(57)【要約】  タンク（２０５）に配置するための流体レベル送信器結合体（２００）は、２つ以下のタンク開口部を有する。少なくとも１つのフランジ（２０７ａ、２０７ｂ）は、第１、第２および第３のフランジ開口部（２０７ａ１、２０７ａ２、２０７ａ３）をタンク開口部（２０５ａ、２０５ｂ）上に設ける。第１のフランジ開口部上の温度センサ（２１６）は、温度を感知する。第２のフランジ開口部上の第１の圧力センサ（２１５ａ）は、第１の圧力を感知する。レベル送信器（２３０、２３０’）が、プロセス流体中もしくはその表面にパルス信号を送信し、かつパルスエコーを受信するために第３のフランジ開口部を通って延在し、または、第２の圧力センサ（２１５ｂ）が、第２の圧力を感知する。プロセッサ（２２５）は、レベル送受信器または第２の圧力センサの出力に結合され、温度、第１の圧力、およびパルスエコーまたは第２の圧力を用いる補償流体レベル判定アルゴリズム（２２７）を実施して、プロセス流体について補償流体レベル計測値を生成する。送信器（２３５）は、プロセッサの出力に結合される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセス流体を有する、２つ（２）以下のタンク開口部（２０５ａ、２０５ｂ）を含むタンク（２０５）に配置するように構成される少なくとも１つのフランジ（２０７ａ、２０７ｂ）であって、前記タンク開口部上に形成される少なくとも第１、第２および第３のフランジ開口部（２０７ａ１、２０７ａ２、２０７ｂ１）を含む少なくとも１つのフランジ（２０７ａ、２０７ｂ）と、
前記タンク内の温度を感知するために温度出力信号を供給する、前記第１のフランジ開口部上の温度センサ（２１６）と、
前記タンク内の第１の圧力を感知するために第１の圧力出力信号を有する、前記第２のフランジ開口部上の第１の圧力センサ（２１５ａ）と、
パルス信号を前記プロセス流体中もしくは前記プロセス流体の表面に送信し、かつ前記プロセス流体からパルスエコーを受信するために前記第３のフランジ開口部を通って前記タンクに延在するプローブ（３３３）もしくはコネクタ（３７１）に結合されるレベル送受信器（２３０、２３０’）、または、前記タンク内の第２の圧力を感知する第２の圧力出力を有する前記第３のフランジ開口部上の第２の圧力センサ（２１５ｂ）と、
前記レベル送受信器の出力または前記第２の圧力出力に結合され、関連するメモリ（２２６）に記憶された温度および圧力補償流体レベル判定アルゴリズム（レベル判定アルゴリズム）（２２７）を実施するプロセッサ（２２５）と、
前記プロセッサに前記温度出力信号を結合する第１の接続（２１７）および前記プロセッサに第１の圧力出力信号を結合する第２の接続（２１８）とを備える流体レベル送信器結合体（２００）であって、
前記レベル判定アルゴリズムは、前記温度、前記第１の圧力、および前記パルスエコーまたは前記第２の圧力を用いて前記プロセス流体について温度および圧力補償流体レベル計測値を生成し、該流体レベル送信器結合体（２００）が、
前記プロセッサの出力に結合される入力を有する送信器（２３５）をさらに備える、流体レベル送信器結合体（２００）。
【請求項２】
前記少なくとも１つのフランジは第１のフランジ（２０７ａ）および第２のフランジ（２０７ｂ）を含み、前記第２の圧力センサ（２１５ｂ）は前記第３のフランジ開口部（２０７ｂ１）上にある、請求項１に記載の流体レベル送信器結合体。
【請求項３】
前記少なくとも１つのフランジは前記第１のフランジ（３０７ａ）からなり、前記レベル送受信器は、前記第３のフランジ開口部（３０７ａ３）に取り付けられ、かつ前記第３のフランジ開口部（３０７ａ３）上にある、請求項１に記載の流体レベル送信器結合体。
【請求項４】
前記レベル送受信器は超音波レベル送受信器（２３０’）を含み、超音波トランスデューサ（３７２）をさらに備え、前記超音波トランスデューサは前記コネクタによって前記超音波レベル送受信器に結合される、請求項３に記載の流体レベル送信器結合体。
【請求項５】
プロセス流体を有するタンク内の温度、前記タンク内の第１の圧力、および、前記プロセス流体中もしくは前記プロセス流体の表面に送信されたパルス信号からのパルスエコーまたは前記タンク内の第２の圧力を含む少なくとも３つのプロセス変動を感知するステップ（１０１）であって、前記３つのプロセス変動は、少なくとも１つのフランジ、第１、第２および第３のフランジ開口部、ならびに最大で２つ（２）のタンク開口部を用いて感知される、感知するステップ（１０１）と、
