(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物層をエッチングするための方法であって、
窒化物層と、前記窒化物層を覆うフォトレジストマスクとをその上に有するシリコン基板を提供し、
塩素プラズマを使用して、プラズマ処理チャンバ内で前記フォトレジストマスクを処理し、前記処理は、前記フォトレジストマスクの少なくとも一部分をエッチングし、前記フォトレジストマスクの垂直な側壁上にパッシベーションポリマを堆積させるように構成され、
前記処理後、前記フォトレジストマスクを使用する後続のエッチング工程において、前記窒化物層をエッチングする方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法であって、
前記処理は、前記フォトレジストマスクのフォトレジスト特徴の垂直プロフィルを改良するように構成される方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法であって、
前記処理は、
前記プラズマ処理チャンバ内に、Ｃｌ2を含有する第１のエッチャントソースガスを流し、
前記プラズマ処理チャンバに高周波（ＲＦ）エネルギを供給することにより、前記第１のエッチャントソースガスを使用して前記塩素プラズマを形成し、
前記塩素プラズマを用いて前記フォトレジスト層を既定期間だけエッチングする方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法であって、
前記窒化物層の前記エッチングは、フッ素プラズマによるエッチングを含む方法。
【請求項５】
請求項４記載の方法であって、
前記フッ素プラズマは、ＳＦ6、ＳＦ6／Ｈｅ、ＳＦ6／Ｈｅ／ＣＨＦ3、ＣＦ4、Ｈｅ／ＳＦ6／ＨＢｒ、およびＨｅ／ＣＦ4のうちのいずれか１種類を含む第２のエッチャントソースガスから形成される方法。
【請求項６】
請求項１記載の方法であって、
前記処理は、
前記プラズマ処理チャンバ内に、Ｃｌ2、Ｃｌ2／ヘリウム、Ｃｌ2／ＨＢｒ、Ｃｌ2／ＨＢｒ／Ｈｅ、Ｃｌ2／Ｏ2、およびＣｌ2／Ｎ2よりなる群から選択されるエッチャントソースガスを流し、
前記プラズマ処理チャンバに高周波（ＲＦ）エネルギを供給することにより、前記エッチャントソースガスを使用して前記塩素プラズマを形成し、
前記塩素プラズマを用いて前記フォトレジスト層を既定期間だけエッチングする方法。
【請求項７】
シリコン基板上に配置されているとともにフォトレジストマスクの下側に配置されている窒化物層の、エッチング中におけるプロフィル制御を改良するための方法であって、
前記窒化物層および前記フォトレジストマスクを有する基板を、プラズマ処理チャンバ内に配置し、
塩素含有エッチャントソースガスを、前記プラズマ処理チャンバ内に流し、
前記塩素含有エッチャントソースガスからプラズマを発生させ、前記プラズマ処理チャンバ内に塩素プラズマを形成し、
塩素プラズマを使用し、前記プラズマ処理チャンバ内で前記フォトレジストマスクを処理し、前記処理は、前記フォトレジストマスクの少なくとも一部分をエッチングし、前記窒化物層をエッチングすることなく前記フォトレジストマスクの垂直な側壁上にパッシベーションポリマを堆積させるように構成されている方法。
【請求項８】
請求項７記載の方法であって、
前記窒化物層は前記フォトレジストマスクの直下にあり、前記フォトレジストマスクと直接接している方法。
【請求項９】
請求項７記載の方法であって、
前記塩素含有エッチャントソースガスは、Ｃｌ2、Ｃｌ2／ヘリウム、Ｃｌ2／ＨＢｒ、Ｃｌ2／ＨＢｒ／Ｈｅ、Ｃｌ2／Ｏ2、およびＣｌ2／Ｎ2よりなる群から選択される方法。
【請求項１０】
請求項７記載の方法であって、さらに、
前記フォトレジストマスクの前記処理に続き、前記フォトレジストマスクを使用して前記窒化物層をエッチングし、
前記窒化物層の前記エッチングは、前記塩素プラズマと異なるプラズマにより実施される方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の方法であって、
前記フォトレジストマスクの前記処理と、前記窒化物層の前記エッチングは、ともに前記プラズマ処理チャンバ内で実施される方法。
【請求項１２】
請求項７記載の方法であって、さらに、
前記フォトレジストマスクの前記処理に続き、前記フォトレジストマスクを使用して前記窒化物層をエッチングし、
