(57)【要約】  １つの多層基板を製造するための１つの方法が提示され、この方法では、複数のセラミック層（２）を備える１つの基体（２６）が準備され、少なくとも１つのセラミック層（２）は、１つの穴（２７）を備える。このようにして、１つの貫通接続部（４，１８，２０，２１）を形成するために、この穴（２７）は、溶液からの金属の堆積による金属によって充填される。さらに１つの多層基板が提示され、この多層基板では、上記基体（２６）の内部で１つの貫通接続部（４，１８，２０，２１）が１つの延長接続部（１１）と結合されており、ここでこの貫通接続部（４，１８，２０，２１）は、上記の延長接続部（１１）と異なる材料を備え、および／または当該延長接続部と異なる製造方法を用いて生成されている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層基板を製造するための方法であって、
Ａ）複数のセラミック層（２）を備える１つの基体（２６）を準備するステップであって、少なくとも１つのセラミック層（２）が１つの穴（２７）を備えるステップと、
Ｂ）１つの貫通接続部（４，１８，２０，２１）を形成するために、前記穴（２７）を、溶液からの金属の堆積による金属によって充填するステップと、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記金属は銅を含むことを特徴とする、請求項１の記載の方法。
【請求項３】
前記穴（２７）は、複数のセラミック層（２）を貫通していることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか1項に記載の方法において、
前記多層基板（１）は、前記基体（２６）の内部に１つの延長接続部（１１）を備え、当該延長接続部は、前記貫通接続部（４，１８，２０，２１）と結合されており、
前記延長接続部（１１）は、その材料において、および／またはその製造方法において、前記貫通接続部（４，１８，２０，２１）と異なっている、
ことを特徴とする方法。
【請求項５】
前記延長接続部（１１）は、銀，タングステン，モリブデン，および／または銅を含むことを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記延長接続部（１１）は、焼成されたペーストを含むことを特徴とする、請求項４または５に記載の方法。
【請求項７】
前記延長接続部（１１）は、前記基体（２６）の内部に、１つのセラミック層（２）上に配設されている１つの内層（１３）を備えることを特徴とする、請求項４乃至６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記延長接続部（１１）は、もう１つの貫通接続部（１２）を備え、当該貫通接続部は、少なくとももう１つのセラミック層（２）を貫通していることを特徴とする、請求項４乃至７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記金属の堆積の際に、デバイス（２３）を接続するための１つの接続コンタクト部（５，１９，２２）が前記基体の１つの外面（６，１４，１５）上に生成されることを特徴とする、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
複数のセラミック層（２）を有する１つの基体（２６）を備える多層基板であって、
少なくとも１つの前記セラミック層（２）は、１つの貫通接続部（４，１８，２０，２１）を備え、当該貫通接続部は、溶液からの堆積によって取り付けられる金属を含むことを特徴とする多層基板。
【請求項１１】
複数のセラミック層（２）を有する１つの基体（２６）を備える多層基板であって、
前記多層基板は、１つの貫通接続部（４，１８，２０，２１）および当該貫通接続部と接続されている１つの延長接続部（１１）を備え、当該貫通接続部（４，１８，２０，２１）は、前記複数のセラミック層（２）の少なくとも１つのセラミック層を貫通しており、かつ当該延長接続部（１１）は、前記基体（２６）の内部に配設されており、
前記貫通接続部（４，１８，２０，２１）は、前記延長接続部（１１）と異なる材料を備え、および／または当該延長接続部と異なる製造方法を用いて生成されている、
ことを特徴とする多層基板。
【請求項１２】
