(57)【要約】  光酸発生剤の酸発生を向上する試剤及び上記試剤を含む組成物を開示する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
物質と、
試剤と、を含む組成物であって、
前記物質は、第１電磁波及び第１粒子線による露光により、前記試剤から変換した化合物へエネルギー若しくは電子を供与し、又は前記化合物から電子若しくはエネルギーを受容し得、前記物質及び前記化合物のうち少なくとも一つからの化学種の生成を向上させ、かつ、
溶液中で測定したときの４００ｎｍでの前記物質の吸光度（「Ａｂ４００」）に対する３６５ｎｍでの前記物質の吸光度（「Ａｂ３６５」）の比が２０以上である組成物。
【請求項２】
溶液中で測定したときの４００ｎｍでの前記物質の吸光度（「Ａｂ４００」）に対する３６５ｎｍでの前記物質の吸光度（「Ａｂ３６５」）の比が５０以上である、請求項１記載の組成物。
【請求項３】
膜中で測定したときの４００ｎｍでの前記物質の吸光度（「Ａｂ４００」）に対する３６５ｎｍでの前記物質の吸光度（「Ａｂ３６５」）の比が１００以上である、請求項１又は２記載の組成物。
【請求項４】
前記化学種が酸及び塩基のうち少なくとも一つである、請求項１〜３のいずれかに記載の組成物。
【請求項５】
前記物質が、溶液中で測定したときの４００ｎｍでの前記物質のモル吸光係数が２００以下である特徴を有する、請求項１〜４のいずれかに記載の組成物。
【請求項６】
前記物質が、前記化合物から前記エネルギー又は前記電子を受容し得、前記物質からの前記化学種を向上させる、請求項１〜５のいずれかに記載の組成物。
【請求項７】
前記化合物の共役長が前記試剤の共役長より長い、請求項１〜６のいずれかに記載の組成物。
【請求項８】
前記試剤が少なくとも二つのπ電子系を有し、
前記化合物が少なくとも二つのπ電子系を有し、かつ、
前記化合物中の前記少なくとも二つのπ電子間の電子的相互作用が、前記試剤中の前記少なくとも二つのπ電子間の電子的相互作用よりも強い、請求項１〜７のいいずれかに記載の組成物。
【請求項９】
前記物質が光酸発生剤（ＰＡＧ）である、請求項１〜８のいずれかに記載の組成物。
【請求項１０】
合成物を更に含む、請求項１〜９のいずれかに記載の組成物。
【請求項１１】
前記合成物が前記化学種と反応する、請求項１０記載の組成物。
【請求項１２】
前記組成物が装置の層間絶縁膜の形成に使用されることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれかに記載の組成物。
【請求項１３】
光透過率の低下を抑制する抑制剤を更に含む、請求項１〜１２のいずれかに記載の組成物。
【請求項１４】
前記抑制剤が４００ｎｍ以上の波長での透過率を抑制する、請求項１３記載の組成物。
【請求項１５】
装置の製造方法であって、
前記方法は前記組成物を含む塗布膜が部材の上に形成するように、請求項１〜１４のいずれかに記載の組成物を含む液体を部材へ塗布すること、
第１電磁波及び第１粒子線のうち少なくとも一つにより前記塗布膜を露光して、前記塗布膜の第１部分が前記第１電磁波及び前記第１粒子線のうち少なくとも一つにより露光され、一方で、前記塗布膜の第２部分が前記第１電磁波及び前記第１粒子線のうち少なくとも一つにより露光されないようにすることを含む、装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第１部分を除去することを更に含む、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
前記第1部分が存在する前記第３部分がエッチングされるように、前記部材をエッチングすること、を更に含む請求項１５又は１６記載の方法。
【請求項１８】
前記第１電磁波が３００〜４００ｎｍの波長領域の光である、請求項１５〜１７のいずれかに記載の方法。
【請求項１９】
前記組成物を含む前記液体の塗布が行われる前に活性層を形成すること、及び
少なくともコンタクトホールに導電材料を配置することにより電極へ前記活性層を接続すること、
を更に含む、請求項１５〜１８のいずれかに記載の方法。
【請求項２０】
化合物が、波長が４００ｎｍより長い光を吸収しないように、前記塗布膜の露光が行われる、請求項１５〜１９のいずれかに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願の請求項の範囲は、米国特許法３５Ｕ．Ｓ．Ｃ．Ｓ１１９（ｅ）に基づいて２０１４年５月１３日に出願された米国仮出願第６１／９９２，７２２号の利益を主張するものであり、その内容がここに援用される。
【０００２】
本発明のいくつかの態様は、酸と塩基のような化学種の発生を向上させる材料の分野に関連する。本発明の態様に関連する典型的な材料の例は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ（ＯＬＥＤ）及び半導体装置等の装置の層間絶縁膜の製造に適用し得るフォトレジスト組成物の成分として使用可能である。
【背景技術】
【０００３】
現在の高解像度のリソグラフィ工程は、化学増幅レジスト（ＣＡＲ）をベースとしており、微細寸法のパターン形状に使用される。
【０００４】
微細寸法のパターン形状を形成する方法は、米国特許第７８５１２５２号（２００９年２月１７日出願）に開示されており、引用することによりその全体の内容をここに援用するものとする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第７８５１２５２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の一つの態様に関する物質は、波長が２２０ｎｍより長い光を吸収し、化合物を増感し得、上記物質及び上記化合物のうち少なくとも一つから化学種の生成を向上させることを特徴とする。
【０００７】
本発明の一つの態様に関する物質は、第１電磁波及び第１粒子線により上記物質が露光されることによって、化合物へエネルギー若しくは電子を供与し、又は化合物から受容し得、上記物質及び上記化合物のうち少なくとも一つから化学種の発生を向上することを特徴とする。
【０００８】
上記の物質に関して、化学種は少なくとも酸及び塩基のうち少なくとも一つであることが好ましい。
【０００９】
上記の物質に関して、化学種は少なくともブレンステッド酸及びブレンステッド塩基のうちの少なくとも一つであることが好ましい。
【００１０】
上記の物質に関して、上記物質が以下の特徴を有することが好ましく、溶液で測定したときの４００ｎｍでのモル吸光係数は２００以下である。上記物質は可視光領域で高い光透過率を有するため、上記物質は、表示装置等の電気光学装置の製造又は厚膜をパターニングするための材料に適する可能性がある。上記物質が、電気光学装置の製造後に上記装置中にとどまるとしても、上記装置の機能が低下する可能性がない。
【００１１】
