(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の透明絶縁基板に複数配置された対をなす第１および第２の電極からなる行電極と、他方の透明絶縁基板に前記行電極に交差するように複数配置された列電極とを有するプラズマディスプレイ装置の製造方法において、透明絶縁基板上に第１の金属層を形成する工程と、前記第１の金属層上から前記透明絶縁基板にネガ型の感光性樹脂を塗布する工程と、前記透明絶縁基板の前記感光性樹脂を塗布した側の裏面から紫外線を照射するとともに、現像によって前記第１の金属層上に前記透明絶縁基板側の下底より上底が細くなるような断面形状が台形をした空間を形成して、前記第１の金属層を選択的に露出させる工程と、前記第１の金属層上にめっきにより前記透明絶縁基板側の下底より上底が細くなるような断面形状が台形の第２の金属層を形成する工程と、前記第２の金属層上にめっきにより第３の金属層を形成する工程とを備え、これらの工程により前記行電極または列電極を形成することを特徴とするプラズマディスプレイ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の画素を有し、画素単位で発光する自発光型のマトリックス型表示装置に関し、特に動画、静止画や映像を表示するための高精細プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰとも呼ぶ）を用いたプラズマディスプレイ装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、大型の平板型表示装置（フラットパネルディスプレイとも呼ぶ）として希ガス放電による紫外線で蛍光体を励起発光させて画像・映像表示に利用するＰＤＰの開発が加速しており、コンピューター等に代表される情報処理装置の表示機器として、あるいは大型のテレビジョン受信機や公衆表示用モニターとしての社会的要望が増大している。
【０００３】
各種の平板型表示装置の中でも、ＰＤＰは当初から対角１ｍ以上の製品を目標に開発されてきた。ＰＤＰの製造方法は厚膜印刷技術が用いられている。同じ平板型表示装置である液晶表示装置の製造に用いられている半導体製造技術から派生した方法を用いていない等、現状のＰＤＰの製造方法は必ずしも最善のものが用いられているというわけではないが、最適を目指して次々と新しい技術が開発されてきている。
【０００４】
ＰＤＰには交流駆動方式と直流駆動方式があるが、ここでは一般的な交流駆動方式のＰＤＰ（ＡＣ−ＰＤＰとも呼ぶ）の構造を図１０に示した。ＡＣ−ＰＤＰにも各種の方式があるが、図１０（ａ）は面放電型と呼ばれる方式の構造を１例として、その一部を立体的に描いた斜視図で示している。ＰＤＰは、ガラス製の前面板１、背面板２にそれぞれ行電極、列電極が直交配置され、画素（ピクセル）となる行・列両電極の交点および両基板間にある隔壁により放電空間３を形成する構造となっている。
【０００５】
面放電型のＡＣ−ＰＤＰでは図１０（ａ）に示したように、前面板１には、前面ガラス基板１０上に放電の維持信号を入力するための維持電極１３および順次表示用の走査信号を入力するための走査電極１４がそれぞれ対をなして平行に複数形成されて行電極を構成し、これら行電極上に放電による壁電荷を形成するための透明な誘電体層１１、さらにその上にＭｇＯからなる保護膜１２が形成されている。また、隣り合う維持電極１３と走査電極１４対間に、表示面のコントラストを高めるため、遮光層となるブラックマトリックス１５を必要に応じて形成することもある。
【０００６】
図１０（ｂ）は、前面板１の前面ガラス基板１０に形成される各構成要素の詳細構造をＡ−Ａ'断面で示した部分断面図である。行電極である維持電極１３および走査電極１４は、透明電極１００と透明電極１００上に形成されるバス電極となる導電体層１０１から構成されている。また、表示面のコントラストを高めるため、導電体層１０１の下層に黒色層１０２を設けて維持電極１３および走査電極１４を形成することもあるが、ここではブラックマトリックス１５とともに詳しい説明を省略する。
【０００７】
一方、図１０（ｃ）は、図１０（ａ）の背面板２において背面ガラス基板１６に形成される各構成要素部材のＢ−Ｂ'断面における詳細構造を示す部分断面図である。背面板２には、背面ガラス基板１６上に複数の表示データ信号を入力するための列電極となるアドレス電極（データ電極とも呼ぶ）１９が、前面板１の行電極を構成する維持電極１３および走査電極１４とそれぞれ交差する方向に複数形成されている。アドレス電極１９の上にやはり放電による壁電荷を形成するための下地誘電体層１７、さらにその上にアドレス電極１９と平行して隔壁１８が形成され、隔壁１８上には赤、青、緑に発光する蛍光体層２０が設けられている。
【０００８】
そして、前面板１と背面板２とをフリットガラス等のシール材を用いて対向させながら貼り合わせてパネル化して、加熱しながら脱ガス処理を行なった後、放電ガスとしてＮｅ、Ｘｅ等を主体とする希ガスを封入して、放電空間３が形成されたＰＤＰパネルを作製する。完成したＰＤＰパネルには、バス電極である走査電極１４と維持電極１３および列電極とに電気信号を供給するため、これらの電極の電極端子に駆動用のドライバＩＣが搭載されたＣОＢ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｂｏａｒｄ）すなわちプリント基板をＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）等を用いて接続し、その後は支持体またはキャビネット内に上記のＰＤＰパネルを取り付け、制御信号回路や電源回路を組み込んで表示装置として完成する。維持電極１３および走査電極１４、アドレス電極１９に所定の信号の電圧パルスを印加することにより封入された希ガスが励起され紫外線を放出し、その紫外線により隔壁１８上に設けられた蛍光体層２０が可視光を励起発光し、情報を表示することができる。必要に応じてチューナ等が内蔵されれば、それはＰＤＰテレビと称される。
