(57)【要約】【課題】本発明は、相互キャパシタンス方式のＯＧＳタッチパネル及びその製造方法を提供する。【解決手段】前記タッチパネルの絶縁層上に第１スルーホールと第２スルーホールを設け、タッチが検出される時、タッチパネルの第１サブ電極パターンが第１スルーホールによって第４サブ電極パターンと電気的に接続され、第３サブ電極パターンが第２スルーホールによって第２サブ電極パターンと電気的に接続される。上述の方法により、電極パターンにおける伝送信号のライン抵抗を小さくし、タッチの感度が向上する。【選択図】図５
2017534122.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、基板上に順番に重ねられた第１電極パターン及び絶縁層及び第２電極パターンと、からなるタッチパネルであって、
そのうち、第１電極パターンは、前記基板上に同時に形成されるとともに間隔を置いて設置された第１サブ電極パターンと第２サブ電極パターンを備え、前記第２電極パターンは、絶縁層上に同時に形成されるとともに間隔を置いて設置された第３サブ電極パターンと第４サブ電極パターンを備え、前記第１サブ電極パターンは、第１方向に沿って延在するように設置され、前記第３サブ電極パターンは、第２方向に沿って延在するように設置され、前記第１方向と前記第２方向は、互いに垂直である上、前記第１サブ電極パターンと前記第３サブ電極パターンは、交差して設置され、前記絶縁層には、第１スルーホールと第２スルーホールが設けられ、タッチが検出される時、前記第１サブ電極パターンは、前記第１スルーホールによって第４サブ電極パターンと電気的に接続され、第３サブ電極パターンは、第２スルーホールによって第２サブ電極パターンと電気的に接続され、
そのうち、前記第１サブ電極パターンは、棒状の第５サブ電極パターン及び前記第５サブ電極パターンと接続される第６サブ電極パターンを備え、前記第３サブ電極パターンは、棒状の第７サブ電極パターン及び前記第７サブ電極パターンと接続される第８サブ電極パターンを備え、前記第６サブ電極パターンと前記第８サブ電極パターンは、交差して設置され、タッチが検出される時、前記第６サブ電極パターンは、前記第１スルーホールによって第４サブ電極パターンと電気的に接続され、前記第８サブ電極パターンは、第２スルーホールによって前記第２サブ電極パターンと電気的に接続されることを特徴とする、タッチパネル。
【請求項２】
前記第２サブ電極パターン、前記第４サブ電極パターン、前記第６サブ電極パターン、及び前記第８サブ電極パターンは菱型であり、前記第６サブ電極パターンの対角は前記第５サブ電極パターン上に位置し、前記第８サブ電極パターンの対角は前記第７サブ電極パターン上に位置することを特徴とする、請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項３】
前記第２サブ電極パターンは、前記第８サブ電極パターンの面積より小さく、前記第４サブ電極パターンは、前記第６サブ電極パターンの面積より小さいことを特徴とする、請求項２に記載のタッチパネル。
【請求項４】
前記第１スルーホールと前記第２スルーホールの?壁には凹凸構造が設けられ、スパッタリングが前記第２電極パターンを形成する時、電極原料は凹凸構造上に付着されることを特徴とする、請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項５】
基板と、基板上に順番に重ねられた第１電極パターン及び絶縁層及び第２電極パターンと、からなるタッチパネルであって、
そのうち、前記第１電極パターンは、間隔を置いて設置された第１サブ電極パターンと第２サブ電極パターンを備え、前記第２電極パターンは、間隔を置いて設置された第３サブ電極パターンと第４サブ電極パターンを備える上、前記第１サブ電極パターンと前記第３サブ電極パターンは交差して設置され、前記絶縁層には、第１スルーホールと第２スルーホールが設けられ、タッチが検出される時、前記第１サブ電極パターンは、前記第１スルーホールによって前記第４サブ電極パターンと電気的に接続され、前記第３サブ電極パターンは、前記第２スルーホールによって前記第２サブ電極パターンと電気的に接続されることを特徴とする、タッチパネル。
【請求項６】
