(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体放射撮像装置であって、
画像要素の各々が、前記画像要素に入射する放射（ラディエーション）に応答して電荷を発生する画像要素デテクタ・セル、および前記画像要素デテクタ・セルからの前記電荷を蓄積し、且つ蓄積された電荷を表す信号を選択的に出力するための画像要素回路構成を含むものである画像要素の配列、および
放射センサ素子が、（ａ）それに入射する放射に応答して電荷を発生するため前記画像要素デテクタ・セルを含む画像面と一体となった放射デテクタ・セル、および（b）前記放射デテクタ・セルから電荷を連続的に供給するための放射センサ出力部、を含むものであって、前記放射デテクタ・セルが画像要素デテクタ・セルの前記配列のためのガード・リングを有し、前記ガード・リングは前記放射センサ出力部に結合されており、さらに前記画像要素デテクタ・セルよりも大きな面積を備えたものである放射センサ素子、
を含む装置。
【請求項２】
前記放射センサ出力部が、前記放射センサ素子に入射する放射に応答して発生した電荷を表す信号を連続的に供給するように適合させられている請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記放射デテクタ・セルが画像要素デテクタ・セルに比べ入射する放射により敏感である請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記ガ−ド・リングが連続的なものである請求項１乃至３のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項５】
前記画像要素デテクタ・セル、前記画像要素回路構成、および前記放射デテクタ・セルを含む一纏めの基板を含むものである請求項１乃至４のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項６】
第一および第二の基板を含み、前記第一の基板が前記画像要素デテクタ・セルおよび前記放射デテクタ・セルを含み、且つ前記第二の基板が前記画像要素回路構成を含むものである請求項１乃至４のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項７】
前記放射センサ出力部と結合したしきい値回路構成を含むものである請求項１乃至６のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれかに記載の撮像装置を含む自己トリガ可能な撮像システムであって、前記撮像システムは更に、撮像装置を制御するための制御回路構成、画像要素の前記配列からの電荷値を処理して表示装置上に画像を形成するための画像プロセッサ、および前記放射センサ出力部と結合したしきい値回路構成を含むものであるシステム。
【請求項９】
請求項７に記載の撮像装置を含む撮像システムであって、
前記撮像システムが更に、撮像装置を制御するための制御回路構成、および画像要素の前記配列からの電荷値を処理して表示装置上に画像を形成するための画像プロセッサを含むものであるシステム。
【請求項１０】
前記しきい値回路構成が、前記放射センサ出力部上のあるしきい値を越える電荷または信号に対して、前記制御回路構成にトリガ信号を出力するよう動作可能である請求項８または９に記載の撮像システム。
【請求項１１】
前記制御回路構成が、前記しきい値回路構成からの前記トリガ信号に応答して画像獲得を開始するように構成可能である請求項１０に記載の撮像システム。
【請求項１２】
前記制御回路構成が、前記トリガ信号を周期的に監視するように構成可能である請求項１０または１１に記載の撮像システム。
【請求項１３】
請求項１乃至７のいずれかに記載の撮像装置を備え、且つ、
前記放射センサ出力部を監視すること、
前記放射センサ出力部からの信号をあるしきい値と比較すること、及び
前記しきい値を越える前記放射センサ出力部上の前記電荷または信号についての配列（アレイ）の読み取りを開始するための制御信号を出力すること、
の諸工程を含む放射を画像化する方法。
【請求項１４】
前記監視する工程が、前記放射センサ出力部を周期的に監視することを含む請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
