(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に圧力基準室（１１、２１）が形成された半導体基板よりなり、前記圧力基準室の一面に形成されたダイヤフラム（１２、２２）と、このダイヤフラムのたわみを電気信号に変換する変換手段（１３、２３）とを有するセンサ素子（１０、２０）を、少なくとも２個備え、
これら２個のセンサ素子は、それぞれ異なる圧力空間に配置され、
前記２個のセンサ素子における出力の差に基づいて、前記異なる圧力空間同士の差圧を相対圧として検出するようにしており、
前記２個のセンサ素子は、双方の前記ダイヤフラムとは反対側の面同士が重ね合わせられ、当該重ね合わされた面同士が直接接着されたものとされており、
前記２個のセンサ素子（１０、２０）は、前記異なる圧力空間を仕切る板部材（３０）の一部に形成された穴部（３２）に対して、この穴部を塞ぐように取り付けられ、前記異なる圧力空間を仕切る機能の一部として作用しており、
前記２個のセンサ素子（１０、２０）は互いに基板面積が異なり、前記２個のセンサ素子（１０、２０）のうち基板面積の大きい方が、前記穴部（３２）に対して取り付けられていることを特徴とする圧力センサ。
【請求項２】
前記２個のセンサ素子（１０、２０）の少なくとも一方に、前記変換手段（１３、２３）からの電気信号を処理するための信号処理回路を構成する素子（１４）が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の圧力センサ。
【請求項３】
前記素子（１４）は互いに異なる２種類のものからなり、前記２個のセンサ素子（１０、２０）の両方に、それぞれ１種類ずつ形成されていることを特徴とする請求項２に記載の圧力センサ。
【請求項４】
前記互いに異なる２種類の素子は、一方が前記変換手段（１３、２３）からの電気信号を増幅するバイポーラトランジスタ素子であり、他方が前記変換手段からの電気信号を補正するＭＯＳトランジスタ素子であることを特徴とする請求項３に記載の圧力センサ。
【請求項５】
前記２個のセンサ素子（１０、２０）の一方にのみ、前記変換手段（１３、２３）からの電気信号の増幅を調整するためのトリミング可能な薄膜金属抵抗が形成されていることを特徴とする請求項２ないし４のいずれか１つに記載の圧力センサ。
【請求項６】
前記２個のセンサ素子（１０、２０）の一方にのみ、前記変換手段（１３、２３）からの電気信号を補正するＥＰＲＯＭが形成されていることを特徴とする請求項２ないし５のいずれか１つに記載の圧力センサ。
【請求項７】
前記異なる圧力空間を仕切る板部材は、両面に前記センサ素子（１０、２０）からの出力を受け取るための電極（６１〜６３）が形成されているセラミック基板（６０）であることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１つに記載の圧力センサ。
【請求項８】
前記異なる圧力空間を仕切る板部材は、前記センサ素子（１０、２０）からの出力を受け取るための電極（３１）がインサート成形された樹脂基板（３０）であることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１つに記載の圧力センサ。
【請求項９】
前記電極（３１、６１〜６３）は、金属ワイヤ（４０〜４２）により前記２個のセンサ素子（１０、２０）と電気的に接続されていることを特徴とする請求項７または８に記載の圧力センサ。
【請求項１０】
前記樹脂基板（３０）と前記電極（３１）との接触部を覆うように保護部材（５４、５５）が設けられていることを特徴とする請求項８に記載の圧力センサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、互いに圧力の異なる空間同士の差圧を相対圧として検出する圧力センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、相対圧を検出する圧力センサとしては、特開平８−２３６７８８号公報のように、センサ基板内部に形成されたマイクロキャビティを狙って基板裏面から穴あけしたものが提案されている。しかしながら、この構成においては穴あけするための裏面加工工程の追加が必要であり、基板裏面から表面近傍のキャビティとを接続するため、専用のアライメント装置が必要である。
【０００３】
また、基板裏面からＫＯＨ等による異方性エッチングで穴あけしようとした場合、加工寸法のばらつきが大きいため、あけようとする穴とキャビティとの位置合わせを行うためには、キャビティを小型化することが困難であるといった問題がある。
