(57)【要約】  本開示は、２次元および／または３次元基板（例えば、核酸ナノ構造体／結晶）上の所定の構造物への部分（例えば、ナノ粒子および／またはナノワイヤー）のアラインメントに関する。本開示はまた、いくつかの実施形態では、基板の表面上に裸の核酸ナノ構造体を吸着させる工程、および裸の核酸ナノ構造体を含有する基板の表面をエッチングして、それによってパターン化基板を生成する工程を含む核酸（例えば、DNA）リソグラフィー方法に関する。
2017523594.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）基板の表面に裸の核酸ナノ構造体を吸着させる工程、および
（ｂ）裸の核酸ナノ構造体を吸着させた基板の表面をドライエッチングし、それによってパターン化基板を生成する工程
を含む核酸リソグラフィー方法。
【請求項２】
裸の核酸ナノ構造体が裸のデオキシリボ核酸（DNA）ナノ構造体である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
裸の核酸ナノ構造体が裸のリボ核酸（RNA）ナノ構造体である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
裸の核酸ナノ構造体が裸のロックド核酸（LNA）ナノ構造体である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
裸の核酸ナノ構造体が裸のタンパク質核酸（PNA）ナノ構造体である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
ドライエッチングがプラズマエッチング、イオンビームエッチング、電子ビームエッチングおよびＸ線エッチングから選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
裸の核酸ナノ構造体が裸の２次元核酸ナノ構造体である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
裸の核酸ナノ構造体が裸の３次元核酸ナノ構造体である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
基板が無機物質を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
基板が有機物質を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
基板がケイ素、シリカ、酸化物、窒化物、金属または非金属を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
基板が半導体または半導体の組合せを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
半導体がＩＩＩ〜Ｖ族の半導体またはＩＩ〜ＶＩ族の半導体である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
基板がポリマーフィルムを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
ポリマーフィルムがポリジメチルシロキサン（PDMS）またはポリ（メタクリル酸メチル）（PMMA）を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
裸の核酸ナノ構造体が、１本鎖ＤＮＡからアセンブリされた裸のＤＮＡナノ構造体である、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
裸のＤＮＡナノ構造体が合成１本鎖オリゴヌクレオチドからアセンブリされる、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
裸のＤＮＡナノ構造体が少なくとも５０個の不均一な合成１本鎖オリゴヌクレオチドからアセンブリされる、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
裸のＤＮＡナノ構造体が少なくとも１キロベースの長さの１本鎖ＤＮＡからアセンブリされる、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
金属、金属酸化物または酸化物成長工程を含まない、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
（ａ）の吸着工程が、基板の表面を裸の核酸ナノ構造体を含む溶液と接触させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
（ａ）の吸着工程が、物理吸着、静電吸着または化学吸着を含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
裸の核酸ナノ構造体が、金属ナノ粒子、金属クラスター、酸化物、カルコゲン化合物、ナノワイヤー、ポリマーおよび／または生体分子によって機能化されている、請求項１に記載の方法。
【請求項２４】
フィーチャ解像度１０ｎｍ未満を有する請求項１に記載の方法によって生成されたパターン化基板。
【請求項２５】
パターン化基板のフィーチャ解像度が１ｎｍから１μｍである、請求項２４に記載のパターン化基板。
【請求項２６】
パターン化基板のフィーチャ解像度が５ｎｍから１μｍである、請求項２５に記載のパターン化基板。
【請求項２７】
パターン化基板のフィーチャ解像度が１ｎｍから２ｎｍである、請求項２５に記載のパターン化基板。
【請求項２８】
請求項２４に記載のパターン化基板を含む装置。
【請求項２９】
電子装置、プラズモン装置、フォトニクス装置、光起電力装置またはハイブリッド装置である、請求項２８に記載の装置。
【請求項３０】
（ａ）第２の基板層上に位置する第１の基板層に裸の核酸ナノ構造体を吸着させる工程、
（ｂ）裸の核酸ナノ構造体を吸着させた第１の基板層の表面をドライエッチングまたはウェットエッチングし、それによって第２の基板層上に位置する第２のマスクを生成する工程、および
（ｃ）第２のマスクを吸着させた第２の基板層をドライエッチングし、それによってパターン化基板を生成する工程
を含む核酸リソグラフィー方法。
【請求項３１】
裸の核酸ナノ構造体が裸のデオキシリボ核酸（DNA）ナノ構造体である、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
裸の核酸ナノ構造体が裸のリボ核酸（RNA）ナノ構造体である、請求項３０に記載の方法。
【請求項３３】
裸の核酸ナノ構造体が裸のロックド核酸（LNA）ナノ構造体である、請求項３０に記載の方法。
【請求項３４】
裸の核酸ナノ構造体が裸のタンパク質核酸（PNA）ナノ構造体である、請求項３０に記載の方法。
【請求項３５】
工程（ｂ）および／または工程（ｃ）のドライエッチングがプラズマエッチング、イオンビームエッチング、電子ビームエッチングおよびＸ線エッチングから選択される、請求項３０に記載の方法。
【請求項３６】
裸の核酸ナノ構造体が裸の２次元核酸ナノ構造体である、請求項３０に記載の方法。
【請求項３７】
裸の核酸ナノ構造体が裸の３次元核酸ナノ構造体である、請求項３０に記載の方法。
【請求項３８】
第１の基板および／または第２の基板が無機物質を含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項３９】
第１の基板および／または第２の基板が有機物質を含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項４０】
第１の基板および／または第２の基板がシリコン、シリカ、酸化物、窒化物、金属または非金属を含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項４１】
第１の基板および／または第２の基板が半導体または半導体の組合せを含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項４２】
半導体がＩＩＩ〜Ｖ族の半導体またはＩＩ〜ＶＩ族の半導体である、請求項４１に記載の方法。
【請求項４３】
第１の基板および／または第２の基板がポリマーフィルムを含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項４４】
ポリマーフィルムがポリジメチルシロキサン（PDMS）またはポリ（メタクリル酸メチル）（PMMA）を含む、請求項４３に記載の方法。
【請求項４５】
裸の核酸ナノ構造体が、１本鎖ＤＮＡからアセンブリされた裸のＤＮＡナノ構造体である、請求項３０に記載の方法。
【請求項４６】
裸のＤＮＡナノ構造体が合成１本鎖オリゴヌクレオチドからアセンブリされる、請求項４５に記載の方法。
【請求項４７】
裸のＤＮＡナノ構造体が少なくとも５０個の不均一な合成１本鎖オリゴヌクレオチドからアセンブリされる、請求項４６に記載の方法。
【請求項４８】
裸のＤＮＡナノ構造体が少なくとも１キロベースの長さの１本鎖ＤＮＡからアセンブリされる、請求項４５に記載の方法。
【請求項４９】
金属、金属酸化物または酸化物成長工程を含まない、請求項３０に記載の方法。
【請求項５０】
（ａ）の吸着工程が、基板の表面を裸の核酸ナノ構造体を含む溶液と接触させることを含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項５１】
（ａ）の吸着工程が、物理吸着、静電吸着または化学吸着を含む、請求項５０に記載の方法。
【請求項５２】
裸の核酸ナノ構造体が、金属ナノ粒子、金属クラスター、酸化物、カルコゲン化合物、ナノワイヤー、ポリマーおよび／または生体分子によって機能化されている、請求項１に記載の方法。
【請求項５３】
フィーチャ解像度１０ｎｍ未満を有する請求項３０に記載の方法によって生成されたパターン化基板。
【請求項５４】
パターン化基板のフィーチャ解像度が１ｎｍから１μｍである、請求項５３に記載のパターン化基板。
【請求項５５】
パターン化基板のフィーチャ解像度が５ｎｍから１μｍである、請求項５４に記載のパターン化基板。
【請求項５６】
パターン化基板のフィーチャ解像度が１ｎｍから２ｎｍである、請求項５４に記載のパターン化基板。
【請求項５７】
請求項５３のパターン化基板を含む装置。
【請求項５８】
電子装置、プラズモン装置、フォトニクス装置、光起電力装置またはハイブリッド装置である、請求項５７に記載の装置。
【請求項５９】
５０ｎｍ以下の空間解像度を有し、部分にカップリングしている相補的核酸抗ハンドルにハイブリダイズした核酸ハンドルを所定の位置に含有する基板
を含む装置。
【請求項６０】
基板の空間解像度が１０ｎｍ以下である、請求項５９に記載の装置。
【請求項６１】
基板の空間解像度が１ｎｍから５０ｎｍである、請求項５９に記載の装置。
【請求項６２】
基板の空間解像度が１ｎｍから２５ｎｍである、請求項６１に記載の装置。
【請求項６３】
基板の空間解像度が２ｎｍから５ｎｍである、請求項６２に記載の装置。
【請求項６４】
基板が無機物質である、請求項５９に記載の装置。
【請求項６５】
基板が有機物質である、請求項５９に記載の装置。
【請求項６６】
基板が核酸結晶である、請求項５９に記載の装置。
【請求項６７】
基板が２種類以上の異なる物質のハイブリッドである、請求項５９に記載の装置。
【請求項６８】
基板がタンパク質層または核酸層を含む、請求項５９に記載の装置。
【請求項６９】
基板が２次元または３次元である、請求項５９に記載の装置。
【請求項７０】
クロスバー構成、キラル構成または平行な列を形成するために核酸ハンドルの一部を基板上に配置する、請求項５９に記載の装置。
【請求項７１】
部分がナノ粒子、ナノワイヤーまたは核酸である、請求項５９に記載の装置。
【請求項７２】
部分が半導体ナノ粒子または金属ナノ粒子である、請求項５９に記載の装置。
【請求項７３】
部分が金ナノ粒子である、請求項５９に記載の装置。
【請求項７４】
部分がカーボンナノチューブである、請求項５９に記載の装置。
【請求項７５】
部分が、１本鎖核酸、２本鎖核酸または自己組織化した１次元、２次元もしくは３次元核酸ナノ構造体である、請求項５９に記載の装置。
【請求項７６】
部分の直径が１ｎｍから１００ｎｍである、請求項５９に記載の装置。
【請求項７７】
部分が部分の不均一な混合物を含む、請求項５９に記載の装置。
【請求項７８】
各抗ハンドルが個々の部分にカップリングしている、請求項５９に記載の装置。
【請求項７９】
抗ハンドルの一部が同じ部分にカップリングしている、請求項５９に記載の装置。
【請求項８０】
核酸ハンドルが基板の表面にカップリングしている、請求項５９に記載の装置。
【請求項８１】
核酸ハンドルが基板の単層にカップリングしている、請求項５９に記載の装置。
【請求項８２】
核酸ハンドルが基板の多層にカップリングしている、請求項５９に記載の装置。
【請求項８３】
核酸ハンドルが基板中に形成されたチャネルにカップリングしている、請求項５９に記載の装置。
【請求項８４】
５０ｎｍ未満の空間解像度を有し、所定の位置に部分を含有する基板を含む装置であって、部分が核酸ハイブリダイゼーション相互作用、タンパク質−タンパク質相互作用、疎水性相互作用、静電相互作用、π−πスタッキング、空間的閉じ込めまたは電気泳動によって基板に間接的にカップリングしているか、または閉じ込められている装置。
【請求項８５】
５０ｎｍ未満の空間解像度および少なくとも１つのチャネルを有する基板を含む装置であって、部分が少なくとも１つのチャネルに空間的に閉じ込められ、少なくとも１つのチャネルの直径が部分の平均直径の２倍以下である装置。
【請求項８６】
基板が核酸結晶である、請求項８４に記載の装置。
【請求項８７】
部分がナノ粒子、ナノワイヤーまたは核酸である、請求項８４に記載の装置。
【請求項８８】
電子装置、プラズモン装置、フォトニクス装置、光起電力装置またはハイブリッド装置である、請求項５９に記載の装置。
【請求項８９】
集積回路を含む、請求項５９に記載の装置。
【請求項９０】
基板の表面上に核酸結晶を沈着させる工程、および
部分にカップリングしている核酸抗ハンドルに相補的な核酸ハンドルを所定の位置で核酸結晶にカップリングさせる工程
を含む装置の製造方法。
【請求項９１】
核酸ハンドルの相補的核酸抗ハンドルへのハイブリダイゼーションによって部分を核酸結晶にカップリングさせる工程をさらに含む、請求項９０に記載の方法。
【請求項９２】
基板の表面上に核酸結晶を沈着させた後、部分を核酸結晶にカップリングさせる、請求項９１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願
本出願は、米国特許法第１１９条の下で、いずれも本明細書に全体を参考として組み込んだ、２０１５年５月６日に出願された米国特許仮出願第６２／１５７５９５号、２０１４年１１月１４日に出願された米国特許仮出願第６２／０７９８７７号および２０１４年５月２２日に出願された米国特許仮出願第６２／００２１１７号の利益を主張する。
【０００２】
政府の支援による研究
本発明は、米国国防総省海軍研究事務所によって付与された契約番号Ｎ０００１４−１１−１−０９１４号、Ｎ０００１４−１０−１−０８２７号およびＮ０００１４−１３−１−０５９３号ならびに米国陸軍研究所によって付与されたＷ９１１ＮＦ−１２−１−０２３８号による政府の支援で行われた。政府は、本発明に一定の権利を有する。
【背景技術】
【０００３】
現在の電子工学および光学は、ナノ粒子およびナノワイヤーなどの小さな基本要素を特定の２次元／３次元（２Ｄ／３Ｄ）構造物に大規模に統合することを必要とする。例えば、３Ｄ光通信経路は、カップリングしたナノ粒子のみが情報交換して高速全光学的計算を行うことができるように、ナノ規模サイズの成分間の粒子間隔を調整することによって実行してきた。
【０００４】
容易に任意の形状に折りたたまれるデオキシリボ核酸（DNA）分子は、ＤＮＡ特異的自己組織化およびナノパターニングプロセスの両方によって、このような２Ｄ／３Ｄ構造物（例えば、ナノ規模の装置）のファブリケーションに使用することができる。近年、ＤＮＡリソグラフィーとして知られるパターン伝達プロセスを使用して、マスクとしてＤＮＡ鋳型を用いて無機基板をパターン化するようになってきた。一般的に、ＤＮＡマスクを基板上に吸着させ、次いでこの基板をエッチングすると、ＤＮＡマスクの形状にパターン化された基板が生じる。しかし、ＤＮＡの化学的安定性には限界がある。エッチングの過酷な化学反応条件からＤＮＡマスクを保護するために、マスクは、例えば、金属コーティングまたは酸化物コーティングなどのコーティングで保護する。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
いくつかの態様では、本明細書は、少なくとも１ｎｍ（例えば、１、２、３、４または５ｎｍまたはそれを上回る）の空間解像度で、小部分、例えば、ナノ粒子（例えば、金ナノ粒子）および／または１Ｄナノワイヤー（例えば、カーボンナノチューブまたはＳｉナノワイヤー）および／または生体分子（例えば、タンパク質およびアプタマー）から複雑な２Ｄおよび／または３Ｄ構造物をプログラム可能にナノ製造することを含む高解像度ファブリケーションのための汎用鋳型として、予め形成された（予めアセンブリした、ともいう）２Ｄおよび／または３Ｄ核酸（例えば、DNA）ナノ構造体／結晶（例えば、ナノまたはマイクロ構造体）などの基板を使用するプラットフォームを提供する。本明細書で提供したプラットフォームは、例えば、１０００個を上回る部分（均一または不均一な集団）の複雑な所定の２Ｄおよび／または３Ｄ構造物および基礎的な１次元（１Ｄ）高分子ナノワイヤーおよび平行アレイへの前述の空間解像度での合理的統合を可能にする。本開示はまた、ナノメートルからウェハ規模までの規模にわたる少なくとも０．１ｎｍのパターニングのための精度を備えた方法および装置を提供する。
【０００６】
このようなナノ製造の枠組みは、沈着および反応性イオンエッチングなどのリソグラフィー条件ならびに溶液アセンブリ条件の両方の下で使用することができる。さらに、本明細書で提供した枠組みは、例えば、５０個を上回る部分（均一または不均一な集団を含む）の複雑な所定の構造物への合理的統合を可能にする。
【０００７】
本開示の様々な態様は、（１）エピタキシャル成長したＤＮＡ鋳型；（２）核酸（例えば、DNA）ナノ構造体（鋳型として働く）のウェハなどの基板への非共有結合による沈着；（３）１つまたは複数のナノ部分の核酸（例えば、DNA）ナノ構造体（鋳型として働く）へのアセンブリ；（４）基板の３Ｄ核酸（例えば、DNA）リソグラフィー；（５）核酸ナノ構造体（鋳型として働く）上で機能化された１つまたは複数のナノ部分の基板への印刷;および（６）核酸ナノ構造体（鋳型として働く）を使用した３Ｄ閉じ込め沈着に関する。
【０００８】
本発明の枠組みは、１ｎｍまでの高い解像度で位置決定できること、および複雑な３Ｄフィーチャを１工程でパターニングする能力があることによって、既存のトップダウンリソグラフィーフォトリソグラフィー／電子ビームリソグラフィーのアプローチとは異なっている。不均一な部分も同時にパターニングすることができる。ブロックコポリマーリソグラフィーと比較して、本明細書で提供した核酸をベースにした（例えば、DNAをベースにした）枠組みは、熱力学によるフィーチャの欠陥を最小限に抑えて、自己組織化によって複雑で不規則な非対称パターンを作出するために使用することができる。本明細書で提供したような方法を使用して形成した方法および装置は、対称型および非対称型を含む入り組んだ汎用構造物を可能にする。ＤＮＡタイルおよび２Ｄオリガミなどの単層ＤＮＡ構造体を使用して、ナノ製造において複雑なパターンを実現することも可能である。
【０００９】
本明細書で提供したプラットフォームはまた、高度な工学技術および技術的意義を有する複雑なナノ成分をベースにした装置の構築を可能にする。フォトニクスにおいては、例えば、カップリングしたナノ粒子は、特定の経路に沿って光を伝播させて、情報を交換するか、またはエネルギーを集中させることを対象とする。電子工学においては、別の例として、特に高密度な情報記憶のため、カップリングしたナノ粒子はそれぞれの特定の横方向の位置に複数の情報ビットを記憶する。電子工学によって、特に高密度情報記憶媒体によって、きちんと整列し隔離されたナノ粒子アレイは、現在の限界と比較して、１ｎｍ規模までの１ビットアドレス指定能力および１０００回を上回る記憶容量を可能にする。さらに、本明細書で提供したようなプラットフォームを使用して構築したクロスバー構造物のスケーラブルな生成は、ナノリボンまたはナノワイヤーからのトランジスタアレイの工業レベルの生産を可能にし、例えば、現在のトップダウンリソグラフィーの限界を超える電子回路を実現する。
