(57)【要約】【課題】入力ビームの偏光状態に与える効果を最小にする光線集束光学系。【解決手段】試料上に電磁放射線のビームを集束させる出力ビーム(OB)を生成するという実用性を持つ反射型集束光学系(RFO)であって（この光学系に入力される入力ビーム(IB)の伝播経路の方向とは異なる方向に集束させることも可能)、好ましくは、凸面(M3)と凹部(M4)の両方の鏡面を有し、関与する様々なミラー(M1), (M2), (M3), (M4)への入射角及び出射角の調節に基づく偏光の入力ビームの偏光状態に与える効果を最小にすることができる反射型集束光学系(RFO)。【選択図】図１
2017518509.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学測定用試料(SAM)表面の位置に電磁放射線の集束ビーム(FB)を供給するためのシステムであって、
当該システムは、順次ミラー(M1), (M2), (M3), (M4)を含む反射型集束光学系(RFO)であり、
それぞれの前記４つのミラーは反射面を備え、前記第３(M3)、前記第４(M4)ミラーは、それぞれ凸面、凹面の反射面を有し、
使用中の特定の偏光状態を有する電磁放射線の入力ビーム(IB)は、第１入射面(P1)が、前記入力ビーム(IB)と前記第１(M1)ミラーの反射面から反射されるビームとで形成されるように、当該第１(M1)ミラーに進みその反射面で反射され、
前記第１ミラー(M1)の反射面から反射されたビームは、前記第２ミラー(M2)に進みこの反射面で反射されて、凸面形状の反射面を有する前記第３ミラー(M3)に向けて進み、その中心位置からずれた位置で反射して凹面形状の第４ミラー(M4)に向かい、この反射面で反射されて集束する(FB)出力ビーム(OB)として反射されて、前記光学測定用試料(SAM) 表面に向かうように進み、
凸面形状の反射面を有する前記第３ミラー(M3)の反射面から反射されたビームと、凹面形状の反射面を有する前記第４ミラー(M4)の反射面から反射されたビームとで第２入射面(P2)が形成され、前記第１及び前記第２入射面(P1), (P2)は互いに直交し、
前記４つのミラー(M1), (M2), (M3), (M4)の反射面からの反射の効果は、入力される電磁放射線の特定の偏光状態に与える影響をほぼ最少にし、
そして、前記光学測定用試料(SAM)に照射させる前記集束ビーム(FB)である前記出力ビーム(OB)として提供する。
【請求項２】
請求項１に記載のシステムであって、第１ミラー(M1)及び第２ミラー(M2)は、平面形状の反射面を有する。
【請求項３】
請求項１に記載のシステムであって、第１ミラー(M1)及び第２ミラー(M2)の少なくとも一方が非平面形状の反射面を有する。
【請求項４】
請求項１に記載のシステムであって、第１ミラー(M1)及び第２ミラー(M2)のいずれもが非平面形状の反射面を有する。
【請求項５】
請求項１に記載のシステムであって、入力ビーム(IB)、全ての反射ビーム、及び出力ビーム(OB)は、分光可能な光である。
【請求項６】
請求項１に記載のシステムであって、第１入射面(P1)及び第２入射面(P2)は、反射ビームの中心光線によって定義される。
【請求項７】
請求項１に記載のシステムであって、入力ビーム(IB)、種々の反射ビーム、及び出力ビーム(OB)は、それぞれ少なくとも16ビームから成る断面からなるビームであり、ミラー(M1), (M2), (M3)及び(M4)からの様々な反射が与える偏光状態の計算される全体的な効果は平均化によって到達される。
【請求項８】
請求項１に記載のシステムであって、
前記第３及び第４ミラー(M3),(M4)への電磁光線の入射角は、それぞれθ1とθ2に設定され、前記第１及び第２ミラー(M1), (M2)への電磁光線の入射角は、
a)  (θ1＋θ2)／2°未満
b)  (θ1＋θ2)／2°
c)  (θ1＋θ2)／2°以上
の選択肢から選択して設定されている。
【請求項９】
ａ）  電磁放射線を発生させる光源
ｂ）  偏光状態発生器(PSG)
ｃ）  反射型集束光学系(RFO)システム
ｄ）  光学測定用試料(SAM)を保持するためのステージ(STG)
ｅ）  偏光状態測定器(PSD)
を含む偏光解析装置（ellipsometer）であって、
前記反射型集束光学系(RFO)システムは、
光学測定用試料(SAM)の表面に電磁放射線の集束ビーム(FB)を供給するシステムであって、順次ミラー(M1), (M2), (M3), (M4)を含む反射型集束光学系(RFO)であり、
４つのミラー(M1), (M2), (M3), (M4)はそれぞれ反射面を有し、第３及び第４ミラー(M3), (M4)はそれぞれ凸面、凹面の反射面を有しており、
使用中の特定の偏光状態を有する電磁放射線の入力ビーム(IB)は、第１入射面(P1)が、入力ビーム(IB)と第１ミラー(M1)の反射面で反射されたビームとで形成されるように、第１ミラー(M1)に向けられその反射面で反射され、
そして、
第１ミラー(M1)の反射面から反射されたビームは第２ミラー(M2)に進み、そこで反射されたビームは、凸面形状の第３ミラー(M3)に進み、
その中心位置からずれた位置で反射して凹面形状の第４ミラー(M4)に向かい、
この反射面で反射されて集束する(FB)出力ビーム(OB)として、反射されて光学測定用試料 (SAM) 表面に向かうように進み、
凸面形状の第３ミラー(M3)の反射面から反射されたビームと、凹面形状の第４ミラー(M4)の反射面から反射されたビームとで第２入射面(P2)が形成され、第１及び第２入射面(P1)、(P2)は互いに直交し、
前記４つのミラー(M1), (M2), (M3), (M4)の反射面からの反射の効果は、入力される電磁放射線の特定の偏光状態について、すべての反射からの影響をほぼ最小にし、
そして、光学測定用試料(SAM)に照射させる集束ビーム(FB)である出力ビーム(OB)として提供する。
【請求項１０】
請求項９に記載の偏光解析装置であって、
第１ミラー(M1)及び第２ミラー(M2)の少なくとも一方が非平面形状の反射面を有する。
【請求項１１】
請求項９に記載の偏光解析装置であって、
第１ミラー(M1)及び第２ミラー(M2)の両方が非平面形状の反射面を有する。
【請求項１２】
請求項９に記載の偏光解析装置であって、
入力ビーム(IB)、全ての反射ビーム、及び出力ビーム(OB)は、分光可能な光である。
