(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リンを３質量ｐｐｂ〜１質量ｐｐｍ含有したニオブまたはタンタルを主成分とする平均粒径が０．１μｍ以上で５μｍ未満、比表面積が０．５〜１５ｍ2／ｇのコンデンサ用粉体。
【請求項２】
ニオブまたはタンタルの一部が窒化されている請求項１に記載のコンデンサ用粉体。
【請求項３】
請求項１または２に記載のコンデンサ用粉体を造粒した、平均粒径が１０〜３００μｍのコンデンサ用粉体。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載のコンデンサ用粉体を用いた焼結体。
【請求項５】
焼結体の比表面積が、０．２〜７ｍ2／ｇである請求項４に記載の焼結体。
【請求項６】
請求項４または５に記載の焼結体を一方の電極とし、その表面上に形成された誘電体と他方の電極とから構成されたコンデンサ。
【請求項７】
誘電体が、酸化ニオブまたは酸化タンタルを主成分とする請求項６に記載のコンデンサ。
【請求項８】
酸化ニオブまたは酸化タンタルが、電解酸化により形成されたことを特徴とする請求項７に記載のコンデンサ。
【請求項９】
他方の電極が、有機半導体からなり、該有機半導体がベンゾピロリン４量体とクロラニルからなる有機半導体、テトラチオテトラセンを主成分とする有機半導体、テトラシアノキノジメタンを主成分とする有機半導体、下記一般式（１）または（２）
【化１】
0004260443.tif 000011
（式（１）および（２）において，Ｒ1〜Ｒ4は水素、炭素数１〜６のアルキル基または炭素数１〜６のアルコキシ基を表し、これらは互いに同一であっても相違してもよく、Ｘは酸素、イオウまたは窒素原子を表し、Ｒ5はＸが窒素原子のときのみ存在して水素または炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｒ1とＲ2およびＲ3とＲ4は互いに結合して環状になっていても良い。）で表される繰り返し単位を２以上含む重合体にドーパントをドープした電導性高分子を主成分とした有機半導体からなる群より選ばれた少なくとも一種の有機半導体である請求項６乃至８のいずれか１項に記載のコンデンサ。
【請求項１０】
電導性高分子が、ポリピロール、ポリチオフェンおよびこれらの置換誘導体から選ばれた少なくとも一種である請求項９に記載のコンデンサ。
【請求項１１】
電導性高分子が、下記一般式（３）
【化２】
0004260443.tif 000012
（式中、Ｒ6及びＲ7は、各々独立して水素原子、炭素数１乃至６の直鎖状もしくは分岐状の飽和もしくは不飽和のアルキル基、または該アルキル基が互いに任意の位置で結合して、２つの酸素元素を含む少なくとも１つ以上の５〜７員環の飽和炭化水素の環状構造を形成する置換基を表わす。また、前記環状構造には置換されていてもよいビニレン結合を有するもの、置換されていてもよいフェニレン構造のものが含まれる。）で示される繰り返し単位を含む電導性高分子である請求項９または１０に記載のコンデンサ。
【請求項１２】
電導性高分子が、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）にドーパントをドープした電導性高分子である請求項１１に記載のコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、容量出現率が大きく耐湿値が良好なコンデンサ，該コンデンサ用の粉体および該粉体を用いた焼結体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
