(57)【要約】スパッタリングターゲットの表面に付着した粒子の接着力及び保持力を向上するために、スパッタリングターゲットのテクスチャ処理表面を処理する方法。スパッタリングターゲットはビード吹き付け、グリット吹き付け、プラズマ溶射、ツインワイヤアーク溶射（ＴＷＡＳ）法によって最初にテクスチャ処理される。そして、最適化されたテクスチャ処理表面を形成するために、「氷」粒子がテクスチャ処理表面に対し噴射あるいは吹き付けられる。「氷」粒子は凍結した二酸化炭素あるいはドライアイスの昇華粒子を含む。同様に、アルゴンも「氷」粒子として用いることができる。【代表図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
最適化されたテクスチャ処理表面を形成するために、「氷」粒子を当該テクスチャ処理表面に対して吹き付ける工程を含む、テクスチャ処理表面を最適化する方法。
【請求項２】
当該「氷」粒子が二酸化炭素またはアルゴンの昇華粒子である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
当該テクスチャ処理表面は、ビード吹き付け、グリット吹き付け、プラズマ溶射、ツインワイヤアーク溶射（ＴＷＡＳ）およびこれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つの方法を用いてテクスチャ処理される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
当該テクスチャ処理表面は、粒子吹き付け装置を用いて「氷」粒子が吹き付けられる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
当該「氷」粒子はキャリアガス中に導入される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
当該キャリアガスは窒素または空気である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
当該テクスチャ処理表面に存在する片持ち梁構造の量を減少させる工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
最適化されたテクスチャ処理表面を形成するために、当該テクスチャ処理表面に対し「氷」粒子を吹き付ける工程を含む方法を用いて最適化される、最適化されたテクスチャ処理表面。
【請求項９】
当該テクスチャ処理表面は、ビード吹き付け、グリット吹き付け、プラズマ溶射、ツインワイヤアーク溶射（ＴＷＡＳ）およびこれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つの方法を用いてテクスチャ処理される、請求項８に記載の最適化されたテクスチャ処理表面。
【請求項１０】
当該テクスチャ処理表面が、アルミニウム、アルミニウム合金及び／またはこれらの組み合わせを含む、請求項９に記載の最適化されたテクスチャ処理表面。
【請求項１１】
側壁及び／またはフランジが、最適化されたテクスチャ処理表面を形成するために、少なくとも１つのテクスチャ処理表面に対して「氷」粒子を吹き付ける工程を含む方法を用いて最適化される、最適化されたテクスチャ処理表面を有する、少なくとも１つの側壁及び／または１つのフランジを有するスパッタリングターゲットを含むターゲットアセンブリ。
【請求項１２】
当該テクスチャ処理表面は、ビード吹き付け、グリット吹き付け、プラズマ溶射、ツインワイヤアーク溶射（ＴＷＡＳ）およびこれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つの方法を用いてテクスチャ処理される、請求項１１に記載のターゲットアセンブリ。
【請求項１３】
当該テクスチャ処理表面が、アルミニウム、アルミニウム合金及び／またはこれらの組み合わせを含む、請求項１２に記載のターゲットアセンブリ。
【請求項１４】
当該テクスチャ処理表面に存在する片持ち梁の量が、当該最適化されたテクスチャ処理表面を形成するために、減少された、請求項１１に記載のターゲットアセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【関連出願の相互参照】
【０００１】
本出願は、２０１３年１０月２２日に出願された米国仮特許出願番号第６１／８９４，０１９号の優先権利益を主張する。
【技術分野】
【０００２】