【請求項１３】
請求項９に記載の偏光解析装置であって、
第１(P1)及び第２(P2)入射面は、反射ビームの中心光線によって定義される。
【請求項１４】
請求項９に記載の偏光解析装置であって、
入力ビーム(IB)、種々の反射ビーム、及び出力ビーム(OB)は、それぞれ少なくとも16ビームから成る断面からなるビームであり、ミラー(M1), (M2), (M3)及び(M4)からの様々な反射が与える偏光状態の計算される全体的な効果は平均化によって到達される。
【請求項１５】
請求項９に記載の偏光解析装置であって、
前記第３及び第４ミラー(M3), (M4)への電磁光線の入射角は、それぞれθ1とθ2に設定され、前記第１及び第２ミラー(M1), (M2)への電磁光線の入射角は、
a)  (θ1＋θ2)／2°未満
b)  (θ1＋θ2)／2°
c)  (θ1＋θ2)／2°以上
の選択肢から選択して設定されている。
【請求項１６】
請求項１に記載のシステム、又は、請求項９に記載の偏光解析装置であって、
ミラー(M1), (M2), (M3), (M4)のそれぞれの反射特性は、ほぼ等しい。
【請求項１７】
請求項１に記載のシステム、又は、請求項９に記載の偏光解析装置であって、
ミラー(M1), (M2), (M3), (M4)は、一種類の材料からなる基板を備え、更に当該基板材料とは異なる少なくとも1つの材料でその基板上にコーティングがなされている。
【請求項１８】
請求項１に記載のシステム、又は、請求項９に記載の偏光解析装置であって、
ミラー(M1), (M2), (M3), (M4)に対してほぼ鏡像の位置に配置される第５(M1'), 第６(M2'), 第７(M3')、及び第８ミラー(M4')を更に備え、当該ミラー(M1'),(M2'),(M3'),(M4')は、前記出力ビームを偏光状態測定器(PSD)に向かわせる。
【請求項１９】
反射型集束光学系(RFO)システムに対して偏光状態に対するビームの多重反射の効果を最小化するキャリブレーション方法であって、
ａ）光学測定用試料(SAM)上の位置に集束ビーム(FB)を供給するためのシステムを提供するステップ
当該集束ビーム(FB)を提供するための当該反射型集束光学系(RFO)システムは、順次第１(M1), 第２(M2), 第３(M3), 第４(M4)ミラーを含んでおり、４つのそれぞれのミラー(M1), (M2), (M3, (M4)は反射面を備え、第３(M3)ミラーは凸面形状の反射面を有し、第４(M4)ミラーは凹面形状の反射面を有し、
使用中の特定の偏光状態を有する電磁放射線の入力ビーム(IB)は、第１入射面(P1)が入力ビーム(IB)と前記第１(M1)ミラーの反射面から反射されるビームとで形成されるように、当該第１(M1)ミラーに進みその反射面で反射され、
第１ミラー(M1)の反射面から反射されたビームは、第２ミラー(M2)に進み、この反射面で反射されて第３ミラー(M3)に向けて進み、その中心位置からずれた位置で反射して凹面形状の第４ミラー(M4)に向かい、この反射面で反射されて集束する(FB)出力ビーム(OB)として反射されて、光学測定用試料 (SAM) 表面に向かうように進み、
第３ミラー(M3)の凸面形状の反射面から反射されたビームと第４ミラー(M4)の凹面形状の反射面から反射されたビームは、第２入射面(P2)を形成し、第１及び第２入射面(P1), (P2)は互いに直交し、
４つのミラー(M1),(M2),(M3),(M4)の反射面からの反射の効果は、入力される電磁放射線の特定の偏光状態に与える影響をほぼ最小にし、そして、光学測定用試料(SAM)に照射させる集束ビーム(FB)である出力ビーム(OB)として提供し、
ｂ）第１(M1),第２(M2)ミラーの反射面の形状を以下の選択肢から選択するステップ
a) 第１(M1), 第２(M2)ミラーの両方が平面鏡である
b) 第１(M1), 第２(M2)ミラーの一方が平面鏡でない
c) 第１(M1), 第２(M2)ミラーの両方が平面鏡でない
ｃ）前記集束する(FB)出力ビーム(OB)の偏光状態をモニタリングして前記入力ビーム(IB)の偏光状態と比較している間、前記第１(M1), 第２(M2), 第３(M3), 第４(M4)ミラーにビームが近づき反射される位置における様々な入射角度を調整するステップ
ｄ）入力ビーム(IB)のそれと比較して集束する(FB)出力ビーム(OB)の偏光状態に関して前記反射型集束光学系(RFO)システムの存在に基づく効果が最少となるように、前記第１(M1), 第２(M2), 第３(M3), 第４(M4)ミラーに関する入射角度の組み合わせを選択するステップ
を含む。
【請求項２０】
請求項１９に記載のキャリブレーション方法であって、
反射型集束光学系(RFO)システムに対して、更に、
第１(M1), 第２(M2), 第３(M3), 第４ミラー(M4)に対してほぼ鏡像の位置に配置される第５(M1'), 第６(M2'), 第７(M3'), 及び第８ミラー(M4')を備え、
当該第５(M1'), 第６(M2'), 第７(M3'), 第８ミラー(M4')は、電磁放射線が当てられる光学測定用試料(SAM)上の位置から延びる垂直面内で、光学測定用試料(SAM)から反射するビームをコリメートして、偏光状態測定器(PSD)に向かわせる。
【請求項２１】
反射型集束光学系システムに対して偏光状態に対するビームの多重反射の効果を最小化するキャリブレーション方法であって、
光学測定用試料(SAM)上の位置に集束ビーム(FB)を提供するためのシステムを提供し、
当該システムは反射型集束光学系(RFO)システムであり、
順次第１(M1), 第２(M2), 第３(M3), 第４(M4)ミラーを含んでおり、当該４つのそれぞれのミラー(M1),(M2),(M3),(M4)は反射面を備え、
第１(M1), 第２(M2)ミラーの反射面の形状は
a) 第１(M1), 第２(M2)ミラーの両方が平面鏡である、
b) 第１(M1), 第２(M2)ミラーの一方が平面鏡でない、
c) 第１(M1), 第２(M2)ミラーの両方が平面鏡でない、
という選択肢から選択され、
前記第３(M3)及び第４(M4)ミラーは、
・第３(M3), 第４(M4)ミラーの反射面は、それぞれ凸面、凹面である、
・第３(M3), 第４(M4)ミラーの反射面は、共に凹面である、
・第３(M3), 第４(M4)ミラーの反射面にいずれか一方は凹面であり、他方は平面である、