【０００９】
ＰＤＰパネルでは、行電極である走査電極１４と維持電極１３の低抵抗化のために付加されるバス電極となる導電体層１０１と列電極であるアドレス電極１９の２種類の金属配線パターンが必要である。バス電極には大きなピーク電流を流す必要があり、かつ、蛍光体層２０からの光取出し効率を高くするためにパターン幅は小さくなければならない。また、バス電極はパネル表示面の外光反射特性に大きく寄与する。一方、アドレス電極１９に関してはバス電極程の低抵抗化も黒色化の必要もないため、プロセス上の制約は少ない。
【００１０】
このような背景の下、前面板１の行電極であり、バス電極となる導電体層１０１の金属配線パターン材としては低抵抗性を重視して、銀系合金または安価な銅を活用するためにＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒの３層構造のいずれかを採用しているが、ここでは本発明においても採用している、後者の３層構造の電極構成と製造方法について説明する。図１１は図１０（ｂ）と同様に、前面板１のＡ−Ａ'断面図を用いて、前面板１上に電極を形成する製造工程に関して順次示している。なお、前面板１の製造工程において、電極等の各構成要素を前面ガラス基板１０の上に配置形成していくので、図１１以降の図面では前面板１が図１０（ｂ）とは上下が逆転した配置で示していることを断っておく。
【００１１】
まず、図１１（ａ）に示したように所定の板厚の例えばソーダライム系の前面ガラス基板１０上にスパッタ蒸着等による真空製膜装置を用いて所定の膜厚で透明導電層を被着し、微細加工技術により表示電極となる透明電極１００を形成する。透明導電層用材料には、ＩＴО（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）を使用し、０．１μｍ程度の膜厚で形成することが多い。
【００１２】
次に、図１１（ｂ）に示したように同じくスパッタ蒸着等の真空製膜装置を用いて、第１Ｃｒ層１０３、Ｃｕ層１０４、第２Ｃｒ層１０５の順番に各金属導体層をそれぞれ所定の膜厚で３層製膜する。各金属層の膜厚は、例えば、第１Ｃｒ層１０３、第２Ｃｒ層１０５が０．１μｍ程度、Ｃｕ層１０４が２〜４μｍ程度で形成することが多い。
【００１３】
続いて、前面ガラス基板１０の全面に感光性樹脂を塗布し、フォトマスクを用いた紫外線の選択照射と現像によりバス電極となる行電極に対応したレジストパターン１０６を得る。その後、レジストパターン１０６をマスクとして所定のＣｒ食刻液を用いて上層の第２Ｃｒ層１０５を選択的に除去して図１１（ｃ）に示したように、第２Ｃｒ電極層１０５ａを残し、Ｃｕ層１０４を露出する。
【００１４】
引き続き、図１１（ｄ）に示したようにレジストパターン１０６と上層の第２Ｃｒ電極層１０５ａをマスクとして所定の銅食刻液を用いて露出したＣｕ層１０４を選択的に除去してＣｕ電極層１０４ａを残して、下層の第１Ｃｒ層１０３を露出する。
【００１５】
さらに、図１１（ｅ）に示したようにレジストパターン１０６と中間に残された第２Ｃｒ電極層１０５ａ、Ｃｕ電極層１０４ａをマスクとして再び所定のＣｒ食刻液を用いて下層の第１Ｃｒ層１０３を選択的に除去して下地である透明電極１００と前面ガラス基板１０を露出させる。
【００１６】
最後に、図１１（ｆ）に示したように剥離液を用いて３層の各金属導体層の食刻に用いたレジストパターン１０６を除去し、純水を用いて十分に各食刻液等の薬液成分を除去してから前面板１を乾燥し、特に図示はしていないが次工程で透明絶縁体からなる誘電体層１１とＭｇＯからなる保護膜１２を形成する。
【００１７】
一方、背面板２は、背面ガラス基板１６上に直接第１Ｃｒ層、Ｃｕ層、第２Ｃｒ層からなる３層構成の列電極となるアドレス電極１９が形成され、さらに（白色）絶縁体からなる誘電体層１７の形成工程、隔壁（リブ）１８の形成工程、蛍光体層２０の塗布、形成工程の順を経て製造される。ただ、アドレス電極１９の電極構成に関しては、透明電極は不要であるが、前面板１の行電極となるバス電極と同じであり、前面板１のバス電極との差異は抵抗値が高くてもよいので３層構成の中間層のＣｕ層の膜厚を、例えば１〜２μｍ程度に薄くしてもよい。以上説明したような、銀系合金を使用せずに安価なＣｕ（銅）を用いたＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒの金属３層構造で列電極、行電極を形成してＡＣ−ＰＤＰを製造する方法が知られている（例：特開昭５２−７０７４９号公報）。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒの金属３層構造で列電極、行電極を形成してＡＣ−ＰＤＰを製造する場合、薬剤液（食刻液あるいはエッチャント）を用いてこのような多層膜を上層から下層に向かって順次食刻（エッチング）すると、上層部の薄膜パターンがマスクとして下層の薄膜が食刻されるので、断面形状では上層部の薄膜パターンが庇状になって迫り出してしまうのが一般的である。特に上記のＡＣ−ＰＤＰの列および行電極を金属３層構造で形成する場合のように、中間層と上、下層の膜厚差が大きい場合には、この上層部の薄膜パターンが庇状になって迫り出す傾向が著しい。上記ＡＣ−ＰＤＰでは第１Ｃｒ層、Ｃｕ層、第２Ｃｒ層の３層構成で下層の第１Ｃｒ層を食刻するとき、上層の第２Ｃｒ層も除去してその傾向を抑制しようとしているが、いずれにせよ中間層のＣｕ層の膜厚が大きいのでＣｕ層の断面形状は前面または、背面ガラス基板から離れるほど、垂直性が増すことは避けられない。このような状態になると、その後に形成される誘電体層（白色絶縁体からなる誘電体層および透明絶縁体からなる誘電体層）のエッジ部における絶縁耐圧の低下が生じ、ＰＤＰパネルとしては異常放電の原因となるという課題があった。また、Ｃｒ層で覆われていない、すなわちＣｕ層の露出部分が広いと上記の誘電体層の形成のときに誘電体層形成用材料に含まれる低融点ガラスとの望ましくはない反応が生じやすくなる等の課題もある。
