(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリカルボン酸系界面活性剤及びＨＬＢ値が９以下であるノニオン界面活性剤から選択される少なくとも１種の界面活性剤と、下記式（１）で表されるアルカリ可溶性シロキサン重合体と、感光性化合物とを含有し、厚みが１μｍの塗膜のｉ線透過率が５〜６０％であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【化１】
0004373082.tif 000056
前記式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、一価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。Ａは、下記式（２）で表されるフェノール性水酸基を有する基を表す。ａ＋ｂ＋ｃ＝１である。
【化２】
0004373082.tif 000057
前記式（２）中、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、水素原子又は一価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。ｍは、整数を表す。ｎは、１〜５の整数を表す。
【請求項２】
式（１）中、０．２５≦ａ≦０．６０であり、０≦ｃ≦０．２５である請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項３】
ポリカルボン酸系界面活性剤、ソルビタンエステル系界面活性剤、ポリエチレングリコールモノエステル系界面活性剤及びポリエチレングリコールモノエーテル系界面活性剤から選択される少なくとも１種の界面活性剤と、水酸基と直接結合しているケイ素原子が全ケイ素原子数の１９％以下であるアルカリ可溶性シロキサン重合体と、感光性化合物とを含有する請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項４】
アルカリ可溶性シロキサン重合体が、下記式（Ｉ）で表される請求項１から３のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【化３】
式（Ｉ）
(ＲA)ｄ(Ｏ1/2ＳｉＲ17Ｒ18−Ｂ)ｅ(Ｏ1/2ＳｉＲ19Ｒ20ＯＨ)ｆ(Ｏ1/2ＳｉＲ19Ｒ20ＯＲ21)ｇ
ただし、ＲAは、下記式（II）〜（Ｖ）で表されるオルガノシロキサン残基を表す。Ｂは、下記式（６）又は下記式（７）で表される基を表す。Ｒ17〜Ｒ20は、互いに独立して、水素原子、酸素原子又は一価の有機基を表す。Ｒ21は、一価の有機基又はシリル基を表す。ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＝１としたとき、０．２５≦ｄ≦０．６０であり、かつｆ≦０．１９である。
【化４】
（Ｏ４／２Ｓｉ）    式（II）
（Ｏ３／２Ｓｉ）    式（III）
（Ｏ２／２Ｓｉ）    式（IV）
（Ｏ１／２Ｓｉ）    式（Ｖ）
【化５】
0004373082.tif 000058
【化６】
―（ＣＲ２３Ｒ２４）ｍ−ＣＯＯＲ２５    式（７）
ただし、前記式（６）及び（７）において、Ｒ３〜Ｒ５及びＲ２２〜Ｒ２５は、水素原子又は一価の有機基を表す。Ｂ’は、−Ｏ−又は−ＣＯＯ−を表す。ｍは、０〜３の整数を表す。ｎは、１〜５の整数を表す。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、該レジスト膜に現像処理を行ってレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程とを含むことを特徴とするレジストパターンの製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載のレジストパターンの製造方法により製造されることを特徴とするレジストパターン。
【請求項７】
請求項５に記載のレジストパターンを用いて形成されたパターンを少なくとも有してなることを特徴とする電子回路装置。
【請求項８】
請求項５に記載のレジストパターンの製造方法により下地層上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチング及びリフトオフのいずれかにより前記下地層をパターニングするパターニング工程とを含むことを特徴とする電子回路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気ヘッド、半導体素子等の電子回路装置の製造に好適な微細パターンを形成するレジストパターン及び該レジストパターンを短時間で効率的に製造可能なレジストパターンの製造方法、該レジストパターンの製造に好適であり、ｉ線を用いた２層レジスト法における上層レジストとして特に好適であり、電子回路素子の高集積化に寄与し得るポジ型レジスト組成物、該ポジ型レジストに好適なアルカリ可溶性シロキサン重合体、並びに、前記レジストパターンを用いて形成した微細パターンを有してなる電子回路装置及び該電子回路装置を短時間で効率的に製造可能な電子回路装置の製造方法、に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子、磁気バブルメモリ素子、表面バブルメモリ素子などの微細パターンを持つ電子回路素子の形成には、従来からレジストプロセスが多用されている。ポジ型レジスト組成物は、一般に、ネガ型レジスト組成物に比べ解像性が優れている（例えば、特許文献１及び２参照）。該ポジ型レジスト組成物としては、例えば、波長３００〜５００ｎｍの光に感光性を示すアルカリ可溶性樹脂と、キノンジアジド基を有する化合物とを含有する組成物が知られている（例えば、特許文献２参照）。ところが、近年、電子回路素子の高集積化に伴い、配線の多層化による基板表面の高段差化が進んでいるため、前記ポジ型レジスト組成物を用いたとしても、従来の単層レジストプロセスでは充分な解像性が得られなくなってきている。
【０００３】
そこで、近時、有機樹脂層を下層として形成して基板段差を平坦化し、その上にレジスト層を上層として薄く形成し、該上層のみをパターニングして上層パターンを形成した後、酸素プラズマエッチング処理によって該上層のパターンを下層に転写する２層レジスト法が検討されている。該２層レジスト法の場合、前記下層により基板段差を平坦化すると共に前記基板からの光反射を防止でき、また前記上層を薄くできることから、従来の単層レジスト法に比べて、解像性を著しく向上させることができる。前記２層レジスト法においては、前記上層が酸素プラズマエッチング処理されることから、前記レジスト層の材料には、酸素プラズマ耐性に優れた有機ケイ素重合体が用いられてきた。
しかし、高性能な電子回路装置を製造する観点からは、前記レジスト層の材料においては、前記酸素プラズマ耐性のみならず、解像性、保存安定性にも優れることが望まれている。また、ケイ素原子含有ポリマーを含むレジスト組成物から得られるレジスト膜をハーフトーンマスクによりパターンニングした場合、本来形成使用とするレジストパターン周辺部に、ハーフトーンマスクにおけるハーフトーン部分を透過した光によって感光して形成されたサイドローブと呼ばれるゴーストパターンが生じてしまうという問題があるため、その改善も望まれている。
【０００４】
前記酸素プラズマ耐性のみならず、解像性、保存安定性にも優れた有機ケイ素化合物、該有機ケイ素化合物を用い、ハーフトーンマスクによりパターンニングした場合において、前記サイドローブの発生が少ないレジスト膜を形成可能なポジ型レジスト組成物は、未だ提供されていないのが現状である。
【０００５】
【特許文献１】
特開平３−１０３８５５号公報
【特許文献２】
特開平５−５３３１６号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、かかる要望に応え、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、磁気ヘッド、半導体素子等の電子回路装置の製造に好適な微細パターンを形成するレジストパターン及び該レジストパターンを短時間で効率的に製造可能なレジストパターンの製造方法、該レジストパターンの製造に好適であり、酸素プラズマ耐性、解像性、保存安定性等に優れ、ｉ線を用いた２層レジスト法における上層レジストの材料として特に好適であり、ハーフトーンマスクを用いてパターンニングした場合にサイドローブの発生が少ないレジスト膜を形成可能であり、電子回路素子の高集積化に寄与し得るポジ型レジスト組成物、並びに、前記レジストパターンを用いて形成した微細パターンを有してなる電子回路装置及び該電子回路装置を短時間で効率的に製造可能な電子回路装置の製造方法、を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するための手段は、後述の（付記１）〜（付記３９）として記載した通りである。
本発明のポジ型レジスト組成物（第一の形態）は、下記式（１）で表されるアルカリ可溶性シロキサン重合体と、感光性化合物とを含有し、１μｍの塗膜のｉ線透過率が５〜６０％である。
本発明のポジ型レジスト組成物（第二の形態）は、ポリカルボン酸系界面活性剤及びＨＬＢ値が９以下であるノニオン界面活性剤から選択される少なくとも１種の界面活性剤と、水酸基と直接結合しているケイ素原子が全ケイ素原子数の１９％以下であるアルカリ可溶性シロキサン重合体と、感光性化合物とを含有する、あるいは、ポリカルボン酸系界面活性剤、ソルビタンエステル系界面活性剤、ポリエチレングリコールモノエステル系界面活性剤及びポリエチレングリコールモノエーテル系界面活性剤から選択される少なくとも１種の界面活性剤と、水酸基と直接結合しているケイ素原子が全ケイ素原子数の１８％以下であるアルカリ可溶性シロキサン重合体と、感光性化合物とを含有する。
本発明のポジ型レジスト組成物は、酸素プラズマ耐性、解像性、保存安定性等に優れ、ｉ線を用いた２層レジスト法における上層レジストとして特に好適であり、ハーフトーンマスクを用いてパターニングした場合にサイドローブの発生が少ないレジスト膜を形成可能である。
【０００８】
本発明のアルカリ可溶性シロキサン重合体は、下記式（１）で表され、１μｍの塗膜のｉ線透過率が５〜６０％であるポジ型レジスト組成物に用いられる。
【化９】
0004373082.tif 000002
前記式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、一価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。Ａは、下記式（２）で表されるフェノール性水酸基を有する基を表す。ａ＋ｂ＋ｃ＝１である。
【化１０】
0004373082.tif 000003
前記式（２）中、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、水素原子又は一価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。ｍは、整数を表す。ｎは、１〜５の整数を表す。
該アルカリ可溶性シロキサン重合体は、酸素プラズマ耐性、解像性、保存安定性等に優れ、ｉ線を用いた２層レジスト法における上層レジストの材料として特に好適であり、ハーフトーンマスクを用いてパターニングした場合にサイドローブの発生が少ないレジスト膜を形成可能なポジ型レジスト組成物に特に好適である。
【０００９】
本発明のレジストパターンの製造方法は、本発明のポジ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、該レジスト膜に現像処理を行ってレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程とを含む。該レジストパターンの製造方法では、前記レジスト膜形成工程において、前記ポジ型レジスト組成物を用いたレジスト膜が形成される。前記パターン形成工程において、該レジスト膜の現像処理が行われ、レジストパターンが形成される。
本発明のレジストパターンは、本発明のレジストパターンの製造方法により製造される。該レジストパターンは、酸素プラズマ耐性、解像性、保存安定性等に優れ、ｉ線を用いた２層レジスト法における上層レジストとして特に好適であり、磁気ヘッド、半導体素子等の電子回路装置の製造に好適である。
【００１０】
本発明の電子回路装置は、本発明のレジストパターンを用いて形成されたパターンを少なくとも有してなる。該電子回路装置は、前記レジストパターンにより形成されたパターンを有しているので高性能である。
本発明の電子回路装置の製造方法は、本発明のレジストパターンの製造方法により下地層上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチング及びリフトオフのいずれかにより前記下地層をパターニングするパターニング工程とを含む。該電子回路装置の製造方法では、前記レジストパターン形成工程において、下地層上にレジストパターンが形成される。前記パターニング工程において、該レジストパターンをマスクとしてエッチング又はリフトオフが行われ、前記下地層がパターニングされる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
（ポジ型レジスト組成物及びアルカリ可溶性シロキサン重合体）
本発明のポジ型レジスト組成物としては、第一の形態に係るポジ型レジストと、第二の形態に係るポジ型レジストとが挙げられる。
前記第一の形態に係るポジ型レジストは、前記式（１）で表されるアルカリ可溶性シロキサン重合体と、感光性化合物とを含有し、１μｍの塗膜のｉ線透過率が５〜６０％である。
前記第二の形態に係るポジ型レジストは、ポリカルボン酸系界面活性剤及びＨＬＢ値が９以下であるノニオン界面活性剤から選択される少なくとも１種の界面活性剤と、水酸基と直接結合しているケイ素原子が全ケイ素原子数の１９％以下であるアルカリ可溶性シロキサン重合体と、感光性化合物とを含有する。
【００１２】
前記第一の形態に係るポジ型レジストの場合、厚みが１μｍの塗膜のｉ線透過率としては、５〜６０％であることが必要であり、１０〜５０％であるのが好ましく、１４〜３９％であるのがより好ましい。また、前記第二の形態に係るポジ型レジストの場合、該ｉ線透過率は、５〜６０％であることが好ましく、１０〜５０％であるのがより好ましく、１４〜３９％であるのが更に好ましい。
前記１μｍの塗膜のｉ線透過率が、５％未満であると、レジスト膜の上下での感光量が異なるので解像性が低下することがあり、６０％を超えると、露光部と未露光部との溶解速度差が十分にとれないことがある一方、５〜６０％であるとそのようなことがなく、１０〜５０％であると前記解像性、前記溶解速度差が良好であり、１４〜３９％であると特に良好である。
【００１３】
前記厚みが１μｍの塗膜のｉ線透過率は、例えば、下記数式から算出することができる。即ち、下記数式中、「Ｔ」は、前記アルカリ可溶性シロキサン重合体１００質量部と、１，２−ナフトキノンジアジド基を有する感光性化合物５０質量部と、後述する式（１５）で表されるフェノール化合物１．５質量部とを含有する２−ヘプタノン溶液（固形分２５質量％）をガラス基板上にスピンコートしてなる、厚み０．５５μｍの塗膜のｉ線透過率（％）の実測値を表す。該ｉ線透過率（％）は、前記ガラス基板自体のｉ線透過率を対照として分光光度計（日立（株）製、Ｕ−３５００）を用いて測定することができる。この実測値であるｉ線透過率（％）である「Ｔ」に基づき、下記数式より、１，２−ナフトキノンジアジド基を有する感光性化合物による厚み１μｍの塗膜のｉ線吸光度「Ａ」を算出することができる。次に、前記ｉ線吸光度「Ａ」の値と、該ポジ型レジスト組成物中の全固形分に対する、１，２−ナフトキノンジアジド基を有する感光性化合物の重量比「Ｗ」とに基づき、下記数式により、前記ポジ型レジスト組成物による厚み１μｍの塗膜のｉ線吸光度「Ａ’」を算出することができる。次に、該ｉ線吸光度「Ａ’」に基づき、下記数式により、該ポジ型レジスト組成物の厚み１μｍの塗膜のｉ線透過率「Ｔ’」（％）を算出することができる。
【００１４】
【数１】
0004373082.tif 000004
【００１５】
本発明のポジ型レジスト組成物は、前記第一の形態では、アルカリ可溶性シロキサン重合体と、感光性化合物とを含有してなり、さらに必要に応じて適宜選択した、界面活性剤、その他の成分を含有してなる。前記第二の形態では、アルカリ可溶性シロキサン重合体と、感光性化合物と、界面活性剤とを含有してなり、さらに必要に応じて適宜選択したその他の成分を含有してなる。
【００１６】
−アルカリ可溶性シロキサン重合体−
本発明において、前記アルカリ可溶性シロキサン重合体における「アルカリ可溶性」とは、該アルカリ可溶性シロキサン重合体自体がアルカリ可溶性であることのほか、前記感光性化合物によりアルカリ可溶性となることも含む。なお、本発明においては、前記アルカリ可溶性シロキサン重合体を、アルカリ可溶性ポリオルガノシロキサン樹脂と称することがある。
また、前記「アルカリ可溶性」とは、ｐＨ７超で可溶性であることを意味する。
前記アルカリ可溶性シロキサン重合体の分子骨格構造としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、直鎖状、かご状、ラダー状、これらの複合構造などが挙げられる。
【００１７】
前記第一の形態に係るポジ型レジスト組成物における前記アルカリ可溶性シロキサン重合体は、下記式（１）で表される。
なお、前記式（１）で表されるアルカリ可溶性シロキサン重合体の内、厚みが１μｍの塗膜のｉ線の透過率が５〜６０％であるポジ型レジスト組成物に用いられるものが、本発明のアルカリ可溶性シロキサン重合体である。
【００１８】
【化１１】
0004373082.tif 000005
前記式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、一価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【００１９】
前記一価の有機基としては、直鎖状、分岐状、環状のいずれであってもよい。
前記一価の有機基の炭素数としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、炭素数１〜２０が好ましく、前記分岐状のものの場合には３〜２０が好ましく、前記環状のものの場合には３〜２０が好ましく、前記環状の中でも芳香族環を含むものの場合には６〜２０が好ましい。
【００２０】
前記一価の有機基としては、例えば、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基などが好適に挙げられる。これらは、ハロゲン原子、アルキル基等で置換されていてもよい。
【００２１】
前記脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。
【００２２】
前記芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、トリル基、キシリル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジエチルフェニル基、トリエチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、メチルナフチル基、ジメチルナフチル基、トリメチルナフチル基、ビニルナフチル基、エテニルナフチル基、メチルアンスリル基、エチルアンスリル基などが挙げられる。
【００２３】
前記式（１）中、Ａは、下記式（２）で表されるフェノール性水酸基を有する基を表し、下記式（６）及び下記式（７）のいずれかで表されるものが好ましい。
【００２４】
【化１２】
0004373082.tif 000006
前記式（２）中、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、水素原子又は前記一価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。ｍは、整数を表し、１〜３が塗布適性等の点で好ましい。ｎは、１〜５の整数を表す。
【００２５】
【化１３】
0004373082.tif 000007
【００２６】
【化１４】
0004373082.tif 000008
【００２７】
前記式（１）中、ａ＋ｂ＋ｃ＝１である。ａ、ｂ及びｃは、各分子骨格が前記。アルカリ可溶性シロキサン重合体に占める割合を表し、その数値が大きい程、全体に占める割合が大きいことを意味する。
この内、前記ａとしては、０．２５≦ａ≦０．６０が好ましく、０．４０≦ａ≦０．６０がより好ましい。前記ａが、アルカリ可溶性が十分でないことがあり、露光部と未露光部との溶解速度差がとれないことがある一方、０．２５未満であると、酸素プラズマエッチング耐性が十分でないことがあり、前記数値範囲内であるとそのようなことはなく、該数値範囲内において数値が大きい程、酸素プラズマエッチング耐性に優れる。
