(57)【要約】  パターニングデバイスの変形および／またはパターニングデバイスのシフト位置を特定するために提供されるシステムおよび方法。システムは、パターニングデバイス上の複数の基準マークの各位置を測定する第１感知サブシステムと、サポートに対して相対的なパターニングデバイスの端部の位置を測定する第２感知サブシステムとを含む。システムは、パターニングデバイス上のマークの測定された各位置に基づきパターン付与された部分の絶対位置および絶対位置における変化を特定し、測定された端部位置に基づきパターン付与されたデバイスの端部の相対的位置における変化を特定し、特定の期間にわたり、サポートに対して相対的なパターニングデバイスの位置における変化およびパターニングデバイスのパターン付与された部分のパターン歪みにおける変化推測するためのコントローラをさらに含む。【選択図】図８
2017516124.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターニングデバイスの変形または前記パターニングデバイスの位置のシフトを特定する方法であって、前記パターニングデバイスは２つの主表面の間の端部およびパターン付与された部分を有し、前記パターン付与された部分は動作中は放射ビームの断面にパターンを付与するように前記放射ビームにより照射され、前記方法は、
前記パターン付与された部分の絶対位置を特定するために基準座標システムおよび基準タイミングシステムに対して複数の基準マークの各位置を測定することであって、前記複数の基準マークは前記パターニングデバイスの周辺位置における前記パターン付与された部分の周りに分布される、測定することと、
前記パターニングデバイスを保持するために設けられるサポートに対して相対的な前記パターニングデバイスの前記端部の位置を測定することと、
前記パターニングデバイスの動作の期間の後に、前記サポートに対して相対的な前記パターニングデバイスの前記端部の前記位置を再び測定することと、
前記複数の基準マークの測定された各前記位置、前記パターニングデバイスの前記端部の測定された前記位置および前記パターニングデバイスの前記端部の再び測定された前記位置に基づく前記パターニングデバイスの動作期間にわたる前記パターニングデバイスの前記パターン付与された部分の前記絶対位置における変化として前記サポートに対して相対的な前記パターニングデバイスの位置および前記パターニングデバイスの前記パターン付与された部分のパターン歪みにおける変化の少なくとも１つを推測することと、を含む、方法。
【請求項２】
前記パターニングデバイスの前記端部の前記位置を再び測定することは、
リソグラフィプロセスにより前記パターニングデバイスから前記基板にパターンを付与するように、基板のターゲット部分を前記パターン付与された放射ビームに対して露光させる最中に前記パターニングデバイスの前記端部への距離を測定することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記パターニングデバイスの前記端部の位置を測定することは、前記複数の基準マークの前記各位置を測定することと実質的に同時に、前記パターニングデバイスを保持するように設けられる前記サポートに対して相対的な前記パターニングデバイスの前記端部の前記位置を測定することを含み、前記パターン歪みは特定の期間にわたり互いに相関的な前記パターン付与された部分の異なる部分における変化を表す、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記パターン歪みにおける前記推測される変化および前記パターニングデバイスの前記位置における前記推測される変化の少なくとも１つを示すフィードバックに応じて、基板の露光中のリソグラフィプロセスにおいて、前記基板のターゲット部分の露光に関連付けられる１つ以上のパラメータをリアルタイムで調節することをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
リソグラフィ装置の投影対物レンズのレンズ頂部に対して前記パターニングデバイスを保持するように設けられる前記サポートの位置を測定することを、さらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
制御インプットが前記レンズ頂部に対する前記パターニングデバイスの位置を表すように制御ループに前記制御インプットを提供するために、前記サポートに対して相対的な前記パターニングデバイスの前記端部の測定された前記位置および前記レンズ頂部に対する前記サポートの測定された前記位置を使用することを、さらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
複数の基準マークを設けることは、
スキャン方向に垂直な前記パターニングデバイスの両側に沿って前記複数の基準マークを設けることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
露光ごとに前記複数の基準マークの前記位置を前記再び測定することの前記ステップを繰り返すことなく、基板上の連続するターゲット部分に前記パターンを付与するために露光することを繰り返すことをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
１つ以上の基板上の連続するターゲット部分に前記パターンを付与するために露光を繰り返すことおよび所定の数の基板の露光後に前記リソグラフィ装置内に新しい基板がロードされる度に、前記複数の基準マークの前記位置を前記再び測定することの前記ステップを繰り返すこと、をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
リソグラフィ装置内にロードされた連続する基板の各自に対して露光が複数回実施され、また前記複数の基準マークの前記位置を前記再び測定することの前記ステップは、新しい基板が前記リソグラフィ装置内にロードされた場合に実施される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
リソグラフィ装置内にロードされた基板のロットの各自に対して露光が複数回実施され、また前記複数の基準マークの前記位置を前記再び測定することの前記ステップは、新しい基板が次の基板のロットから前記リソグラフィ装置内にロードされる場合に実施される、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記パターニングデバイスの前記端部の位置を測定することは、リソグラフィプロセスにより前記パターニングデバイスから前記基板にパターンを付与するように、基板のターゲット部分を前記パターン付与された放射ビームに対して露光させる最中に所望の周波数でサンプリングすることにより、前記パターニングデバイスの前記端部の前記位置を継続的に測定することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
リソグラフィプロセスにより前記パターニングデバイスから基板にパターンを付与するように、前記基板のターゲット部分を前記パターン付与された放射ビームに対して露光させることであって、露光は前記付与されたパターンおよび前記基板上に存在するパターンとの間のオーバーレイエラーを低減させるために前記推測の前記結果に従って前記露光の少なくとも１つのパラメータを修正することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記パターニングデバイスの前記パターン付与された部分は、全体として長方形の範囲を有す、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記複数の基準マークは、長方形の４つの全ての側面に沿って分布される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記パターニングデバイスの第１動作期間の後で、前記基準座標システムおよび前記基準タイムングシステムに対して前記複数の基準マークの前記位置を再び測定することと、
前記パターニングデバイスの第２動作期間後に、前記パターニングデバイスを保持するために設けられる前記サポートに対して相対的な前記パターニングデバイスの前記端部の前記位置を再び測定することと、をさらに含み、
前記パターニングデバイスの前記第１動作期間は、前記パターニングデバイスの前記端部よりも少ない頻度で前記複数の基準マークが測定されるように、前記パターニングデバイスの前記第２動作期間とは異なる、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
パターニングデバイスの変形または前記パターニングデバイスの位置のシフトを特定する方法であって、前記パターニングデバイスは、動作中は放射ビームの断面にパターンを付与するように前記放射ビームにより照射され、前記方法は、
前記パターニングデバイスの前記パターン付与された部分を露光しない場合に前記パターニングデバイス上の前記複数の基準マークの各部分を測定することにより、前記パターニングデバイスの前記パターン付与された部分の絶対位置および前記パターニングデバイスの前記パターン付与された部分の前記絶対位置における変化の少なくとも１つを特定することと、
