(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素（２５）のアレイ（２４）により構成された感光性領域を有する撮像装置（２２）において、
各画素が、
前記画素への入射光の強度に応じた光信号を発生する光センサ（３６）であって、前記入射光の強度が対象シーンからの放射の度合に対応する、光センサと、
前記光センサに電気的に結合され、前記光信号の変化速度に従って変化する電荷を積分信号として蓄積するコンデンサ（４６）と、
前記積分信号を受け取り、前記積分信号の大きさが基準レベルに達したことに応答して終了信号を発生するコンバータ（３８、６２、６４、６６、６８）と、
複数のメモリセル（８２、８４）を含むバッファメモリ（４０）であって、前記複数のメモリセルの各々が、対応する双方向ビットライン（７８）に電気的に結合され、前記対応する双方向ビットラインの各々が、前記メモリセルの１つからデータを伝送し、また、前記メモリセルの１つへデータを伝送するよう構成された、バッファメモリと、
を備え、
前記バッファメモリが前記終了信号を受け取ったことに応答して、前記コンデンサが前記電荷の蓄積を開始してから前記バッファメモリが前記終了信号を受け取るまでの時間に対応する、前記バッファメモリの前記複数のメモリセルに蓄積された特定のデジタル計数値が、前記双方向ビットラインを介しての読み出しのために記憶されることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記光信号がアナログ信号である、請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記コンバータが、前記コンデンサに電気的に接続された、前記積分信号の大きさを前記基準レベルと比較する比較器（３８）を備え、前記比較器は、前記積分信号の大きさが前記基準レベルと等しくなったときに前記終了信号を発生する、請求項１又は２に記載の撮像装置。
【請求項４】
対象シーンの撮像方法において、
イメージセンサ（２２）の画素領域（２５）で、光センサ（３６）によりアナログ形式の光信号を生成するステップ（１４８）であって、前記光信号は前記画素領域で感知された入射光の強度に対応する、ステップと、
コンデンサ（４６）により前記光信号を蓄積して積分信号を生成するステップと、
比較器（３８）により、前記積分信号の大きさが閾値レベルに達したことに応答して終了信号を発生するステップと、
前記入射光の強度を決定するために、前記コンデンサが前記光信号の蓄積を開始してから前記終了信号が発生するまでの時間に対応するデジタル計数値を、バッファメモリ（４０）の複数のメモリセル（８２、８４）に蓄積するステップと、
デュアルポートメモリセル（８２、８４）及びそれに関連付けられた双方向ビットライン（７８）を含む前記複数のメモリセルを用いて、前記バッファメモリの前記複数のメモリセルに蓄積された前記デジタル計数値を読み出すステップであって、前記デジタル計数値の読み出しは、前記デジタル計数値を蓄積する時と同じ双方向ビットラインを介して行われる、ステップと、
を含む、撮像方法。
【請求項５】
前記終了信号を発生する前記ステップが、消失しうる前記積分信号の変化をモニターするステップを含み、前記変化が、前記光信号の大きさに依存する減少速度（１６、１８及び２０）を有する、請求項４に記載の撮像方法。
【請求項６】
前記積分信号の変化をモニターする前記ステップが、前記積分信号の大きさを基準レベルと比較するステップを含み、前記基準レベルが、前記光センサの積分期間の終了を規定するための前記積分信号の前記閾値レベルとして機能する、請求項５に記載の撮像方法。
【請求項７】
前記デジタル計数値を読み出すステップが、前記デジタル計数値を前記画素領域（２５）内から読み出すステップを実行することを含む、請求項４に記載の撮像方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般的にイメージセンサに関し、より具体的にはＣＭＯＳアクティブピクセル（ＣＭＯＳアクティブ画素）を利用したイメージセンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】
アクティブピクセルセンサ（Active Pixel Sensor:ASP）は、望遠鏡やデジタルカメラ、ビデオレコーダ等の様々な撮像装置に利用されている。ＡＰＳは、対象シーンの画像を、そのシーンからの入射光をアナログ形式の電気信号に変換することによって取り込む。代表的なアクティブピクセルセンサは、「画素（ピクセル）」即ち、個別領域のアレイ（配列）を有し、各画素は光検出素子を含んでいる。画素中の各光検出素子は、別々の電流を発生するが、これはその素子に入射した光の強度に比例する。この変化する電流の大きさを基本として使用して、アナログ・デジタル変換器（ＡＤＣ）が、メモリに記憶し得るデジタル画像データのストリームに変換する。こうすると全ての画素からのデジタル化された画像データをモニター上に複合画像として表示したり、プリンタで紙上に印刷したり、あるいは、そのシーンにおける対象物の特性に関する情報を得る為に分析したりすることができる。
【０００３】
従来型のＡＰＳに利用される画素は、２つのタイプに分類することができる。第一の画素タイプは、一般的に「アナログ画素」と呼ばれる。アナログ画素にはフォトダイオードやフォトトランジスタ等のような光センサが含まれ、また、増幅器が含まれる場合もある。付随するＡＤＣやメモリは画素の外部に位置する。従って、アナログ画素の光センサが発生した電流は、画素から外部ＡＤＣへとアナログ信号として伝送される。
【０００４】
第二の画素タイプは「デジタル画素」として知られるものである。デジタル画素には光センサ及び増幅器だけではなく、ＡＤＣも含まれる。言い換えれば、ＡＤＣが、画素中に光センサや増幅器と共に包含されているのである。従って、光センサが発した電流の大きさを画素内でデジタル化して、画素外部品にデジタル信号として伝送することができる。Fowler他による米国特許第5,461,425号「CMOS Imaging Sensor with Pixel Level A/D Conversion」には、第二のタイプの画素を有する単一半導体チップ上のイメージセンサが記載されている。Fowler他によるイメージセンサは、各画素がフォトトランジスタ及びＡＤＣを含む画素アレイを備えている。フォトトランジスタが生成したアナログ信号は、画素上ＡＤＣ（on-pixel ADC）によりデジタルデータビットの連続ストリームに変換される。デジタルデータは、その後フィルタリングを施され、外部メモリに記憶される。画素上ＡＤＣは、寄生作用、及び低いＳ／Ｎ比による歪みを最小限に抑制する利点があると説明されている。
