(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンデンサを充電し、該コンデンサに充電された電力を、途中に発光管が配置された放電ループを経由して放電することにより、該発光管から閃光を発する閃光発光回路において、
前記放電ループ内に配置され制御に応じて該放電ループを開閉するスイッチ素子と、
前記スイッチ素子をパルス駆動する制御部と、
発光開始後の、所望の発光光量に対応した所定時間を計時するタイマとを備え、
前記制御部は、前記スイッチ素子を駆動するためのパルスのシーケンスが相互に異なることがある一連の複数のパルスブロックがプログラムされたものであって、該プログラムに基づいて前記スイッチ素子を駆動するものであり、
前記制御部は、前記タイマのタイムアップを受けて、前記一連の複数のパルスブロックのうち、前記スイッチ素子を駆動中の１つのパルスブロックによる前記スイッチ素子の駆動が終了したタイミングで前記スイッチ素子のパルス駆動を停止し該スイッチ素子をオフ状態に制御するものであることを特徴とする閃光発光回路。
【請求項２】
コンデンサを充電し、該コンデンサに充電された電力を、途中に発光管が配置された放電ループを経由して放電することにより、該発光管から閃光を発する閃光発光回路において、
前記放電ループ内に配置され制御に応じて該放電ループを開閉するスイッチ素子と、
前記スイッチ素子をパルス駆動する制御部と、
発光開始前および発光開始後に前記コンデンサの電圧を検出する電圧検出部とを備え、
前記制御部は、前記スイッチ素子を駆動するためのパルスのシーケンスが相互に異なることがある一連の複数のパルスブロックがプログラムされたものであって、該プログラムに基づいて前記スイッチ素子を駆動するものであり、
前記制御部は、前記電圧検出部により、前記コンデンサの電圧が、該コンデンサの発光開始前に検出された電圧と所望の発光光量とに対応した所定の電圧にまで低下したことが検出されたことを受けて、前記一連の複数のパルスブロックのうち、前記スイッチ素子を駆動中の１つのパルスブロックによる前記スイッチ素子の駆動が終了したタイミングで前記スイッチ素子のパルス駆動を停止し該スイッチ素子をオフ状態に制御するものであることを特徴とする閃光発光回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、閃光を発光させる閃光発光回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、被写体輝度が不足している場合、シャッタ動作に同期してフラッシュ光を発光して写真撮影を行なうカメラが知られている。このようなカメラには、フラッシュ光を発光させるための閃光発光回路が備えられている。閃光発光回路は、昇圧回路と、その昇圧回路によって昇圧された電力を蓄積するメインコンデンサと、そのメインコンデンサから放出される電力により閃光を発光する発光管と、その発光管のトリガー電極に印加するトリガー電圧を発生させるトリガーコイルと、その発光管に流れる電流を制御するためのスイッチ素子とを有する。スイッチ素子としては、一般に、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）素子が用いられる。このように構成された閃光発光回路において、ＩＧＢＴ素子に流れる電流の立ち上がりの大きさを検出し、その大きさが所望の発光光量に対応する値に達した時点でＩＧＢＴ素子をオフ状態にして発光管に流れる電流を停止し、これにより露光量を制御するということが行なわれている。例えば、遠距離領域内の被写体を撮影する場合は、ＩＧＢＴ素子に流れる電流が十分に立ち上がった時点でＩＧＢＴ素子がオフ状態にされ、これにより被写体に十分な光量のフラッシュ光が照射されて露光不足が防止される。一方、近距離領域内の被写体を撮影する場合は、ＩＧＢＴ素子に流れる電流が未だ十分に立ち上がらない初期の時点でＩＧＢＴ素子がオフ状態にされ、これにより被写体に少量のフラッシュ光が照射されて露光オーバーが防止される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上述した閃光発光回路において、遠距離撮影にあたり被写体に対して十分な光量のフラッシュ光を照射するためには、ＩＧＢＴ素子に十分に大きなピーク値を有する電流（例えば、コンパクトカメラ用の発光管においては２５０Ａ程度のピーク値を有する電流）を流す必要がある。このように大きなピーク値を有する電流を制御するためには比較的サイズの大きい高価なＩＧＢＴ素子が必要である。また、近距離撮影においては、電流が未だ十分に立ち上がらない初期の時点、即ち、電流変化率が大きい時点で極めて短時間に所望の発光光量に見合った電流の大きさを検出してＩＧＢＴ素子をオフ状態に制御する必要があり、制御が複雑であるという問題がある。