前記第１サブ電極パターンは、棒状の第５サブ電極パターン及び前記第５サブ電極パターンと接続される第６サブ電極パターンを備え、前記第３サブ電極パターンは、棒状の第７サブ電極パターン及び前記第７サブ電極パターンと接続される第８サブ電極パターンを備え、前記第６サブ電極パターンと前記第８サブ電極パターンは交差して設置され、タッチが検出される時、前記第６サブ電極パターンは、前記第１スルーホールによって前記第４サブ電極パターンと電気的に接続され、前記第８サブ電極パターンは、前記第２スルーホールによって前記第２サブ電極パターンと電気的に接続されることを特徴とする、請求項５に記載のタッチパネル。
【請求項７】
前記第２サブ電極パターン、前記第４サブ電極パターン、前記第６サブ電極パターン、及び前記第８サブ電極パターンは菱型であり、前記第６サブ電極パターンの対角は前記第５サブ電極パターン上に位置し、前記第８サブ電極パターンの対角は前記第７サブ電極パターン上に位置することを特徴とする、請求項６に記載のタッチパネル。
【請求項８】
前記第２サブ電極パターンは、前記第８サブ電極パターンの面積より小さく、前記第４サブ電極パターンは、前記第６サブ電極パターンの面積より小さいことを特徴とする、請求項７に記載のタッチパネル。
【請求項９】
前記第１サブ電極パターンは、第１方向に沿って延在するように設置され、前記第３サブ電極パターンは、第２方向に沿って延在するように設置されるとともに、前記第１方向と前記第２方向は互いに垂直であることを特徴とする、請求項５または請求項６に記載のタッチパネル。
【請求項１０】
前記第１サブ電極パターンと前記第２サブ電極パターンは、前記基板上に同時に形成され、前記第３サブ電極パターンと前記第４サブ電極パターンは、前記絶縁層上に同時に形成されることを特徴とする、請求項５に記載のタッチパネル。
【請求項１１】
前記第１スルーホールと前記第２スルーホールの内壁には凹凸構造が設けられ、スパッタリングが前記第２電極パターンを形成する時、電極原料は凹凸構造上に付着されることを特徴とする、請求項５に記載のタッチパネル。
【請求項１２】
タッチパネルの製造方法であって、
前記製造方法は、
基体上に第１電極層を形成する手順と、
前記第１電極層に１回目のエッチングを行い、第１電極パターンを形成し、前記第１電極パターンは、間隔を置いて設置された第１サブ電極パターンと第２サブ電極パターンを備える手順と、
前記第１電極パターンが形成された前記基体上に絶縁層を形成する手順と、
前記絶縁層に２回目のエッチングを行うことによって第１スルーホールと第２スルーホールを形成する手順と、
前記絶縁層上に第２電極層を形成する手順と、
前記第２電極層に３回目のエッチングを行うことによって第２電極パターンを形成し、前記第２電極パターンは、間隔を置いて設置された第３サブ電極パターンと第４サブ電極パターンを備える手順と、
そのうち、前記第１サブ電極パターンと前記第３サブ電極パターンは、交差して設置され、タッチが検出される時、前記第１サブ電極パターンは、前記第１スルーホールによって前記第４サブ電極パターンと電気的に接続され、前記第３サブ電極パターンは、前記第２スルーホールによって前記第２サブ電極パターンと電気的に接続される手順と、からなるタッチパネルの製造方法。
【請求項１３】
前記第１サブ電極パターンは、棒状の第５サブ電極パターン及び前記第５サブ電極パターンと接続された第６サブ電極パターンを備え、前記第３サブ電極パターンは、棒状の第７サブ電極パターン及び前記第７サブ電極パターンと接続された第８サブ電極パターンを備え、前記第６サブ電極パターンと前記第８サブ電極パターンは交差して設置され、タッチが検出される時、前記第６サブ電極パターンは、前記第１スルーホールによって前記第４サブ電極パターンと電気的に接続され、前記第８サブ電極パターンは、前記第２スルーホールによって前記第２サブ電極パターンと電気的に接続されることを特徴とする、請求項１２に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記第２サブ電極パターン、前記第４サブ電極パターン、前記第６サブ電極パターン、及び前記第８サブ電極パターンは菱型であり、前記第６サブ電極パターンの対角は前記第５サブ電極パターン上に位置し、前記第８サブ電極パターンの対角は前記第７サブ電極パターン上に位置することを特徴とする、請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記第２サブ電極パターンは、前記第８サブ電極パターンの面積より小さく、前記第４サブ電極パターンは、前記第６サブ電極パターンの面積より小さいことを特徴とする、請求項１４に記載の製造方法。