タンタルやニオブなどで代表される土酸金属は、化学的に安定な金属であるため多様な用途に使用されている。例えば、タンタルは、携帯電話やパーソナルコンピューター等の電子機器用のコンデンサ材料として広く利用されている。また、ニオブもコンデンサ材料としては、研究の緒についたところであるが、材料が持つ高誘電率性能が高く評価されている。コンデンサ材料として使用される土酸金属の形態は、通常粉体であり、該粉体を成型後焼結することにより一体化され、焼結体と言われる電極になる。また、このようなコンデンサ用電極の得られる粉体材料は、コンデンサ用粉体とも呼ばれる。
【０００３】
該焼結体内部は、前記粉体が電気的・機械的に連結した三次元の複雑な形状をとる。これら焼結体内部及び外部に誘電体皮膜層を形成した後、他方の電極となる材料を含浸してコンデンサが構成される。作製されたコンデンサの容量は、誘電体皮膜層が焼結体内外部の表面に均一に付着している限り、ミクロ的には、他方の電極材料と誘電体皮膜層との接触状況に大きく依存する。
【０００４】
従来、コンデンサ用粉体にリンを混合して焼結体の焼結性を改善し、焼結体の比表面積を上昇させることができることがなされたことはある。例えば、特許文献１にはリンを５〜６００ｐｐｍ添加することによりＣＶ値（電解液中での容量と誘電体皮膜を形成する時の化成電圧との積。比表面積に比例する物性値）が上昇することが記載されている。しかしながら、これよりはるかに微量な濃度のリンを添加することにより、焼結体の比表面積を上げることなく他方の電極材料の含浸後の容量を大きくすることはなされなかった。また、従来公知のように高濃度でリンを添加した場合、後記するようにＣＶ値は上昇するものの、他方の電極材料の含浸後の容量をＣＶ値の上昇比率と同程度に上げることができない。
【０００５】
【特許文献１】
米国特許第４０８４９６５号明細書
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
他方の電極材料として、酢酸水溶液を用いたとき、誘電体皮膜層との接触状況が完全として、その時の容量出現率を１００％とすると、粘性の大きな電極材料、とくに固体の電極材料を使用した場合、該容量出現率を１００％とすることは、困難であった。とりわけ、前記コンデンサ用粉体の平均粒径が小さくなればなるほど困難さが増加し、極端な場合には、容量出現率は、５０％にも満たないこともあった。また、このような低容量出現率の場合、作製したコンデンサの耐湿値が不良であった。本発明の課題は、これらの問題を解決し、容量出現率が大きく、耐湿性の良好なコンデンサ、それを作製可能な焼結体、及びコンデンサ用粉体を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、前記課題を解決するために鋭意検討した結果、驚くことに、極めて微量のリンを含んだ土酸金属を主成分とするコンデンサ用粉体を使用すると、従来不可能であった容量出現率を達成できること、および該粉体を用いたコンデンサの耐湿値が良好であることを見いだし本発明を完成するに至った。なお、主成分とは最も多く含まれる成分のことであり、５０％より多い成分は主成分である。
【０００８】
すなわち、本発明では、きわめて微量な濃度のリンを添加することにより、焼結体の比表面積を上げることなく他方の電極材料の含浸後の容量を大きく上げることを可能にならしめた。従来公知のように高濃度でリンを添加した場合は、後記するようにＣＶ値は上昇するものの、他方の電極材料の含浸後の容量をＣＶ値の上昇比率と同程度に上げることができないが、本発明では、容量出現率のみ上昇させることができる。このことは、微量なリンの添加によって、他方の電極材料と焼結体内部の細孔との接触状況が改善されたと考えることが妥当と思われる。多量なリンの添加は、かえって他方の電極材料の含浸を妨げているものと解釈できる。また、比表面積が上がると焼結体の強度が下がるが、本発明ではそのようなことが起こり得ない。
【０００９】
すなわち、本発明は、以下のコンデンサ用粉体、それを用いた焼結体及びそれを用いたコンデンサに関する。
