(57)【要約】  装置は、第１のパッケージ及び第２のパッケージの各々が、第１の面と、反対側の第２の面とを有した、第２のパッケージに結合された第１のパッケージと、第１のパッケージに結合された第１のダイと、第２のパッケージの第２の面に結合された第２のダイとを有し、第１のパッケージは、第２のパッケージの第１の面が第１のパッケージの第２の面に面するように積層構成で第２のパッケージに結合される。方法は、積層構成で第１のパッケージを第２のパッケージに結合することを有し、第１のパッケージは、第１のパッケージ基板及び第１のダイを有し、第２のパッケージは、第２のパッケージ基板及び第２のダイを有し、第２のダイは、第１のパッケージ基板とは反対側の第２のパッケージ基板の面に配置される。
2017503360.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のパッケージ及び第２のパッケージの各々が、第１の面と、反対側の第２の面とを有した、第２のパッケージに結合された第１のパッケージと、
前記第１のパッケージに結合された第１のダイと、
前記第２のパッケージの前記第２の面に結合された第２のダイと
を有し、
前記第１のパッケージは、前記第２のパッケージの前記第１の面が前記第１のパッケージの前記第２の面に面するように積層構成で前記第２のパッケージに結合されている、
装置。
【請求項２】
前記第１のダイは、前記第１のパッケージの前記第１の面に結合されている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第１のパッケージは、前記第２のパッケージに、各パッケージの表面のうちの内側部分でのコンタクトを介して結合されている、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記第１のパッケージは、前記第２のパッケージに、周辺配置されたコンタクト箇所でのコンタクトを介して結合されている、請求項２に記載の装置。
【請求項５】
前記第１のダイは、前記第１のパッケージの前記第２の面に結合されている、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記第１のパッケージは、前記第２のパッケージに、周辺配置されたコンタクト箇所を介して結合されている、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記第２のパッケージは、前記第１の面上の複数のコンタクト箇所と、該複数のコンタクト箇所のうちのそれぞれのコンタクト箇所及び前記第１のパッケージの前記第２の面上のコンタクト箇所に結合されるビアバーとを有する、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記ビアバーは、前記第１のパッケージの前記第２の面上の前記コンタクト箇所の上のはんだ接続に結合される、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記第１のダイは、前記第１のパッケージの前記第１の面に結合されている、請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
前記第１のダイは、前記第１のパッケージの前記第２の面に結合されている、請求項７に記載の装置。
【請求項１１】
第１のパッケージを第２のパッケージの上にして積層構成で第２のパッケージに結合された第１のパッケージを有するパッケージ・オン・パッケージ構成を有し、
前記第１のパッケージは、第１のパッケージ基板及び第１のダイを有し、前記第２のパッケージは、第２のパッケージ基板及び第２のダイを有し、
前記第２のダイは、前記第１のパッケージ基板とは反対側の前記第２のパッケージ基板の面に配置されている、
装置。
【請求項１２】
前記第１のダイは、前記第２のパッケージ基板とは反対側の前記第１のパッケージ基板の面に結合されている、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記第１のパッケージは、前記第２のパッケージに、各パッケージの表面のうちの内側部分でのコンタクトを介して結合されている、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記第１のパッケージは、前記第２のパッケージに、周辺配置されたコンタクト箇所でのコンタクトを介して結合されている、請求項１２に記載の装置。
【請求項１５】
前記第１のダイは、前記第２のパッケージ基板に面する前記第１のパッケージ基板の面に結合されている、請求項１１に記載の装置。
【請求項１６】
積層構成で第１のパッケージを第２のパッケージに結合することを有し、前記第１のパッケージは、第１のパッケージ基板及び第１のダイを有し、前記第２のパッケージは、第２のパッケージ基板及び第２のダイを有し、前記第２のダイは、前記第１のパッケージ基板とは反対側の前記第２のパッケージ基板の面に配置される、
