(57)【要約】  【課題】製造工程の難度を低下させ、基板の性能を向上し、歩留まりを高めるとともに、チャネル幅を狭くすることでＴＦＴのサイズを縮小し、かつチャネルの幅を正確にする酸化物半導体ＴＦＴ基板の製造方法及び酸化物半導体ＴＦＴ基板の構造を提供する。  【解決手段】  基板を用意し、該基板上に酸化物導体層を蒸着し、かつパターン化してチャネルを有する酸化物導体層を形成するステップ１と、該酸化物導体層上に酸化物半導体層を蒸着し、かつパターン化して酸化物半導体層を形成するステップ２と、該酸化物半導体層上に第１絶縁層を蒸着するステップ３と、該第１絶縁層上に第１金属層を蒸着し、かつパターン化してゲート電極を形成するステップ４と、該ゲート電極上に第２絶縁層を蒸着するステップ５と、該第１絶縁層と該第２絶縁層とに同時にパターン化処理を行ってホールを得るステップ６と、該第２絶縁層上にドレイン電極とソース電極とを形成するステップ７と、を含む。【選択図】  図５
2017526185.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を用意し、該基板上に酸化物導体層を蒸着し、かつパターン化してチャネルを有する酸化物導体層を形成するステップ１と、
該酸化物導体層上に酸化物半導体層を蒸着し、かつパターン化して酸化物半導体層を形成するステップ２と、
該酸化物半導体層上に第１絶縁層を蒸着するステップ３と、
該第１絶縁層上に第１金属層を蒸着し、かつパターン化してゲート電極を形成するステップ４と、
該ゲート電極上に第２絶縁層を蒸着するステップ５と、
該第１絶縁層と該第２絶縁層とに同時にパターン化処理を行ってホールを得るステップ６と、
該第２絶縁層上にドレイン電極とソース電極とを形成するステップ７と、を含むことを特徴とする酸化物半導体ＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項２】
前記ステップ７が、具体的には該第２絶縁層上に該第２金属層を蒸着し、かつパターン化し、該第２金属層が該ホールに充填されて該酸化物半導体層に電気的に接続することで該ドレイン電極と該ソース電極とを形成する操作であることを特徴とする請求項１に記載の酸化物半導体ＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項３】
前記ステップ７の具体的な操作が、該第２絶縁層上に該第２金属層を蒸着し、かつパターン化し、該第２金属層が該ホールに充填されて該酸化物半導体層に電気的に接続することで該ドレイン電極を形成するステップ７１と、及び該第２絶縁層上に該第２金属層を蒸着し、かつパターン化し、該第２金属層が該ホールに充填されて該酸化物半導体層に電気的に接続することで該ソース電極を形成するステップ７２と、によってなることを特徴とする請求項１に記載の酸化物半導体ＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項４】
前記基板がガラス基板であって、該パターン化がフォトリソグラフィとエッチング工程によって実現することを特徴とする請求項１に記載の酸化物半導体ＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項５】
前記酸化物導体層がＩＴＯかＩＺＯであって、該酸化物導体層の厚さが該ドレイン電極より薄いことを特徴とする請求項１に記載の酸化物半導体ＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項６】
前記ソース電極がＩＴＯかＩＺＯであることを特徴とする請求項３に記載の酸化物半導体ＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項７】
前記ソース電極が同時に画素電極であって、該酸化物半導体層がＩＧＺＯであることを特徴とする請求項１に記載の酸化物半導体ＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項８】
基板と、該基板上に位置する酸化物導体層と、該酸化物導体層上に位置する酸化物半導体層と、該基板と該酸化物半導体上に順に位置する第１絶縁層及び第２絶縁層と、該第１絶縁層と該第２絶縁層との間に位置するゲート電極と、該第２絶縁層上に位置し、ホールを介して該酸化物半導体層に電気的に接続するドレイン電極と、該第２絶縁層上に位置し、ホールを介して該酸化物半導体層に電気的に接続するソース電極と、を含むことを特徴とする酸化物半導体ＴＦＴ基板の構造。