（１）リンを３質量ｐｐｂ〜１質量ｐｐｍ含有したことを特徴とする土酸金属を主成分とするコンデンサ用粉体。
（２）土酸金属が、ニオブである前項１に記載のコンデンサ用粉体。
（３）コンデンサ用粉体の平均粒径が、０．２μｍ以上で５μｍ未満である前項１または２に記載のコンデンサ用粉体。
（４）コンデンサ用粉体の比表面積が、０．５〜１５ｍ2／ｇである前項１乃至３のいずれか１項に記載のコンデンサ用粉体。
（５）土酸金属の一部が窒化されている前項１乃至４のいずれか１項に記載のコンデンサ用粉体。
（６）前項１乃至５のいずれか１項に記載のコンデンサ用粉体を造粒した、平均粒径が１０〜３００μｍのコンデンサ用粉体。
（７）前項１乃至６のいずれか１項に記載のコンデンサ用粉体を用いた焼結体。
（８）焼結体の比表面積が、０．２〜７ｍ2／ｇである前項７に記載の焼結体。
（９）前項７または８に記載の焼結体を一方の電極とし、その表面上に形成された誘電体と他方の電極とから構成されたコンデンサ。
（１０）誘電体が、酸化ニオブまたは酸化タンタルを主成分とする前項９に記載のコンデンサ。
（１１）酸化ニオブまたは酸化タンタルが、電解酸化により形成されたことを特徴とする前項１０に記載のコンデンサ。
（１２）他方の電極が、有機半導体からなり、該有機半導体がベンゾピロリン４量体とクロラニルからなる有機半導体、テトラチオテトラセンを主成分とする有機半導体、テトラシアノキノジメタンを主成分とする有機半導体、下記一般式（１）または（２）
【化３】
0004260443.tif 000002
（式（１）および（２）において，Ｒ1〜Ｒ4は水素、炭素数１〜６のアルキル基または炭素数１〜６のアルコキシ基を表し、これらは互いに同一であっても相違してもよく、Ｘは酸素、イオウまたは窒素原子を表し、Ｒ5はＸが窒素原子のときのみ存在して水素または炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｒ1とＲ2およびＲ3とＲ4は互いに結合して環状になっていても良い。）で表される繰り返し単位を２以上含む重合体にドーパントをドープした電導性高分子を主成分とした有機半導体からなる群より選ばれた少なくとも一種の有機半導体である前項９乃至１１のいずれか１項に記載のコンデンサ。
（１３）有機半導体が、ポリピロール、ポリチオフェンおよびこれらの置換誘導体から選ばれた少なくとも一種である前項１２に記載のコンデンサ。
（１４）電導性高分子が、下記一般式（３）
【化４】
0004260443.tif 000003
（式中、Ｒ6及びＲ7は、各々独立して水素原子、炭素数１乃至６の直鎖状もしくは分岐状の飽和もしくは不飽和のアルキル基、または該アルキル基が互いに任意の位置で結合して、２つの酸素元素を含む少なくとも１つ以上の５〜７員環の飽和炭化水素の環状構造を形成する置換基を表わす。また、前記環状構造には置換されていてもよいビニレン結合を有するもの、置換されていてもよいフェニレン構造のものが含まれる。）で示される繰り返し単位を含む電導性高分子である前項１２に記載のコンデンサ。
（１５）電導性高分子が、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）にドーパントをドープした電導性高分子である前項１４に記載のコンデンサ。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明のコンデンサ用粉体を得る一形態を説明する。
【００１１】
本発明に使用される土酸金属の代表例として、タンタル、ニオブ、タンタルニオブ合金及びこれらを主成分とする合金があげられる。これら土酸金属を主成分とする粉体は、一般に入手できるものを用いることができる。たとえば、ハロゲン化土酸金属のマグネシウムやナトリウムによる還元、フッ化土酸金属酸カリウムのナトリウム還元、フッ化土酸金属酸カリウムのニッケル陰極上への溶融塩（ＮａＣｌ＋ＫＣｌ）電解、土酸金属の五酸化物のアルカリ金属、アルカリ土類金属、カーボンまたは水素による還元、土酸金属インゴットへの水素導入後の粉砕・脱水素等によって得ることができる。