また、前記ｃとしては、０≦ｃ≦０．２５が好ましく、０．０２≦ｃ≦０．２０がより好ましい。前記ｃが、前記数値範囲外であると、露光部と未露光部との溶解速度差がとれなかったり、保存安定性が悪かったりすることがある一方、前記数値範囲であるとそのようなことはなく、該数値範囲内において大きい程、塗布適性が良好であり、前記数値範囲内において小さい程、保存安定性が良好である。
【００２８】
前記第二の形態に係るポジ型レジスト組成物における前記アルカリ可溶性シロキサン重合体は、水酸基と直接結合しているケイ素原子が全ケイ素原子数の１９％以下であり、下記式（Ｉ）で表されるものが好ましい。
なお、前記水酸基と直接結合しているケイ素原子が全ケイ素原子数の割合としては、１９％以下であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、２〜１５％以下が好ましく、２〜１３％以下が特に好ましい。
前記割合が、１９％を超えると、前記サイドローブの発生抑制効果が十分でないことがあり、一方、１９％以下であればそのようなことはなく、前記サイドローブの発生抑制効果が得られ、前記好ましい数値範囲、前記より好ましい数値範囲内であると、その効果が顕著である点で有利である。
【００２９】
前記水酸基と直接結合しているケイ素原子数が全ケイ素原子数に対する割合としては、例えば、２９Ｓｉ−ＮＭＲにより測定することができる。
【００３０】
【化１５】
式（Ｉ）
(ＲA)ｄ(Ｏ1/2ＳｉＲ17Ｒ18−Ｂ)ｅ(Ｏ1/2ＳｉＲ19Ｒ20ＯＨ)ｆ(Ｏ1/2ＳｉＲ19Ｒ20ＯＲ21)ｇ
ただし、ＲAは、下記式（II）〜（Ｖ）で表されるオルガノシロキサン残基を表す。Ｂは、下記式（VI）又は下記式（VII）で表される基を表す。Ｒ17〜Ｒ20は、互いに独立して、水素原子、酸素原子又は一価の有機基を表す。Ｒ21は、一価の有機基又はシリル基を表す。ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＝１としたとき、０．２５≦ｄ≦０．６０であり、かつｆ≦０．１９である。
なお、前記一価の有機基としては、上述した通りである。Ｒ17〜Ｒ20が酸素原子である場合には、該酸素原子の両端はケイ素原子である。
【００３１】
【化１６】
（Ｏ４／２Ｓｉ）    式（II）
（Ｏ３／２Ｓｉ）    式（III）
（Ｏ２／２Ｓｉ）    式（IV）
（Ｏ１／２Ｓｉ）    式（Ｖ）
【００３２】
【化１７】
0004373082.tif 000009
【００３３】
【化１８】
―（ＣＲ２３Ｒ２４）ｍ−ＣＯＯＲ２５    式（VII）
ただし、前記式（VI）及び（VII）において、Ｒ３〜Ｒ５及びＲ２２〜Ｒ２５は、水素原子又は一価の有機基を表す。該一価の有機基としては、上述した通りである。Ｂ’は、−Ｏ−又は−ＣＯＯ−を表す。Ｂ’が複数ある場合、該複数のＢ’は互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。ｍは、０〜３の整数を表す。ｎは、１〜５の整数を表す。
【００３４】
前記式（Ｉ）中、ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＝１である。ｄ、ｅ、ｆ及びｇは、各分子骨格が前記アルカリ可溶性シロキサン重合体に占める割合を表し、その数値が大きい程、全体に占める割合が大きいことを意味する。
この内、前記ｄとしては、０．２５≦ｄ≦０．６０であり、０．３５≦ｄ≦０．６０がより好ましい。前記ｄが、０．６０を超えると、アルカリ可溶性が十分でないことがあり、露光部と未露光部との溶解速度差がとれないことがある一方、０．２５未満であると、酸素プラズマエッチング耐性が十分でないことがあり、前記数値範囲内であるとそのようなことはなく、該数値範囲内において数値が大きい程、酸素プラズマエッチング耐性に優れる。
また、前記ｆとしては、ｆ≦０．１９であり、０．０２≦ｆ≦０．１３がより好ましい。前記ｆが、０．１９を超えると、前記サイドローブの発生抑制効果が十分でないことがあり、前記数値範囲であるとそのようなことはなく、該数値範囲内において数値が大きい程、感度が高くなり、前記数値範囲内において数値が小さい程、保存安定性が良好である。
【００３５】
前記Ｒ21が前記シリル基である場合、該シリル基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、（トリフェニルメチル）ジメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、メチルジイソプロピルシリル基、メチルジt−ブチルシリル基、トリベンジルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、クロロメチルジメチルシリル基、などが挙げられる。
【００３６】
前記式（Ｉ）中、前記ＲAで表されるオルガノシロキサン残基は、下記式（II'）〜（IV’）で表される有機ケイ素化合物から選択される少なくとも１種を縮合して得られるオルガノシロキサン残基、又は、前記式（II'）〜（IV’）で表される少なくとも１種の有機ケイ素化合物と下記式（Ｖ）で表される有機ケイ素化合物とを縮合して得られる。
【００３７】
【化１９】
(Ｒ２６Ｏ)４Ｓｉ                  （II'）
(Ｒ２６Ｏ)３ＳｉＲ２７             （III'）
(Ｒ２６Ｏ)２ＳｉＲ２８Ｒ２９         （IV'）
(Ｒ２６Ｏ)ＳｉＲ３０Ｒ３１Ｒ３２      （Ｖ'）
前記式（II'）〜（IV’）中、Ｒ２６は、メチル基又はエチル基を表す。Ｒ２７〜Ｒ３２は、水素原子又は一価の有機基を表す。
【００３８】
なお、前記式（Ｉ）で表されるアルカリ可溶性シロキサン重合体において、ｇ＝０であり、ｄ＋ｅ＋ｆ＝１であり、ＲＡが前記式（II）で表されるオルガノシロキサン残基であり、Ｒ17及びＲ1８が一価の有機基であり、Ｒ19及びＲ20が酸素原子であり、Ｂが前記式（VI）で表され、Ｂ'が−Ｏ−であり、Ｒ２２が水素原子である場合が、前記式（１）で表されるアルカリ可溶性シロキサン重合体である。
【００３９】
前記アルカリ可溶性シロキサン重合体の重量平均分子量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１，０００〜５０，０００が好ましく、２，０００〜２０，０００がより好ましく、４，０００〜１５，０００が特に好ましい。
前記重量平均分子量が、１，０００未満であると、露光部と未露光部との溶解速度差がとれないことがあり、５０，０００を超えると解像性が悪くなることがあり、２，０００〜２０，０００であると、前記サイドローブの発生抑制向上効果が十分であり、解像性及び感度も良好である点で有利である。
【００４０】
前記アルカリ可溶性シロキサン重合体の分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）としては、実用的な範囲内であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１〜５が好ましく、露光部と未露光部との溶解速度差を十分にとる等の観点からは、１〜３がより好ましい。
【００４１】
前記アルカリ可溶性シロキサン重合体としては、適宜合成したものであってもよいし、市販品であってもよく、特に制限はなく目的に応じて適宜選択することができる。
【００４２】
前記アルカリ可溶性シロキサン重合体の合成方法としては、特に制限はなく、公知の方法の中から適宜選択することができ、化学増幅型である場合、例えば、下記＜１＞又は＜２＞の方法により、非化学増幅型である場合、例えば、下記＜３＞又は＜４＞の方法などが好適に挙げられる。
【００４３】
前記＜１＞の方法は、オルガノアルコキシシランを、酸触媒又はアルカリ触媒により、水の存在下で縮合した後、末端のシラノール基を、保護基で保護されたアルカリ可溶性基を有するクロロシラン化合物で封止する方法である。
前記＜２＞に記載の方法は、保護されたアルカリ可溶性基を有するオルガノアルコキシシランを、酸触媒又はアルカリ触媒により、水の存在下で縮合する方法である。
前記＜３＞の方法は、オルガノアルコキシシランを、酸触媒又はアルカリ触媒により、水の存在下で縮合した後、末端のシラノール基を、保護基で保護されたアルカリ可溶性基を有するクロロシラン化合物で封止した後、該アルカリ可溶性基を脱保護する（該アルカリ可溶性基の一部をアルカリ可溶性の調節のため再度、保護してもよい）方法である。
前記＜４＞の方法は、保護基で保護されたアルカリ可溶性基を有するオルガノアルコキシシランを、酸触媒又はアルカリ触媒により、水の存在下で縮合し、該アルカリ可溶性基を脱保護する（該アルカリ可溶性基の一部をアルカリ可溶性の調節のため再度、保護してもよい）方法である。
【００４４】
ここで、前記オルガノアルコキシシランとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、テトラメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、トリエチルメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、トリフェニルメトキシシラン、メチルフェニルジメトキシシラン、ジメチルフェニルメトキシシラン等のオルガノメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、トリエチルエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、トリフェニルエトキシシラン、メチルフェニルジエトキシシラン、ジメチルフェニルエトキシシラン等のオルガノエトキシシラン、などが挙げられる。
【００４５】
前記保護基で保護されたアルカリ可溶性基を有するクロロシランは、分子内にビニル基、アリル基等の不飽和結合及び保護されたアルカリ可溶性基を有する化合物と、ジアルキルクロロヒドロシラン化合物とを遷移金属触媒の存在下、ヒドロシリル化することにより、容易に製造することができる。また、分子内に前記保護基で保護されたアルカリ可溶性基を有する有機金属化合物と、ジアルキルジクロロシラン化合物とを縮合反応させることにより、容易に製造することができる。
【００４６】
なお、前記アルカリ可溶性基としては、フェノール性水酸基、カルボキシル基などが挙げられ、これらの中でも、露光光としてｇ線又はｉ線を用いる場合にはフェノール性水酸基が好ましい。
【００４７】
前記保護基で保護されたアルカリ可溶性基における該保護基としては、例えば、メトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、ｔ−ブトキシメチル基、２-メトキシエトキシメチル基、２，２，２−トリクロロエトキシメチル基、２−（トリメチルシリル）エトキシメチル基、テトラハイドロピラニル基、３−ブロモテトラハイドロピラニル基、テトラハイドロチオピラニル基、４-メトキシテトラハイドロピラニル基、テトラハイドロフラニル基、１−エトキシエチル基、１−メチル−１−メトキシエチル基、１−（イソプロポキシ）エチル基、２，２，２−トリクロロエチル基、２−（フェニルセレニル）エチル基、t−ブチル基、ベンジル基、３−メチル−２−ピコリルN-オキシド基、ジフェニルメチル基、５−ジベンゾスベリル基、トリフェニルメチル基、９−アンスリル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、（トリフェニルメチル）ジメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、メチルジイソプロピルシリル基、メチルジt−ブチルシリル基、トリベンジルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、クロロメチルジメチルシリル基、ホルミル基、アセチル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、イソブチルオキシカルボニル基、カーボネート基、ベンジルカーボネート基、アダマンチル基、などが挙げられる。
【００４８】
前記酸触媒としては、例えば、塩酸、酢酸などが挙げられる。また、前記アルカリ触媒としては、例えば、アンモニア、トリエチルアミンなどが挙げられる。
【００４９】
また、前記アルカリ可溶性シロキサン重合体の合成方法として、例えば、前記式（１）で表されるアルキル可溶性シロキサン重合体の場合には、下記式（３）及び（４）のいずれかで表される有機ケイ素化合物の少なくとも１種と、テトラアルコキシシランから選択される少なくとも１種とを反応させ、ｔ−ブチル基が残存するときは、該ｔ−ブチル基を水素原子に置換させる方法が挙げられる。
【００５０】
【化２０】
0004373082.tif 000010
前記式（３）中、Ｒ１及びＲ２は、前記一価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、水素原子又は前記一価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。Ｙは、Ｘ又はＯＲ６を表す。Ｘは、ハロゲン原子を表す。Ｒ６は、水素原子又はアルキル基を表す。該アルキル基としては、特に制限はなく目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、メチル基、エチル基などが好適に挙げられる。Ｒ７は、Ｙ＝Ｘのときｔ−ブチル基を表し、Ｙ＝ＯＲ６のとき水素原子又はｔ−ブチル基を表す。ｍは、整数を表し、１〜３が好ましい。ｋは、１〜５の整数を表す。
【００５１】
前記式（３）で表される有機ケイ素化合物は、公知の方法に従って合成することができ、例えば、該式（３）で表される有機ケイ素化合物の内、Ｙ＝Ｘであり、かつＲ７＝ｔ−ブチル基であるものは、例えば、下記式（９）と下記式（１０）とを遷移金属触媒の存在下でヒドロシリル化することにより合成することができる。
【００５２】
【化２１】
0004373082.tif 000011
前記式（９）中、Ｙ、Ｒ１及びＲ２は、上述した通りである。
【００５３】
【化２２】
0004373082.tif 000012
前記式（１０）中、Ｂは、ビニル基、アリル基等の不飽和結合を有する前記一価の有機基を表し、ｌは、１〜５の整数を表す。Ｒ５は、上述した通りである。
【００５４】
また、前記式（３）で表される有機ケイ素化合物の内、Ｙ＝ＯＲ６であるものは、例えば、前記式（９）においてＹ＝ＯＲ６であるものと、前記式（１０）においてｔ−ブチル基の代りにＲ７であるものとを遷移金属触媒の存在下でヒドロシリル化することにより合成することができる。
【００５５】
【化２３】
0004373082.tif 000013
前記式（４）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ８及びＲ９は、前記一価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２は、水素原子又は前記一価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。Ｒ７及びＲ１３は、水素原子又はｔ−ブチル基を表す。ｊ及びｍは、整数を表し、１〜３が好ましい。ｉ及びｋは、１〜５の整数を表す。
【００５６】
前記式（４）で表される有機ケイ素化合物は、公知の方法に従って合成することができ、例えば、Ｒ７及びＲ１３がｔ−ブチル基であるものは、前記式（３）において、Ｙ＝Ｘであり、かつＲ７＝ｔ−ブチル基であるものを室温以下の温度で加水分解・縮合反応することにより、また、Ｒ７及びＲ１３が水素原子であるものは、前記式（３）を加水分解・縮合反応後、酸性下、加熱反応することにより合成することができる。また、例えば、下記式（１８）で表される化合物、下記式（１９）で表される化合物及び下記式（２０）で表される化合物を遷移金属触媒存在下で、ヒドロシリル化することにより合成することができる。
【００５７】
【化２４】
0004373082.tif 000014
前記式（１８）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ８及びＲ９は、上述した通りである。
【００５８】
【化２５】
0004373082.tif 000015
前記式（１９）中、Ｂは、ビニル基、アリル基等の不飽和結合を有する前記一価の有機基を表す。Ｒ１２、Ｒ１３及びｉは、上述した通りである。
【００５９】
【化２６】
0004373082.tif 000016
前記式（２０）中、Ｂは、ビニル基、アリル基等の不飽和結合を有する前記一価の有機基を表す。Ｒ５、Ｒ７及びｋは、上述した通りである。
【００６０】
前記テトラアルコキシシランとしては、特に制限はなく目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、テトラメトキシシラン及びテトラエトキシシランの少なくとも一方であるのが好ましい。
【００６１】
前記反応としては、例えば、酸触媒存在下での加水分解・縮合反応などが挙げられる。
前記酸触媒としては、例えば、塩酸、酢酸などが挙げられる。
【００６２】
本発明においては、前記式（１）で表されるアルカリ可溶性シロキサン重合体は、そのシラノール基の一部を下記式（５）と反応させたものであってもよい。
前記反応としては、例えば、酸触媒存在下での置換反応などが挙げられる。
前記酸触媒としては、例えば、塩酸、酢酸、ｐ−トルエンスルホン酸などが挙げられる。
【００６３】
【化２７】
0004373082.tif 000017
前記式（５）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ８及びＲ９は、前記一価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２は、水素原子又は前記一価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。ｊ及びｍは、整数を表し、１〜３が好ましい。ｉ及びｎは、１〜５の整数を表す。
【００６４】
また、本発明においては、前記式（１）で表されるアルカリ可溶性シロキサン重合体は、そのシラノール基の一部を、前記式（３）におけるＹ＝ＸでありかつＲ７＝ｔ−ブチル基であるものと、ピリジン等の弱アルカリ下で反応させた後、ｔ−ブチル基を酸により水素原子に置換させたものであってもよい。
前記酸としては、例えば、塩酸、酢酸、ｐ−トルエンスルホン酸などが挙げられる。
【００６５】
また、本発明においては、前記式（１）で表されるアルカリ可溶性シロキサン重合体は、そのシラノール基の水素原子の一部が下記式（８）で置換されていてもよい。
【化２８】
0004373082.tif 000018
前記式（８）中、Ｒ１４、Ｒ１５及びＲ１６は、前記一価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【００６６】
前記アルカリ可溶性シロキサン重合体が、そのシラノール基の水素原子の一部が前記式（８）で置換されてなるものである場合、該アルカリ可溶性シロキサン重合体において、前記式（８）で置換された置換率としては、５〜９０％であるのが好ましく、３０〜７０％であるのがより好ましい。
【００６７】
−感光性化合物−
前記感光性化合物（「光反応性化合物」と称することがある）としては、露光光の波長域に吸収域を有し、該露光光の吸収により化学反応を生ずることにより、アルカリ可溶性を変化させることができれば特に制限はなく、前記露光光の種類等に応じて適宜選択することができる。
前記感光性化合物の具体例としては、前記ポジ型レジスト組成物が非化学増幅型である場合には、１，２−ナフトキノンジアジド基を有する化合物などが好適に挙げられ、前記ポジ型レジスト組成物が化学増幅型である場合には、光酸発生剤などが好適に挙げられる。
なお、前記１，２−ナフトキノンジアジド基を有する化合物としては、例えば、１，２−ナフトキノンジアジド基を有するエステル化合物が好適に挙げられ、その中でも、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、などがより好ましい。
これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上併用してもよい。
【００６８】
前記感光性化合物としては、適宜合成したものであってもよいし、市販品であってもよい。前者の場合であって、該感光性化合物が前記１，２−ナフトキノンジアジド基を有するエステル化合物である場合を例にすれば、ナフトキノンジアジドスルホン酸クロライド等のナフトキノンジアジドスルホン酸ハロゲン化物と、フェノール性水酸基を有する化合物とを弱アルカリの存在下で縮合反応させることにより合成することができる。
【００６９】
前記露光光としては、例えば、ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザー光、などが挙げられる。
前記露光光としてｇ線又はｉ線を用いる場合、該感光性化合物としてはキノンジアジド化合物を選択し、前記アルカリ可溶性ポリオルガノシロキサン樹脂がアルカリ可溶性基としてフェノール性水酸基を有するものを選択し、前記ポジ型レジスト組成物を非化学増幅型とすることが好ましい。
【００７０】
