(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に堆積させた絶縁層の多工程平坦化方法において、
a) 表面上に堆積させた絶縁層を有する基体を基体処理チャンバ内に導入し；
b) 前記処理チャンバ内に蒸気雰囲気を生成させ；
c) その後、前記基体を前記絶縁層のリフロー温度よりも低い第１基体温度から、前記絶縁層をリフローさせるのに十分な第２基体温度に加熱し、；および、
d) 前記基体処理チャンバを、前記蒸気雰囲気内の前記絶縁層をリフローさせるのに十分な条件に維持する；
ステップを備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記基体処理チャンバが、前記基体を前記基体処理チャンバ内に工程a)において導入するとき、前記蒸気雰囲気と異なる第１雰囲気を有する請求の範囲第１項記載の方法。
【請求項３】
前記第１雰囲気が、酸素雰囲気である請求の範囲第２項記載の方法。
【請求項４】
前記絶縁層が、ボロホスホシリケートガラスBPSG層である請求の範囲第１項記載の方法。
【請求項５】
基体上に堆積させたボロホスホシリケートガラス(BPSG)層の多工程平坦化方法において、
a) 平坦化前段階において、表面上に堆積させたBPSG層を有する基体を基体処理チャンバに導入し；
前記平坦化前段階後の第１平坦化段階において、
(i) 前記基体処理チャンバ内に酸素と水素を流入させて前記チャンバ内に蒸気雰囲気を生成させ、
(ii)前記蒸気雰囲気内の前記基体を、前記BPSG層のリフロー温度よりも低い第１基体温度から、前記BPSG層をリフローさせるのに十分な第２基体温度に加熱し；および、
c)  前記第１平坦化段階後の第２平坦化段階中に、前記基体処理チャンバを、前記蒸気雰囲気内の前記BPSG層をリフローさせるのに十分な条件に維持する；
ステップを備えることを特徴とする方法。
【請求項６】
前記第２平坦化段階後に、第3平坦化段階をさらに含み、この第3平坦化段階が、
前記酸素流入を維持しながら前記水素流入を停止し、それによって前記基体処理チャンバ内に酸素雰囲気を生成させること；および
前記基体を、前記酸素雰囲気内で、前記BPSG層のリフロー温度より高い温度に維持すること；
を含む請求の範囲第5項記載の方法。
【請求項７】
前記第１温度が、575℃〜700℃である請求の範囲第5項記載の方法。
【請求項８】
前記第１平坦化段階中に、前記基体を第１基体温度から第２基体温度に約2℃/分以下の速度で加熱する請求の範囲第7項記載の方法。
【請求項９】
前記第２平坦化段階が20〜90分間継続する請求の範囲第6項記載の方法。
【請求項１０】
前記第２平坦化段階が2〜10分間継続する請求の範囲第9項記載の方法。
【請求項１１】
前記第3平坦化段階が2〜10分間継続する請求の範囲第6項記載の方法。
【請求項１２】
前記平坦化前段階が、前記基体処理チャンバ内に酸素を流入させて前記処理チャンバ内に酸素雰囲気を生成させることをさらに含む請求の範囲第5項記載の方法。
【請求項１３】
基体上に堆積させたボロホスホシリケートガラス(BPSG)層の多工程平坦化方法において、
a) 表面上に堆積させたBPSG層を有する基体を基体処理チャンバに導入し；
前記基体処理チャンバ内に酸素を流入させて前記処理チャンバ内に酸素雰囲気を生成させ；
前記基体処理チャンバを約575℃〜700℃の第１温度に加熱し；
その後、水素を前記基体処理チャンバ内に流入させて前記処理チャンバ内に蒸気雰囲気を生成させ；
その後、前記基体処理チャンバを前記蒸気雰囲気内で前記BPSG層のリフロー温度よりも高い第２温度に加熱し；および、
その後、前記基体処理チャンバを、前記BPSG層をリフローさせるのに十分な条件に維持する；
ステップを備えることを特徴とする方法。
【請求項１４】
