(57)【要約】  犠牲層を第１表面基板に積層するステップであって、犠牲層が第１溶剤に実質的に可溶である、ステップを含む、自立式電子デバイスを形成する方法。少なくとも１つのデバイス層が、望ましいパターンで犠牲層の上部に積層される。少なくとも１つのデバイス層は、少なくとも１つのデバイス層に実質的に不溶である。犠牲層は、第１デバイス層の少なくとも一部を基板から外すために、第１溶剤に少なくとも部分的に溶解される。基板から除去された少なくとも１つのデバイス層が自立式電子デバイスを形成し、これは、薄膜電子デバイスであって、少なくともその一部が材料担体により支持されていない、薄膜電子デバイスである。
2017531306.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自立式電子デバイスを形成する方法であって、
犠牲層を第１表面基板に積層するステップであって、前記犠牲層が第１溶剤に実質的に可溶である、ステップと、
少なくとも１つのデバイス層を望ましいパターンで前記犠牲層に積層するステップであって、前記少なくとも１つのデバイス層が前記第１溶剤に実質的に可溶でなく、前記犠牲層が前記少なくとも１つのデバイス層に実質的に不溶である、ステップと、
前記犠牲層を前記第１溶剤に少なくとも部分的に溶解させて、第１デバイス層の少なくとも一部を前記基板から外すステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記第１溶剤が水を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記犠牲層が水溶性ポリマーを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記犠牲層が多糖類フィルムを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記犠牲層が可塑剤を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記可塑剤が前記犠牲層の約１０重量％〜約６０重量％を構成する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記犠牲層が完全に溶解され、且つ前記基板から除去される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記デバイス層が導電性材料を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記デバイス層が、少なくとも１つのＳ字形屈曲部を有する伸縮性ひずみセンサーを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記犠牲層を少なくとも部分的に溶解させる前に、前記デバイス層及び犠牲層を対象の肌に位置付けるステップを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記デバイス層が、前記犠牲層に積層される炭素ナノチューブを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記少なくとも１つのデバイス層が、導電性層と誘電性層とを含む、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記自立式電子デバイスが重金属イオンセンサーを含み、
前記誘電性層が前記犠牲層に積層され、
前記導電性層が前記誘電性層に印刷されて、対電極と、前記対電極から離間される少なくとも２つの作用電極とを形成する、
請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記少なくとも１つのデバイス層の上に封入層を積層するステップを含む、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記犠牲層を少なくとも部分的に溶解させる前に、前記封入層が前記少なくとも１つのデバイス層の上に積層される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記犠牲層を少なくとも部分的に溶解させた後、前記封入層が前記少なくとも１つのデバイス層の上に積層され、前記封入層が、前記少なくとも１つのデバイス層の表面積以上の表面積を有する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記少なくとも１つのデバイス層が、連続的な渦巻き形に積層された導電性材料を含み、前記連続的な渦巻き形に積層された導電性材料が、インダクタンスコイルを形成するために、前記第１表面基板から除去される、請求項１〜１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記少なくとも１つのデバイス層が、第１及び第２の三角形領域を画定する導電性材料を含み、各三角形領域が第１コーナを画定し、前記第１コーナが互いに直接隣接して配置されてＲＦＩＤアンテナを画定する、請求項１〜１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記少なくとも１つのデバイス層が、コンデンサを形成するために、前記犠牲層に積層される少なくとも第１導電性層と、前記第１導電性層に積層される誘電性層と、前記誘電性層に積層される第２導電性層とを含む複数のデバイス層を含む、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
形状が略円筒形のコンデンサを形成するために前記デバイス層を巻くステップを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記少なくとも１つのデバイス層が、導電性材料の複数の離間された平行なバーを含む第１層と、前記バーの少なくとも中央部分を覆う誘導性材料の第２層と、前記誘電性材料の層に配置された導電性材料の複数の離間された平行なバーを含む第３層とを含み、前記第３層の前記平行なバーが、前記第１層の前記バーに略垂直である、請求項１〜２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
前記犠牲層が前記第１表面基板の第１部分のみを覆う成形犠牲層を含み、それにより前記第１表面基板の第２部分が前記成形犠牲層により覆われず、