上記の物質に関して、上記物質は以下の特徴を有することが好ましく、溶液で測定したときの４００ｎｍでのモル吸光係数は１００以下である。
【００１２】
上記の物質に関して、上記物質が以下の特徴を有することが好ましく、溶液で測定したときの４００ｎｍでの吸光度（「Ａｂ４００」）に対する３６５ｎｍでの吸光度（「Ａｂ３６５」）の比が２．０以上である。上記物質は、３６５ｎｍ及び４００ｎｍでの吸光度に大きな差を有するため、上記物質は、可視光領域で高い光透過率を示しながら、紫外線照射による高い光反応性を示す可能性がある。従って、上記物質が、電気光学装置の製造後に上記装置中にとどまるとしても、上記装置の機能が低下する可能性がない。
【００１３】
上記の物質に関して、上記物質が以下の特徴を有することが好ましく、溶液で測定したときの４００ｎｍでの吸光度（「Ａｂ４００」）に対する３６５ｎｍでの吸光度（「Ａｂ３６５」）の比が５０以上である。
【００１４】
上記の物質に関して、上記物質が次の特徴を有することが好ましく、溶液で測定したときの４００ｎｍでの吸光度（「Ａｂ４００」）に対する３６５ｎｍでの吸光度（「Ａｂ３６５」）の比が１００以上である。
【００１５】
上記の物質に関して、上記物質が、上記化合物からエネルギー又は電子を受容し得、上記物質から化学種が向上することが好ましい。
【００１６】
上記の物質に関して、上記物質が、化合物から電子を受容することにより反応中間体へ転換され得ることが好ましい。
【００１７】
上記の物質に関して、上記反応中間体が、化学種を発生し得ることが好ましい。
【００１８】
上記の物質に関して、上記反応中間体が、アニオンラジカルであることが好ましい。
【００１９】
本発明の一つの態様に関する試剤は、上記試剤を含有する組成物、上記組成物を含有する液体及び上記組成物の膜のうち少なくとも一つにおいて化合物を発生し得、上記化合物は、上記化合物と上記物質との相互作用によって、上記化合物と物質のうち少なくとも一つから第１化学種の発生を向上し得ることを特徴とする。
【００２０】
上記の試剤に関して、上記相互作用が、上記組成物、上記液体及び上記膜への第１電磁波及び第１粒子線のうちの少なくとも一つによる露光によって促進されることが好ましい。
【００２１】
上記の試剤に関して、上記化合物は、上記化合物から発生される第２化学種と上記試剤との反応により生成されることが好ましい。
【００２２】
上記の試剤に関して、上記第１化学種は、上記化合物との相互作用なしに上記試剤から同様に発生され、上記化合物は、上記第１化学種と上記試剤との反応により生成されることが好ましい。
【００２３】
上記の試剤に関して、上記化合物は、上記試剤へ電子を供与し得ることが好ましい。
【００２４】
上記の試剤に関して、上記試剤は、上記膜へのエネルギーの供給により誘発される工程を介して、上記化合物を発生し得ることが好ましい。
【００２５】
上記の試剤に関して、上記化合物の共役長が、上記試剤の共役長よりも長いことが好ましい。
【００２６】
上記の試剤に関して、上記試剤は少なくとも２つのπ電子系を有し、上記化合物は少なくとも２つのπ電子系を有し、上記化合物における少なくとも２つのπ電子系間の電子相互作用は、上記試剤における少なくとも２つのπ電子系間の電子相互作用よりも強いことが好ましい。
【００２７】
本発明の一つの態様に関する組成物は、上述の物質のうちのいずれかと、上記化合物のうちのいずれかを含む。
【００２８】
本発明の一つの態様に関する組成物は、上述の物質のうちのいずれかと、上記化合物のうちのいずれかを発生し得る試剤とを含む。
【００２９】
上記の組成物に関して、上記物質は光酸発生剤（ＰＡＧ）であることが好ましい。
【００３０】
上記の組成物に関して、上記組成物は更に合成物を含むことが好ましい。上記合成物は、上記化学種と反応する可能性がある。
【００３１】
本発明の一つの態様に関するポリマーは、物質と相互作用し得る第１部位と、化学種と反応する第２部位とを含む。
【００３２】
上記のポリマーに関して、上記第１部位が、上記物質へエネルギー若しくは電子を供与し又は上記物質からエネルギー若しくは電子を受容することが好ましい。
【００３３】
上記のポリマーに関して、上記ポリマーは、上記化学種を発生する第３部位を更に含むことが好ましい。
【００３４】
上記の組成物に関して、上記組成物が装置の層間絶縁膜の形成に使用されることを特徴とすることが好ましい。
【００３５】
上記の組成物に関して、上記層間絶縁膜が上記組成物の少なくとも一部から形成されることが好ましい。
【００３６】
本発明の一つの態様に関するポリマーは、物質と相互作用をし得る第４部位へ転換され得る第３部位と、化学種と反応する第５部位を含む。
【００３７】
上記のポリマーに関して、上記第３部位が化学種との反応により上記第４部位へ転換されることが好ましい。
【００３８】
本発明の一つの態様に関する組成物は、上述の試剤のうちのいずれかと、上述の物質のうちのいずれかを含む。
【００３９】
本発明の一つの態様に関する装置の製造方法は、上記製造方法は上述の組成物を使用することにより実施されることを特徴とする。
【００４０】
本発明の一つの態様に関する装置の製造方法は、上記組成物を含む塗布膜が上記部材へ形成されるように、部材へ上述の組成物のうちのいずれかを含む液体を塗布すること、上記塗布膜の第１部分は第１電磁波及び第１粒子線のうちの少なくとも一つにより露光され、一方で上記塗布膜の第２部分が第１電磁波及び第１粒子線のうちの少なくとも一つにより露光されないように、第１電磁波及び第１粒子線のうちの少なくとも一つにより上記塗布膜へ露光することを含む。
【００４１】
上記の方法に関して、上記の方法は、上記第１部分を除去することを更に含むことが好ましい。
【００４２】
上記の方法に関して、上記の方法は、上記第１部分が存在する上記部材の第３部分がエッチングされるように、上記部材をエッチングすることを更に含むことが好ましい。
【００４３】
上記の方法に関して、上記電磁波は波長領域が３００ｎｍ〜４００ｎｍの光であることが好ましい。
【００４４】
上記の方法に関して、コンタクトホールが上記第１部分の除去により形成されることが好ましい。
【００４５】
上記の方法に関して、上記方法は、上記組成物を含む上記液体の塗布が実施される前に活性層を形成すること、上記コンタクトホールに導電材料を配置することにより電極へ上記活性層を接続することを更に含むことが好ましい。
【００４６】
本発明の一つの態様に関する装置の製造方法は、上記方法が、上述組成物のうちのいずれかを使用することにより実施されることを特徴とする。
【００４７】
本発明の一つの態様に関する装置の製造方法は、上記組成物を含む塗布膜が上記部材へ形成されるように、部材へ上述の組成物のうちのいずれかを含む液体を塗布すること、上記塗布膜の第１部分が第１電磁波並びに第１粒子線のうちの少なくとも一つにより露光され、一方で上記塗布膜の第２部分が第１電磁波並びに第１粒子線のうちの少なくとも一つにより露光されないように、第１電磁波及び第１粒子線のうちの少なくとも一つにより上記塗布膜を露光することを含む。
