(57)【要約】  放射線透過性基板が一面の上に磁化可能な粒子を含む層をもつことを特徴とする、与えられた順の層構成、ａ）放射線透過性基板、およびｂ）放射線透過性基板上に蒸着により適用されたシンチレーター層、およびｃ）シンチレーター層と第２の基板との間の画像化アレイ、を含む放射線透過撮影用フラットパネル検出器並びに放射線撮影用フラットパネル検出器の製法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁化可能な粒子（１０１）を含む層が放射線透過性基板の一面の上に存在することを特徴とする、
与えられた順の層構成：
ａ）放射線透過性基板（１０２）、および
ｂ）放射線透過性基板上に蒸着により適用されたシンチレーター層（１０３）、および
ｃ）シンチレーター層と第２の基板（１０５）との間の画像化アレイ（１０４）、
を含む、放射線透過撮影用フラットパネル検出器。
【請求項２】
シンチレーター層が針型の（ｎｅｅｄｌｅ  ｓｈａｐｅ）ＣｓＩ結晶を含む、請求項１に記載の放射線透過撮影用フラットパネル検出器。
【請求項３】
光反射層がシンチレーター層と放射線透過性基板との間に提供されている、請求項１または２に記載の放射線透過撮影用フラットパネル検出器。
【請求項４】
磁化可能な粒子を含む層が、シンチレーター層側と反対の放射線透過性基板の一面の上に提供されている、請求項１〜３のいずれかに記載の放射線透過撮影用フラットパネル検出器。
【請求項５】
放射線透過性基板が本質的に、ポリエチレン・ナフタレート、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエチレン・テレフタレート、ポリフェニルスルホン、ポリフェニレン・スルフィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテル・エーテルケトン、ポリブチレン・テレフタレートおよびそれらの組み合わせ物よりなる群から選択されるポリマーからなる、請求項１〜４のいずれかに記載の放射線透過撮影用フラットパネル検出器。
【請求項６】
磁化可能な粒子が鉄、コバルトまたはニッケルを含む、請求項１〜５のいずれかに記載の放射線透過撮影用フラットパネル検出器。
【請求項７】
放射線透過性基板が２０μｍ〜３００μｍの厚さをもつ、請求項１〜６のいずれかに記載の放射線透過撮影用フラットパネル検出器。
【請求項８】
以下のステップ：
ａ）磁化可能な粒子を含む層（１０１）をもつ放射線透過性基板（１０２）を、その面が１個以上の磁石と放射線透過性基板との間に配置されている基板支持物体の一面と接触させる工程、および
ｂ）蒸着法により放射線透過性基板上にシンチレーター層（１０３）を適用する工程、および
ｃ）シンチレーター層（１０３）の放射線透過性層と接触していないその表面を、第２の基板（１０５）上に配置された画像化アレイ（１０４）に接着する工程、
を含む、放射線透過撮影用フラットパネル検出器の製法。
【請求項９】
磁化可能な粒子を含む層が、磁化可能な粒子および結合剤を含む分散液から被覆される、請求項８に記載の放射線透過撮影用フラットパネル検出器の製法。
【請求項１０】
ステップａ）の前に、光反対層が放射線透過性基板の一面の上に適用される、請求項８または９に記載の放射線透過撮影用フラットパネル検出器の製法。
【請求項１１】
ステップａ）の前に、接着促進層が放射線透過性基板の一面の上に適用される、請求項８〜１０のいずれかに記載の放射線透過撮影用フラットパネル検出器の製法。
【請求項１２】
ステップｃ）における接着が、シンチレーター層と画像化アレイとの間のホットメルト樹脂層を溶融する工程により実施される、請求項８〜１１のいずれかに記載の放射線透過撮影用フラットパネル検出器の製法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、診断用画像化に関し、特に放射線透過撮影用Ｘ−線検出器およびそれらの製法に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｘ−線画像化は、患者または動物の医療用画像を捕促し、同時にまた、荷物、包装物および他の小包のような密閉容器の中味を検査するための非侵襲的方法である。これらの画像を捕促するためにＸ−線ビームが対象を照射する。次にＸ−線は、それらが対象を通過する時に減衰される。減衰の程度は、対象の内部の組成および／または厚さのばらつきの結果として対象全体にわたりばらつく。減衰されたＸ−線ビームは、減衰ビームを、対象の内部構造の、使用可能な影の画像（ｓｈａｄｏｗ  ｉｍａｇｅ）に変換するようになっているＸ−線検出器上に衝突する（ｉｍｐｉｎｇｅｓ）。
【０００３】
放射線透過撮影用フラットパネル検出器（ＲＦＰＤ）は益々、検査法期間中の、対象の、または分析される患者の身体部分の画像を捕促するために使用されるようになってきている。ＲＦＰＤは、Ｘ−線を光に変換し、次にそれが非晶質ケイ素（ａ−Ｓｉ）の半導体層と相互反応し、そこで電荷が形成されるＣｓＩ：ＴｌまたはＧｄ2Ｏ2Ｓのようなシンチレーター層をもつ。
【０００４】
形成される電荷は、薄膜トランジスター（ＴＦＴ）を含む切り替えアレイを介して集電される。トランジスターは、横列毎に、また縦列毎にスイッチを入れて作動されて、検出器の信号を読み出す。電荷は電圧に変換され、それがデジタル数字に変換されて、コンピューターファイル内に保存され、それを使用してソフトコピーまたはハードコピーの画像を形成することができる。近年、相補型金属酸化物半導体（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ
Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅｓ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ）（ＣＭＯＳ）センサーがＸ−線の画像化において重要になってきている。ＣＭＯＳに基づく検出器はすでに、乳房撮影法、歯科、蛍光透視、心臓学および血管造影の画像に使用されている。これらの検出器を使用する利点は、高い読み出し速度および低い電子ノイズである。一般に、切り替えアレイとしてのＴＦＴおよび光ダイオードを含む画像化アレイは、ガラスの基板上に被覆される。
【０００５】
高い解像度（ｉｍａｇｅ  ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）をもつシンチレーター層の一つの製法は、放射線透過性基板上へのシンチレーターの蒸着による。針状微結晶（ｃｒｙｓｔａｌｌｉｔｅｓ）からなるシンチレーター層は、蒸着により被覆されるのに特に適する。薄い放射線透過性基板を使用することは、コンピューター放射線透過撮影（ＣＲ）システムおよびＲＦＰＤの双方において、重量の軽減および経費節減の利点を有する。薄い放射線透過性基板の経費は、一般に使用される金属または強化プラスチック基材のプレートに比較して、安い。更に、ＲＦＰＤにおいて、高い画質をもたらす良好な光学的結合（ｏｐｔｉｃａｌ  ｃｏｕｐｌｉｎｇ）を得るためにはシンチレーター層とセンサーもしくは画像化アレイとの間に良好な接触が必要である。この良好な光学的結合は、シンチレーター層が、柔軟な薄い放射線透過性基板上に蒸着される時に達成され得る。放射線透過性基板の柔軟性およびシンチレーター層の柔軟性が、シンチレーターとセンサーとの間の良好な接触を保証する。基板の重量、従って放射線透過撮影用フラットパネル検出器の重量を最小にするために、薄い放射線透過性基板をもつことは更に有益である。ＲＦＰＤの運搬性のためには軽い重量が必須である。医療分野において、これらのＸ−線検出器は、医師により携帯されなければならず、従って、あらゆる重量の軽量化が検出器の使用者にとり有益である。放射線に対するシンチレーターの暴露は大抵、基板を通して実施されるので、放
射線透過撮影用フラットパネル検出器のためのシンチレーターの製作において薄い放射線透過性基板を使用する別の利点は、通常の、または厚い基板に比較して、該基板による低下したＸ−線の吸収である。
【０００６】
シンチレーター層、特に針状シンチレーターの蒸着期間中の、大きな薄い放射線透過性基板の固定は困難である。実際、その場合、均質な層の蒸着を確保するために、平らな放射線透過性基板を得ることは困難である。更に、シンチレーター層を損傷させずに、または基板からシンチレーター層を剥離させずに、薄い、従って軟質の放射線透過性基板上で蒸着層を取り扱うことはほとんど不可能である。これは針状シンチレーターの場合には更に著しい。
【０００７】