方法。
【請求項１７】
前記第１のダイは、前記第２のパッケージ基板とは反対側の前記第１のパッケージ基板の面に結合される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
第１のパッケージを第２のパッケージに結合することは、各パッケージの表面のうちの内側部分でのコンタクトを介して結合することを有する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
第１のパッケージを第２のパッケージに結合することは、周辺配置されたコンタクト箇所でのコンタクトを介して結合することを有する、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１のダイは、前記第２のパッケージ基板に面する前記第１のパッケージ基板の面に結合される、請求項１６に記載の方法。
【請求項２１】
請求項１６乃至２０の何れかに記載の方法によって製造された集積回路パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
集積回路パッケージングに関する。
【背景技術】
【０００２】
モバイル用途では、小さいパッケージフォームファクタ（フットプリント及びｚ高さ）、及び低いパッケージングコストが、新たな製品にとっての重要な要件である。モジュールフットプリントを縮小するために、１つのパッケージが別のパッケージに積層配置（ｚ方向で一方が他方の上）で接続されるパッケージ・オン・パッケージ（ＰｏＰ）アセンブリが使用されている（例えば、アプリケーションプロセッサの頂部上のメモリ）。ｘｙ方向フットプリントを縮小する一方で、ＰｏＰ構成はモジュールのｚ方向の厚さ又は高さ（“ｚ高さ”）を増大させる。現行技術のＰｏＰモジュールテクノロジは、１ミリメートル程度又はそれより大きいｚ高さを有する。典型的なＰｏＰソリューションはまた、頂部パッケージと底部パッケージとの間に、限られた数のインターコネクトを可能にするのみである。典型的に、インターコネクトは、底部パッケージのファンアウト領域又は周辺領域に配置される。インターコネクト帯域幅を増大させるために、追加のリルーティング（再経路付け）層、又はより詰まったインターコネクト用ジオメトリを用いることができるが、そのようなソリューションはパッケージングコストを上昇させる傾向にある。
【図面の簡単な説明】
【０００３】
【図１】取り付けるパッケージ基板に対してハンギング構成又はオポッサム構成でダイを有する底部若しくは支持パッケージを含んだ、パッケージ・オン・パッケージ（ＰｏＰ）アセンブリの一実施形態の側断面図を示している。
【図２】取り付けるパッケージ基板に対してハンギング構成又はオポッサム構成でダイを有する底部若しくは支持パッケージを使用した、ＰｏＰアセンブリの他の一実施形態の側断面図を示している。
【図３】下に位置するパッケージ又は支持パッケージが、特には頂部パッケージへの周辺インターコネクトを有する埋込ウエハレベルボールグリッドアレイ（例えば、ｅＷＬＢ）パッケージであるウエハレベルパッケージングに基づいた、ＰｏＰアセンブリの他の一実施形態の側断面図を示している。
【図４】頂部パッケージへのエリア的インターコネクトを有する底部パッケージとしてオポッサム・ファンアウト・ウエハレベルパッケージを有した、ＰｏＰアセンブリの他の一実施形態の側断面図を示している。
【図５】ｅＷＬＢをｅＷＬＢオポッサム構成で使用するプレＰｏＰアセンブリの側断面図を示している。
【図６】表面に接着剤フォイルが配置され、該接着剤フォイル上に多数のビアバーが配置されたモールドキャリアの側面図を示している。
【図７】接着剤層からのビアバー及び成形材料の分離と、それへのダイの接続との後の図６の構造を示している。
【図８】成形材料の薄化の後の図７の構造を示している。
【図９】コンピューティング装置の一実施形態を例示している。
【発明を実施するための形態】
【０００４】
図１は、取り付けるパッケージ基板に対してハンギング（吊り下げ）構成又はオポッサム（フクロネズミ状）構成でダイを有する底部パッケージ若しくは支持パッケージを含んだ、パッケージ・オン・パッケージ（ＰｏＰ）アセンブリの一実施形態の側断面図を示している。図１を参照するに、ＰｏＰアセンブリ１００は、積層構成でパッケージ１３０に接続されたパッケージ１１０を含んでいる（図示のｚ方向でパッケージ１１０がパッケージ１３０の上方又は上）。
【０００５】