前記貫通接続部（４，１８，２０，２１）は、銅を含み、そして前記延長接続部は、銀，タングステン，モリブデン，および／または銅を含むことを特徴とする、請求項１１に記載の多層基板。
【請求項１３】
複数のセラミック層（２）を有する１つの基体（２６）を備える多層基板であって、
前記基体（２６）は、ＨＴＣＣ技術で製造されており、かつ１つの貫通接続部（４，１８，２０，２１）を備え、当該貫通接続部は、前記複数のセラミック層の内の少なくとも１つのセラミック層を貫通しており、当該貫通接続部（４，１８，２０，２１）は銅を含んでいることを特徴とする多層基板。
【請求項１４】
前記延長接続部（１１）は、少なくとも１つのセラミック層のもう１つの貫通接続部（１８）を備えることを特徴とする、請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載の多層基板。
【請求項１５】
前記延長接続部（１１）は、前記基体（２６）の内部に１つの内層（１３）を備え、当該内層は１つのセラミック層（２）上に配設されていることを特徴とする、請求項１１乃至１４のいずれか１項に記載の多層基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック多層基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
たとえば本発明による多層基板は、デバイス、具体的には電子デバイス用の担体として用いられる。たとえばこの多層基板は、ＬＴＣＣ（low temperature cofired ceramics）セラミック複合体、またはＨＴＣＣ（high temperature cofired ceramics）セラミック複合体である。この多層基板は、１つの貫通接続部（Ｖｉａ）を備え、この貫通接続部は、たとえば１つのデバイスを１つの接続コンタクト部に接続するためのものである。達成可能なデバイスの実装密度は、概ねこのビア（複数）およびこの接続コンタクト部（複数）の構成に依存する。
【０００３】
特許文献１は、１つのセラミック多層基板を開示しており、この多層基板では、はんだ可能な接続面は、セラミック基板への金属の堆積によって生成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】独国特許出願公開第１０２００４０３０８００Ａ１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の課題は、１つの改善された多層基板、および１つの多層基板を製造するための方法を提示することである。
【０００６】
本発明の１つの第１の態様によれば、１つの多層基板を製造するための１つの方法が提示される。この際複数のセラミック層を備える１つの基体が準備される。これらのセラミック層の内少なくとも１つ、具体的にはこの基体の最も外側の層は、１つの穴を備える。この穴は、溶液からの金属の堆積による金属によって充填される。このようにして、１つの貫通接続部が、少なくとも１つの層によって生成されてよい。
【０００７】
たとえば、上記のセラミック複合体は、ＬＴＣＣまたはＨＴＣＣ技術で製造される。この際そのセラミック層（複数）の形成のためのグリーンシート（複数）が準備され、そして上下に重なって積層される。この積層体の最も外側の層には、１つの穴が設けられている。この穴は、たとえばレーザーを用いて、またはパンチ加工によって取り付けられる。この積層体は焼結される。上記の貫通接続部の生成のために、この穴はこの焼結の後で溶液からの金属の堆積によって充填される。好ましくはこの穴は完全に充填される。この金属はたとえば銅を含むか、または銅である。
【０００８】
この金属の堆積のために、たとえば電気めっき処理が用いられる。具体的には１つの外部電流源が接続される。この際コーティングされる表面は陰極となり、この陰極に溶液からの金属が堆積する。
【０００９】
上記の金属が堆積されることになる上記の基体の表面、具体的には上記の穴の内側の表面は、たとえばこの金属の堆積の前に前処理が行われる。具体的には、１つのシード層（"seed layer"）が取り付けられてよく、このシード層は上記の金属の堆積を容易とし、あるいはまったくこのシード層が漸く金属の堆積を可能とするものである。たとえばシード層として、１つのメタライジング部が上記のセラミックの表面に取り付けられる。続いて上記の金属が、溶液からの堆積によって取り付けられる。
【００１０】