【００１９】
一方、半導体やＴＦＴ液晶の分野ではガスを用いた反応性食刻（エッチング）によって多層膜の断面形状が連続的になるようなテーパ制御を既に実施し、対策をしている。しかしながら、ＰＤＰの分野では前面および背面ガラス基板の大きさが前出の半導体やＴＦＴ液晶の分野で用いられるものよりも大きいことと、またＰＤＰの生産規模もまだ大きくないため、現時点では一辺が１ｍを越えるようなＰＤＰ用のガラス基板を処理できるドライエッチング装置は市販されていないのが実情である。たとえ開発されたとしても、膜厚２〜５μｍ程度はあるＣｕ層薄膜のドライエッチングは、処理時間だけでなく、反応生成物によるパーティクルの発生等の新たな解決課題を誘発するおそれもあり、期待されるほどの性能を実現できるか否かは不透明である。
【００２０】
本発明はこのような課題を解決するためになされたもので、ＰＤＰあるいはプラズマディスプレイ装置の列および行電極をＣｒ層からなる上下層に比べＣｕ層の中間層が厚い金属３層構造で形成する場合の、電極形成工程で上層部の薄膜パターンが庇状になって迫り出す傾向を抑え、その後に形成される誘電体層のエッジ部における絶縁耐圧の低下を防止し、結果として電極間の異常放電を解消できる長寿命で信頼性に優れたＰＤＰを提供できる製造方法とともに、中間層となるＣｕ層の露出面積の増大を抑え、誘電体層の形成時に誘電体層形成用材料に含まれる低融点ガラスとの反応を抑制し、さらに、電極の断面形状が上に向かって細くなるような選択的製膜を可能とし、製造工程における工数の削減と開口率の一定化を可能にして表示品位を向上させたＰＤＰあるいはプラズマディスプレイ装置を提供できる製造方法を提案するものである。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
本発明のプラズマディスプレイ装置の製造方法は、一方の透明絶縁基板に複数配置された対をなす第１および第２の電極からなる行電極と、他方の透明絶縁基板に前記行電極に交差するように複数配置された列電極とを有するプラズマディスプレイ装置の製造方法において、透明絶縁基板上に第１の金属層を形成する工程と、前記第１の金属層上から前記透明絶縁基板にネガ型の感光性樹脂を塗布する工程と、前記透明絶縁基板の前記感光性樹脂を塗布した側の裏面から紫外線を照射するとともに、現像によって前記第１の金属層上に前記透明絶縁基板側の下底より上底が細くなるような断面形状が台形をした空間を形成して、前記第１の金属層を選択的に露出させる工程と、前記第１の金属層上にめっきにより前記透明絶縁基板側の下底より上底が細くなるような断面形状が台形の第２の金属層を形成する工程と、前記第２の金属層上にめっきにより第３の金属層を形成する工程とを備え、これらの工程により前記行電極または列電極を形成することを特徴とするもので、この方法により、第１の金属層に第２の金属層と第３の金属層とがめっきにより順次形成されていくので、これらの積層の断面形状に庇が発生することは皆無である。また、電極上に絶縁層を形成するに当たり、絶縁層にピンホールやクラックの発生が低減して画像欠陥が減少する。また、第２の金属層と絶縁層との反応は第３の金属層で阻止されて所定の性能を有する絶縁層が得られ、画像品質が安定する。さらに、第３の金属層に反射率の高い金属層を採用して発光輝度を上げることも可能である。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図１〜図８を参照して詳しく説明する。図１〜図８において、先に説明した図１０と同一部材には同じ符号を付している。
【００２３】
図１は本発明の実施の形態におけるＰＤＰの背面板２の断面図により、ＡＣ−ＰＤＰの構造およびその製造工程を説明したものである。本発明の実施の形態のＰＤＰの背面板２の製造工程においては、まず背面ガラス基板１６上にスパッタ蒸着等の真空製膜装置を用いて例えば膜厚０．１μｍ程度の第１の金属層である第１の耐熱性金属層２０３を形成する。第１の耐熱性金属層２０３を形成する材料にはＣｒ（クロム）、Ｔａ（タンタル）、Ｔｉ（チタン）等の高融点金属あるいは高融点金属の合金とすることが望ましい。ここでは従来のＰＤＰパネルと同様にＣｒを選択した。そして、写真食刻を利用した微細加工技術により図１（ａ）に示したように背面ガラス基板１６上に列電極となるアドレス電極パターンに対応させて選択的に残して第１の耐熱性金属層２０３を形成する。
【００２４】
次に、電解めっきあるいは無電解めっき等の電着技術を用いて図１（ｂ）に示したように第１の耐熱性金属層２０３上に、第２の金属層として例えば膜厚２μｍ程度の低抵抗金属層２２０を形成する。めっき可能な低抵抗金属としてはＡｕ（金）、Ｐｔ（白金）、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）等が挙げられるが、工程作業の安全性と金、白金は高価であることから、銀または銅が最適である。なお、めっきに当たり、第１の耐熱性金属層２０３のパターンは全て電気的に並列または直列に接続されている必要があるが、簡易的には背面ガラス基板１６の周辺部で幅広の金属製のクリップ等で挟持してもよく、精度高く行なうのであれば背面ガラス基板１６の周辺部に全ての第１の耐熱性金属層２０３パターンを並列に接続する補助パターンを形成しておき、パネル化後にレーザ等の高エネルギビームを収束照射して蒸散させて接続を解除することもできる。多面取り対応で複数個のＰＤＰが面付けされているのであれば、マザーガラス基板の切断時に並列接続を解除することも可能であるが、液晶表示装置の静電気対策あるいは陽極酸化に適応させるために開発された技術を利用した方法も可能である。
【００２５】
