(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも次の工程を行うことを特徴とする半導体装置用回路部材の製造方法。
（１）金属基材を用意し、この金属基材の上に選択的にエッチングストップ層を先に形成し、続いてそのエッチングストップ層の上にリード及び吊り部となる配線メッキ層を形成する工程。
（２）金属基材におけるリード形成面と反対側の面との両面に可溶性でポジ型の感光性を有するポリイミドワニスを塗布して乾燥させ、両面にそれぞれ仮キュア状態の感光性ポリイミド樹脂材料層を形成する工程。
（３）金属基材におけるリード形成面に形成した感光性ポリイミド樹脂材料層をフォトリソグラフィー法によりパターニングして、リードの一部を露出させる開口を有するように絶縁層を形成し、その絶縁層をマスクとしてメッキすることでリードの表面に外部端子を形成する工程。
（４）金属基材におけるリード形成面と反対側の面に形成した感光性ポリイミド樹脂材料層をそのリード形成領域に対応する部分を除くようにフォトリソグラフィー法によりパターニングして絶縁部分を形成し、その残った絶縁部分をマスクとして金属基材を選択的にエッチングすることで外形リングとなる部分よりも内側を除去する工程。
（５）エッチングストップ層をエッチングして剥離することにより配線メッキ層を露出させた後、絶縁層をフォトリソグラフィー法によりパターニングして各リード及び吊り部を独立させる工程。
【請求項２】
ポジ型の感光性を有するポリイミドワニスとして、ジアゾナフトキノン或いはジアゾナフトキノン誘導体と溶剤可溶性ポリイミド樹脂とを含むものを使用した請求項１に記載の半導体装置用回路部材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子を搭載して半導体装置を製造するために用いられる回路部材、特に絶縁層をベースにしてリードが形成された半導体装置用回路部材の製造方法とそれにより得られる半導体装置用回路部材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の高性能化及び小型化の傾向から、それに用いられる半導体装置は、ＬＳＩのＡＳＩＣに代表されるようにますます高集積化、高機能化が進んでいる。高集積化、高機能化された半導体装置においては、信号の高速処理のためにパッケージ内のインダクタンスが無視できない状況となるので、そのインダクタンスの低減のために電源及びグランドの接続端子数を多くし、実質的なインダクタンスを下げることで対応してきた。このため、半導体の高集積化、高機能化は外部端子（ｐｉｎ）の総数の増加を促すことになり、ますますの多ピン化が求められ、これに対応して先端のファインなＬ／Ｆ等やＢＧＡ、ＣＳＰに代表されるようなパッケージが普及してきた。
【０００３】
上記の如き技術分野でリードフレームの製造方法として、特開平９−２４６４４５号公報に記載のものが知られている。具体的には、厚い層と薄い層とをエッチングストップ層を介して積層した金属積層板を準備し、その薄い層側に複数のリードを形成した後、金属積層板のリード形成面側に該リードを覆う厚さの絶縁層を少なくともリードを露出させる開口を有するように選択的に形成し、さらに厚い層における複数のリードが形成されたリード形成領域に当たる部分をエッチングストップ層に対して浸食性の弱いエッチング液によって選択的にエッチングし、リードをマスクとして少なくともエッチングストップ層をエッチングして各リード間を互いに電気的に分離独立させるものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来の技術で述べた製造方法は、得られたリードフレームにおいて絶縁層とリードとの半導体素子側の表面が面一になるので凹凸のない面を半導体素子の表面と接着させることができて十分な接着力が得られるという利点や、リードの絶縁層からはみ出した部分の先端を半導体素子側の端子とすることによってその端子をボンディングするに当たってカットする必要がなく作業時間を短縮できるという利点など、多くの優れた面を有しているが、一方では以下に述べるような問題点もある。
【０００５】
