(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
線径が０．１ｍｍ以下のＳｎめっき極細銅線において、銅又は銅合金からなる極細銅線の外周に、Ｓｎ−０．２〜７．０ｍａｓｓ％Ｃｕ系めっき層を、０．０５μｍ以上の層厚で形成し、そのＣｕ系めっき層中に、直径が２μｍ以下のＳｎ−Ｃｕ系金属間化合物を均一分散させたことを特徴とするＳｎめっき極細銅線。
【請求項２】
請求項１記載のＳｎめっき極細銅線を複数本撚り合わせて形成したことを特徴とするＳｎめっき極細銅線を用いた撚線。
【請求項３】
銅又は銅合金からなる線径が０．１ｍｍ以下の極細銅線の外周に、溶融Ｓｎめっき層を形成するＳｎめっき極細銅線の製造方法において、めっき浴槽内にＣｕ濃度が０．２〜７．０ｍａｓｓ％の溶融Ｓｎ−Ｃｕ系めっき浴を形成すると共に、溶融Ｓｎ−Ｃｕ系めっき浴の、２５０〜３５０℃の温度範囲における温度分布を±５℃以内に調整し、その溶融Ｓｎ−Ｃｕ系めっき浴中に上記極細銅線を浸漬し、極細銅線の外周に、０．０５μｍ以上の層厚であり、かつ直径が２μｍ以下のＳｎ−Ｃｕ系金属間化合物を均一分散する溶融Ｓｎ−Ｃｕ系めっき層を形成することを特徴とするＳｎめっき極細銅線の製造方法。
【請求項４】
極細銅線の外周に０．０５μｍ以上の層厚の溶融Ｓｎ−Ｃｕ系めっき層を形成した後、その溶融Ｓｎ−Ｃｕ系めっき層を強制冷却する請求項３記載のＳｎめっき極細銅線の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、Ｓｎめっき極細銅線及びそれを用いた撚線並びにＳｎめっき極細銅線の製造方法に係り、特に、電子機器のケーブル用導体として用いられるＳｎめっき極細銅線及びそれを用いた撚線並びにＳｎめっき極細銅線の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型・軽量化の要求が高まっていることから、電子機器のケーブル用導体においては、線径が０．１ｍｍ以下の極細銅線が主流となりつつある。この極細銅線の１つに、表面にＳｎめっきを有するＳｎめっき極細銅線がある。
【０００３】
Ｓｎめっき極細銅線の従来の製造方法として、ｄｉｐ法（溶融めっき法）と電気めっき法の二つが主に挙げられる。
【０００４】
溶融めっき法は、極細銅線の表面をフラックス又は還元ガスを用いて活性化した後、その極細銅線を純Ｓｎめっき液中に浸漬し、極細銅線の外周に溶融Ｓｎめっき層を形成するものである。また、電気めっき法は、表面を活性化した極細銅線を純Ｓｎめっき液中に浸漬すると共に、極細銅線と純Ｓｎめっき液との間に電圧を印加して、極細銅線の外周に電気Ｓｎめっき層を形成するものである。
【０００５】
これらのめっき法の内、溶融めっき法の方が簡便で、経済性に優れていることから、Ｓｎめっき極細銅線の製造には、一般的に、溶融めっき法が用いられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、得られたＳｎめっき極細銅線を複数本撚り合わせて撚線を製造する際、撚線時に、Ｓｎめっき極細銅線同士が摺動することで、各線の表面でＳｎめっきカスが発生する。このＳｎめっきカスが、撚線製造時に用いる治具であるニップルに堆積することで、撚線に断線が生じるおそれがあり、撚線性が良好でないという問題があった。
【０００７】
また、極細銅線のＣｕとＳｎめっき層のＳｎが反応し、それらの界面にＳｎ−Ｃｕ系金属間化合物が形成されるが、Ｓｎめっき層の層厚が十分でないと、Ｓｎめっき層全体がＳｎ−Ｃｕ系金属間化合物層となってしまう。このＳｎ−Ｃｕ系金属間化合物は、ハンダ濡れ性が良好でないため、結果的に、撚線のハンダ付性が悪くなるという問題があった。
