(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板（１ａ）と、
前記圧電基板（１ａ）上に設けられる導電性構造部（２，３，４）と、
前記チップ（１）の導電性構造部とコンタクトしている電気的な外部接続端子とを備えた電子構成素子において、
前記導電性構造部（２，３，４）を支持しているチップ面に、構造化された保護フィルム（５，６）が被着されており、該フィルムの圧電基板（１ａ）とは反対側の表面に帯状の電気的コンタクト素子（７，１１）が支持されており、該電気的コンタクト素子（７，１１）の一方の側は、バンプ（１０）を介してチップ（１）の導電性構造部（２，３，４）と直接的に接続され、前記電気的コンタクト素子（７，１１）の他方の側はベースプレート（１５）の電気的接続端子と接続されており、
さらに前記ベースプレート（１５）の電気的接続端子が対応する前記バンプに対して横方向にずらされて配置されていることを特徴とする電子構成素子。
【請求項２】
前記保護フィルム（５）の表面に被着された電気的コンタクト素子（７，１１）は、表面実装技法によってベースプレート（１５）の電気的接続端子と接続される、構造化された導体層として構成されている、請求項１記載の電子構成素子。
【請求項３】
前記電気的コンタクト素子はＣｕ層である、請求項１又は２記載の電子構成素子。
【請求項４】
前記電気的コンタクト素子（７，１１）は帯状に形成され、さらに該コンタクト素子（７，１１）は、チップ（１）中央領域に存在するコンタクト箇所（１２）ないしはチップ（１）対称軸の領域にあるコンタクト箇所（１２）とコンタクトし、さらにベースプレート（１５）の電気的接続端子とコンタクトしている、請求項１または２記載の電子構成素子。
【請求項５】
前記Ｃｕ層（７）は、はんだ球体（１０）に向いている領域にＮｉ層を支持しており、該Ｎｉ層はＡｕ層で覆われている、請求項３記載の電子構成素子。
【請求項６】
前記保護フィルム（５，６）は、ポリイミドまたはポリエステルフィルムである、請求項１記載の電子構成素子。
【請求項７】
保護フィルム（５，６）を有し、該保護フィルムは多層に構成され、さらにチップ表面とは反対側に、構造化されたセラミックフィルムを含んでいる、請求項１記載の電子構成素子。
【請求項８】
構造化された保護フィルム（６）を有し、該保護フィルムは、金属化フィルム（７）からなる構造化された金属結合部と絶縁層（５）を含み、前記構造化された金属結合部は構造化された保護フィルムに積層されている、請求項１記載の電子構成素子。
【請求項９】
前記電気的コンタクト素子（７，１１）のコンタクト箇所（１２）に、はんだ球体がマイクロボールブリッドアレイ方式で配設されている、請求項１から８いずれか１項記載の電子構成素子。
【請求項１０】
前記保護フィルム（５，６）の端面におけるベースプレート（１５）と圧電基板（１ａ）の間の領域全体が囲繞型の金属化部（９）によってガス密に遮蔽されている、請求項１記載の電子構成素子。
【請求項１１】
前記金属化部は、はんだ（１７）を用いてベースプレート（１５）のはんだ付け可能な層（１６）とろう付けされている、請求項１０記載の電子構成素子。
【請求項１２】
チップ（１）内の隣接する金属化部に沿って分離可能であるそれぞれ囲繞型の金属化部（９）を備えたチップ（１）からなるウエハ（２０）に構造化されている、請求項１または１０または１１記載の電子構成素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、請求項１の上位概念による、電子構成素子、特に表面弾性波によって作動するＳＡＷ構成素子に関する。
【０００２】
前述したような形式の電子構成素子は、通常はチップを有しており、このチップは、圧電基板や該基板上に配設される導電構造部（例えばインターデジタル変換器などのアクティブフィルタ構造部やいわゆるパッドなどの接続線路などを）を備えている。これらの構造部と外部の接続素子との電気的なコンタクトも、導体路を介して行われる。これらの導体路は、チップの支持プレート、例えばセラミックプレートやプラスチックプレート上に被着されている。
【０００３】
このような構成素子の益々の最小化に伴って、すなわち、３×３ｍｍよりも小さいチップサイズまでのＳＡＷ構成素子のさらなる低減のもとでは、同じ程度に低減のできない構成素子の電気的コンタクトのための所要スペースが著しい問題を引き起こし、特にこの構成素子が物理／化学的な周辺環境の影響や湿気に対する保護をかねている多層（通常は二層）構造の保護フィルム（ＰＲＯＴＥＣとも称する）を場合によって備えている場合にはさらに顕著となる。
【０００４】
本発明の課題は、保護フィルムの保護効果とコンタクト素子の作用効果並びにＳＡＷ構成素子全体の作用効果を損なうことなく、ＳＡＷ構成素子のさらなる最小化を可能にさせることである。
【０００５】
前記課題は、請求項１の特徴部分に記載の本発明による電子構成素子によって解決される。これにより、チップサイズの最小化への要求は、保護フィルム上の平面内への電気的コンタクト素子の移転によって十分充たされる。
【０００６】
本発明の別の有利な構成例及び改善例は従属請求項に記載される。
【０００７】
実施例
次に本発明を図面に基づき以下の明細書で詳細に説明する。この場合、
