(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層及びフリー磁性層を有する多層膜が設けられ、前記多層膜の各層の膜面と垂直方向に電流が流れる磁気検出素子において、
前記多層膜の下側には、前記多層膜のトラック幅方向の両側端面よりもトラック幅方向に延びて形成された下部シールド層が設けられ、前記多層膜の上側には、前記多層膜のトラック幅方向の両側端面よりもトラック幅方向に延びて形成された上部シールド層が設けられ、
前記多層膜のトラック幅方向の両側であって、前記下部シールド層と上部シールド層間には、サイドシールド層が設けられており、
前記サイドシールド層は磁性材料で形成された単層あるいは多層構造で形成され、前記固定磁性層及びフリー磁性層よりも高い比抵抗値を有する磁性材料で形成されることを特徴とする磁気検出素子。
【請求項２】
前記サイドシールド層と多層膜のトラック幅方向の両側端面間には絶縁層が設けられている請求項１記載の磁気検出素子。
【請求項３】
前記絶縁層のトラック幅方向における膜厚は、０．００３μｍ以上で０．０６μｍ以下である請求項２記載の磁気検出素子。
【請求項４】
前記絶縁層のトラック幅方向における膜厚は、０．００３μｍ以上で０．０３μｍ以下である請求項２記載の磁気検出素子。
【請求項５】
前記サイドシールド層は、上部シールド層及び／または下部シールド層と異なる磁性材料で形成されている請求項１ないし４のいずれかに記載の磁気検出素子。
【請求項６】
前記サイドシールド層は、それを構成する少なくとも一つの層がＣｏ系アモルファス材料で形成される請求項１ないし５のいずれかに記載の磁気検出素子。
【請求項７】
前記サイドシールド層は、それを構成する少なくとも一つの層が組成式がＦｅ−Ｍ−Ｏ（ただし元素Ｍは、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｓｉ，Ｐ，Ｃ，Ｗ，Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｇｅと希土類元素から選ばれる１種または２種以上の元素）からなる磁性材料で形成される請求項１ないし５のいずれかに記載の磁気検出素子。
【請求項８】
反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層及びフリー磁性層を有する多層膜が設けられ、前記多層膜の各層の膜面と垂直方向に電流が流れる磁気検出素子において、
前記多層膜の下側には、前記多層膜のトラック幅方向の両側端面よりもトラック幅方向に延びて形成された下部シールド層が設けられ、前記多層膜の上側には、前記多層膜のトラック幅方向の両側端面よりもトラック幅方向に延びて形成された上部シールド層が設けられ、
前記多層膜のトラック幅方向の両側であって、前記下部シールド層と上部シールド層間には、サイドシールド層が設けられており、
前記サイドシールド層は、反強磁性層と軟磁性層との積層構造で形成された交換結合膜であることを特徴とする磁気検出素子。
【請求項９】
前記上部シールド層は、前記多層膜の上面に接して形成される請求項１ないし８のいずれかに記載の磁気検出素子。
【請求項１０】
前記上部シールド層とサイドシールド層間には絶縁層が介在する請求項９記載の磁気検出素子。
【請求項１１】
前記下部シールド層は、前記多層膜の下面に接して形成される請求項１ないし１０のいずれかに記載の磁気検出素子。
【請求項１２】
前記下部シールド層とサイドシールド層間には絶縁層が介在する請求項１１記載の磁気検出素子。
【請求項１３】
前記サイドシールド層は、上部シールド層あるいは下部シールド層のいずれか一方と一体に形成されている請求項１ないし４のいずれかに記載の磁気検出素子。
【請求項１４】
一体に形成された前記サイドシールド層及び上部シールド層あるいはサイドシールド層と下部シールド層には、Ｃｏ系アモルファス材料で形成された磁性領域が存在する請求項１３記載の磁気検出素子。
【請求項１５】
一体に形成された前記サイドシールド層及び上部シールド層あるいはサイドシールド層と下部シールド層には、組成式がＦｅ−Ｍ−Ｏ（ただし元素Ｍは、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｓｉ，Ｐ，Ｃ，Ｗ，Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｇｅと希土類元素から選ばれる１種または２種以上の元素）からなる磁性材料で形成された磁性領域が存在する請求項１３記載の磁気検出素子。
【請求項１６】
前記上部シールド層は、前記多層膜の上面に接して形成される請求項１３ないし１５のいずれかに記載の磁気検出素子。
【請求項１７】
前記下部シールド層は、前記多層膜の下面に接して形成される請求項１３ないし１６のいずれかに記載の磁気検出素子。
【請求項１８】
反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層及びフリー磁性層を有する多層膜が設けられ、前記多層膜の各層の膜面と垂直方向に電流が流れる磁気検出素子において、
前記多層膜の下側には、前記多層膜のトラック幅方向の両側端面よりもトラック幅方向に延びて形成された下部シールド層が設けられ、前記多層膜の上側には、前記多層膜のトラック幅方向の両側端面よりもトラック幅方向に延びて形成された上部シールド層が設けられ、
前記多層膜のトラック幅方向の両側であって、前記下部シールド層と上部シールド層間には、サイドシールド層が設けられており、
前記フリー磁性層の非磁性材料層と接する面の逆面側に、非磁性層を介してバイアス層が設けられることを特徴とする磁気検出素子。
【請求項１９】
前記非磁性材料層は、非磁性導電材料で形成される請求項１ないし１８のいずれかに記載の磁気検出素子。
【請求項２０】
前記非磁性材料層は、絶縁材料で形成される請求項１ないし１８のいずれかに記載の磁気検出素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＣＰＰ（current  perpendicular  to  the  plane）型の磁気検出素子に係り、特に狭トラック化においても実効再生トラック幅の広がりを抑えることができ、従来に比べてサイドリーディングの発生を抑制することが可能な磁気検出素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１６は従来における磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。
【０００３】
図１６に示す符号１は、下部電極層であり、前記下部電極層１の上面中央に、下から反強磁性層２、固定磁性層３、非磁性材料層４及びフリー磁性層５からなる多層膜６が形成されている。図１６に示すように前記多層膜６の上面のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の幅寸法で光学的トラック幅Ｏ−Ｔｗが決定される。
【０００４】
図１６に示すように、前記多層膜６のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側であって前記下部電極層１上には絶縁層７が形成されている。前記絶縁層７は、例えばＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などである。
【０００５】
図１６に示すように、前記絶縁層７上及び多層膜６上には上部電極層８が形成されている。
【０００６】
図１６に示す磁気検出素子は、多層膜６の上下に電極層１、８が形成され、前記電極層１、８からのセンス電流が多層膜６の各層の膜面に対し垂直方向から流れるＣＰＰ（current  perpendicular  to  the  plane）型と呼ばれる構造である。
【０００７】
前記ＣＰＰ型の磁気検出素子は、センス電流を前記多層膜６の膜面と平行な方向から流すＣＩＰ（current  in  the  plane）型の磁気検出素子に比べて狭トラック化においても再生出力の向上を図ることができるなど今後のさらなる高記録密度化に適切に対応することが可能な構造となっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで最近の高記録密度化に伴い狭トラック化が益々促進されるにつれて以下のような問題点が顕著化してきた。
【０００９】
すなわち磁気検出素子を有する磁気ヘッドを記録媒体上に浮上させ、ある記録トラックから発生する記録磁界の読み込みを行っているとき、前記磁気検出素子が前記記録トラックに隣接する記録トラック（以下、隣接トラックという）上に対向した位置になくとも、前記隣接トラックに距離的に近い位置であればあるほど、三次元的に広がる隣接トラックからの漏れ磁界（特に前記多層膜６のトラック幅方向の両側付近で発生している漏れ磁界）が磁気検出素子に侵入しやすくなり、多層膜６の両側部に近い領域において感知されるという現象が生じやすくなったのである。
【００１０】
この現象は、磁気検出素子の光学的トラック幅Ｏ−Ｔｗやトラックピッチ間隔が広ければさほど問題ではなかったが、特に光学的トラック幅Ｏ−Ｔｗが０．２μｍ以下になってくるとトラックピッチ間隔も狭くなり、検出対象の記録トラックからの磁界の大きさに対する、前記隣接トラックから侵入してくる漏れ磁界の大きさの割合が大きくなり、その結果、実効再生トラック幅寸法が光学的トラック幅Ｏ−Ｔｗより大きくなってしまうという現象が生じて、サイドリーディングの不具合を発生させ、磁気検出素子が記録媒体の高記録密度化に適切に対応できなくなるという問題が生じていた。
【００１１】
そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、ＣＰＰ型の磁気検出素子において、特に狭トラック化においても実効再生トラック幅の広がりを抑え、サイドリーディングの発生を適切に抑制することが可能な磁気検出素子を提供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層及びフリー磁性層を有する多層膜が設けられ、前記多層膜の各層の膜面と垂直方向に電流が流れる磁気検出素子において、
前記多層膜の下側には、前記多層膜のトラック幅方向の両側端面よりもトラック幅方向に延びて形成された下部シールド層が設けられ、前記多層膜の上側には、前記多層膜のトラック幅方向の両側端面よりもトラック幅方向に延びて形成された上部シールド層が設けられ、
前記多層膜のトラック幅方向の両側であって、前記下部シールド層と上部シールド層間には、サイドシールド層が設けられており、
前記サイドシールド層は磁性材料で形成された単層あるいは多層構造で形成され、前記固定磁性層及びフリー磁性層よりも高い比抵抗値を有する磁性材料で形成されることを特徴とするものである。
【００１３】
上記のように本発明では、シールドとなるべき層を、前記多層膜の下側（下部シールド層）と上側（上部シールド層）のみならず前記多層膜のトラック幅方向の両側にも設けることで、前記多層膜の上下及び両側左右を前記シールド層でほぼ囲む構造にすることができる。そしてこのような構造にすることで、狭トラック化の促進により従来問題となった隣接トラックからの漏れ磁界を前記サイドシールド層で適切に吸収することができ、狭トラック化においても従来に比べて実効再生トラック幅の広がりを抑えることができ、サイドリーディングの発生を効果的に抑制することが可能になるのである。
【００１４】
また本発明では、前記サイドシールド層と多層膜のトラック幅方向の両側端面間には絶縁層が設けられていることが好ましい。本発明のように多層膜の上下方向から電流を流すＣＰＰ型の磁気検出素子では、前記多層膜のトラック幅方向における両側端面とサイドシールド層とが直接接していると、前記電流が前記多層膜から前記サイドシールド層に分流する可能性がある。前記電流の分流は再生出力の低下を招くため好ましくない。
【００１５】
