(57)【要約】  本発明は、垂直共振器面発光レーザ及びそのような垂直共振器面発光レーザを製造する方法を記述する。垂直共振器面発光レーザは、第１の電気コンタクト(105,405,505,605,705)、基板(110,410,610,710)、第１の分布ブラッグ反射器(115,415,615,715)、活性層(120,420,620,720)、分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタ(125,425,625,725)、第２の分布ブラッグ反射器(130,430,630,730)、及び第２の電気コンタクト(135,435,535,635,735)を有し、分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタ(125,425,625,725)は、コレクタ層(125a)、感光層(125c)、ベース層(125e)、及びエミッタ層(125f)を有し、分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタ(125,425,625,725)は、分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタ(125,425,625,725)によるアクティブなキャリア閉じ込めを提供する光カップリングが活性層(120,420,620,720)と分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタ(125,425,625,725)との間に存在し、それにより、垂直共振器面発光レーザの動作中に垂直共振器面発光レーザの光モードが上記アクティブなキャリア閉じ込めに従って自己位置決めするように構成される。発明の意図は、分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタ(125,425,625,725)を集積することによって、容易に信頼性高く処理されることができるＶＣＳＥＬを提供することである。
2017532783.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直共振器面発光レーザであって、
当該垂直共振器面発光レーザは、第１の電気コンタクト、基板、第１の分布ブラッグ反射器、活性層、分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタ、第２の分布ブラッグ反射器、及び第２の電気コンタクトを有し、前記分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタは、コレクタ層、感光層、ベース層、及びエミッタ層を有し、
前記分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタは、前記分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタによるアクティブなキャリア閉じ込めを提供する光カップリングが前記活性層と前記分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタとの間に存在し、それにより、当該垂直共振器面発光レーザの動作中に当該垂直共振器面発光レーザの光モードが前記アクティブなキャリア閉じ込めに従って自己位置決めする、ように構成され、
前記コレクタ層、前記ベース層、及び前記エミッタ層の中のドーパントの濃度が、１０１９ｃｍ−３よりも低く、
前記分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタの、前記ベース層から前記エミッタ層への電子電流と前記エミッタ層から前記コレクタ層への正孔電流との間の比が、少なくとも１００である、
垂直共振器面発光レーザ。
【請求項２】
前記ベース層の厚さが１００ｎｍよりも小さい、請求項１に記載の垂直共振器面発光レーザ。
【請求項３】
前記分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタは、所定の閾値電圧において当該垂直共振器面発光レーザの光放射なく導電性であるように構成され、それにより、前記閾値電圧以上の電圧を印加することによって当該垂直共振器面発光レーザの光放射を開始させることができる、請求項１に記載の垂直共振器面発光レーザ。
【請求項４】
前記閾値電圧は、前記分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタのエミッタ−コレクタ降伏電圧によって決定され、前記エミッタ−コレクタ降伏電圧は１０Ｖ以下である、請求項３に記載の垂直共振器面発光レーザ。
【請求項５】
前記第１の分布ブラッグ反射器又は前記第２の分布ブラッグ反射器は、当該垂直共振器面発光レーザの動作中に前記第１の分布ブラッグ反射器又は前記第２の分布ブラッグ反射器を流れる電流フローが存在しないように構成されている、請求項１に記載の垂直共振器面発光レーザ。
【請求項６】
前記分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタは、前記活性層と前記第２の分布ブラッグ反射器との間に配置されており、前記第２の分布ブラッグ反射器の反射率は、当該垂直共振器面発光レーザの動作中に前記第２の分布ブラッグ反射器を介してレーザ光が放たれるように設定されている、請求項１に記載の垂直共振器面発光レーザ。
【請求項７】
前記分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタは、前記第１の分布ブラッグ反射器と前記活性層との間に配置されており、前記第１の分布ブラッグ反射器の反射率は、当該垂直共振器面発光レーザの動作中に前記第１の分布ブラッグ反射器を介してレーザ光が放たれるように設定されている、請求項１に記載の垂直共振器面発光レーザ。
【請求項８】
請求項１−４、６、又は７の何れか一項に記載の垂直共振器面発光レーザを少なくとも２つ有するレーザ装置であって、前記垂直共振器面発光レーザは、前記垂直共振器面発光レーザの前記第２の電気コンタクトが共通面上に配置されるよう、前記第１の分布ブラッグ反射器及び前記第２の分布ブラッグ反射器を共有している、レーザ装置。
【請求項９】
前記第２の分布ブラッグ反射器の反射率が、前記第２の分布ブラッグ反射器の少なくとも２つの異なる領域で局所的に高められており、それにより、動作において前記垂直共振器面発光レーザが、高められた反射率の前記領域でレーザ発振を開始するようにされている、請求項８に記載のレーザ装置。