【請求項１６】
前記第１サブ電極パターンは、第１方向に沿って延在するように設置され、前記第３サブ電極パターンは、第２方向に沿って延在するように設置されるとともに、前記第１方向と前記第２方向は互いに垂直であることを特徴とする、請求項１２または請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１７】
スパッタリングによって前記第１電極層、前記絶縁層、及び前記第２電極層が形成されることを特徴とする、請求項１２に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、タッチパネルの技術分野に関し、具体的には、相互キャパシタンス方式のＯＧＳ（Ｏｎｅ  Ｇｌａｓｓ  Ｓｏｌｕｔｉｏｎ）タッチパネル及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
タッチ式スクリーン技術の発展及び市場におけるタッチ式スクリーンの軽量化、薄型化のニーズが高まるのに伴い、相互キャパシタンス方式ＯＧＳタッチパネルは、干渉耐性が強い、感度が高い、複数点のタッチを識別できる等の長所を備えるため、タッチ式スクリーンの技術領域における主流となっている。
【０００３】
相互キャパシタンス方式ＯＧＳタッチパネルは、一体化相互キャパシタンス方式タッチパネルとも呼ばれ、それが唯一備えるガラス基板上の異なる電極パターン縁部の間には、端縁場コンデンサが形成され、タッチされると端縁場コンデンサが変化し、感知ラインと送信ラインの伝送信号が検出されることによってタッチ点の座標を確定することができる。しかしながら、従来の送信ラインと感知ラインは、すべてＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ、インジウムスズ酸化物）透明導電材料を採用して製造されている。ＩＴＯ透明導電材料の電気抵抗は非常に大きいため、感知ラインと送信ラインの伝送信号が減衰してひずみやすく、それにより、タッチの感度が大幅に低下する。もちろん現在電流を増加させることによってタッチの感度を向上させることができるが、電流を増加されることにより消費電力も確実に増加する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、電極パターンにおける伝送信号のライン抵抗を小さくすることができ、タッチの感度を向上させる相互キャパシタンス方式のＯＧＳタッチパネル及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上述の技術問題を解決するため、本発明の採用する技術案は、タッチパネルを提供する。前記タッチパネルは、基板及び基板上に順番に重ねられる第１電極パターン、絶縁層と第２電極パターンと、からなる。そのうち、第１電極パターンは、基板上に同時に形成されるとともに間隔を置いて設置された第１サブ電極パターンと第２サブ電極パターンを備え、第２電極パターンは、絶縁層上に同時に形成されるとともに間隔を置いて設置された第３サブ電極パターンと第４サブ電極パターンを備え、第１サブ電極パターンは、第１方向に沿って延在するように設置され、第３サブ電極パターンは、第２方向に沿って延在するように設置され、第１方向と第２方向は、互いに垂直である上、第１サブ電極パターンと第３サブ電極パターンは、交差して設置される。絶縁層には、第１スルーホールと第２スルーホールが設けられ、タッチが検出される時、第１サブ電極パターンは、第１スルーホールによって第４サブ電極パターンと電気的に接続され、第３サブ電極パターンは、第２スルーホールによって第２サブ電極パターンと電気的に接続される。そのうち、第１サブ電極パターンは、棒状の第５サブ電極パターン及び第５サブ電極パターンと接続された第６サブ電極パターンを備え、第３サブ電極パターンは、棒状の第７サブ電極パターン及び第７サブ電極パターンと接続された第８サブ電極パターンを備え、第６サブ電極パターンと第８サブ電極パターンは、交差して設置される。タッチが検出される時、第６サブ電極パターンは、第１スルーホールによって第４サブ電極パターンと電気的に接続され、第８サブ電極パターンは、第２スルーホールによって第２サブ電極パターンと電気的に接続される。
