(57)【要約】  真空チャンバ内でフレキシブル基板を処理するための処理装置が、説明される。処理装置は、処理ドラム上でガイドされている間にフレキシブル基板を処理するための処理ドラム、フレキシブル基板が処理ドラム上でガイドされる前に、１以上のローラの１以上の円周の一部分に沿ってフレキシブル基板と接触するように構成された１以上のローラを有するローラ構成であって、１以上のローラの１以上の円周の１以上の部分に沿った接触の組み合わされた長さが、２７０ｍｍ以上であり、１以上のローラの１以上の円周の１以上の部分の各々に沿った接触の個別の長さが、５００ｍｍ以下である、ローラ構成、及び１以上のローラの温度を調整する温度調整要素を含む。【選択図】図１Ａ
2017506290.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空チャンバ（１２０）内でフレキシブル基板（１１０）を処理するための処理装置（１００）であって、
処理ドラム（１０６）上でガイドされている間に前記フレキシブル基板を処理するための、処理ドラム、
前記フレキシブル基板が前記処理ドラム上でガイドされる前に、１以上のローラ（１０４、２００）の１以上の円周の一部分に沿って前記フレキシブル基板と接触するように構成された前記１以上のローラを有するローラ構成であって、前記１以上のローラの前記１以上の円周の１以上の部分に沿った接触の組み合わされた長さ（４０）が、２７０ｍｍ以上であり、前記１以上のローラの前記１以上の円周の前記１以上の部分の各々に沿った接触の個別の長さ（４０）が、５００ｍｍ以下である、ローラ構成、及び
前記１以上のローラの温度を調整する１以上の温度調整要素を備える、処理装置。
【請求項２】
前記温度調整要素が、加熱デバイス（２２０、３２０、４２０）を備える、請求項１に記載の処理装置。
【請求項３】
前記加熱デバイスが、第１の端部（２５０）及び第２の端部（２６０）を備え、前記加熱デバイスが、前記第１の端部及び前記第２の端部において保持され、特に、前記加熱デバイスが、前記真空チャンバ（１２０）内で第１の端部（２５０）及び第２の端部（２６０）において固定される、請求項２に記載の処理装置。
【請求項４】
前記温度調整要素が、冷却デバイス（２１２）を備える、請求項１から３のいずれか一項に記載の処理装置。
【請求項５】
前記１以上のローラ（１０４、２００）の前記１以上の円周の前記１以上の部分に沿った接触の前記長さ（４０）が、３５０ｍｍ以上である、請求項１から４のいずれか一項に記載の処理装置。
【請求項６】
前記１以上のローラのうちの第１のローラ（１０４、２００）が、前記フレキシブル基板が前記処理ドラム上でガイドされる直前に、前記第１のローラの第１の円周の第１の部分に沿って前記フレキシブル基板と接触するように構成される、請求項１から５のいずれか一項に記載の処理装置。
【請求項７】
第１のローラから前記処理ドラムまでの前記フレキシブル基板のフリースパン距離（５０）が、５０ｍｍから６００ｍｍまでの範囲内である、請求項１から６のいずれか一項に記載の処理装置。
【請求項８】
第１のローラの直径が１８０ｍｍ以上である、請求項１から７のいずれか一項に記載の処理装置。
【請求項９】
第１のローラの直径が３００ｍｍ以下である、請求項１から８のいずれか一項に記載の処理装置。
【請求項１０】
前記１以上のローラ（１０４、２００）が受動的に駆動され、特に、前記１以上のローラが前記フレキシブル基板（１１０）によって駆動される、請求項１から９のいずれか一項に記載の処理装置。
【請求項１１】
前記処理装置（１００）が、前記１以上のローラの外部でも前記１以上のローラの内部でも、前記真空チャンバ（１２０）内に同じ真空状態を提供するための真空生成構成を更に備える、請求項１から１０のいずれか一項に記載の処理装置。
【請求項１２】
真空処理装置（１００）内でフレキシブル基板（１１０）を処理する方法であって、
真空チャンバ（１２０）内に１以上のローラ（１０４、２００）を有するローラ構成を使用して、前記真空チャンバ内で前記フレキシブル基板（１１０）をガイドすることであって、前記１以上のローラの１以上の円周の１以上の部分に沿った接触の組み合わされた長さ（４０）が２７０ｍｍ以上であり、前記１以上のローラの前記１以上の円周の前記１以上の部分の各々に沿った接触の個別の長さ（４０）が５００ｍｍ以下である、ガイドすること、及び
前記基板が前記１以上のローラの各々と接触している間に、前記フレキシブル基板の温度を処理ドラムの温度に向けて調整することを含む、方法。
【請求項１３】
前記温度を調整することが前記フレキシブル基板を加熱することを含み、又は前記温度を調整することが前記基板を冷却することを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記フレキシブル基板の前記温度が、２０℃以下だけ、前記処理ドラムの前記温度の下へ調整され、又は前記フレキシブル基板の前記温度が、２０℃以下だけ、前記処理ドラムの前記温度の上へ調整される、請求項１２又は１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記処理ドラムを１００℃以上の温度まで加熱すること、及び
前記処理ドラム上でガイドされている間に、前記フレキシブル基板をアウトガッシングすることを更に含む、請求項１２又は１３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、ローラを有する真空処理装置に関する。本発明の実施形態は、特に、フレキシブル基板をコーティングするためのローラ構成を有する真空処理装置に関し、とりわけ、真空処理プロセスの間にフレキシブル基板をガイドするためのガイドローラ構成に関する。本発明の実施形態は、更に、真空処理装置内でローラを操作するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラスチックのフィルム又は箔などのフレキシブル基板の処理は、パッケージング業界、半導体業界、及び他の業界において大きな需要がある。処理は、金属など、とりわけアルミニウム、半導体、及び誘電体材料などの所望の材料でフレキシブル基板をコーティングすること、エッチングすること、及び所望の用途のために基板上で行われる他の処理ステップから成り得る。この作業を実施するシステムは、概して、基板を移送するためのシステムに連結された処理ドラム、例えば、円筒形状のローラを含む。更に、ローラデバイスは、処理チャンバの中でコーティングされる基板をガイド及び管理するのに役立ち得る。
【０００３】
概して、スパッタリングプロセス、蒸発プロセス、例えば、熱蒸発プロセス、又はＣＶＤプロセス、例えば、プラズマＣＶＤプロセスが、フレキシブル基板上に薄い層を堆積させるために利用され得る。ロールツーロール堆積システムは、ディスプレイ業界及び光電池（ＰＶ）業界でも、好調な需要の高まりを経験しつつある。例えば、タッチパネル要素、フレキシブルディスプレイ、及びフレキシブルＰＶモジュールによって、とりわけ低い製造コストで、ロールツーロール塗工機（ｃｏａｔｅｒ）において適切な層を堆積させる需要が高まっている。
