(57)【要約】  いくつかの特徴は、基板と、基板に結合されたいくつかの金属層と、基板に結合されたいくつかの誘電体層と、金属層のうちの１つに結合された第１の金属再配線層と、第１の金属再配線層に結合された第２の金属再配線層とを含む集積デバイスに関連する。第１および第２の金属再配線層は、集積デバイス内の環状インダクタとして動作するように構成される。いくつかの実装形態では、集積デバイスは、第３の金属再配線層も含む。第３の金属再配線層は、第１および第２の金属再配線層に結合される。第３の金属再配線層は、ビアである。いくつかの実装形態では、第１、第２、および第３の金属再配線層は、集積デバイス内の環状インダクタとして動作するように構成される。いくつかの実装形態では、第１、第２、および第３の再配線層は、環状インダクタの巻線のセットを形成する。
2017504212.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に結合された複数の金属層と、
前記基板に結合された複数の誘電体層と、
前記金属層のうちの１つに結合された再配線部分と
を備える集積デバイスであって、前記再配線部分が、
第１の金属再配線層と、
前記第１の金属再配線層に結合された第２の金属再配線層であって、前記第１の金属再配線層および前記第２の金属再配線層が前記集積デバイス内の環状インダクタとして動作するように構成される、第２の金属再配線層と
を含む、集積デバイス。
【請求項２】
前記再配線部分が、前記第１の金属再配線層および前記第２の金属再配線層に結合された第３の金属再配線層を含み、前記第３の金属再配線層はビアである、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項３】
前記第１の金属再配線層、前記第２の金属再配線層、および前記第３の金属再配線層が、前記集積デバイス内の環状インダクタとして動作するように構成される、請求項２に記載の集積デバイス。
【請求項４】
前記第１の金属再配線層、前記第２の金属再配線層、および前記第３の金属再配線層が、前記環状インダクタの巻線のセットを形成する、請求項２に記載の集積デバイス。
【請求項５】
前記再配線部分が、第１の誘電体層および第２の誘電体層をさらに含む、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項６】
前記第２の金属再配線層が、前記集積デバイスの表面上にある、請求項５に記載の集積デバイス。
【請求項７】
前記基板に結合された第１のダイをさらに含む、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項８】
前記再配線部分が、前記第１のダイおよび前記基板に結合される、請求項７に記載の集積デバイス。
【請求項９】
前記集積デバイスが、少なくともダイおよび／またはダイパッケージのうちの１つである、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項１０】
前記集積デバイスが、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイルフォン、スマートフォン、携帯情報端末、固定位置端末、タブレットコンピュータ、および／またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも１つに組み込まれる、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項１１】
基板と、
前記基板に結合された複数の金属層と、
前記基板に結合された複数の誘電体層と、
前記金属層のうちの１つに結合された再配線部分と
を備える装置であって、前記再配線部分が、
第１の相互接続手段と、
前記第１の相互接続手段に結合された第２の相互接続手段であって、前記第１の相互接続手段および前記第２の相互接続手段が、前記装置内の環状インダクタとして動作するように構成される、第２の相互接続手段と
を含む、装置。
【請求項１２】
前記再配線部分が、前記第１の相互接続手段および前記第２の相互接続手段に結合された第３の相互接続手段をさらに含み、前記第３の相互接続手段はビアである、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記第１の相互接続手段、前記第２の相互接続手段、および前記第３の相互接続手段が、前記装置内の環状インダクタとして動作するように構成される、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記第１の相互接続手段、前記第２の相互接続手段、および前記第３の相互接続手段が、前記環状インダクタの巻線のセットを形成する、請求項１２に記載の装置。
【請求項１５】
前記再配線部分が、第１の誘電体層および第２の誘電体層をさらに含む、請求項１１に記載の装置。
【請求項１６】
前記第２の相互接続手段が、前記装置の表面上にある、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記基板に結合された第１のダイをさらに含む、請求項１１に記載の装置。
【請求項１８】
前記再配線部分が、前記第１のダイおよび前記基板に結合される、請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記装置が、少なくとも集積デバイス、ダイ、および／またはダイパッケージのうちの１つである、請求項１１に記載の装置。
【請求項２０】
音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイルフォン、スマートフォン、携帯情報端末、固定位置端末、タブレットコンピュータ、および／またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも１つに組み込まれる、請求項１１に記載の装置。
【請求項２１】
環状インダクタを含む集積デバイスを設けるための方法であって、
基板を設けるステップと、
前記基板に結合された複数の金属層を設けるステップと、
前記基板に結合された複数の誘電体層を設けるステップと、
前記金属層のうちの１つに再配線部分を結合するステップであって、
第１の金属再配線層を設けることと、
前記第１の金属再配線層に結合された第２の金属再配線層を設けることと
を含む、ステップと
を含む、方法。
【請求項２２】
前記再配線部分を結合するステップが、第３の金属再配線層が前記第１の金属再配線層および前記第２の金属再配線層に結合されるように前記第３の金属再配線層を設けることをさらに含み、前記第３の金属再配線層はビアである、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記第１の金属再配線層、前記第２の金属再配線層、および前記第３の金属再配線層が、前記集積デバイス内の環状インダクタとして動作するように構成される、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記第１の金属再配線層、前記第２の金属再配線層、および前記第３の金属再配線層が、前記環状インダクタの巻線のセットを形成する、請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
前記再配線部分を結合するステップが、
第１の誘電体層を設けることと、
第２の誘電体層を設けることと
をさらに含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２６】
前記第２の金属再配線層が、前記集積デバイスの表面上にある、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
第１のダイを前記基板に結合するステップをさらに含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２８】
前記再配線部分が、前記第１のダイおよび前記基板に結合される、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記集積デバイスが、少なくともダイおよび／またはダイパッケージのうちの１つである、請求項２１に記載の方法。
【請求項３０】
前記集積デバイスは、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイルフォン、スマートフォン、携帯情報端末、固定位置端末、タブレットコンピュータ、および／またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも１つに組み込まれる、請求項２１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
［関連出願の相互参照］
本出願は、内容全体が参照により本明細書に組み込まれる、２０１４年１月２１日に米国特許商標庁に出願された、米国特許出願第１４／１６０４４８号の優先権および利益を主張する。
【０００２】
様々な特徴は、集積デバイスの再配線層内の環状インダクタに関する。
【背景技術】
【０００３】
通常のダイは、基板の上部にいくつかの金属層およびいくつかの誘電体層を堆積することによって製造される。ダイは、ウエハレベルパッケージング（ＷＬＰ，ｗａｆｅｒ  ｌｅｖｅｌ  ｐａｃｋａｇｉｎｇ）プロセスを使用することによって製造される。図１は、ウエハの側面図を示す。具体的には、図１は、ウエハ１００の一部分の側面図を示す。ウエハ１００は、いくつかの金属層および誘電体層１０２、パッド１０４、パッシベーション層１０６、第１の絶縁層１０８、第１の金属層１１０、第２の絶縁層１１２、およびアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ，ｕｎｄｅｒ  ｂｕｍｐ  ｍｅｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）層１１４を含む。図１は、ウエハ１００上にはんだボール１１６も示す。具体的には、はんだボール１１６は、ＵＢＭ層１１４に結合される。パッド１０４、第１の金属層１１０、およびＵＢＭ層１１４は、導電性材料（たとえば、銅）である。第１の絶縁層１０８および第２の絶縁層１１２は、ポリイミド層（ＰＩ，ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ，Ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）、またはリパッシベーションに使用される他のポリマー層である。
【０００４】
