(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹面鏡と凸面鏡からなる結像光学系と、所定波長の軟Ｘ線の照明用光束で観察試料を照明する照明光学系と、前記観察試料を載置し移動させるステージ機構とを具備した軟Ｘ線顕微鏡において、
前記凹面鏡は、前記観察試料を照明する前記照明用光束を通過させるための少なくとも一つの第１開口部と、前記観察試料で反射した光を通過させるための第２開口部とを有し、
前記結像光学系は、前記観察試料の反射像を軟Ｘ線画像検出器に結像させることを特徴とする反射型軟Ｘ線顕微鏡。
【請求項２】
前記試料表面が、前記結像光学系の光軸に対して、ほぼ垂直に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の反射型軟Ｘ線顕微鏡。
【請求項３】
前記凹面鏡は、前記第１開口部を通過した前記照明用光束が前記観察試料で反射した後に入射する位置に、絞りを有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の反射型軟Ｘ線顕微鏡。
【請求項４】
前記絞りは、前記凹面鏡の表面の反射膜上に、該絞りとなる開口部を残して遮光膜が形成されてなることを特徴とする請求項３に記載の反射型軟Ｘ線顕微鏡。
【請求項５】
前記絞りは、該絞りとなる開口部にのみ反射膜を形成されてなることを特徴とする請求項３に記載の反射型軟Ｘ線顕微鏡。
【請求項６】
前記絞りは、前記観察試料と前記凹面鏡の反射面との間に配置され、該絞りとなる開口部を有する遮光性材料の基板または遮光性材料で被覆された基板で形成されることを特徴とする請求項３に記載の反射型軟Ｘ線顕微鏡。
【請求項７】
前記結像光学系は、前記凸面鏡を支持する支柱を有し、
前記支柱は、前記観察試料を照明する前記照明用光束と、前記観察試料で反射した光とのいずれも遮らないように配置されていることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載の反射型軟Ｘ線顕微鏡。
【請求項８】
凹面鏡と凸面鏡からなる結像光学系と、所定波長の軟Ｘ線の照明用光束で観察試料を照明する照明光学系と、前記観察試料を載置し移動させるステージ機構とを具備した軟Ｘ線顕微鏡において、
前記凹面鏡は、前記観察試料を照明する前記照明用光束を通過させるための少なくとも一つの第１開口部と、前記観察試料からの散乱光あるいは回折光を通過させるための第２開口部とを有し、
前記結像光学系は、前記散乱光あるいは前記回折光による像を軟Ｘ線画像検出器に結像させることを特徴とする反射型軟Ｘ線顕微鏡。
【請求項９】
前記試料表面が、前記結像光学系の光軸に対して、ほぼ垂直に配置されていることを特徴とする請求項８に記載の反射型軟Ｘ線顕微鏡。
【請求項１０】
前記凹面鏡の表面には反射膜が形成され、かつ前記第１開口部を通過した前記照明用光束が前記観察試料で反射した後に入射する位置のみに、前記観察試料からの反射光を吸収する物質により遮光膜が形成されてなることを特徴とする請求項８または請求項９のいずれかに記載の反射型軟Ｘ線顕微鏡。
【請求項１１】
前記凹面鏡は、前記第１開口部を通過した前記照明用光束が前記観察試料で反射した後に入射する位置を除いて、反射膜が形成されてなることを特徴とする請求項８または請求項９のいずれかに記載の反射型軟Ｘ線顕微鏡。
【請求項１２】
前記結像光学系は、前記凹面鏡の反射面と前記観察試料との間に、前記観察試料からの反射光を遮光する遮光性材料の基板または遮光性材料で被覆された基板を配置することを特徴とする請求項８または９に記載の反射型軟Ｘ線顕微鏡。
【請求項１３】
前記結像光学系は、前記凸面鏡を支持する支柱を有し、
前記支柱は、前記観察試料を照明する前記照明用光束を遮らないように配置されていることを特徴とする請求項８から請求項１２のいずれかに記載の反射型軟Ｘ線顕微鏡。
【請求項１４】
前記照明光学系は、レーザープラズマ光源、放電プラズマ光源またはＸ線レーザー光源のいずれかの光源と、前記所定の波長の軟Ｘ線を選択的に透過するフィルターと、前記光源から発散した光束を集光する集光光学素子とを具備することを特徴とする請求項１から請求項１３のいずれかに記載の反射型軟Ｘ線顕微鏡。
【請求項１５】
前記照明光学系は、前記照明用光束を軟Ｘ線と可視光もしくは紫外光に切り替える手段を具備することを特徴とする請求項１から請求項１４のいずれかに記載の反射型軟Ｘ線顕微鏡。
【請求項１６】
前記照明光学系は、互いに異なる波長の複数の照明用光束で前記観察試料を照明し、
前記複数の照明用光束は、それぞれが前記凹面鏡に設けられた互いに異なる複数の前記第１開口部を通過して前記観察試料上に入射することを特徴とする請求項１から請求項１５のいずれかに記載の反射型軟Ｘ線顕微鏡。
【請求項１７】
前記結像光学系はシュバルツシルド光学系であることを特徴とする請求項１から１６のいずれかに記載の反射型軟Ｘ線顕微鏡。
【請求項１８】
請求項１から請求項１７のいずれかに記載の反射型軟Ｘ線顕微鏡により、軟Ｘ線縮小投影露光に用いられる反射マスクを、軟Ｘ線縮小投影露光で使用される波長の軟Ｘ線を用いて検査することを特徴とするマスク検査装置。
【請求項１９】
請求項１８に記載のマスク検査装置において、反射光、回折光もしくは散乱光の強度を検出しながら試料上を走査し、検出強度の変化した領域で画像を取得することを特徴とするマスク検査装置。
【請求項２０】