特に上記した問題は、前記多層膜を構成する非磁性材料層が絶縁材料で形成されたトンネル型磁気抵抗効果型素子である場合には、前記多層膜内を膜面垂直方向に流れる電流が固定磁性層及びフリー磁性層間を非磁性材料層を介して流れにくくサイドシールド層に分流しやすくなり、再生出力が大きく低下しやすい。したがって本発明では、前記サイドシールド層と多層膜の両側端面間に絶縁層を介在させて、前記多層膜内を適切に電流が流れるようにしたのである。
【００１６】
本発明では、前記絶縁層のトラック幅方向における膜厚は、０．００３μｍ以上で０．０６μｍ以下であることが好ましい。後述する実験によれば、前記絶縁層のトラック幅方向における膜厚を０．０６μｍ以下にすることで、実効再生トラック幅（磁気的再生トラック幅とも言う）から光学的トラック幅Ｏ−Ｔｗを引いた値を０．０１５μｍ以下に抑えることができ、狭トラック化においても効果的に実効再生トラック幅の狭小化を図ることができ、サイドリーディングの発生を抑制することが可能になる。
【００１７】
また本発明では、前記絶縁層のトラック幅方向における膜厚は、０．００３μｍ以上で０．０３μｍ以下であることがより好ましい。後述する実験によれば、前記絶縁層のトラック幅方向における膜厚を０．０３μｍ以下にすることで、実効再生トラック幅から光学的トラック幅Ｏ−Ｔｗを引いた値を０．０１μｍ以下に抑えることができる。
【００１８】
また本発明では、前記サイドシールド層は磁性材料で形成された単層あるいは多層構造で形成され、前記固定磁性層及びフリー磁性層よりも高い比抵抗値を有する磁性材料で形成されることが好ましい。これにより特にサイドシールド層が多層膜の両側端面に直接接して形成されているとき、電流が適切に固定磁性層及びフリー磁性層間を非磁性材料層を介して流れ、前記サイドシールド層に分流するのを効果的に抑制でき、再生出力の向上を図ることが可能になる。
【００１９】
また本発明では、前記サイドシールド層は磁性材料で形成された単層あるいは多層構造で形成され、上部シールド層及び／または下部シールド層と異なる磁性材料で形成されていることが好ましい。本発明では、前記サイドシールド層は上部シールド層及び下部シールド層と分離して形成されていてもよい。本発明では前記サイドシールド層を前記上部シールド層及び下部シールド層と別の磁性材料で形成することが可能になる。これにより前記サイドシールド層の材質の選択性を広げることができ、前記サイドシールド層に前記下部シールド層や上部シールド層よりも高い比抵抗値を有する磁性材料などを使用することが可能になる。
【００２０】
例えば、前記サイドシールド層は、それを構成する少なくとも一つの層がＣｏ系アモルファス材料で形成されることが好ましい。
【００２１】
また前記サイドシールド層は、それを構成する少なくとも一つの層が組成式がＦｅ−Ｍ−Ｏ（ただし元素Ｍは、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｓｉ，Ｐ，Ｃ，Ｗ，Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｇｅと希土類元素から選ばれる１種または２種以上の元素）からなる磁性材料で形成されることが好ましい。
【００２２】
上記したＣｏ系アモルファス材料やＦｅ−Ｍ−Ｏ材料は、一般的に下部シールド層や上部シールド層に使用される材質（パーマロイなど）に比べて高い比抵抗値を有している。前記Ｃｏ系アモルファス材料やＦｅ−Ｍ−Ｏ材料はスパッタなどで形成される。一方、下部シールド層や上部シールド層は、非常に厚い膜厚で形成される必要があるためにメッキ形成可能なパーマロイ（ＮｉＦｅ合金）などで形成されるが、前記サイドシールド層は、前記下部シールド層や上部シールド層に比べて膜厚が薄く、よってメッキ以外にもスパッタ形成可能な材質で形成することが可能になり、例えば上記したＣｏ系アモルファス材料などを使用することが可能になるのである。
【００２３】
また本発明は、反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層及びフリー磁性層を有する多層膜が設けられ、前記多層膜の各層の膜面と垂直方向に電流が流れる磁気検出素子において、
前記多層膜の下側には、前記多層膜のトラック幅方向の両側端面よりもトラック幅方向に延びて形成された下部シールド層が設けられ、前記多層膜の上側には、前記多層膜のトラック幅方向の両側端面よりもトラック幅方向に延びて形成された上部シールド層が設けられ、
前記多層膜のトラック幅方向の両側であって、前記下部シールド層と上部シールド層間には、サイドシールド層が設けられており、
前記サイドシールド層は、反強磁性層と軟磁性層との積層構造で形成された交換結合膜であることを特徴とするものである。この場合、交換結合磁界があまり強いと、シールドとして機能し得ないので、交換結合磁界は適度に弱くする必要性がある。
【００２４】
また本発明では、前記上部シールド層は、前記多層膜の上面に接して形成されることが好ましい。これはすなわち前記上部シールド層が上部電極を兼ね備えた構成である。かかる場合、前記上部シールド層とサイドシールド層間には絶縁層が介在することが好ましい。これにより前記上部シールド層から前記多層膜に流れる電流が、前記上部シールド層から前記サイドシールド層に分流せず、再生出力の向上を適切に図ることが可能になる。
【００２５】
また本発明では、前記下部シールド層は、前記多層膜の下面に接して形成されることが好ましい。これはすなわち前記下部シールド層が下部電極を兼ね備えた構成である。かかる場合、前記下部シールド層とサイドシールド層間には絶縁層が介在することが好ましい。これにより前記下部シールド層から前記多層膜に流れる電流が、前記下部シールド層から前記サイドシールド層に分流せず、再生出力の向上を適切に図ることが可能になる。
【００２６】
なお、サイドシールド層は、その上面（上部シールド層との間）か下面（下部シールド層との間）のどちらか一方が絶縁されていればよく、必ずしも上下面両方が絶縁されている必要性はない。
【００２７】
上記したように下部シールド層及び／または上部シールド層を多層膜と接して形成することで、前記シールド層間の間隔で決定されるギャップ長Ｇｌを短くでき、今後の高記録密度化を図る上で効果的である。しかも従来のように電極層をシールド層とは別個に設ける必要がなく、且つ本発明のように前記下部シールド層や上部シールド層を電極層として用いれば、前記多層膜から距離的に遠ざかることなく前記多層膜の上下及び両側左右をシールド層でほぼ囲む構成にすることができ、隣接トラックからの漏れ磁界をより適切に前記シールド層で吸収でき、より効果的に実効再生トラック幅の広がりを抑制することが可能になる。
【００２８】
また本発明では、前記サイドシールド層は、上部シールド層あるいは下部シールド層のいずれか一方と一体に形成されていてもよい。
【００２９】
また本発明では、一体に形成された前記サイドシールド層及び上部シールド層あるいはサイドシールド層と下部シールド層には、Ｃｏ系アモルファス材料で形成された磁性領域が存在してもよい。
【００３０】
また本発明では、一体に形成された前記サイドシールド層及び上部シールド層あるいはサイドシールド層と下部シールド層には、組成式がＦｅ−Ｍ−Ｏ（ただし元素Ｍは、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｓｉ，Ｐ，Ｃ，Ｗ，Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｇｅと希土類元素から選ばれる１種または２種以上の元素）からなる磁性材料で形成された磁性領域が存在してもよい。
【００３１】
また本発明では、前記上部シールド層は、前記多層膜の上面に接して形成されることが好ましい。
【００３２】
また本発明では、前記下部シールド層は、前記多層膜の下面に接して形成されることが好ましい。
【００３３】
また本発明は、反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層及びフリー磁性層を有する多層膜が設けられ、前記多層膜の各層の膜面と垂直方向に電流が流れる磁気検出素子において、
前記多層膜の下側には、前記多層膜のトラック幅方向の両側端面よりもトラック幅方向に延びて形成された下部シールド層が設けられ、前記多層膜の上側には、前記多層膜のトラック幅方向の両側端面よりもトラック幅方向に延びて形成された上部シールド層が設けられ、
前記多層膜のトラック幅方向の両側であって、前記下部シールド層と上部シールド層間には、サイドシールド層が設けられており、
前記フリー磁性層の非磁性材料層と接する面の逆面側に、非磁性層を介してバイアス層が設けられることを特徴とするものである。このようなバイアス層を用いる方式をインスタックバイアス（instack bias）方式と呼ぶ。このインスタックバイアス方式はＣＰＰ型の磁気検出素子に効果的に用いることができる。仮にセンス電流を多層膜の膜面と平行な方向から流すＣＩＰ型の磁気検出素子に、上記のインスタックバイアス方式を用いると、前記センス電流が前記バイアス層に分流し再生出力の低下を招き好ましくない。一方、ＣＰＰ型のように電流を多層膜の膜面と垂直方向から流す場合には、前記インスタックバイアス方式は電流の分流経路とはならず、再生出力が低下するといった心配もない。上記したインスタックバイアス方式は、ＣＰＰ型であって特に狭トラック化が促進されればされるほど効果的なバイアス方式である。
【００３４】
なお本発明では、前記非磁性材料層は、非磁性導電材料で形成されてもよいし、あるいは絶縁材料で形成されてもよい。
【００３５】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の第１の実施の形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側からみた断面図である。なお、図１ではＸ方向に延びる素子の中央部分のみを破断して示している。
【００３６】
図１に示す磁気検出素子（ＭＲヘッド）は、記録媒体に記録された外部信号を再生するためのものである。また本発明では、前記磁気検出素子の上に記録用のインダクティブヘッドが積層されていてもよい。
【００３７】
また前記磁気検出素子は、例えばアルミナ−チタンカーバイト（Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ）で形成されたスライダのトレーリング端面上に形成される。前記スライダは、記録媒体との対向面と逆面側で、ステンレス材などによる弾性変形可能な支持部材と接合され、磁気ヘッド装置が構成される。
【００３８】
図１に示す符号２０は、下部シールド層である。この実施形態では前記下部シールド層２０が下部電極を兼ねている。前記下部シールド層２０は磁性材料で形成される。材質としてはＮｉＦｅ合金（パーマロイ）やＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ（センダスト）などが用いられ、これら材質はメッキあるいはスパッタリングにより形成される。前記シールド層として必要な特性は、高い透磁率や低い磁歪定数などである。
【００３９】
図１に示すように前記下部シールド層２０の図示Ｘ方向における上面中央には、下から反強磁性層２１、固定磁性層２２、非磁性材料層２３、フリー磁性層２４及び非磁性層２５、バイアス層２６及び保護層２７がこの順で積層形成されている。
【００４０】
なお前記反強磁性層２１と前記下部シールド層２０間にＴａ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗのうち少なくとも１種以上で形成された下地層（図示しない）が設けられていてもよい。また前記下地層と反強磁性層２１間、あるいは前記反強磁性層２１と下部シールド層２０間には、ＣｒやＮｉＦｅＣｒなどで形成されたシードレイヤ（図示しない）が設けられていてもよい。前記シードレイヤを形成することで、前記シードレイヤ上に形成される各層の膜面と平行な方向における結晶粒径を大きくでき、耐エレクトロマイグレーションの向上に代表される通電信頼性の向上や抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）の向上などをより適切に図ることができる。
【００４１】
