(57)【要約】  サファイア表面を研磨する改善された組成物及び方法が開示される。方法は、サファイア表面、例えば、サファイアウェーハのＣ面、Ｒ面又はＡ面の表面等を、水性媒体中に懸濁されたコロイダルシリカを含む研磨組成物で研磨すること、を含み、研磨組成物は、酸性ｐＨを有し、サファイア除去速度を向上させるリン酸量を含む。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
サファイア表面を研磨する方法であって、前記方法は、 水性媒体中に懸濁された研磨組成物の約０．５〜約２０重量％のコロイダルシリカを含む前記研磨組成物で、前記サファイア表面を研磨することを含み、前記研磨組成物は酸性ｐＨを有し、及び前記研磨組成物の約０．０００１〜約１．０重量％のサファイア除去速度を向上させるリン酸量を含む、方法。
【請求項２】
前記コロイダルシリカは、前記研磨組成物の約１〜約１０重量％の間である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記コロイダルシリカは、約２０〜約２００ｎｍの範囲の平均粒子径を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記コロイダルシリカは、約２０〜約５０ｎｍの範囲の平均粒子径を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記研磨組成物は、約６未満のｐＨを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記研磨組成物は、約２．５〜約５の範囲のｐＨを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記除去速度を向上させるリン酸量は、前記研磨組成物の約０．０００５〜約０．５重量％である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記除去速度を向上させるリン酸量は、前記研磨組成物の約０．０００７〜約０．０３重量％である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記水性媒体は水を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記サファイア表面は、Ｃ面サファイア表面である、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記サファイア表面は、Ｒ面サファイア表面である、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記サファイア表面は、Ａ面サファイア表面である、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
サファイア表面を研磨する方法であって、前記方法は、
（ａ）回転するキャリアに取り付けられたサファイアウェーハの表面に研磨組成物を塗布すること、を含み、前記研磨組成物は約１５〜約２００ｎｍの範囲の平均粒子径を有するコロイダルシリカを有し、水性媒体中に懸濁され、前記研磨組成物は、約６未満の酸性ｐＨを有し、及び前記研磨組成物の約０．０００１〜約１．０重量％のサファイア除去速度を向上させるリン酸量を含み、
前記方法は、更に、
（ｂ）前記ウェーハの前記表面に垂直な軸の周りに選択された回転速度で回転する平坦な研磨表面を有する研磨パッドで、前記ウェーハの前記表面を研磨すること、を含み、前記研磨組成物の少なくとも一部を前記パッドの前記研磨表面と前記サファイアウェーハの前記表面との間に配置し、前記パッドの前記研磨表面は、前記ウェーハの前記表面に垂直な選択されたレベルの下向きの力で、前記ウェーハの前記表面に押し付けられ、前記ウェーハの前記表面からサファイアを除去する、方法。
【請求項１４】
前記コロイダルシリカは、前記研磨組成物の約１〜約２０重量％の範囲の濃度で存在する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記除去速度を向上させるリン酸量は、前記研磨組成物の約０．０００７〜約０．０３重量％である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記研磨組成物は、約２．５〜約５の範囲のｐＨを有する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