パッケージ１１０は、パッケージ基板１１５を含んでおり、その表面に、ダイ１２０が、例えばダイのコンタクト箇所とパッケージ基板との間でのバンプ形成又はリフロープロセスにより（それぞれ場合によりアンダーフィルを含む）、電気的且つ物理的に接続されている。代表的に、ダイ１２０はメモリダイである。パッケージ１１０はまた、パッケージ１１０を底部パッケージ又は支持パッケージ１３０に接続するよう動作可能なインターコネクト１５０（例えば、はんだバンプ）を含んでいる。
【０００６】
図１に示すＰｏＰアセンブリ１００のパッケージ１３０は、パッケージ基板１３５を含んでおり、それにダイ１４０（例えば、フリップチップマイクロプロセッサ）が、バンプ形成又はリフロープロセスにより（場合によりアンダーフィルを含む）、電気的且つ物理的に接続されている。図１に示すように、ダイ１４０は、ｚ方向に関してダイ１４０がパッケージ基板１３５より下にあるように、及びそれ故に、見ての通りパッケージ基板１３５に対してオポッサム型又はハンギング型のダイ構成にあるように、パッケージ基板１３５の１つの面に接続されている。換言すれば、各パッケージ基板が、それぞれのダイが接続される（ダイ１２０がパッケージ基板１１５に、そしてダイ１４０がパッケージ基板１３５に）ダイ面と、反対面又は裏面とを含むとして、パッケージ基板１１５の裏面がパッケージ基板１３５の裏面に面する。
【０００７】
ＰｏＰアセンブリ１００において、見ての通り、パッケージ１１０をパッケージ１３０の上又は上方にして、ダイ１４０は、ダイ１２０のパッケージ基板１１５への取り付けに対して、パッケージ基板１３５への取り付けに関してハンギング又はオポッサム構成にある。パッケージ基板１３５はまた、当該パッケージ基板のダイ面にコンタクトパッド１５５を含んでいる。図示の実施形態において、ＰｏＰアセンブリ１００は基板１７５に接続されており、基板１７５は例えば、代表的には例えば電話又はその他のポータブルコンピューティング装置などのモバイル用途で使用される印刷回路基板である。ＰｏＰアセンブリ１００は、基板１７５に、パッケージ基板１３５のコンタクトパッド１５５と基板１７５の対応するコンタクトパッドとの間のはんだ接続１６０（はんだボール）を介して接続されている。一実施形態において、基板へのインターコネクト及び再配線層を含めてダイ１４０の厚さ又は高さｈ１は、はんだ接続１６０の厚さ又は高さｈ２より小さい。
【０００８】
アセンブリ１００を参照するに、パッケージ１３０へのパッケージ１１０の接続に関して、その接続は、各パッケージのおよそエリア（面積）表面に配列されたコンタクト又はコンタクトパッドへのはんだ接続を介して為されることができる。代表的に、図１は、内側領域１８０と周辺領域１８５とを有するパッケージ基板１１５を示しており、内側領域１８０と周辺領域１８５とが合わさってパッケージのエリア表面を画成している。図示のように、コンタクトパッドは、およそ内側領域１８０に、そしておよそ周辺領域１８５にも配列されている。このようなコンタクトパッドは、基板製造段階において、内側領域１８５への配線又はインターコネクトをルーティング又は分配し、それらの配線又はインターコネクトへのコンタクトパッドを形成することによって形成され得る。パッケージ基板１１５とパッケージ１３０との間の相互接続箇所にパッケージ基板１１５の内側領域１８０を使用できることは、周辺（周辺領域１８５内のみ）に配置されたコンタクトパッドのみを有するパッケージ基板と比較して、増加された数の相互接続箇所を提供する。図１は、ダイ１４０が接続される基板の面とは反対側の表面にコンタクトパッド１４５が配置されたパッケージ基板１３５を示している。コンタクトパッド１４５は、パッケージ基板１１５（当該パッケージ基板の内側領域を含む）のコンタクトパッド１２５とアライメントされ、はんだ接続１５０（はんだボール）が、パッケージ同士をそれぞれのコンタクトパッドを介して接続する。
【０００９】
図２は、取り付けるパッケージ基板に対してハンギング構成又はオポッサム構成でダイを有する底部若しくは支持パッケージを使用した、ＰｏＰアセンブリの他の一実施形態の側断面図を示している。図２を参照するに、アセンブリ２００は、積層構成でパッケージ２３０に接続されたパッケージ２１０を含んでいる（図示のｚ方向で一方が他方の上方又は上）。パッケージ２１０は、パッケージ基板２１５を含んでおり、その表面に、ダイ２２０が、バンプ形成又はリフロープロセスにより（場合によりアンダーフィルプロセスを含む）、電気的且つ物理的に接続されている。代表的に、ダイ２２０はフリップチップメモリダイである。図２はまた、パッケージ２１０が、ダイ２２０が接続される面とは反対側の基板の面にコンタクトパッド２２５を含むことを示している。コンタクトパッド２２５は、パッケージ基板の内側領域２８０の周辺である領域２８５に配置されている。一実施形態において、コンタクトパッド２２５は、長方形又は正方形の形状を有するパッケージ基板２１５の表面の四辺の外縁又はエッジに沿って配置される。
【００１０】