【０００４】
フレキシブル基板は、ＰＶＤ、ＰＥＣＶＤなどのＣＶＤ、エッチング、熱処理などの、複数のプロセスで処理され得る。特に、より洗練された電子機器、光電子機器、又は他のデバイスを製造するために、処理される又は処理された表面をコーティングすることは、避けられる必要がある。また更に、例えば堆積などの処理の要件は、特に薄いフィルムに対して、均一性、精密さなどに関する増加された要求を示している。したがって、基板は、しわ（ｗｒｉｎｋｌｅ）ができないように移送され巻かれる必要がある。
【０００５】
フレキシブル基板は、フィルムとも呼ばれ、ロールツーロール塗工機においてフレキシブル基板を巻くときに、容易にしわ又は波ができてしまう可能性がある。１つの対抗策として、スプレッダローラ（ｓｐｒｅａｄｅｒ  ｒｏｌｌｅｒ）又はいわゆるニップローラ（Ｎｉｐ‐ｒｏｌｌｅｒ）が、しわを低減させるために提供され得る。しかしながら、処理装置内の温度差が未だ生じ、その結果は既存のスプレッディングデバイスによっては完全に埋め合わせることができない。そのような温度差は、更に、フレキシブル基板内にしわ又は波をもたらし得る。
【０００６】
以上を考慮すると、上述の問題の少なくとも幾つかを克服する、ローラ、及び真空処理装置内で該ローラを操作するための方法を提供することが望ましい。
【発明の概要】
【０００７】
上記に照らして、真空チャンバ内でフレキシブル基板を処理するための処理装置、及び真空処理装置内でフレキシブル基板を処理する方法が、提供される。本発明の更なる態様、利点、及び特徴は、従属請求項、明細書の説明、及び添付の図面から明らかとなる。
【０００８】
一実施形態によれば、真空チャンバ内でフレキシブル基板を処理するための処理装置が提供される。処理装置は、処理ドラム上でガイドされている間にフレキシブル基板を処理するための処理ドラム、フレキシブル基板が処理ドラム上でガイドされる前に、１以上のローラの１以上の円周の一部分に沿ってフレキシブル基板と接触するように構成された１以上のローラを有するローラ構成であって、１以上のローラの１以上の円周の１以上の部分に沿った接触の組み合わされた長さが、２７０ｍｍ以上であり、１以上のローラの１以上の円周の１以上の部分の各々に沿った接触の個別の長さが、５００ｍｍ以下である、ローラ構成、及び１以上のローラの温度を調整する１以上の温度調整要素を含む。
【０００９】
別の一実施形態によれば、真空処理装置内でフレキシブル基板を処理する方法が、提供される。該方法は、真空チャンバ内でローラを使用して真空チャンバ内で基板をガイドすることであって、１以上のローラの１以上の円周の１以上の部分に沿った接触の組み合わされた長さが２７０ｍｍ以上であり、１以上のローラの１以上の円周の１以上の部分の各々に沿った接触の個別の長さが５００ｍｍ以下である、ガイドすること、及び基板がローラと接触している間に、フレキシブル基板の温度を処理ドラムの温度に向けて調整することを含む。
【００１０】
本発明の上記の特徴を詳細に理解することができるように、実施形態を参照することによって、上記で簡潔に概説した本発明のより詳細な説明を得ることができる。添付の図面は、本発明の実施形態に関し、以下において説明される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１Ａ】本明細書で説明される実施形態による、温度を調整するように構成された処理ドラム及びローラを含む、処理装置の一部分を示す。
【図１Ｂ】本明細書で説明される実施形態による、温度を調整するように構成された処理ドラム及びローラを含む、処理装置を示す。
【図１Ｃ】本明細書で説明される実施形態による、温度を調整するように構成された処理ドラム及びローラを含む、処理装置を示す。
【図２】本明細書で説明される実施形態のために利用され得る、ローラデバイス及び加熱デバイスの概略図を示す。
【図３Ａ】本明細書で説明される実施形態のために利用され得る、ローラデバイス及び加熱デバイスの概略部分図を示す。
【図３Ｂ】本明細書で説明される実施形態のために利用され得る、ローラデバイス及び加熱デバイスの概略部分図を示す。
【図４】本明細書で説明される実施形態のために利用され得る、ローラデバイス及び加熱デバイスの概略図を示す。
【図５】本明細書で説明される実施形態のために利用され得る、ローラデバイス及び冷却デバイスの概略図を示す。
【図６】本明細書で説明される実施形態による、フレキシブル基板の温度調整の方法を示しているフローチャートを示す。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
これより本発明の種々の実施形態が詳細に参照されるが、その１以上の実施例が図示されている。図面に関する以下の説明の中で、同一の参照番号は、同一の構成要素を指す。概して、個々の実施形態に関する相違のみが説明される。各実施例は、本発明の説明として提供されているが、本発明を限定することを意図するものではない。更に、一実施形態の一部として図示又は説明される特徴を、他の実施形態で、又は他の実施形態と併用して、更なる実施形態を得ることが可能である。本明細書の説明は、かかる修正及び改変を含むことが意図されている。
【００１３】
更に、以下の説明では、ローラ又はローラデバイスは、（堆積装置又は堆積チャンバなどの）堆積構成内に基板が存在する間に、基板（又は基板の部分）が接触し得るところの、表面を提供するデバイスとして理解され得る。ローラデバイスの少なくとも一部分は、基板と接触する円形のような形状を含み得る。いくつかの実施形態では、ローラデバイスは、ほぼ円筒形状を有し得る。ほぼ円筒形状は、真っすぐな縦軸の周りに形成されてもよく、又は湾曲した縦軸の周りに形成されてもよい。ある実施形態によれば、本明細書で説明されるローラデバイスは、フレキシブル基板と接触するように適合されてもよい。本明細書で言及されるローラデバイスは、基板がコーティングされる（又は基板の一部分がコーティングされる）間に、又は基板が堆積装置内に存在する間に、基板をガイドするように適合されたガイドローラ、コーティングされる基板に対して規定された張力を提供するように適合されたスプレッダローラ、規定された伝達経路に従って基板を偏向させるための偏向ローラなどであり得る。
【００１４】
図１Ａは、その上に、基板１１０が、基板の処理の間に、ガイド、すなわち、支持されるところの処理ドラム１０６を示している。典型的には、基板が、フレキシブル基板の処理のために望ましい温度まで加熱又は冷却され得る。例えば、基板上の層の堆積は、基板の温度を望ましい堆積温度まで上げることを要求し得る。基板の温度を上げるために、処理ドラムは、温度調整手段、例えば、処理ドラム１０６の少なくとも表面を加熱する加熱デバイスを含み得る。したがって、フレキシブル基板は、処理ドラム１０６の表面と接触している間に、加熱され得る。
