(57)【要約】  本発明の実施例は、書き込み装置及び磁気メモリを提供し、書き込み装置は、第１の駆動ポートと、第２の駆動ポートと、第１の情報記憶エリアと、第２の情報記憶エリアと、情報バッファとを含み、第１の情報記憶エリアと情報バッファとの間に第１のエリアが存在し、第２の情報記憶エリアと情報バッファとの間に第２のエリアが存在し、第１の情報記憶エリア、第２の情報記憶エリア及び情報バッファは、第１の磁性材料で構成され、第１のエリア及び第２のエリアは、第２の磁性材料で構成され、第１の磁性材料の磁気エネルギーは、第２の磁性材料の磁気エネルギーより高く、第１の情報記憶エリアは、第１のデータを情報バッファに書き込むように構成され、第２の情報記憶エリアは、第２のデータを情報バッファに書き込むように構成され、情報バッファは、第１の情報記憶エリア又は第２の情報記憶エリアから書き込まれたデータをバッファリングし、バッファリングされたデータを磁気メモリの磁区に書き込むように構成され、これは、磁気メモリの書き込み安定性を確保することができる。
2017514311.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁区を使用することにより情報を記憶する磁気メモリのための書き込み動作を実行するように構成された書き込み装置であり、前記装置は、第１の駆動ポートと、第２の駆動ポートと、第１の情報記憶エリアと、第２の情報記憶エリアと、情報バッファとを含む書き込み装置であって、
前記第１の駆動ポートの一端は、前記第１の情報記憶エリアに接続され、前記第１の駆動ポートの他端は、電源に接続するように構成され、
前記第２の駆動ポートの一端は、前記第２の情報記憶エリアに接続され、前記第２の駆動ポートの他端は、前記電源に接続するように構成され、
前記第１の情報記憶エリアと前記情報バッファとの間に第１のエリアが存在し、前記第２の情報記憶エリアと前記情報バッファとの間に第２のエリアが存在し、前記第１の情報記憶エリア、前記第２の情報記憶エリア及び前記情報バッファは、第１の磁性材料で構成され、前記第１のエリア及び前記第２のエリアは、第２の磁性材料で構成され、前記第１の磁性材料は、前記第２の磁性材料と異なり、前記第１の磁性材料の磁気エネルギーは、前記第２の磁性材料の磁気エネルギーより高く、
前記第１の情報記憶エリアは、前記第１の駆動ポートが前記電源により駆動された場合、第１のデータを前記情報バッファに書き込むように構成され、前記第１のデータは、第１のスピン方向を有する電子集合により表され、
前記第２の情報記憶エリアは、前記第２の駆動ポートが前記電源により駆動された場合、第２のデータを前記情報バッファに書き込むように構成され、前記第２のデータは、第２のスピン方向を有する電子集合により表され、前記第１のスピン方向は、前記第２のスピン方向と反対であり、
前記情報バッファは、前記第１の情報記憶エリア又は前記第２の情報記憶エリアから書き込まれたデータをバッファリングし、前記バッファリングされたデータを前記磁気メモリの磁区に書き込むように構成される、書き込み装置。
【請求項２】
前記第１の磁性材料は、鉄、コバルト又はニッケルのうち少なくとも１つであり、前記第２の磁性材料は、鉄、コバルト又はニッケルのうち少なくとも１つである、請求項１に記載の書き込み装置。
【請求項３】
前記情報バッファと前記第１の情報記憶エリアとの間の角度は、鈍角、平角又は鋭角であり、
前記情報バッファと前記第２の情報記憶エリアとの間の角度は、鈍角、平角又は鋭角である、請求項１又は２に記載の書き込み装置。
【請求項４】
磁気記憶軌道と、電源と、請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の書き込み装置とを含む磁気メモリを提供であって、
前記磁気記憶軌道は、複数の磁区を含み、前記磁区は、前記書き込み装置により書き込まれたデータを記録するように構成され、
前記電源は、前記書き込み装置及び前記磁気記憶軌道に別々に接続され、前記磁気記憶軌道及び前記書き込み装置において駆動制御を実行するように構成され、
前記書き込み装置の前記情報バッファは、前記磁気記憶軌道内の磁区のサイズと同じサイズを有し、前記書き込み装置の前記情報バッファは、前記磁気記憶軌道の２つの隣接する磁壁の間に配置され、前記情報バッファのデータ書き込み方向は、前記磁気記憶軌道の磁区移動方向に直角に適合し、前記書き込み装置は、前記情報バッファ内のデータを前記磁気記憶軌道の磁区に書き込むように構成される、磁気メモリ。
【請求項５】
前記磁気記憶軌道は、U型軌道であり、
前記書き込み装置の前記情報バッファは、前記磁気記憶軌道の底部軌道の２つの隣接する磁壁の間に配置され、前記磁壁のそれぞれは、２つの隣接する磁区を分離するように構成される、請求項４に記載の磁気メモリ。
【請求項６】
前記情報バッファのデータ書き込み方向が前記磁気記憶軌道の磁区移動方向に直角に適合することは、前記磁気記憶軌道の前記磁区移動方向がX軸方向である場合、前記書き込み装置の前記情報バッファの前記データ書き込み方向がY軸方向であり、前記X軸及びY軸は、水平方向において互いに直角であることを含む、請求項５に記載の磁気メモリ。
【請求項７】
前記情報バッファのデータ書き込み方向が前記磁気記憶軌道の磁区移動方向に直角に適合することは、前記磁気記憶軌道の前記磁区移動方向がX軸方向である場合、前記書き込み装置の前記情報バッファの前記データ書き込み方向がZ軸方向であり、前記X軸及びZ軸は、垂直方向において互いに直角であることを含む、請求項５に記載の磁気メモリ。
【請求項８】
