(57)【要約】  放射粒子検出器におけるシンチレーションイベント位置特定方法は、そのシンチレータ素子位置で放射粒子が吸収されることに応答して光子のバーストを放つように構成された複数のシンチレータ素子位置を用意するステップと、シンチレータ素子位置によって放たれた光子のバーストを光センサで検出するステップとを有し、光センサは、光子の衝突に応答して降伏するように構成された単一光子アバランシェダイオードのアレイを有する。単一光子アバランシェダイオードのうちの何れが降伏にあるかを指し示す降伏データが取得され、各グループがまさに１つのシンチレータ素子位置に割り当てられた複数のグループに単一光子アバランシェダイオードを割り振る事前決定された光センサ感度データが提供される。そして、各グループについて個々に、降伏にある単一光子アバランシェダイオードの数が決定されて、光子のバーストを放ったシンチレータ素子位置が特定される。
2017516082.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射粒子検出器におけるシンチレーションイベント位置特定のための方法であって、
複数のシンチレータ素子位置を用意するステップであり、シンチレータ素子位置は、放射粒子が該シンチレータ素子位置で吸収されることに応答して光子のバーストを放つように構成される、用意するステップと、
シンチレータ素子位置によって放たれた光子のバーストを光センサで検出するステップであり、前記光センサは、光子の衝突に応答して降伏するように構成された単一光子アバランシェダイオードのアレイを有する、検出するステップと、
前記単一光子アバランシェダイオードのうちの何れが降伏にあるかを指し示す降伏データを取得するステップと、
各グループがまさに１つのシンチレータ素子位置に割り当てられた複数のグループに単一光子アバランシェダイオードを割り振る事前決定された光センサ感度データを提供するステップと、
各グループについて個々に、降伏にある単一光子アバランシェダイオードの数を決定して、前記光子のバーストを放ったシンチレータ素子位置を特定するステップと、
を有する方法。
【請求項２】
前記事前決定された光センサ感度データは、前記単一光子アバランシェダイオードのうちの少なくとも１つを２つ以上のグループに割り振っている、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記光センサ感度データは、前記シンチレータ素子位置のうちのまさに１つを放射粒子で照射して、前記単一光子アバランシェダイオードのうちの何れが降伏にあるかを決定することによって生成される、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記光センサ感度データは、各グループにつき１つの光センサ感度パターンを有し、前記光センサ感度パターンは、そのグループに少なくとも１つの単一光子アバランシェダイオードを割り振っている、請求項１乃至３の何れかに記載の方法。
【請求項５】
前記光センサ感度データは更に、仮想グループについての仮想光センサ感度パターンを有し、前記仮想グループは、その他のグループのリストのうちの１つの特定のグループに割り振られていない前記光センサの単一光子アバランシェダイオードの全てを有する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記降伏データは、オプションで積分時間だけ遅延された、光子の衝突によって生成されたトリガー信号、に応答して取得される、請求項１乃至５の何れかに記載の方法。
【請求項７】
前記降伏データは、単一光子アバランシェダイオードの前記アレイの区画で、特に、前記アレイの行又は列で取得される、請求項１乃至６の何れかに記載の方法。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れかに記載の方法を実行するためのコンピュータプログラムであって、
前記単一光子アバランシェダイオードのうちの何れが降伏にあるかを指し示す降伏データを取得するステップと、
各グループがまさに１つのシンチレータ素子位置に割り当てられた複数のグループに単一光子アバランシェダイオードを割り振る事前決定された光センサ感度データを提供するステップと、
各グループについて個々に、降伏にある単一光子アバランシェダイオードの数を決定して、前記光子のバーストを放ったシンチレータ素子位置を特定するステップと、
を実行するように構成された命令を有する、コンピュータプログラム。
【請求項９】
複数のシンチレータ素子位置であり、シンチレータ素子位置は、放射粒子が該シンチレータ素子位置で吸収されることに応答して光子のバーストを放つように構成されている、複数のシンチレータ素子位置と、
光子の衝突に応答して降伏するように構成された単一光子アバランシェダイオードのアレイを有する光センサであって、前記単一光子アバランシェダイオードのうちの何れが降伏にあるかを指し示す降伏データを取得するように構成されている光センサと、
