(57)【要約】  幾つかの実施例において、湾曲した表面を有する画像センサチップを加工する技法及びアーキテクチャは、画像センサチップの第１の表面の上に基板を配置することを含み、第１の表面は、画像センサチップの第２の表面の反対側にあり、画像センサチップの第２の表面は、受光する光に応答して電気信号を生成する光センサを含む。加工することは、画像センサチップの上に力を加えて湾曲した画像センサチップをもたらすよう、基板の体積を変更することも含む。
2017531319.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像センサチップの第１の表面の上に基板を配置するステップであって、前記第１の表面は、前記画像センサチップの第２の表面の反対側にあり、前記画像センサチップの前記第２の表面は、受光する光に応答して電気信号を生成する光センサを含む、ステップと、
前記画像センサチップの上に力を加えて湾曲した画像センサチップをもたらすよう、前記基板の体積を変更するステップとを含む、
方法。                                  
【請求項２】
前記基板は、金属合金を含み、前記基板の体積を変更するステップは、前記基板を水素に晒して、前記基板が前記水素を吸収するのを許容するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基板は、金属合金を含み、前記基板の体積を変更するステップは、前記基板の少なくとも部分に電流を適用して、酸素化反応を行うステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記金属合金は、アルミニウム又はチタンを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記基板の体積を変更するステップは、リチオ化プロセスにおいて前記基板をリチウム基の化学薬品に晒すステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記基板は、ポリマ又はエラストマを含み、前記基板の体積を変更するステップは、水化プロセス又は溶媒和プロセスにおいて前記基板を１つ又はそれよりも多くの化学薬品に晒すステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記基板の体積を変更するステップは、制御された温度、圧力、又は電圧を前記基板の特定の部分に適用するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記基板の体積を変更するステップ前に、前記基板は、第１の厚さプロファイルを有し、前記基板の体積を変更するステップの後に、前記基板は、前記第１の厚さプロファイルと異なる第２の厚さプロファイルを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記画像センサの前記第２の表面に隣接して形成型を配置するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
第１の側面と、該第１の側面の反対側にある第２の側面とを有し、該第２の側面は、受光する光に応答して電気信号を生成する光センサを含む、湾曲した画像センサチップと、
該湾曲した画像センサチップの前記第１の側面を覆い、水素化金属を含む、基板とを含む、
装置。
【請求項１１】
前記湾曲した画像センサチップの前記第２の側面は、凹球面又は非球面の形状を有する、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記水素化金属は、水素化チタン又は水素化バナジウムを含む、請求項１０に記載の装置。
【請求項１３】
前記湾曲した画像センサチップは、前記湾曲した画像センサチップの前記第２の側面の逆の焦点距離と少なくとも略等しい曲率半径を有する、請求項１０に記載の装置。
【請求項１４】
１つ若しくはそれよりも多くのレンズ又はミラーと、
第１の側面と、該第１の側面の反対側にある第２の側面とを有し、該第２の側面は、前記１つ若しくはそれよりも多くのレンズ又はミラーから受光する光に応答して電気信号を生成する光センサを含む、湾曲した画像センサチップと、
該湾曲した画像センサチップの前記第２の側面を覆い、水素化金属を含む、基板とを含む、
システム。
【請求項１５】
前記基板は、前記基板による１つ若しくはそれよりも多くの膨張させる化学薬品の吸収を少なくとも部分的に妨げるマスク領域を含む、請求項１４に記載のシステム。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
光学系は、ほんの数例を挙げるだけでも、カメラ、望遠鏡、双眼鏡、オフィス機器、及び科学機器のような、多くのデバイスにおいて一般的に用いられている。光学系は、レンズ、ミラー、及び／又は１つ若しくはそれよりも多くの光検知(light  sensing)デバイスを含むことがある。光学系の性能は、部分的に、要素間の光学的な相互作用を示す、光学系の全体的な設計並びに光学系の要素の各々の設計に依存する。例えば、１つのレンズの光出力は、後続のレンズ又は光検知デバイスの光入力であることがある。
【０００２】
ＣＭＯＳ、電荷結合素子（ＣＣＤｓ）、又はフォトダイオードのような、光検知デバイスが、様々な光学系内に存在する。しばしば、ＣＭＯＳ又はＣＣＤｓは、シリコン基板上に組み立てられるアレイ内に構成される。ＣＭＯＳ又はＣＣＤアレイに光を提供する光学系の部分は、少なくとも部分的に、アレイの大きさ、アレイの解像度、及び光学系の残余に対するアレイの位置付けのような、アレイの具体的な詳細に基づき、設計されてよい。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００３】
この開示は、画像センサを曲げる並びに形作る技法及びアーキテクチャを記載する。具体的には、例えば、シリコン又はゲルマニウムのような、平坦な比較的脆い材料から加工される(fabricated)画像センサは、画像センサの感光(light-sensitive)表面が球面、非球面、又は他の形状を有するように湾曲させられるよう、画像センサが加工された後に形作られてよい。
【０００４】
湾曲した画像センサを形成するために、基板を画像センサの背面に連結させて（例えば、結合させて、付着させて、配置して、或いは取り付けて）よい。次に、基板は、基板の体積を増大させる任意の数の化学的又は物理的な反応に晒されてよい。体積を増大させることは、基板と画像センサとの間のひずみ勾配の故に画像センサ上に曲げ力を生成する。
【０００５】