【００１０】
本開示のいくつかの態様は、５０ｎｍ以下の空間解像度を有し、部分にカップリングしている相補的核酸抗ハンドルにハイブリダイズした核酸ハンドルを所定の位置に含有する基板を提供する。
【００１１】
本開示のいくつかの態様は、５０ｎｍ以下の空間解像度を有し、部分にカップリングしている相補的核酸抗ハンドルにハイブリダイズした核酸ハンドルを所定の位置に含有する基板を含む装置を提供する。
【００１２】
本開示のいくつかの態様は、５０ｎｍ未満の空間解像度を有し、所定の位置に部分を有する基板であって、部分が核酸ハイブリダイゼーション相互作用、タンパク質−タンパク質相互作用、疎水性相互作用、静電相互作用、π−πスタッキング、空間的閉じ込めまたは電気泳動によって基板に間接的にカップリングしているか、または閉じ込められている基板を提供する。
【００１３】
本開示のいくつかの態様は、５０ｎｍ未満の空間解像度を有し、所定の位置に部分を含有する基板を含む装置であって、部分が核酸ハイブリダイゼーション相互作用、タンパク質−タンパク質相互作用、疎水性相互作用、静電相互作用、π−πスタッキング、空間的閉じ込めまたは電気泳動によって基板に間接的にカップリングしているか、または閉じ込められている装置を提供する。
【００１４】
本開示のいくつかの態様は、５０ｎｍ未満の空間解像度および少なくとも１つのチャネルを有する基板であって、部分が少なくとも１つのチャネルに空間的に閉じ込められ、少なくとも１つのチャネルが部分の直径の２倍（または、平均直径の２倍）以下である基板を提供する。いくつかの実施形態では、少なくとも１つのチャネルは、部分の直径（または平均直径）以下である。
【００１５】
本開示のいくつかの態様は、５０ｎｍ未満の空間解像度および少なくとも１つのチャネルを有する基板を含む装置であって、部分が少なくとも１つのチャネルに空間的に閉じ込められ、少なくとも１つのチャネルの直径が部分の直径（または、平均直径）の２倍以下である装置を提供する。いくつかの実施形態では、少なくとも１つのチャネルは、部分の直径（または平均直径）以下である。
【００１６】
本開示のいくつかの態様は、基板の表面上に核酸結晶を沈着させる工程、および部分にカップリングしている核酸抗ハンドルに相補的な核酸ハンドルを所定の位置で核酸結晶にカップリングさせる工程を含む装置の生産方法を提供する。
【００１７】
本開示はまた、いくつかの態様において、多様な基板（例えば、無機および有機基板）を複雑な任意の２次元および３次元対象にファブリケーションするのに使用するための高解像度核酸（例えば、DNA）リソグラフィープラットフォームを提供する。現在の核酸リソグラフィー技術とは異なり、本明細書で提供した方法は、例えば、１ナノメートル（ｎｍ）から１μｍのフィーチャ解像度で、所定の２次元および３次元パターンを実現するためのマスクとして、いかなる表面コーティングも用いずに（例えば、金属または酸化物コーティングを用いずに）、「裸の」核酸ナノ構造体（“bare” nucleic acid nanostructure）を使用する。
【００１８】
いくつかの実施形態では、裸の核酸ナノ構造体は１本鎖核酸（例えば、1本鎖DNA）からアセンブリされる。いくつかの実施形態では、裸の核酸ナノ構造体は合成１本鎖オリゴヌクレオチド（例えば、合成1本鎖DNAオリゴヌクレオチド）からアセンブリされる。裸の核酸ナノ構造体はまた、天然に生じる核酸（例えば、DNA）から単離された１本鎖オリゴヌクレオチド（例えば、１本鎖DNAオリゴヌクレオチド）からアセンブリすることができる。しかし、本明細書で企図した核酸（例えば、DNA）ナノ構造体は天然に生じない核酸を含むので、単離された核酸（例えば、DNA）からアセンブリされた如何なる裸の核酸（例えば、DNA）ナノ構造体も人工の構造体とみなされることを理解されたい。本開示の核酸ナノ構造体の成分は、場合によっては、天然に生じない、および天然に生じる核酸の組合せを含むことも理解されたい。
【００１９】
いくつかの実施形態では、裸の核酸（例えば、DNA）ナノ構造体は少なくとも５０個の不均一な合成１本鎖オリゴヌクレオチドからアセンブリする。
【００２０】
いくつかの実施形態では、裸の核酸（例えば、DNA）ナノ構造体は、少なくとも１キロベースの長さの１本鎖核酸（例えば、DNA）からアセンブリする。
【００２１】
いくつかの実施形態では、本開示の方法は、金属、金属酸化物または酸化物成長工程（複数可）を含まない。成長工程（例えば、金属成長工程（複数可））とは、粒子（例えば、Ａｕ粒子などの金属粒子）が核酸ナノ構造体の表面に沈着／吸着する形状保存工程（複数可）であって、得られた構造体（例えば、金属構造体）が核酸鋳型からその形状を受け継いでいる工程を意味する（例えば、本明細書に参考として組み込んだSurwade S.P.らJ. Am. Chem. Soc. 133: 11868, 2011；およびJin Z. らNature Communications, 4: 1663, 2013を参照のこと）。金属成長工程（複数可）を使用するとき、このように得られた構造体は、「金属化」構造体（例えば、金属化DNA）と呼ぶことができる。
【００２２】
いくつかの実施形態では、吸着工程は、裸の核酸（例えば、DNA）ナノ構造体を含む溶液を基板の表面に吸着させることを含む。
【００２３】
いくつかの実施形態では、裸の核酸ナノ構造体は、金属ナノ粒子、金属クラスター、酸化物、カルコゲン化合物、ナノワイヤー、ポリマーおよび／または生体分子によって機能化されている。いくつかの実施形態では、裸のＤＮＡナノ構造体は金ナノ粒子によって機能化されている。裸の核酸ナノ構造体の「機能化」は、裸の核酸ナノ構造体の「金属化」とは区別されることを理解されたい。裸の核酸ナノ構造体の機能化に使用される物質（例えば、金属ナノ粒子）は、裸のＤＮＡナノ構造体をドライエッチング条件から保護するためには役立たない。図８および図９で示したように、エッチングプロセス中に金粒子がパターン化基板に移るように、３次元ＤＮＡナノ構造体は、金フィルム（図８）または金ナノ粒子（図９Ａ〜Ｂ）によって機能化されており、得られたパターン化基板はここでは「機能化されている」と考えられる。
【００２４】
本開示のいくつかの態様は、本明細書で提供した方法のいずれかによって生成されたパターン化基板を提供する。
【００２５】
本開示のいくつかの態様は、本明細書で提供したパターン化基板のいずれかを含む装置を提供する。例えば、本開示の装置は、電子装置、プラズモン装置、フォトニクス装置、光起電力装置またはハイブリッド装置であってもよい。
【００２６】
いくつかの実施形態では、本明細書で提供したＤＮＡリソグラフィー方法を使用して生成した基板は、少なくとも１ｎｍ（例えば、１、２、３、４または５ｎｍまたはそれを上回る）の空間解像度で、ナノ粒子（例えば、金ナノ粒子）および／または１Ｄナノワイヤー（例えば、カーボンナノチューブ）などの小部分から複雑な２Ｄおよび／または３Ｄ構造物を高解像度ファブリケーションするための汎用鋳型として使用する。
【００２７】
添付した図面は、計測のために描画することを目的としない。明瞭にするために、全ての成分が全ての図面に表示されていなくてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１Ａ】３次元（３Ｄ）ＤＮＡ結晶上の所定の構造物へのナノ粒子のアラインメントを示した図である。図１Ａは、ＤＮＡ結晶に金ナノ粒子を整列させるための設計概要を示した図である。１本鎖ＤＮＡタイル（１６個から４８個の長さのヌクレオチド）を段階的等温条件下でインキュベートして、所定の３Ｄ  ＤＮＡハンドルパターンを有するＤＮＡ結晶を作出した。立方体はＤＮＡ結晶のユニットセルを表す。糸様構造はＤＮＡハンドルを表す。次に、１本鎖抗ハンドルで修飾した金ナノ粒子（球体）を添加して、設計されたナノ粒子構造物を形成した。
【図１Ｂ】３次元（３Ｄ）ＤＮＡ結晶上の所定の構造物へのナノ粒子のアラインメントを示した図である。図１Ｂは、ＤＮＡ結晶上に作出した２Ｄ／３Ｄナノ粒子構造物の概略を示した図である。上部左の概略図は８ｎｍ金ナノ粒子鎖の平行アレイを示す。上部右の概略図は８ｎｍおよび１３ｎｍ金ナノ粒子鎖が交互になった平行アレイを示す。下部左の概略図は、下に１３ｎｍ金ナノ粒子鎖のアレイを有し、上に８ｎｍ金ナノ粒子鎖のアレイを有する２層３Ｄ構造物を示す。下部右の概略図は、下に１３ｎｍ金ナノ粒子鎖のアレイを有し、中間に１３ｎｍ金粒子の１本鎖を有し、上に４０ｎｍ蛍光ナノビーズ（またはナノ粒子）の１本鎖を有する３層３Ｄ構造物を示す。淡灰色の球体は、ＤＮＡ結晶の上部にアセンブリした金ナノ粒子（小さいものは８ｎｍ；大きいものは１３ｎｍ）を表す。小さい濃灰色の球体は、ＤＮＡ結晶の下に施された１３ｎｍ金ナノ粒子を表す。大きな濃灰色の球体は、４０ｎｍ蛍光ナノビーズを表す。縮尺は１００ｎｍである。
【図２Ａ】ＤＮＡ結晶上に整列したナノ粒子を示した図である。淡灰色の球体は、ＤＮＡ結晶の上部にアセンブリした金ナノ粒子（小さいものは８ｎｍ；大きいものは１３ｎｍ）を表す。小さい濃灰色の球体は、ＤＮＡ結晶の下に施された１３ｎｍ金ナノ粒子を表す。大きな濃灰色の球体は、４０ｎｍ蛍光ナノビーズを表す。
【図２Ｂ】ＤＮＡ結晶上に整列したナノ粒子を示した図である。淡灰色の球体は、ＤＮＡ結晶の上部にアセンブリした金ナノ粒子（小さいものは８ｎｍ；大きいものは１３ｎｍ）を表す。小さい濃灰色の球体は、ＤＮＡ結晶の下に施された１３ｎｍ金ナノ粒子を表す。大きな濃灰色の球体は、４０ｎｍ蛍光ナノビーズを表す。
【図２Ｃ】ＤＮＡ結晶上に整列したナノ粒子を示した図である。淡灰色の球体は、ＤＮＡ結晶の上部にアセンブリした金ナノ粒子（小さいものは８ｎｍ；大きいものは１３ｎｍ）を表す。小さい濃灰色の球体は、ＤＮＡ結晶の下に施された１３ｎｍ金ナノ粒子を表す。大きな濃灰色の球体は、４０ｎｍ蛍光ナノビーズを表す。
【図２Ｄ】ＤＮＡブリック結晶上に配置された２Ｄの均一（左）および不均一（右）な金属性ナノ粒子を示した図である。左パネルの２Ｄの均一なパターンは、５ｎｍ金ナノ粒子（小さな淡灰色の球体）から設計されたパターンを示す。大きな濃色の領域は、ＤＮＡ結晶の反復単位を示す。ナノ粒子アレイの下の淡灰色の領域は、ＤＮＡ結晶鋳型である。右パネルは、鋳型上にパターン化されたナノ粒子のＴＥＭ画像を示す。小さな濃色の球体は、５ｎｍ金ナノ粒子を表す。下の淡灰色の領域はＤＮＡ結晶鋳型である。縮尺は１００ｎｍである。２Ｄの不均一なパターンにおいて、左パネルは５ｎｍ金ナノ粒子（小さな淡灰色の球体）および１３ｎｍ金ナノ粒子（大きな淡灰色の球体）から設計されたパターンを示す。大きな濃色の領域は、ＤＮＡ結晶の反復単位を示す。ナノ粒子アレイの下の淡灰色の領域は、ＤＮＡ結晶鋳型である。右パネルは、鋳型上にパターン化されたナノ粒子のＴＥＭ画像を示す。小さな濃色の球体は、５ｎｍ金ナノ粒子を表す。大きな濃灰色の球体は、１３ｎｍ金ナノ粒子を表す。下の淡灰色の領域はＤＮＡ結晶鋳型である。縮尺は１００ｎｍである。
【図２Ｅ】ＤＮＡ結晶鋳型を使用する表面に依存しないパターニングの一例を示した図である。左から右へ、アモルファス炭素、一酸化ケイ素および窒化ケイ素上の金ナノ粒子のＴＥＭ画像である。各パネル内において、濃色の球体は８ｎｍ金ナノ粒子である。金ナノ粒子の下の灰色の領域は、ＤＮＡ結晶鋳型である。各パネルの上部右領域は、各金ナノ粒子パターンの高速フーリエ変換である。縮尺は１００ｎｍである。
【図２Ｆ】ＤＮＡ鋳型を使用するキラルナノ粒子表面の構築（上）およびシリコンウェハへのナノ部分の「印刷」の一例（下）を示した図である。上左パネルは設計したキラルナノ粒子表面を示す。それぞれの濃色の球体は、１０ｎｍ金ナノ粒子を表す。白い円柱はＤＮＡ結晶鋳型上のＤＮＡのリッジを表す。濃い曲線は、各リッジ上のナノ粒子のキラル配向を示す。上中央パネルは、２Ｄキラル表面を構成するキラルナノ粒子鎖を示す。それぞれの濃色の球体は、１０ｎｍ金ナノ粒子を表す。白い円柱はＤＮＡ結晶鋳型上のＤＮＡリッジを表す。上右パネルは、ＤＮＡ鋳型上にアセンブリされたキラルナノ粒子表面のＳＥＭ画像を示す。それぞれの白色の球体は、リッジの上部の１０ｎｍ金ナノ粒子である。それぞれの濃色の球体は、リッジの側部に付着した１０ｎｍ金ナノ粒子である。濃色の長方形の円柱はＤＮＡ鋳型上のＤＮＡのリッジである。縮尺は６０ｎｍである。下パネルは、シリコンウェハへのナノ部分（例えば、１０ｎｍ金ナノ粒子）の「印刷」の一例を表す。灰色の球体は、ＤＮＡ鋳型からＳｉ表面上に「印刷」された１０ｎｍ金ナノ粒子を表す。ナノ粒子の下の濃色の表面はＳｉウェハである。
【図３Ａ】ＤＮＡトレンチ内にパターン化したカーボンナノチューブ（CNT）の設計スキームを示す。
【図３Ｂ】ＤＮＡトレンチ内にパターン化したＣＮＴの透過型電子顕微鏡（TEM）画像を示す。この透過型電子顕微鏡（TEM）画像において、ＤＮＡ結晶上のＣＮＴは濃淡を増強するために人工的に色づけした。縮尺は１００ｎｍである。
【図３Ｃ】２４ｎｍピッチ（２つの隣接したCNTの間の中心と中心の間隔）寸法のＣＮＴアラインメントの一例を示した図である。上左は、ＤＮＡトレンチ内にパターン化した複数のＣＮＴのＴＥＭ画像を示す。淡灰色の線はＣＮＴである（CNTを示す矢印で記す）。灰色の束はＣＮＴパターニングを閉じ込めるＤＮＡのリッジである。縮尺は１００ｎｍである。下左は、上左パネルで選択した領域の拡大図である。淡灰色の線はＣＮＴである（CNTを示す矢印で記す）。灰色の束はＣＮＴパターニングを閉じ込めるＤＮＡのリッジである。右パネルは、ＣＮＴを施したＤＮＡ結晶試料の拡大ＴＥＭ画像である。周囲の黒い領域は、ＴＥＭ試料グリッド上の銅線である。白いバックグラウンド上の灰色の領域は、ＣＮＴを施したＤＮＡ結晶である。縮尺は１０ｕｍである。
【図３Ｄ】ＤＮＡ結晶鋳型上のＣＮＴアレイの尺度を示した図である。縮尺は、電界効果トランジスタにおけるピッチ寸法である（すなわち、トランジスタにおける２つの隣接した線の間隔である）。縮尺の上のパネルは、様々な所定のピッチでＤＮＡ結晶鋳型上にパターン化したＣＮＴアレイのＴＥＭ画像である。様々な周期でＤＮＡ結晶を使用することによって、ピッチを２４ｎｍから１０ｎｍまで調整することが可能なＣＮＴアレイが製造される。各ＴＥＭ画像内で、印をした線はＣＮＴで、白い束はＤＮＡ鋳型である。縮尺は２０ｎｍである。縮尺の下は現在のＳｉをベースにした電界効果トランジスタのＳＥＭ画像である。左はＩｎｔｅｌ社の１４ｎｍノードトランジスタである。濃色の領域はＳｉトレンチで、淡灰色の領域は酸化物コーティングおよびゲーティング媒体である。右はＩＢＭ社の７ｎｍノードトランジスタである。濃色の領域はＳｉトレンチで、淡灰色の領域および白色の領域は酸化物コーティングおよび絶縁体である。濃灰色の領域はゲーティング媒体である。
【図４Ａ】ｘ軸に沿って第１の寸法およびｙ軸に沿って第２の寸法を有する２次元核酸ナノ構造体の一例の概略を示した図である。
【図４Ｂ】ｘ軸に沿って第１の寸法およびｚ軸に沿って第２の寸法を有する２次元核酸ナノ構造体の一例の概略を示した図である。
【図４Ｃ】ｘ軸に沿って第１の寸法、ｙ軸に沿って第２の寸法およびｚ軸に沿って第３の寸法を有する３次元核酸ナノ構造体の一例の概略を示した図である。
【図５】本開示のＤＮＡリソグラフィー方法の一実施形態の側面概略図（左）および透視概略図（右）である。裸のＤＮＡナノ構造体を基板に吸着させ、次に裸のＤＮＡナノ構造体が吸着した基板を反応性イオンエッチング条件下でエッチングし、それによってパターン化基板を生成した。
【図６Ａ】本開示のＤＮＡリソグラフィー方法の一実施形態の概略を示した図である。重なり合う裸のＤＮＡロッド（裸のＤＮＡナノ構造体マスクとして使用した）を基板に吸着させ、次に裸のＤＮＡロッドが吸着した基板を反応性イオンエッチング条件下でエッチングし、それによって重なり合ったロッド構造の所定の３次元パターンを生成した。
【図６Ｂ】裸のＤＮＡナノ構造体マスクの原子間力顕微鏡（AFM）画像を示した図である。
【図６Ｃ】所定の３次元パターン化基板のＡＦＭ画像を示した図である。
【図７Ａ】２次元ＤＮＡナノ構造体（上）または３次元ＤＮＡナノ構造体（下）を使用した２次元フィルムのリソグラフィックパターニングを比較する概略を示した図である。
【図７Ｂ】３次元ＤＮＡナノ構造体マスクを使用して３次元対象に基板をパターニングする本開示のＤＮＡリソグラフィー方法の一実施形態の概略を示す図である。３次元ＤＮＡナノ構造体マスクを使用して、２次元基板または３次元基板をパターニングすることができ、一方、２次元ＤＮＡナノ構造体マスクを使用して２次元基板のみをパターニングすることができる。
【図８】本開示のＤＮＡリソグラフィー方法の一実施形態の概略を示した図である。金ナノ粒子によって機能化された裸のＤＮＡナノ構造体マスクを基板に吸着させ、次に裸のＤＮＡナノ構造体マスクが吸着した基板を反応性イオンエッチング条件下でエッチングし、それによって金ナノ粒子によって機能化されたパターン化基板を生成する。あるいは、この方法は、ハードマスク層として役立つＳｉＯ２の薄層で基板をコーティングすることを含んでもよい。次に、裸のナノ構造体をＳｉＯ２層に吸着させ、その後反応性イオンエッチングによって所定のパターンを有するＳｉＯ２ハードマスクをファブリケーションする。次に、このＳｉＯ２ハードマスクを有する基板をドライ／ウェットエッチング手法で処理し、所定の金属性ナノパターンを得ることができる。
【図９Ａ】本開示のＤＮＡリソグラフィー方法の一実施形態の概略を示した図である。金ナノ粒子を使用して、３次元リソグラフィーのための裸のＤＮＡナノ構造体マスクを機能化する。金ナノ粒子は、エッチング後３次元パターン化基板に残存する。例えば、エピタキシャル成長によって、金パターン化基板は、例えば、電極連結、導波路構築物またはその他のプラズモンもしくは光起電力構造体などの機能のためにさらに操作することができる。
【図９Ｂ】Ａｕナノ粒子（NP）パターン有するＤＮＡ鋳型のエッチングの一実施形態を示した図である。Ａｕ  ＮＰは、ＤＮＡブリック結晶の溝の中でパターン化する。沈着、脱塩および乾燥の後、ＤＮＡ鋳型−Ａｕ  ＮＰ複合物を担持するシリコンウェハを反応性イオンエッチングによって処理した。エッチング後、Ａｕ  ＮＰはまだ元のパターンを維持していたが、鋳型のＤＮＡリッジはシリコンのリッジパターンを生じた。
【図１０Ａ】異なるピッチ（例えば、２６ｎｍ、１６ｎｍおよび１０ｎｍ）を有する様々なシリコンパターンの例を示した図である。
【図１０Ｂ】異なるピッチ（例えば、２６ｎｍ、１６ｎｍおよび１０ｎｍ）を有する様々なシリコンパターンの例を示した図である。
【図１１】本明細書で記載した方法によって生じたＤＮＡ線およびＳｉ線、ＤＮＡグリッドおよびＳｉグリッド、ならびにＤＮＡ柱状アレイおよびＳｉ柱状アレイの画像を示した図である。
【図１２】ＤＮＡ鋳型への金属性薄層のコーティング、その後のリフトオフプロセスに関する概略（左）および実験結果（右）を示した図である。
【図１３Ａ】基板に部分を印刷するための鋳型としての３Ｄ  ＤＮＡナノ構造体の使用を示した概略図である。
【図１３Ｂ】ＤＮＡ鋳型上のＡｕナノ粒子ならびに図１３Ａのプロセスを使用して生じたシリコンウェハへのＡｕナノ粒子の印刷パターンの画像を示した図である。
【図１４】ＤＮＡ鋳型の３Ｄエピタキシャル成長を示した図である。上パネルは設計概略である。２Ｄ  ＤＮＡの種（左、明るい白色の直方体、矢印は成長方向を示す）から開始して、第１の成長段階は種（中央、明るい白色の直方体）上に垂直に並んだトレンチ（中央、濃色の直方体）を生成する。第２の連続的な成長段階はさらに、垂直に並んだトレンチ（右、濃色の直方体）に連結した横に並んだリッジ（右、淡灰色の立方体）を生成する。下パネルは、各成長段階のＴＥＭ画像である。左は、種のＴＥＭ画像である（不規則な端を有する灰色の領域）。中央は、第１の成長段階後のＴＥＭ画像である（灰色の平行な線は平行なトレンチである）。右は、第２の成長段階後のＴＥＭ画像である（灰色のグリッドは表面形態で、一方濃い斑点はDNA構造体によって取り囲まれた空洞である）。縮尺は１００ｎｍである。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
現在の電子工学および光学は、小さな基本要素を特定の２次元および／または３次元構造物に大規模に統合することを必要とする。しかし、１０ｎｍ未満の小さなナノ粒子についての解像度は、伝統的なトップダウンおよびボトムアップアプローチを使用すると困難である。本明細書で提供したように、例えば、汎用鋳型として予め形成したナノ規模またはマイクロ規模の３Ｄ  ＤＮＡナノ構造体／結晶を使用して、複雑な２Ｄ／３Ｄ構造物を、例えば、２ｎｍから２μｍの空間解像度で、小さな部分（例えば、ナノ粒子および／またはカーボンナノチューブ）からファブリケーションする。本明細書で提供したような方法を使用した高解像アラインメントによって、所定の位置／方向で部分間を強力に確実にカップリングすることができる。さらに、部分をＤＮＡナノ構造体／結晶およびその他の基板に頑強にアセンブリすることによって、汎用構造物の情報の局所的相互作用から隔離して、自己組織化した３Ｄ構造物の再現性が改善される。このフィーチャは局所的混乱を最小限に抑える。粒子−粒子の直接的な局所相互作用が存在しないので、非存在または重複という単一の位置それぞれの欠陥は下流のアセンブリに引き継がれない。