【００４８】
上記の方法に関して、上記の方法は、上記の第１部位を除去することを更に含むことが好ましい。
【００４９】
上記の方法に関して、上記の方法は、上記第１部分が存在する上記部材の第３部分がエッチングされるように、上記部材をエッチングすることを更に含むことが好ましい。
【００５０】
上記の方法に関して、上記電磁波は波長領域が３００ｎｍ〜４００ｎｍの光であることが好ましい。
【００５１】
上記の方法に関して、コンタクトホールが上記第１部分の除去により形成されることが好ましい。
【００５２】
上記の方法に関して、上記方法は、上記組成物を含む上記液体の塗布が実施される前に活性層を形成すること、上記コンタクトホールに導電材料を配置することにより電極へ上記活性層を接続することを更に含むことが好ましい。
【００５３】
上記の方法に関して、上記化合物は、上記塗布膜の露光により、励起しないことが好ましい。
【００５４】
上記の方法に関して、上記化合物は、上記第１電磁波を吸収しないことが好ましい。
【００５５】
上記の組成物に関して、上記化合物は、上記第１電磁波を吸収しないことが好ましい。
【００５６】
上記の組成物に関して、上記の化合物は、上記の第１電磁波により、励起しないことが好ましい。
【００５７】
酸等の化学種の発生を助ける化合物及び組成物は、本発明中に開示される。典型的に、上記化合物は、前駆体からのブレンステッド酸又はブレンステッド塩基の発生を助ける。更に、上記化合物は、ルイス酸又はルイス塩基の発生の向上へ利用され得る。
【００５８】
典型的に、基底状態若しくは励起状態にある上記化合物は、前駆体へエネルギー若しくは電子を供与し又は前駆体からエネルギー若しくは電子を受容し、化学種を容易に発生し得る反応中間体若しくは励起状態の前駆体を生成する。上記化合物は、上記化合物が上記前駆体と相互作用又は反応する間、未変化で存在し得る。また、或いは、上記化合物は、上記化合物が上記前駆体と相互作用又は反応する前に、試剤から反応系内（ｉｎ ｓｉｔｕ）に発生し得る。その場合、上記化合物は、上記試剤又は上記試剤から発生する中間体と化学種との反応によって、反応系内（ｉｎ ｓｉｔｕ）に発生し得る。また、或いは、上記化合物は、上記試剤の単分子反応により発生し得る。上記化合物は、上記試剤よりも吸収スペクトルにおいて、長いカットオフ波長を示すことが好ましい。
【００５９】
本発明の一つの態様に関する化合物は、以下の特徴を有し、上記化合物は波長が２２０ｎｍ以上の光を吸収し、上記化合物は、前駆体を増感し、上記前駆体から化学種が発生し得る。
【００６０】
本発明の一つの態様に関する試剤は、上述の化合物を発生し得る。典型的に、上記試剤を含む膜へのエネルギー供給は、上記試剤から上記化合物を発生する。上記化合物は、上記試剤よりも長い共役長を有する。
【００６１】
本発明の一つの態様に関する試剤は、上記試剤の少なくとも二つのπ電子系を有する。少なくとも二つのπ電子系を有する化合物は、上記試剤から発生する。上記化合物における少なくとも二つのπ電子系の間の電子的相互作用は、上記試剤における少なくとも二つのπ電子系の間の電子的相互作用より強い。上記試剤は、膜へエネルギーを供給することにより誘発される工程を介して上記化合物を発生する。
【００６２】
上記化合物に対する典型例は、アルコキシ（又はアリールオキシ）ベンゾフェノンのようなジアルキルケトン類、アリールアルキルケトン類及びカルバゾール類である。例えば、本発明の一つの態様に関する組成物は、上記化合物、上記化合物を生成する試剤、化学種を生成する前駆体及び上記化学種と反応する合成物のうち少なくとも一つを含む。上記組成物は、半導体装置及び電気光学装置等の装置の製造へのフォトレジストとして適用され得る。上記前駆体の典型例は、ＰＡＧであり、一方で上記合成物の典型例は、酸解離性の置換基を含むポリマーである。典型的に、装置類の製造に対する一連の工程は、上記組成物が部材へ塗布され塗布膜が形成する工程及び上記塗布膜を波長が２００ｎｍより長い光により露光する工程を含む。
【００６３】
上記化合物が、ＬＣＤ及びＯＬＥＤ等の表示装置の層間絶縁膜へ適用され得るフォトレジスト組成物の一成分として使用される場合、上記化合物は、上記表示装置等の上記層間絶縁膜が可視光又は４００ｎｍ以上の波長を有する光を透過するため、４００ｎｍ以上の波長でかなり低い吸収効率を有することが好ましい。上記化合物は、４００ｎｍ以上の波長でわずかしか吸収を示さないことがより好ましい。
【００６４】
本発明の一つの態様に関する組成物は、化学種を発生する前駆体と、上記化合物及び前述の上記試剤のうちの少なくとも一つを含む。上記試剤の典型的な例は、上記試剤から生成する上記化合物より短いカットオフ波長を有する。たとえ、上記組成物によって形成する塗布膜が厚い場合でも、光は上記塗布膜へ深く貫通し、上記化合物は、上記塗布膜の深部にさえ発生され得る。
【００６５】
典型的に、上記の前駆体はＰＡＧである。上記組成物は、上記化学種と反応し得る合成物を更に含み得る。上記組成物は、装置の層間絶縁膜の形成のためのフォトレジスト又は装置の層間絶縁膜の少なくとも一部分の構成材料として使用され得る。
【００６６】
本発明の一つの態様に関するポリマーは、光増感部位として作用し得る第１部位と、化学種と反応する第２部位を含む。上記ポリマーは、上記化学種を発生する第３部位を更に含んでもよい。
【００６７】
本発明の一つの態様に関する装置の製造方法は、上記組成物又は上記ポリマーを使用することにより実施される。上記組成物は、上述の化合物及び上記試剤のうちいずれかを含んでもよい。
【００６８】
本発明の一つの態様に関する装置の製造方法は、上記組成物を含む塗布膜が、上記部材上へ形成される、部材への上記組成物を含む液体の第１工程の塗布、上記塗布膜の第1部分が電子線及び粒子線のうち少なくとも一つによって照射され、一方で上記塗布膜の第２部分が電子線及び粒子線のうち少なくとも一つによって照射されないように、電子線及び粒子線のうち少なくとも一つによる上記塗布膜への第２工程の照射、上記第１部分の第３工程の除去、の工程を含む。
【００６９】
上記の方法は、上記第１部分が存在する上記部材の第３部分がエッチングされるように、上記部材をエッチングする工程を更に含む。
【００７０】
上記の方法において、コンタクトホールは、上記第１部分の除去により形成され得る。上記方法は、活性層の形成工程を更に含み得る。上記活性層は、少なくとも上記コンタクトホールへ導電材料を配置することにより、画素電極等の電極へ接続され得る。
【００７１】
上記の方法において、３５０ｎｍ〜４００ｎｍの波長領域の光は、上記方法に使用される上記電磁波として、使用され得る。
【００７２】
本発明の一つの態様に関する化学物質は、上記化学物質を含む組成物、上記組成物を含む溶液及び上記組成物から形成される膜のうち少なくとも一つが光及び粒子線のうち少なくとも一つによって露光される間、上記化学物質が吸収帯の増大を抑制することを特徴とする。