図２のＰｏＰアセンブリ２００のパッケージ２３０は、パッケージ基板２３５を含んでおり、それにダイ２４０（例えば、フリップチップマイクロプロセッサ）が、バンプ形成又はリフロープロセスにより（場合によりアンダーフィルを含む）接続されている。図示のように、ダイ２４０は、ｚ方向に関してダイ２４０がパッケージ基板２３５より下にあるように、及びそれ故に、パッケージ基板２３５に対してオポッサム型又はハンギング型のダイ構成にあるように、パッケージ基板２３５の１つの面に接続されている。パッケージ２３０のパッケージ基板２３５は、ダイ２４０が取り付けられる面とは反対側の基板の面に配置されたコンタクトパッド２４５を含んでいる。コンタクトパッド２４５は、パッケージ基板の表面に周辺配置にて配置されるとともに、パッケージ２１０のコンタクトパッド２２５と位置を揃えられている。図２は、パッケージ同士を電気的に接続するためにパッケージ２１０のコンタクトパッド２２５とパッケージ２３０のコンタクトパッド２４５との間に配置されたはんだ接続２５０（はんだボール）を示している。パッケージ２３０のパッケージ基板２３５はまた、当該パッケージ基板のダイ面に配置されたコンタクトパッド２５５を含んでいる。図２は、ＰｏＰアセンブリ２００を例えば印刷回路基板などの基板に接続するよう作用可能な、コンタクトパッド２５５に接続されたはんだ接続２６０を示している。
【００１１】
図１及び図２の各々に示した実施形態において、各アセンブリは代表的に、オポッサム型又はハンギング型のダイ構成を有するフリップチップボールグリッドアレイパッケージ上に配置された、例えば商用メモリパッケージなどのパッケージを含む。ＰｏＰアセンブリの底部若しくは支持パッケージ（例えば、図１のパッケージ１３０、図２のパッケージ２３０）にオポッサム型又はハンギング型のダイ構成を使用することにより、アセンブリのｚ高さが最小化される。一実施形態において、図１のパッケージアセンブリ１００及び図２のパッケージアセンブリ２００の双方の代表的なｚ高さは、１ミリメートル（ｍｍ）程度である。
【００１２】
図３は、下に位置するパッケージ又は支持パッケージが、特には埋込ウエハレベルボールグリッドアレイ（例えば、ｅＷＬＢ）パッケージであるウエハレベルパッケージングに基づいた、ＰｏＰアセンブリの他の一実施形態の側断面図を示している。ｅＷＬＢでは、パッケージがダイコンタクトに関する再配線層の周りに形成される。図３は、ｚ方向でパッケージ３１０をパッケージ３３０の上及び上方にした積層構成で、パッケージ３３０に電気的に接続されたパッケージ３１０を含んだ、ＰｏＰアセンブリ３００の側断面図を示している。パッケージ３１０はパッケージ基板３１５を含んでいる。例えばメモリダイの、ダイ３２０が、パッケージ基板３１５の表面（見ての通りでの頂面）上のコンタクトに電気的且つ物理的に接続されている。パッケージ基板３１５は、ダイ３２０が取り付けられる面とは反対側の面で、パッケージ基板のおよそ周辺領域に配置されたコンタクトパッド３２５を含んでいる。周辺領域３８５は、内側領域３８０の周辺であり、一実施形態において、四辺の矩形パッケージ基板の各辺の外縁又はエッジを囲み込む。
【００１３】
図３のＰｏＰアセンブリ３００のパッケージ３３０は、再配線層３３５に直接的に接続された、例えばマイクロプロセッサの、ダイ３４０を含んでいる。再配線層３３５は、（ダイ３４０に接続する）ダイ面上のコンタクトパッドと、ダイ３４０が接続される面とは反対側の面上のコンタクトパッド３４５とを、これら間の電気配線及びインターコネクトとともに含んでいる。成形（モールディング）材料３４３内に埋め込まれた又は配置されたビアバー（棒状ビア）３４８が、コンタクトパッド３４５に接続されている。図示のように、ビアバー３４８は、パッケージ基板の周辺領域付近に形成されるとともに、パッケージ基板３１５のコンタクトパッド３２５と位置を揃えられる。他の一実施形態において、ビアバーの代わりに、モールド貫通ビア（through  mold  via；ＴＭＶ）が使用され得る。
【００１４】
パッケージ３１０は、コンタクトパッド３２５とビアバー３４８との間のはんだ接続３５０を介してパッケージ３３０に接続されている。刷回路基板である基板にアセンブリ３００を電気的に接続するため、ダイ３４０を含んだパッケージ３３０の面のコンタクトパッドに、はんだ接続３６０が接続されている。
【００１５】
図４は、ＰｏＰアセンブリの他の一実施形態の側断面図を示している。アセンブリ４００は、見ての通りパッケージ４１０をパッケージ４３０の上方にして、ｚ方向に関して積層構成で、パッケージ４３０に接続されたパッケージ４１０を含んでいる。一実施形態において、パッケージ４１０は、パッケージ基板４１５のダイ面又は第１の面上のコンタクト箇所に電気的且つ物理的に接続された、例えばメモリダイなどのダイ４２０を含む。パッケージ基板４１５は、ダイ面とは反対側の当該パッケージ基板の第２の面上にコンタクトパッド４２５を有している。これらのコンタクトパッドは、パッケージ基板のおよそ内側領域４８０及び周辺領域４８５に配置されている。一実施形態において、パッケージ４１０は、フリップチップボールグリッドアレイパッケージである。