【００１２】
前記土酸金属に含有されるリンの出発材料として、酸化リン、窒化リン、炭化リン、硫化リン，珪素化リン、リン化金属（銅、銀、白金、チタン、バナジン、クロム、マンガン、鉄などの金属とリンとの化合物）、リン酸塩、及び下記一般式（４）、（５）、（６）、及び（７）で代表される化合物及びこれらの塩からなる群より選ばれる少なくとも一種を使用することができる。
【００１３】
【化５】
0004260443.tif 000004
【００１４】
【化６】
0004260443.tif 000005
【００１５】
【化７】
0004260443.tif 000006
【００１６】
【化８】
0004260443.tif 000007
【００１７】
（一般式（４）〜（７）で、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5は、それぞれ独立に、水素、水酸基、炭素数６以下のアルキル基、炭素数６以下のアルコシキ基、アリール基およびハロゲンから選ばれた一種を表す。また、一般式（４）乃至（７）で表される化合物のＲ1を除く部分をＲXとすると、Ｒ1、Ｒ2は、それぞれ独立に、ＲXまたはＯ−ＲXであってもよい。すなわち、一般式（４）乃至（７）で表される化合物は、リン−リン結合またはリン−酸素−リン結合を有するリン化合物の多量体であってもよい。）
【００１８】
一般式（４）乃至（７）で表される化合物の例として、例えば、ハロゲン化リン、トリアルコキシリン、リン酸トリアルコキシ、６フッ化リン酸アンモニウム塩、ポリリン酸がある。
【００１９】
土酸金属に含有されたリンの含有量は、３質量ｐｐｂ〜１質量ｐｐｍ、好ましくは、１０質量ｐｐｂ〜１質量ｐｐｍの範囲である。この範囲外にあると本発明の効果は、期待できない。
【００２０】
リン化合物を前記土酸金属に含有させる方法として、土酸金属粉体にリン化合物を所定量混合させるか、土酸金属粉体を作製する時の原料または中間体にリン化合物を所定量混合させるか、或いは土酸金属がインゴットの場合は、インゴット作製段階にリン化合物を所定量混合させて（インゴット作製時のリンの飛散質量を予備実験で吟味しておいて）、いわゆるリン−土酸金属合金インゴットとしておく方法があげられる。
【００２１】
リンが含有した土酸金属を主成分とする粉体の平均粒径は、０．１μｍ以上で５μｍ未満、好ましくは０．２μｍ以上で２μｍ未満である。平均粒径が５μｍ以上であると、作製した焼結体自身のＣＶ値が小さく、容量の大きなコンデンサを作製することが困難であるため好ましくない。０．１μｍ未満であると、本発明を持ってしても他方の電極材料を含浸することが難しく、かえって容量を下げるため好ましくない。該平均粒径範囲にある本発明の粉体の比表面積は、０．５〜１５ｍ2／ｇである。本発明のコンデンサ用粉体は、該粉体を所定の大きさに造粒して使用しても良い。
造粒方法として、従来公知の方法が採用できる。例えば、粉体を５００℃〜２０００℃の高温真空下に放置した後、湿式または乾式解砕する方法、アクリル樹脂やポリビニルアルコール等の適当なバインダーと粉体を混合した後解砕する方法、アクリル樹脂や樟脳等の適当な化合物と混合した後高温真空下に放置し、その後湿式または乾式解砕する方法等があげられる。造粒と解砕の程度によって造粒粉の粒径は、任意に変更可能であるが、通常、平均粒径で１０μｍ〜３００μｍのものが使用される。造粒・解砕後に分級して用いても良い。また、造粒後に造粒前の粉体を適量混合して用いても良い。
【００２２】