特許文献１は放射線画像変換（ｔｒａｎｓｆｏｒｍａｔｉｏｎ）パネルの製法を開示している（特許文献１参照）。この製法において、磁性材料を含む層が支持体（ｓｕｐｐｏｒｔ）ホールダーと光刺激性燐光物質層（ｐｈｏｔｏｓｔｉｍｕｌａｂｌｅ  ｐｈｏｓｐｈｏｒ  ｌａｙｅｒ）との間に提供される。磁性材料を含む層は、厚い層でありかつ薄い基板と非常に適合性があるとは言えないフェライト磁石またはゴム磁石でできている。薄い磁性の膜は気相蒸着（ｇａｓｅｏｕｓ  ｐｈａｓｅ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により適用されることができるが、これは高価な方法であり、薄い基板が使用される時の、薄い基板の困難な取り扱いに関連した同様な課題に悩まされる。更に、シンチレーターの基板上の磁性材料の存在は、一旦ＲＦＰＤ中に構築されると、磁性材料からの磁場とセンサーの電子機器構成部品との間の相互反応により、不都合である可能性がある。
【０００８】
特許文献２は、基板の支持部分（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ  ｓｕｐｐｏｒｔｉｎｇ  ｐａｒｔ）と基板との間の磁性引力を使用する、基板上への燐光物質層の蒸着法を開示している（特許文献２参照）。これは燐光物質層により被覆されなければならない面と反対側の基板の面上に、磁性層を提供する工程により実現される。基板はガラスまたはケイ素のような無機物質からなる。これらの基板の高い硬度のために、シンチレーター層とセンサー、ＴＦＴとの間の良好な結合は、達成が非常に困難である。更に、シンチレーターの基板上の磁性材料の存在は、一旦ＲＦＰＤ中に構築されると、磁性材料からの磁場とセンサーの電子機器の構成部品との間の相互作用のために、不都合である可能性がある。
【０００９】
特許文献３は、基板ホールダーの静電気絶縁（ｃｈｕｃｋｉｎｇ）機能により、基板、好適にはアルミニウムを保持し、そしてこの基板の中心または全表面を蒸着する、放射線画像変換パネルの製法を開示している（特許文献３参照）。基板ホールダーは更に、基板ホールダーの表面に対して基板の縁を固定するための金属製取り付け具（ｍｅｔａｌ  ｆｉｔｔｉｎｇｓ）を必要とする。これらの金属製取り付け具は基板の縁に燐光物質層の不規則な蒸着を惹起する。
【００１０】
特許文献４は、蒸着システムの真空室内の被膜源の上方に懸けられた（ｓｕｓｐｅｎｄｅｄ）軌道回転台上に基板を固定するための磁性の留め金（ｌａｔｃｈ）を開示している（特許文献４参照）。磁性の留め金は、そこで永久磁石が基板ホールダーを引き付けるために一時的に留め金を磁化する留め位置と、そこで永久磁石がバイパス回路に接続され、それにより基板ホールダーを解放するために留め金を消磁させる、留め金を外す位置、との間に移動可能な永久磁石を含む。
【００１１】
特許文献５は、蒸着システムの真空室内の被膜源の上方に懸けられた軌道回転台上に基板を固定するための磁性の留め金中に使用される、一部使い捨て可能な基板ホールダーを開示している（特許文献５参照）。該基板ホールダーは、少なくとも一部は、磁性留め金に引き付けられる強磁性材料から形成された再利用可能な土台および、被覆材料の接着を促進し、被覆温度において低い蒸気圧をもつ比較的安価な、強磁性の、容易に成形可能な
材料から形成された使い捨て可能なカバー、を含む。
【００１２】
特許文献６は、燐光物質層と運搬システムのローラーとの間の接触を回避する、運搬可能な放射線画像変換（ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ）パネルにつき記載している（特許文献６参照）。パネルの一面の上に、磁性コンベヤーローラーにより磁石の引力を確保するための、強磁性層が提供されている。燐光物質層は、更に結合剤を含む被覆溶液からの被覆により適用される。これが、容易には損傷されず、画像センサーとの良好な接触を達成することができる燐光物質層をもたらす。
【００１３】
特許文献７は、磁場の効果に応答する支持体（ｓｕｐｐｏｒｔ）を有するＸ−線増感紙（Ｘ−ｒａｙ  ｉｎｔｅｎｓｉｆｙｉｎｇ  ｓｃｒｅｅｎ）を開示している（特許文献７参照）。この応答を使用して、増感紙を、Ｘ−線感光膜と、密接で、均一な接触にもたらす。支持体（ｓｕｐｐｏｒｔ）は、結合物質を形成する、膜中の磁化可能な材料の微細に粉砕された粒子の層を含むことができる。磁化可能な材料の層は、Ｘ−線増感紙の製作中の蒸着工程には使用されない。
【００１４】
これらの文献はどれも、シンチレーター層と放射線透過性基板との間に良好な接着を得るように基板を固定するための金属の留め金または移動可能な部品を有する基板ホールダーを必要とせずに、基板ホールダーに対する基板の全表面上への完全な固定を保証し、そして基板上に磁性材料を伴なう厚い層を必要としない、放射線透過性基板として働く薄い基板上にシンチレーター層を蒸着する方法については、記載していない。薄い基板は、非常に好適には、ＲＦＰＤ中へのＸ−線の吸収を低下するために必要である。更に、経済的に効率のよい方法で層の蒸着に適した基板を製作する方法をもつことが望ましい。更に、軽い重量をもち、同時に、放射線透過撮影用フラットパネル検出器においてＥＳＤ（静電気放電体（Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ  Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ））として働くことができる、放射線透過性基板上のシンチレーター層を製作する方法をもつことが望ましい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特開２００６０１０６１６号公報
【特許文献２】特開２００４０１８９３８号公報
【特許文献３】特開２００６２１９５１６号公報
【特許文献４】欧州特許第１６３０２６０号明細書
【特許文献５】欧州特許第１６３０２６１号明細書
【特許文献６】国際公開第１００２３９６９号パンフレット
【特許文献７】米国特許第２６９４１５３号明細書
【発明の概要】
【００１６】
上記の課題は、請求項１に規定される通りの磁化可能粒子を含む層を有する放射線透過性基板を含む、本発明の放射線透過撮影用フラットパネル検出器（ＲＦＰＤ）により解決される。
【００１７】
上記の課題は、請求項８に規定される通りの方法により解決される。この方法は、磁化可能粒子を含む層を有する基板の使用に基づく。次に、これらの基板は、シンチレーター層の蒸着期間中、磁石の引力により基板支持物体の表面に固定されることができる。
【００１８】
本発明の好適な実施態様は付属請求項により説明される。
【００１９】
本発明の別の利点は、本発明の好適な実施態様の、以下の詳細な説明から更に明白になると考えられる。本発明の特定の実施態様もまた、付属請求項に規定されている。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は本発明の一つの実施態様に従うＲＦＰＤの断面図を表わし、図中、１０１は磁化可能粒子を含む層であり、１０２は放射線透過性基板であり、１０３はシンチレーター層であり、１０４は画像化アレイであり、１０５は第２の基板である。
【図２】図２は本発明の一つの実施態様に従うＲＦＰＤの断面図を表わし、図中、２０１は磁化可能粒子を含む層であり、２０２は放射線透過性基板であり、２０３はシンチレーター層であり、２０４は画像化アレイであり、２０５は第２の基板であり、２０６は光反射層である。
【図３】図３は本発明の一つの実施態様に従うＲＦＰＤの断面図を表わし、図中、３０１は磁化可能粒子を含む層であり、３０２は放射線透過性基板であり、３０３はシンチレーター層であり、３０４は画像化アレイであり、３０５は第２の基板であり、３０７はホットメルト樹脂層である。
【図４】図４は本発明の一つの実施態様に従うＲＦＰＤの断面図を表わし、図中、４０１は磁化可能粒子を含む層であり、４０２は放射線透過性基板であり、４０３はシンチレーター層であり、４０４は画像化アレイであり、４０５は第２の基板であり、４０６は光反射層であり、４０７はホットメルト樹脂層である。
【図５】図５は本発明の一つの実施態様に従うＲＦＰＤの断面図を表わし、図中、５０１は磁化可能粒子を含む層であり、５０２は放射線透過性基板であり、５０３はシンチレーター層であり、５０４は画像化アレイであり、５０５は第２の基板であり、５０８はＸ−線シールドである。
【図６】図６は本発明の一つの実施態様に従うＲＦＰＤの断面図を表わし、図中、６０１は磁化可能粒子を含む層であり、６０２は放射線透過性基板であり、６０３はシンチレーター層であり、６０４は画像化アレイであり、６０５は第２の基板であり、６０６は光反射層であり、６０７はホットメルト樹脂層であり、６０８はＸ−線シールドである。
【図７】図７は本発明の一つの実施態様に従うＲＦＰＤの断面図を表わし、図中、７０１は磁化可能粒子を含む層であり、７０２は放射線透過性基板であり、７０３はシンチレーター層であり、７０４は画像化アレイであり、７０５は第２の基板であり、７０６は光反射層であり、７０７はホットメルト樹脂層であり、７０９は接着促進層である。