【０００６】
そのうち、第２サブ電極パターン、第４サブ電極パターン、第６サブ電極パターン、及び第８サブ電極パターンは菱型であり、第６サブ電極パターンの対角は第５サブ電極パターン上に位置し、第８サブ電極パターンの対角は第７サブ電極パターン上に位置する。
【０００７】
そのうち、第２サブ電極パターンは、第８サブ電極パターンの面積より小さく、第４サブ電極パターンは、第６サブ電極パターンの面積より小さい。
【０００８】
そのうち、第１スルーホールと第２スルーホールの内壁には凹凸構造が設けられ、スパッタリングが第２電極パターンを形成する時、電極原料は凹凸構造上に付着される。
【０００９】
上述の技術問題を解決するため、本発明の採用する別の技術案は、タッチパネルを提供する。前記タッチパネルは、基板及び基板上に順番に重ねられる第１電極パターン、絶縁層と第２電極パターンと、からなる。そのうち、第１電極パターンは、間隔を置いて設置された第１サブ電極パターンと第２サブ電極パターンを備え、第２電極パターンは、間隔を置いて設置された第３サブ電極パターンと第４サブ電極パターンを備える上、第１サブ電極パターンと第３サブ電極パターンは、交差して設置される。絶縁層には、第１スルーホールと第２スルーホールが設けられ、タッチが検出される時、第１サブ電極パターンは、第１スルーホールによって第４サブ電極パターンと電気的に接続され、第３サブ電極パターンは、第２スルーホールによって第２サブ電極パターンと電気的に接続される。
【００１０】
そのうち、第１サブ電極パターンは、棒状の第５サブ電極パターン及び第５サブ電極パターンと接続された第６サブ電極パターンを備え、第３サブ電極パターンは、棒状の第７サブ電極パターン及び第７サブ電極パターンと接続された第８サブ電極パターンを備え、第６サブ電極パターンと第８サブ電極パターンは交差して設置される。タッチが検出される時、第６サブ電極パターンは、第１スルーホールによって第４サブ電極パターンと電気的に接続され、第８サブ電極パターンは、第２スルーホールによって第２サブ電極パターンと電気的に接続される。
【００１１】
そのうち、第２サブ電極パターン、第４サブ電極パターン、第６サブ電極パターン、及び第８サブ電極パターンは菱型であり、第６サブ電極パターンの対角は第５サブ電極パターン上に位置し、第８サブ電極パターンの対角は第７サブ電極パターン上に位置する。
【００１２】
そのうち、第２サブ電極パターンは、第８サブ電極パターンの面積より小さく、第４サブ電極パターンは、第６サブ電極パターンの面積より小さい。
【００１３】
そのうち、第１サブ電極パターンは、第１方向に沿って延在するように設置され、第３サブ電極パターンは、第２方向に沿って延在するように設置されるとともに、第１方向と第２方向は互いに垂直である。
【００１４】
そのうち、第１サブ電極パターンと第２サブ電極パターンは、基板上に同時に形成され、第３サブ電極パターンと第４サブ電極パターンは、絶縁層上に同時に形成される。
【００１５】
そのうち、第１スルーホールと第２スルーホールの内壁には凹凸構造が設けられ、スパッタリングが第２電極パターンを形成する時、電極原料は凹凸構造上に付着される。
【００１６】
上述の技術問題を解決するため、本発明が採用するさらに別の技術案は、タッチパネルの製造方法を提供する。前記製造方法は、以下の手順からなる。基体上に
第１電極層を形成する。第１電極層に１回目のエッチングを行い第１電極パターンを形成する。第１電極パターンは、間隔を置いて設置された第１サブ電極パターンと第２サブ電極パターンを備える。第１電極パターンが形成された基体上に絶縁層を形成する。絶縁層に２回目のエッチングを行うことによって第１スルーホールと第２スルーホールを形成する。絶縁層上に第２電極層を形成する。第２電極層に３回目のエッチングを行うことによって第２電極パターンを形成する。第２電極パターンは、間隔を置いて設置された第３サブ電極パターンと第４サブ電極パターンを備える。そのうち、第１サブ電極パターンと第３サブ電極パターンは、交差して設置され、タッチが検出される時、第１サブ電極パターンは、第１スルーホールによって第４サブ電極パターンと電気的に接続され、第３サブ電極パターンは、第２スルーホールによって第２サブ電極パターンと電気的に接続される。
