(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）
【化１】
0004314656.tif 000031
（式中、R及びR'はそれぞれ独立して水素原子又は炭素原子数1〜5のアルキル基を表し、R及び／又はR'がアルキル基の場合、それに隣接する二重結合はトランス(E)又はシス(Z)配置を表し、m及びnは２を表し、Lは-CH=CH-、又は-CH2-CH2-を表す。）で表されるジアルケニル化合物。
【請求項２】
一般式（Ｉ）において、R及びR'が共に水素原子であるところの請求項1記載のジアルケニル化合物。
【請求項３】
一般式（Ｉ）
【化２】
0004314656.tif 000032
（式中、R及びR'はそれぞれ独立して水素原子又は炭素原子数1〜5のアルキル基を表し、R及び／又はR'がアルキル基の場合、それに隣接する二重結合はトランス(E)又はシス(Z)配置を表し、m及びnは２を表し、Lは-CH=CH-、-CH2-CH2-又は-CH2-を表す。）で表されるジアルケニル化合物を含有する液晶組成物。
【請求項４】
一般式（Ｉ）において、R及びR'が共に水素原子であるところのジアルケニル化合物を含有する請求項３記載の液晶組成物。
【請求項５】
請求項３又は４記載の液晶組成物を構成要素とする液晶素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は新規液晶性化合物である、ジアルケニル化合物、より詳しくは2-アルケニル-7-アルケニル-9,10-ジヒドロフェナントレン、2-アルケニル-7-アルケニルフェナントレン、2-アルケニル-7-アルケニルフルオレン及びそれを含有する液晶組成物に関する。これらは電気光学的液晶表示用、特にネマチック液晶表示用材料として有用である。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示素子は、時計、電卓をはじめとして、各種測定機器、自動車用パネル、ワープロ、電子手帳、プリンター、コンピューター、テレビ等に用いられるようになっている。液晶表示方式としては、その代表的なものにTN（捩れネマチック）型、STN（超捩れネマチック）型、DS（動的光散乱）型、GH（ゲスト・ホスト）型あるいはFLC（強誘電性液晶）等があり、また駆動方式としても従来のスタティック駆動からマルチプレックス駆動が一般的になり、さらに単純マトリックス方式、最近ではアクティブマトリックス方式が実用化されている。
【０００３】
これらの表示方式や駆動方式に応じて、液晶材料としても種々の特性が要求されているが、低駆動電圧、高速応答性は中でも非常に重要な特性である。応答の高速化のためには直接的には(i)粘性を小さくするか、あるいは(ii)弾性定数を大きくすることが必要である。また、液晶表示における閾値電圧は式(1)
【０００４】
【数１】
0004314656.tif 000002
【０００５】
（式中、kは比例定数を、Kは弾性定数を、Δεは誘電率異方性をそれぞれ表す。）で表されるが、この式からわかるように閾値電圧を低減するためには弾性定数を小さくするか、あるいは誘電率異方性を大きくする必要がある。このことから、高速応答性と低閾値電圧を両立させるためには、粘度が小さく誘電率異方性の大きい化合物が必要となる。
【０００６】
液晶材料の粘性を小さくするためには、液晶組成物中に粘性の小さい液晶性化合物（いわゆる減粘剤）を適量添加することが一般的である。減粘剤としては通常、2環性のn型液晶性化合物が用いられることが多いが、液晶組成物に添加した場合にそのネマチック相上限温度（TN-I）をあまり低下させないならば、化合物単独では必ずしもネマチック液晶性を示す必要はない。
【０００７】
応答の高速化には液晶材料の屈折率異方性も重要な物性である。液晶素子の応答を高速化するためには、素子のセル厚を薄くすることが非常に効果的であるが、干渉縞の発生によるセルの色むらを防止するためには、セル厚（d(μm)）と屈折率異方性（Δn）の積（Δn・d）がある一定の値（0.5、1.0、1.6、2.2）をとらなければならず、通常は0.5あるいは1.0に設定される。そのため、屈折率異方性の大きいことも重要となる。
【０００８】
こうした目的にかなうような液晶性化合物として本発明者らは、式（ＩＩ）
【０００９】
【化２】
0004314656.tif 000003
【００１０】
で表されるジアルケニルビフェニル誘導体を開発し報告（特開平9-328443）している。しかし、この（ＩＩ）の化合物は高速応答性には優れているものの、ネマチック相上限温度を低下させてしまう上、閾値電圧も上昇させてしまうという問題点があり、表示品質の向上の要求には応え難くなってきているのが実情である。
【００１１】