前記温度、前記第１の圧力、および前記パルスエコーまたは前記第２の圧力を受信するように結合されるプロセッサであって、前記プロセッサに関連付けられるメモリ（２２６）に記憶された温度および圧力補償流体レベル判定アルゴリズム（レベル判定アルゴリズム）（２２７）を実施する前記プロセッサ（２２５）を用いるステップ（１０２）とを含み、
前記レベル判定アルゴリズムは、前記温度、前記第１の圧力、および前記パルスエコーまたは前記第２の圧力を用いて前記プロセス流体について温度および圧力補償流体レベル計測値を生成する、流体レベルを感知する方法（１００）。
【請求項６】
前記少なくとも１つのフランジは第１のフランジ（２０７ａ）および第２のフランジ（２０７ｂ）を含み、前記第２の圧力センサ（２１５ｂ）は前記第３のフランジ開口部（２０７ｂ１）上にあり、前記レベル判定アルゴリズムは、前記温度、前記第１の圧力および前記第２の圧力を用いて前記プロセス流体について前記圧力補償流体レベル計測値を生成する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
第１のフランジ（３０７ａ）のみがあり、前記パルス信号を送信するレベル送受信器（２３０、２３０’）は、前記第３のフランジ開口部（３０７ａ３）を越えて前記タンク内に延在するプローブ（３３３）またはコネクタ（３７１）に結合され、前記レベル判定アルゴリズムは、前記温度、前記第１の圧力および前記パルスエコーを用いて前記温度および圧力補償流体レベル計測値を生成する、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記レベル送受信器は超音波レベル送受信器（２３０’）を含み、超音波トランスデューサ（３７２）をさらに備え、前記超音波トランスデューサは前記コネクタによって前記超音波レベル送受信器に結合され、前記方法は超音波を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記レベル送受信器（２３０）はレーダレベル送受信器を含み、前記レーダレベルトランスデューサは前記プローブ（３３３）によって前記レーダレベル送受信器に結合され、前記方法は導波レーダ（ＧＷＲ）を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１０】
制御された処理タンクであって、
前記タンク（２０５）内にプロセス流体を有する、２つ（２）以下のタンク開口部（２０５ａ、２０５ｂ）を画定するタンク壁（２０５ｄ）と、
前記タンク開口部上に形成される少なくとも第１、第２および第３のフランジ開口部（２０７ａ１、２０７ａ２、２０７ｂ１）を含む、前記タンク上の少なくとも１つのフランジ（２０７ａ、２０７ｂ）と、
プロセス流体を有する前記タンク内の温度を感知するために温度出力信号を供給する、前記第１のフランジ開口部上の温度センサ（２１６）と、
前記タンク内の第１の圧力を感知するために第１の圧力出力信号を有する、前記第２のフランジ開口部上の第１の圧力センサ（２１５ａ）と、
パルス信号を前記プロセス流体中もしくは前記プロセス流体の表面に送信し、かつ前記プロセス流体からパルスエコーを受信するために前記第３のフランジ開口部を通って延在するプローブ（３３３）もしくはコネクタ（３７１）に結合されるレベル送受信器（２３０、２３０’）、または、前記タンク内の第２の圧力を感知する第２の圧力出力を有する前記第３のフランジ開口部上の第２の圧力センサと、
レベル送信器の出力または前記第２の圧力出力に結合され、関連するメモリ（２２６）に記憶された温度および圧力補償流体レベル判定アルゴリズム（レベル判定アルゴリズム）（２２７）を実施するプロセッサ（２２５）と、
前記プロセッサに前記温度出力信号を結合する第１の接続（２１７）および前記プロセッサに第１の圧力出力信号を結合する第２の接続とを備え、
前記レベル判定アルゴリズムは、前記温度、前記第１の圧力、および前記パルスエコーまたは前記第２の圧力を用いて前記プロセス流体について温度および圧力補償流体レベル計測値を生成し、該処理タンクが