各グループがまさに１つのシンチレータ素子位置に割り当てられた複数のグループに単一光子アバランシェダイオードを割り振る事前決定された光センサ感度データを受け取り、且つ、各グループについて個々に、降伏にある単一光子アバランシェダイオードの数を決定して、前記光子のバーストを放ったシンチレータ素子位置を特定するように構成された位置特定ユニットと、
を有する放射粒子検出器。
【請求項１０】
当該放射粒子検出器は複数の光センサを有する、請求項９に記載の放射粒子検出器。
【請求項１１】
前記位置特定ユニットは、前記光センサ感度データを格納する光センサ感度メモリを有する、請求項９又は１０に記載の放射粒子検出器。
【請求項１２】
前記位置特定ユニットは前記光センサの一部である、請求項９乃至１１の何れかに記載の放射粒子検出器。
【請求項１３】
前記位置特定ユニットは、複数の光センサに接続されている、請求項９乃至１１の何れかに記載の放射粒子検出器。
【請求項１４】
少なくとも１つの、請求項９乃至１３の何れかに記載の放射粒子検出器と、
前記放射粒子検出器の出力を画像表現へと再構成する再構成ユニットと、
前記再構成された画像表現の少なくとも一部を表示するディスプレイと、
を有する核撮像システム。
【請求項１５】
当該核撮像システムは更に、撮像領域を取り囲んでリング状に配置された複数の放射粒子検出器を有し、前記再構成ユニットは、陽電子放出トモグラフィ再構成技法を実行するように構成されている、請求項１４に記載の核撮像システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射粒子検出器の分野に関する。本発明は特に、例えば、臨床又は研究のための陽電子放出断層撮影（ＰＥＴ）スキャナ、並びに単一光子放出コンピュータ断層撮影（ＳＰＥＣＴ）スキャナなどの、核撮像システムに適用される。
【背景技術】
【０００２】
ＰＥＴスキャナにおいては、典型的に、入射する放射粒子をＵＶ又は可視スペクトル内の波長を持つ光子のバーストに変換するために、ピクセル化されたシンチレータが使用されている。シンチレータは通常、１×１ｍｍ２から４×４ｍｍ２程度の底面積を持つシンチレータ素子のマトリクスを有する。シンチレーションイベントが、シンチレータ素子に結合された光センサによって検出される。現行技術のＰＥＴスキャナは、光子の衝突に応答して降伏するように構成された単一光子（シングルフォトン）アバランシェダイオード（ＳＰＡＤ）のアレイを典型的に有するシリコン光電子増倍管（ＳｉＰＭ）といった、ソリッドステート光センサを使用している。
【０００３】
それに代えて、シンチレータ材料の大きいブロックで構成されるモノリシックシンチレータが使用されることがある。モノリシックシンチレータは典型的に光センサのアレイに結合され、該光センサのアレイが、モノリシックシンチレータ内の様々なシンチレータ素子位置でのシンチレーションイベントを位置特定するように構成される。
【０００４】
特定されることができるシンチレータ素子位置の大きさは、得られる画像の空間解像度を決定する主要因である。故に、分解能を高めるためには、小さいシンチレータ素子位置であることが望ましい。より高分解能のソリッドステート核撮像システムを探求して、単一の光センサのサイズよりも優れた分解能を達成すべく、アンガー（Anger）ロジックが使用されてきている。シンチレータ及び光センサを、放出されたシンチレーション光を幾つかの光センサ上に拡げるライトガイド（導光材）と結合し、アンガーロジックを用いてシンチレータ素子位置を特定することによって、分解能を向上させることができる。アンガーロジックは、シンチレータ素子位置を特定するために、隣接する光センサからの情報に頼るものであるので、例えば光センサアレイの隙間やエッジなどにおいて、それらの光センサのうちの一部の情報が欠けるときに、不正確になる。
【０００５】
特許文献１（ＵＳ２０１４／０１７５２９４Ａ１）は、光子の衝突に応答して降伏するように構成された単一光子アバランシェダイオードＳＰＡＤ検出器を有する検出器アレイを含んだ光子検出器を開示している。トリガー回路が、ＳＰＡＤ検出器アレイの或るＳＰＡＤ検出器の降伏に応答してトリガー信号を生成するように構成されている。時間−デジタル変換器回路が、トリガー信号に関するデジタルタイムスタンプを生成し得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１４／０１７５２９４号明細書
【発明の概要】
【０００７】
シンチレーションイベントを検出するのに使用される光センサよりも小さいシンチレータ素子位置の特定を向上させることが有利となろう。この関心事にいっそう良好に対処するため、本発明の第１の態様にて、放射粒子検出器におけるシンチレーションイベント位置特定のための方法が提示され、当該方法は、
複数のシンチレータ素子位置を用意するステップであり、シンチレータ素子位置は、放射粒子が該シンチレータ素子位置で吸収されることに応答して光子のバーストを放つように構成される、用意するステップと、
シンチレータ素子位置によって放たれた光子のバーストを光センサで検出するステップであり、上記光センサは、光子の衝突に応答して降伏するように構成された単一光子アバランシェダイオードのアレイを有する、検出するステップと、
上記単一光子アバランシェダイオードのうちの何れが降伏にあるかを指し示す降伏データを取得するステップと、