従って、屈折率異方性の比較的大きい液晶性化合物であって、かつ液晶組成物に添加した場合のネマチック相温度範囲が広く、閾値電圧を上昇させない減粘材料が要求されている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が解決しようとする課題は、以上の目的に応じるため、ネマチック相温度範囲が広く、低閾値電圧及び減粘効果に優れた液晶性化合物としてジアルケニル化合物を提供し、さらにこれを用いて高速で低電圧駆動可能な液晶組成物を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するために、
１．一般式（Ｉ）
【００１４】
【化３】
0004314656.tif 000004
【００１５】
（式中、R及びR'はそれぞれ独立して水素原子又は炭素原子数1〜5のアルキル基を表し、R及び／又はR'がアルキル基の場合、それに隣接する二重結合はトランス(E)又はシス(Z)配置を表し、m及びnはm≦nであってそれぞれ独立して2〜8の整数を表し、Lは-CH2=CH2-、-CH2-CH2-又は-CH2-を表す。）で表されるジアルケニル化合物。
２．一般式（Ｉ）において、R及びR'が共に水素原子であるところの上記1記載のジアルケニル化合物。
３．一般式（Ｉ）において、m及びnがそれぞれ独立して2〜4の整数であるところの上記1又は2記載のジアルケニル化合物。
４．一般式（Ｉ）において、m=2であり、nが2〜4の整数であるところの上記1又は2記載のジアルケニル化合物。
５．一般式（Ｉ）において、m=n=2であるところの上記1又は2記載のジアルケニル化合物。
６．一般式（Ｉ）で表されるジアルケニル化合物を含有する液晶組成物。
７．一般式（Ｉ）において、R及びR'が共に水素原子であり、m及びnがそれぞれ独立して2〜4の整数であるところのジアルケニル化合物を含有する液晶組成物。
８．一般式（Ｉ）において、R及びR'が共に水素原子であり、m=n=2であるところのジアルケニル化合物を含有する液晶組成物。
９．上記6、７又は8記載の液晶組成物を構成要素とする液晶素子。
を前記課題を解決するための手段として見出した。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の一例について説明する。
【００１７】
本発明は、一般式（Ｉ）
【００１８】
【化４】
0004314656.tif 000005
【００１９】
で表されるジアルケニル化合物を提供する。
【００２０】
式中、R及びR'はそれぞれ独立的に水素または炭素原子数1〜5のアルキル基を表し、好ましくは水素または炭素原子数1〜3の直鎖状アルキル基を表し、さらに好ましくは水素を表す。R及び、またはR'がアルキル基の場合、それに隣接する二重結合はトランス(E)またはシス(Z)配置を表すが、好ましくはトランス（E）配置を表す。m及びnはm≦nであってそれぞれ独立的に2〜8の整数を表すが好ましくは2〜4を表す。さらに側鎖があまり長くなると減粘効果が低下するのでm+nは6以下であることがさらに好ましく、特にmは2が好ましい。Lは-CH=CH-、-CH2-CH2-、-CH2-を表す。
【００２１】
従って、一般式（Ｉ）で表される化合物のうち好ましいのは以下の（Ｉａ）〜（Ｉｆ）
【００２２】
【化５】
0004314656.tif 000006
【００２３】
【化６】
0004314656.tif 000007
【００２４】
【化７】
0004314656.tif 000008
【００２５】
の各化合物であり、この中でも（Ｉａ）、（Ｉｇ）、（Ｉｍ）が特に好ましい。
【００２６】
一般式（Ｉ）の化合物は以下のようにして合成できる。すなわち、一般式（ＩＩＩａ）
【００２７】
【化８】
0004314656.tif 000009
（式中、R及びnは一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表し、MはMgCl、MgBr、MgI、Li、B(OH)2、TiR1R2、SiR3R4R5又はSnR6R7R8等の有機金属基を表す。ここでR1〜R8は低級アルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表す。）で表される有機金属化合物と、一般式（ＩＶa）
【化９】
0004314656.tif 000010
【００２８】
（式中、X及びYは独立的に塩素、臭素、ヨウ素、p-トルエンスルホニル基、メタンスルホニル基あるいはトリフルオロメタンスルホニル基等の脱離基を表す。）で表される化合物とを遷移金属触媒の存在下に反応させる。ここで遷移金属触媒としてはパラジウム(0)系、パラジウム(II)系及びニッケル(II)系等が一般的に用いられる。得られた一般式（Ｖ）
【００２９】
【化１０】
0004314656.tif 000011
【００３０】
（式中、R及びnは一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表し、Yは一般式（ＩＶａ）におけると同じ意味を表す。）で表される化合物と、一般式（ＩＩＩb）