基板上に軟Ｘ線を反射する多層膜を有する反射膜を形成する第１工程と、該反射膜上に軟Ｘ線を吸収する遮光膜を形成する第２工程と、さらに該遮光膜上にレジスト層を形成する第３工程と、該レジスト層に所望の反射もしくは遮光パターンを露光する第４工程と、前記レジスト層を現像して前記パターンを形成する第５工程と、前記現像されたレジスト層を保護膜として前記遮光膜をエッチングする第６工程を少なくとも具備して、前記パターンを基板上に形成する反射マスクの製造方法であって、基板上に反射膜を形成する第１工程、レジスト層を現像して反射もしくは遮光パターンを形成する第５工程、および遮光膜をエッチングして前記パターンを形成する第６工程のうち、少なくとも１つ以上の工程において、請求項１９に記載のマスク検査装置を用いて、前記反射膜、前記遮光膜、レジスト層あるいは反射マスクに形成された反射もしくは遮光パターンを検査する作業を具備することを特徴とする反射マスクの製造方法。
【請求項２１】
基板上に軟Ｘ線を反射する多層膜を有する反射膜を形成する第１工程と、該反射膜上にレジスト層を形成する第２工程と、該レジスト層に反射もしくは遮光パターンを露光する第３工程と、前記レジスト層を現像して前記パターンを形成する第４工程と、前記現像されたレジスト層を保護層として、レジスト層で被覆されていない部分に軟Ｘ線を吸収する無機化合物もしくは有機化合物あるいは有機物・無機物化合物の遮光膜を成膜する第５工程を、少なくとも具備して、前記パターンを基板上に形成する反射マスクの製造方法であって、基板上に反射膜を形成する第１工程、レジスト層を現像して反射もしくは遮光パターンを形成する第４工程、および遮光膜を前記パターン状に成膜する第５工程のうち、少なくとも一つ以上の工程において、請求項１９に記載のマスク検査装置を用いて、前記反射膜、前記遮光膜、レジスト層あるいは反射マスクに形成された反射もしくは遮光パターンを検査する作業を具備することを特徴とする反射マスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、軟Ｘ線を用いて試料の反射像を観察する反射型軟Ｘ線顕微鏡に関するものであり、また、当該反射型軟Ｘ線顕微鏡を用いて軟Ｘ線縮小投影露光用の反射マスクの欠陥を検査するマスク検査装置に関するものである。さらに、該マスク検査装置を用いた反射マスクの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路素子の微細化の進展に伴い、光の回折限界によって制限される光学系の解像力を向上させるために、従来の紫外線に代わって、さらに波長の短い軟Ｘ線を使用した縮小投影リソグラフィ技術が開発されている。この技術においては、露光光源に１０ｎｍ〜１５ｎｍの波長の軟Ｘ線が使用される。
【０００３】
前記波長域では透明な物質が存在しないので、軟Ｘ線縮小投影リソグラフィ技術では、従来からの透過型のマスクではなく、反射型のマスクが使用される。該反射マスクは、充分な機械的強度および表面の平滑度を有する基板上に、多層膜で形成される軟Ｘ線を反射する反射膜を成膜し、さらにその上に軟Ｘ線を吸収する物質からなる層で所定の回路パターン形状を形成したものである。軟Ｘ線縮小投影露光技術においては、複数の多層膜反射鏡等の光学素子で構成された投影結像光学系により、前記反射マスク上に形成されている回路パターンが、フォトレジストを塗布したウェハ上に結像され、該フォトレジストに転写される。なお、軟Ｘ線は大気に吸収されて減衰してしまうため、その光路は全て所定の真空度に維持されている。
【０００４】
前記反射マスクの欠陥には、マスク表面に付着した異物や、回路パターンの欠けや余剰といった外観上の欠陥の他に、反射膜自体の欠陥がある。前述のように反射膜は多層膜からなっており、その多層に積層された層間における界面のごく弱い反射光の位相を揃えることによって、全体として高い反射率を得ることができる。前記反射膜を成膜する前の基板自体の表面にある凹凸や、多層膜を積層する工程における異物の混入などにより、反射膜内部に局所的な段差を生じ、周期構造のずれた部分ができると、その部分で反射膜内部の光の位相関係がずれるので、局所的に反射率が低下することになる。ここで、位相差2πは１０〜１５ｎｍの使用波長に相当するので、ｎｍオーダーの局所的な段差が、反射率欠陥の原因となる。このような非常に小さい段差を、可視光や紫外線を用いた顕微鏡、あるいは電子顕微鏡などで観察することは極めて困難であった。
【０００５】
そこで、実際に軟Ｘ線縮小投影露光装置で使用する露光波長を用いれば、ウェハ上のフォトレジストに転写されてしまう欠陥を全て検出することができるので、前記反射マスクの欠陥検査においては、露光波長と同じ波長を用いて検査しなくてはならない。したがって、反射マスクの欠陥検査を行うためには、反射型の軟Ｘ線顕微鏡が必要となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
軟Ｘ線を用いる顕微鏡には、透過型と反射型のものがあるが、前述の反射型の軟Ｘ線顕微鏡には、シュバルツシルド光学系が広く用いられている。図４に示すように、シュバルツシルド光学系は、一般的に凹面鏡２と凸面鏡１の二枚の同心球面の球面鏡からなる光学系である。凹面鏡２の中心には光線を通すための穴７が空いている。上記のように軟Ｘ線領域で使用する場合は、反射面に軟Ｘ線を反射する多層膜コーティングを施して使用する。
【０００７】
従来から、このようなシュバルツシルド光学系を使用して反射型顕微鏡を構成するためには、照明光束５と光学系鏡筒１９の機械的干渉を防ぐために、図４に示すように、光軸O（光学系の回転中心軸）に対して試料の法線を傾けて配置しなければならなかった。そして、試料を光軸Oに対して傾けて配置すると、光学系の焦点深度によって観察できる視野が制限されてしまうといった問題点があった。
【０００８】
ここで、光学系の回折限界の解像力（Ｒ）と焦点深度（ＤＯＦ）は、開口数（ＮＡ）と波長（λ）によって決まり、次式で与えられることが知られている。
Ｒ＝０．６１λ／ＮＡ
ＤＯＦ＝λ／ＮＡ２
例えば、波長が１３ｎｍの光源で７０ｎｍの解像力を得ようとすると、ＮＡは０．１１となり、その時の焦点深度（ＤＯＦ）は約１μmとなる。ここで、試料を４５゜傾けたとすると、その焦点深度によって制限される視野の幅は、わずか１．４μmとなる。試料を光軸に垂直に配置した場合には、光学系の寸法や倍率にもよるが、少なくとも数十μm以上の視野を確保することができる。