【００３０】
したがって、対称性および粒子間の局所的相互作用に関わらず、部分のアラインメントを対象として計測する汎用鋳型（例えば、核酸鋳型）を本明細書で提供する。例えば、１次元ナノ粒子鎖、交互鎖を有する２次元アレイおよび３次元の平行鎖を本明細書で提供し、これらは均一および不均一な粒子成分の両方から構築することができ、成分の広い多用途性が示唆される。変位対称性を欠如した構造物もＤＮＡナノ構造体／結晶上に構築することができる。別の例として、スケーラブルなカーボンナノチューブ（CNT）アラインメントにおける精密な配向制御のための化学的認識を支援するために、空間的閉じ込めを導入することができる。実施例１に示したように、ナノメートルの厚さの３Ｄナノ規模の溝は、鋳型上でのＣＮＴ回転を空間的に閉じ込めるために導入され、溝の底に埋め込まれた結合部位によって捕捉されたＣＮＴのみが確実に所定の配向を取り入れることができる（図３Ａ〜Ｂ）。
【００３１】
いくつかの実施形態では、所定の３Ｄ結合能力および表面フィーチャを備えたＤＮＡナノ構造体（すなわち、結晶）鋳型を部分にアセンブリし、その後ＤＮＡナノ構造体鋳型上の特定の結合位置に部分を「印刷」する（図２Ｆ）。複雑な２Ｄおよび／または３Ｄ構造物はこうして様々な空間結合フィーチャを有するＤＮＡナノ構造体を選択することによってファブリケーションする。ＤＮＡナノ構造体の自己組織化は、例えば、パターンの複雑さは確かに電子ビームリソグラフィー相当であるが、３次元での解像度はずっと高い。
【００３２】
本発明の開示はまた、場合によっては、コンピュータ支援ソフトウェアによって容易にプログラムすることができる３Ｄフォトニクスおよび電子工学構造物の高解像度ファブリケーションに対して多用途の戦略を提供する。
【００３３】
本明細書はまた、いくつかの実施形態では、基板の２次元および３次元対象へのドライエッチングのためのマスクとして複雑な次元を備えたプログラム可能な自己組織化した裸の核酸（例えば、DNA）ナノ構造体を使用するリソグラフィー方法を提供する。本開示の方法は、例えば、１ナノメートル（ｎｍ）から２ｎｍ解像度の２次元および３次元パターンに形作ることができる様々な有機および無機基板の使用を可能にする。既存の核酸リソグラフィー技術とは異なり、本開示の方法は、驚くべきことに、リソグラフィー解像度を低下させるコンフォーマル成長金属または酸化物マスクコーティングの使用を必要としない。さらに、いくつかの態様では、本明細書で提供したような裸の核酸ナノ構造体の使用によって、２次元および３次元対象の直接的な「一工程」ファブリケーションが可能になる。
【００３４】
本開示の方法の非限定的例は以下の通りである。２ｎｍの深さで裸の３次元ＤＮＡナノ構造体（例えば、ナノ構造体濃度は１０ｐＭ〜１μΜ、長さは少なくとも３２塩基対）を含む溶液（例えば、０．５×Ｔｒｉｓ−エチレンジアミン四酢酸（TE）緩衝液、Ｍｇ２＋４０ｍＭ；またはＮａＮＯ３１００ｍＭ〜１Ｍ）を基板に吸着させ（例えば、基板ｃｍ２当たり溶液１μｌ〜１０μｌまたは１〜１００μｌ）、この溶液を密封容器内において基板上で（例えば、３０分間から４時間）室温で５０〜１００％の湿度でインキュベートすることが可能となる。いくつかの実施形態では、ＤＮＡナノ構造体の沈着のために、この溶液は基板上で３分間から４時間、約４〜２５℃の温度で、任意選択により５０〜１００％の湿度でインキュベートすることが可能となる。インキュベーション（または沈着）後、この溶液は除去する（または乾燥させる）（例えば、自然に、または強制的な気流によって、または拭き取りによって）。次に、基板を洗浄してＴＥ緩衝液から残存する塩を除去する。このプロセスは、最終乾燥工程の前に吸着したＤＮＡナノ構造体から無機塩を除去することを目的とする脱塩プロセスとみなすことができる。疎水性基板の場合、基板をエタノール／水混合物（例えば、エタノール体積５０〜９０％）で１〜４時間インキュベートする。
【００３５】
様々な基板の多様な表面特性（例えば、親水性または疎水性）、緩衝液中で変化する塩濃度およびＤＮＡナノ構造体の次元によって、脱塩プロセスを適切な液体またはＤＩ水、希釈Ｍｇ２＋溶液、無水メタノール、無水エタノール、無水イソプロピルアルコールおよび希釈したメタノール／エタノール／イソプロピルアルコール（体積濃度３０〜９５％）を含むいくつかの液体の組合せの中で実施するべきかどうかが決定される。ある種の液体中での脱塩プロセスの期間は、塩抽出とＤＮＡナノ構造体沈着とのバランスを取るために数秒（速やかに浸して引き上げる）から数時間（静置インキュベーションまたは振盪インキュベーションによる）まで変動させることができる。最後に、ＤＮＡナノ構造体を有する基板（すなわち、沈着後）は、最終工程の脱塩液の性質に応じて、ドリンキングペーパーによる拭き取りによって、または強制的な気流によって、または自然な蒸発によって乾燥させることができる。さらに、または任意選択により、乾燥した３Ｄ  ＤＮＡナノ構造体の機械的および／または化学的安定性をさらに増強するために、微量の安定化剤を沈着工程および／または脱塩プロセスに導入してもよい。安定化剤の典型的な投与量は０．１ｍＭ未満である。安定化剤の分類は、金属性カチオン（Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｍｇ２＋、Ｃａ２＋、Ｃｒ３＋、Ｍｎ２＋、Ｆｅ２＋、Ｆｅ３＋、Ｃｏ２＋、Ｃｏ３＋、Ｎｉ２＋、Ｃｕ２＋、Ｚｎ２＋を含む）、重金属染色剤（モリブデン酸アンモニウム、酢酸ウラニル、ギ酸ウラニル、硝酸ウラニル、リンタングステン酸、四酸化オスミウム、オスミウムフェリシアニド、アウログルコチオネート（ａｕｒｏｇｌｕｃｏｔｈｉｏｎａｔｅ）、硝酸銀、四酸化ルテニウムおよび四酸化オスミウムを含む）ならびにＤＮＡインターストランドクロスリンキング剤（ソラレン、マイトマイシンＣ、ピロロベンゾジアゼピン、メルファラン、シクロホスファミドなどを含む）であってもよい。
【００３６】
疎水性基板の場合、基板を流水に浸漬する。裸のＤＮＡナノ構造体を含有する基板のエッチングは、標準的な反応性イオンエッチング条件下で実施する（本明細書に参考として組み込んだWuらJournal of Applied Physics, 108: 051101, 2010）。プラズマ源には、例えば、ハロゲン、カルコゲナイド、酸素、フルオロカーボン、水素および／または不活性ガスを含めることができる。反応性イオンエッチング条件（例えば、エッチング液型（例えば、プラズマ源）、チャンバー圧、ガス流速、ジェネレーターコイル電力、プレート電力およびエッチング期間）は、基板組成および期待するエッチングの深さによって最適化することができる。この例において、研磨した平らなシリコンウェハに垂直に４０ｎｍエッチングするために（例えば、図２Ａ〜Ｃ参照）、ＣＨＦ３ガス（またはＣＦ４もしくはＣ４Ｆ８もしくはＳＦ６）１０（または約１から約１００）立法センチメートル毎分（ＳＣＣＭ）をプラズマ源などのエッチング液源として使用して、エッチング期間は４分間（または約５秒間から約５分間）である。より反応性のエッチング液源（例えば、プラズマ）は、例えば、ＳＦ６などを使用する場合、エッチング期間を短縮することができる。
【００３７】
ウェハへのＤＮＡナノ構造体沈着のさらなる記載を実施例３に挙げる。当業者ならば、このような実施例は推奨であり、したがってその他の実施形態も企図されることを認識するだろう。
【００３８】
ＤＮＡナノ構造体を沈着させた後、コーティングまたはフィルムを実施例４でより詳細に記載したように適用することができる。当業者ならば、この実施例は推奨であり、したがってその他の実施形態も企図されることを認識するだろう。
【００３９】
エッチングは、さらに機能化するかまたはさらに機能化することなく、ＤＮＡナノ構造体の沈着後に実施することができる。実施例５は、Ａｕナノ粒子を担持するＤＮＡナノ構造体を使用する典型的なエッチングプロセスを記載したものである。当業者ならば、この実施例は推奨であり、したがってその他の実施形態も企図されることを認識するだろう。
【００４０】
印刷も、機能化するかまたはさらに機能化することなく、ＤＮＡナノ構造体を使用して実施することができる。実施例６は、Ａｕナノ粒子を担持するＤＮＡナノ構造体を使用する典型的な印刷プロセスを記載したものである。当業者ならば、この実施例は推奨であり、したがってその他の実施形態も企図されることを認識するだろう。
【００４１】
基板
基板とは、別の物体が適用される物体（例えば、固体平面物体または核酸ナノ構造体／結晶）を意味する。例えば、ナノ粒子、ナノワイヤーまたは核酸などの部分を基板（例えば、核酸ナノ構造体／結晶のシリコンウェハ）に適用することができる。本開示に従って使用した基板は、限定はしないが、核酸、シリコン、二酸化ケイ素（シリカとも呼ばれる）、酸化アルミニウム、サファイア、ゲルマニウム、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、シリコンとゲルマニウムの合金またはリン化インジウム（ＩｎＰ）を含むことができる。場合によっては、基板は窒化ケイ素、炭素および／またはポリマーを含むことができる。
【００４２】
基板は、無機物（例えば、炭素を含有しない）または有機物（例えば、炭素を含有する）であってもよい。場合によっては、基板はグラフェンおよび／またはグラファイトを含むことができる。
【００４３】
いくつかの実施形態では、基板は、本明細書で挙げたような任意の２種類以上の物質のハイブリッド（例えば、混合物を含む）（例えば、１無機物質と１有機物質のハイブリッド、または２種類以上の異なる無機物質または有機物質のハイブリッド）である。例えば、基板には無機および有機物質の混合物、２種類以上の異なる無機物質の混合物、または２種類以上の異なる有機物質の混合物を含めることができる。ハイブリッド基板中における１物質の別の物質に対する比は、例えば、１：１０、１：２０、１：３０、１：４０、１：５０、１：６０、１：７０、１：８０または１：９０であってもよい。本明細書では、その他の比が企図される。任意の２種類以上の異なる物質は、例えば、層として基板に配置することができる。本明細書ではその他の構成も企図される。
【００４４】
いくつかの実施形態では、基板は半導体物質または半導体物質の混合物を含む。半導体物質には、限定はしないが、ＩＶ族元素の半導体、ＩＶ族化合物半導体、ＶＩ族元素の半導体、ＩＩＩ〜Ｖ族半導体、ＩＩ〜ＶＩ族半導体、Ｉ〜ＶＩＩ族半導体、ＩＶ〜ＶＩ族半導体、ＩＶ〜ＶＩ族半導体、Ｖ〜ＶＩ族半導体、ＩＩ〜Ｖ族半導体、酸化物、層状半導体、磁性半導体、有機半導体、電荷移動複合体およびそれらの組合せが含まれる。
【００４５】
いくつかの実施形態では、基板はＩＶ族半導体物質を含む。本開示による使用のためのＩＶ族半導体物質の例には、限定はしないが、ダイアモンド、シリコン、ゲルマニウム、灰色スズ、炭化ケイ素およびそれらの組合せが含まれる。
【００４６】
いくつかの実施形態では、基板はＶＩ族半導体物質を含む。本開示による使用のためのＶＩ族半導体物質の例には、限定はしないが、イオウ、灰色セレン、テルルおよびそれらの組合せが含まれる。
【００４７】
いくつかの実施形態では、基板はＩＩＩ〜Ｖ族半導体物質を含む。本開示による使用のためのＩＩＩ〜Ｖ族半導体物質の例には、限定はしないが、窒化ホウ素、立方体、窒化ホウ素、六方晶系、リン化ホウ素、ヒ化ホウ素、ヒ化ホウ素、窒化アルミニウム、リン化アルミニウム、ヒ化アルミニウム、アンチモン化アルミニウム、窒化ガリウム、リン化ガリウム、ヒ化ガリウム、アンチモン化ガリウム、窒化インジウム、リン化インジウム、ヒ化インジウム、アンチモン化インジウムおよびそれらの組合せが含まれる。
【００４８】
いくつかの実施形態では、基板はＩＩ〜ＶＩ族半導体物質を含む。本開示による使用のためのＩＩ〜ＶＩ族半導体物質の例には、限定はしないが、セレン化カドミウム、硫化カドミウム、テルル化カドミウム、酸化亜鉛、セレン化亜鉛、硫化亜鉛、テルル化亜鉛、塩化第１銅、硫化銅、セレン化鉛、硫化鉛（ＩＩ）、テルル化鉛、硫化スズ、硫化スズ、テルル化スズ、テルル化鉛スズ、テルル化タリウムスズ、テルル化タリウムゲルマニウム、テルル化ビスマスおよびそれらの組合せが含まれる。
【００４９】
いくつかの実施形態では、基板はＩ〜ＶＩＩ族半導体物質を含む。本開示による使用のためのＩ〜ＶＩＩ族半導体物質の例には、限定はしないが、塩化第１銅、硫化銅、ならびに塩化第１銅および硫化銅の組合せが含まれる。
【００５０】
いくつかの実施形態では、基板はＩＶ〜ＶＩ族半導体物質を含む。本開示による使用のためのＩＶ〜ＶＩ族半導体物質の例には、限定はしないが、セレン化鉛、硫化鉛（ＩＩ）、テルル化鉛、硫化スズ、硫化スズ、テルル化スズ、テルル化鉛スズ、テルル化タリウムスズ、テルル化タリウムゲルマニウムおよびそれらの組合せが含まれる。
【００５１】
いくつかの実施形態では、基板はＶ〜ＶＩ族半導体物質を含む。本開示による使用のためのＩＶ〜ＶＩ族半導体物質の一例には、限定はしないが、テルル化ビスマスが含まれる。
【００５２】
いくつかの実施形態では、基板はＩＩ〜Ｖ族半導体物質を含む。本開示による使用のためのＩＩ〜Ｖ族半導体物質の例には、限定はしないが、リン化カドミウム、ヒ化カドミウム、アンチモン化カドミウム、リン化亜鉛、ヒ化亜鉛、アンチモン化亜鉛およびそれらの組合せが含まれる。
【００５３】
いくつかの実施形態では、基板は酸化物を含む。本開示による使用のための酸化物の例には、限定はしないが、二酸化チタン、アナターゼ型、二酸化チタン、ルチル型、二酸化チタン、ブルッカイド型、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、二酸化ウラン、三酸化ウラン、三酸化ビスマス、二酸化スズ、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、ニオブ酸リチウム、ランタン銅酸化物およびそれらの組合せが含まれる。
【００５４】
いくつかの実施形態では、基板は層状半導体を含む。本開示による使用のための層状半導体の例には、限定はしないが、ヨウ化鉛（ＩＩ）、二硫化モリブデン、セレン化ガリウム、硫化スズ、硫化ビスマスおよびそれらの組合せが含まれる。
【００５５】
いくつかの実施形態では、基板は磁性半導体を含む。本開示による使用のための磁性半導体の例には、限定はしないが、ヒ化ガリウムマンガン、ヒ化インジウムマンガン、テルル化カドミウムマンガン、テルル化鉛マンガン、マンガン酸ランタンカルシウム、酸化鉄（ＩＩ）、酸化ニッケル（ＩＩ）、酸化ユウロピウム（ＩＩ）、硫化ユウロピウム（ＩＩ）、臭化クロム（ＩＩＩ）およびそれらの組合せが含まれる。
【００５６】
本開示によって使用することができる半導体物質のその他の例には、限定はしないが、セレン化銅インジウム、シス、硫化銀ガリウム、リン化亜鉛シリコン、硫化ヒ素、ケイ化プラチナ、ヨウ化ビスマス（ＩＩＩ）、ヨウ化水銀（ＩＩ）、臭化タリウム（Ｉ）、硫化銀、二硫化鉄、硫化銅亜鉛スズ、硫化銅亜鉛アンチモンおよびそれらの組合せが含まれる。
【００５７】
いくつかの実施形態では、基板はカルコゲン化合物を含む。カルコゲン化合物は、少なくとも１種のカルゴゲンアニオンおよび少なくとももう１種の陽性元素を含む化合物である。いくつかの実施形態では、カルコゲン化合物は硫化物、セレン化物またはテルル化物である。
【００５８】
いくつかの実施形態では、基板は電気絶縁体を含む。電気的絶縁体は、自由に流動せず、したがって、電界の影響下で電流の伝導を困難にする内部電荷を有する物質である。
【００５９】
いくつかの実施形態では、基板は金属を含む。本開示によって使用することができる金属の例には、限定はしないが、アルミニウム、クロム、チタン、タングステン、タンタル、ニオブ、白金、亜鉛およびそれらの組合せが含まれる。
【００６０】
いくつかの実施形態では、基板は、炭素、ＳｉＣ、ＬｉＮｂＯ３、ＰｂＺｒＴｉＯ３、ＨｆＯ２、ＴｉＯ２、Ｖ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ３またはそれらの組合せを含む。
【００６１】
いくつかの実施形態では、基板はポリマーを含む。本開示によって使用することができるポリマーの例には、限定はしないが、ポリジメチルシロキサン（PDMS）、ポリ（メタクリル酸メチル）（PMMA）（例えば、PMMA樹脂）および自己組織化ポリマーが含まれる。いくつかの実施形態では、基板はポリ（メチルメタクリレートメタクリル酸）（例えば、コポリマーP（MMA-MAA））が含まれる。いくつかの実施形態では、基板は自己組織化ブロックコポリマーを含む。
【００６２】
いくつかの実施形態では、基板は、例えば、フォトレジストフィルム、化学蒸着（CVD）フィルム、半導体フィルム、グラフェンおよび／またはその他の単層原子フィルムなどのフィルムを含む。いくつかの実施形態では、基板は、物理的蒸着（PVD）フィルム、原子層堆積（ALD）フィルムおよび／またはイオン注入フィルムを含む。
【００６３】
いくつかの実施形態では、基板は、例えば、プラズマ処理した、または熱ピラニア溶液（例えば、濃縮Ｈ２ＳＯ４：３５％Ｈ２Ｏ２が７：３）処理したシリコンウェハなどの研磨シリコンウェハである。
【００６４】
いくつかの実施形態では、部分は基板の表面にカップリングしている。いくつかの実施形態では、基板は、部分がカップリングした上面を有する実質的に平面の物体である。基板は、単層または多層（例えば、多層グラフェン／ＢＮ／ＭｏＳ２、リボンまたはメッシュなど）であってもよい。
【００６５】
いくつかの実施形態では、基板は、生体分子を含む、またはからなる（例えば、少なくとも１つの）層を有する。生体分子には、例えば、タンパク質および核酸が含まれる。本明細書では、多糖類および脂質などのその他の生体分子が企図される。基板は、いくつかの実施形態では、タンパク質のみ（均一な、または不均一な集団）、核酸のみ（均一な、または不均一な集団）あるいはタンパク質および核酸の混合物（またはその他の生体分子）を含有していてもよい。基板の生体分子層は、内層（例えば、２層でサンドイッチされた）および／または外層（例えば、周囲の環境に曝露された表面）であってもよい。
【００６６】
核酸ナノ構造体、「結晶」とも称する
本開示の態様は、基板のパターニングのための２次元または３次元核酸ナノ構造体に関する。「核酸ナノ構造体」は、個々の核酸から自己組織化した、合理的に設計された人工的な（例えば、天然には生じない）構造体である。いくつかの実施形態では、本明細書では「結晶」と称する自己組織化した１次元、２次元または３次元核酸構造体が基板であってもよい。「核酸ナノ構造体」および「核酸結晶」（または簡単に「結晶」）という用語は、本明細書で同義に使用することができることを理解されたい。
【００６７】
「裸の核酸ナノ構造体」は、表面コーティングを有さない核酸ナノ構造体である。本開示の前に、核酸ナノ構造体（例えば、DNAナノ構造体）は、核酸ナノ構造体がエッチング条件に耐えることができるように、例えば、金属コーティング（例えば、本明細書に参考として組み込んだJin Z.らNature Communications, 4: 1663, 2013を参照のこと）または酸化物コーティング（例えば、本明細書に参考として組み込んだSurwade S.P.らJ. Am. Chem. Soc. 133: 11868, 2011）でコーティングした。しかし、金属または酸化物コーティングは、例えば、リソグラフィー解像度を低下させ、このようなコーティングの使用は、エッチングする基板に解像度の制限を課してしまう。本開示の核酸ナノ構造体（例えば、DNAナノ構造体）は、驚くべきことに、このような表面コーティングを必要としない。多層の核酸ナノ構造体（例えば、３次元DNAナノ構造体）は、例えば、頑強で、エッチング（例えば、プラズマエッチング）に耐えることができる。したがって、いくつかの実施形態では、裸の核酸ナノ構造体は、例えば、金属コーティングを有さず、酸化物コーティングを有さない多層核酸ナノ構造体などの核酸ナノ構造体である。
【００６８】
