から接続リードを介して配設されたダイパッドと、前記インナーリードの一方の面に各インナーリードを非接触で連結するように固着された電気絶縁性の固定テープとを備え、前記インナーリードは先端部側がリードフレームの定厚部よりも薄い薄肉部であり、かつ、該薄肉部の先端から突出した細幅部を有し、該細幅部の幅が前記薄肉部の先端の幅よりも小さく、かつ、隣接するインナーリード間の距離よりも小さく、前記固定テープは前記細幅部を含むインナーリード先端部側に固着され、かつ、前記固定テープの内側端部と前記細幅部の先端とが一致しているような構成とした。
【００１２】
樹脂封止型半導体装置の第１の発明は、上記のリードフレーム部材のダイパッド上に半導体素子を搭載し、該半導体素子の端子部とインナーリードとをワイヤにて電気的に接続し、少なくともアウターリードを外部に露出させるように全体を樹脂封止した状態でリードフレーム部材の外枠部材を除去したような構成とした。
【００１３】
リードフレーム部材の製造方法の第１の発明は、（Ａ）導電性基材をエッチングして、外枠部材と、アウターリードと該アウターリード先端部に延設されたインナ−リードとからなり前記外枠部材から内側へ略同一面内に突設された複数のリードフレームと、インナーリードの先端部側の一部にリードフレームの定厚部よりも薄くなるように設けられた薄肉部と、インナーリードの先端部から突出し該先端部の幅よりも小さい幅をもち、かつ、隣接するインナーリード間の距離よりも幅が小さい細幅部と、前記外枠部材に接続リードを介して保持されたダイパッドと、を備えた外形加工部材を作成する第１の工程と、（Ｂ）前記外形加工部材のインナーリードの少なくとも薄肉部の一方の面に前記細幅部も覆うように電気絶縁性の固定テープを固着し、その後、前記細幅部においてインナーリードと固定テープとをプレスにて同時に打ち抜いて前記細幅部の先端側を固定テープの一部とともに除去することにより、各リードフレームのインナーリードの先端部を電気的に非接触の状態で前記固定テープにより連結する第２の工程と、を備えるような構成とした。
【００１４】
また、上記第１の工程において作成する外形加工部材は、前記細幅部の先端が前記ダイパッドに連結されているような構成とした。
【００１５】
リードフレーム部材の第２の発明は、樹脂封止型半導体装置用のリードフレーム部材において、外枠部材と、アウターリードと該アウターリード先端部に延設されたインナ−リードとからなり前記外枠部材から内側へ略同一面内に突設された複数のリードフレームと、絶縁性の接合部材を介して前記複数のインナーリードの一方の面に接合された放熱板とを備え、前記インナーリードは先端部側がリードフレームの定厚部よりも薄い薄肉部であり、かつ、該薄肉部の先端から突出した細幅部を有し、該細幅部の幅が前記薄肉部の先端の幅よりも小さく、かつ、隣接するインナーリード間の距離よりも小さく、前記接合部材は前記細幅部を含む少なくともインナーリード先端部側に固着され、かつ、前記接合部材の内側端部と前記細幅部の先端とが一致しているような構成とした。
【００１６】
リードフレーム部材の第３の発明は、樹脂封止型半導体装置用のリードフレーム部材において、外枠部材と、アウターリードと該アウターリード先端部に延設されたインナ−リードとからなり前記外枠部材から内側へ略同一面内に突設された複数のリードフレームと、絶縁性の接合部材を介して前記複数のインナーリードの一方の面に接合された放熱板とを備え、前記インナーリードは先端部側がリードフレームの定厚部よりも薄い薄肉部であり、かつ、該薄肉部の先端から突出した細幅部を有し、該細幅部の幅が前記薄肉部の先端の幅よりも小さく、かつ、隣接するインナーリード間の距離よりも小さく、前記インナーリードの薄肉部であって放熱板が接合された面と反対側の面に、各インナーリードを非接触で連結するように固定テープが固着され、該固定テープは前記細幅部を含むインナーリード先端部側に固着され、かつ、前記固定テープの内側端部と前記細幅部の先端とが一致しているような構成とした。
【００１７】
また、上記第２、第３の発明において、前記放熱板は前記インナーリードの薄肉部と定厚部とに亘って接合されているような構成、前記放熱板は、銅材、表面の少なくとも一部に黒化処理または無電解銅めっき処理が施された銅材、アルミニウム材、および、表面の少なくとも一部に陽極酸化処理が施されたアルミニウム材のなかの１種であるような構成とした。
【００１８】
樹脂封止型半導体装置の第２の発明は、上記第２または第３の発明のリードフレーム部材の放熱板上に半導体素子を搭載し、該半導体素子の端子部とインナーリードとをワイヤにて電気的に接続し、少なくともアウターリードを外部に露出させるように全体を樹脂封止した状態でリードフレーム部材の外枠部材を除去したような構成とした。
【００１９】
また、放熱板の半導体素子搭載面と反対側の面を外部に露出させるように樹脂封止したような構成とした。
【００２０】
リードフレーム部材の製造方法の第２の発明は、（Ａ）導電性基材をエッチングして、外枠部材と、アウターリードと該アウターリード先端部に延設されたインナ−リードとからなり前記外枠部材から内側へ略同一面内に突設された複数のリードフレームと、インナーリードの先端部側の一部にリードフレームの定厚部よりも薄くなるように設けられた薄肉部と、該薄肉部の先端から突出し該先端の幅よりも小さい幅をもち、かつ、隣接するインナーリード間の距離よりも幅が小さい細幅部と、各インナーリードの細幅部を連結保持する保持部材と、を備えた外形加工部材を作成する第１の工程と、（Ｂ）前記外形加工部材のインナーリードの少なくとも薄肉部の一方の面に前記細幅部を覆うように電気絶縁性の接合部材を固着し、その後、前記細幅部においてインナーリードと接合部材とをプレスにて同時に打ち抜いて前記保持部材を除去することにより、各リードフレームのインナーリードの先端部を電気的に非接触の状態で前記接合部材により連結する第２の工程と、（Ｃ）前記インナーリードに前記接合部材を介して放熱板を接合し、その後、前記接着層を硬化させる第３の工程と、を備えるような構成とした。
【００２１】
リードフレーム部材の製造方法の第３の発明は、（Ａ）導電性基材をエッチングして、外枠部材と、アウターリードと該アウターリード先端部に延設されたインナ−リードとからなり前記外枠部材から内側へ略同一面内に突設された複数のリードフレームと、インナーリードの先端部側の一部にリードフレームの定厚部よりも薄くなるように設けられた薄肉部と、該薄肉部の先端から突出し該先端の幅よりも小さい幅をもち、かつ、隣接するインナーリード間の距離よりも幅が小さい細幅部と、各インナーリードの細幅部を連結保持する保持部材と、を備えた外形加工部材を作成する第１の工程と、（Ｂ）前記外形加工部材のインナーリードの少なくとも薄肉部の一方の面に前記細幅部を覆うように固定テープを固着し、その後、前記細幅部においてインナーリードと固定テープとをプレスにて同時に打ち抜いて前記保持部材を除去することにより、各リードフレームのインナーリードの先端部を電気的に非接触の状態で前記固定レープにより連結する第２の工程と、（Ｃ）前記インナーリードの少なくとも薄肉部の前記固定テープが配設されていない面に、電気絶縁性の接着剤を介して放熱板を接合する第３の工程と、を備えるような構成とした。
【００２２】
