(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の第１クラッド層と、活性層と、第２導電型の第２クラッド層とを有し、前記第１クラッド層に第１電極が接続され、前記第２クラッド層に第２電極が接続されており、前記第１電極および第２電極に電圧を印加して電流を注入したときに前記活性層において生じる放射性再結合により光を放射し、
前記第２クラッド層が２層以上の積層体で構成され、前記第２電極側の第２クラッド層が途中の深さまで電流非注入領域となる絶縁膜により分割され、前記第２電極からの電流注入構造が複数個に分割されている
発光ダイオード。
【請求項２】
第１導電型の第１クラッド層と、活性層と、第２導電型の第２クラッド層とを有し、前記第１クラッド層に第１電極が接続され、前記第２クラッド層に第２電極が接続されており、前記第１電極および第２電極に電圧を印加して電流を注入したときに前記活性層において生じる放射性再結合により光を放射し、
前記第２クラッド層が２層以上の積層体で構成され、前記第２電極側の第２クラッド層中に途中の深さまでキャリアを不活性化する不純物が導入されてなる電流非注入領域により、前記第２電極からの電流注入構造が複数個に分割されている
発光ダイオード。
【請求項３】
前記電流注入構造が、前記電流非注入領域により１０μｍ以上の幅で分割されている
請求項１または２記載の発光ダイオード。
【請求項４】
前記第１クラッド層、前記活性層および前記第２クラッド層が、それぞれＢｅ，Ｚｎ，Ｈｇ，Ｃｄ，Ｍｇの内の少なくとも一種類以上の元素とＯ，Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅの内の少なくとも一種類以上の元素を含有するＩＩ−ＶＩ族化合物半導体により形成されている
請求項１または２記載の発光ダイオード。
【請求項５】
前記電流注入構造が、前記電流非注入領域により、３×１０４μｍ２以下の面積を有する領域毎に分割されている
請求項１または２記載の発光ダイオード。
【請求項６】
前記電流注入構造が、前記電流非注入領域により、１×１０４μｍ２以下の面積を有する領域毎に分割されている
請求項５記載の発光ダイオード。
【請求項７】
前記第１電極がｎ側電極であり、前記第２電極がｐ側電極である
請求項１または２記載の発光ダイオード。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光ダイオードに関し、特にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体により構成される発光ダイオードに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
発光ダイオードは、ｐｎ接合に電界を印加することにより注入された少数キャリアの放射性再結合による発光を利用するダイオードであり、半導体発光素子の一つとして広く用いられている。
【０００３】
Ｚｎ，Ｃｄ，Ｍｇ，ＢｅなどのＩＩ族元素と、Ｏ，Ｓ，Ｓｅ，ＴｅなどのＶＩ族元素からなるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体は、半導体レーザや発光ダイオードなどの半導体発光素子を構成する材料として有望である。特に、ＺｎＭｇＳＳｅ混晶はＧａＡｓ基板上への結晶成長が可能であり、例えば青色半導体レーザを構成するガイド層やクラッド層に適していることが知られている。
【０００４】
図１０は、従来の発光ダイオードの構成例を示す断面図である。
なお、ここではＺｎＭｇＳＳｅ系の材料により発光ダイオードを構成した場合を示す。
【０００５】
図１０に示すように、この発光ダイオードは、ｎ型ＧａＡｓ：Ｓｉ基板１０上に、ｎ型ＧａＡｓ：Ｓｉ第１バッファ層１１、ｎ型ＺｎＳｅ：Ｃｌ第２バッファ層１２、ｎ型ＺｎＳＳｅ：Ｃｌ第３バッファ層１３、ｎ型ＺｎＭｇＳＳｅ：Ｃｌ第１クラッド層１４、ｎ型ＺｎＳＳｅ：Ｃｌ第１ガイド層１５、ＺｎＣｄＳｅ活性層１６、ｐ型ＺｎＳＳｅ：Ｎ第２ガイド層１７、ｐ型ＺｎＭｇＳＳｅ第２主クラッド層１８、ｐ型ＺｎＳＳｅ：Ｎ第２副クラッド層１９、ｐ型ＺｎＳｅ：Ｎ中間層２０、ｐ型（ＺｎＳｅ：Ｎ／ＺｎＴｅ：Ｎ）超格子半導体層（ＳＬ）２１、ｐ型ＺｎＴｅ：Ｎコンタクト層２２が順次積層されている。
