(57)【要約】【解決手段】いくつかの実施形態は、方法を含む。方法は、キャリア基板を提供するステップと、キャリア基板上に接着改良層を提供するステップと、デバイス基板を提供するステップと、デバイス基板とキャリア基板とを共に結合するステップであって、デバイス基板とキャリア基板とが共に結合される際に、接着改良層がデバイス基板とキャリア基板との間に位置する、ステップとを含み得る。これらの実施形態では、接着改良層は、デバイス基板が接着改良層無しでキャリア基板と結合する第２の接合力より大きい第１の接合力でデバイス基板が接着改良層によってキャリア基板と間接的に結合するように構成されることができる。また、関連する方法およびデバイスの他の実施形態も開示される。【選択図】図１
2017518638.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリア基板を提供するステップと、
前記キャリア基板上に接着改良層を提供するステップと、
デバイス基板を提供するステップと、
前記デバイス基板と前記キャリア基板とを共に結合するステップであって、前記デバイス基板と前記キャリア基板とが共に結合される際に、前記接着改良層が前記デバイス基板と前記キャリア基板との間に位置する、ステップと
を含む、方法であって、
前記接着改良層が、前記デバイス基板が前記接着改良層無しで前記キャリア基板と結合する第２の接合力より大きい第１の接合力で前記デバイス基板が前記接着改良層によって前記キャリア基板と間接的に結合するように構成される、方法。
【請求項２】
前記デバイス基板と前記キャリア基板とを共に結合するステップが、前記デバイス基板を前記接着改良層と直接接合するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記キャリア基板上に前記接着改良層を提供するステップが、前記デバイス基板と前記キャリア基板とを共に結合する前に、前記接着改良層が前記接着改良層の周辺部分のみに残るように前記接着改良層の中央部分をエッチングするステップを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記キャリア基板上に前記接着改良層を提供するステップが、前記キャリア基板の実質的にすべての表面上に前記接着改良層を提供するステップを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記キャリア基板が剛性基板を含むか、または
前記デバイス基板がフレキシブル基板を含むか
の少なくとも１つである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記剛性基板が、アルミナ、シリコン、ガラス、金属またはサファイアの少なくとも１つを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記フレキシブル基板が、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルスルフォン、ポリイミド、ポリカーボネート、環状オレフィン共重合体、液晶高分子またはガラスの少なくとも１つを含む、請求項５または６に記載の方法。
【請求項８】
前記接着改良層がアモルファスシリコンを含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記デバイス基板と前記キャリア基板とを共に結合した後に、前記デバイス基板と前記キャリア基板とが共に結合されている間に、前記デバイス基板上に１つまたは複数の半導体素子を提供するステップをさらに含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記デバイス基板上に前記１つまたは複数の半導体素子を提供した後に、前記キャリア基板から前記デバイス基板を機械的に切り離すステップをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記キャリア基板から前記デバイス基板を機械的に切り離すステップが、前記機械的な切り離しを実行するために前記第１の接合力を低下させることなくおよび前記第２の接合力を低下させることなく行われる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記機械的な切り離しを実行するために前記第１の接合力または前記第２の接合力の少なくとも１つを低下させるステップをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
接着剤を提供するステップをさらに含み、前記デバイス基板と前記キャリア基板とを共に結合するステップが、前記接着剤で前記デバイス基板を前記接着改良層と接合するステップを含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記接着剤がアクリレート重合体接着剤を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記デバイス基板上に前記１つまたは複数の半導体素子を提供した後に、前記キャリア基板から前記デバイス基板を機械的に切り離すステップをさらに含む、請求項１３または１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記デバイス基板が前記キャリア基板から機械的に切り離された直後に、前記接着剤のおよそ５パーセント未満が前記デバイス基板に残っている、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記デバイス基板が前記キャリア基板から機械的に切り離された直後に、前記接着剤が前記デバイス基板に全く残っていない、請求項１５または１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記キャリア基板から前記デバイス基板を機械的に切り離すステップが、前記機械的な切り離しを実行するために前記第１の接合力を低下させることなくおよび前記第２の接合力を低下させることなく行われる、請求項１５〜１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記機械的な切り離しを実行するために前記第１の接合力または前記第２の接合力の少なくとも１つを低下させるステップをさらに含む、請求項１５〜１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
キャリア基板を提供するステップと、
前記キャリア基板上に接着改良層を提供するステップと、
接着剤を提供するステップと、
第１の表面および前記第１の表面の反対側の第２の表面を含むデバイス基板を提供するステップと、
前記接着剤で前記デバイス基板の前記第１の表面と前記キャリア基板とを共に結合するステップであって、前記デバイス基板の前記第１の表面と前記キャリア基板とが共に結合される際に、前記接着改良層が前記デバイス基板の前記第１の表面と前記キャリア基板との間に位置する、ステップと、
前記デバイス基板の前記第１の表面と前記キャリア基板とを共に結合した後に、前記デバイス基板と前記キャリア基板とが共に結合されている間に、前記デバイス基板の前記第２の表面上に１つまたは複数の半導体素子を提供するステップと、
前記デバイス基板の前記第２の表面上に前記１つまたは複数の半導体素子を提供した後に、切り離した直後に５パーセント以下の前記接着剤が前記デバイス基板の前記第１の表面に残るように、前記キャリア基板から前記デバイス基板の前記第１の表面を機械的に切り離すステップと
を含む、方法。
【請求項２１】
前記機械的な切り離しの後に、前記キャリア基板が前記接着改良層と結合されたままであり、かつ前記接着剤の大部分が前記接着改良層と結合されたままである、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記キャリア基板が剛性基板を含み、
前記デバイス基板がフレキシブル基板を含み、
前記接着改良層がアモルファスシリコンを含み、および
前記キャリア基板がアモルファスシリコンを欠いている、請求項２０または２１に記載の方法。
【請求項２３】
第１の表面および前記第１の表面の反対側の第２の表面を含むキャリア基板を提供するステップと、
第１の表面および前記第１の表面の反対側の第２の表面を含むデバイス基板を提供するステップと、
前記デバイス基板の前記第１の表面が前記キャリア基板の前記第２の表面の少なくとも一部と結合する力を増大させるために、前記キャリア基板の前記第２の表面の前記少なくとも一部を処理するステップと、
前記デバイス基板の前記第１の表面と前記キャリア基板の前記第２の表面とを共に結合するステップと
を含む、方法。
【請求項２４】
前記デバイス基板の前記第１の表面と前記キャリア基板の前記第２の表面とを共に結合した後に、前記デバイス基板と前記キャリア基板とが共に結合されている間に、前記デバイス基板の前記第２の表面上に１つまたは複数の半導体素子を提供するステップをさらに含む、請求項２３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
連邦支援の研究または開発に関する説明
本発明は、陸軍研究局から授与されたＷ９１１ＮＦ−０４−２−０００５の下、政府支援を得て行われた。政府は、本発明における特定の権利を有する。
関連出願の相互参照
本出願は、２０１４年５月１３日に出願された米国仮特許出願第６１／９９２，７９９号明細書の利益を主張する。米国仮特許出願第６１／９９２，７９９号明細書は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【０００２】
本発明は、概して、電子デバイスの製作に関し、より具体的には、フレキシブル基板上に１つまたは複数の半導体素子を有する電子デバイスの製作およびそれからの電子デバイスに関する。
【背景技術】
【０００３】
エレクトロニクス産業では、フレキシブル基板は、電子デバイスの基部として急速に人気が高まっている。フレキシブル基板は、例えば、無数のプラスチック、金属箔およびガラス（例えば、フルオロケイ酸塩ガラス、ホウケイ酸ガラス、Ｃｏｒｎｉｎｇ（登録商標）ガラス、Ｗｉｌｌｏｗ（商標）ガラスおよび／またはＶｉｔｒｅｌｌｅガラスなど）のいずれかなど、多種多様な材料を含み得る。１つまたは複数の所望の半導体素子がフレキシブル基板の表面上に形成された時点で、フレキシブル基板は、最終製品に取り付けるか、またはさらなる構造に組み込むことができる。そのような製品または構造の典型的な例は、フラットパネルディスプレイ上のアクティブマトリクス、小売店の様々な市販の商品上のＲＦＩＤ（無線自動識別）タグ、各種のセンサなどである。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
