(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
硝酸インジウムと錫アルコキシドとを出発原料としてＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆体塗布液を製造する方法において、
溶剤としてエチレングリコールモノアルキルエーテルもしくはプロピレングリコールモノアルキルエーテルを用いることを特徴とするＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆体塗布液の製造方法。
【請求項２】
硝酸インジウムが、予め脱水処理された硝酸インジウムである請求項１記載のＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆体塗布液の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、ガラス、セラミックス、プラスチックスなどの基体の表面に、低温での結晶化が可能である導電性の酸化インジウム−酸化錫（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２；ＩＴＯ）薄膜を形成させるために用いられるＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆体塗布液を製造する方法に関し、特に、硝酸インジウムと錫アルコキシドとを出発原料としてＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆体塗布液を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
透明導電性ＩＴＯ薄膜は、スパッタリング法、ＣＶＤ法などの乾式プロセスや、金属アルコキシドを出発原料としてゾル−ゲル法により基板の表面に形成された塗布膜を適当な温度で加熱処理する方法、金属塩を出発原料とした噴霧分解法などの乾式プロセスにより製造されている。
【０００３】
上記した方法のうち、スパッタリング法は、透明導電性のＩＴＯ薄膜の形成に最も広く用いられている方法であるが、処理が真空プロセスで行われるため、ＩＴＯ薄膜を形成しようとする基板の形状や大きさが制約される、といった問題点がある。また、ＣＶＤ法では、出発原料としての揮発性のインジウムおよび錫の確保が必要であり、また、それぞれの原料物質の組成比の制御が難しい、といった問題点がある。
【０００４】
これに対し、ゾル−ゲル法を利用してＩＴＯ薄膜を形成する方法は、所望の化学量論比の膜を容易に得ることが可能である。
【０００５】
一方、ゾル−ゲル法を用いてＩＴＯ薄膜を製造する方法では、一般に、シリコンアルコキシドを除く金属アルコキシドの加水分解速度が非常に速いため、成膜可能な均質なゾルを調製することが困難である。そこで、金属アルコキシドの加水分解速度を抑制するための幾つかの方法が検討されている。
【０００６】
金属アルコキシドの加水分解速度を抑制する方法としては、例えば、金属アルコキシドの濃度を極端に低くすることにより、塗布液の均質な成膜を可能にする方法がある。しかしながら、この方法は、１回の成膜工程で得られる膜厚が非常に薄くなるため、工業的な見地からは有効な方法ではない。
【０００７】
一方、多座配位可能な有機化合物を添加して、金属アルコキシドを安定化させる方法が幾つか提案されている。例えば、マテリアルズ・リサーチ・ソサイアティ・シンポジウム・プロシーディングズ（Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ）  ３４６，ｐ４６９（１９９４）やマテリアルズ・リサーチ・ソサイアティ・シンポジウム・プロシーディング  ２７１，ｐ４０１（１９９２）には、インジウムアルコキシドを出発原料とし、アルカノールアミンを併用して、ＩＴＯ薄膜を製造する方法が開示されている。
【０００８】
また、窯業協会誌  ９０，ｐ９（１９８２）には、硝酸インジウムと硝酸錫をアセチルアセトンに溶解させた後、成膜、熱分解させることにより、ＩＴＯ薄膜を作成する方法が開示されている。さらに、日本セラミックス協会学術論文誌  １０２，２００（１９９４）には、複合酸化物としてのＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２ゾルの調製のために、金属アルコキシドに代えて硝酸インジウムと塩化錫を使用して、コロイド粒子を合成する方法が開示されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