前記パターニングデバイスの前記パターン付与された部分を露光しない場合および基板のターゲット部分をリソグラフィプロセスにおける前記パターニングデバイスによりパターン付与された前記放射ビームにより露光している最中に、前記パターニングデバイスを保持するように設けられるサポートに対して相対的な前記パターニングデバイスの端部の位置を測定することにより、前記パターニングデバイスの前記端部の相対的位置における変化を特定することと、
前記パターン付与された部分の前記絶対位置および前記パターン付与された部分の前記絶対位置における前記特定された変化および前記パターニングデバイスの前記端部の前記相対位置における前記特定された変化の少なくとも１つに基づく期間にわたり、前記サポートに対して相対的な前記パターニングデバイスの位置における変化および前記パターニングデバイスの前記パターン付与された部分のパターン歪みにおける変化の少なくとも１つを推測することと、を含む、方法。
【請求項１８】
前記パターン歪みにおける前記推測される変化および前記パターニングデバイスの前記位置における前記推測される変化の少なくとも１つを示すフィードバックに応じて、前記基板の露光中において、前記基板の前記ターゲット部分の露光に関連付けられる１つ以上のパラメータをリアルタイムで調節することをさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
リソグラフィ装置の投影対物レンズのレンズ頂部に対して前記パターニングデバイスを保持するように設けられる前記サポートの位置を測定することと、
制御インプットが前記レンズ頂部に対する前記パターニングデバイスの位置を表すように制御ループに前記制御インプットを提供するために、前記サポートに対して相対的な前記パターニングデバイスの前記端部の測定された前記位置および前記レンズ頂部に対する前記サポートの測定された前記位置を使用することと、をさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
パターニングデバイスの変形または前記パターニングデバイスの位置のシフトを特定するための測定システムであって、動作中は放射ビームの断面にパターンを付与するように前記放射ビームにより照射されるパターン付与された部分を有し、
前記パターニングデバイス上の複数の基準マークの各位置を測定する複数の第１センサを含む第１感知サブシステムと、
前記パターニングデバイスを保持するために設けられるサポートに対して相対的な前記パターニングデバイスの前記端部の位置を測定する１つ以上の第２センサを含む第２感知サブシステムと、
コントローラであって、
前記パターニングデバイス上の前記複数の基準マークの測定された前記各位置に基づき、前記パターニングデバイスの前記パターン付与された部分の絶対位置および前記パターニングデバイスの前記パターン付与された部分の前記絶対位置における変化の少なくとも１つを特定し、
前記パターニングデバイスを保持するために設けられる前記サポートに対して相対的な前記パターニングデバイスの前記端部の測定された前記位置に基づき、前記パターン付与されたデバイスの前記端部の相対的位置における変化を特定し、
前記パターン付与された部分の前記絶対位置および前記パターン付与された部分の前記絶対位置における前記特定された変化および前記パターニングデバイスの前記端部の前記相対位置における前記特定された変化の少なくとも１つに基づく期間にわたり、前記サポートに対して相対的な前記パターニングデバイスの位置における変化および前記パターニングデバイスの前記パターン付与された部分のパターン歪みにおける変化の少なくとも１つを推測するための、コントローラと、を含む、測定システム。
【請求項２１】
前記コントローラは、前記パターン歪みにおける前記推測される変化を示すフィードバックに応じて前記基板の露光中において、前記基板の前記ターゲット部分の前記露光に関連付けられる１つ以上のパラメータをリアルタイムで調節する、請求項２０に記載の測定システム。
【請求項２２】
リソグラフィ装置の投影対物レンズのレンズ頂部に対して前記パターニングデバイスを保持するように設けられる前記サポートの位置を測定するための第３センサと、をさらに含み、
前記コントローラは、制御インプットが前記投影対物レンズの光軸に対する前記パターニングデバイスの前記位置を画定する前記レンズ頂部に対する前記パターニングデバイスの位置を表すように制御ループに前記制御インプットを提供するために、前記サポートに対して相対的な前記パターニングデバイスの前記端部の測定された前記位置および前記レンズ頂部に対する前記サポートの測定された前記位置を使用する、請求項２０に記載の測定システム。
【請求項２３】
リソグラフィ装置であって、
放射ビームを調整する照明システムと、
パターニングデバイスを支持するサポートであって、前記パターニングデバイスはパターン付与された放射ビームを形成するために放射ビームの断面にパターンを付与することができる、サポートと、
基板を保持する基板テーブルと、
前記パターン付与された放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、
前記パターニングデバイスの変形または前記パターニングデバイスの位置のシフトを特定するための測定システムであって、動作中は前記放射ビームの断面に前記パターンを付与するように前記放射ビームにより照射されるパターン付与された部分を有し、
前記パターニングデバイス上の複数の基準マークの各位置を測定する複数の第１センサを含む第１感知サブシステムと、
前記パターニングデバイスを保持するために設けられる前記サポートに対して相対的な前記パターニングデバイスの前記端部の位置を測定する１つ以上の第２センサを含む第２感知サブシステムと、
コントローラであって、
前記パターニングデバイス上の前記複数の基準マークの測定された前記各位置に基づき、前記パターニングデバイスの前記パターン付与された部分の絶対位置および前記パターニングデバイスのパターン付与された部分の前記絶対位置における変化の少なくとも１つを特定し、
前記パターニングデバイスを保持するために設けられる前記サポートに対して相対的な前記パターニングデバイスの前記端部の測定された前記位置に基づき、前記パターン付与されたデバイスの前記端部の相対的位置における変化を特定し、
前記パターン付与された部分の前記絶対位置および前記パターン付与された部分の前記絶対位置の前記特定された変化および前記パターニングデバイスの前記端部の前記相対位置における前記特定された変化の少なくとも１つに基づく期間にわたり、前記サポートに対して相対的な前記パターニングデバイスの位置における変化および前記パターニングデバイスの前記パターン付与された部分のパターン歪みにおける変化の少なくとも１つを推測するための、コントローラと、を含む、測定システムと、を含む、リソグラフィ装置。
【請求項２４】
前記コントローラは、前記パターン歪みにおける前記推測される変化を示すフィードバックに応じて前記基板の露光中において、前記基板の前記ターゲット部分の露光に関連付けられる１つ以上のパラメータをリアルタイムで調節する、請求項２３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２５】
測定システムは、
前記投影システムのレンズ頂部に対して前記パターニングデバイスを保持するように設けられる前記サポートの位置を測定するための第３センサと、をさらに含み、
前記コントローラは、制御インプットが前記投影システムの光軸に対する前記パターニングデバイスの前記位置を画定する前記レンズ頂部に対する前記パターニングデバイスの位置を表すように前記制御ループに制御インプットを提供するために、前記サポートに対して相対的な前記パターニングデバイスの前記端部の測定された前記位置および前記レンズ頂部に対する前記サポートの測定された前記位置を使用する、請求項２３に記載のリソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[関連出願の相互参照]
[0001]  本出願は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる２０１４年４月２８日出願の米国仮特許出願第６１／９８５，２２２号に関連する。
【背景技術】
【０００２】
[分野]
[0002]  本開示は、パターニングデバイスの変形および／またはリソグラフィ装置におけるパターニングデバイスの位置の変化のいずれかを推測するための測定システムおよび測定方法に関する。
【０００３】
[関連技術]
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するいわゆるステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００４】