【図８】図８は本発明の一つの実施態様に従うＲＦＰＤの断面図を表わし、図中、８０１は磁化可能粒子を含む層であり、８０２は放射線透過性基板であり、８０３はシンチレーター層であり、８０４は画像化アレイであり、８０５は第２の基板であり、８０６は光反射層であり、８０７はホットメルト樹脂層であり、８０９は接着剤層である。
【図９】図９は、硬質プレートの一面の上に、１個以上の磁石をもつ基板支持物体を含むシンチレーター層を、基板支持物体の表面に取り付けられた磁化可能粒子を含む層（強磁性層）を有する基板と蒸着するための、本発明の実施態様のスキーム図を表わし、図中、１は１個以上の磁石であり、２は硬質プレートであり、３は１表面であり、１、２および３は一緒に基板支持物体であり、４は放射線透過性基板の１面の上の、磁化可能粒子を含む層（強磁性層）であり、５はシンチレーター層がその上に蒸着される放射線透過性基板である。
【図１０】図１０は、硬質プレートの一面の上に１個以上の磁石をもつ基板支持物体を含むシンチレーター層を、基板支持物体の表面に取り付けられた磁化可能粒子を含む層（強磁性層）を有する放射線透過性基板と蒸着するための、本発明の実施態様のスキーム図を表わし、図中、１は１個以上の磁石であり、２は硬質プレートであり、３は１表面であり、１、２および３は一緒に基板支持物体であり、４は放射線透過性基板の１面の上の磁化可能粒子を含む層（強磁性層）であり、５はシンチレーター層がその上に蒸着される基板である。
【００２１】
実施態様の説明
磁化可能粒子を含む層の調製
本発明中に使用することができる磁化可能粒子を含む層は、以後、強磁性層と呼ばれる。強磁性層は、物理的蒸着（ＰＶＤ）、化学的蒸着（ＣＶＤ）、スパッター法および液状被覆法（例えばナイフ被覆、ドクターブレード被覆、スクリーン印刷、沈降、スピンコーティングおよび浸漬被覆）のような、当該技術分野で知られた異なる方法により適用され
ることができる。もっとも好適な方法は、ナイフ被覆およびドクターブレード被覆である。液状被覆法は、溶媒、結合剤および磁化可能粒子の混合物である被覆分散液の被覆を含む。
【００２２】
本発明に適した磁化可能物質はＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、それらの合金、酸化鉄および二酸化クロムの粒子を含む。その粒径は好適には、５０μｍ未満、より好適には１０μｍ未満である。
【００２３】
被覆分散液を調製するために適切な溶媒は、アセトン、ヘキサン、メチルアセテート、エチルアセテート、イソプロパノール、メトキシプロパノール、イソブチルアセテート、エタノール、メタノール、メチレンクロリドおよび水である。より好適にはトルエン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）およびメチルシクロヘキサンおよびそれらの混合物のいずれかが使用される。
【００２４】
本発明に従う被覆分散液中に使用することができる結合剤は、ポリエチレングリコールアクリレート、アクリル酸、ブテン酸、プロペン酸、ウレタンアクリレート、ヘキサンジオール・ジアクリレート、コポリエステル・テトラアクリレート、メチル化メラミン、酢酸エチル、メチルメタクリレートであることができる。好適な結合剤は、有機ポリマー：セルロースアセテートブチレート、ポリアルキル（メタ）アクリレート（例えば、ポリメチルメタクリレート）、ポリビニル−ｎ−ブチラール、ポリ（ビニルアセテート−コ−ビニルクロリド）およびポリ（アクリロニトリル−コ−ブタジエン−コ−スチレン）またはポリ（ビニルクロリド−コ−ビニルアセテート−コ−ビニルアルコール）またはそれらの混合物である。結合剤は好適には、ゴム状および／またはエラストマーポリマーのような飽和ゴムブロックをもつ、一つ以上の水素化スチレン−ジエンブロックコポリマーを含む。本発明に従う、特に適切な熱可塑性ゴムは、ＫＲＡＴＯＮ−Ｇゴムであり、ここでＫＲＡＴＯＮはＳＨＥＬＬからの商品名である。
【００２５】
結合剤に対する磁化可能材料の重量比は、８０：２０〜９９：１、より好適には９４：６〜９８：２である。
【００２６】
本発明の別の実施態様においては、ナイフ被覆またはドクターブレード被覆以外を使用することができる。スクリーン印刷法においては、その層は基板上にメッシュを通して被覆分散液を圧迫することにより形成される。沈降法においては、層は基板上に適用される分散液から形成され、そこで粒子が基板上に沈降される。スピンコーティング法においては、層は、基板の中心に少量配置される被覆分散液から形成される。次に基板が高速で回転され、分散液が遠心力により全領域に広がる。浸漬被覆法においては、層は被覆分散液中への基板の浸漬により、そして一定速度におけるその後の引き上げにより形成される。
【００２７】
被覆は、基板上に１枚以上の層を適用する、経済的に有効な方法である。連続的被覆法に対して、軟質の基板は特に適する。軟質の基板はロールとして販売されており、それらは被覆および乾燥または硬化の製造工程において巻き取りそして巻き出されることができる。軟質の基板以外に、薄い基板もまた連続的被覆法に特に適する。
【００２８】
被覆分散液からの被覆後に、強磁性層はＩＲ−源、ＵＶ−源、加熱金属ローラーまたは熱風により乾燥することができる。被覆溶液中に硬化性モノマーが使用される時は、被覆された層は加熱によりまたはＵＶ−源により硬化されることができる。乾燥または硬化後に、強磁性層で被覆された基板は、シンチレーター層の蒸着のために使用される蒸着装置と適合するように、適切なサイズのシートに切断することができる。
【００２９】
ポリマー結合剤を含む液状被覆法により磁化可能粒子を適用する工程は、大気からの酸
素および水分との反応により劣化する可能性がある磁化可能粒子が、ポリマー結合剤により防護される利点をもつ。
【００３０】
磁化可能粒子を適用する別の好適な方法は、ＰＶＤによる。強磁性層は、磁化可能前駆体の原料を溶融することにより得られる気相から、真空中で蒸着されることができる。この原料は、１種以上の化合物の融点以上の温度に加熱されるための、るつぼと呼ばれる耐熱性容器中に導入されることができる。従って、るつぼと基板が蒸着真空室内に導入される。原料はまた、電子ビーム照射により溶融されるスラグまたはプレートとして導入されることができる。溶融された物質は蒸発して、基板上に凝縮する。
【００３１】
ＣＶＤ法においては、気相からの分子の化学反応により層が形成され、それが次に表面上に蒸着される。反応室内で、基板は高温に保持されることができ、生成物の気体が誘導される。粒子は分散して、加熱された表面上に吸着し、そこでそれらは再配列し、次に最終的表面反応が起こる。これが膜の形成をもたらす。同時に、副産物が表面から脱着され、キャリアガス中に拡散し、そして反応区域から除去される。
【００３２】
スパッター法または噴霧法においては、高度に活性な粒子の衝突による硬いターゲットからの原子または粒子の放出（ｅｊｅｃｔｉｏｎ）により、層が形成される。物質のターゲットは腐食され、エネルギー移動による原子または粒子は、それらが被覆される基板の方向に飛行していく（ｆｌｙｉｎｇ）。
【００３３】
場合により、強磁性層を適用する前に、強磁性層と基板との間の接着を改善するために、接着促進層を基板の１面の上に適用することができる（図７および８参照）。接着促進層は好適には、コポリエステルまたはポリウレタン基材である。接着促進層の別の例は、欧州特許第１９９７８６６号明細書および未公開出願書欧州特許第１３１９７７３６．５明細書に認めることができる。
【００３４】
強磁性層は好適には１０〜３００μｍ、より好適には２０〜３００μｍ、そしてもっとも好適には３０〜１００μｍの範囲の厚さをもつ。強磁性層の塗布量は好適には、１０〜１００ｍｇ／ｃｍ2間である。
【００３５】
放射線透過性基板
本発明に従うシンチレーターの蒸着法は、薄い基板上への被覆に特に有用である。Ｘ−線は、シンチレーターに到達する前にこの放射線透過性基板を通過するので、Ｘ−線の吸収を最小にするために、本発明の放射線透過撮影用フラットパネル検出器に使用することができる放射線透過性基板は、好適には薄い。薄い基板により、２０〜３００μｍ、好適には７０〜２００μｍ間の厚さをもつ基板を意味する。燐光物質またはシンチレーターのための薄い基板は、アルミニウムプレート、アルミニウムフォイル、ポリエチレン・テレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン・ナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニルスルホン（ＰＰＳＵ）、ポリフェニレン・スルフィド（ＰＰＳ）、ポリエーテル・エーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリブチレン・テレフタレート（ＰＢＴ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）の膜、金属フォイル、炭素繊維強化プラスチック（ＣＦＲＰ）シート、ガラス、軟質ガラス、トリアセテートおよびそれらの組み合わせ物またはそれらの積層物のような硬質または軟質のいずれかであることができる。