前記磁気メモリは、少なくとも２つの書き込み装置を含み、前記少なくとも２つの書き込み装置は、第１の書き込み装置と、第２の書き込み装置とを含み、前記第１の書き込み装置及び前記第２の書き込み装置は、前記磁気記憶軌道の方向に沿って平行に配置される、請求項４乃至７のうちいずれか１項に記載の磁気メモリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施例は、ストレージ技術に関し、特に書き込み装置及び磁気メモリに関する。
【背景技術】
【０００２】
磁区は、静磁エネルギーを低減するために磁性材料の自発磁化工程において生成される異なる方向の小さく区別された磁化エリアを示す。これらのエリアは、大量の原子を全て含み、これらの原子の磁気モーメントは、多くの小さい磁石のように均一に整列されている。異なる隣接するエリアの原子の磁気モーメントは、異なる方向に整列されているため、磁壁は、磁区の間の境界に形成される。磁気メモリは、原子の磁気モーメントの整列方向を、情報が書き込まれる磁区に押すために、電源により生成されて磁性材料上に及ぼされる電流又は磁界を使用することにより磁壁が存在する位置を押すことにより、情報を記録するための記憶デバイスである。原子の磁気モーメントの整列方向は、原子の磁気モーメントにおける電子スピン方向に関係し、原子の磁気モーメントは、原子の磁気モーメントにおける全ての電子集合の軌道磁気モーメント、スピン磁気モーメント及び核磁気モーメントのベクトル和である。
【０００３】
近年、電源を使用することにより磁壁を押すことによって書き込みを実行する関係する理論及び実験が次第に提出されて十分に開発され、磁気メモリの記憶速度は、従来のフラッシュメモリチップ及びハードディスクの記憶速度を上回り、磁気メモリは市場において広い注目を受けている。しかし、従来技術では、磁壁は、ある位置に固定されることができず、電源により駆動されたときに容易に移動し、磁区に書き込まれたデータは、電源により駆動されたときに磁区において安定してくぎ付けされることができず、場合によっては他の磁区に移動する。方向がデータの電子スピン方向と反対である他の磁区にデータが移動すると、他の磁区に既に書き込まれたデータが取り消され、書き込み安定性を制限する。
【発明の概要】
【０００４】
本発明の実施例は、磁気メモリの書き込み動作安定性を確保することができる書き込み装置及び磁気メモリを提供する。
【０００５】
第１の態様によれば、本発明の実施例は、書き込み装置を提供し、書き込み装置は、磁区を使用することにより情報を記憶する磁気メモリのための書き込み動作を実行するように構成され、第１の駆動ポートと、第２の駆動ポートと、第１の情報記憶エリアと、第２の情報記憶エリアと、情報バッファとを含み、第１の駆動ポートの一端は、第１の情報記憶エリアに接続され、第１の駆動ポートの他端は、電源に接続するように構成され、第２の駆動ポートの一端は、第２の情報記憶エリアに接続され、第２の駆動ポートの他端は、電源に接続するように構成され、第１の情報記憶エリアと情報バッファとの間に第１のエリアが存在し、第２の情報記憶エリアと情報バッファとの間に第２のエリアが存在し、第１の情報記憶エリア、第２の情報記憶エリア及び情報バッファは、第１の磁性材料で構成され、第１のエリア及び第２のエリアは、第２の磁性材料で構成され、第１の磁性材料は、第２の磁性材料と異なり、第１の磁性材料の磁気エネルギーは、第２の磁性材料の磁気エネルギーより高く、第１の情報記憶エリアは、第１の駆動ポートが電源により駆動された場合、第１のデータを情報バッファに書き込むように構成され、第１のデータは、第１のスピン方向を有する電子集合により表され、第２の情報記憶エリアは、第２の駆動ポートが電源により駆動された場合、第２のデータを情報バッファに書き込むように構成され、第２のデータは、第２のスピン方向を有する電子集合により表され、第１のスピン方向は、第２のスピン方向と反対であり、情報バッファは、第１の情報記憶エリア又は第２の情報記憶エリアから書き込まれたデータをバッファリングし、バッファリングされたデータを磁気メモリの磁区に書き込むように構成される。
【０００６】
第１の態様を参照して、第１の可能な実現方式では、第１の磁性材料は、鉄、コバルト又はニッケルのうち少なくとも１つであり、第２の磁性材料は、鉄、コバルト又はニッケルのうち少なくとも１つである。
【０００７】
第２の態様によれば、本発明の実施例は、磁気記憶軌道と、電源と、前述の書き込み装置とを含む磁気メモリを提供し、磁気記憶軌道は、複数の磁区を含み、磁区は、書き込み装置により書き込まれたデータを記録するように構成され、電源は、書き込み装置及び磁気記憶軌道に別々に接続され、書き込み装置及び磁気記憶軌道において駆動制御を実行するように構成され、書き込み装置の情報バッファは、磁気記憶軌道内の磁区のサイズと同じサイズを有し、書き込み装置の情報バッファは、磁気記憶軌道の２つの隣接する磁壁の間に配置され、情報バッファのデータ書き込み方向は、磁気記憶軌道の磁区移動方向に直角に適合し、書き込み装置は、情報バッファ内のデータを磁気記憶軌道の磁区に書き込むように構成される。
【０００８】
第２の態様を参照して、第１の可能な実現方式では、磁気記憶軌道は、U型軌道であり、書き込み装置の情報バッファは、磁気記憶軌道の底部軌道の２つの隣接する磁壁の間に配置され、磁壁のそれぞれは、２つの隣接する磁区を分離するように構成される。
【０００９】
第２の態様及び第１の可能な実現方式を参照して、第２の可能な実現方式では、情報バッファのデータ書き込み方向が磁気記憶軌道の磁区移動方向に直角に適合することは、磁気記憶軌道の磁区移動方向がX軸方向である場合、書き込み装置の情報バッファのデータ書き込み方向がY軸方向であり、X軸及びY軸は、水平方向において互いに直角であることを含む。
【００１０】
