(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
二枚のウェハの間に据え付けられる接着境界面における該二枚のウェハの接着速度の測定の実施をする、接着開始の自動検出手段、および接着波通過の自動検出手段を含んでいることを特徴とする、ウェハの表面状態の検査装置。
【請求項２】
接着波通過の自動検出手段が、電磁波の放射源と、放射源から放射される電磁放射スペクトルの少なくとも一部を検出するのに適したセンサとを含み、該センサが、接着の境界面により確定される測定箇所から放射される放射を集めるように配置されていることを特徴とする、請求項１に記載のウェハ表面状態の検査装置。
【請求項３】
装置が、接着開始の自動検出手段と、接着波通過の自動検出手段とが接続された処理ユニットを含んでいることを特徴とする、請求項２に記載のウェハ表面状態の検査装置。
【請求項４】
処理ユニットが、接着境界面の各測定箇所に対する、接着の瞬間速度の計算に適したものであることを特徴とする、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
センサが、少なくとも一つの測定箇所を介して放射源から受信した電磁波の特性の変化を検出するのに適したものであることを特徴とする、請求項２から請求項４のうちのいずれか一つに記載のウェハ表面状態の検査装置。
【請求項６】
電磁波の特性の変化がコントラストの変化であることを特徴とする、請求項５に記載のウェハ表面状態の検査装置。
【請求項７】
接着波通過の自動検出手段が、その他に、接着用支持台を透過し、かつ放射源から放射された放射を通過させ、それにより次に該放射が測定箇所においてウェハを通過することができるよう、少なくとも一つの測定箇所に関連しつつそれぞれ開口部を含んでおり、それにより、該放射源から放射されるウェハを透過して伝搬された放射の一部が、センサに到達することを特徴とする、請求項２から請求項６のうちのいずれか一つに記載のウェハ表面状態の検査装置。
【請求項８】
検出手段が、電磁放射源と、開口部と、電磁センサとから構成され、かつ放射源とセンサが開口部を挟む貫通路に一直線状に配列されているような、少なくとも一つの検出アッセンブリを含んでいることを特徴とする、請求項７に記載のウェハ表面状態の検査装置。
【請求項９】
接着波通過の自動検出手段が、その他に、少なくとも一つの測定箇所に関連しつつ、該測定箇所に向き、かつウェハによって関連付けられたセンサの方向に反射する、電磁放射の源を含んでいることを特徴とする、請求項２から請求項８のうちのいずれか一つに記載の装置。
【請求項１０】
前記放射源がランプタイプであることを特徴とする、請求項２から請求項９のいずれか一つに記載のウェハ表面状態の検査装置。
【請求項１１】
センサがオプトエレクトロニクス装置であることを特徴とする、請求項２から請求項１０のいずれか一つに記載のウェハ表面状態の検査装置。
【請求項１２】
前記放射源から放射される電磁スペクトルが赤外線領域を含んでいることを特徴とする、請求項２から請求項１１のいずれか一つに記載のウェハ表面状態の検査装置。
【請求項１３】
装置が、二枚のウェハの間にある接着の波の通過を検出する複数の検出アッセンブリを含んでおり、該装置は検査すべきウェハの複数の測定箇所にそれぞれ関連したものであり、これらの各組立部品が関連した測定箇所における局所的な接着の瞬間を局所的に確定することができることを特徴とする、請求項２から請求項１２のうちのいずれか一つに記載のウェハ表面状態の検査装置。
【請求項１４】
接着の瞬間の自動検出手段が、それぞれ測定箇所に関連した複数の開口部を含んでおり、かつ各開口部が関連した検出領域において、局所的接着の瞬間を局所的に検出することができることを特徴とする、請求項２〜１１のいずれか一つに記載のウェハ表面状態の検査装置。
【請求項１５】
接着の境界面における二枚のウェハの接着速度を測定するに際して、接着開始の瞬間の自動取得と、接着の波が通過する瞬間の自動取得、及びこれらの二つの取得をもとにした接着速度の自動確定の操作を含むことを特徴とする、ウェハの表面状態の検査方法。
【請求項１６】
接着の波が通過する瞬間が、測定箇所から放射される電磁波の特性の変化をもとに、ウェハの測定箇所において取得されることを特徴とする、請求項１５に記載のウェハの表面状態の検査方法。
