(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ異なる波長を有する３個の光源と、
前記３個の光源の出射光を合成する２個の光合波器と、
前記出射光を光記憶媒体の記録面上に集光する集光光学系と、
前記光記憶媒体の記録面から反射された反射光を回折するホログラム素子と、
前記ホログラム素子によって回折された反射光を検出し且つ、前記３個の光源の内、１個の光源と一体に構成された１個の光検出器と、
前記光検出器上に配置された、複数の光検出領域とからなる光ヘッド装置であって、
前記異なる波長λ１、λ２、λ３は、λ１＜λ２＜λ３且つ、λ３−λ２＜λ２−λ１であり、
λ３とλ２は同一の前記光検出領域を用い、λ１はλ３、λ２に用いる光検出領域とは異なる光検出領域を用いる光ヘッド装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ディスク、光磁気ディスク、光カードなどの光記憶媒体上の光学情報を記録・再生する光ヘッド装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
高密度・大容量の記憶媒体として、ピット状パターンを有する光ディスクや、光相変化材料を用いた光ディスク、または光磁気ディスクを用いる光メモリ技術は、ディジタルオーディオディスク、ビデオディスク、文書ファイルディスク、さらにはデータファイルなどに広く利用されている。この光メモリ技術では、情報は微小に絞られた光ビームを介して光ディスクへ高い精度と信頼性をもって記録再生される。この記録再生動作は、ひとえにその光学系に依存している。
【０００３】
その光学系の主要部である光ヘッド装置の基本的な機能は、回折限界の微小スポットを形成する収束、前記光学系の焦点制御とトラッキング制御及びピット信号の検出、に大別される。これらの機能は、その目的と用途に応じて各種の光学系と光電変換検出方式の組み合わせによって実現されている。
【０００４】
一方、近年、ＤＶＤと称する高密度・大容量の光ディスクが実用化され、動画のような大量の情報を扱える情報媒体として脚光を浴びている。このＤＶＤ光ディスクは従来の光ディスクであるコンパクトディスク（以下ＣＤと略記する）等と比較して記録密度を大きくするために、情報記録面でのピットサイズを小さくしている。従ってＤＶＤ光ディスクを記録再生する光ヘッド装置に於いては、スポット径を決定する光源の波長や、収束レンズの開口数（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ  Ａｐｅｒｔｕｒｅ：以下ＮＡと略記する）がＣＤ等の場合と異なっている。因みに、ＣＤ等では、光源の波長は略０．７８μｍ、ＮＡは略０．４５であるのに対し、ＤＶＤ光ディスクでは光源の波長は略０．６３〜０．６５μｍ、ＮＡは略０．６である。従って、ＣＤとＤＶＤ光ディスクの２種類の光ディスクを一つの光ディスクドライブで記録再生しようとすると、２つの光学系を有する光ヘッド装置が必要になる。一方、光ヘッド装置の小型化、薄型化、低コスト化の要求からは、ＣＤとＤＶＤの光学系はできる限り共用化する方向にあり、たとえば、光源はＣＤ用とＤＶＤ用の２個の光源を用いるが、収束用レンズと光検出器は共用化して収束用レンズのＮＡだけをＤＶＤ光ディスクの時は大きく、ＣＤの時には小さくするように機械的または、光学的に変えるなどの方式がとられている。
【０００５】
以下、上述した光ヘッド装置について図面を参照しながら説明する。
【０００６】