放射画像を形成するために入射する放射を集めるための放射デテクタの配列（アレイ）を含む画像面と一体となっており、ガード・リングを有する放射センサを備え、
但し放射デテクタの前記配列は前記集めた放射を表す信号を送信するための出力を有し、前記放射センサは放射デテクタの前記配列の一つにくらべ入射する放射により敏感なもので、且つ前記放射センサの前記ガード・リングに入射する放射を表す信号を発生するものであり、
前記信号をあるしきい値と比較し、
前記しきい値を越える前記放射センサ信号に応答して前記配列の出力から読み取りを開始するための制御信号を出力することを特徴とする、放射を画像化するためにトリガ信号を供給する方法。
【請求項１６】
更に、前記制御信号に応答して前記配列の出力から読み取りを制御するための制御回路構成を備えることを含む請求項１３乃至１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
更に、前記制御信号を周期的に監視することを含む請求項１５または１６に記載の方法。
【請求項１８】
更に、放射デテクタの前記配列および前記放射センサの一つに入射する放射に応答して電荷を蓄積することを含む請求項１５乃至１７のいずれかに記載の方法。
【請求項１９】
更に、表示装置上に画像を形成するため、前記しきい値を越える前記放射センサ信号に対して前記配列から読み取られた電荷値を処理することを含む請求項１８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、放射を画像化する（イメイジング・ラジエイション）のための自己トリガ可能な撮像装置に関し、他のものを排除するわけではないがとりわけ、自己トリガ可能な撮像システムに係る；この撮像装置は画像要素の配列（アレイ）を含むものである。
【０００２】
【従来の技術】
種々の型の画像要素の配列を含む撮像装置が知られている。
【０００３】
チャ−ジ・カプルド・イメイジ・センサーズ（チャ−ジ・カプルド・デバイシズ（ＣＣＤｓ）としても知られる）は、公知の撮像装置の一つのタイプである。ＣＣＤ型の装置の一つは以下の様に動作する。
【０００４】
１．電荷は、印加電圧により生じた空乏領域内に蓄積する。各ピクセル（画像セル）に対し、この空乏領域は、ポテンシャルウエル（電位井戸）形を有し、電極ゲ−トの下にある電子を半導体基板内に留まるように束縛する。
【０００５】
２．ＣＣＤ装置の電極ゲ−トに電圧がパルス状で印加され各電荷パッケージを隣接したピクセル・セルにクロックする。この電荷は、半導体基板の内側に留まり、共通の出力部へとピクセル毎にずっとクロックされる。
【０００６】
このプロセスの間、追加の電荷は、蓄積され得ない。
【０００７】
他の型の公知の撮像装置は、空乏電圧を各ピクセル位置に印加し、電荷収集容積を定める電極を有する半導体基板を備えた半導体ピクセル・デテクタである。典型的には、簡単なバファ回路が、フオトンが光吸収され（フオト・アブソ−ブド）た時またはイオン化放射が基板の空乏帯域と交差した時、電気信号を読み出す。したがって、この型のピクセル・デテクタは典型的に、パルス・モ−ドで動作し、ヒットの数は、撮像装置の外側に蓄積される。このバファ回路は、電荷収集容積として同一基板上にあっても良く（ＥＰ−Ａ−０，２８７，１９７）、また電荷収集容積を有する基板に、例えば公知の盛り上げ結合技術により、機械的に結合された別の基板上にあっても良い（ＥＰ−Ａ−０，５７１，１３５）。
【０００８】
更に別の型の装置は、国際出願ＷＯ９５／３３３２に記述されている。ＷＯ９５／３３３２には、アクティブ・ピクセル半導体撮像装置（ＡＳＩＤ）が記述されている。ＡＳＩＤは、ピクセル・デテクタの配列およびピクセル回路の更に別の配列を含むピクセル・セルの配列を含む。このピクセル・デテクタは即時の放射に応答して電荷を発生する。各ピクセル回路は、それぞれのピクセル・デテクタと関連しており、ピクセル・デテクタに入射する放射から生じる電荷を蓄積する。このピクセル回路は、個別に取り組むことが出来、電荷を、各ピクセル・デテクタにヒットする複数の引き続く放射から蓄積出来るようにしている。この装置は、例えばトランジスタのゲ−ト上に電荷を蓄積することによつて動作する。