本発明のコンデンサ用粉体（造粒した粉体をも含む）は、一部窒化した粉体であることが好ましい。窒化量は、数１０質量ｐｐｍ〜数万質量ｐｐｍである。該粉体から焼結体を作製し、後記するように該焼結体の表面に誘電体を形成して、酢酸水溶液中でＬＣ値を測定した場合、小さいＬＣ値とするには、前記窒化量は、３００〜７０００質量ｐｐｍにすることが好ましい。ここで窒化量とは、粉体に吸着したものではなく、反応して窒化したものである。
【００２３】
粉体の窒化は、液体窒化、イオン窒化、ガス窒化などのうちいずれかあるいはそれらの組み合わせた方法で実施することができる。窒素ガス雰囲気によるガス窒化処理は、装置が簡便で操作が容易なため好ましい。たとえば窒素ガス雰囲気によるガス窒化方法は、前記粉体を窒素雰囲気中に放置することによって達成される。窒化する雰囲気温度は、２０００℃以下、放置時間は、数時間以内で目的とする窒化量の粉体が得られる。高温で処理することにより処理時間を短くすることができる。前記粉体の窒化量は、被窒化物の窒化温度と窒化時間を予備実験等で確認した条件で管理することができる。
【００２４】
造粒粉体を窒化する場合、窒化した未造粒粉体から造粒粉体を作製してさらに窒化処理を行っても良い。
【００２５】
本発明の焼結体は、前述した粉体を焼結して製造する。焼結体の製造方法の１例を以下に示す。なお、焼結体の製造方法は、この例に限定されるものではない。例えば、粉体を所定の形状に加圧成型した後、１０-1〜１０-4Ｐａで、数分〜数時間、５００〜２０００℃で加熱して得られる。このような焼結体の比表面積は、通常、０．２〜７ｍ2／ｇになる。
【００２６】
また、適当な形状・長さの、ニオブやタンタル等の弁作用金属からなるリードワイヤーを用意し、前述した粉体の加圧成型時に該リードワイヤーの一部が成型体の内部に挿入されるように一体成型して、該リードワイヤーを前記焼結体の引き出しリードとなるように設計することもできる。
【００２７】
前述した焼結体を一方の電極とし他方の電極の間に介在した誘電体とからコンデンサを製造することができる。コンデンサの誘電体として酸化ニオブおよび酸化タンタルを主成分とする誘電体があげられる。例えば、酸化ニオブを主成分とする誘電体は、一方の電極であるニオブ焼結体を電解液中で化成することによって得られる。ニオブ電極を電解液中で化成するには、通常プロトン酸水溶液、例えば、０．  １％酢酸水溶液または硫酸水溶液を用いて行われる。ニオブ電極を電解液中で化成して酸化ニオブを主成分とする誘電体を得る場合。本発明のコンデンサは、電解コンデンサとなり、ニオブ側が陽極となる。
【００２８】
一方、本発明のコンデンサの他方の電極として、有機半導体および無機半導体から選ばれた少なくとも１種の化合物があげられる。有機半導体の具体例としては、ベンゾピロリン４量体とクロラニルからなる有機半導体、テトラチオテトラセンを主成分とする有機半導体、テトラシアノキノジメタンを主成分とする有機半導体、下記一般式（１）または（２）で表される繰り返し単位を含む高分子にドーパントをドープした電導性高分子を主成分とした有機半導体があげられる。
【００２９】
【化９】
0004260443.tif 000008
【００３０】
式（１）および（２）において，Ｒ1〜Ｒ4は水素、炭素数１〜６のアルキル基または炭素数１〜６のアルコキシ基を表し、これらは互いに同一であっても相違してもよく、Ｘは酸素、イオウまたは窒素原子を表し、Ｒ5はＸが窒素原子のときのみ存在して水素または炭素数１〜６のアルキル基を表し、Ｒ1とＲ2およびＲ3とＲ4は互いに結合して環状になっていても良い。
【００３１】
さらに、本発明においては、前記一般式（１）で表される繰り返し単位を含む電導性高分子は、好ましくは下記一般式（３）で示される構造単位を繰り返し単位として含む電導性高分子が挙げられる。
【００３２】
【化１０】
0004260443.tif 000009
【００３３】
