(57)【要約】  本発明は、大型基板、特にガラス基板の横型湿式化学処理用装置の処理モジュールであって、ハウジングカバーを有するハウジングと、大型基板の水平方向の処理のための複数の搬送エレメントを有する搬送装置であって、処理モジュールは、処理モジュールの入口において大型基板の搬送面の上方に配置された少なくとも１つの第１の液体ノズルおよび少なくとも１つのガスノズルと、処理モジュールの内部に処理液を蓄積するために処理モジュールの出口において大型基板の搬送面の上方に配置された少なくとも１つの別の第１の液体ノズルおよび少なくとも１つの別のガスノズルと、をさらに有し、各ガスノズルは、それぞれの第１の液体ノズルよりも外側に配置されている、搬送装置と、大型基板の搬送面の下方において各第１の液体ノズルの下方に配置された少なくとも１つの液体堰と、を備え、処理モジュールの搬送装置および液体堰を調節する少なくとも１つの調節装置をさらに備える、処理モジュールに関する。本発明は、さらに、特にこのような処理モジュールを備える横型装置において大型基板を処理する方法に関する。
2017510708.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
大型基板、特にガラス基板の横型湿式化学処理用装置の処理モジュール（１）であって、
ハウジングカバー（４）を有するハウジング（２）と、
前記大型基板の水平方向の処理のための複数の搬送エレメント（８）を有する搬送装置であって、前記処理モジュール（１）は、該処理モジュール（１）の入口において前記大型基板の搬送面（１７）の上方に配置された少なくとも１つの第１の液体ノズル（１１）および少なくとも１つのガスノズル（１０）と、前記処理モジュール（１）の内部に処理液を蓄積するために前記処理モジュール（１）の出口において前記大型基板の搬送面（１７）の上方に配置された少なくとも１つの別の第１の液体ノズル（１１）および少なくとも１つの別のガスノズル（１０）と、をさらに有し、各ガスノズル（１０）は、それぞれの第１の液体ノズル（１１）よりも外側に配置されている、搬送装置と、
前記大型基板の前記搬送面（１７）の下方において各第１の液体ノズル（１１）の下方に配置された少なくとも１つの液体堰（１３）と、を備える処理モジュール（１）において、
当該処理モジュール（１）の前記搬送装置および前記液体堰（１３）を調節する少なくとも１つの調節装置をさらに備えることを特徴とする、処理モジュール（１）。
【請求項２】
前記搬送装置の各搬送エレメント（８）のそれぞれの外側端部を収容するための複数の軸受、好適には玉軸受を有する、２つの軸受リテーナ条片（９）、好適には玉軸受条片をさらに備える、請求項１記載の処理モジュール。
【請求項３】
前記第１の液体ノズル（１１）の間で前記大型基板の前記搬送面（１７）の上方に配置された少なくとも１つの第２の液体ノズル（１２）をさらに備える、請求項１または２記載の処理モジュール。
【請求項４】
前記液体堰（１３）は、それぞれの第１の液体ノズル（１１）の下方において前記搬送システムの２つの隣接する搬送エレメント（８）の間に配置されている、請求項１から３までのいずれか１項記載の処理モジュール。
【請求項５】
前記大型基板の前記搬送面（１７）の下方に配置された、ガス、好適には圧縮空気デリバリエレメント（２２）を備え、前記ガス供給エレメント（２２）は、前記処理モジュールの各ガスノズル（１０）の下方に配置されている、請求項１から４までのいずれか１項記載の処理モジュール。
【請求項６】
前記搬送装置の前記搬送エレメント（８）のそれぞれの外側端部を収容するための複数の軸受、好適には玉軸受を有する、少なくとも１つの第３の軸受リテーナ条片（９）、好適には玉軸受条片をさらに備え、前記少なくとも１つの第３の軸受リテーナ条片（９）は２つの軸受リテーナ条片（９）の間に平行に配置されている、請求項１から５までのいずれか１項記載の処理モジュール。
【請求項７】
前記調節装置は、少なくとも１つの第１の調節エレメント（１９）と、少なくとも１つの第２の調節エレメント（２０）とを有し、前記第１の調節エレメント（１９）は、前記液体堰（１３）と前記軸受リテーナ条片（９）との水平方向の整列を調節することができるように、複数の第２の調節エレメント（２０）によってそれぞれの液体堰（１３）または前記軸受リテーナ条片（９）に接続されている、請求項１から６までのいずれか１項記載の処理モジュール。