前記窒化物層の前記エッチングは、フッ素プラズマによるエッチングを含む方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の方法であって、
前記フッ素プラズマは、ＳＦ6、ＳＦ6／Ｈｅ、ＳＦ6／Ｈｅ／ＣＨＦ3、ＣＦ4、Ｈｅ／ＳＦ6／ＨＢｒ、およびＨｅ／ＣＦ4のうちのいずれか１種類を含む第２のエッチャントソースガスから形成される方法。
【請求項１４】
請求項７記載の方法であって、
前記処理は、前記塩素プラズマを用いて前記フォトレジスト層を既定期間だけエッチングする方法。
【請求項１５】
シリコン基板上に配置されているとともにフォトレジストマスクの下に配置されている窒化物層の、エッチング中におけるプロフィル制御を改良するための方法であって、
前記窒化物層および前記フォトレジストマスクを有する基板を、プラズマ処理チャンバ内に配置し、
塩素含有エッチャントソースガスを、前記プラズマ処理チャンバ内に流し、
前記塩素含有エッチャントソースガスからプラズマを発生させ、前記プラズマ処理チャンバ内に塩素プラズマを形成し、
塩素プラズマを使用し、前記プラズマ処理チャンバ内で前記フォトレジストマスクを処理し、前記処理は、前記フォトレジストマスクの少なくとも一部分をエッチングし、前記窒化物層をエッチングすることなく前記フォトレジストマスクの垂直な側壁上にパッシベーションポリマを堆積させるように構成される方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の方法であって、さらに、
前記フォトレジストマスクの前記処理に続き、前記フォトレジストマスクを使用して前記窒化物層をエッチングし、
前記窒化物層の前記エッチングは、前記塩素プラズマと異なるプラズマにより実施される方法。
【請求項１７】
請求項１６記載の方法であって、
前記フォトレジストマスクの前記処理と、前記窒化物層の前記エッチングは、ともに前記プラズマ処理チャンバ内で実施される方法。
【請求項１８】
請求項１７記載の方法であって、
前記プラズマ処理チャンバは、誘導結合プラズマ処理チャンバおよび平行平板電極型プラズマ処理チャンバのうちのいずれか１つである方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体デバイスの製造に関し、特に、製造の最中にフォトレジストマスクの下の層をエッチングするための改良技術に関する。
【０００２】
【発明の背景】
半導体デバイス、すなわち半導体材料を利用した電子デバイスの製造では、基板の上に様々な層を堆積させ、選択的にエッチングすることにより所望のデバイスを形成する。所定の層を選択的にエッチングするために、フォトレジストマスクが一般的に利用される。
【０００３】
議論を容易にするため、図１に、基板１０２の上に配置された複数の層を含む、代表的な積層体１００を示した。基板１０２は、例えばウェーハまたはガラスパネルの形を採ることができ、そこから集積回路またはフラットパネルディスプレイが製作される。図１に示された代表的な積層体は、基板１０２の上に配置された酸化物（ＳｉＯ2）層１０４を含む。酸化物層１０４は、熱酸化（例えば湿式酸化または乾式酸化）等の適切な酸化物形成工程を使用して形成されるのが典型的である。窒化物（Ｓｉ3Ｎ4等のＳｉxＮy）層１０６は、酸化物層１０４の上側に配置されて図示されており、低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）等の適切な窒化物工程を使用して形成されるのが一般的である。積層体１００は、例えば集積回路の作用面積等を形成するのに利用しても良い。
【０００４】
窒化物層１０６の選択性エッチングを容易にするため、先ず、例えばスピンオン（spin-on）工程によりフォトレジスト層１０８を堆積させる。次に、従来のフォトリソグラフィ工程を利用し、フォトレジスト層１０８をパターン形成してマスクを形成することにより、窒化物層１０６内の選択領域のエッチングを容易にする。このような技術の１つとして、例えば、フォトレジスト材料を接触式またはステップ式リソグラフィシステム内に露出させてフォトレジスト層１０８をパターン形成し、このフォトレジスト材料を現像してマスクを形成することにより、後続のエッチング工程を容易にする技術が挙げられる。このようにして形成されるフォトレジストマスクを、図２に示した。その後、フォトレジストの下層のうちマスクで保護されていない領域（例えば、窒化物層１０６の領域２０２，２０４）をエッチングすると、望ましい特徴（造形）が後に残される。
