(57)【要約】  デバイスは、メモリアレイの複数のメモリセルと、メモリアレイのセンス増幅器と、メモリアレイの選択論理とを含む。センス増幅器は、複数のメモリセルのうちの少なくとも1つのメモリセルから少なくとも1つのデータ値をセンシングするように構成される。選択論理は、センス増幅器に第1のセンシング遅延を使用して少なくとも1つのデータ値をセンシングさせることと、センス増幅器に第2のセンシング遅延を使用して少なくとも1つのデータ値をセンシングさせることとの間で選択するように構成される。第2のセンシング遅延は第1のセンシング遅延よりも長い。
2017515256.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリアレイの複数のメモリセルと、
前記複数のメモリセルのうちの少なくとも1つのメモリセルから少なくとも1つのデータ値をセンシングするように構成された、前記メモリアレイのセンス増幅器と、
前記センス増幅器に第1のセンシング遅延を使用して前記少なくとも1つのデータ値をセンシングさせることと、前記センス増幅器に第2のセンシング遅延を使用して前記少なくとも1つのデータ値をセンシングさせることとの間で選択するように構成された、前記メモリアレイの選択論理であって、前記第2のセンシング遅延が前記第1のセンシング遅延よりも長い、選択論理と
を備える装置。
【請求項２】
前記第1のセンシング遅延に対応する第1のビット誤り率が、前記第2のセンシング遅延に対応する第2のビット誤り率よりも高い、請求項1に記載の装置。
【請求項３】
前記少なくとも1つのデータ値の第1の読出し操作を開始することであって、前記第1の読出し操作を開始するステップが、前記選択論理に、前記選択論理が前記センス増幅器に前記第1のセンシング遅延を使用して前記少なくとも1つのデータ値をセンシングさせることになる第1の選択信号を送るステップを含むステップと、
前記第1の読出し操作に対応する訂正不可能な誤りを示す前記少なくとも1つのデータ値に関連する誤り訂正符号(ECC)情報に基づいて、前記少なくとも1つのデータ値の第2の読出し操作を開始することであって、前記第2の読出し操作を開始するステップが、前記選択論理に、前記選択論理が前記センス増幅器に前記第2のセンシング遅延を使用して前記少なくとも1つのデータ値をセンシングさせることになる第2の選択信号を送るステップを含むステップと
を実施するように構成されたメモリコントローラをさらに備える、請求項1に記載の装置。
【請求項４】
前記メモリコントローラが、前記センス増幅器が前記第2のセンシング遅延を使用して前記少なくとも1つのデータ値をセンシングした後の前記誤り訂正符号(ECC)情報を使用して訂正することができない訂正不可能な誤りの検出に応答して、致命的な誤りを示すように構成される、請求項3に記載の装置。
【請求項５】
複数の読出し遅延値を含む第2のメモリであって、前記メモリアレイとは異なるタイプのメモリアレイである第2のメモリと、
前記少なくとも1つのデータ値の読出し操作を開始するように構成されたメモリコントローラであって、前記読出し操作を開始することが、前記選択論理に、前記複数の読出し遅延値のうちの対応する読出し遅延値に基づいて、前記選択論理に前記第1のセンシング遅延または前記第2のセンシング遅延のいずれかを選択させる選択信号を送ることを含む、メモリコントローラと
をさらに備える、請求項1に記載の装置。
【請求項６】
前記メモリコントローラが、前記第1のセンシング遅延を使用して前記少なくとも1つのデータ値を読み出した後、訂正不可能な誤りを示す前記少なくとも1つのデータ値に関連する誤り訂正符号(ECC)情報に基づいて、前記第2のセンシング遅延を示すように前記複数の読出し遅延値のうちの前記対応する読出し遅延値を修正するように構成される、請求項5に記載の装置。
【請求項７】
前記メモリコントローラが、前記センス増幅器が前記第2のセンシング遅延を使用して前記少なくとも1つのデータ値をセンシングした後の前記誤り訂正符号(ECC)情報を使用して訂正することができない訂正不可能な誤りを検出することに応答して、致命的な誤りを示すように構成される、請求項6に記載の装置。
【請求項８】
前記第2のメモリが揮発性メモリデバイスに対応し、前記メモリアレイが不揮発性メモリデバイスに対応し、前記メモリアレイが前記複数の読出し遅延値を含み、前記メモリコントローラが、前記メモリアレイおよび前記第2のメモリを備える電子デバイスの電源投入に応答して、前記複数の読出し遅延値を前記メモリアレイから前記第2のメモリに転送するように構成される、請求項5に記載の装置。
【請求項９】
前記複数の読出し遅延値の前記転送がシリアル転送操作を含む、請求項8に記載の装置。
【請求項１０】
前記複数の読出し遅延値の前記転送がパラレル転送操作を含む、請求項8に記載の装置。
【請求項１１】
前記メモリアレイが、磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)アレイ、スピン-トランスファトルク(STT)MRAMアレイ、フラッシュメモリアレイ、抵抗性ランダムアクセスメモリ(ReRAM)アレイ、位相変化ランダムアクセスメモリ(PCRAM)アレイ、スタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)アレイ、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)アレイまたはそれらの組合せを備える、請求項5に記載の装置。
【請求項１２】
前記第2のメモリがスタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)アレイを備える、請求項5に記載の装置。
【請求項１３】
前記第2のメモリが、メモリアドレスを前記メモリアレイの語線にマップする情報を記憶するように構成されたタグアレイである、請求項5に記載の装置。
【請求項１４】
前記第2のメモリが複数のレジスタを備える、請求項5に記載の装置。
【請求項１５】
前記複数の読出し遅延値が前記メモリアレイに記憶され、前記メモリコントローラが、前記複数のレジスタおよび前記メモリアレイを備える電子デバイスの電源投入に応答して、前記複数の読出し遅延値を前記メモリアレイから前記複数のレジスタに転送するように構成される、請求項14に記載の装置。
【請求項１６】
少なくとも1つのダイの中に統合される、請求項1に記載の装置。
【請求項１７】
前記メモリアレイが統合される、モバイル電話、タブレット、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、パーソナルデジタルアシスタント(PDA)、固定位置データユニットおよびコンピュータから選択されるデバイスをさらに備える、請求項1に記載の装置。
【請求項１８】
読出し操作要求に応答して、第1のセンシング遅延および第2のセンシング遅延から特定のセンシング遅延を選択するステップであって、前記第2のセンシング遅延が前記第1のセンシング遅延よりも長い、ステップと、
センス増幅器に前記特定のセンシング遅延を使用して、前記読出し操作要求に対応する少なくとも1つのデータ値をセンシングさせるために信号を前記センス増幅器に送るステップと
を含む方法。
【請求項１９】
前記特定のセンシング遅延が前記第1のセンシング遅延に対応している場合、訂正不可能な誤りを示す前記少なくとも1つのデータ値に関連する誤り訂正符号(ECC)情報に応答して、前記センス増幅器に前記第2のセンシング遅延を使用して前記少なくとも1つのデータ値をセンシングさせるために第2の信号を前記センス増幅器に送るステップ
をさらに含む、請求項18に記載の方法。
【請求項２０】
前記特定のセンシング遅延が前記第2のセンシング遅延に対応している場合、訂正不可能な誤りを示す前記少なくとも1つのデータ値に関連する誤り訂正符号(ECC)情報に応答して、致命的な誤りを示すステップ
をさらに含む、請求項18に記載の方法。
【請求項２１】
前記特定のセンシング遅延を選択するステップが、
読出し遅延値を受け取るステップと、
前記読出し遅延値に基づいて前記特定のセンシング遅延を選択するステップと
を含む、請求項18に記載の方法。
【請求項２２】
前記特定のセンシング遅延が前記第1のセンシング遅延に対応している場合、訂正不可能な誤りを示す前記少なくとも1つのデータ値に関連する誤り訂正符号(ECC)情報に応答して、前記第2のセンシング遅延を示すように前記読出し遅延値を修正するステップ
をさらに含む、請求項21に記載の方法。
【請求項２３】
前記読出し遅延値が第2のメモリデバイスに記憶され、前記読出し操作要求に基づいて読み出される少なくとも1つの特定のメモリセルに対応する、請求項21に記載の方法。
【請求項２４】
前記少なくとも1つの特定のメモリセルおよび前記第2のメモリデバイスを備える電子デバイスの電源投入に応答して、前記少なくとも1つの特定のメモリセルを含むメモリアレイから前記第2のメモリデバイスに複数の読出し遅延値を転送するステップであって、前記メモリアレイが不揮発性メモリデバイスに対応し、前記第2のメモリデバイスが揮発性メモリデバイスに対応する、ステップ
をさらに含む、請求項23に記載の方法。
【請求項２５】
前記特定のセンシング遅延を選択するステップおよび前記信号を送るステップが、電子デバイスの中に統合されたプロセッサによって開始される、請求項18に記載の方法。
【請求項２６】
データを記憶するための手段と、
データを記憶するための前記手段から少なくとも1つのデータ値をセンシングするための手段と、
少なくとも1つのデータ値をセンシングするための前記手段に第1のセンシング遅延を使用して前記少なくとも1つのデータ値をセンシングさせることと、少なくとも1つのデータ値をセンシングするための前記手段に第2のセンシング遅延を使用して前記少なくとも1つのデータ値をセンシングさせることとの間で選択するための手段であって、前記第2のセンシング遅延が前記第1のセンシング遅延よりも長い、手段と
を備える装置。
【請求項２７】
少なくとも1つのダイの中に統合される、請求項26に記載の装置。
【請求項２８】
データを記憶するための前記手段、少なくとも1つのデータ値をセンシングするための前記手段、および選択するための前記手段が統合される、モバイル電話、タブレット、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、パーソナルデジタルアシスタント(PDA)、固定位置データユニットおよびコンピュータから選択されるデバイスをさらに備える、請求項26に記載の装置。
【請求項２９】
プロセッサによって実行されると、前記プロセッサが、
読出し操作要求に応答して、第1のセンシング遅延および第2のセンシング遅延から特定のセンシング遅延を選択するステップであって、前記第2のセンシング遅延が前記第1のセンシング遅延よりも長い、ステップを開始し、かつ、
センス増幅器に前記特定のセンシング遅延を使用して、前記読出し操作要求に対応する少なくとも1つのデータ値をセンシングさせるために信号を前記センス増幅器に送るステップを開始する
ことになる命令を記憶するコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項３０】