【請求項８】
前記調節装置は、実質的に処理液を有さない別個の領域内において前記処理モジュール（１）の前記ハウジング（２）の底部の下方に配置されている、請求項１から７までのいずれか１項記載の処理モジュール。
【請求項９】
前記第１の調節エレメント（１９）はバーまたは条片であり、該バーまたは条片は、前記処理モジュール用の下部構造としてのラケットを共同で形成しており、前記第２の調節エレメント（２０）は、ボルト、ピンまたはねじであり、両調節エレメント（１９，２０）は好適には金属から形成されている、請求項７記載の処理モジュール。
【請求項１０】
当該処理モジュール（１）の別個の処理液循環システムの一部である少なくとも１つの処理液出口エレメント（１８）をさらに備える、請求項１から９までのいずれか１項記載の処理モジュール。
【請求項１１】
前記ハウジングカバー（４）は、中央領域（３）と、２つの側部領域（５）とを有し、前記中央領域（３）は、前記搬送領域に対して平行に整列させられておりかつ少なくとも１つのガス排出開口（７）を有し、両側部領域（５）は、前記ハウジングカバー（４）の前記中央領域（３）から前記ハウジング（２）へ一定して下方へ延びている、請求項１から１０までのいずれか１項記載の処理モジュール。
【請求項１２】
複数のモジュールを有する横型装置おいて大型基板を処理する方法であって、
ｉ）少なくとも１つの前処理モジュールと、請求項１から１１までのいずれか１項記載の少なくとも１つの処理モジュールと、少なくとも１つの後処理モジュールと、を備える横型装置を提供するステップと、
ｉｉ）請求項１から１１までのいずれか１項記載の各処理モジュール（１）の搬送エレメント（８）と液体堰（１３）とを、前記搬送エレメントと前記液体堰との正確な水平方向整列を保証するために調節装置によって調節するステップと、
ｉｉｉ）大型基板、好適にはガラス基板を提供するステップと、
ｉｖ）前処理、処理および後処理を行うために前記大型基板を横型装置のモジュールを通して搬送するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１から１１までのいずれか１項記載の処理モジュール（１）における方法ステップｉｖ）の間の大型基板の処理は、金属、好適には銅を前記大型基板の表面に析出させる無電解湿式化学処理である、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記無電解湿式化学処理は、前記大型基板を処理液に浸漬させることによって行われる、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
大型ガラス基板、特にフラットパネルディスプレイ上の金属、特に銅の析出のための、請求項１から１１までのいずれか１項記載の処理モジュールの使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大型基板、特にガラス基板の横型湿式化学処理用装置の処理モジュールであって、ハウジングカバーを有するハウジングと、大型基板の水平方向の処理のための複数の搬送エレメントを有する搬送装置であって、処理モジュールは、処理モジュールの入口において大型基板の搬送面の上方に配置された少なくとも１つの第１の液体ノズルおよび少なくとも１つのガスノズルと、処理モジュールの内部に処理液を蓄積するために処理モジュールの出口において大型基板の搬送面の上方に配置された少なくとも１つの別の第１の液体ノズルおよび少なくとも１つの別のガスノズルと、をさらに有し、各ガスノズルは、それぞれの第１の液体ノズルよりも外側に配置されている、搬送装置と、大型基板の搬送面の下方において各第１の液体ノズルの下方に配置された少なくとも１つの液体堰と、を備える処理モジュールに関する。
【０００２】
本発明は、さらに、本発明のこのような処理モジュールを含む複数のモジュールを備える横型装置における大型基板の処理方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