【０００４】
このような事情に鑑みて、例えば特開平５−５２６９１号公報においては、２個の感圧素子により異なる圧力の差圧をとり、相対圧を検出するようにしたものが提案されている。これは、２個の導圧管を有する台座ガラス上に２個の感圧ダイヤフラムチップを設け、これらを気密容器で覆い、１個の圧力基準室を形成したものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の後者公報による構成では、台座ガラスの一面に２個のチップを設け、さらに気密容器で覆うようにしているため、センサ全体の構成が複雑なものとなってしまう。また、圧力基準室を別体の気密容器によって形成したり、ダイヤフラムチップを台座ガラスに接合する必要があるため、ダイヤフラムチップを製造する通常のウェハレベルでの製造工程以外に、圧力基準室を形成したり、チップを接合する工程が、別途必要となる。従って、圧力センサ自体のコストが増加してしまうという問題が生じる。
【０００６】
本発明は上記問題に鑑み、安価な簡素化された構成にて相対圧を検出することができる圧力センサを提供することを目的とする。
【０００７】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、内部に圧力基準室（１１、２１）が形成された半導体基板よりなり、圧力基準室の一面に形成されたダイヤフラム（１２、２２）と、該ダイヤフラムのたわみを電気信号に変換する変換手段（１３、２３）とを有するセンサ素子（１０、２０）を少なくとも２個備え、該２個のセンサ素子をそれぞれ異なる圧力空間に配置し、該２個のセンサ素子における出力の差に基づいて異なる圧力空間同士の差圧を相対圧として検出するようにしており、２個のセンサ素子は、双方のダイヤフラムとは反対側の面同士が重ね合わせられ、当該重ね合わされた面同士が直接接着されたものとされており、２個のセンサ素子（１０、２０）は、該異なる圧力空間を仕切る板部材（３０）の一部に形成された穴部（３２）に対して、この穴部を塞ぐように取り付けられ、該異なる圧力空間を仕切る機能の一部として作用しており、２個のセンサ素子（１０、２０）は互いに基板面積が異なり、２個のセンサ素子（１０、２０）のうち基板面積の大きい方が、穴部（３２）に対して取り付けられていることを特徴としている。
【０００８】
本発明によれば、半導体基板の内部に圧力基準室を持つセンサ素子を２個用いた構成であるため、上記従来の２個の感圧素子及び気密容器等を用いたものに比べて、センサ全体の構成を簡素化できる。また、このようなセンサ素子は、通常の半導体製造技術を用いてウェハレベルで作成可能なものであるため、製造コストを低減可能な構成とできる。従って、安価な簡素化された構成にて相対圧を検出することができる圧力センサを提供することができる。また、この圧力センサは、両センサ素子（１０、２０）をダイヤフラム（１２、２２）とは反対側の面同士すなわち裏面にて重ね合わせた構成であるため、簡便な構成にてセンサ全体の体格を小型化できる。また、当該裏面同士を直接接着しているため、全体の高さを低くできるとともに、熱伝導性が良くなるため、センサの温度特性のばらつきを小さくすることができる。また、本発明においては、上述したように、２個のセンサ素子（１０、２０）を、双方のダイヤフラム（１２、２２）とは反対側の面同士で重ね合わせた構成とすることによる簡便で小型化された構成が実現できるが、特に、本発明のように、２個のセンサ素子（１０、２０）を互いに基板面積が異なるものとすれば、基板面積の大きい方のセンサ素子（１０）は両センサ素子の重ね合わせ部分以外にはみ出し部を有するため、このはみ出し部を利用して板部材（３０）の穴部（３２）に容易に取り付けることができる。
【０００９】
また、請求項１記載の圧力センサにおいては、センサ素子（１０、２０）が半導体基板よりなるから、通常の半導体製造技術を用いて、請求項２の発明のように、２個のセンサ素子（１０、２０）の少なくとも一方に信号処理回路構成用の素子（１４）を形成し、センサ素子と一体化させたものとすれば、より構成の簡素化が図れる。
【００１０】
ここで、請求項３及び請求項４の発明のように、互いに異なる２種類の信号処理回路用の素子（１４）を形成する場合、２個のセンサ素子（１０、２０）の両方に、それぞれ１種類ずつ分類して形成するようにすれば、ウェハ工程を簡略化でき、結果として安価なセンサを提供できる。
【００１１】