【請求項１０】
高められた反射率の前記領域に回折格子が設けられており、それにより、前記垂直共振器面発光レーザの偏光安定シングルモード発光が可能にされている、請求項９に記載のレーザ装置。
【請求項１１】
請求項７に記載の垂直共振器面発光レーザを少なくとも２つ有するレーザ装置であって、前記垂直共振器面発光レーザは、前記分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタを共有している、レーザ装置。
【請求項１２】
垂直共振器面発光レーザを製造する方法であって、
第１の電気コンタクトを設けるステップと、
基板を設けるステップと、
第１の分布ブラッグ反射器を設けるステップと、
活性層を設けるステップと、
コレクタ層、光に感度を持つ量子井戸層、ベース層、及びエミッタ層を有する分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタを設けるステップであり、前記コレクタ層、前記ベース層、及び前記エミッタ層の中のドーパントの濃度が、１０１９ｃｍ−３よりも低い、ステップと、
第２の分布ブラッグ反射器を設けるステップと、
第２の電気コンタクトを設けるステップと、
前記分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタによるアクティブなキャリア閉じ込めを提供する光カップリングが前記活性層と前記分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタとの間に存在し、それにより、前記垂直共振器面発光レーザの動作中に前記垂直共振器面発光レーザの光モードが前記アクティブなキャリア閉じ込めに従って自己位置決めする、ように前記分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタを構成し、且つ、前記分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタの、前記ベース層から前記エミッタ層への電子電流と前記エミッタ層から前記コレクタ層への正孔電流との間の比が、少なくとも１００である、ようにするステップと、
を有する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタを有する垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）、及びそのようなＶＣＳＥＬを製造する対応した方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばＵＳ５５９６５９５（特許文献１）に記載されるような現状最先端の垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）は、電気及び光の閉じ込めのための電流絞りを必要としている。これは通常、高アルミニウム含有層の横方向酸化によって実現される。横方向酸化は、信頼性の問題を生じさせることがある。
【０００３】
ＵＳ２０１２／０１２８０２０Ａ１（特許文献２）は、垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）のレイヤスタック（積層体）の中にフォトトランジスタ層構造を集積することを開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第５５９６５９５号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２０１２／０１２８０２０号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
故に、本発明の１つの目的は、改善された信頼性を持つＶＣＳＥＬを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
第１の態様によれば、垂直共振器面発光レーザが提供される。当該垂直共振器面発光レーザは、第１の電気コンタクト、基板、第１の分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）、活性層、分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタ、第２の分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）、及び第２の電気コンタクトを有する。分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタは、コレクタ層、感光層、ベース層、及びエミッタ層を有する。分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタは、分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタによるアクティブなキャリア閉じ込めを提供する光カップリングが活性層と分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタとの間に存在し、それにより、当該垂直共振器面発光レーザの動作中に当該垂直共振器面発光レーザの光モードが上記アクティブなキャリア閉じ込めに従って自己位置決めするように構成される。
【０００７】
用語“層（レイヤ）”は、その層が２つ以上のサブレイヤを有することを排除するものではない。活性層近くでモノリシックに集積された分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタ（ＨＢＴ）を使用することは、レーザ発振モードの実際のプロファイルの局所的な強度の関数としてキャリア注入を制御することによって、効率的なキャリア閉じ込めを可能にし得る。結果として、キャリア注入がレーザ発振モードの要求に合わせて局所的に適応されることができ、その逆もまた然りである。また、光に感度を持つコレクタ−ベース接合（ジャンクション）を持つＨＢＴは、エミッタ層における中程度のドーピング濃度を用いて少ない光吸収と高い電流利得とが実現され得るように設計されることができる。この感光層は、量子井戸層であってもよいし、バルク層であってもよい。バルク層は、例えば、量子力学的効果を無視することができる１０ｎｍ以上の厚さを持つ複数のホモジニアス層である。
【０００８】
