(57)【要約】  キャリアフィルムと、キャリアフィルム上に配置されかつ凹入形成テンプレート特徴部を有する犠牲テンプレート層と、凹入形成テンプレート特徴部に適合し、かつ凹入特徴部を形成する第１表面と対向する平坦な第２表面とを有する熱的に安定な裏込め層と、を備える転写フィルム、及び転写フィルムの作製方法について開示している。
2017504837.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
転写フィルムであって、
キャリアフィルムと、
前記キャリアフィルム上に配置されており、凹入形成テンプレート特徴部を備える犠牲テンプレート層と、
前記凹入形成テンプレート特徴部に適合し、かつ凹入特徴部を形成する第１表面と、対向する平坦な第２表面と、を有する、熱的に安定な裏込め層と、
を含む、転写フィルム。
【請求項２】
前記熱的に安定な裏込め材が有機ケイ素ポリマーを含む、請求項１に記載の転写フィルム。
【請求項３】
前記凹入形成テンプレート特徴部が焼成されると同時に、熱的に安定な凹入特徴部の層を残すことが可能である、請求項１又は２に記載の転写フィルム。
【請求項４】
前記キャリアフィルムが、前記キャリアフィルムを前記犠牲テンプレート層から分離する剥離層を備える、請求項１〜３のいずれか一項に記載の転写フィルム。
【請求項５】
前記凹入特徴部が楕円放物面を備える、請求項１〜４のいずれか一項に記載の転写フィルム。
【請求項６】
前記凹入特徴部が球台を備える、請求項１〜４のいずれか一項に記載の転写フィルム。
【請求項７】
前記凹入特徴部がレンズ特徴部を形成する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の転写フィルム。
【請求項８】
前記凹入特徴部がマイクロ構造又はナノ構造を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の転写フィルム。
【請求項９】
前記熱的に安定な裏込め層が非弾性である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の転写フィルム。
【請求項１０】
前記犠牲テンプレート層が非弾性である、請求項１〜９のいずれか一項に記載の転写フィルム。
【請求項１１】
転写フィルムの形成方法であって、
犠牲テンプレート層をキャリアフィルム上に配置する工程と、
前記犠牲テンプレート層に凹入形成テンプレート特徴部を形成する工程と、
熱的に安定な裏込め材を犠牲テンプレート層上にコーティングして、前記凹入形成テンプレート特徴部に適合する第１表面と対向する平坦な第２表面とを有する熱的に安定な裏込め層を形成することで、積層転写フィルムを形成する、工程と、
を含む、方法。
【請求項１２】
前記形成工程が、前記犠牲テンプレート層をエンボス加工して第１特徴部を形成し、次に、前記第１特徴部を機械的に又は熱的に変形させて凹入形成テンプレート特徴部を形成することを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記形成工程が、前記犠牲テンプレート層上にマスキング層を配置することと、前記マスキング層の開口部を介して前記犠牲テンプレート層をエッチングして前記犠牲テンプレート層に前記凹入形成テンプレート特徴部を形成することと、を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記テンプレート特徴部がナノ構造又はマイクロ構造を含み、前記熱的に安定な裏込め層が前記ナノ構造又はマイクロ構造及び前記凹入形成テンプレート特徴部に適合している、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記形成工程が、取り外し可能なビーズ上に前記犠牲テンプレート層を配置して前記犠牲テンプレート層に前記凹入形成テンプレート特徴部を形成することを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記犠牲テンプレート層が犠牲材料から形成されたビーズを含み、次に、前記ビーズ上に前記熱的に安定な裏込め材をコーティングすることを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
方法であって、
請求項１〜８のいずれか一項に記載の転写フィルムの前記平坦な第２表面をレセプター基板上に積層する工程と、
前記犠牲テンプレート層を焼成して、凹入特徴部を有する熱的に安定な裏込め層を形成する工程と、含む、方法。
【請求項１８】
前記焼成工程の前に前記キャリアフィルムを前記犠牲テンプレート層から取り除く工程を更に含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記凹入特徴部が前記熱的に安定な裏込め層のマイクロ構造特徴部上に配置される、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記凹入特徴部が楕円放物面を備える、請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
前記凹入特徴部が球台を備える、請求項１７に記載の方法。
【請求項２２】
前記凹入特徴部がレンズ特徴部を形成する、請求項１７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
ガラス基板上のナノ構造及マイクロ構造はディスプレイデバイス、照明デバイス、建築用デバイス及び光起電力デバイスの多様な用途に使用されている。ディスプレイデバイスにおいては、光の抽出又は配光のためにそれらの構造を使用することができる。照明デバイスにおいては、光の抽出、配光、及び装飾効果のためにそれらの構造を使用することができる。光起電力デバイスにおいては、太陽光の集光及び反射防止のためにそれらの構造を使用することができる。大きいガラス基板上にマイクロ構造をパターニングする、ないしは別の方法で形成することは、困難であり、コスト効率が悪い場合がある。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００２】
本開示内容は、凹入構造を有する物品を形成するための積層転写フィルム、及びその積層転写フィルムの形成方法に関する。
【０００３】
一態様において、転写フィルムには、キャリアフィルムと、キャリアフィルム上に配置されており、凹入形成テンプレート特徴部を有する犠牲テンプレート層と、凹入形成テンプレート特徴部に適合し、かつ凹入特徴部を形成する第１表面と、対向する平坦な第２表面と、を有する、熱的に安定な裏込め層と、を含む。
【０００４】
別の態様において、転写フィルムの形成方法は、犠牲テンプレート層をキャリアフィルム上に配置する工程と、犠牲テンプレート層に凹入形成テンプレート特徴部を形成する工程と、熱的に安定な裏込め材を犠牲テンプレート層上にコーティングして、熱的に安定な裏込め層を形成する工程と、含む。熱的に安定な裏込め層は、凹入形成テンプレート特徴部に適合した第１表面と、対向する平坦な第２表面と、を有する。
【０００５】
もう一つの態様において、方法は、本明細書に記載の転写フィルムの平坦な第２表面をレセプター基板上に積層する工程と、犠牲テンプレート層を焼成して、凹入特徴部を有する熱的に安定な裏込め層を形成する工程と、を含む。
【０００６】
これらの、及び様々な他の特徴及び利点は、以下の詳細な説明を読むことで明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本開示の種々の実施形態についての以下の詳細な説明を添付の図面と共に考察することで、本開示はより完全に理解され得る。
【図１】例示的な凹入構造の概略図である。
【図２Ａ】６種の例示的な凹入特徴部の概略図である。
【図２Ｂ】６種の例示的な凹入特徴部の概略図である。
【図２Ｃ】６種の例示的な凹入特徴部の概略図である。
【図２Ｄ】６種の例示的な凹入特徴部の概略図である。
【図２Ｅ】６種の例示的な凹入特徴部の概略図である。
【図２Ｆ】６種の例示的な凹入特徴部の概略図である。
【図３Ａ】転写フィルムを形成する代表的な方法の概略的なプロセスフロー図、及びその結果得られる最終的な楕円放物面形凹入構造である。
【図３Ｂ】図３Ａの最終的な楕円放物面形凹入構造の拡大図である。
【図４Ａ】転写フィルムを形成する代表的な方法の概略的なプロセスフロー図、及びその結果得られる、平坦な接続要素を含む最終的な楕円放物面形凹入構造である。
【図４Ｂ】図４Ａの最終的な楕円放物面形凹入構造の拡大図である。
【図５Ａ】転写フィルムを形成する代表的な方法の概略的なプロセスフロー図、及びその結果得られる、層内に埋め込まれた最終的な楕円放物面形凹入構造である。
【図５Ｂ】図５Ａの最終的な楕円放物面形凹入構造の拡大図である。
【図６Ａ】転写フィルムを形成する代表的な方法の概略的なプロセスフロー図、及びその結果得られる最終的な楕円放物面形凹入構造である。
【図６Ｂ】図６Ａの最終的な楕円放物面形凹入構造の拡大図である。
【図７Ａ】転写フィルムを形成する代表的な方法の概略的なプロセスフロー図、及びその結果得られる、平坦な接続要素を含む最終的な楕円放物面形凹入構造である。
【図７Ｂ】図７Ａの最終的な楕円放物面形凹入構造の拡大図である。
【図８Ａ】転写フィルムを形成する代表的な方法の概略的なプロセスフロー図、及びその結果得られる最終的な楕円放物面形凹入構造である。
【図８Ｂ】図８Ａの最終的な楕円放物面形凹入構造の拡大図である。
【図９Ａ】エッチングにより転写フィルムを形成する別の代表的な方法の概略的なプロセスフロー図、及びその結果得られる最終的な凹入構造である。
【図９Ｂ】図９Ａの最終的な凹入構造の拡大図である。
【図１０Ａ】エッチングにより転写フィルムを形成する別の代表的な方法の概略的なプロセスフロー図、及びその結果得られる、階層構造を有する最終的な凹入構造である。
【図１０Ｂ】図１０Ａの、階層構造を有する凹入テンプレート構造の拡大図である。
【図１０Ｃ】図１０Ａの、階層構造を有する最終的な凹入構造の拡大図である。
【図１１】エンボス加工及び変形により転写フィルムを形成する別の代表的な方法の概略的なプロセスフロー図、及びその結果得られる最終的な凹入構造である。
【図１２Ａ】エンボス加工及び変形により転写フィルムを形成する別の代表的な方法の概略的なプロセスフロー図、及びその結果得られる最終的な凹入構造である。
【図１２Ｂ】図１２Ａの最終的な凹入構造の拡大図である。
【図１３Ａ】エンボス加工及び変形により転写フィルムを形成する別の代表的な方法の概略的なプロセスフロー図、及びその結果得られる最終的な凹入構造である。
【図１３Ｂ】図１３Ａの最終的な凹入構造の拡大図である。
【図１４Ａ】エッチングにより転写フィルムを形成する別の代表的な方法の概略的なプロセスフロー図、及びその結果得られる、階層構造を有する最終的な凹入構造である。
【図１４Ｂ】図１４Ａの最終的な凹入構造の拡大図である。
【図１５Ａ】転写フィルムを形成する別の代表的な方法の概略的なプロセスフロー図、及びその結果得られる、球状構造の最終的な凹穴部分である。
【図１５Ｂ】図１５Ａの、階層構造を有しない凹入テンプレート構造の拡大図である。
【図１５Ｃ】図１５Ａの、階層構造を有する凹入テンプレート構造の拡大図である。
【図１５Ｄ】図１５Ａの、階層構造を有しない凹入構造の拡大図である。
【図１５Ｅ】図１５Ａの、階層構造を有する凹入テンプレート構造の拡大図である。そして
【図１６】転写フィルムを形成する別の代表的な方法の概略的なプロセスフロー図、及びその結果得られる最終的な球状構造の凹入突起部である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下の詳細な説明において、添付の図面を参照するが、それらの図面は本発明の一部をなすものであり、また、いくつかの特定の実施形態を実例として示すものである。本開示の範囲又は趣旨から逸脱することなく、他の実施形態が企図され実施される場合がある点を理解されたい。以下の詳細な説明はしたがって、限定的な意味で解釈されるものではない。
【０００９】