[0004]  任意のリソグラフィプロセス、特に半導体デバイスの製造のために使用されるリソグラフィプロセスの主要性能パラメータは、いわゆるオーバーレイである。オーバーレイは、付与されたパターンにおけるフィーチャが、前の工程で同じ基板に付与された協働フィーチャ（cooperating feature）の上に直接位置決め可能な精度（または誤差）である。最新のリソグラフィプロセスは、わずか数ナノメートルのオーバーレイを達成するために、フィーチャの位置決めにおける誤差の元を排除するための測定、モデリング、および補正ステップを適用し得る。リソグラフィ装置の性能が向上するに従い、例えば露光中のクランプ応力、たるみおよびレチクルの加熱により引き起こされるレチクル変形は、オーバーレイの向上の阻害要因となってきている。
【０００５】
[0005]  レチクルの変形は、レチクルを加熱することにより発生する。熱応力は、結果としてレチクルの平面内のパターンの歪みを生じさせ（ＸおよびＹ方向）、ＸＹ平面におけるパターンの移動を引き起こす。既知の方法は、多くのそのような変形の測定に備えておらず、ましてや、そのような面内歪みの補正に備えてはいない。これらの変形の一部の測定のために、レチクル上でマークが使用されるが、多くの面内歪みを測定するためのすぐに利用できる手段はない。これらのマークの測定は、レチクルの露光中には行うことができないことから、マークの測定は露光に続いてなされ、その結果としてスループットの不利益が生じる。一部のマークのみ測定されることから、レチクルのパターンの変形の精度が損なわれる。パターンにわたる追加のマークを測定するために要する時間は、リソグラフィ装置のスループットを低減する傾向にあることから、精度を向上させるためにレチクルにわたる追加のマークを含ませることは、さらなるスループットの不利益につながる。
【０００６】
[0006]  従って、レチクルの平面内の歪みを特定し補償するために追加のマークを測定することは最善ではない。
【発明の概要】
【０００７】
[0007]  従って、露光プロセスを補正するために、レチクルなどのパターニングデバイスにわたる歪みまたはサポートに対して相対的なパターニングデバイスの位置の変化を推測するために、パターニングデバイスからの測定を可能にする方法を提供することが望ましい。
【０００８】
[0008]  一実施形態では、パターニングデバイスの変形またはパターニングデバイスの位置のシフトを特定する方法が提供される。パターニングデバイスは２つの主表面の間の端部およびパターン付与された部分を有し、パターン付与された部分は動作中は放射ビームの断面にパターンを付与するように放射ビームにより照射される。方法は、パターン付与された部分の絶対位置を特定するために基準座標システムおよび基準タイミングシステムに対して複数の基準マークの各位置を測定することであって、複数の基準マークはパターニングデバイスの周辺位置におけるパターン付与された部分の周りに分布される、測定することと、パターニングデバイスを保持するために設けられるサポートに対して相対的なパターニングデバイスの端部の位置を測定することと、パターニングデバイスの動作の期間の後に、サポートに対して相対的なパターニングデバイスの端部の位置を再び測定することと、複数の基準マークの測定された各位置、パターニングデバイスの端部の測定された位置およびパターニングデバイスの端部のサポートに対して相対的な再び測定された位置に基づくパターニングデバイスの動作期間にわたるパターニングデバイスのパターン付与された部分の絶対位置における変化としてサポートに対して相対的なパターニングデバイスの位置およびパターニングデバイスの前記パターン付与された部分のパターン歪みにおける変化の少なくとも１つを推測することとを含む。
【０００９】
[0009]  別の実施形態では、パターニングデバイスの変形またはパターニングデバイスの位置のシフトを特定する方法が提供される。パターニングデバイスはパターン付与された部分を有し、パターン付与された部分は、動作中は放射ビームの断面にパターンを付与するように放射ビームにより照射される。方法は、パターニングデバイスのパターン付与された部分を露光しない場合にパターニングデバイス上の複数の基準マークの各部分を測定することにより、パターニングデバイスのパターン付与された部分の絶対位置における変化の少なくとも１つを特定することと、パターニングデバイスのパターン付与された部分を露光しない場合および基板のターゲット部分をリソグラフィプロセスにおけるパターニングデバイスによりパターン付与された放射ビームにより露光している最中に、パターニングデバイスを保持するように設けられるサポートに対して相対的なパターニングデバイスの端部の位置を測定することにより、パターニングデバイスの端部の相対的位置における変化を特定することと、パターン付与された部分の絶対位置およびパターン付与された部分の絶対位置の特定された変化およびパターニングデバイスの端部の相対位置における特定された変化の少なくとも１つに基づく期間にわたり、サポートに対して相対的なパターニングデバイスの位置における変化およびパターニングデバイスのパターン付与された部分のパターン歪みにおける変化の少なくとも１つを推測することとを含む。
【００１０】
[0010]  さらに別の実施形態では、パターニングデバイスの変形またはパターニングデバイスの位置のシフトを特定するために測定システムが提供される。パターニングデバイスはパターン付与された部分を有し、パターン付与された部分は動作中は放射ビームの断面にパターンを付与するように放射ビームにより照射される。システムは、パターニングデバイス上の複数の基準マークの各位置を測定する複数の第１センサを含む第１感知サブシステムを含む。システムは、パターニングデバイスを保持するために設けられるサポートに対して相対的なパターニングデバイスの端部の位置を測定する１つ以上の第２センサを含む第２感知サブシステムをさらに含む。またシステムは、パターニングデバイス上の複数の基準マークの測定された各位置に基づき、パターニングデバイスのパターン付与された部分の絶対位置およびパターニングデバイスのパターン付与された部分の絶対位置における変化の少なくとも１つを特定し、パターニングデバイスを保持するために設けられるサポートに対して相対的なパターニングデバイスの端部の測定された位置に基づき、パターニングデバイスの端部の相対的位置における変化を特定し、パターン付与された部分の絶対位置およびパターン付与された部分の絶対位置における特定された変化およびパターニングデバイスの端部の相対位置における特定された変化の少なくとも１つに基づく期間にわたり、サポートに対して相対的なパターニングデバイスの位置における変化およびパターニングデバイスのパターン付与された部分のパターン歪みにおける変化の少なくとも１つを推測するためのコントローラをさらに含む。
【００１１】
[0011]  さらなる実施形態では、放射ビームを調整するように構成される照明システムと、パターニングデバイスを支持するように構築されるサポートであって、パターニングデバイスはパターン付与された放射ビームを形成するために放射ビームの断面にパターンを付与することができる、サポートと、基板を保持するように構築される基板テーブルと、パターン付与された放射ビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成される投影システムと、測定システムとを含むリソグラフィ装置が提供される。測定システムは、パターニングデバイス上の複数の基準マークの各位置を測定する複数の第１センサを含む第１感知サブシステムを含む。システムは、パターニングデバイスを保持するために設けられるサポートに対して相対的なパターニングデバイスの端部の位置を測定する１つ以上の第２センサを含む第２感知サブシステムをさらに含む。またシステムは、コントローラであって、パターニングデバイス上の複数の基準マークの測定された各位置に基づき、パターニングデバイスのパターン付与された部分の絶対位置およびパターニングデバイスのパターン付与された部分の絶対位置における変化の少なくとも１つを特定し、パターニングデバイスを保持するために設けられるサポートに対して相対的なパターニングデバイスの端部の測定された位置に基づき、パターニングデバイスの端部の相対的位置における変化を特定し、パターン付与された部分の絶対位置およびパターン付与された部分の特定された変化およびパターニングデバイスの端部の相対位置における特定された変化の少なくとも１つに基づく期間にわたり、サポートに対して相対的なパターニングデバイスの位置における変化およびパターニングデバイスのパターン付与された部分のパターン歪みにおける変化の少なくとも１つを推測するためのコントローラとをさらに含む。
【００１２】
[0012]  本発明のさらなる特徴および利点は、本発明の種々の実施形態の構造および運用と共に、添付の図を参照して以下に詳細に記される。本発明は、本明細書に記載された特定の実施形態に限定されないことに留意されたい。これらの実施形態は、単純に説明を目的として本明細書に提示されている。当業者にとって、さらなる実施形態は、本明細書に含まれた教示から明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
