(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
グラファイトを主成分として構成された基板と、
前記基板上に設けられたシンチレータと、
前記シンチレータと前記基板とを覆う光透過性の保護膜と
を備え、
前記基板の内部には、アモルファスカーボン、ポリイミド、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｓｉ3Ｎ4、Ｂ4Ｃからなる群の中から選択される１以上の物質が含浸されている
ことを特徴とするシンチレータパネル。
【請求項２】
グラファイトを主成分として構成された基板と、
前記基板の一方の主面上に設けられたシンチレータと、
前記シンチレータと前記基板とを覆う光透過性の保護膜と
を備え、
前記基板の少なくとも前記一方の主面には、アモルファスカーボン、ポリイミド、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｓｉ3Ｎ4、Ｂ4Ｃからなる群の中から選択される１以上の物質からなる層が形成されている
ことを特徴とするシンチレータパネル。
【請求項３】
グラファイトを主成分として構成された基板と、
前記基板の一方の主面上に設けられたシンチレータと、
前記シンチレータと前記基板とを覆う光透過性の保護膜と
を備え、
前記基板の内部には、アモルファスカーボン、ポリイミド、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｓｉ3Ｎ4、Ｂ4Ｃからなる群の中から選択される１以上の物質が含浸されており、
前記基板の少なくとも前記一方の主面には、アモルファスカーボン、ポリイミド、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｓｉ3Ｎ4、Ｂ4Ｃからなる群の中から選択される１以上の物質からなる層が形成されている
ことを特徴とするシンチレータパネル。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のシンチレータパネルと、
前記シンチレータに対向して配置された撮像素子と
を備えたことを特徴とする放射線イメージセンサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シンチレータパネル及び放射線イメージセンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
医療、工業用等に用いられるＸ線撮像装置においては、入射した放射線像を可視像に変換するシンチレータパネルと当該シンチレータパネルから出力された可視像を撮像する撮像素子とを備えた放射線イメージセンサが広く用いられている。上記シンチレータパネルは、基板の一方の主面にＣｓＩ等のシンチレーション物質を堆積させて構成され、他方の主面側から入射して基板を透過した放射線像をシンチレーション物質によって可視像に変換して出力する。また、シンチレータパネルから出力された可視像は、撮像素子によって撮像される。上記基板は、特公平７−２１５６０号公報に開示されているように、アルミニウム等によって構成されることが多い。また、放射線の透過率をさらに高めて明瞭な出力イメージをＸ線撮像装置により得るべく、上記基板をアモルファスカーボンで構成することが、例えば特開平７−２０９４９５号公報、特開平５−２９９０４４号公報に開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記従来技術にかかるシンチレータパネルには、以下に示すような問題点があった。すなわち、基板をアルミニウムによって構成したシンチレータパネルは、比較的安価に製造することができるが、当該基板の放射線透過率を十分に高めることができず、十分に明瞭な出力イメージを得ることができない。一方、シンチレータパネルの基板をアモルファスカーボンによって構成すると、基板の放射線透過率を高めることができ、明瞭な出力イメージを得ることができるが、製造コストが多大となる。
【０００４】
そこで本発明は、安価に構成することができるとともに、明瞭な出力イメージを得ることができるシンチレータパネル及び放射線イメージセンサを提供することを課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明のシンチレータパネルは、グラファイトを主成分として構成された基板と、上記基板上に設けられたシンチレータと、上記シンチレータと上記基板とを覆う光透過性の保護膜とを備え、上記基板の内部には、アモルファスカーボン、ポリイミド、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｓｉ3Ｎ4、Ｂ4Ｃからなる群の中から選択される１以上の物質が含浸されていることを特徴としている。