この概要は、発明を実施するための形態において以下に更に詳細に記載する一揃いの着想を簡略化された形態において知らせるために提供される。この概要は請求する主題の鍵となる構成または本質的な構成を特定することを意図せず、請求する主題の範囲を限定するために用いられることも意図しない。例えば、「技法」(techniques)という用語は、上記文脈において並びに本文書を通じて許容されるような技法を行うために用いられてよい、加工機器(fabricating  equipment)、制御システム(control  system(s))、方法(method(s))、コンピュータ可読指令(computer-readable  instructions)、モジュール(module(s))、アルゴリズム(algorithms)、又はハードウェア論理（例えば、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＥＰＧＡｓ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣｓ）、特定用途向け規格品（ＡＳＳＰｓ）、システム・オン・チップシステム（ＳＯＣｓ）、結合プログラム可能論理回路（ＣＰＬＤｓ））を指すことがある。
【０００６】
発明を実施するための形態は、添付図面を参照して示される。図面において、参照番号の最左側のディジットは、参照番号が最初に現れる図面を特定している。異なる図中での同じ参照番号の使用は、類似の又は同一の品目又は構成を示している。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】様々な例示的な実施態様に従った、画像センサチップの頂面図である。
【０００８】
【図２】様々な例示的な実施態様に従った、中立軸、画像センサチップ、及び体積変化基板を示す側面図である。
【０００９】
【図３】様々な例示的な実施態様に従った、画像センサチップ及び体積変化基板の側面図である。
【００１０】
【図４】様々な例示的な実施態様に従った、反応容器内の画像センサチップ及び体積変化基板の側面図である。
【００１１】
【図５】様々な例示的な実施態様に従った、湾曲した画像センサチップ及び体積変化基板の側面図である。
【００１２】
【図６】多数の例示的な実施態様に従った、体積変化基板の中心領域の周りで同心状に変化する厚さを有する体積変化基板の頂面図である。
【００１３】
【図７】様々な例示的な実施態様に従った、湾曲した画像センサチップの感光表面の断面図である。
【図８】様々な例示的な実施態様に従った、湾曲した画像センサチップの感光表面の断面図である。
【００１４】
【図９】様々な実施態様に従った、湾曲した画像センサチップ及び体積変化基板の断面図である。
【００１５】
【図１０】様々な実施態様に従った、湾曲した画像センサチップと体積変化基板とを含む光学系の断面図である。
【００１６】
【図１１】幾つかの実施態様に従った、画像センサチップを曲げるプロセスを例示するフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
（概要）
一般的に、光学系は、レンズ、ミラー、及び／又は電荷結合素子（ＣＣＤｓ）若しくは光エネルギを電気信号に変換し得る他のデバイスのような、１つ若しくはそれよりも多くの光検知(light  sensing)デバイスを含んでよい。複数のＣＣＤｓが、例えば、シリコン、ゲルマニウム、又は他の半導体材料であってよい、基板上に加工される(fabricated)アレイ（例えば、画素化アレイ）において構成されてよい。基板上に加工される、ＣＣＤ、ＣＣＤｓのアレイ、又は任意の数の構成における１つ若しくはそれよりも多くの他の光検知実体のような、感光デバイスを、ここでは「画像センサチップ」と呼ぶ。しかしながら、この名称は、画像を検知するように構成される必要がなく、むしろあらゆる（可視的な又は可視的でない）光信号を検知するように構成される必要がある、光センサを指すことがあることが留意されなければならない。
【００１８】
画像センサチップは、画像センサチップの感光(light-sensitive)表面が湾曲した形状を有するように曲げられてよく、それは平坦表面の画像センサチップと比べて光学系の設計に多数の利点をもたらすことがある。具体的には、レンズ及び／又はミラーを含む光学系は、光学系が湾曲した画像センサチップを含むときに、平坦表面の画像センサチップと比べて、より少ない設計制約を有する。例えば、幾つかの設計制約は、レンズの数、色収差及び／又は空間収差についての許容公差等を含むことがある。球面、非球面、又は他の表面を有する画像センサチップは、画像センサチップの表面に亘る比較的均一な光強度及び空間周波数応答をもたらす高性能な光学系をもたらすことがある。
【００１９】
様々な例示的な実施態様において、画像センサチップは、「体積変化基板」(“volume-changing  substrate”)を画像センサチップの上に結合（例えば、融合、溶接等）させ、（例えば、接着剤又は静電力を用いて）付着させ、（例えば、スパッタリング、注入、吹付け等によって）堆積させ、或いは取り付けることを含むプロセスにおいて、曲げられてよい。化学的な又は物理的な反応を用いて、体積変化基板の体積及び寸法を変更してよい。体積変化基板の体積膨張は、画像センサチップに移転する力を生成することがある。そのような力は、画像センサチップを湾曲した形状に曲げる或いは形作ることがある。様々な例示的な実施態様において、体積変化基板の体積及び寸法を変更することによって生成される力は、体積変化基板及び画像センサチップを互いに連結するために用いられるインターフェース層を介して、体積変化基板から画像センサチップに移転させられることがある。
【００２０】
体積変化基板は、張力によって画像センサチップを変形させ或いは曲げてよい。画像センサチップは、圧縮させられた状態にあるときに比べて、引張状態(in  tension)にあるときに比較的低い暗電流を有することがあるので、張力(tension)を用いて画像センサチップを曲げることは有益なことがある。従って、体積変化基板は、所望の形状に曲げられ或いは変形させられる間に、画像センサチップの面積の実質的な部分が引張状態にあるように、設計されてよい。そのような設計は、画像センサチップを中立の曲げ軸の張力側に配置するよう、少なくとも部分的に、体積変化基板の剛性(stiffness)及び／又は厚さに基づいてよい。
【００２１】
体積膨張による画像センサチップの具体的な成形は、体積膨張プロセスに含まれる多数のパラメータのうちのいずれかを調節し或いは選択することによって制御されてよい。例えば、体積変化基板が膨張する具体的な形状は、少なくとも部分的に、体積変化基板（及び／又は、もし存在するならば、インターフェース層）の厚さ、画像センサチップの剛性、（例えば、マスキング又は膨張剤の局所的な塗布による）膨張に晒されない体積変化基板の部分と比較した膨張に晒される体積変化基板の部分等の、パターン又は分布に依存することがある。
【００２２】
幾つかの実施態様では、基板の膨張中にバイアス圧力を画像センサアセンブリの少なくとも部分に亘って適用して、特定の２Ｄ湾曲形状を強いてよい。例えば、基板の膨張中に画像センサの部分に型を配置してよい。
【００２３】
