(57)【要約】  本発明は、製品基板（４）とキャリア基板（２）とからなり、特に接合層（３）によって接合されている基板積層体（１）の厚さばらつきの均一化方法であって、局所的な厚さ極値部分（１２）への、少なくとも１つの作用ユニット（９，９’，９’’，９’’’，９IV，９V，９VI）を備えた作用装置（１１，１１’，１１’’）による局所的な作用によって行う、前記均一化方法に関する。更に、本発明は、対応する装置に関する。
2017516300.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の基板（４）と第二の基板（２）とからなり、特に接合層（３）によって接合されている基板積層体（１）の厚さばらつきの均一化方法であって、局所的な厚さ極値部分（１２）への、少なくとも１つの作用ユニット（９，９’，９’’，９’’’，９IV，９V，９VI）を備えた作用装置（１１，１１’，１１’’）による局所的な作用によって行う、前記均一化方法。
【請求項２】
前記局所的な作用に際して、少なくとも主として接合層（３）が変形され、特に接合層（３）のみが変形される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
厚さ極大部（１２）のみが前記作用装置（１１，１１’，１１’’）により作用される、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記局所的な厚さ極大部（１２）のＸ−Ｙ位置を、前記局所的な作用の前に、測定ユニット（５）によって、特に光学的及び／又は音響的に作動する測定ユニット（５）によって調査する、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記作用装置（１１，１１’，１１’’）は、複数の作用ユニット、特に別々に駆動できる及び／又は個別に配置された複数の作用ユニット（９，９’，９’’，９’’’，９IV，９V，９VI）を備えている、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記作用装置（１１，１１’，１１’’）は、厚さ極大部（１２）への作用のための膜（１４）、特に前記複数の作用ユニット（９，９’，９’’，９’’’，９IV，９V，９VI）を覆い隠す膜（１４）を備えている、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記厚さばらつきは、少なくとも半減され、好ましくは少なくとも７５％だけ低減され、更に有利には少なくとも９０％だけ低減され、更に有利には少なくとも９５％だけ低減される、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
第一の基板（４）と第二の基板（２）とからなり、特に接合層（３）によって接合されている基板積層体（１）の厚さばらつきの均一化装置であって、局所的な厚さ極値部分への局所的な作用のための少なくとも１つの作用ユニット（９，９’，９’’，９’’’，９IV，９V，９VI）を備えた作用装置（１１，１１’，１１’’）を備えている、前記均一化装置。
【請求項９】
光学的及び／又は音響的に作動する測定ユニット（５）を備えている、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記作用装置（１１，１１’，１１’’）は、複数の作用ユニット、特に別々に駆動できる及び／又は個別に配置された複数の作用ユニット（９，９’，９’’，９’’’，９IV，９V，９VI）を備えている、請求項８又は９に記載の装置。
【請求項１１】
前記作用装置（１１，１１’，１１’’）は、厚さ極大部（１２）への作用のための膜（１４）、特に前記複数の作用ユニット（９，９’，９’’，９’’’，９IV，９V，９VI）を覆い隠す膜（１４）を備えている、請求項８から１０までのいずれか１項に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、請求項１に記載の方法及び請求項８に記載の対応する装置に関する。
【０００２】
現代の半導体産業において、基板の層厚の減少は、絶え間ない半導体素子の小型化の進展のために欠かすことができない必要条件である。数年前には能動素子と受動素子は単独の単一の基板上で、特に１つのウェハ上でしか製造されていなかったが、今日では異なる機能の複数の基板同士が互いにアライメントされ、共に互いに接合される。その場合に、個々の機能単位間の接続は、好ましくはシリコン貫通ビア（英語：ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｖｉａｓ，ＴＳＶｓ）を通じて行われる。そのときに、該シリコン貫通ビア（ＴＳＶｓ）は、複数の基板間を直接導電接続することを可能にする。
【０００３】
そのような多層基板積層体の製造に際して重要なプロセスの一つは、裏面薄化プロセスである。裏面薄化プロセスでは、大抵は数百ミリメートルの直径を有する基板が、５０μｍ未満の層厚に薄化される。そのため、該基板は、その裏面薄化プロセスの間にキャリア基板を用いて機械的に固定される。更に、その固定化技術は、わずか数マイクロメートル厚の基板の更なる加工、輸送及び貯蔵も可能にすべきである。
【０００４】
最も頻繁に使用されるキャリア技術は、いわゆる仮貼り合わせである。仮貼り合わせでは、仮接着剤が、製品ウェハ（裏面薄化されるべきである）及び／又はキャリア基板に塗布される。次に、該製品ウェハとキャリア基板との間で仮貼り合わせ作業が行われる。その場合に、製品基板の仮接着剤でキャリアウェハに固定される側が既に機能単位を有していることは、非常によくあることである。該機能単位は、マイクロチップ、ＬＥＤ、ＭＥＭＳ、ＲＤＬ又ははんだボール（英語：ｂｕｍｐｓ）であってよい。仮接着剤の層厚は、それに従い、該接着剤中への機能単位の完全な埋没を保証するために、該機能単位の最大高さよりも大きくなければならない。
【０００５】
先行技術における非常に大きな一つの問題は、いわゆる全厚さばらつき（英語：ｔｏｔａｌ  ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ  Ｖａｔｉａｔｉｏｎ，ＴＴＶ）である。全厚さばらつきとは、所定方向に沿った又はある平面に沿った、対象物の最大厚さと最小厚さとの間の差を表すものである。例えば、シリコンウェハの全厚さばらつき（ＴＴＶ）とは、該シリコンウェハのある位置に見られる最大厚さと、該シリコンウェハの別の位置に見られる最小厚さとの差を表すものである。
【０００６】
