(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に記憶されたデータに対して保護機能を有し、且つ記憶マトリックス（２）と、前記記憶マトリックスに出力部が接続されたマトリックスアドレス解読ブロック（３）とを有する様式となっている半導体電子記憶装置（１）であって、
上記マトリックスに組み込まれ、且つ保護された記憶部分（５）と、
オリジナルデータが入力され、フィルターされたデータ値を出力する、プログラム制御可能なコードフィルターと、
前記マトリックスアドレス解読ブロックに設けられ、前記保護された記憶部分に接続される専用化された解読部分と、
前記データ値が入力されて、前記保護された記憶部分に記憶されたデータを読み出す読出し命令を生成し、出力が、前記専用化された解読部分を介して前記保護された記憶部分に接続されている指令翻訳器と
から構成されることを特徴とする半導体電子記憶装置。
【請求項２】
上記保護された記憶部分（５）は、ＯＴＰ型となっていることを特徴とする
請求項１記載の半導体電子記憶装置。
【請求項３】
アクセスされるべきアドレスが入力され、前記解読ブロックの入力部に接続される前置解読ブロックを更に備える
請求項２記載の半導体電子記憶装置。
【請求項４】
上記専用化された解読部分（６、７）は、解読ブロックと前置解読ブロックとに各々組み込まれていることを特徴とする
請求項３記載の半導体電子記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、記憶マトリックスと各マトリックスのアドレス解読ブロック及び前置解読ブロックとを有する半導体電子記憶装置においてデータを保護する方法に関する。
【０００２】
本発明は、更に、半導体電子記憶装置に記憶されたデータに対して保護機能を有し、且つ記憶マトリックスと各マトリックスのアドレス解読ブロック及び前置解読ブロックとから構成された様式となっている半導体電子記憶装置に関する。
【０００３】
半導体記憶装置は、より高性能な設計で受理容量を拡張し、内部に記憶されたデータに対して保護を必要とする装置に使用されている。
用語の『保護』は：
−  何気なくした書き込みや、消去からの保護や；
−  記憶装置の内容を抽出したり、変更したりする無分別（不正）な試みからの保護も含むものである。
【０００４】
本発明は、特に、然し排他的では無しに、後者のタイプの保護に関係しており、また以下の記載は、説明の便宜上この分野への適用をカバーするものである。
【０００５】
【従来の技術】
良く知られているように、半導体記憶装置では、条件付きのアクセスが或る一定の記憶装置部分に与えられなければならない。その種の記憶装置の禁止領域からの読出すことによる不正な試みに打ち勝つ能力は、最高に重要である。例えば、記憶装置の保護コードＣＰに関連したデータは、そのような領域に記憶されることになるであろう。
【０００６】
他方、半導体記憶装置は、通常の方法で読み出されたり、若しくは変更される情報が記憶される他の領域を有している。このように、その状況は、異なった記憶領域が読出しに与えられたり、与えられなかったりするものである。
更に、半導体記憶装置は、実行されるプログラム命令を収容した領域を通常有している。
【０００７】
安全性の特徴を与える最も簡単な方法は、数個のバイトか又は記憶語から通常構成されている、アクセスや又は識別のコードとしても知られている解読コード（コード）ＤＥＣの使用からなる。この解読コード無しでは、何ら首尾一貫したデータが記憶装置から読み出され得ないし、また以前に記憶されたデータの内容も変更され得ない。
【０００８】
かくして、解読コードＤＥＣの場所Ｘｄｅｃは、半導体記憶装置に対する安全性の改善を達成する上で重要である。
特に、解読コードＤＥＣの場所Ｘｄｅｃは、次のように、或る一定の基本的な必要条件にかなうものでなければならない：
−  それは、読出し専用領域か、又は少なくとも、解読コードＤＥＣを所有している製造業者にのみ分かる領域でなければならないし；
−  それは、記憶操作がいかなる状態で行われても、変更不可能な領域でなければならないし；
−  それは、製造段階でまた後で修理の為に容易にアクセスできる領域でなければならない。
【０００９】
実際には、記憶装置の書き込み時間は、その製造段階では重要なパラメータであると考えるべきである。特に、この書き込み時間を削減するためには、容易にアクセスされる記憶装置を設けることが重要である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