【０００９】
焦点深度によって制限された視野の外側の領域でもある程度結像はするが、像のボケが大きくなるので回折限界の解像力を得ることはできない。例えば、Optics Letters, Vol. 17, (1992) P. 157に、このような試料を傾けた配置でシュバルツシルド光学系を用いた軟Ｘ線顕微鏡の実験が報告されているが、＃２００メッシュ（ピッチ１２７μm）の像が見える程度であり、波長（１８．２ｎｍ）と光学系のＮＡ（０．１）から期待される解像力（０．１μm）には遠く及ばない。
【００１０】
本発明はこのような従来の問題点に鑑みてなされたものであり、シュバルツシルド光学系に代表される凹面鏡と凸面鏡からなる結像系を使用して、試料を光軸に垂直に配置して、なおかつ反射型の配置で像を観察することのできる反射型Ｘ線顕微鏡を提供することを目的とする。さらに、このような軟Ｘ線顕微鏡を用いた、軟Ｘ線縮小投影露光用反射マスクの欠陥検査装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決し目的を達成するために、請求項１に記載の発明に係わる反射型軟Ｘ線顕微鏡では、凹面鏡と凸面鏡からなる結像光学系と、所定波長の軟Ｘ線の照明用光束で観察試料を照明する照明光学系と、前記観察試料を載置し移動させるステージ機構とを具備した軟Ｘ線顕微鏡において、前記凹面鏡は、前記観察試料を照明する前記照明用光束を通過させるための少なくとも一つの第１開口部と、前記観察試料で反射した光を通過させるための第２開口部とを有し、前記結像光学系は、前記観察試料の反射像を軟Ｘ線画像検出器に結像させることを特徴としている。
【００１２】
請求項２に記載の発明に係わる反射型軟Ｘ線顕微鏡では、請求項１に記載の反射型軟Ｘ線顕微鏡において、試料表面が、前記結像光学系の光軸に対して、ほぼ垂直に配置されていることを特徴としている。
【００１３】
また、請求項３に記載の発明に係わる反射型軟Ｘ線顕微鏡では、請求項１または請求項２に記載の反射型軟Ｘ線顕微鏡の凹面鏡において、前記第１開口部を通過した前記照明用光束が前記観察試料で反射した後に入射する位置に、絞りを有することを特徴としている。
【００１４】
請求項４に記載の発明に係わる反射型軟Ｘ線顕微鏡では、請求項３に記載の反射型軟Ｘ線顕微鏡において、前記絞りが、前記凹面鏡表面の反射膜上に、絞りとなる開口部を残して遮光膜が形成されてなることを特徴としている。
【００１５】
請求項５に記載の発明に係わる反射型軟Ｘ線顕微鏡では、請求項３に記載の反射型軟Ｘ線顕微鏡において前記絞りが、該絞りとなる開口部にのみ反射膜を形成してなることを特徴としている。
【００１６】
請求項６に記載の発明に係わる反射型軟Ｘ線顕微鏡では、請求項３に記載の反射型軟Ｘ線顕微鏡において、前記絞りが、前記試料と前記凹面鏡の反射面との間に配置され、前記絞りとなる開口部を有する遮光材料製基板または遮光材料で被覆された基板で形成されることを特徴としている。
【００１７】
請求項７に記載の発明に係わる反射型軟Ｘ線顕微鏡では、請求項１から請求項６のいずれかに記載の反射型軟Ｘ線顕微鏡における前記結像光学系を構成する凸面鏡を支持する支柱が、試料を照明する照明用光束と、試料で反射した反射光束の、いずれも遮らないように配置されていることを特徴としている。
【００１８】
請求項８に記載の発明に係わる反射型軟Ｘ線顕微鏡では、凹面鏡と凸面鏡からなる結像光学系と、所定波長の軟Ｘ線の照明用光束で観察試料を照明する照明光学系と、前記観察試料を載置し移動させるステージ機構とを具備した軟Ｘ線顕微鏡において、前記凹面鏡は、前記観察試料を照明する前記照明用光束を通過させるための少なくとも一つの第１開口部と、前記観察試料からの散乱光あるいは回折光を通過させるための第２開口部とを有し、前記結像光学系は、前記散乱光あるいは前記回折光による像を軟Ｘ線画像検出器に結像させることを特徴としている。
【００１９】
請求項９に記載の発明に係わる反射型軟Ｘ線顕微鏡では、  請求項８に記載の反射型軟Ｘ線顕微鏡において、試料表面が、前記結像光学系の光軸に対して、ほぼ垂直に配置されていることを特徴としている。
【００２０】
請求項１０に記載の発明に係わる反射型軟Ｘ線顕微鏡では、請求項８または請求項９のいずれかに記載の反射型軟Ｘ線顕微鏡の結像光学系を構成する凹面鏡において、該凹面鏡の表面には反射膜が形成され、かつ前記第１開口部を通過した前記照明用光束が前記観察試料で反射した後に入射する位置のみに、前記観察試料からの反射光を吸収する物質により遮光膜が形成されてなることを特徴としている。
【００２１】
請求項１１に記載の発明に係わる反射型軟Ｘ線顕微鏡では、請求項８または請求項９のいずれかに記載の反射型軟Ｘ線顕微鏡の結像光学系を構成する凹面鏡において、前記第１開口部を通過した照明用光束が観察試料で反射した後に入射する位置を除いて、反射膜が形成されてなることを特徴としている。
【００２２】
請求項１２に記載の発明に係わる反射型軟Ｘ線顕微鏡では、請求項８または９に記載の反射型軟Ｘ線顕微鏡の結像光学系において、前記凹面鏡の反射面と前記観察試料との間に、前記観察試料からの反射光を遮光する遮光性材料の基板または遮光性材料で被覆された基板を配置することを特徴としている。
【００２３】
請求項１３に記載の発明に係わる反射型軟Ｘ線顕微鏡では、請求項８から請求項１２のいずれかに記載の反射型軟Ｘ線顕微鏡の結像光学系を構成する凸面鏡を支持する支柱が、観察試料を照明する照明用光束を遮らないように配置されていることを特徴としている。
【００２４】
請求項１４に記載の発明に係わる反射型軟Ｘ線顕微鏡では、請求項１から請求項１３のいずれかに記載の反射型軟Ｘ線顕微鏡の照明光学系は、レーザープラズマ光源、放電プラズマ光源またはＸ線レーザー光源のいずれかの光源と、所定の波長の軟Ｘ線を選択的に透過するフィルターと、光源から発散した光束を集光する集光光学素子とを具備することを特徴としている。
