(57)【要約】  本開示は、光学アセンブリの作製方法に関する。光学デバイスが取り付け具内に固定され、この光学デバイスは光学面を有し、シリコーンフィルムが、その光学面に対して位置決めされ、このシリコーンフィルムは、光学面に対する遠位表面を有する。この方法は、多くの特徴の中でも特に、シリコーンフィルムの遠位表面内に表面インプリントを作り出すために、そのシリコーンフィルムの遠位表面をインプリントする工程を含む。
2017520918.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学アセンブリの作製方法であって、
光学デバイスを取り付け具内に固定する工程であって、前記光学デバイスが光学面を有し、シリコーンフィルムが、前記光学面に対して位置決めされ、前記シリコーンフィルムが、前記光学面に対する遠位表面を有する、工程と、
剥離ライナを、前記シリコーンフィルムにライナ表面が面する状態で位置決めする工程であって、前記剥離ライナが、前記ライナ表面上にインプリントを含む、工程と、
前記剥離ライナを前記シリコーンフィルムに対して押圧することにより、前記剥離ライナの前記インプリントを、前記シリコーンフィルムの前記遠位表面に付与させて、前記遠位表面内に表面インプリントを作り出す工程と、を含む、方法。
【請求項２】
前記シリコーンフィルムが、シリコーン含有ホットメルト組成物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記シリコーン含有ホットメルト組成物が、オルガノシロキサンブロックコポリマーを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記オルガノシロキサンブロックコポリマーが、
４０〜９０モル％の［Ｒ６２ＳｉＯ２／２］によって表されるジシロキシ単位と、
１０〜６０モル％の［Ｒ７ＳｉＯ３／２］によって表されるトリシロキシ単位と、
２〜２５モル％の［≡ＳｉＯＨ］によって表されるシラノール基と、を含み、
各Ｒ６は独立して、Ｃ１〜Ｃ３０の炭化水素基を表し、
各Ｒ７は独立して、Ｃ１〜Ｃ２０の炭化水素基を表し、
前記ジシロキシ単位［Ｒ６２ＳｉＯ２／２］が、平均５０〜３００のジシロキシ単位［Ｒ６２ＳｉＯ２／２］を含む直鎖状ブロック中に存在し、
前記トリシロキシ単位が、少なくとも５００ｇ／モルの分子量を有する非直鎖状ブロック中に存在し、
各直鎖状ブロックが、少なくとも１つの非直鎖状ブロックに結合される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ブロックコポリマーが、少なくとも５０，０００ｇ／モルの分子量を有する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記ブロックコポリマーが、少なくとも１．４の屈折率を有する、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記シリコーンフィルムが、
（１）未反応のヒドロシリル化硬化性シリコーン組成物と、
（２）未反応のヒドロシリル化硬化性シリコーン組成物を部分的に架橋することによって得られる、ヒドロシリル化硬化性シリコーン組成物と、
（３）未反応のヒドロシリル化反応性シリコーン組成物を架橋することによって得られる、ケイ素原子結合水素原子及び／又はアルケニル基を有する架橋物と、少なくとも１種のヒドロシリル化反応性成分とを含む、ヒドロシリル化硬化性シリコーン組成物と、からなる群から選択されるシリコーン含有ホットメルト組成物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記シリコーンフィルムが、
（Ａ）２５℃で固体であり、一分子中に平均で２つよりも多くのアルケニル基を有する、少なくとも１種のオルガノポリシロキサンと、
（Ｂ）一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を、成分（Ａ）中のアルケニル基の合計モル濃度に対するケイ素原子結合水素原子の合計モル濃度の比が０．２〜４の範囲となるような量で含有する、少なくとも１種のオルガノポリシロキサンと、
（Ｃ）ヒドロシリル化反応を生じさせるために十分な量のヒドロシリル化触媒と、を含むシリコーン含有ホットメルト組成物を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
成分（Ａ）が、
（Ａ−１）６０〜１００質量％の、２５℃で固体であり、一分子中に平均で２つよりも多くのアルケニル基を有する、分枝オルガノポリシロキサンと、
（Ａ−２）０〜４０質量％の、２５℃で液体であり、一分子中に平均で少なくとも２つのアルケニル基を有する、直鎖又は部分的分枝オルガノポリシロキサンと、の混合物を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記シリコーンフィルムが、未反応のヒドロシリル化硬化性シリコーン組成物を部分的に架橋することによって得られるヒドロシリル化硬化性シリコーン組成物（２）を含む、シリコーン含有ホットメルト組成物を含み、前記ヒドロシリル化硬化性シリコーン組成物（２）が、
（Ｄ）一分子中に平均で２つよりも多くのアルケニル基を有する、少なくとも１種のオルガノポリシロキサンと、
（Ｅ）一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を、成分（Ｄ）中のアルケニル基の合計モル濃度に対するケイ素原子結合水素原子の合計モル濃度の比が０．２〜４の範囲となるような量で有する、少なくとも１種のオルガノポリシロキサンと、
（Ｆ）ヒドロシリル化反応を生じさせるために十分な量のヒドロシリル化触媒と、を含むヒドロシリル化反応性シリコーン組成物のヒドロシリル化反応を、５０〜９５％の転化率で停止させることによって得られる、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
成分（Ｄ）が、
（Ｄ−１）平均単位式：
（Ｒ１３ＳｉＯ１／２）ａ（Ｒ１２ＳｉＯ２／２）ｂ（Ｒ１ＳｉＯ３／２）ｃ（ＳｉＯ４／２）ｄ（Ｒ２Ｏ１／２）ｅ
（式中、Ｒ１は、フェニル基、１〜６個の炭素を有するアルキル基若しくはシクロアルキル基、又は、２〜６個の炭素を有するアルケニル基であり、ただし、Ｒ１の６０〜８０モル％はフェニル基であり、Ｒ１の１０〜２０モル％はアルケニル基であり、Ｒ２は、水素原子、又は１〜６個の炭素を有するアルキル基であり、「ａ」、「ｂ」、「ｃ」、「ｄ」、及び「ｅ」は、０≦ａ≦０．２、０．２≦ｂ≦０．７、０．２≦ｃ≦０．６、０≦ｄ≦０．２、０≦ｅ≦０．１、かつａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１を満たす数である）によって表されるオルガノポリシロキサンと、
（Ｄ−２）一般式：
Ｒ３３ＳｉＯ（Ｒ３２ＳｉＯ）ｍＳｉＲ３３
（式中、Ｒ３は、フェニル基、１〜６個の炭素を有するアルキル基若しくはシクロアルキル基、又は、２〜６個の炭素を有するアルケニル基であり、ただし、Ｒ３の４０〜７０モル％はフェニル基であり、少なくとも１つのＲ３は、アルケニル基であり、「ｍ」は５〜１００の整数である）によって表される、成分（Ｄ−１）１００重量部当たり０〜２０重量部の量の成分であるオルガノポリシロキサンと、の混合物を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記ヒドロシリル化硬化性シリコーン組成物（３）が、
（Ｇ）アルケニル基含有架橋物であって、
（Ｇ−１）一分子中に平均で２つよりも多くのアルケニル基を有する、少なくとも１種のオルガノポリシロキサンと、
（Ｇ−２）一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を、成分（Ｇ−１）中のアルケニル基の合計モル濃度に対するケイ素原子結合水素原子の合計モル濃度の比が０．３〜０．９の範囲となるような量で有する、少なくとも１種のオルガノポリシロキサンと、
（Ｇ−３）ヒドロシリル化反応を生じさせるために十分な量のヒドロシリル化触媒と、を含む未反応のヒドロシリル化反応性シリコーン組成物のヒドロシリル化反応によって得られる、アルケニル基含有架橋物と、
