(57)【要約】  少なくとも１つの支持体（２）と、支持体上に配置された発光ダイオード（３）とを有する発光ダイオード装置（１）が記載される。支持体（２）は、互いに上下の位置関係で配置された複数のポリマー層（４，５，６）を有している。少なくとも１つのポリマー層（４，５，６）が切欠き（８）を有しており、その切欠き（８）の中に電気部品（７，１７，１８，１９）が埋め込まれる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの支持体（２）と、前記支持体の上に配置された少なくとも１つの発光ダイオード（３）とを有する発光ダイオード装置において、
前記支持体（２）は互いに上下の位置関係で配置された複数のポリマー層（４，５，６）を有しており、電気部品（７，１７，１８，１９）が前記ポリマー層（４，５，６）のうち少なくとも１つに埋め込まれていることを特徴とする発光ダイオード装置。
【請求項２】
前記支持体（２）は一番上の、一番下の、およびこれらの間に配置された少なくとも１つの内部ポリマー層（４，５，６）を有しており、前記電気部品（７，１７，１８，１９）が少なくとも前記内部ポリマー層（６）内に埋め込まれていることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード装置。
【請求項３】
前記電気部品（７，１７，１８，１９）がすべての側で前記支持体（２）のポリマー材料によって包囲されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光ダイオード装置。
【請求項４】
前記電気部品（２）は一番上および一番下のいずれのポリマー層（４，５）内にも埋め込まれていないことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の発光ダイオード装置。
【請求項５】
前記電気部品を電気接触するために少なくとも１つの貫通接続（１０）を有しており、前記貫通接続（１０）は少なくとも１つの前記ポリマー層（４，５，６）を通過するように案内されていることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の発光ダイオード装置。
【請求項６】
前記電気部品（７，１８）は静電気放電に対して保護するような設計であることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の発光ダイオード装置。
【請求項７】
前記電気部品（７，１７，１８）はバリスタ、シリコン半導体保護ダイオード、ポリマー部品、温度センサ、過電流保護部、セラミック製の多層コンデンサ、インダクタンス、抵抗、またはドライバーチップとして設計されていることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の発光ダイオード装置。
【請求項８】
前記電気部品（７，１７，１８，１９）が中に埋め込まれているポリマー層（６）は、前記支持体（２）の少なくとも１つの他のポリマー層（４，５）とは異なる材料特性を有することを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の発光ダイオード装置。
【請求項９】
前記電気部品（７，１７，１８，１９）が中に埋め込まれたポリマー層（７，１７，１８，１９）は、前記支持体（２）の少なくとも１つの他のポリマー層（４、５）とは異なる機械的強度を有していることを特徴とする請求項８に記載の発光ダイオード装置。
【請求項１０】
前記発光ダイオード（３）は少なくとも部分的に前記支持体（２）のキャビティの中にはめ込まれている（recessed）ことを特徴とする請求項１〜請求項９のいずれか１項に記載の発光ダイオード装置。
【請求項１１】
前記電気部品（７，１７，１８，１９）は前記発光ダイオード（３）に関して横方向にセンタリングされて配置されていることを特徴とする請求項１〜請求項１０のいずれか１項に記載の発光ダイオード装置。
【請求項１２】
前記電気部品（７，１７，１８，１９）は前記ポリマー層（４，５，６）の積層方向に関してセンタリングされて前記支持体（２）に配置されていることを特徴とする請求項１〜請求項１１のいずれか１項に記載の発光ダイオード装置。
【請求項１３】
前記支持体（２）の上に配置された複数の発光ダイオード（３）を有していることを特徴とする請求項１〜請求項１２のいずれか１項に記載の発光ダイオード装置。
【請求項１４】
前記支持体（２）の上に配置された別の支持体（１５）を有しており、前記発光ダイオード（３）は前記別の支持体（１５）上に配置されていることを特徴とする請求項１〜請求項１３のいずれか１項に記載の発光ダイオード装置。
【請求項１５】