続いて、再びめっき技術を用いて図１（ｃ）に示したように低抵抗金属層２２０上に、第３の金属層として例えば膜厚０．１μｍの第２の耐熱性金属層２２１を形成する。めっき可能な第２の耐熱性金属層２２１としてはＣｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｐｔ（白金）が挙げられるが、安価でめっき工程の管理が比較的容易な従来のＰＤＰに用いた材料と同じＣｒを選択することが無難で好ましい。また列電極からの反射光を表示に寄与させて輝度向上が望めることから、高価なＰｔを選択してもよい。
【００２６】
このようにして得られた第１の耐熱性金属層（Ｃｒ）２０３上にＣｕまたはＡｇを用いて形成された低抵抗金属層２２０と低抵抗金属層２２０上にＣｒまたはＰｔを用いて形成された第２の耐熱性金属層２２１とからなる三層積層構造を列電極であるアドレス電極１９とし、引き続き（白色）絶縁体からなる誘電体層１７を画像表示部に形成し、隔壁（リブ）１８を形成し、隔壁１８の内壁に蛍光体層２０を形成することで、背面板２の作製が終了する。
【００２７】
図２は本発明の実施の形態におけるＰＤＰの前面板１の断面図により、ＡＣ−ＰＤＰの構造およびその製造工程説明したものである。ＰＤＰの前面板１の製造工程においては、まず前面ガラス基板１０上に図２（ａ）に示したように、背面板２と同様に第１の耐熱性金属層（Ｃｒ）２０３上にＣｕまたはＡｇを用いて形成された低抵抗金属層４２０と低抵抗金属層４２０上にＣｒまたはＰｔを用いて形成された第２の耐熱性金属層４２１との積層からなるバス電極となる行電極である走査電極１４、維持電極１３を形成する。ただし、ＣｕまたはＡｇを用いて形成する中間層となる低抵抗金属層４２０の膜厚は３〜５μｍ程度に厚く設計して抵抗値を下げ、発熱等を抑える必要がある。
【００２８】
次に、前面ガラス基板１０上にスパッタ蒸着等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．３μｍ程度の透明導電層として、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）を被着し、写真食刻を利用した微細加工技術により、図２（ｂ）に示したようにバス電極となる行電極である走査電極１４と維持電極１３を含んで表示電極となる透明電極１００を選択的に形成する。ＩＴＯの食刻（エッチング）に当たり、下地は前面ガラス基板１０と第２の耐熱性金属層４２１（ＣｒまたはＰｔ）であって、耐薬品性が高く、豊富な選択肢があるＩＴＯの食刻液（エッチャント）から状況に応じて最適なものを選べばよい。引き続き、透明絶縁体からなる誘電体層１１とＭｇＯで保護膜１２を画像表示部内に形成して前面板１の作製が完了する。
【００２９】
最後に、一連の製造工程を経て作製した前面板１と背面板２とをフリットガラス等のシール材を用いて対向させながら貼り合わせてパネル化して、加熱しながら脱ガス処理を行なった後、放電ガスとしてＸｅ（キセノン）を主成分とする不活性ガスを封入して本発明の実施の形態におけるＰＤＰパネルの製造工程が終了する。
【００３０】
以上説明したように、本発明の実施の形態におけるＰＤＰは、前面板と背面板の電極を金属導電体膜の三層積層構造とし、最下層を写真食刻利用による微細加工技術で形成した後、中間層と最上層がめっき技術を利用して電着形成されているので、製造設備に高価な蒸着装置ではなく、めっき設備を利用でき、製造工程の工数を増大させることがない。また、めっき技術による電極の電着形成は必要な場所を限定して電極を形成できるので、材料の利用効率が非常に高い製造技術となる。また形成された電極は上層の電極が下層の電極よりも迫り出して庇形状になることがなく、後で形成される誘電体層のエッジ部における絶縁耐圧の低下を防止し安定した放電が得られるＡＣ−ＰＤＰを実現できることとなる。
【００３１】
なお、本発明の実施の形態においては、背面板と前面板双方の電極形成をめっき技術による電着形成を利用して製造した例で説明したが、本発明の実施の形態はこれに限定されるものではなく、背面板あるいは前面板のいずれか一方のみの電極形成をめっき技術による電着形成により製造したものを用いてパネル化してＰＤＰとしても、上記の効果が得られることはいうまでもない。ただ、両基板とも電極形成をめっき技術による電着形成を利用して製造したほうがより大きい効果が得られることは確かである。
【００３２】
ところで、第１の耐熱性金属層２０３上に低抵抗金属層２２０と第２の耐熱性金属層２２１とをめっき技術による電着を利用して連続的に形成するため、低抵抗金属層２２０が露出することはなく、絶縁体からなる誘電体層（白色絶縁体からなる誘電体層１７と透明絶縁体からなる誘電体層１１）形成時に誘電体層と低抵抗金属層２２０とが反応することは回避されており、低抵抗金属層２２０に耐熱性の低い銀系合金を用いることが容易となる効果も有している。しかしながら、その断面形状は庇ができたり逆テーパ状になることはないものの、背面ガラス基板１６あるいは前面ガラス基板１０と積層パターンとのなす角度が大きくなることは避けられず、特に、低抵抗金属層２２０の膜厚が大きいとその傾向は一層強くなるという新たな課題が生じてくる。
【００３３】
以下に、本発明の実施の形態による製造方法について説明する。
【００３４】
図３は本発明の実施の形態における背面板２の構造およびその製造工程を説明したものである。本発明の実施の形態のＰＤＰの背面板２の製造工程においては、まず背面ガラス基板１６上にスパッタ蒸着等の真空製膜装置を用いて例えば膜厚０．１μｍ程度の第１の耐熱性金属層２０３を形成する。第１の耐熱性金属層２０３を形成する材料にはＣｒ（クロム）、Ｔａ（タンタル）、Ｔｉ（チタン）等の高融点金属あるいは高融点金属の合金を使用することが望ましい。ここでは従来のＰＤＰパネルと同様にＣｒを選択した。そして、写真食刻を利用した微細加工技術により図３（ａ）に示したように背面ガラス基板１６上に列電極となるアドレス電極パターンに対応させて選択的に残して第１の耐熱性金属層２０３を形成する。
【００３５】
次に、背面ガラス基板１６上にネガ型の感光性樹脂５０を低抵抗金属層２２０の膜厚よりも１μｍ程度厚く、例えば３μｍの膜厚で塗布し、プリベークして溶剤を蒸発させた後、図３（ｂ）に示したように背面ガラス基板１６の裏面より紫外線５１を照射する。このとき、適切な露光量よりも過度となる露光量を与えることが留意点である。
