(57)【要約】  スイッチ漏れ電流のための受動的漏れ管理回路（４０）は、スイッチ（４８）出力部が所定の第１の電圧を有する出力電流を供給する第１の動作モード、および、スイッチ（４８）出力部が、第２の電圧、第１の電流経路、および漏れ電流経路を有する漏れ電流を供給する第２の動作モードで動作可能なスイッチ（４８）を含む。【選択図】図２
2017523730.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチ漏れ電流のための受動的漏れ管理回路（４０）であって、
スイッチ入力部（５０）、および電気負荷に電気的に結合されたスイッチ出力部（５２）を有し、前記入力部（５０）に提供され所定の第１の電圧を有する出力電流を前記スイッチ出力部（５２）が供給する第１の動作モードと、前記入力部（５０）からの漏れ電流であって前記第１の電圧よりも低い第２の電圧を有する漏れ電流を前記スイッチ出力部（５２）が供給する第２の動作モードで動作可能なスイッチ（４４）と、
少なくとも第１のトランジスタを備える第１の電流経路であって、前記第１のトランジスタが前記スイッチ出力部（５２）に基づいて前記第１の電流経路に沿って電流を伝える、第１の電流経路と、
少なくとも第２のトランジスタを備える漏れ電流経路とを備え、前記第２のトランジスタが、前記電流を伝える第１のトランジスタに基づいて前記漏れ電流経路に沿って電流を伝え、
前記第１の電流経路または前記漏れ電流経路のうち少なくとも１つが、前記スイッチ出力部（５２）に基づいて、前記スイッチ（４４）の状態に関係なく自動的に電流を伝える、受動的漏れ管理回路（４０）。
【請求項２】
前記漏れ電流経路が電流を伝えるときに第１の電力量を散逸するよう選択された第１の抵抗器（９２）を前記漏れ電流経路がさらに備える、請求項１記載の受動的漏れ管理回路（４０）。
【請求項３】
前記第１の電流経路が電流を伝えるときに第２の電力量を散逸するよう選択された第２の抵抗器（８０）を前記第１の電流経路がさらに備える、請求項２記載の受動的漏れ管理回路（４０）。
【請求項４】
前記第１の電力量が前記第２の電力量よりも小さい、請求項３記載の受動的漏れ管理回路（４０）。
【請求項５】
前記第１の抵抗器（９２）が、前記漏れ電流を散逸するよう選択された抵抗器をさらに含む、請求項２乃至４のいずれか１項記載の受動的漏れ管理回路（４０）。
【請求項６】
前記第１の抵抗器（９２）が、シャント抵抗器、可変抵抗器、またはツェナーダイオードのうち少なくとも１つを備える、請求項５記載の受動的漏れ管理回路（４０）。
【請求項７】
前記スイッチ（４４）がソリッドステートパワーコントローラ（ＳＳＰＣ）を備える、請求項１乃至６のいずれか１項記載の受動的漏れ管理回路（４０）。
【請求項８】
前記所定の第１の電圧が２７０ＶＤＣである、請求項１乃至７のいずれか１項記載の受動的漏れ管理回路（４０）。
【請求項９】
前記第２の電圧が２５ＶＤＣである、請求項１乃至８のいずれか１項記載の受動的漏れ管理回路（４０）。
【請求項１０】
前記第１のトランジスタが金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）（６６）を備える、請求項１乃至９のいずれか１項記載の受動的漏れ管理回路（４０）。
【請求項１１】
前記ＭＯＳＦＥＴ（６６）が、ゲート端子（６８）、ソース端子（７０）、およびドレイン端子（７２）を備え、前記ゲート端子（６８）が前記ＭＯＳＦＥＴしきい値電圧よりも大きい電圧に晒される場合に、前記ＭＯＳＦＥＴ（６６）が前記ソース端子（７０）と前記ドレイン端子（７２）との間で電流を伝えるよう選択される、請求項１０記載の受動的漏れ管理回路（４０）。
【請求項１２】
前記第２のトランジスタがバイポーラトランジスタ（８４）を備える、請求項１乃至１１のいずれか１項記載の受動的漏れ管理回路（４０）。
【請求項１３】