前記コンピュータ可読記憶媒体が統合される、モバイル電話、タブレット、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、パーソナルデジタルアシスタント(PDA)、固定位置データユニットおよびコンピュータから選択されるデバイスをさらに備える、請求項29に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、参照によりそのすべての内容が本明細書に明確に組み込まれている、2014年4月30日に出願した本願の譲受人が所有する米国非仮特許出願第14/266,326号の優先権を主張するものである。
【０００２】
本開示は、一般に可変読出し遅延システムに関する。
【背景技術】
【０００３】
技術の進歩は、より小型で、かつ、より強力なコンピューティングデバイスをもたらした。たとえば、現在、小型で、軽量で、かつ、ユーザによる持ち運びが容易な携帯型ワイヤレス電話、パーソナルデジタルアシスタント(PDA)およびページングデバイスなどのワイヤレスコンピューティングデバイスを始めとする、様々な携帯型パーソナルコンピューティングデバイスが存在している。より詳細には、セルラー電話およびインターネットプロトコル(IP)電話などの携帯型ワイヤレス電話は、ワイヤレスネットワークを介して音声およびデータパケットを通信することができる。さらに、多くのそのようなワイヤレス電話は、その中に組み込まれる他のタイプのデバイスを含む。たとえばワイヤレス電話は、デジタルスチールカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルレコーダおよびオーディオファイルプレーヤを含むことも可能である。また、そのようなワイヤレス電話は、インターネットにアクセスするために使用することができるウェブブラウザアプリケーションなどのソフトウェアアプリケーションを含む実行可能命令を処理することが可能である。したがってこれらのワイヤレス電話は、著しいコンピューティング能力を含むことができる。
【０００４】
コンピューティングデバイスは、データを記憶するために使用されるメモリ(たとえばランダムアクセスメモリ(RAM))を含むことができる。メモリは、記憶素子としてメモリセルを含むことができる。データ誤りがメモリで生じることがあり、そのためにメモリから読み出されたデータがメモリに書き込まれたデータと異なる原因になることがある。データ誤りは、読出し操作を早く実施しすぎる(たとえばメモリセルに接続されたセンス増幅器の出力の整定時間が経過する前に実施する)ことによって生じることがある。メモリのメモリセルに対応する出力は、長さが異なる整定時間を取り得る。たとえばメモリの第1のメモリセルに対応する出力は、メモリの第2のメモリセルに対応する出力と比較すると、より長い整定時間を取り得る。読出し操作を早く実施しすぎることに関連する誤り率を小さくする方法の1つは、メモリの最も遅いメモリセルに対応する出力が整定するのに必要な時間と同じ時間の長さ(たとえばワーストケースの読出し時間)だけ待機することである。しかしながらメモリの他のメモリセルは、ワーストケースの読出し時間よりも早く読み出すことが可能である。したがってワーストケースの読出し時間が使用されると、メモリにおける多くの読出し操作が不必要に遅くなることになる。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示は、可変読出し遅延システムの実施形態を提示する。可変読出し遅延システムのメモリコントローラは、メモリアレイの少なくとも1つのメモリセルからの少なくとも1つのデータ値にアクセスする読出し操作要求に応答して、第1のセンシング遅延(たとえば4.2ナノ秒(ns))と第2のセンシング遅延(たとえば8.5ns)との間で選択することができる。メモリコントローラは、デフォルトセンシング遅延に基づいて、または読出し遅延値に基づいて、第1のセンシング遅延と第2のセンシング遅延との間で選択することができる。たとえばメモリコントローラは、読出し操作要求に応答して第1のセンシング遅延を選択することができ、また、メモリコントローラは、訂正不可能な誤り訂正符号(ECC)エラーの指示を受け取ると、それに応答して第2のセンシング遅延を選択することができる。別の例として、メモリコントローラは、(たとえば外部メモリデバイスから、またはメモリコントローラのメモリデバイスから)読出し遅延値を受け取ることができ、また、メモリコントローラは、その読出し遅延値に基づいて、第1のセンシング遅延と第2のセンシング遅延との間で選択することができる。メモリコントローラは、センス増幅器に結合された選択論理に選択信号を送ることができる。選択論理は、センス増幅器に選択されたセンシング遅延(たとえば第1のセンシング遅延または第2のセンシング遅延)を使用して少なくとも1つのデータ値をセンシングさせるために1つまたは複数の信号をセンス増幅器に送ることができる。可変読出し遅延システムは、出力誤り率(たとえば読出し操作要求に応答して要求デバイスに提供されるデータに関連する誤り率)を高くすることなく、メモリアレイにおける平均読出し時間を短くすることができる。
【０００６】
特定の実施形態では、装置は、メモリアレイの複数のメモリセルと、メモリアレイのセンス増幅器と、メモリアレイの選択論理とを含む。センス増幅器は、複数のメモリセルのうちの少なくとも1つのメモリセルから少なくとも1つのデータ値をセンシングするように構成される。選択論理は、センス増幅器に第1のセンシング遅延を使用して少なくとも1つのデータ値をセンシングさせることと、センス増幅器に第2のセンシング遅延を使用して少なくとも1つのデータ値をセンシングさせることとの間で選択するように構成される。第2のセンシング遅延は第1のセンシング遅延よりも長い。
【０００７】
別の特定の実施形態では、方法は、読出し操作要求に応答して、第1のセンシング遅延および第2のセンシング遅延から特定のセンシング遅延を選択するステップを含む。第2のセンシング遅延は第1のセンシング遅延よりも長い。方法は、センス増幅器に特定のセンシング遅延を使用して、読出し操作要求に対応する少なくとも1つのデータ値をセンシングさせるために信号をセンス増幅器に送るステップをさらに含む。
【０００８】
別の特定の実施形態では、装置は、データを記憶するための手段を含む。装置は、データを記憶するための手段から少なくとも1つのデータ値をセンシングするための手段をさらに含む。装置は、少なくとも1つのデータ値をセンシングするための手段に第1のセンシング遅延を使用して少なくとも1つのデータ値をセンシングさせることと、少なくとも1つのデータ値をセンシングするための手段に第2のセンシング遅延を使用して少なくとも1つのデータ値をセンシングさせることとの間で選択するための手段をさらに含む。第2のセンシング遅延は第1のセンシング遅延よりも長い。
【０００９】
別の特定の実施形態では、非一時的コンピュータ可読媒体は、プロセッサによって実行されると、そのプロセッサが、読出し操作要求に応答して、第1のセンシング遅延および第2のセンシング遅延から特定のセンシング遅延を選択するステップを開始することになる命令を記憶する。第2のセンシング遅延は第1のセンシング遅延よりも長い。非一時的コンピュータ可読媒体は、プロセッサによって実行されると、そのプロセッサが、センス増幅器に特定のセンシング遅延を使用して、読出し操作要求に対応する少なくとも1つのデータ値をセンシングさせるために信号をセンス増幅器に送るステップを開始することになる命令をさらに記憶する。
【００１０】
開示される実施形態のうちの少なくとも1つによって提供される1つの特定の利点は、可変読出し遅延システムを備えた電子デバイスが、可変読出し遅延システムを備えていない電子デバイスと比較すると、より短い平均メモリ読出し時間を有することができることである。可変読出し遅延システムを備えた電子デバイスは、可変読出し遅延システムを備えていない電子デバイスと同様の出力誤り率(たとえば要求デバイスに提供されるデータに関連する誤り率)を有することができる。
【００１１】
本開示の他の態様、利点および特徴については、以下の節、すなわち図面の簡単な説明、発明を実施するための形態および特許請求の範囲を含む本出願全体を精査すれば明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】可変読出し遅延システムの特定の実施形態を示すブロック図である。
【図２】可変読出し遅延システムの選択論理の特定の実施形態を描写した線図である。
【図３】可変読出し遅延システムを動作させる方法の特定の実施形態を示すフローチャートである。
【図４】可変読出し遅延システムを動作させる方法の特定の実施形態を示すフローチャートである。
【図５】可変読出し遅延システムを動作させる方法の特定の実施形態を示すフローチャートである。
【図６】可変読出し遅延システムを備えた通信デバイスの特定の実施形態を示すブロック図である。
【図７】可変読出し遅延システムを備えた電子デバイスを製造するための製造プロセスの特定の実例実施形態のデータ流れ図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図1を参照すると、可変読出し遅延システムの特定の実例実施形態が開示され、一括して100で示されている。可変読出し遅延システム100は、タグアレイ102、メモリアレイ104およびメモリコントローラ118を含む。メモリアレイ104は、代表行112などの1つまたは複数の行、センス増幅器138および選択論理140を含むことができる。特定の実施形態では、メモリアレイ104は読出し遅延値136を含む。メモリアレイ104の各行は、代表データ部分114および代表ECC部分116などのデータ部分および誤り訂正符号(ECC)部分を含むことができる。行のECC部分に記憶されたデータは、行のデータ部分に記憶されたデータに対応し得る。メモリアレイ104は、メモリコントローラ118から対応するアドレス130(たとえば読出しコマンドとともに)を受け取ると、それに応答して少なくとも1つのデータ値128およびECCデータ126を提供するように構成することができる。メモリコントローラ118は、ECCエンジン144、処理デバイス146および1つまたは複数のレジスタ148を含むことができる。
【００１４】
可変読出し遅延システム100は、少なくとも1つのダイ(たとえば少なくとも1つの半導体ダイ)の中に統合することができる。メモリアレイ104は、磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)デバイス、スピン-トランスファトルク(STT)MRAMデバイス、フラッシュメモリデバイス、抵抗性ランダムアクセスメモリ(ReRAM)デバイス、位相変化ランダムアクセスメモリ(PCRAM)デバイスなどの不揮発性メモリデバイス、別の不揮発性メモリデバイスまたはそれらの組合せを含むことができる、あるいはそれらに対応していてもよい。メモリアレイ104は、スタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)デバイス、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)デバイスなどの揮発性メモリデバイス、別の揮発性メモリデバイスまたはそれらの組合せを含むことができる、あるいはそれらに対応していてもよい。メモリアレイ104は、1つまたは複数の不揮発性メモリデバイスと1つまたは複数の揮発性メモリデバイスの組合せを含むことができる、あるいはそれらに対応していてもよい。
【００１５】