【０００４】
本発明は、上記事情に鑑み、発光光量の制御が簡素化され、かつコストの低減化が図られた閃光発光回路を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する本発明の閃光発光回路のうちの第１の閃光発光回路は、コンデンサを充電し、そのコンデンサに充電された電力を、途中に発光管が配置された放電ループを経由して放電することにより、その発光管から閃光を発する閃光発光回路において、
上記放電ループ内に配置され制御に応じてその放電ループを開閉するスイッチ素子と、
上記スイッチ素子をパルス駆動する制御部と、
発光開始後の、所望の発光光量に対応した所定時間を計時するタイマとを備え、
上記制御部は、上記スイッチ素子を駆動するためのパルスのシーケンスが相互に異なることがある一連の複数のパルスブロックがプログラムされたものであって、そのプログラムに基づいて上記スイッチ素子を駆動するものであり、
上記制御部は、上記タイマのタイムアップを受けて上記スイッチ素子のパルス駆動を停止しそのスイッチ素子をオフ状態に制御するものであることを特徴とする。
【０００６】
本発明の第１の閃光発光回路は、所望の発光光量に対応した所定時間をタイマで計時し、そのタイマのタイムアップを受けてスイッチ素子のパルス駆動を停止しそのスイッチ素子をオフ状態に制御するものであるため、光量制御にあたり、所望の発光光量に対応した所定時間をタイマに設定すればよく、従って発光光量の制御が簡素化される。また、スイッチ素子は複数のパルスブロックにより駆動されるため、比較的小さな許容電流を有する安価なスイッチ素子等を採用することができ、コストの低減化化が図られる。
【０００７】
ここで、上記制御部は、上記タイマのタイムアップを受けて、１つのパルスブロックによる上記スイッチ素子の駆動が終了したタイミングでそのスイッチ素子をオフ状態に制御するものであることが好ましい。
【０００８】
このように、タイマのタイムアップを受けて、１つのパルスブロックによる駆動が終了したタイミングでスイッチ素子をオフ状態に制御すると、１つのパルスブロック単位で発光光量を制御することができ、発光光量の制御が一層簡素化される。
【０００９】
また、上記制御部は、上記タイマのタイムアップを受けて、１つのパルスブロックによる上記スイッチ素子の駆動の途中であってもそのスイッチ素子をオフ状態に制御するものであることも好ましい態様である。
【００１０】
ここでいう駆動の途中とは、例えば１つのパルスブロックが５つのパルスで構成されている場合、３つ目のパルスが終了した時点でスイッチ素子をオフ状態にしてもよく、あるいは３つ目のパルスの途中でスイッチ素子をオフ状態にしてもよい。このように、タイマのタイムアップを受けて、１つのパルスブロックによるスイッチ素子の駆動の途中であってもスイッチ素子をオフ状態に制御すると、発光光を即座に停止することができるため、高い精度で発光光量の制御を行なうことができる。
【００１１】
また、上記目的を達成する本発明の閃光発光回路のうちの第２の閃光発光回路は、コンデンサを充電し、そのコンデンサに充電された電力を、途中に発光管が配置された放電ループを経由して放電することにより、その発光管から閃光を発する閃光発光回路において、
上記放電ループ内に配置され制御に応じてその放電ループを開閉するスイッチ素子と、
上記スイッチ素子をパルス駆動する制御部と、
発光開始前および発光開始後に上記コンデンサの電圧を検出する電圧検出部とを備え、
上記制御部は、上記スイッチ素子を駆動するためのパルスのシーケンスが相互に異なることがある一連の複数のパルスブロックがプログラムされたものであって、そのプログラムに基づいて上記スイッチ素子を駆動するものであり、