しかし、本開示の裸の核酸ナノ構造体はコーティングを含有しないが、いくつかの実施形態では、エッチング前に予備処理（例えば、変性または修飾）してもよいことを理解されたい。例えば、裸の核酸ナノ構造体は、紫外線架橋結合（本明細書に参考として組み込んだRavanat, J.L.らJournal of Photochemistry and Photobiology B: Biology 63: 88-102, 2001）またはオゾン分解（本明細書に参考として組み込んだCataldo, F. International Journal of Biological Macromolecules 38: 248-254, 2006）、色素／イオン染色、炭化（本明細書に参考として組み込んだRajesh, B.らJ. Phys. Chem. B 107（12）: 2701-2708, 2003）、金属カチオンドーピング（本明細書に参考として組み込んだPetty, J.T.らJ. Am. Chem. Soc. 126: 5207-5212, 2004）またはキャピラリーウェッティング（本明細書に参考として組み込んだPiner, R.D. Science 283: 661, 1999）による予備処理を行ってもよい。
【００６９】
本開示の裸の核酸ナノ構造体は、パターニングを目的とする基板の領域を覆うマスクとして使用することができる（例えば、エッチングからその領域を保護するために）。したがって、いくつかの実施形態では、裸の核酸ナノ構造体は「裸の核酸ナノ構造体マスク」と称する。
【００７０】
核酸ナノ構造体（すなわち、結晶）は、典型的にはナノメートル規模またはマイクロメートル規模の構造体（例えば、１から１０００ナノメートル（ｎｍ）または１から１０マイクロメートル（μｍ）の長さの規模を有する）である。場合によっては、マイクロメートル規模の構造体は、１ナノメートル、または１マイクロメートルを上回る規模の構造体からアセンブリされる。いくつかの実施形態では、核酸ナノ構造体（および、したがって、結晶）の長さの規模は、１から１０００ｎｍ、１から９００ｎｍ、１から８００ｎｍ、１から７００ｎｍ、１から６００ｎｍ、１から５００ｎｍ、１から４００ｎｍ、１から３００ｎｍ、１から２００ｎｍ、１から１００ｎｍまたは１から５０ｎｍである。いくつかの実施形態では、核酸ナノ構造体の長さの規模は、１、２、３、４、５、６、７、８、９または１０μｍである。いくつかの実施形態では、核酸ナノ構造体の長さの規模は、１０００ｎｍより大きい。いくつかの実施形態では、核酸ナノ構造体の長さの規模は、１μｍから２μｍである。いくつかの実施形態では、核酸ナノ構造体の長さの規模は、２００ｎｍから２μｍ、またはそれを上回る。
【００７１】
いくつかの実施形態では、核酸ナノ構造体（すなわち、結晶）は複数の異なる核酸（例えば、１本鎖核酸）からアセンブリされる。例えば、核酸ナノ構造体は、少なくとも１０、少なくとも２０、少なくとも３０、少なくとも４０、少なくとも５０、少なくとも６０、少なくとも７０、少なくとも８０、少なくとも９０または少なくとも１００個の核酸からアセンブリすることができる。いくつかの実施形態では、核酸ナノ構造体は、少なくとも１００、少なくとも２００、少なくとも３００、少なくとも４００、少なくとも５００個またはそれを上回る核酸からアセンブリされる。用語「核酸」は、１０ヌクレオチドから１００ヌクレオチドの長さの短い１本鎖核酸（例えば、DNA）である「オリゴヌクレオチド」を包含する。いくつかの実施形態では、オリゴヌクレオチドの長さは、１０から２０個のヌクレオチド、１０から３０個のヌクレオチド、１０から４０個のヌクレオチド、１０から５０個のヌクレオチド、１０から６０個のヌクレオチド、１０から７０個のヌクレオチド、１０から８０個のヌクレオチドまたは１０から９０個のヌクレオチドである。いくつかの実施形態では、オリゴヌクレオチドの長さは２０から５０個、２０から７５個または２０から１００個のヌクレオチドである。いくつかの実施形態では、オリゴヌクレオチドの長さは、３０、３１、３２、３３、３４、３５、３６、３７、３８、３９、４０、４１、４２、４３、４４、４５、４６、４７、４８、４９または５０個のヌクレオチドである。
【００７２】
いくつかの実施形態では、核酸ナノ構造体（すなわち、結晶）は、１本鎖核酸、２本鎖核酸または１本鎖および２本鎖核酸の組合せからアセンブリされる。
【００７３】
核酸ナノ構造体（すなわち、結晶）は、いくつかの実施形態では、複数の不均一な核酸（例えば、オリゴヌクレオチド）からアセンブリすることができる。「不均一な」核酸は、ヌクレオチド配列に関して互いに異なっていてもよい。例えば、核酸Ａ、ＢおよびＣを含む不均一な複数において、核酸Ａのヌクレオチド配列は核酸Ｂのヌクレオチド配列とは異なり、これは核酸Ｃのヌクレオチド配列とも異なる。不均一な核酸はまた、長さおよび化学組成（例えば、単離対合成）が異なっていてもよい。
【００７４】
自己組織化した核酸ナノ構造体（すなわち、結晶）を設計するための基本的な原則は、核酸鎖における配列相補性が、相補的部分と対形成することによって、核酸鎖が適切な物理的条件下で予め定義したナノ構造体に自己編成するように、コードされることである。この基本的原則から（例えば、本明細書に参考として組み込んだSeeman N.C. J. Theor. Biol. 99: 237, 1982を参照のこと）、研究者等は多様な合成核酸ナノ構造体を作出した（例えば、それぞれ本明細書に参考として組み込んだSeeman N.C. Nature 421: 427, 2003；Shih W.M.らCurr. Opin. Struct. Biol. 20: 276, 2010を参照のこと）。本開示によって使用することができる核酸（例えば、DNA）ナノ構造体およびこのような構造体の生成方法の例は知られており、限定はしないが、格子（例えば、それぞれ本明細書に参考として組み込んだWinfree E.らNature 394: 539, 1998；Yan H.らScience 301: 1882, 2003；Yan H.らProc. Natl. Acad. of Sci. USA 100; 8103, 2003；Liu D.らJ. Am. Chem. Soc. 126: 2324, 2004；Rothemund P.W.K.らPLoS Biology 2: 2041, 2004を参照のこと）、リボン（例えば、それぞれ本明細書に参考として組み込んだPark S.H.らNano Lett. 5: 729, 2005；Yin P.らScience 321: 824, 2008を参照のこと）、チューブ（例えば、それぞれ本明細書に参考として組み込んだYan H. Science, 2003；P. Yin, 2008を参照のこと）、定義された形状を有する有限の２次元および３次元対象（例えば、それぞれ本明細書に参考として組み込んだChen J.らNature 350: 631, 1991；Rothemund P. W. K., Nature, 2006；He Y.らNature 452: 198, 2008；Ke Y.らNano. Lett. 9: 2445, 2009；Douglas S. M.らNature 459: 414, 2009；Dietz H.らScience 325: 725, 2009；Andersen E. S.らNature 459: 73, 2009；Liedl T.らNature Nanotech. 5: 520, 2010；Han D.らScience 332: 342, 2011を参照のこと）および肉眼的結晶（例えば、本明細書に参考として組み込んだMeng J. P.らNature 461: 74, 2009を参照のこと）が含まれる。
【００７５】
本開示の核酸ナノ構造体（すなわち、結晶）は、２次元または３次元であってもよい。２次元核酸ナノ構造体は、ｘ軸およびｙ軸に沿って測定することができる単層平面構造体である（図４Ａ）。核酸ナノ構造体の「層」とは、高さが一定の核酸の平面配置を意味する。「高さ」とは、構造体の（例えば、ｙ軸に沿った）垂直距離の測定値を意味する。「最大高さ」とは、構造体の最大垂直距離（例えば、構造体の最高点と構造体の最低点との間の距離）の測定値を意味する。一般的に、核酸層の最大高さは３ｎｍ未満（例えば、１ｎｍ、１．５ｎｍ、２ｎｍ、２．５ｎｍ）である。２次元核酸ナノ構造体は単層構造体であり、したがって、２次元核酸ナノ構造体は高さが一定で最大高さが３ｎｍ未満の核酸の平面配置を有する。いくつかの実施形態では、２次元核酸ナノ構造体の最大高さは２．５ｎｍ未満である。いくつかの実施形態では、２次元核酸ナノ構造体の最大高さは１ｎｍから２．９ｎｍ、または１ｎｍから２．５ｎｍである。いくつかの実施形態では、２次元核酸ナノ構造体の最大高さは１ｎｍ、１．５ｎｍ、２ｎｍまたは２．５ｎｍである。２次元核酸ナノ構造体の非限定的例には、核酸格子、タイルおよびナノリボンが含まれる（例えば、それぞれ本明細書に参考として組み込んだRothemund P.W.K., Nature 440: 297, 2006；およびJungmann R.らNanotechnology 22（27）: 275301, 2011を参照のこと）。
【００７６】
３次元核酸ナノ構造体（すなわち、結晶）は、ｘ軸、ｙ軸およびｚ軸に沿って測定することができる（図４Ｂ）。３次元核酸ナノ構造体の最大高さは３ｎｍ以上である。いくつかの実施形態では、３次元核酸ナノ構造体の最大高さは４ｎｍ超、５ｎｍ超、６ｎｍ超、７ｎｍ超、８ｎｍ超、９ｎｍ超または１０ｎｍ超である。いくつかの実施形態では、３次元核酸ナノ構造体の最大高さは３ｎｍから５０ｎｍ、３ｎｍから１００ｎｍ、３ｎｍから２５０ｎｍまたは３ｎｍから５００ｎｍである。いくつかの実施形態では、３次元ナノ構造体は多層構造体であってもよい。いくつかの実施形態では、３次元核酸ナノ構造体は２から２００またはそれを上回る核酸層を含む。いくつかの実施形態では、３次元核酸ナノ構造体は２超、３超、４超または５超の核酸層を含む。いくつかの実施形態では、３次元核酸ナノ構造体は２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１５、２０、３０、３５、４０、４５または５０またはそれを上回る核酸層を含む。３次元ナノ構造体の高さは一定であってもよく、または一定でなくてもよい。例えば、図７Ｂ上におけるＤＮＡナノ構造体の概略は高さが一定の３次元ナノ構造体を表しており（例えば、平面／平らな構造）、図７Ｂ下のＤＮＡナノ構造体の概略は高さが一定ではなく、中心部位が構造体の隣接する部位よりも高い３次元ナノ構造体を表している。図７Ｂ下のナノ構造体の中心部位の垂直距離は、ナノ構造体の最大高さを表している。３次元核酸ナノ構造体の非限定的例には、核酸立方体およびその他の抽象的な、および／または不規則な３次元形状（例えば、それぞれを本明細書に参考として組み込んだDouglas S. M,らNature 459: 414, 2009；Andersen E.D.らNature 459: 73, 2009；Han D.らScience 332: 342, 2011；Ke Y.ら2011；Wei B., 2012）が含まれる。
【００７７】
概念上、単層２次元核酸ナノ構造体（すなわち、結晶）は、いくつかの実施形態では、３次元核酸ナノ構造体から層を「抽出」することによって構築することができる（例えば、それぞれ本明細書に参考として組み込んだKe Y. ら、2012を参照；さらにWei B.,らNature 485: 623, 2012を参照のこと）。３次元核酸ナノ構造体は、いくつかの実施形態では、１つを上回る２次元核酸ナノ構造体（例えば、１を上回る核酸層）または１つを上回る３次元核酸ナノ構造体（例えば、１つまたは複数のその他の「予めアセンブリされた」核酸ナノ構造体に関連した１つを上回る「予めアセンブリされた」核酸ナノ構造体）からアセンブリすることができる。
【００７８】
したがって、本明細書では、複合した核酸ナノ構造体（すなわち、結晶）を企図する。いくつかの実施形態では、複合した核酸ナノ構造体は、リンカーを使用して互いに関連した核酸ナノ構造体を含む。リンカーは、典型的に、核酸ナノ構造体に不可欠ではないが、適切な官能基によってナノ構造体に付着することができる。２つ以上の核酸ナノ構造体が一緒に付着する能力によって、構造体のサイズはより大きくなり（例えば、マイクロメートルサイズ）、複雑になることができる。これらの複合した構造体の寸法は、例えば、５００ｎｍから１００μｍ、１μｍから１０００μｍ、１μｍから５μｍ、１μｍから１０μｍ、１μｍから２０μｍまたはそれを上回る範囲であってもよい。したがって、いくつかの実施形態では、複合したナノ構造体はマイクロ構造体を包含する。本開示による使用のためのリンカーの例には、限定はしないが、化学的架橋剤（例えば、グルタルアルデヒド）、生体分子（例えば、アビジン−ビオチン）およびリガンド機能化ナノ粒子／部分（例えば、１本鎖核酸機能化ナノ粒子）が含まれる。場合によっては、リンカーには、クリックケミストリーまたは配位相互作用（Ｎｉ２＋／ポリヒスチジン）が関与していてもよい。
【００７９】
いくつかの実施形態では、核酸ナノ構造体（すなわち、結晶）（例えば、裸の核酸ナノ構造体マスク）は核酸（例えば、DNA）オリガミアプローチを使用してアセンブリする。ＤＮＡオリガミアプローチによって、例えば、長い「骨格」核酸鎖が比較的短い「ステープル」鎖との相互作用によって予め設計された形状に折りたたまれる。したがって、いくつかの実施形態では、核酸ナノ構造体をアセンブリするための１本鎖核酸の長さは、少なくとも５００塩基対、少なくとも１キロベース、少なくとも２キロベース、少なくとも３キロベース、少なくとも４キロベース、少なくとも５キロベース、少なくとも６キロベース、少なくとも７キロベース、少なくとも８キロベース、少なくとも９キロベースまたは少なくとも１０キロベースである。いくつかの実施形態では、核酸ナノ構造体をアセンブリするための１本鎖核酸の長さは、５００塩基対から１０キロベースまたはそれを上回る。いくつかの実施形態では、核酸ナノ構造体をアセンブリするための１本鎖核酸の長さは、７から８キロベースである。いくつかの実施形態では、核酸ナノ構造体をアセンブリするための１本鎖核酸はＭ１３ウイルスゲノムを含む。
【００８０】
いくつかの実施形態では、核酸ナノ構造体（すなわち、結晶）（例えば、裸の核酸ナノ構造体マスク）は１本鎖タイル（SST）（例えば、本明細書に参考として組み込んだWei B.らNature 485: 626, 2012を参照のこと）または核酸「ブリック」（例えば、それぞれ本明細書に参考として組み込んだKe Y.らScience 388: 1177, 2012；2014年1月30日公開の国際公開番号WO 2014／018675 Alを参照のこと）からアセンブリする。例えば、１本鎖２−または４−ドメインオリゴヌクレオチドは、予め決定された（例えば、予測された）方法で２次元および／または３次元ナノ構造体に配列特異的にアニーリングすることによって自己組織化する。結果として、ナノ構造体における各オリゴヌクレオチドの位置は公知となる。このようにして、核酸ナノ構造体は、例えば、特定の位置でオリゴヌクレオチドを添加、除去または置換することによって、修飾することができる。ナノ構造体はまた、特定の位置に、例えば、部分を付着することによって修飾することができる。これは、開始物質として修飾オリゴヌクレオチドを使用することによって、またはナノ構造体が形成した後、特定のオリゴヌクレオチドを修飾することによって成し遂げることができる。したがって、得られたナノ構造体における開始オリゴヌクレオチドのそれぞれの位置を知ることによって、ナノ構造体へのアドレス指定能力がもたらされる。
【００８１】
「自己組織化」とは、核酸（および、場合によっては、予め形成された核酸ナノ構造体（すなわち、結晶））が、予測された方法で、外部から制御することなく、配列特異的な方法で互いにアニーリングする能力を意味する。いくつかの実施形態では、核酸ナノ構造体自己組織化法は、単一の容器内で核酸（例えば、１本鎖核酸またはオリゴヌクレオチド）を一緒にして、配列相補性に基づいて核酸を互いにアニーリングさせることを含む。いくつかの実施形態では、このアニーリングプロセスは、配列特異的結合に有利にするために、核酸を高温にして、その後徐々に温度を低下させることを含む。様々な核酸ナノ構造体または自己組織化法が公知で、本明細書で記載されている。
【００８２】
本開示の核酸には、Ｄ型ＤＮＡおよびＬ型ＤＮＡなどのＤＮＡならびにＲＮＡ、ならびにこれらの様々な修飾型が含まれる。核酸修飾には、塩基修飾、糖修飾、および骨格修飾が含まれる。このような修飾の非限定的例を以下に挙げる。
【００８３】
本開示によって使用することができる修飾したＤＮＡ核酸（例えば、DNA変種）の例には、限定はしないが、Ｌ−ＤＮＡ（文献で公知の、DNAの骨格鏡像異性体）、ペプチド核酸（PNA）ビスＰＮＡクランプ、偽相補的ＰＮＡ、ロックド核酸（LNA）およびＤＮＡ−ＬＮＡ共核酸などの上記の共核酸（co-nucleic acid）が含まれる。したがって、本開示は、ＤＮＡ、ＲＮＡ、ＬＮＡ、ＰＮＡまたはそれらの組合せを含むナノ構造体を企図する。本開示の方法および組成物で使用した核酸は、天然において均一であっても不均一であってもよいことを理解されたい。一例として、核酸は天然において完全なＤＮＡであってもよく、またはＤＮＡおよび非ＤＮＡ（例えば、LNA）モノマーまたは配列からなっていてもよい。したがって、核酸要素の任意の組合せを使用することができる。核酸修飾によって、核酸はより安定になり、かつ／またはある種の条件下での分解を受けにくくすることができる。例えば、いくつかの実施形態では、核酸はヌクレアーゼ耐性である。
【００８４】
本開示の核酸は、いくつかの実施形態では、均一な骨格（例えば、全部ホスホジエステルまたは全部ホスホロチオエート）または不均一（もしくはキメラ）骨格を有する。ホスホロチオエート骨格修飾によって、ある種の条件下でオリゴヌクレオチドが（天然のホスホジエステル骨格核酸と比較して）ヌクレアーゼに影響されにくくなり、したがってより安定になることができる。本開示の核酸により安定性を与え得るその他の結合には、限定はしないが、ホスホロジチオエート結合、メチルホスホネート結合、メチルホスホロチオエート結合、ボラノホスホネート結合、ペプチド結合、アルキル結合およびデホスホ型結合が含まれる。したがって、いくつかの実施形態では、核酸は天然に生じない骨格を有する。
【００８５】
いくつかの実施形態では、本開示の核酸は、生成物（例えば、タンパク質）をコードしない。
【００８６】
本開示の核酸は、いくつかの実施形態では、さらに、または代わりにその糖内に修飾を含む。例えば、β−リボース単位またはβ−Ｄ−２’−デオキシリボース単位は修飾した糖単位によって置換することができ、この修飾した糖単位は、例えば、β−Ｄ−リボース、α−Ｄ−２’−デオキシリボース、Ｌ−２’−デオキシリボース、２’−Ｆ−２’−デオキシリボース、アラビノース、２’−Ｆ−アラビノース、２’−Ｏ−（Ｃ１−Ｃ６）アルキル−リボース、好ましくは２’−Ｏ−（Ｃ１−Ｃ６）アルキル−リボースは２’−Ｏ−メチルリボース、２’−Ｏ−（Ｃ２−Ｃ６）アルケニル−リボース、２’−［Ｏ−（Ｃ１−Ｃ６）アルキル−Ｏ−（Ｃ１−Ｃ６）アルキル］−リボース、２’−ＮＨ２−２’−デオキシリボース、β−Ｄ−キシロ−フラノース、α−アラビノフラノース、２，４−ジデオキシ−β−Ｄ−エリスロ−ヘキソ−ピラノースおよび炭素環（例えば、本明細書に参考として組み込んだFroehler J. Am. Chem. Soc. 114:8320, 1992を参照のこと）および／または鎖式糖類似体（例えば、本明細書に参考として組み込んだVandendriesscheらTetrahedron 49:7223, 1993を参照のこと）および／または二環式糖類似体（例えば、本明細書に参考として組み込んだTarkov M.らHelv. Chim. Acta. 76:481, 1993を参照のこと）から選択される。
【００８７】
本開示の核酸は、いくつかの実施形態では、それらの塩基内に修飾を含む。修飾した塩基には、限定はしないが、修飾したシトシン（５−置換シトシン（例えば、５−メチル−シトシン、５−フルオロ−シトシン、５−クロロ−シトシン、５−ブロモ−シトシン、５−ヨード−シトシン、５−ヒドロキシ−シトシン、５−ヒドロキシメチル−シトシン、５−ジフルオロメチル−シトシンおよび未置換もしくは置換５−アルキニル−シトシン）、６−置換シトシン、Ｎ４−置換シトシン（例えば、Ｎ４−エチル−シトシン）、５−アザ−シトシン、２−メルカプト−シトシン、イソシトシン、シュード−イソシトシン、縮合環系を有するシトシン類似体（例えば、Ν，Ν’−プロピレンシトシンもしくはフェノキサジン）およびウラシルおよびその誘導体（例えば、５−フルオロ−ウラシル、５−ブロモ−ウラシル、５−ブロモビニル−ウラシル、４−チオ−ウラシル、５−ヒドロキシ−ウラシル、５−プロピニル−ウラシル）、修飾したグアニン、例えば、７−デアザグアニン、７−デアザ−７−置換グアニン（７−デアザ−７−（Ｃ２−Ｃ６）アルキニルグアニンなど）、７−デアザ−８−置換グアニン、ヒポキサンチン、Ｎ２−置換グアニン（例えば、Ｎ２−メチル−グアニン）、５−アミノ−３−メチル−３Ｈ，６Ｈ−チアゾロ［４，５−ｄ］ピリミジン−２，７−ジオン、２，６−ジアミノプリン、２−アミノプリン、プリン、インドール、アデニン、置換アデニン（例えば、Ｎ６−メチル−アデニン、８−オキソ−アデニン）、８−置換グアニン（例えば、８−ヒドロキシグアニンおよび８−ブロモグアニン）および６−チオグアニンが含まれる。核酸は、ユニバーサル塩基（例えば、３−ニトロピロール、Ｐ−塩基、４−メチル−インドール、５−ニトロ−インドールおよびＫ−塩基）および／または芳香族環系（例えば、フルオロベンゼン、ジフルオロベンゼン、ベンズイミダゾールまたはジクロロ−ベンズイミダゾール、１−メチル−ｌＨ−［ｌ，２，４］トリアゾール−３−カルボン酸アミド）を含むことができる。本発明のオリゴヌクレオチドに組み込むことができる特定の塩基対は、ＹａｎｇらＮＡＲ，２００６、３４（２１）：６０９５−６１０１によって報告されたｄＺおよびｄＰ非標準核酸塩基対であり、ｄＺ、ピリミジン類似体は、６−アミノ−５−ニトロ−３−（１’−β−Ｄ−２’−デオキシリボフラノシル）−２（１Ｈ）−ピリドンであり、そのワトソン−クリック相補的ｄＰ、プリン類似体は２−アミノ−（１’−β−Ｄ−１’−デオキシリボフラノシル）−イミダゾ［１，２−ａ］−１，３，５−トリアジン−４（８Ｈ）−オンである。
