(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛から選択される１種または２種以上の金属酸化物からなり、該金属酸化物中のナトリウム含有量が５重量ｐｐｍ以下である焼結体からなるスパッタリング用ターゲットであって、酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛から選択される１種または２種以上の金属酸化物の原料粉末に、ナトリウム含有量が３０重量ｐｐｍ以下のポリビニルアルコールを添加混合し、造粒成形し、焼結して得られた焼結体を切削加工して得られたスパッタリング用ターゲット。
【請求項２】
ナトリウム含有量が２重量ｐｐｍ以下である請求項１に記載のスパッタリング用ターゲット。
【請求項３】
ナトリウム含有量が１重量ｐｐｍ以下である請求項１に記載のスパッタリング用ターゲット。
【請求項４】
酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛が、それらの金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜１．００
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜１．００
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．２５
の割合である請求項１〜３のいずれかに記載のスパッタリング用ターゲット。
【請求項５】
酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛が、それらの金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．７５〜０．９５
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．２０
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０５〜０．２０
の割合である請求項１〜３のいずれかに記載のスパッタリング用ターゲット。
【請求項６】
酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛から選択される１種または２種以上の金属酸化物の原料粉末に、ナトリウム含有量が３０重量ｐｐｍ以下のポリビニルアルコールを添加混合し、造粒成形し、焼結して得られた焼結体を切削加工することからなるスパッタリング用ターゲットの製造法。
【請求項７】
ガラス基板上に、請求項１〜５のいずれかに記載のスパッタリング用ターゲットを用いて形成された透明導電膜を有する透明導電ガラス。
【請求項８】
透明樹脂フィルム上に、請求項１〜５のいずれかに記載のスパッタリング用ターゲットを用いて形成された透明導電膜を有する透明導電フィルム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示装置に用いる透明導電膜を形成するためのスパッタリング用ターゲット、およびそのターゲットを用いて製膜した透明導電膜を有する透明導電ガラスおよび透明導電フィルムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、表示装置の発展はめざましく、液晶表示装置やエレクトロルミネッセンス表示装置、フィールドエミッションディスプレイなどが、パーソナルコンピュータやワードプロセッサなどの事務機器や、工場における制御システム用に開発されている。そして、これら表示装置のなかでも、最も先端技術として注目されているのが、薄膜型液晶ディスプレイである。さらに、これら表示装置における液晶表示部とその駆動回路を同一のガラス基板上に造り込むために、ポリシリコン薄膜や連続粒界シリコン薄膜などの開発も進展している。
【０００３】
これら表示装置に使用される透明導電膜としては、インジウム錫酸化物膜が主流を占めている。これは、インジウム錫酸化物膜が、透明性や導電性に優れるほか、エッチング加工性や基板との密着性にも優れているからである。そして、このインジウム錫酸化物膜は、一般にはスパッタリング法やイオンプレーティング法、蒸着法によって製膜されている。
【０００４】