上記制御部は、上記電圧検出部により、上記コンデンサの電圧が、そのコンデンサの発光開始前に検出された電圧と所望の発光光量とに対応した所定の電圧にまで低下したことが検出されたことを受けて、上記スイッチ素子のパルス駆動を停止しそのスイッチ素子をオフ状態に制御するものであることを特徴とする。
【００１２】
本発明の第２の閃光発光回路は、コンデンサの電圧が、そのコンデンサの発光開始前に検出された電圧と所望の発光光量とに対応した所定の電圧にまで低下したことが検出されたことを受けて、スイッチ素子のパルス駆動を停止しそのスイッチ素子をオフ状態に制御するものであるため、光量制御にあたり、コンデンサの上記所定の電圧を検出すればよく、従って発光光量の制御が簡素化される。また、スイッチ素子は複数のパルスブロックにより駆動されるため、比較的小さな許容電流を有する安価なスイッチ素子等を採用することができ、コストの低減化化が図られる。
【００１３】
ここで、上記制御部は、上記電圧検出部により上記所定の電圧まで低下したことが検出されたことを受けて、１つのパルスブロックによる上記スイッチ素子の駆動が終了したタイミングでそのスイッチ素子をオフ状態に制御するものであることが好ましい。
【００１４】
このように制御すると、１つのパルスブロック単位で発光光量を制御することができ、発光光量の制御が一層簡素化される。
【００１５】
また、上記制御部は、上記電圧検出部により上記所定の電圧まで低下したことが検出されたことを受けて、１つのパルスブロックによる上記スイッチ素子の駆動の途中であってもそのスイッチ素子をオフ状態に制御するものであることも好ましい態様である。
【００１６】
このように制御すると、発光光を即座に停止することができるため、高い精度で発光光量の制御を行なうことができる。
【００１７】
さらに、上記目的を達成する本発明の閃光発光回路のうちの第３の閃光発光回路は、コンデンサを充電し、そのコンデンサに充電された電力を、途中に発光管が配置された放電ループを経由して放電することにより、その発光管から閃光を発する閃光発光回路において、
上記放電ループ内に配置され制御に応じてその放電ループを開閉するスイッチ素子と、
上記スイッチ素子をパルス駆動する制御部とを備え、
上記制御部は、上記スイッチ素子を駆動するためのパルスのシーケンスが相互に異なることがある一連の複数のパルスブロックがプログラムされたものであって、そのプログラムに基づいて上記スイッチ素子を駆動するものであり、
上記制御部は、所望の発光光量に対応したパルス数もしくはパルスブロック数だけの上記スイッチ素子のパルス駆動が終了したタイミングでそのスイッチ素子のパルス駆動を停止しそのスイッチ素子をオフ状態に制御するものであることを特徴とする。
【００１８】
本発明の第３の閃光発光回路は、所望の発光光量に対応したパルス数もしくはパルスブロック数だけのスイッチ素子のパルス駆動が終了したタイミングでそのスイッチ素子のパルス駆動を停止しそのスイッチ素子をオフ状態に制御するものであるため、光量制御にあたり、制御部に所望の発光光量に対応したパルス数もしくはパルスブロック数を設定すればよく、従って発光光量の制御が簡素化される。また、スイッチ素子は複数のパルスブロックにより駆動されるため、比較的小さな許容電流を有する安価なスイッチ素子等を採用することができ、コストの低減化化が図られる。
【００１９】
ここで、上記制御部は、所望の発光光量に対応したパルス数だけの上記スイッチ素子のパルス駆動が終了したタイミングで、１つのパルスブロックの途中であってもそのスイッチ素子をオフ状態に制御するものであることが好ましい。
【００２０】
このように、１つのパルスブロックの途中であってもスイッチ素子をオフ状態に制御すると、発光光を即座に停止することができるため、高い精度で発光光量の制御を行なうことができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について説明する。ここでは、カメラに搭載された閃光発光回路について説明する。
【００２２】
図１は、本発明の第１の閃光発光回路の一実施形態を示す図である。
【００２３】
図１に示す閃光発光回路１００には、カメラ全体の制御を行なうための内蔵電池１に接続された昇圧回路１１が備えられている。この昇圧回路１１は、内蔵電池１からの電圧を所定の電圧にまで昇圧する。
【００２４】