【請求項９】
前記酸化物導体層上にチャネルが形成され、該酸化物導体層の厚さが該ドレイン層の厚さより薄く、該ドレイン層が金属であることを特徴とする請求項８に記載の酸化物半導体ＴＦＴ基板の構造。
【請求項１０】
前記ソース電極が金属か、もしくは酸化物導体であることを特徴とする請求項９に記載の酸化物半導体ＴＦＴ基板の構造。
【請求項１１】
基板と、該基板上に位置する酸化物導体層と、該酸化物導体層上に位置する酸化物半導体層と、該基板と該酸化物半導体上に順に位置する第１絶縁層及び第２絶縁層と、該第１絶縁層と該第２絶縁層との間に位置するゲート電極と、該第２絶縁層上に位置し、ホールを介して該酸化物半導体層に電気的に接続するドレイン電極と、該第２絶縁層上に位置し、ホールを介して該酸化物半導体層に電気的に接続するソース電極と、を含み、
該酸化物導体層上にチャネルが形成され、該酸化物導体層の厚さが該ドレイン電極の厚さより薄く、該ドレイン電極が金属であって、該ソース電極が金属か、酸化物導体であることを特徴とする酸化物半導体ＴＦＴ基板の構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は液晶表示技術に関し、特に酸化物半導体ＴＦＴ基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フラットパネル表示装置は、装置本体が薄く、省エネ、電磁波の輻射がないなどの長所を有し、幅広く応用されている。従来のフラットパネル表示装置は、主に液晶表示装置（ＬＣＤ）と有機ＥＬ表示装置（ＯＬＥＤ）とを含む。
【０００３】
有機発光ダイオードによるＯＬＥＤ画像表示技術は、同様に成熟した技術となったＬＣＤに比して、自発光、高コントラス比、広い視野角（１７０°を達成）、速い応答速度、低い動作電圧（３〜１０Ｖ）、極めてスリム、軽量（厚さが２mmを下回る）などの長所を具え、さらに優れた再現性のカラー表示画質と、更に広い視野範囲と、柔軟な設計の応用性を有する。
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、フラットパネル表示装置の主要な構成素子であって、ガラス基板、又はプラスチック基板上に形成される。通常はスイッチ素子、駆動素子として、例えばＬＣＤ、ＯＬＥＤ、電気泳動装置（ＥＰＤ）に用いられる。
【０００４】
酸化物半導体ＴＦＴ技術は、目下注目を集めている技術である。酸化物半導体は比較的高い電子易動度を有する（酸化物半導体の電子易動度は>10cm2/Vsであって、ａ−Ｓｉの電子易動度は、僅かで0.5〜0.8cm2/Vsある）。しかも低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）に比して酸化物半導体の製造工程は容易であって、ａ−Ｓｉの製造工程との互換性が高く、液晶表示（ＬＣＤ）、有機ＥＬ（ＯＬＥＤ）、フレキシブル（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ）ディスプレーなどに応用することができ、応用性と発展性が注目を集め、目下業界で話題となっている。
【０００５】
但し、酸化物半導体は、その応用と開発について、依然として多くの問題が存在する。
【０００６】
図１に開示する従来のＢＣＥ（バックチャネルエッチング）構造ＴＦＴは、簡易な構造を有し、生産工程が少なく、ａ−Ｓｉ  ＴＦＴの生産において歩留まりが高く、成熟した技術といえる。このため、優良な性能を有するＢＣＥ構造酸化物半導体ＴＦＴの開発は、その研究が目下ブームとなっている。伝統的なＢＣＥ構造酸化物半導体ＴＦＴは、基板１００と、ゲート電極２００と、ゲート電極絶縁層３００と、及びゲート電極絶縁層３００上に位置する酸化物半導体層６００とを含み、かつ酸化物半導体層６００の生成が完成した後、さらに金属によるソースドレイン電極４００を生成しなければならない。金属電極の湿式エッチングの工程に用いる強酸と、その混合物（ＨＮＯ３／Ｈ３ＰＯ４／ＣＨ３ＣＯＯＨなど）は、バックチャネルの位置の酸化物半導体を容易に損壊するため生産の難度が比較的高い。ソースドレイン電極４００は、一般に比較的厚い。よってパターン化する場合にライン幅の制御が難しく、チャネル幅にずれが発生しやすい。
【０００７】