【００３６】
そうすると現像後には図３（ｃ）に示したように列電極パターンエッジからの回り込みにより列電極パターン（第１の耐熱性金属層２０３）上に、透明絶縁基板である背面ガラス基板１６側の下底より上底が細くなるような断面形状が台形の空間５２を形成することができる。好ましくは紫外線５１に基本となる垂直入射成分に加えて適当な斜め成分を付与すると露光時間に関して不要な長時間化を回避することが可能となる。その後、必要に応じてポストベークを行ない感光性樹脂５３の耐薬品性を強化すればよい。
【００３７】
続いて、めっき技術を用いて図３（ｄ）に示したように列電極となるアドレス電極パターン（第１の耐熱性金属層２０３）上に例えば膜厚２μｍの低抵抗金属層５２０を形成する。めっき技術による電着が可能な低抵抗金属層５２０の形成用材料としては上述したように銀または銅が最適である。このとき、低抵抗金属層５２０は台形の空間５２を埋めるように成長していくので、低抵抗金属層５２０の断面も台形となる。
【００３８】
引き続き、感光性樹脂５３を剥離液等で除去した後、再びめっき技術を用いて図３（ｅ）に示したように第１の耐熱性金属層２０３の側面と台形の低抵抗金属層５２０の側面と上面とに例えば膜厚０．１μｍの第２の耐熱性金属層５２１を形成する。めっき技術により電着可能な第２の耐熱性金属層５２１を形成するための材料としてはＣｒ、Ｎｉ、Ｐｔ（白金）が挙げられるが、安価でめっき工程の管理が比較的容易な従来のＰＤＰに用いた材料と同じＣｒを選択することが無難で好ましい。また列電極からの反射光を表示に寄与させて輝度向上が望めることから、Ｐｔを選択してもよい。
【００３９】
このようにして得られた第１の耐熱性金属層（Ｃｒ）２０３上に、背面ガラス基板１６側の下底より上底が細くなるような断面形状が台形のＣｕまたはＡｇを用いて形成された低抵抗金属層５２０と、第１の耐熱性金属層２０３の側面と台形の低抵抗金属層５２０の側面と上面とにＣｒまたはＰｔを用いて形成された第２の耐熱性金属層５２１とからなる三層積層構造を列電極であるアドレス電極１９とし、引き続き（白色）絶縁体からなる誘電体層１７を画像表示部に形成し、隔壁（リブ）１８を形成し、隔壁１８の内壁に蛍光体層２０を形成することで、背面板２の作製が終了する。
【００４０】
また、図４は本発明の実施の形態における前面板１の構造およびその製造工程を説明したものである。本実施の形態では、ＰＤＰの前面板１の製造工程においては、まず前面ガラス基板１０上に図４（ａ）に示したように、第１の耐熱性金属層（Ｃｒ）２０３上にＣｕまたはＡｇを用いて形成された台形の低抵抗金属層６２０と、第１の耐熱性金属層２０３の側面と台形の低抵抗金属層６２０の側面と上面とにＣｒまたはＰｔを用いて形成された第２の耐熱性金属層６２１との積層からなるバス電極となる行電極である走査電極１４、維持電極１３を形成する。ただし、ＣｕまたはＡｇを用いて形成した中間層となる低抵抗金属層６２０の膜厚は３〜５μｍ程度に厚く設計して抵抗値を下げ、発熱等を抑える必要がある。また、低抵抗金属層６２０の断面形状を台形にするために、ネガ型の感光性樹脂５０の厚みもこれに比例して厚くして用いる必要があるのはいうまでもないことである。
【００４１】
次に、前面ガラス基板１０上にスパッタ蒸着等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．３μｍ程度の透明導電層として、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）を被着し、写真食刻を利用した微細加工技術により、図４（ｂ）に示したようにバス電極となる走査電極１４、維持電極１３を含んで表示電極となる透明電極１００を選択的に形成する。引き続き、透明絶縁体からなる誘電体層１１とＭｇＯで保護膜１２を画像表示部内に形成して前面板１の作製が完了する。
【００４２】
最後に、一連の製造工程を経て作製した前面板１と背面板２とをフリットガラス等のシール材を用いて対向させながら貼り合わせてパネル化して、加熱しながら脱ガス処理を行なった後、放電ガスとしてＸｅ（キセノン）を主成分とする不活性ガスを封入して本実施の形態におけるＰＤＰパネルの製造工程が終了する。
【００４３】
以上説明したように、本発明の実施の形態におけるＰＤＰは、背面板の製造工程において、バス電極となる列電極の第１の耐熱性金属層を形成した背面ガラス基板上に、ネガ型の感光性樹脂を低抵抗金属層の膜厚よりも厚く塗布し、背面ガラス基板の裏面より適切な露光量よりも過度となる露光量の紫外線を照射するという裏面露光技術を適用して、電極パターンエッジからの回り込みにより列電極パターン上に台形の空間を形成した上で、Ｃｒで形成した第１の耐熱性金属層からなる列電極パターン上に、めっき技術を用いた電着によりＡｇまたはＣｕを用いて断面が台形形状の低抵抗金属層を形成し、その後に感光性樹脂を剥離液等で除去してから、再びめっき技術を用いて第１の耐熱性金属層の側面、および、台形の低抵抗金属層の側面と上面とにＣｒ、Ｎｉ、Ｐｔ等の材料で第２の耐熱性金属層を形成して３層構造の列電極としている。それゆえ、この新たに考案した製造技術により、低抵抗金属層は耐熱性金属層で被覆されて露出することなく、絶縁体からなる誘電体層の形成時に誘電体層と低抵抗金属層が反応することを回避するとともに背面ガラス基板と形成した電極の積層パターン、特に膜厚が大きい低抵抗金属層とのなす角度が大きくなるという傾向を抑制することが可能となり、背面板の終工程で形成される誘電体層のエッジ部における絶縁耐圧の低下を防止し安定した放電が得られるＡＣ−ＰＤＰを実現できる。
【００４４】
次に、本発明の他の実施の形態について、説明する。
【００４５】
図５は他の実施の形態における背面板２の構造およびその製造工程を説明したものである。
【００４６】