前記別の支持体（１５）はセラミック製の支持体として設計されていることを特徴とする請求項１〜請求項１４のいずれか１項に記載の発光ダイオード装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
少なくとも１つの支持体と、支持体上に配置された発光ダイオードとを有する発光ダイオード装置について記載する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）を含むシステムの設計にあたって、発光効率、寿命、および熱の管理がますます重要になっている。機能面での挑戦に加えて、熱力学的および幾何学的な問題も解決すべきである。ＬＥＤは、例えば１３５℃〜１５０℃のような過熱や、例えば１００Ｖを超える電圧のような静電気放電に対して敏感である。特に、例えばスマートフォンに組み込まれたＬＥＤカメラフラッシュやデジタルカメラのためのモバイルの用途では、ＬＥＤならびに個々の保護部品（protective component）の設計高さができる限り小さくて、占めるスペースができる限り小さい方がよい。ハウジングの解決策に関する別の重要な要件は、例えば保護部品など他の部品（component）によるＬＥＤの遮蔽をできる限り少なくするということである。
【０００３】
特許文献１は発光ダイオード装置について開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】ドイツ特許出願公開第１０２０１２１０８１０７Ａ１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の課題は、改良された発光ダイオード装置について記載することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様では、発光ダイオード装置が記載される。この発光ダイオード装置は、少なくとも１つの支持体と、前記支持体の上に配置された少なくとも１つの発光ダイオード、特に発光ダイオードチップの形のものを有する。支持体は互いに上下の位置関係で配置された複数のポリマー層を有している。電気部品が前記ポリマー層のうちの少なくとも１つに埋め込まれる。例えばポリマー層は、電気部品（electrical component）が中に埋め込まれた切欠きを有する。この場合、電気部品は、完全にまたは部分的にのみ、ポリマー層の中に埋め込まれてもよい。
【０００７】
１つの実施形態では、例えば一番上のポリマー層、一番下のポリマー層、およびこれらの間に配置された少なくとも１つの内部ポリマー層を有しており、電気部品は少なくとも内部ポリマー層に埋め込まれる。電気部品を電気接触するために、例えば少なくとも１つのポリマー層を通過するように案内される少なくとも１つの貫通接続（through-connection）が設けられる。
【０００８】
好ましくは、ＬＥＤは一番上のポリマー層に設けられる。その一番上のポリマー層の上に上側の接続接点が設けられ、これにＬＥＤが取り付けられ、および／または電気的に接続される。例えば一番下のポリマー層の下面に、ＬＥＤのコンタクトのための下側の接続接点が設けられる。例えば少なくとも１つの貫通接続が支持体を通過して、上側の接続接点を下側の接続接点と電気的に接続する。ＬＥＤは少なくとも部分的に支持体のキャビティの中に、特に支持体の上面にあるキャビティの中にはめ込まれている（recessed）。
【０００９】
一番上と一番下のポリマー層の間に、複数の内部ポリマー層を配置してもよい。電気部品は、完全にまたは部分的にのみ、内部ポリマー層のうちの１つまたは複数に埋め込んでもよい。１つの実施形態では、部品は、一番上および一番下のいずれのポリマー層にも埋め込まれない。特に、部品は、一番上または一番下のポリマー層に部分的にも埋め込まれない。ただし、例えば貫通接続は、一番上および／または一番下のポリマー層を通過するように案内される。
【００１０】
１つまたは複数の内部ポリマー層での、特に支持体の中心部での、部品の配置は、特別に良好な熱応力の低減を可能にする。このようにして、装置の寿命を延ばすことができる。
【００１１】
１つの実施形態では、部品は支持体の内部に完全に配置される。特に部品は、すべての側で支持体のポリマー材料によって包囲される。ただしこの場合には、貫通接続が部品からポリマー材料を通るように案内されるケースも含まれる。
【００１２】
１つの実施形態では、部品が中に埋め込まれた１つまたは複数のポリマー層は、支持体の少なくとも１つの他のポリマー層とは異なる材料特性を有している。例えばこれは、支持体の一番上および／または一番下のポリマー層と材料特性に関して相違する内部ポリマー層である。
【００１３】