ＨＢＴは、第１及び第２のＤＢＲによって提供される光共振器と組み合わさってＶＣＳＥＬの活性層によって生成される光に対する感度が十分に高いように、ＶＣＳＥＬ内に配置される。ＨＢＴは、例えば、活性層の上（通常はｎ導電型である基板に背を向けた活性層の側を意味する）に直接的に配置されたｐｎｐ  ＨＢＴとし得る。これに代わるアプローチでは、活性層の下に直接的にｎｐｎ  ＨＢＴを配置することも可能である。直接的とは、この点においては、ｐｎｐ  ＨＢＴ又はｎｐｎ  ＨＢＴが、可能な限り活性層の近くに配置されることを意味する。これは、例えばＶＣＳＥＬの性能及び／又は信頼性を向上させるために必要とされ得る１つ以上の中間層が存在することを排除するものではない。また、例えば３対又は５対のミラー層の後に、第１又は第２のＤＢＲ内にＨＢＴを積層することも可能である。さらには、この一方のＤＢＲの中にＨＢＴのレイヤ構造が集積されてもよい。ＨＢＴレイヤ群のうちの１つ以上の厚さが、ＶＣＳＥＬの発光波長に適応され得る（１／４波長層）。この場合、ＨＢＴの１つ以上のレイヤが、該当するＤＢＲの反射率を増大させるために使用され得る。さらには、活性層の下の１つと上の１つとの、２つのＨＢＴを使用することも可能である。
【０００９】
活性層の上又は下に直接的にＨＢＴを位置付けることは、ＨＢＴと活性層との間の低い横方向の導電率により、それぞれの電荷キャリアのプロファイルに光モードの形状が合うという利点を有し得る。
【００１０】
コレクタ層、ベース層、及びエミッタ層の中のドーパントの濃度は、１０１９ｃｍ−３よりも低い。ＨＢＴのレイヤ群のドーパントは光損失を生じさせ、それ故に、低いドーピングレベルが好ましい。ＨＢＴのうちエミッタ層は、最も高いドーピング濃度を持つ層である。エミッタ層のドーパントの濃度は、例えば、５＊１０１８ｃｍ−３ほどの低さ、さらには、２＊１０１８ｃｍ−３ほどの低さとし得る。電荷キャリアによる光損失を低減するためにエミッタ層内で２＊１０１８ｃｍ−３のドーパント濃度である場合、ベース層内のドーパント濃度は１＊１０１８ｃｍ−３ほどの低さ、そして、コレクタ層内のドーパント濃度は４＊１０１７ｃｍ−３ほどの低さとし得る。
【００１１】
ベース層の厚さは１００ｎｍ以下とし得る。ＨＢＴは、活性層と第２のＤＢＲとの間に配置されるｐｎｐ  ＨＢＴとし得る。この場合、ベース層は、ベース層の材料内でのＶＣＳＥＬの発光波長に対し、およそλ／４の厚さを有し得る。発光波長は、基板の材料に依存し得る。６５０ｎｍとおよそ１６００ｎｍとの間の発光波長では、ＧａＡｓ基板が使用され得る。ＩｎＰ基板を持つＶＣＳＥＬは、１５００ｎｍよりも長い又はそれより遥かに長い発光波長のレーザ光を放ち得る。コレクタ層の厚さは、ＶＣＳＥＬの発光波長に対しλ／２の域とし得る。
【００１２】
分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタの電流増幅（ベース層からエミッタ層への電子電流とエミッタ層からコレクタ層への正孔電流との間の比）は１００以上である。高い電流増幅は、大きいエミッタ電流を得るのに小さいベース電流で十分であるという利点を有し得る。ベース電流は、ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタの感光層による光の吸収に依存する。故に、高い電流増幅を持つヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタは、活性層によって生成される光、又はより一般的にはＶＣＳＥＬによって生成される光、に対して非常に感度があることになる。後者は、ＶＣＳＥＬの閾値電圧、傾き、及び効率に対して強い影響を有し得る。
【００１３】
従来のバイポーラトランジスタの電流利得は、近似的に、エミッタ層内のドーピング濃度をベース層内のドーピング濃度で割った比によって与えられる。１００という電流利得は、ベースドーピングの少なくとも１００倍又はそれよりも高いエミッタドーピングを必要とする。ベースドーピングについての有用な値は１０１８ｃｍ−３であり、これは、１００＊１０１８ｃｍ−３＝１０２０ｃｍ−３という極めて高いエミッタドーピング濃度につながるものである。同時に、従来のバイポーラトランジスタを動作させるには、エミッタ層は、少なくとも１００ｎｍの厚さを必要とする。これが意味することは、エミッタ層に、ＶＣＳＥＬ共振器にかなりの量の自由キャリア吸収を追加する極めて多量のドーピングが必要になるということである。これは、ＶＣＳＥＬの効率低下を生じさせてしまい得る。
【００１４】
分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタは、ヘテロ接合の段差の高さによって電流増幅を制御することができるという利点を有し得る。故に、レイヤ群のドーピング濃度の影響は、電流増幅を制御するのにさほど重要でない。従って、光の吸収を生じさせ、ひいては、効率を低下させ得る高いドーパント濃度を用いずに、２００、３００、４００、５００、又は更には１０００以上といった電流増幅が可能であり得る。
【００１５】
分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタは、所定の閾値電圧において垂直共振器面発光レーザの光放射なく導電性であるように構成されてもよく、それにより、閾値電圧以上の電圧を印加することによって垂直共振器面発光レーザの光放射を開始させることができるようにし得る。ＨＢＴを介する電流フローは、主として、活性層により放出される光によって決定される。これが意味することは、光が存在しない限り電流も存在しないということであり、その逆もまた然りである。ＶＣＳＥＬは、ＨＢＴが所定の閾値電圧より上で開くようにＨＢＴを構成することによって始動され得る。閾値電圧は、例えば、分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタのエミッタ−コレクタ降伏電圧によって決定され得る。エミッタ−コレクタ降伏電圧は１０Ｖ以下であり得る。
【００１６】
低いエミッタ−コレクタ降伏電圧を達成することには、例えば、低いベースドーピング若しくは高いコレクタドーピング、又は小さいベース厚さといった、様々な方法が存在する。ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタの閾値電圧は、５Ｖ、３Ｖ、２Ｖ、又はそれよりも低くあり得る。ＨＢＴは、電圧が閾値電圧に達する場合に電流を通させることになる。この初期電流が、分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタを開くことになる初期光子を生成する。