前記キノンジアジド化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、１，２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル等が挙げられる。
前記キノンジアジド化合物は、例えば、ベンゾキノンジアジドスルホン酸又は１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸と、フェノール性水酸基を有する化合物とを、弱アルカリの存在下に縮合させることにより製造することができる。
られる。
【００７１】
前記フェノール性水酸基を有する化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、フロログルシン、没食子酸アルキルエステル、特開平２−２６９３５１号公報に記載の下記式（２１）で表される化合物、特開平６−２３６０３０号公報に記載の下記式（２２）で表される化合物、特開平５−３４９１８号公報に記載の下記式（２３）で表される化合物、特開平５−３４９１８号公報に記載の下記式（２４）で表される化合物、特開平１０−２３２４９３号公報に記載の下記式（２５）又は下記式（２６）で表される化合物などが挙げられる。
【００７２】
【化２９】
0004373082.tif 000019
前記式（２１）中、Ｙ1A〜Ｙ4Aは、それぞれ、水素原子、アルキル基、ハロゲン又は水酸基を表す。なお、これらの少なくとも１つは、水酸基を表す。Ｚ1A〜Ｚ6Aは、それぞれ、水素原子、アルキル基、アリール基、ハロゲン、又は酸基を表す。これらの少なくとも１つは、水酸基を表す。Ｒ1A及びＲ2Aは、それぞれ、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、又はアリール基を表す。Ｒ1A及びＲ2Aの少なくとも一方が水素原子である場合、−（Ｒ1A）Ｃ（Ｒ2A）−に対するオルソ位に位置する水酸基に対してさらにオルソ位がアルキル基又はアリール基を表す。
【００７３】
【化３０】
0004373082.tif 000020
前記式（２２）中、Ｙ1B、Ｙ2B及びＺ1B〜Ｚ7B は、それぞれ、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数１〜４のアルキル基、水素原子、又は水酸基を表す。Ｙ1B 及びＹ2B のうち、少なくとも１つは水酸基を表す。Ｚ1B〜Ｚ7Bのうち少なくとも２つは水酸基を表す。
Ｒ1B〜Ｒ6Bは、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜４のアルケニル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表す。
【００７４】
【化３１】
0004373082.tif 000021
前記式（２３）中、Ｙ1D、Ｙ2D及びＺ1D〜Ｚ7Dは、それぞれ、水素原子、水酸基又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。この場合、Ｙ1D及びＹ2Dの少なくとも一方は、及びＺ1D〜Ｚ7D中の少なくとも２つは、水酸基を表す。
Ｒ1D〜Ｒ6Dは、それぞれ、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜４のアルケニル基、炭素数５〜８のシクロアルキル基、又はアリール基を表す。
【００７５】
【化３２】
0004373082.tif 000022
前記式（２４）中、Ｙ1E及びＹ2Eは、それぞれ、水素原子、水酸基又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。この場合、Ｙ1E及びＹ2Eの少なくとも一方は、水酸基を表す。
Ｚ1E〜Ｚ7Eは、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数５〜８のシクロアルキル基、又はアリール基を表す。この場合、Ｚ1E〜Ｚ7Eの少なくとも２つは、水酸基を表す。
Ｒ1E〜Ｒ5Eは、それぞれ、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜４のアルケニル基、シクロヘキシル基又はアリール基を表す。この場合、Ｒ4E及びＲ5Eのどちらか一方は、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜４のアルケニル基、シクロヘキシル基、又はアリール基を表す。
【００７６】
【化３３】
0004373082.tif 000023
前記式（２５）中、ｋは、０〜４の整数を表す。Ｒ1G〜Ｒ14G（ただし、ｋ＝０のときはＲ1G〜Ｒ10G）は、それぞれ、水素原子、水酸基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のシクロアルキル基、又は炭素数１〜６のアルコキシ基を表す。この場合、Ｒ1G〜Ｒ14G（ただし、ｋ＝０のときはＲ1G〜Ｒ10G）の少なくとも１つは、水酸基を表す。
Ｒ15G〜Ｒ18Gは、それぞれ、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基及び炭素数１〜６のシクロアルキル基から選択される少なくとも１種、又は、水酸基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のシクロアルキル及び炭素数１〜６のアルコキシ基から選択される少なくとも１種、により置換されていてもよいフェニル基を表す。
【００７７】
【化３４】
0004373082.tif 000024
前記式（２６）中、Ｒ1J及びＲ2Jは、それぞれ、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、又は炭素数１〜１０のアリール基を表す。ｐ及びｑは、それぞれ、０〜３の整数を表し、ｐ＋ｑ≧１である。
【００７８】
本発明においては、前記式（２１）〜式（２６）の中でも前記式（２２）、前記式（２３）又は前記式（２５）で表される化合物と、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸とを縮合したものであって、かつ縮合生成物が平均１．５〜３個の１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル基を有しているものが好ましい。
【００７９】
なお、前記露光光としてＫｒＦエキシマレーザー光を用いる場合、前記感光性化合物に光酸発生剤を用い、前記アルカリ可溶性シロキサン重合体として、酸により脱離する保護基がついたアルカリ可溶性基を有するものを用い、化学増幅型のポジ型レジスト組成物とすることが好ましい。
【００８０】
前記光酸発生剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、オニウム塩化合物、有機ハロゲン化合物、スルホン化合物、スルホネート化合物、などが挙げられ、具体的には、ジフェニルヨードニウム  トリフルオロメタンスルホネート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−tert−ブチルフェニル）ヨードニウム  テトラフルオロボレート、ビス（４−tert−ブチルフェニル）ヨードニウム  ヘキサフルオロホスフェート、ビス（４−tert−ブチルフェニル）ヨードニウム  ヘキサフルオロアンチモネート、ビス（４−tert−ブチルフェニル）ヨードニウム  トリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム  ヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウム  ヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウム  トリフルオロメタンスルホネート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウム  ヘキサフルオロアンチモネート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウム  トリフルオロメタンスルホネート、ｐ−トリルジフェニルスルホニウム  トリフルオロメタンスルホネート、２，４，６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム  トリフルオロメタンスルホネート、４−tert−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム  トリフルオロメタンスルホネート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウム  ヘキサフルオロホスフェート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウム  ヘキサフルオロアンチモネート、１−（２−ナフトイルメチル）チオラニウム  ヘキサフルオロアンチモネート、１−（２−ナフトイルメチル）チオラニウム  トリフルオロメタンスルホネート、４−ヒドロキシ−１−ナフチルジメチルスルホニウム  ヘキサフルオロアンチモネート、４−ヒドロキシ−１−ナフチルジメチルスルホニウム  トリフルオロメタンスルホネート、２−メチル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２，４，６−トリス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−フェニル−４，６−ビス(トリクロロメチル)−１，３，５−トリアジン、２−（４−クロロフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（４−メトキシフェニル）−４，６−ビス(トリクロロメチル)−１，３，５−トリアジン、２−（４−メトキシ−１−ナフチル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（ベンゾ［ｄ］［１，３］ジオキソラン−５−イル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（４−メトキシスチリル）−４，６−ビス(トリクロロメチル)−１，３，５−トリアジン、２−（３，４，５−トリメトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（３，４−ジメトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（２，４−ジメトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−（２−メトキシスチリル）−４，６−ビス(トリクロロメチル)−１，３，５−トリアジン、２−（４−ブトキシスチリル）−４，６−ビス(トリクロロメチル)−１，３，５−トリアジン、２−（４−ペンチルオキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、１−ベンゾイル−１−フェニルメチル  ｐ−トルエンスルホネート（通称：ベンゾイントシレート）、２−ベンゾイル−２−ヒドロキシ−２−フェニルエチル  ｐ−トルエンスルホネート（通称：α−メチロールベンゾイントシレート）、１，２，３−ベンゼントリイル  トリスメタンスルホネート、２，６−ジニトロベンジル  ｐ−トルエンスルホネート、２−ニトロベンジル  ｐ−トルエンスルホネート、４−ニトロベンジル  ｐ−トルエンスルホネート、ジフェニル  ジスルホン、ジ−ｐ−トリル  ジスルホン、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−クロロフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トリルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−tert−ブチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−キシリルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、（ベンゾイル）（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、Ｎ−（フェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ナフタルイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ナフタルイミド、などが挙げられる。
これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００８１】
前記感光性化合物の前記ポジ型レジスト組成物における含有量としては、特に制限はなく目的に応じて適宜選択することができるが、前記アルカリ可溶性シロキサン重合体が非化学増幅型である場合には、全固形分に対し、１０〜５０質量％が好ましく、前記アルカリ可溶性シロキサン重合体が化学増幅型である場合には、０．１〜１０質量％であるのが好ましい。
前記感光性化合物の全固形分中の含有量が、前記非化学増幅型の場合には１０質量％未満であると、また、前記化学増幅型の場合には０．１質量％未満であると、露光部と未露光部との溶解速度差が十分にとれないことがあり、一方、前記非化学増幅型の場合には５０質量％を超えると、酸素プラズマ耐性が低下したり、レジスト膜の上下での感光量が異なるので解像性が低下することがあり、また、前記化学増幅型の場合には１０質量％を超えると、酸の発生が多すぎるために、解像性が低下することがある。
【００８２】
前記感光性化合物のｉ線吸光度としては、特に制限はなく目的に応じて適宜選択することができるが、厚みが１μｍの塗膜のｉ線吸光度としては、１．００〜３．５０であるのが好ましく、１．１０〜２．５０であるのがより好ましい。
前記感光性化合物のｉ線吸光度が、前記数値範囲内にないと、前記ポジ型レジスト組成物による厚みが１μｍの塗膜のｉ線透過率を５〜６０％にすることができないことがあり、また、１．００未満であると、露光部と未露光部との溶解速度差が十分にとれないことがあり、３．５０を超えると、レジスト膜の上下での感光量が異なるので、解像性が低下することがある。
【００８３】
前記感光性化合物による厚みが１μｍの塗膜のｉ線吸光度は、例えば、バインダーとなる樹脂中に該感光性化合物を分散させて調製した塗膜の透過率を実測することにより求めることができ、例えば、該ｉ線吸光度を「Ａ」とすると、該ｉ線吸光度「Ａ」は、下記数式から算出することができる。下記数式中、「Ｔ」は、前記アルカリ可溶性シロキサン重合体１００質量部と、前記感光性化合物５０質量部と、後述する式（１５）で表されるフェノール化合物１．５質量部とを含有する２−ヘプタノン溶液をガラス基板上にスピンコートしてなる厚みが０．５５μｍである塗膜のｉ線透過率（％）の実測値である。該ｉ線透過率「Ｔ」（％）は、前記ガラス基板自体のｉ線透過率（％）を対照として分光光度計（例えば、日立（株）製、Ｕ−３５００）を用いて測定することができる。
【００８４】
【数２】
0004373082.tif 000025
【００８５】
−界面活性剤−
前記界面活性剤は、前記第一の形態の場合にも好適に使用することができるが、前記第二の形態の場合に特に好適に使用することができ、前記第二の形態における前記アルカリ可溶性シロキサン重合体（即ち、前記水酸基と直接結合しているケイ素原子が全ケイ素原子数の割合が１９％以下であるもの）に併用することにより、前記サイドローブの発生を効果的に抑制することができる。
前記界面活性剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、ポリカルボン酸系界面活性剤、ソルビタンエステル系界面活性剤、ポリエチレングリコールモノエステル系界面活性剤及びポリエチレングリコールモノエーテル系界面活性剤から選択される少なくとも１種である第一の態様、あるいは、ポリカルボン酸系界面活性剤及びＨＬＢ値が９以下であるノニオン界面活性剤から選択される少なくとも１種である第二の態様、などが好適に挙げられる。
前記界面活性剤は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００８６】
前記界面活性剤のＨＬＢ値としては、前記第一の態様の場合、９以下であるのが好ましく、８以下であるのがより好ましく、前記第二の態様の場合、９以下である必要があり、８以下であるのが好ましい。
前記ＨＬＢ値が９を超えると、前記サイドローブの発生抑制効果が十分でない傾向がある。
【００８７】
なお、前記ＨＬＢ値は、Griffin W. C.による、「Classification of Surface-Active Agents by HLB、  Journal of the Society of Cosmetic Chemists 1 (1949): 311頁より」記載の乳化試験法により求めることができる。また、前記ＨＬＢ値が既知の界面活性剤の混合物である場合は、Griffin W. C.による、「Calculation of HLB Values of Non-Ionic Surfactants、  Journal of the Society of Cosmetic Chemists 5 (1954): 259頁より」に記載のように、該混合物中に含まれる各界面活性剤のＨＬＢ値と各界面活性剤の該混合物に含まれる重量比との積の総和を算出することにより求めることができる。
【００８８】
前記ポリカルボン酸系界面活性剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、無水マレイン酸共重合体、などが好適に挙げられ、市販品としては花王（株）製のデモールＥＰなどが好適に挙げられる。
【００８９】
前記ソルビタンエステル系界面活性剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ソルビタン脂肪酸エステル、などが好適に挙げられる。これらの中でも、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタンモノラウリレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアリテート、ソルビタンセスキオレエートが特に好適に挙げられる。
【００９０】
前記ポリエチレングリコールモノエステル系界面活性剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリエチレングリコールアルキル脂肪酸エステル、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、などが好適に挙げられる。
これらの中でも、ポリエチレングリコールが２〜２０個のエチレンオキサイドユニットからなるものが好ましく、具体的には、ポリエチレングリコールモノオレートが特に好適に挙げられる。
前記ポリエチレングリコールモノエーテル系界面活性剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリエチレングリコールと、アルコール誘導体又はフェノール誘導体との縮合物、などが好適に挙げられる。
これらの中でも、ポリエチレングリコールが２〜２０個のエチレンオキサイドユニットからなるものであるのが好ましく、具体的には、ポリエチレングリコールモノセチルエーテル、ポリエチレングリコールモノドデシルエーテル、ポリエチレングリコールモノラウリレート、ポリエチレングリコールモノノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールモノオクチルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールベンジルエーテルが特に好適に挙げられる。
【００９１】
前記界面活性剤の前記ポジ型レジスト組成物における含有量としては、該ポジ型レジスト組成物の固形分質量に対し、０．１〜３０質量％であるのが好ましく、０．３〜１０質量％がより好ましい。
前記含有量が０．１質量％未満であると、前記サイドローブの発生抑止効果が十分でない傾向があり、３０質量％を超えると、感度及び解像度が悪化する傾向がある。
【００９２】
−その他の成分−
前記その他の成分としては、特に制限はなく目的に応じて適宜選択することができ、例えば、溶剤、フェノール性水酸基を有する低分子化合物、などが好適に挙げられる。
前記溶剤としては、前記アルカリ可溶性シロキサン重合体、前記感光性化合物、前記界面活性剤等の各成分を溶解可能であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、メチルセルソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエステル類、ピルビン酸エチル、酢酸ｎ−アミル、乳酸エチル、メチル−３−メトキシプロピオネート、エチル−３−エトキシプロピオネート等のエステル類、２−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、エチルアミルケトン等のケトン類、などが好適に挙げられる。
