(57)【要約】  磁場応答性粒子を備えた二相流体をポンプ送りするように構築されたポンプは、二相流体を導くように構築された収集ダクトと、収集ダクトに沿って配置され、かつ収集ダクトの少なくとも一部において磁場を生成するように構成された収集ダクト磁石システムと、二相流体を導くように構築されたポンプ送りダクトと、収集ダクト出口に接続されたポンプ送りダクト入口と、ポンプ送りダクトに沿って配置され、ポンプ送りダクトの少なくとも一部において磁場を生成するように構成されたポンプ送りダクト磁石システムと、を備える。ポンプドライバは、収集ダクト磁石システムを駆動して、収集ダクトのある長さに沿って移動する収集ダクト磁場の空間的繰り返しを生成するように構成され、かつ、ポンプ送りダクト磁石システムを駆動して、ポンプ送りダクトのある長さに沿って移動するポンプ送りダクト磁場の空間的繰り返しを生成するようにさらに構成されている。一実施形態では、ポンプ送りダクト磁場の磁場強度は、収集ダクト磁場の磁場強度を上回る。【選択図】図２
2017538143.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁場に対して応答性を有する粒子を備えた熱調節流体をポンプ送りするように構築されたポンプであって、
収集ダクト入口から収集ダクト出口へと前記熱調節流体を導くように構築された収集ダクトと、
前記収集ダクトに沿って配置され、前記収集ダクトの少なくとも一部において磁場を生成するように構成された収集ダクト磁石システムと、
ポンプ送りダクト入口からポンプ送りダクト出口へと前記熱調節流体を導くように構築されたポンプ送りダクトであって、前記ポンプ送りダクト入口が前記収集ダクト出口に接続されている、ポンプ送りダクトと、
前記ポンプ送りダクトに沿って配置され、前記ポンプ送りダクトの少なくとも一部において磁場を生成するように構成されたポンプ送りダクト磁石システムと、
前記収集ダクト磁石システムを駆動して、前記収集ダクト入口から前記収集ダクト出口へと移動する収集ダクト磁場の空間的繰り返しを生成するように構成されたポンプドライバシステムであって、前記ポンプ送りダクト磁石システムを駆動して、前記ポンプ送りダクト入口から前記ポンプ送りダクト出口へと移動するポンプ送りダクト磁場の空間的繰り返しを生成するようにさらに構成されている、ポンプドライバシステムと、を備えるポンプ。
【請求項２】
前記収集ダクトの直径が前記ポンプ送りダクトの直径を上回る、請求項１に記載のポンプ。
【請求項３】
前記ポンプ送りダクト磁場の磁場強度が前記収集ダクト磁場の磁場強度を上回る、請求項１又は２に記載のポンプ。
【請求項４】
前記収集ダクト磁石システムが、誘導信号を生成するように構成された少なくとも１つの誘導コイルを備え、前記少なくとも１つの誘導コイルが、前記誘導信号を受信するように前記ポンプドライバシステムの信号入力に接続され、前記ポンプドライバシステムが、前記収集ダクト磁石システム及び前記ポンプ送りダクト磁石システムを前記誘導信号と同期して駆動するように構成されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載のポンプ。
【請求項５】
前記収集ダクト磁石システムが、前記収集ダクト入口から前記収集ダクト出口へと前記収集ダクトの長さに沿って配置された複数の収集ダクト電磁石を備え、
前記ポンプ送りダクト磁石システムが、前記ポンプ送りダクト入口から前記ポンプ送りダクト出口へと前記ポンプ送りダクトの長さに沿って配置された複数のポンプ送りダクト電磁石を備え、
前記ポンプドライバが、前記収集ダクト電磁石を駆動して、前記収集ダクト入口から前記収集ダクト出口へと移動する収集ダクト磁場の前記空間的繰り返しを生成するように構成され、かつ、前記ポンプ送りダクト電磁石を駆動して、前記ポンプ送りダクト入口から前記ポンプ送りダクト出口へと移動するポンプ送りダクト磁場の前記空間的繰り返しを生成するように構成されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載のポンプ。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のポンプと、磁場に対して応答性を有する粒子を備えた熱調節流体と、を備える熱調節システム。
【請求項７】
基板を保持するように構成された基板テーブルと、前記基板テーブルの熱調節を行うように構成された請求項６に記載の熱調節システムと、を備えるリソグラフィ装置。
【請求項８】
基板上にパターンを投影するための投影システムを備えたリソグラフィ装置であって、前記投影システムが反射光学要素を備え、前記リソグラフィ装置が、前記反射光学要素の熱調節を行うように構成された請求項６に記載の熱調節システムをさらに備える、リソグラフィ装置。
【請求項９】
基準フレームを備えたリソグラフィ装置であって、請求項６に記載の熱調節システムをさらに備え、前記熱調節システムが前記基準フレームの熱調節を行うように構成されている、リソグラフィ装置。
【請求項１０】
磁場に対して応答性を有する粒子を備えた熱調節流体をポンプ送りする方法であって、
収集ダクトによって、前記収集ダクトの収集ダクト入口から収集ダクト出口へと前記熱調節流体を導くことと、
ポンプ送りダクトによって、前記ポンプ送りダクトのポンプ送りダクト入口からポンプ送りダクト出口へと前記熱調節流体を導くことであって、前記ポンプ送りダクト入口が前記収集ダクト出口に接続されている、導くことと、
前記収集ダクト入口から前記収集ダクト出口へと移動する収集ダクト磁場の空間的繰り返しを生成することと、
前記ポンプ送りダクト入口から前記ポンプ送りダクト出口へと移動するポンプ送りダクト磁場の空間的繰り返しを生成することと、を含む方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[関連出願の相互参照]
[0001]  本出願は、２０１４年１１月５日に出願された欧州出願第１４１９１８６４．９号の優先権を主張し、その全体を参照により本明細書に組み込む。
【０００２】
[0002]  本開示は、熱調節流体をポンプ送りするように構築されたポンプ、そのようなポンプを備える熱調節システム、そのような熱調節システムを備えるリソグラフィ装置、及び熱調節流体をポンプ送りする方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、又は１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射する所謂ステッパ、及び、放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行又は逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、所謂スキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００４】