このような本発明では、各リードフレームのインナーリードの先端側の薄肉部、および、この薄肉部先端から突出する細幅部に、電気絶縁性の固定テープ、あるいは、放熱板を接合するための接合部材が固着され、上記の細幅部において、インナーリードと固定テープとを、また、インナーリードと接合部材とを、プレスにて同時に打ち抜くので、インナーリード先端が固定テープ、接合部材とにより確実に固定され、また、打ち抜き時に発生する金属カスは、幅が隣接するインナーリード間の距離よりも小さい上記の細幅部のみであり、この金属カスによるインナーリード間の短絡は発生しない。また、インナーリードがその細幅部の先端部まで固定テープあるいは接合部材により連結され、ハンドリング時のインナーリードの変形が防止される。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００２４】
リードフレーム部材の第１の発明
図１はリードフレーム部材の第１の発明の一実施形態を示す平面図、図２は図１に示されるリードフレーム部材の部分拡大平面図、図３は図１に示されるリードフレーム部材のＡ−Ａ線における概略断面図である。
【００２５】
図１乃至図３において、本発明のリードフレーム部材１は、外枠部材２と、複数のリードフレーム３と、外枠部材２から接続リード８を介して配設されたダイパッド７と、固定テープ９とを備えている。
【００２６】
外枠部材２は、外形形状および内側開口形状が矩形であり、各リードフレーム３は外枠部材２の内側開口の各辺から同一平面内に突設されている。
【００２７】
リードフレーム３は、外枠部材２から内側開口内に突設されたアウターリード４と、このアウターリード４の先端部に延設されたインナーリード５とからなる。図示例では、各アウターリード４はダムバー３ａで相互に接続固定されている。インナーリード５は、その先端部側に薄肉部５ａが形成され、インナーリード５のアウターリード側には定厚部５ｂが形成され、さらに、薄肉部５ａの先端から細幅部５ｃが突出している。そして、この細幅部５ｃの先端は、固定テープ９の内側端部９ａと一致しており、インナーリード５の先端が固定テープ９により確実に固定された構造となっている。これにより、後工程におけるハンドリング時のインナーリード５の変形が防止される。
【００２８】
上記の薄肉部５ａは、リードフレーム部材１の薄肉部５ａ以外の部位（素材である導電性基材の厚みを有する部位＝定厚部５ｂ）よりも薄いものである。上記の薄肉部５ａの厚みは３０〜１００μｍの範囲で設定し、定厚部５ｂの厚みは１００〜２５０μｍの範囲で設定し、薄肉部５ａの厚みを定厚部５ｂの厚みの２０〜４０％の範囲内とすることが好ましい。さらに、細幅部５ｃは、その幅Ｌ１が、隣接するインナーリード５間の距離Ｌ２よりも小さいものであり、通常、幅Ｌ１は２０〜５０μｍの範囲内で設定できる。この細幅部５ｃの厚みは、薄肉部５ａと同じに設定することができる。また、インナーリード５の幅は６０〜１５０μｍの範囲内、隣接するインナーリード５間の距離Ｌ２は５０〜１５０μｍの範囲内、各インナーリード５の先端部のピッチは１２０〜１８０μｍの範囲内で設定することができる。
【００２９】
また、図示例では、薄肉部５ａの切欠き部位側（図３の上側）のワイヤボンディング領域には銀めっき層６が形成されている。尚、銀めっき層６の代わりに金めっき層やパラジウムめっき層等を設けてもよい。
【００３０】
ダイパッド７は、外形形状が矩形であり、その四隅において接着リード８を介して外枠部材２に保持され、外枠部材２の内側開口内に配設されている。
【００３１】
上記のような外枠部材２、複数のリードフレーム３、ダイパッド７、接続リード８の材質は、４２合金（Ｎｉ４１％のＦｅ合金）、銅、銅合金等とすることができる。
【００３２】
固定テープ９は、インナーリード５の薄肉部５ａのワイヤボンディング領域側および細幅部５ｃに固着され、各インナーリード５を非接触の状態で連結保持するものである。この固定テープ９は、絶縁性のベース基材と、その一方の面に接着層を備えたものである。接着層は熱硬化性接着剤を用いたものとすることができ、接着層に予め熱処理を施したり、接着層の厚みを５〜１５μｍの範囲内に設定したり、接着層の厚みを５〜１５μｍの範囲内に設定し、かつ、接着層に予め熱処理を施して、インナーリードへの固着を行うことが好ましい。これにより、圧着時の圧力によって接着剤がインナーリード５間からはみ出してインナーリード裏面にまで達することが防止される。上記の熱硬化性接着剤としては、（株）巴川製紙所製ＲＸＦ、ＨＧ−５２００、日本プレディ社製ＡＬＴ等を挙げることができる。また、このような熱硬化性接着剤を用いた固定テープとして、（株）巴川製紙所製Ｒ７２２等を挙げることができる。
【００３３】
図示例では、固定テープ９はインナーリード５の薄肉部５ａに直接固着され、この固定テープ９よりも外側に銀めっき層６が形成されているが、薄肉部５ａのワイヤボンディング領域に形成された銀めっき層６上の一部に固定テープ９を固着してもよい。
【００３４】
上述のような本発明のリードフレーム部材１は、樹脂封止型半導体装置製造の際の樹脂封止領域の少なくとも一部にパラジウムめっき層を備えるものでもよい。この場合、リードフレーム部材の素材としての導電性基材の表面に粗面化処理を施し、その上にパラジウムめっき層を形成することが好ましい。上記の粗面化処理は、導電性基材の表面を有機酸系等のエッチング液で腐食して微細凹凸を形成する化学研磨処理が挙げられるが、これに限定されるものではない。また、リードフレーム部材の素材が銅、銅合金である場合、ニッケルめっき層を介してパラジウムめっき層を形成してもよい。このようにパラジウムめっき層を設けることにより、封止樹脂材料が直接にリードフレーム部材の素材に接する場合と比べ、密着性が大幅に向上する。
【００３５】
本発明のリードフレーム部材１では、図４に示されるように、固定テープ９を、インナーリード５の薄肉部５ａおよび細幅部５ｃのワイヤボンディング領域側に固着するのみではなく、ダイパッド７を保持する４本の接続リード８にも固着してもよい。このような形態とすることにより、ダイパッド７も安定に保持され、樹脂封止型半導体装置製造の際の半導体素子の搭載精度等が向上する。
【００３６】
図５は、リードフレーム部材の第１の発明の他の実施形態を示す図３相当の概略断面図である。図５において、本発明のリードフレーム部材１′は、外枠部材２と、複数のリードフレーム３と、外枠部材２から接続リード８を介して配設されたダイパッド７と、固定テープ９とを備えている。リードフレーム３は、外枠部材２から内側開口内に突設されたアウターリード４と、このアウターリード４の先端部に延設されたインナーリード５とからなり、インナーリード５の先端部側には薄肉部５ａが形成され、インナーリード５のアウターリード側には定厚部５ｂが形成されている。さらに、薄肉部５ａの先端から細幅部５ｃが突出している。また、各インナーリード５の薄肉部５ａの切欠き部位の反対側（図５の上側）のワイヤボンディング領域には銀めっき層６が形成され、その内側には固定テープ９が固着され、各インナーリード５を非接触の状態で連結保持している。固定テープ９はインナーリード５の薄肉部５ａと細幅部５ｃに直接固着され、固定テープ９の内側端部と細幅部５ｃの先端とが一致している。図示例では、固定テープ９よりも外側に銀めっき層６が形成されているが、薄肉部５ａのワイヤボンディング領域に形成された銀めっき層６上の一部に固定テープ９を固着してもよい。
【００３７】