（Ｈ）一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を、前記架橋物中のアルケニル基の合計モル濃度に対するケイ素原子結合水素原子の合計モル濃度の比が０．１〜２．０の範囲となるような量で有する、少なくとも１種のオルガノポリシロキサンと、を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
（Ｇ−１）が、一分子中に平均で２つよりも多くのアルケニル基を有し、平均組成式：
Ｒ４ｘＳｉＯ（４−ｘ）／２
（式中、Ｒ４はそれぞれ独立して、置換又は非置換の１価の炭化水素基を表し、ただし、Ｒ４の０．１〜４０モル％はアルケニル基であり、「ｘ」は、１≦ｘ＜２を満たす正数である）によって表される、オルガノポリシロキサンであり、
（Ｇ−２）が、一般式：
ＨＲ５２Ｓｉ（Ｒ５２ＳｉＯ）ｎＲ５２ＳｉＨ
（式中、Ｒ５はそれぞれ独立して、脂肪族不飽和結合を有さない置換又は非置換の１価の炭化水素基を表し、「ｎ」は０〜１，０００の整数である）によって表されるジオルガノポリシロキサンであり、
（Ｈ）が、平均組成式：
Ｒ５ｙＨｚＳｉＯ（４−ｙ−ｚ）／２
（式中、Ｒ５は、上記で定義されたとおりであり、「ｙ」及び「ｚ」は、０．７≦ｙ≦２．１、０．００１≦ｚ≦１．０、かつ、０．８≦ｙ＋ｚ≦２．６を満たす正数である）によって表されるオルガノハイドロジェンポリシロキサンである、という条件のうちの１つが満たされる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記シリコーンフィルムの厚さが、前記光学デバイスの厚さを上回る、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記剥離ライナの前記インプリントが、約１０ナノメートル〜約５００マイクロメートルの主要寸法を有する、少なくとも１つの空洞部を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記剥離ライナの前記インプリントが、実質的に等しいサイズの複数の空洞部を備える、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記空洞部が、実質的に規則的なパターンを形成する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記剥離ライナが、金属及びプラスチックのうちの少なくとも一方で構成される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記光学デバイスに前記シリコーンフィルムを積層するために、熱源を使用して前記シリコーンフィルムに熱を加える工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
熱を加える工程が、前記剥離ライナを押圧する工程と少なくとも部分的に同時である、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記取り付け具が、真空チャンバ及びメンブレンを含み、前記剥離ライナを押圧する工程が、前記真空チャンバを使用して、前記メンブレンの第１の側と前記メンブレンの第２の側との間に圧力差を生じさせ、前記メンブレンに、前記シリコーンフィルムに対して前記剥離ライナを押圧させる工程を含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
光学面を有する光学デバイスと、前記光学面上に配置されたシリコーンフィルムとを含む、光学アセンブリであって、前記シリコーンフィルムが、前記光学面の遠位表面上にインプリント表面を有し、前記インプリント表面が、
前記光学デバイスを取り付け具内に固定する工程であって、前記シリコーンフィルムが、前記光学面に対して位置決めされる、工程と、
剥離ライナを、前記シリコーンフィルムにライナ表面が面する状態で位置決めする工程であって、前記剥離ライナが、前記ライナ表面上にインプリントを含む、工程と、
前記剥離ライナを前記シリコーンフィルムに対して押圧することにより、前記剥離ライナの前記インプリントを、前記シリコーンフィルムの前記遠位表面に付与させて、前記遠位表面内に前記インプリント表面を作り出す工程と、を含むプロセスによって作り出される、光学アセンブリ。
【請求項２３】
前記シリコーンフィルムが、シリコーン含有ホットメルト組成物を含む、請求項２２に記載の光学アセンブリ。
【請求項２４】
前記シリコーンフィルムの厚さが、前記光学デバイスの厚さを上回る、請求項２３に記載の光学アセンブリ。
【請求項２５】
前記剥離ライナの前記インプリントが、約１０ナノメートル〜約５００マイクロメートルの主要寸法を有する、少なくとも１つの空洞部を備える、請求項２２に記載の光学アセンブリ。
【請求項２６】
前記剥離ライナの前記インプリントが、実質的に等しいサイズの複数の空洞部を備える、請求項２５に記載の光学アセンブリ。
【請求項２７】
前記空洞部が、実質的に規則的なパターンを形成する、請求項２６に記載の光学アセンブリ。
【請求項２８】
前記剥離ライナが、金属及びプラスチックのうちの少なくとも一方で構成される、請求項２５に記載の光学アセンブリ。
【請求項２９】
前記光学デバイスに前記シリコーンフィルムを積層するために、熱源を使用して前記シリコーンフィルムに熱を加える工程を更に含む、請求項２２に記載の光学アセンブリ。
【請求項３０】
熱を加える工程が、前記剥離ライナを押圧する工程と少なくとも部分的に同時である、請求項２９に記載の光学アセンブリ。
【請求項３１】
前記取り付け具が、真空チャンバ及びメンブレンを含み、前記剥離ライナを押圧する工程が、前記真空チャンバを使用して、前記メンブレンの第１の側と前記メンブレンの第２の側との間に圧力差を生じさせ、前記メンブレンに、前記シリコーンフィルムに対して前記剥離ライナを押圧させる工程を含む、請求項３０に記載の光学アセンブリ。
【請求項３２】
光学アセンブリを作製するためのシステムであって、
光学デバイスを固定し、前記光学面に対してシリコーンフィルムを位置決めすることを可能にするように構成された、取り付け具と、
前記シリコーンフィルムに面するように構成されたライナ表面を有し、前記ライナ表面上にインプリントを含む、剥離ライナと、
前記剥離ライナを前記シリコーンフィルムに対して押圧することにより、前記剥離ライナの前記インプリントを、前記シリコーンフィルムの前記遠位表面に付与させて、前記遠位表面内にインプリント表面を作り出すように構成された、押圧機構と、を備える、システム。
【請求項３３】
前記シリコーンフィルムが、シリコーン含有ホットメルト組成物を含む、請求項３２に記載のシステム。
【請求項３４】
前記シリコーンフィルムの厚さが、前記光学デバイスの厚さを上回る、請求項３３に記載のシステム。
【請求項３５】
前記インプリントが、約１０ナノメートル〜約５００マイクロメートルの主要寸法を有する、少なくとも１つの空洞部を備える、請求項３２に記載のシステム。
【請求項３６】
前記インプリントが、実質的に等しいサイズの複数の空洞部を備える、請求項３５に記載のシステム。
【請求項３７】
前記空洞部が、実質的に規則的なパターンを形成する、請求項３６に記載のシステム。
【請求項３８】
前記剥離ライナが、金属及びプラスチックのうちの少なくとも一方で構成される、請求項３７に記載のシステム。
【請求項３９】
前記光学デバイスに前記シリコーンフィルムを積層するために、前記シリコーンフィルムに熱を加えるように構成された熱源を更に備える、請求項３２に記載のシステム。
【請求項４０】
前記熱源が、前記シリコーンフィルムに対して前記押圧機構が前記剥離ライナを押圧する工程と少なくとも部分的に同時に、熱を加えるように構成される、請求項３９に記載のシステム。
【請求項４１】
前記取り付け具が真空チャンバを含み、前記押圧機構がメンブレンを含み、前記真空チャンバが、前記メンブレンの第１の側と前記メンブレンの第２の側との間に圧力差を生じさせ、前記メンブレンに、前記シリコーンフィルムに対して前記剥離ライナを押圧させるように構成される、請求項４０に記載のシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、２０１４年６月４日出願の米国特許仮出願第６２／００７，５５４号の利益を主張するものであり、その開示の全体は、本明細書に完全に記載されているかのように、参照により組み込まれる。