[0004]  基板上にパターンを投影するとき、基板は様々な熱源からの熱に曝され得る。例えば、サポートを（例えばスキャン動作中に）移動させるモータなどの、サポートのアクチュエータが、熱を発生させる可能性がある。同様に、基板と相互作用する照射のエネルギーも熱源を形成し得る。
【０００５】
[0005]  そのような熱源は、例えば基板の（通常は不均一の）熱膨張、サポートの（通常は不均一の）熱膨張といった多くの影響をもたらすおそれがある。こうした影響は、レジストで被覆された基板をリソグラフィ装置によって処理する際の様々な誤差、例えば、アライメントエラー及びオーバーレイエラーなどの一因となり得る。
【０００６】
[0006]  こうした影響を打ち消すために、基板を実質的に一定の温度に保つように温度調節することが望ましい。そのためにサポート内に熱調節ダクトを設けてもよい。
【０００７】
[0007]  熱調節システムの一例は、二相熱調節システムによって提供される。二相流体が、ある相（例えば液相）から別の層（例えば気相）へと転移するため、温度調節効果が得られる。液相から気相への転移中には熱が吸収され、一方で気相から液相への転移中には熱が放出される。二相流体の一例は、加圧ＣＯ２（二酸化炭素）である。二相流体には、二相流体の循環をもたらし、熱が吸収されるエリアと熱が放出されるエリアとの間を循環するようにする、ポンプが必要である場合がある。
【０００８】
[0008]  そのポンプは振動などの悪影響をもたらし得る。
【発明の概要】
【０００９】
[0009]  改善された温度調節を実現することが望ましい。
一実施形態では、磁場に対して応答性を有する粒子を備えた熱調節流体をポンプ送りするように構築されたポンプであって、
収集ダクト入口から収集ダクト出口へと熱調節流体を導くように構築された収集ダクトと、
収集ダクトに沿って配置され、収集ダクトの少なくとも一部において磁場を生成するように構成された収集ダクト磁石システムと、
ポンプ送りダクト入口からポンプ送りダクト出口へと熱調節流体を導くように構築されたポンプ送りダクトであって、ポンプ送りダクト入口が収集ダクト出口に接続されている、ポンプ送りダクトと、
ポンプ送りダクトに沿って配置され、ポンプ送りダクトの少なくとも一部において磁場を生成するように構成されたポンプ送りダクト磁石システムと、
収集ダクト磁石システムを駆動して、収集ダクト入口から収集ダクト出口へと移動する収集ダクト磁場の空間的繰り返しを生成するように構成されたポンプドライバシステムであって、ポンプ送りダクト磁石システムを駆動して、ポンプ送りダクト入口からポンプ送りダクト出口へと移動するポンプ送りダクト磁場の空間的繰り返しを生成するようにさらに構成されている、ポンプドライバシステムと、を備えるポンプが提供される。
【００１０】
[0010]  さらなる実施形態では、先行する請求項のいずれか１項に記載のポンプと、磁場応答性粒子を備えた熱調節流体と、を備える熱調節システムが提供される。
【００１１】
[0011]  さらなる実施形態では、基板を保持するように構成された基板テーブルと、この基板テーブルの温度調節を行うように構成された本発明による熱調節システムと、を備えるリソグラフィ装置が提供される。
【００１２】
[0012]  別の実施形態では、基板上にパターンを投影するための投影システムを備えたリソグラフィ装置であって、投影システムが反射光学要素を備え、リソグラフィ装置が、反射光学要素の温度調節を行うように構成された本発明による熱調節システムをさらに備える、リソグラフィ装置が提供される。
【００１３】
[0013]  さらに別の実施形態では、基準フレームを備えたリソグラフィ装置であって、本発明による熱調節システムをさらに備え、熱調節システムが、基準フレームの熱調節を行うように構成されている、リソグラフィ装置が提供される。
【００１４】
[0014]  さらに別の実施形態では、磁場に対して応答性を有する粒子を備えた熱調節流体をポンプ送りする方法であって、
収集ダクトによって、収集ダクトの収集ダクト入口から収集ダクト出口へと熱調節流体を導くことと、
ポンプ送りダクトによって、ポンプ送りダクトのポンプ送りダクト入口からポンプ送りダクト出口へと熱調節流体を導くことであって、ポンプ送りダクト入口が収集ダクト出口に接続されている、導くことと、
収集ダクト入口から収集ダクト出口へと移動する収集ダクト磁場の空間的繰り返しを生成することと、
ポンプ送りダクト入口からポンプ送りダクト出口へと移動するポンプ送りダクト磁場の空間的繰り返しを生成することと、を含む方法が提供される。
【００１５】
[0015]  ２０１１年９月２６日付けの記事「強磁性流体ポンプは可動部を有さない（Ｆｅｒｒｏｆｌｕｉｄ  ｐｕｍｐ  ｈａｓ  ｎｏ  ｍｏｖｉｎｇ  ｐａｒｔｓ）」には、ナノスケールの強磁性粒子を備えた流体をポンプ送りする強磁性流体ポンプが開示されている。（Ｃｏｍｍｉｓｓａｒｉａｔ，Ｔ著、「強磁性流体ポンプは可動部を有さない（Ｆｅｒｒｏｆｌｕｉｄ  ｐｕｍｐ  ｈａｓ  ｎｏ  ｍｏｖｉｎｇ  ｐａｒｔｓ）」ＰＨＹＳＩＣＳ  ＷＯＲＬＤ、２０１１年９月２６日［オンライン］［２０１４年１１月３日検索］。インターネットから取得＜ＵＲＬ：ｈｔｔｐ:／／ｐｈｙｓｉｃｓｗｏｒｌｄ.ｃｏｍ／ｃｗｓ／ａｒｔｉｃｌｅ／ｎｅｗｓ／２０１１／ｓｅｐ／２６／ｆｅｒｒｏｆｌｕｉｄ−ｐｕｍｐ−ｈａｓ−ｎｏ−ｍｏｖｉｎｇ−ｐａｒｔｓ＞。）電気巻線が管の周囲に設けられ、電気コイルを形成している。このコイルは、進行波磁場を生成する。この記事に開示されているポンプは、ポンプ送りダクトに流体を提供する前に強磁性粒子の濃度を局所的に上昇させるための収集ダクトも、強磁性粒子の収集も実現していない。
【００１６】
[0016]  本発明のさらなる特徴及び利点並びに本発明の種々の実施形態の構造及び動作を、添付の図面を参照しながら、以下で詳細に説明する。なお、本発明は、本明細書中で説明する特定の実施形態に限定されるものではない。そのような実施形態は、例示目的でのみ本明細書中に提示される。その他の実施形態は、本明細書中に含まれる教示に基づいて、関連する技術分野の当業者に明らかとなるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
[0017]  本明細書に組み込まれて本明細書の一部を形成する添付図面は、本発明を例示し、また、説明と併せて、本発明の原理を説明するように、かつ、関連する技術分野の当業者が本発明を作成及び使用することを可能とするように機能する。
【図１Ａ】[0018]  本発明の実施形態が実現され得る反射型リソグラフィ装置の概略図である。
【図１Ｂ】[0019]  本発明の実施形態が実現され得る透過型リソグラフィ装置の概略図である。
【図２】[0020]  本発明の一実施形態によるポンプの（部分的に断面の）概略側面図を示す。
【図３】[0021]  図２に係るポンプにおける、収集ダクト磁石駆動信号のタイミングシーケンスの一例を示す。
【図４】[0022]  図２に係るポンプにおける、ポンプ送りダクト磁石駆動信号のタイミングシーケンスの一例を示す。