【００８８】
本開示の核酸は、いくつかの実施形態では、インビトロにおいて合成する。したがって、いくつかの実施形態では、核酸は合成される（例えば、非天然である）。自動核酸合成を含む核酸合成法は公知である。例えば、ホスホロチオエート結合を含む骨格などの修飾した骨格を有する核酸は、キメラ修飾骨格を含む核酸を含めて、ホスホロアミド酸またはＨ−ホスホン酸化学のいずれかを用いた自動技術を使用して合成することができる（例えば、F. E. Eckstein,「Oligonucleotides and Analogues - A Practical Approach」 IRL Press, Oxford, UK, 1991；およびMatteucci M. D.らTetrahedron Lett. 21: 719, 1980を参照のこと）。アリール−およびアルキル−ホスホン酸結合を有する核酸の合成も企図される（例えば、米国特許第４４６９８６３号を参照のこと）。いくつかの実施形態では、アルキルホスホトリエステル結合を有する核酸（例えば、米国特許第５０２３２４３号および欧州特許第０９２５７４号に記載されたように、荷電した酸素部分はアルキル化されている）は、化学的に利用可能な試薬を使用して自動固相合成によって調製する。その他のＤＮＡ骨格修飾および置換を行う方法は記載されており（例えば、それぞれ参考として組み込んだUhlmann E.らChem. Rev. 90:544, 1990；Goodchild J. Bioconjugate Chem. 1: 165, 1990；Crooke S.T.らAnnu. Rev. Pharmacol. Toxicol. 36: 107, 1996；およびHunziker J.らMod Synth Methods 7:331, 1995を参照のこと）、本開示によって使用することができる。
【００８９】
本開示のいくつかの態様は、アニーリングプロセスを使用する核酸ナノ構造体のアセンブリを対象とする。いくつかの実施形態では、核酸を、限定はしないが、チューブ、ウェルまたはバイアルなどの単一容器中に一緒にする。使用する核酸のモル量は、所望するナノ構造体における各核酸の頻度および所望するナノ構造体の量に左右され得る。いくつかの実施形態では、核酸は等モル濃度で存在していてもよい。いくつかの実施形態では、各核酸（例えば、オリゴヌクレオチド）は約２００ｎＭの濃度で存在していてもよい。いくつかの実施形態では、核酸は溶液中に入れる。アニーリング反応はまた、緩衝液がなくても起こり得るが、溶液は緩衝化してもよい。溶液はさらに、限定はしないが、Ｍｇ２＋などの２価のカチオンを含んでいてもよい。カチオンまたは塩の濃度は変化していてもよい。濃度の一例は約４９０ｍＭである。溶液はまた、核酸の分解を防ぐためにＥＤＴＡまたはその他のヌクレアーゼ阻害剤を含んでいてもよい。
【００９０】
アニーリング反応は、いくつかの実施形態では、核酸を含有する溶液を加熱し、その後溶液をゆっくり冷却させる（例えば、加熱し、その後室温環境中に置く）ことによって実施する。反応の温度は、ヘアピン構造体などのいかなる所望しない第２の構造体も融解するように、かつ核酸が決してその他の非相補的核酸に不確かに結合しないように十分高くするべきである。したがって、温度は最初に１００℃以下の任意の温度まで上昇させてもよい。例えば、温度は最初に１００℃、９５℃、９０℃、８５℃、８０℃、７５℃、７０℃、６５℃または６０℃まで上昇させてもよい。温度は、容器を温水槽、加熱ブロック、サーマルサイクラー（例えば、ポリメラーゼ連鎖反応（PCR）機）などの温度制御の可能な装置に入れることによって上昇させてもよい。容器は、数秒または数分間この環境中で維持してもよい。いくつかの実施形態では、約１〜１０分のインキュベーション時間で十分である。
【００９１】
高温での核酸インキュベーションが完了したら、温度をいくつかの方法で低下させてもよい。温度は、例えば、一定量温度を低下させ、温度を再度低下させる前に一定時間その温度を維持するコンピュータアルゴリズムを用いる自動化方法で低下させてもよい。このような自動化方法には、各工程において１度ずつ、または各工程で数℃ずつ温度を低下させることが関与してもよい。したがって、容器を加熱して、同じ装置中で冷却してもよい。別の例として、加熱した溶液を室温に置いて冷却してもよい。温度を低下させるための方法の一例は以下の通りである。温度の約８０℃から約２４℃までの低下を達成するために、温度を８０℃から６１℃まで１℃ずつ、１℃当たり３分の割合で変化させる（例えば、８０℃で３分間、７９℃で３分間、など）。温度は次に、６０℃から２４℃まで１℃ずつ、１℃当たり約１２０分の割合で変化させる（例えば、６０℃で１２０分間、５９℃で２１０分間、など）。このプロセスの全アニーリング時間は約１７時間である。本開示によると、これらの条件下で、核酸（例えば、オリゴヌクレオチド）は予め決定した、所望する形状およびサイズのナノ構造体（すなわち、結晶）に自己組織化する。
【００９２】
特定のアニーリングプロセスの一例は、溶液（例えば、Ｔｒｉｓ５ｍＭ−ＥＤＴＡ１ｍＭ（ＴＥ）、ＭｇＣｌ２４０ｍＭ）中において１００個の異なるオリゴヌクレオチド２００ｎＭを使用し、溶液を約９０℃まで加熱し、次に、前述したように、８０℃と６１℃の間は１℃低下する毎に３分、６０℃と２４℃の間は１℃低下する毎に１２０分で、約７３時間かけて約２４℃まで冷却する。前述のアニーリングプロセスは例であって、その他のアニーリングプロセスも本開示によって使用できることを理解されたい。
【００９３】
本開示は、エピタキシャル成長プロセスを使用して生じた核酸ナノ構造体を提供する。エピタキシャル成長核酸ナノ構造体（例えば、DNA鋳型として使用するため）は、予め形成した核酸（例えば、DNA）種から開始する種媒介性核酸（例えば、DNA）成長プロセスによって形成することができる。種は、長い結合ドメインを有する（ドメイン当たり典型的には８ヌクレオチドに対して１６ヌクレオチドなど）１つまたは複数の１本鎖ＤＮＡを含むことができるか、または、限定はしないが、予め形成したＤＮＡ構造体であってもよい。エピタキシャル成長によって種と生じる成長構造体との間に単一の結晶界面が作出される。既存の種媒介性ＤＮＡ成長とは対照的に、エピタキシャル成長は特定の成長経路の順序立てた設計を必要とせず、３Ｄ構造体のために使用することができる。さらに、エピタキシャル成長を使用して、種媒介性ＤＮＡ形成は、π-πスタッキング方向（らせん方向）に沿って、またはらせん方向に垂直に開始することができる。
【００９４】
そして、エピタキシャル成長プロセスの非限定的例を図１４に例示し、実施例６により詳細に記載する。当業者であれば、この実施例は推奨として用意されていることを認識するだろう。
【００９５】
部分（Moieties）
本開示の基板（例えば、核酸ナノ構造体／結晶）は部分にカップリングしていてもよい。使用した部分の例には、限定はしないが、半導体粒子、金属粒子、カーボンナノチューブ、ポリマーワイヤー、Ｓｉナノワイヤー、セラミックナノ粒子、金属酸化物ナノ粒子、フッ化物ナノ粒子、自己組織化した核酸構造体を含む１本鎖または２本鎖核酸（例えば、DNA、RNA、LNA、PNA）が含まれる。カップリングに使用した部分にはまた、限定はしないが、プラズモンナノ物質、蛍光／ルミネセンスナノ物質、強磁性ナノ物質、常磁性ナノ物質、反強磁性ナノ物質、超常磁性ナノ物質、半導体ナノ物質、導体ナノ物質または絶縁体ナノ物質が含まれる。
【００９６】
いくつかの実施形態では、ナノ構造体（すなわち、結晶）はナノ粒子（例えば、金、銀、銅および／またはニッケルナノ粒子）またはその他の成分（例えば、金属クラスター、酸化物（例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２）、カルコゲン化合物（例えば、ＣｕＳ、Ａｇ２Ｓ）、ナノワイヤー（例えば、CNT、Ｓｉナノワイヤー）、ポリマー（例えば、PS、PMMA）および／または生体分子（例えば、タンパク質、ペプチド、アクチンフィラメント））とカップリングしている。
【００９７】
いくつかの実施形態では、部分は半導体物質を含む。半導体物質には、限定はしないが、ＩＶ族元素の半導体、ＩＶ族化合物半導体、ＶＩ族元素の半導体、ＩＩＩ〜Ｖ族半導体、ＩＩ〜ＶＩ族半導体、Ｉ〜ＶＩＩ族半導体、ＩＶ〜ＶＩ族半導体、ＩＶ〜ＶＩ族半導体、Ｖ〜ＶＩ族半導体、ＩＩ〜Ｖ族半導体、酸化物、層状半導体、磁性半導体、有機半導体、電荷移動複合体およびそれらの組合せが含まれる。
【００９８】
いくつかの実施形態では、部分はＩＶ族半導体物質を含む。本開示による使用のためのＩＶ族半導体物質の例には、限定はしないが、ダイアモンド、シリコン、ゲルマニウム、灰色スズ、炭化ケイ素およびそれらの組合せが含まれる。
【００９９】
いくつかの実施形態では、部分はＶＩ族半導体物質を含む。本開示による使用のためのＶＩ族半導体物質の例には、限定はしないが、イオウ、灰色セレン、テルルおよびそれらの組合せが含まれる。
【０１００】
いくつかの実施形態では、部分はＩＩＩ〜Ｖ族半導体物質を含む。本開示による使用のためのＩＩＩ〜Ｖ族半導体物質の例には、限定はしないが、窒化ホウ素、立方体、窒化ホウ素、六方晶系、リン化ホウ素、ヒ化ホウ素、ヒ化ホウ素、窒化アルミニウム、リン化アルミニウム、ヒ化アルミニウム、アンチモン化アルミニウム、窒化ガリウム、リン化ガリウム、ヒ化ガリウム、アンチモン化ガリウム、窒化インジウム、リン化インジウム、ヒ化インジウム、アンチモン化インジウムおよびそれらの組合せが含まれる。
【０１０１】
いくつかの実施形態では、部分はＩＩ〜ＶＩ族半導体物質を含む。本開示による使用のためのＩＩ〜ＶＩ族半導体物質の例には、限定はしないが、セレン化カドミウム、硫化カドミウム、テルル化カドミウム、酸化亜鉛、セレン化亜鉛、硫化亜鉛、テルル化亜鉛、塩化第１銅、硫化銅、セレン化鉛、硫化鉛（ＩＩ）、テルル化鉛、硫化スズ、硫化スズ、テルル化スズ、テルル化鉛スズ、テルル化タリウムスズ、テルル化タリウムゲルマニウム、テルル化ビスマスおよびそれらの組合せが含まれる。
【０１０２】
いくつかの実施形態では、部分はＩ〜ＶＩＩ族半導体物質を含む。本開示による使用のためのＩ〜ＶＩＩ族半導体物質の例には、限定はしないが、塩化第１銅、硫化銅、ならびに塩化第１銅および硫化銅の組合せが含まれる。
【０１０３】
いくつかの実施形態では、部分はＩＶ〜ＶＩ族半導体物質を含む。本開示による使用のためのＩＶ〜ＶＩ族半導体物質の例には、限定はしないが、セレン化鉛、硫化鉛（ＩＩ）、テルル化鉛、硫化スズ、硫化スズ、テルル化スズ、テルル化鉛スズ、テルル化タリウムスズ、テルル化タリウムゲルマニウムおよびそれらの組合せが含まれる。
【０１０４】
いくつかの実施形態では、部分はＶ〜ＶＩ族半導体物質を含む。本開示による使用のためのＩＶ〜ＶＩ族半導体物質の一例には、限定はしないが、テルル化ビスマスが含まれる。
【０１０５】
いくつかの実施形態では、部分はＩＩ〜Ｖ族半導体物質を含む。本開示による使用のためのＩＩ〜Ｖ族半導体物質の例には、限定はしないが、リン化カドミウム、ヒ化カドミウム、アンチモン化カドミウム、リン化亜鉛、ヒ化亜鉛、アンチモン化亜鉛およびそれらの組合せが含まれる。
【０１０６】
いくつかの実施形態では、部分は酸化物を含む。本開示による使用のための酸化物の例には、限定はしないが、二酸化チタン、アナターゼ型、二酸化チタン、ルチル型、二酸化チタン、ブルッカイド型、酸化銅（Ｉ）、酸化銅（ＩＩ）、二酸化ウラン、三酸化ウラン、三酸化ビスマス、二酸化スズ、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、ニオブ酸リチウム、ランタン銅酸化物およびそれらの組合せが含まれる。
【０１０７】
いくつかの実施形態では、部分は層状半導体を含む。本開示による使用のための層状半導体の例には、限定はしないが、ヨウ化鉛（ＩＩ）、二硫化モリブデン、セレン化ガリウム、硫化スズ、硫化ビスマスおよびそれらの組合せが含まれる。
【０１０８】
いくつかの実施形態では、部分は磁性半導体を含む。本開示による使用のための磁性半導体の例には、限定はしないが、ヒ化ガリウムマンガン、ヒ化インジウムマンガン、テルル化カドミウムマンガン、テルル化鉛マンガン、マンガン酸ランタンカルシウム、酸化鉄（ＩＩ）、酸化ニッケル（ＩＩ）、酸化ユウロピウム（ＩＩ）、硫化ユウロピウム（ＩＩ）、臭化クロム（ＩＩＩ）およびそれらの組合せが含まれる。
【０１０９】
本開示によって使用することができる半導体物質のその他の例には、限定はしないが、セレン化銅インジウム、シス、硫化銀ガリウム、リン化亜鉛シリコン、硫化ヒ素、ケイ化プラチナ、ヨウ化ビスマス（ＩＩＩ）、ヨウ化水銀（ＩＩ）、臭化タリウム（Ｉ）、硫化銀、二硫化鉄、硫化銅亜鉛スズ、硫化銅亜鉛アンチモンおよびそれらの組合せが含まれる。
【０１１０】
いくつかの実施形態では、部分はカルコゲン化合物を含む。カルコゲン化合物は、少なくとも１種のカルゴゲンアニオンおよび少なくとももう１種の陽性元素を含む化合物である。いくつかの実施形態では、カルコゲン化合物は硫化物、セレン化物またはテルル化物である。
【０１１１】
いくつかの実施形態では、部分は電気絶縁体を含む。電気的絶縁体は、自由に流動せず、したがって、電界の影響下で電流の伝導を困難にする内部電荷を有する物質である。
【０１１２】
いくつかの実施形態では、部分は金属を含む。本開示によって使用することができる金属の例には、限定はしないが、金、アルミニウム、クロム、チタン、タングステン、タンタル、ニオブ、白金、亜鉛およびそれらの組合せが含まれる。
【０１１３】
いくつかの実施形態では、部分は、炭素、ＳｉＣ、ＬｉＮｂＯ３、ＰｂＺｒＴｉＯ３、ＨｆＯ２、ＴｉＯ２、Ｖ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ３またはそれらの組合せを含む。
【０１１４】
いくつかの実施形態では、部分はポリマーを含む。本開示によって使用することができるポリマーの例には、限定はしないが、ポリジメチルシロキサン（PDMS）、ポリ（メタクリル酸メチル）（PMMA）（例えば、PMMA樹脂）および自己組織化ポリマーが含まれる。コポリマーＰ（MMA-MAA）および自己組織化ブロックコポリマーを含むその他のポリマー例を本明細書で提供する。
【０１１５】
いくつかの実施形態では、部分の直径（または寸法、最長もしくは平均の寸法を含む）は１ｎｍから１００ｎｍ（例えば、１から７５ｎｍ、１から５０ｎｍ、１から２５ｎｍ）である。
【０１１６】
いくつかの実施形態では、部分は部分の不均一な混合物からなる。例えば、基板は様々な半導体部分の混合物、様々なサイズのナノ粒子の混合物、またはナノ粒子およびナノワイヤーの混合物を含むことができる。
【０１１７】
部分の基板へのカップリング
本開示の基板（例えば、核酸ナノ構造体／結晶）は、所定の方法で、ナノ粒子（例えば、金ナノ粒子）および／またはナノワイヤー（例えば、カーボンナノチューブ）などの部分にカップリングすることができる。本明細書では「カップリング」とは、基板の位置への部分の閉じ込めを意味する。部分は基板に共有結合で、または非共有結合でカップリングしていてもよい。いくつかの実施形態では、部分（例えば、ナノ粒子）は、ハンドルおよび抗ハンドルと称する相補的な部分的または完全な１本鎖核酸（例えば、DNAまたはRNA）を介して基板にカップリングしている。いくつかの実施形態では、ハンドル（または抗ハンドル）は基板に共有結合で、または非共有結合でカップリングしている。いくつかの実施形態では、ハンドル（または抗ハンドル）は核酸ナノ構造体（すなわち、結晶）基板にハイブリダイゼーションによってカップリングしている。いくつかの実施形態では、ハンドル（または抗ハンドル）は基板に結合対によってカップリングしている。いくつかの実施形態では、結合対はビオチンおよびストレプトアビジンである。
【０１１８】
同様に、いくつかの実施形態では、ハンドル（または抗ハンドル）は部分（例えば、金ナノ粒子などのナノ粒子またはカーボンナノチューブなどのナノワイヤー）に共有結合で、または非共有結合でカップリングしている。いくつかの実施形態では、ハンドル（または抗ハンドル）は部分に結合対によってカップリングしている。
【０１１９】
いくつかの実施形態では、各抗ハンドルは個々の部分にカップリングしている。例えば、各抗ハンドルは１つだけの部分にカップリングしていてもよい。いくつかの実施形態では、単一の抗ハンドルは１つを上回る（例えば、２、３または４個の）部分にカップリングしている。
【０１２０】
いくつかの実施形態では、抗ハンドルの一部は同じ部分にカップリングしている。したがって、単一の部分（例えば、ナノワイヤー）は複数の抗ハンドルにカップリングしていてもよい。
【０１２１】
いくつかの実施形態では、ＳＨ基（例えば、金属および半導体部分）、クリックケミストリー、−ＮＨ２基、−ＣＯＯＨ基（例えば、シリカまたはポリマーコーティング部分のため）、π−πスタッキング（例えば、１本鎖DNAをカーボンナノチューブに巻き付けるため）、配位相互作用（Ｎｉ２＋／ポリヒスチジン）または静電相互作用（例えば、荷電したナノ粒子または分子のため）によって、基板はハンドルにカップリングし、かつ／または部分は抗ハンドルにカップリングしている。
【０１２２】
ハンドルおよび抗ハンドル対のハイブリダイゼーションが部分の核酸ナノ構造体へのカップリングを引き起こすように、ハンドル／抗ハンドルの構成でハンドルを核酸ナノ構造体（すなわち、結晶）にカップリングし、相補的抗ハンドルが部分にカップリングしているか、あるいは、ハンドルが部分にカップリングして相補的抗ハンドルが核酸ナノ構造体にカップリングしていることを理解されたい。
【０１２３】
ハンドル（または抗ハンドル）は、基板（例えば、核酸ナノ構造体（すなわち、結晶））または部分に共有結合的または非共有結合的にカップリングしていてもよい。非限定的例として、ビオチンおよびアビジン／ストレプトアビジン結合対などの結合対を使用して基板に非共有結合でカップリングしていてもよい。抗体／抗原およびリガンド／受容体結合対などの高親和性タンパク質／タンパク質結合対、疎水性相互作用、π−πスタッキングまたは静電相互作用を含むその他の結合対は、当業者には明らかで、カップリングのために使用することができる。いくつかの実施形態では、部分は、空間的閉じ込めによって基板にカップリングしている。
【０１２４】
核酸ハンドル（または抗ハンドル）の長さは変化してもよい。いくつかの実施形態では、部分は中間体核酸（例えば、ナノ構造体（すなわち、結晶）の構造強度に寄与しないハンドル／抗ハンドルなどの核酸）にコンジュゲートすることなく基板にカップリングしていてもよい。このような実施形態では、部分は、ビオチンおよびアビジン／ストレプトアビジン結合対などの結合対を介して基板にカップリングしていてもよい。
【０１２５】
ハンドル（またはハンドルの少なくとも１本鎖領域）のヌクレオチド長は約１５から約５０個であり得る。いくつかの実施形態では、ハンドル（または抗ハンドル）のヌクレオチド長は、約１５、約２０、約２５、約３０、約３５、約４０または約５０個であり得る。適用に応じて、核酸ハンドル（または抗ハンドル）のヌクレオチド長は５０個を上回ってもよい。
【０１２６】
いくつかの実施形態では、部分の基板（例えば、核酸ナノ構造体／結晶）へのカップリングは、中間体分子相互作用（例えば、核酸ハイブリダイゼーションまたはタンパク質−タンパク質相互作用）を必要としない。いくつかの実施形態では、チャネルおよび部分の関係する形状および／またはサイズによって部分が基板のチャネル（または窪み、溜まり、溝もしくはその他の表面に対して凹んだフィーチャ）内に極めて接近するように基板に「閉じ込められる」。この閉じ込めは、閉じ込める部分の形状に適合し、閉じ込める部分の直径以下の直径を有するチャネルを含有する基板を設計／提供することによって実現することができる。例えば、図３Ａを参照すると、ナノワイヤーはハンドルおよび抗ハンドル（示さず）を有する、または有さない（示さず）基板のチャネルに閉じ込めることができる。いくつかの実施形態では、チャネルは閉じ込める部分の直径と同等の直径を有する。いくつかの実施形態では、チャネルは閉じ込める部分の直径よりわずかに小さい直径を有する。