【００１６】
図４に示したアセンブリ４００内のパッケージ４３０は、再配線層４３５と成形材料４４３内に埋め込まれたビアバー４４８とを含むｅＷＬＢ構成にて配置されたダイ４４０を含んでいる。誘電体材料を含む再配線層は、ダイ４４０のコンタクト箇所に接続される第１の面（見ての通りでの底面）上のコンタクト箇所と、導電インターコネクト／配線と、当該再配線層４３５の第２の面（見ての通りでの頂面）上の第２のコンタクト箇所への接続を再分配するためのインターコネクトとを含む。これらのコンタクト箇所のそれぞれが、個々のビアバー４４８に接続される。ビアバー４４８は、一方側で再配線層４３５に接続され、反対側で、パッケージ４３０をパッケージ４１０に接続するためのコンタクト箇所若しくはコンタクトパッドを提供する。図４は、パッケージ４１０のコンタクトパッド４２５とパッケージ４３０のビアバー４４８との間に配置されたはんだ接続４５０（はんだボール）を示している。図４はまた、再配線層４３５のダイ面（ビアバー４４８とは反対の面）上のコンタクトパッドに接続されたはんだ接続４６０を示している。はんだ接続４６０は、一実施形態において、例えば印刷回路基板などの基板にアセンブリ４００を接続するよう機能する。
【００１７】
図３及び図４においてのようにオポッサム型又はハンギング型の構成でダイを含んだｅＷＬＢパッケージを用いることにより、１ｍｍ又はそれ未満のｚ高さのＰｏＰアセンブリが実現され得る。加えて、オポッサム型又はハンギング型のダイ構成の底部パッケージ（図３及び図４で見ての通り）は、パッケージ間のインタフェース領域、内側領域３８０（図３）及び内側領域４８０（図４）をインターコネクトに供する。図４は特に、ボールグリッドアレイ構成を用いた、パッケージ間のインターコネクトのための、内側インタフェース領域の利用を示している。
【００１８】
上述の実施形態に関して説明した利点は、１ｍｍ以下のパッケージスタックのｚ高さ、頂部パッケージに対するエリアアレイ能力、頂部パッケージから底部パッケージへの縮小されたインターコネクトをもたらす底部パッケージ基板への頂部パッケージの直接コンタクト、直接ダイ取付けが可能であること、及び最小限のパッケージ高さを維持しながらディスクリート受動デバイスを取り付けるのに有利であることを含む。
【００１９】
図５は、各ＰｏＰアセンブリがｅＷＬＢをｅＷＬＢオポッサム構成で使用する３つのＰｏＰアセンブリの側断面図を示している。パッケージアセンブリ５００Ａは、積層構成で底部パッケージ５３０Ａに電気的に接続された頂部パッケージ５１０Ａ（見ての通り）を含んでいる。パッケージ５１０Ａは、再配線層５１５Ａのデバイス側に電気的且つ物理的に接続された、例えばメモリダイの、ダイ５２０Ａを含んでいる。再配線層５１５Ａは、ダイ５２０Ａに接続される面とは反対側の当該再配線層の面上にコンタクト箇所５２５Ａを含んでいる。パッケージ５１０Ａはまた、ダイ５２０Ａを埋め込んだ成形材料５２７Ａを示している。
【００２０】
パッケージ５３０Ａは、再配線層５３５Ａのダイ側に接続されたダイ５４０Ａを含んでおり、再配線層５３５Ａの反対側は、成形材料５４３Ａに埋め込まれたビアバー５４８Ａに接続されている。図示のように、パッケージ５１０Ａは、パッケージ５１０Ａのコンタクトパッド５２５Ａとパッケージ５３０Ａのビアバー５４８Ａと結合したコンタクト箇所との間のはんだ接続５５０Ａ（はんだボール）を介して、パッケージ５３０Ａに接続されている。図示のように、パッケージ５３０Ａのダイ５４０Ａは、見ての通りで再配線層５３５Ａの下方に、オポッサム構成又はハンギング構成で配置されている。
【００２１】
ＰｏＰアセンブリ５００Ｂは、積層構成でパッケージ５３０Ｂに接続された（見ての通りでパッケージ５３０Ｂの上又は上方に配置された）パッケージ５１０Ｂを含んでいる。パッケージ５１０Ｂは、一実施形態において、パッケージ５１０Ａと同様であり、再配線層５１５Ｂに接続され且つ成形材料５２７Ｂに埋め込まれたダイ５２０Ｂを含んでいる。再配線層５１５Ｂは、ダイ５２０Ｂが接続された面とは反対側の当該再配線層の面上に配置されたコンタクトパッド５２５Ｂを含んでいる。
【００２２】
図５に示したＰｏＰアセンブリ５００Ｂのパッケージ５３０Ｂは、一実施形態において、アセンブリ５００Ａのパッケージ５３０Ａと同様であり、再配線層５３５Ｂに電気的に接続されたダイ５４０Ｂを含んでおり、再配線層５３５Ｂは、成形材料５４３Ｂに埋め込まれたビアバー５４８Ｂに電気的に接続されている。アセンブリ５００Ｂにおいては、ソルダ・オン・パッド（ＳＯＰ）又は半球状のはんだボール５５０Ｂを用いて、パッケージ５１０Ｂがパッケージ５３０Ｂに電気的に接続されている。斯くして、パッケージ５１０Ｂのコンタクトパッド５２５Ｂとパッケージ５３０Ｂのビアバー５４８Ｂのコンタクト箇所との間の相互接続のｚ高さが最小化される。故に、ＰｏＰアセンブリ５００Ｂは、パッケージアセンブリ５００Ａのｚ高さより小さいｚ高さを有する。
