(57)【要約】  トレンチのないエミッタ領域を有する太陽電池を製造する方法が記載されている。一例では、太陽電池は基板を含んでいる。誘電体薄層が、基板裏面の一部の上に配置されている。第１多結晶シリコンエミッタ領域が、誘電体薄層の第１部分の上に配置され、第１導電型の不純物がドープされている。第２多結晶シリコンエミッタ領域が、誘電体薄層の第１部分の上に配置された第１多結晶シリコンエミッタ領域に隣接する、誘電体薄層の第２部分の上に配置されている。第２多結晶シリコンエミッタ領域は、逆の第２導電型の不純物がドープされている。第１導電型の不純物の総濃度は、第２導電型の不純物の総濃度より少なくとも１桁大きい。
2017511593.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池であって、
受光面と裏面とを有する基板と、
前記基板の前記裏面の一部の上に配置された誘電体薄層と、
前記誘電体薄層の第１部分の上に配置され、第１導電型の不純物がドープされた、第１多結晶シリコンエミッタ領域と、
前記誘電体薄層の前記第１部分の上に配置された前記第１多結晶シリコンエミッタ領域に隣接する、前記誘電体薄層の第２部分の上に配置され、逆の第２導電型の不純物がドープされた第２多結晶シリコンエミッタ領域と、
を備え、前記第１多結晶シリコンエミッタ領域における前記第１導電型の前記不純物の総濃度は、前記第２多結晶シリコンエミッタ領域における前記第２導電型の前記不純物の総濃度より少なくとも１桁大きい、太陽電池。
【請求項２】
前記第１多結晶シリコンエミッタ領域と前記第２多結晶シリコンエミッタ領域との間のＰ／Ｎ接合を更に備える、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
前記第１多結晶シリコンエミッタ領域における前記第１導電型の前記不純物はＮ型不純物であり、前記第２多結晶シリコンエミッタ領域における前記第２導電型の前記不純物はＰ型不純物である、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項４】
前記Ｎ型不純物はリンであり、前記第１多結晶シリコンエミッタ領域における前記第１導電型の前記不純物の前記総濃度は、約１Ｅ２０原子／ｃｍ３であり、前記Ｐ型不純物はホウ素であり、前記第２多結晶シリコンエミッタ領域における前記第２導電型の前記不純物の前記総濃度は約１Ｅ１８原子／ｃｍ３である、請求項３に記載の太陽電池。
【請求項５】
前記第１多結晶シリコンエミッタ領域は、前記第２導電型の前記不純物を更に含む、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項６】
前記第１多結晶シリコンエミッタ領域における前記第１導電型の前記不純物の前記総濃度は、前記第２多結晶シリコンエミッタ領域及び前記第１多結晶シリコンエミッタ領域における前記第２導電型の前記不純物の前記総濃度より約２桁大きい、請求項５に記載の太陽電池。
【請求項７】
前記第１多結晶シリコンエミッタ領域に電気的に接続された第１導電コンタクト構造体と、
前記第２多結晶シリコンエミッタ領域に電気的に接続された第２導電コンタクト構造体と、
を更に備える、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項８】
太陽電池を製造する方法であって、
基板の裏面の一部の上に誘電体薄層を形成する工程であって、前記基板は、前記裏面の反対側に受光面を有する、工程と、
前記誘電体薄層の第１部分の上に、第１導電型の不純物がドープされた第１多結晶シリコンエミッタ領域を形成する工程と、
前記第１多結晶シリコンエミッタ領域に隣接した、前記誘電体薄層の第２部分の上に第２多結晶シリコンエミッタ領域を形成する工程と、
を備え、前記第２多結晶シリコンエミッタ領域は、逆の第２導電型の不純物がドープされており、前記第１多結晶シリコンエミッタ領域における前記第１導電型の前記不純物の総濃度は、前記第２多結晶シリコンエミッタ領域における前記第２導電型の前記不純物の総濃度より少なくとも１桁大きい、太陽電池を製造する方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法により製造された太陽電池。
【請求項１０】
太陽電池の交互のＮ型及びＰ型のエミッタ領域の製造方法であって、
その場での（in situ）堆積処理によって、基板の一部の上方に、ホウ素含有シリコン層を形成する工程と、
前記ホウ素含有シリコン層の中のリン注入領域を設けるために、前記ホウ素含有シリコン層の第２領域ではない第１領域に、リンイオンを注入する工程と、
前記第１領域にＮ型多結晶シリコンエミッタを設け、前記第２領域にＰ型多結晶シリコンエミッタを設けるべく、加熱する工程と、
複数の導電コンタクト構造体を形成する工程と、
を備え、前記Ｎ型多結晶シリコンエミッタ及び前記Ｐ型多結晶シリコンエミッタの各々は、前記複数の導電コンタクト構造体のうちの１つに電気的に接続される、方法。
【請求項１１】
前記ホウ素含有シリコン層を形成する工程は、ホウ素含有非晶質シリコン層を形成する工程を含み、前記加熱する工程は、前記ホウ素含有非晶質シリコン層を結晶化する工程を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記ホウ素含有シリコン層を形成する工程は、ホウ素ドープ多結晶シリコン層を形成する工程を含み、前記加熱する工程は、前記リン注入領域の前記リンイオンを活性化させてリンドープ領域を形成する工程を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記ホウ素ドープ多結晶シリコン層を形成する工程は、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）処理を用いる工程を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ホウ素含有シリコン層にリンイオンを注入する工程は、シャドウマスクを介して注入する工程を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記シャドウマスクを介して注入する工程は、前記ホウ素含有シリコン層に近接しているが、前記ホウ素含有シリコン層から離れて配置されているグラファイトシャドウマスクを介して注入する工程を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記シャドウマスクを介して注入する工程は、前記ホウ素含有シリコン層の上に接して配置されているシリコンシャドウマスクを介して注入する工程を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記加熱する工程は、前記Ｎ型多結晶シリコンエミッタ及び前記Ｐ型多結晶シリコンエミッタのうち隣り合うもの同士間のＰ／Ｎ接合を形成する工程を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１８】
