(57)【要約】  装置は、基板と、基板の表面に結合された導波路とを含む。表面は、導波路のクラッディング層を形成する。装置は、導波路の端部に光学的に結合された光検出器を含む。光検出器は、導波路のコアから光信号を受信することに応答して電気信号を出力するように構成される。この装置は、基板に結合された増幅器デバイスも含む。増幅器デバイスは、増幅された電気信号を生成するために電気信号を増幅するために、光検出器に電気的に結合される。
2017516148.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の表面に結合された導波路であり、前記表面が、前記導波路のクラッディング層を形成している、導波路と、
前記導波路の端部に光学的に結合された光検出器であり、前記光検出器が、前記導波路のコアから光信号を受信することに応答して電気信号を出力するように構成されている、光検出器と、
前記基板に結合された増幅器デバイスであり、前記増幅器デバイスが、増幅された電気信号を生成するように前記電気信号を増幅するために、前記光検出器に電気的に結合される、増幅器デバイスと
を含む装置。
【請求項２】
回路基板をさらに含み、前記基板および前記導波路が前記回路基板に接続されており、前記光検出器および前記増幅器デバイスが前記基板に接続されている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記基板に結合され、前記導波路に光学的に結合された光学ルーティングデバイスをさらに含み、前記光学ルーティングデバイスが、前記光信号を、前記導波路のコアを通って前記光検出器に送信するように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記基板が透明材料を含み、前記基板が、前記コアから前記光検出器の光受容器に前記光信号を供給するように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記基板が、前記光信号を集束し、前記光信号を前記光受容器に供給するように構成されたレンズを含む、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記基板が、前記光検出器を前記増幅器デバイスに電気的に結合するように構成された１つまたは複数のトレースを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
導波路を電気光学トランシーバデバイスの基板の表面に適用するステップであり、前記表面が、前記導波路のクラッディング層を形成する、ステップと、
光源を前記導波路の端部に光学的に結合するステップと
を含む方法。
【請求項８】
論理ドライバが回路基板を介してデータ、電力、または両方を受信できるようにするために、前記論理ドライバを前記回路基板に電気的に結合するステップをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記導波路の第２の端部において光検出器をコアに光学的に結合するステップであって、前記光検出器が、前記コアを介して前記光源から光信号を受信し、前記光信号に対応する電気信号を生成するように構成される、ステップと、
増幅器デバイスを前記基板に結合するステップと、
前記光検出器に前記増幅器デバイスを電気的に結合するステップであって、前記増幅器デバイスが、前記電気信号を受信し、処理するように構成される、ステップと
をさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
論理ドライバを前記基板に結合するステップと、
前記光源に前記論理ドライバを電気的に結合するステップであって、前記論理ドライバが、前記光源によって生成される光信号の送信を制御するように構成される、ステップと
をさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記論理ドライバがシステムオンチップ内に含まれる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
光学ルーティングデバイスを前記基板、および前記導波路の第２の端部に結合するステップをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記光学ルーティングデバイスが、前記導波路のコアを介して前記光源から光信号を受信する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記論理ドライバが、前記基板の前記表面に結合される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記論理ドライバが、前記表面の反対側の前記基板の第２の表面に結合され、前記論理ドライバが、前記基板を貫く導電性ビアによって前記光源に電気的に結合される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
導波路はポリマー導波路であり、前記導波路を適用し、前記光源を前記導波路の前記端部に光学的に結合するステップが、組立プロセスの間、命令を実行するプロセッサによって開始または制御される、請求項７に記載の方法。
【請求項１７】
電気光学通信を可能にするための手段と、
光を誘導するための手段であって、光を誘導するための前記手段が、電気光学通信を可能にするための前記手段の表面に接続され、前記表面が光を誘導するための前記手段のクラッディング層を形成する、手段と、
光を誘導するための前記手段に光信号を適用するための手段と、
前記光信号を適用するための前記手段を制御するための手段であり、制御するための前記手段が、前記光信号を適用するための前記手段に電気的に結合される、手段と
を含む装置。
【請求項１８】
電気光学通信を可能にするための前記手段が基板を含み、前記基板に結合された光学ルーティングのための手段をさらに含み、光学ルーティングのための前記手段が、宛先デバイスに前記光信号を向ける、請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
信号処理のための手段をさらに含み、信号処理のための前記手段が、光を誘導するための前記手段を介して第２の光信号を受信し、前記第２の光信号に対応する電気信号を生成する光信号検出のための手段に電気的に結合される、請求項１７に記載の装置。
【請求項２０】
電気光学通信を可能にするための前記手段に結合された信号処理のための手段と、
信号処理のための前記手段に電気的に結合され、光を誘導するための前記手段に光学的に結合された光信号検出のための手段であり、光信号検出のための前記手段が、光を誘導するための前記手段を介して前記光信号を受信し、信号処理のための前記手段に前記光信号に対応する電気信号を送信する、手段と
をさらに含む、請求項１７に記載の装置。
【請求項２１】
回路基板をさらに含み、前記回路基板が、電気光学通信を可能にするための前記手段に結合される、請求項１７に記載の装置。
【請求項２２】
前記回路基板が結合される、サーバ、モバイルフォン、通信デバイス、タブレット、ナビゲーションデバイス、携帯情報端末、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、固定位置データユニット、およびコンピュータから選択されるデバイスをさらに含む、請求項２１に記載の装置。
【請求項２３】
基板と、
基板の表面に結合された光源アレイであり、前記光源アレイが、光信号を、前記基板を通る複数の経路を介して導波路の送信コアに向けるように構成されている、光源アレイと、
１対の隣接した経路の間の光信号のクロストークを低減するための前記１対の隣接した経路の間のビアと、
前記光源アレイを制御するための論理ドライバであり、前記論理ドライバが、前記基板に結合され、前記光源アレイに電気的に結合される、論理ドライバと
を含むシステム。
【請求項２４】
前記基板がレンズアレイを含み、前記レンズアレイのレンズのサブセットが、前記光源アレイからの光信号を焦束するように構成されている、請求項２３に記載のシステム。
【請求項２５】
前記レンズアレイの前記レンズの第２のサブセットが、前記基板に結合された少なくとも１つの光検出器上の前記導波路の少なくとも１つの受信コアから第２の光信号を焦束するように構成されている、請求項２４に記載のシステム。
【請求項２６】
前記導波路が回路基板に結合され、前記論理ドライバが、前記基板を貫く１つまたは複数のビアによって前記回路基板に結合される、請求項２３に記載のシステム。
【請求項２７】
前記導波路が、前記基板の第２の表面に結合される、請求項２３に記載のシステム。
【請求項２８】
前記基板に結合され、前記導波路に光学的に結合された光学ルーティングデバイスをさらに含み、前記光学ルーティングデバイスが、前記導波路の１つまたは複数の送信コアを介して前記光信号を受信するように構成されている、請求項２７に記載のシステム。
【請求項２９】
前記基板の前記表面に結合され、前記導波路に光学的に結合された光検出器アレイと、前記基板を通る複数の第２の経路を介して前記導波路の受信コアから第２の光信号を受信し、前記第２の光信号に対応する電気信号を生成するように構成された光検出器アレイと、
第２の対の隣接した経路の間の第２の光信号のクロストークを低減するための前記第２の対の隣接した経路の間の第２のビアと、
前記光検出器アレイから受信された前記電気信号を処理するための増幅器デバイスであり、前記増幅器デバイスが、前記基板に結合され、前記光検出器アレイに電気的に結合されている、増幅器デバイスと
をさらに含む、請求項２３に記載のシステム。
【請求項３０】
ある経路と、前記ある経路に隣接した第２の経路との間の第３のビアであって、前記ある経路と前記第２の経路との間の光信号のクロストークを低減するための第３のビアをさらに含む、請求項２９に記載のシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、参照によりその内容全体が本明細書に明確に組み込まれる、本願の譲受人が所有する２０１４年５月１６日に出願の米国非仮特許出願第１４／２８０，２７０号の優先権を主張する。
【０００２】
本開示は、一般に、チップ間相互接続を可能にするための電気光学トランシーバデバイスに関する。
【背景技術】
【０００３】
電子デバイスは、回路基板に接続された半導体デバイス（または半導体「チップ」）を含み得る。たとえば、モバイル電子デバイスは、回路基板に接続されたプロセッサおよびメモリを含み得る。半導体デバイスは、金属相互接続などの接続を使用して通信することができる。通信速度および／または品質を高めるために、半導体デバイスは、光学（または電気光学）相互接続を使用して接続され得る。たとえば、半導体デバイスは、データを光信号に変調し、光通信チャネルを介して光信号を送信することによって、別の半導体デバイスにデータを送信し、そこからデータを受信することができる。
【０００４】
光通信を可能にするために回路基板上に半導体デバイスを組み立てることは、高価で複雑であり得る。たとえば、回路基板上に半導体デバイスを組み立てるためのプロセスは、（たとえば、１つまたは複数のレンズ、導波路などを形成するために）様々な材料を使用した複数の組立作業を含み得る。さらに、回路基板は、組立プロセスを検証するための複数のテスト作業の対象となり得る。その結果、電子デバイスの一部の設計者および製造業者は、光結合を使用する代わりに、デバイス構成要素を接続するために、電子結合（たとえば、銅相互接続）を利用する。これらの電子デバイスは、光学的に結合された半導体チップを含む電子デバイスと比較して、性能が低下した（たとえば、低速通信）可能性がある。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
デバイスは、たとえばガラス介入物などの基板を含むことができる。基板は、プリント回路基板（ＰＣＢ）に結合され、デバイスの構成要素（たとえば、プロセッサおよび／またはメモリ）間に情報を伝達する光チャネル（たとえば、導波路）にさらに結合され得る。基板は、電気光学機能および構成要素を集積する構成を有し得る。たとえば、基板は、１つもしくは複数のレンズアレイ、トレース、導波路、および／または電気相互接続を含み得る（すなわち、１つもしくは複数のレンズアレイ、トレース、導波路、電気相互接続、および／または他の構成要素は基板内に集積され得る）。導波路は、基板の表面に結合され得る。代替的にまたは追加として、基板は、導波路を含み得る（すなわち、導波路は基板内に集積され得る）。基板は、（たとえば、従来の電気光学組立プロセスに関していくつかの組立作業を低減することによって）従来の電気光学組立プロセスと比較して、製作および組立コストの低減を可能にし得る。たとえば、基板は、デバイス製造業者が、たとえばシリコン（Ｓｉ）キャリア、有機カットアウト基板、および／またはレンズアレイなど、個別の構成要素の複雑な組立を回避できるようにすることができる。さらに、基板内に構成要素を集積することによって、従来の組立プロセスを使用して組み立てられたデバイスと比較して、デバイスのサイズ（または「フォームファクタ」）が低減され得る。
【０００６】
特定の実施形態では、装置は、基板と、基板の表面に結合された導波路とを含む。表面は、導波路のクラッディング層を形成する。装置は、導波路の端部に光学的に結合された光検出器を含む。光検出器は、導波路のコアから光信号を受信することに応答して電気信号を出力するように構成される。この装置は、基板に結合された増幅器デバイスも含む。増幅器デバイスは、増幅された電気信号を生成するために電気信号を増幅するために、光検出器に電気的に結合される。