二次元湾曲(curvature)は、基板と適用されるマイクロエレクトロニクスの材料との間の熱ひずみ(thermal  strain)特性不整合の故に、マイクロエレクトロニクスの処置中に起こることがある。しかしながら、そのような湾曲は、例えば、複数の画像センサチップを作ることがある半導体ウエハ全体に亘る比較的小さな撓み(deflections)をもたらすことがある。体積膨張は、熱ひずみによってもたらされる局所的なひずみ勾配(strain  gradients)と比べてより大きいオーダの大きさ(magnitude)の、画像センサチップ上の局所的なひずみ勾配をもたらすことがある。体積膨張は、適度の温度及び圧力で達成されて、望ましくないひずみ(distortions)を引き起こすことがある画像センサチップ内の熱応力の可能性(potential)を減少させることがある。そのような適度の温度及び圧力は、センサエレクトロニクス及び追加的な機能層が処置中に傷付けられる可能性も減少させる。幾つかの実施例では、温度及び／又は圧力を制御して、基板の膨張の速度又は量を制御してよい。
【００２４】
体積膨張によって画像センサチップを曲げるプロセスは、画像センサチップ、インターフェース／付着層、膨張を受ける基板、膨張剤、及び基板膨張をもたらす環境条件（例えば、温度、圧力、電気化学ポテンシャル）を達成するための様々な取付具又は容器を含んでよい。「膨張剤」(“swellant”)という用語は、基板と反応して或いは基板によって吸収されて基板に体積膨張を受けさせる材料（化学薬品、ガス、要素、化合物、混合物等）を記載するために用いられる。幾つかの実施において、膨張剤は、固体化合物（例えば、体積変化基板）内への膨張剤（例えば、分子又はイオン）の含有(inclusion)又は差込み(insertion)である、インターカレーション(intercalation)のために用いられてよい。
【００２５】
様々な例示的な実施態様において、体積変化基板に結合される湾曲した画像センサチップの組み合わせは、引き続き光学系内に組み込まれてよいスタンドアローン（独立型）の光学デバイスを含んでよい。例えば、製造業者(manufacturer)は、体積変化基板に結合される湾曲した画像センサチップの組み合わせを含む光学デバイスを組立加工してよい。製造業者は、そのような光学デバイスを、光学系を製造する他の製造業者に供給してよい。光学デバイスは、そのような光学系中に組み込まれてよい。
【００２６】
様々な例示的な実施態様において、体積変化基板に結合される平面的な画像センサチップの組み合わせは、体積変化基板を化学的又は物理的なプロセスに晒すことによって平面的な画像センサチップを曲げ或いは形作る製造業者に提供されてよい、スタンドアローンの光学デバイスを含んでよい。製造業者は、光学デバイスを、レンズ系又は他の光学系中に組み込んでよく、或いは、結果として得られる湾曲した画像センサチップを、湾曲した画像センサチップを含む光学系を組立加工することがある他の製造業者に引き続き提供してよい。
【００２７】
図１乃至１１を更に参照して、様々な例示的な実施態様を記載する。
【００２８】
（例示的な環境）
図１は、様々な例示的な実施態様に従った画像センサチップ１００の頂面図である。画像センサチップ１００は、半導体基板１０２を含み、感光部分１０４が半導体基板１０２の上に組み立てられる。ＣＣＤアレイであってよい感光部分１０４は、例えば、１つ又はそれよりも多くの感光要素１０６を含む。各々のそのような感光要素１０６は、例えば、部分的に、感光部分１０４によって生成される、画像の画素（ピクセル）に対応してよい。感光部分１０４をアクティブ領域は光エネルギを電気エネルギ又は電気信号に変換し得る「アクティブ領域」(“active  region”)と呼ぶことがある。その他のことが記されない限り、「光」(“light”)という用語は、スペクトルのいずれかの部分における電磁エネルギを指す。よって、例えば、光又は光エネルギは、電磁スペクトルの可視部分、赤外（ＩＲ）部分、近赤外（ＮＩＲ）部分、及び紫外（ＵＶ）部分を含む。
【００２９】
非アクティブ領域１０８(inactive  region)が、少なくとも部分的に、感光部分１０４を取り囲んでよい。感光要素がなくてよい非アクティブ領域１０８は、感光部分１０４を作動させるための、様々な回路要素、導電性トレース等を含んでよい。例えば、感光部分１０４がＣＣＤアレイであるならば、非アクティブ領域１０８は、ＣＣＤ要素の行列を制御する回路構成を含んでよい。感光部分１０４及び非アクティブ領域１０８の各々は、画像センサチップ１００の領域の任意の部分を占めてよい。感光部分１０４は、例えば、任意のアスペクト比（例えば、幅対高さ）を有する正方向又は長方形であってよい。
【００３０】
半導体基板１０２は、そのような要素の組み合わせを含む、任意の数の要素を含んでよく、それらのいずれかは、追加的な不純物（例えば、ドーパント）を含むことがある。例えば、半導体基板１０２は、シリコン又はゲルマニウムであってよい。幾つかの実施例において、画像センサチップ１００の厚さは、約５〜１０ミクロンから最大１ミリメートルに及んでよい。画像センサチップ１００の幅又は長さは、約５ミリメートルから最大２５ミリメートルの範囲内にあってよい。
【００３１】
画像センサチップ１００は、画像センサチップ１００に特別な仕方で光をもたらす光学系内に組み込まれてよい。例えば、幾つかの実施において、レンズ系は、画像センサチップ１００の場所と一致する焦点平面を有するように構成されてよい。具体的な実施において、レンズ系は、画像センサチップ１００の湾曲バージョンの湾曲表面と一致する焦点表面を有するように構成されてよい。他の実施において、レンズ系は、画像センサチップ１００の焦点距離と一致する焦点距離を有するように構成されてよい。光学系の光学要素（例えば、レンズ及び／又はミラー）は、少なくとも部分的に、焦点距離及び焦点平面の場所を決定してよい。具体的には、感光部分１０４に光をもたらす光学系の部分が、少なくとも部分的に、感光部分１０４の大きさ、感光部分１０４の解像度、及び光学系の残部に対する感光部分１０４の位置付けのような、感光部分１０４の具体的な詳細に基づき、設計されてよい。光学系の性能は、光学要素の間の光学的な相互作用を示す、光学系の全体的な設計並びに光学系の各々の光学要素の設計に依存する。例えば、１つのレンズの光出力は、後続のレンズの光入力であってよい。一般的に、光学要素及び互いに対するそれらの配置の品質は、解像度（例えば、画素に対応するＣＣＤ要素のような感光要素１０６の密度）増大するに応じて、増大する。例えば、そのような品質は、少なくとも部分的に、構造収差及び光学収差、光透過又は反射、光均一性、位置付け等を非限定的に含む、個々の光学要素のパラメータに基づくことがある。
【００３２】