金属の堆積による貫通接続部の生成は、この貫通接続部用の金属が、上記のセラミック複合体の焼結の後で漸く取り付けることができるという利点を有する。以上により上記の金属の選択は、概ね上記のセラミック複合体の製造方法に依存せず、たとえばＬＴＣＣ技術が用いられるか、あるいはＨＴＣＣ技術が用いられるかには依存しない。たとえば上記の貫通接続部用のＨＴＣＣ技術では、通常はタングステンまたはモリブデンを含む焼成ペーストが使用される。その代わりに、金属の堆積によるこの貫通接続部の製造では、たとえば銅をこの貫通接続部用の材料として用いることができる。銅はＨＴＣＣ技術でも用いることができる。
【００１１】
本発明のもう１つの態様によれば、１つの多層基板が提示され、ここでこの多層基板は複数のセラミック層を有する１つの基体を備える。これらのセラミック層の内の少なくとも１つのセラミック層は、１つの貫通接続部を備え、ここでこの貫通接続部は、溶液からの堆積によって取り付けられている金属を含む。本方法および本多層基板に関して開示された全ての特徴は、これに対応してそれぞれの他の態様に関しても開示されているものであり、そしてこの逆も成り立っている。またそれぞれの特徴がそれぞれの態様に関連して顕わに示されていない場合でこれらは成り立っているものである。
【００１２】
１つの実施形態においては、上記の穴、およびこれに対応する、金属の堆積によって形成された貫通接続部は、上記のセラミック層（複数）の一部のみを貫通している。たとえばこの貫通接続部は、最も外側のセラミック層のみを貫通している。もう１つの実施形態においては、上記の穴、およびこれに対応する、堆積によって形成された貫通接続部は、複数のセラミック層を貫通している。これらの貫通接続部は、この積層体全体を貫通してもよい。
【００１３】
１つの実施形態においては、本発明による多層基板は、１つの延長接続部を備え、この延長接続部は、上記の基体の内部に配設されており、そして上記の貫通接続部と結合されている。１つの実施形態においては、この延長接続部は、その材料において、および／またはその製造方法において、上記の貫通接続部と異なっている。
【００１４】
１つの実施形態においては、上記の延長接続部は、銀，モリブデン，またはタングステンを含む。上記の貫通接続部はたとえば銅を含む。１つの実施形態においては、上記の延長接続部は、上記の貫通接続部と同じ材料を含む。たとえば上記の延長接続部も、また上記の貫通接続部も銅を含みあるいは実質的に銅から成っている。
【００１５】
１つの実施形態においては、上記の延長接続部の生成のために、上記のグリーンシートと一緒に焼結されるペーストが用いられる。上記の貫通接続部は、たとえば焼結の後で金属の堆積によって漸く生成される。堆積によって生成された貫通接続部を焼成ペーストから成る延長接続部と組み合わせることは、この延長接続部によって上記の基体の領域（複数）も接続することができることであり、これは堆積処理では達成することができないか、あるいはほとんど達成できないものである。
【００１６】
１つの実施形態においては、上記の延長接続部は１つの内層を備え、この内層は、上記の基体の内部で１つのセラミック層上に配設されている。この内層によって、たとえば１つの受動的部品または１つの接続回路パターンが実現される。この内層は、たとえば１つのグリーンシート上にペーストとして塗布され、このペーストは、他のグリーンシートと共に１つの積層体となるように配設され、そして焼結される。
【００１７】
この代替としてまたは追加的に、上記の延長接続部は、もう１つの貫通接続部を備え、この貫通接続部は、少なくとももう１つのセラミック層を貫通している。たとえばこのもう１つの貫通接続部は、堆積によって形成された貫通接続部を上記の基体の内部まで貫入している。
【００１８】
１つの実施形態においては、溶液からの金属の堆積の際に、上記のデバイスを接続するための１つの接続コンタクト部も上記の基体の外面上に生成される。この接続コンタクト部は、たとえば外側から見て、上記の貫通接続部の上側に配設されている。この接続コンタクト部は、接続面として形成されていてよい。この接続面は、たとえば上記の貫通接続部より大きな幅を備える。
【００１９】
