(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
標的材料をプラズマ化し、該プラズマからＸ線を輻射させるＸ線源と、該Ｘ線源を収容する真空容器と、を具備するＸ線発生装置であって、
前記真空容器の内側に、針状、細線状又はブレード状の部材を、その先端が前記プラズマに向くように配列されていることを特徴とするＸ線発生装置。
【請求項２】
前記針状、細線状又はブレード状の部材は、ステンレス鉄、アルミニウム、ガラス、カーボン又は有機物で形成されることを特徴とする請求項１に記載のＸ線発生装置。
【請求項３】
標的材料をプラズマ化し、該プラズマからＸ線を輻射させるＸ線源と、該Ｘ線源を収容する真空容器と、を具備するＸ線発生装置であって、
前記真空容器の少なくとも一部が、赤外から紫外域の光を透過させるために、赤外から紫外域に対して透過率の高い石英ガラスで形成され、
前記石英ガラスで形成された前記真空容器の内壁の一部に、赤外域から紫外域の光の反射を防止する反射防止膜が形成されていることを特徴とするＸ線発生装置。
【請求項４】
標的材料をプラズマ化し、該プラズマからＸ線を輻射させるＸ線源と、該Ｘ線源を収容する真空容器と、を具備するＸ線発生装置であって、
前記真空容器の少なくとも一部が、赤外から紫外域の光を透過させるために、赤外から紫外域に対して透過率の高い石英ガラスで形成され、
前記石英ガラスで形成された前記真空容器の外壁の一部に、赤外域から紫外域の光の反射を防止する反射防止膜が形成されていることを特徴とするＸ線発生装置。
【請求項５】
標的材料をプラズマ化し、該プラズマからＸ線を輻射させるＸ線源と、該Ｘ線源を収容する真空容器と、を具備するＸ線発生装置であって、
前記真空容器の少なくとも一部が、赤外から紫外域に対して透過率の高いフッ化マグネシウムで形成され、
前記フッ化マグネシウムで形成された前記真空容器の内壁の一部に、赤外域から紫外域の光の反射を防止する反射防止膜が形成されていることを特徴とするＸ線発生装置。
【請求項６】
標的材料をプラズマ化し、該プラズマからＸ線を輻射させるＸ線源と、該Ｘ線源を収容する真空容器と、を具備するＸ線発生装置であって、
前記真空容器の少なくとも一部が、赤外から紫外域に対して透過率の高いフッ化マグネシウムで形成され、
前記フッ化マグネシウムで形成された前記真空容器の外壁の一部に、赤外域から紫外域の光の反射を防止する反射防止膜が形成されていることを特徴とするＸ線発生装置。
【請求項７】
標的材料をプラズマ化し、該プラズマからＸ線を輻射させるＸ線源と、該Ｘ線源を収容する真空容器と、を具備するＸ線発生装置であって、
前記真空容器の少なくとも一部が、赤外から紫外域に対して透過率の高いフッ化カルシウムで形成され、
前記フッ化カルシウムで形成された前記真空容器の内壁の一部に、赤外域から紫外域の光の反射を防止する反射防止膜が形成されていることを特徴とするＸ線発生装置。
【請求項８】
標的材料をプラズマ化し、該プラズマからＸ線を輻射させるＸ線源と、該Ｘ線源を収容する真空容器と、を具備するＸ線発生装置であって、
前記真空容器の少なくとも一部が、赤外から紫外域に対して透過率の高いフッ化カルシウムで形成され、
前記フッ化カルシウムで形成された前記真空容器の外壁の一部に、赤外域から紫外域の光の反射を防止する反射防止膜が形成されていることを特徴とするＸ線発生装置。
【請求項９】
標的材料をプラズマ化し、該プラズマからＸ線を輻射させるＸ線源と、該Ｘ線源を収容する真空容器と、を具備するＸ線発生装置であって、
前記真空容器の内側に、内壁を備え、
該内壁の少なくとも一部は、赤外からＸ線領域の電磁波に対して吸収率の高い活性炭で形成されていることを特徴とするＸ線発生装置。
【請求項１０】