図２は、様々な例示的な実施態様に従った、画像センサチップ２０４と体積変化基板２０６とを含む構成２０２の中立軸２００を例示する側面図である。体積変化基板２０６が化学的又は物理的な反応に応答して膨張するときに、力２０８が画像センサチップ２０４に加えられる。中立軸２００は、圧縮中の材料から引張状態にある材料を分離する仮想表面である。例えば、力２０８に応答して、体積変化基板２０６は、中立軸２００より上で圧縮状態にあってよく、中立軸より下で引張状態にあってよい。画像センサチップ２０４は、それが引張状態にあるよう、中立軸２００より下に位置してよい。他の実施例において、基板膨張プロセスは、圧縮性の画像センサチップ２０４上で局所的な曲げモーメントを生むことがある。よって、純粋な曲げ応力は、専ら圧縮性であることがある。しかしながら、十分な体積膨張が生み出されず、他の力を用いて曲げ反応を防止するならば、基板膨張と関連を有する機械的アセンブリは付勢されて正味張力になることがある。そのような他の力は、型のような、機械的拘束又は表面圧力であることがある。画像センサチップ２０４の場所に対する中立軸２００の場所は、画像センサチップ２０４の曲げの量に影響を及ぼすことがある。中立軸２００の場所及び「形状」は、少なくとも部分的に、体積変化基板２０６の配置、厚さ、及び／又は形状、並びに、画像センサチップ２０４の剛性及び厚さのような、多数の要因に依存することがある。よって、加工業者は、少なくとも部分的に、これらの要因に基づき中立軸２００をどこに配置するかを制御してよい。例えば、体積変化基板２０６の剛性を増大させることは、中立軸２００をますます画像センサチップ２０４に向かって（場合によっては画像センサチップ２０４内に）位置付けることがある。体積変化基板２０６の剛性は、少なくとも部分的に、体積変化基板２０６の厚さ及び材料に依存することがある。
【００３３】
図３乃至５は、幾つかの例示的な実施態様に従った、画像センサチップ１００のような、画像センサチップを曲げる或いは形作る例示的なプロセスの様々な部分を例示している。そのようなプロセスは、手動で（例えば、人間によって）、自動的に（例えば、機械によって）、或いはそれらの組み合わせのいずれかで、あらゆる実体によって行われてよい。本明細書では、例えば、製造業者(manufacturer)、組立業者(assembler)、加工業者(fabricator)、建設業者(builder)であってよい、そのような実体を、「加工業者」(“fabricator”)と呼ぶ。そのようなプロセスは、複数（例えば、数十、数百、又は数千）の画像センサチップが同時に形作られることがある、バッチ処理を含んでよい。
【００３４】
図３は、様々な例示的な実施態様に従った、画像センサチップ３０２と体積変化基板３０４とを含む構成３００の側面図である。画像センサチップ３０２は、例えば、図１に例示する感光部分１０４と同一又は類似であってよい、感光部分３０６を含む。幾つかの実施態様において、体積変化基板３０４は、画像センサチップ３０２の第１の表面３０８に結合され、積層され、或いはその他の方法で連結される。加工組立業者は、接着特性を有してよいインターフェース層３１０を用いて、そのような連結を行ってよい。しかしながら、幾つかの実施において、接着性インターフェース層は用いられなくてよい。その場合には、体積変化基板３０４を画像センサチップ３０２に直接的に連結してよい。
【００３５】
第１の表面３０８は、画像センサチップ３０２の感光部分である感光部分３０６を含む第２の表面３１２の反対側にある。第２の表面３１２は、例えば、図１に例示する非アクティブ領域と同一又は類似であってよい非アクティブ領域３１４も含んでよい。矢印３１６は、画像センサチップ３０２が受光するように構成される入射光の方向を示している。
【００３６】
画像センサチップ３０２のエッジ３１８は、体積変化基板３０４のエッジ３２０と一致してもしなくてもよい。幾つかの実施において、体積変化基板３０４は、画像センサチップ３０２のエッジ３１８を越えて延びてよい。他の実施において、画像センサチップ３０２は、体積変化基板３０４のエッジ３２０を越えて延びてよい。
【００３７】
膨張中、体積変化基板３０４は、画像センサチップ３０２で応力及びひずみを生じさせる力を生成することがある。比較的薄い画像センサチップ３０２の全体的なひずみ状態に対する曲げひずみの寄与は、より厚い画像センサチップと比べて、より少ないことがある。一般的に、曲げひずみ及び伸張ひずみの組み合わせは、画像センサチップ３０２を曲げ或いは形作ることがある。加工業者は、画像センサチップが機械的に強く、亀裂又は座屈を発生させないで曲げのために十分なひずみが適用されるのを可能にするよう、画像センサチップ３０２のための厚さを選択してよい。幾つかの具体的な実施において、画像センサチップ３０２は、約３〜約１０ミクロンの範囲内のデバイス層厚さを有するシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）ウエハで組立加工されるＣＭＯＳセンサを含んでよい。
【００３８】
体積変化基板３０４は、化学的又は物理的な反応の結果として膨張する任意の数の材料を含んでよい。そのような材料は、ほんの数例を挙げるだけでも、金属合金、アルミニウム、チタン、ポリマ、又はエラストマを含んでよい。化学的又は物理的な反応は、体積変化基板３０４を数多くの特定の化学薬品又は要素のうちのいずれかに晒すこと、並びに／或いは体積変化基板３０４に電流を適用することを含んでよい。
【００３９】
幾つかの実施において、体積変化基板３０４の初期的な（例えば、体積膨張前の）厚さは、画像センサチップ３０２に亘って実質的に一定であってよい。他の実施では、図３に例示するように、体積変化基板３０４の初期的な厚さは、画像センサチップ３０２に亘って異なってよい。幾つかの実施例において、体積変化基板３０４の厚さは、ほぼ画像センサチップ３０２の厚さから最大で画像センサチップよりも約２５ミクロンよりも大きい厚さの範囲内にあってよい。他の実施例において、体積変化基板３０４の厚さは、画像センサチップ３０２の厚さよりも、少なくとも数倍大きくてよい。具体的な実施例として、画像センサチップ３０２は、約５〜１０ミクロンの厚さであってよく、体積変化基板３０４は、約２５〜１００ミクロンの厚さであってよい。他の実施例において、画像センサチップ３０２の厚さは、１０ミクロンよりも大きくてよく、体積変化基板３０４は、画像センサチップ３０２よりも少なくとも数倍厚くてよい。
【００４０】
幾つかの例示的な実施態様において、加工組立業者は、体積変化基板３０４の層厚さを調整することによって、画像センサチップ３０２の局所的な曲率を制御してよい。例えば、そのような層厚さは、有限要素シミュレーション又は実験によって決定されてよい。従って、画像センサチップ３０２の形状を制御して、所望の湾曲の大きさ（例えば、湾曲の局所的な半径）及び全体形状（例えば、放物線状又は球状）を達成してよい。
【００４１】