【請求項１７】
電磁波の特性の変化が、コントラストの変化であることを特徴とする、請求項１６に記載のウェハの表面状態の検査方法。
【請求項１８】
電磁波のスペクトルが赤外線領域を含むことを特徴とする、請求項１６または請求項１７に記載のウェハの表面状態の検査方法。
【請求項１９】
接着の波の局所的通過の複数の瞬間が、ウェハの複数の測定箇所において、それぞれ検出されることを特徴とする、請求項１６から請求項１８のいずれか一つに記載のウェハの表面状態の検査方法。
【請求項２０】
請求項１から１４のいずれか一つに記載のウェハ表面状態の検査装置を用いて、平均厚さが一ミクロンと数ミリメートルとの間に含まれるウェハの表面状態の検出するための、ウェハ表面状態の検査方法。
【請求項２１】
検出するウェハの構成がシリコンを含むことを特徴とする、請求項２０に記載のウェハ表面状態の検査方法。
【請求項２２】
検出するウェハの構成がＳＯＩタイプの構成を含むことを特徴とする、請求項２１に記載のウェハ表面状態の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、一般的に材料の処理に関するものであり、特に電子工学、光学またはオプトエレクトロニクス装置用基板ウェハの処理に関するものである。
【０００２】
より正確には、本発明は、材料からなる二枚のウェハの間の接着速度の特性を規定する装置に関するものである。
【０００３】
また同様に本発明は、こうした装置の活用を可能にする方法に関するものである。
【０００４】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】
上述の種類の装置は既知のものである。
【０００５】
特に、二枚のウェハ材料間の接着速度の特性を規定することは周知であり、その少なくとも一枚がシリコンのような半導体で実施されている。
【０００６】
一般的にこのようなウェハは、円盤状の輪郭をしており、その厚さは、典型的には、およそ数百ミクロンである。
【０００７】
これらのウェハは、多層構成にするため二枚ずつ接着することもあり、接着して一体となった二枚のウェハは、異なった材料のものであってもよい。
【０００８】
他方、こうしたウェハ、特に上述の種類の基盤を構成するために用いられるウェハの表面状態の仕様は、極めて厳しいことがある。
【０００９】
またウェハ相互間の接着という観点から見れば、表面状態、特にウェハの表面の粗さ、およびこの表面における不純物が存在しないという点に関する仕様は、より厳しくなる。
【００１０】
また、この表面状態の特性を規定する高性能の手段を設置することが特に重要であると思われる。
【００１１】
（該ウェハの内の少なくとも一枚が、特にシリコンのような半導体によってつくられており、また二枚のウェハが同一の輪郭を有している）二枚のウェハの表面状態の特性を規定するための既知の手段は、以下の操作を行うことである：
・一般的に円盤状の、隣接した二枚のウェハを含んだ積層体を構成するように、これらのウェハのそれぞれの表面を接触させる、
・二枚のウェハにより形成された積層体を、この積層体のどこかの点で加圧する、
・この加圧に次いで、二枚のウェハの間で結合状態が確立されるまでに必要な時間を測定する。
【００１２】
この時間を「接着時間」と称する。
【００１３】
正確には、この「接着」は、実際二枚のウェハの、相互表面間の（より正確には、二枚のウェハのそれぞれの表面のＯＨ結合間の）水素結合の形成に対応するものである。
【００１４】
接着速度を確定するため、オペレータは、接着の進行の波が積層体のもう一方の端へ到達する際の最初の加圧が識別されるまでの時間を正確に測定する。前記接着の波は、積層体の下部に位置づけられた放射源から放射される赤外線の伝搬によりウェハを通して可視化されるため、使用者は上からこの積層体を観測する（積層体の上部に設置した赤外線カメラにより供給された像を再生するディスプレイのような手段を介する）。
【００１５】
また接着速度は、ウェハの表面状態を表している。接着速度が速いことは、表面状態がよいことを表すが、一方接着速度が遅いことは、ウェハの表面に欠陥または不純物あるいはそれらの双方の存在を表す。
【００１６】