第２の態様及び第１の可能な実現方式を参照して、第３の可能な実現方式では、情報バッファのデータ書き込み方向が磁気記憶軌道の磁区移動方向に直角に適合することは、磁気記憶軌道の磁区移動方向がX軸方向である場合、書き込み装置の情報バッファのデータ書き込み方向がZ軸方向であり、X軸及びZ軸は、垂直方向において互いに直角であることを含む。
【００１１】
本発明の実施例において提供される書き込み装置及び磁気メモリによれば、書き込み装置の第１の情報記憶エリア、第２の情報記憶エリア及び情報バッファは、第１の磁性材料で構成され、第１の情報記憶エリアと情報バッファとの間の第１のエリア及び第２の情報記憶エリアと情報バッファとの間の第２のエリアは、第２の磁性材料で構成され、第１の磁性材料の磁気エネルギーは、第２の磁性材料の磁気エネルギーより高く、これにより、第１の情報記憶エリアと情報バッファとの間の第１の磁壁は、磁気エネルギーが比較的低い第１のエリアに安定してくぎ付けされることが可能になり、情報バッファと第２の情報記憶エリアとの間の第２の磁壁も、磁気エネルギーが比較的低い第２のエリアに安定してくぎ付けされる。第１の磁壁及び第２の磁壁の双方は、磁気エネルギーが比較的低いエリアにくぎ付けされるため、第１の磁壁及び第２の磁壁は自由に移動することができない。電源により駆動された場合、情報バッファを用いて磁区に書き込まれた第１のデータ又は第２のデータは、依然として磁区に安定してくぎ付けされることが可能になり、他の磁区に移動せず、他の磁区に既に書き込まれたデータを取り消さず、これにより、書き込み安定性を確保する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
本発明の実施例又は従来技術における技術的解決策をより明確に説明するために、以下に、実施例又は従来技術を説明するために必要な添付図面を簡単に説明する。明らかに、以下の説明における添付図面は、本発明のいくつかの実施例を示しており、当業者は、依然として、創造的取り組みを行うことなく、これらの添付図面から他の図面を導き得る。
【図１】本発明の実施例による書き込み装置の概略構成図である。
【図２】本発明の実施例による磁気メモリの概略構成図である。
【図３】本発明の実施例による他の磁気メモリの概略構成図である。
【図４】本発明の実施例による更に他の磁気メモリの概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の実施例の目的、技術的解決策及び利点をより明確にするために、以下に、本発明の実施例における添付図面を参照して本発明の実施例における技術的対策を明確且つ完全に説明する。明らかに、説明する実施例は、本発明の一部であり、全部であるとは限らない。
【００１４】
書き込み装置は、磁気メモリのための情報を書き込むように構成された装置である点に留意すべきである。書き込み装置は、書き込まれるべき情報を記憶するための情報記憶エリアと、書き込まれるべき情報をバッファリングし、情報を磁気メモリに書き込む情報バッファとを含むべきであり、情報バッファは、磁気記憶軌道の磁区のサイズと同じサイズを有するべきである。書き込み装置及び磁気記憶軌道が電源により駆動された場合、書き込み装置の情報記憶エリア内の電子は、情報バッファに押されてもよい。原子の磁気モーメントは、多くの小さい磁石のように整列されており、原子は、特定のスピン方向を有し、原子の磁気モーメントは、原子の磁気モーメントにおける全ての電子集合の軌道磁気モーメント、スピン磁気モーメント及び核磁気モーメントのベクトル和であるため、電子集合のスピン方向のデータ情報は、情報記憶エリアに記録され、例えば、X軸の正方向は、1が記録されることに等しく、X軸の負方向は、0が記録されることに等しい。次に、情報バッファ内のデータは、磁気記憶軌道の磁区に書き込まれ、これにより、磁気メモリへの書き込みを完了する。
【００１５】
図１は、本発明の実施例による書き込み装置の概略構成図である。図１に示すように、書き込み装置10は、第１の駆動ポート101と、第２の駆動ポート102と、第１の情報記憶エリア103と、情報バッファ104と、第２の情報記憶エリア105とを含む。
【００１６】
第１の駆動ポート101の一端は、第１の情報記憶エリア103に接続され、第１の駆動ポート101の他端は、電源に接続するように構成される。第２の駆動ポート102の一端は、第２の情報記憶エリア105に接続され、第２の駆動ポート102の他端は、電源に接続するように構成される。
【００１７】
第１の情報記憶エリア103と情報バッファ104との間に第１のエリアB1が存在し、第２の情報記憶エリア105と情報バッファ104との間に第２のエリアB2が存在し、第１の情報記憶エリア103、第２の情報記憶エリア105及び情報バッファ104は、第１の磁性材料で構成され、第１のエリアB1及び第２のエリアB2は、第２の磁性材料で構成され、第１の磁性材料は、第２の磁性材料と異なり、第１の磁性材料の磁気エネルギーは、第２の磁性材料の磁気エネルギーより高い。
【００１８】
磁性材料は、鉄、コバルト又はニッケルのうち少なくとも１つでもよく、例えば、鉄、コバルト又はニッケルでもよく、或いはコバルト及びニッケルの合金、鉄、コバルト及びニッケルの合金等でもよい。さらに、第１の磁性材料は、鉄、コバルト又はニッケルのうち少なくとも１つでもよく、第２の磁性材料もまた、鉄、コバルト又はニッケルのうち少なくとも１つでもよい。しかし、第１の磁性材料及び第２の磁性材料は、異なる磁性材料であり、第１の磁性材料の磁気エネルギーは、第２の磁性材料の磁気エネルギーより高い必要がある。
【００１９】