【００１５】
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることができる、ある実施形態によれば、本明細書で説明される基板が、ＰＥＴ、ＨＣ‐ＰＥＴ、ＰＥ、ＰＩ、ＰＵ、ＴａＣ、１以上の金属、紙、それらの組み合わせなどの材料、及びハードコートＰＥＴ（例えば、ＨＣ‐ＰＥＴ、ＨＣ‐ＴＡＣ）など既にコーティングされている基板を含み得る。
【００１６】
フレキシブル基板は、フィルムとも呼ばれ、処理ドラムと接触したときに波又はしわが形成され得る。処理ドラムは、フィルム、すなわち、フレキシブル基板の加熱の前に、フィルムの温度と比較して異なる温度を有し得る。例えば、いわゆる熱波（ｈｅａｔ  ｗａｖｅ）は、基板のデガッシング（ｄｅｇａｓｓｉｎｇ）によってもたらされ、フレキシブル基板を処理ドラム上に滑らかに巻き付けることを妨げ得る。フレキシブル基板すなわちフィルムのタイプに応じて、温度の変化が、フレキシブル基板の膨張又はフレキシブル基板の収縮をもたらし、それらの両方が、波又はしわを更にもたらし得る。
【００１７】
図１Ａで示されているように、ローラ１０４は、本明細書で説明される実施形態に従って提供され、基板が、点線４３によって示されている処理ドラム接触位置において処理ドラム１０６と接触する前に、フレキシブル基板１１０の温度を処理ドラム１０６の温度へと調整するように構成されている。フレキシブル基板１１０は、フレキシブル基板がローラ１０４と接触している間に、温度調整要素を有するローラによって加熱又は冷却される。フレキシブル基板とローラ１０４との接触の長さ４０が、破線によって示されている。長さ４０は、ローラ１０４の直径（又は半径）、及び点線４１によって示されているローラの接触位置と点線４２によって示されているローラ出口位置との間のラッピング角度（ｗｒａｐｐｉｎｇ  ａｎｇｌｅ）３０によって、決定される。
【００１８】
本明細書で説明される実施形態によれば、フレキシブル基板とローラ１０４との接触の長さ４０は、２７０ｍｍから５００ｍｍまでであり、例えば、３００ｍｍから３５０ｍｍまでである。接触の長さ、すなわち、ローラ１０４の円周の部分は、ラッピング角度によって規定され、基板１１０を加熱するのに十分長く、ローラ１０４の表面上のフレキシブル基板のガイド又は滑りを可能にするのに十分短い。ローラの表面上でフレキシブル基板をガイドし又は滑らせることによって、波又はしわが低減され又は避けられ得る。
【００１９】
接触の十分に長い長さを可能にするために、ローラ１０４は、ロールツーロール塗工機において典型的に利用され得るガイドローラなどの、他のローラと比較して増加された直径を有し得る。本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることができる、ある実施形態によれば、ローラ１０４の直径は、１８０ｍｍ以上であり得る。更に、該直径は、典型的には、処理ドラム１０６の直径よりも大幅に小さく、例えば、３００ｍｍ未満である。
【００２０】
本明細書で説明される実施形態は、フレキシブル基板、すなわち、フィルムの温度をバランスさせる機会を提供する。一旦、フレキシブル基板すなわちフィルムが、例えば、高温処理ドラム又はコーティングドラムの前に予め加熱されると、熱波が消去又は大幅に低減され得る。
【００２１】
例えば、２００ｍｍ未満の直径を有する加熱されたガイドローラが、フレキシブル基板すなわちフィルムを加熱、すなわち、予め加熱するために使用され得る。フィルムの曲げは、コーティングドラム（直径、例えば、１４００ｍｍ）と比較して、そのようなローラ上でかなりきついので、熱波は、そのようなローラ上で生成されない。本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることができる、ある実施形態によれば、ラッピング角度は、少なくとも９０度、例えば、１６０度から２００度までである。
【００２２】
本明細書で説明される実施形態によれば、ローラ、例えば図１Ａのローラ１０４は、フレキシブル基板の温度を、基板が処理ドラム上でガイドされているときの処理の間に要求される温度まで調整するように、望ましい温度に設定され得る。予め加熱すること又は予め冷却すること、すなわち、温度調整のために、フレキシブル基板すなわち箔及び、したがって、最終的な製品は、形を保つことができる。処理ドラム上での、しわ、望ましくない収縮又は膨張は、低減され又は避けられ得る。フレキシブル基板とローラとの間の接触の長さは、フレキシブル基板すなわちフィルム又は箔が、処理ドラムまで更にガイドされる前の温度調整を可能にするのに十分に長い。更に、フレキシブル基板とローラとの間の接触の長さは、フレキシブル基板の不利な挙動を避けるために十分に短い。フレキシブル基板の不利な挙動は、例えば、更により長い直径を有する処理ドラム上で生じ得る。
【００２３】
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることができる、また更なる実施形態によれば、点線４２によって示されているローラの出口位置と点線４３によって示されている処理ドラムの接触位置との間の距離（フリースパン距離）５０は、６００ｍｍ以下である。したがって、フレキシブル基板がローラとの接触を失った後の大幅な温度変化は避けることができ、処理ドラムと接触するためのフレキシブル基板の温度の調整は、より容易に実行されることができる。
【００２４】
図１Ｂは、本明細書で説明される実施形態による、フレキシブル基板１１０のための処理装置１００を示している。処理装置は、真空チャンバ１２０を含む。プロセッシングドラム１０６又はコーティングドラムは、真空チャンバ１２０内に提供される。１以上の処理ステーション１２４が、真空チャンバ１２０内に提供され、基板が処理ドラム上でガイドされている間に、基板を処理する。図１Ｂは、例示的に、４つの堆積ステーションの形態にある処理ステーション１２４を示している。例示的に、処理ステーション１２４の各々は、一対の回転スパッタリングターゲット１２２によって示されている。
【００２５】
更に図１Ｂで示されるように、コーティングドラム又は処理ドラム１０６は、装置内に提供された回転軸を有する。処理ドラムは、曲がった外面に沿って基板をガイドするための曲がった外面を有する。したがって、基板は、第１の真空処理領域及び、例えば、少なくとも１つの第２の真空処理領域を通ってガイドされる。本明細書では頻繁に処理ステーションである堆積ステーションに言及するが、エッチングステーション、加熱ステーションなどの他の処理ステーションも、処理ドラム１０６の曲がった外面に沿って提供することができる。したがって、本明細書で説明され、様々な堆積ソース用の区画を有する装置は、単一の堆積装置、例えば、Ｒ２Ｒ塗工機において幾つかのＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、及び／又はＰＶＤプロセスのモジュールの組み合わせを可能にする。