全厚さばらつき（ＴＴＶ）の概念は、集成された対象物に対しても拡張することができる。こうして、半導体産業ではきまって、接合された基板積層体の厚さばらつきが測定される。その場合に、該基板積層体は、その第一の基板の外側に面した表面で、測定装置のできるだけ平坦な面上に置かれる。次に、該基板積層体のセンサに対する相対運動が行われる。該センサは、大抵はレーザー干渉計である。レーザー干渉計では、厚さの変動はナノメートル範囲まで検出及び検証することができる。接合された基板積層体とレーザー干渉計との間の相対運動によって、測定方向に沿った基板積層体厚さの計測が行われる。こうして得られたプロファイルから、層厚マップ及び最大層厚と最小層厚を測定でき、それにより全厚さばらつき（ＴＴＶ）を測定することができる。
【０００７】
全厚さばらつき（ＴＴＶ）を知ることは、とりわけ、製品基板へと接合した後に使用される例のプロセス、中でも裏面薄化プロセス及びエッチングプロセスにとって重要である。大きすぎる全厚さばらつき（ＴＴＶ）は、すなわち均等でない厚さの均しを引き起こし、それにより最悪の場合には製品基板の破壊ももたらす。
【０００８】
本発明の課題は、前記厚さばらつきを減らすことができ、従って改善することができる方法及び装置を考え出すことである。
【０００９】
前記課題は、請求項１及び請求項８の特徴により解決される。本発明の有利な実施形態は、従属形式請求項に挙げられている。本明細書、特許請求の範囲及び／又は図面に示される特徴の少なくとも２つからなる全ての組み合わせも、本発明の範囲に含まれる。値が範囲で示される場合に、挙げられた境界の内側にある値も、境界値として開示されているとみなされるべきであり、任意の組合せで主張できるべきである。装置のために開示された特徴が方法の特徴としても解釈できるのであれば、これらの特徴は、方法にも当てはまるべきであり、その逆も言える。
【００１０】
本発明の基本概念は、第一の基板、特にキャリア基板と第二の基板、特に製品基板とが接合層によって接合された基板積層体の厚さばらつきの均一化を、局所的な厚さ極値部分、特に厚さ極大部に、少なくとも１つの作用ユニットを備える作用装置によって局所的に作用させることによって行うことである。厚さ極値部分は、厚さ極大部か厚さ極小部のどちらであってもよい。本特許文献の更なる過程で、本発明によれば有利な厚さ極大部への作用は、例示的なものであって、排他的なものではなく、本発明による実施形態の記載のために用いられる。
【００１１】
特に製品ウェハとして構成される製品基板は、該製品基板の支持のために設けられる、特にキャリアウェハとして構成されるキャリア基板よりも薄い。
【００１２】
本発明の意図における均一化は、特に、前記厚さばらつきが、本発明による方法の実施によって、２５％だけ、好ましくは５０％だけ、更により有利には少なくとも７５％だけ、特に有利には少なくとも９０％だけ、極めて有利には少なくとも９５％だけ減少されることを意味する。
【００１３】
本発明は、特に、接合された基板積層体の全厚さばらつきを減少させる方法及び装置に関する。本発明の一つの態様は、特に、全厚さばらつき（ＴＴＶ）若しくは局所的な極大部のＸ−Ｙ位置を調査するための測定装置を、特に、基板積層体に対して、特に２つの基板の間の界面若しくは該基板間の接合層に対して好ましくは局所的に影響を及ぼして、厚さの変動を狙い通りに変更できる、特に均一化できる装置と組み合わせることにある。本発明による方法は、有利には接合後プロセスとして実施される。本発明による方法及び本発明による装置は、有利には、２つの基板とその間にある層、特に接着剤層との間の全厚さばらつき（ＴＴＶ）の減少のために使用される。あるいは、前記装置及び方法は、１つの層、特に接着剤層の全厚さばらつき（ＴＴＶ）を直接的に操作するために使用することもできる。従って特に、上述の全ての本発明による実施形態及び方法は、１つの層、特に接着剤層の直接的な操作に関しても同様に開示されたものとみなされる。本発明は、特に、基板積層体の厚さばらつき、特に全厚さばらつきの減少、特に完全な排除のための方法及び装置に関する。該基板積層体は、好ましくは、仮貼り合わせプロセスによって製造された基板積層体である。本発明による方法は、基本的には、局所的な起伏の埋め合わせのためにも、それと同時に、永久接合された基板積層体及び／又は予備接合によって製造された基板積層体の全厚さばらつき（ＴＴＶ）の埋め合わせのためにも使用することができる。
【００１４】
本発明による実施形態及び本発明の装置の重要な利点は、全厚さばらつき（ＴＴＶ）を接合後に減少させることができる可能性にある。プロセス技術的には、全厚さばらつき（ＴＴＶ）を接合の間に既に完全に減少させることが常に試みられている。しかし、その経験は、最高の効率の最新の接合装置でさえも全厚さばらつき（ＴＴＶ）の完全な減少は可能でないことを示している。
【００１５】
本発明による装置は、特に、少なくとも２つのユニット、すなわち
−  厚さ分布若しくは厚さ極大部のＸ−Ｙ位置の計測のための少なくとも１つの測定ユニットと、
−  基板積層体、特に接合層の凸状隆起部の、若しくは基板積層体、特に接合層の厚さ極大部の狙い通りの変更、特に均一化のための作用装置と、
からなる。
【００１６】
測定ユニット
第一のユニットは、基板積層体の表面に沿った、特に製品基板の表面に沿った局所的な厚さの計測のための測定ユニットである。上述の表面の１つに沿った種々のＸ−Ｙ位置での厚さの計測から、厚さばらつき、特に全厚さばらつき並びに／又は厚さ極大部及び／若しくは厚さ極小部のＸ−Ｙ位置を決定することができる。前記Ｘ−Ｙ位置は、好ましくは、あらゆるプロセスステップ及び装置構成素子の制御のための中央制御ユニットに蓄積される。
【００１７】
前記測定ユニットは、特に１つの発信機と１つの受信機とからなる。好ましくは、該発信機と該受信機とは、互いに機械的に接続されている。更により有利な実施形態においては、前記発信機と受信機は、１つのユニット内に、特に１つの、好ましくは閉じたケーシング内に一緒に組み込まれている。以下で簡単に発信機について述べる。発信機は、信号、例えば電磁波又は音響音波を送出し、該信号を受信し、判別し、分析することで、上述の厚さを本発明による均一化のために更に使用できる値として調査する構成素子を意味している。
【００１８】
測定ユニットの本発明による第一の実施形態において、これは、光学的測定ユニット、特に光学的発信機を備えた光学的測定ユニットである。該光学的測定ユニットは、好ましくは干渉計を備えている。該干渉計は、単色性白色光干渉計であっても、又は有利な一実施形態によれば、多色性白色光干渉計であってもよい。具体的な実施形態においては、該干渉計は、赤外干渉計である。
【００１９】
本発明による第二の実施形態においては、前記測定ユニットは、音響的測定ユニット、特に音響的センサを備えた音響的測定ユニットとして構成されている。該音響的測定ユニットは、好ましくは超音波発信機を備えている。基板積層体への超音波信号の入力のために、好ましくは流体、特に液体が該発信機と基板積層体表面との間に適用される。従ってこの種類の計測は有利ではない。
【００２０】
