(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハーを支持し、加熱する加熱面が設けられたセラミック基体、この基体に設置されている発熱体、および前記加熱面において半導体ウエハーに接触するエンボス部を備えているセラミックヒーターであって、
前記加熱面の平均温度が目的温度に昇温したときに、前記加熱面において表面温度が相対的に高いヒートスポットが存在しており、前記ヒートスポットにおける前記エンボス部の単位面積当たりの個数が、前記ヒートスポット以外の領域における前記エンボス部の単位面積当たりの個数よりも少ないことを特徴とする、セラミックヒーター。
【請求項２】
半導体ウエハーを支持し、加熱する加熱面が設けられたセラミック基体、この基体に設置されている発熱体、および前記加熱面において半導体ウエハーに接触するエンボス部を備えているセラミックヒーターであって、
前記発熱体が前記基体に平面状に設置されており、前記加熱面に対して垂直な方向に向かって前記発熱体を前記加熱面上へと投影して見たときに、前記発熱体上における前記エンボス部の単位面積当たりの個数が、前記発熱体以外の領域における前記エンボス部の単位面積当たりの個数よりも少ないことを特徴とする、セラミックヒーター。
【請求項３】
前記基体内に複数の前記発熱体が埋設されており、各発熱体がそれぞれ対応する各平面に沿って埋設されており、前記加熱面に対して垂直な方向に向かって前記複数の発熱体を前記加熱面上へと投影して見たときに複数の発熱体が略重複して存在していることを特徴とする、請求項２記載のセラミックヒーター。
【請求項４】
前記基体内に複数の前記発熱体が埋設されており、各発熱体がそれぞれ対応する各平面に沿って埋設されており、前記加熱面に対して垂直な方向に向かって前記複数の発熱体を前記加熱面上へと投影して見たときに複数の発熱体が互いに相異なる領域に存在していることを特徴とする、請求項２記載のセラミックヒーター。
【請求項５】
半導体ウエハーを支持し、加熱する加熱面が設けられたセラミック基体、およびこの基体に設置されている発熱体を備えているセラミックヒーターであって、
前記基体の内部において前記加熱面と前記発熱体との間に空間が設けられており、この空間内に複数の熱伝導体が前記空間を横断するように設けられていることを特徴とする、セラミックヒーター。
【請求項６】
前記基体内に前記空間が存在しない場合に前記加熱面の平均温度が目的温度に昇温したときに、前記加熱面において表面温度が相対的に高いヒートスポットが存在しており、前記加熱面に対して垂直な方向に向かって前記熱伝導体および前記ヒートスポットを前記加熱面上へと投影して見たときに、前記ヒートスポットにおける前記熱伝導体の単位面積当たりの個数が、前記ヒートスポット以外の領域における前記熱伝導体の単位面積当たりの個数よりも少ないことを特徴とする、請求項５記載のセラミックヒーター。
【請求項７】
前記発熱体が前記基体に平面状に設置されており、前記加熱面に対して垂直な方向に向かって前記熱伝導体および前記発熱体を前記加熱面上へと投影して見たときに、前記発熱体上における前記エンボス部の単位面積当たりの個数が、前記発熱体以外の領域における前記エンボス部の単位面積当たりの個数よりも少ないことを特徴とする、請求項５または６記載のセラミックヒーター。
【請求項８】
前記基体内に複数の前記発熱体が埋設されており、各発熱体がそれぞれ対応する各平面に沿って埋設されており、前記加熱面に対して垂直な方向に向かって前記複数の発熱体を前記加熱面上へと投影して見たときに複数の発熱体が略重複して存在していることを特徴とする、請求項７記載のセラミックヒーター。
【請求項９】