当技術分野では、例えば、パラメータ特性および／または寿命の改善ならびに湾曲、反りおよび／または歪みの低減など、電気特性の改善を可能にするフレキシブル基板を有する電子デバイスを製作するための方法を開発する必要がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態のさらなる説明を容易にするため、以下の図面を提供する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】半導体デバイスを提供する方法の実施形態に対するフローチャートを示す。
【図２】図１の実施形態による、半導体デバイスのキャリア基板を提供する例示的な活動を示す。
【図３】図１の実施形態による、キャリア基板の少なくとも一部上に半導体デバイスの接着改良層を提供する例示的な活動を示す。
【図４】実施形態による、キャリア基板上に接着改良層を提供した後の半導体デバイスの部分断面図を示す。
【図５】実施形態による、接着改良層の周辺部分を残してキャリア基板を露出させるために半導体デバイスの接着改良層の中央部分がエッチングによって除去された半導体デバイスの部分断面図を示す。
【図６】図４の実施形態による、キャリア基板上および接着改良層上に接着剤を提供した後の半導体デバイスの部分断面図を示す。
【図７】図１の実施形態による、デバイス基板とキャリア基板とを共に結合する例示的な活動を示す。
【図８】図７の実施形態による、デバイス基板を接着改良層と直接接合する例示的な活動を示す。
【図９】図５の実施形態による、デバイス基板を接着改良層と直接接合してキャリア基板上に提供した後の半導体デバイスの部分断面図を示す。
【図１０】図７の実施形態による、接着剤でデバイス基板を接着改良層と接合する例示的な活動を示す。
【図１１】図４の実施形態による、接着剤でデバイス基板を接着改良層と接合してキャリア基板上に提供した後の半導体デバイスの部分断面図を示す。
【図１２】図４の実施形態による、デバイス基板上に１つまたは複数の半導体素子を提供した後の半導体デバイスの部分断面図を示す。
【図１３】図５の実施形態による、デバイス基板上に１つまたは複数の半導体素子を提供した後の半導体デバイスの部分断面図を示す。
【図１４】図５の実施形態による、デバイス基板の非デバイス部分からデバイス基板のデバイス部分を切断した後の半導体デバイスの部分断面図を示す。
【図１５】図４の実施形態による、キャリア基板からデバイス基板を切り離した後の半導体デバイスのデバイス基板の断面図を示す。
【図１６】図５の実施形態による、キャリア基板からデバイス部分を切り離した後の半導体デバイスのデバイス基板のデバイス部分の断面図を示す。
【図１７】フーリエ変換赤外分光法を通じて、シリコンキャリア基板のスペクトルを差し引いた状態での、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）デバイス基板をシリコンキャリア基板と接合する硬化接着剤の波数の関数としての吸光度を示すグラフである。
【図１８】図１７の対象エリアを示すグラフである。
【図１９】フーリエ変換赤外分光法を通じて、（ｉ）未処理のポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）デバイス基板、（ｉｉ）アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）接着改良層有りでシリコンキャリア基板上に処理され、シリコンキャリア基板から切り離されたポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）デバイス基板、および（ｉｉｉ）アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）接着改良層無しでシリコンキャリア基板上に処理され、シリコンキャリア基板から切り離されたポリエチレンナフタレートデバイス基板の波数の関数としての吸光度を示すグラフである。
【図２０】フーリエ変換赤外分光法を通じて、（ｉ）アモルファスシリコン接着改良層無しでシリコンキャリア基板上に処理され、シリコンキャリア基板から切り離された第１のポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）デバイス基板であって、第２のポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）デバイス基板のスペクトルが差し引かれている、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）デバイス基板、（ｉｉ）シリコンキャリア基板のスペクトルを差し引いた状態での、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）デバイス基板をシリコンキャリア基板から切り離した後にシリコンキャリア基板上に残っている硬化接着剤、および（ｉｉｉ）アモルファスシリコン接着改良層有りでシリコンキャリア基板上に処理され、シリコンキャリア基板から切り離された第１のポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）デバイス基板であって、第２のポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）デバイス基板のスペクトルが差し引かれている、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）デバイス基板の波数の関数としての吸光度を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
図解を分かり易く、明確にするため、図面は、構築の一般的な方法を示し、周知の特徴および技法の説明および詳細は、本発明を不必要に曖昧にすることを避けるために省略することができる。それに加えて、図面の要素は、必ずしも原寸に比例するとは限らない。例えば、図面の要素のうちのいくつかの寸法は、本発明の実施形態の理解の向上に役立てるために、他の要素と比べて拡大させることができる。異なる図面における同じ参照番号は、同じ要素を示す。
【０００８】
説明および請求項における「第１の」、「第２の」、「第３の」、「第４の」という用語および同様の用語は、使用される場合、同様の要素を区別するために使用され、必ずしも特定の順番または時系列を説明するとは限らない。そのように使用される用語は、適切な状況下で交換可能であり、その結果、本明細書で説明される実施形態は、例えば、本明細書で示されるかまたはそうでなければ説明される順番以外の順番での動作が可能であることを理解されたい。そのうえ、「含む」および「有する」という用語ならびにその変形語は、非排他的な包含を網羅することが意図され、その結果、一連の要素を含むプロセス、方法、システム、物品、デバイスまたは装置は、必ずしもそれらの要素に限定されないが、そのようなプロセス、方法、システム、物品、デバイスまたは装置に対して明示的に記載されていないまたは固有の他の要素を含み得る。
【０００９】
説明および請求項における「左側」、「右側」、「前側」、「後側」、「上部」、「下部」、「〜上に」、「〜下に」という用語および同様の用語は、使用される場合、説明を目的として使用され、必ずしも永久的な相対位置を説明するとは限らない。そのように使用される用語は、適切な状況下で交換可能であり、その結果、本明細書で説明される本発明の実施形態は、例えば、本明細書で示されるかまたはそうでなければ説明される位置付けとは別の位置付けでの動作が可能であることを理解されたい。
【００１０】
「結合する（ｃｏｕｐｌｅ）」、「結合された」、「結合する（ｃｏｕｐｌｅｓ）」、「結合している」という用語および同様の用語は、広い範囲で理解すべきであり、２つ以上の要素または信号を電気的に、機械的におよび／または別の方法で接続することを指す。すなわち、２つ以上の電気要素が電気的に結合できるが、機械的にまたは別の方法では結合できない場合、２つ以上の機械要素が機械的に結合できるが、電気的にまたは別の方法では結合できない場合、または２つ以上の電気要素が機械的に結合できるが、電気的にまたは別の方法では結合できない場合がある。結合は、例えば、永久的もしくは半永久的またはごく一瞬など、いかなる時間長でもよい。
【００１１】
「電気的な結合」および同様の用語は、広い範囲で理解すべきであり、電力信号、データ信号および／または電気信号の他のタイプもしくは組合せにかかわらず、いかなる電気信号に関与する結合も含む。「機械的な結合」および同様の用語は、広い範囲で理解すべきであり、すべてのタイプの機械的な結合を含む。
【００１２】
「結合する」という用語および同様の用語の近くの「取り外し可能に」、「取り外し可能な」という用語および同様の用語の欠如は、問題の結合などが取り外し可能であるかまたは取り外し可能でないことを意味するわけではない。
【００１３】
「湾曲（ｂｏｗｉｎｇ）」という用語は、本明細書で使用される場合、基板の上面および下面または主面に平行な平均面に関する基板の曲率を意味する。「反り（ｗａｒｐｉｎｇ）」という用語は、本明細書で使用される場合、基板の上面および下面または主面に垂直なｚ軸に対する基板の表面の線形変位を意味する。「歪み（ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ）」という用語は、本明細書で使用される場合、基板の面内（すなわち、基板の上面および下面または主面に平行なｘ−ｙ平面）の変位を意味する。例えば、歪みは、基板のｘ−ｙ平面における収縮および／または基板のｘ−ｙ平面における拡張を含み得る。
【００１４】
「ＣＴＥ適合材料」という用語および同様の用語は、本明細書で使用される場合、基準材料のＣＴＥとは約２０パーセント（％）未満だけ異なる熱膨張係数（ＣＴＥ）を有する材料を意味する。好ましくは、ＣＴＥは、約１０％、５％、３％または１％未満だけ異なる。
【００１５】
「フレキシブル基板」という用語は、本明細書で使用される場合、その形状を容易に適応させる自立基板を意味する。それに従って、多くの実施形態では、フレキシブル基板は、可撓性材料を含み得る（例えば、可撓性材料からなる）、および／または基板がその形状を容易に適応できるほど十分に薄い厚さ（例えば、平均厚さ）を含み得る。これらのまたは他の実施形態では、可撓性材料は、低い弾性係数を有する材料を指し得る。そのうえ、低い弾性係数は、およそ５ギガパスカル（ＧＰａ）未満の弾性係数を指し得る。いくつかの実施形態では、その形状を容易に適応できるほど十分に薄いためフレキシブル基板である基板は、より大きい厚さで実装される場合および／または基板が５ＧＰａを超える弾性係数を有する場合はフレキシブル基板ではない場合がある。例えば、弾性係数は、およそ５ＧＰａ以上であるが、およそ２０ＧＰａ、５０ＧＰａ、７０ＧＰａまたは８０ＧＰａ以下であり得る。いくつかの実施形態では、その形状を容易に適応できるほど十分に薄いためフレキシブル基板であるが、より大きい厚さで実装される場合はフレキシブル基板ではない可能性がある基板の例示的な材料は、およそ２５マイクロメートル以上かつおよそ１００マイクロメートル以下の厚さを有するあるガラス（例えば、米国、Ｎｅｗ  Ｙｏｒｋ、ＣｏｒｎｉｎｇのＣｏｒｎｉｎｇ  Ｉｎｃ．によって製造されるようなものなど、例えば、フルオロケイ酸塩ガラス、ホウケイ酸ガラス、Ｃｏｒｎｉｎｇ（登録商標）ガラス、Ｗｉｌｌｏｗ（商標）ガラスおよび／またはＶｉｔｒｅｌｌｅガラスなど）またはシリコンを含み得る。
