(57)【要約】  本発明は、タッチパネルの製造装置、製造システム及び製造方法に関するものであって、特に、導電性を有する透明な第1酸化物を用いてブリッジを形成し、高温高湿に強い第2酸化物を前記ブリッジの上に形成させるタッチパネルの製造装置、製造システム及び製造方法を提供することを技術的課題とする。そのため、本発明に係るタッチパネルの製造方法は、基板の表示領域に電極部を形成する工程;前記基板の非表示領域に遮光層を形成する工程;前記遮光層上に電極ラインを形成する工程;導電性を有する透明な第1酸化物を用いて、前記電極部と前記電極ラインを接続するためのラインブリッジを形成する工程;前記第1酸化物を保護するための、前記第1酸化物上に第2酸化物を形成する工程を含む。  【選択図】図４
2017504111.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表示領域に電極部を形成する工程;
前記基板の非表示領域に遮光層を形成する工程;
前記遮光層上に電極ラインを形成する工程;
第1酸化物を用いて第1酸化物層を形成することで、前記電極部を前記電極ラインに接続するためのラインブリッジを形成する工程;と
前記第1酸化物層を保護するために、前記第1酸化物よりも低いステップカバレッジ及び前記第1酸化物よりも低い抵抗を有する第2酸化物を用いて、前記第1酸化物層上に第2酸化物層を形成させる工程を含むタッチパネルの製造方法。
【請求項２】
前記ラインブリッジを形成する工程が、
有機金属化学気相成長（MOCVD）法を用いることを特徴とする請求項１に記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項３】
前記第2酸化物が、前記第1酸化物よりも高温高湿に強いことを特徴とする請求項１に記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項４】
前記第1酸化物は、酸化亜鉛（ZnO）、または酸化亜鉛にホウ素（Boron）がドーピングされているBZOであり、前記第2酸化物は、インジウムを含有した酸化物であることを特徴とする請求項１に記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項５】
前記第1酸化物は、酸化亜鉛（ZnO）、または酸化亜鉛にホウ素（Boron）がドーピングされているBZOであり、前記第2の酸化物は、スズを含有した酸化物であることを特徴とする請求項１に記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項６】
前記電極部は、電気的に互いに分離されて第1タッチ電極を形成する第1電極部と電気的に相互に接続されて第2タッチ電極を形成する第2電極部を含み、
前記ラインブリッジを形成する工程は、
前記ラインブリッジを形成する工程と同一の工程と前記ラインブリッジの物質と同一の物質を用いて、前記第1電極部間を電気的に接続させる電極ブリッジを形成することを特徴とする請求項１に記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項７】
前記電極部が、前記第1酸化物を用いて形成されることを特徴とする請求項１に記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項８】
前記第1酸化物で形成された前記電極部の上部に、前記第2酸化物を堆積させる工程をさらに含む請求項７に記載のタッチパネルの製造方法。
【請求項９】
反応空間を有するチャンバー;
前記チャンバー内に配置され、第1極性の電源が供給され、かつ、表示領域に形成されている電極部、前記表示領域の外部に形成される非表示領域に形成された遮光層、前記遮光層上に形成された電極ライン、及び有機金属化学気相成長（MOCVD）法によって第1酸化物で形成されて前記電極部と前記電極ラインとを接続するためのラインブリッジを含む製造基板を支持するサセプタ;及び
第2酸化物ターゲットが装着されていて、第2極性の電源が供給されるターゲット支持部を含み、
放電された不活性ガスのイオンを前記第2酸化物ターゲットに衝突させて、前記第2酸化物ターゲットから分離した原子を、前記第1酸化物の上部に堆積させて、前記第1酸化物の上部に第2酸化物を形成させることを特徴とするタッチパネルの製造装置。
【請求項１０】
前記第1酸化物は、酸化亜鉛（ZnO）、または酸化亜鉛にホウ素（Boron）がドーピングされているBZOであり、前記第2酸化物は、前記第1酸化物よりも高温高湿に強いインジウムを含有した酸化物、またはスズを含有した酸化物であることを特徴とする請求項９に記載のタッチパネルの製造装置。
【請求項１１】
前記第2酸化物は、物理気相成長（PVD）法によって前記第1酸化物の上部に堆積されることを特徴とする請求項９に記載のタッチパネルの製造装置。
【請求項１２】
金属原料物質と反応ガスを前記製造基板に噴射させることで、表示領域に形成されている電極部、前記表示領域の外部に形成される非表示領域に形成された遮光層と、前記遮光層上に形成された電極ラインを含む製造基板上に、前記電極部と前記電極ラインとを接続するためのラインブリッジとして用いられる第1酸化物を形成する、第1タッチパネル製造装置;及び、
前記第1タッチパネル製造装置から排出された前記製造基板の前記第1酸化物の上部に前記第1酸化物よりも高温高湿に強い第2酸化物を形成する第2タッチパネル製造装置を含むタッチパネルの製造システム。
【請求項１３】
前記第1酸化物は、酸化亜鉛（ZnO）、または酸化亜鉛にホウ素（Boron）がドーピングされているBZOであり、前記第2酸化物は、インジウムを含有した酸化物またはスズを含有した酸化物であることを特徴とする請求項１２に記載のタッチパネルの製造システム。
【請求項１４】
前記第1タッチパネルの製造装置は、有機金属化学気相成長（MOCVD）法を用いて前記ラインブリッジを形成し、
前記第2タッチパネルの製造装置は、物理気相成長（PVD）法によって、前記第2酸化物を前記第1酸化物の上部に形成させることを特徴とする請求項１２に記載のタッチパネルの製造システム。
【請求項１５】
基板の表示領域に電極部を形成する工程;
前記基板の非表示領域に遮光層を形成する工程;
前記遮光層上に電極ラインを形成する工程;
前記電極部と前記電極ラインとを接続するためのラインブリッジを形成するために、ステップカバレッジ上昇層を形成する工程;及び
前記ステップカバレッジ上昇層上に抵抗減少層を形成する工程を含むタッチパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、タッチパネルの製造方法に関するものであり、特に、表示装置を構成するパネルの平面に取り付けられるタッチパネルを製造する装置、システム及び方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話、タブレットPC、ノートPCなどを含む様々な種類の電子製品には、フラットパネル表示装置（FPD：Flat Panel Display）が用いられている。フラットパネル表示装置には、液晶表示装置（LCD：Liquid Crystal Display）、プラズマ表示装置（PDP：Plasma Display Device）、有機発光表示装置（OLED：Organic Light Emitting Display Device）などがあり、最近では電気泳動表示装置（EPD：ELECTROPHORETIC DISPLAY）も広く用いられている。
【０００３】
フラットパネル表示装置（以下、単に「表示装置」という。）の中で、液晶表示装置は、量産化技術の進歩により量産化が容易で、駆動手段の駆動性と高画質を実現するため、現在最も広く商用化されている。
【０００４】