前記プロセッサの出力に結合される入力を有する送信器（２３５）をさらに備える、制御された処理タンク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]開示の実施形態は、タンク内のプロセス流体のレベルを判定するための補償流体レベル送信器に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]タンク開口（タンク開口部またはタンクノズル）上でタンクに取り付けられる筐体によって形成されるセンサを用いてタンク内の液体のレベルを検出する液体レベル送信器がよく知られている。レベル送信器は、差圧、超音波またはレーダなどさまざまな技術を用いてタンク内のプロセス流体のレベルを計測する。
【０００３】
[0003]温度および圧力のさらなるプロセス計測は、プロセス流体の密度の変化を補償する、より正確なレベル算出を可能にする。これらの計測は、ユーザによる追加的設置、具体的にはタンクの壁を通る追加的貫入（貫通）、溶接、台の取付け、および追加的配線を要するのが一般的であるが、これらはすべて費用を大幅に増大させる。結果として生じる補償された液体レベル計測のさらなる正確性は、補償されない液体レベル計測に照らして、そのコストの増大を正当化するものとは言えないであろう。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
[0004]本概要は、開示される概念の簡潔な選択を提起するために簡略化された形で記載され、示される図面を含む詳細な説明において以下でさらに記述される。本概要は、特許請求される主題の範囲を限定することを意図するものではない。
【０００５】
[0005]開示の実施形態は、２つ以下のタンク開口部を有するタンクに配置するように構成される温度および圧力補償流体（一般的には液体）レベル送信器結合体を含む。少なくとも１つのフランジは、タンク開口部上に第１、第２および第３のフランジ開口部を含む。第１のフランジ開口部上の温度センサは、タンク内の温度を感知する。第２のフランジ開口部上の第１の圧力センサは、タンク内の第１の圧力を感知する。プロセス流体中もしくはプロセス流体の表面にパルス信号を送信し、かつ反射されるパルスエコーを受信するためにプローブに結合されるレベル送受信器が第３のフランジ開口部を通ってタンク内に延在し、または、タンク内の第２の圧力を感知する第２の圧力センサが第３の開口部上に存在する。
【０００６】
[0006]プロセッサは、レベル送受信器の出力または第２の圧力センサの出力に結合され、かつ第１の圧力および温度を受信するように結合され、ここで、プロセッサは温度、第１の圧力、およびパルスエコーまたは第２の圧力を用いる補償流体レベル判定アルゴリズムを実施して、プロセス流体について補償流体レベル計測値を生成する。一実施形態では、温度および圧力の計測はレベル送信器結合体を設置するのに用いられる同一の（取付）フランジにおいて一体をなし、その結果、単一のタンク開口部のみが必要とされ、追加的取付機器は必要ではない。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】[0007]例示の実施形態による、流体レベルを感知する方法におけるステップを示す流れ図である。
【図２】[0008]例示の実施形態による、タンクに取り付けられる例示の差圧型多出力遠隔封止レベル送信器結合体を示す図である。
【図３Ａ】[0009]例示の実施形態による、タンクの上部に取り付けられる例示のレーダ型レベル多出力レベル送信器結合体を示す図である。
【図３Ｂ】[0010]例示の実施形態による、タンクの上部に取り付けられる例示の超音波型レベル多出力レベル送信器結合体を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
[0011]開示の実施形態は添付の図を参照して記述され、これらの図全体にわたって、同様の参照番号は類似または同等の素子を指すために用いられる。図は縮尺通りに描かれているわけではなく、開示されるある態様を例証するために示されるにすぎない。開示されるいくつかの態様は、例証するための例示の適用を参照して以下で記述される。開示の実施形態について十分な理解を得るために、多数の具体的詳細、関連および方法について説明がなされることを理解されたい。
【０００９】