【００７３】
上記の化学物質に関して、上記吸収帯は４００ｎｍ以上の波長であることが好ましい。
【００７４】
本発明の一つの態様に関する化学物質は、上記化学物質を含む組成物、上記組成物を含む溶液及び上記組成物から形成される膜のうち少なくとも一つが光及び粒子線のうち少なくとも一つによって露光される間、上記化学物質が反応中間体を失活し得ることを特徴とする。
【００７５】
上記の化学物質に関して、上記反応中間体はラジカルであることが好ましい。
【００７６】
上記の化学物質に関して、上記化学物質は酸を失活しないことが好ましい。
【００７７】
上記の化学物質に関して、上記化学物質は４００ｎｍ以上の光を吸収しないことが好ましい。
【００７８】
本発明の一つの態様に関する組成物は、上記化学物質及び化学種を発生し得る物質のうちのいずれかを含む。
【００７９】
上記の組成物に関して、上記化学種は、上記化学物質を含む上記組成物、上記液体及び上記膜のうち少なくとも一つを上記光及び粒子線のうち少なくとも一つにより露光することで、上記物質から発生することが好ましい。
【００８０】
上記の組成物に関して、上記物質は光酸発生剤であることが好ましい。
【００８１】
上記の組成物に関して、上記組成物は、上記物質からの上記化学種の発生を向上し得る化合物を更に含むことが好ましい。
【００８２】
上記の組成物に関して、上記組成物は、上記物質からの上記化学種の発生を向上し得る化合物を生成し得る試剤をさらに含むことが好ましい。
【００８３】
上記の組成物に関して、上記化合物は、上記光及び上記粒子線のうち少なくとも一つより励起されることが好ましい。
【００８４】
上記の組成物に関して、励起状態における上記化合物は、上記物質へ電子又はエネルギーを供与することが好ましい。
【００８５】
上記の組成物に関して、励起状態における上記化合物は、上記物質から電子又はエネルギーを受容することが好ましい。
【００８６】
上記の組成物に関して、上記化合物は、波長が４００ｎｍより長い光を吸収しないことが好ましい。
【００８７】
本発明の一つの態様に関する組成物は、物質と試剤とを含む。
【００８８】
上記の試剤は化合物へと転換される可能性がある。典型的に、上記化合物は、上記試剤の脱保護反応により生成される。
【００８９】
上記の組成物に関し、上記物質に対する上記試剤のモル比は、０．３〜５．０の範囲内であることが好ましい。上記物質に対する上記試剤のモル比は、０．３〜２．０の範囲内であることがより好ましい。
【００９０】
上記物質の典型例は、光酸発生剤であり、光塩基発生剤及びラジカル開始剤である。
【００９１】
上記の組成物に関して、上記組成物は、上記試剤の代わりに上記化合物を含んでもよい。
【００９２】
上記の組成物に関して、上記物質は、第１電磁波及び第１粒子線による上記組成物の露光によって、上記試剤から転換した化合物へエネルギー若しくは電子を供与し、又は上記化合物からエネルギー若しくは電子を受容し得、上記物質及び上記化合物のうち少なくとも一つからの化学種の発生を向上し、溶液で測定したときの４００ｎｍでの上記物質の吸光度（「Ａｂ４００」）に対する３６５ｎｍでの上記物質の吸光度（「Ａｂ３６５」）の比が２０以上であることが好ましい。
【００９３】
上記の組成物に関して、溶液で測定したときの４００ｎｍでの上記物質の吸光度（「Ａｂ４００」）に対する３６５ｎｍでの上記物質の吸光度（「Ａｂ３６５」）の比が５０以上であることが好ましい。
【００９４】
上記の組成物に関して、膜で測定したときの４００ｎｍでの吸光度（「Ａｂ４００」）に対する３６５ｎｍでの上記物質の吸光度（「Ａｂ３６５」）の比が１００以上であることが好ましい。
【００９５】
上記の組成物に関して、上記化学種は、酸及び塩基のうちの少なくとも一つであることが好ましい。
【００９６】
上記の組成物に関して、上記物質は以下の特徴を有することが好ましく、溶液で測定したときの４００ｎｍでの上記物質のモル吸光係数が２００以上である。
【００９７】
上記の組成物に関して、上記物質は、上記化合物から上記エネルギー又は上記電子を受容し得、上記物質からの上記化学種を向上し得ることが好ましい。
【００９８】
上記の組成物に関して、上記化合物の共役長が上記試剤の共役長より長いことが好ましい。
【００９９】
上記の組成物に関して、上記試剤は少なくとも二つのπ電子系を有し、上記化合物は少なくとも二つのπ電子系を有し、上記化合物中の少なくとも二つのπ電子系間の電子的相互作用は、上記試剤中の少なくとも二つのπ電子系間の電子的相互作用より強いことが好ましい。
【０１００】
上記の組成物に関して、上記物質は光酸発生剤（ＰＡＧ）であることが好ましい。
【０１０１】
上記の組成物に関して、上記組成物は合成物を更に含むことが好ましい。
【０１０２】
上記の組成物に関して、上記合成物は、上記化学種と反応することが好ましい。
【０１０３】
上記の組成物に関して、上記組成物は、上記組成物が装置の層間絶縁膜の形成に使用されることにより特徴づけられることが好ましい。
【０１０４】
上記の組成物に関して、上記組成物は、光透過率の低下を抑制する抑制剤を更に含むことが好ましい。
【０１０５】
上記の抑制剤は、上記の組成物から形成される膜の着色を抑制する可能性がある。
【０１０６】
上記の抑制剤は、光照射により生成されるラジカル等の反応中間体を失活する可能性がある。
【０１０７】
上記の組成物に関して、上記化合物又は上記試剤に対する上記抑制剤のモル比は、１．０〜２０．０の範囲内であることが好ましい。上記化合物又は上記試剤に対する上記抑制剤のモル比は、５．０〜１０．０の範囲内であることがより好ましい。
【０１０８】
上記の組成物に関して、上記抑制剤は、４００ｎｍ以上の波長での透過率を抑制することが好ましい。
【０１０９】
本発明の一つの態様に関する方法は、上記組成物を含む塗布膜が上記部材上へ形成されるように、部材へ上記組成物のうちいずれかを含む液体を塗布すること、かつ、上記塗布膜の第１部分が上記第１電磁波及び上記第１粒子線のうち少なくとも一つによって露光され、一方で、上記塗布膜の第２部分が、上記第１電磁波及び上記第１粒子線のうち少なくとも一つによって露光されないように、第１電磁波及び第１粒子線のうち少なくとも一つによる上記塗布膜を露光することを含む。
【０１１０】
上記の方法に関して、上記方法は上記第１部分の除去を更に含むことが好ましい。
【０１１１】
上記の方法に関して、上記第１部分が存在する上記部材の第３部分がエッチングされるように、上記部材をエッチングすることを更に含むことが好ましい。
【０１１２】
上記の方法に関して、上記第１電磁波は、３００ｎｍ〜４００ｎｍの波長領域の光であることが好ましい。
【０１１３】
上記の方法に関して、上記方法は、上記組成物を含む上記液体の塗布が実施される前の活性層を形成すること、少なくとも上記コンタクトホールへの導電材料の配置によって電極へ活性層を接続することを更に含むことが好ましい。