【００３１】
【化１１】
0004314656.tif 000012
【００３２】
（式中、R'及びmは一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表し、Mは一般式（ＩＩＩａ）におけるMと同じ意味を表す。）とを遷移金属触媒の存在下に反応させることにより製造することができる。
【００３３】
特にR=R'でありかつm=nである場合には一般式（ＩＶ）
【化１２】
0004314656.tif 000013
【００３４】
（式中、Ｘは一般式（ＩＶａ）におけると同じ意味を表す。）で表される化合物と、一般式（ＩＩＩ）
【化１３】
0004314656.tif 000014
【００３５】
（式中、R及びｎは一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表し、Ｍは一般式（ＩＩＩａ）におけると同じ意味を表す。）の過剰量とを遷移金属触媒の存在下に反応させることにより1工程で製造することができる。
【００３６】
また、一般式（Ｉ）において、R=R'でありかつm=nである場合は、式（ＶＩ）
【化１４】
0004314656.tif 000015
【００３７】
の2,6-ジホルミル化合物に、式（ＶＩＩ）
【００３８】
【化１５】
0004314656.tif 000016
【００３９】
のウィッティヒ反応剤を反応させ、次いで酸で加水分解する工程をn回繰り返し、一般式（ＶＩＩＩ）
【００４０】
【化１６】
0004314656.tif 000017
【００４１】
（式中、nは一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表す。）の化合物を得、これに一般式（ＩＸ）
【化１７】
0004314656.tif 000018
（式中、Rは一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表す。）のウィッティヒ反応剤を反応させることで（Ｉ）を得ることができる。
【００４２】
また、一般式（Ｉ）において、R=R'=Hでありかつm=n=2である場合は、一般式（Ｘ）
【００４３】
【化１８】
0004314656.tif 000019
【００４４】
（式中、ZはH、OH、OR9又はハロゲンを表し、R9は低級アルキル基を表す。）の化合物を、水素化アルミニウムリチウム、水素化ホウ素ナトリウム等で還元して式（ＸＩ）
【化１９】
0004314656.tif 000020
のジオールを得た後、臭化水素酸と反応させ式（ＸＩＩ）
【００４５】
【化２０】
0004314656.tif 000021
【００４６】
の化合物を得て、これに式（ＸＩＩＩ）
【００４７】
【化２１】
0004314656.tif 000022
【００４８】
で表されるアリルグリニャール反応剤を反応させることによって製造することができる。
【００４９】
斯くして製造された一般式（I）で表される化合物の代表例を第1表に掲げる。
【００５０】
【表１】
0004314656.tif 000023
【００５１】
（表中、Cは結晶相を、Iは等方性液体相をそれぞれ表す。）
斯くして製造された本発明の化合物を液晶組成物中に添加することにより得られる優れた効果は以下の通りである。
【００５２】
一般式（Ｉ）で表される化合物の中で代表的な化合物の一つである（Ｉg）
【化２２】
0004314656.tif 000024
【００５３】
２０重量％及びホスト液晶組成物（H）
【００５４】
【化２３】
0004314656.tif 000025
【００５５】
８０重量％からなる液晶組成物(M-1)を調製した。
【００５６】
ここで（H）の物性値は以下の通りである。
ネマチック相上限温度（TN-I）：    116.7℃
応答時間（τr=τd）：            25.3m秒
閾値電圧（Vth）：                2.14V
屈折率異方性（Δn）：            0.090
ここで、応答時間は厚さ4.5μmのTNセルに封入した場合に、立ち上がり時間（τr）と立ち下がり時間（τd）が等しくなる電圧印加時の測定値である。また、測定は20℃で行った。
【００５７】
このとき、(M-1)の物性値は以下の通りであった。
TN-I：                            100.2℃
応答時間（τr=τd）：            21.0m秒
閾値電圧（Vth）：                2.47V
屈折率異方性（Δn）：            0.118
この結果から式（Ｉb）は、応答速度を改善し、屈折率異方性も拡大していることがわかる。
【００５８】
これに対して、一般式（Ｉ）の化合物と類似構造を有する式（ＩＩ）
【００５９】
【化２４】
0004314656.tif 000026
【００６０】
