(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する一方の端面を冷陰極カソードとすると共に他方の端面を引き出しカソードとする円筒カソードと、円筒カソード内表面を裏打ちする絶縁円筒と、径方向を冷陰極カソードおよび引き出しカソードの径方向と平行にして絶縁円筒に収容されるアノードリングと、円筒カソードおよび絶縁円筒を貫通して形成されるアノード導入孔と、アノード導入孔を介して導入されてアノードリングに接続されるアノードと、円筒カソードおよびアノードリングの双方の軸方向に磁界を発生する電磁石と、絶縁円筒内に不活性ガスを導入するガス導入管より成る高速原子線源装置において、
アノードリングを上記絶縁円筒の内表面に密接せしめたことによって、アノード導入孔を絶縁円筒の内表面側から閉塞したことを特徴とする高速原子線源装置。
【請求項２】
請求項１に記載される高速原子線源装置において、
アノードリング外表面の内の絶縁円筒のアノード導入孔に対応する領域を絶縁円筒の内表面と同一の曲率の面に形成したことを特徴とする高速原子線源装置。
【請求項３】
請求項２に記載される高速原子線源装置において、
アノードリングの軸方向断面を長方形に形成したことを特徴とする高速原子線源装置。
【請求項４】
請求項３に記載される高速原子線源装置において、
アノードリングの外径を絶縁円筒の内径に等しく形成したことを特徴とする高速原子線源装置。
【請求項５】
真空容器を有し、真空容器に収容される高速原子線源装置、基板回転ホルダ、ターゲット支持体に支持されたターゲットを有し、真空容器内に反応ガスを供給するガス供給管を有するスパッタ成膜装置において、
高速原子線源装置は、対向する一方の端面を冷陰極カソードとすると共に他方の端面を引き出しカソードとする円筒カソードと、円筒カソード内表面を裏打ちする絶縁円筒と、径方向を冷陰極カソードおよび引き出しカソードの径方向と平行にして絶縁円筒に収容されるアノードリングと、円筒カソードおよび絶縁円筒を貫通して形成されるアノード導入孔と、アノード導入孔を介して導入されてアノードリングに接続されるアノードと、円筒カソードおよびアノードリングの双方の軸方向に磁界を発生する電磁石と、絶縁円筒内に不活性ガスを導入するガス導入管より成り、アノードリングを絶縁円筒の内表面に密接せしめたことによって、アノード導入孔を絶縁円筒の内表面側から閉塞したことを特徴とするスパッタ成膜装置。
【請求項６】
請求項５に記載されるスパッタ成膜装置において、
アノードリング外表面の内の絶縁円筒のアノード導入孔に対応する領域を絶縁円筒の内表面と同一の曲率の面に形成したことを特徴とするスパッタ成膜装置。
【請求項７】
請求項６に記載されるスパッタ成膜装置において、
アノードリングの軸方向断面を長方形に形成したことを特徴とするスパッタ成膜装置。
【請求項８】
請求項７に記載されるスパッタ成膜装置において、
アノードリングの外径を絶縁円筒の内径に等しく形成したことを特徴とするスパッタ成膜装置。
【請求項９】
真空容器を有し、真空容器に収容される高速原子線源装置および基板回転ホルダを有するミリング装置において、
高速原子線源装置は、対向する一方の端面を冷陰極カソードとすると共に他方の端面を引き出しカソードとする円筒カソードと、円筒カソード内表面を裏打ちする絶縁円筒と、径方向を冷陰極カソードおよび引き出しカソードの径方向と平行にして絶縁円筒に収容されるアノードリングと、円筒カソードおよび絶縁円筒を貫通して形成されるアノード導入孔と、アノード導入孔を介して導入されてアノードリングに接続されるアノードと、円筒カソードおよびアノードリングの双方の軸方向に磁界を発生する電磁石と、絶縁円筒内に不活性ガスを導入するガス導入管より成り、アノードリングを絶縁円筒の内表面に密接せしめたことによって、アノード導入孔を絶縁円筒の内表面側から閉塞したことを特徴とするミリング装置。
【請求項１０】
請求項９に記載されるミリング装置において、
アノードリングの外表面の内の絶縁円筒のアノード導入孔に対応する領域を絶縁円筒の内表面と同一の曲率の面に形成したことを特徴とするミリング装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載されるミリング装置において、