前記発信機は、基台に対して、好ましくは不動に若しくは定位で取り付けられている。該基台は、可能な限り平坦であるとともに、試料チャックの収容のために、好ましくは前記基台に沿って可動式の試料チャックの収容のために用いられる。前記試料チャックには、前記基板積層体が固定されて、前記計測及び／又は均一化が行われる。前記可動の試料チャックは、前記基板積層体と前記発信機との間の相対運動を可能にし、それにより上述の表面に沿った基板積層体の層厚の計測を可能にする。
【００２１】
更なる過程では、平坦度が、平坦面の完全性、特に平面についての尺度として使用される。平坦な面からの偏差は、うねり及び粗さによって示される。表面のうねりは、該表面の、特にミリメートル範囲における、より稀なことにはマイクロメートル範囲における特定の周期的な高低によって特徴付けられる。それに対して粗さは、マイクロメートル範囲又はナノメートル範囲における、むしろ非周期的な事象である。そのような表面特性の正確な定義は、表面物理学、摩擦学、機械工学又は材料科学のどの当業者にも知られている。理想表面からの種々の偏差を扱うために、更なる過程では、粗さの概念は、上述の効果の場合と、全てのそのような効果の重ね合わせの場合に同義に使用される。該粗さは、平均粗さ、二次元粗さ、又は平均粗さのいずれかとして示される。前記平均粗さ、二次元粗さ及び平均粗さについて調査された値は、一般的に、同じ測定路又は測定面については異なっているが、同じオーダー範囲にある。従って、粗さについての以下の数値範囲は、平均粗さについての値、二次元粗さについての値、又は平均粗さについての値のいずれかとして表されているべきである。
【００２２】
基台の粗さは、本発明によれば、できる限り小さく、特に１００μｍ未満であり、好ましくは１０μｍ未満であり、より有利には１μｍ未満であり、非常に有利には１００ｎｍ未満であり、極めて有利には１０ｎｍ未満であり、最も有利には１ｎｍ未満である。該基台は、好ましくは機械的に剛性で、殆ど塑性変形し得ない材料、特にグラナイトからなる。該基台の弾性率は、０．０１ＧＰａより大きく、好ましくは０．１ＧＰａより大きく、更に有利には１ＧＰａより大きく、非常に有利には１００ＧＰａより大きく、極めて有利には１０００ＧＰａより大きい。高い表面平坦度、つまりは小さい粗さは、特に研削法、研磨法及びエッチング法によって実現される。
【００２３】
前記試料チャックは、好ましくは空気軸受け上を基台に沿って移動する。該試料チャックの表面は、有利には相応して小さい粗さを有する。試料チャック表面の粗さは、特に１００μｍ未満であり、好ましくは１０μｍ未満であり、より有利には１μｍ未満であり、非常に有利には１００ｎｍ未満であり、極めて有利には１０ｎｍ未満であり、最も有利には１ｎｍ未満である。該試料チャックの弾性率は、特に０．０１ＧＰａより大きく、好ましくは０．１ＧＰａより大きく、更に有利には１ＧＰａより大きく、非常に有利には１００ＧＰａより大きく、極めて有利には１０００ＧＰａより大きい。
【００２４】
特に有利な一実施形態においては、位置依存的な厚さの調査は、二段階法で行われる。最初の段階において、基板積層体の厚さは、該基板積層体と発信機との間の相対運動によって、それらの厚さのＸ−Ｙ位置を含めて調査される。次に、該基板積層体のその表面法線を中心とした１８０°の回転と、該基板積層体の再度の計測とが行われる。該基板積層体の実際の厚さ分布は、その際、その回転前後の両方の厚さ分布の算術平均値から算出することができる。そのような平均化プロセスのための必要条件は、互いに回転された両者の座標系の間での、前記基板積層体の地点とＸ−Ｙ位置との一義的な割り当てである。この実施形態の利点は、とりわけ、試料チャック及び／又は基台の起伏が、測定された層厚の統計平均化によって、平均化された最終結果に殆ど影響を及ぼさないことにある。本発明による回転をせずにあらゆる地点の多重計測が行われても、より良い計数統計しか得られなかった。
【００２５】
作用装置
第二の、本発明によれば特に独自のユニット又は装置は、前記基板積層体の全厚さばらつき（ＴＴＶ）の減少のために必要とされるとすれば、該基板積層体が局所的な影響、特に変形を受ける作用装置である。前記影響は、機械的、電気的、磁気的及び／又は熱的な影響であってよい。本発明によれば、機械的及び／又は熱的な影響が有利である。
【００２６】
事前に準備された、特にソフトウェア制御された制御装置に蓄積された基板積層体の厚さ分布は、ここで局所的な極値（つまり極大値及び／又は極小値）を認識するために使用される。そのような極値は、特に仮貼り合わせによって製造された基板積層体の場合に生ずる。少なくとも大部分に、前記基板積層体は、仮接着剤厚さ又は接合層が均等でないことによって局所的に異なる厚さを示している。更に、前記厚さは、特に時々又は二次的に、製品基板のトポグラフィーによって、内包物、粒子又は熱的負荷によって影響される。
【００２７】
本発明による一つの態様は、局所的な極値を狙い通りに減少させるために作用装置を使用することにある。特に、前記作用装置は、前記測定ユニットと同様に不動に設置されており、相応して精密に作成されており、耐久性があるとともに、再現性のある結果を提供する。特定の実施形態においては、前記作用装置は、測定ユニットと組み合わされ、特に同じ基台上に配置及び固定化される。それにより、本発明によれば、本発明による装置のまとまった実施形態が実現される。更に、測定ユニットと作用装置との間の基板積層体の移送経路は最短となる。測定装置と作用装置との組合せの更なる利点は、厚さの測定と厚さの局所的変更とが並行して行われることである。
【００２８】
特に、本発明による実施形態を組み合わせて、測定ユニットの発信機が第一の位置に存在し、かつ作用装置の１つの作用ユニットが第二の位置に存在すると考えられるであろう。前記基板積層体が基台上で、該基板積層体の局所的な極大部のＸ−Ｙ位置がまず測定ユニットの発信機の位置を通過し、その後に作用ユニットの位置を通過するように動かされとすれば、第一の位置で厚さ測定が行われると同時に、第二の位置で既に層厚の変更が行われうる。それにより、相応してより高い処理能力が実現される。
【００２９】
より具体的な実施形態においては、前記測定ユニットと作用装置は、互いに別々に配置されており、好ましくは同じ製造元（英語：Ｆａｂ）の異なるモジュールに配置されているか、又はそれどころか異なる製造元のモジュールに配置されている。それによって、厚さ分布の計測と基板積層体の均一化とは分離され、本発明によれば、異なる製造業者の測定ユニット及び作用装置を互いに組み合わせることが可能となる。
【００３０】
前記作用装置は、点状作用装置として又は面状作用装置として構成されていてよい。面状作用装置は、均一化のための処理能力が明らかにより高いため、本発明によれば有利な実施形態である。該面状作用装置は、特に、複数の点状作用装置の面からなり、その際、該複数の点状作用装置の各々は、特に個別に駆動及び制御することができる。けれども、本発明による方法及び本発明による装置の機能様式は、点状作用装置の機能様式を示すことによって特に明瞭かつ明白になる。