の化合物２０重量％及びホスト液晶（H）８０重量％からなる液晶組成物(MR-1)の物性値は以下の通りであった。
TN-I：                            76.4℃
閾値電圧（Vth）：                2.62V
応答時間（τr=τd）：            18.0m秒
屈折率異方性（Δn）：            0.113
以上から明らかなように、（ＩＩ）は（H）に添加することにより応答の改善には優れているものの、ネマチック相上限温度を40℃も低下させ、閾値電圧も大幅に上昇させてしまう。一方、本発明に関わる（Ｉb）の応答の改善は（ＩＩ）に及ばないものの、ネマチック相上限温度は24℃も高く、閾値電圧も0.15Vも低く、屈折率異方性の拡大も大きいことがわかる。
【００６１】
従って、本発明の一般式（I）の化合物は、他のネマチック液晶化合物との混合物の状態で、TN型あるいはSTN型等の電界効果型表示セル用として、特に低粘性高速応答性の材料として好適に使用することができる。また（Ｉ）の化合物は分子内に強い極性基を持たないので、大きい比抵抗と高い電圧保持率を得ることが容易であり、アクティブマトリックス駆動用液晶材料の構成成分として使用することも可能である。本発明はこのように一般式（Ｉ）で表される化合物の少なくとも１種類をその構成成分として含有する液晶組成物をも提供するものである。  この組成物中において、（Ｉ）の化合物と混合して使用することのできるネマチック液晶化合物の好ましい代表例としては、例えば、4-置換安息香酸4-置換フェニル、4-置換シクロヘキサンカルボン酸4-置換フェニル、4-置換シクロヘキサンカルボン酸4'-置換ビフェニリル、4-（4-置換シクロヘキサンカルボニルオキシ）安息香酸4-置換フェニル、4-（4-置換シクロヘキシル）安息香酸4-置換フェニル、4-（4-置換シクロヘキシル）安息香酸4-置換シクロヘキシル、4,4'-置換ビフェニル、１-（4-置換シクロヘキシル）-4-置換ベンゼン、4,4'-置換ビシクロヘキサン、１-[2-（4-置換シクロヘキシル）エチル]-4-置換ベンゼン、１-（4-置換シクロヘキシル）-2-（4-置換シクロヘキシル）エタン、4,4"-置換ターフェニル、4-（4-置換シクロヘキシル）-4'-置換ビフェニル、4-[2-（4-置換シクロヘキシル）エチル]-4'-置換ビフェニル、4-（4-置換フェニル）-4'-置換ビシクロヘキサン、4-[2-（4-置換シクロヘキシル）エチル]-4'-置換ビフェニル、4-[2-（4-置換シクロヘキシル）エチル]シクロヘキシル-4'-置換ベンゼン、4-[2-（4-置換フェニル）エチル]-4'-置換ビシクロヘキサン、１-（4-置換フェニルエチニル）-4-置換ベンゼン、１-（4-置換フェニルエチニル）-4-（4-置換シクロヘキシル）ベンゼン、2-（4-置換フェニル）-5-置換ピリミジン、2-（4'-置換ビフェニリル）-5-置換ピリミジン及び上記各化合物においてベンゼン環が側方置換基を有する化合物等を挙げることができる。
【００６２】
このうちアクティブマトリックス駆動用としては4,4'-置換ビフェニル、１-（4-置換シクロヘキシル）-4-置換ベンゼン、4,4'-置換ビシクロヘキサン、１-[2-（4-置換シクロヘキシル）エチル]-4-置換ベンゼン、１-（4-置換シクロヘキシル）-2-（4-置換シクロヘキシル）エタン、4,4"-置換ターフェニル、4-（4-置換シクロヘキシル）-4'-置換ビフェニル、4-[2-（4-置換シクロヘキシル）エチル]-4'-置換ビフェニル、4-（4-置換フェニル）-4'-置換ビシクロヘキサン、4-[2-（4-置換シクロヘキシル）エチル]-4'-置換ビフェニル、4-[2-（4-置換シクロヘキシル）エチル]シクロヘキシル-4'-置換ベンゼン、4-[2-（4-置換フェニル）エチル]-4'-置換ビシクロヘキサン、１-（4-置換フェニルエチニル）-4-置換ベンゼン、１-（4-置換フェニルエチニル）-4-（4-置換シクロヘキシル）ベンゼン及び上記においてベンゼン環がフッ素置換されている化合物が適している。
【００６３】
【実施例】
以下に本発明の実施例を示し、本発明を更に説明する。しかしながら、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００６４】
化合物の構造は、核磁気共鳴スペクトル（NMR）、質量スペクトル（MS）及び赤外吸収スペクトル（IR）により確認した。NMRにおいて溶媒としてCDCl3を用い、tは3重線、mは多重線を表す。また、Jはカップリング定数を表す。MSにおけるM+は親ピークを表す。また転移温度の測定はホットステージを備えた偏光顕微鏡で行った。組成物の「%」は『重量%』を表す。
（実施例1）  2,6−ビス（3−ブテニル）フェナントレンの合成。
【００６５】
【化２５】
0004314656.tif 000027
【００６６】