上記の接続コンタクト部は、好ましくは上記の貫通接続部と同じ処理で生成される。この接続コンタクト部は、好ましくはこの貫通接続部と同じ材料を備える。１つの平坦な、はんだ可能およびボンディング可能な表面の形成のために、この接続コンタクト部には、追加的に１つのカバー層が設けられていてよい。このカバー層は、たとえば無電解めっきまたは外部電流源を接続した状態で堆積される金属を含んでよい。たとえばこの金属はニッケル，パラジウム，金，銀，および／または錫である。
【００２０】
このような堆積によって取り付けられた１つの貫通接続部、およびこの貫通接続部上に取り付けられた接続コンタクト部は、この接続コンタクト部の特に平坦な表面を生成することができる。これは、たとえば１つのデバイスを、上記の接続コンタクト部上に、直接この貫通接続部の上側に固定するためのボールをとりつけることを可能とし、こうしてデバイスの実装密度を大きくすることができる。
【００２１】
１つの実施形態においては、上記の接続コンタクト部は、１つのスタッド（"Bump"）または１つの柱（"Pillar"）の形態で形成されている。この場合、この接続コンタクト部は上記の基体から立ち上がっている。この接続コンタクト部上に１つのデバイスを、上記の基体の表面から距離を置いて設置することができる。特に、スタッド状または柱状の構成の接続コンタクト部では、このデバイスの固定のためのはんだボールが全く必要でない。このような接続コンタクト部の構成は、上記のデバイスの実装密をさらに大きくすることを可能とする。
【００２２】
本発明のもう１つの態様によれば、１つの多層基板が提示され、ここでこの多層基板は、複数のセラミック層を有する１つの基体を備える。この多層基板は、１つの貫通接続部およびこれと接続されている１つの延長接続部を備え、ここでこの貫通接続部は、これらのセラミック層の内の少なくとも１つのセラミック層を貫通しており、そしてこの延長接続部は、上記の基体の内部に配設されている。この延長接続部は、この貫通接続部と異なる材料を備え、および／またはこの貫通接続部と異なる製造方法を用いて生成されている。
【００２３】
たとえば上記の延長接続部は、銀を含み、そして上記の貫通接続部は銅を含んでいる。たとえば上記の延長接続部は、焼成されたペーストから形成される。たとえば上記の貫通接続部は、上記の基体の焼結の後に漸く、具体的には溶液からの金属の堆積によって生成される。
【００２４】
本発明のもう１つの態様によれば、１つの多層基板が提示される。この多層基板は、複数のセラミック層を有する１つの基体を備え、ここでこの基体はＨＴＣＣ技術で製造されており、そして１つの電気的接続部を備えており、この電気的接続部は、これらのセラミック層の１つを貫通しており、ここでこの貫通接続部は銅を含んでいる。この貫通接続部は、たとえば溶液からの金属の堆積によって、上記の基体の焼結の後に取り付けられる。
【００２５】
一般的には、ＨＴＣＣ技術では、貫通接続部用の材料としてタングステンまたはモリブデンが用いられる。銅から成る貫通接続部は、特にコスト削減ならびにより良好な熱伝導率および電気伝導率を可能とする。
【００２６】
本出願には、発明の複数の態様が記載されている。上記の方法または上記の多層基板（複数）の１つに関して開示されている特徴は、これに対応したそれぞれの他の態様に関しても開示されているものであり、あるいはこの逆も成り立っており、たとえそれぞれの特徴がそれぞれの態様に関して顕わに示唆されていない場合でも成り立つものである。
【００２７】
以下では、実施形態例の概略的かつ寸法の正確でない図を用いて、上記に説明したものを詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】１つの多層基板の１つの実施形態を１つの断面で示す。
【図２Ａ】１つの多層基板のもう１つの実施形態を１つの断面で示す。
【図２Ｂ】１つの多層基板のもう１つの実施形態を１つの断面で示す。
【図３Ａ】１つの多層基板を製造するための１つの方法における処理ステップを示す。
【図３Ｂ】１つの多層基板を製造するための１つの方法における処理ステップを示す。
【図３Ｃ】１つの多層基板を製造するための１つの方法における処理ステップを示す。
【図３Ｄ】１つの多層基板を製造するための１つの方法における処理ステップを示す。
【図４】多層基板の他の実施形態を１つの断面で示す。
【図５】多層基板の他の実施形態を１つの断面で示す。
【図６】多層基板の他の実施形態を１つの断面で示す。
【図７】多層基板の他の実施形態を１つの断面で示す。
【００２９】
特に、以下の図においては、異なる実施形態で同等な機能的ないし構造的部分を、同じ参照符号で示す。