メモリアレイ104の各行は、第1の代表メモリセル132および第2の代表メモリセル134などの複数の(たとえば128個の)メモリセルを含むことができる。第1のメモリセル132に対応する出力は、第2のメモリセル134に対応する出力とは異なる長さの整定時間を取ることができる。選択論理140は、センス増幅器138に、第1のセンシング遅延(たとえば4.2ナノ秒(ns))を使用して、または第2のセンシング遅延(たとえば8.5ns)を使用して、メモリアレイ104の少なくとも1つのメモリセルから少なくとも1つのデータ値をセンシングさせるように構成され、第2のセンシング遅延は第1のセンシング遅延よりも長い。センシング遅延は、センス増幅器138の出力がある値(たとえば論理1または論理0に対応する値)に整定するのをメモリコントローラ118が待機する時間の長さに対応し得る。選択論理140は、メモリコントローラ118から選択論理140において受け取った選択信号142に基づいて、第1のセンシング遅延と第2のセンシング遅延との間で選択することができる。メモリコントローラ118は、デフォルトセンシング遅延に基づいて、またはメモリセルに対応する読出し遅延値に基づいて、第1のセンシング遅延または第2のセンシング遅延のどちらを使用してメモリセルを読み出すかを決定することができる(たとえば処理デバイス146を使用して)。センス増幅器138は、メモリアレイ104の複数のメモリセルから、またはメモリアレイ104の単一のメモリセルからデータをセンシングするように構成することができる。
【００１６】
センス増幅器138がメモリセルにおけるデータ値を過度に早く(たとえばセンス増幅器138の出力が整定する十分な時間をメモリコントローラ118が待機することなく)センシングすると、センス増幅器138は、誤った値をメモリセルからメモリコントローラ118に提供することができる。たとえばセンス増幅器138は、4.2nsのセンシング遅延を使用して第1のメモリセル132における第1のデータ値をセンシングし、また、第2のメモリセル134における第2のデータ値をセンシングすることができる。この例では、第1のメモリセル132に対応する出力は4.2ns以内に整定することができるが、第2のメモリセル134に対応する出力は、整定するのに4.2nsよりも長い時間を要することになる。したがってセンス増幅器138は、誤った値を第2のメモリセル134からメモリコントローラ118に送ることができる。したがって第1のセンシング遅延に対応する第1のビット誤り率は、第2のセンシング遅延に対応する第2のビット誤り率よりも高くなり得る。
【００１７】
各行の各ECC部分は、対応するデータ部分における誤ったビット(たとえば読出し不良または書込み不良に起因する誤り)を訂正するためECCエンジン144によって使用され得る。たとえばECC部分116は、データ部分114における誤ったビットを訂正するためにECCエンジン144によって使用され得る。したがってECC部分116は、第2のメモリセル134から読み出された誤った値(たとえばセンス増幅器138が第2のメモリセル134における第2のデータ値を過度に早くセンシングしたことによる誤った値)を訂正するためにECCエンジン144によって使用され得る。データ部分における誤ったビットの数が、対応するECC部分を使用して訂正することができるビットの数を超えると、訂正不可能な誤りが生じることになる。
【００１８】
メモリコントローラ118が、第1のセンシング遅延を使用した読出し操作に応答して、ある記憶場所(たとえばデータ部分114)における訂正不可能な誤りの指示を受け取ると(たとえばECCデータ126に基づいてECCエンジン144から)、メモリコントローラ118は、第2の読出し要求をメモリアレイ104に送ることができ、選択信号142は第2のセンシング遅延を示す。たとえば選択論理140は、センス増幅器138が第1のセンシング遅延を使用してメモリアレイ104の部分の少なくとも1つのデータ値をセンシングした後の訂正不可能な誤りの指示に応答して、センス増幅器138に第2のセンシング遅延を使用してメモリアレイ104の少なくとも1つのデータ値をセンシングさせることができる。したがって可変読出し遅延システム100は、メモリアレイ104が第2のセンシング遅延のみを使用して読み出すシステムと同様の出力誤り率(たとえば読出し操作要求に応答して要求デバイスに提供されるデータに関連する誤り率)を有することができる。第1のセンシング遅延は、メモリアレイ104における平均メモリ読出し時間が短くなるように選択することができる(たとえば訂正不可能な誤りによるメモリの再読出しに起因するタイミング損失よりも重要なより短いセンシング遅延に関連するタイミング利得)。
【００１９】
特定の実施形態では、タグアレイ102は、代表行106などの1つまたは複数の行を含む。タグアレイ102の各行は、それぞれ、代表タグ部分108および代表遅延部分110などのタグ部分および遅延部分を含むことができる。この実施形態では、タグアレイ102は、メモリコントローラ118からアドレス120を受け取ると、それに応答してタグデータ124および遅延データ122を提供するように構成される。タグアレイ102の各行は、メモリアレイ104の行に対応し得る。たとえばタグアレイ102の行106は、メモリアレイ104の行112に対応し得る。タグアレイ102の遅延部分110は、第1のセンシング遅延を使用してメモリアレイ104の対応する部分(たとえば行112)を読み出すべきか、あるいは第2のセンシング遅延を使用してメモリアレイ104の対応する部分(たとえば行112)を読み出すべきかを示す遅延データを記憶する。この実施形態では、メモリコントローラ118は、第1のセンシング遅延を使用してアドレス120でメモリを読み出すべきか、あるいは第2のセンシング遅延を使用してアドレス120でメモリを読み出すべきかを示す遅延データ122を受け取る。この実施形態では、処理デバイス146は、遅延データ122に基づいて選択信号142を生成する。メモリコントローラ118は、ECCエンジン144による、第1のセンシング遅延を使用した読出しに関連する訂正不可能な誤りの検出に応答して、第2のセンシング遅延を使用した読出しを要求し、また、第2のセンシング遅延を示すよう、タグアレイ102における対応する遅延データ(たとえば遅延部分110)を修正するように構成される。
【００２０】
別の特定の実施形態では、遅延データは、別の記憶場所(たとえばレジスタ148内などのレジスタファイル)に記憶される。他の記憶場所は、メモリコントローラ118の部分または別のデバイス(たとえば別のメモリデバイス)の部分であってもよい。遅延データは、スタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)アレイ、または別のタイプのメモリアレイであって、メモリアレイ104へのアクセスと比較すると、より速やかにアクセスすることができるメモリアレイを含むか、またはそれらに対応するメモリデバイスに記憶することができる。
【００２１】
遅延部分(たとえば遅延部分110またはレジスタ148に記憶されている遅延部分)は、揮発性メモリデバイスに記憶することができる(たとえば不揮発性メモリデバイスから遅延データを検索する場合と比較すると、遅延データのより速やかな検索を可能にするために)。揮発性メモリデバイスに記憶されたデータは、揮発性メモリデバイスを含んだ電子デバイスがパワーダウンされると失われることがある。特定の実施形態では、メモリアレイ104は不揮発性メモリであり、読出し遅延値136(たとえば遅延部分110またはレジスタ148に記憶されている遅延部分に対応する遅延情報)を記憶するように構成され、また、メモリコントローラ118は、揮発性メモリデバイスを含んだ電子デバイスの電源投入に応答して、読出し遅延値136をメモリアレイ104から(またはレジスタ148から)揮発性メモリデバイスに転送するように構成される。読出し遅延値136の転送は、シリアル転送操作(たとえば読出し遅延値136が1ビットずつ転送される)であっても、あるいはパラレル転送操作(たとえば読出し遅延値136の複数のビットが同時に転送される)であってもよい。引き続いてメモリコントローラ118は、揮発性メモリデバイスから(またはレジスタ148から)遅延情報(たとえば遅延部分またはレジスタ148に記憶されている遅延部分に対応する遅延情報)を読み出すことができる。操作中、揮発性メモリの遅延情報が更新されると(たとえば訂正不可能な誤りのために)、読出し遅延値136を更新することができる。
【００２２】
可変読出し遅延システム100を含んだ電子デバイスは、第2のセンシング遅延のみを使用してデータ値を読み出す電子デバイスと比較すると、より短い平均メモリ読出し時間を有することができる。可変読出し遅延システム100を含んだ電子デバイスは、第2のセンシング遅延のみを使用してデータ値を読み出す電子デバイスと同様の出力誤り率(たとえば読出し操作要求に応答して要求デバイスに提供されるデータに関連する誤り率)を有することができる。したがってメモリアレイ104の読出し性能が改善される。
【００２３】
図2を参照すると、選択遅延回路機構200の特定の実例例が示されている。選択遅延回路機構200は、図1の選択論理140の中に含むことができる、あるいは図1の選択論理140を実現するために使用することができる。選択遅延回路機構200は、マルチプレクサ202および遅延論理204を含む。マルチプレクサ202は、第1の入力214および第2の入力216を含む。第1の入力214は、遅延論理204からの出力を受け取る。遅延論理204は、その入力でセンスイネーブル信号206を受け取り、また、クロック信号208を同じく受け取る。
【００２４】
マルチプレクサ202への第2の入力216は、センスイネーブル信号206を受け取る。マルチプレクサ202は、センシング遅延制御信号210を受け取る制御入力を有している。マルチプレクサ202は、センス増幅器イネーブル信号をセンス増幅器イネーブル出力212に提供する。センシング遅延制御信号210は、図1の選択信号142に対応していてもよく、あるいは図1の選択信号142に基づくことができる。
【００２５】
操作中、マルチプレクサ202は、センシング遅延制御信号210を受け取ると、それに応答して、遅延イネーブル信号(遅延論理204からの)またはセンスイネーブル信号206をその出力(センス増幅器イネーブル出力212)に提供する。センシング遅延制御信号210は、非遅延センスイネーブル信号206をセンス増幅器イネーブル出力212として提供するように、またはセンスイネーブル信号206の遅延バージョンをセンス増幅器イネーブル出力212に提供するようにマルチプレクサ202を制御する。したがって選択遅延回路機構200は、センス増幅器イネーブル出力212としてマルチプレクサを通過するセンスイネーブル信号206を提供することができる、あるいはセンスイネーブル信号206の遅延バージョンをセンス増幅器イネーブル出力212として選択的に提供することができる。センス増幅器イネーブル信号SAEN(センス増幅器イネーブル出力212からの)は、他の論理構成要素(たとえば図1のセンス増幅器138)に提供し、そのような構成要素のイネーブル化を選択的に遅延させることができる。
【００２６】