いくつかの電子設計では、インダクタが必要とされ得る。従来の電子設計では、インダクタは、パッケージの外部に配置され得る。たとえば、ダイを含むパッケージは、プリント回路基板（ＰＣＢ，ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ）に結合され得る。インダクタは、ＰＣＢに結合され得る。したがって、インダクタは、ＰＣＢを介してダイを含むパッケージに結合され得る。この方法の１つの不都合な点は、インダクタがダイから遠く離れている場合があることである。いくつかの事例では、インダクタをダイにできる限り近づけることが理想的かつ／または最適である場合がある。たとえば、インダクタをダイおよび／またはダイパッケージに結合しながら、同時にＰＣＢをバイパスさせることが理想的かつ／または最適である場合がある。いくつかの実装形態では、ダイの金属層および誘電体層内にインダクタを置くのが望ましい場合がある。しかしながら、そのような解決策は、インダクタがダイの能動素子および／または回路との電磁干渉を起こす場合があるので、Ｓｉダイ面積を増加させる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
したがって、集積デバイス（たとえば、ダイ、ダイパッケージ）内にインダクタ（たとえば、環状インダクタ）を設ける設計が必要である。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本明細書で説明する様々な特徴、装置、および方法は、集積デバイスの再配線層内に環状インダクタを設ける。
【０００７】
第１の例は、基板と、基板に結合されたいくつかの金属層と、基板に結合されたいくつかの誘電体層と、金属層のうちの１つに結合された第１の金属再配線層と、第１の金属再配線層に結合された第２の金属再配線層とを含む集積デバイスを提供する。第１および第２の金属再配線層は、集積デバイス内の環状インダクタとして動作するように構成される。
【０００８】
一態様によれば、再配線部分は、第１および第２の金属再配線層に結合された第３の金属再配線層を含む。第３の金属再配線層は、ビアである。いくつかの実装形態では、第１、第２、および第３の金属再配線層は、集積デバイス内の環状インダクタとして動作するように構成される。いくつかの実装形態では、第１、第２、および第３の再配線層は、環状インダクタの巻線のセットを形成する。
【０００９】
一態様によれば、再配線部分は、第１の誘電体層および第２の誘電体層をさらに含む。いくつかの実装形態では、第２の金属再配線層は、集積デバイスの表面上にある。
【００１０】
一態様によれば、集積デバイスは、基板に結合された第１のダイをさらに含む。いくつかの実装形態では、再配線部分は、第１のダイおよび基板に結合される。
【００１１】
一態様によれば、集積デバイスは、少なくともダイおよび／またはダイパッケージのうちの１つである。
【００１２】
一態様によれば、集積デバイスは、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイルフォン、スマートフォン、携帯情報端末、固定位置端末、タブレットコンピュータ、および／またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも１つに組み込まれる。
【００１３】
第２の例は、基板と、基板に結合されたいくつかの金属層と、基板に結合されたいくつかの誘電体層と、金属層のうちの１つに結合された再配線部分とを含む装置を提供する。再配線部分は、第１の相互接続手段と、第１の相互接続手段に結合された第２の相互接続手段とを含み、第１および第２の金属相互接続手段は、装置内の環状インダクタとして動作するように構成される。
【００１４】
一態様によれば、再配線部分は、第１および第２の相互接続手段に結合された第３の相互接続手段をさらに含み、第３の相互接続手段はビアである。いくつかの実装形態では、第１、第２、および第３の相互接続手段は、装置内の環状インダクタとして動作するように構成される。いくつかの実装形態では、第１、第２、および第３の相互接続手段は、環状インダクタの巻線のセットを形成する。
【００１５】
一態様によれば、再配線部分は、第１の誘電体層および第２の誘電体層をさらに含む。いくつかの実装形態では、第２の相互接続手段は、装置の表面上にある。
【００１６】
一態様によれば、装置は、基板に結合された第１のダイをさらに含む。
【００１７】
一態様によれば、再配線部分は、第１のダイおよび基板に結合される。
【００１８】
一態様によれば、装置は、少なくとも、集積デバイス、ダイ、および／またはダイパッケージのうちの１つである。
【００１９】
一態様によれば、装置は、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイルフォン、スマートフォン、携帯情報端末、固定位置端末、タブレットコンピュータ、および／またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも１つに組み込まれる。
【００２０】
第３の例は、環状インダクタを含む集積デバイスを設けるための方法を提供する。本方法は、基板を設ける。本方法は、基板に結合されたいくつかの金属層を設ける。本方法は、基板に結合されたいくつかの誘電体層を設ける。本方法は、再配線部分を金属層のうちの１つに結合し、再配線部分を結合することは、第１の金属再配線層を設けることと、第１の金属再配線層に結合された第２の金属再配線層を設けることとを含む。
【００２１】
一態様によれば、再配線部分を結合することは、第３の金属再配線層が第１および第２の金属再配線層に結合されるように第３の金属再配線層を設けることをさらに含むが、第３の金属再配線層はビアである。いくつかの実装形態では、第１、第２、および第３の金属再配線層は、集積デバイス内の環状インダクタとして動作するように構成される。いくつかの実装形態では、第１、第２、および第３の再配線層は、環状インダクタの巻線のセットを形成する。
【００２２】
一態様によれば、再配線部分を結合することは、第１の誘電体層を設けることと、第２の誘電体層と設けることとをさらに含む。いくつかの実装形態では、第２の金属再配線層は、集積デバイスの表面上にある。
【００２３】
一態様によれば、本方法は、第１のダイを基板に結合するステップをさらに含む。いくつかの実装形態では、再配線部分は、第１のダイおよび基板に結合される。
【００２４】
一態様によれば、集積デバイスは、少なくともダイおよび／またはダイパッケージのうちの１つである。
【００２５】
一態様によれば、集積デバイスは、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイルフォン、スマートフォン、携帯情報端末、固定位置端末、タブレットコンピュータ、および／またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも１つに組み込まれる。
【００２６】
様々な特徴、性質、および利点は、同様の参照符号が全体にわたって対応させながら特定する図面と併せて読まれたとき、以下に記載する詳細な説明から明らかになる場合がある。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】従来のダイの投影図である。
【図２】環状インダクタを含む集積デバイスの一例を示す図である。
【図３】環状インダクタの概念的な表現の一例を示す図である。
【図４】環状インダクタを含む集積デバイスの別の例を示す図である。
【図５】環状インダクタを含むパッケージの一例を示す図である。
【図６】ダイの一例を示す図である。
【図７】パッケージの再配線層（ＲＤＬ，ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）内の環状インダクタの拡大図である。
【図８】環状インダクタの概念的な表現の一例を示す図である。
【図９】環状インダクタを含むパッケージの別の例を示す図である。
【図１０Ａ】環状インダクタを含むダイを設ける／製造するための例示的なシーケンスの一部を示す図である。
【図１０Ｂ】環状インダクタを含むダイを設ける／製造するための例示的なシーケンスの一部を示す図である。
【図１０Ｃ】環状インダクタを含むダイを設ける／製造するための例示的なシーケンスの一部を示す図である。
【図１１】環状インダクタを含むダイを設ける／製造するための例示的な方法を示す図である。
【図１２Ａ】環状インダクタを含むパッケージを設ける／製造するための例示的なシーケンスの一部を示す図である。
【図１２Ｂ】環状インダクタを含むパッケージを設ける／製造するための例示的なシーケンスの一部を示す図である。
【図１３】環状インダクタを含むパッケージを設ける／製造するための例示的な方法を示す図である。
【図１４】本明細書で説明する半導体デバイス、ダイ、集積回路、および／またはＰＣＢを組み込み得る様々な電子デバイスを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下の説明では、本開示の様々な態様の完全な理解をもたらすために具体的な詳細が与えられる。しかしながら、これらの態様が、これらの具体的な詳細なしに実施され得ることが、当業者には理解されよう。たとえば、態様を不必要に詳しく説明して不明瞭にすることを避けるために、回路がブロック図で示される場合がある。他の事例では、よく知られている回路、構造、および技術は、本開示の態様を不明瞭にしないために、詳細には示されていない場合がある。
【００２９】
［概要］
いくつかの新規の特徴は、基板と、基板に結合されたいくつかの金属層と、基板に結合されたいくつかの誘電体層と、金属層のうちの１つに結合された第１の金属再配線層と、第１の金属再配線層に結合された第２の金属再配線層とを含む集積デバイス（たとえば、ダイ、ダイパッケージ）に関連する。第１および第２の金属再配線層は、集積デバイス内の環状インダクタとして動作するように構成される。いくつかの実装形態では、集積デバイスは、第３の金属再配線層も含む。第３の金属再配線層は、第１および第２の金属再配線層に結合される。第３の金属再配線層は、ビアである。いくつかの実装形態では、第１、第２、および第３の金属再配線層は、集積デバイス内の環状インダクタとして動作するように構成される。いくつかの実装形態では、第１、第２、および第３の再配線層は、環状インダクタの巻線のセットを形成する。いくつかの実装形態では、集積デバイスは、再配線部分をさらに含む。再配線部分は、第１の金属再配線層、第２の金属再配線層、第１の誘電体層、および第２の誘電体層を含む。いくつかの実装形態では、第２の金属再配線層は、集積デバイスの表面上にある。いくつかの実装形態では、集積デバイスは、基板に結合された第１のダイを含む。いくつかの実装形態では、環状インダクタは、集積デバイスの再配線部分内にある。再配線部分は、第１のダイおよび基板に結合される。
【００３０】
［集積デバイス内の例示的な環状インダクタ］