【００３６】
より好適な基板は、軟質の基板：金属フォイル、特にアルミニウムのフォイル、ポリエチレン・テレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン・ナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニルスルホン（ＰＰＳＵ）、ポリフェニレン・スルフィド（ＰＰＳ）およびそれらの組み合わせ物またはそれらの張り合
わせ物のフォイルである。軟質基板の厚さは２０〜３００μｍ、好適には７０〜２００μｍ間である。基板の柔軟性は、シンチレーター層と直接的デジタル放射線透過撮影用フラットパネル検出器中の光電子変換素子を含む画像化アレイとの間に良好な光学的結合を保証する。実際、画像化アレイは、画像化アレイにより形成される面内に高さのばらつき（ｖａｒｉａｔｉｏｎｓ）を表わす光電子変換素子を含む。これらの高さのばらつきにより、放射線透過性基板が軟質でなく、過剰な反射が起こって画質を低下させる場合に、シンチレーターと画像化アレイとの間に空隙が存在し得る。更に、光学的結合が加熱により実施される場合は、画像化アレイの支持する基板（第２の基板）の膨張と収縮が、硬く厚い基板によるよりも、支持する基板の運動に従う薄い基板により、より容易に補償され、そして画像化アレイの変形を起こさず、画像化アレイに対する結果的損傷を回避すると考えられる。軟質基板の別の利点は、強磁性層および、接着層、光反射層のような更なる層がそれにより適用されることができる経済的方法である。
【００３７】
蒸着ステップ中の基板の高温のために、基板は好適には、熱安定性であり、そして／または熱により安定化される。熱安定性および熱により安定化される、の用語により、真空蒸着法中に、高温におけるその化学的または物理的構造の不可逆的変化に対する、基板材料（ｍａｔｅｒｉａｌ）の抵抗性が意味される。
【００３８】
更に、基板の熱膨張係数は１００．１０-6ｍ／℃以下、好適には４０．１０-6ｍ／℃以下であることが好適である。
【００３９】
下塗り層（ｐｒｅ−ｃｏａｔｓ）
場合により、放射線透過性基板と、蒸着されたシンチレーター層との間に層を適用することができる。これらの層は、以後、下塗り層（ｐｒｅ−ｃｏａｔｓ）と呼ばれるが、基板に対する、蒸着されたシンチレーター層の接着を改善することができる（図８参照）。下塗り層の別の機能は、シンチレーターにより発光される光のスペクトルを反射または吸収または移動させて、画像の加工（ａｒｔｅｆａｃｔｓ）を回避するか、または感度を改善するか、または検出器の感度とより良く適合させることができる（図２、４、６、７および８参照）。本発明に含まれる放射線透過性基板は薄く、従って柔軟であるので、それらは、蒸着の前に、被覆法によりこれらの下塗り層を適用するのに極めて適する。被覆は、基板上への１枚以上の層の適用の、経済的に効率の良い方法である。被覆法により、２枚以上の下塗り層を適用することができる。軟質な基板は、連続的被覆法に特に適する。更に、軟質基板はロールとして利用可能であり、それらは被覆および乾燥または硬化の生産過程において、巻き取りそして巻き出すことができる。
【００４０】
本発明に使用することができる光反射層は好適にはＴｉＯ2を含み、シンチレーターにより放射される光の一つ以上の波長において、９０％以上の光を反射するために使用される。光反射層中のＴｉＯ2の固形分は好適には、２５〜５０（重量）％の範囲内にあり、その厚さは好適には５〜４０μｍの範囲内にある。より好適には、ＴｉＯ2の固形分は層の総固形分の３３〜３８（重量）％であり、層の厚さは１３〜３０μｍの間である。適切な層の他の例は、欧州特許第１９９７８６６号明細書および未公開出願書欧州特許第１３１９７７３６．５号明細書に認めることができる。
【００４１】
下塗り層は、強磁性層の適用前、その間、またはその後に、基板の一面の上に適用することができる。それらは、基板のいずれの面にでも適用することができる（図８参照）。光反射層は好適には、強磁性層をもつ面の反対の面に、より好適には、放射線透過性基板とシンチレーター層との間に、適用される（図２、４、６、７および８参照）。
【００４２】
基板支持物体
本発明の方法に使用することができる基板支持物体は、蒸着真空室内に配置される。基
板支持物体は、蒸着ステップ中に、基板の一面の上に強磁性層をもつ放射線透過性基板の全表面上に、良好な接着を確保するための、好適には平滑な一表面を含む。平滑な表面により、粗くない、または、隆起（ｂｕｍｐｓ）、うね（ｒｉｄｇｅｓ）または平坦でない部分、のようなあらゆる欠陥をもたない表面を意味する。基板支持物体の表面が平滑でない場合は、表面のあらゆる欠陥がシンチレーターまたは燐光物質層中に見られると考えられる。この平滑な表面は、ガラス、セラミックス、アルミニウムよりなる材料の硬質プレートまたはブロック、硬質プレートまたはブロックに固定された軟質の磁性材料の、磁性ゴムフォイルのような永久磁性材料により得ることができる。基板支持物体の表面は研磨されて、基板の接着を更に改善し、シンチレーター層の均質な蒸着を改善することができる。本発明の別の実施態様において、プレートまたはブロックはまた、フェライト、サマリウム−コバルト合金、アルミニウム−ニッケル−コバルト合金およびネオジミウム−鉄−ホウ素、のような永久磁性材料でできていることができる。好適にはサマリウム−コバルト合金およびアルミニウム−ニッケル−コバルト合金のような高温に抵抗性の磁性材料が適切である。別の実施態様において、１個以上の永久磁石は、のりで、より好適には熱抵抗性のりで、蒸着中に基板がそれに接着される面と反対側の硬質プレートの一面の上にのり付けされることができる。強磁性層をもつ放射線透過性基板の強力な磁性引力を保証するための、大きな、均等な磁場を得るために、基板支持物体にのり付けされた、幾つかの群の磁石を使用することができる。
【００４３】
基板支持物体はまた、基板がそれに引き付けられる表面を形成するブロックまたは硬質プレートを磁化することができるか、または強磁性層をもつ放射線透過性基板を引き付けることができる電磁石を含むことができる。電磁石の利点の一つは、電磁石が蒸着過程中の加熱時に、それらの磁性を失わないことであるの  基板支持物体は基板に垂直な回転軸とともに回転されることができる。基板支持物体は２５０℃の温度に、より好適には１６０℃に加熱されることができる。
【００４４】
蒸着によりシンチレーター層を製造する方法
本発明に従う方法は、物理的蒸着、化学的蒸着およびスパッター法による蒸着よりなる群から選択される方法による、放射線透過性基板上へのシンチレーター層の蒸着ステップを含む。燐光発光層（ｓｃｉｎｔｉｌｌａｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒｓ）は基板の両面のいずれの上にも蒸着することができるが、好適には強磁性層に反対側の面に蒸着することができる。シンチレーター層は好適には下塗り層上に蒸着される。
【００４５】
装置
強磁性層をもち、前記の通りに得られた放射線透過性基板は、基板支持物体の表面に対して、その一面の上に接触される。好適には、強磁性層で被覆された放射線透過性基板の面が、基板支持物体の表面と接触される。基板支持物体を磁化するために電磁石が使用される場合は、電流供給体のスイッチを入れなければならない。放射線透過性基板は基板支持物体に引き付けられ、その平らな表面により、基板支持物体と基板との間に良好な接着が確保される。シンチレーター層がその上に蒸着されなければならない放射線透過性基板の面は、好適には、蒸気源の方向に向けられる。
【００４６】
本発明に従って使用することができる蒸着装置には、シンチレーターの前駆体原料がその中で加熱されることができる容器またはるつぼが提供されている。るつぼは底部および側壁を有し、シンチレーターの前駆体原料を蒸発させ、それを放射線透過性基板上に蒸着するために加熱されることができる（７００℃、好適には９００℃までの範囲で）。るつぼの加熱は抵抗加熱法、誘導加熱法により、またはランプ、好適にはＩＲヒーターにより実施することができる。
【００４７】
１個以上のるつぼと放射線透過性基板との間の距離は好適には、１０ｃｍ〜６０ｃｍ、
特により好適には、１０ｃｍ〜３０ｃｍの範囲にある。遠すぎる距離は材料のかなりのロスおよび工程の収率低下をもたらし、他方、近すぎる距離は基板の高過ぎる温度および不均質な蒸着層をもたらす。基板温度の上昇を回避するための手段は例えば、米国特許第６，７２０，０２６号明細書に記載された。
【００４８】
基板支持物体とるつぼは、１０-5〜１Ｐａの範囲の圧力の減圧を許す真空蒸着室内に取り込まれる。
【００４９】
シンチレーター層の蒸着