また、閃光発光回路１００には、昇圧回路１１によって昇圧された電力を、ダイオード１２＿１を経由して蓄積するメインコンデンサ１３＿１が備えられている。メインコンデンサ１３＿１の両端には、抵抗素子１４＿１とトリガー用コンデンサ１３＿２が直列に接続されている。
【００２５】
さらに、閃光発光回路１００には、発光管１５と、トリガーコイル１６と、ＩＧＢＴ素子１７（本発明にいうスイッチ素子の一例）と、ダイオード１２＿２と、抵抗素子１４＿４，１４＿５とが備えられている。
【００２６】
発光管１５は、陽極１５ａと、陰極１５ｂと、側面電極１５ｃとを有し、内部にはキセノン（ＸＥ）ガスが封入されている。この発光管１５は、メインコンデンサ１３＿１から放出される電力により発光する。また、トリガーコイル１６は、所定の巻数の一次側巻線１６ａと、その巻数よりも大きい巻数の二次側巻線１６ｂを有する。一次側巻線１６ａの一端は、発光管１５の陰極１５ｂおよび抵抗素子１４＿１とトリガー用コンデンサ１３＿２の接続点に接続されている。一方、二次側巻線１６ｂの一端は、発光管１５の側面電極１５ｃに接続されている。これら一次側巻線１６ａ，二次側巻線１６ｂの各他端は、ＩＧＢＴ素子１７のコレクタおよびバイパス用ダイオード１２＿２のアノードに接続されている。ＩＧＢＴ素子１７のベースは、抵抗素子１４＿４を介してグラウンドＧＮＤ（内蔵電池１の−端子）に接続されるとともに、抵抗素子１４＿５を介して後述する制御回路１９に接続されている。また、ＩＧＢＴ素子１７のエミッタは、グラウンドＧＮＤに接続されている。さらに、バイパス用ダイオード１２＿２のカソードは、発光管１５の陽極１５ａに接続されている。発光管１５の陽極１５ａは、メインコンデンサ１３＿１の＋側に接続されている。
【００２７】
トリガーコイル１６は、トリガー用コンデンサ１３＿２に流れる電力を二次側巻線１６ｂに伝えて発光管１５にトリガー電圧を与えるものであり、このトリガーコイル１６の一次側巻線１６ａは、発光管１５およびＩＧＢＴ素子１７とともに、メインコンデンサ１３＿１から放出される電力が流れる放電ループ内に配置されている。また、バイパス用ダイオード１２＿２は、ＩＧＢＴ素子１７がオフすると、その直前まで一次側巻線１６ａに流れていた電流が急激に遮断されることによりその一次側巻線１６ａに発生する大きな逆起電力に起因する電流を流すためのものであり、これによりＩＧＢＴ素子１７にその逆起電力による大きな電圧が印加されることが防止され、そのＩＧＢＴ素子１７の破壊の発生が防止される。
【００２８】
ＩＧＢＴ素子１７は、メインコンデンサ１３＿１に充電された電力が放電される放電ループ内に配置され制御に応じてその放電ループを開閉するスイッチ素子であり、メインコンデンサ１３＿１への充電が完了した状態において上記放電ループを形成したままメインコンデンサ１３＿１の電力を放電した場合にその放電ループに流れる放電電流のピーク値よりも低い許容電流を有する。
【００２９】
また、閃光発光回路１００には、制御回路１９とタイマ２０が備えられている。タイマ２０は、発光開始後の、所望の発光光量に対応した所定時間を計時する。制御回路１９は、ＩＧＢＴ素子１７を駆動するためのパルスのシーケンスが相互に異なることがある一連の複数のパルスブロックがプログラムされたものであって、そのプログラムに基づいてＩＧＢＴ素子１７を駆動する。また、制御回路１９は、タイマ２０のタイムアップを受けてＩＧＢＴ素子１７のパルス駆動を停止しそのＩＧＢＴ素子１７をオフ状態に制御する。さらに、詳細には、この制御回路１９は、タイマ２０のタイムアップを受けて、１つのパルスブロックによる上記ＩＧＢＴ素子１７の駆動が終了したタイミングでそのＩＧＢＴ素子１７をオフ状態に制御する。
【００３０】
図２は、図１に示す制御回路の一部を、メインコンデンサ，発光管，トリガーコイル，ＩＧＢＴ素子等とともに示す図である。
【００３１】
制御回路１９には、図２に示すように、抵抗素子１９ａ1，１９ａ2が接続されたＰチャネルトランジスタ１９ａと、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１９ｂと、それらＰチャネルトランジスタ１９ａ，ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１９ｂ間に配置された抵抗素子１９ｃとが備えられている。ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１９ｂのゲートは，抵抗素子１９ａ2を介してＰチャネルトランジスタ１９ａのベースに接続されており、パルスバー信号ＦＴ＿が入力される。また、Ｐチャネルトランジスタ１９ａのエミッタには、図示しないレギュレータで内蔵電池１の電圧が安定化された電圧ＶＣＣが入力される。さらに、メインコンデンサ１３＿１には、昇圧回路１１（図１参照）で昇圧された電圧ＨＶが印加される。