上記したゾル−ゲル法では、金属酸化物を結晶化させるために、４００℃〜７００℃程度の温度での加熱処理が必要である。たとえば、マテリアルズ・リサーチ・ソサイアティ・シンポジウム・プロシーディング  ２７１，ｐ４０１（１９９２）、窯業協会誌  ９０，ｐ９（１９８２）および日本セラミックス協会学術論文誌  １０２，２００（１９９４）に記載されている各方法では、それぞれ４００℃、４５０℃および５５０℃以上の温度での加熱処理が必要であった。このため、プラスチックスなどのような耐熱性の低い基体上にＩＴＯ薄膜を形成することができなかった。また、Ｎａ等の元素を多く含む基板では、数百℃の加熱処理による膜中への数百ｐｐｍ〜数％のＮａ成分の拡散により、高導電率のＩＴＯ薄膜を形成することが非常に難しかった。
【００１０】
また、金属アルコキシドを出発原料に用いたゾル−ゲル法では、高純度のＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２塗布液を合成することが困難であり、このため、高品位のＩＴＯ薄膜を形成することが難しい、といった問題点がある。
【００１１】
上記したように多座配位化合物の添加により金属アルコキシドの加水分解速度を抑制する方法によれば、均質な塗布液を容易に調製することができるが、得られた塗布膜中に多くの有機物が残留することになる。この結果、その残留物の除去のために塗布膜を５００℃程度の高温で加熱処理することが必要になる。また、塗布膜中に多くの有機物が残存するため、塗布膜を加熱処理すると膜の重量減少が大きくなる。言い換えると、塗布膜からの有機物の除去によって膜中に多くの気孔が生成し、欠陥となり易い。そして、膜の微細組織を改善するためには、余分なエネルギーが必要となる。
【００１２】
なお、上記したように金属塩を用いる方法は、基本的には熱分解法であり、加熱処理後の膜質に多くの問題を生じることになる。
【００１３】
この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、硝酸塩を出発原料とするゾル−ゲル法を用いて基体の表面にＩＴＯ薄膜を形成する場合において、安定性に優れた高純度のＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆体塗布液を得ることができ、高品位のＩＴＯ薄膜を得ることを可能にするＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆体塗布液の製造方法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る発明は、硝酸インジウムと錫アルコキシドとを出発原料としてＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆体塗布液を製造する方法において、溶剤としてエチレングリコールモノアルキルエーテルもしくはプロピレングリコールモノアルキルエーテルを用いることを特徴とする。
【００１５】
請求項２に係る発明は、請求項１記載の製造方法において、出発原料である硝酸インジウムとして、予め脱水処理された硝酸インジウムを用いることを特徴とする。
【００１６】
請求項１に係る発明の製造方法によると、安定性に優れた高純度のＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆体塗布液が得られることになる。請求項１に係る発明は、硝酸インジウムと錫アルコキシドとを出発原料としてＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆体塗布液を製造する場合に、溶剤としてエチレングリコールモノアルキルエーテルもしくはプロピレングリコールモノアルキルエーテルを用いることが有効であることを新たに見出してなされたものである。
【００１７】
請求項２に係る発明の製造方法によると、予め脱水処理された硝酸インジウムを出発原料に用いることにより、得られたＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆体塗布液の成膜性などが向上することになる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の好適な実施形態について説明する。
【００１９】
この発明に係る製造方法では、硝酸インジウムと錫アルコキシドとを出発原料として、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆体塗布液を調製する。そして、得られた塗布液を被塗布物の表面に塗布して塗布膜を形成し、その塗布膜を形成するＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２を結晶化させて導電性のＩＴＯ薄膜を得る。