したがって、電荷値のアナログ的貯蔵が得られる。ある定められた時点に、このピクセル回路からの電荷が読み出され、このピクセル回路の各々に貯蔵されたアナログ電荷値に基づいて画像を発生するために使用することが出来る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ＣＣＤ装置は、半導体基板内部のポテンシャルウエル（電位井戸）の限られた容量によって、また、その間にある画像が読み出される不活性な時間によってダイナミック・レンジが限定される欠点がある。パルス計数半導体型ピクセル装置も同様にダイナミック・レンジが限定される欠点がある。これらの装置は、ヒットが検出された時にピクセル接点を読むので、それらは高い計数レ−トで、飽和の問題を経験する。ＷＯ９５／３３３２による半導体ピクセル装置は、画像の蓄積のため大きなダイナミック・レンジを提供することにより、先行技術を越える重要な有利性を提供している。
【００１０】
リアルタイムの画像を提供し、一露出についてより制御された低い放射線量とするために、在来の放射を画像化システムに用いられていたフイルムに代えて、上述のＣＣＤおよび半導体を活用することが提案されて来た。
【００１１】
既知の構成では、ＣＣＤはＸ線源と電気的に接続されている。このＸ線源が活性化された時、開始信号が接続ワイヤに沿つてＣＣＤに伝達され、その制御回路構成が画像獲得と読み取りを始める。
【００１２】
米国特許ＵＳ５  ５１３  ２５２に開示されたオプション構成では、Ｘ線源への接続が無い。その代わり、ＣＣＤが放射に先立って連続的に読み取つている。ＣＣＤ由来の信号が基準レベルと比較される。若し信号が基準レベルを越えると、ＣＣＤによる画像獲得が開始される、即ち、ＣＣＤの読み取りが止まり、ＣＣＤ上に画像が蓄積され始める。
【００１３】
欧州特許出願公告Ｎｏ．０  ７５６  ４１６Ａ１は、撮像装置として使われたＣＣＤを開示しているが、そこではＣＣＤ素子に蓄積された電荷が数本の並び(row)から電荷を合計するためレジスタにクロックされる。合計結果は、しきい値テストにかけられる。Ｘ線放射検知は、しきい値テストにかけられた信号が基準レベルを越えた時始まる。そこで上述のように、画像獲得が開始される、即ち、そうした後始めてＣＣＤが画像を蓄積し始めることとなる。
【００１４】
更に別の構成もまた、Ｘ線源とＣＣＤとの物理的接続が無い。更に別のセンサが、Ｘ線放射の開始を検知するように、ＣＣＤのための撮像配列に近接して配置されている。Ｘ線エネルギ−の入射を検知すると、そのセンサが信号をＣＣＤ制御回路構成に送り、前記のように画像獲得を開始する。
【００１５】
先に述べた種々の先行技術システムは、放射線源の活性化と画像獲得の開始との間に遅延を伴う。放射の画像化、とりわけＸ線撮像においては、放射線装置は出来るだけ低く保たなければならないので、この遅延を出来るだけ低減することが望ましい。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明の第一の側面による具体例に従って提供される半導体放射撮像装置は以下のものを含む：
【００１７】
画像要素の配列、ここで前記配列の画像要素の各々は、前記画像要素に入射する放射に応答して電荷を発生する画像要素デテクタ・セル、および前記画像要素デテクタ・セルからの前記電荷を蓄積し、且つ蓄積された電荷を表す信号を選択的に出力するための画像要素回路構成を含む、そしてさらに、
【００１８】
放射センサ素子、ここで前記放射センサ素子は、前記放射センサ素子に入射する放射に応答して電荷を発生するため前記画像要素デテクタ・セルと一体となった放射デテクタ・セル、および前記放射デテクタ・セルから電荷を連続的に供給するための放射センサ出力部、を含む。
【００１９】
好ましくは、前記放射センサ出力部は、前記放射センサ素子に入射する放射に応答して発生した電荷を表す信号を、連続的に供給するように適合させられている。
【００２０】
好ましい具体例において、前記放射デテクタ・セルは、前記画像要素デテクタ・セルに比べ入射する放射により敏感である。
【００２１】
適切には、前記放射デテクタ・セルは、前記画像要素デテクタ・セルよりも大きな面積を備えたものである。
【００２２】