9,10-ジヒドロフェナントレン100gの1,2-ジクロロエタン120mL及び酢酸1L溶液に水250mL、濃硫酸4mL、ヨウ素169g、過塩素酸水和物127gを加え50℃で14時間加熱撹拌した。室温に冷却後、水1Lを加えトルエンにて抽出し、溶媒を留去して2,7-ジヨード-9,10-ジヒドロフェナントレンの粗体を得た。酢酸エチル700mL及びトルエン230mLの混合溶媒から再結晶し2,7-ジヨード-9,10-ジヒドロフェナントレン158gを得た。
【００６７】
2,7-ジヨード-9,10-ジヒドロフェナントレン21gのベンゼン100mL溶液にN-ブロモこはく酸イミド10.6g及び2,2'-アゾビス（イソブチロニトリル）80mgを加え撹拌した。1時間以上かけゆっくりと還流温度まで昇温し、そのまま1時間加熱還流した。室温に冷却後溶媒を濃縮した後、結晶をエタノール50mLで2回洗浄して2,7-ジヨードフェナントレン20.2gを得た。
【００６８】
2,7-ジヨードフェナントレンのトルエン160mL懸濁液を-40℃まで冷却しn-ブチルリチウム（1.6Mヘキサン溶液）83mLを1時間で滴下した。-25〜-20℃で2時間撹拌した後ジメチルホルムアミド9.8gのトルエン20mL溶液を滴下した。同温度で1時間撹拌後、水を加え反応を停止しトルエンで抽出した。溶媒を濃縮しフェナントレン-2,7-ジカルバルデヒドの粗体を得た。
【００６９】
前工程で得た、フェナントレン-2,7-ジカルバルデヒド13gを乾燥させたテトラヒドロフラン（THF）250mL中に懸濁させ、これに氷冷下水素化アルミニウムリチウム1.3gを粉体ロートから徐々に加えた。室温まで昇温後少量の水で残留する水素化物を分解した後、少量の塩酸で塩を沈殿させ上澄みをデカントした。濃縮後、酢酸エチルから再結晶して2,7-ビス（ヒドロキシメチル）フェナントレン8.4gを得た。
【００７０】
2,7-ビス（ヒドロキシメチル）フェナントレン8.4gを臭化水素酸(47%)100mLに懸濁させた。100℃で5時間加熱した後、室温まで冷却し結晶を濾過して2,7-ビス（ブロモメチル）フェナントレン12gを得た。
【００７１】
2,7-ビス（ブロモメチル）フェナントレン9.5gのTHF90mL溶液に氷冷下2MアリルマグネシウムクロリドTHF溶液39mLを滴下した。同温度で1時間撹拌し、室温まで昇温後、氷水にあけヘキサンで抽出し、水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥させた。溶媒を溜去して得られた粗生成物8.4gをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製しさらにエタノールから低温で再結晶させて、表記化合物5.6gを得た。
相転移温度：                    84℃（Cr→I）
MS：                            286 (M+)
1HNMR：δ=2.4(m,4H),2.8(t,J=5.2Hz,4H),4.8〜5.2(m,4H),5.6〜6.0(m,2H)7.2〜7.8(m,8H)
また、前記で得た2,7-ジヨードフェナントレンに、1当量の3-ブテニルマグネシウムクロリド、次いで4-ペンテニルマグネシウムクロリドを触媒量のテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)存在下に反応させることで、2-(3-ブテニル)-7-(4-ペンテニル)フェナントレンを得た。
【００７２】
同様にして以下の化合物を得た。
【００７３】
上記における4-ペンテニルマグネシウムクロリドを5-ヘキセニルマグネシウムクロリドに換える以外は同様にして、2-(3-ブテニル)-7-(5-ヘキセニル)フェナントレンを得た。
【００７４】
また、4-ペンテニルマグネシウムクロリドをトランス-3-ペンテニルマグネシウムクロリドに換える以外は同様にして、2-(3-ブテニル)-7-(トランス-3-ペンテニル)フェナントレンを得た。
【００７５】
また、4-ペンテニルマグネシウムクロリドをトランス-4-ヘキセニルマグネシウムクロリドに換える以外は同様にして、2-(3-ブテニル)-7-(トランス-4-ヘキセニル)フェナントレンを得た。
【００７６】
更に、前記で得た2,7-ジヨードフェナントレンに、2当量の4-ペンテニルマグネシウムクロリドを触媒量のテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)存在下に反応させることで、2,7-ビス(4-ペンテニル)フェナントレンを得た。
【００７７】
上記における1等量の4-ペンテニルマグネシウムクロリドを5-ヘキセニルマグネシウムクロリドに換える以外は同様にして、2-(4-ペンテニル)-7-(5-ヘキセニル)フェナントレンを得た。
【００７８】