本明細書で使用される全ての科学用語及び専門用語は、特に指示がない限り、当該技術分野において一般的に用いられる意味を有する。本明細書において与えられる定義は、本明細書中で頻繁に使用される特定の用語の理解を助けるためのものであり、本開示の範囲を限定するためのものではない。
【００１０】
特に断りがない限り、本明細書及び特許請求の範囲で用いられる特徴の大きさ、量、及び物理的特性を表わす全ての数字は、いずれの場合においても「約」なる語によって修飾されているものとして理解されるべきである。したがって、それと反対の指示がない限り、前述の明細書及び添付の特許請求の範囲内に示される数値パラメータは、本明細書に開示される教示を用いて当業者が得ようとする特性に応じて変動し得る近似値である。
【００１１】
端点による数値範囲の記載には、その範囲内に包含される全ての数（例えば、１〜５は、１、１．５、２、２．７５、３、３．８０、４及び５を含む）、及びその範囲内の任意の範囲が含まれる。
【００１２】
本明細書及び添付の特許請求の範囲において使用するときに、単数形「ａ」、「ａｎ」、及び「ｔｈｅ」は、その内容について別段の明確な指示がない限り、複数の指示対象を有する実施形態を包含する。
【００１３】
本明細書及び添付の特許請求の範囲において用いられる場合、用語「又は（若しくは、或いは）」は、その内容について別段の明確な指示がない限り、一般に、「及び／又は（若しくは、或いは）」を含む意味で用いられる。
【００１４】
本明細書で使用されるとき、「有する（have、having）」、「包含する（include、including）」、「含む（comprise、comprising）」などは、非限定的（open ended）な意味で用いられており、一般に「〜を含むが、これらに限定されない」ことを意味する。「〜から本質的になる」、「〜からなる」などの語は、「〜を含む」などに含まれることが理解されよう。
【００１５】
本開示において、
「裏込め材」又は「裏込め層」とは、不規則な表面又は構造化表面に充填して、追加の層状要素を構築するために基部として使用できかつ熱的に安定な新規表面を作製する、材料層を指す。
「焼成（bake-out）」とは、層内に含まれる犠牲材料を熱分解、燃焼、昇華又は気化によって実質上除去すると同時に、熱的に安定な材料を実質上そのまま（裏込め部材、基板として）残す、プロセスを指す。
「焼成温度」とは、層内に含まれる犠牲材料を熱分解又は燃焼によって実質上除去すると同時に熱的に安定な材料を実質上そのまま（裏込め、基板として）残すプロセス中に到達する、最高温度を指す。
「燃焼（combust又はcombustion）」とは、有機材料を含む層を酸化雰囲気の下で加熱することで、有機材料が酸化剤と化学反応を起こす、プロセスを指す。
「ナノ構造」とは、最長寸法が約１ｎｍ〜約２０００ｎｍの範囲である特徴を指し、マイクロ構造を包含する。
「マイクロ構造」とは、最長寸法が約１マイクロメートル〜約２ｍｍの範囲である特徴を指す。
「熱分解（pyrolyze又はpyrolysis）」とは、犠牲層を不活性雰囲気下で加熱することで、物品中の有機材料を分解して人工空洞を作製する、プロセスを指す。
「構造化表面」とは、周期的、準周期的若しくは不規則なエンジニアードマイクロ構造、ナノ構造及び／又は階層構造を包含する表面を指し、前記構造は規則的なパターン状であっても、表面全体に不規則に存在していてもよい。
「熱的に安定」とは、犠牲材料の除去中に実質上そのまま残される材料を指す。
「ポリシロキサン」とは、高度に分枝したオリゴマー又はポリマー有機ケイ素化合物であって、炭素−炭素結合及び／又は炭素−水素結合を包含するものの、未だ無機化合物と見なされるものを指す。そして
「凹入構造」とは、簡単な単一値関数ｚ＝ｈ（ｘ，ｙ）では説明できず、ｘ−ｙ面に対して垂直に投影されたベクトルがそのテクスチャと１回以上交差する、表面トポグラフィーを指す。用語「凹入」と「アンダーカット」は同義語である。
【００１６】
凹入特徴部の例を、定められた定義を例示するために、複数の点５でトポグラフィーと交差するサンプルの法線ベクトル１に沿って図１及び図２Ａ〜Ｆに提示する。図１は、基板４０上の凹入トポグラフィー特徴部５０の例である。縦線１は、Ｘ−Ｙ面に対して垂直な（ｚ軸に沿った）ベクトルを表しており、特徴部を「凹入」状態にさせる複数の交点５が示されている。図２Ａ〜２Ｆは、更なる凹入トポグラフィー構造例５１（図２Ａ）、５２（図２Ｂ）、５３（図２Ｃ）、５４（図２Ｄ）、５５（図２Ｅ）、５６（図２Ｆ）である。縦線１は、Ｘ−Ｙ面に対して垂直なベクトルであり、表面を「凹入」状態にさせる複数の交点が示されている。本明細書で説明する凹入特徴部は、隣接していても、隣接していなくても、又は隣接する特徴部と隣接していない特徴部との組み合わせであってもよい。
【００１７】
トポグラフィー特徴部は、対称状態でなくても凹入と分類される。それどころか、個々の特徴部の動径関数（又は繰り返し構造の単一セル）が簡単な単一値関数ｚ＝ｈ（ｘ，ｙ）で説明できなければ、構造は凹入状態であると考えられる。かかる凹入特徴部の一例を、図２Ｆの構造として提示する。Ｘ−Ｙ面に対して垂直なベクトルは、特徴部と、特徴部の右側面において複数回交差することで、法線ベクトルが特徴部と特徴部の左側面では複数回交差していない場合でも、特徴部を「凹入」状態にする。
【００１８】
具体的な凹入構造を図に例示する（具体的に楕円放物面と球台）が、凹入構造は、先に説明したように、あらゆる有益な凹入構造であり得ることが分かる。
【００１９】
凹入トポグラフィーテクスチャを有する基板は、超撥油性表面の調製に用いられている。「超撥油性」表面は、表面張力が水よりもかなり小さな有機液体と、１５０°を超える見かけ接触角を示すものである。かかる液体をはじく基板は、当該技術分野では「オムニフォビック性」、「超疎液性」、及び「超両親媒性」と説明されることもあり、インクジェット印刷及び自浄式表面などの用途に有用であり得る。
【００２０】
見かけ接触角が１５０°を超える液滴は、接触線が固定されるため、基板上では必ずしも容易に滑走しない／転がらない。接触線の固定を不安定にして水滴の落下運動を促進する一般的な方法は、マルチスケール／階層的な粗さを組み込むことであって、この対処方法はハスの葉からヒントを得ている。しかし一方で、かかる階層的な対処方法は超撥油性用途において慎重に利用されているが、これは、下層の広い表面トポログラフィーの上方により小さな凹入テクスチャを作製するという問題が原因である可能性が高い。本明細書に記載の積層転写フィルム及び方法は、外側の表面粗さが凹入テクスチャを持ち合わせた階層表面トポグラフィーの作成を可能にする。
【００２１】
本開示内容は、凹入構造を有する物品を形成するための積層転写フィルム、及びその積層転写フィルムの形成方法に関する。これら転写フィルムは、所望の基板（ガラスなど）に積層して「焼成する」ことで特有の凹入構造を発現することが可能である。これら焼成された凹入構造は、好ましくは非弾性である。本開示内容はそのようには限定されないが、以下に示す実施例の説明により本開示内容の様々な態様の認識が得られるであろう。
【００２２】
多くの実施形態において、転写フィルムには、キャリアフィルムと、キャリアフィルム上に配置され凹入形成テンプレート特徴部を有する犠牲テンプレート層と、凹入形成テンプレート特徴部に適合し、かつ凹入特徴部を形成する第１表面と対向する平坦な第２表面とを有する熱的に安定な裏込め層と、が備わっている。方法は、本明細書に記載の転写フィルムの平坦な第２表面をレセプター基板上に積層する工程と、犠牲テンプレート層を焼成して、凹入特徴部を有する熱的に安定な裏込め層を形成する工程と、を含む。同様に、転写フィルムの形成方法についても説明する。この方法は、一般に、犠牲テンプレート層をキャリアフィルム上に配置する工程と、犠牲テンプレート層に凹入形成テンプレート特徴部を形成する工程と、犠牲テンプレート層上に熱的に安定な裏込め材をコーティングして熱的に安定な裏込め層を形成する工程と、で特徴付けられる。熱的に安定な裏込め層は、凹入形成テンプレート特徴部に適合した第１表面と、対向する平坦な第２表面と、を有する。これら特徴を、更に、図面で例示して、以降の説明と併せて説明する。
【００２３】
本明細書に記載のレセプター基板４０としては、ディスプレイ用マザーガラス（例えば、バックプレーンマザーガラス）、ディスプレイ用カバーガラス、照明用マザーガラス、建築用ガラス、ロール状ガラス及びフレキシブルガラスなどのガラスが挙げられる。フレキシブルロール法ガラスの一例は、販売名ＷＩＬＬＯＷガラスとしてＣｏｒｎｉｎｇ  Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄから市販されている。レセプター基板の他の例としては、金属部品、シート及び箔などの金属が挙げられる。更に他のレセプター基板の例としては、サファイア、シリコン、シリカ、及び炭化ケイ素が挙げられる。ディスプレイ用バックプレーンマザーガラスからなるレセプター基板は、積層転写フィルムが適用されたレセプター基板の側面に任意でバッファ層を含むことができる。バッファ層の例が、米国特許第６，３９６，０７９号に記載されており、この特許は、その全てが記載されているかのように参照により本明細書に組み込まれる。バッファ層の一つのタイプは、Ｋ．Ｋｏｎｄｏｈら著、Ｊ．ｏｆ  Ｎｏｎ−Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｓｏｌｉｄｓ  １７８（１９９４年）１８９〜１９８頁、及びＴ−Ｋ．Ｋｉｍら著、Ｍａｔ．Ｒｅｓ．Ｓｏｃ．Ｓｙｍｐ．Ｐｒｏｃ．Ｖｏｌ．４４８（１９９７年）４１９〜４２３頁に記載されているようなＳｉＯ２薄層であり、これらはいずれも、全てが記載されているかのように参照によって本明細書に組み込まれる。
【００２４】
本明細書に記載の転写フィルム及び方法の具体的な利点は、ディスプレイ用マザーガラス又は建築用ガラスのような大型の表面を有するレセプター表面に、凹入構造を付与する能力である。半導体パターニング法は、複雑なマイクロパターン及びナノパターンを形成するために存在するが、当該方法は、一般には低速で、煩雑で、費用がかかり、しかもウェハ１枚の大きさ（例えば、直径約３００ｍｍ）に限定される。段階的な繰り返しスタンピング成形法、例えばナノインプリントリソグラフィーを用いて半導体パターニング法よりも広い面積にマイクロパターン及びナノパターンを作製してもよい。ただし、この方法は未だに、一般に低速で、費用がかかり、しかも煩雑であり、多くの場合、いくつかの従来のフォトリソグラフィープロセス工程、例えばレジストコーティング工程、反応性イオンエッチング工程及びレジスト除去工程が必要である。
【００２５】
連続的な複製又は成形プロセスは、円筒形用具及びフィルム基板の使用を伴うことが多い。連続プロセスを用いて凹入特徴部をフィルム基板上に作成するには、用具から特徴部を取り外し可能にする機構が必要である。特徴部を取り外す機構としては、用具、特徴部、又は両方の要素にエラストマー材料を使用することが挙げられる。このエラストマー法の代替案は、本明細書に記載のような犠牲テンプレートの使用である。
【００２６】
エラストマー要素は、特徴部の凹入部分が金型を離れて用具から外しできるほど十分に変形する必要がある。この変形は成形された特徴部にかなりの剪断力を与えるので、プロセスに使用可能な成形材料一式を、比較的結合力の高いものに制限する。
【００２７】
本明細書に記載の犠牲テンプレート法には、離型工程がないため、成形材料には対応する材料強度要件が存在しない。犠牲テンプレート法で使用される材料には、結合力をほとんど又は全く有しない、未硬化の又は一部硬化した材料が包含され得る。未硬化の又は一部硬化した材料には、焼成工程中に、硬化プロセスを完結させて結合力を強化する化学転換が生じる。
【００２８】
熱的に安定な裏込め材溶液を犠牲層の構造化表面にコーティングし、溶媒又は一部の溶媒を除去し、場合により硬化することで、熱的に安定な裏込め層２２が形成され得る。好ましくは、溶媒を除去して硬化した後に、熱的に安定な材料が犠牲テンプレート層を十分に平坦化する。十分な平坦化とは、次の等式１で定義されるような平坦化の量（Ｐ％）が、５０％を超える、又は７５％を超える、又は好ましくは９０％を超えることを意味する。
