(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体を収納して成るカートリッジに半導体メモリが付設された半導体メモリ付カートリッジであって、
前記半導体メモリは、１又は２以上のファイルデータを記憶するファイルデータ記憶領域と、前記１又は２以上の各ファイルデータの固有情報を有する１又は２以上の管理データを記憶する管理データ記憶領域とを有し、
前記各管理データ内の所定ビットには、前記各ファイルデータが前記ファイルデータ記憶領域に記憶されたことを表す記憶情報と、前記各ファイルデータの消去が指定されたことを示す消去情報とが排他的に書き込まれ、
前記所定ビットを記憶するメモリセルに直接接続されたセンスアンプで構成されるフラグ検出回路と、
前記ファイルデータが前記ファイルデータ記憶領域に記憶されているときに、前記所定ビットに前記記憶情報または前記消去情報のいずれが記憶されているのかを前記フラグ検出回路からの検出信号に基づいて調べ、前記所定ビットに記憶された前記記憶情報が前記消去情報に書き換えられたことを検出すると、消去に指定されたファイルデータを消去するデータ消去手段と
を備えたことを特徴とする半導体メモリ付カートリッジ。
【請求項２】
前記半導体メモリは、シリアル半導体メモリであることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ付カートリッジ。
【請求項３】
前記半導体メモリ付カートリッジは、ＡＰＳ規格に準拠したカートリッジであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体メモリ付カートリッジ。
【請求項４】
前記半導体メモリ付カートリッジは、デジタルビデオレコーダ用ビデオテープカートリッジであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体メモリ付カートリッジ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、銀塩写真フィルムや磁気記録テープ等の記録媒体を収納して成るカートリッジに関し、特に、記憶媒体に加えて半導体メモリが付設された半導体メモリ付カートリッジに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種の半導体メモリ付カートリッジとして、デジタルビデオレコーダ（ＤＶＣＲ）規格に準拠したビデオテープカートリッジに半導体メモリモジュールが付設されたものがある。
【０００３】
この半導体メモリモジュール付きのカートリッジは、内蔵されている磁気テープに通常の画像記録ができるだけでなく、半導体メモリモジュールに画像や文字情報を記憶できるようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、電子情報を半導体メモリに記憶して管理するための手法として、コンピュータシステムで用いられるファイル管理の手法が一般的に知られている。
この管理手法では、画像情報等のファイルデータを半導体メモリに記憶するのと同時に、このファイルデータが半導体メモリ中に記憶されたことを示す特定フラグや作成日付などの固有情報を有する管理データを記憶させる。このため、ファイルデータをメモリアクセスしなくても、管理データをメモリアクセスだけで、ファイルデータに関する固有情報の検索を可能にするものである。
【０００５】
また、記憶されているファイルデータが不要になった場合には、管理データ中の特定フラグを消去データに書き換えることで、ファイルデータの消去が行われたものとみなすこととしている。すなわち、実際にはファイルデータを消去せず、特定フラグを「消去」に設定するだけそのファイルデータが消去されたものとみなすこととしている。
【０００６】
しかし、このファイル管理の手法では、「消去」に設定されたファイルデータが実際には半導体メモリ中に残されているため、何らかの方法で読み取られる虞れがあった。
【０００７】