電子産業における基板の水平方向処理用のデバイスおよび装置は、数十年来良く知られている。元来、比較的厚いプリント回路基板は、これらのプリント回路基板を様々な処理液によって処理するために、このような横型装置を通って搬送される。このような処理は、産業用のプリント回路基板を製造するためのあらゆる必要な工程段階を含み得る。必要な工程段階には、エッチング、リンス、銅シード層の析出などの様々な前処理工程段階と、その後の、無電解またはガルバニック工程段階によって、前処理された基板の表面に金属、一般的には銅、ニッケルまたは錫を析出させる少なくとも１つの主工程段階と、リンス、乾燥などの最後の様々な後処理工程と、が含まれる。
【０００４】
しかしながら、電子産業は、今では、従来のプリント回路基板よりも大幅に大きいのみならず、極めて多くの場合に、プリント回路基板用の一般的に使用されるポリマ材料の代わりに脆いガラス材料から成る、大型基板を加工するのに適したデバイスおよび装置を必要としている。大型テレビの製造などの電子産業用の、フラットパネルディスプレイなどの大型ガラス基板を搬送および加工するのに適した装置を必要とすることが市場のトレンドである。
【０００５】
これらの大型基板のための増大する挑戦は、不均一性を生じることなくこのような大型基板の表面に均一な処理、特に均一な金属析出を提供および保証することでもある。
【０００６】
東京エレクトロン株式会社の特開２０１０−１９９１５０号は、基板搬送路と、第１の処理液供給手段と、気体供給手段と、第１のリンス手段と、基板搬送路を通って搬送されるそれぞれの基板を処理する第２のリンス手段と、を備える基板処理装置を開示している。
【０００７】
プリント回路基板産業の周知の装置をこの目的のために単純に使用することは不可能である。プリント回路基板の製造のために過去に成功して使用された上記の横型装置は、大型基板、特にフラットパネルディスプレイなどのガラス基板を処理するためのこれらの新たな要求を満たすことはできない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
したがって、従来技術を考慮して、本発明の目的は、大型基板、特にフラットパネルディスプレイなどの脆い大型ガラス基板を搬送および処理するのに適した横型装置の処理モジュールを提供することである。
【０００９】
さらに、本発明の目的は、不均一性を生じることなく均一な表面処理を提供および保証することができる、大型基板処理用の横型装置の処理モジュールを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
これらの課題のみならず、明示的に言及されていないが、導入部によって本明細書において説明された関連技術から即座に導出または認識することができるその他の目的もまた、請求項１の全ての特徴を有する処理モジュールによって達成される。本発明の処理モジュールに対する適切な変更は、従属請求項２〜１１において保護されている。さらに、請求項１２は、このような処理モジュールを使用して大型基板を処理する方法を含むのに対し、本発明の方法の適切な変更は、従属請求項１３および１４において保護されている。さらに、請求項１５は、大型ガラス基板、特にフラットパネルディスプレイ上の金属、特に銅の析出のためのこのような処理モジュールの使用を含む。
【００１１】
したがって、本発明は、大型基板、特にガラス基板の横型湿式化学処理用装置の処理モジュールであって、ハウジングカバーを有するハウジングと、大型基板の水平方向の処理のための複数の搬送エレメントを有する搬送装置であって、処理モジュールは、処理モジュールの入口において大型基板の搬送面の上方に配置された少なくとも１つの第１の液体ノズルおよび少なくとも１つのガスノズルと、処理モジュールの内部に処理液を蓄積するために処理モジュールの出口において大型基板の搬送面の上方に配置された少なくとも１つの別の第１の液体ノズルおよび少なくとも１つの別のガスノズルと、をさらに有し、各ガスノズルは、それぞれの第１の液体ノズルよりも外側に配置されている、搬送装置と、大型基板の搬送面の下方において各第１の液体ノズルの下方に配置された少なくとも１つの液体堰と、を備える処理モジュールにおいて、処理モジュールの搬送装置および液体堰を調節する少なくとも１つの調節装置をさらに備えることを特徴とする、処理モジュールを提供する。
【００１２】