【０００５】
従来技術によるアクティブピクセルセンサは、画素タイプの違いに関係なく、対象シーンの様々な区分域（流域）からの放射輝度を定量化することにより、そのシーンを撮像するように動作する。各シーン区分域について光センサが、特定の画素が生成した電流によって駆動された光電圧を測定することにより、そのシーン区分域からの放射輝度を定量化する。光センサが、ある一定の積分、即ち露光時間の間、そのシーンのある区分域からの入射光にさらされる場合、光電圧の大きさは、その光センサが撮像しているシーンからの放射輝度の強さに依存する。
【０００６】
図１は、従来技術のイメージセンサがシーンの区分域からの放射輝度を定量化する為に利用する技術を説明するものである。図１を参照すると、３つの線（１０、１２、１４）が、時間に対する電圧値として描かれている。線（１０、１２、１４）は、従来技術のイメージセンサにより検出されたシーン区分域からの３つのレベルの放射輝度に対応する光電圧を表わしたものである。ｔ＝０からｔ＝Ｔまでの期間は、そのイメージセンサが採用する固定の露光時間である。線（１０）は、そのシーン区分域からの放射輝度が、イメージセンサが検出し得る最高レベルであった場合における時間に対する電圧値を表わしている。一方、線（１４）は、そのシーン区分域からの放射輝度が、イメージセンサが検出し得る最低レベルであった場合における時間に対する電圧値を表わしている。最後に線（１２）は、そのシーン区分域からの放射輝度が、中間照度レベルにあった場合における時間に対する電圧値を表わしている。
【０００７】
一定の露光時間の終了時（すなわち、ｔ＝Ｔの時点）において、イメージセンサはＡＤＣを用いて光電圧の大きさを定量化する。シーンからの放射輝度が検出し得る最高レベルにあった場合、電圧は、線（１０）のｔ＝Ｔにおいて示すとおり、ＶSATに等しくなる。中間照度レベルにあった場合、電圧は、線（１２）のｔ＝Ｔに示すようにＶMEANに等しくなる。そして検出し得る最低レベルにあった場合、電圧は、線（１４）のｔ＝Ｔに示すようにＶRESETに等しくなる。ＶSATとＶRESETによて定義される範囲を限界とするように構成されたイメージセンサは、ＶSATからＶRESETまでの光電圧として表わされる個別のシーン放射輝度を区別することができる。しかしながら、イメージセンサが検出し得るシーン放射輝度の識別能力は、少なくとも部分的にはＡＤＣの解像度に依存する。画質に影響を与える他の要因として、固定露光時間長を短く、又は長くすることにより放射輝度に対する感度を調整することが可能であるが、しかしこの調整は、高い放射輝度のシーン区分域の感度を増すか、低い放射輝度のシーン区分域の感度を増すかのトレードオフとなる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
従来技術のイメージセンサは、その目的とするところを充分満たすように動作するものではあるが、ダイナミックレンジによって規定されるすぐれた撮像性能と、低放射輝度シーン区分域に対するより高い感度を有するイメージセンサが必要とされている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
対象シーンを撮像する為のシステム及び方法は、一定の電圧降下に到達するまでに要する時間（露光時間）に基づいてシーン区分域放射輝度を判定する。従って、定まった露光時間後ごとに電圧レベルをサンプリングするという従来の技術（すなわち、時間駆動型サンプリング）によるものではなく、サンプリングデータは決められた電圧降下に要する時間に基づいたもの（すなわち、電圧駆動型サンプリング）である。電圧駆動型サンプリングは、別々のシーン区分域における画像情報を供給する為に使われる画素アレイ中の画素（ピクセル）の各々において行われる。電圧降下速度は、シーン区分域の放射輝度の強さに対応しており、高放射輝度のシーン区分域は、より低い放射輝度のシーン区分域よりも早い電圧降下を示す。可変露光時間を画素アレイ中の各画素について測定して、撮像中のシーンの異なる区分域からの露光時間を収集する。その後、測定された露光時間が、その撮像シーンを表わす様々なレベルのグレースケールを持つ複合画像を作成する為に利用できるグレースケール情報へと変換される。
【００１０】
可変露光時間は、浮動拡散（floating diffusion:ＦＤ）ノードにおける電圧を基準電圧と比較することにより各画素内で測定される。ＦＤノードの電圧及び基準電圧は比較器に入力され、比較器は、ＦＤノードの電圧が基準電圧以下となった場合に信号を出力する。ＦＤノードは、関連するシーン区分域からの入射光に応じて光電流を発生する為に光センサ（例えばフォトダイオード）に接続される。発生した電流は、ＦＤノードに接続した積分コンデンサからの電荷を消失させ、ＦＤノードの電圧を減少させる。ＦＤノードの電圧減少速度は、光電流の大きさが増大すると加速する。従って、ＦＤノードの電圧が、リセット電圧から基準電圧まで降下する時間は、画素が光エネルギーを受けるシーン区分域の放射輝度に数学的に関係する。この時間は、撮像しているシーン区分域の露光時間を規定する。
【００１１】
その後、露光持続時間は、信号処理の為にデジタル化される。好適な実施態様においては、画素の各々がＡＤ変換器（ＡＤＣ）を備えており、各画素内で露光継続時間をデジタル化する。ＡＤＣは、画素外部のカウンタにより供給されるデジタル計数値を取り込むように設計されている。取り込まれたデジタル計数値は、撮像シーン区分域の露光時間を表わすものである。画素外部のカウンタは、線形に計数するデジタル計数値を供給するように構成されたものとすることができる。しかしながら、画素外部カウンタは、非線形デジタル計数値を提供するように構成することもできる。非線形デジタル計数値は、露光時間とシーン区分域からの放射輝度との間の関係を変化させる為に用いることができる。
【００１２】
この好適な実施態様では、各画素は、取り込んだデジタル計数値を記憶する為のメモリを備えることができる。画素内メモリには、取り込んだデジタル計数値を記憶することができる複数のメモリセルが含まれる。複数のメモリセルは、少なくともデジタル計数のビット数と同数はあることが望ましい。メモリセルは、各々が双方向ビットラインと結合するように構成されている。双方向ビットラインは、読取りビットライン及び書込みビットラインの両方の機能を果たす。