また、図６は、リードフレーム部材の第１の発明の他の実施形態を示す図３相当の概略断面図である。図６において、本発明のリードフレーム部材１″は、外枠部材２と、複数のリードフレーム３と、外枠部材２から接続リード８を介して配設されたダイパッド７と、固定テープ９とを備えている。リードフレーム３は、外枠部材２から内側開口内に突設されたアウターリード４と、このアウターリード４の先端部に延設されたインナーリード５とからなる。インナーリード５の先端部側には薄肉部５ａが形成され、インナーリード５のアウターリード側には定厚部５ｂが形成され、さらに、薄肉部５ａの先端から細幅部５ｃが突出している。また、各インナーリード５の薄肉部５ａの切欠き部位側（図６の上側）のワイヤボンディング領域には銀めっき層６が形成され、薄肉部５ａの反対側には固定テープ９が固着され、各インナーリード５を非接触の状態で連結保持している。
【００３８】
上述のリードフレーム部材１′，１″においても、リードフレーム部材１と同様に、樹脂封止型半導体装置製造の際の樹脂封止領域の少なくとも一部にパラジウムめっき層を備えるものでもよい。
【００３９】
また、リードフレーム部材１′，１″においても、リードフレーム部材１と同様に、固定テープ９を、インナーリード５の薄肉部５ａと細幅部５ｃのワイヤボンディング領域側に固着するのみではなく、ダイパッド７を保持する４本の接続リード８に固着してもよい。
【００４０】
リードフレーム部材の製造方法の第１の発明
次に、本発明のリードフレーム部材の製造方法について説明する。
【００４１】
図７は、図１乃至図３に示されるリードフレーム部材１を例としたリードフレーム部材の製造方法の第１の発明の一実施形態を示す工程図である。
【００４２】
図７において、まず、第１の工程では、導電性基材１１の表裏に感光性レジストを塗布、乾燥して感光性レジスト層を形成し、これを所定のフォトマスクを介して露光した後、現像してレジストパターン２１Ａ，２１Ｂを形成する（図７（Ａ））。導電性基材１１としては、上述のような４２合金（Ｎｉ４１％のＦｅ合金）、銅、銅合金等の金属基板（厚み１００〜２５０μｍ）を使用することができ、この導電性基材１１は、両面を脱脂等を行い洗浄処理したものを使用することが好ましい。また、感光性レジストとしては、従来公知のもの、例えば、重クロム酸カリウムを感光剤としたポリビニルアルコール水溶液からなるレジスト等を使用することができる。
【００４３】
次に、レジストパターン２１Ａ，２１Ｂを耐腐蝕膜として導電性基材１１に腐蝕液でエッチングを行い、レジストパターン２１Ａ，２１Ｂを除去することにより、外形加工部材１１′を作製する（図７（Ｂ））。腐蝕液は、通常、塩化第二鉄水溶液（液温３５〜８０℃、比重３５〜５０ボーメ（例えば、導電性基材１１が銅材の場合、液温４５℃、比重４０ボーメとし、４２合金の場合、液温７５℃、比重４８ボーメとすることができる））を使用し、導電性基材１１の両面からスプレーエッチング（スプレー圧２〜５ｋｇ／ｃｍ2 ）にて行う。このエッチング工程におけるエッチング量を加減することにより、ハーフエッチング加工を行うことができる。また、腐蝕液のスプレー圧を高く（例えば、５ｋｇ／ｃｍ2）することにより、深さ方向のエッチングが進行しやすくなり、高精度なパターンエッチングがより容易となる。
【００４４】
作製された外形加工部材１１′は、後述する図８にも示されるように、外形形状および内側開口形状が矩形である外枠部材１２と、外枠部材１２の内側開口の各辺から同一平面内に突設されている複数のリードフレーム１３と、外枠部材１２に接続リード１８を介して保持されたダイパッド１７とを備えたものである。各リードフレーム１３は、外枠部材１２から内側開口内に突設されたアウターリード１４と、このアウターリード１４の先端部に延設されたインナーリード１５とからなる。また、各リードフレーム１３のインナーリード１５は、その先端部側に薄肉部１５ａが形成され、インナーリード１５のアウターリード側には定厚部１５ｂが形成されている。さらに、薄肉部１５ａの先端から細幅部１５ｃが突出している。
【００４５】
次に、第２の工程として、外形加工部材１１′のインナーリード１５の薄肉部１５ａの一方の面（図示例では、ハーフエッチングされた切欠き部位側）に銀めっき層６を形成し、次いで、この銀めっき層６よりも内側の薄肉部１５ａ上と細幅部１５ｃ上に固定テープ９を圧着して、各インナーリード１５を電気的に非接触の状態で固定する（図７（Ｃ））。
【００４６】
図８は、作製された外形加工部材１１′の平面図であり、上記の図７（Ｃ）は図８のＢ−Ｂ線における概略断面図に相当する。また、図９は図８に示される外形加工部材１１′の部分拡大平面図である。図８および図９に示されるように、外形加工部材１１′において、薄肉部１５ａの先端から突出している各細幅部１５ｃは、ダイパッド１７の側端部に複数設けられている突出部１７ａの対応する個所に連結されている。本発明では、上記の細幅部１５ｃの幅を、隣接するインナーリード１５間の距離よりも小さく設定する。また、上記の薄肉部１５ａは、導電性基材１１の薄肉部１５ａ以外の部位（定厚部１５ｂ）よりも薄いものである。すなわち、各リードフレーム１３に挟まれた部位は、表裏からのエッチングにより導電性基材が除去され、インナーリード１５の薄肉部１５ａ、細幅部１５ｃおよびダイパッド１７は、表からのエッチング（ハーフエッチング）により薄肉部として形成される。尚、図示例では、各アウターリード１４はダムバー１３ａで相互に接続固定されている。
【００４７】
固定テープ９は、図９に示されるように、細幅部１５ｃを覆い、かつ、薄肉部１５ａとダイパッド１７の突出部１７ａにかかるように固着されている。使用する固定テープ９は、電気絶縁性のベース基材の一方の面に接着層を設けたものを使用することができる。本発明では、このような固定テープ９の接着層を、熱硬化性接着剤からなり熱処理を施した状態、あるいは、熱硬化性接着剤からなり厚みを５〜１５μｍの範囲内に設定した状態、あるいは、熱硬化性接着剤からなり厚みを５〜１５μｍの範囲内に設定し熱処理を施した状態で、インナーリード１５に圧着して配設することができる。
【００４８】
次いで、図９の矢印ａの部位と矢印ｂの部位の２箇所でプレスにて打ち抜きを行う。すなわち、矢印ａの部位では、導電性材料１１のみが打ち抜かれて、ダイパッド１７と、その側端突出部１７ａとが分離される。また、矢印ｂの部位では、インナーリード１５の細幅部１５ｃと固定テープ９とが同時に打ち抜かれる。これにより、矢印ａと矢印ｂとで挟まれる部位が除去される。このとき、導電性材料１１のみの打ち抜きは、打ち抜き刃のギャップが狭いため、切断面から金属カスを発生することなく行なわれる。一方、細幅部１５ｃと固定テープ９との同時打ち抜きは、厚みが大きいことにより打ち抜き刃のギャップが大きく、このため、応力の影響により切断面から金属カスが発生しやすいものとなる。しかし、本発明では、打ち抜き時に切断面から発生する金属カスは、最大のものでも細幅部１５ｃの幅と同じ大きさであり、これは隣接するインナーリード間の距離よりも小さいので、この金属カスによるインナーリード間の短絡は防止される。
次に、固定テープ９の接着層を硬化させることにより、図１乃至図３に示されるような本発明のリードフレーム１を作製する（図７（Ｄ））。
また、本発明では、上記の第１の工程のエッチング工程において、２段エッチングを行って外形加工部材１１′を作製してもよい。この２段エッチングによる外形加工部材１１′の作製を、上記図８のＢ′−Ｂ′線における概略断面を示す図１０を参照して説明する。
【００４９】