【００２５】
請求項１５に記載の発明に係わる反射型軟Ｘ線顕微鏡では、請求項１から請求項１４のいずれかに記載の反射型軟Ｘ線顕微鏡の照明光学系は、照明光を軟Ｘ線と可視光もしくは紫外光に切り替える手段を具備することを特徴としている。
【００２６】
請求項１６に記載の発明に係わる反射型軟Ｘ線顕微鏡では、請求項１から請求項１５のいずれかに記載の反射型軟Ｘ線顕微鏡における前記照明光学系は、互いに異なる波長の複数の照明用光束で前記観察試料を照明し、前記複数の照明用光束は、それぞれが前記凹面鏡に設けられた互いに異なる複数の第１開口部を通過して前記観察試料上に入射することを特徴としている。
【００２７】
請求項１７に記載の発明に係わる反射型軟Ｘ線顕微鏡では、請求項１から請求項１６のいずれかに記載の反射型軟Ｘ線顕微鏡の結像光学系は、シュバルツシルド光学系であることを特徴としている。
【００２８】
請求項１８に記載の発明に係わるマスク検査装置では、請求項１から請求項１７のいずれかに記載の反射型軟Ｘ線顕微鏡により、軟Ｘ線縮小投影露光に用いられる反射マスクを、軟Ｘ線縮小投影露光で使用される波長の軟Ｘ線を用いて検査することを特徴としている。
【００２９】
請求項１９に記載の発明に係わるマスク検査装置では、請求項１８に記載のマスク検査装置において、反射光、回折光もしくは散乱光の強度を検出しながら試料上を走査し、検出強度の変化した領域で画像を取得することを特徴としている。
【００３０】
請求項２０に記載の発明に係わるマスクの製造方法では、基板上に軟Ｘ線を反射する多層膜を有する反射膜を形成する第１工程と、
該反射膜上に軟Ｘ線を吸収する遮光膜を形成する第２工程と、
さらに該遮光膜上にレジスト層を形成する第３工程と、
該レジスト層に所望の反射もしくは遮光パターンを露光する第４工程と、
前記レジスト層を現像して前記パターンを形成する第５工程と、
前記現像されたレジスト層を保護膜として前記遮光膜をエッチングする第６工程を
少なくとも具備して、前記パターンを基板上に形成する反射マスクの製造方法であって、
基板上に反射膜を形成する第１工程、レジスト層を現像して反射もしくは遮光パターンを形成する第５工程、および遮光膜をエッチングして前記パターンを形成する第６工程のうち、少なくとも１つ以上の工程において、
請求項１９に記載のマスク検査装置を用いて、前記反射膜を形成する多層膜の位相欠陥や多層膜上の異物、レジスト層あるいは反射マスクに形成された反射もしくは遮光パターンの欠陥を検査する作業を具備することを特徴としている。
【００３１】
請求項２１に記載の発明に係わるマスクの製造方法では、基板上に軟Ｘ線を反射する多層膜を有する反射膜を形成する第１工程と、該反射膜上にレジスト層を形成する第２工程と、該レジスト層に反射もしくは遮光パターンを露光する第３工程と、前記レジスト層を現像して前記パターンを形成する第４工程と、前記現像されたレジスト層を保護層として、レジスト層で被覆されていない部分に軟Ｘ線を吸収する無機化合物もしくは有機化合物あるいは有機物・無機物化合物の遮光膜を成膜する第５工程を、少なくとも具備して、前記パターンを基板上に形成する反射マスクの製造方法であって、基板上に反射膜を形成する第１工程、レジスト層を現像して反射もしくは遮光パターンを形成する第４工程、および遮光膜を前記パターン状に成膜する第５工程のうち、少なくとも一つ以上の工程において、請求項１９に記載のマスク検査装置を用いて、前記反射膜、前記遮光膜、レジスト層あるいは反射マスクに形成された反射もしくは遮光パターンを検査する作業を具備することを特徴としている。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下に図を用いて、本発明の実施の形態を詳細に説明する。
図１は本発明の反射型軟Ｘ線顕微鏡の原理を示す概略図である。
本発明の反射型軟Ｘ線顕微鏡は、結像光学系を構成する凸面鏡１と、凹面鏡２と、画像検出器４とを具備している。図１に示すように、凹面鏡２には、照明光５が光学系で遮られるのを避けるために開口部８が設けられ、試料３はその表面が結像光学系の光軸Oに対して垂直になるように配置されている。前記配置をとることにより、図４に示した従来の反射型軟Ｘ線顕微鏡のように試料３を傾けることなく試料３の反射像を観察することが可能となった。
【００３３】
ここで、照明光５は前記開口部８を通過し、試料（反射マスク）３で反射されて反射光６となり、凹面鏡２に導かれる。照明光５と、試料３で反射した反射光６は、光軸Ｏに対して対称な位置を通るので、凸面鏡１に遮られることはない。試料３の表面で反射した反射光６は、さらに凹面鏡２と凸面鏡１で反射され、凹面鏡２の中央に設けられた開口部７を通過して、画像検出器４上に結像する。
【００３４】
凸面鏡１と凹面鏡２の反射面は、所定の波長の軟Ｘ線を反射するために、多層構造の反射膜が形成されており、例えば，Ｍｏ（モリブデン）とＳｉ（シリコン）の交互積層多層膜や、ＭｏとＳｉＣ（炭化ケイ素）の交互積層多層膜や、Ｒｕ（ルテニウム）とＳｉの交互積層多層膜などが用いられる。また、凹面鏡２には、図２に示すように、照明光５を通す開口部８と、結像光学系の開口数（ＮＡ）を決定する絞り９と、凸面鏡１で反射した反射光を通す開口部７が設けられている。照明光５を通す開口部８と絞り９は、光軸O（凹面鏡２の中心）に対して対称の位置に配置されている。絞り９は、前記多層反射膜で構成されおり、その形成方法は請求項４に示したように、凹面鏡２の全面に前記多層反射膜を成膜して、その上に絞りとなる開口部を残してＭｏ薄膜等の遮光膜を形成しても良いし、また、請求項５に示したように、絞りの開口部となる部分のみに前記多層反射膜を形成しても良い。（何も成膜していない基板表面では、軟Ｘ線は反射しない。）さらにまた、請求項６に示したように、試料３と前記多層反射膜を表面に成膜した凹面鏡２との光路上に、絞りとなる開口部を備えた遮光性材料の基板または遮光性材料を被覆した基板を配置してもよい。以上のような構成により、試料からの反射像を検出することができる。
