(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）
【化１】
0004222493.tif 000021
［式中、Ｒaは水素原子又は炭化水素基、Ｒbは隣接する炭素原子との結合部位に少なくとも１つの水素原子が結合した炭素原子を有する炭化水素基を示し、Ｒc、Ｒd、Ｒeは、同一又は異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシメチル基、保護基で保護されていてもよいアミノ基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基、ニトロ基、アシル基、又は下記式（２）
【化２】
0004222493.tif 000022
（式中、Ｒa、Ｒbは前記に同じ）
で表される基を示す。アダマンタン骨格を構成する炭素原子のうち橋頭位以外の炭素原子は置換基としてオキソ基、アルキル基、アシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、アシルオキシ基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基、保護基で保護されていてもよいアミノ基、ハロゲン原子、シアノ基を有していてもよい。但し、（ａ）Ｒaが水素原子又はメチル基でありＲbがメチル基である場合には、アダマンタン骨格を構成する少なくとも１つの炭素原子に、保護基で保護されたヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシメチル基、保護基で保護されていてもよいアミノ基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基、ニトロ基、アシル基、又は上記式（２）で表される基が結合しており、（ｂ）Ｒa及びＲbのうち何れか一方がメチル基であり他方がエチル基である場合には、アダマンタン環に式（１）中に示されるＨＯ−Ｃ（Ｒa）（Ｒb）−基のほかに少なくとも１つの置換基が結合している］
で表され、アダマンタン骨格を構成する少なくとも１つの炭素原子に保護基で保護されたヒドロキシル基が結合しているアダマンタンメタノール誘導体。
【請求項２】
Ｒbが隣接する炭素原子との結合部位にメチン炭素原子を有する炭化水素基である請求の範囲第１項記載のアダマンタンメタノール誘導体。
【請求項３】
Ｒa、Ｒbが、同一又は異なって、Ｃ2-10アルキル基又は３〜８員シクロアルキル基である請求の範囲第１項記載のアダマンタンメタノール誘導体。
【請求項４】
ＲaとＲbとが同一の炭化水素基である請求の範囲第１項記載のアダマンタンメタノール誘導体。
【請求項５】
下記式（1c）
【化３】
0004222493.tif 000023
［式中、Ｒaは水素原子又は炭化水素基、Ｒbは隣接する炭素原子との結合部位に少なくとも１つの水素原子が結合した炭素原子を有する炭化水素基を示し、Ｒdは保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、Ｒeは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシメチル基、保護基で保護されていてもよいアミノ基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基、ニトロ基、アシル基、又は下記式（２）
【化４】
0004222493.tif 000024
（式中、Ｒa、Ｒbは前記に同じ）
で表される基を示す］
で表されるアダマンタンメタノール誘導体。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、感光性樹脂などの機能性高分子のモノマー又はその原料などとして有用な新規なアダマンタンメタノール誘導体、及びその製造法に関する。
背景技術
ヒドロキシメチル基を有する脂環式化合物は、レジスト用樹脂のモノマー又はその原料、及び医薬品中間体等として利用されており、最近注目されている。
しかし、ヒドロキシル基に隣接する炭素原子に、前記炭素原子との結合部位にメチン炭素原子を有する炭化水素基が結合したアダマンタンメタノール誘導体や、アダマンタン環に保護基で保護されたヒドロキシル基を有するアダマンタンメタノール誘導体など、及びそれらの製造法は知られていない。
発明の開示
従って、本発明の目的は、ヒドロキシル基に隣接する炭素原子に、該炭素原子との結合部位にメチン炭素原子を有する炭化水素基が結合したアダマンタンメタノール誘導体や、アダマンタン環に保護基で保護されたヒドロキシル基を有するアダマンタンメタノール誘導体などの新規なアダマンタンメタノール誘導体とその製造法を提供することにある。
本発明者らは、前記目的を達成するため鋭意検討した結果、１−アシルアダマンタン誘導体や１−アダマンタンカルボン酸誘導体に有機金属化合物を作用させると、ヒドロキシル基に隣接する炭素原子（α位炭素原子）に特定の置換基が導入された新規なアダマンタンメタノール誘導体が得られることを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は、下記式（１）
【化５】
0004222493.tif 000002
［式中、Ｒaは水素原子又は炭化水素基、Ｒbは隣接する炭素原子との結合部位に少なくとも１つの水素原子が結合した炭素原子を有する炭化水素基を示し、Ｒc、Ｒd、Ｒeは、同一又は異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシメチル基、保護基で保護されていてもよいアミノ基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基、ニトロ基、アシル基、又は下記式（２）
【化６】
0004222493.tif 000003
（式中、Ｒa、Ｒbは前記に同じ）
で表される基を示す。アダマンタン骨格を構成する炭素原子のうち橋頭位以外の炭素原子は置換基としてオキソ基、アルキル基、アシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、アシルオキシ基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基、保護基で保護されていてもよいアミノ基、ハロゲン原子、シアノ基を有していてもよい。但し、（ａ）Ｒaが水素原子又はメチル基でありＲbがメチル基である場合には、アダマンタン骨格を構成する少なくとも１つの炭素原子に保護基で保護されたヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシメチル基、保護基で保護されていてもよいアミノ基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基、ニトロ基、アシル基、又は上記式（２）で表される基が結合しており、（ｂ）Ｒa及びＲbのうち何れか一方がメチル基であり他方がエチル基である場合には、アダマンタン環に式（１）中に示されるＨＯ−Ｃ（Ｒa）（Ｒb）−基のほかに少なくとも１つの置換基が結合している］で表され、アダマンタン骨格を構成する少なくとも１つの炭素原子に保護基で保護されたヒドロキシル基が結合しているアダマンタンメタノール誘導体を提供する。
前記式（１）において、Ｒbは隣接する炭素原子との結合部位にメチン炭素原子を有する炭化水素基であってもよい。また、Ｒa、Ｒbが、同一又は異なって、Ｃ2-10アルキル基又は３〜８員シクロアルキル基であってもよく、ＲaとＲbとが同一の炭化水素基であってもよい。さらに、アダマンタン骨格を構成する少なくとも１つの炭素原子に保護基で保護されたヒドロキシル基が結合していてもよい。
本発明は、また、下記式（1c）
【化７】
0004222493.tif 000004
［式中、Ｒaは水素原子又は炭化水素基、Ｒbは隣接する炭素原子との結合部位に少なくとも１つの水素原子が結合した炭素原子を有する炭化水素基を示し、Ｒdは保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、Ｒeは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシメチル基、保護基で保護されていてもよいアミノ基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基、ニトロ基、アシル基、又は下記式（２）
【化８】
0004222493.tif 000005
（式中、Ｒa、Ｒbは前記に同じ）
で表される基を示す］
で表されるアダマンタンメタノール誘導体を提供する。
前記式（１）で表されるアダマンタンメタノール誘導体は、下記式（３）
【化９】
0004222493.tif 000006
で表されるアダマンタン誘導体と、下記式（４）
Ｒy−Ｍ              （４）
で表される有機金属化合物とを反応させる製造法で製造される（以下、製造法１と称する場合がある）。
前記式（３）及び式（４）において、Ｒx、Ｒyは前記Ｒa又はＲbを示し、ＲxがＲaの場合には、ＲyはＲbであり、ＲxがＲbの場合には、ＲyはＲaである。Ｒc1、Ｒd1、Ｒe1は、同一又は異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシメチル基、保護基で保護されていてもよいアミノ基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基、ニトロ基、又はアシル基を示し、アダマンタン骨格を構成する炭素原子のうち橋頭位以外の炭素原子は置換基を有していてもよい。但し、（ａ）Ｒx、Ｒyが共にメチル基、又は一方が水素原子で他方がメチル基である場合には、アダマンタン骨格を構成する少なくとも１つの炭素原子に保護基で保護されたヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシメチル基、保護基で保護されていてもよいアミノ基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基、ニトロ基、アシル基、又は上記式（２）で表される基が結合しており、（ｂ）Ｒx及びＲyのうち何れか一方がメチル基であり他方がエチル基である場合には、アダマンタン環に式（３）中に示されるＲxＣ（＝Ｏ）−基のほかに少なくとも１つの置換基が結合している。Ｍは、配位子を有していてもよい金属原子、又は下記式（５）
−ＭｇＹ            （５）
（式中、Ｙはハロゲン原子を示す）
で表される基を示す。
さらに、下記式（12a）
【化１０】
0004222493.tif 000007
（式中、ＲZ1は水素原子又は置換基を有していてもよい炭化水素基を示し、Ｒd1、Ｒe1は、同一又は異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシメチル基、保護基で保護されていてもよいアミノ基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基、ニトロ基、又はアシル基を示す。アダマンタン骨格を構成する炭素原子のうち橋頭位以外の炭素原子は置換基を有していてもよい）で表されるヒドロキシアダマンタンカルボン酸誘導体を保護基導入反応に付して、下記式（12b）
【化１１】
0004222493.tif 000008
（式中、ＲZ2は水素原子又は置換基を有していてもよい炭化水素基を示し、ＲPはヒドロキシル基の保護基を示す。Ｒd1、Ｒe1は前記に同じ。アダマンタン骨格を構成する炭素原子のうち橋頭位以外の炭素原子は置換基を有していてもよい）
で表される化合物を得、次いで、この化合物と、下記式（4a）
Ｒa1−Ｍ              （4a）
［式中、Ｒa1は隣接するＭとの結合部位に少なくとも１つの水素原子が結合した炭素原子を有する炭化水素基を示す。Ｍは、配位子を有していてもよい金属原子、又は下記式（５）
−ＭｇＹ            （５）
（式中、Ｙはハロゲン原子を示す）
で表される基を示す］
