(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基体、該半導体基体の上に配置された絶縁体層、該絶縁体層の上に配置された触媒金属ゲート層、および該触媒金属ゲートの上に配置された保護層を含んでなり、前記保護層が腐食性ガスからの保護および異物および水の少なくとも１種からの干渉からの保護の一つを提供する物質を含んでおり、この保護層がセンサーの表面化学的性質および表面物理的性質の少なくとも１つを変化させ、指定されたガスの前記触媒金属ゲート層との相互作用を許容し、そして前記指定されたガス以外のガス、水および異物の少なくとも１種の通過を減少し、
前記保護層が単一原子厚の層を含み、
前記単一原子厚の層が沃素原子を含む、
ガスの検出のために設計されたセンサー。
【請求項２】
前記触媒金属ゲート層が白金、パラジウム、イリジウム、ルテニウム、ニッケル、銅、ロジウム、モリブデン、鉄、コバルト、チタン、バナジウム、タンタル、タングステン、クロム、マンガン、金、銀、アルミニウム、錫、オスミウム、マグネシウム、亜鉛、これらの物質の合金およびこれらの物質の組合せからなる群から選ばれる物質を含んでいる、請求項１記載のセンサー。
【請求項３】
前記触媒金属ゲート層が白金、パラジウムおよびパラジウム：銀の一つから形成されたゲートを含んでいる、請求項１記載のセンサー。
【請求項４】
半導体基体、該半導体基体の上に配置された絶縁体層、該絶縁体層の上に配置された触媒金属ゲート層、および該触媒金属ゲートの上に配置された保護層を含んでなり、前記保護層が腐食性ガスからの保護および異物および水の少なくとも１種からの干渉からの保護をセンサーに提供する物質を含んでおり、この保護層がセンサーの表面化学的性質および表面物理的性質の少なくとも１つを変化させ、指定されたガスを前記触媒金属ゲート層へ通過させ、そして前記指定されたガス以外のガス、水および異物の少なくとも１種の通過を防ぐようにしたセンサーを用意し、前記センサーを検出する指定されたガスを含んでいる可能性のあるガス状環境に露出し、前記ガス状環境を通過させて前記触媒金属ゲート層と相互作用させ、この際前記保護層が水、異物および前記指定されたガス以外のガスがそこを通過する量を減少し、前記指定されたガスが前記触媒金属ゲートと接触するときに、前記指定されたガスの化学構造を原子的および分子的に変える少なくとも１つによって前記指定されたガスに変化を与え、こうして変化を受けた指定されたガスを前記絶縁体層へ通過させ、そして前記センサーの感度を変化させることを含み、前記保護層が単一原子厚の層を含み、前記単一原子厚の層が沃素原子を含む、ガス状環境内の指定されたガスを検出する方法。
【請求項５】
前記指定されたガスの変化が更に、分子状ガスを原子的および分子的構成成分の少なくとも１つに解離することを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
更に前記触媒金属ゲートを、白金、パラジウム、イリジウム、ルテニウム、ニッケル、銅、ロジウム、モリブデン、鉄、コバルト、チタン、バナジウム、タンタル、タングステン、クロム、マンガン、金、銀、アルミニウム、錫、オスミウム、マグネシウム、亜鉛、これらの物質の合金およびこれらの物質の組合せからなる物質の群から選択することを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
半導体基体を準備し、該半導体基体の上に絶縁体層を配置し、該絶縁体層の上に触媒金属ゲート層を配置し、そして該触媒金属ゲート層の上に保護層を配置し、該保護層を少なくとも１種の腐食性ガスからの保護および異物および水の少なくとも１種からの干渉からの保護をセンサーに提供する物質から形成し、この保護層がセンサーの表面化学的性質および表面物理的性質の少なくとも１つを変化させ、指定されたガスの前記触媒金属ゲート層との相互作用を許容し、そして異物、水および前記指定されたガス以外のガスの少なくとも１種の通過を減少するようにすることを含み、前記保護層が単一原子厚の層を含み、前記単一原子厚の層が沃素原子を含む、指定されたガスを検出するためのガスセンサーの形成方法。
【請求項８】