図２は、集積デバイス（たとえば、半導体デバイス、ダイ、ダイパッケージ）内のインダクタ（たとえば、環状インダクタ）の側面図の一例を概念的に示す。具体的には、図２は、基板２０１、いくつかの下位金属層および誘電体層２０２、第１のパッド２０４、第２のパッド２２５、第３のパッド２２９、パッシベーション層２０６、第１の絶縁層２０８（たとえば、第１の誘電体層）、第１の再配線層２１０、第２の絶縁層２１２（たとえば、第２の誘電体層）、第２の再配線層２１４、第３の絶縁層２１６（たとえば、第３の誘電体層）、およびアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層２１８を含む集積デバイス２００（たとえば、ダイ、ダイパッケージ）を示す。いくつかの実装形態では、第１のパッド２０４、第２のパッド２２５、第３のパッド２２９、パッシベーション層２０６、第１の絶縁層２０８（たとえば、第１の誘電体層）、第１の再配線層２１０、第２の絶縁層２１２（たとえば、第２の誘電体層）、第２の再配線層２１４、第３の絶縁層２１６（たとえば、第３の誘電体層）、およびアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層２１８は、集積デバイス２００の再配線部分の一部である。様々な実装形態は、様々な数の再配線金属層（たとえば、１、２、またはそれよりも多い金属層）を有し得る。
【００３１】
図２は、ＵＢＭ層２１８に結合されたはんだボール２１９も示す。いくつかの実装形態では、はんだボール２１９は、再配線層（たとえば、再配線層２１４）に結合され得る。第１および第２の再配線層２１０および２１４は、いくつかの実装形態では、導電層（たとえば、金属層、銅層）であり得る。基板２０１は、少なくともシリコン、ガラス、セラミック、および／または誘電体のうちの１つであり得る。いくつかの実装形態では、下位金属層および誘電体層２０２の金属層は、集積デバイス２００内の１つまたは複数の回路要素（図示せず）に１つまたは複数の電気経路（たとえば、ルート、相互接続部）を提供するように構成される。
【００３２】
図２は、集積デバイス２００が環状インダクタ２２０を含むことも示す。いくつかの実装形態では、環状インダクタ２２０は、環状インダクタ２２０の巻線のセットを画定するいくつかの相互接続部を含む。図２に示すように、環状インダクタ２２０は、第１の相互接続部２２２、相互接続部の第２のセット２２４、第３の相互接続部２２６、相互接続部の第４のセット２２８、および第５の相互接続部２３０を含む。いくつかの実装形態では、相互接続部の第２のセット２２４は、トレースおよびビアのセット（たとえば、第１のビア、第１のトレース、および第２のビア）を含む。同様に、いくつかの実装形態では、相互接続部の第４のセット２２８は、トレースおよびビアのセット（たとえば、第３のビア、第２のトレース、および第４のビア）を含む。
【００３３】
いくつかの実装形態では、相互接続部の第２のセット２２４および相互接続部の第４のセット２２８は、第１の再配線層（たとえば、再配線層２１０）の一部である。いくつかの実装形態では、第１の相互接続部２２２、第３の相互接続部２２６、および第５の相互接続部２３０は、第２の再配線層（たとえば、再配線層２１０）の一部である。
【００３４】
いくつかの実装形態では、第１の相互接続部２２２、相互接続部の第２のセット２２４、第３の相互接続部２２６、相互接続部の第４のセット２２８、および第５の相互接続部２３０は、環状インダクタ２２０の巻線のセットを形成するように構成される。特に、いくつかの実装形態では、第１の相互接続部２２２、相互接続部の第２のセット２２４、第３の相互接続部２２６、相互接続部の第４のセット２２８、および第５の相互接続部２３０は、環状インダクタとして動作するように構成される。環状インダクタ２２０は、第２のパッド２２５および第３のパッド２２９に結合される。図２に示すように、環状インダクタ２２０は、集積デバイス２００の再配線部分の一部である。環状インダクタの形状および構成の一例について図３にさらに説明する。
【００３５】
図２は、環状インダクタ２２０が集積デバイス２００の再配線層内に（たとえば、下位金属層および誘電体層２０２の外部に）位置し配置されることを示す。いくつかの実装形態では、第１の相互接続部２２２、相互接続部の第２のセット２２４のうちのいくつか、第３の相互接続部２２６、相互接続部の第４のセット２２８のうちのいくつか、および第５の相互接続部２３０は、第２の再配線層２１４の一部である。いくつかの実装形態では、相互接続部の第２のセット２２４のうちのいくつか、および相互接続部の第４のセット２２８のうちのいくつかは、第１の再配線層２１０の一部である。しかしながら、図２に示す集積デバイス２００内の環状インダクタ２２０の位置および／または配置は例にすぎず、環状インダクタ２２０は、集積デバイス２００の再配線層の様々な部分内に位置し、かつ／または配置される場合があることに留意されたい。たとえば、いくつかの実装形態では、３つ以上の再配線層（たとえば、第１の再配線層、第２の再配線層、第３の再配線層）が存在し得る。そのような事例では、環状インダクタは、再配線層のうちのいずれかの中に位置し、かつ／または配置される場合がある。その上、いくつかの実装形態では、２つ以上の環状インダクタが存在し得るか、または集積デバイス２００の再配線層内のインダクタの様々なタイプおよび／または組合せが存在し得る。
【００３６】
図３は、環状インダクタ３００の一例の斜視図の概念的な表現を概念的に示す。いくつかの実装形態では、図２の環状インダクタ２２０は、図３の環状インダクタ３００と同様の構成を有するように集積デバイス２００内に構成され得る。
【００３７】
図３に示すように、環状インダクタ３００は、巻線のセットを含む。いくつかの実装形態では、巻線のセットは、円環形状の（または、ほぼ円環形状の）構造／構成を形成する。しかしながら、様々な実装形態は、様々な形状を有し得る。具体的には、環状インダクタ３００は、相互接続部の第１のセット３０２（たとえば、３０２ａ〜３０２ｌ）、ビアのセット３０４、および相互接続部の第２のセット３０６（たとえば、３０６ａ〜３０６ｌ）を含む。いくつかの実装形態では、ビアのセット３０４は、１つのビアを含み得るか、またはいくつかのビア（たとえば、ビアのスタック）を含み得る。いくつかの実装形態では、相互接続部の第１のセット３０２、ビアのセット３０４、および相互接続部の第２のセット３０６は、環状インダクタ３００の巻線のセットを形成する。いくつかの実装形態では、相互接続部の第１のセット３０２、ビアのセット３０４、および相互接続部の第２のセット３０６は、環状インダクタとして動作するように構成される。いくつかの実装形態では、相互接続部の第１のセット３０２は、第１の平面（たとえば、上部平面、上部金属層）上にある。いくつかの実装形態では、相互接続部の第２のセット３０６は、第２の平面（たとえば、下部平面、下部金属層）上にある。
【００３８】
図３にさらに示すように、相互接続部の第１のセット３０２は、いくつかの第１の相互接続部（たとえば、３０２ａ〜３０２ｌ）を含む。ビアのセット３０４は、いくつかのビア（たとえば、３０４ａ〜３０４ｌ）を含む。ビアのセットがトレースのセットも含み得ることに留意されたい。すなわち、いくつかの実装形態では、ビアのセット３０４は、完全に垂直とは限らない。いくつかの実装形態では、ビアのセット３０４は、ビアおよびトレースを含むように構成され得る。相互接続部の第２のセット３０６は、いくつかの第２の相互接続部（たとえば、３０６ａ〜３０６ｌ）を含む。図３は、第１の平面上の（たとえば、相互接続部の第１のセット３０２の）第１の相互接続部が第１のビアに結合されることを示す。第１のビアは、第２の平面上の（たとえば、相互接続部の第２のセット３０６の）第２の相互接続部に結合される。第２の相互接続部は、第２のビアに結合される。第２のビアは、第１の平面上の（たとえば、相互接続部の第１のセット３０２の）第３の相互接続部に結合される。第３の相互接続部は、第３のビアに結合される。第３のビアは、第２の平面上の（たとえば、相互接続部の第２のセット３０６の）第４の相互接続部に結合される。
【００３９】
いくつかの実装形態では、環状インダクタ３００は、集積デバイス内に設けられる場合がある。特に、いくつかの実装形態では、環状インダクタ３００は、集積デバイスの１つまたは複数の再配線層内に設けられる場合がある。たとえば、環状インダクタ３００は、集積デバイス２００の再配線層２１０および２１４内に設けられる場合がある。そのような事例では、相互接続部の第１のセット３０２は、第１の相互接続部２２２および第５の相互接続部２３０に対応し得る。ビアのセット３０４は、（ビアおよびトレースを含む）相互接続部の第２のセット２２４および相互接続部の第４のセット２２８に対応し得る。いくつかの実装形態では、相互接続部の第２のセット３０６は、相互接続部の第２のセット２２４のトレースのうちのいくつか、および／または相互接続部の第４のセット２２８のトレースのうちのいくつかに対応し得る。
【００４０】
環状インダクタ３００は、２つの端子（たとえば、ピン）を含む。様々な実装形態は、様々なロケーション内に端子を設け得る。いくつかの実装形態では、環状インダクタの第１の端子は、上位の相互接続部（たとえば、相互接続部３０２）内に配置され、環状インダクタの第２の端子は、下位の相互接続部（たとえば、相互接続部３０６）内に配置される。いくつかの実装形態では、環状インダクタの第１の端子は、第１の上位の相互接続部（たとえば、相互接続部３０２ａ）内に配置され、環状インダクタの第２の端子は、第２の上位の相互接続部（たとえば、相互接続部３０２ｌ）内に配置される。いくつかの実装形態では、環状インダクタの第１の端子は、第１の下位の相互接続部（たとえば、相互接続部３０６ａ）内に配置され、環状インダクタの第２の端子は、第２の下位の相互接続部（たとえば、相互接続部３０６ｌ）内に配置される。
【００４１】
図３に示す環状インダクタ３００は、環状インダクタの概念的な表現であることに留意されたい。いくつかの実装形態では、集積デバイス（たとえば、集積デバイス２００）内の環状インダクタは、図３に示すものと異なるように見える場合がある。
【００４２】
いくつかの実装形態では、集積デバイスは、図２に示す集積デバイス２００とは異なる構成を有する場合がある。たとえば、いくつかの実装形態では、集積デバイスは、いくつかのダイを含み得る。そのような事例では、環状インダクタは、依然として、集積デバイス内に設けられる場合がある。
【００４３】
いくつかの実装形態では、環状インダクタは、集積デバイスの誘電体層の中および／またはその上に様々に位置し、かつ／または配置される場合がある。たとえば、いくつかの実装形態では、環状インダクタの一部は、集積デバイスの誘電体層の表面上にある場合がある。
【００４４】