工程f)が第１および第２のリフロー期を含み、第２リフロー期中に、前記酸素流を維持しながら、前記水素流を停止させ、それによって酸素雰囲気を生成させる請求の範囲第１3項記載の方法。
【請求項１５】
前記第１リフロー期において、前記基体を前記蒸気雰囲気内で20〜60分間加熱する請求の範囲第１4項記載の方法。
【請求項１６】
前記第２リフロー期において、前記基体を前記酸素雰囲気内で2〜10分間加熱する請求の範囲第15項記載の方法。
【請求項１７】
前記第２温度が750℃以下であり、工程f)において、前記基体処理チャンバを750℃以下に維持する請求の範囲第14項記載の方法。
【請求項１８】
工程e)において、前記基体を前記第１温度から前記第２温度に20〜30分間で加熱する請求の範囲第14項記載の方法。
【請求項１９】
工程e)において、前記基体を前記第２温度に2℃/分以下の速度で加熱する請求の範囲第18項記載の方法。
【請求項２０】
工程e)において、前記基体を前記第２温度に20〜30分間で加熱する請求の範囲第13項記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
（技術分野）
本発明は、半導体ウェハ上への集積回路製造におけるボロホスホシリケートガラス（“BPSG”）層の形成に関する。さらに詳細には、本発明は、BPSG層が今日の製造方法の諸条件を満たし得るギャップ(間隙)充填特性を提供しながら、製造過程の熱収支(thermal budget)を低減することのできる改良されたリフロー方法に関する。
【０００２】
（背景技術）
酸化珪素は、半導体装置の製造における絶縁層として広く使用されている。酸化珪素膜は、シラン(SiH4)、テトラエトキシシラン[Si(OC2H5)4、以下“TEOS”と称する]または同様な珪素含有原料とO2、オゾン(O3)等のような酸素含有源との反応からの熱化学蒸着(CVD)またはプラズマ強化化学蒸着(PECVD)によって堆積させ得る。
【０００３】
酸化珪素膜の1つの特定の用途は、ポリシリコンゲート/相互連結層とMOSトランジスタの第１金属層と間の分離層としてである。そのような分離層は、多層金属構造体におけるどの金属層よりも先に典型的に堆積させるので、前金属誘電(PMD)層と称される。低比誘電率、低応力特性および良好な接着特性に加えて、PMD層は、良好な平面化性とギャップ充填特性を有することが重要である。
【０００４】
PMD層として使用する場合、酸化珪素膜は、低レベルポリシリコンゲート/相互連結層を有するシリコン基体上に堆積させる。シリコン基体の表面は、トレンチのような絶縁構造とポリシリコンゲートおよび相互連結体のような立上り型またはステップ型の表面とを含み得る。最初に堆積させた膜は、基体表面断層と同じ形を一般に有し、上層としての金属層を堆積させる前に典型的に平坦化即ち平面化される。
【０００５】
ギャップを充填し、基体表面を“平面化”または“平坦化”するのに幾つかの方法が開発されている。例としては、十分な厚さの酸化珪素(または他の材料)のコンフォーマル層を堆積させ、得られたウェハを研磨して平坦表面を得る方法；十分な厚さの酸化珪素(または他の材料)のコンフォーマル層を堆積させ、得られた層をエッチングして平坦化表面を形成させる方法；および、比較的低融点の酸化珪素層を形成させ、次いで基体を十分に加熱して酸化珪素層を溶融させて液体として流動せしめ、冷却して平坦表面を得る方法がある。そのような加熱は、例えば、急速熱パルス(RTP)法または通常の炉を用いて実施でき、乾燥(例えば、N2またはO2)または湿潤(例えば、蒸気H2/O2)雰囲気下で実施し得る。各方法は、その方法を特定の応用において望ましいものとしている。
【０００６】