図１に示す前記下部シールド層２０上に形成された反強磁性層２１は、元素Ｘ（ただしＸは、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓのうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料で形成されることが好ましい。あるいは前記反強磁性層２１は、元素Ｘと元素Ｘ′（ただし元素Ｘ′は、Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ａｕ，Ｐｂ、及び希土類元素のうち１種または２種以上の元素である）とＭｎを含有する反強磁性材料により形成されることが好ましい。
【００４２】
これらの反強磁性材料は、耐食性に優れしかもブロッキング温度も高く次に説明する固定磁性層２２を構成する磁性層２８との界面で大きな交換異方性磁界を発生し得る。また前記反強磁性層２１は８０Å以上で３００Å以下の膜厚で形成されることが好ましい。
【００４３】
次に前記反強磁性層２１上に形成された固定磁性層２２はこの実施形態では３層構造で形成されている。
【００４４】
前記固定磁性層２２を構成する符号２８、３０の層は磁性層であり、磁性層２８と磁性層３０との間に、Ｒｕなどで形成された非磁性中間層２９が介在し、この構成により、前記磁性層２８と磁性層３０の磁化方向は互いに反平行状態にされる。これはいわゆる積層フェリ構造と呼ばれる。前記非磁性中間層２９は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｒｅ、Ｃｕのうち１種またはこれらの２種以上の合金で形成されている。特に前記非磁性中間層２９はＲｕによって形成されることが好ましい。
【００４５】
前記反強磁性層２１と前記固定磁性層２２の前記反強磁性層２１に接する磁性層２８との間には磁場中熱処理によって交換異方性磁界が発生し、例えば前記磁性層２８の磁化がハイト方向（図示Ｙ方向）に固定された場合、もう一方の磁性層３０はＲＫＫＹ相互作用により、ハイト方向とは逆方向（図示Ｙ方向と逆方向）に磁化され固定される。この構成により前記固定磁性層２２の磁化を安定した状態にでき、また前記固定磁性層２２全体と前記反強磁性層２１との間で発生する交換異方性磁界を見かけ上大きくすることができる。
【００４６】
なお例えば、前記磁性層２８、３０の膜厚は１０〜７０Å程度、非磁性中間層２９の膜厚は３Å〜１０Å程度で形成で形成される。
【００４７】
また前記磁性層２８と磁性層３０はそれぞれ単位面積当たりの磁気モーメントが異なっている。前記磁気モーメントは飽和磁化Ｍｓ×膜厚ｔで設定され、前記磁性層２８と磁性層３０の磁気モーメントを異ならせることで適切に前記磁性層２８と磁性層３０を積層フェリ構造にすることが可能である。
【００４８】
前記磁性層３０の上には非磁性材料層２３が形成されている。前記非磁性材料層２３は例えばＣｕなどの電気抵抗の低い導電性材料によって形成される。前記非磁性材料層２３は例えば２５Å程度の膜厚で形成される。
【００４９】
前記非磁性材料層２３がＣｕなどの非磁性導電材料で形成されるとき、図１の磁気検出素子は、ＣＰＰ型のスピンバルブＧＭＲ型磁気抵抗効果素子（ＣＰＰ−ＧＭＲ）となる。あるいは前記非磁性材料層２３はＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの絶縁材料で形成されてもよい。前記非磁性材料層２３が絶縁材料で形成された磁気検出素子は、トンネルＭＲ効果（ＴＭＲ効果）を利用したスピンバルブトンネル型磁気抵抗効果型素子（ＣＰＰ−ＴＭＲ）となる。
【００５０】
次に前記非磁性材料層２３の上にはフリー磁性層２４が形成される。この実施形態では、前記フリー磁性層２４は磁性層の２層構造で形成される。また前記フリー磁性層２４の全体の膜厚は、２０Å以上で１００Å以下程度の膜厚で形成されることが好ましい。
【００５１】
前記フリー磁性層２４を構成する磁性層３１、３２は、ＣｏＦｅ合金、ＣｏＦｅＮｉ合金、ＮｉＦｅ合金、Ｃｏのいずれかの１種であることが好ましい。磁性層３１はＣｏＦｅ合金、磁性層３２はＮｉＦｅ合金で形成されることがより好ましい。前記磁性層３１は、前記フリー磁性層２４と非磁性材料層２３間で元素の拡散を防止するための拡散防止層であり、またＣｏＦｅ合金からなる磁性層３１を設けることで、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）のさらなる向上を図ることができる。
【００５２】
図１に示す前記フリー磁性層２４上に設けられた非磁性層２５は、非磁性導電材料で形成されることが好ましい。具体的には、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｒｅ、Ｃｕのうち１種あるいは２種以上の合金で形成されていることが好ましい。なお前記非磁性層２５は、例えばＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの絶縁材料で形成されてもよいが、かかる場合、前記非磁性層２５を薄く形成して、前記上部シールド層と下部シールド層２０間に流れる電流が、前記非磁性層２５の部分で遮断されないようにすることが必要である。前記非磁性層２５の膜厚は２０〜１００Åで形成されることが好ましい。
【００５３】
そして前記非磁性層２５上には例えば永久磁石製のバイアス層（かかる場合ハードバイアス層という）２６が設けられている。前記バイアス層２６はＣｏＰｔＣｒ合金やＣｏＰｔ合金などで形成される。前記バイアス層２６は、他に軟磁性層と反強磁性層からなる交換結合膜であってもよい。
【００５４】
この実施形態では、前記フリー磁性層２４上に非磁性層２５を介して形成されたバイアス層２６（上記の交換結合膜でバイアス層２６が構成される場合、軟磁性層）の両側端部から前記フリー磁性層２４に向けて縦バイアス磁界が供給されて（矢印で示す）、前記フリー磁性層２４の磁化が図示Ｘ方向に向けられるようになっている。
【００５５】
図１に示す前記バイアス層２６の上に形成された保護層２７はＴａなどの非磁性材料で形成される。
【００５６】
なおこの明細書では図１に示す反強磁性層２１から保護層２７までの各層で構成された積層体を多層膜３３と呼ぶ。
【００５７】
図１に示す実施形態では、前記多層膜３３のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側端面３３ａよりもさらにトラック幅方向（図示Ｘ方向）に延出した下部シールド層２０の上面２０ａから前記多層膜３３の前記両側端面３３ａにかけて絶縁層３４が形成されている。前記絶縁層３４は例えばＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの絶縁材料からなりスパッタ成膜される。
【００５８】
そして前記絶縁層３４上にサイドシールド層３５が形成されている。前記サイドシールド層３５は磁性材料からなる。材質や膜構成等については後述する。
【００５９】
図１に示すように前記サイドシールド層３５上には絶縁層３６が形成されている。前記絶縁層３６は例えばＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの絶縁材料からなりスパッタ成膜される。
【００６０】
図１に示すように前記絶縁層３６上から前記多層膜３３の最上層である保護層２７上にかけて上部シールド層３７が形成される。前記上部シールド層３７はこの実施形態では上部電極の役割も有する。前記上部シールド層３７は磁性材料で形成される。前記上部シールド層３７は例えばＮｉＦｅ合金（パーマロイ）やセンダストなどからなりメッキやスパッタリングにより形成される。
【００６１】
この実施形態では、前記多層膜３３が形成された部分の下部シールド層２０と上部シールド層３７間の間隔、すなわち反強磁性層２１の下面から保護層２７の上面までの図示Ｚ方向の長さ寸法でギャップ長Ｇｌが決定されている。
【００６２】
図１に示す磁気検出素子は、電極として機能する下部シールド層２０及び上部シールド層３７が前記多層膜３３の上下に接して形成され、前記シールド層２０、３７から流れる電流が前記多層膜３３内を膜面と垂直方向（図示Ｚ方向）に流れるＣＰＰ（current  perpendicular  to  the  plane）型と呼ばれる構造である。
【００６３】
以下、図１に示す磁気検出素子の特徴的部分について説明する。図１に示すように、前記多層膜３３のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側であって、前記下部シールド層２０と上部シールド層３７間には、サイドシールド層３５が形成されている。
【００６４】
このように本発明では前記多層膜３３の両側にもシールド層（サイドシールド層３５）を設けたことで、前記多層膜３３の上下、および両側左右はほぼシールド層で囲まれた形状になる。したがって狭トラック化が進むにつれて従来問題とされた記録媒体の隣接トラックからの漏れ磁界は、前記サイドシールド層３５で適切に吸収され、前記漏れ磁界が前記多層膜３３内に侵入することを極力防ぐことができる。
【００６５】
ここで図１に示す実施形態では前記多層膜３３の上面のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法が光学的なトラック幅Ｏ−Ｔｗである。光学的なトラック幅Ｏ−Ｔｗとは光学顕微鏡あるいは電子顕微鏡で測定した幅寸法のことである。
【００６６】
一方、実効再生トラック幅（あるいは磁気的再生トラック幅ともいう）は、例えば、フルトラックプロファイル法やマイクロトラックプロファイル法によって測定される。
【００６７】
フルトラックプロファイル法は、図１５に示すように記録媒体上に磁気検出素子Ｒの素子幅よりも幅広の記録トラック幅Ｗｗの記録トラックで信号を記録しておき、磁気検出素子を、記録トラック上でトラック幅方向（Ｘ方向）に走査させて、磁気検出素子の記録トラック幅方向（Ｘ方向）の位置と再生出力との関係を測定する。その測定結果は、図１５の上側に示されている。
【００６８】
この測定結果の再生波形を見ると、記録トラックの中央付近では、再生出力が高くなり、記録トラックの中央から離れるにつれて再生出力は低くなることがわかる。
【００６９】
再生波形上の再生出力が最大値の５０％となる点Ｐａ及び点Ｐｂにおける接線とＸ軸との交点を、それぞれ点Ｐｃ、点Ｐｄとする。点Ｐｃと点Ｐｄの間の距離Ａと点Ｐａと点Ｐｂ間の距離（半値幅）Ｂの差（ＲＷ）が磁気検出素子の実効再生トラック幅となる。ここで、半値幅Ｂ＝実効記録トラック幅Ｗｗとなる。
【００７０】
実効再生トラック幅は実際にトラック幅として機能する幅寸法である。従って前記実効再生トラック幅と光学的なトラック幅Ｏ−Ｔｗとがイコールの関係にあれば最も好ましい。
【００７１】
本発明では前記多層膜３３のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側にサイドシールド層３５を設けたことで、記録媒体の隣接トラックからの漏れ磁界を適切に前記サイドシールド層３５で吸収することができ、前記多層膜３３に侵入してくる前記漏れ磁界量を従来に比べて小さくできる。したがって本発明では前記実効再生トラック幅を従来に比べて光学トラック幅Ｏ−Ｔｗの幅寸法に近い大きさにでき、従来、狭トラック化によって顕著になった実効再生トラック幅の広がりを抑制でき、サイドリーディングの発生などの不具合を効果的に減少させることが可能になる。
【００７２】
本発明ではさらに上記した実効再生トラック幅の広がりを効果的に抑制すべく以下のような工夫がなされている。
【００７３】
本発明では前記多層膜３３のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における両側端面３３ａとサイドシールド層３５間の距離を適切に調整している。この実施形態では前記多層膜３３の両側端面３３ａとサイドシールド層３５間に絶縁層３４が介在しているが本発明ではこの絶縁層３４の膜厚を適切に調整することでより適切に実効再生トラック幅の広がりを抑制している。
【００７４】