【０００６】
炭素を主成分として構成された基板を用いることで、アルミニウム製の基板と比較して極めて高い放射線透過率を得ることが可能となる。また、炭素を主成分として構成された基板にアモルファスカーボン、ポリイミド、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｓｉ3Ｎ4、Ｂ4Ｃからなる群の中から選択される１以上の物質を含浸させることで、基板全体をアモルファスカーボンで構成する場合と比較して、当該基板を極めて安価に構成することが可能となる。また、上記保護膜を備えることで、湿気等からシンチレータを保護することが可能となる。また、上記保護膜を備えることで、湿気等からシンチレータを保護することが可能となる。特に、基板をも保護膜で覆うことにより、基板側から侵入する湿気からをもシンチレータを保護することが可能となる。また、グラファイトを主成分として基板を構成することで、当該基板を極めて安価に構成することが可能となる。
【０００７】
また、上記課題を解決するために、本発明のシンチレータパネルは、グラファイトを主成分として構成された基板と、上記基板の一方の主面上に設けられたシンチレータと、上記シンチレータと上記基板とを覆う光透過性の保護膜とを備え、上記基板の少なくとも前記一方の主面には、アモルファスカーボン、ポリイミド、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｓｉ3Ｎ4、Ｂ4Ｃからなる群の中から選択される１以上の物質からなる層が形成されていることを特徴としてもよい。
【０００８】
炭素を主成分として構成された基板を用いることで、アルミニウム製の基板と比較して極めて高い放射線透過率を得ることが可能となる。また、炭素を主成分として構成された基板の少なくとも一方の主面にアモルファスカーボン、ポリイミド、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｓｉ3Ｎ4、Ｂ4Ｃからなる群の中から選択される１以上の物質からなる層を形成することで、基板全体をアモルファスカーボンで構成する場合と比較して、当該基板を極めて安価に構成することが可能となる。また、上記保護膜を備えることで、湿気等からシンチレータを保護することが可能となる。また、上記保護膜を備えることで、湿気等からシンチレータを保護することが可能となる。特に、基板をも保護膜で覆うことにより、基板側から侵入する湿気からをもシンチレータを保護することが可能となる。また、グラファイトを主成分として基板を構成することで、当該基板を極めて安価に構成することが可能となる。
【０００９】
また、上記課題を解決するために、本発明のシンチレータパネルは、グラファイトを主成分として構成された基板と、上記基板の一方の主面上に設けられたシンチレータと、上記シンチレータと上記基板とを覆う光透過性の保護膜とを備え、上記基板の内部には、アモルファスカーボン、ポリイミド、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｓｉ3Ｎ4、Ｂ4Ｃからなる群の中から選択される１以上の物質が含浸されており、上記基板の少なくとも前記一方の主面には、アモルファスカーボン、ポリイミド、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｓｉ3Ｎ4、Ｂ4Ｃからなる群の中から選択される１以上の物質からなる層が形成されていることを特徴としてもよい。
【００１０】
炭素を主成分として構成された基板を用いることで、アルミニウム製の基板と比較して極めて高い放射線透過率を得ることが可能となる。また、炭素を主成分として構成された基板にアモルファスカーボン、ポリイミド、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｓｉ3Ｎ4、Ｂ4Ｃからなる群の中から選択される１以上の物質を含浸させ、基板の少なくとも一方の主面にアモルファスカーボン、ポリイミド、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｓｉ3Ｎ4、Ｂ4Ｃからなる群の中から選択される１以上の物質の層を形成することで、基板全体をアモルファスカーボンで構成する場合と比較して、当該基板を極めて安価に構成することが可能となる。また、上記保護膜を備えることで、湿気等からシンチレータを保護することが可能となる。また、上記保護膜を備えることで、湿気等からシンチレータを保護することが可能となる。特に、基板をも保護膜で覆うことにより、基板側から侵入する湿気からをもシンチレータを保護することが可能となる。また、グラファイトを主成分として基板を構成することで、当該基板を極めて安価に構成することが可能となる。
