(57)【要約】  電子パッケージは、基板と、基板の表面に実装される電子部品とを含む。インタポーザは、インタポーザが電子部品を包囲するとともに基板に電気的に接続されるように基板の表面に実装される。オーバーモールドは電子部品を覆う。他の形態において、実例の電子パッケージは電子アセンブリに組み込まれ得る。電子アセンブリは、インタポーザに実装される第２の電子部品を更に含む。一例として、第２の電子部品は、はんだバンプを使用してインタポーザに実装され得る。今知られているか又は将来発見されるあらゆる技術が第２の電子部品をインタポーザに実装するために使用され得る、ということに注意するべきである。
2017503361.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子パッケージであって、
基板と、
前記基板の表面に実装される電子部品と、
前記電子部品を包囲するとともに前記基板に電気的に接続されるように前記基板の前記表面に実装されるインタポーザと、
前記電子部品を覆うオーバーモールドとを備える、電子パッケージ。
【請求項２】
前記基板がマザーボードである、請求項１に記載の電子パッケージ。
【請求項３】
前記インタポーザが、有機ポリマ、ファイバ、及び導体である、請求項１に記載の電子パッケージ。
【請求項４】
前記オーバーモールドがポリマである、請求項１に記載の電子パッケージ。
【請求項５】
前記オーバーモールドが、前記電子部品と前記インタポーザとの間の領域を満たす、請求項１に記載の電子パッケージ。
【請求項６】
前記オーバーモールドが、前記インタポーザと前記基板との間の領域を満たす、請求項５に記載の電子パッケージ。
【請求項７】
前記オーバーモールドが、前記インタポーザと前記基板との間の領域を満たす、請求項１に記載の電子パッケージ。
【請求項８】
前記インタポーザが、はんだバンプを使用して前記基板に実装される、請求項１に記載の電子パッケージ。
【請求項９】
前記基板の反対面に実装されるはんだバンプを更に備える、請求項１に記載の電子パッケージ。
【請求項１０】
電子アセンブリであって、
基板と、
前記基板の表面に実装される第１の電子部品と、
前記電子部品を包囲するとともに前記基板に電気的に接続されるように前記基板の前記表面に実装されるインタポーザと、
前記電子部品を覆うオーバーモールドと、
前記インタポーザに実装される第２の電子部品とを備える、電子アセンブリ。
【請求項１１】
前記第２の電子部品が、はんだバンプを使用して前記インタポーザに実装される、請求項１０に記載の電子アセンブリ。
【請求項１２】
前記第２の電子部品が、前記インタポーザを通して前記基板に電気的に接続される、請求項１０に記載の電子アセンブリ。
【請求項１３】
前記第２の電子部品がＤＲＡＭである、請求項１０に記載の電子アセンブリ。
【請求項１４】
電子パッケージを製造する方法であって、当該方法が、
電子部品を基板の表面に取り付けるステップと、
前記電子部品を包囲するようにインタポーザを前記基板の前記表面に取り付けるステップと、
前記電子部品をオーバーモールドで覆うステップとを含む、方法。
【請求項１５】
インタポーザを前記基板の前記表面に取り付ける前記ステップが、前記インタポーザをはんだバンプによって前記基板に取り付けるステップを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記電子部品をオーバーモールドで覆う前記ステップが、前記電子部品と前記インタポーザとの間の領域を満たすステップを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記電子部品をオーバーモールドで覆う前記ステップが、前記基板と前記インタポーザとの間の領域を満たすステップを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
電子アセンブリを製造する方法であって、当該方法が、
第１の電子部品を基板の表面に取り付けるステップと、
前記電子部品を包囲するようにインタポーザを前記基板の前記表面に取り付けるステップと、
前記第１の電子部品をオーバーモールドで覆うステップと、