表示装置の中で、有機発光表示装置（Organic Light Emitting Display Device）は、1ms以下の高速の応答時間を有し、消費電力が低いため、次世代の表示装置として注目されている。
【０００５】
最近になって、前記のような表示装置の入力装置として、従来用いられてきたマウスやキーボードなどの入力装置に代わって、使用者が指やペンを用いて直接情報を入力することができるタッチパネルが用いられている。
【０００６】
表示装置で画像を表示するパネルに前記タッチパネルを設ける方法として、アドオン（Add-on）タイプとインセルタイプ（In-Cell Type）などがある。
【０００７】
このうちアドオンタイプのタッチパネルは、前記パネルとは独立して製造した後、前記パネルの上部面に取り付けられる。また、前記のインセルタイプのタッチパネルでは、前記タッチパネルを構成する要素が、前記パネルの内部に形成される。
【０００８】
図1は、従来のアドオンタイプのタッチパネルの断面を概略的に示した例示図であり、特に、前記タッチパネルの非表示領域に形成された遮光層と、前記遮光層に形成されたラインを概略的に示した例示図である。
【０００９】
アドオンタイプのタッチパネルは、前述のように表示装置からの画像を表示するパネルの上部面に取り付けられる。
【００１０】
第一に、前記タッチパネルの表示領域（M）には、インジウムスズ酸化物（ITO、透明電極）を用いて、X軸電極センサーパターン（以下、単に「駆動電極」という）と、Y軸電極センサーパターン（以下、簡単に「受信電極」という）が形成される。前記タッチパネルを形成する前記ITOは、ガラス基板（Glass）またはフィルムなど（以下、単に「基板１１」という）の上に堆積されてよい。
【００１１】
前記タッチパネルでは、前記駆動電極は、前記受信電極と電気的に接続しないように、絶縁体を用いて前記受信電極から隔離されている。ここで、前記絶縁体の上面または下面を通るラインは、電極ブリッジ（Bridge）という。前記電極ブリッジは、互いに分離されている駆動電極部を電気的に接続させたり、または互いに分離されている受信電極部を電気的に接続させる。
【００１２】
第二に、前記タッチパネルの非表示領域（N）には、図1に示したように、駆動電極または受信電極と接続されている駆動電極ラインまたは受信電極ラインが形成されている。以下では、図1に示されたライン１４が、受信電極列である場合を一例にとって、従来のタッチパネルを説明する。
【００１３】
前記非表示領域（N）には、光漏れ防止のために遮光層１２が形成されていて、前記受信電極ライン１４は、前記遮光層１２に形成される。
【００１４】
ここで、前記表示領域（M）に形成されている前記受信電極１３と、前記非表示領域（N）に形成されている前記受信電極ライン１４とを電気的に接続させるためのラインは、受信ラインブリッジ１５という。また、前記表示領域（M）に形成されている駆動電極と前記非表示領域（N）に形成されている前記駆動電極ラインを電気的に接続させるためのラインは、駆動ラインブリッジという。
【００１５】
前記表示領域（M）に形成されている前記駆動電極を構成する駆動電極部を電気的に接続させる駆動電極ブリッジ、前記表示領域（M）に形成されている前記受信電極を構成する受信電極部を電気的に接続させる受信電極ブリッジ、前記表示領域（M）に形成されている駆動電極と前記非表示領域（N）に形成されている前記駆動電極ラインとを接続させる駆動ラインブリッジ及び前記表示領域（M）に形成されている前記受信電極と前記非表示領域（N）に形成されている前記受信電極ラインとを接続させる受信ラインブリッジ１５を総称して、ブリッジという。
【００１６】
一般的に、前記電極ブリッジ及び前記ラインブリッジは、同一の工程を通じて前記基板１１に同時に形成される。
【００１７】
前記のような構造で構成されている従来のタッチパネルは、次のような問題点を有している。
【００１８】
一般的に、物理気相成長（physical vapor deposition、PVD）方法によって基板に形成されるITOはステップカバレッジ（step coverage）が良くなく、前記ITOで形成されている前記電極ブリッジ、駆動電極及び前記受信電極１３の厚さは300ｎｍであり、前記遮光層１２の厚さ（B）は、前記電極ブリッジより70倍程度厚い20μｍ以上に形成される。
【００１９】
したがって、従来のタッチパネル製造のために、前記ITOを用いて、前記ラインブリッジ１５が形成される場合、前記ラインブリッジ１５と前記遮光層１２上に形成されている前記電極ライン１４が電気的に良く接続されない。
【００２０】
より詳しく説明すると、前記ラインブリッジ１５を形成するために、前記ITOがPVD法によってスパッタリング（Sputtering）される時、図1に示したように、前記ラインブリッジ１５が、前記遮光層１２の側面に沿って形成されるため、前記ラインブリッジ１５の安定的な実装が難しい。したがって、前記遮光層１２の側面に沿って形成される前記ラインブリッジ１５に断線領域（C）が発生し得る。
【００２１】
特に、前記遮光層１２と前記基板１１の段差のために、マスキングを用いた露光の精度が落ちて、前記ラインブリッジ１５で断線が発生する可能性が高い。
【００２２】
また、前記ラインブリッジ１５を形成するための前記ITOのエッチング工程でエッチング溶液と前記遮光層が反応して、前記ラインブリッジ１５の品質が低下する恐れがある。また、前記ITOを用いた高温のスパッタリング工程時、前記遮光層の表面で発生したガスが、前記ラインブリッジ１５の形成を妨害する恐れがあり、この場合、均一品質の前記ラインブリッジ１５を実現することが困難になる恐れがある。また、高温のスパッタリング工程時、前記遮光層が酸化する現象が発生する恐れがあり、このような現象も、前記ITOで形成される前記ラインブリッジ１５の品質を低下させる恐れがある。
【００２３】
前記のような原因によって、従来のタッチパネルの不良率が増加していて、それによって、前記タッチパネルの生産単価も増加している。
【００２４】
特に、ホワイトベゼル（white bezel）を用いる携帯電話に設けられるタッチパネルに形成される前記遮光層の厚さは、60μｍ以上の厚さに形成されるため、タッチパネルの生産性は20％程度に過ぎない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２５】
本発明は、上述した問題点を解決するため、導電性を有する透明な第1酸化物を用いてブリッジを形成し、高温高湿に強い第2酸化物を前記ブリッジの上に形成させるタッチパネル製造装置、システム及び方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
上述した技術的課題を達成するための本発明によるタッチパネルの製造方法は、基板の表示領域に電極部を形成する工程;前記基板の非表示領域に遮光層を形成する工程;前記遮光層上に電極ラインを形成する工程;前記電極部と前記電極ラインとを接続するためのラインブリッジを形成するために、第1酸化物を用いて第1酸化物層を形成する工程;前記第1酸化物層を保護するために、前記第1酸化物より低いステップカバレッジ、及び、前記第1酸化物よりも低い抵抗を有する第2酸化物を用いて、前記第1酸化物層上に第2酸化物層を形成する工程を含む。
【００２７】
上述した技術的課題を達成するための本発明によるタッチパネルの製造方法は、基板の表示領域に電極部を形成する工程;前記基板の非表示領域に遮光層を形成する工程;前記遮光層上に電極ラインを形成する工程;前記電極部と前記電極ラインとを接続するためのラインブリッジの形成のために、ステップカバレッジ上昇層を形成する工程;前記ステップカバレッジ上昇層上に抵抗減少層を形成する工程を含む。
【００２８】