【０００８】
以上の事情を考慮して創案された本発明の目的は、撚線性およびハンダ付性が良好なＳｎめっき極細銅線及びそれを用いた撚線並びにＳｎめっき極細銅線の製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成すべく本発明に係るＳｎめっき極細銅線は、線径が０．１ｍｍ以下のＳｎめっき極細銅線において、銅又は銅合金からなる極細銅線の外周に、Ｓｎ−０．２〜７．０ｍａｓｓ％Ｃｕ系めっき層を、０．０５μｍ以上の層厚で形成し、そのＣｕ系めっき層中に、直径が２μｍ以下のＳｎ−Ｃｕ系金属間化合物を均一分散させたものである。
【００１０】
以上の構成によれば、めっき層の層硬度が十分に高いＳｎめっき極細銅線が得られる。
【００１１】
一方、本発明に係るＳｎめっき極細銅線を用いた撚線は、線径が０．１ｍｍ以下で、銅又は銅合金からなる極細銅線の外周に、Ｓｎ−０．２〜７．０ｍａｓｓ％Ｃｕ系めっき層を０．０５μｍ以上の層厚で形成し、そのＣｕ系めっき層中に、直径が２μｍ以下のＳｎ−Ｃｕ系金属間化合物を均一分散させたＳｎめっき極細銅線を、複数本撚り合わせて形成したものである。
【００１２】
以上の構成によれば、撚線が容易で、ハンダ付け性が良好なＳｎめっき極細銅線を用いた撚線（Ｓｎめっき極細銅撚線）が得られる。
【００１３】
また、本発明に係るＳｎめっき極細銅線の製造方法は、銅又は銅合金からなる線径が０．１ｍｍ以下の極細銅線の外周に、溶融Ｓｎめっき層を形成するＳｎめっき極細銅線の製造方法において、めっき浴槽内にＣｕ濃度が０．２〜７．０ｍａｓｓ％の溶融Ｓｎ−Ｃｕ系めっき浴を形成すると共に、溶融Ｓｎ−Ｃｕ系めっき浴の、２５０〜３５０℃の温度範囲における温度分布を±５℃以内に調整し、その溶融Ｓｎ−Ｃｕ系めっき浴中に上記極細銅線を浸漬し、極細銅線の外周に、０．０５μｍ以上の層厚であり、かつ直径が２μｍ以下のＳｎ−Ｃｕ系金属間化合物を均一分散する溶融Ｓｎ−Ｃｕ系めっき層を形成するものである。
【００１４】
以上の方法によれば、撚線性およびハンダ付性が良好なめっき極細銅線を得ることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適一実施の形態を添付図面に基いて説明する。
【００１６】
第１の実施の形態に係るＳｎめっき極細銅線の断面図を図１に、第２の実施の形態に係るＳｎめっき極細銅線の断面図を図２に示す。ここで、図２（ｂ）は、図２（ａ）の要部Ａの拡大図である。
【００１７】
図１に示すように、第１の実施の形態に係るＳｎめっき極細銅線１１は、線径が０．１ｍｍ以下のＳｎめっき極細銅線であり、軟質銅或いは硬質銅よりなる銅又は銅合金からなる極細銅線１２の外周に、Ｓｎ−０．２〜７．０ｍａｓｓ％Ｃｕ系めっき層（以下、Ｓｎ−Ｃｕ系めっき層と示す）１３を、０．０５μｍ以上、好ましくは０．５μｍ以上の層厚で形成したものである。
【００１８】
また、図２（ａ），図２（ｂ）に示すように、第２の実施の形態に係るＳｎめっき極細銅線２１は、軟質銅或いは硬質銅よりなる銅又は銅合金からなる極細銅線１２の外周に、層中に直径が２μｍ以下、好ましくは１μｍ以下のＳｎ−Ｃｕ系金属間化合物２４が均一分散したＳｎ−Ｃｕ系めっき層２３を、０．０５μｍ以上、好ましくは０．５μｍ以上の層厚で形成したものである。
【００１９】
一方、本実施の形態に係るＳｎめっき極細銅線を用いた撚線３１は、図３に示すように、Ｓｎめっき極細銅線１１，２１を複数本（図３中では７本を図示）撚り合わせて形成したものである。ここで言う撚線は、撚線導体及び撚線導体を用いた電線・ケーブルの総称である。
