(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビスマスを含む合金からなり融点が２５０℃以下の第１の金属材料と、融点が５００℃以上の第２の金属材料とのみからなり、
前記第２の金属材料は、２５０℃以下の温度でペースト状になるように、粉末の状態で前記第１の金属材料中に分散している
ことを特徴とする導電性材料。
【請求項２】
第１の圧力を有する装置内において、ビアホールが形成された基板に請求項１に記載の導電性材料を供給し、前記ビアホールの上端部に前記導電性材料を埋め込む工程と、
前記装置内の圧力を、前記第１の圧力よりも高い第２の圧力に変化することにより、前記ビアホールの前記上端部に埋め込まれた前記導電性材料を、前記ビアホール内に押し込む工程と
を有することを特徴とするビアホールの充填方法。
【請求項３】
請求項２記載のビアホールの充填方法において、
前記導電性材料がペースト状になる温度まで前記基板の温度を昇温する
ことを特徴とするビアホールの充填方法。
【請求項４】
請求項２又は３記載のビアホールの充填方法において、
前記導電性材料を埋め込む工程と前記導電性材料を押し込む工程とを繰り返し行い、前記ビアホール内を前記導電性材料によって充填する
ことを特徴とするビアホールの充填方法。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれか１項に記載のビアホールの充填方法において、
前記ビアホール内に前記導電性材料を充填した後に、前記導電性材料の融点よりも高い温度で熱処理を行う工程を更に有する
ことを特徴とするビアホールの充填方法。
【請求項６】
請求項２乃至５のいずれか１項に記載のビアホールの充填方法において、
前記導電性材料を埋め込む工程では、スキージを用いて前記導電性材料を前記基板に擦り込む
ことを特徴とするビアホールの充填方法。
【請求項７】
請求項２乃至５のいずれか１項に記載のビアホールの充填方法において、
前記導電性材料を埋め込む工程では、ディスペンサを用いて前記ビアホール内に前記導電性材料を注入する
ことを特徴とするビアホールの充填方法。
【請求項８】
請求項１記載の導電性材料をビアホールに充填する
ことを特徴とするビアホールの充填方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、導電性材料及びビアホールの充填方法に係り、特に、微細なビアホールを空洞が発生することなく充填しうる導電率の高い導電性材料、並びに、このような導電性材料に好適なビアホールの充填方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子回路基板や半導体装置では、異なるレベルの配線層間を相互接続するために、絶縁膜に形成したビアホール内に導体を充填することが行われている。
【０００３】
従来は、このようなビアホールに導体を充填する方法として、電気めっきによりビアホール内に導体膜を成長し充填する方法や、有機成分中に金属粉末を分散させた導電性の樹脂ペーストをビアホールに詰め込む方法が採用されていた。
【０００４】
しかしながら、近年の電子回路基板や半導体装置の更なる微細化に伴ってビアホールの径も極めて微細化されており、従来のビアホール充填方法では不十分であった。
【０００５】
すなわち、電気めっきによる充填方法では、通常は、図３（ａ）に示すようにめっき膜１０６の成長はビアホール１０４の壁面及び底面から進行する。しかしながら、上端のエッジ部分は電界が集中して電流密度が高くなるため、この領域の成長レートが高くなる。したがって、ビアホール１０４内部がめっき膜１０６によって完全に充填される前に、ビアホール１０４の上部が塞がれてしまい、ビアホール１０４の中央部に空洞１０８が残存してしまう（図３（ｂ））。また、空洞１０８の発生は、ビアホールのアスペクト比が大きくなるほどに顕著となる。このため、導通不良や抵抗増加が発生したり、加熱時に空洞の膨れが生じて装置構造を破壊することがあった。
【０００６】