【００１６】
その一方では、「剛性基板」という用語は、本明細書で使用される場合、その形状を容易に適応させない自立基板および／またはフレキシブル基板ではない基板を意味し得る。いくつかの実施形態では、剛性基板は、フレキシブル基板を欠いているものであり得る、および／またはフレキシブル基板の弾性係数より大きい弾性係数を有する材料を含み得る。様々な実施形態では、剛性基板は、基板がその形状を容易に適応できないほど十分に厚い厚さで実装することができる。これらのまたは他の例では、キャリア基板の厚さの増加によって提供されるキャリア基板の剛性の増加は、キャリア基板の厚さの増加によって提供されるコストおよび重量の増加に対してバランスを取ることができる。
【００１７】
本明細書で使用される場合、「研磨する」は、表面をラッピングして研磨することまたは表面をラッピングすることのみを意味し得る。
【００１８】
いくつかの実施形態は、方法を含む。方法は、キャリア基板を提供するステップと、キャリア基板上に接着改良層を提供するステップと、デバイス基板を提供するステップと、デバイス基板とキャリア基板とを共に結合するステップであって、デバイス基板とキャリア基板とが共に結合される際に、接着改良層がデバイス基板とキャリア基板との間に位置する、ステップとを含み得る。これらの実施形態では、接着改良層は、デバイス基板が接着改良層無しでキャリア基板と結合する第２の接合力より大きい第１の接合力でデバイス基板が接着改良層によってキャリア基板と間接的に結合するように構成されることができる。
【００１９】
他の実施形態は、方法を含む。方法は、キャリア基板を提供するステップと、キャリア基板上に接着改良層を提供するステップと、接着剤を提供するステップと、第１の表面および第１の表面の反対側の第２の表面を含むデバイス基板を提供するステップと、接着剤でデバイス基板の第１の表面とキャリア基板とを共に結合するステップであって、デバイス基板の第１の表面とキャリア基板とが共に結合される際に、接着改良層がデバイス基板の第１の表面とキャリア基板との間に位置する、ステップと、デバイス基板の第１の表面とキャリア基板とを共に結合した後に、デバイス基板とキャリア基板とが共に結合されている間に、デバイス基板の第２の表面上に１つまたは複数の半導体素子を提供するステップと、デバイス基板の第２の表面上に１つまたは複数の半導体素子を提供した後に、切り離した直後に５パーセント以下の接着剤がデバイス基板の第１の表面に残るように、キャリア基板からデバイス基板の第１の表面を機械的に切り離すステップとを含み得る。
【００２０】
さらなる実施形態は、方法を含む。方法は、第１の表面および第１の表面の反対側の第２の表面を含むキャリア基板を提供するステップと、第１の表面および第１の表面の反対側の第２の表面を含むデバイス基板を提供するステップと、デバイス基板の第１の表面がキャリア基板の第２の表面の少なくとも一部と結合する力を増大させるために、キャリア基板の第２の表面の少なくとも一部を処理するステップと、デバイス基板の第１の表面とキャリア基板の第２の表面とを共に結合するステップとを含み得る。
【００２１】
図面に移ると、図１は、方法１００の実施形態に対するフローチャートを示す。方法１００は、単なる例示であり、本明細書で提示される実施形態に限定されない。方法１００は、本明細書で具体的に描写または説明されない多くの異なる実施形態または実施例で採用することができる。いくつかの実施形態では、方法１００の活動は、提示される順番で実行することができる。他の実施形態では、方法１００の活動は、他の適切ないかなる順番でも実行することができる。さらなる他の実施形態では、方法１００の活動のうちの１つまたは複数は、組み合わせることも、省略することもできる。
【００２２】
多くの実施形態では、方法１００は、電子デバイスを提供する（例えば、製造する）方法を含み得る。電子デバイスは適切ないかなる電子デバイスも含み得るが、多くの実施形態では、電子デバイスは、電子ディスプレイ、Ｘ線センサ、生物学的センサ、バッテリなどを含み得る。一般的に言えば、電子デバイスの１つまたは複数の半導体素子がデバイス基板上に提供される際に、電子デバイスのデバイス基板をキャリア基板と結合することにより、電子デバイスの提供を容易にすることができる。例えば、いくつかの実施形態では、デバイス基板がフレキシブル基板を含み、キャリア基板が剛性基板を含む際には、電子デバイスのデバイス基板をキャリア基板と結合することにより、剛性基板上での処理のために構成された半導体製造インフラストラクチャを使用して電子デバイスの半導体素子をデバイス基板上に提供することが可能になり得る。多くの実施形態では、半導体素子をデバイス基板上に提供した後に、方法１００は、本明細書でさらに詳細に論じられるように、電子デバイスにおける欠陥を軽減または排除する方法で、デバイス基板をキャリア基板から切り離せるようにすることが可能である。
【００２３】
例えば、方法１００は、キャリア基板を提供する活動１０１を含み得る。図２は、図１の実施形態による、例示的な活動１０１を示す。
【００２４】
多くの実施形態では、活動１０１は、キャリア基板を備え付ける活動２０１を含み得る。キャリア基板は、第１の表面および第１の表面の反対側の第２の表面を含み得る。キャリア基板は、以下で説明されるように、デバイス基板がキャリア基板および接着改良層と結合される際には、デバイス基板の湾曲、反りおよび／または歪みを最小限に抑えるように構成することができる。
【００２５】
それに従って、多くの実施形態では、キャリア基板は、剛性基板を含み得る。キャリア基板（例えば、剛性基板）は、上記で定義されるような剛性基板の特性を有する適切ないかなる材料も含み得る。具体的には、例示的な材料は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、シリコン、ガラス（例えば、ホウケイ酸バリウム、ソーダ石灰ケイ酸塩および／またはアルカリケイ酸塩）、金属、金属合金（例えば、鋼、例えば、ステンレス鋼など）および／またはサファイアを含み得る。しかし、いくつかの実施形態では、キャリア基板（例えば、剛性基板）は、シリコンおよび／またはアモルファスシリコンを欠いている場合がある。その一方では、多くの実施形態では、ガラスは、低ＣＴＥガラスを含み得る。
【００２６】
さらに、キャリア基板（例えば、剛性基板）の材料は、材料のＣＴＥがデバイス基板および／または接着改良層の材料のＣＴＥとほぼ一致するように選択することもでき、その各々は、上記で簡単に紹介され、以下でさらに詳細に説明される。同様に、いくつかの実施形態では、デバイス基板および／または接着改良層の材料は、ＣＴＥがキャリア基板の材料と一致するおよび／または互いに一致するように選択することができる。一致しないＣＴＥは、キャリア基板、デバイス基板および／または接着改良層間の応力を生み出し得る。
【００２７】
その一方では、多くの実施形態では、キャリア基板は、ウェーハまたはパネルであり得る。キャリア基板（例えば、ウェーハまたはパネル）は、適切ないかなる寸法も含み得る。例えば、キャリア基板（例えば、ウェーハまたはパネル）は、例えば、およそ６インチ（およそ１５．２４センチメートル）、およそ８インチ（およそ２０．３２センチメートル）、およそ１２インチ（およそ３０．４８センチメートル）またはおよそ１８インチ（およそ４５．７２センチメートル）など、適切ないかなる最大寸法（例えば、直径）も含み得る。いくつかの実施形態では、キャリア基板は、およそ３７０ミリメートル×およそ４７０ミリメートル、およそ４００ミリメートル×およそ５００ミリメートル、およそ６２０ミリメートル×およそ７５０ミリメートル、およそ７３０ミリメートル×およそ９２０ミリメートル、およそ１，０００ミリメートル×およそ１，２００ミリメートル、およそ１，０００ミリメートル×およそ１，３００、およそ１，３００ミリメートル×およそ１，５００ミリメートル、およそ１，５００ミリメートル×およそ１，８５０ミリメートル、およそ１，８７０ミリメートル×およそ２，２００ミリメートル、およそ１，９５０ミリメートル×およそ２，２５０ミリメートル、およそ２，１６０ミリメートル×およそ２，４６０ミリメートル、およそ２，２００ミリメートル×およそ２，５００ミリメートルまたはおよそ２，８８０ミリメートル×およそ３，１３０ミリメートルのパネルであり得る。いくつかの実施形態では、キャリア基板（例えば、ウェーハまたはパネル）は、キャリア基板厚さを含み得る。キャリア基板厚さは、キャリア基板の第１および第２の表面にほぼ垂直な方向に測定されたキャリア基板の寸法を指し得る。例えば、キャリア基板厚さは、およそ３００マイクロメートル以上かつおよそ２ミリメートル以下であり得る。これらのまたは他の実施形態では、キャリア基板厚さは、およそ０．５ミリメートル以上であり得る。多くの実施形態では、キャリア基板厚さは、ほぼ一定であり得る。
【００２８】
後に、いくつかの実施形態では、活動１０１は、キャリア基板を洗浄する活動２０２を含み得る。いくつかの実施形態では、活動２０２は、プラズマ（例えば、酸素プラズマ）でまたは超音波浴でキャリア基板を洗浄することによって実行することができる。
【００２９】
次いで、活動１０１は、キャリア基板の第１の表面および／または第２の表面を研磨する活動２０３を含み得る。以下で説明されるように、接着改良層と続いて結合（例えば、接合）していないキャリア基板の表面（例えば、第１の表面）を研磨することにより、キャリア基板を処理するための真空または空気チャックの能力が改善される。また、以下で説明されるように、接着改良層と続いて結合（例えば、接合）されるキャリア基板の表面（例えば、第２の表面）を研磨することにより、デバイス基板とキャリア基板とが共に結合された後に結果として得られるデバイス基板アセンブリをｚ軸方向に粗くする恐れのあるキャリア基板のその表面における位相特徴が除去される。
【００３０】
次に、図１に戻ると、方法１００は、例えば、キャリア基板の第２の表面の少なくとも一部（例えば、すべて）上になど、キャリア基板の少なくとも一部上に接着改良層を提供する活動１０２を含み得る。キャリア基板のように、接着改良層は、第１の表面および第１の表面の反対側の第２の表面を含み得る。これらの実施形態では、接着改良層の第１の表面は、キャリア基板の第２の表面に隣接して位置し得る。
【００３１】
以下で説明されるように、様々な実施形態では、接着改良層は、適切ないかなる材料（例えば、アモルファスシリコン、シリコン窒化物、二酸化ケイ素および／または３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランなど）も含み得、キャリア基板とデバイス基板および／または接着剤との間の直接の接合力（すなわち、第２の接合力）より大きい接合力（すなわち、第１の接合力）で、以下で説明されるように、デバイス基板および／またはデバイス基板を接着改良層と接合する接着剤と接合することができる。その結果、接着改良層は、接着改良層無しで可能であり得るものより大きい接合力でデバイス基板が接着改良層によってキャリア基板と間接的に結合するように構成された中間層として動作可能である。それに従って、いくつかの例では、活動１０２は、デバイス基板の第１の表面がキャリア基板の第２の表面の少なくとも一部と結合する力（すなわち、第２の接合力）を増大させる（すなわち、第１の接合力まで）ためにキャリア基板の第２の表面の少なくとも一部を処理する活動の一部として実行することができる。図３は、図１の実施形態による、例示的な活動１０２を示す。
