(57)【要約】集積回路デバイスを製造するための方法が、開示される。リードフレームが、集積回路ダイを受容するように構成されるダイ支持面積と、ダイ支持面積に隣接する複数のリードフレームフィンガであって、それぞれ、フィンガ先端面積をリードフレームフィンガの一端に含む、リードフレームフィンガとを有するように提供される。リードフレームは、リードフレームの１つまたはそれを上回る面積が被覆され、リードフレームの１つまたはそれを上回る面積が暴露されるようにマスクされ、リードフレームフィンガ毎に、個別のフィンガ先端面積の第１の領域は、マスキングによって被覆され、個別のフィンガ先端面積の第２の領域は、暴露される。
2017500750.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路デバイスを製造するための方法であって、
リードフレームを提供するステップであって、前記リードフレームは、
集積回路ダイを受容するように構成されるダイ支持面積と、
前記ダイ支持面積に隣接する複数のリードフレームフィンガであって、各リードフレームフィンガは、フィンガ先端面積を前記リードフレームフィンガの一端に含む、リードフレームフィンガと
を備える、ステップと、
前記リードフレームの１つまたはそれを上回る面積が被覆され、前記リードフレームの１つまたはそれを上回る面積が暴露されるように、前記リードフレームをマスキングするステップであって、リードフレームフィンガ毎に、個別のフィンガ先端面積の第１の領域は、前記マスキングによって被覆され、個別のフィンガ先端面積の第２の領域は、暴露される、ステップと、
リードフレームフィンガ毎に、個別のフィンガ先端面積の第２の領域が銀めっきされ、個別のフィンガ先端面積の第１の領域が銀めっきされないように、前記リードフレームの１つまたはそれを上回る暴露された面積を銀めっきするステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記集積回路ダイを前記リードフレームのダイ支持面積に取り付けるステップと、
ワイヤを各リードフレームフィンガのフィンガ先端面積の銀めっきされた領域にボンドするステップを含む、前記集積回路ダイを前記複数のリードフレームフィンガにワイヤボンドするステップと、
前記成形材料が、各リードフレームフィンガのフィンガ先端面積の第１の銀めっきされていない領域に直接接触するように、成形材料を前記リードフレームおよび集積回路ダイを覆って適用するステップと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記複数のリードフレームフィンガのうちの少なくとも１つに関して、
前記リードフレームフィンガは、前記リードフレームのダイ支持面積に近接する第１の端部から前記ダイ支持面積から離れた第２の端部または面積に延在し、
前記フィンガ先端面積の第１の銀めっきされていない領域は、前記ダイ支持面積に近接する前記リードフレームフィンガの第１の端部に位置する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記複数のリードフレームフィンガのうちの少なくとも１つに関して、前記フィンガ先端面積の第１の銀めっきされていない領域は、前記フィンガ先端面積の第２の銀めっきされた領域と前記リードフレームのダイ支持面積との間に幾何学的に位置する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記マスキングステップは、前記リードフレームフィンガのうちの少なくとも１つに関して、個別のフィンガ先端面積の第１の領域が前記マスキングによって被覆され、少なくとも２つの個別のフィンガ先端面積の第２の領域が暴露され、前記少なくとも２つの第２の領域が相互から離間されるように、前記リードフレームをマスキングするステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記マスキングステップは、前記リードフレームフィンガのうちの少なくとも１つに関して、個別のフィンガ先端面積の第１の領域が前記マスキングによって被覆され、一対の個別のフィンガ先端面積の第２の領域が暴露され、前記第１の被覆された領域が前記対の第２の領域間に位置するように、前記リードフレームをマスキングするステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記リードフレームは、完全に銀めっきされるか、または完全に銀めっきされないかのいずれかである、フィンガ先端面積を有する、少なくとも１つの付加的リードフレームフィンガを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