前記コロイダルシリカは、約２０〜約５０ｎｍの範囲の平均粒子径を有する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
前記サファイア表面は、Ｃ面サファイア表面である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１９】
前記サファイア表面は、Ｒ面サファイア表面である、請求項１３に記載の方法。
【請求項２０】
前記サファイア表面は、Ａ面サファイア表面である、請求項１３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サファイア表面を研磨する単一ステップの改善された組成物及び方法に関する。より具体的には、本発明は、表面粗さを小さくしながらサファイア除去速度を高める方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリカ研磨材料は、金属、金属酸化物、シリコン材料の化学機械研磨において一般に利用されている。そのような用途では、砥粒シリカ粒子は、時には分散剤として界面活性剤の助けを借りて、液体媒体中、例えば水等に懸濁される。Choiらは、Journal of the Electrochemical Society, 151 (3) G185-G189 (2004)において、塩化ナトリウム、塩化リチウム及び塩化カリウムを塩基性水性媒体中のシリカ懸濁液に添加することにより、約０．０１〜約０．１モル濃度の範囲のレベルで懸濁液へ添加する場合には、二酸化ケイ素の除去速度を向上させることができることを報告している。Choiらは、ナトリウム及びリチウム塩では塩濃度が０．１モル濃度を超えて１モル濃度まで増加するにつれて、除去速度は管理水準に低下し始めること、塩のそれぞれについて塩濃度が１モル濃度に近づくにつれて、表面の損傷の深さが増加するので、表面粗さが増加すること、も報告している。
【０００３】
サファイアは、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）単結晶材料の総称である。サファイアは、赤外線及びマイクロ波システムの窓、紫外線から近赤外光までの光伝送窓、発光ダイオード、ルビーレーザ、レーザダイオード、マイクロエレクトロニクス集積回路用途並びに超伝導化合物及びガリウムナイトライドの成長のための支持材料等、としての用途に、特に有用な材料である。サファイアは、優れた化学的安定性、光学的透明性、及び望ましい機械的特性、例えば、チップ抵抗、耐久性、耐スクラッチ性、耐放射線性、ガリウムヒ素の熱膨張係数に対する良好な一致、及び高温での曲げ強度等を有する。
【０００４】
サファイアウェーハは、一般に、多くの結晶軸、例えば、Ｃ面（０００１方位、０°面又は基底面とも呼ばれる）、Ａ面（１１−２０方位、９０°サファイアとも呼ばれる）、及びＲ面（１−１０２方位、Ｃ面から５７．６°）等に沿ってカットされる。半導体、マイクロ波、及び圧力トランスデューサの用途に使用されるシリコン・オン・サファイア材料に特に好ましいＲ面サファイアは、光学系、赤外線検出器、及び発光ダイオード用途用のガリウムナイトライドの成長に一般的に使用されるＣ面サファイアより約４倍耐摩耗性が高い。
【０００５】
サファイアウェーハの研磨は、極めて時間がかかり、骨の折れるプロセスである。満足な研磨速度を達成するために、攻撃的な研磨剤、例えばダイヤモンド等、を使用しなければならないことが多い。このような攻撃的な研磨材料は、ウェーハ表面に深刻な表面損傷及び汚染を与える可能性がある。一般的なサファイア研磨は、研磨されるサファイアウェーハの表面へ研磨剤のスラリーを連続的に塗布することと、同時にその結果生じた研磨剤で被覆された表面を回転する研磨パッドで研磨すること、とを含み、研磨パッドはウェーハの表面を横切って移動し、そしてそれは、一定の下向きの力、一般的には約５〜２０ポンド／平方インチ（ｐｓｉ）の範囲でウェーハ表面に対して保持される。
【０００６】
Moeggenborgら （米国特許出願第２００６０１９６８４９Ａ１号）は、塩基性ｐＨ、好ましくはｐＨ約１０〜約１１の水性媒体中に懸濁した無機研磨材料を含む研磨スラリーを用いて、表面を研磨することを含むサファイア表面を研磨する改良された方法を報告している。それらの結果が、コロイダルシリカ研磨剤と併用した場合、塩化合物添加剤のサファイア除去速度向上効果には、塩基性ｐＨが重要であることを示したと報告した。しかしながら、高いｐＨスラリーは、ウェーハからの研磨粒子の電荷反発をもたらし、高い塩含量並びに速度向上及び表面品質の限界をもたらす。従って、サファイア研磨の効率を高める方法の継続的なニーズがある。