【００２６】
ある実施形態によれば、処理ステーションは、種々の処理ツールがモジュール式に装備され得る。モジュール式の概念は、全ての種類の堆積源が本明細書で説明される実施形態による堆積装置内で使用され、種々の堆積技術又は処理パラメータの複雑な組み合わせを適用して、堆積されるべき複雑な層の積み重ねの堆積のための費用を低減させる助けとなる。
【００２７】
概して、本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることができる、種々の実施形態によれば、プラズマ堆積源は、薄膜を、フレキシブル基板、例えば、ウェブ又は箔、ガラス基板、又はシリコン基板などの上に堆積させるように適合され得る。典型的には、プラズマ堆積源は、薄膜をフレキシブル基板上に堆積させて、例えば、フレキシブルＴＦＴ、タッチスクリーンデバイスの構成要素、又はフレキシブルＰＶモジュールを形成するように適合及び使用され得る。
【００２８】
本明細書で説明される実施形態によれば、プラズマ堆積源が、移動するウェブに対向して配設された、２つ、３つ、又はそれ以上にも及ぶＲＦ（高周波）電極を含む、多重領域電極デバイスを有する、ＰＥＣＶＤ（プラズマ化学気相堆積）源として、提供され得る。実施形態によれば、多重領域プラズマ堆積源も、ＭＦ（中周波）堆積のためにも提供され得る。本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることができる、また更なる実施形態によれば、１以上の堆積源が、本明細書で説明される堆積装置内に提供され、それは、マイクロ波源であり及び／又はスパッタリング源、例えば、スパッタリングターゲットであり、特に、図１Ｂで示される回転スパッタリングターゲットであり得る。例えば、マイクロ波源に対して、プラズマはマイクロ波の放射によって励起され維持されたプラズマであり、該源は、マイクロ波の放射によってプラズマを励起し及び／又は維持するように構成されている。
【００２９】
図１Ｂで示されるように、基板１１０は、巻戻しローラ１３１から処理ドラム１０６へガイドされ、フレキシブル基板の処理の巻取りローラ１３３上に巻かれる。処理装置１００を通るフレキシブル基板１１０をガイドするために、複数のローラ１０３が提供され得る。したがって、ローラは、フレキシブル基板をガイドすること、フレキシブル基板に張力を提供すること、フレキシブル基板を広げること、フレキシブル基板をチャージ（ｃｈａｒｇｉｎｇ）すること、フレキシブル基板をデチャージ（ｄｅ‐ｃｈａｒｇｉｎｇ）すること、及びフレキシブル基板を加熱又は冷却すること、から成るグループから選択された少なくとも１つの機能を提供することができる。図１Ｂは、図１Ａで示されたローラ１０４と同様なローラ１０４を示し、その直径は、フレキシブル基板１１０とローラ１０４との間の接触の望ましい長さを提供するように構成されている。本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることができる、ある実施形態によれば、本明細書で説明されるローラ１０４の周りのフレキシブル基板のラッピング角度を提供又は調整するために、更に、ラッピング角度調整ローラ１０５が提供され得る。例えば、ラッピング角度調整ローラ１０５、温度調整ローラ１０４、及び処理ドラム１０６の構成は、ローラ１０４がラッピング角度調整ローラ１０５と処理ドラム１０６との間に提供されるように構成され得る。
【００３０】
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることができる、ある実施形態によれば、処理ドラム１０６は、望ましい処理温度まで加熱又は冷却され得る。コントローラ１６０は、接続１６２によって、処理ドラム１０６内の加熱又は冷却デバイスに接続される。典型的な実施形態によれば、処理ドラム１０６は、堆積の目的で加熱され、更に、例えば、エッチングプロセスの間に冷却され得る。そこに提供される温度調整手段を用いてローラ１０４の温度を調整するために、更なるコントローラ１５０が、接続１５２を介して接続される。したがって、フレキシブル基板１１０の温度は、フレキシブル基板が処理ドラム１０６と接触する前に、温度調整ローラ１０４によって調整され得る。本明細書で説明される実施形態によれば、フレキシブル基板とローラ１０４との間の接触の長さは、フレキシブル基板の温度調整のために十分に長く、且つフレキシブル基板のしわ及び／又は波を避けるために十分に短いように構成されている。
【００３１】
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることができる、ある実施形態によれば、ラッピング角度は、少なくとも１５０度、例えば、１６０度から２００度までである。処理ドラム１０６上の基板の曲げと比較して、ローラ１０４上のフレキシブル基板の曲げがきついので、フレキシブル基板のガッシング（ｇａｓｓｉｎｇ）のために生じ得る熱波は、低減され又は避けられ得る。
【００３２】
図１Ｃは、本明細書で説明される実施形態による、フレキシブル基板１１０のための更なる処理装置１００を示している。処理装置は、真空チャンバ１２０を含む。処理ドラム１０６又はコーティングドラムは、真空チャンバ１２０内に提供される。ある実施形態によれば、図１Ｂに関して説明されたように、処理ステーションは、種々の処理ツールがモジュール式に装備され得る。しかしながら、処理ドラムは、フレキシブル基板のアウトガッシング（ｏｕｔｇａｓｓｉｎｇ）のためにも使用され得る。これは、図１Ｃで例示的に示され、処理ドラム自身は、例えば、フレキシブル基板のアウトガッシングのための処理ドラムとして提供される。フレキシブル基板は、処理ドラムを１００℃以上の温度まで加熱することによってアウトガッシングされ得る。予め加熱することのない処理ドラムのアウトガッシングは、ドラムとフレキシブル基板との間に閉じ込められたガスのために、ドラム上の基板の波をもたらし得る。処理ドラムの大きい直径、すなわち、ドラムの円周に沿った長い接触長さを考慮すると、波は容易に避けることができず、且つ十分な基板の取り回しを妨げ得る。
【００３３】
図１Ｃで示されるように、基板１１０は、フレキシブル基板の処理のために、巻戻しローラ１３１から処理ドラム１０６へガイドされ、フレキシブル基板の処理の巻取りローラ１３３上に巻かれる。処理装置１００を通るフレキシブル基板１１０をガイドするために、複数のローラ１０３が提供され得る。したがって、ローラは、フレキシブル基板をガイドすること、フレキシブル基板に張力を提供すること、フレキシブル基板を広げること、フレキシブル基板をチャージ（ｃｈａｒｇｉｎｇ）すること、フレキシブル基板をデチャージ（ｄｅ‐ｃｈａｒｇｉｎｇ）すること、及びフレキシブル基板を加熱又は冷却すること、から成るグループから選択された少なくとも１つの機能を提供することができる。図１Ｃは、図１Ａで示されたローラ１０４と類似した２以上のローラ１０４を有するローラ構成を示しており、ローラの直径、ローラの数、及び／又はローラのラッピング角度は、フレキシブル基板１１０とローラ構成との間の接触の望ましい長さを提供するように構成される。ローラ構成のローラは、温度調整手段、例えば、図１Ｃで示される加熱デバイスを有する。