集積回路構造であって、
リードフレームであって、
集積回路ダイを受容するように構成されるダイ支持面積と、
前記ダイ支持面積に隣接する複数のリードフレームフィンガであって、各リードフレームフィンガは、フィンガ先端面積を前記リードフレームフィンガの一端に含む、リードフレームフィンガと
を備える、リードフレームを備え、
各リードフレームフィンガのフィンガ先端面積は、
銀めっきされる、第１の領域と、
銀めっきされない、第２の領域と
を含む、表面を含む、集積回路構造。
【請求項９】
前記リードフレームのダイ支持面積に搭載される集積回路ダイと、
前記集積回路ダイと各リードフレームフィンガ先端面積の第１の銀めっきされた領域との間のワイヤボンド接続と、
前記リードフレームおよび集積回路ダイを覆って適用される成形材料であって、前記成形材料は、各リードフレームフィンガ先端面積の第２の銀めっきされない領域に直接接触する、成形材料と
をさらに備える、請求項８に記載の集積回路構造。
【請求項１０】
前記複数のリードフレームフィンガのうちの少なくとも１つに関して、
前記リードフレームフィンガは、前記リードフレームのダイ支持面積に近接する第１の端部から前記ダイ支持面積から離れた第２の端部または面積に延在し、
前記フィンガ先端面積の第２の銀めっきされない領域は、前記ダイ支持面積に近接する前記リードフレームフィンガの第１の端部に位置する、請求項８に記載の集積回路構造。
【請求項１１】
前記複数のリードフレームフィンガのうちの少なくとも１つに関して、前記フィンガ先端面積の第２の銀めっきされない領域は、前記フィンガ先端面積の第１の銀めっきされた領域と前記リードフレームのダイ支持面積との間に幾何学的に位置する、請求項８に記載の集積回路構造。
【請求項１２】
前記複数のリードフレームフィンガのうちの少なくとも１つに関して、前記フィンガ先端面積の表面は、相互から離間される、少なくとも２つの第２の銀めっきされない領域を含む、請求項８に記載の集積回路構造。
【請求項１３】
前記複数のリードフレームフィンガのうちの少なくとも１つに関して、前記フィンガ先端面積の表面は、一対の第２の銀めっきされない領域を含み、前記第１の銀めっきされた領域は、前記一対の第２の銀めっきされない領域間に位置する、請求項８に記載の集積回路構造。
【請求項１４】
前記リードフレームは、完全に銀めっきされるか、または完全に銀めっきされないかのいずれかである、フィンガ先端面積を有する、少なくとも１つの付加的リードフレームフィンガを含む、請求項８に記載の集積回路構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
本願は、２０１３年１２月２７日に出願された米国仮出願第６１／９２１，１４１号の利益を主張するものであり、該米国仮出願の全体は、参照により本明細書中に援用される。
【０００２】
本開示は、半導体製造に関し、特に、リードフレーム表面を処理するための方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
多くのまたは殆どの集積回路（「ＩＣ」）パッケージは、ＪＥＤＥＣ  ＭＳＬ（「耐湿レベル」）試験によって規定されるように、１６８時間の持続時間の間、８５℃および８５％の湿気の水分負荷要件後、層間剥離を被る。本論では、層間剥離とは、成形コンパウンドと銀めっきされた面積との間の接着不良に起因する、銀めっきされたリードフィンガ面積と成形コンパウンドとの間の分離を指す。銀めっきは、平滑表面を有することが公知であって、したがって、成形コンパウンドは、多くの場合、めっきされた面積に適切に接着しない。層間剥離は、ＩＣパッケージングに影響を及ぼし、例えば、水分、温度、または湿気に起因して、応力がパッケージに印加されるとき等、信頼性試験の間、パッケージおよびワイヤボンドに脆弱性をもたらし得る。層間剥離はまた、破損または隆起したワイヤボンド等、製品現場に瑕疵をもたらし得る。
【０００４】