前記基体内に複数の前記発熱体が埋設されており、各発熱体がそれぞれ対応する各平面に沿って埋設されており、前記加熱面に対して垂直な方向に向かって前記複数の発熱体を前記加熱面上へと投影して見たときに複数の発熱体が互いに相異なる領域に存在していることを特徴とする、請求項７記載のセラミックヒーター。
【請求項１０】
前記空間内の圧力が３Ｔｏｒｒ以下であることを特徴とする、請求項５−９のいずれか一つの請求項に記載のセラミックヒーター。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、セラミックヒーターに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造装置においては、熱ＣＶＤなどによってシランガスなどの原料ガスから半導体薄膜を製造する当たって、基板であるウエハーを加熱するためのセラミックヒーターが具えられている。
【０００３】
セラミックヒーターにおいては、いわゆる２ゾーンヒーターと呼ばれる構成のものが知られている。２ゾーンヒーターにおいては、セラミック基体中に、モリブデンなどの高融点金属からなる内側抵抗発熱体と外側抵抗発熱体とを埋設し、これら抵抗発熱体にそれぞれ別個の電流導入端子を接続し、各抵抗発熱体に所定の電圧を印加することにより、内側抵抗発熱体および外側抵抗発熱体を独立に制御する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
例えば半導体ウエハーを加熱する用途においては、加熱面の温度を全体に均一に制御することが必要であり、使用条件下で例えば加熱面の全体にわたって±５℃以下といった厳格な仕様を満足することが要求されている。しかし、実際には加熱面にいわゆるヒートスポットが発生することがある。ヒートスポットの発生は、加熱面の目的温度が５００℃以上、更には６００℃以上となると顕著となる傾向がある。ヒートスポットが発生すると、その領域においては、半導体膜の厚さが変化するおそれがある。
【０００５】
更に、本発明者は、セラミックヒーター上に半導体ウエハーを設置し、ウエハー上に半導体を成膜した場合に、ヒーター基体内に埋設された例えばらせん形状の抵抗発熱線のパターンが、半導体に現れる場合があることを発見した。こうしたパターンは、基体内に埋設された抵抗発熱体の影響によって、加熱面に抵抗発熱体のパターンに対応したヒートスポットのパターンが発生していることを示している。
【０００６】
本発明の課題は、被処理物を支持し、加熱する加熱面が設けられたセラミック基体、この基体内に埋設されている発熱体、および加熱面に前記被処理物に接触するエンボス部を備えているセラミックヒーターであって、加熱面のヒートスポットによる被処理物への悪影響を防止できるようにすることである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、半導体ウエハーを支持し、加熱する加熱面が設けられたセラミック基体、この基体に設置されている発熱体、および前記加熱面において半導体ウエハーに接触するエンボス部を備えているセラミックヒーターであって、前記加熱面の平均温度が目的温度に昇温したときに、前記加熱面において表面温度が相対的に高いヒートスポットが存在しており、前記ヒートスポットにおける前記エンボス部の単位面積当たりの個数が、前記ヒートスポット以外の領域における前記エンボス部の単位面積当たりの個数よりも少ないことを特徴とする。
【０００８】
また、本発明は、半導体ウエハーを支持し、加熱する加熱面が設けられたセラミック基体、この基体に設置されている発熱体、および前記加熱面において半導体ウエハーに接触するエンボス部を備えているセラミックヒーターであって、前記発熱体が前記基体に平面状に設置されており、前記加熱面に対して垂直な方向に向かって前記発熱体を前記加熱面上へと投影して見たときに、前記発熱体上における前記エンボス部の単位面積当たりの個数が、前記発熱体以外の領域における前記エンボス部の単位面積当たりの個数よりも少ないことを特徴とする。