第１の情報記憶エリア103は、第１の駆動ポート101が電源により駆動された場合、第１のデータを情報バッファ104に書き込むように構成され、第１のデータは、第１のスピン方向を有する電子集合により表される。
【００２０】
さらに、第１の駆動ポート101が電源により提供された電流パルスにより駆動されるように電源により駆動された場合、第１の情報記憶エリア103は、第１のスピン方向を有する電子集合を有し、情報バッファ104内の電子集合は異なるスピン方向を有するため、第１の情報記憶エリア103は、情報バッファ104内の電子集合の方向が全て第１のスピン方向になるように、情報バッファ104において作用する。本発明のこの実施例では、第１のスピン方向は、第１のデータを表すために使用されてもよく、例えば、第１のデータは“0”でもよい。この方式に従って、第１のデータは、情報バッファ104に書き込まれてもよい。
【００２１】
第２の情報記憶エリア105は、第２の駆動ポート102が電源により駆動された場合、第２のデータを情報バッファ104に書き込むように構成され、第２のデータは、第２のスピン方向を有する電子集合により表され、スピン方向は、原子の電磁モーメントの整列方向である。第１のスピン方向は、第２のスピン方向と反対である。
【００２２】
さらに、第２の駆動ポート102が電源により提供された電流パルスにより駆動されるように電源により駆動された場合、第２の情報記憶エリア105は、第２のスピン方向を有する電子集合を有し、情報バッファ104内の電子集合は異なるスピン方向を有するため、第２の情報記憶エリア105は、情報バッファ104内の電子集合の方向が全て第２のスピン方向になるように、情報バッファ104において作用する。本発明のこの実施例では、第２のスピン方向は、第２のデータを表すために使用されてもよく、例えば、第２のデータは“1”でもよい。この方式に従って、第２のデータは、情報バッファ104に書き込まれてもよい。
【００２３】
第１のデータ及び第２のデータの値は、本発明のこの実施例では限定されず、第１のデータ及び第２のデータが異なる限り、第１のデータは“1”でもよく、或いは第２のデータは“0”でもよい点に留意すべきである。
【００２４】
第１のデータが書き込まれる必要がある場合、電源は、第１のデータを情報バッファ104に書き込むために、第１の情報記憶エリア103を駆動してもよい。第２のデータが書き込まれる必要がある場合、電源は、第２のデータを情報バッファ104に書き込むために、第２の情報記憶エリア105を駆動してもよい。
【００２５】
情報バッファ104は、第１の情報記憶エリア103又は第２の情報記憶エリア105から書き込まれたデータをバッファリングし、バッファリングされたデータを磁気メモリの磁区に書き込むように構成される。
【００２６】
情報バッファ104にバッファリングされ得る情報は、磁気メモリの磁区に書き込まれ得る情報のサイズと同じサイズを有し、例えば、情報バッファ104のバッファリングサイズは10Mであり、磁気メモリの磁区に書き込まれ得る情報のサイズも10Mである点に留意すべきである。
【００２７】
本発明のこの実施例では、電源により駆動された場合、磁気記憶軌道の磁区は、情報バッファ104に一致する位置に移動してもよい。電源により駆動されたときに第１の情報記憶エリア103又は第２の情報記憶エリア105がデータを情報バッファ104に書き込んだ後に、書き込み装置は、電源により駆動されたときに磁気メモリの、情報バッファに一致する磁区にデータを押し続けてもよい。データが磁区に書き込まれた後に、磁区は、電源のパルスにより駆動されたときに前進し続ける。この方式に従って、続く磁区は、情報バッファ104に一致する位置に順次に押され、書き込み装置は、異なるデータを磁気メモリの異なる磁区に順次に書き込む。
【００２８】
さらに、第１のスピン方向は、第２のスピン方向と反対であり、例えば、第１のスピン方向が水平方向におけるX軸の正方向である場合、第２のスピン方向はX軸の負方向であり、或いは第１のスピン方向が水平方向におけるY軸の正方向である場合、第２のスピン方向はY軸の負方向であり、或いは第１のスピン方向が垂直方向におけるZ軸の正方向である場合、第２のスピン方向はZ軸の負方向である。X軸及びY軸は、水平方向において互いに直角の軸であり、X軸及びZ軸は、垂直方向において互いに直角の軸である。本発明のこの実施例では、X軸の正方向はM1として識別され、X軸の負方向はM2として識別され、Y軸の正方向はM3として識別され、Y軸の負方向はM4として識別され、Z軸の正方向はM5として識別され、Z軸の負方向はM6として識別される。
【００２９】
本発明のこの実施例において提供される書き込み装置10の第１のスピン方向は変化してもよく、例えば、書き込み装置10の第１のスピン方向はM1でもよく、書き込み装置10の第２のスピン方向はM2であり、或いは書き込み装置10の第１のスピン方向はM4でもよく、第２のスピン方向はM3であり、書き込み装置10の第１のスピン方向はM5でもよく、第２のスピン方向はM6である。
【００３０】
さらに、情報バッファと第１の情報記憶エリアとの間の角度は、鈍角、平角又は鋭角でもよく、情報バッファと第２の情報記憶エリアとの間の角度は、鈍角、平角又は鋭角でもよい。角度は、図１に示す平角に限定されない。
【００３１】
本発明のこの実施例において提供される書き込み装置によれば、第１の磁性材料は、第２の磁性材料と異なり、第１の磁性材料の磁気エネルギーは、第２の磁性材料の磁気エネルギーより高いため、第１の情報記憶エリア103と情報バッファ104との間の磁壁は、比較的低い磁気エネルギーの位置、すなわち、第１のエリアB1に存在し、第２の情報記憶エリア105と情報バッファ104との間の磁壁は、比較的低い磁気エネルギーの位置、すなわち、第２のエリアB2に存在し、電源により駆動された場合、情報バッファ104を用いて書き込まれた第１のデータ又は第２のデータは、依然として情報バッファ104の現在の磁区に安定してくぎ付けされることが可能になり、他の磁区に移動せず、他の磁区に既に書き込まれたデータを取り消さず、これにより、書き込み安定性を確保する。