【図５】[0023]  本発明の一実施形態による熱調節システムの高度に概略的な図を示す。
【図６】[0024]  本発明の一実施形態による二相流体をポンプ送りする方法の流れ図を示す。
【００１８】
[0025]  本発明の特徴及び利点は、図面と併せて解釈すれば、以下に記載する詳細な説明からより明らかになるであろう。一般に、ある要素が最初に登場する図面は、通常、対応する参照番号の左端の数字によって示されている。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
[0026]  本明細書は、本発明の特徴を組み込む１つ又は複数の実施形態を開示する。開示される実施形態は、単に本発明を例示するに過ぎない。本発明の範囲は、開示される実施形態に限定されるものではない。本発明は、本明細書に付属の特許請求の範囲によって定義される。
【００２０】
[0027]  説明される実施形態、及び本明細書における「１つの実施形態」、「一実施形態」、「一実施形態例」などへの言及は、説明される実施形態が特定の特徴、構造、又は特性を含み得ることを示すが、すべての実施形態が必ずしもそうした特定の特徴、構造、又は特性を含まなくてもよい。さらに、そのようなフレーズが必ずしも同一の実施形態を指しているわけではない。さらに、特定の特徴、構造、又は特性が一実施形態に関連して説明されている場合、明確に説明されているか否かに関わらず、そうした特徴、構造、又は特性を別の実施形態に関連して生じさせることは、当業者の知識の範囲内であると理解される。
【００２１】
[0028]  しかしながら、当該実施形態をより詳細に説明する前に、本発明の実施形態が実施され得る一環境例を提示することは有益である。
【００２２】
反射型及び透過型リソグラフィシステムの例
[0029]  図１Ａ及び図１Ｂは、本発明の実施形態が実施され得るリソグラフィ装置の概略図である。図１Ａに係るリソグラフィ装置及び図１Ｂに係るリソグラフィ装置は、それぞれ以下を含む。すなわち、放射ビームＢ（例えばＤＵＶ又はＥＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬ、パターニングデバイス（例えば、マスク、レチクル、又は動的パターニングデバイス）ＭＡを支持するように構成され、かつパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されているサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ、及び、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結されている基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴを含む。リソグラフィ装置は、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分（例えば、１つ以上のダイを含む）Ｃ上に投影するように構成されている投影システムＰＳも有する。リソグラフィ装置１００において、パターニングデバイスＭＡ及び投影システムＰＳは反射型である。リソグラフィ装置１００’において、パターニングデバイスＭＡ及び投影システムＰＳは透過型である。
【００２３】
[0030]  照明システムＩＬとしては、放射Ｂを誘導し、整形し、かつ／又は制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
【００２４】
[0031]  サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの向き、リソグラフィ装置１００及び１００’の設計、及び、パターニングデバイスＭＡが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造ＭＴは、機械式、真空式、静電式又はその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスＭＡを保持することができる。サポート構造ＭＴは、例えば、必要に応じて固定又は可動式にすることができるフレーム又はテーブルであってもよい。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスを、例えば、投影システムＰＳに対して所望の位置に確実に置くことができる。
【００２５】
[0032]  「パターニングデバイス」ＭＡという用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃ内にパターンを作り出すように、放射ビームＢの断面にパターンを与えるために使用することができるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。放射ビームＢに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分Ｃ内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することができる。
【００２６】
[0033]  パターニングデバイスＭＡは、（図１Ｂのリソグラフィ装置のように）透過型であっても、（図１Ａのリソグラフィ装置のように）反射型であってもよい。パターニングデバイスＭＡの例としては、レチクル、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型（alternating）位相シフト、及びハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームＢにパターンを付ける。
【００２７】
[0034]  「投影システム」ＰＳという用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用又は真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、及び静電型光学系、又はそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含してよい。他の気体は過剰に放射又は電子を吸収し得るため、ＥＵＶ又は電子ビーム放射に関して真空環境を用いてよい。従って、真空壁及び真空ポンプを利用して、真空環境をビームパス全体に設けてよい。
【００２８】
[0035]  図１Ａに係るリソグラフィ装置及び／又は図１Ｂに係るリソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）ＷＴを有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加の基板テーブルＷＴは並行して使うことができ、又は予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上の基板テーブルＷＴを露光用に使うこともできる。
