(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通孔が形成された絶縁性平板の一方の面側に設けられ該絶縁性平板よりも薄い薄板と、前記貫通孔を利用したキャビティ底面の薄板上に少なくとも樹脂を有するダイボンド部材によりダイボンドされた光半導体素子と、前記絶縁性平板に設けられた光半導体素子と外部とを電気的に接続させるリード電極と、前記キャビティ内の光半導体素子を被覆する透光性樹脂とを有する光半導体装置であって、前記キャビティ底面を構成する薄板が金属であり、その表面は、少なくとも樹脂又は多孔質材料であることを特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
前記多孔質材料はセラミックである請求項１に記載の光半導体装置。
【請求項３】
前記薄板を構成する金属が樹脂によって封止され前記リード電極と電気的に独立している請求項１または２に記載の光半導体装置。
【請求項４】
内部に光半導体素子が配置された光半導体装置の形成方法において、（ａ）絶縁性平板に貫通穴を形成する工程と、（ｂ）接着シートを介して絶縁性平板と金属とを添設する工程と、（ｃ）前記絶縁性平板上に少なくとも一対のリード電極を形成する工程と、（ｄ）前記貫通穴を利用したキャビティ底面の接着シート上に光半導体素子を少なくとも樹脂を有するダイボンド部材によってダイボンドする工程と、（ｅ）前記光半導体素子の各電極と前記絶縁性平板に形成されたリード電極とを導電性材料でそれぞれ電気的に接続する工程と（ｆ）少なくとも前記光半導体素子を透光性樹脂で被覆する工程とを有することを特徴とする光半導体装置の形成方法。
【請求項５】
内部に光半導体素子が配置された光半導体装置の形成方法において、（ａ）接着シートを有する絶縁性平板に貫通穴を形成する工程と、（ｂ）前記接着シートを介して絶縁性平板と、少なくとも絶縁性平板と対向する表面にセラミックを有する金属層とを添設する工程と、（ｃ）前記絶縁性平板に少なくとも一対のリード電極を形成する工程と、（ｄ）前記貫通穴を利用したキャビティ底面のセラミック上に光半導体素子を少なくとも樹脂を有するダイボンド部材によってダイボンドする工程と、（ｅ）前記光半導体素子の各電極と、前記絶縁性平板に形成されたリード電極とを導電性材料でそれぞれ電気的に接続する工程と（ｆ）少なくとも前記光半導体素子を透光性樹脂で被覆する工程とを有することを特徴とする光半導体装置の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はスイッチ内照明やドットマトリクスディスプレイの各種光源や光センサなど、ＳＭＤ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｍａｕｎｔ  Ｄｅｖｉｃｅ）などとして利用される表面実装用の光半導体装置に係わり、特に小型化可能であり、信頼性の高い光半導体装置及びその形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
今日、発光素子や受光素子はスイッチ内照明、ドットマトリクスディスプレイ等の各種光源やセンサとして種々利用されている。利用分野の広がりと共により小型化され回路基板上に直接実装できるようなＳＭＤ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｍａｕｎｔ  Ｄｅｖｉｃｅ）などとして利用される表面実装用の光半導体装置が開発されつつある。光半導体装置は極めて小さく形成できると共に内部に配置される光半導体素子を保護するパッケージなどにより、扱い安さを向上させることができる。
【０００３】
このような光半導体装置として特開平８−１２５２２７号などが挙げられる。光半導体装置の具体的一例として本発明と比較のためのチップ部品型発光ダイオードを図６に示す。図６に示す表面実装型発光ダイオード６００は、貫通孔６０２を有する樹脂基板６０１に金属薄板６０４を設けたパッケージを利用してある。パッケージの表面から側面、裏面にかけては一対の配線パターン６０５、６０６が形成されている。一方の配線パターン６０６は、貫通孔内の側壁に沿って延びた金属薄板となっている。金属薄板上にはＡｇペースト６０７を用いてＬＥＤチップを固定すると共にＬＥＤチップ６０３の一方の電極と導通を取っている。他方の配線パターン６０５はパッケージに設けられた貫通孔の外側上面においてＬＥＤチップ６０３の他方の電極と金属細線６０８を用いて導通を取っている。ＬＥＤチップ上に透明樹脂６０９を設けることにより表面実装型発光ダイオード６００を形成してある。