そして、ｐ型ＺｎＳＳｅ：Ｎ第２副クラッド層１９の上層部よりも上の層においては、絶縁膜２３により仕切られた領域がコンタクト領域となり、Ｐｄ／Ｐｔ／Ａｕ電極などのｐ型電極２４とのコンタクトがとられる。一方、ｎ型ＧａＡｓ：Ｓｉ基板１０の裏面側にはＩｎ電極などのｎ型電極２６が形成されている。
【０００６】
上記の図１０に示す発光ダイオードは、ｐ型電極２４およびｎ型電極２６に電圧を印加して少数キャリアを注入し、活性層中における放射性再結合により発する光を例えばｐ型電極２４形成面から取り出すことができる。ここで、ｐ型電極２４はｐ型ＺｎＴｅ：Ｎコンタクト層２２の上層および絶縁膜２３の上層を被覆して全面に形成されており、絶縁膜２３で仕切られた領域が全面にｐ型電極２６から電流を注入する構造となっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の構造の発光ダイオードは、素子の劣化率が大きいという問題を有している。
上記の発光ダイオードにおいて、活性層１６を構成するＺｎＣｄＳｅは歪系であるので、歪量を上げるとガイド層とのバンドギャップ差が大きくなるが、歪の影響で特性が悪くなってしまう。そのため、ＺｎＣｄＳｅ活性層１６の組成としてはＣｄ２５％程度とし、膜厚は４ｎｍ程度とすることで、発光波長を５００ｎｍ程度とすることが望ましい。このとき、発光波長を長波長化しようとすると、歪量が大きくなってしまう。
【０００８】
図１１は、発光温度を６０℃、注入電流を１００ｍＡとして測定したときの、劣化率を示すτ1/2 （発光量が１／２となるまでの発光ダイオードの発光時間）を発光波長に対してプロットした図である。このように、上記の構造の発光ダイオードの劣化率は、発光波長が長くなるにつれて大きくなっていく。
【０００９】
上記の発光ダイオードの劣化の原因として、活性層における積層欠陥などを起点として活性層面内に線状に暗線が発生し、時間とともにこの暗線が延伸するとともに太く拡大していき、このように延伸した暗線がさらに別の暗線の起点となって新たな暗線が発生し、発光領域全体が暗くなって発光量が低下していく現象が明らかになった。図１２はこの様子を説明するための模式図である。図１２（ａ）においては、全面に形成されたｐ型電極２４の領域全体が発光領域となっている。ここで、積層欠陥Ｚａなどを起点として暗線Ｚが発生している。これらの暗線Ｚは、図１２（ｂ）に示すように、時間とともに延伸および太く拡大していき、延伸した暗線がさらにべつの暗線の起点となって新たな暗線が発生し、発光領域全体が暗くなっていく。
【００１０】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、活性層と活性層の両面に接続して形成されたｎ型およびｐ型のクラッド層を有し、活性層において生じる放射性再結合により光を放射する発光ダイオードであって、劣化の原因である暗線の延伸を抑制して劣化を軽減した発光ダイオードを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明の発光ダイオードは、第１導電型の第１クラッド層と、活性層と、第２導電型の第２クラッド層とを有し、前記第１クラッド層に第１電極が接続され、前記第２クラッド層に第２電極が接続されており、前記第１電極および第２電極に電圧を印加して電流を注入したときに前記活性層において生じる放射性再結合により光を放射する発光ダイオードであって、前記第２電極からの電流注入構造が、電流非注入領域により複数個に分割されている。
【００１２】
本発明の発光ダイオードは、第２電極からの電流注入構造が、電流非注入領域により複数個に分割されており、この電流非注入領域により発光ダイオードの劣化の原因である活性層中に発生する暗線の延伸が抑制され、発光ダイオードの劣化を軽減することができる。