したがって、上記従来のファイル管理手法を半導体メモリモジュール付きのカートリッジについて適用した場合には、上記同様の虞が潜在することとなる。このため、半導体メモリモジュール付きのカートリッジにおいて、半導体メモリモジュールに記憶される情報の漏洩を確実に防止し得る新たな技術が望まれていた。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記従来技術の課題を克服するために成されたものであり、記録媒体を収納して成るカートリッジに、半導体メモリが付設された半導体メモリ付カートリッジであって、前記半導体メモリは、１又は２以上のファイルデータを記憶するファイルデータ記憶領域と、前記１又は２以上の各ファイルデータの固有情報を有する１又は２以上の管理データを記憶する管理データ記憶領域とを有し、前記各管理データ内の所定ビットには、前記各ファイルデータがファイルデータ記憶領域に記憶されたことを表す記憶情報と、前記各ファイルデータの消去が指定されたことを示す消去情報とが排他的に書き込まれ、更に、上記所定ビットを記憶するメモリセルに直接接続されたセンスアンプで構成されるフラグ検出回路と、ファイルデータがファイルデータ記憶領域に記憶されているときに、上記所定ビットに記憶情報または消去情報のいずれが記憶されているのかをフラグ検出回路からの検出信号に基づいて調べ、上記所定ビットに記憶された記憶情報が消去情報に書き換えられたことを検出すると、消去に指定されたファイルデータを消去するデータ消去手段とを備える構成とした。
【０００９】
かかる構成によれば、データ消去手段が、ファイルデータがファイルデータ記憶領域に記憶されているときに、所定ビットに記憶情報または消去情報のいずれが記憶されているのかをフラグ検出回路からの検出信号に基づいて調べる。これにより、所定ビットに記憶された記憶情報が消去情報に書き換えられたことが検出されると、その書き換えられた管理データに対応するファイルデータが消去される。よって、管理データ内の消去情報に基づいてそれに対応するファイルデータの消去がみかけ上なされたとするのとは異なり、データ消去手段により実際にファイルデータの消去が行われる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による半導体メモリ付カートリッジの実施の形態について図面を参照して説明する。尚、ＡＰＳ（advanced photo system）と呼ばれる新規格のフィルムカートリッジに半導体メモリを付設した半導体メモリ付カートリッジ（以下、半導体メモリ付ＡＰＳフィルムカートリッジと呼ぶ）について説明する。
【００１１】
図１は、半導体メモリ付ＡＰＳフィルムカートリッジの外観構造を示す斜視図、図２は、半導体メモリの回路構成を示すブロック図である。
【００１２】
図１において、この半導体メモリ付ＡＰＳフィルムカートリッジ１は、ロール状の銀塩写真フィルム２を捲装したスプール３が、遮光性のよい有底円筒体状のカートリッジ本体４内に回転自在に収納されている。カートリッジ本体４の側端には、銀塩写真フィル２を出し入れするための開口５と、開口５を開閉する揺動自在な遮光蓋６が設けられている。
【００１３】
スプール３と遮光蓋６のそれぞれの端部がカートリッジ本体４の端面から露呈し、それぞれの端部には、切欠状のキー溝３ａ，６ａが形成されている。この半導体メモリ付ＡＰＳフィルムカートリッジ１をカメラシステム内に装着すると、カメラシステム内のフィルム搬送機構がキー溝３ａ，６ａに係合し、フィルム搬送機構による駆動で、スプール３の回転と遮光蓋６の開閉が行われるようになっている。
【００１４】
上記のフィルム搬送機構により遮蔽蓋６が開かれ、更に、スプール３が所定方向に回転されると、開口５を通じて１コマ分ずつ銀塩写真フィルム２が送出され、写真撮影が可能となる。また、スプール３が上記とは反対方向に回転されると、銀塩写真フィルム２がカートリッジ本体４内に巻き取られ、巻き取り完了後に遮光蓋６で開口５を閉じると、銀塩写真フィルム２を外光による感光から防止することができる。
【００１５】