【背景技術】
【０００２】
光エミッタ、光検出器、光増幅器などの光学デバイスは、光学面を介して、光を放出又は受光することができる。様々なそのようなデバイスに関しては、光学面は、電子構成要素、又は、環境条件に敏感であり得る他の構成要素とするか、あるいは、それらの構成要素を含み得る。一般的に発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザダイオード、及び光センサを含めた、オプトエレクトロニクスなどの特定の光学デバイスは、保護されない場合には、電気的短絡又は環境条件からの他の障害の影響を受けやすい恐れがある、固体電子構成要素を含み得る。直ちには影響を受ける恐れがない光学デバイスであっても、保護されない場合には、経時的に劣化する可能性がある。したがって、少なくとも何らかの、光学面に対する環境要素からの保護を提供する、フィルムが開発されてきた。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
光学デバイスからの光抽出を支援することが可能な保護フィルム、及びそのような保護フィルムを作製するための方法が、開発されてきた。特に、シリコーンフィルム上に、光学デバイスからの光抽出を改善することが可能なインプリントを作り出すプロセスが、開発されてきた。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
このインプリントは、光学デバイスとシリコーンフィルムとを含む光学アセンブリの製造中に、そのシリコーンフィルム上に、関連するインプリントを有する剥離ライナを押圧することによって、作り出すことができる。このシリコーンは、本明細書で開示されるように、ホットメルトシリコーン組成物とすることができる。剥離ライナの押圧工程は、積層成形中などの、加熱プロセス中のものとすることができる。
【０００５】
結果として、シリコーンフィルムのインプリント工程は、光学デバイスへのシリコーンフィルムの積層成形と同時であることにより、「一度のみの」製造プロセスがもたらされ、真空チャンバなどの取り付け具内に、様々な構成要素を互いに対して位置決めして、その産物が光学アセンブリを作り出すことを可能にし得る。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】例示的実施形態での、光学アセンブリ１００の側面プロファイルである。
【図２Ａ】例示的実施形態での、光学アセンブリ１００を作製するためのプロセスの図である。
【図２Ｂ】例示的実施形態での、光学アセンブリ１００を作製するためのプロセスの図である。
【図２Ｃ】例示的実施形態での、光学アセンブリ１００を作製するためのプロセスの図である。
【図２Ｄ】例示的実施形態での、光学アセンブリ１００を作製するためのプロセスの図である。
【図２Ｅ】例示的実施形態での、光学アセンブリ１００を作製するためのプロセスの図である。
【図３Ａ】様々な例示的実施形態での、例示的な剥離ライナの上面プロファイルである。
【図３Ｂ】様々な例示的実施形態での、例示的な剥離ライナの上面プロファイルである。
【図４】例示的実施形態での、光学アセンブリを作製するための流れ図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
図１は、例示的実施形態での、光学アセンブリ１００の側面プロファイルである。光学アセンブリは、様々な例示的実施形態では、光学デバイス１０２と、ＬＥＤを点灯させる電流を提供するため、又は光検出器からの出力を検出するためなどの、光学デバイス１０２との電気接続性を提供するように構成された、導線１０４とを含む。光学デバイス１０２は、光を放出すること、又は光を検出することのいずれかが可能な、光学面１０６を含む。光学デバイス１０２及び導線１０４は、本明細書で開示される方法に従って、様々な実施例で適用することが可能な、シリコーンフィルム１０８内に封入される。シリコーンフィルムは、本明細書で詳細に開示されるような、様々な材料で作製されるが、シリコーンフィルム１０８は、現在存在するか又は開発することが可能な、任意の好適な封入材料とするか、あるいは、そのような封入材料を含み得る。
【０００８】
シリコーンフィルム１０８は、光学面１０６に対して遠位に存在する、遠位表面１１０を含む。遠位表面１１０は、突出部１１２のパターンを作り出すようにインプリントされている。突出部１１２は、隆起、波形、稜線、又は他の関連する突起とすることができる。図示のような突出部１１２は、一定のパターンであり、規則的な形状のものであるが、突出部１１２は、パターン化されない場合もあり、不規則な形状のものとすることもできる。更には、突出部１１２の一部又は全てを、ディンプル、ディボット、又は、遠位表面１１０内の他の窪みに置き換えることができる。
【０００９】
図２Ａ〜図２Ｅは、例示的実施形態での、光学アセンブリ１００を作製するためのプロセスの図である。このプロセスは、光学アセンブリ１００に関連して説明されるが、本明細書で説明される原理は、様々な光学アセンブリのいずれの作製にも適用することができる点を理解されたい。
【００１０】
図２Ａでは、取り付け具２００は、光学デバイス１０２及びシリコーンフィルム１０８を受け入れる準備が整えられている。図示の実施例では、この取り付け具は、真空チャンバ２０２、メンブレン２０４、及び、加熱板テーブルなどの熱源２０６を含む、真空ラミネータである。メンブレン２０４は、限定するものではないが、ゴムを含めた、任意の好適な材料で作製することができる。
【００１１】
様々な実施例では、取り付け具２００は、構成要素２０２、２０４、２０６の一部又は全てを、必ずしも含むものではなく、その代わりに、本明細書で開示されるような、光学デバイス１０２を固定するための機構と、シリコーンフィルム１０８内に物体を押圧するために利用することが可能なピストン又は他のデバイスなどの、押圧機構とを含み得る。
【００１２】
図２Ｂでは、光学デバイス１０２及びシリコーンフィルム１０８が、取り付け具２００内部に位置決めされ、剥離ライナ２０８が、シリコーンフィルム１０８の遠位表面１１０とメンブレン２０４との間に位置決めされる。インプリント表面２１１が、シリコーンフィルム１０８の遠位表面１１０に面する。様々な実施例では、剥離ライナ２０８は、エチレンテトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）などのプラスチックで形成される。様々な実施例では、シリコーンフィルム１０８は、この時点で、光学デバイス１０２には、取り付けられても、又は他の方式で実質的に固定されてもおらず、そのような固定は、本明細書で開示されるような、積層プロセス又は他のプロセスからもたらされ得る。それゆえ、シリコーンフィルム１０８は、光学デバイス１０２に対して遊離し得るものであり、あるいは、締結具又は接着剤などを使用して、光学デバイス１０２に対して、軽度に、若しくは他の方式で非恒久的に固定することもできる。あるいは、シリコーンフィルム１０８は、事前の積層プロセスを通じて、又は、長期にわたって、若しくは恒久的にシリコーンフィルム１０８を光学デバイス１０２に固定することが可能な、他の機構を通じて、予め光学デバイス１０２に固定することもできる。
【００１３】
図２Ｃでは、取り付け具２００が閉鎖され、メンブレン２０４の第１の側２１０及び第２の側２１２の双方に対して、真空が適用される。図示の実施例では、メンブレン２０４は、第１の側２１０及び第２の側２１２を互いに対して隔離する役割を果たすことにより、各側２１０、２１２に対して、独立して真空吸引することが可能となる。
【００１４】
図２Ｄでは、真空は、第１の側２１０では解除されるが、その一方、第２の側２１２では維持されている。第１の側２１０で真空を解除することは、メンブレン２０４に、剥離ライナ２０８を押圧させて、その剥離ライナ２０８上のインプリントパターンを、シリコーンフィルム１０８上に付与させることになる。
【００１５】
一実施例では、取り付け具２００は、約４分〜約２０分の時間にわたって、約１３５℃の温度で、真空に保持される。一部の実施例では、この取り付け具は、約１５０℃の温度で、約１０分間にわたって真空に保持される。
【００１６】