ところで、現在透明導電膜として使用されているインジウム錫酸化物は、その純度が９９．９９重量％以上であり、この純度であれば透明導電膜としての使用に問題はないと考えられてきたが、これに含まれる約０．０１重量％中の特定不純物が、薄膜型液晶ディスプレイのアレイ製造工程において製品の歩留りの低下を招く要因の一つであることが判明してきた。このようなことから、薄膜型液晶ディスプレイの素子構成として、スイッチング部分と、液晶駆動用インジウム錫酸化物膜の部分とを遮蔽膜で分離した形態のものが開発されている。この遮蔽膜で完全に分離すると、電気的な接続が不可能となるので、スルーホールを設けて電気的な接続が可能な形態としたものが開発されている。しかしながら、このような素子構成を採用すると、薄膜型液晶ディスプレイの製造工程にこの遮蔽膜で分離する複雑な工程を増やす必要があり、そこでの歩留りの低下を考慮すると、製造コストの増大を招くことになる。また、この遮蔽膜での分離を省略すると、インジウム錫酸化物に含有される不純物が液晶素子全体に拡散してスイッチング性能を低下させるようになるという問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、薄膜型液晶ディスプレイなどの表示装置を、スイッチング部分と液晶駆動用透明導電膜の部分とを遮蔽膜で分離して構成しなくても、スイッチング性能の低下を招くことのない透明導電膜を形成することのできるスパッタリング用ターゲットと、そのターゲットを用いて製造した透明導電ガラスおよび透明導電フィルムを提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記課題の解決のため鋭意研究を重ねた結果、一般に透明導電膜の素材として用いられている、酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛から選択される１種または２種以上の金属酸化物中の不純物のなかでも、ナトリウムが存在することによる液晶素子のスイチング性能低下が著しいことを究明し、透明導電膜の形成に用いるスパッタリング用ターゲット中のナトリウム含量を特定の値よりも低くすることにより、上記目的を達成することができることを見出し、これら知見に基づいて本発明を完成するに至った。
【０００７】
すなわち、本発明の要旨は、下記のとおりである。
（１）酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛から選択される１種または２種以上の金属酸化物からなり、該金属酸化物中のナトリウム含有量が５重量ｐｐｍ以下である焼結体からなるスパッタリング用ターゲット。
（２）ナトリウム含有量が２重量ｐｐｍ以下である前記（１）に記載のスパッタリング用ターゲット。
（３）ナトリウム含有量が１重量ｐｐｍ以下である前記（１）に記載のスパッタリング用ターゲット。
（４）酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛がそれらの金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜１．００
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜１．００
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．２５
の割合である前記（１）〜（３）のいずれかに記載のスパッタリング用ターゲット。
（５）酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛がそれらの金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．５０〜１．００
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．５０
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０５〜０．２５
の割合である前記（１）〜（３）のいずれかに記載のスパッタリング用ターゲット。
（６）酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛がそれらの金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．７５〜０．９５
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．２０
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０５〜０．２０
の割合である前記（１）〜（３）のいずれかに記載のスパッタリング用ターゲット。
（７）酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛から選択される１種または２種以上の金属酸化物の原料粉末に、ナトリウム含有量が３０重量ｐｐｍ以下の成形助剤を添加混合し、造粒成形し、焼結して得られた焼結体を切削加工することからなるスパッタリング用ターゲットの製造法。
（８）成形助剤が、ポリビニルアルコールである前記（７）に記載のスパッタリング用ターゲットの製造法。
（９）ガラス基板上に、酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛から選択される１種または２種以上の金属酸化物からなり、該金属酸化物中のナトリウム含有量が５重量ｐｐｍ以下である焼結体からなるスパッタリング用ターゲットを用いて形成した透明導電膜を有する透明導電ガラス。
