(57)【要約】  本発明は、インダクタンス可変特性を調節することができる可変インダクタに対するものである。本インダクタは、予め設定された形態を有する磁気鉄心と、磁気鉄心の一領域を囲み、電流の流れに沿って磁束を発生させるコイル部とを含み、磁気鉄心は、第１磁性物質で構成される第１磁性領域と第１磁性物質と異なる第２磁性物質で構成される第２磁性領域で構成される。
2017525147.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インダクタにおいて、
予め設定された形態を有する磁気鉄心と、前記磁気鉄心の一領域を囲み、電流の流れに沿って磁束を発生させるコイル部とを含み、
前記磁気鉄心は、第１磁性物質で構成される第１磁性領域と前記第１磁性物質と異なる第２磁性物質で構成される第２磁性領域で構成されるインダクタ。
【請求項２】
前記第２磁性領域は、複数の磁性構成及び前記複数の磁性構成を囲む非磁性物質で構成されることを特徴とする請求項１に記載のインダクタ。
【請求項３】
前記複数の磁性構成は、予め設定された間隔単位で配置されることを特徴とする請求項２に記載のインダクタ。
【請求項４】
前記複数の磁性構成は、前記非磁性物質内に複数の層で配置されることを特徴とする請求項２に記載のインダクタ。
【請求項５】
前記複数の磁性構成及び前記非磁性物質は、予め設定された体積比を有することを特徴とする請求項２に記載のインダクタ。
【請求項６】
前記複数の磁性構成は、前記非磁性物質の予め設定された領域上にのみ配置されることを特徴とする請求項２に記載のインダクタ。
【請求項７】
前記複数の磁性構成は、磁性片及び磁性パウダのうち少なくとも一方であることを特徴とする請求項２に記載のインダクタ。
【請求項８】
前記第２磁性領域は、異なる透磁率を有する複数の区域で構成されることを特徴とする請求項１に記載のインダクタ。
【請求項９】
前記第２磁性領域は、前記磁束が前記第２磁性領域を通過する方向と並んだ方向に前記複数の区域が配置された形態を有することを特徴とする請求項８に記載のインダクタ。
【請求項１０】
前記第２磁性領域は、前記磁束が前記第２磁性領域を通過する方向と垂直した方向に前記複数の区域が配置された形態を有することを特徴とする請求項８に記載のインダクタ。
【請求項１１】
前記複数の区域は、相互連接した１つの空間に配置されるか、相互分離された複数の空間にそれぞれ配置されることを特徴とする請求項１０に記載のインダクタ。
【請求項１２】
前記複数の区域は、前記磁気鉄心内で前記第１磁性領域から前記第２磁性領域に続く容積からずれるように移動することができることを特徴とする請求項１０に記載のインダクタ。
【請求項１３】
前記第２磁性領域は、前記複数の区域のうちの一部分のみが前記容積を占めるように構成されることを特徴とする請求項１２に記載のインダクタ。
【請求項１４】
前記複数の区域を移動させる移送装置と、電力変換回路の２次側に接続された負荷量に応じて前記複数の区域を移動させるように、前記移送装置を制御する制御部と、を更に含むことを特徴とする請求項１２に記載のインダクタ。
【請求項１５】
インダクタ製造方法において、
予め設定された形態を有する磁気鉄心を備えるステップと、
前記備えられた磁気鉄心の一領域に孔隙を形成するステップと、
前記形成された孔隙に前記磁気鉄心の磁性物質と異なる磁性物質で埋めるステップと、
前記異なる磁性物質が詰まった磁気鉄心の一領域にコイルを巻きつけるステップと、を含むインダクタ製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インダクタ及びその製造方法に関し、より詳細には、インダクタの磁気飽和特性を広範囲に調節することができるインダクタ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インダクタは、コア周りに電線を巻きつけて製作した受動素子を意味する。インダクタは、電流によって発生する磁場フィールドにエネルギが保存される特徴を用いる。インダクタンスは、時間による電流変化率とインダクタ両端にかかる電圧の比率として、インダクタ固有の定数である。インダクタンスは、インダクタの材質及び形に応じて異なってよい。
【０００３】
通常のインダクタのインダクタンスは定数である。よって、通常のインダクタは、インダクタコアが飽和するまで電流との関係で一定のインダクタンス値を有する。このような特性（characteristic）は、可変する負荷の特性のため、大電力変換機（high power converter）の電力転換効率（power conversion efficiency）に優れないという短所をもつ。
【０００４】
なお、従来の可変インダクタは、主巻線に機械式タップの使用が必要か、更なる磁束供給のための別途の電源駆動装置を有する副巻線が必要になる。そして、従来の可変インダクタは、負荷に対する電流を検知するための追加回路が必要になる。よって、従来の可変インダクタの使用は、電力転換効率及び経済性低下、体積増及び回路複雑度が増加する短所があった。
【０００５】
そこで、従来の可変インダクタの限界を解決し、容易に可変インダクタの特性を実現することができえるインダクタ及びインダクタの製造方法が要求される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、異種の磁性物質からなる磁気鉄心を含み、電流によって可変する飽和特性を有するインダクタ及びインダクタの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述の目的を達成するための本発明の一実施形態に係るインダクタは、予め設定された形態を有する磁気鉄心と、前記磁気鉄心の一領域を囲み、電流の流れに沿って磁束を発生させるコイル部とを含み、前記磁気鉄心は、第１磁性物質で構成される第１磁性領域と前記第１磁性物質と異なる第２磁性物質で構成される第２磁性領域で構成される。
【０００８】
この場合、前記第２磁性領域は、複数の磁性構成及び前記複数の磁性構成を囲む非磁性物質で構成されてよい。
【０００９】
この場合、前記複数の磁性構成は、予め設定された間隔単位で配置されてよい。
【００１０】
一方、前記複数の磁性構成は、前記非磁性物質内に複数の層で配置されてよい。
【００１１】
一方、前記複数の磁性構成及び前記非磁性物質は、予め設定された体積比を有してよい。
【００１２】