図４は、集積デバイス（たとえば、半導体デバイス、ダイ、ダイパッケージ）内のインダクタ（たとえば、環状インダクタ）の側面図の一例を概念的に示す。具体的には、図４は、基板４０１、いくつかの下位金属層および誘電体層４０２、第１のパッド４０４、第２のパッド４２５、第３のパッド４２９、パッシベーション層４０６、第１の絶縁層４０８（たとえば、第１の誘電体層）、第１の再配線層４１０、第２の絶縁層４１２（たとえば、第２の誘電体層）、第２の再配線層４１４、第３の絶縁層４１６（たとえば、第３の誘電体層）、およびアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層４１８を含む集積デバイス４００（たとえば、ダイ、ダイパッケージ）を示す。いくつかの実装形態では、第１のパッド４０４、第２のパッド４２５、第３のパッド４２９、パッシベーション層４０６、第１の絶縁層４０８（たとえば、第１の誘電体層）、第１の再配線層４１０、第２の絶縁層４１２（たとえば、第２の誘電体層）、第２の再配線層４１４、第３の絶縁層４１６（たとえば、第３の誘電体層）、およびアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層４１８は、集積デバイス４００の再配線部分の一部である。様々な実装形態は、様々な数の再配線金属層（たとえば、１、２、またはそれよりも多い金属層）を有し得る。
【００４５】
図４は、ＵＢＭ層４１８に結合されたはんだボール４１９も示す。第１および第２の再配線層４１０および４１４は、いくつかの実装形態では、導電層（たとえば、金属層、銅層）であり得る。基板４０１は、少なくともシリコン、ガラス、セラミック、および／または誘電体のうちの１つであり得る。いくつかの実装形態では、下位金属層および誘電体層４０２の金属層は、集積デバイス４００内の１つまたは複数の回路要素（図示せず）に１つまたは複数の電気経路（たとえば、ルート、相互接続部）を提供するように構成される。
【００４６】
図４は、集積デバイス４００が環状インダクタ４２０を含むことも示す。いくつかの実装形態では、環状インダクタ４２０は、環状インダクタ４２０の巻線のセットを画定するいくつかの相互接続部を含む。図４に示すように、環状インダクタ４２０の一部分は、集積デバイス４００の表面上（たとえば、誘電体層および／または絶縁層４１６の表面上）にある。
【００４７】
図４に示すように、環状インダクタ４２０は、第１の相互接続部４２２、相互接続部の第２のセット４２４、第３の相互接続部４２６、相互接続部の第４のセット４２８、および第５の相互接続部４３０を含む。いくつかの実装形態では、相互接続部の第２のセット４２４は、トレースおよびビアのセット（たとえば、第１のビア、第１のトレース、および第２のビア）を含む。同様に、いくつかの実装形態では、相互接続部の第４のセット４２８は、トレースおよびビアのセット（たとえば、第３のビア、第２のトレース、および第４のビア）を含む。いくつかの実装形態では、第１の相互接続部４２２、相互接続部の第２のセット４２４、第３の相互接続部４２６、相互接続部の第４のセット４２８、および第５の相互接続部４３０は、環状インダクタ４２０の巻線のセットを形成するように構成される。特に、いくつかの実装形態では、第１の相互接続部４２２、相互接続部の第２のセット４２４、第３の相互接続部４２６、相互接続部の第４のセット４２８、および第５の相互接続部４３０は、環状インダクタとして動作するように構成される。環状インダクタ４２０は、第２のパッド４２５および第３のパッド４２９に結合される。環状インダクタの形状および構成の一例について図３に説明した。いくつかの実装形態では、環状インダクタのインダクタンス値を増加させるために、インダクタ（たとえば、相互接続部４２２、４２４、４２６、４２８、および４３０）の上部金属厚の厚さは、ＵＢＭ４１８よりも厚くすることができる。いくつかの実装形態では、インダクタの上部金属層に追加される厚さは、インクジェットまたはスクリーン印刷を使用することによって提供および／または追加することができる。
【００４８】
図４は、環状インダクタ４２０が集積デバイス４００の再配線層内に（たとえば、下位金属層および誘電体層４０２の外部に）位置し配置されることを示す。いくつかの実装形態では、第１の相互接続部４２２、相互接続部の第２のセット４２４のうちのいくつか、第３の相互接続部４２６、相互接続部の第４のセット４２８のうちのいくつか、および第５の相互接続部４３０は、集積デバイス４００の表面上（たとえば、誘電体層４１６の表面上）にある。いくつかの実装形態では、相互接続部の第２のセット４２４のうちのいくつか、および相互接続部の第４のセット４２８のうちのいくつかは、第１の再配線層４１０および／または第２の再配線層４１４の一部である。しかしながら、図４に示す集積デバイス４００内の環状インダクタ４２０の位置および／または配置は例にすぎず、環状インダクタ４２０は、集積デバイス４００の再配線層の様々な部分内に位置し、かつ／または配置される場合があることに留意されたい。たとえば、いくつかの実装形態では、３つ以上の再配線層（たとえば、第１の再配線層、第２の再配線層、第３の再配線層）が存在し得る。そのような事例では、環状インダクタは、再配線層のうちのいずれかの中に位置し、かつ／または配置される場合がある。その上、いくつかの実装形態では、２つ以上の環状インダクタが存在し得るか、または集積デバイス４００の再配線層内のインダクタの様々なタイプおよび／または組合せが存在し得る。
【００４９】
１つのダイを含む集積デバイス内に設けられた環状インダクタの一例について説明してきたが、ここで、異なる集積デバイス内に設けられた環状インダクタの別の例について以下に説明する。
【００５０】
［集積デバイス内の例示的な環状インダクタ］
いくつかの実装形態では、環状インダクタは、２つ以上のダイを含む集積デバイス（たとえば、半導体デバイス）内に設けられる場合がある。
【００５１】
図５は、いくつかのダイを含む集積デバイス５００を概念的に示す。図５に示すように、集積デバイス５００（たとえば、半導体デバイス、パッケージ）は、基板５０１、第１の集積デバイス５０２（たとえば、第１のダイ）、第２の集積デバイス５０４（たとえば、第２のダイ）、誘電体層５０６、再配線層の第１のセット５０８、再配線層の第２のセット５１０、再配線層の第３のセット５１２、環状インダクタ５１４、第１のアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層５１８、第２のアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層５２０、第１のはんだボール５２８、および第２のはんだボール５３０を含む。いくつかの実装形態では、誘電体層５０６、再配線層の第１のセット５０８、再配線層の第２のセット５１０、再配線層の第３のセット５１２、環状インダクタ５１４、第１のアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層５１８、および第２のアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層５２０は、集積デバイス５００の再配線部分の一部である。
【００５２】
基板５０１は、少なくともシリコン、ガラス、セラミック、および／または誘電体のうちの１つを含み得る。第１および第２の集積デバイス５０２および５０４（たとえば、第１および第２のダイ）は、基板５０１内に配置される（たとえば、組み込まれる）。いくつかの実装形態では、第１および第２の集積デバイス５０２および５０４は、基板５０１のキャビティおよび／またはトレンチ内に配置される。ダイの一例について図６にさらに説明する。
【００５３】
第１の集積デバイス５０２（たとえば、第１のダイ）は、再配線層の第１のセット５０８に結合される。再配線層の第１のセット５０８は、１つもしくは複数の相互接続部（たとえば、金属層）および／または１つもしくは複数のビアを含み得る。再配線層の第１のセット５０８も、第１のＵＢＭ層５１８に結合される。第１のＵＢＭ層５１８は、第１のはんだボール５２８に結合される。
【００５４】
第２の集積デバイス５０４（たとえば、第２のダイ）は、再配線層の第２のセット５１０に結合される。再配線層の第２のセット５１０は、１つもしくは複数の相互接続部（たとえば、金属層）および／または１つもしくは複数のビアを含み得る。再配線層の第２のセット５１０も、第２のＵＢＭ層５２０に結合される。第２のＵＢＭ層５２０も、第２のはんだボール５３０に結合される。
【００５５】
図５は、第１の集積デバイス５０２が再配線層の第３のセット５１２を介して第２の集積デバイス５０４に電気的に結合されることを示す。再配線層の第３のセット５１２は、１つもしくは複数の相互接続部（たとえば、金属層）および／または１つもしくは複数のビアを含み得る。
【００５６】
第１の再配線層５０８、第２の再配線層５１０、および第３の再配線層５１２は、誘電体層５０６内に配置される。いくつかの実装形態では、誘電体層５０６は、いくつかの誘電体層を含む。
【００５７】
上記で説明したように、集積デバイス５００は、環状インダクタ５１４を含む。いくつかの実装形態では、環状インダクタ５１４は、再配線層の第１のセット５０８に結合される。環状インダクタ５１４は、誘電体層５０６内に位置し、かつ／または配置される。環状インダクタ５１４は、環状インダクタ５１４の巻線のセットを画定するいくつかの相互接続部を含む。いくつかの実装形態では、環状インダクタ５１４は、１つまたは複数の再配線層を含む。再配線層は、１つもしくは複数の相互接続部（たとえば、金属層）および／または１つもしくは複数のビアを含み得る。再配線層は、環状インダクタ５１４の巻線のセットを画定し得る。いくつかの実装形態では、環状インダクタ５１４は、図３に示す環状インダクタ３００と同様の形状および構成を有する場合がある。環状インダクタのより具体的な例について図７にさらに説明する。
【００５８】
上述のように、再配線層の第１のセット５０８は、第１の集積デバイス５０２（たとえば、第１のダイ）に結合され、再配線層の第２のセット５１０は、第２の集積デバイス５０４（たとえば、第２のダイ）に結合される。
【００５９】
図６は、（集積デバイスの形態である）ダイ６００の一例を概念的に示す。明快のために、図６は、ダイの一般概念を示す。したがって、図６にダイのすべての構成要素を示すわけではない。いくつかの実装形態では、ダイ６００は、図５の第１の集積デバイス５０２および／または第２の集積デバイス５０４に対応し得る。図６に示すように、ダイ６００（たとえば、集積デバイス）は、基板６０１、いくつかの下位金属層および誘電体層６０２、接着層６０４（たとえば、酸化物層）、第１の相互接続部６１６（たとえば、第１のバンプ、第１のピラー相互接続部）、第２の相互接続部６１８（たとえば、第２のバンプ、第２のピラー相互接続部）、およびモールド６２０を含む。いくつかの実装形態では、ダイ６００は、パッド、パッシベーション層、第１の絶縁層、第１のアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層、および第２のアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層を含む場合もある。そのような事例では、パッドは、下位金属層および誘電体層６０２に結合され得る。パッシベーション層は、下位金属層および誘電体層６０２とモールド６２０との間に位置し得る。第１のバンプ層は、パッドおよび相互接続部（たとえば、相互接続部６１６、６１８）のうちの１つに結合され得る。