【０００５】
エッチング工程の精度は、電子デバイスの密度が増大するにつれて限界に近づく。これは、デバイスが密接に集積されていると、エッチングプロフィルを慎重に制御して、例えば隣接特徴間の偶発的短絡等を防ぐ必要があるからである。デバイスのサイズがサブミクロンの領域（例えば０．２５ミクロンまたはそれ未満）に到達すると、従来のフォトレジストマスクでは、後続のエッチング工程で困難を生じることがある。
【０００６】
従来のフォトレジストマスクを改良することなく利用してフォトレジスト下層（例えば窒化物層１０６）をエッチングする際の問題点を容易に議論するため、エッチング後の図２の窒化物層１０６を、部分的に図３に示した。図３には、例えば、図２のフォトレジスト特徴の１つであるフォトレジスト特徴１０８（ａ）が示されている。また、窒化物をエッチングした後に残留する窒化物材料である、窒化物特徴１０６（ａ）も示されている。
【０００７】
図３に示されるように、フォトレジスト特徴１０８（ａ）はテーパプロフィルを示す。すなわち、フォトレジストの垂直な側壁と基板の平面とが形成する角度が直角未満である。フォトレジスト特徴のテーパプロフィルは、窒化物のエッチング工程が進行するに伴って、フォトレジスト層１０８をパターン形成するフォトリソグラフィ工程、および／または後続の窒化物エッチング工程の等方性要素が原因で、窒化物層内を下向きに伝わっていく。このため、窒化物特徴１０６（ａ）もまた、底部の窒化物特徴（１２２）が頂部におけるそれ（１２４）よりも幾分幅広のテーパプロフィルを示す。
【０００８】
窒化物特徴１０６（ａ）のテーパプロフィルは、エッチング特徴のプロフィルが制御しにくいことを表している。プロフィル制御が不充分だと、得られる窒化物特徴の微小寸法（ＣＤ：critical dimension）制御が困難になる。プロフィル制御および／またはＣＤ制御が特に不充分だと、得られるエッチング特徴が、現代の高密度（例えばサブミクロンまたはそれ以下）デバイス製造への使用に不適切となる恐れがある。
【０００９】
エッチングプロフィルは、窒化物のエッチングにおいて、イオン衝撃要素または物理的エッチング要素を増すことにより改良できると考えられてきた。平行平板電極型のプラズマシステムでは、イオン衝撃は、例えば、プラズマ処理チャンバのＲＦ電源の設定値を上げる、エッチング圧力を下げる、平行平板電極間の間隙を小さくする等の方法（またはこれらの任意の組み合わせ）で増大させることができる。イオン衝撃の増大は、より垂直な側壁の形成を可能にするが、同時に幾つかの欠点も生じる。
【００１０】
例えば、物理的工程であるイオン衝撃は、異なる層間における選択性を特に有さない。このため、エッチングを望まない層を含む全ての層を、無差別にエッチングする傾向にある。イオン衝撃工程はさらに、精確な制御が比較的困難である。このため、エッチングのイオン衝撃要素を増大させると、他の層または／および基板の他の特徴が、意図せぬ損傷を受ける恐れがある。図４に示されるように、イオン衝撃要素の増大は、例えば、窒化物の下層である酸化物層１０４（領域４０２）および／または基板１０２（領域４０４）に、望ましくない損傷を与える恐れがある。
【００１１】
以上から、半導体デバイスの製造において、フォトレジスト層の下層をエッチングするための改良技術が望まれていることがわかる。
【００１２】
【発明の概要】
本発明の一実施形態は、フォトレジストの下層をエッチングするための方法に関する。この方法は、フォトレジストの下層およびその上のフォトレジストマスクを有した基板を提供する工程を備える。この方法はさらに、塩素ベースのプラズマ（chlorine-based plasma）を使用して、プラズマ処理チャンバ内でフォトレジストマスクを処理する工程を備える。この処理工程は、フォトレジストマスクの少なくとも一部分をエッチングし、このフォトレジストマスクの垂直の側壁にパッシベーションポリマを堆積させるように構成される。この方法はさらに、上述した処理工程に続くエッチング工程において、フォトレジストマスクを使用してフォトレジストの下層をエッチングする工程を備える。
【００１３】