標的材料をプラズマ化し、該プラズマからＸ線を輻射させるＸ線源と、該Ｘ線源を収容する真空容器と、を具備するＸ線発生装置であって、
前記真空容器の内側に、内壁を備え、
該内壁の少なくとも一部は、赤外からＸ線領域の電磁波に対して吸収率の高いポーラスシリコンで形成されていることを特徴とするＸ線発生装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載のＸ線発生装置と、該Ｘ線発生装置から発生したＸ線をマスクに照射させる照明光学系と、該マスクから反射した光を感応基板上に投影結像させる投影光学系と、を具備することを特徴とする露光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、Ｘ線露光装置の光源として用いて好適なＸ線発生装置、及び露光装置に関するものである。特には、プラズマを含む容器の内壁からの反射・散乱を低減し、容器内に収納されている部品の温度上昇を抑制することのできるＸ線発生装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、Ｘ線分析装置やＸ線露光装置等のＸ線機器の光源として、レーザプラズマＸ線源や放電プラズマＸ線源が注目されている。
レーザプラズマＸ線源（以下、ＬＰＸと呼ぶ）は、励起用のパルスレーザ光を真空容器内の標的材料に集光照射してプラズマを生成し、このプラズマからＸ線を輻射させる光源である。このＬＰＸは、小型でありながらアンジュレータ（シンクロトロンラジエーション）に匹敵するほどの輝度をもつ。
【０００３】
また、Dense Plasma Focus (DPF)などの放電プラズマを用いたＸ線源は、電極にパルス高電圧を印加して放電を起こし、この放電で動作ガスをイオン化してプラズマを生成し、このプラズマから輻射されるＸ線を利用する光源である。この放電プラズマＸ線源は、小型であり、輻射されるＸ線量が多く、低コストであるという特徴がある。放電プラズマＸ線源の代表的なものは、デンスプラズマフォーカス（以下、ＤＰＦと呼ぶ）やホローカソード型、キャピラリー型である。
【０００４】
上述したような、ＬＰＸや放電プラズマＸ線源は、次世代半導体露光装置として期待されている波長１３ｎｍのＥＵＶ（Extreme Ultra Violet)光を用いた縮小露光装置の光源として近年注目を集めている。
【０００５】
ＥＵＶ露光装置においては光学素子に多層膜ミラーを用いるのが通常である。このような多層膜ミラーとしては、反射波長が１３ｎｍ近傍になるように、Ｍｏ層とＳｉ層とを交互に積層した多層膜ミラーがもっとも有望と考えられている。このような多層膜ミラーの反射帯域は約２％であり、従って、中心波長が１３．５ｎｍであるとすると、反射帯域は１３．３６５〜１３．６３５ｎｍである。上記反射帯域以外のＥＵＶ光は結像（パターン転写）には全く寄与していない。
【０００６】
上述した、プラズマＸ線源は、投入パワーから多層膜ミラーへの反射帯域内への変換効率はあまり高くなく、例えばＸｅガスをターゲットとして用いたＬＰＸにおいては、レーザーエネルギーから立体角２πｓｒの中へ放出される、波長が１３ｎｍ、バンド幅（ＢＷ）が２％であるＥＵＶ光への変換効率は、約０．６％／２πｓｒ／２％ＢＷである。
【０００７】
一方、ＥＵＶ露光装置に必要とされる照明光学系に入射されるＥＵＶ光のパワーは約５０Ｗであり、プラズマからのＥＵＶ光の取り込み立体角をπｓｒとすると、レーザー光の投入パワーは１５ｋＷとなる。このレーザー光の投入パワーの大部分はプラズマに吸収され、吸収されたレーザー光のパワーのうち数１０％程度は標的材料を吹き飛ばす運動エネルギーとして消費され、残りのパワーは赤外域からＸ線領域の広い波長範囲の輻射として周囲に放出される。また、照射レーザー光の一部はプラズマや標的材料により散乱される。
【０００８】