一方、前記複数の磁性構成は、前記非磁性物質の予め設定された領域上にのみ配置されてよい。
【００１３】
一方、前記複数の磁性構成は、磁性片及び磁性パウダのうち少なくとも一方あってよい。
【００１４】
一方、前記第２磁性領域は、異なる透磁率を有する複数の区域で構成されてよい。
【００１５】
この場合、前記第２磁性領域は、前記磁束が前記第２磁性領域を通過する方向と並んだ方向に前記複数の区域が配置された形態を有してよい。
【００１６】
一方、前記第２磁性領域は、前記磁束が前記第２磁性領域を通過する方向と垂直した方向に前記複数の区域が配置された形態を有してよい。
【００１７】
この場合、前記複数の区域は、相互連接した１つの空間に配置されるか、相互分離された複数の空間にそれぞれ配置されてよい。
【００１８】
一方、前記複数の区域は、前記磁気鉄心内で前記第１磁性領域から前記第２磁性領域に続く容積からずれるように移動してよい。
【００１９】
この場合、前記第２磁性領域は、前記複数の区域のうちの一部分のみが前記容積を占めるように構成されてよい。
【００２０】
一方、前記インダクタは、前記複数の区域を移動させる移送装置と、電力変換回路の２次側に接続された負荷量に応じて前記複数の区域を移動させるように、前記移送装置を制御する制御部とを更に含んでよい。
【００２１】
一方、本発明の一実施形態に係るインダクタ製造方法は、予め設定された形態を有する磁気鉄心を備えるステップと、前記備えられた磁気鉄心の一領域に孔隙を形成するステップと、前記形成された孔隙に前記磁気鉄心の磁性物質と異なる磁性物質で埋めるステップと、前記異なる磁性物質が詰まった磁気鉄心の一領域にコイルを巻きつけるステップとを含む。
【００２２】
この場合、前記異なる磁気物質は、複数の磁性構成及び前記複数の磁性構成を囲む非磁性物質で構成されてよい。
【００２３】
この場合、前記複数の磁性構成は、予め設定された間隔単位で配置されてよい。
【００２４】
一方、前記複数の磁性構成は、前記非磁性物質内に複数の層で配置されてよい。
【００２５】
一方、前記複数の磁性構成及び前記非磁性物質は、予め設定された体積比を有してよい。
【００２６】
一方、前記複数の磁性構成は、前記非磁性物質の予め設定された領域上にのみ配置されてよい。
【００２７】
一方、前記複数の磁性構成は、磁性片及び磁性パウダのうち少なくとも一方あってよい。
【発明の効果】
【００２８】
以上説明したように、本発明によれば、インダクタは負荷に応じて異なるインダクタンスを有することができるように、コイルの飽和特性が容易に設計できるようにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の一実施形態に係るインダクタの構成を示す斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るインダクタの構成を示す断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係るインダクタの等化磁気回路を示す図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る第２磁性領域の構成を示す断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る第２磁性領域の構成に対するパラメータを示す図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係る第２磁性領域の構成に対するパラメータを示す図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る第２磁性領域の構成に対するパラメータを示す図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係る第２磁性領域の構成に対するパラメータを示す図である。
【図９】本発明の実施形態に係る第２磁性領域のＢ−Ｈカーブを示す図である。
【図１０】本発明の第１実施形態に係る第２磁性領域のパラメータを調節する際、磁気飽和特性の変化を示す図である。
【図１１】本発明の第２実施形態に係る第２磁性領域の造成比率を調節する際、磁気飽和特性の変化を示す図である。
【図１２】本発明の第２実施形態に係る第２磁性領域の体積比を調節する際、磁気飽和特性の変化を示す図である。
【図１３】本発明の第２実施形態に係る第２磁性領域の磁性材質を調節する際、磁気飽和特性の変化を示す図である。
【図１４】本発明の別の実施形態に係るインダクタの構造を示す図である。
【図１５】本発明の別の実施形態に係るインダクタの構造を示す図である。
【図１６】本発明の別の実施形態に係るインダクタの製造方法を示すフローチャートである。
【図１７】本発明の第３実施形態に係る第２磁性領域の構成を示す図である。
【図１８】本発明の第４実施形態に係る第２磁性領域の構成を示す図である。
【図１９】本発明の第５実施形態に係る第２磁性領域の構成を示すための磁気鉄心を示す図である。
【図２０】図１７ないし図１９の第２磁性領域を用いたインダクタのインダクタンス特性を説明するグラフである。
【図２１】本発明の一実施形態に係るインダクタ構成を示すブロック図である。
【図２２】図２１のインダクタのインダクタンス特性を説明するグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。
【００３１】
図１及び図２は、本発明の一実施形態に係るインダクタの構成を示す斜視図及び各構成を結合した断面図である。
【００３２】
図１を参照すると、本発明の一実施形態に係るインダクタ１００は、磁気鉄心１１０、１３０、コイル部１２０を含む。
【００３３】
磁気鉄心１１０、１３０は、予め設定された形態を有する。具体的に、磁気鉄心１１０、１３０は、閉ループの形態を有してよい。よって、コイル部１２０に流れる電流によって発生した磁場は、磁気鉄心１１０、１３０に保存されたてよい。言い換えると、磁気鉄心１１０、１３０の内部を通過する磁束は、磁気鉄心１１０、１３０の閉ループの経路に沿って流れてよい。
【００３４】
後述のコイル部１２０に流れる電流によって方向と大きさとをもつ磁束（magnetic flux）が発生する。磁束は、磁気鉄心１１０、１３０の閉経路に沿って発生する。磁気鉄心１１０、１３０は、磁束が通る経路上に存在する媒質を意味する。すなわち、磁気鉄心１１０、１３０は、電線に流れる電流によって発生する磁場のエネルギを保存する。そして、磁気鉄心１１０、１３０の透磁率（permeability）に応じて、インダクタ１００が電流の流れを妨害する度合い（インダクタンス）が決定される。