【０１１４】
上記の方法に関して、化合物は波長が４００ｎｍより長い光を吸収しないように、上記塗布膜への上記露光が実施されることが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【０１１５】
図面において、本発明を実施するための現在考えられる最良の形態を示す。
【０１１６】
【図１】図１は本発明の一つの態様に関する組成物で形成された膜の吸収スペクトルの経時変化を示す。
【０１１７】
【図２】図２は本発明の一つの態様に関するフォトレジストを使用する集積回路（ＩＣ）等の装置の製造工程を示す。
【０１１８】
【図３Ａ−３Ｄ】図３Ａ〜３Ｄは、本発明の一つの態様に関するフォトレジストを使用する有機エレクトロルミネッセンス装置（ＯＬＥＤ）等の表示装置の製造工程を示す。
【発明を実施するための形態】
【０１１９】
実験手順
２，２'，４，４'−テトラメトキシベンゾフェノン（化合物Ａ）の合成
【０１２０】
２，２'，４，４'−テトラヒドロキシベンゾフェノン２．００ｇ、ジメチル硫酸３．６８ｇ及び炭酸カリウム４．０３ｇをアセトン１２．０ｇに溶解する。混合液を還流温度で８時間撹拌する。その後、混合液を２５℃まで冷却し、水６０．０ｇを添加後、更に１０分間撹拌し、沈殿物をろ過する。次いで、沈殿物を酢酸エチル２０．０ｇに溶解し、有機相を水で洗浄する。その後、酢酸エチルを留去し、得られたものをエタノール１５．０ｇを用いて再結晶する。それによって、２，２'，４，４'−テトラメトキシベンゾフェノン１．４０ｇを得る。
【化１】
2017516144.tif 000003
【０１２１】
ビス−（２，４−ジメトキシフェニル）−ジメトキシメタンの合成
【０１２２】
２，２'，４，４'−テトラメトキシベンゾフェノン７．０ｇを塩化チオニル２７．８ｇに溶解する。混合液を還流温度で５時間撹拌する。その後、塩化チオニルを留去し、得られたものをトルエン１５ｇに溶解する。次いで、調製液をナトリウムメトキシド５．０ｇを含むメタノール溶液３０．１ｇに、５℃で１時間かけて滴加する。添加が完了後、混合液を２時間撹拌しながら２５℃まで昇温する。次いで、純水５０ｇの添加の後、混合液を更に撹拌する。次いで、メタノールを留去し、得られたものをトルエン３５ｇにより抽出し、有機相を水で洗浄する。その後、トルエンを留去する。それによって、粗ビス−（２，４−ジメトキシフェニル）−ジメトキシメタン３．８７ｇを油状物として得る。
【０１２３】
２，２−ビス−（２，４−ジメトキシフェニル）−１，３−ジオキソラン（試剤Ａ）の合成
【０１２４】
粗ビス−（２，４−ジメトキシフェニル）−ジメトキシメタン３．８ｇ、カンファースルホン酸０．０３ｇ及びエチレングリコール２．０３ｇをテトラヒドロフラン５．７ｇに溶解する。混合液を７２時間２５℃で撹拌する。その後、有機溶媒を留去し、得られたものをジクロロメタン１１ｇに溶解する。次いで、炭酸ナトリウム５％水溶液を添加した後、混合液を更に撹拌し、有機相を炭酸ナトリウム５％水溶液及び水で洗浄する。その後、ジクロロメタンを留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ（酢酸エチル：ヘキサン：トリエチルアミン＝１０：９０：０．０１）により精製する。それによって、２，２−ビス−（２，４−ジメトキシフェニル）−１，３−ジオキソラン（試剤Ａ）を得る。
【０１２５】
【化２】
2017516144.tif 000004
【０１２６】
２，４−ジメトキシ−４'−メトキシ−ベンゾフェノン（化合物Ｂ）の合成
目的物質としての２，４−ジメトキシ−４'−メトキシ−ベンゾフェノンの合成は、化合物Ａの合成において２，２'，４，４'−テトラヒドロキシベンゾフェノンの代わりに２，４−ジメトキシ−４'−ヒドロキシベンゾフェノンを使用することを除けば、上述の化合物Ａの合成に従い、合成し、得る。
【０１２７】
【化３】
2017516144.tif 000005
【０１２８】
２，４−ジメトキシ−４'−（２−ビニルオキシ−エトキシ）−ベンゾフェノンの合成
【０１２９】
２，４−ジメトキシ−４'−ヒドロキシベンゾフェノン２．００ｇ、２−クロロエチルビニルエーテル２．４８ｇ及び炭酸カリウム３．２１ｇをジメチルホルムアミド１２．０ｇに溶解する。混合液を１１０℃で１５時間撹拌する。その後、混合液を２５℃まで冷却し、水６０．０ｇの添加の後、更に撹拌する。次いで、トルエン２４．０ｇで抽出し、有機相を水で洗浄する。その後、トルエンを留去する。それによって、２，４−ジメトキシ−４'−（２−ビニルオキシ−エトキシ）−ベンゾフェノン３．５９ｇを得る。
【０１３０】
２，４−ジメトキシ−４'−（２−ヒドロキシ−エトキシ）−ベンゾフェノンの合成
【０１３１】
２，４−ジメトキシ−４'−（２−ビニルオキシ−エトキシ）−ベンゾフェノン３．５９ｇ、ピリジニウムｐ−トルエンスルホナート０．２８ｇ及び水２．１ｇをアセトン１８．０ｇに溶解する。混合液を３５℃で１２時間撹拌する。その後、炭酸ナトリウム３％水溶液の添加の後、混合液を更に撹拌する。次いで、酢酸エチル２８．０ｇで抽出し、有機相を水で洗浄する。その後、酢酸エチルを留去する。それによって、２，４−ジメトキシ−４'−（２−ヒドロキシ−エトキシ）−ベンゾフェノン３．０４ｇを得る。
【０１３２】
２，４−ジメトキシ−４'−（２−メタクリロキシ−エチル）ベンゾフェノン（化合物Ｃ）の合成
【０１３３】
２，４−ジメトキシ−４'−（２−ヒドロキシ−エトキシ）−ベンゾフェノン３．０ｇ及びメタクリル酸無水物１．７ｇをテトラヒドロフラン２１ｇに溶解する。テトラヒドロフラン３．６ｇに溶解したトリエチルアミン１．２ｇを２，４−ジメトキシ−４'−（２−ヒドロキシ−エトキシ）−ベンゾフェノンを含むテトラヒドロフラン溶液へ１０分かけて滴加する。その後、混合液を２５℃で３時間かけて撹拌する。その後、水を添加した後、混合液を更に撹拌する。次いで、酢酸エチル３０ｇで抽出し、有機相を水で洗浄する。その後、酢酸エチルを留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ（酢酸エチル：ヘキサン＝１：９）により精製する。それによって、２，４−ジメトキシ−４'−（２−メタクリロキシ−エチル）ベンゾフェノン２．７２ｇを得る。
【化４】
2017516144.tif 000006
【０１３４】
２，４−ジメトキシ−４'−（２−アセトキシ−エトキシ）−ベンゾフェノンの合成
【０１３５】
目的物質としての２，４−ジメトキシ−４'−（２−アセトキシ−エトキシ）−ベンゾフェノンの合成は、化合物Ｃの合成においてメタクリル酸無水物の代わりに酢酸無水物を使用することを除けば、上述の化合物Ｃの合成に従い、合成し、得る。
【０１３６】
（２，４−ジメトキシフェニル）−[４'−（２−ヒドロキシ−エトキシ）−フェニル]−ジメトキシメタンの合成
【０１３７】