【００１７】
そのうち、第１サブ電極パターンは、棒状の第５サブ電極パターン及び第５サブ電極パターンと接続された第６サブ電極パターンを備える。第３サブ電極パターンは、棒状の第７サブ電極パターン及び第７サブ電極パターンと接続された第８サブ電極パターンを備える。第６サブ電極パターンと第８サブ電極パターンは交差して設置され、タッチが検出される時、第６サブ電極パターンは、第１スルーホールによって第４サブ電極パターンと電気的に接続され、第８サブ電極パターンは、第２スルーホールによって第２サブ電極パターンと電気的に接続される。
【００１８】
そのうち、第２サブ電極パターン、第４サブ電極パターン、第６サブ電極パターン、及び第８サブ電極パターンは菱型であり、第６サブ電極パターンの対角は第５サブ電極パターン上に位置し、第８サブ電極パターンの対角は第７サブ電極パターン上に位置する。
【００１９】
そのうち、第２サブ電極パターンは、第８サブ電極パターンの面積より小さく、第４サブ電極パターンは、第６サブ電極パターンの面積より小さい。
【００２０】
そのうち、第１サブ電極パターンは、第１方向に沿って延在するように設置され、第３サブ電極パターンは、第２方向に沿って延在するように設置されるとともに、第１方向と第２方向は互いに垂直である。
【００２１】
そのうち、スパッタリングによって第１電極層、絶縁層、及び第２電極層が形成される。
【発明の効果】
【００２２】
上述の技術案により、本発明の実施例は、絶縁層上に第１スルーホールと第２スルーホールが設けられることによって、タッチパネルにおいてタッチが検出される時、基板上に設置された第１サブ電極パターンは、第１スルーホールによって第４サブ電極パターンと電気的に接続され、第３サブ電極パターンは、第２スルーホールによって第２サブ電極パターンと電気的に接続される。第１スルーホールと第４サブ電極パターンの設置は、第１サブ電極パターンに伝送信号を追加したラインに相当し、第２スルーホールと第２サブ電極パターンの設置は、第３サブ電極パターンに伝送信号を追加したラインに相当する。これにより、電極パターンにおける送信と感知の伝送信号のライン抵抗を小さくすることができ、タッチの感度が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の好ましい実施例におけるタッチパネルの製造方法の流れ図である。
【図２】図１に示す製造方法における第１電極パターンの形成を示した図である。
【図３】図１に示す製造方法における第１スルーホールと第２スルーホールの形成を示した図である。
【図４】図１に示す製造方法における第２電極パターンの形成を示した図である。
【図５】本発明の好ましい実施例におけるタッチパネルの電極パターンの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下に本発明の実施例中の図と組み合わせて、本発明の実施例における技術案について、分かりやすくすべて説明する。明らかな点として、本発明が以下に描写する実施例は、本発明の一部の実施例に過ぎず、すべての実施例ではない。本発明の実施例に基づいて、本領域の一般の技術者が創造力を働かせずに取得したすべてのその他の実施例は、すべて本発明の保護範囲内に含まれるものとする。
【００２５】
図１は、本発明の好ましい実施例におけるタッチパネルの製造方法の流れ図である。参照した図１に示す通り、本実施例の製造方法は、以下の手順からなる。
【００２６】
手順Ｓ１１は、基体上に第１電極層を形成する。
【００２７】
基体は、透光性のガラス基体、プラスチック基体、または可塑性基体であることができ、第１電極層は、インジウムスズ酸化物ＩＴＯガラス層であることができ、シリコン酸化物等の材料を採用することもできる。本実施例の好ましい第１電極層には、電気抵抗が比較的小さい製造材料を採用する。
【００２８】
手順Ｓ１２は、第１電極層に１回目のエッチングを行い第１電極パターンを形成する。第１電極パターンは、間隔を置いて設置された第１サブ電極パターンと第２サブ電極パターンを備える。
【００２９】
１回目のエッチングのプロセスは、以下のプロセスであることができるが、以下のプロセスに限定されない。
