(57)【要約】液浸流体を領域に収容するように構成されたリソグラフィ装置用の流体取扱構造。流体取扱構造は、空間の境界において、空間の半径方向外側の方向に少なくとも１つのガスナイフ開口と、空間に対して少なくとも１つのガスナイフ開口の半径方向外側の方向に少なくとも１つのガス供給開口とを有する。ガスナイフ開口及びガス供給開口の両方は、実質的に純粋なＣＯ２ガスを提供して実質的に純粋なＣＯ２ガス環境を空間の近くかつ空間の半径方向外側に提供する。【選択図】図１０
2017538159.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液浸流体を領域に収容するように構成された流体取扱構造を含む液浸システムであって、前記流体取扱構造は、空間の境界において、
前記空間から半径方向外側の方向に少なくとも１つのガスナイフ開口と、
前記空間に対して前記少なくとも１つのガスナイフ開口から半径方向外側の方向に少なくとも１つのガス供給開口とを有し、前記液浸システムは、さらに、
前記少なくとも１つのガスナイフ開口及び前記少なくとも１つのガス供給開口を介して実質的に純粋なＣＯ２ガスを供給して実質的に純粋なＣＯ２ガスの大気を前記空間の近くかつ前記空間の半径方向外側に提供するように構成されたガス供給システムを含む、液浸システム。
【請求項２】
前記ガスは第１ガス速度で前記少なくとも１つのガスナイフ開口から出て、前記ガスは第２ガス速度で前記少なくとも１つのガス供給開口から出て、前記第１ガス速度は前記第２ガス速度より大きい、請求項１に記載の液浸システム。
【請求項３】
前記実質的に純粋なＣＯ２ガスは加湿ＣＯ２ガスである、請求項１又は２に記載の液浸システム。
【請求項４】
液浸流体を領域に収容するように構成された流体取扱構造を含む液浸システムであって、前記流体取扱構造は、空間の境界において、
前記空間から半径方向外側の方向に少なくとも１つのガスナイフ開口と、
前記空間に対して前記少なくとも１つのガスナイフ開口から半径方向外側の方向に少なくとも１つのガス供給開口と、
前記少なくとも１つのガスナイフ開口及び前記少なくとも１つのガス供給開口を介してガスを供給するように構成されたガス供給システムであって、ガスは、前記少なくとも１つのガス供給開口から出るガスより高いガス速度で前記少なくとも１つのガスナイフ開口から出る、ガス供給システムとを有する、液浸システム。
【請求項５】
前記流体取扱構造は、前記空間から半径方向外側の方向へ前記液浸流体が流れるのを防ぐためにメニスカス制御特徴部を含み、前記メニスカス制御特徴部は前記少なくとも１つのガスナイフ開口の半径方向内側にある、請求項１〜４のいずれかに記載の液浸システム。
【請求項６】
前記ガスは第１流速で前記少なくとも１つのガスナイフ開口から出て、前記ガスは第２流速で前記少なくとも１つのガス供給開口から出て、前記第１流速は前記第２流速より大きい、請求項１〜５のいずれかに記載の液浸システム。
【請求項７】
前記流体取扱構造は前記ガス供給システムを含む、請求項１〜６のいずれかに記載の液浸システム。
【請求項８】
前記ガス供給システムは、前記少なくとも１つのガスナイフ開口及び前記少なくとも１つのガス供給開口にガスを提供するために少なくとも１つのガス源を含む、請求項１〜７のいずれかに記載の液浸システム。
【請求項９】
前記ガス供給システムは、第１ガス源と前記少なくとも１つのガスナイフ開口との間に第１経路を含みかつ第２ガス源と前記少なくとも１つのガス供給開口との間に第２経路を含み、前記第２経路は流れ制限部を含み、任意選択として、前記流れ制限部は前記第２経路内の流通エリア内の湾曲部及び／又は縮小部である、請求項８に記載の液浸システム。
【請求項１０】
前記第１ガス源及び前記第２ガス源は同じガス源である、請求項９に記載の液浸システム。
【請求項１１】
前記少なくとも１つのガスナイフ開口及び前記少なくとも１つのガス供給開口は、基板及び／又は基板テーブルに面する前記流体取扱構造の表面上にあり、前記少なくとも１つのガスナイフ開口は、前記少なくとも１つのガス供給開口より前記基板及び／又は前記基板テーブルに近く、及び／又は、前記少なくとも１つのガスナイフ開口は、前記流体取扱構造の前記表面上に、前記少なくとも１つのガス供給開口より小さい表面積を有する、請求項１〜１０のいずれかに記載の液浸システム。
【請求項１２】
前記流体取扱構造は、前記ガスナイフ開口から前記ガス供給開口に、又は前記ガスナイフ開口から前記ガス供給開口にガスを再誘導することによって前記ガスナイフ開口に供給されるガスの量を動的に制御するように構成される、請求項１〜１１のいずれかに記載の液浸システム。
【請求項１３】
液浸システムを含むリソグラフィ装置における基板上に液浸流体を介して投影放射ビームを投影することを含むデバイス製造方法であって、前記液浸システムは、前記液浸流体を領域に収容するように構成された流体取扱構造を含み、前記流体取扱構造は、空間の境界において、
前記空間から半径方向外側の方向に少なくとも１つのガスナイフ開口と、
前記空間に対して前記少なくとも１つのガスナイフ開口から半径方向外側の方向に少なくとも１つのガス供給開口とを有し、前記方法は、
前記少なくとも１つのガスナイフ開口及び前記少なくとも１つのガス供給開口を介して実質的に純粋なＣＯ２ガスを供給して実質的に純粋なＣＯ２ガスの大気を前記空間の近くかつ前記空間の半径方向外側に提供すること、又は、
前記少なくとも１つのガスナイフ開口及び前記少なくとも１つのガス供給開口を介してガスを供給することであって、ガスは、前記少なくとも１つのガス供給開口から出るガスより高いガス速度で前記少なくとも１つのガスナイフ開口から出る、ことを含む、方法。
【請求項１４】
液浸流体を領域に収容するように構成された流体取扱構造を含む液浸システムを備えるリソグラフィ装置であって、前記流体取扱構造は、空間の境界において、
前記空間から半径方向外側の方向に少なくとも１つのガスナイフ開口と、
前記空間に対して前記少なくとも１つのガスナイフ開口から半径方向外側の方向に少なくとも１つのガス供給開口とを有し、前記液浸システムは、さらに、
前記少なくとも１つのガスナイフ開口及び前記少なくとも１つのガス供給開口を介して実質的に純粋なＣＯ２ガスを供給して実質的に純粋なＣＯ２ガスの大気を前記空間の近くかつ前記空間の半径方向外側に提供するように構成されたガス供給システム、又は
前記少なくとも１つのガスナイフ開口及び前記少なくとも１つのガス供給開口を介してガスを供給するように構成されたガス供給システムであって、ガスは、前記少なくとも１つのガス供給開口から出るガスより高いガス速度で前記少なくとも１つのガスナイフ開口から出る、ガス供給システムを含む、リソグラフィ装置。
【請求項１５】
液浸流体を領域に収容するように構成された流体取扱構造であって、前記流体取扱構造は、空間の境界において、
前記空間から半径方向外側の方向に少なくとも１つのガスナイフ開口と、
前記空間に対して前記少なくとも１つのガスナイフ開口から半径方向外側の方向に少なくとも１つのガス供給開口とを有し、
前記少なくとも１つのガス供給開口は、メッシュ、ふるい、多孔質材料及び／又は穴アレイを含む、流体取扱構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願への相互参照
[0001]  本願は、２０１４年１２月１９日に出願した欧州特許出願第１４１９９０８５．３号の優先権を主張し、その全体を本願に参考として組み込む。
【０００２】
[0002]  本発明は、流体取扱構造、リソグラフィ装置及びリソグラフィ装置を用いてデバイスを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。
【０００４】
[0004]  投影システムＰＳの最終要素と基板との間の空間を満たすために比較的高屈折率を有する液体（例えば水）にリソグラフィ投影装置における基板を沈めることが提案されている。ある実施形態では、液体は蒸留水であるが、他の液体を使用することもできる。本発明のある実施形態は液体について記載するが、他の流体、特に、湿潤流体、非圧縮性流体及び/又は空気より高い屈折率、望ましくは水より高い屈折率を有する流体も適切であり得る。ガスを排除する流体は特に望ましい。この目的は、露光放射が液体ではより短い波長を有するため、より小さいフィーチャの結像を可能にすることである。（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を増大させると共に焦点深度を増大させることともみなされる。）中に固体粒子（例えば、石英）が懸濁される水、又はナノ粒子懸濁液（最大１０ｎｍまでの最大寸法を有する粒子）を有する液体を含む他の液浸液も提案されている。懸濁された粒子は、その粒子が懸濁される液体と同様又は同じ屈折率を有しても有さなくてもよい。適切となり得る他の液体としては、芳香族やフッ化炭化水素などの炭化水素及び/又は水溶液が挙げられる。
【０００５】
[0005]  基板又は基板及び基板テーブルを液体の槽に沈める（例えば、米国特許第４，５０９，８５２号を参照）ということは、スキャン露光中に加速される必要がある液体が大量にあるということを意味する。これは追加の又はさらに強力なモータを必要とし、液体内の乱流は望ましくない予測不可能な結果となり得る。
【０００６】
[0006]  液浸装置においては、液浸流体は、液浸システム、デバイス、構造又は装置によって取り扱われる。ある実施形態では、液浸システムは、液浸流体を供給することができ、流体供給システムと呼ぶことができる。ある実施形態では、液浸システムは、液浸流体を少なくとも部分的に閉じ込めてよく、流体閉じ込めシステムと呼ぶことができる。ある実施形態では、液浸システムは、液浸流体に対してバリアを提供してもよく、よって流体閉じ込め構造などのバリア部材と呼ぶ。ある実施形態では、液浸システムは、例えば、液浸流体の流れ及び/又は位置を制御するのに役立たせるためにガス流を生成又は使用する。ガス流は液浸流体を閉じ込めるためのシールを形成することができ、よって液浸システムは、ガス流を提供するためにシール部材と呼ぶことができる流体取扱構造を含んでよい。ある実施形態では、液浸液は液浸流体として使用される。その場合、液浸システムは液体取扱システムであってよい。
【発明の概要】
【０００７】
[0007]  液浸液が液浸システムによって投影システムの下にある表面上の局部に閉じ込められる場合、液浸システムと表面との間にメニスカスが延在する。メニスカスが表面上の小滴と衝突する場合、これは液浸液に気泡が含まれるという結果となり得る。小滴は、様々な理由により、例えば、液浸システムからの漏れにより、表面上に存在し得る。液浸液内の気泡は、例えば、基板の結像中に投影ビームと干渉することによって結像エラーに繋がり得る。
【０００８】
[0008]  例えば、気泡含有の可能性が少なくとも減少されるリソグラフィ装置を提供することが望ましい。
【０００９】
[0009]  本発明では、液浸流体を流体取扱構造の外部の領域に収容するように構成された流体取扱構造を含む液浸システムが提供され、流体取扱構造は、空間の境界において、空間から半径方向外側の方向に少なくとも１つのガスナイフ開口と、空間に対して少なくとも１つのガスナイフ開口から半径方向外側の方向に少なくとも１つのガス供給開口とを有し、液浸システムは、さらに、少なくとも１つのガスナイフ開口及び少なくとも１つのガス供給開口を介して実質的に純粋なＣＯ２ガスを供給して実質的に純粋なＣＯ２ガスの大気を空間の近くかつ空間の半径方向外側に提供するように構成されたガス供給システムを含む。
【００１０】
[0010]  本発明では、液浸システムを含むリソグラフィ装置における基板上に液浸流体を介して投影放射ビームを投影することを含むデバイス製造方法が提供され、液浸システムは、液浸流体を流体取扱構造の外部の領域に収容するように構成された流体取扱構造を含み、流体取扱構造は、空間の境界において、空間から半径方向外側の方向に少なくとも１つのガスナイフ開口と、空間に対して少なくとも１つのガスナイフ開口から半径方向外側の方向に少なくとも１つのガス供給開口とを有し、この方法は、少なくとも１つのガスナイフ開口及び少なくとも１つのガス供給開口を介して実質的に純粋なＣＯ２ガスを供給して実質的に純粋なＣＯ２ガスの大気を空間の近くかつ空間の半径方向外側に提供することを含む。
【００１１】