本発明に従う方法は、１個以上のるつぼ内でシンチレーターの前駆体原料を加熱することにより、前記の通りに得られる放射線透過性基板上にシンチレーター層を調製する工程を提供する。これらのシンチレーター前駆体の原料は、母材（ｍａｔｒｉｘ）化合物および活性化剤および／またはドーパント前駆体化合物を含む。前駆体の原料は少なくとも融点に加熱され、蒸発された材料の凝縮により層が形成される。
【００５０】
適切な母材化合物はアルカリハロゲン化物［ＭＸ、ここでＭはリチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｓ）のようなアルカリ金属を表わし、Ｘはフッ化物（Ｆ）、塩化物（Ｃｌ）、臭化物（Ｂｒ）、ヨウ化物（Ｉ）のようなハロゲン化物を表わす］である。ドーパントは好適には、ランタニド塩、より好適にはランタニドハライドである。
【００５１】
蒸着され得るシンチレーターの例は、タリウムでドーピングされたヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｌ）、ナトリウムでドーピングされたヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｎａ）、ユーロピウムでドーピングされたヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｅｕ）、ユーロピウムでドーピングされたヨウ化ストロンチウム（ＳｒＩ2：Ｅｕ）、アルカリ（土類）金属ハロゲン化物［ＭＸ：Ｄ、ここでＭはアルカリ金属：リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｓ）またはアルカリ土類金属：ベリリウム（Ｂｅ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）を表わし、Ｘはハロゲン化物：フッ化物（Ｆ）、塩化物（Ｃｌ）、臭化物（Ｂｒ）、ヨウ化物（Ｉ）を表わし、Ｄはドーパント、例えばタリウム（Ｔｌ）を表わす］：である。ガリウムセレニド（ＧａＳｅ）のような別のシンチレーターはＣＶＤにより製作され、カドミウムスルフィド（ＣｄＳ）の薄膜の製法は、Ｓｏｌａｒ  Ｅｎｅｒｇｙ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ａｎｄ  Ｓｏｌａｒ  Ｃｅｌｌｓ  ７５（１−２）：２１９中に、そしてカドミウムタングステート（ＣｄＷＯ４）の製法はＮｕｃｌｅａｒ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ  ａｎｄ  Ｍｅｔｈｏｄｓ  ｉｎ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ  Ａ  ３６９（１９９６）１６４−１６８に記載されている。亜鉛カドミウムスルフィドＺｎｘＣｄ（１−ｘ）Ｓシンチレーターの層を成長させる方法は、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｇｒｏｗｔｈ  Ｖｏｌｕｍｅ  ９６，Ｉｓｓｕｅ  ４，Ａｕｇｕｓｔ  １９８９，Ｐａｇｅｓ  ９８９−９９２に認められる。
【００５２】
１種以上のシンチレーター前駆体の原料は、同一のるつぼ内に存在することができるか、または異なる重量比率の原料を含む２種以上のるつぼ中に分割されることができる。例えば、一つのるつぼは例えばＣｓＢｒまたはＣｓＩのような母材化合物の、優勢な、または独占的ですらある量を含み、他方、別のるつぼは、例えばＥｕＯＢｒまたはＴｌＩのようなドーパント前駆体の、優勢な、または独占的ですらある量で充填されることができる。別の実施態様において、１個のるつぼ、例えばドーパントまたは活性化剤前駆体を提供する原料を含むるつぼは、支持体（ｓｕｐｐｏｒｔ）に、より近位に配置することができる。前駆体の原料は少なくとも融点に加熱され、蒸発された材料から層が形成される。
【００５３】
画像の鮮鋭さ（ｓｈａｒｐｎｅｓｓ）のために、針状の共添加されたアルカリ金属ハロ
ゲン化物のシンチレーター、特にＴｌ−活性化ＣｓＩシンチレーターが好適である。針状結晶をもつシンチレーター層と関連した変調伝達関数（ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ  ｔｒａｎｓｆｅｒ  ｆｕｎｃｔｉｏｎ）（ＭＴＦ）を改善するために、針状結晶の粒径は好適には１μｍ〜２０μｍ、より好適には１μｍ〜１０μｍである。本発明に従う方法において、本法が、蒸着速度が０．４〜４ｍｇ／ｃｍ2．分の範囲内にあるステップを含むことが更に推奨される。
【００５４】
針状結晶の幅（ｗｉｄｔｈ）は基板の温度、真空度および基板による蒸気流の入射角度（ｉｎｃｉｄｅｎｔ  ａｎｇｌｅ）、により影響を受けるため、針状結晶の所望の幅はこれらのパラメーターを制御することにより得ることができる。本発明の方法は、これらの必要条件を達成するのに極めて適する。
【００５５】
改善された感度（ｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ）を考慮すると、米国特許第６，７３０，２４３号明細書における通りの前記シンチレーターのアニール（ａｎｎｅａｌｉｎｇ）が好都合に実施され、そのアニールステップは、基板上の冷却された蒸着針状層を８０〜２２０℃間の温度にもたらし、それをその温度に１０分〜１５時間の間維持する工程よりなる。このようなアニールステップは、外界雰囲気または不活性雰囲気内で実施することができる。
【００５６】
シンチレーター層の好適な実施態様の蒸着
本発明の好適な実施態様は、ヨウ化セシウム基材のシンチレーターの蒸着を含む。ヨウ化セシウム基材のシンチレーターは、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）に対して、活性化剤としてタリウム（Ｔｌ）、ナトリウム（Ｎａ）またはユーロピウム（Ｅｕ）を添加する工程により得られる。もっとも好適な実施態様は、タリウムドーピングヨウ化セシウム基材である。ヨウ化セシウムに対するタリウムのモル比（以後、「Ｔｌ／ＣｓＩ比率」と呼ばれる）は０．１モル％〜０．５５モル％であることが好適である。より好適には、Ｔｌ／ＣｓＩ比率は０．１５モル％〜０．４モル％である。真空蒸着室は好適には、シンチレーターの、シンチレーター前駆体の原料としてのヨウ化セシウム（ＣｓＩ）およびヨウ化タリウム（ＴｌＩ）を別々に加熱するための２つのるつぼを含む。例えば鉄粒子を含む強磁性層をもつ基板は、磁力により、基板支持物体に固定される。真空蒸着室の回転機構を使用して基板支持物体を回転しながら、各るつぼの温度を調整することにより、各材料の蒸発量を調整して、前以て決定されたＴｌ／ＣｓＩ比（例えば、０．５モル％）を設定する。基板の温度は制御されることができ、好適には、９０〜１７０℃の間である。るつぼの温度は好適には、４２０℃〜７００℃の間である。双方の原料は異なる重量比の原料を含む、２個以上のるつぼ中に分割されて存在することができる。例えば、一つのるつぼは、優勢な、または独占的ですらある量のＣｓＩを含み、他方、別のるつぼはＣｓＩとＴｌＩの混合物、または独占的な量のＴｌＩで充填されることができる。蒸着の開始後、最初に非針状結晶が基板上に形成され、そして真空度または基板の温度のいずれかを変化させることにより針状結晶が非針状結晶上に連続的に形成される。その厚さがシンチレーター層の前以て決められた厚さに到達すると、るつぼの加熱および基板の加熱を停止し、そして／または各るつぼの上部に配置されたシャッターを閉鎖することにより蒸着を終結させることができる。蒸着はまた、るつぼ内のシンチレーター前駆体の原料の枯渇により終結させることができる。シンチレーター層の厚さは好適には、１００μｍ〜７００μｍ間である。
【００５７】
ＣｓＩ：Ｔｌの場合のアニールステップは場合により実施される。それは前記と同様な方法で実施することができる。
【００５８】
燐光物質（ｐｈｏｓｐｈｏｒｓ）の蒸着
本発明に従う蒸着法はまた、基板上に燐光物質層を調製するために適する。これらの燐光物質はＣＲ画像化の適用に使用されるのに極めて適する。従って、燐光物質の前駆体の
原料の１個以上のるつぼ中で加熱を実施しなければならない。これらの燐光物質前駆体の原料は、母材化合物および活性化剤および／またはドーパントの前駆体化合物を含む。前駆体の原料は、少なくとも融点に加熱され、蒸発された材料の凝縮により層が形後される。
【００５９】
適切な母材化合物はアルカリハロゲン化物［ＭＸ、ここでＭはリチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｓ）のようなアルカリ金属を表わし、Ｘはフッ化物（Ｆ）、塩化物（Ｃｌ）、臭化物（Ｂｒ）、ヨウ化物（Ｉ）のようなハロゲン化物を表わす］である。ドーパントの前駆物質は好適には、ランタニド塩、より好適にはランタニドハロゲン化物である。物理的蒸着により得られるような好適な燐光物質は、ユーロピウムでドーピングされたセシウム臭化物（ＣｓＢｒ：Ｅｕ）およびタリウムでドーピングされたルビジウム臭化物（ＲｂＢｒ：Ｔｌ）である。燐光物質層の更なる例は、米国特許第５，７３６，０６９号明細書および米国特許第６，８０２，９９１号明細書に記載されている。