【００３０】
まず、第１電極層にフォトレジスト層を塗布する。それから、フォトレジスト層にガラス乾板（俗称フォトマスク）の露光技術を採用して１回目のフォトマスク製造プロセスを実行することによって、フォトマスク製造プロセスに必要とされる露光部と未露光部が形成される。最後に、フォトレジスト層をエッチングカバーとし、エッチングによって露光部の第１電極層を除去することで、第１電極パターンを取得することができる。
【００３１】
図２に示すように、形成された第１電極パターン２０は未露光部に対応し、第１電極パターン２０は、間隔を置いて設置された第１サブ電極パターン２１と第２サブ電極パターン２２を備え、第１サブ電極パターン２１と第２サブ電極パターン２２の間の間隔領域は、露光部に対応する。そのうち、第１サブ電極パターン２１は、棒状の第５サブ電極パターン２１１及び第５サブ電極パターン２１１と接続された第６サブ電極パターン２１２を備え、本実施例の好ましい第２サブ電極パターン２２と第６サブ電極パターン２１２は、菱形である。第６サブ電極パターン２１２の対角は、第５サブ電極パターン２２上に位置するとともに、第６サブ電極パターン２１２と第２サブ電極パターン２２は、どちらもマトリックス式に配列される上、両者は交差して設置される。第２サブ電極パターン２２と隣り合う第６サブ電極パターン２１２の間の各距離はすべて同じである。
【００３２】
手順Ｓ１３は、第１電極パターンが形成された的基体上に絶縁層を形成する。
【００３３】
絶縁層１１３は、窒化シリコン層、シリコン酸化物層、または酸窒化ケイ素等の誘電材料によって構成され、化学気相成長、スパッタリングまたはその他の薄膜技術によって沈積形成される。
【００３４】
手順Ｓ１４は、絶縁層に２回目のエッチングを行うことによって第１スルーホールと第２スルーホールを形成する。
【００３５】
２回目のエッチングの原理は、１回目のエッチングを参考できるため、ここでは贅言しない。
【００３６】
さらに図３に示すように、タッチパネルに垂直な視線方向に沿って、第１スルーホール３１と第６サブ電極パターン２１２は対応し、第２スルーホール３２と第２サブ電極パターン２２は対応する。
【００３７】
手順Ｓ１５は、絶縁層上に第２電極層を形成する。
【００３８】
第２電極層１１４は、第１電極層１１２と同じ材料であることも同じでないこともでき、インジウムスズ酸化物ＩＴＯガラス層であることができる。シリコン酸化物等の材料を採用することもでき、本実施例の好ましい第２電極層は、電気抵抗が比較的小さい製造材料を採用する。
【００３９】
手順Ｓ１６は、第２電極層に３回目のエッチングを行うことによって第２電極パターンを形成する。第２電極パターンは、間隔を置いて設置された第３サブ電極パターンと第４サブ電極パターンを備える。
【００４０】
３回目のエッチングの原理は、１回目または２回目のエッチングを参考できるため、ここでは贅言しない。
【００４１】
図４に示すように、第２電極パターン４０は、間隔を置いて設置された第３サブ電極パターン４１と第４サブ電極パターン４２を備え、第３サブ電極パターン４１は、棒状の第７サブ電極パターン４１１及び第７サブ電極パターン４１１と接続された第８サブ電極パターン４１２を備える。本実施例の好ましい第４サブ電極パターン４２と第８サブ電極パターン４１２は、菱型であり、第８サブ電極パターン４１２の対角は、第７サブ電極パターン４１１上に位置するとともに、第８サブ電極パターン４１２と第４サブ電極パターン４２は、どちらもマトリックス式に配列される上、両者は交差して設置される。第４サブ電極パターン４２と隣り合う第８サブ電極パターン４１２の間の各距離はすべて同じである。
【００４２】
図３、図４、図５に示すように、タッチパネルに垂直な視線方向に沿って、第１スルーホール３１と、第６サブ電極パターン２１２と第４サブ電極パターン４２は対応し、第２スルーホール３２と、第２サブ電極パターン２２と第８サブ電極パターン４１２は対応し、第５サブ電極パターン２１１と第７サブ電極パターン４１１は、交差して設置される。
【００４３】