【００３５】
凹面鏡２に設置される、照明光５を通すための開口部８は、照明光５を遮らないように設けることができればどんな形でも構わない。例えば、図３に示すように、凹面鏡２を半円形にして、素通しの部分に照明光５の通過する領域１０８を設けても構わない。
【００３６】
またここで、試料３を暗視野像で観察する場合には、請求項１２で示したように試料３と凹面鏡２との間に、前記試料３表面で反射した反射光６を遮るような遮光部材を配置しても良い。このように遮光部材を置くことにより、反射光６はカットされ、試料３からの散乱光や回折光による像を画像検出器４で検出することができる。この際、反射光６が結像に寄与しない構成にすればよいので、上述のように光路中に遮光部材を配置するかわりに、凹面鏡２の全面に前記多層反射膜を成膜して、反射光６があたる部分にだけ前記反射光６を吸収して反射しない物質で遮光膜を形成してもよい。（請求項１０）あるいは、前記反射光６があたる部分だけ前記多層反射膜を除去する構成にしてもよい。（請求項１１）
また、画像検出器４には、軟Ｘ線に感度のあるＣＣＤ（Charge Coupled Device）、ＭＣＰ（Micro Channel Plate）、Ｘ線フィルムや、輝尽性蛍光体を用いた放射線像変換パネルなどを用いることができる。また、光電変換面で軟Ｘ線画像を電子画像に変換して、電子レンズで像を拡大して蛍光面に像を表示するズーミング管（浜松フォトニクス社製）なども用いることもできる。ズーミング管を用いる場合には、ズーミング管で像を拡大することが出来るので、結像光学系の倍率をそれほど高くする必要はない。また、ズーミング管で拡大倍率を変えた観察を行うこともできる。
【００３７】
以上のように、本発明では、反射光による明視野像の観察と、散乱光あるいは回折光による暗視野像の観察のいずれも可能である。その結果、反射マスクの検査において、多層膜の位相欠陥や、反射もしくは遮光パターン欠陥等の検査の場合には明視野像を用い、多層膜やレジスト層にある異物等の検査には暗視野像を用いることができる。
次に  本発明による反射型軟Ｘ線顕微鏡方式マスク欠陥検査装置を利用した、反射マスクの製造工程を図８に示す。
【００３８】
まず、低熱膨張ガラスからなる基板を所定の寸法、形状に加工する。その表面は、所定の平坦度、表面粗さに研磨加工される。
次に、その上に所定の波長の軟Ｘ線を反射するＭｏ／Ｓｉ等の多層膜を形成する。該多層膜は、スパッタリングや真空蒸着などの薄膜形成法によって成膜されるが、基板上の傷、成膜前あるいは成膜中の異物の混入、成膜後の異物の付着などにより欠陥を生じることがある。そこで、本発明による明視野像用または暗視野像用のマスク検査装置を用いて欠陥の検査を行う。その結果修正可能な程度の欠陥であれば修正が行なわれる。
【００３９】
たとえば、基板上の傷、成膜前あるいは成膜中の異物の混入による欠陥の場合は、あらかじめ設定された許容寸法以下ならば、前記成膜された薄膜上にさらに多層膜を形成して平坦化することも可能である。また、成膜後の異物の付着であれば超音波洗浄などによって物理的に除去する。
【００４０】
次に、スパッタリング等の薄膜形成法により、Ｃｒ、ＴｉＮ、ＮｉＳｉ、Ｔｉ、Ｔａ、ＴａＮ、ＴａＳｉＮ、Ａｌ等からなる遮光膜を前記反射膜の上に形成する。
【００４１】
さらに、前記遮光膜上にフォトレジストを塗布し、電子ビーム描画装置等により所定のパターンを露光し、現像してレジストのパターンを形成する。この際、レジストパターンの欠けや余剰などの欠陥が生じる可能性がある。そこで、本発明による明視野像用のマスク検査装置を用いて欠陥の検査を行う。もしレジストパターンの余剰欠陥があれば、レーザー光、電子ビームやイオンビームなどのエネルギービームを集束して照射することにより、レジストパターンの一部を選択的に除去して修正することができる。また、レジストパターンの欠け欠陥がある場合には、該欠陥個所に炭化水素ガスを供給して炭化水素ガス雰囲気を形成しておき、そこへ前記電磁波を照射するとことにより、選択的に有機薄膜を形成することができる。
【００４２】
最後に、レジストパターンをマスクとして、ドライエッチング等の手法により遮光膜を選択的にエッチングして除去して、遮光パターンを形成する。この際にも、遮光パターンの欠けや余剰などの欠陥を生じることがある。そこで、本発明による明視野像のマスク欠陥検査装置を用いて欠陥の検査を行う。もしここで、遮光パターンの欠陥があれば、Ｇａ等の集束イオンビームを用いて修正を行う。前記欠陥が遮光パターンの余剰欠陥の場合、前記イオンビームを照射することにより、選択的に余剰部分を除去することができる。この時遮光膜の種類により必要があれば、欠陥個所近傍にフッ素系の反応ガスを供給して前記イオンビームを照射することにより、選択的に余剰部分を除去することができる。また、欠陥が遮光パターンの欠けの場合には反応ガスとしてＷＦ6などを選択することにより、その雰囲気中でイオンビーム照射して遮光膜を部分的に形成することができる。
【００４３】
以上の工程により、軟Ｘ線縮小投影露光用の反射マスクを製造する。
さらにまた、本発明による反射型軟Ｘ線顕微鏡方式マスク欠陥検査装置を利用した、別の反射マスク製造工程を図９に示す。
【００４４】
まず、低熱膨張ガラスからなる基板を所定の寸法、形状に加工する。その表面は、所定の平坦度、表面粗さに研磨加工される。