正確には、製造工程の終わりにあるウェハの表面は若干の欠陥を呈すると共に、化学的性質（特にウェハの表面粒子とのＯＨ結合）と、機械的性質（一般的には粗さの欠陥、研磨性粒子および表面における金属性汚染物質の存在）とを同時に有する残留物をも呈する。
【００１７】
この表面状態を改善するために、一般的には、接着速度の測定、および、これらのウェハを順次、以下の浴に浸すことによるウェハの洗浄状態の測定を先行して実施する。
まず、少なくとも塩基性浴。この工程の目的は、ウェハの表面にＯＨタイプの結合を生成することにより、ウェハの親水性を形成することにある。
次いで、酸性浴とするが、この目的は、ウェハの前処理工程（および、特に塩基性浴）によってもたらされた可能性のある（特に金属性の）汚染物質を除去することにある。
【００１８】
こうして、ウェハの表面状態の特性を規定する既知の方法を自由に用いる。
【００１９】
しかし、この方法に関しては不都合があり、それは、様々な工程（測定装置へのウェハの位置づけ、最初の加圧、次いで行われる接着波の通過、接着速度の確定を可能にする時間の正確な計測、等）の処理が観測者の手動により行われることにある。
【００２０】
その上、このような測定専用の手動装置により接着速度の測定を実施するとしても、それは、上述の必要な作業方法の状態に従ったものである：したがって、ウェハの接着を自動で実施することはできない。
【００２１】
ところでその他にも、ウェハの自動接着の実施を可能にする装置が存在するが、これは、実用的で有効な接着を目的とするもので、表面状態の特性を規定することを行うものではない。
【００２２】
確かに、オペレータにこのような自動接着装置を運転させ、それにより接着と共に、接着速度の測定を実施し、ウェハの表面状態の品質情報を得るようにすることを想像することができる。
【００２３】
しかし、オペレータによるこのような自動接着装置のこうした使用は、実際には考えられない。
【００２４】
実際、接着用支持台の上および下にある、ウェハの位置決め、調心および接着を可能にするマイクロ・メカニズムの組立部品は、オペレータに接着の波を可視化できないようにしている。
【００２５】
したがって、接着速度の特性を規定することは、実際は、専用の装置において手動によってしか実現されない。
【００２６】
このことは、当然ながら、得られるテンポを著しく制限する。
【００２７】
本発明の目的の一つは、この制限の解除にある。
【００２８】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するため、本発明の第一の様相に従い、第１の手段として、二枚のウェハの間に据え付けられる接着境界面（１３）における該二枚のウェハの接着速度の測定の実施をする、接着開始の自動検出手段、および接着波通過の自動検出手段を含んでいることを特徴とする、ウェハの表面状態の検査装置を提案する。
【００２９】
以下は、非制限的な本装置の好ましい様相である。
第２の手段として、接着波通過の自動検出手段が、電磁波の放射源（３０）と、放射源から放射される電磁放射スペクトルの少なくとも一部を検出するのに適したセンサ（４０）とを含み、該センサが、接着の境界面により確定される測定箇所（Ｘ）から放射される放射を集めるように配置されていることを特徴とする、上記第１の手段に記載のウェハ表面状態の検査装置を提案する。
第３の手段として、装置が、接着開始の自動検出手段と、接着波通過の自動検出手段とが接続された処理ユニットを含んでいることを特徴とする、上記第２の手段に記載のウェハ表面状態の検査装置を提案する。
第４の手段として、処理ユニットが、接着境界面の各測定箇所に対する、接着の瞬間速度の計算に適したものであることを特徴とする、上記第３の手段に記載の装置を提案する。
第５の手段として、センサ（４０）が、少なくとも一つの測定箇所を介して放射源（３０）から受信した電磁波の特性の変化を検出するのに適したものであることを特徴とする、上記第２から第４の手段のうちのいずれか一つに記載のウェハ表面状態の検査装置を提案する。
第６の手段として、電磁波の特性の変化がコントラストの変化であることを特徴とする、上記第５の手段に記載のウェハ表面状態の検査装置を提案する。
