(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも下記（ａ）〜（ｇ）の工程を備えることを特徴とする検査治具の製造方法。
（ａ）支持基板（１３）上に絶縁層（１２）及び絶縁層（１１）を形成する工程。
（ｂ）絶縁層（１１）及び絶縁層（１２）の所定位置に開口部（１４）を形成する工程。
（ｃ）開口部（１４）に導電ペーストを充填し導体電極（１５）を形成する工程。
（ｄ）絶縁層（１１）及び導体電極（１５）上の所定位置に配線層（１６）を形成する工程。
（ｅ）絶縁層（１１）及び配線層（１６）上に絶縁基板（１７）を形成し、配線層（１６）上の絶縁基板（１７）の所定位置に開口部（１８）を形成する工程。
（ｆ）開口部（１８）の配線層（１６）上に所定厚の導体層を形成し、導通パッド（１９）を形成する工程。
（ｇ）支持基板（１３）及び絶縁層（１２）を剥離処理して、検査電極（１５ａ）を形成する工程。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置や半導体を搭載する配線回路基板等の導通検査をするために用いられる検査治具に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体装置や配線回路基板等の導通検査は図３（ａ）〜（ｃ）に示すように、検査治具５０と検査用ソケット７０を用いて被検査体６０の導通検査を行っている。具体的には、検査用ソケット７０上のシリコンラバー７１上に検査治具５０を載置し、検査治具５０の検査電極５３と被検査体６０の電極部６１を押圧して、検査電極５３と被検査体６０の電極部６１との電気的な導通を行うことで検査を行っている。
【０００３】
検査電極５３の構造は図３（ｂ）に示すように、配線層５２との接続部から一直線に延びた円錐台形状をしており、検査電極５３は絶縁基板５１に形成された配線層５２との接続部で保持されている。このような検査電極５３と被検査体６０の電極部６１とを押圧して導通を計る検査方法では、押圧した際に検査治具５０の検査電極５３及び配線層５２の一部がシリコンラバー４１側に沈み込み、接触抵抗が不均一になったり、接触不良が発生したりして導通検査の信頼性を損なうという問題を有している。
また、検査治具５０の検査電極５３及び配線層５２の一部がシリコンラバー４１側に沈み込むことによる、配線層５２と検査電極５３との断線や配線層５２の絶縁基板５１からの部分剥離が発生することもある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記問題点に鑑みなされたもので、検査治具の検査電極を被検査体に押圧して繰り返し導通検査を行っても、検査電極及び配線層の一部が絶縁基板より離脱することなく、信頼性の高い導通検査ができる検査治具の製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明に於いて上記問題を解決するために、請求項１においては、少なくとも下記（ａ）〜（ｇ）の工程を備えることを特徴とする検査治具の製造方法としたものである。
（ａ）支持基板１３上に２層の絶縁層１２及び絶縁層１１を形成する工程。
（ｂ）絶縁層１１及び絶縁層１２の所定位置に開口部１４を形成する工程。
（ｃ）開口部１４に導電ペーストを充填し導体電極１５を形成する工程。
（ｄ）絶縁層１１及び導体電極１５上の所定位置に配線層１６を形成する工程。
（ｅ）絶縁層１１及び配線層１６上に絶縁基板１７を形成し、配線層１６上の絶縁基板１７の所定位置に開口部１８を形成する工程。
（ｆ）開口部１８の配線層１６上に所定厚の導体層を形成し、導通パッド１９を形成する工程。
（ｇ）支持基板１３及び絶縁層１２を剥離処理して、検査電極１５ａを形成する工程。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態につき説明する。
図１（ａ）に本発明の検査治具の一実施例を示す部分模式斜視図を、図１（ｂ）に図１（ａ）に示す検査治具の部分模式斜視図をＡ−Ａ線で切断した模式構成断面図を示す。