【００２０】
次に、本実施の形態の作用を説明する。
【００２１】
極細銅線１２の外周にＳｎ−Ｃｕ系めっき層１３，２３を形成することで、従来のＳｎめっき極細銅線の純Ｓｎめっき層と比べて層硬度が十分に高いＳｎめっき極細銅線１１，２１が得られる。この銅線１１，２１は、Ｓｎ−Ｃｕ系めっき層１３，２３の層硬度が高いことから、この銅線１１，２１を用いて撚線を製造する際、撚線の素線同士が摺動して生じるＳｎめっきカスの量が少なくなる。特に、Ｓｎめっき極細銅線２１の場合、Ｓｎめっきカスの量が非常に少なくなる。その結果、本実施の形態に係るＳｎめっき極細銅線１１，２１を撚線する時に、断線が生じるおそれがなくなり、従来のＳｎめっき極細銅線と比較して、撚線性が向上する。
【００２２】
また、撚線時に発生するＳｎめっきカスの量が少ないことから、銅線１１，２１を用いて得られた撚線は、Ｓｎ−Ｃｕ系めっき層１３，２３の表面が平滑又は略平滑で、表面状態が良好となる。このため、これらの撚線のハンダ濡れ性は、従来のＳｎめっき極細銅線を用いて得られた撚線のそれよりも、良好となる。その結果、本実施の形態に係るＳｎめっき極細銅線１１，２１を用いて得られた撚線においては、良好なハンダ付性が得られる。
【００２３】
Ｓｎめっき極細銅線１１，２１において、Ｓｎ−Ｃｕ系めっき層１３，２３の層厚を、０．０５μｍ以上、好ましくは０．５μｍ以上と規定したのは、以下の理由によるものである。
【００２４】
一般に、銅線にＳｎめっきを施す場合、銅線表面のＣｕとＳｎめっき層のＳｎが反応し、それらの界面に、Ｃｕ3ＳｎやＣｕ6Ｓｎ5のＳｎ−Ｃｕ系金属間化合物層が形成される。ここで、Ｓｎめっき層の層厚が０．０５μｍ未満であると、Ｓｎめっき層自体がＳｎ−Ｃｕ系金属間化合物層となってしまう。このＳｎ−Ｃｕ系金属間化合物は、硬くて脆いと共に、ハンダ濡れ性が良好でないことから、Ｓｎめっき層自体がＳｎ−Ｃｕ系金属間化合物層になると、めっき導体（Ｓｎめっき極細銅線）の機械的特性、例えば屈曲特性が低下すると共に、Ｓｎめっき極細銅線と各種電子部品のハンダ付け時に不具合が生じてしまう。
【００２５】
また、Ｓｎめっき極細銅線１１，２１において、Ｓｎ−Ｃｕ系めっき層１３，２３のＣｕ濃度を、０．２〜７．０ｍａｓｓ％と規定したのは、Ｃｕ濃度が０．２ｍａｓｓ％未満だと、Ｓｎ−Ｃｕ系めっき層１３，２３の硬度が、純Ｓｎめっき層とあまり変わらないためである。また、Ｃｕ濃度が７．０ｍａｓｓ％を超えると、Ｓｎ−Ｃｕ系めっき層１３，２３自体がＳｎ−Ｃｕ系金属間化合物層になり易くなるためである。
【００２６】
Ｓｎめっき極細銅線２１において、Ｓｎ−Ｃｕ系めっき層２３中に均一分散させるＳｎ−Ｃｕ系金属間化合物（Ｃｕ3ＳｎやＣｕ6Ｓｎ5）２４の直径を２μｍ以下、好ましくは１μｍ以下と規定したのは、以下の理由によるものである。
【００２７】
金属間化合物２４の晶出サイズを２μｍ以下、好ましくは１μｍ以下に規定したのは、２μｍを超えるとＳｎ−Ｃｕ系めっき層２３の表面の平滑性が損なわれるためであり、また、Ｓｎ−Ｃｕ系めっき層２３の層厚の調整を行うために絞りダイスを用いる場合、金属間化合物２４がダイス部に堆積し、Ｓｎめっき極細銅線２１の断線の原因となるためである。
【００２８】
次に、本発明に係るＳｎめっき極細銅線の製造方法を、図４に基いて説明する。
【００２９】
図４に示すように、先ず、極細銅線１２を送出ボビン４１から送出すると共に還元炉４２内を走行させ、極細銅線１２に還元処理を施し、表面の酸化層の除去を行う。
【００３０】