したがって、大型基板、特にフラットパネルディスプレイなどの脆い大型ガラス基板を搬送および処理するのに適した横型装置の処理モジュールを、予期し得ないかたちで提供することができる。
【００１３】
さらに、本発明の処理モジュールにおける調節装置の提供は、上記処理モジュールのその他の必須の構成要素と共に、不均一性を生じることなく均一な表面処理の提供および保証することができるように支援する。
【００１４】
本発明をより完全に理解するために、添付の図面に関連して考察された以下の発明の詳細な説明が参照される。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の１つの実施の形態に係る処理モジュールの概略的な透視図である。
【図２】本発明の図１に示したものと同一の実施の形態に係る、ハウジングカバーを有さない処理モジュールの概略的な透視図である。
【図３ａ】本発明の図１に示したものと同一の実施の形態に係る、ハウジングカバーを開放した処理モジュールの概略的な側面図を示している。
【図３ｂ】上記処理モジュールの様々な特徴の断面図である。
【図３ｃ】上記処理モジュールの様々な特徴の断面図である。
【図３ｄ】上記処理モジュールの様々な特徴の断面図である。
【図４】本発明の図１に示したものと同一の実施の形態に係る処理モジュールの下側の概略的な透視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本明細書において使用される場合、本発明に係る「湿式化学」処理という用語は、基板上の金属析出を行うために電流を使用しない無電解処理のことを指す。このような湿式化学処理は、加工中は常に基板の上面よりも上にある処理液面が処理モジュールの内部に提供された状態で処理液に基板を浸漬させることによって、または基板の少なくとも１つの表面に処理液を噴霧することによって、行うことができる。
【００１７】
本明細書において使用される場合、本発明に係る基板の横型湿式化学処理用装置に適用されるときの「金属」という用語は、このような水平方向の析出方法に適することが知られている金属のことを指す。このような金属は、金、ニッケル、錫および銅を含み、好適には銅である。
【００１８】
本明細書において使用される場合、本発明に係る処理モジュールに適用されるときの「大型基板」という用語は、フラットパネルディスプレイの製造に必要とされるような大きな寸法の基板、好適には、ガラス基板用の少なくとも第８世代の寸法（２２０ｃｍ×２５０ｃｍ）までの基板のことを指す。
【００１９】
基板は、処理モジュールの第１の液体ノズルの間の領域によって画成される処理領域を通って搬送される。基板は、水平搬送平面に沿って搬送方向に搬送される。基板は、処理領域に蓄積された処理液を通って搬送される。
【００２０】
処理液の流れは、処理領域に向かう方向で処理液の流れを排出する、処理モジュールの入口および出口における第１の液体ノズルによって発生する。
【００２１】
ガスの流れは、ガスノズルによって発生する。ガスノズルは、間隙によって搬送方向に沿って液体ノズルから離間させられている。ガスノズルによって排出されたガスの少なくとも一部は、間隙を通って逃げ出す。
【００２２】
第１の液体ノズルとガスノズルとの組み合わせは、基板から処理液を除去または回収するように機能する。材料の高感度の表面に当接するスクイーズローラが使用される必要はない。第１の液体ノズルによって排出された処理液の流れは、第１の液体ノズルと搬送平面との間の間隙を通る処理液の流出を減じるように機能する。第１の液体ノズルによって排出された処理液の流れは、基板の表面における処理液の交換も増進する。
【００２３】
ガスノズルとそれぞれの第１の液体ノズルとの間の間隙により、ガス流が処理領域の外側の基板から処理液を除去することができる一方、ガスが処理領域に入ることなくそこを通って逃げることができるスペースを提供する。
【００２４】
処理液という用語は、湿式化学処理用のこのような処理モジュールにおいて基板が曝されるあらゆる加工化学液体のことを指す。
【００２５】
基板の上面は、高感度な表面であってもよい。したがって、基板の上面の少なくとも大部分は、基板が処理領域に入るときまたは処理領域から出るときに、剛性のエレメントと接触させられるべきではない。
【００２６】