各グループがまさに１つのシンチレータ素子位置に割り当てられた複数のグループに単一光子アバランシェダイオードを割り振る事前決定された光センサ感度データを提供するステップと、
各グループについて個々に、降伏にある単一光子アバランシェダイオードの数を決定して、上記光子のバーストを放ったシンチレータ素子位置を特定するステップと
を有する。
【０００８】
本発明の他の一態様によれば、上述の方法を実行するためのコンピュータプログラムが提示され、当該コンピュータプログラムは、
上記単一光子アバランシェダイオードのうちの何れが降伏にあるかを指し示す降伏データを取得するステップと、
各グループがまさに１つのシンチレータ素子位置に割り当てられた複数のグループに単一光子アバランシェダイオードを割り振る事前決定された光センサ感度データを提供するステップと、
各グループについて個々に、降伏にある単一光子アバランシェダイオードの数を決定して、上記光子のバーストを放ったシンチレータ素子位置を特定するステップと、
を実行するように構成された命令を有する。
【０００９】
本発明の更なる他の一態様によれば、放射粒子検出器が提示され、当該放射粒子検出器は、
複数のシンチレータ素子位置であり、シンチレータ素子位置は、放射粒子が該シンチレータ素子位置で吸収されることに応答して光子のバーストを放つように構成されている、複数のシンチレータ素子位置と、
光子の衝突に応答して降伏するように構成された単一光子アバランシェダイオードのアレイを有する光センサであって、上記単一光子アバランシェダイオードのうちの何れが降伏にあるかを指し示す降伏データを取得するように構成されている光センサと、
各グループがまさに１つのシンチレータ素子位置に割り当てられた複数のグループに単一光子アバランシェダイオードを割り振る事前決定された光センサ感度データを受け取り、且つ、各グループについて個々に、降伏にある単一光子アバランシェダイオードの数を決定して、上記光子のバーストを放ったシンチレータ素子位置を特定するように構成された位置特定ユニットと
を有する。
【００１０】
本発明の更なる他の一態様は、核撮像システムに関し、当該核撮像システムは、
少なくとも１つの、上述の放射粒子検出器と、
上記放射粒子検出器の出力を画像表現へと再構成する再構成ユニットと、
上記再構成された画像表現の少なくとも一部を表示するディスプレイと
を有する。
【００１１】
本発明によれば、光センサの単一光子アバランシェダイオードのうちの何れが降伏にあるかを指し示す降伏データが取得される。故に、降伏データから、個々の単一光子アバランシェダイオードのサイズによってのみ制限される分解能で、シンチレーション光の分布を得ることができる。本発明は更に、一定の単一光子アバランシェダイオードを特定のグループに割り振る事前決定された光センサ感度データを提供することに頼るものである。各グループが、まさに１つのシンチレータ素子位置に割り当てられる。グループは、そのシンチレータ素子位置によって放たれた光に対して主に感度のある光センサの領域を規定する。各グループについて降伏にある単一光子アバランシェダイオードの数を決定することによって、光子のバーストを放ったシンチレータ素子位置を特定することができる。例えば、降伏にある単一光子アバランシェダイオードを最も多く有するグループを選択することができ、あるいは、グループ内のダイオードの総数に対する降伏ダイオード数の比が最大であるグループを選択することができる。故に、シンチレータ素子位置の特定は、隣接する光センサからの情報を必要としない。隣接する光センサの情報が利用可能でない放射粒子検出器の領域であっても、シンチレータ素子位置の特定が可能である。降伏データの高い分解能により、光センサよりも小さいシンチレータ素子位置を特定することができる。
【００１２】
本発明によれば、シンチレータ素子位置は、モノリシックシンチレータ内の位置とし得る。他の例では、シンチレータ素子位置は、シンチレータ素子のアレイを有するピクセル化されたシンチレータ内のシンチレータ素子とし得る。ピクセル化シンチレータのシンチレータ素子は、当該ピクセル化シンチレータの隣接シンチレータ素子から光学的にアイソレートされ得る。
【００１３】
本発明は、ライトガイドの必要なしで、シンチレータ素子位置を特定することを可能にする。そうとはいえ、本発明は、ライトガイドを用いる放射粒子検出器にも同様に適用されることができる。
【００１４】
好ましくは、光センサはデジタルシリコン光電子増倍管である。デジタルシリコン光電子増倍管は、ガイガーモード・アバランシェフォトダイオード（ＧＭ−ＡＰＤ）としても知られる単一光子アバランシェダイオードのアレイを、読出し（リードアウト）回路とともに、１つのチップ上に集積する。有利には、デジタルシリコン光電子増倍管は、個々の単一光子アバランシェダイオードの各々について降伏データを出力するように構成される。
【００１５】