前記溶剤は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００９３】
前記フェノール性水酸基を有する低分子化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、下記式（１３）で表されるフェノール化合物、下記式（１４）で表されるフェノール化合物、下記式（１５）で表されるフェノール化合物、下記式（１６）で表されるフェノール化合物、下記式（１７）で表されるフェノール化合物、などが挙げられる。
【００９４】
【化３５】
0004373082.tif 000026
【００９５】
【化３６】
0004373082.tif 000027
【００９６】
【化３７】
0004373082.tif 000028
【００９７】
【化３８】
0004373082.tif 000029
【００９８】
【化３９】
0004373082.tif 000030
【００９９】
−ポジ型レジスト組成物の調製−
前記ポジ型レジスト組成物の調製方法としては、特に制限はなく、公知の方法の中から適宜選択することができるが、例えば、前記アルカリ可溶性シロキサン重合体、前記感光性化合物、前記界面活性剤等の成分を混合等することにより、あるいはこれらの各成分を前記溶剤に溶解等させることにより、液状のポジ型レジスト組成物を調製することができる。
前記ポジ型レジスト組成物の調製の具体例としては、（１）溶媒を容器中で攪拌しながら、前記アルカリ可溶性シロキサン重合体、前記感光性化合物、前記界面活性剤等を順次又は一括して添加して溶解させる方法、（２）前記アルカリ可溶性シロキサン重合体、前記感光性化合物、前記界面活性剤等に溶媒を添加した後、攪拌溶解させる方法、などが挙げられる。
なお、以上のようにして調製した前記ポジ型レジスト組成物の固形分濃度としては、特に制限はなく、膜厚、成膜方法等に応じて適宜選択することができ、通常、１〜５０質量％程度である。
【０１００】
−ポジ型レジスト組成物の使用、用途等−
本発明のポジ型レジスト組成物は、例えば、基板上に塗布等することによりレジスト膜を形成し該レジスト膜に対し、露光光として例えばｉ線を用いて微細パターン状に露光した後、ベーク、現像等を行うことにより、レジストパターンによる微細パターンを形成することができる。
本発明のポジ型レジスト組成物により形成されるレジストパターンの形成方法、大きさ、厚み等については、特に制限はなく、光源、目的解像度、形成パターンの高さ、２層レジスト法の場合には下層に対するエッチングレート比、等に応じて適宜選択することができ、特に厚みについては、加工対象である下地層（基材）、エッチング条件等により適宜決定することができ、通常、０．１〜１０μｍ程度であり、２層レジスト法による上層レジストに使用する場合には１μｍ以下程度が好ましい。
【０１０１】
前記ポジ型レジスト組成物の塗布の方法としては、特に制限はなく、公知の方法の中から適宜選択することができ、例えば、スピンコート法、バーコート法、ダイコート法、などが挙げられる。
【０１０２】
前記ポジ型レジスト組成物は、各種分野において使用されるが、以下の本発明のレジストパターン及びレジストパターンの製造方法並びに電子回路装置及び電子回路装置の製造方法に好適に用いることができ、また、ｉ線用レジストとして好適に使用することができ、多層のレジスト膜における上層に用いられるのがより好ましく、酸素プラズマエッチング処理されるレジスト膜に用いられるのが特に好ましい。
【０１０３】
なお、前記ポジ型レジスト化合物は、位相差シフトマスクを用いたパターニングに好適に使用することができる。この場合、前記位相差シフトマスクとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、ハーフトーンマスクなどが好適に挙げられる。該ポジ型レジスト組成物を用いて得られるレジスト膜は、前記サイドローブの発生抑制効果に優れ、高い酸素プラズマ耐性を示すので、該ポジ型レジスト組成物を使用してハーフトーンマスクによりパターニングを行った場合、前記サイドローブの発生を抑制しつつ高精度にパターニングを行うことができる。このため、該ポジ型レジスト組成物を使用すると、高性能な半導体装置が効率よく得られる。
【０１０４】
前記ポジ型レジスト組成物は、各種電子回路装置の製造等に好適に使用されるが、電子回路装置から選択される少なくとも１種の製造に特に好適に使用することができる。
前記電子回路装置としては、特に制限はなく目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、各種半導体装置、磁気へッド、高電子移動度トランジスタ、プラズマディスプレイなどが挙げられ、これらの中でも、磁気へッド、高電子移動度トランジスタ、プラズマディスプレイなどが好適に挙げられる。
【０１０５】
（レジストパターン）
本発明のレジストパターンは、以下に説明する本発明のレジストパターンの製造方法により好適に製造することができる。
本発明のレジストパターンは、例えば、マスクパターン、レチクルパターン、磁気ヘッド、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）、ＳＡＷフィルタ（弾性表面波フィルタ）等の機能部品、光配線の接続に利用される光部品、マイクロアクチュエータ等の微細部品、高電子移動度トランジスタ、半導体装置、などに好適に使用することができ、後述する本発明の電子回路装置に好適に使用することができる。
以下、本発明のレジストパターンの製造方法について説明を通じて本発明のレジストパターンをも説明する。
【０１０６】
（レジストパターンの製造方法）
本発明のレジストパターンの製造方法は、レジスト膜形成工程と、レジストパターン形成工程とを少なくとも含み、更に必要に応じてその他の工程を含む。
【０１０７】
−レジスト膜形成工程−
前記レジスト膜形成工程は、本発明の前記ポジ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程である。
前記レジスト膜の形成方法としては、特に制限はなく、公知の方法の中から適宜選択することができるが、例えば、前記ポジ型レジスト組成物を塗布等することによりレジスト膜を形成する方法が好適に挙げられる。
前記塗布の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて公知の塗布方法の中から適宜選択することができ、例えば、スピンコート法などが好適に挙げられる。
前記レジスト膜は、下地層（基材）上に形成することができ、該下地層（基材）としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、該レジストパターンが半導体装置等の電子回路装置に形成される場合には、該下地層（基材）としては、例えばシリコンウエハ等の半導体基板などが好適に挙げられる。
【０１０８】
−レジストパターン形成工程−
前記レジストパターン形成工程は、前記レジスト膜形成工程で形成したレジスト膜に対し、露光、ベーク、現像を行って所望のパターンを形成する工程である。
【０１０９】
前記露光は、露光光として、ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザー光などを用いて行うことができるが、これらの中でもｉ線を特に好適に用いて行うことができる。
前記露光を選択的に行う方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、マスク（ハーフトーンマスク）パターン等を用いた公知の方法が挙げられる。また、前記露光には露光装置を用いることができる。
前記露光を行う条件としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【０１１０】
前記ベークの条件、方法等としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、温度が７０〜１５０℃程度であり、９０〜１３０℃が好ましく、時間が１０秒〜５分程度であり、４０秒〜１００秒が好ましい。
【０１１１】
前記現像の方法、条件等としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、弱アルカリ水溶液による現像が好適に挙げられる。
【０１１２】
本発明のレジストパターンの製造方法によると、例えば、基板上に前記ポジ型レジスト組成物を塗布等することによりレジスト膜を形成した後、該レジスト膜に対し、ｉ線等を用いて微細パターン状に露光し、ベーク、現像等を行うことにより、レジストパターンによる微細パターンを形成することができる。
【０１１３】
本発明のレジストパターンの製造方法により製造されたレジストパターンは、本発明の前記レジストパターンであり、該レジストパターンは、例えば、マスクパターン、レチクルパターン、磁気ヘッド、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）、ＳＡＷフィルタ（弾性表面波フィルタ）等の機能部品、光配線の接続に利用される光部品、マイクロアクチュエータ等の微細部品、半導体装置、などに好適に使用することができ、後述する本発明の電子回路装置に好適に使用することができる。
本発明のレジストパターンの製造方法は、ラインアンドスペース等の孤立のレジスト抜けパターンの形成に特に好適であり、以下の本発明の電子回路装置及び電子回路装置の製造方法に特に好適に用いることができる。
【０１１４】
（電子回路装置及び電子回路装置の製造方法）
本発明の電子回路装置は、本発明の前記レジストパターンを用いて形成されたパターンを有してなること以外には、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択した公知の部材等を有してなる。
本発明の電子回路装置の具体例としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、磁気ヘッド、高電子移動度トランジスタデバイス（ＨＥＭＴ）、プラズマディスプレイ、フラッシュメモリ、ＤＲＡＭ、ＦＲＡＭ等の各種半導体装置、などが挙げられ、これらの中でも、磁気ヘッド、高電子移動度トランジスタデバイス（ＨＥＭＴ）、プラズマディスプレイ等が好適に挙げられる。
本発明の電子回路装置は、以下に説明する本発明の電子回路装置の製造方法により好適に製造することができる。
【０１１５】
本発明の電子回路装置の製造方法は、レジストパターン形成工程と、パターニング工程とを含み、更に必要に応じて適宜選択したその他の工程とを含む。
【０１１６】
−レジストパターン形成工程−
前記レジストパターン形成工程は、前記レジストパターンの製造方法により下地層上にレジストパターンを形成する工程である。
なお、前記レジストパターンを形成する下地層としては、各種電子回路装置における各種部材の表面層が挙げられ、例えば、シリコンウエハ等の半導体装置の基板乃至その表面層が好適に挙げられる。
【０１１７】
前記電子回路装置として、例えば高電子移動度トランジスタデバイス（ＨＥＭＴ）用のＴ型ゲート電極等を製造する場合には、前記レジストパターン形成工程において、例えば、前記ポジ型レジスト組成物によるレジスト膜を少なくとも２層形成し、２層構造の場合には上層に大き目の開口部を形成した後に下層に該開口部よりも小さい開口部を形成すればよく、３層構造の場合には中層に大き目の開口部を形成した後に下層に該開口部よりも小さい開口部を形成すればよい。
なお、このとき、該レジスト膜には本発明の前記ポジ型レジスト組成物を使用することができるが、特に、前記レジスト膜が２層構造の場合には上層に本発明の前記ポジ型レジスト組成物を好適に使用することができる。
【０１１８】
−パターニング工程−
前記パターニング工程は、前記レジストパターン形成工程により形成したレジストパターンをマスクとして用いてエッチングを行うことにより前記下地層をパターニングする工程である。
前記エッチングの方法としては、特に制限はなく、公知の方法の中から目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、酸素プラズマによるドライエッチングが好適に挙げられる。該エッチングの条件としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【０１１９】
本発明の電子回路装置の製造方法によると、例えば、磁気ディスク、高電子移動度トランジスタデバイス（ＨＥＭＴ）、プラズマディスプレイ、フラッシュメモリ、ＤＲＡＭ、ＦＲＡＭ等の各種半導体装置、などを初めとする各種電子回路装置を効率的に製造することができる。
【０１２０】
【実施例】
以下、本発明の実施例を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
ただし、合成例２、５〜７は参考合成例２、５〜７と、実施例１〜１５は参考実施例１〜１５とそれぞれ読み替えることとする。
【０１２１】
＜合成例１＞
攪拌棒、温度計、滴下ロート、還流管及び窒素導入管を装着し、内部を窒素フローした１０００ｍｌ四つ口フラスコに、エタノール１００ｍｌ、２−〔４−（ｔｅｒｔ−ブトキシ）フェニル〕エチルジメチルクロロシランと１−〔４−（ｔｅｒｔ−ブトキシ）フェニル〕エチルジメチルクロロシランとの７：３混合物１１９ｇ、及びテトラエトキシシラン１８７．２ｇを仕込んだ。これに、前記滴下ロートからエタノール２５ｍｌとイオン交換水６５ｇとの混合液をゆっくり滴下した。該滴下は、３４℃を超えないようにフラスコを水浴で冷やしながら行った。滴下終了後、６０℃で１時間攪拌反応した。前記滴下ロートを長いガラス管状の窒素導入管に変えて液中に差し込み、窒素をバブリングしてエタノールを留去しながら、６０℃で２０時間攪拌反応させた。こうして得た反応液に４−メチル−２−ヘプタノン（ＭＩＢＫ）３００ｍｌを加え室温まで冷却した。この反応液をナス型フラスコに移し、ロータリーエバポレーターにて残存エタノールを４−メチル−２−ヘプタノン（ＭＩＢＫ）と共に留去して、４−メチル−２−ヘプタノン（ＭＩＢＫ）濃縮液を得た。
【０１２２】
次に、攪拌棒、温度計、長いガラス管状の窒素導入管、水分定量受器及び還流管を装着した１０００ｍｌ四つ口フラスコ中に、前記４−メチル−２−ヘプタノン（ＭＩＢＫ）濃縮液を入れ、さらに４−メチル−２−ヘプタノン（ＭＩＢＫ）を追加した。この中へ、室温で２−〔４−（ｔｅｒｔ−ブトキシ）フェニル〕エチルジメチルクロロシランと１−〔４−（ｔｅｒｔ−ブトキシ）フェニル〕エチルジメチルクロロシランとの７：３混合物６０ｇを加え、次にピリジン２１ｇを加えた。これを室温で１５時間攪拌した。得られた反応液にイオン交換水を加え、攪拌・静置し、水層を除去した。水洗は繰り返して４回行った。
【０１２３】
有機層を前記フラスコに移し、この中へ６Ｎ塩酸１００ｍｌを加え、７０℃で８時間攪拌反応させた。反応液を静置後、水層を除去し、イオン交換水を加え、攪拌・静置し、水層を除去した。水洗は繰り返して４回行った。有機層をろ過後、ロータリーエバポレーターで溶媒を留去した。
残留物をエタノール５００ｍｌに溶かし、攪拌しながら、この中へｎ−ヘキサン１５００ｍｌを加えた。１５分間攪拌した後、静置し、上澄み液をデカンテーションで除いた。沈殿液をエタノール５００ｍｌに溶かし、攪拌しながら、この中へｎ−ヘキサン１５００ｍｌを加えた。沈殿液をナス型フラスコに移し、ロータリーエバポレーターで溶媒を留去した。残留物にアセトンを加えて溶かし、再びロータリーエバポレーターで溶媒を留去して、下記式（１１）で表されるアルカリ可溶性シロキサン重合体２５０ｇを得た。該合成例１のアルカリ可溶性シロキサン重合体は、重量平均分子量（Ｍｗ）がポリスチレン換算で６６００であり、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．３８であり、各ユニットのモル比は、２９Ｓｉ−ＮＭＲ及び１H−ＮＭＲより分析した結果、ｄ＝０．４８、ｅ＝０．１１、ｆ＝０．２５、ｇ＝０．１６であった。
【０１２４】
【化４０】
0004373082.tif 000031
【０１２５】
＜合成例２＞
攪拌棒、温度計、滴下ロート、還流管及び窒素導入管を装着し、内部を窒素フローした１０００ｍｌ四つ口フラスコに、２−〔４−（ｔｅｒｔ−ブトキシ）フェニル〕エチルジメチルクロロシランと１−〔４−（ｔｅｒｔ−ブトキシ）フェニル〕エチルジメチルクロロシランとの７：３混合物１１９ｇ、４−メチル−２−ヘプタノン（ＭＩＢＫ）４１７ｇ、アセトン２０６ｇ、イオン交換水５２０ｇ及び濃塩酸５２ｍｌを仕込んだ。これを６０℃に昇温し、滴下ロートからテトラエトキシシラン１８７．２ｇを３０分で滴下し、滴下終了後、６０℃で５．５時間攪拌反応した。反応液を室温に戻し、ろ過後、４−メチル−２−ヘプタノン（ＭＩＢＫ）１０００ｍｌ及びイオン交換水を加え、攪拌・静置し、水層を除去した。水洗は繰り返して３回行った。有機層を液相分離ろ紙でろ過して回収した。
【０１２６】
次に、攪拌棒、温度計、長いガラス管状の窒素導入管、水分定量受器及び還流管を装着した１０００ｍｌ四つ口フラスコ中へ、前記有機層を入れた。９０℃に昇温し、窒素導入管から液中に窒素をバブリングしながら、水を４−メチル−２−ヘプタノン（ＭＩＢＫ）と共沸させて留去して脱水を行った。放冷後、滴下ロートを装着して水分定量受器を外し、室温で、この中へ２−〔４−（ｔｅｒｔ−ブトキシ）フェニル〕エチルジメチルクロロシランと１−〔４−（ｔｅｒｔ−ブトキシ）フェニル〕エチルジメチルクロロシランとの７：３混合物６０ｇを加え、ピリジン２１ｇを加え、６０℃で２時間攪拌反応させた。更にクロロメチルジメチルクロロシラン３６ｇを加え、ピリジン１９ｇを加え、これを６０℃で１．５時間、室温で１３時間攪拌した。イオン交換水を加え、攪拌・静置し、水層を除去した。水洗は繰り返して４回行った。有機層を回収し、ロータリーエバポレーターにかけて脱水と溶媒留去とを行い、残留物を得た。
【０１２７】
得られた残留物を４−メチル−２−ヘプタノン（ＭＩＢＫ）５００ｇに溶かしてフラスコに移し、この中へ６N塩酸６２ｍｌを加え、７０℃で８時間攪拌反応させた。反応液を静置後、水層を除去し、イオン交換水を加え、攪拌・静置し、水層を除去した。水洗は繰り返して５回行った。有機層をろ過後、ロータリーエバポレーターで溶媒を留去した。
この残留物をエタノール１００ｍｌに溶かし、この溶液をｎ−ヘキサン２５００ｍｌ中に攪拌しながら加えた。１０分間攪拌した後、静置し、上澄み液をデカンテーションで除いた。沈殿液をエタノール１００ｍｌに溶かし、ｎ−ヘキサン２５００ｍｌ中に攪拌しながら加えた。沈殿液をナス型フラスコに移し、ロータリーエバポレーターで溶媒を留去した。残留物にアセトンを加えて溶かし、再びロータリーエバポレーターで溶媒を留去して、下記式（１２）で表されるアルカリ可溶性シロキサン重合体１３４ｇを得た。該合成例２のアルカリ可溶性シロキサン重合体は、重量平均分子量（Ｍｗ）がポリスチレン換算で７５００であり、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．４２であり、各ユニットのモル比は、２９Ｓｉ−ＮＭＲ及び１H−ＮＭＲより分析した結果、ｄ＝０．５２、ｅ＝０．１１、ｆ＝０．２５、ｇ＝０．０８、ｈ＝０．０４であった。
【０１２８】
【化４１】
0004373082.tif 000032
【０１２９】
＜合成例３＞
前記合成例１と同様の方法により、前記式（１１）で表されるアルカリ可溶性シロキサン重合体を得た。該合成例３のアルカリ可溶性シロキサン重合体は、重量平均分子量（Ｍｗ）がポリスチレン換算で４０００であり、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．２３であり、各ユニットのモル比は、２９Ｓｉ−ＮＭＲ及び１H−ＮＭＲより分析した結果、ｄ＝０．４６、ｅ＝０．１２、ｆ＝０．２８、ｇ＝０．１４であった。
【０１３０】
＜合成例４＞
前記合成例１と同様の方法により、前記式（１１）で表されるアルカリ可溶性シロキサン重合体を得た。該合成例４のアルカリ可溶性シロキサン重合体は、重量平均分子量（Ｍｗ）がポリスチレン換算で６４００であり、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．３０であり、各ユニットのモル比は、２９Ｓｉ−ＮＭＲ及び１H−ＮＭＲより分析した結果、ｄ＝０．４９、ｅ＝０．１０、ｆ＝０．２２、ｇ＝０．１９であった。
【０１３１】
＜合成例５＞
前記合成例２と同様の方法により、前記式（１２）で表されるアルカリ可溶性シロキサン重合体を得た。該合成例５のアルカリ可溶性シロキサン重合体は、重量平均分子量（Ｍｗ）がポリスチレン換算で１０５００であり、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）が２．２２であり、各ユニットのモル比は、２９Ｓｉ−ＮＭＲ及び１H−ＮＭＲより分析した結果、ｄ＝０．５５、ｅ＝０．１０、ｆ＝０．２４、ｇ＝０．０９、ｈ＝０．０２であった。
【０１３２】
＜合成例６＞