【００３５】
そして、磁気鉄心１１０、１３０は、第１磁性物質で構成される第１磁性領域１１０と、第２磁性物質で構成される第２磁性領域１３０とで構成される。第１磁性物質は、第２磁性物質と異なる物質である。具体的に、第１磁性領域１１０は、中心柱部分と、左／右柱部分とからなる一対のＥＥ型コアであってよい。コイル部１２０は、磁気鉄心の中心柱部分を巻きつけることができる。そして、電流によって発生した磁束は、外部経路である左／右柱部分を通過してよい。
【００３６】
本発明の一実施形態に係る第１磁性領域１１０は、インダクタの全体的な大きさや形を決定することができる。図１においては、ＥＥ型コアが図示されているが、それに限定されず、第１磁性領域１１０は、ＥＩ／ＥＦ/ＥＥＲ/ＥＦＤ/ＥＲ/ＥＰＣ/ＵＩ/ＣＩ/ＥＰ/ＲＭコア、トロイド（toroid）コア、ポット（pot）コア等、孔隙部を備えた多様な汎用コアであってよい。なお、図１４または図１５のように、第１磁性領域１１０が異なる形態の常用コアに基づいて多様な実施形態で実現できることは当業者にとって自明である。
【００３７】
そして、第１磁性物質は、通常のインダクタに使用されるフェライトコアとしてアルファ鉄または酸化鉄に酸化マンガン（ＭｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）のうち、少なくとも１つを混合した物質であってよい。
【００３８】
コイル部１２０は、磁気鉄心１１０、１３０の一領域を巻きつけ、電流の流れに沿って磁束を発生させる。具体的に、コイル部１２０はエナメル銅のような伝導性導体で作られてよく、電流を通過させてよい。そして、コイル部１２０は、導線で１回以上巻きつけた円筒や四角柱の枠と枠との間に挿入できる磁気鉄心１１０、１３０を含んでよい。
【００３９】
コイル部１２０に電流が流れると、電流及び導線の巻きつけた方向に応じて両極性の磁場が発生し、電流によるエネルギが磁場の形態で一時保存される。発生した磁束は、コイル部が一領域を巻きつけている磁気鉄心の導体に沿って通過する。そして、磁束が通過する媒質（磁気鉄心）の性質に応じてインダクタのインダクタンス特性が決定される。
【００４０】
磁気鉄心の第１磁性領域１１０は、第１磁性物質で構成される。そして、磁気鉄心の第２磁性領域１３０は、第１磁性物質と異なる第２磁性領域で構成される。具体的に、第２磁性領域１３０は、複数の磁性構成及び複数の磁性構成を囲む非磁性物質で構成されてよい。
【００４１】
第２磁性領域１３０を構成する複数の磁性構成は、磁場によって磁化（magnetization）する程度が非常に大きい強磁性体材料であってよい。すなわち、複数の磁性構成は、磁化率（χm,、magnetic susceptibility）が１より大きい正数を有する高透磁率（high permeability）の強磁性体材料であってよい。例えば、強磁性体材料は、ニッケル、鉄、そしてミューメタル（mu-metal）のような合金を含んでよい。
【００４２】
第１磁性領域の磁気飽和特性と異なる第２磁性領域の磁気飽和特性の相違を用いて、インダクタ１００全体のインダクタンス及び磁気飽和特性は調節されてよい。
【００４３】
第２磁性領域１３０を構成する非磁性物質は磁場の影響をほぼ受けない物質として、複数の磁性構成を内部に囲み内部に含む形態で形成されてよい。そして、非磁性物質は、磁気鉄心の第１磁性領域１１０と接触して第２磁性領域の複数の磁性構成を固定した位置に置けるようにすることができる。なお、非磁性物質は、インダクタの発熱、衝撃及び重さにも耐えられる耐久性または耐熱性のある材質であってよい。例えば、第２磁性領域１３０の非磁性物質は、ポリプロピレンのようなプラスチックであってよい。そして、第２磁性領域１３０は、プラスチック成形技術を通じて製造されてよい。
【００４４】
第２磁性領域１３０の複数の磁性構成は、予め設定された間隔単位で配置されてよい。そして、複数の磁性構成は、非磁性物質内に複数の層で配置されてよい。第２磁性領域３１０の磁性構成配列の具体的な説明は、図４及び図５を参照して後述する。
【００４５】
第２磁性領域１３０は、複数の磁性構成及び非磁性物質は、予め設定された体積比を有してよい。そして、第２磁性領域１３０は、複数の磁性構成は、非磁性物質の予め設定された領域上でのみ配置されてよい。第２磁性領域１３０の磁性構成の混合比及び体積比に対する具体的な説明は、図６及び図７を参照して後述する。
【００４６】
第２磁性領域１３０の複数の磁性構成は、磁性片及び磁性パウダのうち少なくとも１つであってよい。複数の磁性構成を実現する２つの実施形態は、図４ないし図２２を参照して具体的に説明する。
【００４７】
複数の磁性構成を磁性片で実現した第１実施形態はストリップ（Strip）型と称する。そして、ストリップが非磁性物質に挿入された第１実施形態の第２磁性領域１３０はストリップコアと称する。なお、ストリップコアのストリップが一定の間隔で配置された形態をストリップアレイ（array、配列）と称する。一方、複数の磁性構成をパウダで実現した第２実施形態はパウダまたは粉末状と称する。そして、磁性パウダを非磁性物質と混合した第２実施形態の第２磁性領域１３０はパウダコアと称する。
【００４８】
上述のように、本発明の一実施形態に係るインダクタ１１０は、磁気鉄心の第１磁性物質で構成される第１磁性領域と、磁気飽和特性を異ならせる第２磁性物質で構成された第２磁性領域とを含んでよい。本発明の一実施形態に係るインダクタ１００は、インダクタ電流の駆動範囲内で連続的にインダクタンスが可変する特性を含んでよい。そして、本発明の一実施形態に係るインダクタ１００は、構造が簡単に磁気飽和特性を調節することができるパラメータ値の変更を容易にすることができる。
【００４９】
図２は、本発明の一実施形態に係るインダクタの構成を示す断面図である。
【００５０】
図２を参照すると、図１の第１磁性領域１１０一対は、３つの柱を対向して相接しており、真ん中の柱の間には第２磁性領域１３０が含まれている。そして、第１磁性領域１１０と第２磁性領域１３０とを含む真ん中の柱領域はコイル部１２０によって巻きつけられている。図２では、コイル部１２０の導線を図式的に大きく表示しているだけで、より細く長い導線が物理的に許容する線まで真ん中の柱領域を巻きつけることができる。
【００５１】
図３は、本発明の一実施形態に係るインダクタの等化磁気回路である。