【０００７】
別の特定の実施形態では、方法は、導波路を電気光学トランシーバデバイスの基板の表面に適用するステップを含む。表面は、導波路のクラッディング層を形成する。方法は、光源を導波路の端部に光学的に結合するステップをさらに含む。光源は、光信号を与えるように構成される。
【０００８】
別の特定の実施形態では、装置は、電気光学通信を可能にするための手段（たとえば基板）と、光を誘導するための手段とを含む。光を誘導するための手段は、電気光学通信を可能にするための手段の表面に接続される。表面は、光を誘導するための手段のクラッディング層を形成する。装置は、光を誘導するための手段に光信号を適用するための手段と、光信号を適用するための手段を制御するための手段とをさらに含む。制御するための手段は、光信号を適用するための手段に電気的に結合される。
【０００９】
別の特定の実施形態では、システムは、基板と、基板の表面に結合された光源アレイとを含む。光源アレイは、光信号を、複数の経路を介して基板を通って導波路の送信コアに向けるように構成される。システムは、１対の隣接した経路の間の光信号のクロストークを低減するために１対の隣接した経路間のビアをさらに含む。システムは、光源アレイを制御するための論理ドライバをさらに含む。論理ドライバは、基板に結合され、光源アレイに電気的に結合される。
【００１０】
開示する実施形態のうちの少なくとも１つによって提供される特定の利点は、基板上の光学的構成要素を含む電気光学トランシーバデバイスが、より少ないプロセス動作を使用して製造され得ることである。たとえば、電気光学トランシーバデバイスの導波路および電気光学トランシーバデバイスの構成要素は、同じ基板に結合され得る。代替的にまたは追加として、基板は、導波路を含み得、これは、デバイスを導波路に接続することに関連した組立コストを低減することができる。さらに、個別構成要素および金属相互接続（ガラス介入物の代わりに）を利用する電気光学トランシーバデバイスと比較して、デバイスのサイズ（または、「スタック高さ」）が低減され得る。本開示による電気光学トランシーバデバイスは、信号品質の低下無しに、より高いバススループット、より少ない相互接続ピン、あまり混雑していない論理間ルーティング、および／またはより長い相互接続を可能にし得る。図面の簡単な説明、発明を実施するための形態、および特許請求の範囲の各セクションを含む本願全体を検討した後に、本開示の他の態様、利点、および特徴が明らかとなるであろう。本開示の他の態様、利点、および特徴が明らかとなるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】回路基板に結合された電気光学トランシーバデバイスを有するデバイスの特定の例示的な実施形態の平面図である。
【図２】電気光学トランシーバデバイスの例示的な実施形態の一部の図１の切断線２−２に実質的に沿った断面図である。
【図３】基板のレンズの共有の中心線を通る切断線に実質的に沿った図１の基板の特定の例示的な実施形態の断面図である。
【図４】電気光学トランシーバデバイスの特定の例示的な実施形態の平面図である。
【図５】電気光学トランシーバデバイスの光導波路の断面を示す図４の切断線５−５に実質的に沿った断面図である。
【図６】図４に示した電気光学トランシーバデバイスを含むデバイスの正面図である。
【図７】回路基板に結合された電気光学トランシーバデバイスを含むデバイスの特定の例示的な実施形態の正面図である。
【図８】回路基板に結合された電気光学トランシーバデバイスを含むデバイスの特定の例示的な実施形態の正面図である。
【図９】光学ルーティングデバイスを含む電気光学トランシーバデバイスの特定の例示的な実施形態の平面図である。
【図１０】電気光学トランシーバデバイスを形成する方法の特定の例示的な実施形態のフローチャートである。
【図１１】電気光学トランシーバデバイスを含むポータブルデバイスのブロック図である。
【図１２】電気光学トランシーバデバイスを含む電子デバイスを製造するための製造プロセスの特定の例示的な実施形態のデータフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
チップ間通信を可能にするために電気光学トランシーバデバイスを含むデバイスの特定の実施形態が本開示で提示される。チップ間通信は、単一の回路基板に結合されたチップの間、または第１の回路基板に実装されたチップと第２の回路基板に実装された第２のチップとの間とすることができる。しかしながら、デバイスの設計に関する特定の実施形態のために記載されている情報が様々な状況で具体化され得ることを諒解されたい。提示される特定の実施形態は、単に例示であり、本開示の範囲を制限するものではない。
【００１３】
本開示は、特定の状況での特定の実施形態を説明する。しかしながら、特定の実施形態に従って説明されている機能、方法、構造、または特徴は、また、１つもしくは複数の他の実施形態を形成するために、適切な方法で組み合わされ得る。加えて、図面は、機能、方法、構造、または特徴間の相対的な関係を示すために使用され、したがって、縮尺通りに描かれていない場合がある。「上部」、「下部」、「前」、「後ろ」などのような方向の用語は、説明されている図面の向きに関して使用される。そのように、方向の用語は、例示の目的のために使用され、限定することを意図されていない。
【００１４】
図１は、デバイス１００（電気光学デバイス）の特定の例示的な実施形態の平面図を示す。デバイス１００は、回路基板１０４に結合された電気光学トランシーバデバイス１０２を含み得る。電気光学トランシーバデバイス１０２は、基板１０６（たとえばガラス介入物など、透明または半透明の基板）を含み得る、または基板１０６に結合され得る。基板１０６は、電気光学通信に関連付けられたいくつかの構成要素を集積し得る。たとえば、基板１０６は、１つもしくは複数の相互接続、ビア、光デバイス、レンズまたはレンズアレイ、１つもしくは複数の他の構成要素、またはそれらの組合せを含み得る。
【００１５】
電気光学トランシーバデバイス１０２は、論理デバイス（ＬＤ）１０８、光源（ＬＳ）１１０、増幅器デバイス（ＡＤ）１１２、および光検出器（ＰＤ）１１４を含み得る。ＬＤ１０８、ＬＳ１１０、ＡＤ１１２、およびＰＤ１１４は、基板１０６に接続され得る。
【００１６】
ＬＤ１０８およびＡＤ１１２は、回路基板１０４に接続されたデバイス間の通信を可能にすることができる。たとえば、電気光学トランシーバデバイス１０２は、回路基板１０４に接続された第１のデバイス（たとえば、例示的な例として、プロセッサまたはメモリ）によってアクセスされ得る。第１のデバイスは、情報を伝えるために電気光学トランシーバデバイス１０２を使用することができる。たとえば、第１のデバイスは、（たとえば、回路基板１０４に接続された第２のデバイスに）情報を送信するためにＬＤ１０８およびＬＳ１１０を使用することができる。別の例として、第１のデバイスは、（たとえば、第２のデバイスから）情報を受信するためにＡＤ１１２およびＰＤ１１４を使用することができる。第２のデバイスは、第１のデバイスと通信するために第２の電気光学トランシーバデバイス１２２を使用することができる。特定の実施形態では、第２の電気光学トランシーバデバイス１２２の構成要素および動作は、電気光学トランシーバデバイス１０２に関して説明されている通りであり得る。特定の実装形態に応じて、第２の電気光学トランシーバデバイス１２２は、基板１０６、別の基板、回路基板１０４、またはデバイス１００の別の回路基板に結合され得る。
【００１７】
特定の実施形態では、回路基板１０４は、導波路１１６を含む光学回路基板である。代替的に、導波路１１６は、回路基板１０４とは別個とすることができる。導波路１１６は、回路基板１０４の上面に結合され得、または、例示的な例として、導波路１１６は、回路基板１０４のサブレイヤの一部であり得る。電気光学トランシーバデバイス１０２は、回路基板１０４の第１の位置において回路基板１０４に結合され、第２の電気光学トランシーバデバイス１２２は、回路基板１０４の第２の位置において回路基板１０４に結合され得る。第２の電気光学トランシーバデバイス１２２は、導波路１１６を介して電気光学トランシーバデバイス１０２に通信可能に結合され得る。別の実施形態では、導波路１１６の第２の端部は、デバイス１００の第２の回路基板に結合され得る。第２の電気光学トランシーバデバイス１２２は、第２の回路基板に結合され得、導波路の第２の端部に光学的に結合され得る。
【００１８】
いくつかの実施形態では、電気光学トランシーバデバイス１０２および第２の電気光学トランシーバデバイス１２２は各々、１つもしくは複数の追加の論理ドライバ、すなわち光源の対、および／または１つもしくは複数の増幅器デバイス、すなわち基板１０６に結合され、導波路１１６に光学的に結合された光検出器の対を含み得る。いくつかの実施形態では、電気光学トランシーバデバイス１０２は、導波路１１６を介して光学ルーティングデバイスに通信可能に結合される。光学ルーティングデバイスは、１つもしくは複数の光スイッチ、マルチプレクサ、デマルチプレクサ、またはそれらの組合せを含み得る。光学ルーティングデバイスは、図９をさらに参照しながら説明するように、デバイス構成要素に光信号を選択的にルーティングすることができる。
【００１９】
基板１０６は、透明材料（たとえば、ガラス、クォーツなど）を含み得る。基板１０６は、基板１０６を通る１つまたは複数の導電性ビアを含み得る。導電性ビアは、ＬＤ１０８およびＡＤ１１２が、回路基板１０４および／または別のデバイス（たとえば、基板１０６下に配置され、図１に図示されていないデバイス）に電気的に結合されることを可能にすることができる。さらに例示するために、導電性ビアは、ＬＤ１０８およびＡＤ１１２が、回路基板１０４に接続された電源から電力を受け取ることを可能にすることができる。
【００２０】
ＬＤ１０８は、ＬＳ１１０がデータに対応する光信号を第２の電気光学トランシーバデバイス１２２に送信するようにＬＳ１１０を制御する論理ドライバであり得る。ＬＤ１０８は、（たとえば、電気光学トランシーバデバイス１０２にアクセスする第１のデバイスから）回路基板１０４に結合された１つまたは複数のデバイスから送信されるデータを受信することができる。たとえば、ＬＤ１０８は、ＬＳ１１０に、第２の電気光学トランシーバデバイス１２２に送信されるべきデータを表すように光信号を変調させ得る。光信号は、導波路１１６を介して第２の電気光学トランシーバデバイス１２２に送信され得る。非限定的な、例示的な例として、プロセッサまたはメモリは、メモリに記憶されるべき、またはプロセッサによって使用されるべきデータおよび／または命令を表すように光信号を変調するために、ＬＤ１０８およびＬＳ１１０を使用することができる。基板１０６上のトレース１１８は、ＬＤ１０８がＬＳ１１０を制御することを可能にするために、ＬＤ１０８を光源ＬＳ１１０に電気的に結合することができる。たとえば、ＬＤ１０８によって生成される電気信号は、トレース１２０を介してＬＳ１１０に供給され得、ＬＳ１１０は、電気信号に基づいて光信号を生成することができる。
【００２１】
ＬＳ１１０は、１つもしくは複数の発光ダイオード、レーザーダイオード、レーザーおよび／または他の光源を含み得る。いくつかの実施形態では、ＬＳ１１０は、面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ）でもよい。ＬＳ１１０は、第２の電気光学トランシーバデバイス１２２に光信号を送信するためにＬＤ１０８によって制御され得る。ＬＳ１１０は、導波路１１６の複数のコアを使用して複数の光信号を第２の電気光学トランシーバデバイス１２２に送信するように構成されたアレイを含み得る。アレイは、例示的な例として、線形アレイまたは個々の照明源の２次元アレイでもよい。
【００２２】
ＰＤ１１４は、フォトダイオードまたは他の光検知デバイスを含み得る。ＰＤ１１４は、第２の電気光学トランシーバデバイス１２２から光信号を受信し得る。ＰＤ１１４は、導波路１１６を介して光信号を受信し、受信された光信号に基づいて対応する電気信号（たとえばデータ）を生成するように構成され得る。例示的な例として、ＰＤ１１４は、たとえば受信された光信号に対応する大きさ、周波数、および／または位相を有する電気信号を生成することによって、受信された光信号に応答して電気信号を生成するように構成された１つもしくは複数のフォトダイオードを含み得る。ＰＤ１１４は、電気信号をＡＤ１１２に供給し得る。ＰＤ１１４は、導波路１１６の複数のコアを介して複数の入射光信号を同時に受信するように構成された光受容器のアレイを含み得る。アレイは、例示的な例として、光受容器の線形アレイまたは光受容器の２次元アレイを含み得る。
【００２３】
ＡＤ１１２は、導波路１１６を介して第２の電気光学トランシーバデバイス１２２からＰＤ１１４によって受信された入射光信号に対応する電気信号を増幅するように構成された増幅器を含み得る。ＡＤ１１２は、回路基板１０４を介して増幅された電気信号を（たとえば、第１のデバイスに）送信することができる。基板１０６上のトレース１２０は、ＡＤ１１２をＰＤ１１４に電気的に結合することができる。たとえば、ＰＤ１１４によって生成される電気信号は、トレース１２０を介してＡＤ１１２に供給され得、ＡＤ１１２は、増幅された電気信号を生成するために電気信号を増幅することができる。
【００２４】
