(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
隣接するリードフレームの端子部を接続している縦方向及び横方向のグリッドリードを介して複数のリードフレームがマトリックス状に配列されており、その各リードフレームにおける４本の吊りリードで支持されたダイパッド上にそれぞれ半導体素子を搭載し、ワイヤーボンディングを実施してから、それらの半導体素子を一括してモールドした後、グリッドリードのところをダイシングソーで切断して個々の樹脂封止型半導体装置を得るために用いられるフレームにおいて、吊りリードを先端が二股に分岐したフィッシュテール形状とし、その吊りリードのフィッシュテールで囲まれた領域において縦方向と横方向の少なくとも一方のグリッドリードを削除したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置用フレーム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、リードフレーム上に半導体素子を搭載し、その外囲、特に半導体素子の上面側をモールド樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置の技術分野に属するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、基板実装の高密度化に伴い、基板実装される半導体製品の小型化・薄型化が要求されている。ＬＳＩも、高集積化によるチップ数の削減とパッケージの小型・軽量化が厳しく要求され、いわゆるＣＳＰ（Chip Size Package)の普及が急速に進んでいる。特に、リードフレームを用いた薄型の半導体製品の開発においては、リードフレームに半導体素子を搭載し、その搭載面をモールド樹脂で封止する片面封止タイプの樹脂封止型半導体装置が開発されている。
【０００３】
図１は樹脂封止型半導体装置の一例を示す断面図、図２はその平面図である。これらの図に示される樹脂封止型半導体装置は、リードフレーム１の吊りリード２で支持されたダイパッド３に搭載された半導体素子４と、この半導体素子４の上面の電極とリードフレーム１の端子部５とを電気的に接続した金属細線６と、半導体素子４の上側とダイパッド３の下側とを含む半導体素子４の外囲領域を封止した封止樹脂７とを備えている。この樹脂封止型半導体装置は、いわゆるアウターリードが突き出ておらず、インナーリードとアウターリードの両者が端子部５として一体となったノンリードタイプである。また、用いられているリードフレーム１は、ダイパッド３が端子部より上方に位置するようにハーフエッチングされている。このように段差を有しているので、ダイパッド３の下側にも封止樹脂７を存在させることができ、ダイパッド非露出型であっても薄型を実現している。
【０００４】
上記のようなノンリードタイプの樹脂封止型半導体装置は、半導体素子のサイズが小型であるため、１枚のフレームの幅方向に複数列配列して製造するマトリックスタイプが主流である。そして、最近では、コストダウンの要求から、図３に示すような個別にモールドするタイプから、図４に示すような一括してモールドするタイプへ移行することが考えられている。
【０００５】
個別モールドタイプは、図３（Ａ）に示すように、１枚のフレームＦ内に小さなサイズの個々のモールドキャビティＣを分かれた状態で設けるようにし、モールド後は金型により個別に打ち抜いて図３（Ｂ）に示す半導体装置Ｓを得るものである。すなわち、半導体素子を銀ペースト等によりリードフレームのダイパッド上に搭載し、ワイヤーボンディングを実施した後、個々の半導体素子を個別にモールドしてから、金型により個々の半導体装置として打ち抜くのである。
【０００６】
一括モールドタイプは、図４（Ａ）に示すように、１枚のフレームＦ内に大きなサイズの幾つかのモールドキャビティＣを設けるようにし、その一つ一つのモールドキャビティＣ内には多数の半導体素子をマトリックス状に配列し、それらの半導体素子を一括してモールドした後、各リードフレームのグリッドリードＬのところをダイシングソーで切断して図４（Ｂ）に示す半導体装置Ｓを得るものである。すなわち、半導体素子を銀ペースト等によりリードフレームのダイパッド上に搭載し、ワイヤーボンディングを実施した後、複数個配列されている半導体素子を所定のキャビティサイズで一括モールドしてから、ダイシングにより個片化するのである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上記した一括モールドタイプの樹脂封止型半導体装置においては、半導体素子の発熱による熱がダイパッドを通じて吊りリードへ伝わる。この時、金属と樹脂との熱膨張係数の違いから、吊りリードが封止樹脂から剥離することがある。そこで、この剥離を防止するために、吊りリードの途中に突起部を設けた形状にしたり、図２に示したように、吊りリード２の先端を二股に分岐させたいわゆるフィッシュテール形状とすることで剥離を防止することが行われている。
【０００８】
一般に、エッチングにより製品を製造する場合、設計で直角にデザインされた箇所は、エッチング工程を経た仕上がり状態においてどうしても丸みを帯びた形状（Ｒ形状）となる。吊りリードがフィッシュテール形状になっている一括モールドタイプの半導体装置用のフレームにおいても、エッチングによりフィッシュテールの回りにＲ形状が発現する。例えば、設計時において図５に示すようなフィッシュテール形状の吊りリード２をデザインしても、エッチングでは点線で示すようなＲ形状となる。
【０００９】