図２に開示する従来のＥＳＬ（エッチストップ層）構造ＴＦＴは、基板１００と、ゲート電極２００と、ゲート電極絶縁層３００と、ゲート電極絶縁層３００上に位置するＩＧＺＯである酸化物半導体層６００と、金属によるソースドレイン電極４００とを含み、かつＩＧＺＯである酸化物半導体層６００のチャネル上には、ＩＧＯＺＯである酸化物半導体層６００を損壊から保護する保護層７００を形成する。但し、別途ＥＳＬである保護層７００の生成工程を必要とし、かつチャネルの幅が広くなり、ＴＦＴのサイズが増大し、レイアウト空間が狭くなる。
【０００８】
図３に開示する従来の反転共面（Ｃｏｐｌａｎａｒ）構造ＴＦＴは、基板１００と、ゲート電極２００と、ゲート電極絶縁層３００とを含み、予めソースドレイン電極４００を生成し、さらにＩＧＺＯである酸化物半導体層６００を生成する。ソースドレイン電極４００の厚さによって、ＩＧＺＯである酸化物半導体層６００の側辺傾斜面の位置に不良が容易に発生し、性能に影響を与えることがある。また、ソースドレイン電極４００の断面の金属イオンが容易に拡散してＩＧＺＯである酸化物半導体層６００に至り、ＩＧＺＯである酸化物半導体層６００を汚染する。ソースドレイン電極４００は一般に厚く、パターン化の際にライン幅の制御が難しいためチャネル幅にずれが容易に発生する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
この発明は、製造工程の難度を低下させ、基板の性能を向上し、歩留まりを高めるとともに、チャネル幅を狭くすることでＴＦＴのサイズを縮小し、かつチャネルの幅を正確にする酸化物半導体ＴＦＴ基板の製造方法を提供することを課題とする。
【００１０】
また、この発明は、チャネル幅を狭くすることができ、かつ好ましいオーミックコンタクトが得られ、酸化物半導体層の金属イオンによる汚染を招くことなく、かつ開口率の向上した酸化物半導体ＴＦＴ基板の構造を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
そこで、本発明者は、従来の技術に見られる問題点に鑑み鋭意研究を重ねた結果、基板を用意し、該基板上に酸化物導体層を蒸着し、かつパターン化してチャネルを有する酸化物導体層を形成するステップ１と、該酸化物導体層上に酸化物半導体層を蒸着し、かつパターン化して酸化物半導体層を形成するステップ２と、該酸化物半導体層上に第１絶縁層を蒸着するステップ３と、該第１絶縁層上に第１金属層を蒸着し、かつパターン化してゲート電極を形成するステップ４と、該ゲート電極上に第２絶縁層を蒸着するステップ５と、該第１絶縁層と該第２絶縁層とに同時にパターン化処理を行ってホールを得るステップ６と、該第２絶縁層上にドレイン電極とソース電極とを形成するステップ７と、を含む酸化物半導体ＴＦＴ基板の製造方法、及び係る方法で製造する酸化物半導体ＴＦＴ基板の構造によって課題を解決できる点に着眼し、係る知見に基づいて本発明を完成させた。
【００１２】
以下この発明について説明する。  請求項１に記載する酸化物半導体ＴＦＴ基板の製造方法は、基板を用意し、該基板上に酸化物導体層を蒸着し、かつパターン化してチャネルを有する酸化物導体層を形成するステップ１と、
該酸化物導体層上に酸化物半導体層を蒸着し、かつパターン化して酸化物半導体層を形成するステップ２と、
該酸化物半導体層上に第１絶縁層を蒸着するステップ３と、
該第１絶縁層上に第１金属層を蒸着し、かつパターン化してゲート電極を形成するステップ４と、
該ゲート電極上に第２絶縁層を蒸着するステップ５と、
該第１絶縁層と該第２絶縁層とに同時にパターン化処理を行ってホールを得るステップ６と、
該第２絶縁層上にドレイン電極とソース電極とを形成するステップ７と、を含む。
【００１３】
請求項２に記載する酸化物半導体ＴＦＴ基板の製造方法は、請求項１におけるステップ７が、具体的には該第２絶縁層上に該第２金属層を蒸着し、かつパターン化し、該第２金属層が該ホールに充填されて該酸化物半導体層に電気的に接続することで該ドレイン電極と該ソース電極とを形成する操作である。
【００１４】
請求項３に記載する酸化物半導体ＴＦＴ基板の製造方法は、請求項１におけるステップ７の具体的な操作が、該第２絶縁層上に該第２金属層を蒸着し、かつパターン化し、該第２金属層が該ホールに充填されて該酸化物半導体層に電気的に接続することで該ドレイン電極を形成するステップ７１と、及び該第２絶縁層上に該第２金属層を蒸着し、かつパターン化し、該第２金属層が該ホールに充填されて該酸化物半導体層に電気的に接続することで該ソース電極を形成するステップ７２と、によってなる。