【発明の概要】
【０００７】
本発明は、サファイア表面を研磨する改良された組成物及び方法を提供する。この方法は、サファイア表面、例えば、サファイアウェーハのＣ面、Ｒ面又はＡ面の表面等を、酸性ｐＨを有する水性媒体中に懸濁されたコロイダルシリカを含み、そしてサファイア除去速度を向上させるリン酸量を含む、（研磨スラリーとしても知られている）研磨組成物で研磨することを含む。好ましいコロイダルシリカ濃度の非限定的な例は、研磨組成物の約１〜約２０重量％である。研磨組成物のコロイダルシリカは、約１５〜約２００ｎｍの平均粒子径を有する。研磨組成物のｐＨは、約６未満である。そして、サファイア除去速度を向上させるリン酸量は研磨組成物の約０．０００１〜約１．０重量％である。
【０００８】
サファイア表面を研磨する好ましい方法は、回転するキャリアに取り付けられたサファイアウェーハの表面に研磨組成物を塗布することと、パッドの研磨表面とサファイアウェーハの表面との間に配置された研磨組成物の少なくとも一部を保持しながら、サファイア表面を回転研磨パッドで研磨することとを含む。研磨組成物は、約６未満のｐＨを有し、サファイア除去速度を向上させるリン酸量を含む水性媒体中に懸濁されたコロイダルシリカを含む。研磨パッドは、選択された回転速度でサファイア表面に垂直な回転軸の周りに回転する平坦な研磨面を有する。パッドの回転する研磨面は、サファイア表面に垂直な選択されたレベルの下向きの力で、サファイア表面に押し付けられる。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
サファイア表面を研磨する改良された方法は、酸性ｐＨを有する水性媒体中に懸濁されたコロイダルシリカを含む研磨組成物を用いて表面を研磨することを含む。研磨組成物は、サファイア除去速度を向上させるリン酸量を含む。水性媒体は好ましくは水を含む。
【００１０】
本発明の方法の研磨組成物は、酸性のｐＨ（即ち、７未満）を有する。例えば、研磨組成物のｐＨは、約６．５以下、約６以下、約５．５以下、約５以下、約４．５以下、約４以下、約３．５以下、約３以下、約２．５以下、約２．０以下、又は約１．５以下である。従って、研磨組成物は、前述の終端点の任意の２つによって限定されるｐＨ範囲、例えば、約１．５〜約７、約２．０〜約６．５、約２．５〜約６、約３．０〜約５．５、約３．５〜約５、又は約４〜約４．５を有し得る。一般的に、研磨組成物のｐＨは、使用時点で約２．５〜約５の範囲で形成される。
【００１１】
リン酸は、十分な量で存在して、除去速度を向上させ、表面品質を向上させる。一般的に、研磨組成物中のリン酸の濃度は、使用時点で研磨組成物（重量％）の約０．０００１重量％の以上、例えば、使用時点でリン酸の約０．０００５重量％以上、約０．００１５重量％以上、約０．００２５重量％以上、約０．００５重量％以上、約０．００６重量％以上、約０．００７５重量％以上、約０．００９重量％以上、約０．０１重量％以上、約０．０２５重量％以上である。これに代えて、又はそれに加えて、研磨組成物は、典型的には、使用時点で約１．０重量％以下のリン酸、例えば、使用時点で約０．７５重量％以下、約０．５重量％以下、約０．３重量％以下、約０．２５重量％以下のリン酸を含む。従って、研磨組成物は、上記の終端点の任意の２つにより規定されるリン酸の割合を含むことができる。本明細書で使用される場合、研磨組成物の重量％と重量パーセントという用語は互換的に使用される。
【００１２】
一実施形態において、除去速度を向上させるリン酸量は、約０．０００１重量％〜約１．０重量％である。好ましくは、リン酸濃度は、約０．０００１重量％〜約１．０重量％の範囲の任意の濃度である。例えば、除去速度を向上させるリン酸量は、約０．０００１重量％〜約１．０重量％の間の任意の濃度、例えば、約０．０００５重量％〜約０．５重量％、約０．０００７重量％〜０．０３重量％、約０．００１重量％〜約０．０１重量％であってもよい。
【００１３】