図２Ｅでは、真空が第２の側２１２で解除され、取り付け具２００が開放される。光学アセンブリ１００は、剥離ライナ２０８から付与されたパターンを含む、シリコーンフィルム１０８を含む。
【００１７】
図示の取り付け具２００は、１つの光学デバイス１０２及び結果として得られる１つの光学アセンブリ１００のためのスペースを含むものであるが、取り付け具２００は、複数の光学デバイス１０２のための容量を有することにより、複数の光学アセンブリ１００を同時に製造することもできる。一実施例では、光学デバイス１０２は、２６０マイクロメートル×５８５マイクロメートルの寸法、及び９０マイクロメートルの厚さを有する。光学デバイス１０２は、１００個の光学デバイス１０２を含む５０×５０ミリメートルの基板などの、複数の光学デバイス１０２を含む基板の一部とすることができる。そのような実施例では、取り付け具２００は、その光学デバイス１０２の基板全体を受け入れるように構成することができる。一実施例では、シリコーンフィルム１０８は、厚さ約４００マイクロメートルである。シリコーンフィルム１０８及び／又は剥離ライナ２０８は、光学デバイス１０２のうちの一部若しくは全ての光学面１０６を覆う、単一シートとすることができ、あるいは、各光学デバイス１０２に関して、別個のものとすることもできる。シリコーンフィルム１０８が単一シートである実施例では、そのシートは、約３５ミリメートルの直径を有し得る。
【００１８】
様々な実施例では、取り付け具２００は、シリコーンフィルム１０８に対して剥離ライナ２０８を押圧することにより、シリコーンフィルム１０８上にインプリントを付与することが可能な、様々な押圧機構のいずれかで、置き換えるか又は補完することができる。そのような押圧機構は、剥離ライナ２０８に対して直接的に、すなわち、光学デバイス１０２及び／又はシリコーンフィルム１０８を実質的に静置したまま残し、シリコーンフィルム１０８に対して剥離ライナ２０８を能動的に押圧することによって、作動することができ、光学デバイス１０２及び／又はシリコーンフィルム１０８に対して直接的に、すなわち、剥離ライナ２０８を実質的に静置したまま残し、その剥離ライナに対して光学デバイス１０２及び／又はシリコーンフィルム１０８を能動的に押圧することによって、作動することができ、あるいは、剥離ライナ２０８並びに光学デバイス１０２及び／又はシリコーンフィルム１０８の双方に対して、直接的に作動することもできる。更には、上述のように、様々な実施例では、取り付け具２００は、熱源２０６を含まず、また必ずしも、光学デバイス１０２にシリコーンフィルム１０８を積層するか、又は他の方式で固定若しくは取り付けるものではない。むしろ、様々な実施例では、取り付け具２００は、単純に、シリコーンフィルム１０８上にインプリントを付与するためのプレス装置とすることができる。
【００１９】
図３Ａ及び図３Ｂは、それぞれ、様々な例示的実施形態での、例示的な剥離ライナ２０８Ａ及び剥離ライナ２０８Ｂの上面プロファイルである。図示の剥離ライナ２０８Ａ、２０８Ｂは、代表的実施例として提示されるものであり、限定的なものではない。
【００２０】
剥離ライナ２０８Ａは、シリコーンフィルム１０８及び剥離ライナ２０８Ａが取り付け具２００内に位置決めされる場合に、シリコーンフィルム１０８の遠位表面１１０に面するように構成された表面３０２上に、規則的なパターンの柱状部３００を含む。剥離ライナ２０８Ａを利用することにより、図１に示されるような、シリコーンフィルム１０８の突出部１１２を作製することができる。一実施例では、剥離ライナ２０８Ａは、約２３０ナノメートルのΦ、約２００ナノメートルの柱状部高さ、約４００ナノメートルの柱状部ピッチ、及び約２００マイクロメートルのフィルム厚さを有する、環状オレフィンポリマー（ＣＯＰ）で形成される。
【００２１】
剥離ライナ２０８Ａが使用される場合、剥離ライナ２０８Ａは、真空中で、１３５℃で約２０分間にわたって、シリコーンフィルム１０８に対して押圧することができる。得られる光学アセンブリ１００は、深さが約１２０〜約１６０ナノメートルの突出部１１２を有し得る。
【００２２】
剥離ライナ２０８Ｂは、マイクロメッシュパターン３０４を含む。様々な実施例では、このマイクロメッシュパターンは、３２５のメッシュ数、及び約２８０マイクロメートルの線径を有する。マイクロメッシュパターン３０４は、本明細書で開示されるように、１５０℃で１分間などにわたって、剥離ライナ２０８Ｂの材料上に、金属製のマイクロメッシュを加熱プレスすることによって形成することができる。更には、又は代替的には、剥離ライナ２０８Ｂは、本明細書で開示されるように、金属製のマイクロメッシュとすることができ、シリコーンフィルム１０８に直接適用することができる。
【００２３】
様々な他の剥離ライナ２０８が想到される。一実施例では、剥離ライナ２０８は、シリコーンフィルム１０８上にランダムな配置構成の突出部１１２を作り出すように構成された、ランダムな配置構成又は他の方式で不規則な配置構成の空洞部を含む。この剥離ライナは、モスアイのパターンを含み得るものであり、金属で形成することができる。それらの空洞部は、約２１２ナノメートルの深さ、及び約１３０ナノメートルのピッチを有し得る。結果として得られる突出部１１２の配置構成を有するシリコーンフィルム１０８を含む、光学アセンブリ１００は、様々な実施例では、シリコーンフィルム１０８を有さない光学デバイス１０２の、約１，７４０ミリワットのＬＯＰと比較して、約１，７７２ミリワットのＬＯＰ、すなわち、約１．８パーセントの改善を有し得る。
【００２４】
図４は、例示的実施形態での、光学アセンブリを作製するための流れ図である。様々な実施例では、この光学アセンブリは、光学アセンブリ１００である。更には、又は代替的には、この方法を、任意の好適な光学アセンブリの作製に適用することができる。
【００２５】
操作４００で、光学デバイスが取り付け具内に固定され、この光学デバイスは光学面を有し、シリコーンフィルムが、その光学面に対して位置決めされ、このシリコーンフィルムは、光学面に対する遠位表面を有する。一実施例では、このシリコーンフィルムは、シリコーン含有ホットメルト組成物を含む。一実施例では、このシリコーン含有ホットメルト組成物は、オルガノシロキサンブロックコポリマーを含む。
【００２６】
一実施例では、このシリコーンフィルムの厚さは、光学デバイスの厚さを上回る。
【００２７】
操作４０２で、剥離ライナが、シリコーンフィルムにライナ表面が面する状態で位置決めされ、この剥離ライナは、そのライナ表面上にインプリントを含む。一実施例では、この剥離ライナのインプリントは、約１０ナノメートル〜約５００マイクロメートルの主要寸法を有する、少なくとも１つの柱状部又は１つの空洞部を含む。一実施例では、この剥離ライナのインプリントは、実質的に等しいサイズの複数の空洞部又は柱状部を備え、それらの空洞部は、実質的に規則的なパターンを形成する。一実施例では、この剥離ライナは、金属及びプラスチックのうちの少なくとも一方で構成される。
【００２８】
操作４０４で、剥離ライナがシリコーンフィルムに対して押圧されることにより、その剥離ライナのインプリントが、シリコーンフィルムの遠位表面に付与されて、その遠位表面内に表面インプリントを作り出す。一実施例では、取り付け具は、真空チャンバ及びメンブレンを含み、剥離ライナを押圧する工程は、真空チャンバを使用して、メンブレンの第１の側とメンブレンの第２の側との間に圧力差を生じさせ、そのメンブレンに、シリコーンフィルムに対して剥離ライナを押圧させる工程を含む。メンブレンの材料に対する制限は存在しない。有機フィルム、パターン化フィルム及び金属フィルム、剥離ライナが、メンブレンとして適用可能である。
【００２９】
操作４０６で、光学デバイスにシリコーンフィルムを積層するために、熱源を使用してシリコーンフィルムに熱が加えられる。一実施例では、熱を加える工程は、剥離ライナを押圧する工程と少なくとも部分的に同時である。
シリコーン組成物
【００３０】