【００６０】
接着層６０４（たとえば、酸化物層）は、ダイの裏面に追加され得るオプション層である。いくつかの実装形態では、接着層６０４は、基板６０１を酸素および／または窒素に露出するプラズマ処理を使用することによって基板６０１上に設けられる。いくつかの実装形態では、接着層６０４（たとえば、酸化物層）は、ダイ６００が集積デバイスの別の構成要素と結合するのを助ける。
【００６１】
いくつかの実装形態では、ダイ６００のエッジおよび／またはコーナーは、斜めのエッジおよび／または丸いエッジを有し得る。いくつかの実装形態では、これらの斜めのエッジおよび／または丸いエッジは、基板６０１および／または接着層６０４（たとえば、酸化物層）のコーナー／エッジに配置され得る。
【００６２】
ダイは、通常、ウエハから製造され、次いで、個々のダイになるように切断される（たとえば、分離される）。様々な実装形態は、個々のダイになるようにウエハを様々に分離し得る。いくつかの実装形態では、単一のダイになるようにウエハを機械的に切断するためにレーザーと鋸との組合せが使用され得る。しかしながら、鋸は、鋸の位置を制御するのを難しくする機械的振動を受ける。その結果、ダイのサイズは、機械的な鋸が使用されるとき、１０〜２０マイクロメートル（μｍ）程度だけ変化し得る。いくつかの事例では、ウエハの厚さは、リソグラフィおよびエッチング処理（たとえば、ドライエッチング）を使用することによってウエハを個々のダイになるように切断し得るほど十分に薄い場合がある。ウエハを分離するためにそのようなリソグラフィおよびエッチング処理が使用されるとき、ダイのサイズのばらつきは、１マイクロメートル（μｍ）未満とすることができる。このことは、ダイのサイズを基板中のキャビティのサイズよりも確実に小さくすることができるので、重要である。
【００６３】
いくつかの実装形態では、１つまたは複数の再配線層（たとえば、再配線層５０８）は、第１の相互接続部６１６および／または第２の相互接続部６１８を介してダイ６００に結合される。
【００６４】
図７は、図５の環状インダクタの拡大図を概念的に示す。具体的には、図７は、誘電体層７０２内の環状インダクタ７００を示す。いくつかの実装形態では、誘電体層７０２は、いくつかの誘電体層を含む。いくつかの実装形態では、環状インダクタ７００、図５の環状インダクタ５１４に対応する。いくつかの実装形態では、環状インダクタ７００は、図８に示す環状インダクタ８００と同様の形状および構成を有する場合がある。具体的には、環状インダクタ７００は、図８の断面ＡＡを横切る環状インダクタ８００を示し得る。
【００６５】
図７に示すように、環状インダクタ７００は、第１の相互接続部７０４、第２の相互接続部７０６、第３の相互接続部７０８、第４の相互接続部７１０、第５の相互接続部７１２、相互接続部の第６のセット７２０、および相互接続部の第７のセット７３０を含む。いくつかの実装形態では、第１の相互接続部７０４、第２の相互接続部７０６、第３の相互接続部７０８、第４の相互接続部７１０、第５の相互接続部７１２、相互接続部の第６のセット７２０、および相互接続部の第７のセット７３０は、集積デバイス（たとえば、集積デバイス２００、４００、５００、９００）の１つまたは複数の再配線層の一部である。いくつかの実装形態では、第１の相互接続部７０４、第２の相互接続部７０６、第３の相互接続部７０８、第４の相互接続部７１０、第５の相互接続部７１２、相互接続部の第６のセット７２０、および相互接続部の第７のセット７３０は、環状インダクタとして動作するように構成される。いくつかの実装形態では、相互接続部７０４および７０８は、インダクタの端子を表す場合がある。
【００６６】
いくつかの実装形態では、第１、第２、および第３の相互接続部７０４、７０６、および７０８は、再配線層の第１の平面（たとえば、第１の再配線平面）上にある。第４および第５の相互接続部７１０および７１２は、再配線層の第２の平面（たとえば、第２の再配線平面）上にある。
【００６７】
図７は、相互接続部の第６のセット７２０および相互接続部の第７のセット７３０がいくつかの金属層を含むことを示す。たとえば、図７は、相互接続部の第６のセット７２０が、第１のビア７２０ａ（たとえば、第１のビア金属層）、相互接続部７２０ｂ（たとえば、トレース、金属層）、および第２のビア７２０ｃ（たとえば、第２のビア金属層）を含むことを示す。図７は、相互接続部の第７のセット７３０が、第１のビア７３０ａ（たとえば、第１のビア金属層）、相互接続部７３０ｂ（たとえば、トレース、金属層）、および第２のビア７３０ｃ（たとえば、第２のビア金属層）を含むことも示す。しかしながら、相互接続部の第６のセット７２０および相互接続部の第７のセット７３０が、様々な数のビア金属層（たとえば、１つのビア金属層、２つのビア金属層、４つのビア金属層）および／またはトレース（たとえば、金属層）を有し得ることに留意されたい。
【００６８】
図８は、第１の相互接続部８０６、第２の相互接続部８１０、第３の相互接続部８１２、第１のビア８２０、および第２のビア８３０を含む環状インダクタ８００を示す。いくつかの実装形態では、図７の相互接続部７０４、７０６、および７０８は、第１の相互接続部８０６に対応し得る。いくつかの実装形態では、相互接続部７１０は、第２の相互接続部８１０に対応し得る。いくつかの実装形態では、相互接続部７１２は、第３の相互接続部８１２に対応し得る。いくつかの実装形態では、相互接続部の第６のセット７２０は、第１のビア８２０に対応し得る。いくつかの実装形態では、相互接続部の第７のセット７３０は、第２のビア８３０に対応し得る。
【００６９】
いくつかの実装形態では、環状インダクタは、集積デバイスの誘電体層の中および／またはその上に様々に位置し、かつ／または配置される場合がある。たとえば、いくつかの実装形態では、環状インダクタの一部は、集積デバイスの誘電体層の表面上にある場合がある。
【００７０】
図９は、いくつかのダイを含む集積デバイス９００を概念的に示す。図９に示すように、集積デバイス９００（たとえば、半導体デバイス、パッケージ）は、基板９０１、第１の集積デバイス９０２（たとえば、第１のダイ）、第２の集積デバイス９０４（たとえば、第２のダイ）、誘電体層９０６、再配線層の第１のセット９０８、再配線層の第２のセット９１０、再配線層の第３のセット９１２、環状インダクタ９１４、第１のアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層９１８、第２のアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層９２０、第１のはんだボール９２８、および第２のはんだボール９３０を含む。いくつかの実装形態では、環状インダクタ９１４の一部分は、誘電体層９０６の表面上にある。いくつかの実装形態では、誘電体層９０６、再配線層の第１のセット９０８、再配線層の第２のセット９１０、再配線層の第３のセット９１２、環状インダクタ９１４、第１のアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層９１８、および第２のアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層９２０は、集積デバイス９００の再配線部分の一部である。
【００７１】
基板９０１は、少なくともシリコン、ガラス、セラミック、および／または誘電体のうちの１つを含み得る。第１および第２の集積デバイス９０２および９０４（たとえば、第１および第２のダイ）は、基板９０１内に配置される（たとえば、組み込まれる）。いくつかの実装形態では、第１および第２の集積デバイス９０２および９０４は、基板９０１のキャビティおよび／またはトレンチ内に配置される。図６にダイの一例について説明した。
【００７２】
第１の集積デバイス９０２（たとえば、第１のダイ）は、再配線層の第１のセット９０８に結合される。再配線層の第１のセット９０８は、１つもしくは複数の相互接続部（たとえば、金属層）および／または１つもしくは複数のビアを含み得る。再配線層の第１のセット９０８も、第１のＵＢＭ層９１８に結合される。第１のＵＢＭ層９１８は、第１のはんだボール９２８に結合される。
【００７３】
第２の集積デバイス９０４（たとえば、第２のダイ）は、再配線層の第２のセット９１０に結合される。再配線層の第２のセット９１０は、１つもしくは複数の相互接続部（たとえば、金属層）および／または１つもしくは複数のビアを含み得る。再配線層の第２のセット９１０も、第２のＵＢＭ層９２０に結合される。第２のＵＢＭ層９２０は、第２のはんだボール９３０に結合される。
【００７４】
図９は、第１の集積デバイス９０２が再配線層の第３のセット９１２を介して第２の集積デバイス９０４に電気的に結合されることを示す。再配線層の第３のセット９１２は、１つもしくは複数の相互接続部（たとえば、金属層）および／または１つもしくは複数のビアを含み得る。
【００７５】
第１の再配線層９０８、第２の再配線層９１０、および第３の再配線層９１２は、誘電体層９０６内に配置される。いくつかの実装形態では、誘電体層９０６は、いくつかの誘電体層を含む。
【００７６】
上記で説明したように、集積デバイス９００は、環状インダクタ９１４を含む。いくつかの実装形態では、環状インダクタ９１４の第１の部分は、誘電体層９０６の表面上にある。いくつかの実装形態では、環状インダクタ９１４の第２の部分は、誘電体層９０６内にある。
【００７７】
いくつかの実装形態では、環状インダクタ９１４は、再配線層の第１のセット９０８に結合される。環状インダクタ９１４は、誘電体層９０６内に位置し、かつ／または配置される。環状インダクタ９１４は、環状インダクタ９１４の巻線のセットを画定するいくつかの相互接続部を含む。いくつかの実装形態では、環状インダクタ９１４は、１つまたは複数の再配線層を含む。再配線層は、１つもしくは複数の相互接続部（たとえば、金属層）および／または１つもしくは複数のビアを含み得る。再配線層は、環状インダクタ９１４の巻線のセットを画定し得る。いくつかの実装形態では、環状インダクタ９１４は、図８に示す環状インダクタ８００および／または図７に示す環状インダクタ７００と同様の形状および構成を有する場合がある。
【００７８】
集積デバイスの様々な部分内に位置し、かつ／または配置されたいくつかの様々な環状インダクタについて説明してきたが、ここで、集積デバイス（たとえば、半導体デバイス）内に環状インダクタを設ける／製造するためのシーケンスについて以下に説明する。
【００７９】
［環状インダクタを含む集積デバイスを設ける／製造するための例示的なシーケンス］