照明光学系の最初のミラー（以下、Ｃ１ミラーと呼ぶ）は、プラズマＸ線源からのＥＵＶ光をできる限り多く取り込み、かつミラーの大きさをできる限り小さくするため、すなわちミラーの製作を容易にするために、プラズマ近傍（例えばプラズマから１０〜２０ｃｍの距離）に配置される。多層膜の反射率は７０％程度であり、このためＣ１に入射するin-band  ＥＵＶパワー５０Ｗのうち１５Ｗは多層膜ミラーに吸収されてしまう。また、多層膜の帯域外の赤外から軟Ｘ線の領域にわたる広い範囲の輻射の大部分も多層膜ミラーにより吸収される。
【０００９】
上述のように吸収されたエネルギーは多層膜やミラー基板の温度を上昇させる。多層膜の温度が、吸収したエネルギーにより上昇すると、多層膜ミラーを構成する物質間の境界面（上記の例においてはＭｏとＳｉとの境界）での拡散が激しくなり、ＥＵＶ光に対する反射率が低下してしまう。例えば、投入レーザーパワーが１０ｋＷでありプラズマから１５ｃｍの距離に配置された多層膜ミラーの温度は数１００℃に上昇すると予想される。
例えば、多層膜ミラーがＭｏ／Ｓｉからなる多層膜を備える場合は、３００℃程度の温度でＭｏ／Ｓｉ製多層膜の界面拡散が起こり、ミラーの反射率が著しく低下する。また、３００℃程度の高温に達しなくても、ある程度の高温状態が長時間続くと、次第にＭｏ／Ｓｉ製多層膜の界面拡散が起こって反射率が徐々に低下する。
【００１０】
上述した内容は、プラズマから直接ミラーに入射する輻射による温度の上昇であるが、実際には、プラズマから直接ミラーに入射する輻射による温度上昇以外に、間接的にミラーにプラズマからの輻射が照射されて更に多層膜ミラーの温度が上昇する。
【００１１】
ＬＰＸや放電Ｘ線源等のプラズマＸ線源ではプラズマを生成し、かつ発生したＥＵＶ光を伝播させるためには真空環境が必要となる。このため、標的材料や放電電極を真空容器内に配置する必要がある。従来のプラズマＸ線源では、真空容器としてステンレスやアルミニウム製容器が用いられており、その内表面、は特に処理をされずに金属光沢になっているか、又は高真空まで排気することができるように電解研磨等が行われて鏡面になっている。
【００１２】
そのため、プラズマから輻射された赤外から紫外域の輻射は真空容器の内壁によって、反射・散乱され、真空容器内に配置されているＣ１ミラーを照射し、ミラーの温度を不必要に上昇させる。
真空容器内に配置されている部品としては、上述した多層膜ミラーの他に、ターゲット材料供給部材（ＸｅガスジェットＬＰＸの場合はガスを噴出させるノズル）、放電電極（放電プラズマＸ線源の場合）、可視光カットＸ線透過用フィルター等がある。可視光カットＸ線透過フィルターは微細パターン形成に支障を来すプラズマから放射される赤外・可視・紫外域の光を遮断し、必要なＥＵＶ光のみを透過させるものである。一般に物質のＥＵＶ光に対する吸収は大きいため、フィルターの厚さは非常に薄く、例えば１５０ｎｍ程度に作成されている。このため、フィルターに過度の熱負荷がかかった場合、フィルターが破損してしまう可能性もある。
【００１３】
上述したような真空容器内の部品の不必要な加熱は、多層膜ミラーの反射特性のみならず、様々な部品の性能の低下を引き起こす。
このため、ガスジェットノズルが効率的にＸｅクラスターや液滴状のターゲット材料を作成するためには、ノズルの温度を下げておく必要がある。また、放電電極の溶融を回避するために放電電流以外の要因による温度の上昇をできる限り抑制する必要がある。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、プラズマを含む容器の内壁からの反射・散乱を低減し、容器内に収納されている部品の温度上昇を抑制することのできるＸ線発生装置を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１に記載のＸ線発生装置は、標的材料をプラズマ化し、該プラズマからＸ線を輻射させるＸ線源と、該Ｘ線源を収容する真空容器と、を具備するＸ線発生装置であって、前記真空容器の内側に、針状、細線状又はブレード状の部材を、その先端が前記プラズマに向くように配列されていることを特徴とする。