前記加熱する工程は、前記Ｐ型多結晶シリコンエミッタの総ホウ素ドーパント濃度より少なくとも１桁大きい総リンドーパント濃度から成る前記Ｎ型多結晶シリコンエミッタを提供する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１９】
前記ホウ素含有シリコン層を形成する工程は、前記基板上に形成された酸化物薄層の一部の上に形成する工程を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項２０】
請求項１０に記載の方法により製造された太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、再生可能エネルギーの分野に含まれ、特に、トレンチのないエミッタ領域を有する太陽電池を製造する方法、及びその結果得られる太陽電池である。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池として一般的に知られている光起電力電池は、太陽放射を電気エネルギーに直接変換するための周知のデバイスである。概して、太陽電池は、半導体処理技術を用いて、半導体ウェハ又は基板上に製造され、基板の表面近くにｐｎ接合が形成される。太陽放射が基板の表面に衝突し、基板の中に入ると、基板のバルク内に電子及び正孔の対が生成される。電子及び正孔の対は、基板内のｐドープ領域及びｎドープ領域に移動し、これによって、ドープ領域の間に電圧差が生じる。ドープ領域が、太陽電池上の導電性領域に接続され、電池からそれと連結された外部回路へ電流を方向付ける。
【０００３】
効率は、太陽電池が電力を生成する性能に直接関連するので、太陽電池の重要な特性である。同様に、太陽電池を生産する上での効率は、かかる太陽電池の費用効果に直接関係する。したがって、太陽電池の効率を向上させるための技術、又は太陽電池の製造効率を向上させるための技術が、概して望まれるところである。本開示のいくつかの実施形態により、太陽電池構造体を製造するための新規なプロセスを提供することによって、太陽電池の製造効率の向上が可能となる。本開示のいくつかの実施形態により、新規な太陽電池構造体を提供することによって、太陽電池の効率向上が可能となる。
【０００４】
図１Ａ〜図１Ｅは、本開示の実施形態に係る太陽電池の製造における様々な段階の断面図を例示する。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
【図１Ａ】太陽電池の基板の裏面の一部に形成された誘電体薄層を例示する図である。
【０００６】
【図１Ｂ】その上に形成されたホウ素含有シリコン層を有する図１Ａの構造を例示する図である。
【０００７】
【図１Ｃ】リンイオンが注入されたホウ素含有シリコン層の第１領域を有する（第２領域ではなく）図１Ｂの構造を例示する図である。
【０００８】
【図１Ｄ】加熱されてＮ型多結晶シリコンエミッタとＰ型多結晶シリコンエミッタとを提供する、図１Ｃの構造を例示する図である。
【０００９】
【図１Ｅ】Ｎ型多結晶シリコンエミッタおよびＰ型多結晶シリコンエミッタの複数の導電コンタクト構造体を形成した後の図１Ｄの構造を例示する図である。
【００１０】
【図２】本開示の実施形態に係る、図１Ａ〜図１Ｅに対応する太陽電池を製造する方法における動作を列挙するフローチャートである。
【００１１】
【図３Ａ】本開示の一実施形態に係る、移動するウェハ及び固定されたシャドウマスクを含む、パターン注入用インラインプラットフォームの断面図を概略的に例示する図である。
【００１２】
【図３Ｂ】本開示の一実施形態に係る、図３Ａの装置内における、グラファイト近接マスクを介した注入シーケンスを例示する図である。
【００１３】
【図４】本開示の実施形態に係る、太陽電池を製造する別の方法の動作を列挙するフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下の発明を実施するための形態は、本質的には、単なる実例にすぎず、本主題の実施形態、あるいはかかる実施形態の応用及び用途を限定することを意図するものではない。本明細書で使用する場合、「例示的」という語は、「実施例、実例、又は例示としての役割を果たすこと」を意味する。本明細書に例示的として説明した実施は、必ずしも、他の実施よりも好ましい、又は有利であると解釈すべきではない。更には、上述の技術分野、背景技術、概要、若しくは以下の発明を実施するための形態で提示される明示又は示唆されるいずれの理論によっても、拘束されることを意図するものではない。
【００１５】
本明細書は、「一実施形態」又は「ある実施形態」に対する参照を含む。「一実施形態では」又は「ある実施形態では」という語句の出現は、必ずしも、同じ実施形態を指すものではない。特定の特徴、構造、又は特性を、本開示と矛盾しない任意の好適な態様で組み合わせることができる。
【００１６】
用語。以下のパラグラフは、本開示（添付の請求項を含む）で見出される用語に関する、定義及び／又はコンテキストを提供する。
【００１７】
「備える」：この用語は、オープンエンド型である。添付の特許請求の範囲で使用される場合、この用語は、更なる構造又は工程を排除しない。
【００１８】
「〜ように構成された」：様々なユニット又は構成要素は、タスクを実行する「ように構成された」として、記載又は特許請求される場合がある。かかるコンテキストでは、「〜ように構成された」は、それらのユニット／構成要素が、動作中にそれらのタスクを実行する構造を含むことを示すことによって、その構造を含意するために使用される。したがって、それらのユニット／構成要素は、指定されたユニット／構成要素が現時点で動作していない（例えば、オン／アクティブではない）場合であっても、そのタスクを実行するように構成されていると言うことができる。ユニット／回路／構成要素が、１又は複数のタスクを実行する「ように構成された」と記載することは、そのユニット／構成要素に関して、米国特許法第１１２条第６項が適用されないことを、明示的に意図するものである。