本発明は、スパッタリング加工に使用されるシールドとターゲット側壁及びフランジとに、詳しくはシールドとターゲット側壁及びフランジとのテクスチャ処理表面の最適化に関する。
【背景技術】
【０００３】
一般的なスパッタリング加工では、金属または金属合金のスパッタターゲットからの金属原子が物理的蒸着（ＰＶＤ）雰囲気で基板に付着される。スパッタリング後の金属原子の大部分は、所望通り基板へそのまま入射する。しかし、スパッタリングされた粒子のかなりの部分がＰＶＤ処理の間に気体内で散乱し、シールドやターゲット側壁またはフランジなど、チャンバー(the chamber)の様々な予定外の表面に付着しうる。
【０００４】
シールドまたはターゲットの側壁及びフランジなどスパッタ・チャンバーの様々な不都合な表面に付着する、散乱したスパッタリング粒子は、蓄積して、後のスパッタリング処理中に剥落する傾向がある。散乱したスパッタリング粒子のターゲットへの付着は、とりわけ厄介である。例を挙げると、ターゲットの反復的な加熱及び冷却は、ターゲットの側壁への不都合な付着粒子を含む、粒子の剥落をさらに起こりやすくする。
【０００５】
多くの場合に、これらの有害な粒子は基板へ向かって移動する。ウェハ上のこれらの粒子は、回路故障につながりうる欠陥をスパッタリングパターンに生じさせることがある。ターゲット寿命は主としてターゲット厚さによって決定されるべきである。しかし実際には、ターゲット、特に側壁部分への付着物の蓄積によりターゲット寿命が制限されることが多い。
【０００６】
ターゲットの一部分は側壁の表面の上に張り出して製造することができ、側壁への散乱粒子の付着を阻止することができる。任意であるが、シールド、または側壁などターゲット表面の一部分、そしてフランジは、テクスチャ処理されることがある。基本的戦略は、表面形状を簡単に設計して、テクスチャ処理表面に付着される材料の内部に応力が蓄積されるのを短い距離のみにすることである。
【０００７】
テクスチャ処理方法は、ビード吹き付けまたはグリット吹き付けを含む。しかしこれらの吹き付け加工は、テクスチャ処理される表面に吹き付け材料が埋め込まれるという結果を招く。埋め込まれた材料は、粒子生成時の熱サイクルにより処理チャンバー(the processing chambers)へ放出されることがあり、結果的に性能低下を招く。
【０００８】
改良されたテクスチャ処理方法は、プラズマ溶射またはツインワイヤアーク溶射（ＴＷＡＳまたは「アーク溶射」）を含む。アーク溶射及びプラズマ溶射では、金属被覆物がターゲット表面へ溶射されて、側壁の粗さをさらに高める。ＴＷＡＳ処理法では、逆の電荷に帯電した２本のワイヤが電動ガン(a motorized gun)を通って供給される。ワイヤがガンを通って供給される際に、ほぼ接触して電気アークを発生させる。圧縮ガスが電気アークの後方のオリフィスから供給され、金属を粉末化し、被覆される表面へこれを送る。アーク溶射された表面は、窒化チタンや窒化タンタルと他の応力敏感膜(stress-sensitive films)など、応力敏感付着層で発生する応力を制限する大きな表面積となる。ＴＷＡＳまたはプラズマ溶射は何らかの金属を使用してターゲット表面を被覆するが、熱膨張係数のためアルミニウムが一般的に好ましく、良好な接着強度を有し、粗い表面を生成する。付着した層または膜は連続していないので、アーク溶射されるアルミニウムとほぼ同じ速度で膨張及び収縮する。これは、ウェハを処理する間のターゲットの反り変形時の粒子の剥離や不要な粒子の発生を減少させるのに役立つ。しかし、アーク溶射により、表面金属被覆物の粗さが一定ではなくなることがある。粗さが一定しないため、処理チャンバーでの応力または熱サイクルにより、当初のターゲット表面からコーティング材料が放出されうる。加えて、アーク溶射加工は、付着粒子の接着力を低下させるか、あるいは、付着粒子を支持するには脆弱すぎる片持ち梁構造を生成する汚染物質を捕捉することがある。
【０００９】
これらのシールド及びターゲットの改良は、ターゲットへの不要な付着粒子の蓄積を阻止してその保持力を向上させることによりターゲットの有効寿命を延ばしながら、ターゲットの性能を向上させることを意図したものであった。改良によりテクスチャ処理表面が設けられるが、粒子発生の問題を充分に解決することはない。不要の付着物は、その有効寿命にわたってターゲットに依然として接着されたままになるに違いない。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【００１０】