【００３２】
図３は、図１に示すタイマのタイムアップを受けてＩＧＢＴ素子のパルス駆動を停止する各例を示す図である。
【００３３】
先ず、図１、図２、図３を参照して閃光発光回路１００の動作について説明し、次に図３に示す例１〜例４について説明する。
【００３４】
本実施形態では、ピーク値が１３０Ａ程度の許容電流を有する比較的安価なＩＧＢＴ素子１７が用いられている。制御回路１９は、この許容電流を越えないように、そのＩＧＢＴ素子１７をパルス駆動するためのパルスのシーケンスが相互に異なることがある一連の複数のパルスブロックがプログラムされたパルス信号ＦＴを出力する。最初の初期シーケンスにおいて、内蔵電池１からの電力が昇圧回路１１で昇圧され、メインコンデンサ１３＿１の電圧ＭＣは最大値（３２０Ｖ）にある。また、図２に示すパルスバー信号ＦＴ＿は‘Ｈ’レベルにある。このため、Ｐチャネルトランジスタ１９ａ，ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１９ｂは、それぞれ、オフ状態，オン状態にある。従って、ＩＧＢＴ素子１７のベースには、抵抗素子１４＿５を介してパルス信号ＦＴとして‘Ｌ’レベルが入力されており、ＩＧＢＴ素子１７はオフ状態にある。また、抵抗素子１４＿１を介してトリガー用コンデンサ１３＿２には電力が蓄積されている。
【００３５】
次に、パルスバー信号ＦＴ＿として、‘Ｌ’レベルのパルスが入力される。すると、Ｐチャネルトランジスタ１９ａ，ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１９ｂが、オン状態，オフ状態になり、これによりパルス信号ＦＴとして、‘Ｈ’レベルのパルスが抵抗素子１４＿５を経由してＩＧＢＴ素子１７のベースに入力される。すると、ＩＧＢＴ素子１７がオン状態になり、トリガー用コンデンサ１３＿２に蓄積された電荷が、トリガーコイル１６の一次側巻線１６ａ→ＩＧＢＴ素子１７→グラウンドＧＮＤの経路で放出される。これにより、一次側巻線１６ａに電流が流れ、二次側巻線１６ｂに起電力が誘起される。ここで、二次側巻線１６ｂの巻数は、一次側巻線１６ａの巻数よりも大きいため、二次側巻線１６ｂに誘起される起電力は増幅されて大きくなる。このように大きな起電力がトリガー電圧として発光管１５の側面電極１５ｃに与えられるため、発光管１５に封入されているキセノンガスが励起されて、メインコンデンサ１３＿１の（＋）側→発光管１５の陽極１５ａ→発光管１５の陰極１５ｂ→トリガーコイル１６の一次側巻線１６ａ→ＩＧＢＴ素子１７→グラウンドＧＮＤの経路で電流ＩＣが流れて発光管１５から閃光が発生する。このようにして、初期シーケンスにおいてフラッシュ光の発光が行なわれる。この初期シーケンスでは、発光管１５の励起状態を安定させてフラッシュ光の発光を確実に行なわせるために、パルス信号ＦＴとして比較的大きなパルス幅を有するパルス（例えば１５μＳ幅のパルス）が出力される。以下、中間シーケンス、最終シーケンスに移行する。
【００３６】
次に、図３に示す例１〜例４について説明する。本実施形態の閃光発光回路１００では、所望の発光光量に対応した所定時間がタイマ２０に設定され、初期シーケンスが開始された時点からそのタイマ２０で上記所定時間が計時される。中間シーケンスは、比較的幅の狭い３つのパルスからなる第１のパルスブロックと、第１のパルスブロックのパルス幅よりも幅の広い４つのパルスからなる第２のパルスブロックと、第２のパルスブロックのパルス幅よりも幅の広い１つのパルスからなる第３のパルスブロックとの３つのパルスブロックから構成されている。例１では、制御回路１９は、タイマ２０のタイムアップを受けて、第１のパルスブロックを構成する３つのパルスのうちの２つ目のパルスが終了した時点でＩＧＢＴ素子１７をオフ状態にする。また、例２では、制御回路１９は、タイマ２０のタイムアップを受けて、第３のパルスブロックを構成する１つのパルスの途中でＩＧＢＴ素子１７をオフ状態にする。さらに、例３では、制御回路１９は、タイマ２０のタイムアップを受けて、第２のパルスブロックを構成する２つ目のパルスの途中でＩＧＢＴ素子１７をオフ状態にする。また、例４では、制御回路１９は、タイマ２０のタイムアップを受けて、最終シーケンスにおけるパルスの途中でＩＧＢＴ素子１７をオフ状態にする。このようにＩＧＢＴ素子１７をオフ状態に制御すると、発光光が即座に停止されるため、高い精度で発光光量の制御を行なうことができる。