という選択肢から選択され、
使用中の特定の偏光状態を有する電磁放射線の入力ビーム(IB)は、第１入射面(P1)が入力ビーム(IB)と前記第１(M1)ミラーの反射面から反射されるビームとで形成されるように、当該第１(M1)ミラーに進みその反射面で反射され、
そして、
第１ミラー(M1)の反射面から反射されたビームは第２ミラー(M2)に進み、そこで反射されたビームは、凸面形状の第３ミラー(M3)に進み、
その中心位置からずれた位置で反射して凹面形状の第４ミラー(M4)に向かい、
この反射面で反射されて集束する(FB)出力ビーム(OB)として、反射されて光学測定用試料 (SAM) 表面に向かうように進み、
凸面形状の第３ミラー(M3)の反射面から反射されたビームと、凹面形状の第４ミラー(M4)の反射面から反射されたビームとで第２入射面(P2)が形成され、第１及び第２入射面(P1), (P2)は互いに直交し、
４つのミラー(M1),(M2),(M3),(M4)の反射面からの４反射の効果は、入力される電磁放射線の特定の偏光状態について、すべての反射からの影響を最小にし、そして、光学測定用試料(SAM)に照射させる集束ビーム(FB)である出力ビーム(OB)として提供され、
更に、当該方法は、使用中に出力ビーム(OB)が入射する光学測定用試料(SAM)を含み、
当該方法は、更に、第１(M1), 第２(M2), 第３(M3), 第４ミラー(M4)に対してほぼ鏡像の位置に配置される第５(M1'), 第６(M2'), 第７(M3')、及び第８ミラー(M4')を備える付加的反射型集束光学系(RFO')を含み、
前記第５(M1'), 第６(M2'), 第７(M3'), 第８ミラー(M4')は、電磁放射線が当てられる光学測定用試料(SAM)上の位置から延びる垂直面内で、光学測定用試料(SAM)から反射するビームをコリメートして、偏光状態測定器(PSD)に向かわせ、
使用中、前記光学測定用試料(SAM)から反射されたビームは、前記第８ミラー(M4')に向けて進み、第７ミラー(M3')に反射され、そこから前記第６ミラー(M2'),第５ミラー(M1')から反射され、その後、前記偏光状態測定器(PSD)の多素子検出器に入力され、第５ミラー(M1')と前記第８ミラー(M4')に関係するそれぞれの入力ビームと出力ビームは、互いに直交する第１及び第２入射面(P1), (P2)を形成し、
当該方法は、更に、利用を想定したコンピュータシステム(CMP)を含み、当該コンピュータシステム(CMP)は、当該システムが提供する作業手順及び光学測定用試料(SAM)に関する数学的モデルがプログラミングされており、
そして、更に当該方法は、
これによって、特定の偏光状態の電磁放射線の入力ビーム(IB)の前記光源(S)が、使用中は、少なくとも1つの入射角の、少なくとも１つの既知の偏光状態の入力ビーム(IB)を発生させ、
当該入力ビーム(IB)を、前記第１ミラー(M1)に向けて進ませ、ここから反射させて、
前記光学測定用試料(SAM)から反射される前に、前記第２(M2),第３(M3),第４(M4)ミラーと相互作用させて、第５(M1'),第６(M2'),第７(M3'),及び第８ミラー(M4')を経由して、偏光状態測定器(PSD)に向けられて多素子検出器を内蔵する検出器(DET)で検出させ、
前記多素子検出器を内蔵する検出器(DET)は、複数波長に対するデータを前記コンピューターに入力し、数学的回帰によって、上述の数学的モデルのパラメータに最適の値を割り当てるための処理が行われる。
【請求項２２】
請求項２１に記載のキャリブレーション方法であって、
前記数学的モデルは、
・前記光学測定用試料の前段に配置される第１(M1), 第２(M2), 第３(M3), 第４(M4)ミラーの各反射面上の何層かの薄膜が与える効果を含めて、各ミラーの反射面の反射特性、
・前記光学測定用試料の前段に配置される、第５(M1'), 第６(M2'), 第７(M3'), 第８ミラー(M4')の反射面の多層膜の効果を含めた反射特性、
・第１(M1), 第２(M2), 第３(M3), 第４(M4), 第５(M1'), 第６(M2'), 第７(M3'), 第８ミラー(M4')へ入力される電磁放射線ビームの入射角、
・前記光学測定用試料の表面上に存在する何層かの薄膜が与える効果を含めて、光学測定用試料表面の反射特性、
・前記光学測定用試料の表面への電磁放射線ビームの入射角、
・電磁ビームに含まれる複数の波長成分を均等に処理する分光、
・検出器に入るビームの中心成分から、入射角及び入射面における逸脱を考慮した電磁ビームのにじみ、
・偏光子、補償子、検光子の効果, 
からの選択される事項を考慮したパラメータを
少なくとも１つ含む。
【請求項２３】
請求項２１に記載のキャリブレーション方法であって、
第３(M3)及び第７(M3')ミラーは凹面鏡とし、電磁放射線ビームはこれらミラーに中心位置からずれた位置から反射させる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、光学測定用試料へ入射させる電磁放射線束の集束に関し、特に、凸面鏡及び凹面鏡を含む反射型集束光学系に関する。この光学系は、関与する様々な反射鏡への入射角及び出射角の調節に基づく偏光に与える関与が、この光学系に入力される入力ビームの偏光状態の変化が最小になるように電磁放射線束を集束させる用途に応用される。
【背景技術】
【０００２】
偏光解析に用いられるような、光学測定用試料上に電磁放射線束を集束させる、屈折あるいは反射型集束光学系が知られている。このような光学系に対して複数の特許出願があるが、特に上述の光学系に関して開示しているのがJohs等の特許文献１である。特許文献１には「ビーム折り曲げ光学系」が開示されている（図5に最もよく示されている）。このビーム折り曲げ光学系は４つの同種のミラーを含んでおり、第１及び第２のミラーによる反射によって規定される反射面と、第３及び第４のミラーによる反射によって規定される反射面が略直交するように、第１〜第４のミラーの反射面が向けられている。
【０００３】
このようなビーム折り曲げ光学系を用いることで得られる効果は、入力される電磁放射線の偏光状態と比較して、出力される電磁放射線の偏光状態に実質的に影響を与えずに、電磁放射線の伝播方向を、この光学系に入力される伝播経路の方向とは異なる所望の方向に向けることである。これは、最初の２つのミラーからの反射の偏光状態の変化と、最後の２つのミラーからの反射の偏光状態の変化が相殺するという効果のためである。