【００３２】
活動１０２は、例えば、キャリア基板の第２の表面の少なくとも一部（例えば、すべて）上になど、キャリア基板の少なくとも一部上に接着改良層を堆積させる活動３０１を含み得る。他の実施形態では、活動３０１は、デバイス基板の第１の表面に接着改良層を堆積させる活動と置き換えることができる。いずれの実装形態でも、堆積は、化学気相成長（例えば、プラズマ化学気相成長）を介して実行することができる。例えば、多くの実施形態では、接着改良層は、１つまたは複数の既定の条件の下で、キャリア基板（例えば、キャリア基板の第２の表面の少なくとも一部、すべてまたは実質的にすべて）上に堆積させることができる。堆積のための例示的な条件は、およそ０．２６７ｋＰａの圧力、およそ１７０ｍＷ／ｃｍ２の電力密度、およそ１００立方センチメートル毎分のシランフロー、およそ３０００立方センチメートル毎分の水素フローおよびおよそ２．４４センチメートルのサセプタ間隔を含み得る。
【００３３】
接着改良層は、厚さ（すなわち、接着改良層がキャリア基板上に提供される際にキャリア基板の第２の表面にほぼ垂直な接着改良層の寸法）を含むように提供する（例えば、堆積させる）ことができる。多くの実施形態では、厚さは、キャリア基板の第２の表面にわたってほぼ一定であり得る。いくつかの実施形態では、厚さは、例えば、およそ０．３マイクロメートルなど、およそ０．０５マイクロメートル以上かつおよそ２５マイクロメートル以下であり得る。一般に、厚さは、キャリア基板上での接着改良層の連続分布を保証できるほど十分に厚くなるように選択することができる。さらに、以下で説明されるように、デバイス基板がキャリア基板および／または接着改良層と結合される際にデバイス基板の湾曲、反りおよび／または歪みを最小限に抑えるために、厚さは、依然としてキャリア基板を可能にする一方で、できる限り薄くなるように選択することができる。
【００３４】
いくつかの実施形態では、活動１０２は、接着改良層の少なくとも一部（例えば、接着改良層の第２の表面の少なくとも一部）上にマスク（例えば、フォトレジスト）をパターニングする活動３０２を含み得る。マスクは、エッチングが行われない予定の接着改良層の１つまたは複数の部分を覆うことができる。例えば、マスクは、以下で説明されるように、接着改良層の第２の表面の周辺部分上にパターニングし、活動３０３の間、接着改良層の第２の表面の中央部分を露出したままにすることができる。
【００３５】
これらの実施形態では、キャリア基板の周辺部分は、キャリア基板のエッジとキャリア基板の周辺との間に位置するキャリア基板の第２の表面の部分を指し得る。周辺は、キャリア基板のエッジから既定の距離にあるキャリア基板の第２の表面に位置する連続基準線を指し得る。既定の距離は、半導体デバイスの製作の間に処理されるキャリア表面の部分に対応できるように十分に大きくなるようにする一方で、半導体デバイスのデバイス構築表面を最大化するためにできる限り小さくなるように選択することができる。その一方では、接着改良層の中央部分は、半導体デバイスのデバイス構築表面に相当するキャリア基板の第２の表面の残りの部分を指し得る。
【００３６】
マスクは、以下で説明されるように、活動３０３の間を通じてマスクがエッチングされないような厚さで提供することができる。いくつかの例では、マスクは、例えば、およそ３．５マイクロメートルなど、およそ２．５マイクロメートル以上かつおよそ５．０マイクロメートル以下の厚さを有し得る。
【００３７】
いくつかの実施形態では、活動３０２は、フォトレジストで接着改良層の第２の表面をコーティングすることによって実行することができる。次に、接着改良層は、テンプレートと位置合わせすることができ、フォトレジストは、マスクイメージをテンプレートからフォトレジストに転写するために紫外線光に暴露することができる。マスクイメージを転写した後、フォトレジストを焼き締めることができる。次いで、マスクは、テンプレートのためにＵＶ光に暴露されなかったフォトレジストの部分を除去するために、従来の現像用化学物質を使用することによって現像することができる。
【００３８】
次に、活動１０２は、接着改良層（例えば、接着改良層の非マスキング部分）をエッチングする活動３０３を含み得る。多くの実施形態では、活動３０３は、接着改良層の反応性イオンエッチングまたはウェットエッチングを行うことによって実行することができる。いくつかの例では、接着改良層は、緩衝酸化物エッチング溶液、塩素ベースのエッチング溶液またはフッ素ベースのエッチング溶液でエッチングすることができる。
【００３９】
その一方では、活動３０３の後、活動１０２は、マスクを除去する活動３０４を含み得る。いくつかの例では、活動３０４は、例えば、アセトン、ｎ−メチルピロリドンム、アミノプロピルモルホリン、ジメチルスルホキシド、アミノプロパノールおよび／またはスルホランなどの１つまたは複数の溶媒を含む溶媒エッチングでマスクを溶解することによって実行することができる。これらのまたは他の例では、溶媒エッチングは、７０℃での静止浴、再循環浴またはスプレー塗装機で実行することができる。次いで、接着改良層の残りの部分を有するキャリア基板は、脱イオン水ですすぎ、スピン乾燥するかまたはエアナイフ乾燥することができる。いくつかの例では、すすぎは、クイックダンプリンス装置で実行することができ、乾燥は、スピンリンスドライヤで実行することができる。
【００４０】
多くの実施形態では、活動３０２〜３０４を省略することができる。いくつかの実施形態では、活動３０２〜３０４が実行されるかまたは実行されないかは、以下で説明されるように、デバイス基板に対して実装される材料に依存し得る。例えば、デバイス基板がポリイミドを含む場合、活動３０２〜３０４を実行することが望ましい。その一方では、デバイス基板がポリエチレンナフタレートを含む場合、活動３０２〜３０４を省略することが望ましい。
【００４１】
活動１０２は、接着改良層の残りの部分を有するキャリア基板を洗浄する活動３０５を含み得る。活動３０５は、接着改良層の残りの部分を有するキャリア基板を脱イオン水ですすぎ、接着改良層の残りの部分を有するキャリア基板をスピン乾燥することによって実行することができる。いくつかの例では、すすぎは、クイックダンプリンス装置で実行することができ、乾燥は、スピンリンスドライヤで実行することができる。いくつかの実施形態では、活動３０５は、省略するか、または活動３０４の一部として実行することができる。
【００４２】
さらに、活動１０２は、接着改良層の残りの部分を有するキャリア基板をエッチングする（例えば、アッシングする）活動３０６を含み得る。活動３０６は、酸素プラズマエッチングで実行することができる。いくつかの実施形態では、酸素プラズマエッチングは、９０分間、およそ１２０ｍＴｏｒｒの圧力で実行することができる。いくつかの実施形態では、活動３０６を省略することができる。
【００４３】
先の図面を簡単に参照すると、図４は、実施形態による、キャリア基板４０１上に接着改良層４０２を提供した後の半導体デバイス４００の部分断面図を示す。半導体デバイス４００は、方法１００（図１）の半導体デバイスと同様のものまたは同一のものであり得る。さらに、キャリア基板４０１および／または接着改良層４０２は、方法１００（図１）のキャリア基板および／または接着改良層のそれぞれと同様のものまたは同一のものであり得る。それに従って、キャリア基板４０１は、第１の表面４０３および第１の表面４０３の反対側の第２の表面４０４を含み得る。同様に、接着改良層４０２は、第１の表面４０５および第１の表面４０５の反対側の第２の表面４０６を含み得る。
【００４４】
その一方では、図５は、実施形態による、半導体デバイス５００の部分断面図を示す。半導体デバイス５００は、接着改良層５０２の周辺部分５０８を残してキャリア基板５０１を露出させるために接着改良層５０２の中央部分がエッチングによって除去されることを除いて、半導体デバイス４００と同様のものまたは同一のものであり得る。キャリア基板５０１は、キャリア基板４０１（図４）および／または方法１００（図１）のキャリア基板と同様のものまたは同一のものであり得る。接着改良層５０２は、接着改良層４０２（図４）および／または方法１００（図１）の接着改良層と同様のものまたは同一のものであり得る。中央部分５０７および／または周辺部分５０８は、方法１００（図１）の接着改良層の中央部分および／または周辺部分のそれぞれと同様のものまたは同一のものであり得る。それに従って、キャリア基板５０１は、第１の表面５０３および第１の表面５０３の反対側の第２の表面５０４を含み得る。同様に、接着改良層５０２は、第１の表面５０５および第１の表面５０５の反対側の第２の表面５０６を含み得る。
【００４５】
ここで図１に戻ると、方法１００は、デバイス基板を提供する活動１０３を含み得る。キャリア基板のように、デバイス基板は、第１の表面および第１の表面の反対側の第２の表面を含み得る。
【００４６】
多くの実施形態では、デバイス基板は、フレキシブル基板を含み得る。デバイス基板（例えば、フレキシブル基板）は、上記で定義されるようなフレキシブル基板の特性を有する適切ないかなる材料も含み得る。具体的には、例示的な材料は、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルスルフォン、ポリイミド、ポリカーボネート、環状オレフィン共重合体、液晶高分子、他の任意の適切なポリマー、ガラス（例えば、米国、Ｎｅｗ  Ｙｏｒｋ、ＣｏｒｎｉｎｇのＣｏｒｎｉｎｇ  Ｉｎｃ．によって製造されるようなものなど、例えば、フルオロケイ酸塩ガラス、ホウケイ酸ガラス、Ｃｏｒｎｉｎｇ（登録商標）ガラス、Ｗｉｌｌｏｗ（商標）ガラスおよび／またはＶｉｔｒｅｌｌｅガラスなど）、金属箔（例えば、アルミホイルなど）などを含み得る。
【００４７】
いくつかの実施形態では、活動１０３は、デバイス基板を備え付けることによって実行することができる。他の実施形態では、活動１０３は、例えば、以下で説明されるような活動７０１（図７）の一部としてなど、キャリア基板上および接着改良層上（例えば、接着改良層の第２の表面）にデバイス基板を堆積させることによって実行することができる。
【００４８】
さらに、いくつかの実施形態では、方法１００は、例えば、（ｉ）キャリア基板上および接着改良層上（例えば、接着改良層の第２の表面）に、ならびに／あるいは（ｉｉ）デバイス基板の第１の表面になど、接着剤を提供する活動１０４を含み得る。接着剤は、キャリア基板との接合力より大きい接合力で接着改良層と接合するように構成されたいかなる材料も含み得る。多くの例では、接着剤は、アクリレート重合体接着剤を含み得る。いくつかの実施形態では、活動１０４は、例えば、活動７０１（図７）が実行される際など、省略することができる。