例えば各ポリマー層は、それぞれの機械的な強度が互いに相違する。特に、部品が中に埋め込まれるポリマー層は、支持体の他のポリマー層よりも機械的な強度が低い可能性がある。代案の実施形態では、部品が中に埋め込まれるポリマー層は、支持体の他のポリマー層よりも高い強度を有する。個々の強度は、支持体の所望の剛性および／または可撓性に応じて選択することができる。
【００１４】
１つの実施形態では、電気部品は電気放電に対する保護（ＥＳＤ保護）のために設計される。例えば部品はバリスタ、シリコン半導体保護ダイオード、またはポリマー部品（polymer component）として設計される。
【００１５】
別の実施形態では、電気部品は温度センサ、過電流保護部、セラミック製の多層コンデンサ、インダクタンス、および／または抵抗として設計される。別の実施形態では、電気部品はドライバーチップとして設計される。
【００１６】
支持体には複数の電気部品を、特にそれぞれ異なる部品の組合せを、支持体内に埋め込んでもよい。１つの実施形態では、埋め込まれるすべての電気部品が１つまたは複数の内部ポリマー層に埋め込まれる。例えばすべての部品が、同一の１つまたは複数のポリマー層に埋め込まれる。
【００１７】
１つの実施形態では、電気部品はＬＥＤに対して横方向中央部に配置される。特に電気部品は、ＬＥＤを平面で見たときにＬＥＤの真下に位置する。このことは、例えば特別に省スペースな部品の配置を可能にする。例えば部品は温度センサとして配置される。ＬＥＤに対して中央部に配置すると、ＬＥＤの設置位置における特に信頼度の高い温度検出が可能である。ＬＥＤとの熱的な関連を、例えばサーマルビアによって改善することができる。
【００１８】
１つの実施形態では、電気部品はポリマー層の積層方向に対して中央に位置した状態で支持体の中に配置される。特に、部品は支持体の中心部（core）に配置される。例えば部品の上方と下方には、類似もしくは同一の量のポリマー層がある。このような配置により、熱に関する管理を最適化することができる。特に、熱応力を特別に良好に補償することができる。
【００１９】
発光ダイオード装置は、支持体上に配置された複数のＬＥＤを有することもできる。各々のＬＥＤに、支持体内に埋め込まれた１つまたは複数の電気部品を割り当てることができる。例えば各々のＬＥＤに、ＥＳＤ保護部品および／または温度センサが割り当てられる。例えば少なくとも各々のＬＥＤの下方で部品、特にＬＥＤに割り当てられ部品が、支持体内に埋め込まれる。
【００２０】
１つの実施形態では、発光ダイオードはポリマー層を有する支持体上に直接配置される。別の実施形態では、発光ダイオード装置は別の支持体を有しており、この支持体上に発光ダイオードが配置される。この別の支持体は、ポリマー層を有する支持体上に配置される。例えばこの別の支持体はセラミック製の支持体である。
【００２１】
次に、縮尺通りではない模式的な実施例を参照しながら、上記した主題について詳しく説明する。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】少なくとも１つの支持体およびその上に配置された少なくとも１つのＬＥＤを有する発光ダイオード装置の複数の実施例を示す模式的な断面図である。
【図２】少なくとも１つの支持体およびその上に配置された少なくとも１つのＬＥＤを有する発光ダイオード装置の複数の実施例を示す模式的な断面図である。
【図３】少なくとも１つの支持体およびその上に配置された少なくとも１つのＬＥＤを有する発光ダイオード装置の複数の実施例を示す模式的な断面図である。
【図４】少なくとも１つの支持体およびその上に配置された少なくとも１つのＬＥＤを有する発光ダイオード装置の複数の実施例を示す模式的な断面図である。
【図５】少なくとも１つの支持体およびその上に配置された少なくとも１つのＬＥＤを有する発光ダイオード装置の複数の実施例を示す模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下の図面の中で同じ符号は、特に、それぞれ異なる実施形態の機能的または構造的に対応する部分を示す。
【００２４】
図１は、発光ダイオード（ＬＥＤ）３のための支持体２を有する発光ダイオード装置１を示している。ＬＥＤ３は発光ダイオードチップの形状で設計されて、支持体２の上面に配置されている。１つの実施形態では、ＬＥＤ３が部分的に支持体２のキャビティの中にはめ込まれてもよい。
【００２５】
支持体２は、上下の位置関係で配置された複数の積層されたポリマー層４，５，６を有する。例えばポリマー層４，５，６はエポキシ材料を有する。特に支持体２は、一番上のポリマー層４と、一番下のポリマー層５と、これらの間に配置された少なくとも１つの内部ポリマー層６とを有している。支持体２は、複数の内部ポリマー層６を有することもできる。