図１は、チップを供えたウエハの部分破断側面図であり、
図２は、図１によるチップの平面図、
図３は、図１及び図２によるチップのベースプレートも含めた側面図である。
【０００８】
図１によるウエハ２０は、圧電基板からなっており、この圧電基板は、それぞれチップ１内で一点鎖線で示した分離ラインＡ−Ａに沿って個別化可能である。各チップは、それらの固有の圧電基板１ａ上に導電性構造部２，３，４を支持しており、特にこれらは例えばインターデジタル変換器のようなアクティブフィルタ構造をなしている。
【０００９】
前記導電性構造部２，３，４の上のチップ面は、いわゆるＰＲＯＴＥＣフィルムと称されており、これは図示の実施例では、多層に構造化された保護フィルム５，６であり、具体的には例えばポリイミドまたはエポキシ又はポリエステルからなるはんだ阻止フィルムが被着されている。このフィルムは、ＳＡＷ構成素子の障害的周辺環境の影響に対する保護、例えばほこり（特に導電性の粒子）、攻撃的な化学成分、湿度などからの保護に用いられ、導電性構造部２，３，４と残りのチップ表面を可及的に大規模な部分領域においてカバーしている。
【００１０】
ＳＡＷ構成素子の最小化により、アクティブフィルタ構造部２，３，４の平面内ではさらなる電気的導電構造部配設のためのスペース上の欠陥が引き起こされる。それに対して特にそれらのコンタクト箇所１２も含めたコンタクト素子７，１１に対し本発明によれば、当該構造部の圧電基板１ａとは反対側のカバーフィルムとも称される保護フィルム５表面までの移転によって改善がなされる。
【００１１】
前記カバーフィルム５として、前述したはんだ阻止フィルムのみが適しているわけではない。それには薄膜状に構造化が可能なセラミックフィルムも可能であり、その場合にはその膨張係数がチップに適合化される。すなわち有利にはチップ長手方向ないしは表面弾性波の方向での膨張係数の適合化である。セラミックフィルム５によって構成される構成素子は、既にそれ自体でガス密である。
【００１２】
この場合例えばＣｕ層からなる構造部７，１１およびそのコンタクト箇所１２と、チップ１の構造部２，３，４との導電接続は、保護フィルム５，６の貫通コンタクト８を介して行われる。それらの開口部は、フォト技術又はレーザー/プラズマ除去技術によって露出される（保護フィルムなしの空間では、バンプ１０、はんだ球体、ゴールドバンプなどによって直接なされる）。特にバンプを用いたコンタクトでは、ろう付け又は加熱プレスなどによってこれが構築され、極端に僅かな所要スペースと、電気的な接続の不都合な交差のない構造部３と７の接続が可能となる。さらにこのような方式のコンタクトでは、機械的または熱的負荷のもとでのチップの変形の危険性が著しく低減される。
【００１３】
導体路、例えば図１によるＣｕ線路ないし構造部７などの導体路のボンディングないしろう付け接続を可能にするために、バンプ１０の方向でみてＣｕ線路に化学的又は浸漬による金属層（例えばＮｉ，Ｐｄ，Ａｕなど）が被着され、あるいはろう付け可能な層、例えばＳｕ又はＳｕＰｂが設けられる。
【００１４】
帯状の電気的コンタクト素子７，１１およびそのコンタクト箇所１２は、導電性のＣｕ層から形成される。
【００１５】
コンタクト箇所１２の領域と、図には示されていないベースプレート１５の外部接続端子との電気的なコンタクトは、ＳＭＴ技法によって、有利にはチップ中央で、つまりチップ１の対称軸の領域において行われる。このチップ中央に向けられたコンタクトは、既に前述したバンプコンタクトのように行われる。それに対してチップ１の変形、例えば相互作用の影響下にある個々の材料の異なる膨張係数によって生じ得る変形も最小化される。
【００１６】
その場合はんだ球体ないしバンプは、有利にはマイクロボールブリッドアレイ（Mikro Ball Brid Array）の様式によって、コンタクト箇所１２に配設される。付加的にさらにこのはんだ球体は、機械低な安定性の向上とベースプレート１５又は回路支持体にコンタクトしているマイクロボールブリッドアレイの信頼性向上のためにも寄与している。
【００１７】
図３によるＳＡＷ構成素子の構造は、チップ１とベースプレート１５のガス密な付加的結合に寄与している。この目的のために、保護フィルムの貫通コンタクトのための類似の開口部が露出している端面５，６が、ベースプレート１５と圧電基板１ａとの間のその全体を取り囲んでいる領域において金属化層９によってガス密に密閉されている。この金属化層９は、最終的にはんだ１７を用いてベースプレート１５の固有のチップ１を同じように相応に囲繞しているろう付け可能な層１６とろう付けされる。付加的なＨＦシールドが必要である場合には、チップ１上に金属製キャップ又は金属コーティングされたプラスチックキャップがかぶせられてもよい。これはベースプレートの金属層１６と電気的にコンタクトする。
【図面の簡単な説明】
【図１】  チップを供えたウエハの部分破断側面図である。
【図２】  図１によるチップの平面図である。
【図３】  図１及び図２によるチップのベースプレートも含めた側面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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