【００２３】
ＰｏＰアセンブリ５００Ｃは、見ての通りでパッケージ５１０Ｃをパッケージ５３０Ｃの上又は上方にして、積層構成でパッケージ５３０Ｃに接続された第１のパッケージ５１０Ｃを含んでいる。この実施形態においては、パッケージ５１０Ｃ及びパッケージ５３０Ｃの各々が、オポッサム構成又はハンギング構成でダイを含んでいる。パッケージ５１０Ｃは、再配線層５１５Ｃに接続されたダイ５２０Ｃを含んでいる。図５はまた、再配線層５１５Ｃのダイ側に接続されたビアバー５２８Ｃを示している。この実施形態において、ダイ５２０Ｃ及びビアバー５２８Ｃの双方が成形材料５２７Ｃに埋め込まれている。
【００２４】
ＰｏＰアセンブリ５００Ｃのパッケージ５３０Ｃは、一実施形態において、アセンブリ５００Ｂのパッケージ５３０Ｂ及びアセンブリ５００Ａのパッケージ５３０Ａと同様である。パッケージ５３０Ｃは、再配線層５３５Ｃに接続されたダイ５４０Ｃと、再配線層５３５Ｃの反対側から延在するとともに成形材料５４３Ｃに埋め込まれたビアバー５４８Ｃとを含んでいる。図５は、パッケージ５１０Ｃのビアバー５２８Ｃのコンタクト箇所とパッケージ５３０Ｃのビアバー５４８Ｃのコンタクト箇所との間に接続されたソルダ・オン・パッド（ＳＯＰ）又は半球状のはんだボール５５０Ｃを示している。図示のように、ＰｏＰアセンブリ５００Ｃは、ＰｏＰアセンブリ５００Ｂ又はＰｏＰアセンブリ５００Ａより小さいｚ高さ又は厚さを有する。
【００２５】
ｅＷＬＢパッケージを形成するための技術は知られているが、図６−８は、例えば図５のパッケージ５３０Ａ又はパッケージ５３０Ｂなどの、オポッサム型又はハンギング型のダイ構成を有するｅＷＬＢパッケージを形成するためのプロセスの側断面図を例示するものである。図６は、表面に接着剤フォイルが配置され、該接着剤フォイル上に多数のビアバーが配置されたモールドキャリアの側面図を示している。モールドキャリア６１０は、例えば、接着剤フォイル６２０を取り付け得るステンレス鋼材である。接着剤フォイル６２０上に、ビアバー６３０が、それぞれのコンタクト箇所若しくはコンタクトパッドを該フォイルと接触させて配置される。この接着剤フォイル６２０上でのビアバー６３０の配置に続いて、例えば液状又は粒状の成形コンパウンドの、成形材料が、接着剤フォイル６２０上に導入されてビアバー６３０を埋め込む。
【００２６】
図７は、接着剤層からのビアバー及び成形材料の分離と、それへのダイの接続との後の図６の構造を示している。一実施形態において、例えば幾らかの熱量を用いる剥離プロセスにより、成形材料６４０が接着剤層６２０から分離される。図７を参照するに、再配線層が、以下によって導入される。すなわち、接着剤層６２０の取外しによって作り出された表面上に誘電体層６５０を導入し、フォトリソグラフィ技術を用いてビアバー６３０のコンタクト箇所若しくはコンタクトパッドへのコンタクトをパターン形成し、続いて、めっき技術により導電ビア及び配線を形成することによって、再配線層が導入される。導電ビア、及び／又はコンタクト箇所若しくはコンタクトパッドはまた、ビアバー６３０及び成形材料６４０と接触している表面とは反対側の誘電体層６５０の表面の上又は付近に形成される。図７は、そのようなコンタクト箇所若しくはコンタクトパッド６５５に電気的且つ物理的に接続されたダイ６６０と、コンタクト箇所若しくはコンタクトパッド６５５のうちの他のものに接続されたはんだ接続６７０（はんだボール）とを示している。
【００２７】
図８は、成形材料の薄化の後の図７の構造を示している。成形材料６４０が薄化されて、ビアバー６３０の各々のコンタクト表面が露出される。成形材料６４０の薄化の後、このパッケージがアセンブリされ、ＰｏＰアセンブリの第２のパッケージに接続され得る。他の一実施形態において、処理シーケンスは異なっていてもよく、ボディの薄化を、はんだボール及びオポッサム型ダイを置くことの前にすることができる。図８に例示するように、このパッケージは、（ｚ方向において見ての通りで再配線層の下方に）オポッサム型又はハンギング型のダイ構成でダイを含む。
【００２８】
図９は、一実装例に従ったコンピューティング装置７００を例示している。コンピューティング装置７００は、ボード７０２を収容している。ボード７０２は、以下に限られないがプロセッサ７０４及び少なくとも１つの通信チップ７０６を含む多数のコンポーネントを含み得る。プロセッサ７０４は、ボード７０２に物理的且つ電気的に結合され得る。一部の実装例において、上記少なくとも１つの通信チップ７０６もボード７０２に物理的且つ電気的に結合される。更なる実装例において、通信チップ７０６はプロセッサ７０４の一部である。例えば上述の実装形態などのＰｏＰアセンブリが、プロセッサ７０４及び他のチップ（例えば、通信チップ７０６、メモリチップ）を含むように利用され得る。