図１の例は、改善された電気光学通信技法を示す。たとえば、基板１０６は、従来の電気光学組立プロセスに関するいくつかの組立作業を低減することができる。さらなる説明のために、図１の例では、基板１０６は、たとえば１つもしくは複数の相互接続（たとえば、トレース１１８、１２０）、ビア、光デバイス、レンズ（図１に図示されない）、１つもしくは複数の他の構成要素、またはそれらの組合せなど、いくつかの構成要素を集積し得る。基板１０６内にそのような構成要素を集積することは、いくつかの構成要素を「１つずつ」接続する組立プロセスを使用して組み立てられるデバイスと比較して、デバイス１００のサイズ（または「フォームファクタ」）を低減することができる。
【００２５】
デバイス１００を組み立てるために、透明材料の一部分（たとえば、ブロック）が、基板１０６を形成するために処理され得る。たとえば、その部分は、透明材料の部分の特定の位置において１つもしくは複数の集積光学デバイス（たとえば、レンズ）および／またはビアを含むために処理され得る（たとえば、カット、研磨、プレスモールド、レーザードリル、および／またはエッチングなど）。ビアは、いくつかの伝導特性、光学特性、他の特性、またはそれらの組合せを有する材料で充填され得る。１つまたは複数の再配線層（ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）は、透明材料上に配置され得る。電気光学トランシーバデバイス１０２の構成要素は、たとえばフリップチッププロセスを使用するなど、１つもしくは複数の再配線層、１つもしくは複数の導電性ビア、または両方に結合され得る。フリップチッププロセスは、得られた電気光学トランシーバが機能的であるように、透明材料で形成されるレンズとの電子光学的構成要素（たとえば、ＬＳ１１０およびＰＤ１１４）の整合を可能にすることができる。いくつかの実施形態では、各電気光学トランシーバのＬＤ１０８およびＡＤ１１２は、個々の構成要素の代わりに、単一のデバイス（たとえば、システムオンチップデバイス）の構成要素でもよい。
【００２６】
回路基板１０４は、導波路１１６とともに製作され得る（たとえば、回路基板１０４は光学回路基板に対応し、導波路１１６は光学回路基板内に集積され得る）。代替的にまたは追加として、導波路は、回路基板１０４の製作の後、回路基板１０４に結合されてもよい。代替的にまたは追加として、導波路は、（たとえば、デバイスフォームファクタ、組立プロセスなど）特定の適用例に応じて、基板１０６に結合され得る、またはその中に形成され得る。電気光学トランシーバデバイス１０２は、電気光学トランシーバデバイス１０２を導波路１１６に整合させ、電気光学トランシーバデバイス１０２を回路基板１０４に電気的に結合するために、導波路１１６の第１の端部の近くで回路基板１０４に結合され得る（たとえば、フリップチッププロセスを使用して）。第２の電気光学トランシーバデバイス１２２は、回路基板１０４または第２の回路基板に結合され得る。第２の電気光学トランシーバデバイス１２２は、第２の電気光学トランシーバデバイス１２２を導波路１１６に整合させ、第２の電気光学トランシーバデバイス１２２を回路基板１０４または第２の回路基板に電気的に結合し、デバイス１００を形成するために、導波路１１６の第２の端部に結合され得る（たとえば、フリップチッププロセスを使用して）。
【００２７】
したがって、基板１０６の使用は、電気光学通信を使用するデバイスを組み立てるためのプロセスを単純化し得る。図１の例では、トレース１１８、１２０は、基板１０６上に形成（たとえば「事前作製」）され得る。トレース１１８、１２０は、「カスタマイズされた」相互接続を形成するプロセスと比較して、より少ないプロセス動作でデバイス１００を組み立てることを可能にし得る。トレース１１８、１２０の代わりにまたはそれに加えて、１つまたは複数の他の構造が基板に形成されてもよい。たとえば、図２をさらに参照しながら説明するように、１つまたは複数のレンズが基板に形成され得る。
【００２８】
図２は、図１の切断線２−２によって示される平面に実質的に沿った図１のデバイス１００の断面図を示す。電気光学トランシーバデバイス１０２は、複数のコネクタ２０２によって回路基板１０４に結合され得る。コネクタ２０２は、電気光学トランシーバデバイス１０２を物理的に支持することができ、電気光学トランシーバデバイス１０２を回路基板１０４に電気的に結合することができ、またはその両方を行うことができる。
【００２９】
図２の例では、導波路１１６は、（たとえば、電気光学トランシーバデバイス１０２、１２２など、デバイス構成要素間に複数の光信号を別個に、および同時に送信するための複数のチャネルなど）複数のコアを含むマルチコア導波路に対応する。複数のコアは、デバイス（またはたとえば出射コア２０６などの「出射コア」）から出射光信号を受信するように構成された１つもしくは複数のコアを含み得る。複数のコアは、デバイス（またはたとえば入射コア２１０などの「入射コア」）から入射光信号を受信するように構成された１つもしくは複数のコアを含み得る。
【００３０】
基板１０６は、光信号を焦束し、光信号をたとえば図１のＰＤ１１４の光受容器などの光受容器に供給するように構成されたレンズを含み得る。たとえば、基板１０６は、レンズ２０４を含み得る。レンズ２０４は、基板１０６を通ってＬＳ１１０から導波路１１６のミラーに進む出射光信号を焦束することができる。導波路１１６のミラーは、出射光信号を導波路１１６の出射コア２０６に向けることができる。基板１０６は、レンズ２０８も含み得る。レンズ２０８は、導波路１１６の入射コア２１０からＰＤ１１４の光受容器への入射光信号を焦束することができる。レンズ２０４および２０８は、基板１０６の下面から延びるものとして図２に表される。他の実施形態では、レンズ２０４および２０８は、基板１０６において凹んでいる、基板１０６の上面から延びる、基板１０６の下面から延びる、またはそれらの組合せとすることができる。たとえば、少なくとも１つの実施形態では、レンズ２０４は、基板１０６の下面近くで基板１０６において凹んでおり、レンズ２０８は、基板１０６の上面近くで基板１０６において凹んでいる。
【００３１】
導波路１１６は、回路基板１０４に結合され得る。導波路１１６は、ＬＤ１０８からの出射光信号のためのＬＳ１１０下の出射コア２０６、入射光信号のためのＰＤ１１４下の入射コア２１０、およびクラッディング２１２を含み得る。クラッディング２１２は、出射コア２０６を通過する出射光信号の反射（たとえば、内部全反射）を可能にすることができ、入射コア２１０を通過する入射光信号の反射をさらに可能にすることができる。導波路１１６は、各出射コア２０６の端部に配置されたミラーを含み得る。特定の出射コアのためのミラーは、出射光信号が特定の出射コアに入るように、特定の出射コアに関連付けられたＬＳ１１０から基板１０６を通過する出射光信号の方向を変更することができる。導波路１１６は、各入射コア２１０の端部に配置されたミラーも含み得る。特定の入射コアのためのミラーは、入射光信号が基板１０６を通って特定の入射コアに対応するＰＤ１１４の特定の光受容器に向けられるように、特定の入射コアを出る入射光信号の方向を変更することができる。
【００３２】
図２の例は、たとえば導波路１１６などの導波路を介して送受信される光信号を焦束するために、基板（たとえば、基板１０６）が１つまたは複数のレンズ（たとえば、レンズ２０４、２０８）を含み得ることを示す。レンズ２０４、２０８は、（たとえば、光の屈折などによって生じる歪曲を低減するために）光信号の解像度を増加させることによって、光通信の品質を改善することができる。したがって、基板１０６は、（たとえば、「１つずつ」組み立てられるよりむしろ、レンズ２０４、２０８が基板１０６に含まれ得るので）デバイスの組立コストも低減しながら、高品質の光通信を可能にすることができる。代替的にまたは追加として、基板は、図３を参照しながらさらに説明するように、再配線層および／またはビアを含み得る。
【００３３】
図３は、レンズ２０４、２０８の共有の中心線を通る切断線に実質的に沿った図１に示される基板１０６の断面図を示す。基板１０６は、基板１０６に結合されたデバイス間の電気接続を可能にするために、基板１０６にスパッタリングまたはさもなければ配置された１つまたは複数の再配線層３０２（たとえば、金属再配線層）を含み得る。再配線層３０２は、送信された光信号の品質を改善するために、無関係の光信号を選択的に「遮断する」ことができる。たとえば、出射光信号のための光経路への入口に隣接した１つまたは複数の再配線層３０２の部分は、光経路への望ましくない光の通過を禁止することができる。別の例として、入射光信号のための光経路への入口に隣接した再配線層３０２の部分は、光経路への望ましくない光の通過を禁止することができる。
【００３４】
基板１０６は、基板１０６の隣接した光経路の間に充填されたビア３０４を含むこともできる。特定の実装形態に応じて、電気信号または光信号は、充填されたビア３０４を使用して送受信され得る（たとえば、図１の電気光学トランシーバデバイス１０２によって）。充填されたビア３０４は、隣接した光経路間の光のクロストークを低減（または抑制）することができる。
【００３５】
いくつかの実施形態では、デバイスは、基板の両側に結合された電気光学トランシーバデバイスの対を含み得る。電気光学トランシーバの対の電気光学トランシーバは、基板に接続された、またはその中に形成された１つもしくは複数の導波路によって光学的に結合され得る。導波路はポリマー導波路とすることができる。導波路は、基板に配置されたシリコン／二酸化ケイ素薄膜を含み得る。導波路のコアの光学特性および基板の光学特性は、基板がコア内の光信号の内部反射を可能にするために導波路のクラッディング層を形成するように選択され得る。いくつかの実施形態では、電気光学トランシーバデバイスは、長さ約１ｃｍ〜約１０ｃｍとすることができる。他の実施形態では、電気光学トランシーバデバイスは、より短いまたはより長い長さを有し得る。電気光学トランシーバデバイスは、単一の回路基板または１対の回路基板に結合され得る。
【００３６】
電気光学トランシーバデバイスの光学的構成要素の光学アライメントは、図３を参照しながら示した技法を使用して単純化され得る。たとえば、光学アライメントは、構成要素を共通のデバイス（たとえば基板１０６）に整合させることによって、デバイス組立の間に達成され得、これは、組立プロセスの間のいくつかの光学アライメントを低減することができる。いくつかの実施形態では、基板は導波路を含んでおり、回路基板が導波路を含む必要がないので、回路基板は、生産するのに安価であり得る。いくつかの実施形態では、光学的構成要素（たとえば、光源および光検出器）は、導波路に直接配置され得る。光学的構成要素を導波路に直接配置することは、基板が透明である必要性、および基板が集積光学（たとえば、レンズ）を有する必要性を低減する、またはなくすことができる。これらの場合、光信号は、基板を通って送信されることはない。他の実施形態では、光信号は、たとえば基板のレンズを通るなど、基板を通って送信される。たとえば、電気光学トランシーバデバイスの光学構成要素（たとえば、光源および光検出器）は、透明基板の第１の側部に結合され、光信号は、透明基板を通過することができる。光信号は、透明基板を通過して透明基板の第２の側部上に形成された導波路に進み得る。
【００３７】
図４は、電気光学トランシーバデバイス４００の特定の例示的な実施形態の平面図を示す。電気光学トランシーバデバイス４００は、基板４０２、システムオンチップ（ＳｏＣ）４０４、ＳｏＣ４０６、導波路４０８、４１０、光源４１２、４１４、および光検出器４１６、４１８を含む。各ＳｏＣ４０４、４０６は、論理ドライバ（ＬＤ）部および増幅器デバイス（ＡＤ）部を含み得る。代替実施形態では、論理ドライバおよび増幅器デバイスは、ＳｏＣ４０４、４０６の外部でもよい。
【００３８】
光源４１２の１つまたは複数の照明源が、第１の光信号を、導波路４１０の１つまたは複数のコアを通って光検出器４１８の１つまたは複数の光受容器に送信するように、ＳｏＣ４０４のＬＤ部分は、光源４１２を制御するために光源４１２に電気的に結合され得る。第１の光信号は、電気光学トランシーバデバイス４００に電気的に結合される回路基板を介してＳｏＣ４０４に電気的に結合される１つまたは複数の第１のデバイスからＳｏＣ４０４によって受信されるデータに対応し得る。光源４１２の各照明源は、導波路４１０の個々のコアに光学的に結合され得る。個々のコアも、光検出器４１８の個々の受容器に光学的に結合され得る。光検出器４１８は、第１の光信号に対応する電気信号をＳｏＣ４０６のＡＤ部に送信し得る。ＡＤ部は、電気信号を増幅し、第１の光信号に対応する増幅された電気信号を、回路基板を介してＳｏＣ４０６に電気的に結合された１つまたは複数の第２のデバイスに送信することができる。
【００３９】
光源４１４の１つまたは複数の照明源が、第２の光信号を、導波路４０８の１つまたは複数のコアを通って光検出器４１６の１つまたは複数の光受容器に送信するように、ＳｏＣ４０６のＬＤ部分は、光源４１４を制御するために光源４１４に電気的に結合され得る。第２の光信号は、電気光学トランシーバデバイス４００に電気的に結合される回路基板を介してＳｏＣ４０６に電気的に結合される１つまたは複数の第３のデバイスからＳｏＣ４０６によって受信されるデータに対応し得る。光源４１４の各照明源は、導波路４０８の個々のコアに光学的に結合され得る。個々のコアも、光検出器４１６の個々の受容器に光学的に結合され得る。光検出器４１６は、第２の光信号に対応する電気信号をＳｏＣ４０４のＡＤ部に送信し得る。ＳｏＣ４０４のＡＤ部は、電気信号を増幅し、第２の光信号に対応する増幅された電気信号を、回路基板を介してＳｏＣ４０４に電気的に結合された１つまたは複数の第４のデバイスに送信することができる。
【００４０】