これを改良する方法として、側壁からのめっき膜の成長を抑止し、底面からのめっき膜成長のみによりビアを充填する方法が検討されている。しかしながら、この方法では、ビア内の空洞はなくなるものの、多大なめっき時間を要するため非常なコスト高となる。
【０００７】
また、樹脂ペーストを用いた充填方法は、めっき法と比較してコスト的には有利である。しかしながら、有機成分と金属粉末との混合物であるため導通抵抗が高い、ガス成分が残留する、使用限界温度が低いなどの問題があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
このように、従来のビアホールの充填方法は、微細なビアホールを充填する方法として十分とはいえなかった。このため、微細なビアホールを、空洞が発生することなく低コストで導電性の高い材料によって充填する技術が望まれていた。
【０００９】
本発明の目的は、微細なビアホールを、空洞が発生することなく低コストで充填しうる導電率の高い導電性材料を提供することにある。
【００１０】
また、本発明の他の目的は、このような導電性材料に好適なビアホールの充填方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、ビスマスを含む合金からなり融点が２５０℃以下の第１の金属材料と、融点が５００℃以上の第２の金属材料とのみからなり、前記第２の金属材料は、２５０℃以下の温度でペースト状になるように、粉末の状態で前記第１の金属材料中に分散していることを特徴とする導電性材料によって達成される。
【００１４】
また、上記他の目的は、第１の圧力を有する装置内において、ビアホールが形成された基板に上述の導電性材料を供給し、前記ビアホールの上端部に前記導電性材料を埋め込む工程と、前記装置内の圧力を、前記第１の圧力よりも高い第２の圧力に変化することにより、前記ビアホールの前記上端部に埋め込まれた前記導電性材料を、前記ビアホール内に押し込む工程とを有することを特徴とするビアホールの充填方法によって達成される。
【００１５】
また、上記のビアホールの充填方法において、前記導電性材料がペースト状になる温度まで前記基板の温度を昇温するようにしてもよい。
【００１６】
また、上記のビアホールの充填方法において、前記導電性材料を埋め込む工程と前記導電性材料を押し込む工程とを繰り返し行い、前記ビアホール内を前記導電性材料によって充填するようにしてもよい。
【００１７】
また、上記のビアホールの充填方法において、前記ビアホール内に前記導電性材料を充填した後に、前記導電性材料の融点よりも高い温度で熱処理を行う工程を更に有するようにしてもよい。
【００１８】
また、上記のビアホールの充填方法において、前記導電性材料を埋め込む工程では、スキージを用いて前記導電性材料を前記基板に擦り込むようにしてもよい。
【００１９】
また、上記のビアホールの充填方法において、前記導電性材料を埋め込む工程では、ディスペンサを用いて前記ビアホール内に前記導電性材料を注入するようにしてもよい。
【００２０】
また、上記他の目的は、上述の導電性材料をビアホールに充填することを特徴とするビアホールの充填方法によっても達成される。
【００２１】
【発明の実施の形態】
本発明による導電性材料は、融点が２５０℃以下の金属材料Ａと、融点が５００℃以上の金属材料Ｂとを含み、２５０℃以下の温度でペースト状であることを主たる特徴とする。
【００２２】
ここで、本発明による導電性材料が融点が２５０℃以下の金属材料Ａを含有するのは、ビアホールの充填の際に導電性材料がペースト状となるために必要だからである。本発明による導電性材料を後述の方法によりビアホール内に充填する際には、高くとも２５０℃程度の温度下で行う。この温度下において導電性材料がペースト状となるためには、金属材料Ａが液体状、つまり金属材料Ａの融点が２５０℃よりも低いことが必要である。
【００２３】