で表される有機金属化合物とを反応させて、下記式（1b）
【化１２】
0004222493.tif 000009
［式中、Ｒa1、ＲPは前記に同じ。Ｒd、Ｒeは、同一又は異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシメチル基、保護基で保護されていてもよいアミノ基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基、ニトロ基、アシル基、又は下記式（2a）
【化１３】
0004222493.tif 000010
（式中、Ｒa1は前記に同じ）
で表される基を示す。アダマンタン骨格を構成する炭素原子のうち橋頭位以外の炭素原子は置換基を有していてもよい］
で表される化合物を得ることができる（以下、製造法２と称する場合がある）。
なお、本明細書において、「保護基で保護された基」とは、被保護基（遊離の官能基）から誘導可能で且つ前記被保護基の主要部を含む基を意味する。
発明を実施するための最良の形態
［アダマンタンメタノール誘導体］
前記式（１）中、Ｒaにおける炭化水素基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、１−メチルブチル、１−エチルプロピル、ヘキシル、イソヘキシル、１−メチルペンチル、１−エチルブチル、１−メチルヘキシル、１−エチルペンチル、１−プロピルブチル、オクチル、イソオクチル、１−メチルヘプチル、１−エチルヘキシル、１−プロピルペンチル、ノニル、イソノニル、１−メチルオクチル、デシル、１−メチルノニル、テトラデシル、ヘキサデシル、オクタデシル、アリル、プロピニル基などの炭素数１〜２０（好ましくは１〜１０、特に１〜６）程度の直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族炭化水素基（アルキル基、アルケニル基及びアルキニル基）；シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘキセニル、シクロオクチル基などの炭素数３〜８程度の脂環式炭化水素基（シクロアルキル基及びシクロアルケニル基）；フェニル、ナフチル基などの炭素数６〜１４程度の芳香族炭化水素基（アリール基）などが挙げられる。これらの炭化水素基は、置換基を有していてもよい。
好ましいＲaには、水素原子、炭素数１〜１０（特に１〜６）程度のアルキル基、３〜８員シクロアルキル基などが含まれる。なかでも、Ｒaとして、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル基などの炭素数１〜５程度のアルキル基や隣接する炭素原子との結合部位にメチン炭素原子を有する炭化水素基（例えば、イソプロピル、ｓ−ブチル、１−メチルブチル、１−エチルプロピル基などの、隣接する炭素原子との結合部位にメチン炭素原子を有する炭素数３〜１０（特に３〜６）程度のアルキル基；シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル基などの３〜８員シクロアルキル基など）などが好ましい。Ｒaとしては、水素原子又は炭素数１〜４程度のアルキル基、特にメチル基又はエチル基である場合が多い。
前記Ｒbにおける「隣接する炭素原子との結合部位に少なくとも１つの水素原子が結合した炭素原子を有する炭化水素基」には、隣接する炭素原子との結合部位にメチン炭素原子又はメチレン炭素原子を有する炭化水素基、及びメチル基が含まれる。前記隣接する炭素原子との結合部位にメチン炭素原子を有する炭化水素基には、下記式（６）
【化１４】
0004222493.tif 000011
（式中、Ｒf及びＲgは、同一又は異なって、炭化水素基を示す。Ｒf及びＲgは、隣接するメチン炭素原子と共に環を形成していてもよい）
で表される基が含まれる。
Ｒf、Ｒgにおける炭化水素基としては、上記Ｒaにおける炭化水素基と同様の基が例示できる。Ｒf、Ｒgとして、好ましい炭化水素基には、炭素数１〜９（特に１〜４）程度のアルキル基、３〜８員のシクロアルキル基、炭素数６〜１４程度の芳香族炭化水素基などが含まれる。なかでも、メチル、エチル、プロピル、ブチル基などの炭素数１〜４のアルキル基が好ましい。
Ｒf及びＲgが、隣接するメチン炭素原子と共に形成する環としては、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロオクチル基などの３〜８員シクロアルキル基；シクロペンテニル、シクロヘキセニル基などの炭素数３〜８員シクロアルケニル基などが挙げられる。
前記Ｒbにおける「隣接する炭素原子との結合部位にメチン炭素原子を有する炭化水素基」の代表例として、例えば、イソプロピル、ｓ−ブチル、１−メチルブチル、１−エチルプロピル、１−メチルペンチル、１−エチルブチル、１−メチルヘキシル、１−エチルペンチル、１−プロピルブチル、１−メチルヘプチル、１−エチルヘキシル、１−プロピルペンチル、１−メチルオクチル、１−メチルノニルなどの、隣接する炭素原子との結合部位にメチン炭素原子を有する３〜１０（好ましくは３〜６、特に３〜４）程度のアルキル基；前記３〜８員シクロアルキル基などが挙げられる。
前記Ｒbにおける「隣接する炭素原子との結合部位にメチレン炭素原子を有する炭化水素基」には、例えば、エチル、プロピル、ブチル、イソブチル、ペンチル、イソペンチル、ヘキシル、イソヘキシル、オクチル、イソオクチル、ペンテニル、ヘキセニル、ヘキシニル基などの炭素数２〜１０（例えば、３〜１０）程度のアルキル基、アルケニル基又はアルキニル基（特に、アルキル基）が含まれる。
前記Ｒc、Ｒd、Ｒeにおけるハロゲン原子には、フッ素、塩素、臭素原子などが含まれる。また、アルキル基には、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、オクチル、デシル基などの炭素数１〜１０、好ましくは炭素数１〜６、さらに好ましくは炭素数１〜４程度のアルキル基が含まれる。特に好ましいアルキル基として、メチル基及びエチル基、とりわけメチル基が挙げられる。
Ｒc、Ｒd、Ｒeにおけるヒドロキシル基及びヒドロキシメチル基の保護基としては、慣用の保護基、例えば、アルキル基（例えば、メチル、ｔ−ブチル基などのＣ1-4アルキル基など）、アルケニル基（例えば、アリル基など）、シクロアルキル基（例えば、シクロヘキシル基など）、アリール基（例えば、２，４−ジニトロフェニル基など）、アラルキル基（例えば、ベンジル、２，６−ジクロロベンジル、３−ブロモベンジル、２−ニトロベンジル、トリフェニルメチル基など）；置換メチル基（例えば、メトキシメチル、メチルチオメチル、ベンジルオキシメチル、ｔ−ブトキシメチル、２−メトキシエトキシメチル、２，２，２−トリクロロエトキシメチル、ビス（２−クロロエトキシ）メチル、２−（トリメチルシリル）エトキシメチル基など）、置換エチル基（例えば、１−エトキシエチル、１−メチル−１−メトキシエチル、１−イソプロポキシエチル、２，２，２−トリクロロエチル基など）、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、１−ヒドロキシアルキル基（例えば、１−ヒドロキシエチル、１−ヒドロキシヘキシル、１−ヒドロキシデシル、１−ヒドロキシヘキサデシル基など）等のヒドロキシル基とアセタール又はヘミアセタール基を形成可能な基など；アシル基（例えば、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、ピバロイル基などのＣ1-6脂肪族アシル基；アセトアセチル基；ベンゾイル、ナフトイル基などの芳香族アシル基など）、アルコキシカルボニル基（例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル基などのＣ1-4アルコキシ−カルボニル基など）、アラルキルオキシカルボニル基（例えば、ベンジルオキシカルボニル基、ｐ−メトキシベンジルオキシカルボニル基など）、置換又は無置換カルバモイル基（例えば、カルバモイル、メチルカルバモイル、フェニルカルバモイル基など）、ジアルキルホスフィノチオイル基（例えば、ジメチルホスフィノチオイル基など）、ジアリールホスフィノチオイル基（例えば、ジフェニルホスフィノチオイル基など）、置換シリル基（例えば、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、トリベンジルシリル、トリフェニルシリル基など）など、及び、分子内にヒドロキシル基（ヒドロキシメチル基を含む）が２以上存在するときには、置換基を有していてもよい２価の炭化水素基（メチレン、エチリデン、イソプロピリデン、シクロペンチリデン、シクロヘキシリデン、ベンジリデン基など）などが例示できる。好ましいヒドロキシル基の保護基には、Ｃ1-4アルキル基；置換メチル基、置換エチル基、１−ヒドロキシアルキル基などのヒドロキシル基とアセタール又はヘミアセタール基を形成可能な基；アシル基、Ｃ1-4アルコキシ−カルボニル基、置換又は無置換カルバモイル基、置換シリル基、置換基を有していてもよい２価の炭化水素基などが含まれる。
Ｒc、Ｒd、Ｒeにおけるアミノ基の保護基としては、前記ヒドロキシル基の保護基として例示したアルキル基、アラルキル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、ジアルキルホソフィノチオイル基、ジアリールホスフィノチオイル基などが挙げられる。好ましいアミノ基の保護基には、Ｃ1-4アルキル基、Ｃ1-6脂肪族アシル基、芳香族アシル基、Ｃ1-4アルコキシーカルボニル基などが含まれる。
Ｒc、Ｒd、Ｒeにおけるカルボキシル基の保護基としては、例えば、アルコキシ基（例えば、メトキシ、エトキシ、ブトキシなどのＣ1-6アルコキシ基など）、シクロアルキルオキシ基、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基など）、アラルキルオキシ基（例えば、ベンジルオキシ基など）、トリアルキルシリルオキシ基（例えば、トリメチルシリルオキシ基など）、置換基を有していてもよいアミノ基（例えば、アミノ基；メチルアミノ基、ジメチルアミノ基などのモノ又はジＣ1-6アルキルアミノ基など）、ヒドラジノ基、アルコキシカルボニルヒドラジノ基、アラルキルオキシカルボニルヒドラジノ基などが含まれる。好ましいカルボキシル基の保護基としては、Ｃ1-6アルコキシ基（特に、Ｃ1-4アルコキシ基）、モノ又はジＣ1-6アルキルアミノ基（特に、モノ又はジＣ1-4アルキルアミノ基）などが挙げられる。
Ｒc、Ｒd、Ｒeにおけるアシル基としては、Ｃ2-5飽和脂肪族アシル基（例えば、アセチル、プロピオニル、ブチリル基など）、シクロアルキルカルボニル基（例えば、シクロペンチルカルボニル、シクロヘキシルカルボノル基など）、アリールカルボニル基（例えば、ベンゾイル基など）などが挙げられる。これらのなかでも、アセチル基及びプロピオニル基、特にアセチル基が好ましい。
前記式（２）で表される基におけるＲa、Ｒbは、前記式（１）におけるＲa、Ｒbと同様である。
好ましいＲc、Ｒd、Ｒeには、水素原子、Ｃ1-4アルキル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシメチル基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基などが含まれる。
式（１）で表される化合物［後述の式（1b）、（３）、（８）、（11）、（12a）及び（12b）で表される化合物も同様］において、アダマンタン骨格を構成する炭素原子のうち橋頭位以外の炭素原子（式中、メチレン基を形成している炭素原子）が有していてもよい置換基としては、例えば、オキソ基、アルキル基（メチル基などのＣ1-4アルキル基など）、アシル基（アセチル基などのＣ2-5脂肪族アシル基、ベンゾイル基などのアリールカルボニル基など）、前記のような保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基［例えば、ヒドロキシ基、アルコキシ基（メトキシ基などのＣ1-4アルコキシ基、置換メチルオキシ基、置換エチルオキシ基など）、アシルオキシ基（アセトキシなどのＣ2-6脂肪族アシルオキシ基、アセトアセチルオキシ基、ベンゾイルオキシ基などのアリールカルボニルオキシ基など）など］、前記のような保護基で保護されていてもよいカルボキシル基［例えば、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基（メトキシカルボニル、エトキシカルボニル基などのＣ1-4アルコキシ−カルボニル基など）など］、前記のような保護基で保護されていてもよいアミノ基、ハロゲン原子（フッ素、塩素、臭素原子など）、シアノ基などが挙げられる。