[0013]  本明細書に組み込まれ本明細書の一部を形成する添付の図は、本発明を図示し、説明と共に本発明の原理のさらなる解説を行い、当業者が本発明を作成し使用することを可能にする。
【図１】[0014]  本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を図示する。
【図２】[0015]  パターニングデバイスにおける加熱の影響を示す加熱されたパターニングデバイスの温度マップを概略的に図示する。
【図３Ａ】[0016]  パターニングデバイスの異なる種類の変形の概略図である。
【図３Ｂ】[0016]  パターニングデバイスの異なる種類の変形の概略図である。
【図３Ｃ】[0016]  パターニングデバイスの異なる種類の変形の概略図である。
【図３Ｄ】[0016]  パターニングデバイスの異なる種類の変形の概略図である。
【図４】[0017]  図１のリソグラフィ装置におけるパターニングデバイスの設置を概略的に示す。
【図５】[0018]  本発明の一実施形態によるパターニングデバイスにわたる歪みを測定するための測定システムを図示する。
【図６】[0019]  本発明の一実施形態によるパターニングデバイスにわたる基準マークの位置を測定するための第１センササブシステムを図示する。
【図７】[0020]  本発明の一実施形態によるパターニングデバイスの側端部上の位置を測定するための第２センササブシステムを図示する。
【図８】[0021]  本発明の一実施形態による測定プロセスを図示するフローチャートである。
【００１４】
[0022]  本発明の特徴および利点は、図面と共に参照された場合に、以下の詳細な記述から一層明確になる。一般的には、構成要素が最初に示される図は、典型的には対応する参照番号の左端の桁により示される。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
[0023]  本明細書は、本発明の特徴を組み込む１つ以上の実施形態を開示する。開示された実施形態は、発明を例示するに留まるものである。本発明の範囲は、開示された実施形態に限定されない。本発明は添付の請求項により規定される。
【００１６】
[0024]  記載される（１つ以上の）実施形態、および、本明細書における「１つの実施形態(one embodiment)」、「一実施形態(an embodiment)」、「一例の実施形態(an example embodiment)」等の言及は、記載される（１つ以上の）実施形態が特定の特徴、構造または特性を含み得ることを示すが、必ずしもすべての実施形態がそのような特定の特徴、構造または特性を含んでいなくてもよい。さらに、かかる表現は、必ずしも同じ実施形態を意味するものではない。また、特定の特徴、構造または特性が一実施形態との関連で説明される場合、かかる特徴、構造または特性を他の実施形態との関連で達成することは、それが明示されているかにかかわらず、当業者の知識の範囲内であると理解される。
【００１７】
[0025]  しかしながら、そのような実施形態をより詳細に説明する前に、本発明の実施形態が実行され得る例示的環境を提示することが有益である。
【００１８】
[0026]  図１は、発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に図示する。装置は以下を含む。
【００１９】
[0027]  放射ビームＢ（例えばＵＶ放射またはＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬ。
【００２０】
[0028]  パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構築され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されているサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ。
【００２１】
[0029]  基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結されている基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴ。
【００２２】
[0030]  パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成される、投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳ。
【００２３】
[0031]  そして、上に列挙した機能要素の機能を制御しかつ同期するためのプログラマブル処理ユニットおよびインターフェースを含むリソグラフィ装置制御ユニットＬＡＣＵ。
【００２４】
[0032]  照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、かつ／または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００２５】
[0033]  サポート構造は、パターニングデバイスの重量を支える（すなわち重量に耐える）などしてパターニングデバイスを支持する。サポート構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
【００２６】
[0034]  本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。
【００２７】
[0035]  パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００２８】
[0036]  本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
【００２９】
[0037]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、上述の種類のプログラマブルミラーアレイを採用しているもの、または反射型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００３０】
[0038]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
【００３１】
[0039]  また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体（例えば水）によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、リソグラフィ装置内の別の空間（例えば、マスクと投影システムとの間）に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させることで当技術分野において周知である。本明細書において使用される「液浸」という用語は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。
【００３２】
[0040]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００３３】
[0041]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００３４】
[0042]  放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示的に示されていない）を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００３５】
[0043]  実際のところ、制御ユニットＬＡＣＵは、複数のサブユニットのシステムとして実現され、それぞれは装置内のサブシステムまたは構成要素のリアルタイムデータ取得、処理、および制御を取り扱う。例えば、１つの処理サブシステムは基板ポジショナＰＷのサーボ制御専用であってよい。個別のユニットは、粗動および微動アクチュエータあるいは異なる軸をも取り扱い得る。別のユニットは、位置センサＩＦからの読み出し専用であってよい。装置の全体的な制御は、リソグラフィ製造プロセスに含まれるこれらのサブシステム処理ユニット、オペレータおよびその他の装置と通信する中央処理ユニットにより制御され得る。
【００３６】
[0044]  例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
【００３７】
[0045]  １．  ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的止露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
【００３８】
[0046]  ２．スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
【００３９】
[0047]  ３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、マスクテーブルＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００４０】