前記少なくとも１つのデバイス層が、前記成形犠牲層の上に積層される梁部分と、前記表面基板の前記第２部分の上に積層されるベース部分とを含み、
前記梁部分が前記ベース部分の厚さより著しく薄い厚さを有するように前記成形犠牲層が溶解され、それにより前記デバイス層が片持センサーを形成する、
請求項１〜２１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３】
自立式電子デバイスを製造するためのアセンブリであって、
基板と、
前記基板の上面に配置された犠牲層であって、第１溶剤に可溶である犠牲層と、
約１０ｎｍを超える厚さを有する、前記犠牲層の上面に配置された少なくとも１つのデバイス層と
を含み、
記デバイス層が前記第１溶剤に実質的に不溶であり、前記犠牲層が前記少なくとも１つのデバイス層に実質的に不溶である、
アセンブリ。
【請求項２４】
前記少なくとも１つのデバイス層が導電性材料を含む、請求項２３に記載のアセンブリ。
【請求項２５】
前記少なくとも１つのデバイス層が、導電性層と誘電性層とを含む、請求項２３又は２４に記載のアセンブリ。
【請求項２６】
前記少なくとも１つのデバイス層の少なくとも一部の上に延在する封入層を含む、請求項２３〜２５のいずれか一項に記載のアセンブリ。
【請求項２７】
前記犠牲層が水溶性である、請求項２３〜２６のいずれか一項に記載のアセンブリ。
【請求項２８】
前記犠牲層が水溶性ポリマーを含む、請求項２７に記載のアセンブリ。
【請求項２９】
前記基板が剛性材料を含む、請求項２３〜２８のいずれか一項に記載のアセンブリ。
【請求項３０】
薄膜電子デバイスであって、前記電子デバイスの少なくとも一部が材料担体に支持されていない、薄膜電子デバイスを含む、自立式電子デバイス。
【請求項３１】
前記薄膜電子デバイスが、少なくとも１つの誘電性層と少なくとも１つの導電性層とを含む、請求項３０に記載の電子デバイス。
【請求項３２】
前記薄膜電子デバイスがロール状に形成される、請求項３１に記載の電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、自立式電子デバイス及びそれを製造するための方法に関する。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００２】
本開示の一態様は、薄膜電子デバイスであって、電子デバイスの少なくとも一部が材料担体に支持されていない、薄膜電子デバイスを含む自立式電子デバイスである。
【０００３】
別の態様において、本開示は、基板と基板の上面に配置された犠牲層とを含む、自立式電子デバイスを製造するためのアセンブリを含み、犠牲層は第１溶剤に可溶である。少なくとも１つのデバイス層が犠牲層の上面に配置される。少なくとも１つのデバイス層は約１０ｎｍを超える厚さを有し、第１溶剤に実質的に不溶である。犠牲層は少なくとも１つのデバイス層に実質的に不溶である。
【０００４】
なお別の態様において、本開示は自立式電子デバイスを形成する方法を含む。この方法は、犠牲層を基板の第１面へ積層するステップであって、犠牲層が第１溶剤に実質的に可溶である、ステップを含む。少なくとも１つのデバイス層は、望ましいパターンで犠牲層の上面に積層される。犠牲層は、少なくとも１つのデバイス層に実質的に不溶である。犠牲層は、第１デバイス層の少なくとも一部を基板から外すために、第１溶剤に少なくとも部分的に溶解される。
【０００５】
本明細書において説明される自立式電子デバイスは、材料コストの増加、厚さの増加、可撓性の低下、快適さの減少、又は電子デバイスが接触した状態で配置される表面との不適合を理由に、担体基板が望まれない用途に特に適切である。自立式電子デバイスを製造するための本方法により、自立式電子デバイスの基板上での形成と、その後の基板からのデバイスの除去とが可能になる。このことは、複数の自立式電子デバイスの生産のために基板が再利用され得ることを意味する。加えて、基板の除去により、基板から除去された後、又は除去に先立って、自立式電子デバイスをより高い温度（犠牲層の劣化温度まで）で加工することが可能になるとともに、最終生産物又は更には自立式電子デバイスの材料に適合していない基板材料の使用が可能になる。
【０００６】
本発明の別の態様は、人体の動きを監視するための伸縮性がありウエアラブルな印刷されたセンサーである。センサーは、炭素ナノチューブ（ＣＮＴ）インクを水溶性ポリマー系ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）基板にスクリーン印刷することにより作られるひずみセンサーを含み得る。印刷されたセンサーは、ヒトの前腕へ転写することができる。犠牲ＰＶＡ層を溶解させるために水が使用されてもよい。センサーは、肘の曲げ伸ばし動作を受け得る。センサーは身体の動きを監視するのに用いられ得る。一例において、複数の曲げる動作についておよそ１０％だけ増大されたセンサーの平均抵抗。更に、伸ばす動作について、１０サイクル後にベース抵抗の２％の増加が観察された。
【０００７】
当業者であれば、以下の本明細書、特許請求の範囲、及び添付図面を検討することにより、本発明のデバイスのこれらの及び他の特徴、利点、及び目的を更に理解及び認識するであろう。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】基板と、犠牲層と、自立式電子デバイスとのアセンブリの一実施形態の概略側面図である。
【図２】自立式電子デバイスの一実施形態の概略側面図である。
【図３】自立式インダクタンスコイルの一実施形態の上面図である。
【図４】自立式ＲＦＩＤアンテナの一実施形態の上面図である。
【図５】自立式重金属イオンセンサーの一実施形態の上面図である。
【図６】自立式コンデンサの一実施形態の上面分解図である。
【図７】図６に示される自立式コンデンサの実施形態の上面図である。
【図８】超コンデンサの一実施形態の上面分解図である。
【図９】図８に示される超コンデンサの上面図である。
【図１０】巻回型超コンデンサの一実施形態の側面図である。
【図１１】自立式容量式圧力センサーの一実施形態の上面斜視図である。
【図１２】基板上に形成された片持センサーの一実施形態の側面図である。
【図１３】本発明の別の態様による、人体の動きを監視するための伸縮性がありウエアラブルなセンサーの概略図である。
【図１４】ヒト対象の肌にセンサーを取り付けるのに先立って犠牲基板上に印刷された図１３のセンサーを示す。