本発明の別の実施形態は、基板上に配置されたフォトレジスト下層をエッチングする際の、プロフィル制御を改良するための方法に関する。このフォトレジスト下層は、フォトレジストマスクの下に配置されている。この方法は、フォトレジスト下層およびフォトレジストマスクを有した基板を、プラズマ処理チャンバ内に配置する工程を備える。この方法はまた、塩素含有エッチャントソースガスを、プラズマ処理チャンバ内に流す工程を備える。この方法はさらに、塩素含有エッチャントソースガスからプラズマを発生させ、プラズマ処理チャンバ内で塩素ベースのプラズマを形成させる工程を備える。この方法はさらにまた、塩素ベースのプラズマを使用して、プラズマ処理チャンバ内でフォトレジストマスクを処理する工程を備える。フォトレジストの処理は、フォトレジストマスクの少なくとも一部分をエッチングして、フォトレジスト下層をエッチングすることなくフォトレジストマスクの垂直の側壁にパッシベーションポリマを堆積させるように、構成される。
【００１４】
本発明のさらに別の実施形態は、シリコン基板上に配置された窒化物層をエッチングする際の、プロフィル制御を改良するための方法に関する。この窒化物層は、フォトレジストマスクの下に配置されている。この方法は、窒化物層およびフォトレジストマスクを含んだ基板を、プラズマ処理チャンバ内に配置する工程を備える。この方法はまた、塩素含有エッチャントソースガスを、プラズマ処理チャンバ内に流す工程を備える。この方法はさらに、塩素含有エッチャントソースガスからプラズマを発生させて、プラズマ処理チャンバ内で塩素ベースのプラズマを形成させる工程を備える。この方法はさらにまた、塩素プラズマを使用して、プラズマ処理チャンバ内でフォトレジストマスクを処理する工程を備える。フォトレジストの処理は、フォトレジストマスクの少なくとも一部分をエッチングして、窒化物層をエッチングすることなくフォトレジストマスクの垂直の側壁にパッシベーションポリマを堆積させるように、構成される。
【００１５】
本発明の上述したおよびその他の特徴を、添付した図面と関連させながら、以下に続く発明の詳細な説明においてさらに詳しく説明する。
【００１６】
【発明の実施の形態】
添付の図面に示される幾つかの好ましい実施形態にもとづいて、本発明を詳しく説明する。以下の説明では、本発明の完全な理解を促す目的で多くの項目を特定している。しかしながら、当業者には明らかなように、本発明は、これらの項目の一部または全てを特定しなくても実施することができる。また、本発明を不必要に不明瞭化するのを避けるため、周知の処理工程および／または構造の説明は省略した。
【００１７】
本発明の一特徴によれば、フォトレジスト下層のエッチングプロフィルは、フォトレジスト下層のエッチングに先立ちフォトレジストマスクにプラズマ処理を施すことにより改良される。ここで、フォトレジスト下層とは、フォトレジストマスクの下に横たわり、このエッチングマスクを使用して後続の工程でエッチングされるように構成される、１層またはそれ以上の層を指す。また、添付した図面に示される層は例示のみを目的としていること、処理後のフォトレジストマスクを使用してエッチングされる異なる積層体には異なる層が存在し得ることを、心に留めておく必要がある。さらに、図示される層と層の間には、１層またはそれ以上の層が存在しても良い。このような層は、例えば、密着性強化層、種子層、またはその他任意の層を含んでも良い。このため、ここで使用する「上」、「上層」、「下」、「下層」等の位置関係を表す用語は、層と層が直接接触することを要求するものではない。
【００１８】
本発明の一実施形態において、プラズマによるフォトレジストの前処理は、フォトレジスト特徴の垂直面に沿ってパッシベーションポリマを堆積させ、このフォトレジスト特徴のテーパを低減するように構成される。フォトレジスト下層のエッチングに先立ちフォトレジスト特徴のプロフィルを改良することにより、エッチングでフォトレジスト下層から形成される特徴のプロフィルを改良することができる。
【００１９】
一方または加えて、フォトレジスト特徴の垂直側壁上のパッシベーションポリマは、フォトレジスト下層のエッチング中においてフォトレジスト特徴のプロフィル維持を促進することにより、後続のエッチングでフォトレジスト下層から形成される特徴の、プロフィル制御の改良を促進する。この改良技術を利用すると、エッチングでフォトレジスト下層から形成される特徴のプロフィルを、イオン衝撃要素の大きいエッチングを必要とすることなく有利に制御することができる。物理的エッチング要素が大きくないため、フォトレジスト下層のエッチング中に他の層および／または基板の他の領域が受ける意図しない損傷を、有利に最小化することができる。