【０００４】
こうして形成された表面実装型発光ダイオードは貫通孔６０２及び金属薄板６０４を利用した凹部にＬＥＤチップ６０３を配置させてあるため、全体の厚みを極めて薄くすることができる。そのため、量産性よく小型化可能な表面実装型発光ダイオードを形成することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、使用環境の広がりと共に求められるより厳しい環境下で使用されるにつれ、上記構成の表面実装型発光ダイオードなどにおいては十分な信頼性を得ることが難しくさらなる改良が求められていた。本発明は上記問題点に鑑み、信頼性が高く且つ薄型化が可能な光半導体装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、貫通孔が形成された絶縁性平板の一方の面側に設けられ該絶縁性平板よりも薄い薄板と、貫通孔を利用したキャビティ底面の薄板上に少なくとも樹脂を有するダイボンド部材によりダイボンドされた光半導体素子と、絶縁性平板に設けられた光半導体素子と外部とを電気的に接続させるリード電極と、キャビティ内の光半導体素子を被覆する透光性樹脂とを有する光半導体装置である。特に、薄板が金属であり、その表面が、少なくとも樹脂又は多孔質材料である光半導体装置である。これにより、光半導体装置を量産性よく小型化できると共に信頼性を著しく向上し得るものである。
【０００７】
本発明の請求項２に記載の光半導体装置は、多孔質材料がセラミックである。これにより光半導体素子からの放熱性を向上させるばかりでなく機械的強度を向上し得る。さらに、光利用効率を向上させ得ることもできる。
【０００８】
本発明の請求項３に記載の光半導体装置は、薄板を構成する金属が樹脂によって封止され前記リード電極と電気的に独立している。接着シートなど接着剤で絶縁性平板と薄膜とを添設させた場合、光半導体装置の半田などの実装時に接着シートの界面から半田などが浸入する場合がある。同様に水分が浸入することもある。本発明はこのような水分や半田の浸入を防止すると共に薄板に導電性の部材を利用していたとしてもリード電極から電気的に独立しているため、薄板を介してリード電極間がショートすることを極めて低減することができる。また、薄板上の樹脂は、絶縁性を高める他に半田塗れ性を高め、光半導体装置を半田付け等する場合における電極間の短絡を防止する効果をも有する。
【０００９】
本発明の請求項４に記載の光半導体装置の形成方法は、絶縁性平板に貫通穴を形成する工程と、接着シートを介して絶縁性平板と金属とを添設する工程と、絶縁性平板上に少なくとも一対のリード電極を形成する工程と、貫通穴を利用したキャビティ底面の接着シート上に光半導体素子を少なくとも樹脂を有するダイボンド部材によってダイボンドする工程と、光半導体素子の各電極と絶縁性平板に形成されたリード電極とを導電性材料でそれぞれ電気的に接続する工程と、少なくとも光半導体素子を透光性樹脂で被覆する工程とを有する。これにより比較的簡単な工程で小型化可能且つ信頼性の高い光半導体装置を量産性よく形成させることができる。
【００１０】
本発明の請求項５に記載の光半導体装置の形成方法は、接着シートを有する絶縁性平板に貫通穴を形成する工程と、接着シートを介して絶縁性平板と、少なくとも絶縁性平板と対向する表面にセラミックを有する金属層とを添設する工程と、絶縁性平板に少なくとも一対のリード電極を形成する工程と、貫通穴を利用したキャビティ底面のセラミック上に光半導体素子を少なくとも樹脂を有するダイボンド部材によってダイボンドする工程と、光半導体素子の各電極と、絶縁性平板に形成されたリード電極とを導電性材料でそれぞれ電気的に接続する工程と、少なくとも光半導体素子を透光性樹脂で被覆する工程とを有する。これにより上述と同様、比較的簡単な工程で小型化可能且つ信頼性の高い光半導体装置を量産性よく形成させることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明者らは種々の実験の結果、貫通孔を持った絶縁性平板に特定の表面を持った薄板を添設することにより、小型化と信頼性とを向上させ得ることを見いだし本発明をなすに至った。
【００１２】