前記放射デテクタ・セルは、画像要素デテクタ・セルの前記配列に対するガ−ド・リングを含むものであることが有利であり、且つ前記ガ−ド・リングはできれば実質的に連続的なものである。
【００２３】
この撮像装置は、前記画像要素デテクタ・セル、前記画像要素回路構成、および前記放射デテクタ・セルを含む一纏めの一体の基板を含むものである。
【００２４】
別のタイプの場合、この撮像装置は、第一および第二の基板を含み、前記第一の基板が前記画像要素デテクタ・セルおよび前記放射デテクタ・セルを含み、且つ前記第二の基板が前記画像要素回路構成を含むものである。
【００２５】
本発明の第二の側面による具体例は、これまでのパラグラフに記載の撮像装置を含む自己トリガ可能な撮像システムであって、前記撮像システムは更に、撮像装置を制御するための制御回路構成、画像要素の前記配列からの電荷値を処理して表示装置上に画像を形成するための画像プロセッサ、および前記放射センサ出力部と結合したしきい値回路構成を含むものである。
【００２６】
この撮像装置は、典型的に、前記放射センサ出力部と結合したしきい値回路構成を含むものである。
【００２７】
好ましい具体例において、このしきい値回路構成は、放射センサ出力部上のあるしきい値を越える電荷または信号に対して、前記制御回路構成にトリガ信号を出力するよう動作可能である。
【００２８】
好ましくは、この制御回路構成は、前記しきい値回路構成からの前記トリガ信号に応答して画像獲得を開始するように構成可能である。隋意的には、この制御回路構成は、前記トリガ信号を周期的に監視するようにも構成可能である。
【００２９】
この撮像システムが、更に、前記放射センサ出力部に供給されたアナログ信号をデジタル値に変換するためのアナログ・デジタル・コンバ−タを含み、そのデジタル値が、しきい値テストにかけられることも適当である。
【００３０】
本発明の第三の側面による具体例においては、上述のような撮像装置を備え、且つ前記放射センサ出力部を監視する工程、前記放射センサ出力部からの信号をあるしきい値と比較し、前記しきい値を越える前記電荷または信号に対して配列の読み取りを開始するための制御信号を出力する工程を含む方法が提供される。
【００３１】
本発明の更なる側面による具体例においては、放射画像を形成するために入射する放射を集めるための放射デテクタの配列を含む画像面と一体となった放射センサを備えること、ここで前記放射センサは放射デテクタの前記配列の一つに比べ入射する放射により敏感なものであり、且つ前記放射センサに入射する放射を表す信号を発生するものである、前記信号をあるしきい値と比較すること、および前記しきい値を越える前記信号に対して前記配列の読み取りを開始するための制御信号を出力することを含む、放射を画像化するためにトリガ信号を供給する方法が提供される。
【００３２】
好ましい具体例において、この方法は更に、前記制御信号に応答して前記配列の読み取りを制御するための制御回路構成を備えることを含む。
【００３３】
隋意的には、この監視する工程は、前記放射センサ出力部を周期的に監視することを含むものである。
【００３４】
【発明の実施形態】
図１は、全体撮像構成の模式的ブロック・ダイアグラム、
図２は、撮像装置の一例の断面図
図３は、図２に示した撮像装置のコ−ナ−の平面図の模式図
図４は、本発明の一具体例による画像化構成の模式的ブロック・ダイアグラムであり、且つ
図５は、図２に示した構成を動作させるためのフロ−・チャ−トである。
【００３５】
以下、本発明の具体例を実施例のみのための添付図面を参照してにより記述するが、図面中類似の要素は類似の参照符号を有するものである。
【００３６】
図１は、本発明による撮像装置を用いた撮像システムの一実施例の模式的ブロック・ダイアグラムである。この具体例は特に、高エネルギ−放射、例えばＸ線放射の撮像に向けられている。高エネルギ−放射とは、約１ＫｅＶを越えるエネルギ−を有する放射を意味している。しかしながら、本発明は、決してＸ線放射のような高エネルギ−放射に限定されているわけではなく
、半導体基板の適当な選択を要するが、任意の特定の放射、例えばγ線、β線、α線、赤外線、または光学放射の検出に応用することも出来る。
【００３７】