【００１９】
「第１の」、「第２の」など： 本明細書で使用する場合、これらの用語は、その後に来る名詞に関する指標として使用されるものであり、いずれの種類の（例えば、空間的、時間的、論理的などの）順序付けも暗示するものではない。例えば、「第１の」太陽電池への言及は、この太陽電池がシーケンス中の最初の太陽電池であることを必ずしも意味するものではなく、その代わりに、用語「第１の」は、この太陽電池を別の太陽電池（例えば、「第２の」太陽電池）から区別するために使用される。
【００２０】
「連結された」：次の説明は、共に「連結された」素子又はノード又は特徴について言及する。本明細書で使用する場合、明示的に別段の定めがある場合を除き、「連結された」は、ある素子／ノード／特徴が、別の素子／ノード／特徴に直接的又は非直接的に連結される（又は直接的若しくは非直接的にこれらと通信する）ことを意味し、これらは必ずしも機械的に連結されるわけではない。
【００２１】
更に、特定の用語は、参照のためだけに以下の説明に用いることがあり、したがって、限定的であることを意図するものではない。例えば、「上側」、「下側」、「上方」、及び「下方」などの用語は、参照している図における方向を言う。「前方」、「裏側」、「後方」、「側方」、「外側」、及び「内側」などの用語は、説明中の構成要素について記述する本文及び関連図面の参照によって明らかにされる、一貫性はあるが任意の基準系内において、構成要素の一部分の向き及び／又は位置を記述するものである。かかる用語は、具体的に上述された語、それらの派生語、及び類似の意味の語を含み得る。
【００２２】
トレンチのないエミッタ領域を有する太陽電池を製造する方法、及びその結果得られる太陽電池が本明細書に記載されている。以下の説明では、本開示の実施形態の完全な理解を提供するために、特定のプロセスフロー動作などの多数の具体的詳細が記載されている。これらの具体的な詳細がなくても、本開示の実施形態を実施できることは、当業者には明らかであろう。他の実例では、本開示の実施形態を不必要に不明瞭にしないために、リソグラフィ及びパターニング技術などの、周知の製造技術は詳細に記載していない。更に、図に示された様々な実施形態は、例示的な表示であって、必ずしも縮尺通りに描写されたものではないことを理解されたい。
【００２３】
太陽電池を製造する方法が本明細書において開示されている。ある実施形態では、太陽電池を製造する方法は、基板裏面の一部の上に誘電体薄層を形成する工程を備え、この基板は、裏面の反対側に受光面を有する。この方法はまた、誘電体薄層の第１部分の上に、第１導電型の不純物がドープされた第１多結晶シリコンエミッタ領域を形成する工程を備える。この方法はまた、第１多結晶シリコンエミッタ領域に隣接した、誘電体薄層の第２部分に第２多結晶シリコンエミッタ領域を形成する工程を備え、第２多結晶シリコンエミッタ領域は、逆の第２導電型の不純物がドープされている。第１多結晶シリコンエミッタ領域における第１導電型の不純物の総濃度は、第２多結晶シリコンエミッタ領域における第２導電型の不純物の総濃度より少なくとも１桁大きい。
【００２４】
別の実施形態では、太陽電池の交互のＮ型及びＰ型のエミッタ領域の製造方法は、基板の一部の上方に、その場での（in situ）堆積プロセスによって、ホウ素含有シリコン層を形成することを含む。この方法はまた、ホウ素含有シリコン層のリン注入領域を設けるために、ホウ素含有シリコン層の第２領域ではない第１領域に、リンイオンを注入することを含む。この方法はまた、第１領域にＮ型多結晶シリコンエミッタを設け、第２領域にＰ型多結晶シリコンエミッタを設けるべく、加熱することを含む。この方法はまた、複数の導電コンタクト構造体を形成することを含み、Ｎ型多結晶シリコンエミッタ及びＰ型多結晶シリコンエミッタの各々は、複数の導電コンタクト構造体のうちの１つに電気的に接続される。
【００２５】
太陽電池もまた、本明細書に開示されている。ある実施形態では、太陽電池は、受光面と裏面とを有する基板を備える。誘電体薄層が、基板の裏面の一部の上に配置されている。第１多結晶シリコンエミッタ領域は、誘電体薄層の第１部分の上に配置され、第１導電型の不純物がドープされている。第２多結晶シリコンエミッタ領域は、誘電体薄層の第１部分の上に配置された第１多結晶シリコンエミッタ領域に隣接する、誘電体薄層の第２部分の上に配置されている。第２多結晶シリコンエミッタ領域は、逆の第２導電型の不純物がドープされている。第１多結晶シリコンエミッタ領域における第１導電型の不純物の総濃度は、第２多結晶シリコンエミッタ領域における第２導電型の不純物の総濃度より少なくとも１桁大きい。
【００２６】
本明細書に記載の１又は複数の実施形態は、太陽電池の基板の上方に形成されたエミッタ領域を有する太陽電池、特に、エミッタ領域のトレンチのない構成を有するような太陽電池を対象とする。参照として、バックコンタクト型太陽電池の裏面上の多結晶シリコン層に形成されたエミッタ領域を有する最先端の太陽電池は、多くの場合、Ｎ型及びＰ型のエミッタ領域を分離するギャップを有する。更に、ギャップは、下にある基板内に延在するトレンチを形成するように延びることが多い。したがって、かかる太陽電池は、トレンチコンタクト型太陽電池と呼ぶことができる。一方、本明細書に記載の１又は複数の実施形態は、イオン注入法を用いて、単純化された方法で、トレンチのない構成を提供する太陽電池のプロセスフローを対象としている。
【００２７】
本開示の全般的な実施形態によれば、トレンチのないバックコンタクト型太陽電池における空間電荷再結合を除去するためには、Ｐ型多結晶シリコンの「フィンガ（finger）」における低濃度のホウ素ドーピングが必須であり得るという発見に基づいて、処理が説明される。ある実施形態では、各Ｎ型多結晶シリコンのドーピング濃度を低下させる必要がないかもしれないので、低レベルのホウ素ドープ領域が、Ｐ型及びＮ型の両方のフィンガに形成され、Ｐ型フィンガを約１ｅ１９ｃｍ−３のホウ素濃度に設定する。一方、Ｎ型領域において、低レベルのホウ素ドーピングを、リンを用いて、約１ｅ２０ｃｍ−３の濃度にカウンタドープすることにより、Ｎ型フィンガが得られる。図１Ａ〜図１Ｅに関連して以下に説明するように、一実施例では、最初に、プラズマ生成されたＰ＋ドープシリコン層を形成し、続いて、シャドウマスクされたリンの注入によって、Ｐ＋ドープシリコン層の領域を、Ｎ型フィンガ又はドットに変換することができる。ドーパントを活性化し、エミッタ領域を結晶化させ、場合によっては、太陽電池の前面を不動態化するために、同様に熱処理が実行されてもよい。