上述した技術的課題を達成するための本発明によるタッチパネルの製造装置は、反応空間を有するチャンバー;表示領域に形成される電極部、前記表示領域の外部に形成される非表示領域に形成される遮光層、前記遮光層上に形成される電極ラインと、有機金属化学気相成長（MOCVD）法によって形成されて前記電極部と前記電極ラインとを接続するための、第1酸化物で形成されたラインブリッジを含む製造基板を支持し、前記チャンバー内部に配置され、第1極性の電源が供給されるサセプタ;及び第2酸化物ターゲットが装着されていて、第2極性の電源が供給されるターゲット支持部を含み、放電された不活性気体のイオンを前記第2酸化物ターゲットに衝突させて、前記第2酸化物ターゲットから分離した原子を、前記第1酸化物の上部に堆積させて、前記第1酸化物の上部に第2酸化物を形成させることを特徴とする。
【００２９】
上述した技術的課題を達成するための本発明によるタッチパネル製造システムは、表示領域に形成される電極部、前記表示領域の外部に形成された非表示領域に形成される遮光層と、前記遮光層上に形成される電極ラインを含む製造基板上に、前記電極部と前記電極ラインとを接続するためのラインブリッジとして用いられる第1酸化物を形成するために、金属原料物質と反応ガスを前記製造基板に噴射する第1タッチパネル製造装置;前記第1タッチパネル製造装置から排出された前記製造基板の前記第1酸化物の上部に前記第1酸化物よりも高温高湿に強い第2酸化物を形成する第2タッチパネル製造装置を含む。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、導電性を有する透明な第1酸化物を用いてブリッジが形成されることによって、前記ブリッジのステップカバレッジが改善され得、タッチパネルの製造コストを節減することができる。
【００３１】
また、本発明によれば、導電性を有する透明な前記第1酸化物の上部に、前記第1酸化物を高温高湿から保護するための第2酸化物が形成されることで、前記第1酸化物の特性が改善され得る。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】従来のアドオンタイプのタッチパネルの断面を概略的に示した例示図である。
【図２】本発明によるタッチパネルの製造方法を用いて製造されたタッチパネルを概略的に示した例示図。
【図３】図2に示されたタッチパネルを詳細に示した例示図。
【図４】図3に示されたタッチパネルをX-X'方向で切断した断面を示した例示図。
【図５】本発明によるタッチパネルの製造方法に適用される酸化物の特性を示したグラフ。
【図６ａ】本発明によるタッチパネルの製造方法を順に示した例示図。
【図６ｂ】本発明によるタッチパネルの製造方法を順に示した例示図。
【図６ｃ】本発明によるタッチパネルの製造方法を順に示した例示図。
【図６ｄ】本発明によるタッチパネルの製造方法を順に示した例示図。
【図６ｅ】本発明によるタッチパネルの製造方法を順に示した例示図。
【図６ｆ】本発明によるタッチパネルの製造方法を順に示した例示図。
【図６ｇ】本発明によるタッチパネルの製造方法を順に示した例示図。
【図７】本発明に係るタッチパネルの製造システムの構成を示した例示図。
【図８】図7に示された第1タッチパネル製造装置を示した例示図。
【図９】図7に示された第2タッチパネル製造装置を示した例示図。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、添付した図を参照して、本発明の実施例に対して詳細に説明する。
【００３４】
図2は、本発明によるタッチパネルの製造方法を用いて製造されたタッチパネルを概略的に示した例示図である。
【００３５】
タッチパネルを駆動する方法は、抵抗方式と静電容量方式があり、前記静電容量方式は、さらに自己容量方式と相互容量方式に区分することができる。本発明は、自己容量方式のタッチパネル及び相互容量方式のタッチパネルの製造の両方に用いることができるが、以下では、説明の便宜上、相互容量方式のタッチパネルを一例にして、本発明を説明する。ここで、相互容量方式のタッチパネルは、駆動電極と受信電極で構成され、前記駆動電極に順次に供給された駆動パルスによって、前記受信電極から受信される感知信号を用いて、タッチの有無を感知する機能を行なう。
【００３６】
また、液晶表示装置（LCD）、有機発光表示装置（OLED）、プラズマ表示装置（PDP）及び電気泳動表示装置（EPD）のような様々な種類の表示装置で画像を表示するパネルに、前記タッチパネルを構成する方法としては、アドオン（Add-on）タイプ、インセルタイプ（In-Cell Type）、ハイブリッドインセルタイプ及びオンセルタイプ（on-Cell Type）などがある。本発明は、前記のような様々なタイプのタッチパネルのすべてに適用され得るが、以下では、説明の便宜上アドオン（Add-on）タイプのタッチパネルを一例にして、本発明によるタッチパネルの製造方法を説明する。ここで、アドオンタイプのタッチパネルというのは、前記パネルとは独立して製造した後、前記パネルの平面に取り付けられるタッチパネルを意味する。
【００３７】
つまり、本発明に係るタッチパネルの製造方法を用いて製造された、図2に示したようなタッチパネル１００は、相互容量方式を用いて、アドオンタイプで製造されたものであって、ユーザーのタッチの有無を感知する。
【００３８】
前記タッチパネル１００は、前記パネルで画像が表示される領域に対応する表示領域１１０及び前記パネルで画像が表示されない領域に対応する非表示領域１６０を含んでいる。
【００３９】
前記表示領域１１０には、タッチを感知することができる駆動電極１３０及び受信電極１２０が形成されていて、前記パネルから出力された光は、前記表示領域１１０を通過する。
【００４０】
前記非表示領域１６０は、表示装置のケースによって覆われる領域であり、ベゼル（Bezel）とも呼ばれている。前記非表示領域１６０には、前記のように画像が表示されず、したがって光は、前記非表示領域１６０へは漏れ出てはならない。光が漏れ出ることを防止するために、前記非表示領域１６０には、遮光層が形成される。
【００４１】
例えば、前記のアドオンタイプのタッチパネル１００は、透明なガラス基板等に形成された後、前記パネルに合着されるので、前記パネルを通じて出力された光を通過させることができる。しかし、前記非表示領域１６０では、前記パネルを通じて出力された光が通過してはならないため、前記の非表示領域１６０には前記遮光層が形成して、光を遮断する。
【００４２】
前記タッチパネル１００の前記表示領域１１０で、一の方向−例えば図2の横方向−には、複数の受信電極（RX）１２０が形成されていて、他の方向−例えば図2の縦方向−には、複数の駆動電極（TX）１３０が形成されている。以下では、説明の便宜上、5つの受信電極１２０と、4つの駆動電極１３０が形成されているタッチパネルを一例にして、本発明を説明する。しかし、前記受信電極１２０及び前記駆動電極１３０の数は、前記タッチパネルのサイズなどに応じて多様に変更することができる。
【００４３】
前記非表示領域１６０のうち、第1非表示領域１６０a、例えば、図2に示されたタッチパネル１００の左側に形成されている非表示領域には、前記の5つの受信電極１２０と接続されている5つの受信電極ライン１４０が形成されている。前記非表示領域１６０のうち、第2の非表示領域１６０b、例えば、図2に示されたタッチパネル１００の下側に形成されている非表示領域には、前記の4つの駆動電極１３０と接続されている4つの駆動電極ライン１５０が形成されていて、前記第2の非表示領域１６０bには、5つの前記受信電極ライン１４０が延長されている。
【００４４】
前記第2の非表示領域１６０bに形成されている5つの前記受信電極ライン１４０と４つの駆動電極ライン１５０の端の各々に、タッチドライバIC３００が装着されているフレキシブルプリント回路基板（FPCB：Flexible Printed Circuit Board）２００と電気的に接続するパッド１７０が形成されている。
【００４５】