前記第１の電流経路または前記漏れ電流経路の少なくとも１つが、前記スイッチ（４４）の状態を認識せずに、前記スイッチ出力部（５２）に基づいて自動的に電流を伝える、請求項１乃至１２のいずれか１項記載の受動的漏れ管理回路（４０）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示はスイッチ漏れ電流のための受動的漏れ管理回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気回路は、電気負荷を有効または無効にするなどの電気的動作を制御するためのスイッチを有するよう構成され得る。例えば、スイッチは、スイッチが「閉」で、電流がスイッチ入力部からスイッチ出力部へ送られる第１の動作モードと、スイッチが「開」で、電流がスイッチ入力部とスイッチ出力部との間で送られることを防止する第２の動作モードとの間で切り替わるよう制御可能であり得る。
【０００３】
スイッチなどの一部の電気機器では、スイッチの電気特性または物理的制限の影響で、スイッチが開のときにスイッチ入力部とスイッチ出力部との間で電流が漏れ得る。ある環境下では、漏れ電流を送るための特定の漏れ電流経路を含み得る漏れ電流に対応し制御することが望ましい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１４／０１３３８１号
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００５】
１つの態様において、本発明はスイッチ漏れ電流のための受動的漏れ管理回路に関し、受動的漏れ管理回路は、スイッチ入力部、および電気負荷に電気的に結合されたスイッチ出力部を有し、入力部に提供され所定の第１の電圧を有する出力電流をスイッチ出力部が供給する第１の動作モードと、入力部からの漏れ電流であって第１の電圧よりも小さい第２の電圧を有する漏れ電流をスイッチ出力部が供給する第２の動作モードで動作可能なスイッチと、少なくとも１つのトランジスタを備える第１の電流経路であって、第１のトランジスタがスイッチ出力部に基づいて第１の電流経路に沿って電流を伝える、第１の電流経路と、少なくとも第２のトランジスタを備える漏れ電流経路とを備え、第２のトランジスタが、電流を伝える第１のトランジスタに基づいて漏れ電流経路に沿って電流を伝える。第１の電流経路または漏れ電流経路のうち少なくとも１つが、スイッチ出力部に基づいて、スイッチの状態に関係なく自動的に電流を伝える。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】漏れ電流経路を有する電気回路の従来技術を示す図である。
【図２】本発明の実施形態による受動的漏れ管理回路を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
本明細書で使用されるスイッチは、スイッチが「閉」で、電流がスイッチ入力部からスイッチ出力部へ送られる第１の動作モードと、スイッチが「開」で、電流がスイッチ入力部とスイッチ出力部との間で送られることを防止する第２の動作モードとの間で切り替えるよう制御可能な電気装置である。本発明は、スイッチを有する任意の電気回路環境で実施可能であり、そこではスイッチが開状態であるときに漏れ電流が存在する。本発明の実施形態を含むことができる電気回路環境の限定されない例として、航空機電力系統アーキテクチャを含むことができ、タービンエンジン、好ましくはガスタービンエンジンの少なくとも１つのスプールから電力を生成することを可能にし、ソリッドステートパワーコントローラ（ＳＳＰＣ）スイッチングデバイスなどの少なくとも１つのソリッドステートスイッチを介して複数の電気負荷に電力を伝える。
【０００８】