金属材料Ａの融点は、導電性材料を用いるプロセスにおける基板温度などに応じて適宜選択することが望ましい。作業のしやすさを考慮すると、常温〜１００℃程度の温度において液体状である単元素の金属材料や合金材料を適用することが望ましい。例えば、常温においても液体のＩｎ−７６％Ｇａ合金、融点５８℃の１２％Ｓｎ−１８％Ｐｂ−４９％Ｂｉ−２１％Ｉｎ、融点６１℃の１６％Ｓｎ−３３％Ｂｉ−５１％Ｉｎ、融点７９℃の４７％Ｓｎ−５７％Ｂｉ−２６％Ｉｎ、融点９６〜１１０℃の２２％Ｓｎ−２８％Ｐｂ−５０％Ｂｉ、などの低融点合金を適用することができる。
【００２４】
また、金属材料Ａとしては、ビスマスを含む合金を用いることが望ましい。通常の金属は温度上昇に伴い体積膨張する性質を有するが、ビスマスはこれとは逆に温度上昇に伴って収縮する性質を有する。したがって、金属材料Ａにビスマスを含有させることにより、温度上昇に伴う他の金属による体積膨張をビスマスによって吸収することが可能となる。これにより、導電性材料全体としての体積膨張を抑制することができるからである。
【００２５】
また、本発明による導電性材料が融点が５００℃以上の金属材料Ｂを含有しているのは、金属材料Ｂを液体状の金属材料Ａ中に分散してペースト状の導電性材料を構成するためである。この目的のため、金属材料Ｂは、金属材料Ａ中に粉末状で分散させることが必要である。
【００２６】
また、金属材料Ｂは、粉末化が可能な金属で、金属材料Ａの融点で溶融しない金属であれば使用は可能である。例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔなど単体金属粉末やＡｕ−Ｓｎ、Ｃｕ−Ｓｎ、Ｆｅ−Ｎｉ、など合金粉末、ＡｇめっきＣｕ粉、ＡｕめっきＮｉ粉など複合金属粉末などが使用できる。なお、何れの金属粉末においても表面の酸化膜は溶融金属Ａとの濡れを阻害するため、脂肪酸などで酸化防止処理を施した金属粉末が好ましい。
【００２７】
但し、金属材料Ｂの融点が金属材料Ａの融点に近いと、金属材料Ｂが金属材料Ａ中に溶け込んで導電性材料自体の融点を高め、ビアホールの充填が困難になる虞がある。かかる観点から、金属材料Ｂの融点は５００℃以上であることが望ましい。
【００２８】
本発明において導電性材料をペースト状にするのは、以下の理由からである。すなわち、本発明による導電性材料をビアホール充填用導電材として用いることを考慮した場合、溶融した金属材料Ａのみによって導電性材料を構成したのでは、表面張力が大きく微細なビアホールの充填が不可能であり、また、たとえ充填できたとしても流体であるためビアホール内に保持しておくことが困難だからである。
【００２９】
金属材料Ａに金属材料Ｂを入れて十分混練することにより、金属材料Ｂの表面が金属材料Ａと濡れ、金属材料Ａが導電性ペーストやはんだペーストのビヒクルの役割効果を示し、ペースト状となる。これにより、微細なビアホールへも樹脂ペーストと同様の手法で充填が可能となる。また、金属材料Ａが溶融状態でも金属材料Ｂとの濡れにより保持され、ビア内に充填後も流れ出ることなく安定して存在することができる。
【００３０】
なお、導電性材料がペースト状になるための金属材料Ｂの充填比率は、金属材料Ｂの種類や粒径によっても変化するが、５〜４０ｗｔ％程度の範囲である。
【００３１】
一方、樹脂系の導電性ペーストの場合、電気的導通は金属粉末粒子同士の接触によりなされ、その接触抵抗の合算がビアの導通抵抗となるため、その値は大きいものとなる。一方、本発明による導電性材料では、金属Ａ中に金属Ｂを分散させたペーストであるので、ビアホール内は一体化した金属となるため導通抵抗も小さく、バルク金属と同等の導電性を得ることができる。
【００３２】
次に、本発明による導電性材料をビアホールに充填するに好適なビアホールの充填方法について、図１及び図２を用いて説明する。図１及び図２は、本実施形態によるビアホールの充填方法を示す工程断面図である。
【００３３】
なお、以下の説明では、シリコン基板を貫通するビアホール内に導電性材料を充填する場合を例に挙げて説明するが、本発明は本実施例の場合に限定されるものではない。
【００３４】
まず、金属材料Ａ中に金属材料Ｂの粉末が分散された本発明による導電性材料を作成する。導電性材料の作成は、金属材料Ａを融点以上に加熱し、溶融した状態の金属材料Ａ中に所定量の金属材料Ｂの粉末を分散し、混合・混練することにより、ペーストの導電性材料を調製する。