本発明では前記多層膜３３の両側端面３３ａとサイドシールド層３５間に介在する絶縁層３４のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における膜厚は、０．０６μｍ以下であることが好ましい。これにより実効再生トラック幅から光学的トラック幅Ｏ−Ｔｗを引いた値が、０．０１５μｍ以下になることが後述する実験により確認されている。
【００７５】
また本発明では、前記多層膜３３の両側端面３３ａとサイドシールド層３５間に介在する絶縁層３４のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における膜厚は、０．０３μｍ以下であることがより好ましい。これにより実効再生トラック幅から光学的トラック幅Ｏ−Ｔｗを引いた値が、０．０１μｍ以下になることが後述する実験により確認されている。
【００７６】
本発明では、上記のように多層膜３３の両側端面３３ａとサイドシールド層３５間に介在する絶縁層３４の膜厚を調整することで、実効再生トラック幅の広がりを適切に抑えることができ、サイドリーディングの発生を効果的に抑制することができる。
【００７７】
本発明では前記多層膜３３の両側端面３３ａに形成された前記絶縁層３４の図示Ｘ方向への膜厚は、０．００３μｍ以上であることが好ましい。前記絶縁層３４は、前記多層膜３３内を膜面と垂直方向に流れる電流が前記サイドシールド層３５に分流するのを抑制するために設けられたものである。従って前記絶縁層３４はある程度の膜厚を有している必要性があり、それが０．００３μｍなのである。
【００７８】
本発明では前記多層膜３３を構成する非磁性材料層２３がＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの絶縁材料で形成されたトンネル型磁気抵抗効果型素子である場合、特に前記多層膜３３の両側端面３３ａとサイドシールド層３５間に絶縁層３４の存在は重要となる。なぜなら前記多層膜３３の両側端面３３ａとサイドシールド層３５とが直接接して形成され、あるいは前記絶縁層３４の膜厚が非常に薄い場合などには前記多層膜３３を膜面と垂直方向に流れる電流がフリー磁性層２４と固定磁性層２２間を流れるとき、絶縁材料で形成された非磁性材料層２３よりも電気的な抵抗値の小さいサイドシールド層３５側に主に流れてしまい（すなわち分流してしまい）、再生出力が極端に小さくなってしまうからである。
【００７９】
前記非磁性材料層２３がＣｕなどの非磁性導電材料で形成されたスピンバルブＧＭＲ型磁気抵抗効果素子の場合でも、前記多層膜３３の両側端面３３ａとサイドシールド層３５間に絶縁層３４を介在させることが前記サイドシールド層３５への電流の分流を抑える上で好ましいが、前記絶縁層３４の必要性はトンネル型磁気抵抗効果型素子の場合に比べて低い。ただし絶縁層３４の有無は、単にスピンバルブＧＭＲ型磁気抵抗効果素子の構成であるか否かのみで判断することはできず、サイドシールド層３５の材質も重要な要素である。例えばサイドシールド層３５の比抵抗値が、特に多層膜３３を構成するフリー磁性層２４と固定磁性層２２の比抵抗値よりも低い場合には、多層膜３３の両側端面３３ａとサイドシールド層３５とが例えば直接接して形成されていると、前記多層膜３３内を流れるべき電流は前記フリー磁性層２４及び固定磁性層２２から前記サイドシールド層３５に分流しやすくなるからである。よって本発明では、前記サイドシールド層３５が前記固定磁性層２２及びフリー磁性層２４よりも高い比抵抗値を有する磁性材料で形成されることが好ましい。
【００８０】
次に図１に示す実施形態では、前記下部シールド層２０は、多層膜３３の下面に接して形成され、前記下部シールド層２０が下部電極としての役割を有している。例えば前記下部電極は下部シールド層２０と別個に設けることもできる（その実施形態は図７で説明する）。
【００８１】
しかし、前記下部シールド層２０を下部電極として使用すると、下部電極と下部シールド層とを別々に設ける必要性がないから磁気検出素子の製造過程を簡単にでき、さらに下部シールド層２０と上部シールド層３７間の図示Ｚ方向の間隔で決定されるギャップ長Ｇ１を短くでき、高記録密度化に適切に対応可能な磁気検出素子を製造することができる。
【００８２】
しかも前記下部シールド層２０と多層膜３３とが接して形成されるから、図示Ｙ方向から侵入してくる隣接トラックからの漏れ磁界のうち、前記多層膜３３の下面付近で発生する漏れ磁界を効果的に前記下部シールド層２０に吸収させることができ、サイドリーディングによるオフトラック時のエラーの発生が少ない再生特性により優れた磁気検出素子を提供することができる。
【００８３】
図１に示す実施形態では、前記下部シールド層２０と同様に前記上部シールド層３７は前記多層膜３３の上面に接して形成されている。よって図示Ｙ方向から侵入してくる隣接トラックからの漏れ磁界のうち、前記多層膜３３の上面付近で発生する漏れ磁界を効果的に前記上部シールド層３７に吸収させることができ、サイドリーディングの発生が少ない再生特性により優れた磁気検出素子を提供することができる。
【００８４】
また上記したように、下部シールド層２０及び上部シールド層３７を電極層兼用にして磁気検出素子の上下に接して形成することで、前記多層膜３３の上下、および両側左右を、より前記多層膜３３から遠ざけることなくシールド層２０、３５、３７で囲む構成にでき、記録媒体からの余分な漏れ磁界を拾わない、サイドリーディングの発生を従来よりも極端に抑え、線分解能を高めることが可能な磁気検出素子を提供することが可能になる。
【００８５】
例えば前記多層膜３３の膜面と平行な方向に電流を流すＣＩＰ型の磁気検出素子の場合、図１のような構成を実現することができない。なぜなら下部シールド層２０と上部シールド層３７を電極層として兼用することがそもそもできず、またＣＩＰ型の場合には、例えば少なくともフリー磁性層２４のトラック幅方向の両側にハードバイアス層を設ける構成が一般的であり（例えば前記フリー磁性層２４上に反強磁性層を設けたエクスチェンジバイアス方式というものがあるが、かかる方式では、多層膜３３を図１のような略台形状に形成せず、前記多層膜３３のトラック幅方向の幅寸法を光学的トラック幅Ｏ−Ｔｗよりも長く延ばして形成するので、本発明のようにサイドシールド層３５を設けるスペースがない）、したがって前記多層膜３３の両側全体をサイドシールド層３５で埋める構成にできないからである。
【００８６】
図１に示す実施形態では、既に説明したように、フリー磁性層２４上に非磁性層２５を介してバイアス層２６が設けられている。そしてこのバイアス層２６からの縦バイアス磁界が前記フリー磁性層２４に流入することで、前記フリー磁性層２４の磁化が図示Ｘ方向に単磁区化されている。
【００８７】
このバイアス方式は、インスタックバイアス（instack  bias）方式と呼ばれるものであるが、このバイアス方式は、ＣＰＰ型の磁気検出素子でしか実用価値がない。ＣＰＰ型の場合は、電流が多層膜３３の膜面と垂直方向に流れるから、前記バイアス層２６をフリー磁性層２４上に設けても前記バイアス層２６の存在が電流を分流する経路にはならない。しかしＣＩＰ型では電流が多層膜３３の膜面と平行な方向に流れるため、仮にＣＩＰ型に、本発明のようなインスタックバイアス方式を用いると、前記バイアス層２６に流れる電流が分流ロスとなり、したがって再生出力の低下を招いてしまう。したがって、このインスタックバイアス方式は、ＣＰＰ型の磁気検出素子に有効なバイアス手段であり、特に前記インスタックバイアス方式を用いることで、狭トラック化に適切に対応できる磁気検出素子を製造することが可能になる。
【００８８】
ただし、前記バイアス層２６から前記フリー磁性層２４に流入する縦バイアス磁界が強すぎると前記フリー磁性層２４がトラック幅方向に強く磁化され、記録媒体からの外部磁界に対し感度良く磁化反転できなくなるから、前記縦バイアス磁界の強さを適切に調整する必要性がある。前記縦バイアス磁界の強さは、前記バイアス層２６とフリー磁性層２４間に介在する非磁性層２５の膜厚に影響を受け、前記非磁性層２５の膜厚が薄ければ薄いほど前記縦バイアス磁界は強くなる。したがって前記非磁性層２５の膜厚を適切に調整して前記バイアス層２６からフリー磁性層２４に流入する縦バイアス磁界の大きさを調整しなければならない。本発明では前記非磁性層２５の膜厚を０．００２〜０．０１μｍで形成することが好ましい。
【００８９】
次に図１に示すように、前記下部シールド層２０の上面２０ａには前記絶縁層３４が形成されており、すなわち前記サイドシールド層３５と下部シールド層２０間には絶縁層３４が介在することが好ましい。これによって前記下部シールド層２０と上部シールド層３７間を流れる電流が前記下部シールド層２０からサイドシールド層３５に分流することがなくなり、再生出力の大きい磁気検出素子を製造することが可能になる。前記下部シールド層２０とサイドシールド層３５間に形成された絶縁層３４の膜厚は０．００３μｍ〜０．０１μｍであることが好ましい。
【００９０】
同様に図１に示す実施形態では、前記サイドシールド層３５と上部シールド層３７間にも絶縁層３６が介在する。前記絶縁層３６はＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの絶縁材料から形成される。これによって前記上部シールド層３７と下部シールド層２０間を流れる電流が前記上部シールド層３７からサイドシールド層３５に分流することがなくなり、再生出力の大きい磁気検出素子を製造することが可能になる。前記上部シールド層３７とサイドシールド層３５間に形成された絶縁層３６の膜厚は０．００３μｍ〜０．０１μｍであることが好ましい。
【００９１】
次に前記サイドシールド層３５の材質について以下に説明する。前記サイドシールド層３５は、下部シールド層２０や上部シールド層３７と同じ材質でもよいが、異なる材質で形成されていてもよい。
【００９２】
図１に示すように前記サイドシールド層３５は前記下部シールド層２０や上部シールド層３７から分離形成されている。よって前記サイドシールド層３５を上部シールド層３７及び下部シールド層２０と異なる材質で形成することが可能になる。
【００９３】
前記サイドシールド層３５を上部シールド層３７や下部シールド層２０と異なる材質で形成することで、次のように前記サイドシールド層３５を形成することが可能になる。
【００９４】
すなわち非常に膜厚が厚い下部シールド層２０や上部シールド層３７は、パーマロイ（ＮｉＦｅ合金）などの材質でメッキ形成されるのが一般的であるが、前記サイドシールド層３５は前記下部シールド層２０や上部シールド層３７に比べて非常に薄い膜厚なので、前記サイドシールド層３５をスパッタや蒸着可能な材質で形成することが可能になる。なお図１では、下部シールド層２０や上部シールド層３７に比べて、前記サイドシールド層３５の方が厚い膜厚で図示されているが、実製品では、前記下部シールド層２０や上部シールド層３７の方が前記サイドシールド層３５よりも厚い膜厚で形成される。具体的には、前記下部シールド層２０や上部シールド層３７は、１μｍ〜３μｍ程度の膜厚であるが、前記サイドシールド層３５の膜厚は、０．０１μｍ〜０．１μｍ程度の膜厚である。なおギャップ長Ｇ１が短くなればなるほど前記サイドシールド層３５の膜厚が小さくなっていくのは言うまでもない。
【００９５】
上記したように本発明では前記サイドシールド層３５をスパッタなどでも形成することができるから、前記サイドシールド層３５の材質の選択性を広げることができる。
【００９６】
前記サイドシールド層３５は、ニッケルの組成比が約８０ａｔ％のＮｉＦｅ合金やその他の軟磁性材料で形成される。前記サイドシールド層３５には、下部シールド層２０や上部シールド層３７と同様に、高い透磁率や低い磁歪定数などの特性が必要であるから、そのような特性を有する軟磁性材料を選択する必要性がある。
【００９７】
その他の軟磁性材料には、例えばＣｏ系アモルファス材料や組成式がＦｅ−Ｍ−Ｏ（ただし元素Ｍは、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｓｉ，Ｐ，Ｃ，Ｗ，Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｇｅと希土類元素から選ばれる１種または２種以上の元素）からなる磁性材料を選択できる。これら材質で形成されたサイドシールド層３５はいずれもスパッタや蒸着法で形成できる。