【００１３】
メモリセルは、３トランジスタ構成を有するデュアルポートメモリセルである。各メモリセルは、書込みアクセストランジスタ、読取りアクセストランジスタ、及びデータ制御トランジスタを備える。読取りアクセストランジスタ及びデータ制御トランジスタは、関連する双方向ビットラインからアースへの導電路を提供するように構成されている。書込みアクセストランジスタは、双方向ビットラインをデータ制御トランジスタのゲートへと接続する。記憶ノードは、書込みアクセストランジスタと、データ制御トランジスタのゲートの間に位置する。従って、記憶ノードに記憶されたデータは、データ制御トランジスタの導電状態を制御することができる。読取り処理の間、記憶ノード中の記憶データは、データ制御トランジスタの導電状態の作用によって間接的に読み取られる。従って、記憶データは読取り処理の間に破壊されることはない。メモリセルのこの非破壊的特長によってリフレッシュサイクルの頻度が低減し、高速読取りアプリケーションについては、リフレッシュの必要をなくすことができる。
【００１４】
本発明の利点は、各画素が電子シャッタを有し、撮像するシーンに応答して、全ての画素が、同時に検出し、デジタル化し、そしてデジタル画像データを記憶することにある。従って、画素は、アナログ信号ではなく、デジタル信号を出力する。さらに、画素は、永久的にデジタル画像データを記憶することができるので、画像フレームバッファとして機能する。
【００１５】
本発明の他の利点は、より大きいダイナミックレンジが得られることにあり、これによって、優れた撮像性能が得られる。また、更なる利点は、低放射輝度のシーン区分域に対する感度が、可変露光時間の採用により増大することにある。更に、画素の設計は、低電圧拡張ＣＭＯＳ技術に適合する。
【００１６】
【発明の実施の形態】
図２を参照すると、３つの線（１６、１８、２０）が時間軸に対する電圧として描かれているが、これは撮像処理を実行する為に本発明が用いる基本的概念を説明するものである。固定露光時間を採用する従来のイメージセンサとは異なり、本発明に基づくイメージセンサは、可変露光時間の継続期間を測定してシーン区分域からの放射輝度を判定する。測定した露光時間とは、光センサが発生した電流が、固定リセット電圧から固定基準電圧にまで放電するのに要する時間である。
【００１７】
図２では、リセット電圧値及び基準電圧値を、ＶRESET及びＶREFとしてそれぞれ表している。線（１６）は、シーン区分域からの放射輝度が、本発明によって検出し得る最高レベルであった場合の電圧変化を表わし、線（２０）は、シーン区分域からの放射輝度が、最低レベルであった場合の電圧変化を表わしている。線（１８）は、シーン区分域からの放射輝度が、撮像シーン全体の中間照度であった場合の電圧変化を表わしている。線（１６、１８、２０）の傾斜は、光センサが発生する電流の大きさにより規定される。しかしながら、電流の大きさはシーン区分域からの放射輝度に比例する。従ってシーン区分域からの放射輝度と電圧変化を表わす線の傾斜との間には数学的関係が存在する。より高い放射輝度レベルは、より急峻なマイナス傾斜に対応し、結果的により急激なＶRESETからＶREFへの電圧降下をもたらす。
【００１８】
最高放射輝度レベルにおいて、電圧は、線（１６）のｖ＝ＶREFにて示すようにｔ＝Ｔ1の時点でＶRESETからＶREFへと降下している。中間照度の放射輝度においては、電圧は、線（１８）のｖ＝ＶREFで示すようにｔ＝Ｔ2の時点でＶREFに到達する。そして最低放射輝度レベルにおいては、電圧は、線（２０）のｖ＝ＶREFにて示すようにｔ＝Ｔ3の時点でＶREFに到達している。Ｔ1、Ｔ2及びＴ3で規定される３つの期間は、この３つの放射輝度レベルについての露光期間を表わしている。従って最高レベルから最低レベルまでの間の放射輝度を有するシーン区分域は、いずれもｔ＝Ｔ1からｔ＝Ｔ3までの間に終了する露光時間を有することになる。電圧が、ＶRESETからＶREFまで降下する時間を定量化することにより、放射輝度を判定することができ、この場合、より短い露光時間がより高い放射輝度に対応する。
【００１９】
ＶRESETに対するＶREFの値は、可変露光時間技術を採用するイメージセンサの性能に影響する。高いＶREF値、すなわちＶRESET−ＶREF間の小さい電圧変化は、低いＶREF値の場合よりも高速な光センサ応答時間をもたらす。しかしながら、イメージセンサの性能は、センサノイズやデジタル化回路により許容される最高カウンタクロック周波数によって制限されてしまう。一方で、低いＶREF値の場合、センサノイズによる劣化の少ない信号は提供されるもののセンサ応答は遅くなる。
【００２０】
図３に、本発明に基づく撮像装置（２２）を示す。撮像装置（２２）は、単一の半導体チップ上に作成されるのが好ましい。撮像装置（２２）は、可変露光時間を定量化するという上述の技術を用いてシーン区分域からの放射輝度を判定するものである。撮像装置（２２）は、画素（２５）のアレイ（２４）を含む。各画素（２５）は、シーン区分域からの放射輝度に応じて露光時間を測定し、測定した露光時間をデジタル化するように作られている。さらに、画素（２５）の各々は、測定露光時間を表わすデジタル化されたデータを記憶することができる。撮像装置（２２）は、さらに、行デコーダ（２６）、読取り・書込み・リフレッシュ（ＲＷＲ）回路（２８）、列デコーダ（３０）及び制御ユニット（３２）を備える。
【００２１】
行デコーダ（２６）は、読取り、書込み又はリフレッシュ処理中にアレイ（２４）中の画素（２５）の行を選択するように構成されている。同様に、列デコーダ（３０）は、上述の処理の１つが行われている間に画素（２５）の列を選択するように動作する。ＲＷＲ回路（２８）は、画素（２５）と制御ユニット（３２）との間のデータの流れを制御するように構成されている。更に、ＲＷＲ回路（２８）は、画素（２５）中に記憶されたデータをリフレッシュする為に必要な回路を備えている。制御ユニット（３２）は、ＲＷＲ回路（２８）、デコーダ（２６、３０）及び画素（２５）に対して必要な制御及びタイミング信号を供給する。
【００２２】