なお、本発明の化合物において、前記Ｒaが水素原子又はメチル基でありＲbがメチル基である場合には、アダマンタン骨格を構成する少なくとも１つの炭素原子に保護基で保護されたヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシメチル基、保護基で保護されていてもよいアミノ基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基、ニトロ基、アシル基、又は前記式（２）で表される基が結合してが結合している。また、前記Ｒa及びＲbのうち何れか一方がメチル基であり他方がエチル基である場合には、アダマンタン環に式（１）中に示されるＨＯ−Ｃ（Ｒa）（Ｒb）−基（以下、「Ｃ−置換ヒドロキシメチル基」と称することがある）の他に少なくとも１つの置換基が結合している。
本発明の化合物において、同一分子内に前記Ｃ−置換ヒドロキシメチル基を複数有する場合、それらは同一の基であってもよく、異なる基であってもよい。
本発明における式（１）で表されるアダマンタンメタノール誘導体は、アダマンタン骨格を構成する少なくとも１つの炭素原子に、保護基で保護されたヒドロキシル基が結合している。例えば、Ｒc、Ｒd、Ｒeのうち少なくとも１つが保護基で保護されたヒドロキシル基である。本発明において、好ましいアダマンタンメタノール誘導体には、式（１）において、
（ａ）Ｒbが隣接する炭素原子との結合部位にメチン炭素原子を有する炭化水素基である化合物［例えば、Ｒaが水素原子、Ｃ1-10アルキル基（好ましくはＣ1-6アルキル基、特にＣ1-4アルキル基）又は３〜８員シクロアルキル基であり、Ｒbが隣接する炭素原子との結合部位にメチン炭素原子を有するＣ3-10アルキル基（好ましくはＣ3-6アルキル基、特にＣ3-4アルキル基）又は３〜８員シクロアルキル基である化合物］、
（ｂ）Ｒa、Ｒbが、それぞれＣ2-10アルキル基（好ましくはＣ2-6アルキル基、特に、少なくとも一方がＣ3-6アルキル基）又は３〜８員シクロアルキル基である化合物、
（ｃ）ＲaとＲbとが同一の炭化水素基である化合物［中でも、ＲaとＲbとが、共にＣ1-10アルキル基（好ましくはＣ1-6アルキル基、特にＣ1-4アルキル基）又は３〜８員シクロアルキル基である化合物］などが含まれる。
本発明における式（1c）で表されるアダマンタンメタノール誘導体は、Ｒdが保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基である化合物である。本発明において、好ましいアダマンタンメタノール誘導体には、式（1c）において、
（ｄ）Ｒa、Ｒbが、それぞれＣ1-10アルキル基（好ましくはＣ1-6アルキル基、さらに好ましくはＣ1-3アルキル基、特にＣ1-2アルキル基）又は３〜８員シクロアルキル基である化合物］、
（ｅ）Ｒc、Ｒd、Ｒeのうち少なくとも２つが、同一又は異なって、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基及び前記式（２）で表される基から選択された基である化合物［中でも、Ｒa、Ｒbが、それぞれＣ1-10アルキル基（好ましくはＣ1-6アルキル基、さらに好ましくはＣ1-3アルキル基、特にＣ1-2アルキル基）又は３〜８員シクロアルキル基である化合物］などが含まれる。
式（１）で表される化合物の代表的な例として、α，α−ジメチル−３−（２−メトキシエトキシメトキシ）−１−アダマンタンメタノール、α，α−ジメチル−３−メトキシメトキシ−１−アダマンタンメタノール、α，α−ジメチル−３−メチルチオメトキシ−１−アダマンタンメタノール、α，α−ジメチル−３−［２−（トリメチルシリル）エトキシメトキシ］−１−アダマンタンメタノール、α，α−ジメチル−３−メトキシ−１−アダマンタンメタノール、３−アセチルオキシ−α，α−ジメチル−１−アダマンタンメタノール、３−アセトアセチルオキシ−α，α−ジメチル−１−アダマンタンメタノール、α，α−ジエチル−３−（２−メトキシエトキシメトキシ）−１−アダマンタンメタノール、α，α−ジエチル−３−メトキシメトキシ−１−アダマンタンメタノール、α，α−ジエチル−３−メチルチオメトキシ−１−アダマンタンメタノール、α，α−ジエチル−３−［２−（トリメチルシリル）エトキシメトキシ］−１−アダマンタンメタノール、α，α−ジエチル−３−メトキシ−１−アダマンタンメタノール、３−アセチルオキシ−α，α−ジエチル−１−アダマンタンメタノール、３−アセトアセチルオキシ−α，α−ジエチル−１−アダマンタンメタノール、式（1c）で表される化合物の代表的な例として、５−ヒドロキシ−α，α，α′，α′−テトラメチル−１，３−アダマンタンジメタノール、５−（２−メトキシエトキシメトキシ）−α，α，α′，α′−テトラメチル−１，３−アダマンタンジメタノール、５−メトキシメトキシ−α，α，α′，α′−テトラメチル−１，３−アダマンタンジメタノール、５−メチルチオメトキシ−α，α，α′，α′−テトラメチル−１，３−アダマンタンジメタノール、５−［２−（トリメチルシリル）エトキシメトキシ］−α，α，α′，α′−テトラメチル−１，３−アダマンタンジメタノール、５−メトキシ−α，α，α′，α′−テトラメチル−１，３−アダマンタンジメタノール、５−アセチルオキシ−α，α，α′，α′−テトラメチル−１，３−アダマンタンジメタノール、５−アセトアセチルオキシ−α，α，α′，α′−テトラメチル−１，３−アダマンタンジメタノール、５−ヒドロキシ−α，α，α′，α′−テトラエチル−１，３−アダマンタンジメタノール、５−（２−メトキシエトキシメトキシ）−α，α，α′，α′−テトラエチル−１，３−アダマンタンジメタノール、５−メトキシメトキシ−α，α，α′，α′−テトラエチル−１，３−アダマンタンジメタノール、５−メチルチオメトキシ−α，α，α′，α′−テトラエチル−１，３−アダマンタンジメタノール、５−［２−（トリメチルシリル）エトキシメトキシ］−α，α，α′，α′−テトラエチル−１，３−アダマンタンジメタノール、５−メトキシ−α，α，α′，α′−テトラエチル−１，３−アダマンタンジメタノール、５−アセチルオキシ−α，α，α′，α′−テトラエチル−１，３−アダマンタンジメタノール、５−アセトアセチルオキシ−α，α，α′，α′−テトラエチル−１，３−アダマンタンジメタノール、５，７−ジヒドロキシ−α，α，α′，α′−テトラメチル−１，３−アダマンタンジメタノール、７−ヒドロキシ−α，α，α′，α′，α′′，α′′−ヘキサメチル−１，３，５−ア���マンタントリメタノール、α，α，α′，α′，α′′，α′′，α′′′，α′′′−オクタメチル−１，３，５，７−アダマンタンテトラメタノールなどが挙げられる。
本発明のアダマンタンメタノール誘導体のうち、ヒドロキシル基に隣接する炭素原子（α位炭素原子）に特定の置換基、すなわち、前記α位炭素原子との結合部位にメチン炭素原子を有する炭化水素基、又はある程度の鎖長を有する炭化水素基が結合しているものは、例えば、カルボン酸（例えばアクリル酸など）のエステル体に誘導した場合、それ自体はアルカリ不溶性であるが、酸によって極めて容易に分解し、アルカリ可溶性を示すカルボン酸を生成させる。このため、上記の化合物は、例えば、レジスト用樹脂の単量体又はその原料としての利用が期待できる。
なお、これらの化合物と、公知化合物であるα，α−ジメチル−１−アダマンタンメタノールとを、それぞれカルボン酸のエステル体に誘導した場合、酸による分解性は大きく相違する。このことは、α位に、前記α位炭素と隣接する炭素原子に水素原子が結合した炭化水素基を有するアダマンタンメタノール誘導体の脱水生成物に相当するビニルアダマンタン誘導体の生成熱の違いから推測できる。すなわち、ビニルアダマンタン誘導体の生成熱が小さいほど、対応するアダマンタンメタノール誘導体のエステル体の分解が容易であると予測される。例えば、α−メチル−１−アダマンタンメタノールに対応するビニルアダマンタン誘導体である１−ビニルアダマンタンの生成熱は６．３ｋｃａｌ／ｍｏｌ、α，α−ジメチル−１−アダマンタンメタノールに対応する１−イソプロペニルアダマンタンの生成熱は−３．０ｋｃａｌ／ｍｏｌであるのに対し、α−イソプロピル−α−メチル−１−アダマンタンメタノールに対応する１，２−ジメチル−１−プロペニルアダマンタンの生成熱、及びα−ｓ−ブチル−α−メチル−１−アダマンタンメタノールに対応する１，２−ジメチル−１−プテニルアダマンタンの生成熱は、それぞれ、−９．０ｋｃａｌ／ｍｏｌ及び−７．０ｋｃａｌ／ｍｏｌであり、前２者と比較して極めて小さい。すなわち、α−イソプロピル−α−メチル−１−アダマンタンメタノールのエステル体、及びα−ｓ−ブチル−α−メチル−１−アダマンタンメタノールのエステル体は、α−メチル−１−アダマンタンメタノールやα，α−ジメチル−１−アダマンタンメタノールのエステル体と比較して、極めて容易に分解（脱カルボン酸）されると推測される。なお、上記の生成熱は、生成熱の計算ソフト「ＭＯＰＡＣ  ＰＭ−３」を用いて得られた値である。
また、本発明に係るアダマンタンメタノール誘導体のように、アダマンタン骨格を構成する少なくとも１つの炭素原子（例えば、３位、５位又は７位の橋頭位炭素原子など）に保護基で保護されたヒドロキシル基が結合しているアダマンタンメタノール誘導体では、例えば前記のように、カルボン酸（例えばアクリル酸など）のエステル体に誘導し、ポリマーとした場合、（ｉ）前記保護基を適当に選択することにより、親水性や基板等に対する密着性などの特性を向上、調整できる、（ii）重合時に、例えば遊離のヒドロキシル基が結合している化合物などと比較して、副反応を抑制でき、分子量の制御も容易となり、ハンドリング性も向上する、（iii）必要なときには、脱保護により遊離のヒドロキシル基に変換できるなどの多くの利点を有する。例えば、前記ヒドロキシル基とアセタール又はヘミアセタール基を形成可能な基や置換シリル基で保護されたヒドロキシル基を有する化合物では、微弱なエネルギーにより容易に脱保護でき、遊離のヒドロキシル基を発生させることができるため、感度の高い感光性樹脂の原料となり得る。そのため、本発明に係るアダマンタンメタノール誘導体は、レジスト用樹脂をはじめ高機能性高分子の単量体又はその原料として有用である。
さらに、本発明の化合物のうち、前記好ましいアダマンタンメタノール誘導体（ｄ）（前記式（1c）で表される化合物）のように、アダマンタン骨格の橋頭位にＣ−置換ヒドロキシメチル基を２個有し、且つ他の橋頭位のうち少なくとも１つの橋頭位に置換基を有する化合物は、前記置換基の種類を選択することにより、種々の機能を付加又は調整することができる。例えば、前記好ましいアダマンタンメタノール誘導体（ｄ）のうちＣ−置換ヒドロキシメチル基の結合位以外の橋頭位のうち少なくとも１つの橋頭位に保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基、保護基で保護されていてもよいヒドロキシメチル基、保護基で保護されていてもよいアミノ基、保護基で保護されていてもよいカルボキシル基、ニトロ基、アシル基、又は前記式（２）で表される基などの含酸素又は含窒素官能基（特に、保護基で保護されていてもよいヒドロキシル基）を有する化合物では、前記Ｃ−置換ヒドロキシメチル基を例えばＣ−置換アクリロイルオキシメチル基等に変換し、ポリマー化した場合、例えば、公知化合物であるα，α，α′，α′−テトラメチル−１，３−アダマンタンジメタノールをＣ−置換アクリロイルオキシメチル基等に変換してポリマー化した場合と比較して、親水性が高く、基板等に対する密着性、接着性が大幅に改善され得る。このため、フォトレジスト用樹脂の原料などとして極めて有用である。