【００３０】
図１は、複数の上下に重なって配設されたセラミック層２を備える１つの基体２６を有する１つの多層基板１を、１つの断面で示す。この多層基板１は、１つの電気的接続部３を備え、この電気的接続部は、１つの貫通接続部４および１つの接続コンタクト部５を備える。この接続コンタクト部５は、接続面として形成されている。この電気的接続部３は、特に１つのデバイス、たとえば１つのチップ（不図示）の接続用に形成されており、このデバイスは上記の多層基板上に配設される。たとえばこのデバイスは１つのＬＥＤ，１つのセンサ，１つのＳＡＷフィルタ，または１つのフローリアクタ（Fluidik-Reaktor）である。特にこのデバイスは、１つの電子デバイスであってよい。本発明による多層基板は、たとえば上記のデバイスの担体、および／またはカプセル封止、具体的にはいわゆるパッケージの形態で用いられる。たとえば上記のデバイスが１つのボンディングワイヤによって接続コンタクト部５と接続される。上記のデバイスは、はんだボール（"solder balls"）によってもこの接続コンタクト部５と接続することができる。
【００３１】
しかしながらこの接続コンタクト部５は、たとえば１つのパッケージオンパッケージシステムの形成のために、１つの蓋または１つの他の基板の機械的および／または電気的な接続部としても使用することができる。たとえばさらなる部品がこの接続コンタクト部５の上にはんだ付けまたは接着される。
【００３２】
貫通接続部４は、多層基板１の外面６から最も外側のセラミック層７、たとえばこの積層体の最も上の層を貫通している。具体的には、この貫通接続部４は接続コンタクト部５から基板１の内部へ延伸している。この貫通接続部４は、いわゆるめくらビアとして実装されており、すなわちこの貫通接続部はこの基板を完全には貫通していない。接続コンタクト部５は、基体２６の外面６に、具体的には最も外側の層７上に配設されている。この接続コンタクト部５は、貫通接続部４と共に一体的に形成されている。具体的には、この貫通接続部４およびこの接続コンタクト部５は、同じ材料から形成されており、そして同じ処理で生成されている。たとえばこの貫通接続部４とこの接続コンタクト部５は、銅を含み、そして溶液からの金属の堆積によって生成される。
【００３３】
貫通接続部４は、たとえば８０μｍの幅を有する。１つの接続面の形態の接続コンタクト部５は、この貫通接続部４より大幅に幅広に形成されている。たとえばこの接続面は、２５０μｍの幅および２０μｍの高さを有する。
【００３４】
図２Ａおよび２Ｂは、接続コンタクト部５にさらに１つのカバー層８が設けられている多層基板１を、それぞれ１つの断面で示している。このカバー層８は、１つの下地層９上に取り付けられており、この下地層は図１の接続コンタクト部５のように形成されている。このカバー層８によって、接続コンタクト部５は、極めて平坦な、はんだ可能な、そして接着可能な表面となっている。このカバー層８は、腐食に対する１つの保護部ともなり得る。
【００３５】
このカバー層８は、多層に形成されていてよい。たとえばこのカバー層８は、１つのニッケル層および１つの銀層を備え、ここでこのニッケル層ははんだバリアとして機能する。代替として、このカバー層８は、たとえば１つのニッケルおよび１つの金層を備える。このニッケル層の上にさらに１つのパラジウム層が取り付けられていてよい。以上によりこのカバー層８は、たとえばＮｉ−ＡｕまたはＮｉ−Ｐｄ−Ａｕの多層を有する構造となっている。
【００３６】
図２Ａに示す実施形態では、このカバー層８は、下地層９の上面のみを覆っている。この接続コンタクト部５は、１つの開放された縁部１０を備える。この場合には下地層９は、図３Ａ〜３Ｄで説明するように、たとえばこのカバー層８を取り付けた後で、漸くパターニングされる。
【００３７】
図２Ｂに示す実施形態では、このカバー層８は、下地層９の側部領域も覆っており、こうしてこの下地層９は、このカバー層８によって完全に覆われている。この場合には下地層９は、図３Ａ〜３Ｄで説明するように、たとえばこのカバー層８を取り付ける以前に、パターニングされる。
【００３８】
図３Ａ〜３Ｄには、上記のような多層基板を製造するための処理ステップが示されている。
【００３９】