また、1等量の4-ペンテニルマグネシウムクロリドをトランス-3-ペンテニルマグネシウムクロリドに換える以外は同様にして、2-(4-ペンテニル)-7-(トランス-3-ペンテニル)フェナントレンを得た。
【００７９】
また、1等量の4-ペンテニルマグネシウムクロリドをトランス-4-ヘキセニルマグネシウムクロリドに換える以外は同様にして、2-(4-ペンテニル)-7-(トランス-4-ヘキセニル)フェナントレンを得た。
【００８０】
更に、前記で得た2,7-ジヨードフェナントレンに、2当量の5-ヘキセニルマグネシウムクロリドを触媒量のテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)存在下に反応させることで、2,7-ビス(5-ヘキセニル)フェナントレンを得た。
【００８１】
上記における1等量の5-ヘキセニルマグネシウムクロリドをトランス-3-ペンテニルマグネシウムクロリドに換える以外は同様にして、2-(5-ヘキセニル-7-(トランス-3-ペンテニル)フェナントレンを得た。
【００８２】
また、1等量の5-ヘキセニルマグネシウムクロリドをトランス-4-ヘキセニルマグネシウムクロリドに換える以外は同様にして、2-(5-ヘキセニル)-7-(トランス-4-ヘキセニル)フェナントレンを得た。
【００８３】
更に、前記で得た2,7-ジヨードフェナントレンに、2当量のトランス-3-ペンテニルマグネシウムクロリドを触媒量のテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)存在下に反応させることで、2,7-ビス(トランス-3-ペンテニル)フェナントレンを得た。
【００８４】
上記における1等量のトランス-3-ペンテニルマグネシウムクロリドをトランス-4-ヘキセニルマグネシウムクロリドに換える以外は同様にして、2-(トランス-3-ペンテニル)-7-(トランス-4-ヘキセニル)フェナントレンを得た。
【００８５】
更に、前記で得た2,7-ジヨードフェナントレンに、2当量のトランス-4-ヘキセニルマグネシウムクロリドを触媒量のテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)存在下に反応させることで、2,7-ビス(トランス-4-ヘキセニル)フェナントレンを得た。
（実施例2）  2,6−ビス（3−ブテニル）フルオレンの合成。
【００８６】
実施例1において、9,10-ジヒドロフェナントレンに換えてフルオレンを用いた以外は実施例1と同様にして、2,6−ビス（3−ブテニル）フルオレンを得た。
【００８７】
更に、実施例1における9,10-ジヒドロフェナントレンに換えてフルオレンを用いて得た2,7-ジヨードフルオレンに、1当量の3-ブテニルマグネシウムクロリド、引き続き4-ペンテニルマグネシウムクロリドを触媒量のテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)存在下に反応させることにより、2-(3-ブテニル)-7-(4-ペンテニル)フルオレンを得た。
【００８８】
上記における4-ペンテニルマグネシウムクロリドを5-ヘキセニルマグネシウムクロリドに換える以外は同様にして、2-(3-ブテニル)-7-(5-ヘキセニル)フルオレンを得た。
【００８９】
また、4-ペンテニルマグネシウムクロリドをトランス-3-ペンテニルマグネシウムクロリドに換える以外は同様にして、2-(3-ブテニル)-7-(トランス-3-ペンテニル)フルオレンを得た。
【００９０】
また、4-ペンテニルマグネシウムクロリドをトランス-4-ヘキセニルマグネシウムクロリドに換える以外は同様にして、2-(3-ブテニル)-7-(トランス-4-ヘキセニル)フルオレンを得た。
【００９１】
更に、前記における2,7-ジヨードフルオレンに、2当量の4-ペンテニルマグネシウムクロリドを触媒量のテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)存在下に反応させることで、2,7-ビス(4-ペンテニル)フルオレンを得た。
【００９２】
また、1等量の4-ペンテニルマグネシウムクロリドを5-ヘキセニルマグネシウムクロリドに換える以外は同様にして、2-(4-ペンテニル)-7-(5-ヘキセニル)フルオレンを得た。
【００９３】
また、1等量の4-ペンテニルマグネシウムクロリドをトランス-3-ペンテニルマグネシウムクロリドに換える以外は同様にして、2-(4-ペンテニル)-7-(トランス-3-ペンテニル)フルオレンを得た。
【００９４】
また、1等量の4-ペンテニルマグネシウムクロリドをトランス-4-ヘキセニルマグネシウムクロリドに換える以外は同様にして、2-(4-ペンテニル)-7-(トランス-4-ヘキセニル)フルオレンを得た。
【００９５】
更に、前記における2,7-ジヨードフルオレンに、2当量の5-ヘキセニルマグネシウムクロリドを触媒量のテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)存在下に反応させることで、2,7-ビス(5-ヘキセニル)フルオレンを得た。