コロイダルシリカ研磨剤は、好ましくは約２０〜約２００ｎｍ、より好ましくは２０〜約５０ｎｍの範囲の平均粒子径を有する。コロイダルシリカは、約２０〜２００ｎｍの間の任意の適切な平均粒子径を有することができる。例えば、コロイダルシリカは、約２５ｎｍ以上、３０ｎｍ以上、５０ｎｍ以上、７５ｎｍ以上の平均粒子径を有することができる。更に、コロイダルシリカは、約２００ｎｍ以下、１５０ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、７５ｎｍ以下、５０ｎｍ以下の平均粒子径を有することができる。従って、コロイダルシリカ粒子は、上記の終端点の任意の２つにより規定される平均粒子径を有することができる。
【００１４】
好ましくは、コロイダルシリカは、研磨組成物の約０．５重量％以上の濃度（重量％）、例えば約０．７５重量％以上、約１重量％以上、約２重量％以上、約３重量％以上、の濃度で、水性媒体中に懸濁される。更に、コロイダルシリカは、約２０重量％以下、約１５重量％以下、約１０重量％以下、約５重量％以下、の濃度で水性媒体中に懸濁され得る。    コロイダルシリカは、上記の範囲により規定される、任意の適切な濃度範囲、例えば、約０．５〜約２０重量％、約０．７５〜約２０重量％、約１〜約２０重量％、約１〜約１０重量％、約２〜約１０重量％で存在し得る。
【００１５】
本発明の方法における有用な、適切なコロイダルシリカの非限定的な例としては、EKA Chemicals division of Akzo Nobelにより販売されているBINDZIL（登録商標）ブランドのコロイダルシリカスラリー、例えば、BINDZIL（登録商標）CJ2-0（約４０重量％シリカ、平均粒子径約１１０ｎｍ）、30/220（約３０重量％シリカ、平均粒子径約１５ｎｍ）、50/80（約５０重量％シリカ、平均粒子径約９０ｎｍ）、40/130（約４０重量％シリカ、平均粒子径約４０ｎｍ）、30/80（約３０重量％シリカ、平均粒子径約４０ｎｍ）、SP599L（約４０重量％シリカ、平均粒子径約９０ｎｍ）、40/220（約４０重量％シリカ、平均粒子径約１５ｎｍ）等、Nalco Chemical Companyにより販売されているコロイダルシリカ材料、例えば、TX11005（約３０重量％シリカ、平均粒子径約５０ｎｍ）、1040a（約３４重量％シリカ、平均粒子径約２０ｎｍ）、1142（約４０重量％シリカ、平均粒子径約１５ｎｍ）、2360（約５０重量％シリカ、平均粒子径約６０ｎｍ）、2329K（約４０重量％シリカ、平均粒子径約８０ｎｍ）、13573（約２７重量％シリカ、平均粒子径約４０ｎｍ）、DVSTS028（約３０重量％シリカ、平均粒子径約１７ｎｍ）、DVST2027（約３０重量％シリカ、平均粒子径約３５ｎｍ）、DVST006（約４０重量％シリカ、平均粒子径約５５ｎｍ）、DVSTS030（約４７重量％シリカ、平均粒子径約１５ｎｍ）、2329PLUS（約４７重量％シリカ、平均粒子径約１０５ｎｍ）、2350（約５０重量％シリカ、平均粒子径約６０ｎｍ）、2354（約５０重量％シリカ、平均粒子径約６０ｎｍ）、2358（約３０重量％シリカ、平均粒子径約８５ｎｍ）、2360（約５０重量％シリカ、平均粒子径約６０ｎｍ）、2398（約３０重量％シリカ、平均粒子径約８５ｎｍ）等、Fusoにより販売されているコロイダルシリカ、例えば、Fuso PL-2L（約２０重量％シリカ、平均粒子径約１８ｎｍ）、PL-3（約２０重量％シリカ、平均粒子径約３５ｎｍ）、PL-3D（約２０重量％シリカ、平均粒子径約３５ｎｍ）、PL-7（約２５重量％シリカ、平均粒子径約７５ｎｍ）、SH-7D（約３４重量％シリカ、平均粒子径約７５ｎｍ）、PL-7H（約２５重量％シリカ、平均粒子径約７０ｎｍ）、PL-5（約２５重量％シリカ、平均粒子径約６０ｎｍ）、PL-1（約１２重量％シリカ、平均粒子径約１５ｎｍ）、PL-2（約２０重量％シリカ、平均粒子径約２５ｎｍ）、PL-2L（約２０重量％シリカ、平均粒子径約１８ｎｍ）、PL-10（約２５重量％シリカ、平均粒子径約９０ｎｍ）、BS-2H（約２０重量％シリカ、平均粒子径約３０ｎｍ）、HL-2（約２０重量％シリカ、平均粒子径約２７ｎｍ）、等を挙げることができる。
【００１６】
本発明の方法は、サファイアウェーハのＣ面、Ｒ面又はＡ面の表面を、研磨又は平坦化するのに特に有用である。本発明の方法は、高レベルの表面品質を維持もしながら、従来の研磨スラリーを用いて達成される除去速度よりも、著しく速いサファイア表面を研磨する材料除去速度を提供する。
【００１７】