本発明の構成による信頼性向上の作用は定かではないが、貫通孔を持った絶縁性平板に添付された薄板の表面形状が大きく影響すると考えられる。即ち、貫通孔を持った絶縁性平板及び薄板を利用することにより、量産性よく小型化を図ることができる。特に、キャビティの凹部底面を構成する薄板は、絶縁性平板よりも薄くするなどすると光半導体素子からの熱を外部に放出しやすくなり駆動安定性や信頼性などの特性が向上できる。他方、光半導体装置の半田接続時や外部環境などからの種々の熱を薄板を介して光半導体素子や貫通孔内部に直接繰り返し与えられる影響も大きくなる。
【００１３】
このような熱は光半導体素子を被覆する透光性樹脂と貫通孔の側壁や薄板との熱膨張率の差や形成時に混入した水分の膨張などにより光半導体素子を薄板などから剥離すると考えられる。特に金属薄板を用いた場合は、光半導体素子を被覆する樹脂との密着性が相対的に低いばかりでなく、熱伝導性が高く樹脂との熱膨張率が著しく異なるために剥離傾向が極めて強いと考えられる。光半導体素子と薄板との剥離は光学特性を変化させるばかりでなく、電極近傍の導電性部材である金属細線の断線などを生じさせる。場合によっては光半導体素子と外部との電気的に導通がとれないという不都合を生ずる。
【００１４】
本発明は、図１の斜視図に示す如く、貫通孔が形成された絶縁性平板１０１の一方の面側に設けられ絶縁性平板よりも薄い薄板１１１と、貫通孔を利用したキャビティ底面の薄板上に少なくとも樹脂を有するダイボンド部材によりダイボンドされた光半導体素子１０３と、絶縁性平板に設けられた光半導体素子１０３と外部とを電気的に接続させるリード電極１０５と、キャビティ内の光半導体素子を被覆する透光性樹脂１０９とを有する光半導体装置である。特に、キャビティ底面を構成する薄板１１１の表面は、少なくとも樹脂１１２となっている。これにより、小型化、量産性を維持しつつ、光半導体素子を被覆する透光性樹脂、光半導体素子を実装するダイボンド部材などとの密着性を向上させた薄板を利用することで、より信頼性を向上せしめ得るものである。以下、本発明の実施例について詳述するがこれのみに限られないことはいうまでもない。
【００１５】
【実施例】
（実施例１）以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。図２、図３は本発明の一実施例を示すものであり、その製造工程を図３に基づいて説明する。あらかじめ、リード電極の一部を構成する銅箔が好適に形成されたガラスエポキシを絶縁性平板１０１として利用する（図３Ａ工程）。
【００１６】
絶縁性平板１０１には後に、光半導体素子であるＬＥＤチップ１０３が配置されるキャビティを構成する貫通孔を形成する。絶縁性平板１０１は、ＬＥＤチップなどの光半導体素子１０３を外部から保護すると共に薄型化が可能なものが好ましく、具体的にはガラスエポキシ、液晶ポリマー、アクリル樹脂、エポキシ樹脂やセラミックなど種々のものを利用することができる。絶縁性平板１０１に設けられる貫通孔は、内部に光半導体素子を配置させる程度の大きさでよく、光半導体素子として、ＲＧＢ（赤色、緑色、青色）のＬＥＤチップを配置させる場合、ＹＢ（黄色、青色）のＬＥＤチップを配置させる場合や発光素子と受光素子とを共に配置させる場合など複数個利用する場合はそれぞれが配置可能な大きさとすればよい。したがって、絶縁性平板に形成される貫通孔は光半導体素子の大きさ、形状や数に合わせて絶縁性平板の種々の位置に複数設けることもできる。
【００１７】
同様に、絶縁性平板１０１の厚みは貫通孔を利用することによりキャビティの深さを構成するため、所望に応じて種々の厚みのものを利用することができる。また、特に光半導体素子として窒化物半導体である活性層をダブルへテロ構造とした発光素子を利用する場合、活性層の端面方向から放出される光が極めて多いため、キャビティの側壁となる貫通孔に反射性の高い材質を利用することが好ましい。これにより貫通孔を形成するだけで光利用効率の高い光半導体装置とすることができる。具体的には、キャビティ側壁には可視光の短波長側で光の吸収の大きいＡｕメッキなどを形成させることなく、絶縁性樹脂平板の白色材質面を露出させることで効果的に光を利用することができる。
【００１８】