図３Ａは、１つの多層基板用の１つの基板２６を示す。この基板２６の製造のために、セラミック層（複数）２の形成のためのグリーンシート（複数）が上下に重なって１つの積層体に配設されて、一緒に焼結される。貫通接続部４用に、後に最も外側のセラミック層７を形成するグリーンシートに１つの穴２７が設けられている。たとえばこの穴はパンチ加工されるか、あるいはレーザを用いて取り付けられる。
【００４０】
これらのグリーンシートは、たとえばセラミック粉末，結着剤，および焼結助剤としてガラス成分を含む。たとえばセラミック粉末として酸化アルミニウムが用いられる。１つの実施形態においては、ＬＴＣＣ（low temperature cofired ceramics）技術が応用される。この際たとえば約９００℃の温度で焼結される。代替として、ＨＴＣＣ（high temperature cofired ceramics）技術が応用される。この場合には、非常に高い温度で、たとえば１６００℃の領域で焼結される。ここではこれらのグリーンシートは、たとえば全くガラス成分を含まない。
【００４１】
上記の積層体の焼結の後、このセラミックの表面が前処理され、これにより電気的接続部の形成のための金属の堆積が容易とされるか、あるいは漸く可能となる。
【００４２】
図３Ｂは、この表面の前処理のためのステップを概略的に示す。具体的には、１つのシード層が、穴２７の内部に、かつこの基板２６の外面に生成される。このシード層は、たとえば１００ｎｍ〜５００ｎｍの厚さである。
【００４３】
１つの実施形態においては、この穴２７の内部の表面および基体２６の外面６の表面が化学的に活性化される。この活性化では、この表面が、たとえばパラジウム溶液を用いて処理され、たとえば塩化パラジウム溶液を用いて処理される。この際パラジウム原子がこの表面上に堆積し、このパラジウム原子はさらなるメタライジングの触媒として作用する。この代替として、このシード層は、スパッタリングによって、またはＰＶＤ処理（Physical Vapor Deposition）を用いて取り付けられてもよい。このシード層は、たとえばチタン，銅，および／またはクロムを含む。
【００４４】
続いて、上記の活性化された面上に、１つのメタライジング部２８が溶液からの金属の堆積によって生成される。
【００４５】
図３Ｃは、穴２７内および外面６上に１つのメタライジング部２８が堆積されている、多層基板１を示す。この穴２７は、金属によって完全に充填されている。たとえば銅が堆積される。この堆積は２段階で行うことができ、ここでまず１つの比較的薄い銅層が無電解めっきで堆積され、そして続いて電解めっきで厚膜化される。
【００４６】
続いて、このメタライジング部２８は、接続コンタクト部５を形成するためにパターニングされる。このためたとえばフォトレジストパターンが、この積層体の外面６のメタライジング部２８の上に取り付けられ、所望のパターンに対応して露光され、そして現像される。ここで接続コンタクト部５が設けられない領域は、もはやこのフォトレジストパターンによって覆われていない。つづいてこの覆われていない領域がエッチングされる。たとえばエッチング剤として、鉄（ＩＩＩ）イオンを含む水性溶液が使用される。続いてこのフォトレジストパターンは、たとえば溶剤を用いて除去される。
【００４７】
図３Ｄは、こうしてパターニングされた接続コンタクト部５および貫通接続部４を有する多層基板を示す。
【００４８】
上述した処理を用いた製造の際には、この貫通接続部４およびこの接続コンタクト部５は、焼結された金属ペーストを全く含んでいない。これはこのデバイスの実装密度を大きくすることを可能とする。具体的には、この接続コンタクト部５は、上述の処理では、ペーストを用いた印刷でのシルクスクリーン印刷により可能なパターニングよりも、より良好な解像度でパターニングすることができる。以上により、複数の接続コンタクト部５を、たとえば３０μｍの間隔で生成することができる。さらに、極めて平坦な表面を有する接続コンタクト部５を生成することができ、これによりたとえばはんだボールを直接この貫通接続部４の上に配設することができる。これもまた同様に実装密度の増大を可能とする。
【００４９】
加えて、このような接続部３は、基体１の内層への外部コンタクト部５の非常に良好な電気的，熱的，機械的，および高周波技術的な結合を保証する。さらに、貫通接続部４および接続コンタクト部５を１つの共通な処理で生成することができる場合は、加工ステップの数を削減することができる。
【００５０】