【００３７】
図４は、図１に示すタイマのタイムアップを受けてＩＧＢＴ素子のパルス駆動を制御するルーチンのフローチャートである。
【００３８】
先ず、ステップＳ２１において、所望の発光光量に対応した所定時間をタイマ２０に設定（セット）する。次に、ステップＳ２２において、図示しないマイクロコンピュータから発光命令を出力する。ステップＳ２３では、これを受けて制御回路１９で初期シーケンスを実行する。次に、ステップＳ２４に進み、モード選択を行なう。モードには、マクロモード、近距離モード、中距離モード、遠距離モードの４種類がある。マクロモードにあると判定された場合はステップＳ２５に進み、図３の例１に示す、中間シーケンスの初期までの中間シーケンス部１を実行してこのルーチンを終了する。また、近距離モードにあると判定された場合はステップＳ２６に進み、図３の例３に示す、中間シーケンスの中間までの中間シーケンス部２を実行してこのルーチンを終了する。さらに、中距離モードにあると判定された場合はステップＳ２７に進み、図３の例２に示す、中間シーケンスの最後部までの中間シーケンス部３を実行してこのルーチンを終了する。また、遠距離モードにあると判定された場合はステップＳ２８に進み、図３の例４に示す、最終シーケンスの途中までの最終シーケンス部を実行してこのルーチンを終了する。
【００３９】
本実施形態の閃光発光回路１００は、所望の発光光量に対応した所定時間をタイマ２０で計時し、そのタイマ２０のタイムアップを受けてＩＧＢＴ素子１７のパルス駆動を停止しそのＩＧＢＴ素子１７をオフ状態に制御するものであるため、光量制御にあたり、所望の発光光量に対応した所定時間をタイマ２０に設定すればよく、従って発光光量の制御が簡素化される。また、ＩＧＢＴ素子１７は複数のパルスブロックにより駆動されるため、比較的小さな許容電流を有する安価なＩＧＢＴ素子１７を採用することができ、コストの低減化化が図られる。
【００４０】
尚、本実施形態では、タイマ２０のタイムアップを受けて、１つのパルスブロックによるＩＧＢＴ素子１７の駆動の途中であってもそのＩＧＢＴ素子１７をオフ状態に制御する例で説明したが、タイマ２０のタイムアップを受けて、１つのパルスブロックによるＩＧＢＴ素子１７の駆動が終了したタイミングでそのＩＧＢＴ素子１７をオフ状態に制御するものであってもよい。このようにすると、１つのパルスブロック単位で発光光量を制御することができ、発光光量の制御が一層簡素化される。
【００４１】
また、本実施形態では、初期シーケンスが開始される時点から起算した所定時間をタイマ２０に設定する例で説明したが、初期シーケンス終了した時点から起算した所定時間をタイマ２０に設定してもよい。このようにすると、安定発光を行なうための初期シーケンスを除く中間シーケンスからの時間により発光が行なわれるため、高い精度で発光光量の制御を行なうことができる。
【００４２】
さらに、タイマ２０は、初期シーケンスにおいては所定時間を計時せず、初期シーケンス終了後から計時を開始してもよい。このようにすると、安定発光を行なうための初期シーケンスを除く中間シーケンスからの時間により発光が行なわれるため、高い精度で発光光量の制御を行なうことができる。
【００４３】
図５は、本発明の第２の閃光発光回路の一実施形態を示す図である。
【００４４】
尚、図１に示す閃光発光回路１００の構成要素と同じ構成要素については同一の符号を付し、重複説明は省略する。
【００４５】
図５に示す閃光発光回路２００には、メインコンデンサ１３＿１の両端に接続された抵抗素子１４＿２，１４＿３と、電圧検出回路１８と、制御回路２９とが備えられている。
【００４６】
電圧検出回路１８は、発光開始前および発光開始後に、メインコンデンサ１３＿１の電圧を、そのメインコンデンサ１３＿１の両端に接続された抵抗素子１４＿２，１４＿３の接続点における電圧に基づいて検出する。