【００６０】
１種以上の燐光物質の前駆体原料は同一るつぼ内に存在するか、または異なる重量比の原料を含む２個以上のるつぼ中に分割されることができる。例えば、一つのるつぼは、優勢なまたは独占的ですらある量の、例えばＣｓＢｒまたはＣｓＩのような母材化合物を含み、他方、別のるつぼは、優先的または独占的ですらある量の、例えば、ＥｕＯＢｒまたはＴｌＩのようなドーパント前駆体で充填されることができる。別の実施態様において、一つのるつぼ、例えばドーパントまたは活性化剤の前駆体を提供する原料を含むるつぼを、支持体に、より近位に配置することができる。前駆体の原料は少なくとも融点に加熱され、蒸発された物質から、層が形成される。
【００６１】
画像の鮮鋭さのために、針状の、共添加された（ｃｏｄｏｐｅｄ）アルカリ金属ハロゲン化物燐光物質、特に米国特許第２００３／００９１７２９号明細書に記載された通りの、Ｅｕ−活性化ＣｓＢｒ燐光物質が好適である。針状結晶をもつ燐光物質に関連する変調伝達関数（ＭＴＦ）を改善するために、針状結晶の粒径は好適には１μｍ〜２０μｍ、より好適には１μｍ〜１０μｍである。本発明に従う本法において、本法が、蒸着速度が０．４〜４ｍｇ／ｃｍ2．分の範囲内にあるステップを含むことが更に推奨される。
【００６２】
針状結晶の幅は基板の温度、真空度および基板による蒸気流の入射角、により影響を受けるため、針状結晶の所望の幅はこれらのパラメーターを制御することにより得ることができる。本発明の方法は、これらの必要条件を達成するのに極めて適する。
【００６３】
改善された感度を考慮すると、米国特許第６，７３０，２４３号明細書におけるように前記の燐光物質のアニールが好都合に実施され、そのアニールステップは、基板上の冷却された蒸着針状層を８０〜２２０℃間の温度にもたらし、それをその温度に１０分〜１５時間の間維持する工程よりなる。このようなアニールステップは、外界雰囲気または不活性雰囲気内で実施することができる。
【００６４】
画像化アレイおよび第２の基板
本発明のＲＦＰＤ中に使用される画像化アレイは、シンチレーターからの光を電荷に変えなければならない。これは好適には、光電子変換素子（ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ  ｅｌｅｍｅｎｔｓ）とＴＦＴ（薄膜トランジスター）の組み合わせ物を介して実施されるが、ＣＣＤもまた、光を電荷に変えるために使用することができる。光電子変換素子とＴＦＴの組み合わせ物の場合には、シンチレーターから発する光は、光を電子に変える非晶質ケイ素光ダイオード層の方向に誘導され、そして電荷が形成される。電荷は集電され、蓄電コンデンサー（ｓｔｏｒａｇｅ  ｃａｐａｃｉｔｏｒ）により蓄電される。非晶質ケイ素に隣接する薄膜トランジスター（ＴＦＴ）アレイが電荷を読
みだし、画像が形成される。適切な画像アレイの例は、米国特許第５２６２６４９号明細書中およびＳａｍｅｉ  Ｅ．ｅｔ  ａｌ．，“Ｇｅｎｅｒａｌ  ｇｕｉｄｅｌｉｎｅｓ  ｆｏｒ  ｐｕｒｃｈａｓｉｎｇ  ａｎｄ  ａｃｃｅｐｔａｎｃｅ  ｔｅｓｔｉｎｇ  ｏｆ
ＰＡＣＳ  ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ”，Ｒａｄｉｏｇｒａｐｈｉｃｓ，２４，３１３−３３４により開示されている。米国特許第２０１３／００４８８６６号明細書、段落［９０−１２５］並びに米国特許第２０１３／２２１２３０号明細書、段落［５３−７１］および［８１−１０４］に記載の通りの画像化アレイを使用することができる。
【００６５】
電荷は読み出し電子機器により読み出されなければならない。生産され、蓄電された電荷が列毎に読み出される読み出し電子機器の例は、Ｓａｍｅｉ  Ｅ．ｅｔ  ａｌ．，Ａｄｖａｎｃｅｓ  ｉｎ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｒａｄｉｏｇｒａｐｈｙ．ＲＳＮＡ  Ｃａｔｅｇｏｒｉｃａｌ  Ｃｏｕｒｓｅ  ｉｎ  Ｄｉａｇｎｏｓｔｉｃ  Ｒａｄｉｏｌｏｇｙ  Ｐｈｙｓｉｃｓ（ｐ．４９−６１）Ｏａｋ  Ｂｒｏｏｋ，Ｉｌｌにより開示されている。
【００６６】
以後「第２の基板」と呼ばれる本発明の画像化アレイの支持する基板は通常、ガラスである。しかし、プラスチック、金属フォイルでできた基板上に加工された画像化アレイもまた使用されることができる。画像化アレイはシリコン・ニトリドまたは、フルオロポリマー、ポリイミド、ポリアミド、ポリウレタンおよびエポキシ樹脂のようなポリマー基材の被膜の層により、湿度および環境因子から防護されることができる。更に、Ｂ−段階のビスベンゾシクロブテン基材（ＢＣＢ）モノマーを基材にしたポリマーも使用することができる。あるいはまた、低い誘電定数をもつ多孔質の無機誘電体も使用することができる。
【００６７】
ＲＦＰＤの製法
本発明に従うＲＦＰＤは、上記に説明されている異なる構成部品を集成することにより製作される。好適な方法が次に説明される。
【００６８】
第１のステップにおいて、放射線透過性基板上に蒸着されたシンチレーター層を、放射線透過性基板に反対側のその面で、画像化アレイに接着しなければならない。この接着は、例えば、真空により、または画像化アレイの縁に提供される接着剤により、画像化アレイに対して、シンチレーター層を機械的に圧迫することにより実施することができる。シンチレーター層および画像化アレイは好適には、双方の構成部品間の接着層により接着される。接着層による接着の利点は、ＲＦＰＤの効率および解像度を高める、シンチレーター層と画像化アレイとの間に光学的結合が得られる点である。
【００６９】
それが、シンチレーターから発射される光を、減衰せずに画像化アレイに到達させる限り、接着層には何の制約も課されない。例えば、接着層はＵＶ−硬化性接着剤、熱硬化性接着剤、室温硬化性接着剤、ホットメルト樹脂、感圧性接着剤（例えば、ゴムの感圧性接着剤、シリコーンの感圧性接着剤、アクリルの感圧性接着剤のような）、または両面接着剤もしくはその両面に前記接着剤および感圧性接着剤の一つが提供された感圧性接着シート、で製作されることができる。
【００７０】
前記の感圧性接着剤の中でも、酸化または光に対する露出による劣化の傾向の少ない、アクリル感圧性接着剤を使用することが好適である。
【００７１】
前記のホットメルト樹脂のなかで、ポリエチレン−ビニルアセテート、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリエステル、ポリウレタン、スチレンブロックコポリマー、ポリカーボネート、フルオロポリマー、シリコーンゴム、ポリピロールを使用することが好適である。より高温の抵抗性および安定性のためにもっとも好適なものは、ポリオレフィンおよびポリウレタンである。ライニングをもつホットメルトが画像化アレイの表面上に配置され
る。次に、ホットメルトと一緒に、第１の基板上の画像化アレイが、記載された温度のオーブン中で加熱される。冷却後、ライニングを外され、粘着剤をもたない面に、溶融されたホットメルトを解放する（ｒｅｌｅａｓｅｓ）。シンチレーターは、シンチレーター層の放射線透過性基板と反対側のその面をホットメルトの接着剤の面と接触させ、そして高温高圧を適用することにより、画像化アレイに接合される。画像化アレイの全領域上に良好な接着を達成するために、０．６〜２０バールの範囲の圧力を適用しなければならず、そして１０〜１０００秒間、８０〜２２０℃の範囲の温度値が必要である。ホットメルト樹脂の厚さは５〜４０μｍの範囲、更により好適には５〜３０μｍの範囲、もっとも好適には５〜１５μｍの範囲内にあることが好適である。
【００７２】
それにより、放射線透過性基板／シンチレーター層／画像化アレイ／第２の基板、の積層物が形成される。
【００７３】
Ｘ−線シールドは場合により、シンチレーターにより吸収されなかったＸ−線を吸収するために、画像化アレイの反対側の、第２の基板の面に対して配置されることができる。これらのＸ−線は、検出器の下層に横たわる電子機器による不均質な反射により、画像の加工（ａｒｔｅｆａｃｔｓ）を引き起こすかまたは、下方に横たわる電子機器の部品を製作する電子機器の構成部品を損傷する可能性がある。
【００７４】
Ｘ−線シールドは未公開特許出願物欧州特許第１３１９７７３６．５号明細書に記載の通りの、画像化アレイの反対側の、第２の基板の面上に直接適用されることができる。あるいはまた、欧州特許第１４７１３８４（Ｂ１）明細書、米国特許第２０１３／００３２７２４号明細書および米国特許第２０１２／００９７８５７号明細書に開示されたような、タンタル、鉛またはタングステンのような金属のＸ−線シールドが、画像化アレイの反対側の第２の基板に対して配置されて、Ｘ−線シールドとして役立つことができる。
【００７５】