第２の電子部品を前記インタポーザに取り付けるステップとを含む、方法。
【請求項１９】
第２の電子部品を前記インタポーザに取り付ける前記ステップが、ＤＲＡＭをはんだバンプを使用して前記インタポーザに取り付けるステップを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１の電子部品をオーバーモールドで覆う前記ステップが、ダイと前記インタポーザとの間の第１の領域を満たすステップと、前記インタポーザと前記基板との間の第２の領域を満たすステップとを含む、請求項１８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
ここで説明された実施例は、一般に、電子アセンブリに関し、より詳細には、スタック型電子装置を含む電子アセンブリに関する。
【背景技術】
【０００２】
次の世代のパッケージング技術を開発する際の最も大きな課題のうちの２つは、パッケージのゆがみの削減とパッケージの厚さの削減である。これらの課題は、民生マイクロエレクトロニクス市場において常に増加している、より小型でより薄い装置に対する要求が原因である。
【０００３】
現在、モールドアンダーフィル（ＭＵＦ）を有するチップスケールパッケージ（ＣＳＰ）において、オーバーモールドは、パッケージのゆがみを制御しようとするために使用される。さらに、パッケージオンパッケージ(package-on-package)構成における電子パッケージを他の電子装置／パッケージ（例えば、ＤＲＡＭ）と接続するために、モールド貫通相互接続（Through-Mold-Interconnect：ＴＭＩ）が通常使用される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来のオーバーモールドにＴＭＩを加えた電子パッケージングの解決法と関連付けられたいくらかの欠点が存在する。これらの欠点は、（ｉ）電子パッケージの製造中の比較的高い温度、及び（ii）電子パッケージのためのより小さなフォームファクタと関連付けられた製造面の考慮事項に起因する。
【０００５】
欠点のうちの１つは、電子パッケージの製造中に発生する比較的高い温度に起因する高いゆがみに関係する。ゆがみの解決法としてオーバーモールドを利用することは、削減されたゆがみを達成するために、極薄のダイ及び比較的厚いオーバーモールドを必要とする。
【０００６】
電子パッケージは、電子パッケージの中のかなりの量のモールド材料の存在のために、概して、成形工程の間のゆがみに対して非常に敏感である。比較的大量のオーバーモールド及び比較的小量のシリコンが存在する場合に、電子パッケージは、一般に、電子パッケージ形状及びゆがみの大きさにおける比較的大きな変化をもたらす“柔らかい状態（floppy）”になる。
【０００７】
もう１つの欠点は、異なる種類の電子パッケージに対して適切なモールド材料を見つけることに関係する。電子パッケージは、サイズ及び／又はフォームファクタにおいて異なり得る。オーバーモールディング処理の際の１つの重要な考慮事項は、電子パッケージの下半分をオーバーモールドと釣り合わせることである。
【０００８】
一例として、ダイ領域は、非ダイ領域に比べて、非常に異なる剛性及び熱膨張係数を有し得る。したがって、電子パッケージの形状が変わる場合に、オーバーモールドの材料及びオーバーモールドの厚さは、再設定される必要があり得る。
【０００９】
異なる種類の電子パッケージに対する普遍的なオーバーモールド解決法は存在しない。各種類の電子パッケージに対してオーバーモールドの材料を変更することは、電子パッケージの効率的な製造を促進しない。
【００１０】
もう１つの欠点は、しばしば、はんだ継手品質（solder  joint  quality：ＳＪＱ）及びはんだ継手信頼性（solder  joint  reliability：ＳＪＲ）に関係がある懸念を引き起こすＴＳＢＡ（top  side  ball  attach）を利用する表面実装（ＳＭＴ）ＤＲＡＭに関係する。比較的厚いオーバーモールドは、電子パッケージのゆがみを緩和するかもしれないが、しかし、同様に、ＳＭＴを用いてＤＲＡＭを実装することを更に難しくするかもしれない。ＤＲＡＭのはんだボールには、基板の上面のはんだボールとつながるのに、モールド貫通相互接続（ＴＭＩ）のホールは深すぎるかもしれないので、ＳＭＴを使用してＤＲＡＭを取り付けることは、より難しくなり得る。