【００４７】
制御回路２９は、ＩＧＢＴ素子１７を駆動するためのパルスのシーケンスが相互に異なることがある一連の複数のパルスブロックがプログラムされたものであって、そのプログラムに基づいてＩＧＢＴ素子１７を駆動する。また、この制御回路２９は、電圧検出回路１８により、メインコンデンサ１３＿１の電圧が、そのメインコンデンサ１３＿１の発光開始前に検出された電圧と所望の発光光量とに対応した所定の電圧にまで低下したことが検出されたことを受けて、ＩＧＢＴ素子１７のパルス駆動を停止しそのＩＧＢＴ素子１７をオフ状態に制御する。さらに、制御回路２９は、電圧検出回路１８により上記所定の電圧まで低下したことが検出されたことを受けて、１つのパルスブロックによるＩＧＢＴ素子１７の駆動の途中であってもそのＩＧＢＴ素子１７をオフ状態に制御する。
【００４８】
図６は、図５に示す電圧検出回路により、メインコンデンサの電圧が所定の第１の電圧にまで低下したことが検出されたことを受けて、ＩＧＢＴ素子のパルス駆動を停止する様子を示す図である。
【００４９】
メインコンデンサ１３＿１は、３２０Ｖの電圧ＭＣにまで充電されている。初期シーケンスにおいては、発光管１５の励起状態を安定させてフラッシュ光の発光を確実に行なわせるために、パルス信号ＦＴとして比較的大きなパルス幅（例えば１５μＳ）のパルスが出力される。尚、ＩＧＢＴ素子１７が最初にオンされた時点ではノイズが発生し、次いで電流ＩＣが流れて発光管１５から閃光が発生する。これに伴い、電圧ＭＣが徐々に低下する。上述したように、この電圧ＭＣは、メインコンデンサ１３＿１の両端に接続された抵抗素子１４＿２，１４＿３の接続点における電圧に基づいて、電圧検出回路１８で検出される。このようにして、初期シーケンスにおいてフラッシュ光の発光が行なわれる。
【００５０】
次に、中間シーケンスにおいて、パルス信号ＦＴとして、第１，第２のパルスが入力されて、発光管１５に、第１，第２のパルスに対応する２つのパルス電流ＩＣが流れて、それら２つのパルス電流ＩＣに応じて発光管１５から閃光が発生する。これに伴い、電圧ＭＣはさらに低下し、メインコンデンサ１３＿１の電圧ＭＣが、そのメインコンデンサ１３＿１の発光開始前に検出された電圧ＭＣ（３２０Ｖ）と所望の発光光量とに対応した所定の第１の電圧（図６の点線で示す電圧）にまで低下する。制御回路２９では、電圧検出回路１８により、メインコンデンサ１３＿１の電圧ＭＣが、上記所定の第１の電圧にまで低下したことが検出されたことを受けて、ＩＧＢＴ素子１７のパルス駆動を停止しそのＩＧＢＴ素子１７をオフ状態に制御する。
【００５１】
図７は、メインコンデンサの電圧が、図６に示す所定の第１の電圧よりもさらに低い所定の第２の電圧にまで低下したことが検出されたことを受けて、ＩＧＢＴ素子のパルス駆動を停止する様子を示す図である。
【００５２】
図６では、中間シーケンスにおいて第１，第２のパルスが入力された後に所定の第１の電圧にまで低下したことが検出されたことを受けて、ＩＧＢＴ素子１７のパルス駆動を停止しそのＩＧＢＴ素子１７をオフ状態に制御したが、図７では中間シーケンスにおいて第１，第２のパルスが入力された後、さらに第３のパルスが入力され、次いで最終シーケンスに移行して比較的大きなパルスによる、いわゆるＤＣ発光（通常の単発発光）が行なわれる。すると、電圧ＭＣが急激に低下して所定の第２の電圧（図７の点線で示す電圧）にまで低下する。制御回路２９では、この所定の第２の電圧にまで低下したことが検出されたことを受けて、最終シーケンスにおけるパルスの途中でＩＧＢＴ素子１７のパルス駆動を停止しそのＩＧＢＴ素子１７をオフ状態に制御する。
【００５３】
本実施形態の閃光発光回路２００は、メインコンデンサ１３＿１の電圧ＭＣが、そのメインコンデンサ１３＿１の発光開始前に検出された電圧と所望の発光光量とに対応した所定の電圧にまで低下したことが検出されたことを受けて、ＩＧＢＴ素子１７のパルス駆動を停止しそのＩＧＢＴ素子１７をオフ状態に制御するものであるため、光量制御にあたり、メインコンデンサ１３＿１の上記所定の第１，第２の電圧を検出すればよく、従って発光光量の制御が簡素化される。
【００５４】
また、制御回路２９は、電圧検出回路１８により所定の第１もしくは第２の電圧まで低下したことが検出されたことを受けて、１つのパルスブロックによる上記ＩＧＢＴ素子１７の駆動が終了したタイミングでそのＩＧＢＴ素子１７をオフ状態に制御するものであるため、発光光量の制御が一層簡素化される。