ボロホスホシリケートガラス（“BPSG”）は、その低比誘電率、低応力、良好な接着性とギャップ充填特性、および比較的低いリフロー温度故に、PMD層を平坦化するのにリフロー工程を用いる用途においてとりわけ応用性が見出されている酸化珪素膜の１つである。標準のBPSG膜は、リン含有源とホウ素含有源を、通常酸化珪素層を形成させるのに必要な珪素含有源および酸素含有源と一緒に処理チャンバ内に導入することによって形成させる。リン含有源の例としては、トリエチルホスフェート(TEPO)、トリエチルホスフィット(TEP)、トリメチルホスフェート(TMOP)、トリメチルホスフィット(TMP)、および同様な化合物がある。ホウ素含有源の例としては、トリエチルボレート(TEB)、トリメチルボレート(TMB)および同様な化合物がある。
【０００７】
半導体装置が進歩するにつれて、半導体装置の外形サイズは、劇的に細小化して来ている。多くの集積回路(CI)は、現在では、ミクロン断面よりも著しく小さいトレースまたはトレンチのような外形を有する。外形サイズの細小化は、高装置密度、ウェハ当りの高チップ数、より複雑な回路、低操作電力消費および低コストを可能にしているけれども、小形状は、新たな問題も提起させており、或いは大形状において一度解決した問題も復活させている。
【０００８】
サブミクロン装置により提起された製造上の問題の１例は、狭いトレンチを空隙のない形で完全に充填する能力である。BPSGでトレンチを充填するには、BPSG層は、パターン化りした基体上に先ず堆積させる。BPSG層は、トレンチの地面、壁部および底部を典型的に被覆する。トレンチが広くて浅ければ、トレンチをBPSGで完全に充填することは、比較的容易である。トレンチが狭くなりそのアスペクト比(トレンチ高対トレンチ幅の比)が増大するにつれて、トレンチの開口は“ピンチオフ”するようである。
【０００９】
トレンチのピンチオフは、トレンチ内に空隙を捕捉させる。ある条件下においては、空隙は、リフロー工程において充填されるであろう；しかしながら、トレンチが狭くなるにつれて、空隙は、恐らく、リフロー工程中に充填されないようになる。そのような空隙は、ウェハ当りの良質チップの収率、装置の信頼性を減じ得るので、望ましくない。従って、狭いギャップをBPSGで空隙のない形で充填できることが望ましい。また、BPSG層を堆積させリフローさせるのに用いる方法が効率的で、信頼性があり、装置を高収率で得ることが望ましい。
【００１０】
サブミクロン装置により提起されたもう1つの製造上の問題は、IC製造工程における全体的熱収支を最小化して浅い接合を維持し且つ他の理由における自己整列型ケイ化チタン接触構造体の劣化を防止することである。製造工程における全体的熱収支を減じる1つの方法は、BPSG PMD層のリフロー温度を800℃より低く、より好ましくは750℃より低く下げることである。
【００１１】
（発明の開示）
本発明は、BPSG層のような酸化珪素絶縁層の改良されたリフロー方法を提供するものであり、この層が今日および将来の製造条件を満たすのを可能にする。本発明方法は、適切にドープ化されたBPSG層を、極めて高いアスペクト比、例えば、0.06および0.08ミクロンのトレンチ幅において6：1以上のアスペクト比を有する狭いトレンチを平坦化するのに十分なギャップ充填特性を示しながら、750℃以下の温度でリフローさせること可能にする。
【００１２】
本発明方法によれば、BPSG層のような酸化珪素絶縁層の多工程平坦化方法が提供される。本発明方法は、種々の平坦化段階を含む。初期の平坦化前段階においては、表面上に堆積させたBPSGまたは他の酸化珪素層を有する基体を基体処理チャンバに導入する。次いで、平坦化前段階後の第１平坦化段階において、酸素と水素を基体処理チャンバ内に流入させて処理チャンバ内に蒸気雰囲気を生成させ、基体をその蒸気雰囲気内で第１温度から第２温度に加熱する。第１温度はBPSG層のリフロー温度より低く、第２温度はBPSG層をリフローさせるのに十分である。基体を第２温度に加熱した後、第２平坦化段階において、基体の温度および基体処理チャンバ内の条件を蒸気雰囲気内でBPSG層をリフロー化させるのに十分な条件に維持する。