[0011]  本発明では、液浸流体を流体取扱構造の外部の領域に収容するように構成された流体取扱構造を含む液浸システムを備えるリソグラフィ装置が提供され、流体取扱構造は、空間の境界において、空間から半径方向外側の方向に少なくとも１つのガスナイフ開口と、空間に対して少なくとも１つのガスナイフ開口から半径方向外側の方向に少なくとも１つのガス供給開口とを有し、液浸システムは、さらに、少なくとも１つのガスナイフ開口及び少なくとも１つのガス供給開口を介して実質的に純粋なＣＯ２ガスを供給して実質的に純粋なＣＯ２ガスの大気を空間の近くかつ空間の半径方向外側に提供するように構成されたガス供給システムを含む。
【００１２】
[0012]  本発明では、液浸流体を領域に収容するように構成された流体取扱構造を含む液浸システムが提供され、流体取扱構造は、空間の境界において、空間から半径方向外側の方向に少なくとも１つのガスナイフ開口と、空間に対して少なくとも１つのガスナイフ開口から半径方向外側の方向に少なくとも１つのガス供給開口と、少なくとも１つのガスナイフ開口及び少なくとも１つのガス供給開口を介してガスを供給するように構成されたガス供給システムであって、ガスは、少なくとも１つのガス供給開口から出るガスより高いガス速度で少なくとも１つのガスナイフ開口から出る、ガス供給システムとを有する。
【００１３】
[0013]  本発明では、液浸システムを含むリソグラフィ装置における基板上に液浸流体を介して投影放射ビームを投影することを含むデバイス製造方法が提供され、液浸システムは、液浸流体を流体取扱構造の外部の領域に収容するように構成された流体取扱構造を含み、流体取扱構造は、空間の境界において、空間から半径方向外側の方向に少なくとも１つのガスナイフ開口と、空間に対して少なくとも１つのガスナイフ開口から半径方向外側の方向に少なくとも１つのガス供給開口とを有し、この方法は、少なくとも１つのガスナイフ開口及び少なくとも１つのガス供給開口を介してガスを供給することであって、ガスは、少なくとも１つのガス供給開口から出るガスより高いガス速度で少なくとも１つのガスナイフ開口から出る、ことを含む。
【００１４】
[0014]  本発明では、液浸流体を流体取扱構造の外部の領域に収容するように構成された流体取扱構造を含む液浸システムを備えるリソグラフィ装置が提供され、流体取扱構造は、空間の境界において、空間から半径方向外側の方向に少なくとも１つのガスナイフ開口と、空間に対して少なくとも１つのガスナイフ開口から半径方向外側の方向に少なくとも１つのガス供給開口とを有し、液浸システムは、さらに、少なくとも１つのガスナイフ開口及び少なくとも１つのガス供給開口を介してガスを供給するように構成されたガス供給システムであって、ガスは、少なくとも１つのガス供給開口から出るガスより高いガス速度で少なくとも１つのガスナイフ開口から出る、ガス供給システムを含む。
【００１５】
[0015]  本発明では、液浸流体を領域に収容するように構成された流体取扱構造が提供され、流体取扱構造は、空間の境界において、空間から半径方向外側の方向に少なくとも１つのガスナイフ開口と、空間に対して少なくとも１つのガスナイフ開口から半径方向外側の方向に少なくとも１つのガス供給開口とを有し、少なくとも１つのガス供給開口はメッシュを含む。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
[0016]  本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【図１】[0017]  図１は、本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す。
【図２】[0018]  図２は、リソグラフィ投影装置で用いる液浸システムを示す。
【図３】[0018]  図３は、リソグラフィ投影装置で用いる液浸システムを示す。
【図４】[0019]  図４は、リソグラフィ投影装置で用いるさらなる液浸システムの断面図を示す。
【図５】[0020]  図５は、リソグラフィ投影装置で用いる液浸システムの平面図を示す。
【図６】[0021]  図６は、リソグラフィ投影装置で用いる液浸システムの平面図を示す。
【図７】[0022]  図７は、特定の接触角という結果となる表面上の小滴に作用する力の断面図を示す。
【図８】[0023]  図８は、臨界スキャン速度対液浸液のｐＨのグラフである。
【図９】[0024]  図９は、リソグラフィ投影装置で用いるさらなる液浸システムの断面図を示す。
【図１０】[0025]  図１０は、リソグラフィ装置で用いる液浸システムの断面図を示す。
【図１１】[0026]  図１１は、リソグラフィ装置で用いる液浸システムの断面図を示す。
【図１２】[0027]  図１２は、リソグラフィ装置で用いる液浸システムの断面図を示す。
【図１３】[0028]  図１３は、リソグラフィ装置で用いる液浸システムの断面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
[0029]  図１は、本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、
‐投影ビームＢを調整するように構成されたイルミネータ（又は照明システムと呼ぶ）ＩＬであって、投影ビームＢは放射ビーム（例えば、ＵＶ放射、ＤＵＶ放射又は他の適切な放射）である、イルミネータＩＬと、
‐パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構築され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されたサポート構造（例えば、マスクサポート構造／マスクテーブル）ＭＴと、
‐基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、かつ特定のパラメータに従って基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２位置決めデバイスＰＷに連結されたサポートテーブル、例えば、１つ以上のセンサを支持するセンサテーブル及び／又は基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴ又は「基板サポート」と、
‐パターニングデバイスＭＡによって投影ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備える。
【００１８】
[0030]  イルミネータＩＬとしては、放射を誘導し、整形し、又は制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００１９】
[0031]  サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの重量を支えるなどしてパターニングデバイスＭＡを支持する。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの向き、リソグラフィ装置の設計、及び、パターニングデバイスＭＡが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造ＭＴは、機械式、真空式、静電式又はその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスＭＡを保持することができる。サポート構造ＭＴは、例えば、必要に応じて固定又は可動式にすることができるフレーム又はテーブルであってもよい。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを、例えば、投影システムＰＳに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」又は「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
【００２０】
[0032]  本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃ内にパターンを作り出すように、投影ビームＢの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、投影ビームＢに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板Ｗのターゲット部分Ｃ内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、投影ビームＢに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分Ｃ内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。
【００２１】
[0033]  パターニングデバイスＭＡは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型(alternating)位相シフト、及びハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、並びに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビーム（例えば、投影ビームＢ）を様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される投影ビームＢにパターンを付ける。
【００２２】
[0034]  本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用又は真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、及び静電型光学系、又はそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムＰＳを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
【００２３】
[0035]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、上述のプログラマブルミラーアレイを採用しているもの、又は反射型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００２４】
[0036]  リソグラフィ装置は、投影システムＰＳの性質を測定するセンサなどの測定機器を保持するように配置された測定テーブル（図１に示していない）を含むことができる。ある実施形態では、測定テーブルは、基板Ｗを保持するように構成されていない。リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上のテーブル（又はステージ又はサポート）、例えば、２つ以上の基板テーブルＷＴ、又は１つ以上の基板テーブルＷＴ及び１つ以上のセンサ又は測定テーブルの組み合わせを有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、多数のテーブルは並行して使うことができ、又は予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。リソグラフィ装置は、基板テーブルＷＴ、センサテーブル及び測定テーブルと同じような方法で並行して使うことができる２つ以上のパターニングデバイステーブル（又はステージ又はサポート）、例えば、2つ以上のサポート構造ＭＴを有してよい。
【００２５】
[0037]  図１ａを参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから投影ビームＢを受ける。例えば、放射源ＳＯがエキシマレーザである場合、放射源ＳＯとリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また投影ビームＢは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００２６】
[0038]  イルミネータＩＬは、投影ビームＢの角強度分布を調節するように構成されたアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータＩＬの瞳面内の強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（通常、それぞれσ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータＩＬを使って投影ビームＢを調整すれば、投影ビームの断面に所望の均一性及び強度分布をもたせることができる。放射源ＳＯと同様に、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとみなされても又はみなされなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置の一体部分であっても、又はリソグラフィ装置とは別個の構成要素であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置は、その上にイルミネータＩＬを設置することができるように構成されてよい。あるいは、イルミネータＩＬは、取り外し可能であって（例えば、リソグラフィ装置製造業者又は別の供給者によって）別途提供されてもよい。