インターフェース層３１０は、体積変化基板３０４を画像センサチップ３０２に接着してよく、画像センサチップ３０２からの体積変化基板３０４内の体積ひずみを少なくとも部分的に緩衝して、大きな界面応力が生じるのを防止してもよい。例えば、そのような緩衝がないならば、体積ひずみは、画像センサチップ３０２に対する体積変化基板３０４の界面に亘って増大し、スポーリング(spalling)又は亀裂(cracking)による画像センサチップの起こり得る故障を引き起こす。緩衝は特に有益である。何故ならば、体積変化基板３０４は有意な膨張（ひずみ）を受けることがあり、画像センサチップ３０２は如何なるひずみも受けないことがあるからである。従って、膨張した基板とセンサとの間の境界で、ひずみ不整合(mismatch)が起こることがあり、ひずみ不整合は、画像センサチップ３０２を剥離させ或いは破損させるように作用することがある局所的な応力をもたらす。インターフェース層３１０は、比較的高い局所的な応力を防止しながら、画像センサチップ３０２内に応力を移すのに十分な、接着特性及び弾力特性を有してよい。幾つかの実施において、インターフェース層３１０は、例えば、エポキシ又はポリウレタンのような、熱硬化接着剤を含んでよい。他の実施において、インターフェース層３１０は、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）又はポリスルホンポリマのような、熱可塑性プラスチックを含んでよい。そのような材料又は他のインターフェース層材料は、応力に晒されながら完全性(integrity)及び／又は接着を維持する、剛性、機械的強度、及び接着の適切な組み合わせを有することがある。幾つかの場合、加工業者は、画像センサチップ３０２の第１の表面３０８に並びに／或いは体積変化基板３０４に表面処理を適用して、画像センサチップ３０２と体積変化基板３０４との間の十分な接着強度を達成してよい。そのような表面処理は、例えば、プラズマ処理、酸洗(acid  wash)若しくは基本洗浄(base  wash)、及び／又は、例えば、シラン接着促進剤のような、界面処理を含んでよい。
【００４２】
幾つかの例示的な実施態様において、加工業者は、堆積プロセスによって体積変化基板３０４を画像センサチップ３０２の上に配置してよい。加工業者は、例えば、スピンコーティング、蒸着(vapor  deposition)、スパッタリング等のような、任意の数の堆積技法(deposition  techniques)を用いてよい。幾つかの実施において、加工業者は、体積変化基板３０４のための材料をインターフェース層の上に堆積させる前に、（例えば、堆積、積層、又は接着によって）画像センサチップ３０２の上にインターフェース層３１０を配置してよい。他の実施では、インターフェース層は、体積変化基板３０４が画像センサチップ３０２と直接的に接触するよう、構成３００中に含められなくてよい。その場合、体積変化基板３０４は、画像センサチップ３０２上に直接的に堆積させられてよい。
【００４３】
加工業者は、少なくとも部分的に、材料の化学組成及び化学反応型に基づき、体積変化基板３０４のための材料を選択してよい。例えば、１つの等級(class)の材料は、水素ベースの膨張反応を受けることがある。多くの金属は、特定の圧力及び温度条件の下で水素を吸収し得る。水素膨張のための候補材料は、例えば、チタン、バナジウム、パラジウム、それらの合金、及びＬａＮｉｓ基金属を含む。そのような材料は、実質的な量の水素を受け入れることによって体積的に膨張する。例えば、少なくとも部分的に、材料及び水素挿入条件（例えば、材料を水素ガスに晒す圧力及び／又は温度）に基づき、体積変化基板３０４は、材料の当初の堆積の約１％〜３０％だけ体積的に膨張してよい。
【００４４】
幾つかの具体的な実施例では、加工業者は、画像センサチップ３０２に結合されたチタン箔を水素ガスに晒してよい。結果として得られる水素化反応は、Ｔｉ＋Ｈ２→ＴｉＨ２と表現されてよい。チタン（又は他の材料）は、（水素ガスの）大気圧及び室温で、発熱反応であってよい、そのような反応を受けてよい。しかしながら、高温及び／又は高圧は、反応を速めることがある。いずれの場合にも、そのような反応は、少なくとも部分的に、温度、圧力、膨張の集中、体積変化基板３０４の表面状態等に依存して、約数分から最大数時間以上に及ぶ時間範囲において起こることがある。
【００４５】
幾つかの実施において、加工業者は、膨張剤（例えば、水素ガス）に晒される体積変化基板３０４の表面が水素化反応を受けるのに比較的良好な状態にあるよう、体積変化基板３０４を事前処理してよい。具体的な実施例として、アクティブ化プロセスは、真空において摂氏約２００度で体積変化基板３０４を焼いて、体積変化基板３０４上の表面酸化物を除去することを含んでよい。
【００４６】
幾つかの実施において、加工業者は、完全な水素化反応を許容する必要はない。例えば、加工業者は、体積変化基板３０４の膨張の量を制御する技法として、水素化反応を部分的に行ってよい。幾つかの具体的な実施例として、実質的に完全な水素化反応が体積変化基板３０４の体積膨張を約３０％だけもたらしてよい。他方、部分的な水素化反応を用いて、体積変化材料３０４の体積膨張を０％〜３０％の間の任意の量だけ達成してよい。
【００４７】
体積変化基板３０４は、酸素化反応によって体積膨張を受け得る等級の材料を含んでよい。例えば、電気化学ポテンシャルを材料に印加することによって、アルミニウム及びチタンのような材料を酸化させて、体積膨張をもたらし得る。アルミニウム合金について、そのような酸化は、陽極処理プロセスと類似し或いは同じである。膨張の量は、酸化材料に印加される電圧及び／又は電流を制御することによって、少なくとも部分的に制御可能であってよい。
【００４８】
体積変化基板３０４は、更に、リチウムと化学的に反応することによって体積膨張を受け得る他の等級の材料を含んでよい。そのようなリチウムとの化学反応は、「リチオ化」(“lithiation”)と呼ばれることがある。リチオ化のための候補材料は、シリコン、ゲルマニウム、スズ、インジウム、金属酸化物（例えば、酸化バナジウム）、及び金属リン酸塩（例えば、リン酸鉄）を含む。リチオ化は、例えば、ブチルリチウム又は金属リチウムを用いて行われてよい。幾つかの実施において、加工業者は、リチウム反応の量及び／又は濃度を調節することによって膨張の量を少なくとも部分的に制御してよい。他の実施において、加工業者は、リチオ化中の電気化学ポテンシャルを調節することによって膨張の量を少なくとも部分的に制御してよい。例えば、少なくとも部分的に、材料及びリチオ化条件に依存して、体積変化基板３０４は、材料の当初の量の約１％〜３００％だけ体積膨張してよい。
【００４９】
体積変化基板３０４は、水化又は溶媒和によって体積膨張を受け得る更に他の等級の材料を含んでよい。水化又は溶媒和のための候補材料は、例えば、ブチルゴムのような、幾つかのポリマ及びエラストマを含む。体積変化材料のこれらの及びいずれか他の等級が基板のために用いられてよい。
【００５０】