【００５２】
図３を参照すると、本発明の一実施形態に係るインダクタ１００は、コイル部１２０の巻線数（Ｎ）、電流（ｉ）に比例する磁束元３２０、磁束φが通る第１磁性領域の磁気抵抗（reluctance）Ｒｃｏｒｅ１３１０及び第２磁性領域の磁気抵抗Ｒｃｏｒｅ２３２０を含む透化磁気回路（equivalent magnetic circuit）で示されてよい。
【００５３】
図４（ａ）及び図４（ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る第２磁性領域の構成を示す平面及び側面の断面図である。
【００５４】
図４（ａ）及び図４（ｂ）を参照すると、第２磁性領域４００は、非磁性物質４１０内に複数の磁性構成４２０が予め設定された間隔単位で配置されてよい。具体的に、第２磁性領域４００の平面断面図に示すように、第２磁性物質はストリップ型の磁性構成４２０が非磁性物質４１０内で一定の間隔で配列されたものであってよい。なお、第２磁性領域４００の側面断面図に示すように、第２磁性物質は非磁性物質４１０内にストリップ型磁性構成４２０が並んで複数の層をなして構成されてよい。第２磁性領域４００の磁性片４２０の数は、図４に示された数に制限されずに、磁性片４２０は単層または複数の層で配置されてよい。
【００５５】
図５は、本発明の第１実施形態に係る第２磁性領域の構成に対するパラメータを示す図である。
【００５６】
図５を参照すると、第２磁性領域５００の側面断面図は、磁性片５２０が非磁性物質５１０内に複数の層をなしていることを示している。そして、磁性片５２０は、上下層間で並んで配列されている。具体的に、第２磁性領域５００の磁気飽和特性を調節することができる磁性片５２０に対するパラメータは磁性片の高さｈ、幅ｗ、平面上でストリップアレイがなす磁性片５２０の間の距離ｇ１を含む。
【００５７】
上述のように、第１実施形態に係る第２磁性領域５００の磁気飽和特性の調節は、磁性片５２０の数、大きさ及び配置間隔を調節することにより可能である。よって、所望の設計条件の磁気飽和特性を有するインダクタは、上述のパラメータを調節することで製作されてよい。
【００５８】
図６は、本発明の第１実施形態に係る第２磁性領域の構成に対するパラメータを示すための図である。
【００５９】
図６を参照すると、第２磁性領域６００の側面断面図は、第２磁性領域６００の磁性片６２０が非磁性物質６１０内で複数の層をなしていることを示す。そして、磁性片６２０は、上下層間でストリップアレイが横軸または縦軸方向にｇ２分だけ離隔して配列されている。具体的に、第２磁性領域６００の磁気飽和特性を調節することができる磁性片６２０に対するパラメータは、磁性片が上下層間で離隔した距離ｇ２を含む。
【００６０】
上述のように、第１実施形態に係る第２磁性領域６００の飽和特性の調節は、磁性片６２０の数、大きさ、配置間隔を調節することで可能となる。よって、所望の設計条件の磁気飽和特性を有するインダクタは、上述のパラメータを調節することで製作されてよい。
【００６１】
図７は、本発明の第２実施形態に係る第２磁性領域の構成を示す断面図である。
【００６２】
図７を参照すると、第２磁性領域７００の複数の磁性構成は、磁性パウダ７２０で構成されている。そして、磁性パウダ７２０は、非磁性物質７１０内に無作為に分布されている。具体的に、第２磁性物質は、パウダ状の磁性構成７２０が非磁性物質７１０と一定の比率で混合されたものであってよい。そして、第２磁性物質は、非磁性物質７１０内で無作為に分布されてよい。一方、第２磁性領域７００の磁気飽和特性を調節することができる磁性パウダ７２０に対するパラメータは非磁性物質７１０対磁性構成７２０の質量比、体積比または混合比であってよい。なお、磁性パウダ７２０に対するパラメータは、第２磁性領域７００に存在する磁性パウダ７２０の含量が増加するにつれ、比例して上昇する相対透磁率（relative permeability）であってよい。
【００６３】
図８は、本発明の第２実施形態の別の構成を示すための図である。
【００６４】
図８を参照すると、第２磁性領域のうちの一部領域は、非磁性物質８３０のみからなっており、残りの領域は非磁性物質８１０にパウダ状の磁性構成８２０が無作為に分布されている。具体的に、磁束が通る経路に影響を及ぼしかねない磁性パウダが一部領域にのみ存在することで、インダクタの磁気飽和特性は異なることがある。言い換えると、第２磁性領域８００の磁気飽和特性を調節することができる磁性パウダ８２０に対するパラメータは、非磁性物質８３０のみからなる領域とパウダ状の磁性構成８２０が混同された領域との比率ｖを含む。
【００６５】
上述のように、第２実施形態に係る第２磁性領域の磁気飽和特性の調節は、磁性パウダの量、非磁性物質と混合する領域の大きさを調節することで可能となる。よって、所望の設計条件の磁気飽和特性を有するインダクタは上述のパラメータを調節することで製作されてよい。
【００６６】
図９は、本発明の実施形態に係る多様な構成を有する第２磁性領域のＢ−Ｈカーブを示す図である。
【００６７】
図９を参照すると、第２磁性領域が磁性物質のみで構成された場合のＢ−Ｈカーブ、及び本発明の実施形態によって第２磁性領域が非磁性物質を含む複数の構成比を有する場合のＢ−Ｈカーブが併せて図示されている。具体的に、Ｂ−Ｈカーブで勾配は透磁率（permeability）を意味する。そして、孔隙（air-gap）を有する通常のインダクタは真空透磁率（μ０）を有するため、勾配は常に一定の値を有する。一方、本発明に係る第２磁性領域を有するインダクタは、第２磁性領域の構成比に応じて、磁場の強度（Ｈ）が異なってくる。なお、第２磁性領域を有するインダクタは、磁場強度（Ｈ）の変化に応じて、非線形的な勾配を有し、勾配の大きさも孔隙を有するインダクタの勾配より大きい。
【００６８】
アンフェア法則（Ampere’s circuital law）による電流及び巻線数が磁場強度（Ｈ）と比例し、透磁率がインダクタンスと比例する。よって、本発明の実施形態に係るインダクタは、第２磁性領域の磁気飽和特性に基づいて電流変化によるインダクタンスの非線形的な可変特性を制御することができる。
【００６９】
これまで、本発明の実施形態に係るインダクタ及び第２磁性領域の構造に対して図を参照して説明している。図１０ないし図１３は、第２磁性領域パラメータを調節する際、インダクタ電流に対するインダクタンス変化特性について説明する。図１０ないし図１３の実験で使用されたインダクタの第１磁性領域はＥＥ型フェライトコアである。そして、産業規格方法によるＥＥ型フェライトコア構造は、Ａ：７０．５０、Ｂ：３３．２０、Ｃ：３２．００、Ｄ：４８．００、Ｅ：２２．００、Ｆ：２１．９０である。