【００２８】
例示的な実施形態によれば、太陽電池の交互のＮ型及びＰ型のエミッタ領域の製造を含む太陽電池を製造する方法が開示されている。図１Ａ〜図１Ｅは、本開示のある実施形態に係る、太陽電池の製造における様々な段階の断面図を例示している。図２は、本開示のある実施形態に係る、図１Ａ〜図１Ｅに対応する太陽電池を製造する方法における動作を列挙するフローチャート２００である。
【００２９】
図１Ａ及びフローチャート２００の対応する動作２０２を参照すると、誘電体薄層１０２が、太陽電池の基板１００の裏面の一部上に形成される。
【００３０】
ある実施形態では、基板１００は、バルクである単一の結晶Ｎ型ドープシリコン基板（ｂｕｌｋ  ｓｉｎｇｌｅ  ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｎ−ｔｙｐｅ  ｄｏｐｅｄ  ｓｉｌｉｃｏｎ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）などの、単結晶シリコン基板である。しかし、基板１００は、グローバル太陽電池基板上に配置された、多結晶シリコン層などの層であってもよいことを理解されたい。ある実施形態では、誘電体薄層１０２は、厚さが約２ナノメートル以下のトンネル酸化シリコン層である。
【００３１】
図１Ｂ及びフローチャート２００の対応する動作２０４を参照すると、ホウ素含有シリコン層１０４が、誘電体薄層１０２上に形成される。
【００３２】
ある実施形態では、ホウ素含有シリコン層１０４は、シリコン層を形成する際にホウ素不純物がシリコン層の中に含浸されるその場での（in situ）堆積処理によって、基板の一部の上方にホウ素含有シリコン層を形成する。１つのかかる実施形態では、ホウ素含有シリコン層１０４を形成する工程は、ホウ素含有非晶質シリコン層を形成する工程を含む。別のかかる実施形態では、ホウ素含有シリコン層１０４を形成する工程は、ホウ素ドープ多結晶シリコン層を形成する工程を含む。前者の実施形態では、ホウ素含有非晶質シリコン層は、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）を用いて形成されたホウ素含有水素化シリコン層であり、ホウ素ドープａ−Ｓｉ：Ｈで表され、層全体にＳ−Ｈ共有結合を有する。常圧ＣＶＤ又は減圧ＣＶＤなどの、他の種類のＣＶＤもまた、適用することができる。後者の実施形態では、ホウ素ドープ多結晶シリコン層は、ＰＥＣＶＤ処理を用いて形成される。他の実施形態では、シリコン層を形成した後に、例えば、全体注入プロセスにより、ホウ素不純物をシリコン層に含浸してもよいことを理解されたい。
【００３３】
図１Ｃ及びフローチャート２００の対応する動作２０６を参照すると、ホウ素含有シリコン層１０４の第２領域１０８ではない第１領域１０６に、リンイオンを注入する。
【００３４】
ある実施形態では、第１領域１０６は注入され、ホウ素含有シリコン層１０４のリン注入領域１０６をもたらす。ここで、リン注入領域１０６のリン不純物の濃度は、領域１０６中のホウ素不純物の濃度より少なくとも１０倍（即ち、少なくとも１桁）大きく、したがって、非リン注入領域１０８のホウ素不純物の濃度より少なくとも１桁大きい。一実施形態では、ホウ素含有シリコン層１０４にリンイオンを注入する工程は、シャドウマスクを介して注入する工程を含むが、その例示的なプロセスツールは、図３Ａ及び図３Ｂに関連して、以下で説明する。特定のかかる実施形態では、この注入工程は、ホウ素含有シリコン層１０４に近接しているが、ホウ素含有シリコン層１０４から離れて配置されているグラファイトシャドウマスクを介し、行われる。別の特定の実施形態では、この注入工程は、ホウ素含有シリコン層１０４上に配置されているシリコンシャドウマスクを介し、行われる。ある実施形態では、この注入工程は、イオンビーム注入又はプラズマ浸漬注入を用いて行われる。第２領域のいくらかの残留ドーピングが、例えば、散乱又は不完全なドーピングにより、実際に発生する可能性があることを理解されたい。しかし、かかる残留ドーピングは、第２領域１０８をカウンタドープするには、十分ではない。
【００３５】
図１Ｄ及びフローチャート２００の対応する動作２０８を参照して、図１Ｃの構造体を加熱（１１０）すると、Ｎ型多結晶シリコンエミッタ１１２とＰ型多結晶シリコンエミッタ１１４とが得られる。
【００３６】
ある実施形態では、この加熱する工程は、急速熱アニールプロセスなどのアニールプロセスであり、ホウ素含有シリコン層１０４の、第１及び第２領域１０６、１０８のそれぞれの不純物を活性化するために用いられる。一実施形態では、アニーリングは、約１〜１００分間の範囲の持続時間で、約８５０〜１１００℃の範囲内の温度で行われる。一実施形態では、ホウ素含有シリコン層１０４は、ホウ素含有非晶質シリコン層であり、加熱する工程１１０は、不純物の活性化工程に加えて、ホウ素含有非晶質シリコン層を結晶化して、ホウ素ドープ多結晶シリコンを形成する工程を含む。別の実施形態では、ホウ素含有シリコン層１０４は、ホウ素ドープ多結晶シリコン層であり、加熱する工程１１０は、リン注入領域のリン不純物を活性化させて、リンドープ領域を形成する工程を少なくとも含む。ある実施形態では、軽度のリンドーパントの駆動（drive）が、加熱又はアニーリングの間に実行される。
【００３７】
このように、第１多結晶シリコンエミッタ領域１１２が、誘電体薄層１０２の第１部分の上に、Ｎ型不純物がドープされて形成される。第２多結晶シリコンエミッタ領域１１４が、第１多結晶シリコンエミッタ領域１１２に隣接した、誘電体薄層１０２の第２部分の上に形成される。第２多結晶シリコンエミッタ領域１１４は、Ｐ型不純物がドープされている。１つのかかる実施形態では、第１多結晶シリコンエミッタ領域１１２における活性化されたＮ型不純物の総濃度は、第２多結晶シリコンエミッタ領域１１４における活性化されたＰ型不純物の総濃度より少なくとも１桁大きいので、このため、第１多結晶シリコンエミッタ領域１１２における活性化されたＰ型不純物の総濃度より少なくとも１桁大きい。再び図１Ｄを参照すると、加熱する工程１１０は、Ｎ型多結晶シリコンエミッタ１１２及びＰ型多結晶シリコンエミッタ１１４のうち隣り合うもの同士間のＰ／Ｎ接合１１６を形成する工程を含む。