図４は、たとえばＳｏＣ４０４、４０６など、複数のデバイスのための電気光学通信を示す。ＳｏＣ４０４、４０６内にＬＤおよびＡＤを集積することによって、組立作業が低減される。たとえば、ＳｏＣ４０４、４０６は、（各ＳｏＣをＡＤに個別に結合し、次いでＡＤをＰＤなどに結合する代わりに）ＬＳ４１２、４１４、およびＰＤ４１６、４１８に直接結合され得る。
【００４１】
図５は、導波路４０８、４１０の断面を示す図４の切断線５−５に実質的に沿った電気光学トランシーバデバイス４００の断面図を示す。各導波路４０８、４１０は、コア５０２およびクラッディング層５０４を含み得る。コア５０２の各々の第２のクラッディング層は、基板４０２でもよい。各導波路４０８、４１０は、２つのコア５０２を有するものとして示される。導波路４０８のコア５０２は、光検出器４１６の個々の光受容器に関連付けられている。導波路４１０のコア５０２は、光源４１２の対応する照明源に応答し得る。他の実施形態では、導波路４０８、４１０は、２つよりも少ない、または２つよりも多いコア５０２を有し得、光源４１２および光受容器４１６は、対応する数の照明源および光受容器をそれぞれ有し得る。
【００４２】
図５は、基板（たとえば、基板４０２）がデバイス組立作業の複雑さを低減するために使用され得ることを示す。たとえば、基板４０２は、電気光学トランシーバデバイス４００の特定の構成要素を支持するように特に設計されてもよい（たとえば、基板４０２は、特定の構成要素に基づいて選択された特定の寸法を有し得る）。したがって、電気光学トランシーバデバイス４００の構成要素が共通の表面または基板上に組み立てられ得るので、組立プロセスは、複数の異なる回路基板、光学回路基板、フレックスポリマー面、キャリアなどにデバイスを配置するプロセスと比較して、簡略化される。
【００４３】
図６は、図４の電気光学トランシーバデバイス４００を含むデバイス６００の特定の例示的な実施形態の正面図を示す。電気光学トランシーバデバイス４００は、コネクタ６０２によって回路基板６０４に結合され得る。コネクタ６０２は、回路基板６０４を電気光学トランシーバデバイス４００に電気的に結合することができ、および／または電気光学トランシーバデバイス４００を支持することができる。基板４０２を貫く１つもしくは複数の導電性ビアは、電気光学トランシーバデバイス４００の構成要素が電力を受信し、回路基板６０４に結合された１つもしくは複数のデバイスからデータを受信し、回路基板６０４に結合された１つもしくは複数のデバイスにデータを送信し、またはそれらの組合せを行うことができるように、回路基板６０４が電気光学トランシーバデバイス４００の構成要素に電気的に結合されることを可能にし得る。
【００４４】
電気光学トランシーバデバイス４００の導波路４１０は、光源４１２から導波路４１０の１つまたは複数のコアに第１の光信号を向けるための第１のミラー６０６を含み得る。導波路４１０は、導波路４１０から光検出器４１８に第１の光信号を向けるための第２のミラー６０８も含み得る。
【００４５】
デバイス６００を形成するために、基板４０２を形成するために使用される材料のブロックは、所望の位置にビアを有するウエハを形成するために処理され得る（たとえば、切断、研磨、レーザードリル、エッチングなど）。光信号が基板４０２を通過しないので、材料は透明でなくてもよい。基板４０２の材料は、限定はしないが、ガラス、クォーツ、シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）、シリコンオンサファイア（ＳＯＳ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、ロジャース積層、ポリマー材、またはそれらの組合せであり得る。電気光学トランシーバデバイス４００が１つもしくは複数の回路基板または他のデバイスに結合されることを可能にする導電性ビアを形成するために、ビアの１つもしくは複数は、導電性材料で充填され得る。導電性ビアは、電気光学トランシーバデバイス４００が、電力を受信し、第１のデータを受信し、第１のデータに対応する第２のデータを宛先デバイス（ｄｅｓｔｉｎａｔｉｏｎ  ｄｅｖｉｃｅ）に送信することを可能にすることもできる。１つまたは複数の再配線層は、材料上に配置され得る。導波路は、材料が導波路のためのクラッディング層を形成するように形成され得る。１つまたは複数の再配線層は、導波路に結合され得る。構成要素４０４、４０６、および４１２〜４１８は、フリップチッププロセスによって導波路および材料に結合され得る。フリップチッププロセスは、光学的構成要素が機能的であるように、光学的構成要素（すなわち、導波路４０８、４１０、光源４１２、４１４、および光検出器４１６、４１８）を整合させ得る。
【００４６】
図６は、回路基板６０４から最も離れた基板４０２の第１の表面に結合された電気光学トランシーバデバイス４００の構成要素を示す。追加のデバイス（たとえば、通信可能に結合される他の電気光学トランシーバの対）は、回路基板に最も近い基板４０２の第２の表面、第１の表面、または両方に結合され得る。代替的に、１つまたは複数の電気光学トランシーバデバイス４００の構成要素は、回路基板６０４に最も近い基板４０２の第２の側部に結合され得る。基板４０２の第１の側部は、デバイスまたは追加のデバイスを含まなくてもよい。
【００４７】
図６の例は、基板が組立フローを改善するために利用され得ることを示す。たとえば、構成要素は、基板４０２に接続され、基板４０２は、（たとえば、コネクタ６０２を使用して）回路基板６０４に接続され得る。したがって、光学的構成要素を支持するための光回路基板の使用は、代わりに基板４０２を使用することによって回避され得る。基板は、いくつかの適用例において光回路基板よりも安価であり得る。
【００４８】
図７は、電気光学トランシーバデバイス７０２を含むデバイス７００の特定の例示的な実施形態の正面図を示す。電気光学トランシーバデバイス７０２は、コネクタ７０８によって第１の回路基板７０４および第２の回路基板７０６に結合され得る。
【００４９】
電気光学トランシーバデバイス７０２は、導波路７１２が基板７１０の第１の表面に結合され、ＳｏＣ７１４、７１６が基板７１０の第２の表面に結合された基板７１０を含み得る。各ＳｏＣ７１４、７１６は、電気的に結合された光源（たとえば、ＳｏＣ７１４に電気的に結合された第１の光源７１８）を制御するための論理デバイス、および電気的に結合された光検出器（たとえば、ＳｏＣ７１６に電気的に結合された第２の光検出器７２０）によって受信される光信号に対応する電気信号を受信し、増幅するための増幅器デバイスを含み得る。代替実施形態では、ＳｏＣ７１４、７１６の代わりに別々の論理デバイスおよび増幅器デバイスが利用され得る。
【００５０】
第１の光源７１８および第１の光検出器は、導波路７１２の第１の端部に光学的に結合され得る。第２の光源および第２の光検出器７２０は、導波路７１２の第２の端部に結合され得る。第１の光源７１８および第１の光検出器は、基板７１０、導波路７１２、または両方を通って延びる１つもしくは複数の導電性ビアによってＳｏＣ７１４に電気的に結合され得る。第２の光源および第２の光検出器７２０は、基板７１０、導波路７１２、または両方を通って延びる１つもしくは複数の導電性ビアによってＳｏＣ７１６に電気的に結合され得る。
【００５１】
第１の光源７１８は、ＳｏＣ７１４の論理ドライバによって、導波路７１２の１つまたは複数の第１のコアを介して第２の光検出器７２０に第１の光信号を送信するように制御され得る。第１の光源７１８からの特定の第１の光信号は、ミラー７２２によって第１のコアに向けられ得る。１つまたは複数の第１のコアを出る第１の光信号は、光検出器７２０に向けられ得る。たとえば、第１のコアを出る特定の第１の光信号は、ミラー７２４によって第２の光検出器７２０に向けられ得る。第１の光信号は、第１の回路基板７０４に結合された１つまたは複数のデバイスからＳｏＣ７１４によって受信されるデータに対応し得る。第２の光検出器７２０は、第１の光信号をＳｏＣ７１６の増幅器デバイスに送信される電気信号に変換することができる。ＳｏＣ７１６の増幅器デバイスは、第２の光検出器７２０からの電気信号を増幅し、第１の光信号に対応する増幅された信号を、第２の回路基板７０６上の宛先デバイスに送信することができる。
【００５２】
同様にして、ＳｏＣ７１６は、第２の光信号を導波路７１２の１つまたは複数の第２のコアを介して第１の光検出器に送信するために第２の光源を制御することができる。第２の光信号は、第１の回路基板７０４に結合された１つまたは複数のデバイスからＳｏＣ７１６によって受信される第２のデータに対応し得る。第１の光検出器は、第２の光信号に対応する電気信号をＳｏＣ７１４に送信し得る。ＳｏＣ７１４は、電気信号を増幅し、第２の回路基板７０６に結合された１つまたは複数のデバイスに、増幅された電気信号を送信することができる。
【００５３】
図７は、コネクタが基板を複数の回路基板に結合するために使用され得ることを示す。たとえば、図７に示されるコネクタ７０８は、導波路７１２が回路基板７０４、７０６から最も遠い基板７１０の第１の側部に配置されることを可能にする。他の実施形態では、コネクタ７０８は、回路基板７０４、７０６から最も遠い基板の第１の側部にＳｏＣ７１４、７１６が配置された状態で、導波路７１２が回路基板７０４、７０６に最も近い基板の第２の側部に配置されることを可能にするために配置され得る。
【００５４】
図８は、電気光学トランシーバデバイス８０２を含むデバイス８００の特定の例示的な実施形態の正面図を示す。電気光学トランシーバデバイス８０２は、コネクタ８０６によって回路基板８０４に結合され得る。
【００５５】
電気光学トランシーバデバイス８０２は、導波路８１０が基板８０８の第１の表面に結合された基板８０８を含み得る。電気光学トランシーバデバイス８０２は、第１の光検出器８１２、第１の光源、ＳｏＣ８１４、第２の光検出器、第２の光源８１６、およびＳｏＣ８１８を含み、各々、第１の表面の反対側の基板８０８の第２の表面に結合される。ＳｏＣ８１４は、第１の光検出器８１２および第１の光源に電気的に結合され得る。ＳｏＣ８１４は、基板８０８を貫く１つまたは複数の導電性ビアによって、およびコネクタ８０６によって回路基板８０４に結合され得る。同様に、ＳｏＣ８１８は、第２の光検出器および第２の光源８１６に電気的に結合され得る。ＳｏＣ８１８は、基板８０８を貫く１つまたは複数の導電性ビアによって、およびコネクタ８０６によって回路基板８０４に結合され得る。各ＳｏＣ８１４、８１８は、電気的に結合された源（たとえば、ＳｏＣ８１８に電気的に結合された第２の光源８１６）を制御するための論理デバイス部、および電気的に結合された光検出器（たとえば、ＳｏＣ８１４に電気的に結合された第１の光検出器８１２）によって受信される光信号に対応する電気信号を受信し、増幅するための増幅器デバイスを含み得る。代替実施形態では、ＳｏＣ８１４、８１８の代わりに別々の論理デバイスおよび増幅器デバイスが利用され得る。
【００５６】
基板８０８は、一体型のレンズも含み得る。レンズは、凸レンズ、凹レンズ、基板８０８において凹んでいる、基板８０８の第１の面から延びる、基板８０８の第２の面から延びる、またはそれらの組合せとすることができる。基板８０８は、構造を制限する光信号クロストークとして、基板８０８を通る光信号経路の間に、基板８０８を貫く１つまたは複数の充填されたビアを含み得る。基板８０８は、基板８０８において集積される１つまたは複数の光コリメータ機能も含み得る。導波路８１０が基板８０８に結合されるとき、光検出器（たとえば、第１の光検出器８１２）に光信号を反射する、または光源（たとえば、第２の光源８１６）から導波路８１０のコアに光信号を反射する導波路８１０のミラー８２０は、基板８０８のレンズに整合される。光検出器および光源が導波路８１０の対応するミラーに整合されるように、光検出器および光源は、フリップチッププロセスを使用して基板８０８に結合され得る。
【００５７】
第２の光源８１６は、ＳｏＣ８１８の論理ドライバによって、導波路８１０の１つまたは複数のコアを介して第１の光検出器８１２に第１の光信号を送信するように制御され得る。第１の光信号は、回路基板８０４に結合された１つまたは複数のデバイスからＳｏＣ８１８によって受信されるデータに対応し得る。光源８１６からの第１の光信号は、基板８０８を通過して、第１の光信号を導波路８１０の１つまたは複数のコアに向ける１つまたは複数の第１のミラーまで進み得る。第１の光信号は、導波路８１０の１つまたは複数のコアを通過して、第１の光信号を基板８０８を通って第１の光検出器８１２に向ける１つまたは複数の第２のミラーまで進み得る。第１の光検出器８１２は、第１の光信号をＳｏＣ８１４の増幅器デバイスに送信される電気信号に変換することができる。ＳｏＣ８１４の増幅器デバイスは、第１の光検出器８１２からの電気信号を増幅し、第１の光信号に対応する増幅された信号を、回路基板８０４上の宛先デバイスに送信することができる。
【００５８】
同様にして、ＳｏＣ８１４は、第２の光信号を導波路８１０の１つまたは複数の第２のコアを介して第２の光検出器に送信するために第１の光源を制御することができる。第２の光信号は、回路基板８０４に結合された１つまたは複数のデバイスからＳｏＣ８１４によって受信される第２のデータに対応し得る。第２の光検出器は、第２の光信号に対応する電気信号をＳｏＣ８１８に送信し得る。ＳｏＣ８１８は、電気信号を増幅し、回路基板８０４に結合された１つまたは複数のデバイスに、増幅された電気信号を送信することができる。
【００５９】