Ｐ％＝（１−（ｔ１／ｈ１））×１００    （１）
式中、ｔ１は、表面層のレリーフ高さであり、ｈ１は、表面層で覆われた特徴部の特徴部高さであり、これらは更に、Ｐ．Ｃｈｉｎｉｗａｌｌａ、ＩＥＥＥ  ｔｒａｎｓ．Ａｄｖ．Ｐａｃｋａｇｉｎｇ  ２４（１）、２００１年、４１頁に開示されている。
【００２９】
犠牲テンプレート層１２は、剥離可能な表面を有するキャリア層１１（すなわち、ライナー）上にあってよい。別の実施形態では、キャリア層１１が存在しない。ライナー又はキャリア層１１は、これら以外の層に機械的な支持を提供する熱的に安定なフレキシブルフィルムを用いることによって実現され得る。ライナー１１は、剥離可能な表面を有し、その剥離可能な表面に適用された材料の剥離を可能にするライナー１１であることを意味する。キャリア層１１は、７０℃より高い温度又は或いは１２０℃より高い温度において犠牲層又は裏込め層のいずれにも悪影響を与えることなく熱的に安定である必要がある。キャリアフィルムの一例は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）である。
【００３０】
犠牲層１２は、３Ｃ（連続鋳造硬化）法などのいずれかの有用な方法で構築されるか又はエンボス加工することで、構造化表面１４が作製され得る。多くの実施形態において、平坦な第１表面は構造化第２表面１４に対向している。キャリア層１１の剥離可能な表面は平坦な第１表面に接触し得る。犠牲テンプレート層１２は、裏込め層２２を用いて実質上平坦化され得る。
【００３１】
図示するように、犠牲テンプレート層１２がきれいに焼成されると、配置された凹入構造がレセプター基板４０上にそのまま残る可能性がある。これらの図から、犠牲テンプレート層１２が焼成され、それと同時に、熱的に安定な裏込め層の凹入構造が残され得ることが分かる。
【００３２】
支持基板又はキャリア層（本明細書に記載）は、他の層を機械的に支持するフレキシブルフィルムとして具現化され得る。キャリアフィルムの一例は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）である。種々の熱硬化性又は熱可塑性ポリマーで構成される種々のポリマーフィルム基板は、支持基板として使用するのに適している。キャリアフィルムは、単層又は多層のフィルムであってよい。キャリア層フィルムとして用いることができるポリマーの代表的な例としては、（１）ポリ（クロロトリフルオロエチレン）、ポリ（テトラフルオロエチレン−コ−ヘキサフルオロプロピレン）、ポリ（テトラフルオロエチレン−コ−ペルフルオロ（アルキル）ビニルエーテル）、ポリ（フッ化ビニリデン−コ−ヘキサフルオロプロピレン）などのフッ素化ポリマー、（２）Ｅ．Ｉ．ｄｕＰｏｎｔ  Ｎｅｍｏｕｒｓ（デラウェア州Ｗｉｌｍｉｎｇｔｏｎ）から入手可能なブランドＳＵＲＬＹＮ−８９２０及びＳＵＲＬＹＮ−９９１０などの、ナトリウムイオン又は亜鉛イオンを有するイオノマーエチレンコポリマーである、ポリ（エチレン−コ−メタクリル酸）、（３）低密度ポリエチレン類、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖低密度ポリエチレン、及び超低密度ポリエチレン、可塑化ポリ（塩化ビニル）などの可塑化ハロゲン化ビニルポリマー、（４）ポリ（エチレン−コ−アクリル酸）「ＥＡＡ」、ポリ（エチレン−コ−メタクリル酸）「ＥＭＡ」、ポリ（エチレン−コ−マレイン酸）、及びポリ（エチレン−コ−フマル酸）などの、酸官能性ポリマーを含む、ポリエチレンコポリマー、アルキル基がメチル、エチル、プロピル、ブチルなど、又はＣＨ３（ＣＨ２）ｎ−（式中、ｎは０〜１２である）であるポリ（エチレン−コ−アルキルアクリレート）などのアクリル系ポリマー、及びポリ（エチレン−コ−酢酸ビニル）「ＥＶＡ」、並びに、（５）（例えば）脂肪族ポリウレタンが挙げられる。キャリア層は、オレフィンポリマー材料であり、典型的に、２〜８個の炭素原子を有するアルキレン（最も一般的にはエチレン及びプロピレンが用いられる）を少なくとも５０重量％含む。他のキャリア層としては、例えば、ポリ（エチレンナフタレート）、ポリカーボネート、ポリ（メタ）アクリレート（例えば、ポリメチルメタクリレート、すなわち「ＰＭＭＡ」）、ポリオレフィン（例えば、ポリプロピレン、すなわち「ＰＰ」）、ポリエステル（例えば、ポリエチレンテレフタレート、すなわち「ＰＥＴ」）、ポリアミド、ポリイミド、フェノール樹脂、二酢酸セルロース、三酢酸セルロース（ＴＡＣ）、ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリルコポリマー、環状オレフィンコポリマー、エポキシ樹脂、及び同類のものが挙げられる。いくつかの実施形態において、キャリア層としては、紙、剥離紙、不織布、織布（布地）、金属フィルム、及び金属箔を挙げることができる。
【００３３】
いくつかの実施形態において、キャリア層は、焼成プロセス中に転写フィルム上に残され得る犠牲材料を包含し得る。例えば、キャリアフィルムとしては、ＰＭＭＡ剥離層上のＰＥＴ層を挙げることができ、この場合、剥離層は、剥離フィルムをＰＥＴ層から剥離した後も転写フィルム上に残される。犠牲材料（ＰＭＭＡ剥離層など）は、犠牲層内に含まれる有機物質を実質上全て気化できる熱的条件に供することにより熱分解され得る。これら犠牲層はまた、燃焼に供することで犠牲層内に含まれる有機物質を全て焼き尽くすことも可能である。典型的に、透明な高純度ポリマー、例えばポリ（メチルメタクリレート）、ポリ（エチルアクリレート−コ−メチルメタクリレート）を犠牲材料として用いてよい。有用な犠牲材料は、焼成温度における熱分解又は燃焼後、極めて少ない有機残渣（灰分）を残す。
【００３４】
図３Ａは、転写フィルム３０を形成する代表的な方法の概略的なプロセスフロー図１００、及びその結果得られる最終的な楕円放物面形凹入構造１５０である。図３Ｂは、最終的な楕円放物面形凹入構造１５０の拡大図である。
【００３５】
本方法は、犠牲テンプレート層１２を任意のキャリア層１１上に配置する工程と、犠牲テンプレート層１２内に凹入形成テンプレート特徴部１４を形成する工程と、を含む。その後、熱的に安定な裏込め材２２を犠牲テンプレート層１２上にコーティングして、凹入形成テンプレート特徴部１４に適合した第１表面と対向する平坦な第２表面とを有する熱的に安定な裏込め層２２を形成することで、積層転写フィルム３０が形成される。
【００３６】
キャリア層１１を取り除いて、積層転写フィルム３０をレセプター基板４０上に積層してよい。次いで、積層されたレセプター基板を高温に供して犠牲テンプレート層を「焼成」し、熱的に安定な裏込め材２２から楕円放物面形凹入構造１５０を形成する。
【００３７】
図４Ａは、転写フィルム３０を形成する代表的な方法の概略的なプロセスフロー図２００、及びその結果得られる、平坦な接続要素２５２を含む最終的な楕円放物面形凹入構造２５０である。図４Ｂは、平坦な接続要素２５２を含む最終的な楕円放物面形凹入構造２５０の拡大図である。
【００３８】
本方法は、犠牲テンプレート層１２を任意のキャリア層１１上に配置する工程と、犠牲テンプレート層１２内に凹入形成テンプレート特徴部１４を形成する工程と、を含む。その後、熱的に安定な裏込め材２２を犠牲テンプレート層１２上にコーティングして、凹入形成テンプレート特徴部１４に適合した第１表面と対向する平坦な第２表面とを有する熱的に安定な裏込め層２２を形成することで、積層転写フィルム３０が形成される。「島」材料（熱的に安定な裏込め材２２）の層は犠牲テンプレート層１２を覆っている。
【００３９】
キャリア層１１を取り除いて、積層転写フィルム３０をレセプター基板４０上に積層してよい。次いで、積層されたレセプター基板を高温に供して犠牲テンプレート層を「焼成」し、熱的に安定な裏込め材２２から、平坦な接続要素２５２を含む楕円放物面形凹入構造２５０を形成する。
【００４０】
図５Ａは、転写フィルム３０を形成する代表的な方法の概略的なプロセスフロー図３００、及びその結果得られる、異なる屈折率を有する層３５２に埋め込まれた最終的な楕円放物面形凹入構造３５０である。図５Ｂは、異なる屈折率を有する層３５２に埋め込まれた最終的な楕円放物面形凹入構造３５０の拡大図である。場合により、楕円放物面形構造３５０の屈折率は層３５２より大きくてもよく、又は場合により、楕円放物面形構造３５０の屈折率は層３５２より小さくてもよい。
【００４１】
本方法は、任意のキャリア層１１上に犠牲テンプレート層１２を配置する工程を含む。犠牲テンプレート層１２は低屈折率の形成材料１６を含んでおり、犠牲テンプレート層１２内に凹入形成テンプレート特徴部１４を形成することが可能である。その後、熱的に安定な裏込め材２２を犠牲テンプレート層１２上にコーティングして、凹入形成テンプレート特徴部１４に適合した第１表面と対向する平坦な第２表面とを有する熱的に安定な裏込め層２２を形成することで、積層転写フィルム３０が形成される。
【００４２】
キャリア層１１を取り除いて、積層転写フィルム３０をレセプター基板４０上に積層してよい。次いで、積層されたレセプター基板を高温に供して犠牲テンプレート層を「焼成」することで、異なる、すなわち第２の屈折率を有する材料３５２と、当該材料３５２内に埋め込まれた楕円放物面形凹入構造３５０とが残される。
【００４３】
いくつかの実施形態において、犠牲テンプレート層１２としては、熱的に安定な分子種及び／又は無機材料、例えば無機ナノ材料などが挙げられる。無機ナノ材料は、犠牲層１２内に含まれており、犠牲材料がきれいに焼成されると、高密度化ナノ材料層が残される。いくつかの実施形態において、高密度化ナノ材料層は完全に又は一部がガラス様材料に融合することがある。高密度化ナノ材料層は十分な空隙容量を有し得る。高密度化ナノ材料層は、透明であり、本開示の転写フィルムの周囲の層に比べて屈折率が高い可能性がある。１層以上の埋め込まれた層内には無機ナノ粒子が含まれており、層はそれぞれ、当該層内に含まれるナノ粒子の種類及び濃度に影響を受けた異なる屈折率を有し得る。
【００４４】
図６Ａは、転写フィルム３０を形成する代表的な方法の概略的なプロセスフロー図４００、及びその結果得られる最終的な楕円放物面形凹入構造４５０である。図６Ｂは、最終的な楕円放物面形凹入構造４５０の拡大図である。
【００４５】
本方法は、犠牲材料に分散された熱的に安定な材料を含む第１層１７を配置する工程と、第１層１７上に犠牲テンプレート層１２を配置する工程と、犠牲テンプレート層１２内に凹入形成テンプレート特徴部１４を形成する工程と、を含む。その後、熱的に安定な裏込め材２２を犠牲テンプレート層１２上にコーティングして、凹入形成テンプレート特徴部１４に適合した第１表面と対向する平坦な第２表面とを有する熱的に安定な裏込め層２２を形成することで、積層転写フィルム３０が形成される。
【００４６】
キャリア層１１を取り除いて、積層転写フィルム３０をレセプター基板４０上に積層してよい。次いで、積層されたレセプター基板を高温に供して犠牲テンプレート層を「焼成」し、熱的に安定な裏込め材２２から、平坦な接続要素４５２を含む楕円放物面形凹入構造４５０を形成する。
【００４７】
いくつかの実施形態において、犠牲テンプレート層１２としては、熱的に安定な分子種及び／又は無機材料、例えば無機ナノ材料などが挙げられる。無機ナノ材料は、犠牲層１２内に含まれており、犠牲材料がきれいに焼成されると、高密度化ナノ材料層が残される。いくつかの実施形態において、高密度化ナノ材料層は完全に又は一部がガラス様材料に融合することがある。高密度化ナノ材料層は十分な空隙容量を有し得る。高密度化ナノ材料層は、透明であり、本開示の転写フィルムの周囲の層に比べて屈折率が高い可能性がある。１層以上の埋め込まれた層内には無機ナノ粒子が含まれており、層はそれぞれ、当該層内に含まれるナノ粒子の種類及び濃度に影響を受けた異なる屈折率を有し得る。
【００４８】
図７Ａは、転写フィルム３０を形成する代表的な方法の概略的なプロセスフロー図５００、及びその結果得られる、平坦な接続要素５５２を含む最終的な楕円放物面形凹入構造５５０である。図７Ｂは、平坦な接続要素５５２を含む最終的な楕円放物面形凹入構造５５０の拡大図である。
【００４９】