図４に、対象シーンからの画像データを取り込み、デジタル化し、及び記憶することが可能な画素内局所露光制御機構を有する撮像画素回路（３４）を示す。撮像画素回路（３４）は、図３のアレイ（２４）中の画素（２５）の各々に含まれている。撮像画素回路（３４）は、フォトダイオード（３６）、比較器（３８）、ダイナミックバッファメモリ（４０）及び支援回路を備える。フォトダイオード（３６）は、Ｐチャンネル金属酸化物半導体（ＰＭＯＳ）トランジスタ（４２）とアースとの間に結合している。ＰＭＯＳトランジスタ（４２）は、フォトダイオード（３６）をＶRESET電圧に接続する為のリセットスイッチとして機能する。ＶRESET電圧は、外部供給源（図示せず）によりＰＭＯＳトランジスタ（４２）へと供給される。ＰＭＯＳトランジスタ（４２）のゲートに印加されるＲＥＳＥＴ信号は、ＰＭＯＳトランジスタ（４２）を活動状態、又は非活動状態にするものである。浮動拡散（ＦＤ）ノード（４４）は、ＰＭＯＳトランジスタ（４２）とフォトダイオード（３６）との接点を比較器（３８）に接続する。ＦＤノードにおける電圧は、撮像シーンの区分域に対する露光時間を判定する為にモニタされる臨界電圧である。積分コンデンサ（４６）もまた、ＦＤノード（４４）に接続している。コンデンサ（４６）は、ＦＤノード（４４）を囲む素子により形成される内蔵コンデンサである。
【００２３】
比較器（３８）は、供給電圧（ＶＤＤ）に接続される２つのゲート結合ＰＭＯＳトランジスタ（４８、５０）から成る。ＰＭＯＳトランジスタ（４８）にはＭＯＳトランジスタ（５２）が直列に接続しており、ＰＭＯＳトランジスタ（５０）にはＭＯＳトランジスタ（５４）が直列に接続している。ＭＯＳトランジスタ（５２）のゲートは、ＦＤノード（４４）に接続しているが、ＭＯＳトランジスタ（５４）のゲートは、ＶREF電圧を受ける為に外部回路（図示せず）に接続している。ＭＯＳトランジスタ（５２、５４）は、ＭＯＳトランジスタ（５６）に結合しており、トランジスタ（４８、５２）が、ＶＤＤからトランジスタ（５６）までの第一の導電路を提供し、トランジスタ（５０、５４）が、ＶＤＤからトランジスタ（５６）までの第二の導電路を提供するように構成されている。トランジスタ（５６）のゲートは、ＰＭＯＳトランジスタ（４８、５０）のゲートに結合している。トランジスタ（５８）は、トランジスタ（５６）をアースに接続する。トランジスタ（５８）は、ＣＬＫ信号により制御され、比較器（３８）の活動化及び非活動化を制御する。
【００２４】
比較器（３８）は、ＶREF電圧に対するＦＤノード（４４）の電圧を表わすために動作する。ＦＤノード（４４）の電圧がＶREF電圧よりも大きい場合、比較器（３８）は、出力端子（６０）に高信号（高レベルの信号）を出力する。ＦＤノード（４４）の電圧がＶREF電圧以下のときは、比較器（３８）は、出力端子（６０）に低信号（低レベルの信号）を出力する。しかしながら、低（レベル）のＣＬＫ信号がトランジスタ（５８）のゲートに供給されると、比較器（３８）内に電流が流れなくなる為、比較器（３８）は非活動状態になる。電流が流れないために、ＦＤノード（４４）の電圧に関係なく、出力端子（６０）には高信号が出力される。高（レベル）のＣＬＫ信号は、比較器（３８）を活動状態にして、ＶREF電圧に対するＦＤノード（４４）電圧をモニタするようにする。
【００２５】
出力端子（６０）に接続しているのは、一対のトランジスタ（６２、６４）である。トランジスタ（６２）は、ＰＭＯＳトランジスタである。トランジスタ（６２、６４）のゲートは、出力端子（６０）に結合している。トランジスタ（６２、６４）は、ＶＤＤとアースとの間に直列に接続している。トランジスタ（６２）は、ＶＤＤに接続し、トランジスタ（６４）は、アースに接続している。トランジスタ（６２、６４）は、出力端子（６０）の信号を反転させ、その反転信号をトランジスタ（６２、６４）間のノードに接続されたゲート端子（６６）に送るように動作する。
【００２６】
ゲート端子（６６）上の反転信号は（その高低によるが）、書込みワードライン（ＷＷＬ）（６８）上にプリチャージされた高信号を低信号に駆動することができる。これは、ＶＤＤからアースへの導電路を提供するＰＭＯＳトランジスタ（７０）及びトランジスタ（７２）により行われる。ＰＭＯＳトランジスタ（７０）のゲートは、ＲＥＳＥＴ信号を受信して、ＰＭＯＳトランジスタ（７０）の導電状態を制御するように構成されている。トランジスタ（７２）のゲートは、ゲート端子（６６）に接続している。ＰＭＯＳトランジスタ（４２）を「オン」にしてＦＤノード（４４）の電圧をＶRESETまでプリチャージするＲＥＳＥＴ信号は、ＰＭＯＳトランジスタ（７０）もまた「オン」にし、ＷＷＬ（６８）の電圧をＶＤＤまでプリチャージする。ゲート端子（６６）における電圧が低信号から高信号に変わると、トランジスタ（７２）は活動状態となる。トランジスタ（７２）が活動状態になると、ＷＷＬ（６８）上の高信号は低信号に駆動される。しかしながら、ゲート端子（６６）上の低信号は、ＷＷＬ（６８）上の信号には影響しない。
【００２７】
ＷＷＬ（６８）は、ＰＭＯＳトランジスタ（７４）に結合しており、このトランジスタ（７４）は、ＷＷＬ（６８）をＶＤＤに接続することができる。ＰＭＯＳトランジスタ（７４）は、トランジスタ（７４）のゲートに供給されるワードラインアクセス（ＷＬＡ）信号により制御される。トランジスタ（７６）もまたＷＷＬ（６８）に結合しており、これは、ＷＷＬ（６８）をアースに接続することができる。書込み終了（ＷＴ）信号が、トランジスタ（７６）のゲートに供給されており、ＷＷＬ（６８）のアースへの接続を制御する。ＷＬＡ及びＷＴ信号は、リフレッシュ及び書込み処理中に用いられる。
【００２８】
ＷＷＬ（６８）は、ダイナミックバッファメモリ（４０）へと伸びている。ダイナミックバッファメモリ（４０）に結合しているのは、複数の双方向ビットライン（ＢＬ）（７８）である。双方向ＢＬ（７８）は、デジタル計数値のビットを外部カウンタ（図示せず）からダイナミックバッファメモリ（４０）に送ることができる。加えて、双方向ＢＬ（７８）は、記憶されたデータをダイナミックバッファメモリ（４０）からＲＷＬ回路（２８）に送るようにも構成されている。ダイナミックバッファメモリ（４０）には、デジタル計数値のようなデジタルデータを記憶することができるメモリセルが含まれている。メモリセルの数は、双方向ＢＬ（７８）の数に一致する。一例として、メモリセルと双方向ＢＬ（７８）の数を１６個にすることができる。従って、この例の場合、ダイナミックバッファメモリ（４０）は、１６ビットダイナミックバッファメモリであり、１６ビットのデジタル計数値を記憶できる。ダイナミックバッファメモリ（４０）には、読取りワードライン（ＲＷＬ）（８０）も接続している。ＲＷＬ（８０）及びＷＷＬ（６８）は、データメモリセルにアクセスして、データの検索・記憶をする為にダイナミックバッファメモリ（４０）中のメモリセルに接続している。ダイナミックバッファメモリ（４０）の主要機能は、ＦＤノード（４４）の電圧がＶREFまで降下したときに、特定のデジタル計数値を取り込み、記憶することである。取り込まれたデジタル計数値は、撮像しているシーン区分域からの放射輝度を判定する為に用いることができる露光時間を表わすものである。