タッチが検出される時、第６サブ電極パターン２１２は、第１スルーホール３１によって第４サブ電極パターン４２と電気的に接続され、第８サブ電極パターン２１２は、第２スルーホール３２によって第２サブ電極パターン２２と電気的に接続されることによって、第１サブ電極パターン２１は、第１スルーホール３１によって第４サブ電極パターン４２と電気的に接続され、第３サブ電極パターン４１は、第２スルーホール３２によって第２サブ電極パターン２２と電気的に接続される。
【００４４】
本実施例において、第１サブ電極パターン２１は、相互キャパシタンス方式のＯＧＳタッチパネルの送信ラインとみなすことができ、第３サブ電極パターン４１は、相互キャパシタンス方式のＯＧＳタッチパネルの感知ラインとみなすことができる。この時、第１スルーホール３１と第４サブ電極パターン４２の設置は、第１サブ電極パターン２１（第１電極パターン２０）に伝送信号を追加したラインに相当し、第２スルーホール３２と第２サブ電極パターン２２の設置は、第３サブ電極パターン４１（第２電極パターン４０）に伝送信号を追加したラインに相当する。これにより、送信伝送信号と感知伝送信号のライン抵抗を小さくすることができ、タッチの感度が向上される。
【００４５】
本発明は、さらに相互キャパシタンス方式のＯＧＳタッチパネルを提供する。前記タッチパネルは、基板及び基板上に順番に重ねられる第１電極層と、絶縁層と、第２電極層と、からなり、そのうち、第１電極層は図２に示す第１電極パターン２０を備え、絶縁層は図３に示す第１スルーホール３１と第２スルーホール３２を備え、第２電極層は図４に示す第２電極パターン４０を備える。
【００４６】
明らかなこととして、本発明は、主にタッチパネルの絶縁層上に第１スルーホール３１と第２スルーホール３２を設け、タッチが検出される時、タッチパネルの第１サブ電極パターン２１が第１スルーホール３１によって第４サブ電極パターン４２と電気的に接続され、第３サブ電極パターン４１が第２スルーホール３２によって第２サブ電極パターン２２と電気的に接続されることによって、電極パターンにおける伝送信号のライン抵抗を小さくし、タッチの感度を向上させることを目的とする。この点からかんがみて、本発明の実施例は、さらにその他の設備を備える。以下に例を挙げる。
【００４７】
好ましい第２サブ電極パターン２２は、第８サブ電極パターン４１２の面積より小さく、好ましい第４サブ電極パターン４２は、第６サブ電極パターン２１２の面積より小さい。または、第１サブ電極パターン２１は、第１方向に沿って延在するように設置され、第３サブ電極パターン４１は、第２方向に沿って延在するように設置される上、第１方向と第２方向は、互いに垂直である。または、第１サブ電極パターン２１と第２サブ電極パターン２２は、同時にまたは別々に基板上に形成されることができ、第３サブ電極パターン４１と第４サブ電極パターン４２は、同時にまたは別々に絶縁層上に形成されることができる。さらに、第１スルーホール３１と第２スルーホール３２の内壁には、凹凸構造が設けられ、スパッタリングが第２電極パターン４０を形成する時、電極原料が凹凸構造上に付着し、電極パターンにおける伝送信号のライン面積が増加することによって、そのライン抵抗が小さくなる。スパッタリングによって第１電極層、絶縁層、及び第２電極層のうちの任意の１つが形成される。
【００４８】
繰り返し説明するが、上述は、本発明の実施例に過ぎず、これによって本発明の特許請求の範囲が制限されるわけではなく、本発明の説明書及び図の内容を利用して行われた同等の構造または同等の工程の変更すべて、例えば各実施例間の技術的な特徴を互いに交えたり、直接または間接的にその他の関連する技術領域で運用したりするなどはどれも同様に本発明の特許請求の保護範囲内に含まれるものとする。
【符号の説明】
【００４９】
２０    第１電極パターン
２１    第１サブ電極パターン
２２    第２サブ電極パターン
２１１  第５サブ電極パターン
２１２  第６サブ電極パターン
１１３  絶縁層
３１    第１スルーホール
３２    第２スルーホール
１１２  第１電極層
１１４  第２電極層
４０    第２電極パターン
４１    第３電極パターン
４２    第４電極パターン
４１１  第７サブ電極パターン
４１２  第８サブ電極パターン４
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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