図８は、たとえば基板８０８などの基板を使用して、たとえばＳｏＣ８１４、８１８などのデバイス間の電気光学通信を可能にするための技法を示す。電気光学通信は、電気通信と比較して、データ転送速度を向上させ、したがって、デバイス８００の性能を向上させる。
【００６０】
図９は、電気光学トランシーバデバイス９００の特定の例示的な実施形態の平面図を示す。電気光学トランシーバデバイス９００は、基板９１０の第１の表面に結合された複数のＳｏＣ９０２〜９０８を含む。代替実施形態では、ＳｏＣ９０２〜９０８の１つまたは複数の代わりに別々の論理デバイスおよび増幅器デバイスが利用され得る。基板９１０は、ＳｏＣ９０２〜９０８が少なくとも１つの回路基板に電気的に結合されることを可能にするために、基板９１０の第１の表面から第２の表面に基板を貫く第１の複数の導電性ビアを含み得る。各ＳｏＣ９０２〜９０８は、電気的に結合された光源を制御するための論理ドライバ部、および電気的に結合された光検出器で受信される光信号に対応する電気信号を受信するための増幅器デバイス部を含み得る。各ＳｏＣ９０２〜９０８は、隣接した光デバイスの対に電気的に結合され得る。各光デバイスの対は、光源９１２および光検出器９１４を含み得る。各光デバイスの対は、１対の導波路９１６の第１の端部に光学的に結合され得る。代替実施形態では、ＳｏＣ９０２〜９０８の１つまたは複数の代わりに別々の論理デバイスおよび増幅器デバイスが利用され得る。代替実施形態では、単一の導波路は、１対の導波路９１６に取って代わり得る。
【００６１】
導波路９１６の第２の端部は、基板９１０に結合される光学ルーティングデバイス９１８に光学的に結合される。光学ルーティングデバイス９１８は、光スイッチ、マルチプレクサ、デマルチプレクサ、モジュレータ、またはそれらの組合せとすることができる。いくつかの実施形態では、１つまたは複数の光ファイバは、光学ルーティングデバイス９１８が外部ソースから入射光信号を受信することを可能にするため、光学ルーティングデバイス９１８が外部ソースに出射光信号を送信することを可能にするため、または両方のために、光学ルーティングデバイス９１８に結合され得る。基板９１０は、光学ルーティングデバイス９１８が少なくとも１つの回路基板に電気的に結合されることを可能にするために、第１の表面から第２の表面に基板９１０を貫く少なくとも１つの第２の導電性ビアを含み得る。
【００６２】
各ＳｏＣ９０２〜９０８は、光学ルーティングデバイス９１８に対する光信号として電気的に結合された光源を介してデータを受信し、データを送信することができる。光学ルーティングデバイス９１８は、受信された光信号を処理し、光信号に基づいて処理された信号を宛先デバイスに送信することができる。たとえば、ＳｏＣ９０２は、ＳｏＣ９０２に電気的に結合された回路基板から、第１のデータを受信することができる。ＳｏＣ９０２の論理ドライバは、光源９１２に光学的に結合された導波路９１６を介して光学ルーティングデバイス９１８にデータに対応する第１の光信号を送信するために、ＳｏＣ９０２に電気的に結合された光源９１２を制御することができる。光学ルーティングデバイス９１８は、ＳｏＣ９０２から第１の光信号を受信し、ＳｏＣ９０８から第２のデータに対応する第２の光信号を受信することができる。光学ルーティングデバイス９１８は、ＳｏＣ９０４に関連付けられた光検出器９１４に結合された導波路９１６を介して送信される第３の光信号に、第１の光信号および第２の光信号を多重化することができる。
【００６３】
電気光学トランシーバデバイス９００を形成するために、基板９１０を形成するために使用される材料のブロックは、所望の位置にビアを有するウエハを形成するために処理され得る（たとえば、切断、研磨、レーザードリル、エッチングなど）。光信号が基板９１０を通過しないので、材料は透明でなくてもよい。電気光学トランシーバデバイス９００が少なくとも１つの回路基板または他のデバイスに結合されることを可能にする導電性ビアを形成するために、ビアの１つもしくは複数は、導電性材料で充填され得る。導電性ビアは、電気光学トランシーバデバイス９００が、電力を受信し、第１のデータを受信し、第１のデータに対応する第２のデータを宛先デバイスに送信することを可能にすることもできる。１つまたは複数の再配線層は、材料上に配置され得る。導波路９１６は、材料が導波路９１６のためのクラッディング層を形成するように形成され得る。構成要素９０２〜９０８、９１２、９１４、および９１８は、フリップチッププロセスによって導波路９１６および材料に結合され得る。フリップチッププロセスは、光学的構成要素が機能的であるように、光学的構成要素（すなわち、導波路４０８、４１０、光源９１２、光検出器９１４、および光学ルーティングデバイス９１８）を整合させ得る。
【００６４】
図９は、たとえばＳｏＣ９０２、９０４、９０６、および９０８など複数のデバイスの電気光学通信を可能にするための技法を示す。たとえば、光学ルーティングデバイス９１８は、ＳｏＣ９０２、９０４、９０６、および９０８に光信号を選択的にルーティングすることができ、これは、従来の電気接続（たとえば、銅相互接続）と比較して、より速いデータ転送を提供することができる。
【００６５】
図１０を参照すると、チップ間相互接続を可能にするための電気光学トランシーバデバイスを形成する方法の特定の例示的な実施形態のフローチャートが示され、全般が１０００で表される。電気光学トランシーバデバイスは、図４〜図９のデバイス４００、７０２、８０２、９００のいずれかとすることができる。
【００６６】
方法１０００は、１００２で、導波路を電気光学トランシーバデバイスの基板の第１の表面に適用するステップを含む。一実施形態では、導波路を適用するステップは、導波路のコアを基板に配置するステップを含み得る。基板の第１の表面は、導波路のクラッディング層を形成する。コアをクラッディングに入れるために、追加のクラッディング層がコアに配置され得る。光源からコアに光信号を向け、コアを出る光信号を光検出器に向けるために、導波路のミラーは、コアに対して作業関係で配置され得る。コアのまわりのクラッディング層は、コアにおける光信号の内面反射を可能にし得る。別の実施形態では、事前成形された導波路は、基板の第１の表面が導波路のコアの第１のクラッディング層であるように、基板の第１の表面に結合され得る。
【００６７】
方法１０００は、１００４で、光源を導波路の第１の端部に光学的に結合するステップをさらに含む。光源は、第１の光信号を与えるように構成され得る。一実施形態では、光を導波路の第１のコアに光学的に結合するステップは、光源によって供給される第１の光信号が第１のコアに関連付けられた導波路のミラーに向けられるように、光源を導波路の一部に実装するためのフリップチッププロセスを使用するステップを含み得る。ミラーは、第１の光信号が第１のコアに入り、第１のコアを介して導波路の第２の端部に移動するように、第１の光信号を反射することができる。別の実施形態では、光源を第１のコアに光学的に結合するステップは、光源を基板に実装するためのフリップチッププロセスを使用するステップを含み得る。基板は、第１のコアに関連付けられた導波路のミラーに光源によって供給される第１の光信号を向ける第１のコアに関連付けられた１つまたは複数の光学素子（たとえば、１つのレンズ、複数のレンズ、光信号クロストーク抑制装置、コリメータなど）を含むことができる。ミラーは、第１の光信号が第１のコアに入り、第１のコアを介して導波路の第２の端部に移動するように、第１の光信号を反射することができる。
【００６８】
方法１０００は、１００６で、導波路の第１の端部において第１の光検出器を第２のコアに光学的に結合するステップを含む。第１の光検出器は、導波路の第２のコアを出る第２の光信号を受信し、第２の光信号に対応する電気信号を生成するように構成され得る。一実施形態では、第１の光検出器を第２のコアに光学的に結合するステップは、第２の光信号が第２のコアに関連付けられた導波路のミラーから第２の光検出器の光受容器に反射されるように、光検出器を導波路の一部に実装するためのフリップチッププロセスを使用するステップを含み得る。別の実施形態では、第２の光検出器を第２のコアに光学的に結合するステップは、第２の光検出器を基板に実装するためのフリップチッププロセスを使用するステップを含み得る。基板は、第２のコアに関連付けられたミラーから反射された第２の光を光受容器に向ける第２のコアに関連付けられた１つまたは複数の光学素子（たとえば、１つのレンズ、複数のレンズ、光信号クロストーク抑制装置、コリメータなど）を含むことができる。
【００６９】
方法１０００は、１００８で、論理ドライバを基板に結合し、論理ドライバを光源に電気的に結合するステップを含む。フリップチッププロセスは、論理ドライバを基板に結合し、論理ドライバを光源に電気的に結合するために、基板における１つもしくは複数の導電性ビア、光源に接続する電気トレース、またはそれらの組合せに論理ドライバを実装するために使用され得る。
【００７０】
方法１０００は、１０１０で、第１の増幅器デバイスを基板に結合し、第１の増幅器デバイスを第１の光検出器に電気的に結合するステップを含む。第１の増幅器デバイスは、（たとえば、増幅信号を生成するために）第１の光検出器からの電気信号を増幅するように構成され得る。フリップチッププロセスは、論理ドライバを基板に結合し、論理ドライバを光源に電気的に結合するために、基板における１つもしくは複数の導電性ビア、光源に接続する電気トレース、またはそれらの組合せに第１の増幅器デバイスを実装するために使用され得る。いくつかの実施形態では、単一のフリップチッププロセスは、論理ドライバおよび第１の増幅器デバイスが単一のシステムオンチップの構成要素であるとき、論理ドライバおよび第１の増幅器デバイスを実装するために使用され得る。
【００７１】
方法１０００は、１０１２で、導波路の第２の端部において第２の光検出器を第１のコアに光学的に結合するステップを含む。第２の光検出器は、第１のコアから第１の光信号を受信し、第１の光信号に対応する第２の電気信号を生成するように構成され得る。第２の増幅器デバイスは、１０１４で、基板に結合され、第２の光検出器に電気的に結合され得る。第２の増幅器デバイスは、第２の電気信号を受信し、処理するように構成され得る。
【００７２】
代替実施形態では、導波路の第２の端部において第２の光検出器を第１のコアに光学的に結合する代わりに、導波路の第２の端部は、基板に結合される光デバイスに結合され得る。光デバイスは、光スイッチ、マルチプレクサ、デマルチプレクサ、モジュレータ、またはそれらの組合せを含み得る。光デバイスは、第１の光信号のための宛先を決定するように構成され得る。光デバイスは、導波路の第２のコアを介して第１の光検出器に第２の光信号を送信するようにも構成され得る。
【００７３】
方法１０００は、電気光学通信を利用するデバイスの単純化された組立を可能にする。たとえば、導波路を電気光学トランシーバデバイスの基板の第１の表面に適用することによって、第１の表面は、導波路のクラッディング層を形成することができる。したがって、基板は、（たとえば、導波路のクラッディング層を形成することによって）光学機能を組み込むことに加えて、デバイス構成要素の物理的な支持を提供することができる。
【００７４】
図１０の方法は、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）デバイス、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、処理ユニット、たとえば中央処理装置（ＣＰＵ）、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、コントローラ、別のハードウェアデバイス、ファームウェアデバイス、またはこれらの任意の組合せによって開始または制御され得る。例として、図１０の方法１０００は、図１２を参照してさらに説明するように、メモリ（たとえば、非一時的コンピュータ可読媒体）に記憶された命令を実行するプロセッサを含む製造および／または組立機器によって実行され得る。
【００７５】
図１１を参照すると、ワイヤレス通信デバイスの特定の例示的な実施形態のブロック図が示され、全体が１１００と表される。デバイス１１００は、メモリ１１０４（たとえば、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、フラッシュメモリ、読取り専用メモリ（ＲＯＭ）、プログラマブル読取り専用メモリ（ＰＲＯＭ）、消去可能プログラマブル読取り専用メモリ（ＥＰＲＯＭ）、電気的消去可能プログラマブル読取り専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、コンパクトディスク読取り専用メモリ（ＣＤ−ＲＯＭ）、または当技術分野で知られている任意の他の形態の非一時的記憶媒体）に結合されたプロセッサ１１０２（たとえば、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）など）を含む。メモリ１１０４は、プロセッサ１１０２によって実行可能な命令１１０６を記憶し得る。メモリ１１０４は、プロセッサ１１０２にアクセス可能なデータ１１０８を記憶することができる。プロセッサ１１０２およびメモリ１１０４は、システムインパッケージまたはシステムオンチップ（ＳｏＣ）１１１０に含まれ得る。
【００７６】
デバイス１１００は、ＳｏＣ１１１０を第２のシステムオンチップ（ＳｏＣ）１１１４に通信可能に結合するためにデバイス１１００の部分に電気的に結合される電気光学トランシーバデバイス１１１２を含む。ＳｏＣ１１１４は、プロセッサ１１１６とメモリ１１１８とを含み得る。メモリ１１１８は、プロセッサ１１１６にアクセス可能なデータを記憶することができる。メモリは、動作を実行するために、プロセッサ１１１６によって実行可能な命令も記憶し得る。