【０００４】
「ビーム折り曲げ光学系」を開示している他の特許文献としては、特許文献２〜１６がある。この他にも、ごく最近のものとして特許文献１７がある。特許文献１７は、電磁放射線の入力ビームと反射ビームとの間の角度形成について明らかにしている。これは、入射ビームと反射ビームの２組によって形成される平面の間の角度形成の形態が、本願発明で実行される形態とは非常に異なっている。特許文献１８〜３８には、主にミラーを用いたビーム集束について、更に開示されている。
【０００５】
本願発明は、特許文献１に開示された知見に基づいているが、凸面鏡及び凹面鏡を設けることによって、更に、略直交する面の効果を利用した同様の構造に含まれる４つの主ミラーを必要とすることなく集束機能を追加している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許第5,969,818号明細書
【特許文献２】米国特許第7,746,472号明細書
【特許文献３】米国特許第7,746,471号明細書
【特許文献４】米国特許第7,633,625号明細書
【特許文献５】米国特許第7,616,319号明細書
【特許文献６】米国特許第7,505,134号明細書
【特許文献７】米国特許第7,336,361号明細書
【特許文献８】米国特許第7,265,838号明細書
【特許文献９】米国特許第7,277,171号明細書
【特許文献１０】米国特許第7,265,838号明細書
【特許文献１１】米国特許第7,215,424号明細書
【特許文献１２】米国特許第7,158,231号明細書
【特許文献１３】米国特許第6,859,278号明細書
【特許文献１４】米国特許第6,822,738号明細書
【特許文献１５】米国特許第6,804,004号明細書
【特許文献１６】米国特許第6,549,282号明細書
【特許文献１７】米国特許第8,767,209号明細書
【特許文献１８】米国特許第4,790,659号明細書
【特許文献１９】米国特許第5,048,970号明細書
【特許文献２０】米国特許第5,608,526号明細書
【特許文献２１】米国特許第5,798,837号明細書
【特許文献２２】米国特許第5,917,594号明細書
【特許文献２３】米国特許第6,600,560号明細書
【特許文献２４】米国特許第6,734,967号明細書
【特許文献２５】米国特許第6,795,185号明細書
【特許文献２６】米国特許第6,819,423号明細書
【特許文献２７】米国特許第6,829,049号明細書
【特許文献２８】米国特許第6,943,880号明細書
【特許文献２９】米国特許第7,095,498号明細書
【特許文献３０】米国特許第7,130,039号明細書
【特許文献３１】米国特許第7,184,145号明細書
【特許文献３２】米国特許第7,248,364号明細書
【特許文献３３】米国特許第7,289,219号明細書
【特許文献３４】米国特許第7,359,052号明細書
【特許文献３５】米国特許第7,369,233号明細書
【特許文献３６】米国特許第7,505,133号明細書
【特許文献３７】米国特許第7,860,040号明細書
【特許文献３８】米国特許第8,030,632号明細書
【発明の概要】
【０００７】
この発明は、光学測定用試料(SAM)表面の位置に電磁放射線の集束ビーム(FB)を供給するためのシステムであって、特に、第１(M1), 第２(M2), 第３(M3), 第４(M4), 第５(M3'),及び第６(M4')ミラーを順次に備えた反射型集束光学系(RFO)システムである。上述の４つの第１(M1), 第２(M2), 第３(M3), 第４(M4)ミラーは、それぞれ反射面を備え、第３(M3), 第５(M3')ミラーは、それぞれ凸面の反射面を、及び第４(M4), 第６(M4')ミラーは、それぞれ凹面の反射面を備えている。
【０００８】
使用中の特定の偏光状態を有する電磁放射線の入力ビーム(IB)は、第１入射面(P1)が入力(IB)ビームと第１ミラー(M1)の反射面からの反射ビームとで形成されるように、第１ミラー(M1)に進みその反射面で反射される。第１ミラー(M1)の反射面から反射されたビームは、第２ミラー(M2)に進み、この反射面で反射されて凸面形状の第３ミラー(M3)に向けて進み、その中心位置からずれた位置で反射して凹面形状の第４ミラー(M4)に向かい、この反射面で反射されて集束する(FB)出力ビーム(OB)として反射されて、光学測定用試料(SAM)表面に向かうように進む。
【０００９】
第３ミラー(M3)の凸面形状の反射面から反射されたビームと第４ミラー(M4)の凹面形状の反射面から反射されたビームとで、第２入射面(P2)を形成し、第１及び第２入射面(P1)、(P2)は互いに直交する。
【００１０】
４つのミラー(M1), (M2), (M3), (M4)の反射面からの反射の総体としての効果は、入力される電磁放射線の特定の偏光状態について、すべての反射からの影響を最小にすることである。そして、光学測定用試料(SAM)に照射させる集束ビーム(FB)である出力ビーム(OB)として提供される。
【００１１】
この発明のシステムは、いずれの反射面も平面である第１及び第２ミラー(M1), (M2)を含むことが可能で、あるいは、少なくとも、第１及び第２ミラー(M1), (M2)のいずれか一方が非平面の反射面を有するとすることも、あるいは第１及び第２ミラー(M1),(M2)のいずれもが非平面の反射面を有するとすることも可能である。
【００１２】
入力ビーム(IB)、全ての反射ビーム、及び出力ビーム(OB)は、単色光であっても分光可能な光であってもよい。
【００１３】
第１及び第２入射面(P1), (P2)は、反射ビームの中心光線によって定義できる。
【００１４】
入力ビーム(IB)、種々の反射ビーム、及び出力ビーム(OB)は、それぞれ複数（典型的には少なくとも16）の断面から成ると考えることができ、ミラー(M1), (M2)，(M3)及び(M4)からの様々な反射が与える偏光状態の計算される総体としての全体的な効果は平均化によって到達される。
【００１５】
第３及び第４ミラー(M3), (M4)への電磁光線の入射角は、それぞれ12°と24°に設定することができ、第１及び第２ミラー(M1), (M2)への電磁光線の入射角は、以下に示す選択肢から選択して設定することができる。