【００１７】
他の例では、さらには、ＶＣＳＥＬを始動させるために分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタのリーク電流を用いることも可能である。リーク電流を用いることで、閾値電圧よりも高い電圧がＶＣＳＥＬに印加されると直ちに、活性層内で光を生成し得る。この自然放出光は、上述のように分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタを開くことに十分であり得る。この場合、エミッタ−コレクタ降伏電圧よりも高い電圧を印加する必要はなく、それ故に、１Ｖの電圧でもＶＣＳＥＬを始動させるのに十分であり得る。
【００１８】
この垂直共振器面発光レーザは、満足できる電流閉じ込めを得るのに電流絞りを必要としない。電流絞りは、頂面発光ＶＣＳＥＬの場合、通常、活性層の上の第２のＤＢＲ内に集積され、いわゆる電流閉じ込め層の酸化によって形成される。電流閉じ込め層は、電流分布をＶＣＳＥＬの光モードに合致させるために、活性層の近くにあるべきである。上述の分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタを有するＶＣＳＥＬにおいては、電流閉じ込め層は不要である。故に、電流絞りを介する電流フローを可能にするために導電性である第１又は第２のＤＢＲを設計する必要がない。故に、第１の分布ブラッグ反射器又は第２の分布ブラッグ反射器は、垂直共振器面発光レーザの動作中に第１の分布ブラッグ反射器又は第２の分布ブラッグ反射器を流れる電流フローが存在しないように構成されてもよい。活性層と第２のＤＢＲとの間にＨＢＴが配置される頂面発光ＶＣＳＥＬとしてＶＣＳＥＬが設計される場合、第２のＤＢＲを横切る電流が存在しないとし得る。この場合、ＨＢＴは、第２の電気コンタクトによって直接的に接続され得る。第２のＤＢＲは、例えば、Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＴａＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、及びＳｉＯ２層など、異なる屈折率を持つ非導電性の誘電体層の対を有し得る。
【００１９】
分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタは、活性層と第２の分布ブラッグ反射器との間に配置されることができ、そして、第２の分布ブラッグ反射器の反射率は、垂直共振器面発光レーザの動作中に第２の分布ブラッグ反射器を介してレーザ光が放たれるように設定され得る。この場合、ＶＣＳＥＬは、基板から遠ざかる方向にレーザ光を放つ。このＶＣＳＥＬは所謂トップエミッタとなる。
【００２０】
分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタは、第１の分布ブラッグ反射器と活性層との間に配置されてもよく、そして、第１の分布ブラッグ反射器の反射率は、垂直共振器面発光レーザの動作中に第１の分布ブラッグ反射器を介してレーザ光が放たれるように設定され得る。この場合、ＶＣＳＥＬは、基板の方向にレーザ光を放つ。故に、基板がＶＣＳＥＬの発光波長で透明であるか、あるいは、放射窓が存在するように基板が局所的に除去されなければならないか、の何れかが必要である。このＶＣＳＥＬは所謂ボトムエミッタとなる。
【００２１】
レーザ装置が、少なくとも２つの上述の垂直共振器面発光レーザを有することができ、これらの垂直共振器面発光レーザは、これらの垂直共振器面発光レーザの第２の電気コンタクトが共通面上に配置されるよう、第１の分布ブラッグ反射器及び第２の分布ブラッグ反射器を共有する。レーザ装置の垂直共振器面発光レーザは更に、例えば、活性層及び分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタのレイヤ群など、第１の分布ブラッグ反射器と第２の分布ブラッグ反射器との間に配置された層を共有する。電流閉じ込め層内に電流絞りを設けるために第２のＤＢＲのレイヤ群を酸化することは必要ない。従って、メサエッチングが不要であり、それ故に、これら少なくとも２つのＶＣＳＥＬは第２のＤＢＲを共有することができる。第２のＤＢＲの頂面上に直接的に第２の電気コンタクトが堆積され得る。これに代えて、第２のＤＢＲと第２の電気コンタクトとの間に１つ以上の中間層を設けることも可能である。３つ、４つ、５つのＶＣＳＥＬ、又は更には多数のＶＣＳＥＬのアレイを、このようなモノリシック構成で配することが可能であり得る。故に、ＶＣＳＥＬアレイの製造が単純化され得るとともに、メサエッチング及びそれに続く酸化における危険性が回避され得る。
【００２２】
このような２つ以上のＶＣＳＥＬのモノリシック構成において、第２の分布ブラッグ反射器の反射率が、第２の分布ブラッグ反射器の少なくとも２つの異なる領域で局所的に高められてもよく、それにより、動作において垂直共振器面発光レーザが、高められた反射率の領域でレーザ発振を開始するようにされ得る。所望の横方向位置でレーザモードがレーザ発振を始めることを確保することには、例えば、局所化した表面エッチングが助けとなり得る。
【００２３】
垂直共振器面発光レーザの偏光安定シングルモード発光が可能にされるように、高められた反射率の領域に回折格子が設けられてもよい。高められた反射率の領域を設けるために使用され得る浅いエッチングが、ＶＣＳＥＬモードの偏光を定める局在化された回折格子の形状を設けることにも使用され得る。
【００２４】
レーザのモノリシック構成はまた、第１又は第２の分布ブラッグ反射器が上述のように導電性ではない誘電体層の対を有する場合にも可能であり得る。レーザ装置は、例えば、少なくとも２つのそのような垂直共振器面発光レーザを有し得る。これらの垂直共振器面発光レーザは、分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタを共有し得る。垂直共振器面発光レーザは更に活性層を共有し得る。このレーザ装置は、３つ、４つ、５つのＶＣＳＥＬ、又は更には多数のＶＣＳＥＬのアレイを有し得る。例えば、ＶＣＳＥＬの第２のＤＢＲのミラー層が堆積され、そして、ＨＢＴへのコンタクトが、堆積に先立つマスキング又は堆積後のエッチングによって設けられ得る。レーザ装置の各ＶＣＳＥＬの所望の横方向位置でレーザモードがレーザ発振を始めることが確保されるよう、例えば、所定の位置に少なくとも一対の追加の誘電体材料層を設けることによって、第２のＤＢＲの反射率が局所的に増大され得る。