前記合成例２と同様の方法により、前記式（１２）で表されるアルカリ可溶性シロキサン重合体を得た。該合成例６のアルカリ可溶性シロキサン重合体は、重量平均分子量（Ｍｗ）がポリスチレン換算で９０００であり、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．７７であり、各ユニットのモル比は、２９Ｓｉ−ＮＭＲ及び１H−ＮＭＲより分析した結果、ｄ＝０．５９、ｅ＝０．１０、ｆ＝０．２３、ｇ＝０．０４、ｈ＝０．０３であった。
【０１３３】
＜合成例７＞
合成例２と同様の方法により、下記式（２７）で表されるアルカリ可溶性シロキサン重合体を１１２ｇ得た。該合成例８のアルカリ可溶性シロキサン重合体の分子量は、ポリスチレン換算で７３００であり、分散度は１．３９であり、各ユニットのモル比は、２９Ｓｉ−ＮＭＲより分析した結果、ｄ２＝０．５５、（ｅ２＋ｆ２＋ｈ２）＝０．３３、ｇ２＝０．１２であった。
【化４２】
0004373082.tif 000033
【０１３４】
（実施例１）
ｉ線レジスト(住友化学工業（株）製、スミレジストＰＦＩ−３８Ａ９)：エポキシ樹脂(住友化学工業（株）製、スミエポキシ  ＥＳＣＮ−１９５ＸＬ７)：２−ヘプタノン=５：１：１の混合溶液を作製し、これを０．２μｍフィルターで濾過し、下地液とした。この下地液をシリコン基板上に２０００ｒｐｍでスピンコートした後、ホットプレート上で２７０℃、２時間焼成し、厚みが１．４５μｍの下地層を前記シリコン基板上に形成した。
【０１３５】
前記合成例２のアルカリ可溶性シロキサン重合体、下記感光性化合物１、下記感光性化合物２、２−ヘプタノン、γ−ブチロラクトンを、１００：３０：３０：４７５．７：４．３の質量比で混合した溶液を調製し、ポジ型レジスト組成物とした（ポジ型レジスト組成物１）。なお、ポジ型レジスト組成物１は、スピンコート前に０．２μｍフィルターを用いて濾過してから使用した。
【０１３６】
なお、前記感光性化合物１は、下記式（１３）で表されるフェノール化合物１モルに１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリドを２モル縮合させた生成物であり、前記感光性化合物２は、下記式（１４）で表されるフェノール化合物１モルに１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリドを１．８モル縮合させた生成物である。
【０１３７】
【化４３】
0004373082.tif 000034
【０１３８】
【化４４】
0004373082.tif 000035
【０１３９】
このポジ型レジスト組成物１を、前記下地層上にスピンコートした後、９０℃で１分間加熱し、該下地層上に０．５５μｍのポジ型レジスト組成物１によるレジスト膜を形成した。
これにステッパー（ニコン（株）製、ＮＳＲ２００５ｉ９Ｃ、ＮＡ＝０．５７、ｓｉｇｍａ＝０．６０）を用い、３６５ｎｍの光をラインアンドスペースパターンを通して照射し、前記レジスト膜に対しパターニングを行った。
【０１４０】
前記レジスト膜が形成された前記シリコン基板を１１０℃で６０秒加熱し、２３℃まで冷却した後、テトラメチルアンモウムヒドロキシド２．３８質量％水溶液で1分間パドル現像した後、水で１５秒間リンスすることにより、所望のラインアンドスペースパターンを形成するレジストパターンを得た。
得られたレジストパターンの断面を電子顕微鏡で観察した。０．８μｍのラインアンドスペースのライン部とスペース部との前記下地層上での幅が等幅となる照射量（３００ｍＪ／ｃｍ２）において、スリット部の解像度を評価したところ、０．２９μｍまで解像した。
【０１４１】
（実施例２）
実施例１において、合成例２のアルカリ可溶性シロキサン重合体を合成例３のアルカリ可溶性シロキサン重合体に変更した以外は、実施例１と同様の方法で、ポジ型レジスト組成物２を得た。
このポジ型レジスト組成物２を、実施例１と同様に、下地層上にスピンコートした後、９０℃で１分間加熱し、該下地層上に０．５５μｍのポジ型レジスト組成物２によるレジスト膜を形成した。このレジスト膜に対し、実施例１と同様に露光〜リンスの操作を行い、ラインアンドスペースパターンを形成するレジストパターンを得た。
得られたレジストパターンの断面を電子顕微鏡で観察した。０．８μｍのラインアンドスペースのライン部とスペース部との前記下地層上での幅が等幅となる照射量（２５０ｍＪ／ｃｍ２）において、スリット部の解像度を評価したところ、０．２５μｍまで解像した。
【０１４２】
（実施例３）
実施例１において、合成例２のアルカリ可溶性シロキサン重合体を合成例４のアルカリ可溶性シロキサン重合体に変更した以外は、実施例１と同様の方法で、ポジ型レジスト組成物３を得た。
このポジ型レジスト組成物３によるレジスト膜の酸素プラズマエッチング耐性を調べるために、平行平板型のドライエッチング装置を用い、ｒｆパワー１００Ｗ／ｃｍ２、酸素流量５０ｓｃｃｍ、ガス圧５．０Ｐａの条件で、該レジスト膜の酸素プラズマエッチングを行った。その結果、ポジ型レジスト組成物３によるレジスト膜の１１０℃で６０秒焼成後のエッチング速度は、０Å／ｍｉｎであった。これに対して、同エッチング条件でのノボラック系のｉ線レジスト（住友化学工業（株）製、スミレジストＰＦＩ−３８Ａ９）によるレジスト膜の２７０℃で２時間焼成後のエッチング速度は、２０５０Å／ｍｉｎであり、ポジ型レジスト組成物３が十分な酸素プラズマ耐性を有することが判った。
【０１４３】
（実施例４）
実施例１において、合成例２のアルカリ可溶性シロキサン重合体を合成例１のアルカリ可溶性シロキサン重合体に変更した以外は、実施例１と同様の方法で、ポジ型レジスト組成物４を得た。
このポジ型レジスト組成物４の保存安定性を調べるため、溶液中の粒子数の経時変化を測定した。ポジ型レジスト組成物４の溶液を調製した後、１日放置し、０．２μｍフィルターでろ過した直後の値を初期値とした。５℃で２０日保存した後の該溶液中における０．３μｍ以上の粒子数は、初期値１４９個／ｍｌに対して１５７個／ｍｌであり、２３℃で２０日保存した後の該溶液中における０．３μｍ以上の粒子数は、初期値１３７個／ｍｌに対して１２７個／ｍｌであり、４０℃で１０日保存した後の該溶液中における０．３μｍ以上の粒子数は、初期値１２５個／ｍｌに対して１２９個／ｍｌであり、該溶液中の粒子数はほとんど変化しないことが判った。
【０１４４】
なお、比較実験として特公平５−５８４４６号公報に記載のＳｉ含有ポジ型レジスト組成物の保存安定性を調べるため、その溶液を調製した後、１日放置し、０．２μｍフィルターでろ過した直後の値を初期値とした。５℃で２０日保存した後の該溶液中における０．３μｍ以上の粒子数は、初期値１５０個／ｍｌに対して３６２個／ｍｌであり、２３℃で２０日保存した後の該溶液中における０．３μｍ以上の粒子数は、初期値１４６個／ｍｌに対して４８７５個／ｍｌであり、該溶液中の粒子数はかなり変動していることが判った。なお、４０℃で１０日保存した後では該溶液はゲル化した。
【０１４５】
（実施例５）
前記合成例５のアルカリ可溶性シロキサン重合体、下記感光性化合物３、下記式（１５）で表されるフェノール化合物、２−ヘプタノン、γ−ブチロラクトンを、１００：５０：５：４６０．８：４．２の質量比で混合した溶液を作製し、ポジ型レジスト組成物とした（ポジ型レジスト組成物５）。なお、ポジ型レジスト組成物５は、スピンコート前に０．２μｍフィルターを用いて濾過してから使用した。
【０１４６】
【化４５】
0004373082.tif 000036
なお、前記感光性化合物３は、下記式（１６）で表されるフェノール化合物１モルに１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリドを３モル縮合させた生成物である。
【０１４７】
【化４６】
0004373082.tif 000037
【０１４８】
このポジ型レジスト組成物５を、前記下地層上にスピンコートした後、９０℃で１分間加熱し、該下地層上に０．５５μｍのポジ型レジスト組成物５によるレジスト膜を形成した。
これに実施例１と同様の露光〜リンスの操作を行い、ラインアンドスペースパターンを形成するレジストパターンを得た。
【０１４９】
得られたレジストパターンの断面を電子顕微鏡で観察した。０．８μｍのラインアンドスペースのライン部とスペース部との前記下地層上での幅が等幅となる照射量（４２５ｍＪ／ｃｍ２）において、スリット部の解像度を評価したところ、０．３０μｍまで解像した。
【０１５０】
（実施例６）
前記合成例５のアルカリ可溶性シロキサン重合体、前記感光性化合物３、下記感光性化合物４、前記式（１５）で表されるフェノール化合物、２−ヘプタノン、γ−ブチロラクトンを、１００：２３．１：２６．９：１．５：４５０．４：４．１の質量比で混合した溶液を作製し、ポジ型レジスト組成物６とした（ポジ型レジスト組成物６）。なお、ポジ型レジスト組成物６は、スピンコート前に０．２μｍフィルターを用いて濾過してから使用した。
なお、前記感光性化合物４は、下記式（１７）で表されるフェノール化合物１モルに１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリドを２モル縮合させた生成物である。
【０１５１】
【化４７】
0004373082.tif 000038
【０１５２】
このポジ型レジスト組成物６を、前記下地層上にスピンコートした後、９０℃で１分間加熱し、該下地層上に０．５５μｍのポジ型レジスト組成物層６によるレジスト膜を形成した。
これに実施例１と同様の露光〜リンスの操作を行い、ラインアンドスペースパターンを形成するレジストパターン得た。
【０１５３】
得られたレジストパターンの断面を電子顕微鏡で観察した。０．８μｍのラインアンドスペースのライン部とスペース部との前記下地層上での幅が等幅となる照射量（４５０ｍＪ／ｃｍ２）において、スリット部の解像度を評価したところ、０．２５μｍまで解像した。
【０１５４】
（実施例７）
前記合成例６のアルカリ可溶性シロキサン重合体、前記感光性化合物１、前記感光性化合物４、前記式（１６）で表されるフェノール化合物、２−ヘプタノン、γ−ブチロラクトンを、１００：２３．１：２６．９：１．５：４５０．４：４．１の質量比で混合した溶液を作製し、ポジ型レジスト組成物７とした（ポジ型レジスト組成物７）。なお、ポジ型レジスト組成物７は、スピンコート前に０．２μｍフィルターを用いて濾過してから使用した。
このポジ型レジスト組成物７を、前記下地層上にスピンコートした後、９０℃で１分間加熱し、該下地層上に０．５５μｍのポジ型レジスト組成物７によるレジスト膜を形成した。
これに実施例１と同様の露光〜リンスの操作を行い、ラインアンドスペースパターンを形成するレジストパターンを得た。
【０１５５】
得られたレジストパターンの断面を電子顕微鏡で観察した。０．８μｍのラインアンドスペースのライン部とスペース部との前記下地層上での幅が等幅となる照射量（５００ｍＪ／ｃｍ２）において、スリット部の解像度を評価したところ、０．２７μｍまで解像した。
【０１５６】
（実施例８）
前記ポジ型レジスト組成物３の調製直後と保存（２３℃で６ヵ月保存）後とにおけるレジスト特性を比較した結果、保存（２３℃で６ヵ月保存）後でも調製直後と同様の感度、解像性を示した。
なお、比較実験として市販のポジ型レジスト組成物（富士写真フイルムオーリン社製、ＦＨ−ＳＰ）の調製直後と保存（２３℃で６ヵ月保存）後とにおけるレジスト特性を比較した結果、保存（２３℃で６ヵ月保存）後では調製直後に比べて感度、解像性が劣化した。
【０１５７】
ここで、前記ポジ型レジスト組成物１〜７それぞれの厚みが１μｍの塗膜のｉ線透過率Ｔ（％）を、前記数式を用いて以下の方法により算出した。
まず、前記合成例１〜６において合成したアルカリ可溶性シロキサン重合体１〜６及び前記式（１５）で表されるフェノール化合物の、ｉ線透過率は１００％であった。
前記数式中、ＡとＴとの関係式において、「Ｔ」は、アルカリ可溶性シロキサン重合体１００質量部、前記式（１５）で表されるフェノール化合物１．５質量部、及び感光性化合物５０質量部の２−ヘプタノン溶液（固形分２５％）をガラス基板上にスピンコートして作製した厚み０．５５μｍの塗膜のｉ線透過率（％）を意味する。この塗膜のｉ線透過率（％）は、上記ガラス基板と同様のガラス基板を対照として分光光度計（日立（株）製、Ｕ−３５００）を用いて測定した実測値である。この実測値「Ｔ」から、前記ＡとＴとの関係式により、各感光性化合物を厚み１μｍに塗布した場合における塗膜の吸光度「Ａ」を算出した。その結果を表１に示した。
【０１５８】
【表１】
0004373082.tif 000039
【０１５９】
次に、実施例１〜７で調製したポジ型レジスト組成物１〜７の厚みが１μｍの塗膜のｉ線吸光度「Ａ’」を、前記数式中、ＡとＡ’との関係式において、先に算出しておいた各感光性化合物１〜４の吸光度「Ａ」の値、及びポジ型レジスト組成物中の全固形分に対する当該感光性化合物の重量比「Ｗ」に基づいて算出した。この吸光度「Ａ’」に基づいて、前記数式中、Ａ’とＴ’との関係式から、ポジ型レジスト組成物による厚みが１μｍの塗膜のｉ線透過率「Ｔ’」（％）を算出した。その結果を表２に示した。
【０１６０】
【表２】
0004373082.tif 000040
【０１６１】
（実施例９）
前記合成例２のアルカリ可溶性シロキサン重合体(全ケイ素原子に占めるＳｉ−ＯＨとなっているケイ素原子の割合が８％)と、感光性化合物５と、２−ヘプタノンと、γ−ブチロラクトンと、界面活性剤[ポリエチレングリコールベンジルエーテル(商品名:BA-1、青木油脂工業（株）製;HLB=5.8)]とを、質量比（前記合成例７のアルカリ可溶性シロキサン重合体：感光性化合物５：２−ヘプタノン：γ−ブチロラクトン：界面活性剤[ポリエチレングリコールベンジルエーテル(商品名:BA-1、青木油脂工業（株）製;HLB=5.8)]）で１００：６０：４７５．７：４．３：１の質量比で混合した溶液からなるポジ型レジスト組成物８を調製した。なお、このポジ型レジスト組成物８は、スピンコート前に０．２μｍフィルターを用いて濾過し、使用した。
【０１６２】
なお、前記感光性化合物５としては、前記式（１３）で表されるフェノール化合物１モルに対して1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸クロリドを２モル用いた縮合生成物と、前記式（１４）で表されるフェノール化合物１モルに対して1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸クロリドを1.8モル用いた縮合生成物を等量混合したものを用いた。
【０１６３】
まず、ｉ線レジスト(商品名：スミレジストPFI-38A9；住友化学工業(株)製)：エポキシ樹脂(商品名：スミエポキシ  ESCN-195XL7；住友化学工業(株)製)：２−ヘプタノン＝５：１：１の質量比で混合した溶液を調製し、これを０．２μｍフィルターで濾過し、下地層形成用塗布液とした。この下地層形成用塗布液をシリコン基板上に２０００ｒｐｍでスピンコートした後、ホットプレート上で２７０℃、２時間焼成し、厚みが１．４５μｍの下地層を前記シリコン基板上に形成した。
【０１６４】
次に、前記ポジ型レジスト組成物８を、前記下地層上に、スピンコートした後、９０℃、１分間加熱することにより、厚みが０.５５μｍのレジスト膜を形成した。
【０１６５】
次に、該レジスト膜にステッパー（NSR2005i9C；ニコン製、NA=0.57, sigma=0.40）を用いて３６５ｎｍの光をホールパターンのホール径４００ｎｍ、デューティ比＝１：２、ハーフトーンシフタ部の透過率が６％のハーフトーンマスクを通して600mJ/cm2照射した。
【０１６６】
前記該レジスト膜が形成された前記シリコン基板を１１０℃で６０秒間加熱し、２３℃まで冷却した後、テトラメチルアンモウムハイドロキシド２．３８％水溶液で１分間パドル現像した後、水で１５秒間リンスすることにより、前記ホールパターンを形成するレジストパターンを形成した。
形成したレジストパターンの断面を電子顕微鏡で観察し、サイドローブ部の最深部の膜厚をポジ型レジスト組成物によるレジスト膜の厚みで除した膜厚比を求め、表３に記載の値を得た。
なお、前記界面活性剤であるポリエチレングリコールベンジルエーテルを添加した場合は、後述の比較実験１のようにこれを添加しない場合に比べてサイドローブの発生が抑制されていた。
【０１６７】
（実施例１０）
実施例９で用いた界面活性剤を、ソルビタントリオレエート(商品名:SPAN85、関東化学（株）製;HLB=2.1)に変更した以外は、実施例９と同様にしてホールパターンを形成した。
形成したレジストパターンの断面を電子顕微鏡で観察し、サイドローブ部の最深部の膜厚をポジ型レジスト組成物によるレジスト膜の厚みで除した膜厚比を求め、表３に記載の値を得た。
前記界面活性剤であるソルビタントリオレエートを添加した場合は、前記比較実験１の場合に比べてサイドローブの発生が抑制されていた。
【０１６８】
（実施例１１）
実施例９の界面活性剤を、ソルビタンモノステアリレート(商品名:SP-S10、花王（株）製;HLB=4.7)に変更した以外は、実施例９と同様な操作を行い、ホールパターンを形成した。
得られたレジストパターンの断面を電子顕微鏡で観察し、サイドローブ部の最深部の膜厚をポジ型レジスト組成物によるレジスト膜の厚みで除した膜厚比を求め、表３に記載の値を得た。
前記界面活性剤であるソルビタンモノステアリレートを添加した場合は、前記比較実験１の場合に比べてサイドローブの発生が抑制されていた。
【０１６９】
（実施例１２）
実施例９の界面活性剤を、ポリカルボン酸系界面活性剤のデモールＥＰ（花王（株）製）に変更した以外は、実施例９と同様な操作を行い、ホールパターンを形成した。
形成したレジストパターンの断面を電子顕微鏡で観察し、サイドローブ部の最深部の膜厚をポジ型レジスト組成物によるレジスト膜の厚みで除した膜厚比を求め、表３に記載の値を得た。
前記ポリカルボン酸系界面活性剤のデモールＥＰの添加を添加した場合は、比較実験１の場合に比べてサイドローブの発生が抑制されていた。
【０１７０】
（比較実験１）
実施例９における界面活性剤を添加しない以外は、実施例９と同様にしてホールパターンを形成した。
形成したレジストパターンの断面を電子顕微鏡で観察し、サイドローブ部の最深部の膜厚をポジ型レジスト組成物によるレジスト膜の厚みで除した膜厚比を求め、表３に記載の値を得た。
【０１７１】
（実施例１３）
実施例９における合成例２のアルカリ可溶性シロキサン重合体(全ケイ素原子に占めるＳｉ−ＯＨとなっているケイ素原子の割合が８％)を、合成例７のアルカリ可溶性シロキサン重合体（同割合が１２％）に変更した以外は、実施例９と同様にしてホールパターンを形成した。
形成したパターンの断面を電子顕微鏡で観察し、サイドローブ部の最深部の膜厚をポジ型レジスト組成物によるレジスト膜の厚みで除した膜厚比を求め、表３に記載の値を得た。
前記界面活性剤であるポリエチレングリコールベンジルエーテルを添加した場合は、比較実験２に比べてサイドローブの発生が抑制されていた。
【０１７２】
（実施例１４）
実施例１０における合成例２のアルカリ可溶性シロキサン重合体(全ケイ素原子に占めるＳｉ−ＯＨとなっているケイ素原子の割合が８％)を、合成例７のアルカリ可溶性シロキサン重合体（同割合が１２％）に変更した以外は、実施例１０と同様にしてホールパターンを形成した。
形成したレジストパターンの断面を電子顕微鏡で観察し、サイドローブ部の最深部の膜厚をポジ型レジスト組成物によるレジスト膜の厚みで除した膜厚比を求め、表３に記載の値を得た。
前記界面活性剤であるポリエチレングリコールベンジルエーテルを添加した場合は、比較実験２に比べてサイドローブの発生が抑制されていた。
【０１７３】
（実施例１５）
実施例１１における合成例２のアルカリ可溶性シロキサン重合体(全ケイ素原子に占めるＳｉ−ＯＨとなっているケイ素原子の割合が８％)を、合成例７のアルカリ可溶性シロキサン重合体（同割合が１２％）に変更した以外は、実施例１１と同様にしてホールパターンを形成した。
形成したレジストパターンの断面を電子顕微鏡で観察し、サイドローブ部の最深部の膜厚をポジ型レジスト組成物によるレジスト膜の厚みで除した膜厚比を求め、表３に記載の値を得た。
前記界面活性剤であるソルビタンモノステアリレートを添加した場合は、前記比較実験２の場合に比べてサイドローブの発生が抑制されていた。
【０１７４】
（比較実験２）
実施例１３において、界面活性剤を添加しなかった以外は、実施例１３と同様にしてホールパターンを形成した。
形成したレジストパターンの断面を電子顕微鏡で観察し、サイドローブ部の最深部の膜厚をポジ型レジスト組成物によるレジスト膜で除した膜厚比を求め、表３に記載の値を得た。
【０１７５】
（実施例１６）
実施例９における合成例２のアルカリ可溶性シロキサン重合体(全ケイ素原子に占めるＳｉ−ＯＨとなっているケイ素原子の割合が８％)を、合成例４のアルカリ可溶性シロキサン重合体(同割合が１９％)に変更し、及び露光量を４００mJ/cm2に変更した以外は、実施例９と同様にしてホールパターンを形成した。形成したレジストパターンの断面を電子顕微鏡で観察し、サイドローブ部の最深部の膜厚をポジ型レジスト組成物によるレジスト膜で除した膜厚比を求め、表３に記載の値を得た。