図3を参照すると、メモリアレイを動作させる方法300の特定の実例実施形態が示されている。方法300は、302で、読出し操作要求を要求元(たとえばメモリアレイからの1つまたは複数のデータ値を要求するプロセッサ)から受け取るステップ、ならびに304で、読出しアドレス、および第1のセンシング遅延を示す第1の選択信号をメモリアレイに送るステップを含む。方法300は、306で、第1の継続期間を有するイネーブル信号を生成するステップをさらに含む。方法300は、308で、センス増幅器がセンスイネーブル信号を使用して、読出しアドレスに対応する少なくとも1つのデータ値をセンシングするステップをさらに含む。一例として、センス増幅器138は、メモリアレイ104からデータ値をセンシングすることができ、また、センス増幅器138は、センス増幅器イネーブル出力212を介したセンスイネーブル信号SAENによって駆動することができる。
【００２７】
方法300は、310で、誤り訂正符号(ECC)エンジンを使用して少なくとも1つのデータ値をチェックするステップをさらに含む。312で決定されるように、少なくとも1つのデータ値が訂正可能な誤りを有している場合、次いで316で誤りが訂正され、また、318で少なくとも1つのデータ値が要求元に送られる。たとえば、その少なくとも1つのデータ値128は、メモリコントローラ118によって要求元に送ることができる、あるいは可変読出し遅延システム100を含んだ電子デバイス内の別の構成要素に送ることができる。314で訂正不可能な誤りが検出されると、次いで誤り訂正操作を試行することができる。314で決定されるように、誤りが訂正不可能のままである場合、次いで方法300はステップ322へ進行する。誤り(訂正可能な誤りまたは訂正不可能な誤り)が検出されない場合、次いで318で少なくとも1つのデータ値が要求元に送られる。
【００２８】
方法ステップ322を参照すると、読出しアドレスが送られ、また、第2のセンシング遅延を使用してメモリアレイにアクセスすべきことを示す第2の選択信号(たとえば選択信号142)が送られる。方法300は、324で、選択論理が第2の継続期間を有するセンスイネーブル信号を生成するステップをさらに含む。特定の実施形態では、第2の継続期間は、ステップ306に関連して参照した第1の継続期間よりも長い。方法300は、326で、センス増幅器が第2の継続期間を有するセンスイネーブル信号を使用して、読出しアドレスに対応する少なくとも1つのデータ値をセンシングするステップをさらに含む。たとえば選択論理は、センスイネーブル信号206(たとえばマルチプレクサ202の第1の入力214で受け取った信号)の遅延バージョンをセンス増幅器138に提供することができる。第2の継続期間を有するセンスイネーブル信号を使用して少なくとも1つのデータ値をセンシングすると、328で、誤り訂正符号エンジンを使用して少なくとも1つのデータ値がチェックされる。たとえばECCエンジン144は、少なくとも1つのデータ値128およびECCデータ126に対して誤り訂正操作を実施することができる。少なくとも1つのデータ値が訂正可能な誤りのみを含んでいる場合、次いで330で決定論理は、訂正可能な誤りが検出されたことを決定し、また、方法300は、次いで316で誤りを訂正し、また、318で少なくとも1つの訂正済みデータ値を要求元に送る。しかしながら330で訂正可能な誤りが検出されない場合、次いで332で、少なくとも1つのデータ値が訂正不可能な誤りを含んでいるかどうかを決定するために第2の評価が実施される。誤りが訂正不可能である場合、次いで方法300は、320で致命的な誤り(fatal error)を要求元に示す。誤り(訂正可能な誤りまたは訂正不可能な誤り)が検出されない場合、次いで318で少なくとも1つのデータ値が要求元に送られる。
【００２９】
方法300を使用して、メモリアレイからデータを読み出す試行では、第1の遅延(たとえば短い遅延)を有するセンスイネーブル信号を使用してメモリアクセスを実施することができる。メモリアレイからデータを読み出す第1の試行が不首尾である場合(たとえば訂正不可能な誤りのために)、次いで方法300は、メモリアレイからデータを読み出す第2の試行を実施するべく進行する。第2の試行では、メモリアレイからデータを読み出すために、第2の遅延(第2の遅延は第1の遅延よりも長い)を有するセンスイネーブル信号が使用される。したがって方法300は、短い継続期間を有するセンスイネーブル信号を使用することによって速やかなデータの読出しを試行するために使用することができるが、方法300は、読出しアクセスに関連する誤りの訂正を試行するために、第2の継続期間(たとえばより長い継続期間)を有する第2のセンスイネーブル信号を使用してデータを読み出す第2の試行を選択的に実施することによって、失敗した読出し試行から回復するために使用することができる。したがって方法300は、読出しアクセス時間に関して改良型性能を提供し、その一方で、追加読出しおよび誤り訂正試行により、さらに高いロバスト性も提供する。
【００３０】
上で説明したように、方法300は、特定のセンシング遅延を選択することによって読出し操作要求に応答する。たとえばセンシング遅延は、第1のセンシング遅延または第2のセンシング遅延であってもよい。説明されている特定の例では、第2のセンシング遅延は第1のセンシング遅延よりも長い。方法300は、さらに、読出し操作要求に対応する少なくとも1つのデータ値をセンス増幅器にセンシングさせるために、信号(たとえば選択されたセンシング遅延を有するセンス増幅器イネーブル信号)をセンス増幅器に送る。方法300は、特定のセンシング遅延が第1のセンシング遅延に対応している場合、訂正不可能な誤りを示す遅延値に関連する誤り訂正符号情報に応答して、センス増幅器に第2のセンシング遅延を使用してデータをセンシングさせるために第2の信号をセンス増幅器に送るステップをさらに含む。たとえば314で訂正不可能な誤りを決定するか、または検出すると、方法300は322へ進行して、読出しアドレス、および第2のセンシング遅延を示す第2の選択信号をメモリアレイに送り、また、センス増幅器に第2のセンシング遅延を使用して少なくとも1つのデータ値をセンシングさせるために第2の信号をセンス増幅器に送るためにさらなる操作を実施する。
【００３１】
特定の実例実施形態では、特定のセンシング遅延(たとえば第1のセンシング遅延または第2のセンシング遅延のいずれか)を選択するステップは、読出し遅延値を受け取るステップ、およびその読出し遅延値に基づいて特定のセンシング遅延を選択するステップを含む。たとえば特定の遅延値を読み出すためにルックアップテーブルにアクセスすることができる。別の実施形態では、読出し遅延値を受け取るために特定のレジスタ値を読み出すことができる。この方法によれば、特定のセンシング遅延を決定するために読出し遅延値を使用することができるため、特定のセンシング遅延はプログラム可能である。特定の実例実施形態では、第1のセンシング遅延の使用から第2のセンシング遅延の使用に変更する際に、第2のセンシング遅延を示すために読出しデータ値を修正することができる。たとえばテーブルまたはレジスタ内の項目は、第2のセンシング遅延を示すために更新することができるか、さもなければ修正することができる。たとえば読出しデータ値は、第2のメモリデバイスに記憶することができ、また、メモリコントローラから受け取った読出し操作要求などの読出し操作要求に基づいて読み出される特定のセルに対応し得る。
【００３２】
方法300に従って動作する電子デバイスは、第2のセンシング遅延のみを使用してデータ値を読み出す電子デバイスと比較すると、より短い平均メモリ読出し時間を有することができる。方法300に従って動作する電子デバイスは、第2のセンシング遅延のみを使用してデータ値を読み出す電子デバイスと同様の出力誤り率(たとえば読出し操作要求に応答して要求デバイスに提供されるデータに関連する誤り率)を有することができる。
【００３３】
図4を参照すると、メモリアレイを動作させる方法400の特定の実例実施形態が示されている。方法400は、402で、読出し操作要求を要求元(たとえばメモリアレイからの1つまたは複数のデータ値を要求するプロセッサ)から受け取るステップ、および404で読出し遅延値を受け取るステップを含む。一例として、読出し遅延値は、タグアレイ102から、またはレジスタ148から受け取ることができる。方法400は、406で、読出しアドレス、および特定のセンシング遅延を示す選択信号をメモリアレイに送るステップをさらに含む。たとえば特定のセンシング遅延は、読出し遅延値に基づくことができる。方法400は、408で、特定のセンシング遅延に基づく継続期間を有するイネーブル信号を生成するステップをさらに含む。方法400は、410で、センス増幅器がセンスイネーブル信号を使用して、読出しアドレスに対応する少なくとも1つのデータ値をセンシングするステップをさらに含む。一例として、センス増幅器138は、メモリアレイ104からデータ値をセンシングすることができ、また、センス増幅器138は、センス増幅器イネーブル出力212を介したセンスイネーブル信号SAENによって駆動することができる。
【００３４】
方法400は、412で、誤り訂正符号(ECC)エンジンを使用して少なくとも1つのデータ値をチェックするステップをさらに含む。414で決定されるように、少なくとも1つのデータ値が訂正可能な誤りを有している場合、次いで416で誤りが訂正され、また、422で少なくとも1つのデータ値が要求元に送られる。たとえば、その少なくとも1つのデータ値128は、メモリコントローラ118によって要求元に送ることができる、あるいは可変読出し遅延システム100を含んだ電子デバイス内の別の構成要素に送ることができる。420で訂正不可能な誤りが検出されると、次いで誤り訂正操作を試行することができる。420で決定されるように、誤りが訂正不可能のままである場合、次いで方法400は426へ進行する。誤り(訂正可能な誤りまたは訂正不可能な誤り)が検出されない場合、次いで422で少なくとも1つのデータ値が要求元に送られる。
【００３５】
方法400は、特定の読出し遅延値が短い読出し遅延(たとえば第1のセンシング遅延に対応する遅延)を示しているかどうかを決定するステップをさらに含む。読出し遅延値が長い読出し遅延(たとえば第1のセンシング遅延よりも長い第2のセンシング遅延に対応する遅延)を示している場合、次いで方法400は、428で致命的な誤りを要求元に示す。読出し遅延値が短い読出し遅延を示している場合、次いで424で、長い読出し遅延を示すよう、読出し遅延値が更新される。特定の実施形態では、第1のセンシング遅延を使用して、遅延部分110に対応するメモリセルを読み出した後の訂正不可能な誤りの検出に応答して、遅延部分110が、第1のセンシング遅延を示す、から、第2のセンシング遅延を示す、へ更新される。方法400は、読出し遅延値を更新した後、418で読出し操作を再試行するステップ、およびステップ404へ進行するステップをさらに含む。別の特定の実施形態では、方法400は、418から406へ進行するステップを含むことができ、センシング遅延は、更新された読出し遅延値(たとえば長い読出し遅延値)に基づく。
【００３６】