前記触媒金属ゲート層を配置するにあたり、更に白金、パラジウム、イリジウム、ルテニウム、ニッケル、銅、ロジウム、モリブデン、鉄、コバルト、チタン、バナジウム、タンタル、タングステン、クロム、マンガン、金、銀、アルミニウム、錫、オスミウム、マグネシウム、亜鉛、これらの物質の合金およびこれらの物質の組合せからなる群から物質を選択することを含む、請求項７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の分野】
本発明はガスセンサーに係わる。詳しくは、本発明はゲートが保護されたガスセンサーに係わる。
【０００２】
【関連する技術の論議】
ガスおよび蒸気センサーは多くの工業的用途を有する。これらの用途には作業者の安全のための作業場における有害なガスの検出、燃料燃焼における空気−燃料混合物および供給物の向上した制御、生成物収率の向上および生成物流中の廃物の削減が含まれる。これらの用途は一般的には単一のガスまたは蒸気の濃度が有害なレベルに達する可能性があるか検出するために設定される個別のセンサーに依存している。これらのガスの例には限定はされないが硫化水素、一酸化炭素、塩素、アンモニア、水素およびメタンが含まれる。
【０００３】
工業的なガスおよび蒸気の検出法は基本的には２つの技術的経路に沿って発展している。この第一の経路は複雑な分析計器例えば赤外分光法、ガスクロマトグラフおよび質量分析法の使用を伴う。マイクロコントローラーおよびマイクロコンピューターの開発はこれらの分析計器をより小型にしている。これらの計器は非常に強力であるが、例えば非常に徹底したメインテナンスを必要とするなど著しい不利がある。更に、これらの計器は悪い腐食性環境に敏感であり、気候制御エンクロージャ内のガスまたは蒸気源から遠のいて置かれなければならない。従って、ガス（蒸気）試料は分析器まで輸送しなければならず、その結果、リアルタイムの情報を入手できない。また、これらの計器は高価であり、それ故リアルタイムの、その場での用途に対して手の届く候補者ではない。
【０００４】
工業用ガスセンサーの第二の技術的経路は化学センサー技術と共に発展している。化学プロセスにおける化学センサーの適用は良く確立されており、これらの化学センサーはプロセス効率および収率を高めそして廃棄物を減少するためにプロセス流中に置くことができる。例えば、シリコーンプロセス供給物流における水濃度の量の測定は水濃度を検出するために化学センサーを使用することによって向上される。
【０００５】
標的ガスを同定するセンサーの能力は幾つかの因子に依存する。これらの因子には他の干渉するガスおよび蒸気に対するセンサーの感度および標的ガスの濃度が含まれる。標的ガスを他のガスから分離できる能力は選択性と呼ばれる。ガスの検出においてセンサーの検出状態と非検出状態との差が約１０倍を越える選択性の高い既知のセンサーは極わめてまれである。更に、これらの極わめてまれなセンサーの中で、個々のガスを正確に検出する比較的信頼性のあるものは更にまれである。例えば、信頼性のないセンサーは或る干渉物質の濃度が高いと或るガスの量の正しい表示を与えない。実際上は、この制限は高い濃度の干渉物質の可能性がない場合にのみセンサーを使用することによって回避している。しかし、この解決策はセンサーの有効性および使用を制限している。
【０００６】
ガスセンサーはオイル充填電気変圧器中の特定の望ましくないガスの検出に使われている。オイル充填変圧器における障害には絶縁系統におけるアーク発生（電気）、コロナ放電（電気）、低エネルギースパーク発生（電気）、過酷な過負荷（電気）、ポンプモータ故障（電気および熱）および過熱（電気および熱）が含まれる。これらの障害は水素（Ｈ2 ）、アセチレン（Ｃ2Ｈ2）、エチレン（Ｃ2Ｈ4）および一酸化炭素（ＣＯ）のような望ましくないガスを発生しうる。これらの障害条件は変圧器の誤動作を起こすかあるいは誤動作が今にも起こりそうなことを示しており、修正しないと変圧器の故障に至る可能性がある。変圧器の誤動作と変圧器によって発生される障害ガスとの間には統計的な相関関係が存在する。この相関関係は可能性ある変圧器誤動作の前兆を検出するためにガスを利用する。従って、変圧器内の潜在的に危険なガスの正確な検出が達成されるなら、変圧器の可能性ある誤動作および故障に対処することができそしてしばしば回避できる。