【００１７】
上記課題を解決するために、本発明の放射線イメージセンサは、上述のシンチレータパネルと、上記シンチレータに対向して配置された撮像素子とを備えたことを特徴としている。
【００１８】
上述のシンチレータパネルと撮像素子とを備えることで、シンチレータパネルから出力される明瞭な出力イメージを撮像素子によって撮像することが可能となる。また、上述の基板を安価に構成することができるため、放射線イメージセンサをも安価に構成することが可能となる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明の第１の実施形態にかかるシンチレータパネルについて、図面を参照して説明する。まず、本実施形態にかかるシンチレータパネルの構成について説明する。図１は本実施形態にかかるシンチレータパネルの模式断面図である。
【００２０】
本実施形態にかかるシンチレータパネル１０は、基板１２と、基板１２上に設けられたシンチレータ１４とを備えて構成される。
【００２１】
基板１２は、厚さ１ｍｍ程度の平板形状を有し、グラファイトを主成分として構成されている。ここで、当該基板１２の内部には、アモルファスカーボンが含浸されている。より具体的には、図１に模式的に表したように、基板１２を構成するグラファイト粒子１２ａの間隙をアモルファスカーボン１２ｂが埋めている。
【００２２】
シンチレータ１４は、基板１２の一方の主面側に形成されている。より詳細には、シンチレータ１４は、上記一方の主面に対して略垂直方向に２５０μｍ程度延びるＣｓＩからなる柱状構造体の配列として形成されている。
【００２３】
また、基板１２とシンチレータ１４との周囲には、基板１２とシンチレータ１４とを覆う光透過性の保護膜１６が形成されている。保護膜１６は、１０μｍ程度の厚みを有するポリパラキシリレンからなる膜であって、主としてシンチレータ１４を湿気から保護し、シンチレータ１４を形成するＣｓＩの潮解を防止する。また、保護膜１６は、シンチレータ１４を機械的に保護する機能をも有している。
【００２４】
続いて、本実施形態にかかるシンチレータパネルの製造方法について説明する。シンチレータパネル１０を製造するためには、まず、厚さ１ｍｍ程度、密度１．７ｇ／ｃｍ3程度のグラファイト製の平板（以下、グラファイト基板という）を用意し、このグラファイト基板の表面を、粒度♯１５００程度（平均粒度８μｍ程度）のアルミナ粉末を用いてサンドブラスト処理を行う。その後、グラファイト基板を洗浄し、乾燥させ、ポリカルボジイミドを揮発性溶媒に溶かしてワニス状としたものの中に、グラファイト基板を浸す。その後、グラファイト基板を乾燥炉内で乾燥させ、さらに高温炉内で約２０００℃、数日間の加熱処理を行うことにより、グラファイト粒子１２ａの表面にアモルファスカーボン１２ｂの被覆層が形成され、すなわち、内部にアモルファスカーボンが含浸されたグラファイト製の基板１２が製造される。
【００２５】
続いて、上述の如く製造された基板１２の一方の主面に、例えば真空蒸着法によってＣｓＩを堆積させ、シンチレータ１４を形成する。基板１２上にシンチレータ１４を形成したあと、ポリパラキシリレンをＣＶＤ法により表面に１０μｍ程度形成することにより保護膜１６を形成し、シンチレータパネル１０が完成する。
【００２６】
続いて、本実施形態にかかるシンチレータパネルの作用及び効果について説明する。本実施形態にかかるシンチレータパネル１０は、上記構成により、入射した放射線像を可視像に変換して出力することができる。より詳細には、基板１２の２つの主面のうち、シンチレータ１４が設けられていないほうの主面側から放射線が入射すると、当該放射線は基板１２を透過してシンチレータ１４に入射する。シンチレータ１４に入射した放射線は、シンチレータ１４によって可視像に変換され、シンチレータ１４から出力される。
【００２７】
ここで、本実施形態にかかるシンチレータパネル１０は、炭素（グラファイト）を主成分として構成された基板１２を用いることで、アルミニウム製の基板と比較して極めて高い放射線透過率を得ることが可能となる。特に、入射する放射線のエネルギーが小さい場合であっても、極めて高い放射線透過率を得ることが可能となる。従って、シンチレータパネル１０から、明瞭な出力イメージを得ることが可能となる。以下、比較のため、従来技術にかかるアルミニウム製の基板（従来例）と本実施形態にかかるグラファイトを主成分とした基板１２（本発明）とのＸ線透過率を表１に示す。
【００２８】
【表１】
0004377481.tif 000002