さらに、「電圧」、「電流」および「電力」などの用語が本明細書で使用されるが、電気回路または回路動作の態様を述べるとき、これらの用語が相互に置き換えられるということが、当業者には明らかであろう。
【０００９】
図１は漏れ管理回路１０の従来技術を示す図である。漏れ管理回路１０は、電圧源１２と結合されたスイッチ入力部１６、および漏れ抵抗器２０にさらに結合されたスイッチ出力部１８を有するスイッチング構成部品１４（「スイッチ」と呼ぶ）と直列の電圧源１２を含む。漏れ抵抗器２０は、例えば、単一の負荷２４に示す、１つまたは複数の電気負荷に電気的に結合可能な電圧出力部２２と並列に構成できる。この例では、スイッチ１４は、回路１０の「オン」と「オフ」の動作および／または負荷２４を制御するが、スイッチ１４が開のときに漏れ電流を供給する。
【００１０】
回路１０は、スイッチ１４が閉になると、スイッチ１４を通って電圧源１２から電気負荷２４へ電流が流れるように構成される。スイッチ１４が閉になっている間、電流の一部がまた漏れ抵抗器２０を越えて流れるが、しかしながら漏れ抵抗器２０は、回路１０におけるかなりの量の電力が電気負荷２４に供給されるよう選択される。回路１０はまた、図示のようにスイッチ１４が開のとき、かなりの量の漏れ電流２６がスイッチ１４によって供給され、したがって、多量の漏れ電力が抵抗器２０を越えて散逸される。この意味で、電気回路１０が「オフ」であっても、少量の漏れ電流２６は供給され、回路１０で構成されなければならない。
【００１１】
しかしながら、この構成はまた、抵抗器２０を通って多量の電流を流し、したがって、スイッチ１４が閉のとき多量の電力が散逸する。何もしないと無駄になってしまうこの電力散逸に対応するために、従来技術の代替実施形態では第２のスイッチを含むことが知られており、第２のスイッチは、スイッチ１４が開または閉の状態で漏れ電流２６の経路がそれぞれ有効または無効になるよう制御できる。しかしながら、これらの従来技術の実施形態では、スイッチ１４の状態、つまりスイッチが開であるかまたは閉であるかを「認識する」または「知る」必要がある。この意味で、そのような実施形態は、スイッチ１４の状態に基づいて能動的に制御される。
【００１２】
図２は本発明の実施形態による受動的漏れ管理回路４０を示す。漏れ管理回路４０は、電圧源、例えば、ＳＳＰＣ４４に示すようなソリッドステートスイッチと直列の２７０直流（ＤＣ）電圧源４２、および非線形電圧制御電流シンク（ＶＣＣＳ）４６を備える。ＶＣＣＳ４６は、電圧出力部４７と並列に構成することができ、例えば、単一の負荷２４に示す１つまたは複数の電気負荷に電気的に結合できる。
【００１３】
ＳＳＰＣ４４はさらに、ＳＳＰＣ入力部５０を介した電圧源４２およびＳＳＰＣ出力部５２を介したＶＣＣＳ４６と電気的に結合されたスイッチング構成部品４８を備えることができる。スイッチング構成部品４８は、第１の動作モードおよび第２の動作モードで動作可能であり、第１の動作モードでは、スイッチング構成部品４８が閉となっており、ＳＳＰＣ出力部５２が電圧源４２によって提供された出力電流をＳＳＰＣ入力部５０に供給し（「閉状態」）、第２の動作モードでは、スイッチング構成部品４８が開となっているが、ＳＳＰＣ出力部５２がＳＳＰＣ入力部５０から漏れ電流を供給する（「開状態」）。ＳＳＰＣ４４はさらに、制御信号５６をスイッチング構成部品４８に提供して、開状態および閉状態でスイッチを動作させるよう構成されたコントローラ５４を含むことができる。
【００１４】
閉状態におけるスイッチング構成部品４８は、２７０ＶＤＣなどの、電圧源４２からの所定の電圧をＶＣＣＳ４６へ供給するよう構成されており、一方、開状態におけるスイッチング構成部品４８は、所定の電圧よりも低いまたは小さい漏れ電圧を有する漏れ電流を供給する。漏れ電圧の限定されない１つの例は、２５ＶＤＣを含むことができる。ＳＳＰＣ４４の限定されない例の１つは、炭化ケイ素（ＳｉＣ）または窒化ガリウム（ＧａＮ）に基づく高電力スイッチを含むことができる。ＳｉＣまたはＧａＮは、固体材料構造、より小さくより軽い波形率で高い電圧レベルおよび大きな電力レベルを処理する能力、および電気的動作を非常に速く行う高速スイッチング能力に基づいて選択可能である。追加のスイッチングデバイスおよび追加のケイ素電源スイッチが含まれてもよい。