a)  18°未満
b)  18°
c)  18°以上
【００１６】
もちろん、12°と24°との設定は適切な一例にすぎず、他の角度（例えば、一般的にθ1及びθ2）の組を設定してもよい。そして、この場合、第１及び第２ミラー(M1), (M2)への電磁光線の入射角は、以下に示す選択肢から選択して設定することができる。
a)  (θ1＋θ2)／2°未満
b)  (θ1＋θ2)／2°
c)  (θ1＋θ2)／2°以上
【００１７】
また、この発明は、以下の構成要素を含む偏光解析装置（ellipsometer）に関する。
a) 電磁放射線を発生させる光源（S）
b) 偏光状態発生器(PSG)
c) 以下の構成要素を含む反射型集束光学系（RFO）システム
反射型集束光学系（RFO）システムは、光学測定用試料(SAM)の表面に電磁放射線の集束ビーム(FB)を供給するシステムであって、このシステムは、順次ミラー (M1), (M2), (M3), (M4)を含む反射型集束光学系(RFO)であり、４つのミラー(M1), (M2), (M3), (M4)はそれぞれ反射面を有し、第３及び第４ミラー(M3), (M4)はそれぞれ凸面、凹面の反射面を有している。
【００１８】
使用中の特定の偏光状態を有する電磁放射線の入力ビーム(IB)は、第１入射面(P1)が、入力ビーム(IB)と第１ミラー(M1)の反射面で反射されたビームとで形成されるように、第１ミラー(M1)に向けられその反射面で反射される。そして、第１ミラー(M1)の反射面から反射されたビームは第２ミラー(M2)に進み、そこで反射されたビームは、凸面形状の第３ミラー(M3)に進み、その中心位置からずれた位置で反射して凹面形状の第４ミラー(M4)に向かい、この反射面で反射されて集束する(FB)出力ビーム(OB)として反射されて、光学測定用試料(SAM)表面に向かうように進む。凸面形状の第３ミラー(M3)の反射面から反射されたビームと、凹面形状の第４ミラー(M4)の反射面から反射されたビームとで第２入射面(P2)が形成され、第１及び第２入射面(P1),(P2)は互いに直交する。
【００１９】
４つのミラー(M1), (M2), (M3), (M4)の反射面からの反射の効果（４つのミラーからの反射の総体としての効果）は、入力される電磁放射線の特定の偏光状態について、すべての反射からの影響を最小にすることである。そして、光学測定用試料(SAM)に照射させる集束ビーム(FB)である出力ビーム(OB)として提供される。
【００２０】
上述の偏光解析装置は、更に以下に示す構成要素を含んでいる。
d)  光学測定用試料(SAM)を保持するためのステージ(STG)
e)  偏光状態測定器(PSD)
上述の偏光解析装置は、また、第１(M1), 第２(M2), 第３(M3), 第４(M4)ミラーに対してほぼ鏡像の位置に配置される第５(M1'), 第６(M2'), 第７(M3'), 第８(M4')ミラーを備えている。第５(M1'), 第６(M2'), 第７(M3'), 第８(M4')ミラーは、電磁放射線が当てられる光学測定用試料上の位置から延びる垂直面内で、光学測定用試料(SAM)から反射するビームをコリメートして、偏光状態測定器(PSD)に向かわせる。
【００２１】
上述の偏光解析装置は、また更に、利用を想定してコンピュータシステム(CMP)も含められる。コンピュータシステム(CMP)は、このシステムが提供する作業手順及び光学測定用試料(SAM)に関する数学的モデルがプログラミングされている。このプログラミングには、特定の偏光状態の電磁放射線の入力ビーム(IB)の光源(S)は、使用中は、少なくとも1つの入射角と、少なくとも１つの既知の偏光状態の入力ビーム(IB)を発生させ、この入力ビーム(IB)は、第１ミラー(M1)に向けて進み、ここから反射されて、光学測定用試料(SAM)から反射される前に、第２(M2),第３(M3),第４(M4)ミラーと相互作用しする。そして、光学測定用試料(SAM)から反射されて、第５(M1'),第６(M2'),第７(M3'),及び第８(M4')ミラーを経由して、偏光状態測定器(PSD)に向かって進み、偏光状態測定器(PSD)で受光されてそれと共に検出器(DET)で検出され、この検出器(DET)からの出力は、上述のコンピューターに入力されて、数学的回帰によって、数学的モデルのパラメータに最適の値を割り当てるための処理が行われることが織り込まれている。
【００２２】
上述の偏光解析装置は、少なくとも以下に掲げる選択肢を考慮するパラメータを含む数学的モデルを提供することも可能である。
・光学測定用試料の前段に配置される第１(M1), 第２(M2), 第３(M3), 第４(M4)ミラーの各反射面上の何層かの薄膜が与える効果を含めて、各ミラーの反射面の反射特性、
・光学測定用試料の後段に配置される第５(M1'),第６(M2'),第７(M3'),第８(M4')ミラーの各反射面上の何層かの薄膜が与える効果を含めて、各ミラーの反射面の反射特性、
・第１(M1), 第２(M2), 第３(M3), 第４(M4), 第５(M1'), 第６(M2'), 第７(M3'),第８(M4')ミラーへ入力される電磁放射線ビームの入射角、
・光学測定用試料の表面上に存在する何層かの薄膜が与える効果を含めて、光学測定用試料表面の反射特性、
・光学測定用試料の表面への電磁放射線ビームの入射角、
・電磁ビームに含まれる複数の波長成分を均等に処理する分光手段
・ビームの中心成分からそれたビーム成分による電磁ビームのにじみを考慮する手段、
・偏光子、補償子、検光子の効果
【００２３】
本願発明には、偏光解析装置に関する以下に示すステップを含むキャリブレーション方法も含まれる。この偏光解析装置は、光学測定用試料(SAM)に対する光源(S)の側の集光光学系と、光学測定用試料(SAM)に対する検出器(DET)の側の集光光学系を備えており、これらの光学系が偏光状態に対するビームの多重反射の効果を最小化された光学系としたシステムとして提供される。
【００２４】
・光学測定用試料(SAM)上の位置に集束ビーム(FB)を供給するためのシステムを提供するステップであり、この集束ビーム(FB)を提供するためのこの反射型集束光学系(RFO)システムは、順次第１(M1),第２(M2),第３(M3),第４(M4)ミラーを含んでおり、それぞれのミラーは反射面を備え、第１(M1), 第２(M2)ミラーの反射面の形状は以下の選択肢から選択される。