本方法は、熱的に安定な裏込め材２２を任意のキャリア層１１上に配置する工程と、熱的に安定な裏込め材２２内に凹入形成テンプレート特徴部１４を形成する工程と、を含む。その後、犠牲テンプレート層１２を熱的に安定な裏込め材２２上にコーティングして、凹入形成テンプレート特徴部１４に適合した第１表面と対向する平坦な第２表面とを有する熱的に安定な裏込め材２２を形成することで、積層転写フィルム３０が形成される。「島」材料（熱的に安定な裏込め材２２）の層はキャリア層１１を覆っている。
【００５０】
キャリア層１１を取り除いて、積層転写フィルム３０をレセプター基板４０上に積層してよい。次いで、積層されたレセプター基板を高温に供して犠牲テンプレート層を「焼成」し、熱的に安定な裏込め材２２から、平坦な接続要素５５２を含む楕円放物面形凹入構造５５０を形成する。
【００５１】
図８Ａは、転写フィルム３０を形成する別の代表的な方法の概略的なプロセスフロー図６００、及びその結果得られる最終的な楕円放物面形凹入構造６５０である。図８Ｂは、最終的な楕円放物面形凹入構造６５０の拡大図である。
【００５２】
本方法は、犠牲層１２を任意のキャリア層１１上に配置する工程と、熱的に安定な裏込め材２２で凹入形成テンプレート特徴部１４を形成する工程と、を含む。その後、犠牲材料中に分散された熱的に安定な材料を含む層１７を、凹入形成テンプレート特徴部１４に適合した第１表面と対向する平坦な第２表面とを有する熱的に安定な裏込め材２２上にコーティングすると、積層転写フィルム３０が形成される。
【００５３】
キャリア層１１を取り除いて、積層転写フィルム３０をレセプター基板４０上に積層してよい。次いで、積層されたレセプター基板を高温に供して犠牲テンプレート層を「焼成」し、コーティング層内の熱的に安定な裏込め材１７から、平坦な接続要素６５２を含む楕円放物面形凹入構造６５０を形成する。
【００５４】
いくつかの実施形態において、犠牲テンプレート層１２としては、熱的に安定な分子種及び／又は無機材料、例えば無機ナノ材料などが挙げられる。無機ナノ材料は、犠牲層１２内に含まれており、犠牲材料がきれいに焼成されると、高密度化ナノ材料層が残される。いくつかの実施形態において、高密度化ナノ材料層は完全に又は一部がガラス様材料に融合することがある。高密度化ナノ材料層は十分な空隙容量を有し得る。高密度化ナノ材料層は、透明であり、本開示の転写フィルムの周囲の層に比べて屈折率が高い可能性がある。１層以上の埋め込まれた層内には無機ナノ粒子が含まれており、層はそれぞれ、当該層内に含まれるナノ粒子の種類及び濃度に影響を受けた異なる屈折率を有し得る。
【００５５】
図９Ａは、転写フィルム３０を形成する別の代表的な方法の概略的なプロセスフロー図７００、及びその結果得られる最終的な凹入構造７５０である。図９Ｂは、最終的な凹入構造７５０の拡大図である。
【００５６】
本方法は、犠牲テンプレート層１２を任意のキャリア層１１上に配置する工程と、犠牲テンプレート層１２上に複数の開口部又はスルーホール７２を有する犠牲マスク７０を形成する工程と、を含む。次に、この構造をエッチングに供して、犠牲テンプレート層１２内に凹入形成テンプレート特徴部１４を形成する。犠牲マスク７２及び犠牲テンプレート層１２に関する材料は、それらが異なる速度でエッチングできるように選択される。その後、熱的に安定な裏込め材２２を犠牲テンプレート層１２上にコーティングして、凹入形成テンプレート特徴部１４に適合した第１表面と対向する平坦な第２表面とを有する熱的に安定な裏込め層２２を形成することで、積層転写フィルム３０が形成される。
【００５７】
犠牲フォトレジスト（犠牲マスク７０に利用されるもの）は、従来のフォトリソグラフィー法（例えば、フォトマスクを介した光露光）を用いて光パターン形成可能でかつ溶媒洗浄又は選択的熱分解を用いて現像可能な材料である。更に、犠牲フォトレジストは、最終的な高温焼成工程中にきれいに除去され得る。ポジ型犠牲フォトレジストの例は、Ｃｈｅｎ  ａｎｄ  Ｋｏｈｌ  （Ｙ．−Ｃ．Ｃｈｅｎ，Ｐ．Ａ．Ｋｏｈｌ，Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｅｎｇ．８８，２０１１，３０８７）に記載されている。ネガ型犠牲フォトレジストの例は、Ｗｕ，ｅｔ  ａｌ．（Ｘ．Ｗｕ，ｅｔ  ａｌ．，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｏｌｙ．Ｓｃｉ．８８，２００３，１１８６）に記載されている。
【００５８】
キャリア層１１を取り除いて、積層転写フィルム３０をレセプター基板４０上に積層してよい。次いで、積層されたレセプター基板を高温に供して犠牲テンプレート層１２及び犠牲マスク７０を「焼成」し、熱的に安定な裏込め材２２から凹入構造７５０を形成する。
【００５９】
図１０Ａは、エッチングによって転写フィルム３０を形成する別の代表的な方法の概略的なプロセスフロー図８００、及びその結果得られる、階層構造８５２を有する最終的な凹入構造８５０である。図１０Ｂは、図１０Ａの、階層構造を有する凹入テンプレート構造の拡大図である。図１０Ｃは、図１０Ａの、階層構造を有する最終的な凹入構造８５０の拡大図である。
【００６０】
本方法は、任意のキャリア層１１上に犠牲テンプレート層１２を配置する工程を含む。犠牲テンプレート層１２は、以降で形成される凹入形成テンプレート構造内にナノ構造又はマイクロ構造を形成するための粒子１３を含む。次いで、本方法は、犠牲テンプレート層１２上に複数の開口部又はスルーホール７２を有する犠牲マスク７０を形成する工程を含む。
【００６１】
次に、この構造をエッチングに供して、犠牲テンプレート層１２内に凹入形成テンプレート特徴部１４を形成して、粒子１３を暴露させる。その後、熱的に安定な裏込め材２２を犠牲テンプレート層１２上にコーティングして、凹入形成テンプレート特徴部１４並びにナノ構造及びマイクロ構造１３に適合した第１表面と対向する平坦な第２表面とを有する熱的に安定な裏込め層２２を形成することで、積層転写フィルム３０が形成される。
【００６２】
キャリア層１１を取り除いて、積層転写フィルム３０をレセプター基板４０上に積層してよい。次いで、積層されたレセプター基板を高温に供して犠牲テンプレート層１２及び犠牲マスク７０（並びに任意の他の残留する犠牲材料）を「焼成」し、熱的に安定な裏込め材２２から、階層構造８５２を有する凹入構造８５０を形成する。
【００６３】
犠牲粒子１３の例としては、アクリル粒子が挙げられる。これら粒子のいくつかは、軽度に架橋されていてよい。或いは、粒子は架橋されておらず、溶媒洗浄を用いて洗い流される。好ましいアクリル粒子としては、ＭＸ２０００、ＭＸ８０Ｈ３ＷＴ、及びＭＸ１８０の販売名でＳｏｋｅｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ａｍｅｒｉｃａ（Ｆａｖｅｔｔｅｖｉｌｌｅ，ＧＡ）から入手可能な、架橋ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）ビーズが挙げられる。ＳＰＨＥＲＯＭＥＲＳ  ＣＡ及びＣＡＣＨＥ  ＣＡ（Ｍｉｃｒｏｂｅａｄｓ，Ｉｎｃ．（Ｓｋｅｄｓｍｏｋｏｒｓｅｔ，Ｎｏｒｗａｙ）から入手可能）も同様に、１種類の大きさの架橋ＰＭＭＡビーズであり、様々な架橋度を有する可能性があり、このことがビーズの犠牲特性に影響を及ぼすと考えられる。１種類の大きさの架橋ポリスチレン（ＰＳ）ビーズに関するブランド名であるＳＰＨＥＲＯＭＥＲＳ  ＣＳ及びＣＡＬＩＢＲＥ  ＣＳ（同様にＭｉｃｒｏｂｅａｄｓ（Ｓｋｅｄｓｍｏｋｏｒｓｅｔ，Ｎｏｒｗａｙ）から入手可能）は、あまり好ましくない。これらは１〜１６０マイクロメートルまでの様々な大きさを揃えている。熱的に安定な粒子又はビーズの例としては、シリコーン樹脂粒子が挙げられ、ポリメチルシルセスシコキサンビーズと称されることもある。シリコーン樹脂粒子の例としては、例えば、ＴＯＳＰＥＡＲＬ  １２０、ＴＯＳＰＥＡＲＬ  １２０Ａ、ＴＯＳＰＥＡＲＬ  １３０、ＴＯＳＰＥＡＲＬ  １３０Ａ、ＴＯＳＰＥＡＲＬ  １４５、ＴＯＳＰＥＡＲＬ  １４５Ａ、ＴＯＳＰＥＡＲＬ  ２４０、ＴＯＳＰＥＡＲＬ  ３１２０、ＴＯＳＰＥＡＲＬ  ２０００Ｂ、ＴＯＳＰＥＡＲＬ  ３０００Ａ、ＴＯＳＰＥＡＲＬ  １１１  ＯＡのような「ＴＯＳＰＥＡＲＬ」の販売名で、Ｍｏｍｅｎｔｉｖｅ  Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ（Ｃｏｌｕｍｂｕｓ，ＯＨ）から入手可能なシリコーン樹脂粒子が挙げられる。熱的に安定な表面の粗いビーズの例としては、シリコーン樹脂粒子ＡＣＥＭＡＴＴ  ＯＫ６０７（Ｅｖｏｎｉｋ（Ｐａｒｓｉｐｐａｎｙ，ＮＪ）から市販されている４．５ミクロンの多孔質シリカビーズ）、又はＳＵＮＳＩＬ−２０（ＳＵＮＪＩＮ  ＣＨＥＭＩＣＡＬ  ＣＯ．，ＬＴＤ．（Ｋｙｕｎｇｋｉ，Ｋｏｒｅａ）から市販されている２μサイズの多孔質シリカビーズ）が挙げられる。主要寸法が約５０ｎｍ未満の「ヒュームド」ナノ粒子、例えばシリカ及びアルミナも同様に、熱的に安定なテクスチャ化剤として、前記熱的に安定なビーズと組み合わせて使用してもよく、或いは単独で使用してもよい。典型的な材料としては、Ｃａｂｏｔ  Ｃｏ．（Ｂｏｓｔｏｎ，ＭＡ）から入手可能なＣＡＢ−ＯＳＰＥＲＳＥ  ＰＧ  ００２ヒュームドシリカ、ＣＡＢ−Ｏ−ＳＰＥＲＳＥ  ２０１７Ａヒュームドシリカ、及びＣＡＢ−ＯＳＰＥＲＳＥ  ＰＧ  ００３ヒュームドアルミナが挙げられる。
【００６４】
図１１は、エンボス加工及び変形により転写フィルム３０を形成する別の代表的な方法の概略的なプロセスフロー図９００、及びその結果得られる最終的な凹入構造９５０である。本方法は、例えば、犠牲テンプレート層１２を任意のキャリア層１１上に配置する工程と、エンボス加工によって犠牲テンプレート層１２内に凹入形成テンプレート特徴部１４を形成する工程と、その後の、前記特徴部を機械的に又は熱的に変形させる工程と、を含む。その後、熱的に安定な裏込め材２２を犠牲テンプレート層１２上にコーティングして、凹入形成テンプレート特徴部１４に適合した第１表面と対向する平坦な第２表面とを有する熱的に安定な裏込め層２２を形成することで、積層転写フィルム３０が形成される。
【００６５】
キャリア層１１を取り除いて、積層転写フィルム３０をレセプター基板４０上に積層してよい。次いで、積層されたレセプター基板を高温に供して犠牲テンプレート層を「焼成」し、熱的に安定な裏込め材２２から凹入構造９５０を形成する。
【００６６】
図１２Ａは、例えばエンボス加工及び変形によって転写フィルム３０を形成する別の代表的な方法の概略的なプロセスフロー図１０００、及びその結果得られる最終的な凹入構造１０５０である。図１２Ｂは、最終的な凹入構造１０５０の拡大図である。
【００６７】
本方法は、例えば、犠牲テンプレート層１２を任意のキャリア層１１上に配置する工程と、エンボス加工によって犠牲テンプレート層１２内に凹入形成テンプレート特徴部１４を形成する工程と、その後の、前記特徴部を機械的に又は熱的に変形させる工程と、を含む。その後、熱的に安定な裏込め材２２を犠牲テンプレート層１２上にコーティングして、凹入形成テンプレート特徴部１４に適合した第１表面と対向する平坦な第２表面とを有する熱的に安定な裏込め層２２を形成することで、積層転写フィルム３０が形成される。この図において、凹入形成テンプレート特徴部１４同士は隣接していない。
【００６８】
キャリア層１１を取り除いて、積層転写フィルム３０をレセプター基板４０上に積層してよい。次いで、積層されたレセプター基板を高温に供して犠牲テンプレート層を「焼成」し、熱的に安定な裏込め材２２から凹入構造１０５０を形成する。
【００６９】
図１３は、例えばエンボス加工及び変形によって転写フィルム３０を形成する別の代表的な方法の概略的なプロセスフロー図１１００、及びその結果得られる最終的な凹入構造１１５０である。図１３Ｂは、最終的な凹入構造１１５０の拡大図である。
【００７０】