【００１３】
BPSG層を前記の方法で加熱すること(即ち、BPSG層の温度を蒸気雰囲気の存在下で上昇させること)により、BPSG層のリフロー特性が改善され、それによってBPSG層のギャップ充填特性が改善されることを見出した。本発明者等は、この改善されたギャップ充填特性は、膜がリフロー工程中に濃密化する前に蒸気が狭いトレンチとギャップ中に拡散することが可能であることから、達成されたものと信じている。
【００１４】
好ましい実施態様においては、本発明の多工程平坦化方法は、第２平坦化段階後の第3平坦化段階も含む。第3平坦化段階においては、酸素流を維持しながら水素流を停止させ、それによって基体処理チャンバ内に酸素雰囲気を生成させる。気体温度は、酸素雰囲気内で、BPSG層のリフロー温度より高い温度にリフロー時間の間維持し、その後、BPSG層をそのリフロー温度より低い温度に冷却せしめる。この追加の工程は、リフローBPSG層中への混入水分量を最小にするものと考えられる。
【００１５】
もう1つの好ましい実施態様においては、平坦化前段階は、基体処理チャンバ内に酸素を流入させて、上述の蒸気雰囲気を生成させる前に、処理チャンバ内に酸素雰囲気を生成させることを含む。さらにもう１つの好ましい実施態様においては、基体を、平坦化前段階における酸素雰囲気内で、575℃(O2中でのH2の自己発火温度)よりも高く700℃よりも低い温度に供して、引き続く各工程における温度上昇時間を最小にする。さらにもう１つの好ましい実施態様においては、BPSG層は、750℃以下の温度でリフローさせる。
【００１６】
多くの利点と特徴を有する本発明の前記および他の実施態様は、以下の説明および添付図面においてさらに詳細に述べる。
【００１７】
（発明を実施するための最良の形態）
本発明は、BPSGまたは他の酸化珪素層の改良されたリフロー方法を提供する。この改良されたリフロー方法は、高アスペクト比で狭い幅のトレンチまたはギャップを比較的低いリフロー温度で充填するのを可能にし、それによって製造工程における全体的熱収支を低減させる。本発明の方法は、適切に形成されたBPSG層をリフローさせて6：1以上のアスペクト比と0.06ミクロン程の小さいトレンチ幅を有するトレンチを充填することが可能である。この改良されたリフロー方法は、現在の工業的標準工程、並びに通常設計の炉または他の基体処理チャンバにおいて適応可能である。
【００１８】
図1は、本発明に従う改良されたBPSGリフロー方法を実施することのできる通常の炉のような基体処理チャンバの簡略化したブロックダイアグラムである。図1に示すように、MRL Corporation社製のMRL水平炉のような通常の炉10は、炉10と入口(図示せず)を通して連結させたガス入口ライン25、および炉10内の圧力を調節するスロットルバルブ(図示せず)を含む排気出口ライン30を含む。ガス入口ライン25は、H2およびO2のいずれかまたは両方を炉10内に流入させ得る制御弁35a、35bおよび35cによって水素供給源(H2)と酸素供給源(O2)と連結している。
【００１９】
炉10は、半導体基体上に堆積させたBPSGまたは他のタイプの酸化珪素膜をリフローさせるのに使用できる。図2Aは、BPSG層を表面上に堆積させた直後の基体40を示す。図2Aにおいて示すように、この製造段階においては、基体40は、BPSG層42の堆積以前の処理工程において形成された狭いトレンチ領域44aと広いトレンチ領域44bを含み得る。BPSG層42の堆積後、トレンチ領域44aと44bは、層42が堆積処理中に領域45aおよび44b内で“ピンチオフ”するので、部分的にのみ充填され、空隙46aと46bを残す。堆積工程は大気圧以下で典型的に実施され、その結果、空隙46aと46bが生ずる。
【００２０】