さらに、基体２６のもっとも外側の層７，１６は、非常に薄く形成することができる。これはこれらの層７，１６がそのグリーン状態においては、ペーストの塗布あるいは投入に必要な機械的な堅さを備える必要がないからである。
【００５１】
１つの実施形態においては、基板の内部の貫通接続部４に、１つの延長接続部が繋がっており、この延長接続部は焼結されたペーストを含んでいる。この場合、１つのグリーシート上に、または１つのグリーシートの１つの穴の内部に、ペーストが投入され、このペーストはこの積層体と共に焼成される。具体的には、このペーストは厚膜ペーストである。
【００５２】
接続コンタクト部５を生成するための１つの変形例によれば、上記の活性化の後に、まず、上述したようなメタライジング部２８が生成される。このメタライジング部２８上に、１つのフォトレジスト層が取り付けられ、露光されて現像される。ここで接続コンタクト部５が設けられる領域は、露出した状態となっている。このレジストに覆われていない領域において、ここで１つの電流源を接続した状態で、または無電解処理を用いて、このメタライジング部２８上に１つのカバー層８（図２Ａ参照）が取り付けられる。
【００５３】
続いてこのフォトレジストパターンは除去され、そしてエッチングステップが実施され、このメタライジング部２８が、これ以前に上記のフォトレジストパターンによって覆われていた領域で、この基板まで除去される。このフォトレジストパターンのエッチングの後に、たとえば図２Ａに示されているような、サンドウィッチ状のＣｕ−Ｎｉ−Ａｇの開放された縁部１０が得られる。
【００５４】
１つの代替の実施形態によれば、上記のカバー層は、上記の下地メタライジング部のパターニングの後に漸く取り付けられる。たとえばこのカバー層は、１つの化学処理によって、無電解で、下地層９上に堆積される。この場合このカバー層８は、図２Ｂに見られるように、この下地層９の側部領域も覆っている。
【００５５】
１つの代替の実施形態によれば、この下地メタライジング部のパターニングは、上述のようなサブトラクティブ法で行う代わりにアディティブ法によって行うこともできる。このためたとえば上記の表面の活性化の後に、１つのフォトレジストパターンが取り付けられる。このフォトレジストパターンは、上記の接続コンタクト部が設けられる部位で露光される。このレジスト層は、この露光された部位で除去され、こうして少なくとも１つの凹部が形成される。この凹部の中に、上記の接続コンタクト部用のメタライジングが電気めっきで取り付けられる。続いてこのフォトレジストパターンの残りの領域が除去される。
【００５６】
図４は、堆積によって生成された２つの貫通接続部４および接続コンタクト部５を備える１つの多層基板１を示す。これら２つの貫通接続部４は、たとえば４００μｍ〜５００μｍの間隔を有する。しかしながら、もっと小さな間隔、たとえば１００μｍの領域の間隔が生成されてもよい。
【００５７】
これらの貫通接続部４は、基板１の内部において、それぞれ１つの延長接続部１１と結合されている。これらの延長接続部１１は、それぞれ１つのさらなる貫通接続部１２を備え、これらのさらなる貫通接続部は、堆積によって生成された貫通接続部４をこの基板１の内部まで延伸している。これらのさらなる貫通接続部１２は、２つのさらなるセラミック層２を貫通している。
【００５８】
これらのさらなる貫通接続部１２は、１つの焼成されたペーストから形成されている。このため、さらなる貫通接続部１２が設けられることになる、これらのセラミック層２用のグリーンシートの中へ、穴（複数）が取り付けられ、そしてペーストで充填される。このペーストは、これらのグリーンシートと一緒に焼結される。たとえば、これらのさらなる貫通接続部１２は銀を含む。これらのさらなる貫通接続部１２は銅を含んでもよい。特にＨＴＣＣ技術を用いた場合には、材料としてタングステンまたはモリブデンも適合している。
【００５９】
さらに、セラミック層（複数）２の間に、複数の金属の内層１３が設けられており、ここでこれらの内層１３の１つは、上記のさらなる貫通接続部１２と電気的に接続されている。これらの内層１３によって、たとえば受動的な部品および回路接続パターンが実現される。これらの内層１３も１つの焼成ペーストによって形成される。このため上記のグリーンシートは、このペーストで印刷され、積層され、そして焼結される。
【００６０】