【００２０】
Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２塗布液の出発原料として用いられる硝酸インジウムは、後述する溶剤に容易に溶解し、その分解温度も低い。硝酸インジウム中のＮａ不純物量は、１０ｐｐｍ以下であることが好ましく、５ｐｐｍ以下であることがより好ましい。なお、硝酸塩以外のインジウム塩は、後述する殆どの溶剤に対して不溶であり、均質な塗布液を得ることができない。
【００２１】
塗布液の出発原料として用いられる硝酸インジウムは、予め脱水処理しておくことが好ましい。硝酸インジウムを脱水処理することで、得られる塗布液の、各種基板に対する塗れ性が向上し、より膜質の優れたＩＴＯ薄膜が最終的に得られることになる。
【００２２】
錫原料としては、金属アルコキシドが用いられる。錫アルコキシドは、均質な塗布液を調製することが可能であれば、その種類は特に限定されないが、例えば、含有酸化物濃度、入手の容易さなどから、アルコキシル基の炭素数が１〜４であるものが好ましい。例えば、錫アルコキシドとしては、錫メトキシド、錫エトキシド、錫プロポキシド、錫ブトキシドなどが使用される。錫アルコキシドは、１種類のものを使用するようにしてもよいし、２種以上のものを組み合わせて使用するようにしてもよい。また、金属アルコキシドと金属塩とを組み合わせて使用することも可能である。錫原料中のＮａ不純物量は、１０ｐｐｍ以下であることが好ましく、５ｐｐｍ以下であることがより好ましい。
【００２３】
硝酸インジウムと錫アルコキシドとの含有割合は特に限定されないが、より低抵抗のＩＴＯ薄膜を得るためには、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２のうちにＳｎＯ２が１重量％〜２０重量％だけ含まれるような割合とすることが好ましい。
【００２４】
溶剤としては、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−プロポキシエタノール、２−ブトキシエタノールなどのエチレングリコールモノアルキルエーテル、または、１−メトキシ−２−プロパノール、１−エトキシ−２−プロパノールなどのプロピレングリコールモノアルキルエーテルが用いられ、それらのうちの１種のもの、あるいは２種以上のものを組み合わせて使用する。
【００２５】
塗布液の調製方法は、特に限定されないが、代表的な調製方法を説明すると、まず、硝酸インジウムを溶剤に添加し、硝酸インジウムを溶剤と反応させて、硝酸基を部分的にアルコキシル基に置換させ、Ｉｎ（ＮＯ３）３−Ｘ（ＯＲ）Ｘ（Ｒはアルキル基、ｘ＝２〜３）とする。錫アルコキシドは、この反応が終了した後に添加してもよいし、予め溶剤に添加していてもよいが、塗布液中に錫アルコキシドが共存することで、Ｉｎ（ＮＯ３）３−Ｘ（ＯＲ）Ｘ溶液が安定化するため、予め混合させておくことが好ましい。また、得られた反応溶液を加熱処理することも可能である。さらに、得られた反応生成物Ｉｎ（ＮＯ３）３−Ｘ（ＯＲ）Ｘの重合を促進させるために、水の添加による部分加水分解を行わせるようにしてもよい。この際の水の添加量は、インジウムと錫との混合比率などによって異なるため、特定することはできない。また、触媒として酸または塩基が適宜併用される。使用する触媒は特に限定されないが、高純度材料を得るためには、金属成分を含まない化合物が好ましい。例えば、酸としては、塩酸、硝酸、硫酸、燐酸などの鉱酸、炭酸、ほう酸、蟻酸、酢酸、シュウ酸などの有機酸が用いられる。また、塩基としては、アンモニア、アミン類などが用いられる。
【００２６】
上記したような製造方法で得られたＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆体塗布液は、成膜したい基体上に塗布することにより、基体の表面に塗布膜を形成する。塗布の方法として、ディップコート、スピンコート、フローコート、バーコートなど、一般に実施されている方法を利用することができる。
【００２７】
得られた塗布膜は、加熱処理や光照射など、目的に応じた処理が施されることにより、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２相が結晶化されて、導電性のＩＴＯ薄膜が形成される。
【００２８】