【００２９】
コンピューティング装置７００は、その用途に応じて、他のコンポーネントを含むことができ、それら他のコンポーネントは、ボード７０２に物理的及び電気的に結合されたものであってもよいし、結合されていないものであってもよい。それら他のコンポーネントは、以下に限られないが、揮発性メモリ（例えば、ＤＲＡＭ）、不揮発性メモリ（例えば、ＲＯＭ）、フラッシュメモリ、グラフィックスプロセッサ、デジタル信号プロセッサ、暗号プロセッサ、チップセット、アンテナ、ディスプレイ、タッチスクリーンディスプレイ、タッチスクリーンコントローラ、バッテリー、オーディオコーデック、ビデオコーディック、電力増幅器、グローバル・ポジショニング・システム（ＧＰＳ）デバイス、方位計、加速度計、ジャイロスコープ、スピーカ、カメラ、及び大容量記憶装置（例えば、ハードディスクドライブ、コンパクトディスク（ＣＤ）、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）、等々）を含む。
【００３０】
通信チップ７０６は、コンピューティング装置７００への、及びそれからのデータの伝送のための無線（ワイヤレス）通信を可能にし得る。用語“無線（ワイヤレス）”及びその派生形は、変調された電磁放射線を用いて非固体媒体を介してデータを伝達し得る回路、装置、システム、方法、技術、通信チャネルなどを記述するために使用され得る。この用語は、関連する装置が如何なるワイヤをも含まないことを意味するものではない（一部の実施形態では、如何なるワイヤをも含まないことがあり得る）。通信チップ７０６は、数多くある無線規格又はプロトコルのうちの何れを実装してもよい。無線規格又はプロトコルは、以下に限られないが、Ｗｉ−Ｆｉ（ＩＥＥＥ８０２．１１ファミリ）、ＷｉＭＡＸ（ＩＥＥＥ８０２．１６ファミリ）、ＩＥＥＥ８０２．２０、ロングタームエボリューション（ＬＴＥ）、Ｅｖ−ＤＯ、ＨＳＰＡ＋、ＨＳＤＰＡ＋、ＨＳＵＰＡ＋、ＥＤＧＥ、ＧＳＭ（登録商標）、ＧＰＲＳ、ＣＤＭＡ、ＴＤＭＡ、ＤＥＣＴ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、これらの派生形、並びに、３Ｇ、４Ｇ、５Ｇ及びそれ以降として指定されるその他の無線プロトコルを含む。コンピューティング装置７００は複数の通信チップ７０６を含み得る。例えば、第１の通信チップ７０６は、例えばＷｉ−Ｆｉ及び／又はＢｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）など、より短距離の無線通信用にされ、第２の通信チップ７０６は、例えばＧＰＳ、ＥＤＧＥ、ＧＰＲＳ、ＣＤＭＡ、ＷｉＭＡＸ、ＬＴＥ、Ｅｖ−ＤＯ及び／又はその他など、より長距離の無線通信用にされ得る。
【００３１】
コンピューティング装置７００のプロセッサ７０４は、プロセッサ７０４内にパッケージングされた集積回路ダイを含む。用語“プロセッサ”は、レジスタ及び／又はメモリからの電子データを処理して、該電子データをレジスタ及び／又はメモリに格納され得る他の電子データへと変換する如何なるデバイス又はデバイス部分をも意味し得る。
【００３２】
通信チップ７０６もまた、通信チップ７０６内にパッケージングされた集積回路ダイを含む。
【００３３】
更なる実装例において、コンピューティング装置７００に収容された他のコンポーネントが、例えばトランジスタ又は金属インターコネクトなどの１つ以上のデバイスを含む集積回路ダイを含み得る。
【００３４】
様々な実装例において、コンピューティング装置７００は、ラップトップ、ネットブック、ノートブック、ウルトラブック、スマートフォン、タブレット、携帯情報端末（ＰＤＡ）、ウルトラモバイルＰＣ、携帯電話、デスクトップコンピュータ、サーバ、プリンタ、スキャナ、モニタ、セットトップボックス、娯楽制御ユニット、デジタルカメラ、ポータブル音楽プレーヤ、又はデジタルビデオレコーダとし得る。更なる実装例において、コンピューティング装置７００は、データを処理するその他の如何なる電子装置であってもよい。
【００３５】
例
例１は、第１のパッケージ及び第２のパッケージの各々が、第１の面と、反対側の第２の面とを有した、第２のパッケージに結合された第１のパッケージと、前記第１のパッケージに結合された第１のダイと、前記第２のパッケージの前記第２の面に結合された第２のダイとを含む装置であり、前記第１のパッケージは、前記第２のパッケージの前記第１の面が前記第１のパッケージの前記第２の面に面するように積層構成で前記第２のパッケージに結合されている。
【００３６】