【００１３】
また、本発明の発光ダイオードは、好適には、前記電流注入構造が、前記電流非注入領域により１０μｍ以上の幅で分割されている。活性層中に発生する暗線の電流非注入領域への延伸は１０μｍ程度であり、電流注入構造を電流非注入領域により１０μｍ以上の幅で分割することにより、効果的に暗線の延伸を抑制することができる。
【００１４】
また、本発明の発光ダイオードは、好適には、前記電流注入構造が、絶縁膜により分割されている。あるいは好適には、前記電流注入構造が、キャリアを不活性化する不純物が導入された領域により分割されている。これにより、暗線の延伸を抑制する電流非注入領域をとすることができる。前記第２クラッド層が２層以上の積層体で構成され、少なくとも前記第２電極側の第２クラッド層が絶縁膜により分割されている、あるいは、少なくとも前記第２電極側の第２クラッド層中にキャリアを不活性化する不純物が導入されている構成により、上記の構造とすることができる。
【００１５】
また、本発明の発光ダイオードは、好適には、前記第１クラッド層、前記活性層および前記第２クラッド層が、それぞれＢｅ，Ｚｎ，Ｈｇ，Ｃｄ，Ｍｇの内の少なくとも一種類以上の元素とＯ，Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅの内の少なくとも一種類以上の元素を含有するＩＩ−ＶＩ族化合物半導体により形成されている。例えばＺｎＣｄＳｅなどの歪系の半導体層から構成される発光ダイオードにおいても、本発明により劣化の原因となる暗線の延伸を抑制することができる。
【００１６】
また、本発明の発光ダイオードは、好適には、前記電流注入構造が、前記電流非注入領域により、３×１０4 μｍ2 以下の面積を有する領域毎に分割されており、さらに好適には、１×１０4 μｍ2 以下の面積を有する領域毎に分割されている。結晶中の積層欠陥は、約１×１０3 個／ｃｍ-2程度まで抑制することができる。これは、１×１０5 μｍ2 につき１個の欠陥を有することになる。従って、３×１０4 μｍ2 以下の面積を有する領域毎に分割することにより、各領域内における活性層中に積層欠陥などの暗線の起点を含む確率が１／３以下となり、残りの２／３の領域においては暗線の起点を含まず、全体の１／３に相当する領域内に暗線を閉じ込めることができるため、暗線の延伸を効果的に抑制することができる。１×１０4 μｍ2 以下の面積を有する領域毎に分割することにより、各領域内における活性層中に積層欠陥などの暗線の起点を含む確率が１／１０以下となり、暗線の延伸をさらに効果的に抑制することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
第１実施形態
図１は本発明に係る発光ダイオードの第１の実施形態を示す平面図、図２は図１のＸ−Ｘ’における断面図である。
なお、本実施形態の発光ダイオードは、ＺｎＭｇＳＳｅ系の材料により構成されたものである。
【００１８】
図２に示すように、この発光ダイオードは、例えば以下の構造を有する。ｎ型ＧａＡｓ：Ｓｉなどからなる基板１０上に、ｎ型ＧａＡｓ：Ｓｉなどからなる第１バッファ層１１、ｎ型ＺｎＳｅ：Ｃｌなどからなる膜厚１０ｎｍ程度の第２バッファ層１２、ｎ型ＺｎＳＳｅ：Ｃｌなどからなる第３バッファ層１３（この層は省略することができる）、Ｚｎ0.88Ｍｇ0.12Ｓ0.18Ｓｅ0.82：Ｃｌなどのｎ型ＺｎＭｇＳＳｅ：Ｃｌなどからなる膜厚１μｍ程度の第１クラッド層１４、ＺｎＳ0.06Ｓｅ0.94：Ｃｌなどのｎ型ＺｎＳＳｅ：Ｃｌなどからなる１００ｎｍ程度の膜厚の第１ガイド層１５、ＺｎＣｄＳｅなどからなる膜厚３〜４ｎｍ程度の活性層１６、ＺｎＳ0.06Ｓｅ0.94：Ｎなどのｐ型ＺｎＳＳｅ：Ｎなどからなる膜厚３００ｎｍ程度の第２ガイド層１７、Ｚｎ0.75Ｍｇ0.25Ｓ0.28Ｓｅ0.72：Ｎなどのｐ型ＺｎＭｇＳＳｅ：Ｎなどからなる膜厚１μｍ程度の第２主クラッド層１８、ｐ型ＺｎＳＳｅ：Ｎなどからなる膜厚２μｍ程度の第２副クラッド層１９、ｐ型ＺｎＳｅ：Ｎなどからなる膜厚１５０ｎｍ程度の中間層２０、ｐ型のＺｎＳｅ：ＮとＺｎＴｅ：Ｎが交互に積層された層である超格子半導体層（ＳＬ）２１、ｐ型ＺｎＴｅ：Ｎなどからなるコンタクト層２２が順次積層されている。