次に、酸化層の除去後の極細銅線１２を、ガイドプーリ４３ａ，４３ｂ間において、浸漬棒４６によりめっき浴槽４４内の溶融Ｓｎ−Ｃｕ系めっき浴４５中に浸漬させる。この時、溶融Ｓｎ−Ｃｕ系めっき浴４５のＣｕ濃度を０．２〜７．０ｍａｓｓ％に、また、溶融Ｓｎ−Ｃｕ系めっき浴４５の、２５０〜３５０℃の温度範囲における温度分布を±５℃以内に予め調整しておく。このため、めっき浴槽４４は、少なくともめっき浴４５の温度を測定する多数の温度センサ（図示せず）と、温度センサからの信号が入力される調節装置（図示せず）と、調節装置からの信号によりめっき浴を攪拌する攪拌装置（図示せず）を備えている。
【００３１】
めっき浴浸漬後の極細銅線１２の外周にはＳｎ−Ｃｕ系めっき液が不均一に付着しているため、この極細導線１２を、絞りダイス４７に挿通させ、極細導線１２の外周に付着するＳｎ−Ｃｕ系めっき液の量を均一にし、Ｓｎ−Ｃｕ系めっき層の層厚が０．０５μｍ以上、好ましくは０．５μｍ以上となるように調整する。
【００３２】
その後、極細導線１２の外周に付着したＳｎ−Ｃｕ系めっき液が冷却（空冷）されて凝固することで、極細銅線１２の外周に溶融Ｓｎ−Ｃｕ系めっき層１３，２３を有するＳｎめっき極細銅線１１，２１が得られ、この銅線１１，２１が巻取ボビン４９に巻き取られる。Ｓｎ−Ｃｕ系めっき液を冷却させて凝固させる際、冷却装置４８により、極細銅線１２に冷却空気（図示せず）を吹き付け、強制的に冷却を行ってもよい。これによって、空冷による冷却を行った時と比較して、Ｓｎ−Ｃｕ系めっき層１３，２３に対する極細銅線１２のＣｕ拡散が抑制されることから、Ｓｎめっき極細銅線１１，２１のハンダ濡れ性が更に向上し、延いては、ハンダ付け性が向上する。
【００３３】
ここで、極細銅線１２をめっき浴槽４４内の溶融Ｓｎ−Ｃｕ系めっき浴４５中に浸漬させる際、銅の溶解度が飽和に達しているめっき浴４５の浴温度を低下させると、それに伴って銅の溶解度が低下する。その結果、溶解しきれなくなった余剰の銅が金属間化合物（例えば、Ｃｕ6Ｓｎ5）の形で晶出するようになる。この時、後述する温度条件でめっき浴４５の温度分布の調整を行うことによって、めっき浴４５中に晶出する金属間化合物のサイズを２μｍ以下に制御することができ、このＳｎ−Ｃｕ系めっき浴４５中に極細銅線１２を浸漬することで、Ｓｎ−Ｃｕ系めっき層２３中に、直径が２μｍ以下、好ましくは１μｍ以下のＳｎ−Ｃｕ系金属間化合物２４が均一分散したＳｎめっき極細銅線２１を得ることができる。
【００３４】
溶融Ｓｎ−Ｃｕ系めっき浴４５の、２５０〜３５０℃の温度範囲における温度分布を±５℃以内、好ましくは±３℃以内に調整すると規定したのは、温度分布が±５℃を超えると、めっき浴４５の最も温度が低い部分に粗大な金属間化合物が晶出し、この粗大な金属間化合物がＳｎ−Ｃｕ系めっき層１３，２３に分散することで、Ｓｎめっき極細銅線１１，２１の断線原因となるためである。
【００３５】
【実施例】
（実施例１）
直径がφ０．０３ｍｍの極細銅線をめっき浴槽内の溶融Ｓｎ−Ｃｕ系めっき浴中に浸漬させた後、極細銅線の表面に冷却空気を吹き付け、めっき層厚が０．７μｍ、０．８μｍ、０．７μｍのＳｎめっき極細銅線を作製する（試料１〜３）。この時、溶融Ｓｎ−Ｃｕ系めっき浴のＣｕ濃度は、それぞれ０．５ｍａｓｓ％、０．７ｍａｓｓ％、１．０ｍａｓｓ％に、また、溶融Ｓｎ−Ｃｕ系めっき浴の温度分布は、一律３３０℃±５℃以内に調整した。
【００３６】
（実施例２）
直径がφ０．０３ｍｍの極細銅線をめっき浴槽内の溶融Ｓｎ−Ｃｕ系めっき浴中に浸漬させた後、極細銅線の表面に冷却空気を吹き付け、めっき層厚が共に０．８μｍで、かつ、めっき層中に直径が１．０μｍ以下の微細な金属間化合物が均一分散したＳｎめっき極細銅線を作製する（試料４，５）。この時、溶融Ｓｎ−Ｃｕ系めっき浴のＣｕ濃度は、それぞれ３．０ｍａｓｓ％、５．０ｍａｓｓ％に、また、溶融Ｓｎ−Ｃｕ系めっき浴の温度分布は、一律３１０℃±５℃以内に調整した。