驚くべきことであるが、付着粒子の接着力及び保持力を向上させるようにテクスチャ処理ターゲット表面は最適化されることが発見された。したがって、テクスチャ処理ターゲット表面を最適化する方法がここに開示される。この方法は、上述したビード吹き付け、グリット吹き付け、プラズマ溶射、またはツインワイヤアーク溶射（ＴＷＡＳ）方法を含む、何らかの方法を使用してテクスチャ処理されたターゲット表面に対して使用されうる。一つの実施形態において、この方法は、テクスチャ処理表面に「氷」粒子を溶射するか吹き付けて最適化テクスチャ処理表面を形成することを含みうる。「氷」粒子は、凍結した二酸化炭素つまりドライアイスなどの昇華粒子でありうる。別の実施形態において、「氷」粒子はアルゴンでありうる。また別の実施形態では、粒子吹き付け装置を使用してテクスチャ処理表面に「氷」粒子が吹き付けられる。「氷」粒子は、窒素または空気などのキャリアガスによって搬送されうる。別の実施形態において、方法は、テクスチャ処理表面に存在する片持ち梁構造の量を減少して最適化テクスチャ処理表面を形成することを含みうる。
【００１１】
また別の実施形態では、最適化テクスチャ処理表面が開示されており、テクスチャ処理表面に「氷」粒子を吹き付けて最適化テクスチャ処理表面を形成することを含む方法を使用して、テクスチャ処理表面が最適化された。ビード吹き付け、グリット吹き付け、プラズマ溶射、ツインワイヤアーク溶射（ＴＷＡＳ）、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも一つの方法を使用して、テクスチャ表面がテクスチャ処理されうる。また別の実施形態において、テクスチャ処理表面は、アルミニウム、アルミニウム合金、及び／またはこれらの組み合わせを含みうる。
【００１２】
本発明の別の実施形態では、最適化テクスチャ処理表面を持つ少なくとも一つの側壁及び／またはフランジを含むスパッタリングターゲットを含むターゲットアセンブリが開示されている。テクスチャ処理表面に「氷」粒子を吹き付けて最適化テクスチャ処理表面を形成することを含む方法を使用して、側壁及び／またはフランジが最適化されうる。テクスチャ処理表面は、ビード吹き付け、グリット吹き付け、プラズマ溶射、ツインワイヤアーク溶射（ＴＷＡＳ）、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも一つの方法を使用して、テクスチャ処理されうる。テクスチャ処理表面は、アルミニウム、アルミニウム合金、及び／またはこれらの組み合わせを含みうる。また別の実施形態では、最適化テクスチャ処理表面を形成するように、テクスチャ処理表面に存在する片持ち梁構造の量が減少されうる。
【００１３】
例示として図示及び説明された本発明の実施形態についての以下の説明から、本発明の利点が当業者にはさらに明白となるだろう。実現されることになるだろうが、本発明は他の異なる実施形態も可能であり、その詳細は様々な点で変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の例示的な実施例である「試料Ｂ」とともに比較例である「試料Ａ」の試験を行うのに使用される工程の流れ図である。
【図２】試料Ａと試料Ｂのエネルギー分散型Ｘ線（ＥＤＡＸ）分析及び比較である。
【図３】走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影された試料Ａの多数の画像を示す。
【図４】走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影された試料Ｂの多数の画像を示す。
【図５】試料Ａと試料Ｂの孔領域のＳＥＭ比較である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の最適化テクスチャ処理表面及び方法は、スパッタ・チャンバーにおいて何らかのテクスチャ処理表面に使用されうる。このような表面は、シールドとターゲット側壁またはフランジとを限定的ではなく含む。ビード吹き付け、グリッド吹き付け、プラズマ溶射、アーク溶射、またはツインワイヤアーク溶射（ＴＷＡＳ）など何らかの方法を使用して、表面がテクスチャ処理されうる。このようなテクスチャ処理方法は、当業者にはよく知られており、簡潔性のためここには記載しない。
【００１６】