本実施の形態のＰＤＰの背面板２の製造工程においては、図５（ａ）〜（ｃ）に示したように、列電極パターンエッジからの回り込みにより列電極パターン（第１の耐熱性金属層２０３）上に台形の空間５２を形成するまでは、図３（ａ）〜（ｃ）に示したような実施の形態と同一の製造工程であり、詳しい説明は省略する。
【００４７】
図５（ｃ）の工程に続いて、めっき技術による電着形成法を用いて列電極となるアドレス電極パターンに対応させて、台形の空間５２内にある第１の耐熱性金属層２０３上に例えば膜厚２μｍ程度の低抵抗金属層７２０を形成する。その後、再びめっきによる電着形成法技術を用いて図５（ｄ）に示したように台形の低抵抗金属層７２０の上面に例えば膜厚０．１μｍ程度の第２の耐熱性金属層７２１を形成する。
【００４８】
引き続き、図５（ｅ）に示したように感光性樹脂５３を剥離液等で除去した後、第１の耐熱性金属層（Ｃｒ）２０３上にＣｕまたはＡｇを用いて形成された台形の低抵抗金属層７２０と、台形の低抵抗金属層７２０の上面にＣｒまたはＰｔを用いて形成された第２の耐熱性金属層７２１とからなる三層積層構造を列電極であるアドレス電極１９とし、引き続き（白色）絶縁体からなる誘電体層１７を画像表示部に形成し、隔壁（リブ）１８を形成し、隔壁１８の内壁に蛍光体層２０を形成することで、背面板２の作製が終了する。
【００４９】
また、図６は本発明の実施の形態における前面板１の構造およびその製造工程を説明したものである。ＰＤＰの前面板１の製造工程においては、まず前面ガラス基板１０上に図６（ａ）に示したように背面板２の場合と同様に第１の耐熱性金属層（Ｃｒ）２０３上にＣｕまたはＡｇを用いて形成された台形の低抵抗金属層８２０と、台形の低抵抗金属層８２０の上面にＣｒまたはＰｔを用いて形成された第２の耐熱性金属層８２１との積層からなるバス電極となる行電極である走査電極１４、維持電極１３を形成する。
【００５０】
次に、前面ガラス基板１０上にスパッタ蒸着等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．３μｍ程度の透明導電層として、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）を被着し、写真食刻を利用した微細加工技術により、図６（ｂ）に示したようにバス電極となる走査電極１４、維持電極１３を含んで表示電極となる透明電極１００を選択的に形成する。ＩＴＯの食刻に当たり、下地は前面ガラス基板１０と第１の耐熱性金属層（Ｃｒ）２０３とＣｕまたはＡｇで形成された低抵抗金属層８２０とＣｒまたはＰｔを用いて形成された第２の耐熱性金属層８２１であるので、低抵抗金属層８２０にＡｇを用いた場合には対薬品性が弱いのでＩＴＯの食刻液（エッチャント）としては蓚酸等の酸性度の弱いものが望ましい。
【００５１】
引き続き、透明絶縁体からなる誘電体層１１とＭｇＯ保護膜１２を画像表示部内に形成して前面板１の作製が完了する。
【００５２】
最後に、一連の製造工程を経て作製した前面板１と背面板２とをフリットガラス等のシール材を用いて対向させながら貼り合わせてパネル化して、加熱しながら脱ガス処理を行なった後、放電ガスとしてＸｅ（キセノン）を主成分とする不活性ガスを封入して本発明の実施の形態におけるＰＤＰパネルの製造工程が終了する。
【００５３】
以上説明したように、本発明の実施の形態におけるＰＤＰは、背面板の製造工程において、背面露光技術とめっき技術による電着とを利用して台形形状の低抵抗金属層電極を形成する工程までは上記実施の形態と同じである。その後は上記実施の形態と異なって、感光性樹脂を剥離せずに残したまま、再びめっき技術を用いて台形形状の低抵抗金属層の上にＣｒ、Ｎｉ、Ｐｔ等の材料で第２の耐熱性金属層を形成し、最後に感光性樹脂を剥離液等で除去して３層構造の列電極としている。それゆえ、この本実施の形態における背面板の製造工程は、背面ガラス基板と形成した電極の積層パターン、特に膜厚が大きい低抵抗金属層とのなす角度が大きくなるという傾向を抑制することに加え、第１の耐熱性金属層と低抵抗金属層の側面に第２の耐熱性金属層が形成されることがなく、電極層膜の剥離を起こすことは有り得ず、信頼性の高いＡＣ−ＰＤＰを実現できることとなる。
【００５４】
図７は本発明の他の実施の形態における前面板１の構造およびその製造工程を説明したものである。本実施の形態では、まず前面板１となる前面ガラス基板１０上にスパッタ蒸着等の真空製膜装置を用いて膜厚０．１〜０．３μｍ程度の透明導電層として、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）を被着し、写真食刻を利用した微細加工技術により、図７（ａ）に示したように表示電極となる透明電極１００を選択的に形成する。下地がガラスなので対薬品性が高く、ＩＴＯの食刻液（エッチャント）としては蓚酸や沃化水素水のような酸性度の弱いものに限定されることはなく、希釈王水や塩酸と塩化第二鉄との混合液を使用することも可能である。
【００５５】
次に、図７（ｂ）に示したように透明導電層からなって表示電極となる透明電極１００が形成された前面ガラス基板１０上に、バス電極となる行電極である走査電極１４と維持電極１３の各パターンに対応した第１の耐熱性金属層（Ｃｒ）２０３のパターンを、同じように写真食刻を利用した微細加工技術により選択的に形成する。
【００５６】
続いて、透明電極１００、第１の耐熱性金属層（Ｃｒ）２０３が形成された前面ガラス基板１０上にネガ型の感光性樹脂５０を低抵抗金属層の膜厚よりも１μｍ程度厚く、例えば５μｍの膜厚で塗布し、プリベークして溶剤を蒸発させた後、図７（ｃ）に示したように前面ガラス基板１０の裏面より紫外線５１を照射する。適切な露光量よりも過度となる露光量を与える必要性は既に述べた通りである。
【００５７】
そうすると現像後には図７（ｄ）に示したようにバス電極となる行電極のパターンエッジからの回り込みによりバス電極上に台形の空間９２を形成することができる。裏面露光にあたり表示電極は透明導電層で形成された透明電極１００であるので裏面露光の障害にはならない。その後、必要に応じてポストベークを行ない感光性樹脂５３の耐薬品性を強化すればよい。