【００１１】
１つの解決法は、上面のはんだボールの高さを上げることである。一例として、再設定されたＴＳＢＡは、上面のはんだボールの高さを２１０μｍから２６０μｍまで上げることができる。ＤＲＡＭのボールとＴＳＢＡのボールが結合したあとで、最終の接合部の高さは、不必要に高いかもしれない（すなわち、４００μｍを越える）。この再設定は、特に、電子パッケージの製造及び使用の間に発生し得る温度サイクリングの間のＳＪＱ及びＳＪＲを減少させたかもしれない比較的細くて高いＴＭＩ接合部をもたらす。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実例の電子パッケージの概略断面図を示す。
【図２】図１において例示された電子パッケージの平面図を示す。
【図３】電子アセンブリに組み込まれた図１の実例の電子パッケージを示す。
【図４】電子パッケージを形成するために基板に実装される実例のダイを例示する。
【図５】ダイの周辺部の周囲の基板に実装されるインタポーザを有する図４において例示された電子パッケージを示す。
【図６】ダイを覆うように追加されたオーバーモールドを有する図５において例示された電子パッケージを示す。
【図７】基板の反対面に実装されるはんだボールを有する図６において例示された電子パッケージを示す。
【図８】電子パッケージ及び／又は電子アセンブリを製造する方法を例示するフローチャートである。
【図９】ここで説明された方法、電子アセンブリ、及び／又は電子パッケージを含む電子装置の構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
下記の説明及び図面は、当業者がそれらを実施することを可能にするために、特定の実施例を十分に例示する。他の実施例は、構造上の変更、論理的な変更、電気的な変更、処理の変更、及び他の変更を組み込み得る。いくつかの実施例の部分及び特徴は、他の実施例の部分及び特徴に含まれ得るか、又は他の実施例の部分及び特徴と置き換わり得る。請求項に示された実施例は、それらの請求項の全ての利用可能な等価物を網羅する。
【００１４】
この出願において使用される“水平（horizontal）”のような方向性の用語は、ウエハ又は基板の方向に関係なく、ウエハ又は基板の慣習的な平面又は表面に平行な平面に関して定義される。用語“垂直（vertical）”は、上記で定義された水平に対して垂直である方向のことを指す。“上（on）”、“側（side）（“側壁”において見られるような）”、“より高い（higher）”、“より低い（lower）”、“上方（over）”、及び“下方（under）”のような前置詞は、ウエハ又は基板の方向に関係なく、ウエハ又は基板の上面に沿っている慣習的な平面又は表面に関して定義される。
【００１５】
ここで説明された、いくつかの実例の電子パッケージ、電子アセンブリ、及び方法は、インタポーザを含む。インタポーザは、基板に実装される電子部品の周辺部の周囲に実装される。そして、電子部品は、電子パッケージを製造するためにオーバーモールドされる。
【００１６】
一例として、インタポーザは、電子パッケージの周辺部をサポートする補強材として機能するばかりでなく、基板とＤＲＡＭとの間のブリッジとしての機能を果たし得る。説明された実例の電子パッケージ、電子アセンブリ、及び方法は、ＳＭＴを使用する場合のＤＲＡＭの歩留まり、ゆがみの偏差、ＴＳＢＡの歩留まり、及びＳＪＲを改善し得る。さらに、特に、もし熱圧縮ボンディング（ＴＣＢ）がインタポーザを基板に取り付けるために使用されるならば、インタポーザと基板との間に存在する相互接続のピッチは、従来の電子パッケージのピッチより小さくなり得る。
【００１７】
図１は、実例の電子パッケージ１０の概略断面図を示す。図２は、図１において例示された電子パッケージ１０の平面図を示す。
【００１８】