【００３２】
図２は、本発明の実施例による磁気メモリの概略構成図である。図２に示すように、磁気メモリ1は、図１において提供される書き込み装置10と、磁気記憶軌道20と、電源30とを含み、書き込み装置10の構成は、前述の実施例に記載されており、ここでは再び説明しない。
【００３３】
本発明のこの実施例において提供される磁気メモリ1の磁気記憶軌道20は、情報を記憶するために使用され得る移動可能な軌道である。磁気記憶軌道20は、複数の磁区201を含み、磁区201は、書き込み装置10により書き込まれたデータを記録するように構成される。磁区201は、静的な初期状態においてデータを記録するために使用されてもよく、電源の作用で磁気記憶軌道20に沿って移動してもよい。例えば、電源により駆動された場合、磁気記憶軌道20内の記憶は、順次に右にシフトし、すなわち、磁気記憶軌道20内の磁区201が書き込み装置10の情報バッファ104により十分に満たされた後に、電源の作用で、磁区201は、磁気記憶軌道20に沿って右の隣接する位置に移動し、左の隣接する位置の磁区は、電源の作用で、磁気記憶軌道20に沿って、データが情報バッファ104により書き込まれ得る位置に同時に移動し、以下同様である。
【００３４】
電源30は、書き込み装置10及び磁気記憶軌道20に別々に接続され、磁気記憶軌道20及び書き込み装置10において駆動制御を実行するように構成される。
【００３５】
さらに、１つの電源30は、磁気記憶軌道20において駆動制御を実行するために使用されてもよく、他の電源30は、書き込み装置10において駆動制御を実行するために使用される。或いは、１つのみの電源30が配置されてもよく、電源30は、磁気記憶軌道20と、書き込み装置10の第１の駆動ポート101と、書き込み装置10の第２の駆動ポート102とに接続される。このように、電源30は、磁気記憶軌道20において駆動制御を実行し、書き込み装置10の第１の情報記憶エリア103において駆動制御を実行し、また、書き込み装置10の第２の情報記憶エリア105において駆動制御を実行するためにも使用されてもよく、これにより、電源30を節約する。
【００３６】
書き込み装置10の情報バッファ104は、磁気記憶軌道20内の磁区201のサイズと同じサイズを有し、書き込み装置10の情報バッファ104は、磁気記憶軌道20の２つの隣接する磁壁の間に配置され、情報バッファ104のデータ書き込み方向（図２に示すY方向）は、磁気記憶軌道20の磁区201の移動方向（図２に示すX方向）に直角に適合し、書き込み装置20は、情報バッファ104内のデータを磁気記憶軌道20の磁区201に書き込むように構成される。
【００３７】
さらに、磁気記憶軌道20は、U型軌道でもよく、U型軌道は、この実施例の説明の例としてのみ使用され、限定を構成するものでなく、他の形状、例えば直線軌道も保護範囲内に入るものとする。
【００３８】
書き込み装置10の情報バッファ104は、磁気記憶軌道20の底部の２つの隣接する磁壁の間に配置され、磁壁のそれぞれは、２つの隣接する磁区を分離するように構成される。それぞれの磁壁は、電源の作用で磁気記憶軌道20に沿って移動し、情報バッファ104の書き込み位置から既に十分に満たされたターゲットの磁区を押し、データが情報バッファ104の書き込み位置に書き込まれる次の磁区を押す。データを磁区201に書き込む方法は、書き込み装置10によりデータを情報バッファ104に書き込む方法と同じである。
【００３９】
例えば、図２に示すように、磁気記憶軌道20の磁区201の移動方向がX軸方向である場合、書き込み装置10の情報バッファ104のデータ書き込み方向はY軸方向であり、X軸及びY軸は、水平方向において互いに直角であり、すなわち、書き込み装置10の第１の情報記憶エリア103と情報バッファ104との間の角度、及び書き込み装置10の第２の情報記憶エリア105と情報バッファ104との間の角度は、双方共に平角であり、書き込み装置10は、水平方向に沿った底部軌道に直角である。
【００４０】
図３は、本発明の実施例による他の磁気メモリの概略構成図である。図２と異なり、図３において、書き込み装置40の第１の情報記憶エリア103及び第２の情報記憶エリア105の、磁気記憶軌道20に対する位置は異なる。図３に示すように、磁気記憶軌道20の磁区201の移動方向がX軸方向である場合、書き込み装置40の情報バッファ404のデータ書き込み方向がZ軸方向であり、X軸及びZ軸は、垂直方向において互いに直角の軸である。
【００４１】
図２及び図３において提供される磁気メモリは、双方共に書き込みのために図１に提供される書き込み装置10を使用し、書き込み安定性が改善され得る点に留意すべきである。
【００４２】
図４は、本発明の実施例による更に他の磁気メモリの概略構成図である。図４に示すように、図２及び図３と異なり、磁気メモリ1は、第１の書き込み装置10及び第２の書き込み装置40としてそれぞれ識別される、図２及び図３において提供される書き込み装置を含む。第１の書き込み装置10は、第１の情報記憶エリア103と、情報バッファ104と、第２の情報記憶エリア105とを含む。第２の書き込み装置40は、第１の情報記憶エリア403と、情報バッファ404と、第２の情報記憶エリア405とを含む。第１の書き込み装置10及び第２の書き込み装置40は、磁気記憶軌道20の方向に沿って平行に配置される。
【００４３】