本方法は、例えば、犠牲テンプレート層１２を任意のキャリア層１１上に配置する工程と、エンボス加工によって犠牲テンプレート層１２内に凹入形成テンプレート特徴部１４を形成する工程と、その後の、前記特徴部を機械的に又は熱的に変形させる工程と、を含む。その後、熱的に安定な裏込め材２２を犠牲テンプレート層１２上にコーティングして、凹入形成テンプレート特徴部１４に適合した第１表面と対向する平坦な第２表面とを有する熱的に安定な裏込め層２２を形成することで、積層転写フィルム３０が形成される。この図において、凹入形成テンプレート特徴部１４同士は隣接している。
【００７１】
キャリア層１１を取り除いて、積層転写フィルム３０をレセプター基板４０上に積層してよい。次いで、積層されたレセプター基板を高温に供して犠牲テンプレート層を「焼成」し、熱的に安定な裏込め材２２から凹入構造１１５０を形成する。
【００７２】
図１４Ａは、エッチングによって転写フィルム３０を形成する別の代表的な方法の概略的なプロセスフロー図１２００、及びその結果得られる、階層構造１２５２を有する最終的な凹入構造１２５０である。図１４Ｂは、最終的な凹入構造１２５０の拡大図である。
【００７３】
本方法は、犠牲構造化表面層１８をキャリア層１１上に配置する工程と、犠牲構造化表面層１８上に犠牲テンプレート層１２を形成する工程と、を含む。犠牲構造化表面層１８は、以降で形成される凹入形成テンプレート特徴部１４内にナノ構造又はマイクロ構造を形成する。次いで、本方法は、犠牲テンプレート層１２上に複数の開口部又はスルーホール７２を有する犠牲マスク７０を形成する工程を含む。次に、この構造をエッチングに供して、犠牲テンプレート層１２内に凹入形成テンプレート特徴部１４を形成する。犠牲マスク７２及び犠牲テンプレート層１２に関する材料は、それらが異なる速度でエッチングできるように選択される。その後、熱的に安定な裏込め材２２を犠牲テンプレート層１２上にコーティングして、凹入形成テンプレート特徴部１４及び犠牲構造化表面１８に適合した第１表面と対向する平坦な第２表面とを有する熱的に安定な裏込め層２２を形成することで、積層転写フィルム３０が形成される。犠牲構造化表面１８及び犠牲マスク７０は、所望により、同一材料から形成され得る。
【００７４】
キャリア層１１を取り除いて、積層転写フィルム３０をレセプター基板４０上に積層してよい。次いで、積層されたレセプター基板を高温に供して犠牲テンプレート層１２及び犠牲マスク７０（並びに任意の他の残留する犠牲材料）を「焼成」し、熱的に安定な裏込め材２２から、表面構造１２５２を有する凹入階層構造１２５０を形成する。
【００７５】
図１５Ａは、転写フィルム３０を形成する別の代表的な方法の概略的なプロセスフロー図１３００、及びその結果得られる、最終的な球台構造の凹穴１３５０である図１５Ｂは、図１５Ａの、階層構造を有しない凹入テンプレート構造の拡大図である。図１５Ｃは、図１５Ａの、階層構造を有する凹入テンプレート構造の拡大図である。図１５Ｄは、図１５Ａの、階層構造を有しない凹入構造の拡大図である。
【００７６】
本方法は、犠牲テンプレートビーズ１２を配置する工程と、犠牲ビーズ１２をキャリアフィルム１１内に部分的に埋め込むことによって凹入形成テンプレート特徴部１４を形成する工程と、を含むその後、熱的に安定な裏込め材２２を犠牲テンプレート層１２上にコーティングして、凹入形成テンプレート特徴部１４に適合した第１表面と対向する平坦な第２表面とを有する熱的に安定な裏込め層２２を形成することで、積層転写フィルム３０が形成される。
【００７７】
キャリア層１１を取り外すことで、犠牲ビーズ１２の一部を暴露させてよい。積層転写フィルム３０をレセプター基板４０上に積層してよい。次いで、積層されたレセプター基板を高温に供して犠牲テンプレート層を「焼成」し、熱的に安定な裏込め材２２から凹入回転楕円体又は球台構造の凹入部分１３５０を形成する。
【００７８】
犠牲ビーズ１２の例としては、アクリル粒子が挙げられる。これら粒子のいくつかは、軽度に架橋されていてよい。或いは、粒子は架橋されておらず、溶媒洗浄を用いて洗い流される。好ましいアクリル粒子としては、ＭＸ２０００、ＭＸ８０Ｈ３ＷＴ、及びＭＸ１８０の販売名でＳｏｋｅｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ａｍｅｒｉｃａ（Ｆａｖｅｔｔｅｖｉｌｌｅ，ＧＡ）から入手可能な、架橋ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）ビーズが挙げられる。ＳＰＨＥＲＯＭＥＲＳ  ＣＡ及びＣＡＣＨＥ  ＣＡ（Ｍｉｃｒｏｂｅａｄｓ，Ｉｎｃ．（Ｓｋｅｄｓｍｏｋｏｒｓｅｔ，Ｎｏｒｗａｙ）から入手可能）も同様に、１種類の大きさの架橋ＰＭＭＡビーズであり、様々な架橋度を有する可能性があり、このことがビーズの犠牲特性に影響を及ぼすと考えられる。１種類の大きさの架橋ポリスチレン（ＰＳ）ビーズに関するブランド名であるＳＰＨＥＲＯＭＥＲＳ  ＣＳ及びＣＡＬＩＢＲＥ  ＣＳ（同様にＭｉｃｒｏｂｅａｄｓ（Ｓｋｅｄｓｍｏｋｏｒｓｅｔ，Ｎｏｒｗａｙ）から入手可能）は、あまり好ましくない。これらは１〜１６０マイクロメートルまでの様々な大きさを揃えている。
【００７９】
或いは、犠牲ビーズ１２は物理的な、化学的な又は物理化学的な粗化方法により粗化されてもよい。物理的粗化方法としては、酸素プラズマ内でのビーズの反応性イオンエッチング、又は犠牲ビーズよりも硬質の粉砕媒体を用いた、ボールミル内でのビーズのフライス加工を挙げることができる。化学的粗化方法の例としては、液状又は気化形態の酸又は塩基に暴露することにより粒子に孔をエッチングする方法を挙げることができる。上記以外の物理化学的方法としては、架橋ポリマーを良溶媒中で膨潤させた後、迅速な乾燥プロセスに付して粗化ナノ構造を確定する方法を挙げることができる。
【００８０】
図１６は、転写フィルム３０を形成する別の代表的な方法の概略的なプロセスフロー図１４００、及びその結果得られる最終的な球状構造の凹入突起部１４５０である本方法は、ビーズ１９をキャリア層１４１１上に配置する工程と、ビーズ１９上に犠牲テンプレート層１２をコーティングする工程と、ビーズ１９を犠牲テンプレート層１２から取り除く（例えば、溶解する）ことにより犠牲テンプレート層１２内に凹入形成テンプレート特徴部１４を形成する工程と、を含む。その後、熱的に安定な裏込め材２２を犠牲テンプレート層１２上にコーティングして、凹入形成テンプレート特徴部１４に適合した第１表面と対向する平坦な第２表面とを有する熱的に安定な裏込め層２２を形成することで、積層転写フィルム３０が形成される。犠牲ビーズ１９は、先に開示した物理的な、化学的な又は物理化学的な粗化方法により粗化されてよい。
【００８１】
キャリア層１１を取り除いて、積層転写フィルム３０をレセプター基板４０上に積層してよい。次いで、積層されたレセプター基板を高温に供して犠牲テンプレート層を「焼成」し、熱的に安定な裏込め材２２から凹入回転楕円体又は球台構造の凹入部分１４５０を形成する。
【００８２】
熱的に安定な材料
熱的に安定な材料を用いて転写テープの熱的に安定な裏込め層を形成する。熱的に安定な材料は、熱的に安定な分子種を含む。熱的に安定な材料及び熱的に安定な分子種には、犠牲材料の除去中、例えば「焼成」中又は「熱分解」中に、実質そのまま残される材料であるか又は実質そのまま残される材料に転換されるかのいずれかの前駆体材料が包含されると考えられる。
【００８３】
いくつかの実施形態において、犠牲テンプレート層１２としては、熱的に安定な分子種及び／又は無機材料、例えば無機ナノ材料などが挙げられる。無機ナノ材料は、犠牲層１２内に含まれており、犠牲材料がきれいに焼成されると、高密度化ナノ材料層が残される。いくつかの実施形態において、高密度化ナノ材料層は完全に又は一部がガラス様材料に融合することがある。高密度化ナノ材料層は十分な空隙容量を有し得る。高密度化ナノ材料層は、透明であり、本開示の転写フィルムの周囲の層に比べて屈折率が高い可能性がある。１層以上の埋め込まれた層内には無機ナノ粒子が含まれており、層はそれぞれ、当該層内に含まれるナノ粒子の種類及び濃度に影響を受けた異なる屈折率を有し得る。
【００８４】
裏込め材に使用され得る材料としては、ポリシロキサン樹脂、ポリシラザン、ポリイミド、ブリッジ型又はラダー型のシルセスキオキサン、シリコーン、シリコーンハイブリッド材料など多数のものが挙げられる。典型的なポリシロキサン樹脂は、Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ  Ｈａｒｄｃｏａｔｉｎｇ  Ｃｏｍｐａｎｙ（Ｃｈｕｌａ  Ｖｉｓｔａ，ＣＡ）から販売名ＰＥＲＭＡＮＥＷ  ６０００として入手可能である。この分子は、典型的に、高い寸法安定性、高い機械強度、及び高い耐薬品性をもたらす無機成分と、溶解性及び反応性に役立つ有機成分と、を有する。
【００８５】
多くの実施形態において、熱的に安定な分子種としては、ケイ素、ハフニウム、ストロンチウム、チタン又はジルコニウムが挙げられる。いくつかの実施形態において、熱的に安定な分子種としては、金属、金属酸化物又は金属酸化物前駆体が挙げられる。金属酸化物前駆体は、無機ナノ粒子に対する非晶質「バインダー」として機能するために使用されてもよく、又は単独で使用されてもよい。
【００８６】
多くの実施形態において、本発明で有用な材料は、（下記のような）一般式で表される軽度に分枝状の有機ケイ素オリゴマー及びポリマーであって、更に反応することでＳｉ−ＯＨ基のホモ縮合により、残留加水分解性基（例えば、アルコキシ基）とのヘテロ縮合により、及び／又は有機官能基（例えばエチレン性不飽和基）の反応により架橋ネットワークを形成し得るものに分類される。この分類の材料は、主に次の一般式で表されるオルガノシランに由来する。
ＲｘＳｉＺ４−ｘ、
前記式中、
Ｒは、水素、置換又は非置換Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、置換又は非置換Ｃ２〜Ｃ１０アルキレン、置換又は非置換Ｃ２〜Ｃ２０アルケニレン、Ｃ２〜Ｃ２０アルキニレン、置換又は非置換Ｃ３〜Ｃ２０シクロアルキル、置換又は非置換Ｃ６〜Ｃ２０アリール、置換又は非置換Ｃ６〜Ｃ２０アリーレン、置換又は非置換Ｃ７−Ｃ２０アリールアルキル基、置換又は非置換Ｃ１〜Ｃ２０ヘテロアルキル基、置換又は非置換Ｃ２〜Ｃ２０ヘテロシクロアルキル基、及び／或いはこれらの組み合わせから選択される。
Ｚは、加水分解性基であり、例えばハロゲン（元素Ｆ、Ｂｒ、Ｃｌ、又はＩを含む）、Ｃ１〜Ｃ２０アルコキシ、Ｃ５〜Ｃ２０アリールオキシ、及び／又はこれらの組み合わせである。
【００８７】
前記組成の大部分は、ＲＳｉＯ３／２単位からなっていてよく、そのため、この分類の材料はシルセスキオキサン（又はＴ樹脂）と称されることが多いが、モノ−（Ｒ３Ｓｉ−Ｏ１／２）、ジ−（Ｒ２ＳｉＯ２／２）及び４官能性基（Ｓｉ−Ｏ４／２）を更に含んでいてもよい。次の式の有機変性ジシラン：
Ｚ３−ｎＲｎＳｉ−Ｙ−Ｓｉ  ＲｎＺ３−ｎ
は、材料特性を更に変更する（いわゆるブリッジ型シルセスキオキサンを形成する）ために加水分解性組成物中でしばしば用いられる（前記式中、Ｒ基及びＺ基は先に定義したものである。）。この材料は、金属アルコキシド（Ｍ（ＯＲ）ｍ）と配合して反応させて金属シルセスキオキサンを形成することも可能である。
【００８８】
多くの実施形態において、高度に分枝状の有機ケイ素オリゴマー及びポリマーは次の一般式で表される。
【００８９】
【化１】
2017504837.tif 000003
Ｒ１は、水素、置換又は非置換Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、置換又は非置換Ｃ２〜Ｃ１０アルキレン、置換又は非置換Ｃ２〜Ｃ２０アルケニレン、Ｃ２〜Ｃ２０アルキニレン、置換又は非置換Ｃ３〜Ｃ２０シクロアルキル、置換又は非置換Ｃ６〜Ｃ２０アリール、置換又は非置換Ｃ６〜Ｃ２０アリーレン、置換又は非置換Ｃ７〜Ｃ２０アリールアルキル基、置換又は非置換Ｃ１〜Ｃ２０ヘテロアルキル基、置換又は非置換Ｃ２〜Ｃ２０ヘテロシクロアルキル基、及び／或いはこれらの組み合わせから選択される。