【００１９】
そして、第２副クラッド層１９の上層部よりも上の層においては、絶縁膜２３により複数個に分割、仕切られた領域がコンタクト領域となり、膜厚１０ｎｍ程度のＡｕなどからなる透明なｐ型電極２４とのコンタクトがとられる。さらに、ｐ型電極２４と接続して絶縁膜２３の上層部に例えばｐ型電極２４と同じ導電性材料を２００ｎｍ程度に厚膜にして形成されたパッド電極２５が形成されている。Ａｕと絶縁膜２３の間には、ＴｉやＰｄなどを形成してもよい。一方、ｎ型ＧａＡｓ：Ｓｉ基板１０の裏面側にはＩｎ電極などのｎ型電極２６が形成されている。
【００２０】
上記の図１および図２に示す発光ダイオードは、ｐ型電極２４およびｎ型電極２６に電圧を印加して少数キャリアを注入し、活性層中における放射性再結合により発する光を例えばｐ型電極２４形成面から取り出すことができる。ここで、ｐ型電極２４は、例えば図１に示すように、絶縁膜２３領域（およびその上層に形成されたパッド電極２５領域）により分割されており、これにより絶縁膜２３領域が電流非注入領域となって、ｐ型電極２４からの電流注入構造が、電流非注入領域により複数個に分割されることになる。図面上、電流注入構造は電流非注入領域により１０μｍ以上の幅（絶縁膜の幅に相当する）をもって、２５０μｍ×１００μｍ程度の面積を有する領域毎に分割されている。電流注入構造を電流非注入領域により分割する幅は１０μｍ以上であればよく、好ましくは２０μｍ以上である。
【００２１】
暗線の起点となる欠陥はチップの端部の他には発光領域の面積として１ｍｍ2 （１ｍｍ×１ｍｍ）あたり数個の積層欠陥に抑制することができるので、これらの起点の入った領域においては暗線が拡大して暗黒化してしまうが、それ以外にとくに初期欠陥のない領域においては、他領域からの暗線の伝搬がほとんどないために、劣化が極めておこりにくくなる。このように電流注入構造が、電流非注入領域により複数個に分割されることにより、発光ダイオードの劣化の原因である活性層中に発生する暗線の延伸が抑制されるので、発光ダイオードの劣化を軽減することができる。
【００２２】
以上のような構造を有する発光ダイオードの製造は、周知の一般的な方法で行われる。以下に、製造方法の概略を簡単に説明する。
【００２３】
図３は分子線エピタキシャル結晶成長装置の構成を示す模式図である。真空チャンバー１中に基板ホルダ２が備えられており、その表面に対向するようにｒｆセル４および分子線源（Ｋセル）５が配置されている。基板ホルダ２にＧａＡｓ：Ｓｉ基板３を固定し、真空チャンバー１内部を高真空状態に排気して、基板３表面に向けて分子線源５から分子線ＭＢを照射する。これにより、基板３上に上記のような第１バッファ層１１からコンタクト層２２までを順次成長させる。ｒｆセル４は、窒素を原料として用いる場合に用いる。
次に、図１に示す電極パターンとなるように、コンタクト層２２上にレジストパターンを形成した後、このレジストパターンをエッチングマスクとして用いて、ウェットエッチング法あるいはドライエッチング法により、コンタクト層２２、超格子半導体層２１、中間層２０および第２副クラッド層１９を、第２副クラッド層１９の厚さ方向の所定の深さまでエッチングする。
【００２４】
次に、エッチングマスクとして用いたレジストパターンを成長マスクとして用いて、酸化シリコンなどの絶縁体を堆積させ、リフトオフ処理を行うことにより、図１に示す電極パターンの間隙部に相当する領域に絶縁膜２３を形成する。
次に、コンタクト層２２と接続するように全面にＡｕなどの電極材料を１０ｎｍ程度の膜厚で堆積させ、透明なｐ型電極２４を形成する。さらに、絶縁膜２３の上層部分に電極材料を２００ｎｍ程度の厚膜に形成して、パッド電極２５を形成する。一方、ＧａＡｓ：Ｓｉ基板３の裏面側にもＩｎなどの電極材料を形成して、ｎ型電極２６を形成する。以上で、図１および図２に示す発光ダイオードを形成することができる。