また、上記以外の化合物においても、アダマンタン環に、ヒドロキシル基、ヒドロキシメチル基、カルボキシル基などの他の官能基を有するアダマンタンメタノール誘導体では、機能性をより高めたり、種々の機能を付加又は調整することが可能である。さらに、本発明の化合物は医薬品などの中間体等としての利用も期待される。
［アダマンタンメタノール誘導体の製造法］
本発明の製造法１において、式（３）、式（４）中、Ｒx、ＲyにおけるＲa、Ｒbは、前記式（１）におけるＲa、Ｒbと同様の意義を示す。また、Ｒc1、Ｒd1、Ｒe1におけるハロゲン原子、アルキル基、ヒドロキシル基の保護基、ヒドロキシメチル基の保護基、アミノ基の保護基、カルボキシル基の保護基、アシル基としては、前記Ｒc、Ｒd、Ｒeにおいて例示した対応する置換基などが挙げられる。
前記式（４）中、Ｍにおける金属原子としては、例えば、リチウムなどのアルカリ金属原子、セリウム、チタン、銅などの遷移金属原子などが挙げられる。前記金属原子は配位子を有していてもよい。なお、本明細書では、前記配位子を、アート錯体におけるカチオンに対応する原子又は原子団をも含む意味に用いる。前記配位子としては、塩素原子などのハロゲン原子、イソプロポキシ基などのアルコキシ基、ジエチルアミノ基などのジアルキルアミノ基、シアノ基、アルキル基、リチウム原子などのアルカリ金属原子（アート錯体におけるカチオンとして）などが挙げられる。式（５）において、Ｙで示されるハロゲン原子としては、塩素、臭素、ヨウ素原子が挙げられる。式（４）で表される有機金属化合物の代表的な例として、ジメチルジイソプロポキシチタンなどの有機チタン化合物（有機チタンのアート錯体など）、有機マグネシウム化合物（Ｇｒｉｇｎａｒｄ試薬など）、有機リチウム化合物などが挙げられる。
式（４）で表される化合物の使用量は、式（３）で表されるアダマンタン誘導体１モルに対して、例えば０．７〜３モル、好ましくは０．９〜１．５モル程度である。
本発明の方法は、通常、有機溶媒中で行われる。有機溶媒としては、反応に不活性な溶媒であればよく、例えば、ジエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、テトラヒドロフランなどのエーテル類；ヘプタン、ヘキサン、オクタンなどの脂肪族炭化水素などが挙げられる。
反応温度は、反応成分の種類などにより、例えば−１００〜１５０℃程度の範囲内で適宜選択できる。例えば、式（４）で表される化合物において、Ｍが金属原子（例えば、リチウム）の場合には、反応温度は、例えば−１００℃〜２０℃程度である。また、式（４）の化合物として、前記Ｍが式（５）で表される基を示す化合物を用いる場合には、反応温度は、例えば０〜１５０℃程度、好ましくは２０〜１００℃程度である。
反応は、回分式、半回分式、連続式などの慣用の方法により行うことができる。反応終了後、通常、酸（例えば、塩酸など）又は塩（例えば、塩化アンモニウムなど）を含む水溶液を添加してクエンチし、必要に応じて、液性を調節し、濾過、濃縮、抽出、蒸留、晶析、再結晶、カラムクロマトグラフィーなどの慣用の分離精製手段に付すことにより、目的反応生成物を得ることができる。
なお、式（４）で表される化合物は、慣用の方法により調製できる。例えば、式（４）において、Ｍが式（５）で表される基を示す化合物は、いわゆるＧｒｉｇｎａｒｄ試薬を得る慣用の方法を適用することにより調製できる。より具体的には、例えば、マグネシウム金属と、下記式（７）
Ｒy−Ｙ            （７）
（式中、Ｒy、Ｙは前記に同じ）
で表される化合物の一部と、有機溶媒とを含む混合液に、少量のヨウ素や臭化エチルなどの反応促進剤を添加して反応を開始させた後、式（７）で表される化合物の残余を添加して反応を継続させることにより調製できる。有機溶媒としては、前記本発明の方法に用いられる溶媒を使用できる。マグネシウム金属の使用量は、式（７）で表される化合物１モルに対して、例えば１〜１．５モル程度であり、反応温度は、例えば０〜１００℃程度である。このようにして得られた式（４）で表される化合物は、単離することなく本発明の方法に使用できる。
本発明の方法によれば、前記新規なアダマンタンメタノール誘導体を簡易な操作により良好な収率で製造できる。なお、式（３）で表されるアダマンタン誘導体において、分子内に複数のアシル基［ＲxＣＯ基］が存在する場合には、反応条件を選択することにより（例えば、式（４）で表される化合物の使用量を増大させることにより）、前記式（２）で表される基を複数個有するアダマンタンメタノール誘導体を得ることができる。
［式（３）で表されるアダマンタン誘導体の調製］
本発明の製造法１において原料として用いる式（３）で表されるアダマンタン誘導体は、例えば、下記式（８）
【化１５】
0004222493.tif 000012
（式中、Ｒc1、Ｒd1、Ｒe1は前記に同じ）
で表される化合物と、（Ａ）下記式（９）
【化１６】
0004222493.tif 000013
（式中、Ｚ1及びＺ2は、同一又は異なって、酸素原子又はヒドロキシル基を示す。Ｒxは前記に同じ）
で表される１，２−ジカルボニル化合物又はそのヒドロキシ還元体、（Ｂ）酸素、および（Ｃ）（C1）金属化合物及び（C2）下記式（10）
【化１７】
0004222493.tif 000014
（式中、Ｒ1及びＲ2は、同一又は異なって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、シクロアルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アシル基を示し、Ｒ1及びＲ2は互いに結合して二重結合、又は芳香族性若しくは非芳香族性の環を形成してもよい。Ｘは酸素原子又はヒドロキシル基を示す。前記Ｒ1、Ｒ2、又はＲ1及びＲ2が互いに結合して形成された二重結合又は芳香族性若しくは非芳香族性の環には、上記式（10）中に示されるＮ−置換環状イミド基がさらに１又は２個結合していてもよい）
で表されるイミド化合物から選択された少なくとも１種の化合物で構成されるアシル化剤とを反応させることにより得ることができる。
前記Ｚ1及びＺ2は、酸素原子又はヒドロキシル基を示し、炭素原子とＺ1、Ｚ2との結合は単結合又は二重結合である。
前記１，２−ジカルボニル化合物の代表的な例として、例えば、ビアセチル（２，３−ブタンジオン）、２，３−ペンタンジオン、３，４−ヘキサンジオン、ビベンゾイル（ベンジル）、アセチルベンゾイルなどのα−ジケトン類が挙げられる。また、前記１，２−ジカルボニル化合物のヒドロキシ還元体の代表的な例として、例えば、アセトイン、ベンゾインなどのα−ケトアルコール類；２，３−ブタンジオール、２，３−ペンタンジオールなどのビシナルジオール類などが挙げられる。
酸素（Ｂ）は、分子状酸素、活性酸素の何れであってもよい。分子状酸素は、特に制限されず、純粋な酸素を用いてもよく、窒素、ヘリウム、アルゴン、二酸化炭素などの不活性ガスで希釈した酸素や空気を使用してもよい。酸素（Ｂ）として分子状酸素を用いる場合が多い。
金属化合物（C1）を構成する金属元素としては、特に限定されず、周期表１〜１５族の金属元素の何れであってもよい。なお、本明細書では、ホウ素Ｂも金属元素に含まれるものとする。例えば、前記金属元素として、周期表１族元素（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋなど）、２族元素（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなど）、３族元素（Ｓｃ、ランタノイド元素、アクチノイド元素など）、４族元素（Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆなど）、５族元素（Ｖなど）、６族元素（Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗなど）、７族元素（Ｍｎなど）、８族元素（Ｆｅ、Ｒｕなど）、９族元素（Ｃｏ、Ｒｈなど）、１０族元素（Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔなど）、１１族元素（Ｃｕなど）、１２族元素（Ｚｎなど）、１３族元素（Ｂ、Ａｌ、Ｉｎなど）、１４族元素（Ｓｎ、Ｐｂなど）、１５族元素（Ｓｂ、Ｂｉなど）などが挙げられる。好ましい金属元素には、遷移金属元素（周期表３〜１２族元素）が含まれる。なかでも、周期表５〜１１族元素、特に、５族及び９族元素が好ましく、とりわけ、Ｃｏ、Ｖなどが好ましい。金属元素の原子価は特に制限されず、例えば０〜６価程度である。
金属化合物（C1）としては、前記金属元素の単体、水酸化物、酸化物（複合酸化物を含む）、ハロゲン化物（フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物）、オキソ酸塩（例えば、硝酸塩、硫酸塩、リン酸塩、ホウ酸塩、炭酸塩など）、オキソ酸、イソポリ酸、ヘテロポリ酸などの無機化合物；有機酸塩（例えば、酢酸塩、プロピオン酸塩、青酸塩、ナフテン酸塩、ステアリン酸塩など）、錯体などの有機化合物が挙げられる。前記錯体を構成する配位子としては、ＯＨ（ヒドロキソ）、アルコキシ（メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシなど）、アシル（アセチル、プロピオニルなど）、アルコキシカルボニル（メトキシカルボニル、エトキシカルボニルなど）、アセチルアセトナト、シクロペンタジエニル基、ハロゲン原子（塩素、臭素など）、ＣＯ、ＣＮ、酸素原子、Ｈ2Ｏ（アコ）、ホスフィン（トリフェニルホスフィンなどのトリアリールホスフィンなど）のリン化合物、ＮＨ3（アンミン）、ＮＯ、ＮＯ2（ニトロ）、ＮＯ3（ニトラト）、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、ピリジン、フェナントロリンなどの窒素含有化合物などが挙げられる。
金属化合物（C1）の具体例としては、例えば、コバルト化合物を例にとると、水酸化コバルト、酸化コバルト、塩化コバルト、臭化コバルト、硝酸コバルト、硫酸コバルト、リン酸コバルトなどの無機化合物；酢酸コバルト、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸コバルトなどの有機酸塩；コバルトアセチルアセトナトなどの錯体等の２価又は３価のコバルト化合物などが挙げられる。また、バナジウム化合物の例としては、水酸化バナジウム、酸化バナジウム、塩化バナジウム、塩化バナジル、硫酸バナジウム、硫酸バナジル、バナジン酸ナトリウムなどの無機化合物；バナジウムアセチルアセトナト、バナジルアセチルアセトナトなどの錯体等の２〜５価のバナジウム化合物などが挙げられる。他の金属元素の化合物としては、前記コバルト又はバナジウム化合物に対応する化合物などが例示される。金属化合物（C1）は、単独で又は２種以上組み合わせて使用できる。
金属化合物（C1）と１，２−ジカルボニル化合物又はそのヒドロキシ還元体（Ａ）との比率は、例えば、前者（C1）／後者（Ａ）（モル比）＝０〜０．１、好ましくは０．００１〜０．０５、さらに好ましくは０．００２〜０．０２程度である。
前記式（10）で表されるイミド化合物（C2）において、置換基Ｒ1及びＲ2のうちハロゲン原子には、ヨウ素、臭素、塩素およびフッ素が含まれる。アルキル基には、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ヘキシル、デシル基などの炭素数１〜１０程度の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基が含まれる。好ましいアルキル基としては、例えば、炭素数１〜６程度、特に炭素数１〜４程度の低級アルキル基が挙げられる。