いくつかの実装形態では、環状インダクタを含む集積デバイスを設けることは、いくつかのプロセスを含む。図１０Ａ〜図１０Ｃは、環状インダクタを含む集積デバイスを設けるための例示的なシーケンスを示す。いくつかの実装形態では、図１０Ａ〜図１０Ｃのシーケンスは、図２および／もしくは図４の集積デバイス、および／または本開示で説明する他の集積デバイス（たとえば、ダイ）を設ける／製造するために使用され得る。図１０Ａ〜図１０Ｃのシーケンスが、回路要素も含む集積デバイスを設ける／製造するために使用され得ることにも留意されたい。図１０Ａ〜図１０Ｃのシーケンスが、環状インダクタを含む集積デバイスを設けるためのシーケンスを簡略化および／または明確化するために１つまたは複数のステージを組み合わせ得ることにさらに留意されたい。
【００８０】
図１０Ａのステージ１に示すように、基板（たとえば、基板１００１）が設けられる。いくつかの実装形態では、基板１００１はウエハである。様々な実装形態は、基板用の様々な材料（たとえば、シリコン基板、ガラス基板、セラミック基板）を使用し得る。
【００８１】
加えて、ステージ１において、基板１００１上にいくつかの下位金属層および誘電体層（たとえば、下位金属層および誘電体層１００２）が設けられる。様々な実装形態は、様々な数の下位金属層および誘電体層（たとえば、Ｍ１金属層、Ｍ２金属層、Ｍ３金属層、Ｍ４金属層、Ｍ５金属層、Ｍ６金属層、Ｍ７金属層）を設け得る。
【００８２】
いくつかの実装形態では、回路、ルート、および／または相互接続部も設けられる。しかしながら、簡略化および明快のために、回路、ルート、および／または相互接続部は、下位金属層および誘電体層１００２には示さない。
【００８３】
その上、ステージ１において、下位金属層および誘電体層１００２上に少なくとも１つのパッド（たとえば、パッド１００４、１０２５、１０２９）が設けられる。いくつかの実装形態では、パッド１００４は、下位金属層のうちの１つ（たとえば、最上位の下位金属層、Ｍ７金属層）に結合される。いくつかの実装形態では、パッド１００４はアルミニウムパッドである。しかしながら、様々な実装形態は、パッド１００４用の様々な材料を使用し得る。様々な実装形態は、下位金属層および誘電体層１００２上にパッドを設けるために様々なプロセスを使用し得る。たとえば、いくつかの実装形態では、下位金属層および誘電体層１００２上にパッド１００４を設けるために、リソグラフィおよび／またはエッチング処理が使用され得る。
【００８４】
さらに、ステージ１において、下位金属層および誘電体層１００２上にパッシベーション層（たとえば、パッシベーション層１００６）が設けられる。様々な実装形態は、パッシベーション層１００６用の様々な材料を使用し得る。ステージ４に示すように、パッシベーション層１００６は、パッド１００４の少なくとも一部分が露出されるように、下位金属層および誘電体層１００２上に設けられる。
【００８５】
ステージ２において、パッシベーション層１００６ならびにパッド１００４、１０２５、および１０２９上に第１の絶縁層（たとえば、第１の絶縁層１００８）が設けられる。いくつかの実装形態では、第１の絶縁層１００８は誘電体層である。様々な実装形態は、第１の絶縁層１００８用の様々な材料を使用し得る。たとえば、第１の絶縁層１００８は、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）層またはポリマー層であり得る。
【００８６】
ステージ３において、第１の絶縁層１００８内にいくつかのキャビティ（たとえば、キャビティ１００９、トレンチ）が設けられる／作製される。ステージ３にさらに示すように、キャビティ１００９が、パッド１００４の上に作製される。同様に、キャビティ１０１１がパッド１０２５の上に作製され、キャビティ１０１３がパッド１０２９にわたって作製される。様々な実装形態は、キャビティ（たとえば、キャビティ１００９）を様々に作製し得る。たとえば、キャビティ１００９は、第１の絶縁層１００８をエッチングすることによって設ける／作製する場合がある。
【００８７】
図１０Ｂのステージ４において、第１の金属再配線層が設けられる。具体的には、第１の金属再配線層１０１０が、パッド１００４および第１の絶縁層１００８の上に設けられる。ステージ４に示すように、第１の金属再配線層１０１０がパッド１００４に結合される。第１の金属再配線層１０１０は、第１の金属層１０３０および第２の金属層１０３２も含む。すなわち、いくつかの実装形態では、第１の金属層１０３０および第２の金属層１０３２は、第１の金属再配線層１０１０と同じ層上にある。いくつかの実装形態では、第１および第２の金属層１０３０および１０３２はビアである。いくつかの実装形態では、第１の金属再配線層１０１０は銅層である。
【００８８】
ステージ５において、いくつかの絶縁層およびいくつかの再配線層が設けられる。具体的には、第２の絶縁層１０１４および第３の絶縁層１０１６が設けられる。その上、第２の金属再配線層１０２０が設けられる。加えて、いくつかの金属層（１０４０、１０５０、１０４２、１０５２、１０５４）が設けられる。いくつかの実装形態では、金属層は再配線層の一部である。いくつかの実装形態では、金属層のうちのいくつかはビアを含む。たとえば、いくつかの実装形態では、金属層１０４２および１０５２はビアであり、金属層１０４０および１０５０はトレースである。いくつかの実装形態では、金属層１０４０、１０４２、１０５０、１０５２、および１０５４は、環状インダクタ１０６０として動作するように構成される。
【００８９】
ステージ６において、絶縁層１０１６内にキャビティ１０１７が設けられる。絶縁層１０１６内のキャビティ１０１７は、相互接続部１０２０の一部分の上にある。
【００９０】
図１０Ｃのステージ７において、アンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層が設けられる。具体的には、アンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層１０７０が、絶縁層１０１６のキャビティ１０１７内に設けられる。いくつかの実施形態では、ＵＢＭ層１０７０は銅層である。
【００９１】
ステージ８において、ＵＢＭ層上にはんだボールが設けられる。具体的には、はんだボール１０８０がＵＢＭ層１０７０に結合される。
【００９２】
集積デバイス（たとえば、半導体デバイス）内に環状インダクタを設ける／製造するためのシーケンスについて説明してきたが、ここで、集積デバイス（たとえば、半導体デバイス）内に環状インダクタを設ける／製造するための方法について以下に説明する。
【００９３】
［環状インダクタを含む集積デバイスを設ける／製造するための例示的な方法］
図１１は、環状インダクタを含む集積デバイスを設けるための例示的な方法を示す。いくつかの実装形態では、図１１の方法は、図２および／もしくは図４の集積デバイス、ならびに／または本開示で説明する他の集積デバイス（たとえば、ダイ）を設ける／製造するために使用され得る。
【００９４】
本方法は、（１１０５において）基板（たとえば、基板１００１）を設ける。いくつかの実装形態では、（１１０５において）基板を設けることは、ウエハ（たとえば、シリコンウエハ）を設けることを含む。しかしながら、様々な実装形態は、基板用の様々な材料（たとえば、ガラス基板、シリコン基板、ガラス基板）を使用し得る。次いで、本方法は、（１１１０において）基板上に回路要素を設ける。いくつかの実装形態では、（１１１０において）回路要素を設けることを省略する場合がある。
【００９５】
次いで、本方法は、（１１１５において）下位金属層および誘電体層のうちの１つ（たとえば、Ｍ７金属層）の上に少なくとも１つのパッド（たとえば、パッド１００４）を設ける。いくつかの実装形態では、（１１１５において）パッドを設けることは、パッドを下位金属層のうちの１つ（たとえば、最上位の下位金属層、Ｍ７金属層）に結合することを含む。いくつかの実装形態では、パッドはアルミニウムパッドである。しかしながら、様々な実装形態は、パッド用の様々な材料を使用し得る。加えて、様々な実装形態は、下位金属層および誘電体層上にパッドを設けるために様々なプロセスを使用し得る。たとえば、いくつかの実装形態では、（１１１５において）下位金属層および誘電体層上にパッドを設けるために、リソグラフィおよび／またはエッチング処理が使用され得る。
【００９６】
本方法は、（１１２０において）下位金属層および誘電体層上にパッシベーション層（たとえば、パッシベーション層１００６）を設ける。
【００９７】
次いで、本方法は、（１１２５において）いくつかの金属再配線層（たとえば、金属再配線層１０１０、１０３０）および誘電体層（たとえば、第１の絶縁層、第２の絶縁層）を設ける。いくつかの実装形態では、金属再配線層のうちのいくつかは、集積デバイス（たとえば、ダイ）内の環状インダクタとして動作するように構成される。様々な実装形態は、誘電体層用の様々な材料を使用し得る。たとえば、（誘電体層の形態である）第１および第２の絶縁層は、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）層および／またはポリマー層であり得る。
【００９８】
次いで、本方法は、場合によっては、（１１３０において）アンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層を設ける。いくつかの実装形態では、（１１３０において）ＵＢＭ層を設けることは、ＵＢＭ層を金属再配線層に結合することを含む。いくつかの実装形態では、ＵＢＭ層は銅層である。本方法は、（１１３５において）ＵＢＭ層上にはんだボールをさらに設ける。
【００９９】
［環状インダクタを含む集積デバイスを設ける／製造するための例示的なシーケンス］
いくつかの実装形態では、環状インダクタを含む集積デバイス（たとえば、ダイパッケージ）を設けることは、いくつかのプロセスを含む。図１２Ａ〜図１２Ｂは、環状インダクタを含む集積デバイスを設けるための例示的なシーケンスを示す。いくつかの実装形態では、図１２Ａ〜図１２Ｂのシーケンスは、図５および／もしくは図９の集積デバイス、ならびに／または本開示で説明する他の集積デバイスを設ける／製造するために使用され得る。図１２Ａ〜図１２Ｂのシーケンスが、回路要素も含む集積デバイスを設ける／製造するために使用され得ることにも留意されたい。図１２Ａ〜図１２Ｂのシーケンスが、環状インダクタを含む集積デバイスを設けるためのシーケンスを簡略化および／または明確化するために１つまたは複数のステージを組み合わせ得ることにさらに留意されたい。
【０１００】