【００２９】
また、本実施形態にかかるシンチレータパネル１０は、グラファイトを主成分として構成された基板１２にアモルファスカーボンを含浸させることで、基板１２全体をアモルファスカーボンで構成する場合と比較して、基板１２を極めて安価に構成することが可能となる。その結果、シンチレータパネル１０自体をも極めて安価に構成することが可能となる。
【００３０】
ここで、さらに安価に構成すべく、基板をグラファイトのみで構成することも考えられるが、基板をグラファイトのみで構成した場合は、機械的な強度が極めて弱い、気孔率が高く（基板の厚み方向に貫通孔が形成されてしまうこともある）、耐湿性を十分に確保することができないといった問題を生ずる。これに対して、本実施形態にかかる基板１２は、アモルファスカーボンを含浸させることによって、機械的強度を高めるとともに、気孔率を小さくし、高い耐湿性を確保している。
【００３１】
また、本実施形態にかかるシンチレータパネル１０は、基板１２とシンチレータ１４との周囲を保護膜１６で覆うことで、耐湿性をさらに高めることが可能となる。特に、基板１２をも保護膜１６で覆うことにより、基板１２側から侵入する湿気からをもシンチレータ１４を保護することが可能となる。
【００３２】
続いて、本発明の第２の実施形態にかかるシンチレータパネルについて、図面を参照して説明する。図２は本実施形態にかかるシンチレータパネルの模式断面図である。本実施形態にかかるシンチレータパネル２０が、上記第１の実施形態にかかるシンチレータパネル１０と異なる点は、上記第１の実施形態にかかるシンチレータパネル１０の基板１２がグラファイトを主成分として内部にアモルファスカーボンを含浸させた基板１２であったのに対し、本実施形態にかかる基板１２が、グラファイトを主成分として一方の主面にアモルファスカーボンからなる層が形成された基板１２である点である。以下、詳細に説明する。
【００３３】
本実施形態にかかるシンチレータパネル２０は、図２に模式的に示すように、基板１２と、基板１２上に設けられたシンチレータ１４とを備えて構成される。基板１２は、グラファイトを主成分として構成された平板形状を有する基板であって、その一方の主面には、アモルファスカーボンからなる層（以下、被覆層１２ｃという）が３μｍ程度の厚みをもって形成されている。また、シンチレータ１４は、基板１２の上記一方の主面（被覆層１２ｃが形成された面）側に形成されている。さらに、基板１２とシンチレータ１４との周囲には、基板１２とシンチレータ１４とを覆う光透過性の保護膜１６が形成されている。
【００３４】
シンチレータパネル２０は、例えば以下に示すように製造される。すなわち、表面のサンドブラスト処理、洗浄処理、乾燥処理のなされたグラファイト基板の一方の主面に、ポリカルボジイミドを揮発性溶媒に溶かしてワニス状としたものを吹き付ける、あるいは、塗布する。この際、ポリカルボジイミドを揮発性溶媒に溶かしてワニス状としたものの粘度を高くしておくことで、ポリカルボジイミドがグラファイト基板に吹き付けられ、あるいは、塗布された際に、当該ポリカルボジイミドがグラファイト基板の内部に浸透せず、表面に残留する。続いて、グラファイト基板を乾燥炉内で乾燥させ、さらに高温炉内で加熱処理を行うことにより、一方の主面にアモルファスカーボンからなる被覆層１２ｃが形成された基板１２が完成する。その後、基板１２の一方の主面（被覆層１２ｃが形成された面）にシンチレータ１４を形成し、基板１２とシンチレータ１４とを覆う保護膜１６を形成することにより、シンチレータパネル２０が完成する。
【００３５】
本実施形態にかかるシンチレータパネル２０も上記第１の実施形態にかかるシンチレータパネル１０と同様に、アルミニウム製の基板と比較して極めて高い放射線透過率を得ることができ、明瞭な出力イメージを得ることが可能となる。また、基板１２全体をアモルファスカーボンで構成する場合と比較して、基板１２を極めて安価に構成することができ、シンチレータパネル２０自体をも極めて安価に構成することが可能となる。さらに、基板１２とシンチレータ１４との周囲を保護膜１６で覆うことで、耐湿性を高めることが可能となる。
【００３６】
続いて、本発明の第３の実施形態にかかるシンチレータパネルについて、図面を参照して説明する。図３は本実施形態にかかるシンチレータパネルの模式断面図である。本実施形態にかかるシンチレータパネル３０が、上記第１の実施形態にかかるシンチレータパネル１０と異なる点は、上記第１の実施形態にかかるシンチレータパネル１０の基板１２がグラファイトを主成分として内部にアモルファスカーボンを含浸させた基板１２であったのに対し、本実施形態にかかる基板１２が、グラファイトを主成分として内部にアモルファスカーボンを含浸させ、さらに一方の主面にアモルファスカーボンからなる層が形成された基板１２である点である。以下、詳細に説明する。