アリール基には、フェニル、ナフチル基などが含まれ、シクロアルキル基には、シクロペンチル、シクロヘキシル基などが含まれる。アルコキシ基には、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ヘキシルオキシ基などの炭素数１〜１０程度、好ましくは炭素数１〜６程度、特に炭素数１〜４程度の低級アルコキシ基が含まれる。
アルコキシカルボニル基には、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ヘキシルオキシカルボニル基などのアルコキシ部分の炭素数が１〜１０程度のアルコキシカルボニル基が含まれる。好ましいカルボニル基にはアルコキシ部分の炭素数が１〜６程度、特に１〜４程度の低級アルコキシカルボニル基が含まれる。アシル基としては、例えば、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、イソバレリル、ピバロイル基などの炭素数１〜６程度のアシル基が例示できる。
前記置換基Ｒ1及びＲ2は、同一又は異なっていてもよい。また、前記式（10）において、Ｒ1及びＲ2は互いに結合して、二重結合、または芳香族性又は非芳香属性の環を形成してもよい。好ましい芳香族性又は非芳香族性環は５〜１２員環、特に６〜１０員環程度であり、複素環又は縮合複素環であってもよいが、炭化水素環である場合が多い。このような環には、例えば、非芳香族性脂環式環（シクロヘキサン環などの置換基を有していてもよいシクロアルカン環、シクロヘキセン環などの置換基を有していてもよいシクロアルケン環など）、非芳香族性橋かけ環（５−ノルボルネン環などの置換基を有していてもよい橋かけ式炭化水素環など）、ベンゼン環、ナフタレン環などの置換基を有していてもよい芳香族環（縮合環を含む）が含まれる。前記環は、芳香族環で構成される場合が多い。前記環は、アルキル基、ハロアルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ハロゲン原子などの置換基を有していてもよい。
前記式（10）において、Ｘは酸素原子又はヒドロキシル基を示し、窒素原子ＮとＸとの結合は単結合又は二重結合である。
前記Ｒ1、Ｒ2、又はＲ1及びＲ2が互いに結合して形成された二重結合又は芳香族性若しくは非芳香族性の環には、上記式（10）中に示されるＮ−置換環状イミド基がさらに１又は２個結合していてもよい。例えば、Ｒ1又はＲ2が炭素数２以上のアルキル基である場合、このアルキル基を構成する隣接する２つの炭素原子を含んで前記Ｎ−置換環状イミド基が形成されていてもよい。また、Ｒ1及びＲ2が互いに結合して二重結合を形成する場合、該二重結合を含んで前記Ｎ−置換環状イミド基が形成されていてもよい。さらに、Ｒ1及びＲ2が互いに結合して芳香族性若しくは非芳香族性の環を形成する場合、該環を構成する隣接する２つの炭素原子を含んで前記Ｎ−置換環状イミド基が形成されていてもよい。
好ましいイミド化合物（C2）には、下記式で表される化合物が含まれる。
【化１８】
0004222493.tif 000015
（式中、Ｒ3〜Ｒ6は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、ハロアルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、ハロゲン原子を示す。Ｒ3〜Ｒ6は、隣接する基同士が互いに結合して芳香族性又は非芳香族性の環を形成していてもよい。式（10f）におけるＡはメチレン基又は酸素原子を示す。Ｒ1、Ｒ2は前記に同じ。式（10c）のベンゼン環には、式（10c）中に示されるＮ−置換環状イミド基がさらに１又は２個結合していてもよい）
置換基Ｒ3〜Ｒ6において、アルキル基には、前記例示のアルキル基と同様のアルキル基、特に炭素数１〜６程度のアルキル基が含まれ、ハロアルキル基には、トリフルオロメチル基などの炭素数１〜４程度のハロアルキル基、アルコキシ基には、前記と同様のアルコキシ基、特に炭素数１〜４程度の低級アルコキシ基、アルコキシカルボニル基には、前記と同様のアルコキシカルボニル基、特にアルコキシ部分の炭素数が１〜４程度の低級アルコキシカルボニル基が含まれる。また、アシル基としては、前記と同様のアシル基、特に炭素数１〜６程度のアシル基が例示され、ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素原子が例示できる。置換基Ｒ3〜Ｒ6は、通常、水素原子、炭素数１〜４程度の低級アルキル基、カルボキシル基、ニトロ基、ハロゲン原子である場合が多い。Ｒ3〜Ｒ6が互いに結合して形成する環としては、前記Ｒ1及びＲ2が互いに結合して形成する環と同様であり、特に芳香族性又は非芳香族性の５〜１２員環が好ましい。
好ましいイミド化合物の代表的な例として、例えば、Ｎ−ヒドロキシコハク酸イミド、Ｎ−ヒドロキシマレイン酸イミド、Ｎ−ヒドロキシヘキサヒドロフタル酸イミド、Ｎ，Ｎ′−ジヒドロキシシクロヘキサンテトラカルボン酸イミド、Ｎ−ヒドロキシフタル酸イミド、Ｎ−ヒドロキシテトラブロモフタル酸イミド、Ｎ−ヒドロキシテトラクロロフタル酸イミド、Ｎ−ヒドロキシヘット酸イミド、Ｎ−ヒドロキシハイミック酸イミド、Ｎ−ヒドロキシトリメリット酸イミド、Ｎ，Ｎ′−ジヒドロキシピロメリット酸イミド、Ｎ，Ｎ′−ジヒドロキシナフタレンテトラカルボン酸イミドなどが挙げられる。
前記イミド化合物（C2）は、慣用のイミド化反応、例えば、対応する酸無水物とヒドロキシルアミンＮＨ2ＯＨとを反応させ、酸無水物基の開環及び閉環を経てイミド化する方法により調製できる。
前記酸無水物には、例えば、無水コハク酸、無水マレイン酸などの飽和又は不飽和脂肪族ジカルボン酸無水物、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸（１，２−シクロヘキサンジカルボン酸無水物）、１，２，３，４−シクロヘキサンテトラカルボン酸１，２−無水物などの飽和又は不飽和非芳香族性環状多価カルボン酸無水物（脂環式多価カルボン酸無水物）、無水ヘット酸、無水ハイミック酸などの橋かけ環式多価カルボン酸無水物（脂環式多価カルボン酸無水物）、無水フタル酸、テトラブロモ無水フタル酸、テトラクロロ無水フタル酸、無水ニトロフタル酸、無水トリメット酸、メチルシクロヘキセントリカルボン酸無水物、無水ピロメリット酸、無水メリト酸、１，８；４，５−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物などの芳香族多価カルボン酸無水物が含まれる。
特に好ましいイミド化合物は、脂環式多価カルボン酸無水物又は芳香族多価カルボン酸無水物、なかでも芳香族多価カルボン酸無水物から誘導されるＮ−ヒドロキシイミド化合物、例えば、Ｎ−ヒドロキシフタル酸イミドなどが含まれる。式（10）で表されるイミド化合物（C2）は、単独で又は２種以上組み合わせて使用できる。
イミド化合物（C2）と、１，２−ジカルボニル化合物又はそのヒドロキシ還元体（Ａ）との比率は、例えば、前者（C2）／後者（Ａ）（モル比）＝０〜１、好ましくは０．００１〜０．５、さらに好ましくは０．００２〜０．２程度である。
前記アシル化剤は、前記金属化合物（C1）及び前記イミド化合物（C2）から選択された少なくとも１種の化合物を含んでいればよい。すなわち、前記アシル化剤の態様には、（ｉ）１，２−ジカルボニル化合物又はそのヒドロキシ還元体（Ａ）と、酸素（Ｂ）と、金属化合物（C1）とで構成されたアシル化剤、（ii）１，２−ジカルボニル化合物又はそのヒドロキシ還元体（Ａ）と、酸素（Ｂ）と、イミド化合物（C2）とで構成されたアシル化剤、及び（iii）１，２−ジカルボニル化合物又はそのヒドロキシ還元体（Ａ）と、酸素（Ｂ）と、金属化合物（C1）と、イミド化合物（C2）とで構成されたアシル化剤が含まれる。
金属化合物（C1）を含むアシル化剤を用いると高い転化率が得られ、また、イミド化合物（C2）を含むアシル化剤を用いると高い選択率でアシル基含有化合物が生成する場合が多い。また、イミド化合物（C2）を含むアシル化剤では、前記化合物（Ａ）として、１，２−ジカルボニル化合物のヒドロキシ還元体を用いた場合に、前記ヒドロキシ還元体が系内で速やかに１，２−ジカルボニル化合物に変換されて、円滑にアシル化反応が進行するという特徴を有する。
前記アシル化剤は、前記成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）以外の他の成分、例えば、ラジカル発生剤、ラジカル反応促進剤などを含んでいてもよい。このような成分として、例えば、ハロゲン（例えば、塩素、臭素など）、過酸（例えば、過酢酸、ｍ−クロロ過安息香酸など）、過酸化物（例えば、過酸化水素、ヒドロペルオキシドなど）などが挙げられる。
式（３）で表されるアダマンタン誘導体を製造する際、１，２−ジカルボニル化合物又はそのヒドロキシ還元体（Ａ）の使用量は、式（８）で表される化合物１モルに対して、例えば、１モル以上（１〜５０モル程度）、好ましくは１．５〜２０モル、さらに好ましくは３〜１０モル程度である。１，２−ジカルボニル化合物又はそのヒドロキシ還元体（Ａ）を反応溶媒として用いることもできる。
酸素（Ｂ）の使用量は、通常、式（８）の化合物１モルに対して、０．５モル以上（例えば、１モル以上）、好ましくは１〜１００モル、さらに好ましくは２〜５０モル程度である。式（８）の化合物に対して過剰モルの分子状酸素を使用する場合が多い。
金属化合物（C1）の使用量は、式（８）の化合物１モルに対して、例えば、０．００００１〜１モル、好ましくは０．０００１〜０．１モル、さらに好ましくは０．００１〜０．０５モル程度である。イミド化合物（C2）の使用量は、有機基質１モルに対して、例えば、０．００００１〜１モル、好ましくは０．００１〜０．７モル、さらに好ましくは０．０１〜０．５モル程度である。
反応は、通常、有機溶媒中で行われる。有機溶媒としては、例えば、酢酸、プロピオン酸などの有機酸；アセトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリルなどのニトリル類；ホルムアミド、アセトアミド、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルアセトアミドなどのアミド類；ｔ−ブタノール、ｔ−アミルアルコールなどのアルコール類；ヘキサン、オクタンなどの脂肪族炭化水素；ベンゼン、トルエンなどの芳香族炭化水素；クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素、クロロベンゼン、トリフルオロメチルベンゼンなどのハロゲン化炭化水素；ニトロベンゼン、ニトロメタン、ニトロエタンなどのニトロ化合物；酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類；及びこれらの混合溶媒などが挙げられる。溶媒としては、酢酸などの有機酸、ベンゾニトリルなどのニトリル類、トリフルオロメチルベンゼンなどのハロゲン化炭化水素等を用いる場合が多い。
反応温度は、反応成分の種類などに応じて適当に選択でき、例えば、０〜３００℃、好ましくは３０〜２５０℃、さらに好ましくは４０〜２００℃程度であり、通常、４０〜１５０℃程度で反応する場合が多い。反応は、常圧または加圧下で行うことができ、加圧下で反応させる場合には、通常、１〜１００ａｔｍ（例えば、１．５〜８０ａｔｍ）、好ましくは２〜７０ａｔｍ程度である。反応時間は、反応温度及び圧力に応じて、例えば、３０分〜４８時間程度の範囲から適当に選択できる。
反応は、酸素の存在下又は酸素の流通下、回分式、半回分式、連続式などの慣用の方法により行うことができる。反応終了後、反応生成物は、慣用の方法、例えば、濾過、濃縮、蒸留、抽出、晶析、再結晶、カラムクロマトグラフィーなどの分離手段や、これらを組み合わせた分離手段により容易に分離精製できる。
前記アシル化剤を用いたアシル化法により、式（８）で表されるアダマンタン誘導体の橋頭位に、前記１，２−ジカルボニル化合物に対応するアシル基（ＲxＣＯ基）が導入される。