【００３１】
点状作用装置
第一の本発明による実施形態においては、前記作用装置は、圧力、特に機械的圧力を、基板積層体の表面へと、特に製品基板の表面へと加えることができるちょうど１つの作用ユニットを備えている。該作用ユニットは、有利にはピン形に造られている。有利には、局所的な極大値の凸状隆起部への機械的な圧力負荷は、キャリア基板と製品基板との間の接合層がなじむことにより接合層、ひいては基板積層体の厚さの均一化をもたらす。前記ピンの先端は、種々の形状を有してもよい。このように、尖った先端の形状、丸められた形状、特に球形又は矩形であることが考えられる。
【００３２】
本発明による一実施形態においては、前記作用ユニットは加熱可能である。該作用ユニットの温度は、特に、５℃より高い精度で、好ましくは２℃より高い精度で、更に有利には１℃より高い精度で、非常に有利には０．１℃より高い精度で、極めて有利には０．０１℃より高い精度で制御することができる。該作用ユニットの駆動可能な温度範囲は、特に室温から１００℃の間、好ましくは室温から３００℃の間、更に有利には室温から５００℃の間、非常に有利には室温から７００℃の間である。加熱可能な作用ユニットは、基板積層体の表面に接触して、熱伝導を介して熱を導入するか、又は基板積層体の表面と一定の距離を保って、かなり近い範囲を熱放射及び／若しくは熱対流によって加熱するかのいずれかを行うことができる。熱の導入は、とりわけ、（局所的に制限された）加熱をもたらし、それにより仮接着剤の粘度変化、特に粘度低下を引き起こし、こうして好ましくは緩和による凸状隆起部の縮小を、特に製品基板及び／又はキャリア基板の内部応力に依存してもたらす。
【００３３】
第三の本発明による実施形態においては、前記作用ユニットは、レーザー、特にできる限り正確に集束できるレーザーを備えている。コヒーレントなレーザー光は、光学系によって、好ましくは製品基板とキャリア基板との間にある、すなわち接合層中にある１つの焦点に集束される。それによって、できるだけ限局的で、強力かつ迅速な接合層の加熱がもたらされる。有利には、該レーザーは、特に連続的な、好ましくは高周波数のオン・オフによってパルス化される。そのようなパルスによって、その周辺の加熱は、極めて大幅にないし完全に回避される。該レーザーは、特に赤外レーザー、可視光に関するレーザー、又は紫外光に関するレーザーである。該レーザーの波長は、好ましくは１０-8ｍから１０-3ｍの間であり、より好ましくは１０-8ｍから１０-4ｍの間であり、非常に有利には１０-8ｍから１０-5ｍの間である。前記接合層において化学反応を引き起こしうる波長範囲のレーザーが特に好ましい。そのような化学反応は、特に共有結合の分解をもたらす。化学結合の分解のために必要となるエネルギーは、有利には紫外波長範囲にある。そのような化学反応によって、恐らく接合層の粘度挙動に影響が及ぼされ、こうして全厚さばらつき（ＴＴＶ）の減少を更に最適化することができる。
【００３４】
特に有利な一実施形態においては、該作用ユニットは、加熱ユニット及び／又は圧力ユニット及び／又はレーザーユニットを兼ね備えており、こうして熱的負荷及び／又は機械的負荷及び／又は光化学的負荷を同時に行うことが可能である。
【００３５】
本発明によるが、有利ではない更なる実施形態は、該作用ユニットを電界電極として扱うことが見込まれており、こうしてできる限り鋭く延びた先端に高い強度の電界を発生させることができる。その場合に、前記試料チャックは、相応して逆電荷の電位に置かれる。相応の高い電界の発生によって、前記接合層は物理的及び／又は化学的に影響されうる。
【００３６】
更なる本発明による実施形態においては、該作用ユニットを、できる限り強力な磁界の発生を可能にするように磁極片として構成することが考えられる。この磁界は、基板積層体を貫通し、接合層に変化をもたらし、それにより均一化が可能となる。
【００３７】
本発明によれば、前記点状作用装置及び／又は試料チャックは、相応のソフトウェア及び／又はファームウェア及び／又はハードウェアによって、作用されるべき凸状隆起部又は厚さ極大部が個別に運ばれ、そしてそれらが該作用ユニットの該表面に対する負荷によってできるだけ十分に平坦化されるようにして制御される。これによって、該基板積層体の全厚さばらつき（ＴＴＶ）は最小限となる。
【００３８】
該作用ユニットは、本発明の有利な一実施形態によれば、どの実施形態においても、少なくともＺ軸に沿って移動することができる。
【００３９】
面状作用装置
面状作用装置は、複数の、特に別々に駆動できる及び／又は個別に配置された作用ユニットからなる。個々の作用ユニットの各々は、基板積層体の凸状隆起部又は厚さ極大部に影響を及ぼすことで、全厚さばらつき（ＴＴＶ）を最小限にするために、前記のように、つまり機械的及び／又は熱的及び／又は電気的及び／又は磁気的に作動させることができる。点状作用装置とは異なって、面状作用装置は、複数の作用ユニットを同時に制御でき、それにより複数の場所を、特に複数の凸状隆起部を同時に加工することができる。それは、かなりの促進をもたらし、特に設けられた作用ユニットの数に相当する倍率だけの促進をもたらす。
【００４０】
以下の本発明による実施形態は、複数の作用ユニットからなる装置である。該作用ユニットは、特に静止位置で同一平面上に互いに並んで配置されている。該作用ユニットの配置は、好ましくは規則的であり、特に矩形の格子に沿った配置がなされる。該作用ユニットが、複数の互いに同心にあり、その半径が相応して大きくなる複数の円に配置されることも考えられるであろう。本発明により考えられる更なる可能性は、六角格子又は面心格子に沿った作用ユニットの配置であろう。
【００４１】
面状作用装置の第一の本発明による実施形態によれば、複数の作用ユニットが製品基板の表面に直接的に作用する。該作用ユニットは、製品基板の表面を機械的に及び／又は熱的に及び／又は電気的に及び／又は磁気的に変更することができる。種々の影響の別形についても、上記の点状作用装置の場合と同様の考えが当てはまる。それに従って、該作用ユニットは、更に組込み式のヒーターを有してよく、及び／又は強い電界及び／又は磁界の発生のための装置を備えていてよい。静的な作用ユニット又は機械的負荷を与えない作用ユニットであって、その位置を、全く変えないか、又は製品基板の表面に対して一定の間隔を調節するために場合によっては変える、つまり該基板積層体の表面に対してゼロより大きい距離を常に保つ作用ユニットの使用も考えられるであろう。凸状隆起部は、この実施形態においては、加熱要素によって大幅に、特に加熱要素によってのみ影響される。そのような面状作用装置は、特に位置調節可能なヒーターに制限されるが、それは、上記の実施形態と比較して最適な結果をもたらさないであろう。
【００４２】