【００３８】
図１Ｅ及びフローチャート２００の対応する動作２１０を参照すると、複数の導電コンタクト構造体１２０／１２２の構造は、Ｎ型多結晶シリコンエミッタ（コンタクト構造体１２０に対応）と、Ｐ型多結晶シリコンエミッタ（コンタクト構造体１２２に対応）に対して、形成されている。
【００３９】
ある実施形態では、導電コンタクト構造体１２０／１２２は、まず絶縁層１１８を堆積させ、開口部を有するようにパターニングし、続いて、開口部内に１又は複数の導電層を形成することにより、製造される。１つのかかる実施形態では、開口部は、レーザーアブレーションによって形成される。ある実施形態では、導電コンタクト構造体１２０／１２２は、金属を含み、堆積、リソグラフィ、及びエッチング法、あるいは、印刷法又はメッキ法、あるいは、箔接着処理によって形成される。
【００４０】
再び図１Ｅを参照すると、受光面１２４、即ち、導電コンタクト構造体が形成される面と反対側の面は、テクスチャ化された受光面である。一実施形態では、基板１００の前面をテクスチャ化するために、水酸化物ベースの湿式エッチング液が、使用される。受光面のテクスチャ化のタイミングは、変化してもよいことを理解されたい。例えば、テクスチャ加工は、誘電体薄層１０２の形成の前又は後に行うことができるが、一実施形態では、ホウ素含有シリコン層１０４の形成前に行うことができる。ある実施形態では、テクスチャ化された表面は、入射光を散乱させて、太陽電池の受光面の反射光の量を減少させるために、規則的又は不規則な形状の表面を有する表面とすることができる。再び図１Ｅを参照すると、更なる実施形態は、窒化シリコン、シリコン、酸化シリコン、又は酸窒化シリコン層などの、受光面１２４上のパッシベーション及び／又は反射防止コーティング（ＡＲＣ）層（まとめて、層１２６として示す）の形成を含む場合がある。パッシベーション及び／又はＡＲＣ層の形成のタイミングはまた、変化してもよいことを理解されたい。
【００４１】
再び図１Ｅを参照すると、ある実施形態では、太陽電池は、受光面１２４及び受光面とは反対側の裏面を有する基板１００を備えることができる。誘電体薄層１０２は、基板１００の裏面の一部に配置されている。第１多結晶シリコンエミッタ領域１１２は、誘電体薄層１０２の第１部分の上に配置され、第１導電型の不純物がドープされている。第２多結晶シリコンエミッタ領域１１４は、誘電体薄層１０２の第１部分の上に配置された第１多結晶シリコンエミッタ領域１１２に隣接する、誘電体薄層１０２の第２部分の上に配置されている。第２多結晶シリコンエミッタ領域１１４は、逆の第２導電型の不純物がドープされている。第１多結晶シリコンエミッタ領域１１２における第１導電型の不純物の総濃度は、第２多結晶シリコンエミッタ領域１１４における第２導電型の不純物の総濃度より少なくとも１桁大きい。第１導電コンタクト構造体１２０は、第１多結晶シリコンエミッタ領域１１２に電気的に接続される。第２導電コンタクト構造体１２２は、第２多結晶シリコンエミッタ領域１１４と電気的に接続される。一実施形態では、太陽電池は、バックコンタクト型太陽電池である。
【００４２】
一実施形態では、太陽電池は更に、第１多結晶シリコンエミッタ領域１１２と第２多結晶シリコンエミッタ領域１１４との間に、Ｐ／Ｎ接合１１６を備えている。一実施形態では、第１多結晶シリコンエミッタ領域１１２における第１導電型の不純物はＮ型不純物であり、第２多結晶シリコンエミッタ領域１１４における第２導電型の不純物はＰ型不純物である。特定のかかる実施形態では、Ｎ型不純物はリンであり、第１多結晶シリコンエミッタ領域１１２における第１導電型の不純物の総濃度は、約１Ｅ２０原子／ｃｍ３である。この実施形態では、Ｐ型不純物はホウ素であり、第２多結晶シリコンエミッタ領域１１４における第２導電型の不純物の総濃度は約１Ｅ１８原子／ｃｍ３である。
【００４３】
この製造方式の性質に基づいて、一実施形態では、第１多結晶シリコンエミッタ領域１１２は、第２導電型の不純物を更に含む。特定のかかる実施形態では、第１多結晶シリコンエミッタ領域１１２における第１導電型の不純物の総濃度は、第２多結晶シリコンエミッタ領域１１４及び第１多結晶シリコンエミッタ領域１１２における第２導電型の不純物の総濃度より約２桁大きい。一実施形態において、カウンタドープされた領域は、最初に含有されたドーパントを十分に圧倒（カウンタドープ）して、ドーピング特性で優位を占めるために、少なくとも１桁ドーピング濃度が大きい。しかし、この実施形態において、カウンタドープ領域と非カウンタドープ領域の伝導率の差異が、太陽電池の最終的な性能及び効率に影響を及ぼさないように、カウンタドープ領域のドーピング濃度は、約２桁を超えない程度、より高い。
【００４４】
別の態様では、上記に簡単に説明したように、シャドウマスクが、図１Ｃに関連して述べたリン注入を方向付けるために使用される。１つのかかる実施形態では、固定されたグラファイトシャドウマスクが注入のために使用される。例として、図３Ａは、本開示の一実施形態に係る、移動するウェハ及び固定されたシャドウマスクを含む、パターン注入用インラインプラットフォームの断面図を概略的に例示する。図３Ｂは、本開示の一実施形態に係る、図３Ａの装置内における、グラファイト近接マスクを介した注入シーケンスを例示する。図３Ａを参照すると、インラインプラットフォーム３００は、ウェハインプット領域３０２と、注入源３０４（例えば、イオン注入又はプラズマ浸漬）と、アウトプット領域３０６と、を含む。固定されたグラファイトマスクなどの固定されたステンシルマスク３０８は、基板３１０の近傍に、しかし基板３１０に接触せずに保持されて、注入された基板３１２を提供する。別の実施形態では、基板３１２に接触する場合もあるシリコンシャドウマスクを、注入のために使用することができる。
【００４５】