例２において、例１の装置の前記第１のダイは、前記第１のパッケージの前記第１の面に結合されている。
【００３７】
例３において、例２の装置の前記第１のパッケージは、前記第２のパッケージに、各パッケージの表面のうちの内側部分でのコンタクトを介して結合されている。
【００３８】
例４において、例２の装置の前記第１のパッケージは、前記第２のパッケージに、周辺配置されたコンタクト箇所でのコンタクトを介して結合されている。
【００３９】
例５において、例１の装置の前記第１のダイは、前記第１のパッケージの前記第２の面に結合されている。
【００４０】
例６において、例５の装置の前記第１のパッケージは、前記第２のパッケージに、周辺配置されたコンタクト箇所を介して結合されている。
【００４１】
例７において、例１の装置の前記第２のパッケージは、前記第１の面上の複数のコンタクト箇所と、該複数のコンタクト箇所のうちのそれぞれのコンタクト箇所及び前記第１のパッケージの前記第２の面上のコンタクト箇所に結合されるビアバーとを有する。
【００４２】
例８において、例７の装置の前記ビアバーは、前記第１のパッケージの前記第２の面上の前記コンタクト箇所の上のはんだ接続に結合される。
【００４３】
例９において、例７の装置の前記第１のダイは、前記第１のパッケージの前記第１の面に結合されている。
【００４４】
例１０において、例７の装置の前記第１のダイは、前記第１のパッケージの前記第２の面に結合されている。
【００４５】
例１１は、第１のパッケージを第２のパッケージの上にして積層構成で第２のパッケージに結合された第１のパッケージを有するパッケージ・オン・パッケージ構成を含んだ装置であり、前記第１のパッケージは、第１のパッケージ基板及び第１のダイを有し、前記第２のパッケージは、第２のパッケージ基板及び第２のダイを有し、前記第２のダイは、前記第１のパッケージ基板とは反対側の前記第２のパッケージ基板の面に配置されている。
【００４６】
例１２において、例１１の装置の前記第１のダイは、前記第２のパッケージ基板とは反対側の前記第１のパッケージ基板の面に結合されている。
【００４７】
例１３において、例１２の装置の前記第１のパッケージは、前記第２のパッケージに、各パッケージの表面のうちの内側部分でのコンタクトを介して結合されている。
【００４８】
例１４において、例１２の装置の前記第１のパッケージは、前記第２のパッケージに、周辺配置されたコンタクト箇所でのコンタクトを介して結合されている。
【００４９】
例１５において、例１１の装置の前記第１のダイは、前記第２のパッケージ基板に面する前記第１のパッケージ基板の面に結合されている。
【００５０】
例１６は、積層構成で第１のパッケージを第２のパッケージに結合することを含む方法であり、前記第１のパッケージは、第１のパッケージ基板及び第１のダイを有し、前記第２のパッケージは、第２のパッケージ基板及び第２のダイを有し、前記第２のダイは、前記第１のパッケージ基板とは反対側の前記第２のパッケージ基板の面に配置される。
【００５１】
例１７において、例１６の方法における前記第１のダイは、前記第２のパッケージ基板とは反対側の前記第１のパッケージ基板の面に結合される。
【００５２】
例１８において、例１６の方法における第１のパッケージを第２のパッケージに結合することは、各パッケージの表面のうちの内側部分でのコンタクトを介して結合することを含む。
【００５３】
例１９において、例１６の方法における第１のパッケージを第２のパッケージに結合することは、周辺配置されたコンタクト箇所でのコンタクトを介して結合することを含む。
【００５４】
例２０において、例１６の方法における前記第１のダイは、前記第２のパッケージ基板に面する前記第１のパッケージ基板の面に結合される。
【００５５】
例２１は、例１６乃至２０の何れかに記載の方法によって製造された集積回路パッケージである。
【００５６】
本発明の例示した実装例の以上の説明は、要約書に記載した事項も含めて、網羅的であることや、本発明を開示そのままの形態に限定することを意図したものではない。本発明の具体的な実施形態及び例が例示目的でここに記載されているが、当業者が認識するように、本発明の範囲内で様々な均等な変更が可能である。
【００５７】
そのような変更は、以上の詳細な説明を踏まえて、本発明に対して為され得るものである。請求項中で使用される用語は、本発明を明細書及び特許請求の範囲にて開示された具体的な実装形態に限定するように解釈されるべきでない。むしろ、本発明の範囲はもっぱら、確立されたクレーム解釈の原則に則って解釈される以下の請求項によって決定されるものである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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