図１１は従来の光ヘッド装置の光学系構成を示すものである。図１１において１０１は第１の半導体レーザであって、波長は略０．７８μｍである。１０２は第２の半導体レーザであって、波長は略０．６５μｍである。１０３はプリズムビームスプリッター、１０４はハーフミラー、１０５は集光光学系であってＮＡは０．６である。１０６は第１の収束光であって、第１の半導体レーザ１０１の出射光を集光光学系１０５によって集光した光である。１０７は第２の収束光であって第２の半導体レーザ１０２の出射光を集光光学系１０５によって集光した光である。１０８はＣＤ、１０９はＤＶＤであり、それぞれ基材厚が１．２ｍｍと０．６ｍｍの光記憶媒体である。以上のように構成された光ヘッド装置について、以下その動作について説明する。図１１において便宜上ＣＤ１０８とＤＶＤ１０９を同時に記載しているが実際にはどちらかのディスクがあるだけである。先ず、ＣＤ１０８を再生する場合について説明する。第１の半導体レーザ１０１から出射した光はプリズムビームスプリッター１０３によって光路を分岐され一部の光が集光光学系１０５に入射する。集光光学系１０５は図示しない波長選択フィルターによって覆われており、集光光学系のＮＡにして０．４５以下の範囲だけが第１の半導体レーザ１０１の光を透過する。従って集光光学系１０５に入射した光は第１の収束光１０６となり、ＣＤ１０８の記録面上に集光スポットを形成する。次に記録面によって反射された光は集光光学系１０５とプリズムビームスプリッター１０３及びハーフミラー１０４を透過して光検出器１１０に到達し、電気信号に変換される。次にＤＶＤ１０９を再生する場合について説明する。第２に半導体レーザ１０２から出射した光はハーフミラー１０４によって光路を分岐され一部の光がプリズムビームスプリッター１０３を経由して集光光学系１０５に入射する。集光光学系１０５に付随する図示しない波長選択フィルターは第２の半導体レーザ１０２の光に対しては透明になるように設計されており、集光光学系に入射した光はＮＡ０．６の全面を透過さて第２の収束光１０７となり、ＤＶＤ１０９の記録面上に集光スポットを形成する。記録面によって反射された光はＣＤの場合と同様に光検出器１１０に到達して電気信号に変換される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上記の従来の構成では、第１の半導体レーザ１０１や、第２の半導体レーザ１０２、光検出器１１０がそれぞれ別体であるため各々の位置調整が必要であると共に温度変化や吸湿等によって相互の位置関係に誤差を生じやすいという課題や、プリズムビームスプリッター、ハーフミラーを用いることにより、光伝達効率が低いという課題を有していた。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この課題を解決するために請求項１記載の発明は、それぞれ異なる波長を有する３個の光源と、前記３個の光源の出射光を合成する２個の光合波器と、前記出射光を光記憶媒体の記録面上に集光する集光光学系と、前記光記憶媒体の記録面から反射された反射光を回折するホログラム素子と、前記ホログラム素子によって回折された反射光を検出し且つ、前記３個の光源の内、１個の光源と一体に構成された１個の光検出器と、前記光検出器上に配置された、複数の光検出領域とからなる光ヘッド装置であって、前記異なる波長λ１、λ２、λ３は、λ１＜λ２＜λ３且つ、λ３−λ２＜λ２−λ１であり、λ３とλ２は同一の前記光検出領域を用い、λ１はλ３、λ２に用いる光検出領域とは異なる光検出領域を用いる光ヘッド装置である。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図１から図６を用いて説明する。
【００１３】
（実施の形態１）
図１は本発明の第１の実施の形態の光ヘッド装置の光学系構成を示す図であって、１は第１の半導体レーザであって、波長は略０．７８μｍである。１１のＬＤ／ＰＤモジュールは第２の半導体レーザと光検出器ＰＤのモジュールであって、波長は略０．６５μｍである。３はプリズムビームスプリッター、５は集光光学系であってＮＡは０．６である。６は第１の収束光であって、第１の半導体レーザ１の出射光を集光光学系５によって集光した光である。７は第２の収束光であって第２の半導体レーザ１１の出射光を集光光学系５によって集光した光である。