上記Ｘ線発生装置によれば、真空容器の内側に、針状、細線状又はブレード状の部材が設けられており、プラズマから輻射された光が針状、細線状又はブレード状の部材の側面に当たり、反射を繰り返して結果として内壁に吸収されてしまう。それにより、真空容器内壁からの赤外からＸ線領域の光の反射・散乱によりミラーなどの部品が加熱されることを防止できる。
【００１６】
請求項３に記載のＸ線発生装置は、標的材料をプラズマ化し、該プラズマからＸ線を輻射させるＸ線源と、該Ｘ線源を収容する真空容器と、を具備するＸ線発生装置であって、前記真空容器の少なくとも一部が、赤外から紫外域の光を透過させるために、赤外から紫外域に対して透過率の高い石英ガラスで形成され、前記石英ガラスで形成された前記真空容器の内壁の一部に、赤外域から紫外域の光の反射を防止する反射防止膜が形成されていることを特徴とする。
また、請求項５に記載のＸ線発生装置は、標的材料をプラズマ化し、該プラズマからＸ線を輻射させるＸ線源と、該Ｘ線源を収容する真空容器と、を具備するＸ線発生装置であって、前記真空容器の少なくとも一部が、赤外から紫外域に対して透過率の高いフッ化マグネシウムで形成され、前記フッ化マグネシウムで形成された前記真空容器の内壁の一部に、赤外域から紫外域の光の反射を防止する反射防止膜が形成されていることを特徴とする。
また、請求項７に記載のＸ線発生装置は、標的材料をプラズマ化し、該プラズマからＸ線を輻射させるＸ線源と、該Ｘ線源を収容する真空容器と、を具備するＸ線発生装置であって、前記真空容器の少なくとも一部が、赤外から紫外域に対して透過率の高いフッ化カルシウムで形成され、前記フッ化カルシウムで形成された前記真空容器の内壁の一部に、赤外域から紫外域の光の反射を防止する反射防止膜が形成されていることを特徴とする。
また、請求項９に記載のＸ線発生装置は、標的材料をプラズマ化し、該プラズマからＸ線を輻射させるＸ線源と、該Ｘ線源を収容する真空容器と、を具備するＸ線発生装置であって、前記真空容器の内側に、内壁を備え、該内壁の少なくとも一部は、赤外からＸ線領域の電磁波に対して吸収率の高い活性炭で形成されていることを特徴とする。
さらに、請求項１０に記載のＸ線発生装置は、標的材料をプラズマ化し、該プラズマからＸ線を輻射させるＸ線源と、該Ｘ線源を収容する真空容器と、を具備するＸ線発生装置であって、前記真空容器の内側に、内壁を備え、該内壁の少なくとも一部は、赤外からＸ線領域の電磁波に対して吸収率の高いポーラスシリコンで形成されていることを特徴とする。
上記Ｘ線発生装置によれば、真空容器内壁から反射・散乱する赤外からＸ線領域の光によりミラーなどの部品が加熱されることを防止できる。
【００１７】
請求項４に記載のＸ線発生装置は、標的材料をプラズマ化し、該プラズマからＸ線を輻射させるＸ線源と、該Ｘ線源を収容する真空容器と、を具備するＸ線発生装置であって、前記真空容器の少なくとも一部が、赤外から紫外域の光を透過させるために、赤外から紫外域に対して透過率の高い石英ガラスで形成され、前記石英ガラスで形成された前記真空容器の外壁の一部に、赤外域から紫外域の光の反射を防止する反射防止膜が形成されていることを特徴とする。
また、請求項６に記載のＸ線発生装置は、標的材料をプラズマ化し、該プラズマからＸ線を輻射させるＸ線源と、該Ｘ線源を収容する真空容器と、を具備するＸ線発生装置であって、前記真空容器の少なくとも一部が、赤外から紫外域に対して透過率の高いフッ化マグネシウムで形成され、前記フッ化マグネシウムで形成された前記真空容器の外壁の一部に、赤外域から紫外域の光の反射を防止する反射防止膜が形成されていることを特徴とする。