【００２７】
[0039]  投影ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスＭＡによってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡを通り抜けた後、投影ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に投影ビームＢの焦点をあわせる。第２位置決めデバイスＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを投影ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１位置決めデバイスＰＭ及び別の位置センサ（図１には明示的に示されていない）を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後又はスキャン中に、パターニングデバイスＭＡを投影ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。
【００２８】
[0040]  通常、サポート構造ＭＴの移動は、第１位置決めデバイスＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２位置決めデバイスＰＷの一部を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを使って達成することができる。ロングストロークモジュールは、ショートストロークモジュールを限定された精度で長い範囲にわたって移動させるように配置される。ショートストロークモジュールは、サポート構造ＭＴ及び／又は基板テーブルＷＴを高い精度でロングストロークモジュールに対して短い範囲にわたって移動させるように配置される。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、サポート構造ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、又は固定されてもよい。
【００２９】
[0041]  パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１及びＭ２と、基板アライメントマークＰ１及びＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークＰ１及びＰ２をターゲット部分Ｃとターゲット部分Ｃとの間の空間内に置くこともできる。ターゲット部分Ｃとターゲット部分Ｃとの間に配置されたマークは、スクライブラインアライメントマークとして公知である。同様に、複数のダイがパターニングデバイスＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークＭ１及びＭ２は、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００３０】
[0042]  例示のリソグラフィ装置は、以下の使用モードのうち少なくとも１つのモードで基板Ｗを露光するために使用できる。
【００３１】
[0043]  １．ステップモードにおいては、サポート構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、投影ビームＢに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘ及び／又はＹ方向（すなわち、ステップ方向）に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
【００３２】
[0044]  ２．スキャンモードにおいては、サポート構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、投影ビームＢに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率及び像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分Ｃの幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分Ｃの高さ（スキャン方向）が決まる。
【００３３】
[0045]  ３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、又はスキャンする一方で、投影ビームＢに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が放射源ＳＯとして採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、又はスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３４】
[0046]  上述の使用モードの組合せ及び／又はバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００３５】
[0047]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターン及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった、マイクロスケールやナノスケールのフィーチャを有する構成部品の製造における他の用途を有し得ることが理解されるべきである。
【００３６】
[0048]  投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間に液体を提供するための構成は、液浸システムの３つの一般的なカテゴリに分類することができる。これらは浴式構成、局所液浸システム及びオールウェット(all wet)液浸システムを含む。
【００３７】
[0049]  浴式構成では、基板Ｗの実質的に全体及び任意選択として基板テーブルＷＴの一部が液体浴に沈められる。
【００３８】
[0050]  局所液浸システムは、液体が基板Ｗの局部にのみ提供される液体供給システムを使用する。液体によって満たされた領域は、平面において基板Ｗの上面より小さく、液体で満たされた領域は、投影システムＰＳに対して実質的に静止しているままである一方、基板Ｗはその領域の下で移動する。図２〜図６及び図９〜図１３は、そのような液体供給システムとして用いることができる様々な液浸システムを示している。液体を局部に密閉させるためにメニスカス制御特徴部が存在する。この構成のために提案されている一方法は、ＰＣＴ特許出願公開公報第９９/４９５０４号に開示されている。メニスカス制御特徴部は、メニスカス固定特徴部であってもよい。
【００３９】
[0051]  液体は、全てのウェット構成において閉じ込められている。基板Ｗの上面全体及び基板テーブルＷＴの全て又は一部は液浸液で覆われている。少なくとも基板Ｗを覆う液体の深さは小さい。液体は、基板Ｗ上の液体の膜、例えば、薄膜であってよい。液浸液は、投影システムＰＳ及び投影システムＰＳに面する接面（このような接面は基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの表面であってよい）の領域に又はその中に供給されてよい。図２又は図３のいずれの液体供給デバイスもこのような液体供給システムで用いることができるが、メニスカス制御特徴部が存在しないか、起動されないか、通常のように効率的ではないか、又は、局部にのみ液体を封止するのに効果的ではない。
【００４０】
[0052]  図２は、投影システムＰＳの最終要素と基板テーブルＷＴ又は基板Ｗとの間の空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延びる流体取扱構造１２（液体閉じ込め構造とも呼ぶ）を有する液浸システム（局所液体供給システム又は流体取扱システムとも呼ぶ）を概略的に示している。（特に明記しない限り、基板Ｗの表面に関する以下の記載は、基板テーブルＷＴの表面を加えたもの又はその代替のものも意味することに留意されたい。）ある実施形態では、シールが流体取扱構造１２と基板Ｗの表面との間に形成され、そのシールはガスシール１６（そのようなガスシールを用いるシステムは欧州特許出願公開公報第ＥＰ−Ａ−１，４２０，２９８号に開示されている）などの非接触シールであってよい。シールは、メニスカス制御特徴部によって提供することができる。
【００４１】
[0053]  流体取扱構造１２は、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１に液体を少なくとも部分的に収容する。空間１１は、投影システムＰＳの最終要素の下及び周りに位置決めされた流体取扱構造１２によって少なくとも部分的に形成される。液体は、開口１３によって投影システムＰＳの下及び流体取扱構造１２内の空間１１へと運ばれる。開口１３によって液体を除去することができる。液体が開口１３によって空間１１に運ばれるか又は空間１１から除去されるかは、基板Ｗ及び基板テーブルＷＴの動きの方向によって決めることができる。
【００４２】
[0054]  液体は、使用中に流体取扱構造１２の底面と基板Ｗの表面との間に形成されるガスシール１６によって空間１１に収容されてよい。ガスシール１６内のガスは、加圧下で入口１５を介して流体取扱構造１２と基板Ｗとの間のギャップに提供される。ガスは出口１４が結合されたチャネルを介して抽出される。ガス入口１５への過剰圧力、出口１４の真空レベル及びギャップの幾何学的形状は、液体を閉じ込める内側方向の高速ガス流が存在するように構成される。流体取扱構造１２と基板Ｗとの間で液体にかかるガスの力が、液体を空間１１内に収容する。このようなシステムは、本明細書中にその全容が組み込まれる米国特許出願公開第２００４−０２０７８２４号に開示されている。
【００４３】
[0055]  図３は、ある実施形態によるさらなる液浸システムを示す横断面図である。図３に示す以下に説明する構成は、図１に示す上記したリソグラフィ装置にも適用することができる。液体供給システムには、投影システムＰＳの最終要素と基板テーブルＷＴ又は基板Ｗとの間の空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延びる流体取扱構造１２が設けられる。（特に明記しない限り、基板Ｗの表面に関する以下の記載は、基板テーブルＷＴの表面を加えたもの又はその代替のものを意味することに留意されたい。）
【００４４】
[0056]  流体取扱構造１２は、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１に液体を少なくとも部分的に収容する。空間１１は、投影システムＰＳの最終要素の下及び周りに位置決めされた流体取扱構造１２によって少なくとも部分的に形成される。ある実施形態では、流体取扱構造１２は、本体部材５３及び多孔質部材８３を含む。多孔質部材８３は、板状であって複数の穴（すなわち、開口又は孔）を有する。ある実施形態では、多孔質部材８３はメッシュ板であって、多数の小さい穴８４がメッシュに形成される。このようなシステムは、本明細書中にその全容が組み込まれる米国特許出願公開第ＵＳ２０１０/００４５９４９号明細書に開示されている。
【００４５】
[0057]  本体部材５３は、液体を空間１１に供給することができる供給ポート７２及び液体を空間１１から回収することができる回収ポート７３を含む。供給ポート７２は、通路７４を介して液体供給装置７５に接続される。液体供給装置７５は、液体を供給ポート７２に供給することができる。液体供給装置７５から供給される液体は、対応する通路７４を通って各供給ポート７２に供給される。供給ポート７２は、光路に面する本体部材５３の所定の位置において光路付近に配置される。回収ポート７３は、液体を空間１１から回収することができる。回収ポート７３は、通路７９を介して液体供給装置８０に接続される。液体回収装置８０は、真空システムを含み、回収ポート７３を介して液体を吸引することによって液体を回収することができる。液体回収装置８０は、回収ポート２３を介し通路２９を通って回収された液体ＬＱを回収する。多孔質部材８３は、回収ポート７３に配置される。