第二の本発明による実施形態においては、前記作用ユニットの作用方向へと伸張可能なフレキシブルな膜が該作用ユニットの手前に張られている。該膜は、該作用ユニットによってある作用位置へと少なくとも局所的に変形される。前記膜は個別的な作用ユニットとは異なり、連続的な、特に面状作用装置の作用側全体を覆う表面を有する。この実施形態は、製品基板／基板積層体の表面の改善された面状の負荷をもたらす。
【００４３】
前記膜は、基本的にあらゆる任意の材料からなっていてよいが、好ましくは耐摩耗性、耐熱性、弾性であり、及び／又は相応して高い強度を有する。
【００４４】
硬度については、種々の技術的特性値が存在する。適切な硬度測定法は、多くの有力要因に依存する。最も重要な要因は、試験されるべき材料及び試験体である。金属及びセラミック、つまり相応して高い強度及び／又は相応の可塑性を有する固体は、主に、しかしそれのみによるものではないが、ロックウェル、ブリネル及びビッカースによる硬度法で試験される。個々の硬度測定値の換算は条件付きで可能である。相応する表及び式が存在し、それらは当業者に公知である。しかし、正確な換算は常に可能であるわけではなく、それどころか正確でないことを述べねばならない。以下の硬度測定値は、ビッカースによる硬度に関するものである。前記膜材料のビッカース硬度は、特に１００より大きく、好ましくは５００より大きく、更に有利には１０００より大きく、非常に有利には５０００より大きく、極めて有利には１００００より大きい。更なる本発明による実施形態においては、非常に低い硬度を有することで、基板の表面に特に良好に適合できる膜材料も有利に使用することができる。この特に有利な膜材料は、とりわけプラスチックからなり、特に摂氏何百度もの温度まで温度安定性であるプラスチックからなる。プラスチックについて有利な硬度測定法は、ショアによる方法である。該プラスチックのショア硬度は、特に１００未満であり、好ましくは７５未満であり、更に有利には５０未満であり、非常に有利には２５未満であり、極めて有利には５未満である。正確な定義は、相応の規格ＤＩＮ  ＩＳＯ  ７６１９−１及びＤＩＮ  ＥＮ  ＩＳＯ  ８６８に参照がなされる。耐熱性は、この関連においては、該膜がそれより高い温度でクリープを起こし始めないこと、つまり負荷下で拡散プロセスによって塑性変形が生じないことを意味する。クリープのより詳細な物理的及び化学的なプロセスを理解する必要がないようにするために、クリープ耐性材料は、本発明によれば、相応の材料が最大応力及び最高温度まで、時間の関数として塑性変形を受けないことを特徴とするものである。その最高温度は、本発明によれば、特に０℃より高く、好ましくは５０℃より高く、更に有利には１００℃より高く、非常に有利には２５０℃より高く、極めて有利には５００℃より高い。その最大応力は、本発明によれば、特に１０Ｅ６Ｐａより大きく、好ましくは１０Ｅ７Ｐａより大きく、更に有利には１０Ｅ８Ｐａより大きく、極めて有利には１０Ｅ９Ｐａより大きい。
【００４５】
弾性は、弾性率によって説明される。前記膜の弾性率は、本発明によれば、特に１ＧＰａから１０００ＧＰａの間、有利には１０ＧＰａから１０００ＧＰａの間、更に有利には２５ＧＰａから１０００ＧＰａの間、非常に有利には５０ＧＰａから１０００ＧＰａの間、極めて有利には１００ＧＰａから１０００ＧＰａの間である。幾つかの種類の鋼の弾性率は、例えば約２００ＧＰａである。
【００４６】
降伏点は、ある物体がまさにまだ塑性変形していない最大応力を示す。本発明によれば、前記膜のためには、永続的な塑性変形を阻止するために高い降伏点を有する材料が好ましい。該膜材料の降伏点は、本発明によれば、特に１ＭＰａより高く、好ましくは１０ＭＰａより高く、更に有利には１００ＭＰａより高く、非常に有利には５００ＭＰａより高く、極めて有利には１０００ＭＰａより高い。
【００４７】
製品基板の表面を汚染しない膜材料が特に有利である。従って、該膜材料は、好ましくは半導体用途のために重要な全ての元素、特に金属、例えば銅、金、モリブデン及びチタンを含まないことが望ましい。有利には、ポリマー及び／又は炭素材料を基礎とする膜材料が使用される。
【００４８】
第三の本発明による実施形態においては、前記作用ユニットは、互いに隔離された、特に別々に圧力を印加可能及び／又は駆動可能な複数の圧力室である。該圧力室は、製品基板の作用されるべき表面の方向には膜によって、そして側方には弾性変形可能な圧力室壁によって取り囲まれている。該圧力室には、有利には個別に過圧及び／又は減圧を加えることができ、かつ該圧力室は、膜の変形を可能にし、それにより製品基板の表面と接触した場合に、本発明による凸状隆起部への作用を可能にする。
【００４９】
該圧力室は、本発明によれば、特に１０-8ミリバールから１０バールの間の、好ましくは１０-8ミリバールから８バールの間の、更に有利には１０-8ミリバールから６バールの間の、非常に有利には１０-8ミリバールから４バールの間の、非常に有利には１０-8ミリバールから２バールの間の圧力を有する。該圧力室には、あらゆる任意の流体を、つまり液体及び／又は気体を加えることができる。相応して、これは、液圧式及び／又は気圧式の圧力室である。液体を省くことが有利なので、気圧式の圧力室が有利である。
【００５０】
本発明によれば前記のように、面状作用装置と測定ユニットとの組み合わせが考えられる。好ましくは、まず基板積層体全体（特にその厚さ及び／又は該基板積層体の個々の層の厚さ、例えば製品基板、キャリア基板及び／又は接合層の厚さ）が計測される。その後に、本発明による面状作用装置において、本発明による厚さばらつき（ＴＴＶ）の改善が行われる。更なる任意のステップにおいて、次いで該基板積層体の再度の計測が行われる。平均した全厚さばらつき（ＴＴＶ）が予め決められた境界値よりも小さいことが望まれるときには、該基板積層体は更に加工することができる。それが更に大きい場合に、本発明による面状作用装置によって、本発明による厚さばらつき（ＴＴＶ）の再度の改善が行われる。
【００５１】
有利な一実施形態においては、本発明による面状作用装置及び測定ユニットは、１つのユニット内に又は同じモジュール内部に配置されており、それによって、基板積層体の計測と全厚さばらつき（ＴＴＶ）の改善との間の切り替えが促進される。
【００５２】
作用ユニットの配置及び形状
前記作用ユニットの、特に正面側に配される作用面及び／又は側面の形状は、それにより前記表面に作用できるのであれば、基本的に任意であってよい。しかしながら、ある特定の形状が具体的な使用分野に適していることは明らかである。
【００５３】
該作用ユニットの側面は、有利には丸い、特に円形の柱体又は角張った柱体として形成されている。
【００５４】
作用面（又は作用ヘッド）は、特に丸まった先端で、平坦に、尖った先端で、錐体状で平坦な先端で、又は六角形で平坦に形成されている。
【００５５】
平坦な作用ヘッドは、本発明によれば、凸状隆起部の減少のためと、熱伝導のためにより大いに適している。
【００５６】
尖った先端の作用ヘッドは、とりわけ、高い電界及び／又は磁界が発生され、限局化されるべき場合に重要である。