このように、半導体メモリ付ＡＰＳフィルムカートリッジ１は、遮光性のよいカートリッジ本体４と、銀塩写真フィルム２の送出と巻き取りを行うスプール３と、開口５を開閉する遮光蓋６とが備えられているため、未撮影のコマが残っている銀塩写真フィルム２をカートリッジ本体４内に巻き取り、後日に再びカメラシステムに装着して、未撮影分のコマを用いて撮影することができる等々の特徴を有している。
【００１６】
カートリッジ本体４の端面に、モジュール化されたチップ状の半導体メモリ７が固着されている。半導体メモリ７の一端には、少なくとも電源入力端子とクロック信号入力端子及びデータ入出力端子等の接続端子が露出して設けられている。これらの接続端子を介して図２に示す回路とカメラシステム等の電子機器との間での電気的接続が行われるようになっている。
【００１７】
また、本実施の形態の半導体メモリ７は、データの入出力を１ビット毎に行うシリアル半導体メモリで構成されており、更に、ＥＰＲＯＭ（Electrically Programable Read Only Memory）や、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programable Read Only Memory）、フラッシュメモリ等の不揮発性半導体メモリの製造プロセスや、ＦＲＡＭ（Ferro Electric Random Access Memory）等の固体素子製造プロセスによって製造されている。
【００１８】
図２において、半導体メモリ７には、データを記憶するメモリマトリックス部８と、メモリマトリックス部８をメモリアクセス（データの書き込みとデータの読み出し）するためのデータ転送回路９とアドレスカウンタ１０及び制御回路１１が備えられ、更に、データ消去回路１２が設けられている。また、データ消去回路１２には、判定回路１３と、消去アドレス指定回路１４、クリアデータ発生回路１５、及び複数のフラグ検出回路１６ａ〜１６ｎが備えられている。
【００１９】
メモリマトリックス部８には、多数のメモリセルが８ビット単位（バイト単位）で配列されている。これらメモリセルの同一ビット毎の各配列に８本のデータ線から成るメモリバスＤＢが接続され、バイト単位の各配列に対しアドレスバスＡＢが接続されている。
【００２０】
更に、メモリマトリックス部８には、画像データや音声データ等の複数のファイルデータ（＃０）〜（＃ｎ）を記憶するためのファイルデータ記憶領域と、ファイルデータ（＃０）〜（＃ｎ）の固有情報に関する管理データを記憶するための管理データ記憶領域が割り当てられている。より具体的には、図３（ａ）のメモリマップに示すように、アドレスバスＡＢによって指定されるアドレス＄００〜＄０ｎが管理データ記憶領域、アドレス＄１０００〜＄１ｎ００がファイルデータ記憶領域に割り当てられている。
【００２１】
本実施の形態では、それぞれのファイルデータ（＃０）〜（＃ｎ）は、固定長の複数バイト単位で構成され、個々の管理データは１バイト単位で構成されている。また、個々の管理データは、図３（ｂ）に示すように、所定フォーマットでコード化され、複数の管理項目がビット単位で共通に割り付けられている。具体的には、下記▲１▼〜▲８▼に示すように、ビット毎に管理項目が割り当てられ、それぞれに“１”又は“０”のビットフラグを立てる（書き込む）ようになっている。
【００２２】
▲１▼ビット０…ＪＰＥＧとＴＩＦＦ画像形式の何れで処理されているかを示す。
▲２▼ビット１…ファイルデータに日付が付されているか否かを示す。
▲３▼ビット２…広画角のパノラマ撮影で得られたものか否かを示す。
▲４▼ビット３…ストロボを使用して撮影されたものか否かを示す。
▲５▼ビット４…未使用ビット。
▲６▼ビット５…未使用ビット。
▲７▼ビット６…未使用ビット。
▲８▼ビット７…ファイルデータが記録されたことを示す記憶情報と、ファイルデータの消去が指示されたことを示す消去情報が書き込まれる。
【００２３】
再び図２において、データ転送回路９は、８ビットの双方向シフトレジスタで構成されており、上記データ入出力端子に接続された１ビットの双方向シリアルデータバスＳＢと、メモリバスＤＢとが接続されている。そして、上記クロック信号入力端子から外部入力されるクロック信号ＣＫと、制御回路１１からの制御信号Ｃspに従って動作する。