（１０）透明樹脂フィルム上に、酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛から選択される１種または２種以上の金属酸化物からなり、該金属酸化物中のナトリウム含有量が５重量ｐｐｍ以下である焼結体からなるスパッタリング用ターゲットを用いて形成した透明導電膜を有する透明導電フィルム。
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明の透明導電材料は、酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛から選択される１種または２種以上の金属酸化物であって、該金属酸化物中のナトリウム含有量が５重量ｐｐｍ以下としてある透明導電材料である。そして、この金属酸化物中のナトリウム含有量は、５重量ｐｐｍ以下としておくことによって、充分に液晶素子のスイッチング性能低下を抑制することができるのであるが、この金属酸化物中のナトリウム含有量を２重量ｐｐｍ以下としてあるものが好ましく、さらに、この金属酸化物中のナトリウム含有量を１重量ｐｐｍ以下としてあるものが最も好ましい材料である。
【０００９】
そして、本発明の透明導電材料の基本的な構成成分である酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛から選択される１種または２種以上の金属酸化物については、これらの金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜１．００
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜１．００
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．２５
の割合であるものが好ましい。
【００１０】
さらに、これらの金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．５０〜１．００
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．５０
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０５〜０．２５
の割合であるものがより好ましい。
【００１１】
そして、これらの金属原子比において、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．７５〜０．９５
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．００〜０．２０
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｓｎ）＝０．０５〜０．２０
の割合であるものが最も好ましい。
【００１２】
本発明の透明導電材料における基本的な構成成分は、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛またはこれら金属酸化物の混合物は、上記のとおり、酸化インジウムまたは酸化錫をそれぞれ単独で用いてもよく、また酸化インジウムと酸化錫の混合物、あるいは酸化インジウムと酸化亜鉛の混合物、さらには酸化インジウムと酸化錫および酸化亜鉛の混合物を用いてもよい。
【００１３】
そして、この基本的な構成成分における各成分の含有割合については、酸化インジウムは、これを必要としない場合もあるが、透明導電膜とした際の表面抵抗の低いものを得るためには、その原子比が０．５以上である組成物を用いるとよい。また、酸化錫については、これを必要としない場合もあるが、スパッタリング用ターゲットの導電性を高く維持する必要のある場合には、これを含有するものを用いるのが好ましく、透明導電膜としてその表面抵抗の低いものが要求される場合には、このものの含有割合が原子比で０．５以下としてあるものが好ましい。さらに、酸化亜鉛については、必要としない場合もあるが、透明導電膜とした際の膜のエッチング性を向上させるために、少量の、例えば原子比で０．０５以上を含有する組成物を用いるとよい。なお、この透明導電膜のエッチング性が充分でない場合には、スパッタリング成膜時に水や水素を少量添加することによっても、そのエッチング性の向上を図ることができる。そして、この酸化亜鉛については、その含有割合が０．２５を超えると、透明導電膜の耐久性が低下することがある。したがって、この基本的な各構成成分含有割合は、スパッタリング用ターゲットや透明導電膜に要求される性能に適合するよう、上記組成範囲において適宜選定すればよい。
【００１４】
つぎに、上記の基本的な構成成分からなり、該成分中のナトリウム含有量が５重量ｐｐｍ以下である透明導電材料の製造法について説明する。