[0048]  上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００４１】
[0049]  図２は、本発明を理解するための、パターニングデバイスＭＡにおける加熱の影響を示す加熱されたパターニングデバイスの温度マップの簡略化された概略図である。パターニングデバイスＭＡは、透過型マスクまたはレチクル２００であってよい。レチクル２００は、例えば、クロム金属のパターンを有し、本明細書において、パターン付与された部分と称されるアクティブ（パターンを有する）領域を囲む周辺領域を有する、クォーツ基板であってよい。動作中のレチクル２００のパターン付与された部分は、放射ビームＢにより照射され、それにより放射ビームＢの断面にパターンを付与する。
【００４２】
[0050]  図２は、光リソグラフィにおいて浮上し得る、レチクル２００が本実施例においてのように透過型であった場合における、またはその他の実施形態においてのように反射型であった場合における、レチクルを加熱することの問題を示す。露光中にレチクル２００により部分的に吸収される放射ビームＢの影響の下、レチクルの材料は熱が上がる傾向にあり、３次元における熱膨張および歪みを引き起こし得る。加熱領域は全体的に、露光されたまたはパターン付与された領域にわたり延在する。典型的なレチクルは、複数の露光動作を通じて温度の上昇を示し、数回にわたる露光およびウェーハローディング動作後に徐々に定常状態に達する。しかしながら、時定数の厳密値とその露光数および露光されたウェーハの数との関係性は、放射ビームＢ中のエネルギー、特定の種類のレチクルの吸収作用ならびに付与されたパターンの性質、レチクル材料の熱容量、ならびに動作速度を含む、リソグラフィプロセスの詳細に大きく依存する。
【００４３】
[0051]  特に、レチクル２００のパターン付与された部分は、それぞれ薄い（透過型）および濃い（非透過型）部分を有し、それにより照明システムＩＬから生じる放射ビームＢ（すなわち、露光光）にパターンが付与される。オーバーレイ精度（すなわち、１つのＩＣ層を別のＩＣ層上に位置決めする精度）は、露光光に誘発されるレチクル加熱の影響を受けることが知られている。図２から分かるように、レチクル２００は非均一に加熱する。例えば、レチクルの中心部分における温度は２８．５３７度（最大）であり、周辺周りでは２２．６９１度（最小）である。露光中に放射ビームＢから吸収したエネルギーは、レチクル２００を加熱し、レチクル２００の膨張を引き起こす。膨張は、ウェーハにおける時間および位置に依存するパターン変位に繋がる。
【００４４】
[0052]  図３Ａ〜３Ｄは、図２に示されるレチクル２００のパターン歪み形状として、異なる種類の例示的面内変形の概略図を示す。図３Ａは、Ｙ端部の上部と底部に沿って、レチクル２００の中心部に向かう弓形の湾曲のパターン歪み形状を示す。図３Ｂは、レチクル２００の右側のＸ端部に沿った膨張を示す。図３Ｂは、レチクル２００の右側Ｘ端部に沿った膨張およびレチクル２００の左側Ｘ端部に沿った収縮を示す。図３Ｃは、左側および右側Ｘ端部に沿ったレチクル２００の中心部に向かう弓形の湾曲を示す。図３Ｄは、左側および右側Ｘ端部に沿ったレチクル２００の左側に向かう弓形の湾曲を示す。
【００４５】
[0053]  一実施形態では、メトロロジプロセスにおいて図３Ａ〜３Ｄの４つのパターン歪み形状が、レチクル２００のパターン歪みを表すために、１つに合わせられてよい。例えば、レチクル２００の任意変型は、レチクル２００のパターン歪み形状の実際の描写を得るために１つに合わせられる図３Ａに示される変形の一部、図３Ｂに示される変形の一部、図３Ｃに示される変形の一部、図３Ｄに示される変形の一部に分解可能である。レチクル２００のパターン歪み形状がこのように推測されると、例えば、図１のリソグラフィ装置における１つ以上のマニピュレータは、レチクル２００の変形を示すパターン歪み形状を補正するために使用可能である。例えば、レチクル２００のパターン歪み形状は、ウェーハステージを移動することまたは投影レンズを操作することにより補正され得る。図３Ａ〜３Ｄのパターン歪み形状を測定することにより、一実施形態では図１のリソグラフィ装置は、露光が引き起こすレチクルの加熱のどの時点で、レチクル２００のどのような変形およびどの程度の変形が生じるか特定することができる。図４は、リソグラフィ装置２０２におけるレチクル２００の設置を概略的に示し、図は図１に示されるリソグラフィ装置の簡略化した図である。レチクル２００は、動作中は放射ビームの断面にパターンを付与するために、放射ビーム２２０により照射される、２つの主表面の２１０ａ、２１０ｂ間の端部２０５およびパターン付与された部分２１５を含む。リソグラフィ装置２０２は、放射ビーム２２０を調整するために構成された照射システム２２５を含み得る。リソグラフィ装置２０２は、パターン付与された放射ビーム２３５を形成するために放射ビーム２２０の断面にパターンを付与することができるレチクル２００を支持するためのサポート２３０をさらに含み得る。リソグラフィ装置２０２は、ウェーハなどの基板２４５を保持するための基板テーブル２４０をさらに含み得る。リソグラフィ装置２０２は、基板２４５のターゲット部分２５５上にパターン付与された放射ビーム２３５を投影するために構成された投影システム２５０をさらに含み得る。
【００４６】
[0054]  本発明の一実施形態では、センサ２６０は、リソグラフィ装置２０２の投影システム２５０の投影対物レンズのレンズ頂部２６５に対するサポート２３０の位置を測定するために設けられ得る。センサ２６０の例は、距離を測定する変位センサを含む。例えば、干渉計、エンコーダまたはキャップセンサが使用され得る。投影システム２５０の投影対物レンズは、光軸２７０を有し得る。
【００４７】
[0055]  図５は、本発明の実施形態による、レチクル２００にわたる歪みを測定するための測定システム４００を図示する。レチクル２００は、ＸおよびＹ軸が示される平面図で示される。例えば、クロム金属のパターンを有するクォーツ基板であるレチクル２００は、パターン付与された部分２１５を囲む周辺領域を含む。パターン付与された部分２１５の内、１つ以上のデバイスパターン領域が配置される（図示されず）。パターン付与された部分２１５は、基板２４５の表面上に放射ビーム２２０によりイメージングされた場合には、図４の図面における１つのターゲット部分２２５の領域に対応する。これらのターゲット部分は、便宜上フィールドと称される。各フィールドは典型的には、リソグラフィプロセス完了後に個別のデバイスを形成するために基板から切り出される１つ以上のダイに対応する。本実施例におけるリソグラフィ装置２０２は、上述のスキャン型である。スキャン方向にレチクル２００にわたり移動する照射のスリット形状の帯Ｓが概略的に示されている。従来より、スキャン方向はＹ軸に平行である。別の実施例におけるリソグラフィ装置２０２は、ステッパ型であってよい。
【００４８】
[0056]  一実施形態により、複数の基準マーク４１５（１〜ｍ）は、スキャン方向に垂直であるレチクル２００の両側に沿って設けられ得る。レチクル２００のパターン付与された部分２１５は、全体として長方形の範囲を有し得る。代替的には、複数の基準マーク４１５（１〜ｍ）は、長方形の４つの全ての側面に沿って分布され得る。複数の基準マーク４１５（１〜ｍ）をレチクル２００のＸ端部およびＹ端部に沿って設けることは、測定システム４００が、例えば図３Ａ〜３Ｄに示されるレチクル２００の種々のパターン歪み形状を測定することを可能にする。
【００４９】
[0057]  測定システム４００は、レチクル２００上の複数の基準マーク４１５（１〜ｍ）の各位置を測定する複数の第１センサ４１０（１〜ｎ）を含む第１感知サブシステムを含み得る。複数の基準マーク４１５（１〜４）は、図４に示されるように、レチクル２００の周辺位置におけるパターン付与された部分２１５の周りに分布され得る。測定システム４００は、レチクル２００を保持するために設けられるサポート２３０（図示されず、例えば図１のマスクテーブルＭＴ）に対して相対的なレチクル２００の端部２０５の位置を測定する複数の第２センサ４１２（１〜ｋ）を含む第２感知サブシステム４０６を含み得る。
【００５０】
[0058]  第１センサ４１０の例は、光学センサを含む。例えば、ウェーハステージにおけるＣＣＤカメラおよびリソグラフィ装置の露光放射を使用するイルミネータが使用可能である。第２センサ４１２の例は、距離を測定する変位センサを含む。例えば、干渉計、エンコーダまたはキャップセンサが使用され得る。
【００５１】
[0059]  図３Ａに示される、レチクル２００の上端部および下端部の面内における弓形の湾曲を測定するために、１つ以上の第１センサ４１０がレチクル２００のＹ端部に沿って基準マーク４１５の各位置を測定するために設けられ得る。同様に、図３Ｃに示されるレチクル２００の左端部および右端部の面内における弓型の湾曲を測定するために、１つ以上の第１センサ４１０がレチクル２００のＸ端部に沿って基準マーク４１５の各位置を測定するために設けられ得る。完全または基準または非加熱パターンに関して、パターン付与された部分２１５の歪みが時間とともにどのように変化するかを推測するために、１つ以上の第２センサ４１２がレチクル２００の端部２０５の位置を測定するように設けられ得る。