このフレームＦに半導体素子を搭載して一括モールドした後に、ダイシングにより個片化するわけであるが、この際、縦横のダイシングラインαが交わるところにＲ形状の丸みがかかっていると問題はないが、Ｒ形状が縦横のダイシングラインαが交わるところにかかっていないと、図６に示すように、個片化された半導体装置の角にグリッドリードＬの金属片８が残存する。そして、場合によっては、基板搭載時にこの金属片８が剥がれて基板上に落下し、短絡等の事故が発生しかねないこととなる。
【００１０】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、一括モールドタイプの半導体装置に用いられるリードフレームを配列したフレームであって、ダイシング時に半導体装置の角に金属片が残存しないようにした樹脂封止型半導体装置用フレームを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明の樹脂封止型半導体装置用フレームは、隣接するリードフレームの端子部を接続している縦方向及び横方向のグリッドリードを介して複数のリードフレームがマトリックス状に配列されており、その各リードフレームにおける４本の吊りリードで支持されたダイパッド上にそれぞれ半導体素子を搭載し、ワイヤーボンディングを実施してから、それらの半導体素子を一括してモールドした後、グリッドリードのところをダイシングソーで切断して個々の樹脂封止型半導体装置を得るために用いられるフレームにおいて、吊りリードを先端が二股に分岐したフィッシュテール形状とし、その吊りリードのフィッシュテールで囲まれた領域において縦方向と横方向の少なくとも一方のグリッドリードを削除したことを特徴としている。
【００１２】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。図７は本発明に係るフレームの一例示す平面図、図８は同じく一部拡大平面図である。
【００１３】
これらの図においてＦはリードフレーム用の１枚の金属フレームで、３×４個のリードフレーム１０がグリッドリードＬを介してマトリックス状に配置されている。グリッドリードＬは、隣接するリードフレーム１０の端子部５を接続しているところである。各リードフレーム１０では４本の吊りリード２によりダイパッド３が支持されている。そして、吊りリード２はフィッシュテール形状になっており、その吊りリード２のフィッシュテールで囲まれた領域において縦方向と横方向の両方のグリッドリードＬが削除されている。
【００１４】
このフレームＦを用いて樹脂封止型半導体装置を製造する手順は次のようである。まず、フレームＦの各リードフレーム１０におけるダイパッド３の上にそれぞれ半導体素子を銀ペーストにより搭載し、端子部５と半導体素子の上面の電極との間にワイヤーボンディングを実施した後、１２個配列されている半導体素子を所定のキャビティサイズで一括モールドしてから、各リードフレームの端子部５を残すようにしてダイシングラインαのところをダイシングソーで切断して個片化する。このダイシングにおいて、個別の半導体装置の角Ｘとなるところには封止樹脂以外に何も存在しないので、半導体装置の角は直角に切断された封止樹脂によって形成されることになる。
【００１５】
図９は本発明に係るフレームの別の例を図８に対応して示す一部拡大平面図である。
【００１６】
この例では、吊りリード２のフィッシュテールで囲まれた領域において横方向のグリッドリードＬが削除されている。このフレームＦに半導体素子を搭載して一括モールドした後に、ダイシングラインαのところをダイシングソーで切断して個片化すると、個々の個別の半導体装置の角Ｘとなるところには、外側に縦方向のグリッドラインＬが存在するが、この部分はエッチングにより丸みを帯びることはないので、半導体装置の角は直角に切断された封止樹脂によって形成されることになる。
【００１７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、隣接するリードフレームの端子部を接続している縦方向及び横方向のグリッドリードを介して複数のリードフレームがマトリックス状に配列されており、その各リードフレームにおける４本の吊りリードで支持されたダイパッド上にそれぞれ半導体素子を搭載し、ワイヤーボンディングを実施してから、それらの半導体素子を一括してモールドした後、グリッドリードのところをダイシングソーで切断して個々の樹脂封止型半導体装置を得るために用いられるフレームにおいて、吊りリードを先端が二股に分岐したフィッシュテール形状とし、その吊りリードのフィッシュテールで囲まれた領域において縦方向と横方向の少なくとも一方のグリッドリードを削除した構成としたので、フレームのエッチング時に発生するデザイン上のコーナーＲの大小に関わらず、ダイシング時において半導体装置の角に金属片が残存することが皆無となり、したがって基板搭載時に金属片が脱落して短絡事故を起こすようなことがない。
【図面の簡単な説明】
【図１】樹脂封止型半導体装置の一例を示す断面図である。
【図２】図１に示す樹脂封止型半導体装置の平面図である。
【図３】個別モールドタイプの説明図である。
【図４】一括モールドタイプの説明図である。
【図５】エッチングにより生ずるＲ形状の説明図である。
【図６】半導体装置の角に金属片が残存した状態を示す説明図である。
【図７】本発明に係るフレームの一例を示す平面図である。
【図８】図７に示すフレームの一部拡大平面図である。
【図９】本発明に係るフレームの別の例を図８に対応して示す断面図である。
【符号の説明】
１  リードフレーム
２  リード
３  ダイパッド
４  半導体素子
５  端子部
６  金属細線
７  封止樹脂
８  金属片
１０  リードフレーム
Ｃ  モールドキャビティ
Ｆ  フレーム
Ｌ  グリッドリード
Ｓ  半導体装置
α  ダイシングライン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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