さらに、請求項８に記載のＸ線発生装置は、標的材料をプラズマ化し、該プラズマからＸ線を輻射させるＸ線源と、該Ｘ線源を収容する真空容器と、を具備するＸ線発生装置であって、前記真空容器の少なくとも一部が、赤外から紫外域に対して透過率の高いフッ化カルシウムで形成され、前記フッ化カルシウムで形成された前記真空容器の外壁の一部に、赤外域から紫外域の光の反射を防止する反射防止膜が形成されていることを特徴とする。
上記Ｘ線発生装置によれば、真空容器が、赤外から紫外域までの広いスペクトルの範囲の光が透過し、さらに外壁の壁面で反射することないので、真空容器内の部品が加熱されることを防止できる。
【００１８】
また、本発明にかかる露光装置は、上記本発明にかかるＸ線発生装置と、該Ｘ線発生装置から発生したＸ線をマスクに照射させる照明光学系と、該マスクから反射した光を感応基板上に投影結像させる投影光学系と、を具備することを特徴とする。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の実施の形態については、本発明をレーザープラズマＸ線源に適用した例について述べる。
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る露光装置のＸ線発生装置を模式的に示す断面図である。
図１のＸ線発生装置は、真空容器１０７を備えている。この真空容器１０７には、図示しない真空ポンプ（真空排気装置）が付設されており、真空容器１０７内は、真空ポンプにより排気されて数Ｔｏｒｒ以下に減圧されている。真空容器１０７内が真空ポンプによって減圧されることで、パルスレーザ光１００が途中で気中放電せず、プラズマ１０４から輻射されたＸ線が吸収により著しく減衰しないようになっている。
【００２０】
真空容器１０７には、ガラス製の窓１０２が組み込まれており、この窓１０２の外側にはレンズ１０１が配置されている。レーザ光源（図示せず）から放出されたパルスレーザ光１００は、レンズ１０１で集光され窓１０２を通して標的材料に集光され、プラズマ１０４が生成され、このプラズマ１０４からＸ線が輻射される。なお、この際、プラズマに吸収されなかったレーザ光は真空容器の壁面に当たって真空容器内１０７を加熱しないように、窓１１０を透過して真空容器１０７の外に導かれる。
【００２１】
なお、この例では、標的材料はノズル１０３から超音速で噴出されているＸｅガスである。ガスジェットノズル１０３は、Ｘｅガスが紙面垂直方向に噴出されるように配置されており、ガスジェットノズル１０３から噴出されたＸｅガスは、プラズマ１０４が生成された後に、真空ポンプ（図示せず）により真空容器１０７の外に排気される。
【００２２】
プラズマ１０４の近くには、集光用の多層膜楕円ミラー（以下、単にミラーという）１０５が配置されており、このミラーは、反射面にＭｏ／Ｓｉ製の多層膜が施されている。この多層膜は、波長１３．４ｎｍのＸ線を反射するように構成されており、反射面の各点で反射率が最大となるように周期長が変えられている。
ミラー１０５の裏面は冷却水により冷却されており（図示せず）、ミラー１０５によって反射されたＥＵＶ光１０６は可視光カットＸ線フィルター１０９を透過し、次段の照明光学系に誘導される。可視光カットＸ線フィルター１０９は、微細パターン形成の際に支障となる、プラズマから放射される赤外・可視・紫外域の光を遮断し、必要なＥＵＶ光のみを透過させるためのフィルターである。
【００２３】
図１に示すＸ線発生装置においては、内側にカーボンブラックから形成された膜１０８が形成されている。カーボンブラックは、赤外からＸ線領域の電磁波に対して吸収率が高い材料である。従って、カーボンブラック膜１０８が形成されることにより、真空容器１０７の内壁からの赤外からＸ線領域の電磁波の光の反射・散乱によるミラー１０５などの部品が加熱されることが防止できる。