【００５２】
[0060]  レチクル２００上の基準マーク４１５の位置の測定は、パターン付与された部分２１５がどのように歪んでいるかを示し、端部２０５の位置の測定はパターン付与された部分２１５の歪みに対して相関し得ることから、端部２０５の位置の測定は、パターン付与された部分２１５のこの歪みが時間とともにどのように変化するかを示す。第１センサ４１０は、より少ない頻度でレチクル２００上の基準マーク４１５の位置を測定し得、第２センサ４１２は、レチクル２００のパターン付与された部分２１５の歪みを補正するために第１センサ４１０を用いた測定周期間において、より頻繁にレチクル２００の端部２０５の位置を測定し得る。第１センサ４１０は、レチクル表面上の基準マーク４１５を見ていることから、イメージ領域（すなわち、パターン付与された部分２１５またはその一部）を露光しながら基準マーク４１５を正確に測定することは実行可能ではない、または少なくとも極めて困難であるが、レチクル２００の端部２０５はパターン付与された部分２１５の領域の外側にあることから、第２センサ４１２はパターン付与された部分２１５の一部の露光中であっても測定を行うことができる。レチクル２００の端部２０５の位置の第１の測定は、端部２０５が時間とともにどのように移動しているかを追跡するための基準測定として取り扱われる。
【００５３】
[0061]  基準マーク２１５はサブナノメートルレベルの精度内（位置公差）でパターン付与された部分２１５に対して位置決めされ得る一方で、レチクル２００の端部２０５はミクロンレベルの精度内（位置公差）でパターン付与された部分２１５に対して位置決めされ得る。基準マーク４１５はレチクル２００上にプリントされ、パターン付与された部分２１５に対して極めて正確に位置決めされる。レチクル２００のパターン付与された部分２１５が移動するにつれ、それと共に恒常的関係で基準マーク４１５が移動する。従って、レチクル２００の基準マーク４１５およびレチクル２００の端部２０５が同時にまたはほぼ同時に測定された場合には、両方が同じ時点で測定された場合には歪みが変わらなかったということから、サブナノメートルレベルの精度を得ることができる。従って２つの測定は相関することができ、ミクロンレベルの位置不確定性は、第１センサ４１０および第２センサ４１２がゼロとなり互いに対応付けられるにつれ、サブナノメートルレベルの位置不確定性になり得る。
【００５４】
[0062]  本発明の一実施形態と一致し、レチクル２００上の複数の基準マーク４１５（１〜ｍ）の測定された各位置に基づき測定システム４００はレチクル２００のパターン付与された部分２１５の絶対位置およびレチクル２００のパターン付与された部分２１５の絶対位置における変化の少なくとも１つを特定するために、コントローラ４２５をさらに含み得る。
【００５５】
[0063]  動作中、パターン付与された部分２１５の端部に沿った複数の基準マーク４１５（１〜ｍ）の全てのサブセットまたは特に選択されたサブセットが測定され得る。例えば、基準マーク４１５のセット（１〜４）の各位置は、基準マーク４１５のセット（１〜４）の絶対位置を特定するために測定され得る。一実施形態では、パターン付与された部分２１５の位置に対するレチクル２００の基準マーク４１５のセット（１〜４）の位置は固定されており公知であることから、パターン付与された部分２１５の絶対位置を示すレチクル２００の基準マーク４１５のセット（１〜４）の絶対位置は、レンズ頂部２６５に対するそれらの位置であり得る。また、パターン付与された部分２１５の絶対位置は、基準マーク４１５のセット（１〜４）の位置の第１または基準測定に基づいてよい。代替的には、パターン付与された部分２１５の絶対位置は、基準マーク４１５のセット（１〜４）の位置の第１または基準測定、また実質的に同時に、基準マーク４１５のセット（１〜４）の位置が測定された際の時点またはその時点に付近においてレチクル２００の端部２０５の第１または基準測定に基づいてよい。
【００５６】
[0064]  コントローラ４２５は、レチクル４２０を支持するように設けられたサポート（図示されず）に相対的なレチクル４２０の端部２０５の測定された位置に基づきレチクル２００の端部２０５の相対的位置における変化をさらに特定し得る。レチクル２００の端部２０５の相対的位置は、レチクル２００を保持するために設けられたサポート２３０に対して相対的に測定され得る。レチクル２００の動作期間後、レチクル２００の端部２０５の位置はサポート２３０に対して再び相対的に測定され得る。つまり、端部２０５が変わる場合には、端部２０５の相対的変化が測定され、それに基づきパターン付与された部分２１５における相対的変化が取得される。レチクル２００の端部２０５の測定された位置は、端部２０５の位置の偏差、従って基準マーク４１５のセット（１〜４）の位置に対して次の測定が行われるまでのレチクル２００のパターン付与された部分２１５の位置における一切の変化を特定するために、端部２０５の再び測定された位置と比較される。これらの偏差は、例えば、端部２０５の各位置の個別のΔｘおよびΔｙ値として記録され得る。これらの端部２０５の位置偏差は、基板２４５上の所望の位置におけるレチクル２００からのパターン付与された部分２１５の位置付けが、加熱により引き起こされる位置偏差に関して補正されるように露光動作の制御に適用され得る。基準マーク４１５の数を増加させ端部２０５上のより多くの位置を測定することにより、任意の所望の精度が達成可能である。ｘ−ｙ変形などの面内変形のみが測定され推測されるわけではないが、第２センサ４１２は異なる高さにおける端部２０５の位置をモニタリングするように配置され得（つまり、異なるｚ軸（ｘ−ｙ平面に対して垂直）値において）、それによりレチクル２００の変形の３次元（３Ｄ）のモデリングが可能となる。
【００５７】
[0065]  コントローラ４２５は、パターン付与された部分２１５の絶対位置およびパターン付与された部分２１５の絶対位置における所定の変化およびレチクル２００の端部２０５の相対的位置における所定の変化の少なくとも１つに基づき、ある期間にわたりレチクル２００のパターン付与された部分２１５のパターン歪みにおける変化をさらに予測し得る。パターン歪みは、ある期間にわたる互いに相関的なパターン付与された部分２１５の異なる部分における変化を表す。
【００５８】
[0066]  本発明の一実施形態によると、センサ２６０は図４に示されるように、リソグラフィ装置２０２の投影対物レンズのレンズ頂部２６５に対するサポート２３０（図示されず）の位置を測定し得る。図４に示されるように、制御インプットが投影システム２５０の投影対物レンズの光軸２７０に対するレチクル２００の位置を画定するレンズ頂部２６５に対するレチクル２００の位置を表すように制御ループに制御インプットを提供するために、コントローラ４２５は、サポート２３０に対して相対的なレチクル２００の端部２０５の測定された位置ならびにレンズ頂部２６５に対するサポート２３０の測定された位置を使用し得る。
【００５９】
[0067]  図６は、図５に示されるように、本発明の一実施形態によるレチクル２００（図示されず）にわたる参照マーク４１５のセット（１〜４）の位置を測定するために第１センササブシステム４０５を図示する。図４を参照するに、サポート２３０の一実施形態はレチクルチャック６００として示される。レチクルチャック６００は、レチクル２００を保持するように構成される。レチクルチャック６００は、レチクルキャビティ６０５を含む。レチクル２００のパターン付与された部分２１５は、放射ビーム２００による露光のためにレチクルキャビティ６０５内に位置決めされる。第１センササブシステム４０５ａは、レチクル２００上の参照マーク４１５のセット（１〜４）の各位置を測定するための第１センサ４１０のセット（１〜４）を含む。
【００６０】
[0068]  図７は、本発明の一実施形態によるレチクル２００の側端部２０５上の位置を測定するための第２センササブシステム４０６を図示する。第２サブシステム４０６は、サポート２３０（本明細書ではレチクルチャック６００として示される）に対して相対的なレチクル２００の端部２０５の位置を測定するための第２センサのセット（１〜６）を含む。第２センサ４１２のセット（１〜６）は、レチクルチャック６００のレチクルキャビティ６０５に位置決めされ得る。
【００６１】
[0069]  動作中、第２センサ４１２のセット（１〜６）は、図４のレチクルチャック６００に対するレチクル２００の位置を測定し、図４のセンサ２６０はレンズ頂部２６５に対するレチクルチャック６００の位置を測定する。この情報を用いることで、レンズ頂部２６５に対するレチクル２００の位置が特定できる。従って、レチクルチャック６００を含むレチクルステージ（図示されず）の位置を制御する制御サーボループは、レチクルステージの位置の代わりにレンズ頂部２６５に対するレチクル２００の位置（すなわち、センサ２６０により測定されたレチクルチャック６００の位置）を使用し得る。