【００７０】
図１０は、本発明の第１実施形態に係る第２磁性領域のパラメータを調節する際、磁気飽和特性の変化を示す図である。
【００７１】
図１０を参照すると、インダクタ電流（ｉＬ）による４種のインダクタのインダクタンス（Ｌ）の変化曲線１０１０、１０２０、１０３０、１０４０が示されている。具体的に、横軸はコイル部１２０に流れる電流を示し、アンフェア単位で表示される。縦軸はインダクタンス値を示し、マイクロヘンリー単位で表示される。
【００７２】
第１インダクタンス変化曲線１０１０は、本発明の一実施形態に係るインダクタ１００として、第２磁性領域が開いた空間の孔隙で備えられたインダクタに対するものである。そして、第２、第３及び第４インダクタンス変化曲線１０２０、１０３０、１０４０は、本発明の第１実施形態に係る複数の磁性片５２０と、複数の磁性片５２０を囲む非磁性物質５１０で構成された第２磁性領域と含むインダクタに対するものである。一方、第２、第３及び第４インダクタンス変化曲線１０２０、１０３０、１０４０と関連するインダクタの第２磁性領域のパラメータは磁性片５２０の高さｈ、幅ｗ、磁性片間の間隔ｇ１、両層の磁性片が一軸方向に離隔した間隔ｇ２を含む。そして、第２、第３及び第４インダクタンス変化曲線１０２０、１０３０、１０４０は、上述のパラメータのうち、少なくとも１つを調節した３種のインダクタに対するもんのである。３種のインダクタ１００のパラメータを次の通りである。
【００７３】
【表１】
2017525147.tif 000003
【００７４】
図１０を参照すると、対照群である孔隙インダクタは、２０Ａのインダクタ電流範囲までほぼ一定のインダクタンス値を有し、その後飽和して緩慢な勾配でインダクタンスは減少する。しかし、本発明の一実施形態によって構成されたインダクタ１００は、低いインダクタ電流で孔隙インダクタより大きいインダクタンスを有する。そして、本発明の一実施形態によって構成されたインダクタ１００は、低い電流でも早く飽和が発生して孔隙インダクタより大きい勾配でインダクタンスが減少する。そして、ｈ、ｗ、ｇ１、ｇ２のパラメータを調節すると、本発明の第１実施形態に係る第２磁性領域を有するインダクタ１００のインダクタンス変化特性は相互異なるように示される。
【００７５】
図１１は、本発明の第２実施形態に係る第２磁性領域の造成比率を調節する際、磁気飽和特性の変化を示す図である。
【００７６】
図１１を参照すると、インダクタ電流（ｉＬ）によるインダクタのインダクタンス（Ｌ）の変化曲線１１１０、１１２０、１１３０が示されている。具体的に、横軸はコイル部１２０に流れる電流を示し、アンフェア単位で表示される。縦軸はインダクタンス値を示してマイクロヘンリー単位で表示される。
【００７７】
図１１のグラフに示される第１インダクタンス変化曲線１１１０は、第２磁性領域が開いた空間の孔隙で備えられたインダクタに対するものである。そして、第２及び第３インダクタンス変化曲線１１２０、１１３０は、本発明の第２実施形態に係る磁性パウダ７２０と磁性パウダ７２０を包む非磁性物質７１０とで構成された第２磁性領域を含むインダクタ１００に対するものである。すなわち、第２及び第３インダクタンス変化曲線１１２０、１１３０は、第２磁性領域の磁性パウダ７２０の混合比を異ならせた２種のインダクタに対するものである。２種のインダクタは、第２磁性領域の相対透磁率（μｒ）を指標として磁性パウダの混合比に応じて次のように区分されてよい。
【００７８】
【表２】
2017525147.tif 000004
【００７９】
図１１のグラフを参照すると、本発明の第２実施形態に係るインダクタ１００のインダクタンス変化曲線１１２０、１１３０は、孔隙インダクタのインダクタンス変化曲線に比べて低いインダクタ電流で高いインダクタンスと早い飽和特性を示す。そして、本発明の第２実施形態に係るインダクタ１００のインダクタンス変化曲線１１２０、１１３０は、第２磁性領域の磁性パウダの比率が高くなるにつれ、低い電流でより大きいインダクタンスとより早い飽和特性を示す。
【００８０】
図１２は、本発明の第２実施形態に係る第２磁性領域の体積比を調節する際、磁気飽和特性の変化を示す図である。
【００８１】
図１２を参照すると、インダクタ電流（ｉＬ）によるインダクタンス変化曲線１２１０、１２２０、１２３０、１２４０が示されている。具体的に、横軸はコイル部１２０に流れる電流を示し、アンフェア単位で表示される。縦軸はインダクタンス値を示してマイクロヘンリー単位で表示される。
【００８２】
図１２に示される第１インダクタンス変化曲線１２１０は、第２磁性領域が開いた空間の孔隙で備えられたインダクタに対するものである。そして、第２、第３及び第４インダクタンス変化曲線１２２０、１２３０、１２４０は、本発明の第２実施形態に係る磁性パウダ８２０と磁性パウダ８２０を包む非磁性物質８１０とで構成された第２磁性領域を含むインダクタ１００に対するものである。すなわち、第２、第３及び第４インダクタンス変化曲線１２２０、１２３０、１２４０は、第２磁性領域８００の全体積が第２物質であるインダクタ１００、第２磁性領域８００の体積の２／３が第２磁性物質であるインダクタ１００、そして第２磁性領域８００の体積の１／３が第２磁性物質であるインダクタ１００に対するものである。第２磁性物質は、磁性パウダ８２０と非磁性物質８１０とが混合された物質である。
【００８３】
図１２に示すように、本発明の第２実施形態に係る第２磁性領域を有するインダクタ１００は、第２磁性物質の占める体積比が高いほど、低い電流で高いインダクタンスを示し、より早い飽和特性を示す。
【００８４】
図１３を参照すると、インダクタ電流（ｉＬ）によるインダクタンス（Ｌ）変化曲線１３１０、１３２０、１３３０、１３４０が示されている。具体的に、横軸はコイル部１２０に流れる電流を示し、アンフェア単位で表示される。縦軸はインダクタンス値を示してマイクロヘンリー単位で表示される。
【００８５】