Ｒ２は、水素、置換又は非置換Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、置換又は非置換Ｃ２〜Ｃ１０アルキレン、置換又は非置換Ｃ２〜Ｃ２０アルケニレン、Ｃ２〜Ｃ２０アルキニレン、置換又は非置換Ｃ３〜Ｃ２０シクロアルキル、置換又は非置換Ｃ６〜Ｃ２０アリール、置換又は非置換Ｃ６〜Ｃ２０アリーレン、置換又は非置換Ｃ７〜Ｃ２０アリールアルキル基、置換又は非置換Ｃ１〜Ｃ２０ヘテロアルキル基、置換又は非置換Ｃ２〜Ｃ２０ヘテロシクロアルキル基、及び／或いはこれらの組み合わせから選択される。
Ｒ３は、水素、置換又は非置換Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、置換又は非置換Ｃ２〜Ｃ１０アルキレン、置換又は非置換Ｃ２〜Ｃ２０アルケニレン、Ｃ２〜Ｃ２０アルキニレン、置換又は非置換Ｃ３〜Ｃ２０シクロアルキル、置換又は非置換Ｃ６〜Ｃ２０アリール、置換又は非置換Ｃ６〜Ｃ２０アリーレン、置換又は非置換Ｃ７〜Ｃ２０アリールアルキル基、置換又は非置換Ｃ１〜Ｃ２０ヘテロアルキル基、置換又は非置換Ｃ２〜Ｃ２０ヘテロシクロアルキル基、及び／或いはこれらの組み合わせから選択される。
Ｒ４は、水素、置換又は非置換Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、置換又は非置換Ｃ２〜Ｃ１０アルキレン、置換又は非置換Ｃ２〜Ｃ２０アルケニレン、Ｃ２〜Ｃ２０アルキニレン、置換又は非置換Ｃ３〜Ｃ２０シクロアルキル、置換又は非置換Ｃ６〜Ｃ２０アリール、置換又は非置換Ｃ６〜Ｃ２０アリーレン、置換又は非置換Ｃ７〜Ｃ２０アリールアルキル基、置換又は非置換Ｃ１〜Ｃ２０ヘテロアルキル基、置換又は非置換Ｃ２〜Ｃ２０ヘテロシクロアルキル基、及び／或いはこれらの組み合わせから選択される。
Ｒ５は、水素、置換又は非置換Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、置換又は非置換Ｃ２〜Ｃ１０アルキレン、置換又は非置換Ｃ２〜Ｃ２０アルケニレン、Ｃ２〜Ｃ２０アルキニレン、置換又は非置換Ｃ３〜Ｃ２０シクロアルキル、置換又は非置換Ｃ６〜Ｃ２０アリール、置換又は非置換Ｃ６〜Ｃ２０アリーレン、置換又は非置換Ｃ７〜Ｃ２０アリールアルキル基、置換又は非置換Ｃ１〜Ｃ２０ヘテロアルキル基、置換又は非置換Ｃ２〜Ｃ２０ヘテロシクロアルキル基、及び／或いはこれらの組み合わせから選択される。
Ｚは、加水分解性基であり、例えばハロゲン（元素Ｆ、Ｂｒ、Ｃｌ、又はＩを含む）、Ｃ１〜Ｃ２０アルコキシ、Ｃ−Ｃ２０アリールオキシ、及び／又はこれらの組み合わせである。
ｍは、０〜５００の整数である。
ｎは、１〜５００の整数である。
ｐは、０〜５００の整数であり、
ｑは、０〜１００の整数である。
【００９０】
本明細書で使用するとき、用語「置換（された）」とは、化合物の水素の代わりに、ハロゲン（元素Ｆ、Ｂｒ、Ｃｌ、又はＩを含む）、ヒドロキシ基、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アジド基、アミジノ基、ヒドラジノ基、ヒドラゾノ基、カルボニル基、カルバミル基、チオール基、エステル基、カルボキシル基又はその塩、スルホン酸基又はその塩、リン酸基又はその塩、アルキル基、Ｃ２〜Ｃ２０アルケニル基、Ｃ２〜Ｃ２０アルキニル基、Ｃ６〜Ｃ３０アリール基、Ｃ７〜Ｃ１３アリールアルキル基、Ｃ１〜Ｃ４オキシアルキル基、Ｃ１〜Ｃ２０ヘテロアルキル基、Ｃ３〜Ｃ２０ヘテロアリールアルキル基、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル基、Ｃ３〜Ｃ１５シクロアルケニル基、Ｃ６〜Ｃ１５シクロアルキニル基、ヘテロシクロアルキル基、並びにこれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１個の置換基で置換されたものを指す。
【００９１】
結果として得られる高度に分枝状の有機ケイ素ポリマーの分子量は、１５０〜３００，０００Ｄａの範囲、好ましくは１５０〜３０，０００Ｄａの範囲である。
【００９２】
好ましくは、熱的に安定な裏込め材は、極性溶媒中でのメチルトリエトキシシラン前駆体の加水分解及び縮合反応生成物を含む。合成後、得られたポリマーの分子量は、好ましくは名目上３０，０００Ｄａ未満である。熱的に安定な裏込め材溶液は更に、好ましくは、大きさが名目上１０〜５０ナノメートルの５０重量％未満のシリカナノ粒子をも包含する。
【００９３】
本明細書に記載の熱的に安定な組成物は、好ましくは無機ナノ粒子を含む。これらナノ粒子は、様々な大きさ及び形状のものであってよい。ナノ粒子は、約１０００ｎｍ未満、約１００ｎｍ未満、約５０ｎｍ、又は約３５ｎｍ未満の平均粒子直径を有してもよい。ナノ粒子は、約３ｎｍ〜約５０ｎｍ未満、約３ｎｍ〜約３５ｎｍ未満、又は約５ｎｍ〜約２５ｎｍの平均粒子直径を有してもよい。ナノ粒子が凝集される場合、凝集粒子の最大断面寸法はこれらの任意の範囲内であってもよいが、約１００ｎｍより大きくてもよい。一次粒径が５０ｎｍ未満の「ヒュームド」ナノ粒子（ヒュームドシリカ及びヒュームドアルミナ等）、例えば、Ｃａｂｏｔ  Ｃｏ．（Ｂｏｓｔｏｎ，ＭＡ）から入手可能なＣＡＢ−Ｏ−ＳＰＥＲＳＥ  ＰＧ  ００２ヒュームドシリカ、ＣＡＢ−Ｏ−ＳＰＥＲＳＥ  ２０１７Ａヒュームドシリカ、及びＣＡＢ−Ｏ−ＳＰＥＲＳＥ  ＰＧ  ００３ヒュームドアルミナを使用してもよい。これらの測度は、透過電子顕微鏡法に基づいてよい。ナノ粒子は、実質上完全に凝縮されてよい。完全凝縮ナノ粒子、例えばコロイド状シリカは、典型的に、その内部にヒドロキシルを実質上有しない。非シリカ含有完全凝縮ナノ粒子の結晶化度（独立粒子として測定した場合）は、典型的には５５％超、好ましくは６０％超、より好ましくは７０％超である。例えば、結晶化度は、約８６％以上の範囲であり得る。結晶化度は、Ｘ線回折法によって測定することができる。凝縮結晶性の（例えば、ジルコニア）ナノ粒子は、高い屈折率を有するが、非晶質ナノ粒子は通常、より低い屈折率を有する。様々な形状、例えば球形、棒状、シート状、管状、ワイヤー状、立方形、円錐形、４面体などの無機又は有機ナノ粒子を使用してよい。
【００９４】
粒子の寸法は、最終物品内での有意な可視光線の散乱を回避するべく選択される。選択されるナノ材料は、様々な光学特性（すなわち、屈折率、複屈折性）、電気特性（例えば、導電性）、力学的性質（例えば、堅牢性、鉛筆硬度、耐引掻き性）、又はこれら特性の組み合わせを付与し得る。光学特性又は材料特性を最適化するため、及び全般的な組成物コストを低下させるために、有機酸化物粒子と無機酸化物粒子との混合物を用いることが望ましい場合がある。
【００９５】
好適な無機ナノ粒子の例には、金属ナノ粒子又はその各酸化物が包含され、元素であるジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）、ハフニウム（Ｈｆ）、アルミニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）、バナジウム（Ｖ）、アンチモン（Ｓｂ）、スズ（Ｓｎ）、金、（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、イットリウム（Ｙ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、テクネチウム（Ｔｅ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、カドミウム（Ｃｄ）、ランタン（Ｌａ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、レニウム（Ｒｈ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、及びこれらの組み合わせが挙げられる。
【００９６】
好ましい実施形態では、酸化ジルコニウム（ジルコニア）ナノ粒子を使用する。ジルコニアナノ粒子は、およそ５ｎｍ〜５０ｎｍ、又は５ｎｍ〜１５ｎｍ、又は１０ｎｍの粒径を有し得る。ジルコニアナノ粒子は、耐久性物品又は光学素子中に、１０〜７０重量％、又は３０〜５０重量％の量で存在し得る。本発明の材料中で使用されるジルコニアは、Ｎａｌｃｏ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏ．（Ｎａｐｅｒｖｉｌｌｅ，Ｉｌｌ．）より、製品名「ＮＡＬＣＯ  ＯＯＳＳＯＯ８」として、及びＢｕｈｌｅｒ  ＡＧ（Ｕｚｗｉｌ，２０  Ｓｗｉｔｚｅｒｌａｎｄ）より、販売名「ＢｕｈｌｅｒジルコニアＺ−ＷＯ  ｓｏｌ」として市販されている。ジルコニアナノ粒子はまた、米国特許第７，２４１，４３７号（Ｄａｖｉｄｓｏｎら）及び同第６，３７６，５９０号（Ｋｏｌｂら）に記載されているように調製することも可能である。チタニア、酸化アンチモン、アルミナ、酸化錫、及び／又は混合金属酸化物ナノ粒子は、耐久性物品又は光学素子中に、１０〜７０重量％、又は３０〜５０重量％の量で存在し得る。高密度化セラミック酸化物層は「ゾルゲル」法で形成されてよく、この方法では、米国特許第５，４５３，１０４号（Ｓｃｈｗａｂｅｌ）に記載されているように、少なくとも１種の変性成分前駆体を含むゲル状分散液にセラミック酸化物粒子を混入し、次いで脱水して焼成する。本発明の材料に使用される混合金属酸化物は、Ｃａｔａｌｙｓｔｓ  ＆  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ  Ｃｏｒｐ．，（川崎、日本）から製品名ＯＰＴＯＬＡＫＥとして市販されている。
【００９７】
好適な無機ナノ粒子の他の例としては、半導体として既知の元素及び合金並びにこれらの各酸化物、例えばケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、リン化アルミニウム（ＡｌＰ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）、アンチモン化ガリウム（ＧａＳｂ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、窒化ガリウムヒ素（ＧａＡｓＮ）、リン化ガリウムヒ素（ＧａＡｓＰ）、窒化インジウムアルミニウムヒ素（ＩｎＡｌＡｓＮ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）、セレン化水銀亜鉛（ＨｇＺｎＳｅ）、硫化鉛（ＰｂＳ）、テルル化鉛（ＰｂＴｅ）、硫化スズ（ＳｎＳ）、テルル化鉛スズ（ＰｂＳｎＴｅ）、テルル化タリウムスズ（Ｔｌ２ＳｎＴｅ５）、リン化亜鉛（Ｚｎ３Ｐ２）、ヒ化亜鉛（Ｚｎ３Ａｓ２）、アンチモン化亜鉛（Ｚｎ３Ｓｂ２）、ヨウ化鉛（ＩＩ）（ＰｂＩ２）、酸化銅（Ｉ）（Ｃｕ２Ｏ）が挙げられる。
【００９８】
二酸化ケイ素（シリカ）ナノ粒子は、５ｎｍ〜７５ｎｍ、又は１０ｎｍ〜３０ｎｍ、又は２０ｎｍの粒径を有し得る。シリカナノ粒子の量は、典型的に１０〜６０重量％である。典型的に、シリカの量は４０重量％未満である。好適なシリカは、Ｎａｌｃｏ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏ．（Ｎａｐｅｒｖｉｌｌｅ，Ｉｌｌ）から販売名ＮＡＬＣＯ  ＣＯＬＬＯＩＤＡＬ  ＳＩＬＩＣＡＳとして市販されている。例えば、シリカ１０としては、ＮＡＬＣＯ  １０４０、１０４２、１０５０、１０６０、２３２７及び２３２９、並びにＮｉｓｓａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ａｍｅｒｉｃａ  Ｃｏ．（テキサス州Ｈｏｕｓｔｏｎ）製のＩＰＡ−ＳＴ−ＭＳ、ＩＰＡ−ＳＴ−Ｌ、ＩＰＡ−ＳＴ、ＩＰＡ−ＳＴ−ＵＰ、ＭＡ−ＳＴ−Ｍ及びＭＡＳＴゾルという製品名のオルガノシリカ、並びに同じくＮｉｓｓａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ａｍｅｒｉｃａ  Ｃｏ．（テキサス州Ｈｏｕｓｔｏｎ）製のＳＮＯＷＴＥＸ  ＳＴ−４０、ＳＴ−５０、ＳＴ−２０Ｌ、ＳＴ−Ｃ、ＳＴ−Ｎ、ＳＴ−Ｏ、ＳＴ−ＯＬ、ＳＴ−ＺＬ、ＳＴ−ＵＰ及びＳＴ−ＯＵＰという製品名のオルガノシリカが挙げられる。適当なヒュームドシリカとしては、例えば、ＤｅＧｕｓｓａ  ＡＧ（Ｈａｎａｕ，Ｇｅｒｍａｎｙ）から入手可能なＡＥＲＯＳＩＬシリーズＯＸ−５０、−１３０、−１５０、及び−２００として、並びにＣａｂｏｔ  Ｃｏｒｐ．（Ｔｕｓｃｏｌａ，Ｉｌｌ．）から入手可能なＣＡＢ−Ｏ−ＳＰＥＲＳＥ  ２０９５、ＣＡＢ−Ｏ−ＳＰＥＲＳＥ  Ａ１０５、及びＣＡＢ−Ｏ−ＳＩＬ  ＭＳとして販売されている製品が挙げられる。重合性材料とナノ粒子との重量比は、約３０：７０、４０：６０、５０：５０、５５：４５、６０：４０、７０：３０、８０：２０、又は９０：１０以上であり得る。ナノ粒子の好ましい重量割合範囲は、約１０重量％〜約６０重量％であり、使用するナノ粒子の密度及びサイズによって決定することができる。