より好適には、未公開特許出願欧州特許第１３１９７７３４．０号明細書に開示された通りのＸ−線シールドは、これらのシールドが、放射線透過撮影用フラットパネル検出器の更なる重量軽量化の利点をもつために、本発明と組み合わせて使用される。
【００７６】
本発明は、ＲＦＰＤが、シンチレーターがＸ−線源と画像化アレイとの間に存在するように配置された構造（ＰＳＳ＝透過側サンプリング）および、ＲＦＰＤが、画像化アレイがＸ−線源とシンチレーターとの間に存在するように配置された構造（ＩＳＳ＝照射側サンプリング）、と適合する。
【００７７】
本発明は、実施例において、その好適な実施態様に関して以下に説明されるが、本発明をこれらの実施態様に限定することは意図されないことが理解される。
【実施例】
【００７８】
材料
・  蒸着真空室Ｑ７００  Ｌｅｙｂｏｌｄ−Ｈｅｒａｅｕｓ；
・  永久磁石：５０ｘ５０ｘ１．５ｍｍ、Ｇｏｕｄｓｍｉｔ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｓｕｐｐｌｉｅｓ，Ｎｅｔｈｅｒｌａｎｄｓからのサマリウムコバルト（Ｓｍ2Ｃｏ17）でできている；
・  磁性フォイル、：ＳｃｈａｌｌｅｎｋａｍｍｅｒからのＧｒａｖｉＦｌｅｘ（登録商標）  Ｍａｇｎｅｔｆｏｌｉｅ  ２００；
・  熱抵抗性のり：Ａｖｅｒｙ  Ｄｅｎｎｉｓｏｎ，ＢｅｌｇｉｕｍからのＦＴ  ２００２；
・  Ｋｒａｔｏｎ  ＦＧ１９０１Ｘ：（新規名称＝ＫｒａｔｏｎTM  ＦＧ１９０１  ＧＴ）、Ｓｈｅｌｌ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓからの、３０％のポリスチレンを含む、スチレンお
よびエチレン／ブチレン基材の透明な、線状３ブロックコポリマー；
・  鉄粉末：Ａｃｒｏｓ  Ｃｈｉｍｉｃａ  ＮＶから、粒径１０μｍ未満；
・  アルミニウムプレート：Ｄｅｊｏｎｄ，Ｂｅｌｇｉｕｍからの２．５ｍｍの厚さをもつＡｌＭｇ  ４，５Ｍｎ（５０８３）；
・  ガラス板：３ｍｍの厚さをもつ窓ガラス；
・  ＨＰＡ１９０２Ｗ：Ａｖｅｒｙ  Ｄｅｎｎｉｓｏｎ，Ｂｅｌｇｉｕｍからの１９０μｍの感圧性接着テープ；
・  ＴｉＯ2  Ｒ９００：ＤｕＰｏｎｔからのＴｉ−Ｐｕｒｅ（登録商標）  Ｒ−９００二酸化チタン；
・  フィルターＡＵ０９Ｅ１１ＮＧ：３Ｍからの２０μｍの孔径をもつ；
・  ＣＡＢ  ３８１−２：ＭＥＫ中、Ｅａｓｔｍａｎからのセルロースアセテートブチレート（ＣＡＢ−３８１−２）の２０（重量）％溶液。１６００ｒｐｍで８時間撹拌し、撹拌後にフィルターＡＵ０９Ｅ１１ＮＧを使用する瀘過により調製；
・  Ｂａｙｓｉｌｏｎｅ：ＢａｙｅｒからのＢａｙｓｉｌｏｎｅ被膜添加剤ＭＡ；
・  Ｅｂｅｃｒｙｌ：ＭＥＫ中、Ａｌｌｎｅｘからの８価脂肪族ウレタンアクリレートオリゴマー、Ｅｂｅｃｒｙｌ  １２９０の２０（重量）％溶液、１６００ｒｐｍで８時間撹拌し、撹拌後にフィルターＡＵ０９Ｅ１１ＮＧを使用する瀘過により調製；
・  ＰＩ５００Ｂ：ＤｕＰｏｎｔからの、１２５μｍの厚さをもつポリイミドフィルムのＫａｐｔｏｎ；
・  Ｈｏｓｔａｐｈａｎ  ＷＯ：Ｍｉｔｓｕｂｉｓｈｉからの１００μｍの厚さをもつＰＥＴでできた白色の不透明フィルム；
・  ＬｕｍｉｒｒｏｒＴ０００２：Ｔｏｒａｙ  Ｅｕｒｏｐｅ，Ｆｒａｎｃｅからの、１８８μｍの厚さをもつ着色された黒色のポリエステルフィルム；
・  Ｔｅｏｎｅｘ  Ｑ８３：ＤｕＰｏｎｔ  Ｔｅｉｊｉｎからの、１２５μｍの厚さをもつＰＥＮ透明なフィルム；
・  ＭｅｌｉｎｅｘＳＴ５０４：ＤｕＰｏｎｔ  Ｔｅｉｊｉｎからの１２５μｍの厚さをもつポリエステルフィルム；
・  アルミニウム基板：Ａｌａｎｏｄからの３００μｍの厚さをもつアルミニウムフォイル；
・  ＣｓＩ：Ｒｏｃｋｗｏｏｄ  Ｌｉｔｈｉｕｍからの（ＣＡＳ  ７７８９−１７−５）、９９．９９９％；
・  ＣｓＩ：ＴｌＩ：Ｒｏｃｋｗｏｏｄ  Ｌｉｔｈｉｕｍからの、０．９％ＴｌＩを含む９９．９９９％のＣｓＩ；
・  ＨＩ−ＢＯＮＤ  ３ホットメルト：Ｃａｒｄｅｌからのホットメルト樹脂。
【００７９】
蒸着法
１．強磁性層をもつ基板（発明）の調製
１．１．  光反射層の調製
０．２ｇのＣＡＢ  ３８１−２を、少なくとも１時間、水平撹拌ビードミル中で、１ｇのＴｉＯ2 Ｒ９００、０．００１ｇのＢａｙｓｉｌｏｎｅおよび２．６ｇのＭＥＫと混合した。最後にＥｂｅｃｒｙｌを添加して、１：１（重量）のＣＡＢ  ３８１−２：Ｅｂｅｃｒｙｌの比率を達成した。得られた被覆分散液をフィルターのＡＵ０９Ｅ１１ＮＧで瀘過した。ＴｉＯ2 Ｒ９００の固形分は３５（重量）％であった。被覆分散液を、シンチレーター層がその上に被覆されるべき異なる放射線透過性基板の一面の上に２ｍ／分の被覆速度で、ドクターブレードを使用して被覆した。基板のサイズは１８０×２４０ｍｍであった。未乾燥の層の厚さは１５０μｍであり、１７μｍの乾燥層の厚さを得た。下塗り層の乾燥を、少なくとも１５分間室温で実施し、次に６０℃で３０分間そして９０℃で２０分間オーブン内で乾燥した。基板Ｓ−０５（表１参照）については下塗り層を適用しなかった。
【００８０】
１．２  強磁性層の調製
磁化可能粒子の分散液を以下の通りに調製した：４．６４ｇのＫｒａｔｏｎ  ＦＧ１９０１Ｘを、６．６９ｇのメチルシクロヘキサン、４．６８ｇのトルエンおよび２．０１ｇのブチルアセテートを含む溶媒混合物中に溶解した。１０分間撹拌後に、１５０ｇの鉄粉を結合剤溶液に添加し、１０分間撹拌した。分散液を横揺れベンチ上の閉鎖容器中で１時間均質化した。得られた鉄粒子の分散液を表１に記載される異なる基板上に、２ｍ／分の速度でドクターブレード塗布した。塗布は下塗り層をもつ側と反対の面上に実施された。未乾燥被膜の厚さは２７５μｍであり、乾燥後に、８５μｍの乾燥厚さおよび１０〜４０ｍｇ／ｃｍ2間の鉄の塗布量を伴なう層を得た。乾燥は最初の１５分間、３０％のＲＨをもつ大気中で実施され、次に６０℃で３０分間そして９０℃で２０分間オーブン中で乾燥ステップにかけた。
【００８１】
【表１】
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【００８２】
２．  磁性フォイルを伴なう放射線透過性基板（比較）の調製
アルミニウムプレートおよびＰＩ５００Ｂ基板に§１．１に従って下塗り層を被覆した。磁性フォイルを下塗り層の反対側の基板上に、感圧性接着テープＨＰＡ１９０２Ｗで接着した。
【００８３】
３．  基板支持物体
第１の基板支持物体ＳＳＢ−０１を、ガラスプレートの一面の上に永久磁石を配置することにより調製した。磁石を７列、８段の２次元のアレイに一緒に配置することにより広い面積を得た。磁石は、熱抵抗性のりを使用してガラス上にのり付けされた。基板支持物体の表面の表面積は、３５０×４５０ｍｍであった。
【００８４】
第２の基板支持物体ＳＳＢ−０２を、アルミニウムプレートの一面の上に永久磁石を配置することにより調製した。それを７列、８段の２次元のアレイに相互に接触して配置することにより、広い面積を得た。基板支持物体の表面積は３５０×４５０ｍｍであった。アレイの縁の磁石を、ＨＰＡ１９０２Ｗテープを使用してアルミニウムの表面に固定した
。
【００８５】
第３の基板支持物体ＳＳＢ−０３を、アルミニウムプレートの一面の上に永久磁性フォイルを配置することにより調製した。基板支持物体の表面積は２１０×２７０ｍｍであった。磁性フォイルを、ＨＰＡ１９０２Ｗテープを使用してアルミニウムの表面に固定した。
【００８６】
４．  蒸着真空室
前項で得られた基板支持物体を、真空室内に懸けられ、基板支持物体の水平回転を許す回転性ホールダー内に配置した。基板支持物体は、真空室の底部に配置されたるつぼの方向に向けられた、ガラスまたはアルミニウムプレートの面を、磁石の反対側に向けてホールダー内に水平に配置された。２個のるつぼを、基板から１４０ｍｍの距離に相互に隣接して配置し、るつぼは相互から独立して、双方とも抵抗（ｒｅｓｉｓｔｉｖｅｌｙ）加熱することができる。
【００８７】
一面の上に鉄粒子を含む強磁性層をもつ（ＩＮＶ）、または磁性フォイルをもつ（ＣＯＭＰ）放射線透過性基板Ｓ−０１〜Ｓ−１２を、磁石の反対側のガラスまたはアルミニウムプレートの表面と接触、あるいは磁性フォイル（ＳＳＢ−０３）と接触させる。磁石またはフォイルと、鉄粒子を含む層との間の磁性引き付け力により、放射線透過性基板は、基板支持物体に固定して維持される。
【００８８】
５．  シンチレーター層の蒸着
蒸発の開始前に、真空室内の空気を５．１０-5ｍｂａｒの圧力まで減圧し、蒸発工程中に、室内にアルゴンガスを導入した。基板支持物体を１２ｒｒｐｍで回転し、１００〜１４０℃間の温度に加熱した。
【００８９】
放射線透過性基板Ｓ−０１〜Ｓ−１２それぞれの上のＣｓＩ：Ｔｌのシンチレーター層を、一つのるつぼ中で４２０ｇのＣｓＩを６８０℃に加熱し、そして第２の別のるつぼ中で０．９（重量）％のＴｌＩを含む３５０ｇのＣｓＩ：ＴｌＩを２００〜５５０℃に加熱することにより、物理的蒸着により適用した。