２段エッチングでは、まず、導電性基材１１の表裏に感光性レジストを塗布、乾燥して感光性レジスト層を形成し、これを所定のフォトマスクを介して露光した後、現像してレジストパターン２１Ａ，２１Ｂを形成する（図１０（Ａ））。次に、レジストパターン２１Ａ，２１Ｂを耐腐蝕膜として導電性基材１１に腐蝕液で１回目のエッチングを行う。これにより、レジストパターン２１Ａを設けた導電性基材１１の面には、薄肉部を形成するように凹部１１ａが形成され、一方、レジストパターン２１Ｂを設けた導電性基材１１の面には、各リードフレームを形成するための凹部１１ｂが形成される（図１０（Ｂ））。この１回目のエッチングでは、上記の凹部１１ａと凹部１１ｂが貫通して孔部が形成される前の段階でエッチングを停止する。尚、腐蝕液のスプレー圧を高く（例えば、３．５ｋｇ／ｃｍ2 ）することにより、深さ方向のエッチングが進行しやすくなり、高精細なパターンエッチングがより容易となる。
【００５０】
次に、導電性基材１１の凹部１１ａに耐エッチング性をもつ樹脂を埋め込むようにしてエッチング抵抗層２２を形成し（図１０（Ｃ））、腐蝕液で２回目のエッチングを行う。これにより、エッチング抵抗層２２を形成した導電性基材１１の面ではエッチングは進行せず、レジストパターン２１Ｂを設けた導電性基材１１の面において、凹部１１ｂのエッチングが進行して、凹部１１ａと凹部１１ｂが貫通して孔部が形成される（図１０（Ｄ））。尚、腐蝕液のスプレー圧を高く（例えば、３．５ｋｇ／ｃｍ2 ）することにより、深さ方向のエッチングが進行しやすくなり、高精細なパターンエッチングがより容易となる。
【００５１】
その後、エッチング抵抗層２２、レジストパターン２１Ａ，２１Ｂを除去することにより、外形加工部材１１′を作製する（図１０（Ｅ））。
【００５２】
リードフレーム部材の第２の発明
図１１はリードフレーム部材の第２の発明の一実施形態を示す平面図、図１２は図１１に示されるリードフレーム部材の部分拡大平面図、図１３は図１１に示されるリードフレーム部材のＣ−Ｃ線における概略断面図である。
【００５３】
図１１乃至図１３において、本発明のリードフレーム部材３１は、外枠部材３２と、複数のリードフレーム３３と、接合部材３８を介してリードフレーム３３に接合された放熱板３７とを備えている。
【００５４】
外枠部材３２は、外形形状および内側開口形状が矩形であり、各リードフレーム３３は外枠部材３２の内側開口の各辺から同一平面内に突設されている。
【００５５】
リードフレーム３３は、外枠部材３２から内側開口内に突設されたアウターリード３４と、このアウターリード３４の先端部に延設されたインナーリード３５とからなる。図示例では、各アウターリード３４はダムバー３３ａで相互に接続固定されている。
【００５６】
インナーリード３５は、その先端部側に薄肉部３５ａが形成され、インナーリード３５のアウターリード側には定厚部３５ｂが形成されている。さらに、薄肉部３５ａの先端には細幅部３５ｃが突出しており、細幅部３５ｃの幅Ｌ１は、隣接するインナーリード３５間の距離Ｌ２よりも小さいものである。この細幅部３５ｃの先端は、接合部材３８の内側端部３８ａと一致しており、インナーリード３５の先端が接合部材３８により確実に非接触の状態で連結固定された構造となっている。これにより、上記の放熱板３７の接合段階や後工程におけるハンドリング時のインナーリード３５の変形が防止される。上記の薄肉部３５ａは、リードフレーム部材３１の薄肉部３５ａ以外の部位（素材の導電性基材の厚みである部位＝定厚部３５ｂ）よりも薄いものであり、細幅部３５ｃは薄肉部３５ａと同じ厚みに設定されている。
【００５７】
上記の薄肉部３５ａの厚み、定厚部３５ｂの厚み、薄肉部３５ａの厚みと定厚部３５ｂの厚みの比率、細幅部３５ｃの幅Ｌ１、隣接するインナーリード３５間の距離Ｌ２、各インナーリード３５の先端部のピッチは、上述のリードフレーム部材１と同様の範囲で設定することができる。
【００５８】
図示例では、薄肉部３５ａの切欠き部位側（図１３の上側）のワイヤボンディング領域には銀めっき層３６が形成されている。尚、銀めっき層３６の代わりに金めっき層やパラジウムめっき層等を設けてもよい。
【００５９】
上記のような外枠部材３２、複数のリードフレーム３３の材質は、４２合金（Ｎｉ４１％のＦｅ合金）、銅、銅合金等とすることができる。
【００６０】
放熱板３７は、電気絶縁性の接合部材３８を介して各インナーフレーム３５の薄肉部３５ａ、定厚部３５ｂおよび細幅部３５ｃとに亘って接合されている。放熱板３７は、後述する樹脂封止型半導体装置において半導体素子における発熱を効果的に外部に逃がす作用を目的とし、また、同時に機械的強度の弱い薄肉部５ａを補強する作用を目的としている。
【００６１】
放熱板３７としては、熱伝導度の高い金属を使用することができ、例えば、銅材、表面の少なくとも一部に黒化処理または無電解銅めっき処理が施された銅材、アルミニウム材、および、表面の少なくとも一部に陽極酸化処理が施されたアルミニウム材のなかの１種を用いることが好ましい。特に、黒化処理または無電解銅めっき処理が施された銅材、あるいは、陽極酸化処理が施されたアルミニウム材を用いることにより、樹脂封止型半導体装置の製造において封止部材との密着性が向上し、樹脂封止型半導体装置の信頼性を高めることができる。
【００６２】
この放熱板３７の厚みは、０．１〜０．２５ｍｍの範囲内で設定することが好ましく、また、後述するような放熱板が外部に露出している樹脂封止型半導体装置に用いる場合、放熱板３７の厚みは樹脂封止型半導体装置のパッケージ厚の半分程度が好ましい。上述のようにインナーフレーム３５の薄肉部３５ａと定厚部３５ｂと細幅部３５ｃとに亘って放熱板３７を接合することにより、機械的強度の弱い薄肉部３５ａの補強がより有利になる。
【００６３】
接合部材３８は、少なくとも接着層を備えるものであり、通常、電気絶縁性のベースフィルムの両面に接着層を設けたものを使用することができる。このような接合部材３８の接着層（電気絶縁性のベースフィルムの両面に接着層を設けたものでは、少なくともインナーリード３５側に当接する接着層）を、熱硬化性接着剤からなり熱処理を施した状態でインナーリードに固着され更に硬化されたもの、あるいは、熱硬化性接着剤からなり厚みが５〜１５μｍの範囲内に設定された状態でインナーリードに固着され更に硬化されたものとすることが好ましい。これにより、圧着時の圧力により接着剤がインナーリード３５の間からはみ出すことが防止され、圧着力を小さくしたり、接着温度を低くする必要がなく、高い強度で放熱板３７を接合することできる。上記の熱硬化性接着剤としては、（株）巴川製紙所製ＲＸＦ、ＨＧ−５２００、日本ブレディ社製ＡＬＴ等を挙げることができる。
【００６４】
上述のような本発明のリードフレーム部材３１においても、上述のリードフレーム部材１と同様に、樹脂封止型半導体装置製造の際の樹脂封止領域の少なくとも一部にパラジウムめっき層を備えるものでもよい。
【００６５】
図１４は、リードフレーム部材の第２の発明の他の実施形態を示す図１３相当の概略断面図である。図１４において、本発明のリードフレーム部材３１′は、上述のリードフレーム部材３１と基本構造は同じであり、放熱板３７の接合領域が上記のリードフレーム部材３１と異なる。すなわち、リードフレーム部材３１′では、薄肉部３５ａのワイヤボンディング領域とは反対側の面に放熱板３７が電気絶縁性の接合部材３８を介して接合され、定厚部３５ｂの領域には接合されていない。
【００６６】