キャビティを構成する貫通孔は絶縁性平板が薄くとも貫通孔により比較的簡単に制御性よく形成できるため、極めて浅く形成することができる。具体的には約２００μｍ以下程度の厚さとすることもできる。このような貫通孔は、絶縁性平板をエッチングすることにより構成することができるし、ドリルを用いて機械的に構成することもできる。さらに、炭酸ガスを利用したガスレーザー、ＹＡＧを利用した固体レーザーなど各種レーザーを用いて貫通孔を形成することもできる。エッチング溶液の選択、ドリルの刃先形状やレーザー光の集光を調整することで貫通孔の形状をすり鉢状や円柱状など所望に調整することもできる。同様に正面から見た貫通孔の形状も円形のみに限定されず、楕円形、正方形、長方形、縁なしの矩形や複数の円形が連続して貫通した形状など所望に応じて種々のものを選択することができる。
【００１９】
次に、略中央に貫通穴が形成された絶縁性平板に薄板として厚さ約６０μｍのエポキシ樹脂からなる接着シート１１２を介して金属層１１１を張り合わせ貫通孔を利用したキャビティ１０２を形成する。薄板１１１を絶縁性平板１０１よりも薄くすることで光半導体装置１００全体の厚みを薄くできると共に放熱性を向上させ得ることができる。絶縁性平板１０１は光半導体素子１０３を保護する或いは光利用効率を向上させるなどのために厚みの制限が設けられやすいのに対し、薄板１１１は光半導体素子１０３を支持することができればよいからである。
【００２０】
薄板１１１として約３０から１７０μｍの厚さのものを好適に利用することができる。本発明の薄板１１１はダイボンド樹脂を介して光半導体素子を固定する。或いは、透光性樹脂であるモールド部材１０９などと接する場合があり、ダイボンド樹脂１０７や樹脂モールド部材１０９などとの密着性が優れた表面を持つ。薄板の具体的表面としてはダイボンド樹脂などとの化学的や機械的に結合できるような密着性の優れた樹脂表面１１２や多孔質表面を持ったセラミックなどを利用することができる。極めて薄い接着性樹脂シートなどを利用した薄板の場合、機械的強度が得られ難いため補強用部材として金属やセラミックなどを添設させることもできる。補強用に金属を利用した場合、光半導体装置の各電極との短絡を防止するためにレジストインクなどの樹脂を利用して絶縁性被覆していることが好ましい。
【００２１】
なお、接着シート１１２を白色系の反射率の高い材質を利用すると共に光半導体素子１０３を窒化物半導体発光素子を利用するとさらに光利用効率を高めることもできる。同様に、樹脂絶縁性平板１０１であり側壁となる白色材質面が露出したキャビティ１０２内に絶縁性基板上に少なくとも発光層がダブルへテロ構造の窒化物半導体であり同一面側に一対の電極を有する光半導体素子１０３を、配置させることにより光利用効率をさらに高めることもできる。また、接着シート１１２の組成や溶媒を光半導体素子１０３を接着するダイボンド樹脂１０７の組成に同一或いは近づけることにより、より強固な接着強度を得ることもできる。
【００２２】
次に、薄板１１１となる銅板をキャビティ底面が絶縁性平板に固定される部位を残してエッチングした（図３のＢ工程）。
【００２３】
また、好適には銅板の密着強度を高めると共に絶縁性を確保するために露出した薄板１１１である銅板を樹脂１１３により封止した。続いて、光半導体装置の外部リード電極１０５、１０６を形成する。外部リード電極１０５、１０６は電解及び無電解メッキ法を利用して絶縁性平板１０１の発光或いは入射側上面、上面と対向する下面及び側面にメッキ層を形成することにより極めて薄膜のリード電極を比較的簡単に形成することができる。さらに、写真法を利用して、絶縁性平板の発光側上面及び下面のメッキ層を補強することもできる。こうして、光半導体素子が配置されるキャビティ１０２及びリード電極１０５、１０６が形成されたパッケージを形成することができる（図３Ｃ工程）。
【００２４】
なお、キャビティを構成する薄板の補強部材である金属板とリード電極１０５、１０６とは電気的に独立している。また、樹脂１１３によってその端部を封止すると共に絶縁性を高めている。ここでは、リード電極を形成させた後に樹脂によって薄板を封止することを開示したが、薄板を封止した後に樹脂によって封止することもできることはいうまでもない。
【００２５】
続いて、貫通穴を利用して形成されたキャビティ１０２底面の接着シート１１２上にダイボンド樹脂１０７として透光性エポキシ接着剤により、少なくとも発光層が窒化ガリウム系化合物半導体のＬＥＤチップ１０３をダイボンド機器を用いてダイボンドする。キャビティ１０２内に配置されたＬＥＤチップ１０３とパッケージに形成された発光側上面のリード電極１０５、１０６とを直径約３０μｍのＡｕを利用してワイヤボンドする（図３Ｄ工程）。
【００２６】