【００１５】
ＶＣＣＳ４６はさらに、電圧制御回路部５８および電流シンク回路部６０を備え、それらは互いに並列に、さらに電気負荷２４と並列に構成される。電圧制御回路部５８は、２メガオームの抵抗器として示す第１の抵抗器６２と、１５キロオームの抵抗器として示す第２の抵抗器６４と、ゲート端子６８、ソース端子７０およびドレイン端子７２を有する金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）６６などの第１のトランジスタとを備えることができる。第１の抵抗器６２および第２の抵抗器６４は直列に構成され、電圧出力部４７および共通接地７４との間に設けられており、第１のノード７６は、抵抗器６２、６４との間に位置しＭＯＳＦＥＴ６６のゲート端子６８に電気的に結合されている。ＭＯＳＦＥＴ６６のドレイン端子７２はさらに、電圧制御回路出力部７８に電気的に結合され、ＭＯＳＦＥＴ６６のソース端子７０は共通接地７４に電気的に結合されている。
【００１６】
ＶＣＣＳ４６の電流シンク回路部６０は、１メガオームの抵抗器として示す第３の抵抗器８０と、同一のデュアルダイオード８２として示す少なくとも１つのダイオードと、ベース端子８６、コレクタ端子８８およびエミッタ端子９０を有するバイポーラトランジスタ８４などの第２のトランジスタと、６８０オームの抵抗器として示す漏れ抵抗器９２とを備える。第３の抵抗器８０は、各ダイオード８２と直列に構成され、電圧出力部４７と共通接地７４との間に設けられており、ダイオード８２は共通接地７４の方へ順方向に向いている。第２のノード９４は第３の抵抗器８０とダイオード８２との間に位置しており、バイポーラトランジスタ８４のベース端子８６と電圧制御回路出力部７８の両方に電気的に結合されている。バイポーラトランジスタ８４のコレクタ端子８８はさらに電圧出力部４７に結合され、バイポーラトランジスタ８４のエミッタ端子９０はさらに、漏れ抵抗器９２を介して共通接地７４に結合されている。漏れ抵抗器９２が図示されているが、漏れ抵抗器９２はさらに、例えば１つまたは複数のシャント抵抗器、可変抵抗器、またはツェナーダイオードを備えることができる。追加の漏れ抵抗器９２が含まれてもよい。
【００１７】
電圧制御回路部５８の第１の抵抗器６２および第２の抵抗器６４は、異なるＳＳＰＣ出力部５２にある間にＭＯＳＦＥＴ６６のゲート端子６８を動作させるのに十分な電圧および電流を第１のノード７６に提供するために選択される。追加および／または代替として、ＭＯＳＦＥＴ６６は、ソース端子７０およびドレイン端子７２が電流を伝えることができるように、特定のゲートしきい値電圧を有するＭＯＳＦＥＴ６６を選択するなど、特定の構成で動作するように選択可能である。本発明の実施形態は、スイッチング構成部品４８が閉であるということを示す所定の電圧を有する電流をＳＳＰＣ出力部５２が提供するとき、ＭＯＳＦＥＴ６６を有効にするまたは「オンにする」のに十分な電圧を第１のノード７６が提供するように、第１の抵抗器６２、第２の抵抗器６４、および／またはＭＯＳＦＥＴ６６の構成を含むことができ、それによりＭＯＳＦＥＴ６６は、ソース端子７０とドレイン端子７２との間で電流を伝え、電圧制御回路出力部７８に「低」電圧信号（例えば、０ボルト）を効果的に提供する。
【００１８】