【００３４】
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることができる、ある実施形態によれば、処理ドラム１０６が、望ましい処理温度まで加熱又は冷却され得る。フレキシブル基板１１０の温度は、フレキシブル基板が処理ドラム１０６と接触する前に、温度調整ローラ構成によって調整され得る。本明細書で説明される実施形態によれば、フレキシブル基板とローラ構成との間の接触の組み合わされた長さは、フレキシブル基板の温度調整のために十分に長く、且つフレキシブル基板とローラ構成の各ローラとの間の接触の個別の長さは、フレキシブル基板のしわ及び／又は波を避けるために十分に短いように構成されている。
【００３５】
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることができる、一実施形態によれば、処理はフレキシブル基板のアウトガッシングであり得る。図１Ｃで示されるように、処理ドラム１０６は、フレキシブル基板のアウトガッシングのために加熱され得る。例えば、フレキシブル基板は、１００℃以上、例えば、１３０℃から１７０℃までであり得る。フレキシブル基板の材料に応じて、更により高い温度が可能になり得る。フレキシブル基板が処理ドラムと接触する前に、フレキシブル基板の温度を調整するために、フレキシブル基板を加熱するように構成された１以上のローラを有するローラ構成が提供される。ローラ構成の１以上のローラは、温度調整手段を有し、例えば、加熱デバイス２２０が、基板を処理ドラムの温度に向けて加熱する。代替的な実施形態によれば、フレキシブル基板の温度が、処理ドラムの温度のわずかに下、例えば、処理ドラムの温度の２０℃未満だけ下へ（規則に基づいて（ｕｎｄｅｒ‐ｒｅｇｕｌａｔｉｏｎ））調整され、フレキシブル基板の温度が、処理ドラムの温度のわずかに上、例えば、処理ドラムの温度の２０℃未満だけ上へ（規則に基づかないで（ｏｖｅｒ‐ｒｅｇｕｌａｔｉｏｎ））調整され、又はフレキシブル基板の温度が、処理ドラムとほぼ同じ温度へ調整され得る。
【００３６】
冷却される処理ドラムの場合では、規則に基づいた調整制御が、温度を処理ドラムのわずかに上へ調整することができ、規則に基づかない調整制御が、温度を処理ドラムの温度のわずかに下へ調整することができる。
【００３７】
本明細書で説明される実施形態と組み合わせることができる、ある実施形態によれば、フレキシブル基板の温度を処理ドラムの温度へ、又は処理ドラムの温度の±２０℃の範囲へ調整するための接触の望ましい長さは、処理装置内でのフレキシブル基板の移送速度にも依存し得る。更に、本明細書で説明される実施形態は、望ましい移送速度に基づいて、フレキシブル基板と温度調整要素を有するローラとの接触の長さ、又はフレキシブル基板と２つ以上のローラを有するローラ構成との接触の組み合わされた長さを提供する。したがって、本明細書で説明される実施形態は、十分に高い速度でフレキシブル基板を処理することができる装置を提供する。種々の実施形態によれば、温度調整のための２以上のローラの場合に、各ローラは、個別の温度調整要素を有し、ローラのうちの幾つか（又は全て）は、共通の温度調整要素を共同使用することができる。
【００３８】
本明細書で説明される実施形態は、１以上のローラを有するローラ構成、例えば、温度調整要素を有するローラに言及する。したがって、温度調整要素を有する１つのローラの場合に、ローラ構成は、１つのローラを含み、フレキシブル基板とローラとの間の接触の組み合わされた長さは、１つのローラの１つの円周の一部分に関する。該接触の組み合わされた長さ、すなわち、接触の１つの単一の長さは、本明細書で説明される下限及び上限を有する。２以上のローラを有するローラ構成に対して、フレキシブル基板とローラ構成との間の接触の組み合わされた長さは、２以上のローラの円周の部分の合計である。該接触の組み合わされた長さは、下限を有する。更に、ローラ構成のローラの各々は、個別に、本明細書で説明される上限を有する。
【００３９】
以下で、図１Ａ及び図１Ｂで示されたローラ１０４と同様に使用される、ローラの温度調整の様々なオプションが説明される。図２は、本明細書で説明される実施形態による、処理装置で使用され得るローラデバイス２００の一実施形態を示す。例えば、図２で示されているローラデバイス２００は、図１で例示的に示された堆積装置１００で使用されてもよい。ローラデバイス２００は、材料がその上に堆積されるところの処理されるフレキシブル基板と接触するように適合された表面２１０を含み得る。
【００４０】
図は真っすぐなローラデバイスだけを示しているが、図示されているローラデバイスは、ローラの長さ方向に沿って湾曲した表面を有するスプレッダローラなどの、スプレッダローラであってもよい。スプレッダローラの湾曲した表面は、基板の幅方向に張力効果を有し得る。
【００４１】
ローラデバイス２００の内部には、電気加熱デバイス２２０が提供される。電気加熱デバイス２２０は、真空堆積チャンバなどの真空内で操作されるように適合され得る。例えば、電気加熱デバイスは、堆積チャンバが真空状態までポンプダウンされる間に発生する圧力変動に適合され得る。これは、以下で詳しく説明されるが、加熱デバイスの適した設計及び構築、加熱デバイスに適した材料、又は加熱デバイスに適した絶縁材料を選択することによって実現され得る。
【００４２】
本明細書で説明される電気加熱デバイスは、加熱デバイスが配置されるところのローラデバイスを加熱するための加熱デバイスと理解されるべきである。ある実施形態によれば、電気加熱デバイスは、表面を電磁的に加熱する加熱デバイスであり得る。例えば、加熱デバイスは、赤外線加熱デバイス、誘導加熱デバイスなどの照射加熱デバイスであり得る。ある実施形態によれば、電気加熱デバイスは、非接触型加熱デバイスである。非接触型加熱デバイスは、ローラデバイスと接触せずに、特に加熱目的でローラデバイスと接触せずに、ローラデバイス又はローラデバイスの表面を規定された温度まで上昇させることができる。それにもかかわらず、加熱デバイスは、例えばローラデバイスの中で支持されるように、ローラとの規定された接点エリアを有し得ると理解すべきである。
【００４３】
本明細書で説明される実施形態によれば、ロール長さ毎の加熱電力である電力密度は、少なくとも１ｋＷ／ｍの高さである。加熱デバイスの電力、すなわち、加熱デバイスに提供される電力、又はそれ以上が、加熱デバイスによって提供され、基板の温度を調整することができる。