したがって、例えば、８Ｌ  ＳＯＩＣおよび２８ＳＯＩＣ半導体デバイス筐体等、ＩＣパッケージ内のリードフィンガ層間剥離を排除する必要性がある。ＪＥＤＥＣ要件は、ＭＳＬ１（この格付けは、デバイスが水分に敏感ではないことを示す）では、パラジウムコーティングされた銅ワイヤを使用して、ワイヤボンド面積上の層間剥離をなくすことを義務付けている。構成要素は、許容可能時間周期（開封後の室内放置寿命）内に搭載およびリフローされなければならない。リードフィンガ層間剥離を減少または排除するための方法の１つは、デバイスをＭＳＬ３（この格付けは、デバイスがＰＣＢ上に組み立てられる前に、最大１週間の周囲条件への暴露を定義する）まで格下げすることである。しかしながら、これは、典型的には、実質的コストを部品に追加し、部品を耐湿バッグから取り出すときに、顧客による部品の特別な取扱を要求する。
【０００５】
本問題に対処するために意図される別のアプローチは、リードフレーム上の銀めっきを除去し、成形コンパウンドが、リードフレームの銅表面との接着性を増加させることを可能にすることである。これは、層間剥離を減少させるのに役立つが、銀めっきがワイヤボンドするために要求されるため、問題を解決するものではない。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
種々の実施形態によると、リードフレーム層間剥離が、排除されることができ、ワイヤボンドプロセスは、より確実なものになる。いくつかの実施形態によると、機械的マスクが、リード先端に暴露された銅の面積を残し（その面積は、したがって、銀めっきされない）、リードフレームを銀めっきするために使用される。これは、銀めっき面積を減少させ、リード先端における銅の面積を増加させ、成形コンパウンド（ＩＣダイがリードフレームに搭載および接続された後に適用される）が、リードフィンガの銅表面に完全に接着することを可能にし、これは、層間剥離しない「係止」機構を生成し得る。
【０００７】
一実施形態は、集積回路デバイスを製造するための方法を提供する。リードフレームが、集積回路ダイを受容するように構成されるダイ支持面積と、ダイ支持面積に隣接する複数のリードフレームフィンガであって、それぞれ、フィンガ先端面積をリードフレームフィンガの一端に含む、リードフレームフィンガとを有するように提供される。リードフレームは、リードフレームの１つまたはそれを上回る面積が被覆され、リードフレームの１つまたはそれを上回る面積が暴露されるようにマスクされ、リードフレームフィンガ毎に、個別のワイヤボンド面積の第１の領域は、マスキングによって被覆され、個別のワイヤボンド面積の第２の領域は、暴露される。リードフレームの１つまたはそれを上回る暴露された面積は、リードフレームフィンガ毎に、個別のワイヤボンド面積の第２の領域が銀めっきされ、個別のワイヤボンド面積の第１の領域が銀めっきされないように、銀めっきされる。
【０００８】
さらなる実施形態では、本方法はさらに、集積回路ダイをリードフレームのダイ支持面積に取り付けるステップと、ワイヤを各リードフレームフィンガのワイヤボンド面積の銀めっきされた領域にボンドするステップを含む、集積回路ダイを複数のリードフレームフィンガにワイヤボンドするステップと、成形材料が、各リードフレームフィンガのワイヤボンド面積の第１の銀めっきされていない領域に直接接触するように、成形材料をリードフレームおよび集積回路ダイを覆って適用するステップとを含む。
【０００９】
さらなる実施形態では、複数のリードフレームフィンガのうちの少なくとも１つに関して、リードフレームフィンガは、リードフレームのダイ支持面積に近接する第１の端部からダイ支持面積から離れた第２の端部または面積に延在し、ワイヤボンド面積の第１の銀めっきされていない領域は、ダイ支持面積に近接するリードフレームフィンガの第１の端部に位置する。
【００１０】
さらなる実施形態では、複数のリードフレームフィンガのうちの少なくとも１つに関して、ワイヤボンド面積の第１の銀めっきされていない領域は、ワイヤボンド面積の第２の銀めっきされた領域とリードフレームのダイ支持面積との間に幾何学的に位置する。
【００１１】
さらなる実施形態では、マスキングステップは、リードフレームフィンガのうちの少なくとも１つに関して、個別のワイヤボンド面積の第１の領域がマスキングによって被覆され、少なくとも２つの個別のワイヤボンド面積の第２の領域が暴露され、少なくとも２つの第２の領域が相互から離間されるように、リードフレームをマスキングするステップを含む。