すなわち、特開平９−２４６４４５号公報に開示された製造方法では、複数回の露光、現像工程があり、また十数μｍ程度のメッキを成長させるメッキ工程を行うため、従来のエッチング法によるリードフレームの製造方法と比較して格段に工程が長くなる。また、選択的エッチングや選択的メッキのためにはパターン状に保護層を設けることが必要であり、実際にはさらに工程が長くなる。
【０００６】
また、銅の上にポリイミドで絶縁層を形成する場合、取扱い上の便利さとウェットエッチング加工のしやすさの観点から、従来用いられているポリイミドの前駆体であるポリアミック酸を使用することがある。しかしながら、銅上でポリアミック酸を硬化（イミド化）すると、ポリイミド中にＣｕが拡散し、ポリイミドの熱分解温度、引っ張り強さの物性が低下し、所謂マイグレーションを生じることが問題となる。（例えば、「１９９８電子情報通信学会論文誌Ｃ  ＶＯＬ．Ｊ７１−Ｃ  Ｎｏ．１１」ｐ．１５１０参照）
【０００７】
本発明は、上記のような問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、製造工程を簡略化し、使用する材料を減らして製造コストの低減を可能にするとともに、さらにはマイグレーション問題をも解決できる半導体装置用回路部材の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明に係る半導体装置用回路部材の製造方法は、少なくとも次の工程を行うことを特徴とする。
（１）金属基材を用意し、この金属基材の上に選択的にエッチングストップ層を先に形成し、続いてそのエッチングストップ層の上にリード及び吊り部となる配線メッキ層を形成する工程。
（２）金属基材におけるリード形成面と反対側の面との両面に可溶性でポジ型の感光性を有するポリイミドワニスを塗布して乾燥させ、両面にそれぞれ仮キュア状態の感光性ポリイミド樹脂材料層を形成する工程。
（３）金属基材におけるリード形成面に形成した感光性ポリイミド樹脂材料層をフォトリソグラフィー法によりパターニングして、リードの一部を露出させる開口を有するように絶縁層を形成し、その絶縁層をマスクとしてメッキすることでリードの表面に外部端子を形成する工程。
（４）金属基材におけるリード形成面と反対側の面に形成した感光性ポリイミド樹脂材料層をそのリード形成領域に対応する部分を除くようにフォトリソグラフィー法によりパターニングして絶縁部分を形成し、その残った絶縁部分をマスクとして金属基材を選択的にエッチングすることで外形リングとなる部分よりも内側を除去する工程。
（５）エッチングストップ層をエッチングして剥離することにより配線メッキ層を露出させた後、絶縁層をフォトリソグラフィー法によりパターニングして各リード及び吊り部を独立させる工程。
【０００９】
この製造方法において、上記ポジ型の感光性を有するポリイミドワニスとして、ジアゾナフトキノン或いはジアゾナフトキノン誘導体と溶剤可溶性ポリイミド樹脂とを含むものを使用するのが好ましい。
【００１０】
ポリアミック酸を絶縁層としてイミド化する場合、通常３００℃近い高温での熱処理を必要とすることが問題となっているが、これに対して、溶剤可溶性ポリイミドを使用した場合には、溶剤成分を除去させるのに必要な熱処理だけで絶縁層が形成できるため、工程の低温下が可能となる。
【００１１】
上記の製造方法によれば、絶縁層にポジ型の感光性ポリイミド樹脂材料を使用することで、従来の製造方法における半田ボール形成工程、裏面エッチング工程時のレジストによるマスク形成を省略することができる。また、ポリアミック酸をＣｕに塗布するのではなく、可溶性のポリイミド樹脂材料をＮ−メチル−２−ピロリドンのような極性溶媒に溶かした状態で塗布するため、Ｃｕを浸食する恐れがなく、ポリイミドの硬化処理（熱処理）の際にＣｕの拡散を起こさず、ひいてはマイグレーションの問題を起こすこともない。
【００１２】
上記の製造方法で得られる半導体装置用回路部材は、絶縁層の半導体素子搭載側に複数のリードが該リード表面と該絶縁層表面とが同一平面上に位置するように形成され、各リードの絶縁層からはみ出した部分の先端が半導体素子の電極と接続される半導体素子側の端子とされ、前記絶縁層における半導体素子搭載側と反対側に各リードに対してそれを露出させる開口が形成され、当該開口にリードにおける半導体素子と反対側の端子が形成されてなる半導体装置用回路部材であって、前記絶縁層がポジ型の感光性を有するポリイミドワニスを用いて形成されたものとなる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