本発明の方法は、任意の適切な研磨装置を用いて行うことができる。本発明の方法は、任意の適切な研磨パッド及び研磨装置を利用することができる。一実施形態では、研磨は、サファイアウェーハを回転するキャリアに取り付け、選択された下方力で、ウェーハの表面に適用された回転する研磨パッドを用いて、行われる。例えば、研磨は、ウェーハを毎分約２０〜約１５０回転（ｒｐｍ）で回転するキャリアに取り付け、約２〜約２０ｐｓｉの範囲の下方の力、約２０〜約１５０ｒｐｍの範囲内のパッドの回転速度で、行われる。他の当業者に公知であるように、適切な研磨装置は、種々の供給元から、例えば、Logitech Ltd、Glasgow、Scotland、UK及びSpeedFam-IPEC Corp.、Chandler、AZ等から市販されている。
【００１８】
本発明の方法は、速度強化及び／又は表面粗さの向上のために、種々の触媒、ポリマー、界面活性剤、及び塩を付加的に含む研磨組成物を用いて、実施され得る。本発明の方法は、必要に応じて更に１つ以上の添加剤を含む研磨組成物を用いて実施され得る。例示の添加剤は、コンディショナー、錯化剤、キレート剤、殺生物剤、スケール抑制剤、分散剤を含む。
【００１９】
殺生物剤は、存在する場合、任意の好適な殺生物剤であることができ、任意の適切な量で研磨組成物中に存在することができる。適切な殺生物剤は、イソチアゾリノン殺生物剤である。研磨組成物中の殺生剤の量は、存在する場合は、一般的には、使用時点で、約１〜約５０ｐｐｍ、好ましくは約１０〜約２０ｐｐｍである。
【００２０】
一般に、酸、塩基、又は塩（例えば、陰イオン界面活性剤、緩衝剤等）である研磨組成物の成分のいずれかは、研磨組成物の水性媒体中に溶解された場合、陽イオンと陰イオンとして解離した形態で存在できることが、理解されるであろう。本明細書に記載の研磨組成物中に存在する、このような化合物の量は、研磨用組成物の調製に用いられる非解離の化合物の量を意味するものと理解されるであろう。
【００２１】
以下の実施例は本発明を更に例示するが、言うまでもなく、その範囲を何ら限定するものとして解釈されるべきではない。
【実施例】
【００２２】
実施例１
Logitech CDP研磨機を用いて、Ｃ面サファイアウェーハ（直径約２インチ）を研磨した。ウェーハを、約６５〜６９ｒｐｍのキャリア速度で回転するキャリア上に載置した。約６９ｒｐｍのプラテン速度で回転するSuba（商標）600XY溝付き研磨パッド（Dow Chemical Company、Midland、MI）を、約５ｐｓｉの下向きの力を加えて利用した。TBWダイヤモンドグリットコンディショナー（TBW Industries,Inc.、Furlong、PA）を用いてパッドを調整した。
【００２３】
本明細書では、研磨スラリーと研磨組成物という用語は互換的に使用される。異なる研磨スラリー処理を表１に記載する。固形物は、約２５〜４５ｎｍの平均粒子径を有するコロイダルシリカを表す。ウェーハを７分間研磨した後、除去速度及び表面粗さを分析した。除去速度は研磨前と後とのウェーハの重量差から計算した。原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）、Veeco D5000装置（Veeco Instruments,Inc.、Plainview、NY）を用いて、平均表面粗さを測定した。
【００２４】
研磨実験の結果を表１に示す。コロイダルシリカを用いた酸性ｐＨの研磨スラリー中へリン酸を添加することにより、除去速度の増加と表面品質の改善の両方をもたらした。例えば、７を超えるスラリーｐＨ値では、平均表面粗さが大きかった（即ち、比較処理１Ａ、１Ｃ、１Ｇ、１Ｉ及び１Ｕ）、又は除去速度が遅かった（即ち、比較処理１Ｂ、１Ｄ及び１Ｔ）。比較すると、スラリーのｐＨが酸性である場合、平均表面粗さは０．７２〜２．１３オングストロームの範囲で小さく、同時に、除去速度は速かった（即ち、１９１〜４０３Å／ｍｉｎ）。ｐＨ４．０、０．００６重量％のリン酸、及び５重量％のコロイダルシリカ（本発明のスラリー１Ｍ）では、最大４０３Å／分の除去速度が観察された。
【００２５】
いかなる特定の理論に束縛されることを望まないが、酸性ｐＨでは、リン酸はコロイダルシリカと酸とに結合し、粒子がサファイア表面に接触するのを助け、それにより粒子／表面相互作用の可能性を高めることができる。コロイダルシリカ粒子上のシラノール基は、サファイア表面と反応して、サファイアを「より軟らかく」することができ、それによりコロイダルシリカを用いて研磨することができる。
【表１】
2017532397.tif 000002