【００２９】
図５に、ダイナミックバッファメモリ（４０）の２つのメモリセル（８２、８４）を示す。但し、ダイナミックバッファメモリ（４０）は、メモリセル（８２、８４）と同様のメモリセルを１６個以上含むことができる。メモリセル（８２）は、トランジスタ（８６、８８、９０）から構成される。記憶コンデンサ（９２）は、記憶ノード（９４）の静電容量を説明する為にメモリセル（８２）の構成要素として示されている。トランジスタ（８６）は、双方向ＢＬ（７８）と記憶ノード（９４）の間に接続されている。トランジスタ（８６）のゲートは、ＷＷＬ（６８）に結合している。トランジスタ（８６）は、データをメモリセル（８２）に書込む為には活動状態になければならない書込みアクセストランジスタである。トランジスタ（８８、９０）は、双方向ＢＬ（７８）からアースへの導電接続を提供する。トランジスタ（９０）のゲートは、ＲＷＬ（８０）に結合し、トランジスタ（８８）のゲートは、記憶ノード（９４）に結合している。従って、双方向ＢＬ（７８）が高信号にプリチャージされ、トランジスタ（９０）が活動状態になると、トランジスタ（８８）の導電状態は、コンデンサ（９２）に記憶されたデータのビットにより制御される。トランジスタ（９０）は、メモリセル（８２）中に記憶されたデータを読み取る為には活動状態にならなければならない読み取りアクセストランジスタである。メモリセル（８４）は、メモリセル（８２）と同一である。メモリセル（８４）は、トランジスタ（９６、９８、１００）と、記憶ノード（１０４）における記憶コンデンサ（１０２）を備える。
【００３０】
メモリセル（８２、８４）の読取り及び書込み動作を、メモリセル（８２）のみについて説明する。メモリセル（８４）及びダイナミックバッファメモリ（４０）中の他のメモリセルの動作は、メモリセル（８２）の動作と同一である。書込み動作には、単に記憶すべきデータを双方向ＢＬ（７８）で伝送し、その後、高信号をＷＷＬ（６８）に印加してトランジスタ（８６）を活動状態とすることが含まれる。トランジスタ（８６）が活動状態（オン）になると、コンデンサ（９２）が双方向ＢＬに接続し、双方向ＢＬ（７８）からコンデンサ（９２）にデータが書込まれる。その後、トランジスタ（８６）が非活動状態（オフ）になると、コンデンサ（９２）のデータが取り込まれる。読取り動作には、双方向ＢＬ（７８）を高信号にプリチャージし、トランジスタ（９０）を活動状態にすることが含まれる。コンデンサ（９２）に記憶されたデータにより、双方向ＢＬ（７８）上の高信号は、低へと引き下げられるか、あるいは高に保持されたままとなる。コンデンサ（９２）に記憶された高信号（すなわち「１」）は、トランジスタ（９０）が「オン」になると、トランジスタ（８８）を活動状態にする。トランジスタ（８８、９０）の両方が活動状態になると、双方向ＢＬ（７８）がアースに接続され、双方向ＢＬ（７８）上の高信号は、低信号に引き下げられる。しかしながら、低信号（すなわち「０」）が、コンデンサ（９２）に記憶されている場合は、トランジスタ（９０）が「オン」になったときに、トランジスタ（８８）は活動状態にはならない。従って、双方向ＢＬ（７８）上の高信号は、高のまま保持される。これにより、トランジスタ（９０）が活動状態になった後の双方向ＢＬ（７８）上の信号は、データとしてコンデンサ（９２）に記憶された信号を反転したものとなる。
【００３１】
ダイナミックバッファメモリ（４０）のメモリセルは、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）素子である。これらのメモリセルによれば、記憶されたデータを処理中に破壊すること無く読み取ることができるが、これは、記憶されたデータが、トランジスタのゲートにのみ与えられる為である。メモリセルのこの非破壊的特性は、リフレッシュサイクルの頻度を低減するか、あるいは高速読取りアプリケーションにおいてはリフレッシュ処理の必要を無くすものである。従ってメモリセルを、記憶データのリフレッシュを行なう必要なく何度も読み取ることができる。しかしながら、データがメモリセルに長期間にわたって格納されている場合、ある時点でそのメモリセルのリフレッシュを行なう必要がある。記憶データは、メモリセル中の記憶データの反転信号としてメモリセルから読み取られるので、メモリセルに書き戻す信号は、読み取った信号、すなわちもとの記憶データを反転したものでなければならない。
【００３２】
この条件を満たす為に、ダイナミックバッファメモリ（４０）のメモリセルの各々は、図６に示すセンス増幅回路（１０６）のような、対応するセンス増幅回路に接続している。センス増幅回路は、図３のＲＷＲ回路（２８）に含まれている。説明の都合上、センス増幅回路（１０６）はメモリセル（８２）に接続されているものと想定して説明する。センス増幅回路（１０６）は、弱フィードバックラッチ（１０８）、インバータ（１１０）、及びトランジスタ（１１２、１１４、１１６、１１８）を備える。ラッチ（１０８）は、大型インバータ（１２０）及びフィードバック（１２４）上のより小型のインバータ（１２２）から構成される。インバータ（１２０、１２２）は、入力ノード（１２６）上の信号を保持するように動作する。ラッチ（１０８）は、データバス（１２８）に接続している。データバス（１２８）は、メモリセル（８２）に記憶されたデータの、読み取り処理中における出力経路を提供する。データバス（１２８）は、メモリセル（８２）から図３の制御ユニット（３２）への出力経路を提供する。BD_gate信号により制御されるトランジスタ（１１８）は、ラッチ（１０８）をデータバス（１２８）に接続する。ラッチ（１０８）は、２つの経路（１３２、１３４）のうちの１つを介して双方向ＢＬ（７８）にも導電的に接続することができる。経路（１３２）は、トランジスタ（１１４）が、R_gate信号により活動状態にされると導通し、経路（１３４）は、トランジスタ（１１６）が、制御書込み可能（ＣＷＥ）信号により活動状態にされると導通する。第三の経路（１３０）は、トランジスタ（１１２）が、BLOAD信号により活動状態にされると、双方向ＢＬ（７８）をＶＤＤに接続する。経路（１３４）上には、メモリセル（８２）からの検出データをリフレッシュ処理の間に元の記憶データへと反転させるインバータ（１１０）が含まれている。経路（１３２、１３４）のうちの１つはまた、双方向ＢＬ（７８）と書込みビットライン（ＷＢＬ）（１３６）との間の接続も提供する。ＷＢＬ（１３６）は外部カウンタに接続されて、デジタル計数データを受信する。さらに、ＷＢＬ（１３６）を、チップ外の外部装置（図示せず）に接続してメモリセル（８２）に書き込まれるデータを受信するようにすることができる。書き込まれるデータは、チップ外の外部装置によって修正された、メモリセル（８２）からの読み出しデータとすることができる。