本発明方法の1つの実施態様に従って、図2Aに示す層42のようなBPSG層の平坦化において採用された各工程を示すフローチャートである。図3に示すように、その第１工程は、図1に示す炉10のような炉内、または基体を加熱し得る他のタイプの基体処理チャンバ内に基体(例えば、基体40)を導入することを含む(図3、工程50)。
【００２１】
基体導入工程においては、酸素源20からの酸素を炉10内に流入させて炉内に酸素雰囲気を生成させ、炉温を575℃より高く700℃より低く設定する。基体は酸素雰囲気内に導入するのが好ましく、それによって炉ドアを開放して基体を受け出す時に作業者をH2/O2炎に曝すリスクを減じる。しかしながら、他の実施態様においては、基体は、適切な安全対策が取られ或いは適切な安全装置が炉内に設置されて作業者をH2/O2炎から守る限り(例えば、蒸気が水注入装置または蒸発器から炉に加えられる場合)、蒸気雰囲気内に直接導入してもよい。
【００２２】
導入温度は、575℃より高く設定して、その後の基体およびBPSG層40をBPSG層のリフロー温度にするのに必要な温度立上げ時間を最小にする。導入温度は、700℃より低く設定して、蒸気雰囲気を生成させる前のBPSG層の濃密化を最小にする。より好ましい実施態様においては、575℃(O2中でのH2の自己発火温度)〜650℃に設定する。
【００２３】
ウェハを導入し炉10に対してドアを閉鎖した約2分後に、水素源25からの水素を炉10内に流入させて蒸気(H2/O2)雰囲気を生成させる(工程55)。次いで、炉10の温度をその最初の設定温度からBPSG層42のリフロー温度より高い温度に上昇させる；その最適速度は、使用するリフロー温度、処理量および他の事情によるウェハのクラッキング感受性による。好ましい実施態様においては、この温度上昇は、2℃/分以下の速度にて10〜30分間で起きる。工程55における実際の時間は、炉10の初期温度セッティング、層42をリフローさせるのに選択した温度、層42のガラス転移温度および温度上昇速度に依存する。
【００２４】
本発明者等は、層42の温度を層42のリフロー温度より低い温度から層42のリフロー温度より高い温度に蒸気雰囲気内で上昇させることが、層温度を酸素または窒素雰囲気内で上昇させ次いでリフロー温度が得られた後に蒸気雰囲気を生成させることに比較して、優れたギャップ充填性を与える事を見出した。層42を層のリフロー温度近くまたはそれより高く加熱したとき、層42は濃密化する。温度を本発明の方法において達成される改良されたギャップ充填能力は、蒸気がBPSG層を介して層42の濃密化前にトレンチ44aおよび44b中に拡散し得る結果であると信じている。
【００２５】
いったんリフロー温度に達すると、基体40を炉10内に保持し、層42をリフローさせ、平坦化させる(工程65)。リフロー工程(並びに、工程50、55および60)は、大気圧またはそれ以上で実施し、BPSG層が溶融し流動するとき、トレンチ44aおよび44bの壁からの物質を減圧により空隙内に吸引するようにする。一般に、工程65は、層をリフローさせるのに用いた温度および所望する平坦化度により、20〜40分間継続する。低めの温度と高めの平坦化度は、高めの温度と低めの平坦化度よりも長時間のリフロー工程を必要とする。層42を平坦化させた後、炉温度を層42のリフロー温度より低い温度に下げ、基体を炉10から受け出す(工程70)。
【００２６】
好ましい実施態様においては、工程65のリフロー処理は、2つの下位工程：工程65aおよび工程65bを含む。工程65aにおいては、層42は、蒸気雰囲気内で約20より30分間リフローさせる。次いで、基体を受け出す前の工程65bにおいて、水素流を停止させ、層42を酸素のみの雰囲気内でアニーリングする。この工程は、“ドライアニーリング”工程と称する。好ましくは、工程65bは、2〜10分間続く。また、炉温度は、工程65bにおいておよそ30℃/分までの速度で低下させてもよい。