【００７７】
電気光学トランシーバデバイス１１１２は、ＳｏＣ１１１０から第１の電子信号として第１の特定のデータを受信することができる。ＳｏＣ１１１４は、第１の特定のデータを受信するためのものである。ＳｏＣ１１１０に関連付けられた電気光学トランシーバデバイス１１１２の第１の部分は、第１の論理ドライバおよび第１の光源を介して第１の電気信号を第１の特定のデータに対応する第１の光信号に変換することができる。第１の光信号は、第１の導波路の１つまたは複数のコアを介して第２の光検出器に送信される。第１の導波路は、電気光学トランシーバデバイス１１１２の基板に結合され得る。第２の光検出器は、第１の光信号を第１の特定のデータに変換し、第１の特定のデータに対応する第１の増幅された電気信号をＳｏＣ１１１４に送信する増幅器デバイスに第１の特定のデータを送信する。特定の実施形態では、第１の導波路は、電気光学トランシーバデバイス１１１２の基板に結合され得る。
【００７８】
同様に、電気光学トランシーバデバイス１１１２は、ＳｏＣ１１１４から第２の電子信号として第２の特定のデータを受信することができる。ＳｏＣ１１１０は、第２の特定のデータを受信するためのものである。ＳｏＣ１１１４に関連付けられた電気光学トランシーバデバイス１１１２の第２の部分は、第２の論理ドライバおよび第２の光源を介して第２の電気信号を第２の特定のデータに対応する第２の光信号に変換することができる。第２の光信号は、第２の導波路の１つまたは複数のコアを介して第１の光検出器に送信される。第１の光検出器は、第２の光信号を第２の特定のデータに変換し、第２の特定のデータに対応する第２の増幅された電気信号をＳｏＣ１１１０に送信する増幅器デバイスに第２の特定のデータを送信する。
【００７９】
図１１に示すように、第１の導波路および第２の導波路は、電気光学トランシーバデバイス１１１２の基板に結合され得る。電気光学トランシーバデバイス１１１２は、図４〜図８のデバイス４００、７０２、および８０２のいずれかとすることができる。別の実施形態では、第１の導波路および第２の導波路は、ＳｏＣ１１１０およびＳｏＣ１１１４に電気的に結合された光学回路基板の導波路とすることができる。回路基板に電気的に結合され、導波路に光学的に結合された１対の電気光学トランシーバデバイスは、ＳｏＣ１１１０およびＳｏＣ１１１４を通信可能に結合することができる。各電気光学トランシーバデバイスは、図１および図２の電気光学トランシーバデバイス１０２に対応し得る。さらなる実施形態では、電気光学トランシーバデバイス１１１２は、光学ルーティングデバイスを含み得る。電気光学トランシーバデバイス１１１２は、図９の電気光学トランシーバデバイス９００であり得る。
【００８０】
図１１は、デジタル信号プロセッサ１１０２に結合されたディスプレイコントローラ１１２０およびディスプレイ１１２２をも示す。コーダ／デコーダ（コーデック）１１２４も、デジタル信号プロセッサ１１０２に結合され得る。スピーカー１１２６およびマイクロフォン１１２８が、コーデック１１２４に結合され得る。図１１は、ワイヤレスコントローラ１１３０が、デバイス１１００によるワイヤレス通信を制御するために、アンテナ１１３２に結合され得ることも示す。
【００８１】
特定の実施形態では、ワイヤレスコントローラ１１３０、ディスプレイコントローラ１１２０、およびコーデック１１２４もシステムインパッケージまたはシステムオンチップ１１１０に含まれる。特定の実施形態では、入力デバイス１１３４および電源１１３６はＳｏＣ１１１０に結合される。さらに、特定の実施形態では、図１１に示すように、ディスプレイ１１２２、入力デバイス１１３４、スピーカー１１２６、マイクロフォン１１２８、アンテナ１１３２、および電源１１３６は、ＳｏＣ１１１０の外部にある。しかしながら、ディスプレイ１１２２、入力デバイス１１３４、スピーカー１１２６、マイクロフォン１１２８、アンテナ１１３２、および電源１１３６の各々は、インターフェースまたはコントローラのようなＳｏＣ１１１０の構成要素に結合され得る。
【００８２】
上記の開示されるデバイスおよび機能は、コンピュータ可読媒体上に記憶されるコンピュータファイル（たとえば、ＲＴＬ、ＧＤＳＩＩ、ＧＥＲＢＥＲなど）として設計および構成され得る。いくつかの、またはすべてのそのようなファイルが、そのようなファイルに基づいてデバイスを製作する製作関係者に提供され得る。結果として得られた製品は半導体ウエハを含み、半導体ウエハは次いで半導体ダイに切断され、かつ、半導体チップにパッケージされる。次いでチップが、上で説明されたデバイスにおいて利用される。図１２は、電子デバイス製造プロセス１２００の特定の説明のための実施形態を示す。
【００８３】
図１２を参照すると、電子デバイス製造プロセスの特定の例示的な実施形態が示され、全体が１２００と表される。図１２で、物理デバイス情報１２０２が、製造プロセス１２００において、研究用コンピュータ１２０４などにおいて受け取られる。物理デバイス情報１２０２は、（たとえば、図４〜図９のデバイス４００、７０２、８０２、９００、図１０の方法１０００に従って形成されるデバイス、またはそれらの組合せなど）チップ間相互接続を可能にするための電気光学トランシーバなど電子デバイスの少なくとも１つの物理的性質を表す設計情報を含み得る。たとえば、物理的なデバイス情報１２０２は、研究用コンピュータ１２０４に結合されたユーザインターフェース１２０６を介して入力される物理パラメータ、材料特性、および構造情報を含み得る。研究コンピュータ１２０４は、メモリ１２１０などのコンピュータ可読媒体に結合された、１つまたは複数の処理コアなどのプロセッサ１２０８を含む。メモリ１２１０は、プロセッサ１２０８に、物理デバイス情報１２０２をファイルフォーマットに準拠するように変換させ、ライブラリファイル１２１２を生成させるように実行可能なコンピュータ可読命令を記憶し得る。
【００８４】
特定の実施形態では、ライブラリファイル１２１２は、変換された設計情報を含む、少なくとも１つのデータを含む。たとえばライブラリファイル１２１２は、電子設計自動化（ＥＤＡ）ツール１２１４とともに用いるように提供される、（たとえば、図４〜図９のデバイス４００、７０２、８０２、９００、図１０の方法１０００に従って形成されるデバイス、またはそれらの組合せなど）チップ間相互接続を可能にする電気光学トランシーバデバイスのライブラリを含んでよい。
【００８５】
ライブラリファイル１２１２は、メモリ１２２０に結合された、１つまたは複数の処理コアのようなプロセッサ１２１８を含む設計用コンピュータ１２１６において、ＥＤＡツール１２１４とともに使用され得る。ＥＤＡツール１２１４は、設計コンピュータ１２１６のユーザが、ライブラリファイル１２１２の、（たとえば、図４〜図９のデバイス４００、７０２、８０２、９００、図１０の方法１０００に従って形成されるデバイス、またはそれらの組合せなど）電気光学トランシーバデバイスを含む回路を設計することを可能にするために、プロセッサ実行可能命令としてメモリ１２２０に格納され得る。たとえば、設計用コンピュータ１２１６のユーザが、設計用コンピュータ１２１６に結合されたユーザインターフェース１２２４を介して回路設計情報１２２２を入力し得る。回路設計情報１２２２は、（たとえば、図４〜図９のデバイス４００、７０２、８０２、９００、図１０の方法１０００に従って形成されるデバイス、またはそれらの組合せなど）電気光学トランシーバデバイスなどの、半導体デバイスの少なくとも１つの物理的な特性を表す設計情報を含み得る。例示すると、回路設計特性は、特定の回路の識別および回路設計における他の要素に対する関係、位置情報、フィーチャのサイズ情報、相互接続情報、または半導体デバイスの物理的特性を表す他の情報を含み得る。
【００８６】
設計用コンピュータ１２１６は、回路設計情報１２２２を含む設計情報をファイルフォーマットに準拠するように変換するように構成することができる。例示するために、ファイル形成は、平面幾何形状、テキストラベル、および回路レイアウトについての他の情報を、グラフィックデータシステム（ＧＤＳＩＩ）ファイルフォーマットなどの階層フォーマットで表すデータベースバイナリファイルフォーマットを含み得る。設計用コンピュータ１２１６は、（たとえば、図４〜図９のデバイス４００、７０２、８０２、９００、図１０の方法１０００に従って形成されるデバイス、またはそれらの組合せなど）電気光学トランシーバデバイスを説明する情報を、他の回路または情報に加えて含む、ＧＤＳＩＩファイル１２２６のような変換された設計情報を含むデータファイルを生成するように構成され得る。
【００８７】
ＧＤＳＩＩファイル１２２６は、（たとえば、図４〜図９のデバイス４００、７０２、８０２、９００、図１０の方法１０００に従って形成されるデバイス、またはそれらの組合せなど）電気光学トランシーバデバイスを、ＧＤＳＩＩファイル１２２６の中の変換された情報に従って製造するために、製造プロセス１２２８において受け取られ得る。たとえば、デバイス製造プロセスは、代表的なマスク１２３２として示される、フォトリソグラフィプロセスとともに使用されることになるマスクのような、１つまたは複数のマスクを作成するために、マスク製造業者１２３０にＧＤＳＩＩファイル１２２６を提供することを含み得る。マスク１２３２が製作プロセス中に使用されて１つまたは複数のウエハ１２３４を生成し得、ウエハ１２３４はテストされ代表的なダイ１２３６などのダイに分割され得る。ダイ１２３６は、（たとえば、図４〜図９のデバイス４００、７０２、８０２、９００、図１０の方法１０００に従って形成されるデバイス、またはそれらの組合せなど）電気光学トランシーバデバイスを含む回路を含む。
【００８８】
さらに例示するために、プロセッサ１２３３およびメモリ１２３５は、製作プロセス１２２８を開始および／または制御し得る。メモリ１２３５は、コンピュータ可読命令またはプロセッサ可読命令のような、実行可能命令を記憶し得る。実行可能命令は、プロセッサ１２３３によって実行可能であり得る。
【００８９】
製作プロセス１２２８は、完全に自動化された、または部分的に自動化された製作システムによって実装され得る。たとえば、製作プロセス１２２８は、スケジュールに従って自動化され得る。製作システムは、１つまたは複数の操作を実施して半導体デバイスなどのデバイスを形成するための製作機器（たとえば、処理ツール）を含み得る。たとえば、製作機器は、１つもしくは複数の材料を堆積させ、１つもしくは複数の材料をエピタキシャル成長させ、１つもしくは複数の材料を共形に堆積させ、ハードマスクを付着させ、エッチングマスクを付着させ、エッチングを実施し、平坦化を実施し、かつ／またはウエハ洗浄プロセスを実施することなどを行うように構成され得る。
【００９０】
製作システム（たとえば、製作プロセス１２２８を実行する自動化されたシステム）は、分散型アーキテクチャ（たとえば、階層構造）を有し得る。たとえば、製作システムは、プロセッサ１２３３などの１つまたは複数のプロセッサ、メモリ１２３５などの１つまたは複数のメモリ、ならびに／あるいは分散アーキテクチャに従って分散される１つまたは複数のコントローラを含み得る。分散アーキテクチャは、１つまたは複数の低レベルシステムの動作を制御または開始する高レベルプロセッサを含み得る。たとえば、高レベルプロセッサは、プロセッサ１２３３などの１つもしくは複数のプロセッサを含み得、低レベルシステムはそれぞれ、１つもしくは複数の対応するコントローラを含み、またはそれによって制御され得る。特定の低レベルシステムの特定のコントローラは、特定の高レベルシステムから１つまたは複数の命令（たとえば、コマンド）を受信し得、従属モジュールまたはプロセスツールにサブコマンドを発行し得、ステータスデータを特定の高レベルシステムに通信して返し得る。１つまたは複数の低レベルシステムの各々は、製作機器（たとえば、処理ツール）の１つまたは複数の対応する部分に関連付けられ得る。特定の実施形態では、製作システムは、製作システム内に分散する複数のプロセッサを含み得る。たとえば、低レベルシステム構成要素のコントローラは、プロセッサ１２３３などのプロセッサを含み得る。
【００９１】
代替的には、プロセッサ１２３３は、製作システムの高レベルシステム、サブシステム、または構成要素の一部であり得る。別の実施形態では、プロセッサ１２３３は、製作システムの複数のレベルおよび構成要素に関連する分散処理動作を開始または制御する。
【００９２】
したがって、プロセッサ１２３３は、プロセッサ１２３３によって実行されるとき、プロセッサ１２３３にデバイスの形成を開始または制御させるプロセッサ実行可能命令を含み得る。デバイスは、分子線エピタキシャル成長ツール、流動性化学的気相堆積（ＦＣＶＤ）ツール、共形堆積ツール、および／またはスピンオン堆積ツールなどの１つもしくは複数のドーピングツールを使用して形成された１つもしくは複数の材料を含み得る。デバイスの製作中に、１つもしくは複数の材料が、化学的除去ツール、反応性気体除去ツール、水素反応除去ツール、平坦化ツール、および／または標準クリーン１タイプ除去ツールなどの１つもしくは複数の除去ツールを使用してデバイスから除去される（たとえば、エッチングされる）。
【００９３】
プロセッサ１２３３は、メモリ１２３５に記憶される命令にアクセスし、プロセッサ１２３３が本明細書に記載のデバイスまたは構造の形成を開始または制御するための命令を実行し得る。例示的な例として、プロセッサ１２３３は、メモリ１２３５に記憶される命令にアクセスし、ＳｏＣ１１１０および／またはＳｏＣ１１１４の形成を開始または制御するために命令を実行し得る。
【００９４】