【００４９】
様々な実施形態では、活動１０４は、例えば、スピンコーティング、スプレーコーティング、押し出しコーティング、プリフォームラミネーション、スロットダイコーティング、スクリーンラミネーション、スクリーン印刷および／または蒸気プライミングを介してなど、接着改良層上（例えば、接着改良層の第２の表面）に、および／またはデバイス基板の第１の表面に、接着剤を堆積させることによって実行することができる。これらのまたは他の実施形態では、接着剤は、１つまたは複数の既定の条件の下で、接着改良層上（例えば、接着改良層の第２の表面）に、および／またはデバイス基板の第１の表面に堆積させることができる。
【００５０】
具体的な例では、接着剤は、最初に、およそ２５秒間、毎分およそ１，０００回転の回転速度で接着改良層を有するキャリア基板を回転させながら堆積させることができる。次いで、およそ２０秒間、毎分およそ３，５００回転の回転速度でキャリア基板および接着改良層を回転させる前に、キャリア基板および接着改良層は、ある時間の間（例えば、およそ１０秒間）、静止保持することができる。
【００５１】
先の図面に移ると、図６は、図４の実施形態による、キャリア基板４０１上および接着改良層４０２上（例えば、接着改良層４０２の第２の表面４０６）に接着剤６０９を提供した後の半導体デバイス４００の部分断面図を示す。
【００５２】
再び図１に戻ると、方法１００は、デバイス基板とキャリア基板とを共に結合する活動１０５を含み得る。これらの実施形態では、活動１０５は、デバイス基板とキャリア基板とが共に結合される際に、接着改良層がデバイス基板とキャリア基板との間に位置するように実行することができる。それに従って、多くの実施形態では、活動１０５は、活動１０２および／または活動３０１（図３）の後に実行することができる。図７は、図１の実施形態による、例示的な活動１０５を示す。
【００５３】
いくつかの実施形態では、活動１０５は、デバイス基板を接着改良層と直接接合する活動７０１を含み得る。図８は、図７の実施形態による、例示的な活動７０１を示す。
【００５４】
活動７０１は、例えば、スピンコーティング、スプレーコーティング、押し出しコーティング、プリフォームラミネーション、スロットダイコーティング、スクリーンラミネーション、スクリーン印刷および／または蒸気プライミングを介してなど、接着改良層上（例えば、接着改良層の第２の表面）にデバイス基板を堆積させる活動８０１を含み得る。これらのまたは他の実施形態では、デバイス基板は、１つまたは複数の既定の条件の下で、接着改良層上（例えば、接着改良層の第２の表面）に堆積させることができる。
【００５５】
いくつかの実施形態では、既定の条件は、以下で論じられるように、所望のデバイス基板厚さに依存し得る。具体的な例では、デバイス基板は、およそ１０秒間以上かつおよそ１００秒間以下の間、毎分およそ５００回転以上かつ毎分およそ６，０００回転以下の回転速度でキャリア基板を回転させながら堆積させることができる。例えば、回転速度は、毎分およそ１，０００回転であり得る、および／または時間は、およそ２５秒間であり得る。
【００５６】
多くの実施形態では、活動７０１は、接着改良層上（例えば、接着改良層の第２の表面）のデバイス基板を硬化する活動８０２を含み得る。例えば、硬化は、最初に、およそ９０℃〜およそ１５０℃で、およそ１０分間、ホットプレートベークを行い、それに続いて、およそ２２０℃で、およそ１時間、コンベンションオーブンベークを行うことによって起こり得る。多くの実施形態では、活動８０２は、上記で説明されるように、活動８０１を実行するために使用された化学（例えば、溶媒）をデバイス基板から除去する上で役立てることができる。これらのまたは他の実施形態では、活動８０２は、デバイス基板を接着改良層と接合する上で役立てることができる。デバイス基板は、必要に応じて熱硬化および／または光硬化することができる。いくつかの実施形態では、活動８０２を省略することができる。
【００５７】
先の図面を簡単に参照すると、図９は、図５の実施形態による、デバイス基板９１０を接着改良層５０２と直接接合してキャリア基板５０１上に提供した後の半導体デバイス５００の部分断面図を示す。デバイス基板９１０は、方法１００（図１）に関して上記で説明されるデバイス基板と同様のものまたは同一のものであり得る。それに従って、デバイス基板９１０は、第１の表面９１１および第１の表面９１１の反対側の第２の表面９１２を含み得る。第１の表面９１１は、方法１００（図１）のデバイス基板の第１の表面と同様のものまたは同一のものであり得、第２の表面９１２は、方法１００（図１）のデバイス基板の第２の表面と同様のものまたは同一のものであり得る。
【００５８】
ここで図７に戻ると、他の実施形態では、活動１０５は、接着剤でデバイス基板を接着改良層と接合する活動７０２を含み得る。それに従って、方法１００が活動７０２と共に実装される際に、活動１０４（図１）が実行される。特に、多くの実施形態では、活動７０１が実行される際に活動７０２を省略することも、その逆も可能である。図１０は、図７の実施形態による、例示的な活動７０２を示す。
【００５９】
いくつかの実施形態では、活動７０２は、デバイス基板を焼き締める活動１００１を含み得る。これらのまたは他の実施形態では、デバイス基板は、１つまたは複数の既定の条件の下で焼き締めることができる。多くの例では、デバイス基板は、真空条件の下でおよび／またはおよそ１００℃以上かつおよそ２００℃以下の温度で焼き締めることができる。一般に、活動１００１は、活動１００２〜１００６の前に実行することができる。いくつかの実施形態では、活動１００１を省略することができる。
【００６０】
多くの実施形態では、活動７０２は、デバイス基板の第２の表面に保護層を提供する活動１００２を含み得る。多くの実施形態では、保護層は、テープ（例えば、Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ、ＭｏｏｒｐａｒｋのＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎによって製造されたＢｌｕｅ  Ｌｏｗ  Ｔａｃｋ  Ｓｑｕａｒｅｓ、製品番号１８１３３−７．５０）を含み得る。活動８０２を実行することにより、以下で説明されるように、活動１００３を実行する際に、デバイス基板の第２の表面への損傷および／またはデバイス基板の第２の表面の汚染を防ぐことができる。
【００６１】
活動１００２の後、活動７０２は、デバイス基板の第１の表面を接着改良層の第２の表面と接合する活動１００３を続行することができる。活動１００３は、適切ないかなるラミネーション技法（例えば、ロール圧縮、ブラダ圧縮など）も使用して実行することができる。多くの実施形態では、活動１００３は、１つまたは複数の既定の条件の下で実行することができる。多くの例では、活動１００３は、およそ３４ｋＰａ以上かつおよそ２０７ｋＰａ以下の圧力で、およそ８０℃以上かつおよそ１４０℃以下の温度でおよび／または毎分およそ０．４５メートルの供給速度で実行することができる。
【００６２】
例えば、デバイス基板の第１の表面は、およそ０キロパスカル（すなわち、真空）以上かつおよそ１５０キロパスカル以下の圧力で接着改良層の第２の表面と接合することができる。いくつかの実施形態では、圧力は、およそ１３８キロパスカルを含み得る。さらに、他の実施形態では、デバイス基板の第１の表面は、毎分およそ０．１メートル以上かつ毎分およそ１．０メートル以下の供給速度で接着改良層の第２の表面と接合することができる。いくつかの実施形態では、供給速度は、毎分０．４６メートルを含み得る。さらに、デバイス基板の第１の表面は、デバイス基板の材料に応じて、およそ２０℃以上かつおよそ１００℃、１６０℃、２２０℃、３５０℃など以下の温度で接着改良層の第２の表面と接合することができる。例えば、温度は、デバイス基板がポリエチレンナフタレートを含む場合、およそ２２０℃以下（例えば、およそ１００℃）であり得、デバイス基板がポリエチレンテレフタレートを含む場合、およそ１６０℃以下（例えば、およそ１００℃）であり得、デバイス基板がポリイミドを含む場合、およそ３５０℃以下（例えば、およそ１００℃）であり得る。
【００６３】
多くの実施形態では、活動７０２は、接着剤を硬化する活動１００４を含み得る。活動１００４は、キャリア基板、接着改良層またはデバイス基板を損傷することなく、接着剤を硬化するための適切ないかなる技法（例えば、光硬化、熱硬化、加圧硬化）も使用して実行することができる。例えば、いくつかの実施形態では、活動１００５は、例えば、Ｃｏｎｎｅｃｔｉｃｕｔ、ＴｏｒｒｉｎｇｔｏｎのＤｙｍａｘ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎによって製造されたＤｙｍａｘ紫外線硬化システムを使用してなど、接着剤の紫外線硬化によって実行することができる。これらの実施形態では、活動１００４は、およそ２０秒間〜およそ１８０秒間実行することができる。他の実施形態では、活動１００４は、例えば、Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ、Ｓａｎｔａ  ＣｌａｒａのＹａｍａｔｏ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ  Ａｍｅｒｉｃａ，Ｉｎｃ．によって製造されたＹａｍａｔｏ  Ｏｖｅｎなどのオーブンで接着剤を焼き締めることによって実行することができる。
【００６４】
活動１００３および／または活動１００４の後、活動７０２は、半導体デバイスから余分な接着剤を除去する活動１００５を含み得る。いくつかの実施形態では、活動１００５は、プラズマ（例えば、酸素プラズマ）または超音波浴でキャリア基板を洗浄することによって実行することができる。
【００６５】
活動１００３の後、活動７０２は、デバイス基板の第２の表面の保護層を除去する活動１００６を含み得る。いくつかの実施形態では、活動１００２および１００５を省略することができる。様々な実施形態では、活動１００６は、活動１００５の一部として実行することができる。
【００６６】
先の図面に移ると、図１１は、図４の実施形態による、接着剤６０９でデバイス基板１１１０を接着改良層４０２と接合してキャリア基板４０１上に提供した後の半導体デバイス４００の部分断面図を示す。デバイス基板１１１０は、デバイス基板９１０および／または方法１００（図１）に関して上記で説明されるデバイス基板と同様のものまたは同一のものであり得る。それに従って、デバイス基板１０１０は、第１の表面１１１１および第１の表面１１１１の反対側の第２の表面１１１２を含み得る。第１の表面１１１１は、第１の表面９１１（図９）および／または方法１００（図１）のデバイス基板の第１の表面と同様のものまたは同一のものであり得、第２の表面９１２は、第２の表面９１２（図９）および／または方法１００（図１）のデバイス基板の第２の表面と同様のものまたは同一のものであり得る。
【００６７】