【００３３】
撮像装置（２２）の画像取り込み処理を図３から図６を参照して説明する。画像取込処理は、図３のアレイ（２４）中の各画素（２５）内において同時に行われる。各画素（２５）は、画像取り込み処理を同じ方法で行なう。まず、ＶREFが、図４の比較器（３８）のトランジスタ（５４）のゲートに供給される。その後ＲＥＳＥＴ信号が、低に設定されて、ＦＤノード（４４）の電圧が、ＶRESETに、ＷＷＬ（６８）の電圧が、ＶＤＤにリセットされる。ＷＷＬ（６８）の電圧のＶＤＤへのリセットは、ＷＷＬ（６８）上の信号が高信号であることを意味し、これはダイナミックバッファメモリ（４０）のメモリセル中の書込みアクセストランジスタを活動状態にするものである。次に、ＲＥＳＥＴ信号は高信号に切り換えられ、ＰＭＯＳトランジスタ（４２、７０）を「オフ」にし、ＦＤノード（４４）とＷＷＬ（６８）とを電気的に切り離す。高のＲＥＳＥＴ信号は、アレイ（２４）中の全ての画素（２５）の可変露光時間の開始を示す。この間、高のＣＷＥ信号が、図６のセンス増幅回路（１０６）のトランジスタ（１１６）、並びに、ダイナミックバッファメモリ（４０）のメモリセルに対応する他のセンス増幅回路の全ての同じトランジスタに供給される。センス増幅回路（１０６）のトランジスタ（１１６）及び対応する他のセンス増幅回路中の同じトランジスタが活動状態になることによって、双方向ＢＬ（７８）を介してダイナミックバッファメモリ（４０）と外部カウンタとの間に導電接続が設けられる。この導電接続により、外部カウンタからデジタル計数値を、ダイナミックバッファメモリ（４０）に伝送することが可能となる。外部カウンタは、デジタル計数値を連続伝送するように露光時間の開始時に起動する。
【００３４】
露光時間の開始時においては、ＦＤノード（４４）の電圧はＶREFよりも大きいＶRESETとなっている。高のＣＬＫ信号により起動する比較器（３８）は、出力端子（６０）に高信号を供給する。出力端子（６０）における高信号は、ゲート端子（６６）をアースに接続するトランジスタ（６４）を「オン」にし、低信号をゲート端子上に生成する。ゲート端子（６６）上の低信号は、トランジスタ（７２）を「オン」にはしない。従って、ＷＷＬ（６８）上の高信号は高のまま保持される。ＷＷＬ（６８）上の一貫した高信号は、ダイナミックバッファメモリ（４０）のメモリセル内の書込みアクセストランジスタの導電状態を保持する。よって、メモリセルの記憶コンデンサは、一連のデジタル計数値を外部カウンタから受信できる状態にある。撮像画素回路（３４）は、ＦＤノード（４４）の電圧がＶREFに降下するまでこの状態を保持する。
【００３５】
露光時間の間、ＦＤノード（４４）の電圧は、フォトダイオード（３６）が発生する電流に応答してＶRESETから降下していく。ＦＤノード（４４）の電圧降下速度は、フォトダイオード（３６）に入射する入射光強度の関数である。入射光の強度は、対象シーンからの放射輝度に応じて変わる。放射輝度が高い場合、フォトダイオード（３６）に入射する光の強度が増大する為に、フォトダイオード（３６）は大きい電流を発生する。大きい電流により、コンデンサ（４６）が放電し、ＦＤノード（４４）における電圧を低下させる。しかしながら、シーンからの放射輝度がより低い場合、フォトダイオード（３６）が発生する電流はより小さくなる。より小さい電流でもコンデンサ（４６）を放電させ、ＦＤノード（４４）の電圧を低下させることにはなるが、しかしその速度はより遅い。
【００３６】
ＦＤノード（４４）の電圧がＶREFにまで降下すると、比較器（３８）は、出力端子（６０）に低信号を生成する。出力端子（６０）における低信号は、トランジスタ（６４）を非活動状態にし、ＰＭＯＳトランジスタ（６２）を活動状態にする。トランジスタ（６２）が活動状態になると、ゲート端子（６６）上の低信号が高信号に引き上げられる。次に、ゲート端子（６６）の高信号がトランジスタ（７２）を活動状態にして、ＷＷＬ（６８）をアースに接続する。こうして、ＷＷＬ（６８）上の高信号が低信号に変換され、ダイナミックバッファメモリ（４０）のメモリセル内の書込みアクセストランジスタを「オフ」にする。書込みアクセストランジスタが非活動状態になると、外部カウンタから伝送された最新のデジタル計数値が「取り込まれる」。外部カウンタは、更にデジタル計数値を伝送し続ける。しかしながら、その後のデジタル計数値は、ダイナミックバッファメモリ（４０）に記憶された、取り込まれたデジタル計数値には影響しない。画像取込処理は、露光開始時間から事前に決められた時間が経過した後に終了する。
【００３７】
ＣＬＫ信号を、露光時間の開始時点から画像取り込み処理の終了時点までを通じて高に保つことはできるが、比較器（３８）が活動状態になることによって生じる電流ドレインによる電力消費を低減する為に、ＣＬＫ信号を一連のパルスにより構成することもできる。ダイナミックバッファメモリ（４０）によるデジタル計数値の受信間隔内の短い期間中に、ＣＬＫ信号が高になるように、ＣＬＫ信号をデューティーサイクルに同期させることができる。従って、ＦＤノード（４４）の電圧は、比較器（３８）が活動状態になるこれらの短い期間にのみ比較されることになる。デューティーサイクルを利用することにより、撮像画素回路（３４）の電力消費を大幅に低減することができる。例えば、各画素毎に０．２μＡが必要な場合、１００万画素のセンサアレイには２００ｍＡが必要となる。しかしながら、ＣＬＫ信号を１％のデューティーサイクルに同期させた場合、必要な電流はたったの２ｍＡで済む。