図１３のグラフに示される第１インダクタンス変化曲線１３１０と第２インダクタンス変化曲線１３２０とは、第２磁性領域がそれぞれ２ｍｍと４ｍｍである開いた空間の孔隙で備えられたインダクタに対するものである。そして、第３及び第４インダクタンス変化曲線１３３０、１３４０は、本発明の第２実施形態に係るインダクタとして、磁性パウダ８２０の磁性物質は希土類金属材質であり、磁性パウダ８２０を包む非磁性物質８１０で構成された第２磁性領域を含むインダクタ１００に対するものである。そして、第３及び第４インダクタンス変化曲線１３３０、１３４０は、第２磁性領域８００の高さが２ｍｍと４ｍｍであるインダクタ１００に対するものである。
【００８６】
図１３に示すように、本発明の第２実施形態に係る希土類金属パウダで構成された第２磁性領域を有するインダクタ１００は、従来の強磁性金属パウダで構成された第２磁性領域のインダクタと異なる特性を示す。すなわち、希土類金属パウダで構成された第２磁性領域を有するインダクタ１００は、電流の高い領域で高いインダクタンスを示し、第２磁性領域８００の高さが高くなるにつれて遅い飽和特性を示す。
【００８７】
上述のように、本発明の第１実施形態に係る第２磁性領域または第２実施形態に係る第２磁性領域を含むインダクタ１００の飽和特性は、いくつかのパラメータ、造成比、第２磁性物質の体積比、磁性材質及び第２磁性領域の高さ等を用いて調節することができる。すなわち、インダクタ１００の飽和特性を調節して設計上目的とするインダクタンス値及びインダクタ電流の駆動範囲は容易に調節されてよい。
【００８８】
図１４は、本発明の別の実施形態に係るインダクタの構造を示す図である。
【００８９】
図１４を参照すると、インダクタ１００’は、Ｏ型またはトロイド（toroid）型磁気鉄心１４１０、１４３０、そしてコイル部１４２０を含む。具体的に、第１磁性物質で構成されたＯ型の常用コアが第１磁性領域であってよい。そして、第１磁性領域の一部に第２磁性物質で構成された第２磁性領域が挿入されて磁気鉄心が構成されてよい。そして、コイル部は、磁気鉄心の一領域を包む導線で構成されてよい。コイル部は、図１４の図に制限されずに、磁気鉄心のより広い領域にわたってより多くのコイルを巻きつけることができる。
【００９０】
以上のような本発明の別の実施形態に係るインダクタ１００’は、磁気鉄心の第２磁性領域が外部に露出してよい。よって、所望のインダクタンス飽和特性を満たす第２磁性領域の挿入及び取替えが容易である。なお、図示されていないが、インダクタ１００’の周りに別途の回路が備えられ、備えられた回路は、第１磁性領域の孔隙部で第２磁性領域が移動するように制御することができる。よって、磁気鉄心を通過する磁束が通る経路上に第２磁性領域が存在する体積比が変化されてよい。そして、第２磁性領域の体積比の変化は、インダクタの磁気飽和特性を変化させてよい。
【００９１】
図１５は、本発明の別の実施形態に係るインダクタの構造を示す図である。
【００９２】
図１５を参照すると、インダクタ１００”は、円筒型磁気鉄心１５１０、１５３０及びコイル部１５２０を含む。具体的に、長い円筒に導線を巻きつけたコイル部１５３０の内部に円筒型常用コアが第１磁性領域で備えられ、その中に第２磁性物質で構成された第２磁性領域が備えられてよい。
【００９３】
以上のような本発明の別の実施形態に係るインダクタ１００”は、常用コアの一部の領域のみが異種磁性物質で構成された第２磁性領域を備えてよい。よって、インダクタ１００”は、容易にインダクタンス飽和特性を変化させてインダクタ電流に対してインダクタンスを可変することができる。
【００９４】
図１６は、本発明の一実施形態に係るインダクタ製造方法を示すフローチャートである。
【００９５】
図１６を参照すると、本発明の一実施形態に係るインダクタの製造方法は、磁気鉄心製作段階（Ｓ１６１０）、孔隙形成段階（Ｓ１６２０）、磁性物質を詰める段階（Ｓ１６３０）、コイルを巻きつける段階（Ｓ１６４０）を含む。
【００９６】
磁気鉄心製作段階（Ｓ１６１０）は、予め設定された形態を有する磁気鉄心を備える。具体的に、磁気鉄心はＥＥフェライトコアのような常用インダクタ部品であってよい。そして、予め設定された形態は、コイルに電流が流れることで発生する磁束の閉経路に沿って形成された形態であってよい。そして、インダクタンスは、透磁率に応じて決定されてよい。
【００９７】
孔隙形成段階（Ｓ１６２０）は、磁気鉄心の一領域に孔隙を形成する。具体的に、閉じられた経路の磁気鉄心で磁束が通る経路上に開いた空間が存在する孔隙を形成することができる。
【００９８】
磁性物質を詰める段階（Ｓ１６３０）は、孔隙に磁気鉄心を構成する磁性物質と異なる磁性物質で埋める。具体的に、磁気鉄心を構成する第１磁性物質は、通常のインダクタに使用されるフェライトコアのアルファ鉄やＭｎ及びＺｎを混合した物質であってよい。そして、第１磁性物質と異なる第２磁性物質は、第１磁性物質と異なる透磁率をもつ物質であってよい。なお、孔隙を埋める磁性物質は複数の磁性構成及び複数の磁性構成を包む非磁性物質で構成されてよい。具体的に、複数の磁性構成は、磁化率（χm,、magnetic susceptibility）が１より大きい正数を有する高透磁率（high permeability）の磁性体材料であってよい。例えば、磁性体材料は、ニッケル、コバルト、鉄、そしてミューメタル（mu-metal）のような合金を含んでよい。そして、非磁性物質は、磁場の影響をほとんど受けない物質であってよい。そして、非磁性物質は、複数の磁性構成を包むように中に内包する形態で形成されてよい。なお、非磁性物質は、耐久性及び耐熱性のある材質で選択されてよい。例えば、非磁性物質は、ポリプロピレンのようなプラスチックであってよい。そして、プラスチック成形技術を通じて別の磁性物質が製造されてよい。
【００９９】
一方、別の磁性物質の複数の磁性構成は、予め設定された間隔単位で配置されてよい。なお、別の磁性物質の複数の磁性構成は、非磁性物質内に複数の層で配置されてよい。
【０１００】
一方、別の磁性物質の複数の磁性構成及び非磁性物質は、予め設定された体積比を有してよい。なお、別の磁性物質の複数の磁性構成は、非磁性物質の予め設定された領域上にのみ配置されてよい。
【０１０１】
一方、別の磁性物質の複数の磁性構成は、磁性片及び磁性パウダのうち少なくとも一方であってよい。
【０１０２】
コイルを巻きつける段階（Ｓ１６４０）は、磁気鉄心の孔隙に磁気鉄心の磁性物質と別の磁性物質を詰める。そして、別の磁性物質を詰めた磁気鉄心の一領域にコイルが巻きつけられる。具体的に、コイルは、エナメル銅のように、伝導性のある導体であってよく、電流を通過させることができる。そして、コイルに沿って流れる電流に応じて磁束が発生してよい。
【０１０３】