【００９０】
少なくとも一つのるつぼ中に存在するすべての粉末が蒸発した後に、加熱を切断し、るつぼの上にカバーをかけた。基板が６０℃に到達した時に、シンチレーター層をもつ放射線透過性基板を、基板支持物体から外した。
【００９１】
異なる放射線透過性基板上における、得られたシンチレーター層の品質評価を、蒸着されたシンチレーターをもつ基板の操作中に、視覚的に実施した。結果は表２にまとめられる。
【００９２】
【表２】
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【００９３】
表２に報告される結果に従うと、鉄粒子を含む層を有する放射線透過性基板上へのシンチレーターの蒸着は、基板に対する良好な接着を示し、高い柔軟性を示すシンチレーター層をもたらす。本発明に従う方法は、下塗り層を使用せずとも（Ｓ−０４）、放射線透過性基板に対するシンチレーター層の十分な接着が得られるという利点をもつ。
【００９４】
６．  シンチレーターのＸ−線変換効率
§５におけるように調製されたシンチレーターの変換効率は、シンチレーター層／放射線フィルムの設定において決定された。シンチレーター層と放射性フィルムとの間に最適な接触を確保するために、真空パッケージが使用された。シンチレーター層を、片方の活性面の放射性エマルションを伴なう緑感性フィルム（ｇｒｅｅｎ  ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ  ｆｉｌｍ）（ＡＧＦＡＨＤＲＣ  １８２４）と接触させ、その基板を伴なうシンチレーターおよび緑色感光性フィルムを伴なうシンチレーターの双方を黒色のポリエチレンバッグ中に入れた。パッケージ全体を光に遮蔽し、真空包装した。露出は放射線フィルムの前方のシンチレーターを通して実施された。変換効率の測定のための露出は以下の条件：７２ｋＶｐ、Ｅ−フィルター、６１５ｃｍを超える距離範囲、０．１０のｄｌｏｇＨ、１０ｍＡｓ、小焦点を使用する２１ステップ、を使用してＰｈｉｌｉｐｓ  Ｓｕｐｅｒ  ８０  ＣＰ  Ｘ−線源により実施した。強磁性層または磁性フォイルをもつ基板の面を、Ｘ−線源の方向に向けた。露出後に、放射線フィルムを３３℃で９０秒間Ｇ１３８ｉ（Ａｇｆａ
Ｈｅａｌｔｈｃａｒｅ）中で現像し、現像したフィルムの光学密度を測定するために、ＭａｃＢｅｔｈ密度計、タイプＴＲ−９２４中に入れた。変換効率は、密度が放射線量と直線状であり、本発明に従って蒸着されたシンチレーターに対して計算された領域の密度グラフにより決定された。
【００９５】
磁性フォイルをもつＰＩ５５０Ｂに対するシンチレーターの蒸着は、ＰＩ５５０Ｂフォイルからの放射線透過性基板の剥離のために非常に問題であるので、シンチレーター層の蒸着は感圧性テープを使用して実施されて、ＰＩ５５０Ｂフォイルを基板支持物体ＳＳＢ−０３に付着維持させた。Ｓ−０９〜Ｓ−１２上に蒸着されたシンチレーターの変換効率の結果は表３に報告される。
【００９６】
Ｘ−線吸収を、３０ｃｃ容量のセルをもつＴｒｉａｄ線量計と一緒にＰｈｉｌｉｐｓ  Ｏｐｔｉｍｕｓ  ８０装置を使用して測定した。測定セルはシンチレーター／放射線透過性基板の組み合わせ物の直ぐ後方の、Ｘ−線源から１．５ｍの距離に配置された。該組み合わせ物はその基板をＸ−線源に向けて配置された。各サンプルのデータは複数回、収集され、標準偏差と一緒に平均値を計算された。すべての試験は標準放射線Ｘ−線ビーム品質（ＩＥＣ標準６１２６７，第１版（１９９４）に規定された通りのＲＱＡ  Ｘ−線ビーム品質）：ＲＱＡ５（２１ｍｍ  Ａｌ，７３ｋＶ）およびＲＱＡ９（４０ｍｍ  Ａｌ，１１７ｋＶ）に対して実施された。結果は表３に報告される。
【００９７】
【表３】
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【００９８】
シンチレーター／放射線透過性基板／磁性フォイルもしくは強磁性層の組み合わせ物によるＸ−線吸収が測定された。シンチレーターの蒸着の条件は常に同一であるため、シンチレーター層の厚さはすべてのサンプルに対して比較可能であると推定することができる。従って、Ｘ−線吸収の相異は、放射線透過性基板／磁性フォイルもしくは強磁性層の組み合わせ物による吸収の相異に起因され、それは、基板内におけるＸ−線光子のロスを最少にし、従って患者に対するＸ−線投与量を最少にするために、できるだけ低くなければならない。
【００９９】
本発明の方法に従う、強磁性層をもつ放射線透過性基板上に蒸着されたシンチレーターは、シンチレーター層の反対側の面上に磁性フォイルをもつ基板上に蒸着されたシンチレーターより、Ｘ−線に対する、より高い変換効率を示す。Ｘ−線に対する、より高い変換効率は、画像形成のためのより低いＸ−線量を意味する。
【０１００】
Ｘ−線吸収測定値から、放射線透過性基板／磁性フォイルの組み合わせ物が、放射線透過性基板／強磁性層の組み合わせ物より、有意に高いＸ−線吸収を示すことが導かれる。強磁性層による、より低いＸ−線吸収は、画像形成のためのＸ−線光子の、より高い利用可能性をもたらす。双方の前記に観察された利点は、画像形成のための、より低いＸ−線量をもたらす。
【０１０１】
７．  ＥＳＤ遮蔽
１８０×２４０ｍｍのサイズをもつ放射線透過性基板Ｔｅｏｎｅｘ  Ｑ８３および、鉄粒子を含む層を伴なう放射線透過性基板Ｔｅｏｎｅｘ  Ｑ８３（Ｓ−０６）の表面抵抗を、Ｒｏｍｅｘ  Ｂ．Ｖからの表面抵抗計ＳＲＭ（登録商標）１１０を使用して測定した。抵抗計はＴｅｏｎｅｘ  Ｑ８３の表面または鉄粒子を含む層の表面と接して配置され、以下の値を得た：Ｔｅｏｎｅｘ  Ｑ８３は１０11および１０12Ω／ｓｑ．間の表面抵抗を有した。これは絶縁性（ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ）であり、従って、静電気放電防御区域（ＥＰＡ）における使用には安全ではない。Ｓ−０６の表面抵抗は１０8および１０9Ω／ｓｑ．間にあった。これは散逸性（ｄｉｓｓｉｐａｔｉｎｇ）であり、ＥＰＡ領域において安全である。
【０１０２】
Ｔｅｏｎｅｘ  Ｑ８３およびＳ−０６上に構築された電荷を、Ｒｏｍｅｘ  Ｂ．Ｖからの静電場計（ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ  ｆｉｅｌｄ  ｍｅｔｅｒ）ＥＦＭ  ５１を使用して測定した。この目的のための材料は表から省いた。放射線透過性基板を単に表から除くと、基板シート上に次の電圧をもたらす：Ｔｅｏｎｅｘ  Ｑ８３：＞４００ボルト、Ｓ−０６：５０ボルト。
【０１０３】
これらの結果は、磁化可能な粒子を含む層を伴なう放射線透過性基板は、磁化可能な粒子を含む層を伴なわない放射線透過性基板より、高い静電気放電遮蔽効果（ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ  ｄｉｓｃｈａｒｇｅ  ｓｈｉｅｌｄｉｎｇ  ｅｆｆｅｃｔ）を与えることを示す。この、より高いＥＳＤは、それがＥＳＤの損傷からＲＦＰＤを守るので、好都合である。ＲＦＰＤ中に磁化可能粒子を含む層を伴なうと、更なるＥＳＤ防御層を追加する必要がなく、それはＲＦＰＤの低下する重量および経費に寄与する。
【０１０４】
放射線透過撮影用フラットパネル検出器製作
ＲＦＰＤを、シンチレーター層の放射線透過性基板に反対側のその面を、ガラス（Ｃｏｒｎｉｎｇ  ＬｏｔｕｓTM  Ｇｌａｓｓ）でできた第２の基板上の画像化アレイと接触させることにより調製した。ガラスプレートは４４０ｍｍ×３６５ｍｍの面積および０．７ｍｍの厚さを有する。４２５．０８８ｍｍ×３５４．２４０ｍｍの面積をもつ画像化アレイは、光電子変換素子（ＰＩＮタイプの光ダイオード）と、ガラス基板と接した非晶質ケイ素層（ａ−Ｓｉ：Ｈ）上に形成されたＴＦＴ（薄膜トランジスター）とで製作された。
【０１０５】
シンチレーター層と画像化層との間に良好な光学的接触を確保するために、シンチレーター層を画像化アレイと接着するために、ホットメルト樹脂層ＨＩ−ＢＯＮＤ  ３および３５μｍ以下の厚さを使用した。接着はガラス上に、画像化アレイの表面上にライニングを伴なうホットメルトを配置することにより実施された。次に、画像化アレイを伴うガラスを、オーブン中に入れて、８５℃の温度で１０分間維持した。冷却後に、ライニングを外して、溶融されたホットメルトの接着面を解放した。その後、放射線透過性基板上のシンチレーター層（サンプルＳ−０６）を、放射線透過性基板に反対の面を、高圧高温でホットメルトの接着性面と接触させた。全領域上に良好な接着を達成するために０．８バールの範囲の圧力を１０分間、１００℃の温度で適用した。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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