【０００７】
一つのクラスのガス検出センサーは通常、半導体基体、この半導体基体上に装着され例えば成長される薄い絶縁体層、およびこの薄い絶縁体層の上に装着され例えば付着されている触媒金属ゲートを含んでいる。この性質のセンサーは既知である。このセンサーの選択性のレベルはゲート物質次第により各ガスで異なる。ゲート物質はいかなる指定されたガスを検出するかを決定し、別の言い方をすれば、ゲート物質はセンサーを指定されたガスに対して調整する。従って、個々のセンサーはそれに合わせて調整されている単一のガスを検出するのに有用ではあろうが、別のガスを検出するには同様に有用ではなかろう。センサーが適当に調整されていないと、指定されたガスは正確に検出されない可能性があり、これは勿論望ましくない。
【０００８】
更に、既知のセンサーは有害な環境からのセンサー部品の保護を提供しない。例えば、腐食性のガスが変圧器内にしばしば存在し、センサーの動作に悪影響を与えている。センサーが正確にそして適正に動作するためには変圧器内のこれらの腐食性ガスをセンサーの触媒ゲートから離しておく必要がある。また、これらの既知のセンサーは変圧器内にしばしば見られる水または粒状異物の干渉から保護されていない。
【０００９】
あるガスセンサーではセンサーを保護する物質の膜、ふるいおよび不連続層の使用を提案されている。しかし、これらの提案はセンサーを腐食、水および粒状異物から保護するとは考えられない。これらの膜、ふるいおよび不連続層はセンサー部品に固定されておらず、そのためこれらはセンサー特にゲートに付着せずそして保護しない。
【００１０】
それ故に、腐食性環境、水および異物からの保護を含んだセンサーを提供することが望ましい。また、指定されたガスを選択的に通過させて検出するよう調整されるように設計できるセンサーを提供することも望ましい。更にまた、種種の用途例えば製造装置内および変圧器を駆動する装置プロセスの故障モードの監視においてガスの濃度を監視する装置を提供することも望ましい。
【００１１】
【発明の要約】
従って、本発明は既知のセンサーにおける上記に述べた欠陥を克服するものである。本発明の一実施の態様では周囲環境中の少なくとも１種の指定されたガスの存在を測定するガスセンサーが開示される。ガスセンサーは半導体基体、半導体基体の上に装着された薄い絶縁体層、薄い絶縁体層の上に装着された触媒金属ゲート層、および触媒金属ゲートの上に装着された保護層を含む。保護層はセンサーの表面化学的性質および物理的性質の少なくとも１つを変化する。保護層を腐食性環境からおよび粒状物質（オイルが劣化したときしばしば生ずる微細な個別の粒子）および水の少なくとも１種からの干渉からセンサーを保護する物質から形成される。保護層はセンサーの指定されたガスに対する感度を高め、そして指定されたガスを触媒金属ゲートへ通過させる。触媒金属ゲートは例えばガス中のＣ−ＨまたはＨ−Ｈ結合の異種開裂（荷電イオンへの分解）によって指定されたガスに変化を与える（ここでは、”変化させる”とする）。得られたイオン原子の水素（Ｈ）はゲート中に拡散してセンサーの電気感度を変える。
【００１２】
同じく、本発明の別の実施の態様によれば、ガス状状態の指定されたガスを検出する方法はセンサーを準備することを含み、このセンサーは、半導体基体、半導体基体の上に配置された絶縁体層、絶縁体層の上に配置された触媒金属ゲート層、および触媒金属ゲートの上に配置された保護層を含む。保護層はセンサーの表面化学的および物理的性質の少なくとも１つを変える。保護層は異物および水からの保護を与える物質から形成される。保護層は指定されたガスを触媒金属層へ通過させてこれと相互作用させ、そして腐食性ガス（塩素および硫化水素）、水、異物（センサーに関連することを意図されていない物質）および指定されたガス以外のガスの通過を減少し更には防止する。センサーは検出される指定されたガスを含んでいる可能性のあるガス状環境の中に位置づけられる。指定されたガスは保護層を通過し、触媒金属ゲート上に吸着されるときに変化を受ける。原子水素（Ｈ）はゲートを通って絶縁層に至り、ここでセンサーの電気的感度を変える。