【００１４】
１２はホログラム素子、１３は＋１次回折光と１４は−１次回折光である。８はＣＤ、９はＤＶＤのディスクであり、それぞれ基材厚が１．２ｍｍと０．６ｍｍの光記憶媒体であり、説明の便宜上１枚のディスクのように図示しているが、実際はそれぞれ厚さの異なる媒体である。
【００１５】
以上のように構成された光ヘッド装置について、以下その動作について説明する。
【００１６】
図１１と構成が大きく異なるのは、１１のＬＤ／ＰＤモジュールと１２のホログラム素子と１３の＋１次回折光と１４の−１次回折光である。＋１次回折光１３及び−１次回折光１４は，ホログラム素子１２によって回折されＬＤ／ＰＤモジュール１１に入射する光である。ＬＤ／ＰＤモジュール１１とホログラム素子１２についてそれぞれ図２と図３を用いて詳述する。図２はＬＤ／ＰＤモジュール１１の構成を示す図であり、図２において１５はシリコン基板である。１６は半導体レーザチップであり、シリコン基板１５をエッチングして形成されるピット部に設けられている。半導体レーザチップの出射光の波長は略０．６５μｍである。１７は立ち上げミラーであり、半導体レーザチップ１６の設けられているピット部の側面を利用して形成されており、半導体レーザ１６の出射光は立ち上げミラー１７によってシリコン基板１５の表面に対して垂直に出射する。１８〜２４は検出領域であって光を電気信号に変換する。図３はホログラム素子１２の上面図であり、１２はホログラム素子、２５はホログラムパターンであってホログラム素子１２上にフォトリソグラフィなどによってパターン作成されたものである。ホログラムパターン２５は図３に示すように領域Ａ１から領域Ｄ２まで分割されている。図１から図３を用いて第１の実施の形態の光ヘッド装置の動作を説明する。図１において第１の半導体レーザ１から出射したレーザ光はプリズムビームスプリッター３によって一部反射されホログラム素子１２を透過して集光光学系５によって第１の収束光６となりＣＤ８の記録面上に集光スポットを形成する。ＣＤ８の記録面によって反射された光は集光光学系５を透過した後、ホログラム素子１２によって回折され＋１次回折光１３と−１次回折光１４に分離されてＬＤ／ＰＤモジュール１１に入射する。ホログラム素子１２は図３に示すように領域分割されており、各領域ごとに回折光を発生するが図１においては各領域から発生する＋１次回折光をまとめて＋１次回折光１３と記載し、各領域の−１次回折光をまとめて−１次回折光１４と記している。ＬＤ／ＰＤモジュール１１に入射した回折光はそれぞれ検出領域１８〜２４によって検出される。信号検出について図４を用いて説明する。図４はＬＤ／ＰＤモジュール上の回折光を示す図であって図２と同一物については同一番号を付して説明を省略する。図４に於いて１３ａ、１３ａ’〜１３ｄ、１３ｄ’はそれぞれ＋１次回折光スポットであり、図１に示した＋１次回折光１３が図３に示したホログラム素子１２によって分割されたものである。＋１次回折光スポット１３ａは図３に示したホログラムパターン２５において領域Ａ１から発生する＋１次回折光に対応しており、＋１次回折光スポット１３ａ’は同様に領域Ａ２から発生する＋１次回折光に対応する。同様に＋１次回折光スポット１３ｂ、１３ｂ’、１３ｃ、１３ｃ’、１３ｄ、１３ｄ’はそれぞれホログラムパターン２５の領域Ｂ１、Ｂ２、Ｃ１、Ｃ２、Ｄ１、Ｄ２から発生する＋１次回折光に対応する。領域Ａ１、Ｂ１、Ｃ１、Ｄ１において回折された回折光の焦点位置と、領域Ａ２、Ｂ２、Ｃ２、Ｄ２において回折された回折光の焦点位置は、光軸方向に沿ってシリコン基板１５に対���て対称になるよう設定されている。また、−１次回折光スポット１４ａ、１４ａ’、１４ｂ、１４ｂ’、１４ｃ、１４ｃ’、１４ｄ、１４ｄ’もそれぞれホログラムパターン２５の領域Ａ１、Ａ２、Ｂ１、Ｂ２、Ｃ１、Ｃ２、Ｄ１、Ｄ２から発生する−１次回折光に対応する。