[0012]しかしながら、関連分野の技術者であれば、本明細書において開示される主題は具体的詳細の１つまたは複数がなくても実施され得、または他の方法で実施され得ることを容易に認識するであろう。他の例では、ある態様を曖昧にするのを避けるために、よく知られた構造または作用は詳細に示されない。いくつかの動作は異なる順序で生じることがあり、かつ／または他の動作または事象と同時に生じることがあるので、本開示は動作または事象の例証的な順序によって限定されない。さらに、本明細書において開示される実施形態による方法を実施するためにすべての例証される動作または事象が必要とされるとは限らない。
【００１０】
[0013]図１は、例示の実施形態による、流体レベルを感知する方法１００におけるステップを示す流れ図である。ステップ１０１は、プロセス流体を有するタンク内の温度、タンク内の第１の圧力、および、一般的には液体であるプロセス流体中もしくはプロセス流体の表面への送信パルス信号からのパルスエコー（超音波またはレーダ）、またはタンク内の第２の圧力を含む少なくとも３つのプロセス変動を感知することを含む。接触レーダである導波レーダ（ＧＷＲ：ｇｕｉｄｅｄ  ｗａｖｅ  ｒａｄａｒ）の場合にはプローブはフランジから流体中に延在して流体レベルが変化するときの表面反射を可能にし、一方、非接触レーダの場合にはプローブは流体レベルより上にある。３つのプロセス変動は最大で２つ（２）のタンク開口部を用いて感知され、ここでは、１つまたは複数のフランジが、以下で示される図２、図３Ａおよび図３Ｂにおいて見られるように、それぞれのタンク開口部上にある。
【００１１】
[0014]ステップ１０２は、温度、第１の圧力、およびパルスエコーまたは第２の圧力を受信するように結合され、プロセッサと関連付けられるメモリに記憶された温度および圧力補償流体レベル判定アルゴリズム（レベル判定アルゴリズム）を実施するプロセッサを用いることを含む。レベル判定アルゴリズムは、温度、第１の圧力、およびパルスエコーまたは第２の圧力を用いて、タンク内のプロセス流体について温度および圧力補償流体レベル計測値（補償流体レベル計測値）を生成する。温度、第１の圧力および第２の圧力が提供される開示の実施形態の場合にはレベル感知は差圧（第１の圧力と第２の圧力との差異）によって実施され、一方、温度、圧力およびパルス型レベル送受信器が提供される実施形態の場合にはレベル感知はエコーの時間遅延を用いて実施される。
【００１２】
[0015]ステップ１０３は、精製装置のような製造プラントまたは処理プラントと関連付けられる制御室など、タンク内のプロセス流体を含むプロセスの制御に関わる別の場所に補償流体レベル計測値を送信することを含む。この送信は、アンテナ（以下で示される図２のアンテナ２２９を参照のこと）を用いる無線信号による無線によって、または有線もしくはケーブルによって実施され得る。
【００１３】
[0016]図２は、例示の実施形態による、タンク２０５に取り付けられる例示の差圧型多出力遠隔封止レベル送信器結合体（レベル送信器結合体）２００を示す図である。レベル送信器結合体２００は、差圧（｜Ｐ２−Ｐ１｜）を用いてレベル感知を実施する上部取付レベル送信器２３１を備える。タンク２０５はプロセス流体（一般的には液体、図示せず）を含み、タンク壁２０５ｄの各間隙によってそれぞれ画定される第１のタンク開口部領域２０５ａと第２のタンク開口部領域２０５ｂとを含む。
【００１４】
[0017]上部フランジ２０７ａは第１のタンク開口部領域２０５ａ上にあり、下部フランジ２０７ｂは第２のタンク開口部領域２０５ｂ上にある。上部フランジ２０７ａは、フランジ開口部２０７ａ１と２０７ａ２とを含む。下部フランジ２０７ｂは、単一のフランジ開口部２０７ｂ１を含む。
【００１５】
[0018]レベル送信器２３１は、フランジ開口部２０７ａ２および第１のタンク開口部領域２０５ａの上にある。レベル送信器２３１は、フランジ開口部２０７ａ２内にある（フランジ開口部２０７ａ２と一体化される）圧力センサ２１５ａを備える。圧力センサ２１５ａは、下部フランジ２０７ａに固定される圧力ケース（図示せず）に取り付けられるのが一般的である。抵抗温度検出器（ＲＴＤ：ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｄｅｔｅｃｔｏｒ）として示される温度センサ２１６はフランジ開口部２０７ａ１と一体化される。１つのコネクタ２３７、２３８の組は、温度センサ２１６の上部フランジ２０７ａへの封止を可能にし、別のコネクタ２３７、２３８の組は、レベル送信器２３１の上部フランジ２０７ａへの封止を可能にする。ＲＴＤ素子を備え得る抵抗素子２１６ａを含む温度センサ２１６は、ケーブルまたは配線によるなど、図示の相互接続２１７によって、レベル送信器２３１のプロセッサ２２５への（一般的にはさらに、本明細書または他の部分において図示されない介在フィルタおよびアナログ−デジタル変換器（ＡＤＣ：ａｎａｌｏｇ  ｔｏ  ｄｉｇｉｔａｌ  ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ）への）入力としての、その温度出力（Ｔ１）を設けて示される。