【００１３】
更に、本発明の別の実施の態様では、指定されたガスを測定するためのガスセンサーを形成する方法が提供される。この方法は半導体基体の上に絶縁体層を備え付け、絶縁体層の上に触媒金属ゲートを備え付け、そして触媒金属ゲートの上に保護層を配置して備え付けることを含む。保護層はセンサーの表面化学的および物理的性質の少なくとも１つを変える。保護層は腐食性ガス（塩化物および硫化水素）からの保護および異物（センサーに関連することを意図されていない物質）および水の少なくとも１種からの干渉からの保護を与える物質から形成される。保護層は指定されたガスを触媒金属ゲート層へ通過させ、ここで指定されたガスは例えば原子および分子レベルの一つで変化を受ける。保護層は異物、水および指定されたガス以外のガスの通過を減少し更には防止し、そして指定されたガスに変化を与える。指定されたガスの原子水素（Ｈ）はゲートを通って絶縁体層に至り、ここで変化を受けた指定されたガスが電気的感度を変えることによってセンサーの性能を変える。
【００１４】
本発明のこれらおよびその他の観点、利点並びに顕著な特徴は、図面に関連して本発明の実施の態様を開示している以下の詳細な記述から明らかとなろう。図中、類似の部品は図面全体を通じて同じ参照記号で表示されている。
【００１５】
【発明の記述】
限定はされないが例えば金属−絶縁体−半導体（ＭＩＳ）ダイオードガスセンサーおよび電界効果変換器（ＦＥＴ）ガスセンサーのようなガスセンサーは当業界で知られている。これらのセンサーは半導体基体、この半導体基体の上に装着された薄い絶縁体層、およびこの薄い絶縁体層の上に装着された触媒金属ゲート（ゲート）を含んでいる。これらの既知のセンサーは一般に清浄な、乾燥した、非腐食性環境においてガスを監視するために使われている。
【００１６】
水素ガスを検出されるガスとして使用したＭＩＳガスセンサーの一般化された操作がここに提供される。センサー、その運転および水素ガスは単なる例示であって、本発明を限定する意味はない。最初に、水素ガス分子（Ｈ2 ）が包囲する周囲環境から金属ゲート上に吸着される。吸着された分子は例えば分子または原子レベルの一つで触媒的に互いに解離されるなどによって変化を受ける。水素ガス（Ｈ2 ）の場合には、分子（Ｈ2 ）は個々の水素原子（Ｈ）に解離される。ついで、原子状の水素（Ｈ）は金属ゲートを通って半導体基体における金属−酸化物界面へ拡散する。この拡散によってダイポール層が形成され、これがセンサーの電気伝導度を変調して基体の導電率を変える。限定はされないが例えばアミン類、メルカプタン類、炭化水素類およびアルコール類のような水素を含有する多くの個別のガスをこのようにしてセンサーで検出することができる。
【００１７】
各水素含有ガスに対する感度のレベルは個々のゲート物質それぞれにより異なる。センサーは特定のゲート物質によって特定のガスに対して調整される。既知のセンサーは清浄な、乾燥した、非腐食性環境においては単一の水素含有ガスに対して満足のいく動作を提供する。これらの既知のセンサーはしかしながら環境が清浄でなく粒状物質（オイルが劣化したときしばしば生ずる微細な個別の粒子）のような異物（センサーに関連することを意図されていない物質）を含んでおりあるいは水蒸気を含んでいる場合には、効果的に動作しない。又、センサーが腐食性ガス（塩素および硫化水素）の環境に置かれるか、あるいはセンサーが指定されたガスに対して満足のいく調整された（感度）レベルを持っていない場合にも、既知のセンサーは効果的に動作しない。
【００１８】
従って、本発明によって具体化されているように、センサーは水蒸気、異物（センサーに関連することを意図されていない物質）および腐食性ガス（塩素および硫化水素）の少なくとも１種の存在下においてセンサーを保護するために保護構造物を含んでいる。センサーは水素含有ガスのような指定されたガスに対して望ましい感度を提供するゲート物質を含んでいる。ゲート物質は保護層によって保護が与えられているので、電気変圧器にしばしば見られるような腐食性ガス環境において腐食されない。その結果、ガスセンサー１は腐食性環境に置くことができ、リアルタイムのデータを提供する。
【００１９】