【００５７】
六角形の形状を有する平坦な作用ヘッドは、特に好ましい。それというのも、該ヘッドは平坦である一方で、一面を完全に覆うことができ、かつその六角形の対称性によって、その相応の隣接平面に対して最適な放射状の関係を有するからである。
【００５８】
本発明の更なる利点、特徴及び詳細は、以下の好ましい実施例の記載からだけでなく、図面に基づき明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１ａ】全厚さばらつき（ＴＴＶ）を有さない理想的な基板積層体の概略的な断面図を示している。
【図１ｂ】厚さばらつき（ＴＴＶ）を有する現実的な基板積層体の概略的な断面図を示している。
【図１ｃ】現実的な基板積層体の加工過程（ここでは、裏面薄化）の概略的な断面図を示している。
【図２】本発明による測定ユニットの一実施形態の概略的な断面図を示している。
【図３】本発明による点状作用装置の一実施形態の概略的な断面図を示している。
【図４】測定ユニットと点状作用装置との本発明による組み合わせの一実施形態の概略的な断面図を示している。
【図５ａ】本発明による方法の一実施形態の本発明による１番目の加工ステップの概略的な断面図を示している。
【図５ｂ】図５ａによる実施形態の本発明による２番目の加工ステップの概略的な断面図を示している。
【図５ｃ】図５ａによる実施形態の本発明による３番目の加工ステップの概略的な断面図を示している。
【図５ｄ】図５ａによる実施形態の本発明による任意の４番目の加工ステップの概略的な断面図を示している。
【図６ａ】第一の実施形態による本発明による面状作用装置の概略的な断面図を示している。
【図６ｂ】第二の実施形態による本発明による面状作用装置の概略的な断面図を示している。
【図７】第三の実施形態による本発明による面状作用装置の概略的な断面図を示している。
【図８】本発明による作用ヘッドの６種の実施形態の概略的な断面図（それぞれの左側）と下面図（それぞれの右側）を示している。
【図９】六角形の平坦な作用ヘッドからなる面を備えた本発明による面状作用装置の第四の実施形態の概略的な下面図を示している。
【００６０】
図面では、同じ部材又は同作用の部材は、同じ符号で示されている。
【００６１】
図１ａは、キャリア基板（２）と、仮接着剤として構成される接合層（３）と、製品基板（４）とからなる理想的な基板積層体（１）の概略的な断面図を示している。この技術的に実現できないか又は過度の費用と労力をもって実現できる実施形態において、前記キャリア基板（２）、接合層（３）及び製品基板（４）は、均等な厚さを有し、つまりは厚さばらつき（ＴＴＶ）はゼロである。前記キャリア基板（２）、接合層（３）及び製品基板（４）の均等な厚さは、それゆえ均等な基板積層体厚さをもたらす。
【００６２】
図１ｂは、キャリア基板（２）と、厚さばらつきを有する接合層（３）と、製品基板（４）とからなる現実的な基板積層体（１）の概略的な断面図を示している。その厚さばらつきは、少なくとも主として接合層（３）によって引き起こされ、事実上接合層（３）によってのみ引き起こされる。前記製品基板（４）は、キャリア基板（２）よりも薄い。そのため、該製品基板（４）は、少なくとも本発明による方法の実施に際してキャリア基板（２）が平坦な試料チャック（８）に収容されている、特に固定されているのでなおさら、本質的に接合層（３）の厚さばらつきに従う。
【００６３】
均等でない基板積層体厚さ（ｔ）が明らかに確認できる。均等でない基板積層体厚さ（ｔ）は、製品基板（４）の表面（４ｏ）の裏面薄化（図１ｃを参照）に際して、相応の均等でない製品基板（４）をもたらす。表面（４ｏ）の凸状湾曲断面（局所的な極大部）はより多く除去されるが、その一方で表面（４ｏ）の凹状湾曲断面（局所的な極小部）はより少なく除去される。製品基板（４）全体は、剥離過程の後に、その前には均一な厚さを有していたとしても均等でなくなるであろう。
【００６４】
そのような過程は、前記現実的な基板積層体（１）の均等でない厚さ分布と、それとともに測定値として妥当な全厚さばらつき（ＴＴＶ）を本発明による実施形態によって理想的な基板積層体（１）が得られる程度にまで減少させることを保証することによって抑えることができる。本発明による実施形態により現実的な基板積層体（１）を理想的な基板積層体（１）へと変えた後で、この基板積層体は更に相応のように加工することができる。理想的な基板積層体（１）とは、全厚さばらつき（ＴＴＶ）値が定められた境界値未満である基板積層体（１）を意味する。
【００６５】
図２は、センサ（７）、好ましくは干渉計、更に有利には白色光干渉計からなる測定ユニット（５）を示している。該センサ（７）は、支柱（１０）を介して頑丈な基台（６）と固く結合されている。該基台（６）は、機械的制振装置として用いられる。基台（６）上で、更に試料チャック（８）は、好ましくは空気軸受け上を、該基台によって定義されるＸ−Ｙ方向に移動する。
【００６６】
試料チャック（８）は、基板積層体（１）を様々な固定要素（図示せず）を介して固定することができる。該固定要素は、真空固定、静電固定、機械的クランプ、粘着表面又は類似の固定機構であってよい。これらは当業者に公知である。
【００６７】
前記試料チャック（８）は、Ｘ方向とＹ方向に沿って直進的に操作可能であり、好ましくはＺ方向（Ｘ方向とＹ方向に対して垂直）にも操作可能であってよいので、該基板積層体（１）の引き上げが可能である。特に有利な実施形態においては、試料チャック（８）は、局所的なＺ軸を中心に回転することができ、並びに／又は局所的なＸ軸及び／若しくはＹ軸を中心に傾けることができる。
【００６８】
第一の本発明によるステップは、測定ユニット（５）による基板積層体（１）の厚さ分布の計測、従って該基板積層体（１）の各Ｘ−Ｙ位置についての層厚の正確な計測にある。該測定ユニットは、制御装置（図示せず）によって制御され、そして測定値は、作用装置（１１）（図３〜図９を参照のこと）の制御のときに後で利用するために蓄積される。
【００６９】
図３は、ここでは点状作用装置として構成された、支柱（１０’）を介して基台（６）に結合されている作用ユニット（９）からなる作用装置（１１）を示している。該点状作用装置（１１）及び試料チャック（８）は、ソフトウェア及び／又はファームウェア及び／又はハードウェア（制御装置）によって制御される。凸状隆起部又は極大部（１２）は、個別に運ばれて（試料チャック（８）及び／又は作用ユニット（９）のＸ方向とＹ方向の移動によって）、作用ユニット（９）による表面（４ｏ）への作用によって可能な限り平坦化される。
【００７０】
このために該作用ユニット（９）は、Ｚ方向（図３における矢印を参照）に沿って昇降されて、作用ヘッド（９ｋ）と表面（４ｏ）との接触によって、特に凸状隆起部（１２）を一様にすることによって、基板積層体厚さ（ｔ）の均一化が実現される。
【００７１】