一般に、未反応のＡステージにある熱硬化性樹脂の一部が反応すると、その樹脂は、架橋性官能基の一部が反応したＢステージに入ることができる。Ａステージ及びＢステージでは、この樹脂は、加熱を介して、低粘度化、軟化、又は液化させることができる。反応が継続する場合には、この樹脂は、完全に硬化したＣステージに入る。本発明の様々な実施形態による硬化性シリコーン組成物は、「Ａステージ」又は「Ｂステージ」に相当する状態にあり、特に、室温では固体の成分を含む硬化性シリコーン組成物が使用されるため、熱可塑性である。それゆえ、本発明による、積層用のホットメルト硬化性シリコーン組成物は、「可塑的に」加工することが可能である。
【００３１】
本明細書で使用するとき、用語「ホットメルト」及び「ホットメルト性」とは、全般的に、エチレン酢酸ビニル系接着剤によって代表されるホットメルト接着剤などの、室温（２５℃）では固体であるが、加熱されると、軟化又は溶融して、粘稠状態、流動状態、又は液体状態となる物質を指す。
【００３２】
本発明の様々な実施形態の組成物は、「ホットメルト」組成物又はシリコーン含有「ホットメルト」組成物であるため、室温（２５℃）では固体であり得る。本発明の組成物の形態に対する特定の制限は存在せず、例えば、粉末、顆粒、ペレット、タブレット、フィルム、又はシートの形態を取ることができる。
【００３３】
本発明の様々な実施形態の組成物は、一部の実施形態では、ＪＩＳ  Ｋ  ６２５３によって規定されるような、２５℃で少なくとも５０の、少なくとも６０の、又は少なくとも７０の、タイプＡデュロメータ硬さを有する。本発明の組成物は、一部の実施形態では、１００℃で流体であるか、又は、１００℃で１０以下、５以下、又は１以下のタイプＡデュロメータ硬さを有する。この組成物が１００℃で流体である場合には、その粘度に対する特定の制限は存在せず、下限は０．０１Ｐａ・ｓ又は０．１Ｐａ・ｓである。この組成物が１００℃で流体である場合には、最大粘度は、１，０００Ｐａ・ｓ、１００Ｐａ・ｓ、又は１０Ｐａ・ｓとすることができる。あるいは、この組成物が１００℃で流体である場合には、例えば、ＪＩＳ  Ｋ  ６３００−２「未加硫ゴム−物理特性−第２部：振動式加硫試験機による加硫特性の求め方」に従って、移動ダイレオメータ（ＭＤＲ）を使用して、少なくとも１００℃の温度で測定した場合、ダイの閉鎖の直後（硬化時間０秒）から３００秒までの、最小トルク値は、１０ニュートン・ｃｍ以下又は１ニュートン・ｃｍ以下（１ｋｇｆ・ｃｍ又は０．１ｋｇｆ・ｃｍ以下）である。本発明の組成物は、それゆえ、加熱された場合に変形する熱可塑性フィルム又はシートとして、良好に使用することができる。
【００３４】
本発明の様々な実施形態の組成物は、加熱された場合に、架橋を経て硬化することが可能である。最低加熱温度は、一部の実施形態では、約５０℃、約８０℃、又は約１００℃である。最高加熱温度は、一部の実施形態では、約２００℃又は約１５０℃である。封止体の形状を安定化させるために、本発明の様々な実施形態の組成物は、移動ダイレオメータ（ＭＤＲ）を使用して、加熱温度範囲で測定する場合に、測定の開始直後から１０ニュートン・ｃｍ（１ｋｇｆ・ｃｍ）のトルクに達するまでの時間が、５分以下、３分以下、又は１分以下であるような、硬化特性を有する。測定は、ＪＩＳ  Ｋ  ６３００−２「未加硫ゴム−物理特性−第２部：振動式加硫試験機による加硫特性の求め方」に準拠した方法に従って、ＭＤＲを使用して実行することができる。
【００３５】
本発明の様々な実施形態の組成物自体、又はその硬化物は、一部の実施形態では、少なくとも１．４０の屈折率を有する。この屈折率は、例えば、アッベ屈折計を使用して測定することができる。そのような場合には、アッベ屈折計に関する光源の波長を変更することにより、所望の波長における屈折率を測定することができる。この硬化性シリコーン組成物、又はその硬化物は、一部の実施形態では、１．４０以上、約１．５０〜約１．７０、又は約１．５５〜約１．６０の、可視光の波長（５８９ｎｍ）における（２５℃での）屈折率を有する。
【００３６】
本発明の組成物自体、又はその硬化物は、少なくとも約８０％、少なくとも約９０％、又は少なくとも約９５％（例えば、約８０％〜約１００％、約８０％〜約９５％、約９０％〜約１００％、又は約９５％〜約１００％）の、（２５℃での）光透過率を有し得る。この光透過率は、例えば、０．２ｃｍの光路長、及び４５０ｎｍの波長を使用する、光透過率（２５℃での）分光光度計を使用して、本発明の組成物又はその硬化物を測定することによって、算出することができる。
【００３７】
本発明の組成物は、一部の実施形態では、例えば、固体オルガノポリシロキサンを含み、室温で固体である、Ａステージのシリコーン組成物、又は、ヒドロシリル化反応を介して架橋及び硬化させることが可能な、Ｂステージのシリコーン組成物である。特に、本発明によるＢステージの組成物は、一部の実施形態では、ヒドロシリル化反応を介して部分的に架橋されており、室温では、高い硬度を有する固体、具体的には、硬質ゴム様の状態を形成し、１００℃などの高温では、著しく軟化した形態、具体的には、軟質ゴム様の状態を呈するか、又は液化する。
【００３８】
一部の実施形態では、本発明の組成物は、ヒドロシリル化反応を介して、架橋及び硬化させることができる。一部の実施形態では、この組成物は、
（１）未反応のヒドロシリル化硬化性シリコーン組成物、
（２）未反応のヒドロシリル化硬化性シリコーン組成物を部分的に架橋することによって得られる、ヒドロシリル化硬化性シリコーン組成物、及び
（３）未反応のヒドロシリル化反応性シリコーン組成物を架橋することによって得られる、ケイ素原子結合水素原子及び／又はアルケニル基を有する架橋物と、少なくとも１種のヒドロシリル化反応性成分とを含む、ヒドロシリル化硬化性シリコーン組成物からなる群から選択される。
【００３９】
一部の実施形態では、未反応のヒドロシリル化硬化性（反応性）シリコーン組成物は、
（Ａ）２５℃で固体であり、一分子中に平均で２つよりも多くのアルケニル基を有する、少なくとも１種のオルガノポリシロキサン、
（Ｂ）一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を、成分（Ａ）中のアルケニル基の合計モル濃度に対するケイ素原子結合水素原子の合計モル濃度の比が０．２〜４の範囲となるような量で有する、少なくとも１種のオルガノポリシロキサン、及び
（Ｃ）ヒドロシリル化反応を生じさせるために十分な量のヒドロシリル化触媒を含む。
【００４０】
成分（Ａ）の分子構造に対する制限は存在せず、例としては、直鎖状、部分的に分岐した直鎖状、分岐状、樹枝状、網状、又は環状の構造が挙げられる。
【００４１】
成分（Ａ）中のアルケニル基の非限定的な例としては、ビニル基、アリル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、及びヘキセニル基などの、２〜１０個の炭素（例えば、２〜８個の炭素、２〜５個の炭素、又は２〜４個の炭素）を有する直鎖状又は分岐状のアルケニル基が挙げられる。ビニル基又はアリル基が好ましく、ビニル基がより好ましい。成分（Ａ）は、任意選択的に、一分子中に、平均で少なくとも３つのアルケニル基を有し得る。
【００４２】
アルケニル基以外に、成分（Ａ）は、ケイ素原子に結合され、１〜２０個の炭素原子を有する、１価の炭化水素基を含み得る。この１価の炭化水素基の例としては、１〜２０個の炭素原子を有するアルキル基、６〜２０個の炭素原子を有するアリール基、及び７〜２０個の炭素原子を有するアラルキル基が挙げられる。１〜２０個の炭素原子を有するアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、及び、他の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキル基が挙げられる。この１価の炭化水素基は、好ましくはメチル基である。６〜２０個の炭素原子を有するアリール基の例としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、及びアントラセニル基が挙げられる。７〜２０個の炭素原子を有するアラルキル基の例としては、ベンジル基、フェネチル基、及びフェニルプロピル基が挙げられる。この１価の炭化水素基の水素原子の一部は、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、エポキシ基などによって部分的に置換することができる。
【００４３】