ここで再び図１に戻ると、活動７０１（図７）または活動７０２（図７）に従って方法１００を実装するかどうかにかかわらず、デバイス基板は、デバイス基板厚さ（すなわち、該当する場合は、デバイス基板がキャリア基板と結合される際にキャリア基板または接着剤にほぼ垂直な、キャリア基板または接着剤上のデバイス基板の寸法）を含むように提供することができる。特に、参照目的のため、デバイス基板厚さの計算は、接着改良層の中央部分が除去される際に、接着改良層の周辺部分上のデバイス基板の部分（デバイス基板厚さより、接着改良層厚さにほぼ等しい量だけ少ない）を除く。多くの実施形態では、デバイス基板厚さは、ほぼ一定であり得る。同様に、接着改良層の周辺部分上のデバイス基板の部分の厚さもほぼ一定であり得る。いくつかの実施形態では、デバイス基板厚さは、およそ１マイクロメートル以上かつおよそ１ミリメートル以下であり得る。例えば、デバイス基板厚さは、およそ２０マイクロメートルであり得る。一般に、デバイス基板厚さは、キャリア基板上でのデバイス基板の連続分布を保証できるほど十分に厚くなるように選択することができる。さらに、デバイス基板がキャリア基板と結合される際にデバイス基板の湾曲、反りおよび／または歪みを最小限に抑えるために、デバイス基板厚さは、依然として前述事項を可能にする一方で、できる限り薄くなるように選択することができる。
【００６８】
活動１０５の後、方法１００は、デバイス基板がキャリア基板と結合されている間にデバイス基板を硬化する活動１０６を含み得る。デバイス基板は、必要に応じて熱硬化および／または光硬化することができる。例えば、多くの実施形態では、最初に、デバイス基板は、およそ１００℃以上かつおよそ２３５℃以下でおよび／またはおよそ１時間以上かつおよそ８時間以下で、真空条件で最初に熱硬化させることができる。例えば、温度は、およそ１８０℃または２２０℃を含み得る、ならびに／あるいは時間はおよそ３時間を含み得る。
【００６９】
次に、方法１００は、デバイス基板がキャリア基板と結合されている間にデバイス基板上に１つまたは複数の半導体素子を提供する活動１０７を含み得る。いくつかの実施形態では、半導体素子は、２００℃の温度以下である任意の従来の半導体製造プロセスに従って、デバイス基板上に提供することができる。さらなる実施形態では、半導体素子は、２３５℃の温度以下である任意の従来の半導体製造プロセスに従って、デバイス基板上に提供することができる。例えば、様々な実施形態では、半導体素子は、その各々の全体が参照により本明細書に組み込まれる、（ｉ）２０１２年３月１５日に公開された米国特許出願第２０１２００６１６７２号明細書、（ｉｉ）２０１２年１０月１１日に公開された国際公開第２０１２１３８１９０３号パンフレット、および／または（ｉｉｉ）２０１３年６月６日に公開された国際公開第２０１３０８２１３８号パンフレットで説明される半導体製造プロセスに従って、デバイス基板上に提供することができる。いくつかの実施形態では、活動１０７は、活動１０５の後に実行することができる。さらに、活動１０７は、活動１０８および／または活動１１０の前に実行することができる。図１２は、図４の実施形態による、デバイス基板１１１０上に１つまたは複数の半導体素子１２１３を提供した後の半導体デバイス４００の部分断面図を示し、図１３は、図５の実施形態による、デバイス基板９１０上に１つまたは複数の半導体素子１３１３を提供した後の半導体デバイス５００の部分断面図を示す。
【００７０】
再び図１を参照すると、いくつかの実施形態では、方法１００は、デバイス基板の非デバイス部分からデバイス基板のデバイス部分を切断する活動１０８（例えば、周辺部分および中央部分に関して上記で論じられるようなキャリア基板の周辺の内側の場所における）を含み得る。デバイス基板の非デバイス部分は、接着改良層と接合することができる。その一方では、デバイス基板のデバイス部分は、キャリア基板のみと接合することができる。デバイス部分は、半導体素子の少なくとも一部を含む。いくつかの実施形態では、非デバイス部分は、半導体素子の一部を含む。デバイス基板のデバイス部分は、任意の適切な切断器具（例えば、ブレード、レーザなど）を使用して、デバイス基板の非デバイス部分から切断することができる。多くの実施形態では、活動１０８は、活動１１０（以下）が実行される際には半導体素子のいくつかまたはすべてがデバイス基板のデバイス部分に残る（例えば、デバイス基板の非デバイス部分に最小限の半導体素子を残す）ように実行することができる。多くの実施形態では、活動１０８は、活動１０７の後に行われ得る。さらに、活動１０８は、活動１１０の前に行われ得る。
【００７１】
いくつかの実施形態では、活動１０８は、例えば、方法１００が活動７０２（図７）と共に実装される際など、省略することができる。多くの実施形態では、方法１００が活動７０１（図７）および／または活動３０２〜３０４（図３）のうちの１つもしくは複数を含むように実装される際には、方法１００は、活動１０８も含み得る。図１４は、図５の実施形態による、デバイス基板９１０の非デバイス部分１４１５からデバイス基板９１０のデバイス部分１４１４を切断した後の半導体デバイス５００の部分断面図を示す。
【００７２】
再び図１を参照すると、いくつかの実施形態では、方法１００は、第１の接合力または第２の接合力の少なくとも１つを低下させる活動１０９を含み得る。これらの実施形態では、活動１０９は、接着剤または接着改良層の化学処理、電磁処理（例えば、紫外線または他の形態の電磁放射（例えば、レーザ電磁放射など）によって）または熱処理（例えば、ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  ｏｎ  ｐｌａｓｔｉｃ  ｂｙ  ｌａｓｅｒ  ｒｅｌｅａｓｅ（ＥＰＬａＲ）（商標）を使用する、ｓｕｒｆａｃｅ  ｆｒｅｅ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  ｂｙ  ｌａｓｅｒ  ａｎｎｅａｌｉｎｇ／ａｂｌａｔｉｏｎ（ＳＵＦＴＬＡ）（商標）を使用するなど）によって実行することができる。
【００７３】
多くの実施形態では、活動１０９を省略することができる。方法１００が活動１０９と共に実装される際には、活動１０９は、以下で説明されるように、活動１１０の前に実行される。いくつかの実施形態では、活動１０９が活動１０８の前に行われることも、その逆も可能である。
【００７４】
次に、方法１００は、キャリア基板からデバイス基板（または該当する場合は、デバイス基板のデバイス部分）を切り離す（例えば、機械的に）活動１１０を含み得る。図１５は、図４の実施形態による、半導体素子１２１３を提供した後およびキャリア基板４０１（図４）からデバイス基板１１１０を切り離した後の半導体デバイス４００のデバイス基板１１１０の断面図を示し、図１６は、図５の実施形態による、半導体素子１３１３を提供した後およびキャリア基板５０１（図５）からデバイス部分１４１４を切り離した後の半導体デバイス５００のデバイス基板９１０のデバイス部分１４１４の断面図を示す。
【００７５】
多くの実施形態では、活動１１０は、デバイス基板（または該当する場合は、デバイス基板のデバイス部分）に剥離力（例えば、一定の剥離力）を印加することによって実行することができる。多くの実施形態では、剥離力は、該当する場合は、接着改良層および／またはキャリア基板からデバイス基板（または該当する場合は、デバイス基板のデバイス部分）を剥ぎ取る（例えば、手で）ことによってデバイス基板（または該当する場合は、デバイス基板のデバイス部分）に印加することができる。これらのまたは他の実施形態では、剥離力は、デバイス基板（または該当する場合は、デバイス基板のデバイス部分）下にブレードを挿入し、該当する場合は、接着改良層および／またはキャリア基板から離れる方向にデバイス基板（または該当する場合は、デバイス基板のデバイス部分）を押し剥がすことによって印加する（または増大させる）ことができる。
【００７６】
さらに、これらのまたは他の実施形態では、活動１１０は、例えば、任意の適切な切断器具（例えば、ブレード、レーザなど）を使用してなど、接着改良層および／またはキャリア基板からデバイス基板（または該当する場合は、デバイス基板のデバイス部分）を切断することによって実行することができる。接着改良層および／またはキャリア基板からデバイス基板（または該当する場合は、デバイス基板のデバイス部分）を切断することは、デバイス基板（または該当する場合は、デバイス基板のデバイス部分）に剥離力を印加する活動の代わりにまたは同活動の一部として実行することができる。
【００７７】
多くの実施形態では、活動１１０を実行する際にデバイス基板（または該当する場合は、デバイス基板のデバイス部分）と接着改良層および／またはキャリア基板との間の角度をおよそ４５度以下に維持することにより、デバイス基板（または該当する場合は、デバイス基板のデバイス部分）における半導体素子への損傷を軽減するかまたは防ぐことができる。
【００７８】
さらに、有利には、多くの実施形態では、活動１１０は、例えば、接着剤または接着改良層の化学処理、電磁処理（例えば、紫外線または他の形態の電磁放射（例えば、レーザ電磁放射など）によって）または熱処理（例えば、ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  ｏｎ  ｐｌａｓｔｉｃ  ｂｙ  ｌａｓｅｒ  ｒｅｌｅａｓｅ（例えば、ＥＰＬａＲ（商標）プロセス）を使用する、ｓｕｒｆａｃｅ  ｆｒｅｅ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  ｂｙ  ｌａｓｅｒ  ａｎｎｅａｌｉｎｇ／ａｂｌａｔｉｏｎ（例えば、ＳＵＦＴＬＡ（商標）プロセス）を使用するなど）（例えば、接着剤または接着改良層の構造を変更すること）によってなど、最初に、第１の接合力および／または第２の接合力を低下させることなく、実行することができる。すなわち、第１の接合力および／または第２の接合力は、ほぼ一定の状態を維持することができ、多くの例では、活動１１０が実行される直前まで、機械的な切り離しが可能なほど十分に低い状態を少なくとも維持することができる。それに従って、化学処理、電磁処理または熱処理の使用を回避することにより、そのような化学処理、電磁処理または熱処理の使用から生じ得る半導体素子のデバイス欠陥および／または半導体デバイス歩留まりの減少を低減または排除することができる。例えば、電磁処理は、加熱歪みおよび／または微粒子破片の形成を通じて半導体素子を損傷する恐れがある。その一方では、化学処理は、半導体素子を化学物質に暴露し、その結果、半導体素子の劣化をもたらすことによって半導体素子を損傷する恐れがある。そのうえ、化学処理の使用により、半導体素子から残留化学物質を除去するために、後続の洗浄が必要となる可能性がある、および／またはデバイス基板（または該当する場合は、デバイス基板のデバイス部分）を化学物質中に浸漬する間にデバイス基板（または該当する場合は、デバイス基板のデバイス部分）を物理的に制約することは難易度が高いため、切り離す間にデバイス基板（または該当する場合は、デバイス基板のデバイス部分）をほぼ平坦に維持できない可能性がある。
【００７９】