アノードリングの軸方向断面を長方形に形成したことを特徴とするミリング装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載されるミリング装置において、
アノードリングの外径を絶縁円筒の内径に等しく形成したことを特徴とするミリング装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、高速原子線源装置およびこれを具備する加工装置に関し、特に、アノードとカソードとの間の間隙にガスを流入せしめない構成を有する高速原子線源装置およびこれを具備する加工装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
高速原子線源装置の従来例を図４を参照して説明する。
７はガラスの如き絶縁体より成る絶縁円筒を示す。この絶縁円筒７は、その外表面をステンレスの如き導電材料より成る機械的に強固な円筒カソード２３の内表面に結合して裏打ちしている。絶縁円筒７および円筒カソード２３の一方の開口部はステンレスの如き導電材料より成る機械的に強固な冷陰極カソード２により閉塞されている。冷陰極カソード２には穿孔を形成してここにガス導入管６が接続されている。他方の開口部は厚みの小さい導電性材料より成る引き出しカソード３が形成されている。この引き出しカソード３には高速中性原子を外部に引き出す小孔が多数形成されている。１１は環状の外部電磁石を示す。
【０００３】
この高速原子線源装置にはドーナッツ形状をした断面円形のアノードリング１が使用されている。ここで、このアノードリング１には数キロボルトの直流高電圧が印加されているものとする。電子９は冷陰極カソード２或は引き出しカソード３より放出され、電磁石１１により形成される軸方向の磁場の周りをサイクロトロン運動しながら、直流高電圧が印加されているアノードリング１に向かって加速される。この電子９は、更に、アノードリング１の中央部を通過し、反対側のカソードで減速し、逆方向に再び加速される。これにより、電子９はアノードリング１を中心にして両端の冷陰極カソード２と引き出しカソード３の間において高周波振動をしており、この振動の過程でガス導入管６より導入される供給ガスと衝突し、多数のイオンを生成する。このイオンの生成を電子振動型ＤＣ放電という。ガス導入管６より導入されるガスは、通常不活性気体であるアルゴン、ネオン、キセノンが使用され、振動電子９と衝突してプラズマ放電を開始する。アルゴンガスを例として説明すると、高速原子線源装置内部においては電離したアルゴンイオン８は引出し用カソード３の方向に加速され、このカソード３近傍においてアルゴンガスと衝突し、荷電交換によりアルゴンの高速中性原子１０として原子線源から引き出される。通常の放電においては放電電圧は数キロボルトで放電電流は数百ミリアンペアが流れる（詳細は、特公平６−７４６４号公報、特公平７−５０６３５号公報、特公平７−９８３８号公報  参照）。
【０００４】
図５は高速原子線源装置のアノードの従来例の一部拡大図である。図５において、絶縁円筒７とその表面を被覆するカソード２３とを貫通してアノード導入孔１３を形成している。絶縁円筒７内にはアノード導入孔１３を介してアノード１２が導入され、断面が円形であるアノードリング１はこのアノード１２により支持されている。即ち、アノード１２はカソード２３に形成されるアノード導入孔１３に取り付け固定された絶縁材料より成るアノード支持体１４に固定されており、アノードリング１はこのアノード１２を介してアノード支持体１４により支持されている。ここで、アノード１２はアノード支持体１４に固定されてカソード２３と機械的電気的に離隔されていさえすれば事足りるので、アノード導入孔１３部分のカソード２３の内表面とアノード１２の表面との間に間隙が存在しても格別の差し支えはないので、従来例においてはこの間隙を絶縁材料により埋めることはしていない。
【０００５】