電子パッケージ１０は、基板１１と、基板１１の表面１３に実装される電子部品１２とを含む。インタポーザ１４は、インタポーザ１４が電子部品１２を包囲するとともに基板１１に電気的に接続されるように基板１１の表面１３に実装される。オーバーモールド１５は電子部品１２を覆う。
【００１９】
一例として、基板１１はマザーボードであり得る。基板１１は、今知られているか又は将来発見されるあらゆる種類の基板（例えば、ダイ又は集積回路）であり得る、ということに注意するべきである。
【００２０】
いくつかの形態において、インタポーザ１４は、有機ポリマ、ファイバ、及び導体から形成され得る。インタポーザ１４のために選択される材料のサイズ及び種類は、一部分において、（数ある要因の中で）（ｉ）電子部品１２の種類及びサイズ、（ii）基板の種類、及び／又は（iii）電子パッケージ１０の所望のサイズ及び機能により変わるであろう。
【００２１】
オーバーモールド１５は、（他の材料が熟考されるが、）ポリマから形成され得る。さらに、オーバーモールド１５は、電子部品１２とインタポーザ１４との間の領域１６を満たし得るとともに、インタポーザ１４と基板１１との間の領域１７を満たし得る。
【００２２】
電子パッケージ１０のいくつかの形態において、電子部品１２は、基板１１を通してインタポーザ１４に電気的に接続され得る。さらに、インタポーザ１４は、はんだバンプ１８、又は今知られているか若しくは将来発見されるあらゆる他の技術を使用して基板に実装され得る。
【００２３】
電子パッケージ１０は、基板１１の反対面２０に実装されるはんだバンプ１９を更に含み得る。はんだバンプ１９は、電子パッケージ１０を別の電子装置（図示せず）に実装する（とともに、電気的に接続する）ために使用され得る。はんだボール１９の数、サイズ、及び配置は、一部分において、（数ある要因の中で）電子パッケージ１０を受容する電子装置の構成により変わるであろう。
【００２４】
電子パッケージ１０のいくつかの形態において、電子部品１２はダイであり得る。インタポーザ１４は、電子パッケージ１０の端部の近くで発生するゆがみから、ダイ１２の領域で発生するゆがみを分離し得る。インタポーザ１４は、電子パッケージ１０の端部及び角部を平らにする補強材としての機能を果たし得る。さらに、比較的高い強度及び高いＣＴＥのモールド材料を使用することにより、従来の電子パッケージと比較された場合に、電子パッケージ１０は、室温と高温の両方でより少ないゆがみを有し得る。オーバーモールド１５のために使用されるべきである適切なモールド材料は、一部分において、基板１１、電子部品１２、及びインタポーザ１４のために使用される材料の種類により変わるであろう。
【００２５】
図３は、電子アセンブリ３０に組み込まれた図１の実例の電子パッケージ１０を示す。電子アセンブリ３０は、インタポーザ１４に実装される第２の電子部品３１を更に含む。
【００２６】
一例として、第２の電子部品３１は、はんだバンプ３２を使用してインタポーザ１４に実装され得る。今知られているか又は将来発見されるあらゆる技術が第２の電子部品３１をインタポーザ１４に実装するために使用され得る、ということに注意するべきである。
【００２７】
さらに、第２の電子部品３１は、インタポーザ１４を通して基板１１に電気的に接続され得る。第２の電子部品３１が基板１１に電気的に接続される場合に、第２の電子部品３１は、第１の電子部品１２又は基板１１に電気的に接続されるあらゆる他の電子装置に、電気的に接続され得る。
【００２８】
電子アセンブリ３０のいくつかの形態において、第２の電子部品３１はＤＲＡＭであり得る。電子アセンブリ３０に含まれる第２の電子部品３１の種類は、一部分において、（数ある要因の中で）（ｉ）インタポーザ１４の種類及びサイズ、（ii）基板１１の種類、及び／又は（iii）電子アセンブリ３０の所望のサイズ及び機能により変わるであろう。
【００２９】
電子アセンブリ３０は、様々な電子パッケージ１０の形状による使用に十分に適しているかもしれない。実例として、電子アセンブリ３０は、様々なダイサイズを使用してここで説明された電子アセンブリ３０及び電子パッケージ１０を製造するため、及び様々な異なる電子装置への組み込みのための、強固で拡張性のある解決法を提供し得る。
【００３０】