【図１５】ヒトの前腕の肌に配置された図１２及び図１３のセンサーを示す部分分解図である。
【図１５Ａ】ヒトの二の腕（上腕）の肌に配置された図１２及び図１３のセンサーを示す部分分解図である。
【図１６】対象の肘が曲げられたときのセンサーの反応を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明における説明の目的上、「上」、「下」、「右」、「左」、「後方」、「前方」、「垂直」、「水平」という用語及びその派生語は、図１において方向付けられたアセンブリに関連している。しかしながら、別段の明示がある場合を除き、デバイスは、様々な代替的な向き及びステップの順序をとり得ることを理解されたい。
また、添付の図面に示され、以下の本明細書で説明される特定のデバイス及びプロセスは、添付の特許請求の範囲において定義される発明性のある概念の例示的な実施形態に過ぎないことを理解されたい。したがって、本明細書において開示される実施形態に関する特定の寸法及び他の物理的特徴は、特許請求の範囲が明示的に別段の定めをする場合を除き、限定するものとみなされるものではない。
【００１０】
図１及び図２は、自立式電子デバイス１０と、自立式電子デバイス１０を形成するためのアセンブリ１２との一実施形態を示す。本明細書において説明される自立式電子デバイス１０は、薄膜電子デバイスである。電子デバイスの少なくとも一部は材料担体に支持されない。概して、本明細書で使用される場合、薄膜電子デバイスには、印刷された電子デバイス又は他の同様に作られた電子デバイスが含まれる。
印刷された電子デバイス又は他の同様に作られた電子デバイスは少なくとも１つのデバイス層１４を有する。各デバイス層１４は機能的電子デバイス１０に寄与し、各デバイス層１４の厚さは好ましくは１０ナノメートル〜６０ナノメートルにわたる。
本明細書において自立式電子デバイス１０として作られ得る電子デバイスの例には、非限定的に、インダクタンスコイル、アンテナ、ＲＦＩＤアンテナ、重金属イオンセンサー、コンデンサ、超コンデンサ、圧力センサー、薄膜トランジスタ、抵抗器、ダイオード、有機発光ダイオード、加速度計、又は材料担体により支持されていない他の任意の電子デバイスが含まれる。
自立式電子デバイス１０はまた、機能回路を形成する電気デバイスの組合せを含み得る。本明細書で使用される場合、自立式電子デバイス１０という用語はまた、以下でより詳細に説明されるとおり、材料担体により部分的にのみ支持された片持センサーなどの電子デバイスを含む。
【００１１】
図１に示されるアセンブリ１２の実施形態に示されるとおり、（自立式電子デバイス１０の製造中に作られる）アセンブリ１２は基板１６を含み、基板１６の上面２０には犠牲層１８が配置される。
犠牲層１８は選択された溶剤に可溶である。第１デバイス層２４が上面２６犠牲層１８に配置され、第２デバイス層２８及び第３デバイス層３０が第１デバイス層２４の上に配置されて、自立式電子デバイス１０を形成する。
代替的実施形態において、自立式電子デバイス１０はデバイス層１４を１つのみ含むか、望ましい電気的機能を実施するのに有用である場合、複数のデバイス層１４を含む。
自立式電子デバイス１０を基板１６から除去するために、犠牲層１８を少なくとも部分的に溶解させるために選択された溶剤が使用される。これは、自立式電子デバイス１０からの基板１６の分離を招く。
自立式電子デバイス１０は任意選択的に犠牲層１８の一部を包含し、その一実施形態が図２に示される。
【００１２】
概して、図１における実施形態に示されるとおり、自立式電子デバイス１０の生産において使用される基板１６は、自立式電子デバイス１０を基板１６上に形成するための加工ステップに適切な任意の材料から選択され得る。
基板１６の材料はまた、基板１６に塗布される少なくとも犠牲層１８に適合する。基板１６は、剛性又は可撓性であり得るとともに、任意選択的に、ＰＥＴ、ＰＥＮ、ガラス、ポリイミド、ポリカーボネート、Ｍｙｌａｒ、ポリエチレン、アルミニウム、ステンレス鋼、又はシリコンウエハなどの剛性又は可撓性の従来の電子デバイス基板を含み得る。
代替的な基板１６も、本明細書で開示された方法において使用され得るが、その理由は、基板１６は自立式電子デバイス１０と直接的に接触しないからであり、且つ基板１６は自立式電子デバイス１０の使用の前に、任意選択的には、自立式電子デバイス１０を生産するための又はデバイス１０を最終使用位置に位置付けるための最終加工ステップの前に除去されるからである。したがって、通常であれば電子デバイスにおいて使用するのに適切ではない基板１６が使用され得るが、但し、それらが犠牲層１８及び自立式電子デバイス１０を形成する加工ステップに適合する限りにおいてである。
【００１３】
基板１６の上面２０に配置された犠牲層１８は、基板１６を自立式電子デバイス１０から分離するように機能し、且つ自立式電子デバイス１０を基板１６の上面２０から除去することを可能にする。
犠牲層１８は、選択された溶剤に実質的に可溶である材料であり、且つ第１デバイス層２４又は犠牲層１８と直接接触するようになる任意のデバイス層１４に好ましくは実質的に不溶である。
好ましい一実施形態において、犠牲層１８は水溶性ポリマーである。このようなポリマーの例は、アルギン酸ナトリウム、ヒドロキシエチル化セルロース、カルボキシメチル化セルロース、グアーガム、カルボキシメチル化デンプン、エチル化デンプン、ポリビニルアルコール、植物性及び動物性タンパク質、アラビアゴム、カラギーナンガム、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、並びにメチルセルロースである。
水溶性ポリマーは、好ましくは基板１６の上面２０へフィルムとして塗布されて犠牲層１８を形成する。
別の好ましい実施形態において、水溶性ポリマーは、親水コロイド、タンパク質、多糖類又は前述のものの誘導体を含む。代替的に、非限定的であるがエチルセルロース、ポリ乳酸、及びポリヒドロキシアルカノエートを含む溶剤可溶型ポリマーが犠牲層１８として使用され得る。
【００１４】
犠牲層１８の組成は、本明細書において開示された自立式電子デバイス１０を作成するための方法の任意の所与の実施形態において使用するのに適切な溶剤を決定する。
例えば、水溶性ポリマーが犠牲層１８のために使用される場合、溶剤を可溶化するために使用するのに適切な溶剤の１つは水である。