方法400を使用して、メモリアレイからデータを読み出す試行では、特定の継続期間(たとえば短いセンシング遅延に対応する短い継続期間、または長いセンシング遅延に対応する長い継続期間)を有するセンスイネーブル信号を使用してメモリアクセスを実施することができる。たとえば短い継続期間を使用したメモリアクセスが訂正不可能な誤りをもたらすと、方法400は、長い継続期間を使用したメモリアクセスを実施することができる。メモリアレイからデータを読み出す第1の試行が不首尾であり(たとえば訂正不可能な誤りのために)、また、第1の試行が短い継続期間を使用した場合、次いで方法400は、読出し遅延値を更新し、メモリアレイからデータを読み出す第2の試行を実施するべく進行する。第2の試行では、メモリアレイからデータを読み出すために、第2の継続期間(第2の継続期間は第1の継続期間よりも長い)を有するセンスイネーブル信号が使用される。したがって方法400は、短い継続期間を有するセンスイネーブル信号を使用することによって速やかなデータの読出しを試行するために使用することができ、また、方法400は、読出しアクセスに関連する誤りの訂正を試行するために、第2の継続期間(たとえばより長い継続期間)を有する第2のセンスイネーブル信号を使用してデータを読み出す第2の試行を選択的に実施することによって、失敗した読出し試行から回復することができる。さらに、方法400を使用して、短い継続期間を使用した読出しが実施された場合にどのビットが不良になるかに関する情報を決定し、かつ、記憶することができる。したがって方法400は、読出しアクセス時間に関して改良型性能を提供し、その一方で、追加読出しおよび誤り訂正試行により、さらに高いロバスト性も提供する。
【００３７】
上で説明したように、方法400は、受け取った読出し遅延値に基づいて特定のセンシング遅延を選択することによって読出し操作要求に応答する。たとえばセンシング遅延は、第1のセンシング遅延または第2のセンシング遅延であってもよい。説明されている特定の例では、第2のセンシング遅延は第1のセンシング遅延よりも長い。方法400は、さらに、読出し操作要求に対応する少なくとも1つのデータ値をセンス増幅器にセンシングさせるために、信号(たとえば選択されたセンシング遅延を有するセンス増幅器イネーブル信号)をセンス増幅器に送る。方法400は、特定のセンシング遅延が第1のセンシング遅延に対応している場合、訂正不可能な誤りを示す遅延値に関連する誤り訂正符号情報に応答して、センス増幅器に第2のセンシング遅延を使用してデータをセンシングさせるために第2の信号をセンス増幅器に送るステップをさらに含む。たとえば418で、第1の読出し遅延値(たとえば短い読出し遅延値)を使用した訂正不可能な誤りを決定するか、または検出すると、方法400は404へ進行して、第2のセンシング遅延を示す第2の読出し遅延値(たとえば長い読出し遅延値)を受け取る。方法400は、センス増幅器に第2のセンシング遅延を使用して少なくとも1つのデータ値をセンシングさせるために第2の信号をセンス増幅器に送るためにさらなる操作を実施する。
【００３８】
特定の実例実施形態では、特定の遅延値を読み出すためにルックアップテーブルにアクセスすることができる。別の実施形態では、特定の遅延値を受け取るためにタグアレイにアクセスすることができる。別の実施形態では、特定の読出し遅延値を受け取るために特定のレジスタ値を読み出すことができる。別の実施形態では、特定の遅延値を受け取るために別のメモリデバイスにアクセスすることができる。この方法によれば、特定のセンシング遅延を決定するために読出し遅延値を使用することができるため、特定のセンシング遅延はプログラム可能である。特定の実例実施形態では、第1のセンシング遅延の使用から第2のセンシング遅延の使用に変更する際に、第2のセンシング遅延を示すために読出しデータ値を修正することができる。たとえばテーブルまたはレジスタ内の項目は、第2のセンシング遅延を示すために更新することができるか、さもなければ修正することができる。たとえば読出しデータ値は、第2のメモリデバイスに記憶することができ、また、メモリコントローラから受け取った読出し操作要求などの読出し操作要求に基づいて読み出される特定のセルに対応し得る。
【００３９】
方法400に従って動作する電子デバイスは、第2のセンシング遅延のみを使用してデータ値を読み出す電子デバイスと比較すると、より短い平均メモリ読出し時間を有することができる。方法400に従って動作する電子デバイスは、第2のセンシング遅延のみを使用してデータ値を読み出す電子デバイスと同様の出力誤り率(たとえば読出し操作要求に応答して要求デバイスに提供されるデータに関連する誤り率)を有することができる。
【００４０】
図5は、可変読出し遅延システムを動作させる方法500を示すフローチャートである。方法500は、502で、読出し操作要求に応答して、第1のセンシング遅延および第2のセンシング遅延から特定のセンシング遅延を選択するステップを含む。第2のセンシング遅延は、第1のセンシング遅延よりも長くすることができる。たとえば図1の選択論理140は、メモリコントローラ118から受け取った選択信号142に基づいて、第1のセンシング遅延と第2のセンシング遅延との間で選択することができる。
【００４１】
また、方法500は、504で、センス増幅器に特定のセンシング遅延を使用して、読出し操作要求に対応する少なくとも1つのデータ値をセンシングさせるために信号をセンス増幅器に送るステップを同じく含む。たとえば選択論理140は、センス増幅器に特定のセンシング遅延を使用して、読出し操作要求に対応する少なくとも1つのデータ値をセンシングさせるために信号をセンス増幅器138に送ることができる。
【００４２】
図5の方法500は、中央処理装置(CPU)などの処理装置、書換え可能ゲートアレイ(FPGA)デバイス、特定用途向け集積回路(ASIC)、コントローラ、別のハードウェアデバイス、ファームウェアデバイスまたはそれらの任意の組合せによって開始し、および/または実施することができる。一例として、図5の方法500は、図6を参照してさらに説明するように、命令を実行する1つまたは複数のプロセッサあるいは実行ユニットによって実施する、または開始することができる。
【００４３】
方法500に従って動作する電子デバイスは、第2のセンシング遅延のみを使用してデータ値を読み出す電子デバイスと比較すると、より短い平均メモリ読出し時間を有することができる。方法500に従って動作する電子デバイスは、第2のセンシング遅延のみを使用してデータ値を読み出す電子デバイスと同様の出力誤り率(たとえば読出し操作要求に応答して要求デバイスに提供されるデータに関連する誤り率)を有することができる。
【００４４】
図6を参照すると、ブロック図は、可変読出し遅延システム602を含んだモバイルデバイス600の特定の実例実施形態を描写したものである。モバイルデバイス600またはその構成要素は、通信デバイス、モバイル電話、セルラー電話、コンピュータ、携帯型コンピュータ、タブレット、アクセスポイント、セットトップボックス、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、パーソナルデジタルアシスタント(PDA)、固定位置データユニット、モバイル位置データユニット、デスクトップコンピュータ、モニタ、コンピュータモニタ、テレビジョン、チューナ、無線、衛星無線、音楽プレーヤ、デジタル音楽プレーヤ、携帯型音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、デジタルビデオプレーヤ、デジタルビデオディスク(DVD)プレーヤまたは携帯型デジタルビデオプレーヤなどのデバイスを含むことができ、これらのデバイスを実現することができる、あるいはこれらのデバイス内に含むことができる。可変読出し遅延システム602は、図1の可変読出し遅延システム100に対応し得る。
【００４５】
モバイルデバイス600は、デジタル信号プロセッサ(DSP)などのプロセッサ612を含むことができる。プロセッサ612は、メモリ632(たとえば非一時的コンピュータ可読媒体)に結合することができる。メモリ632は、可変読出し遅延システム602を含むことができる、あるいは可変読出し遅延システム602とは全く異なっていてもよい。メモリアレイ104は、メモリ632の一部に対応し得る。可変読出し遅延システム602は、図3〜図5を参照して説明したように、第1のセンシング遅延を使用して、または第2のセンシング遅延を使用して少なくとも1つのデータ値を読み出すように構成することができる。メモリ632は、コンピュータ可読命令604を含むことができる。命令604は、図3、図4または図5に関連して説明した方法操作を実施するためにプロセッサ612によって実行することができる。
【００４６】
また、図6は、プロセッサ612およびディスプレイ628に結合されるディスプレイコントローラ626を同じく示している。符号器/復号器(CODEC)634をプロセッサ612に結合することも可能である。スピーカ636およびマイクロホン638は、CODEC634に結合することができる。ワイヤレスコントローラ640は、プロセッサ612に結合することができ、また、さらにアンテナ642に結合することができる。
【００４７】
特定の実施形態では、プロセッサ612、ディスプレイコントローラ626、メモリ632、CODEC634および可変読出し遅延システム602は、システム-イン-パッケージまたはシステム-オン-チップデバイス622の中に含まれている。入力デバイス630および電源644は、システム-オン-チップデバイス622に結合することができる。さらに、特定の実施形態では、図6に示されているように、ディスプレイ628、入力デバイス630、スピーカ636、マイクロホン638、アンテナ642および電源644は、システム-オン-チップデバイス622の外部に存在している。しかしながら、ディスプレイ628、入力デバイス630、スピーカ636、マイクロホン638、アンテナ642および電源644の各々は、インターフェースまたはコントローラなどのシステム-オン-チップデバイス622の構成要素に結合することが可能である。可変読出し遅延システム602は、図6に示されているようにシステム-オン-チップデバイス622の中に含むことができる、あるいは1つまたは複数の個別の構成要素の中に含むことができる。
【００４８】
メモリアレイを含んだメモリを含み、また、第2のメモリを含んだ電子デバイスの特定の実施形態では、電子デバイスの電源投入に応答して、複数の読出しデータ値をメモリアレイから第2のメモリに転送することができる。たとえばメモリアレイは不揮発性メモリデバイスに対応し、また、第2のメモリは揮発性メモリデバイスに対応し得る。特定のセンシング遅延値を選択し、また、センスイネーブル信号を送る操作は、電子デバイスの中に統合されたプロセッサによって開始することができる。たとえば、プロセッサ612またはシステム-オン-チップデバイス622内の別のプロセッサなどのプロセッサは、特定のセンシング遅延信号を選択するステップ、およびシステム-オン-チップデバイス622内のメモリなどのメモリアレイに1つまたは複数の信号を送るステップを開始することができる。他の例として、メモリ632に記憶されている命令604などの命令は、図3、図4または図5に関連して説明した方法操作を実施するために、プロセッサ612などのプロセッサによって実行することができる。
【００４９】
説明されている実施形態に関連して、装置(モバイルデバイス600などの装置)は、データを記憶するための手段(たとえば図1のメモリアレイ104または図6のメモリ632)を含むことができる。装置は、データを記憶するための手段から少なくとも1つのデータ値をセンシングするための手段(たとえば図1のセンス増幅器138)をさらに含むことができる。装置は、少なくとも1つのデータ値をセンシングするための手段に第1のセンシング遅延を使用して少なくとも1つのデータ値をセンシングさせることと、少なくとも1つのデータ値をセンシングするための手段に第2のセンシング遅延を使用して少なくとも1つのデータ値をセンシングさせることとの間で選択するための手段(たとえば図1の選択論理140または図2の選択遅延回路機構200)をさらに含むことができる。