成分（Ａ）の例としては、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルビニルポリシロキサン、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルビニルロキサン・ジメチルシロキサンコポリマー、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルビニルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサンコポリマー、環状メチルビニルシロキサン、環状ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサンコポリマー、式（ＣＨ３）３ＳｉＯ１／２によって表されるシロキサン単位、式（ＣＨ２＝ＣＨ）（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２によって表されるシロキサン単位、及び式ＳｉＯ４／２によって表されるシロキサン単位によって構成されたコポリマー、式（ＣＨ２＝ＣＨ）（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２によって表されるシロキサン単位、及び式ＳｉＯ４／２によって表されるシロキサン単位によって構成されたコポリマー、式（ＣＨ３）３ＳｉＯ１／２によって表されるシロキサン単位、式（ＣＨ２＝ＣＨ）（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２によって表されるシロキサン単位、式（ＣＨ３）２ＳｉＯ２／２によって表されるシロキサン単位、及び式ＳｉＯ４／２によって表されるシロキサン単位のコポリマー、並びに上記のうちの２つ以上の混合物が挙げられる。分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサンコポリマー、並びに、式ＳｉＯ４／２によって表されるシロキサン単位、及び式（ＣＨ２＝ＣＨ）（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２によって表されるシロキサン単位のコポリマーが好ましい。
【００４４】
成分（Ａ）は、一部の実施形態では、以下の平均単位式によって表される、フェニル基含有オルガノポリシロキサンとすることができる：
（Ｒ１３ＳｉＯ１／２）ａ（Ｒ１２ＳｉＯ２／２）ｂ（Ｒ１ＳｉＯ３／２）ｃ（ＳｉＯ４／２）ｄ（Ｒ２Ｏ１／２）ｅ
式中、
Ｒ１は、フェニル基、１〜６個の炭素原子を有するアルキル基若しくはシクロアルキル基、又は、２〜６個の炭素原子を有するアルケニル基であり、ただし、Ｒ１の６０〜８０モル％はフェニル基であり、Ｒ１の１０〜２０モル％はアルケニル基であり、
Ｒ２は、水素原子、又は１〜６個の炭素原子を有するアルキル基であり、
「ａ」、「ｂ」、「ｃ」、「ｄ」、及び「ｅ」は、０≦ａ≦０．２、０．２≦ｂ≦０．７、０．２≦ｃ≦０．６、０≦ｄ≦０．２、０≦ｅ≦０．１、かつａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１を満たす数である。
【００４５】
Ｒ１のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、及びヘキシル基が挙げられる。Ｒ１のシクロアルキル基の例としては、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基が挙げられる。Ｒ１のアルケニル基の例としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、及びヘキセニル基が挙げられる。
【００４６】
一部の実施形態では、Ｒ１は、フェニル基を表す。一部の実施形態では、このフェニル基の含有量は、６０〜８０モル％、又は６５〜８０モル％の範囲である。いずれの特定の理論にも束縛されるものではないが、フェニル基の含有量が、本明細書で与えられる範囲の最小値を下回る場合には、本発明の様々な実施形態の組成物の高温での軟化が、不十分となる恐れがあると考えられる。また、フェニル基の含有量が、本明細書で与えられる範囲の最大値を超過する場合には、本発明の様々な実施形態の組成物又はその硬化物の透明性が失われ、かつ／又は機械的強度が低減する恐れもある。
【００４７】
一部の実施形態では、Ｒ１は、アルケニル基を表す。一部の実施形態では、このアルケニル基の含有量は、１０〜２０モル％の範囲である。いずれの特定の理論にも束縛されるものではないが、アルケニル基の含有量が、本明細書で与えられる範囲の最小値を下回る場合には、室温では十分な硬さになり得ないと考えられる。一部の場合には、アルケニル基の含有量が、本明細書で与えられる範囲の最大値を超過する場合には、本発明の組成物の高温での軟化が、不十分となる恐れがある。
【００４８】
Ｒ２のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、及びヘキシル基が挙げられ、メチル基及びエチル基が好ましい。
【００４９】
式中、「ａ」は、一般式：Ｒ１３ＳｉＯ１／２によって表されるシロキサン単位の分率を示す数であり、「ａ」は、０≦ａ≦０．２、好ましくは０≦ａ≦０．１を満たす数である。いずれの特定の理論にも束縛されるものではないが、「ａ」が、本明細書で与えられる範囲の最大値を超過する場合には、本発明の組成物は、室温では十分な硬さになり得ないと考えられる。
【００５０】
式中、「ｂ」は、一般式：Ｒ１２ＳｉＯ２／２によって表されるシロキサン単位の分率を示す数であり、「ｂ」は、０．２≦ｂ≦０．７、好ましくは０．４≦ｂ≦０．７を満たす数である。いずれの特定の理論にも束縛されるものではないが、「ｂ」が、本明細書で与えられる範囲の最小値を下回る場合には、本発明の組成物の、高温での不十分な軟化がもたらされる恐れがあると考えられる。一部の場合には、「ｂ」が、本明細書で与えられる範囲の最大値を超過する場合には、本発明の組成物の室温での硬さが、不十分となる恐れがある。
【００５１】
式中、「ｃ」は、一般式：Ｒ１ＳｉＯ３／２によって表されるシロキサン単位の分率を示す数であり、「ｃ」は、０．２≦ｃ≦０．６、好ましくは０．３≦ｃ≦０．６を満たす数である。いずれの特定の理論にも束縛されるものではないが、「ｃ」が、本明細書で与えられる範囲の最小値を下回る場合には、本発明の組成物の、室温での不十分な硬さがもたらされる恐れがあると考えられる。一部の場合には、「ｃ」が、本明細書で与えられる範囲の最大値を超過する場合には、本発明の組成物の、高温での不十分な軟化がもたらされる恐れがある。
【００５２】
式中、「ｄ」は、一般式：ＳｉＯ４／２によって表されるシロキサン単位の分率を示す数であり、「ｄ」は、０≦ｄ≦０．２、好ましくは０≦ｄ≦０．１を満たす数である。いずれの特定の理論にも束縛されるものではないが、「ｄ」が、本明細書で与えられる範囲の最大値を超過する場合には、本発明の組成物の、高温での不十分な軟化がもたらされる恐れがあると考えられる。
【００５３】
式中、「ｅ」は、一般式：Ｒ２Ｏ１／２によって表される単位の分率を示す数であり、「ｅ」は、０≦ｅ≦０．１を満たす数である。いずれの特定の理論にも束縛されるものではないが、「ｅ」が、本明細書で与えられる範囲の最大値を超過する場合には、本発明の組成物の、室温での不十分な硬さがもたらされる恐れがあると考えられる。更には、式中の「ａ」、「ｂ」、「ｃ」、及び「ｄ」の合計は、１である。
【００５４】
一部の実施形態では、成分（Ａ）は、
（Ａ−１）６０〜１００質量％の、２５℃で固体であり、一分子中に平均で２つよりも多くのアルケニル基を有する、分枝オルガノポリシロキサンと、
（Ａ−２）０〜４０質量％の、２５℃で液体であり、一分子中に平均で２つよりも多くのアルケニル基を有する、直鎖又は部分的分枝オルガノポリシロキサンとの混合物とすることができる。
【００５５】
一部の実施形態では、成分（Ａ−１）は、この組成物の主成分であり、成分（Ａ）として既に説明された成分とすることができる。
【００５６】
一部の実施形態では、成分（Ａ−２）は、この組成物の取り扱いの容易性及び加工性を改善し、その室温での硬さを修正するための成分であり、好ましくは、以下の一般式によって表される、フェニル基含有オルガノポリシロキサンである：
Ｒ３３ＳｉＯ（Ｒ３２ＳｉＯ）ｍＳｉＲ３３
式中、