【００３７】
本実施形態にかかるシンチレータパネル３０は、図３に模式的に示すように、基板１２と、基板１２上に設けられたシンチレータ１４とを備えて構成される。基板１２は、グラファイトを主成分として構成された平板形状を有する基板であって、その内部には、アモルファスカーボンが含浸されている。より具体的には、図３に模式的に表したように、基板１２を構成するグラファイト粒子１２ａの間隙をアモルファスカーボン１２ｂが埋めている。また、基板１２の一方の主面には、アモルファスカーボンからなる被覆層１２ｃが形成されている。また、シンチレータ１４は、基板１２の上記一方の主面（被覆層１２ｃが形成された面）側に形成されている。さらに、基板１２とシンチレータ１４との周囲には、基板１２とシンチレータ１４とを覆う光透過性の保護膜１６が形成されている。
【００３８】
シンチレータパネル３０を構成する基板１２は、上述の第１の実施形態にかかるシンチレータパネル１０の製造方法と同様の方法によって基板１２の内部にアモルファスカーボンを含浸させたあと、上述の第２の実施形態にかかるシンチレータパネル２０の製造方法と同様の方法によって基板１２の一方の主面に被覆層１２ｃを形成することによって製造される。尚、その後のシンチレータ１４の形成、保護膜１６の形成については、上述の第１の実施形態にかかるシンチレータパネル１０の製造方法と同様である。
【００３９】
本実施形態にかかるシンチレータパネル３０も上記第１の実施形態にかかるシンチレータパネル１０と同様に、アルミニウム製の基板と比較して極めて高い放射線透過率を得ることができ、明瞭な出力イメージを得ることが可能となる。また、基板１２全体をアモルファスカーボンで構成する場合と比較して、基板１２を極めて安価に構成することができ、シンチレータパネル２０自体をも極めて安価に構成することが可能となる。さらに、基板１２とシンチレータ１４との周囲を保護膜１６で覆うことで、耐湿性を高めることが可能となる。
【００４０】
上記第１の実施形態にかかるシンチレータパネル１０においては、ポリカルボジイミドを揮発性溶媒に溶かしてワニス状としたものの中にグラファイト基板を浸して加熱処理を行うことにより、基板１２にアモルファスカーボンを含浸させていたが、ポリカルボジイミドに代えてセルロース、フェノール樹脂、フラン樹脂等を用いてもよい。
【００４１】
また、上記第１、第３の実施形態にかかるシンチレータパネル１０，３０においては、基板１２にアモルファスカーボンを含浸させていたが、これは、ポリイミド（例えばＲＮ−８１２（日産化学工業（株）））、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｓｉ3Ｎ4、Ｂ4Ｃなどを含浸させてもよい。基板１２の内部にポリイミドを含浸させる場合は、ロールコーターを用いてポリイミドを基板１２の内部に浸透させた後、高温炉内で約３００℃、３０分間の加熱処理を行う。また、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｓｉ3Ｎ4、Ｂ4Ｃは、化学気相浸透（ＣＶＩ）法により基板１２の内部に含浸させることが可能である。
【００４２】
また、上記第２、第３の実施形態にかかるシンチレータパネル２０，３０においては、基板１２の一方の主面にアモルファスカーボンからなる被覆層１２ｃを形成していたが、これは、ポリイミド、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｓｉ3Ｎ4、Ｂ4Ｃなどからなる被覆層１２ｃを形成してもよい。基板１２の一方の主面にポリイミドからなる被覆層１２ｃを形成する場合は、ロールコーターを用いて粘度の高いポリイミドを基板１２の表面に塗布した後、加熱処理を行う。また、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｓｉ3Ｎ4、Ｂ4Ｃからなる層は、化学気相成長（ＣＶＤ）法により形成することが可能である。
【００４３】
また、上記第１、第３の実施形態にかかるシンチレータパネル１０，３０においては、耐湿性の面から、基板１２を構成するグラファイト粒子１２ａの間隙のすべてをアモルファスカーボン１２ｂで埋めることが好ましいが、必ずしもグラファイト粒子１２ａの間隙のすべてがアモルファスカーボン１２ｂによって埋められている必要はない。厚み方向に貫通する貫通孔がなくなるように、グラファイト粒子１２ａの間隙のうち少なくとも一部をアモルファスカーボン１２ｂによって埋めることで、耐湿性の向上に寄与しうる。
【００４４】