さらに、インタポーザ１４の使用は、たとえどのような種類の第２の電子部品３１（例えば、ＤＲＡＭ）が電子アセンブリ３０のために必要とされ得るとしても、インタポーザ１４と基板１１との間の電気接続のためのより小さなピッチ（例えば、＜０．４ミリメートル）の使用を可能にし得る。インタポーザ１４と基板１１との間の電気接続のためにより小さなピッチを使用することは、さらに電子アセンブリ３０のための設計の自由度を進展させ得るとともに、電気的性能を改善し得る。
【００３１】
図８は、電子パッケージ１０及び／又は電子アセンブリ３０を製造する方法［８００］を例示するフローチャートである。方法［８００］は、電子部品１２（例えば、ダイ）を基板１１の表面１３に取り付ける（図４を参照）ステップ［８１０］を含む。方法［８００］は、インタポーザ１４が電子部品１２を包囲するように（図５を参照）インタポーザ１４を基板１１の表面１３に取り付けるステップ［８２０］と、電子部品１２をオーバーモールド１５で覆う（図６を参照）ステップ［８３０］とを更に含む。
【００３２】
方法［８００］のいくつかの形態において、インタポーザ１４を基板１１の表面１３に取り付けるステップ［８２０］は、インタポーザ１４を基板１１に（数ある取り付け部品の種類の中で）はんだバンプ１８によって取り付けるステップを含み得る。さらに、電子部品１２をオーバーモールド１５で覆うステップ［８３０］は、電子部品１２とインタポーザ１４との間の領域１６を満たすステップを含み得るとともに、基板１１とインタポーザ１４との間の領域１７を満たすステップを更に含み得る。
【００３３】
図７及び図８で示されたように、方法［８００］は、はんだバンプ１９を基板１１の反対面２０に取り付けるステップ［８４０］を更に含み得る。はんだバンプ１９は、電子パッケージ１０を別の電子装置（図示せず）に実装する（とともに、電気的に接続する）ために使用され得る。はんだボール１９の数、サイズ、及び配置は、一部分において、（数ある要因の中で）電子パッケージ１０を受容する電子装置の構成により変わるであろう。
【００３４】
図３及び図８で示されたように、方法［８００］は、第２の電子部品３１をインタポーザ１４に取り付けるステップ［８５０］を更に含み得る。一例として、第２の電子部品３１をインタポーザ１４に取り付けるステップ［８５０］は、ＤＲＡＭ３１をはんだバンプ３２を使用してインタポーザ１４に取り付けるステップを含み得る。
【００３５】
ここで説明された方法［８００］は、概して電子パッケージ及び電子アセンブリを製造する従来の方法において使用されるＴＳＢＡ及びＴＭＩの穴あけ工程を排除し得る。電子パッケージ及び電子アセンブリの製造の間にこれらの穴あけ工程を実行することに関連した欠点のために、ＴＳＢＡ及びＴＭＩの穴あけ工程を排除することは有益であり得る。
【００３６】
ここで説明された、いくつかの実例の電子パッケージ、電子アセンブリ、及び方法は、特に、ここで説明された実例の電子パッケージ、電子アセンブリ、及び方法を使用することが、（ｉ）ｘ−ｙ平面におけるはんだボールの自動位置合わせを可能にし得るか、及び／又は（ii）ｚ方向におけるはんだボールの崩壊を改善し得るので、ＳＭＴを使用する場合に、ＤＲＡＭを電子パッケージに実装する場合の歩留まりを改善し得る。
【００３７】
ここで説明された実例の電子パッケージ、電子アセンブリ、及び方法は、モールド貫通相互接続を排除し得るが、しかし、ゆがみ制御のために電子パッケージにおいてオーバーモールドをまだ使用する。インタポーザ１４は、基板１１とＤＲＡＭとの間の平らなインタフェースを提供することができ、それにより、平面内の自動位置合わせのためにＤＲＡＭの十分な崩壊を可能にし、それは、ＳＭＴを使用する場合に、ＤＲＡＭを電子パッケージの残りに実装する場合の歩留まりを非常に改善することになる。
【００３８】
ＳＭＴを使用することによりＤＲＡＭを実装するための平面を提供することに加えて、インタポーザ１４は、同様に、補強材としての機能を果たし得る。したがって、インタポーザ１４は、電子パッケージのゆがみを削減し得るとともに、電子パッケージの厚さを削減し得る。ここで説明された実例の電子パッケージ、電子アセンブリ、及び方法は、歩留まり、ゆがみ、ｚ−高さ、及び電子部品の間の優れたピッチに関して、従来の電子パッケージ技術に対する利点を提供し得る。