【００２９】
[0036]  図１Ａ及び図１Ｂを参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源ＳＯがエキシマレーザである場合、放射源ＳＯとリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームＢは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含む、（図１Ｂにおける）ビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源ＳＯが水銀ランプである場合、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００３０】
[0037]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整する（図１Ｂにおける）アジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（通常、それぞれ「σ-outer」及び「σ-inner」と呼ばれる）を調整することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯといった（図１Ｂにおける）様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータＩＬを使って放射ビームＢを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性及び強度分布をもたせることができる。
【００３１】
[0038]  図１Ａを参照すると、放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスＭＡによってパターン形成される。リソグラフィ装置において、放射ビームＢは、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡで反射する。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡで反射した後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に放射ビームＢの焦点を合わせる。第２ポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）を使って、（例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように）基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭ及び別の位置センサＩＦ１を使い、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めす付けることもできる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１及びＭ２と、基板アライメントマークＰ１及びＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。
【００３２】
[0039]  図１Ｂを参照すると、放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスＭＡによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点を合わせる。投影システムは、照明システム瞳ＩＰＵと共役である瞳ＰＰＵを有する。放射の一部は、照明システム瞳ＩＰＵにおける強度分布から発出し、マスクパターンでの回折による影響を受けずにマスクパターンを通り抜け、照明システム瞳ＩＰＵにおける強度分布の像を作り出す。
【００３３】
[0040]  第２ポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）を使って、（例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように）基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭ及び別の位置センサ（図１Ｂには示されていない）を使い、（例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後又はスキャン中に）マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。
【００３４】
[0041]  通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、又は固定されてもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１及びＭ２と、基板アライメントマークＰ１及びＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。（例示では）基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００３５】
[0042]  マスクテーブルＭＴ及びパターニングデバイスＭＡは真空チャンバ内にあってもよく、真空チャンバでは、真空内ロボットＩＶＲを使用して、マスクなどのパターニングデバイスを真空チャンバ内外に移動させることができる。代替的に、マスクテーブルＭＴ及びパターニングデバイスＭＡが真空チャンバの外側にある場合、真空内ロボットＩＶＲと同様に、真空外ロボットを使用して様々な移送動作を行うことができる。真空内ロボット及び真空外ロボットの両者は、移動ステーションの固定キネマティックマウントへと任意のペイロード（例えば、マスク）を円滑に移動させるために、較正する必要がある。
【００３６】
[0043]  リソグラフィ装置１００及び１００’は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
【００３７】
[0044]  １．ステップモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームＢに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘ及び／又はＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。
【００３８】
[0045]  ２．スキャンモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームＢに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率及び像反転特性によって決めることができる。
【００３９】