【００６２】
[0070]  Ｙ端部に位置決めされた１つ以上の第２センサ４１２は、レチクルのすべりを測定し得る。Ｙ端部に沿うのみならず、一実施形態では、スキャン方向におけるすべりを特定するために、レチクル２００の全ての端部に沿った第２センサ４１２の組み合わせが使用され得る。さらには、ｚ軸に沿ったレチクル２００の回転または、すべりおよび回転の組み合わせが特定され得る。コントローラ４２５は、すべり／回転は端部の測定において相関的な変化に繋がることから、このような種類のレチクルすべりとレチクル形状の変化を区別し得る。レチクル２００の側端部２０５上の測定された位置は、レチクルすべりを補正するためにレチクルステージの位置を調節するように制御サーボループに入力され得る。制御サーボループは、レチクルステージが後に続こうとしている基準位置を有し、センサ２６０はレチクルステージの実際の位置を提供し、基準位置の測定された位置と一致するようにフィードバックループが提供される。Ｘ端部上に位置決めされた１つ以上の第２センサ４１２からのリアルタイムのフィードバックは、各ダイに対する１つのウェーハ自体の露光中または単一ダイの露光中に、レチクルまたはウェーハステージのいずれかの位置を調節することにより、露光のリアルタイムな調節を可能にし得る。
【００６３】
[0071]  例えば、露光の前に第１センサ４１０のセット（１〜４）は、レチクル２００上の基準マーク４１５のセット（１〜４）の各位置を測定し得る。また、第２センサ４１２のセット（１〜４）は、サポート２３０に対して相対的なレチクル２００の端部２０５の１つ以上の位置を測定し得る。１つのウェーハの露光後、第２センサ４１２のセット（１〜４）は、Ｘ−Ｙ平面におけるレチクル２００のパターン付与された部分２１５の位置または形状がどのように変化したかを特定するためにレチクル２００の端部２０５の１つ以上の位置を測定し得、コントローラ４２５はこの新しい情報を取り入れ露光補整機構に適用し得る。その後、ウェーハのロットまたは特定の数のウェーハの後、第１センサ４１０のセット（１―４）は、基準マーク４１５のセット（１〜４）の各位置を再び測定し得る。
【００６４】
[0072]  図８は、本発明の一実施形態による測定方法８００を示すフローチャートである。方法８００は、レチクル２００などのパターニングデバイスの変形を測定するために提供される。基準マーク４１５のセット（１〜４）を有するレチクル２００、パターン付与された部分２１５におけるデバイスパターンおよびその他のアライメント／メトロロジフィーチャがサポート２３０またはパターニングデバイスサポートＭＴ上にロードされ、真空チャックにより取り付けされる。
【００６５】
[0073]  ブロック８０５では、基準マーク４１５のセット（１〜４）の各位置は、パターン付与された部分２１５の絶対位置を特定するために、基準座標システムおよび基準タイミングシステムに対して測定され得る。基準座標システムの例は、サポート２３０（またはレチクルチャック６００）およびレンズ頂部２６５の位置が特定される座標システムを含む。基準タイミングシステムの例は、基準マーク４１５のセット（１〜４）の位置の測定を取るタイミングとレチクル２００の端部２０５の位置の測定を取るタイミングが特定されるタイミングシステムを含む。基準マーク４１５のセット（１〜４）の位置は、レンズ頂部２６５に対する今後の使用に関する基準として測定され得る。特定の期間の後、特にレチクルの加熱が発生し得る露光動作の期間の後、基準マーク４１５のセット（１〜４）の位置は再び測定される。これらの位置は、例えば、例としてレチクルの加熱によって引き起こされたレチクルの変形を識別するために使用され得る。
【００６６】
[0074]  ブロック８１０では、レチクル２００の端部２０５の位置は、レチクル２００を保持するために設けられているサポート２３０に対して相対的に測定可能である。ブロック８１５では、レチクル２００の動作の期間後、レチクル２００の端部２０５の位置はサポート２３０に対して再び相対的に測定可能である。パターニングデバイスの端部２０５の位置を測定することは、リソグラフィプロセスによりレチクル２００から基板２４５にパターン２１５を付与するように、パターン付与された放射ビーム２３５に対する基板２４５のターゲット部分２５５の露光中に所望の周波数（例えば、１０ｋＨｚ）でサンプリングすることにより、レチクル２００の端部２０５の位置を継続的に測定することを含み得る。
【００６７】
[0075]  本発明の一実施形態と一致して、方法８００はレチクル２００の第１動作期間の後の基準座標システムおよび基準タイミングシステムに対して基準マーク４１５のセット（１〜４）の位置を再び測定することをさらに含み得る。また、レチクル２００の第２動作期間後にサポート２３０に対して相対的なレチクル２００の端部２０５の位置を再び測定することを含む。一実施形態では、レチクル２００の第１動作期間は、レチクル２００の端部２０５よりも少ない頻度で基準マーク４１５のセット（１〜４）が測定されるように、レチクル２００の第２動作期間とは異なり得る。
【００６８】
[0076]  本発明の一実施形態により、レチクル２００の端部２０５の位置を再び測定するステップ８１５は、リソグラフィプロセスによりレチクル２００から基板２４５にパターン２１５を付与するように、基板２４５のターゲット部分２５５をパターン付与された放射ビーム２３５に対して露光させる最中にレチクル２００の端部２０５への距離を測定することを含む。ステップ８１０では、レチクル２００の端部２０５の位置を測定することは、基準マーク４１５のセット（１〜４）の各位置を、サポート２３０に対して相対的なレチクル２００の端部２０５の位置の測定と実質的に同時に測定することをさらに含む。
【００６９】
[0077]  ブロック８２０では、レチクル２００のパターン付与された部分２１５のパターン歪みは、基準マーク４１５のセット（１〜４）の測定された各位置（レチクル２００の端部２０５の測定された位置およびレチクル２００の端部２０５の再び測定された位置）に基づくレチクル２００の動作期間にわたる、レチクル２００のパターン付与された部分２１５の絶対位置における変化として推測され得る。端部の測定値は、レチクル２００のシフト（ずれ、回転）を検知するためにも使用され得る。端部２０５の測定値に基づき、パターン付与された部分２１５の変形のみならず、レチクル２００のずれ、または加速による回転が引き起こすレチクル２００の位置変化も特定され得る。その後変形情報および位置変化情報は画像の位置（すなわち、パターン付与された部分２１５）を補正するために使用することができる（またそれにより、オーバーレイが向上される）。
【００７０】
[0078]  本発明の一実施形態により、方法８００は、露光ごとに基準マーク４１５のセット（１〜４）の位置を再び測定するステップを繰り返すことなく、基板２４５上の連続するターゲット部分にパターン付与された部分２１５を付与するために露光を繰り返すことをさらに含む。代替的には、方法８００は１つ以上の基板上の一連のターゲット部分にパターン付与された部分２１５を付与するために露光を繰り返すことを含み、また所定の数の基板の露光後にリソグラフィ装置２０２内に新しい基板がロードされる度に、複数の基準マークの位置を再び測定するステップを繰り返すことを含む。
【００７１】
[0079]  露光は、リソグラフィ装置２０２内にロードされた各連続する基板に対して複数回実施されてよく、基準マーク４１５のセット（１〜４）の位置を再び測定するステップは、リソグラフィ装置２０２内に新しい基板がロードされた場合に実施され得る。代替的には、露光はリソグラフィ装置２０２内にロードされる基板の各ロットについて複数回実施されてよく、基準マーク４１５のセット（１〜４）の位置を再び測定するステップは次の基板のロットからリソグラフィ装置２０２内に新しい基板がロードされた場合に実施されてよい。
【００７２】
[0080]  レチクル２００の加熱および結果として生じる歪みは、通常動作の場合には比較的遅く変化し得、その場合には頻繁な測定は必要ではない。そのため、実際の実施形態では基準マーク４１５の位置は、スループットが過度に影響を受けない場合に、断続的にのみ測定される。複数の基準マーク４１５（１〜ｍ）の測定の間におけるレチクル２００またはパターニングデバイスＭＡの漸進的な加熱は、端部２０５の測定により特定可能であり、それにより基準マーク４１５の測定の間のレチクル２００の変形もまた所望の精度レベルまで特定可能である。異なるターゲット部分（フィールド）の露光中に変形測定を行うことが可能であることから、スループットの不利益なく露光されたパターンのアライメント精度の増加を達成することができる。
【００７３】
[0081]  方法８００によると、コントローラ４２５は、レチクル２００のパターン付与された部分２１５を露光しない場合にレチクル２００上の基準マーク４１５のセット（１〜４）の各部分を測定することにより、レチクル２００のパターン付与された部分２１５の絶対位置またはレチクル２００のパターン付与された部分２１５の絶対位置における変化のいずれかを特定し得る。レチクル２００のパターン付与された部分２１５を露光しない場合ならびに基板２４５のターゲット部分２５５を放射ビーム２２０により露光している最中にサポート２３０に対して相対的なレチクル２００の端部２０５の位置を測定することにより、コントローラ４２５はレチクル２００の端部２０５の相対的位置における変化を特定し得る。