テクスチャ処理表面は、例えばＡｌまたはＣｕまたはその合金から成るアーク溶射表面である。テクスチャ処理表面は、ビード吹き付け、ローレット加工、エッチング、機械加工、または他の従来方法により用意されうる。付加的に、発泡金属が使用されてもよい。これらの材料そのものは、まさに本質的にテクスチャ処理表面を有する。発泡したＡｌ、Ｎｉ、Ｃｕ金属は市販されている。
【００１７】
テクスチャ処理表面は一般的に、一定ではない粗さと、毛髪や髭のようなテクスチャ処理表面から突出する片持ち梁構造とを有する。これらの片持ち梁構造は、スパッタリング中に落下してウェハ表面を汚すことのある、ほこりや他の汚染物質を捕捉する。片持ち梁構造は、スパッタリング中にこれに付着する粒子を保持するには脆弱過ぎることが多い。片持ち梁構造に付着した粒子の質量が増加するにつれて、この構造への応力も増大する。ついには片持ち梁構造が破損して、ウェハ表面を汚すことがある。
【００１８】
片持ち梁構造と他の表面汚染物質を除去し、それでも大きな表面積を有して、付着材料に発生する応力を制限する清浄な表面を残すことにより、テクスチャ処理表面が最適化されうる。開示される方法は、付着粒子が接着するための表面積を最適化テクスチャ処理表面が依然として有するように、全体的な粗さを妨げることなくテクスチャ処理表面から尖鋭な突出特徴を除去する。開示される方法ではまた、アーク溶射される表面が基板に完全に接着されていることを保証するための試験も用意される。接着不良のアーク溶射表面を除去すると、ＰＶＤ加工中に不要な粒子発生を抑えるのに役立つ。最適化の後、テクスチャ処理表面は、少数の脆弱な片持ち梁構造と、膜接着のための良好な表面清浄度とを有する。スパッタリング処理中に最適化テクスチャ処理表面に付着した、窒化チタン、窒化タンタル、ケイ化タンタル、ケイ化タングステン等を含む窒化物及びケイ化物などの脆性材料は、構造的に一層堅固な基材に接着する。この結果、ＰＶＤスパッタ・チャンバーでの不要粒子発生の量を減少するシールドおよびターゲットが得られる。
【００１９】
凍結水など、乾燥残留物を残さない固体粒子や「氷」粒子をテクスチャ処理表面に吹き付けることにより、テクスチャ処理表面は最適化される。一つの実施形態において、「氷」粒子は、凍結二酸化炭素や凍結アルゴンなどの昇華固体粒子でありうる。昇華固体粒子は、テクスチャ処理表面に液体を形成せずに固体から気体へ気化するという点で有利である。「氷」粒子はテクスチャ処理表面へ吹き付けられ、片持ち梁構造や遊離物質や汚染物質をテクスチャ処理表面から除去する。テクスチャ処理表面に吹き付けを行った後に、ここに埋め込まれた「氷」粒子が溶解するか、昇華固体粒子の場合には気化する。
【００２０】
粒子吹き付けや粒子吹き付けクリーニングのために構成された器具や装置を使用して、「氷」粒子が吹き付けられうる。このような装置は、市販のドライアイスクリーニング機械でありうる。このような装置の簡単な説明が、例示のため、またこのような装置の概要を理解するために、以下の段落で挙げられる。粒子吹き付け装置の相違は、本発明の範囲に影響しない。粒子吹き付け装置についての詳細情報は、発明の名称「ドライアイス吹き付け装置」で２００５年５月１０日に発行された米国特許第６，８９０，２４６号と、発明の名称「加圧容器を備える粒子吹き付けクリーニング器具」で２０１２年１０月２日に発行された米国特許第８，２７７，２８８号とに見られる。両特許は参照により本明細書の一部分として取り入れられる。
【００２１】
粒子吹き付け装置（不図示）は、容器と供給アセンブリと駆動アセンブリと出口ポートアセンブリとを含みうる。容器は、上述のテクスチャ処理表面を含む表面に吹き付けまたはクリーニングを行うのに使用される二酸化炭素「氷」粒子など、固体粒子を収容および保持するように構成されている。容器は密閉または加圧されうる。容器はまた、容器の下端部から供給アセンブリへ「氷」粒子を移送するように構成されている。供給アセンブリは、「氷」粒子を出口ポートアセンブリへ運搬するように構成されている。供給アセンブリは、出口ポートアセンブリの方向に回転して「氷」粒子を出口ポートアセンブリへ押し出すオージェ（らせん状の刃先）(an auger)を有する。出口ポートアセンブリは、器具から「氷」粒子を排出するように構成されている。出口ポートアセンブリは、「氷」粒子の流れを誘導および制御するため棒状体(the wand)に装着されたノズルを含みうる。ノズルの相違は、本発明の範囲に影響しない。