前記界面活性剤であるポリエチレングリコールベンジルエーテルを添加した場合は、比較実験３に比べてサイドローブの発生が抑制されていた。
【０１７６】
（比較実験３）
実施例１６において界面活性剤を添加しなかった以外は、実施例１６と同様にしてホールパターンを形成した。
形成したレジストパターンの断面を電子顕微鏡で観察し、サイドローブ部の最深部の膜厚をポジ型レジスト組成物によるレジスト膜で除した膜厚比を求め、表３に記載の値を得た。
【０１７７】
【表３】
0004373082.tif 000041
【０１７８】
表３の結果から、特定の界面活性剤を添加した実施例９〜１６の各ポジ型レジスト組成物の場合、該特定の界面活性剤を添加する前の比較実験１〜３の各ポジ型レジスト組成物の場合に比し、サイドローブ部における膜厚比が大きくなっており、サイドローブの発生が効果的に抑制されたことが明らかである。
【０１７９】
（実施例１７）
図１及び図２は、２層レジスト法における上層に本発明のポジ型レジスト組成物を用いて、レジストパターンを形成した実施例を説明するための工程図であり、ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）パターンにおけるライン部と直交方向に沿って切った断面図である。
【０１８０】
図１（Ａ）に示すように、下地としてシリコン基板１を用意し、シリコン基板１上に、図１（Ｂ）に示すように、第１レジスト層３（即ち、遠紫外光に感応するポジ型レジスト層、日本ゼオン（株）製のＺＥＰ７０００Ｂを用いて形成）を、回転塗布法により形成した。次に、これをホットプレート上で１８０℃で９０秒間加熱した。この熱処理後の第１レジスト層３の厚みは約５５０ｎｍであった。なお、シリコン基板１と第１レジスト層３との密着性を高めるために第１レジスト層３を形成する前にシリコン基板１の表面を疎水性にする前処理を行ってもよく、この実施例ではこの前処理を行った。具体的には、第１レジスト層３を形成する前にシリコン基板１を、ホットプレート上で２００℃で１００秒間加熱した後、ヘキサメチルジシラザンの蒸気に１００℃に加熱しながら３０秒間さらすことにより前記前処理を行った。
【０１８１】
次に、図１（Ｃ）に示すように、第１レジスト層３上に、第２レジスト層５（即ち、紫外線（ｉ線）に感応する本発明の前記ポジ型レジスト組成物による層）を形成した。次に、これをホットプレート上で９０℃で９０秒間加熱した。この加熱処理後の第２レジスト層５の厚みは約１５００ｎｍであった。なお、第２レジスト層５に対する加熱処理の際、第１レジスト層３と第２レジスト層５との界面には、図１（Ｄ）に示すように、両レジストの相互熱拡散に起因する混合層（インターレイヤー）７が生成した。この混合層７の厚みは、その測定が困難なため明確ではないが数１０ｎｍ程度と推定された。
【０１８２】
次に、第２レジスト層５に対し、ｉ線を用いてラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）パターンを形成するためにフォトマスクを用いて選択的に露光を行った。具体的には、図２（Ｅ）に示すように、所望のラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）パターンに対応するパターンを有したフォトマスク９（遮光部９ａを有する）を介して、高圧水銀ランプによるｉ線（波長３６５ｎｍ）を照射して露光を行った。
【０１８３】
露光後、この対象物をホットプレート上で１１０℃、９０秒間加熱処理し、いわゆる露光後ベーク（Post Exposure Bake）を行い、ホットプレート上で室温まで戻した。次に、この対象物に対し、現像液（東京応化工業（株）製、ＮＭＤ−３（２．３８質量％））を用いてパドル方式による現像処理を行い、次いで純水によりリンスを行った。その後、水を蒸発させるためにこの対象物を、ホットプレート上で１２０℃、９０秒間加熱した。以上により、第２レジスト層５のパターニングが終了し、図２（Ｆ）に示すように、第２レジスト層５における、ｉ線による露光部５ａが除去されたパターン５ｘが形成された。
【０１８４】
ここで、酸素プラズマエッチング処理を行ったところ、第２レジスト層５によるパターン５ｘは、酸素プラズマエッチング耐性に優れることからエッチングされず、混合層７及び第２レジスト層５がエッチングされて、第２レジスト層５によるパターン５ｘが混合層７及び第２レジスト層５にも転写され、パターン５ｘと同じ形状の積層パターン１０ａが形成された。
【０１８５】
（実施例１８）
ここでは、図３に示すような磁気ヘッド（ＭＲ型ヘッド）における端子１２にＭＲ素子部１１を以下のようにして作製した。即ち、図４（ａ）に示すように、支持材２１の上にアルミナ層２２を設け、その上にＮｉＦｅによる下部シールド層２３とアルミナによる下部ギャップ層２４とを順次形成し、更に下部ギャップ層２４上にＭＲパターン２５を備えた基板の表面に、第１レジスト層２６を形成する。次に、この第１レジスト層２６を形成した基板を被処理基板として、図４（ｂ）に示すように、その全面に単色光２７を照射して表層を改質し、後にその上に形成する第２レジスト層との混合（ミキシング）を防ぐようにした。こうして表層を改質した第１レジスト層２６の上に、図４（ｃ）に示すように、第２レジスト層２９を形成した後、所望のマスクパターンを有するフォトマスクを用いてｉ線３０を照射して選択的に露光を行った。なお、図４（ｃ）においては、この露光による露光部３１及び３２が存在している。露光後にベークを行い、現像処理を行った。
【０１８６】
すると、図５（ｄ）に示すように、第１レジスト層２６によるパターン２６'が第２レジスト層２９によるパターン２９'の下に食い込んだ形状のレジストパターンが形成された。なお、図５（ｅ）のように、ＭＲ素子２５上のレジストパターン下部を中空としてもよい。次に、以上のようにして２層レジストパターンを形成した基板表面に、図５（ｆ）に示すように、端子形成材料３３を製膜した。その後、現像液を用いて前記２層レジストパターンを溶解し、剥離除去（リフトオフ）して、図５（ｇ）に示すように、前記２層レジストパターンが形成されていなかった部分に、端子形成材料３３によるパターンを形成した。なお、図５（ｇ）における、ＭＲパターン２５が図３におけるＭＲ素子部１１に相当し、端子形成材料３３によるパターンが図３における端子１２に相当する。
【０１８７】
ここで、次に、図６及び図７を参照しながら中空リフトオフプロセスについて説明する。図６は、ＭＲ素子４１に接続する端子４２を、第１レジスト層４３と第２レジスト層４４との２層レジストを利用して形成した状態を示す平面図である。第１レジスト層４３は、第２レジスト層４４の下部に食い込んだ形で形成されており、その外周の輪郭が破線で示されている。ＭＲ素子４１の部分（図６（上側）の円Ａで示された部分）を拡大したのが図６（下側）であり、ここでも第２レジスト層４４下の第１レジスト層４３はその外周の輪郭が破線で示されており、ＭＲ素子４１の上方には、第２レジスト層４４のみが存在し、この部分が中空構造になっている。図７の断面図に示すように、図７（上側）は、図６（下側）の５０−５０線断面図であり、ＭＲ素子４１と第２レジスト層４４との間には中空部分が形成されている。図７（下側）は、図６（下側）の５０'−５０'線断面図であり、ここに示されるように、基板４０上に形成した第１レジスト層４３上に第２レジスト層４４が形成されている。図７（上側）及び図７（下側）において、第２レジスト層４４上にある端子形成材料による膜（４２）は、後のリフトオフ処理により、第１レジスト層４３及び第２レジスト層４４による２層レジストと共に除去される。
【０１８８】
また、ここで、磁気ヘッド（ＭＲヘッド）用のＭＲ素子をリフトオフプロセスにより作製した例について説明する。図８（ａ）に示すように、支持材６１上にアルミナ層６２を設け、その上にＮｉＦｅによる下部シールド層６３とアルミナによる下部ギャップ層６４とを順次形成し、下部ギャップ層６４上にＭＲ素子を形成するためのＭＲ膜６５を備えた基板を用意した。次に、該基板の表面におけるＭＲ膜６５をパターニングして、図８（ｂ）に示すように、ＭＲ素子６６を形成した。続いて、図８（ｃ）に示すように、前記基板の下部ギャップ層６４上に、マスクパターン６７を利用して端子６８を形成した。そしてリフトオフにより、図８（ｄ）に示すように、マスクパターン６７を除去した。その後、図８（ｅ）に示すように、イオンミリングにより、下部シールド層６３及び下部ギャップ層６４のパターニングを行って下部シールド６３'と下部ギャップ６４'とを形成した。一方、図９（ａ）に示すように、前記基板にパターニングを行って下部シールド６３'と下部ギャップ６４'とを形成し、図９（ｂ）に示すように、ＭＲ素子６６の形成とリフトオフによる端子６８の形成とを行った後、図９（ｃ）に示すように、下部シールド６３'と下部ギャップ６４'とのパターニングを更に行って、最終的な形状の下部シールド６３”と下部ギャップ６４”とを形成してもよい。
【０１８９】
次に、ここで、磁気ヘッドの他の製造例について図１０及び図１１を参照して説明する。図１０（ａ）に示すように、支持材（図示せず）上に設けたアルミナ層（図示せず）上に、ＮｉＦｅによる下部シールド層８３、アルミナによる下部ギャップ層８４、ＭＲ素子を形成するためのＭＲ膜８５を、順次形成した基板を用い、その表面に、第１レジスト層のレジスト材料として、日本マクダーミッド社製のポリメチルグルタルイミドを厚みが０．３μｍとなるようにしてスピンコートし、１８０℃で２分間ベーキングして第１レジスト層８６を形成した。その後、該基板を表面処理チャンバ内のホットプレート上に移し、波長１７２ｎｍの光（Ｘｅ2 エキシマ光）にて照射距離１ｍｍで２０秒間、全面照射処理を行った。次に、この基板を再びコーターカップに戻して回転させながら本発明の前記ポジ型レジスト組成物を滴下し、厚みが２．０ｎｍとなるようにスピンコートし、１１０℃で２分間ベーキングして、第２レジスト層８７を第１レジスト層８６上に形成した。続いて、図１０（ｃ）に示すように、ｇ線ステッパにて所定のマスクパターンを用いてｉ線８８を照射し，露光後、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液を用いて現像した。この際、第１レジスト層８６及び第２レジスト層８７は、同時に現像され、図１０（ｄ）に示すように、２層レジストパターン８９が形成された。２層レジストパターン８９は、下層が上層よりも１．０μｍ食い込んだ形状であることが光学顕微鏡による観察で確認された。次に、図１１（ｅ）に示すように、この２層レジストパターン８９をマスクとしてＭＲ膜８５をイオンミリングにてパターニングしてＭＲ素子８５ａを形成後、図１１（ｆ）に示すように、端子となる金属膜８１をスパッタ形成し、次いで２層レジストパターン８９をレジスト剥離剤(富士ハント社製、ＭＳ−２００１)を用いて剥離し、エタノールで洗浄後、乾燥して端子８１を形成した。
【０１９０】
（実施例１９）
図１２は、ＨＥＭＴのＴゲート電極の製造例の工程図であり、図１２（ａ）に示すように、まず、表層部にバッファ・エピタキシャル層、二次電子供給用エピタキシャル層、キャップ・エピタキシャル層が順次形成されたＧａＡｓ基板９０上に、ネガ型の第１電子ビームレジスト（シプレイ社製、ＳＡＬ−６０１）を塗布し、ベークングした。その後、ゲート長が０．１μｍで厚みが１μｍの孤立ライン形状のレジストパターン９１を形成するために電子ビームによる露光を行った。露光後、ネガ型の第１電子ビームレジストを現像し、水洗し、乾燥させることにより、ゲート長が０．１μｍで厚みが１μｍの孤立ライン形状のレジストパターン９１を形成した。次に、図１２（ｂ）に示すように、レジストパターン９１のぬれ性を制御する目的で、酸素プラズマ（例えば、電力１００Ｗ、処理時間３０秒、酸素流量２００ｓｃｃｍの条件）により処理した。次に、図１２（ｃ）に示すように、絶縁膜の一種であるスピン・オン・グラス（ＳＯＧ）であるＯＣＤ（東京応化工業社製）を厚みが０．５μｍとなるようにＧａＡｓ基板９０上に塗布し、１１０℃で２時間ベークした。以上により絶縁膜９２を形成した。この後、Ｏ２アッシャーにより孤立ライン形状のレジストパターン９１を除去することにより、絶縁膜９２の断面がテーパ形状をした開口部９２ａ（テーパ角度＝６０度）を形成した。次に、図１２（ｄ）に示すように、ＧａＡｓ基板９０の全面に下部ゲート電極用の第１金属配線層９３として、ＴｉＷを厚みが０．１μｍとなるようにスパッタ法にて堆積させた。第１金属配線層９３上に、本発明のポジ型レジスト組成物を厚みが０．６μｍとなるように塗布し、ベークングしてレジスト層９４を形成した。この後、開口部９２ａよりも大きな開口を有し断面形状が逆テーパ形状である開口部９４ａを形成するために露光を行い、レジスト層９４を現像し、水洗し、乾燥させ、ゲート長が０．５μｍである開口部９４ａを形成した。その後、ＧａＡｓ基板９０の全面に、上部ゲート電極用の第２金属配線層９５としてＴｉ、Ａｌをこの順に厚みが０．５μｍとなるように蒸着法により堆積させた。図１２（ｅ）に示すように、開口部９２ａに形成されている第２金属配線層９５部分を残し、不要な第２金属配線層９５及びその下のレジスト層９４を有機溶剤を用いてリフトオフさせた。次に、図１２（ｆ）に示すように、残した第２金属配線層９５部分をマスクとしてＲＩＥにより、第２金属配線層９５部分の下側に形成されている第１金属配線層９３を残し、不要な第１金属配線層９３を除去し、更にその下の絶縁膜９２をＮＨ４Ｆ液を用いて除去することにより、微細なＴゲート電極を製造した。
【０１９１】
（実施例２０）
ここで、図１３を参照しながら、プラズマディスプレイにおける隔壁形成プロセスを説明する。図１３（ａ）〜（ｇ）は、隔壁形成プロセスの各工程を示す断面図である。まず、図１３（ａ）に示すように、ガラス基板１００上にアドレス電極１０１を形成した。ガラス基板１００は、例えば、厚みが２．８ｍｍのソーダガラスや高歪点ガラスなどが用いられる。アドレス電極１０１の形成後に、例えば誘電体ガラスからなる下地層１０２を形成した。なお、以下便宜上、ガラス基板１００、アドレス電極１０１及び下地層１０２を総称的に基板１０３と称することがある。次に、図１３（ｂ）に示すように、基板１０３上に感光性被覆層１０４を形成した。感光性被覆層１０４として、本発明の前記ポジ型レジスト組成物を用いて厚みを１２０μｍとした。次に、図１３（ｃ）に示すように、所定のパターン幅及びピッチを有するフォトマスク１０５を用いてｉ線を照射し、露光を行った。露光量は、フォトマスク１０５のパターン幅及びピッチに応じて適正化させた。図１３（ｄ）に示すように、露光後に現像を行った。現像液は、１質量％炭酸ナトリウム水溶液を使用し、約３分間現像後に水洗した。その後、図１３（ｅ）に示すように、基板１０３の上部からプラズマ溶射を行い、感光性被覆層１０４の溝中に隔壁材料からなる溶射膜１０７を堆積させた。具体的には、プラズマ溶射トーチ１０８には冷却ガスポート１１０が設置されており、プラズマジェット１０９の溶射と同時に、冷却ガス１１１を基板１０３へ吹き付けた。なお、冷却ガス１１１には窒素ガスを用いた。冷却ガス１１１の作用により、溶射時の熱による感光性被覆層１０４へのダメージが軽減し、精度のよい隔壁形成が可能となった。また、この溶射工程で、溶射膜１０７は、感光性被覆層１０４の溝の内部に主として堆積され、また、感光性被覆層１０４の表面から上方に盛り上がるように堆積した。しかし、その周囲の感光性被覆層１０４上には、溶射膜はほとんど堆積（付着）しなかった。次に、図１３（ｆ）に示すように、感光性被覆層１０４の表面から飛び出した溶射膜１０７の部分を主に研磨によって除去して、感光性被覆層１０４の溝の内部に堆積した溶射膜１０７の表面を平坦化した。次に、図１３（ｇ）に示すように、基板１０３を、酸素を含む高温雰囲気中にて焼成することにより、有機物系の感光性樹脂を燃やして二酸化炭素などのガスにして排除し、所定形状の隔壁１０７を基板１０３上に形成した。以上により、プラズマディスプレイにおける隔壁を形成した。
【０１９２】
この実施例のプラズマディスプレイパネルにおいては、互いに対向して配置された前面基板１５０と背面基板１５１とを備えている。前面基板１５０上には、表示電極１５２及び１５３、誘電体層１５４、及びＭｇＯ誘電体保護層１５５が、この順に形成されている。また、背面基板１５１の上には、アドレス電極１５６及び誘電体層１５７が形成されており、その上には、更に隔壁１５８が形成され、隔壁１５８の側面には、蛍光体層１５９が塗布されている。前面基板１５０と背面基板１５１との間には、放電ガス１６０が所定の圧力で封入されている。放電ガス１６０を表示電極１５２及び１５３の間で放電させて紫外線を発生させ、その紫外線を蛍光体層１５９に照射することによって、カラー表示を含む画像表示が可能になっている。
【０１９３】
（実施例２１）
−フラッシュメモリ及びその製造−
実施例２１は、本発明のポジ型レジスト組成物を用いた本発明の電子回路装置及びその製造方法の一例である。なお、この実施例２１では、以下のレジスト膜２６、２７、２９、３２及び３４が、本発明のポジ型レジスト組成物を用いて形成したものである。
【０１９４】
図１６における（ａ）及び（ｂ）は、ＦＬＯＴＯＸ型又はＥＴＯＸ型と呼ばれるＦＬＯＴＯＸ型又はＥＴＯＸ型と呼ばれるＦＬＡＳＨ  ＥＰＲＯＭの上面図（平面図）であり、図１７における（ａ）〜（ｃ）、図１８における（ｄ）〜（ｆ）、図１９（ｇ）〜（ｉ）は、該ＦＬＡＳＨ  ＥＰＲＯＭの製造方法に関する一例を説明するための断面概略図であり、図１７〜図１９における、左図はメモリセル部（第１素子領域）であって、フローティングゲート電極を有するＭＯＳトランジスタの形成される部分のゲート幅方向（図１６におけるＸ方向）の断面（Ａ方向断面）概略図であり、中央図は前記左図と同部分のメモリセル部であって、前記Ｘ方向と直交するゲート長方向（図１６におけるＹ方向）の断面（Ｂ方向断面）概略図であり、右図は周辺回路部（第２素子領域）のＭＯＳトランジスタの形成される部分の断面（図１６におけるＡ方向断面）概略図である。
【０１９５】
まず、図１７（ａ）に示すように、ｐ型のＳｉ基板２２２上の素子分離領域に選択的にＳｉＯ２膜によるフィールド酸化膜２２３を形成した。その後、メモリセル部（第１素子領域）のＭＯＳトランジスタにおける第１ゲート絶縁膜２２４ａを厚みが１００〜３００Åとなるように熱酸化にてＳｉＯ２膜により形成し、また別の工程で、周辺回路部（第２素子領域）のＭＯＳトランジスタにおける第２ゲート絶縁膜２２４ｂを厚みが１００〜５００Åとなるように熱酸化にてＳｉＯ２膜により形成した。なお、第１ゲート絶縁膜２２４ａ及び第２ゲート絶縁膜２２４ｂを同一厚みにする場合には、同一の工程で同時に酸化膜を形成してもよい。
【０１９６】
次に、前記メモリセル部（図１７（ａ）の左図及び中央図）にｎ型ディプレションタイプのチャネルを有するＭＯＳトランジスタを形成するため、閾値電圧を制御する目的で前記周辺回路部（図１７（ａ）の右図）をレジスト膜２６によりマスクした。そして、フローティングゲート電極直下のチャネル領域となる領域に、ｎ型不純物としてドーズ量１×１０１１〜１×１０１４ｃｍ−２のリン（Ｐ）又は砒素（Ａｓ）をイオン注入法により導入し、第１閾値制御層２２５ａを形成した。なお、このときのドーズ量及び不純物の導電型は、ディプレッションタイプにするかアキュミレーションタイプにするかにより適宜選択することができる。
【０１９７】
次に、前記周辺回路部（図１７（ｂ）の右図）にｎ型ディプレションタイプのチャネルを有するＭＯＳトランジスタを形成するため、閾値電圧を制御する目的でメモリセル部（図１７（ｂ）の左図及び中央図）をレジスト膜２２７によりマスクした。そして、ゲート電極直下のチャネル領域となる領域に、ｎ型不純物としてドーズ量１×１０１１〜１×１０１４ｃｍ−２のリン（Ｐ）又は砒素（Ａｓ）をイオン注入法により導入し、第２閾値制御層２２５ｂを形成した。
【０１９８】
次に、前記メモリセル部（図１７（ｃ）の左図及び中央図）のＭＯＳトランジスタのフローティングゲート電極、及び前記周辺回路部（図１７（ｃ）の右図）のＭＯＳトランジスタのゲート電極として、厚みが５００〜２０００Åである第１ポリシリコン膜（第１導電体膜）２２８を全面に形成した。
【０１９９】
その後、図１８（ｄ）に示すように、マスクとして形成したレジスト膜２２９により第１ポリシリコン膜２２８をパターニングして前記メモリセル部（図１８（ｄ）の左図及び中央図）のＭＯＳトランジスタにおけるフローティングゲート電極２２８ａを形成した。このとき、図１８（ｄ）に示すように、Ｘ方向は最終的な寸法幅になるようにパターニングし、Ｙ方向はパターニングせずＳ／Ｄ領域層となる領域はレジスト膜２２９により被覆されたままにした。
【０２００】
次に、（図１８（ｅ）の左図及び中央図）に示すように、レジスト膜２２９を除去した後、フローティングゲート電極２２８ａを被覆するようにして、ＳｉＯ２膜からなるキャパシタ絶縁膜２３０ａを厚みが約２００〜５００Åとなるように熱酸化にて形成した。このとき、前記周辺回路部（図１８（ｅ）の右図）の第１ポリシリコン膜２２８上にもＳｉＯ２膜からなるキャパシタ絶縁膜２３０ｂが形成される。なお、ここでは、キャパシタ絶縁膜２３０ａ及び２３０ｂはＳｉＯ２膜のみで形成されているが、ＳｉＯ２膜及びＳｉ３Ｎ４膜が２〜３積層された複合膜で形成されていてもよい。