図１〜図３は本発明に係る半導体装置用回路部材の製造方法を示す工程図であり、以下、これらの図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
【００１４】
まず、図１（Ａ）に示すようにＣｕからなる金属基材１０を用意する。この金属基材１０は強度の点から例えば１２５μｍ以上の厚みのものが好ましい。そして図１（Ｂ）〜図１（Ｅ）に示すように、この金属基材１０の上に選択的にＮｉメッキからなるエッチングストップ層１２を先に形成し、続いてエッチングストップ層１２の上にリード及び吊り部となる配線メッキ層１３を積層する。
【００１５】
具体的には、まず図１（Ｂ）に示すように金属基材１０の上にレジスト１１を塗布し、マスクを介しての露光とそれに続く現像により図１（Ｃ）に示す如くリード及び吊り部を形成すべきパターンに製版した後、図１（Ｄ）に示すように、パターニングされたレジスト１１をマスクとして２μｍ程度のＮｉメッキすることによりエッチングストップ層１２を形成し、次に図１（Ｅ）に示すように、配線メッキ層１３としてＡｕ／Ｎｉ／Ｃｕをそれぞれ０．１／２．０／２５μｍの厚みで形成する。メッキの総厚みはこれに限定されるものではなく、パッケージの形状に応じた選定が必要であるが、例えば、レジスト１１の厚みが４０μｍの場合には、全体で４０μｍ以下にし、メッキの総厚みがレジストの厚みを越えないようにする必要がある。メッキ後、図１（Ｆ）に示すようにレジスト１１を剥離してリード及び吊り部を形成する。
【００１６】
このようにリードをメッキで形成する際に、半導体素子を囲む補強用リング又は補強用枠、さらにはそれを支持するための吊り部を同時に形成する。吊り部はリードと同じ層構成からなる。したがって、例えばＡｕ／Ｎｉ／Ｃｕのメッキ層からなる。一方、補強用リング又は補強用枠は今の段階では形成されていないが、後の工程で吊り部を介して回路部材の主部の外側に一体に形成されるものであり、基材単層、又は基材を含みかつ例えばＡｕ／Ｎｉ／Ｃｕのメッキ層が施されたものからなる。
【００１７】
次に、図２（Ａ）に示すように、金属基材１０のリード形成面と反対側の面との両面に可溶性でポジ型の感光性を有するポリイミドワニスを塗布し、例えば９０℃で３０分間のプリベークを行って乾燥させ、両面にそれぞれ仮キュア状態の感光性ポリイミド樹脂材料層２０，３０を形成する。
【００１８】
そして、金属基材１０におけるリード形成面に形成した感光性ポリイミド樹脂材料層２０をマスクを介して露光して現像することによりパターニングし、図２（Ｂ）に示すようにリードの一部を露出させる開口を有するように絶縁層２１を形成した後、図２（Ｃ）に示すように、その絶縁層２１をマスクとしてリードの表面に外部端子２２を形成する。この外部端子２２は例えばＮｉメッキと半田メッキ、若しくはＮｉメッキとＡｕメッキにより形成される。このメッキ工程では、絶縁層２１に半田ボールを形成するための開口部が形成されており、他の部分にはメッキが付かないためマスキングは不要である。
【００１９】
次いで、金属基材１０におけるリード形成面と反対側の面に形成した感光性ポリイミド樹脂材料層３０をマスクを介して露光して現像することによりパターニングし、図３（Ａ）に示すようにリード形成領域に対応する部分を除いて絶縁部分３１を形成する。ここで、エッチングレジストとしては感光性ポリイミド樹脂材料層３０を使用するため、改めてレジストを形成する必要がない。
【００２０】
続いて、図３（Ｂ）に示すように、その残った絶縁部分３１をマスクとしてＣｕからなる金属基材１０を選択的にエッチングして外形リングとなる部分よりも内側を除去する。このエッチングは、例えば有機アルカリ系のエッチング液を用いて行う。なぜならば、このエッチング液はＣｕを侵すがＮｉは侵さないので、リード層の下地に設けたＮｉ層がエッチングストップ層としての役割を果たすことができるからである。これにより、各リード及び吊り部が独立し、ここではじめて互いに電気的にショートした状態ではなくなる。
【００２１】