１つの実施の形態では、処理モジュールは、搬送装置の各搬送エレメントのそれぞれの外側端部を収容するための複数の軸受、好適には玉軸受を有する、２つの軸受リテーナ条片、好適には玉軸受条片をさらに備える。
【００２７】
１つの実施の形態では、処理モジュールは、第１の液体ノズルの間で大型基板の搬送面の上方に配置された少なくとも１つの第２の液体ノズルをさらに備える。
【００２８】
本発明の処理モジュールにおけるこのような大型基板の処理は、処理モジュールの内部に十分に高い処理液面を保証する十分な処理液を提供するために、このような付加的な第２の液体ノズルを必要とする可能性がある。大型基板の寸法が大きくなりすぎると、処理モジュールの入口および出口における第１の液体ノズルのみではもはや、基板の搬送面よりも上方に処理液面を確立するために十分な処理液を提供することができなくなるという事態が生じ得る。加工される基板の上面が処理液面よりも常に下方にあることも保証されなければならない。
【００２９】
１つの実施の形態では、それぞれの第１の液体ノズルの下方において搬送システムの２つの隣接する搬送エレメントの間に、液体堰が配置されている。
【００３０】
液体堰は、処理モジュールの入口および出口を通って基板が搬送されるための、所定の間隙のみが残ることを保証する。それと同時に、第１の液体ノズルに関連した処理モジュールの内部の処理領域からの処理液の損失を最小化する。
【００３１】
１つの実施の形態では、処理モジュールは、大型基板の搬送面よりも下方に配置された、ガス、好適には圧縮空気供給エレメントを備える。ガス供給エレメントは、処理モジュールの各ガスノズルの下方に配置されている。
【００３２】
このようなガス供給エレメントは、処理モジュールの入口および出口を通って基板が搬送されるための、所定の間隙のみが残ることを保証する。それと同時に、ガスノズルに関連した処理モジュールの内部の処理領域からの処理液の損失を最小化する。
【００３３】
１つの実施の形態では、処理モジュールは、搬送装置の搬送エレメントのそれぞれの外側端部を収容するための複数の軸受、好適には玉軸受を有する、少なくとも１つの第３の軸受リテーナ条片、好適には玉軸受条片をさらに備える。少なくとも１つの第３の軸受リテーナ条片は、２つの軸受リテーナ条片の間に平行に配置される。
【００３４】
大型基板の寸法が、ロータまたはホイール軸などの一般的に使用される搬送エレメントにとって大きすぎると、このような付加的な軸受リテーナ条片が必要になる。このような搬送エレメントは、搬送エレメントの製造中の構造的な問題によって生じる軸方向の必要な精度を欠いている。ローラは、通常、鋼コアなどの金属コアから成り、ポリマ材料から形成された外側ハウジング内に機械的に差し込まれる。しかしながら、このような差し込みプロセスは、極めて高い機械的な力を発生し、この力は、このような搬送エレメントを依然として必要な精度で製造することができる軸方向長さの技術的限界の原因となる。このため、上述の理由により１つの搬送エレメントの必要な軸方向長さが得られない場合は、少なくとも２つの搬送エレメントを相前後して取り付けるという可能性がある。これは、これらの２つの搬送エレメントの間の軸方向接続箇所に１つの付加的な軸受リテーナ条片を必要とする。
【００３５】
１つの実施の形態では、調節装置は、少なくとも１つの第１の調節エレメントと、少なくとも１つの第２の調節エレメントとを備え、第１の調節エレメントは、複数の第２の調節エレメントによってそれぞれの液体堰または軸受リテーナ条片に接続されており、液体堰と軸受リテーナ条片との水平方向の整列を調節することができるようになっている。
【００３６】
これは、大型基板のこのような加工にとって極めて有利である。なぜならば、多くの場合、このような基板にとって十分な精度で処理モジュールの下側部分に搬送エレメントおよび液体堰などのモジュールエレメントを製造することは、困難であるからである。加えて、上記モジュールエレメントを水平方向で適切に整列させるために、常に調節が必要になる可能性がある。このような選択的な調節は、複数の第２の調節エレメントによって提供され、これは、処理モジュールの搬送領域に対して垂直な、液体堰および軸受リテーナ条片の選択的な鉛直方向の移動（上方または下方、さらには増分的な範囲）を可能にする。
【００３７】
１つの実施の形態では、調節装置は、実質的に処理液を有さない別の領域において、処理モジュールのハウジングの底部の下方に配置されている。