【０２０１】
次に、図１８（ｅ）に示すように、フローティングゲート電極２２８ａ及びキャパシタ絶縁膜２３０ａを被覆するようにして、コントロールゲート電極となる第２ポリシリコン膜（第２導電体膜）２３１を厚みが５００〜２０００Åとなるように形成した。
【０２０２】
次に、図１８（ｆ）に示すように、前記メモリセル部（図１８（ｆ）の左図及び中央図）をレジスト膜２３２によりマスクし、前記周辺回路部（図１８（ｆ）の右図）の第２ポリシリコン膜２３１及びキャパシタ絶縁膜２３０ｂを順次、エッチングにより除去し、第１ポリシリコン膜２２８を表出させた。
【０２０３】
次に、図１９（ｇ）に示すように、前記メモリセル部（図１９（ｇ）の左図及び中央図）の第２ポリシリコン膜２３１、キャパシタ絶縁膜２３０ａ及びＸ方向だけパターニングされている第１ポリシリコン膜２２８ａに対し、レジスト膜２３２をマスクとして、第１ゲート部２３３ａの最終的な寸法となるようにＹ方向のパターニングを行い、Ｙ方向に幅約１μｍのコントロールゲート電極２３１ａ／キャパシタ絶縁膜２３０ｃ／フローティングゲート電極２２８ｃによる積層を形成すると共に、前記周辺回路部（図１９（ｇ）の右図）の第１ポリシリコン膜２２８に対し、レジスト膜２３２をマスクとして、第２ゲート部２３３ｂの最終的な寸法となるようにパターニングを行い、幅約１μｍのゲート電極２２８ｂを形成した。
【０２０４】
次に、前記メモリセル部（図１９（ｈ）の左図及び中央図）のコントロールゲート電極２３１ａ／キャパシタ絶縁膜２３０ｃ／フローティングゲート電極２２８ｃによる積層をマスクとして、素子形成領域のＳｉ基板２２２にドーズ量１×１０１４〜１×１０１６ｃｍ−２のリン（Ｐ）又は砒素（Ａｓ）をイオン注入法により導入し、ｎ型のＳ／Ｄ領域層２３５ａ及び２３５ｂを形成すると共に、前記周辺回路部（図１９（ｈ）の右図）のゲート電極２２８ｂをマスクとして、素子形成領域のＳｉ基板２２２にｎ型不純物としてドーズ量１×１０１４〜１×１０１６ｃｍ−２のリン（Ｐ）又は砒素（Ａｓ）をイオン注入法により導入し、Ｓ／Ｄ領域層２３６ａ及び２３６ｂを形成した。
【０２０５】
次に、前記メモリセル部（図１９（ｉ）の左図及び中央図）の第１ゲート部２３３ａ及び前記周辺回路部（図１９（ｉ）の右図）の第２ゲート部２３３ｂを、ＰＳＧ膜による層間絶縁膜２３７を厚みが約５０００Åとなるようにして被覆形成した。
その後、Ｓ／Ｄ領域層２３５ａ及び２３５ｂ並びにＳ／Ｄ領域層２３６ａ及び２３６ｂ上に形成した層間絶縁膜２３７に、コンタクトホール２３８ａ及び２３８ｂ並びにコンタクトホール２３９ａ及び２３９ｂを形成した後、Ｓ／Ｄ電極２４０ａ及び２４０ｂ並びにＳ／Ｄ電極２４１ａ及び２４１ｂを形成した。
以上により、図１９（ｉ）に示すように、半導体装置としてＦＬＡＳＨ  ＥＰＲＯＭを製造した。
【０２０６】
このＦＬＡＳＨ  ＥＰＲＯＭにおいては、前記周辺回路部（図１７（ａ）〜図１８（ｆ）における右図）の第２ゲート絶縁膜２２４ｂが形成後から終始、第１ポリシリコン膜２２８又はゲート電極２２８ｂにより被覆されている（図１７（ｃ）〜図１８（ｆ）における右図）ので、第２ゲート絶縁膜２２４ｂは最初に形成された時の厚みを保持したままである。このため、第２ゲート絶縁膜２２４ｂの厚みの制御を容易に行うことができると共に、閾値電圧の制御のための導電型不純物濃度の調整も容易に行うことができる。
なお、上記実施例では、第１ゲート部２３３ａを形成するのに、まずゲート幅方向（図１６におけるＸ方向）に所定幅でパターニングした後、ゲート長方向（図１６におけるＹ方向）にパターニングして最終的な所定幅としているが、逆に、ゲート長方向（図１６におけるＹ方向）に所定幅でパターニングした後、ゲート幅方向（図１６におけるＸ方向）にパターニングして最終的な所定幅としてもよい。
【０２０７】
図２０（ａ）〜（ｃ）に示すＦＬＡＳＨ  ＥＰＲＯＭの製造例は、上記実施例において図１８（ｆ）で示した工程の後が図２０（ａ）〜（ｃ）に示すように変更した以外は上記実施例と同様である。即ち、図２０（ａ）に示すように、前記メモリセル部（図２０（ａ）における左図及び中央図）の第２ポリシリコン膜２３１及び前記周辺回路部（図２０（ａ）の右図）の第１ポリシリコン膜２２８上に、タングステン（Ｗ）膜又はチタン（Ｔｉ）膜からなる高融点金属膜（第４導電体膜）２４２を厚みが約２０００Åとなるようにして形成しポリサイド膜を設けた点でのみ上記実施例と異なる。図２０（ａ）の後の工程、即ち図２０（ｂ）〜（ｃ）に示す工程は、図１９（ｇ）〜（ｉ）と同様に行った。図１９（ｇ）〜（ｉ）と同様の工程については説明を省略し、図２０（ａ）〜（ｃ）においては図１９（ｇ）〜（ｉ）と同じものは同記号で表示した。
以上により、図２０（ｃ）に示すように、半導体装置としてＦＬＡＳＨ  ＥＰＲＯＭを製造した。
【０２０８】
このＦＬＡＳＨ  ＥＰＲＯＭにおいては、コントロールゲート電極２３１ａ及びゲート電極２２８ｂ上に、高融点金属膜（第４導電体膜）２４２ａ及び２４２ｂを有するので、電気抵抗値を一層低減することができる。
なお、ここでは、高融点金属膜（第４導電体膜）として高融点金属膜（第４導電体膜）２４２ａ及び２４２ｂを用いているが、チタンシリサイド（ＴｉＳｉ）膜等の高融点金属シリサイド膜を用いてもよい。
【０２０９】
図２１（ａ）〜（ｃ）に示すＦＬＡＳＨ  ＥＰＲＯＭの製造例は、上記実施例において、前記周辺回路部（第２素子領域）（図２１（ａ）における右図）の第２ゲート部２３３ｃも、前記メモリセル部（第１素子領域）（図２１（ａ）における左図及び中央図）の第１ゲート部２３３ａと同様に、第１ポリシリコン膜２２８ｂ（第１導電体膜）／ＳｉＯ２膜２３０ｄ（キャパシタ絶縁膜）／第２ポリシリコン膜２３１ｂ（第２導電体膜）という構成にし、図２１（ｂ）又は（ｃ）に示すように、第１ポリシリコン膜２２８ｂ及び第２ポリシリコン膜２３１ｂをショートさせてゲート電極を形成している点で異なること以外は上記実施例と同様である。
【０２１０】
ここでは、図２１（ｂ）に示すように、第１ポリシリコン膜２２８ｂ（第１導電体膜）／ＳｉＯ２膜２３０ｄ（キャパシタ絶縁膜）／第２ポリシリコン膜２３１ｂ（第２導電体膜）を貫通する開口部２５２ａを、例えば図２１（ａ）に示す第２ゲート部２３３ｃとは別の箇所、例えば絶縁膜２５４上に形成し、開口部２５２ａ内に第３導電体膜、例えばＷ膜又はＴｉ膜等の高融点金属膜２５３ａを埋め込むことにより、第１ポリシリコン膜２２８ｂ及び第２ポリシリコン膜２３１ｂをショートさせている。また、図２１（ｃ）に示すように、第１ポリシリコン膜２２８ｂ（第１導電体膜）／ＳｉＯ２膜２３０ｄ（キャパシタ絶縁膜）を貫通する開口部２５２ｂを形成して開口部２５２ｂの底部に下層の第１ポリシリコン膜２２８ｂを表出させた後、開口部２５２ｂ内に第３導電体膜、例えばＷ膜又はＴｉ膜等の高融点金属膜２５３ｂを埋め込むことにより、第１ポリシリコン膜２２８ｂ及び第２ポリシリコン膜２３１ｂをショートさせている。
【０２１１】
このＦＬＡＳＨ  ＥＰＲＯＭにおいては、前記周辺回路部の第２ゲート部２３３ｃは、前記メモリセル部の第１ゲート部２３３ａと同構造であるので、前記メモリセル部を形成する際に同時に前記周辺回路部を形成することができ、製造工程を簡単にすることができ効率的である。
なお、ここでは、第３導電体膜２５３ａ又は２５３ｂと、高融点金属膜（第４導電体膜）２４２とをそれぞれ別々に形成しているが、共通の高融点金属膜として同時に形成してもよい。
【０２１２】
（実施例２２）
−磁気ヘッドの製造−
実施例２２は、本発明のポジ型レジスト組成物を用いた本発明のレジストパターンの応用例としての磁気ヘッドの製造に関する。なお、この実施例２２では、以下のレジストパターン３０２及び３２６が、本発明のポジ型レジスト組成物を用いて形成したものである。
【０２１３】
図２２（Ａ）〜（Ｄ）は、磁気ヘッドの製造を説明するための工程図である。
まず、図２２（Ａ）に示すように、層間絶縁層３００上に、厚みが６μｍとなるようにレジスト膜を形成し、露光、現像を行って、渦巻状の薄膜磁気コイル形成用の開口パターンを有するレジストパターン３０２を形成した。
次に、図２２（Ｂ）に示すように、層間絶縁層３００上における、レジストパターン３０２上及びレジストパターン３０２が形成されていない部位、即ち開口部３０４の露出面上に、厚みが０．０１μｍであるＴｉ密着膜と厚みが０．０５μｍであるＣｕ密着膜とが積層されてなるメッキ下地層３０６を蒸着法により形成した。
次に、図２２（Ｃ）に示すように、層間絶縁層３００上における、レジストパターン３０２が形成されていない部位、即ち開口部３０４の露出面上に形成されたメッキ下地層３０６の表面に、厚みが３μｍであるＣｕメッキ膜からなる薄膜導体３０８を形成した。
次に、図２２（Ｄ）に示すように、レジストパターン３０２を溶解除去し層間絶縁層３００上からリフトオフすると、薄膜導体３０８の渦巻状パターンによる薄膜磁気コイル３１０が形成される。
以上により磁気ヘッドを製造した。
【０２１４】
ここで得られた磁気ヘッドは、本発明のポジ型レジスト組成物を用いてレジストパターン３０２により渦巻状パターンが微細に形成されているので、薄膜磁気コイル３１０は微細かつ精細であり、しかも量産性に優れる。
【０２１５】
図２３〜図２８は、他の磁気ヘッドの製造を説明するための工程図である。
図２３に示すように、セラミック製の非磁性基板３１２上にスパッタリング法によりギャップ層３１４を被覆形成した。なお、非磁性基板３１２上には、図示していないが予め酸化ケイ素による絶縁体層及びＮｉ−Ｆｅパーマロイからなる導電性下地層がスパッタリング法により被覆形成され、更にＮｉ−Ｆｅパーマロイからなる下部磁性層が形成されている。そして、図示しない前記下部磁性層の磁性先端部となる部分を除くギャップ層３１４上の所定領域に熱硬化樹脂により樹脂絶縁膜３１６を形成した。次に、樹脂絶縁膜３１６上にポジ型レジスト組成物を塗布してレジスト膜３１８を形成した。
【０２１６】
次に、図２４に示すように、レジスト膜３１８に露光、現像を行い、渦巻状パターンを形成した。そして、図２５に示すように、この渦巻状パターンのレジスト膜３１８を数百℃で一時間程度熱硬化処理を行い、突起状の第１渦巻状パターン３２０を形成した。更に、その表面にＣｕからなる導電性下地層３２２を被覆形成した。
【０２１７】
次に、図２６に示すように、導電性下地層３２２上にポジ型レジスト組成物をスピンコート法により塗布してレジスト膜３２４を形成した後、レジスト膜３２４を第１渦巻状パターン３２０上にパターニングしてレジストパターン３２６を形成した。
次に、図２７に示すように、導電性下地層３２２の露出面上に、即ちレジストパターン３２６が形成されていない部位上に、Ｃｕ導体層３２８をメッキ法により形成した。その後、図２８に示すように、レジストパターン３２６を溶解除去することにより、導電性下地層３２２上からリフトオフし、Ｃｕ導体層３２８による渦巻状の薄膜磁気コイル３３０を形成した。
以上により、図２９の平面図に示すような、樹脂絶縁膜３１６上に磁性層からなる書き込み磁極３３２を有し、表面に薄膜磁気コイル３３０が設けられた磁気ヘッドを製造した。なお、ここでは磁性層からなる書き込み磁極３３２のパターンは、本発明のポジ型レジスト組成物を上層に、ノボラックレジストを下層とし、露光、現像を行って形成した上層パターンを酸素プラズマで下層に垂直転写した後、めっき膜を形成し、レジスト剥離、めっきベースエッチングを順次行って形成した。
【０２１８】
ここで得られた磁気ヘッドは、本発明のポジ型レジスト組成物を用いて形成されたレジストパターン３２６により渦巻状パターンが微細に形成されているので、薄膜磁気コイル３３０及び磁性層からなる書き込み磁極３３２の先端部分は微細、精細かつ高アスペクト比であり、しかも量産性に優れる。
【０２１９】
ここで、本発明の好ましい態様を付記すると、以下の通りである。
（付記１）  下記式（１）で表されるアルカリ可溶性シロキサン重合体と、感光性化合物とを含有し、厚みが１μｍの塗膜のｉ線透過率が５〜６０％であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【化４８】
0004373082.tif 000042
前記式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、一価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。Ａは、下記式（２）で表されるフェノール性水酸基を有する基を表す。ａ＋ｂ＋ｃ＝１である。
【化４９】
0004373082.tif 000043
前記式（２）中、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、水素原子又は一価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。ｍは、整数を表す。ｎは、１〜５の整数を表す。
（付記２）  厚みが１μｍの塗膜のｉ線透過率が１４〜３９％である付記１に記載のポジ型レジスト組成物。
（付記３）  式（１）中、０．２５≦ａ≦０．６０であり、０≦ｃ≦０．２５である付記１又は２に記載のポジ型レジスト組成物。
（付記４）  式（１）中、０．４０≦ａ≦０．６０である付記１から３のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
（付記５）  式（１）中、０．０２≦ｃ≦０．２０である付記１から４のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
（付記６）  アルカリ可溶性シロキサン重合体の重量平均分子量が１，０００〜３０，０００である付記１から５のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
（付記７）  アルカリ可溶性シロキサン重合体の分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）が１〜５である付記１から６のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
（付記８）  式（２）中、ｍが１〜３の整数を表す付記１から７のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
（付記９）  アルカリ可溶性シロキサン重合体が、下記式（３）及び（４）のいずれかで表される有機ケイ素化合物の少なくとも１種と、テトラアルコキシシランから選択される少なくとも１種とを反応させて得られた付記１から８のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【化５０】
0004373082.tif 000044
前記式（３）中、Ｒ１及びＲ２は、一価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、水素原子又は一価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。Ｙは、Ｘ又はＯＲ６を表す。Ｘは、ハロゲン原子を表す。Ｒ６は、水素原子又はアルキル基を表す。Ｒ７は、Ｙ＝Ｘのときｔ−ブチル基を表し、Ｙ＝ＯＲ６のとき水素原子又はｔ−ブチル基を表す。ｍは、整数を表す。ｋは、１〜５の整数を表す。
【化５１】
0004373082.tif 000045
前記式（４）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ８及びＲ９は、一価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２は、水素原子又は一価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。Ｒ７及びＲ１３は、水素原子又はｔ−ブチル基を表し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。ｊ及びｍは、整数を表す。ｉ及びｋは、１〜５の整数を表す。
（付記１０）  反応が、酸触媒存在下での加水分解・縮合反応である付記９に記載のポジ型レジスト組成物。
（付記１１）  テトラアルコキシシランが、テトラメトキシシラン及びテトラエトキシシランの少なくとも一方である付記９又は１０に記載のポジ型レジスト組成物。
（付記１２）  アルカリ可溶性シロキサン重合体が、そのシラノール基の一部が下記一般式（５）と反応して得られた付記９から１１のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【化５２】
0004373082.tif 000046
前記式（５）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ８及びＲ９は、一価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２は、水素原子又は一価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。ｊ及びｍは、整数を表す。ｉ及びｎは、１〜５の整数を表す。
（付記１３）  アルカリ可溶性シロキサン重合体が、そのシラノール基の一部が下記式（３）におけるＹ＝Ｘであり、かつＲ７＝ｔ−ブチル基であるものと反応した後、ｔ−ブチル基が酸により水素原子に置換されてなる付記９から１１のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【化５３】
0004373082.tif 000047
前記式（３）中、Ｒ１及びＲ２は、一価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、水素原子又は一価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。Ｘは、ハロゲン原子を表す。ｍは、整数を表す。ｋは、１〜５の整数を表す。
（付記１４）  式（１）中、Ａが、下記式（６）及び下記式（７）のいずれかで表される付記１から１３のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【化５４】
0004373082.tif 000048
【化５５】
0004373082.tif 000049
（付記１５）  アルカリ可溶性シロキサン重合体が、そのシラノール基の水素原子の一部が下記式（８）で置換されてなる付記１から１４のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【化５６】
0004373082.tif 000050
前記式（８）中、Ｒ１４、Ｒ１５及びＲ１６は、一価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。
（付記１６）  式（８）で置換された置換率が５〜９０％である付記１５に記載のポジ型レジスト組成物。
（付記１７）  ポリカルボン酸系界面活性剤及びＨＬＢ値が９以下であるノニオン界面活性剤から選択される少なくとも１種の界面活性剤と、水酸基と直接結合しているケイ素原子が全ケイ素原子数の１９％以下であるアルカリ可溶性シロキサン重合体と、感光性化合物とを含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
（付記１８）  ポリカルボン酸系界面活性剤、ソルビタンエステル系界面活性剤、ポリエチレングリコールモノエステル系界面活性剤及びポリエチレングリコールモノエーテル系界面活性剤から選択される少なくとも１種の界面活性剤と、水酸基と直接結合しているケイ素原子が全ケイ素原子数の１９％以下であるアルカリ可溶性シロキサン重合体と、感光性化合物とを含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
（付記１９）  界面活性剤のＨＬＢ値が９以下である付記１８に記載のポジ型レジスト組成物。
（付記２０）  アルカリ可溶性シロキサン重合体が、下記式（Ｉ）で表される付記１７から１９のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【化５７】
式（Ｉ）
(ＲA)ｄ(Ｏ1/2ＳｉＲ17Ｒ18−Ｂ)ｅ(Ｏ1/2ＳｉＲ19Ｒ20ＯＨ)ｆ(Ｏ1/2ＳｉＲ19Ｒ20ＯＲ21)ｇ
ただし、ＲAは、下記式（II）〜（Ｖ）で表されるオルガノシロキサン残基を表す。Ｂは、下記式（VI）又は下記式（VII）で表される基を表す。Ｒ17〜Ｒ20は、互いに独立して、水素原子、酸素原子又は一価の有機基を表す。Ｒ21は、一価の有機基又はシリル基を表す。ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＝１としたとき、０．２５≦ｄ≦０．６０であり、かつｆ≦０．１９である。
【化５８】
（Ｏ４／２Ｓｉ）    式（II）
（Ｏ３／２Ｓｉ）    式（III）
（Ｏ２／２Ｓｉ）    式（IV）
（Ｏ１／２Ｓｉ）    式（Ｖ）
【化５９】
0004373082.tif 000051
【化６０】
―（ＣＲ２３Ｒ２４）ｍ−ＣＯＯＲ２５    式（VII）