【００４６】
[0058]  ある実施形態では、一方側で投影システムＰＳと流体取扱構造１２との間に、他方側で投影システムＰＳと基板Ｗとの間に液体を有する空間１１を形成するために、液体が供給ポート７２から空間１１に供給され、流体取扱構造１２における回収チャンバ８１内の圧力は、多孔質部材８３の穴８４（すなわち、回収ポート７３）を介して液体を回収するために負圧に調節される。供給ポート７２を用いて液体供給動作を行い、多孔質部材８３を用いて液体回収動作を行うことにより、一方側で投影システムＰＳと流体取扱構造１２との間に、他方側で投影システムＰＳと基板Ｗとの間に空間１１を形成する。
【００４７】
[0059]  図４は、液浸システム（液体供給システムなど）の一部である流体取扱構造１２を示している。流体取扱構造１２は、投影システムＰＳの最終要素の周辺部（例えば、円周）に延びる。流体取扱構造１２は、領域に液浸液を収容するように構成される。領域は、流体取扱構造１２の外側にあってよい。領域は、投影システムＰＳの最終要素と基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴとの間にあってもよい。流体取扱構造１２は、液浸液を収容するために少なくとも１つのメニスカス制御特徴部を含んでよい。
【００４８】
[0060]  部分的に空間１１を定める表面内の複数の開口２０は、液体を空間１１に提供する。液体は、空間１１に入る前に、チャンバ２４及び２６のそれぞれを通って、側壁２８及び２２内の開口２９及び２０のそれぞれを通過する。
【００４９】
[0061]  流体取扱構造１２の底面と接面、例えば、基板Ｗの上面若しくは基板テーブルＷＴの上面又はその両方との間にシールが設けられる。接面は、流体取扱構造１２の底に面する表面である。図４では、流体取扱構造１２は、非接触シールを提供するように構成され、いくつかの構成部品から形成される。投影システムＰＳの光軸から半径方向外側には、空間１１内へと延びる（任意の）流れ制御プレート５１が設けられる。制御プレート５１は、液体が中を通って流れることができる開口５５を有してよい。制御プレート５１がＺ方向（例えば、投影システムＰＳの光軸と平行）にずれた場合、開口５５は有用となり得る。接面に面する（例えば、反対側の）流体取扱構造１２の底面の流れ制御プレート５１の半径方向外側に開口１８０があってよい。開口１８０は、接面に向かう方向に液体を提供することができる。これは、結像中、基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間のギャップを液体で満たすことによって液浸液内に気泡が形成されることを防止することに有用となり得る。
【００５０】
[0062]  開口１８０の半径方向外側に、流体取扱構造１２と接面との間から液体を抽出する抽出器アセンブリ７０があってよい。抽出器アセンブリ７０は、単相又は二相抽出器として動作することができる。抽出器アセンブリ７０は、メニスカス制御特徴部として機能する。
【００５１】
[0063]  抽出器アセンブリ７０の半径外側にガスナイフがある。図４に示すように、ガスナイフを提供するために少なくとも１つのガスナイフ開口２１０が、抽出器アセンブリ７０から半径方向外側の方向に設けられてよい。ガスナイフ開口２１０は、抽出器アセンブリ７０の端部と実質的に平行であってよい。ある実施形態では、ガスナイフ開口２１０は、抽出器アセンブリ７０の端部に沿って設けられた一連の個別のアパーチャであってよい。使用中、ガスナイフ開口２１０は、過圧に接続され、抽出器アセンブリ７０によって形成されたメニスカス制御特徴部を囲うガスナイフを形成する。ガスナイフ開口２１０は、平面図において、メニスカス制御特徴部に隣接して空間１１に対して半径方向外側の方向にあってよい。抽出器アセンブリ７０及びガスナイフの構成は、本明細書中にその全容が組み込まれる米国特許出願公開第２００６−０１５８６２７号に詳細に開示されている。
【００５２】
[0064]  ある実施形態では、抽出器アセンブリ７０は、本明細書中にその全容が組み込まれる米国特許出願公開第２００６−００３８９６８号に開示されているような液体除去デバイス、抽出器又は入口を含み得る単相抽出器である。ある実施形態では、メニスカス制御特徴部は超小型ふるいを含む。ある実施形態では、抽出器アセンブリ７０は、液体をガスと分けて単液相の液体抽出を可能にするために使用される多孔質材料１１１で覆われた入口を含む。多孔質材料１１１は、超小型ふるいであってもよい。多孔質材料１１１の穴に形成されたメニスカスが抽出器アセンブリ７０のチャンバ１２１内に雰囲気ガスが引き込まれることを防止するようにチャンバ１２１内の負圧が選択される。しかし、多孔質材料１１１の表面が液体と接触した場合、流れを制限するメニスカスがなく、液体は抽出器アセンブリ７０のチャンバ１２１内へと自由に流れることができる。
【００５３】
[0065]  図４には具体的に示していないが、流体取扱構造１２は、液位の変化に対処する構成を有してよい。これによって、投影システムＰＳと流体取扱構造１２との間に蓄積する液体が漏れないように対処される。この液体への対処の一方法は、流体取扱構造１２の少なくとも一部に疎液性（例えば、疎水性）コーティングを設けることである。
【００５４】
[0066]  流体取扱構造１２を有する別の局所液浸システムは、ガスドラッグの原理を利用する。いわゆるガスドラッグの原理は、例えば、米国特許出願公開第２００８−０２１２０４６号、同２００９−０２７９０６０号及び同２００９−０２７９０６２号に記載されている。その局所液浸システムには、抽出孔は、角を有することが望ましい形状に構成される。抽出孔は、二相抽出器を提供するために用いられてよい。角は、ステップ方向又はスキャン方向などといった好ましい移動方向と並んでいてよい。これは、２つの開口が好ましい方向と垂直に位置合わせされた場合と比べ、好ましい方向の所定の速度に対して、流体取扱構造１２の表面内の２つの開口間のメニスカスに対する力を減少させる。しかし、本発明のある実施形態は、平面図において任意の形状を有するか又は出口が任意の形状を有する構成部品を有する流体取扱構造１２に適用されてよい。非制限の形状の例としては、円などの楕円、長方形などの直線形状、例えば正方形、又は、ひし形や例えば、図５に示すように、４つ以上の突起をもつ星形などのように４つより多い角を有する形状などの平行四辺形が挙げられる。
【００５５】
[0067]  図５は、本発明の実施形態が関連し得るガスドラッグの原理を用いた出口を有し得る流体取扱構造１２を含む液浸システムのメニスカス制御特徴部を概略的に平面図で示す。メニスカス制御特徴部のフィーチャが示されており、これらは、例えば、図２の入口１５及び出口１４によって提供されたガスシール１６で示されるメニスカス制御特徴部又は少なくとも図４に示す抽出器アセンブリ７０を置き換え得る。図５のメニスカス制御特徴部は、抽出器、例えば、二相抽出器の形を有する。メニスカス制御特徴部は、複数の個別の開口５０を含む。各開口５０は円形として示されているが、必ずしもこの限りではない。実際には、形状は重要ではなく、１つ以上の開口５０は、円形、楕円形、直線形状（例えば、四角形又は長方形）、三角形等から選択される１つ以上であってもよく、また、１つ以上の開口は長形であってもよい。
【００５６】
[0068]  開口５０の半径方向内側には、メニスカス制御特徴部がない場合がある。メニスカスは、開口５０内へと流れるガスによって誘導されるドラッグ力を用いて開口５０間に固定される。約１５ｍ／ｓより高い、望ましくは約２０ｍ／ｓより高いガスドラッグ速度が十分である。基板Ｗからの液体蒸発の量を減少させることができ、それによって液体のはね及び熱膨張／熱収縮影響の両方を減少させる。
【００５７】
[0069]  流体取扱構造の底面には様々な形状が可能である。例えば、米国特許出願公開第２００４−０２０７８２４号及び２００９年５月２６日に出願された米国特許出願第６１／１８１，１５８号に開示されたあらゆる構造を、本発明の実施形態に用いることができる。
【００５８】
[0070]  図５から分かるように、空間１１に対して、少なくとも１つのガスナイフ開口２１０を開口５０の外側に設けてガスナイフを提供することができる。ガスナイフ開口２１０は、メニスカス制御特徴部の開口５０を接続する線と実質的に平行であってよい。ある実施形態では、ガスナイフ開口２１０は、形状の側面５４に沿って設けられた一連の個別のアパーチャであってもよい。使用中、ガスナイフ開口２１０は、過圧に接続されて開口５０によって形成されるメニスカス制御特徴部を囲うガスナイフ（図４のガスナイフ開口２１０によって提供されるガスナイフと同等）を形成する。ガスナイフ開口２１０は、メニスカス制御特徴部と隣接しており、平面図において空間１１に対して半径方向外側の方向にある。
【００５９】
[0071]  本発明の実施形態におけるガスナイフは、基板Ｗ又は基板テーブルＷＴなどの接面に残っているあらゆる液体膜の厚みを減少させる働きをする。ガスナイフは、液体膜が小滴へと分解される代わりに液体が開口５０に向かって動かされて抽出されることを確実にする。ある実施形態では、ガスナイフは、膜の形成を防止するように動作する。これを達成するために、ガスナイフの中心線とメニスカス制御開口５０の中心線との間の距離は、１．５ｍｍ〜４ｍｍの範囲、望ましくは２ｍｍ〜３ｍｍの範囲にあることが望ましい。ガスナイフが配置されるラインは、通常、隣接する開口５０とガスナイフ開口２１０との間の距離が上記の範囲内となるように開口５０のラインを辿る。望ましくは、ガスナイフ開口２１０が配置されるラインは、開口５０のラインと平行である。隣接する開口５０とガスナイフ開口２１０との間の一定の離隔距離を保つことが望ましい。ある実施形態では、これは、ガスナイフの各中心線の長さに沿って望ましいことである。ある実施形態では、角を有する形状の１つ以上の角の領域内に一定の離隔距離があってもよい。
【００６０】
[0072]  図２〜図５を参照して上記した局所液浸システムは、空間１１内に気泡が含まれるということを欠点とし得る。上記から分かるように、メニスカス３２０は、流体取扱構造１２と流体取扱構造１２の下の接面（例えば、基板Ｗの上面）との間に延在する。図２及び図４に示すメニスカス３２０は、空間１１の端部を定める。メニスカス３２０及び小滴、例えば、空間１１から漏れた液体の小滴が表面上に衝突した場合、ガスの気泡が空間１１内に含まれ得る。ガスの気泡は結像エラーに繋がり得るため、空間１１に気泡が含まれることは不利益である。
【００６１】
[0073]  ある状況下では、小滴が表面上に残る可能性が高い。例えば、液浸システム（特に、流体取扱構造１２）が基板Ｗの縁部の上に配置されていて液浸システム／流体取扱構造１２と基板Ｗとの間に相対運動がある場合、小滴が表面上に残り得る。別の例では、液浸システム（特に、流体取扱構造１２）が流体取扱構造１２に面した接面の高さの段階状変化の上に配置されかつ流体取扱構造１２と接面との間に相対運動がある場合、小滴が残り得る。別の例では、例えば、接面の臨界スキャン速度を超えることによってメニスカスが不安定になった場合、流体取扱構造１２と接面との間の相対速度が高くなり過ぎることによって小滴が残り得る。流体取扱構造１２と投影システムＰＳとの間に延在する図２及び図４に示すメニスカス４００における空間１１内に気泡が含まれてもよい。ここで、投影システムＰＳと流体取扱構造１２との間からガスを一緒に運ぶ、流体取扱構造１２の半径方向内側の接面上にある液体入口（例えば、図２の入口１３及び図４の入口２０）から供給される液体によってガスの気泡が生成され得る。
【００６２】
[0074]  気泡が含まれるという問題に対処する方法は、流体取扱構造１２の閉じ込め性質を高めることに的をしぼっていた。例えば、流体取扱構造１２と接面との間の相対速度は、液体がこぼれることを防ぐために低下された。
【００６３】
[0075]  非常に小さいガスの気泡は、空間１１の露光領域に到達する前に液浸液に溶解し得る。本発明のある実施形態は、溶解速度が捕捉ガスの種類及び液浸液特性に依存するという事実を用いる。
【００６４】