全体として、特定の材料が具体的に上述されたが、いくつかの材料は他のものと容易に置換され得、他のこのような実施形態は、本開示の実施形態の趣旨及び範囲を逸脱しない。例えば、ある実施形態では、ＩＩＩ−Ｖ族材料基板などの異なる材料の基板を、シリコン基板の代わりに使用することができる。更に、Ｎ＋型及びＰ＋型のドーピングが、具体的に記載されている場合、考えられる他の実施形態は、逆の導電型（例えば、Ｐ＋及びＮ＋型ドーピング）をそれぞれ含むと理解されたい。更に、バックコンタクト型太陽電池の構成について相当述べているが、本明細書中に記載される手法は、フロントコンタクト型太陽電池にも適用できることを理解されたい。他の実施形態では、上述した、いわゆるトレンチのない処理は、最終的にトレンチコンタクト型太陽電池を製造するために実施することができる。例えば、上述したような処理の流れが、最初に実施されてもよく、その後、エミッタ領域間にトレンチを形成してもよい。
【００４６】
このようにして、トレンチのないエミッタ領域を有する太陽電池を製造する方法、及びその結果得られる太陽電池が開示されている。総合的で代表的なアプローチとして、図４は、本開示の実施形態に係る太陽電池を製造する別の方法の動作を列挙するフローチャート４００である。図４のフローチャート４００を参照すると、太陽電池の交互のＮ型及びＰ型のエミッタ領域の製造方法は、動作４０２において、基板裏面の一部の上に誘電体薄層を形成する工程を含む。この方法はまた、動作４０４で、誘電体薄層の第１部分の上に、第１多結晶シリコンエミッタ領域を形成する工程を含む。この方法はまた、動作４０６において、第１多結晶シリコンエミッタ領域に隣接する誘電体薄層の第２部分の上に、第２多結晶シリコンエミッタ領域を形成する工程を含む。一実施形態では、第１多結晶シリコンエミッタ領域における第１導電型の不純物の総濃度は、第２多結晶シリコンエミッタ領域における、逆の第２導電型の不純物の総濃度より少なくとも１桁大きい。
【００４７】
具体的な実施形態が上述されてきたが、これらの実施形態は、特定の特徴に関して単一の実施形態のみが説明される場合であっても、本開示の範囲を限定することを意図するものではない。本開示で提供される特徴の実施例は、別段の定めがある場合を除き、限定的であることよりも、むしろ例示的であることを意図するものである。上記の説明は、本開示の利益を有する当業者には明らかであるような、変更、修正、及び均等物を包含することを意図する。
【００４８】
本開示の範囲は、本明細書で述べる問題のいずれか又は全てを軽減するか否かにかかわらず、本明細書で（明示的又は暗示的に）開示される、あらゆる特徴又は特徴の組み合わせ、若しくはそれらのあらゆる一般化を含んでいる。したがって、本出願（又は、本出願に対する優先権を主張する出願）の手続遂行中に、任意のかかる特徴の組み合わせに対して、新たな請求項を作成することができる。具体的には、添付の請求項を参照して、従属請求項からの特徴を、独立請求項の特徴と組み合わせることができ、それぞれの独立請求項からの特徴を、任意の適切な方法で、単に添付の請求項で列挙される具体的な組み合わせのみではなく、組み合わせることができる。
【００４９】
ある実施形態では、太陽電池は、受光面と裏面とを有する基板を含む。誘電体薄層が、基板裏面の一部の上に配置されている。第１多結晶シリコンエミッタ領域が、誘電体薄層の第１部分の上に配置され、第１導電型の不純物がドープされている。第２多結晶シリコンエミッタ領域は、誘電体薄層の第１部分の上に配置された第１多結晶シリコンエミッタ領域に隣接する、誘電体薄層の第２部分の上に配置されている。第２多結晶シリコンエミッタ領域は、逆の第２導電型の不純物がドープされている。第１多結晶シリコンエミッタ領域における第１導電型の不純物の総濃度は、第２多結晶シリコンエミッタ領域における第２導電型の不純物の総濃度より少なくとも１桁大きい。
【００５０】
一実施形態では、太陽電池は更に、第１多結晶シリコンエミッタ領域と第２多結晶シリコンエミッタ領域との間にＰ／Ｎ接合を含む。
【００５１】
一実施形態では、第１多結晶シリコンエミッタ領域における第１導電型の不純物はＮ型不純物であり、第２多結晶シリコンエミッタ領域における第２導電型の不純物はＰ型不純物である。
【００５２】
一実施形態では、Ｎ型不純物はリンであり、第１多結晶シリコンエミッタ領域における第１導電型の不純物の総濃度は、約１Ｅ２０原子／ｃｍ３である。そして、Ｐ型不純物はホウ素であり、第２多結晶シリコンエミッタ領域における第２導電型の不純物の総濃度は約１Ｅ１８原子／ｃｍ３である。
【００５３】
一実施形態では、第１多結晶シリコンエミッタ領域は、第２導電型の不純物を更に含む。
【００５４】
一実施形態では、第１多結晶シリコンエミッタ領域における第１導電型の不純物の総濃度は、第２多結晶シリコンエミッタ領域及び第１多結晶シリコンエミッタ領域における第２導電型の不純物の総濃度より約２桁大きい。
【００５５】
一実施形態では、太陽電池は、第１多結晶シリコンエミッタ領域に電気的に接続された第１導電コンタクト構造体と、第２多結晶シリコンエミッタ領域と電気的に接続された第２導電コンタクト構造体と、を更に含んでいる。
【００５６】
一実施形態では、太陽電池を製造する方法は、基板裏面の一部の上に誘電体薄層を形成する工程を含み、この基板は、裏面の反対側に受光面を有する。また、この方法は、誘電体薄層の第１部分上に、第１導電型の不純物がドープされた第１多結晶シリコンエミッタ領域を形成する工程を含む。この方法はまた、第１多結晶シリコンエミッタ領域に隣接して、誘電体薄層の第２部分上に、第２多結晶シリコンエミッタ領域を形成する工程を含み、第２多結晶シリコンエミッタ領域は、逆の第２導電型の不純物がドープされている。ここで、第１多結晶シリコンエミッタ領域における第１導電型の不純物の総濃度は、第２多結晶シリコンエミッタ領域における第２導電型の不純物の総濃度より少なくとも１桁大きい。
【００５７】
ある実施形態では、太陽電池の交互のＮ型及びＰ型のエミッタ領域の製造方法は、基板の一部の上方に、その場での堆積処理によって、ホウ素含有シリコン層を形成する工程を含む。この方法はまた、ホウ素含有シリコン層のリン注入領域を設けるために、ホウ素含有シリコン層の、第２領域ではない第１領域に、リンイオンを注入する工程を含む。この方法はまた、第１領域にＮ型多結晶シリコンエミッタを設け、第２領域にＰ型多結晶シリコンエミッタを設けるために、加熱する工程を含む。この方法はまた、複数の導電コンタクト構造体を形成する工程を含み、Ｎ型多結晶シリコンエミッタ及びＰ型多結晶シリコンエミッタの各々は、複数の導電コンタクト構造体のうちの１つに電気的に接続される。