【００３７】
（実施例３）
直径がφ０．０３ｍｍの極細銅線をめっき浴槽内の溶融Ｓｎ−Ｃｕ系めっき浴中に浸漬させた後、極細銅線を自然冷却（空冷）し、めっき層厚が０．５μｍ以上のＳｎめっき極細銅線を作製する（試料６）。この時、溶融Ｓｎ−Ｃｕ系めっき浴のＣｕ濃度は、３．０ｍａｓｓ％に、また、溶融Ｓｎ−Ｃｕ系めっき浴の温度分布は、３３０℃±５℃以内に調整した。
【００３８】
（比較例１）
直径がφ０．０３ｍｍの極細銅線をめっき浴槽内の溶融Ｓｎ−Ｃｕ系めっき浴中に浸漬させた後、極細銅線の表面に冷却空気を吹き付け、めっき層厚が０．７μｍ、０．８μｍのＳｎめっき極細銅線を作製する（試料７，８）。この時、溶融Ｓｎ−Ｃｕ系めっき浴のＣｕ濃度は、それぞれ０．１ｍａｓｓ％、１０．０ｍａｓｓ％に、また、溶融Ｓｎ−Ｃｕ系めっき浴の温度分布は、一律３５０℃±５℃以内に調整した。
【００３９】
（比較例２）
直径がφ０．０３ｍｍの極細銅線をめっき浴槽内の溶融Ｓｎ−Ｃｕ系めっき浴中に浸漬させた後、極細銅線の表面に空気を吹き付け、めっき層厚が０．０４μｍ、０．０３μｍのＳｎめっき極細銅線を作製する（試料９，１０）。この時、溶融Ｓｎ−Ｃｕ系めっき浴のＣｕ濃度は、それぞれ１．０ｍａｓｓ％、３．０ｍａｓｓ％に、また、溶融Ｓｎ−Ｃｕ系めっき浴の温度分布は、一律３５０℃±５℃以内に調整した。
【００４０】
（比較例３）
直径がφ０．０３ｍｍの極細銅線をめっき浴槽内の溶融Ｓｎ−Ｃｕ系めっき浴中に浸漬させた後、極細銅線の表面に空気を吹き付け、めっき層厚が０．８μｍのＳｎめっき極細銅線を作製する（試料１１）。この時、溶融Ｓｎ−Ｃｕ系めっき浴のＣｕ濃度は、５．０ｍａｓｓ％に、また、溶融Ｓｎ−Ｃｕ系めっき浴の温度分布は、２４０℃±５℃以内に調整した。
【００４１】
試料１〜１１の諸元（Ｓｎ−Ｃｕ系めっき層のＣｕ濃度（mass％）、めっき浴温度（℃）、Ｓｎ−Ｃｕ系めっき層の層厚（μｍ）、冷却過程）を表１に示す。ここで、Ｓｎ−Ｃｕ系めっき層の層厚の測定は、コクール法（JIS8610-8619）により行った。
【００４２】
【表１】
0004296733.tif 000002
【００４３】
次に、各試料の表面状態の評価を行った。その評価結果を表２に示す。ここで、表面状態の評価は、電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて行った。
【００４４】
【表２】
0004296733.tif 000003
【００４５】
表２に示すように、試料１〜７の表面状態はいずれも良好であった。また、試料１〜３，７の試料は、Ｓｎ−Ｃｕ系めっき層の表面が平滑であったが、試料４〜６のＳｎ−Ｃｕ系めっき層の表面には、直径１μｍ以下の微細な金属間化合物（Ｃｕ6Ｓｎ5）が認められた。
【００４６】
これに対して、試料８，１１の表面状態はいずれも不良であった。これは、試料８については、Ｓｎ−Ｃｕ系めっき層のＣｕ濃度が規定範囲よりも高く、試料１１については、めっき浴温度が規定範囲よりも低いことから、めっき浴中に溶解できない余剰の銅が金属間化合物として晶出し、Ｓｎ−Ｃｕ系めっき層に、直径約３μｍの粗大な針状金属間化合物（Ｃｕ6Ｓｎ5）が分散していることに起因する。
【００４７】
また、試料９，１０の表面状態はいずれも不良であった。これは、Ｓｎ−Ｃｕ系めっき層の層厚が規定範囲よりも薄いことから、Ｓｎめっき極細銅線の表面全体に、極細銅線表面のＣｕとＳｎが反応して形成される金属間化合物層が露出し、Ｓｎめっき極細銅線の表面が凹凸であることに起因する。