【００２７】
ドライアニーリング工程の使用は、層42内部の水素および水分含有量を最小にする。本発明者等がBPSG層において実施した試験は、本発明の方法に従ってリフローさせたBPSG層が乾燥(例えば、N2またはO2)雰囲気のみでリフローさせたBPSG層よりも少ない水素を示すことを示唆している。これらの結果を示すグラフ(Y軸の水素濃度とX軸の層深さ)を図4に示す。図4に示すように、上述の工程50、55、60、65a、65bおよび70に従う750℃蒸気アニーリングを用いてアニーリングしたBPSG層の水素濃度プロファイル(白丸を用いたプロット)は、O2雰囲気内で750℃アニーリング処理を用いてアニーリングした同じタイプのBPSG層の水素濃度プロファイル(黒三角を用いたプロット)と本質的に同一である。
【００２８】
別の実施態様においては、図3に示す炉は、±50〜100℃/秒程の速いウェハ温度変動速度が可能である急速熱プロセッサー(RTP)タイプである。ウェハをRTPチャンバ内に酸素雰囲気下約650〜700℃未満の温度で導入する。RTPチャンバに対するドアを閉鎖したとき、湿潤O2をチャンバ内に流入させ、温度を、BPSG層のガラス転移温度より高い温度まで50〜100℃/秒で上昇させる。工程55における現実の時間は、他の要因のうちで、RTPチャンバの初期温度、層のガラス転移温度、層42をリフローさせるのに選択した温度および温度立上げ速度による。
【００２９】
リフロー温度に達すると同時に、基体40をRTPチャンバ10内に保持し、層42をリフローさせ、平坦化させる(工程65)。リフロー工程(並びに、工程50、55および60)は大気圧またはそれ以上で実施して、BPSG層が溶融し流動するときに、トレンチ44aおよび44bの壁からの物質を減圧により空隙内に吸引するようにする。一般に、工程65は、層をリフローさせるのに用いた温度および所望する平坦化度により、約10〜90秒間継続する。層42を平坦化させた後、炉温度を層42のガラス転移温度より低い温度に50〜100℃/秒で下げ、基体をRTP10から受け出す(工程70)。
【００３０】
RTPタイプの炉を用いる好ましい実施態様においては、工程65のリフロー処理は、2つの下位工程：工程65Aおよび工程65Bを含む。工程65Aにおいては、層42は、湿潤O2雰囲気内で約20〜60秒間リフローさせる。次いで、基体を受け出す前の工程65Bにおいて、H2流を停止させ、層42を酸素のみの雰囲気(または他のH2O雰囲気)内でアニーリングする。この工程は、“ドライアニーリング”工程と称する。好ましくは、工程65Bは、5〜60秒間継続する。また、基体温度は、工程65Bにおいて低下させてもよい。
【００３１】
層42のような使用するBPSG層のガラス転移温度は、当業者において理解されているように、その層のホウ素およびリンドーパント濃度に依存している。標準のBPSG膜は、2〜6重量％(wt％)のホウ素濃度、2〜9wt％のリン濃度、および11wt％未満の混合ドーパント濃度(ホウ素とリン)を典型的に含む。一般的には、BPSG層のホウ素濃度を増大させることが、層のリフロー温度を低下させるに当って最も有意な要因である。しかしながら、6wt％よりも高いホウ素濃度においては、得られたBPSG層は、水分および拡散問題を生じ易いようである。
【００３２】
好ましい実施態様においては、BPSG層42は、1998年5月5日に出願され、共同発明者としてLi-Qun Xia等が挙げられている“A TWO-STEP BOROPHOSPHOSILICATE GLASS DEPOSITION PROCESS AND RELATED  DEVICES AND APPARATUS”と題する米国特許出願第09/076,170号に開示されているような2工程蒸着法に従って堆積させる。この09/076,170号米国特許出願は、本明細書に参考として引用する。
【００３３】