a) 第１(M1), 第２(M2)ミラーの両方が平面鏡である、
b) 第１(M1), 第２(M2)ミラーの一方が平面鏡でない、
c) 第１(M1), 第２(M2)ミラーの両方が平面鏡でない。
【００２５】
更に、第３(M3)、第４(M4)ミラーの反射面の形状は以下の選択肢から選択される。
・第３(M3), 第４(M4)ミラーの反射面は、それぞれ凸面、凹面である、
・第３(M3), 第４(M4)ミラーの反射面は、共に凹面である、
・第３(M3), 第４(M4)ミラーの反射面にいずれか一方は凹面であり、他方は平面である。
【００２６】
使用中の特定の偏光状態を有する電磁放射線の入力ビーム(IB)は、第１入射面(P1)が、入力ビーム(IB)と第１ミラー(M1)の反射面で反射されたビームとで形成されるように、第１ミラー(M1)に向けられその反射面で反射される。そして、第１ミラー(M1)の反射面から反射されたビームは第２ミラー(M2)に進み、そこで反射されたビームは、凸面形状の第３ミラー(M3)に進み、そこで反射して凹面形状の第４ミラー(M4)に向かい、この反射面で反射されて集束する(FB)出力ビーム(OB)として、反射されて光学測定用試料(SAM)表面に向かうように進む。凸面形状の第３ミラー(M3)の反射面から反射されたビームと、凹面形状の第４ミラー(M4)の反射面から反射されたビームとで第２入射面(P2)が形成され、第１及び第２入射面(P1), (P2)は互いに直交する。
【００２７】
４つのミラー(M1), (M2), (M3), (M4)の反射面からの４反射の効果（４反射の平均化による総体としての効果）は、入力される電磁放射線の特定の偏光状態について、すべての反射からの影響を十分小さくされている。そして、出力ビーム(OB)が導かれる。そしてそれは、光学測定用試料(SAM)に照射させる集束ビーム(FB)である出力ビーム(OB)として提供される。
【００２８】
偏光解析システムをキャリブレーションする方法は、更に、使用中に出力ビーム(OB)が入射する光学測定用試料(SAM)、及び更に、第１(M1), 第２(M2), 第３(M3), 第４(M4)ミラーに対してほぼ鏡像の位置に配置される第５(M1'), 第６(M2'), 第７(M3'), 及び第８ミラー(M4')を備える付加的反射型集束光学系(RFO')を含んで実施される。ここで、第５(M1'), 第６(M2'), 第７(M3'), 第８ミラー(M4')は、電磁放射線が当てられる光学測定用試料(SAM)上の位置から延びる垂直面内で、光学測定用試料(SAM)から反射するビームをコリメートして、偏光状態測定器(PSD)に向かわせる。
【００２９】
使用中、上述の光学測定用試料(SAM)から反射されたビームは、それは第８ミラー(Μ4')に向けて進み、第７ミラー(Μ3')に反射され、そこから第６ミラー(M2'),第５ミラー(M1’)から反射され、その後、上述の偏光状態測定器(PSD)の多素子検出器に入力される。そして、第５ミラー(M1')と第８ミラー(M4')に関係する入力ビームと出力ビームは、互いに直交する第１及び第２反射面(P1')、(P2')を形成する。
【００３０】
上述の偏光解析システムをキャリブレーションする方法は、更に、提供されたコンピュータシステム(CMP)が含まれていても実施できる。このコンピュータシステム(CMP)は、このシステムが提供する作業手順及び光学測定用試料(SAM)に関する数学的モデルがプログラミングされている。これによって、特定の偏光状態の電磁放射線の入力ビーム(IB)の光源(S)が、使用中は、少なくとも1つの入射角の、少なくとも１つの既知の偏光状態の入力ビーム(IB)を発生させ、この入力ビーム(IB)を、第１ミラー(M1)に向けて進ませ、ここから反射させて、光学測定用試料(SAM)から反射される前に、第２(M2)、第３(M3)、第４(M4)ミラーと相互作用させて、第５(M1')、第６(M2')、第７(M3')、及び第８ミラー(M4')を経由して、偏光状態測定器(PSD)に向かって進み、多素子検出器を内蔵する検出器(DET)で検出させることができる。結果として、多素子検出器を内蔵する検出器(DET)は、複数波長に対するデータを上述のコンピューターに入力し、数学的回帰によって、上述の数学的モデルのパラメータに最適の値を割り当てるための処理が行われる。
【００３１】
再度、上述の数学的モデルに、少なくとも以下に示すさまざまな選択肢に係るパラメータを含めることが可能であることに留意されたい。
・光学測定用試料の前段に配置される、第１(M1), 第２(M2), 第３(M3), 第４(M4)ミラーの反射面の多層膜の効果を含めた反射特性、
・光学測定用試料の前段に配置される、第５(M1'), 第６(M2'), 第７(M3'), 第８ミラー(M4')の反射面の多層膜の効果を含めた反射特性、
・第１(M1), 第２(M2), 第３(M3), 第４(M4), 第５(M1'), 第６(M2'), 第７(M3'),第８ミラー(M4')へ入力される電磁放射線ビームの入射角、
・光学測定用試料の表面上に存在する何層かの薄膜が与える効果を含めて、光学測定用試料表面の反射特性、
・光学測定用試料の表面への電磁放射線ビームの入射角、
・電磁ビームに含まれる複数の波長成分を均等に処理する分光
・検出器に入るビームの中心成分から、入射角及び入射面における逸脱を考慮した電磁ビームのにじみ
・偏光子、補償子、検光子の効果。
【００３２】
なお、以下の記載によって、さまざまの構成要素の機械的な調整及び、このシステムの数学的モデルにおけるパラメータの値の最適化を含めて、反射型集束光学系(RFO)及び付加的反射型集束光学系(RFO')を備える偏光解析装置に対する本願発明の好ましいキャリブレーション方法が正しく認識されるであろう。
【００３３】
重要な実施形態として、上述したように、第３(M3)及び第７(M3')ミラーは凹面鏡とすることができ、電磁放射線ビームはこれらミラーに中心位置からずれた位置から反射させることができることに注意されたい。
【００３４】
この発明は、図面と併せてこの明細書の詳細な説明を参照することによって、よりしっかりと理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１ａ】図1aは、偏光状態の変化が最少となるように、光学測定用試料(SAM)上の位置に電磁放射線の集束ビーム(FB)を供給するためのシステムを示す図である。