[0076]  通常、二酸化炭素の気泡は、空気の気泡より速く溶解する。窒素の溶解度より５５倍大きい溶解度及び窒素の拡散率より０．８６倍の拡散率を有するＣＯ２の気泡は、通常、窒素と同じサイズの気泡が溶解するための時間より３７倍短い時間で溶解する。メニスカス３２０又は４００の近くにＣＯ２を供給することは、より低い拡散率を有する他のガスが使用された場合よりかなり速くＣＯ２ガスの気泡が液浸液に溶解することを意味する。したがって、本発明におけるＣＯ２の使用は、結像欠陥の数を減少させ、それによって、より高いスループット（例えば、流体取扱構造１２に対する基板Ｗの高い速度）及びより低い欠陥率を可能にする。
【００６５】
[0077]  したがって、本発明は、実質的に純粋なＣＯ２ガスを空間１１の近くの領域に（例えば、容積に又はある領域に向かって）供給するガスナイフを提供することができる。特に、ＣＯ２ガスは、（例えば、基板Ｗ又は基板テーブルＷＴ上の）接面と流体取扱構造１２との間に延在するメニスカス３２０の近くの領域に存在するように提供される。
【００６６】
[0078]  二酸化炭素は、容易に利用できて他の目的のために液浸システムで使用することができるため望ましい。二酸化炭素は、２０℃の水及び全圧１ａｔｍにおいて、１．６９×１０−３ｋｇ／ｋｇ又は３７×１０−３ｍｏｌ／ｋｇの溶解度を有する。他のガスは、１つ以上の不利な点を有することがあり、例えば、他のガスは、液浸リソグラフィ装置内の構成要素に反応し及び／又は有毒であり、したがって、二酸化炭素より取り扱うのが難しくあまり望ましくはない。
【００６７】
[0079]  ガス状ＣＯ２を用いることにより、液体の小滴と衝突するメニスカス３２０に付随する問題を減らすことができる。通常、３００マイクロメートルの小滴は、直径３０マイクロメートル（すなわち、１／１０のサイズ）の気泡を生成する。そのような二酸化炭素の気泡は、通常、露光エリアに到達する前に液浸液に溶解し、小滴によって引き起こされる問題をあまり重要でなくならせることができる。したがって、液浸システムは、空間１１から漏れた液浸液と影響し合うことに対してより高い耐性を有する。
【００６８】
[0080]  二酸化炭素ガスは、少なくとも１つのガス供給開口２２０を通っても提供される。ガス供給開口２２０は、ガスナイフ開口２１０（及び図４の抽出器７０又は図５の出口５０などのメニスカス制御特徴部）の半径方向外側、すなわち、平面図において空間１１に対して半径方向外側の方向にある。図４、図５、図６、図１０、図１１、図１２及び図１３に示すように、少なくとも１つのガス供給開口２２０は、少なくとも１つのガスナイフ開口２１０に隣接していてよい。
【００６９】
[0081]  実質的に純粋なＣＯ２ガスを提供するためのガスナイフ開口２１０及び実質的に純粋なＣＯ２ガスを提供するためのガス供給開口２２０を設けることは、実質的に純粋なＣＯ２の大気を空間１１の近くかつ空間１１の半径方向外側に提供できることを意味する。空間１１の近くかつ半径方向外側の大気は、ＣＯ２ガスほど容易に溶解しないガスを多く含まない。
【００７０】
[0082]  本明細書中に記載した本発明では、実質的に純粋なＣＯ２ガス大気が液浸液のメニスカス３２０の周りに形成されることにより、液浸液内へのあらゆるＣＯ２ガスの含有は液浸液で溶解するガス含有をもたらす。ある実施形態では、実質的に純粋なＣＯ２ガスの大気は少なくとも９０％ＣＯ２ガスである。ある実施形態では、実質的に純粋なＣＯ２ガスの大気は少なくとも９５％ＣＯ２ガスである。ある実施形態では、実質的に純粋なＣＯ２ガスの大気は少なくとも９９％ＣＯ２ガスである。ある実施形態では、実質的に純粋なＣＯ２ガスの大気は少なくとも９９．５％ＣＯ２ガスである。ある実施形態では、実質的に純粋なＣＯ２ガスの大気は少なくとも９９．９％ＣＯ２ガスである。実質的に純粋なＣＯ２ガス大気が達成可能な限り高いＣＯ２ガス含有量を有することが好ましい。
【００７１】
[0083]  リソグラフィ装置に二酸化炭素ガスを提供することに対する問題は、いくつかの構成要素、例えば、基板テーブルＷＴの位置測定システムの構成要素が、二酸化炭素大気において性能低下を有するということである。本発明では、純粋な二酸化炭素環境がスキャン中にメニスカス３２０の近くに確実に存在する。これを達成するために、例えば、図５の実施形態では、ガスナイフ開口２１０及びガス供給開口２２０から出る二酸化炭素の流量が開口５０を介して抽出されるＣＯ２の量より大きいことが必要であり得る。これにより、過量の二酸化炭素が流体取扱構造１２の下から機械の周囲、特に、基板テーブルＷＴの位置測定システムの構成要素に向かって漏れるという結果となり得る。
【００７２】
[0084]  本発明のある実施形態では、過量の二酸化炭素が流体取扱構造１２の下から漏れないことを確実とするために、少なくとも１つのガス回収開口６１が、１つ以上のメニスカス制御特徴部、図６に示すガスナイフ開口２１０及びガス供給開口２２０の半径方向外側に設けられる。ガス回収開口６１は、あらゆる実施形態に対して設けられてよい。ガス回収開口６１は、二相抽出器を含んでよい。例えば、二相抽出器は、およそ４０〜８０Ｎｌ／分の抽出流速を有し得るが、これは、装置によって変わり得る。このようにして、二酸化炭素の環境は、メニスカス制御特徴部の半径方向外側に提供することができ、それによって、空間１１内への気泡含有を減少させる。さらに、リソグラフィ装置の発生し得る汚染又は構成要素の機能の停止を減少又は防止することができる。
【００７３】
[0085]  メニスカス３２０の近くに実質的に純粋な二酸化炭素の大気を提供する利点は、二酸化炭素がメニスカス制御特徴部の開口５０の下のメニスカス３２０における液浸液に溶解し得ることである。これにより、メニスカス３２０における液浸液が僅かに酸性（ｐＨの低下）という結果となる。液浸液がより酸性となった場合、これは、Ｈ３Ｏ＋イオンの存在を増加させる。Ｈ３Ｏ＋イオン数の増加は、固液表面エネルギー（γＳＬ）の減少という結果となる。固気表面エネルギー（γＳＧ）は変化せず、液ガス表面エネルギー（γＳＬ）も変化しない。したがって、固液表面エネルギーの変化は、３つの表面エネルギー間の平衡状態を影響する。液体メニスカス内の表面張力、特に、固体表面とのインターフェースに向かう表面張力は影響される。表面エネルギーの変化の結果としての表面張力の方向の変化を図７に示している。図７は、表面３１０上の小滴３００の接触角θｃを示している。３つの表面エネルギーと接触角との関係を以下の式で示している。
γＬＧｃｏｓθｃ＝γＳＧ−γＳＬ
【００７４】
[0086]  この式によると、固液電気表面エネルギー（γＳＬ）の減少は、接触角θｃの増大という結果となる。特に、メニスカス３２０における液体と接面との間の接触角θｃの増大は、メニスカス制御特徴部（例えば、開口５０）の性能の向上という結果となる。したがって、流体取扱構造１２と接面との間の高い速度は、メニスカス制御特徴部を越えて液浸空間１１から液体が失われる前に達成することができる。
【００７５】
[0087]  図８は、ｘ軸に沿って液浸液のｐＨを、及びｙ軸に沿って液体損失の前の臨界スキャン速度を示すグラフである。このグラフは、米国カリフォルニア州のＪＳＲ  Ｍｉｃｒｏ社から入手可能であるＴＣＸ０４１のトップコートを有する特定のタイプの流体取扱構造及び基板Ｗのためのものである。
【００７６】
[0088]  図８は、液浸液のｐＨの低下が臨界スキャン速度の増加に繋がることを示している。臨界スキャン速度の増加は、液体損失（上記した結像エラーに繋がり得るもの）のリスクなしに使用することができる高スキャン速度としてスループットの増加へと繋がる。これは、直径４５０ｍｍを有する基板などの大きい基板Ｗに特に当てはまる。なぜなら、そのような大きい基板上では、小さい基板と比較して、より多くのスキャンが基板の縁部からある一定の距離離れて、例えば、基板Ｗの中心に向かう領域で行われるからである。臨界スキャン速度に近い速度で行うことができるのは、基板Ｗの中心に向かう領域内のスキャンである一方、基板Ｗの縁部の近くで行われるスキャンは、臨界スキャン速度より遅い速度で行う必要があり得る。このスキャン速度の違いの理由は、例えば、メニスカス３２０の安定性に対する基板Ｗの縁部による影響である。
【００７７】
[0089]  ガス供給開口２２０をガスナイフ開口２１０の半径方向外側に設けることにより、実質的に純粋なＣＯ２ガスの大気を空間１１の近く、すなわち、メニスカス３２０の近くに確実に提供することができる。そのようなガス供給開口２２０が設けられない場合、実質的に純粋なＣＯ２ガスの大気をメニスカス３２０の近くに提供するためには、ガスナイフ開口によって供給される実質的に純粋なＣＯ２ガスの流量がかなり高い必要があり、より高い流量によって更なるウォーターマーク(water mark)が生じる。例えば、追加のガス供給開口２２０を有さないガスナイフ開口は、二相抽出器による抽出ガス流量よりおよそ１０〜２０Ｎｌ／分高い流量でガスを提供する必要があり得る。ガス供給開口２２０がなく、かつウォーターマークを回避するためにガスナイフ流量が低く保たれている場合、空間１１内の液浸液に入る気泡は溶解するのにより長く時間がかかる。したがって、より多くの結像エラーが生じる。
【００７８】
[0090]  しかし、本発明では、ガス供給開口２２０は、ＣＯ２ガスをガスナイフ開口２１０の半径方向外側に提供する。したがって、ガスナイフの外側のガスがメニスカス３２０の近くの大気内へと吸い込まれた場合、ガスは、ガス供給開口２２０によって放出される実質的に純粋なＣＯ２ガスである可能性が高く、それによって、メニスカス３２０の近くの大気を実質的に純粋なＣＯ２として維持することができる。したがって、ガスナイフの流量及び／又はガス速度を低下させることができる。なぜなら、ガスナイフ開口の半径方向外側のガスもＣＯ２であるため、ガスナイフの半径方向外側のガスが空間１１の近くの大気に入ることを防ぐ必要がないからである。したがって、ガスナイフ開口２１０から放出されるガスがより低い流量であった場合、実質的に純粋なＣＯ２ガス大気を維持することができる。
【００７９】
[0091]  ガスナイフは、ＣＯ２ガスがガスナイフ開口２１０から出る第１ガス速度を有する。ガス供給開口２２０は、実質的に純粋なＣＯ２ガスが少なくとも１つのガス供給開口２２０から出る第２ガス速度を有する。ある実施形態では、第１ガス速度は第２ガス速度より大きい。ある実施形態では、第２ガス速度は、およそ二重抽出ガス速度以下であってよい。
【００８０】
[0092]  ガスナイフは、ＣＯ２ガスがガスナイフ開口２１０から出る第１流量を有する。ある実施形態では、第１流量は、約３０Ｎｌ／分より低く、二相抽出器による抽出ガス速度より高い。ある実施形態では、第１流量は、約１５Ｎｌ／分より低く、二相抽出器による抽出ガス速度より高いことが望ましい。ある実施形態では、第１流量は、二相抽出器による抽出ガス流量より高くないことが好ましい。ガス供給開口２２０は、実質的に純粋なＣＯ２ガスが少なくとも１つのガス供給開口２２０から出る第２流量を有する。ある実施形態では、第１流量は第２流量より高い。ある実施形態では、第２流量は、約二重抽出流量以下であってよい。ある実施形態では、第２流量は、通常、１０〜６０Ｎｌ／分である。
【００８１】
[0093]  通常、メニスカス３２０の近くの大気に提供されるＣＯ２ガスは、高圧で加湿されていてよい。ガスナイフ開口２１０などのガスナイフは、接面（例えば、基板Ｗ）上で圧力のピークという結果となるガス流を提供する。ガスナイフは高い停滞圧力を有する。ガスナイフにわたる高い圧力変化、すなわち、高い圧力勾配により、圧力低下は、メニスカス３２０の近くの大気における二酸化炭素の相対湿度の低下へと繋がる。上記したようにガスナイフ開口２１０に加えてガス供給開口２２０を用いることにより、ＣＯ２ガスがガスナイフ開口２１０から提供される流量及び／又はガス速度は、（ガス基板開口２１０が設けられた場合と比較して）低下し、したがって、ガスナイフにわたる圧力低下も減少される。ガス供給開口からのガスの流れは、通常、低インパルスガス供給である。したがって、基板Ｗに対する熱負荷が低くなるようにガスナイフにわたるガスの相対湿度の低下は減少される。
【００８２】
[0094]  ある実施形態では、ガスナイフ開口２１０、ガス供給開口２２０、及び可能であれば、ガス回収開口６１が流体取扱構造１２の下面に設けられ、接面に対して同じ距離にある。
【００８３】
[0095]  ある実施形態では、各開口と接面との間の距離は変えられる。例えば、ガスナイフ開口２１０がガス供給開口２２０（及び存在する場合、ガス回収開口６１も含む）より接面に近くなるように、ガスナイフ開口２１０とガス供給開口２２０との間にステップが設けられてもよい。あるいは、ガスナイフ開口２１０は、ガス供給開口２２０（及び設けられる場合、ガス回収開口６１も含む）より接面からさらに離れていてもよい。さらに、又は代替的に、ガス供給開口２２０がガス回収開口６１より接面に近くなるように、ガス供給開口２２０とガス回収開口６１との間にステップが設けられてもよい。あるいは、ガス供給開口２２０は、ガス回収開口６１より接面からさらに離れていてもよい。