目的物質としての（２，４−ジメトキシフェニル）−[４'−（２−ヒドロキシ−エトキシ）−フェニル]−ジメトキシメタンの合成は、ビス−（２，４−ジメトキシフェニル）−ジメトキシメタンの合成において２，２'，４，４'−テトラメトキシベンゾフェノンの代わりに２，４−ジメトキシ−４'−（２−アセトキシ−エチル）−ベンゾフェノンを使用することを除けば、上述のビス−（２，４−ジメトキシフェニル）−ジメトキシメタンの合成に従い、合成し、得る。
【０１３８】
２−（２，４−ジメトキシフェニル）−２−[４'−（２−ヒドロキシ−エトキシ）−フェニル]−１，３−ジオキソランの合成
【０１３９】
目的物質としての２−（２，４−ジメトキシフェニル）−２−[４'−（２−ヒドロキシ−エトキシ）−フェニル]−１，３−ジオキソランの合成は、試剤Ａの合成においてビス−（２，４−ジメトキシフェニル）−ジメトキシメタンの代わりに（２，４−ジメトキシフェニル）−[４'−（２−ヒドロキシ−エトキシ）−フェニル]−ジメトキシメタンを使用することを除けば、上述の試剤Ａの合成に従い、合成し、得る。
【０１４０】
２−（２，４−ジメトキシフェニル）−２−[４'−（２−メタクリロキシ−エトキシ）−フェニル]−１，３−ジオキソラン（試剤Ｂ）
【０１４１】
目的物質としての２−（２，４−ジメトキシフェニル）−２−[４'−（２−メタクリロキシ−エトキシ）−フェニル]−１，３−ジオキソランの合成は、化合物Ｃの合成において２，４−ジメトキシ−４'−（２−ヒドロキシ−エトキシ）−ベンゾフェノンの代わりに（２，４−ジメトキシフェニル）−[４'−（２−ヒドロキシ−エトキシ）−フェニル]−ジメトキシメタンを使用することを除けば、上述の化合物Ｃの合成に従い、合成し、得る。
【０１４２】
【化５】
2017516144.tif 000007
【０１４３】
α―メタクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン５．０ｇ、２−メチルアダマンタン−２−メタクリレート６．０３ｇ、３−ヒドロキシアダマンタン−１−メタクリレート４．３４ｇ、ジメチル−２，２'−アゾビス（２−メチルプロピオネート）−３−ヒドロキシアダマンタン−１−メタクリレート０．５１ｇ及びテトラヒドロフラン２６．１ｇを含む溶液を調製する。調製溶液を撹拌及び沸騰状態でフラスコに入れられたテトラヒドロフラン２０．０ｇへ、４時間かけて滴加する。調製溶液の添加後、混合液を２時間加熱還流し、室温まで冷却する。ヘキサン１６０ｇ及びテトラヒドロフラン１８ｇを含む混合液へ、激しく撹拌しながら上記混合液を滴加することで、共重合体を沈殿する。上記共重合体をろ過により単離する。上記共重合体の精製を、７０ｇによる２回の洗浄に続き真空乾燥をすることにより実施し、それによって、上記共重合体のヘキサン白色粉末８．５ｇを得る。
【化６】
2017516144.tif 000008
【０１４４】
４−ヒドロキシフェニルメタクリレート１．２ｇ、α−メタクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン９．２ｇ、２−メチルアダマンタン−２−メタクリレート８．０ｇ、３−ヒドロキシアダマンタン−１−メタクリレート９．５ｇ、ブチルメルカプタン０．３１ｇ、ジメチル−２，２'−アゾビス（２−メチルプロピオネート）０．５１ｇ及びテトラヒドロフラン３２．４ｇを含む溶液を調製する。調製溶液を撹拌及び沸騰状態でフラスコに入れられたテトラヒドロフラン１１．０ｇへ、窒素雰囲気下で４時間かけて滴加する。調製溶液の添加後、混合液を２時間加熱還流し、室温まで冷却する。ヘキサン２８６ｇ及びテトラヒドロフラン３２ｇを含む混合液へ、激しく撹拌しながら上記混合液を滴加することで、共重合体を沈殿する。上記共重合体をろ過により単離する。上記共重合体の精製を、ヘキサン１００ｇによる２回の洗浄に続き真空乾燥をすることにより実施し、それによって、上記共重合体（樹脂Ｂ）の白色粉末２０ｇを得る。
【化７】
2017516144.tif 000009
【０１４５】
（２，４−ジメトキシフェニル）−[４'−（２−メタクリロキシ−エチル）−フェニル]−ベンゾフェノン０．８２ｇ、α−メタクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン３．０ｇ、２−メチルアダマンタン−２−メタクリレート２．６ｇ、３−ヒドロキシアダマンタン−１−メタクリレート３．１ｇ、ブチルメルカプタン０．２０ｇ、ジメチル−２，２'−アゾビス（２−メチルプロピオネート）０．５１ｇ及びテトラヒドロフラン１１．２ｇを含む溶液を調製する。調製溶液を、撹拌及び沸騰状態でフラスコに入れられたテトラヒドロフラン８．０ｇへ、窒素雰囲気下で４時間かけて滴加する。上記調製溶液の添加後、混合液を２時間加熱還流し、室温まで冷却する。ヘキサン１１０ｇ及びテトラヒドロフラン１１ｇを含む混合液へ、激しく撹拌しながら上記混合液を滴加することで、共重合体を沈殿する。上記共重合体をろ過により単離する。上記共重合体の精製を、ヘキサン４０ｇによる２回の洗浄に続き真空乾燥をすることにより実施し、それによって、上記共重合体（樹脂Ｃ）の白色粉末７．１ｇを得る。
【化８】
2017516144.tif 000010
【０１４６】
２−（２，４−ジメトキシフェニル）−２−[４'−（２−メタクリロキシ−エトキシ）−フェニル]−１，３−ジオキソラン０．９２ｇ、α−メタクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン３．０ｇ、２−メチルアダマンタン−２−メタクリレート２．６ｇ、３−ヒドロキシアダマンタン−１−メタクリレート３．１ｇ、ブチルメルカプタン０．２０ｇ、ジメチル−２，２'−アゾビス（２−メチルプロピオネート）０．５１ｇ及びテトラヒドロフラン１１．２ｇを含む溶液を調製する。調製溶液を、撹拌及び沸騰状態でフラスコに入れられたテトラヒドロフラン８．０ｇへ、窒素雰囲気下で４時間かけて滴加する。調製溶液の添加後、混合液を２時間加熱還流し、室温まで冷却する。ヘキサン１１０ｇ及びテトラヒドロフラン１１ｇを含む混合液へ、激しく撹拌しながら上記混合液を滴加することで、共重合体を沈殿する。上記共重合体をろ過により単離する。上記共重合体の精製を、ヘキサン４０ｇによる２回の洗浄に続き真空乾燥をすることにより実施し、それによって、上記共重合体（樹脂Ｄ）の白色粉末６．８ｇを得る。
【化９】
2017516144.tif 000011
【０１４７】
評価のためのサンプル（評価サンプル）の調製
【０１４８】