次に、その上に所定の波長の軟Ｘ線を反射するＭｏ／Ｓｉ等の反射膜を形成する。該反射膜は、スパッタリングや真空蒸着などの薄膜形成法によって成膜されるが、基板上の傷、成膜前あるいは成膜中の異物の混入、成膜後の異物の付着などにより欠陥を生じる可能性がある。そこで、本発明による明視野像または暗視野像のマスク検査装置を用いて欠陥の検査を行う。修正可能な欠陥であれば前述のようにして同様の修正を行う。
【００４５】
その上にフォトレジストを塗布し、電子ビーム描画装置等により所定のパターンを露光し、現像してレジストのパターンを形成する。この際、レジストパターンの欠けや余剰などの欠陥を生じる可能性がある。そこで、本発明による明視野像のマスク検査装置を用いて欠陥の検査を行う。もしここで欠陥があれば、前述のようにして同様の修正を行う。
【００４６】
最後に、レジストパターンを鋳型として、メッキ法によりＮｉ等からなる遮光膜を選択的に形成して、遮光パターンを形成する。この際にも、遮光パターンの欠けや余剰などの欠陥を生じる可能性がある。そこで、本発明による明視野像のマスク欠陥検査装置を用いて欠陥の検査を行う。もしここで欠陥があれば、前述のようにして同様の修正を行う。以上の工程により、軟Ｘ線縮小投影露光用の反射マスクを製造する。
【００４７】
【実施例】
図５に本発明の実施例である反射型Ｘ線顕微鏡の構成図を示す。
本反射型Ｘ線顕微鏡は、同心球面形状の凹面鏡２と凸面鏡１からなるシュバルツシルド光学系の結像光学系と、軟Ｘ線を発生させるレーザプラズマ光源とフィルター１７と集光反射鏡１１とを有する照明光学系と、観察試料３を載置し移動させる試料ステージ１０と、画像検出器４とを具備している。
【００４８】
前記レーザープラズマ光源は、まず、Ｎｄ：ＹＡＧレーザー光源１２から発生させた波長１．０６μmのパルスレーザー光を、レンズ１３で集束して、窓１４を介して第一の真空チャンバー３０内に設置されたターゲットに照射し、プラズマ１５を発生させることにより、軟Ｘ線を発生させることができる。
【００４９】
ターゲットにはＴａ（タンタル）製のテープターゲットを使用し、テープレコーダーと類似した機構のテープターゲット連続供給機構１６によりターゲットが連続的に供給される。前記ターゲット表面に前記の強いパルスレーザー光が集光して照射されると、アブレーションによりターゲット表面の物質が蒸発し、それがレーザー光の電場により電離されてプラズマ１５が発生する。このプラズマ１５からの輻射の中には軟Ｘ線が含まれており、軟Ｘ線光源として利用できる。なお、波長１３ｎｍの軟Ｘ線は、空気中では吸収されて減衰してしまうので、軟Ｘ線の通過する光路は全て真空としてある。本実施例ではテープターゲット方式のレーザープラズマ光源を採用したが、本発明はこれに限定されるものではなく、板状、ワイヤ状のターゲットを用いても良いし、ガスや液体や微粒子などのターゲットを用いることもできる。また、レーザープラズマ光源の代わりに、放電プラズマ光源やＸ線レーザー光源を用いても良い。
【００５０】
前記レーザープラズマ光源から発生した光束は、フィルター１７を通過し、真空パイプ３２を通過した後、第二の真空チャンバー３１の中に設置された集光反射鏡１１で集束されて、シュバルツシルド光学系の凹面鏡２に設けられた開口部８を通過して、試料３の表面を照明する。集光反射鏡１１の表面には、所定の軟Ｘ線を反射するための多層反射膜が形成されている。
【００５１】
レーザープラズマ光源からは、所望の波長以外の軟Ｘ線や、紫外線、可視光も発生するが、フィルター１７と集光反射鏡１１およびシュバルツシルド光学系を構成する多層反射膜反射鏡により、所望の波長の軟Ｘ線だけを選択する。本実施例では、波長１３ｎｍの軟Ｘ線で観察するために、フィルター１７にＢｅ（ベリリウム）を用い、多層反射膜にはＭｏを２．２ｎｍとＳｉ４．５ｎｍを５０層ずつ交互に積層し、最上層をＳｉとした多層膜を用いた。Ｂｅは可視光や紫外線は遮断し、ＢｅのＫ吸収端（１１．１ｎｍ）の長波長側の軟Ｘ線を良く透過する。Ｍｏ／Ｓｉの多層膜は、ＳｉのL吸収端（１２．３ｎｍ）の長波長側で高い反射率を示す材料として良く知られており、所望の波長１３ｎｍの軟Ｘ線をよく反射する。
【００５２】
第二の真空チャンバー３１の中には、集光反射鏡１１、シュバルツシルド光学系鏡筒１９、試料ステージ１０などが設けられている。第一の真空チャンバーと第二の真空チャンバーには、ロータリーポンプとクライオポンプからなる真空排気系(不図示)がそれぞれ設けられている。
【００５３】
試料３を照明した照明光５は、前記試料３の表面で反射されて反射光６となり、シュバルツシルド光学系を構成する凹面鏡２と凸面鏡１でさらに反射した後、凹面鏡２の中央に設けられた開口部７を通って画像検出器４上に結像する。
【００５４】
本実施例で用いたシュバルツシルド光学系は、倍率が１００倍、開口数（ＮＡ）は０．１２で、試料側（縮小側）で直径約５０μmの視野を観察することができる。各反射鏡の反射面には、波長１３ｎｍの軟Ｘ線を反射するためのＭｏ／Ｓｉ多層膜が形成されている。したがって本光学系は、７０ｎｍ以下の解像力を有することになる。なお、本実施例では結像光学系にシュバルツシルド光学系を用いたが、本発明は同心球面鏡からなる狭義のシュバルツシルド光学系に限定されない。凹面と凸面の二枚のミラーで構成される結像系に適用可能である。例えば、凹面、凸面のどちらか一方、もしくは両方に非球面を用いても良い。
【００５５】
シュバルツシルド光学系の凹面鏡２には、照明光５を通過させる開口部８と、凸面鏡１で反射した反射光を通過させる開口部７と、絞り９が設けられている。この絞り９により光学系のＮＡが決定される。絞り９は、前述のようにＭｏ／Ｓｉ多層膜の上に、開口部だけを残して厚さ１００ｎｍのＭｏ薄膜を形成することによって構成されているが、軟Ｘ線遮光膜の材料は軟Ｘ線を遮光できる材料であればよく、特にＭｏに限られるわけではない。また、絞り９の開口部だけにＭｏ／Ｓｉ多層膜を形成する方法を用いても差し支えない。
【００５６】