【図１ｂ】図1bは、光学測定用試料(SAM)から反射された電磁放射線の集束ビーム(FB)を受光し、偏光状態測定器(PSD)に向けるためのシステムを示す図である。
【図２ａ】図2aは、凸面形状の第３ミラーの中心位置からずれた位置からの反射光は、「拡張」ビームとして凹面形状の第４ミラーに入力させ、凹面形状の第４ミラーは、拡張ビームを集束させて、集束ビーム(FB)として光学測定用試料(SAM)に提供する様子を示す図である。
【図２ｂ】図2bは、光源(S)側に配置される構成と同様の、光学測定用試料(SAM)の検出器(DET)側で使用するための構成を示す図である。
【図２ｃ】図2cは、図2aと図2bの変形形態であり、図2aと図2bの変形形態であり、凸面鏡(M3), (Μ3')は凹面鏡に置き換えられている。
【図２ｄ】図2dは、図2aと図2bの変形形態であり、図2aと図2bの変形形態であり、凸面鏡(M3), (Μ3')は凹面鏡に置き換えられている。
【図２ｅ】図2eは、図2aと図2bの変形形態であり、凸面鏡(M3), (M 3')は平面鏡に置き換えられている。
【図２ｆ】図2fは、図2aと図2bの変形形態であり、凸面鏡(M3), (M 3')は平面鏡に置き換えられている。
【図２ｇ】図2gは、図2aと図2bの変形形態であり、凸面鏡(M3)， (M3')は凹面鏡に置き換えられており、凹面鏡(M4), (M4')は平面鏡に置き換えられている。
【図２ｈ】図2hは、図2aと図2bの変形形態であり、凸面鏡(M3)， (M3')は凹面鏡に置き換えられており、凹面鏡(M4), (M4')は平面鏡に置き換えられている。
【図３ａ】図3aは、反射型集束光学系(RFO)、付加的反射型集束光学系(RFO')を含む本願発明の偏光解析装置のシステムを示す図である。
【図３ｂ】図3bは、偏光子(P)及び光学的補償子(C)としての、偏光状態発生器(PSG)の典型的な構成要素を示す図である。
【図３ｃ】図3cは、検光子(A)、補償子(C)及び多素子検出器を内蔵する検出器(DET)としての、偏光状態測定器(PSD)の典型的な構成要素を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
ここで、図1aに戻る。ここには、光学測定用試料(SAM)上の位置に電磁放射線の集束ビーム(FB)を供給するためのシステムが示されている。特に、本願発明である、順次ミラー(M1), (M2), (M3), (M4)を含む反射型集束光学系(RFO)が示されている。これら４つのミラー(M1), (M2), (M3), (M4)は、それぞれ反射面を有し、第３及び第４ミラーはそれぞれ凸面、凹面の反射面を有している。
【００３７】
特定の偏光状態である電磁放射線の入力ビーム(IB)が示されており、第１入射面(P1)が、入力ビーム(IB)と第１ミラー(M1)の反射面から反射されるビームとの間で形成されるように、この入力ビームは、第１ミラー(M1)に向けられてこの反射面から反射される。第１ミラー(M1)から反射されたビームは、第２ミラー(M2)に向けられてこの反射面で反射され、第３ミラー(M3)に向けられる。そして凸面形状の第３ミラー(M3)の中心位置からずれた位置から反射されて、凹面形状の第４ミラー(M4)に向けられる。そして、凹面形状の第４ミラー(M4)の反射面で反射されて集束する(FB)出力ビーム(OB)として、反射されて光学測定用試料 (SAM) 表面に向かうように進む。凸面形状の第３ミラー(M3)の反射面から反射されたビームと、凹面形状の第４ミラー(M4)の反射面から反射されたビームとで第２入射面(P2)が形成され、第１及び第２入射面(P1)、(P2)は互いに直交する。
【００３８】
使用中、ミラー(M1), (M2), (M3), (M4)のそれぞれは、それぞれの反射面に入射角で入射するビームを受け取るが、それぞれの入射面は、それぞれのミラーの反射面にビームが突き当たった位置において、それぞれの反射面と垂直をなす面であると定義されることに注意されたい。好ましい実施形態においては、同様の入射面が一対のミラー(M1), (M2)によって（すなわち平面(P1)）が、また一対のミラー(M3)、(M4)によって（すなわち平面(P2))が定義される。
【００３９】
４つのミラー(M1), (M2), (M3), (M4)の反射面からの反射の効果は、入力される電磁放射線の特定の偏光状態について、すべての反射からの影響を十分小さくされている。そして、出力ビーム(OB)が導かれる。そしてそれは、光学測定用試料(SAM)に照射させる集束ビーム(FB)である出力ビーム(OB)として提供される。
【００４０】
光学測定用試料(SAM)上の位置に電磁放射線の集束ビーム(FB)を供給するための上述のシステムは、いずれの反射面も平面である第１及び第２ミラー(M1), (M2)を含むことが可能で、あるいは、少なくとも、第１及び第２ミラー(M1), (M2)のいずれか一方が非平面の反射面を有するとすることも、あるいは第１及び第２ミラー(M1), (M2)のいずれもが非平面の反射面を有するとすることも可能である。
【００４１】
図1bは、光学測定用試料(SAM)からの反射光を受けるための付加的反射型集束光学系(RFO')システムを示す。そしてこの反射光をコリメートされたビームにして偏光状態測定器(PSD)に導く。図1bは、出力ビーム(OB)が効果を与えられた光学測定用試料(SAM)上の場所上の垂直線に沿って見て図1bは図1aの鏡像であることに注意されたい。また、図1bの識別記号は、プライム記号「'」を付して示す様に、図1aにおける場合と同様であることにも注意されたい。例えば、図1aのミラー(M1), (M2), (M3), (M4)は、図1bのミラー(M1'), (M2'), (M3'), (M4')に対応する。また、図1bにおいて、反射ビーム(RB)は、出力ビーム(OB)が光学測定用試料(SAM)から反射された後の反射光と対応すると認識される。図1aにおける平面(P1)と平面(P2)と同様に、図1bにおける平面(P1')と平面(P2')も直交している。
【００４２】
図2aは、凸面形状の第３ミラー(M3)の中心位置からずれた位置からの反射が凹面形状の第４ミラー(M4)に入力させる拡張ビームを提供し、凹面形状の第４ミラー(M4)が、拡張ビームを集束させて、集束ビーム(FB)として光学測定用試料(SAM)に提供する様子を示している。