例えば、第１の書き込み装置10の情報バッファ104は、水平方向において磁気記憶軌道20に直角に適合し、第１の書き込み装置10は、第１の書き込み装置10の情報バッファ104から磁気記憶軌道20の磁区にデータを書き込むように構成される。
【００４４】
図４に示すように、書き込み装置10の情報バッファ104は、磁気記憶軌道20の底部軌道上のいずれか２つの磁壁の間に配置され、書き込み装置40の情報バッファ404は、情報バッファ104に隣接する磁気記憶軌道20の底部軌道上の位置に配置される点に留意すべきである。しかし、図４における位置関係は例としてのみ使用され、他の解決策も保護範囲内に入るものとし、例えば、書き込み装置10及び書き込み装置40の位置が交換されてもよく、或いは情報バッファ104が情報バッファ404に隣接して配置されなくてもよい。
【００４５】
例えば、第１の書き込み装置10及び第２の書き込み装置40は、双方共にM1、M2、M3、M4、M5及びM6方向にデータを磁区に書き込んでもよく、例えば、電源により駆動された場合、第１の書き込み装置10は、X軸方向に平行のデータを磁気記憶軌道20の底部軌道において情報バッファ104に書き込み、すなわち、第１のデータをM1方向に書き込み、或いは第２のデータをM2方向に書き込んでもよく、同時に、書き込み装置40は、Z軸方向に平行のデータを磁気記憶軌道20の底部軌道において情報バッファ404に書き込み、すなわち、第１のデータをM5方向に書き込み、或いは第２のデータをM6方向に書き込んでもよい。電流パルスの次の時間により駆動された場合、情報バッファ104の元のターゲットの磁区は、ターゲットの磁区として情報バッファ404に移動し、Z軸方向に平行のデータは、ターゲットの磁区に書き込まれる。このように、X軸及びZ軸に平行のデータは、ターゲットの磁区に書き込まれてもよく、書き込まれるデータの量が増加する。
【００４６】
前述の書き込み方向は、説明のための例としてのみ使用され、他の書き込み方向も保護範囲内に入るものとする点に留意すべきである。
【００４７】
さらに、磁気メモリ1が３つ以上の書き込み装置を含む場合、書き込み装置のそれぞれの情報バッファは、磁気記憶軌道上のいずれか２つの磁壁の間に配置されてもよく、隣接して配置されてもよく、或いは隣接して配置されなくてもよく、これはここでは説明しない。
【００４８】
図３及び図４において提供される磁気メモリは、双方共に１つの電源を使用することにより駆動されてもよく、或いは複数の電源を使用することにより駆動されてもよく、電源は図３及び図４に示されていない点に留意すべきである。
【００４９】
本発明の実施例において提供される磁気メモリによれば、実施例において提供される書き込み装置が使用されるため、磁気メモリの書き込み動作安定性が確保され得る。さらに、実施例における磁気メモリが書き込みのために２つ以上の書き込み装置を使用する場合、効果的なデータ書き込みが確保され得ると共に、データ書き込み効率も改善される。
【００５０】
当業者は、方法の実施例のステップの全部又は一部は、関係するハードウェアに命令するプログラムにより実現されてもよいことを認識し得る。プログラムは、コンピュータ読み取り可能記憶媒体に記憶されてもよい。プログラムが実行した場合、方法の実施例のステップが実行される。前述の記憶媒体は、ROM、RAM、磁気ディスク又は光ディスクのような、プログラムコードを記憶することができるいずれかの媒体を含む。
【００５１】
最後に、前述の実施例は、単に本発明の技術的解決策を説明することを意図するものであり、本発明を限定することを意図するものではない点に留意すべきである。本発明について前述の実施例を参照して詳細に説明したが、当業者は、本発明の実施例の技術的解決策の範囲を逸脱することなく、依然として前述の実施例において説明した技術的解決策に変更を行ってもよく、或いはその一部又は全部の技術的特徴に等価置換を行ってもよいことを認識するべきである。
【図１】
2017514311.tif 000003
【図２】
2017514311.tif 000004
【図３】
2017514311.tif 000005
【図４】
2017514311.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月15日(2016.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁区を使用することにより情報を記憶する磁気メモリのための書き込み動作を実行するように構成された書き込み装置であり、前記装置は、第１の駆動ポートと、第２の駆動ポートと、第１の情報記憶エリアと、第２の情報記憶エリアと、情報バッファとを含む書き込み装置であって、
前記第１の駆動ポートの一端は、前記第１の情報記憶エリアに接続され、前記第１の駆動ポートの他端は、電源に接続するように構成され、
前記第２の駆動ポートの一端は、前記第２の情報記憶エリアに接続され、前記第２の駆動ポートの他端は、前記電源に接続するように構成され、
第１のエリアは、前記第１の情報記憶エリアと前記情報バッファとの間に位置し、第２のエリアは、前記第２の情報記憶エリアと前記情報バッファとの間に位置し、
前記第１の情報記憶エリア、前記第２の情報記憶エリア及び前記情報バッファは、第１の磁性材料で構成され、
前記第１のエリア及び前記第２のエリアは、第２の磁性材料で構成され、前記第１の磁性材料は、前記第２の磁性材料と異なり、前記第１の磁性材料の磁気エネルギーは、前記第２の磁性材料の磁気エネルギーより高く、
前記第１の情報記憶エリアは、前記第１の駆動ポートが前記電源により駆動された場合、第１のデータを前記情報バッファに書き込むように構成され、前記第１のデータは、第１のスピン方向を有する電子集合により表され、