さらに、本発明の実施形態は、スイッチング構成部品４８が開であるということを示す漏れ電圧を有する漏れ電流をＳＳＰＣ出力部５２が提供するとき、第１のノード７６はＭＯＳＦＥＴ６６をオンにするには十分でない（すなわちＭＯＳＦＥＴ６６が「オフになる」）電圧を提供するように、第１の抵抗器６２、第２の抵抗器６４、および／またはＭＯＳＦＥＴ６６の構成を含むことができ、ＭＯＳＦＥＴ６６はソース端子７０とドレイン端子７２との間で電流を伝えず、電圧制御回路出力部７８に「高」電圧信号（例えば、１．２Ｖよりも大きい）を効果的に提供する。
【００１９】
ＶＣＣＳ４６の電流シンク回路部６０は、電圧制御回路出力部７８に電気的に結合されたベース端子８６の「低」電圧信号に応答して、トランジスタ８４がコレクタ端子８８とエミッタ端子９０との間で電流を伝えないようにするために、バイポーラトランジスタ８４が無効になるまたは「オフとなる」ように動作する。反対に、ＶＣＣＳ４６の電流シンク回路部６０は、ベース端子８６の「高」電圧信号に応答して、トランジスタ８４がコレクタ端子８８とエミッタ端子９０との間で電流を伝えるようにするために、バイポーラトランジスタ８４が有効となるまたは「オンとなる」ように動作する。第３の抵抗器８０および／またはバイポーラトランジスタ８４は、ダイオード８２および／またはＭＯＳＦＥＴ６６と結合して選択されて、バイポーラトランジスタ８４のしきい値電圧および／または第２のノードで予期された電圧に基づいて、十分なオン／オフの動作を提供することができる。
【００２０】
したがって、漏れ管理回路４０は、２つの異なるモードで動作する。第１の閉モードでは、ＳＳＰＣ出力部５２がＳＳＰＣ入力部５０に提供された出力電流を供給するためにスイッチング構成部品４８が閉となっており、電気負荷２４に動力を供給しかつ／または動作させるための２７０ＶＤＣなどの所定の電圧を有する。この閉モードの間、電圧制御回路部５８、第１の抵抗器６２、第２の抵抗器６４、および／またはＭＯＳＦＥＴ６６の選択および／または構成はＭＯＳＦＥＴ６６をオンにし、ＭＯＳＦＥＴ６６が電圧制御回路出力部７８を介して、「低」電圧信号を電流シンク回路部６０の第３の端子９４に供給する。ＶＣＣＳ４６の電流シンク回路部６０は、電圧制御回路出力部７８からの「低」電圧信号に応答して、バイポーラトランジスタ８４をオフにする。次に、この動作は、ＳＳＰＣ出力部５２から生じ、第３の抵抗器８０を通って、少なくとも第２のノード９４をＭＯＳＦＥＴ６６のソース端子７０とドレイン端子７２との間で、共通接地７４に移動させる第１の電流経路を画定する。
【００２１】
漏れ管理回路４０はさらに、第２の漏れモードで動作し、ＳＳＰＣ出力部が、２５ＶＤＣなどの最大の漏れ電圧を有する漏れ電流を供給するために開スイッチング構成部品４８を有しており、漏れ電圧はスイッチ４８を通る漏れ電流に漏れ抵抗器９２の抵抗値を掛けることによって導き出されるオームの法則によって決定する。２５ＶＤＣを限定されない例として示したが、漏れ抵抗器９２の選択は漏れそのものの要因ではなく、制御された漏れ電流量に影響を与えるために選択された抵抗器９２によって決定することが理解される。この漏れモードの間、電圧制御回路部５８、第１の抵抗器６２、第２の抵抗器６４、および／またはＭＯＳＦＥＴ６６の選択および／または構成はＭＯＳＦＥＴ６６をオフにし、ＭＯＳＦＥＴ６６が電圧制御回路出力部７８を介して、「高」電圧信号を電流シンク回路部６０の第３の端子９４に供給する。ＶＣＣＳ４６の電流シンク回路部６０は、電圧制御回路出力部７８からの「高」電圧信号に応答して、バイポーラトランジスタ８４をオンにする。次に、この動作は、ＳＳＰＣ出力部５２から生じ、少なくとも、バイポーラトランジスタ８４のコレクタ端子８８とエミッタ端子９０との間で、漏れ抵抗器９２を通って共通接地７４に移動する漏れ電流経路を画定する。本発明の実施形態は、いかなるときも第１の電流経路または漏れ電流経路の１つのみを有効にすることができる。
【００２２】