ＬＥＤチップ１０３とパッケージに形成されたリード電極１０５、１０６との接続は、小型化、接続強度や量産性等を考慮して２０から４０μｍの導電性ワイヤ１０８を利用して電気的に導通を取ることができる。また、導電性ワイヤの材料としては金、アルミニウムなど種々の特性に合わせて適宜選択することができる。
【００２７】
同様に、光半導体素子とリード電極との導通を取るためだけであれば薄膜との密着性を損なわない限り光半導体素子の電極同士がショートしないように酸化珪素などの絶縁性保護膜で電極を除く半導体素子部分を被覆した後、銀、カーボン、ＩＴＯなどの導電性フィラーを含有させた導電性樹脂や半田などをダイボンド部材兼導電性部材として利用することもできる（不示図）。また、ダイボンド樹脂としては金、銀、銅などの金属やＩＴＯ、酸化錫などの金属酸化物、さらには導線性に優れたカーボンなどを所望に応じて混入させることができる他、ダイボンド樹脂の耐光性を向上させるためにガラスなどの無機物質などを混入させることもできる。これにより半導体層を介して一対の電極を持った光半導体素子においても本発明を適用することができる。
【００２８】
本発明において光半導体素子１０３とは、種々の半導体を利用した発光素子や受光素子を利用することができる。具体的な発光素子としては、サファイア、スピネル、ＳｉＣやＧａＮ基板上に窒化物半導体を積層したものを好適に利用することができる。窒化物半導体はそのバンドギャップにより紫外域から可視域まで種々の電磁波を放出することができる。特に、窒化物半導体はサファイア基板上に形成させることで結晶性と量産性の両立した発光素子とすることができる。また、サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を有し同一平面側に一対の電極を形成させたＬＥＤチップは、サファイア基板及び窒化ガリウム共に硬度が高いためサファイア基板を研磨するなど約１５０μｍ以下の薄型にすることができる。より具体的には、全高が７０〜９０μｍのＬＥＤチップを利用すると、光半導体装置の高さを約０．３ｍｍ以下とすることができる。
【００２９】
このような光半導体素子１０３は絶縁性基板上に一対の電極を形成するため小型化且つ光利用効率の向上を図ることができ、本発明の効果が特に大きい。なお、他の半導体素子としてはガリウム燐やガリウム砒素基板上にインジウム・アルミニウム・ガリウム・燐である発光層を持った発光素子を利用することもできる。同様に、シリコン基板上に不純物を高濃度にドープしたシリコンである受光層を持った受光素子とすることもできる。
【００３０】
最後に、キャビティ１０２内にＬＥＤチップ１０３が配置され、金線１０８でＬＥＤチップの各電極とパッケージのリード電極１０５、１０６とを接続させたパッケージ表面を部分的にモールド部材１０９として透光性エポキシ樹脂により射出成型によって封止させる（図３Ｅ工程）。
【００３１】
モールド部材はＬＥＤチップや導電性ワイヤなどを外部環境や外力から保護するために好適に設けられるものであり、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ユリア樹脂や低融点ガラスなど種々のものを利用することができる。モールド部材は光半導体素子に入射される光や光半導体素子から放出される光を集光或いは拡散させるために凸レンズ形状や凹レンズ形状とすることができる。また、凸レンズも所望となる指向特性に合わせて単なる凸レンズや楕円レンズ形状など種々選択させることができる。また、モールド部材には不要な波長をカットする目的で種々の着色剤、拡散光を得る目的で酸化チタン、酸化珪素などの拡散材を含有させることができる。
【００３２】
また、発光素子から放出される電磁波の少なくとも一部を他の波長に変換させるペリレン系誘導体やセリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系酸化物などの蛍光体を含有させ白色発光可能な光半導体装置とすることもできる。こうして一辺がそれぞれ約１．２ｍｍ、約１．８ｍｍの矩形状であって、厚さが約０．３ｍｍとなる極めて小型な光半導体装置を比較的簡単に形成することができる。
【００３３】
（実施例２）
次に、図４に示す構造の光半導体装置について詳述する。実施例１と同様の絶縁性平板４０１を利用して薄板４１１を添設しリード電極４０５、４０６をメッキさせることによりパッケージを形成させた。なお、実施例１とは異なり、絶縁性平板にエポキシ樹脂からなる接着シートを張り合わせ接着層を形成させた（図５Ａ工程）後、接着層ごと貫通孔を形成させた。
