(57)【要約】  本発明の一実施形態によると，基板処理装置は，基板に対する工程が行われる内部空間を提供するチャンバと，前記内部空間に設置されて上部に前記基板が置かれるサセプタと，前記サセプタの周りに沿って前記チャンバの側壁に形成された排気ポートの上に設置されて複数の貫通孔を有する固定プレートと，前記固定プレートの上部または下部に設置されて前記サセプタの中心を基準に回転可能であり，前記貫通孔を選択的に開閉する一つ以上のスライディングプレートと，を含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対する工程が行われる内部空間を提供するチャンバと，
前記内部空間に設置されて上部に前記基板が置かれるサセプタと，
前記サセプタの周りに沿って前記チャンバの側壁に形成された排気ポートの上に設置されて複数の貫通孔を有する固定プレートと，
前記固定プレートの上部または下部に設置されて前記サセプタの中心を基準に回転可能で，前記貫通孔を選択的に開閉する一つ以上のスライディングプレートと，を含む基板処理装置。
【請求項２】
前記基板処理装置は，
前記サセプタの周りに沿って配置されて前記サセプタと前記排気ポートとの間に形成される排出口の上に設置され，内面にそれぞれ形成された複数の上部排気孔及び下部排気孔を備える排気プレートを更に含む請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記固定プレート及び前記スライディングプレートの上端は前記上部排気孔の下部に配置される請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記固定プレートはリング状を有し，
前記スライディングプレートは複数の円弧状に互いに離隔配置される請求項１記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記スライディングプレートは，
前記固定プレートの上部に配置されて排出孔が貫通形成される上部プレートと，
前記上部プレートの外周面に沿って連結されて前記チャンバの側壁に沿って移動可能な磁性体を備える側面プレートと，を更に備える請求項１記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記基板処理装置は，
前記チャンバの外壁と離隔設置されて外部から遮断された移送経路を提供するハウジングと，
前記ハウジング内に設置されて前記移送経路を複数の移送区間に区画する遮断板と，
前記移送区間にそれぞれ設置されて前記側面プレートに磁力を加えて共に移動可能である磁石と，
前記遮断板と前記磁石との間にそれぞれ設置されて前記磁石に向かって弾性力を提供する弾性部材と，
前記移送区間にそれぞれ設置されて前記磁石が前記遮断板に向かって移動可能になるように油圧を提供する油圧ラインと，を更に含む請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記スライディングプレートは，前記磁石によって
前記貫通孔と前記排出孔が互いに対応する位置で連通される開放位置と，
前記貫通孔を閉鎖する遮断位置と，に転換可能である請求項６記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記基板処理装置は，
前記油圧ラインの上にそれぞれ設置されて前記油圧ラインの流量を調節する流量調節器と，
前記流量調節器とそれぞれ接続されて前記流量調節器を制御するコントローラと，を更に含む請求項６記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記チャンバは，
上部が開放されて基板に対する工程が行われる内部空間を提供するチャンバ本体と，
前記チャンバ本体の上部に設置されて前記チャンバ本体の上部を閉鎖するチャンバリッドと，を備え，
前記基板処理装置は，
前記チャンバリッドに形成されて前記内部空間に向かってガスを供給する供給ポートを有する請求項１記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板処理装置に関するものであり，より詳しくは，排気ポートの上に設置された固定プレート及びスライディングプレートを利用してチャンバの内部空間に供給されたガスが排気される流動経路を調節可能な基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置はシリコーン基板の上に多くの層（layers）を有しており，このような層は蒸着工程を介して基板の上に蒸着される。このような蒸着工程はいくつかの重要な課題を有しており，このような課題は蒸着された膜を評価し蒸着方法を選択する際に重要である。