【００２６】
電気部品７は、内部ポリマー層６内に埋め込まれている。特に内部ポリマー層６は、切欠き８を有し、その中に電気部品７が配置されている。このように、電気部品７は支持体２の中に組み込まれている。例えば電気部品７はＬＥＤ３の真下に配置される。このことは特別に省スペースな配置を可能にする。
【００２７】
この場合、電気部品７が、支持体２の中心寄りに配置（センタリング）されると好ましい場合がある。例えば、電気部品７が中に埋め込まれたポリマー層６の上方と下方に、同じ数または類似する数のポリマー層４，５がある。この場合、電気部品７は、ポリマー層４，５，６の積層に対して中心方向に配置される。その代替または追加として、電気部品７は、横方向で、例えばＬＥＤ３に対して、中心寄りの配置をしてもよい。特に電気部品７は、ＬＥＤ３の下方で中心寄りに配置してもよい。このような中心寄りの配置では、応力を特別に均等に分散して補償することができる。
【００２８】
１つの実施形態では、電気部品７は、例えば静電気放電（ＥＳＤ）、過電流、および／または高い動作温度に対して保護するための保護部品として設計される。例えばＥＳＤ保護部品は、バリスタ、特にマルチレイヤバリスタ、シリコン半導体保護ダイオード、特にＴＶＳダイオード、またはポリマー部品として設計される。代案として、電気部品７は、例えば温度センサ、特にＮＴＣサーミスタ、過電流保護部、特にＰＴＣ過電流保護部、セラミック製の多層コンデンサ、特にＭＬＣＣコンポーネント、インダクタンス、および／または抵抗として設計される。代案として、電気部品７は、ドライバーチップとして設計される。電気部品７は、ＬＥＤ３と電気的に接続されるのが好ましい。複数の電気部品７、例えば少なくとも１つのＥＳＤ保護部品と温度センサとが、支持体２に組み込まれていてもよい。
【００２９】
電気部品７は、超薄型に設計されるのが好ましい。例えば電気部品は、０．３ｍｍまたはこれ以下の厚みを有する。
【００３０】
１つの実施形態では、電気部品７が中に埋め込まれているポリマー層６の機械的な強度は、少なくとも１つの他のポリマー層４，５の機械的な強度よりも低い。例えば内部ポリマー層６は、一番上および一番下のポリマー層４，５よりも容易に機械的に変形する可能性がある。このようにして、例えば支持体２の中心部での熱応力を補償することができる。
【００３１】
電気部品７は、貫通接続１０によって電気接触されている。貫通接続１０は、一番下の層５を通過して、支持体２の下面に配置された平坦な接続接点１１とそれぞれ接続されている。ＬＥＤ３は、支持体２の上面に配置された上側の接続接点１２の上に配置されている。上側の接続接点１２は、支持体２の全体を通過して、支持体の下面２にある接続接点１１への電気接続部を提供する別の貫通接続１３と接続される。電気部品７およびこれと接続された貫通接続１０は、断面で見た場合、別の貫通接続１３によって側方で区切られる空間内に配置されている。
【００３２】
ＬＥＤ３は、保護コーティング９で包み込まれている。保護コーティング９は、例えばレンズとして作用する。保護コーティング９は、例えばシリコンおよび任意選択で燐光層を有する。
【００３３】
発光ダイオード装置１を製造するために、例えば複数のポリマー層４，５，６が準備され、少なくとも１つのポリマー層６は切欠き８を有している。ポリマー層４，５，６が、上下の位置関係で配置される。この場合、電気部品７が、切欠き８の中に配置される。埋め込まれた電気部品７を含むポリマー層４，５，６を積層したものが、プレスされて１つの積層板をなす。
【００３４】
貫通接続１０，１３を設計するために、例えばプレスの後に、例えばレーザを用いてポリマー層４，５，６に穴が穿設される。これらの穴が導電性の材料であって、例えば電気めっき式の方法または電流を用いない電気化学式の方法で充填される。例えば穴が銅で充填される。次いで、接続接点１０，１２が形成される。
【００３５】
次いで、ＬＥＤ３が上側の接続接点１２の上に載置され、例えばボンディングやはんだ付けによって取り付けられる。ＬＥＤ３に保護コーティング９が施される。
【００３６】
図２は、積層されたポリマー層４，５，６を有する共通の支持体２の上にそれぞれ保護コーティング９を備える複数のＬＥＤ３が配置された、発光ダイオード装置１の別の実施形態を示している。
【００３７】
複数の電気部品７が、支持体２内に埋め込まれている。例えば各々のＬＥＤ３に、少なくとも１つの電気部品７が割り当てられる。例えばＥＳＤ保護部品の形態のそれぞれ割り当てられた電気部品７が、付属のＬＥＤ３の真下に配置されていてもよい。
【００３８】