該作用ユニット（９）は、有利にはピンである。それに従って、凸状隆起部（１２）の負荷とは、特に機械的な圧力負荷を表す。有利には、その凸状隆起部（１２）に対する機械的な圧力負荷は、なじませることによってキャリア基板（２）と製品基板（４）との間の仮接着剤（２）のより一様な分布をもたらす。
【００７２】
図４は、センサ（７）を備えた測定ユニット（５）と作用ユニット（９）を備えた作用装置（１１）とが互いに１つのユニット又は１つのモジュールにおいて組み合わされた特に有利な実施形態を示している。それによって、相応して測定と均一化をまとめて実施することができる。とりわけ、測定と均一化の間の切り替えは、任意の頻度であってよく、とりわけ相応して効率的かつ素早く実施することができる。
【００７３】
図５ａは、ある特定の凸状隆起部（１２）をセンサ（７）の下に位置決めする本発明による第一のプロセスステップの概略的な断面図を示している。該センサ（７）は、現実的な基板積層体厚さ（ｔsr）を測定する。キャリア基板厚さ（ｔt）と製品基板厚さ（ｔp）を知ることで、凸状隆起部（１２）を調査することができる。該凸状隆起部（１２）は、本発明によれば、このＸ−Ｙ位置で所望の理想的な基板積層体厚さ（ｔsi）を実現するために、できる限り、負のＺ方向でキャリア基板（２）に向かって変形経路（ｄｚ）分だけ変形させるべきである。
【００７４】
図５ｂは、同じ凸状隆起部（１２）の作用ユニット（９）の下での位置決めの概略的な断面図を示している。該凸状隆起部（１２）の位置決めは、高い精度で行われるべきであろう。その精度は、特に１ｍｍより高く（Ｘ−Ｙ方向での最大の偏差／公差）、好ましくは１００μｍより高く、非常に有利には１０μｍより高く、極めて有利には１μｍより高い。
【００７５】
図５ｃは、作用ヘッド（９ｋ）が降下し、それにより該作用ヘッド（９ｋ）と表面（４ｏ）とが接触した後に凸状隆起部（１２）に対する機械的圧力の作用による作用ユニット（９）の使用の概略的な断面図を示している。この場合に該凸状隆起部（１２）は平坦化される。該作用に際しての接合層（３）のより良い変形可能性のためには、該層は、有利にはできる限り塑性変形が起こるようにするために加熱される。
【００７６】
図５ｄは、凸状隆起部（１２）の縮小若しくはそれどころか消失を検証するためか、又は場合により新たな作用を実施するため、及び／若しくは作用装置（１１）を較正するために、同じ位置の再度の計測をする任意の４番目の測定ステップの概略的な断面図を示している。
【００７７】
現実的な条件下では、該凸状隆起部（１２）の負のＺ方向での変形経路（ｄｚ）分だけの変形は、基板積層体の固有応力又は接合層（３）の流れ挙動に基づき必ずしも常に正確に起こりうるとは限らないので、前記の実施形態による実験的測定によって理想的なパラメーターが決定される。
【００７８】
図５ａ〜図５ｄに示される本発明によるプロセスステップは、基板積層体（１）の測定された最高値の全てのＸ−Ｙ位置について実施される。
【００７９】
図６ａは、面状作用装置として構成された、複数の作用ユニット（９）からなる作用装置（１１’）の有利な一実施形態を示している。該作用ユニット（９）は、支柱体（１０’’）にＺ方向に可動に固定されており、該支柱体は、また基台（６）に固定されている。
【００８０】
それらの作用ユニット（９）は、図３による実施形態に相応して、製品基板（４）の表面（４ｏ）又は基板積層体（１）に対して機械的に及び／又は熱的に及び／又は電気的に及び／又は磁気的に作用し、こうして凸状隆起部（１２）の縮小をもたらすことができる。
【００８１】
面状作用装置の場合の本発明による概念は、第一に、複数の基板の加工に際しての、より迅速な処理能力及び同時により安い費用と、第二に、製品基板（４）の表面（４ｏ）及びその下にある接合層（３）の並行した変形を行える可能性とにある。そのことは、とりわけ、ある位置での作用ユニット（９）による凸状隆起部（１２）の除去が、材料の流れとともに更なる凸状隆起部（１２）を生成する場合に必要である。製品基板の表面（４ｏ）の複数の地点を狙い通りにかつ制御して同時に負荷することによって、仮接着剤（３）における材料の流れをより良く制御でき、かつ厚さばらつきを更により効率的に減少させることができる。
【００８２】
作用ユニット（９）は、個々に駆動することができ、そして静止位置から作用位置へとＺ方向に移動することができる。静止位置では、複数の作用ユニット（９）はＸ−Ｙ方向に対して平行に一面に並んで配置されている。該複数の作用ユニット（９）は、有利には互いに等距離に配置されており、複数の作用ユニット（９）からなる一面を形成する。
【００８３】
図６ｂは、図６ａによる実施形態の拡張を表す作用装置（１１’’）を示している。ここでは、該作用装置（１１’’）は、膜（１４）を備えている。該膜（１４）は、支柱体（１０’’）に取り付けられており、作用ユニット（９）の作用ヘッド（９ｋ）を覆い隠している。それらの作用ユニット（９）は、表面（４ｏ）の作用に際して膜（１４）を変形し、従って該製品基板（４）の表面（４ｏ）への接触はもはや直接行われずに、膜（１４）を介して行われる。これによって、類似しているが、膜（１４）の連続性によってより連続的な、従ってより一様に分布した圧力作用が実現される。
【００８４】
図７に示される更なる一実施形態によれば、圧力室の形の複数の作用ユニット（９VI）を備えた作用装置（１１’’’）が見込まれている。該圧力室は、弾性の圧力室壁（１３）と膜（１４）とによって区画されている。該圧力室は、これらに圧力を加えることによって個別に制御できる。その圧力は流体によって与えられ、その流体は流体口（１５）を介して該圧力室中又は該圧力室から導入又は導出される。該流体は、１種のガス、ガス混合物、１種の液体、液体混合物又は具体的な使用事例ではガス−液体混合物であってよい。
【００８５】
前記膜（１４）は、その圧力伝達要素としての機能に加えて、基板積層体（１）の、特に接合層（３）の加熱のための位置分解的に駆動される加熱要素を備えていてよい。
【００８６】
図８においては、作用ユニットについての様々な別形（９，９’，９’’，９’’’，９IV，９V，９VI）が示されている。該作用ユニット（９，９’，９’’，９’’’，９IV，９V，９VI）の側面は、有利には丸い、特に円形の柱体（左側の３つの別形９，９’，９’’）、又は角張った柱体（右側の３つの別形９’’’，９IV，９V）として形成されている。
【００８７】
該作用側面（又は作用ヘッド）は、特に丸められた先端で（作用ユニット９）、平坦に（作用ユニット９’、９’’’）、尖った先端で（作用ユニット９’’）、錐体状で平坦な先端で（作用ユニット９IV）、又は六角形で平坦に（作用ユニット９V）形成されている。
【００８８】
図９においては、面状作用装置として構成された、複数の六角形の平坦な作用ユニット（９V）からなる一面を備えた本発明による作用装置（１１IV）の一実施形態が示されている。該作用ユニット（９V）は、互いにハニカム形に相接しており、従って分割区分及び安定性の点で卓越して本発明による方法に適している。