【００２４】
カーボンブラック膜１０８によりプラズマ１０４からの輻射が壁面で吸収されるため、真空容器１０７の壁の温度が上昇するので、真空容器１０７の壁面を冷却することができるように、冷却用のジャケットが取り付けられている（図示せず）。
赤外からＸ線領域の電磁波に対して吸収率が高い材料としては、カーボンブラック以外のものも使用可能であり、このような材料としては、例えばベンゼン煤やアクアダック等が挙げられる。
【００２５】
また、赤外からＸ線領域の電磁波に対して吸収率が高い材料としては、多孔質のものを用いてもよい。このような多孔質材料の表面には微小の孔が無数に存在している。この無数の孔の中に入った光は孔の内壁で反射・散乱を繰り返し孔の外に再び出ることはない。すなわち理想的な黒体とみなすことができ、このため赤外からＸ線領域までの全ての輻射を吸収することができる。このような多孔質の材料としては、例えば活性炭が挙げられる。
【００２６】
カーボンブラック膜１０８は、カーボンブラックを真空容器１０７の内壁に塗布することにより形成することができるが、塗布ではなく内壁自身を改質して、赤外からＸ線領域の電磁波に対して吸収率が高い材料で作成してもよい。例えば、真空容器１０７がアルミニウム製である場合には真空容器１０７をアルマイト処理し黒色に変化させてもよい。
【００２７】
また、赤外からＸ線領域の電磁波に対して吸収率が高い材料で作成されている板やシートを真空容器１０７の内壁に貼り付けてもよい。例えば、黒色の板（カーボンの板）やシート、表面に無数の孔のある板（ポーラスシリコン等）を真空容器１０７の内壁に貼り付けてもよい。
【００２８】
上述したような、多孔質材料を用いる場合、真空容器１０７内の真空度は高くならないが、プラズマＸ線源ではプラズマを生成し、かつ発生したＥＵＶ光１０６を伝播させるのに必要な真空度があればよい。一般に、そのために必要な圧力は数１０分の１Ｔｏｒｒ〜数Ｔｏｒｒであるので、多孔質材料等を用いることには問題はない。
多孔質材料やシート等は、真空容器１０７の内壁全面に塗布又は貼り付けてもよいが、プラズマ１０４からの輻射があたる部分にのみ塗布又は貼り付けてもよい。
【００２９】
次に、本発明の第２の実施の形態に係る露光装置のＸ線発生装置について図面を参照して説明する。図２は、本発明の第２の実施の形態に係る露光装置のＸ線発生装置を模式的に示す断面図である。
図２に示すＸ線発生装置は、大部分は図１に示すＸ線発生装置と同様であるので、全体的な説明は省略する。図２に示すＸ線発生装置及び図１に示すＸ線発生装置の異なる点は、図２に示すＸ線発生装置においては、真空容器２０７の内側に、多数の針状部材２０８が、針の先端がプラズマ２０４に向くように備えられている点である。
【００３０】
針状部材２０８の拡大図を図３に示す。図３に示すように、プラズマ２０４から輻射された光２０６は、針状部材２０８の側面に当たり、反射を繰り返して針状部材２０８の内部に進み、いずれは針状部材２０８に吸収されてしまう。従って、ほぼ理想的な黒体として赤外からＸ線領域の広い波長域の光を吸収することができる。なお、針状部材２０８の材質としては、特に制限はないが、例えばステンレス鉄又はアルミニウム等の金属を用いることができ、またガラス、カーボン又は有機物等を用いることもできる。
【００３１】
また、図２及び図３において、針状部材２０８は先端が尖った形状をしているが、必ずしも先端が尖った形状でなくてもよく、直径が十分に小さい形状であればよい。また、針状部材２０８に代え、細線状又はブレード状の部材としてもよい。例えば、グラスファイバー、カーボンファイバー又は金属製の細線を束ねたようなものであってもよく、ブレード状の板を複数並べたものであってもよい。