【００８４】
[0096]  ある実施形態では、開口と接面との間の距離は、接面上のＣＯ２ガスの速度を制御するように選択されてよい。すなわち、開口と接面との間の距離の増大は、接面上のガスの速度を低下させる。通常、ジェットの速度は、開口の直径の約４倍である開口からの距離の後で低下し始める。この距離は、例えば、約１５０〜２００マイクロメートルであってよい。３５０マイクロメートルでは、ジェットの速度及び結果として生じる接面上の圧力は、かなり減少する。接面において高い圧力を有するということは、メニスカス３２０の半径方向外側にある小滴の全体数及び／又はサイズが減少されることを意味し得るが、結果として基板Ｗ上にウォーターマークが生じ得る。したがって、ガス供給開口２２０及びガスナイフ開口２１０を介するガスの供給は、接面の上の開口の高さに従って最適化させてウォーターマークを減少させることができる。
【００８５】
[0097]  ガスナイフ開口２１０及びガス供給開口２２０の各々は、流体取扱構造１２の下面に表面積を有する。ガスナイフ開口２１０の全表面積は、ガス供給開口２２０の全表面積より小さくてもよい。ガスナイフ開口２１０から放出されるガスは第１流速を有し、ガス供給開口２２０から放出されるガスは第２流速を有する。ある実施形態では、第１流速は第２流速より速い。ある実施形態では、図４及び図６に示すように、少なくとも１つのガス回収開口６１がガス供給開口２２０の半径方向外側に設けられてよいが、必ずしもこの限りではない。例えば、以下に説明する図９の実施形態では、少なくとも１つのガス回収開口６１は、ガス供給開口２２０の半径方向内側に設けられる。
【００８６】
[0098]  ある実施形態では、ガス供給開口２２０及び／又はガス回収開口６１は、単一のスリット又は複数の個別の開口として設けられてよい。
【００８７】
[0099]  ある実施形態では、ガス回収開口６１は、ガス供給開口２２０を少なくとも部分的に囲う。ガス回収開口６１がガス供給開口２２０を完全に囲うことができない場合もある。ある実施形態では、ガス回収開口６１は、ガス供給開口２２０の外周のほとんどを囲う。ある実施形態では、ガス回収開口６１は、外周の少なくとも半分を囲ってもよい。つまり、ある実施形態では、ガス回収開口６１は、ガス供給開口２２０の周囲を実質的に完全に囲うことができる。少なくとも１つのガス回収開口６１がガス供給開口２２０を完全に囲わないという事実により、ガス回収開口６１からの高い抽出率（例えば、ガス回収開口６１への大きい負圧源の接続）は、少なくとも部分的に軽減される。
【００８８】
[00100]  図４に示す実施形態では、少なくとも１つのガス回収開口６１は、流体取扱構造１２内に形成される。一実施形態では、少なくとも１つのガス回収開口６１は、流体取扱構造１２の下面に形成される。一実施形態では、少なくとも１つのガス回収開口６１は、流体取扱構造１２の底面に形成される。一実施形態では、ガス回収開口６１は、ガスナイフ開口２１０及びガス供給開口２２０が形成された同じ表面に形成される。ガス供給開口２２０及びガスナイフ開口２１０のから出るガスの流れは、メニスカス３２０に向かう半径方向内側及び半径方向外側の両方である。
【００８９】
[00101]  ある実施形態では、半径方向外側の流れは、内側の流れより大きい。これは、メニスカス３２０に到達する流体取扱構造１２の外側からの半径方向内側のガスの流れが最小であるか又は全くないことを確実にする。ガス供給開口２２０及びガスナイフ開口２１０からの半径方向外側の流れが低すぎる場合、これは、流体取扱構造１２の外側からのガスを吸い込むことに影響を与え得る。
【００９０】
[00102]  図５及び図６の実施形態は、ガス供給開口２２０及びガスナイフ開口２１０に関して、図４と同じである。例えば、図４、図６及び図９に示すガス回収開口６１は必須ではない。
【００９１】
[00103]  図９の実施形態は、以下に説明すること以外は、図４の実施形態と同じである。図９の実施形態では、少なくとも１つのガス回収開口６１は、ガスナイフ開口２１０の半径方向外側及びガス供給開口２２０の半径方向内側にある。ガス供給開口２２０は、少なくとも１つのガス回収開口６１の半径方向外側にある。ガスナイフ開口２１０は、回収開口６１及びガス供給開口２２０の半径方向内側にある。任意選択として、ガス供給開口２２０の半径方向外側に追加のガス回収開口（図示せず）があってもよい。そのような追加のガス回収開口は、ＣＯ２ガスがリソグラフィ装置の周りの大気へと漏れることを減少又は回避することに役立つ。
【００９２】
[00104]  ガスナイフ開口２１０から出るガスが二酸化炭素であるため、このガスは同じ速度で空気を含むガスより高い運動エネルギーを有する。なぜなら、二酸化炭素の密度は空気の密度より高いからである。
【００９３】
[00105]  リソグラフィ装置の環境内への二酸化炭素の漏れは、ガスナイフ開口２１０の半径方向外側の二酸化炭素を、ガス回収開口６１を介して回収することによって減少させる。
【００９４】
[00106]  図４、図６及び図９の全ての実施形態では、少なくとも１つのガス回収開口６１が流体取扱構造１２自体に設けられる。ある実施形態では、少なくとも１つのガス回収開口６１は、別の構成要素に設けられる。
【００９５】
[00107]  ＣＯ２を実施形態で用いることの利点は、爆発蒸気又は液体を提供することによる潜在的な危険性が二酸化炭素の存在によって減少されることである。
【００９６】
[00108]  ある実施形態では、液浸リソグラフィ装置のための液浸システムが設けられる。液浸システムは、上記のいずれかの実施形態の流体取扱構造１２及びガスをガス供給開口２２０及びガスナイフ開口２１０に供給するように構成されたガス供給システムを含む。ガス供給システムによって供給されるガスは二酸化炭素である。
【００９７】
[00109]  ある実施形態では、ガス供給システムは、ガスを少なくとも１つのガスナイフ開口２１０及び少なくとも１つのガス供給開口２２０に提供するガス源２１１を含む。図１０に示すように、ある実施形態では、同じガス源２１１を用いてガスを少なくとも１つのガスナイフ開口２１０及び少なくとも１つのガス供給開口２２０に提供する。図１１に示すように、ある実施形態では、ガス供給開口２２０に供給されるガスを弁２１７を用いて制御して、ガスをガスナイフ開口２１０からガス供給開口２２０まで再誘導させる。ガス供給開口２２０へのガス供給を制御するために弁２１７を用いることは、ガス供給開口２２０及びガスナイフ開口２１０から放出されるガスの流量及び／又はガス速度を、より簡単に制御することができることを意味し、例えば、ガスナイフ開口２１０及びガス供給開口２２０から放出されるガスの流量及び／又はガス速度は、選択された所定の値に設定されるか又は選択された値に変更することができる。弁２１７は流体取扱構造１２の一部として示されているが、弁２１７は流体取扱構造１２の外側にあってもよい。例えば、弁２１７は、ガス源２１１又は加湿器２１２に接続されているか又は一体化していてもよい。
【００９８】
[00110]  ある実施形態では、ガス供給システムは、複数のガス源を含む。ある実施形態では、図１２に示すように、第１ガス源２１１ａを用いてガスを少なくとも１つのガスナイフ開口２１０に提供し、第２ガス源２１１ｂを用いてガスを少なくとも１つのガス供給開口２２０に提供する。ガスをガスナイフ開口２１０及びガス供給開口２２０に供給するために異なるガス源を用いることは、ガス供給開口２２０及びガスナイフ開口２１０から放出されるガスの流量及び／又はガス速度をより簡単に制御することができることを意味する。ある実施形態では、ガス供給システムは、ガスをガスナイフ開口２１０からガス供給開口２２０に又はガス供給開口２２０からガスナイフ開口２１０にそれぞれ再誘導するために複数のガス源及び第１経路２１４と第２経路２１５との間に第３経路２１８を含む。図１２に示すように、再誘導されるガスの量は、弁２１９を用いて動的に制御することができる。図１０、図１１、図１２及び図１３に示すガス供給開口２２０及びガスナイフ開口２１０は、あらゆる実施形態において、例えば、上記のいずれの実施形態のメニスカス制御特徴部と組み合わせてかつその半径方向外側に用いることができる。
【００９９】
[00111]  ある実施形態では、ガスは、ガス源２１１から第１経路２１４を介してガスナイフ開口２１０に供給される。ある実施形態では、ガスは、ガス源２１１から第２経路２１５を介してガス供給開口２２０に供給される。ある実施形態では、図１０に示すように、第１経路２１４及び第２経路２１５は、例えば、ガス源２１１とガスナイフ開口２１０とガス供給開口２２０との間の１つの経路上で一緒に接続されてもよい。この実施形態では、第１流速及び第２流速は、ほぼ同じであってよい。第１流速及び第２流速を、互いに変更してもよい。これは、様々な方法、例えば、異なる形の流路を提供することによって及び／又はガスナイフ開口２１０及びガス供給開口２２０のために異なる表面積を有することによって行うことができる。
【０１００】
[00112]  ガスナイフ開口２１０及びガス供給開口２２０は別である。これは、それらが同じガス源２１１によって供給される場合であっても、ガスナイフ開口２１０及びガス供給開口２２０のそれぞれから出るガスの流量及び／又はガス速度を制御することができることを意味する。したがって、ガスナイフ開口２１０及びガス供給開口２２０からのガス流を最適化することができる。
【０１０１】
[00113]  ある実施形態では、ガス供給システムは、少なくとも１つのガス源によって提供されるガスの湿度を制御するために加湿器２１２を含む。ある実施形態では、ガスは実質的に純粋なＣＯ２ガスであって加湿ＣＯ２ガスである。ある実施形態では、加湿器２１２は、少なくとも１つのガス源によって提供されるＣＯ２ガスの湿度を上げる。ある実施形態では、図１及び図１０に示すように、加湿器２１２はガス源２１１に接続される。ある実施形態では、ガス供給システムは複数の加湿器を含む。例えば、図１１に示すように、ある実施形態では、加湿器は、各ガス源に接続されてよい。図１１は、第１ガス源２１１ａに接続された第１加湿器２１２ａ及び第２ガス源２１１ｂに接続された第２加湿器２１２ｂを示している。ある実施形態では、加湿器２１２は、流体取扱構造１２の一部であってよい。ある実施形態では、加湿器２１２は、ガス供給システムの液浸システムに含まれなくてもよく、すなわち、加湿器２１２は必須ではない。
【０１０２】
[00114]  ある実施形態では、流体取扱構造１２はリザーバ２１３を含んでよい。リザーバは、少なくとも１つのガス供給システムとガスナイフ開口２１０とガス供給開口２２０との間にあってよい。ある実施形態では、リザーバ２１３は、ガス供給システムと増大した断面積を有するガスナイフ開口２１０及びガス供給開口２２０のうちの少なくとも１つとの間の部分であってよい。ある実施形態では、流体取扱構造１２は、リザーバ２１３からガスナイフ開口２１０までの第１経路２１４及びリザーバ２１３からガス供給開口２２０までの第２経路２１５を含んでよい。ある実施形態では、リザーバ２１３が設けられていない場合があり、すなわち、リザーバ２１３は必須ではない。
【０１０３】
[00115]  リザーバ２１３を設けることは、ガスナイフ開口２１０及び／又はガス供給開口２２０から漏れるガスのより大きな制御を可能にする。例えば、ガスはリザーバ２１３内に蓄積されてもよく、また、例えば図４に示すように、平面図において、ガスはガスナイフ開口２１０及びガス供給開口２２０からより均一に分散されてもよい。加湿器２１２を設けることは、ガスナイフ開口２１０及び／又はガス供給開口２２０から漏れるガスのより大きい制御を可能にする。例えば、ガスナイフ開口２１０及び／又はガス供給開口２２０に供給されるガスの湿度は、メニスカス３２０の近くのガス雰囲気の湿度に影響を与えるように制御することができる。
【０１０４】
[00116]  ある実施形態では、ガス源２１１と少なくとも１つのガス供給開口２２０との間の第２経路２１５は、ガス供給開口２２０から漏れるガスの流量及び／又はガス速度を低下させるために流れ制限部を含んでもよい。流れ制限部は、第２経路２１５における流通エリア内の湾曲部及び／又は縮小部であってよい。第２経路２１５内の湾曲部の例を図１０に示している。流通エリア２１６内の縮小部の概略的な例を図１１に示している。流速は、ガスナイフ開口２１０及びガス供給開口２２０のそれぞれを通るガス流を最適化するために変更及び調節することができる。流速は、第１経路２１４及び第２経路２１５の断面積を選択しかつ第２経路２１５の断面積の縮小部を提供することによって制御することができる。したがって、第１経路２１４及び第２経路２１５を通過するガスの比率を制御することができる。