【００３４】
キャビティ４０２を構成する貫通孔を形成させた絶縁性平板４０１の接着層４１２が形成された面に、あらかじめ銅箔上にセラミック４１４を蒸着させた薄膜４１１をキャビティの底面として利用するため添設した（図５Ｂ工程）。薄板を添設後、銅箔をキャビティ底部を残して銅箔をエッチングし、リード電極４０５、４０６と電気的に独立させるべく絶縁樹脂４１３によって封止してある（図５Ｃ工程）。なお、キャビティの底面となる部位を切り抜いた接着シートを張り付けた薄膜により絶縁性平板に添設させることもできる。
【００３５】
薄板として具体的には厚さ約３５μｍのＣｕ泊上にセラミックを蒸着させ総膜厚約５０μｍで表面が白色で多孔性のセラミック複合金属層２０である。これ以外は実施例１と同様にして光半導体素子４０３をマウント部材４０７としてエポキシ樹脂によりダイボンドすると共に電気的に導通を取った（図５Ｄ工程）。これにモールド部材４０９を形成させ光半導体装置４００を形成させた（図５Ｅ工程）。実施例２で形成された光半導体装置は実施例１に比べて放熱性が優れている反面、外部からの熱も受けやすい。しかしながら、形成された光半導体装置の熱衝撃試験では実施例１とほとんど遜色なかった。
【００３６】
なお、本発明の具体的実施例においては、それぞれ一個ずつの光半導体装置において説明しているが、量産性よく形成させるためには絶縁性平板にドットマトリックス状に複数の貫通穴を形成する。絶縁性平板全体に接着シートを介して絶縁性平板と金属を個々の貫通孔に対応などして添設した後、上述の工程を介して光半導体装置を形成する。形成させた光半導体装置を個々に分離させることによって複数個の光半導体装置を量産することができる。また、個々に分離させなければドットマトリックス状の光半導体装置を形成することもできる。
【００３７】
（比較例１）
薄板を厚さ約５０μｍの銅板とし銅板上にエポキシ樹脂により直接ＬＥＤをダイボンドさせた以外は実施例１と同様にして光半導体装置を形成させた。形成させた実施例１及び比較例１の光半導体装置を１４００個用いて、それぞれ−２０℃３０分、８０℃３０分で５００サイクルの条件で熱衝撃試験を行った。試験後、実施例１の不灯となった発光ダイオードは比較例１の発光ダイオードの３割にも満たなかった。不灯となった比較例１の発光ダイオードを調べたところ薄膜となる銅板とダイボンド部材とが剥離していると共にワイヤの断線も生じていた。
【００３８】
【発明の効果】
本発明は、小型化可能な光半導体装置の薄板表面状態を特定の表面とさせることにより、光半導体装置を小型化できると共に信頼性を著しく向上し得るものである。また、本発明の方法は上述の光半導体装置を量産性よく形成することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の光半導体装置の模式的斜視図である。
【図２】  本発明の光半導体装置の模式的断面図である。
【図３】  図１に示す光半導体装置の形成方法を説明するための工程図である。
【図４】  本発明の他の光半導体装置の模式的断面図である。
【図５】  図３に示す光半導体装置の形成方法を説明するための工程図である。
【図６】  本発明と比較のために示す光半導体装置の模式的断面図である。
【符号の説明】
１００・・・光半導体装置
１０１・・・絶縁平板
１０２・・・キャビティ
１０３・・・光半導体素子
１０５、１０６・・・リード電極
１０７・・・マウント部材
１０８・・・ワイヤ
１０９・・・モールド部材
１１１・・・薄板
１１２・・・接着シート
１１３・・・薄板の少なくとも端部を覆う樹脂
４００・・・光半導体装置
４０１・・・絶縁平板
４０２・・・キャビティ
４０３・・・光半導体素子
４０５、４０６・・・リード電極
４０７・・・マウント部材
４０９・・・モールド部材
４１１・・・薄板
４１２・・・接着層
４１３・・・絶縁樹脂
４１４・・・光半導体素子が配置される側の薄板表面を構成するセラミック
６０１・・・樹脂基板
６０２・・・貫通孔
６０３・・・ＬＥＤチップ
６０４・・・金属薄板
６０５、６０６・・・配線パターンとなるリード電極
６０７・・・Ａｇペースト
６０８・・・ワイヤとなる金属細線
６０９・・・モールド部材となる透明樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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