【００１５】
請求項４に記載する酸化物半導体ＴＦＴ基板の製造方法は、請求項１に記載する基板がガラス基板であって、該パターン化がフォトリソグラフィとエッチング工程によって実現する。
【００１６】
請求項５に記載する酸化物半導体ＴＦＴ基板の製造方法は請求項１における酸化物導体層がＩＴＯかＩＺＯであって、該酸化物導体層の厚さが該ドレイン電極より薄い。
【００１７】
請求項６に記載する酸化物半導体ＴＦＴ基板の製造方法は、請求項３におけるソース電極がＩＴＯかＩＺＯである。
【００１８】
請求項７に記載する酸化物半導体ＴＦＴ基板の製造方法は、請求項１における記ソース電極が同時に画素電極であって、該酸化物半導体層がＩＧＺＯである。
【００１９】
請求項８に記載する酸化物半導体ＴＦＴ基板の構造は、基板と、該基板上に位置する酸化物導体層と、該酸化物導体層上に位置する酸化物半導体層と、該基板と該酸化物半導体上に順に位置する第１絶縁層及び第２絶縁層と、該第１絶縁層と該第２絶縁層との間に位置するゲート電極と、該第２絶縁層上に位置し、ホールを介して該酸化物半導体層に電気的に接続するドレイン電極と、該第２絶縁層上に位置し、ホールを介して該酸化物半導体層に電気的に接続するソース電極と、を含む。
【００２０】
請求項９に記載する酸化物半導体ＴＦＴ基板の構造は、請求項９における酸化物導体層上にチャネルが形成され、該酸化物導体層の厚さが該ドレイン層の厚さより薄く、該ドレイン層が金属である。
【００２１】
請求項１０に記載する酸化物半導体ＴＦＴ基板の構造は、請求項９におけるソース電極が金属か、もしくは酸化物導体である。
【００２２】
請求項１１に記載する酸化物半導体ＴＦＴ基板の構造は、基板と、該基板上に位置する酸化物導体層と、該酸化物導体層上に位置する酸化物半導体層と、該基板と該酸化物半導体上に順に位置する第１絶縁層及び第２絶縁層と、該第１絶縁層と該第２絶縁層との間に位置するゲート電極と、該第２絶縁層上に位置し、ホールを介して該酸化物半導体層に電気的に接続するドレイン電極と、該第２絶縁層上に位置し、ホールを介して該酸化物半導体層に電気的に接続するソース電極と、を含み、
該酸化物導体層上にチャネルが形成され、該酸化物導体層の厚さが該ドレイン電極の厚さより薄く、該ドレイン電極が金属であって、該ソース電極が金属か、酸化物導体である。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】従来の酸化物半導体ＴＦＴ基板の断面構造を示した説明図である。
【図２】他の従来の酸化物半導体ＴＦＴ基板の断面構造を示した説明図である。
【図３】その他の従来の酸化物半導体ＴＦＴ基板の断面構造を示した説明図である。
【図４】この発明による酸化物半導体ＴＦＴ基板の製造方法のステップを示したブロック図である。
【図５】この発明の実施例１による酸化物半導体ＴＦＴ基板の断面構造を示した説明図である。
【図６】この発明の実施例２による酸化物半導体ＴＦＴ基板の断面構造を示した説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
この発明は、製造工程の難度を低下させ、基板の性能を向上し、歩留まりを高めるとともに、チャネル幅を狭くすることでＴＦＴのサイズを縮小し、かつチャネルの幅を正確にする酸化物半導体ＴＦＴ基板の製造方法と、及び酸化物半導体ＴＦＴ基板の構造を提供するものであって、その製造方法は、基板を用意し、該基板上に酸化物導体層を蒸着し、かつパターン化してチャネルを有する酸化物導体層を形成するステップ１と、該酸化物導体層上に酸化物半導体層を蒸着し、かつパターン化して酸化物半導体層を形成するステップ２と、該酸化物半導体層上に第１絶縁層を蒸着するステップ３と、該第１絶縁層上に第１金属層を蒸着し、かつパターン化してゲート電極を形成するステップ４と、該ゲート電極上に第２絶縁層を蒸着するステップ５と、該第１絶縁層と該第２絶縁層とに同時にパターン化処理を行ってホールを得るステップ６と、該第２絶縁層上にドレイン電極とソース電極とを形成するステップ７と、を含む。係る酸化物半導体ＴＦＴ基板の製造方法と、酸化物半導体ＴＦＴ基板の構造との特徴を説明するために、具体的な実施例を挙げ、図面を参照にして以下に詳述する。