【０００９】
また、本発明は、半導体ウエハーを支持し、加熱する加熱面が設けられたセラミック基体、およびこの基体に設置されている発熱体を備えているセラミックヒーターであって、前記基体の内部において前記加熱面と前記発熱体との間に空間が設けられており、この空間内に複数の熱伝導体が前記空間を横断するように設けられていることを特徴とする。
【００１０】
発熱体の基体への設置の形態は限定されない。好ましくは基体内に発熱体を埋設するが、基体の裏面に発熱体を設置することもできる。
【００１１】
本発明者は、エンボス部がヒートスポットに設けられておらず、ヒートスポットがエンボス部の間隙に面するように、エンボス部を配置することで、ヒートスポットが被処理物に対して接触することを防止し、加熱面と被処理物との間に空隙を設けることを想到した。この結果、空隙内における圧力はチャンバー内の圧力であり、この圧力は通常は低いので、ヒートスポットから被処理物への熱伝導を抑制し、被処理物の温度を均一化し、ヒートスポットによる被処理物への悪影響を防止できる。
【００１２】
図１（ａ）は、セラミックヒーター１におけるヒートスポット３の位置を示す図であり、図１（ｂ）は、エンボス部を形成した後のセラミックヒーター１Ａを加熱面２ａ側から見た平面図である。
【００１３】
セラミックヒーター１Ａの基体２は例えば円板形状であり、基体２の一方の主面が加熱面２ａを形成している。加熱面２ａには、目的温度においてヒートスポット３が現れる。ここで、目的温度とは、被処理物を処理する際の目的の最高温度を意味している。
【００１４】
ここで、本発明に従い、加熱面２ａに多数のエンボス部４を形成するのに際して、エンボス部の間の空隙５、５Ａ中にヒートスポット３が位置するようにする。
【００１５】
この発明においては、ヒートスポットにおけるエンボス部の単位面積当たりの個数を、ヒートスポット以外の領域におけるエンボス部の単位面積当たりの個数よりも少なくする。（ヒートスポットにおけるエンボス部の単位面積当たりの個数）／（ヒートスポット以外の領域におけるエンボス部の単位面積当たりの個数）の比率は、本発明の効果を奏する上で１／３以下であることが好ましい。最も好適な実施形態においては、エンボス部がヒートスポットに設けられておらず、ヒートスポットがエンボス部の間隙に面する。
【００１６】
本発明の好適な実施形態においては、発熱体が基体内に平面状に埋設されており、加熱面に対して垂直な方向に向かって発熱体を加熱面上へと投影して見たときに、発熱体の間隙にエンボス部が形成されている。図２のヒーターはこの実施形態に係るものである。
【００１７】
図２に示すセラミックヒーター１Ｂにおいては、加熱面２ａに、基体内部に埋設された発熱体６のパターンに対応したパターンのヒートスポットが現れる。従って、加熱面２ａにおいて、発熱体６の上にはエンボス部４が位置しないようにする。即ち、加熱面に対して垂直な方向に向かって発熱体６を加熱面上へと投影して見たときに、発熱体６の存在領域にはエンボス部４が存在しないようにし、エンボス部４の間隙５Ｂに発熱体６Ａの存在領域があるようにした。
【００１８】
この発明においては、発熱体上におけるエンボス部の単位面積当たりの個数を、発熱体以外の領域におけるエンボス部の単位面積当たりの個数よりも少なくする。（発熱体上におけるエンボス部の単位面積当たりの個数）／（発熱体以外の領域におけるエンボス部の単位面積当たりの個数）の比率は、本発明の効果を奏する上で１／３以下であることが好ましい。最も好適な実施形態においては、エンボス部が発熱体上に設けられておらず、発熱体がエンボス部の間隙に面する。