[0046]  ３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴを実質的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、又はスキャンする一方で、放射ビームＢに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。パルス放射源ＳＯを採用してよく、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、又はスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、本明細書に記載の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００４０】
[0047]  記載された使用モードの組合せ及び／又はバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００４１】
[0048]  本明細書においては、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的に言及されているが、本明細書に記載されているリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターン及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドの製造といった他の用途も有し得ることを理解されたい。そのような他の用途の文脈においては、本明細書中で使用される「ウェーハ」又は「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」又は「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよいことを当業者は理解されよう。本明細書中で言及される基板は、露光前又は露光後に、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジツール、及び／又はインスペクションツール内で処理されてよい。適用可能な場合は、本明細書中の開示内容を、そうした基板プロセシングツール又は他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに、例えば多層ＩＣの作成のために基板を複数回処理してもよいため、本明細書中で使用される基板という用語は、１つ又は複数の処理済みの層を既に含む基板を指すこともできる。
【００４２】
[0049]  さらなる実施形態では、図１Ａに係るリソグラフィ装置は、ＥＵＶリソグラフィ用のＥＵＶ放射ビームを生成するように構成された極端紫外線（ＥＵＶ）源を含む。一般的には、ＥＵＶ源は放射システム（下記参照）内に構成され、対応する照明システムはＥＵＶ源のＥＵＶ放射ビームを調節するように構成されている。
【００４３】
[0050]  本明細書中に記載される実施形態において、用語「レンズ」及び「レンズ素子」は、文脈が許す場合、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型光学コンポーネントなどの様々なタイプの光学コンポーネントのうちの任意の１つ、又はそれらの組み合わせを指すことができる。
【００４４】
[0051]  さらに、本明細書中で使用される用語「放射」及び「ビーム」は、可視放射（例えば、４００ｎｍから７８０ｎｍの範囲内の波長λを有する）、紫外（ＵＶ）線（例えば、３６５ｎｍ，２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、又は１２６ｎｍの波長λを有する）、極端紫外（ＥＵＶ又は軟Ｘ線）線（例えば、５〜２０ｎｍの範囲内、例えば１３．５ｎｍの波長を有する）、又は５ｎｍ未満で作用する硬Ｘ線、及びイオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームを含む、あらゆるタイプの電磁放射を包含する。一般的には、約７８０〜３０００ｎｍ（又はそれ以上）の間の波長を有する放射は赤外放射であると考えられる。ＵＶは、おおよそ１００〜４００ｎｍの波長を有する放射を指す。リソグラフィにおいては、用語「ＵＶ」は、水銀放電ランプによって生成することができる波長、すなわちＧ線４３６ｎｍ、Ｈ線４０５ｎｍ、及び／又はＩ線３６５ｎｍにも適用される。真空ＵＶ、すなわちＶＵＶ（すなわち、空気によって吸収されるＵＶ）は、おおよそ１００〜２００ｎｍの波長を有する放射を指す。深ＵＶ（ＤＵＶ）は、一般的に、１２６ｎｍから４２８ｎｍまでの範囲の波長を有する放射を指し、一実施形態では、エキシマレーザが、リソグラフィ装置内で使用されるＤＵＶ放射を生成することができる。例えば５〜２０ｎｍの範囲内の波長を有する放射は、少なくとも一部が５〜２０ｎｍの範囲内にある特定の波長帯域を有する放射と関係があることを理解されたい。
【００４５】
[0052]  図２に、本発明の一実施形態によるポンプの概略図を示す。このポンプは、収集ダクトＣＤＵ及びポンプ送りダクトＰＤＵを備える。収集ダクトは、収集ダクト入口ＣＤＩ（図面の平面(plane of drawing)で見ると左側にある）から収集ダクト出口ＣＤＯ（図面の平面で見ると右側にある）へと延在する。ポンプ送りダクトは、ポンプ送りダクト入口ＰＤＩからポンプ送りダクト出口ＰＤＵへと延在する。ポンプ送りダクト入口は、収集ダクト出口に接続されている。液相と気相との間で変化するＣＯ２などの二相流体が、収集ダクト及びポンプ送りダクトによって導かれる。以下でより詳細に説明するように、この流体は、収集ダクト入口から収集ダクト出口へと流れる。本実施形態に示すように、収集ダクトの幅（直径）は、ポンプ送りダクトの幅（直径）を上回っているが、他の実施形態では、収集ダクトとポンプ送りダクトは同一又は同様の幅を有してもよい。ポンプ送りダクト及び収集ダクトは、任意の適切な断面形状（すなわち、流体流の方向に対して垂直な平面における形状）、例えば、円形、楕円形、正方形などの断面形状を有してよい。複数の収集ダクト電磁石（ＣＤＭＳ）が設けられ、収集ダクトのある長さ（収集ダクト入口から収集ダクト出口まで延在する収集ダクトの長さ）に沿って並べて配置される。複数のポンプ送りダクト電磁石（ＰＤＭＳ）が設けられ、ポンプ送りダクトのある長さ（ポンプ送りダクト入口からポンプ送りダクト出口まで延在するポンプ送りダクトの長さ）に沿って並べて配置される。収集ダクト電磁石は、収集ダクト磁石システムを形成する。ポンプ送りダクト電磁石は、ポンプ送りダクト磁石システムを形成する。ポンプは、ポンプドライバシステム（ＰＤＲ）をさらに備え、これは収集ダクト磁石システム及びポンプ送りダクト磁石システムを駆動する。
【００４６】
[0053]  ポンプドライバシステムは、収集ダクト磁石システムを駆動して、収集ダクト磁場ＣＤＭＦの空間的繰り返しを生成する。収集ダクト磁場ＣＤＭＦは、収集ダクトの長さに沿って繰り返される。言い換えれば、収集ダクトのある長さに沿って見ると、収集ダクト磁場は周期的に変動する。さらに、ポンプドライバシステムは、収集ダクト磁場が収集ダクトのある長さに沿って移動する、すなわち、収集ダクト入口から収集ダクト出口へと移動するようにする。