この要求を満たす第一の従来のアプローチは、保護コードＣＰのバイトが記憶された未知のアドレスの幾つかの記憶場所を使用することであった。この従来の方法の信頼性は、次の二つの特徴に依存している：
−  保護コードＣＰが記憶されているアドレスが知られておらず；
−  いかなる場合も、そのアドレスに記憶されたデータは直接翻訳処理され得ないようになっている。
然し、この第一の保護方法は、それを適用するのを複雑にしたり、その安全性レベルを低下させると言った或る好ましくない特徴を持っている。
【００１１】
従来の半導体記憶装置では、保護コードＣＰのバイトに対するこれらの記憶場所は、データと共有する記憶アレー内に設けられるにすぎない。従って、既に使用されている記憶ビットを避けて記憶することができるソフトウェアプログラムを書き込み工程の為に使用する必要がある。
【００１２】
然し、記憶装置全体や、又は記憶装置の保護コードＣＰのバイトを含む部分全体をどのように消去するかと言う問題が生じる。この問題は、フラッシュ型の半導体記憶装置の場合には際立ってくる。
このような状況では、消去操作に先だって、記憶装置（メモリ）保護コードＣＰを一時的にセーブしなければならない。その目的の為に、一時的な又は緩衝記憶装置が使用され、それから、保護コードＣＰが、それに再度割り当てられたバイトへ再度書き込む為に、後で読み出される。
【００１３】
結果的に、この様式の保護方法は、半導体記憶装置のハードウェアとソフトウェアの両方を複雑にする傾向がある。特に、半導体記憶装置の製造工程中に保護コードＣＰを複写する工程は、セル式電話（セルラーホーン）のような用途では受け入れ難い時間損失を招くことになる。
【００１４】
更に、保護コードＣＰのバイトは、標準的な指令を使用して書き込まれ且つ消去されるので、誰でもそこに含まれた保護コードＣＰを損傷させたり、又は読み出すことができるであろうし、また解読コードＤＥＣ無しにそれをできる限り完全に翻訳することができるであろう。
【００１５】
本当に効果的なデータ保護方法は、次の考えに基づくべきである。
保護コードＣＰに対して確保されたアドレス空間は、標準的なデータが書き込まれる記憶アレーの外側に位置するのが都合が良く；
保護コードＣＰは、ただ一度だけ書き込まれ、そして消去され得ないことが必要であり；
標準とは異なるが、然し大幅には異ならない、書込み／読出しの手順が使われることは有利であり；
事実、若干変更された書込み／読出し手順は、標準的な操作に対して使用されるものと基本的に似た管理ソフトウェアを使用できるようにする。
【００１６】
この発明に伏在している技術的な課題は、効果的な保護を記憶装置に設けた際に上記のような考察に照らして、従来の保護方法と半導体記憶装置の欠点を克服するような構造上及び機能上の特徴を有する半導体記憶装置の為にデータを保護する方法と、保護された記憶装置の構成とを提供するものである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
この発明の原理は、ＯＴＰ（One Time Programmable:一度だけプログラム制御可能な）記憶領域を使用し、且つ本方法に係る保護された記憶装置の構成に対する安全性と信頼性とアクセスの容易性に関係した上記必要条件の全てを満たすことができる保護方法である。
【００１８】
具体的には、この発明の保護方法は、標準的な記憶（メモリ）アレーの小さくて適切に構成された部分を使用すると共に、また二つの余分な命令が記憶装置の読出し／書込みの操作の為に標準的な命令シーケンスに付加されるべきであると要求するに過ぎない。
【００１９】
この原理に基ずいて、上記技術的な課題は、既に示され且つ請求項１の特徴部分に定義されたようなデータ保護方法によって解決される。
この課題は、更に、既に示され且つ請求項５の特徴部分に定義されているような、本発明の方法を実施する記憶装置によっても解決される。
【００２０】
【発明の実施の形態】
本発明に係る保護方法及び記憶装置の特徴と長所は、添付図面を参照にして与えられる、非限定的な実施例についての次の説明から明らかになるであろう。
添付図面を参照すると、この発明に係る記憶マトリックスすなわち構成２を有する半導体記憶装置は、一般的に且つ概略的に、符号１で示されている。
半導体記憶装置１は、更に解読ブロック３を有しており、その出力部を記憶（メモリ）マトリックス２に接続されると共に、その入力部を、アクセスされるべき記憶装置アドレスＤＡが入力される前置解読ブロック４に接続されている。
【００２１】