【００５５】
尚、制御回路２９は、電圧検出回路１８により所定の電圧まで低下したことが検出されたことを受けて、１つのパルスブロックによるＩＧＢＴ素子１７の駆動の途中であってもそのＩＧＢＴ素子１７をオフ状態に制御するものであってもよい。このようにＩＧＢＴ素子１７をオフ状態に制御すると、高い精度で発光光量の制御を行なうことができる。
【００５６】
図８は、本発明の第３の閃光発光回路の一実施形態を示す図である。
【００５７】
尚、図１に示す閃光発光回路１００の構成要素と同じ構成要素については同一の符号を付し、重複説明は省略する。
【００５８】
図８に示す閃光発光回路３００には、カウンタ３９ａを有する制御回路３９が備えられている。このカウンタ３９ａには、所望の発光光量に対応したパルス数もしくはパルスブロック数が設定される。制御回路３９は、ＩＧＢＴ素子１７を駆動するためのパルスのシーケンスが相互に異なることがある一連の複数のパルスブロックがプログラムされたものであって、そのプログラムに基づいて上記ＩＧＢＴ素子１７を駆動する。また、この制御回路３９は、カウンタ３９ａでパルス信号ＦＴのエッジをカウントし、所望の発光光量に対応したパルス数もしくはパルスブロック数に達した時点でＩＧＢＴ素子１７のパルス駆動を停止しそのＩＧＢＴ素子１７をオフ状態に制御する。このため、光量制御にあたり、カウンタ３９ａに所望の発光光量に対応したパルス数もしくはパルスブロック数を設定すればよく、従って発光光量の制御が簡素化される。さらに、制御回路３９は、所望の発光光量に対応したパルス数だけの上記ＩＧＢＴ素子１７のパルス駆動が終了したタイミングで、１つのパルスブロックの途中であってもそのＩＧＢＴ素子１７をオフ状態に制御する。このため、高い精度で発光光量の制御を行なうことができる。
【００５９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の閃光発光回路によれば、発光光量の制御が簡素化され、かつコストの低減化が図られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の閃光発光回路の一実施形態を示す図である。
【図２】図１に示す制御回路の一部を、メインコンデンサ，発光管，トリガーコイル，ＩＧＢＴ素子等とともに示す図である。
【図３】図１に示すタイマのタイムアップを受けてＩＧＢＴ素子のパルス駆動を停止する各例を示す図である。
【図４】図１に示すタイマのタイムアップを受けてＩＧＢＴ素子のパルス駆動を制御するルーチンのフローチャートである。
【図５】本発明の第２の閃光発光回路の一実施形態を示す図である。
【図６】図５に示す電圧検出回路により、メインコンデンサの電圧が所定の第１の電圧にまで低下したことが検出されたことを受けて、ＩＧＢＴ素子のパルス駆動を停止する様子を示す図である。
【図７】メインコンデンサの電圧が、図６に示す所定の第１の電圧よりもさらに低い所定の第２の電圧にまで低下したことが検出されたことを受けて、ＩＧＢＴ素子のパルス駆動を停止する様子を示す図である。
【図８】本発明の第３の閃光発光回路の一実施形態を示す図である。
【符号の説明】
１    内蔵電池
１００，２００，３００    閃光発光回路
１１    昇圧回路
１２＿１，１２＿２    ダイオード
１３＿１    メインコンデンサ
１３＿２    トリガー用コンデンサ
１４＿１，１４＿２，１４＿３，１４＿４，１４＿５，１９ａ1，１９ａ2，１９ｃ    抵抗素子
１５    発光管
１５ａ    陽極
１５ｂ    陰極
１５ｃ    側面電極
１６    トリガーコイル
１６ａ    一次側巻線
１６ｂ    二次側巻線
１７    ＩＧＢＴ素子
１８    電圧検出回路
１９，２９，３９    制御回路
１９ａ    Ｐチャネルトランジスタ
１９ｂ    ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ
２０    タイマ
３９ａ    カウンタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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