さらに、方法１００は、例えば、活動１１０を実行した後に残っているデバイス層、接着剤および／または半導体素子の残留部分をキャリア基板および／または接着改良層から除去するためになど、キャリア基板および／または接着改良層を洗浄する活動１１１を含み得る。いくつかの実施形態では、活動１１１は、プラズマ（例えば、酸素プラズマ）でまたは超音波浴でキャリア基板および／または接着改良層を洗浄することによって実行することができる。それに従って、多くの実施形態では、方法１００は、同じキャリア基板および／または接着改良層を使用して、１回または複数回繰り返すことができる。
【００８０】
様々な実施形態では、方法１００が活動１０４と共に（すなわち、接着剤接合を用いて）実装される際に、切り離した直後にまたは切り離した結果としてデバイス基板の第１の表面に接着剤がほとんどまたは全く残らないように（すなわち、接着剤を除去するための追加の製造活動を実行することなく）、接着改良層は、キャリア基板からデバイス基板を切り離せる（例えば、活動１１０によって）ように動作可能である。例えば、いくつかの実施形態では、接着剤のおよそ５、３、２または１パーセント未満が、切り離した直後にまたは切り離した結果としてデバイス基板の第１の表面に残る。その一方では、これらのまたは他の実施形態では、切り離した後、キャリア基板は、接着改良層と結合されたままであり得、接着剤のいくつか、大部分、実質的にすべてまたはすべては、接着改良層と結合されたままであり得る。
【００８１】
一般に、接着剤でのキャリア基板（例えば、剛性基板）とのデバイス基板（例えば、フレキシブル基板、例えば、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ガラスなど）の結合およびキャリア基板（例えば、剛性基板）からのデバイス基板（例えば、フレキシブル基板、例えば、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ガラスなど）の切り離しを伴う電子デバイスを製造するための従来の技法を実装する際に、切り離した後にデバイス基板に残っている残留接着剤は、電子デバイスの一部またはすべてに欠陥を生じさせる恐れがある。そのような欠陥は、（ｉ）デバイス製造歩留まりを低減する、ならびに／あるいは（ｉｉ）そのような残留接着剤を除去するために必要とされる製造複雑性、時間および／またはコストを増大させる恐れがある。しかし、方法１００の接着改良層とデバイス基板および／または接着剤との接合力はデバイス基板および／または接着剤とキャリア基板のみとの接合力より大きいため、方法１００を実装する際、切り離した直後にまたは切り離した結果としてデバイス基板に接着剤はほとんどまたは全く残らない。それに従って、切り離した直後にまたは切り離した結果としてデバイス基板に接着剤がほとんどまたは全く残らないように方法１００を実装できるため、電子デバイスを製造する複雑性、時間および／またはコストを増大させる恐れがある追加の製造活動を必要とすることなく、デバイス欠陥を低減し、およびデバイス製造歩留まりを増加することができる。
【００８２】
先の図面に移ると、図１７〜２０は、方法１００（図１）を実装する際、フーリエ変換赤外分光法を通じて、デバイス基板における残留接着剤の低減を実験的に示す様々なグラフを提供する。図１７〜２０のグラフの各々は、波数の関数としての吸光度を示し、波数は、毎センチメートル単位で測定され、吸光度は、任意単位で測定される。
【００８３】
具体的には、図１７は、フーリエ変換赤外分光法を通じて、シリコンキャリア基板およびデバイス基板のスペクトルを差し引いた状態での、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）デバイス基板をシリコンキャリア基板と接合する硬化接着剤の波数の関数としての吸光度を示すグラフである。特に、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）デバイス基板は、対象エリアにおいて実質的に透明である。対象エリア外のより低い波数は、多過ぎる吸収帯を有する。対象エリアのピークは、炭素水素伸縮振動に対応し、振動の周波数は、炭素原子と結合した水素原子の数および炭素原子の結合様式に依存する。
【００８４】
次の図面に移ると、図１８は、図１７の対象エリアを示すグラフである。対象エリアにおける接着剤の吸光度には４つの顕著なピークが存在する。
【００８５】
再び次の図面に移ると、図１９は、フーリエ変換赤外分光法を通じて、（ｉ）未処理のポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）デバイス基板、（ｉｉ）アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）接着改良層有りでシリコンキャリア基板上に処理され、シリコンキャリア基板から切り離されたポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）デバイス基板、および（ｉｉｉ）アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）接着改良層無しでシリコンキャリア基板上に処理され、シリコンキャリア基板から切り離されたポリエチレンナフタレートデバイス基板の波数の関数としての吸光度を示すグラフである。
【００８６】
再び次の図面に移ると、図２０は、フーリエ変換赤外分光法を通じて、（ｉ）アモルファスシリコン接着改良層無しでシリコンキャリア基板上に処理され、シリコンキャリア基板から切り離された第１のポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）デバイス基板であって、第２の未処理のポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）デバイス基板のスペクトルが差し引かれている、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）デバイス基板、（ｉｉ）シリコンキャリア基板のスペクトルを差し引いた状態での、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）デバイス基板をシリコンキャリア基板から切り離した後にシリコンキャリア基板上に残っている硬化接着剤、および（ｉｉｉ）アモルファスシリコン接着改良層有りでシリコンキャリア基板上に処理され、シリコンキャリア基板から切り離された第１のポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）デバイス基板であって、第２の未処理のポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）デバイス基板のスペクトルが差し引かれている、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）デバイス基板の波数の関数としての吸光度を示すグラフである。明確にするため、項目（ｉ）〜（ｉｉｉ）は、図２０では降順に示されている。特に、項目（ｉｉｉ）では、４つのすべてのピークを欠いている。その一方では、項目（ｉ）および（ｉｉｉ）における余分なピークは、第１のポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）デバイス基板と第２の未処理のポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）デバイス基板の厚さおよび／または組成物におけるわずかな違いに起因し得る。
【００８７】
その一方では、これらの実施形態または他の実施形態では、例えば、活動１０４（すなわち、接着剤無し）を実行しないが、例えば、活動７０１（例えば、接着改良層でのデバイス基板の直接の堆積）を実行して方法１００が実装される際に、接着改良層は、活動１０７の間のデバイス基板の早期切り離しを防ぐように動作可能であり得る。様々な例では、接着剤でのキャリア基板（例えば、剛性基板、例えば、ガラスなど）とのデバイス基板（例えば、フレキシブル基板、例えば、ポリイミドなど）の結合（例えば、直接の堆積による）およびキャリア基板（例えば、剛性基板、例えば、ガラスなど）からのデバイス基板（例えば、フレキシブル基板、例えば、ポリイミドなど）の切り離しを伴う半導体を製造するための従来の技法を実装する際に、キャリア基板とのデバイス基板の接合力は、デバイス基板の配合を変更することによって制御される場合が多い。しかし、デバイス基板の配合のバッチ間変動は、時折、望ましい時期より早いキャリア基板からのデバイス基板の切り離しをもたらし得る。例えば、デバイス基板の機械処理は、時折、望ましい時期より早いキャリア基板からのデバイス基板の切り離しをもたらし得る。また、キャリア基板からのデバイス基板の早期切り離しは、デバイス欠陥およびパターン歪みを生じさせ、それにより、デバイス製造歩留まりが低減する。有利には、デバイス基板との方法１００の接着改良層の接合力はデバイス基板とキャリア基板のみとの接合力より大きいため、早期切り離しを防ぐことができ、その結果、デバイス欠陥がより少なくなり、パターン歪みがより少なくなる。
【００８８】
特に、接着改良層は一般にキャリア基板における接合力を増大するものとして説明されているが、代替の手法では、接着改良層は、デバイス基板に堆積させ、接合力を低下するように構成することができる。これらの実施形態では、デバイス基板がフレキシブル基板である際に、接着改良層は、デバイス基板の柔軟性を妨げない材料から選択される。
【００８９】
さらに、本明細書で開示される方法（例えば、方法１００（図１））ならびに半導体デバイス（例えば、半導体デバイス４００（図４、６、１１、１２および１５）および／または半導体デバイス５００（図５、９、１３、１４および１６））は、特に、半導体製造での実装によく適しているものであり得、半導体製造は、例えば、使用されている材料の結果としてなど、温度上限による制約を受ける。例えば、フレキシブル基板の場合、上記で提供される多くの例示的なデバイス基板材料を含む多くのデバイス基板は、ある温度を上回る製造を不可能にし得る。いくつかの実施形態では、半導体製造のいくつかまたはすべては、およそ１６０℃、１８０℃、２００℃、２２０℃、２５０℃または３５０℃を超えられない場合がある。
【００９０】