粒子吹き付け装置での使用のためのノズルについての詳細情報は、発明の名称「表面をクリーニングするため気体によって搬送される昇華固体粒子を噴射するためのノズル」で２００８年１０月２８日に発行された米国特許第７，４４２，１１２号と、発明の名称「表面をクリーニングするため気体によって搬送される昇華固体粒子を噴射するためのノズル」で２０１０年７月２７日に発行された米国特許第７，７６２，８６９号に見られる。両方の特許は参照により本明細書の一部分として取り入れられる。「氷」粒子の流動または噴射は、搬送ガスによって「氷」粒子を搬送することにより促進または制御されうる。キャリアガスは窒素（Ｎ２）または清浄な乾燥空気でありうる。キャリアガスは、何らかの適当な箇所で粒子吹き付け装置に流体接続されている供給源から供給されうる。必要ではないが、キャリアガスは一般的に出口ポートアセンブリへ導入される。
【００２２】
「氷」粒子は、ノズルを使用してシールドまたはターゲットの側壁およびフランジのテクスチャ処理表面へ吹き付けられうる。片持ち梁構造と他の汚染物質とをテクスチャ処理表面から剥ぎ取るのに充分な運動量で、「氷」粒子が吹き付けられうる。「氷」粒子の流動は、棒状体と装着ノズルとをターゲットアセンブリから外した状態で、ノズル内で「氷」粒子の流れが発生される。安定した粒子の流れがノズル内を移動するようになると、棒状体がおよそ７０°の角度でテクスチャ処理表面に狙いを付けられ左右に走査される。ターゲットアセンブリは、自動回転テーブルまたはトレイに載置され、約１ｒｐｍで連続的に回転される。ノズルがターゲットアセンブリのテクスチャ処理表面に狙いを付けられている状態で、ターゲットアセンブリが回転テーブル上で２回完全に回転する。テクスチャ処理表面がアンダーカット垂直区分を有する場合には、異なるノズルによる２回以上の追加回転が採用されうる。アンダーカット垂直区分は、丸い先端と低い供給速度とを持つノズルでクリーニングされうる。吹き付けにより、少数の脆弱な片持ち梁構造と膜接着のための良好な表面清浄度とを持つ最適化テクスチャ処理表面が生成される。ターゲットアセンブリに「氷」粒子が吹き付けられた後に、ターゲットアセンブリは脱イオン水での超音波洗浄で仕上げられうる。
【００２３】
上述したものに加えて、幾つかのプロセスパラメータが変更されうる。パラメータは、ノズルタイプ及び供給速度、及び／または粒子供給速度および吹き付け圧力、及び／またはキャリアガス圧力を限定的でなく含む。プロセスパラメータに最適な値は、テクスチャ処理表面及び／または粒子吹き付け装置に左右されうる。供給速度は、約０．０ｋｇ／分から約２．０ｋｇ／分の範囲でありうる。別の実施形態において、供給速度は０．１から約１．０ｋｇ／分の範囲でありうる。また別の実施形態では、供給速度は０．１８ｋｇ／分でありうる。吹き付け圧力は、キャリアガスの圧力とともに変化しうる。空気圧力は、約５０から約２５０ｐｓｉの範囲でありうる。別の実施形態では、空気圧力は約７５から約１５０ｐｓｉの範囲でありうる。また別の実施形態では、空気圧力は約１１０ｐｓｉでありうる。別の実施形態では、空気及び／または吹き付け圧力は約０から約１４０ｐｓｉの範囲でありうる。適当なノズルは、ファンノズル、破砕ノズル、多段拡大ランプノズル（ＭＥＲＮ）を限定でなく含みうる。ノズルの体積容量は約２０から６０ｃｆｍの範囲でありうる。一つの実施形態において、容量は２５から約５０ｃｆｍの範囲でありうる。代替的に、ノズル体積容量は約２５ｃｆｍでありうる。
【００２４】
したがって、テクスチャ処理ターゲット表面を最適化する方法が開示される。この方法は、上述したビード吹き付け、グリット吹き付け、プラズマ溶射、またはツインワイヤアーク溶射（ＴＷＡＳ）方法を限定的でなく含む何らかの方法を使用してテクスチャ処理されたターゲット表面に使用されうる。表面がテクスチャ処理された後に、ターゲットアセンブリが調整されて、パッキングプレート及び／または他のターゲットアセンブリ表面上の酸化物や汚れを除去する。一つの実施形態において、この方法は、「氷」粒子をテクスチャ処理表面に噴射するか吹き付けて最適化テクスチャ処理表面を形成することを含みうる。「氷」粒子は、凍結二酸化炭素またはドライアイスなどの昇華粒子でありうる。別の実施形態では、「氷」粒子はアルゴンでありうる。別の実施形態では、粒子吹き付け装置を使用してテクスチャ処理表面に「氷」粒子が吹き付けられる。「氷」粒子は、窒素や空気などのキャリアガスによって搬送されうる。別の実施形態で、この方法は、テクスチャ処理表面に存在する片持ち梁構造の量を減少して最適化テクスチャ処理表面を形成することを含む。
【００２５】
