(57)【要約】  本発明は、回路支持体に関する。回路支持体は、少なくとも一つの電子部品を有し、この電子部品は、特に融剤を用いて回路支持体にはんだ付けされている。回路支持体は、結露保護用の、特に電気絶縁性の保護層を有し、回路支持体の表面の少なくとも一部は、保護層により被覆されている。本発明では、回路支持体の保護層は、紫外線によって活性化可能であるシリコーンポリマー層により形成され、このシリコーンポリマー層は、当該シリコーンポリマー層中に、特に均質に、分散された充填粒子を有する。充填粒子の少なくとも一部又は全部は、アルカリ土類金属の少なくとも１種の塩を含む。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの電子部品（４）を備えた回路支持体（１，４０）であって、
前記電子部品（４）は、融剤（１０）を用いて前記回路支持体（１，４０）に、特に当該回路支持体（１）の導体路（７，８）にはんだ付けされており、
前記回路支持体（１）は、結露保護用の保護層（１６）を備えており、
前記回路支持体（１，４０）の表面の少なくとも一部は、前記保護層（１６）によって被覆されている、回路支持体（１，４０）において、
前記保護層（１６）は、シリコーンポリマー層によって形成されており、
前記シリコーンポリマー層（１６）は、当該シリコーンポリマー層（１６）中に均一に分布している充填粒子（１５）を有し、
前記充填粒子（１５）は、アルカリ土類金属の少なくとも１種の塩を含む
ことを特徴とする回路支持体（１，４０）。
【請求項２】
前記塩は、炭酸の塩であり、特に炭酸塩又は炭酸水素塩である、
請求項１に記載の回路支持体（１，４０）。
【請求項３】
前記保護層（１６）のマトリクスは、弾性を有する完全架橋型のシリコーンゴムである、
請求項１又は２に記載の回路支持体（１，４０）。
【請求項４】
前記保護層（１６）は、カップリング剤（２８）を含む、
請求項３に記載の回路支持体（１，４０）。
【請求項５】
前記充填粒子（１５）又は前記充填粒子（１５）の少なくとも一部は、少なくとも１種のアルカリ土類金属の少なくとも１種の酸化物を含む、
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の回路支持体（１，４０）。
【請求項６】
前記充填粒子（１５）の少なくとも一部は、前記回路支持体（１，４０）との前記保護層（１６）の界面（１７）に配置されており、
前記充填粒子（１５）の前記少なくとも一部は、前記融剤（１０）から前記回路支持体（１，４０）上に酸が残留又は析出された場合に、特にプロトリシス発生下で、当該酸を分解するものである、
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の回路支持体（１，４０）。
【請求項７】
前記保護層（１６）中の前記充填粒子（２８）の体積割合は、５％から５０％までの間である、
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の回路支持体（１，４０）。
【請求項８】
前記回路支持体（１，４０）に前記充填粒子（２８）の少なくとも一部が直接接触するように、当該充填粒子（２８）は、前記保護層（１６）中に分布させられている、
請求項６又は７に記載の回路支持体（１，４０）。
【請求項９】
前記充填粒子（２８）の粒径は、５μｍ未満である、
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の回路支持体（１，４０）。
【請求項１０】
回路支持体（１，４０）の製造方法であって、
酸含有又は酸放出性の融剤（１０）を用いて、少なくとも一つの電子部品（４）を回路支持体（１，４０）にはんだ付けし、
保護層（１６）即ちシリコーン保護塗膜材を用いて、前記回路支持体（１，４０）にコーティングし、
前記シリコーン保護塗膜材は、アルカリ土類金属の塩、特に石灰粒子を含む、１０％から５０％までの体積割合の充填粒子（２８）を含む
ことを特徴とする製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
従来技術
本発明は、回路支持体に関する。斯かる回路支持体は、少なくとも一つの電子部品を有し、この電子部品は、特に融剤を用いて、回路支持体にはんだ付けされている。回路支持体は、結露保護用の、特に電気絶縁性の保護層を有し、回路支持体の表面の少なくとも一部は、保護層によって被覆されている。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線板を保護するために、従来技術から、プリント配線板、特にプリント配線板の部品の電気的コンタクトや、プリント配線板の導体路を、湿度や汚染から保護するシリコーンコーティングが公知である。そのシリコーンポリマー、特に薄い塗膜層として又は充填材を成す厚い塗膜層としてのシリコーンポリマーは、有利には高い耐温度性を有する。