従来より、一般には、酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛から選択される１種または２種以上の金属酸化物の粉末を原料とし、これらを高温で焼結して、透明導電材料を製造する方法が採用されてきた。この場合、まず原料粉末をさらに微細に粉砕する工程、つぎに微粉末を造粒する工程、粒子を所定寸法の成形体に成形する工程、成形体を焼結する工程、焼結体をターゲット形状に切削加工する工程、スパッタリング装置への装着用治具の取付工程を経て、透明導電膜の形成に用いるスパッタリング用ターゲットを得ている。そして、このターゲットをスパッタリング装置に装着して、ガラス板や透明性樹脂板上に透明導電材料をスパッタリングすることによって、透明導電膜を得ている。ところで、このようにして得られる透明導電膜には、原料の金属酸化物粉末として極めて高純度品を用いても、不純物としてナトリウムが１０〜５０重量ｐｐｍ程度の含有割合で含まれるものしか得られなかった。
【００１５】
そこで、上記の造粒工程で配合する成形助剤に着目し、最も一般的に成形助剤として使用されているポリビニルアルコールを精製して不純物を高度に除去したものを用いることによって、ナトリウム含有量を著しく低減させた透明導電膜が得られることが確認された。
すなわち、本発明の透明導電材料の製造法は、酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛から選択される１種または２種以上の金属酸化物の粉末に、ナトリウム含有量が３０重量ｐｐｍ以下の成形助剤を添加混合して造粒し、成形して焼結する透明導電材料の製造法である。
【００１６】
ここで用いる成形助剤としては、例えば、水、ポリビニルアルコール、カルボキシルメチルセルロース、ポリブチルアルコール、ポリエチレングリコール、ポリエチレンビニルアセテート、パラフィン類などを用いることができるが、好ましいのは、ポリビニルアルコールである。
そして、これら成形助剤に含有されるナトリウムなどの金属を除去するには、様々な方法によることができるが、好ましいのは成形助剤を水に溶解させて、陽イオン交換樹脂などによりナトリウムイオンを始めとする金属イオンを捕捉する方法によるのが簡便である。この成形助剤の精製は、ナトリウム含有量が３０重量ｐｐｍ以下、好ましくは２０重量ｐｐｍ以下、さらに好ましくは１０重量ｐｐｍ以下となるように、その精製条件を設定すればよい。
【００１７】
つぎに、本発明の透明導電材料を製造する方法については、上記の金属酸化物の粉末またはそれらの所定割合での混合物を混合粉砕機、例えば湿式ボールミルやビーズミル、超音波などにより、均一に混合・粉砕する。ここでの原料粉末の混合粉砕は、微細に粉砕するほどよいが、通常、平均粒径１μｍ以下となるように混合粉砕処理をしたものが望ましい。
【００１８】
そして、混合粉砕した微粉末を造粒した後、プレス成形により所望の形状に成形し、焼成により焼結すればよい。ここで、原料微粉末を造粒するに際し、上記のとおり精製した成形助剤を配合する。この成形助剤の配合割合は、原料微粉末１００重量部あたり０．１〜５重量部とするのが適当である。また、この場合の焼成条件は、通常、１，２００〜１，５００℃、好ましくは１，２５０〜１，４８０℃において、１０〜７２時間、好ましくは２４〜４８時間焼成すればよい。この場合の昇温速度は、１〜５０℃／分間とすればよい。
【００１９】
そして、このようにして得られる焼結体は、切削加工してスパッタリング用ターゲットの形状となし、スパッタリング装置への装着用治具を取付ることにより、スパッタリング用ターゲットが得られる。なお、上記焼結体は、スパッタリング用ターゲットのほか、エレクトロンビーム装置やイオンプレーティング装置に適用できるように加工することにより、これら装置による製膜を行うことも可能である。
【００２０】
このようにして得られたスパッタリング用ターゲットを用いて、透明導電膜を製膜する際に用いる透明基材としては、従来から用いられているガラス基板や、高い透明性を有する合成樹脂製の板、フィルム、シートが用いられる。ここで用いる合成樹脂としては、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリアリレート樹脂などが好適である。
【００２１】
つぎに、上記スパッタリング用ターゲットを用いて、透明基材上にスパッタリング法により透明導電膜を製膜するにあたっては、マグネトロンスパッタリング装置が好適に用いられる。そして、この装置を用いてスパッタリングにより製膜する際の条件としては、そのターゲットの表面積や透明導電膜の膜厚によりプラズマの出力は変動するが、通常、このプラズマ出力を、そのターゲットの表面積１ｃｍ2 あたり０．３〜４Ｗの範囲とし、製膜時間を５〜１２０分間とすることにより、所望の膜厚を有する透明導電膜が得られる。この透明導電膜の膜厚は、表示装置の種類によって異なるが、通常、２００〜６，０００オングストローム、好ましくは３００〜２，０００オングストロームである。