【００２５】
第２の態様によれば、垂直共振器面発光レーザを製造する方法が提供される。当該方法は、
第１の電気コンタクトを設けるステップと、
基板を設けるステップと、
第１の分布ブラッグ反射器を設けるステップと、
活性層を設けるステップと、
コレクタ層、光に感度を持つ量子井戸層、ベース層、及びエミッタ層を有する分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタを設けるステップであり、コレクタ層、ベース層、及びエミッタ層の中のドーパントの濃度が、１０１９ｃｍ−３よりも低い、ステップと、
第２の分布ブラッグ反射器を設けるステップと、
第２の電気コンタクトを設けるステップと、
分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタによるアクティブなキャリア閉じ込めを提供する光カップリングが活性層と分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタとの間に存在し、それにより、垂直共振器面発光レーザの動作中に垂直共振器面発光レーザの光モードが上記アクティブなキャリア閉じ込めに従って自己位置決めする、ように分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタを構成し、且つ、分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタの電流増幅（ベース層からエミッタ層への電子電流とエミッタ層からコレクタ層への正孔電流との間の比）が、少なくとも１００である、ようにするステップと、
を有する。
【００２６】
これらのステップは必ずしも、上で与えられた順序で実行される必要はない。例えば、最初のステップで基板が設けられ、２番目のステップで第１の電気コンタクトが設けられてもよい。分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタは、第１のＤＢＲの中に、第１のＤＢＲと活性層との間に、活性層と第２のＤＢＲとの間に、又は第２のＤＢＲの中に設けられ得る。これらの様々な層は、ＭＯＣＶＤ及びそれに類するもののようなエピタキシャル法によって堆積され得る。
【００２７】
理解されるべきことには、請求項１−７のＶＣＳＥＬ及び請求項１２の方法は、特に、従属項に規定されるような、同様及び／又は同質の実施形態を有する。また、請求項１２の方法が、請求項８−１１の何れか一つのレーザ装置を製造するのに使用され得る。
【００２８】
理解されるべきことには、それぞれの独立項との従属項の如何なる組み合わせも本発明の一好適実施形態とすることができる。
【００２９】
更なる有利な実施形態が以下に規定される。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
本発明のこれら及びその他の態様が、以下に記載される実施形態を参照して明らかになる。
【００３１】
ここに、添付の図面を参照して、実施形態に基づいて、例として、本発明を説明する。図面は以下を示す。
【図１】分布ＨＢＴを持つ第１のＶＣＳＥＬの主要略図を示している。
【図２】分布ＨＢＴのレイヤ構成の一実施形態の主要略図を示している。
【図３】分布ＨＢＴのレイヤ構成に関するＶＣＳＥＬの定在波パターンの主要略図を示している。
【図４】分布ＨＢＴ及び活性層の等価回路を示している。
【図５】ＶＣＳＥＬ内の分布ＨＢＴのバンド図を示すグラフを示している。
【図６】第２のＶＣＳＥＬの主要略図を示している。
【図７】第３のＶＣＳＥＬの主要略図を示している。
【図８】第４のＶＣＳＥＬの主要略図を示している。
【図９】第５のＶＣＳＥＬの主要略図を示している。
【図１０】通常動作における分布ＨＢＴを持つＶＣＳＥＬの主要略図を示している。
【図１１】局所欠陥を持つ動作における分布ＨＢＴを持つＶＣＳＥＬの主要略図を示している。
【図１２】分布ＨＢＴを持つＶＣＳＥＬを有する第１のレーザ構成の主要略図を示している。
【図１３】分布ＨＢＴを持つＶＣＳＥＬを有する第２のレーザ構成の主要略図を示している。
【図１４】本発明に従ったＶＣＳＥＬを製造する方法のプロセスフローの主要略図を示している。  図面においては、全体を通して、似通った参照符号が同様のオブジェクトを表す。図中のオブジェクトは必ずしも縮尺通りに描かれていない。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明の様々な実施形態を図面により説明する。
【００３３】
図１は、分布ＨＢＴを持つ第１のＶＣＳＥＬの主要略図を示している。第１のＶＣＳＥＬは、基板１１０から遠ざかる方向にレーザ光を放つ頂面発光ＶＣＳＥＬである。基板１１０の底面側に、第１の電気コンタクト１０５が設けられている。基板の頂面側には、第１及び第２の屈折率を持つ３０対の層（レイヤ）を有する第１のＤＢＲ１１５が設けられている。第１のＤＢＲ１１５のレイヤ対は、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ層を有する。これらの層の厚さは、９９．９％超という要求反射率をもたらすように、ＶＣＳＥＬの発光波長に合わせて適応される。第１のＤＢＲ１１５の上に、活性層１２０が設けられている。活性層１２０は、光生成のための量子井戸構造を有する。第１のＤＢＲ１１５と活性層１２０との間に、ｎ電流注入層（図示せず）が配されてもよい。活性層１２０の上に、分布ＨＢＴ１２５が設けられている。分布ＨＢＴ１２５の上に、第２のＤＢＲ１３０が設けられている。第２のＤＢＲ１３０は、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ層を有する１５対のレイヤを有する。これらのレイヤ対の厚さは、およそ９５％という要求反射率をもたらすように、ＶＣＳＥＬの発光波長に合わせて適応される。導電性の第２のＤＢＲ１３０に、リング形状の第２の電気コンタクト１３５が電気的に接触させられる。このＶＣＳＥＬは、第２のＤＢＲ１３０を介して矢印の方向にレーザ光を放つ。分布ＨＢＴ１２５は、活性層１２０の上に配置されており、故に、ｐｎｐ  ＨＢＴである。
【００３４】