【００３８】
あらゆる種類の調節装置が多くの場合、十分な機械的安定性を提供するために金属から形成されなければならないので、これは有利である。調節装置が金属から形成されており、湿式化学的銅析出などの処理液が上記調節装置と接触することができると、これらの金属部分の表面に意図せずに銅がめっきされてしまう。
【００３９】
１つの実施の形態では、第１の調節エレメントはバーまたは条片であり、これらは共同で処理モジュール用の下部構造としてのラケットを形成している。第２の調節エレメントは、ボルト、ピンまたはねじである。両調節エレメントは、好適には金属から形成される。
【００４０】
１つの実施の形態では、処理モジュールは、処理モジュールの分離された処理液循環システムの一部である少なくとも１つの処理液出口エレメントをさらに備える。
【００４１】
１つの実施の形態では、ハウジングカバーは、中央領域と、２つの側部領域とを有する。中央領域は、搬送領域に対して平行に整列させられており、少なくとも１つの排出開口を有する。両側部領域は、ハウジングカバーの中央領域からハウジングへ一定して下方へ延びている。
【００４２】
処理モジュールの内側に基板の処理のために室温よりも高い所定の温度が設定されており、これが処理液の成分の蒸発プロセスにつながる場合に、これは有利である。蒸発した揮発性成分は、ガス排出開口によって処理モジュールから排出することができる。加えて、側壁の配列は、蒸発した処理液成分から形成された凝縮物が自動的に処理液へ流れ戻ることをサポートする。
【００４３】
さらに、本発明の課題は、以下の方法ステップによって特徴付けられる、複数のモジュールを有する横型装置おいて大型基板を処理する方法によって解決される。
ｉ）少なくとも１つの前処理モジュールと、少なくとも１つの本発明に係る処理モジュールと、少なくとも１つの後処理モジュールと、を備える横型装置を提供するステップ
ｉｉ）本発明の処理モジュールの搬送エレメントおよび液体堰を、搬送エレメントと液体堰との正確な水平方向の整列を保証するために、調節装置によって調節するステップ
ｉｉｉ）大型基板、好適にはガラス基板を提供するステップ
ｉｖ）前処理、処理および後処理を行うために大型基板を横型装置のモジュールを通して搬送するステップ。
【００４４】
方法の好適な実施の形態では、本発明の処理モジュールにおける方法ステップｉｖ）の間の大型基板の処理は、金属、好適には銅を大型基板の表面に析出させる無電解湿式化学処理である。
【００４５】
このような湿式化学処理は、厚さが制限された銅層を提供することができるに過ぎない既知のスパッタリング技術と比較して、有利であることが分かっている。スパッタリングは最終的に１μｍ未満の銅層を生成するのに対し、湿式化学処理は、厚い銅層がスパッタリングされたときに基板の内部応力によって生じる既知の曲げ効果を生じることなく、大幅に厚い銅層を提供することができる。
【００４６】
このような本発明の方法の別の利点は、最初に基板の表面全体に銅層を析出させる必要なく、基板の表面に選択的な銅層を直接に形成することができる点である。基板の表面全体の銅層は、その後、選択的な銅層を形成するために様々な別の方法ステップによって処理されなければならない。基板自体の材料に依存して、基板にこのような選択的な銅層を析出させるために、選択的なパラジウム層の析出が必要となる場合がある。大型の基板がフラットパネルディスプレイ用のガラス基板である場合、パラジウム層のこのような析出の後、パラジウム層の上側に銅層を設けることが好ましい。
【００４７】
方法のより好適な実施の形態では、無電解湿式化学処理は、大型基板を処理液に浸漬させることによって行われる。
【００４８】
基板の処理液内の浸漬は、噴霧パターンを形成することによる不均一な析出を生じる、基板表面への処理液の既知の噴霧技術と比較して、均一な金属析出という利点を提供する。
【００４９】
加えて、本発明のこのような処理モジュールは、大型ガラス基板、特にフラットパネルディスプレイへの金属、特に銅の析出のために使用することができることが分かっている。
【００５０】
したがって、本発明は、大型基板、特にフラットパネルディスプレイなどの脆い大型ガラス基板を搬送および加工するのに適した横型装置用の処理モジュールを提供するという課題を解決する。