【００２４】
すなわち、データ転送回路９は、制御信号Ｃspによってデータ書き込みの指示を受けると、双方向シリアルデータバスＳＢから１ビット毎のビット列で転送されて来る書き込みデータＤinを入力した後、８ビット単位のデータに並直列変換してメモリバスＤＢへ並列転送する。これにより、ビット列で入力されるデータＤinが、８ビット単位のデータに変換されて、アドレスカウンタ１０で指定されるアドレスに記憶される。
【００２５】
一方、制御信号Ｃspによってデータ読み出しの指示を受けると、データ転送回路９は、メモリマトリックス部８からメモリバスＤＢを介して転送されて来るバイト単位のデータを並列入力した後、１ビット毎の出力データＤoutに並直列変換して双方向シリアルデータバスＳＢへ送出する。すなわち、アドレスカウンタ１０で指定されるアドレスから読み出されるデータが、ビット列に変換されて、双方向シリアルデータバスＳＢへ出力される。
【００２６】
アドレスデコーダ１０は、アドレスバスＡＢに接続されたシフトカウンタ等で構成されており、制御回路１１から供給されるメモリアクセス制御信号Ｃasに従ってアドレスクロック信号ＣＫadをカウントする。そして、そのカウント値をアドレスバスＡＢへ出力することにより、メモリマトリックス部８をバイト単位でアドレッシングする。
【００２７】
尚、アドレスクロック信号ＣＫadは、通常のデータ書き込みとデータ読み出しのとき（以下、「通常メモリアクセスモード」という）には、制御回路１１から供給され、後述する「データ消去モード」のときには、消去アドレス指定回路１４から供給される。
【００２８】
制御回路１１は、デコーダ回路やＲＯＭ構造のファームウェア等で構成されており、双方向シリアルバスＳＢを介して外部入力される入力データＤin中のアドレスデータＡＤＲとコマンドデータＣＯＭとを判定することにより、上記の制御信号Ｃsp，Ｃas及びアドレスクロック信号ＣＫadを生成する。更に、制御回路１１と判定回路１３との間で、タイミング調整信号Ｃcnが送受信され、「通常メモリアクセスモード」と「データ消去モード」との処理を競合させないようにしている。
【００２９】
フラグ検出回路１６a〜１６nは、それぞれセンスアンプ等で構成され、図３（ｃ）に示すように、管理データ記憶領域の各アドレス＄００〜＄０ｎの７ビット目のメモリセルに接続されている。また、フラグ検出回路１６a〜１６nは、アドレス線によってメモリアクセスされたデータを検出するのではなく、７ビット目のメモリセルに直接接続された上記のセンスアンプ等でデータを非破壊読み出しし、読み出した検出信号Ｆa〜Ｆnを判定回路１３へ送出する。
【００３０】
判定回路１３は、デコーダ回路やＲＯＭ構造のファームウェア等で構成されており、フラグ検出回路１６a〜１６nからの検出信号Ｆa〜Ｆnに基づいて、「データ消去モード」にすべきか否かの判定を行う。すなわち、検出信号Ｆa〜Ｆnの何れか１つが論理“１”から“０”に変化すると、その検出信号に該当する管理データの第７ビット目のフラグが“１”から“０”に書き換えられたと判定する。
その判定結果により、第７ビット目のフラグが“１”から“０”に書き換えられた管理データと、その管理データによって管理されているファイルデータとを消去するための「データ消去モード」が設定される。
【００３１】
消去アドレス指定回路１４は、「データ消去モード」時に判定回路１３から供給される制御信号Ｃadの指示に従って動作し、上記の第７ビット目のフラグが“０”に書き換えられた管理データのアドレスと、その管理データによって管理されているファイルデータのアドレスとを指定するためのアドレスクロック信号ＣＫadを生成する。尚、アドレスクロック信号ＣＫadは、クロック信号ＣＫに同期している。
【００３２】
クリアデータ発生回路１５は、「データ消去モード」時に判定回路１３から供給される制御信号Ｃcdの指示に従って、上記の第７ビット目のフラグが“０”に書き換えられた管理データと、その管理データによって管理されているファイルデータとを消去するためのビット列データＤcdを生成し、双方向シリアルバスＳＢを介してデータ転送回路９へ送出する。