【００２５】
（実施例１）
本実施形態の発光ダイオードにおいて、ｐ型電極２４の形状として、幅ＷE のｐ型電極２４としたときの、劣化の原因となる暗線がｐ型電極２４端部から絶縁膜２３領域に延伸する様子を観察した結果を図４に示す。暗線Ｚはｐ型電極２４端部から絶縁膜２３領域に広がってくるが、その幅ＷZ は１０μｍ程度であり、それよりも先の領域まで延伸してはいなかった。
【００２６】
（実施例２）
本実施形態の発光ダイオードにおいて、ｐ型電極２４の形状を図１に示す形状としたときの、劣化の原因となる暗線Ｚの延伸の様子を観察した結果を図５に示す。暗線Ｚは図面上左側のｐ型電極２４ａ領域内に広がっているが、図面上右側のｐ型電極領域２４ｂにまでは伝搬しておらず、幅ＷI （ここでは５０μｍ）の絶縁膜２３を設けたことにより、暗線Ｚの延伸を抑制することができた。
【００２７】
（実施例３）
１ｍｍ×１ｍｍの発光領域を有する発光ダイオードにおいて、発光領域全面に電極を有する発光ダイオード（Ｄ１）と、図１に示すパターンで絶縁膜によりｐ型電極を分割した発光ダイオード（Ｄ２）とを作成した。図６は、各ダイオード（Ｄ１，Ｄ２）を、６０℃の温度、１００ｍＡ（２０Ａｃｍ-2）の注入電流で発光させたときの、相対光出力の時間変化をプロットした図である。このように、図１に示すパターンで絶縁膜によりｐ型電極を分割することにより、劣化を抑制することができることが確認された。
【００２８】
第２実施形態
本実施形態の発光ダイオードは、実質的に第１実施形態の発光ダイオードと同様であるが、ｐ型電極２４のパターンとその間隙部に相当する絶縁膜２３（およびその上層に形成されるパッド電極２５）のパターンを、図７（ａ）および（ｂ）に示すパターンで形成することのみ異なる。図７に示すパターンは、３０μｍ×８０μｍの面積の電極領域が、２０μｍの幅の絶縁膜領域を隔てて繰り返し形成されたパターンである。図７（ａ）のパターンは図７（ｂ）中の領域Ａに相当する部分の拡大図であり、このパターンを繰り返すことで、図７（ｂ）のパターンを得ることができる。
【００２９】
上記の発光ダイオードにおいては、絶縁膜により分割されたいずれかの領域に積層欠陥があって、その領域が暗黒化してしまっても、それ以外にとくに初期欠陥のない領域においては、他領域からの暗線の伝搬がほとんどないために、劣化が極めておこりにくくなる。このように電流注入構造が、電流非注入領域により複数個に分割されることにより、発光ダイオードの劣化の原因である活性層中に発生する暗線の延伸が抑制されるので、発光ダイオードの劣化を軽減することができる。特に、第１実施形態よりも小さい３０μｍ×８０μｍの面積を有する領域ごとに分割されており、各領域に初期欠陥が存在する確率はさらに低減されるので、第１実施形態よりも劣化を軽減することができる。
【００３０】
また、上記のｐ型電極２４のパターンとその間隙部に相当する絶縁膜２３（およびその上層に形成されるパッド電極２５）のパターンとしては、図８（ａ）に示すような３０μｍ×３０μｍの面積の電極領域が、２０μｍの幅の絶縁膜領域を隔てて繰り返し形成されたパターン、図８（ｂ）に示すような６０μｍ×６０μｍの面積の電極領域が、４０μｍの幅の絶縁膜領域を隔てて繰り返し形成されたパターン、あるいは、図８（ｃ）に示すような７０μｍ×９０μｍの面積の電極領域が、１０〜３０μｍの幅の絶縁膜領域を隔てて繰り返し形成されたパターンなどとすることができる。
【００３１】
第３実施形態
本実施形態の発光ダイオードは、実質的に第１実施形態の発光ダイオードと同様であるが、電流注入構造を分割する電流非注入領域が、キャリアを不活性化する不純物として例えば酸素イオンがイオン注入された領域２３ａとなっていることのみ異なる。
【００３２】
上記の本実施形態の発光ダイオードは、第１実施形態と同様にしてコンタクト層２２まで積層した後、ｐ型電極形成領域にレジスト膜をパターニング形成し、酸素イオンをイオン注入することでキャリア不活性化領域２３ａを形成し、次に、第１実施形態と同様にｐ型電極２４、パッド電極２５およびｎ型電極２６を形成することで製造することができる。