【００４４】
ある実施形態では、ローラデバイスが、加熱デバイスによって加熱される特定の加熱長さを有し、加熱デバイスが、その加熱長さにわたりローラデバイスとの接触を有していない。ある実施形態によれば、加熱デバイスは、２つの端部を提供し、双方の端部で支持、保持、又は固定されるように適合されている。一実施形態では、加熱デバイスは、ほぼ円筒状の形態を有し、加熱デバイスの２つの端部が、ほぼ円筒状の加熱デバイスの縦軸の２つの端部であり、又は加熱デバイスの２つの端部が、ほぼ円筒状の加熱デバイスの２つの前側を含む。
【００４５】
本明細書で説明される幾つかの実施形態によれば、加熱デバイスは、真空堆積中にローラデバイスとほぼ同じ電位で、加熱デバイスの外面を提供するように適合されている。図２では、加熱デバイスの外面が、参照符号２２５で指定されている。ある実施形態によれば、加熱デバイスの外面は、ローラデバイスに面する加熱デバイスの表面である。一実施形態では、加熱デバイス２２０の外面２２５、及びローラデバイス、特にローラデバイス２００の表面２１０は、双方とも接地電位にあり得る。本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、加熱デバイス及びローラデバイスが、真空堆積中に加熱長さにわたりローラデバイスとほぼ同じ電位でローラデバイスに面する加熱デバイスの表面を保持するように適合される。
【００４６】
本明細書で使用する「ほぼ」という用語は、「ほぼ」で表される特性からある程度のずれがあり得ることを意味することがある。例えば、「ほぼ同じ電位で」という用語は、ほぼ同じ電位を有する２つの要素の電位が、要素のうちの１つの電位の約１％から１５％のずれ、又は２０Ｖ未満の電位の差を有するなど、全く同じ電位からある程度のずれを持ち得る状況を指す。一実施形態では、「ほぼ同じ電位」を有する又は「ほぼ同じ電位」にあるとは、ほぼ同じ電位を有する２つの要素の間の電位の差が、特に真空状態において、２つの要素間で電圧放電がないほど小さいという点で理解できる。
【００４７】
本明細書で説明される実施形態による処理装置では、同じ真空が、真空チャンバ内及びローラデバイス内に存在し得る。ある実施形態によれば、「同じ真空」は、真空チャンバ内の真空のずれが、ローラデバイスの外部とローラデバイスの内部とで、例えば、規定されたサイズを有する真空チャンバなどの、真空チャンバ内での標準的な真空状態の変動の範囲内にあることを意味し得る。例えば、「同じ真空」が、真空チャンバ内のローラデバイスの内部及びローラデバイスの外部に存在するとは、その中に加熱デバイスを有するローラデバイスが、真空チャンバに対して分離されていないことを意味し得る。処理装置では、一真空生成構成、すなわち、単一の構成、例えば、一真空ポンプが、真空チャンバ内及びローラデバイスの内部の真空のために使用され得る。
【００４８】
図２では、加熱デバイス２２０の第１の端部２５０及び第２の端部２６０が見られ、特に、第１の端部２５０及び第２の端部２６０は、加熱デバイスのほぼ円筒形状の前側に配置されているように見られ得る。概して、本明細書で説明される実施形態における加熱デバイスは、第１の端部２５０及び第２の端部２６０で保持される。ある実施形態によれば、加熱デバイス２２０の第１の端部２２０は、少なくとも１つの保持デバイスによって、例えば、第１の保持デバイス２７１によって保持され、加熱デバイス２２０の第２の端部２６０は、第２の保持デバイス２７２によって保持される。
【００４９】
例えば、加熱デバイスは、ローラデバイス内で加熱デバイスの長さに沿って延在する、少なくとも１つの保持デバイスによって保持され得る。一実施例では、保持デバイスが、加熱デバイスの第１及び第２の端部に対する保持機能を提供し、真空チャンバ内又はローラデバイス内で加熱デバイスの支持を提供し得る。
【００５０】
ある実施形態によれば、１以上の保持デバイスが、真空チャンバ内で支持され得る。例えば、堆積装置は、加熱デバイスの端部を保持する保持デバイスを、ローラデバイス内に固定するように適合され得る。一実施形態では、処理装置が、加熱デバイスの各側部（縦軸に対する）において、保持デバイスを固定するための支持体を含む。更なる実施形態によれば、保持デバイスが、処理装置の真空チャンバの外部に固定される。ある実施形態では、ローラデバイスも保持デバイスによって支持され、又は保持デバイスがローラデバイス内で支持され得るが、これについては図３Ａ及び図３Ｂに関してより詳細に説明される。本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることができる、ある実施形態では、１以上の保持デバイスが、保持される加熱デバイスの各端部のための１つのベアリングを含み得る。
【００５１】
ある実施形態によれば、１以上の保持デバイスは、加熱デバイスの電力供給用の電力供給線を保持及びガイドするための１以上のレセプション（ｒｅｃｅｐｔｉｏｎ）を含み得る。一実施例では、保持デバイスが加熱デバイスに連結されるときに、保持デバイスが、電力線を加熱デバイスに接続することを可能にする。一実施形態では、加熱デバイスの各側部において連結されるための２つの保持デバイスが提供される。
【００５２】
本明細書で説明される幾つかの実施形態によれば、真空チャンバ内のローラデバイス構成の精度が増加され得る。例えば、加熱デバイス及びローラデバイスを両端部で（ある実施形態では、互いに独立して）支持することによって、ローラデバイス及び加熱デバイスは、特に、基板の重量又は処理の継続時間に関わらず、処理中に安定して保持され得る。ある実施形態では、両端部で保持されているローラデバイスの位置の精度が、典型的には、ローラデバイスの長さ１ｍにつき約１／１００mmから約１／５ｍｍまでの範囲内であり、より典型的には、ローラデバイスの長さ１ｍにつき約１／１００ｍｍから約１／１０ｍｍまでの範囲内であり、更により典型的には、ローラデバイスの長さ１ｍにつき約１／１００ｍｍから約１／５０ｍｍの範囲内であり得る。例えば、ローラデバイスの端部の位置は、長さ１ｍにつき１／１０ｍｍ未満だけ所望の位置からずれている。ある実施形態によれば、堆積装置の確実な動作を保証するために、ローラデバイスの位置の精度が高いことが所望され得る。更に、先ほど説明したように、加熱デバイスを両端部で保持することによって、ローラデバイスの「開放型の（ｏｐｅｎ）」設計が可能になる。ローラデバイスの「開放型の」設計は、真空気密でない設計を含み得る。更に、加熱デバイスへの電力供給は、ローラデバイスの開放型の設計及び／又は加熱デバイスの両端部の保持によって容易にされる。
【００５３】