【００５０】
上で開示されたデバイスおよび機能は、コンピュータ可読媒体上に記憶されるコンピュータファイル(たとえばRTL、GDSII、GERBER、等々)の中に設計し、かつ、構成することができる。そのようなファイルの一部またはすべてを、そのようなファイルに基づいてデバイスを製造する製作ハンドラに提供することができる。得られる生成物は、次いでダイに切断され、かつ、チップにパッケージされるウェハを含む。チップは、次いで、上で説明したデバイスに使用される。図7は、電子デバイス製造プロセス700の特定の実例実施形態を描写したものである。
【００５１】
物理デバイス情報702は、製造プロセス700において受け取られ、たとえばリサーチコンピュータ706などにおいて受け取られる。物理デバイス情報702は、可変読出し遅延システム(たとえば図1の可変読出し遅延システム100または図6の可変読出し遅延システム602に対応する可変読出し遅延システム)を含んだ電子デバイスの少なくとも1つの物理特性を表す設計情報を含むことができる。たとえば物理デバイス情報702は、物理パラメータ、材料特性、およびリサーチコンピュータ706に結合されたユーザインターフェース704を介して入力される構造情報を含むことができる。リサーチコンピュータ706は、メモリ710などのコンピュータ可読媒体に結合された、1つまたは複数の処理コアなどのプロセッサ708を含む。メモリ710は、ファイルフォーマットを遵守し、かつ、ライブラリファイル712を生成するために、プロセッサ708に物理デバイス情報702を変換させるように実行することができるコンピュータ可読命令を記憶することができる。
【００５２】
特定の実施形態では、ライブラリファイル712は、変換された設計情報を含んだ少なくとも1つのデータファイルを含む。たとえばライブラリファイル712は、電子設計自動化(EDA)ツール720とともに使用するために提供される、可変読出し遅延システム(たとえば図1の可変読出し遅延システム100または図6の可変読出し遅延システム602に対応する可変読出し遅延システム)を含んだ電子デバイス(たとえば半導体デバイス)のライブラリを含むことができる。
【００５３】
ライブラリファイル712は、メモリ718に結合された、1つまたは複数の処理コアなどのプロセッサ716を含んだ設計コンピュータ714において、EDAツール720とともに使用することができる。EDAツール720は、プロセッサ実行可能命令としてメモリ718に記憶することができ、それにより設計コンピュータ714のユーザは、ライブラリファイル712を使用して、可変読出し遅延システム(たとえば図1の可変読出し遅延システム100または図6の可変読出し遅延システム602に対応する可変読出し遅延システム)を含んだ回路を設計することができる。たとえば設計コンピュータ714のユーザは、設計コンピュータ714に結合されたユーザインターフェース724を介して回路設計情報722を入力することができる。回路設計情報722は、可変読出し遅延システム(たとえば図1の可変読出し遅延システム100または図6の可変読出し遅延システム602に対応する可変読出し遅延システム)を含んだ電子デバイスの少なくとも1つの物理特性を表す設計情報を含むことができる。実例で示すために、回路設計特性は、特定の回路の識別および回路設計における他の要素に対する関係、位置決め情報、フィーチャサイズ情報、相互接続情報、または電子デバイスの物理特性を表す他の情報を含むことができる。
【００５４】
設計コンピュータ714は、ファイルフォーマットを遵守するために、回路設計情報722を含んだ設計情報を変換するように構成することができる。実例で示すために、ファイル構造は、平らな幾何形状、テキストラベル、およびGraphic Data System(GDSII)ファイルフォーマットなどの階層フォーマットにおける回路レイアウトに関する他の情報を表すデータベースバイナリファイルフォーマットを含むことができる。設計コンピュータ714は、可変読出し遅延システム(たとえば図1の可変読出し遅延システム100または図6の可変読出し遅延システム602に対応する可変読出し遅延システム)を記述している情報を含み、また、SOC内の追加電子回路および構成要素を同じく含んだGDSIIファイル726などの変換された設計情報を含んだデータファイルを生成するように構成することができる。
【００５５】
GDSIIファイル726は、GDSIIファイル726内の変換された情報に従って可変読出し遅延システム(たとえば図1の可変読出し遅延システム100または図6の可変読出し遅延システム602に対応する可変読出し遅延システム)を製造するために製作プロセス728において受け取ることができる。たとえばデバイス製造プロセスは、代表マスク732として図7に示されている、フォトリソグラフィ処理とともに使用されるマスクなどの1つまたは複数のマスクを生成するために、GDSIIファイル726をマスク製造者730に提供するステップを含むことができる。マスク732は、試験されて代表ダイ736などのダイに分割され得る、1つまたは複数のウェハ733を生成するための製作プロセスの間、使用することができる。ダイ736は、可変読出し遅延システム(たとえば図1の可変読出し遅延システム100または図6の可変読出し遅延システム602に対応する可変読出し遅延システム)を含んだ回路を含む。
【００５６】
特定の実施形態では、製作プロセス728は、プロセッサ734によって開始または制御することができる。プロセッサ734は、コンピュータ可読命令またはプロセッサ可読命令などの実行可能命令を含んだメモリ735にアクセスすることができる。実行可能命令は、プロセッサ734などのコンピュータによって実行することができる1つまたは複数の命令を含むことができる。
【００５７】
製作プロセス728は、完全に自動化される、あるいは部分的に自動化される製作システムによって実現することができる。たとえば製作プロセス728は、自動化し、かつ、スケジュールに従って処理ステップを実施することができる。製作システムは、1つまたは複数の操作を実施して電子デバイスを形成するための製作設備(たとえば処理ツール)を含むことができる。たとえば製作設備は、集積回路製造プロセス(たとえばウェットエッチング、ドライエッチング、堆積、平坦化、リソグラフィまたはそれらの組合せ)を使用して集積回路素子を形成するように構成することができる。
【００５８】
製作システムは、分散アーキテクチャ(たとえば階層構造)を有することができる。たとえば製作システムは、分散アーキテクチャに従って分散される、プロセッサ734などの1つまたは複数のプロセッサ、メモリ735などの1つまたは複数のメモリおよび/またはコントローラを含むことができる。分散アーキテクチャは、1つまたは複数の低水準システムの動作を制御する、または動作を開始させる高水準プロセッサを含むことができる。たとえば製作プロセス728の高水準部分は、プロセッサ734などの1つまたは複数のプロセッサを含むことができ、また、低水準システムは、それぞれ1つまたは複数の対応するコントローラを含むことができる、あるいは1つまたは複数の対応するコントローラによって制御することができる。特定の低水準システムの特定のコントローラは、高水準システムから1つまたは複数の命令(たとえばコマンド)を受け取ることができ、下位モジュールまたは処理ツールにサブコマンドを発行することができ、また、高水準システムと通信して状態データを返すことができる。1つまたは複数の低水準システムの各々は、製作設備(たとえば処理ツール)の1つまたは複数の対応するピースに結合することができる。特定の実施形態では、製作システムは、製作システム内に分散される複数のプロセッサを含むことができる。たとえば製作システムの低水準システム構成要素のコントローラは、プロセッサ734などのプロセッサを含むことができる。
【００５９】
別法としては、プロセッサ734は、製作システムの高水準システム、サブシステムまたは構成要素の一部であってもよい。別の実施形態では、プロセッサ734は、製作システムの様々な水準および構成要素における分散処理を含む。
【００６０】
したがってメモリ735は、プロセッサ734によって実行されると、プロセッサ734が可変読出し遅延システム(たとえば図1の可変読出し遅延システム100または図6の可変読出し遅延システム602に対応する可変読出し遅延システム)の形成を開始する、または制御することになるプロセッサ実行可能命令を含むことができる。
【００６１】
ダイ736は、ダイ736が代表パッケージ740に組み込まれるパッケージングプロセス738に提供することができる。たとえばパッケージ740は、システム-イン-パッケージ(SiP)構造などの単一のダイ736または複数のダイを含むことができる。パッケージ740は、Joint Electron Device Engineering Council(JEDEC)規格などの1つまたは複数の規格または仕様に準拠するように構成することができる。
【００６２】
パッケージ740に関する情報は、コンピュータ746に記憶されているコンポーネントライブラリなどを介して様々な製品設計者に分配することができる。コンピュータ746は、メモリ750に結合された、1つまたは複数の処理コアなどのプロセッサ748を含むことができる。印刷回路基板(PCB)ツールは、ユーザインターフェース744を介してコンピュータ746のユーザから受け取られたPCB設計情報742を処理するために、プロセッサ実行可能命令としてメモリ750に記憶することができる。PCB設計情報742は、回路基板上のパッケージ済み電子デバイスの物理的位置決め情報を含むことができ、パッケージ済み電子デバイスは、可変読出し遅延システム(たとえば図1の可変読出し遅延システム100または図6の可変読出し遅延システム602に対応する可変読出し遅延システム)を含んだパッケージ740に対応する。
【００６３】
コンピュータ746は、PCB設計情報742を変換して、回路基板上のパッケージ済み電子デバイスの物理的位置決め情報、ならびにトレースおよびビアなどの電気接続のレイアウトを含んだデータを有するGERBERファイル752などのデータファイルを生成するように構成することができ、パッケージ済み電子デバイスは、可変読出し遅延システム(たとえば図1の可変読出し遅延システム100または図6の可変読出し遅延システム602に対応する可変読出し遅延システム)を含んだパッケージ740に対応する。他の実施形態では、変換されたPCB設計情報によって生成されたデータファイルは、GERBERフォーマット以外のフォーマットを有することができる。
【００６４】
GERBERファイル752は、基板組立てプロセス754において受け取り、それを使用して、GERBERファイル752内に記憶されている設計情報に従って製造される代表PCB756などのPCBを生成することができる。たとえばGERBERファイル752は、1つまたは複数の機械にアップロードして、PCB製造プロセスの様々なステップを実施することができる。PCB756には、代表印刷回路アセンブリ(PCA)758を形成するために、パッケージ740を始めとする電子構成要素を配置することができる。