【００２０】
図面を参照にして行う以下の説明から、本発明の特徴および利点が一層明瞭となる。本発明の一特徴によれば、フォトレジスト下層のエッチングに先立ち、その上にフォトレジスト下層（例えば図２の窒化物層１０６）およびフォトレジストマスク（例えば図２のフォトレジストマスク１０８）を有する基板に対して、先ずプラズマ環境におけるフォトレジストマスクの処理を実施する。このフォトレジストのプラズマ前処理は、フォトレジスト下層を実際にエッチングするのに先立ち、それとは異なるプラズマを利用してフォトレジストマスクを処理するという点において、フォトレジスト下層のエッチングとは別個の工程である。フォトレジスト下層のなかには、フォトレジストのプラズマ前処理工程中にエッチングされる材料もあるが、フォトレジストのプラズマ前処理は、実際にフォトレジスト下層をエッチングする後続のエッチング工程よりも遅い速度でフォトレジスト下層（例えば窒化物層）をエッチングすることが好ましい（ただし必然ではない）。
【００２１】
本発明の一実施形態では、もし必要であれば、フォトレジストのプラズマ前処理およびフォトレジスト下層のエッチングをともに、単一のプラズマ処理チャンバ内で（異なる２工程に分けて）実施しても良い。事実、フォトレジストのプラズマ前処理およびフォトレジスト下層のエッチングは、同一のプラズマ処理チャンバ内で真空封止を破ることなく実施しても良い。しかしながら、フォトレジストのプラズマ前処理は、フォトレジスト下層のエッチングとは異なるプラズマ処理チャンバ内で実施しても良い。
【００２２】
本発明の実施形態では、フォトレジストのプラズマ前処理を、カリフォルニア州フリーモント市所在のラム・リサーチ・コーポレーションによる４４２０ＸＬ（商標）として知られる平行平板電極型プラズマ処理システムを利用して実施する。しかしながら、任意の高密度・低圧プラズマシステム等（容量結合、誘電結合、電子サイクロトロン共鳴[ＥＣＲ]の各システムを含む）の他の適切なプラズマ処理システムもまた、同様に利用され得る。フォトレジストプラズマ前処理はまた、例えば、適切なダイオード型またはトライオード型のシステムで実施しても良い。このように、ここでは議論を容易にするため４４２０ＸＬ（商標）を使用してはいるものの、本発明によるフォトレジストプラズマ前処理（および／または後続のフォトレジスト下層のエッチング）が任意の適切なプラズマ処理システムを使用して実施し得ることに留意すべきである。
【００２３】
図５に示されるように、プラズマ処理システム５００はプラズマ処理チャンバ５０２を備える。チャンバ５０２の上方には電極５０４が配置されており、図５の例では、シャワーヘッドを有したガス分布装置の構成により具現化されている。電極５０４は、整合回路網５０８を介して高周波（ＲＦ）ジェネレータ５０６により通電される。図５の例では、ＲＦジェネレータ５０６は周波数が約１３．５６ＭＨｚのＲＦエネルギを供給するが、他の適した周波数を利用しても良い。
【００２４】
シャワーヘッド５０４は、自身と基板５１４の間に位置するＲＦ誘導プラズマ領域５１２に、ガス状のエッチャントソースガスを放出するためのガス分布装置である。しかしながら、ガス分布リング、またはチャンバの壁上に配置された単なるポート等の、他のガス分布装置を利用しても良い。フォトレジストマスクの下にフォトレジスト下層が配置された基板５１４を、プラズマ処理チャンバ５０２内に導入し、チャック５１６の上に配置する。図５の例では、チャック５１６は静電（ＥＳＣ）チャックであるが、例えば真空チャック、メカニカルチャック、または単なるワークホルダでも良い。
【００２５】