式中、Ｒ6及びＲ7は、各々独立して水素原子、炭素数１乃至６の直鎖状もしくは分岐状の飽和もしくは不飽和のアルキル基、または該アルキル基が互いに任意の位置で結合して、２つの酸素元素を含む少なくとも１つ以上の５〜７員環の飽和炭化水素の環状構造を形成する置換基を表わす。また、前記環状構造には置換されていてもよいビニレン結合を有するもの、置換されていてもよいフェニレン構造のものが含まれる。このような化学構造を含む電導性高分子は、荷電されており、ドーパントがドープされる。ドーパントには公知のドーパントが制限なく使用できる。
【００３４】
式（１）乃至（３）で表される繰り返し単位を含む高分子としては、例えば、ポリアニリン、ポリオキシフェニレン、ポリフェニレンサルファイド、ポリチオフェン、ポリフラン、ポリピロール、ポリメチルピロール、およびこれらの置換誘導体や共重合体などが挙げられる。中でもポリピロール、ポリチオフェン及びこれらの置換誘導体（例えばポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）等）が好ましい。
【００３５】
無機半導体の具体例としては。二酸化鉛または二酸化マンガンを主成分とする無機半導体、四三酸化鉄からなる無機半導体などがあげられる。このような半導体は、単独でも、または、２種以上組み合わせて使用しても良い。
【００３６】
上記有機半導体および無機半導体として、電導度１０-2〜１０3Ｓ／ｃｍの範囲のものを使用すると、作製したコンデンサのインピーダンス値がより小さくなり、高周波での容量をさらに一層大きくすることができる。
【００３７】
さらに他方の電極が固体の場合には、その上に外部引き出しリード（例えば、リードフレーム）との電気的接触をよくするために、導電体層を設けてもよい。
【００３８】
導電体層としては、例えば、導電ペーストの固化、メッキ、金属蒸着、耐熱性の導電樹脂フイルムの形成等により形成することができる。導電ペーストとしては、銀ペースト、銅ペースト、アルミペースト、カーボンペースト、ニッケルペースト等が好ましいが、これらは１種を用いても２種以上を用いてもよい。２種以上を用いる場合、混合してもよく、または別々の層として重ねてもよい。導電ペーストを適用した後、空気中に放置するか、または加熱して固化せしめる。メッキとしては、ニッケルメッキ、銅メッキ、銀メッキ、アルミメッキ等があげられる。また蒸着金属としては、アルミニウム、ニッケル、銅、銀等があげられる。
【００３９】
具体的には、例えば他方の電極上にカーボンペースト、銀ペーストを順次積層しエポキシ樹脂のような材料で封止してコンデンサが構成される。このコンデンサは、前記焼結体と一体に焼結成型された、または後で溶接されたニオブまたはタンタルリードを有していてもよい。
【００４０】
以上のような構成の本発明のコンデンサは、例えば、樹脂モールド、樹脂ケース、金属性の外装ケース、樹脂のディッピング、ラミネートフイルムによる外装などの外装により各種用途のコンデンサ製品とすることができる。
【００４１】
【実施例】
以下、本発明の具体例についてさらに詳細に説明する。
【００４２】
本発明の粉体に含有されている微量なリン量は、本出願人によって開発された、フローインジェクション／ＩＣＰ−ＭＳシステムによる方法で測定した。フローインジェクションシステムは、ペリスタックポンプ（東京理科機械（株）製ＭＰ−３２）、ポリテトラフルオロエチレン製バルブ（レオダイン社製５０２０および５０１１）、陰イオン交換カラムアッセンブリー（ポリテトラフルオロエチレン管に強塩基性イオン交換樹脂＜室町化学製Ｄｏｗｅｘ１−Ｘ８  ５０〜１００メッシュを充填）、ポリテトラフルオロエチレン製メンブランフィルタ（日本ミリポア工業製ＦＧ  孔径０．２μｍ、面積４．０ｃｍ2）、及びポリテトラフルオロエチレン管（接続管内径０．８ｍｍ、反応管２．