また、図１５は、リードフレーム部材の第２の発明の他の実施形態を示す図１３相当の概略断面図である。図１５において、本発明のリードフレーム部材３１″は、放熱板３７の接合位置が上記のリードフレーム部材３１と異なる。すなわち、リードフレーム部材３１″では、薄肉部３５ａの切欠き部位側（ワイヤボンディング領域とは反対側）の面に放熱板３７が電気絶縁性の接合部材３８を介して接合されている。
【００６７】
上述のリードフレーム部材３１′，３１″においても、リードフレーム部材３１と同様に、樹脂封止型半導体装置製造の際の樹脂封止領域の少なくとも一部にパラジウムめっき層を備えるものでもよい。
【００６８】
リードフレーム部材の製造方法の第２の発明
次に、本発明のリードフレーム部材の製造方法について説明する。
【００６９】
図１６は、図１１乃至図１３に示されるリードフレーム部材３１を例としたリードフレーム部材の製造方法の第２の発明の一実施形態を示す工程図である。
【００７０】
図１６において、まず、第１の工程では、導電性基材５１の表裏に感光性レジストを塗布、乾燥して感光性レジスト層を形成し、これを所定のフォトマスクを介して露光した後、現像してレジストパターン６１Ａ，６１Ｂを形成する（図１６（Ａ））。導電性基材５１としては、上述のような４２合金（Ｎｉ４１％のＦｅ合金）、銅、銅合金等の金属基板（厚み１００〜２５０μｍ）を使用することができ、この導電性基材５１は、両面を脱脂等を行い洗浄処理したものを使用することが好ましい。また、感光性レジストとしては、従来公知のもの、例えば、重クロム酸カリウムを感光剤としたポリビニルアルコール水溶液からなるレジスト等を使用することができる。
【００７１】
次に、レジストパターン６１Ａ，６１Ｂを耐腐蝕膜として導電性基材５１に腐蝕液でエッチングを行い、その後、レジストパターン６１Ａ，６１Ｂを除去することにより、外形加工部材５１′を作製する（図１６（Ｂ））。腐蝕液は、通常、塩化第二鉄水溶液（液温３５〜８０℃、比重３５〜５０ボーメ（例えば、導電性基材３１が銅材の場合、液温４５℃、比重４０ボーメとし、４２合金の場合、液温７５℃、比重４８ボーメとすることができる））を使用し、導電性基材５１の両面からスプレーエッチング（スプレー圧２〜５ｋｇ／ｃｍ2 ）にて行う。このエッチング工程におけるエッチング量を加減することにより、ハーフエッチング加工を行うことができる。また、腐蝕液のスプレー圧を高く（例えば、５ｋｇ／ｃｍ2 ）することにより、深さ方向のエッチングが進行しやすくなり、高精細なパターンエッチングがより容易となる。
【００７２】
図１７は、作製された外形加工部材５１′の平面図であり、上記の図１６（Ｂ）は図１７のＤ−Ｄ線における概略断面図に相当する。また、図１８は図１７に示される外形加工部材５１′の部分拡大平面図である。図１６（Ｂ）と図１７および図１８に示されるように、外形加工部材５１′は、外形形状および内側開口形状が矩形である外枠部材５２と、外枠部材５２の内側開口の各辺から同一平面内に突設されている複数のリードフレーム５３と、保持部材５７とを備えたものである。各リードフレーム５３は、外枠部材５２から内側開口内に突設されたアウターリード５４と、このアウターリード５４の先端部に延設されたインナーリード５５とからなる。また、各リードフレーム５３のインナーリード５５は、その先端部側に薄肉部５５ａが形成され、インナーリード５５のアウターリード側には定厚部５５ｂが形成されている。さらに、薄肉部５５ａの先端から細幅部５５ｃが突出しており、保持部材５７は各インナリードの先端部（細幅部５５ｃ）を連結保持するように配設されている。本発明では、上記の細幅部５５ｃの幅は、隣接するインナーリード５５間の距離よりも小さく設定されている。また、上記の薄肉部５５ａは、導電性基材５１の薄肉部５５ａ以外の部位（定厚部５５ｂ）よりも薄いものである。すなわち、各リードフレーム５３に挟まれた部位は、表裏からのエッチングにより導電性基材が除去され、インナーリード５５の薄肉部５５ａ、細幅部５５ｃおよび保持部材５７は、表からのエッチング（ハーフエッチング）により薄肉部として形成される。尚、図示例では、各アウターリード５４はダムバー５３ａで相互に接続固定されている。
【００７３】
次に、第２の工程として、外形加工部材５１′のインナーリード５５および保持部材５７の一方の面（図示例では、ハーフエッチングされた切欠き部位側）に銀めっき層３６を形成し、次いで、外形加工部材５１′のインナーリード５５の薄肉部５５ａ、細幅部５５ｃおよび保持部材５７の銀めっき層３６形成面とは反対側の面に接合部材３８を圧着して配設する（図１６（Ｃ））。この接合部材３８は、少なくとも接着層を備えるものであり、通常、電気絶縁性のベースフィルムの両面に接着層を設けたものを使用することができる。このような接合部材３８の接着層（電気絶縁性のベースフィルムの両面に接着層を設けたものでは、少なくともインナーリード５５側に当接する接着層）を、熱硬化性接着剤からなり熱処理を施した状態、あるいは、熱硬化性接着剤からなり厚みが５〜１５μｍの範囲内に設定した状態で、インナーリード５５および保持部材５７の裏面に圧着して配設することが好ましい。
【００７４】
次に、図１６（Ｃ）および図１８の矢印ａで示される位置でプレスにてインナーリード５５の細幅部５５ｃと接合部材３８とを同時に打ち抜くことにより、保持部材５７をその表面に形成されている銀めっき層３６、接合部材３８とともに除去する。これにより、各リードフレーム５３のインナーリード５５先端部（細幅部５５ｃ）を電気的に非接触とする（図１６（Ｄ））。この状態では、各インナーリード５５の先端が接合部材３８により非接触の状態で確実に連結固定されているので、後加工において薄肉部５５ａの機械的強度不足は問題とならない。また、本発明では、打ち抜き時に導電性材料５１の切断面から発生する金属カスは、最大のものでも細幅部５５ｃの幅と同じ大きさであり、これは隣接するインナーリード間の距離よりも小さいので、この金属カスによるインナーリード間の短絡は防止される。
【００７５】
次いで、第３の工程として、各インナーリード５５に接合部材３８を介して放熱板３７を接合し、その後、接合部材３８の接着層を硬化させることにより、図１１乃至図１３に示されるような本発明のリードフレーム３１を作製する（図１６（Ｅ））。
【００７６】
リードフレーム部材の第３の発明
図１９はリードフレーム部材の第３の発明の一実施形態を示す平面図、図２０は図１９に示されるリードフレーム部材の部分拡大平面図、図２１は図１９に示されるリードフレーム部材のＥ−Ｅ線における概略断面図である。
【００７７】
図１９乃至図２１において、本発明のリードフレーム部材４１は、外枠部材４２と、複数のリードフレーム４３と、放熱板４７と、固定テープ４９とを備えている。
【００７８】
外枠部材４２は、上述のリードフレーム部材３１の外枠部材３２と同様に、外形形状および内側開口形状が矩形であり、各リードフレーム４３は外枠部材４２の内側開口の各辺から同一平面内に突設されている。
【００７９】
リードフレーム４３は、外枠部材４２から内側開口内に突設されたアウターリード４４と、このアウターリード４４の先端部に延設されたインナーリード４５とからなり、図示例では、各アウターリード４４はダムバー４３ａで相互に接続固定されている。
【００８０】
インナーリード４５は、その先端部側に薄肉部４５ａが形成され、インナーリード４５のアウターリード側には定厚部４５ｂが形成されている。さらに、薄肉部４５ａの先端には細幅部４５ｃが突出しており、細幅部４５ｃの幅Ｌ１は、隣接するインナーリード４５間の距離Ｌ２よりも小さいものである。この細幅部４５ｃの先端は、固定テープ４９の内側端部４９ａと一致しており、インナーリード４５の先端が固定テープ４９により確実に固定された構造となっている。これにより、上記の放熱板４７の接合段階や後工程におけるハンドリング時のインナーリード４５の変形が防止される。