ヘリウム等の熱交換ガスを、チャック５１６と基板５１４の間の領域に導入し、基板とチャックの間の熱交換を制御して、均一で反復性のある処理結果を確保しても良い。フォトレジストのプラズマ前処理（または後続のフォトレジスト下層のエッチング）を容易にするため、適切なエッチャントソースガスをシャワーヘッド５０４から流し、ＲＦジェネレータ５０６が供給するＲＦエネルギでプラズマを発生させる。フォトレジストのプラズマ前処理の最中（または後続のエッチングの最中）には、形成された副生物のガスの一部が、（例えば適切なターボポンプ構成を使用して）排気ポート５２２を経てチャンバ５０２から排出される。図５の例では、排気ポート５２２はリング状の構造を有し、チャンバの底部に配置されているが、他の任意の適切な構造を利用しても良い。絶対的に必要ではないが、電極５０２と基板１１４との間の間隙の大きさを（例えば電極および／または基板を移動させることにより）変化させ、処理の最適化を図っても良い。
【００２６】
本発明の実施形態では、フォトレジストマスクのプラズマ処理を、塩素ベースのプラズマを使用して実施する。塩素ベースのプラズマは、塩素含有ガス（例えばＣｌ2）を含有する適切なエッチャントソースガスから形成することができる。また、ＨＢｒ、酸素、窒素、および／またはＨｅ等の追加のガスを、（例えばＣｌ2ガスに）添加しても良い。
【００２７】
塩素ベースのプラズマは、フォトレジスト特徴の一部をエッチングするように構成される。フォトレジストのプラズマ処理の最中には、フォトレジスト特徴の垂直な側壁に沿ってパッシベーションポリマが堆積される。図６によれば、フォトレジストのプラズマ前処理は、フォトレジスト特徴１０８（ａ）の一部分６０２をエッチングで除去し、フォトレジスト特徴の垂直な側壁に沿ってパッシベーションポリマを堆積させる。理解を容易にするため、図６では、処理前のフォトレジスト特徴を点線で、プラズマ前処理後のフォトレジスト特徴を実線で示している。パッシベーションポリマの堆積は、フォトレジスト特徴のテーパの軽減を促して、フォトレジスト特徴のプロフィルを改良できると信じられている。上述したように、この改良プロフィルは、エッチングでフォトレジスト下層から形成される特徴内を、下向きに移動または伝播する。
【００２８】
フォトレジスト下層内の露出した材料のなかには、フォトレジストのプラズマ処理中にエッチングされ得るものもある。例えば、代表的なフォトレジストプラズマ前処理中には、数百オングストロームの窒化物材料がエッチングで除去される。しかしながら、フォトレジストプラズマ前処理の工程は、実質的にはフォトレジスト下層内までエッチングしないことが好ましい。例えば、フォトレジストプラズマ前処理中にエッチングで除去されるフォトレジスト下層（例えば窒化物層）は、その厚さの５〜２５％未満であることが好ましい。
【００２９】
フォトレジストプラズマ前処理中にエッチングされる窒化物材料のなかには、フォトレジスト特徴１０８（ａ）の垂直側壁に沿って堆積されるパッシベーションポリマ内に組み込まれ得るものもある。フォトレジストプラズマ前処理中にエッチングされた材料が組み込まれると、構築された側壁は、後続のフォトレジスト下層のエッチング工程に対して耐性を向上させると信じられている。その結果、後続のフォトレジスト下層のエッチング工程において、除去されるフォトレジストの垂直側壁の量が減少するため、フォトレジストのプロフィルがより良く維持されるようになる。
【００３０】
フォトレジストマスクのプラズマ処理後、フォトレジスト下層は、プラズマエッチングチャンバ内で適切なエッチャントを使用してエッチングされる。図７の例では、窒化物層１０６は、フッ素含有ソースガスを使用した従来のフッ素ベースのプラズマを使用してエッチングされる。フッ素含有ソースガスは例えば、ＳＦ6、Ｈｅ／ＳＦ6、ＳＦ6／Ｈｅ／ＣＨＦ3、ＳＦ6／Ｈｅ／ＨＢｒ、ＳＦ6／Ｏ2、ＣＦ4、ＣＦ4／Ｈｅである。もし必要であれば、ＣＨＦ3またはヘリウム（Ｈｅ）等の添加物を添加しても良い。本発明の一実施形態では、窒化物層のエッチングは、プラズマ処理工程の直後に同一のプラズマ処理チャンバ（例えば上述した４４２０ＸＬ[商標]）内で実施される。このため真空封止を破る必要がなく、基板のスループットを有利に向上させることができる。ただし、これは必要条件ではなく、フォトレジスト下層のエッチングは、任意の適切なプラズマ処理チャンバ内で実施しても良い。
【００３１】
図７に示されるように、フォトレジスト特徴１０８（ａ）の改良プロフィルは、窒化物特徴１０６（ａ）に向けて下向きに移動または伝播する。このため、下層である窒化物特徴１０６（ａ）のプロフィル制御が有利に達成される。ここで、この改良プロフィル制御が従来技術と異なり、窒化物エッチング工程のイオン衝撃要素を増大させる必要がない点に注意が必要である。このプロフィル制御の改良により、エッチング後の下層窒化物特徴の微小寸法（ＣＤ）制御も改良されるため、エッチング後の窒化物特徴を、現代の高密度デバイスの製造への使用に一層適切なものとすることができる。