第７の手段として、接着波通過の自動検出手段が、その他に、接着用支持台を透過し、かつ放射源から放射された放射を通過させ、それにより次に該放射が測定箇所においてウェハを通過することができるよう、少なくとも一つの測定箇所に関連しつつそれぞれ開口部を含んでおり、それにより、該放射源から放射されるウェハを透過して伝搬された放射の一部が、センサに到達することを特徴とする、上記第２から第７の手段のうちのいずれか一つに記載のウェハ表面状態の検査装置を提案する。
第８の手段として、検出手段が、電磁放射源（３０）と、開口部（２１）と、電磁センサ（４０）とから構成され、かつ放射源（３０）とセンサ（４０）が開口部（２１）を挟む貫通路に一直線状に配列されているような、少なくとも一つの検出アッセンブリ（５０）を含んでいることを特徴とする、上記第７の手段に記載のウェハ表面状態の検査装置を提案する。
第９の手段として、接着波通過の自動検出手段が、その他に、少なくとも一つの測定箇所に関連しつつ、該測定箇所に向き、かつウェハによって関連付けられたセンサの方向に反射する、電磁放射の源を含んでいることを特徴とする、上記第２から第８の手段のうちのいずれか一つに記載の装置を提案する。
第１０の手段として、放射源（３０）がランプタイプであることを特徴とする、上記第１から第９の手段のいずれか一つに記載のウェハ表面状態の検査装置を提案する。
第１１の手段として、センサ（４０）がオプトエレクトロニクス装置であることを特徴とする、上記第２から第１０の手段のいずれか一つに記載のウェハ表面状態の検査装置を提案する。
第１２の手段として、放射源（３０）から放射される電磁スペクトルが赤外線領域を含んでいることを特徴とする、上記第１から第１１の手段のいずれか一つに記載のウェハ表面状態の検査装置を提案する。
第１３の手段として、装置が、二枚のウェハの間にある接着の波の通過を検出する複数の検出アッセンブリ（５０）を含んでおり、該装置は検査すべきウェハの複数の測定箇所にそれぞれ関連したものであり、これらの各組立部品が関連した測定箇所における局所的な接着の瞬間を局所的に確定することができることを特徴とする、上記第２から上記第１２の手段のうちのいずれか一つに記載のウェハ表面状態の検査装置を提案するものである。
第１４の手段として、接着の瞬間の自動検出手段が、それぞれ測定箇所に関連した複数の開口部（２１）を含んでおり、かつ各開口部（２１）が関連した検出領域において、局所的接着の瞬間を局所的に検出することができることを特徴とする、上記第７または第８の手段と組み合わせた、上記第１３の手段に記載のウェハ表面状態の検査装置を提案するものである。
【００３０】
第二の様相に従えば、本発明は同様に、第１５の手段として、接着の境界面（１３）における二枚のウェハ（１１、１２）の接着速度を測定するに際して、接着開始の瞬間の自動取得と、接着の波が通過する瞬間の自動取得、及びこれらの二つの取得をもとにした接着速度の自動確定の操作を含むことを特徴とする、ウェハの表面状態の検査方法を提案する。
【００３１】
以下は、これらに限定されるものではないが、本装置による好ましい側面である。
第１６の手段として、接着の波が通過する瞬間が、測定箇所から放射される電磁波の特性の変化をもとに、ウェハ（１１、１２）の測定箇所において取得されることを特徴とする、上記第１５の手段に記載のウェハの表面状態の検査方法を提案する。
第１７の手段として、電磁波の特性の変化が、コントラストの変化であることを特徴とする、上記第１６の手段に記載のウェハの表面状態の検査方法を提案する。
第１８の手段として、電磁波のスペクトルが赤外線領域を含むことを特徴とする、上記第１６または第１７の手段に記載のウェハの表面状態の検査方法を提案する。
第１９の手段として、接着の波の局所的通過の複数の瞬間が、ウェハの複数の測定箇所において、それぞれ検出されることを特徴とする、上記第１６から第１８の手段のいずれか一つに記載のウェハの表面状態の検査方法を提案する。
【００３２】
最後に、第三の様相に従い、本発明は第２０の手段として、平均厚さが数ミクロンと数ミリメートルとの間に含まれるウェハの表面状態の検出のための、上記第１から第１４の手段のいずれか一つに記載のウェハ表面状態の検査装置の適用、または上記第１５から第１９の手段のいずれか一つに記載のウェハ表面状態の検査方法の適用を提案する。
【００３３】
以下は、非制限的なこのような実施の好ましい様相である。