図５は、１つの多層基板１のもう１つの実施形態を示す。ここでは下面１５にも、また上面１４にも、堆積によって生成された電気的接続部３，１７が設けられている。これらの接続部３，１７は、それぞれ貫通接続部４，１８を備える。これらの貫通接続部４，１８は、それぞれ基板１の最も外側の層７，１６のみを貫通している。
【００６１】
この下面１５での接続部３は、堆積によって生成された１つの貫通接続部４を備え、この貫通接続部は１つの内層１３と結合されている。この内層１３は、１つの焼成されたペーストから形成されている。
【００６２】
上面１４での接続部１７は、堆積によって生成された１つの貫通接続部１８を備え、この貫通接続部は１つのさらなる貫通接続部１２と結合されている。このさらなる貫通接続部１２は、１つの焼成されたペーストから形成されており、複数のセラミック層２を貫通して、この基板１の内部まで延伸している。
【００６３】
上面１４での接続部１７は、１つのスタッドの形状の１つの接続コンタクト部１９を備える。この接続コンタクト部１９は、これ以前の図で示した、デバイスの接続のための接続面のように形成されている。
【００６４】
上記のスタッドは、貫通接続部１８と一体的に形成されており、そして溶液からの金属の堆積によって生成されている。たとえばこのスタッドは１つのＣｕスタッドである。接続コンタクト部１９には、１つのコーティング、たとえば１つの錫コーティングが設けられていてよく、これによってＣｕ−Ｓｎ拡散接合が可能となっている。しかしながらＣｕ−Ｃｕ接合も可能である。
【００６５】
図６は、多層基板１のもう１つの実施形態を示す。個々のセラミック層は、図の見易さのため、ここでは図示されていない。堆積によって生成された複数の貫通接続部４，２０，２１が形成されている。１つの貫通接続部４は、最も外側の層７のみを貫通しており、そして焼成されたペーストから形成された１つの延長接続部１１と結合されている。
【００６６】
２つの貫通接続部２０，２１は、基板の複数の層２を貫通している。１つの貫通接続部２１は、延長接続部と結合されていない。もう一方の貫通接続部２０は、１つの内層１３およびさらなる貫通接続部１２を備える１つの延長接続部１１と結合されている。この内層１３およびこのさらなる貫通接続部１２は、焼成されたペーストから形成されている。
【００６７】
もう１つの実施形態においては、堆積によって生成された１つの貫通接続部は、上記の多層基板を完全に貫通している。
【００６８】
図７は、多層基板１のもう１つの実施形態を示し、この多層基板では接続コンタクト部（複数）２２が柱状に形成されている。これはいわゆるピラーであり、これらは特に電力増幅器に使用される。この多層基板１上には、１つのデバイス２３が固定されている。
【００６９】
接続コンタクト部（複数）２２は、溶液からの金属の堆積によって生成されており、そして貫通接続部（複数）４と結合されている。たとえばこれらの接続コンタクト部２２は、これらの貫通接続部４と一緒に生成することができる。これらの接続コンタクト部２２上には、１つのデバイス２３の固定のための１つのはんだ層２４、具体的には１つの錫層が取り付けられている。代替として、Ｃｕ−Ｃｕ接合を使用することができる。このデバイス２３も同様に柱状の接続コンタクト部（複数）２５を備え、これらは上記の基板１の接続コンタクト部（複数）２２の上に戴置されており、そしてこれらの接続コンタクト部と上記のはんだ層２４を介して結合されている。
【符号の説明】
【００７０】
１  ：  多層基板
２  ：  セラミック層
３  ：  電気的接続部
４  ：  貫通接続部
５  ：  接続コンタクト部
６  ：  外面
７  ：  最も外側の層
８  ：  カバー層
９  ：  下地層
１０  ：  縁部
１１  ：  延長接続部
１２  ：  更なる貫通接続部
１３  ：  内層
１４  ：  上面
１５  ：  下面
１６  ：  最も外側の層
１７  ：  電気的接続部
１８  ：  貫通接続部
１９  ：  接続コンタクト部
２０  ：  貫通接続部
２１  ：  貫通接続部
２２  ：  接続コンタクト部
２３  ：  デバイス
２４  ：  はんだ層
２５  ：  デバイスの接続コンタクト部
２６  ：  基体
２７  ：  穴
２８  ：  メタライジング部
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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