ダイ１２３６はパッケージングプロセス１２３８に提供され得、ここで、ダイ１２３６は典型的なパッケージ１２４０に組み込まれる。たとえば、パッケージ１２４０は、システムインパッケージ（ＳｉＰ）構成のように、単一のダイ１２３６または複数のダイを含み得る。パッケージ１２４０は、Ｊｏｉｎｔ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅ  Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ  Ｃｏｕｎｃｉｌ（ＪＥＤＥＣ）規格などの１つまたは複数の規格または仕様に適合するように構成され得る。
【００９５】
パッケージ１２４０に関する情報は、コンピュータ１２４２に記憶されるコンポーネントライブラリなどを介して、様々な製品設計者に配布され得る。コンピュータ１２４２は、メモリ１２４６に結合された１つまたは複数の処理コアのようなプロセッサ１２４４を含み得る。ユーザインターフェース１２５０を介してコンピュータ１２４２のユーザから受け取られたＰＣＢ設計情報１２４８を処理するために、プリント回路基板（ＰＣＢ）ツールがプロセッサ実行可能命令としてメモリ１２４６に記憶され得る。ＰＣＢ設計情報１２４８は、（たとえば、図４〜図９のデバイス４００、７０２、８０２、９００、図１０の方法１０００に従って形成されるデバイス、またはそれらの組合せなど）電気光学トランシーバデバイスを含む、パッケージ１２４０に対応するパッケージングされた半導体デバイスの、回路基板上での物理的な位置情報を含み得る。
【００９６】
コンピュータ１２４２は、ＰＣＢ設計情報１２４８を変換して、パッケージングされた半導体デバイスの回路基板上での物理的な位置情報とともに、トレースおよびビアのような電気的な接続のレイアウトを含むデータを含むＧＥＲＢＥＲファイル１２５２のようなデータファイルを生成するように構成されてもよく、パッケージングされた半導体デバイスは、（たとえば、図４〜図９のデバイス４００、７０２、８０２、９００、図１０の方法１０００に従って形成されるデバイス、またはそれらの組合せなど）電気光学トランシーバデバイスを含む、パッケージ１２４０に対応する。別の実施形態では、変換後ＰＣＢ設計情報によって生成されたデータファイルは、ＧＥＲＢＥＲフォーマット以外のフォーマットを有し得る。
【００９７】
ＧＥＲＢＥＲファイル１２５２は、基板組立プロセス１２５４において受け取られてよく、ＧＥＲＢＥＲファイル１２５２内に記憶されている設計情報に従って製造される代表的なＰＣＢ１２５６のようなＰＣＢを作成するために使用されてよい。たとえば、ＧＥＲＢＥＲファイル１２５２は、ＰＣＢ製造プロセスの様々なステップを実施するために１つまたは複数の機械にアップロードされ得る。ＰＣＢ１２５６は、回路基板１０４、６０４、７０４、７０６、および８０４のいずれかに対応し得る。ＰＣＢ１２５６は、代表的なプリント回路組立（ＰＣＡ）１２５８を形成するためにパッケージ１２４０を含む、電子および／または光学的構成要素（たとえば、１つまたは複数の導波路、電気光学トランシーバデバイス、ＳｏＣなど）でポピュレートされ得る。例示的な実施形態では、組立プロセス１２５４は、図１０の方法１０００の１つまたは複数の動作を実行する。組立プロセス１２５４の１つもしくは複数の態様は、製作プロセス１２２８に対応し得る（たとえば、組立プロセス１２５４は、完全にまたは部分的に自動化されてもよく、および／または１つもしくは複数の高レベルシステム構成要素、１つもしくは複数のサブシステム構成要素、１つもしくは複数のプロセッサまたはコントローラ、および／または命令を記憶する１つもしくは複数のメモリを含み得る）。
【００９８】
ＰＣＡ１２５８は、製品製造プロセス１２６０において受け取られ、第１の代表的な電子デバイス１２６２および第２の代表的な電子デバイス１２６４のような１つまたは複数の電子デバイスに組み込まれ得る。例示的な非限定的な例として、第１の代表的な電子デバイス１２６２、第２の代表的な電子デバイス１２６４、または両方は、（たとえば、図４〜図９のデバイス４００、７０２、８０２、９００、図１０の方法１０００に従って形成されるデバイス、またはそれらの組合せなど）電気光学トランシーバデバイスが統合されるセットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末（ＰＤＡ）、固定位置データユニット、およびコンピュータのグループから選択されてよい。別の例示的な非限定的な例として、電子デバイス１２６２および１２６４のうちの１つまたは複数は、モバイルフォン、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、携帯情報端末などのポータブルデータユニット、全地球測位システム（ＧＰＳ）対応デバイス、ナビゲーションデバイス、メータ検針機器などの固定位置データユニット、あるいは、データまたはコンピュータ命令を記憶するまたは引き出す任意の他のデバイス、あるいはそれらの任意の組合せなどの、遠隔ユニットであり得る。図１２は、本開示の教示による遠隔ユニットを示しているが、本開示は、これらの例示されたユニットに限定されない。本開示の実施形態は、メモリおよびオンチップ回路を含む能動集積回路を含む任意のデバイスにおいて適切に利用され得る。
【００９９】
（たとえば、図４〜図９のデバイス４００、７０２、８０２、９００、図１０の方法１０００に従って形成されるデバイス、またはそれらの組合せなど）電気光学トランシーバデバイスを含むデバイスは、例示的なプロセス１２００で説明されるように、製造され、プロセスされ、電子デバイスに組み込まれ得る。図４〜図９に関して開示される実施形態の１つもしくは複数の態様は、ライブラリファイル１２１２内、ＧＤＳＩＩファイル１２２６内、ＧＥＲＢＥＲファイル１２５２内などの様々な処理ステージに含まれ、リサーチコンピュータ１２０４のメモリ１２１０、設計コンピュータ１２１６のメモリ１２２０、コンピュータ１２４２のメモリ１２４６、ボード組立プロセス１２５４などの様々なステージにおいて使用される１つまたは複数の他のコンピュータまたはプロセッサ（図示せず）のメモリに記憶され、マスク１２３２、ダイ１２３６、パッケージ１２４０、ＰＣＡ１２５８、プロトタイプ回路やデバイス（図示せず）などの他の製品、またはそれらの任意の組合せなどの１つもしくは複数の他の物理的実施形態にも組み込まれ得る。物理的なデバイス設計から最終製品までの製品の様々な代表的な段階が示されているが、他の実施形態では、より少数の段階が使用されてよく、または、追加の段階が含まれてよい。同様に、プロセス１２００は、プロセス１２００の様々な段階を実行する単一のエンティティまたは１つまたは複数のエンティティによって実行され得る。
【０１００】
記載した実施形態とともに、電気光学通信を可能にするための手段および光を誘導するための手段を含む装置が開示される。装置は、光を誘導するための手段に光信号を適用するための手段、および光信号を適用するための手段を制御するための手段をさらに含む。光を誘導するための手段は、デバイス構成要素を結合するための手段の第１の表面に接続される。電気光学通信を可能にするための手段は、図１〜図９の基板１０６、４０２、７１０、８０８、および９１０のいずれかを含み得る。光を誘導するための手段は、図１、図２、および図４〜図９の導波路１１６、４０８、４１０、７１２、８１０、および９１６のいずれかを含み得る。光信号を適用するための手段は、図１、図２、および図４〜図９の光源１１０、４１２、４１４、７１８、８１６、および９１２を含み得る。光信号を適用するための手段を制御するための手段は、ＬＤ１０８を含み得、これは、図１、図２、および図４〜図９のＳｏＣ４０４、４０６、７１４、７１６、８１４、８１６、および９０２〜９０８のいずれかの中に集積され得る。
【０１０１】
装置は、光学ルーティングのための手段、信号処理のための手段、信号処理のための手段、および光信号検出のための手段も含み得る。光学ルーティングのための手段は、１つもしくは複数の光スイッチ、マルチプレクサ、デマルチプレクサ、またはそれらの組合せ、たとえば図９の光学ルーティングデバイス９１８などを含み得る。信号処理のための手段は、増幅器デバイス（ＡＤ）を含み得、これは、図１、図２、および図４〜図９のＳｏＣ４０４、４０６、７１４、７１６、８１４、８１８および９０２〜９０８のいずれかの中に集積され得る。光信号検出のための手段は、図１〜図２および図４〜図９の光検出器１１４、４１４、４１６、７２０、８１２、および９１４のいずれかを含み得る。装置は、たとえば回路基板１０４、６０４、７０４、７０６、および８０４のいずれかなどの回路基板をさらに含み得る。
【０１０２】
記載された実施形態とともに、（たとえば、例示的な例として、プロセッサまたはメモリなど）デバイスを動作する方法が開示される。方法は、デバイスに結合される、たとえばガラス介入物などの基板を使用して、信号を第２のデバイスに送信するステップを含み得る。基板は、電気光学デバイスの単純化された組立および動作を可能にするように構成された一体型構成要素を含む。たとえば、基板は、レンズ２０４、再配線層３０２、充填されたビア３０４、１つもしくは複数の他の一体型構成要素、またはそれらの組合せを含み得る。導波路は、基板の第１の表面に接続され得、第１の表面は、基板のクラッディング層を形成し得る。代替的にまたは追加として、導波路は、基板内に形成され（内に集積され）得る。基板は、基板１０６、４０２、７１０、８０８、および９１０のいずれかに対応し得、導波路は、導波路１１６、４０８、４１０、７１２、８１０、および９１６のいずれかに対応し得る。信号は、図１のＬＤ１０８およびＬＳ１１０を使用して送信され得る。方法は、基板を使用して第２のデバイスから信号を受信するステップをさらに含み得る。信号は、図１のＡＤ１１２およびＰＤ１１４を使用して受信され得る。特定の実施形態では、デバイスは、図１０の方法１０００を使用して組み立てられ電子デバイス（たとえば、サーバまたはモバイルデバイスなど）に含まれる。デバイスは、例示的な例として、ＳｏＣ４０４、４０６、７１４、７１６、８１４、８１６、および９０２〜９０８のいずれかに対応し得る。装置は、たとえば回路基板１０４、６０４、７０４、７０６、および８０４のいずれかなどの回路基板をさらに含み得る。
【０１０３】
当業者はさらに、本明細書で開示される実施形態に関連して説明された様々な説明のための論理ブロック、構成、モジュール、回路、およびアルゴリズムステップが、電子ハードウェア、プロセッサによって実行されるコンピュータソフトウェア、または両方の組合せとして実装され得ることを理解するだろう。上記において、様々な例示的な構成要素、ブロック、構成、モジュール、回路、およびステップについて、それらの機能の観点から概略的に説明した。そのような機能が、ハードウェアとして実装されるか、プロセッサ実行可能命令として実装されるかは、具体的な適用例と、システム全体に課される設計制約とによって決まる。当業者は、特定の応用分野ごとに様々な方式で記載の機能を実装し得るが、そのような実装決定が、本開示の範囲からの逸脱を引き起こすと解釈されるべきではない。
【０１０４】
本明細書で開示する実施形態に関して説明した方法またはアルゴリズムのステップは、ハードウェアにおいて直接、または、プロセッサによって実行されるソフトウェアモジュールにおいて、またはこの２つの組合せにおいて具現化される場合がある。ソフトウェアモジュールは、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、フラッシュメモリ、読取り専用メモリ（ＲＯＭ）、プログラム可能読取り専用メモリ（ＰＲＯＭ）、消去可能プログラム可能読取り専用メモリ（ＥＰＲＯＭ）、電気的消去可能プログラム可能読取り専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、コンパクトディスク読取り専用メモリ（ＣＤ−ＲＯＭ）、または当技術分野において既知の任意の他の形の非一時的記憶媒体内に存在することができる。例示的な記憶媒体は、プロセッサが記憶媒体から情報を読み取り、記憶媒体に情報を書き込むことができるようにプロセッサに結合される。代替形態では、記憶媒体は、プロセッサと一体に構成される場合がある。プロセッサおよび記憶媒体は特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）内に存在してもよい。ＡＳＩＣは、コンピューティングデバイスまたはユーザ端末内にあり得る。代替として、プロセッサおよび記憶媒体は、コンピューティングデバイスまたはユーザ端末内に個別の構成要素として存在してもよい。
【０１０５】
開示された実施形態の前述の説明は、開示された実施形態を当業者が作成または使用することを可能にするために提供される。これらの実施形態に対する様々な変更は、当業者には容易に明らかになり、本明細書において定義された原理は、本開示の範囲から逸脱することなく、他の実施形態に適用され得る。したがって、本開示は、本明細書において示される実施形態に限定されるものではなく、以下の特許請求の範囲によって定義される原理および新規の特徴と一致する可能な最も広い範囲を与えられるべきである。
【符号の説明】
【０１０６】
１００  デバイス
１０２  電気光学トランシーバデバイス
１０４  回路基板
１０６  基板
１０８  論理デバイス（ＬＤ）
１１０  光源（ＬＳ）
１１２  増幅器デバイス（ＡＤ）
１１４  光検出器（ＰＤ）
１１６  導波路
１１８  トレース
１２２  第２の電気光学トランシーバデバイス
２０４  レンズ
２０６  出射コア
２０８  レンズ