【発明の概要】
【０００３】
発明の開示
本発明では、冒頭に述べた形式の回路支持体の保護層は、有利には紫外線によって活性化可能であるシリコーンポリマー層によって形成され、このシリコーンポリマー層は、当該シリコーンポリマー層中に、特に均質に、分散された充填粒子を有する。充填粒子の少なくとも一部又は全部は、アルカリ土類金属の少なくとも１種の塩を含む。
【０００４】
本発明にて得られた認識は、シリコーン塗膜材によって形成された保護層を用いているにもかかわらず、部品の電気的コンタクトが腐食を形成するという欠点がある、ということである。さらに、斯かる腐食の原因は、シリコーン塗膜材の成分である極性を示すカップリング剤にもあることも判明した。さらに、このカップリング剤はシリコーン塗膜材の水蒸気透過性と相俟って、シリコーン塗膜材とプリント配線板との間の界面において、電子部品のはんだ付けを行ったときに残留した、融剤の残留融剤、特にいわゆるノンクリーンはんだペーストの成分である残留融剤と水分とが協働して、水分累積を引き起こすことも判明した。さらに、上述の水分累積により、残留融剤中に含まれる酸及びイオンが、上述の界面まで移動した水分により、電子部品の電気的コンタクト又は回路支持体の導体路において、特に回路支持体の銅導体路において、冒頭に述べた腐食が引き起こされ得るとの認識も得られた。
【０００５】
驚くべきことに、充填粒子が、特にアルカリ土類金属の塩又は酸化物、特に炭酸カルシウム若しくは酸化アルミニウムの場合には、外部から水分が保護層を通過して回路支持体まで移動するのを有利に低減することができ又は阻止することも可能であることが明らかとなった。
【０００６】
有利には、充填粒子の割合は、少なくとも５％であり、さらに有利には５％から５０％までの間である。
【０００７】
斯かる割合により、良好な蒸気阻止作用を実現できるという利点が奏される。
【０００８】
有利には、表面電気抵抗の挙動を示す。
【０００９】
シリコーン保護塗膜材は、有利には、特にポリシラン等のベースポリマーと、ＳＩ‐Ｈ架橋剤と、紫外線により活性化可能である白金触媒と、シランカップリング剤とを含む。
【００１０】
有利にはシリコーンポリマー層は、紫外線の露光に依存して相互に架橋する２成分から成る付加架橋成形材料によって生成されたものである。ポリマー層の密度は例えば０．９４ｇ／ｃｍ３であり、ショア硬さ００は、有利には４０である。
【００１１】
有利には、シリコーンポリマーはビニル末端であり、特にポリビニルシロキサンである。架橋ポリマーは、例えばＳ‐Ｈ末端シリコーンポリマー等であり、特にポリハイドロジェンメチルシロキサンである。
【００１２】
有利にはポリマーは、特に保護層中のポリマー分子は、相互に完全に架橋しており、これによりシリコーンゲルの場合と異なり、分子間又は分子鎖間に水等の液体が侵入することがなくなる。
【００１３】
シリコーンゲルの場合に成立する自着性は、シリコーン保護塗膜材の場合、特にシリコーンゴムが保護層成分の場合には失われてしまうので、例えば基板等の回路支持体の要素に、又は、導体路、はんだ材若しくは電子部品に付着させるためには、既述のカップリング剤が用いられる。
【００１４】
一つの有利な実施形態では、上述の塩は炭酸の塩であり、特に炭酸塩又は炭酸水素塩である。有利には当該塩は、アルカリ土類金属及びアルミニウムの炭酸塩を含む群から選択されたものである。さらに有利には、当該塩は、特に石灰又はチョーク等である炭酸カルシウムと、炭酸水素カルシウムと、炭酸マグネシウムと、炭酸水素マグネシウムと、炭酸アルミニウムと、炭酸水素アルミニウムとを含む群から選択されたものである。特に有利なのは、上述の炭酸塩が炭酸カルシウム及び／又は炭酸マグネシウムであることである。
【００１５】
上述の充填粒子に関係無く、又は、斯かる充填粒子の他に追加的に、保護層は、少なくとも１種の金属酸化物及び／又は金属水酸化物を含む群から選択された塩を含み得る。有利には、当該群は、酸化カルシウム、水酸化カルシウム、酸化マグネシウム、水酸化マグネシウム、ハイドロマグネサイト、ハイドロタルサイト、ハンタイト、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム及び雲母を含む。