次に、図３（Ｃ）に示すように、Ｎｉからなるエッチングストップ層１２をエッチングする。ここではＣｕを溶かさないＨＮＯ3 ／Ｈ2 ＳＯ4 ／Ｈ2 Ｏ2 系のエッチング液を使用してＮｉ層を選択的に溶解する。このようにエッチングストップ層１２であるＮｉ層を剥離することにより、Ａｕ層が表面に現れ、半導体素子とのワイヤーボンディング、シングルポイントボンディング等の電気的接続が可能となる。
【００２２】
さらに再度、絶縁層２１を露光現像することにより、前述までのプロセスにおいてメッキレジスト、エッチングレジストとして機能した樹脂を必要な形状にパターニングする。これにより、図３（Ｄ）に示すように、半導体素子を搭載するＩＣ毎に絶縁層２１が分割された形態となる。
【００２３】
なお、上述の例では、リードはエッチングストップ層の上に選択的に形成したレジストをマスクとしてメッキ膜を成長させることにより形成したが、Ｃｕ或いはＮｉからなる層を厚めに形成しておき、それを選択エッチングによりパターニングして形成してもよい。
【００２４】
上述のように、本発明では、金属基材の表裏両面にポジ型の感光性ポリイミド樹脂材料層を仮キュア状態で形成しておき、各面でのメッキ工程やエッチング工程に際して、それらを複数回に渡ってフォトリソグラフィー法によりパターニングするもので、ポジ型の感光性樹脂の特性（光が照射された部分が現像によって選択的に開口する）を生かした製造プロセスとなっている。
【００２５】
したがって、外部端子となる半田ボールをメッキによって形成する場合においても、メッキが付かないように保護するためのポッティング樹脂、バッキング材等を使用する必要はなく、絶縁層自身がそのレジストの役割をもたせるため、材料費の軽減、ひいては製造コストの低減を図ることができる。
【００２６】
さらに、裏面よりの選択エッチング工程において、従来の方法では、治具孔等のその他の部分をエッチングしないようにネガ型ドライフィルムを製版する必要があるが、本発明ではポジ型の絶縁層により保護するため、光が照射された部分のみ開口し、選択エッチングが可能となる。
【００２７】
本発明で絶縁層の形成に用いるポリイミドの合成に用いられる酸二無水物としては特に限定されないが、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビス（ジカルボキシルフェニル）プロパン二無水物、４−４’−〔２，２，２−トリフルオロ−１−（トリフルオロメチル）エチリデン〕ビス（１，２−ベンゼンジカルボン酸無水物）（６ＦＤＡ）、ビストリフルオロメチル化ピロメリット酸、ビス（ジカルボキシルフェニル）スルホン二無水物、ビス（ジカルボキシルフェニル）エーテル二無水物、チオフェンテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、ナフタレンテトラカルボ酸二無水物等の芳香族酸二無水物、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、ビシクロオクテンテトラカルボン酸、ビシクロ（２，２，２）−オクト−７−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、５（２，５−ジオキソテトラヒドロフリル）３−メチル−３シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物等の脂肪族酸二無水物を挙げることができる。これらは単独でもよいし２種以上混合してもよい。
【００２８】
同じく、本発明で用いるポリイミドの合成に用いられるジアミンとしては特に限定されないが、２，４ジアミノトルエン、１，４ベンゼンジアミン、１，３ベンゼンジアミン、６−メチル１，３−ベンゼンジアミン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチル−１，１’−ビフェニル、４，４’−メチレンビス（ベンゼンアミン）、４，４’−オキシビス（ベンゼンアミン）、３，４’−オキシビス（ベンゼンアミン）、３，３’−カルボキニル（ベンゼンアミン）、４，４’−チオビス（ベンゼンアミン）、４，４’−スルホニル（ベンゼンアミン）、３，３’−スルホニル（ベンゼンアミン）、１−メチルエチレンジ４，４’−ビス（ベンゼンアミン）、１−トリフルオロメチル２，２，２−トリフルオロエチリジン４，４’−ビス（ベンゼンアミン）、４，４’−ジアミノベンズアニリド、３，５−ジアミノ安息香酸、２，６−ジアミノピリジン、４，４’−ジアミノ−３，３’，５，５’−テトラメチルビフェニル、２，２ビス（４（４−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルホン、ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）エチル、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、９，９’−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン、ベンジジン−３，３−ジカルボン酸等を挙げることができる。これらは単独でもよいし２種以上混合してもよい。
【００２９】
使用されるポリイミドは、溶剤可溶性のポリイミドであれば特に限定されないが、下記のようなポリイミドが挙げられる。
（１）シロキサン骨格を含有することにより溶剤可溶化したポリイミド：
ビス（γ−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサン、ビス（γ−アミノプロピル）ポリジフェニルシロキサン、シルセスキオキサン等を使用して合成したポリイミド等、架橋性シロキサンモノマー（例えば、ビニル基を有するジアミノシロキサン等）を使用して合成したポリイミド等。
（２）アルキル鎖を含有することにより溶剤可溶化したポリイミド：
ポリプロピレングリコシキジアミン等を使用して合成したポリイミド等。
（３）フッ素基を含有することにより溶剤可溶化したポリイミド：
テトラフェニルフラン、ビストリフルオロメチル化ピロメリット酸、４，４’−〔２，２，２−トリフルオロ−１−（トリフルオロメチル）エチリデン〕ビス（１，２−ベンゼンアミン）等を使用して合成したポリイミド等。
（４）嵩高い置換基・骨格を含有することにより溶剤可溶化したポリイミド：
テトラフェニルチオフェン、テトラフェニルピロール、テトラフェニルエチレン、トリフェニルアミン、トリ（またはテトラ）フェニルテルフェニル等の側鎖置換基を有する芳香族ジアミン、またはテトラカルボン酸を使用して合成したポリイミド等。
（５）主鎖中に折れ曲がり構造、或いは非平面構造を導入することにより溶剤可溶化したポリイミド：
ジフェニルフルオレン、オルトフェニレン、ビフェニル−２，２−ジイル、１，１−ビナフチル−２，２ジイル、を有するモノマー、例えば２，３−ジフェニルキノキサリ、２，２−ビスフェノキシ−１，１−ビナフチルなどのジアミンや、ビシクロオクテンテトラカルボン酸、ビシクロ（２，２，２）−オクト−７−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物等を使用して合成したポリイミド。
（６）極性溶媒と強い相互作用のある側鎖置換基を導入することにより溶剤可溶化したポリイミド：
水酸基、カルボキシル基、アミノ基、スルホン酸基、ホスホン酸基、チオール基、ニトロ基を有するモノマーを使用して合成したポリイミドであり、例えば、ジアミノ安息請酵酸を使用して合成したポリイミドや、水酸基をもつベンゾヒドロール構造のポリイミド等。
（７）アミド結合を有することにより溶剤可溶化したポリイミド。
（８）脂環式構造を有することにより溶剤可溶化したポリイミド：
１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸ジ無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、ビシクロ（２，２，２）−オクト−７−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸ジ無水物、５（２，５−ジオキソテトラヒドロフリル）３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物等の脂肪族酸ジ無水物を使用して合成したポリイミド等。
（９）低分子量（分子量１万以下）の溶剤可溶化ポリイミド：
熱硬化性ポリイミドを必要に応じて使用することができ、架橋するポリイミドには例えば、アセチレン基、ビニル基、ビスマレイミド基、ナジック基等を有するモノマーで合成されたポリイミドを使用できる。