フォーカスエラー信号の検出方法はたとえば、特開平２−１８５７２２号公報に開示されている公知のＳＳＤ（スポットサイズ検出）法であり、検出領域１９と検出領域２０の出力の和をＦＥ１で示し、検出領域１８と検出領域２１の出力の和をＦＥ２で示すとフォーカスエラー信号は検出領域の出力ＦＥ１とＦＥ２の差（ＦＥ１−ＦＥ２）によって得られ、フォーカスエラー信号が０になるように集光光学系５を微動することによって集光光学系５の焦点位置とＣＤ８の情報記録面の位置を一致させることが可能となる。またトラッキングエラー信号の検出方式は公知の位相差検出方式を用いて、検出領域２２、２３、２４、２５の信号を演算することによって得られる。次に、ＬＤ／ＰＤモジュール１１から出射したレーザ光はプリズムビームスプリッター３とホログラム素子１２を透過して集光光学系５によって第２の収束光７となりＤＶＤ９の記録面上に集光スポットを形成する。ＤＶＤ９の記録面によって反射された光は集光光学系５を透過した後、ホログラム素子１２によって回折され＋１次回折光１３と−１次回折光１４に分離されてＬＤ／ＰＤモジュール１１に戻る。信号検出は上述したＣＤの再生の説明と同様である。上述の説明と異なるのはＤＶＤ再生の場合には光源波長が短くなるため＋１次回折光１３や−１次回折光１４の回折角が小さくなり、＋１次回折光スポットや−１次回折光スポットの位置が半導体レーザチップ１６よりにずれることであり、検出領域１８〜２４はこれらのずれが生じた場合でもフォーカスエラー信号やトラッキングエラー信号が正常にとれるように形成されている。具体的には検出領域１８〜２１は領域の長手方向が＋１次回折光１３の回折方向に平行になっており、検出領域２２〜２５は−１次回折光１４の回折角が変化したときに−１次回折光スポットが検出領域から飛び出さないように設計されている。以上のように構成することにより、本実施の形態に於いてはＬＤ／ＰＤモジュール１１に於いて半導体レーザチップ１６と光検出器とが一体に構成されているため、相互の位置関係がずれにくく、信頼性の高い光ヘッド装置が構成できた。また、第１の半導体レーザ１に対する光検出器と半導体レーザチップ１６に対する光検出器を共用化したため、部品点数を低減することが出来た。
【００１７】
（実施の形態２）
図５は本発明の第２の実施の形態の光ヘッド装置の構成を示す図であって、図１と同一物については同一番号を付して説明を省略する。２５はＬＤ／ＰＤモジュールであってＬＤ／ＰＤモジュール１１と同様の構成を有しており、波長は例えば０．４４μｍである。２６、２７，２８はコリメータレンズであり、それぞれＬＤ／ＰＤモジュール２５の出射光と第１の半導体レーザの出射光とＬＤ／ＰＤモジュール１１の出射光とを平行光に変換する。２９はプリズムビームスプリッターであり、ＬＤ／ＰＤモジュール２５の出射光とプリズムビームスプリッター３で合波された光とを合波する。３０は対物レンズであり、コリメータレンズ２６、２７、２８と組合わさって集光光学系を構成する。３１はホログラム素子であり、ＬＤ／ＰＤモジュール２５と組で信号検出を行う。３２もホログラム素子であり、第１の半導体レーザ１とＬＤ／ＰＤモジュール１１と組で信号検出を行う。３３は記憶媒体である。以下、第２の実施の形態の光ヘッド装置の動作について図５を用いて説明する。第１の半導体レーザ１から出射したレーザ光はコリメータレンズ２７によって平行光に変換された後、プリズムビームスプリッター３によって一部反射され、プリズムビームスプリッター２９を一部透過して対物レンズ３０によって記憶媒体３３に集光される。記憶媒体３３によって反射された光は対物レンズ３０を透過し、プリズムビームスプリッター２９、３を一部透過してコリメーターレンズ２８によって集光され、ホログラム素子３２によって回折され、ＬＤ／ＰＤモジュール１１内の光検出器によって第１の実施の形態で述べたのと同様に信号検出される。