第２１の手段として、検出するウェハの構成がシリコンを含むことを特徴とする、上記第２０の手段に記載のウェハ表面状態の検査装置または方法の適用を提案する。
第２２の手段として、検出するウェハの構成がＳＯＩタイプの構成を含むことを特徴とする、上記第２１の手段に記載のウェハ表面状態の検査装置または方法の適用を提案する。
【００３４】
【実施例】
本発明のその他の様相、目的および利点は、以下の詳細な説明を読むことで明らかになるであろう。また以下の図面を参照することにより、本発明はよりよく理解されるものである。
図１は、本発明に合致した装置の概略図を示し、
図２は、隣接した、かつ相互間に欠陥を呈しない境界面を確定する、二枚のウェハの間にある接着の波の、時間に伴う通過の一例を示し、
図３は、隣接した、かつその間に欠陥を呈する境界面を確定する、二枚のウェハの間にある接着の波の、時間に伴う通過の一例を示す。
【００３５】
第一に図１を参照し、積層体１０は、互いに隣接させた二枚のウェハ１１および１２により構成されており、該二枚のウェハの間に接着の境界面１３と称するものを確定する。
【００３６】
正確には、本明細書においては、「隣接した」という用語は「接着した」という用語とは区別しなくてはならない。
「隣接した」二枚のウェハは、単に互いに接触させるように配置されているだけであり、ウェハの間にはいかなる結合も存在しない、
一方「接着した」二枚のウェハは、その上、互いに一体となっており、ウェハの間には結合（たとえば、水素による）が存在する。
【００３７】
積層体１０は、接着用支持台２０の上に配置される。
【００３８】
正確には、これらのウェハ１１および１２は、洗浄するため上述したような塩基性および酸性の浴に事前に浸しておく方が好ましい。
【００３９】
正確には、図１の装置は極めて概略的に示されたものである。この装置は、実際は、周知の自動接着装置に関して本明細書の冒頭で述べたマイクロ・メカニズムのアッセンブリをも含む。
【００４０】
こうして、周知の自動接着装置を適合させることにより、本発明を実施することができる。
【００４１】
単純化に対する配慮から、このような（ウェハの上および／または下に配置することができる）マイクロ・メカニズムは、図示されていない。
【００４２】
積層体１０を受ける接着用支持台２０の表面は、表面が広く、かつ厚さがおよそ数ミクロンのウェハ１１および１２を扱う場合、特に平滑でなくてはならない。
【００４３】
実際、接着用支持台２０の平滑度がよくないと、ウェハ１１に対してウェハ１２に歪が生じ、それにより接着境界面１３において積層体１０に擾乱を与えることがある。
【００４４】
電磁放射源３０、および該放射源３０から放射される電磁放射スペクトルの少なくとも一部を検出することができるセンサ４０は、接着用支持台２０の開口部２１と共に、接着の波頭面の通過の検出アッセンブリ５０を構成する。
【００４５】
放射源３０は、その放射を、開口部２１を貫通してセンサ４０の方に向ける。
【００４６】
この放射は積層体１０が装置の上にあるとき、積層体により遮断される。積層体１０を構成している材料、および放射源３０から放射される放射の特性は、この放射の大部分が積層体を透過し、かつ積層体を透過して伝搬されたこの部分が、センサ４０に到達するように選定される。
【００４７】
シリコンを含む二枚のウェハの場合、たとえば、赤外線において機能する、放射およびセンサを選定することができる。
【００４８】
正確には、図１（この図の場合、放射源３０およびセンサ４０は開口部２１を挟む貫通路に一直線状に配列されているような）で示されるように、検出アッセンブリ５０の構成要素を調心して配置する必要はない。
【００４９】
実際、放射源３０、開口部２１およびセンサ４０の間に反射鏡を設置することができる。この場合、反射鏡は、放射源３０からの放射の進路を確保する。つまり、開口部２１の軸に従って放射を導きながら、開口部へ前進し、次いで、放射によってセンサ４０の方に貫通した積層体へと前進する。
【００５０】
放射源３０は、好ましくは白色灯である。
【００５１】
放射源３０からの放射は、好ましくは赤外線のスペクトルを含む。
【００５２】
センサ４０は、好ましくはオプトエレクトロニクス装置である。
【００５３】
接着用支持台２０にあけられた開口部２１は、電磁窓の役割を果たし、放射源３０から放射される電磁放射に接着用支持台２０を貫通させ、センサ４０によって検出されることを可能にする。