【００３２】
次に、本発明の第３の実施の形態に係る露光装置のＸ線発生装置について図面を参照して説明する。図４は、本発明の第３の実施の形態に係る露光装置のＸ線発生装置を模式的に示す断面図である。
図４に示すＸ線発生装置は、大部分は図１に示すＸ線発生装置と同様であるので、全体的な説明は省略する。
【００３３】
図４に示すＸ線発生装置及び図１に示すＸ線発生装置の異なる点は、図４に示すＸ線発生装置においては、真空容器４０７が石英ガラスで形成されている点である。石英ガラスは、赤外から紫外域に対して透過率の高い材料である。従って、真空容器４０７を石英ガラスで形成することにより、ＥＵＶ光４０６が壁面で反射して真空容器４０７内の部品を加熱することが防止できる。
赤外から紫外域に対して透過率の高い材料としては、石英ガラス以外のものを用いてもよく、そのような材料としては、例えばフッ化マグネシウム（MgF2）、フッ化カルシウム（CaF2）等が挙げられる。
【００３４】
また、図４に示すＸ線発生装置の真空容器４０７の内壁及び／又は外壁に反射防止膜をコートしてもよい。真空容器４０７の内壁及び／又は外壁に反射防止膜をコートすることにより、更に反射光量が減少するので好ましい。
図４に示すＸ線発生装置においては、真空容器４０７は全体が石英ガラス製であるが、機械的に強度が必要な部分を金属部品で形成し、石英ガラス部と接合した複合的なものであってもよい。
上記説明においては、本発明のＸ線発生装置をレーザープラズマＸ線源に適用したものについて説明したが、本発明のＸ線発生装置は放電プラズマＸ線源に適用することもできる。
【００３５】
次に、本発明の露光装置の一例について図面を参照して説明する。
図５は、本発明の実施の形態に係る露光装置１９９の全体構成を示す図である。なお、図５における露光装置においては、図の右上に示すＸ線発生装置１９９として図２に示すＸ線発生装置を用いている。
図５に示すように、Ｘ線発生装置１９９は、露光チャンバ５０の上部に設置されている。露光チャンバ５０内には、Ｘ線発生装置１９９からのＥＵＶ光照射を受ける照明光学系５６が配置されている。照明光学系５６は、コンデンサー系の反射鏡、フライアイ光学系の反射鏡等で構成されており、ミラー２０５で反射したＸ線を円弧状に整形し、図５の左方に向かって照射する。
【００３６】
照明光学系５６の図５の左方には、Ｘ線反射鏡５２が配置されている。Ｘ線反射鏡５２は、図５の右側の反射面５２ａが凹型をした円形をしており、図示せぬ保持部材により垂直に保持されている。Ｘ線反射鏡５２の図５の右方には、光路折り曲げ反射鏡５１が斜めに配置されている。光路折り曲げ反射鏡５１の上方には、反射型マスク５３が、反射面が下になるように水平に配置されている。照明光学系５６から放出されたＸ線は、Ｘ線反射鏡５２により反射集光された後に、光路折り曲げ反射鏡５１を介して、反射型マスク５３の反射面に達する。
【００３７】
反射鏡５１、５２の基体は、反射面５２ａが高精度に加工された石英の基板からなる。この反射面５２ａには、Ｘ線発生装置のミラー２０５の反射面と同様に、Ｍｏ／Ｓｉの多層膜が形成されている。なお、波長が１０〜１５ｎｍのＸ線を用いる場合には、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｒｈ（ロジウム）等の物質と、Ｓｉ、Ｂｅ（ベリリウム）、Ｂ4Ｃ（４ホウ化炭素）等の物質とを組み合わせた多層膜でもよい。
【００３８】
反射型マスク５３の反射面にも多層膜からなる反射鏡が形成されている。この反射膜には、ウェハ５９に転写するパターンに応じたマスクパターンが形成されている。マスクステージ５５は、少なくともＹ方向に移動可能であり、光路折り曲げ反射鏡５１で反射されたＸ線を順次マスク５３上に照射する。
【００３９】