ところで、アノードリング１および引き出しカソード３は放電動作中に荷電粒子が衝突することによりその導電性の構成材料がスパッタリングされ、スパッタリングされたこれら構成材料は絶縁円筒７の内表面、アノード導入孔１３の内表面、アノード支持体１４の内表面に蒸着される。アノード１２とアノード導入孔１３部分のカソード２３との間の間隙はおよそ数ミリメートルであるが、この間隙が先の導電性材料のスパッタリングにより狭くなり、ここに余分なアルゴンガスが流入すると、アノード１２とカソード２３との間に放電が生起する。以下、これを異常放電と称す。この異常放電は、ガス導入管６より供給されるガス流量を１０ｓｃｃｍ程度と比較的に低くし、アノードリング１および引き出しカソード３をスパッタレートの低いグラファイト材料により構成しても、放電動作が長時間に亘る場合、原子線源内部でこれらの材料がスパッタされ、これがアノード支持体１４の内表面に蒸着される。アノード支持体１４の内表面のスパッタ蒸着領域が拡大すると、これを介してアノード１２とカソード２３との間は短絡するに到り、アノード１２或はアノードリング１３とカソード２３との間はこの蒸着領域を介して放電を開始することが確認された。
【０００６】
アノード１２とカソード２３との間に異常放電が生起すると、高速中性原子ビームの供給が停止することとなる。これは、間隙の幅が冷陰極カソード２或は引き出しカソード３とアノードリング１の距離と比較して小さいところから、高電界ポテンシャルを有していることによる。この異常放電を回避するには、供給ガス圧を減少させねばらない。ところで、高速原子線源装置における出力ビーム電流、全出力粒子の内の中性原子の割合を示すビーム中性化率は、共に、供給ガス圧に比例して増加するので、高速原子線源装置としてはガス圧をガス流量が３０ｓｃｃｍ程度の高いところで動作させることが望ましい。しかし、高速原子線源装置の使用期間の長期化に対応してアノード１２とカソード２３との間の間隙において異常放電が生起し易くなるところから、供給ガス圧を減少せざるを得ず、これにより出力ビーム電流およびビーム中性化率は減少し、使用開始当初の性能を維持することが困難となるに到る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上述した通り、アノード１２とカソード２３との間の異常放電は、余分なガスおよびスパッタリングされた導電性材料がアノード１２とカソード２３の間の間隙に流入することに起因して発生することが確認された。
この発明は、アノード１２とカソード２３との間の間隙にガスを流入せしめない構成を具備して上述の問題を解消した高速原子線源装置およびこれを具備する加工装置を提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１：対向する一方の端面を冷陰極カソード２とすると共に他方の端面を引き出しカソード３とする円筒カソード２３と、円筒カソード２３内表面を裏打ちする絶縁円筒７と、径方向を冷陰極カソードおよび引き出しカソードの径方向と平行にして絶縁円筒に収容されるアノードリング１と、円筒カソード２３および絶縁円筒７を貫通して形成されるアノード導入孔１３と、アノード導入孔１３を介して導入されてアノードリング１に接続されるアノード１２と、円筒カソード２３およびアノードリング１の双方の軸方向に磁界を発生する電磁石１１と、絶縁円筒７内に不活性ガスを導入するガス導入管６より成る高速原子線源装置において、
【０００９】
アノードリング１を絶縁円筒７の内表面に密接せしめて、アノード導入孔１３を絶縁円筒７の内表面側から閉塞した高速原子線源装置を構成した。
【００１０】
更に、請求項２：請求項１に記載される高速原子線源装置において、アノードリング１の外表面の内の絶縁円筒７のアノード導入孔１３に対応する領域を絶縁円筒７の内表面と同一の曲率の面に形成した高速原子線源装置を構成した。
そして、請求項３：請求項２に記載される高速原子線源装置において、アノードリング１の軸方向断面を長方形に形成した高速原子線源装置を構成した。
【００１１】
また、請求項４：請求項３に記載される高速原子線源装置において、アノードリング１の外径を絶縁円筒７の内径に等しく形成した高速原子線源装置を構成した。
ここで、請求項５：真空容器３３を有し、真空容器３３に収容される高速原子線源装置２９、基板回転ホルダ３２、ターゲット支持体に支持されたターゲット３５を有し、真空容器３３内に反応ガスを供給するガス供給管３４を有するスパッタ成膜装置において、高速原子線源装置２９は対向する一方の端面を冷陰極カソードとすると共に他方の端面を引き出しカソードとする円筒カソード２３と、円筒カソード２３内表面を裏打ちする絶縁円筒７と、径方向を冷陰極カソード２および引き出しカソード３の径方向と平行にして絶縁円筒７に収容されるアノードリング１と、円筒カソード２３および絶縁円筒７を貫通して形成されるアノード導入孔１３と、アノード導入孔１３を介して導入されてアノードリング１に接続されるアノード１２と、円筒カソード２３およびアノードリング１の双方の軸方向に磁界を発生する電磁石１１と、絶縁円筒７内に不活性ガスを導入するガス導入管６より成り、