光照射によりＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２相を結晶化する場合は、例えば、塗布膜に対して波長が２８０ｎｍ以下であるレーザ光を照射する。これにより、加熱処理を行わなくても、結晶性の透明導電性ＩＴＯ薄膜が得られることとなる。あるいは、塗布膜に対して波長が２８０ｎｍ以下である紫外光を照射し、塗布膜中に金属インジウムおよび／または金属錫を析出させた後、金属インジウムおよび／または金属錫が析出した塗布膜に対して波長が６００ｎｍ以下であるレーザ光を照射する。この場合において、塗布液を被塗布物の表面に塗布して形成された塗布膜に対して波長が２８０ｎｍ以下である紫外光が照射されることにより、塗布膜中に金属インジウムおよび／または金属錫が析出する。この理由は、明確には分からないが、２８０ｎｍ以下の紫外光を塗布膜が吸収することにより、化学結合の切断と再結合が進行するからであると考えられる。この金属インジウムおよび／または金属錫が析出した塗布膜が、波長が６００ｎｍ以下であるレーザ光を吸収することにより、塗布膜中のインジウムおよび／または錫が再酸化され、塗布膜を形成するＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２が結晶化する。ここで、通常のゲル膜は、６００ｎｍ〜２８０ｎｍの長波長域ではレーザ光の吸収が起こらないが、ゲル膜中に金属インジウムや金属錫が生成していることにより、６００ｎｍ〜２８０ｎｍの長波長域でもレーザ光が塗布膜に吸収され、そのエネルギーによってＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２相の結晶化が進行することになる。これにより、加熱処理を行わなくても、結晶性の透明導電性Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜が得られることとなる。
【００２９】
塗布膜に対してレーザ光を照射する光源としては、波長が２８０ｎｍ以下であるレーザ光を照射可能なものであれば特に限定されないが、例えば、ＡｒＦエキシマレーザ、ＫｒＦエキシマレーザ、シンクロトロン放射光、ＹＡＧレーザ４倍波などが使用される。また、これらの光源のうちの２つもしくはそれ以上のものを組み合わせて使用することも可能である。
【００３０】
塗布膜中に金属インジウムおよび／または金属錫を析出させるための紫外光の光源としては、２８０ｎｍ以下の波長の光を含む光源が用いられる。波長が２８０ｎｍより長い光のみでは、目的とする金属インジウムおよび／または金属錫が分散した塗布膜を得ることができない。このため、低圧水銀ランプ、２８０ｎｍ以下の波長の紫外光を放出可能であるエキシマランプやエキシマレーザなどが使用される。光照射強度や照射時間は、塗布液の種類、Ｉｎ／Ｓｎ比、塗布膜の厚みなどにより適宜決定されるが、ＩＴＯ薄膜を得るためには、照射後における塗布膜の透過率が２０％以上となることが好ましい。また、照射後における塗布膜の透過率が２０％未満となると、次の工程で塗布膜へレーザ光を照射した後に金属が残存し、ＩＴＯ薄膜の透過率が低下することになるため、照射後における塗布膜の透過率は３０％〜６０％であることがより好ましい。
【００３１】
金属インジウムおよび／または金属錫が析出した塗布膜に対してレーザ光を照射する光源としては、波長が６００ｎｍ以下である光を照射することができるものであれば、特に限定されない。波長が６００ｎｍより長い光を基板上の塗布膜に照射すると、基板が加熱されることになるため、プラスチックスなどの耐熱性に劣る基板の表面にＩＴＯ薄膜を形成することができなくなる。光源としては、ＡｒＦエキシマレーザ、ＫｒＣｌエキシマレーザ、ＫｒＦエキシマレーザ、ＸｅＣｌエキシマレーザ、ＸｅＦエキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザなどの気体レーザ、ＹＡＧレーザの２倍波、３倍波および４倍波などの高調波、ルビーレーザの２倍波、３倍波および４倍波などの高調波などの固体レーザなどが使用される。また、これらの光源のうちの２つもしくはそれ以上のものを組み合わせて使用することも可能である。レーザ光の照射出力や照射時間（ショット数）は、塗布膜やレーザの種類により適宜選定される。
【００３２】
【実施例】
次に、この発明のより具体的な実施例について説明する。
【００３３】
［Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２塗布液の調製］
〈実施例１〜８〉
硝酸インジウム−３水和物とテトラ−ｔ−ブトキシ錫とを、固形分濃度が５重量％となるように各種の溶剤に添加し、その溶液を室温で攪拌することにより、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２塗布液を調製した。原料の配合割合や合成条件を表１にまとめて示す。なお、硝酸インジウム中のＮａ不純物量は、３ｐｐｍであった。