【００３２】
さらに、フォトレジストプラズマ前処理がマイクロトレンチング（microtrenching）を減らせることがわかった。マイクロトレンチングは、エッチングされた特徴の足元または疎な領域に、エッチング速度のマイクロローディング（すなわち、密な領域より疎な領域の方でエッチング速度が大きくなる現象）を原因として意図しない溝が形成される現象を指す。マイクロトレンチングは例えば、エッチングされた窒化物特徴１０６（ａ）の足元の酸化物層１０４に（場合によっては基板１０２そのものにも）溝を形成する恐れがある。メカニズムはまだ完全に解明されていないが、マイクロトレンチは、フォトレジスト下層のエッチング中に、プラズマシースからのイオンがフォトレジスト特徴の垂直側壁に反射して形成されると信じられている。イオンは、例えば図４に示されるように、フォトレジストの垂直側壁で矢印４０６の方向に反射される。
【００３３】
理論に縛られることは望まないが、本発明で開示する工程によりフォトレジストマスクを処理された基板において、マイクロトレンチングの減少が観測される原因は、１つには、フォトレジスト特徴の高さが減少し、反射されたイオンが跳ね返るための垂直面が減少するためだと信じられている。本発明によるフォトレジストプラズマ前処理工程により前もってフォトレジストマスクを処理された基板では、厳密なメカニズムの如何に関係なく、マイクロトレンチングの実質的な減少が観測される。
【００３４】
代表的なフォトレジストプラズマ前処理工程において、厚さ１５００オングストロームの窒化物層の下に厚さ１００〜１５０オングストロームの酸化物層が配置された、８インチのシリコンウェーハを利用する。窒化物層は、厚さ約１０，０００オングストロームのフォトレジストマスクで覆われる。フォトレジストマスクは、幅０．２５ミクロンの小開口部を含む様々な幅の開口部を有している。
【００３５】
代表的なフォトレジストプラズマ前処理工程は、上述した４４２０ＸＬ（商標）プラズマ処理システムにおいて２０秒間実施される。しかしながら、このシステムまたは他のプラズマ処理システムにおけるこの処理工程は、約１０〜６０秒間持続して良く、より好ましくは約１５〜３０秒間持続して良いと考えられる。
【００３６】
代表的なフォトレジストプラズマ前処理工程において、電力の設定値は約２７５ワット（Ｗ）である。しかしながら、このシステムまたは他のプラズマ処理システムにおける電力の設定値は、約１００〜５００ワットで良く、より好ましくは約２２５〜４００ワットで良いと考えられる。
【００３７】
代表的なフォトレジストプラズマ前処理工程において、チャンバ圧力は約４２５ミリトール（ｍＴ）である。しかしながら、このシステムまたは他のプラズマ処理システムにおけるチャンバ圧力は、約２５０〜７００ミリトールで良く、より好ましくは約３００〜５００ミリトールで良いと考えられる。
【００３８】
代表的なフォトレジストプラズマ前処理工程において、Ｃｌ2ガスの流量は標準状態下で約２００立方センチメートル毎分（ｓｃｃｍ）である。しかしながら、このシステムまたは他のプラズマ処理システムにおけるＣｌ2ガスの流量は、約１００〜４００ｓｃｃｍで良く、より好ましくは約１５０〜２５０ｓｃｃｍで良いと考えられる。
【００３９】
代表的なフォトレジストプラズマ前処理工程において、オプションのヘリウムガスの流量は、標準状態下で約４００立方センチメートル毎分（ｓｃｃｍ）である。しかしながら、このシステムまたは他のプラズマ処理システムにおけるオプションのヘリウムガスの流量は、約０〜５００ｓｃｃｍで良く、より好ましくは約３００〜５００ｓｃｃｍで良いと考えられる。異なるシステムで実施する場合および／または異なるサイズの基板を使用する場合は、流量は変化し得る。しかしながら、上で開示したこれらのガスの比は、適切なプラズマ処理システムにおいてフォトレジストマスクのプラズマ処理を行うのに適していると考えられる。
【００４０】
代表的なフォトレジストプラズマ前処理工程において、間隙の設定値は約０．８センチメートル（ｃｍ）である。しかしながら、このシステムまたは他のプラズマ処理システムにおける間隙の設定値は約０．６〜１．２ｃｍで良く、より好ましくは約０．７〜１．０ｃｍで良いと考えられる。