【００９９】
多くの実施形態において、熱的に安定な裏込め層は、ジルコニア、チタニア、アルミナ、炭化ホウ素、又は炭化ケイ素ナノ粒子を含むいくつかの実施形態において、熱的に安定な裏込め層は、ジルコニアを含む。いくつかの実施形態において、熱的に安定な裏込め層は、チタニアを含む。いくつかの実施形態において、熱的に安定な裏込め層は、アルミナを含む。いくつかの実施形態において、熱的に安定な裏込め層は、炭化ホウ素を含む。いくつかの実施形態において、熱的に安定な裏込め層は、炭化ケイ素を含む。
【０１００】
半導体の分類には、「量子ドット」として既知のナノ粒子が包含され、これは、興味深い電子及び光学特性を有しており、様々な用途で使用され得る。量子ドットは、セレン化カドミウム、硫化カドミウム、ヒ化インジウム及びリン化インジウムなどの二元合金から作製されても、又は硫セレン化カドミウムなどの三元合金から作製されてもよい。量子ドット販売業者としては、Ｎａｎｏｃｏ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ（Ｍａｎｃｈｅｓｔｅｒ，ＵＫ）及びＮａｎｏｓｙｓ（Ｐａｌｏ  Ａｌｔｏ，ＣＡ）が挙げられる。
【０１０１】
好適な無機ナノ粒子の例としては、希土類元素として既知の元素及びその酸化物、例えば、ランタン（Ｌａ）、セリウム（ＣｅＯ２）、プラセオジム（Ｐｒ６Ｏ１１）、ネオジム（Ｎｄ２Ｏ３）、サマリウム（Ｓｍ２Ｏ３）、ユーロピウム（Ｅｕ２Ｏ３）、ガドリニウム（Ｇｄ２Ｏ３）、テルビウム（Ｔｂ４Ｏ７）、ジスプロシウム（Ｄｙ２Ｏ３）、ホルミウム（Ｈｏ２Ｏ３）、エルビウム（Ｅｒ２Ｏ３）、ツリウム（Ｔｍ２Ｏ３）、イッテリビウム（Ｙｂ２Ｏ３）及びルテチウム（Ｌｕ２Ｏ３）が挙げられる。更に、「リン光体」として既知の燐光発光材料が熱的に安定な裏込め材に包含されてもよい。リン光体しては、活性因子としてビスマスを含む硫化カルシウム・硫化ストロンチウム（ＣａｘＳｒ）Ｓ：Ｂｉ、硫化亜鉛・銅「ＧＳリン光体」、硫化亜鉛と硫化カドミウムとの混合物、ユーロピウムで活性化されたアルミン酸ストロンチウム（ＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ（ＩＩ）：Ｄｙ（ＩＩＩ））、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ２＋（ＢＡＭ）、Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ、ドープされたオルトケイ酸塩、イットリウムアルミニウムガーネット（ＹＡＧ）及びルテニウムアルミニウムガーネット（ＬｕＡＧ）含有材料、並びにこれらの任意の組み合わせなどを挙げることができる。リン光体の市販例としては、ＩＳＩＰＨＯＲ（登録商標）無機リン光体（Ｍｅｒｃｋ  ＫＧａＡ（Ｄａｒｍｓｔａｄｔ，Ｇｅｒｍａｎｙ）から入手可能）を挙げることができる。
【０１０２】
ナノ粒子は、典型的に、表面処理剤で処理される。ナノサイズの粒子を表面処理することで、ポリマー樹脂中での安定した分散をもたらすことができる。好ましくは、表面処理は、実質的に均質な組成物中に粒子が分散されるように、ナノ粒子を安定化させる。更に、ナノ粒子は、安定化された粒子が硬化中にその組成物の一部と共重合又は反応できるように、その表面の少なくとも一部を表面処理剤によって改質することも可能である。一般に、表面処理剤には、粒子表面に結合（共有結合、イオン結合、又は、強力な物理吸着による結合）することになる第１の末端部と、粒子の組成物との相溶性をもたらす及び／又は硬化中に樹脂と反応する第２の末端部と、を有する。表面処理剤の例としては、アルコール、アミン、カルボン酸、スルホン酸、ホスホン酸、シラン及びチタン酸塩が挙げられる。好ましいタイプの処理剤は、部分的には、金属酸化物表面の化学的性質により決定される。シリカに対してはシランが好ましく、ケイ質充填剤に対しては他のものが好ましい。ジルコニアなどの金属酸化物に対しては、シラン及びカルボン酸が好ましい。表面改質は、モノマーとの混合に続いて又は混合後のいずれかで行うことができる。シランの場合、組成物へ組み込む前にシランを粒子又はナノ粒子の表面と反応させるのが好ましい。表面改質剤の必要量は、粒径、粒子タイプ、改質剤の分子量、及び改質剤のタイプなどのいくつかの要素に依存する。一般的には、おおむね単層の改質剤を粒子の表面に付着させることが好ましい。必要とされる付着方法又は反応条件もまた、使用される表面改質剤によって決まる。シランの場合、酸性又は塩基性の条件の下、高温で約１〜２４時間表面処理することが好ましい。カルボン酸のような表面処理剤は、高温及び長時間を必要としない場合がある。
【０１０３】
本組成物に適している表面処理剤の代表的な実施形態としては、例えば、イソオクチルトリメトキシ−シラン、Ｎ−（３−トリエトキシシリルプロピル）メトキシエトキシエトキシエチルカルバメート（ＰＥＧ３ＴＥＳ）、Ｎ−（３−トリエトキシシリルプロピル）メトキシエトキシエトキシエチルカルバメート（ＰＥＧ２ＴＥＳ）、３−（メタクリロイルオキシ）プロピルトリメトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−（メタクリロイルオキシ）プロピルトリエトキシシラン、３−（メタクリロイルオキシ）プロピルメチルジメトキシシラン、３−（アクリロイルオキシプロピル）メチルジメトキシシラン、３−（メタクリロイルオキシ）プロピルジメチルエトキシシラン、３−（メタクリロイルオキシ）プロピルジメチルエトキシシラン、ビニルジメチルエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ｎ−オクチルトリメトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ビニルメチルジアセトキシシラン、ビニルメチルジエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリイソプロポキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリフェノキシシラン、ビニルトリ−ｔ−ブトキシシラン、ビニルトリス−イソブトキシシラン、ビニルトリイソプロペノキシシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、スチリルエチルトリメトキシシラン、メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−５−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、アクリル酸、メタクリル酸、オレイン酸、ステアリン酸、ドデカン酸、２−［２−（２−メトキシエトキシ）エトキシ］酢酸（ＭＥＥＡＡ）、β−カルボキシエチルアクリレート、２−（２−メトキシエトキシ）酢酸、メトキシフェニル酢酸、及びこれらの混合物などの化合物が挙げられる。更に、販売名「Ｓｉｌｑｕｅｓｔ  Ａ１２３０」でＯＳＩ  Ｓｐｅｃｉａｌｔｉｅｓ（Ｃｒｏｍｐｔｏｎ  Ｓｏｕｔｈ  Ｃｈａｒｌｅｓｔｏｎ，ＷＶ）から市販されている独自開発のシラン表面改質剤が特に適していることが分かっている。
【０１０４】
いくつかの実施形態において、熱的に安定な分子種としては、金属、金属酸化物又は金属酸化物前駆体が挙げられる。金属酸化物前駆体は、無機ナノ粒子に対する非晶質「バインダー」として機能するために使用されてもよく、又は単独で使用されてもよい。材料を硬化させて固体塊にするためにゾルゲル法を用いて前駆体を反応させてもよく、このことは、当業者には周知である。好適な金属酸化物前駆体としては、アルキルチタネート、例えば、チタン（ＩＶ）ブトキシド、ｎ−プロピルチタネート、トリエタノールアミンチタン化合物、リン酸チタンのグリコール化合物、２−エチルヘキシルチタネート、チタン（ＩＶ）エトキシド、チタン（ＩＶ）イソプロポキシドなどが挙げられる。これらは、Ｄｏｒｆ−Ｋｅｔａｌ  Ｉｎｃ．（Ｈｏｕｓｔｏｎ，ＴＸ）から商品名「ＴＹＺＯＲ」として市販されている。更に、塩化ジルコニウム又はジルコニウム（ＩＶ）アルコキシド、例えばジルコニウム（ＩＶ）アクリレート、ジルコニウム（ＩＶ）テトライソプロポキシド、ジルコニウム（ＩＶ）テトラエトキシド、ジルコニウム（ＩＶ）テトラブトキシドなども同様に好適な金属酸化物前駆体として挙げられ、いずれもＡｌｄｒｉｃｈ（Ｓｔ．Ｌｏｕｉｓ，ＭＯ）から入手可能である。更に、塩化ハフニウム（ＩＶ）又はハフニウムアルコキシド、例えば、ハフニウム（ＩＶ）カルボキシエチルアクリレート、ハフニウム（ＩＶ）テトライソプロポキシド、ハフニウム（ＩＶ）ｔｅｒｔ−ブトキシド、ハフニウム（ＩＶ）ｎ−ブトキシドなども同様に好適な金属酸化物前駆体として挙げられ、いずれもＡｌｄｒｉｃｈ（Ｓｔ．Ｌｏｕｉｓ，ＭＯ）から入手可能である。これら材料は犠牲テンプレート層における無機ナノ材料としても使用可能である。
【０１０５】
犠牲材料
犠牲層は、構造化表面層を実質上そのまま残しながら、焼成することができる、ないしは別の方法で取り除くことができる材料である。犠牲層は、例えば、転写フィルムの構成に依存して、犠牲テンプレート層及び任意の剥離可能な犠牲層を含む。犠牲層の構造化表面は、エンボス加工、複製プロセス、押出成形、鋳造、又は表面構造化により形成され得る。構造化表面は、ナノ構造、マイクロ構造、又は階層構造を含み得る。ナノ構造は、２ミクロン以下の少なくとも１つの寸法（例えば、高さ、幅、又は長さ）を有する特徴を備える。マイクロ構造は、１ミクロン〜２ミリメートルの少なくとも１つの寸法（例えば、高さ、幅、又は長さ）を有する特徴を備える。階層構造は、ナノ構造とマイクロ構造の組み合わせである。
【０１０６】
犠牲層（例えば、１２）は、所望の特性が得られる限り、いかなる材料も含むことができる。好ましくは、犠牲層は約１，０００Ｄａ以下の数平均分子量を有するポリマーを含む重合性組成物（例えば、モノマー及びオリゴマー）から作られる。特に好適なモノマー又はオリゴマーは約５００Ｄａ以下の分子量を有し、更に特に好適な重合性分子は約２００Ｄａ以下の分子量を有する。前記重合性組成物は、通常、化学放射線、例えば、可視光、紫外線、電子ビーム放射、熱及びそれらの組み合わせ、又は様々な従来の陰イオン、陽イオン、フリーラジカル若しくは他の重合技術を使用して硬化され、それは光化学的に、又は熱的に開始される。
【０１０７】
有用な重合性組成物は、当該技術分野において既知の硬化性官能基、例えば、エポキシド基、アリルオキシ基、（メタ）アクリレート基、エポキシド、ビニル、ヒドロキシル、アセトキシ、カルボン酸、アミノ、フェノール、アルデヒド、ケイ皮酸塩、アルケン、アルキン、エチレン系不飽和基、ビニルエーテル基、及び任意の誘導体、並びに任意の化学的に適合するそれらの組み合わせなどを含む。
【０１０８】