本発明は変圧器内のセンサーについて記載されるが、しかしこれは本発明のセンサーの用途の単に一例にすぎない。他の用途には化学プロセス流、密閉された潜在的に危険な環境およびガスの検出が望まれるその他の場所におけるガスの検出が含まれる。
【００２０】
変圧器内では、障害または差し迫った障害を示す概して４つのガスがある。これらの障害およびその潜在的な前兆を示すガスは以下の通りである。
ａ）熱的−オイル；Ｃ2Ｈ4
ｂ）熱的−セルロース；ＣＯ2，ＣＯ
ｃ）電気的−コロナ；Ｈ2
ｄ）電気的−アーク；Ｈ2，Ｃ2Ｈ2
この相関関係を知れば、変圧器内に発生したガスの分析により変圧器内の可能性ある障害のタイプを評価することができる。
【００２１】
図１に例示されているように、本発明の一実施の態様によるガスセンサー１はソリッドステートセンサー例えば金属−絶縁体−半導体（ＭＩＳ）センサー（同じく金属−酸化物−半導体（ＭＯＳ）センサーとしても知られている）を含む。ＭＩＳセンサーは本発明の範囲に入るセンサーの単なる例示であり、以下の記載で使用されるが、しかし本発明を何ら限定するものではない。
【００２２】
ガスセンサー１は半導体基体１０、薄い絶縁体の層２０および触媒金属ゲート層３０を含む。保護層４０が触媒金属ゲート３０の上に配置され装着される。保護層４０のゲート３０上への配置は例えば保護層４０をゲート３０に連続した一体の態様で直接接着するように付着して行われる。保護層４０は水蒸気、腐食性ガスおよび粒状物のような異物の少なくとも１種からセンサー１を保護するカバーを提供する。保護層４０が連続した一体の態様で接着されるので、センサー１は保護されて汚染物質はゲート３０に到達し得ない。
【００２３】
こうして改修されたガスセンサー１では、保護層４０がセンサー１の表面化学的特性を変える。あるいは、保護層４０はセンサー１の表面物品的性質を変える。あるいは更に、センサー１の表面化学的および表面物理的性質が保護層４０によって変えられる。
【００２４】
触媒金属ゲート層３０は適当な腐食抵抗性のゲート材料の物質の適当な厚さの層を含む。例えば、触媒金属ゲート層３０の物質は適当な金属物質、限定されないが例えば白金、パラジウム、イリジウム、ルテニウム、ニッケル、銅、ロジウム、モリブデン、鉄、コバルト、チタン、バナジウム、タンタル、タングステン、クロム、マンガン、金、銀、アルミニウム、パラジウム：銀、錫、オスミウム、マグネシウム、亜鉛、これらの物質の合金およびこれらの物質の組合せの少なくとも１種を含む。触媒金属ゲート３０は厚さが約５ｎｍ乃至約５０ｎｍの範囲、好ましくは約１５ｎｍ乃至約３０ｎｍの範囲、更により好ましくは約２０ｎｍの層を含む。触媒金属ゲート層３０の厚さはこの改修ゲートガスセンサー１の意図される用途次第である。
【００２５】
絶縁体層２０は二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）のような適当な絶縁性物質を含む。しかし、酸化チタン（ＴｉＯx ）、窒化珪素およびアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）のような任意の他の適当な物質を絶縁体層２０に使用することができる。絶縁体層２０は一般的に約１ｎｍ乃至約１０ｎｍの範囲、好ましくは約５ｎｍの厚さを有する。絶縁体層２０の厚さはこの改修ゲートガスセンサー１の意図される用途次第である。
【００２６】
この改修ゲートガスセンサー１の半導体基体１０は限定されないが例えばシリコン、二酸化珪素、ゲルマニウムおよびその他の半導体物質のような適当な半導体物質を含む。絶縁体層２０および半導体基体１０が絶縁体−オン−半導体基体系１００を定義する。本発明の一実施の態様では、絶縁体−オン−半導体基体系１００はシリコン上のＳｉＯ2 を含むが、しかしその他の絶縁体−オン−半導体基体系１００も本発明の範囲内である。触媒金属ゲート層３０、薄い絶縁体層２０および半導体基体１０の物質の正確な組合せは、ここに記述されているように、保護層４０がセンサー１を保護する限りは、任意の物質を含むことができる。
【００２７】