【００５４】
開口部２１は、積層体１０が装置の上に位置したとき、その積層体の正面にある接着用支持台２０の位置Ｘにおいてこの接着用支持台を貫通する。
【００５５】
開口部２１は、放射源３０から放射される電磁波の大部分が擾乱を受けることがないよう、十分な大きさのものでなくてはならない。
【００５６】
これらの擾乱は、たとえば、放射源３０に最も近接した、接着用支持台２０の表面の反射による信号の多大な損失ということもある。
【００５７】
またこうした擾乱は、波の回折および／または吸収ということもある。
【００５８】
また開口部２１は、ウェハの自動接着装置に特有のウェハを取り囲むかたちで存在する全ての材料の影響を逃れるため、十分に狭いものでなくてはならない。
【００５９】
その上、小径の開口部２１を採用することにより、放射源３０から放射され、センサ４０の方向へと進み、また、積層体１０により透過される放射の量を低減させることができる。このことは、また積層体を構成しているウェハの局所的発熱の可能性を低減させる。
【００６０】
開口部２１の幅は、典型的には、およそ数ミリメートルである。
【００６１】
また同様に、開口部２１のタイプの複数の開口部を、（積層体１０が定位置にあるとき、常にこれらの箇所は積層体により確定される部分の正面となる）接着用支持台の様々な箇所に設けることができる。
【００６２】
この場合、各開口部は、（分離および方向転換の鏡を取り付けているため）放射源３０からの放射によって貫通され、それにより、積層体を透過した後に開口部に関連した箇所に、（常に、この目的のために取り付けた分離および方向転換の鏡を採用することにより）次いでセンサ４０に到達することができる。
【００６３】
また同様に、一般的には各開口部（またはいくつかの開口部）と関連して特定の放射源および／またはセンサを設け、それにより各（またはいくつかの）開口部に対して、検出アッセンブリ５０に類似したアッセンブリを想定することも可能である。
【００６４】
本発明による装置は以下のように機能する：
【００６５】
接着ピストンは、二枚のウェハ１１および１２の間に接着するのに十分な初期圧力１００を積層体１０の表面の確定された箇所Ｘ１に加えながら、境界面１３においてこれら二枚のウェハを接触させる。
【００６６】
このピストンは、中央処理ユニットから送信される命令によって制御され、この中央処理ユニットは、ピストン自体に接続され、かつ接着開始の瞬間を記憶する。
【００６７】
代替案においても、接着開始の瞬間を、ピストンに関連した接着開始の検出器によって確定することは同様に可能である。
【００６８】
この接着開始の自動検出器は、たとえば、圧電トランスデューサであってもよい。
【００６９】
いずれの場合でも、接着開始は、最初の命令に従って自動的に始動し、また接着開始の瞬間も記憶される。
【００７０】
最初の命令は、オペレータか、または、たとえばタイマによって制御される時間シーケンスに基づいた自動制御装置によって供給される。
【００７１】
また放射源３０を作動させると、放射源に関連したセンサ４０に向けて積層体１０を透過して進む放射を連続的に放射するようになる。
【００７２】
すると接着は、接着伝搬波２００に従って境界面１３にあるウェハの全表面に広がる。
【００７３】
接着伝搬波２００が積層体の箇所「Ｘ」、すなわち、開口部２１に到着すると、センサ４０は、接着の波の通過に先立って受信した基準信号に対する、積層体１０を介して放射源３０から受信した電磁信号の変化を検出する。
【００７４】
電磁信号のこの変化は、該放射源からの放射の光学特性を典型的に表し、特に二枚のウェハ１１および１２間で水素の力が確立されるに従い、二枚のウェハ間の結合力の発生を示すコントラストの変化に対応したものとなる可能性がある。
【００７５】
コントラストが変化するとき放射源３０から放射される光波は、好ましくは、赤外線領域にあるスペクトルを有する。
【００７６】
センサ４０が、ウェハの箇所Ｘにおいて開口部２１に設置されている接着の波の通過の検出後、該センサは、それ自身も接続されている処理ユニットに対して、接着波頭面の通過の検出信号を送る。
【００７７】
そこでこの処理ユニットは、記憶されている接着開始の瞬間と、物理的にはウェハの間の接着の確立に対応する、接着波頭面の通過時間との間に経過した接着時間を計算する。