【００３４】
【表１】
0004264145.tif 000002
【００３５】
〈実施例９〜１４〉
硝酸インジウム−３水和物を１０５℃の温度で５時間、油圧ポンプを用いた真空乾燥器により脱水処理した後、得られた硝酸インジウムを用いて、上記した実施例１〜８と同様の操作により、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２塗布液を調製した。原料の配合割合や合成条件を表２にまとめて示す。
【００３６】
【表２】
0004264145.tif 000003
【００３７】
実施例９〜１４で得られた塗布液は、半年以上放置しても、その特性に大きな変化は認められなかった。
【００３８】
〈比較例１〉
上記した実施例１において、溶剤として２−ブタノールを用いて塗布液を調製した。しかしながら、均質なＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２塗布液は得られなかった。
【００３９】
〈比較例２〉
トリ−ｔ−ブトキシインジウムとテトラ−ｔ−ブトキシ錫（Ｉｎ／Ｓｎ＝９／１モル比）とを２−ブタノールに添加し、さらにその溶液にインジウムと等モルのアセチルアセトンを添加して、アルコキシド混合溶液を調製した。また、アルコキシド混合溶液に添加したときにＩｎ２Ｏ３の固形分濃度が５重量％となるように、０．１Ｎ塩酸−２−ブタノール混合液（Ｈ２Ｏ／Ｉｎのモル比は０．８）を調製し、その混合液を室温でアルコキシド混合溶液に添加し、加水分解によりＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２塗布液を得た。ここで用いたトリ−ｔ−ブトキシインジウムには、０．１％のＮａが不純物として混入していた。
【００４０】
［ＩＴＯ薄膜の形成および薄膜の物性］
上記した実施例１１、１２および比較例２でそれぞれ得られたＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２塗布液を、スピンコータを使用して１，０００ｒｐｍの回転数でシリカ基板の表面に塗布し、基板上に成膜した。これにより、いずれの場合にも、外観上均質な塗布膜が得られた。それぞれ得られた塗布膜を各種の温度で１時間、大気中で加熱処理した後、得られた薄膜の膜厚および抵抗値について評価した。膜厚は、段差計を使用して測定した。比抵抗値は、４端子法によりシート抵抗を求め、膜厚の値を用いて換算した（三菱化学製、ロレスタ・ＭＰ、ＭＣＰ−Ｔ３５０を使用）。得られた薄膜の特性を表３にまとめて示す。
【００４１】
【表３】
0004264145.tif 000004
【００４２】
表３に示した結果から分かるように、実施例１１、１２でそれぞれ得られたＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２塗布液を用いて成膜した塗布膜では、４５０℃の温度での焼成により、既に最低の比抵抗値が得られている。これまでの報告では、最低の比抵抗値を得るためには、塗布膜を６００℃〜８００℃の温度での焼成が必要であり、実際に、比較例２で得られたＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２塗布液を用いて成膜した塗布膜では、６００℃の温度での焼成において比抵抗値が最低になった。
【００４３】
なお、表３に示した結果は、塗布液をシリカ基板の表面に１回塗布して成膜したときのものであるが、実施例１２で得られたＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２塗布液をシリカ基板の表面に５回塗布して成膜した後、焼成すると、膜厚が２２０ｎｍで比抵抗値が２．１×１０−３ΩｃｍであるＩＴＯ薄膜が得られた。
【００４４】
［レーザ光照射］
〈実施例１５〜１７〉
実施例１２で得られたＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２塗布液を成膜してシリカ基板上に形成された塗布膜に対し、各種の光源からそれぞれレーザ光を照射した。これにより、結晶性のＩＴＯ薄膜が得られた。レーザ光の照射条件や得られた薄膜の特性を表４にまとめて示す。
【００４５】
【表４】
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【００４６】
〈比較例３、４〉