エチルセルロースを犠牲層１８として使用する場合、エチルセルロースを可溶化するために選択される溶剤は、好ましくは、芳香族炭化水素と低分子量脂肪族アルコールとの混合物、例えばトルエン、キシレン又はエチルベンゼンとエタノール、メタノール、イソプロパノール又はｎ−ブタノールとの混合物である。ポリ乳酸が、塩化溶剤、高温ベンゼン、テトラヒドロフラン又はジオキサンと併せて、溶剤として好ましくは使用される。
ポリヒドロキシアルカノエートが、クロロホルム、ジクロロメタン、又はジクロロエタンなどのハロゲン化溶剤と併せて好ましくは使用される。
【００１５】
特定の好ましい実施形態において、弾性、可撓性、及び靱性を増す、脆弱性を低下させる、並びにクラッキングを防止するなど、犠牲層１８の特性を改善するために、可塑剤が犠牲層１８へ添加される。
非限定的に、プロピレングリコール、グリセロール、ソルビトール、及びグリセリンを含む多糖類フィルムでできている低分子量の不揮発性可塑剤が、犠牲層１８への添加のために好ましい。これらの可塑剤は、犠牲層１８の多糖分子の極性基間の距離を広げ、隣接するポリマー鎖間の引力を低下させる。
犠牲層１８のために使用される親水コロイド溶液内に添加される可塑剤の好ましい量は、親水コロイドの約１０重量％〜６０％重量で様々であり得る。
水も犠牲層１８における可塑剤として使用することができる。そのため、環境の水分含量又は相対的湿度が犠牲層１８の特性に影響を与える可能性がある。犠牲層１８への可塑剤の添加はまた、犠牲層１８が水を引き付ける能力を低下させるとともに、水が溶剤として使用される場合は犠牲層１８を可溶化する時間を遅らせ、且つまた犠牲層１８の引張強度を低下させて粘着性を低下させる場合がある。
【００１６】
特定の実施形態において、犠牲層１８は溶剤に完全には可溶化されない。
いくつかの実施形態において、犠牲層１８を自立式電子デバイス１０から完全に除去するのが好ましい。
他の実施形態においては、犠牲層１８を自立式電子デバイス１０から部分的にのみ除去するのが好ましい。
犠牲層１８が完全には除去されない実施形態において、犠牲層１８は好ましくは、自立式電子デバイス１０を基板１６の上面２０から分離するのに十分可溶化され、犠牲層１８の残り又は部分３２が自立式電子デバイス１０上に残る。
犠牲層１８の部分３２が自立式電子デバイス１０上に残る場合、部分３２は、自立式電子デバイス１０をその最終的に望ましい位置に固定するための接着剤として任意選択的に使用される。
例えば、対象の肌に取り付ける用途で使用するために自立式電子デバイス１０が求められる場合、自立式電子デバイス１０の上に残っている犠牲層１８の部分３２が、自立式電子デバイス１０を肌へ固定するための接着剤として使用され得る。
代替的実施形態において、自立式電子デバイス１０をその望ましい使用位置に固定するために、別個の接着剤が自立式電子デバイス１０へ塗布され得る。
【００１７】
自立式電子デバイス１０は、１つ又は複数のデバイス層１４に塗布される１つ又は複数の機能材料を含む。
デバイス層１４の機能材料は、好ましくは、犠牲層１８上に（又は先行して塗布されるデバイス層１４のうちの１つの上に）印刷されたインクとして作成される。
印刷は加法的プロセスであるため、デバイス層１４の塗布の好ましい方法である。
印刷は、機能材料が、意図された特定の設計で塗布されることを可能にし、使用されなければならない材料の量と、製造における加工ステップの数とを最小化する。
使用されるインク及びそれらの機能材料は、好ましくは、犠牲層１８を溶解させるのに使用される溶剤に実質的に不溶である。
好ましい一実施形態において、デバイス層１４の全てが使用される溶剤に不溶である。
別の好ましい実施形態において、少なくとも外側デバイス層１４は溶剤に不溶であり、外側デバイス層１４の下層のデバイス層１４が溶剤に溶解しないよう保護する。
好ましくは、溶剤に可溶な任意のデバイス層１４が、実質的に溶剤に不溶である他のデバイス層１４に封入される。
【００１８】
自立式電子デバイス１０は好ましくは、望ましい電子デバイスとして機能するために予め決められた電気特性を有する１つ又は複数のデバイス層１４を含む。例えば、図１及び図２に示される実施形態における第１デバイス層２４は導電性層であることができ、第２デバイス層２８は誘電性層であることができる。
ここで、第１デバイス層２４の印刷に導電性インクが使用され、第２デバイス層２８の印刷に誘電性インクが使用される。
代替的に、自立式電子デバイス１０が最終的に貼り付けられ得る任意の下層の表面から自立式電子デバイス１０を電子的に絶縁することにより、自立式電子デバイス１０が様々な異なる材料へ貼り付けられたときに適切に機能することを可能にするために、第１デバイス層２４は誘電性層であることができる。
なお別の実施形態において、第１デバイス層２４が、犠牲層１８が実質的に不溶である材料であるように、第１デバイス層２４は任意選択的に遮蔽層である。これは、通常は犠牲層１８に可溶化し得る、自立式電子デバイス１０における後続のデバイス層１４の印刷を可能にする。
本明細書において説明される自立式電子デバイス１０のいくつかの実施形態は、巻かれる又は曲げられるのに十分可撓性であることにより、以下により詳細に説明される、巻回型超コンデンサなど、特徴が改善された電子デバイスの作製を可能にする。
【００１９】
自立式電子デバイス１０のデバイス層１４の印刷のために選択されるインクは、犠牲層１８の組成に少なくとも部分的に依存する。
犠牲層１８は、デバイス層１４において使用されるインクに好ましくは実質的に不溶である。加えて、デバイス層１４において使用されるインクは、犠牲層１８の上に塗布されると好ましくはフィルムを形成する。
非限定的に、半導体インク、抵抗性インク、及び放射性ポリマーインクを含む溶剤系インク、水性インク、及びＵＶ硬化性インクが、デバイス層１４を犠牲層１８に印刷するために使用され得る。
これらのインクは、様々な印刷方法、例えばスクリーン印刷、インクジェット印刷、フレクソグラフィック印刷、グラビア印刷、オフセットグラビア印刷、輪転機グラビア印刷、オフセット輪転機グラビア印刷、オフセットリソグラフィ、又はデバイス層１４のために使用される溶剤系インク、水性インク、若しくはＵＶ硬化性インクとともに使用するのに適切な他の印刷プロセスなどを使用して、犠牲層１８へ塗布され得る。
加えて、各デバイス層１４は別々に自立式電子デバイス１０へ塗布し得ることから、異なるデバイス層１４について異なる印刷方法を使用することが可能になる。
各デバイス層１４は、使用される印刷方法及びインクの粘度に依存して、好ましくは約０．１μｍ〜約６０μｍの厚さを有する。