【００３８】
単純な実施態様においては、外部カウンタにより供給されるデジタル計数値は、線形計数値である。更に、ＦＤノード（４４）の下降電圧と比較する為に利用されるＶREFは一定の信号である。より複雑な実施態様においては、これらの特長の１つ又は両方が変更される。露光時間と対象シーンからの放射輝度との間の関係を変えるために、外部カウンタを非線形クロック周期で実施することができる。例えば、外部カウンタは、対数周期を利用して対数デジタル計数値を生成することができる。この場合は、画素が取り込んだデジタル計数値は、露光時間とは対数関係となり、撮像中のシーンの放射輝度範囲について、よりバランスのとれたグレイスケール解像度が実現する。さらに、ＶREFを非線形信号として供給することができる。例えば、低放射輝度シーンに伴う潜在的に長い露光時間を短縮する為に、ＶREF信号を時間と共に増加させることができる。
【００３９】
図７に、図３の撮像装置（２２）のリフレッシュ処理のタイミング図を示す。リフレッシュ処理については、図７に加えて図３−図６も参照して説明する。まず、アレイ（２４）中の画素（２５）の行が、その行中の各画素におけるメモリセルをリフレッシュする為に、行デコーダ（２６）により選択される。ｔ＝Ｔ１の時点において、高のBLOAD信号が、図３のセンス増幅回路（１０６）中のトランジスタ（１１２）、及び選択されたアレイの行の各メモリセルに接続した他のセンス増幅回路中の同じトランジスタに供給される。BLOAD信号によって制御されるトランジスタが活動状態になると、そのメモリセルに関連する双方向ＢＬ（７８）がＶＤＤに接続され、双方向ＢＬは高にプリチャージされる。
【００４０】
ｔ＝Ｔ２の時点において、BLOAD信号は低信号に降下し、BLOAD信号によって制御されるトランジスタを非活動状態にする。次にｔ＝Ｔ３の時点において、ＲＷＬ（６８）のような読取りワードライン上の信号が、低信号から高信号に切り換わり、選択されたアレイの行中のメモリセルの読取りアクセストランジスタをオンにする。読取りアクセストランジスタがオンになると、各メモリセル中に記憶されたデータは、双方向ＢＬ（７８）上にプリチャージされた高信号を低信号に引き下げるか、あるいは、高信号のままにすることができるようになる。メモリセルに記憶された高信号（すなわち「１」）は、双方向ＢＬ上の高信号を低信号に引き下げる。しかしながら、メモリセルに記憶された低信号（すなわち「０」）は、双方向ＢＬ上の高信号を変化させない。従って、結果として双方向ＢＬ（７８）上に得られる信号は、記憶されたデータを反転した形で表すものである。ｔ＝Ｔ４の時点において、高のR_gate信号が、センス増幅回路中のトランジスタ（１１４）及び他のセンス増幅回路中の同じトランジスタに供給され、双方向ＢＬ（７８）をセンス増幅回路の弱フィードバックラッチに接続する。弱フィードバックラッチは、双方向ＢＬ（７８）からの反転信号を保持する。
【００４１】
次にｔ＝Ｔ５の時点において、読取りワードライン上の高信号を引下げ、R_gate信号を低信号に切り換えることにより、読取りアクセストランジスタ及びR_gate信号によって制御されるトランジスタがオフにされる。ｔ＝Ｔ６の時点において、ＣＷＥ信号が低信号から高信号に切り換えられ、センス増幅回路中のトランジスタ（１１６）及びその他の同じトランジスタがオンにされる。弱フィードバックラッチにより保持されていた反転信号は、センス増幅回路中のインバータ（１１０）及び他の同じインバータによってメモリセル中に記憶された元データに一致するように変換される。変換された信号は、ＣＷＥ信号によって制御されるトランジスタをオンにすることにより、双方向ＢＬに伝送される。次にｔ＝Ｔ７の時点において、ＷＬＡ信号が高信号から低信号に切り換えられ、図４のＰＭＯＳトランジスタ（７４）及び選択された画素中の他の同じＰＭＯＳトランジスタが「オン」にされる。ＷＬＡ信号によって制御されるトランジスタが活動状態になると、ＷＷＬ（６８）のような書込みワードラインがＶＤＤに接続される。書込みワードライン上のＶＤＤにより、選択された画素のメモリセル中の書込みアクセストランジスタが「オン」にされる。書込みアクセストランジスタが活動状態になると、センス増幅回路からの変換された信号をメモリセルに書込むことができるようになる。
【００４２】
ｔ＝Ｔ８の時点において、ＷＬＡは高信号に切り換えられ、書込みワードラインをＶＤＤから切り離す。ｔ＝Ｔ９では、ＣＷＥ信号は、ＣＷＥ信号によって制御されるトランジスタをオフにする為に低に引き下げられ、メモリセルがセンス増幅回路から遮断される。更に、高のＷＴ信号が、画素中のトランジスタ（７６）及び他の同じトランジスタに供給され、書込みワードライン上の高信号が引き下げられて、書込みアクセストランジスタがオフにされる。ｔ＝Ｔ１０では、ＷＴ信号が低信号に切り換えられ、ＷＴ信号により制御されるトランジスタが「オフ」にされる。最後に、ｔ＝Ｔ１１において、リフレッシュサイクルを繰り返すことができる。
【００４３】
好適な実施態様では、図３の画素（２５）は画素対として構成されており、各画素対の２つの画素によって使用される２つのダイナミックバッファメモリを収容するための画素空間を共有するようになっている。図８に、好適な実施態様に基づく画素対（１３８）を示す。画素対（１３８）には、左（側）画素（１４０）及び右（側）画素（１４２）が含まれる。左画素（１４０）が上方のダイナミックバッファメモリ（１４４）を利用し、右画素（１４２）が下方のダイナミックバッファメモリ（１４６）を利用する。ダイナミックバッファメモリ（１４４）の半分は、左画素（１４０）中に配置される。ダイナミックバッファメモリ（１４４）のもう半分は、右画素（１４２）中に配置される。同様に、ダイナミックバッファメモリ（１４６）も、左右画素（１４０、１４２）の両方に配置される。この構成によれば、画素サイズを最小化することができ、また、バッファメモリに大きいデジタル計数値を格納する為の充分な記憶能力を持たせることができる。この好適な実施態様では、読取り及び書込み処理には、アレイ（２４）中の画素（２５）の行を連続的に選択することと、下方のダイナミックバッファメモリ及び上方のダイナミックバッファメモリへのアクセスを交互に行なうことが含まれる。この方法によれば、アレイ（２４）中の全ての画素（２５）をデータの検索又は記憶を行なう為にアクセスすることができる。
【００４４】