図２は、第１のＶＣＳＥＬ内に集積され得る分布ＨＢＴ１２５のレイヤ構成の一実施形態の主要略図を示している。分布ＨＢＴ１２５は、コレクタ層１２５ａ、第１中間層１２５ｂ、感光層１２５ｃ、第２中間層１２５ｄ、ベース層１２５ｅ、及びエミッタ層１２５ｆを有している。コレクタ層１２５ａは、５０ｎｍの厚さと４＊１０１７ｃｍ−３の炭素原子濃度とを持つＧａＡｓを有する。第１中間層１２５ｂは、コレクタ層１２５ａの下に配置され、５ｎｍのＧａＡｓ層を有する。感光層１２５ｃは、第１中間層１２５ｂの下に配置されるとともに、５ｎｍの厚さを持つＧａ０．７３Ｉｎ０．２７Ａｓを有した、光に感度を持つ量子井戸層を有する。第２中間層１２５ｄは、感光層１２５ｃの下に配置され、５ｎｍのＧａＡｓ層を有する。ベース層１２５ｅは、第２中間層１２５ｄの下に配置されるとともに、３５ｎｍの厚さと１．５＊１０１８ｃｍ−３のシリコン原子濃度とを持つＧａＡｓを有する。エミッタ層１２５ｆは、ベース層１２５ｅの下に配置されるとともに、２５ｎｍの厚さと１．５＊１０１８ｃｍ−３の炭素原子濃度とを持つＡｌ０．２４Ｇａ０．７６Ａｓを有する。これら様々な層の材料組成は、ＶＣＳＥＬの要求に従って様々なとなり得る。コレクタ層におけるドーピング濃度は、ＨＢＴ降伏電圧に対して有意な影響を有する。故に、１．５＊１０１８ｃｍ−３よりも低い炭素ドーピングを用いることが好ましいとし得る。
【００３５】
図２に示したような分布ＨＢＴが、図１に示したような第１のＶＣＳＥＬの中に集積され得る。分布ＨＢＴは、故に、活性層１２０のすぐ上に配置され得る。図３に、活性層１２０及び分布ＨＢＴ１２５の配置を、第１のＶＣＳＥＬの定在波パターン３１０とともに示す。活性層１２０は、定在波パターン３１０の極大値部分に配置される。活性層１２０と感光層１２５ｃとの間での最大の帰還を可能にするため、感光層１２５ｃも定在波パターン３１０の極大値部分に置かれるように、コレクタ層１２５ａ及び場合により中間層の厚さが整えられる。対応する分布ＨＢＴ及び活性層の等価回路を図４に示す。活性層１２０とＨＢＴ層１２５との間に、矢印によって指し示す幾らかの光カップリングが存在する。活性層１２０は共振器の中に入れられる必要があるので、このカップリングは１：１ではなく、実際のカップリングがどれほど強いかは共振器の横方向品質に依存する。これが、レーザモードに関して“考えられる最良の”位置へのキャリア閉じ込め及び電流フィラメンテーションをもたらす。
【００３６】
図５は、ＶＣＳＥＬ内の分布ＨＢＴのバンド図を示すグラフを示している。このグラフは、伝導帯３８０、電子のフェルミ準位、正孔のフェルミ準位、及び価電子帯３９５を、分布ＨＢＴの様々な層にわたって示している。ベース層１２５ｅにおけるシリコン原子によるｎドーピングが、ＡｌＧａＡｓエミッタ層１２５ｆの価電子帯３９５における段差と組み合わさって、正孔がエミッタ層１２５ｆからコレクタ層１２５ａに来るのを妨げる。分布ＨＢＴ１２５が、コレクタ層１２５ａとベース層１２５ｅとの間の感光層１２５ｃ（ＩｎＧａＡｓ  ＱＷ）内で吸収される光で照射される場合、光子ごとに電子−正孔対が生成されることになる。電子は、ベース層１２５ｅに進行して、ベース−エミッタヘテロ接合を通る順電流を生成することになる。この順電流はまた、（エミッタ層１２５ｆからコレクタ層１２５ａへの）遥かに大きい正孔電流を生じさせることになる（これは、トランジスタ効果として周知である）。ベースからエミッタへの電子電流とエミッタ層１２５ｆからコレクタ層１２５ａへの正孔電流との間の比は、ＨＢＴ電流増幅と呼ばれている。上述のような分布ＨＢＴ構造では、〜１０００という高い電流増幅が可能となり得る。故に、活性層と分布ＨＢＴとの間に帰還ループが存在し、レーザモード及び電流モードの位置が互いに対して最適な位置に適応されるようになる。
【００３７】
図６は、第２のＶＣＳＥＬの主要略図を示している。第２のＶＣＳＥＬは、基板１１０から遠ざかる方向にレーザ光を放つ頂面発光ＶＣＳＥＬである。基板１１０の底面側に、第１の電気コンタクト１０５が設けられている。基板の頂面側には、第１のＤＢＲ１１５が設けられている。第１のＤＢＲ１１５の上に、分布ＨＢＴ１２５が設けられている。分布ＨＢＴ１２５の上に、活性層１２０が設けられている。活性層１２０の上に、第２のＤＢＲ１３０が設けられている。導電性の第２のＤＢＲ１３０に、第２の電気コンタクト１３５が電気的に接触させられる。このＶＣＳＥＬは、第２のＤＢＲ１３０を介して矢印の方向にレーザ光を放つ。このケースでは、活性層１２０は、１２ｎｍの厚さを持つＩｎＧａＡｓを有する感光バルク層である。分布ＨＢＴ１２５は、活性層１２０の下に配置されており、故に、ｎｐｎ  ＨＢＴである。
【００３８】
図７は、第３のＶＣＳＥＬの主要略図を示している。第３のＶＣＳＥＬは、基板１１０の方向にレーザ光を放つ底面発光ＶＣＳＥＬである。基板１１０は、レーザ光が放出される領域で除去されている。光放射の方向が矢印によって指し示されている。基板１１０の底面側に、基板１１０の除去された部分の周りで第１の電気コンタクト１０５が設けられている。基板の頂面側に第１のＤＢＲ１１５が設けられており、これは、第１のＤＢＲ１１５を介したレーザ光放射を可能にするために、およそ９５％の反射率を持つ。第１のＤＢＲ１１５の上に、分布ＨＢＴ１２５が設けられている。分布ＨＢＴ１２５の上に、活性層１２０が設けられている。活性層１２０の上に、９９．９％よりも高い反射率を持つ第２のＤＢＲ１３０が設けられている。導電性の第２のＤＢＲ１３０に、第２の電気コンタクト１３５が電気的に接続されている。このケースでは、活性層１２０は、１０ｎｍの厚さを持つＩｎＧａＡｓを有する感光バルク層である。分布ＨＢＴ１２５は、活性層１２０の下に配置されており、故に、ｎｐｎ  ＨＢＴである。
【００３９】
図８は、第４のＶＣＳＥＬの主要略図を示している。第４のＶＣＳＥＬは、基板１１０から遠ざかる方向にレーザ光を放つ頂面発光ＶＣＳＥＬである。基板１１０の底面側に、第１の電気コンタクト１０５が設けられている。基板の頂面側には、９９．９％よりも高い反射率を持つ第１のＤＢＲ１１５が設けられている。第１のＤＢＲ１１５の上に、活性層１２０が設けられている。活性層１２０は、光生成のための量子井戸構造を有する。活性層１２０の上に、分布ＨＢＴ１２５が設けられている。分布ＨＢＴ１２５の上に、およそ９５％の反射率を持つ第２のＤＢＲ１３０が設けられている。導電性の第２のＤＢＲ１３０に、第２の電気コンタクト１３５が電気的に接続されている。このＶＣＳＥＬは、第２のＤＢＲ１３０を介して矢印の方向にレーザ光を放つ。第１のＤＢＲ１１５、活性層１２０、感光層１２５、及び第２のＤＢＲ１３０は、モノリシック構成で設けられている。メサエッチングが存在せず、故に、第４のＶＣＳＥＬの製造は単純化され得る。第２のＤＢＲ１３０は、より高い反射率の第２のＤＢＲを領域１４０に設けるために、領域１４０で局所的にエッチングされている。故に、このレーザは、領域１４０の真下での高められた共振器効果のため、領域１４０の位置でレーザ光を放出し始める。分布ＨＢＴ１２５は、活性層１２０の上に配置されており、故に、ｐｎｐ  ＨＢＴである。