また、請求項５や請求項６の発明のように、該センサ素子にトリミング可能な薄膜金属抵抗やＥＰＲＯＭを形成することにより、製造上のばらつきによるセンサ特性の調整や補正が可能である。ただし、これら専用の製造工程が必要なため、一方のセンサ素子（１０）にのみ形成し、ウェハ工程の簡素化を図ることが好ましい。
【００１５】
また、異なる圧力空間を仕切る板部材としては、請求項７の発明のように、両面にセンサ素子（１０、２０）からの出力を受け取るための電極（６１〜６３）が形成されているセラミック基板（６０）を採用したり、請求項８の発明のように、このような電極（３１）がインサート成形された樹脂基板（３０）を採用することができる。
【００１６】
そして、これら電極（３１、６１〜６３）は、請求項９の発明のように、金属ワイヤ（４０〜４２）により２個のセンサ素子（１０、２０）と電気的に接続されたものとできる。
【００１７】
さらに、請求項１０の発明では、請求項８の圧力センサにおいて、樹脂基板（３０）と電極（３１）との接触部を覆うように保護部材（５４、５５）を設けたことを特徴としている。もし、樹脂基板と電極との接触部に隙間があると、圧力媒体のリーク経路となるが、本発明によれば、該接触部を保護部材で覆うため、圧力媒体のリークを防止できる。
【００１８】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【００１９】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
図１に本実施形態に係る圧力センサ１００の概略断面構成を示す。この圧力センサ１００は、例えば、自動車の燃料タンク内の圧力を検出する燃料圧センサとして適用できる。圧力センサ１００は、２個のセンサ素子即ち第１のセンサ素子１０と第２のセンサ素子２０とが重ね合わされたものであり、第１のセンサ素子１０が圧力空間（例えば大気圧等の基準圧力側）Ａの絶対圧、第２のセンサ素子２０が圧力空間（例えば燃料タンク等の検出圧力側）Ｂの絶対圧を検出し、これらの差圧を相対圧として検出するようにしたものである。
【００２０】
圧力空間Ａに配置された第１のセンサ素子１０は、シリコンからなる半導体基板より構成され、内部には圧力基準室１１となるキャビティが形成されている。第１のセンサ素子１０における圧力基準室１１（つまりキャビティ）の一面（表面）には薄肉状のダイアフラム１２が形成されており、ダイアフラム１２上には本発明の変換手段としてのゲージ１３が形成されている。
【００２１】
このゲージ１３は、半導体基板に形成された拡散抵抗で、図示しないが、ブリッジ回路を構成しており、ダイアフラム１２のたわみを電気信号に変換するものである。また、第１のセンサ素子１０の一面には、上記ブリッジ回路からの電気信号を増幅したり、調整する等の信号処理を行うための信号処理回路を構成する信号処理回路素子１４が形成されている。
【００２２】
圧力空間Ｂに配置された第２のセンサ素子２０は、第１のセンサ素子１０よりも基板面積の小さいシリコンからなる半導体基板より構成され、内部には圧力基準室２１となるキャビティが形成されている。第２のセンサ素子２０における圧力基準室２１の一面（表面）には薄肉状のダイアフラム２２が形成されており、ダイアフラム２２上には本発明の変換手段として、上記ゲージ１３と同機能を有するゲージ２３が形成されている。なお、本例では、第２のセンサ素子２０には信号処理回路は形成されていない。
【００２３】
また、異なる圧力空間Ａ、Ｂは、板部材としての樹脂基板３０により仕切られている。この樹脂基板３０は、例えばエポキシ、ＰＰＳ、ＰＢＴ等よりなる樹脂に、センサ素子１０、２０からの出力を受け取るための４２アロイ等よりなるリードフレーム（本発明の電極に相当）３１がインサート成形されたものである。そして、樹脂基板３０の外周部は、樹脂等のケース３０ａに一体化されて支持されており、このケース３０ａは例えば、被検出体である上記燃料タンクやその配管内に対して取り付けられる。
【００２４】
ここで、互いに基板面積が異なる両センサ素子１０、２０は、双方のダイヤフラム１２、２２とは反対側の面（ダイヤフラムの無い面）、即ち裏面同士が樹脂等よりなる接着剤５０により接着され重ね合わされている。
【００２５】
そして、基板面積の大きい第１のセンサ素子１０は、その裏面のうち第２のセンサ素子２０の裏面と接着されていない部位である周縁部（はみ出し部）にて、樹脂基板３０の一部であるリードフレーム３１に形成された穴部３２に対して、この穴部３２を塞ぐように樹脂等よりなる接着剤５１により接着されている。こうして、重ね合わされた両センサ素子１０、２０は、異なる圧力空間ＡとＢとを仕切る樹脂基板３０の一部として作用している。