【００９８】
Ｃｏ系アモルファス材料としては、例えばＣｏ−Ｘ（但し元素Ｘは、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｉ、Ｐ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｂから選ばれる１種または２種以上）がある。Ｆｅ−Ｍ−Ｏ材料は、アモルファス相とｂｃｃ−Ｆｅの微結晶相とが入り交じった相組織となっている。
【００９９】
これらＣｏ系アモルファス材料やＦｅ−Ｍ−Ｏ材料は、ＮｉＦｅ合金などに比べて高い比抵抗値を有する。図１に示す実施形態では、多層膜３３の両側端面３３ａとサイドシールド層３５間に絶縁層３４が介在するものの、前記サイドシールド層３５をＣｏ系アモルファス材料などの高比抵抗材料で形成し、多層膜３３から前記サイドシールド層３５に分流する電流をさらに抑制できるようにすることがより好ましい。
【０１００】
比抵抗値に関しては、前記サイドシールド層３５の比抵抗が、多層膜３３を構成するフリー磁性層２４や固定磁性層２２の比抵抗よりも高いことが好ましい。前記フリー磁性層２４や固定磁性層２２の比抵抗値よりも高い比抵抗値を有する材質で前記サイドシールド層３５を形成すれば、前記サイドシールド層３５に分流する電流ロスをより適切に低減させることができ、再生出力の高い磁気検出素子を製造することが可能になる。なお上記したＣｏ系アモルファス材料やＦｅ−Ｍ−Ｏ材料で形成されたサイドシールド層３５は、ＮｉＦｅ合金などの磁性材料で形成されたフリー磁性層２４や固定磁性層２２よりも高い比抵抗値を有し、具体的にには１００〜１００，０００μΩ・ｃｍ程度である。
【０１０１】
次に前記サイドシールド層３５の上面３５ａの形成位置について以下に説明する。図１に示すように、好ましくは前記サイドシールド層３５の上面３５ａは、前記多層膜３３の上面３３ｂと同じ高さで形成されるか、あるいは前記多層膜３３の上面３３ｂよりも高い位置に形成されることである。これによって前記多層膜３３のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側は、前記絶縁層３４を介して前記サイドシールド層３５が確実にトラック幅方向で対向し、よって実効再生トラック幅の広がりを効果的に抑制でき、サイドリーディングの発生を適切に抑制することができる。ただし、前記サイドシールド層３５の上面３５ａが前記多層膜３３の上面３３ｂよりも低い位置であっても、従来のようにサイドシールド層３５が形成されていない場合に比べて、効果的に実効再生トラック幅の広がりを抑制し、サイドリーディングの発生を抑制することが可能になる。なお前記サイドシールド層３５の上面３５ａが前記多層膜３３の上面３３ｂよりも低い位置で形成される場合、前記サイドシールド層３５の形成位置については、前記サイドシールド層３５が少なくともフリー磁性層２４のトラック幅方向の両側に確実に対向するように前記サイドシールド層３５を形成することが好ましい。
【０１０２】
また前記サイドシールド層３５は、下部シールド層２０及び上部シールド層３７と同様にトラック幅方向（図示Ｘ方向）が磁化容易軸となるような、一軸異方性が付与されている必要がある。このため、前記サイドシールド層３５は、磁場中でスパッタ成膜されたりあるいは磁場中アニールされて、一軸異方性が付与されている。これによって前記サイドシールド層３５のシールド機能を向上させることができ、磁気検出素子の実効再生トラック幅の広がりを効果的に抑制することが可能になるとともに、シールドの磁区構造の不安定性に起因する再生波形の不安定性を回避することができる。
【０１０３】
図２以降は、本発明における磁気検出素子の別の実施形態である。図２は、本発明の第２の実施の形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側からみた断面図である。なお、図２ではＸ方向に延びる素子の中央部分のみを破断して示している。
【０１０４】
図２の実施形態において図１と異なる点は、図２では、図１のように、多層膜３３のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側に延出形成された下部シールド層２０の上面２０ａから前記多層膜３３の両側端面３３ａにかけて絶縁層３４が形成されていないことである。
【０１０５】
図２に示す実施形態は特に、非磁性材料層２３にＣｕなどの非磁性導電材料を使用して構成されたスピンバルブＧＭＲ型磁気検出素子に有効なものである。すなわち前記スピンバルブ型磁気抵抗効果素子では、下部シールド層２０及び上部シールド層３７から前記多層膜３３に流れる電流が、前記多層膜３３を膜面と垂直方向に流れたとき前記電流は、前記サイドシールド層３５の方に分流しにくく大きな再生出力を維持することができるのである。
【０１０６】
図２では、前記サイドシールド層３５が前記多層膜３３の両側端面３３ａに直接接して形成されているが、電流がフリー磁性層２４と固定磁性層２２間に流れる際に、電気的な抵抗の低いＣｕなどで形成された非磁性材料層２３を介さずに、電気的な抵抗の高いサイドシールド層３５に流れるということは、非磁性材料層２３が絶縁材料で形成されたトンネル型磁気抵抗効果型素子に比べて起こり難い。このため本発明では、特にスピンバルブＧＭＲ型磁気検出素子の場合、前記多層膜３３の両側端面３３ａに絶縁層３４を設けなくてもよいものと考えられる。これによってより効果的に実効再生トラック幅の広がりを抑えることができ、サイドリーディングの発生を従来に比べて抑制することが可能である。
【０１０７】
図２に示す実施形態でより好ましいのは、前記サイドシールド層３５が、固定磁性層２２及びフリー磁性層２４よりも高い比抵抗値を有する磁性材料で形成されていることである。これによってより適切に前記多層膜３３内を膜面と垂直方向に流れる電流が前記サイドシールド層３５に分流しにくくなる。
【０１０８】
そこで本発明では、図２に示す実施形態の場合、前記サイドシールド層３５は、Ｃｏ系アモルファス材料や組成式がＦｅ−Ｍ−Ｏ（ただし元素Ｍは、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｓｉ，Ｐ，Ｃ，Ｗ，Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｇｅと希土類元素から選ばれる１種または２種以上の元素）からなる磁性材料で形成されることがより好ましい。
【０１０９】
これら磁性材料は、フリー磁性層２４や固定磁性層２２として使用されるＮｉＦｅ合金やＣｏＦｅ合金に比べて高い比抵抗値を有し、前記Ｃｏ系アモルファス材料やＦｅ−Ｍ−Ｏ材料で形成されたサイドシールド層３５を用いることで、より効果的に前記サイドシールド層への分流ロスを無くすことができ再生出力の大きい磁気検出素子を形成することが可能になるのである。
【０１１０】
図２に示す実施形態では、前記サイドシールド層３５の上面３５ａに絶縁層３６が設けられている。これによって前記上部シールド層３７とサイドシールド層３５間に前記絶縁層３６が介在することになり、前記上部シールド層３７から前記多層膜３３に電流が流れる際に、前記電流が前記上部シールド層３７から前記サイドシールド層３５に分流するのを適切に防ぐことができ、再生出力のさらなる向上を図ることができる。
【０１１１】
また図３（図３は、本発明の第２の実施の形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側からみた断面図）に示すように、前記多層膜３３の両側端面３３ａからトラック幅方向（図示Ｘ方向）に延出した下部シールド層２０の上面２０ａにも絶縁層３４が設けられている方が、前記電流が前記下部シールド層２０から前記多層膜３３に流れる際に、前記電流が前記下部シールド層２０から前記サイドシールド層３５に分流するのを適切に防ぐことができ、再生出力のさらなる向上を図ることができて好ましい。
【０１１２】
なお前記絶縁層３４は前記下部シールド層２０とサイドシールド層３５の間にのみ設けられ、前記上部シールド層３７とサイドシールド層３５間に設けられていない実施形態でもよい。
【０１１３】
さらに本発明では、前記下部シールド層２０とサイドシールド層３５間、および上部シールド層３７とサイドシールド層３５間の双方に前記絶縁層が設けられていない実施形態でもよい。
【０１１４】
図４は、本発明の第４の実施の形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側からみた断面図である。
【０１１５】
図１ないし図３に示す実施形態では、前記サイドシールド層３５は磁性材料の単層構造であったが、図４に示す実施形態では、サイドシールド層４５が第１シールド層４３と第２シールド層４４の積層構造となっている。
【０１１６】
例えば下層にあたる第１シールド層４３をＮｉＦｅ合金などで形成し、上層にあたる第２シールド層４４をＣｏ系アモルファス材料やＦｅ−Ｍ−Ｏ材料（ただし元素Ｍは、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｓｉ，Ｐ，Ｃ，Ｗ，Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｇｅと希土類元素から選ばれる１種または２種以上の元素）などからなる磁性材料で形成する。
【０１１７】
前記第２シールド層４４を第１シールド層４３よりも高い比抵抗値を有する磁性材料で形成することで、前記サイドシールド層４５側に電流が分流するのを適切に抑えることができ、これによって再生出力の高い磁気検出素子を製造することが可能になる。特に図２や図３のように、多層膜３３の両側端面３３ａとサイドシールド層４５間に絶縁層が設けられない構成の場合には効果的である。
【０１１８】
前記第２シールド層４４を高い比抵抗とともにシールド機能に優れた特性（すなわち高い透磁率及び低い磁歪定数など）を有する磁性材料で形成できればそれに超したことはないが、比抵抗値を優先するあまり透磁率など若干、下部シールド層２０や上部シールド層３７に劣る場合には、第１シールド層４３に、シールド機能に優れた特性を有する磁性材料を使用することで、記録媒体の隣接トラックからの漏れ磁界が多層膜３３に侵入するのを適切に防ぐことができ、よって実効再生トラック幅の広がりを抑え、サイドリーディングの発生を抑制できると共に、分流ロスがなく再生出力も高い磁気検出素子を製造することが可能になる。
【０１１９】
なお図４に示す実施形態では、前記サイドシールド層４５が第１シールド層４３と第２シールド層４４の２層構造であるが、これが３層以上の積層構造であってもよいことは言うまでもない。
【０１２０】
図５は、本発明の第５の実施の形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側からみた断面図である。
【０１２１】
図５の磁気検出素子の実施形態は、図１ないし４の磁気検出素子の実施形態と異なり、サイドシールド層４２が、反強磁性層４０と軟磁性層４１とからなる交換結合膜で形成された構成となっている。
【０１２２】
図５で反強磁性層４０と軟磁性層４１からなる交換結合膜を使用できるのは、本発明では前記サイドシールド層４２が前記下部シールド層２０や上部シールド層３７とは分離された構成だからである。
【０１２３】
前記反強磁性層４０は、多層膜３３を構成する反強磁性層２１と同様に元素Ｘ（ただしＸは、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓのうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料で形成されていてもよいし、あるいは元素Ｘと元素Ｘ′（ただし元素Ｘ′は、Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ａｕ，Ｐｂ、及び希土類元素のうち１種または２種以上の元素である）とＭｎやＩｒＭｎを含有する反強磁性材料により形成されていてもよい。
【０１２４】