本発明の好適な一実施形態によれば、事前決定された光センサ感度データは、単一光子アバランシェダイオードのうちの少なくとも１つを２つ以上のグループに割り振る。同一の単一光子アバランシェダイオードを２つ以上のグループに割り振ることは、複数の異なるシンチレータ素子位置に対して感度のある光センサ上の領域（互いに重なり合う）を規定することを可能にする。重なり合う感度領域は、相互作用深さ（depth-of-interaction；ＤＯＩ）検出を可能にするために放射粒子検出器の２つ以上の階層で互い違い（スタガード）的に位置付けられたシンチレータ素子位置（特に、ピクセル化シンチレータのシンチレータ素子）同士を区別することを可能にする。
【００１６】
本発明の好適な他の一実施形態によれば、光センサ感度データは、シンチレータ素子位置のうちのまさに１つ（特に、ピクセル化シンチレータのシンチレータ素子のうちの１つ）を放射粒子で照射して、単一光子アバランシェダイオードのうちの何れが降伏にあるかを決定することによって生成される。光センサ感度データの生成は、選択的に、放射粒子検出器の製造又は核撮像システムのアセンブリにおける校正手順の一部として実行される。他の例では、時々光センサ感度を変更及び/又は再プログラムすることを可能にするよう、光センサ感度データは、例えば毎日又は毎週の校正手順の部分として、核撮像システムの使用中に生成されてもよい。
【００１７】
有利には、光センサ感度データは、各グループにつき１つの光センサ感度パターンを有し、光センサ感度パターンは、そのグループに少なくとも１つの単一光子アバランシェダイオードを割り振る。グループごとの光センサ感度パターンを使用することは、単純化されたデータ処理を可能にする。というのは、同一の処理ユニットによって順次に、あるいは相等しい処理ユニットによって並列に、光センサ感度パターンを処理することができるからである。光センサ感度パターンは、光センサの単一光子アバランシェダイオードの各々に対してまさに１つのマスク要素を保持するマスクとして構造化されることができ、マスク要素が、特定の単一光子アバランシェダイオードがそのグループの部分であるか否かを指し示し得る。光センサ感度パターンをマスクとして提供することは、所与のグループの降伏にある単一光子アバランシェダイオードの全てを決定するステップを、それぞれの単一光子アバランシェダイオードの降伏データの感度パターンとの論理ＡＮＤ演算によって実行することができるという利益を有する。
【００１８】
本発明の好適な一実施形態によれば、光センサ感度データは更に、仮想グループについての仮想光センサ感度パターンを有し、仮想グループは、その他のグループのリストのうちの１つの特定のグループに割り振られていない光センサの単一光子アバランシェダイオードの全てを有する。特に、仮想グループは、第１グループの部分ではない光センサの単一光子アバランシェダイオードの全てを有し、それにより、第１グループの反転である仮想グループを規定し得る。その光センサについて降伏にある単一光子アバランシェダイオードの総数を計算するため、第１グループ及び仮想グループの降伏にある単一光子アバランシェダイオードの数が足し合わされ得る。降伏にある単一光子アバランシェダイオードの総数は、シンチレーションイベントの総エネルギーを計算するために使用され得る。他の例では、光センサの全ての単一光子アバランシェダイオードを有する仮想グループが規定され得る。更なる他の例によれば、光センサは、その出力のうちの１つに、降伏にある単一光子アバランシェダイオードの総数を提供し得る。
【００１９】
好ましくは、降伏データは、単一のアバランシェダイオードの降伏によって生成されるトリガー信号に応答して取得される。トリガー信号は、光検出器の内部で生成されて、降伏データを取得する手順を開始させることができる。有利には、取得の開始に先立ってバーストの光子の殆どが光センサに衝突していることを確保するために、降伏データの取得は、積分時間だけ遅延される。
【００２０】
好適な他の一実施形態によれば、降伏データは、アレイの区画で取得される。区画で降伏データを取得することは、降伏データの並列処理を可能にする。例えば、アレイの行又は列で降伏データを取得することができる。これが意味することは、アレイの列又は行の全体の降伏データが、一度に出力されて位置特定ユニットに伝えられ得るということである。位置特定ユニットの内部で、完全なる列又は行の降伏データを並列に処理することができる。
【００２１】
更に好ましくは、降伏データはシリアルビットパターンとして提供される。故に、降伏データのデジタル処理が単純化される。ビットパターンの個々のビットが、所与の単一光子アバランシェダイオードが降伏にあるか否かの情報を担持し得る。
【００２２】
本発明の好適な他の一実施形態によれば、放射粒子検出器は、特には光センサのアレイである複数の光センサを有する。これらの光センサは、別々に、シンチレータ素子位置のうちの１つによって放たれた光子のバーストを検出し、且つ各光センサについて個別に単一光子アバランシェダイオードの分解能で降伏データを取得するように構成され得る。光センサごとに、個々の事前決定された光感度データが有利に提供され得る。
【００２３】
更に好ましくは、位置特定ユニットは、上記光センサ感度データを格納する光センサ感度メモリを有する。光センサ感度メモリは、２つ以上の光センサの光感度データを有利に格納し得る。
【００２４】