また、上記第２、第３の実施形態にかかるシンチレータパネル２０，３０においては、基板１２の一方の主面に被覆層１２ｃを形成していたが、両方の主面に被覆層１２ｃを形成してもよい。両方の主面に被覆層１２ｃを形成することで、耐湿性がさらに向上する。
【００４５】
また、第３の実施形態にかかるシンチレータパネル３０においては、基板１２の内部にアモルファスカーボンを含浸させ、基板１２の一方の主面にアモルファスカーボンからなる被覆層１２ｃを形成していたが、含浸させる物質と被覆層１２ｃを形成する物質とは同一でなくてもよい。例えば、基板１２の内部にアモルファスカーボンを含浸させ、基板１２の一方の主面にＳｉＣからなる被覆層１２ｃを形成してもよい。
【００４６】
また、上記第１から第３の実施形態にかかるシンチレータパネル１０，２０，３０においては、保護膜１６が基板１２とシンチレータ１４との双方を覆っていたが、シンチレータ１４のみを保護膜１６で覆う構成としてもよい。
【００４７】
続いて、本発明の実施形態にかかる放射線イメージセンサについて、図面を参照して説明する。図４は本実施形態にかかる放射線イメージセンサの模式断面図である。
【００４８】
本実施形態にかかる放射線イメージセンサ４０は、上述の第１の実施形態にかかるシンチレータパネル１０と、撮像素子１８とを備えて構成される。撮像素子１８は、シンチレータパネル１０を構成するシンチレータ１４に対向して配置されており、より具体的には、その受光面が保護膜１６を介してシンチレータ１４に接着されている。
【００４９】
本実施形態にかかる放射線イメージセンサ４０は、かかる構成により、シンチレータパネル１０から出力される明瞭な出力イメージを撮像素子１８によって撮像することが可能となる。また、上述の基板１２を安価に構成することができるため、放射線イメージセンサ４０をも安価に構成することが可能となる。
【００５０】
また、上記第２、第３の実施形態にかかるシンチレータパネル２０、３０と撮像素子１８とを備えて放射線イメージセンサを構成することも可能である。
【００５１】
【発明の効果】
本発明のシンチレータパネルは、炭素を主成分として構成された基板を用いることで、アルミニウム製の基板と比較して極めて高い放射線透過率を得ることができ、明瞭な出力イメージを得ることが可能となる。また、炭素を主成分として構成された基板にアモルファスカーボン、ポリイミド、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｓｉ3Ｎ4、Ｂ4Ｃからなる群の中から選択される１以上の物質を含浸させ、及び／または、基板の少なくとも一方の主面にアモルファスカーボン、ポリイミド、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｓｉ3Ｎ4、Ｂ4Ｃからなる群の中から選択される１以上の物質からなる層を形成することで、基板全体をアモルファスカーボンで構成する場合と比較して、当該基板を極めて安価に構成することが可能となる。その結果、シンチレータパネルを安価に構成することが可能となる。
【００５２】
また、本発明のシンチレータパネルにおいては、シンチレータを覆う光透過性の保護膜を備えることで、湿気等からシンチレータを保護することが可能となる。特に、シンチレータと基板とを覆う保護膜を備えた場合は、基板側から侵入する湿気からをもシンチレータを保護することが可能となる。
【００５３】
また、本発明のシンチレータパネルにおいては、グラファイトを主成分として基板を構成することで、当該基板を極めて安価に構成することが可能となる。
【００５４】
また、本発明の放射線イメージセンサは、本発明にかかる上述のシンチレータパネルと撮像素子とを備えることで、シンチレータパネルから出力される明瞭な出力イメージを撮像素子によって撮像することが可能となる。また、上述の基板を安価に構成することができるため、放射線イメージセンサをも安価に構成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】シンチレータパネルの模式断面図である。
【図２】シンチレータパネルの模式断面図である。
【図３】シンチレータパネルの模式断面図である。
【図４】放射線イメージセンサの模式断面図である。
【符号の説明】
１０，２０，３０…シンチレータパネル、１２…基板、１２ａ…グラファイト粒子、１２ｂ…アモルファスカーボン、１２ｃ…被覆層、１４…シンチレータ、１６…保護膜、１８…撮像素子、４０…放射線イメージセンサ
【図１】
0004377481.tif 000003
【図２】
0004377481.tif 000004
【図３】
0004377481.tif 000005
【図４】
0004377481.tif 000006