【００１６】
有利には、充填粒子の粒径は、０．１μｍから１００μｍまでの間であり、有利には０．１μｍから１０μｍまでの間である。好適には、充填粒子は、疎水化された充填粒子であり、特に表面疎水化された充填粒子である。斯かる充填粒子によって、水分が保護層を通過して回路支持体まで移動するのを低減又は阻止できるという利点が奏される。
【００１７】
一つの有利な実施形態では、保護層、特に保護塗膜材のマトリクスは、弾性を有するシリコーンゴムである。斯かるシリコーンゴムを使用することにより、回路支持体に接合された導体路と、回路支持体の面延在方向に対して横方向に延在する電子部品の端子も、十分な厚さの保護層によってカバーできるという利点が奏される。
【００１８】
例えば、保護層の層厚を５μｍから２０００μｍまでの間とすることができる。斯かる層厚により、電気的コンタクト及び導体路が電気的に絶縁されてカバーされる。
【００１９】
さらに、保護層が、有利には弾性を有しており、これにより、部品又は部品の電気的端子が熱に起因して膨張しても保護層が弾性的に撓むことが可能である限りにおいては、回路支持体は、特に回路支持体の構成要素又は回路支持体に接合された部品は、熱膨張時に亀裂を生じることがないという利点も奏される。
【００２０】
一つの有利な実施形態では、シリコーン塗膜材は、カップリング剤を有する。このカップリング剤は、例えばグリモ（Glymo）、特に３‐（２，３‐エポキシプロポキシ）プロピルトリメトキシシランである。
【００２１】
一つの有利な実施形態では、充填粒子又は充填粒子の少なくとも一部は、少なくとも１種のアルカリ土類金属の少なくとも１種の酸化物を含む。斯かる充填粒子は、有利には、酸化マグネシウム、酸化カルシウム又は酸化アルミニウムを含む。
【００２２】
一つの有利な実施形態では、充填粒子の少なくとも一部は、回路支持体との保護層の界面に配置され、融剤から回路支持体上に酸が残留又は析出された場合、特にプロトリシス発生下で、当該酸を分解する構成となっている。
【００２３】
回路支持体は好適には基板と、導電層により形成された導体路と、さらに有利にははんだストップ塗膜材と、当該導体路に接合されたはんだ材と、上述の少なくとも一つの電子部品とを備えたものである。当該基板は、例えば、繊維強化されたプリント回路板、特にエポキシ樹脂プリント回路板であり、当該導電層は特に銅層である。
【００２４】
このようにして、有利には、酸が、例えばカルボン酸、特にジカルボン酸が残留している場合、調達コストが低い炭酸カルシウム製の充填粒子がプロトリシスを行って炭酸を生成し、これにより二酸化炭素の脱離を生じさせて、電気的コンタクトや電気的端子に有害なカルボン酸を分解することができる。
【００２５】
このようにして、充填粒子は有利には、水分が保護層を通過して移動するのを阻止するという上述の機能と、さらに、水分が保護層を通過して移動した場合には、融剤中から回路支持体上に残留している酸又は金属イオンの酸性塩を分解する機能という、２重の機能を有することとなる。
【００２６】
一つの有利な実施形態では、保護層中の、特にシリコーン保護塗膜材中の充填粒子の体積割合は、２％から５０％までの間であり、有利には５％から３０％までの間である。シリコーン塗膜材中の充填粒子の体積割合が５０％を超える場合、シリコーン塗膜材は高粘性となり、これにより、後は、回路支持体上に被着しにくくなるだけであることが判明した。
【００２７】
一つの有利な実施形態では、回路支持体に充填粒子の少なくとも一部が直接接触するように、当該充填粒子を保護層中に、特にシリコーン塗膜材中に分散させる。このようにして、特にアルカリ土類金属の炭酸塩等である充填粒子、有利には炭酸カルシウムを、回路支持体と、及び、回路支持体に残留若しくは析出された酸と、特に簡単に直接有効に接触させ、又は、回路支持体上にて水分移動により形成された電解質中にて酸性塩と直接有効に接触させ、これにより、酸乃至酸性塩を分解することができる。
【００２８】
一つの有利な実施形態では、充填粒子の粒径は、５μｍ未満である。斯かる粒径により、回路支持体上に被着したときにシリコーン塗膜材の十分な流動性を達成することができ、シリコーン塗膜材の充填粒子の充填率を高くすることができるという利点が奏される。
【００２９】
本発明はまた、上述の構成の回路支持体用の保護塗膜材の生成方法にも関する。この方法では、ＵＶ活性化可能なシリコーン塗膜材を、特に上記にて既に説明した充填粒子と混合することにより、混合生成物として、粒子含有のシリコーン塗膜材を生成する。有利には、充填粒子は、シリコーン塗膜材中にて均一に分布させられる。