【符号の説明】
【００８９】
１  基板積層体、  ２  第一の基板、特にキャリア基板、  ３  接合層、特に仮接着剤、  ４  第二の基板、特に製品基板、  ４ｏ  製品基板の表面、  ５  測定ユニット、  ６  基台、  ７  発信機−受信機ユニット、  ８  試料チャック、  ９，９’，９’’  作用ユニット、  ９’’’，９IV  作用ユニット、  ９V，９VI  作用ユニット、  ９ｋ  作用ヘッド、  １０，１０’，１０’’  支柱、支柱体、  １１，１１’，１１’’  作用装置、  １１’’’，１１IV  作用装置、  １２  凸状隆起部、厚さ極大部、  １３  圧力室壁、  １４  膜、  １５  流体口、  ｄｚ  変形経路、  ｔ  基板積層体厚さ、  ｔsi  理想的な基板積層体厚さ、  ｔsr  現実的な基板積層体厚さ、  ｔt  キャリア基板厚さ、  ｔp  製品基板厚さ
【図１ａ】
2017516300.tif 000003
【図１ｂ】
2017516300.tif 000004
【図１ｃ】
2017516300.tif 000005
【図２】
2017516300.tif 000006
【図３】
2017516300.tif 000007
【図４】
2017516300.tif 000008
【図５ａ】
2017516300.tif 000009
【図５ｂ】
2017516300.tif 000010
【図５ｃ】
2017516300.tif 000011
【図５ｄ】
2017516300.tif 000012
【図６ａ】
2017516300.tif 000013
【図６ｂ】
2017516300.tif 000014
【図７】
2017516300.tif 000015
【図８】
2017516300.tif 000016
【図９】
2017516300.tif 000017
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月10日(2016.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
製品ウェハ（４）とキャリアウェハ（２）とからなり、接合層（３）によって接合されているウェハ積層体（１）の接合後プロセスにおける厚さばらつきの均一化方法であって、局所的な厚さ極大部（１２）への、少なくとも１つの作用ユニット（９，９’，９’’，９’’’，９IV，９V，９VI）を備えた作用装置（１１，１１’，１１’’）による局所的な機械的な圧力作用により行う方法において、前記厚さ極大部（１２）のＸ−Ｙ位置が調査され、該厚さ極大部（１２）は前記少なくとも１つの作用ユニット（９，９’，９’’，９’’’，９IV，９V，９VI）によって狙い通りに均一化され、前記製品ウェハ（４）は、前記少なくとも１つの作用ユニット（９，９’，９’’，９’’’，９IV，９V，９VI）によって局所的な変形を受け、該少なくとも１つの作用ユニット（９，９’，９’’，９’’’，９IV，９V，９VI）は、前記製品ウェハ（４）の表面に対して直接的に作用する、前記均一化方法。
【請求項２】
前記局所的な作用に際して、少なくとも主として接合層（３）が変形され、特に接合層（３）のみが変形される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
厚さ極大部（１２）のみが前記作用装置（１１，１１’，１１’’）により作用される、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記局所的な厚さ極大部（１２）のＸ−Ｙ位置を、前記局所的な作用の前に、測定ユニット（５）によって、特に光学的及び／又は音響的に作動する測定ユニット（５）によって調査する、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記作用装置（１１，１１’，１１’’）は、複数の作用ユニット、特に別々に駆動できる及び／又は個別に配置された複数の作用ユニット（９，９’，９’’，９’’’，９IV，９V，９VI）を備えている、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記作用装置（１１，１１’，１１’’）は、厚さ極大部（１２）への作用のための膜（１４）、特に前記複数の作用ユニット（９，９’，９’’，９’’’，９IV，９V，９VI）を覆い隠す膜（１４）を備えている、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記厚さばらつきは、少なくとも半減され、好ましくは少なくとも７５％だけ低減され、更に有利には少なくとも９０％だけ低減され、更に有利には少なくとも９５％だけ低減される、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
製品ウェハ（４）とキャリアウェハ（２）とからなり、接合層（３）によって接合されているウェハ積層体（１）の接合後プロセスにおける厚さばらつきの均一化装置であって、局所的な厚さ極大部への局所的な機械的な圧力作用のための少なくとも１つの作用ユニット（９，９’，９’’，９’’’，９IV，９V，９VI）を備えた作用装置（１１，１１’，１１’’）を備えている装置において、測定装置によって前記厚さ極大部のＸ−Ｙ位置を調査でき、該厚さ極大部は前記少なくとも１つの作用ユニット（９，９’，９’’，９’’’，９IV，９V，９VI）によって狙い通りに均一化でき、前記製品ウェハ（４）は、前記少なくとも１つの作用ユニット（９，９’，９’’，９’’’，９IV，９V，９VI）によって局所的な変形を受けることができ、該少なくとも１つの作用ユニット（９，９’，９’’，９’’’，９IV，９V，９VI）によって前記製品ウェハ（４）の表面に対して直接的に作用できる、前記均一化装置。
【請求項９】
光学的及び／又は音響的に作動する測定ユニット（５）を備えている、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記作用装置（１１，１１’，１１’’）は、複数の作用ユニット、特に別々に駆動できる、及び／又は個別に配置された複数の作用ユニット（９，９’，９’’，９’’’，９IV，９V，９VI）を備えている、請求項８又は９に記載の装置。
【請求項１１】
前記作用装置（１１，１１’，１１’’）は、厚さ極大部（１２）への作用のための膜（１４）、特に前記複数の作用ユニット（９，９’，９’’，９’’’，９IV，９V，９VI）を覆い隠す膜（１４）を備えている、請求項８から１０までのいずれか１項に記載の装置。
【国際調査報告】
2017516300.tif 000018
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