【００３９】
図９は、ここで説明された少なくとも１つの方法［８００］、電子アセンブリ３０、及び／又は電子パッケージ１０を組み込む電子装置９００の構成図である。電子装置９００は、ここで説明された少なくとも１つの方法［８００］、電子アセンブリ３０、及び／又は電子パッケージ１０の形態が使用され得る電子装置の単なる一例である。電子装置９００の実例は、パーソナルコンピュータ、タブレットコンピュータ、携帯電話、ゲーム装置、ＭＰ３又は他のデジタル音楽プレーヤなどを含むが、しかしそれらに限定されない。この実例において、電子装置９００は、電子装置９００の様々な構成要素を連結するためのシステムバス９０２を含むデータ処理システムを備える。システムバス９０２は、電子装置９００の様々な構成要素の間の通信リンクを提供するとともに、単一のバスとして、バスの組み合わせとして、又は他の適切な方法において実施され得る。
【００４０】
ここで説明された電子アセンブリ９１０は、システムバス９０２に連結され得る。電子アセンブリ９１０は、あらゆる回路、又は回路の組み合わせを含み得る。一実施例において、電子アセンブリ９１０は、あらゆる種類のプロセッサであり得るプロセッサ９１２を含む。ここで使用されるように、“プロセッサ”は、それらに限定しないが、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、複合命令セットコンピューティング（complex  instruction  set  computing：ＣＩＳＣ）マイクロプロセッサ、縮小命令セットコンピューティング（reduced  instruction  set  computing：ＲＩＳＣ）マイクロプロセッサ、超長命令語（very  long  instruction  word：ＶＬＩＷ）マイクロプロセッサ、グラフィックプロセッサ、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）、複数コアプロセッサ、又はあらゆる他の種類のプロセッサ若しくは処理回路のような、あらゆる種類の計算回路を意味する。
【００４１】
電子アセンブリ９１０に含まれ得る他の種類の回路は、例えば、携帯電話、タブレットコンピュータ、ラップトップコンピュータ、送受信兼用の無線機、及び同様の電子システムのような無線装置における使用のための（通信回路９１４のような）１つ又は複数の回路のような、カスタム回路、特定用途向け集積回路（application-specific  integrated  circuit：ＡＳＩＣ）などである。ＩＣは、あらゆる他の種類の機能を実行することができる。
【００４２】
電子装置９００は、同様に、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）の形式のメインメモリ９２２、１つ又は複数のハードドライブ９２４、及び／又は例えばコンパクトディスク（ＣＤ）、フラッシュメモリカード、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）などのリムーバブルメディア９２６を処理する１つ又は複数のドライブのような、言い換えると特定のアプリケーションに適切な１つ又は複数のメモリ素子を含み得る、外部メモリ９２０を含み得る。
【００４３】
電子装置９００は、同様に、表示装置９１６、１つ又は複数のスピーカ９１８、並びに、マウス、トラックボール、タッチスクリーン、音声認識装置、若しくはシステムユーザが電子装置９００に情報を入力するとともに、電子装置９００から情報を受け取ることを可能にするあらゆる他の装置を含むことができるキーボード及び／又はコントローラ９３０を含み得る。
【００４４】
ここで開示された方法［８００］、電子アセンブリ３０、及び／又は電子パッケージ１０を更に良く例示するために、実例の限定しないリストがここで提供される。
【００４５】
実例１は、基板と上記基板の表面に実装される電子部品とを含む電子パッケージを含む。上記電子パッケージは、上記電子部品を包囲するとともに上記基板に電気的に接続されるように上記基板の上記表面に実装されるインタポーザを更に含む。オーバーモールドは上記電子部品を覆う。