【００３３】
上記の本実施形態にかかる発光ダイオードも、第１実施形態と同様に、電流注入構造が、電流非注入領域により複数個に分割されることにより、発光ダイオードの劣化の原因である活性層中に発生する暗線の延伸が抑制されるので、発光ダイオードの劣化を軽減することができる。
【００３４】
また、本実施形態にかかる発光ダイオードのｐ型電極のパターンとしては、第２実施形態と同様のパターンを形成することも好ましく行うことができる。
【００３５】
本発明は上記の実施形態に限定されない。例えば、実施形態においてはＩＩ−ＶＩ族化合物半導体（ＺｎＭｇＳＳｅ系）の発光ダイオードについて説明しているが、本発明は各種の半導体発光素子に適用することが可能であり、発光領域の劣化がある一部分から連鎖的に起こる場合には本発明を用いることにより大きな効果をあげることができる。また、発光材料としては、ナイトライド系、ＡｌＧａＡｓ系、ＡｌＩｎＧａＰ系、ＡｌＧａＡｓＰ系などのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、あるいは、有機ＥＬ素子など、種々の発光ダイオードに適用することができる。また、ｐ型電極ではなく、ｎ型電極を絶縁膜などにより分割することも可能である。その他、本発明の要旨を変更しない範囲で種々の変更が可能である。
【００３６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、活性層と活性層の両面に接続して形成されたｎ型およびｐ型のクラッド層を有し、活性層において生じる放射性再結合により光を放射する発光ダイオードであって、劣化の原因である暗線の延伸を抑制して劣化を軽減した発光ダイオードを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は第１実施形態にかかる発光ダイオードのｐ型電極のパターンを示す平面図である。
【図２】図２は第１実施形態にかかる発光ダイオードの図１におけるＸ−Ｘ’における断面図である。
【図３】図３は分子線エピタキシャル結晶成長装置の構成を示す模式図である。
【図４】図４は実施例１にかかる暗線の延伸する様子を観察した結果を示す模式図である。
【図５】図５は実施例２にかかる暗線の延伸する様子を観察した結果を示す模式図である。
【図６】図６は実施例３において本発明と比較例の発光ダイオードの光出力の時間変化を比較した図である。
【図７】図７は第２実施形態にかかる発光ダイオードのｐ型電極のパターンを示す平面図である。
【図８】図８は第２実施形態にかかる発光ダイオードのｐ型電極のパターンを示す平面図である。
【図９】図９は第３実施形態にかかる発光ダイオードの図１におけるＸ−Ｘ’における断面図である。
【図１０】図１０は従来例にかかる発光ダイオードの断面図である。
【図１１】図１１は従来例にかかる発光ダイオードの劣化率（τ1/2 ）を発光波長に対してプロットした図である。
【図１２】図１２は従来例にかかる発光ダイオードの劣化の様子を観察した結果を示す模式図であり、（ａ）から（ｂ）へと変化する。
【符号の説明】
１…真空チャンバー、２…基板ホルダ、３…基板、４…ｒｆセル、５…分子線源、１０…基板、１１…第１バッファ層、１２…第２バッファ層、１３…第３バッファ層、１４…第１クラッド層、１５…第１ガイド層、１６…活性層、１７…第２ガイド層、１８…第２主クラッド層、１９…第２副クラッド層、２０…中間層、２１…超格子半導体層（ＳＬ）、２２…コンタクト層、２３…絶縁膜、２３ａ…キャリアを不活性化する不純物が導入された領域、２４…ｐ型電極、２５…パッド電極、２６…ｎ型電極、ＭＢ…分子線、Ｚ…暗線、Ｚａ…暗線の起点。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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