デバイス層１４の印刷のために使用されるインクの粘度は、使用される印刷方法に依存して好ましくは変化する。スクリーン印刷の場合、インクは好ましくは１，０００センチポワズ（ｃＰ）〜１０，０００ｃＰの粘度を有する。輪転機グラビア又はオフセット輪転機グラビアの場合、インクの粘度は好ましくは５０ｃＰ〜１，０００ｃＰである。フレクソグラフィック印刷の場合、インクの粘度は好ましくは１００ｃＰ〜５，０００ｃＰであり、オフセットリソグラフィの場合、インクの粘度は好ましくは１，０００ｃＰ〜５０，０００ｃＰである。インクジェット印刷の場合、インクの粘度は好ましくは５ｃＰ〜１００ｃＰであり、エアロゾルジェット印刷の場合、インクの粘度は好ましくは１ｃＰ〜１０００ｃＰである。ｍｉｃｒｏｐｌｏｔｔｅｒ印刷の場合、インクの粘度は好ましくは１ｃＰ〜４５０ｃＰである。
【００２０】
デバイス層１４での使用のための好適な導電性インクの非限定的な例には、非限定的に、フレーク銀インク、ナノ銀インク、フレーク銅インク、ナノ銅インク、炭素ナノチューブ含有インク、炭素インク、金インク、グラフェンインク、及びニッケルインクが含まれる。
デバイス層１４のスクリーン印刷に適切である現在入手可能なＵＶ硬化性導電性インクのいくつかの非限定的な例には、非限定的に、Ｐｏｌｙｃｈｅｍから入手可能なＵＨＦ（商標）インク、Ｈｅｎｋｅｌから入手可能なＥＬＥＣＴＲＯＤＡＧ  ＰＤ−０５４（商標）インク、及びＳｕｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏから入手可能なＡＳＴ６２００（商標）溶剤系フレーク銀インクが含まれる。
デバイス層１４のスクリーン印刷に適切である現在入手可能なＵＶ硬化性誘電性インクのいくつかの非限定的な例には、非限定的に、Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓから入手可能なＵＶ−１００６Ｓ（商標）、Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓから入手可能なＵＶ−２５３０（商標）、Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓから入手可能なＵＶ−２５６０（商標）、Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓから入手可能なＵＶ−２５３１（商標）、Ｈｅｎｋｅｌから入手可能なＥＤＡＧ１０２０Ａ（商標）、Ｈｅｎｋｅｌから入手可能なＥＤＡＧ４５２ＳＳ（商標）、及びＨｅｎｋｅｌから入手可能なＥＤＡＧ  ＰＦ４５５Ｂ（商標）が含まれる。
デバイス層１４にとって適切な機能的特性を有する他のインクも使用され得る。
【００２１】
犠牲層１８へのデバイス層１４の直接的な印刷は、粘度及び濡れ特性などのデバイス層１４のためのインクの特性が犠牲層１８の表面エネルギーに合致する場合、１０ミクロン程度の低い精細を達成し得る。いくつかの好ましい実施形態において、デバイス層１４は大きい面積の上に印刷されたインクを含み、他の好ましい実施形態においては印刷されたデバイス層１４の高精細が望ましい。
【００２２】
従来の電子デバイスにおいては、温度抵抗、溶剤との相溶性、滑らかさ、コスト、表面エネルギー、厚さ、剛性、及び機能的特性などの基板１６の特性が、従来の電子デバイスの作製において使用される機能材料及び印刷方法又は利用可能な他の形成方法を限定し得る。
対照的に、自立式電子デバイス１０の場合、自立式電子デバイス１０は基板１６から除去され、且つ基板１６から犠牲層１８により分離される。
したがって、基板１６が、自立式電子デバイス１０の望ましい最終利用にとって、又は自立式電子デバイス１０の形成の全ての加工ステップにとって適切でない場合であっても、自立式電子デバイス１０の生産において望ましい機能材料を使用可能にするために、基板１６はその機械的特性に基づいて選択され得る。
例えば、電子デバイスが基板１６から除去されない可撓性電子デバイスにおいて、選択される基板１６は電子デバイスの望ましい最終利用にとって十分な可撓性を有しなければならない。
しかしながら、可撓性基板は温度加工範囲が限られている傾向があり、電子デバイスを形成するために塗布される機能材料の可撓性と望ましい温度加工パラメータとのバランスをとることが求められる。
自立式電子デバイス１０を基板１６から除去することができる本開示によると、選択される基板１６は、好ましい機能材料に求められる高温加工を行うことができる剛性の基板１６であり得る。
この場合、達成可能な加工温度は、犠牲層１８及び自立式電子デバイス１０の劣化温度により制限される。
加えて、基板１６は好ましくは自立式電子デバイス１０の形成において再利用可能であることから、通常は非常に高いコストがかかり得る基板１６の使用を可能にする。
【００２３】
封入層３４が、自立式電子デバイス１０を密封するために、デバイス層１４の上に任意選択的に積層される。
封入層３４は任意選択的に、犠牲層１８を可溶化する前に、自立式電子デバイス１０を下層の基板１６から除去した後に、又は自立式電子デバイス１０をその最終使用位置へ取り付けた後に塗布される。
封入層３４は好ましくは、自立式電子デバイス１０へ塗布されると遮蔽体を作り出すフィルム形成層である。
好ましい一実施形態において、封入層３４は、望ましくは自立式電子デバイス１０へ耐水性を与えるシリコーン系材料である。
封入層３４が犠牲層１８を可溶化する前に塗布される場合、犠牲層１８により覆われる面積より小さい表面積を封入層３４でコーティングすることが好ましい。これにより、吸い上げ作用が犠牲層１８を可溶化して自立式電子デバイス１０を基板１６から外すことが可能になる。
自立式電子デバイス１０を下層の基板１６から除去した後、又は自立式電子デバイス１０をその最終使用位置へ取り付けた後に封入層３４が塗布される場合、封入層３４は、自立式電子デバイス１０をより良好に密封するために、好ましくは自立式電子デバイス１０の面積以上の表面積を有する。
別の好ましい実施形態において、封入層３４は、デバイス層１４を腐食作用から保護するために、シリコーン噴霧などの不動態化層であり得る。
【００２４】
本発明において説明される自立式電子デバイス１０の特定の実施形態において、犠牲層１８又は基板１６は、立体形状を自立式電子デバイス１０へ与えるために、又は自立式電子デバイス１０の一部を基板１６から外すことを可能にするために使用され得る。