【００１９】
本発明の他の好適な実施形態においては、基体内に複数の発熱体が埋設されており、各発熱体がそれぞれ対応する各平面に沿って埋設されており、加熱面に対して垂直な方向に向かって複数の発熱体を加熱面上へと投影して見たときに複数の発熱体が略重複して存在している。
【００２０】
図３のセラミックヒーター１Ｄは、この実施形態に係るものである。基体２内には複数、例えば２列の発熱体６Ａ、６Ｂが埋設されている。各発熱体６Ａ、６Ｂは、それぞれ、互いに平行な平面Ａ、Ｂに沿って延びるように埋設されている。各発熱体６Ａ、６Ｂは、それぞれ、端子９、１０を介して、電源１１、１２に接続されている。
【００２１】
図４は、加熱面２ａ側から基体２を見たときの平面図であるが、ただし発熱体６Ａの平面的パターンを点線で示してある。この点線のパターンは、加熱面２ａに対して垂直な方向Ｃに向かって発熱体６Ａを加熱面２ａ上へと投影して見たときの、発熱体６Ａのパターンである。発熱体６Ａの存在領域にはエンボス部４が設けられていない。エンボス部４の間隙５Ｂに発熱体６Ａの存在領域がある。
【００２２】
図５は、加熱面２ａ側から基体２を見たときの平面図であるが、ただし発熱体６Ｂの平面的パターンを点線で示してある。この点線のパターンは、加熱面２ａに対して垂直な方向Ｃに向かって発熱体６Ｂを加熱面２ａ上へと投影して見たときの、発熱体６Ｂのパターンである。発熱体６Ｂの存在領域にはエンボス部４が設けられていない。エンボス部４の間隙５Ｂに発熱体６Ｂの存在領域がある。
【００２３】
本例では、加熱面２ａに対して垂直な方向Ｃに向かって複数の発熱体６Ａ、６Ｂを加熱面２ａ上へと投影して見たときに、複数の発熱体６Ａ、６Ｂが略重複している。そして、本発明に従い、各発熱体６Ａ、６Ｂを加熱面２ａ上に投影して見たときに、加熱面２ａにおける発熱体６Ａ、６Ｂの存在領域にはエンボス部４が存在していない。つまり、各発熱体６Ａ、６Ｂの存在領域は、エンボス部４の間隙５Ｂ内に位置する。
【００２４】
本発明の他の好適な実施形態においては、基体内に複数の発熱体が埋設されており、各発熱体がそれぞれ対応する各平面に沿って埋設されており、加熱面に対して垂直な方向に向かって複数の発熱体を加熱面上へと投影して見たときに複数の発熱体が互いに相異なる領域に存在している。この場合には、ヒートスポットが加熱面に各発熱体の埋設形状に応じた形状に沿ってそれぞれ現れるので、加熱面において各ヒートスポットの間隙にエンボス部を形成する。
【００２５】
図６のセラミックヒーター１Ｅはこの実施形態に係るものである。基体２内には、複数、例えば２列の発熱体６Ｃ、６Ｄが埋設されている。各発熱体６Ｃ、６Ｄは、それぞれ、互いに平行な平面Ａ、Ｂに沿って延びるように埋設されている。各発熱体６Ｃ、６Ｄは、それぞれ、端子９、１０を介して、電源１１、１２に接続されている。
【００２６】
本例では、加熱面２ａに対して垂直な方向Ｃに向かって複数の発熱体６Ｃ、６Ｄを加熱面２ａ上へと投影して見たときに、複数の発熱体６Ｃ、６Ｄが、加熱面２ａにおいて相異なる領域に存在している。そして、本発明に従い、各発熱体６Ｃ、６Ｄを加熱面２ａ上に投影して見たときに、加熱面２ａにおける発熱体６Ｃ、６Ｄの各存在領域の両方ともに、エンボス部４が存在しておらず、各発熱体６Ｃ、６Ｄの存在領域は、エンボス部４の間隙５Ｄ内に位置する。
【００２７】
各エンボス部４の高さは、被処理物へのヒートスポットの影響を抑制するという観点から、５−５００μｍとすることが好ましい。
【００２８】
本発明においては、個々の各エンボス部の直径φは種々変更できるが、被処理物の温度の均一性の観点からは  φを０．２−１０ｍｍとすることが好ましい。
【００２９】