【０００３】
上記課題の第一は，蒸着された膜の「質」（quality）である。これは組成（composition），汚染度（contamination levels），欠陥密度（defect density），そして機械的，電気的特性（mechanical and electrical properties）を意味する。膜の組成は蒸着条件に応じて変更する可能性があり，これは特定の組成（specific composition）を得るために非常に重要である。
【０００４】
上記課題の第二は，ウェハを横切る均一な厚さ（uniform thickness）である。特に，段差（step）が形成された非平面（nonplanar）形状のパターンの上部に蒸着された膜の厚さが非常に重要である。蒸着された膜の厚さが均一であるか否かは，段差がある部分に蒸着された最小厚さをパターンの上部面に蒸着された厚さで除した値として定義されるステップカバレッジ（step coverage）により判定する。
【０００５】
蒸着に関する更に別の課題は空間の充填（filling space）である。これは金属配線（metal line）の間を，酸化膜を含む絶縁膜で充填するギャップフィリング（gap filling）を含む。ギャップは金属配線を物理的及び電気的に絶縁するために提供する。特に，このような課題のうち，均一度は蒸着工程に関する重要な課題の一つであり，蒸着工程は真空雰囲気を形成した工程チャンバ内で行われる。
【０００６】
基板は，工程チャンバ内にローディングされ，シャワーヘッドは基板の上部に設置されてシャワーヘッドを介して供給された工程ガスは基板の上に蒸着されて所望の薄膜を形成する。一方，蒸着工程は排気過程と共に行われ，排気過程で蒸着を介して発生した工程副産物及び未反応ガスは工程チャンバの外部に排出される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は，側方排気方式を利用した基板処理装置を提供することにある。
本発明の更に別の目的は，均一な排気を介して基板の上に蒸着された薄膜の均一度を確保する基板処理装置を提供することにある。
【０００８】
本発明の他の目的は以下の詳細な説明と添付した図面からより明確になるはずである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一実施形態によると，基板処理装置は，基板に対する工程が行われる内部空間を提供するチャンバと，前記内部空間に設置されて上部に前記基板が置かれるサセプタと，前記サセプタの周りに沿って前記チャンバの側壁に形成された排気ポートの上に設置されて複数の貫通孔を有する固定プレートと，前記固定プレートの上部または下部に設置されて前記サセプタの中心を基準に回転可能であり，前記貫通孔を選択的に開閉する一つ以上のスライディングプレートと，を含む。
【００１０】
前記基板処理装置は，前記サセプタの周りに沿って配置されて前記サセプタと前記排気ポートとの間に形成される排出孔の上に設置され，内面にそれぞれ形成された複数の上部排気孔及び下部排気孔を備える排気プレートを更に含む。
【００１１】
前記固定プレート及び前記スライディングプレートの上端は前記上部排気孔の下部に配置される。
【００１２】
前記固定プレートはリング状を有し，前記スライディングプレートは複数の円弧状に互いに離隔配置される。
【００１３】
前記スライディングプレートは，前記固定プレートの上部に配置されて排出孔が貫通形成される上部プレートと，前記上部プレートの外周面に沿って連結されて前記チャンバの側壁に沿って移動可能であり，磁性体を備える側面プレートと，を更に備える。
【００１４】
前記基板処理装置は，前記チャンバの外壁と離隔設置されて外部から遮断された移送経路を提供するハウジングと，前記ハウジング内に設置されて前記移送経路を複数の移送区間に区画する遮断板と，前記移送空間にそれぞれ設置されて前記側面プレートに磁力を加えて共に移動可能である磁石と，前記遮断板と前記磁石との間にそれぞれ設置されて前記磁石に対して弾性力を提供する弾性部材と，前記移送区間にそれぞれ設置されて前記磁石が前記遮断板に向かって移動可能になるように油圧を提供する油圧ラインと，を更に含む。
【００１５】
前記スライディングプレートは，前記磁石によって，前記貫通孔と前記排出孔が互いに対応する位置で連通される開放位置と，前記貫通孔を閉鎖する遮断位置と，に転換可能である。
【００１６】
前記基板処理装置は，前記油圧ラインの上にそれぞれ設置されて前記油圧ラインの流量を調節する流量調節器と，前記流量調節器とそれぞれ連結されて前記流量調節器を制御するコントローラと，を更に含む。
【００１７】