このようにして得られる式（３）の化合物の代表例として、例えば、１−アセチルアダマンタン、１−アセチル−３−クロロアダマンタン、１−アセチル−３−メチルアダマンタン、１−アセチル−３，５−ジメチルアダマンタン、１−アセチル−３−アダマンタノール、１−アセチル−３，５−アダマンタンジオール、１−アセチル−３，５，７−アダマンタントリオール、１−アセチル−３−ヒドロキシメチルアダマンタン、１−アセチル−３−アミノアダマンタン、１−アセチル−３−カルボキシアダマンタン、１−アセチル−３，５−ジカルボキシアダマンタン、１−アセチル−３，５，７−トリカルボキシアダマンタン、１−アセチル−３−ニトロアダマンタン、１，３−ジアセチルアダマンタンなどが挙げられる。
なお、前記アシル化反応において原料として用いられる式（８）で表される化合物は、公知の方法により製造できる。例えば、橋頭位にヒドロキシル基を有するアダマンタン誘導体は、橋頭位に水素原子を有するアダマンタン誘導体を、前記式（10）で表されるイミド化合物で構成された触媒、又はこの触媒と前記金属化合物（C1）とで構成された触媒の存在下、酸素により酸化することにより得ることができる。イミド化合物の使用量は、橋頭位に水素原子を有するアダマンタン誘導体１モルに対して、例えば０．００１〜１モル程度であり、前記金属化合物（C1）の使用量は、橋頭位に水素原子を有するアダマンタン誘導体１モルに対して、例えば０．０００１〜０．７モル程度である。酸素は、通常、橋頭位に水素原子を有するアダマンタン誘導体に対して過剰モル量使用される。酸素としては、分子状酸素を使用できる。反応は、例えば、酢酸などの有機酸、アセトニトリル、ベンゾニトリルなどのニトリル等の溶媒中、常圧又は加圧条件下、０〜３００℃（好ましくは３０〜２５０℃）程度の温度で行われる。
また、橋頭位にカルボキシル基を有するアダマンタン誘導体は、橋頭位に水素原子を有するアダマンタン誘導体を、前記式（10）で表されるイミド化合物で構成された触媒、又はこの触媒と前記金属化合物（C1）とで構成された触媒の存在下、一酸化炭素及び酸素と接触させることにより得ることができる。イミド化合物及び金属化合物（C1）の使用量は、前記酸化反応の場合と同様である。一酸化炭素の使用量は、橋頭位に水素原子を有するアダマンタン誘導体１モルに対して、通常、１モル以上（例えば１〜１００モル）である。酸素の使用量は、橋頭位に水素原子を有するアダマンタン誘導体１モルに対して、０．５モル以上（例えば０．５〜１００モル）程度である。一酸化炭素と酸素の割合は、一酸化炭素／酸素（モル比）＝１／９９〜９９／１、好ましくは１０／９０〜９９／１程度である。反応は、例えば、酢酸などの有機酸、アセトニトリル、ベンゾニトリルなどのニトリル等の溶媒中、常圧又は加圧条件下、０〜２００℃（好ましくは１０〜１５０℃）程度の温度で行われる。
橋頭位にヒドロキシルメチル基を有するアダマンタン誘導体は、上記の橋頭位にカルボキシル基を有するアダマンタン誘導体を、還元剤（例えば、水素−白金族金属触媒、水素化ホウ素ナトリウム−ルイス酸、水素化アルミニウムリチウム、ジボランなど）を用いた慣用の還元法に付すことにより得ることができる。
橋頭位にニトロ基を有するアダマンタン誘導体は、橋頭位に水素原子を有するアダマンタン誘導体を、前記式（10）で表されるイミド化合物で構成された触媒の存在下又は非存在下、窒素酸化物（例えば、Ｎ2Ｏ3、Ｎ2Ｏ−Ｏ2、ＮＯ−Ｏ2、ＮＯ2など）と接触させることにより得ることができる。イミド化合物の使用量は、前記酸化反応の場合と同様である。窒素酸化物の使用量は、橋頭位に水素原子を有するアダマンタン誘導体１モルに対して、通常、１〜５０モル、好ましくは１．５〜３０モル程度である。反応は、例えば、酢酸などの有機酸、アセトニトリル、ベンゾニトリルなどのニトリル等の溶媒中、常圧又は加圧条件下、０〜１５０℃（好ましくは１０〜１２５℃）程度の温度で行われる。
橋頭位にアミノ基を有するアダマンタン誘導体は、上記橋頭位にニトロ基を有するアダマンタン誘導体を、還元剤［例えば、水素−金属触媒（白金族金属、ニッケル、銅クロマイトなど）、水素化ホウ素ナトリウム、ジボランなど］を用いた慣用の還元法に付すことにより得ることができる。また、式（８）の化合物において、アシル基を含む化合物は、前記アシル化剤を用いたアシル化法を利用することにより製造することができる。
なお、式（３）で表される化合物のうち、Ｒxがメチル基である化合物（１−アセチルアダマンタン誘導体）は、下記式（11）
【化１９】
0004222493.tif 000016
（式中、Ｒc1、Ｒd1、Ｒe1は前記に同じ）
で表される１−カルボキシアダマンタン誘導体と、塩化チオニルなどのハロゲン化剤とを反応させて、対応するカルボン酸ハライド誘導体を生成させ、得られたカルボン酸ハライド誘導体に、マロン酸エチルなどのマロン酸エステルから誘導されるグリニヤール試薬を反応させて、対応するα−（アダマンチルカルボニル）マロン酸エステルとし、次いで、硫酸などの酸を作用させて分解することにより得ることもできる。
前記式（１）、式（３）、式（８）で表される化合物［後述の式（1b）、（11）、（12a）及び（12b）で表される化合物も同様］における保護基の導入及び脱離は慣用の方法により行うことができる。また、上記の各官能基（ヒドロキシル基、カルボキシル基、ヒドロキシメチル基、ニトロ基、アミノ基、アシル基）の導入法は、以下に示すアダマンタンメタノール誘導体の他の製造法における原料化合物の調製にも適用できるとともに、本発明のアダマンタンメタノール誘導体を製造する任意の段階で行うことができる。
［アダマンタンメタノール誘導体の他の製造法］
前記式（１）で表されるアダマンタンメタノール誘導体のうち、ＲaとＲbとが同一の炭化水素基である化合物、すなわち下記式（1a）
【化２０】
0004222493.tif 000017
（式中、Ｒa1は隣接する炭素原子との結合部位に少なくとも１つの水素原子が結合した炭素原子を有する炭化水素基を示し、２つのＲa1は同一の基を示す。Ｒc、Ｒd、Ｒeは前記に同じ。アダマンタン骨格を構成する炭素原子のうち橋頭位以外の炭素原子は置換基を有していてもよい）
で表されるアダマンタンメタノール誘導体は、下記式（12）
【化２１】
0004222493.tif 000018
（式中、ＲZは水素原子又は置換基を有していてもよい炭化水素基を示す。Ｒc1、Ｒd1、Ｒe1は前記に同じ。アダマンタン骨格を構成する炭素原子のうち橋頭位以外の炭素原子は置換基を有していてもよい）
で表される１−アダマンタンカルボン酸誘導体と、下記式（4a）
Ｒa1−Ｍ                  （4a）
（式中、Ｒa1、Ｍは前記に同じ）
で表される有機金属化合物とを反応させることにより得ることができる。
前記式（1a）中、Ｒa1における炭化水素基には、前記Ｒbにおいて例示した炭化水素基が含まれる。好ましいＲa1として、Ｃ1-10アルキル基（中でもＣ1-6アルキル基、特にＣ1-4アルキル基）、３〜８員シクロアルキル基などが挙げられる。
前記式（12）中、ＲZにおける置換基を有していてもよい炭化水素基には、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらの基を複数個連結した基が含まれる。前記置換基としては、ハロゲン原子、置換オキシ（又はチオ）基（例えば、メトキシ、メチルチオ、メトキシエトキシ、２−（トリメチルシリル）エトキシ、ベンジルオキシ基など）、アシル基（例えば、ベンゾイル基など）などが挙げられる。
前記脂肪族炭化水素基として、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、オクチル、デシル、ビニル、アリル、２−プロピニル基などのＣ1-10脂肪族炭化水素基（アルキル基、アルケニル基及びアルキニル基）などが挙げられる。好ましい脂肪族炭化水素基は、Ｃ1-6（特にＣ1-4）脂肪族炭化水素基である。脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロペンチル、シクロヘキシル基などの３〜８員脂環式炭化水素基（シクロアルキル基及びシクロアルケニル基）などが例示できる。芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル、ナフチル基などのＣ6-14芳香族炭化水素基などが挙げられる。また、異種の炭化水素基が複数個連結した基として、例えば、ベンジル、２−フェニルエチル基などのＣ7-16程度のアラルキル基などが例示される。
式（12）で表される化合物のうちＲZが炭化水素基である化合物は、ＲZが水素原子である１−アダマンタンカルボン酸と対応するアルコール又はフェノール類から、例えば酸触媒を用いた慣用のエステル化反応により容易に調製できる。
前記式（12）で表される化合物と式（4a）で表される有機金属化合物との反応は、通常、反応に不活性な溶媒中で行われる。前記溶媒としては、例えば、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、テトラヒドロフランなどの鎖状又は環状エーテル；ヘキサン、ヘプタン、オクタンなどの脂肪族炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素；シクロヘキサンなどの脂環式炭化水素；これらの混合溶媒などが例示できる。好ましい溶媒には、前記エーテル、又は前記エーテルと他の溶媒との混合溶媒が含まれる。溶媒中のエーテルの濃度は、好ましくは１０重量％以上である。
反応温度は、有機金属化合物の種類等に応じて適宜選択でき、通常−１００〜１００℃（有機マグネシウム化合物の場合は、０〜１００℃程度、好ましくは１０〜４０℃程度）である。式（4a）で表される有機金属化合物の使用量は、その種類に応じて選択でき、例えば、式（12）の化合物に対して２〜４当量倍程度（式（12）中、ＲZが水素原子である場合には、３〜５当量倍程度）である。
反応は、回分式、半回分式、連続式などの慣用の方法により行うことができる。半回分式で反応を行う場合、式（4a）で表される有機金属化合物を含む液中に式（12）の化合物を添加（滴下）してもよく、逆に、式（12）の化合物を含む液中に式（4a）で表される有機金属化合物を添加（滴下）してもよい。
反応終了後、通常、酸（例えば、塩酸、硫酸などの無機酸；酢酸などの有機酸）又は塩（例えば、塩化アンモニウムなど）を含む水溶液を添加して有機金属化合物の付加物を分解し、必要に応じて液性を調節し、濾過、濃縮、抽出、蒸留、晶析、再結晶、カラムクロマトグラフィーなどの慣用の分離精製手段に付すことにより、対応する式（1a）で表されるα，α−ジ置換−１−アダマンタンメタノール誘導体を得ることができる。
式（4a）で表される有機金属化合物としては、前記式（４）で表される化合物と同様のものを使用できる。
なお、式（12）で表される化合物において、分子内に複数のエステル基［ＣＯＯＲZ］が存在する場合には、反応条件を選択することにより（例えば、式（4a）で表される化合物の使用量を調整することにより）、前記式（2a）で表される基を複数有するアダマンタンメタノール誘導体を得ることができる。また、この場合、反応を段階的に行うことにより、同一分子内に異なるＣ−置換ヒドロキシメチル基（式（2a）で表される基）を有する化合物を得ることもできる。
本発明の前記製造法２は、上記の方法を利用したものである。本発明の製造法２において、式（12a）中、ＲZ1における置換基を有していてもよい炭化水素基としては、前記ＲZと同様のものが挙げられる。ヒドロキシル基への保護基導入反応は、ヒドロキシル基に保護基を導入するために通常用いる反応を適用できる（例えば、T．W．Greene，“Protective Group in Organic Synthesis”，A Wiley-Interscience Publication，New York，1981など）。