（１０）イソイミドを有することにより溶剤可溶化したポリイミド。
（１１）上記（１）〜（１０）の２つ以上の項目にあるものを複合して合成したポリイミド。
【００３０】
上記のようなポリイミドの感光性ワニスにおける含有量は、使用するポリイミド、絶縁層パターンの要求特性等を考慮して適宜設定することができ、例えば２〜４０の重量％の範囲で設定することができる。また、本発明に使用する感光性ポリイミドワニスは、従来から感光性材料に含有されるような公知の添加剤を含有するものであってもよい。
【００３１】
本発明で使用する可溶性でポジ型の感光性を有するポリイミドワニスの一例をその製造方法とともに示すと次のようである。
【００３２】
１リットル容量の三つ口セパラブルフラスコにおけるトラップにステンレス製イカリ攪拌器、窒素導入管及びストップコックを付け、そのトラップの上に玉付き冷却管を付けた還流冷却器を取り付けてなる装置を準備する。そして、三つ口セパラブルフラスコに原料を入れ、窒素気流中を流しながら温度調整機の付いたシリコーン浴中に浸けて加熱する。具体的には、４，４’−ヘキサフルオロイソプロピリデンビスフタル酸二無水物１３２．８ｇ（３００ミリモル）、４，４’−ビス（ｍ−アミノフェノキシ）ビフェニルスルホン６４．９ｇ（１５０ミリモル）、３，５−ジアミノ安息香酸２２．８ｇ（１５０ミリモル）、バレロラクトン４．５ｇ（４５ミリモル）、ピリジン７．２ｇ（９０ミリモル）を三つ口セパラブルフラスコに入れるとともに、Ｎ−メチル−２−ピロリドン８００ｇ、トルエン８０ｇを添加したものを調合し、これを窒素を通しながら１８０ｒｐｍで攪拌した後、シリコン浴中にて１８０℃、１８０ｒｐｍの条件で加熱攪拌し、水−トルエン共沸物を系外に除きながら２時間反応させた。反応終了後、メタノールに再沈殿し、やや灰色がかったポリイミド粉末（Ａ）を得た。この粉末を高速液体クロマトグラフィーにかけてポリスチレン換算の分子量を測定したところ、数平均分子量Ｍｎ＝１４０００、重量平均分子量Ｍｗ＝２１０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．５０であった。このようにして得られたポリイミド粉末（Ａ）２０ｇと、ジナフトキン（ＤＮＱ）化合物６ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン８０ｇに溶解し、ポジ型感光性ポリイミドワニスを得た。このポジ型感光性ポリイミドワニスは露光量が１０００ｍＪ／ｃｍ2 で、現像液としては５％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液が使用される。
【００３３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、絶縁層の形成にポジ型の感光性樹脂を使用することによって、フォトリソグラフィー法によって同一の樹脂に対して複数回の製版を行うことが可能であり、例えば絶縁層パターンによって得られた必要な部分にのみメッキを施し、その後、２回目の製版で不必要な部分を削除して所望の形状に整えることができ、従来ではレーザー加工、又は保護フィルム等を使用することでしか可能ではなかった工程を簡略化でき、かつ使用する材料を減らすことができるので、製造コストの大幅な低減を図ることができる。
【００３４】
また、可溶性ポリイミドをＮ−メチルピロリドン等の有機溶媒に溶かし、それをＣｕ上に塗布して熱処理することにより、従来より懸念されているＣｕのアミック酸への拡散を防き、マイグレーション問題を解決できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体装置用回路部材の製造方法の最初の部分を示す工程図である。
【図２】図１に続く工程図である。
【図３】図２に続く工程図である。
【符号の説明】
１０  金属基材
１１  レジスト
１２  エッチングストップ層
１３  配線メッキ層
２０  感光性ポリイミド樹脂材料層
２１  絶縁層
２２  外部端子
３０  感光性ポリイミド樹脂材料層
３１  絶縁部分
【図１】
0004203972.tif 000002
【図２】
0004203972.tif 000003
【図３】
0004203972.tif 000004