２１０  入射コア
２１２  クラッディング
３０２  再配線層
３０４  ビア
４００  電気光学トランシーバデバイス
４０２  基板
４０４  システムオンチップ（ＳｏＣ）
４０６  ＳｏＣ
４０８  導波路
４１０  導波路
４１２  光源
４１４  光源
４１６  光検出器
４１８  光検出器
５０２  コア
５０４  クラッディング層
６０２  コネクタ
６０４  回路基板
６０６  第１のミラー
６０８  第２のミラー
７００  デバイス
７０２  電気光学トランシーバデバイス
７０４  第１の回路基板
７０６  第２の回路基板
７０８  コネクタ
７１０  基板の表面
７１０  基板
７１２  導波路
７１４  ＳｏＣ
７１６  ＳｏＣ
７１８  第１の光源
７２０  第２の光検出器
７２２  ミラー
７２４  ミラー
８００  デバイス
８０２  電気光学トランシーバデバイス
８０４  回路基板
８０８  基板
８１０  導波路
８１２  第１の光検出器
８１４  ＳｏＣ
８１６  第２の光源
８１８  ＳｏＣ
９００  電気光学トランシーバデバイス
９０２  ＳｏＣ
９０４  ＳｏＣ
９０６  ＳｏＣ
９０８  ＳｏＣ
９１０  基板
９１２  光源
９１４  光検出器
９１６  導波路
９１８  光学ルーティングデバイス
１１００  デバイス
１１０２  プロセッサ
１１０４  メモリ
１１０６  命令
１１０８  データ
１１１０  ＳｏＣ
１１１２  電気光学トランシーバデバイス
１１１４  ＳｏＣ
１１１６  プロセッサ
１１１８  メモリ
１１２０  ディスプレイコントローラ
１１２２  ディスプレイ
１１２４  コーダ／デコーダ（コーデック）
１１２６  スピーカー
１１２８  マイクロフォン
１１３０  ワイヤレスコントローラ
１１３２  アンテナ
１１３４  入力デバイス
１１３６  電源
１２００  製造プロセス
１２０２  物理デバイス情報
１２０４  研究用コンピュータ
１２０６  ユーザインターフェース
１２０８  プロセッサ
１２１０  メモリ
１２１２  ライブラリファイル
１２１４  電子設計自動化（ＥＤＡ）ツール
１２１６  設計用コンピュータ
１２１８  プロセッサ
１２２０  メモリ
１２２２  回路設計情報
１２２４  ユーザインターフェース
１２２６  ＧＤＳＩＩファイル
１２２８  製作プロセス
１２３０  マスク製造業者
１２３２  マスク
１２３３  プロセッサ
１２３４  ウエハ
１２３５  メモリ
１２３６  ダイ
１２３８  パッケージングプロセス
１２４０  パッケージ
１２４２  コンピュータ
１２４４  プロセッサ
１２４６  メモリ
１２４８  ＰＣＢ設計情報
１２５０  ユーザインターフェース
１２５２  ＧＥＲＢＥＲファイル
１２５４  基板組立プロセス
１２５６  ＰＣＢ
１２５８  プリント回路アセンブリ（ＰＣＡ）
１２６０  製品製造プロセス
１２６２  第１の代表的な電子デバイス
１２６４  第２の代表的な電子デバイス
【図１】
2017516148.tif 000003
【図２】
2017516148.tif 000004
【図３】
2017516148.tif 000005
【図４】
2017516148.tif 000006
【図５】
2017516148.tif 000007
【図６】
2017516148.tif 000008
【図７】
2017516148.tif 000009
【図８】
2017516148.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【手続補正書】
【提出日】平成28年11月17日(2016.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の表面に結合された導波路であり、前記表面が、前記導波路のクラッディング層を形成している、導波路と、
前記導波路の端部に光学的に結合するように構成された光検出器であり、前記光検出器が、前記導波路のコアから光信号を受信することに応答して電気信号を出力するように構成されている、光検出器と
を含む装置。
【請求項２】
回路基板をさらに含み、前記基板および前記導波路が前記回路基板に接続されており、前記光検出器が前記基板に接続されている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記基板に結合され、前記導波路に光学的に結合するように構成された光学ルーティングデバイスをさらに含み、前記光学ルーティングデバイスが、前記光信号を、前記導波路のコアを通って前記光検出器に送信するように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記基板が透明材料を含み、前記基板が、前記コアから前記光検出器の光受容器に前記光信号を供給するように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記基板が、前記光信号を集束し、前記光信号を前記光受容器に供給するように構成されたレンズを含む、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記基板に結合された増幅器デバイスであり、前記増幅器デバイスが、増幅された電気信号を生成するために前記電気信号を増幅するために、前記光検出器に電気的に結合され、前記基板が、前記光検出器を前記増幅器デバイスに電気的に結合するように構成された１つまたは複数のトレースを含む、増幅器デバイスをさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
導波路を電気光学トランシーバデバイスの基板の表面に適用するステップであり、前記表面が、前記導波路のクラッディング層を形成する、ステップと、
光源を前記導波路の端部に光学的に結合するステップと
を含む方法。
【請求項８】
前記基板が、第１の集積回路および第２の集積回路を受けるように構成され、前記導波路が、前記表面に沿って前記第１の集積回路から前記第２の集積回路に光信号を運ぶように構成される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記導波路の第２の端部において光検出器をコアに光学的に結合するステップであって、前記光検出器が、前記コアを介して前記光源から光信号を受信し、前記光信号に対応する電気信号を生成するように構成される、ステップと、
増幅器デバイスを前記基板に結合するステップと、
前記光検出器に前記増幅器デバイスを電気的に結合するステップであって、前記増幅器デバイスが、前記電気信号を受信し、処理するように構成される、ステップと
をさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
論理ドライバを前記基板に結合するステップと、
前記光源に前記論理ドライバを電気的に結合するステップであって、前記論理ドライバが、前記光源によって生成される光信号の送信を制御するように構成される、ステップと
をさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記論理ドライバがシステムオンチップ内に含まれる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
光学ルーティングデバイスを前記基板、および前記導波路の第２の端部に結合するステップをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記光学ルーティングデバイスが、前記導波路のコアを介して前記光源から光信号を受信するように構成される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記論理ドライバが、前記基板の前記表面に結合される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記論理ドライバが、前記表面の反対側の前記基板の第２の表面に結合され、前記論理ドライバが、前記基板を貫く導電性ビアによって前記光源に電気的に結合するように構成される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
前記導波路を適用するステップが、前記基板の表面上に前記導波路の１つまたは複数のコアを堆積し、前記コア上に第２クラッディング層を堆積するステップを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１７】
電気光学通信を可能にするための手段と、
光を誘導するための手段であって、光を誘導するための前記手段が、電気光学通信を可能にするための前記手段の表面に接続され、前記表面が光を誘導するための前記手段のクラッディング層を形成する、手段と、
光を誘導するための前記手段に光信号を適用するための手段と、
前記光信号を適用するための前記手段を制御するための手段であり、制御するための前記手段が、前記光信号を適用するための前記手段に電気的に結合される、手段と
を含む装置。
【請求項１８】
電気光学通信を可能にするための前記手段が基板を含み、前記基板に結合された光学ルーティングのための手段をさらに含み、光学ルーティングのための前記手段が、宛先デバイスに前記光信号を向けるように構成される、請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
信号処理のための手段をさらに含み、信号処理のための前記手段が、光信号検出のための手段に電気的に結合され、光信号検出のための前記手段が、光を誘導するための前記手段を介して第２の光信号を受信し、前記第２の光信号に対応する電気信号を生成するように構成される、請求項１７に記載の装置。
【請求項２０】
電気光学通信を可能にするための前記手段に結合された信号処理のための手段と、
信号処理のための前記手段に電気的に結合され、光を誘導するための前記手段に光学的に結合された光信号検出のための手段であり、光信号検出のための前記手段が、光を誘導するための前記手段を介して前記光信号を受信し、信号処理のための前記手段に前記光信号に対応する電気信号を送信するように構成される、手段と
をさらに含む、請求項１７に記載の装置。
【請求項２１】
回路基板をさらに含み、前記回路基板が、電気光学通信を可能にするための前記手段に結合される、請求項１７に記載の装置。
【請求項２２】
前記回路基板が結合される、サーバ、モバイルフォン、通信デバイス、タブレット、ナビゲーションデバイス、携帯情報端末、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、固定位置データユニット、およびコンピュータから選択されるデバイスをさらに含む、請求項２１に記載の装置。
【請求項２３】
基板と、
基板の表面に結合された光源アレイであり、前記光源アレイが、光信号を、前記基板を通る複数の経路を介して導波路の送信コアに向けるように構成されている、光源アレイと、
１対の隣接した経路の間の光信号のクロストークを低減するための前記１対の隣接した経路の間のビアと、
前記光源アレイを制御するように構成された論理ドライバであり、前記論理ドライバが、前記基板に結合され、前記光源アレイに電気的に結合するように構成される、論理ドライバと
を含むシステム。
【請求項２４】
前記基板がレンズアレイを含み、前記レンズアレイのレンズのサブセットが、前記光源アレイからの光信号を焦束するように構成されている、請求項２３に記載のシステム。
【請求項２５】
前記レンズアレイの前記レンズの第２のサブセットが、前記基板に結合された少なくとも１つの光検出器上の前記導波路の少なくとも１つの受信コアから第２の光信号を焦束するように構成されている、請求項２４に記載のシステム。
【請求項２６】
前記導波路が回路基板に結合され、前記論理ドライバが、前記基板を貫く１つまたは複数のビアによって前記回路基板に結合される、請求項２３に記載のシステム。
【請求項２７】
前記導波路が、前記基板の第２の表面に結合される、請求項２３に記載のシステム。
【請求項２８】
前記基板に結合され、前記導波路に光学的に結合するように構成された光学ルーティングデバイスをさらに含み、前記光学ルーティングデバイスが、前記導波路の１つまたは複数の送信コアを介して前記光信号を受信するように構成されている、請求項２７に記載のシステム。
【請求項２９】
前記基板の前記表面に結合され、前記導波路に光学的に結合するように構成された光検出器アレイと、前記基板を通る複数の第２の経路を介して前記導波路の受信コアから第２の光信号を受信し、前記第２の光信号に対応する電気信号を生成するように構成された光検出器アレイと、
第２の対の隣接した経路の間の第２の光信号のクロストークを低減するための前記第２の対の隣接した経路の間の第２のビアと、
前記光検出器アレイから受信された前記電気信号を処理するように構成された増幅器デバイスであり、前記増幅器デバイスが、前記基板に結合され、前記光検出器アレイに電気的に結合するように構成されている、増幅器デバイスと
をさらに含む、請求項２３に記載のシステム。
【請求項３０】
ある経路と、前記ある経路に隣接した第２の経路との間の第３のビアであって、前記ある経路と前記第２の経路との間の光信号のクロストークを低減するための第３のビアをさらに含む、請求項２９に記載のシステム。
【国際調査報告】
2017516148.tif 000015
2017516148.tif 000016
2017516148.tif 000017
2017516148.tif 000018
2017516148.tif 000019