【００７４】
[0082]  方法８００によると、コントローラ４２５はその後、パターン付与された部分２１５の絶対位置およびパターン付与された部分２１５の絶対位置における特定された変化ならびに／あるいはレチクル２００の端部２０５の相対位置における特定された変化に基づく期間にわたり、レチクル２００のパターン付与された部分２１５のパターン歪みにおける変化を推測し得る。方法８００は、レチクル２００をリソグラフィ装置２０２の投影対物レンズのレンズ頂部２６５に対して保持するために設けられるサポート２３０の位置を測定することをさらに含み得る。レンズ頂部２６５に対するレチクル２００の位置を表す制御インプットは、サポート２３０に対して相対的なレチクル２００の端部２０５の測定された位置およびレンズ頂部２６５に対するサポート２３０の測定された位置に基づく制御ループに設けられ得る。
【００７５】
[0083]  例えば、全てのウェーハに関して、レチクル２００上の複数の基準マーク４１５（１〜ｍ）の位置が測定されない。複数の基準マーク４１５（１〜ｍ）の位置の測定はスループットの損失を増加させるが、レチクル２００の端部２０５の測定はスループットの損失を増加させないことから、露光と露光の間に複数の基準マーク４１５（１〜ｍ）の位置が頻繁に測定される必要がないように、レチクル２００の端部２０５の位置は露光の最中にリアルタイムで測定され得る。しかしながら露光中は、端部２０５の位置ではなくパターン付与された部分２１５の位置を特定することが必要となる。これを達成するために、端部２０５の測定値および複数の基準マーク４１５（１〜ｍ）の測定値を組み合わせることで、パターン付与された部分２１５のパターン歪みの初期状態が特定され得る。つまり、例えば、時間ｔ＝０においてパターン付与された部分２１５がどのように見えるか特定可能となる。露光中または露光後にレチクルの端部２０５の位置の測定を継続することにより、時間とともにパターン付与された部分２１５の歪みにおける変化が特定され得る。このように、このリアルタイムフィードバックにより、露光プロセスはウェーハを露光しながら調整可能である。しかしながら、複数の基準マーク４１５（１〜ｍ）の次の測定は、ウェーハの１つのロットの露光が終了した後、または複数のロットが終了したあとにのみ実施可能であるか、あるいはレチクル２００がアンロードされない限りは一切実施されない。
【００７６】
[0084]  方法８００は、リソグラフィプロセスにより基板２４５にレチクル２００からパターン２１５を付与するためにパターン付与された放射ビーム２３５に対して基板２４５のターゲット部分２４５を露光させることをさらに含み得、それにより露光のステップは、付与されたパターンおよび基板２４５上に存在するパターンとの間のオーバーレイエラーを低減させるために推測の結果に従って露光の少なくとも１つののパラメータを修正することを含む。従って、オーバーレイおよびスループットの両方を向上することができる。
【００７７】
[0085]  例えば、本発明の一実施形態では、方法８００はパターン歪みにおける推測される変化を示すフィードバックに応じて基板２４５の露光中のリソグラフィプロセスにおいて基板２４５のターゲット部分２５５の露光に関連付けられる１つ以上のパラメータをリアルタイムで調節することを含む。基板２４５の露光中に基板２４５のターゲット部分２５５の露光に関連付けられる１つ以上のパラメータは、パターン歪みにおける推測される変化を示すフィードバックに応じてコントローラ４２５によりリアルタイムで調整可能である。
【００７８】
[0086]  コントローラ４２５は、パターン歪みにおける推測される変化を示すフィードバックに応じて、基板２４５（図示されず）の露光中に基板２４５のターゲット部分２５５（図示されず）の露光に関連付けられる１つ以上のパラメータをリアルタイムで調節し得る。スキャン露光の場合は、リソグラフィ装置２０２は、レチクル２００および基板２４５の相対的なＸおよびＹ位置を変化させるため、また投影システム２５０の倍率を変化させるために制御され得、それによりレチクルパターン２１５のデバイスフィーチャの位置と過去の露光により基板２４５上に既に存在するフィーチャの位置との一致を向上させる。任意で、機械的および／または熱的エネルギーは、熱変形を能動的に無効にするためにレチクル２００の部分に向けられることができる。そのような測定の目的は、全体的な歪みの量を減少させること、または単純にリソグラフィ装置２０２の利用可能な制御パラメータを用いてより効率的にまたはより簡便に補正可能な形状に歪みを再分布することであってよい。
【００７９】
[0087]  製造プロセスにおいて、例えば基板Ｗ（半導体ウェーハまたは基板２４５）はリソグラフィ装置２０２内にロードされる。基板２４５と共に、プロセスパラメータの「レシピ」は制御ユニットにより受信され、それによりリソグラフィ装置２０２は設定され作動する。一部のパラメータは、同様の基板のバッチのために設定されてよく、その他のパラメータは個別の基板に特有のものであってよい。メトロロジ機能は、基板２４５の正確な位置を測定し、それを投影システム２５０と一致させるために実施される。Ｘ、Ｙ位置および高さ（Ｚ）位置は、基板２４５の表面にわたり所望の解像度および精度でマッピングされる。メトロロジの結果は、露光動作の制御における使用のために制御ユニットにより保存される。露光パラメータは、レシピおよびメトロロジ結果に従って設定される。露光プロセスは通常は、パターニングデバイスＭＡによりパターン付与された放射ビームＢを用いて連続的なフィールド（図１におけるターゲット部分Ｃ）を露光することにより進行する。最終的に、パターン付与された製品基板は取り出され、次の基板がロードされる。
【００８０】
[0088]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００８１】
[0089]  光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
【００８２】
[0090]  本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長、またはおよそこれらの値の波長を有する）、および極端紫外線（ＥＵＶ）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。
【００８３】
[0091]  「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
【００８４】
[0092]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。
【００８５】
[0100]  上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【００８６】
[0101]  当然のことながら、請求の範囲の解釈には、概要および要約部分ではなく、詳細な説明部分が用いられることが意図されている。概要および要約部分は、本発明者（ら）が考える本発明の１つ以上の例示的な実施形態を記載し得るが、それがすべてではなく、したがって、いかなる意味においても本発明および添付の請求の範囲を限定することを意図していない。
【００８７】
[0102]  これまで、特定の機能の実施およびそれらの関係を示す機能的構成単位を用いて本発明を説明してきた。これらの機能的構成単位の境界は、説明の便宜上、本明細書において任意に定められたものである。かかる特定の機能およびそれらの関係が適切に実行される限り、別の境界を定めることが可能である。
【００８８】
[0103]  特定の実施形態の以上の説明は、本発明の全般的性質を完全に明らかにしているため、当該分野の技術の範囲内の知識を適用することにより、他の者が、本発明の基本概念を逸脱することなく、過度の実験の必要なく容易に、かかる特定の実施形態をさまざまな用途に合わせて変形および／または適合させることができるだろう。したがって、そのような適合および変形は、本明細書に提示された教示および手引きに基づき、開示された実施形態の均等物の意味および範囲内であることが意図される。本明細書中の表現または用語は、限定ではなく説明を目的とするものであり、本明細書の用語または表現は、当業者により上記教示および手引きに照らして解釈されるべきことを理解すべきである。
【００８９】
[0104]  本発明の広さおよび範囲は、上述の例示的な実施形態のいずれによっても限定されるべきでなく、以下の請求の範囲およびその均等物に基づいてのみ画定されるべきである。
【図１】
2017516124.tif 000003
【図２】
2017516124.tif 000004
【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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