本発明の好適な一実施形態によれば、位置特定ユニットは、複数の光センサに接続される。位置特定ユニットは、複数の光センサの降伏データと、複数の光センサの事前決定された光センサ感度データとを提供され得る。これは、２つ以上の光センサ上に広がるシンチレータ素子位置を位置特定ユニットが特定することを可能にする。
【００２５】
本発明の好適な他の一実施形態によれば、位置特定ユニットは光センサの一部である。位置特定ユニットを、光センサの一部として、例えば同一基板上で単一光子アバランシェダイオードとともに、実装することは、光センサによって出力されるデータの量を削減するという利点を提供する。
【００２６】
本発明の好適な一実施形態によれば、核撮像システムは、撮像領域を取り囲んでリング状に配置された複数の放射粒子検出器を有し、再構成ユニットは、陽電子放出トモグラフィ再構成技法を実行するように構成される。
【００２７】
本発明のこれら及びその他の態様が、以下に記載される実施形態を参照して明らかになる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の第１の実施形態に従った放射粒子検出器の側面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に従った放射粒子検出器の側面図である。
【図３】本発明の一実施形態に従った核撮像システムを例示する図である。
【図４】幾つかの光センサ感度パターンを例示する図である。
【図５ａ】方法発明の一実施形態に従ったシンチレータ素子位置を特定するための処理を例示する図である。
【図５ｂ】方法発明の一実施形態に従ったシンチレータ素子位置を特定するための処理を例示する図である。
【図５ｃ】方法発明の一実施形態に従ったシンチレータ素子位置を特定するための処理を例示する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
図１は、例えば高分解能ＰＥＴスキャナといった、核撮像システムで使用される放射粒子検出器１の第１の実施形態を例示している。放射粒子検出器１は、シンチレータ素子２である複数のシンチレータ素子位置を有するピクセル化されたシンチレータを有している。シンチレータ素子２の材料は、シンチレーションバーストの急速な時間的減衰を伴って５１１ｋｅＶガンマ線に対して高い停止力を提供するように選択される。幾つかの好適なシンチレータ材料は、ルテチウムオキシオルトシリケート（ＬＳＯ）、ルテチウムイットリウムオルトシリケート（ＬＹＳＯ）及び臭化ランタン（ＬａＢｒ）である。理解されるべきことには、その他の材料からなるシンチレータ素子２が代わりに使用されてもよい。シンチレータ材料の構造は、例えば、結晶、多結晶、又はセラミックとし得る。シンチレータ結晶２は、シンチレータ層３内に配置される。シンチレータ結晶２同士間での光共有を回避するため、隣接し合うシンチレータ素子２の間に、例えば反射性フォイルといったリフレクタ材４が配置される。それに代えて、シンチレータ結晶２が反射コーティングに包み込まれてもよい。
【００３０】
シンチレータ素子２は、例えば光学的に透明な接着剤によって、センサ層６に直接的に結合される。センサ層６は、ソリッドステート光センサ５のアレイで構成される。加えて、シンチレーション光が幾つかの光センサ５上に広がることを可能にするため、オプションの平面状のライトガイドが、シンチレータ層３と光センサ層６との間に置かれてもよい。光センサ５は、シリコン光電子増倍管（ＳｉＰＭ）であり、各ＳｉＰＭが、シリコン基板上にモノリシックに配置された単一光子アバランシェダイオードのアレイを有する。この実施形態に従った光センサ５は、同じシリコン基板上に単一光子アバランシェダイオードとともに読出し回路を集積した所謂デジタルシリコン光電子増倍管である。単一光子アバランシェダイオードは、光子の衝突に応答して降伏（ブレイクダウン）するように構成される。デジタルシリコン光電子増倍管の内部で、アレイの単一光子アバランシェダイオードの各々の状態のデジタル表現を得ることができる。現行技術のデジタルＳｉＰＭは、全てのダイオードの降伏状態のデジタル表現を用いて、降伏にある全ての単一光子アバランシェダイオードの総和を計算し、計算した値をデジタルタイムスタンプとともに出力している。図示した本発明の実施形態に従った放射粒子検出器は、ダイオード毎ベースで降伏データを自身の出力上に提供する光センサ５を有する。故に、光センサ５の単一光子アバランシェダイオードのうちの何れが降伏にあるかを指し示す降伏データを、光センサ５から取得することができる。
【００３１】
放射粒子検出器１は更に、位置特定ユニット７を有している。位置特定ユニット７は、結晶毎ベースでシンチレーションイベントの位置を特定するように構成される。光センサ５のうちの少なくとも１つによる光子バーストの検出に応答して、位置特定ユニット７は、その光子バーストを放ったシンチレータ素子２を決定する。第１の実施形態に従った位置特定ユニット７は、複数の光センサ５に接続される別個のユニットとして実装されている。それに代えて、位置特定ユニット７は、例えば、光センサ５の一部として、あるいは、複数の光センサ５と位置特定ユニット７とを有するモジュールとして、単一光子アバランシェダイオード及び読出し電子回路とともに同じ基板上に実装されてもよい。
【００３２】