【００４６】
実例２は実例１の電子パッケージを含み、上記基板はマザーボードである。
【００４７】
実例３は実例１〜２のうちのいずれか１つの電子パッケージを含み、上記インタポーザは、有機ポリマ、ファイバ、及び導体から形成される。
【００４８】
実例４は実例１〜３のうちのいずれか１つの電子パッケージを含み、上記オーバーモールドはポリマから形成される。
【００４９】
実例５は実例１〜４のうちのいずれか１つの電子パッケージを含み、上記オーバーモールドは、上記電子部品と上記インタポーザとの間の領域を満たす。
【００５０】
実例６は実例１〜５の電子パッケージを含み、上記オーバーモールドは、上記インタポーザと上記基板との間の領域を満たす。
【００５１】
実例７は実例１〜６のうちのいずれか１つの電子パッケージを含み、上記オーバーモールドは、上記インタポーザと上記基板との間の領域を満たす。
【００５２】
実例８は実例１〜７のうちのいずれか１つの電子パッケージを含み、上記インタポーザは、はんだバンプを使用して上記基板に実装される。
【００５３】
実例９は実例１〜８のうちのいずれか１つの電子パッケージを含むとともに、上記基板の反対面に実装されるはんだバンプを更に含む。
【００５４】
実例１０は、基板と上記基板の表面に実装される第１の電子部品とを含む電子アセンブリを含む。上記電子アセンブリは、上記電子部品を包囲するとともに上記基板に電気的に接続されるように上記基板の上記表面に実装されるインタポーザと、上記電子部品を覆うオーバーモールドとを更に含む。上記電子アセンブリは、上記インタポーザに実装される第２の電子部品を更に含む。
【００５５】
実例１１は実例１０の電子アセンブリを含み、上記第２の電子部品は、はんだバンプを使用して上記インタポーザに実装される。
【００５６】
実例１２は実例１０〜１１のうちのいずれか１つの電子アセンブリを含むとともに、上記第１の電子装置及び上記第２の電子装置のうちの少なくとも１つに実装される第３の電子装置を更に含む。
【００５７】
実例１３は実例１０〜１２の電子アセンブリを含み、上記第２の電子部品はＤＲＡＭである。
【００５８】
実例１４は、電子パッケージを製造する方法を含む。上記方法は、電子部品を基板の表面に取り付けるステップと、上記電子部品を包囲するようにインタポーザを上記基板の上記表面に取り付けるステップとを含む。上記方法は、上記電子部品をオーバーモールドで覆うステップを更に含む。
【００５９】
実例１５は実例１４の方法を含み、インタポーザを上記基板の上記表面に取り付ける上記ステップは、上記インタポーザをはんだバンプによって上記基板に取り付けるステップを含む。
【００６０】
実例１６は実例１４〜１５のうちのいずれか１つの方法を含み、上記電子部品をオーバーモールドで覆う上記ステップは、上記電子部品と上記インタポーザとの間の領域を満たすステップを含む。
【００６１】
実例１７は実例１４〜１６のうちのいずれか１つの方法を含み、上記電子部品をオーバーモールドで覆う上記ステップは、上記基板と上記インタポーザとの間の領域を満たすステップを含む。
【００６２】
実例１８は、電子アセンブリを製造する方法を含む。上記方法は、第１の電子部品を基板の表面に取り付けるステップと、上記電子部品を包囲するようにインタポーザを上記基板の上記表面に取り付けるステップとを含む。上記方法は、上記第１の電子部品をオーバーモールドで覆うステップと、第２の電子部品を上記インタポーザに取り付けるステップとを更に含む。
【００６３】
実例１９は実例１８の方法を含み、第２の電子部品を上記インタポーザに取り付ける上記ステップは、ＤＲＡＭをはんだバンプを使用して上記インタポーザに取り付けるステップを含む。
【００６４】
実例２０は実例１８〜１９の方法を含み、上記第１の電子部品をオーバーモールドで覆う上記ステップは、ダイと上記インタポーザとの間の第１の領域を満たすステップと、上記インタポーザと上記基板との間の第２の領域を満たすステップとを含む。
【００６５】