【００９６】
また、1等量の5-ヘキセニルマグネシウムクロリドをトランス-3-ペンテニルマグネシウムクロリドに換える以外は同様にして、2-(5-ヘキセニル-7-(トランス-3-ペンテニル)フルオレンを得た。
【００９７】
また、1等量の5-ヘキセニルマグネシウムクロリドをトランス-4-ヘキセニルマグネシウムクロリドに換える以外は同様にして、2-(5-ヘキセニル)-7-(トランス-4-ヘキセニル)フルオレンを得た。
【００９８】
更に、前記における2,7-ジヨードフルオレンに、2当量のトランス-3-ペンテニルマグネシウムクロリドを触媒量のテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)存在下に反応させることで、2,7-ビス(トランス-3-ペンテニル)フルオレンを得た。
【００９９】
また、1等量のトランス-3-ペンテニルマグネシウムクロリドをトランス-4-ヘキセニルマグネシウムクロリドに換える以外は同様にして、2-(トランス-3-ペンテニル)-7-(トランス-4-ヘキセニル)フルオレンを得た。
【０１００】
更に、前記における2,7-ジヨードフルオレンに、2当量のトランス-4-ヘキセニルマグネシウムクロリドを触媒量のテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)存在下に反応させることで、2,7-ビス(トランス-4-ヘキセニル)フルオレンを得た。
（実施例3）  2,6−ビス（3−ブテニル）-9,19-ジヒドロフェナントレンの合成。
【０１０１】
実施例1において、N-ブロモこはく酸イミドによる脱水素工程を省く事以外は実施例1と同様にして、2,6−ビス（3−ブテニル）-9,10-ジヒドロフェナントレンを得た。
【０１０２】
更に、実施例1で得た2,7-ジヨード-9,10-ジヒドロフェナントレンに、1当量の3-ブテニルマグネシウムクロリド、引き続き4-ペンテニルマグネシウムクロリドを触媒量のテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)存在下に反応させることにより、2-(3-ブテニル)-7-(4-ペンテニル)-9,10-ジヒドロフェナントレンを得た。
【０１０３】
同様にして以下の化合物を得た。
【０１０４】
上記における4-ペンテニルマグネシウムクロリドを5-ヘキセニルマグネシウムクロリドに換える以外は同様にして、2-(3-ブテニル)-7-(5-ヘキセニル)-9,10-ジヒドロフェナントレンを得た。
【０１０５】
また、4-ペンテニルマグネシウムクロリドをトランス-3-ペンテニルマグネシウムクロリドに換える以外は同様にして、2-(3-ブテニル)-7-(トランス-3-ペンテニル)-9,10-ジヒドロフェナントレンを得た。
【０１０６】
また、4-ペンテニルマグネシウムクロリドをトランス-4-ヘキセニルマグネシウムクロリドに換える以外は同様にして、2-(3-ブテニル)-7-(トランス-4-ヘキセニル)-9,10-ジヒドロフェナントレンを得た。
【０１０７】
更に、前記における2,7-ジヨード-9,10-ジヒドロフェナントレンに、2当量の4-ペンテニルマグネシウムクロリドを触媒量のテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)存在下に反応させることで、2,7-ビス(4-ペンテニル)-9,10-ジヒドロフェナントレンを得た。
【０１０８】
また、1等量の4-ペンテニルマグネシウムクロリドを5-ヘキセニルマグネシウムクロリドに換える以外は同様にして、2-(4-ペンテニル)-7-(5-ヘキセニル)-9,10-ジヒドロフェナントレンを得た。
【０１０９】
また、1等量の4-ペンテニルマグネシウムクロリドをトランス-3-ペンテニルマグネシウムクロリドに換える以外は同様にして、2-(4-ペンテニル)-7-(トランス-3-ペンテニル)-9,10-ジヒドロフェナントレンを得た。
【０１１０】
また、1等量の4-ペンテニルマグネシウムクロリドをトランス-4-ヘキセニルマグネシウムクロリドに換える以外は同様にして、2-(4-ペンテニル)-7-(トランス-4-ヘキセニル)-9,10-ジヒドロフェナントレンを得た。
【０１１１】
更に、前記における2,7-ジヨード-9,10-ジヒドロフェナントレンに、2当量の5-ヘキセニルマグネシウムクロリドを触媒量のテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)存在下に反応させることで、2,7-ビス(5-ヘキセニル)-9,10-ジヒドロフェナントレンを得た。
【０１１２】
また、1等量の5-ヘキセニルマグネシウムクロリドをトランス-3-ペンテニルマグネシウムクロリドに換える以外は同様にして、2-(5-ヘキセニル-7-(トランス-3-ペンテニル)-9,10-ジヒドロフェナントレンを得た。