Ｒ３は、フェニル基、１〜６個の炭素原子を有するアルキル基若しくはシクロアルキル基、又は、２〜６個の炭素原子を有するアルケニル基であり、ただし、Ｒ３の４０〜７０モル％はフェニル基であり、Ｒ３の少なくとも１つは、アルケニル基であり、「ｍ」は、５〜１００の整数である。
【００５７】
Ｒ３のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、及びヘキシル基が挙げられる。Ｒ３のシクロアルキル基の例としては、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基が挙げられる。Ｒ３のアルケニル基の例としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、及びヘキセニル基が挙げられる。
【００５８】
一部の実施形態では、Ｒ３は、フェニル基を表す。一部の実施形態では、このフェニル基の含有量は、４０〜７０モル％、又は４０〜６０モル％の範囲である。いずれの特定の理論にも束縛されるものではないが、フェニル基の含有量が、本明細書で与えられる範囲の最小値を下回る場合には、本発明の組成物の、高温での不十分な軟化がもたらされる恐れがあると考えられる。他の実施形態では、フェニル基の含有量が、本明細書で与えられる範囲の最大値を超過する場合には、本発明の硬化組成物の透明性が失われ、かつ／又は機械的強度が低減する恐れがある。更には、Ｒ３の少なくとも１つは、アルケニル基である。いずれの特定の理論にも束縛されるものではないが、アルケニル基が存在しない場合には、この成分が架橋反応に組み込まれず、本発明の組成物から滲出する結果となる恐れがあると考えられる。
【００５９】
式中、「ｍ」は５〜１００の範囲の整数であり、好ましくは、１０〜５０の範囲の整数である。いずれの特定の理論にも束縛されるものではないが、「ｍ」が、本明細書で与えられる範囲の最小値を下回る場合には、本発明の組成物の機械的強度が低下する恐れがあると考えられる。一部の実施形態は、「ｍ」が、本明細書で与えられる範囲の最大値を超過する場合には、本発明の組成物の取り扱いの容易性及び加工性が、低下する恐れがある。
【００６０】
一部の実施形態では、成分（Ｂ）は、２５℃で、１〜１，０００ｍＰａ・ｓの範囲、１〜５００ｍＰａ・ｓの範囲、又は１〜１００ｍＰａ・ｓの範囲の粘度を有する、架橋剤として機能する。
【００６１】
成分（Ｂ）の分子構造に対する制限は存在せず、例としては、直鎖状、部分的に分岐した直鎖状、分岐状、樹枝状、網状、又は環状の構造が挙げられる。成分（Ｂ）は、任意選択的に、一分子中に少なくとも３個のケイ素結合水素原子を有し得る。
【００６２】
ケイ素原子結合水素原子以外に、成分（Ｂ）は、ケイ素原子に結合され、１〜２０個の炭素原子を有する、１価の炭化水素基を有し得る。この１価の炭化水素基の例としては、１〜２０個の炭素原子を有するアルキル基、６〜２０個の炭素原子を有するアリール基、及び７〜２０個の炭素原子を有するアラルキル基が挙げられる。成分（Ｂ）中の、１〜２０個の炭素原子を有するアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、及び、他の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキル基が挙げられる。この１価の炭化水素基は、好ましくはメチル基である。６〜２０個の炭素原子を有するアリール基の例としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、及びアントラセニル基が挙げられる。７〜２０個の炭素原子を有するアラルキル基の例としては、ベンジル基、フェネチル基、及びフェニルプロピル基が挙げられる。この１価の炭化水素基の水素原子の一部は、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、エポキシ基などによって部分的に置換することができる。
【００６３】
成分（Ｂ）の例としては、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサンコポリマー、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサンコポリマー、環状メチルハイドロジェンシロキサン、環状ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサンコポリマー、式（ＣＨ３）３ＳｉＯ１／２によって表されるシロキサン単位、式Ｈ（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２によって表されるシロキサン単位、及び式ＳｉＯ４／２によって表されるシロキサン単位のコポリマー、式Ｈ（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２によって表されるシロキサン単位、及び式ＳｉＯ４／２によって表されるシロキサン単位のコポリマー、式（ＣＨ３）３ＳｉＯ１／２によって表されるシロキサン単位、式Ｈ（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２によって表されるシロキサン単位、式（ＣＨ３）２ＳｉＯ２／２によって表されるシロキサン単位、及び式ＳｉＯ４／２によって表されるシロキサン単位のコポリマー、並びにこれらの２つ以上の混合物が挙げられる。特に、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサンコポリマー、並びに、式ＳｉＯ４／２によって表されるシロキサン単位、及び式Ｈ（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２によって表されるシロキサン単位のコポリマーが好ましい。
【００６４】
一部の実施形態では、成分（Ｂ）の１価の炭化水素基の３０〜７０モル％は、フェニル基である。いずれの特定の理論にも束縛されるものではないが、フェニル基の含有量が、本明細書で与えられる範囲の最小値を下回る場合には、本発明の組成物の、高温での不十分な軟化がもたらされる恐れがあると考えられる。フェニル基の含有量が、本明細書で与えられる範囲の最大値を超過する場合には、本発明の硬化組成物の透明性が失われ、かつ／又は機械的強度が低減する恐れがある。
【００６５】
一部の実施形態では、成分（Ｂ）は、以下の一般式によって表される、オルガノトリシロキサンである：
（ＨＲ４２ＳｉＯ）２ＳｉＲ４２
【００６６】
一部の実施形態では、Ｒ４は、フェニル基、又は１〜６個の炭素原子を有するアルキル基若しくはシクロアルキル基である。Ｒ４のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、及びヘキシル基が挙げられる。Ｒ４のシクロアルキル基の例としては、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基が挙げられる。一部の実施形態では、Ｒ４のフェニル基の含有量は、３０〜７０モル％の範囲である。
【００６７】
一部の実施形態では、成分（Ｂ）の含有量は、成分（Ａ）中のアルケニル基の合計量に対する、成分（Ｂ）中のケイ素原子結合水素原子のモル比が、０．２〜４、好ましくは０．５〜２、より好ましくは０．８〜１．８、更により好ましくは０．５〜１．５の範囲となるような量である。いずれの特定の理論にも束縛されるものではないが、成分（Ｂ）の含有量が、本明細書で与えられる範囲外のものである場合には、本発明の組成物の、室温での不十分な硬さがもたらされる恐れがあると考えられる。
【００６８】