【００５１】
本発明の１つの実施の形態を例示し、かつ本発明の理解を促進するために、以下の限定ではない例が提供されるが、本明細書に添付された請求項によって規定される本発明の範囲を限定することを意図したものではない。
【００５２】
ここで図面を参照すると、図１は、本発明の１つの実施の形態に係る処理モジュール１の概略的な透視図を示している。
【００５３】
処理モジュール１は、ハウジングカバー４を有するハウジング２を備える。ハウジングカバー４は、中央領域３と、２つの側部領域５と、２つの側部領域５内のそれぞれ２つの窓６と、を有する。ここでは、中央領域３は、搬送領域に対して平行に整列させられており、少なくとも１つのガス排出開口７を有する。両側部領域５は、ハウジングカバー４の中央領域３からハウジング２まで一定して下方へ延びている。
【００５４】
処理モジュール１は、大型基板の水平方向の処理のための複数の搬送エレメント８を有する搬送装置をさらに備える。搬送エレメント８は、ローラまたはホイール軸であってよい。図示の実施の形態では、各搬送エレメント８はホイール軸である。ローラは、処理モジュール１の処理領域の内部で利用可能な体積がより少なくなることで処理化学物質の消費がより少なくなるので、有利であることがある。基板の搬送方向は、図面に概略的に示されている。
【００５５】
処理モジュール１は、搬送装置の各搬送エレメント８のそれぞれの外側端部を収容するための複数の玉軸受を有する、２つの玉軸受条片９をさらに備える。さらに、処理モジュール１は、搬送装置の搬送エレメント８のそれぞれの外側端部を収容する複数の玉軸受を有する第３の玉軸受条片９を備える。少なくとも１つの第３の玉軸受条片９が、２つの玉軸受条片９の間に平行に配置されている。
【００５６】
処理モジュール１は、処理モジュール１の内部に処理液を蓄積するために処理モジュール１の入口および出口において大型基板の搬送面の上方に配置された、第１の液体ノズル１１およびガスノズル１０をさらに備える。各ガスノズル１０は、それぞれの第１の液体ノズル１１よりも外側に配置されている。さらに、処理モジュール１は、２つの第１の液体ノズル１１の間において大型基板の搬送面の上方に配置された、２つの第２の液体ノズル１２を備える。
【００５７】
図２は、本発明の図１に示したものと同一の実施の形態に係る、ハウジングカバー４を有さない処理モジュール１の概略的な透視図を示している。図２は、基板の搬送面の上方の処理モジュール１の特徴をさらに詳しく例示するように意図されている。対応する参照符号を備える処理モジュール１のそれぞれの特徴は、図１に関して上述したものと同じであり、不要な繰り返しを回避するために再び説明しない。
【００５８】
図３ａは、本発明の図１に示したものと同一の実施の形態に係る、ハウジングカバー４を開放した処理モジュール１の概略的な側面図を示している。
【００５９】
処理モジュール１のこの代替的な視点は、基板の搬送面の上方において、ガスノズル１０と、第１の液体ノズル１１と、２つの第２の液体ノズル１２と、第１の液体のノズル１１と、再びガスノズル１０とが、搬送方向に連続していることを示している。
【００６０】
さらに、処理モジュール１は、それぞれの第１の液体ノズル１１の下方において搬送システムの２つの隣接する搬送エレメント８の間に配置された、２つの液体堰１３を備える。
【００６１】
処理モジュール１は、大型基板の搬送面の下方に配置されたガス供給エレメント２２をさらに備える。ガス供給エレメントは、処理モジュール１の各ガスノズル１０の下方に配置されている。
【００６２】
図３ｂは、処理モジュール１のガスノズル１０を含む部分の断面図を示しており、処理モジュール１のこの部分における詳細な配列の拡大図を提供している。ガス供給エレメント２２は、ガスノズル１０の真下でかつ大型基板の搬送面１７の下方に設けられている。ガス供給エレメント２２は、２つの隣接する搬送エレメント８の間に配置されている。ガスノズル１０のガス供給部１４は、処理モジュール１の入口および出口における排出されるガス流の経路を明らかにするために、太く強調されている。排出されるガス流は、処理領域の内部へ方向付けられ、処理領域の内部に処理液を蓄積することをサポートする。
【００６３】