【００８１】
上記の薄肉部４５ａは、リードフレーム部材４１の薄肉部４５ａ以外の部位（素材である導電性基材の厚みを有する部位＝定厚部４５ｂ）よりも薄いものである。上記の薄肉部４５ａの厚み、定厚部４５ｂの厚み、および、薄肉部４５ａの厚みと定厚部４５ｂの厚みの比率、細幅部４５ｃの幅Ｌ１、隣接するインナーリード４５間の距離Ｌ２、各インナーリード４５の先端部のピッチは、上述のリードフレーム部材１と同様の範囲で設定することができる。
【００８２】
また、図示例では、薄肉部４５ａの切欠き部位側（図２１の上側）のワイヤボンディング領域には銀めっき層４６が形成されている。尚、銀めっき層４６の代わりに金めっき層やパラジウムめっき層等を設けてもよい。
【００８３】
上記のような外枠部材４２、複数のリードフレーム４３の材質は、４２合金（Ｎｉ４１％のＦｅ合金）、銅、銅合金等とすることができる。
【００８４】
放熱板４７は、電気絶縁性の接合部材４８を介して各インナーリード４５の薄肉部４５ａ、定厚部４５ｂおよび細幅部４５ｃとに亘って接合されている。放熱板４７の材料、厚み、接合部材４８の構成および接着層は、上述のリードフレーム部材３１の放熱板３７、接合部材３８と同様とすることができる。図示のようにインナーフレーム４５の薄肉部４５ａ、定厚部４５ｂ、細幅部４５ｃとに亘って放熱板４７を接合することにより、上述のように固定テープ４９で補強されているインナーリードの補強がより確実なものとなる。
固定テープ４９は、インナーリード４５の薄肉部４５ａのワイヤボンディング領域側に固着され、各インナーリード４５を非接触の状態で連結保持するものである。この固定テープ４９の構成および接着層は、上述のリードフレーム部材１の固定テープ９と同様のものとすることができる。
【００８５】
図示例では、固定テープ４９はインナーリード４５の薄肉部４５ａと細幅部４５ｃに直接固着され、この固定テープ４９よりも外側に銀めっき層４６が形成されているが、薄肉部４５ａのワイヤボンディング領域に形成された銀めっき層４６上に一部にかかるように固定テープ４９を固着してもよい。
【００８６】
また、リードフレーム部材４１においても、上述のリードフレーム部材１と同様に、樹脂封止型半導体装置製造の際の樹脂封止領域の少なくとも一部にパラジウムめっき層を備えるものでもよい。
【００８７】
図２２は、リードフレーム部材の第３の発明の他の実施形態を示す図２１相当の概略断面図である。図２２において、本発明のリードフレーム部材４１′は、上述のリードフレーム部材４１と基本構造は同じであり、放熱板４７の接合領域が上記のリードフレーム部材４１と異なる。すなわち、リードフレーム部材４１′では、薄肉部４５ａのワイヤボンディング領域とは反対側の面に放熱板４７が電気絶縁性の接合部材４８を介して接合され、定厚部４５ｂの領域には接合されていない。
【００８８】
また、図２３は、リードフレーム部材の第３の発明の他の実施形態を示す図２１相当の概略断面図である。図２３において、本発明のリードフレーム部材４１″は、放熱板４７の接合位置が上記のリードフレーム部材４１と異なる。すなわち、リードフレーム部材４１″では、薄肉部４５ａの切欠き部位側（ワイヤボンディング領域とは反対側）の面に放熱板４７が電気絶縁性の接合部材４８を介して接合されている。
【００８９】
上述のリードフレーム部材４１′，４１″においても、リードフレーム部材１１と同様に、樹脂封止型半導体装置製造の際の樹脂封止領域の少なくとも一部にパラジウムめっき層を備えるものでもよい。
【００９０】
リードフレーム部材の製造方法の第３の発明
図２４は、図１９乃至図２１に示されるリードフレーム部材４１を例としたリードフレーム部材の製造方法の第３の発明の一実施形態を示す工程図である。
【００９１】
図２４において、まず、第１の工程では、上述の製造方法の第２の発明の第１の工程と同様にして、外形加工部材５１′を作製する（図２４（Ａ））。すなわち、導電性基材５１の表裏に感光性レジストを塗布、乾燥して感光性レジスト層を形成し、これを所定のフォトマスクを介して露光した後、現像してレジストパターンを形成する。次に、このレジストパターンを耐腐蝕膜として導電性基材５１に腐蝕液でエッチングを行い、その後、レジストパターンを除去する。エッチング工程では、エッチング量を加減することにより、ハーフエッチング加工を行う。このようにして作成された外形加工部材５１′は、後述する図２５にも示されるように、外形形状および内側開口形状が矩形である外枠部材５２と、外枠部材５２の内側開口の各辺から同一平面内に突設されている複数のリードフレーム５３と、保持部材５７とを備えたものである。各リードフレーム５３は、外枠部材５２から内側開口内に突設されたアウターリード５４と、このアウターリード５４の先端部に延設されたインナーリード５５とからなる。また、各リードフレーム５３のインナーリード５５は、その先端部側に薄肉部５５ａが形成され、インナーリード５５のアウターリード側には定厚部５５ｂが形成されている。さらに、薄肉部５５ａの先端から細幅部５５ｃが突出しており、保持部材５７は各インナリードの先端部（細幅部５５ｃ）を連結保持するように配設されている。本発明では、上記の細幅部５５ｃの幅は、隣接するインナーリード５５間の距離よりも小さく設定されている。また、上記の薄肉部５５ａは、導電性基材５１の薄肉部５５ａ以外の部位（定厚部５５ｂ）よりも薄いものである。すなわち、各リードフレーム５３に挟まれた部位は、表裏からのエッチングにより導電性基材が除去され、インナーリード５５の薄肉部５５ａ、細幅部５５ｃおよび保持部材５７は、表からのエッチング（ハーフエッチング）により薄肉部として形成される。尚、図示例では、各アウターリード５４はダムバー５３ａで相互に接続固定されている。
【００９２】
また、上記のエッチング工程では、上述の製造方法の第１の発明と同様に、２段エッチングを行ってもよい。
【００９３】
次に、第２の工程として、外形加工部材５１′のインナーリード５５の薄肉部５５ａの一方の面（図示例では、ハーフエッチングされた切欠き部位側）に銀めっき層４６を形成し、次いで、この銀めっき層４６よりも内側の薄肉部５５ａ、細幅部５５ｃおよび保持部材５７上に固定テープ４９を圧着する（図２４（Ｂ））。図２５は、このように固定テープ４９が圧着された外形加工部材５１′の平面図であり、図２４（Ｂ）は図２５のＦ−Ｆ線における概略断面図に相当する。図２６は図２５に示される外形加工部材５１′の部分拡大平面図である。図２５および図２６に示されるように、外形加工部材５１′において、薄肉部１５ａの先端から突出している細幅部１５ｃは固定テープ４９に覆われ、また、薄肉部１５ａの一部と保持部材５７の一部にも固定テープ４９が固着されている。
【００９４】
固定テープ４９は電気絶縁性のベース基材の一方の面に接着層を設けたものを使用することができ、上述の固定テープ９と同様とすることができる。
【００９５】