実施例１２で得られたＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２塗布液を成膜してシリカ基板上に形成された塗布膜に対し、波長が２８０ｎｍより長いレーザ光を各種の条件で照射した。この結果、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２の結晶化は認められず、導電性も発現しなかった。レーザ光の照射条件や得られた薄膜の特性を表４にまとめて示す。
【００４７】
表４に示した結果から分かるように、実施例１５〜１７におけるように、波長が２８０ｎｍ以下であるレーザ光を塗布膜へ照射すると、光源の種類に拘わらず、加熱処理することなくＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２相の結晶化が認められ、約９×１０−３Ωｃｍの比抵抗値を有する透明導電性のＩＴＯ薄膜が得られた。これに対し、比較例３、４におけるように、波長が２８０ｎｍより長いレーザ光を塗布膜へ照射しても、塗布膜に変化は認められなかった。
【００４８】
〈実施例１８〜２１〉
実施例１２で得られたＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２塗布液を成膜してシリカ基板上に形成された塗布膜に、低圧水銀ランプ（１０ｍＷ／ｃｍ２）を用いて、紫外光を３０分間照射した。紫外光の照射により、シリカ基板上の塗布膜中に金属インジウムが生成し、膜は黒化した。得られた塗布膜のＸ線回折パターンを図１に示す。さらに、金属インジウムが生成された塗布膜に対し、各種のレーザ光を照射した。これにより、結晶性のＩＴＯ薄膜が得られた。レーザ光の照射条件および得られたＩＴＯ薄膜の特性を表５にまとめて示す。
【００４９】
【表５】
0004264145.tif 000006
【００５０】
表５に示した結果から分かるように、予め塗布膜に対し２８０ｎｍ以下の波長の紫外光を照射して、塗布膜中に金属インジウムを析出させることにより、実施例２１で示した通りより長波長のレーザ光の照射によっても、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２の結晶化が可能になる。また、表４に示した結果と比較すれば明らかなように、予め塗布膜に対し２８０ｎｍ以下の波長の紫外光を照射して塗布膜中に金属インジウムを析出させた後にレーザ光を照射すると、透過率が良くなる。言い換えれば、予め塗布膜へ紫外光を照射した後にレーザ光を照射することにより、レーザ光の照射による塗布膜のダメージを低減させることができ、より高品質のＩＴＯ薄膜を得ることができる。
【００５１】
以上の実施例で示した通り、この発明に係る方法によれば、安定性に優れた高純度のＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆体塗布液を調製することができる。そして、Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２塗布膜に対して波長が２８０ｎｍ以下であるレーザ光を照射することにより、加熱処理を行うことなく結晶性のＩＴＯ薄膜を製造することが可能である。また、予めＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２塗布膜に対して波長が２８０ｎｍ以下である紫外光を照射することにより、波長が６００ｎｍ以下であるレーザ光の照射によってもＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２の結晶化が可能になる。このように、この発明に係る方法によると、耐熱性の劣るプラスチックス基板上などにも、結晶性の導電性ＩＴＯ薄膜を形成することが可能である。
【００５２】
【発明の効果】
請求項１に係る発明の製造方法によると、安定性に優れた高純度のＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆体塗布液を得ることができ、高品位のＩＴＯ薄膜を得ることが可能となる。
【００５３】
請求項２に係る発明の製造方法では、成膜性などがより向上したＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２前駆体塗布液を得ることができ、より高品位のＩＴＯ薄膜を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明に係る製造方法によって得られた、金属インジウムが析出した塗布膜のＸ線回折パターンを示す図である。
【図１】
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