例えば、式（12a）で表される化合物のヒドロキシル基を、メトキシメチル、メチルチオメチル、２−メトキシエトキシメチル、２−（トリメチルシリル）エトキシメチルなどの置換オキシ（またはチオ）メチル基で保護する場合には、前記置換オキシメチル基等に対応する置換オキシメチルハライド等（例えば、置換オキシメチルクロリド、置換オキシメチルブロミドなど）と式（12a）で表される化合物とを、好ましくは塩基（例えば、トリエチルアミン、ピリジンなど）の存在下で反応させることにより前記保護基を導入できる。また、保護基としてメチル基などのアルキル基を導入する場合には、対応するアルキルハライド（例えば、アルキルクロリド、アルキルブロミド、アルキルイオジドなど）、保護基としてアセチル基などのアシル基を導入する場合には、前記アシル基に対応するアシルハライド（例えば、アシルクロリド、アシルブロミドなど）などのアシル化剤と、式（12a）で表される化合物とを、好ましくは前記塩基の存在下で反応させることにより所望の保護基を導入できる。また、保護基としてアセトアセチル基を導入する場合には、ジケテンやジケテン−アセトンアダクトなどのアセトアセチル化剤と式（12a）で表される化合物とを反応させることにより保護基を導入できる。また、メチル基を導入する際には、ジアゾメタンを使用してもよい。
保護基を導入する際の反応条件は、保護基の種類により適宜選択できる。例えば、反応温度は、例えば０〜１５０℃程度、保護基導入に用いる試薬の使用量は、式（12a）で表される化合物１モルに対して、例えば０．８〜３モル程度であり、大過剰量用いてもよい。反応は、通常、不活性溶媒中で行われる。
反応生成物は、濾過、濃縮、液性調整、抽出、晶析、再結晶、蒸留、カラムクロマトグラフィー等の慣用の方法により分離精製できる。
こうして得られる式（12b）中、ＲZ2における置換基を有していてもよい炭化水素基としては、前記ＲZと同様のものが挙げられる。なお、前記式（12a）中のＲZ1が水素原子である場合には、上記の保護基導入反応において、保護基の種類や量、反応温度などにより、前記水素原子が保護基［例えば、２−メトキシエトキシメチル基などの置換オキシ（又はチオ）メチル基など］に変換され得る。
式（12b）中、ＲPで示されるヒドロキシル基の保護基としては、前記例示の保護基が挙げられる。
式（4a）中、Ｒa1における炭化水素基は前記と同様である。式（12b）で表される化合物と式（4a）で表される化合物の反応は、前記式（12）で表される化合物と式（4a）で表される化合物の反応と同様に実施できる。なお、前記式（1c）で表される化合物は、式（12a）の化合物のうち複数のエステル基［ＣＯＯＲZ1］を有する化合物を原料として用いることにより製造できる。生成した式（1b）で表される化合物は前記慣用の方法により分離精製できる。
本発明の製造法２によれば、式（１）で表されるアダマンタンメタノール誘導体のうち、アダマンタン環の橋頭位に保護基で保護されたヒドロキシル基を有し、且つＲaとＲbとが同一の炭化水素基である化合物を簡易に効率よく得ることができる。
本発明によれば、ヒドロキシル基に隣接する炭素原子に特定の置換基を有する新規なアダマンタンメタノール誘導体が提供される。
また、本発明の方法によれば、上記新規なアダマンタンメタノール誘導体を簡易な手段で収率よく得ることができる。
［実施例］
以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。
参考例１
アダマンタン０．３モル、ビアセチル１．８モル、酢酸コバルト（II）１．５ミリモル、及び酢酸３００ｍｌの混合物を、酸素雰囲気下（１ａｔｍ）、６０℃で４時間撹拌した。反応混合物を約２０重量％になるまで濃縮した後、酢酸エチルで抽出し、乾燥後、ヘキサンで洗浄することにより、１−アセチルアダマンタンを収率５２％で得た。なお、アダマンタンの転化率は８７％であった。
参考例２
アダマンタンに代えて、１−アダマンタノールを０．３モル用いた以外は参考例１と同様の操作を行い、１−アダマンタノールの転化率８２％で、１−アセチル−３−アダマンタノールを収率２０％で得た。
［１−アセチル−３−アダマンタノールのスペクトルデータ］
ＩＲ（ｃｍ-1）：３４０１，２８９７，２８５４，１６８３，１４３０，１０１９，６０５
13Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ：２４．３，２９．９，３４．８，３６．８，４３．９，４５．４，４９．６，６７．９，２１２．４
参考例３
フラスコに、金属マグネシウム１．１モル入れ、窒素置換した後、２−ブロモプロパン１．０モルをエチルエーテル５００ｍｌに溶解した溶液を、前記金属マグネシウムが浸漬する程度仕込んだ。次いで、少量のヨウ素を添加して反応を開始させ、残りの２−ブロモプロパンのエチルエーテル溶液を、溶媒が穏やかに還流する程度の速度で滴下し、滴下終了後、さらに２時間還流させた。
得られた反応混合液に、参考例１の方法により得られた１−アセチルアダマンタン１．０モルを１０００ｍｌのエチルエーテルに溶解した溶液を、溶媒が穏やかに還流する程度の速度で滴下し、滴下終了後、さらに２時間還流させた。得られた反応混合液を、氷冷した１０％塩酸（ＨＣｌ：１モル相当量）中に、攪拌しながらゆっくりと滴下し、さらに０℃〜室温で２時間攪拌した。
反応混合液に１０％水酸化ナトリウムを加えて液性を中性に調整した後、有機層と水層に分液し、水層をエチルエーテル１０００ｍｌで２回抽出し、有機層を合わせて濃縮し、濃縮液を冷却して、晶析することにより、α−イソプロピル−α−メチル−１−アダマンタンメタノールを収率４６％で得た。
［α−イソプロピル−α−メチル−１−アダマンタンメタノールのスペクトルデータ］
ＭＳ  ｍ／ｅ：２２２（［Ｍ+］），２０４，１８９，１７４，１５９，１４６
参考例４
１−アセチルアダマンタンに代えて、参考例２の方法により得られた１−アセチル−３−アダマンタノール１．０モルを用いた以外は実施例１と同様の操作を行い、３−ヒドロキシ−α−イソプロピル−α−メチル−１−アダマンタンメタノールを収率４８％で得た。
［３−ヒドロキシ−α−イソプロピル−α−メチル−１−アダマンタンメタノールのスペクトルデータ］
ＭＳ  ｍ／ｅ：２３８（［Ｍ+］），２２０，２０２，１８７，１７２，１５７，１４４
参考例５
フラスコに、あらかじめ臭化エチルと金属マグネシウムとから調製した１３重量％エチルマグネシウムブロミド−テトラヒドロフラン溶液６１．５１ｇ（０．０６０モル）を仕込んだ。この溶液に、内温を３５℃以下に保持しつつ、１−アダマンタンカルボン酸ｎ−ブチルエステル４．７６ｇ（０．０２モル）をテトラヒドロフラン７．２１ｇに溶かした溶液を滴下した。滴下後、室温で１時間攪拌した。
１０重量％硫酸水溶液３２．３７ｇ中に、上で得られた反応混合液を、内温を３５℃以下に保持しつつ滴下した後、５重量％水酸化ナトリウム水溶液で中和し、分液させた。水層をベンゼン２２．２４ｇで２回抽出した。有機層を合わせ、飽和食塩水２２．２４ｇで洗浄し、続いて無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。乾燥後、濾過し、濾液を減圧下で濃縮して、α，α−ジエチル−１−アダマンタンメタノールを得た（純度４８．８％）。１−アダマンタンカルボン酸ｎ−ブチルエステル基準の収率は４５．５％であった。なお、反応中間体の還元生成物であるα−エチル−１−アダマンタンメタノールが副生していた（収率５２％）。
［α，α−ジエチル−１−アダマンタンメタノールのスペクトルデータ］
ＧＣ−ＭＳ  ｍ／ｅ：２０４，１９３，１７５，１６１，１４７，１３５，８６，７９，６７，５７，４１
［α−エチル−１−アダマンタンメタノールのスペクトルデータ］
ＧＣ−ＭＳ  ｍ／ｅ：１９４（Ｍ+），１７６，１６５，１４７，１３５，１０７，９３，７９，６７，５８，４１
実施例１
１−アダマンタンカルボン酸５．０７モル、Ｎ−ヒドロキシフタルイミド５０７ミリモル、コバルトアセチルアセトナト（II）５．０７ミリモル、及び酢酸１２５００ｍｌの混合物を、酸素雰囲気下（１ａｔｍ）、７５℃で８時間攪拌した。反応混合液を濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：クロロホルム／メタノール（８／１））に付し、得られた精製物をさらにエタノール／ｎ−ヘキサンにて再結晶化することにより、３−ヒドロキシ−１−アダマンタンカルボン酸を得た（収率３８％）。１−アダマンタンカルボン酸の転化率は９９％であった。
［３−ヒドロキシ−１−アダマンタンカルボン酸のスペクトルデータ］
ＧＣ−ＭＳ  ｍ／ｅ（ＦＡＢ-）：１９５（Ｍ−Ｈ）-
1Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ6）δ：１．４０−１．７５（ｍ，１２Ｈ），２．１１（ｍ，２Ｈ），１１．９７（ｂｒｓ，１Ｈ）
得られた３−ヒドロキシ−１−アダマンタンカルボン酸３００ミリモル、ｎ−ブタノール４５０ミリモル、硫酸１５ミリモル、及びトルエン９００ｍｌの混合物をトルエン還流下で５時間攪拌した。反応混合液を濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに付すことにより、３−ヒドロキシ−１−アダマンタンカルボン酸ｎ−ブチルを得た（収率９４．１％）。３−ヒドロキシ−１−アダマンタンカルボン酸の転化率は９９％であった。
［３−ヒドロキシ−１−アダマンタンカルボン酸ｎ−ブチルのスペクトルデータ］
ＧＣ−ＭＳ  ｍ／ｅ（ＦＡＢ+）：２５３（Ｍ＋Ｈ）+
ＩＲ（ｃｍ-1）：３３２０，２８５９，１７２８，１４５６，１２３６
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ：０．７−２．８（ｍ，２２Ｈ），４．３（ｔ，２Ｈ）
３−ヒドロキシ−１−アダマンタンカルボン酸ｎ−ブチル２００ミリモル、２−メトキシエトキシメチルクロリド２２０ミリモル、トリエチルアミン２２０ミリモル及びＴＨＦ４００ｍｌの混合液を３時間還流させた。反応混合液を濃縮した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに付すことにより、３−（２−メトキシエトキシメトキシ）−１−アダマンタンカルボン酸ｎ−ブチルを得た（収率９４．１％）。３−ヒドロキシ−１−アダマンタンカルボン酸ｎ−ブチルの転化率は９９％であった。
［３−（２−メトキシエトキシメトキシ）−１−アダマンタンカルボン酸ｎ−ブチルのスペクトルデータ］
ＧＣ−ＭＳ  ｍ／ｅ（ＦＡＢ+）：３４１（Ｍ＋Ｈ）+，２３５，８９，５９
ＩＲ（ｃｍ-1）：２９３２，１７２８，１４５５，１１２１，１１００，１０８２
1Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ：０．９２（ｔ，３Ｈ），１．３８（ｄｄ，２Ｈ），１．５０−２．０２（ｍ，１６Ｈ），２．２２（ｍ，２Ｈ），３．３８（ｓ，３Ｈ），３．５６（ｔ，２Ｈ），３．７１（ｔ，２Ｈ），４．０５（ｔ，２Ｈ），４．８３（ｓ，２Ｈ）
フラスコに金属マグネシウム０．５５モルを入れ、窒素置換した後、ブロモメタン０．５モルをＴＨＦ２５０ｍｌに溶解した溶液を、前記金属マグネシウムが浸漬する程度仕込んだ。次に、少量のヨウ素を添加して反応を開始させ、残りのブロモメタンのＴＨＦ溶液を溶媒が穏やかに還流する程度の速度で滴下し、滴下終了後、さらに２時間還流させて、メチルマグネシウムブロミド溶液を得た。
前記方法により得られた３−（２−メトキシエトキシメトキシ）−１−アダマンタンカルボン酸ｎ−ブチル１００ミリモルを１５０ｍｌのＴＨＦ溶液に溶解した溶液を、上記のメチルマグネシウムブロミド溶液に、溶媒が穏やかに還流する程度の速度で滴下し、滴下終了後、さらに２時間還流させた。得られた反応混合液を、氷冷した１０重量％塩酸中に攪拌しながら滴下し、さらに０℃〜室温で２時間攪拌した。反応混合液に１０重量％水酸化ナトリウム水溶液を加えて液性を中性に調整した後、有機層と水層とに分液し、水層をトルエンで抽出し、有機層を濃縮し、濃縮液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付すことにより、α，α−ジメチル−３−（２−メトキシエトキシメトキシ）−１−アダマンタンメタノールを得た（収率８１％）。３−（２−メトキシエトキシメトキシ）−１−アダマンタンカルボン酸ｎ−ブチルの転化率は９０％であった。