【００４１】
代表的なフォトレジストプラズマ前処理工程において、ヘリウム冷却時の圧力は約６トール（Ｔ）である。しかしながら、このシステムまたは他のプラズマ処理システムにおけるヘリウム冷却時の圧力は約０〜１２Ｔで良く、より好ましくは約０〜１０Ｔで良いと考えられる。
【００４２】
代表的なフォトレジストプラズマ前処理工程において、チャックの温度設定値は約４０度である。しかしながら、このシステムまたは他のプラズマ処理システムにおけるチャックの温度設定値は約１０〜６５度で良く、より好ましくは約２０〜５０度で良いと考えられる。
【００４３】
図８は、プロフィル制御および／または微小寸法制御を改良するように構成された、代表的なフォトレジストプラズマ前処理工程で利用される、本発明の一実施形態にもとづく工程の流れ図である。工程８０２において、エッチング予定のフォトレジスト下層を上に有した基板を提供する。フォトレジスト下層は、パターン形成されたフォトレジストマスクの下に配置されている。一例ではフォトレジスト下層は、薄い酸化物層（例えば、図１の窒化物層１０６および酸化物層１０４）を覆う窒化物層である。工程８０４において、フォトレジストマスクを塩素ベースのプラズマを使用して処理することにより、フォトレジスト特徴の少なくとも一部分をエッチングし、フォトレジストマスクの垂直な側壁上にパッシベーションポリマを堆積させる。工程８０６において、フォトレジスト下層を適切なエッチャントを使用してエッチングする。窒化物層のエッチングには、上述したようにフッ素ベースのエッチャントを利用しても良い。そして、追加で従来の処理工程を基板に施し、例えばフラットパネルディスプレイ、集積回路（ダイナミックＲＡＭ、または他の任意のトランジスタ回路等）等の、望ましい半導体デバイスを形成しても良い。
【００４４】
以上、本発明をいくつかの好ましい実施形態にもとづいて説明したが、本発明の範囲内における他の変形物、置換物および等価物を実施することも可能である。例えば、４４２０ＸＬ（商標）プラズマ処理システムに対応する代表的な工程パラメータの範囲を挙げたが、本発明の開示を読んだ当業者が別のプラズマ処理システムを提供した際には、これらの値を必要に応じて変動させても良い。さらに別の例では、積層体のフォトレジスト層の下に、フォトリソグラフィのための反射防止膜（ＡＲＣ：antireflective coating）または底部反射防止膜（ＢＡＲＣ：bottom antireflective coating）層（有機または無機のいずれかで良い）を利用しても良い。これらのＡＲＣまたはＢＡＲＣ層は、フォトレジストプラズマ前処理に先立ち既にパターン形成されいても良いし、またはパターン形成されていなくても良い。また、本発明による方法および装置は、多くの代替方式により具現化しても良い。このため、添付した請求の範囲は、本発明の真の趣旨および範囲を逸脱しない全ての変形物、置換物および等価物を含むものとして解釈される。
【図面の簡単な説明】
【図１】  議論を容易にする目的で基板上に複数の層を配置された、代表的な積層体を示した図である。
【図２】  従来のフォトリソグラフィ工程を使用してパターン形成されたフォトレジスト層を含む、図１の積層体を示した図である。
【図３】  窒化物がエッチングされた後の図２の窒化物層を、部分的に示した図である。
【図４】  プロフィル制御および／または微小寸法制御を改良する目的で、窒化物のエッチングにおけるイオン衝撃要素を増大させた際に、窒化物の下層である酸化物層または基板が受ける損傷を示した図である。
【図５】  本発明によるフォトレジストプラズマ前処理工程への使用に適した、代表的な平行平板電極プラズマ処理システムを示した図である。
【図６】  本発明の特徴にもとづきフォトレジストマスクにプラズマ前処理を施した後の、図２の積層体を示した図である。
【図７】  窒化物をエッチングした後の、図６の積層体を示した図である。
【図８】  プロフィル制御および／または微小寸法制御を改良するように構成された、代表的なプラズマ前処理工程で利用される、本発明の一実施形態にもとづく工程の流れ図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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