【００５８】
引き続き図７（ｅ）に示すように、めっき技術を用いてバス電極として形成した第１の耐熱性金属層（Ｃｒ）２０３のパターン上に例えば膜厚３〜４μｍ程度の低抵抗金属層９２０をＣｕまたはＡｇを用いて形成する。めっき技術により電着可能な低抵抗金属としては先述したようにＡｇまたはＣｕが最適である。このとき、低抵抗金属層９２０は台形の空間９２を埋めるように成長していくので、低抵抗金属層９２０の断面は必然的に台形となる。さらに再びめっき技術を用いて図７（ｅ）に示したように台形のＡｇまたはＣｕを用いて形成した低抵抗金属層９２０の上面に例えば膜厚０．１μｍの第２の耐熱性金属層９２１を形成する。めっき技術により電着可能な第２の耐熱性金属層９２１の形成用材料としてはＣｒ、Ｎｉ、Ｐｔ（白金）が挙げられるが、安価でめっき工程の管理が比較的容易な従来のＰＤＰに用いた材料と同じＣｒを選択することが無難で好ましい。
【００５９】
第２の耐熱性金属層９２１をめっき技術により電着形成後、剥離液等を用いて感光性樹脂５３を除去すると、図７（ｆ）に示したように第１の耐熱性金属層２０３（Ｃｒ）上に形成された断面形状が台形の低抵抗金属層（ＣｕまたはＡｇ）９２０と、低抵抗金属層９２０の上面に形成された第２の耐熱性金属層（ＣｒまたはＰｔ）９２１との３層積層構造のバス電極となる行電極にあたる走査電極１４と維持電極１３が得られる。
【００６０】
引き続き、透明絶縁体からなる誘電体層１１とＭｇＯで保護膜１２を画像表示部内に形成して前面板１の作製が完了する。
【００６１】
最後に、上記の一連の製造工程を経て作製した前面板１と別途作製した背面板２とをフリットガラス等のシール材を用いて対向させながら貼り合わせてパネル化して、加熱しながら脱ガス処理を行なった後、放電ガスとしてＸｅ（キセノン）を主成分とする不活性ガスを封入してＰＤＰパネルの製造工程が終了する。
【００６２】
以上説明したように、本実施の形態におけるＰＤＰは、まず前面板となる前面ガラス基板上に表示電極となる透明電極と、その上にバス電極となる行電極にあたる走査電極と維持電極に対応した第１の耐熱性金属層（Ｃｒ）を選択的に形成している。その後、上記実施の形態における背面板の製造工程と同様に、ネガ型の感光性樹脂を用いた裏面露光技術と、めっき技術による電着とを利用して台形形状の低抵抗金属層電極を形成したうえで、再びめっき技術を用いて台形形状の低抵抗金属層の上にＣｒ、Ｎｉ、Ｐｔ等の材料で第２の耐熱性金属層を形成し、最後に感光性樹脂を剥離液等で除去して３層構造の列電極としている。本実施の形態における前面板の製造工程は、ガラス基板上に導電性の表示電極が存在する場合でも、裏面露光技術とめっき技術による電着とを利用してバス電極を形成できるとともに、表示電極のカバレージが悪くて表示電極となる透明電極が段切れを起こす傾向を緩和することが可能になり、信頼性の高いＡＣ−ＰＤＰを実現できることとなる。
【００６３】
図８は本発明の他の実施の形態における前面板１の構造およびその製造工程を説明したものである。本実施の形態では、まず図８（ａ）に示したように前面ガラス基板１０上にスパッタ蒸着等の真空製膜装置を用いてＩＴО（Ｉｎｄｉｕｎ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）で膜厚０．２μｍ程度の透明導電層１３５と、例えばＣｒで膜厚０．１μｍ程度の第１の耐熱性金属層２０３とを順次被着形成する。
【００６４】
次に、前面ガラス基板１０の全面に例えば３μｍ程度の膜厚の感光性樹脂を塗布し、次いで、図８（ｂ）に示したように、表示電極部に対応するパターンの膜厚がバス電極部に対応するパターンの膜厚と比べて半分程度の厚さのレジストパターン１４０となるように、ハーフトーン露光マスクを用いた紫外線の選択照射と現像により形成する。ハーフトーン露光マスクは露光機の解像力以下のスリットや開口部をフォトマスク上のＣｒパターンに形成することにより得られる。本実施の形態におけるＰＤＰの前面板１の製造工程の場合は、バス電極に対応した領域がＣｒべたパターンであるので、表示電極に対応した領域はフォトマスク上のＣｒスリットパターンであればよい。なお、感光性樹脂としては露光量が少ない領域のレジストの対薬品性を考慮すると、明らかにポジ型の方が望ましい。
【００６５】
続いて、レジストパターン１４０をマスクとして、Ｃｒで形成した第１の耐熱性金属層２０３を選択的に食刻除去して透明導電層１３５を露出させ、引き続き食刻剤を変更して透明導電層１３５も選択的に食刻除去して透明電極１００を形成し、図８（ｃ）に示したようにガラス表面層を露出させる。
【００６６】
引き続き、レジストパターン１４０を減圧下あるいは大気圧下の酸素プラズマ等に放置することによりその膜厚を減少させて、図８（ｄ）に示したように表示電極である透明電極１００の領域上のＣｒで形成した第１の耐熱性金属層２０３を露出する。
【００６７】
そして、バス電極領域に残ったレジストパターン１４１をマスクとして再び表示電極である透明電極１００の領域上のＣｒで形成した第１の耐熱性金属層２０３を選択的に食刻除去して図８（ｅ）に示したように透明導電層１３５よりなる表示電極である透明電極１００を露出する。
【００６８】
さらに、図８（ｆ）に示したように剥離液等を用いてレジストパターン１４１を除去した後は、図７（ｃ）〜図７（ｅ）で説明したのと同様の製造工程を経て、図８（ｇ）に示したように第１の耐熱性金属層（Ｃｒ）２０３上にＣｕまたはＡｇで台形の低抵抗金属層９２０、台形の低抵抗金属層９２０の上面にＣｒまたはＰｔで第２の耐熱性金属層９２１とを順次形成して、３層積層構造のバス電極となる行電極（走査電極１４と維持電極１３）が得られる。
【００６９】
引き続き、透明絶縁体からなる誘電体層１１とＭｇＯで保護膜１２を画像表示部内に形成して前面板１の作製が完了する。
【００７０】