例えば、前記タッチパネル１００が製造されると、前記第2の非表示領域１６０bに形成されている前記パッド１７０と、前記フレキシブルプリント回路基板２００が電気的に接続されて、前記タッチパネル１００は、前記パネルと合着される。
【００４６】
前記タッチドライバIC３００は、受信部３１０と駆動部３２０を含む。前記駆動部３２０は、前記駆動電極１３０に駆動パルスを順次供給する。前記受信部３１０は、前記駆動パルスによって誘導され、前記受信電極１２０を通じて受信される感知信号を用いて前記タッチパネル１００でのタッチ発生の有無を判断する。前記タッチパネル１００の細部構成は、図3を参照して説明する。
【００４７】
前記で説明されている用語及び以下で説明する用語を定義すると、次の通りである。
【００４８】
第一に、前記駆動電極１３０と受信電極１２０を総称して、タッチ電極とする。したがって、前記タッチ電極は、前記駆動電極になることもあり、前記受信電極になることもある。
【００４９】
第二に、前記受信電極と前記駆動電極の識別が必要な場合、前記受信電極と前記駆動電極は、第1タッチ電極と第2タッチ電極と定義されてよい。ここで、前記第1タッチ電極が受信電極となって、前記第2タッチ電極が駆動電極になることがあり、前記第1タッチ電極が駆動電極となって、前記第2タッチ電極が受信電極になることもある。以下では、説明の便宜上、前記受信電極１２０が第1タッチ電極であり、前記駆動電極１３０が第2タッチ電極である場合を一例にして、本発明を説明する。
【００５０】
第三に、前記受信電極ライン１４０と、前記駆動電極ライン１５０を総称して電極ラインとする。したがって、前記電極ラインは、前記受信電極ライン１４０になることもあり、駆動電極ライン１５０になることもある。
【００５１】
第四に、第1タッチ電極である前記受信電極１２０を形成する受信電極部（図3に示された図面符号121）は第1電極部と呼ばれ、第2タッチ電極である駆動電極１３０を形成する駆動電極部（図3に示された図面符号131）は第2電極部と呼ばれ、前記第1電極部を接続するライン（図3に示された図面符号122）は受信電極ブリッジと呼ばれ、前記第2電極部を接続するライン（図3に示された図面符号132）は駆動電極接続部と呼ばれる。
【００５２】
第五に、ブリッジは、ラインブリッジまたは電極ブリッジのうちの少なくともいずれか一つを意味する。前記ラインブリッジは、受信ラインブリッジ（図4に示された図面符号181）と駆動ラインブリッジ（図4に示された図面符号182）のうちの少なくともいずれか一つを意味する。前記電極ブリッジは、図3に示されたタッチパネルでは、前記受信電極ブリッジ（図3に示された図面符号122）を意味するが、異なる構造のタッチパネルでは、前記駆動電極部を接続させる駆動電極接続部になることもある。
【００５３】
第六に、前記電極ラインは、前記受信電極ラインまたは前記駆動電極ラインを意味し、前記受信電極ライン１４０が、第1電極ラインの場合、駆動電極ライン１５０は、第2電極ラインとなる。
【００５４】
第七、第1酸化物は、酸化亜鉛（ZnO）または酸化亜鉛にホウ素（Boron）がドーピングされているBZOであり、前記第1酸化物によって形成される薄膜は、第1酸化物層とするかまたはステップカバレッジ上昇層とする。前記第1酸化物は、第2酸化物よりもステップカバレッジが優れているので、ステップカバレッジ上昇層と呼ばれてよい。以下の説明では、前記第1酸化物層と前記第1酸化物が併用される。すなわち、前記第1酸化物は、物質自体を意味することもでき、基板１１１上に形成された薄膜を意味することもできる。
【００５５】
第八、第2酸化物は、インジウムスズ酸化物（ITO）であることもあり、インジウムが含有された酸化物であることあり得、スズが含有された酸化物であることもあり、その他にも、様々な物質であり得る。前記第2酸化物は、前記第1酸化物よりはステップカバレッジは低く、前記第1酸化物よりも低い抵抗を有する物質である。したがって、前記第2酸化物によって形成される薄膜は、第2酸化物層とするかまたは低抵抗層とする。以下の説明では、前記第2酸化物層と前記第2酸化物が併用される。すなわち、前記第2酸化物は、物質自体を意味することもでき、基板１１１上に形成された薄膜を意味することもできる。
【００５６】
図3は、図2に示されたタッチパネルを詳細に示した例示図であり、図4は、図3に示されたタッチパネルをX-X'方向に切断した断面を示した例示図である。図4に示されたFは、図3に示されたF領域を意味し、図4に示されたGは、図3に示されたG領域を意味する。図5は、本発明によるタッチパネルの製造方法に適用される酸化物の特性を示したグラフであり、（a）には、第2酸化物として用いられるITOの特性グラフが示されていて、（b）には、第1酸化物として用いられるBZOの特性グラフが示されている。
【００５７】
前記タッチパネル１００の前記表示領域１１０には、前記の説明及び図3に示したように、5つの前記受信電極１２０と、4つの駆動電極１３０が形成されていて、前記第1非表示領域１６０aには、前記受信電極ライン１４０が形成されていて、前記第2非表示領域１６０bには、駆動電極ライン１５０と、前記受信電極ライン１４０と、前記パッド１７０が形成されている。
【００５８】
第一に、前記表示領域１１０に形成されている前記受信電極１２０及び前記駆動電極１３０を説明すると、次の通りである。
【００５９】
前記タッチパネル１００の横方向に形成されている前記受信電極１２０と、前記タッチパネル１００の縦方向に形成されている駆動電極１３０は、互いに電気的に接続されてはならない。
【００６０】
したがって、絶縁体を用いて前記駆動電極１３０と前記受信電極１２０は、隔離されている。ここで、前記受信電極１２０と前記駆動電極１３０が交差する領域で、前記受信電極１２０と前記駆動電極１３０が電気的に接続しないようにするために、前記受信電極１２０または駆動電極１３０のいずれかに電極ブリッジが形成される。
【００６１】
すなわち、前記電極ブリッジは、前記受信電極１２０に形成されることもあり、このような電極ブリッジは、受信電極ブリッジという。また、前記電極ブリッジは、前記駆動電極１３０に形成されることもあり、このような電極ブリッジは、駆動電極ブリッジという。
【００６２】
以下では、説明の便宜上、図3及び図4に示したように、前記受信電極１２０に前記受信電極ブリッジ１２２が形成されているタッチパネルを一例にして、本発明を説明する。
【００６３】
前記受信電極１２０に前記受信電極ブリッジ１２２が形成されている場合、前記受信電極１２０の各々は、図3に示したように、5つの受信電極部１２１と、4つの受信電極ブリッジ１２２を含む。つまり、1つの前記受信電極１２０は、5つの受信電極部１２１で形成されていて、前記5つの受信電極部１２１は、4つの前記受信電極ブリッジ１２２によって電気的に接続されている。
【００６４】
駆動電極１３０の各々は、６つの駆動電極部１３１と、前記交差領域で駆動電極部１３１とを電気的に接続させる5つの駆動電極接続部１３２とを含む。
【００６５】
ここで、前記受信電極部１２１と駆動電極部１３１及び前記駆動電極接続部１３２は、図4に示したように、同一層に形成されていて、前記受信電極ブリッジ１２２は、前記受信電極部１２１と駆動電極部１３１及び前記駆動電極接続部１３２と絶縁膜１９１を間に置いて互いに隔離している。
【００６６】
前記受信電極部１２１と駆動電極部１３１及び前記駆動電極接続部１３２は、インジウムスズ酸化物（ITO：Indium Tin Oxide）（以下、単に「ITO」という）またはインジウムを含有した酸化物またはスズを含有した酸化物で形成されてよい。
【００６７】