図１の撮像システム１０は、放射１４を受けた対象１２の画像化をもたらすように示されている。この実施例では、放射は、上述のように、Ｘ線放射であっても良いが、そうでなくてγ線、β線、α線放射であっても良い。対象１２は、例えば人体の一部であっても良い。撮像装置１６は、複数の画像要素（ここでは、二次元画像要素配列である要素１８）を含んでいる。以下、画像要素について述べるが、その他の具体例においては、個別の画像要素は、二次元配列（即ち、ストリップ配列）内の要素の構成とは異なる構成を有するものであつても良いことが認められるだろう。
【００３８】
この撮像装置は、入射する高エネルギ−放射を直接検出し、各画像要素において、その画像要素にヒットする入射放射を計数する。
【００３９】
この撮像装置は、各画像要素が画像要素デテクタ１９および画像要素回路構成２０を有する単一の（例えばシリコンの）半導体基板として構成することが出来る。これに代へて、撮像装置１６は、二枚の基板上に構成することが出来
、その一枚は、画像要素デテクタの配列を有するものであり、他の一枚が対応する画像要素回路２０の配列を有するものであつて、基板は互いに、例えば在来の盛り上げ（バンピング）技術あるいは任意の他の適当な技術により機械的に接続されている。
【００４０】
図２は、撮像装置１６の一部の模式的断面図である。この実施例において、撮像装置１６は、盛り上げ結合３４により画像回路基板３２に接続されている画像デテクタ基板３０を含むものである。各画像要素１８の画像要素デテクタ１９は、デテクタ基板３０上で、バイアス電圧を印加する連続電極３６、および画像要素位置電極３８により定められ、画像要素１８のための検知帯域を定めている。画像回路基板３２上の対応する画像要素回路２０は、電極３８に（即ち、画像要素デテクタ１９に）対応する位置に定められている。画像要素回路２０は対応する電極３８に盛り上げ結合３４により電気的に接続されている。この様にして、入射する放射に応じて電荷が画像要素デテクタ１９に発生した時、この電荷は盛り上げ結合３４を介して対応する画像要素回路２０に渡される。
【００４１】
画像要素回路および画像要素デテクタの実際のサイズは、その撮像装置が意図している用途に依存する。
【００４２】
上述のように、画像要素デテクタおよび画像要素回路は、単一の半導体基板上に一体に構築することが出来る。かような実装は可能であるが、しかし回路製造技術に関して、本発明に関係ない挑戦を仕掛ける。適切な回路製造技術を用いることにより、ここに述べた二重基板技術とは対照的に、ここに述べた本発明は、単一半導体基板上への実装に完全に適用可能である。
【００４３】
任意の適当な半導体材料を基板として使うことが出来る。例えばシリコンはデテクタ基板としてもまた画像回路基板として使つて良い。他の半導体材料も使用出来る。例えば、デテクタ基板としては、材料は、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＩ２  、ＩｎＳｂ、ＧａＡｓ、Ｇｅ、ＴｌＢｒ、ＳｉおよびＰｂＩから選ぶことが出来る。
【００４４】
Ｘ線のフォトンが画像要素デテクタ１９の検出帯域に光吸収され（あるいは、他の具体例では、荷電粒子またはガンマ線が入射あるいは吸収され）た時、ある電荷が創られ、電気パルスが画像要素デテクタ１９から盛り上げ結合３４を介して対応する画像要素回路構成２０に流れる。
【００４５】
画像要素回路２０のこの特定のデザインおよび構成は本発明とは関係が無いので、電荷が画像要素デテクタ１９から画像要素回路２０内に蓄積されると云う点を除いては、その更なる開示はしないことにする。
【００４６】
図２は、デテクタ基板３０と一体であるガ−ド・リング領域４８も示すものである。
【００４７】
ガ−ド・リング領域４８は、全ての画像要素１８をほぼ取り囲んでいるが、幾つかのガ−ド・リング５０を含むものであっても良い。ガ−ド・リング５０は導電性材料、好ましくは、ガ−ド・リングが画像要素電極３８と同時に形成され得るように、画像要素位置電極３８に使われたのと同一の材料から作られる。ガ−ド・リング５０により定められるガ−ド・リング領域４８は、デテクタ基板３０の材料について、その端縁での電界強度の局在的な増大を低減させ、デテクタ基板３０の端縁での結晶欠陥による電荷注入を減少させる。
【００４８】
連続電極３６は、ガード・リング領域４８内まで拡がっており、ガード・リング領域４８にバイアス電圧を供給している。これは、ガード・リング５０と連続電極３６との間に、以下に放射検出セル５１と記す更なる検出帯域を形成している。