【００２２】
このようにして、ガラス基板上に、酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛から選択される１種または２種以上の金属酸化物からなり、該金属酸化物中のナトリウム含有量が５重量ｐｐｍ以下である焼結体からなる透明導電膜を有する本発明の透明導電ガラスは、その透明性が、波長５００ｎｍの光線の透過率で７０％以上であり、またこの膜の比抵抗が５ｍΩ・ｃｍ以下であるとともに、液晶素子の駆動用電極として、遮蔽膜を用いることなく直接積層して長期間使用しても、そのスイッチング性能の低下がなく、耐久性に優れたものである。
【００２３】
また、透明樹脂フィルム上に、酸化インジウム、酸化錫および酸化亜鉛から選択される１種または２種以上の金属酸化物からなり、該金属酸化物中のナトリウム含有量が、５重量ｐｐｍ以下である焼結体からなる透明導電膜を有する本発明の透明導電フィルムについても、上記透明導電ガラスとほぼ同一の性能を有している。
【００２４】
したがって、本発明の透明導電ガラスや透明導電フィルムは、液晶表示素子や有機エレクトロルミネッセンス素子をはじめとする各種の表示装置の透明電極として好適に用いることができる。
【００２５】
【実施例】
以下、本発明の実施例により、本発明をさらに詳しく説明する。
〔実施例１〕
（１）透明導電材料用原料粉末の製造
原料の金属酸化物として、酸化インジウムの粉末と酸化錫の粉末を、これら金属の原子比が、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）＝０．９０
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）＝０．１０
となるように混合して、湿式ボールミルに供給し、７２時間にわたり混合粉砕することにより、透明導電材料用原料微粉末を得た。
（２）成形助剤の精製
成形助剤として、ポリビニルアルコール〔広島和光社製：重合度＝１，５００〕を用いた。このポリビニルアルコール１０ｇを水１０ｋｇに溶解させて水溶液とした。ついで、この水溶液を、陽イオン交換樹脂〔三菱化学社製；ダイヤイオン〕５００ｇを充填したカラム中を通過させた後、エバポレーターにより脱水し、乾燥して、精製ポリビニルアルコールを得た。
つぎに、得られた精製ポリビニルアルコール中の不純物成分を、プラズマ発光分析装置により測定したところ、ナトリウム１０重量ｐｐｍ、カリウム１重量ｐｐｍ、重金属１重量ｐｐｍを含有することが確認された。
【００２６】
（３）透明導電材料の製造
上記（１）で得られた原料微粉末１００重量部に対して、成形助剤として上記（２）で得られた精製ポリビニルアルコールを１重量部の割合で配合して、スプレードライヤーにより造粒した後、直径４インチ、厚さ１０ｍｍの寸法にプレス成形し、成形体を焼成炉に装入して、１，４５０℃において、４８時間加圧焼成して、透明導電材料からなる焼結体を得た。
ここで得られた焼結体より取り出した試料につき、プラズマ発光分析装置を用いて、不純物の含有量を測定した結果、ナトリウムの含有率は１重量ｐｐｍ以下であり、カリウムの含有率は１重量ｐｐｍ以下、重金属の含有率については１０重量ｐｐｍ以下であった。
【００２７】
（４）透明導電ガラスの製造
上記（３）において得られた焼結体を切削加工して、直径４インチ、厚さ５ｍｍのスパッタリング用ターゲットを作製し、これをＤＣマグネトロンスパッタリング装置に装着して、室温においてガラス基板上に製膜した。
ここでのスパッタ条件としては、雰囲気はアルゴンガスに適量の酸素ガスを混入して用い、スパッタ圧力３×１０-1Ｐａ、到達圧力５×１０-4Ｐａ、基板温度２００℃、投入電力１００Ｗ、成膜時間２０分間として行った。
このようにして得られた透明導電ガラス上の透明導電膜は、その厚みが１，２００オングストロームであり、結晶質であった。そして、この透明導電膜の光線透過率を分光光度計により波長５００ｎｍの光線について測定した結果、８２％であった。また、４探針法により測定した透明導電膜の比抵抗は、０．１８ｍΩ・ｃｍであり、導電性の高いものであった。
【００２８】
〔実施例２〕
（１）透明導電材料用原料粉末の製造
原料の金属酸化物として、酸化インジウムの粉末と酸化亜鉛の粉末を、これら金属の原子比が、
Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．８５
Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．１５
となるように混合したものを用いた他は、実施例１と同様にして、原料微粉末を得た。
（２）透明導電材料の製造
上記（１）で得られた原料微粉末１００重量部に対して、成形助剤として実施例１の（２）で得られた精製ポリビニルアルコールを３重量部の割合で配合して造粒し、以降の操作は、実施例１の（３）と同様にして、透明導電材料からなる焼結体を得た。