また、個々の各エンボス部の平面的形状や平面的寸法は種々変更できる。例えばエンボス部の被処理物への接触面の形状は、三角形、四角形、六角形、八角形等の多角形、またはリング状や帯状であってよい。また、エンボス部の個数についても特に限定されない。しかし、被処理物、特に半導体ウエハーや液晶パネルの半導体製造用の基板に対する吸着力を、被処理物の全面にわたって均一化するという観点からは、単位面積当たりのエンボス部の個数を、０．００２５−０．３２個／ｍｍ2 とすることが特に好ましい。
【００３０】
各エンボス部の高さ等の形状は、ダイヤルゲージもしくは三次元形状測定装置によって測定する。
【００３１】
一般に、セラミックヒーターの基体２の材質は限定しないが、パーティクルの発生を一層低減させるという観点からは、窒化アルミニウム系セラミックス、窒化アルミニウムを含む複合材料、アルミナ系セラミックス、アルミナを含む複合材料、アルミナと窒化アルミニウムとの複合セラミックスが好ましい。
【００３２】
エンボス部の材質は特に限定されないが、パーティクルの発生を一層低減させるという観点からは、窒化アルミニウム系セラミックス、窒化アルミニウムを含む複合材料、アルミナ系セラミックス、アルミナを含む複合材料、アルミナと窒化アルミニウムとの複合セラミックスが好ましい。エンボス部は、ブラスト加工、化学的気相成長法などによって形成できる。
【００３３】
発熱体の材質も限定されず、導電性セラミックスや金属であってよいが、高融点金属が特に好ましく、モリブデン、タングステン、モリブデンとタングステンとの合金が特に好ましい。
【００３４】
本発明においては、セラミックヒーターの基体の内部において加熱面と発熱体との間に空間を設け、この空間内に複数の熱伝導体を空間を横断するように設けることができる。このように、基体内部に空隙を形成することによって、基体内部での熱伝導を抑制すると共に、空隙内の一部領域においては伝導体を設けて熱伝導を促進することで、ヒートスポットの発生を抑制することは知られていない。
【００３５】
基体内に前記空間が存在しない場合に加熱面の平均温度が目的温度に昇温したときに、加熱面において表面温度が相対的に高いヒートスポットが存在する場合に、本発明に従って前記空間および熱伝導体を形成することが特に有利である。この場合には、加熱面に対して垂直な方向に向かって熱伝導体およびヒートスポットを加熱面上へと投影して見たときに、熱伝導体がヒートスポットの間隙に設けられるように、かつ熱伝導体がヒートスポット上に来ないように設計する。
【００３６】
本発明の好適な実施形態においては、加熱面に対して垂直な方向に向かって熱伝導体およびヒートスポットを加熱面上へと投影して見たときに、ヒートスポットにおける熱伝導体の単位面積当たりの個数が、ヒートスポット以外の領域における熱伝導体の単位面積当たりの個数よりも少ない。（ヒートスポットにおける熱伝導体の単位面積当たりの個数）／（ヒートスポット以外の領域における熱伝導体の単位面積当たりの個数）の比率は、本発明の効果を奏する上で１／３以下であることが好ましい。
【００３７】
特に好ましくは、発熱体が基体内に平面状に埋設されており、加熱面に対して垂直な方向に向かって熱伝導体および発熱体を加熱面上へと投影して見たときに、発熱体の間隙に熱伝導体が形成されている。
【００３８】
図７（ａ）、（ｂ）は、この実施形態に係るセラミックヒーター１Ｃを示すものである。図７（ａ）は、セラミックヒーター１Ｃの横断面図であり、図７（ｂ）はセラミックヒーター１Ｃの縦断面図である。
【００３９】