図３ｃは、処理モジュール１の第１の液体ノズル１１を含む部分の断面図を示しており、処理モジュール１のこの部分における詳細な配列の拡大図を提供している。液体堰１３は、第１の液体ノズル１１の真下でかつ大型基板の搬送面１７の下方に設けられている。液体堰１３は、２つの隣接する搬送エレメント８の間に配置されている。第１の液体ノズル１１の液体供給部１５は、処理モジュール１０の入口および出口における排出される液体流の経路を明らかにするために、太く強調されている。排出される液体流は、処理領域の内部へ方向付けられ、処理領域の内部への処理液の蓄積を支援する。
【００６４】
図３ｄは、大型基板の搬送面１７の上方の第２の液体ノズル１２を含む、処理モジュール１の部分の断面図を示しており、処理モジュール１のこの部分における詳細な配列の拡大図を提供している。第２の液体ノズル１２の液体供給部１６は、２つの第１の液体ノズル１１の間の処理モジュール１の内部における排出される液体流の経路を明らかにするために、太く強調されている。大型基板の搬送面１７の上方において搬送方向に対して平行に排出される、排出される液体流は、処理モジュール１の内部の十分な処理液面を保証するためのものである。
【００６５】
図４は、本発明の図１に示したものと同一の実施の形態に係る処理モジュール１の下側の概略的な透視図を示している。特に、処理モジュール１の調節装置の詳細がこの図４によって例示されかつ明らかにされると考えられる。
【００６６】
この好適な実施の形態では、調節装置は、互いに対して垂直に延びた、２つの平行な第１の調節エレメント１９と、３つの第２の調節エレメント２０と、を有する。第１の調節エレメント１９は、処理モジュール１用の下部構造としてのラケットを共同で形成する複数のバーである。第２の調節エレメント２０はボルトである。両調節エレメント１９，２０は金属から形成されている。
【００６７】
第１の調節エレメント１９は、液体堰１３および玉軸受条片９の水平方向の整列を調節することができるように、複数の第２の調節エレメント２０によってそれぞれの液体堰１３または玉軸受条片９に接続されている。この場合、調節装置は、実質的に処理液を有さない別個の領域内において、処理モジュール１のハウジング２の底部の下方に配置されている。
【００６８】
処理モジュール１は、処理モジュール１の別個の処理液循環システム（図示せず）の一部である複数の処理液出口エレメント１８をさらに備える。処理モジュール１は、それぞれのガス供給エレメント２２（図示せず）の複数の液体供給部２１をさらに備える。
【００６９】
本明細書で説明された実施の形態は例示に過ぎず、当業者は、本発明の範囲から逸脱することなく多くの変更および修正を行い得ることを理解するであろう。上述したものを含む全てのこのような変更および修正は、添付の請求項によって規定される本発明の範囲に含まれることが意図されている。
【符号の説明】
【００７０】
１  処理モジュール
２  ハウジング
３  ハウジングカバーの中央領域
４  ハウジングカバー
５  ハウジングカバーの側部領域
６  ハウジングカバーの窓
７  ガス排出開口
８  搬送エレメント
９  軸受リテーナ条片
１０  ガスノズル
１１  第１の液体ノズル
１２  第２の液体ノズル
１３  液体堰
１４  ガスノズルのガス供給部
１５  第１の液体ノズルの液体供給部
１６  第２の液体ノズルの液体供給部
１７  大型基板の搬送面
１８  処理液出口エレメント
１９  第１の調節エレメント
２０  第２の調節エレメント
２１  ガス供給エレメントの液体供給部
２２  ガス供給エレメント
【図１】
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【図２】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図３ｃ】
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【図３ｄ】
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【図４】
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【国際調査報告】
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