あるいは前記反強磁性層４０はＮｉＭｎやα−Ｆｅ2Ｏ3、さらには熱処理を加えなくても前記軟磁性層４１との間で交換結合磁界を発生させることができるＦｅＭｎなどで形成されていてもよい。
【０１２５】
前記反強磁性層４０は、多層膜３３を構成する反強磁性層２１と異なって、前記反強磁性層４０上に形成された軟磁性層４１を強く磁化するためのものではなく、前記軟磁性層４１に一軸異方性を付与するために設けられたものである。前記軟磁性層４１が強く磁化され、例えば固定磁性層２２のように磁化が固定されてしまうと前記軟磁性層４１をサイドシールド層４２として機能させることができなくなってしまう。
【０１２６】
一般的に前記反強磁性層４０と軟磁性層４１間で発生する交換結合磁界は、前記反強磁性層４０の膜厚が厚くなり、一方、軟磁性層４１の膜厚が薄くなると大きくなることが知られているから、前記反強磁性層４０及び軟磁性層４１の膜厚を適切に調整して、軟磁性層４１にさほど強くない交換結合磁界を与えることで一軸異方性あるいは一方向異方性が付与されるようにしなければならない。例えば前記反強磁性層４０の膜厚は５０〜１００Å程度、軟磁性層４１の膜厚は２００〜１０００Å程度である。
【０１２７】
次に前記軟磁性層４１は、従来から一般的に強磁性材料として使用されているＮｉＦｅ合金、ＣｏＦｅ合金、ＣｏＦｅＮｉ合金などで形成されてもよいが、Ｃｏ系アモルファス材料や組成式がＦｅ−Ｍ−Ｏ（ただし元素Ｍは、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｓｉ，Ｐ，Ｃ，Ｗ，Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｇｅと希土類元素から選ばれる１種または２種以上の元素）からなる磁性材料であってもよい。
【０１２８】
また前記軟磁性層４１は単層構造ではなく、図４に示すような２層以上の積層構造であってもかまわない。
【０１２９】
磁場中成膜あるいは磁場中熱処理によって反強磁性層４０と軟磁性層４１との間で交換結合磁界が発生すると前記軟磁性層４１は図示Ｘ方向に一軸異方性あるいは一方向異方性が付与され、サイドシールド層として機能する。
【０１３０】
また前記多層膜３３の両側端面３３ａとサイドシールド層４２との間に介在する絶縁層３４は形成されていなくてもよい。
【０１３１】
図６は、本発明の第６の実施の形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側からみた断面図である。
【０１３２】
図６に示す実施形態では、前記多層膜３３よりもトラック幅方向（図示Ｘ方向）に延出した下部シールド層２０の上面２０ａから前記多層膜３３の両側端面３３ａにかけて絶縁層３４が形成され、前記絶縁層３４上にサイドシールド層３５が形成されている。さらにこの実施形態では前記サイドシールド層３５上にバイアス下地層５０が形成され、前記バイアス下地層５０の上にハードバイアス層５１が形成されている。
【０１３３】
図６に示す実施形態では、図１ないし図５に示す実施形態のように、フリー磁性層２４上に非磁性層２５を介してバイアス層２６が設けられた構成ではない。図６に示す実施形態では、多層膜３３が下から反強磁性層２１、固定磁性層２２、非磁性材料層２３、フリー磁性層２４及び保護層２７の順に積層された構成となっている。
【０１３４】
そして図６に示すように、前記フリー磁性層２４のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側にはハードバイアス層５１が設けられており、前記ハードバイアス層５１からの縦バイアス磁界により前記フリー磁性層２４の磁化が図示Ｘ方向に単磁区化される。
【０１３５】
図６に示す実施形態では、前記サイドシールド層３５の上面３５ａが、前記フリー磁性層２４の下面に比べて下側に形成されている。前記多層膜３３の両側にはできるだけ前記サイドシールド層３５を厚い膜厚で形成しておく方が好ましいが、サイドシールド層３５の上面３５ａが前記フリー磁性層２４の下面よりも上方に位置すると、前記フリー磁性層２４のトラック幅方向の両側に対向するハードバイアス層５１の膜厚が薄くなり、前記ハードバイアス層５１から前記フリー磁性層２４に適度な大きさの縦バイアス磁界が流入せず、前記フリー磁性層２４の磁化を適切に単磁区化できなくなるので好ましくない。
【０１３６】
前記サイドシールド層３５には、図１で説明した材質、すなわちＮｉＦｅ合金や、Ｃｏ系アモルファス材料、Ｆｅ−Ｍ−Ｏ材料などを使用することができる。
【０１３７】
前記サイドシールド層３５上に形成されたバイアス下地層５０は、前記ハードバイアス層５１とサイドシールド層３５間の磁気的な干渉を弱める（あるいは絶縁する）ために設けられたものである。このバイアス下地層５０はＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの絶縁材料で形成されてもよいが、Ｔａなどの非磁性材料であってもよい。あるいは前記バイアス下地層５０をＣｒで形成することで前記ハードバイアス層５１の角形比や保磁力を向上させることができることがわかっている。
【０１３８】
前記バイアス下地層５０上に形成されたハードバイアス層５１は、ＣｏＰｔＣｒやＣｏＰｔなどの既存の永久磁石膜で形成される。
【０１３９】
図６に示す実施形態では、前記ハードバイアス層５１上にＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの絶縁材料で形成された絶縁層３６が形成されている。前記ハードバイアス層５１上に前記絶縁層３６を設けることで、前記上部シールド層３７から前記多層膜３３に流れる電流が前記ハードバイアス層５１に分流するのを防ぐことができ再生出力の大きな磁気検出素子を製造することが可能になる。
【０１４０】
また図６に示す実施形態では、前記多層膜３３の両側端面３３ａとサイドシールド層３５及びハードバイアス層５１との間に絶縁層３４が設けられているが、これは図１で説明したように、特に多層膜３３を構成する非磁性材料層２３がＡｌ2Ｏ3などの絶縁材料で形成されたトンネル型磁気抵抗効果型素子である場合、電流が非磁性材料層２３を介さずに前記サイドシールド層３５等に分流するのを防ぐためであった。それに加えて図６に示す実施形態では、前記多層膜３３の両側端面３３ａとハードバイアス層５１間に絶縁層３４が介在しているから、前記ハードバイアス層５１からの強い縦バイアス磁界が前記絶縁層３４を介すことで弱められ、前記フリー磁性層２４の磁化が前記ハードバイアス層５１からの縦バイアス磁界によって強く磁化されて感度が低下するといったことを抑制できる。特に狭トラック化が促進されると、前記ハードバイアス層５１から強い縦バイアス磁界が前記フリー磁性層２４に流入した場合、前記フリー磁性層２４全体が強く磁化されて再生感度が大きく低下するため深刻な問題となり、したがって今後の狭トラック化の促進のためには、前記多層膜３３の両側端面３３ａとハードバイアス層５１間に絶縁層３４を介在させておくのが好ましい。
【０１４１】
図７は、本発明の第７の実施の形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側からみた断面図である。
【０１４２】
図７に示す実施形態では、多層膜３３の下側に下部電極層５４が形成されている。前記下部電極層５４は、前記多層膜３３の両側端面３３ａよりもさらにトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側に延びて形成され、その延出された下部電極層５４の上面５４ａに絶縁層３４を介してサイドシールド層３５が形成されている。前記下部電極層５４は、例えばα−Ｔａ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｃｕ（銅）やＷ（タングステン）などで形成されている。
【０１４３】
図７に示すように、前記下部電極層５４の下にはＡｌ2Ｏ3などで形成された下部ギャップ層５３を介して磁性材料製の下部シールド層５２が形成されている。
【０１４４】
また図７に示すように、前記多層膜３３上及びサイドシールド層３５上には上部電極層５５が形成され、前記上部電極層５５の上にＡｌ2Ｏ3などで形成された上部ギャップ層５６を介して上部シールド層５７が形成されている。また図７に示すように前記上部電極層５５とサイドシールド層３５との間にはＡｌ2Ｏ3などで形成された絶縁層３６が形成されている。また前記上部電極層５５は、下部電極層５４と同様に、例えばα−Ｔａ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｃｕ（銅）やＷ（タングステン）などで形成されている。
【０１４５】
図７に示す実施形態では、前記下部シールド層５２及び上部シールド層５７とは別に、下部電極層５４及び上部電極層５５が設けられている。図１ないし図６に示す実施形態のように、下部シールド層２０及び上部シールド層３７を電極層としても機能させる場合に比べて、製造が煩雑化するが、図７に示す実施形態においても、前記多層膜３３のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側にサイドシールド層３５が設けられていることで、従来に比べて実効再生トラック幅の広がりを抑え、サイドリーディングの発生を適切に抑制することが可能になる。
【０１４６】
図８は、本発明の第８の実施の形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側からみた断面図である。
【０１４７】
この実施形態では、多層膜３３の膜構成は図１のものと同じである。この実施形態では、下部シールド層２０の上に前記多層膜３３が形成されている。さらに前記多層膜３３のトラック幅方向の両側端面から前記下部シールド層２０上にかけて絶縁層３４が形成されている。
【０１４８】
そして前記絶縁層３４上から前記多層膜３３の上面にかけてシールド層７０が形成されている。前記シールド層７０は図１に示すサイドシールド層３５と上部シールド層３７とが一体で形成されたものである。
【０１４９】
このようにサイドシールド層３５と上部シールド層３７とを一体で形成する場合、図１のように前記サイドシールド層３５と上部シールド層３７とを別々で形成する場合に比べて製造工程を容易化することができる。
【０１５０】
また前記シールド層７０は、ＮｉＦｅ合金など一般的にシールド層として用いる材質の他、Ｃｏ系アモルファス材料や組成式がＦｅ−Ｍ−Ｏ（ただし元素Ｍは、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｓｉ，Ｐ，Ｃ，Ｗ，Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｇｅと希土類元素から選ばれる１種または２種以上の元素）からなる磁性材料で形成される。前記Ｃｏ系アモルファス材料としては、例えばＣｏ−Ｘ（但し元素Ｘは、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐ、Ｓｉ、Ｂから選ばれる１種または２種以上）である。Ｆｅ−Ｍ−Ｏ材料は、アモルファス相とｂｃｃ−Ｆｅの微結晶相とが入り交じった相組織となっている。
【０１５１】
なお前記シールド層７０は、単層構造であってもよいし多層構造であってもよい。また多層構造の場合、上記したＣｏ系アモルファス材料や組成式がＦｅ−Ｍ−Ｏの磁性材料で形成された領域が一部に含まれていればよい。
【０１５２】
なお図８では、図１に示す上部シールド層３７として機能するシールド層７０の部分を、多層膜３３の上面に容易に接して形成できる。すなわち本発明では、前記シールド層７０の上部シールド層７０として機能する部分を、上部電極との兼用層として容易に形成することができる。
【０１５３】
また図９は、本発明の第９の実施の形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側からみた断面図である。
【０１５４】
この実施形態では、多層膜３３の膜構成は図１のものと同じである。この実施形態では、シールド層７１が形成され、このシールド層７１上に前記多層膜３３が形成される。前記多層膜３３の両側にはサイドシールド層３５となるべきシールド層７１が形成されている。この実施形態では図１に示す下部シールド層２０とサイドシールド層３５とが一体で形成されている。