以上のような本発明のインダクタ製造方法は、インダクタ製造装置によって実現されてよい。具体的に、インダクタ製造装置は、インダクタ製造方法の各段階を行うように制御するための機械であってよい。
【０１０４】
例えば、磁気鉄心はフェライト（第１磁性物質）を粉末状から加熱、圧縮、成形のような過程を経て予め設定された形態で製作されてよい。または、直接製作する段階（Ｓ１６１０）が省略され、従来製作された商用コアが使用されてよい。この段階で磁気鉄心は孔隙を備えるための予め設定された形態で設計されてよい。孔隙に第２磁性領域を構成するために、別途の第２磁性コア生成ラインが含まれてよい。第２磁性コアは第２磁性物質を材料として混合、塑性、加工等のような化学的及び物理的工程を経て時期鉄心の孔隙に挿入できる形態で製作されてよい。コイル部は、磁気鉄心の一部または全部に渡り、導線を巻きつけて製造することができる。または、コイル部は、磁気鉄心の外郭を包むコイルドラムに導線を巻きつけて製造することができる。
【０１０５】
図１７は、本発明の第３実施形態に係る第２磁性領域の構成を示す側面図である。
【０１０６】
図１７を参照すると、第２磁性領域１７００は、複数の区域（ブロック）１７１０、１７２０、１７３０で構成される。具体的に、第２磁性領域１７００は、異なる透磁率をもつ複数の区域で構成されてよい。
【０１０７】
ここで、特定透磁率を有するブロック（区域）は、上述のストリップ型またはパウダ状のコアであってよい。そして、各ブロックごとに異なる透磁率は、上述のパラメータに応じて決定されてよい。例えば、第２磁性領域を構成する各ブロックは、挿入されるストリップの数または含有されたパウダの量が異なってよい。図１７においては、３つのブロック１７１０、１７２０、１７３０が示されているが、ブロックの数は２つまたは４つ以上であってよい。なお、図１７では、各ブロック１７１０、１７２０、１７３０の大きさが異なるが、同様の大きさであってよい。
【０１０８】
磁束１７４０は、第２磁性領域１７００の複数の区域１７１０，１７２０，１７３０の積層される方向と平行した方向に発生してよい。具体的に、第２磁性領域１７００を構成する複数のブロック１７１０、１７２０、１７３０は磁束１７４０の方向に沿って相互対向するように配置された形態を有してよい。ここで、複数のブロック１７１０、１７２０、１７３０は相接するように積み上げられた一塊で第１磁性領域の孔隙に挿入されてよい。または、複数のブロック１７１０、１７２０、１７３０は、第１磁性領域に設けられた複数の孔隙ごとに挿入されてよい。
【０１０９】
コイル部によって形成された磁場の磁力は、ブロック１７１０、１７２０、１７３０にも保存される。そして、異なる透磁率をもつブロックは異なる飽和特性を有する。コイル部の電流が増加するにつれて、容量の少ないブロック１７１０が先に飽和する。そして、まだ飽和していない残りのブロック１７２０、１７３０によってインダクタのインダクタンス特性が示される。
【０１１０】
図１８は、本発明の第４実施形態に係る第２磁性領域の構成を示す側面図である。
【０１１１】
図１８を参照すると、第２磁性領域１８００は、複数の区域（ブロック）１８１０、１８２０、１８３０で構成される。具体的に、第２磁性領域１８００は、異なる透磁率を有する複数のブロック１８１０、１８２０、１８３０で構成されてよい。
【０１１２】
磁束１８４０は、第２磁性領域１８００の複数の区域１８１０，１８２０，１８３０の積層される方向と垂直した方向に発生してよい。具体的に、第２磁性領域１８００を構成する複数のブロック１８１０、１８２０、１８３０は磁束１８４０の方向と垂直になるように横に並んで配置された形態を有してよい。ここで、複数のブロック１８１０、１８２０、１８３０の配置される方向は、磁束１８４０の方向と略垂直したものを示す。なお、複数のブロック１８１０、１８２０、１８３０は、相接する一塊で第１磁性領域の孔隙に挿入されてよい。または、複数のブロック１８１０、１８２０、１８３０は、第１磁性領域に設けられた複数の孔隙ごとに挿入されてよい。
【０１１３】
第４実施形態の第２磁性領域では、複数のブロックのうち先に飽和したブロックに向かう磁束の流れが制限され得るため、相対的にはっきりとしたインダクタンス変化特性が示されてよい。
【０１１４】
図１９は、本発明の第５実施形態に係る第２磁性領域の構成を示すための磁気鉄心の側面図である。
【０１１５】
図１９を参照すると、磁気鉄心１９００は、第１磁性領域１９５０及び第２磁性領域１９１０を含む。そして、第２磁性領域１９１０は異なる透磁率を有する複数の区域１９２０、１９３０、１９４０を含む。
【０１１６】
第１磁性領域１９５０は、複数の場所に孔隙を形成する。図１９では、磁気鉄心１９００の第１磁性領域１９５０で横方向に孔隙が設けられているが、それに限定されずに、磁束の閉ループ系路上のどこでも孔隙が２つ以上形成されると足りる。
【０１１７】
第２磁性領域１９１０の複数の区域１９２０、１９３０、１９４０は、複数の孔隙に位置してよい。１つの孔隙には、１つまたは複数のブロックが位置してよい。
【０１１８】
以上のような磁気鉄心１９００は、複数のコアブロックを形成した後、フェライトコアの孔隙に１つまたはいくつかのブロックの組み合わせを挿入して形成されてよい。
【０１１９】
図２０は、図１７ないし図１９の第２磁性領域を用いたインダクタのインダクタンス特性を説明するためのグラフである。
【０１２０】
図２０を参照すると、同一のデザインの磁気鉄心に孔隙のみが存在するエアギャップインダクタ２０２０のインダクタンスの特性が示されている。エアギャップインダクタ２０２０のインダクタンスは、低い電流範囲では略一定であり、およそ２５アンペア（Ａ）付近で次第に減少して飽和する特性を示す。
【０１２１】
一方、図２０には、異なる透磁率を有する複数の区域（ブロック）で構成された第２磁性領域を有する可変インダクタ２０１０のインダクタンスの特性も示されている。可変インダクタ２０１０のインダクタンスは、ブロックの数に対応して３電流大域でインダクタンスの変化がほとんどない階段型特性を示す。それは、異なる透磁率を有する複数のブロックがそれぞれ磁力を保存し、インダクタ電流が増加することで先に飽和するブロックのインダクタンス変化がなくなる。その後、電流が引き続き増加することで、インダクタンスが急激に減少する階段型のグラフが示されるものである。
【０１２２】
図２１は、本発明の一実施形態に係るインダクタの構成を示すブロック図である。
【０１２３】