【００３３】
そして、判定回路１３が、タイミング調整信号Ｃcnによって制御回路１１に「データ消去モード」を要求すると、制御回路１１がデータ転送回路９とアドレスカウンタ１０に制御信号Ｃspとメモリアクセス制御信号Ｃasを供給して、データ書き込みを指示する。これにより、消去アドレス指定回路１４がアドレスクロック信号ＣＫadに基づいてメモリアドレスを設定し、データ転送回路９がビット列のデータＤcdをメモリバスＤＢを介してメモリマトリックス部８へ転送することにより、判定回路１３で指定されたメモリアドレスのファイルデータと管理データとを、データＤcdで上書きして消去する。
【００３４】
尚、本実施の形態では、データＤcdが全て“０”又は“１”で構成されている。但し、本発明は、データＤcdをこれに限定するものではなく、無意味なデータであればよい。
【００３５】
次に、かかる構成を有する半導体メモリの動作例を図４及び図５に基づいて説明する。尚、図４は、「通常メモリアクセスモード」において、ファイルデータと管理データとを書き込む際の動作を示す説明図、図５は、「データ消去モード」において、ファイルデータと管理データとを消去する際の動作を示す説明図である。
【００３６】
半導体メモリ付ＡＰＳフィルムカートリッジ１の出荷時等では、ファイルデータ管理領域と管理データ記憶領域に何らのデータも書き込まれていない。別言すれば、図４（ａ）に示すように、無意味なデータ（ＮＵＬＬ）が書き込まれているのと同じ状態になっている。
【００３７】
使用者が、半導体メモリ付ＡＰＳフィルムカートリッジ１を用いて写真撮影を行った後、現像所などに銀塩フィルム２の現像を依頼すると、使用者の要望に応じて、現像された銀塩フィルム２の各コマの画像を電子化してファイルデータ記憶領域に記憶させる等の役務が受けられる。また、詳細な説明を省略するが、現像された各コマの画像を電子化して半導体メモリ７に書き込む専用電子機器によっても、ファイルデータ記憶領域へのデータ書き込みを行うことができるようになっている。
【００３８】
まず、図４（ｂ）に示すように、メモリアドレス＄１０００に第１番目のファイルデータ、すなわち最初の画像データ（＃０）が記憶された後、メモリアドレス＄００に、その画像データ（＃０）の固有情報を有する管理データが図２（ｂ）に示したフォーマットで記憶される。この画像データ（＃０）と管理データとの書き込み処理は、「通常メモリアクセスモード」によって行われる。
【００３９】
次に、図４（ｃ）に示すように、メモリアドレス＄１１００に第２番目の画像データ（＃１）が記憶された後、メモリアドレス＄０１に、その画像データ（＃１）の固有情報を有する管理データが上記同様のフォーマットで記憶される。この画像データ（＃１）と管理データとの書き込み処理も、「通常メモリアクセスモード」によって行われる。
【００４０】
そして、全ての画像データが書き込まれるまで、同様の書き込み処理が行われる。
【００４１】
次に、上記の専用電子機器を用いたり現像所に依頼することで、不要となった画像ファイルの消去を行うことができる。図５は、一例として、第１番目の画像データ（＃０）の消去動作を示している。まず、同図（ａ）に示すように、管理データ記憶領域のアドレス＄００に記憶されている管理データの第７ビット目にビットフラグ“０”が書き込まれる。このビットフラグ“０”の書き込みも、「通常メモリアクセスモード」によって行われる。これにより、画像データ（＃０）は、みかけ上消去されたことになる。
【００４２】
このように第７ビット目のビットフラグが“０”になると、半導体メモリ７内のフラグ検出回路１６ａと判定回路１３が自動的にこれを検出し、「データ消去モード」が設定される。そして、図５（ｂ）に示すように、画像データ（＃０）が無意味なデータＮＵＬＬで上書きされることにより、完全に消去される。
【００４３】
次に、図５（ｃ）に示すように、アドレス＄００の管理データの全てのビットが無意味なデータＮＵＬＬで上書きされることにより、管理データも完全に消去される。
【００４４】