図３ａは、本明細書で説明される実施形態による、堆積装置内で使用され得るローラデバイス２００の部分図を示している。ローラデバイス２００は、コーティングされる基板と接触する表面３１０を含む。加熱デバイス３２０を、図３ａで部分的に見ることができる。図３ａで示されている実施形態では、ローラデバイス２００が、保持デバイスと回転可能に連結される。例えば、ローラデバイス２００は、ベアリング構成３８０によって、保持デバイスと回転可能に連結され得る。ベアリング構成３８０によって、ローラデバイスは保持デバイス３７１上で回転可能となり得る。ある実施形態では、ベアリング構成３８０が、ベアリング３８１及び支持要素３８２を含む。支持要素３８２は、例えば、保持デバイス上又は真空チャンバの中で、ローラデバイス３００を支持するように提供され得る。ローラデバイスの内部で加熱デバイスを保持する保持デバイスにローラデバイスを回転可能に連結したときに、ローラデバイスは、加熱デバイスの周りで回転し得る。したがって、ローラデバイスの表面は、回転しつつ加熱デバイスを通過することによって均一に加熱される。
【００５４】
図３ｂは、加熱デバイス３２１を含むローラデバイス２００の一実施形態を示している。処理中に基板と接触する表面３１１を有するローラデバイス２００が、図示されている。図３ｂの実施例で見られ得るように、加熱デバイス３２１は、保持デバイス３７３によって保持されている。ローラデバイス３０１は、ベアリング構成３８５によって回転可能に提供され得る。図３ｂで示されている実施形態では、ベアリング構成３８５が、ローラデバイス２００を回転させることを可能にするベアリング３８３を含む。支持要素３８４は、ベアリング３８３を支持し、ローラデバイス２００が配置されている処理チャンバによって支持され得る。ある実施形態では、支持要素３８４が、堆積チャンバの一部分であり得る。図３ｂで示されている実施形態では、ローラデバイス２００と加熱デバイス３２１との間は、連結されていない。ある実施形態によれば、ローラデバイスは、加熱デバイスから独立して、特に、加熱デバイスと連結されずに回転する又はその逆である。
【００５５】
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることができる、ある実施形態によれば、加熱デバイス及びローラデバイスは、別々に支持されてもよい。例えば、加熱デバイス及びローラデバイスは、加熱デバイス及びローラデバイスを保持するための別々の支持システムを有していてもよい。一実施例では、加熱デバイスが、１つの保持システムによって真空チャンバの中で支持されてもよく、ローラデバイスが、加熱デバイスの保持システムとは異なる保持システムによって真空チャンバ内で支持されてもよく、特に、加熱デバイス及びローラデバイスは、実質的に互いに連結されていなくてもよく、互いに構造的に連結されていなくてもよく、又は互いに接触していなくてもよい。
【００５６】
図４は、本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることができる実施形態による、ローラデバイス２００を示している。ローラデバイス２００は、堆積プロセスの間にコーティングされる基板と接触する表面４１０を含む。更に、加熱デバイス４２０が、図４で示されている。いくつかの実施形態によれば、加熱デバイス４２０は、支持体４３０及び加熱要素４４０、特に加熱チューブを含む。図４で示されている実施形態では、支持体４３０の周りに巻かれた加熱要素４４０が示されている。
【００５７】
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることができる、ある実施形態によれば、ローラの加熱デバイスは、真空処理中にローラとほぼ同じ電位で加熱デバイスの外面を提供するように適合される。特に、加熱デバイスの外面の電位は、ローラの電位の１５％未満だけ、又は５０Ｖ未満だけ、ローラデバイスの電位からずれていてもよい。
【００５８】
図５は、温度調整要素が冷却デバイス及び／又は加熱デバイスの形態にある更なるローラ２００を示している。ローラ２００は、外面２１０を有するほぼ円筒状の形態を有する。外面２１０は、フレキシブル基板と接触するように構成される。ローラは、軸２０２の周りを回転することができる。ある実施形態によれば、ベアリング３８０は、ローラ２００の一部分だけを、軸２０２の周りで回転させるように提供され得る。本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることができる、ある実施形態によれば、空洞２１２が提供され得る。空洞２１２は、その内部に提供され及び／又はその内部で循環する、冷却流体（又は加熱流体）を有するように構成される。したがって、外面２１０の温度は、流体によって調整され得る。
【００５９】
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることができる、ある実施形態によれば、流体は、気体、例えば、空気、アルゴン、窒素などであり、又は流体は、液体、例えば、水、油、又は十分に大きい熱容量を有する別の液体であり得る。冷却流体（又は加熱流体）は、軸２０２内のダクト又はチャネルに連結され得る、ダクト又はチャネル５１２によって空洞２１２内に提供され得る。ローラ２００などの回転デバイスの空洞内に流体を提供するための適切な手段は、ベアリング３８０内の適切な手段によって提供され得る。回転デバイスに対する流体接続を避けるために、ペルチェ効果を使用する熱電冷却デバイスなどの他の冷却デバイスが、利用されてもよい。
【００６０】
図２〜図４は、加熱デバイスの形態にあるローラ２００のための温度調整要素を示している。本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることができる、また更なる実施形態によれば、図５で示されているローラ２００の温度調整要素は、空洞２１２が、ローラの温度より上の温度まで加熱される加熱流体、すなわち、上述した気体又は液体のうちの１つを含む、加熱デバイスとしても使用され得る。したがって、図２、図３ａ、図３ｂ、及び図４に関して説明されたローラ２００が、真空チャンバ内で有利に使用され得るが、図５で示された温度調整要素などの他の加熱デバイスが、ローラを加熱するために使用されてもよい。
【００６１】
本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることができる、また更なる実施形態によれば、加熱デバイス及び冷却デバイスは、本明細書で説明される実施形態において利用され得るローラのために共に併せて提供されてもよい。例えば、図５に関して説明された冷却デバイスが提供され、図２〜図４に関して説明された加熱デバイスが提供され得る。また更に、図５に関して説明されたローラ２００は、加熱の形態にある及び／又は冷却の形態にある温度調整のために利用され得る。
【００６２】