【００２６】
実施例２
Logitech CDP研磨機を用いて、Ｒ面及びＡ面サファイアウェーハ（直径約２インチ）を研磨した。実施例１に記載したように、ウェーハを、約６５〜６９ｒｐｍのキャリア速度で回転するキャリア上に載置した。約６９ｒｐｍのプラテン速度で回転するSuba（商標）600XY溝付き研磨パッドを、約５ｐｓｉの下向きの力を加えて利用した。TBWダイヤモンドグリットコンディショナーを用いてパッドを調整した。
【００２７】
表２及び３に記載されるようにスラリーを調製した。固形物は、約２５〜４５ｎｍの平均粒子径を有するコロイダルシリカを表す。ウェーハを７分間研磨した後、除去速度及び表面粗さを分析した。前述のように、除去速度を、研磨前と後とのウェーハの重量差により決定した。原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）、Veeco D5000装置を用いて、平均表面粗さを測定した。
【００２８】
Ｒ面サファイア基材の研磨実験の結果を表２に示し、一方、Ａ面サファイア基板の結果を表３に示す。０．５〜２０重量％のコロイダルシリカを有する酸性ｐＨの組成物中にリン酸を添加することにより、除去速度と表面品質の両方を向上させた。例えば、５を超えるｐＨ値では、平均表面粗さは、酸性ｐＨにおける本発明の処理より大きかった。例えば、固形分１０％では、処理３Ａは、５．４２Åの平均表面粗さを有し、一方、０．０１５重量％のリン酸を含有する処理３Ｂは、０．９６Åの平均表面粗さを有していた。比較すると、ｐＨが５以下の場合、平均表面粗さは０．９１〜２．１３オングストロームの範囲であった。更に、ｐＨ４．０、０．００６重量％のリン酸、及び５重量％のコロイダルシリカで、最大９３及び６１オングストローム／分（それぞれＲ面及びＡ面の場合）の除去速度が観察された。
【表２】
2017532397.tif 000003
【表３】
2017532397.tif 000004
【００２９】
本明細書で引用された刊行物、特許出願及び特許を含む全ての参考文献は、各参考文献が個別に、及び具体的に参照により組み入れられるように示され、その全体が本明細書に記載されているのと同じ程度に、参照により本明細書に組み込まれる。
【００３０】
（特に添付の特許請求の範囲の文脈において）本発明を説明する文脈における用語「ａ」及び「ａｎ」及び「ｔｈｅ」並びに同様の指示対象の使用は、本明細書中で特に指示のない限り、又は文脈によって明らかに矛盾しない限り、単数形及び複数形の両方を包含するものと解釈されるべきである。「具備する」、「有する」、「含む」及び「含有する」という用語は、別段の記載がない限り、制限のない用語（即ち、「含むが、これに限定されない」を意味する）として解釈されるべきである。本明細書中の値の範囲の列挙は、本明細書中で特に指示のない限り、単に範囲内の各別個の値を個別に指す簡略方法として役立つことを意図しているに過ぎず、それぞれの別個の値は、本明細書中に個別に列挙されているかのように、本明細書中に盛り込まれる。本明細書中に記載される全ての方法は、本明細書中で特に指示のない限り、又は文脈によって明らかに矛盾しない限り、任意の適切な順序で実施され得る。本明細書で提供される任意の及び全ての例、又は例示的な用語（例えば、「のような」又は「例えば」など）の使用は、単に本発明をよりよく示すことを意図しており、別段の主張がない限り、本発明の範囲を限定するものではない。本明細書中のいかなる言葉も、本発明の実施に必須の任意の主張する要素を示すものとして、解釈されるべきである。
【００３１】
本発明を実施するために本発明者らに周知の最良の形態を含む、本発明の好ましい実施形態を本明細書に記載する。これらの好ましい実施形態の変形は、上記の説明を読むことにより当業者に明らかになるであろう。本発明者らは、当業者がこのような変形を適切に使用することを期待しており、本発明者らは本発明が本明細書に具体的に記載されたものとは別の方法で実施されることを意図する。従って、本発明は、適用法によって許容されるように、添付の特許請求の範囲に記載された主題の全ての改変及び同等物を含む。更に、本明細書中で特に指示のない限り、又は文脈によって明らかに矛盾しない限り、それらの全ての可能な変形における上述の要素の任意の組み合わせが本発明に包含される。
【国際調査報告】
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