【００４９】
しかしながら、本出願人は、撮像装置が照射された時、ガード・リング４８領域が画像要素デテクタ１９と同様に、放射に露出されると言うことを実際に認識した。本出願人はその理解を、先行技術の課題への新規且つ発明的な解決方法を提供するために活用した。
【００５０】
もっと用いても良いが、少なくとも一つの、ガ−ド・リング５０が盛り上げ結合５２を介して出力部回路構成５４に結合している。Ｘ線フォトンの吸収により生じた電荷は、ガ−ド・リング５０から盛り上げ結合５２を介して出力部回路構成５４に繋がれる。出力部回路構成５４は放射センサ出力部７０に結合している。
【００５１】
図３はデテクタ基板３０のコ−ナ−６０を示すものである。画像要素位置電極３８はガ−ド・リング領域４８の内側に配置されている。先に述べた様に、撮像装置１６に入射する放射は、画像要素位置電極３８上ばかりでなくガ−ド・リング領域４８を含むガ−ド・リング５０上にも落ちる。ガ−ド・リング領域４８は、デテクタ基板３０の端縁に向け電界強度を徐々に減少させるように、一つ以上のガ−ド・リング５０を含むものであって良い。ガ−ド・リング５０は盛り上げ結合５２を介して出力部回路構成５４に結合しているが、それは撮像装置上の放射センサ出力ピンに直接結合している。
【００５２】
本発明の一具体例による撮像用の構成は、図面の図４を参照して以下に記述する。
【００５３】
対象６６は、放射線源７４からの放射６８を受ける。放射は、例えばＸ線放射、ガンマ線放射、ベータ線放射あるいはアルフア線放射であっても良い。対象６６は、人体の一部であっても良い。図１の撮像装置１６を参照して述べた様に、撮像装置７２は、例えば、二または一次元配列あるいはストリップ配置である複数の画像要素を含むものである。撮像装置７２は、図１の撮像装置１６と同様であり、撮像装置７２が図２および３を参照して述べたようなガード・リング５０を含むものであると云うこと以上は述べない。
【００５４】
ガード・リング５０は、導電路そのものである以上の何者でもなくて良い出力部回路構成５４を介して、放射センサ出力部７０に結合している。放射センサ出力部７０は、ガード・リング５０に入射する放射を表す電流Ｉｇｕａｒｄを提供する。電流Ｉｇｕａｒｄは、電流−電圧変換器７８に入力され、得られた電圧は、しきい値回路構成８０に入力される。しきい値回路構成８０は、基準しきい値８１（ＶＴＨ）を入力され保有している。
【００５５】
しきい値回路構成８０は、制御電子装置７６に、しきい値が越えられたことを示す信号を出力する。制御電子装置７６は、画像獲得電子装置８３を始動させ、システム制御コンピュ−タ８４に、しきい値８１が越えられたこと、即ち撮像装置７２に放射が入射したことおよび画像獲得が開始されたことを示す信号を送る。
【００５６】
画像獲得は、画像即ち各画像要素の電荷を積分することを含み、しきい値回路構成８０が、電圧がしきい値８１より下まで低下したことを示すまで継続する。言い換えると、Ｉｇｕａｒｄ  が、放射線源７４がスイッチ・オフされたことを示すように、低下するのである。
【００５７】
そこで、積分された画像が読み出され、システムは新しい放射露出への待機状態に戻る、即ちＩｇｕａｒｄ  が増大し、しきい値電圧８１（ＶＴＨ）が超過する。
【００５８】
図４の撮像システムは、放射線源７４が活性化するまで待機するけれども、ガ−ド・リング４８からの出力電流は常に監視されている。
【００５９】
適切に構成されたシステム制御コンピュ−タ８４の動作を、以下図５に示す工程を参照して記述する。
【００６０】
工程５０２において、Ｉｇｕａｒｄ  、つまりガ−ド・リング電流が出力され次に増幅されて、工程５０４において、電圧に変換される。工程５０６でしきい値テストが行われるが、分離した回路構成によりあるいはデジタル化した電圧に対するプログラム制御の下で行われても良い。工程５０８において、しきい値が越えられたかどうかの判断がなされる。ここでもまたこのような判断は、例えばしきい値回路構成に含まれる分離した別の回路構成により、あるいは適当に構成されたシステム制御コンピュ−タの制御の下で行われても良い。
【００６１】