【０１１３】
また、1等量の5-ヘキセニルマグネシウムクロリドをトランス-4-ヘキセニルマグネシウムクロリドに換える以外は同様にして、2-(5-ヘキセニル)-7-(トランス-4-ヘキセニル)-9,10-ジヒドロフェナントレンを得た。
【０１１４】
更に、前記における2,7-ジヨード-9,10-ジヒドロフェナントレンに、2当量のトランス-3-ペンテニルマグネシウムクロリドを触媒量のテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)存在下に反応させることで、2,7-ビス(トランス-3-ペンテニル)-9,10-ジヒドロフェナントレンを得た。
【０１１５】
また、1等量のトランス-3-ペンテニルマグネシウムクロリドをトランス-4-ヘキセニルマグネシウムクロリドに換える以外は同様にして、2-(トランス-3-ペンテニル)-7-(トランス-4-ヘキセニル)-9,10-ジヒドロフェナントレンを得た。
【０１１６】
更に、前記における2,7-ジヨード-9,10-ジヒドロフェナントレンに、2当量のトランス-4-ヘキセニルマグネシウムクロリドを触媒量のテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)存在下に反応させることで、2,7-ビス(トランス-4-ヘキセニル)-9,10-ジヒドロフェナントレンを得た。
（実施例4）  液晶組成物の調製
低粘性で特にアクティブマトリックス駆動用として好適なホスト液晶（H）
【０１１７】
【化２６】
0004314656.tif 000028
【０１１８】
を調製した。この（H）の物性値は以下の通りである。
ネマチック相上限温度（TN-I）：      116.7℃
応答時間（τr=τd）：              25.3m秒
閾値電圧（Vth）：                  2.14V
屈折率異方性（Δn）：              0.090
ここで、応答時間は厚さ4.5μmのＴＮセルに封入した場合に、立ち上がり時間（τr）と立ち下がり時間（τd）が等しくなる電圧印加時の測定値である。このホスト液晶（H）80%及び実施例1で得た（Ｉg）
【０１１９】
【化２７】
0004314656.tif 000029
【０１２０】
20%からなる液晶組成物(M-1)を調製した。このとき、(M-1)の物性値は以下の通りであった。
TN-I：                              100.2℃
閾値電圧（Vth）：                  2.47V
応答時間（τr=τd）：              21.0m秒
屈折率異方性（Δn）：              0.118
このように、ネマチック相上限温度（TN-I）は降下しているが、応答時間を大幅に改善していることがわかる。また、屈折率異方性も増大している。
【０１２１】
従って、一般式（Ｉ）の化合物は低閾値電圧、高速応答性液晶組成物の構成成分として非常に有用であることがわかる。
（比較例1）
実施例4において、本発明の（Ｉg）の化合物に換えて、（Ｉg）と類似構造を有するビフェニル骨格である式（ＩＩ）
【０１２２】
【化２８】
0004314656.tif 000030
【０１２３】
の化合物20%及びホスト液晶(H)80%からなる液晶組成物(MR-1)を調製した。この物性値は以下の通りであった。
TN-I：                            76.4℃
閾値電圧（Vth）：                2.62V
応答時間（τr=τd）：            18.0m秒
屈折率異方性（Δn）：            0.113
以上から明らかなように、（ＩＩ）はホスト液晶（H）に添加することにより応答性を大幅に改善させているが、ネマチック相上限温度を大幅に低下させ、閾値電圧をかなり上昇させてしまっている。また、屈折率異方性の拡大も（Ｉg）の場合より小さい。
【０１２４】
従って、本発明の一般式（Ｉ）の化合物は従来から知られているビフェニル系の減粘性液晶性化合物と比較して、応答速度の改善はやや劣るものの、ネマチック相上限温度が広く、閾値電圧の上昇も少ない。また、屈折率異方性を上昇させる効果も大きいことが明らかとなった。
【０１２５】
【発明の効果】
本発明により提供されるジアルケニル化合物は、実施例にも示したように市販の入手容易な化合物から工業的にも容易に製造することができる。また、得られたジアルケニル化合物を含有する液晶組成物は、従来用いられている同様あるいは類似骨格を有する減粘性液晶性化合物と比較して、そのネマチック相上限温度が広く、閾値電圧の上昇が少なく、屈折率異方性を増大する効果に優れるため、実用的液晶として特に高速応答を必要とする液晶表示用として極めて有用である。