【００５８】
一実施形態では、ホウ素含有シリコン層を形成する工程は、ホウ素含有非晶質シリコン層を形成する工程を含み、加熱する工程は、ホウ素含有非晶質シリコン層を結晶化する工程を含む。
【００５９】
一実施形態では、ホウ素含有シリコン層を形成する工程は、ホウ素ドープ多結晶シリコン層を形成する工程を含み、加熱する工程は、リン注入領域のリンイオンを活性化させてリンドープ領域を形成する工程を含む。
【００６０】
一実施形態では、ホウ素ドープ多結晶シリコン層を形成する工程は、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）処理を用いる工程を含む。
【００６１】
一実施形態では、ホウ素含有シリコン層にリンイオンを注入する工程は、シャドウマスクを介して注入する工程を含む。
【００６２】
一実施形態では、シャドウマスクを介して注入する工程は、ホウ素含有シリコン層に近接しているが、ホウ素含有シリコン層から離れて配置されているグラファイトシャドウマスクを介して注入する工程を含む。
【００６３】
一実施形態では、シャドウマスクを介して注入する工程は、ホウ素含有シリコン層の上に配置されているシリコンシャドウマスクを介して注入する工程を含む。
【００６４】
一実施形態では、加熱する工程は、Ｎ型多結晶シリコンエミッタ及びＰ型多結晶シリコンエミッタのうち隣り合うもの同士間のＰ／Ｎ接合を形成する工程を含む。
【００６５】
一実施形態では、加熱する工程は、Ｐ型多結晶シリコンエミッタの総ホウ素ドーパント濃度より少なくとも１桁大きい総リンドーパント濃度を含むＮ型多結晶シリコンエミッタを提供する。
【００６６】
一実施形態では、ホウ素含有シリコン層を形成する工程は、基板上に形成された酸化物薄層の一部の上に形成する工程を含む。
【図１Ａ】
2017511593.tif 000003
【図１Ｂ】
2017511593.tif 000004
【図１Ｃ】
2017511593.tif 000005
【図１Ｄ】
2017511593.tif 000006
【図１Ｅ】
2017511593.tif 000007
【図２】
2017511593.tif 000008
【図３Ａ】
2017511593.tif 000009
【図３Ｂ】
2017511593.tif 000010
【図４】
2017511593.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月28日(2016.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池であって、
受光面と裏面とを有する基板と、
前記基板の前記裏面の一部の上に配置された誘電体薄層と、
前記誘電体薄層の第１部分の上に配置され、第１導電型の不純物がドープされた、第１多結晶シリコンエミッタ領域と、
前記誘電体薄層の前記第１部分の上に配置された前記第１多結晶シリコンエミッタ領域に隣接する、前記誘電体薄層の第２部分の上に配置され、逆の第２導電型の不純物がドープされた第２多結晶シリコンエミッタ領域と、
を備え、前記第１多結晶シリコンエミッタ領域における前記第１導電型の前記不純物の総濃度は、前記第２多結晶シリコンエミッタ領域における前記第２導電型の前記不純物の総濃度より少なくとも１桁大きい、太陽電池。
【請求項２】
前記第１多結晶シリコンエミッタ領域と前記第２多結晶シリコンエミッタ領域との間のＰ／Ｎ接合を更に備える、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
前記第１多結晶シリコンエミッタ領域における前記第１導電型の前記不純物はＮ型不純物であり、前記第２多結晶シリコンエミッタ領域における前記第２導電型の前記不純物はＰ型不純物である、請求項１または２に記載の太陽電池。
【請求項４】
前記Ｎ型不純物はリンであり、前記第１多結晶シリコンエミッタ領域における前記第１導電型の前記不純物の前記総濃度は、約１Ｅ２０原子／ｃｍ３であり、前記Ｐ型不純物はホウ素であり、前記第２多結晶シリコンエミッタ領域における前記第２導電型の前記不純物の前記総濃度は約１Ｅ１８原子／ｃｍ３である、請求項３に記載の太陽電池。
【請求項５】
前記第１多結晶シリコンエミッタ領域は、前記第２導電型の前記不純物を更に含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の太陽電池。
【請求項６】
前記第１多結晶シリコンエミッタ領域における前記第１導電型の前記不純物の前記総濃度は、前記第２多結晶シリコンエミッタ領域及び前記第１多結晶シリコンエミッタ領域における前記第２導電型の前記不純物の前記総濃度より約２桁大きい、請求項５に記載の太陽電池。
【請求項７】
前記第１多結晶シリコンエミッタ領域に電気的に接続された第１導電コンタクト構造体と、
前記第２多結晶シリコンエミッタ領域に電気的に接続された第２導電コンタクト構造体と、
を更に備える、請求項１から６のいずれか一項に記載の太陽電池。
【請求項８】
太陽電池を製造する方法であって、
基板の裏面の一部の上に誘電体薄層を形成する工程であって、前記基板は、前記裏面の反対側に受光面を有する、工程と、
前記誘電体薄層の第１部分の上に、第１導電型の不純物がドープされた第１多結晶シリコンエミッタ領域を形成する工程と、
前記第１多結晶シリコンエミッタ領域に隣接した、前記誘電体薄層の第２部分の上に第２多結晶シリコンエミッタ領域を形成する工程と、
を備え、前記第２多結晶シリコンエミッタ領域は、逆の第２導電型の不純物がドープされており、前記第１多結晶シリコンエミッタ領域における前記第１導電型の前記不純物の総濃度は、前記第２多結晶シリコンエミッタ領域における前記第２導電型の前記不純物の総濃度より少なくとも１桁大きい、太陽電池を製造する方法。
【請求項９】
太陽電池の交互のＮ型及びＰ型のエミッタ領域の製造方法であって、
その場での（in situ）堆積処理によって、基板の一部の上方に、ホウ素含有シリコン層を形成する工程と、
前記ホウ素含有シリコン層の中のリン注入領域を設けるために、前記ホウ素含有シリコン層の第２領域ではない第１領域に、リンイオンを注入する工程と、
前記第１領域にＮ型多結晶シリコンエミッタを設け、前記第２領域にＰ型多結晶シリコンエミッタを設けるべく、加熱する工程と、