図１２Ａのステージ１に示すように、第１のダイ１２０６および第２のダイ１２０８を含む、基板（たとえば、基板１２０１）が設けられる。いくつかの実装形態では、基板１２０１はウエハである。様々な実装形態は、基板用の様々な材料（たとえば、シリコン基板、ガラス基板、セラミック基板）を使用し得る。いくつかの実装形態では、基板のトレンチまたはキャビティ内に、ダイが設けられる。様々な実装形態は、基板内にトレンチを様々に設け得る。いくつかの実装形態では、トレンチを設けるために、レーザーが使用され得る。いくつかの実装形態では、トレンチを設けるために、エッチング（たとえば、化学的、機械的）処理が使用され得る。いくつかの実装形態では、トレンチの外形に傾斜をつけることができる。
【０１０１】
様々な実装形態は、様々な集積デバイス（たとえば、ダイ）を使用し得る。使用され得る集積デバイス（たとえば、ダイ）の一例は、図６に図示および説明した集積デバイス６００である。
【０１０２】
ステージ２において、第１の誘電体層１２１０（たとえば、第１の絶縁層）および第１の金属再配線層が設けられる。第１の金属再配線層は、相互接続部の第１のセット１２１２、相互接続部の第２のセット１２１４、および相互接続部の第３のセット１２１６を含む。
【０１０３】
ステージ３において、第２の誘電体層１２２０（たとえば、第２の絶縁層）および第２の金属再配線層が設けられる。第２の金属再配線層は、相互接続部の第４のセット１２２２および相互接続部の第５のセット１２２６を含む。
【０１０４】
図１２Ｂのステージ４において、誘電体層の第３のセット１２３０（たとえば、第３の絶縁層）および金属再配線層の第３のセットが設けられる。誘電体層の第３のセット１２３０は、１つまたは複数の誘電体層を含み得る。金属再配線層の第３のセットは、相互接続部の第７のセット１２３２、相互接続部の第８のセット１２３４、および相互接続部の第９のセット１２３６を含む。いくつかの実装形態では、相互接続部１２３２、１２３４、および１２３６は、１つまたは複数の金属層を含み得る。いくつかの実装形態では、ステージ４は、いくつかのステージが１つに組み合わされたことを表し得る。すなわち、いくつかの実装形態では、ステージ４は、前の誘電体層および／または前の金属再配線層の上部に逐次設けられたいくつかの誘電体層および金属再配線層を表し得る。いくつかの実装形態では、相互接続部はビアを含み得る。いくつかの実装形態では、相互接続部のセット１２３４は、環状インダクタとして動作するように構成される。いくつかの実装形態では、相互接続部のセット１２３４は、環状インダクタの巻線のセットを形成する。相互接続部のセット１２３４は、環状インダクタ５１４、７００、および／または９１４と同様である場合がある。
【０１０５】
ステージ５において、少なくとも１つのアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層が設けられる。具体的には、第１のアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層１２５０および第２のアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層１２５２が設けられる。ステージ５は、誘電体層のセット１２４０を示す。いくつかの実装形態では、誘電体層のセット１２４０は、誘電体層１２１０、１２２０、および１２３０を含む。
【０１０６】
ステージ６において、ＵＢＭ層上に少なくとも１つのはんだボールが設けられる。具体的には、第１のはんだボール１２６０は第１のＵＢＭ層１２５０に結合され、第２のはんだボール１２６２は第２のＵＢＭ層１２５２に結合される。
【０１０７】
集積デバイス（たとえば、半導体デバイス）内に環状インダクタを設ける／製造するためのシーケンスについて説明してきたが、ここで、集積デバイス（たとえば、半導体デバイス）内に環状インダクタを設ける／製造するための方法について以下に説明する。
【０１０８】
［環状インダクタを含む集積デバイスを設ける／製造するための例示的な方法］
図１３は、環状インダクタを含む集積デバイス（たとえば、ダイパッケージ）を設けるための例示的な方法を示す。いくつかの実装形態では、図１３の方法は、図５および／もしくは図８の集積デバイス、ならびに／または本開示で説明する他の集積デバイス（たとえば、ダイパッケージ）を設ける／製造するために使用され得る。
【０１０９】
本方法は、（１３０５において）基板（たとえば、基板１２０１）を設ける。いくつかの実装形態では、（１３０５において）基板を設けることは、ウェハ（たとえば、シリコンウェハ）を設けることを含む。しかしながら、様々な実装形態は、基板用の様々な材料（たとえば、ガラス基板、シリコン基板、ガラス基板）を使用し得る。いくつかの実装形態では、基板を設けることは、基板内に１つまたは複数のトレンチを設けること（たとえば、製造すること）を含む場合もある。いくつかの実装形態では、（１３０５において）設けられる基板は、１つまたは複数のトレンチを含む。
【０１１０】
次いで、本方法は、（１３１０において）基板内または／および基板上に少なくとも１つの集積デバイス（たとえば、ダイ）を設ける。いくつかの実装形態では、基板のトレンチ内に集積デバイス（たとえば、ダイ）が設けられ得る。
【０１１１】
本方法は、（１３１５において）少なくとも１つの誘電体層（たとえば、誘電体層１２１０、１２２０、１２３０、１２４０）をさらに設ける。様々な実装形態は、誘電体層用の様々な材料を使用し得る。たとえば、（誘電体層の形態である）第１および第２の絶縁層は、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）層および／またはポリマー層であり得る。
【０１１２】
本方法は、（１３２０において）いくつかの金属再配線層も設ける。いくつかの実装形態では、再配線層のうちの少なくともいくつかは、環状インダクタとして動作するように構成される。
【０１１３】
いくつかの実装形態では、（１３１５において）少なくとも１つの誘電体層を設け、（１３２０において）金属再配線層を設ける方法が、行きつ戻りつしながら逐次実行され得ることに留意されたい。すなわち、いくつかの実装形態では、本方法は、第１の誘電体層、第１の再配線層、第２の誘電体層、第２の再配線層などを設け得る。
【０１１４】
次いで、本方法は、場合によっては、（１３２５において）アンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層を設ける。いくつかの実装形態では、（１３２５において）ＵＢＭ層を設けることは、ＵＢＭ層を金属再配線層に結合することを含む。いくつかの実施形態では、ＵＢＭ層は銅層である。その方法はさらに、（１３３０において）ＵＢＭ層上にはんだボールを設ける。
【０１１５】
［例示的な電子デバイス］
図１４は、上述した半導体デバイス、集積回路、ダイ、インターポーザ、またはパッケージのうちのいずれかと一体化され得る様々な電子デバイスを示す。たとえば、モバイルフォン１４０２、ラップトップコンピュータ１４０４、および固定位置端末１４０６が、本明細書で説明した集積回路（ＩＣ，ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）１４００を含み得る。ＩＣ１４００は、たとえば、本明細書で説明する集積回路、ダイ、またはパッケージのいずれかであってもよい。図１４に示すデバイス１４０２、１４０４、１４０６は例にすぎない。限定はしないが、モバイルデバイス、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ，ｐｅｒｓｏｎａｌ  ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ  ｓｙｓｔｅｍ）ユニット、携帯情報端末などのポータブルデータユニット、ＧＰＳ対応デバイス、ナビゲーションデバイス、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、メータ読取り機器などの固定位置データユニット、通信デバイス、スマートフォン、タブレットコンピュータ、またはデータもしくはコンピュータ命令の記憶もしくは取り出しを行う任意の他のデバイス、またはそれらの任意の組合せを含む他の電子デバイスが、ＩＣ１４００を採用することもできる。
【０１１６】
図２、図３、図４、図５、図６、図７、図８、図９、図１０Ａ〜図１０Ｃ、図１１、図１２Ａ〜図１２Ｂ、図１３、および／または図１４に示した構成要素、ステップ、特徴、および／または機能のうちの１つまたは複数は、単一の構成要素、ステップ、特徴または機能に再構成され、かつ／または組み合わされ、あるいは、いくつかの構成要素、ステップ、または機能で具現化され得る。本発明から逸脱することなく、追加の要素、構成要素、ステップ、および／または機能を追加することもできる。本開示における図２、図３、図４、図５、図６、図７、図８、図９、図１０Ａ〜図１０Ｃ、図１１、図１２Ａ〜図１２Ｂ、図１３、および／または図１４と、その対応する説明とは、ダイおよび／またはＩＣに限定されないことにも留意されたい。いくつかの実装形態では、図２、図３、図４、図５、図６、図７、図８、図９、図１０Ａ〜図１０Ｃ、図１１、図１２Ａ〜図１２Ｂ、図１３、および／または図１４と、その対応する説明とは、集積デバイスを製造し、作製し、設け、かつ／または生産するために使用され得る。いくつかの実装形態では、集積デバイスは、ダイ、ダイパッケージ、集積回路（ＩＣ）、ウエハ、半導体デバイス、および／またはインターポーザを含み得る。
【０１１７】
「例示的」という言葉は、「例、事例、または例示として役立つ」ことを意味するように本明細書において使用される。「例示的な」として本明細書において説明するいかなる実装形態または態様も、必ずしも本開示の他の態様よりも好ましいか、または有利であると解釈されるべきではない。同様に、「態様」という用語は、本開示のすべての態様が、論じられる特徴、利点、または動作モードを含むことを必要としない。「結合された」という用語は、本明細書において、２つの物体間の直接的または間接的な結合を指すために使用される。たとえば、物体Ａが物体Ｂに物理的に接触し、物体Ｂが物体Ｃに接触する場合、物体Ａと物体Ｃとは、互いに物理的に直接接触していなくても、それでも互いに結合するものと見なされてもよい。
【０１１８】
また、実施形態については、フローチャート、流れ図、構造図、またはブロック図として示されるプロセスとして説明する場合があることに留意されたい。フローチャートでは動作を逐次プロセスとして説明する場合があるが、動作の多くは、並列に実行するかまたは同時に実行することができる。さらに、動作の順序は入れ替えられてもよい。プロセスは、その動作が完了したとき、終了する。
【０１１９】
本明細書で説明する本発明の様々な特徴は、本発明から逸脱することなく、様々なシステムにおいて実施することができる。本開示の前述の態様は、単に例であり、本発明を限定するものとして解釈されるべきではないことに留意されたい。本開示の態様の説明は、例示であることを意図しており、特許請求の範囲を限定することを意図していない。したがって、本教示は、他のタイプの装置に容易に適用することができ、数多くの代替、修正、および変形が、当業者には明らかになるであろう。