また別の実施形態では、最適化テクスチャ処理表面が開示され、テクスチャ処理表面に「氷」粒子を吹き付けて最適化テクスチャ処理表面を形成することを含む方法を使用して、テクスチャ処理表面が最適化された。ビード吹き付け、グリット吹き付け、プラズマ溶射、ツインワイヤアーク溶射（ＴＷＡＳ）、及びこれらの組み合わせで構成される群から選択される少なくとも一つの方法を使用して、テクスチャ処理表面がテクスチャ処理されうる。また別の実施形態において、テクスチャ処理表面は、アルミニウム、アルミニウム合金、及び／またはこれらの組み合わせを含みうる。
【００２６】
本発明の別の実施形態には、最適化テクスチャ処理表面を持つ少なくとも一つの側壁及び／またはフランジを備えるスパッタリングターゲットを含むターゲットアセンブリが開示されている。「氷」粒子をテクスチャ処理表面に吹き付けて最適化テクスチャ処理表面を形成することを含む方法を使用して、側壁及び／またはフランジが最適化されうる。ビード吹き付け、グリット吹き付け、プラズマ溶射、ツインワイヤアーク溶射（ＴＷＡＳ）、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも一つの方法を使用して、テクスチャ処理表面が最適化されうる。テクスチャ処理表面は、アルミニウム、アルミニウム合金、及び／または以上の組み合わせを含みうる。また別の実施形態では、テクスチャ処理表面に存在する片持ち梁構造の量が減少されて最適化テクスチャ処理表面を形成する。
【００２７】
実施例
図１を参照すると、試料Ａと試料Ｂと呼ばれる試験片が示されている。試験と分析に役立てるために試験片が使用された。試料Ａと試料Ｂは試験片であるが、シールドとターゲット側壁及びフランジとを含めて、いかなるテクスチャ処理表面でも本発明で使用されうる。グリット吹き付けとアーク溶射とを使用して、試料Ａと試料Ｂの両方がテクスチャ処理された。
【００２８】
Ｃｏｌｄ  Ｊｅｔ，ＬＬＣ社（Ｌｏｖｅｌａｎｄ，米国オハイオ州）から入手可能な「ｉ３  ＭｉｃｒｏＣｌｅａｎ」（商標）吹き付け装置を使用して、試料Ｂのテクスチャ処理表面に乾燥「氷」粒子が吹き付けられた。ノズルタイプ、吹き付け粒子供給速度、吹き付け圧力など、「ｉ３  ＭｉｃｒｏＣｌｅａｎ」（商標）吹き付け装置及び類似の装置を使用すると、吹き付け加工の様々なパラメータが変更されうる。使用されたノズルは、２５ｃｆｍ（０．７ｍ３／分）ファンノズル（モデルＭＣ３５）であった。調節可能なパラメータは、供給速度と空気圧力とを含む。供給速度は０．１８ｋｇ／分であり、空気圧力は１１０ｐｓｉであった。試料Ａは最適化処理を行わなかった。
【００２９】
試料Ａおよび試料Ｂの表面粗さ（Ｒａ）が、粗面計を使用して測定された。試料Ａの表面粗さは５６５μｉｎであった。ドライアイス吹き付け後の試料Ｂの表面粗さは４８１μｉｎであった。それから、エネルギー拡散型Ｘ線（ＥＤＡＸ）分析と走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）とを使用して、試料が分析された。
【００３０】
試料Ａ及びＢについてのＥＤＡＸの結果及び比較が、図２に示されている。試料Ａ及びＢの表面組成も、図２に示されている。図３は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影された試料Ａの多数の画像を示す。図３の円形エリアは、スパッタリング処理中に、汚染物質を収集する、及び／または破損する、片持ち梁構造を示している。図４は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影された試料Ｂの多数の画像を示している。片持ち梁構造及び他の可能な汚染物質は、試料Ｂの最適化テクスチャ処理表面から除去されている。図５は、試料Ａと試料Ｂの孔領域のＳＥＭ比較である。
【００３１】
上述した様々な例示的実施形態及び実施例とともに本発明が説明されたが、多くの代替例、組み合わせ、変更、および変形が当業者に明白であることは自明である。したがって、上記の本発明の例示的実施形態は限定的ではなく例示的であることを意図したものである。本発明の趣旨及び発明を逸脱することなく、様々な変更が可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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2017500212.tif 000009