【００３０】
本発明はまた、回路支持体の製造方法であって、酸含有又は酸放出性の融剤を用いて特にいわゆるノンクリーンはんだペーストを用いて、少なくとも一つの電子部品を回路支持体にはんだ付けする製造方法にも関する。一つのステップにおいて、シリコーン保護塗膜材を用いて回路支持体にコーティングする。このシリコーン保護塗膜材は、アルカリ土類金属の塩、特に石灰粒子を含む、２％から５０％までの体積割合の充填粒子を含む。
【００３１】
以下、図面と他の実施例とに基づいて、本発明について説明する。他の有利な実施形態は、従属請求項に記載された事項や図面に示された事項から明らかになる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】基板と、回路支持体に結合された部品の少なくとも電気的端子と、はんだ付け部とが、水分透過性の保護層により被覆された、回路支持体の一実施例を示す図である。
【図２】保護層が水分透過をブロックするように構成された、図１に示された回路支持体の一変形態様を示す図である。
【図３】図２に示された保護層の水分ブロック作用の実証試験の測定値を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
図１に、回路支持体１の一実施例を示す。回路支持体１は、基板２、特に繊維強化されたプリント配線板を有する。回路支持体１は、はんだ材３を用いてプリント配線板２にはんだ接合された電子部品４も備えている。本実施例では、電子部品４の一部分を示しており、この電子部品４は、例えば集積回路により、特にＳＭＤデバイス（ＳＭＤ＝表面実装型デバイス（Surface-Mounted-Device））により構成されたものである。
【００３４】
電子部品４は電気的端子５を有し、この電気的端子５は、はんだ材３を用いて、特に錫含有はんだを用いて、本実施例ではリフローはんだ法でプリント配線板２の導体路７にはんだ付けされている。部品４は、接着剤２６を用いてプリント配線板２に接着されている。プリント配線板２は、導体路７の他に別の導体路８も有しており、この導体路８については、特にはんだ材滴６等のはんだ材が導体路８にはんだ接合されている。
【００３５】
導体路７及び８は、プリント配線板２の面延在方向において相互に離隔されており、導体路７及び８間に延在する、プリント配線板２の領域は、はんだストップ塗膜材９によって被覆されている。
【００３６】
図中には、残留融剤１０も示されており、これは本実施例では、カルボン酸を含むものである。
【００３７】
残留融剤１０は、本実施例では、電気的端子５とはんだ材３とはんだ材６とを被覆している。
【００３８】
プリント配線板２は、シリコーン保護塗膜材１６によって被覆されている。電子部品４と、プリント配線板２からそれぞれ離隔していく方向に延在しているはんだ材３及び６とは、双方ともに、シリコーン保護塗膜材１６によって被覆されている。
【００３９】
シリコーン保護塗膜材１６の表面２７上には、水滴１１が示されている。これは、例えば、プリント配線板２に結露した結果として水蒸気が凝縮したものとしてシリコーン保護塗膜材１６上に析出したものである。
【００４０】
図１には、水滴１１からプリント配線板２とのシリコーン保護塗膜材の界面１７に達する矢印１２も示している。矢印１２はそれぞれ、水滴１１がシリコーン保護塗膜材１６を通過して界面１７まで移動する水蒸気移動を示しており、このようにトランスマイグレーションした水蒸気は、界面１７において凝縮して再び水滴１１’になる。
【００４１】
斯かるトランスマイグレーションは、本実施例では、保護塗膜材１６中に含まれる、極性作用を示すカップリング剤２８によって促進され又は引き起こされる。
【００４２】
界面１７において析出した、水滴１１’等の水滴は、残留融剤１０に含まれる塩又は酸によって、凝縮した水滴１１’に解離し、これにより形成されたイオンは、はんだ材３と、及び、電気的端子５若しくは導体路７と、「腐食」と称されるレドックス反応を生じ得る。
【００４３】
図２は、図１にて既に示した回路支持体１の一変形態様をなす回路支持体４０を示す図であり、この回路支持体４０は、本発明により回路支持体１より改善したものである。シリコーン保護塗膜材１６は充填成分を含み、斯かる充填は充填粒子によって、特に炭酸カルシウム粒子によって及び／又は酸化アルミニウム粒子によって、構成されており、本実施例では、そのうち充填粒子１５を例示している。
【００４４】
表面２７上に凝縮した水滴１１は、矢印１３によって示されているように、極性作用を示す充填粒子１５まで移動し得る。この充填粒子１５は、斯かる移動１３に対してバリアとなる。充填粒子１５は、また有利には、シリコーン塗膜材１６のマトリクスと、プリント回路板２との界面１７との間に、大きな極性差が生じるのを回避するものでもある。
【００４５】
移動経路１４は、水滴１１のうちわずかな一部の水蒸気を示しており、この水蒸気は、充填粒子１５を迂回して、シリコーン塗膜材１６を通過して界面１７まで移動し、界面１７において凝縮して、凝縮した水滴１１”となる。
【００４６】
図中には、二つの充填粒子２９及び３０も示されている。これらは充填粒子１５と同様の構成であるが、充填粒子１５との相違点として、少なくとも部分的に界面１７を構成し、これによりプリント回路板２は、特にプリント回路板２に接合されてプリント回路板２から離隔していく方向に延在する構成要素、例えばはんだ材３及び６等は、はんだストップ塗膜材９に直接接触し、かつ、残留融剤１０にも直接接触し得る。本実施例では、充填粒子２９及び３０は、充填粒子１５と同様に石灰粒子として形成されており、この充填粒子２９及び３０は、凝縮した水滴１１”中にて残留融剤１０の酸により形成されたヒドロキソニウムイオンと共にプロトリシスを行い、これにより、電気的コンタクトに対して比較的無害の炭酸を形成し得る。
【００４７】
炭酸、特に更なる水脱離によって生じた二酸化炭素は、水蒸気と同様に保護塗膜材１６中に拡散し得る。こうするために有利なのは、保護塗膜材１６が炭酸に対して、特に二酸化炭素に対して透過性を示すものであることである。
【００４８】
図３にグラフ１８を示す。このグラフ１８は、横軸１９上に、図２に示された回路支持体の表面抵抗の測定値をそれぞれ表す測定結果バーを示している。
【００４９】
ここでは、表面抵抗及び水分透過性が相互に異なる保護層について試験を行った。これらの相互に異なる保護層のシリコーン保護塗膜材中の充填粒子の割合は、相互に異なる。
【００５０】
シリコーン保護塗膜材はワッカーケミカル社のセミコシル（Semicosil、登録商標）９４９であり、充填粒子はソルベイ社の炭酸カルシウム粒子「ウィノフィル」（Winnofil、登録商標）ＳＰＭである。
【００５１】
表面抵抗は、４点測定法を用いて、特にＩＥＣ６１１８９‐５試験規格に準拠して、５２０時間の期間にわたって測定した。
【００５２】
測定値２１は、シリコーン保護塗膜材１６を備えた回路支持体であって、図２に示されたカップリング剤２８のようなカップリング剤を有しておらず、また、図２に示された五つの充填粒子１５のような充填粒子も有していない回路支持体を表している。このようにして形成された保護塗膜材１６の表面抵抗は比較的良好であり、本実施例では５００ＭΩを超える。破線３１は５００ＭΩの表面抵抗を表しており、この表面抵抗値は、グラフ１８の縦軸２０上に示されている。
【００５３】
測定値２２は、図２の基板２と同様の基板であって、シリコーン保護塗膜材１６がカップリング剤２８と同様のカップリング剤を有しているが、充填粒子１５のような充填粒子を有していない基板を表している。斯かるシリコーン保護塗膜材１６の表面抵抗は、ここではわずか１０００Ωに過ぎない。
【００５４】
測定値２３は、シリコーン保護塗膜材１６中に含まれる充填粒子１５の割合が５％である、図２に示された回路支持体１と同様の回路支持体を表している。測定値２２よりも表面抵抗が格段に上昇し、１００ｋΩになっていることが明らかである。測定値２４は、シリコーン保護塗膜材１６が１０％の充填粒子割合の充填粒子１５を含む、図２に示された回路支持体１と同様の回路支持体を表している。保護層中の充填粒子を１０％とするだけで既に、５００ＭΩという、電子回路用途に関して既に良好な最小抵抗値が達成されることが分かる。
【００５５】
測定値２５は、シリコーン保護塗膜材１６によって形成された保護層の充填粒子１５の充填粒子割合が３０％である、図２に示された回路支持体１と同様の回路支持体を表している。表面抵抗の抵抗値をさらに改善することができ、１０ＧΩを上回る値まで上昇させることができたことが分かる。これは、驚くべきことに測定値２１を上回るものである。図３に示された測定値を測定したシリコーン保護塗膜材１６の層厚は、３００μｍであった。
【００５６】
シリコーン保護塗膜材１６を、図２に示された水滴１１のような湿気にさらした期間は、少なくとも５００時間であった。
【図１】
2017504971.tif 000003
【図２】
2017504971.tif 000004
【図３】