【００６５】
PCA758は、製品製造者760が受け取り、第1の代表電子デバイス762および第2の代表電子デバイス764などの1つまたは複数の電子デバイスに統合することができる。実例となる、非制限例として、第1の代表電子デバイス762、第2の代表電子デバイス764または両方は、可変読出し遅延システム(たとえば図1の可変読出し遅延システム100または図6の可変読出し遅延システム602に対応する可変読出し遅延システム)が統合されるモバイル電話、タブレット、コンピュータ、通信デバイス、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、パーソナルデジタルアシスタント(PDA)および固定位置データユニットから選択することができる。別の実例となる、非制限例として、電子デバイス762および764のうちの1つまたは複数は、モバイル電話、ハンドヘルドパーソナル通信システム(PCS)ユニット、パーソナルデータアシスタントなどの携帯型データユニット、広域位置決めシステム(GPS)イネーブルデバイス、ナビゲーションデバイス、計器読取り設備などの固定位置データユニット、もしくはデータまたはコンピュータ命令を記憶する、あるいは検索する任意の他のデバイス、またはそれらの任意の組合せなどの遠隔ユニットであってもよい。図7は、本開示の教示による遠隔ユニットを示したものであるが、本開示は、示されているこれらのユニットに限定されない。本開示の実施形態は、メモリおよびオン-チップ回路機構を含んだ能動集積回路機構を始めとする任意のデバイスに適切に使用することができる。
【００６６】
可変読出し遅延システム(たとえば図1の可変読出し遅延システム100または図6の可変読出し遅延システム602に対応する可変読出し遅延システム)を含んだデバイスは、実例製造プロセス700で説明したように、電子デバイスの中に製作し、電子デバイスの中に処理し、かつ、電子デバイスの中に組み込むことができる。図1〜図6に関連して開示されている実施形態の1つまたは複数の態様は、様々な処理ステージにおいて、ライブラリファイル712、GDSIIファイル726およびGERBERファイル752などの中に含むことができ、かつ、リサーチコンピュータ706のメモリ710、設計コンピュータ714のメモリ718、コンピュータ746のメモリ750、基板組立てプロセス754などの様々なステージにおいて使用される1つまたは複数の他のコンピュータまたはプロセッサ(図示せず)のメモリに記憶することができ、また、マスク732、ダイ736、パッケージ740、PCA758、プロトタイプ回路またはデバイス(図示せず)などの他の製品、またはそれらの任意の組合せなどの1つまたは複数の他の物理的実施形態の中に組み込むことができる。図1〜図6を参照して様々な代表ステージが描写されているが、他の実施形態では、もっと少ないステージを使用することも、あるいは追加ステージを含むことも可能である。同様に、図7のプロセス700は、製造プロセス700の様々なステージを実施する単一の実体によって、または1つまたは複数の実体によって実施することができる。
【００６７】
説明されている実施形態に関連して、非一時的コンピュータ可読媒体は、プロセッサによって実行されると、プロセッサが読出し操作要求に応答して、第1のセンシング遅延および第2のセンシング遅延から特定のセンシング遅延を選択するステップを開始することになる命令を記憶する。第2のセンシング遅延は、第1のセンシング遅延よりも長くすることができる。非一時的コンピュータ可読媒体は、さらに、プロセッサによって実行されると、センス増幅器に特定のセンシング遅延を使用して、読出し操作要求に対応する少なくとも1つのデータ値をセンシングさせるために信号をセンス増幅器に送るステップをプロセッサが開始することになる命令を記憶する。
【００６８】
非一時的コンピュータ可読媒体は、図1のメモリアレイ104または図6のメモリ632に対応し得る。プロセッサは、図6のプロセッサ612に対応し得る。センス増幅器は、図1のセンス増幅器138に対応し得る。
【００６９】
当業者には、さらに、本明細書において開示されている実施形態に関連して説明されている様々な実例論理ブロック、構成、モジュール、回路およびアルゴリズムステップは、電子ハードウェア、プロセッサによって実行されるコンピュータソフトウェアまたはそれらの組合せとして実現することができることが認識されよう。様々な実例構成要素、ブロック、構成、モジュール、回路およびステップは、上では一般にそれらの機能に関して説明されている。そのような機能がハードウェアとして、あるいはプロセッサ実行可能命令として実現されるかどうかは、特定のアプリケーション、および総合システムに課される設計制約によって決まる。当業者は、説明されている機能を特定のアプリケーションごとに可変方式で実現することができるが、そのような実施態様決定は、本発明の範囲を逸脱させるものとして解釈してはならない。
【００７０】
本明細書において開示されている実施形態に関連して説明されている方法またはアルゴリズムのステップは、ハードウェアの中、プロセッサによって実行されるソフトウェアモジュールの中、またはそれらの組合せの中で直接具体化することができる。ソフトウェアモジュールは、ランダムアクセスメモリ(RAM)、フラッシュメモリ、リードオンリメモリ(ROM)、プログラマブルリードオンリメモリ(PROM)、消去可能プログラマブルリードオンリメモリ(EPROM)、電気的消去可能プログラマブルリードオンリメモリ(EEPROM)、レジスタ、ハードディスク、取外し可能ディスク、コンパクトディスクリードオンリメモリ(CD-ROM)などのメモリに常駐することができる。メモリは、当分野で知られている任意の形態の非一時的記憶媒体を含むことができる。例示的記憶媒体(たとえばメモリ)は、プロセッサが記憶媒体から情報を読み出すことができ、かつ、記憶媒体に情報を書き込むことができるようにプロセッサに結合される。代替では、記憶媒体はプロセッサと一体にすることができる。プロセッサおよび記憶媒体は、特定用途向け集積回路(ASIC)の中に常駐することができる。ASICは、コンピューティングデバイスまたはユーザ端末の中に常駐することができる。代替では、プロセッサおよび記憶媒体は、離散構成要素としてコンピューティングデバイスまたはユーザ端末の中に常駐することができる。
【００７１】
開示されている実施形態についての以上の説明は、開示されている実施形態の当業者による構築または使用を可能にするために提供されたものである。当業者にはこれらの実施形態に対する様々な修正が容易に明らかであり、また、本明細書において定義されている原理は、本開示の範囲を逸脱することなく他の実施形態に適用することができる。したがって本開示は、本明細書において示されている実施形態に限定されることは意図されておらず、以下の特許請求の範囲によって定義されている原理および新規な特徴と無矛盾の最も広義の可能範囲と一致するものとする。
【符号の説明】
【００７２】
100  可変読出し遅延システム
102  タグアレイ
104  メモリアレイ
106  行
108  タグ部分
110  遅延部分
112  行
114  データ部分
116  ECC部分
118  メモリコントローラ
120  アドレス
122  遅延データ
124  タグデータ
126  ECCデータ
128  データ値
130  アドレス
132  第1のメモリセル
134  第2のメモリセル
136  読出し遅延値
138  センス増幅器
140  選択論理
142  選択信号
144  ECCエンジン
146  処理デバイス
148  レジスタ
200  選択遅延回路機構
202  マルチプレクサ
204  遅延論理
206  センスイネーブル信号
208  クロック信号
210  センシング遅延制御信号
212  センス増幅器イネーブル出力
214  マルチプレクサの第1の入力
216  マルチプレクサの第2の入力
600  モバイルデバイス
602  可変読出し遅延システム
604  コンピュータ可読命令
612、708、716、734、748  プロセッサ
622  システム-オン-チップデバイス
626  ディスプレイコントローラ
628  ディスプレイ
630  入力デバイス
632、710、718、735、750  メモリ
634  符号器/復号器(CODEC)
636  スピーカ
638  マイクロホン
640  ワイヤレスコントローラ
642  アンテナ
644  電源
700  製造プロセス
702  物理デバイス情報
704、724、744  ユーザインターフェース
706  リサーチコンピュータ
712  ライブラリファイル
714  設計コンピュータ
720  電子設計自動化(EDA)ツール
722  回路設計情報
726  GDSIIファイル
728  製作プロセス
730  マスク製造者
732  マスク
733  ウェハ
736  ダイ
738  パッケージングプロセス
740  パッケージ
742  PCB設計情報
746  コンピュータ
752  GERBERファイル
754  基板組立てプロセス
756  PCB
758  印刷回路アセンブリ(PCA)
760  製品製造者
762、764  電子デバイス
【図１】
2017515256.tif 000003
【図２】
2017515256.tif 000004
【図３】
2017515256.tif 000005
【図４】
2017515256.tif 000006
【図５】
2017515256.tif 000007
【図６】
2017515256.tif 000008
【図７】
2017515256.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月26日(2016.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第1の複数の行を含む第1のメモリアレイと、
第2の複数の行を含む第2のメモリアレイであって、前記第2のメモリアレイの各行が前記第1のメモリアレイのそれぞれの行に対応するとともにタグ部分および遅延部分を含み、前記遅延部分が前記第1のメモリアレイの前記それぞれの行に対応する遅延データを記憶するように構成される、第2のメモリアレイと、
前記第1のメモリアレイの前記第1の複数の行の第1の行から少なくとも1つのデータ値をセンシングするように構成された、前記第1のメモリアレイのセンス増幅器と、
前記センス増幅器に、前記第1のメモリアレイの前記第1の行に対応する前記第2のメモリアレイの第1の行の前記遅延部分に記憶されている前記遅延データに基づいて、第1のセンシング遅延または第2のセンシング遅延のうちの少なくとも1つに従って前記少なくとも1つのデータ値をセンシングさせることから選択するように構成された、前記第1のメモリアレイの選択論理であって、前記第2のセンシング遅延が前記第1のセンシング遅延よりも大きい、選択論理と
を備える装置。
【請求項２】
前記第1のセンシング遅延に対応する第1のビット誤り率が、前記第2のセンシング遅延に対応する第2のビット誤り率よりも高い、請求項1に記載の装置。
【請求項３】
前記少なくとも1つのデータ値の第1の読出し操作を開始することであって、前記第1の読出し操作を開始するステップが、前記選択論理に、前記選択論理が前記センス増幅器に前記第1のセンシング遅延に従って遅延されるイネーブル信号を受信させることになる第1の選択信号を送るステップを含むステップと、