さらに支持体２の上に、別の電気部品１４が配置されている。この別の電気部品１４は支持体２内に埋め込まれない。代わりに、別の電気部品１４が支持体２にある凹部内に部分的または完全にはめ込まれる。例えばこの別の電気部品１４は、ＬＥＤ３が配置されている支持体２の上面に配置される。
【００３９】
例えば別の電気部品１４は、温度センサとして設計される。特にこれはサーミスタ素子、例えばＮＴＣサーミスタ素子またはＰＴＣサーミスタ素子である。
【００４０】
発光ダイオード装置１は、それ以外の点では図１について説明したものと同様に設計される。
【００４１】
図３は、発光ダイオード装置１のさらに別の実施形態を示しており、ここでは、別の支持体１５が設けられ、その上にＬＥＤ３が配置されている。この別の支持体１５は、例えばセラミック製の本体を有している。セラミック製の本体は、多層に設計されてもよい。
【００４２】
別の支持体１５は、ポリマー層４，５，６を有する支持体２の上に配置されている。特に別の支持体１５は、支持体２の上側の接続接点１２に取り付けられて、これと電気的に接続されている。ＬＥＤ３は、別の支持体１５を通過するように案内されて接続接点１２と電気的に接続される貫通接続１６と接続されている。
【００４３】
この発光ダイオード装置１は、それ以外の点では図１および２について説明したように設計されていてよい。
【００４４】
１つまたは複数のＬＥＤおよび／またはその他の電気部品が単一の支持体の上に配置される構造（図１および２）は、レベル１システムと呼ばれる。１つまたは複数のレベル１システムがさらに共通の支持体の上に組み付けられると、図３に示すように、これをレベル２システムと呼ぶ。レベル２システムは、特に複数のレベル１モジュールを含むことができる。
【００４５】
図４は、発光ダイオード装置１の別の実施形態を示しており、ここでは、それぞれ別の支持体１５の上に配置された複数のＬＥＤ３が設けられている。
【００４６】
別の支持体１５が、共通の支持体２上に配置されている。共通の支持体２は、ポリマー層４，５，６を有し、その中に複数の電気部品７が埋め込まれている。さらに支持体２の上に、１つまたは複数の別の電気部品１４が配置されている。
【００４７】
この発光ダイオード装置１は、それ以外の点では図１から図３について説明したように設計されていてよい。
【００４８】
図５は、図３の発光ダイオード装置１と類似して設計された発光ダイオード装置１の別の実施形態を示しており、ここでは、複数の電気部品７，１７，１８，１９が、支持体２と一体化（integrated）されている。
【００４９】
特に電気部品７，１７，１８，１９は、支持体２の１つまたは複数の内部ポリマー層６内に埋め込まれる。例えばすべての電気部品７，１７，１８，１９が、同じポリマー層６内に埋め込まれる。
【００５０】
例えば１つの電気部品７は、ＬＥＤ３の真下に配置される。例えばこれは温度センサ、特にＮＴＣサーミスタまたはＰＴＣサーミスタを含む。例えば１つの電気部品１７は、セラミック製のマルチレイヤコンデンサ（ＭＬＣＣ）、抵抗、および／またはインダクタンスとして設計される。例えば１つの電気部品１８は、ＥＳＤ保護部品、特にマルチレイヤバリスタとして設計される。例えば１つの電気部品１９は、ＬＥＤドライバーチップとして設計される。
【００５１】
さらに、金属のビア２０が熱的な結合を改善するために設けられている。金属のビア２０は、一番上の層４を通過するように案内されて、別の支持体１５の真下に配置される。
【符号の説明】
【００５２】
１  発光ダイオード装置、２…支持体、３…発光ダイオード（ＬＥＤ）、４…一番上の層、５…一番下の層、６…内部の層、７…電気部品、８…切欠き、９…保護コーティング、１０…貫通接続、１１…下側の接続接点、１２…上側の接続接点、１３…別の貫通接続、１４…別の電気部品、１５…別の支持体、１６…貫通接続、１７…電気部品、１８…電気部品、１９  電気部品、２０…サーマルビア。
【図１】
2017527998.tif 000003
【図２】
2017527998.tif 000004
【図３】
2017527998.tif 000005
【図４】
2017527998.tif 000006
【図５】
2017527998.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成29年3月31日(2017.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの支持体（２）と、前記支持体の上に配置された少なくとも１つの発光ダイオード（３）とを有する発光ダイオード装置において、
前記支持体（２）は互いに上下の位置関係で配置された複数のポリマー層（４，５，６）を有しており、電気部品（７，１７，１８，１９）が前記ポリマー層（４，５，６）のうち少なくとも１つに埋め込まれていることを特徴とする発光ダイオード装置。