次に、ＬＤ／ＰＤモジュール１１から出射したレーザ光はホログラム素子３２を一部透過し、コリメータレンズ２８によって平行光に変換された後プリズムビームスプリッター３とプリズムビームスプリッター２９とを一部透過して対物レンズ３０によって記憶媒体３３の記録面上に集光スポットを形成する。記憶媒体３３の記録面によって反射された光は対物レンズ３０を透過した後、プリズムビームスプリッター２９とプリズムビームスプリッター３とを一部透過しコリメータレンズ２８によって集光され、ホログラム素子３２によって回折され、ＬＤ／ＰＤモジュール１１内の光検出器によって第１の実施の形態で述べたのと同様に信号検出される。次に、ＬＤ／ＰＤモジュール２５から出射したレーザ光はホログラム素子３１を一部透過し、コリメータレンズ２６によって平行光に変換された後プリズムビームスプリッター２９によって一部反射して対物レンズ３０によって記憶媒体３３の記録面上に集光スポットを形成する。記憶媒体３３の記録面によって反射された光は対物レンズ３０を透過した後、プリズムビームスプリッター２９によって一部反射されコリメータレンズ２６によって集光され、ホログラム素子３２によって回折され、ＬＤ／ＰＤモジュール２５内の光検出器によって第１の実施の形態で述べたのと同様に信号検出される。
【００１８】
（実施の形態３）
図６は本発明の第３の実施の形態の光ヘッド装置の構成を示す図であって、図５と同一物については同一番号を付して説明を省略する。３４はＬＤ／ＰＤモジュールであってＬＤ／ＰＤモジュール１１と同様の構成を有しているが、光検出領域の配置が異なっている。波長は例えば０．６５μｍである。３５は第２の半導体レーザであり、波長は略０．４４μｍである。実施の形態３の動作に於いて実施の形態２と異なるのは光検出器が１個であることであり、第２の半導体レーザ３５から出射した光はプリズムビームスプリッター２９で一部反射した後、対物レンズ３０によって記憶媒体３３に集光される。記憶媒体３３によって反射された光は対物レンズ３０を透過した後、プリズムビームスプリッター２９及び、プリズムビームスプリッター３を透過してコリメータレンズ２８によって集光され、ホログラム素子３１によって回折されてＬＤ／ＰＤモジュール３４内の光検出器によって信号検出される。本実施の形態に於いては０．４４〜０．７８μｍの光がホログラム素子３１によって回折されるため回折角が大きく異なり、光検出器上でプラス、マイナス１次回折光スポットが大きく移動する。図７はＬＤ／ＰＤモジュール３４上の回折光を示す図であって図７に於いて図４と同一物については同一番号を付して説明を省略する。図４と異なるのは光検出領域３６、３７が増えたことである。３８ａ、３８ａ’〜３８ｄ、３８ｄ’は＋１次回折光スポットであり、３９ａ、３９ａ’〜３９ｄ、３９ｄ’は−１次回折光スポットである。図７（ａ）は回折光の波長が０．４４μｍの時のプラス、マイナス１次回折光スポットの配置を示しており、図７（ｂ）は回折光の波長が０．７８μｍの時のプラス、マイナス１次回折光スポットの配置を示している。回折光の波長が０．７８μｍの時には回折角が大きくなるので−１次回折光スポット３９ａ〜３９ｄ’検出領域２３、２４、３６、３７に入る。図７（ａ）の時にはトラッキングエラー信号は検出領域２２、２３、２４、２５の信号を演算することにより検出し、図７（ｂ）の時にはトラッキングエラー信号は２３、２４、３６、３７の信号を演算することにより、検出する。波長０．６５μｍの時の回折光スポットは図７（ｂ）から少しずれるだけであるのでトラッキングエラー信号は２２、２３、３６、３７の信号から得られる。
【００１９】
（実施の形態４）