【００１２】
アノードリング１を絶縁円筒７の内表面に密接せしめて、アノード導入孔１３を絶縁円筒７の内表面側から閉塞したスパッタ成膜装置を構成した。
【００１３】
更に、請求項６：請求項５に記載されるスパッタ成膜装置において、アノードリング１の外表面の内の絶縁円筒７のアノード導入孔１３に対応する領域を絶縁円筒７の内表面と同一の曲率の面に形成したスパッタ成膜装置を構成した。
そして、請求項７：請求項６に記載されるスパッタ成膜装置において、アノードリング１の軸方向断面を長方形に形成したスパッタ成膜装置を構成した。
【００１４】
また、請求項８：請求項７に記載されるスパッタ成膜装置において、アノードリング１の外径を絶縁円筒７の内径に等しく形成したスパッタ成膜装置を構成した。
ここで、請求項９：真空容器３３を有し、真空容器３３に収容される高速原子線源装置２９および基板回転ホルダ３２を有するミリング装置において、高速原子線源装置２９は、対向する一方の端面を冷陰極カソードとすると共に他方の端面を引き出しカソードとする円筒カソード２３と、円筒カソード２３内表面を裏打ちする絶縁円筒７と、径方向を冷陰極カソード２および引き出しカソード３の径方向と平行にして絶縁円筒７に収容されるアノードリング１と、円筒カソード２３および絶縁円筒７を貫通して形成されるアノード導入孔１３と、アノード導入孔１３を介して導入されてアノードリング１に接続されるアノード１２と、円筒カソード２３およびアノードリング１の双方の軸方向に磁界を発生する電磁石１１と、絶縁円筒７内に不活性ガスを導入するガス導入管６より成り、
【００１５】
アノードリング１を絶縁円筒７の内表面に密接せしめて、アノード導入孔１３を絶縁円筒７の内表面側から閉塞したミリング装置を構成した。
【００１６】
更に、請求項１０：請求項９に記載されるミリング装置において、アノードリング１の外表面の内の絶縁円筒７のアノード導入孔１３に対応する領域を絶縁円筒７の内表面と同一の曲率の面に形成したミリング装置を構成した。
そして、請求項１１：請求項１０に記載されるミリング装置において、アノードリング１の軸方向断面を長方形に形成したミリング装置を構成した。
【００１７】
また、請求項１２：請求項１１に記載されるミリング装置において、アノードリング１の外径を絶縁円筒７の内径に等しく形成したミリング装置を構成した。
【００１８】
【発明の実施の形態】
この発明の実施の形態を図１、の実施例を参照して説明する。図１、の実施例において従来例と共通する部材には共通する参照符号を付与している。
絶縁円筒７は、その外表面をステンレスの如き導電材料より成る機械的に強固な円筒カソード２３の内表面に結合して裏打ちしている。絶縁円筒７および円筒カソード２３の一方の開口部はステンレスの如き導電材料より成る機械的に強固な冷陰極カソード２により閉塞されている。絶縁円筒７および円筒カソード２３を貫通してアノード導入孔１３が形成され、これにアノード１２が導入される。冷陰極カソード２には穿孔を形成してここにガス導入管６が接続されている。他方の開口部は厚みの小さい導電性材料より成る引き出しカソード３が形成されている。この引き出しカソード３には高速中性原子を外部に引き出す小孔が多数形成されている。環状の外部電磁石１１は円筒カソード２３に同軸に配置されている。
【００１９】
この発明においては、アノード導入孔１３を絶縁円筒７の内表面側から閉塞する構成を採用する。アノード導入孔１３を絶縁円筒７の内表面側からアノードリング１を絶縁円筒７の内表面に密接せしめて閉塞する。これに際して、アノードリング１の外表面の内の絶縁円筒７のアノード導入孔１３に対応する領域を絶縁円筒７の内表面と同一の曲率の面に形成する。具体的には、アノードリング１の軸方向断面を長方形に形成する。
【００２０】
図示される実施例においては、アノードリング１の外径を絶縁円筒７の内径に等しく形成し、このアノードリング１を絶縁円筒７のアノード導入孔１３に対応して嵌合位置決め固定することによりアノードリング１を閉塞する。即ち、円環状のアノードリング１は、その径方向に切断した断面を示すと、これは長方形に構成されている。このアノードリング１はその外表面の直径を、円筒カソード２３を裏打ちする絶縁円筒７の内表面の直径に等しく構成されている。そして、このアノードリング１の軸方向の幅はアノード導入孔１３の径より大きく設定されている。