若し、このしきい値が越えられないならば、システムはガ−ド・リング出力を監視し続けることとなり、プロセスは工程５０２に戻る。そうでなくて、若しこのしきい値が越えらたならば、工程５１０で画像獲得モ−ドが開始される。画像獲得モ−ドが活性な間に、画像は積分され、ガ−ド・リング出力は、工程５１２、５１４および５１６において、しきい値に対して監視される。このしきい値が越えらても、画像獲得は続き、プロセスは５１２、５１４、５１６、５１８、５１２．．．と巡つていく。
【００６２】
しかしながら、若し工程５１８で、このしきい値がもはや越えられないと判断されると、例えば放射線源はスイッチ・オフされた後、プロセスは工程５２０に移り、そこで画像が読み出される。その後、プロセスは工程５０２に戻り、新しい露出のため監視を始める。
【００６３】
これまでの記述に照らして、種々の改良が本発明の範囲内でなし得ることが当該技術に熟達した者に明らかであろう。例えば、このシステムは医学的撮像と同様に、非破壊的検査および分析のために使用することが出来よう。
【００６４】
本発明の開示の範囲は、それが特許請求された発明に関連しているか、あるいは本発明によって取り組まれた課題の任意の一つまたは全部を緩和するか否かにかかわらず、そこで明示的あるいは暗示的に開示された任意の新規な特徴または特徴の組合せを含むものである。本出願人は、かような特徴に対し、この出願の係属中に新規な請求項を作成するかもしれないこと、あるいはそれから派生する任意のかような更なる新出願をするかもしれないことを、ここに告知する。とりわけ、添付した請求項を参照して、従属請求項からの特徴は、独立請求項のそれと、請求項に列挙された特定の組合せだけでなく、任意の適当な手法で組合せられても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】    全体撮像構成の模式的ブロック・ダイアグラム
【図２】    撮像装置の一例の断面図
【図３】    図２に示した撮像装置のコ−ナ−の平面図の模式図
【図４】    本発明の一具体例による画像化構成の模式的ブロック・ダイアグラム
【図５】    図２に示した構成を動作させるためのフロ−・チャ−ト
【符号の説明】
１０                        撮像システム
１２、６６                  対象
１４、６８                  放射
１６、７２                  撮像装置
１８                        画像要素
１９                        画像要素デテクタ
２０                        画像要素回路構成
３０                        画像デテクタ基板
３２                        画像回路基板
３４、５２                  盛り上げ結合
３６                        連続電極
３８                        画像要素位置電極
４８                        ガ−ド・リング領域
５０                        ガ−ド・リング
５１                        放射検出セル
５４                        出力部回路構成
６０                        コ−ナ−
７０                        放射センサ出力部
７４                        放射線源
７６                        制御電子装置
７８                        電流電圧コンバ−タ
８０                        しきい値回路構成
８１                        基準しきい値
８３                        画像獲得電子装置
８４                        システム制御回路構成／コンピュ−タ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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