特に、記憶（メモリ）構成２は、保護されたＯＴＰ記憶領域５のための第一の特別解読（デコーディング）ゾーン６と第二の特別解読（デコーディング）ゾーン７に接続された、保護されたＯＴＰ記憶領域５を有する。これら第一及び第二の特別解読ゾーン６、７は、各々解読ブロック３と前置解読ブロック４において接続されている。
【００２２】
半導体記憶装置１は、更に、制御信号ＣＳと適当にフィルターされたデータ値ＦＤとが入力される指令翻訳器（コマンドインタープリター）８を有している。有利なことには、この発明では、これらの適当にフィルターされたデータ値ＦＤは、オリジナルデータＤが入力される、プログラム制御可能なコードフィルター９から発生される。
更に、指令翻訳器８は、第一と第二の特別解読ゾーン６、７を次々と介して、保護されたＯＴＰ記憶領域５に接続される選択信号ＳＳを出力する。
【００２３】
本発明に係る保護された記憶構成は、基本的には、保護されたＯＴＰ記憶領域５と第一及び第二の特別解読ゾーン６、７とから構成される記憶構成２と、プログラム制御可能なコードフィルター９とを組み合わせて構成されている。
【００２４】
かくして、この発明のデータ保護方法は、半導体記憶装置１における標準的なデータ記憶アレーに付加的に、保護されたＯＴＰ記憶領域を使用することを含んでいる。
この付加領域５の大きさは、保護コードＣＰを記憶する為に使用されるバイトの数に依存している。例えば、セル式電話型の用途では、ＯＴＰ記憶の行が記憶マトリックス２に導入され得るであろうし、また「複製」と言う重大な問題に対処する為に、製造業者によって部分的に直接使用され得るであろう。
【００２５】
この発明のデータ保護方法は、更に指令翻訳器８によって翻訳される二つの命令、具体的にはＯＴＰ読出し命令（「ＯＴＰデータを読み出せ」）とＯＴＰプログラム化命令（「ＯＴＰデータをプログラムに組め』）とを付加して構成され、何ら消去命令が、保護されたＯＴＰ記憶領域５に与えられることは無い。
【００２６】
有利なことには、この発明では、これらの読出しとＯＴＰプログラム化命令は、各顧客個人の要請に合わせる為に異なることができる。
解読コードＤＥＣは、基本的には、保護されたＯＴＰ記憶領域５に対するこれらの特定の命令から構成される。
【００２７】
【発明の効果】
要約すると、本発明に係るデータ保護方法とそれに対応する保護された記憶構成とは次のような利点を提供することができる。
保護されたＯＴＰ記憶領域に記憶された保護コードＣＰは失われることが無く、記憶アレーの標準的なアドレス領域に属さず、またもし適当な命令が知られても読み出され及び／又は書き込まれるに過ぎず、これにより、保護コードＣＰに高い安全性レベルを与えることができる。
【００２８】
設計段階では、保護されたＯＴＰ記憶領域は、記憶領域の占有を僅かにしか増加させない（セル電話の用途に対してはゼロ）幾つかの付加要素（行及び／又は列）を必要とし、また標準的な解読方法を使用できるようにする。従って、何ら付加アドレスビットを必要とすることがなく、ＯＴＰの読出しとプログラム化の命令は、アドレス母線を再度アドレス指定する。
【００２９】
指令翻訳器８は、プログラム制御可能なコードフィルター９を介して再度プログラム制御され、これによって、ＯＴＰの読出しとプログラム化の命令がカスタマイズされ、それによって保護コードＣＰの安全性レベルを更に高めることができる。
若干変更されたＯＴＰの読出しとプログラム組みの命令だけを使用することにより、半導体記憶装置における（解読ブロック３や前置解読ブロック４及び指令翻訳器８等の）在来の回路を使用することができる。
【００３０】
半導体記憶装置１の保護コードＣＰに関連して説明された解決策は、更に、如何なるデータをも永久に記憶するためにも使用することができる。従って、その種のデータは、たとえそれを含んだ記憶アレー全体が消去されてしまった後でも、変更されずに残るであろう。
【００３１】
この発明によって提案された解法が使用される場合には、消去操作の終わりに永久不変のデータを復元させる為に、消去に先だってその永久不変のデータをセーブする必要が無くなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明のデータ保護方法を実施する、保護された記憶装置構成を図示している。
【符号の説明】
１  半導体の電子記憶装置
２  記憶マトリックス
３  マトリックスアドレス解読ブロック
４  マトリックスアドレス前置解読ブロック
５  保護された記憶部分
６  専用化された解読部分
７  専用化された解読部分
８  指令翻訳器
９  プログラム制御可能なコードフィルター
Ｄ  データ入力部
ＤＥＣ  解読コード
ＣＰ  保護コード
ＣＳ  制御信号
【図１】
0004326054.tif 000002