【００４０】
図９は、第５のＶＣＳＥＬの主要略図を示している。第５のＶＣＳＥＬは、基板４１０から遠ざかる方向にレーザ光を放つ頂面発光ＶＣＳＥＬである。基板４１０の頂面側に、コンタクト層４０６が設けられている。コンタクト層４０６は、第５のＶＣＳＥＬの左側に配置された第１の電気コンタクト４０５に電気的に接続されている。コンタクト層４０６の上に、９９．９％よりも高い反射率を持つ第１のＤＢＲ４１５が配置されている。コンタクト層４０６が、第１のＤＢＲ４１５にわたって電流を分配する。第１のＤＢＲ４１５の上に、活性層４２０が設けられている。活性層４２０は、光生成のための量子井戸構造を有する。活性層４２０の上に、分布ＨＢＴ４２５が設けられている。分布ＨＢＴ４２５の上に、およそ９５％の反射率を持つ第２のＤＢＲ４３０が設けられている。導電性のＨＢＴに、リング形状の第２の電気コンタクト４３５が電気的に接続されている。リング形状の第２の電気コンタクト４３５は、第２のＤＢＲ４３０を取り囲んでいる。第２のＤＢＲは、電気絶縁性であるＮｂ２Ｏ５層及びＳｉＯｘ層の交互配置を有する。このＶＣＳＥＬは、第２のＤＢＲ４３０を介して矢印の方向にレーザ光を放つ。
【００４１】
図１０は、通常動作における本発明に従ったＶＣＳＥＬの主要略図を示している。電流が第２の電気コンタクト５３５から第１の電気コンタクト５０５に流れる。ＶＣＳＥＬの中心での光モード５４５が、感光層（図示せず）と相互作用して、最も高い光強度の領域での導電率を増大させ、その結果、感光層によって電流フロー５５０が収縮される。故に、垂直共振器面発光レーザの光モード５４５が電流フロー５５０に従って自己位置決め（セルフポジショニング）し、その逆もまた然りである。
【００４２】
図１１は、局所欠陥５６０を持つ図１０に示したＶＣＳＥＬの主要略図を示している。局所欠陥５６０は、ＶＣＳＥＬの中心に位置している。局所欠陥５６０は、この位置でのレーザ放射をできないようにする。電流絞りを持つ従来のＶＣＳＥＬは、電流フローが主に電流絞りによって決定されるため、局所欠陥５６０によって妨げられることになる。
【００４３】
本発明に従ったＶＣＳＥＬのレーザモード５４５及び電流フロー５５０は、レーザ光が局所欠陥５６０の脇で放射されるように、例えば右側にずれることができる。ＶＣＳＥＬのＨＢＴは、故に、ＶＣＳＥＬの共振器が最も良く動作する位置へのレーザモード５４５及び電流フロー５５０のシフトを可能にすることによって、一種の自己修復（セルフリペアリング）特性を可能にする。
【００４４】
図１２は、分布ＨＢＴを持つ多数のＶＣＳＥＬを有する第１のレーザ構成の主要略図を示している。単一のＶＣＳＥＬの構成は、図８に示した第４のＶＣＳＥＬの構成と基本的に同じである。基板６１０の底面側に、これら多数のＶＣＳＥＬにコンタクトを取るように、第１の電気コンタクト６０５が設けられている。基板６１０の頂面側に、９９．９％よりも高い反射率を持つ共通の第１のＤＢＲ６１５が設けられている。共通の第１のＤＢＲ６１５の上に、共通の活性層６２０が設けられている。活性層６２０の上に、共通の分布ＨＢＴ６２５が設けられている。分布ＨＢＴ６２５の上に、およそ９５％の反射率を持つ共通の第２のＤＢＲ６３０が設けられている。導電性の第２のＤＢＲ６３０に、このＶＣＳＥＬ構成の各ＶＣＳＥＬの個々の電気接続を設けるために、複数の第２の電気コンタクト６３５が電気的に接続されている。このＶＣＳＥＬは、第２のＤＢＲ６３０を介して矢印の方向にレーザ光を放つ。共通の第１のＤＢＲ６１５、共通の活性層６２０、共通の感光層６２５、及び共通の第２のＤＢＲ６３０は、モノリシック構成で設けられている。共通の感光層６２５が、各ＶＣＳＥＬの電流フロー６５０を収縮させ、各ＶＣＳＥＬの光モードがそれぞれの電流フロー６５０に適合（フィット）するようになる。共通の感光層６２５は更に、局所欠陥６６０の場合に、局所的な電流遮断を提供する。そのような局所欠陥の真下では、ＨＢＴを開くための光が存在しないので、共通の感光層６２５の導電率がかなり低いことになる。
【００４５】
図１３は、分布ＨＢＴを持つＶＣＳＥＬを有する第２のレーザ構成の主要略図を示している。単一のＶＣＳＥＬの構成は、図９に示した第５のＶＣＳＥＬの構成に非常に似たものである。共通の基板７１０の底面側に、多数のＶＣＳＥＬの共通コンタクトを設けるための共通の第１の電気コンタクト７０５が配置されている。共通の基板７１０の上に、９９．９％よりも高い反射率を持つ共通の第１のＤＢＲ７１５が配置されている。共通の第１のＤＢＲ７１５の上に、共通の活性層７２０が設けられている。共通の活性層７２０の上に、共通の分布ＨＢＴ７２５が設けられている。共通の分布ＨＢＴ７２５の上に、およそ９５％の反射率を持つ共通の第２のＤＢＲ７３０が設けられている。共通の導電性のＨＢＴに、第２の電気コンタクト７３５が電気的に接続されている。共通の第２のＤＢＲ７３０は、電気絶縁性であるＮｂ２Ｏ５層及びＳｉＯｘ層の交互配置を有する。共通の第２のＤＢＲは、第２の電気コンタクト７３５へのアクセスを可能にするために、局所的に除去されている。このＶＣＳＥＬは、共通の第２のＤＢＲ７３０を介して矢印の方向にレーザ光を放つ。共通の第１のＤＢＲ７１５、共通の活性層７２０、及び共通の感光層７２５は、モノリシック構成で設けられている。共通の感光層７２５が、各ＶＣＳＥＬの電流フロー７５０を収縮させ、各ＶＣＳＥＬの光モードがそれぞれの電流フロー７５０に適合（フィット）するようになる。共通の感光層７２５は更に、局所欠陥７６０の場合に、局所的な電流遮断を提供する。そのような局所欠陥の真下では、ＨＢＴを開くための光が存在しないので、共通の感光層７２５の導電率がかなり低いことになる。
【００４６】