【０１２７】
部分は、特定の構成または形状を形成するために基板上または基板内に配置することができる。いくつかの実施形態では、部分は、クロスバー構成、キラル構成または平行な列を形成するために、基板上または基板内に配置することができる。平行な列の構成の一例を図１Ａ〜１Ｂに示す。特定の構成は、例えば、基板上または基板中の所定の位置にハンドルまたはその他のカップリング分子を位置づけることによって定めることができる。図１Ａに示したように、核酸ハンドルの一部は、部分に付着した相補的抗ハンドルに結合したとき、得られた構成が部分の平行な列を含有するように整列させてもよい。特定の構成は、例えば、チャネルまたは特定の方法で配置されたその他の凹んだフィーチャを含有する予め形成された、または予めアセンブリされた基板を提供することによって定めることができる。図３Ｂに示したように、ＤＮＡ結晶基板は平行な配置で構成されたチャネルを含有し、次にナノワイヤーはこれらのチャネルにカップリングしているか、または閉じ込められ、平行な（または実質的に平行な）カップリングしている、または閉じ込められた部分の列を有する基板が生じる。
【０１２８】
いくつかの実施形態では、核酸ハンドルは基板中に形成したチャネルにカップリングしている。基板は、例えば、１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０またはそれを上回るチャネルを含んでいてもよく、それぞれは互いに対して同じ幅または異なる幅を有していてもよい。
【０１２９】
単一の基板は、部分の均一な集団または不均一な集団を含有していてもよい。例えば、基板の部分の集団は、１つの物質の部分の亜集団、別の物質の部分の別の集団などを含有していてもよい。いくつかの実施形態では、基板の部分の集団は、異なるサイズおよび／または物質の部分を含有していてもよい。本明細書ではその他の混合した集団を企図する。
【０１３０】
基板上の部分の数および／または不均一性は、いくつかの実施形態では、基板のサイズ、基板の寸法および部分の立体的障害によって定められる。例えば、１μｍ×１μｍ×１μｍの３Ｄ基板は、３０００個もの部分を含有していてもよい（均一な、または不均一な集団）。別の例として、１００μｍ×１００μｍ×１００μｍの３Ｄ基板は、１００万個もの部分を含有していてもよい（均一な、または不均一な集団）。
【０１３１】
本明細書で挙げたような部分にカップリングしている基板は、いくつかの実施形態では、１ｎｍから１μｍの空間解像度を有する。例えば、基板（例えば、核酸ナノ構造体（すなわち、結晶））のフィーチャ解像度は、１ｎｍ、２ｎｍ、３ｎｍ、４ｎｍ、５ｎｍ、６ｎｍ、７ｎｍ、８ｎｍ、９ｎｍ、１０ｎｍ、２０ｎｍ、３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍ、７０ｎｍ、８０ｎｍ、９０ｎｍ、１００ｎｍ、２００ｎｍ、３００ｎｍ、４００ｎｍ、５００ｎｍ、６００ｎｍ、７００ｎｍ、８００ｎｍ、９００ｎｍまたは１０００ｎｍであり得る。いくつかの実施形態では、基板のフィーチャ解像度は、１ｎｍから１００ｎｍ、１ｎｍから５０ｎｍ、または１ｎｍから１０ｎｍ、１ｎｍから５ｎｍ、または１ｎｍから２ｎｍである。いくつかの実施形態では、基板のフィーチャ解像度は、５０ｎｍ未満、２５ｎｍ未満、１０ｎｍ未満または５ｎｍ未満である。いくつかの実施形態では、基板のフィーチャ解像度は１ｎｍから１０ｎｍ未満、２ｎｍから１０ｎｍまたは２ｎｍから５ｎｍである。
【０１３２】
「空間解像度」とは、核酸ナノ構造体（例えば、核酸自己組織化の場合）などの基板の識別可能な詳細を意味する。用語「空間解像度」および「フィーチャ解像度」は、本明細書では同義に使用することができる。この解像度は、核酸結晶における各核酸鎖の空間的正確さおよび精度によって決定され、これは、例えば、透過型電子顕微鏡（TEM）および原子間力顕微鏡（AFM）によって、合成した核酸ナノ構造体（すなわち、結晶）に対して検証することができる。２次元核酸ナノ構造体（すなわち、結晶）の場合、空間／フィーチャ解像度は２次元面（例えば、ＸおよびＹ面）における空間的識別能力を記載する。３次元核酸ナノ構造体（すなわち、結晶）の場合、空間／フィーチャ解像度は、水平および垂直面に分けられ、Ｘ／Ｙ面およびＺ方向それぞれの空間識別能力を記載する。
【０１３３】
パターン移動プロセス
本開示のいくつかの態様は、「マスク」が過酷なエッチング液との反応から基板を保護するマスキングの概念に基づいた、エッチングを利用するリソグラフィーなどのパターン移動プロセスに関する。「エッチング」とは、物質が基板から除去され（例えば、エッチング液を使用して）、基板のパターニングを引き起こすプロセスを意味する。エッチングは、「ウェット」または「ドライ」が考えられる。ウェットエッチングとは、通常、基板上のフォトレジストマスクによって定義される特定のパターンにおいて、基板から物質を除去するために液体化学物質（ウェットエッチング液とも呼ばれる）を利用するエッチングプロセスを意味する。本開示は、基板上のマスクとして裸の３次元核酸ナノ構造体の使用を企図する。マスクによって覆われない物質は化学物質によって「エッチング除去」され、マスクによって覆われた物質はほとんど完全に残される。比較として、ドライエッチングとは、基板から物質を除去するために液体化学物質を利用しないエッチングプロセスを意味する。いくつかの実施形態では、本開示の方法には、ドライエッチング条件が含まれる。ドライエッチングは、いくつかの実施形態では、物質（例えば、化学的反応性ガス、ラジカルまたはプラズマ）を消費する化学反応によって、物質の物理的除去によって（例えば、不活性ガスまたは不活性イオンビームからの運動量移動によって）、または物理的除去および化学反応の両方の組合せによって成し遂げることができる。
【０１３４】
ドライエッチングパターン移動プロセスの例には、限定はしないが、イオンビームエッチング、電子ビームエッチングおよびＸ線エッチングが含まれる。
【０１３５】
本開示のいくつかの実施形態では、基板をパターニングするためにイオンビームエッチング（例えば、本明細書に参考として組み込んだMatsui S.らNanotechology, 7（3）: 247, 1996を参照のこと）を使用する。イオンビームエッチングには、エッチングする物質を高エネルギー性化学反応性イオンで照射することが含まれていてもよい。このようなエネルギー性イオンによる照射は、物質から原子を追い出し、事実上スパッタリングによって物質除去を実現する。いくつかの実施形態では、基板のパターニングのために反応性イオンエッチングを使用する。反応性イオンエッチング（例えば、本明細書に参考として組み込んだWu B.らJ. of App. Phys. 108（5）: 051101, 2010を参照のこと）は、化学的反応性イオンおよび中性粒子ビーム（例えば、プラズマ）を使用して基板から物質を除去する。本開示のいくつかの実施形態では、反応性イオンエッチングには、以下の工程：（１）プラズマ中での反応性の種（イオンおよび／またはラジカル）の生成；（２）これらの種のエッチングする物質表面への拡散；（３）これらの種の表面上への吸着；（４）種とエッチングする物質との間の化学反応の発生、揮発性副生成物の形成；（５）表面からの副生成物の脱離；および（６）脱離した副生成物のガス部分への拡散が含まれ得る。
【０１３６】
本開示のいくつかの実施形態では、基板をパターニングするために電子ビームエッチング（本明細書に参考として組み込んだRandolph S.J.らCritical Reviews in Solid State and Materials Sciences 31（3）: 55, 2006）を使用する。電子ビームエッチングには、基板表面上のガス相前駆体の吸着が関与する。表面の電子ビームによる曝露中に、１次電子または２次電子が、普通であれば安定な物理吸着前駆体の分離を引き起こし、表面原子と反応する可能性がある。反応の生成物、典型的には揮発性の種は表面から脱離し、新たなバルク物質が表面として現れ、前駆体ガス分子のための新たな吸着部位を提供し、プロセスが反復されて物質がエッチングされる。
【０１３７】
本開示のいくつかの実施形態では、基板をパターニングするためにＸ線エッチング（本明細書に参考として組み込んだDimitrakakis C,らChem. Commun. 48: 7483, 2012）を使用する。Ｘ線エッチングには、マスクから基板にパターンを移すためにＸ線の使用が関与する。
【０１３８】
本開示のいくつかの態様は、基板の２次元または３次元パターニングに関する。例えば、本開示の裸の核酸（例えば、DNA）ナノ構造体マスクを基板（例えば、シリコンウェハ）に適用することができ、場合によっては、基板に付着することができる。本開示に従って使用した基板には、限定はしないが、シリコン、二酸化ケイ素（シリカとも呼ばれる）、酸化アルミニウム、サファイア、ゲルマニウム、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、シリコンとゲルマニウムの合金またはリン化インジウム（ＩｎＰ）を含めることができる。
【０１３９】
基板は無機または有機であってもよい。
【０１４０】
いくつかの実施形態では、基板は本明細書の他のところで記載したような半導体物質を含む。
【０１４１】
いくつかの実施形態では、裸の核酸ナノ構造体を基板の表面に吸着させる。典型的に、しかし必ずではないが、本明細書で記載したような基板は、裸の核酸ナノ構造体が沈着／吸着する上面を有する平面の物体である（例えば、図２Ａ〜Ｃを参照のこと）。核酸吸着は、例えば、物理吸着、静電吸着または化学的吸着によって実現することができる。
【０１４２】
いくつかの実施形態では、裸の核酸ナノ構造体の基板表面への吸着は物理吸着によって行われる。例えば、完全な基板は、溶液中における裸の核酸ナノ構造体のインキュベーションのために使用することができる。いくつかの実施形態では、平らな基板を彫って溝を形成する。これらの溝は、核酸ナノ構造体を捕らえ、沈着収率を増加させる。
【０１４３】
いくつかの実施形態では、裸の核酸ナノ構造体の基板表面への吸着は静電吸着によって行われる。例えば、基板を最初にＭｇ２＋溶液でインキュベートしてＭｇ２＋飽和基板を生成することができる。次に、Ｍｇ２＋飽和基板を裸の核酸ナノ構造体沈着のために使用する。
【０１４４】
いくつかの実施形態では、裸の核酸ナノ構造体の基板表面への吸着は化学吸着によって行われる。例えば、基板は、例えば、ポリリシン、アミノシランまたはポリエチレンイミンポリ（アリルアミン塩酸塩）などのアミノ含有試薬で修飾して、化学的に修飾した基板を生成することができる。次に、化学的に修飾した基板を裸の核酸ナノ構造体吸着のために使用する。
【０１４５】
いくつかの実施形態では、裸の核酸ナノ構造体の基板表面への吸着は生体分子結合によって行われる。例えば、基板はストレプトアビジンで修飾して、ビオチン標識した裸の核酸ナノ構造体を結合させることができる。
【０１４６】
いくつかの実施形態では、本開示の核酸ナノ構造体（例えば、裸の核酸ナノ構造体）は、溶液（例えば、水）中でアセンブリするか、または溶液中に移す。いくつかの実施形態では、溶液中における裸の核酸ナノ構造体の濃度は、１０ｐＭ〜１μΜである。例えば、溶液中における裸の核酸ナノ構造体の濃度は、１０ｐＭから１ｎＭ、１０ｐＭから５００ｐＭ、５００ｐＭから１ｎＭ、１ｎＭから５００ｎＭまたは５００ｎＭから１μΜであってもよい。いくつかの実施形態では、溶液中の裸の核酸−ナノ構造体の濃度は、１０ｐＭ、５０ｐＭ、１００ｐＭ、１５０ｐＭ、２００ｐＭ、２５０ｐＭ、３００ｐＭ、３５０ｐＭ、４００ｐＭ、４５０ｐＭ、５００ｐＭ、５５０ｐＭ、６００ｐＭ、６５０ｐＭ、７００ｐＭ、７５０ｐＭ、８００ｐＭ、８５０ｐＭ、９００ｐＭ、９５０ｐＭ、１ｎＭ、１０ｎＭ、５０ｎＭ、１００ｎＭ、１５０ｎＭ、２００ｎＭ、２５０ｎＭ、３００ｎＭ、３５０ｎＭ、４００ｎＭ、４５０ｎＭ、５００ｎＭ、５５０ｎＭ、６００ｎＭ、６５０ｎＭ、６００ｎＭ、７５０ｎＭ、８００ｎＭ、８５０ｎＭ、９００ｎＭ、９５０ｎＭまたは１μΜまたはそれを上回る。前述の濃度は、いくつかの実施形態では、ヌクレオチドの長さが少なくとも３０個の核酸ナノ構造体に適切である。
【０１４７】
いくつかの実施形態では、裸の核酸ナノ構造体を含む溶液は、５分（ｍｉｎ）から１０時間（ｈｒｓ）の吸着工程中の基板上でのインキュベーションを可能にする。例えば、裸の核酸ナノ構造体を含む溶液は、５分、１０分、１５分、２０分、３０分、４５分、６０分、２時間、２．５時間、３時間、３．５時間、４時間、４．５時間、６時間、６．５時間、７時間、７．５時間、８時間、８．５時間、９時間、９．５時間または１０時間またはそれを上回る吸着工程中の基板上でのインキュベーションを可能にし得る。いくつかの実施形態では、裸の核酸ナノ構造体を含む溶液は、３０分から４時間の吸着工程中の基板上でのインキュベーションを可能にする。
【０１４８】
いくつかの実施形態では、基板ｃｍ２当たり１μｌ〜１０μｌまたは約１〜１００μｌの溶液を吸着工程中に基板に吸着させる。例えば、基板ｃｍ２当たりに沈着させる溶液の体積は、１μｌ、２μｌ、３μｌ、４μｌ、５μｌ、６μｌ、７μｌ、８μｌ、９μｌ、１０μｌまたは１００μｌまたはそれを上回っていてもよい。
【０１４９】
いくつかの実施形態では、裸の核酸ナノ構造体を１０ｐＭ〜１μΜの濃度で含有する溶液１μｌ〜１０μｌを１５分間から４時間基板に吸着させる。
【０１５０】
本開示の基板は、単層の物質を含有していてもよく、または多層（例えば２、３、４または５層）の様々な物質を含有していてもよい（図８）。例えば、本開示のいくつかの態様は、第２の基板層上に位置する第１の基板層に裸の核酸ナノ構造体を吸着させること、ドライエッチングを使用して裸の核酸ナノ構造体を含有する第１の基板層の表面をエッチングすること、それによって第２の基板層上に位置する第２のマスクを生成すること、およびドライエッチングまたはウェットエッチングを使用して第２のマスクを含有する第２の基板層をエッチングすること、それによってパターン化基板を生成することを企図する。図８に示したように、例えば、金フィルム層を有する基板はシリカの層でコーティングする（「シリカコーティング」）。裸の核酸ナノ構造体マスク（示した立方体ナノ構造体）を次にシリカコーティング層に吸着させ、その後ドライエッチングする。残存するパターン化したシリカは、さらなるエッチングのための第２のマスクの機能を持ち、パターン化した金フィルムを生じる。多層基板の各層は、本明細書で提供したもののいずれかから選択した基板物質（例えば、シリコン、シリカ、酸化物、窒化物、金属、非金属、半導体および／またはポリマー）であってもよい。
【０１５１】
パターン化基板および装置
例えば、金属コーティングを有する核酸ナノ構造体マスクを使用すると、解像度の著しい低下が引き起こされる。有利なことに、本明細書で提供した裸の核酸ナノ構造体マスクは、このようなコーティングを有さず、したがって、本開示のいくつかの実施形態では、高いフィーチャ解像度が実現する。本明細書で提供した方法によって、フィーチャ解像度１ｎｍから１μｍでの基板の２次元および３次元形状へのパターニングが可能になる。例えば、パターン化基板のフィーチャ解像度は、１ｎｍ、２ｎｍ、３ｎｍ、４ｎｍ、５ｎｍ、６ｎｍ、７ｎｍ、８ｎｍ、９ｎｍ、１０ｎｍ、２０ｎｍ、３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍ、７０ｎｍ、８０ｎｍ、９０ｎｍ、１００ｎｍ、２００ｎｍ、３００ｎｍ、４００ｎｍ、５００ｎｍ、６００ｎｍ、７００ｎｍ、８００ｎｍ、９００ｎｍまたは１０００ｎｍである。いくつかの実施形態では、パターン化基板のフィーチャ解像度は１ｎｍから１００ｎｍまたは１ｎｍから１０ｎｍである。いくつかの実施形態では、パターン化基板のフィーチャ解像度は１０ｎｍ未満、または５ｎｍ未満である。いくつかの実施形態では、パターン化基板のフィーチャ解像度は１ｎｍから２ｎｍである。
【０１５２】
いくつかの実施形態では、パターン化基板のフィーチャ解像度は１０ｎｍ未満、または５ｎｍ未満である。いくつかの実施形態では、パターン化基板のフィーチャ解像度は１ｎｍから１μｍである。いくつかの実施形態では、パターン化基板のフィーチャ解像度は５ｎｍから１μｍである。いくつかの実施形態では、パターン化基板のフィーチャ解像度は１ｎｍから２ｎｍである。
【０１５３】
前述したように、核酸ナノ構造体の「フィーチャ解像度」とは、核酸ナノ構造体自己組織化の場合の解像度を意味し、すなわち、この用語は核酸ナノ構造体の識別可能な詳細を意味する。３次元核酸ナノ構造体の場合、フィーチャ解像度は、水平および垂直面に分けられ、Ｘ／Ｙ面およびＺ方向それぞれの空間的識別能力を記載する。
【０１５４】
いくつかの実施形態では、本明細書で提供した方法によって、エッチング解像度１ｎｍから１μｍでの基板の２次元および３次元形状へのパターニングが可能になる。例えば、パターン化基板のエッチング解像度は、１ｎｍ、２ｎｍ、３ｎｍ、４ｎｍ、５ｎｍ、６ｎｍ、７ｎｍ、８ｎｍ、９ｎｍ、１０ｎｍ、２０ｎｍ、３０ｎｍ、４０ｎｍ、５０ｎｍ、６０ｎｍ、７０ｎｍ、８０ｎｍ、９０ｎｍ、１００ｎｍ、２００ｎｍ、３００ｎｍ、４００ｎｍ、５００ｎｍ、６００ｎｍ、７００ｎｍ、８００ｎｍ、９００ｎｍまたは１０００ｎｍであってもよい。いくつかの実施形態では、パターン化基板のエッチング解像度は１ｎｍから１００ｎｍまたは１ｎｍから１０ｎｍである。いくつかの実施形態では、パターン化基板のエッチング解像度は１０ｎｍ未満、または５ｎｍ未満である。いくつかの実施形態では、パターン化基板のエッチング解像度は１ｎｍから２ｎｍである。
【０１５５】
核酸ナノ構造体の「エッチング解像度」とは、所定のパターンのエッチングのときに、核酸ナノ構造体から構造上の詳細を基板に転写する場合の解像度を意味する。この解像度は、核酸ナノ構造体の存在下での基板に対する化学的／物理的エッチングの空間的正確さおよびの精度によって決定され、これは走査型電子顕微鏡（SEM）およびＡＦＭによってパターン化基板で検証することができた。核酸ナノ構造体のフィーチャ解像度と同様に、エッチング解像度は、核酸ナノ構造体の特徴およびエッチングの需要に応じて、２次元および３次元の側面に分けることができる。いくつかの実施形態では、エッチング解像度はフィーチャ解像度に一致し、同じ規模の識別可能性を示す。いくつかの実施形態では、例えば、歪みの可能性および欠陥の問題によって、核酸ナノ構造体のエッチング解像度は核酸ナノ構造体のフィーチャ解像度よりも低くなることがある。
【０１５６】
このようなフィーチャ解像度のパターン化基板は特に、例えば、現在の電子装置、プラズモン装置、フォトニクス装置、光起電力装置およびハイブリッド装置の製造に有用である。このような装置の例には、限定はしないが、回路（本明細書に参考として組み込んだGudiksen, M.S.らNature 415: 617-620, 2002）、集積回路（本明細書に参考として組み込んだMcAlpine, M.C.らNature Materials 6: 379-384, 2007）、キャパシタンス（本明細書に参考として組み込んだYu, C.らAdv. Mater. 21: 4793-4797, 2009）、トランジスタ（例えば、電気的または光学的に変調される）（本明細書に参考として組み込んだDattoli, E.N.、らNano Letters 7: 2463-2469, 2007）、導波管（本明細書に参考として組み込んだPavesi, L.らNature 408: 440-444, 2000）、レーザー共振キャビティ（本明細書に参考として組み込んだNoda, S.らNature Photonics 1: 449 - 458, 2007）、ＦＡＮＯ基板（本明細書に参考として組み込んだLuk'yanchuk, B.らNature Materials 9: 707-715, 2010）およびメタマテリアル（本明細書に参考として組み込んだSchnell, M.らNature Photonics 3: 287-291, 2009）が含まれる。基板の特定のパターンに限定はしない。核酸ナノテクノロジーの近年の進歩によって、理論的精度が２ｎｍに達する任意の形状の核酸ナノ構造体を構築することが可能である。したがって、本開示の裸の核酸ナノ構造体マスクは、例えば、目的の特定の最終製品装置（例えば、特定の電子装置の形状における）に基づいて作出することができる。
【０１５７】