セラミックヒーター１Ｃの基体１２内には、横方向に延びる空間７が形成されている。基体１２は、空間７によって、支持部１２ａと表層部１２ｂとに分かれている。支持部１２ａ内に発熱体６が形成されている。表層部１２ｂ上に加熱面１２ｃが設けられている。空間７内の所定箇所に熱伝導体１４が形成されており、熱伝導体１４によって、支持部１２ａと表層部１２ｂとがつながっている。また、基体１２の外周側には外周接続部１２ｄが設けられており、これによって支持部１２ａと表層部１２ｂとが接続されている。
【００４０】
発熱体６は、基体１２内に平面Ｄに沿って埋設されている。図７（ａ）においては、発熱体６を点線で図示してある。加熱面１２ｃに対して垂直な方向Ｃに向かって熱伝導体１４および発熱体６を加熱面１２ｃ上へと投影して見たときに、発熱体６の間隙に熱伝導体１４が形成されている。
【００４１】
また、好適な実施形態においては、基体内に複数の発熱体が埋設されており、各発熱体がそれぞれ対応する各平面に沿って埋設されており、加熱面に対して垂直な方向に向かって複数の発熱体を加熱面上へと投影して見たときに複数の発熱体が略重複して存在している。この場合には、加熱面において、ヒートスポットも各発熱体と同じ存在領域に現れるので、その領域には熱伝導体が存在しないようにすることで、基体の内部における熱伝導を抑制する。
【００４２】
また、好適な実施形態においては、基体内に複数の発熱体が埋設されており、各発熱体がそれぞれ対応する各平面に沿って埋設されており、加熱面に対して垂直な方向に向かって複数の発熱体を前記加熱面上へと投影して見たときに複数の発熱体が互いに相異なる領域に存在している。この場合には、加熱面において、各発熱体に対応して、相異なる領域にそれぞれ別のヒートスポットが現れる。従って、その領域には熱伝導体が存在しないようにすることで、基体の内部における熱伝導を抑制する。
【００４３】
空間内の圧力は３Ｔｏｒｒ以下とすることが特に好ましく、これによって空間内における対流熱伝導を抑制して輻射熱伝導が支配的な条件とし、ヒートスポットを効果的に抑制できる。
【００４４】
熱伝導体の材質は特に限定されないが、基体と同材質であることが好ましく、窒化アルミニウム系セラミックス、窒化アルミニウムを含む複合材料、アルミナ系セラミックス、アルミナを含む複合材料、アルミナと窒化アルミニウムとの複合セラミックスが好ましい。
【００４５】
【実施例】
（実験１）
図３−図５に概略的に示すセラミックヒーターを製造した。具体的には、還元窒化法によって得られた窒化アルミニウム粉末を使用し、この粉末にアクリル系樹脂バインダーを添加し、噴霧造粒装置によって造粒し、造粒顆粒を得た。３層のシート状成形体を順次一軸加圧成形し、３層の成形体を積層し、一体化した。この一軸加圧成形体の中には、モリブデン製のコイル状の抵抗発熱体６Ａおよび６Ｂを埋設した。
【００４６】
この成形体をホットプレス型中に収容し、密封した。昇温速度３００℃／時間で温度を上昇させ、この際、室温〜１０００℃の温度範囲で減圧を行った。この温度の上昇と同時に圧力を上昇させた。最高温度を１８００℃とし、最高温度で４時間保持し、圧力を２００ｋｇｆ／ｃｍ2 とし、窒素雰囲気下で焼成し、焼結体を得た。この焼結体を機械加工し、更に仕上げ加工してヒーターを得た。基体２の直径を２４０ｍｍとし、厚さを１８ｍｍとした。抵抗発熱体６Ａと６Ｂとの間隔を５．５ｍｍとした。
【００４７】
基体２の表面をサンドブラスト加工することによって、エンボス部４を形成した。ただし、エンボス部４の高さは２０μｍとし、エンボス部の径はφ３ｍｍとし、密度は１．５個／ｃｍ2 とした。各交流電源からの供給電力を制御することによって、加熱装置の加熱面の平均温度を約６５０℃にした。チャンバー内の圧力は、高真空、３Ｔｏｒｒ、３０Ｔｏｒｒ、５０Ｔｏｒｒとした。
【００４８】