また、前記の受信電極部１２１と駆動電極部１３１及び前記駆動電極接続部１３２は、酸化亜鉛（ZnO：Zinc oxide）（以下、単に「ZnO」という）及び酸化亜鉛にホウ素（Boron）がドーピングされているBZO（BZO：Boron zinc-oxide）のような亜鉛系酸化物で形成することもできる。以下では、前記ZnO及びBZOのような亜鉛系酸化物を簡単に、第1酸化物とする。前記第1酸化物は、導電性を有する透明な物質である。
【００６８】
前記受信電極部１２１と駆動電極部１３１及び前記駆動電極接続部１３２が、導電性を有する透明な前記第1酸化物で形成された場合、前記の受信電極部１２１と前記駆動電極部１３１及び前記駆動電極接続部１３２は、前記ZnOまたはBZOを有機金属化学気相成長（MOCVD：Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法（以下、単に「MOCVD法」という）を用いて、堆積させることによって形成されてよい。
【００６９】
前記受信電極部１２１と駆動電極部１３１及び前記駆動電極接続部１３２が、前記第1酸化物で形成された場合、前記第1酸化物の上部には、前記第1酸化物よりも高温高湿に強い第2酸化物が形成されてよい。前記第2酸化物は、インジウムスズ酸化物（ITO）であり得る。前記第2酸化物は、物理気相成長（physical vapor deposition、PVD）法によって前記第1酸化物の上部に形成されてよい。
【００７０】
前記電極ブリッジ１２２は、前記ZnOまたは前記BZOのような亜鉛系酸化膜で形成される。すなわち、前記電極ブリッジ１２２は、導電性を有する透明な前記第1酸化物で形成される。以下では、説明の便宜上、前記第1酸化物がZnOである場合を一例にして、本発明を説明する。
【００７１】
第二に、前記第1非表示領域１６０aと前記第2非表示領域１６０bに形成されている前記受信電極ライン１４０、駆動電極ライン１５０及び前記パッド１７０を説明すると、次の通りである。
【００７２】
前記第1非表示領域１６０a及び前記第2非表示領域１６０bには、前記の説明及び図4に示したように、光の透過を遮断するための遮光層１６１が被覆されている。前記遮光層１６１の厚さは、約20μｍ以上である。前記受信電極部１２１と駆動電極部１３１及び前記駆動電極接続部１３２の厚さを約300ｎｍとしたとき、前記遮光層１６１は、前記受信電極部１２１などに比べて70倍程度厚く形成される。
【００７３】
前記第1非表示領域１６０aに形成される前記遮光層１６１の上部には、前記受信電極１２０と接続されている前記受信電極ライン１４０が形成されていて、前記第2非表示領域１６０bに形成されている前記遮光層１６１の上部には、前記駆動電極１３０と接続されている駆動電極ライン１５０と、前記駆動電極ライン１５０と接続されているパッド１７０が形成されている。
【００７４】
ここで、前記受信電極ライン１４０は、前記受信電極ライン１４０と対応する受信電極１２０を形成する前記受信電極部１２１と、前記受信ラインブリッジ１８１を通じて電気的に接続されている。
【００７５】
例えば、前記の受信電極ライン１４０と前記受信電極部１２１の上部には、保護膜１９２が被覆されていて、前記受信電極ライン１４０と前記受信電極部１２１に対応する保護膜１９２には、コンタクトホールが形成されている。前記コンタクトホールを通じて前記受信ラインブリッジ１８１が前記受信電極ライン１４０及び前記受信電極部１２１に電気的に接続されることによって、前記受信電極ライン１４０と前記受信電極部１２１が電気的に接続され得る。
【００７６】
前記駆動電極ライン１５０は、前記駆動電極ライン１５０と対応する駆動電極１３０を形成する前記駆動電極部１３１と、前記駆動ラインブリッジ１８２を通じて電気的に接続されている。例えば、前記駆動電極ライン１５０と前記駆動電極部１３１の上部には、前記保護膜１９２が被覆されていて、前記駆動電極ライン１５０と前記駆動電極部１３１に対応する保護膜１９２には、コンタクトホールが形成されている。前記コンタクトホールを通じて前記駆動ラインブリッジ１８２が、前記駆動電極ライン１５０及び前記駆動電極部１３１に電気的に接続されることによって、駆動電極ライン１５０と前記駆動電極部１３１が電気的に接続され得る。
【００７７】
前記パッド１７０は、前記駆動ラインブリッジ１８２の先端に形成されてよい。
【００７８】
前記受信ラインブリッジ１８１及び前記駆動ラインブリッジ１８２を総称してラインブリッジ１８１、１８２という。つまり、以下の説明の中で、ラインブリッジは、前記受信ラインブリッジ１８１を意味することもあり、または駆動ラインブリッジ１８２を意味することもあり得る。この場合、前記受信ラインブリッジ１８１が、第1ラインブリッジの場合、駆動ラインブリッジ１８２は、第2ラインブリッジになり得、その逆になることもある。
【００７９】
前記ラインブリッジ１８１、１８２は、図4に示したように、前記受信電極ブリッジ１２２と同一の層に形成される。
【００８０】
したがって、前記ラインブリッジ１８１、１８２は、前記受信電極ブリッジ１２２と同様に、前記MOCVD法によって堆積されたZnO膜（第1酸化物）で形成され、前記ZnO膜の上部には、前記第2酸化物が被覆される。この場合、前記第2酸化物は、前記第1酸化物よりも高温高湿に強い物質を用いることができる。
【００８１】
例えば、前記第2酸化物としては、ITOを用いることができる。この場合、前記ITOは、前記PVD法によって形成されてよい。また、前記第2酸化物としては、酸化アルミニウム（Al2O3）を用いることもできる。また、前記第2酸化物としては、前記第1酸化物を保護することができる様々な種類の物質を用いることができる。
【００８２】
ここで、前記第1酸化物よりも高温高湿に強い物質が、前記第2酸化物に用いられる理由を、図5を参照して説明すると、次の通りである。
【００８３】
例えば、図5に示されたグラフは、前記第1酸化物として用いられるBZOと前記第2酸化物として用いられるITOの周辺環境を、高温及び高湿度に変化させながら測定された、前記BZOと前記ITOの抵抗変化を示したものである。
【００８４】
前記のグラフを参照すると、前記ITOの抵抗は、前記ITO周辺の温度及び湿度が高くなっても変化がない。
【００８５】
しかし、前記BZOが約85℃の温度及び85％RHの湿度にさらされると、前記BZOの抵抗は急激に上昇する。
【００８６】
すなわち、前記第1酸化物として用いられる、前記BZO及び前記BZOと類似の抵抗特性を有するZnOのような亜鉛系酸化物は、MOCVD法によって堆積することができ、常温での抵抗特性も優れているため、前記したように、前記受信ラインブリッジ１８１、駆動ラインブリッジ１８２及び前記受信電極ブリッジ１２２に用いることができ、前記受信電極部１２１と、駆動電極部１３１及び駆動電極接続部１３２に用いることもできる。
【００８７】
しかし、図5の（b）に示したように、前記第1酸化物として用いられる前記BZO及び前記ZnOが前記タッチパネルに形成された後、前記タッチパネルの温度と湿度が高くなると、前記第1酸化物の抵抗が急激に上昇するので、前記第1酸化物で形成された前記受信電極ブリッジ１２２、前記受信ラインブリッジ１８１、駆動ラインブリッジ１８２、前記受信電極部１２１、駆動電極部１３１及び前記駆動電極接続部１３２の機能が低下し得る。
【００８８】
したがって、本発明では、前記BZO及び前記ZnOのような亜鉛系酸化物を、前記第1酸化物として用いて、前記受信電極ブリッジ１２２、前記受信ラインブリッジ１８１、駆動ラインブリッジ１８２、前記受信電極部１２１、駆動電極部１３１及び前記駆動電極接続部１３２などを形成していて、前記第1酸化物の上部に前記ITOまたは酸化アルミニウム（Al2O3）などの第2酸化物を形成させ、前記第1酸化物を保護している。すなわち、前記第2酸化物の抵抗は、温度及び湿度が高くなっても変化がなく、特に、前記第1酸化物の抵抗よりも低い抵抗を有する。したがって、前記第2酸化物によって形成される第2酸化物層は、低抵抗層という。
【００８９】