図２１を参照すると、インダクタは、第１磁性領域２１１０と第２磁性領域２１２０とを含む磁気鉄心２１００、コイル部２１３０、移送装置２１４０及び制御部２１５０を含む。
【０１２４】
第２磁性領域２１２０は、異なる透磁率をもつ複数の区域２１２１、２１２２で構成される。そして、複数の区域２１２１、２１２２は、磁気鉄心２１００内で第１磁性領域２１１０面積からずれるように移動されてよい。言い換えると、第１磁性領域２１１０に設けられた孔隙部分に第２磁性領域２１２０の複数のブロック２１２１、２１２２のうちの一部が位置することができる。図示のように、第２磁性領域は移動方向に応じて複数の区域２１２１、２１２２が配置された構成を有する。
【０１２５】
移送装置２１４０は、第２磁性領域２１２０を移動させる。具体的に、移送装置２１４０は、第１磁性領域２１１０から続く容積（空間）に位置する第２磁性領域２１２０の一部を移動させてよい。
【０１２６】
移送装置２１４０は、電送機（モーター）のような電気エネルギを用いた動力発生装置を含んでよく、電動機の回転運動によって第２磁性領域２１２０が移動してよい。
【０１２７】
制御部２１５０は、インダクタ電流（ｉＬ）を検知することができる。具体的に、制御部２１５０は、コイル部２１３０に流れる電流（ｉＬ）の大きさを検知することができる。制御部２１５０は、電流（ｉＬ）の大きさを検知するためのデジタル電流計を含んでよい。
【０１２８】
制御部２１５０は、移送装置２１４０を制御する。具体的に、制御部２１５０は、第２磁性領域２１２０を移動させるように移送装置２１４０を制御することがきる。一例として、制御部２１５０は、移送装置２１４０の電動機を制御するための制御信号を生成するドライバを含んでよい。
【０１２９】
本実施形態において、インダクタは電力変換用回路に利用されてよい。ここで、制御部２１５０は、インダクタ電流（ｉＬ）から負荷量を測定することができる。具体的に、制御部２１５０は、初期条件に該当する入力電圧（ｖｉｎ）、入力電流（ｉｉｎ）、移送装置２１４０が第２磁性領域２１２０を移送させた位置に対応するインダクタのインダクタンス（Ｌ）、インダクタの電流（ｉＬ）に基づいて負荷量が予め設定された閾値未満か否かを判断することができる。別の方式として、制御部２１５０は、直接負荷にかかる電圧と電流とを測定して負荷量を測定することができる。この場合、制御部２１５０は、負荷が接続された２次側の回路に対する電圧計及び電流計を含んでよい。別の方式として、制御部２１５０は電源から入力される電力を検知し、負荷にかかる電圧または電流を測定して負荷量を計算することができる。以上説明した方法以外にも、様々な電力変換装置で従来使用される多様な負荷量検知方法が制御部２１５０に適用されてよい。
【０１３０】
制御部２１５０は、負荷の負荷量に応じて移送装置２１４０を制御する。具体的に、制御部２１５０は、負荷量に応じて透磁率の区域２１２１または２１２２が前記容積を占めるように移送装置２１４０を制御することができる。
【０１３１】
制御部２１５０は、複数の多様な方式で実現されてよい。例えば、制御部２１５０は、プロセッサ、特定用途向け集積回路（application specific integrated circuit、ＡＳＩＣ）、エンベデッドプロセッサ、マイクロプロセッサ、ハードウェアコントロールロジック、ハードウェア有限状態機械（hardware finite state machinr、ＦＳＭ）、デジタル信号プロセッサ（digital signal processor、ＤＳＰ）のうち少なくとも１つであってよい。
【０１３２】
図２２は、図２１のインダクタのインダクタンス特性を説明するためのグラフである。
【０１３３】
図２２を参照すると、インダクタ電流に対し、通常の孔隙インダクタのインダクタンス２２４０、軽負荷時インダクタのインダクタンス２２１０、中間負荷時インダクタのインダクタンス２２２０及び重負荷時インダクタのインダクタンス２２３０の変化グラフが示されている。
【０１３４】
移送装置によって孔隙に位置する第２磁性領域を移動させることができるインダクタは、孔隙を備えた通常のインダクタより高いインダクタンス特性を有する。なお、第２磁性領域を移動させることができるインダクタは負荷の大きさに応じても異なるインダクタ特性を有してよい。
【０１３５】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は以上の実施形態に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的趣旨の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図１】
2017525147.tif 000005
【図２】
2017525147.tif 000006
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2017525147.tif 000011
【図８】
2017525147.tif 000012
【図９】
2017525147.tif 000013
【図１０】
2017525147.tif 000014
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2017525147.tif 000017
【図１４】
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【図１５】
2017525147.tif 000019
【図１６】
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【図１７】
2017525147.tif 000021
【図１８】
2017525147.tif 000022
【図１９】
2017525147.tif 000023
【図２０】
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【図２１】
2017525147.tif 000025
【図２２】
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【国際調査報告】
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2017525147.tif 000028
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