犠牲材料を調製するために用いる重合性組成物は、放射線硬化性部分に関して単官能性であっても、多官能性（例えば、ジ−、トリ−又はテトラ−）であってもよい。好適な単官能性重合性前駆体の例としては、スチレン、α−メチルスチレン、置換スチレン、ビニルエステル、ビニルエーテル、オクチル（メタ）アクリレート、ノニルフェノールエトキシレート、（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、イソノニル（メタ）アクリレート、２−（２−エトキシエトキシ）エチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、β−カルボキシエチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、脂環式エポキシド、α−エポキシド、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、メチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸、Ｎ−ビニルカプロラクタム、ステアリル（メタ）アクリレート、ヒドロキシル官能性カプロラクトンエステル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ヒドロキシイソプロピル（メタ）アクリレート、ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシイソブチル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、及びこれらのいかなる組み合わせ、を含む。
【０１０９】
好適な多官能性重合性前駆体の例としては、エチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンプロパントリ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリトリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ポリ（１，４−ブタンジオール）ジ（メタ）アクリレート、上述の材料の任意の置換体、エトキシル化物又はプロポキシル化物、或いはこれらのいかなる組み合わせが挙げられる。
【０１１０】
重合反応は一般に３次元の「架橋」高分子ネットワークの形成をもたらし、及び、ネガ型フォトレジストとしても当該技術分野において知られており、Ｓｈａｗら著、「Ｎｅｇａｔｉｖｅ  ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔｓ  ｆｏｒ  ｏｐｔｉｃａｌ  ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ，」ＩＢＭ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ  ａｎｄ  Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ（１９９７年）４１，８１〜９４頁で論評されている。ネットワークの形成は、共有結合、イオン結合若しくは水素結合のいずれかによって、又は鎖のもつれ等の物理的な架橋メカニズムによって生じ得る。前記反応は、１つ以上の中間体種、例えば、フリーラジカル生成光重合開始剤、光増感剤、光酸発生剤、光塩基発生剤、又は熱酸発生剤などによって、開始されることもできる。使用する硬化剤の種類は、使用する重合性前駆体に、及び、重合性前駆体を硬化させるために用いる放射線の波長に、依存する。好適な市販のフリーラジカル生成光重合開始剤の例としては、ベンゾフェノン、ベンゾインエーテル及びアシルホスフィン光重合開始剤を含み、例えば、これらはＣｉｂａ  Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ（Ｔａｒｒｙｔｏｗｎ、ＮＹ）から「ＩＲＧＡＣＵＲＥ」及び「ＤＡＲＯＣＵＲ」の販売名で販売されている。他の代表的な光重合開始剤としては、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン（ＤＭＰＡＰ）、２，２−ジメトキシアセトフェノン（ＤＭＡＰ）、キサントン、及びチオキサントンが挙げられる。
【０１１１】
共開始剤及びアミン共力剤は、硬化速度を改善するために含まれてもよい。架橋マトリックス中の硬化剤の好適な濃度は、重合性前駆体の全重量に対して、約１重量％〜約１０重量％の範囲であり、特に好適な濃度は約１重量％〜約５重量％の範囲である。重合性前駆体は、任意の添加物、例えば熱安定剤、紫外線安定剤、フリーラジカル捕捉剤、及びこれらの組み合わせなども含むことができる。好適な市販の紫外線安定剤の例としてはベンゾフェノン系紫外線吸収剤が挙げられ、これは、ＢＡＳＦ  Ｃｏｒｐ．，（Ｐａｒｓｉｐｐａｎｙ，ＮＪ）から販売名「ＵＶＩＮＯＬ  ４００」として、Ｃｙｔｅｃ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ（Ｗｅｓｔ  Ｐａｔｔｅｒｓｏｎ，ＮＪ）から販売名「ＣＹＡＳＯＲＢ  ＵＶ−１１６４」として、並びにＣｉｂａ  Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ  ｃｈｅｍｉｃａｌｓ（Ｔａｒｒｙｔｏｗｎ，ＮＹ）から販売名「ＴＩＮＵＶＩＮ  ９００」、「ＴＩＮＵＶＩＮ  １２３」及び「ＴＩＮＵＶＩＮ  １１３０」として入手可能である。重合性前駆体中での紫外線安定剤の好適な濃度の例としては、重合性前駆体の全重量に対して、約０．１重量％〜約１０重量％の範囲であり、特に好適な合計濃度は約１重量％〜約５重量％の範囲である。
【０１１２】
好適なフリーラジカル捕捉剤の例としては、ヒンダードアミン系光安定剤（ＨＡＬＳ）化合物、ヒドロキシルアミン、立体障害性フェノール、及びこれらの組み合わせを含む。好適な市販のＨＡＬＳ化合物の例としては、Ｃｉｂａ  Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ（Ｔａｒｒｙｔｏｗｎ、ＮＹ）の販売名「ＴＩＮＵＶＩＮ  ２９２」、及びＣｙｔｅｃ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ（Ｗｅｓｔ  Ｐａｔｔｅｒｓｏｎ、ＮＪ）の販売名「ＣＹＡＳＯＲＢ  ＵＶ−２４」が挙げられる。重合性前駆体中でのフリーラジカル捕捉剤の好適な濃度の例としては、約０．０５重量％〜約０．２５重量％の範囲である。
【０１１３】
パターン化構造化テンプレート層は、曝露面を有する層を提供するために放射線硬化性組成物の層を放射線透過性キャリアの１つの表面に配置させることと、遠位表面部分及び隣接する陥凹表面部分を含む正確に成形されかつ位置付けられた相互に作用する機能上不連続な三次元構造を付与することができるパターンを担持する予備成形表面を有する原型を、キャリア上の放射線硬化性組成物の層の曝露面に、十分な接触圧力の下で接触させて、前記パターンを放射線硬化性組成物の層に付与することと、放射線硬化性組成物の層が原型のパターン化表面と接触している間、キャリアを通して放射線硬化性組成物を十分なレベルの放射線に曝露することで、放射線硬化性組成物を硬化させることと、によって形成することができる。この鋳造硬化法は、ロール状キャリアを使用し、硬化性材料の層をキャリア上に配置し、この硬化性材料を原型に積層し、そして化学線を使用して硬化性材料を硬化させるという、連続様式で行うことができる。次いで、結果として、パターン化構造化テンプレートが配置されたロール状キャリアは巻き取ることができる。この方法は、例えば、米国特許第６，８５８，２５３号（Ｗｉｌｌｉａｍｓら）に開示されている。
【０１１４】
犠牲層として使用可能な他の材料としては、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、エチルセルロース、メチルセルロース、ポリノルボルネン、ポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）、ポリ（ビニルブチラール）、ポリ（シクロヘキセンカーボネート）、ポリ（シクロヘキセンプロピレン）カーボネート、ポリ（エチレンカーボネート）、ポリ（プロピレンカーボネート）、及び他の脂肪族ポリカーボネート、並びにそれらの任意のコポリマー又は混合物、そしてＲ．Ｅ．Ｍｉｓｔｌｅｒ，Ｅ．Ｒ．Ｔｗｉｎａｍｅ，Ｔａｐｅ  Ｃａｓｔｉｎｇ：Ｔｈｅｏｒｙ  ａｎｄ  Ｐｒａｃｔｉｃｅ，Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｅｒａｍｉｃ  Ｓｏｃｉｅｔｙ（２０００年）、第２章、第２．４節「Ｂｉｎｄｅｒｓ」に記載の他の材料が挙げられる。これらの材料には多数の商業的供給源が存在する。これらの材料は、典型的には、熱分解又は燃焼による溶解又は熱分解によって容易に取り除かれる。熱的加熱は、通常、多くの製造プロセスの一部となっており、したがって、犠牲材料の除去は既存の加熱工程中に達成することができる。この理由から、熱分解又は燃焼による熱分解は、より好ましい除去方法である。
【０１１５】
犠牲材料には好ましいいくつかの特性がある。犠牲材料は、押出成形、ナイフコーティング、溶剤コーティング、鋳造・硬化、又は他の典型的なコーティング方法により基板上にコーティングできるものでなくてはならない。好ましくは、犠牲材料は室温で固体である。好ましくは、熱可塑性犠牲材料は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が加熱用具でエンボス加工できるほど十分に低い。したがって、犠牲材料は、２５℃を超える、より好ましくは４０℃を超える、最も好ましくは９０℃を超えるＴｇを有することが好ましい。
【０１１６】
犠牲材料に望ましいもう１つの材料特性は、その分解温度が裏込め材の硬化温度より高いことである。裏込め材が硬化した後、構造化層は取り外せないように形成され、犠牲テンプレート層は、上記の方法のいずれか１つにより除去され得る。より多くの残留物を有する材料よりも、灰分又は総残留物の少ない、熱分解する材料が好ましい。基板上に残された残留物は、最終製品の導電性、透明性又は色などの電気的特性及び／又は光学特性に悪影響を及ぼし得る。最終製品のこれらの特性のいかなる変化も最小限にすることが望ましいので、１０００ｐｐｍ未満の残留物レベルが好ましい。５００ｐｐｍ未満の残留物レベルがより好ましく、５０ｐｐｍ未満の残留物レベルが最も好ましい。
【０１１７】
用語「きれいに焼成される」とは、相当量の灰分などの残留物質を残さずに熱分解又は燃焼により犠牲層を除去することができることを意味する。好ましい残留物レベルの例を上述したが、特定の用途に応じて異なる残留物レベルを用いる場合がある。
【０１１８】
犠牲接着層
犠牲接着層は、転写フィルムの性能に実質的に有害な影響を及ぼさずに、レセプター基板への転写フィルムの接着力を高める任意の材料を用いて実施され得る。犠牲接着層は、接着促進層と記載することも可能である。犠牲接着層は、本明細書に記載の方法中にきれいに焼成することができる。
【０１１９】
こしたがって、「凹入構造を有する物品を形成するための積層転写フィルム」の実施形態を開示する。
【０１２０】
本明細書に引用される全ての参考文献及び刊行物は、それらが本開示と直接矛盾し得る場合を除き、それらの全容を参照により本開示において明示的に援用するものである。以上、本明細書において具体的な実施形態を図示、説明したが、様々な代替的かつ／又は等価的な実現形態を、本開示の範囲を逸脱することなく、図示及び説明された具体的な実施形態に置き換えることができる点は、当業者であれば認識されるところであろう。本出願は、本明細書において検討される具体的な実施形態のいかなる適合例又は変形例をも網羅しようとするものである。したがって、本開示は、特許請求の範囲及びその等価物によってのみ限定されるものとする。開示される実施形態は例示の目的で示されるものであり、限定を目的とするものではない。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図２Ｆ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１５Ｃ】
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【図１５Ｄ】
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【図１５Ｅ】
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【図１６】
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【国際調査報告】
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