【０１０５】
[00117]  開口の表面積は、ガス（例えば、ＣＯ２）が開口から出る速度を制御するのに役立つように選択することができる。ガスナイフ開口２１０及びガス供給開口２２０に同じガス源からのガス（例えば、ＣＯ２）が供給される場合、ガス供給開口２２０と比べてガスナイフ開口２１０に対してより小さい表面積を有することにより、ガスナイフ開口２１０から出るガスの速度を、ガス供給開口２２０から出るガスの速度より上げることができる。第１経路２１４及び第２経路２１５から出るガスの速度の制御する方法として、第２経路２１５を制限することに加えて又はその代わりに、開口の表面積を選択することができる。ガスナイフ開口２１０の全面積がガス供給開口２２０の全面積より小さい必要はなく、面積は同様又は同等であってもよく、又は、ガスナイフ開口２１０の面積はガス供給開口２２０より大きくてもよい。
【０１０６】
[00118]  上記のいずれの実施形態にガスナイフ開口２１０及びガス供給開口２２０を設けることは空間１１内に入る気泡の数を減少させるなどの利点を有することがあるが、ガスナイフの流量は、ある一定の閾値より高い場合、基板Ｗ上のウォーターマークという結果に依然としてなり得る。したがって、ウォーターマークを避けるようにするために、ガスナイフ流量及び／又はガスナイフ速度を減少させることが有用であり得る。これは、流体取扱構造１２が使用中のときにガスナイフ流量を調整することによって行うことができる。
【０１０７】
[00119]  ある実施形態では、ガス供給開口２２０及び／又はガスナイフ開口２１０に供給されるガスの量は変更できる。ある実施形態では、ガス供給開口２２０及び／又はガスナイフ開口２１０に供給されるガスは動的に制御される。すなわち、供給されるガスは使用中に制御及び変更することができる。例えば、ガス供給開口２２０及び／又はガスナイフ開口２１０のいずれかから放出されるガスは、移動の方向、速さ、速度及び／又は流体取扱構造１２の配置を含むがこれらに限定されない流体取扱構造１２の特定の特性によって動的に制御することができる。
【０１０８】
[00120]  ある実施形態では、ガスナイフ開口２１０は、一連の個別のアパーチャを含む。例えば、ガスナイフ開口部２１０には２つの個別のアパーチャが設けられてよく、例えば、各アパーチャは、図５及び図６に示すガスナイフ開口部２１０によって形成された形状の２つの側面である。あるいは、ガスナイフ開口２１０は、図５及び図６に示すガスナイフ開口２１０によって形成された形状の各側面に沿って単一の個別のアパーチャを有してもよい。したがって、ガスナイフ開口２１０は、４つの個別のアパーチャによって提供することができる。各アパーチャの形状は、特に限定されておらず、ガスナイフ開口２１０は、あらゆる数の個別のアパーチャによって提供することができる。
【０１０９】
[00121]  各アパーチャは、ガスナイフ開口２１０の様々なアパーチャから出るガスの流量及び／又は速度を変化させるように個別に制御することができる。少なくとも１つのアパーチャは、移動の方向、速さ、速度及び／又は流体取扱構造１２の配置を含むがこれらに限定されない流体取扱構造１２の特定の特性によって動的に制御することができる。例えば、使用中、流体取扱構造１２の前進側におけるガスナイフ開口２１０のアパーチャは、流体取扱構造の後退側におけるガスナイフ開口２１０のアパーチャから出るガスの流量及び／速度のそれぞれより低いガス流量及び／又は流速で出るガスを有するように制御することができる。
【０１１０】
[00122]  同様に、ガス供給開口２２０は、本明細書中に記載した一連の個別のアパーチャを追加又は代替として含むことができ、本明細書中に記載したようにこれらは個別に制御することができる。
【０１１１】
[00123]  ある実施形態では、ガスナイフ開口２１０に供給されるガスは、ガスナイフ開口２１０に供給されるガスの量を減少させるなどのために動的に制御することができる。ある実施形態では、ガスナイフ開口２１０に供給されるガスは、ガスナイフ開口２１０からの一部のガスをガス供給開口２２０に再誘導させることによって減少させることができる。言い換えると、一部のガスは、第１経路２１４を通過する代わりに第２経路２１５を通過するように再誘導される。第２経路２１５を通過するガスの量は、ガスナイフ開口２１０から出るガスの流量及び／又は速度を変更するように動的に制御することができる。
【０１１２】
[00124]  ある実施形態では、さらなるガスをガス供給開口２２０に誘導させる弁を設けてもよく、それによってガスナイフ開口２１０から出るガスの量を減少させる。あるいは、弁は、ガス供給開口２２０に誘導されるガスの量を減少させるように変更されてもよく、それによってガスナイフ開口２１０から出るガスの量を増加させる。弁は、通過するガスの量を動的に制御することができるように変更することができる。図１１に示すように、第２経路２１５を通過するガスは、第２経路２１５内の弁２１７を用いることによって動的に制御することができる。弁２１７は、様々な量のガスが第２経路２１５を通過できるように変更することができる。このようにして、ガスをガスナイフ開口２１０から迂回させてガスナイフ開口２１０から出るガスの流量及び／又は速度を減少させることができる。
【０１１３】
[00125]  ある実施形態では、ガス供給リザーバ２１３は、ガス供給開口２２０及び／又はガスナイフ開口２１０から出るガス流量及び／又はガス速度を動的に制御するように構成されたデバイスであってよい。例えば、ガス供給リザーバ２１３は、ガス供給リザーバ２１３内に配置されていること以外は弁２１７と同様の弁を含んでもよい。
【０１１４】
[00126]  図１１はガス供給リザーバ２１３及び流通エリア２１６の縮小部を示しているが、これら両方は、ガスナイフ開口２１０及び／又はガス供給開口２２０から流れ出るガスを制御するための手段の一部として含まれる又は含まれない場合がある任意の特徴である。
【０１１５】
[00127]  ある実施形態では、図１２に示すように、第１ガス供給２１１ａ及び／又は第２ガス供給２１１ｂは、ガスナイフ開口２１０及びガス供給開口２２０のそれぞれから出るガス流量及び／又はガス速度を変化させるように制御することができる。ある実施形態では、第１ガス供給リザーバ２１３ａ又は第２ガス供給リザーバ２１３ｂのうちの少なくとも１つは、ガス供給開口２２０及び／又はガスナイフ開口２１０から出るガス流量及び／又はガス速度を動的に制御するための手段を含むことができる。ある実施形態では、ガスナイフ開口２１０及びガス供給開口２２０から出る流量及び／又はガス速度を制御するように構成されたデバイスが、第１経路２１４又は第２経路２１５のそれぞれに沿って又はその一部として設けられてよい。例えば、（図１１に示すような）弁が、第１経路２１４及び／又は第２経路２１５のそれぞれを通るガス流を変化させるために設けられてもよい。
【０１１６】
[00128]  ある実施形態では、第１ガス供給２１１ａ、第２ガス供給２１１ｂ、第１ガス供給リザーバ２１３ａ又は第２ガス供給リザーバ２１３ｂのうちのいずれか１つが動的に制御されているか否かに関わらず、ガスナイフ開口２１０から出るガスは、ガス供給開口２２０に向かうガス流を再誘導させることによって動的に制御することができる。例えば、図１３に示すように、流体取扱構造１２は、第１経路２１４と第２経路２１５との間に第３経路２１８を含んでよい。第３経路２１８は、例えば、第１経路２１４から第２経路２１５まで、又はその逆のガス流を動的に制御するように構成されたデバイス、例えば、弁２１９を含んでもよい。弁２１９が閉じられている場合、第１経路２１４から第２経路２１５まで又は第２経路２１５から第１経路２１４までのそれぞれの間に流れが進むことはできないが、弁２１９は、様々な量だけ開けて第１経路２１４から第２経路２１５までのガス流を制御してガスナイフ開口２１０からガス供給開口２２０にガスを再誘導させることができる。あるいは、弁２１９は、様々な量だけ開けて第２経路２１５から第１経路２１４までのガス流を制御してガス供給開口２２０からガスナイフ開口２１０にガスを再誘導させることができる。
【０１１７】
[00129]  図１３は、第１ガス供給リザーバ２１３ａ及び第２ガス供給リザーバ２１３ｂより前に配置された第３経路２１８を示しているが、第３経路２１８は、第１経路２１４と第２経路２１５との間のあらゆる箇所に配置されてよい。ある実施形態では、第３経路２１８は、第１ガス供給リザーバ２１３ａ及び第２ガス供給リザーバ２１３ｂより後、すなわち、ガスナイフ開口２１０及びガス供給開口２２０のそれぞれにより近いリザーバ側に配置されてよい。ある実施形態では、第３経路２１８は、一方の経路上ではリザーバより前の箇所と他方の経路上ではリザーバより後の箇所との間に配置されてもよい。ある実施形態では、流体取扱構造１２は、図１３のように設けられるが、１つのリザーバのみが設けられるか又は両方設けられなくてもよい。
【０１１８】
[00130]  上記のいずれの実施形態における弁、例えば、弁２１７及び弁２１９は、必要に応じてそれぞれの経路及び／又はリザーバを通るガスの可変制御を可能にするあらゆる種類の弁であってよい。上記のあらゆる弁は、電子的に制御することができる。上記のあらゆる弁は、アクチュエータを含んでよい。
【０１１９】
[00131]  ある実施形態では、リソグラフィ装置は、少なくとも１つのガス回収開口６１に接続可能な負圧源２２２（図１に示す）を含む。
【０１２０】
[00132]  ある実施形態では、提供される液浸液は、流体取扱構造１２の種類に関わらず、酸性又はアルカリ性であってよい。酸性液浸液を提供するという概念は、トップコートを有する液浸液の相互作用を減らすことに関連して、本明細書中にその全容が組み込まれるＥＰ第１，４８２，３７２号に既に記載されている。しかし、この文書は、酸性液浸液の結果としてスキャン速度が高まる可能性を認識していない。ある実施形態では、通常（例えば、中性）の液浸液を使用し、酸性又はアルカリ性液浸液を、メニスカス制御特徴部の半径方向内側の流体取扱構造１２の下面における液体供給開口を介して提供してもよい。そのような液体供給開口の例は、図４に示す開口１８０である。同様の開口が、本明細書中に記載の他のあらゆる実施形態に存在してもよい。
【０１２１】
[00133]  上記のあらゆる実施形態では、ガス供給開口２２０は、少なくとも１つのガスナイフ開口２１０の半径方向内側の方向にあってよい。したがって、ガスナイフ開口２１０は、ガス供給開口２２０及び空間１１の半径方向外側にあってもよい。
【０１２２】
[00134]  上記のあらゆる実施形態では、流体取扱構造１２は、ガスナイフをオフにする、すなわち、ガスが少なくとも１つのガスナイフ開口２１０から出ることを防ぐように制御することができる。このような実施形態では、リソグラフィ装置の他の態様を変更して、気泡が液浸液に含まれることを回避するか又はその可能性を低下させてもよく、例えば、ガスナイフがオフされているときにスキャン速度を低下させてもよい。
【０１２３】
[00135]  理解されるように、上記のあらゆる特徴を他のあらゆる特徴と用いることができ、明確に記載された組み合わせのみがこの出願に包含されているわけではない。上記のいずれか１つの実施形態の液浸システムは、デバイス製造方法又はリソグラフィ装置で用いることができる。
【０１２４】
[00136]  流体取扱構造１２は、上記の流体取扱構造１２のうちのいずれか１つとして設けられるか又は上記のあらゆる液浸システムで使用するために設けられてよい。流体取扱構造１２は、液浸流体を領域で維持するように構成されてよく、流体取扱構造１２は、空間１１の境界において、空間１１から半径方向外側の方向に少なくとも１つのガスナイフ開口２１０と、空間１１に対して少なくとも１つのガスナイフ開口２１０から半径方向外側の方向に少なくとも１つのガス供給開口２２０とを有してよい。少なくとも１つのガス供給開口２２０はメッシュを含んでよい。メッシュは、ふるい、多孔質材料及び／又は穴アレイと置き換えられてよい。例えば、穴アレイは、２つ又は３つの列の穴アレイであってもよい。穴アレイは、約１０μｍ〜６０μｍの穴を含んでよい。ガス供給開口２２０は、ガス供給開口２２０から出るガス流がより層状（メッシュ、ふるい、多孔質材料又は穴アレイが設けられていない場合と比較して）になるようにメッシュ、ふるい、多孔質材料及び／又は穴アレイを有することによってガス供給開口２２０から出るガスが空気と混ざることを避けるか又はその可能性を減らすことができる。