前記チャンバは，上部が開放されて基板に対する工程が行われる内部空間を提供するチャンバ本体と，前記チャンバ本体の上部に設置されて前記チャンバ本体の上部を閉鎖するチャンバリッドと，を備え，前記基板処理装置は前記チャンバリッドに形成されて前記内部空間に対してガスを供給する供給ポートを有する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の一実施形態によると，チャンバの内壁に沿って形成された排気ポートの上に設置された固定プレート及びスライディングプレートを介してチャンバの内部空間に供給された工程ガスの排気流動を制御することができる。また，基板の上に供給された工程ガスの流れを制御することで，均一な薄膜を形成して基板の生産性及び品質を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一実施形態による基板処理装置を概略的に示す図である。
【図２】本発明の一実施形態による基板処理装置を概略的に示す図である。
【図３】図１に示すＡを拡大した図である。
【図４】図１に示す固定プレート及びスライディングプレートを拡大した図である。
【図５】図２に示すスライディングプレートの待機位置を示す図である。
【図６】図２に示すスライディングプレートの待機位置を示す図である。
【図７】図２に示すスライディングプレートの作動位置を示す図である。
【図８】図２に示すスライディングプレートの作動位置を示す図である。
【図９】図２に示す基板処理装置の変形例である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下，本発明の好ましい実施形態を添付した図１乃至図９を参照して，より詳細に説明する。本発明の実施形態は様々な形に変形されてもよく，本発明の範囲が後述する実施形態に限定されると解釈してはならない。本実施形態は，当該発明の属する技術分野における通常の知識を有する者に本発明を，より詳細に説明するために提供されるものである。よって，図面に示す各要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張されている可能性がある。
【００２１】
一方，以下では蒸着装置を例に挙げて説明するが，本発明は基板支持ユニットを備える多様な基板処理装置に応用可能である。また，以下ではウェハＷを例に挙げて説明するが，本発明は多様な被処理体に応用されてもよい。
【００２２】
図１及び図２は，本発明の一実施形態による基板処理装置を概略的に示す図である。また，図３は図１に示すＡを拡大した図であり，図４は図１に示す固定プレートとスライディングプレートを拡大した図である。図１乃至図４に示すように，基板処理装置１００はチャンバ本体１０及びチャンバリッド（chamber lid）２０を含む。チャンバ本体１０は上部が開放された形状であり，チャンバリッド２０はチャンバ本体１０の開放された上部を開閉する。チャンバリッド２０がチャンバ本体１０の開放された上部を閉鎖すると，チャンバ本体１０及びチャンバリッド２０は外部から閉鎖された内部空間３を形成する。また，図２に示すように内部空間３の断面は円形であり，チャンバ本体１０は両側面から陥没されて内部空間３と同じ中心を有する曲面状の陥没部を有する。後述する第１及び第２ハウジング６０，７０は陥没部の上に設置される。
【００２３】
基板Ｗはチャンバ本体１０の一側に形成された通路５を介して内部空間３にローディングされ，サセプタ４０は内部空間３に設置される。ローディングされた基板Ｗはサセプタ４０の上部面に置かれ，サセプタ４０の下部には支持軸４５が連結される。支持軸４５はサセプタ４０を支持し，工程進行中にサセプタ４０を回転する。また，支持軸４５は下部に連結された昇降手段（図示せず）に連結されて昇降する。
【００２４】
シャワーヘッド３０は大よそ平板状であり，チャンバ本体１０とチャンバリッド２０の間に設置される。よって，チャンバ本体１０の開放された上部はシャワーヘッド３０及びチャンバリッド２０によって閉鎖される。一方，シャワーヘッド３０は別途の締結部材を介してチャンバリッド２０の下部面に固定され，チャンバ本体１０の開放された上部はチャンバリッド２０によって閉鎖される。
【００２５】
供給ポート２５はチャンバリッド２０に形成され，工程ガスは供給ポート２５を介して内部空間３に供給される。シャワーヘッド３０は陥没した上部面を有し，陥没した上部面はチャンバリッド２０の下部面から離隔されてバッファ空間１２を形成する。工程ガスは供給ポート２５を介してバッファ空間１２内に取り込まれ，シャワーヘッド３０を介して内部空間３に供給される。
【００２６】