【符号の説明】
【０１２０】
１００  ウエハ
１０１  基板
１０２  下位金属層および誘電体層
１０４  パッド
１０６  パッシベーション層
１０８  第１の絶縁層
１１０  第１の金属層
１１２  第２の絶縁層
１１４  アンダーバンプメタライゼーション層、ＵＢＭ層
１１６  はんだボール
２００  集積デバイス
２０１  基板
２０２  下位金属層および誘電体層
２０４  第１のパッド
２０６  パッシベーション層
２０８  第１の絶縁層
２１０  第１の再配線層
２１２  第２の絶縁層
２１４  第２の再配線層
２１６  第３の絶縁層
２１８  アンダーバンプメタライゼーション層、ＵＢＭ層
２１９  はんだボール
２２０  環状インダクタ
２２２  第１の相互接続部
２２４  相互接続部の第２のセット
２２５  第２のパッド
２２６  第３の相互接続部
２２８  相互接続部の第４のセット
２２９  第３のパッド
２３０  第５の相互接続部
３００  環状インダクタ
３０２（３０２ａ〜３０２ｌ）  相互接続部の第１のセット
３０４  ビアのセット
３０６（３０６ａ〜３０６ｌ）  相互接続部の第２のセット
４００  集積デバイス
４０１  基板
４０２  下位金属層および誘電体層
４０４  第１のパッド
４０６  パッシベーション層
４０８  第１の絶縁層
４１０  第１の再配線層
４１２  第２の絶縁層
４１４  第２の再配線層
４１６  第３の絶縁層、誘電体層、絶縁層
４１８  アンダーバンプメタライゼーション層、ＵＢＭ層
４１９  はんだボール
４２０  環状インダクタ
４２２  第１の相互接続部
４２４  相互接続部の第２のセット
４２６  第３の相互接続部
４２８  相互接続部の第４のセット
４２９  第３のパッド
４３０  第５の相互接続部
５００  集積デバイス
５０１  基板
５０２  第１の集積デバイス
５０４  第２の集積デバイス
５０６  誘電体層
５０８  再配線層の第１のセット
５１０  再配線層の第２のセット
５１４  環状インダクタ
５１８  第１のアンダーバンプメタライゼーション層、第１のＵＢＭ層
５２０  第２のアンダーバンプメタライゼーション層、第２のＵＢＭ層
５２８  第１のはんだボール
５３０  第２のはんだボール
６００  ダイ
６０１  基板
６０２  下位金属層および誘電体層
６０４  接着層
６１６  第１の相互接続部
６１８  第２の相互接続部
６２０  モールド
７００  環状インダクタ
７０２  誘電体層
７０４  第１の相互接続部
７０６  第２の相互接続部
７０８  第３の相互接続部
７１０  第４の相互接続部
７１２  第５の相互接続部
７２０（７２０ａ、７２０ｂ、７２０ｃ）  相互接続部の第６のセット
７３０（７３０ａ、７３０ｂ、７３０ｃ）  相互接続部の第７のセット
８００  環状インダクタ
８０６  第１の相互接続部
８１０  第２の相互接続部
８１２  第３の相互接続部
８２０  第１のビア
８３０  第２のビア
９００  集積デバイス
９０１  基板
９０２  第１の集積デバイス
９０４  第２の集積デバイス
９０６  誘電体層
９０８  再配線層の第１のセット
９１０  再配線層の第２のセット
９１４  環状インダクタ
９１８  第１のアンダーバンプメタライゼーション層、第１のＵＢＭ層
９２０  第２のアンダーバンプメタライゼーション層、第２のＵＢＭ層
９２８  第１のはんだボール
９３０  第２のはんだボール
１００１  基板
１００２  下位金属層および誘電体層
１００４  パッド
１００６  パッシベーション層
１００８  第１の絶縁層
１００９  キャビティ
１０１０  第１の金属再配線層
１０１１  キャビティ
１０１３  キャビティ
１０１４  第２の絶縁層
１０１６  第３の絶縁層
１０１７  キャビティ
１０２０  第２の金属再配線層
１０２５  パッド
１０２９  パッド
１０３０  第１の金属層
１０３２  第２の金属層
１０４０  金属層
１０４２  金属層
１０５０  金属層
１０５２  金属層
１０５４  金属層
１０６０  環状インダクタ
１０７０  アンダーバンプメタライゼーション層、ＵＢＭ層
１０８０  はんだボール
１２０１  基板
１２０６  第１のダイ
１２０８  第２のダイ
１２１０  第１の誘電体層
１２１２  相互接続部の第１のセット
１２１４  相互接続部の第２のセット
１２１６  相互接続部の第３のセット
１２２０  第２の誘電体層
１２２２  相互接続部の第４のセット
１２２６  相互接続部の第５のセット
１２３０  誘電体層の第３のセット
１２３２  相互接続部の第７のセット
１２３４  相互接続部の第８のセット
１２３６  相互接続部の第９のセット
１２４０  誘電体層のセット
１２５０  第１のアンダーバンプメタライゼーション層、第１のＵＢＭ層
１２５２  第２のアンダーバンプメタライゼーション層、第２のＵＢＭ層
１２６０  第１のはんだボール
１２６２  第２のはんだボール
１４００  集積回路、ＩＣ
１４０２  モバイルフォン
１４０４  ラップトップコンピュータ
１４０６  固定位置端末
【図１】
2017504212.tif 000003
【図２】
2017504212.tif 000004
【図３】
2017504212.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３】
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【図１４】
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【手続補正書】
【提出日】平成28年7月12日(2016.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に結合された複数の金属層と、
前記基板に結合された複数の誘電体層と、
前記金属層のうちの１つに結合された再配線部分と
を備える集積デバイスであって、前記再配線部分が、
第１の金属再配線層と、
前記第１の金属再配線層に結合された第２の金属再配線層であって、前記第１の金属再配線層および前記第２の金属再配線層が前記集積デバイス内の環状インダクタとして動作するように構成される、第２の金属再配線層と
を含む、集積デバイス。
【請求項２】
前記再配線部分が、前記第１の金属再配線層および前記第２の金属再配線層に結合された第３の金属再配線層を含み、前記第３の金属再配線層はビアである、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項３】
前記第１の金属再配線層、前記第２の金属再配線層、および前記第３の金属再配線層が、前記集積デバイス内の環状インダクタとして動作するように構成される、請求項２に記載の集積デバイス。
【請求項４】
前記第１の金属再配線層、前記第２の金属再配線層、および前記第３の金属再配線層が、前記環状インダクタの巻線のセットを形成する、請求項２に記載の集積デバイス。
【請求項５】
前記再配線部分が、第１の誘電体層および第２の誘電体層をさらに含む、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項６】
前記第２の金属再配線層が、前記集積デバイスの表面上にある、請求項５に記載の集積デバイス。
【請求項７】
前記基板に結合された第１のダイをさらに含む、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項８】
前記再配線部分が、前記第１のダイおよび前記基板に結合される、請求項７に記載の集積デバイス。
【請求項９】
前記集積デバイスが、少なくともダイおよび／またはダイパッケージのうちの１つである、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項１０】
前記集積デバイスが、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイルフォン、スマートフォン、携帯情報端末、固定位置端末、タブレットコンピュータ、および／またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも１つに組み込まれる、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項１１】
基板と、
前記基板に結合された複数の金属層と、
前記基板に結合された複数の誘電体層と、
前記金属層のうちの１つに結合された再配線部分と
を備える装置であって、前記再配線部分が、
第１の相互接続手段と、
前記第１の相互接続手段に結合された第２の相互接続手段であって、前記第１の相互接続手段および前記第２の相互接続手段が、前記装置内の環状インダクタとして動作するように構成される、第２の相互接続手段と
を含む、装置。
【請求項１２】
前記再配線部分が、前記第１の相互接続手段および前記第２の相互接続手段に結合された第３の相互接続手段をさらに含み、前記第３の相互接続手段はビアである、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記第１の相互接続手段、前記第２の相互接続手段、および前記第３の相互接続手段が、前記装置内の環状インダクタとして動作するように構成される、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記第１の相互接続手段、前記第２の相互接続手段、および前記第３の相互接続手段が、前記環状インダクタの巻線のセットを形成する、請求項１２に記載の装置。
【請求項１５】
前記再配線部分が、第１の誘電体層および第２の誘電体層をさらに含む、請求項１１に記載の装置。
【請求項１６】
前記第２の相互接続手段が、前記装置の表面上にある、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記基板に結合された第１のダイをさらに含む、請求項１１に記載の装置。
【請求項１８】
前記再配線部分が、前記第１のダイおよび前記基板に結合される、請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記装置が、少なくとも集積デバイス、ダイ、および／またはダイパッケージのうちの１つである、請求項１１に記載の装置。
【請求項２０】
音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイルフォン、スマートフォン、携帯情報端末、固定位置端末、タブレットコンピュータ、および／またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも１つに組み込まれる、請求項１１に記載の装置。
【国際調査報告】
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