【００７８】
積層体の二点（接着開始点Ｘ１、および接着波頭面の通過検出点Ｘ）の間にある接着時間を計算するため、処理ユニットもタイマに接続してある。
【００７９】
Ｘ１とＸの間の距離は分かっており、また処理ユニットに記憶されているため、このユニットは、測定箇所Ｘ１とＸの間に対応する、ウェハ１１および１２の表面状態の特性を表わす接着速度を算出する。
【００８０】
本発明の変形例によると、接着用支持台２０は、その上に配分されている複数の開口部２１によって貫通される。そして、ウェハ１１および１２の様々な箇所において接着の波の通過が検出され、さらに処理ユニットが、これらの各箇所に対応した接着速度を計算する。
【００８１】
この点に関して正確には、同一のセンサ４０が、接着用支持台の様々な開口部および積層体の様々な箇所を透過してきたそれぞれの放射を受信すると、該センサは、（たとえば、放射源の、あるいはより一般的には貫通した開口部の機能に特有の波長を有することがある）様々な信号を区別する手段を含んでいる。
【００８２】
こうした変形例では、処理ユニットは、様々な開口部に対応した接着の様々な「瞬間」速度を計算することができる。
【００８３】
実際、正確には、処理ユニットは全てのセンサ４０に接続されており、かつ該ユニットは、接着用支持台２０の開口部に関連した様々な箇所における接着の通過信号を全て受信する。
【００８４】
処理ユニットはまた、これらの箇所内の二箇所における接着の波の通過時間の差異を処理することにより、二箇所間の接着速度を計算することができる（接着用支持台の開口部に関連した様々な箇所の間の距離は既知であり、処理ユニットに記憶してある）。
【００８５】
また、特に接着の瞬間速度の特性を規定したいと希望する積層体の箇所に対応した、接着用支持台の上の希望する箇所に開口部を配置することができる。
【００８６】
このように、接着の波の希望する道すじに開口部を規則的に配分し、この波が広がるときに接着速度の通過に追従するようにすることができる。
【００８７】
この変形例では、オプションとして、センサ４０および／または複数の放射源３０が設けてある。
【００８８】
特に各放射源３０に関連したそれぞれのセンサ４０を設け、放射源と開口部、およびセンサと放射源を、開口部２１を挟む貫通路に一直線状に配列されているように配置することができる。
【００８９】
この場合、各々が図１に示す検出アッセンブリ５０に類似した自動検出のいくつかの検出アッセンブリ５０を設け、かつこれらの検出組立部品を、境界面１３にある接着伝搬波２００の通過状態に従って、様々な接着速度を確定するように積層体１０の様々な領域に配置する。
【００９０】
本発明は、図１に概略的に示した検出手段に限定されるものではない。
【００９１】
本発明には、接着開始の自動検出のあらゆる手段、および接着波頭面が通過する瞬間の自動検出のあらゆる手段を実施することができる。
【００９２】
この点に関し、正確には、ウェハを透過して伝搬する信号の変化の検出ではなく、積層体１０により反射した信号の変化の検出を採用することが可能である。
【００９３】
実際、積層体の事前に確定した箇所へ向けられた放射源を有する、検出アッセンブリ５０と同等の検出組立部品を構成することが可能である。ここで前記箇所は源の放射を反射して関連したセンサの方向へと導く。
【００９４】
この場合、検出して接着速度の計算に使用するのは、接着の波の通過により引き起こされた反射した放射の変化である。
【００９５】
接着波頭面の通過する瞬間の自動検出手段は、また同様に、その各々が、境界面１３にある局所的領域において接着の瞬間を検出するのに適した、一つまたは複数の自動検出組立部品を備えている。
【００９６】
図２を参照すると、接触している二枚のウェハ１１および１２のＸ１において、（局所的初期圧力はピストンによる）局所的初期圧力１００をかけると、波頭面２００ａが発生するように接着の波が始動し（図２（ａ））、次いで、波は伝搬して（波頭面２００ｂ−図２（ｂ））、初期圧力１００がかかる箇所の反対側に到着する（波頭面２００ｃ）（図２（ｃ））。
【００９７】
図１に示す装置の例では、検出アッセンブリ５０は、Ｘ２における波頭面２００ｃの近傍に配置することが好ましい。そして接着速度については、初期圧力１００を加えた箇所Ｘ１と、接着の終点を検出する点にある箇所Ｘ２を隔てている距離を走るのに要する時間をもとに確定する。