図１４は、本発明に従ったＶＣＳＥＬを製造する方法のプロセスフローの主要略図を示している。ステップ７１０にて、第１の電気コンタクトが設けられる。第１の電気コンタクトは、ステップ７２０にて用意されるＧａＡｓ基板の底面側に付着される。ステップ７３０にて、基板の頂面側に第１のＤＢＲが設けられ、続くステップ７４０にて、第１のＤＢＲの上に活性層が設けられる。ステップ７５０にて、活性層の上に分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタが設けられる。ステップ７６０にて、分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタの上に第２のＤＢＲが設けられる。ステップ７７０にて、ＶＣＳＥＬに電気的に接触する第２の電気コンタクトが設けられる。ステップ７８０にて、活性層と分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタとの間に分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタによるアクティブなキャリア閉じ込めを提供する光カップリングが存在し、それにより、垂直共振器面発光レーザの動作中に垂直共振器面発光レーザの光モードが上記アクティブなキャリア閉じ込めに従って自己位置決めするように、分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタが構成される。分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタを構成することは、第１のＤＢＲの中に、第１のＤＢＲと活性層との間に、活性層と第２のＤＢＲとの間に、又は第２のＤＢＲの中に、分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタを位置付けることによって実行され得る。また、ＶＣＳＥＬの光モードの最適化された位置決めを可能にするよう、分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタのレイヤ群のドーピング、分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタのレイヤ群の厚さ、又は分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタの電流増幅が整えられ得る。
【００４７】
第１のＤＢＲ、活性層、第２のＤＢＲ、分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタ、及び電流注入層などのその他の層、のレイヤ群は、ＭＯＣＶＤのようなエピタキシャル法によって堆積され得る。
【００４８】
本発明の意図は、電流絞りの酸化及びオプションでメサエッチングを回避することによって、容易に処理されることができるＶＣＳＥＬを提供することである。故に、ＶＣＳＥＬの電流フローと光モードとの自動アライメント（位置整合）を提供する分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタが設けられる。この自動アライメントは更に、電流フロー及び光モードが、電流絞りによって生じ得るような収縮なく、レーザ共振器の条件に自動適応するので、局所的なダメージに対する堅牢さを提供する。分布ＨＢＴは更に、それぞれのＶＣＳＥＬを横切る電流フローを制限することによって、欠陥のあるＶＣＳＥＬの局所的遮断を可能にする。
【００４９】
図面及び以上の記載にて本発明を詳細に図示して説明してきたが、これらの図示及び説明は、限定的なものではなく、例示的あるいは典型的なものとみなされるべきである。
【００５０】
本開示を読むことにより、その他の変更が当業者に明らかになる。それらの変更は、技術的に既知であり且つここで既に述べた特徴に代えて又は加えて使用され得るような、その他の特徴を含んでいてもよい。
【００５１】
開示の実施形態への変形が、図面、本開示及び添付の請求項の検討から、当業者によって理解されて実現され得る。請求項において、用語“有する”はその他の要素又はステップを排除するものではなく、不定冠詞“ａ”又は“ａｎ”は複数の要素又はステップを排除するものではない。特定の複数の手段が相互に異なる従属項に記載されているという単なる事実は、それらの手段の組合せが有利に使用され得ないということを指し示すものではない。
【００５２】
請求項中の如何なる参照符号も、その範囲を限定するものとして解されるべきでない。
【符号の説明】
【００５３】
１０５、４０５、５０５、６０５、７０５  第１の電気コンタクト
１１０、４１０、６１０、７１０  基板
１１５、４１５、６１５、７１５  第１の分布ブラッグ反射器
１２０、４２０、６２０、７２０  活性層
１２５、４２５、６２５、７２５  分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタ
１２５ａ  コレクタ層
１２５ｂ  第１中間層
１２５ｃ  感光層
１２５ｄ  第２中間層
１２５ｅ  ベース層
１２５ｆ  エミッタ層
１３０、４３０、６３０、７３０  第２の分布ブラッグ反射器
１３５、４３５、５３５、６３５、７３５  第２の電気コンタクト
１４０  高められた反射率を持つ領域
３１０  定在波パターン
３８０  伝導帯
３８５  フェルミ準位電子
３９０  フェルミ準位正孔
３９５  価電子帯
４０６  コンタクト層
５４５  光モード
５５０、６５０、７５０  電流フロー
５６０、６６０、７６０  局所欠陥
７１０  第１の電気コンタクトを設けるステップ
７２０  基板を設けるステップ
７３０  第１の分布ブラッグ反射器を設けるステップ
７４０  活性層を設けるステップ
７５０  分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタを設けるステップ
７６０  第２の分布ブラッグ反射器を設けるステップ
７７０  第２の電気コンタクトを設けるステップ
７８０  分布ヘテロ接合バイポーラフォトトランジスタを構成するステップ
【図１】
2017532783.tif 000003
【図２】
2017532783.tif 000004
【図３】
2017532783.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2017532783.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2017532783.tif 000015
【図１４】
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【国際調査報告】
2017532783.tif 000017
2017532783.tif 000018
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