本発明の検査治具１０は絶縁基板１７の一方の面に検査電極１５ａが、他方の面に導通パッド１９が形成されており、検査電極１５ａと導通パッド１９は配線層１６にて電気的に接続されている。ここで、検査電極１５ａを導電ペーストで形成することにより、検査電極自体にわずかな弾性を持たせ、導通検査時の電気的接触を確実なものにしている。
【０００９】
検査電極１５ａの一部と配線層１６は絶縁層１１にて被覆されており、配線層１６の保護層の役目と、検査電極１５ａと配線層１６が絶縁基板１７に強固に固定されるようになっている。
さらに、検査電極１５ａと配線層１６の接続部は絶縁基板１７上に形成されており、導通検査の際押圧加重を繰り返しても検査電極１５ａ及び配線層１６が絶縁基板１７より離脱するようなことは起こらない。
【００１０】
絶縁基板１７に設けられた導通パッド１９は別設の検査治具用ソケットを介して所定の検査装置に接続し導通検査を行う際検査治具用ソケットの検査コンソールのバンプ電極と電気的に接続され、所定の検査機器に接続されるようになっている。導通パッド１９の先端部が絶縁基板１７の他方の面より低くしてあるのは、検査治具の導通パッド１９と検査コンソールのバンプ電極を位置合せする際のわずかなズレに対しては矯正されるような働きをし、導通検査中に導通パッド１９と検査コンソールのバンプ電極が位置ズレを起こさないような堰の役目をして、接触不良を起こすのを防止している。
【００１１】
以下本発明の検査治具の作製法について図面を用いて説明する。
図２（ａ）〜（ｇ）に本発明の検査治具の一実施例の製造工程を工程順に示す部分模式断面図を示す。
まず、支持基板１３上に絶縁層１２及び絶縁層１１を形成する（図２（ａ）参照）。
支持基板１３は検査電極の先端部形状を形成するための基板であり、且つ配線層及び導通パッドを形成するためのめっき電極になるもので、導電性を有する金属であれば使用可能であるが、ここでは製造プロセス上ステンレス板が好ましい。
絶縁層１１及び絶縁層１２は検査電極を形成するための型を形成したり、検査電極の高さを調整するためのもので、絶縁性を有する樹脂であれば使用可能であるが、絶縁層１２は最終工程で剥離・除去されるため、電解めっきプロセスには充分な耐性を有し、且つ剥離処理が容易な感光性レジスト又はドライフィルムレジストが好適である。さらに、絶縁層１１は最終的に保護層として残るため、支持基板１３及び絶縁層１２を剥離・除去する溶媒に溶解しない樹脂を選定する必要がある。絶縁層１１はポリエステル、エポキシ、アクリル及びポリイミド樹脂等の樹脂が使用可能である
【００１２】
次に、レーザ加工にて絶縁層１１及び絶縁層１２にテーパー形状の開口部１４を形成する（図２（ｂ）参照）。
【００１３】
次に、開口部１４に導電性ペーストを充填し導体電極１５を形成する（図２（ｃ）参照）。
導電性ペースとしては、金、銀、銅、ニッケル等の金属を主成分とした導電性材料或いはそれらの化合物からなる導電性材料を使用した導電性ペーストが使用できる。導体電極１５の形成法としてはスクリーン印刷法、フォトプロセス法、注入法等を適宜選択して使用する。
【００１４】
次に、絶縁層１１及び導体電極１５上の所定位置にセミアディティブ或いはアディティブプロセスにて配線層１６を形成する（図２（ｄ）参照）。
【００１５】
次に、絶縁層１１及び配線層１６上に絶縁フィルムを貼着し絶縁基板１７を形成する。さらに、絶縁基板１７の所定位置にレーザー加工にて開口部１８を形成する（図２（ｅ）参照）。
絶縁基板１７は検査治具の支持基板になるもので、絶縁性、耐熱性及び機械的強度が求められ、ポリエステル、エポキシ、アクリル及びポリイミド樹脂等の絶縁樹脂が使用可能であるが、ポリイミド樹脂からなる絶縁基板が耐熱性や物質安定性の点から好適である。
【００１６】
次に、支持基板１３をカソード電極にして開口部１８の配線層１６上に導体金属の電解めっきを行い、導通パッド１９を形成する（図２（ｆ）参照）。
ここで、導体層を形成する導体金属は導電性及び強度の問題から銅もしくはニッケルが好適である。
【００１７】
次に、導体電極１５、配線層１６及び導通パッド１９が形成された積層基板を専用の剥離液に浸漬し、支持基板１３及び絶縁層１２を剥離・除去することにより、絶縁基板１７の一方の面に検査電極１５ａが、他方の面に導通パッド１９が形成され、検査電極１５ａと導通パッド１９が配線層１６で電気的に接続された本発明の検査治具１０を得ることができる（図２（ｇ）参照）。