【００４３】
図2bは、光源(S)側に配置される図2aに示す構成と同様の、光学測定用試料(SAM)の検出器(DET)側で使用するための構成を示している。光源(S)側でミラー(M3)および(M4)を介する様に、ミラー(M3')及び(M4')の存在によって、光学測定用試料(SAM)から反射されたビームが検出器(DET)へ向けられる。図2a及び図2bは、入射光と反射光のなす角が非常に小さく示されており、ここに示す構成は、使用中に実現される入射角及び反射角の例示というよりも、むしろ本願発明のシステムの幾何的構成を示したものであることに注意されたい。
【００４４】
また、図2bは、ミラー(M3')から出力されるコリメートされたビームを示しているが、コリメートされたビームに限定されるものではなく、集束するあるいは拡張するビームであってもよい。図2bは、図2aが部分的な図であるように、光学測定用試料(SAM)から反射されたビームが検出器(DET)へ向けられる方法を特定することが示されている部分図であると了解される。使用に当たっては、付加的なミラー((M1’), (Μ2’))が存在する。そしてこれらのミラーは、図1aにおけるミラー(M1)及び(M2)と同様である。そして、図2aにおけるのと同様に、さまざまなミラーからの反射光間で形成される平面(P1)及び(P2)と同様の平面(P1’)及び(P2’)が形成される。
【００４５】
本願発明は、１つの凸面形状のミラー(M3)と１つの凹面形状のミラー(M4)が備わった図1a及び1bに示されているシステムを含めることができる。このシステムは、図2a〜2hに示すシステムに、２つの平面ミラー（すなわち、図1a及び1bに示されているような(M1), (M1')ミラー及び(M2), (M2')ミラー）が追加されて構成される。好ましい実施形態として、２つの凹面形状のミラー((M4),(M4') 及び (M3), (M3'))を備える、あるいは、３つの平面鏡(M1), (M1') 及び (M2), (M2') 及び (M3), (M3')と、１つの凹面形状のミラー(M4), (M4')を備える、あるいは、３つの平面鏡(M1), (M1') 及び (M2), (M2') 及び (M4), (M4')と、１つの凹面状のミラー(M3), (M3')を備えることもできる。
【００４６】
特に、図2c及び2dは、図2a及び2bを変形したものであり、凸面形状のミラー(M3), (Μ3')が、凹面形状のミラーに置き換えられている。図2e及び2fは、図2a及び2bを変形したものであり、凸面形状のミラー(M3), (M3')が、平面形状のミラーに置き換えられている。図2g及び2hは、図2a及び2bを変形したものであり、凸面形状のミラー(M3), (M3')が、凹面形状のミラーに置き換えられ、凹面形状のミラー(M4), (M4')が平面形状のミラーに置き換えられている。
【００４７】
これらのミラー(M1), (M2), (M3) 及び (M4)のそれぞれの反射特性を、ほぼ等しくすること、及びこれらのミラー(M1), (M2), (M3) 及び (M4)のそれぞれにコーティング材料を含め、ほぼ同等の厚みに反射のためのコーティングを施すこと、のいずれか一方あるいは両方を実施できることに注意されたい。好適ではないにしても、これらの変形例は本願発明の技術的範囲に含まれる。
【００４８】
図3aは、もっと簡単な方法として、本願発明の反射型集束光学系(RFO)、付加的反射型集束光学系(RFO')を含め、上述の偏光状態発生器(PSG)と偏光状態測定器(PSD)の要素と組み合わせた本願発明の偏光解析システムを示す。図3bは、典型的に偏光子(P)を備え、及び補償子(C)をも備える偏光状態発生器(PSG)を示している。図3cは、偏光状態測定器(PSD)が、付加的反射型集束光学系(RFO')から入力される電磁ビームから(SAM)を記述するデータの生成において利用されるための検出器(DET)それ自体を含むものとして理解されることを示している。この偏光状態測定器(PSD)は、典型的に検光子(A)を含み、光学的補償子(C)も含めることができる。一般的に、偏光状態発生器(PSG)は、電磁放射線の入力ビーム(IB)を発生させる光源(S)を含み、偏光状態測定器(PSD)は、検光子(A)及び多素子検出器を内蔵する検出器(DET)を含む。
【００４９】
ここで、本願発明の主題を開示したが、さまざまの修正変更、置き換えができることが明らかであり、本願発明の変形形態の実現は、技術的観点から可能である。従って、本願発明は、具体的に記載されている以外にも実施することができると理解される。そして、本発明は、請求項によってのみその権利範囲は限定されるものである。
【００５０】
最後に、電磁放射線の「中心光線」は、そのビームのほとんど中央に集中していると理解される。ここでビームは数学的に光線の総体として機能するものである。更に、「コリメーション」とは、集束あるいは拡張しているビームを平行して進むビームに変換することを意味する。
【００５１】
ここで、本願発明の主旨を論じたが、ここで教示したことを考慮すれば、本願発明に対する多くの修正変更、置き換え、変形形態の実現が可能であることは明らかである。従って、本願発明は、具体的に記載されている以外にも実施することができると理解される。そして、本発明は、請求項によってのみその権利範囲は限定されるものである。
【００５２】
この出願は、2014年6月6日に出願した米国特許制度の仮出願(仮出願番号：61/997,589)に基づく権利を主張するものである。
【図１ａ】
2017518509.tif 000003
【図１ｂ】
2017518509.tif 000004
【図２ａ】
2017518509.tif 000005
【図２ｂ】
2017518509.tif 000006
【図２ｃ】
2017518509.tif 000007
【図２ｄ】
2017518509.tif 000008
【図２ｅ】
2017518509.tif 000009
【図２ｆ】
2017518509.tif 000010
【図２ｇ】
2017518509.tif 000011
【図２ｈ】
2017518509.tif 000012
【図３ａ】
2017518509.tif 000013
【図３ｂ】
2017518509.tif 000014
【図３ｃ】
2017518509.tif 000015
【国際調査報告】
2017518509.tif 000016