０ｍｍ）からなり、前述したＩＣＰ−ＭＳ（セイコーインスツルメント製ＳＰＱ８０００）とメンブランフィルター部とポリテトラフルオロエチレンチューブを用いて接続されている。尚、前記システムは、クラス１０００のクリーンルームに設置した。  また、粉体の窒化量は、ＬＥＫＯ社製の窒素・酸素分析計を用いて求めた。焼結体のＣＶ値は、０．１％酢酸水溶液中で２０Ｖ印加、８０℃、２００分化成した後に、３０％硫酸中で測定した容量と、化成電圧２０Ｖとの積から求めた。また、容量出現率は、前記した条件で１０００分化成したときの３０％硫酸中での容量を１００％として、コンデンサ形成後の容量との比で表現した。コンデンサの耐湿値は、作製したコンデンサを、６０℃９５％ＲＨで５００時間放置したときの容量が、初期値の１２０％を超える個数で表現した。この個数が小さいほど耐湿値は良好となる。ＣＶ値、容量出現率および耐湿値を求めるための試料数は、各例とも３０個とした。
実施例１〜５、比較例１〜３
平均粒径０．８μｍ（比表面積３．８ｃｍ2／ｇ）のニオブ粉に、別途用意したトリエトキシリンを、各々、所定量加えリン量が表１に記載の含有量となるように調整した。ついで各例の粉体を、１２００℃で真空加熱した後取り出し、解砕後分級し平均粒径９０μｍの造粒粉（比表面積１．３ｃｍ2／ｇ）とした。この造粒粉から、各例とも１．８×３．５×４．５ｍｍの大きさに成型し（直径０．３ｍｍニオブワイヤーを共に成型しリードとした）た後、１３００℃で７×１０-3Ｐａの減圧下で焼結し焼結体とした。焼結体のＣＶ値を表１に示した。次に、焼結体の化成時間を１０００分にした以外は，ＣＶ値を求める場合と同様にして化成した後、他方の電極材料をポリピロール（酸化剤を過硫酸アンモニウム、ドーパントをアンソラキノンスルフォン酸ナトリウムとし、ドーパントの存在下、ピロールと酸化剤との反応を繰り返した）として焼結体内部の細孔に充填した。さらにカーボンペースト、銀ペーストを順に積層した後、エポキシ樹脂で封止してコンデンサを作製した。各例の容量出現率を表１に記載した。
実施例６〜１０、比較例４〜６
実施例１〜５、比較例１〜３で他方の電極材料をポリピロールから二酸化鉛と硫酸鉛の混合物（二酸化鉛が９８質量％、焼結体細孔中で酢酸鉛水溶液と過硫酸アンモニウム水溶液の反応を繰り返した。）とした以外は実施例１〜５、比例１〜３と同様にしてコンデンサを作製した。
実施例１１〜１５、比較例７〜９
実施例１〜５、比較例１〜３  で、ニオブ粉の平均粒径を０．８μｍから１．５μｍ（比表面積２．１ｃｍ2／ｇ）にし、トリエトキシリンをリン酸に変更し、さらに造粒粉の平均粒径を１３０μｍ（比表面積１．０ｃｍ2／ｇ）にした以外は実施例１〜５、比較例１〜３と同様にしてコンデンサを作製した。
実施例１６〜２０、比較例１０〜１２
実施例１〜５、比較例１〜３  で、平均粒径０．８μｍのニオブ粉から平均粒径０．７５μｍ（比表面積１．５ｃｍ2／ｇ）のタンタル粉にし、さらに造粒粉の平均粒径を１５０μｍ（比表面積０．７ｃｍ2／ｇ）にし、焼結温度を１３００℃から１３５０℃にした以外は、実施例１〜５、比較例１〜３  と同様にしてコンデンサを作製した。
以上作製したコンデンサの耐湿値を表１に付記した。
【００４３】
【表１】
0004260443.tif 000010
【００４４】
実施例１〜５と比較例１〜３、実施例６〜１０と比較例４〜６、実施例１１〜１５と比較例７〜９、実施例１６〜２０と比較例１０〜１２を各々見比べることにより、リンを３質量ｐｐｂ〜１質量ｐｐｍ含有した土酸金属を主成分とする粉体からコンデンサを作製すると、該コンデンサの容量出現率が、大きくなり、また耐湿値が改良されることがわかる。
【００４５】
【発明の効果】
本発明のコンデンサ用粉体、これを用いた焼結体、この焼結体を一方の電極とし、その表面上に形成された誘電体と他方の電極とからコンデンサを構成することにより、容量出現率が大きく、耐湿値が良好なコンデンサを作製することができる。