図８は本発明の第４の実施の形態の光ヘッド装置の構成を示す図であって、図５と同一物については同一番号を付して説明を省略する。図８に於いて図５と異なるのはプリズムビームスプリッターの代わりに４０の偏光ビームスプリッターと４１のダイクロイックミラーと４２の波長板が入っていることである。また、第１の半導体レーザ１の出射光は偏光ビームスプリッター４０に対してＰ偏光として入射するように配置されている。偏光ビームスプリッター４０は第１の半導体レーザ１の波長に対し偏光異方性を有しており、Ｐ偏光は９９％透過し、Ｓ偏光は９９％反射する。偏光ビームスプリッター４０はＬＤ／ＰＤモジュール１１の光に対しては偏光異方性を有しておらず、９９％反射する。ダイクロイックミラー４１はＬＤ／ＰＤモジュール２５の光に対して９９％の反射率を有し、第１の半導体レーザ１とＬＤ／ＰＤモジュール２５の光に対しては９９％の透過率を有している。波長板４２は第１の半導体レーザ１の波長に対しλ／４板として作用し、ＬＤ／ＰＤモジュール１１及び２５に対してはλ／４板以外の波長板として作用する。以下、第４の実施の形態の光ヘッド装置の動作について図８を用いて説明する。第１の半導体レーザ１から出射したレーザ光はコリメータレンズ２７によって平行光に変換された後、偏光ビームスプリッター４０を透過し、ダイクロイックミラー４１を透過して波長板４２を透過する。この時、波長板４２の特性により、透過光は円偏光になる。この円偏光は対物レンズ３０によって記憶媒体３３に集光される。記憶媒体３３によって反射された光は対物レンズ３０を透過し、再度波長板４２を透過する際に直線偏光に戻るが、往路とは偏光面が９０度回転している。反射光はダイクロイックミラー４１を透過して偏光ビームスプリッター４０に入射するがＳ偏光になっているので、９９％反射し、コリメーターレンズ２８によって集光され、ホログラム素子３２によって回折され、ＬＤ／ＰＤモジュール１１内の光検出器によって第１の実施の形態で述べたのと同様に信号検出される。次に、ＬＤ／ＰＤモジュール１１から出射したレーザ光はホログラム素子３２を一部透過し、コリメータレンズ２８によって平行光に変換された後、偏光ビームスプリッター４０で反射され、ダイクロイックミラー４１と波長板４２を透過して対物レンズ３０によって記憶媒体３３の記録面上に集光スポットを形成する。記憶媒体３３の記録面によって反射された光は対物レンズ３０を透過した後、波長板４２とダイクロイックミラー４１を透過した後、偏光ビームスプリッター４０で反射されてコリメータレンズ２８によって集光され、ホログラム素子３２によって回折され、ＬＤ／ＰＤモジュール１１内の光検出器によって第１の実施の形態で述べたのと同様に信号検出される。次に、ＬＤ／ＰＤモジュール２５から出射したレーザ光はホログラム素子３１を一部透過し、コリメータレンズ２６によって平行光に変換された後ダイクロイックミラー４１によって９９％反射して波長板４２を透過し、対物レンズ３０によって記憶媒体３３の記録面上に集光スポットを形成する。記憶媒体３３の記録面によって反射された光は対物レンズ３０及び、波長板４２を透過した後、ダイクロイックミラ��４１によって９９％反射されコリメータレンズ２６によって集光され、ホログラム素子３２によって回折され、ＬＤ／ＰＤモジュール２５内の光検出器によって第１の実施の形態で述べたのと同様に信号検出される。
【００２０】
（実施の形態５）
図９は本発明の第５の実施の形態の光ヘッド装置の構成を示す図であって、図１と同一物については同一番号を付して説明を省略する。図９に於いて４４は第１の半導体レーザであって波長は略０．６５μｍである。４５はＬＤ／ＰＤモジュールであり、波長は略０．７８μｍである。４６は偏光ビームスプリッターであり、４７は波長板である。波長板４７は厚さ約０．５３ｍｍの水晶板であって０．６５μｍの波長に対しては５λ／４板で０．７８μｍの波長に対してはλ板になるように設計されている。第５の実施の形態の光ヘッド装置について図９及び図１０を用いてその動作を説明する。図１０は偏光ビームスプリッター４６の透過率を示す図であり、横軸に設計波長λに対する入射波長λ０の割合を、縦軸にＰ偏光とＳ偏光の透過率を示している。本実施の形態に於いては偏光ビームスプリッター４６の設計波長は０．７μｍとした。ＣＤ８やＤＶＤ９の再生は第１の実施の形態と同様であり、説明を省略する。