図４は、様々な例示的な実施態様に従った、湾曲した画像センサチップ４０２と、体積変化基板４０４と、反応容器４０６とを含む、システム４００の側面図である。例えば、湾曲した画像センサチップ４０２は、体積変化基板３０４から体積膨張させられてよい体積変化基板４０４の体積膨張に続き、図３に例示した平坦な画像センサチップ３０２と同一又は類似でよい。例えば、体積変化基板３０４は、第１の厚さプロファイルを有し、体積変化基板４０４は、第１の厚さプロファイルと異なる第２の厚さプロファイルを有する。反応容器４０６は、画像センサチップを同時に形作るバッチ処理のために複数の湾曲した画像センサチップ４０２を収容するほど十分に大きくてよい。
【００５１】
体積変化基板４０４の体積膨張は、画像センサチップ４０２に亘って非均一に作用する力４０８を生成することがある。従って、力４０８は、センサチップ４０２を所望の球面、非球面、又は他の形状に変形させることがある曲げ応力を引き起こす。具体的には、画像センサチップ４０２の残余の部分が変形するときに、感光領域４１０が変形することがある。
【００５２】
体積変化基板４０４の体積膨張によって誘発される湾曲の形状及び量は、数多くの要因によって少なくとも部分的に制御されてよい。例えば、体積変化基板４０４への膨張の挿入の量は、体積膨張の量に影響を及ぼすことがある。そのような挿入の量は、少なくとも部分的に、例えば、プロセスに含まれる温度、圧力、及び電圧のような、多数のプロセスパラメータに依存することがある。他の例として、体積変化基板４０４（又は体積変化基板３０４）の厚さプロファイルは、体積変化基板４０４の体積膨張の量に影響を及ぼすことがあり、以下に議論する。更に他の例として、マスク及び／又は電極パターンが、体積変化基板４０４の体積膨張の量に影響を及ぼすことがある。体積変化基板４０４の特定の領域をマスキングすることは、膨張剤の吸収を阻止し或いは減少させ、よって、体積変化基板４０４の局所的な膨張を解消し或いは減少させ、且つ画像センサチップ４０２の湾曲を減少させる。同様に、電極を体積変化基板４０４の特定の領域に配置することによって、電気化学的に引き起こされる膨張反応は、体積変化基板４０４の所望の局所的な領域に制約されることがある。体積変化基板４０４の体積膨張によって誘発される湾曲の形状及び量は、画像センサチップ４０２の特定の領域への体積変化基板４０４の材料の体積を制限することによって、少なくとも部分的に制御されることもある。
【００５３】
反応容器４０６は、体積膨張を引き起こす幾つかの化学的又は物理的な反応のために用いられなくてよい。しかしながら、他の化学的又は物理的な反応のために、反応容器４０６は、様々な圧力及び／又は温度で１つ又はそれよりも多くの膨張剤を収容してよい。例えば、反応容器４０６は、反応容器４０６の内側に制御された圧力をもたらすよう弁（図示せず）を備える加圧ガス容器又はポンプを含んでよい。他の実施例において、反応容器４０６は、反応容器４０６の内側の温度を制御するよう加熱要素（図示せず）を含んでよい。幾つかの実施において、反応容器４０６は、センサ湾曲及び／又は膨張の速度をモニタリングするようセンサ４１２を含んでよい。そのようなセンサは、体積変化基板４０４の体積変化によって誘発される曲げを受ける１つ又はそれよりも多くの画像センサチップ４０２の上に集束される、カメラを含んでよい。他の実施例において、カメラは体積変化基板４０４の上に集束されてよい。人間の操作者は、そのようなカメラによって生成される画像を観察することによって、画像センサチップ４０２の湾曲及び／又は体積変化基板４０４の体積をモニタリングしてよい。マシンビジョンを代わりに用いて、そのようなカメラのデジタル画像を解析して、画像センサチップ４０２の湾曲及び／又は体積変化基板４０４の体積を自動的にモニタリングしてよい。更に他の実施例において、センサ４１２は、特定の体積変化基板及び／又は特定の画像センサチップ４０２の上に配置されるひずみ計を含んでよい。（画像センサチップ４０２を使用不能にすることがある）付属のひずみ計を備えるそのような特定の体積変化基板及び／又は特定の画像センサチップは、例えば、バッチプロセスにおける複数の画像センサチップ４０２の中の犠牲サンプルであってよい。画像センサチップ４０２及び／又は体積変化基板４０４の撓み及び／又は湾曲を測定する方法を用いて、成形プロセスを所望の量の膨張に限定してよい。例えば、多数のインターカレーション(intercalation)及び膨張反応が、（例えば、反応容器４０６内の温度、圧力、又は電圧を下げることのような）膨張をオンデマンド式に停止させるプロセス変数によって制御されてよい。
【００５４】
水素化反応を含む幾つかの実施において、反応容器４０６は、水素が寸お圧力レベルを制御する調整器（図示せず）を含んでよい。加工業者は、反応容器４０６の内側で定圧で水素ガスの温度を上昇させてよい。そのような条件の下で、水素は体積変化基板４０４内に移動して、膨張反応を引き起こし、そして、画像センサデバイス４０２湾曲を減少させることがある。
【００５５】
化学反応を含む幾つかの実施において、（体積膨張の量を少なくとも部分的に決定する）体積変化基板４０４内への膨張剤の挿入の速度及び量は、体積変化基板４０４を晒す膨張剤（例えば、ブチルリチウム）の割合及び濃度によって制御されてよい。
【００５６】
電気化学プロセスを含む幾つかの実施において、反応容器４０６は、電解質（固体又は液体）と、体積変化基板４０４と接触する一対の電極と、例えば、インターカラント（例えば、溶液中のＬｉイオン）のような、膨張剤源とを含んでよい。反応容器４０６内の環境を制御して、Ｌｉと水又は酸素との間の反応を防止するのを助けてよい。加えて、反応容器４０６は、精密な量の電圧又は電流を供給して体積変化基板４０４内へのイオンの挿入を制御し得る、電気源（例えば、電圧源又は電流源）を含んでよい。
【００５７】
幾つかの例示的な実施態様では、体積変化基板４０４の体積膨張の前に、間に、又は後に、加工業者は、湾曲した画像センサチップ４０２と体積変化基板４０４とを含む構成４１４に１つ又はそれよりも多くの力を適用して、湾曲した画像センサチップ４０２の形状に形成型４１８の成形させられた表面４１６の形状を持つようにさせてよい。換言すると、加工業者は、湾曲した画像センサチップ４０２が変形して成形させられた表面４１６の形状になるよう、構成４１４及び形成型４１８を一緒に圧搾してよい。形成型４１８は、体積変化基板４０４の体積膨張に起因する変形が均一に起こるのを助ける。一般的に、比較的大きなレベルの誘発させられる湾曲で、薄いシェルが、球面の種類の湾曲ではなく、円筒形の（例えば、１軸の）湾曲に戻る、不安定性が生じることがある。そのような不安定性を防止するのを助けるために、ポジ形状の表面(positive-shape  surface)を含む形成型４１８が感光領域４１０に近接近して配置されてよい。
【００５８】