【００４７】
[0054]  本明細書中に記載される例示的実施形態において、ポンプ送りされる流体は、二相熱調節流体、すなわち、一部が液相であり、一部が気相である流体である。熱が吸収される時には、流体の一部が液相から気相へと転移し得る。熱が放出される時には、流体の一部が気相から液相へと転移し得る。説明されるポンプを適用して、二相熱調節流体以外の、任意の他の適切なタイプの熱調節流体（例えば、液体、気体）をポンプ送りしてもよいことが理解されよう。
【００４８】
[0055]  ポンプ送りされる（二相流体などの）流体は、磁場応答性粒子、すなわち、強磁性流体粒子又は（例えば、磁化可能である、強磁性を呈するなど）磁場に応答するその他の粒子といった、磁場に応答する粒子を備える。これらの粒子は、以下で説明する目的を踏まえて任意の適切なサイズを有してよく（例えば、マイクロメートルオーダーの粒子サイズを有する粒子、又はナノスケールの粒子）、任意の適切な数としてよい。粒子は、二相流体の液体部分中に懸濁したままであることが好ましい。収集ダクト磁場は収集ダクトのある長さに沿って断続的であるため、磁場応答性粒子は（断続的な収集ダクト磁場の結果として）収集ダクト内の磁場が最も強い領域に移動することとなる。その結果、収集ダクト内で、磁場応答性粒子は局所的に集中することとなる。
【００４９】
[0056]  収集ダクトの出口はポンプ送りダクトの入口に注ぎ込むため、ポンプ送りダクトは、磁場応答性粒子が局所的に集中している二相流体を受け取ることとなる。その結果、ポンプ送りダクトの所定の箇所、例えばポンプ送りダクトの入口にて、磁場応答性粒子の濃度が時間と共に変動する。これは、収集された磁場応答性粒子を有する二相流体がポンプ送りダクトの入口を通過する度に、濃度が上昇するためである。
【００５０】
[0057]  ポンプドライバシステムは、さらにポンプ送りダクト磁石システムを駆動して、ポンプ送りダクトのある長さに沿って、すなわち、ポンプ送りダクト入口からポンプ送りダクト出口へと移動する、ポンプ送りダクト磁場ＰＤＭＦの空間的繰り返しを生成する。ポンプ送りダクト磁場ＰＤＭＦは、ポンプ送りダクトの長さに沿って繰り返される。言い換えれば、ポンプ送りダクトのある長さに沿って見ると、ポンプ送りダクト磁場は周期的に変動する。磁場応答性粒子の局所濃度が高いことから、収集ダクト内の収集ダクト磁場の磁場強度よりも強いポンプ送りダクト磁場強度が、収集された磁場応答性粒子と相互作用するように局所的に印加され得、それにより、推進ダクト内の磁場は、磁場応答性粒子が集中するエリア内の二相流体を推進する。
【００５１】
[0058]  移動する磁場の繰り返しは複数の方法で生成されることができる。例えば、ポンプドライバシステムにより、収集ダクトのある長さに沿って収集ダクト磁石を移動させることができる。
【００５２】
[0059]  別の実施形態では、収集ダクト磁石システムは、収集ダクトの長さに沿って連続して配置された複数の電磁石を備える。ポンプドライバシステムは収集ダクト電磁石を連続してアクティベートすることができ、この一例を、図３を参照して説明する。
【００５３】
[0060]  図３に、ポンプドライバＰＤＲによる収集ダクト磁石の駆動を示す。図２に例示するように、収集ダクト磁石システムに含まれる収集ダクト磁石ＣＤＭ１、ＣＤＭ２、…ＣＤＭｎは、収集ダクト入口から収集ダクト出口へと続けて配置される。収集ダクト磁石は、例えば、収集ダクトの周囲に（例えば円形の）コイルを形成することができる。収集ダクト磁石ＣＤＭ１〜ＣＤＭ４の駆動信号に基づいて、動作の原理を例示する。
【００５４】
[0061]  図３に示す例示的な駆動シナリオでは、まずＣＤＭ１がポンプドライバシステムによってアクティベートされ、ＣＤＭ１の駆動信号が０から収集ダクト駆動レベルＣＤＭへと移行する。次いで、ＣＤＭ１の駆動信号が減少し（この例では０まで減少）、後続の収集ダクト磁石ＣＤＭ２の駆動信号が駆動レベルＣＤＭまで増大する。ＣＤＭ３、ＣＤＭ４、及びそれ以降についても、同じ手順が繰り返される。その結果、この例においてはＣＤＭ１に始まって時間の経過と共にＣＤＭ２、ＣＤＭ３、ＣＤＭ４、及びそれ以降へと移動する、局所的な磁場が生成されることとなる。こうすることによって、磁場がＣＤＭ１にある間に磁場応答性粒子の収集が開始される。収集された磁場応答性粒子は、時間の経過と共にＣＤＭ２の影響領域へと移動し、次いでＣＤＭ３の影響領域へ、そしてＣＤＭ４の影響領域へと移動する。同時に、磁場応答性粒子の濃度は、収集ダクト内を進む間に時間の経過と共に上昇する傾向にあるが、これは磁場による収集効果が継続するためである。磁場応答性粒子が効果的に集中することができるように、ポンプドライバシステムによって、収集ダクト入口から収集ダクト出口へ向かう方向の磁場の移動速度を、二相流体の流速に対応するように設定してよい。
【００５５】
[0062]  図３に示すように、収集ダクト磁石ＣＤＭ１、ＣＤＭ２、ＣＤＭ３、ＣＤＭ４などをアクティベートするプロセスは繰り返されてもよく、それによって磁場応答性粒子の次の集中が、収集ダクト内で蓄積される。
【００５６】
[0063]  図４に、ポンプドライバシステムＰＤＲによるポンプ送りダクト磁石の駆動を示す。図２に例示するように、ポンプ送りダクト磁石システム内に含まれるポンプ送りダクト磁石ＰＤＭ１、ＰＤＭ２、…ＰＤＭｎは、ポンプ送りダクト入口からポンプ送りダクト出口へと続けて配置される。ポンプ送りダクト磁石は、例えば、ポンプ送りダクトの周囲に（例えば円形の）コイルを形成することができる。ポンプ送りダクト磁石ＰＤＭ１〜ＰＤＭ４の駆動信号に基づいて、動作の原理を例示する。
【００５７】
[0064]  図４に示す例示的な駆動シナリオでは、まずＰＤＭ１がポンプドライバシステムによってアクティベートされ、ＰＤＭ１の駆動信号が０からポンプ送りダクト駆動レベルＰＤＭへと移行する。次いで、ＰＤＭ１の駆動信号が減少し（この例では０まで減少）、後続のポンプ送りダクト磁石ＰＤＭ２の駆動信号が駆動レベルＰＤＭへと増大する。ＰＤＭ３、ＰＤＭ４、及びそれ以降についても、同じ手順が繰り返される。その結果、この例においてはＰＤＭ１に始まり、時間の経過と共にＰＤＭ２、次にＰＤＭ３、その次にＰＤＭ４などへと移動する局所的な磁場が生成される。磁場応答性粒子は収集ダクト内で、その濃度が局所的に高くなるように収集されるため、ポンプ送りダクト内では、磁場応答性粒子の集中に対してより強い磁場が印加され、それによって、磁場応答性粒子の集中がポンプ送りダクト入口からポンプ送りダクト出口へと推進される。集中した磁場応答性粒子の推進により、磁場応答性粒子の集中がその中で滞留している二相流体が、ポンプ送りダクト入口からポンプ送りダクト出口へと推進されることとなる。ポンプ送りダクト入口からポンプ送りダクト出口へ向かう方向の磁場の移動速度は、二相流体の所望の流速に従って、ポンプドライバシステムによって設定してよい。なお、継続的なポンプ送り効果を保つために、ポンプドライバシステムは、集中した磁場応答性粒子の先行する区域がポンプ送りダクトを離れた時に、次の区域がポンプ送りダクトに入るか、又は入っているように、収集ダクト磁石及びポンプ送りダクト磁石を駆動することができる。