【００９８】
図３を参照すると、図２の圧力１００に類似した圧力１００を、図２のウェハ１１および１２に類似したウェハ１１’および１２’の上の同一箇所Ｘ１に加える。
【００９９】
伝搬は、図２の２００ａ、２００ｂおよび２００ｃの各段階にそれぞれ対応した２００ａ’（図３（ａ））、２００ｂ’（図３（ｂ））および２００ｃ’（図３（ｃ））に従う。
【０１００】
しかし伝搬は、２０１（図３（ｂ））では擾乱を受けている。この擾乱は、ウェハ１１’および１２’の間にある表面の欠陥（粗さおよび／または表面ないる粒子状の残留物の存在）を表すものであるが、これらの欠陥はウェハ１１および１２には認めらておらず、一方接着の終わりである２０３（図３（ｃ））では、二枚のウェハの間にある「泡」状をしたものが認められ、このことは、主要な波頭面２００ｃ’はウェハの周辺部に到達しているものの、領域２０３では接着が正しく行われなかったことを示している。
【０１０１】
図２におけるのと同一の箇所であるが、Ｘ２に置かれた検出アッセンブリ５０は、図２の場合と比較した、表面の欠陥（２０２）による波の到着の遅れを検出する。
【０１０２】
接着速度を測定することによって、いかにしてウェハの表面状態を自動的に求めるかについて、ここで理解する。
【０１０３】
複数の開口部２１を含む本発明による装置の変形例、または、より一般的な場合や、接着の瞬間を自動検出するいくつかの組立部品を採用した本発明による装置の変形例では、検出は積層体１０の全表面にわたって局所的に実施されるが、そのとき、ウェハの接着の動力学を確定し、またそれに併せて、ウェハの表面品質状態に関する十分な情報のみならず、発生するかも知れない表面の欠陥の性質およびその箇所に関する情報を得ることになる。
【０１０４】
この実施方法において、積層体１０の全表面にわたって接着の瞬間の局所的検出が十分数多くなされる場合、ウェハの表面状態の作図法を得ることになる。
【０１０５】
本発明に合致した、このような装置または方法は、好ましくはマイクロ・エレクトロニクスに使用する、直径が数センチメートルで、厚さがおよそ１ミクロンから数十ミクロンのウェハに適用される。
【０１０６】
こうした種類のウェハは少なくとも一つのシリコンのような半導体材料を含む。
【０１０７】
好ましい仕方では、これらのウェハは、英語の「Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ：絶縁体上のシリコン」の頭文字である「ＳＯＩ」タイプの構成を含む。
【０１０８】
そこで二枚のウェハ（１１または１２）のうちの一枚は、マイクロ・エレクトロニクス用ではないこともあり、その場合、たとえば、特に平滑な基準のウェハとしての役割を果たす。
【０１０９】
最後に、本発明に基づく装置によって実施される測定結果（接着開始の瞬間、様々な測定箇所における接着の波の通過の瞬間、等）、およびそこで求められたパラメータ（接着速度等）は、処理ユニットに記憶される点に留意したい。
【０１１０】
【発明の効果】
このことにより、接着速度、およびその結果として製造されたウェハの品質の検査を行うことができる。また、この場合同様に、記憶データの集合を活用して、たとえば、プロセスの統計的制御運転の実施を可能にする。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に合致した装置の概略図
【図２】隣接した、かつ相互間に欠陥を呈しない境界面を確定する、二枚のウェハの間にある接着の波の、時間に伴う通過の一例を示す図
【図３】隣接した、かつその間に欠陥を呈する境界面を確定する、二枚のウェハの間にある接着の波の、時間に伴う通過の一例を示す図
【符号の説明】
１０  積層体
１１  ウェハ
１２  ウェハ
１３  境界面
２０  接着用支持台
２１  開口部
３０  放射源
４０  センサ
５０  検出アッセンブリ
１００  初期圧力
２００  接着伝搬波
【図１】
0004351863.tif 000002
【図２】
0004351863.tif 000003
【図３】
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