【００２６】
また、第１のセンサ素子１０及び第２のセンサ素子２０の図示しないパッドから、それぞれ図１中の右側のリードフレーム３１ａに結線されているワイヤ４０及びワイヤ４１は、両方のセンサ素子１０、２０を電気的に接続するためのものである。これらワイヤ４０、４１には、本例では、両センサ素子１０、２０のゲージ１３、２３によるブリッジ回路の４端子（ブリッジ電源、ブリッジＧＮＤ、ブリッジ出力１、ブリッジ出力２）の信号線が接続される。
【００２７】
また、第１のセンサ素子１０の図示しないパッドから、それぞれ図１中の左側のリードフレーム３１ｂに結線されているワイヤ４２は、センサ素子１０、２０の信号を外部に取り出すためのもので、具体的には、回路電源、ＧＮＤ、出力信号、調整用端子等の機能を持つものである。また、リードフレーム３１は、図示しない外部回路（例えば車両のＥＣＵ等）に電気的に接続されている。
【００２８】
かかる構造を有し、樹脂基板３０に取り付けられた圧力センサ１００においては、第１のセンサ素子１０によって、圧力空間Ａの圧力を絶対圧として検出し、第２のセンサ素子２０によって、圧力空間Ｂの圧力を絶対圧として検出し、第１のセンサ素子１０に設けられた信号処理回路素子１４を含む信号処理回路によって、両絶対圧の差圧（相対圧）を検出することができる。
【００２９】
次に、圧力センサ１００の製造方法の一例を述べる。信号処理回路素子を有しない第２のセンサ素子２０の場合には、圧力検出部のみ形成すればよい。即ち、例えば、シリコン基板の表面（一面）に拡散層によるゲージを形成し、これにコンタクトホール、Ａｌ（アルミニウム）薄膜による電極、表面保護膜等の基板表面構造を形成した後、裏面をＫＯＨ（水酸化カリウム）により異方性エッチングしてダイアフラムを形成し、陽極接合法によりガラスと接合し、ダイシングにより１個ずつのチップにカットする。
【００３０】
信号処理回路素子１４を有する第１のセンサ素子１０の場合には、通常の半導体プロセスによって、圧力検出部及び信号処理回路素子１４を形成する。即ち、基板表面に回路素子及び拡散層によるゲージを形成した後、裏面をＫＯＨにより異方性エッチングしてダイアフラムを形成し、陽極接合法によりガラスと接合し、ダイシングにより１個ずつのチップにカットする。こうして、上記各場合、内部に基準圧力室１１、２１が形成された第１及び第２のセンサ素子１０、２０が出来上がる。
【００３１】
これ以外にも、ガラスを用いずに、シリコン基板同士を真空接合する方法によって、圧力基準室となるキャビティを内蔵したセンサ素子（センサチップ）を形成するようにしてもよい。
【００３２】
また、ダイアフラムエッチングは、上記のＫＯＨ以外にも、ＴＭＡＨ（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ  ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）等の異方性エッチング材料を用いることもできるし、ドライエッチングによる方法を用いることもできる。
【００３３】
そして、両センサ素子１０、２０の裏面（ダイヤフラムとは反対側の面）同士を接着剤５０により接着し、接着された両センサ素子を、基板面積の大きい第１のセンサ素子１０の裏面周縁部にて接着剤５１により、ケース３０ａに支持された樹脂基板３０のリードフレーム３１に接着する。続いて、ワイヤボンディング等を行うことにより、ワイヤ４０〜４２を形成し、本実施形態の圧力センサ１００を完成させる。
【００３４】
このように、上記圧力センサ１００は、半導体基板の内部に圧力基準室１１、２１を持つセンサ素子１０、２０を２個用いた構成であるため、従来の２個の感圧素子を用いたものに比べて、センサ全体の構成を簡素化できる。
【００３５】
また、このように半導体基板の内部に圧力基準室１１、２１を持つセンサ素子１０、２０は、上述のように、通常の半導体製造技術を用いてウェハレベルで作成可能なものであるため、製造コストを低減可能な構成とできる。従って、本実施形態によれば、安価な簡素化された構成にて相対圧を検出することができる圧力センサ１００を提供することができる。
【００３６】
また、上記圧力センサ１００は、両センサ素子１０、２０を裏面にて重ね合わせた構成であるため、簡便な構成にてセンサ全体の体格を小型化できる。また、裏面同士を直接接着しているため、全体の高さ（基板厚み方向の寸法）を低くできるとともに、熱伝導性が良くなるため、センサの温度特性のばらつきを小さくすることができる。