【００５８】
[0065]  収集ダクト磁石システム及びポンプ送りダクト磁石システムの電磁石のアクティベートのタイミングシーケンスによって二相流体のポンプ送りがもたらされるため、可動部を省くことができ、その結果ポンプによる機械的振動の生成を回避することができる。さらに、可動部を無くすことで、ポンプの重要な部品の摩耗を小さくすることができる。図３及び図４にはパルス形状の励起が示されているが、励起は、正弦曲線状、ブロック状などの、任意の適切な形状を有してよい。
【００５９】
[0066]  ポンプ送りダクトの断面と比較して収集ダクトの断面が大きいことで、収集ダクト内の二相流体の流速が低下し、収集ダクト入口から収集ダクト出口までの時間が長くなり、これによって、上述のように、磁場応答性粒子の集中が促進される傾向にある。一実施形態では、熱調節流体流のスムーズな流動遷移を実現するように、収集ダクト入口からポンプ送りダクト出口にかけて、断面を徐々に縮小させてよい。
【００６０】
[0067]  一般に、磁場応答性粒子の総含有量を少なく保つことが望ましいが、これは磁場応答性粒子が二相流体の熱調節効果を妨害し得るためである。すなわち、磁場応答性粒子の濃度が高いほど、二相流体の密度は低くなる。結果として、中に磁場応答性粒子を有する二相流体によって得られる熱調節効果は、磁場応答性粒子の含有量の増加と共に、低下することとなる。
【００６１】
[0068]  一方、最大ポンプ能力、すなわち、ポンプによってもたらされる最大推進能力は、磁場応答性粒子の数の増加と共に増大することとなるが、これは流体に対して発揮される最大推進力が磁場応答性粒子の含有量と関連しているためである。磁場応答性粒子の含有量が高い流体の区域は、円筒内を移動する一種のピストンとして機能し得る。磁場応答性粒子の濃度が高いほど、磁場応答性粒子間の二相流体の漏れを一定レベル以下に保ちながら、より多くの二相流体を磁場応答性粒子によって推進することができる。
【００６２】
[0069]  従って、本発明の一実施形態によるポンプは、２段階の動作をもたらす。すなわち、まず、磁場応答性粒子の濃度が高い区域を形成するように、二相媒体中の磁場応答性粒子が収集される。次に、磁場が印加され、磁場応答性粒子の濃度が高い各区域を推進する。収集ダクト内で磁場応答性粒子が集中することにより、濃度が高い区域によってポンプ送りダクト内に高い推進力が付与され得、これがピストンとして機能し得る。こうして、一方では高いポンプ力を得ることができ、他方では磁場応答性粒子の総含有量を少なく保つことができる。従って、本発明の一実施形態によるポンプは、高い熱調節効果と高いポンプ能力を組み合わせることができる傾向にあり得る。
【００６３】
[0070]  図２に示すように、１つ又は複数の誘導コイルＩＣを、収集ダクトに沿って配置してよい。誘導コイルは、ポンプドライバシステムの対応する入力に接続された少なくとも１つの巻線を形成する。誘導コイルは、磁場応答性粒子の通過に応答して電気的信号を誘導することとなる。様々な検出技術が使用可能であり得る。例えば、断続的な収集ダクト磁場によって磁場応答性粒子がある程度まで磁化されてよく、誘導コイルを通過する磁束の変化が検出されるが、この磁化によって、通過する磁場応答性粒子の数が変化した結果、この流れが変化する。代替的に、誘導コイルを通って電流が流れてもよく、その電流は、磁場応答性粒子の存在に影響され得る。こうして、誘導コイルは、磁場応答性粒子の濃度及び速度に応答して、ポンプドライバ入力に信号を提供することとなる。収集ダクト内の収集効果により、誘導コイルは、ポンプドライバに対して周期的信号を提供することとなる。この信号の振幅は磁場応答性粒子の濃度を示し、またこの信号の周波数又は繰り返し率は流速を示し得る。ポンプドライバシステムは、少なくとも１つの誘導コイルから取得される誘導信号に応答して、収集ダクト磁石システム及びポンプ送りダクト磁石システムを駆動するように配置されてよい。ポンプ送りダクト磁場及び／又は収集ダクト磁場の場の強度は、誘導信号の振幅に比例して最大化し得る。収集ダクト磁場及び／又はポンプ送りダクト磁場の移動速度、すなわち、それぞれのダクトの連続したコイルを連続して駆動することによってそれぞれの場がそれぞれのダクトのある長さに沿って移動する速度は、誘導信号の繰り返し周波数に依存、例えば比例するように、設定されてよい。こうすることによって、例えば、ポンプ送りプロセスの開始時に、磁石システムの駆動を、流速及び／又は粒子濃度に従って適応させることができる。
【００６４】
[0071]  少なくとも１つの誘導コイルから取得される信号に応じたポンプドライバシステムによる制御をさらにポンプの始動中にも用いて、収集ダクト磁石システム及びポンプ送りダクト磁石システムの駆動を、二相流体中の（初期には不規則に分散している）磁場応答性粒子の初期のより低い濃度に適応させるようにすることもできる。
【００６５】
[0072]  図５に、本発明の一実施形態による熱調節システムを示す。熱調節システムはポンプを備え、このポンプは、図２〜図４を参照して説明されたものであり、上述の機能を有する収集ダクトＣＤ、ポンプ送りダクトＰＤ、収集ダクト磁石システムＣＤＭＳ、ポンプ送りダクト磁石システムＰＤＭＳ、及びポンプドライバＰＤＲを含むものである。
【００６６】
[0073]  熱調節システムは、第１熱交換器ＨＥ１及び第２熱交換器ＨＥ２をさらに備える。二相流体は、ポンプからダクトを介して第１熱交換器ＨＥ１に注ぎ込み、第１熱交換器ＨＥ１は、ダクトを介して第２熱交換器ＨＥ２に注ぎ込む。次に、第２熱交換器は、ポンプの収集ダクトに注ぎ込む。従って、二相流体は、ポンプから、第１熱交換器及び第２熱交換器を介してポンプに戻るように、二相熱調節システム内を循環する。第１熱交換器内では、二相流体は熱を吸収し、それによって（部分的に）液相から気相へと変化する。第２熱交換器内では、流体は熱を放出し、それによって部分的に気相から液相へと戻るように移行する。ポンプによって集められた磁場応答性粒子は、特に液相から気相への転移中に、二相流体中でより不規則に分散することとなり、そのため、収集ダクト内で再度集められることとなる。第１及び第２熱交換器は、蛇行、螺旋形状などの、任意の適切な構造を有してよい。図５には単一のポンプを示しているが、熱調節システム内に複数のポンプを設けてもよく、例えば、１つを第１熱交換器ＨＥ１の上流に、また１つを第２熱交換器ＨＥの上流に設けてもよいことが理解されよう。さらに、各々にポンプがそれぞれ設けられた平行ダクトを設けてもよい。
【００６７】