ここで得られた焼結体より取り出した試料につき、プラズマ発光分析装置を用いて、不純物の含有量を測定した結果、ナトリウムの含有率は１重量ｐｐｍ以下であり、カリウムの含有率は１重量ｐｐｍ以下、重金属の含有率については１０重量ｐｐｍ以下であった。
【００２９】
（３）透明導電ガラスの製造
上記（２）で得られた透明導電材料からなる焼結体を切削加工して製作したスパッタリング用ターゲットを用いた他は、実施例１の（４）と同様にして、透明導電ガラスを製造した。
このようにして得られた透明導電ガラス上の透明導電膜は、その厚みが１，２００オングストロームであり、非晶質であった。そして、この透明導電膜の光線透過率を分光光度計により波長５００ｎｍの光線について測定した結果、８１％であった。また、４探針法により測定した透明導電膜の比抵抗は、０．２９ｍΩ・ｃｍであり、導電性の高いものであった。
【００３０】
〔比較例１〕
（１）透明導電材料用原料粉末の製造
原料の金属酸化物として、実施例１と同一の原料を用い、実施例１と同様にして原料微粉末を得た。
（２）透明導電材料の製造
上記（１）で得られた原料微粉末１００重量部に対して、成形助剤として未精製のポリビニルアルコールを１重量部の割合で配合して造粒し、以降の操作は、実施例１の（３）と同様にして、透明導電材料からなる焼結体を得た。
ここで得られた焼結体より取り出した試料につき、プラズマ発光分析装置を用いて、不純物の含有量を測定した結果、ナトリウムの含有率は１５重量ｐｐｍであり、カリウムの含有率は１重量ｐｐｍ以下、重金属の含有率については１０重量ｐｐｍ以下であった。
【００３１】
（３）透明導電ガラスの製造
上記（２）で得られた透明導電材料からなる焼結体を切削加工して製作したスパッタリング用ターゲットを用いた他は、実施例１の（４）と同様にして、透明導電ガラスを製造した。
このようにして得られた透明導電ガラス上の透明導電膜は、その厚みが１，２００オングストロームであり、結晶質であった。そして、この透明導電膜の光線透過率を分光光度計により波長５００ｎｍの光線について測定した結果、８１％であった。また、４探針法により測定した透明導電膜の比抵抗は、０．２１ｍΩ・ｃｍであった。
【００３２】
〔比較例２〕
（１）透明導電材料用原料粉末の製造
原料の金属酸化物として、実施例２と同一の原料を用い、実施例２と同様にして原料微粉末を得た。
【００３３】
（２）透明導電材料の製造
上記（１）で得られた原料微粉末１００重量部に対して、成形助剤として未精製のポリビニルアルコールを３重量部の割合で配合して造粒し、以降の操作は、実施例１の（３）と同様にして、透明導電材料からなる焼結体を得た。
ここで得られた焼結体より取り出した試料につき、プラズマ発光分析装置を用いて、不純物の含有量を測定した結果、ナトリウムの含有率は６６重量ｐｐｍであり、カリウムの含有率は１重量ｐｐｍ以下、重金属の含有率については１０重量ｐｐｍ以下であった。
【００３４】
（３）透明導電ガラスの製造
上記（２）で得られた透明導電材料からなる焼結体を切削加工して製作したスパッタリング用ターゲットを用いた他は、実施例１の（４）と同様にして、透明導電ガラスを製造した。
このようにして得られた透明導電ガラス上の透明導電膜は、その厚みが１，２００オングストロームであり、非晶質であった。そして、この透明導電膜の光線透過率を分光光度計により波長５００ｎｍの光線について測定した結果、８０％であった。また、４探針法により測定した透明導電膜の比抵抗は、０．３４ｍΩ・ｃｍであった。
【００３５】
〔参考例１〕
薄膜型液晶ディスプレイの表示パネルとして、ガラス基板上に、ゲート電極層、絶縁層、アモルファスシリコン層、エッチングストッパー層、ｎ−アモルファスシリコン層、ソースドレイン電極層を順次積層し、その上に、遮蔽膜を設けることなく、実施例２の（３）で得られたスパッタリング用ターゲットを用いて、透明導電膜を形成した。
このようにして得られた表示パネルを用いて、その駆動回路を組み込んで薄膜型液晶ディスプレイの作動性能の確認をした。この結果、このパネルに作動不良の素子は認められず、長時間の継続使用後も性能低下は認められなかった。
【００３６】
〔参考例２〕
スパッタリング用ターゲットとして、比較例１の（３）で得られたものを用いた他は、参考例１と同様にして表示パネルを作製した。
ここで得られた表示パネルを用いて製作した薄膜型液晶ディスプレイについても、参考例１と同様にして、その作動性能の確認をした。この結果、このパネルに作動不良の素子が数ケ所認められ、長時間の継続使用後には、さらに作動不良の素子数が増加した。
【００３７】
【発明の効果】
本発明のスパッタリング用ターゲットを用いて製膜した透明導電ガラスや透明導電フィルムは、薄膜型液晶ディスプレイなどの表示部の透明電極として用いると、該表示部を、スイッチング部分と液晶駆動用透明導電膜の部分との間を遮蔽膜で分離して構成しなくても、スイッチング性能の低下を招くことなく該表示装置を長期間使用することができる。