図６は、本明細書で説明される実施形態による、真空処理装置内でフレキシブル基板を処理する方法を示しているフローチャートを示す。ステップ６０２では、基板が１以上のローラ上でガイドされ、ガイドすることは、ローラの円周の部分に沿った接触の組み合わされた長さ（４０）が２７０ｍｍ以上であることを含む。ステップ６０４では、処理ドラムにおいてフレキシブル基板の温度勾配が低減されるように、基板が１以上のローラと接触している間にフレキシブル基板の温度が調整される。１つのローラの場合に、フレキシブル基板と１つのローラとの接触の長さは、５００ｍｍ以下である。２以上のローラの場合に、ローラの各々の接触の各長さは、５００ｍｍ以下である。
【００６３】
本明細書で説明された実施形態は、ウェブ塗工機又はロールツーロール塗工機などの、フレキシブル基板のための改良された処理装置を提供し、処理ドラム上でのフレキシブル基板内のしわ又は波が、低減され又は避けられ得る。加熱又は冷却の形態にあるフレキシブル基板の前処理は、基板が処理ドラムと接触する前に提供される。したがって、処理ドラム上で波をもたらし得る、基板の温度調整及び／又はデガッシングが避けられ得る。本明細書で説明された実施形態によれば、フレキシブル基板をガイドしながらフレキシブル基板と接触する、温度調整要素を有するローラの円周の一部分の長さが、熱調整能力、ローラ上で滑る能力、及び／又はラッピング角度に関して改良される。ラッピング角度に関する改良は、フレキシブル基板のデガッシングのために生じ得る、波を低減させ又は避けることを可能にする。
【００６４】
上記の記述は本発明の実施形態を対象としているが、本発明の他の実施形態及び更なる実施形態が、本発明の基本的な範囲を逸脱せずに考案され、したがって、本発明の範囲は、以下の特許請求の範囲によって定められる。
【図１Ａ】
2017506290.tif 000003
【図１Ｂ】
2017506290.tif 000004
【図１Ｃ】
2017506290.tif 000005
【図２】
2017506290.tif 000006
【図３ａ】
2017506290.tif 000007
【図３ｂ】
2017506290.tif 000008
【図４】
2017506290.tif 000009
【図５】
2017506290.tif 000010
【図６】
2017506290.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】平成29年1月20日(2017.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空チャンバ（１２０）内でフレキシブル基板（１１０）を処理するための処理装置（１００）であって、
処理ドラム（１０６）上でガイドされている間に前記フレキシブル基板を処理するための、処理ドラム、
前記フレキシブル基板が前記処理ドラム上でガイドされる前に、１以上のローラ（１０４、２００）の１以上の円周の一部分に沿って前記フレキシブル基板と接触するように構成された前記１以上のローラを有するローラ構成であって、前記１以上のローラの前記１以上の円周の１以上の部分に沿った接触の組み合わされた長さ（４０）が、２７０ｍｍ以上であり、前記１以上のローラの前記１以上の円周の前記１以上の部分の各々に沿った接触の個別の長さ（４０）が、５００ｍｍ以下である、ローラ構成、及び
前記１以上のローラの温度を調整する１以上の温度調整要素を備える、処理装置。
【請求項２】
前記温度調整要素が、加熱デバイス（２２０、３２０、４２０）を備える、請求項１に記載の処理装置。
【請求項３】
前記加熱デバイスが、第１の端部（２５０）及び第２の端部（２６０）を備え、前記加熱デバイスが、前記真空チャンバ（１２０）内で第１の端部（２５０）及び第２の端部（２６０）において固定される、請求項２に記載の処理装置。
【請求項４】
前記温度調整要素が、冷却デバイス（２１２）を備える、請求項１から３のいずれか一項に記載の処理装置。
【請求項５】
前記１以上のローラ（１０４、２００）の前記１以上の円周の前記１以上の部分に沿った接触の前記長さ（４０）が、３５０ｍｍ以上である、請求項１から４のいずれか一項に記載の処理装置。
【請求項６】
前記１以上のローラのうちの第１のローラ（１０４、２００）が、前記フレキシブル基板が前記処理ドラム上でガイドされる直前に、前記第１のローラの第１の円周の第１の部分に沿って前記フレキシブル基板と接触するように構成される、請求項１から５のいずれか一項に記載の処理装置。
【請求項７】
第１のローラから前記処理ドラムまでの前記フレキシブル基板のフリースパン距離（５０）が、５０ｍｍから６００ｍｍまでの範囲内である、請求項１から６のいずれか一項に記載の処理装置。
【請求項８】
第１のローラの直径が１８０ｍｍ以上である、請求項１から７のいずれか一項に記載の処理装置。
【請求項９】
第１のローラの直径が３００ｍｍ以下である、請求項１から８のいずれか一項に記載の処理装置。
【請求項１０】
前記１以上のローラが前記フレキシブル基板（１１０）によって駆動される、請求項１から９のいずれか一項に記載の処理装置。
【請求項１１】
前記処理装置（１００）が、前記１以上のローラの外部でも前記１以上のローラの内部でも、前記真空チャンバ（１２０）内に同じ真空状態を提供するための真空生成構成を更に備える、請求項１から１０のいずれか一項に記載の処理装置。
【請求項１２】
真空処理装置（１００）内でフレキシブル基板（１１０）を処理する方法であって、
真空チャンバ（１２０）内で１以上のローラ（１０４、２００）を有するローラ構成を使用して、前記真空チャンバ内で前記フレキシブル基板（１１０）をガイドすることであって、前記１以上のローラの１以上の円周の１以上の部分に沿った接触の組み合わされた長さ（４０）が２７０ｍｍ以上であり、前記１以上のローラの前記１以上の円周の前記１以上の部分の各々に沿った接触の個別の長さ（４０）が５００ｍｍ以下である、ガイドすること、及び
前記基板が前記１以上のローラの各々と接触している間に、前記フレキシブル基板の温度を処理ドラムの温度に向けて調整することを含む、方法。
【請求項１３】
前記温度を調整することが前記フレキシブル基板を加熱することを含み、又は前記温度を調整することが前記基板を冷却することを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記フレキシブル基板の前記温度が、２０℃以下だけ、前記処理ドラムの前記温度の下へ調整され、又は前記フレキシブル基板の前記温度が、２０℃以下だけ、前記処理ドラムの前記温度の上へ調整される、請求項１２又は１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記処理ドラムを１００℃以上の温度まで加熱すること、及び
前記処理ドラム上でガイドされている間に、前記フレキシブル基板をアウトガッシングすることを更に含む、請求項１２又は１３に記載の方法。
【国際調査報告】
2017506290.tif 000012
2017506290.tif 000013