より詳しく説明すると、本発明は、MOCVDで形成可能な、ステップカバレッジ（step coverage）が優れ、導電性を有し、かつ透明な前記第1酸化物を用いて、前記受信ラインブリッジ１８１、駆動ラインブリッジ１８２及び前記受信電極ブリッジ１２２を形成し、高温及び高湿に弱い前記第1酸化物の欠点を補強するために、前記第1酸化物の上部に、高温及び高湿に強い前記第2酸化物を形成する。
【００９０】
ここで、前記第1酸化物によって形成される前記受信ラインブリッジまたは前記駆動ラインブリッジまたは前記受信電極ブリッジは、前記で説明したように、ステップカバレッジが優れているので、ステップカバレッジ上昇層という。
【００９１】
また、本発明は、前記受信ラインブリッジ１８１、駆動ラインブリッジ１８２及び前記受信電極ブリッジ１２２以外にも、前記受信電極部１２１、前記駆動電極部１３１及び前記駆動電極接続部１３２を、前記第1酸化物を用いて形成してよい。ここで前記第2酸化物が、前記受信電極部１２１、前記駆動電極部１３１及び前記駆動電極接続部１３２の上部に形成されてよい。
【００９２】
ここで、前記第1酸化物としては、BZOまたはZnOが用いられてよく、前記第1酸化物は、MOCVD法によって形成される。また、前記第2酸化物としては、ITOまたは酸化アルミニウム（Al2O3）が用いられてよく、前記第2酸化物は、PVD法によって前記第1酸化物の上部に形成される。
【００９３】
以下では、図6a〜図6g及び図7〜図9を参照して、前記パネル１００を製造する方法を詳しく説明する。
【００９４】
図6a〜図6gは、本発明によるタッチパネルの製造方法を順に示した例示図である。図7は、本発明に係るタッチパネルの製造システムの構成を示した例示図である。図8は、図7に示された第1タッチパネル製造装置を示した例示図である。図9は、図7に示された第2タッチパネル製造装置を示した例示図である。
【００９５】
以下で説明するタッチパネルの製造方法は、本発明に係るタッチパネルの製造方法の一例として説明するものである。したがって、本発明に係るタッチパネルの製造方法は、タッチパネルの構造に応じて様々な形態に変更することができる。
【００９６】
まず、図6aを参照すると、基板１１１上に、前記受信電極部１２１と駆動電極部１３１と駆動電極接続部１３２が形成される。
【００９７】
前記受信電極部１２１と駆動電極部１３１と駆動電極接続部１３２の厚さは、約300ｎｍ程度に形成される。
【００９８】
前記基板１１１は、透明なガラス基板（Glass）または透明なプラスチック基板または透明な合成樹脂フィルムであり得る。
【００９９】
前記プラスチック基板または前記合成樹脂フィルムは、ポリイミド(PI)、ポリカーボネート(PC)、ポリノルボルネン(PNB)、ポリエチレンテレフタラート(PET)、ポリエチレンナフタレーと(PEN)及びポリエーテルサルフォン(PES)の中のいずれか一つの物質からなり得る。
【０１００】
前記受信電極部１２１と駆動電極部１３１及び前記駆動電極接続部１３２は、ITOで形成されてよい。
【０１０１】
ここで、前記ITOは、物理気相成長（PVD：Physical Vapor Deposition）法（以下、単に「PVD法」という。）により前記基板１１１に形成されてよい。
【０１０２】
前記PVD法には、スパッタリング（Sputtering）、電子ビーム堆積法（E-beam evaporation）、熱堆積法（Thermal evaporation）、レーザー分子線エピタキシー法（L-MBE、Laser Molecular Beam Epitaxy）、パルスレーザー堆積法（PLD、Pulsed Laser Deposition）などがあり、特に、前記受信電極部１２１と駆動電極部１３１及び前記駆動電極接続部１３２は、前記スパッタリングにより前記基板１１１に形成されてよい。
【０１０３】
また、受信電極部１２１と駆動電極部１３１及び前記駆動電極接続部１３２は、導電性を有する透明な第1酸化物、例えば、ZnO及びBZOのような亜鉛系酸化物で形成することもできる。ここで、前記の受信電極部１２１と駆動電極部１３１及び前記駆動電極接続部１３２は、前記MOCVD法を用いて堆積させることにより形成されてよい。
【０１０４】
特に、前記受信電極部１２１と駆動電極部１３１及び前記駆動電極接続部１３２が、前記第1酸化物によって形成された場合、前記第1酸化物の上部には、前記ITOまたは前記酸化アルミニウム（Al2O3）のような第2酸化物が形成される。ここで、前記第2酸化物は、前記第1酸化物を高温及び高湿から保護する。
【０１０５】
前記MOCVD法により前記第1酸化物が形成される過程は、以下で、前記ブリッジ１８１、１８２、１２２を形成する過程で詳細に説明する。
【０１０６】
次に、図6bを参照すると、前記非表示領域１６０に遮光層１６１が形成される。前記遮光層１６１の厚さは、約20μｍ以上に形成される。前記遮光層１６１の厚さは、前記受信電極部１２１と駆動電極部１３１及び前記駆動電極接続部１３２の厚さよりも70倍以上厚く形成される。
【０１０７】
次に、図6cを参照すると、前記遮光層１６１の上部に前記受信電極ライン１４０及び駆動電極ライン１５０が形成される。
【０１０８】
例えば、前記第1非表示領域１６０aには、5つの前記受信電極ライン１４０が形成される。前記第2非表示領域１６０bには、前記受信電極ラインが延長されて形成されていて、４つの駆動電極ライン１５０が形成されている。
【０１０９】
前記受信電極ライン１４０及び前記駆動電極ライン１５０は、光が透過しない前記非表示領域１６０に形成されている前記遮光層１６１の上部に形成されているので、前記ITOまたはZnOのような透明な物質で形成する必要はない。したがって、前記の受信電極ライン１４０及び前記駆動電極ライン１５０は、導電性に優れた様々な種類の不透明な金属物質で形成されてよい。
【０１１０】
次に、図6dを参照すると、前記受信電極部１２１と前記駆動電極部１３１と前記駆動電極接続部１３２と前記受信電極ライン１４０及び前記駆動電極ライン１５０を含む全面に、絶縁膜１９１が被覆される。前記絶縁膜１９１は、PACまたはPASのような絶縁材料で形成されてよい。
【０１１１】
前記絶縁膜１９１には、マスクを用いて、複数のコンタクトホールが形成される。
【０１１２】
例えば、前記絶縁膜１９１のうち、前記受信電極部１２１の各々に対応する位置には、二つのコンタクトホールが形成され、前記受信電極ライン１４０と、前記駆動電極ライン１５０の各々に対応する位置には1つのコンタクトホールが形成され、前記駆動電極部１３１のなかで前記遮光層と隣接している駆動電極部１３１に対応する位置には1つのコンタクトホールが形成される。前記コンタクトホールは、フォトマスク工程によって形成されてよい。
【０１１３】
次に、図6eを参照すると、互いに隔離されている2つの前記受信電極部１２１を、前記コンタクトホールを通じて接続させる受信電極ブリッジ１２２、前記受信電極ライン１４０と前記受信電極部１２１を、前記コンタクトホールを通じて接続させる受信ラインブリッジ１８１と、前記コンタクトホールを通じて前記駆動電極ライン１５０と前記駆動電極部１３１とを接続させる駆動ラインブリッジ１８２が、前記絶縁膜１９１上に形成される。
【０１１４】
前記受信電極ブリッジ１２２、前記受信ラインブリッジ１８１及び前記駆動ラインブリッジ１８２を形成する工程は、図7及び図8に示したような第1タッチパネル製造装置６２０で実行される。
【０１１５】
前記第1タッチパネル製造装置６２０は、微細パターンで形成される前記ブリッジの１８１、１８２、１２２を形成するためのものであって、有機金属前駆体（metal organic precursor）を用いる化学気相成長（CVD）法（以下、単に「CVD法」という）を用いる。すなわち、前記第1タッチパネル製造装置６２０は、前記CVD法を用いて、導電性を有する透明な第1酸化物、例えば、ZnO及びBZOのような亜鉛系酸化物を堆積させて、前記ブリッジを形成する。以下では、説明の便宜上、前記導電性を有する透明な第1酸化物が、酸化亜鉛（ZnO）の場合を一例にして、本発明を説明する。ここで、前記電極部１２１、１３１も前記酸化亜鉛で形成されてよい。