いくつかの実施形態では、本開示のパターン化基板は「機能化」されている。パターン化基板は、その他の物体の基板への付着を可能にする部分を含有するならば、機能化されていると考えられる。基板の機能化に使用した部分の例には、限定はしないが、半導体粒子、金属粒子、カーボンナノチューブ、セラミックナノ粒子、金属酸化物ナノ粒子またはフッ化物ナノ粒子が含まれる。基板の機能化に使用した部分にはまた、限定はしないが、プラズモンナノ物質、蛍光／ルミネセンスナノ物質、強磁性ナノ物質、常磁性ナノ物質、反強磁性ナノ物質、超常磁性ナノ物質、半導体ナノ物質、導体ナノ物質または絶縁体ナノ物質が含まれる。
【０１５８】
いくつかの実施形態では、例えば、図９Ａ〜Ｂで示したように、裸の核酸ナノ構造体はナノ粒子（例えば、金、銀、銅および／またはニッケルナノ粒子）またはその他の成分（例えば、金属クラスター、酸化物（例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２）、カルコゲン化合物（例えば、ＣｕＳ、Ａｇ２Ｓ）、ナノワイヤー（例えば、ＣＮＴ、Ｓｉナノワイヤー）、ポリマー（例えば、PS、PMMA）および／または生体分子（例えば、タンパク質、ペプチド、アクチンフィラメント））によって機能化されている。裸の核酸ナノ構造体を機能化するために使用したナノ粒子またはその他の成分は、裸の核酸ナノ構造体のエッチングを支援するためには使用しないことを理解されたい。むしろ、ナノ粒子（例えば、金ナノ粒子またはその他の金属ナノ粒子）またはその他の成分は、パターン化基板（例えば、本開示の方法によって生成したパターン化基板）の機能成分となる。いくつかの実施形態では、ナノ粒子またはその他の成分は、裸の核酸ナノ構造体と基板表面の間に「サンドイッチ」される（例えば、図８参照のこと）。
【０１５９】
部分（例えば、ナノ粒子および／またはナノワイヤー）にカップリングしてこのような空間解像度を有するパターン化基板などの基板は特に、例えば、現在の電子装置、プラズモン装置、フォトニクス装置、光起電力装置およびハイブリッド装置の製造に有用である。このような装置の例には、限定はしないが、回路（本明細書に参考として組み込んだGudiksen, M.S.らNature 415: 617-620, 2002）、集積回路（本明細書に参考として組み込んだMcAlpine, M.C.らNature Materials 6: 379-384, 2007）、キャパシタンス（本明細書に参考として組み込んだYu, C.らAdv. Mater. 21: 4793-4797, 2009）、トランジスタ（例えば、電気的または光学的に変調される）（本明細書に参考として組み込んだDattoli, E.N.、らNano Letters 7: 2463-2469, 2007）、導波管（本明細書に参考として組み込んだPavesi, L.らNature 408: 440-444, 2000）、レーザー共振キャビティ（本明細書に参考として組み込んだNoda, S.らNature Photonics 1: 449 - 458, 2007）、ＦＡＮＯ基板（本明細書に参考として組み込んだLuk'yanchuk, B.らNature Materials 9: 707-715, 2010）およびメタマテリアル（本明細書に参考として組み込んだSchnell, M.らNature Photonics 3: 287-291, 2009）が含まれる。ナノ構造体（すなわち、結晶）の特定の設計には限定されない。核酸ナノテクノロジーの近年の進歩によって、理論的精度が２ｎｍに達する任意の形状の核酸ナノ構造体を構築することが可能である。したがって、本開示の核酸ナノ構造体は、例えば、目的の特定の最終製品装置（例えば、特定の電子装置の形状における）に基づいて作出することができる。
【０１６０】
いくつかの実施形態は、装置は、５０ｎｍ以下の空間解像度を有し、部分にカップリングしている相補的核酸抗ハンドルにハイブリダイズした核酸ハンドルを所定の位置に含有する核酸ナノ構造体（すなわち、結晶）（またはその他の２Ｄまたは３Ｄ基板）を基板（例えば、上面を有する平面の物体）に吸着／沈着させることによって生成する。「吸着」とは、原子、イオンまたは分子が表面に付着するプロセスを意味する。核酸吸着は、例えば、物理吸着、静電吸着または化学的吸着によって実現することができる。部分は、ナノ構造体が基板に吸着する前後に核酸ナノ構造体にカップリングさせてもよい。
【０１６１】
いくつかの実施形態では、機能化された部分を任意選択により有する核酸ナノ構造体の基板表面への吸着は物理吸着によって行われる。例えば、機能化された部分を任意選択により有する核酸ナノ構造体（すなわち、結晶）を溶液中でインキュベーションするために完全な基板を使用することができる。いくつかの実施形態では、平らな基板を彫って溝を形成する。これらの溝は、核酸ナノ構造体を捕らえ、沈着収率を増加させる。
【０１６２】
いくつかの実施形態では、核酸ナノ構造体（すなわち、結晶）の基板表面への吸着は静電吸着によって行われる。例えば、基板を最初にＭｇ２＋溶液とインキュベートしてＭｇ２＋飽和基板を生成することができる。次に、Ｍｇ２＋飽和基板を核酸ナノ構造体沈着のために使用する。
【０１６３】
いくつかの実施形態では、機能化された部分を任意選択により有する核酸ナノ構造体（すなわち、結晶）の基板表面への吸着は化学吸着によって行われる。例えば、基板は、例えば、ポリリシン、アミノシランまたはポリエチレンイミンポリ（アリルアミン塩酸塩）などのアミノ含有試薬で修飾して、化学的に修飾した基板を生成することができる。次に、化学的に修飾した基板を核酸ナノ構造体吸着のために使用する。
【０１６４】
いくつかの実施形態では、核酸ナノ構造体（すなわち、結晶）の基板表面への吸着は生体分子結合によって行われる。例えば、基板はストレプトアビジンで修飾して、ビオチン標識した核酸ナノ構造体を結合させることができる。
【０１６５】
いくつかの実施形態では、本開示の核酸ナノ構造体（すなわち、結晶）は、溶液（例えば、水）中でアセンブリするか、または溶液中に移す。いくつかの実施形態では、溶液中における核酸ナノ構造体の濃度は、１０ｐＭ〜１μΜである。例えば、溶液中における核酸ナノ構造体の濃度は、１０ｐＭから１ｎＭ、１０ｐＭから５００ｐＭ、５００ｐＭから１ｎＭ、１ｎＭから５００ｎＭまたは５００ｎＭから１μΜであってもよい。いくつかの実施形態では、溶液中の核酸結晶の濃度は、１０ｐＭ、５０ｐＭ、１００ｐＭ、１５０ｐＭ、２００ｐＭ、２５０ｐＭ、３００ｐＭ、３５０ｐＭ、４００ｐＭ、４５０ｐＭ、５００ｐＭ、５５０ｐＭ、６００ｐＭ、６５０ｐＭ、７００ｐＭ、７５０ｐＭ、８００ｐＭ、８５０ｐＭ、９００ｐＭ、９５０ｐＭ、１ｎＭ、１０ｎＭ、５０ｎＭ、１００ｎＭ、１５０ｎＭ、２００ｎＭ、２５０ｎＭ、３００ｎＭ、３５０ｎＭ、４００ｎＭ、４５０ｎＭ、５００ｎＭ、５５０ｎＭ、６００ｎＭ、６５０ｎＭ、６００ｎＭ、７５０ｎＭ、８００ｎＭ、８５０ｎＭ、９００ｎＭ、９５０ｎＭまたは１μΜまたはそれを上回る。
【０１６６】
いくつかの実施形態では、核酸ナノ構造体（すなわち、結晶）を含む溶液は、５分（ｍｉｎ）から１０時間（ｈｒ）の吸着工程中の基板上でのインキュベーションを可能にする。例えば、核酸ナノ構造体を含む溶液は、５分、１０分、１５分、２０分、３０分、４５分、６０分、２時間、２．５時間、３時間、３．５時間、４時間、４．５時間、６時間、６．５時間、７時間、７．５時間、８時間、８．５時間、９時間、９．５時間または１０時間またはそれを上回る吸着工程中の基板上でのインキュベーションを可能にし得る。いくつかの実施形態では、核酸ナノ構造体を含む溶液は、３０分から４時間の吸着工程中の基板上でのインキュベーションを可能にする。
【０１６７】
いくつかの実施形態では、基板ｃｍ２当たり１μｌ〜１０μｌの溶液を含む約１〜１００μｌを吸着工程中に基板に吸着させる。例えば、基板ｃｍ２当たりに沈着させる溶液の体積は、１μｌ、２μｌ、３μｌ、４μｌ、５μｌ、６μｌ、７μｌ、８μｌ、９μｌ、１０μｌまたは１００μｌまたはそれを上回ってもよい。
【０１６８】
いくつかの実施形態では、核酸ナノ構造体（すなわち、結晶）を１０ｐＭ〜１μΜの濃度で含有する溶液１μ１〜１０μｌを含む約１〜１００μｌを１５分間から４時間基板に吸着させる。
【０１６９】
サブ波長導波管
いくつかの実施形態では、部分（例えば、金属ナノ粒子）は制御可能な鎖内および鎖間の空間を有する３次元構造物内に整列させる。とりわけ、約５ｎｍ（例えば、４ｎｍ、５ｎｍ、６ｎｍ）の鎖内空間は、部分間の強い近接場カップリングを示し、ナノ粒子の伸長方向に沿った光子伝播に有利である。３次元空間に様々な配向で複数の鎖をさらに積層することによって、光伝播の３次元誘導が成し遂げられる。特に、これらの部分の導波管は、各部分の鎖が可視光波長（４００〜７００ｎｍ）よりもずっと小さいので、可視光以下の波長範囲の光を対象とすることができる。
【０１７０】
高密度情報記憶
いくつかの実施形態では、部分（例えば、ナノ粒子）は厚さ（例えば、直径または最短の長さ）方向に強力にカップリングさせ、一方横（例えば、最長の長さ）方向にはカップリングさせないで整列させる。このような構造物はさらに様々な電荷条件で情報を記憶するために使用することができる。最適な空間条件で、強力にカップリングした部分は複数の電荷状態を表し、それぞれが情報記憶のために固有のビットを有し、一方、横方向の密度は最大にして非カップリング系を維持するための横の空間を最小限にすることができる。したがって、いくつかの実施形態では、高密度情報記憶は、単一の位置における複数のビットおよび高い横密度の両方で実現する。
【０１７１】
１ｎｍのＦｉｎ−ＦＥＴによる集積回路
いくつかの実施形態では、１ｎｍ（または０．５ｎｍ、１．５ｎｍ、２．０ｎｍ、２．５ｎｍもしくは３ｎｍ）のフィン幅を有するＦｉｎ−ＦＥＴ設計を構築するためにカーボンナノチューブ（CNT）などのナノワイヤーを使用する。このようなフィーチャは、例えば、電子電流単位を原子レベルまで小型化するために有用である。数十億のＣＮＴを所定の構造物に統合するための基板（例えば、DNA結晶）の使用は、いくつかの実施形態では、既存の技術よりもずっと小さい寸法で中央処理装置（CPU）などの集積回路を構築するために適用することができる。さらに、ＤＮＡ特異的ＣＮＴパターニングは、いくつかの実施形態では、水性溶液中で、および可動性表面上で実現することができるので、このような溶液処理可能なファブリケーションを使用して、エネルギー消費が少なくて処理力が高いＧＯＯＧＬＥ（登録商標）ＧｌａｓｓおよびＡＰＰＬＥ（登録商標）Ｗａｔｃｈなどのウェアラブル装置のための可動性エレクトロニクスを製造することができる。
【０１７２】
さらなる実施形態
本開示はさらに、以下の番号付けした段落で記載した実施形態を提供する：
【０１７３】
１．  （ａ）基板の表面に裸の核酸ナノ構造体を吸着させる工程、および
（ｂ）裸の核酸ナノ構造体を吸着させた基板の表面をドライエッチングし、それによってパターン化基板を生成する工程
を含む核酸リソグラフィー方法。
【０１７４】
２．  裸の核酸ナノ構造体が裸のデオキシリボ核酸（DNA）ナノ構造体である、段落１に記載の方法。
【０１７５】
３．  裸の核酸ナノ構造体が裸のリボ核酸（RNA）ナノ構造体である、段落１に記載の方法。
【０１７６】
４．  裸の核酸ナノ構造体が裸のロックド核酸（LNA）ナノ構造体である、段落１に記載の方法。
【０１７７】
５．  裸の核酸ナノ構造体が裸のタンパク質核酸（PNA）ナノ構造体である、段落１に記載の方法。
【０１７８】
６．  ドライエッチングがプラズマエッチング、イオンビームエッチング、電子ビームエッチングおよびＸ線エッチングから選択される、段落１から５のいずれか１つに記載の方法。
【０１７９】
７．  裸の核酸ナノ構造体が裸の２次元核酸ナノ構造体である、段落１から６のいずれか１つに記載の方法。
【０１８０】
８．  裸の核酸ナノ構造体が裸の３次元核酸ナノ構造体である、段落１から６のいずれか１つに記載の方法。
【０１８１】
９．  基板が無機物質を含む、段落１から８のいずれか１つに記載の方法。
【０１８２】
１０．  基板が有機物質を含む、段落１から９のいずれか１つに記載の方法。
【０１８３】
１１．  基板がケイ素、シリカ、酸化物、窒化物、金属または非金属を含む、段落１から８のいずれか１つに記載の方法。
【０１８４】
１２．  基板が半導体または半導体の組合せを含む、段落１から８のいずれか１つに記載の方法。
【０１８５】
１３．  半導体がＩＩＩ〜Ｖ族の半導体またはＩＩ〜ＶＩ族の半導体である、段落１２に記載の方法。
【０１８６】
１４．  基板がポリマーフィルムを含む、段落１から８のいずれか１つに記載の方法。
【０１８７】
１５．  ポリマーフィルムがポリジメチルシロキサン（PDMS）またはポリ（メタクリル酸メチル）（PMMA）を含む、段落１４に記載の方法。
【０１８８】
１６．  裸の核酸ナノ構造体が、１本鎖ＤＮＡからアセンブリされた裸のＤＮＡナノ構造体である、段落１から１５のいずれか１つに記載の方法。
【０１８９】
１７．  裸のＤＮＡナノ構造体が合成１本鎖オリゴヌクレオチドからアセンブリされる、段落１６に記載の方法。
【０１９０】
１８．  裸のＤＮＡナノ構造体が少なくとも５０個の不均一な合成１本鎖オリゴヌクレオチドからアセンブリされる、段落１７に記載の方法。
【０１９１】
１９．  裸のＤＮＡナノ構造体が少なくとも１キロベースの長さの１本鎖ＤＮＡからアセンブリされる、段落１６から１８のいずれか１つに記載の方法。
【０１９２】
２０．  金属、金属酸化物または酸化物成長工程を含まない、段落１から２０のいずれか１つに記載の方法。
【０１９３】
２１．  （ａ）の吸着工程が、基板の表面を裸の核酸ナノ構造体を含む溶液と接触させることを含む、段落１から２０のいずれか１つに記載の方法。
【０１９４】
２２．  （ａ）の吸着工程が、物理吸着、静電吸着または化学吸着を含む、段落２１に記載の方法。
【０１９５】
２３．  裸の核酸ナノ構造体が、金属ナノ粒子、金属クラスター、酸化物、カルコゲン化合物、ナノワイヤー、ポリマーおよび／または生体分子によって機能化されている、段落１から２２のいずれか１つに記載の方法。
【０１９６】
２４．  フィーチャ解像度１０ｎｍ未満を有する段落１から２３のいずれか１つに記載の方法によって生成されたパターン化基板。
【０１９７】
２５．  パターン化基板のフィーチャ解像度が１ｎｍから１μｍである、段落２４に記載のパターン化基板。
【０１９８】
２６．  パターン化基板のフィーチャ解像度が５ｎｍから１μｍである、段落２５に記載のパターン化基板。
【０１９９】
２７．  パターン化基板のフィーチャ解像度が１ｎｍから２ｎｍである、段落２５に記載のパターン化基板。
【０２００】
２８．  段落２４から２７のいずれか１つに記載のパターン化基板を含む装置。
【０２０１】
２９．  電子装置、プラズモン装置、フォトニクス装置、光起電力装置またはハイブリッド装置である、段落２８に記載の装置。
【０２０２】
３０．  （ａ）第２の基板層上に位置する第１の基板層に裸の核酸ナノ構造体を吸着させる工程、
（ｂ）裸の核酸ナノ構造体を吸着させた第１の基板層の表面をドライエッチングまたはウェットエッチングし、それによって第２の基板層上に位置する第２のマスクを生成する工程、および
（ｃ）第２のマスクを吸着させた第２の基板層をドライエッチングし、それによってパターン化基板を生成する工程
を含む核酸リソグラフィー方法。
【０２０３】
３１．  裸の核酸ナノ構造体が裸のデオキシリボ核酸（DNA）ナノ構造体である、段落３０に記載の方法。
【０２０４】
３２．  裸の核酸ナノ構造体が裸のリボ核酸（RNA）ナノ構造体である、段落３０に記載の方法。
【０２０５】
３３．  裸の核酸ナノ構造体が裸のロックド核酸（LNA）ナノ構造体である、段落３０に記載の方法。
【０２０６】
３４．  裸の核酸ナノ構造体が裸のタンパク質核酸（PNA）ナノ構造体である、段落３０に記載の方法。
【０２０７】
３５．  工程（ｂ）および／または工程（ｃ）のドライエッチングがプラズマエッチング、イオンビームエッチング、電子ビームエッチングおよびＸ線エッチングから選択される、段落３０から３４のいずれか１つに記載の方法。
【０２０８】
３６．  裸の核酸ナノ構造体が裸の２次元核酸ナノ構造体である、段落３０から３５のいずれか１つに記載の方法。
【０２０９】
３７．  裸の核酸ナノ構造体が裸の３次元核酸ナノ構造体である、段落３０から３６のいずれか１つに記載の方法。
【０２１０】
３８．  第１の基板および／または第２の基板が無機物質を含む、段落３０から３７のいずれか１つに記載の方法。
【０２１１】
３９．  第１の基板および／または第２の基板が有機物質を含む、段落３０から３７のいずれか１つに記載の方法。
【０２１２】
４０．  第１の基板および／または第２の基板がシリコン、シリカ、酸化物、窒化物、金属または非金属を含む、段落３０から３７のいずれか１つに記載の方法。
【０２１３】
４１．  第１の基板および／または第２の基板が半導体または半導体の組合せを含む、段落３０から３７のいずれか１つに記載の方法。
【０２１４】
４２．  半導体がＩＩＩ〜Ｖ族の半導体またはＩＩ〜ＶＩ族の半導体である、段落４１に記載の方法。
【０２１５】
４３．  第１の基板および／または第２の基板がポリマーフィルムを含む、段落３０から３７のいずれか１つに記載の方法。
【０２１６】
４４．  ポリマーフィルムがポリジメチルシロキサン（PDMS）またはポリ（メタクリル酸メチル）（PMMA）を含む、段落４３に記載の方法。
【０２１７】
４５．  裸の核酸ナノ構造体が、１本鎖ＤＮＡからアセンブリされた裸のＤＮＡナノ構造体である、段落３０から４４のいずれか１つに記載の方法。
【０２１８】
４６．  裸のＤＮＡナノ構造体が合成１本鎖オリゴヌクレオチドからアセンブリされる、段落４５に記載の方法。
【０２１９】
４７．  裸のＤＮＡナノ構造体が少なくとも５０個の不均一な合成１本鎖オリゴヌクレオチドからアセンブリされる、段落４６に記載の方法。
【０２２０】
４８．  裸のＤＮＡナノ構造体が少なくとも１キロベースの長さの１本鎖ＤＮＡからアセンブリされる、段落４５から４７のいずれか１つに記載の方法。
【０２２１】
４９．  金属、金属酸化物または酸化物成長工程を含まない、段落３０から４８のいずれか１つに記載の方法。
【０２２２】
５０．  （ａ）の吸着工程が、基板の表面を裸の核酸ナノ構造体を含む溶液と接触させることを含む、段落３０から４９のいずれか１つに記載の方法。
【０２２３】
５１．  （ａ）の吸着工程が、物理吸着、静電吸着または化学吸着を含む、段落５０に記載の方法。
【０２２４】
５２．  裸の核酸ナノ構造体が、金属ナノ粒子、金属クラスター、酸化物、カルコゲン化合物、ナノワイヤー、ポリマーおよび／または生体分子によって機能化されている、段落１から２２のいずれか１つに記載の方法。
【０２２５】
５３．  フィーチャ解像度１０ｎｍ未満を有する段落３０から５２のいずれか１つに記載の方法によって生成されたパターン化基板。
【０２２６】
５４．  パターン化基板のフィーチャ解像度が１ｎｍから１μｍである、段落５３に記載のパターン化基板。
【０２２７】
５５．  パターン化基板のフィーチャ解像度が５ｎｍから１μｍである、段落５４に記載のパターン化基板。
【０２２８】
５６．  パターン化基板のフィーチャ解像度が１ｎｍから２ｎｍである、段落５４に記載のパターン化基板。
【０２２９】
５７．  段落５３から５６のいずれか１つのパターン化基板を含む装置。
【０２３０】
５８．  電子装置、プラズモン装置、フォトニクス装置、光起電力装置またはハイブリッド装置である、段落５７に記載の装置。
【０２３１】
５９．  ５０ｎｍ以下の空間解像度を有し、部分にカップリングしている相補的核酸抗ハンドルにハイブリダイズした核酸ハンドルを所定の位置に含有する基板
を含む装置。
【０２３２】
６０．  基板の空間解像度が１０ｎｍ以下である、段落５９に記載の装置。
【０２３３】
６１．  基板の空間解像度が１ｎｍから５０ｎｍである、段落５９に記載の装置。
【０２３４】
６２．  基板の空間解像度が１ｎｍから２５ｎｍである、段落６１に記載の装置。
【０２３５】
６３．  基板の空間解像度が２ｎｍから５ｎｍである、段落６２に記載の装置。
【０２３６】
６４．  基板が無機物質である、段落５９から６３のいずれか１つに記載の装置。
【０２３７】
６５．  基板が有機物質である、段落５９から６３のいずれか１つに記載の装置。
【０２３８】
６６．  基板が核酸結晶である、段落５９から６３のいずれか１つに記載の装置。
【０２３９】
６７．  基板が２種類以上の異なる物質のハイブリッドである、段落５９から６３のいずれか１つに記載の装置。
【０２４０】
６８．  基板がタンパク質層または核酸層を含む、段落５９から６３のいずれか１つに記載の装置。