【０１５５】
前記シールド層７１は、前記多層膜３３の上面とほぼ同程度の高さまで形成され、前記多層膜３３のトラック幅方向両側のシールド７１上面には絶縁層３６が形成され、前記絶縁層３６上から前記多層膜３３上にかけて上部シールド層３７が形成されている。
【０１５６】
前記シールド層７１は、ＮｉＦｅ合金など一般的にシールド層として用いる材質の他、Ｃｏ系アモルファス材料や組成式がＦｅ−Ｍ−Ｏ（ただし元素Ｍは、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｓｉ，Ｐ，Ｃ，Ｗ，Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｇｅと希土類元素から選ばれる１種または２種以上の元素）からなる磁性材料で形成される。前記Ｃｏ系アモルファス材料としては、例えばＣｏ−Ｘ（但し元素Ｘは、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐ、Ｓｉ、Ｂから選ばれる１種または２種以上）である。Ｆｅ−Ｍ−Ｏ材料は、アモルファス相とｂｃｃ−Ｆｅの微結晶相とが入り交じった相組織となっている。
【０１５７】
なお前記シールド層７１は、単層構造であってもよいし多層構造であってもよい。また多層構造の場合、上記したＣｏ系アモルファス材料や組成式がＦｅ−Ｍ−Ｏの磁性材料で形成された領域が一部に含まれていればよい。
【０１５８】
なお図９では、図１に示す下部シールド層２０として機能するシールド層７１の部分を、多層膜３３の下面に容易に接して形成できる。すなわち本発明では、前記シールド層７０の下部シールド層２０として機能する部分を、下部電極との兼用層として容易に形成することができる。
【０１５９】
また図８あるいは図９のように、サイドシールド層３５を上部シールド層３７あるいは下部シールド層２０と一体に形成した構造では、前記フリー磁性層２４の磁化制御は前記フリー磁性層２４上に非磁性層２５を介して形成された例えば永久磁石製のバイアス層（かかる場合ハードバイアス層という）２６で行う必要がある。
【０１６０】
前記バイアス層２６の機能については図１のところで説明したので詳細な説明は省略する。
【０１６１】
図８あるいは図９において、フリー磁性層２４の膜厚方向にバイアス層２６を設けなければならないのは、前記フリー磁性層２４のトラック幅方向の両側にハードバイアス層を置くことができないからである。
【０１６２】
以上、図１ないし図９を用いて本発明における磁気検出素子の構造について説明してきたが、本発明は図１ないし図９に示す磁気検出素子の構造に限定されるものではなく、様々な形態のＣＰＰ型の磁気検出素子に適用可能なものである。例えば図１ないし図９に示す磁気検出素子では、多層膜３３が下から反強磁性層２１、固定磁性層２２、非磁性材料層２３及びフリー磁性層２４の順に積層形成されているが、これが逆積層であってもよい。また前記多層膜３３がデュアル型のＣＰＰ型磁気検出素子であってもよい。また前記多層膜３３を構成する個々の層構造についても、例えば固定磁性層２２は積層フェリ構造であるが、これが磁性材料層のみで構成されていてもかまわないし、またフリー磁性層２４が積層フェリ構造であってもよい。
【０１６３】
また図５のようにサイドシールド層４２に反強磁性層４０と軟磁性層４１からなる交換結合膜を使用するとき、図４では下から反強磁性層４０、軟磁性層４１の順に積層されているが、逆積層、すなわち下から軟磁性層４１及び反強磁性層４０の順に積層形成されたものであってもかまわない。
【０１６４】
また図１ないし図６及び図８、図９に示す実施形態では、下部シールド層２０及び上部シールド層３７が共に電極をも兼ね備えたものであるが、一方が、図７のようにシールド層、ギャップ層及び電極層の膜構成あるいはシールド層と電極層が電気的に接続されていてもよい。
【０１６５】
なお本発明における磁気検出素子は、ハードディスク装置に搭載される薄膜磁気ヘッドにのみ使用可能なものではなく、テープ用磁気ヘッドや磁気センサなどにも使用可能なものである。
【０１６６】
次に本発明における磁気検出素子の製造方法について以下に説明する。図１０ないし図１２は本発明における磁気検出素子の製造過程を示す一工程図であり、各図は製造中の磁気検出素子を記録媒体との対向面と平行な方向から切断した部分断面図である。
【０１６７】
図１０に示す工程では、まず下部電極を兼ね備えた下部シールド層２０上に、下から反強磁性層２１、固定磁性層２２、非磁性材料層２３、フリー磁性層２４、非磁性層２５、バイアス層２６及び保護層２７をこの順に積層形成する。成膜にはスパッタや蒸着法が使用される。スパッタにはＤＣマグネトロンスパッタ、ＲＦスパッタ、イオンビームスパッタ法、ロングスロースパッタ法、コリメーションスパッタ法などを使用できる。
【０１６８】
本発明では、前記反強磁性層２１をＰｔ−Ｍｎ（白金−マンガン）合金膜により形成することが好ましい。あるいは前記Ｐｔ−Ｍｎ合金に代えて、Ｘ―Ｍｎ（ただしＸは、Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕのいずれか１種または２種以上の元素である）で、あるいはＰｔ―Ｍｎ―Ｘ′（ただしＸ′は、Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ａｕ，Ａｇのいずれか１種または２種以上の元素である）で形成してもよい。
【０１６９】
また前記ＰｔＭｎ合金及び前記Ｘ−Ｍｎの式で示される合金において、ＰｔあるいはＸが３７〜６３ａｔ％の範囲であることが好ましい。また、前記ＰｔＭｎ合金及び前記Ｘ−Ｍｎの式で示される合金において、ＰｔあるいはＸが４７〜５７ａｔ％の範囲であることがより好ましい。特に規定しない限り、〜で示す数値範囲の上限と下限は以下、以上を意味する。
【０１７０】
また、Ｐｔ−Ｍｎ−Ｘ’の式で示される合金において、Ｘ’＋Ｐｔが３７〜６３ａｔ％の範囲であることが好ましい。また、前記Ｐｔ−Ｍｎ−Ｘ’の式で示される合金において、Ｘ’＋Ｐｔが４７〜５７ａｔ％の範囲であることがより好ましい。さらに、前記Ｐｔ−Ｍｎ−Ｘ’の式で示される合金において、Ｘ’が０．２〜１０ａｔ％の範囲であることが好ましい。ただし、Ｘ’がＰｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｎｉ，Ｆｅのいずれか１種または２種以上の元素である場合には、Ｘ’は０．２〜４０ａｔ％の範囲であることが好ましい。
【０１７１】
また本発明では前記反強磁性層２１の膜厚を８０Å以上で３００Å以下で形成することが好ましい。
【０１７２】
前記固定磁性層２２は、例えばＣｏＦｅ合金などで形成された磁性層２８と磁性層３０と、両磁性層２８、３０間に介在するＲｕなどの非磁性中間層２９との積層フェリ構造である。前記フリー磁性層２４は、ＣｏＦｅ合金などの拡散防止層３１とＮｉＦｅ合金などの磁性材料層３２との積層構造である。
【０１７３】
また前記非磁性材料層２３を、Ｃｕなどの非磁性導電材料で形成してもよいし、Ａｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの絶縁材料で形成してもよい。前記非磁性材料層２３を非磁性導電材料で形成した場合、本発明における磁気検出素子はＣＰＰ型のスピンバルブＧＭＲ型磁気抵抗効果素子（ＣＰＰ−ＧＭＲ）の構成となり、前記非磁性材料層２３を絶縁材料で形成した場合、本発明における磁気検出素子はスピンバルブトンネル型磁気抵抗効果型素子（ＣＰＰ−ＴＭＲ）の構成となる。
【０１７４】
また図１０に示すように、前記フリー磁性層２４上に非磁性層２５及びバイアス層２６を形成するが、本発明では前記非磁性層２５をＴａやＣｕなどの非磁性導電材料で形成することが好ましく、また前記バイアス層２６をＣｏＰｔＣｒやＣｏＰｔなどの永久磁石膜で形成することが好ましい。あるいは前記バイアス層２６を反強磁性層と軟磁性層からなる交換結合膜で形成してもよい。
【０１７５】
図１０では、バイアス層２６を形成する前に磁場中アニールを施して、反強磁性層２１と固定磁性層２２を構成する磁性層２８との間で交換結合磁界を生じさせることが好ましい。これによって前記固定磁性層２２をハイト方向（図示Ｙ方向）に磁化固定する。そして前記バイアス層２６を形成した後、前記バイアス層２６が反強磁性層と軟磁性層とからなる交換結合膜である場合、再び磁場中アニールを施すが、このときの印加磁界は、反強磁性層２１の交換異方性磁界よりも小さく、しかも熱処理温度は、前記反強磁性層２１のブロッキング温度よりも低い温度とする。この磁場中アニールによって前記バイアス層２６を構成する軟磁性層は、トラック幅方向に磁化される。また前記バイアス層２６が永久磁石膜で形成されているとき、前記バイアス層２６はトラック幅方向（図示Ｘ方向）に着磁される。これによって前記軟磁性層及び永久磁石製のバイアス層２６からの縦バイアス磁界が前記フリー磁性層２４に流入することで、前記フリー磁性層２４の磁化が図示Ｘ方向に揃えられる。
【０１７６】
次に図１０に示す工程では前記保護層２７の上面にレジスト層を形成し、このレジスト層を露光現像することによって図１０に示す形状のレジスト層６０を前記保護層２７上に残す。前記レジスト層６０は例えばリフトオフ用のレジスト層である。
【０１７７】
次に前記レジスト層６０に覆われていない、反強磁性層２１から保護層２７までの多層膜３３の両側を矢印Ａ方向からのイオンミリングで削る（図１０に示す点線部分に沿って多層膜３３が削られる）。
【０１７８】
次に図１１に示す工程では、前記多層膜３３のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側端面３３ａよりもさらにトラック幅方向（図示Ｘ方向）に延出した下部シールド層２０の上面２０ａから前記多層膜３３の両側端面３３ａにかけてＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの絶縁材料による絶縁層３４をスパッタ成膜する。
【０１７９】
前記絶縁層３４の形成は図１１に示すスパッタ角度（下部シールド層２０表面に垂直な方向（図示Ｚ方向）に対しての角度）がθ１となる矢印Ｂ方向から行う。前記スパッタ角度θ１は例えば３０°〜７０°である。
【０１８０】
前記スパッタ角度θ１を上記した角度程度に大きくすることで、前記多層膜３３の両側端面３３ａに前記絶縁層３４が付着しやすくなり、前記多層膜３３の両側端面３３ａに付着した絶縁層３４ｄの膜厚は、前記下部シールド層２０の上面２０ａに付着した絶縁層３４ｃの膜厚よりも大きくなりやすい。
【０１８１】
前記下部シールド層２０の上面２０ａから前記多層膜３３の両側端面３３ａにかけて絶縁層３４を成膜した後、前記絶縁層３４上にサイドシールド層３５を形成する。前記サイドシールド層３５は例えばスパッタで成膜する。
【０１８２】
前記サイドシールド層３５として用いる材質としてはＮｉＦｅ合金など一般的にシールド層として用いる材質の他、Ｃｏ系アモルファス材料や組成式がＦｅ−Ｍ−Ｏ（ただし元素Ｍは、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｓｉ，Ｐ，Ｃ，Ｗ，Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｇｅと希土類元素から選ばれる１種または２種以上の元素）からなる磁性材料を選択できる。Ｃｏ系アモルファス材料としては、例えばＣｏ−Ｘ（但し元素Ｘは、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐ、Ｓｉ、Ｂから選ばれる１種または２種以上）である。Ｆｅ−Ｍ−Ｏ材料は、アモルファス相とｂｃｃ−Ｆｅの微結晶相とが入り交じった相組織となっている。
【０１８３】
なお前記サイドシールド層３５を成膜するときは、磁場中で行う。磁場中成膜することで前記サイドシールド層３５にトラック幅方向（図示Ｘ方向）に一軸異方性を付与することができる。あるいは磁場中アニールを施して、サイドシールド層３５に一軸異方性を付与してもよいが、このときの熱処理温度は、前記反強磁性層２１のブロッキング温度以下である必要がある。