保護層４０はセンサー１の化学的性質および物理的性質の少なくとも一つを変える（変性する）。例えば、センサー１は不純物の吸着を防ぐ変性された化学的および物理的性質を保護層４０によって具備される。更に、保護層４０は水蒸気の干渉を減少しそして回避する可能性のある疎水性表面を与えるので、センサー１は化学的に変性される。
【００２８】
保護層４０はある種のガスのみを通過させて触媒金属ゲート層３０と相互作用させることによりセンサーの感度を改善する。保護層４０を通過する他のガス並びに異物の量は減少され、その通過を防止すらされる。従って、センサー１は変更された物理的性質を具備する。更に、保護層４０はセンサー１と相互作用する物質を変えるので、センサー１の表面化学的性質が変更される。
【００２９】
保護層４０は少なくとも１つの層を含み、この少なくとも１つの層は例えば１層の沃素原子の付着のような、単一原子厚の層をゲート層３０の上に置くことによって形成される層のような単一原子厚層を含む。あるいは、保護層４０は層が少なくとも２原子の厚さである多原子厚層の付着によって形成された層を含む。あるいは又、保護層４０は一分子層例えば、ポリテトラフルオロエチレンのような比較的に複雑な有機分子の層の如き１層の小さな分子の付着によって形成された層、を含む。あるいは又更に、保護層４０は一重合体層例えば、疎水性ポリテトラフルオロエチレンの薄いフィルムのような重合体物質の薄いフィルムの付着によって形成された層、を含む。保護層４０の物質および深さは検出される指定されたガスに関する感度および性能に対して選択される。
【００３０】
保護層４０はセンサー１の製造中に例えば蒸着法、スクリーン法、コーティング法およびその他の適当な製造技術によって金属ゲート層３０上に配置される。あるいは、保護層４０は既存のセンサー上に、その最終的な製造完了後に配置して、この既存のセンサーを改良する。既存のセンサーの改良では、調整のために別々のゲート物質を与えて複数のセンサーを製造することができる。既存のセンサーは本質的に同じ構造および特徴を持っており、保護層４０は既存のセンサーの製造後にその上に配置されて、このセンサーに指定されたガスの通過に対するその調整を施す。従って、保護層４０次第により、例えば複数の指定されたガスに対しリアルタイムの応答を与えるために複数の改良されたガスセンサーを整列させて形成できる。
【００３１】
図２に関連して、保護層４０を備えるガスセンサー１の例示の動作をここに論ずる。以下の操作では水素に対して感度を有するように調整されたセンサーを使用するが、しかしこれは本発明を何ら限定するものではない。本発明によって具体化されるセンサーは、センサーを調整して指定されたガス、例えばこのガスのリアルタイムデータを検出するような物質を含んでいる。
【００３２】
操作においては、改修ゲートガスセンサー１は検出される指定されたガス、例えば水素を含有する周囲環境５０内のある箇所に置かれる。周囲環境５０は任意の数のガスおよび粒状物のような異物を含んでいる。保護層４０は水素分子（Ｈ2 ）のみの通過を許容する。他のガスおよび異物は保護層４０を通過しない。保護層４０は腐食性ガス、水および粒状物のような異物が通過するのを許さないのでセンサー１をこれらからの損傷より保護する。
【００３３】
分子状水素Ｈ2 が保護層４０を通過すると、このＨ2 は触媒金属ゲート３０と相互作用する。次いでそこで水素分子は異種開裂されて（変化を受けて）水素原子（Ｈ）にされる。この原子状水素（Ｈ）は次いで薄い絶縁体層２０を通過して、ガスセンサー１の半導体基体１０の電気伝導度感度が変化を受ける（上記に記載の通り）。従って、センサー１は周囲雰囲気５０内の指定されたガスを選択的に検出する。センサー１に取り付けられた関連した診断システム（例示せず）は変化を受けた伝導率の結果として指定されたガスとその量を測定する。
【００３４】
ここには種種の実施の態様が記載されたが、この明細書の記載からすれば、本発明の構成要素の種種の組合せ、その変更および改善が当業者によってなすことができ、従って本発明の範囲内に入ることが認られよう。
【図面の簡単な説明】
【図１】ゲートが保護されたセンサーの断面図である。
【図２】センサーの操作の一例を概略して例示したセンサーの断面図である。
【図１】
0004377004.tif 000002
【図２】
0004377004.tif 000003