【００１２】
さらなる実施形態では、マスキングステップは、リードフレームフィンガのうちの少なくとも１つに関して、個別のワイヤボンド面積の第１の領域がマスキングによって被覆され、一対の個別のワイヤボンド面積の第２の領域が暴露され、第１の被覆された領域が一対の第２の領域間に位置するように、リードフレームをマスキングするステップを含む。
【００１３】
さらなる実施形態では、リードフレームは、完全に銀めっきされるか、または完全に銀めっきされないかのいずれかである、ワイヤボンド面積を有する、少なくとも１つの付加的リードフレームフィンガを含む。
【００１４】
別の実施形態は、集積回路ダイを受容するように構成されるダイ支持面積と、ダイ支持面積に隣接する複数のリードフレームフィンガであって、それぞれ、フィンガ先端面積をリードフレームフィンガの一端に含む、リードフレームフィンガとを備える、リードフレームを含む、集積回路構造を提供する。各リードフレームフィンガのワイヤボンド面積は、銀めっきされる第１の領域と、銀めっきされない第２の領域とを含む、表面を含む。
【００１５】
さらなる実施形態では、集積回路構造はさらに、リードフレームのダイ支持面積に搭載される集積回路ダイと、集積回路ダイと各ワイヤボンド面積の第１の銀めっきされた領域との間のワイヤボンド接続と、成形材料が、各ワイヤボンド面積の第２の銀めっきされない領域に直接接触するように、リードフレームおよび集積回路ダイを覆って適用される成形材料とを含む。
【００１６】
さらなる実施形態では、複数のリードフレームフィンガのうちの少なくとも１つに関して、リードフレームフィンガは、リードフレームのダイ支持面積に近接する第１の端部からダイ支持面積から離れた第２の端部または面積に延在し、ワイヤボンド面積の第２の銀めっきされない領域は、ダイ支持面積に近接するリードフレームフィンガの第１の端部に位置する。
【００１７】
さらなる実施形態では、複数のリードフレームフィンガのうちの少なくとも１つに関して、ワイヤボンド面積の第２の銀めっきされない領域は、ワイヤボンド面積の第１の銀めっきされた領域とリードフレームのダイ支持面積との間に幾何学的に位置する。
【００１８】
さらなる実施形態では、複数のリードフレームフィンガのうちの少なくとも１つに関して、ワイヤボンド面積の表面は、相互から離間される、少なくとも２つの第２の銀めっきされない領域を含む。
【００１９】
さらなる実施形態では、複数のリードフレームフィンガのうちの少なくとも１つに関して、ワイヤボンド面積の表面は、一対の第２の銀めっきされない領域を含み、第１の銀めっきされた領域は、一対の第２の銀めっきされない領域間に位置する。
【００２０】
さらなる実施形態では、リードフレームは、完全に銀めっきされるか、または完全に銀めっきされないかのいずれかである、ワイヤボンド面積を有する、少なくとも１つの付加的リードフレームフィンガを含む。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
例示的実施形態が、図面を参照して以下に論じられる。
【００２２】
【図１】図１は、集積回路ダイを搭載し、集積回路デバイス、例えば、チップを形成するための例示的リードフレームを示す。
【００２３】
【図２Ａ】図２Ａは、リードフレームのリードフィンガ先端面積を銀めっきするための既存または従来のマスキングを図示する。
【００２４】
【図２Ｂ】図２Ｂは、図２Ａに示される既存または従来のマスキングを使用した結果として生じるリードフレームの銀めっきを示す。
【００２５】
【図３Ａ】図３Ａは、第１の例示的実施形態による、リードフレームのリードフィンガ先端面積を銀めっきするための例示的マスキング構成を図示する。
【００２６】
【図３Ｂ】図３Ｂは、成形コンパウンドとの改良された接着性のために、銀めっきされていない面積をリードフィンガ先端上に画定する、図３Ａに示されるマスキングを使用した結果として生じるリードフレームの銀めっきを示す。
【００２７】
【図４Ａ】図４Ａは、第２の例示的実施形態による、リードフレームのリードフィンガ先端面積を銀めっきするための別の例示的マスキング構成を図示する。
【００２８】