複数の導電コンタクト構造体を形成する工程と、
を備え、前記Ｎ型多結晶シリコンエミッタ及び前記Ｐ型多結晶シリコンエミッタの各々は、前記複数の導電コンタクト構造体のうちの１つに電気的に接続される、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
一実施形態では、ホウ素含有シリコン層を形成する工程は、基板上に形成された酸化物薄層の一部の上に形成する工程を含む。
［項目１］
太陽電池であって、
受光面と裏面とを有する基板と、
上記基板の上記裏面の一部の上に配置された誘電体薄層と、
上記誘電体薄層の第１部分の上に配置され、第１導電型の不純物がドープされた、第１多結晶シリコンエミッタ領域と、
上記誘電体薄層の上記第１部分の上に配置された上記第１多結晶シリコンエミッタ領域に隣接する、上記誘電体薄層の第２部分の上に配置され、逆の第２導電型の不純物がドープされた第２多結晶シリコンエミッタ領域と、
を備え、上記第１多結晶シリコンエミッタ領域における上記第１導電型の上記不純物の総濃度は、上記第２多結晶シリコンエミッタ領域における上記第２導電型の上記不純物の総濃度より少なくとも１桁大きい、太陽電池。
［項目２］
上記第１多結晶シリコンエミッタ領域と上記第２多結晶シリコンエミッタ領域との間のＰ／Ｎ接合を更に備える、項目１に記載の太陽電池。
［項目３］
上記第１多結晶シリコンエミッタ領域における上記第１導電型の上記不純物はＮ型不純物であり、上記第２多結晶シリコンエミッタ領域における上記第２導電型の上記不純物はＰ型不純物である、項目１に記載の太陽電池。
［項目４］
上記Ｎ型不純物はリンであり、上記第１多結晶シリコンエミッタ領域における上記第１導電型の上記不純物の上記総濃度は、約１Ｅ２０原子／ｃｍ３であり、上記Ｐ型不純物はホウ素であり、上記第２多結晶シリコンエミッタ領域における上記第２導電型の上記不純物の上記総濃度は約１Ｅ１８原子／ｃｍ３である、項目３に記載の太陽電池。
［項目５］
上記第１多結晶シリコンエミッタ領域は、上記第２導電型の上記不純物を更に含む、項目１に記載の太陽電池。
［項目６］
上記第１多結晶シリコンエミッタ領域における上記第１導電型の上記不純物の上記総濃度は、上記第２多結晶シリコンエミッタ領域及び上記第１多結晶シリコンエミッタ領域における上記第２導電型の上記不純物の上記総濃度より約２桁大きい、項目５に記載の太陽電池。
［項目７］
上記第１多結晶シリコンエミッタ領域に電気的に接続された第１導電コンタクト構造体と、
上記第２多結晶シリコンエミッタ領域に電気的に接続された第２導電コンタクト構造体と、
を更に備える、項目１に記載の太陽電池。
［項目８］
太陽電池を製造する方法であって、
基板の裏面の一部の上に誘電体薄層を形成する工程であって、上記基板は、上記裏面の反対側に受光面を有する、工程と、
上記誘電体薄層の第１部分の上に、第１導電型の不純物がドープされた第１多結晶シリコンエミッタ領域を形成する工程と、
上記第１多結晶シリコンエミッタ領域に隣接した、上記誘電体薄層の第２部分の上に第２多結晶シリコンエミッタ領域を形成する工程と、
を備え、上記第２多結晶シリコンエミッタ領域は、逆の第２導電型の不純物がドープされており、上記第１多結晶シリコンエミッタ領域における上記第１導電型の上記不純物の総濃度は、上記第２多結晶シリコンエミッタ領域における上記第２導電型の上記不純物の総濃度より少なくとも１桁大きい、太陽電池を製造する方法。
［項目９］
項目８に記載の方法により製造された太陽電池。
［項目１０］
太陽電池の交互のＮ型及びＰ型のエミッタ領域の製造方法であって、
その場での（in situ）堆積処理によって、基板の一部の上方に、ホウ素含有シリコン層を形成する工程と、
上記ホウ素含有シリコン層の中のリン注入領域を設けるために、上記ホウ素含有シリコン層の第２領域ではない第１領域に、リンイオンを注入する工程と、
上記第１領域にＮ型多結晶シリコンエミッタを設け、上記第２領域にＰ型多結晶シリコンエミッタを設けるべく、加熱する工程と、
複数の導電コンタクト構造体を形成する工程と、
を備え、上記Ｎ型多結晶シリコンエミッタ及び上記Ｐ型多結晶シリコンエミッタの各々は、上記複数の導電コンタクト構造体のうちの１つに電気的に接続される、方法。
［項目１１］
上記ホウ素含有シリコン層を形成する工程は、ホウ素含有非晶質シリコン層を形成する工程を含み、上記加熱する工程は、上記ホウ素含有非晶質シリコン層を結晶化する工程を含む、項目１０に記載の方法。
［項目１２］
上記ホウ素含有シリコン層を形成する工程は、ホウ素ドープ多結晶シリコン層を形成する工程を含み、上記加熱する工程は、上記リン注入領域の上記リンイオンを活性化させてリンドープ領域を形成する工程を含む、項目１０に記載の方法。
［項目１３］
上記ホウ素ドープ多結晶シリコン層を形成する工程は、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）処理を用いる工程を含む、項目１２に記載の方法。
［項目１４］
上記ホウ素含有シリコン層にリンイオンを注入する工程は、シャドウマスクを介して注入する工程を含む、項目１０に記載の方法。
［項目１５］
上記シャドウマスクを介して注入する工程は、上記ホウ素含有シリコン層に近接しているが、上記ホウ素含有シリコン層から離れて配置されているグラファイトシャドウマスクを介して注入する工程を含む、項目１４に記載の方法。
［項目１６］
上記シャドウマスクを介して注入する工程は、上記ホウ素含有シリコン層の上に接して配置されているシリコンシャドウマスクを介して注入する工程を含む、項目１４に記載の方法。
［項目１７］
上記加熱する工程は、上記Ｎ型多結晶シリコンエミッタ及び上記Ｐ型多結晶シリコンエミッタのうち隣り合うもの同士間のＰ／Ｎ接合を形成する工程を含む、項目１０に記載の方法。
［項目１８］
上記加熱する工程は、上記Ｐ型多結晶シリコンエミッタの総ホウ素ドーパント濃度より少なくとも１桁大きい総リンドーパント濃度から成る上記Ｎ型多結晶シリコンエミッタを提供する、項目１０に記載の方法。
［項目１９］
上記ホウ素含有シリコン層を形成する工程は、上記基板上に形成された酸化物薄層の一部の上に形成する工程を含む、項目１０に記載の方法。
［項目２０］
項目１０に記載の方法により製造された太陽電池。
【国際調査報告】
2017511593.tif 000012
2017511593.tif 000013