2017504971.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月20日(2016.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの電子部品（４）を備えた回路支持体（１，４０）であって、
前記電子部品（４）は、融剤（１０）を用いて前記回路支持体（１，４０）にはんだ付けされており、
前記回路支持体（１，４０）は、結露保護用の保護層（１６）を備えており、
前記回路支持体（１，４０）の表面の少なくとも一部は、前記保護層（１６）によって被覆されている、回路支持体（１，４０）において、
前記保護層（１６）は、シリコーンポリマー層によって形成されており、
前記シリコーンポリマー層（１６）は、当該シリコーンポリマー層（１６）中に均一に分布している充填粒子（１５）を有し、
前記充填粒子（１５）は、アルカリ土類金属の少なくとも１種の塩を含む
ことを特徴とする回路支持体（１，４０）。
【請求項２】
前記塩は、炭酸の塩である、
請求項１に記載の回路支持体（１，４０）。
【請求項３】
前記塩は、炭酸塩又は炭酸水素塩である、
請求項１又は２に記載の回路支持体（１，４０）。
【請求項４】
前記保護層（１６）のマトリクスは、弾性を有する完全架橋型のシリコーンゴムである、
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の回路支持体（１，４０）。
【請求項５】
前記保護層（１６）は、カップリング剤（２８）を含む、
請求項４に記載の回路支持体（１，４０）。
【請求項６】
前記充填粒子（１５）の少なくとも一部は、少なくとも１種のアルカリ土類金属の少なくとも１種の酸化物を含む、
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の回路支持体（１，４０）。
【請求項７】
前記充填粒子（１５）の少なくとも一部は、前記回路支持体（１，４０）との前記保護層（１６）の界面（１７）に配置されており、
前記充填粒子（１５）の前記少なくとも一部は、前記融剤（１０）から前記回路支持体（１，４０）上に酸が残留又は析出された場合に、当該酸を分解するものである、
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の回路支持体（１，４０）。
【請求項８】
前記充填粒子（１５）の前記少なくとも一部は、前記融剤（１０）から前記回路支持体（１，４０）上に酸が残留又は析出された場合に、プロトリシス発生下で、当該酸を分解するものである、
請求項７に記載の回路支持体（１，４０）。
【請求項９】
前記保護層（１６）中の前記充填粒子（１５）の体積割合は、２％から５０％までの間である、
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の回路支持体（１，４０）。
【請求項１０】
前記回路支持体（１，４０）に前記充填粒子（１５）の少なくとも一部が直接接触するように、当該充填粒子（１５）は、前記保護層（１６）中に分布させられている、
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の回路支持体（１，４０）。
【請求項１１】
前記充填粒子（１５）の粒径は、５μｍ未満である、
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の回路支持体（１，４０）。
【請求項１２】
前記電子部品（４）は、前記回路支持体（１，４０）の導体路（７，８）にはんだ付けされている、
請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の回路支持体（１，４０）。
【請求項１３】
回路支持体（１，４０）の製造方法であって、
酸含有又は酸放出性の融剤（１０）を用いて、少なくとも一つの電子部品（４）を回路支持体（１，４０）にはんだ付けし、
保護層（１６）としてのシリコーン保護塗膜材を、前記回路支持体（１，４０）にコーティングし、
前記シリコーン保護塗膜材は、アルカリ土類金属の塩を含む、２％から５０％までの体積割合の充填粒子（１５）を含む
ことを特徴とする製造方法。
【請求項１４】
前記アルカリ土類金属の塩は、石灰粒子である、
請求項１３に記載の製造方法。
【国際調査報告】
2017504971.tif 000006
2017504971.tif 000007
2017504971.tif 000008
2017504971.tif 000009