反射型マスク５３の下部には、順に投影光学系５７、ウェハ５９が配置されている。投影光学系５７は、複数の反射鏡等からなり、反射型マスク５３で反射されたＸ線を所定の縮小倍率（例えば１／４）に縮小し、ウェハ５９上に結像する。ウェハ５９は、ＸＹＺ方向に移動可能なウェハステージ５４に吸着等により固定されている。
【００４０】
露光動作を行う際には、照明光学系５６により反射型マスク５３の反射面にＸ線を照射する。その際、投影光学系５７に対して反射型マスク５３及びウェハ５９を投影光学系の縮小倍率により定まる所定の速度比で相対的に同期走査する。これにより、反射型マスク５３の回路パターンの全体をウェハ５９上の複数のショット領域の各々にステップアンドスキャン方式で転写する。なお、ウェハ５９のチップは例えば２５×２５ｍｍ角であり、レジスト上で０．０７μｍＬ／ＳのＩＣパターンが露光できる。
【００４１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のＸ線発生装置によれば、真空容器の内側に、赤外からＸ線領域の電磁波に対して吸収率が高い材料で形成された内壁が設けられており、赤外からＸ線領域までの広いスペクトルの範囲の光を吸収する。それにより、真空容器内壁からの赤外からＸ線領域の光の反射・散乱によりミラーなどの部品が加熱されることを防止できる。
【００４２】
また、本発明のＸ線発生装置によれば、真空容器の内側に、針状、細線状又はブレード状の部材が設けられており、プラズマから輻射された光が針状、細線状又はブレード状の部材の側面に当たり、反射を繰り返して結果として内壁に吸収されてしまう。それにより、真空容器内壁からの赤外からＸ線領域の光の反射・散乱によりミラーなどの部品が加熱されることを防止できる。
【００４３】
また、本発明のＸ線発生装置によれば、真空容器が、赤外から紫外域に対して透過率の高い材料で形成されており、赤外から紫外域までの広いスペクトルの範囲の光が透過するため、壁面で反射することがなく、真空容器内の部品が加熱されることを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る露光装置のＸ線発生装置を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態に係る露光装置のＸ線発生装置を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態のＸ線発生装置の針状部材の拡大図を示す図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態に係る露光装置のＸ線発生装置を模式的に示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る露光装置の全体構成を示す図である。
【符号の説明】
１００、２００、４００  パルスレーザ光
１０１、２０１、４０１  レンズ
１０２、２０２、４０２  窓
１０３、２０３、４０３  ノズル
１０４、２０４、４０４  プラズマ
１０５、２０５４０５  多層膜楕円ミラー
１０６、２０６、４０６  ＥＵＶ光
１０７、２０７、４０７  真空容器
１０８  カーボンブラック膜
２０８  針状部材
１０９、２０９、４０９  可視光カットＸ線フィルター
１９９  Ｘ線発生装置
５０  露光チャンバ
５１  光路折り曲げ反射鏡
５２  Ｘ線反射鏡
５３  反射型マスク
５４  ウェハステージ
５５  マスクステージ
５６  照明光学系
５７  投影光学系
５９  ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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