位置特定ユニット７は、所与の光センサ５の単一光子アバランシェダイオードを様々なグループに割り振る事前決定された光センサ感度データを受け取るように構成される。単一光子アバランシェダイオードの各グループは、特定のシンチレータ素子２によって放たれるシンチレーション光の実験的に決定された分布に対応する。各グループが、まさに１つのシンチレータ素子２に割り当てられる。位置特定ユニット７は更に、各グループについて、降伏にあるダイオードの数を決定するよう機能し、ひいては、以下にて説明するように、光子バーストを放ったシンチレータ素子２を特定することを可能にする。この特定は、降伏にある単一光子アバランシェダイオードを最も多く有するグループを決定することを頼りにし得る。それに代えて、この特定は、グループ内のダイオードの総数に対する、降伏にあるダイオード数の比について、最大の比を示すグループを決定することを頼りにしてもよい。
【００３３】
図１は、シンチレータ素子２．１と相互作用するガンマ線１０を描いている。結果として、スペクトルのＵＶ又は可視の部分内の波長を持つ光子のバーストが、シンチレータ素子２．１によって放たれる。光子は、リフレクタ４によって反射されて、結晶２．１のうち光センサ５．１に結合された側で、シンチレータ素子２．１を出て行く。光子は、光センサ５．１によって、主にシンチレータ素子２．１の真下に位置する領域８．１で受けられる。故に、領域８．１は、シンチレータ素子２．１を起源とする光子が光センサ５．１の単一光子アバランシェダイオードによって検出されると期待される光センサ５．１の領域を定める。故に、シンチレータ素子２．１の光分布は領域８．１にとどめられる。
【００３４】
シンチレータ素子２の光分布は、シンチレータ素子２の各々が別々にガンマ線によって照らされる校正手順にて検出されることができる。校正手順において、単一光子アバランシェダイオードのうちの何れが降伏にあるかが決定される。校正手順にて決定された降伏データから、所与の光分布パターンを１つの特定のシンチレータ素子２にマッピングする光センサ感度データが生成される。光センサ感度データは、グループごとに１つの光センサ感度パターンを有し、光センサ感度パターンは、少なくとも１つの単一光子アバランシェダイオードをそのグループに割り振る。光センサ感度パターンは、単一光子アバランシェダイオードのサイズに対応する分解能で、所与のシンチレータ素子２によって作り出される光分布を保管する。単一光子アバランシェダイオードの各グループが、まさに１つのシンチレータ素子２に割り当てられる。
【００３５】
光センサ感度データは、位置特定ユニット７の感度メモリに、光センサ感度パターンの形態で記憶される。放射粒子検出器１の使用中、シンチレータ素子２を特定するために、光センサ感度データが読み出されて使用される。所与の光センサ５に対して利用可能な降伏データで、位置特定ユニット７は、この光センサ５の単一光子アバランシェダイオードのうちの何れが降伏にあるかを決定する。位置特定ユニット７は更に、その単一光子アバランシェダイオードが何れのグループに属するかを決定する。グループの各々について、位置特定ユニット７は、降伏にある単一光子アバランシェダイオードの数をカウントし、降伏にあるダイオードの数が最大のグループを決定する。このグループが、最も高い可能性で、光子のバーストの起源であるシンチレータ素子２に割り当てられたグループである。
【００３６】
光センサ感度データによって定められるグループは、異なる数の単一光子アバランシェダイオードを有することができる。そうとはいえ、グループ内の単一光子アバランシェダイオードの数が同じ大きさであることが好ましい。また、理解されることには、単一光子アバランシェダイオードは、ただ１つのグループよりも多くのグループの部分であることができる。これは、隣接し合うシンチレータ素子２の光分布の重なり合いが可能であるためである。
【００３７】
図２は、本発明に従った放射粒子検出器１の第２の実施形態を示している。図２に示される放射粒子検出器１は、光センサ層６に結合された第１のシンチレータ層３と、第１のシンチレータ層３の頂部上に配置された第２のシンチレータ層３’とを有している。第２のシンチレータ層３’のシンチレータ素子２’は、第１の層３のシンチレータ素子２から、ピクセルピッチの半分だけオフセットされている。第２の実施形態に従った放射粒子検出器１は、ピクセル化シンチレータを用いてガンマ線の相互作用深さを決定することが可能な高空間分解能ＰＥＴスキャナで使用される。
【００３８】
図２は、第２のシンチレータ層３’のシンチレータ素子２．１’とのガンマ線１０’の相互作用を例示している。ガンマ線１０’が結晶２．１’内で停止され、得られた光子のバーストが、相互作用が起こった結晶２．１’の下の第１のシンチレータ層３内の２つの隣接した結晶２．２、２．３に広まる。これらの光子は、光センサ５．１によって、主として、シンチレータ素子２．２及び２．３の下の領域に主に相当するものである領域８．２にて受けられる。故に、光が、第１のシンチレータ層３内で起こる相互作用（参考として、領域８．３参照）と比較して大きい領域で、光センサ５によって検出される。結果として、感度領域の重なり合いが可能であり、第２の層３’のシンチレータ素子２’と第１の層３のシンチレータ素子２とを区別することを可能にする。放射粒子検出器１の２つ以上の階層で互い違い（スタガード）的に位置付けられたシンチレータ素子２、２’は、ライトガイドの必要なしで特定されることができる。そうとはいえ、オプションで、第１のシンチレータ層３と光センサ層６との間にライトガイドが配設されてもよい。