【図４Ｂ】図４Ｂは、成形コンパウンドとの改良された接着性のために、銀めっきされていない面積をリードフィンガ先端上に画定する、図４Ａに示されるマスキングを使用した結果として生じるリードフレームの銀めっきを示す。
【００２９】
【図５】図５は、例示的実施形態による、リードフレームに搭載されるダイと、構造を覆って形成される成形コンパウンドと、成形コンパウンドとリードフィンガ先端の銀めっきされていない面積との間の改良された接着性とを有する、集積回路デバイスを製造するための例示的プロセスを図示する。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
図１は、例えば、リードフレームを銀めっきし、集積回路（ＩＣ）ダイをリードフレームに搭載し、ＩＣダイをリードフレームにワイヤボンドし、リードフレームを成形し、リードフレームをより大きいリードフレームアレイから、例えば、例示的切断線ＣＬに沿って切断することによって処理されるのに先立った例示的リードフレーム１０を示す。図１に示される例示的リードフレーム１０は、そこに搭載される集積回路ダイを支持するように構成される、ダイ支持領域またはプレート１２と、ダイ支持領域１２の周縁の周囲に配列される（かつそこから離間される）、複数のリードフィンガ１４と、ダイ支持領域１２を、リードフィンガ１４を含むリードフレーム１０の残りに物理的に接続する、１つまたはそれを上回る接続構造１６とを画定する、パターンを伴って形成される。各リードフィンガ１４は、ダイ支持領域１２に近接し、例えば、ワイヤボンドによる、ダイ支持領域１２上に搭載される集積回路ダイへの電気接続のために構成される、先端領域２０を含む。
【００３１】
リードフレーム１０は、任意の好適な材料、例えば、銅または銅合金、ニッケル、コバルト、またはクロムを含有する鉄合金、ニッケルまたはニッケル合金、もしくは任意の他の好適な材料から形成されてもよい。銅リードフレームが、議論の目的のために本明細書で論じられる。しかしながら、本明細書で論じられる概念は、銅リードフレームに限定されず、むしろ、任意の他の好適な材料のリードフレームに適用されることを理解されたい。加えて、図１に示されるリードフレーム１０の形状およびパターンは、実施例にすぎない。リードフレーム１０はまた、ダイ支持領域またはプレート１２、リードフィンガ１４、および接続構造１６の任意の他の好適な配列を含む、任意の他の好適なパターンおよび形状を有してもよい。
【００３２】
リードフィンガ先端面積２０は、任意の好適な材料でコーティングまたはめっきされ、リードフレーム１０に搭載されるＩＣダイとリードフィンガ１４の材料（本明細書で論じられる実施例では、銅）との間に所望の電気および機械的接点（例えば、ワイヤボンドを介して）提供してもよい。いくつかの実施形態では、例えば、本明細書に論じられるように、リードフィンガ先端面積２０は、銀でコーティングまたはめっきされてもよい。他の実施形態では、例えば、本明細書に論じられるように、リードフィンガ先端面積２０は、別の好適な材料でコーティングまたはめっきされてもよい。
【００３３】
図２Ａおよび２Ｂは、リードフレーム１０のリードフィンガ先端面積２０を銀めっきするための既存または従来の技法を図示する。銀めっきを適用するために、リードフレーム１０は、任意の好適なマスキング機器および技法を使用してマスクされ、銀めっきが、次いで、リードフレーム１０の暴露された面積に適用される。図２Ａは、例示的マスキングを示し、マスク境界３０ｂ内側およびマスク境界３０ａ外側の面積が、マスクされ、したがって、境界線３０ａと３０ｂとの間のリードフレーム１０の面積を暴露させる。図２Ｂは、図２Ａのマスキング構成を使用した銀めっきの結果を示す。示されるように、銀めっきされた領域４０は、各リードフィンガ先端２０上に画定される。
【００３４】
図２Ａおよび２Ｂは、リードフレーム１０のリードフィンガ先端面積２０を銀めっきするための既存または従来の技法を図示する。銀めっきを適用するために、リードフレーム１０は、任意の好適なマスキング機器および技法を使用してマスクされ、銀めっきが、次いで、リードフレーム１０の暴露された面積に適用される。図２Ａは、例示的マスキングを示し、マスク境界３０ｂ内側およびマスク境界３０ａ外側の面積が、マスクされ、したがって、境界線３０ａと３０ｂとの間のリードフレーム１０の面積を暴露させる。図２Ｂは、図２Ａのマスキング構成を使用した銀めっきの結果を示す。示されるように、銀めっきされた領域４０は、各リードフィンガ先端２０上に画定される。