[0074]  リソグラフィ装置に、本発明による熱調節システム（すなわち、ポンプ）を設けることができる。例えば、リソグラフィ装置の、基板を保持するように構成されたサポート又は基板テーブルに、本発明による熱調節システムを設けることができる。例えば、基板の温度を調節（必要に応じて冷却又は加熱）するために、図５に示す熱調節システムなどの閉鎖システムを基板テーブル内に設けてよい。本発明によるポンプは可動部なしで動作するため、振動の生成を無くすことができ、これによって、ポンプ及び熱交換器を含む熱調節システムを基板テーブル内に設けることが可能となり得る。本発明によるそのような熱調節システムを、図１Ａ及び図１Ｂを参照して説明されたリソグラフィ装置などのリソグラフィ装置に設けることができる。
【００６８】
[0075]  別の例として、図１Ａを参照して説明されたものなどの反射式のリソグラフィ装置に本発明による熱調節システムを設けて、当該リソグラフィ装置の投影システムＰＳの（反射鏡などの）反射光学要素の温度を調節することができる。本発明によるポンプは可動部なしで動作するため、振動の生成を無くすことができ、これによって、ポンプ及び熱交換器を含む熱調節システムを、反射光学要素内に設けることが可能となり得る。熱調節システムを適用して反射光学要素の熱調節をすることができ、また、熱調節システムを反射光学要素の反射表面の裏に配置することができる。例えば、熱調節システムのダクトは、反射要素内で、その反射表面に沿って延在する複数の熱調節ダクトへと分岐してもよい。
【００６９】
[0076]  本発明による熱冷却システムのポンプを、リソグラフィ装置のメトロロジフレームの熱調節、例えば冷却のために使用してもよい。リソグラフィ装置の実際の使用においては、基板のターゲット部分上にマスクの像を投影する投影システムに対する、露光すべき基板の正確な位置を知る必要がある。この光学系は、基準フレーム（又はメトロロジフレーム）に対して特定の位置を有し、基板はこの基準フレームに対して移動可能な基板ステージによって支持されている。従って、基準フレームに対する基板ステージの相対位置は、投影システムに対する基板の位置を共に決定する。基準フレームに対する基板ステージの相対位置は、通常、グリッドプレートと光学的に相互作用するエンコーダを介して決定される。グリッドプレートは基準フレームにて収容され、エンコーダは基板ステージにて収容される。代替的に、グリッドプレートは基準フレームにて収容され、エンコーダは基板ステージにて収容される。基準フレームに対する熱負荷は、グリッドプレートとエンコーダとの間の相互作用を介して決定された基板ステージの位置の正確性に影響を及ぼし得る、基準フレームの（局所的な）熱膨張を誘発する。同様に、基準フレームに対する（変動する）機械的負荷は、グリッドプレートとエンコーダとの間の相互作用を介して決定された基板ステージの位置の正確性に影響を及ぼし得る。本発明によるポンプを用いた基準フレームの熱調節は、振動が存在しないために、熱力学的に非常に効果的で、また機械的観点から非常に魅力的である。基準フレームの一例が図１Ｂに示されており、この例においては、投影システムＰＳ及びウェーハテーブル（サポート）ＷＴは基準フレームに対して位置決めされており、ウェーハテーブルＷＴの位置は基準フレームに対して測定される。
【００７０】
[0077]  図６に、本発明の一実施形態による、二相熱調節システム内で二相流体をポンプ送りする方法の流れ図を示す。この方法は、収集ダクトによって収集ダクトの収集ダクト入口から収集ダクト出口へと二相流体を導くこと（ステップＳ１００）と、収集ダクトに沿って配置された収集ダクト磁石システムによって収集ダクトの少なくとも一部において磁場を生成すること（ステップＳ１０１）と、ポンプ送りダクトによって、収集ダクト出口に接続されているポンプ送りダクト入口からポンプ送りダクト出口へと二相流体を導くこと（ステップＳ１０２）と、ポンプ送りダクトに沿って配置されたポンプ送りダクト磁石システムによって、ポンプ送りダクトの少なくとも一部において磁場を生成すること（ステップＳ１０３）と、収集ダクト磁石システムを駆動して、収集ダクトのある長さに沿って移動する収集ダクト磁場の空間的繰り返しを生成すること（ステップＳ１０４）と、ポンプ送りダクト磁石システムを駆動して、ポンプ送りダクトのある長さに沿って移動するポンプ送りダクト磁場の空間的繰り返しを生成すること（ステップＳ１０５）とを含み、ポンプ送りダクト磁場の磁場強度は、収集ダクト磁場の磁場強度を上回ってよい。
【００７１】
[0078]  上記の説明は例示を意図するものであって、限定を意図するものではない。従って、以下に記載する特許請求の範囲から逸脱しない限りにおいて、説明された本発明に対して修正を加えてよいことは当業者には明らかであろう。本発明によるポンプは、対象物の加熱であれ対象物の冷却であれ、対象物の熱調節のために使用することができる。特にリソグラフィ装置に関して、本発明によるポンプは熱調節システムの構成要素として魅力的であるということをここに述べる。すなわち、振動及び摩耗はほぼ存在せず、二相流体を用いた熱調節は非常に効果的である。
【００７２】
[0079]  発明の概要及び要約セクションではなく、発明の詳細な説明セクションを用いて、特許請求の範囲を解釈することが意図されていることを理解されたい。発明の概要及び要約セクションは、発明者によって企図された本発明の１つ又は複数の例示的な実施形態を記載しているものの、全ての例示的な実施形態を記載しているわけではない可能性があり、従って、いかなる方法によっても本発明及び付属の特許請求の範囲を限定することを意図していない。
【００７３】
[0100]  これまで、本発明を、特定される機能の実施及びそれらの関係性を例示する機能的構成単位を利用して説明してきた。これらの機能的構成単位の境界は、説明の便宜のために本明細書中で恣意的に定められている。特定される機能及びそれらの関係性が適切に実施される限りにおいて、別の境界を定めてもよい。
【００７４】
[0101]  特定の実施形態に関する上述の説明は、当技術分野の技術の範囲内の知識を適用することによって、過度の実験を行うことなく、また本発明の一般的な概念から逸脱することなく、他者が当該特定の実施形態を容易に修正し、かつ／又は様々な用途に適応させることができる程度に、本発明の一般的な性質を十分に明らかにするであろう。従って、そのような適応及び修正は、本明細書中で提示する教示及び手引きに基づいて、開示されている実施形態の等価物の意味及び範囲内とすることが意図されている。本明細書中の語法や用語は限定ではなく説明を目的としており、そのため、本明細書の用語や語法は、教示及び手引きに照らして当業者によって解釈されるべきであることが理解されたい。
【００７５】
[0102]  本発明の広さ及び範囲は上記で説明した例示的な実施形態のいずれによっても限定されるべきではなく、以下の特許請求の範囲及びその等価物に従ってのみ定義されるべきである。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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