【００４８】
次に、各試料を、７本ずつ、ピッチ３．３ｍｍで同心撚りして、１０，０００ｍの長さの撚線を製造する。この時の、各撚線の表面状態、めっきカスの発生状況、ハンダ付性の評価を行った。その評価結果を表３に示す。ここで、めっきカスの発生状況は、撚線機のニップル部に堆積するめっきカスの量で評価を行った。また、ハンダ付性は、撚線を共晶ハンダ浴に浸漬させた際の、濡れ面積の大小で評価を行った。
【００４９】
【表３】
0004296733.tif 000004
【００５０】
表３に示すように、試料１〜６を用いた撚線の表面状態はいずれも良好であった。また、めっきカスの発生は、撚線作業上、問題がなかった。即ち、撚線工程中、めっきカスによる断線はなかった。特に、試料３〜６は、撚線時に発生するめっきカスの量が非常に少なかった。さらに、ハンダ付性は、試料６を用いた撚線がやや良である以外は、大変良好又は良好であった。
【００５１】
これに対して、試料７を用いた撚線は、撚線の表面状態は良好（平滑）であり、また、ハンダ付性も大変良好であるものの、撚線時にめっきカスが多量に発生し、断線が生じた。これは、試料７のＳｎ−Ｃｕ系めっき層のＣｕ濃度が規定範囲よりも低いことから、Ｓｎ−Ｃｕ系めっき層の硬度が純Ｓｎめっき層の硬度とあまり変わりがなく、硬度不足であったことに起因する。
【００５２】
また、試料８〜１１を用いた撚線は、撚線時に発生するめっきカスの量は非常に少なかったものの、撚線の表面に微細な亀裂が認められ、表面状態が不良であった。この亀裂は、金属間化合物（又は金属間化合物層）とＳｎ−Ｃｕ系めっき層の界面に生じていた。つまり、試料８〜１１においては、Ｓｎ−Ｃｕ系めっき層に分散する金属間化合物が粗大である（試料８，１１）又はＳｎ−Ｃｕ系めっき層に金属間化合物層が露出している（試料９，１０）ことから、撚線時に各試料の表面に負荷された曲げ歪みを、Ｓｎ−Ｃｕ系めっき層が吸収できず、亀裂が生じたと考えられる。さらに、試料８〜１１を用いた撚線は、Ｓｎ−Ｃｕ系めっき層に分散する金属間化合物が粗大であったり、Ｓｎ−Ｃｕ系めっき層に金属間化合物層が露出しているため、ハンダ付性が悪かった。
【００５３】
以上、本発明の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、他にも種々のものが想定されることは言うまでもない。
【００５４】
【発明の効果】
以上要するに本発明によれば、次のような優れた効果を発揮する。
（１）  めっき層の層硬度が十分に高いＳｎめっき極細銅線が得られる。
（２）  撚線が容易で、ハンダ付け性が良好なＳｎめっき極細銅撚線が得られる。
（３）  撚線性およびハンダ付性が良好なめっき極細銅線を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態に係るＳｎめっき極細銅線の断面図である。
【図２】第２の実施の形態に係るＳｎめっき極細銅線の断面図である。
【図３】本発明に係るＳｎめっき極細銅線を用いた撚線の断面図である。
【図４】Ｓｎめっき極細銅線の製造装置の概略図である。
【符号の説明】
１１，２１  Ｓｎめっき極細銅線
１２  極細銅線
１３，２３  Ｓｎ−Ｃｕ系めっき層（Sn-0.2〜7.0mass％Cu系めっき層）
２４  Ｓｎ−Ｃｕ系金属間化合物
３１  撚線
４４  めっき浴槽
４５  溶融Ｓｎ−Ｃｕ系めっき浴
【図１】
0004296733.tif 000005
【図２】
0004296733.tif 000006
【図３】
0004296733.tif 000007
【図４】
0004296733.tif 000008