【００２１】
ここで、絶縁円筒７にアノードリング１を嵌合してアノードリング１をアノード導入孔１３に対応して位置決め固定すると、アノードリング１の軸方向の幅がアノード導入孔１３の径より大きく設定されているところから、アノード導入孔１３はアノードリング１により絶縁円筒７の内表面側から閉塞される。アノードリング１の外表面の直径と絶縁円筒７の内表面の直径を等しく構成したことにより絶縁円筒７がアノードリング１を機械的に確実に保持することを容易にする。アノード１２をアノード導入孔１３に導入し、アノードリング１に溶接する。
【００２２】
従来例について説明した通り、アノードリング１および引き出しカソード３は放電動作中に荷電粒子が衝突することによりその導電性の構成材料がスパッタリングされる。従来例においては、特にアノード導入孔１３の内表面にスパッタリングされた物質が、極く狭いアノード１２とアノード導入孔１３部分のカソード２３との間の間隙に蒸着し、ここに余分なアルゴンガスが流入すると、ここに放電が生起したのであるが、この発明においては、アノード導入孔１３はアノードリング１により絶縁円筒７の内表面側から閉塞されているので、スパッタリングされた物質およびガスがアノード導入孔１３に到達する余地はなく、ここに異常放電は生起しない。
【００２３】
ここで、この発明の高速原子線源装置を具備するスパッタ成膜装置を図２を参照して説明する。
図２において、３３はスパッタ成膜装置を構成する真空容器を示す。この真空容器３３は真空ポンプ３６により吸引排気される。真空容器３３内には、高速原子線源装置２９、基板回転ホルダ３２、ターゲット支持体に支持されたターゲット３５が収容固定される。高速原子線源装置２９としては、図１により図示説明される高速原子線源装置を使用する。基板回転ホルダ３２は真空容器３３から突出する駆動軸を介して外部から回転駆動される。基板回転ホルダ３２の表面には成膜されるべき基板３７が取り付け固定される。ターゲット３５は高速原子線源装置２９の放射する高速中性原子線３８の衝突によりスパッタリングされる物質より成る。ターゲット３５としては、必要に応じてタンタルＴａ、チタンＴｉ、シリコンＳｉ、金属、或は石英ガラスＳｉＯ2 が採用される。真空容器３３にはその壁を貫通してガス供給管３４が取り付け固定され、このガス供給管３４を介して高速原子線源装置２９にガスが供給される。このガスとしては１例として酸素ガスが使用される。
【００２４】
ここで、高速原子線源装置２９より放射される高速中性原子線３８はターゲット３５に照射され、打ち出されるスパッタ粒子３９はガス供給管３４より供給される酸素ガスと反応し、反応性スパッタにより基板回転ホルダ３２に保持された基板３７に酸化膜が成膜される。酸化膜としては、ターゲット３５がタンタルＴａ、チタンＴｉ、シリコンＳｉ、金属、或は石英ガラスＳｉＯ2 に対応して、五酸化タンタルＴａ2 Ｏ5 、二酸化チタンＴｉＯ2 、金属酸化物、二酸化シリコンＳｉＯ2 が成膜される。
【００２５】
中性原子によるスパッタ成膜であるので、イオンビーム源を使用するスパッタ成膜の場合と比較して、（１）中性粒子使用により真空容器３３内は電荷的に中和が保たれており、イオンビーム源を使用するスパッタ成膜の場合に必要とされる中和器が不要となる。（２）中性粒子使用により、真空容器内における電荷を有するダストが基板３７に静電気により付着することが回避され、損失の少ない理想に近い薄膜成膜をすることができる。
【００２６】
以上の通りにして、この発明による高速原子線源装置をスパッタリングに使用することにより、長期間に亘って安定に動作するスパッタ成膜装置を構成することができる。
図４に示される高速原子線源装置の従来例においては、実験に依ると、アルゴンガス供給流量１０ｓｃｃｍ時において、ビーム中性化率は約１５％（アルゴン原子：アルゴンイオン＝１５：８５）、連続動作時間：約２４時間であった。これに対して、図１により図示説明されるこの発明の高速原子線源装置においてはアルゴン供給流量３０ｓｃｃｍ時において、ビーム中性化率は約９０％、連続動作時間：７０時間以上という結果が得られた。
【００２７】
次に、この発明の高速原子線源装置を具備するミリング装置を図３を参照して説明する。