【００３９】
図３は、複数の放射粒子検出器１を含むＰＥＴスキャナとして構成された核撮像システムを例示する図である。放射粒子検出器１は、軸方向に沿った１つ以上のリング状に配列されるが、放射粒子検出器１のその他の配列が使用されてもよい。放射粒子検出器１は検査領域を取り囲む。検査領域内に位置付けられる被検体は、放射粒子検出器１によって検出されるガンマ線又はその他の特性エネルギーの放射粒子を放つ放射性医薬品を与えられている。
【００４０】
核撮像システムは更に、陽電子放出トモグラフィ再構成技法を実行するように構成された再構成ユニット１１を有する。再構成ユニットは、複数の放射粒子検出器１に接続されて、結晶特定データを受け取る。再構成ユニット１１は、放射粒子検出器１の結晶特定データを、メモリ１２に格納される画像表現へと再構成する。再構成された画像表現の少なくとも一部を表示するために、ディスプレイ１３がメモリ１２に接続される。
【００４１】
図４は、４×４アレイの１６個の単一光子アバランシェダイオードを有する光センサについての５つの感度パターン２１、２２、２３、２４、２５の組の形態で、典型的な光センサ感度データ２０を例示している。１６というダイオード数は、より良い概説を提供するために選んだものであり、光センサアレイは典型的に、３０００から６０００程度の多数の単一光子アバランシェダイオードを有する。光センサ５は、相互作用深さ位置特定を可能にするよう、互い違い的に置かれたシンチレータ素子を有する２つのシンチレータ層に結合されている。感度パターンの構造は、単一光子アバランシェダイオードのアレイの構造に似ている。“１”は、その単一光子アバランシェダイオードがそのグループの部分であることを指し示し、“０”は、そのダイオードがそのグループの部分でないことを指し示す。換言すれば、光センサ感度パターン２１、２２、２３、２４、２５は、光センサの単一光子アバランシェダイオードの各々に対してまさに１つのマスク要素を保持するマスクとして構造化されており、マスク要素は、特定の単一光子アバランシェダイオードがそのグループの部分であるか否かを指し示す。
【００４２】
第１の感度パターン２１は、第１グループの単一光子アバランシェダイオードを規定している。第１グループのダイオードは、光センサ５のアレイの左上コーナーに位置している。故に、第１グループは、光センサ５の左上コーナーの上に位置するシンチレータ結晶２を特定する。第２の感度パターン２２は、光センサ５の右上コーナーの上に位置するシンチレータ素子２から光を受けるものである第２グループのダイオードを規定している。第３の感度パターン２３及び第４の感度パターン２４は、それぞれ、光センサ５の下側のコーナーに位置して、光センサの下側のコーナーの上に位置するシンチレータ素子から光を受ける第３グループ及び第４グループのダイオードを規定している。第５グループが、第５の感度パターン２５によって規定されている。第５グループは、光センサ５の中央に位置する単一光子アバランシェダイオード群を有している。図４に示されるように、第５グループは、その他のグループとダイオードを共有している。換言すれば、第５グループの単一光子アバランシェダイオードは、他のグループにも割り振られている。故に、例えば第１グループ及び第５グループの光分布領域に重なり合いが存在している。これは、第５グループが、第１、第２、第３及び第４のシンチレータ素子の上の第２の層内に位置するシンチレータ素子に割り当てられていることによる。第２の層の該シンチレータ素子によって放たれた光子は、その下の層内の隣接する全ての結晶へと広がって、光センサ５の表面上にいっそう広い光分布をもたらす。
【００４３】
場合により、６個以上の感度パターンを光センサ５に関して規定することが可能である。
【００４４】
以下、図５を用いて、方法発明の一実施形態に従ってシンチレータ素子を特定する処理を詳細に説明する。
【００４５】
図５ａは、光センサ５によって取得される、単一光子アバランシェダイオードのうちの何れが降伏にあるかを指し示す降伏データ３０を例示している。降伏データ３０は、単一ビットのパターンとして提供されており、“１”は、単一光子アバランシェダイオードが降伏にあることを指し示し、“０”は、ダイオードが降伏にないことを指し示している。降伏データ３０は、光子の衝突に応答して光センサ５によって生成されて数百ナノ秒程度の積分時間だけ遅延されるトリガー信号に応答して取得される。降伏データ３０は、アレイの行３０．１、３０．２、３０．３、３０．４にて取得される。これが意味することは、降伏データ３０の取得が、アレイの第１の行３０．１のダイオードに対応する光センサ５の出力上にシリアルビットパターンを提供することで始まって、第２の行３０．２などに関するシリアルビットパターンに続くということである。
【００４６】