第１の実施の形態と異なるのは偏光を利用することであり、第１の半導体レーザ４４から出射する光は偏光ビームスプリッター４６に対してＳ偏光として入射するように配置されており、図１０から判るように約８９％の光量が反射されて波長板４７に入射する。波長板４７は第１の半導体レーザ４４の波長０．６５μｍに対しては５λ／４板になっているので往復でλ／２板と同等の作用をもち、ＤＶＤ９から反射して偏光ビームスプリッター４６に入射する光は偏光面が９０度回転してＰ偏光になるため、透過率は約９６％となる。従って第１の半導体レーザ４４からＬＤ／ＰＤモジュール４５へ伝搬する光の伝達効率は約８５％となり、高い効率が得られる。また、ＬＤ／ＰＤモジュール４５から出射する光は偏光ビームスプリッター４６に対してＰ偏光として入射するように配置されており、図１０から判るように約７２％の光が透過して波長板４７に入射する。波長板４７はＬＤ／ＰＤモジュール４５の波長０．７８μｍに対してはλ板になっているため偏光面は一定のままである。従ってＣＤ８から反射して偏光ビームスプリッター４６に入射する光の透過率も約７２％であり、往復の伝達効率は約５２％となる。偏光ビームスプリッター４６の代わりにハーフミラーを用いた場合の往復の伝達効率は約２５％であるので、およそ２倍の効率が得られる。
【００２１】
なお、第１の実施の形態に於いてＬＤ／ＰＤモジュール１１の光検出器は共用化したが、例えば青色レーザを用いる場合などは、各光源ごとに最適な波長感度や形状を有する光検出器を複数種、ＬＤ／ＰＤモジュール１１に一体化しても良い。この場合、部品点数の低減は出来ないが、高信頼性は維持できる。
【００２２】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、光源と光検出器が一体化されている光学系では共通光路系になるため種々の外乱に対して位置ずれが起こりにくく、信頼性を高くできる。また、光源と光検出器が別体である光学系でも光検出器の共用化をすることにより部品点数を低減できる。さらに、光合波器の反射率の波長依存性や偏光異方性を利用することにより、光伝達効率の高い光学系を実現できるという顕著な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態の光ヘッド装置の光学系構成を示す図
【図２】ＬＤ／ＰＤモジュール１１の構成を示す図
【図３】ホログラム素子１２の上面図
【図４】ＬＤ／ＰＤモジュール上の回折光を示す図
【図５】本発明の第２の実施の形態の光ヘッド装置の構成を示す図
【図６】本発明の第３の実施の形態の光ヘッド装置の構成を示す図
【図７】ＬＤ／ＰＤモジュール上の回折光を示す図
【図８】本発明の第４の実施の形態の光ヘッド装置の構成を示す図
【図９】本発明の第５の実施の形態の光ヘッド装置の構成を示す図
【図１０】偏光ビームスプリッター４６の透過率を示す図
【図１１】従来の光ヘッド装置の光学系構成を示す図
【符号の説明】
１  第１の半導体レーザ
３  プリズムビームスプリッター
５  集光光学系
６  第１の収束光
７  第２の収束光
８  ＣＤ
９  ＤＶＤ
１１  ＬＤ／ＰＤモジュール
１２  ホログラム素子
１３  ＋１次回折光
１４  −１次回折光
【図１】
0004389287.tif 000002
【図２】
0004389287.tif 000003
【図３】
0004389287.tif 000004
【図４】
0004389287.tif 000005
【図５】
0004389287.tif 000006
【図６】
0004389287.tif 000007
【図７】
0004389287.tif 000008
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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