［α，α−ジメチル−３−（２−メトキシエトキシメトキシ）−１−アダマンタンメタノールのスペクトルデータ］
ＧＣ−ＭＳ  ｍ／ｅ：２９９（Ｍ＋Ｈ）+，１９３，８９，５９
ＩＲ（ｃｍ-1）：３３８０，２９２８，２９１２，１１１９，１１０２，１０７８
1Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ：１．１６（ｓ，６Ｈ），１．４−２．０（ｍ，１３Ｈ），２．２２（ｍ，２Ｈ），３．３８（ｓ，３Ｈ），３．５６（ｔ，２Ｈ），３．７１（ｔ，２Ｈ），４．８３（ｓ，２Ｈ）
実施例２
１，３−アダマンタンジカルボン酸１．９２モル、Ｎ−ヒドロキシフタルイミド１９２ミリモル、コバルトアセチルアセトナト（II）１．８３ミリモル、及び酢酸１２９０ｍｌの混合物を、酸素雰囲気下（１ａｔｍ）、８０℃で２４時間攪拌した。反応混合液を濃縮後、酢酸エチルと水を加えて分液させた。水層に食塩を加えて酢酸エチルで抽出し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮した。固化した粗精製物を酢酸エチルで洗浄することにより、５−ヒドロキシ−１，３−アダマンタンジカルボン酸を得た（収率５２．５％）。１，３−アダマンタンジカルボン酸の転化率は７５％であった。
［５−ヒドロキシ−１，３−アダマンタンジカルボン酸のスペクトルデータ］
ＧＣ−ＭＳ  ｍ／ｅ（ＦＡＢ-）：２３９（Ｍ−Ｈ）-
1Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ6）δ：１．０−２．８（ｍ，１３Ｈ），１２．２（ｂｒｓ，１Ｈ）
得られた５−ヒドロキシ−１，３−アダマンタンジカルボン酸３００ミリモル、ｎ−ブタノール９００ミリモル、硫酸３０ミリモル、及びトルエン９００ｍｌの混合物をトルエン還流下で５時間攪拌した。反応混合液を濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに付すことにより、５−ヒドロキシ−１，３−アダマンタンジカルボン酸ジｎ−ブチルを得た（収率８５．５％）。５−ヒドロキシ−１，３−アダマンタンジカルボン酸の転化率は９５％であった。
［５−ヒドロキシ−１，３−アダマンタンジカルボン酸ジｎ−ブチルのスペクトルデータ］
ＧＣ−ＭＳ  ｍ／ｅ：３５３（Ｍ＋Ｈ）+，３３５，１５０，１３３，５７
フラスコに金属マグネシウム１．３７５モルを入れ、窒素置換した後、ブロモメタン１．２５モルをＴＨＦ６２５ｍｌに溶解した溶液を、前記金属マグネシウムが浸漬する程度仕込んだ。次に、少量のヨウ素を添加して反応を開始させ、残りのブロモメタンのＴＨＦ溶液を溶媒が穏やかに還流する程度の速度で滴下し、滴下終了後、さらに２時間還流させて、メチルマグネシウムブロミド溶液を得た。
前記方法により得られた５−ヒドロキシ−１，３−アダマンタンジカルボン酸ジｎ−ブチル１００ミリモルを１５０ｍｌのＴＨＦ溶液に溶解した溶液を、上記のメチルマグネシウムブロミド溶液に、溶媒が穏やかに還流する程度の速度で滴下し、滴下終了後、さらに２時間還流させた。得られた反応混合液を、氷冷した１０重量％塩酸中に攪拌しながら滴下し、さらに０℃〜室温で２時間攪拌した。反応混合液に１０重量％水酸化ナトリウム水溶液を加えて液性を中性に調整した後、有機層と水層とに分液し、水層をｎ−ブタノールで抽出し、有機層を濃縮し、濃縮液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付すことにより、下記式で示される５−ヒドロキシ−α，α，α′，α′−テトラメチル−１，３−アダマンタンジメタノールを得た（収率８１％）。５−ヒドロキシ−１，３−アダマンタンジカルボン酸ジｎ−ブチルの転化率は９０％であった。
【化２２】
0004222493.tif 000019
［５−ヒドロキシ−α，α，α′，α′−テトラメチル−１，３−アダマンタンジメタノールのスペクトルデータ］
ＧＣ−ＭＳ  ｍ／ｅ：２６９，２０９，１５０，１３３，４３
実施例３
実施例２と同様の方法により得られた５−ヒドロキシ−１，３−アダマンタンジカルボン酸ジｎ−ブチル２００ミリモル、２−メトキシエトキシメチルクロリド２２０ミリモル、トリエチルアミン２２０ミリモル及びＴＨＦ４００ｍｌの混合液を３時間還流させた。反応混合液を濃縮した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーに付すことにより、５−（２−メトキシエトキシメトキシ）−１，３−アダマンタンジカルボン酸ジｎ−ブチルを得た（収率９４．１％）。５−ヒドロキシ−１，３−アダマンタンジカルボン酸ジｎ−ブチルの転化率は９９％であった。
［５−（２−メトキシエトキシメトキシ）−１，３−アダマンタンジカルボン酸ジｎ−ブチルのスペクトルデータ］
ＧＣ−ＭＳ  ｍ／ｅ：４４１（Ｍ＋Ｈ）+，３３５，１３３，８９，５９
フラスコに金属マグネシウム１．１モルを入れ、窒素置換した後、ブロモメタン１．０モルをＴＨＦ５００ｍｌに溶解した溶液を、前記金属マグネシウムが浸漬する程度仕込んだ。次に、少量のヨウ素を添加して反応を開始させ、残りのブロモメタンのＴＨＦ溶液を溶媒が穏やかに還流する程度の速度で滴下し、滴下終了後、さらに２時間還流させて、メチルマグネシウムブロミド溶液を得た。
上記で得られた５−（２−メトキシエトキシメトキシ）−１，３−アダマンタンジカルボン酸ジｎ−ブチル１００ミリモルを１５０ｍｌのＴＨＦ溶液に溶解した溶液を上記のメチルマグネシウムブロミド溶液に、溶媒が穏やかに還流する程度の速度で滴下し、滴下終了後、さらに２時間還流させた。得られた反応混合液を、氷冷した１０重量％塩酸中に攪拌しながら滴下し、さらに０℃〜室温で２時間攪拌した。反応混合液に１０重量％水酸化ナトリウム水溶液を加えて液性を中性に調整した後、有機層と水層とに分液し、水層をトルエンで抽出し、有機層を濃縮し、濃縮液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付すことにより、下記式で示される５−（２−メトキシエトキシメトキシ）−α，α，α′，α′−テトラメチル−１，３−アダマンタンジメタノールを得た（収率８５．５％）。５−（２−メトキシエトキシメトキシ）−１，３−アダマンタンジカルボン酸ジｎ−ブチルの転化率は９５％であった。
【化２３】
0004222493.tif 000020
［５−（２−メトキシエトキシメトキシ）−α，α，α′，α′−テトラメチル−１，３−アダマンタンジメタノールのスペクトルデータ］
ＧＣ−ＭＳ  ｍ／ｅ：３５７（Ｍ＋Ｈ）+，２５１，２３３，２１５，１３３，８９，５９
実施例４
１−アダマンタンカルボン酸５．０７モル、Ｎ−ヒドロキシフタルイミド５０７ミリモル、バナジウムアセチルアセトナト（III）５．０７ミリモル、及び酢酸１２５００ｍｌの混合物を、酸素吹込下（１０００ｍｌ／分、１ａｔｍ）、７５℃で２４時間攪拌した。反応混合液を濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：クロロホルム／メタノール（３／１））に付し、得られた精製物をさらにアセトンで洗浄することにより、３，５−ジヒドロキシ−１−アダマンタンカルボン酸を得た（収率２４％）。１−アダマンタンカルボン酸の転化率は９２％であった。
［３，５−ジヒドロキシ−１−アダマンタンカルボン酸のスペクトルデータ］
1Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ6）δ：１．２５−１．７１（ｍ，１３Ｈ），４．６２（ｂｒｓ，２Ｈ），１２．０３（ｂｒｓ，１Ｈ）
13Ｃ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ6）δ：３０．１９，３６．７０，４３．１５，４４．２７，４５．７０，５２．４６，６８．６２，１７７．１３
得られた３，５−ジヒドロキシ−１−アダマンタンカルボン酸０．１４モル、ｎ−ブタノール１．４モル、硫酸３．５ミリモルの混合物を１００℃で８時間攪拌した。反応混合液に、飽和食塩水、５％水酸化ナトリウム水溶液（ＮａＯＨ：３．５ミリモル）を加えて混合した後、分液させた。有機層を濃縮し、濃縮残渣をトルエンから再結晶することにより、３，５−ジヒドロキシ−１−アダマンタンカルボン酸ｎ−ブチルを得た（収率８６％）。３，５−ジヒドロキシ−１−アダマンタンカルボン酸の転化率は９９％であった。
［３，５−ジヒドロキシ−１−アダマンタンカルボン酸ｎ−ブチルのスペクトルデータ］
1Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ−ｄ6）δ：０．８６（ｔ，３Ｈ），１．３２（ｑ，２Ｈ），１．３７−１．６２（ｍ，１４Ｈ），２．１９（ｍ，１Ｈ），３．９９（ｔ，２Ｈ），４．５６（ｓ，２Ｈ）
３，５−ジヒドロキシ−１−アダマンタンカルボン酸ｎ−ブチル１２０ミリモル、２−メトキシエトキシメチルクロリド２４０ミリモル、ジイソプロピルアミン２４０ミリモル及びトルエン１１０ｇの混合液を８０℃にて３時間反応させた。反応混合液に水を加え、さらに５％炭酸ナトリウム水溶液を加えて混合した後、分液させた。有機層を濃縮して、３，５−ビス（２−メトキシエトキシメトキシ）−１−アダマンタンカルボン酸ｎ−ブチルを得た（収率９６％）。３，５−ビス（２−メトキシエトキシメトキシ）−１−アダマンタンカルボン酸ｎ−ブチルの転化率は９９．９％であった。
［３，５−ビス（２−メトキシエトキシメトキシ）−１−アダマンタンカルボン酸ｎ−ブチルのスペクトルデータ］
1Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ：０．９７（ｔ，３Ｈ），１．４８（ｄｄ，２Ｈ），１．６０（ｄｄ，２Ｈ），１．６６−１．９７（ｍ，１２Ｈ），２．２０（ｍ，１Ｈ），３．３９（ｓ，６Ｈ），３．５４（ｔ，４Ｈ），３．７１（ｔ，４Ｈ），４．０６（ｑ，２Ｈ），４．８４（ｓ，４Ｈ）
フラスコに金属マグネシウム０．２８モルを入れ、窒素置換した後、ブロモメタン０．２５モルをＴＨＦ１５７ｇに溶解した溶液を、前記金属マグネシウムが浸漬する程度仕込んだ。次に、少量のヨウ素を添加して反応を開始させ、残りのブロモメタンのＴＨＦ溶液を溶媒が穏やかに還流する程度の速度で滴下し、滴下終了後、さらに２時間還流させて、メチルマグネシウムブロミド溶液を得た。
前記方法により得られた３，５−ビス（２−メトキシエトキシメトキシ）−１−アダマンタンカルボン酸ｎ−ブチル１００ミリモルを１５０ｍｌのＴＨＦ溶液に溶解した溶液を、上記のメチルマグネシウムブロミド溶液に、溶媒が穏やかに還流する程度の速度で滴下し、滴下終了後、さらに２時間還流させた。得られた反応混合液を、氷冷した１０重量％塩酸中に攪拌しながら滴下し、さらに０℃〜室温で２時間攪拌した。反応混合液に１０重量％水酸化ナトリウム水溶液を加えて液性を中性に調整した後、有機層と水層とに分液し、水層をトルエンで抽出し、有機層を濃縮し、濃縮液をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付すことにより、α，α−ジメチル−３，５−ビス（２−メトキシエトキシメトキシ）−１−アダマンタンメタノールを得た（収率８７％）。３，５−ビス（２−メトキシエトキシメトキシ）−１−アダマンタンカルボン酸ｎ−ブチルの転化率は９８％であった。
［α，α−ジメチル−３，５−ビス（２−メトキシエトキシメトキシ）−１−アダマンタンメタノールのスペクトルデータ］
1Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ：１．１７（ｓ，６Ｈ），１．４０−１．９５（ｍ，１３Ｈ），２．３８（ｍ，１Ｈ），３．３８（ｓ，６Ｈ），３．５３−３．５７（ｍ，４Ｈ），３．６９−３．７４（ｍ，４Ｈ），４．８５（ｓ，４Ｈ）
なお、途中の段階で得られた３，５−ジヒドロキシ−１−アダマンタンカルボン酸ｎ−ブチルを、実施例５の方法に準じて、メチルマグネシウムブロミドと反応させることにより、３，５−ジヒドロキシ−α，α−ジメチル−１−アダマンタンメタノールを得ることができる。