シュバルツシルド光学系の凸面鏡１を支持する支柱１８は、図６に示すように、照明光５の通過する領域１０５と、試料３で反射した反射光６が通過する領域１０６を遮らないように配置されている。凹面鏡２と凸面鏡１は、互いの位置関係を調整した上で、鏡筒１９に固定されている。
【００５７】
試料ステージ１０は、試料３を面内で移動させて観察する領域を選択するためのＸ−Ｙステージである。試料ステージ１０に搭載できる試料３の寸法は、最大２３０ｍｍ×２３０ｍｍであり、この寸法の試料３における表面の任意の場所を観察することができるようになっている。なお、図示していないが、真空を破らずに試料を交換するための、試料搬送機構も設けられている。
【００５８】
画像検出器４には、軟Ｘ線に感度のある背面照射型ＣＣＤ（Charge Coupled Device）を用いた。
第一の真空チャンバー３０と第二の真空チャンバー３１を繋ぐ真空パイプ３２の途中には、照明光を軟Ｘ線から可視光に切り替えられる機構も設けられている。可視光光源２０から発した光束は、窓２１を介して真空中に導入され、反射鏡２２で集光反射鏡１１へ導かれる。なお、軟Ｘ線で観測するときに光束を遮らないように、反射鏡２２は光路中に出し入れ可能な機構(不図示)が設けられている。集光反射鏡１１とシュバルツシルド光学系は可視光に対しても機能し、軟Ｘ線用のＣＣＤは可視光にも感度があるので、照明光の波長を切り替えるだけで軟Ｘ線での観察と可視光での観察を行うことができる。レーザープラズマ光源からは可視光も放出されているので、こちらを可視光観察用の光源として利用することも可能であるが、ターゲットの消耗等を考慮すると、光源を切り替えた方が有利である。
【００５９】
以上説明してきた反射型軟Ｘ線顕微鏡を用いて、軟Ｘ線縮小投影露光に使用する反射マスクの観察を行った。この反射マスクの露光に使用する波長は、本反射型軟Ｘ線顕微鏡の観察波長と同じ１３ｎｍである。観察は、軟Ｘ線と可視光を切り替えながら行った。可視光で観察された欠陥（吸収体パターンの欠け、余剰、多層膜表面の凹凸）は全て軟Ｘ線でも観察することができた。一方、可視光では全く異常の見られない多層膜表面でも、軟Ｘ線で見ると明らかにコントラストの異なる領域が観察された。この部分は、軟Ｘ線の反射率が異なるため、この反射マスクを軟Ｘ線縮小投影露光に使用すると、当該部分は転写されてしまいパターンの欠陥となる。この部分を、他のより高性能な光学顕微鏡や走査型電子顕微鏡で観察してみたが、他の部分との違いを見出すことはできず、反射マスクの欠陥を露光波長と同じ波長の軟Ｘ線で検査することの有効性が示された。
【００６０】
なお、本実施例では１３ｎｍの波長の軟Ｘ線を用いたが、本発明はこの波長に限定されるものではない。例えば、波長１１ｎｍ付近で使用する場合は、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜の代わりに、この波長域で高い反射率の得られるＭｏ／Ｂｅ多層膜を用いればよい。
【００６１】
また、上記の実施例では試料の反射像を観察する明視野の配置で行ったが、試料による回折光や散乱光を結像させる暗視野の配置で観察することも可能である。この場合には、図２に示す凹面鏡の、明視野像の場合に絞り９を設けた位置に遮光部を設けその周辺部に多層反射膜を形成しておけば、その他の構成は上記実施例と同様でよい。反射光６は遮光部によって遮られ、反射光６の周辺に広がった回折光あるいは散乱光のみが凹面鏡２へ入射して結像に寄与する。前記遮光部は、凹面鏡上に形成された多層反射鏡の上に遮光膜を設けることによって形成しても良いし、その部分だけを除いて多層反射膜を形成するようにしても良い。あるいは、試料３と凹面鏡２の間の光路中に遮光部材を設けても構わない。
【００６２】
さらにまた、上記の実施例ではシュバルツシルド光学系の凹面鏡に設けられた開口部は１ヶ所のみであったが、凹面鏡上に複数の開口部を備えても良い。図７に二つの開口部を備えた凹面鏡を示す。開口部４０からは軟Ｘ線が導入され、他の開口部４１からは可視光あるいは紫外光が照射される。このような配置にすることにより、観察波長の軟Ｘ線と、可視光あるいは紫外光の切替えが容易になる。また、上記複数の開口部のそれぞれの開口部に異なる波長の軟Ｘ線を入射させることにより、同時に異なる波長の軟Ｘ線で観測することも可能になる。この場合、各々の開口部を通過して入射した軟Ｘ線が、試料上で反射した後で凹面鏡にあたる領域に、各々の波長の軟Ｘ線を反射する多層膜反射鏡を形成するようにすればよい。例えば図７において、開口部４０から入射した軟Ｘ線が試料で反射した後に凹面鏡２に入射する領域４２には、波長１３ｎｍの軟Ｘ線を反射するＭｏ／Ｓｉ多層反射膜を形成しておく。一方、開口部４１から入射した軟Ｘ線が試料で反射した後に凹面鏡２に入射する領域４３には、波長１１ｎｍの軟Ｘ線を反射するＭｏ／Ｂｅ多層膜反射膜を形成しておく。このような構成にすると、異なる複数の波長用に作られた反射マスクを１つの結像光学系で観察することができる。より具体的には、図７に示す上記の凹面鏡２を図５の反射型軟Ｘ線顕微鏡に用いる場合、波長１３ｎｍｎ用の反射マスクを観察するときは開口部４０から照明光５を入射するようにする。また、波長１１ｎｍの反射マスクを観察するときには、シュバルツシルド光学系鏡筒１９を光軸の回りに回転させて、開口部４１から照明光５を入射するようにすればよい。
【００６３】
このとき、それぞれの軟Ｘ線の反射光束が凸面鏡上にあたる領域にある多層膜反射膜も、それぞれの波長の軟Ｘ線を反射する多層膜で形成しておく。また、必要であれば軟Ｘ線の波長を変えるために、レーザープラズマ光源のターゲット材料を変えたり、集光反射鏡１１を交換してもよい。もし、前述の実施例のようにレーザープラズマ光源のターゲット材料にＴａ等の重金属が用いられているならば、このプラズマからは広い波長域にわたって軟Ｘ線が輻射されるので、集光反射鏡１１に斜入射全反射ミラーを用いて広い波長域の軟Ｘ線を照明するようにすれば、ターゲット材料の交換や集光反射鏡１１の交換は不要となる。このような集光反射鏡には、例えば、カークパトリックベイズミラーやヴォルターミラーなどを使用することができる。