【０１２５】
[00137]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターン及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」又は「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」又は「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板Ｗは、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板Ｗにレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、及び／又はインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツール及びその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板Ｗは、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板Ｗという用語は、すでに多重処理層を包含している基板Ｗを表すものとしてもよい。
【０１２６】
[00138]  本明細書で使用される「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、又は１２６ｎｍの波長、又はおよそこれらの値の波長を有する）を含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折及び反射型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つ又はこれらの組合せを指すことができる。
【０１２７】
[00139]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。
【０１２８】
[00140]  本明細書中に記載された各コントローラ又はその組み合わせは、１つ以上のコンピュータプログラムがリソグラフィ装置の少なくとも１つの構成要素内に配置された１つ以上のコンピュータプロセッサによって読み取られた場合に動作可能である。各コントローラ又はコントローラの組み合わせは、信号を受信、処理及び送信するためのあらゆる適切な構成を有してよい。１つ以上のプロセッサは、少なくとも１つのコントローラと通信するように構成される。例えば、各コントローラは、上記した方法のための機械読取可能命令を含むコンピュータプログラムを実行するために１つ以上のプロセッサを含んでよい。コントローラは、このようなコンピュータプログラムを格納するためのデータ格納媒体及び／又はこのような媒体を収容するためのハードウェアを含んでよい。したがって、（１つ以上の）コントローラは、１つ以上のコンピュータプログラムの機械読取可能命令に従って動作することができる。
【０１２９】
[00141]  本発明の１つ以上の実施形態をあらゆる液浸リソグラフィ装置に適用することができる。特に、排他的ではないが、液浸液が浴式で提供されるか、基板Ｗの局所的表面積にのみ提供されるか又は閉じ込められているかに関わらず、本発明の１つ以上の実施形態を上記した型の液浸リソグラフィ装置に適用することができる。非閉じ込め構成では、基板テーブルＷＴ及び／又は基板Ｗの非覆面の実質的全てが濡れるように液浸液が基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの表面の上を流れてもよい。そのような非閉じ込め液浸システムでは、液体供給システムは、液浸液を閉じ込めない場合があるか、又は、実質的に完全な液浸液の閉じ込めではないが一部の液浸液閉じ込めを提供することができる。
【０１３０】
[00142]  本発明の１つ以上の実施形態をデバイス製造方法に用いることができる。
【０１３１】
[00143]  本明細書中に考察した液体供給システムを広く解釈するべきである。特定の実施形態では、投影システムＰＳと基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴとの間の空間１１に液体を提供するのは機構又は構造の組み合わせであってもよい。液体供給システムは、１つ以上の構造、１つ以上の液体開口を含む１つ以上の流体開口、１つ以上のガス開口又は二相流のための１つ以上の開口の組み合わせを含んでよい。各開口は、液浸空間１１内への入口（若しくは流体取扱構造からの出口）又は液浸空間１１から出る出口（若しくは流体取扱構造内への入口）であってよい。ある実施形態では、空間１１の表面は、基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの一部であってよく、又は、空間１１の表面は基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴの表面を完全に覆うか、又は、空間１１は基板Ｗ及び／又は基板テーブルＷＴを囲んでもよい。液体供給システムは、任意選択として、位置、量、質、形状、流量又は液体の他のあらゆる特徴を制御するために１つ以上の要素をさらに含んでもよい。
【０１３２】
[00144]  上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【手続補正書】
【提出日】平成29年7月14日(2017.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液浸流体を領域に収容するように構成された流体取扱構造を含む液浸システムであって、前記流体取扱構造は、空間の境界において、
前記空間から半径方向外側の方向に少なくとも１つのガスナイフ開口と、
前記空間に対して前記少なくとも１つのガスナイフ開口から半径方向外側の方向に少なくとも１つのガス供給開口とを有し、前記液浸システムは、さらに、
前記少なくとも１つのガスナイフ開口及び前記少なくとも１つのガス供給開口を介して実質的に純粋なＣＯ２ガスを供給して実質的に純粋なＣＯ２ガスの大気を前記空間の近くかつ前記空間の半径方向外側に提供するように構成されたガス供給システムを含む、液浸システム。
【請求項２】
前記ガスは第１ガス速度で前記少なくとも１つのガスナイフ開口から出て、前記ガスは第２ガス速度で前記少なくとも１つのガス供給開口から出て、前記第１ガス速度は前記第２ガス速度より大きい、請求項１に記載の液浸システム。
【請求項３】
前記実質的に純粋なＣＯ２ガスは加湿ＣＯ２ガスである、請求項１又は２に記載の液浸システム。
【請求項４】
液浸流体を投影システムの下の領域に収容するように構成された流体取扱構造を含む液浸システムであって、前記流体取扱構造は、空間の境界において、
前記空間から半径方向外側の方向に少なくとも１つのガスナイフ開口と、
前記空間に対して前記少なくとも１つのガスナイフ開口から半径方向外側の方向に少なくとも１つのガス供給開口と、
前記少なくとも１つのガスナイフ開口及び前記少なくとも１つのガス供給開口を介してガスを供給するように構成されたガス供給システムであって、ガスは、前記少なくとも１つのガス供給開口から出るガスより高いガス速度で前記少なくとも１つのガスナイフ開口から出る、ガス供給システムとを有する、液浸システム。
【請求項５】
前記流体取扱構造は、前記空間から半径方向外側の方向へ前記液浸流体が流れるのを防ぐためにメニスカス制御特徴部を含み、前記メニスカス制御特徴部は前記少なくとも１つのガスナイフ開口の半径方向内側にある、請求項１〜４のいずれかに記載の液浸システム。
【請求項６】
前記ガスは第１流速で前記少なくとも１つのガスナイフ開口から出て、前記ガスは第２流速で前記少なくとも１つのガス供給開口から出て、前記第１流速は前記第２流速より大きい、請求項１〜５のいずれかに記載の液浸システム。
【請求項７】
前記流体取扱構造は前記ガス供給システムを含む、請求項１〜６のいずれかに記載の液浸システム。
【請求項８】
前記ガス供給システムは、前記少なくとも１つのガスナイフ開口及び前記少なくとも１つのガス供給開口にガスを提供するために少なくとも１つのガス源を含む、請求項１〜７のいずれかに記載の液浸システム。
【請求項９】
前記ガス供給システムは、第１ガス源と前記少なくとも１つのガスナイフ開口との間に第１経路を含みかつ第２ガス源と前記少なくとも１つのガス供給開口との間に第２経路を含み、前記第２経路は流れ制限部を含み、任意選択として、前記流れ制限部は前記第２経路内の流通エリア内の湾曲部及び／又は縮小部である、請求項８に記載の液浸システム。
【請求項１０】
前記第１ガス源及び前記第２ガス源は同じガス源である、請求項９に記載の液浸システム。
【請求項１１】
前記少なくとも１つのガスナイフ開口及び前記少なくとも１つのガス供給開口は、基板及び／又は基板テーブルに面する前記流体取扱構造の表面上にあり、前記少なくとも１つのガスナイフ開口は、前記少なくとも１つのガス供給開口より前記基板及び／又は前記基板テーブルに近く、及び／又は、前記少なくとも１つのガスナイフ開口は、前記流体取扱構造の前記表面上に、前記少なくとも１つのガス供給開口より小さい表面積を有する、請求項１〜１０のいずれかに記載の液浸システム。
【請求項１２】
前記流体取扱構造は、前記ガスナイフ開口から前記ガス供給開口に、又は前記ガスナイフ開口から前記ガス供給開口にガスを再誘導することによって前記ガスナイフ開口に供給されるガスの量を動的に制御するように構成される、請求項１〜１１のいずれかに記載の液浸システム。
【請求項１３】
液浸システムを含むリソグラフィ装置における基板上に液浸流体を介して投影放射ビームを投影することを含むデバイス製造方法であって、前記液浸システムは、前記液浸流体を領域に収容するように構成された流体取扱構造を含み、前記流体取扱構造は、空間の境界において、
前記空間から半径方向外側の方向に少なくとも１つのガスナイフ開口と、
前記空間に対して前記少なくとも１つのガスナイフ開口から半径方向外側の方向に少なくとも１つのガス供給開口とを有し、前記方法は、
前記少なくとも１つのガスナイフ開口及び前記少なくとも１つのガス供給開口を介して実質的に純粋なＣＯ２ガスを供給して実質的に純粋なＣＯ２ガスの大気を前記空間の近くかつ前記空間の半径方向外側に提供すること、又は、
前記少なくとも１つのガスナイフ開口及び前記少なくとも１つのガス供給開口を介してガスを供給することであって、ガスは、前記少なくとも１つのガス供給開口から出るガスより高いガス速度で前記少なくとも１つのガスナイフ開口から出る、ことを含む、方法。
【請求項１４】
液浸流体を領域に収容するように構成された流体取扱構造を含む液浸システムを備えるリソグラフィ装置であって、前記流体取扱構造は、空間の境界において、
前記空間から半径方向外側の方向に少なくとも１つのガスナイフ開口と、
前記空間に対して前記少なくとも１つのガスナイフ開口から半径方向外側の方向に少なくとも１つのガス供給開口とを有し、前記液浸システムは、さらに、
前記少なくとも１つのガスナイフ開口及び前記少なくとも１つのガス供給開口を介して実質的に純粋なＣＯ２ガスを供給して実質的に純粋なＣＯ２ガスの大気を前記空間の近くかつ前記空間の半径方向外側に提供するように構成されたガス供給システム、又は
前記少なくとも１つのガスナイフ開口及び前記少なくとも１つのガス供給開口を介してガスを供給するように構成されたガス供給システムであって、ガスは、前記少なくとも１つのガス供給開口から出るガスより高いガス速度で前記少なくとも１つのガスナイフ開口から出る、ガス供給システムを含む、リソグラフィ装置。
【請求項１５】
液浸流体を投影システムの下の領域に収容するように構成された流体取扱構造を備える液浸システムであって、前記流体取扱構造は、空間の境界において、
前記空間から半径方向外側の方向に少なくとも１つのガスナイフ開口と、
前記空間に対して前記少なくとも１つのガスナイフ開口から半径方向外側の方向に少なくとも１つのガス供給開口と、
前記少なくとも１つのガスナイフ開口及び前記少なくとも１つのガス供給開口を介してガスを供給するように構成されたガス供給システムであって、前記少なくとも１つのガスナイフ開口及び／又は前記少なくとも１つのガス供給開口は、移動の方向、速さ、速度及び／又は流体取扱構造の配置を含む流体取扱構造の特定の特性によって動的に制御される、
液浸システム。
【国際調査報告】
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