【００１６】
[0019]プロセッサ２２５は電子機器筐体２２１内にあり、かつマイクロプロセッサまたはマイクロ制御装置（ＭＣＵ：ｍｉｃｒｏ  ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ  ｕｎｉｔ）を含むことができ、プロセッサ２２５の出力は任意選択のアンテナ２２９に結合されて示される送信器２３５に（一般的にはさらに、簡略化のために本明細書または他の部分において図示されない介在デジタル−アナログ変換器（ＤＡＣ：ｄｉｇｉｔａｌ  ｔｏ  ａｎａｌｏｇ  ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ）に）結合される。無線または光学的な相互接続の配置は、すべての開示される相互接続にも全体的に用いられ得る。圧力センサ２１５ａはＰ１を感知する。
【００１７】
[0020]レベル送信器結合体２００はまた、フランジ開口部２０７ｂ１内に取り付けられる圧力ケースを有する圧力センサ２１５ｂを含む下部取付圧力送信器２３２も備える。圧力送信器２３２は、下部フランジ２０７ｂへの封止を可能にするコネクタ２３７、２３８の組を含んで、かつ下部フランジ２０７ｂのフランジ開口部２０７ｂ１および第２のタンク開口部領域２０５ｂを介してタンク２０５に結合して示される。
【００１８】
[0021]Ｐ２を感知する圧力センサ２１５ｂは、電子機器筐体２２２内にあり、図示の相互接続配線２１８によってレベル送信器２３１のプロセッサ２２５に結合する送信器２３３に結合される（介在フィルタおよびアナログ−デジタル変換器（ＡＤＣ）は簡略化のために本明細書または他の部分において図示されない）。それゆえ、プロセッサ２２５は、温度センサ２１６からＴ１を、圧力センサ２１５ａからＰ１を、および圧力センサ２１５ｂからＰ２を受信し、かつプロセッサ２２５と関連付けられるメモリ２２６に記憶された差圧（Ｐ２−Ｐ１）に基づくレベル判定アルゴリズム２２７を実施する。
【００１９】
[0022]プロセッサ２２５によって実行されるレベル判定アルゴリズム２２７は、タンク２０５内の流体について温度および圧力補償流体レベル計測値を生成し、これはアンテナ２２９によるなど遠隔で、典型的には制御室の１つまたは複数のコンピュータ端末に送信され得る。レベル送信器２３１によって供給される出力信号は、アナログ信号（たとえば４ｍＡ〜２０ｍＡ信号）またはデジタル信号（たとえばデジタルＨＡＲＴ信号）であってよい。
【００２０】
[0023]タンク２０５内の流体の高さは、タンク内でそれぞれ計測された圧力であるＰ１とＰ２との圧力差異（Ｐ２−Ｐ１）から求められる。Ｔ１を計測することによって、流体レベルは流体密度についても補償される。温度センサ２１６は上部フランジ２０７ａに取り付けられて示されるが、温度センサ２１６は別法として下部フランジ２０７ｂに取り付けられてもよい。さらに、レベル送信器２３１がレベル送信器結合体２００の主要な送信器として示されるが、圧力送信器２３２もまたプロセッサ、メモリおよび開示されるアルゴリズムを含んで、レベル送信器結合体２００の主要な送信器として機能できるようにすることも可能である。
【００２１】
[0024]図３Ａは、例示の実施形態による、タンク３０５の上部に取り付けられる例示のレーダ型レベル多出力送信器結合体（レベル送信器結合体３００）を示す図である。レベル送信器結合体３００は、レーダレベル送信器３２０と、圧力センサ３３０と、ＲＴＤとして示される温度センサ２１６とを備え、レーダを用いてレベル感知を実施する。タンク３０５はプロセス流体（図示せず）を含み、タンク壁３０５ｄの上部の間隙によって画定される単一のタンク開口部領域３０５ａのみを含む。フランジ開口部３０７ａ１、３０７ａ２および３０７ａ３を有する上部フランジ３０７ａはタンク開口部領域３０５ａ上にある。
【００２２】