次に、固定テープ４９の接着層を硬化させた後、図２５に一点鎖線で示される位置（図２６に矢印ａで示される位置）で細幅部５５ｃと固定テープ４９とをプレスにて同時に打ち抜くことにより、保持部材５７をその表面に形成されている固定テープ４９とともに除去する。これにより、各リードフレーム５３のインナーリード５５先端部を電気的に非接触とする（図２４（Ｃ））。この状態では、各インナーリード５５の先端部は固定テープ４９により非接触の状態で連結保持されているので、後加工において薄肉部５５ａの機械的強度不足は問題とならない。また、打ち抜き時に切断面から発生する金属カスは、最大のものでも細幅部５５ｃの幅と同じ大きさであり、これは隣接するインナーリード間の距離よりも小さいので、この金属カスによるインナーリード間の短絡は防止される。
【００９６】
次いで、第３の工程として、一方の面に接着層４８を設けた放熱板４７を、接着層４８を各インナーリード５５の裏面側に圧着するように接合する。上記の接着層４８を、熱硬化性接着剤からなり熱処理を施した状態、あるいは、熱硬化性接着剤からなり厚みが５〜１５μｍの範囲内に設定した状態として、インナーリード５５の裏面に圧着することが好ましい。
【００９７】
次に、接着層１８を硬化させることにより、図１９乃至図２１に示されるような本発明のリードフレーム４１を作製する（図２４（Ｄ））。
【００９８】
樹脂封止型半導体装置の第１の発明
次に、本発明の樹脂封止型半導体装置について説明する。
【００９９】
図２７は、樹脂封止型半導体装置の第１の発明の一実施形態を示す概略断面図であり、半導体装置の構造を理解しやすくするために、封止部材を仮想線（２点鎖線）で示している。
【０１００】
図２７において、樹脂封止型半導体装置６１は、上述の図１乃至図３に示されるリードフレーム部材１を用いて作製したＱＦＰタイプの樹脂封止型半導体装置である。すなわち、樹脂封止型半導体装置６１では、リードフレーム部材１のダイパッド７上に、電気絶縁性の両面接着テープ６３を介して半導体素子６２がその素子面と反対側を固着されて搭載されている。この半導体素子６２の端子部６２ａは、リードフレーム部材１の薄肉部５ａの銀めっき層６にワイヤ６４によって接続されている。そして、リードフレーム部材１のアウターリード４を外部に露出させるように、インナーリード５、ダイパッド７、半導体素子６２、ワイヤ６４が封止部材６５により封止されている。封止部材６５は、従来から樹脂封止型半導体装置に用いられている電気絶縁性の樹脂材料を用いることができ、特に制限はない。
【０１０１】
このように封止部材６５により封止された状態で、リードフレーム部材１の外枠部材２および各アウターリード４を相互に接続固定しているダムバー３ａ（図１参照）を切断除去することにより、複数のアウターリード４が相互に電気的に非接触の状態で封止部材６５の側面から突出したものとなる。そして、このアウターリード４をガルウイング状に成形することにより、樹脂封止型半導体装置６１が得られる。このような樹脂封止型半導体装置６１は、多ピン化への対応が可能である。
【０１０２】
上記の樹脂封止型半導体装置６１では、リードフレーム部材１が使用されているが、リードフレーム部材の第１の発明であるリードフレーム部材１′，１″（図５および図６参照）を使用して本発明の樹脂封止型半導体装置を作製することもできる。
【０１０３】
また、ダイパッド７の半導体素子搭載面と反対側を外部に露出するように封止部材６５により封止して、放熱性を向上させてもよい。
【０１０４】
樹脂封止型半導体装置の第２の発明
図２８は、樹脂封止型半導体装置の第２の発明の一実施形態を示す概略断面図であり、半導体装置の構造を理解しやすくするために、封止部材を仮想線（２点鎖線）で示している。
【０１０５】
図２８において、樹脂封止型半導体装置７１は、上述の図１１乃至図１３に示されるリードフレーム部材３１を用いて作製したＱＦＰタイプの樹脂封止型半導体装置である。すなわち、樹脂封止型半導体装置７１では、リードフレーム部材３１の放熱板３７上に、電気絶縁性の両面接着テープ７３を介して半導体素子７２がその素子面と反対側を固着されて搭載されている。両面接着テープ７３としては、電気絶縁性のベースフィルムの両面に接着層を形成したもの、例えば、ユーピレックス（宇部興産（株）製の電気絶縁性ベースフィルム）の両面にＲＸＦ（（株）巴川製紙所製の接着剤）層を備えたＵＸ１Ｗ（（株）巴川製紙所製）のような両面接着テープを挙げることができる。
【０１０６】
上記の半導体素子７２の端子部７２ａは、リードフレーム部材３１の薄肉部３５ａの銀めっき層３６にワイヤ７４によって接続されている。そして、リードフレーム部材３１のアウターリード３４を外部に露出させるように、インナーリード３５、放熱板３７、半導体素子７２、ワイヤ７４が封止部材７５により封止されている。封止部材７５は、従来から樹脂封止型半導体装置に用いられている電気絶縁性の樹脂材料を用いることができ、特に制限はない。
【０１０７】
このように封止部材７５により封止された状態で、リードフレーム部材３１の外枠部材３２と、各アウターリード３４を相互に接続固定しているダムバー３３ａ（図１１参照）とを切断除去することにより、複数のアウターリード３４が相互に電気的に非接触の状態で封止部材７５の側面から突出したものとなり、このアウターリード３４をガルウイング状に成形することにより、樹脂封止型半導体装置７１が得られる。
【０１０８】
このような樹脂封止型半導体装置７１は、多ピン化への対応が可能であり、また、半導体素子の放熱性に優れたものである。
【０１０９】
図２９は、樹脂封止型半導体装置の第２の発明の他の実施形態を示す概略断面図であり、半導体装置の構造を理解しやすくするために、封止部材を仮想線（２点鎖線）で示している。
【０１１０】
図２９において、樹脂封止型半導体装置７１′は、厚みの大きい放熱板３７′を使用し、封止部材７５により封止された状態で、放熱板３７′の半導体素子搭載面と反対側の面が外部に露出している点を除いて、基本的に上述の樹脂封止型半導体装置７１と同様の構造である。このように放熱板３７′を外部に露出することにより、半導体素子７２で発生した熱は、熱伝導度の高い放熱板３７′へ伝わり、その後、放熱板３７′の露出した面から効率よく除去されるので、樹脂封止型半導体装置７１′は放熱性が更に良好なものとなる。
【０１１１】
上記の樹脂封止型半導体装置７１，７１′では、リードフレーム部材３１が使用されているが、リードフレーム部材の第２の発明であるリードフレーム部材３１′，３１″（図１４および図１５参照）を使用して本発明の樹脂封止型半導体装置を作製することもできる。
【０１１２】
図３０は、樹脂封止型半導体装置の第２の発明の他の実施形態を示す概略断面図であり、半導体装置の構造を理解しやすくするために、封止部材を仮想線（２点鎖線）で示している。
【０１１３】
図３０において、樹脂封止型半導体装置８１は、上述の図１９乃至図２１に示されるリードフレーム部材４１を用いて作製したＱＦＰタイプの樹脂封止型半導体装置である。すなわち、樹脂封止型半導体装置８１では、リードフレーム部材４１の放熱板４７（接合部材４８）上に、電気絶縁性の両面接着テープ８３を介して半導体素子８２がその素子面と反対側を固着されて搭載されている。この半導体素子８２の端子部８２ａは、リードフレーム部材４１の薄肉部４５ａの銀めっき層４６にワイヤ８４によって接続されている。そして、リードフレーム部材４１のアウターリード４４を外部に露出させるように、インナーリード４５、放熱板４７、半導体素子８２、ワイヤ８４が封止部材８５により封止されている。このように封止部材８５により封止された状態で、リードフレーム部材４１の外枠部材４２および各アウターリード４４を相互に接続固定しているダムバー４３ａ（図１９参照）を切断除去することにより、複数のアウターリード４４が相互に電気的に非接触の状態で封止部材８５の側面から突出したものとなる。そして、このアウターリード４４をガルウイング状に成形することにより、樹脂封止型半導体装置８１が得られる。