評価サンプル１−１６は、（ｉ）フェニルジベンゾチオニウムノナフルオロブタンスルホネート（ＰＢｐＳ−ＰＦＢＳ）、４−チオフェニル−フェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート（ＰＳＤＰＳ−ＰＦＢＳ）、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミドトリフルオロメタンスルホネート（ＮＨＮＩ−Ｎｆ）及びＮ−ヒドロキシナフタルイミドトリフルオロメタンスルホネート（ＮＨＰＩ−Ｎｆ）から成る一群から選択されるＰＡＧ０．０３２ｍｍｏｌ、（ｉｉ）樹脂Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤから成る一群から選択される樹脂４５０ｍｇ、（ｉｉｉ）上述の化合物及び／若しくは上述の試剤Ａから成る一群から選択される添加剤のうちの少なくとも一つ、又は（ｉｖ）添加剤０ｍｍｏｌ、ポリ−ｐ−ヒドロキシスチレン（ＰＨＳ）及び２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾール（ＢＨＴ）等のフェノキシ基を含む透過率低下抑制剤４５ｍｇを評価サンプルに対し、感度評価に使われる場合はシクロヘキサン２０００ｍｇ、透過率低下評価に使われる場合はシクロヘキサン１０００ｍｇに溶解することで調製する。
【０１４９】
【化１０】
2017516144.tif 000012
【０１５０】
表１は評価サンプル１−１６の組成物の詳細を示す。
【０１５１】
【表１】
2017516144.tif 000013
【０１５２】
感度評価
【０１５３】
Ｓｉウェハへ評価サンプルを塗布する前に、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ、東京化成工業）をＳｉウェハの表面に２０００ｒｐｍで２０秒間スピンコートし、１１０℃で１分間ベークする。次いで、評価サンプルを、ＨＭＤＳで処理したＳｉウェハの表面に２０００ｒｐｍで２０秒間スピンコートし、塗布膜を形成する。上記塗布膜のプリベークを１１０℃で６０秒間行う。次いで、上記評価サンプルの上記塗布膜を、紫外線露光装置（ＨＭＷ−６６１Ｃ−３、（株）オーク製作所）から出力される波長が３６５ｎｍ（ｉ線）の紫外（ＵＶ）光で露光する。上記ＵＶ光露光後、ポストエクスポージャベーク（ＰＥＢ）を１１０℃で６０秒間行う。上記塗布膜をＮＭＤ−３（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド２．３８％、東京応化工業）を用いて２５℃で２０秒間現像し、脱イオン水で１０秒間洗う。膜厚測定ツールで測定した上記塗布膜の厚さは約５００ｎｍである。その後、ＵＶ露光装置を用いて上記塗布膜の厚さがゼロではない１００μｍのライン及び上記塗布膜の厚さがゼロである１００μｍスペースにより構成したパターンを形成させるためのドーズサイズを測定することにより感度（Ｅ０感度）を評価し、Ｅ０感度のドーズを、３６５ｎｍの照度計（ウシオ  ＵＩＴ−１５０、ＵＶＤ−Ｓ３６５）によるＵＶ源の照度の測定によって計算する。
【０１５４】
可視光透過率低下の評価
【０１５５】
評価サンプルを、石英ウェハ上に１５００ｒｐｍで２０分間スピンコートし、塗布膜を形成する。上記塗布膜のプリベークを１１０℃で５分間行う。膜厚測定ツールで測定した上記塗布膜の厚さは約５μｍである。次いで、評価サンプルを、紫外−可視分光法により測定し、ＵＶ光照射前に４００ｎｍでの膜の透過率を評価する。その後、上記評価サンプルの上記塗布膜を、強度が上記で説明した感度評価によって評価されたＥ０よりも３倍高いＵＶ光で露光する。ＵＶ光による上記の露光を、紫外線露光装置（ＨＭＷ−６６１Ｃ−３、（株）オーク製作所）から出力される波長が３６５ｎｍ（ｉ線）の光を用いて行う。
【０１５６】
ＵＶ光露光後、評価サンプルを、紫外−可視分光法により測定し、４００ｎｍでの膜の透過率を評価する。
【０１５７】
ドーズサイズに対するドーズを３６５ｎｍの照度計（ウシオ  ＵＩＴ−１５０、ＵＶＤ−Ｓ３６５）によるＵＶ源の照度の測定によって計算し、膜厚２０μｍの透過率を、この透過率評価において、５μｍの厚さを有する膜に対する透過率に基づいて計算する。
【０１５８】
表２は評価サンプル１〜１６に対して測定したＥ０感度に対応するドーズサイズ及び透過率を示す。上記ｉ線ＵＶ露光照射での酸の発生は、評価サンプル１に対しては観測されない。
【０１５９】
化合物Ａを含む評価サンプル２のＥ０感度は、化合物Ｂを除けば評価サンプル２の構成成分と同じである評価サンプル３の感度よりも高い。化合物Ａを含む評価サンプル５は、化合物Ｂを除けば評価サンプル５の構成成分と同じである評価サンプル７の感度よりも高い。これは、上記化合物Ａが化合物Ｂよりも高い電子供与能であること示す。
【０１６０】
評価サンプル１５は樹脂Ｃ、ＰＢｐＳ−ＰＦＢＳ、ＰＨＳ及びシクロヘキサノンを含み、一方で評価サンプル７は樹脂Ａ、ＰＢｐＳ−ＰＦＢＳ、化合物Ｂ、ＰＨＳ及びシクロヘキサノンを含む。評価サンプル１５の構成成分は、樹脂Ｃ及び化合物Ｂを除けば評価サンプル７と同じである。樹脂Ｃは化合物Ｂの代わりに光増感剤として作用し得るＣ−１部位を有し、それによりＣ−１部位と同様に電子供与能を有すると考えられる。しかしながら、評価サンプル１５の感度は、評価サンプル７の感度よりも高い。これは、光増感剤として作用する上記Ｃ−１部位の均一分散に起因すると考えられる。
【０１６１】
評価サンプル４はそもそも光増感剤として作用し得る化合物Ａ及び試剤Ａを含み、それによりジアルコキシアセタール等の保護基によって保護され、酸との反応を介して対応する光増感剤を生成する。
【０１６２】
試剤Ａ及び試剤Ａから生成される光増感剤の両方は、２つのπ電子系を有する。試剤Ａの２つのπ電子系間の電子的相互作用は、対応する光増感剤の電子的相互作用よりも弱い。上記の光増感剤の２つのπ電子系は、上記光増感剤のカルボニル基のπ電子又は非共有電子対を介して相互に作用する。上記光増感剤における上記電子的相互作用のために、上記光増感剤は長波長の光を吸収し得る。
【０１６３】
評価サンプル１６についても同じことが言え、評価サンプル１６は、化合物Ａ及びジアルコキシアセタール等の保護基によって保護され、酸との反応を介して対応する光増感剤を生成するＤ−１部位を有する樹脂Ｄを含むからである。
【０１６４】
上記試剤及び保護基により保護された部位の共役長は、それぞれ対応する光増感剤及び上記光増感部位の共役長より短い。上記光増感剤及び上記光増感部位において、二つのπ電子は、カルボニル基のπ電子又は非共有電子対を介した二つのπ電子系の電子的相互作用によって、非局在化される。
【０１６５】
上記試剤の添加又は上記保護部位の取り込みは、上記試剤及びPAGを含み保存安定性を有する組成物、並びに長期信頼性を有する上記組成物から形成される膜を提供し、それは上記試剤又は部位が、二つのπ電子間の弱い電子的相互作用のために長波長のＵＶ光を吸収し難いからである。上記組成物は、表示装置の絶縁膜又は平坦化膜等の膜への構成材料のために特に有用であり、それは上記表示装置の通常工程の間、酸生成の抑制を実現し得るからである。
【０１６６】
【表２】
2017516144.tif 000014
【０１６７】