【００３７】
ところで、図１に示す圧力センサ１００においては、２個のセンサ素子１０、２０のうち第１のセンサ素子１０に信号処理回路素子１４を形成し、センサと一体化させた構成としているが、２個のセンサ素子１０、２０に形成する信号処理回路素子の例としては、図２に示すような種々の例▲１▼〜▲５▼を採用することが可能である。
【００３８】
例▲１▼は、信号処理回路を両センサ素子１０、２０以外の別部分（例えば、樹脂基板３０）に設ける例である。例▲２▼、▲３▼、▲４▼は上記圧力センサ１００に相当するもので、各々バイポーラトランジスタ素子、ＭＯＳトランジスタ素子、Ｂｉ−ＣＭＯＳトランジスタ素子のみで信号処理回路を構成する場合、これらの素子を第１のセンサ素子１０に形成する信号処理回路素子１４として用いるものである。
【００３９】
これらの場合、第２のセンサ素子２０の信号処理に必要な信号処理回路素子も、第１のセンサ素子１０に形成するようにしているため、第２のセンサ素子２０においては、上述の製造方法に示したように、圧力基準室２１、ダイヤフラム２２及びゲージ２３等からなる圧力検出部のみの形成でよく、信号処理回路素子の形成工程を無しとでき、ウェハ工程の簡略化ができる。
【００４０】
なお、バイポーラトランジスタ素子は、信号処理回路において、上記ゲージ１３により構成されたブリッジ回路からの電気信号を増幅する増幅回路を構成するものであり、ＭＯＳトランジスタ素子及びＢｉ−ＣＭＯＳトランジスタ素子は、上記ブリッジ回路からの電気信号を補正する補正回路を構成するものである。
【００４１】
例▲５▼は両センサ素子１０、２０の信号処理回路として、バイポーラ素子とＭＯＳ素子の両方が必要な場合であり、第１のセンサ素子１０はバイポーラ素子形成工程、第２のセンサ素子２０はＭＯＳ素子形成工程を追加するのみで、形成可能とできる。このように、互いに異なる２種類の信号処理回路素子を形成する場合、２個のセンサ素子１０、２０の両方に、それぞれ１種類ずつ分類して形成するようにすれば、ウェハ製造工程を簡略化できる。
【００４２】
また、圧力センサは、製造上のばらつきにより、センサ特性のばらつきを生じたり、温度特性を持つため、これらを補正する手段として、薄膜金属抵抗をレーザーによってトリミングしたり、薄膜金属抵抗で作ったヒューズを電流を流して切断したり、ＥＰＲＯＭを使って、補正値データを書き込むといったことが行われる。
【００４３】
具体的には、薄膜金属抵抗は、上記バイポーラトランジスタ素子の代わりに用いられ、上記ブリッジ回路からの電気信号の増幅を調整し、ＥＰＲＯＭは、上記ＭＯＳトランジスタ素子と組み合わせて用いることにより、上記ブリッジ回路からの電気信号を補正する。
【００４４】
従って、本実施形態においても、このような薄膜金属抵抗やＥＰＲＯＭをセンサ素子１０、２０に設けることが好ましく、例えば、信号処理回路素子１４に含まれるように形成できる。なお、このような薄膜金属抵抗やＥＰＲＯＭをセンサ素子に形成するとなると、専用の製造工程を用いることになるため、センサ素子１０、２０のどちらか一方のみに形成することにより、ウェハ工程の簡略化ができる。
【００４５】
（第２実施形態）
図３に本発明の第２実施形態に係る圧力センサ２００の概略断面構成を示す。本実施形態は上記第１実施形態に比べて、樹脂基板３０に穴部を形成せず、２個のセンサ素子１０、２０を一個ずつ、樹脂基板３０の両面にダイヤフラム１２、２２の無い裏面にて取り付けたことが、相違する部分であり、他は同一である。なお、該同一部分には、図３中、図１と同一符号を付し説明を省略する。なお、穴部を持たない板部材を構成要素とする本第２実施形態および後述の第３実施形態は、上記第１実施形態の参考例である。
【００４６】
図３に示す様に、圧力空間Ａに配置された第１のセンサ素子１０の裏面は、樹脂等よりなる接着剤５２を介して樹脂基板３０のリードフレーム３１の一面に接着され、圧力空間Ｂに配置された第２のセンサ素子２０の裏面は、樹脂等よりなる接着剤５３を介して樹脂基板３０のリードフレーム３１の他面に接着されている。
【００４７】
本実施形態によっても、上記第１実施形態と同様に、安価な構成にて相対圧を検出することができる圧力センサ２００を提供することができる。特に、本実施形態の場合は、圧力空間ＡとＢとが、樹脂基板３０によって隔離されているため、気密性をより良好とできる。
【００４８】