【００３５】
次いで、導電性材料を充填するビアホールが形成されたシリコン基板１０を、例えば真空印刷機のステージ２０上に載置する（図１（ａ））。なお、シリコン基板１０には、これを貫くビアホール１２が形成されており、ビアホール１２の内壁を含むシリコン基板の表面には、シリコン酸化膜１４が形成されている。
【００３６】
また、ステージ２０上には、例えば膜厚０．５μｍのＰｔ／Ｔｉよりなる導電層２２が形成されている。なお、導電層２２は、電極として用いるための層である。
【００３７】
次いで、ステージ２０を、導電性材料の融点より５〜１０℃程度高い温度まで昇温する。
【００３８】
次いで、シリコン基板１０上に、予め加熱してペースト状態にしておいた導電性材料３０をセットする。なお、導電性材料は、ビアホール１２が形成されていないシリコン基板１０の縁の部分にセットする。
【００３９】
次いで、印刷機の装置内部を、所定の圧力まで減圧する。
【００４０】
次いで、例えばウレタンゴム製やステンレススチール製のスキージ４０を用い、導電性材料３０をビアホール１２内に擦り込む。これにより、ビアホール１２の上端部には導電性材料３０が埋め込まれる（図１（ｂ）〜（ｃ））。
【００４１】
次いで、印刷機の装置内部を常圧にもどす。この際、ビアホール１２のステージ２０側の空隙１６は大気圧よりも低い状態にあるので、ビアホール１２の表面側に擦り込まれた導電性材料３０はビアホール１２内に引き込まれる（図２（ａ））。
【００４２】
なお、装置内の圧力を、導電性材料をビアホールの上端部に埋め込む際の装置内圧力よりも高くすることにより、導電性材料はビアホール内に引き込むことができる。したがって、導電性材料を押し込む際の装置内圧力は、必ずしも常圧である必要はない。同様に、導電性材料をビアホールの上端部に埋め込む際の装置内圧力は、必ずしも減圧状態である必要はない。
【００４３】
次いで、上述の方法と同様にして、導電性材料３０の塗布、減圧処理、スキージング（図２（ｂ））、常圧処理（図２（ｃ））を繰り返し行う。これにより、ビアホール１２に擦り込まれた導電性材料３０はビアホール１２内に順次引き込まれ、最終的には、ビアホール１２内が導電性材料３０によって充填される（図２（ｄ））。
【００４４】
次いで、ビアホール１２内に導電性材料３０を充填した後、必要に応じて熱処理を行う。この熱処理は、金属Ｂを金属Ａと反応させることにより、導電性材料３０の融点を高める効果がある。この熱処理を行うことにより、導電性材料の塗布温度よりも高い温度においても装置を安定して使用することができる。
【００４５】
このようにしてビアホール内に導電性材料を埋め込むことにより、ビアホール内に空洞が残存することなく低コストで伝導率の高い導電性材料を充填することができる。
【００４６】
なお、スキージを用いる代わりに、例えばディスペンサを用いて各ビアホール内に順次導電性材料を供給するようにしてもよい。この場合においても、導電性材料の供給、減圧処理、常圧処理を繰り返し行うことにより、効率よく導電性材料をビアホール内に充填することができる。ディスペンサを用いる場合、加熱機構を有するディスペンサを用いることにより、本発明による導電性材料をペースト状態で用いることができる。
【００４７】
また、ビアホール１２内に導電性材料３０を充填した後、ビアホール１２の表面に蓋めっきを施すようにしてもよい。
【００４８】
また、本発明による導電性材料は、充填する際の温度を導電性材料の融点よりも高くすることにより、従来用いられている樹脂系の導電性ペーストを用いる場合と同様の方法によってビアホールの充填を行うこともできる。
【００４９】
【実施例】
［実施例１］
磁器製ルツボに、Ｓｎ１６ｇ、Ｂｉ３３ｇ、Ｉｎ５１ｇを入れ７０〜８０℃で加熱溶融させた後、直径２〜３μｍのＣｕ粉を１０ｇ入れて混合し、導電性材料を作製した。
【００５０】
次いで、直径５０μｍのビアホールが１５０μｍピッチで形成され、表面がシリコン酸化膜で覆われたシリコン基板を、真空印刷機の試料ステージにセットした。
【００５１】