また、複数の画像データについて消去する場合にも、同様の「データ消去モード」の処理が行われる。すなわち、それら複数の画像データに関連する管理データの第７ビット目のビットフラグが“０”に書き換えられると、フラグ検出回路１６ａ〜１６ｎと判定回路１３によって、自動的にこれらのビットフラグの“１”から“０”への変化が検出され、それぞれ「データ消去モード」の処理によって、該当する画像データと管理データが完全に消去される。
【００４５】
このように、本実施の形態によれば、管理データの第７ビット目にビットフラグ“０”を立てる（書き込む）ことで、みかけ上のファイルデータの消去が設定されると、半導体メモリ７自身が自動的にこれを検出して、該当するファイルデータを無意味なデータで上書きして消去するので、従来技術のような情報の漏洩などを確実に防止することができる。
【００４６】
尚、本実施の形態では、データを８ビット単位でメモリアクセスするシリアル半導体メモリ７について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。メモリマトリックス部８のメモリセルをワード単位（１６ビット単位）やその他の複数ビット単位でメモリアクセスするシリアル半導体メモリにしてもよい。
【００４７】
また、本実施の形態では、管理データの第７ビット目に、ファイルデータの消去に関する項目を割り当てているが、本発明はこれに限定されるものではなく、管理データの他のビットあるいは他の複数ビットに、ファイルデータの消去に関する項目を割り当てるようにしてもよい。
【００４８】
また、本実施の形態では、シリアル半導体メモリ７について説明したが、本発明はこれに限定するものではなく、書き込みデータと読み出しデータとをパラレル入出力する半導体メモリを適用してもよい。
【００４９】
また、半導体メモリ付ＡＰＳフィルムカートリッジ１について説明したが、これは、あくまでも一実施の形態であり、本発明は他のカートリッジを含むものである。一例として、被写体をデジタル撮影するデジタルビデオレコーダ（ＤＶＣＲ）で使用されるＤＶＣＲ用ビデオテープカートリッジにも適用できる。また、カートリッジ内に収納される記憶媒体として、銀塩写真フィルムや磁気記録媒体に限定されるものではなく、他の記録媒体でもよい。
【００５０】
【発明の効果】
以上に説明したように本発明によれば、ファイルデータがファイルデータ記憶領域に記憶されているときに、所定ビットに記憶情報または消去情報のいずれが記憶されているのかをフラグ検出回路からの検出信号に基づいて調べ、所定ビットに記憶された記憶情報が消去情報に書き換えられたことを検出すると、消去に指定されたファイルデータを消去するデータ消去手段を半導体メモリ内に備えたので、管理データ内の消去情報に基づいてそれに対応するファイルデータの消去がみかけ上なされたとする従来技術とは異なり、確実にファイルデータの消去が行われる。このため、半導体メモリに記憶される情報の漏洩を確実に防止し得る新たな技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態に係る半導体メモリ付ＡＰＳフィルムカートリッジの外観構造を示す斜視図である。
【図２】本実施の形態の半導体メモリの回路構成を示すブロック図である。
【図３】半導体メモリのメモリマップと、管理データの構成及びデータ消去回路の部分構成を示す説明図である。
【図４】半導体メモリのファイルデータ記憶領域と管理データ記憶領域へのデータ書き込み動作を説明するための説明図である。
【図５】ファイルデータ記憶領域内の画像データと管理データ記憶領域内の管理データとの消去動作を説明するための説明図である。
【符号の説明】
１…半導体メモリ付ＡＰＳフィルムカートリッジ
７…半導体メモリ
８…メモリマトリックス部
９…データ転送回路
１０…アドレスカウンタ
１１…制御回路
１２…データ消去回路
１３…判定回路
１４…消去アドレス指定回路
１５…クリアデータ発生回路
１６ａ〜１６ｎ…フラグ検出回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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