【００６４】
さらに、本発明の反射型軟Ｘ線顕微鏡を用いて反射マスクの検査を行う場合、マスクのパターン領域は数十ｍｍから百数十ｍｍ角の大きさがあるが、反射型軟Ｘ線顕微鏡の視野はせいぜい数十μm程度しかない。したがって、全面の軟Ｘ線画像を得ようとすると一枚のマスクを検査するのに要する時間は相当長くなることは明白である。そこで、本発明では軟Ｘ線画像の代わりに結像光学系へ入射する全軟Ｘ線の強度を測定しながら試料上を走査することによって、測定時間を大幅に短縮することができる。なぜならば、軟Ｘ線画像を得るためには、ある程度の積算時間が必要だが、結像光学系の視野内に入射する軟Ｘ線の強度のみを検出するのであれば、測定時間はずっと短くて済むからである。
【００６５】
ここで、遮光膜を形成する前の反射膜を検査する場合において、該反射膜の表面を走査して結像光学系に入射する全軟Ｘ線強度を測定すると、前記反射膜に欠陥がなければ一定の強度の軟Ｘ線が検出される。ここでもしも、視野内に欠陥が現れると、検出強度が変化することになる。このようにして軟X線の検出強度の異常を検出したら、その位置での軟Ｘ線画像を得ることによって、多層膜の欠陥の位置、性状を明らかにすることができる。
【００６６】
また、レジストパターンや、反射あるいは遮光パターンが形成された後のマスクを検査する場合には、その表面を走査して結像光学系に入射する全軟Ｘ線強度を測定すると、マスクに欠陥がなくてもパターンの粗密によって検出強度は変化する。ここで、マスク上のパターン形状は既知であるので、あらかじめそのパターン形状によって生じる軟Ｘ線の強度変化を計算しておき、計算値と測定値の比較を行うことによってパターンの異常を検出することができる。このようにして異常を検出したら、その位置で軟Ｘ線画像を得ることによって、各パターンの欠陥の位置、性状を明らかにすることができる。
【００６７】
さらに、上記軟Ｘ線顕微鏡の結像光学系に入射する全軟Ｘ線強度を測定するためには、軟Ｘ線画像を得るためのＣＣＤなどの画像検出器をそのまま使用することもできるが、該画像検出器の前にたとえばフォトダイオードなどの、空間分解能はないが感度の高い検出器を挿入するようにしても良い。このような強度を測定するための検出器は結像光学系の焦点位置に配置する必要はないので、結像光学系鏡筒１９と画像検出器４の間の任意の空間に配置することができる。そして、全軟Ｘ線強度を測定する時だけ前記検出器を光路中に挿入し、軟Ｘ線画像を得るときには光路から退避するようにすればよい。
【００６８】
【発明の効果】
以上説明してきたように、請求項１に記載の反射型軟Ｘ線顕微鏡によれば、試料表面を結像光学系の光軸にほぼ垂直に配置して反射像を観察でき、また、請求項８に記載の反射型軟Ｘ線顕微鏡によれば、試料表面を結像光学系の光軸にほぼ垂直に配置して散乱光あるいは回折光による像を観察することができるので、広い視野で高解像力の観察を実現することができる。
【００６９】
また、露光波長と同じ波長の軟Ｘ線で反射マスクの欠陥検査を行うことができるので、従来の技術では観察することのできなかった多層膜の位相欠陥等を精度良く発見することが可能になる。
【００７０】
さらに、本発明による反射マスクの製造方法によれば、従来は発見が困難であった反射マスクの欠陥を製造工程中に迅速に検出することができるので、検出された欠陥を修正することによって反射マスク製造の歩留まりを向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による反射型軟Ｘ線顕微鏡の原理を説明する図である。
【図２】本発明に用いられるシュバルツシルド光学系の凹面鏡を示す図である。
【図３】本発明に用いられるシュバルツシルド光学系の凹面鏡を示す図である。
【図４】従来の反射型軟Ｘ線顕微鏡の概略図である。
【図５】本発明の実施形態である反射型軟Ｘ線顕微鏡の概略構成図である。
【図６】シュバルツシルド光学系の凸面鏡の支持方法を説明する図である。
【図７】本発明に用いられるシュバルツシルド光学系の凹面鏡を示す図である。
【図８】本発明による反射マスクの製造工程を説明する図である。
【図９】本発明による反射マスクの別の製造工程を説明する図である。
【主要部分の符号の説明】
０・・・シュバルツシルド光学系の光軸
１・・・凸面鏡
２・・・凹面鏡
３・・・試料（反射マスク）
４・・・画像検出器
５・・・照明光
６・・・試料で反射した反射光
７・・・凸面鏡で反射した光束を通過させる開口部
８・・・照明光を通過させる開口部
９・・・絞り
１０・・・試料ステージ
１１・・・集光反射鏡
１２・・・Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
１３・・・レンズ
１４・・・窓
１５・・・プラズマ
１６・・・テープターゲット連続供給機構
１７・・・ベリリウムフィルター
１８・・・凸面鏡支持支柱
１９・・・シュバルツシルド光学系鏡筒
２０・・・可視光光源
２１・・・窓
２２・・・平面反射鏡
３０・・・第一の真空チャンバー
３１・・・第二の真空チャンバー
３２・・・真空パイプ
４０・・・照明光を通過させる開口部
４１・・・照明光を通過させる開口部
４２・・・絞り
４３・・・絞り
１０５・・・照明光が通過する領域
１０６・・・試料で反射した光束が通過する領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0004374735.tif 000008
【図８】
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【図９】
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