なお、上記第１及び第２実施形態では、いずれもセンサ素子１０、２０を樹脂基板３０のリードフレーム３１に接着してあるが、樹脂部に接着することもできる。
【００４９】
上記両実施形態のように、センサ素子１０、２０をリードフレーム３１に接着する場合は、リードフレーム３１は上記の４２アロイ等の低熱膨張係数を有する材料を用いる方が、熱歪みが小さく温度特性は良好である。樹脂基板３０の樹脂材料としては、上記のように、エポキシ、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）等が使用可能であるが、他の材料でも構わない。
【００５０】
また、樹脂基板３０の樹脂部にセンサ素子１０、２０を接着し、別の場所、例えば、図１及び図３において、センサ素子１０の上方（またはセンサ素子２０の下方）に電極を設け、ここにボンディングワイヤで接続するようにしてもよい。
【００５１】
また、図３に示す様に、圧力空間Ａ、Ｂを隔てるリードフレーム３１と樹脂基板３０との間に隙間があると、圧力媒体のリーク経路となるので、ボンディング後、樹脂やゴム、ゲル等からなる保護部材５４、５５をリードフレーム３１と樹脂基板３０との接合部上に設けることが好ましい。なお、保護部材５４、５５は、上記第１実施形態や次に述べる第３実施形態においても、適用可能である。
【００５２】
（第３実施形態）
また、異なる圧力空間Ａ、Ｂを仕切る板部材としては、上記の樹脂基板３０のようにリードフレーム３１をインサート成形した樹脂ではなく、セラミック基板等を用いてもよい。この場合、スルーホールを形成したセラミック基板を用いることにより、２個のセンサ素子からボンディングワイヤによって取り出した電気信号を、電気的に接続することができる。図４に、セラミック基板６０を用いた一例を示す。
【００５３】
セラミック基板６０は、両面に導電性厚膜（例えば銅厚膜等）６１が形成されており、両面を貫通するスルーホールの壁面を通ってつながっている。また、６２は、スルーホールに充填された導電性部材（本例でははんだ）である。また、セラミック基板６０の圧力空間Ａ側の面にはワイヤ４２から外部に信号を取り出すための導電性厚膜６３が形成されている。
【００５４】
これら部材６１〜６３は、センサ素子１０、２０からの出力をワイヤ４０〜４２を介して受け取るための電極として構成されており、両センサ素子１０、２０の信号は、各部材４０〜４２及び６１〜６３を介して外部に取り出されるようになっている。なお、図示しないが、セラミック基板６０の端部は上記樹脂基板と同様に、ケースに支持されている。
（他の実施形態）
ところで、上記実施形態においては、、両センサ素子１０、２０は、接着剤５０〜５３を介して裏面同士が直接重ね合わされたり、基板３０あるいは６０を介して裏面同士が重ね合わせられた配置形態としているが、これら以外にも、例えば、基板３０あるいは６０の両面に、両センサ素子１０、２０が互いに基板面方向にずれた形で１個ずつ接着された配置形態であってもよい。
【００５５】
また、センサ素子を、互いに異なる圧力空間に１個ずつ配置する形態以外にも、例えば、圧力空間Ａに１個、圧力空間Ｂに複数個、あるいはその逆、さらには、両圧力空間Ａ、Ｂ共に、複数個ずつ配置する形態であってもよい。
【００５６】
なお、本発明は、上記燃料圧センサ以外にも、異なる圧力空間の相対圧を検出するものならば、適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る圧力センサの構成を示す概略断面図である。
【図２】２個のセンサ素子に形成する信号処理回路素子の例を示す図表である。
【図３】本発明の第２実施形態に係る圧力センサの構成を示す概略断面図である。
【図４】本発明の第３実施形態に係る圧力センサの構成を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１０…第１のセンサ素子、１１…第１のセンサ素子の圧力基準室、
１２…第１のセンサ素子のダイヤフラム、１３…第１のセンサ素子のゲージ、
１４…信号処理回路素子、２０…第２のセンサ素子、
２１…第２のセンサ素子の圧力基準室、
２２…第２のセンサ素子のダイヤフラム、２３…第２のセンサ素子のゲージ、
３０…樹脂基板、３１…リードフレーム、３２…穴部、
４０、４１、４２…ワイヤ、６０…セラミック基板、６１、６３…導電性厚膜、６２…導電性部材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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