撮像装置（２２）を利用して対象シーンを撮像する方法を、図９を参照して説明する。ステップ（１４８）で、対象シーンからの放射輝度に応答して撮像装置（２２）中の特定の画素内にあるフォトダイオードが光信号を発生する。放射輝度の強さが光信号の大きさを決定する。ステップ（１５０）で、露光継続時間が測定され、光信号の相対的な強度が判定される。露光継続時間は、リセット電圧から基準電圧への露光信号電圧の一定量の減少により規定されるが、ここで減少速度は、光信号の大きさに依存する。次に、ステップ（１５２）で、露光継続時間がデジタル値に変換される。露光継続時間のデジタル化は、撮像装置（２２）の画素内部で行われることが望ましい。ステップ（１５４）で、デジタル値がその画素に関連するメモリに記憶される。好適な実施態様では、メモリは、撮像装置（２２）の画素アレイ中に設けられている。
【００４５】
以下においては、本発明の種々の構成要件の組み合わせからなる例示的な実施態様を示す。
１．画素(25)のアレイ(24)により構成された感光性領域を有する撮像装置(22)において、各画素が、
前記画素への入射光の強度に応じた光信号を発生する光センサ(36)であって、前記入射光の強度が対象シーンからの放射輝度に対応することからなる、光センサと、
前記光センサの可変長露光時間の関数として時間依存性信号を形成する為に前記光センサに接続されてそれと関連して動作するコンバータ(38,40,68,78)であって、前記可変長露光時間が、前記光信号の大きさとの数学的関係に基づいた継続時間長を有し、これにより前記時間依存性信号が、前記入射光の強度を表わすことからなる、コンバータ
とから構成されること。
２．前記光信号が、アナログ信号であり、前記コンバータ（３８、４０、６８、７８）が、前記アナログ光信号を受信するように接続されて、前記時間依存性信号をデジタル形式で生成する、上項１に記載の装置。
３．前記コンバータ（３８、４０、６８、７８）が、前記可変長露光時間の前記継続時間長を、前記入射光により発生した事前選択された電圧降下の検出に基づいて決定する為の回路（３８）を備える、上項１又は２に記載の装置。
４．前記コンバータ（３８、４０、６８、７８）が、積分信号を基準信号と比較する為に前記光センサに電気的に結合した比較器（３８）を備えており、前記回路は、前記積分信号の大きさが前記基準信号の大きさと等しくなったときに終了信号を発生し、前記積分信号は、前記光信号の大きさにより規定される変化速度を有することからなる、上項１又は２に記載の装置。
５．前記時間依存性信号のデジタル値のビットを記憶する為に前記コンバータに接続された複数のメモリセル（８２、８４）を更に含み、前記メモリセルが、対応する双方向ビットライン（７８）に電気的に結合しており、前記対応する双方向ビットラインの各々が、前記メモリセルの１つからそれらの１つへとデータを伝送するように構成されていることからなる、上項１、２、３又は４に記載の装置。
６．対象シーンの撮像方法において、
イメージセンサ（２２）の画素領域（２５）においてアナログ形式で光信号を生成するステップ（１４８）であって、前記光信号が、前記画素領域で検出された入射光の強度に応じたものであることからなる、ステップと、
前記入射光の強度を判定する為に露光時間の継続時間を測定するステップ（１５０）であって、前記露光時間が、前記光信号の大きさに依存して可変であることからなる、ステップと、
前記露光時間の継続時間をデジタルデータとしてデジタル化するステップ（１５２）であって、前記デジタルデータを前記イメージセンサのメモリ（４０）に記憶するステップ（１５４）を含むステップ
とからなる方法。
７．前記露光時間の前記継続時間長を測定する前記ステップ（１５０）が、消失しうる露光信号の変化を（ノード４４において）モニターするステップを含み、前記変化が、前記光信号の大きさに依存する減少速度（図２の３つの線、１６、１８及び２０で示す）を有することからなる、上項６に記載の方法。
８．前記露光信号の変化を（ノード４４において）モニターする前記ステップが、前記露光信号を基準信号と（比較器３８により）比較するステップを含み、前記基準信号が、前記露光時間の終了を規定するために前記露光信号のしきい値として機能することからなる、上項７に記載の方法。
９．前記露光時間の前記継続時間長をデジタル化する前記ステップ（１５２）が、複数のデュアルポートメモリセル（８２、８４）及び関連する双方向ビットライン（７８）を使用することを含み、前記双方向ビットラインの各々が、前記デュアルポートメモリセルの１つからそれらの１つへとデータを伝送するように構成されていることからなる、上項６、７又は８に記載の方法。
１０．前記露光時間の前記継続時間長をデジタル化する前記ステップ（１５２）が、前記露光時間の前記継続時間長をデジタル化するステップを、前記画素領域（２５）内で実行することを含む、上項６、７、８又は９に記載の方法。
【００４６】
【発明の効果】
本発明によれば、ダイナミックレンジが高い優れた撮像性能を有し、かつ放射輝度の低い撮像シーンの領域に対しても高い感度を有するイメージセンサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】固定露光時間技術を用いた従来技術の撮像装置により検出された、シーン区分域からの異なるレベルの放射輝度を表わす３つの線を示す電圧−時間グラフである。
【図２】可変露光時間技術を用いた本発明に基づく撮像装置により検出された、シーン区分域からの異なるレベルの放射輝度を表わす３つの線を示す電圧−時間グラフである。
【図３】本発明に基づく撮像装置のブロック図である。
【図４】本発明に基づく撮像画素回路の概略図である。
【図５】図４の撮像画素回路に用いられる、双方向ビットラインに結合する本発明に基づく一対のメモリセルの概略図である。
【図６】本発明に基づくセンス増幅回路の概略図である。
【図７】図４の撮像画素回路のリフレッシュ動作のタイミング図である。
【図８】本発明の好適な実施態様に基づく画素対を示すブロック図である。
【図９】本発明に基づく対象シーンの撮像方法を説明するフローチャートである。
【符号の説明】
２２  撮像装置（イメージセンサ）
２４  画素アレイ
２５  画素
３６  光センサ
３８、４０、６８、７８  変換器
８２、８４  メモリセル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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