この意味で、漏れ管理回路４０は、ＳＳＰＣ出力部５２に基づいて第１の電流経路に沿って電流を伝え、回路４０は電流を伝えるＭＯＳＦＥＴ６６に基づいて漏れ電流経路に沿って電流を伝える。漏れ管理回路４０は、したがって受動的または管理されておらず、スイッチング構成部品４８の状態に関係なく、かつ／またはスイッチング構成部品４８の状態を認識せずにＳＳＰＣ出力部５２のみに基づいて動作できる。
【００２３】
結果として、第３の抵抗器８０は、ＳＳＰＣ出力部５２が電気負荷２４に動力を供給しているとき、第１の電流経路に沿って低電力散逸を供給するように選択可能であり、漏れ抵抗器９２は、ＳＳＰＣ出力部５２が漏れ電流を供給するとき、漏れ電流経路に沿って異なる低電力散逸を提供するように選択可能である。漏れ抵抗器９２はさらに、スイッチング構成部品４８が開である間、一定の漏れ電流量に一定の漏れ電圧を提供するように選択可能である。例示的抵抗器６２、６４、８０、９２および構成部品を示すが、スイッチング構成部品４８が閉のとき、第１の電流経路および第２の電流経路を通る結合電流は約０．４ｍＡであってよく、スイッチング構成部品４８が開のとき、漏れ電流経路を通る電流は約０．６ｍＡであってよい。これは、それぞれ約１０９ｍＷおよび約２３ｍＷの漏れ管理回路４０の電力散逸と等しく、したがって、基本の単一漏れ抵抗器２０と比べて、スイッチング構成部品４８が開のときよりも、スイッチング構成部品４８が閉のときの方が電力散逸はより少なくなる。この例は、漏れ抵抗器９２が６８０オームであり、２つのダイオードの順電圧およびバイポーラトランジスタ８４のベースエミッタ電圧が各０．６Ｖであることを想定している。
【００２４】
上図で示す実施形態に加え、多くの他の可能性のある実施形態および構成が本開示によって考えられる。例えば、ＭＯＳＦＥＴ６６を第１のトランジスタとして示し、バイポーラトランジスタ８４を第２のトランジスタとして示すが、選択された回路の動作に応答して制御された動作を提供するために、これらのデバイスは代替のトランジスタの種類および／または構成と交換可能であることは当業者には明らかであろう。さらに、例えば、ＭＯＳＦＥＴ６６および／またはバイポーラトランジスタ８４が「低」または「高」電圧信号、それに対応して「オン」または「オフ」の動作を生成しているが、代替のトランジスタおよび／または回路構成によって高／低またはオン／オフの動作が逆になっても実質的に同様の漏れ管理回路４０の動作を提供できるということが当業者には明らかであろう。さらに、本発明の実施形態は、厳密な「オン」または「オフ」の動作モードで必ずしも動作せず１つまたは複数の非線形の動作モードによって動作できるトランジスタを含むことができる。これらの実施形態では、非線形の動作モードは、上述の「オン」または「オフ」の動作モードとみなすことができる定常状態の動作モードに落ち着いて初めて、回路４０で過渡的な電気的特性を生成することができる。
【００２５】
本発明のさらに別の実施形態では、漏れ電流は、スイッチング構成部品４８以外の構成部品によって引き起こされる。例えば、ＳＳＰＣ４４内またはその周辺の入力電圧モニタおよび／または出力電圧モニタは、全体の漏れ電流の一因となり得る。追加の漏れ電流源を含むこともできる。本発明のさらに別の実施形態では、漏れ電流散逸はさらに、第２の漏れ電流回路４０またはそれよりも多くの余分な漏れ電流回路４０を設けて、ＶＣＣＳ４６内の起こり得る構成部品の故障を防止することによって改善できる。さらに、様々な構成部品の設計および配置は多くの異なる非線形の構成が実現できるよう再配置可能である。
【００２６】
本明細書に開示された実施形態は、スイッチの状態に関係なくまたはスイッチの状態を認識せずに漏れ電流経路を有効にすることによって、漏れやすいスイッチのための漏れ管理回路を提供する。上述の実施形態で実現され得る１つの利点は、上述の実施形態が漏れ電力を散逸するための漏れ電流経路を提供し、危険な電圧または管理されていない電流が、短絡、電圧ノイズ、感電の危険による火災などの熱的な結果を含む、電気回路上の意図しない結果をもたらす可能性を減らすことである。さらに、余分な漏れ管理回路を含むことによって、構成部品が損傷する場合において、意図しない結果が起こる可能性をさらに減らす。意図しない結果が起こる可能性を減らすことにより、電気システムの全体的な安全性が増す。