現在の電子アセンブリ及び電子パッケージのこれら並びに他の実例及び特徴は、一部分詳細な説明において説明されることになる。
【００６６】
この概観は、本主題の限定しない実例を提供することを意図している。排他的な又は徹底的な説明を提供することは意図されない。詳細な説明は、ここで説明された方法［８００］、電子アセンブリ３０、及び／又は電子パッケージ１０に関する更なる情報を提供するために含まれる。
【００６７】
上記の詳細な説明は、詳細な説明の一部を形成する添付図面に対する参照を含む。それらの図面は、実例として、発明が実施されることができる特定の実施例を示す。これらの実施例は、ここでは“実例”として同様に参照される。そのような実例は、示されるか又は説明される要素に加えて、要素を含むことができる。しかしながら、本願発明者は、同様に、それらの示されるか又は説明される要素だけが提供される実例を熟考する。さらに、ここで示されるか若しくは説明される特定の実例（又はその１つ若しくは複数の態様）、又は、ここで示されるか若しくは説明される他の実例（又はその１つ若しくは複数の態様）のいずれかに関しては、本願発明者は、同様に、それらの示されるか若しくは説明される要素（又はその１つ若しくは複数の態様）のあらゆる組み合わせ又は並べ替え用いて実例を熟考する。
【００６８】
この文献では、“少なくとも１つ”若しくは“１つ以上”のあらゆる他の事例又は使用法から独立して、特許文献では一般的であるように、１つ又は２つ以上を含むように、用語“ａ”又は“ａｎ”が使用される。この文献では、用語“又は”は非排他的な“又は”を参照するように使用され、したがって、特に他に表示がない限り、“Ａ又はＢ”は、“ＢではないＡ”、“ＡではないＢ”、そして“Ａ及びＢ”を含む。この文献では、用語“含む（including）”及び“それにおいて（in  which）”は、それぞれの用語“備える（comprising）”及び“ここでは（wherein）”のプレインイングリッシュの同等物として使用される。さらに、添付の請求項において、用語“含む（including）”及び“備える（comprising）”は、開放型であり、すなわち、請求項におけるそのような用語のあとにリストされた要素に加えて要素を含むシステム、デバイス、品物、組成物（composition）、調合物（formulation）、又は処理は、まだその請求項の範囲内にあるとみなされる。さらに、添付の請求項において、用語“第１の”、“第２の”、及び“第３の”などは、単に標示のみとして使用され、数値的な要求をそれらの対象物に課すことを意図していない。
【００６９】
上記の説明は、実例となることを意図され、限定的ではない。例えば、上記で説明された実例（又はその１つ若しくは複数の態様）は、お互いに組み合わせて使用され得る。例えば上記の説明を検討する当業者により、他の実施例が使用されることができる。
【００７０】
読者が技術的開示の性質を迅速に確かめることを可能にするために、連邦規則法典第３７巻セクション１．７２（ｂ）（37C.F.R.  §1.72(b)）に適合するように、要約が提供される。要約は、要約が請求項の範囲若しくは意味を解釈するか又は限定するために使用されないであろう、という了解のもとに提出される。
【００７１】
さらに、上記の詳細な説明において、様々な特徴は、当該開示を合理化するためにグループ分けされ得る。これは、権利請求されない開示された特徴があらゆる請求項に必須であることを意図していると解釈されるべきでない。それどころか、創意に富んだ主題は、特定の開示された実施例の全ての特徴より少ないものであるかもしれない。したがって、添付の請求項は、この結果、各請求項が別個の実施例として独立している状態で詳細な説明に組み込まれるとともに、そのような実施例は様々な組み合わせ又は並べ替えにおいてお互いに結合されることができる、ということが意図される。本発明の範囲は、添付された請求項を参照して、そのような請求項が権利を与えられる等価物の十分な範囲とともに決定されるべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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