【００３５】
図３Ａおよび３Ｂは、本発明の第１の例示的実施形態による、リードフレーム１０のリードフィンガ先端面積２０を銀めっきするための改良された技法の実施例を図示する。銀めっきを適用するために、リードフレーム１０は、リードフレームフィンガ１４毎に、フィンガ先端面積２０の第１の領域がマスクされ、フィンガ先端面積２０の少なくとも１つの第２の領域がマスクを通して暴露されるように、１つまたはそれを上回る物理的または機械的マスクを使用してマスクされる。図３Ａは、境界線５０ａおよび５０ｂによって画定される一対の開口部を含むマスクパターンを画定する、物理的マスクの実施例を示す。本マスキングによると、リードフレームフィンガ１４毎に、領域５２として示される、ダイ支持領域１２に最も近いフィンガ先端面積２０の領域は、その領域の銀めっきを防止するようにマスクされる。示されるように、各フィンガ先端面積２０のマスクされた領域５２は、ダイ支持領域１２に対して、個別のフィンガ先端面積２０の暴露された面積から内向きに位置してもよい。
【００３６】
図３Ｂは、図３Ａの例示的マスクパターンを使用した銀めっきの結果を示す。示されるように、銀めっきされた領域６０は、各リードフィンガ先端２０上に画定され、銀めっきされていない領域６２（図３Ａに示されるマスクされた領域５２に対応する）は、ダイ支持領域１２に対して、銀めっきされた領域６０から内向きに各リードフィンガ先端２０上に画定される。いくつかの実施形態では、マスクパターンは、銀めっき後、各フィンガ先端面積２０が、２つの銀めっきされていない領域６２間に位置する銀めっきされた領域６０を含み、ダイ支持領域１２に対して、一方の銀めっきされていない領域６２が銀めっきされた領域６０から内向きに位置し、他の銀めっきされていない領域６２が銀めっきされた領域６２から外向きに位置するように、各フィンガ先端面積２０上に、一対のマスクされた領域間に位置する暴露された領域を画定してもよい。
【００３７】
いくつかの実施形態では、マスクは、少なくとも１つのリードフィンガ先端２０が、完全に銀めっきされる、または完全に銀めっきされないように、少なくとも１つのリードフィンガ先端２０を完全に被覆または完全に暴露してもよい。加えて、マスクは、特定の実施形態に応じて、任意の接続領域１６の面積を暴露してもよく、またはそうでなくてもよい。
【００３８】
リードフィンガ先端２０の銀めっきされていない領域６２は、リードフィンガ先端２０上の銀めっきされた面積を減少させ、リードフィンガ先端２０のめっきされていない銅表面と、成形コンパウンドとの間の直接接触のための面積を提供し、該成形コンパウンドは、その後に、ＩＣダイが、リードフレーム１０に搭載され、各先端２０上の銀めっきされた領域６０における各リードフィンガ先端２０に電気的に接続（例えば、ワイヤボンド）された後、構造に適用される。成形コンパウンドは、リードフィンガ先端２０の暴露された銅に確実に接着し（銀めっきされていない領域６２において）、経時的に層間剥離する傾向にある、成形コンパウンドと銀めっきとの間の界面と異なり、層間剥離しない。特に、銀めっきされていない領域６２を各リードフィンガ先端２０の端部部分に、すなわち、先端２０の末端（ダイ支持領域１２に近接する）に向かう方向に個別の銀めっきされた領域６０を越えて提供することによって、銀めっきされていない領域６２と成形コンパウンドとの間の直接接触は、成形コンパウンドからの個別の銀めっきされた領域６０の層間剥離を減少または防止する、リードフィンガ１４のための「係止」機構を生成する。リードフィンガ先端２０と成形コンパウンドとの間の本確実な接続は、リードフィンガ１４へのＩＣダイの経時的に信頼性のあるワイヤボンドを可能にする（例えば、パラジウムコーティングされた銅または金ワイヤボンドを使用して）。
【００３９】
図４Ａおよび４Ｂは、本発明の第２の例示的実施形態による、リードフレーム１０のリードフィンガ先端面積２０を銀めっきするための改良された技法の別の実施例を図示する。図４Ａに示されるように、マスクは、下層リードフレーム１０の特定の面積を暴露させる、いくつかの開口部５０ｃ−５０ｈを画定する。特に、マスクパターンは、リードフレームフィンガ先端２０毎に、第１の領域が暴露され、第１の領域の両側の一対の第２の領域がマスクによって被覆されるようなものである。