【実施例１】
【００２５】
図４、５に開示する、この発明の第１の実施の形態による酸化物半導体ＴＦＴ基板の製造方法は、次に掲げるステップを含む。
【００２６】
ステップ１において、基板１を用意し、基板１上に酸化物導体層を蒸着し、パターン化してチャネル５１を有する酸化物導体層５を形成する。
【００２７】
基板１は、優先的にガラス基板である。
【００２８】
酸化物導体層５はＩＴＯかＩＺＯであって、酸化物導体層５は優先的にＩＴＯである。
【００２９】
ステップ２において、酸化物導体層５上に酸化物半導体層を蒸着し、パターン化して酸化物半導体層６を形成する。
【００３０】
優先的に、酸化物半導体層６はＩＧＺＯ（インジウム、ガリウム 、亜鉛酸化物）である。酸化物半導体層６はチャネル５１に充填する。
【００３１】
ステップ３において、酸化物半導体層６上に第１絶縁層３を蒸着する。
【００３２】
ステップ４において、第１絶縁層３上に第１金属層を蒸着し、かつパターン化してゲート電極２を形成する。
【００３３】
ステップ５において、ゲート電極２上に第２絶縁層３１を蒸着して生成する。
【００３４】
第２絶縁層３１は、第１絶縁層３を完全に覆う。
【００３５】
ステップ６において、第１絶縁層３と第２絶縁層３１とに同時にパターン化処理を行ってホール３２、３３を得る。
【００３６】
ステップ７において、第２絶縁層３１上に第２金属層を蒸着し、かつパターン化する。該第２金属層はホール３２、３３に充填し、かつ酸化物半導体層６に電気的に接続してドレイン電極４とソース電極５２とを形成する。
【００３７】
酸化物導体層５は、厚さがドレイン電極４の厚さより薄い。前記パターン化はフォトリソグラフィとエッチングの工程によって実現させる。
【００３８】
図５には、この発明の提供する酸化物半導体であって、上述する第１の実施の形態による製造方法に基づく酸化物半導体ＴＦＴ基板の構造を開示する。図面の開示によれば、該酸化物半導体ＴＦＴ基板の構造は、基板１と、基板1上に位置する酸化物導体層５と、酸化物導体層５上に位置する酸化物半導体層６と、基板１と酸化物半導体６上に順に位置する第１絶縁層３と第２絶縁層３１と、第１絶縁層３と第２絶縁層３１との間に位置するゲート電極２と、第２絶縁層３１上に位置し、かつホール３２、３３を介して酸化物半導体層６に電気的に接続するドレイン電極４、及びソース電極５２と、を含む。
【００３９】
酸化物導体層５上にはチャネル５１が形成される。酸化物導体層５は、厚さがドレイン電極４の厚さより薄い。酸化物導体層５はＩＴＯかＩＺＯであって、優先的に酸化物導体層５はＩＴＯである。
【００４０】
基板１はガラス基板である。ドレイン電極４とソース電極５２とは、いずれも金属であって、酸化物半導体層６はＩＧＺＯである。
【００４１】
図４、６に開示する、この発明の第２の実施の形態による酸化物半導体ＴＦＴ基板の製造方法は、次に掲げるステップを含む。
【００４２】
ステップ１において、基板１を用意し、基板１上に第１酸化物導体層を蒸着し、パターン化してチャネル５１を有する酸化物導体層５を形成する。
【００４３】
基板１は、優先的にガラス基板である。
【００４４】
酸化物導体層５はＩＴＯかＩＺＯであって、酸化物導体層５は優先的にＩＴＯである。
【００４５】
ステップ２において、酸化物導体層５上に酸化物半導体層を蒸着し、パターン化して酸化物半導体層６を形成する。
【００４６】
優先的に、酸化物半導体層６はＩＧＺＯである。酸化物半導体層６はチャネル５１に充填する。
【００４７】
ステップ３において、酸化物半導体層６上に第１絶縁層３を蒸着する。
【００４８】
ステップ４において、第１絶縁層３上に第１金属層を蒸着し、かつパターン化してゲート電極２を形成する。
【００４９】
ステップ５において、ゲート電極２上に第２絶縁層３１を蒸着して生成する。
【００５０】
第２絶縁層３１は、第１絶縁層３を完全に覆う。
【００５１】
ステップ６において、第１絶縁層３と第２絶縁層３１とに同時にパターン化処理を行ってホール３２、３３を得る。
【００５２】
ステップ７において、第２絶縁層３１上に酸化物導体層を蒸着し、かつパターン化する。該酸化物導体層はホール３２に充填し、かつ酸化物半導体層６に電気的に接続してドレイン電極４を形成する。
【００５３】
ステップ８において、第２絶縁層３１上に第２金属層を蒸着し、かつパターン化する。該第２金属層はホール３３に充填し、かつ酸化物半導体層６に電気的に接続してソース電極５２を形成する。