【請求項２】
前記支持体（２）は一番上の、一番下の、およびこれらの間に配置された少なくとも１つの内部ポリマー層（４，５，６）を有しており、前記電気部品（７，１７，１８，１９）が少なくとも前記内部ポリマー層（６）内に埋め込まれていることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード装置。
【請求項３】
前記電気部品（７，１７，１８，１９）がすべての側で前記支持体（２）のポリマー材料によって包囲されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光ダイオード装置。
【請求項４】
前記電気部品（２）は一番上および一番下のいずれのポリマー層（４，５）内にも埋め込まれていないことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の発光ダイオード装置。
【請求項５】
前記電気部品（７，１７，１８，１９）は前記発光ダイオード（３）に関して横方向にセンタリングされて配置されていることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の発光ダイオード装置。
【請求項６】
前記電気部品を電気接触するために少なくとも１つの貫通接続（１０）を有しており、前記貫通接続（１０）は少なくとも１つの前記ポリマー層（４，５，６）を通過するように案内されていることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の発光ダイオード装置。
【請求項７】
前記電気部品（７，１７，１８，１９）を接続接点（１１）と接続するために少なくとも２つの貫通接続（１０）を有しており、前記発光ダイオード（３）を前記接続接点（１１）と接続するために少なくとも２つの別の貫通接続（１３）を有しており、少なくとも２つの前記貫通接続（１０）は少なくとも２つの別の前記貫通接続（１３）の間に配置されていることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の発光ダイオード装置。
【請求項８】
前記電気部品（７，１８）は静電気放電に対して保護するような設計であることを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の発光ダイオード装置。
【請求項９】
前記電気部品（７，１７，１８）はバリスタ、シリコン半導体保護ダイオード、ポリマー部品、温度センサ、過電流保護部、セラミック製の多層コンデンサ、インダクタンス、抵抗、またはドライバーチップとして設計されていることを特徴とする請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の発光ダイオード装置。
【請求項１０】
前記電気部品（７，１７，１８，１９）が中に埋め込まれているポリマー層（６）は、前記支持体（２）の少なくとも１つの他のポリマー層（４，５）とは異なる材料特性を有することを特徴とする請求項１〜請求項９のいずれか１項に記載の発光ダイオード装置。
【請求項１１】
前記電気部品（７，１７，１８，１９）が中に埋め込まれたポリマー層（７，１７，１８，１９）は、前記支持体（２）の少なくとも１つの他のポリマー層（４、５）とは異なる機械的強度を有していることを特徴とする請求項１０に記載の発光ダイオード装置。
【請求項１２】
前記発光ダイオード（３）は少なくとも部分的に前記支持体（２）のキャビティの中にはめ込まれている（recessed）ことを特徴とする請求項１〜請求項１１のいずれか１項に記載の発光ダイオード装置。
【請求項１３】
前記電気部品（７，１７，１８，１９）は前記ポリマー層（４，５，６）の積層方向に関してセンタリングされて前記支持体（２）に配置されていることを特徴とする請求項１〜請求項１２のいずれか１項に記載の発光ダイオード装置。
【請求項１４】
前記支持体（２）の上に配置された複数の発光ダイオード（３）を有していることを特徴とする請求項１〜請求項１３のいずれか１項に記載の発光ダイオード装置。
【請求項１５】
前記支持体（２）の上に配置された別の支持体（１５）を有しており、前記発光ダイオード（３）は前記別の支持体（１５）上に配置されていることを特徴とする請求項１〜請求項１４のいずれか１項に記載の発光ダイオード装置。
【請求項１６】
前記別の支持体（１５）はセラミック製の支持体として設計されていることを特徴とする請求項１〜請求項１５のいずれか１項に記載の発光ダイオード装置。
【国際調査報告】
2017527998.tif 000008
2017527998.tif 000009
2017527998.tif 000010
2017527998.tif 000011