また，バッファ空間１２にはバッファプレート３５が設置され，バッファプレート３５は供給ポート２５を介して供給された工程ガスを１次拡散した後，シャワーヘッド３０を介して再拡散して均一な工程ガスを基板Ｗの上に供給する。シャワーヘッド及びバッファプレートはそれぞれ複数の噴射孔３２，３７を有し，工程ガスはそれぞれの噴射孔３２，３７を有して基板Ｗに対して噴射される。工程ガスは基板Ｗの表面に移動して基板Ｗの表面でサセプタ４０の内部に設置されたヒータを介して分解されて薄膜を形成する。工程ガスは薄膜の種類に応じて選択される。
【００２７】
排気ポート１５はチャンバ本体１０の側壁に沿って形成される。排気プレート５０はサセプタ４０の周りに配置されてサセプタ４０と排気ポート１５の間に形成される排出孔１６の上に設置される。また，排気プレート５０の上には排気プレート５０を貫通する上部及び下部排気孔５２，５４が形成され，基板Ｗに対する工程進行の際に発生する反応副産物及び未反応ガスは排気プレート５０の上部排気孔５２または下部排気孔５４を通過して排気ポート１５に排気される。排気ポート１５は排気ライン１７と連結され，排気バルブ１８は排気ライン１７の上に設置されて排気ライン１７を開閉する。また，排気ポンプ１９は排気ライン１７の上に設置されて排気ライン１７を介して反応副産物及び未反応ガスを外部に強制排出する。
【００２８】
固定プレート８０はリング状を有し，排気ポート１５に沿って設置される。固定プレート８０は複数の貫通孔８５を有し，貫通孔８５は予め設定された間隔に離隔されて形成される。スライディングプレート９０は固定プレート８０の上部（または，下部）に接して配置され，スライディングプレート９０にも固定プレート８０の貫通孔８５に対応する大きさの排出孔９５が形成される。スライディングプレート９０は複数を互いに離隔させて配置されていてもよく，固定プレート８０と同じ曲率半径を有する円弧状であってもよい。
【００２９】
スライディングプレート９０は排出孔９５が備えられる上部プレート９１及び上部プレート９１の外周面に沿って大よそ垂直に起立して連結される側面プレート９２を含む。側面プレート９２はチャンバ本体１０の陥没部に位置してチャンバ本体１０の内壁に接して移動可能であり，内面に磁性体９４が備えられる。チャンバ本体１０の陥没した外壁に沿って両側にそれぞれ第１及び第２ハウジング６０，７０が設置され，第１及び第２ハウジング６０，７０はチャンバ本体１０の内部に設置された側面プレート９２の外側に沿って互いに平行に配置される。
【００３０】
第１及び第２ハウジング６０，７０はチャンバ本体１０の外壁に沿って設置され，外部から遮断された第１及び第２移送経路６１，７１を提供する。第１及び第２移送経路６１，７１上には複数の遮断板６３Ａ，６３Ｂ，６３Ｃ…６３Ｈが備えられ，遮断板６３Ａ，６３Ｂ，６３Ｃ…６３Ｈは第１及び第２移送経路６１，７１を複数の移送区間Ａ，Ｂ，Ｃ…Ｈに区画する。移送区間Ａ，Ｂ，Ｃ…Ｈは外部から遮断されて移送区間Ａ，Ｂ，Ｃ…Ｈ内で発生したパーティクルが外部に流出されることを防止する。
【００３１】
それぞれの移送区間Ａ，Ｂ，Ｃ…Ｈ内には磁石６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃ…６５Ｈが設置され，それぞれの磁石６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃ…６５Ｈは側面プレート９１に備えられた磁性体９４に磁力を与えてそれぞれの磁石６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃ…６５Ｈに対応するスライディングプレート９０を移動させる。また，磁石６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃ…６５Ｈと遮断板６３Ａ，６３Ｂ，６３Ｃ…６３Ｈの間にはそれぞれ弾性部材６７Ａ，６７Ｂ，６７Ｃ…６７Ｈが設置され，弾性部材６７Ａ，６７Ｂ，６７Ｃ…６７Ｈは磁石６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃ…６５Ｈに向かって対して弾性力を提供する。それぞれの移送区間Ａ，Ｂ，Ｃ…Ｈには磁石６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃ…６５Ｈが前記遮断板６３Ａ，６３Ｂ，６３Ｃ…６３Ｈに向かって移動するように油圧（または，空圧）を提供する油圧ライン６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃ…６２Ｈ（または，空圧ライン）が連結される。
【００３２】