【０１１６】
前記ブリッジを形成するために、前記第1タッチパネル製造装置６２０は、図8に示したように、チャンバー６２１、基板支持部６２２とガス噴射部（６２６と６２３）を含む。前記ガス噴射部は、ガス噴射ユニット６２３及びガス供給部６２６を含み、前記ガス供給部６２６は、第1ガス供給器６２４及び第2ガス供給器６２５を含む。
【０１１７】
しかし、前記第1タッチパネル製造装置６２０は、図8に示された形態以外にも様々な形で構成されてよい。
【０１１８】
前記で説明した、図6a〜図6dの過程が実行されて、前記基板１１１上に前記絶縁膜１９１が形成されると、前記基板１００aは、図8に示したような第1タッチパネル製造装置６２０の前記チャンバー６２１の内部に流入して、前記基板支持部６２２に置かれる。
【０１１９】
以後、前記ガス噴射ユニット６２３を通じて、金属原料物質（亜鉛系金属前駆体）と反応ガスが前記基板１００aに噴射されて、前記ブリッジ１８１、１８２、１２２が形成される。
【０１２０】
次に、図6fを参照すると、第1酸化物で形成された、前記ブリッジ１８１、１８２、１２２の上部に、前記第1酸化物を高温高湿から保護するための前記第2酸化物１２３が形成される。
【０１２１】
前記第2酸化物１２３を形成する工程は、図7及び図9に示したように、第2タッチパネル製造装置６３０で実行される。
【０１２２】
前記第2タッチパネル製造装置６３０は、PVD法を用いて、前記ブリッジ１８１、１８２、１２２の上部に、前記ブリッジを高温高湿から保護するための前記第2酸化物を形成する。
【０１２３】
前記第2酸化物を形成するために、前記第2タッチパネル製造装置６３０は、図9に示したように、チャンバー６３１、サセプタ６３２及び、ターゲット支持部６３３を含む。
【０１２４】
しかし、前記第2タッチパネル製造装置６３０は、図9に示された形態以外にも様々な形態で構成されてよい。
【０１２５】
前記で説明した、図6eの過程が実行されて、前記基板１００b上に、前記第1酸化物からなる前記ブリッジ１８１、１８２、１２２が形成されると、前記基板１００bは、図9に示したような第2タッチパネル製造装置６３０の前記チャンバー６３１の内部に流入して、前記サセプタ６３２に置かれる。
【０１２６】
以後、前記第2タッチパネル製造装置６３０は、放電された不活性ガスのイオン６３５を、前記ターゲット支持部６３３に装着されている第2酸化物ターゲット６３４に衝突させて、前記第2酸化物ターゲット６３４から分離した原子を、前記第1酸化物からなるブリッジ１８１、１８２、１２２の上部に堆積させて、前記第1酸化物からなるブリッジ１８１、１８２、１２２の上部に第2酸化物１２３を形成させる。
【０１２７】
最後に、図6gを参照すると、前記第2酸化物１２３を含む前記基板の全面に保護膜１９２が形成される。ここで、前記保護膜１９２は、前記駆動ラインブリッジ１８２の先端が、外部に露出するように形成される。前記保護膜１９２によってカバーされずに外部に露出した部分は、前記パッド１７０となる。前記パッド１７０には、前記タッチドライバIC３００が装着されている前記フレキシブルプリント回路基板（FPCB）２００が電気的に接続される。
【０１２８】
前記の工程によって、前記タッチパネル１００の製造工程が完了する。
【０１２９】
前記フレキシブルプリント回路基板２００が接続されている前記タッチパネル１００が、OCR（Optically Clear Resin）のような接着剤または、OCA（Optically Clear Adhesive）のような接着テープによって、前記パネルの上部に取り付けられることにより、タッチパネル１００を備えた表示装置が製造され得る。
【０１３０】
前記で説明した本発明に係るタッチパネルの製造方法を簡単に整理すると、次の通りである。
【０１３１】
つまり、本発明に係るタッチパネルの製造方法は、基板１１１の表示領域１１０に電極部１２１、１３１を形成する工程、前記基板の非表示領域１６０a、１６０bに遮光層１６１を形成する工程、前記遮光層１６１上に電極ライン１４０、１５０を形成する工程、導電性を有する透明な第1酸化物を用いて、前記電極部と前記電極ラインとを接続するラインブリッジ１８１、１８２を形成する工程及び、前記第1酸化物を保護するための第2酸化物１２３を、前記第1酸化物からなるブリッジ１８１、１８２上に形成させる工程を含む。
【０１３２】
ここで、前記第2酸化物は、前記第1酸化物よりも高温高湿に強い特性を有する。
【０１３３】
例えば、前記第1酸化物からなるブリッジ１８１、１８２は、酸化亜鉛（ZnO）、または酸化亜鉛にホウ素（Boron）がドーピングされているBZOであり、前記第2酸化物１２３は、インジウムスズ酸化物（ITO）または酸化アルミニウム（Al2O3）であり得る。
【０１３４】
また、本発明に係るタッチパネルの製造方法では、前記ラインブリッジ１８１、１８２は、有機金属化学気相成長（MOCVD）法によって形成される。
【０１３５】
また、本発明に係るタッチパネルの製造方法では、前記第2酸化物を前記第1酸化物上に形成させる工程は、物理気相成長（PVD）法を用いて実行される。
【０１３６】
また、前記電極部１２１、１３１は、第1タッチ電極を形成し、電気的に互いに分離されている第1電極部及び電気的に相互に接続されて第2タッチ電極を形成する第2電極部を含んでいて、本発明に係るタッチパネルの製造方法では、前記第1電極部間を電気的に接続させる電極ブリッジ１２２は、前記ラインブリッジ１８１、１８２を形成する工程と同一な工程と同一な物質を用いて形成されてよい。
【０１３７】
また、本発明では、前記電極部１２１、１３１は、導電性を有する透明な前記第1酸化物を用いて形成することができ、ここで、前記第1酸化物で形成された電極部１２１、１３１の上部には、前記第2酸化物１２３が堆積され得る。
【０１３８】
以下では、本発明に係るタッチパネルの製造システム６００を説明する。以下の説明の中では、前記で説明された内容は、簡単に説明したり省略される。
【０１３９】
本発明に係るタッチパネルの製造システム６００は、図7に示したように、前記第1タッチパネル製造装置６２０及び前記第2タッチパネル製造装置６３０を含む。
【０１４０】
第一に、前記第1タッチパネル製造装置６２０は、図8に示したように、反応空間を有するチャンバー６２１、表示領域に形成されている電極部、前記表示領域の外部に形成される非表示領域に形成された遮光層と、前記遮光層上に形成された電極ラインを含む製造基板１００aを支持し、前記チャンバーの内部に配置された基板支持部６２２、前記電極部と前記電極ラインとを接続するためのラインブリッジを形成するための導電性を有する透明な第1酸化物（ZnOまたはBZO）を、前記製造基板１００a上に形成するために、金属原料物質と反応ガスを前記製造基板に噴射させるガス噴射部を含む。ここで、前記製造基板１００aは、前記の図6a〜図6dの工程を経た基板を意味する。
【０１４１】
前記で説明した図6a〜図6dの工程は、前記ITOを堆積させるためのスパッタリング装置、前記絶縁膜１９１を形成するための装置、前記絶縁膜１９１に前記コンタクトホールを形成するための装置を用いて実行されてよい。このような装置は、前記タッチパネル１００を製造するために一般的に用いられている装置なので、これに対する詳細な説明は省略する。
【０１４２】
前記ガス噴射部は、ガス噴射ユニット６２３及びガス供給部６２６を含み、前記ガス供給部６２６は、第1ガス供給器６２４及び第2ガス供給器６２５を含む。
【０１４３】