【００２５】
概して、本明細書において説明される自立式電子デバイス１０を製造する方法は、犠牲層１８を基板１６の上面２０へ塗布するステップと、自立式電子デバイス１０を形成するために、少なくとも１つのデバイス層１４を犠牲層１８の上に予め決められたパターンで塗布するステップとを含む。
次いで、犠牲層１８が可溶である選択された溶剤が犠牲層１８と接触し、犠牲層１８を少なくとも部分的に溶解させ、自立式電子デバイス１０を基板１６から分離させる。
代替的実施形態において、犠牲層１８及び自立式電子デバイス１０は、保管のために基板１６から剥離されるか他の方法で分離されることができ、犠牲層１８の溶解は後に（例えば自立式電子デバイス１０のその使用位置への取付け時に）実施される。
【００２６】
犠牲層１８は、非限定的に犠牲層１８を基板１６の上面２０へ鋳込む、カーテンコーティング、噴霧又は印刷することを含む、様々な方法を使用して基板１６へ塗布され得る。いくつかの実施形態において、犠牲層１８は、基板１６の上面２０へ塗布された後、乾燥又は硬化される。
【００２７】
１つ又は複数のデバイス層１４はまた、様々な方法を使用して犠牲層１８へ塗布され得るが、望ましい自立式電子デバイス１０を形成するために、少なくとも１つのデバイス層１４が好ましくは予め決められたパターンで犠牲層１８に印刷される。
複数のデバイス層１４が組み込まれる場合、異なる層１４が異なる特性を備える機能材料を任意選択的に含むことで、様々なタイプの自立式電子デバイス１０の作製が可能となる。そのいくつかの例が以下でより詳細に検討される。
各デバイス層１４はその塗布後に任意選択的に乾燥又は硬化される。
【００２８】
犠牲層１８及び基板１６上での自立式電子デバイス１０の形成に続いて、犠牲層１８を溶解させるために溶剤が塗布される。
いくつかの実施形態において、自立式電子デバイス１０を載せた基板１６を溶剤に浸すことが望ましい場合がある。
他の実施形態において、犠牲層１８を溶解させるために、溶剤が噴霧されるか、コーティングされるか、塗装されるか、又は他の方法で犠牲層１８へ塗布され得る。
いくつかの好ましい実施形態において、犠牲層１８は、自立式電子デバイス１０を基板１６から外すのに十分なだけ溶解して、部分的にのみ除去される。
自立式電子デバイス１０が、基板１６からの除去後に直ちにその使用位置に置かれない場合、自立式電子デバイス１０は、望ましい使用時間まで、シリコーン離型シート又は他の付着防止シート上に置かれ得る。
【００２９】
図３に示される自立式電子デバイス１０の一実施形態は、自立式インダクタンスコイル４０である。
自立式インダクタンスコイル４０は、少なくとも１つの連続的な渦巻デバイス層４２を含む。
少なくとも１つの連続的な渦巻デバイス層４２はその各端部に端子４４を備える。インダクタンスコイル４０は、犠牲層１８で基板１６をコーティングし、渦巻デバイス層４２を導電性インクを使用して印刷することにより形成される。
犠牲層１８は次いで、インダクタンスコイル４０を基板１６から除去するために溶剤に溶解される。
【００３０】
自立式電子デバイス１０の別の実施形態が図４に示される。
図４に示される自立式電子デバイス１０は、ＲＦＩＤアンテナ５０である。
インダクタンスコイル４０と同様に、ＲＦＩＤアンテナ５０は、犠牲層１８で基板１６をコーティングし、ＲＦＩＤアンテナ５０を犠牲層１８へ導電性インクを使用して印刷することにより形成される。
犠牲層１８は次いで、ＲＦＩＤアンテナ５０を基板１６から除去するために、溶剤に溶解される。
ＲＦＩＤアンテナ５０は、アンテナ５０を形成する導電性層を構造的に支持するために、犠牲層１８上に、及び／又はアンテナ５０を形成する導電性層の上方に形成された、可撓性若しくは剛性のポリマー材料（図示せず）若しくは他の好適な材料の１つ若しくは複数の層を含み得る。
【００３１】
自立式電子デバイス１０の別の実施形態が、重金属イオンセンサー６０として図５に示される。
図５に示される重金属イオンセンサー６０の実施形態は、犠牲層１８で基板１６をコーティングし、次いで第１矩形誘電性インク層６２を印刷することにより形成される。
導電性対電極６４及び６８が、作用電極６６の２つの導電性層として印刷される。
犠牲層１８が次いで溶剤に溶解されて、重金属イオンセンサー６０を基板１６から除去する。
【００３２】
自立式電子デバイス１０の別の実施形態が、コンデンサ７０として図６及び７に示される。
図６及び７において示されるコンデンサ７０の実施形態は、犠牲層１８で基板１６をコーティングし、次いで、接点７４を備える略矩形の第１デバイス層７２を、導電性インクを使用して印刷することにより形成される。
第２デバイス層７６が、誘電性インクを使用して矩形に印刷され、第１デバイス層７２に重なる。
第３デバイス層７８が、接点８０とともに導電性インクを使用して略矩形に印刷され、第１及び第２デバイス層７２、７６に重なり、誘電性層７６により分離された２つの導電性層７２、７８を形成する。
次いで、コンデンサ７０を基板１６から除去するために、犠牲層１８が溶剤に溶解される。
【００３３】
特定の一例において、コンデンサ７０として機能する自立式電子デバイス１０は、ＤｕＰｏｎｔから入手可能なＭｅｌｉｎｅｘ  ＳＴ５０６ＰＥＴの基板１６を使用して形成された。
犠牲層１８は、攪拌しながら、乾燥アルジネートを予め計量された重量の蒸留水へ、アルジネートの６％水溶液が得られるまで添加することにより形成された。
アルジネート溶液を２０分間混合した。２５重量％グリセロールのアルジネートが添加され、アルジネート溶液を更に４０分間混合してアルジネートを水和させた。
アルジネート溶液から形成された犠牲層１８の可撓性を向上させ、乾燥の際の犠牲層１８のクラッキングを防止するために、グリセロールが可塑剤として添加された。
次いで、アルジネート溶液を閉鎖容器内に入れ、ガス抜きのために一晩置いた。
その後アルジネート溶液を、ピペットにより基板１６へ塗布した。
ピペットはアルジネート溶液の塗布の直前にイソプロピルアルコールで洗浄された。
アルジネート溶液で基板１６をコーティングするために、メイヤーロッド又はバードアプリケータを使用してドローダウンが実施された。
基板１６上に犠牲層１８を形成するために、アルジネート溶液でコーティングされた基板１６は、５０％の相対湿度及び２３℃の乾燥条件でＴＡＰＰＩ標準試験室に置かれた。
【００３４】
Ｓｕｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌの導電性溶剤系銀フレークインクＡＳＴ６２００を含む第１デバイス層７２が、ＡＭＩ  ＭＳＰ−４８５半自動化スクリーン印刷機と、Ｓｏｕｔｈ  Ｂｅｎｄ、ＩｎｄｉａｎａのＭｉｃｒｏｓｃｒｅｅｎにより製造された、２３０ＬＰＩメッシュ、０．００１１”のワイヤ直径、ワイヤ角度が４５°のスクリーン及び厚さ１０μｍの乳剤層とを使用して、犠牲層１８の上にスクリーン印刷された。
第１デバイス層７２の導電性溶剤系インクは、完全に乾燥するまで１３５Ｆで５分間熱乾燥された（時間に伴う抵抗率に大きい変化なし）。
第１デバイス層７２を形成するために導電性インクを乾燥させた後、第２デバイス層７６が、ＵＶ誘電性インク、ＨｅｎｋｅｌのＥｌｅｃｔｒｏｄａｇ  ＰＦ−４５５Ｂ、導電性インクに対して使用されたのと同じスクリーン印刷機及び同じタイプのスクリーンを使用して印刷された。
誘電性インク第２デバイス層７６は、Ｄ６０バルブを備えるＦｕｓｉｏｎ  ＵＶドライヤを使用して、犠牲層１８を備える基板１６、第１デバイス層７２及び第２デバイス層７９を、完全に硬化される（もはや粘着性を有して接触しない）までドライヤに３〜４回通すことにより、硬化された。第３デバイス層７８が第２デバイス層７６の上に印刷され、第３デバイス層７８は導電性溶剤系銀フレークインクの別の層を含んだ。
第３デバイス層７８も熱乾燥された。
結果としての自立式コンデンサ７０は、３つの層、すなわち、導電性の第１層７２、誘電性の第２層７６、及び導電性の第３層７８を含む。
自立式コンデンサ７０は、アセンブリ１２へ水を加え、それにより犠牲層１８を溶解させ、コンデンサ７０を基板１６から分離することにより、基板１６から除去される。
【００３５】
図６及び図７に示されるコンデンサ７０の一変形形態は超コンデンサ８２である。
その一実施形態は図８〜図１０に示される。本明細書において開示される超コンデンサ８２の実施形態は、４層からなるコンデンサ７１を巻くことにより形成される。
ここで、第１デバイス層７３は誘電性材料を含み、第２デバイス層７５は導電性材料を含み、第３デバイス層７７は誘電性材料を含み、第４のデバイス層７９は導電性材料を含む。
４層からなるコンデンサ７１を形成するために、犠牲層１８が基板１６に印刷され、次いで、第１デバイス層７３が誘電性インクを使用して印刷される。
第２デバイス層７５は、第１デバイス層７３が硬化された後に導電性インクを使用して第１デバイス層７３の上に印刷される。次いで第２デバイス層７５が硬化され、第３デバイス層７７が、誘電性インクを使用して第２デバイス層７５の上に印刷され、硬化される。
４層からなるコンデンサ７１を完成させるために、第４のデバイス層７９が、導電性インクを使用して第３デバイス層７７の上に印刷され、硬化される。
コンデンサ７１の可撓性により、コンデンサ７１が巻かれて、図１０に示されるとおりの超コンデンサ８２を形成することが可能になる。
【００３６】
図６及び図７において示されるコンデンサ７０の別の変形形態は、容量式圧力センサー９０である。
その一実施形態が図１１に示される。図１１に示される容量式圧力センサー９０は、犠牲層１８で基板１６をコーティングし、次いで導電性インクを使用してバーである第１デバイス層９２を印刷することにより形成される。
誘電性インクの第２デバイス層９４が導電性インクの第１層９２の上に印刷される。
導電性インクの第３デバイス層９６が、バーを第１デバイス層９２のバーから略垂直に位置付けた態様で印刷される。
第４のデバイス層９８が、残りのデバイス層９２、９４、９６の上に不動態化材料を使用して印刷される。
【００３７】
なお別の自立式電子デバイス１０は、片持センサー１００である。
その一実施形態が図１２に示される。片持センサー１００の実施形態は、成形犠牲層１０２を片持センサー１００の下に塗布することにより形成される。
成形犠牲層１０２は、任意選択的に、犠牲層１０４全体の上に塗布される。
他の実施形態において、成形犠牲層１０２は基板１０６へ直接塗布される。
次いで導電性インクの第１デバイス層１０８が成形犠牲層１０２の上に印刷されるか、他の方法で塗布される。
その結果、成形犠牲層１０２の上に第１厚さｘを有する第１部分又は梁部分１１０と、成形犠牲層１０２が存在しないところの第２厚さｙを有する第２部分又はベース部分１１２とである、少なくとも２つの部分を有する第１デバイス層１０８がもたらされる。
片持センサー１００を基板１０６上の成形犠牲層１０２の上に形成した後、溶剤が、成形犠牲層１０２を可溶化するために塗布され、片持センサー１００の第１部分１１０の下に空洞を残す。
好ましい一実施形態において、成形犠牲層１０２は厚さが１ミクロンであり、幅が１”である。成形犠牲層１０２の上に印刷される導電性の第１デバイス層１０８は幅が４”であり、厚さが１ミクロンの第１部分１１０と、厚さが２ミクロンの第２部分１１２とを備える。
【００３８】
本発明の別の態様は、伸縮性がある印刷されたひずみセンサー１２０である（図１３）。
伸縮性がある印刷されたひずみセンサー１２０は波形を有する。
この波形は、互いに結合されて複数のＳ字形屈曲部を形成する複数の逆に方向付けられたＵ字型部分１２２を含む。センサー１２０のＳ字形屈曲部は、形状が正弦波であっても、他の好適な形状であってもよい。
センサー１２０の拡大矩形端部１３０は、センサーを他の電子デバイスへ電気的に接続するのに用いられ得る電極を形成する。
以下でより詳細に検討されるとおり、ひずみセンサー１２０は、炭素ナノチューブ（ＣＮＴ）インクを水溶性犠牲基板上にスクリーン印刷することにより作られてもよい。
犠牲層とともに、印刷されたセンサーはヒトの肌（例えば腕）上に転写されてもよい。
次いで犠牲層を溶解させるのに水が使用されてもよく、センサー１２０が肌に配置／接着されたままとなる。
人体の動きを追跡するための印刷されたセンサー１２０の能力は、センサー１２０に腕の曲げ伸ばしを受けさせることにより実証された。
【実施例】
【００３９】
Ａ．化学製品及び試料調製
ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）基板（Ｗａｔｓｏｎ  ＱＳＡ２０００）が、センサーをヒト対象の肌へ印刷及び転写するための犠牲層として使用された。ＣＮＴインク（ＳＷＥＮＴのＶＣ１０１）が、複数のＳ字屈曲部と拡大端部／電極１３０とを含み得る抵抗性波形ひずみセンサー１２０の製造のために使用された（図１３）。Ｈｅｎｋｅｌの銀インク（Ｅｌｅｃｔｒｏｄａｇ４７９ＳＳ）が、Ｂｅｍｉｓ  Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓ，Ｉｎｃの熱可塑性ポリウレタン（ＴＰＵ）への波形の相互連結部の印刷のために使用された。ＣｉｒｃｕｉｔＷｏｒｋｓ（登録商標）（ＣＷ−２４００）の導電性銀エポキシが、相互連結部をセンサー１２０へ取り付けるために使用された。