【００２７】
上述の実施形態で実現され得る他の利点は、異なる電流経路を有効にすることによって、スイッチが閉である間は低電力散逸のための第１の電流経路を提供し、スイッチが開である間は低電力散逸のための漏れ電流経路を提供することによって、不必要な電力散逸を防止する漏れ管理回路がもたらされることである。低電力散逸によって電気回路における無駄な電力が少なくなる。
【００２８】
上述の実施形態で実現され得るさらに別の利点は、漏れ管理回路が、漏れ管理機能を維持するために、スイッチの状態を認識または知ることを必要とせずに、効果的に動作することである。これは、漏れ管理のためのスイッチの状態を監視する必要性を排除し、任意の追加のコントローラ、第２のスイッチ、ならびに状態ベースの漏れ管理回路に関する追加の電力および／または回路の要件の必要性をさらに排除することができる。構成部品を減らすことにより、全体の漏れ管理回路の信頼性の向上につながる。
【００２９】
記載されていない範囲まで、様々な実施形態の異なる特徴および構造は、思い通りの互いの組合せで使用することができる。１つの特徴が全ての実施形態に示されていないことがあるということは、それができないと解釈されるのを意味しているのではなく、記述の簡潔さのためになされている。したがって、異なる実施形態の様々な特徴は、新たな実施形態が明示的に記載されるかどうかに関わらず、新たな実施形態を形成するために思い通りに併用すること、および適合させることが可能である。本明細書に記載の特徴の全ての順列組合せは、この開示によって網羅される。
【００３０】
この明細書は、最良の態様を含む例を用いて本発明を開示し、また任意の装置またはシステムの作製および使用、ならびに任意の組み入れられた方法の実施を含め、当業者が本発明を実施できるように例を用いている。本発明の特許性を有する範囲は、特許請求の範囲によって規定され、当業者が想到する他の例を含むことができる。このような他の例は、特許請求の範囲の文言と相違ない構成要素を含む場合、または特許請求の範囲の文言と実質的に相違ない等価の構成要素を含む場合、特許請求の範囲内であることが意図されている。
【符号の説明】
【００３１】
１０  漏れ管理回路
１２  電圧源
１４  スイッチング構成部品
１６  スイッチ入力部
１８  スイッチ出力部
２０  漏れ抵抗器
２２  電圧出力部
２４  負荷
２６  漏れ電流
４０  漏れ管理回路
４２  電圧源
４４  ソリッドステートパワーコントローラ（ＳＳＰＣ）
４６  非線形電圧制御電流シンク（ＶＣＣＳ）
４７  電圧出力部
４８  スイッチング構成部品
５０  ＳＳＰＣ入力部
５２  ＳＳＰＣ出力部
５４  コントローラ
５６  制御信号
５８  電圧制御回路部
６０  電流シンク回路部
６２  第１の抵抗器
６４  第２の抵抗器
６６  金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）
６８  ゲート端子
７０  ソース端子
７２  ドレイン端子
７４  共通接地
７６  第１のノード
７８  電圧制御回路出力部
８０  第３の抵抗器
８２  ダイオード
８４  バイポーラトランジスタ
８６  ベース端子
８８  コレクタ端子
９０  エミッタ端子
９２  漏れ抵抗器
９４  第２のノード
【図１】
2017523730.tif 000003
【図２】
2017523730.tif 000004
【国際調査報告】
2017523730.tif 000005
2017523730.tif 000006