前記ガス噴射部の前記ガス供給部６２６は、前記金属原料物質として亜鉛系金属前駆体を噴射し、前記反応ガスとして酸素含有ガスを噴射することができる。そのため、前記第1ガス供給器６２４は、前記金属原料物質を前記ガス噴射ユニット６２３に供給することができ、前記第2ガス供給器６２５は、前記反応ガスを前記ガス噴射ユニット６２３に噴射することができる。
【０１４４】
また、前記ガス噴射部は、前記ラインブリッジ１８１、１８２と共に、前記第2電極部間を電気的に接続させる電極ブリッジ１２２を形成するために、前記金属原料物質と前記反応ガスを前記製造基板１００aに噴射させる。
【０１４５】
すなわち、前記第1タッチパネル製造装置６２０は、前記の製造基板１００a上に、有機金属化学気相成長（MOCVD）法を用いて前記ラインブリッジ１８１、１８２、及び前記電極ブリッジ１２２を形成する。したがって、前記第1タッチパネル製造装置６２０は、前記有機金属化学気相成長法を実行する装置が含んでいる構成要素を基本的に含んでいる。
【０１４６】
第二に、前記第2タッチパネル製造装置６３０は、図9に示したように、反応空間を有するチャンバー６３１、表示領域に形成されている電極部、前記表示領域の外部に形成される非表示領域に形成された遮光層、前記遮光層上に形成された電極ラインと、有機金属化学気相成長（MOCVD）法によって形成されて前記電極部と前記電極ラインとを接続するための、導電性を有する透明な第1酸化物で形成されたラインブリッジを含む製造基板１００bを支持して、前記チャンバー６３１の内部に配置され、第1極性の電源が供給されるサセプタ６３２及び第2酸化物ターゲット６３４が装着されていて、第2極性の電源が供給されるターゲット支持６３３を含む。
【０１４７】
前記第2のタッチパネル製造装置６３０は、放電された不活性ガスのイオン６３５を前記第2酸化物ターゲット６３４に衝突させて、前記第2酸化物ターゲット６３４から分離した原子を、前記製造基板１００b上に形成されている前記第1酸化物の上部に堆積させて、前記第1酸化物の上部に第2酸化物を形成させる。
【０１４８】
ここで、前記製造基板１００bは、前記第1タッチパネル製造装置６２０を経た基板を意味する。したがって、前記第2タッチパネル製造装置６２０に流入された前記製造基板１００bには、前記電極ブリッジ１２２が形成されている。
【０１４９】
前記第2タッチパネル製造装置６３０は、前記チャンバー６３１内部に流入した不活性ガス（Ar、Kr、Xeなど）をグロー放電（Glow discharge）させて陽イオン６３５を形成した後、前記陽イオン６３５を第2極性、例えば、（-）極性が供給された前記第2酸化物ターゲット６３４に衝突させる。
【０１５０】
前記衝突過程によって、前記第2酸化物ターゲット６３４から放出された原子は、前記第1極性、例えば、（+）極性が供給された前記サセプタ６３２方向に移動して、前記製造基板１００bに堆積する。
【０１５１】
すなわち、前記第2タッチパネル製造装置６３０は、物理気相成長（PVD）法を用いて、前記第2酸化物１２３を、前記製造基板１００b上に形成されている前記第1酸化物からなるブリッジ１８１、１８２上に形成させる。
【０１５２】
したがって、前記第2タッチパネル製造装置６３０は、前記の物理気相成長（PVD）法を実行する装置が含んでいる構成要素を基本的に含んでいる。
【０１５３】
前記で説明された本発明を整理すると次の通りである。
【０１５４】
本発明は、タッチパネルの製造に関するものであって、特に、第1酸化物、例えば、ZnOまたはBZOのような亜鉛系酸化物を用いて、ブリッジ１２２、１８１、１８２を形成し、高温高湿に弱い前記第1酸化物を保護するために、高温及び高湿に強い前記第2酸化物を前記第1酸化物の上部に形成させている。
【０１５５】
本発明によれば、前記タッチパネルの受信電極と駆動電極を形成するブリッジは、ITOの代わりにZnOまたはBZOのような亜鉛系酸化物（第1酸化物）を用いて形成されてよく、前記受信電極及び前記駆動電極全体は前記第1酸化物を用いて形成されてよい。特に、前記第1酸化物は、MOCVDを用いている第1タッチパネル製造装置６２０によって製造され得るので、前記ブリッジのステップカバレッジ（step coverage）が改善され、タッチパネルの量産性が改善され得る。また、前記ITOより手頃な価格の、前記ZnOまたはBZOを用いることにより、タッチパネルの製造コストを節減することができる。本発明によって製造されたタッチパネルのシミュレーション及び実験結果によれば、前記ブリッジ、特に、前記ラインブリッジ１８１、１８２と、前記遮光層１６１の接触時、ステップカバレッジ（step coverage）が改善され、90％以上の量産性が確保され得る。
【０１５６】
また、本発明によれば、高温及び高湿に強い前記第2酸化物が、高温及び高湿に弱い前記第1酸化物上に形成されることによって、高温及び高湿でも、前記第1酸化物の特性が変わらないことになり得る。これにより、前記第1酸化物によって製造されたタッチパネルの性能が向上し得る。
【０１５７】
また、ITOを用いた従来のタッチパネルの製造方法では、不良発生時、re-work工程が不可能だったが、本発明のように亜鉛系酸化物を用いる場合には、簡単にre-work工程を実行することができ、量産性を改善することができる。
【０１５８】
また、前記では、前記ブリッジとして用いられる前記第1酸化物の上部に1つの第2酸化物が形成される例で本発明を説明した。しかし、前記第2酸化物は、前記第1酸化物を高温高湿から保護することができる多層構造で形成することもできる。つまり、本発明は、タッチパネルの電極として用いられる各々の構成を、基本的には、第1酸化物（例えば、ZnOまたはBZO）で形成し、前記第1酸化物を高温高湿から保護するための前記第2酸化物を、ITO及びまた別の物質（例えば、酸化アルミニウム（Al2O3））を用いて多層に形成することができる。
【０１５９】
これらの多層構造により、前記タッチパネルは、前記第1酸化物が有している優れた特性（例えば、ステップカバレッジが優れた特性）を利用することができ、また、前記第1酸化物の特性が高温高湿によって変形することを防止することができる。
【０１６０】
本発明が属する技術分野の当業者は、本発明がその技術的思想や必須の特徴を変更しないで、異なった具体的な形態で実施し得ることを理解できるだろう。したがって、以上で記述した実施例は、すべての面で例示的なものであり、限定的なものではないものと理解されなければならない。本発明の範囲は、前記の詳細な説明よりは、後述する特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲の意味及び範囲そしてその等価概念から導出されるすべての変更または変形された形態が、本発明の範囲に含まれるものと解釈されなければならない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６ａ】
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【図６ｂ】
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【図６ｃ】
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【図６ｄ】
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【図６ｅ】
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【図６ｆ】
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【図６ｇ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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