ただし、前記式（VI）及び式（VII）において、Ｒ３〜Ｒ５及びＲ２２〜Ｒ２５は、水素原子又は一価の有機基を表す。Ｂ’は、−Ｏ−又は−ＣＯＯ−を表す。ｍは、０〜３の整数を表す。ｎは、１〜５の整数を表す。
（付記２１）  ＲAが、下記式（II'）〜（IV’）で表される有機ケイ素化合物から選択される少なくとも１種を縮合して得られるオルガノシロキサン残基、又は、前記式（II'）〜（IV’）で表される少なくとも１種の有機ケイ素化合物と、下記式（Ｖ）で表される有機ケイ素化合物とを縮合して得られるオルガノシロキサン残基である付記２０に記載のポジ型レジスト組成物。
【化６１】
(Ｒ２６Ｏ)４Ｓｉ                  （II'）
(Ｒ２６Ｏ)３ＳｉＲ２７             （III'）
(Ｒ２６Ｏ)２ＳｉＲ２８Ｒ２９         （IV'）
(Ｒ２６Ｏ)ＳｉＲ３０Ｒ３１Ｒ３２      （Ｖ'）
ただし、前記式（II'）〜（IV’）中、Ｒ２６は、メチル基又はエチル基を表す。Ｒ２７〜Ｒ３２は、水素原子又は一価の有機基を表す。
（付記２２）  アルカリ可溶性シロキサン重合体が下記式（１）で表され、１μｍの塗膜のｉ線透過率が５〜６０％であるポジ型レジスト組成物に用いられる付記１７から２１のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【化６２】
0004373082.tif 000052
前記式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、一価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。Ａは、下記式（２）で表されるフェノール性水酸基を有する基を表す。ａ＋ｂ＋ｃ＝１である。
【化６３】
0004373082.tif 000053
前記式（２）中、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、水素原子又は一価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。ｍは、整数を表す。ｎは、１〜５の整数を表す。
（付記２３）  感光性化合物が１，２−ナフトキノンジアジド基を有する付記１７から２２のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
（付記２４）  位相差シフトマスクを用いたパターニングに用いられる付記１７から２３のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
（付記２５）  位相差シフトマスクがハーフトーンマスクである付記２４に記載のポジ型レジスト組成物。
（付記２６）  アルカリ可溶性シロキサン重合体が非化学増幅型であり、感光性化合物の含有量が、全固形分に対し、１０〜５０質量％である付記１から２５のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
（付記２７）  アルカリ可溶性シロキサン重合体が化学増幅型であり、感光性化合物の含有量が、全固形分に対し、０．１〜１０質量％である付記１から２５のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
（付記２８）  感光性化合物のｉ線吸光度が１．００〜３．５０である付記１から２７のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
（付記２９）  ｉ線用レジスト組成物である付記１から２８のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
（付記３０）  多層のレジスト膜における上層に用いられる付記１から２８のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
（付記３１）  酸素プラズマエッチング処理されるレジスト膜に用いられる付記１から３０のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
（付記３２）  磁気へッド、高電子移動度トランジスタ及びプラズマディスプレイから選択される少なくとも１種の製造に用いられる付記１から３１のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
（付記３３）  下記式（１）で表され、１μｍの塗膜のｉ線透過率が５〜６０％であるポジ型レジスト組成物に用いられることを特徴とするアルカリ可溶性シロキサン重合体。
【化６４】
0004373082.tif 000054
前記式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、一価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。Ａは、下記式（２）で表されるフェノール性水酸基を有する基を表す。ａ＋ｂ＋ｃ＝１である。
【化６５】
0004373082.tif 000055
前記式（２）中、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、水素原子又は一価の有機基を表し、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。ｍは、整数を表す。ｎは、１〜５の整数を表す。
（付記３４）  付記１から３２のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、該レジスト膜に現像処理を行ってレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程とを含むことを特徴とするレジストパターンの製造方法。
（付記３５）  付記３４に記載のレジストパターンの製造方法により製造されることを特徴とするレジストパターン。
（付記３６）  厚みが１μｍ以下である付記３５に記載のレジストパターン。
（付記３７）  付記３５又は３６に記載のレジストパターンを用いて形成されたパターンを少なくとも有してなることを特徴とする電子回路装置。
（付記３８）  付記３４に記載のレジストパターンの製造方法により下地層上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチング及びリフトオフのいずれかにより前記下地層をパターニングするパターニング工程とを含むことを特徴とする電子回路装置の製造方法。
【０２２０】
【発明の効果】
本発明によると、前記要望に応え、従来における前記諸問題を解決することができ、磁気ヘッド、半導体素子等の電子回路装置の製造に好適であり、微細パターンを形成可能なレジストパターン及び該レジストパターンを短時間で効率的に製造可能なレジストパターンの製造方法、該レジストパターンの製造に好適であり、酸素プラズマ耐性、解像性、保存安定性等に優れ、ｉ線を用いた２層レジスト法における上層レジストの材料として特に好適であり、ハーフトーンマスクを用いてパターンニングした場合にサイドローブの発生が少ないレジスト膜を形成可能であり、電子回路素子の高集積化に寄与し得るポジ型レジスト組成物、並びに、前記レジストパターンを用いて形成した微細パターンを有してなる電子回路装置及び該電子回路装置を短時間で効率的に製造可能な電子回路装置の製造方法、を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、２層レジスト法における上層に本発明のポジ型レジスト組成物を用いて、レジストパターンを形成した実施例を説明するための工程図（その１）である。
【図２】図２は、２層レジスト法における上層に本発明のポジ型レジスト組成物を用いて、レジストパターンを形成した実施例を説明するための工程図（その２）である。
【図３】図３は、磁気ヘッド（ＭＲ型ヘッド）におけるＭＲ素子部の一例を示す概略説明図である。
【図４】図４は、図３に示すＭＲ素子部の製造の工程例を示す概略説明図（その１）である。
【図５】図５は、図３に示すＭＲ素子部の製造の工程例を示す概略説明図（その２）である。
【図６】図６は、ＭＲ素子に接続する端子を、第１レジスト層と第２レジスト層との２層レジストを利用して形成した状態を示す平面図である。
【図７】図７は、図６における５０−５０断面図及び５０'−５０’断面図である。
【図８】図８は、磁気ヘッド（ＭＲヘッド）用のＭＲ素子をリフトオフプロセスにより作製した一例を示す工程図（その１）である。
【図９】図９は、磁気ヘッド（ＭＲヘッド）用のＭＲ素子をリフトオフプロセスにより作製した一例を示す工程図（その２）である。
【図１０】図１０は、磁気ヘッド（ＭＲヘッド）用のＭＲ素子をミリングプロセスにより作製した一例を示す工程図（その１）である。
【図１１】図１１は、磁気ヘッド（ＭＲヘッド）用のＭＲ素子をミリングプロセスにより作製した一例を示す工程図（その２）である。
【図１２】図１２は、ＨＥＭＴのＴゲート電極の製造例を示す工程図である。
【図１３】図１３は、プラズマディスプレイパネルにおける隔壁形成プロセス例を示す工程図（その１）である。
【図１４】図１４は、プラズマディスプレイパネルにおける隔壁形成プロセス例を示す工程図（その２）である。
【図１５】図１５は、プラズマディスプレイパネルの模式図である。
【図１６】図１６は、本発明の電子回路装置としての半導体装置の一例であるＦＬＡＳＨ
ＥＰＲＯＭを説明するための上面図である。
【図１７】図１７は、本発明の電子回路装置としての半導体装置の製造方法に関する一例であるＦＬＡＳＨ  ＥＰＲＯＭの製造方法を説明するための断面概略図（その１）である。
【図１８】図１８は、本発明の電子回路装置としての半導体装置の製造方法に関する一例であるＥＰＲＯＭの製造方法を説明するための断面概略図（その２）である。
【図１９】図１９は、本発明の電子回路装置としての半導体装置の製造方法に関する一例であるＥＰＲＯＭの製造方法を説明するための断面概略図（その３）である。
【図２０】図２０は、本発明の電子回路装置としての半導体装置の製造方法に関する他の一例であるＥＰＲＯＭの製造方法を説明するための断面概略図である。
【図２１】図２１は、本発明の電子回路装置としての半導体装置の製造方法に関する他の一例であるＥＰＲＯＭの製造方法を説明するための断面概略図である。
【図２２】図２２は、本発明のポジ型レジスト組成物を用いて形成したレジストパターンを磁気ヘッドの製造に応用した一例を説明するための断面概略図である。
【図２３】図２３は、本発明のポジ型レジスト組成物を用いて形成したレジストパターンを磁気ヘッドの製造に応用した他の例の工程（その１）を説明するための断面概略図である。
【図２４】図２４は、本発明のポジ型レジスト組成物を用いて形成したレジストパターンを磁気ヘッドの製造に応用した他の例の工程（その２）を説明するための断面概略図である。
【図２５】図２５は、本発明のポジ型レジスト組成物を用いて形成したレジストパターンを磁気ヘッドの製造に応用した他の例の工程（その３）を説明するための断面概略図である。
【図２６】図２６は、本発明のポジ型レジスト組成物を用いて形成したレジストパターンを磁気ヘッドの製造に応用した他の例の工程（その４）を説明するための断面概略図である。
【図２７】図２７は、本発明のポジ型レジスト組成物を用いて形成したレジストパターンを磁気ヘッドの製造に応用した他の例の工程（その５）を説明するための断面概略図である。
【図２８】図２８は、本発明のポジ型レジスト組成物を用いて形成したレジストパターンを磁気ヘッドの製造に応用した他の例の工程（その６）を説明するための断面概略図である。
【図２９】図２９は、図２３〜図２８の工程で製造された磁気ヘッドの一例を示す平面図である。
【符号の説明】
１          シリコン基板
３          第１レジスト層
５          第２レジスト層（本発明のポジ型レジスト組成物による層）
５ａ        露光部
５ｘ        パターン
７          混合層（インターレイヤー）
９          フォトマスク
９ａ        遮光部
１０ａ      積層パターン
１１        ＭＲ素子部
１２        端子
２１        支持材
２２        アルミナ層
２３        下部シールド層
２４        下部ギャップ層
２５        ＭＲパターン
２６        第１レジスト層
２７        単色光
２９        第２レジスト層
３０        ｉ線
３１        露光部
３２        露光部
３３        端子形成材料
４１        ＭＲ素子
４２        端子
４３        第１レジスト層
４４        第２レジスト層
６１        支持材
６２        アルミナ層
６３        下部シールド層
６３’      下部シールド
６４        下部ギャップ層
６４’      下部ギャップ
６５        ＭＲ膜
６６        ＭＲ素子
６７        マスクパターン
６８        端子
８１        金属膜
８３        下部シールド層
８４        下部ギャップ層
８５        ＭＲ膜
８５ａ      ＭＲ素子
８６        第１レジスト層
８７        第２レジスト層
８８        ｉ線
８９        ２層レジストパターン
９０        ＧａＡｓ基板
９１        レジストパターン
９２        絶縁膜
９２ａ      開口部
９３        第１金属配線層
９４        レジスト層
９４ａ      開口部
９５        第２金属配線層
１００      ガラス基板
１０１      アドレス電極
１０２      下地層
１０３      基板
１０４      感光性樹脂層
１０５      フォトマスク
１０７      溶射膜
１０８      プラズマ溶射トーチ
１０９      プラズマジェット
１１０      冷却ガスポート
１１１      冷却ガス
１５０      前面基板
１５１      背面基板
１５２      表示電極
１５３      表示電極
１５４      誘電体層
１５５      ＭｇＯ誘電体層保護層
１５６      アドレス電極
１５７      誘電体層
１５８      隔壁
１５９      蛍光体層
１６０      放電ガス
２２２      Ｓｉ基板（半導体基板）
２２３      フィールド酸化膜
２２４ａ    第１ゲート絶縁膜
２２４ｂ    第２ゲート絶縁膜
２２５ａ    第１閾値制御層
２２５ｂ    第２閾値制御層
２２６      レジスト膜
２２７      レジスト膜
２２８      第１ポリシリコン層（第１導電体膜）
２２８ａ    フローティングゲート電極
２２８ｂ    ゲート電極（第１ポリシリコン膜）
２２８ｃ    フローティングゲート電極
２２９      レジスト膜
２３０ａ    キャパシタ絶縁膜
２３０ｂ    キャパシタ絶縁膜
２３０ｃ    キャパシタ絶縁膜
２３０ｄ    ＳｉＯ２膜
２３１      第２ポリシリコン層（第２導電体膜）
２３１ａ    コントロールゲート電極
２３１ｂ    第２ポリシリコン膜
２３２      レジスト膜
２３３ａ    第１ゲート部
２３３ｂ    第２ゲート部
２３３ｃ    第２ゲート部
２３４      レジスト膜
２３５ａ    Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）領域層
２３５ｂ    Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）領域層
２３６ａ    Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）領域層
２３６ａ    Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）領域層
２３７      層間絶縁膜
２３８ａ    コンタクトホール
２３８ｂ    コンタクトホール
２３９ａ    コンタクトホール
２３９ｂ    コンタクトホール
２４０ａ    Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）電極
２４０ｂ    Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）電極
２４１ａ    Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）電極
２４１ｂ    Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）電極
２４２      高融点金属膜（第４導電体膜）
２４２ａ    高融点金属膜（第４導電体膜）
２４２ｂ    高融点金属膜（第４導電体膜）
２４４ａ    第１ゲート部
２４４ｂ    第２ゲート部
２４５ａ    Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）領域層
２４５ｂ    Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）領域層
２４６ａ    Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）領域層
２４６ｂ    Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）領域層
２４７      層間絶縁膜
２４８ａ    コンタクトホール
２４８ｂ    コンタクトホール
２４９ａ    コンタクトホール
２４９ｂ    コンタクトホール
２５０ａ    Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）電極
２５０ｂ    Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）電極
２５１ａ    Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）電極
２５１ｂ    Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）電極
２５２ａ    開口部
２５２ｂ    開口部
２５３ａ    高融点金属膜（第３導電体膜）
２５３ｂ    高融点金属膜（第３導電体膜）
２５４      絶縁膜
３００      層間絶縁層
３０２      レジストパターン
３０４      開口部
３０６      メッキ下地層
３０８      薄膜導体（Ｃｕメッキ膜）
３１０      薄膜磁気コイル
３１２      非磁性基板
３１４      ギャップ層
３１６      樹脂絶縁層
３１８      レジスト膜
３１８ａ    レジストパターン
３２０      第１渦巻状パターン
３２２      導電性下地層
３２４      レジスト膜
３２６      レジストパターン
３２８      Ｃｕ導体膜
３３０      薄膜磁気コイル
３３２      磁性層からなる書き込み磁極
【図１】
0004373082.tif 000059
【図２】
0004373082.tif 000060
【図３】
0004373082.tif 000061
【図４】
0004373082.tif 000062
【図５】
0004373082.tif 000063
【図６】
0004373082.tif 000064
【図７】
0004373082.tif 000065
【図８】
0004373082.tif 000066
【図９】
0004373082.tif 000067
【図１０】
0004373082.tif 000068
【図１１】
0004373082.tif 000069
【図１２】
0004373082.tif 000070
【図１３】
0004373082.tif 000071
【図１４】
0004373082.tif 000072
【図１５】
0004373082.tif 000073
【図１６】
0004373082.tif 000074
【図１７】
0004373082.tif 000075
【図１８】
0004373082.tif 000076
【図１９】
0004373082.tif 000077
【図２０】
0004373082.tif 000078
【図２１】
0004373082.tif 000079
【図２２】
0004373082.tif 000080
【図２３】
0004373082.tif 000081
【図２４】
0004373082.tif 000082
【図２５】
0004373082.tif 000083
【図２６】
0004373082.tif 000084
【図２７】
0004373082.tif 000085
【図２８】
0004373082.tif 000086
【図２９】
0004373082.tif 000087