前記第２の情報記憶エリアは、前記第２の駆動ポートが前記電源により駆動された場合、第２のデータを前記情報バッファに書き込むように構成され、前記第２のデータは、第２のスピン方向を有する電子集合により表され、前記第１のスピン方向は、前記第２のスピン方向と反対であり、
前記情報バッファは、前記第１の情報記憶エリア又は前記第２の情報記憶エリアから書き込まれたデータをバッファリングするように構成され、前記バッファリングされたデータは、前記磁気メモリの磁区に書き込まれる、書き込み装置。
【請求項２】
前記第１の磁性材料は、鉄、コバルト又はニッケルのうち少なくとも１つであり、
前記第２の磁性材料は、鉄、コバルト又はニッケルのうち少なくとも１つである、請求項１に記載の書き込み装置。
【請求項３】
前記情報バッファと前記第１の情報記憶エリアとの間の角度は、鈍角、平角又は鋭角であり、
前記情報バッファと前記第２の情報記憶エリアとの間の角度は、鈍角、平角又は鋭角である、請求項１又は２に記載の書き込み装置。
【請求項４】
複数の磁区を含む磁気記憶軌道であり、前記複数の磁区は、第１の書き込み装置により書き込まれたデータを記録するように構成される、磁気記憶軌道と、
前記磁気記憶軌道の前記複数の磁区にデータを書き込むように構成された前記第１の書き込み装置と
を含み、
前記第１の書き込み装置は、第１の駆動ポートと、第２の駆動ポートと、第１の情報記憶エリアと、第２の情報記憶エリアと、情報バッファとを含み、
前記第１の駆動ポートの一端は、前記第１の情報記憶エリアに接続され、前記第１の駆動ポートの他端は、電源に接続するように構成され、
前記第２の駆動ポートの一端は、前記第２の情報記憶エリアに接続され、前記第２の駆動ポートの他端は、前記電源に接続するように構成され、
第１のエリアは、前記第１の情報記憶エリアと前記情報バッファとの間に位置し、第２のエリアは、前記第２の情報記憶エリアと前記情報バッファとの間に位置し、
前記第１の情報記憶エリア、前記第２の情報記憶エリア及び前記情報バッファは、第１の磁性材料で構成され、
前記第１のエリア及び前記第２のエリアは、第２の磁性材料で構成され、前記第１の磁性材料は、前記第２の磁性材料と異なり、前記第１の磁性材料の磁気エネルギーは、前記第２の磁性材料の磁気エネルギーより高い、磁気メモリ。
【請求項５】
前記第１の情報記憶エリアは、前記第１の駆動ポートが前記電源により駆動された場合、第１のデータを前記情報バッファに書き込むように構成され、前記第１のデータは、第１のスピン方向を有する電子集合により表され、
前記第２の情報記憶エリアは、前記第２の駆動ポートが前記電源により駆動された場合、第２のデータを前記情報バッファに書き込むように構成され、前記第２のデータは、第２のスピン方向を有する電子集合により表され、前記第１のスピン方向は、前記第２のスピン方向と反対であり、
前記情報バッファは、前記第１の情報記憶エリア又は前記第２の情報記憶エリアから書き込まれたデータをバッファリングするように構成され、前記バッファリングされたデータは、前記磁気記憶軌道の前記複数の磁区に書き込まれる、請求項４に記載の磁気メモリ。
【請求項６】
前記第１の書き込み装置の前記情報バッファは、前記磁気記憶軌道内の磁区のサイズと同じサイズを有し、
前記第１の書き込み装置の前記情報バッファは、前記磁気記憶軌道の２つの隣接する磁壁の間に配置され、
前記情報バッファのデータ書き込み方向は、前記磁気記憶軌道の磁区移動方向に直角に適合する、請求項４に記載の磁気メモリ。
【請求項７】
前記磁気記憶軌道は、U型軌道であり、
前記第１の書き込み装置の前記情報バッファは、前記磁気記憶軌道の底部軌道の２つの隣接する磁壁の間に配置され、前記磁壁のそれぞれは、２つの隣接する磁区を分離するように構成される、請求項４に記載の磁気メモリ。
【請求項８】
前記磁気記憶軌道の前記磁区移動方向がX軸方向である場合、前記第１の書き込み装置の前記情報バッファの前記データ書き込み方向がY軸方向であり、前記X軸及びY軸は、水平方向において互いに直角であることを含む、請求項６に記載の磁気メモリ。
【請求項９】
前記磁気記憶軌道の前記磁区移動方向がX軸方向である場合、前記第１の書き込み装置の前記情報バッファの前記データ書き込み方向がZ軸方向であり、前記X軸及びZ軸は、垂直方向において互いに直角であることを含む、請求項６に記載の磁気メモリ。
【請求項１０】
前記磁気メモリは、第２の書き込み装置を更に含み、前記第１の書き込み装置及び前記第２の書き込み装置は、前記磁気記憶軌道の方向に沿って平行に配置される、請求項４乃至９のうちいずれか１項に記載の磁気メモリ。
【請求項１１】
前記第１の書き込み装置及び前記磁気記憶軌道に別々に接続する電源であり、前記電源は、前記磁気記憶軌道及び前記第１の書き込み装置において駆動制御を実行するように構成された電源を更に含む、請求項４に記載の磁気メモリ。
【請求項１２】
前記第１の磁性材料は、鉄、コバルト又はニッケルのうち少なくとも１つであり、
前記第２の磁性材料は、鉄、コバルト又はニッケルのうち少なくとも１つである、請求項４に記載の磁気メモリ。
【請求項１３】
前記情報バッファと前記第１の情報記憶エリアとの間の角度は、鈍角、平角又は鋭角であり、
前記情報バッファと前記第２の情報記憶エリアとの間の角度は、鈍角、平角又は鋭角である、請求項４に記載の磁気メモリ。
【請求項１４】
磁区を使用することにより情報を記憶する磁気メモリのための書き込み動作を実行するように構成された書き込み装置であり、前記装置は、第１の駆動ポートと、第２の駆動ポートと、第１の情報記憶エリアと、第２の情報記憶エリアと、情報バッファとを含む書き込み装置であって、