【０１１４】
このような樹脂封止型半導体装置８１は、多ピン化への対応が可能であり、また、半導体素子の放熱性に優れたものである。
【０１１５】
上記の樹脂封止型半導体装置８１では、リードフレーム部材４１が使用されているが、リードフレーム部材の第３の発明であるリードフレーム部材４１′，４１″（図２２および図２３参照）を使用して本発明の樹脂封止型半導体装置を作製することもできる。
【０１１６】
また、放熱板４７として厚みの大きい放熱板を使用し、封止部材８５により封止された状態で放熱板が外部に露出するようにしてもよい。
【０１１７】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば各リードフレームのインナーリードは、その細幅部の先端部まで電気絶縁性の固定テープ、あるいは、放熱板を接合するための接合部材により非接触の状態で連結され補強さているので、機械的強度の弱いインナーリードの狭ピッチ化において有利であり、このようなリードフレーム部材を用いた樹脂封止型半導体装置は、多ピン化への対応が可能であるとともに、放熱板を備えたリードフレームを使用した場合、放熱性が極めて良好なものとなる。また、リードフレーム部材の製造段階で、電気絶縁性の固定テープ、あるいは、放熱板を接合するための接合部材が固着された細幅部において、インナーリードと固定テープとを、また、インナーリードと接合部材とを、プレスにて同時に打ち抜くので、インナーリード先端が固定テープ、接合部材とにより確実に固定され、また、打ち抜き時に上記の細幅部の切断面から発生する金属カスは、隣接するインナーリード間の距離よりも小さいため、この金属カスによるインナーリード間の短絡は発生せず、信頼性の高い樹脂封止型半導体装置が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】リードフレーム部材の第１の発明の一実施形態を示す平面図である。
【図２】図１に示されるリードフレーム部材の部分拡大平面図である。
【図３】図１に示されるリードフレーム部材のＡ−Ａ線における概略断面図である。
【図４】リードフレーム部材の第１の発明の他の実施形態を示す平面図である。
【図５】リードフレーム部材の第１の発明の他の実施形態を示す概略断面図である。
【図６】リードフレーム部材の第１の発明の他の実施形態を示す概略断面図である。
【図７】リードフレーム部材の製造方法の第１の発明を説明するための工程図である。
【図８】図７に示される製造工程で作製される外形加工部材の平面図である。
【図９】図８に示される外形加工部材の部分拡大平面図である。
【図１０】図７に示される製造工程で用いる２段エッチングを説明するための工程図である。
【図１１】リードフレーム部材の第２の発明の一実施形態を示す平面図である。
【図１２】図１１に示されるリードフレーム部材の部分拡大平面図である。
【図１３】図１１に示されるリードフレーム部材のＣ−Ｃ線における概略断面図である。
【図１４】リードフレーム部材の第２の発明の他の実施形態を示す概略断面図である。
【図１５】リードフレーム部材の第２の発明の他の実施形態を示す概略断面図である。
【図１６】リードフレーム部材の製造方法の第２の発明を説明するための工程図である。
【図１７】図１６に示される製造工程で作製される外形加工部材の平面図である。
【図１８】図１７に示される外形加工部材の部分拡大平面図である。
【図１９】リードフレーム部材の第３の発明の一実施形態を示す平面図である。
【図２０】図１９に示されるリードフレーム部材の部分拡大平面図である。
【図２１】図１９に示されるリードフレーム部材のＥ−Ｅ線における概略断面図である。
【図２２】リードフレーム部材の第３の発明の他の実施形態を示す平面図である。
【図２３】リードフレーム部材の第３の発明の他の実施形態を示す概略断面図である。
【図２４】リードフレーム部材の製造方法の第３の発明を説明するための工程図である。
【図２５】図２４に示される製造工程で作製される外形加工部材の平面図である。
【図２６】図２５に示される外形加工部材の部分拡大平面図である。
【図２７】樹脂封止型半導体装置の第１の発明の一実施形態を示す概略断面図である。
【図２８】樹脂封止型半導体装置の第２の発明の他の実施形態を示す概略断面図である。
【図２９】樹脂封止型半導体装置の第２の発明の他の実施形態を示す概略断面図である。
【図３０】樹脂封止型半導体装置の第２の発明の一実施形態を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１，１′，１″，３１，３１′，３１″，４１，４１′，４１″…リードフレーム部材
２，３２，４２…外枠部材
３，３３，４３…リードフレーム
４，３４，４４…アウターリード
５，３５，４５…インナーリード
５ａ，３５ａ，４５ａ…薄肉部
５ｂ，３５ｂ，４５ｂ…定厚部
５ｃ，３５ｃ，４５ｃ…細幅部
６，３６，４６…銀めっき層
７…ダイパッド
８…接続リード
３７，４７…放熱板
３８，４８…接合部材
９，４９…固定テープ
１１，５１…導電性基材
１１′，５１′…外形加工部材
１２，５２…外枠部材
１３，５３…リードフレーム
１４，５４…アウターリード
１５，５５…インナーリード
１５ａ，５５ａ…薄肉部
１５ｂ，５５ｂ…定厚部
１５ｃ，５５ｃ…細幅部
５７…保持部材
６１，７１，７１′，８１…樹脂封止型半導体装置
６２，７２，８２…半導体素子
６４，７４，８４…ワイヤ
６５，７５，８５…封止部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
0004351327.tif 000004
【図４】
0004351327.tif 000005
【図５】
0004351327.tif 000006
【図６】
0004351327.tif 000007
【図７】
0004351327.tif 000008
【図８】
0004351327.tif 000009
【図９】
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【図１０】
0004351327.tif 000011
【図１１】
0004351327.tif 000012
【図１２】
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【図１３】
0004351327.tif 000014
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
0004351327.tif 000018
【図１８】
0004351327.tif 000019
【図１９】
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【図２０】
0004351327.tif 000021
【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
0004351327.tif 000027
【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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