図５は、幾つかの例示的な実施態様に従った、成形させられた画像センサチップ５０２と形状変化基板５０４とを含むセンサモジュール５００の側面図である。センサモジュール５００は、図４に例示する構成４１４と同一又は類似であってよい。成形させられた画像センサチップ５０２は、ほんの数例を挙げるだけでも、球面、放物線状、非球面、又は１つ若しくはそれよりも多くの反曲点を有する複合形状であってよい。成形させられた画像センサチップ５０２は、感光部分５０６を含む。センサモジュール５００は、例えば、光学系内に組み込み得るスタンドアローンの光学デバイスであってよい。具体的には、加工業者は、センサモジュール５００を組み立て、センサモジュール５００を（加工業者と同じ実体であってよい）組立業者に提供してよい。組立業者は、センサモジュール５００を、光学系内に組み込まれてよい画像センサとして用いてよい。
【００５９】
図６は、多数の例示的な実施態様に従った、体積変化基板の中心領域の周りで同心状に異なる厚さを有する体積変化基板６００の頂面図である。体積変化基板６００の厚さは、体積変化基板６００に取り付けられる（例えば、結合される或いは接着される）画像センサチップ（図６に示されていない）の曲げの形状に影響を与える特別な仕方において異なってよい。等値線６０２(iso-lines)は一定の厚さの線を示す。隣接する等値線６０２の間の間隔は異なってよく、変化する厚さを示す。例えば、互いに比較的近く離間する等値線６０２は、厚さが（Ｒによって示す）半径方向において比較的短い距離に亘って素早く変化することを示す。同心状の等値線６０２は、体積変化基板６００の厚さが径方向において対称的に異なることを示す。従って、加工業者は、画像センサチップを球面の形状（例えば、等しい間隔を有する同心状の等値線）、非球面又は放物線状の形状（例えば、等しくない間隔を有する同心状の等値線）、又はより複雑な形状（例えば、特異な間隔を有する非同心状の等値線）に形成するために、そのような方法において異なる厚さを有する体積変化基板６００を用いてよい。
【００６０】
図７及び８は、様々な例示的な実施態様に従った、湾曲した画像センサチップの感光部分の形状を例示する断面図である。図７では、湾曲した画像センサチップ７０２の感光部分７００が、球面又は非球面の形状を有する。そのような形状は、反射地点を有さない。感光部分７００は、凹面である。他方、図８に例示するように、湾曲した画像センサチップ８０２の感光部分８００は、１つ又はそれよりも多くの反射地点を含む複雑な形状を有する。感光部分８００の部分は、球面又は非球面の形状を含んでよい。そのような複雑な形状は、多数の光学系において有用なことがある。上述のような体積変化基板を、適用される力及び／又はトルクとの組み合わせにおいて設計して、感光部分８００の複雑な形状をもたらしてよい。
【００６１】
図９は、様々な例示的な実施態様に従った、体積変化基板９０２に取り付けられる、湾曲した画像センサチップ９００の湾曲を例示する、断面図である。体積変化基板に結合される湾曲した画像センサチップの組み合わせは、引き続き光学系内に組み込まれてよい、スタンドアローンの光学デバイスを含んでよい。そのような光学系の光学軸９０４が、画像センサチップ９００に関して示されている。体積変化基板の寸法及び体積は、光学系にとって或いは膨張剤のない場合に典型的である環境条件（例えば、室温、大気圧）の下で、（例えば、数十年以上）一定なままであってよい。例えば、体積変化基板９０２の体積膨張をもたらす水素化反応は発熱性であってよい。従って、体積膨張した基板は、比較的化学的及び物理的に安定的である。
【００６２】
少なくとも部分的に、画像センサチップ９００の湾曲した形状に基づく、画像センサチップ９００の焦点距離は、画像センサチップ９００が光学系内に組み込まれるときに、有意な要因であることがある。画像センサチップ９００の形状が実質的に球面であるとき、画像センサチップ９００の書店距離は、画像センサチップ９００の曲率半径Ｒの逆と少なくとも略等しい。画像センサチップ９００が非球面の形状を有するならば、画像センサチップ９００の曲率半径は、光学軸９０４からの距離に応じて変化する。画像センサチップ９００を含む光学系は、そのような可変な曲率半径に適合するように設計されてよい。
【００６３】
図１０は、様々な例示的な実施態様に従った、画像センサモジュール１００２と、レンズアセンブリ１００４とを含む、光学系１０００の断面図である。具体的には、画像センサモジュール１００２は、湾曲した画像センサチップ１００６及び体積変化基板を含む。湾曲した画像センサチップ１００６は、感光部分１０１０を含む。湾曲した画像センサチップ１００６及び体積変化基板１００８は、それぞれ、図３に例示した湾曲した画像センサチップ３０２及び体積変化基板３０４と類似又は同一であってよい。幾つかの実施態様において、体積変化基板１００８は、湾曲した画像センサチップ１００６の湾曲した形状を維持するよう十分に剛的であってよい。
【００６４】
湾曲した画像センサチップ１００６（又は感光部分１０１０）は、焦点距離を生じさせる形状を有してよい。そのような焦点距離は、画像センサモジュール１００２を光学系１０００内に配置するときに考慮されてよい。具体的には、レンズアセンブリ１００４は、光１０１２を受光し、光に対して光学的に影響を及ぼし、且つ湾曲した画像センサチップ１００６の上に画像を集束させる光出力１０１４を生成するように、設計されてよく、湾曲した画像センサチップ１００６は、レンズアセンブリ１００４からある距離１０１６にあってよい。距離１０１６は、湾曲した画像センサチップ１００６の焦点距離と少なくとも略等しくてよい。幾つかの実施態様において、湾曲した画像センサチップ１００６の焦点距離の逆は、湾曲した画像繊細チップ１００６の曲率半径と少なくとも略等しくてよい。レンズアセンブリ１００４及び画像センサモジュール１００２は、光学軸１０１８に沿って整列させられてよい。
【００６５】
図１１は、幾つかの例示的な実施態様に従った、画像センサチップを曲げるプロセス１１００を例示するフロー図である。例えば、そのような画像センサチップは、図３に示す画像センサチップ３０２と同一又は類似であってよい。プロセス１１００は、図３乃至５に描写するプロセスと類似又は同一であってよく、加工業者によって行われてよい。ブロック１１０２で、加工業者は、画像センサチップの第１の表面の上に基板を配置してよく、画像センサチップの第１の表面は、画像センサチップの第２の表面の反対側にあり、画像センサチップの第２の表面は、受光する光に応答して電気信号を生成する光センサを含む。ブロック１１０４で、加工業者は、画像センサチップの上に力を加えて湾曲した画像センサチップをもたらすよう、基板の体積を変更してよい。
【００６６】
（例示的な節）
Ａ．画像センサチップの第１の表面の上に基板を配置するステップであって、前記第１の表面は、画像センサチップの第２の表面の反対側にあり、画像センサチップの第２の表面は、受光する光に応答して電気信号を生成する光センサを含む、ステップと、画像センサチップの上に力を加えて湾曲した画像センサチップをもたらすよう、基板の体積を変更するステップとを含む、方法。
【００６７】
Ｂ．湾曲した画像センサチップの前記第２の側面は、凹球面又は非球面の形状を有する、段落Ａに記載する方法。