【００４０】
図４Ｂは、図４Ａの例示的マスクパターンを使用した銀めっきの結果を示す。示されるように、各リードフィンガ先端面積２０は、銀めっきされた領域６０と、銀めっきされた領域６０の両側の一対の銀めっきされていない領域６２とを含む。銀めっきされていない領域６２は、リードフィンガ先端２０の銅表面と、続いて構造に適用される成形コンパウンドとの間の直接接触のための面積を提供し、成形コンパウンドからの銀めっきされた領域６０の層間剥離を減少または防止する、リードフィンガ１４と成形コンパウンドとの間に「係止」機構を生成し得る。
【００４１】
図３Ａおよび４Ａに示されるマスクパターンは、実施例にすぎず、マスクは、続いて適用される成形コンパウンドとの改良された接着性のために、個々のリードフィンガ先端面積２０の１つまたはそれを上回る銀めっきされていない面積をもたらす、任意の他の好適なパターンを有してもよいことを理解されたい。
【００４２】
図５は、例示的実施形態による、集積回路デバイス１９０を製造するための例示的プロセス１００を図示する。ＩＣデバイス基板１５２のアレイを画定するウエハ１５０が、ステップ１０２において提供される。ステップ１０４では、ウエハ１５０は、例えば、エポキシおよび／またはマウントテープを使用して、ウエハマウント１５４に搭載される。ステップ１０６では、ウエハは、切断線１６０によって示されるように、ウエハソーを使用して切断される。ステップ１０８では、マスキングおよび銀めっきプロセスが、各リードフレーム１０のリードフレームフィンガ先端２０が、例えば、前述のように、１つまたはそれを上回る銀めっきされていない面積６２を有するように、ウエハ上で行われる。例えば、図３Ａまたは４Ａの例示的実施形態に示されるようなマスクが、ステップ１０８において使用されてもよい。
【００４３】
ステップ１１０では、ＩＣダイが、取り上げられ、例えば、エポキシ１７０および硬化プロセスを使用して、各リードフレーム１０のダイ支持領域１２に取り付けられる。ステップ１１２では、各ダイは、例えば、パラジウムコーティングされた銅または金ワイヤボンド１８０を使用して、個別のリードフレーム１０の各リードフレームフィンガ先端２０の銀めっきされた領域６０にワイヤボンドされる。ステップ１１４では、構造が、プラスチックまたは他の好適な成形コンパウンド内で成形される。前述のように、リードフレームフィンガ先端２０の銀めっきされていない面積６２は、成形コンパウンドに直接接触し、確実な接着性を提供し、それによって、成形コンパウンドをリードフレームフィンガ１４に係止させる。ステップ１１６では、ウエハは、マークおよび個片化され、複数の離散ＩＣデバイス／チップ１９０をもたらす。
【００４４】
前述の教示は、種々の利点を提供し得る。第１に、リードフレームと成形コンパウンドとの間の層間剥離が、排除または実質的に減少され得る。結果として生じるデバイスは、したがって、ＪＥＤＥＣ  ＭＳＬ１信頼性規格を満たす可能性がより高くなり得る。さらに、結果として生じるＩＣデバイスの製品信頼性および寿命が、向上され得る。現場瑕疵における隆起、破損ワイヤボンドの発生、および対応する顧客不満は、実質的に減少または排除され得る。さらに、開示される解決策は、デバイスのＭＳＬ３までの降格等の解決策と比較して、例えば、乾燥パックの必要性を排除することによって、パッキング方法論においてコスト節約を提供し得る。最後に、生産サイクル時間が、焼成プロセスに起因して、短縮され得る。
【００４５】
開示される実施形態は、本開示に詳細に説明されたが、種々の変更、代用、および改変が、その精神および範囲から逸脱することなく、実施形態に成され得ることを理解されたい。
【図１】
2017500750.tif 000003
【図２Ａ】
2017500750.tif 000004
【図２Ｂ】
2017500750.tif 000005
【図３Ａ】
2017500750.tif 000006
【図３Ｂ】
2017500750.tif 000007
【図４Ａ】
2017500750.tif 000008
【図４Ｂ】
2017500750.tif 000009
【図５】
2017500750.tif 000010
【国際調査報告】
2017500750.tif 000011
2017500750.tif 000012