本明細書で開示される方法（例えば、方法１００（図１））ならびに半導体デバイス（例えば、半導体デバイス４００（図４、６、１１、１２および１５）および／または半導体デバイス５００（図５、９、１３、１４および１６））での実装によく適している様々な半導体製造技法およびデバイスは、以下の参考文献、すなわち、その各々の開示の全体が参照により本明細書に組み込まれる、（ｉ）２０１１年９月２２日に公開された米国特許出願第２０１１０２２８４９２号明細書、（ｉｉ）２０１３年１０月１７日に公開された米国特許出願第２０１３０２７１９３０号明細書、（ｉｉｉ）２０１２年３月１５日に公開された米国特許出願第２０１２００６１６７２号明細書、（ｉｖ）２０１４年１月９日に公開された米国特許出願第２０１４０００８６５１号明細書、（ｖ）２０１３年６月６日に公開された国際公開第２０１３０８２１３８号パンフレット、（ｖｉ）２０１４年３月６日に公開された米国特許出願第２０１４００６５３８９号明細書、（ｖｉｉ）２０１３年３月２８日に公開された米国特許出願第２０１３００７５７３９号明細書、（ｖｉｉｉ）２０１１年３月１７日に公開された米国特許出願第２０１１００６４９５３号明細書、（ｉｘ）２０１０年１１月２５日に公開された米国特許出願第２０１００２９７８２９号明細書、（ｘ）２０１０年１０月２１日に公開された米国特許出願第２０１００２６４１１２号明細書、（ｘｉ）２０１１年３月２４日に公開された米国特許出願第２０１１００６８４９２号明細書、（ｘｉｉ）２０１１年５月３１日に公開された米国特許出願第２００６０１９４３６３号明細書および（ｘｉｉｉ）２０１１年２月３日に公開された米国特許出願第２０１１００２３６７２号明細書で説明されている。
【００９１】
特定の実施形態を参照して本発明を説明してきたが、当業者であれば、本発明の趣旨または範囲から逸脱することなく、様々な変更形態をなし得ることが理解されよう。それに従って、本発明の実施形態の開示は、本発明の範囲を例示することを意図し、それを限定することを意図しない。本発明の範囲は添付の請求項によって必要とされる範囲にのみ限定されることが意図される。例えば、当業者にとって、方法１００（図１）の１つまたは複数の活動が、多くの異なる活動、手順および／またはプロセスからなり得、多くの異なるモジュールによっておよび多くの異なる順番で実行できること、図１〜２０のいかなる要素も変更できること、ならびにこれらの実施形態のうちのある実施形態の前述の論考が必ずしもすべての可能な実施形態の完全な説明を表さないことは容易に明らかであろう。
【００９２】
一般に、１つまたは複数の特許請求される要素の置換は、修復ではなく、再構築を構成する。それに加えて、問題に対する利益、他の利点および解決策は、特定の実施形態に関して説明してきた。しかし、問題に対する利益、利点および解決策ならびに利益、利点または解決策をもたらすかまたはより明白にする１つまたは複数の要素は、そのような利益、利点、解決策または要素についてそのような請求項で記述されない限り、請求項のいずれか、またはすべての重要である必要なまたは必須の特徴または要素と解釈されるべきではない。
【００９３】
そのうえ、本明細書で開示される実施形態および限定は、実施形態および／または限定が、（１）請求項において明確に主張されない場合、および（２）均等論の下、請求項で表現されている要素および／または限定の均等物であるかまたは均等物である可能性がある場合、献呈論の下で公衆に献呈されるものではない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【手続補正書】
【提出日】平成29年1月12日(2017.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリア基板を提供するステップと、
前記キャリア基板上に接着改良層を提供するステップと、
デバイス基板を提供するステップと、
前記デバイス基板と前記キャリア基板とを共に結合するステップであって、前記デバイス基板と前記キャリア基板とが共に結合される際に、前記接着改良層が前記デバイス基板と前記キャリア基板との間に位置する、ステップと
を含む、方法であって、
前記接着改良層が、前記デバイス基板が前記接着改良層無しで前記キャリア基板と結合する第２の接合力より大きい第１の接合力で前記デバイス基板が前記接着改良層によって前記キャリア基板と間接的に結合するように構成される、方法。
【請求項２】
前記デバイス基板と前記キャリア基板とを共に結合するステップが、前記デバイス基板を前記接着改良層と直接接合するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記キャリア基板上に前記接着改良層を提供するステップが、前記デバイス基板と前記キャリア基板とを共に結合する前に、前記接着改良層が前記接着改良層の周辺部分のみに残るように前記接着改良層の中央部分をエッチングするステップを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記キャリア基板上に前記接着改良層を提供するステップが、前記キャリア基板の実質的にすべての表面上に前記接着改良層を提供するステップを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記キャリア基板が剛性基板を含み、および
前記デバイス基板がフレキシブル基板を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記剛性基板が、アルミナ、シリコン、ガラス、金属またはサファイアの少なくとも１つを含むか、または
前記フレキシブル基板が、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルスルフォン、ポリイミド、ポリカーボネート、環状オレフィン共重合体、液晶高分子またはガラスの少なくとも１つを含むか
の少なくとも１つである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記接着改良層がアモルファスシリコンを含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記デバイス基板と前記キャリア基板とを共に結合した後に、前記デバイス基板と前記キャリア基板とが共に結合されている間に、前記デバイス基板上に１つまたは複数の半導体素子を提供するステップをさらに含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記デバイス基板上に前記１つまたは複数の半導体素子を提供した後に、前記キャリア基板から前記デバイス基板を機械的に切り離すステップをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記キャリア基板から前記デバイス基板を機械的に切り離すステップが、前記機械的な切り離しを実行するために前記第１の接合力を低下させることなくおよび前記第２の接合力を低下させることなく行われる、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記機械的な切り離しを実行するために前記第１の接合力または前記第２の接合力の少なくとも１つを低下させるステップをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
接着剤を提供するステップをさらに含み、前記デバイス基板と前記キャリア基板とを共に結合するステップが、前記接着剤で前記デバイス基板を前記接着改良層と接合するステップを含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記接着剤がアクリレート重合体接着剤を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記デバイス基板上に前記１つまたは複数の半導体素子を提供した後に、前記キャリア基板から前記デバイス基板を機械的に切り離すステップをさらに含む、請求項１２または１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記デバイス基板が前記キャリア基板から機械的に切り離された直後に、前記接着剤のおよそ５パーセント未満が前記デバイス基板に残っている、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記デバイス基板が前記キャリア基板から機械的に切り離された直後に、前記接着剤が前記デバイス基板に全く残っていない、請求項１４または１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記キャリア基板から前記デバイス基板を機械的に切り離すステップが、前記機械的な切り離しを実行するために前記第１の接合力を低下させることなくおよび前記第２の接合力を低下させることなく行われるか、または
前記方法が、前記機械的な切り離しを実行するために前記第１の接合力または前記第２の接合力の少なくとも１つを低下させるステップをさらに含むか
のうちの１つである、請求項１４〜１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
キャリア基板を提供するステップと、
前記キャリア基板上に接着改良層を提供するステップと、
接着剤を提供するステップと、
第１の表面および前記第１の表面の反対側の第２の表面を含むデバイス基板を提供するステップと、
前記接着剤で前記デバイス基板の前記第１の表面と前記キャリア基板とを共に結合するステップであって、前記デバイス基板の前記第１の表面と前記キャリア基板とが共に結合される際に、前記接着改良層が前記デバイス基板の前記第１の表面と前記キャリア基板との間に位置する、ステップと、
前記デバイス基板の前記第１の表面と前記キャリア基板とを共に結合した後に、前記デバイス基板と前記キャリア基板とが共に結合されている間に、前記デバイス基板の前記第２の表面上に１つまたは複数の半導体素子を提供するステップと、
前記デバイス基板の前記第２の表面上に前記１つまたは複数の半導体素子を提供した後に、切り離した直後に５パーセント以下の前記接着剤が前記デバイス基板の前記第１の表面に残るように、前記キャリア基板から前記デバイス基板の前記第１の表面を機械的に切り離すステップと
を含む、方法であって、
前記機械的な切り離しの後に、前記キャリア基板が前記接着改良層と結合されたままであり、かつ前記接着剤の大部分が前記接着改良層と結合されたままであり、
前記キャリア基板が剛性基板を含み、
前記デバイス基板がフレキシブル基板を含み、
前記接着改良層がアモルファスシリコンを含み、および
前記キャリア基板がアモルファスシリコンを欠いている、方法。
【請求項１９】
第１の表面および前記第１の表面の反対側の第２の表面を含むキャリア基板を提供するステップと、
第１の表面および前記第１の表面の反対側の第２の表面を含むデバイス基板を提供するステップと、
前記デバイス基板の前記第１の表面が前記キャリア基板の前記第２の表面の少なくとも一部と結合する力を増大させるために、前記キャリア基板の前記第２の表面の前記少なくとも一部を処理するステップと、
前記デバイス基板の前記第１の表面と前記キャリア基板の前記第２の表面とを共に結合するステップと
を含む、方法。
【請求項２０】
前記デバイス基板の前記第１の表面と前記キャリア基板の前記第２の表面とを共に結合した後に、前記デバイス基板と前記キャリア基板とが共に結合されている間に、前記デバイス基板の前記第２の表面上に１つまたは複数の半導体素子を提供するステップをさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【国際調査報告】
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