【００６８】
Ｃ．画像センサチップの第１の表面の上に基板を配置するステップは、インターフェース層を用いて画像センサチップの第１の表面を基板に連結するステップを含む、段落Ａ及びＢのうちのいずれかに記載する方法。
【００６９】
Ｄ．基板は、金属合金を含み、基板の体積を変更するステップは、基板を水素に晒して、基板が水素を吸収するのを許容するステップを含む、段落Ａ乃至Ｃのうちのいずれかに記載する方法。
【００７０】
Ｅ．基板は、金属合金を含み、基板の体積を変更するステップは、基板の少なくとも部分に電流を適用して、酸素化反応を行うステップを含む、段落Ａ乃至Ｃのうちのいずれかに記載する方法。
【００７１】
Ｆ．金属合金は、アルミニウム又はチタンを含む、段落Ａ乃至Ｄのうちのいずれかに記載する方法。
【００７２】
Ｇ．基板の体積を変更するステップは、リチオ化プロセスにおいて基板をリチウム基の化学薬品に晒すステップを含む、段落Ａ乃至Ｃのうちのいずれかに記載する方法。
【００７３】
Ｈ．基板は、ポリマ又はエラストマを含み、基板の体積を変更するステップは、水化プロセス又は溶媒和プロセスにおいて基板を１つ又はそれよりも多くの化学薬品に晒すステップを含む、段落Ａ乃至Ｃのうちのいずれかに記載する方法。
【００７４】
Ｉ．基板の体積を変更するステップは、制御された温度、圧力、又は電圧を前記基板の特定の部分に適用するステップを含む、段落Ａ乃至Ｃのうちのいずれかに記載する方法。
【００７５】
Ｊ．基板の体積を変更するステップ前に、基板は、第１の厚さプロファイルを有し、基板の体積を変更するステップの後に、基板は、第１の厚さプロファイルと異なる第２の厚さプロファイルを有する、段落Ａ乃至Ｃのうちのいずれかに記載する方法。
【００７６】
Ｋ．画像センサの前記第２の表面に隣接して形成型を配置するステップを更に含む、段落Ａ乃至Ｃのうちのいずれかに記載する方法。
【００７７】
Ｌ．第１の側面と、第１の側面の反対側にある第２の側面とを有し、第２の側面は、受光する光に応答して電気信号を生成する光センサを含む、湾曲した画像センサチップと、湾曲した画像センサチップの第１の側面を覆い、水素化金属を含む、基板とを含む、装置。
【００７８】
Ｍ．湾曲した画像センサチップの前記第２の側面は、凹球面又は非球面の形状を有する、段落Ｌに記載する装置。
【００７９】
Ｎ．水素化金属は、水素化チタン又は水素化バナジウムを含む、段落Ｌ及びＭのうちのいずれかに記載する装置。
【００８０】
Ｏ．基板を湾曲した画像センサチップの第２の側面に連結するインターフェース層を更に含む、段落Ｌ乃至Ｎのうちのいずれかに記載する装置。
【００８１】
Ｐ．湾曲した画像センサチップは、湾曲した画像センサチップの第２の側面の逆の焦点距離と少なくとも略等しい曲率半径を有する、段落Ｌ乃至Ｏのうちのいずれかに記載する装置。
【００８２】
Ｑ．１つ若しくはそれよりも多くのレンズ又はミラーと、第１の側面と、第１の側面の反対側にある第２の側面とを有し、第２の側面は、１つ若しくはそれよりも多くのレンズ又はミラーから受光する光に応答して電気信号を生成する光センサを含む、湾曲した画像センサチップと、湾曲した画像センサチップの第２の側面を覆い、水素化金属を含む、基板とを含む、システム。
【００８３】
Ｒ．基板は、基板による１つ若しくはそれよりも多くの膨張させる化学薬品の吸収を少なくとも部分的に妨げるマスク領域を含む、段落Ｑに記載するシステム。
【００８４】
Ｓ．湾曲した画像センサチップは、湾曲した画像センサチップの第２の側面の逆の焦点距離と少なくとも略等しい曲率半径を有する、段落Ｑ及びＲのうちのいずれかに記載するシステム。
【００８５】
Ｔ．画像センサチップは、シリコン又はゲルマニウムを含む、段落Ｑ乃至Ｓのうちのいずれかに記載するシステム。
【００８６】
（結論）
構造的な構成及び／又は方法論的な行為に特異な言語において主題を記載したが、付属の請求項において定められる主題は記載する特異な構成または行為に必ずしも限定されないことが理解されなければならない。むしろ特異の構成及びステップは、請求項を実施する例示的な形態として開示される。
【００８７】
上述の方法及びプロセスの全ては、１つ又はそれよりも多くの汎用コンピュータ又はプロセッサによって実行されるソフトウェアコードモジュールを介して完全に自動化されて具現されてよい。コードモジュールは、任意の種類のコンピュータ可読媒体、コンピュータ記憶媒体、又は他のコンピュータ記憶デバイス内に格納されてよい。方法の一部又は全部は、代替的に、例えば、量子コンピュータ又は量子アニーリング装置(annealer)のような、特殊なコンピュータハードウェアにおいて具現されてよい。
【００８８】
とりわけ、「できる」(“can”)、「できた」(“could”)、「〜してよい」(“may”)又は「〜ことがある」(“may”)のような、条件的な言語は、特段の断りのない限り、特定の実施例が特定の構成、要素、及び／又はステップを含むが、他の実施例がそれらを含まないことを伝える文脈内で理解される。よって、そのような条件的な言語は、特定の構成、要素、及び／又はステップが、１つ又はそれよりも多くの実施例のためにいずれにしても必要とされること、或いは、１つ又はそれよりも多くの実施例が、使用者入力又は使用者プロンプトを伴って或いは伴わないで、特定の構成、要素、及び／又はステップがいずれかの特定の実施例に含まれるか又はいずれかの特定の実施例において行われるべきかを決定する論理を必ず含むことを暗示することを、概して意図しない。
【００８９】
「Ｘ、Ｙ、又はＺのうちの少なくとも１つ」のような接続言語は、特段の断りのない限り、ある品目、用語等が、Ｘ、Ｙ、Ｚ、又はそれらの組み合わせのいずれかであることを伝えるものと理解されるべきである。
【００９０】
本明細書中で記載する或いは添付の図面中に描写するフロー図中のあらゆる慣例的な記述、要素、又はブロックは、慣例における具体的な論理機能又は要素を実施するための１つ又はそれよりも多くの実行可能な指令を含むコードの部分、セグメント、又はモジュールを潜在的に表すものとして理解されなければならない。代替的な実施が、本明細書中に記載する実施例の範囲内に含められ、それらの要素又は機能は、当業者によって理解されるものとして含められる機能性に依存して、実質的に同時又は逆の順序を含んで、図示され或いは議論されたものから削除され或いはバラバラの順序で実行されてよい。
【００９１】
多くの変形及び修正が上述の実施例に対して行われてよく、それらの要素は、他の許容される実施例の中にあるものとして理解されるべきであることが強調されなければならない。全てのそのような修正及び変形は、この開示の範囲内で本明細書中に含まれ且つ後続の請求項によって保護されることが意図される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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