前記第1の読出し操作に対応する訂正不可能な誤りを示す前記少なくとも1つのデータ値に関連する誤り訂正符号(ECC)情報に基づいて、前記少なくとも1つのデータ値の第2の読出し操作を開始することであって、前記第2の読出し操作を開始するステップが、前記選択論理に、前記選択論理が前記センス増幅器に前記第2のセンシング遅延に従って遅延されるイネーブル信号を受信させることになる第2の選択信号を送るステップを含むステップと
を実施するように構成されたメモリコントローラをさらに備える、請求項1に記載の装置。
【請求項４】
前記メモリコントローラが、前記センス増幅器が前記第2のセンシング遅延に従って遅延されるイネーブル信号を受信した後の前記誤り訂正符号(ECC)情報を使用して訂正することができない訂正不可能な誤りの検出に応答して、致命的な誤りを示すように構成される、請求項3に記載の装置。
【請求項５】
前記第2のメモリアレイが複数の読出し遅延値を記憶し、前記第2のメモリアレイが前記第1のメモリアレイとは異なるタイプのメモリアレイであり、
前記少なくとも1つのデータ値の読出し操作を開始するように構成されたメモリコントローラであって、前記読出し操作を開始することが、前記選択論理に、前記複数の読出し遅延値のうちの対応する読出し遅延値に基づいて、前記選択論理に前記第1のセンシング遅延または前記第2のセンシング遅延のいずれかを選択させる選択信号を送ることを含む、メモリコントローラ
をさらに備える、請求項1に記載の装置。
【請求項６】
前記メモリコントローラが、前記第1のセンシング遅延を使用して前記少なくとも1つのデータ値を読み出した後、訂正不可能な誤りを示す前記少なくとも1つのデータ値に関連する誤り訂正符号(ECC)情報に基づいて、前記第2のセンシング遅延を示すように前記複数の読出し遅延値のうちの前記対応する読出し遅延値を修正するように構成される、請求項5に記載の装置。
【請求項７】
前記メモリコントローラが、前記センス増幅器が前記第2のセンシング遅延に従って遅延されるイネーブル信号を受信した後の前記誤り訂正符号(ECC)情報を使用して訂正することができない訂正不可能な誤りを検出することに応答して、致命的な誤りを示すように構成される、請求項6に記載の装置。
【請求項８】
前記第2のメモリアレイが揮発性メモリデバイスに対応し、前記第1のメモリアレイが不揮発性メモリデバイスに対応し、前記第2のメモリアレイが前記複数の読出し遅延値を含み、前記メモリコントローラが、前記第1のメモリアレイおよび前記第2のメモリアレイを備える電子デバイスの電源オン時に、前記複数の読出し遅延値を前記第1のメモリアレイから前記第2のメモリアレイに転送するように構成される、請求項5に記載の装置。
【請求項９】
前記複数の読出し遅延値の前記転送がシリアル転送操作を含む、請求項8に記載の装置。
【請求項１０】
前記複数の読出し遅延値の前記転送がパラレル転送操作を含む、請求項8に記載の装置。
【請求項１１】
前記第1のメモリアレイが、磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)アレイ、スピン-トランスファトルク(STT)MRAMアレイ、フラッシュメモリアレイ、抵抗性ランダムアクセスメモリ(ReRAM)アレイ、位相変化ランダムアクセスメモリ(PCRAM)アレイ、スタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)アレイ、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)アレイまたはそれらの組合せを備える、請求項5に記載の装置。
【請求項１２】
前記第2のメモリアレイがスタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)アレイを備える、請求項5に記載の装置。
【請求項１３】
前記第2のメモリアレイが、メモリアドレスを前記第1のメモリアレイの語線にマップする情報を記憶するように構成されたタグアレイである、請求項5に記載の装置。
【請求項１４】
前記第2のメモリアレイが複数のレジスタを備える、請求項5に記載の装置。
【請求項１５】
前記複数の読出し遅延値が前記第1のメモリアレイに記憶され、前記メモリコントローラが、前記複数のレジスタおよび前記第1のメモリアレイを備える電子デバイスの電源オン時に、前記複数の読出し遅延値を前記第1のメモリアレイから前記複数のレジスタに転送するように構成される、請求項14に記載の装置。
【請求項１６】
少なくとも1つのダイの中に統合される、請求項1に記載の装置。
【請求項１７】
前記第1のメモリアレイが統合される、モバイル電話、タブレット、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、パーソナルデジタルアシスタント(PDA)、固定位置データユニットおよびコンピュータから選択されるデバイスをさらに備える、請求項1に記載の装置。
【請求項１８】
読出し操作要求に応答して、第1のセンシング遅延または第2のセンシング遅延から特定のセンシング遅延を選択するステップであって、前記第2のセンシング遅延が前記第1のセンシング遅延よりも大きい、ステップと、
センス増幅器に前記特定のセンシング遅延に従って第1のメモリアレイの第1の行の少なくとも1つのデータ値をセンシングさせるために信号を前記センス増幅器に送るステップであって、前記第1のメモリアレイが第1の複数の行を含む、ステップと
を含み、前記特定のセンシング遅延が、前記第1のメモリアレイの第1の行に対応する第2のメモリアレイの第1の行の遅延部分に記憶されている遅延データに基づいて選択され、前記第2のメモリアレイが第2の複数の行を含み、前記第2のメモリアレイの各行が前記第1のメモリアレイのそれぞれの行に対応するとともにタグ部分および遅延部分を含む、方法。
【請求項１９】
前記特定のセンシング遅延が前記第1のセンシング遅延に対応している場合、訂正不可能な誤りを示す前記少なくとも1つのデータ値に関連する誤り訂正符号(ECC)情報に応答して、前記センス増幅器に前記第2のセンシング遅延に従って遅延されるイネーブル信号を受信させるために第2の信号を前記センス増幅器に送るステップ
をさらに含む、請求項18に記載の方法。
【請求項２０】
前記第1のセンシング遅延が、前記センス増幅器の出力が前記データ値に整定するための第1の時間間隔を含み、前記第2のセンシング遅延が、前記センス増幅器の前記出力が前記データ値に整定するための第2の時間間隔を含む、請求項18に記載の方法。
【請求項２１】
前記特定のセンシング遅延を選択するステップが、
読出し遅延値を受け取るステップと、
前記読出し遅延値に基づいて前記特定のセンシング遅延を選択するステップと
を含む、請求項18に記載の方法。
【請求項２２】
前記特定のセンシング遅延が前記第1のセンシング遅延に対応している場合、訂正不可能な誤りを示す前記少なくとも1つのデータ値に関連する誤り訂正符号(ECC)情報に応答して、前記第2のセンシング遅延を示すように前記読出し遅延値を修正するステップ
をさらに含む、請求項21に記載の方法。
【請求項２３】
前記読出し遅延値が前記第2のメモリアレイに記憶され、前記読出し操作要求に基づいて読み出される少なくとも1つの特定のメモリセルに対応する、請求項21に記載の方法。
【請求項２４】
前記1のメモリアレイおよび前記第2のメモリアレイを備える電子デバイスの電源オン時に、前記第1のメモリアレイから前記第2のメモリアレイに複数の読出し遅延値を転送するステップであって、前記第1のメモリアレイが不揮発性メモリデバイスに対応し、前記第2のメモリアレイが揮発性メモリデバイスに対応する、ステップ
をさらに含む、請求項23に記載の方法。
【請求項２５】
前記特定のセンシング遅延を選択するステップおよび前記信号を送るステップが、電子デバイスの中に統合されたプロセッサによって開始される、請求項18に記載の方法。
【請求項２６】
第1の複数の行を含む、データを記憶するための第1の手段と、
第1の複数の行を含む、データを記憶するための第2の手段であって、データを記憶するための前記第2の手段の各行がデータを記憶するための前記第1の手段のそれぞれの行に対応するとともにタグ部分および遅延部分を含み、前記遅延部分がデータを記憶するための前記第1の手段の前記それぞれの行に対応する遅延データを記憶するように構成される、第2の手段と、
データを記憶するための前記第1の手段の前記第1の複数の行の第1の行から少なくとも1つのデータ値をセンシングするための手段と、
少なくとも1つのデータ値をセンシングするための前記手段に、データを記憶するための前記第1の手段の前記第1の行に対応するデータを記憶するための前記第2の手段の第1の行の前記遅延部分に記憶されている前記遅延データに基づいて、第1のセンシング遅延または第2のセンシング遅延に従って前記少なくとも1つのデータ値をセンシングさせることから選択するための手段であって、前記第2のセンシング遅延が前記第1のセンシング遅延よりも大きい、手段と
を備える装置。
【請求項２７】
少なくとも1つのダイの中に統合される、請求項26に記載の装置。
【請求項２８】
データを記憶するための前記第1の手段、少なくとも1つのデータ値をセンシングするための前記手段、および選択するための前記手段が統合される、モバイル電話、タブレット、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、パーソナルデジタルアシスタント(PDA)、固定位置データユニットおよびコンピュータから選択されるデバイスをさらに備える、請求項26に記載の装置。
【請求項２９】
プロセッサによって実行されると、前記プロセッサが、
読出し操作要求に応答して、第1のセンシング遅延または第2のセンシング遅延から特定のセンシング遅延を選択するステップであって、前記第2のセンシング遅延が前記第1のセンシング遅延よりも大きい、ステップを開始し、かつ、
センス増幅器に前記特定のセンシング遅延に従って、第1のメモリアレイの第1の行の中の少なくとも1つのデータ値をセンシングさせるために信号を前記センス増幅器に送るステップであって、前記第1のメモリアレイが第1の複数の行を含む、ステップを開始する
ことになる命令を記憶するコンピュータ可読記憶媒体であって、前記特定のセンシング遅延が、前記第1のメモリアレイの第1の行に対応する第2のメモリアレイの第1の行の遅延部分に記憶されている遅延データに基づいて選択され、前記第2のメモリアレイの各行が前記第1のメモリアレイのそれぞれの行に対応するとともにタグ部分および遅延部分を含む、コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項３０】
前記コンピュータ可読記憶媒体が統合される、モバイル電話、タブレット、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、パーソナルデジタルアシスタント(PDA)、固定位置データユニットおよびコンピュータから選択されるデバイスをさらに備える、請求項29に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【国際調査報告】
2017515256.tif 000010
2017515256.tif 000011