また，油圧ライン６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃ…６２Ｈの上にはそれぞれ油圧ライン６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃ…６２Ｈの流量を調節する流量調節器１２０（例えば，バルブやＭＦＣ（mass flow controller））が設置され，コントローラ１１０はそれぞれの流量調節器１２０Ａ，１２０Ｂ，１２０Ｃ…１２０Ｈとそれぞれ接続される。コントローラ１１０は予め設定された流量調節器１２０Ａ，１２０Ｂ，１２０Ｃ…１２０Ｈを制御して磁石６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃ…６５Ｈを移送させることで，スライディングプレート９０を回転して反応副産物及び未反応ガスを，排気ポート１５を介して外部に排気する。
【００３３】
図５乃至図８は，図２に示すスライディングプレートの作動過程を示す図である。図５及び図６はスライディングプレートの待機位置を示す図であり，図７及び図８はスライディングプレートの作動位置に転換された状態を示す図である。上述したように，固定プレート８０の上部にはスライディングプレート９０が配置されてサセプタ４０の中心を基準に回転する。固定プレート８０には複数の貫通孔８５が形成される。貫通孔８５はそれぞれ予め設定された間隔に配置され，例えば，それぞれの貫通孔８５は固定プレート８０の中心から１１．２５度の間隔に形成される。
【００３４】
図５及び図６に示すように，スライディングプレート９０は円弧状であり，それぞれのスライディングプレート９０は固定プレート８０の中心から３３．７５度の中心角を有する。スライディングプレート９０の中央部には排出孔９５が形成され，スライディングプレート９０の待機位置で貫通孔８５と排出孔９５がそれぞれ連通されることで反応副産物及び未反応ガスは排気ポート１５に排気される。
【００３５】
チャンバ本体１０の陥没した両側部にはそれぞれ第１及び第２ハウジング６０，７０が設置され，第１及び第２ハウジング６０，７０はチャンバ本体１０の陥没部に沿って連結されてそれぞれ外部から閉鎖される第１及び第２移送経路６１，７１を有する。第１及び第２ハウジング６０，７０はチャンバ本体１０の中央に対し互いに対称の形状を有し，第１及び第２ハウジング６０，７０内には第１及び第２移送経路６１，７１を複数の移送区間Ａ，Ｂ，Ｃ…Ｈに区画する遮断板６３Ａ，６３Ｂ，６３Ｃ…６３Ｈがそれぞれ設置される。
【００３６】
第１ハウジング６０内には反時計方向に第１乃至第４遮断板６３Ａ，６３Ｂ，６３Ｃ，６３Ｄがそれぞれ設置され，第１ハウジング６０の移送区間は第１乃至第４遮断板６３Ａ，６３Ｂ，６３Ｃ，６３Ｄによって第１乃至第４移送経路Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄに区画される。第１移送経路Ａには第１磁石６５Ａが備えられ，第１磁石６５Ａは一つのスライディングプレート９０の下部に設置された磁性体９４間の引力を介して第１磁石６５Ａが移動することで第１磁石と対応するスライディングプレート９０も共に移動する。
【００３７】
それぞれの移送経路（Ａ乃至Ｈ）には磁石６５が設置され，それぞれの磁石６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃ…６５Ｈはそれぞれのスライディングプレート９０に備えられる磁性体９４と対応するように配置される。遮断板６３Ａ，６３Ｂ，６３Ｃ…６３Ｈと磁石６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃ…６５Ｈの間にはそれぞれ弾性部材６７Ａ，６７Ｂ，６７Ｃ…６７Ｈが設置され，弾性部材６７は磁石６５に向かって弾性力を提供する。
【００３８】
それぞれの移送経路（Ａ乃至Ｈ）には油圧ライン（または，空圧ライン）が連結され，油圧ラインを介して磁石６５に油圧を提供することで磁石６５が移動する。それぞれの油圧ライン（または，空圧ライン）の上には流量（または，油圧）を調節する流量調節器１２０が設置され，コントローラ１１０はそれぞれの流量調節器１２０と連結されて流量調節器１２０を調節することで磁石６５の移動を制御する。
【００３９】
図７乃至図８に示すように，磁石６５が移動することで磁石６５に対応するスライディングプレート９０も共に移動し固定プレート８０の貫通孔８５を開閉する。すなわち，コントローラ１１０を介して予め設定された移送経路Ａ，Ｂ，Ｃ…Ｈのうちいずれかの一つ以上に空圧を加えて磁石６５を移動することで磁石６５と対応するスライディングプレート９０も共に移動可能である。よって，スライディングプレート９０は待機位置から工程位置に転換されることで未反応ガス及び反応副産物の排気の流れを制御する。
【００４０】