化合物Ｄ、Ｅ、Ｆ及びその誘導体のそれぞれもまた、光増感剤として好ましく使用される。化合物のそれぞれは、ＵＶ光の露光によって光増感剤として作用し得る電子供与能を有する。
【化１１】
2017516144.tif 000015
【０１６８】
図１は、評価サンプル２（ａ）及び６（ｂ）から形成され、それぞれが５μｍの膜厚を有する膜の吸収スペクトルの経時変化を示す。評価サンプル２は透過率低下抑制剤を含まず、一方で評価サンプル６は透過率低下抑制剤としてのＢＨＴを含む。
【０１６９】
上記サンプルの両方から形成される上記膜は、４００ｎｍより長い波長での吸収帯をほとんど示さない。その一方、上記サンプル間の相違点は上記膜への照射後に観察される。４００ｎｍより長い波長での吸収帯の顕著な増大が評価サンプル２に対して観察され、一方で、４００ｎｍより長い波長での吸収帯の顕著な増大は評価サンプル６に対して全く観察されない。
【０１７０】
ＢＨＴのような透過率低下抑制剤は、吸収帯の顕著な増大を抑制し又は光若しくは粒子光による膜の露光の間に発生されるラジカル等の反応中間体の失活によって、高い透過率を維持する。
【０１７１】
従って、上記透過率低下抑制剤の組成物への添加は、液晶装置及び有機エレクトロルミネッセンス装置等の表示装置の層間絶縁膜の製造に対して使用されるレジストの構成成分として、特に有効であり、それは上記中間層が、上記装置の通常工程時に発生する可視光の通過が必要とされるからである。
【０１７２】
上記の透過率低下抑制剤はまた、上記表示装置の層間絶縁膜の構成成分として有用である。
【０１７３】
化合物Ａ及びＢは、波長が４００ｎｍより長い光を吸収し難い。これらのそれぞれは、表示装置の層間絶縁膜の製造に対して使用されるフォトレジストの構成成分だけではなく、層間絶縁膜の構成成分としても有用であり、ゆえに、可視光を吸収することにより光増感剤又はＰＡＧとして作用する物質が層間絶縁膜中に残存する場合、酸は通常工程時でさえ発生し、表示装置を劣化させる。
【０１７４】
図２は、上記の手順による工程で得られた試剤Ａ及び少量の化合物Ａを含むフォトレジストを使用する集積回路（ＩＣ）等の装置の製造工程を示す。
【０１７５】
シリコンウェハを準備する。シリコンウェハの表面を酸素ガスの存在下でシリコンウェハを加熱することにより酸化する。
【０１７６】
試剤Ａ、樹脂及びＰＡＧを含む化学増幅型レジスト（ＣＡＲ）組成物の溶液をスピンコートすることによりＳｉウェハの表面に塗布し、塗布膜を形成する。上記塗布膜をプリベークする。
【０１７７】
Ｓｉウェハのプリベーク後に、マスクを介して波長が２２０ｎｍ以上の光により上記塗布膜を照射する。上記塗布膜の照射に対する典型的な光源はｉ線又はｇ線である。初めに、上記ＰＡＧは光を直接吸収することで少量の酸を発生させる。試剤Ａの少量の酸との接触は、試剤Ａの脱保護反応を生じ、反応系内（ｉｎ  ｓｉｔｕ）に光増感剤を生成する。樹脂Ａの脱保護反応は、ＰＡＧの光反応及び反応系内（ｉｎ  ｓｉｔｕ）に生成した上記光増感剤の助けによって酸を発生させることにより誘導される。
【０１７８】
上記光増感剤の共役長は上記試剤の共役長より長い。上記試剤は少なくとも二つのπ電子系を有する。上記試剤の上記脱保護反応を介した多重結合の形成により、上記光増感剤における少なくとも二つのπ電子間の電子的相互作用は、上記試剤における少なくとも二つのπ電子間の電子的相互作用よりも強い。
【０１７９】
上記塗布膜及び上記シリコンウェハを上記光で露光する。その後、残っている膜を除去する。
【０１８０】
集積回路等の電子装置は、図２に示す工程によって製造される。上記塗布膜への照射時間が短縮され得るため、光照射に起因する上記装置の劣化が既存のフォトレジストと比較して抑制される。
【０１８１】
図３Ａ−３Ｄは、活性マトリックス型有機エレクトロルミネッセンス装置に対する製造工程を示す。
【０１８２】
（ａ）下層２を、ガラス基板、石英基板及びプラスチック基板等の基板１上に形成する。パターニングにより形成される半導体膜４を下層２上に形成する。典型的に、半導体膜４は低温ポリシリコンで作られている。アモルファスシリコン又は金属酸化物は半導体膜４の材料として使用され得る。ゲート絶縁膜３が形成されることで、ゲート絶縁膜３が半導体膜４を被覆する。ゲート電極５がゲート絶縁膜３の上に形成されることで、ゲート電極５及び半導体膜４は、ゲート絶縁膜３を挟んで対向する。
【０１８３】
（ｂ）塗布膜６を樹脂Ｅを含む組成物のスピンコートにより配置することで、塗布膜６がゲート電極５及びゲート絶縁膜３を被覆する。樹脂ＥのＥ−１部位は光酸発生部位Ｅ−５から発生される酸等の化学種と反応することにより、光増感部位として作用し得る対応する脱保護部位を生成する。つまり、反応系中（ｉｎ  ｓｉｔｕ）で形成される上記光増感部位は、電子交換を経て部位と相互作用し得る。場合によっては、化合物Ａ及び化合物Ｂのように、それ自身が光増感剤として作用し得る化合物は、上記組成物中に含み得る。樹脂Ｅは、Ｅ−１、Ｅ−２、Ｅ−３、Ｅ−４、Ｅ−５及びＥ−６に加えてＣ−１のようにそれ自身が光増感剤として作用する部位をさらに含んでもよい。
【化１２】
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【０１８４】
（ｃ）塗布膜６がプリベーク処理を受けた後、塗布膜６をフォトマスク８を介して波長３６５ｎｍの光により照射する。塗布膜６の一部のみを開口部７を通過した光により露光する。
【０１８５】
（ｄ）上記光による塗布膜６の露光部分を現像により除去し、コンタクトホール１０を形成する。コンタクトホール６の形成に次いで、塗布膜６は、熱処理が１５０℃より高い温度で行われることにより、第１層間絶縁膜９へ変換する。
【０１８６】
（ｅ）半導体膜４へ電気的に接続された画素電極１１を形成する。典型的に、画素電極１１は酸化インジウム錫（ＩＴＯ）又はマグネシウム銀合金で作られる。
【０１８７】
（ｆ）塗布膜１２が画素電極１１及び第１層間絶縁膜９を被覆するように、塗布膜１２をスピンコート工程により配置する。
【０１８８】
（ｇ）塗布膜１２がプリベーク処理を受けた後、塗布膜１２をフォトマスク１４を介して波長３６５ｎｍの光により照射する。塗布膜１２の一部のみを開口部１３を通過した光により露光する。
【０１８９】
（ｈ）上記光による塗布膜１２の露光部分を現像により除去する。塗布膜１２の露光部分の除去の後に、塗布膜１２は、熱処理が１５０℃より高い温度で行われることにより、第２層間絶縁膜１４へ変換する。
【０１９０】
（ｉ）正孔輸送層１５、発光層１６及び電子輸送層１７を、この順でマスクを介した真空蒸着により形成する。共通電極１８を電子輸送層１７及び第２層間絶縁膜１４の上に形成する。保護膜１９を共通電極１８の上に形成する。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【国際調査報告】
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