【００１８】
【実施例】
下実施例により本発明を詳細に説明する。
まず、０．１５ｍｍ厚のステンレス板からなる支持基板１１上に２５μｍ厚のドライフィルムレジスト（ＤＦＲ：日立化成工業(株)製）及び２５μｍ厚のエポキシ系接着フィルムをラミネートして、絶縁層１２及び絶縁層１１を形成した。
【００１９】
次に、エキシマレーザ加工機を用いて絶縁層１１の所定位置にレーザービームを照射し、絶縁層１１及び絶縁層１２に４０μｍφのテーパー形状を有する開口部１５を形成した。ここで、エキシマレーザの加工条件は、エネルギ密度１．５Ｊ／ｃｍ2であった。
【００２０】
次に、銅金属を主成分とするスーパーソルダー(ハリマ化成（株）製)をスクリーン印刷により開口部１４に充填し、乾燥硬化して導体電極１５を形成した。
【００２１】
次に、絶縁層１１及び導体電極１５上に銅をスパッタリングして約３０００Å膜厚の薄膜導体層を形成し、さらに、ドライフィルムレジスト（ＲＹ−３０２５：日立化成工業（株）製）にて感光層を形成し、露光、現像を行うことでセミアディティブプロセス用のレジストパターンを形成した。
レジストパターンをマスクにして薄膜導体層上に電解銅めっきを行い、１０〜１５μｍ厚の導体層を形成した。さらに、レジストパターンを５ｗｔ%の苛性ソーダ溶液にて溶解除去し、レジストパターン下部に形成されていた薄膜導体層を２０ｗｔ％のペルオキソ二硫酸アンモニウム溶液にてフラッシュエッチングすることにより配線層１６を形成した。
【００２２】
次に、絶縁層１１及び配線層１６上に５０μｍ厚のポリイミドフィルム（ユーピレックス：宇部興産）を貼り合わせて、絶縁基板１７を形成した。さらに、エキシマレーザ加工機を用いて配線層１６上の絶縁基板１７の所定位置にレーザービームを照射し開口部１８を形成した。
【００２３】
次に、支持基板１３をカソード電極にして開口部１８の配線層１６上に電解銅めっきを行い、導通パッド１９を形成した。さらに、導通パッド１９の表面にＮｉ／Ａｕめっき膜を形成した。
【００２４】
次に、導体電極１５、配線層１６及び導通パッド１９が形成された積層基板を専用の剥離液に浸漬し、支持基板１３及び絶縁層１２を剥離・除去することにより、絶縁基板１７の一方の面に検査電極１５ａが、他方の面に導通パッド１９が形成され、検査電極１５ａと導通パッド１９が配線層１６で電気的に接続された本発明の検査治具１０を得た。
【００２５】
【発明の効果】
本発明の検査治具を用いることにより、被検査体に押圧して繰り返し導通検査を行っても、絶縁基板からの検査電極と配線層の離脱は見られず、安定した、信頼性の高い導通検査を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、本発明の検査治具の一実施例を示す部分模式斜視図である。
（ｂ）は、本発明の検査治具の部分模式斜視図をＡ−Ａ線で切断した部分模式断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｇ）は、本発明の検査治具の製造方法を工程順に示す部分模式断面図である。
【図３】（ａ）は、従来の検査治具５０を示す部分模式斜視図である。
（ｂ）は、従来の検査治具５０の部分模式斜視図をＢ−Ｂ線で切断した部分模式断面図である。
（ｃ）は、従来の検査治具５０を検査用ソケット７０上のシリコンラバー７１上に載置して被検査体６０を導通検査している状態を示す部分模式断面図である。
【符号の説明】
１０……本発明の検査治具
１１、１２……絶縁層
１３……支持基板
１４……開口部
１５……導体電極
１５ａ……検査電極
１６……配線層
１７……絶縁基板
１８……開口部
１９……導通パッド
５０……従来の検査治具
５１……絶縁基板
５２……配線層
５３……検査電極
６０……被検査体
６１……電極部
７０……検査用ソケット
７１……シリコンラバー
【図１】
0004389321.tif 000002
【図２】
0004389321.tif 000003
【図３】
0004389321.tif 000004