真空ポンプ３６により真空に排気された真空容器３３において、高速原子線源装置２９より放射される高速中性原子線３８は基板回転ホルダ３２に固定されている基板３７に向けて照射される。基板３７には図示されていないマスクが密着形成されており、これにより選択的に任意の領域をミリング加工することができる。基板３７は、基板回転ホルダ３２表面に取り付け固定して回転することにより、空間分布を示す高速中性原子線３８に対して均一の照射が保証される。
【００２８】
以上の通り、ビーム源としてイオンビーム源を使用する従来例と比較して、中性原子を放射する中性の高速原子線源装置２９を使用することにより、中性粒子を利用するので、基板３７表面で電荷の中和が保たれ、イオンビーム使用時に発生していた基板３７上面のチャージアップ現象と、これに伴う入射ビームの電荷効果による指向性劣化現象を回避することができる。そして、この発明による高速原子線源装置２９をミリング装置に使用することにより、長期間に亘って安定に動作するミリング装置を構成することができる。
【００２９】
【発明の効果】
以上の通りであって、この発明に依れば、アノード１２とアノード導入孔１３との間の間隙にガスが流入しない構成を採用する。アノードリング１の外表面の内の絶縁円筒７のアノード導入孔１３に対応する領域を絶縁円筒７の内表面と同一の曲率の面に形成する。特に、アノードリング１としての軸方向断面を長方形に形成したものを使用する。間隙にはアノードリング１と絶縁円筒７の内表面とが密着して配置されることによりガスの流入はなく、従って、従来、問題であった間隙における異常放電を回避することができる。アノードリングの断面を長方形に構成することにより、絶縁円筒７との間の接触面積が増大し、密着性が向上する。そして、アノードリング１の外表面の直径と絶縁円筒７の内表面の直径を等しく構成したことにより、絶縁円筒７がアノードリング１を機械的に確実に保持することを保証し、固定を容易にする。これによりガスの流入を抑えることができる。これにより、高速原子線源装置の使用開始後、ガス導入管６より供給されるガス圧を長期間に亘って高く維持して動作させることができ、出力ビーム電流およびビーム中性化率が増加し、結果として、高効率に原子ビームを生成すると共に安定に長期間動作する高速原子線源装置を構成することができる。
【００３０】
そして、以上の高速原子線源装置を、特に、スパッタ成膜装置およびミリング装置に使用することにより、これらを長期間に亘って安定に動作する加工装置とすることができる。
また、アノードリングの断面を長方形とすることにより、アノードリングの加工が容易になり、それだけ高速原子線源装置の製造コストを低下させることができる。
【００３１】
以上を要約するに、この発明のアノードリングを採用することにより、
（１）  ガス圧を比較的高くしてガス流量を３０ｓｃｃｍ程度と多くしても、異常放電を抑圧することができる。
（２）  連続動作時間を長時間化することができる。
（３）  中性原子ビームの生成効率、即ち中性化率を向上することができる。
先の実施例においては、中性化率を１５％程度から９０％程度に大幅に向上することができた。
【００３２】
（４）  アノードリングの形状を円形から長方形に変更することにより加工が容易になり安価に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例を説明する図。
【図２】高速原子線源装置を使用したスパッタ成膜装置を説明する図。
【図３】高速原子線源装置を使用したミリング装置を説明する図。
【図４】従来例を説明する図。
【図５】図４の一部の拡大断面図。
【符号の説明】
１  アノードリング
２  冷陰極カソード
３  引き出しカソード
６  ガス導入管
７  絶縁円筒
８  イオン
９  電子
１０  高速中性原子
１１  電磁石
１２  アノード
１３  アノード導入孔
１４  アノード支持体
２３  円筒カソード
２９  高速原子線源装置
３２  基板回転ホルダ
３３  真空容器
３４  ガス供給管
３５  ターゲット
３６  真空ポンプ
３７  基板
３８  高速中性原子線
【図１】
0004237870.tif 000002
【図２】
0004237870.tif 000003
【図３】
0004237870.tif 000004
【図４】
0004237870.tif 000005
【図５】
0004237870.tif 000006