そして、加熱面上にシリコンウエハーを静置し、シランガスを供給することによって、シリコン膜を形成し、得られたシリコン膜の表面状態を観察した。この結果、チャンバー内の圧力が高真空、３Ｔｏｒｒの場合には、発熱体に対応したパターンはまったく観測できなかった。３０Ｔｏｒｒ、５０Ｔｏｒｒの場合には、発熱体に対応したパターンが一応観察された。このため、更に詳細な調査を行い、隣り合う模様の間で厚さの分布を測定したところ、１％以下であった。これは、ウエハー全体の膜厚の分布の大きさの半分以下であるので、実用上は問題がない。
【００４９】
（実験２）
実験２と同様にしてセラミックヒーターを製造し、シリコン膜上のパターンを観測した。ただし、図４、図５に示すパターンの発熱体６Ａ、６Ｂを使用した。また、加熱面上のエンボス部のパターンは完全にランダムとし、エンボス部が発熱体上にも位置するようにした。これと共に、図７（ａ）、（ｂ）に示すような形態の空間７および熱伝導体１４を使用した。熱伝導体１４の材質も窒化アルミニウムとした。空間７の厚さは２ｍｍとし、直径は２１０ｍｍとし、熱伝導体１４の直径は６ｍｍとした。測定時におけるチャンバー内の圧力は、高真空、３Ｔｏｒｒ、３０Ｔｏｒｒ、５０Ｔｏｒｒ、１５０Ｔｏｒｒとした。
【００５０】
この結果、いずれの圧力下においても、発熱体に対応したパターンは観測できなかった。
【００５１】
（実験３）
実験２において、空間７および熱伝導体１４を設けなかった。測定時におけるチャンバー内の圧力は、高真空、３Ｔｏｒｒ、３０Ｔｏｒｒ、５０Ｔｏｒｒ、１５０Ｔｏｒｒとした。
【００５２】
この結果、いずれの圧力下においても、シリコン膜の外観において、発熱体に対応したパターンが明瞭に目視できた。
【００５３】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、被処理物を支持し、加熱する加熱面が設けられたセラミック基体、基体内に埋設されている発熱体、および加熱面に被処理物に接触するエンボス部を備えているセラミックヒーターであって、加熱面のヒートスポットによる被処理物への悪影響を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、セラミックヒーターにおけるヒートスポットのパターンの一例を示す図であり、（ｂ）は、セラミックヒーター１Ａの加熱面２ａの形態を示す平面図である。
【図２】セラミックヒーター１Ｂを示す平面図である。
【図３】セラミックヒーター１Ｄを示す縦断面図である。
【図４】セラミックヒーター１Ｄの加熱面を示す平面図であり、発熱体６Ａのパターンを点線によって示している。
【図５】セラミックヒーター１Ｄの加熱面を示す平面図であり、発熱体６Ｂのパターンを点線によって示している。
【図６】セラミックヒーター１Ｅを示す縦断面図である。
【図７】（ａ）はセラミックヒーター１Ｃの平面図であり、（ｂ）はセラミックヒーター１Ｃの縦断面図である。
【符号の説明】
１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ  セラミックヒーター        ２基体        ２ａ  基体の加熱面        ３  ヒートスポット        ４  エンボス部        ５  エンボス部の間隙        ５Ａ、５Ｂ  エンボス部の間隙（発熱体が存在する間隙）        ６、６Ａ、６Ｂ  発熱体        Ａ、Ｂ、Ｄ発熱体が設けられている平面        Ｃ  加熱面に対して垂直な方向
【図１】
0004328003.tif 000002
【図２】
0004328003.tif 000003
【図３】
0004328003.tif 000004
【図４】
0004328003.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
0004328003.tif 000008