図５ｂは、図４に示した感度パターン２１、２２、２３、２４、２５と同様のマスクとして構造化された所与の光センサ感度パターンの第１の行４０．１を示している。この光センサ感度パターンは、第１のシンチレータ素子に対応する第１グループを規定している。位置特定ユニット７にて、論理積（ＡＮＤ）演算が実行され、光センサ感度パターンの第１の行４０．１の要素が、降伏データ３０の第１の行３０．１の対応する要素と、ＡＮＤ演算で結合される。論理ＡＮＤ演算の結果がレジスタ５０．１に格納される。最後に、レジスタ５０．１の全ての要素の和が、加算器６０．１によって計算される。論理ＡＮＤ演算を実行し且つ結果の数値和を順次に計算することにより、降伏データ３０が感度パターンと比較され、予め求められた感度パターンとの一致の数が見出される。レジスタ５０．１の数値和は、第１グループの降伏にある単一光子アバランシェダイオードの数に相当する。換言すれば、所与のシンチレータ素子に割り当てられた降伏データを含む条件付きの和が提供される。
【００４７】
図５ｃは、上記の第１の比較と並列に実行され得る第２の比較演算を例示している。ここでは、降伏データ３０の第１の行３０．１が、第２のシンチレータ素子に割り当てられた第２の感度パターンの第１の行４１．１と比較されている。第２の感度パターンは、第２グループの単一光子アバランシェダイオードを規定している。パターン３０．１、４１．１の要素の論理ＡＮＤがレジスタ５０．２に格納され、加算器６０．２を用いてレジスタ５０．２の数値和が計算される。レジスタ５０．２の数値和は、第２グループの降伏にある単一光子アバランシェダイオードの数に相当する。
【００４８】
最終的に、全てのグループの降伏にある単一光子アバランシェダイオードの数が比較されて、降伏にある単一光子アバランシェダイオードの数が最大のグループが決定される。このグループが、光子のバーストを放ったシンチレータ素子２に割り当てられる。それに代えて、光子バーストが起源とする結晶を特定するために、グループのダイオードの総数に対する降伏ダイオード数の比が比較されてもよい。
【００４９】
図面及び以上の記載にて本発明を詳細に図示して説明してきたが、これらの図示及び説明は、限定的なものではなく、例示的あるいは典型的なものとみなされるべきであり、本発明は、開示の実施形態に限定されるものではない。例えば、核撮像システムがＳＰＥＣＴスキャナである実施形態で本発明を操作することが可能である。本発明の代替的な一実施形態によれば、ピクセル化シンチレータの代わりに、モノリシックシンチレータが使用されてもよく、その場合、ピクセル化シンチレータのシンチレータ素子の代わりに、モノリシックシンチレータ内のシンチレータ素子位置が特定される。本発明の他の代替的な一実施形態によれば、位置特定ユニット７は、コンピュータプログラムプロダクトを実行するように構成されたプロセッサとして提供され、コンピュータプログラムプロダクトは、単一光子アバランシェダイオードのうちの何れが降伏にあるかを指し示す降伏データ３０を取得するステップと、各グループがまさに１つのシンチレータ素子位置２、２’に割り当てられた複数のグループに単一光子アバランシェダイオードを割り振る事前決定された光センサ感度データ２０、４０を提供するステップと、各グループについて個々に、降伏にある単一光子アバランシェダイオードの数を決定して、光子のバーストを放ったシンチレータ素子位置２、２’を特定するステップとを実行するように構成された命令を有する。コンピュータプログラムプロダクトは、他のハードウェアとともに供給されるか、他のハードウェアの一部として供給されるかする例えば光記憶媒体又はソリッドステート媒体などの好適な媒体にて格納及び／又は配布され得るが、例えばインターネット又はその他の有線若しくは無線の遠隔通信システムを介してなど、その他の形態で配布されてもよい。
【００５０】
開示の実施形態へのその他の変形が、図面、本開示及び添付の請求項の検討から、請求項に係る発明を実施する当業者によって理解されて実現され得る。請求項において、用語“有する”はその他の要素又はステップを排除するものではなく、不定冠詞“ａ”又は“ａｎ”は複数であることを排除するものではない。特定の複数の手段が相互に異なる従属項に記載されているという単なる事実は、それらの手段の組合せが有利に使用され得ないということを指し示すものではない。また、記載中の第１、第２、第３などの用語は、同様の要素を区別するために用いられており、必ずしも順次的又は経時的な順序を記述するものではない。請求項中の如何なる参照符号も、範囲を限定するものとして解されるべきでない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５ａ】
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【図５ｂ】
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【図５ｃ】
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【国際調査報告】
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