【０２４１】
６９．  基板が２次元または３次元である、段落５９から６８のいずれか１つに記載の装置。
【０２４２】
７０．  クロスバー構成、キラル構成または平行な列を形成するために核酸ハンドルの一部を基板上に配置する、段落５９から６９のいずれか１つに記載の装置。
【０２４３】
７１．  部分がナノ粒子、ナノワイヤーまたは核酸である、段落５９から７０のいずれか１つに記載の装置。
【０２４４】
７２．  部分が半導体ナノ粒子または金属ナノ粒子である、段落５９から７０のいずれか１つに記載の装置。
【０２４５】
７３．  部分が金ナノ粒子である、段落５９から７０のいずれか１つに記載の装置。
【０２４６】
７４．  部分がカーボンナノチューブである、段落５９から７０のいずれか１つに記載の装置。
【０２４７】
７５．  部分が１本鎖核酸、２本鎖核酸または自己組織化した１次元、２次元もしくは３次元核酸ナノ構造体である、段落５９から７０のいずれか１つに記載の装置。
【０２４８】
７６．  部分の直径が１ｎｍから１００ｎｍである、段落５９から７５のいずれか１つに記載の装置。
【０２４９】
７７．  部分が部分の不均一な混合物を含む、段落５９から７６のいずれか１つに記載の装置。
【０２５０】
７８．  各抗ハンドルが個々の部分にカップリングしている、段落５９から７７のいずれか１つに記載の装置。
【０２５１】
７９．  抗ハンドルの一部が同じ部分にカップリングしている、段落５９から７８のいずれか１つに記載の装置。
【０２５２】
８０．  核酸ハンドルが基板の表面にカップリングしている、段落５９から７９のいずれか１つに記載の装置。
【０２５３】
８１．  核酸ハンドルが基板の単層にカップリングしている、段落５９から８０のいずれか１つに記載の装置。
【０２５４】
８２．  核酸ハンドルが基板の多層にカップリングしている、段落５９から８０のいずれか１つに記載の装置。
【０２５５】
８３．  核酸ハンドルが基板中に形成されたチャネルにカップリングしている、段落５９から８０のいずれか１つに記載の装置。
【０２５６】
８４．  ５０ｎｍ未満の空間解像度を有し、所定の位置に部分を含有する基板を含む装置であって、部分が核酸ハイブリダイゼーション相互作用、タンパク質−タンパク質相互作用、疎水性相互作用、静電相互作用、π−πスタッキング、空間的閉じ込めまたは電気泳動によって基板に間接的にカップリングしているか、または閉じ込められている装置。
【０２５７】
８５．  ５０ｎｍ未満の空間解像度および少なくとも１つのチャネルを有する基板を含む装置であって、部分が少なくとも１つのチャネルに空間的に閉じ込められ、少なくとも１つのチャネルの直径が部分の平均直径の２倍以下である装置。
【０２５８】
８６．  基板が核酸結晶である、段落８４または８５に記載の装置。
【０２５９】
８７．  部分がナノ粒子、ナノワイヤーまたは核酸である、段落８４または８５に記載の装置。
【０２６０】
８８．  電子装置、プラズモン装置、フォトニクス装置、光起電力装置またはハイブリッド装置である、段落５９から８７のいずれか１つに記載の装置。
【０２６１】
８９．  集積回路を含む、段落５９から８８のいずれか１つに記載の装置。
【０２６２】
９０．  基板の表面上に核酸結晶を沈着させる工程、および
部分にカップリングしている核酸抗ハンドルに相補的な核酸ハンドルを核酸結晶の所定の位置にカップリングさせる工程
を含む装置の製造方法。
【０２６３】
９１．  核酸ハンドルの相補的核酸抗ハンドルへのハイブリダイゼーションによって部分を核酸結晶にカップリングさせる工程をさらに含む、段落９０に記載の方法。
【０２６４】
９２．  基板の表面上に核酸結晶を沈着させた後、部分を核酸結晶にカップリングさせる、段落９１に記載の方法。
【０２６５】
本発明はさらに、以下の実施例によって例示されるが、これらは決してさらに限定するものではない。本出願全体にわたって引用した参考物（参考文献、発行された特許、公開された特許出願および同時係属中の特許出願）全ての全内容は、特に本明細書で参考にした教示のために、本明細書に参考として明示的に組み込まれる。
【実施例】
【０２６６】
実施例１
図１Ａは、本開示の一実施形態を例示しており、金ナノ粒子鎖がｙ方向に沿ってＤＮＡ結晶上に平行に整列している（図１Ａ）。ｘ−ｚ断面が８ヘリックス×４ヘリックスであり、ｙ次元の長さが９６塩基対である基本的なＤＮＡ単位セルを設計する。これによって、ヘリックス幅２．５ｎｍで塩基対当たり０．３２ｎｍと仮定して、１５ｎｍ×３０ｎｍのｘ−ｙ周期性が設計される。反復性ＤＮＡ単位セルはｘおよびｙ方向に沿って成長して、１個の金ナノ粒子を捕捉するために４個の均一に配列した１２−ｎｔ１本鎖ＤＮＡ（ssDNA）ハンドルを含むドメインを形成する。複数の１２−ｎｔ抗ハンドル（ハンドルに相補的な配列を有するssDNA）はまた、金ナノ粒子表面に固定される。ハンドルと抗ハンドルの間のハイブリダイゼーションによって、ＤＮＡ結晶の所定の位置に金ナノ粒子を係留する。設計された位置から外れる金ナノ粒子はそれぞれ、単位セル内の４個全てのハンドルに結合することはできず、不安定な整列していない生成物を最小限にするためにエネルギー損失が生じる。
【０２６７】
典型的な実験では、ＤＮＡ結晶は核酸鎖混合物を段階的等温の折りたたみによって折りたたんだ（鎖の化学量論を注意深く調節することなく、Ｔｒｉｓ  ５ｍＭ、ｐＨ７．９、ＥＤＴＡ  １ｍＭ、ＭｇＣｌ２  ４０ｍＭに未精製ＤＮＡ鎖それぞれ５００ｎＭ）。反応溶液は最初４４℃で１２時間維持し、その後３９℃でさらに１２時間インキュベートした。結晶を十分大きく成長させるために、新鮮な成長鎖を添加し（鎖の化学量論を注意深く調節することなく、Ｔｒｉｓ  ５ｍＭ、ｐＨ７．９、ＥＤＴＡ  １ｍＭ、ＭｇＣｌ２  ４０ｍＭに未精製ＤＮＡ鎖それぞれ５００ｎＭ）、反応を３９℃でさらに１２時間引き延ばした。精製せずに、ＮａＮＯ３  ４５０ｍＭの存在下で粗生成物を金ナノ粒子と暗所で室温で３時間混合した。金ナノ粒子とＤＮＡ結晶との間の化学量論的モルは、表面整列密度を最大限にし、溶液中の遊離金ナノ粒子を最小限にすることに基づいて調節した。その後、金−ＤＮＡコンジュゲートを銅グリッドに沈着させ、透過型電子顕微鏡（TEM）によって画像化した。
【０２６８】
ＴＥＭ画像化によって、８ｎｍ金ナノ粒子鎖で設計した伸長アレイがうまく形成されたことが確認された（図２Ａ〜Ｃ）。金ナノ粒子のアラインメント後、ｙ方向に沿った金ナノ粒子鎖のアレイが結晶表面上に認められた。３００個を上回るナノ粒子が各ＤＮＡ結晶上にうまく固定された。１次元鎖から３次元構造物に及ぶ５つのその他の構造物も８ｎｍおよび１３ｎｍ金ナノ粒子で生成した（図２Ａ〜Ｃ）。
【０２６９】
図３ＡおよびＢは、化学的に導いたＣＮＴパターニングを空間的に閉じ込める３ＤのＤＮＡ結晶を使用するためのプロセスを示す。モジュール式ＤＮＡブリックデザインに基づいて、５ｎｍの厚さの平行な溝を有する３ＤのＤＮＡ結晶を最初に設計した（図３Ａ）。次に、特異的１本鎖ＤＮＡ認識基を導入してＣＮＴ表面を完全に覆った。ＣＮＴを予め形成したＤＮＡ結晶と温和な条件でインキュベーションすると、平行なＣＮＴアレイがもたらされた（図３Ｂ）。典型的な実験において、予め形成したＤＮＡ結晶（上記プロトコルと同様）をＭｇＣｌ２  ７．５ｍＭの存在下で暗所で３５℃で９時間、１本鎖ＤＮＡを巻き付けたＣＮＴと混合し、その後４℃で冷却した。金ナノ粒子とＤＮＡ結晶との間の化学量論的モルは、表面整列密度を最大限にし、溶液中の遊離金ナノ粒子を最小限にすることに基づいて調節した。その後、ＣＮＴ−ＤＮＡコンジュゲートを銅グリッドに沈着させ、透過型電子顕微鏡（TEM）によって画像化した。
【０２７０】
実施例２
この実施例は、無機基板を所定の線状パターンに反応性イオン（プラズマ）エッチングするためのマスクとしてのロッド型ＤＮＡナノ構造体（幅１０ｎｍおよび長さ２μｍ）の使用について記載する。
【０２７１】
４×４ヘリックスによるＤＮＡロッドを形成するためのＤＮＡ自己組織化
１本鎖タイル（SST）ＤＮＡ鎖をポリメラーゼ連鎖反応（PCR）チューブ中で混合して、ＤＮＡの各鎖の最終濃度が１μΜの溶液を生成した。このＤＮＡ鎖の溶液（例えば、水を含む、または水からなる）９μｌおよび折りたたみ緩衝液１μｌを一緒にした（最終濃度：SST鎖０．９μΜ、ＴｒｉｓＣｌ  ５ｍＭ、ｐＨ＝７．９  ＥＤＴＡ  １ｍＭおよびＭｇＣｌ２  ４０ｍＭ）。一緒にした溶液をゆっくり振盪して溶液を均一化した。溶液中のＤＮＡをサーマルサイクラー中で以下のプログラムを使用して２４時間の段階的等温の折りたたみによってアニーリングした：８０℃１５分、４４℃１２時間、３９℃さらに１２時間。得られたＤＮＡナノ構造体はロッド型であった（図６Ａ〜６Ｃ）。
【０２７２】
ＤＮＡナノ構造体吸着
ロッド型ＤＮＡ（０．５×ＴＥ緩衝液、Ｍｇ２＋４０ｍＭ  塩基対１０ｎＭ）を含有する溶液１μｌを清潔なシリコンウェハ（５ｍｍ×５ｍｍサイズ）に移し、密封容器内で吸着を容易にするために飽和湿度下で１時間インキュベートした。次に、このウェハをＤＩ水で洗浄して残存する溶液を除去し、圧縮気流によって乾燥させた。
【０２７３】
反応性イオンエッチング
４×４ヘリックスＤＮＡロッドを含有するシリコン基板のエッチングを、反応性イオンエッチング装置を装備した誘導結合プラズマ（ICP）反応器（Surface Technology Systems Co.）で実施した。エッチングパラメータには、チャンバー圧１５ｍｂａｒ、ＣＨＦ３ガス１０立方センチメートル毎分（ＳＣＣＭ）、ＩＣＰ電極電力３００Ｗ、ＲＦバイアス電極電力１２Ｗおよびエッチング期間２分が含まれる。
【０２７４】
図６Ａ〜６Ｃに示したように、２つの重なり合うＤＮＡロッドによって形成される連結部の厚さおよび複合した構造の３次元フィーチャは、エッチングしたシリコン基板上に保持された。
【０２７５】
実施例３
ＤＮＡナノ構造体の基板への沈着およびその後の脱塩および乾燥：
以下の実施例は非限定的であり、本明細書で記載したような一連の核酸ナノ構造体および基板および条件は、同じような所望する結果を達成するために使用することができることを理解されたい。
【０２７６】
２ｎｍの深さの裸の３次元ＤＮＡナノ構造体（例えば、ナノ構造体濃度１０ｐＭ〜１μΜ、長さが少なくとも３２塩基対）を含む溶液（例えば、０．５×Ｔｒｉｓ−エチレンジアミン四酢酸（TE）緩衝液、Ｍｇ２＋４０ｍＭ；またはＮａＮＯ３１００ｍＭ〜１Ｍ）を基板（例えば、基板ｃｍ２当たり１〜１００μｌ溶液）に吸着させ、ＤＮＡナノ構造体を沈着させるためにこの溶液を基板上で（例えば、３０分間から４時間）４〜２５℃で５０〜１００％湿度でインキュベートする。沈着後、その後の脱塩プロセスのためにこの溶液を除去する（例えば、拭き取りおよび／または強制的な気流によって）。脱塩プロセスは、最終乾燥工程の前にＤＮＡナノ構造体および基板から残存する無機塩を除去するために適用する。
【０２７７】
実施例４
ＤＮＡ鋳型上の金属性薄層のコーティングまたはＰＶＤ、その後のリフトオフプロセス
以下の実施例は非限定的であり、本明細書で記載したような一連の核酸ナノ構造体、基板、沈着物質またはコーティングおよび条件は、同じような所望する結果を達成するために使用することができることを理解されたい。
【０２７８】
ロッド型の３ＤのＤＮＡブリック結晶（幅５０ｎｍ、長さ１μｍ）をシリコン基板上に沈着し、その後脱塩し乾燥した。その後、乾燥基板をスパッタリングコーティング装置で５ｎｍの金フィルムによってコーティングした。次に、（図１２）に示したように、３ＤのＤＮＡブリック結晶を分解し、結晶の上部のＡｕシェルをリフトオフするために、Ａｕコーティング基板を超音波槽内で純水で洗浄した。ＳＥＭ画像上で、ＤＮＡブリック結晶によって覆われた領域はＡｕ沈着を有さず、したがってＡｕ沈着したバックグラウンドよりも暗く見える。ＤＮＡブリック結晶の境界周辺には、より強い電子散乱光効果を有する金シェル／側壁がある。したがって、ＤＮＡ鋳型の元の位置を示す明るい輪郭を認めることができる。
【０２７９】
実施例５
基板に部分を印刷するための鋳型としての３Ｄ  ＤＮＡナノ構造体の使用
以下の実施例は非限定的であり、本明細書で記載したような一連の核酸ナノ構造体、部分および基板および条件は、同じような所望する結果を達成するために使用することができることを理解されたい。
【０２８０】
金ナノ粒子パターンによって機能化された３次元ＤＮＡナノ構造体（例えば、ナノ構造体濃度１０ｐＭ〜１μΜ、長さが少なくとも３２塩基対）を含む溶液（例えば、０．５×Ｔｒｉｓ−エチレンジアミン四酢酸（TE）緩衝液、Ｍｇ２＋４０ｍＭ；またはＮａＮＯ３１００ｍＭ〜１Ｍ）は、効果的な沈着のためにプラズマ処理したＰＤＭＳ基板上で（例えば、３分間から４時間）４〜２５℃で５０〜１００％湿度でインキュベートした。次に、この溶液を除去し（例えば、拭き取りによって、および／または強制的な気流によって）、すぐに標的基板に面するＤＮＡ沈着側のある清潔なシリコン基板に１ｂａｒから５０ｂａｒの圧力によって５分から１時間の期間ＰＤＭＳ基板を押しつけた。最後に、ＰＤＭＳ基板を剥がしてＤＮＡナノ構造体を除去すると、金ナノ粒子パターンがシリコンウェハ上に残存した。このプロセスおよび実験結果を図１３に例示する。
【０２８１】
実施例６
エピタキシャル成長
以下の実施例は非限定的であり、本明細書で記載したような一連の種および条件は、同じような所望する結果を達成するために使用することができることを理解されたい。
【０２８２】
典型的なエピタキシャル成長を図１４に例示し、以下のように進行することができる：
（１）種形成：１本鎖ＤＮＡブリック（例えば、各ブリックについて１００ｎＭ〜１μΜ濃度、長さが少なくとも３２塩基対）を含む種溶液（例えば、０．５ｘＴｒｉｓ−エチレンジアミン四酢酸（TE）緩衝液、Ｍｇ２＋４０ｍＭ）を最初に８０℃で１５分間、その後４４℃で１２時間、３９℃で２４時間そして３１℃で８時間インキュベートする。
（２）エピタキシャル成長：１本鎖ＤＮＡブリック（例えば、各ブリックについて１００ｎＭ〜１μΜ濃度、長さが少なくとも３２塩基対）を含む成長溶液（例えば、０．５ｘＴｒｉｓ−エチレンジアミン四酢酸（TE）緩衝液、Ｍｇ２＋４０ｍＭ）を最初に８０℃で１５分間インキュベートし、その後３８℃まで冷却する。その後、予め形成した種溶液を成長溶液に添加し、その後３８℃で４８時間、３３℃で４８時間および３１℃で８時間さらにインキュベートする。
【０２８３】
エピタキシャル成長のために、種形成温度は３１℃から７０℃の範囲で、Ｍｇ濃度は５ｍＭから６０ｍＭの範囲である。各温度で、インキュベーション時間は１分から１週間まで変化させることができる。それぞれ同一または異なる温度の複数（３つ以上）の成長段階が成長経路に応じて存在してもよい。
【０２８４】
いくつかの本発明の実施形態を本明細書で記載し例示したが、当業者であれば、機能の実施および／または結果の獲得および／または本明細書で記載した利点の１つまたは複数のために種々のその他の手段および／または構造体が容易に予想でき、このような変化および／または修飾のそれぞれは本明細書で記載した本発明の実施形態の範囲内に入るものとみなされる。より一般的に、当業者であれば、本明細書で記載したパラメータ、寸法、物質および構成は全て例示であり、実際のパラメータ、寸法、物質および／または構成は本発明の教示を使用する特定の適用に左右されることも容易に理解されよう。当業者であれば、日常的な実験のみを使用して、本明細書で記載した特定の本発明の実施形態には多くの同等物があることを認識するか、または確認することができるであろう。したがって、前述の実施形態は例としてのみ提示されており、添付の特許請求の範囲およびそれらと同等物の範囲内で、本発明の実施形態は具体的に記載し請求したもの以外の別の方法で実施することができることを理解されたい。本開示の本発明の実施形態は、本明細書で記載したそれぞれ個々の特性、系、物品、物質、キットおよび／または方法を対象とする。さらに、２種類以上のこのような特性、系、物品、物質、キットおよび／または方法のいかなる組合せも、このような特性、系、物品、物質、キットおよび／または方法が互いに矛盾しないならば、本開示の発明の範囲内に含まれる。
【０２８５】
本明細書で定義し使用したような定義は全て、辞書的定義、参考として組み入れた書類における定義、および／または定義した用語の通常の意味を制御することを理解されたい。
【０２８６】
本明細書で開示した参考文献、特許および特許出願は全て、それぞれが引用され、場合によっては書類全体を包含することができる主題に関する参考として本明細書に組み込まれる。
【０２８７】
明細書および特許請求の範囲において、本明細書で使用したような不定冠詞「ａ」および「ａｎ」は、明確に反対が示されていない限り、「少なくとも１つ」を意味するものと理解されたい。
【０２８８】
明細書および特許請求の範囲において、本明細書で使用したような表現「ａｎｄ／ｏｒ」は、連係する要素、すなわち、場合によっては接続的に存在する要素、その他の場合では分離して存在する要素の「いずれかまたは両方」を意味するものと理解されたい。「ａｎｄ／ｏｒ」で挙げた複数の要素は同じようなものであり、すなわち、このように連係した要素の「１個または複数」であるものとする。「ａｎｄ／ｏｒ」節によって特異的に同定した要素以外のその他の要素は、特異的に同定したこれらの要素に関係しようと関係しなかろうと任意選択により存在していてもよい。したがって、非限定的例として、「Ａおよび／またはＢ」とは、「含む（comprising）」などの非限定的言い回しと併せて使用したとき、一実施形態では、Ａのみ（任意選択によりＢ以外の要素を含む）；別の実施形態では、Ｂのみ（任意選択によりＡ以外の要素を含む）；さらに別の実施形態では、ＡおよびＢの両方（任意選択によりその他の要素を含む）などを意味することができる。
【０２８９】
本明細書で、明細書および特許請求の範囲において使用したように、１つまたは複数の要素のリストに対して「少なくとも１つの」という表現は、要素のリストの中の任意の１つまたは複数の要素から選択された少なくとも１つの要素を意味するが、要素のリスト内に特異的にリストしたありとあらゆる要素の少なくとも１つを必ずしも含まず、要素のリストの中の要素の任意の組合せを排除しないことを理解されたい。この定義ではまた、特異的に同定したこれらの要素に関係しようと関係しなかろうと、「少なくとも１つ」という表現が意味する要素のリスト内で特異的に同定した要素以外の要素が任意選択により存在することが可能である。したがって、非限定的な例として、「ＡおよびＢの少なくとも１つ」（または、同等に、「ＡまたはＢの少なくとも１つ」、または、同等に、「Ａおよび／またはＢの少なくとも１つ」）は、一実施形態では、少なくとも１つ、任意選択により、１つを上回るＡを含み、Ｂが存在しないこと（および任意選択によりＢ以外の要素を含む）；別の実施形態では、少なくとも１つ、任意選択により１つを上回るＢを含み、Ａが存在しないこと（および、任意選択によりＡ以外の要素を含む）；さらに別の実施形態では、少なくとも１つ、任意選択により１つを上回るＡを含み、少なくとも１つ、任意選択で１つを上回るＢを含むこと（および、任意選択によりその他の要素を含む）などを意味することができる。
【０２９０】
特に反対のことが示されていない限り、１つを上回る工程または動作を含む本明細書で請求した任意の方法において、この方法の工程または動作の順番は、方法の工程または動作を引用した順番に必ずしも限定されないことも理解されたい。
【０２９１】
特許請求の範囲において、ならびに上記の明細書において、「含む（comprising）」、「含む（including）」、「担持する（carrying）」、「有する（having）」、「含有する（containing）」、「含む（involving）」、「保持する（holding）」、「含む（composed of）」などの移行句は全て非限定的であり、すなわち、含むことを意味するが、限定は意味しないことを理解されたい。移行句「なる（consisting of）」および「本質的になる（consisting essentially of）」のみが限定的または半限定的移行句で、それぞれ、Ｕｎｉｔｅｄ  Ｓｔａｔｅｓ  Ｐａｔｅｎｔ  Ｏｆｆｉｃｅ  Ｍａｎｕａｌ  ｏｆ  Ｐａｔｅｎｔ  Ｅｘａｍｉｎｉｎｇ  Ｐｒｏｃｅｄｕｒｅｓ、Ｓｅｃｔｉｏｎ  ２１１１．０３に述べられた通りである。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図２Ｆ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１４】
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【国際調査報告】
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