【００５４】
酸化物導体層５は、厚さがドレイン電極４の厚さより薄い。前記パターン化はフォトリソグラフィとエッチングの工程によって実現させる。
【００５５】
図６には、この発明の提供する酸化物半導体ＴＦＴ基板の構造であって、上述する第２の実施の形態による製造方法に基づく酸化物半導体ＴＦＴ基板の構造を開示する。図面の開示によれば、該酸化物半導体ＴＦＴ基板の構造は、基板１と、基板1上に位置する酸化物導体層５と、酸化物導体層５上に位置する酸化物半導体層６と、基板１と酸化物半導体６上に順に位置する第１絶縁層３と第２絶縁層３１と、第１絶縁層３と第２絶縁層３１との間に位置するゲート電極２と、第２絶縁層３１上に位置し、かつホール３２を介して酸化物半導体層６に電気的に接続するドレイン電極４と、第２絶縁層３１上に位置し、かつホール３３を介して酸化物半導体層６に電気的に接続するソース電極５２とを含む。
【００５６】
酸化物導体層５上にはチャネル５１が形成される。酸化物導体層５とソース電極５２とは、いずれも酸化物導体であって、かつ該酸化物導体５はＩＴＯかＩＺＯであり、該酸化物導体は優先的にＩＴＯである。酸化物導体層５は、厚さがドレイン電極４の厚さより薄い。
【００５７】
基板１はガラス基板である。ドレイン電極４は、金属であって、酸化物半導体層６はＩＧＺＯである。
【００５８】
ここで特筆すべきは、この発明による酸化物半導体ＴＦＴ基板の製造方法において、酸化物半導体層は例えばａ−Ｓｉ（アモルファス）、ｐｏｌｙ−Ｓｉ（ポリシリコン）、有機半導体などのその他半導体を以って代替とすることができるという点である。また、この発明による酸化物半導体ＴＦＴ基板の構造は、ＬＣＤ、ＯＬＥＤ、ＥＰＤ表示などに応用できるとともに、非フレキシブル、もしくはフレキシブル表示などのアクティブな表示の応用領域に適用することができ、同時にこの発明による酸化物半導体ＴＦＴ基板の構造は、大、中、小いずれのサイズのディスプレーにも応用することができる。
【００５９】
以上をまとめると、この発明による酸化物半導体基板の製造方法は、酸化物導体層を用いることによって酸化物半導体ＴＦＴ基板のチャネルを定義する。該酸化物導体層は比較的薄いことから、従来の技術に比してチャネル幅を狭くすることができ、かつチャネル幅の正確な制御を得ることができる。よって、酸化物半導体ＴＦＴ基板の製造工程の難度を下げることができ、酸化物半導体ＴＦＴ基板の性能を高め、歩留まりを高めることができる。この発明の酸化物半導体ＴＦＴ基板の構造においては、酸化物導体層と酸化物半導体層とは、構造の組成が近似している。このため好ましいオーミックコンタクトを形成することができる。酸化物導体層は酸化物半導体層に対して金属イオンによる汚染を与えない。酸化物導体は光透過性を具えるので、開口率を高めることができる。
【００６０】
以上は、この発明の好ましい実施の形態を説明したものであって、この発明の実施の範囲を限定するものではない。よって、当業者がこの発明の提示する技術プランと技術思想に基づき修正、改変などを行うことは可能であるが、但しこれら修正、改変などはいずれもこの発明の特許請求の範囲に含まれるものとする。
【符号の説明】
【００６１】
１          基板
１００      基板
２          ゲート電極
２００      ゲート電極
３          第１絶縁層
３００      ゲート電極絶縁層
３１        第２絶縁層
３２、３３  ホール
４          ドレイン電極
４００      ソースドレイン電極
５          酸化物導体層
５１        チャネル
５２        ソース電極
６          酸化物半導体層
６００      酸化物半導体層
７００      保護層
【図１】
2017526185.tif 000003
【図２】
2017526185.tif 000004
【図３】
2017526185.tif 000005
【図４】
2017526185.tif 000006
【図５】
2017526185.tif 000007
【図６】
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【国際調査報告】
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