【０１８４】
なお前記レジスト層６０の上面には絶縁層３４を成膜したときの絶縁材料層３４ａやサイドシールド層３５を成膜したときのシールド材料層３５ｂが付着している。
【０１８５】
次に図１２に示す工程では、前記サイドシールド層３５上にＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの絶縁材料からなる絶縁層３６をスパッタ成膜する。前記絶縁層３６の形成は図１２に示すスパッタ角度（下部シールド層２０表面に垂直な方向（図示Ｚ方向）に対しての角度）がθ２となる矢印Ｃ方向から行う。前記スパッタ角度θ２は例えば１０°〜５０°である。前記絶縁層３６で完全に前記サイドシールド層３５上を覆う。
【０１８６】
図１２に示す工程によって絶縁層３６を成膜したときの絶縁材料層３６ａが前記レジスト層６０上のバイアス材料層３５ｂ上に付着する。その後、前記レジスト層６０を除去する。
【０１８７】
そして前記絶縁層３６上から前記保護層２７上にかけて上部シールド層３７をメッキ形成する。なお前記上部シールド層３７の形成は、まず下地となる同一材質の層を予めスパッタでつけておいてから、下地層に通電して前記上部シールド層３７のメッキ膜を成長させて行う。
【０１８８】
以上が図１に示す磁気検出素子の製造方法であるが、図２に示す磁気検出素子の製造方法は、図１１に示す製造工程で、絶縁層３４を成膜せず、前記下部シールド層２０の上面２０ａから前記多層膜３３の両側端面３３ａにかけて直接、サイドシールド層３５を成膜すればよい。
【０１８９】
また図３に示す磁気検出素子の製造方法は、図１１に示す製造工程で、絶縁層３４を成膜するときのスパッタ角度θ１を、より図示Ｚ方向に近い角度にして前記絶縁層３４が前記多層膜３３の両側端面３３ａに付着しないようにすればよい。
【０１９０】
また図４に示す磁気検出素子の製造方法は、図１１に示す製造工程で、サイドシールド層４５を成膜するときに第１シールド層４３及び第２シールド層４４を連続してスパッタ成膜すればよい。
【０１９１】
また図５に示す磁気検出素子の製造方法は、図１１に示す製造工程で、絶縁層３４をスパッタ成膜した後、前記絶縁層３４上に反強磁性層４０を成膜し、さらに前記反強磁性層４０の上に軟磁性層４１をスパッタ成膜すればよい。
【０１９２】
前記反強磁性層４０及び軟磁性層４１からなるサイドシールド層４２を成膜した後、磁場中アニールを施して前記反強磁性層４０と軟磁性層４１間に交換結合磁界を生じさせる。なお磁場中アニールを施さなくても交換結合磁界が生じる場合、例えば反強磁性層４０にＦｅＭｎやＩｒＭｎ合金などを使用した場合のように、磁場中成膜によって交換結合磁界が生じる場合には、アニールの必要性はない。
【０１９３】
磁場中アニールを施すとき、その磁場の大きさを多層膜３３を構成する反強磁性層２１と固定磁性層２２間で発生する交換結合磁界よりも小さいものとし、また熱処理温度を前記反強磁性層２１のブロッキング温度以下とする。あるいは前記バイアス層２６が反強磁性層と軟磁性層との交換結合膜である場合、前記磁場の大きさを前記バイアス層２６の反強磁性層の交換結合磁界よりも小さい値とする。また熱処理温度を前記バイアス層２６の反強磁性層のブロッキング温度以下とする。ただし、バイアス層２６に働く交換結合磁界の方向がアニール時の磁場方向と同一である場合は特に制限がない。
【０１９４】
図６に示す磁気検出素子の製造方法は、図１１に示す工程で前記下部シールド層２０の上面２０ａから多層膜３３の両側端面３３ａ上にかけて絶縁層３４を成膜した後、前記絶縁層３４上にサイドシールド層３５をスパッタ成膜し、さらに前記サイドシールド層３５上に、バイアス下地層５０及びハードバイアス層５１の形成を行えばよい。
【０１９５】
図７に示す磁気検出素子の製造方法は、まず下部シールド層５２をメッキ形成した後、前記下部シールド層５２上に下部ギャップ層５３をスパッタ成膜し、さらに前記下部ギャップ層５３上に下部電極層５４を形成した後、図１０以降の工程を施し、さらに図１２工程の次に、上部電極層５５、上部ギャップ層５６及び上部シールド層５７の形成を行う。
【０１９６】
また図８に示す磁気検出素子の製造方法は、まず図１０に示す工程を施した後、図１１に示す工程で、絶縁層３４を形成する。その後、図１１に示すレジスト層６０を除去し、図１３に示す工程で、前記多層膜３３の両側から前記多層膜３３の上面にかけてサイドシールド層３５と上部シールド層３７とが一体とされたシールド層７０を矢印Ｄ方向から例えばスパッタ成膜する。
【０１９７】
図８に示す磁気検出素子の製造方法では、前記サイドシールド層３５と上部シールド層３７とを一体で形成するので、前記サイドシールド層３５と上部シールド層３７とを別々に形成する場合に比べて、製造工程を非常に容易化することが可能である。
【０１９８】
以上の製造方法によれば、多層膜３３のトラック幅方向の両側にサイドシールド層３５を容易に且つ確実に対向させることができ、実効再生トラック幅の広がりを抑え、サイドリーディングの発生を抑制することが可能な磁気検出素子を製造することができる。
【０１９９】
【実施例】
図１に示す実施形態の磁気検出素子を用い、多層膜３３の両側端面３３ａとサイドシールド層３５間に介在する絶縁層３４のトラック幅方向への膜厚を変化させたとき、前記絶縁層３４の膜厚と実効再生トラック幅との関係について調べた（実施例）。
【０２００】
また比較例として図１６に示す磁気検出素子のようにサイドシールド層が形成されていない形態のものを用いて実効再生トラック幅について測定した。
【０２０１】
まず実施例及び比較例の磁気検出素子の実験に際して共通する寸法や膜構造について説明する。
【０２０２】
実施例及び比較例ともに、光学的トラック幅Ｏ−Ｔｗを０．１５μｍとした。また反強磁性層２１にはＰｔＭｎを用い、固定磁性層２２は、ＣｏＦｅ／Ｒｕ／ＣｏＦｅの積層フェリ構造とした。また非磁性材料層２３にはＣｕを用いた。フリー磁性層２４への縦バイアス磁界の供給は、前記フリー磁性層２４上に非磁性層２５を介して永久磁石膜のバイアス層２６が設けられたインスタックバイアス手段を用いて行った（図１を参照）。
【０２０３】
実験では実施例（サイドシールド層あり）の磁気検出素子の多層膜３３の両側端面３３ａに成膜されている絶縁層３４のトラック幅方向への膜厚を徐々に変化させ、そのときの実効再生トラック幅の幅寸法を、図１５で説明したオフトラックプロファイル法を用いて測定した。
【０２０４】
前記絶縁層３４の膜厚と実効再生トラック幅との関係は図１４に示されている。図１４に示すように前記絶縁層３４の膜厚が大きくなるほど、前記実効再生トラック幅が大きくなることがわかった。
【０２０５】
また比較例の磁気検出素子では、多層膜３３の両側端面３３ａにサイドシールド層が形成されておらず、このような形態であると実施例に比べて極端に実効再生トラック幅が広がることがわかった。
【０２０６】
上記したように、光学的トラック幅Ｏ−Ｔｗは、０．１５μｍである。そこで実効再生トラック幅から前記光学的トラック幅Ｏ−Ｔｗを引いた値が、０．０１５μｍとなるときの絶縁層３４の膜厚を調べてみたところ図１４に示すグラフから０．０６μｍ以下であることがわかった。前記絶縁層３４の膜厚を０．０６μｍ以下（このときの実効再生トラック幅は０．１６５μｍ以下となる）にすれば、実効再生トラック幅から光学的トラック幅Ｏ−Ｔｗを引いた値を０．０１５μｍ以下にできる。
【０２０７】
また、実効再生トラック幅から前記光学的トラック幅Ｏ−Ｔｗを引いた値が、０．０１μｍとなるときの絶縁層３４の膜厚を調べてみたところ図１４に示すグラフから０．０３μｍ以下（このときの実効再生トラック幅は０．１６μｍ以下となる）であることがわかった。前記絶縁層３４の膜厚を０．０３μｍ以下にすれば、実効再生トラック幅から光学的トラック幅Ｏ−Ｔｗを引いた値を０．０１μｍ以下にできる。
【０２０８】
以上の実験によって本発明では、前記多層膜３３の両側端面３３ａに形成された絶縁層３４のトラック幅方向への膜厚を好ましくは０．０６μｍ以下、より好ましくは０．０３μｍ以下に設定し、これにより従来に比べて効果的に実効再生トラック幅の広がりを抑えることができ、サイドリーディングの発生を適切に抑制することが可能になる。
【０２０９】
【発明の効果】
以上詳細に説明した本発明によれば、多層膜のトラック幅方向の両側であって、前記下部シールド層と上部シールド層間には、サイドシールド層が設けられており、これにより狭トラック化においても実効再生トラック幅の広がりを抑え、従来に比べてサイドリーディングの発生を抑制することが可能になる。
【０２１０】
また本発明では、前記サイドシールド層と多層膜間に絶縁層を介在させ、この絶縁層のトラック幅方向における膜厚を適切に調整することで、より効果的に実効再生トラック幅を光学的トラック幅に近づけることができ、サイドリーディングの発生をより適切に抑制することが可能になる。
【０２１１】
また本発明では、前記サイドシールド層の比抵抗値を前記多層膜を構成するフリー磁性層や固定磁性層に比べて高い比抵抗値を有する磁性材料で形成することで、電極を兼ねた上部シールド層及び下部シールド層から前記多層膜に流れる電流を前記サイドシールド層に分流しないようにすることができ、再生出力の大きい磁気検出素子を製造することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た断面図、
【図２】本発明の第２の実施の形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た断面図、
【図３】本発明の第３の実施の形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た断面図、
【図４】本発明の第４の実施の形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た断面図、
【図５】本発明の第５の実施の形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た断面図、
【図６】本発明の第６の実施の形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た断面図、
【図７】本発明の第７の実施の形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た断面図、
【図８】本発明の第８の実施の形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た断面図、
【図９】本発明の第９の実施の形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た断面図、
【図１０】図１に示す磁気検出素子の製造方法を示す一工程図、
【図１１】図１０の次に行なわれる一工程図、
【図１２】図１１の次に行なわれる一工程図、
【図１３】図８に示す磁気検出素子の製造方法を示す一工程図、
【図１４】本発明のＣＰＰ型の磁気検出素子の多層膜とサイドシールド層間の間隔と実効再生トラック幅との関係を示すグラフ、
【図１５】実効再生トラック幅の測定をオフトラックプロファイル法で行った場合の、実効再生トラック幅の測定の仕方を説明するための図、
【図１６】従来のＣＰＰ型磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た部分断面図、
【符号の説明】
２０、５２  下部シールド層
２１、４０  反強磁性層
２２  固定磁性層
２３  非磁性材料層
２４  フリー磁性層
２５  非磁性層
２６  バイアス層
３３  多層膜
３４、３６  絶縁層
３５、４２、４５  サイドシールド層
３７、５７  上部シールド層
４１  軟磁性層
５１  ハードバイアス層
５４  下部電極層
５５  上部電極層
７０、７１  シールド層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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