詳しくは，シャワーヘッド３０を介して噴射された工程ガスは基板Ｗの上部に供給され，基板Ｗがサセプタ４０によって加熱された状態で工程ガスは基板Ｗの表面と反応して薄膜を形成する。この際，薄膜の厚さは工程ガスの供給量に比例するが，基板Ｗの表面のうち少量の工程ガスが供給された部分は薄膜の厚さが薄く，多くの工程ガスが供給された部分は薄膜の厚さが厚い。よって，工程ガスが基板Ｗの全体の表面に対して均一に供給される場合，薄膜は均一な厚さを有する。
【００４１】
しかし，薄膜の厚さは工程ガスの供給量以外にもサセプタ４０の加熱温度にも比例し，基板Ｗの表面のうち加熱温度が低い部分は薄膜の厚さが薄く，加熱温度が高い部分は薄膜の厚さが厚い。よって，サセプタ４０の加熱温度が均一である場合，薄膜は均一な厚さを有することから，全体的に均一な加熱温度を有するサセプタ４０が理想的である。
【００４２】
しかし，現実的に完璧に均一な加熱温度を有するサセプタ４０を製造することは不可能である。特に，近年，基板Ｗのサイズが大型化するにつれ，サセプタ４０のサイズも共に増加する傾向にある。それによって，基板Ｗ上に均一な温度分布を形成することが困難である。すなわち，基板Ｗを工程温度に加熱する過程で，ヒータの故障または性能低下，そしてヒータの輻射熱が局部的に不均衡になる恐れがある。
【００４３】
他にも，薄膜の厚さに影響を及ぼす因子（factor）は多様であり，均一な厚さを有する薄膜を形成するためには上述した因子のうち一部を人為的に調整する必要がある。よって，本発明の実施形態では工程ガスの供給量を基板Ｗの部分によって人為的に不均一に調整し均一な厚さを有する薄膜を基板Ｗの表面全体に形成し，工程ガスの供給量は排気ポート１５を介して排出されるガスの流量に比例するため，基板Ｗの部分によってガスの排出量を人為的に不均一に調整する。
【００４４】
例えば，ダミー（dummy）基板Ｗを利用して薄膜を形成してから薄膜の厚さを測定する。この際，図６に示すように，全ての貫通孔８５と排出孔９５を連通して基板Ｗの表面の各領域に面積比に応じて均一に工程ガスを供給する。次に，図８に示すように，測定された薄膜の厚さに比例して貫通孔８５と排出孔９５を交互に配置することで貫通孔８５を選択的に閉鎖する。よって，基板Ｗの表面の各領域に供給される工程ガスの供給量を調節することができる。
【００４５】
すなわち，基板Ｗの表面の特定領域で薄膜の厚さが基準値より厚い場合，該当領域の外側に隣接した貫通孔８５を閉鎖して工程ガスの量を減少させる。このような方法を介して何回かの調整過程を経ると均一な厚さを有する薄膜を形成することができ，均一な厚さの薄膜が形成された基板Ｗを利用して後の工程を行うことができる。
【００４６】
本発明を好ましい実施形態を介して詳細に説明したが，それらとは異なる実施形態ないし実施例も可能である。よって，後述する特許請求の範囲の技術的思想と範囲は好ましい実施形態に限定されない。
【００４７】
発明を実施するための形態
図９は，図２に示す基板処理装置の変形例である。図９に示すように，油圧方式は駆動モータ１３０Ａ，１３０Ｂ，１３０Ｃ…１３０Ｈを介した駆動方式に代替されてもよい。すなわち，それぞれの磁石６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃ…６５Ｈはそれぞれ対応する駆動モータ１３０Ａ，１３０Ｂ，１３０Ｃ…１３０Ｈによって移動可能であり，駆動モータ１３０Ａ，１３０Ｂ，１３０Ｃ…１３０Ｈの動力はギアなどを介して磁石６５Ａ，６５Ｂ，６５Ｃ…６５Ｈに伝達される。また，それぞれの駆動モータ１３０Ａ，１３０Ｂ，１３０Ｃ…１３０Ｈはコントローラ１１０を介して個別に制御することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明は，多様な形態の半導体製造設備及び製造方法に応用される。
【図１】
2017501569.tif 000003
【図２】
2017501569.tif 000004
【図３】
2017501569.tif 000005
【図４】
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【図５】
2017501569.tif 000007
【図６】
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【図７】
2017501569.tif 000009
【図８】
2017501569.tif 000010
【図９】
2017501569.tif 000011
【国際調査報告】
2017501569.tif 000012
2017501569.tif 000013
2017501569.tif 000014
2017501569.tif 000015