次いで、真空印刷機のステージの温度を７０℃に加熱した。
【００５２】
次いで、予め７０℃に加熱しておいた導電性材料を基板上部（ビアホールが形成されていない縁の部分）にセットし、真空引きを行った。
【００５３】
次いで、真空度が０．１ｋＰａに到達した時点で、ウレタンゴム製スキージにより導電性材料を擦り込んだ。更に、反対方向にスキージングした後、真空度を常圧まで一気に戻した。
【００５４】
次いで、再度真空引きを行い上記と同様の作業を２回繰り返した。
【００５５】
このようにして作成した試料を劈開して断面を研磨し、ＳＥＭで観察した結果、導電性材料はビアホールの底まで充填されており、空洞や壁面との間隙など欠陥は認められなかった。
【００５６】
また、ビアの導通抵抗を測定した結果、２５ｍΩ／ビアと測定され、従来の樹脂ペーストを用いたときの代表的なビアの導通抵抗は３００〜４００ｍΩ／ビア程度よりも極めて低い導通抵抗を実現することができた。
【００５７】
［実施例２］
Ｓｎ１８．７ｗｔ％，Ｐｂ３１．３ｗｔ％，Ｂｉ５０ｗｔ％の融点９５℃の溶融金属１００ｇに、φ６〜７μｍのＡｇコートＣｕ紛２０ｇを加え、攪拌・混合によりペースト状にすることにより、導電性材料を作製した。
【００５８】
この導電性材料を用い、実施例１と同様の方法でビアホールへの充填を行った。但し、実施例２ではステンレススチール製のスキージを使用し、ステージ温度を１０５℃に加熱しながら充填作業を行った。
【００５９】
このようにして作成した試料を劈開して断面を研磨し、ＳＥＭで観察した結果、導電性材料はビアホールの底まで充填されており、空洞や間隙などの欠陥は認められなかった。また、ビアの導通抵抗は２０ｍΩ／ビアであった。
【００６０】
［実施例３］
Ｓｎ４８ｗｔ％，Ｉｎ５２ｗｔ％の融点１１７℃の溶融金属１００ｇに、φ５μｍのＣｕ粉２０ｇを加え、攪拌・混合によりペースト状にすることにより、導電性材料を作製した。
【００６１】
この導電性材料を用い、実施例１と同様の方法でビアホールへの充填を行った。但し、実施例３ではステンレススチール製のスキージを使用し、ステージ温度を１２５℃に加熱しながら充填作業を行った。
【００６２】
このようにして作成した試料を劈開して断面を研磨し、ＳＥＭで観察した結果、導電性材料はビアホールの底まで充填されており、空洞や間隙などの欠陥は認められなかった。また、ビアの導通抵抗は２０ｍΩ／ビアであった。
【００６３】
【発明の効果】
以上の通り、本発明によれば、融点が２５０℃以下の第１の金属材料と、融点が５００℃以上の第２の金属材料とを含み、２５０℃以下の温度でペースト状である導電性材料を構成するので、樹脂ペーストよりも大幅に導電性を高めることができる。また、ペースト状態で使用することにより、樹脂ペーストと同様の方法を用いてビアホールの充填を行うことができる。
【００６４】
また、第１の圧力を有する装置内において、ビアホールが形成された基板に上述の導電性材料を供給し、前記ビアホールの上端部に導電性材料を埋め込み、装置内の圧力を、第１の圧力よりも高い第２の圧力に変化することにより、ビアホールの上端部に埋め込まれた導電性材料をビアホール内に押し込むことにより、ビアホールを導電性材料によって充填するので、微細なビアホールであっても空洞が発生することなく埋め込むことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態によるビアホールの充填方法を示す工程断面図（その１）である。
【図２】本発明の一実施形態によるビアホールの充填方法を示す工程断面図（その２）である。
【図３】従来のビアホールの充填方法の課題を示す断面図である。
【符号の説明】
１０…シリコン基板
１２…ビアホール
１４…シリコン酸化膜
１６…空隙
２０…ステージ
２２…導電層
３０…導電性材料
４０…スキージ
１００…基板
１０２…絶縁膜
１０４…ビアホール
１０６…めっき膜
１０８…空洞
【図１】
0004270792.tif 000002
【図２】
0004270792.tif 000003
【図３】
0004270792.tif 000004