最後に、上記の一連の製造工程を経て作製した前面板１と別途作製した背面板２とをフリットガラス等のシール材を用いて対向させながら貼り合わせてパネル化して、加熱しながら脱ガス処理を行なった後、放電ガスとしてＸｅ（キセノン）を主成分とする不活性ガスを封入して本実施の形態におけるＰＤＰパネルの製造工程が終了する。
【００７１】
以上説明したように、本実施の形態におけるＰＤＰの製造方法は、その前面板の製造工程において、ハーフトーン露光技術を導入、適用しているので、誤差の要因となる写真食刻工程の削減が可能となり、マスク合わせ精度の向上が図られていることに加え、前面ガラス基板上に導電性の表示電極が存在する場合でも、裏面露光技術とめっき技術による電着とを利用してバス電極を形成でき、表示電極のカバレージが悪くて表示電極となる透明電極が段切れを起こす傾向を緩和することが可能になって、表示精度を向上させた高精細で信頼性の高いＡＣ−ＰＤＰを実現できることとなる。
【００７２】
なお、上記で説明した表面板１では、バス電極となる行電極（走査電極１４と維持電極１３）は所定の幅を有する１本の金属線パターンであったが、図９に示すように、これを細分化して、例えば走査電極１４が分割電極９０１〜９０４で構成されて、それらが接続部９０５で接続された構造とし、維持電極１３も同様な構造とし、いわゆるライン・アンド・スペース化して複数本の平行で同電位に接続された金属線パターンにより構成した分割電極構造としても本発明は有効であることはいうまでもない。特に分割電極構造では、透明電極がなくてもよく、透明電極形成の工数を削減できて、より安価にＰＤＰを提供することが可能となる。さらに本発明の電極構成および製造方法が分割電極構造を有するＰＤＰに適用されれば、従来の公知技術により製造された電極側面では庇状になり絶縁耐圧の低下の発生確率が非分割電極構造のものよりも多くなるが、各金属層パターンの側面の数がその電極の分割数分に応じて多くなり、分割電極が台形構造となり、分割電極側面のカールが抑制されるので、絶縁耐圧の低下が抑制できて、安定動作のＡＣ−ＰＤＰを実現するのに極めて有効な方法となる。
【００７３】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明のプラズマディスプレイ装置の製造方法は、第１の金属層、第２の金属層、および第３の金属層との３層積層構造であるバス電極となる行電極または列電極の形成に当たり、本発明では第２の金属層と第３の金属層とをめっき技術を用いた電着により形成するため、高価な真空製膜装置を必要としないだけでなく、材料利用効率が著しく向上する。また、めっき技術は薬液を用いた製膜技術であるのでガラス基板上に付着した異物やダスト・パーティクルの影響を受けにくく、製造歩留も向上するという格別の効果が得られる。
【００７４】
さらにバス電極となる行電極と列電極の断面形状がめっきの際の電着条件または裏面露光の照射条件で決定されるので、変動する要因が少ないだけでなく、電極断面の形状が逆テーパ状になることは皆無である。この結果、これらの電極の上に形成される誘電体層のカバレージが良好となり、ピンホールの発生も無く、従って安定した放電が得られ、表示画像の品質も向上する。さらにはバス電極の上に表示電極を形成することも可能とするものである。
【００７５】
加えてハーフトーン露光技術を用いることで、写真食刻工程の回数が削減されて製造における工数の削減が可能になるのみならず、表示電極の大きさが均一となって、表示画像の品質もさらに向上する。そして、表示電極とバス電極とが自己整合的に形成されるので、電極パターンの精細化が向上し、高精細化も容易となる等、数多くの優れた効果が得られることとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  （ａ）〜（ｃ）は本発明の実施の形態における背面板製造工程を各工程における背面板拡大断面図により説明する図
【図２】  （ａ）、（ｂ）は本発明の実施の形態における前面板製造工程を各工程における前面板拡大断面図により説明する図
【図３】  （ａ）〜（ｅ）は本発明の実施の形態における背面板製造工程を各工程における背面板拡大断面図により説明する図
【図４】  （ａ）、（ｂ）は本発明の実施の形態における前面板製造工程を各工程における前面板拡大断面図により説明する図
【図５】  （ａ）〜（ｅ）は本発明の実施の形態における背面板製造工程を各工程における背面板拡大断面図により説明する図
【図６】  （ａ）、（ｂ）は本発明の実施の形態における前面板製造工程を各工程における前面板拡大断面図により説明する図
【図７】  （ａ）〜（ｆ）は本発明の実施の形態における前面板製造工程を各工程における前面板拡大断面図により説明する図
【図８】  （ａ）〜（ｇ）は本発明の実施の形態における前面板製造工程を各工程における前面板拡大断面図により説明する図
【図９】  本発明におけるＡＣ−ＰＤＰ前面板における分割電極の構造を説明する拡大平面図
【図１０】  （ａ）はＡＣ−ＰＤＰの構造を説明する組み立て斜視図
（ｂ）はＡＣ−ＰＤＰ前面板のＡ−Ａ'部分拡大断面図
（ｃ）はＡＣ−ＰＤＰ背面板のＢ−Ｂ'部分拡大断面図
【図１１】  （ａ）〜（ｆ）はＡＣ−ＰＤＰの前面板製造工程を各工程における前面板拡大断面図により説明する図
【符号の説明】
１  前面板
２  背面板
３  放電空間
１０  前面ガラス基板
１１，１７  誘電体層
１２  保護膜
１３  維持電極
１４  走査電極
１５  ブラックマトリックス
１６  背面ガラス基板
１８  隔壁（リブ）
１９  アドレス電極（データ電極）
２０  蛍光体層
２０３  第１の耐熱性金属層
２２０  低抵抗金属層
２２１  第２の耐熱性金属層
【図１】
0004288892.tif 000002
【図２】
0004288892.tif 000003
【図３】
0004288892.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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