[0025]レーダレベル送信器３２０は、レベル送受信器２３０によって供給されるレーダパルスを用い、液体の表面までの距離を継続的に計測して、レベル計測が行われるようにする。レベル送受信器２３０は、封止され、かつフィードスルー３３２に結合される同軸コネクタ（ｃｏａｘ）３３１によって、タンク３０５に向けてフランジ開口部３０７ａ２を貫通する金属プローブ３３３に結合される。圧力センサ３３０はフランジ開口部３０７ａ１およびタンク開口部３０５ａ上にあり、Ｐを計測し、一方、ＲＴＤとして示される温度センサ２１６はフランジ開口部３０７ａ３上にあり、Ｔ１を計測する。プロセッサ２２５は、相互接続３１７を介してＴ１を受信し、相互接続３１８を介して圧力センサ３３０からＰを受信し、かつ、プロセッサ２２５と関連付けられるメモリ２２６に記憶されたレーダエコーを用いるレーダ型レベル判定アルゴリズム２２７’を実施してタンク３０５内の流体の流体レベルならびにＴ１およびＰを判定して、タンク３０５内の流体について補償流体レベル計測値を生成する。
【００２３】
[0026]プロセッサ２２５の出力は、図示のようにアンテナ２２９に結合される送信器２３５の入力に結合される。それゆえ、レベル送信器結合体３００は、単一のプロセス貫通（タンク開口部領域３５０ａ）からの３つのプロセス変動（Ｐ、Ｔ１および流体レベル（流体密度補償のない））を実施して、流体密度補償を備える流体レベル計測値を生成する。
【００２４】
[0027]図３Ｂは、例示の実施形態による、タンクの上部に取り付けられる例示の超音波型レベル多出力送信器結合体３５０を示す図である。レベル送信器結合体３５０は、超音波レベル送信器３７０と、圧力センサ３３０と、図３Ａに示されるレベル送信器結合体３００に関連して記述されるＲＴＤとして示される温度センサ２１６とを備える。超音波レベル送信器３７０は導電性（たとえば金属）コネクタ３７１を備え、このコネクタは、プローブセンサとして機能する圧電結晶を含む超音波トランスデューサ（トランスデューサ）３７２をプロセッサ２２５の入力に結合される出力を有する関連するレベル送受信器２３０’に結合する。プロセッサ２２５の出力は、アンテナ２２９に結合されて示される送信器２３５の入力に結合される。
【００２５】
[0028]また、トランスデューサ３７２、レベル送受信器２３０’、および超音波レベル判定アルゴリズム２２７’’を実行するプロセッサ２２５は、送信された超音波パルスおよびその反射されたエコーの時間を判定してトランスデューサ３７２と感知される物質のレベルとの間に完全な復路をもたらすように動作する。トランスデューサ３７２は、そのレベルが計測されることになる物質の表面に対して音波を一気に下方に向け、トランスデューサ３７２内側の圧電結晶は、電気パルスを、所与の媒体において設定された周波数および一定の速度で波の形で進行する音エネルギーに変換する。これらの波のエコーは、音波進行の距離をタンク内の液体レベルの計測値に変換するための算出を行うプロセッサ２２５に結合されるトランスデューサ３７２に戻る。音の発射と戻りエコーの受信との間の時間のずれは、トランスデューサ３７２と容器内の物質との間の距離に正比例する。
【００２６】
[0029]開示の実施形態は、全体として任意の流体レベル検出システムに適用され得る。たとえば、上記で開示されたように、超音波およびレーダ型システムに適用される。レーダ型システムは、接触レーダ（たとえばＧＷＲ）または非接触レーダであってよい。
【００２７】
[0030]さまざまな開示の実施形態について上記で記述されてきたが、これらは例として示されているにすぎず、限定的ではないことを理解されたい。本開示の精神または範囲から逸脱することなく、本開示に従って本明細書において開示される主題に多数の変更が加えられ得る。加えて、特定の特徴がいくつかの実施態様のうちの１つのみに関して開示されている場合もあるが、このような特徴は、任意の所与の用途または特定の用途に望ましくかつ有利であり得るように他の実施態様のうちの１つまたは複数の他の特徴と組み合わされてよい。
【図１】
2017525960.tif 000003
【図２】
2017525960.tif 000004
【図３Ａ】
2017525960.tif 000005
【図３Ｂ】
2017525960.tif 000006
【国際調査報告】
2017525960.tif 000007
2017525960.tif 000008