（産業上の利用性）
BPSG層42を米国特許出願第09/076,170号に開示された方法に従って堆積させ、本発明方法に従ってリフローさせた場合、本発明者等は、7：1のアスペクト比と0.05ミクロン程の小さいトレンチ幅を有する図2Aの44aのような狭いトレンチを完全に充填できた。また、本発明者等は、米国特許出願第09/076,170号に従って堆積させた一定のホウ素およびリンドーパント濃度を有するBPSG層を、本発明方法を用いる蒸気アニーリング工程においてリフローさせたとき、本発明方法を用いない方法(即ち、基体をBPSG層のリフロー温度に乾燥雰囲気内で加熱し、次いで蒸気アニーリング工程に供する)に比較して、優れたギャップ充填結果も観察している。これらの観察は、5：1以上のアスペクト比を有する狭い(0.09ミクロン)のトレンチ上に堆積させたBPSG層を平坦化させる試みを行ったときになされた。
【００３４】
これらの実験において、本発明者等は、多くの種々の平坦化(リフロー)方法を試み、BPSG層を平坦化しBPSG層が狭いトレンチを完全に充填することを確立した。これらの平坦化方法は、RTP法を用いて層をリフロー化させること(例えば、1つの実験では層を約1分で950℃に加熱し、別の実験では層を焼く10秒で1000℃に加熱する)、および図１の炉10のような通常の炉を用いて層を本発明の利点を示さない蒸気雰囲気内と乾燥O2およびN2雰囲気内でリフローさせることを含んでいた。すべての場合において、本発明者等は、これらの実験におけるBPSGにおいて、試みた種々の平坦化方法で、トレンチのアスペクト比が約5：1より大きい場合の狭い幅のトレンチのギャップを充填できたものはなかった。
【００３５】
代りに、本発明者等は、概して球形の空隙が定常状態に達したであろう高アスペクト比のトレンチ内に生成し、リフロー処理の時間長、最流動温度またはリフロー雰囲気と無関係に、空隙を高アスペクト比では充填できなかったことを観察した。そのような環状空隙の例は、図2Bに空隙48aとして示している。空隙48aは、空隙46a(図2A)がリフロー工程中に閉鎖し始めるときに生ずる。しかしながら、本発明のリフロー方法を用いる場合、同じドーパント濃度値のBPSG層において、本発明者等は、狭い幅のトレンチを充填し、6：1および7：1のアスペクト比を有するトレンチ内の環状空隙を削減することができた。
【００３６】
本発明の幾つかの実施態様を十分に説明してきたが、本発明に従う低比誘電率の酸化物層を堆積させる多くの他の等価または代替方法が、当業者にとって自明であろう。例えば、本発明の好ましい実施態様においては、O2雰囲気を有する炉内に、基体を導入する(工程50)が、工程50においてN2のような他の乾燥雰囲気を使用することも可能である。さらに、工程65bにおいては、乾燥ArまたはN2雰囲気を乾燥O2雰囲気の代りに使用することもできる。これらの等価または代替方法は、本発明の範囲内に属するものとする。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明方法を実施することのできる通常の炉の簡略化したブロック線図である。
【図２Ａ】  表面上に堆積させたBPSG層を有する半導体基体の簡略化した断面図であり、リフロー工程前のBPSG層を示す。
【図２Ｂ】  基体表面上に形成させた狭い幅で高アスペクト比のトレンチ内に概して球形の空隙が残存している従来技術のリフロー工程後のBPSG層を示す。
【図３】  本発明方法に従うBPSG層の平坦化において採用した各工程を示すフローチャートである。
【図４】  本発明方法に従って平坦化したBPSG層の水素含有量を示す図である。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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