【００４０】
Ｂ．センサー製造
センサー１２０（図１３）は波形を有し、線幅が８００μｍで、全体の寸法が３．０ｃｍ×０．４ｃｍである。センサー１２０は、ＣＮＴインク（ＳＷｅＮＴ  ＣＶ１００）を使用して犠牲水溶性ポリマー系ＰＶＡ基板（Ｗａｔｓｏｎ  ＱＳＡ２０００）へスクリーン印刷された。犠牲基板１２４へ印刷されたセンサー１２０は、図１４に示されている。半自動スクリーン印刷プレス機（ＡＭＩ４８５）がＣＮＴの積層のために使用され、イソプロピルアルコールがスクリーンの洗浄のために使用された。ＣＮＴインクは、ＶＷＲオーブンにおいて、１００℃で１０分間硬化された。次のステップにおいて、センサー１２０を人体へ転写するために、ヒトの前腕１２８の肌１２６（図１５）が濡らされ、その後印刷されたセンサーが左前腕１２８に取り付けられた。次いで犠牲ＰＶＡ層が、水を使用して洗い流され、それによりセンサー１２０の肌１２６への転写が完了した。ヒトの前腕１２８の肌１２６への配置後のセンサー１２０は図１５に示されている。センサー１２０は、図１５Ａに示されるとおり他の人体部分（例えば二の腕／上腕）の肌１２６にも位置付けられ得る。Ｂｒｕｋｅｒ  Ｃｏｎｔｏｕｒ  ＧＴＬ  ＥＮ６１０１０表面形状測定装置が積層されたＣＮＴの厚さを調べるのに使用された。印刷されたＣＮＴ層の平均厚さは５．６μｍとして測定された。
【００４１】
Ｃ．実験手順
相互連結部（図示せず）が、肌１２６への取付けの前に、導電性銀エポキシを使用してセンサー１２０の電極１３０へ取り付けられた。前腕１２８の曲げ伸ばしの間のひずみセンサー１２０の抵抗反応を測定／記録するために、相互連結部がＡｇｉｌｅｎｔ  Ｅ４９８０ＡプレシジョンＬＣＲメーター（図示せず）へ接続された。センサー１２０の抵抗の変化は、肘の動きの各時点の後で記録された。
【００４２】
結果及び議論
腕に置かれた後の印刷されたウエアラブルセンサー１２０の反応が図１６に示される。センサー１２０が腕の曲げ伸ばし運動の両方を受けたことで、センサー１２０の抵抗の変化がもたらされた。肘の複数の曲げ伸ばし運動について、センサー１２０の平均抵抗が３２．８ｋΩから３６ｋΩへ増加することが観察された。これはセンサー反応の１０％の変化に対応する。更に、１０サイクルの後に肘が元の位置へ戻ったとき、センサー１２０のベース抵抗の２％の変化が観察された。
【００４３】
センサー１２０の潜在的破損を減らすために、センサー１２０の導電性層の厚さは２０ミクロン、３０ミクロン、４０ミクロン又はそれを超える厚さに増加し得る。導電性材料及び／又は非導電性材料の複数の層が同様に、センサー１２０の強度を増大させ、破損を減少させるために用いられ得る。
【００４４】
センサー１２０を強化し、人体への取り付け後の構造の破損を減らすために、センサー１２０はまた、スピンコートしたポリイミド又はポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）などのシリコーン系材料を使用して封入され得る。
【００４５】
例示的な実施形態に示されるデバイスの要素の構成と配列は、説明のためのみのものであることに留意することも重要である。
本開示において。本発明のいくつかの実施形態のみが詳細に説明されているが、本開示を再検討する当業者であれば、列挙された主題の新規な教示及び利点から実質的に逸脱することなく、多くの修正形態（例えばサイズ、寸法、構造、形状及び様々な要素の比率、パラメータの値、取付配置構成、材料の使用、色、向きなどのバリエーション）が可能であることを容易に理解するであろう。
例えば、一体的に形成されたとして示される要素は、複数の部品又は一体的に形成された複数の部品として示される要素で構築されてもよい。
インターフェイスの操作は逆にされてもその他の方法で変更されてもよい。
システムの構造及び／又は部材若しくはコネクタ若しくは他の要素の長さ又は幅は変更されてもよい。
要素間に設けられた調整位置の性質又は数は変更されてもよい。
システムの要素及び／又はアセンブリは、十分な強度又は耐久性を提供する様々な種類の材料のうちのいずれからでも、様々な種類の色、特性、及び組合せのうちのいずれによっても構築され得ることに留意されたい。
したがって、全てのこのような修正形態は、本発明の範囲内に含まれることが意図される。
他の置換、修正、変更、又は省略が、望ましい他の例示的な実施形態の設計、作動条件、及び配置構成において、本発明の趣旨から逸脱することなしになされ得る。
【００４６】
説明されたプロセス又は説明されたプロセス内のステップは、本発明のデバイスの範囲内の構造体を形成するために、他の開示されたプロセス又はステップと組み合せられ得ることが理解される。本明細書において開示された例示的な構造及びプロセスは、例示目的のものであり、限定するものではないと解釈される。
【００４７】
本発明のデバイスの概念から逸脱することなく、前述の構造及び方法に対する変更形態及び修正形態をなし得ることも理解されるべきである。更に、このような概念は、これらの特許請求項の範囲がその文言により特に明示的に別段の定めをしない限り、以下の特許請求の範囲に包含されることが意図されることも理解されたい。
【００４８】
上の説明は、図示の実施形態のみの説明を考慮している。当業者及びデバイスを使用する者であればデバイスの修正形態に想到する。したがって、図示され上で説明された実施形態は、例示目的のみであり、本デバイスの範囲を限定することを意図するものではないことが理解される。本デバイスの範囲は、以下の特許請求の範囲により定義され、均等論を含む特許法の原理により解釈される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１５Ａ】
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【図１６】
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【国際調査報告】
2017531306.tif 000020
2017531306.tif 000021