前記第１の駆動ポートの一端は、前記第１の情報記憶エリアに接続され、前記第１の駆動ポートの他端は、電源に接続するように構成され、
前記第２の駆動ポートの一端は、前記第２の情報記憶エリアに接続され、前記第２の駆動ポートの他端は、前記電源に接続するように構成され、
第１のエリアは、前記第１の情報記憶エリアと前記情報バッファとの間に位置し、第２のエリアは、前記第２の情報記憶エリアと前記情報バッファとの間に位置し、
前記第１の情報記憶エリア、前記第２の情報記憶エリア及び前記情報バッファは、第１の磁性材料で構成され、
前記第１のエリア及び前記第２のエリアは、第２の磁性材料で構成され、前記第１の磁性材料は、前記第２の磁性材料と異なり、前記第１の磁性材料の磁気エネルギーは、前記第２の磁性材料の磁気エネルギーより高い、書き込み装置。
【請求項１５】
前記第１の情報記憶エリアは、前記第１の駆動ポートが前記電源により駆動された場合、第１のデータを前記情報バッファに書き込むように構成され、前記第１のデータは、第１のスピン方向を有する電子集合により表され、
前記第２の情報記憶エリアは、前記第２の駆動ポートが前記電源により駆動された場合、第２のデータを前記情報バッファに書き込むように構成され、前記第２のデータは、第２のスピン方向を有する電子集合により表され、前記第１のスピン方向は、前記第２のスピン方向と反対であり、
前記情報バッファは、前記第１の情報記憶エリア又は前記第２の情報記憶エリアから書き込まれたデータをバッファリングするように構成され、前記バッファリングされたデータは、前記磁気メモリの磁区に書き込まれる、請求項１４に記載の書き込み装置。
【請求項１６】
前記第１の磁性材料は、鉄、コバルト又はニッケルのうち少なくとも１つであり、
前記第２の磁性材料は、鉄、コバルト又はニッケルのうち少なくとも１つである、請求項１５に記載の書き込み装置。
【請求項１７】
前記情報バッファと前記第１の情報記憶エリアとの間の角度は、鈍角、平角又は鋭角であり、
前記情報バッファと前記第２の情報記憶エリアとの間の角度は、鈍角、平角又は鋭角である、請求項１５又は１６に記載の書き込み装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
第１の態様によれば、本発明の実施例は、書き込み装置を提供し、書き込み装置は、磁区を使用することにより情報を記憶する磁気メモリのための書き込み動作を実行するように構成され、第１の駆動ポートと、第２の駆動ポートと、第１の情報記憶エリアと、第２の情報記憶エリアと、情報バッファとを含み、第１の駆動ポートの一端は、第１の情報記憶エリアに接続され、第１の駆動ポートの他端は、電源に接続するように構成され、第２の駆動ポートの一端は、第２の情報記憶エリアに接続され、第２の駆動ポートの他端は、電源に接続するように構成され、第１のエリアは、第１の情報記憶エリアと情報バッファとの間に位置し、第２のエリアは、第２の情報記憶エリアと情報バッファとの間に位置し、第１の情報記憶エリア、第２の情報記憶エリア及び情報バッファは、第１の磁性材料で構成され、第１のエリア及び第２のエリアは、第２の磁性材料で構成され、第１の磁性材料は、第２の磁性材料と異なり、第１の磁性材料の磁気エネルギーは、第２の磁性材料の磁気エネルギーより高く、第１の情報記憶エリアは、第１の駆動ポートが電源により駆動された場合、第１のデータを情報バッファに書き込むように構成され、第１のデータは、第１のスピン方向を有する電子集合により表され、第２の情報記憶エリアは、第２の駆動ポートが電源により駆動された場合、第２のデータを情報バッファに書き込むように構成され、第２のデータは、第２のスピン方向を有する電子集合により表され、第１のスピン方向は、第２のスピン方向と反対であり、情報バッファは、第１の情報記憶エリア又は第２の情報記憶エリアから書き込まれたデータをバッファリングするように構成され、バッファリングされたデータは、磁気メモリの磁区に書き込まれる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
第２の態様の第１の可能な実現方式を参照して、第２の可能な実現方式では、情報バッファのデータ書き込み方向が磁気記憶軌道の磁区移動方向に直角に適合することは、磁気記憶軌道の磁区移動方向がX軸方向である場合、書き込み装置の情報バッファのデータ書き込み方向がY軸方向であり、X軸及びY軸は、水平方向において互いに直角であることを含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
第２の態様の第１の可能な実現方式を参照して、第３の可能な実現方式では、情報バッファのデータ書き込み方向が磁気記憶軌道の磁区移動方向に直角に適合することは、磁気記憶軌道の磁区移動方向がX軸方向である場合、書き込み装置の情報バッファのデータ書き込み方向がZ軸方向であり、X軸及びZ軸は、垂直方向において互いに直角であることを含む。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
図３は、本発明の実施例による他の磁気メモリの概略構成図である。図２と異なり、図３において、書き込み装置40の第１の情報記憶エリア403及び第２の情報記憶エリア405の、磁気記憶軌道20に対する位置は異なる。図３に示すように、磁気記憶軌道20の磁区201の移動方向がX軸方向である場合、書き込み装置40の情報バッファ404のデータ書き込み方向がZ軸方向であり、X軸及びZ軸は、垂直方向において互いに直角の軸である。
【国際調査報告】
2017514311.tif 000007
2017514311.tif 000008
2017514311.tif 000009
2017514311.tif 000010