成分（Ｃ）は、成分（Ａ）のアルケニル基と成分（Ｂ）のケイ素原子結合水素原子とのヒドロシリル化反応を引き起こすか、又は促進するための、ヒドロシリル化反応触媒である。成分（Ｃ）の例としては、白金系触媒、ロジウム系触媒、及びパラジウム系触媒が挙げられる。本組成物の硬化を促進する能力により、白金系触媒が好ましい。白金系触媒の例としては、白金微粉末、塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール溶液、白金−アルケニルシロキサン錯体、白金−オレフィン錯体、及び白金−カルボニル錯体が挙げられ、白金−アルケニルシロキサン錯体が特に好ましい。このアルケニルシロキサンの例としては、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシロキサン、アルケニルシロキサンのメチル基の一部がエチル基、フェニル基などによって置換されたアルケニルシロキサン、及び、アルケニルシロキサンのビニル基がアリル基、ヘキセニル基などによって置換されたアルケニルシロキサンが挙げられる。１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンが、この白金−アルケニルシロキサン錯体の高い安定性により、特に好ましい。白金−アルケニルシロキサン錯体の安定性を向上させる能力により、この白金−アルケニルシロキサン錯体と、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジアリル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジビニル−１，３−ジメチル−１，３−ジフェニルジシロキサン、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラフェニルジシロキサン、１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシロキサンなど、アルケニルシロキサン又はジメチルシロキサンオリゴマーなどの、オルガノシロキサンオリゴマーとの組み合わせが推奨される。アルケニルシロキサンの添加が好ましい。
【００６９】
成分（Ｃ）の含有量に対しては、成分（Ａ）のアルケニル基と成分（Ｂ）のケイ素原子結合水素原子とのヒドロシリル化反応を生じさせるか、又は促進するために十分な量である限りは、特定の制限は存在しないが、その含有量は、一部の実施形態では、部分的硬化の前の組成物に対して、この成分中の質量単位による金属原子の量が、０．０１〜５００ｐｐｍ、０．０１〜１００ｐｐｍ、又は０．０１〜５０ｐｐｍの範囲内となるような量である。いずれの特定の理論にも束縛されるものではないが、成分（Ｃ）の量が、本明細書で説明される範囲の下限を下回る場合には、この組成物は、十分に架橋しない傾向を呈する恐れがあると考えられる。一部の場合には、その量が、本明細書で説明される範囲の上限を超過する場合には、本発明による組成物の変色がもたらされる恐れがある。
【００７０】
未反応のヒドロシリル化硬化性シリコーン組成物を部分的に架橋することによって得られる、ヒドロシリル化硬化性シリコーン組成物（２）は、以下を含むヒドロシリル化反応性シリコーン組成物のヒドロシリル化反応を、５０〜９５％の転化率で停止させることによって得ることができる：
（Ｄ）一分子中に平均で２つよりも多くのアルケニル基を有する、少なくとも１種のオルガノポリシロキサン、
（Ｅ）一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を、成分（Ｄ）中のアルケニル基の合計モル濃度に対するケイ素原子結合水素原子の合計モル濃度の比が０．２〜４の範囲となるような量で有する、少なくとも１種のオルガノポリシロキサン、及び
（Ｆ）ヒドロシリル化反応を生じさせるために十分な量のヒドロシリル化触媒。
【００７１】
本明細書で説明される成分（Ａ）〜成分（Ｃ）を、それぞれ、成分（Ｄ）〜成分（Ｆ）に関して使用することができる。
【００７２】
未反応のヒドロシリル化硬化性シリコーン組成物の粘度に対しては、特定の制限は存在しないが、１００〜１，０００，０００ｍＰａ・ｓ、又は５００〜５０，０００ｍＰａ・ｓの範囲とすることができる。いずれの特定の理論にも束縛されるものではないが、この粘度が、本明細書で与えられる範囲の最小値を下回る場合には、本発明の組成物の機械的強度が低下する恐れがあると考えられる。一部の場合には、この粘度が、本明細書で与えられる範囲の最大値を超過する場合には、本発明の組成物の取り扱いの容易性及び加工性が、低下する恐れがある。
【００７３】
成分（Ｄ）は、一部の実施形態では、以下の混合物を含む：
（Ｄ−１）以下の平均単位式によって表されるオルガノポリシロキサン：
（Ｒ１３ＳｉＯ１／２）ａ（Ｒ１２ＳｉＯ２／２）ｂ（Ｒ１ＳｉＯ３／２）ｃ（ＳｉＯ４／２）ｄ（Ｒ２Ｏ１／２）ｅ
式中、Ｒ１は、フェニル基、１〜６個の炭素を有するアルキル基若しくはシクロアルキル基、又は、２〜６個の炭素を有するアルケニル基であり、ただし、Ｒ１の６０〜８０モル％はフェニル基であり、Ｒ１の１０〜２０モル％はアルケニル基であり、Ｒ２は、水素原子、又は１〜６個の炭素を有するアルキル基であり、「ａ」、「ｂ」、「ｃ」、「ｄ」、及び「ｅ」は、０≦ａ≦０．２、０．２≦ｂ≦０．７、０．２≦ｃ≦０．６、０≦ｄ≦０．２、０≦ｅ≦０．１、かつａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１を満たす数である：
及び
（Ｄ−２）以下の一般式によって表されるオルガノポリシロキサン：
Ｒ３３ＳｉＯ（Ｒ３２ＳｉＯ）ｍＳｉＲ３３
式中、Ｒ３は、フェニル基、１〜６個の炭素を有するアルキル基若しくはシクロアルキル基、又は、２〜６個の炭素を有するアルケニル基であり、ただし、Ｒ３の４０〜７０モル％はフェニル基であり、少なくとも１つのＲ３は、アルケニル基であり、「ｍ」は５〜１００の整数であり、この成分の量は、成分（Ｄ−１）１００重量部当たり、０〜２０重量部である。
【００７４】
成分（Ｄ−２）の含有量は、成分（Ｄ−１）１００重量部当たり、０〜１５重量部の範囲の量、又は０〜１０重量部の範囲の量とすることができる。いずれの特定の理論にも束縛されるものではないが、成分（Ｄ−２）の含有量が、本明細書で与えられる範囲の最大値を超過する場合には、本発明の組成物の、高温での不十分な軟化がもたらされる恐れがあると考えられる。
【００７５】
ヒドロシリル化反応の「転化率」とは、成分（Ｄ）のアルケニル基又は成分（Ｅ）のケイ素原子結合水素原子の消費の程度であり、例えば、８０％の転化率とは、成分（Ｄ）のアルケニル基又は成分（Ｅ）のケイ素原子結合水素原子の８０％が、ヒドロシリル化反応で消費されていることを示し得る。
【００７６】
転化率を制御するために使用される方法に対する、特定の制限は存在せず、例えば、未反応のヒドロシリル化硬化性シリコーン組成物を、比較的短時間にわたって加熱することにより、５０〜９５％の転化率を生じさせることができる。この加熱温度は、一部の実施形態では、５０〜２００℃、又は８０〜１５０℃である。加熱時間は、一部の実施形態では、１〜２０分、又は５〜１５分である。転化率は、例えば、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）を介して未反応の組成物を測定することによって得られた、基準としての発熱ピーク面積に照らし合わせて、測定することができる。
【００７７】
ヒドロシリル化硬化性シリコーン組成物（３）は、
（Ｇ）以下を含む未反応のヒドロシリル化反応性シリコーン組成物のヒドロシリル化反応によって得られる、アルケニル基含有架橋物：
（Ｇ−１）一分子中に平均で２つよりも多くのアルケニル基を有する、少なくとも１種のオルガノポリシロキサン、
（Ｇ−２）一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を、成分（Ｇ−１）中のアルケニル基の合計モル濃度に対するケイ素原子結合水素原子の合計モル濃度の比が０．３〜０．９の範囲となるような量で有する、少なくとも１種のオルガノポリシロキサン、及び
（Ｇ−３）ヒドロシリル化反応を生じさせるために十分な量のヒドロシリル化触媒；並びに
（Ｈ）一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を、架橋物中のアルケニル基の合計モル濃度に対するケイ素原子結合水素原子の合計モル濃度の比が０．１〜２．０の範囲となるような量で有する、少なくとも１種のオルガノポリシロキサンを含有する。
【００７８】
上述の成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、及び（Ｅ）を、それぞれ、成分（Ｇ−１）、（Ｇ−２）、（Ｇ−３）、及び（Ｈ）に関して使用することができる。
【００７９】
一部の実施形態では、以下の条件のうちの１つ以上が満たされる：
（Ｇ−１）は、一分子中に平均で２つよりも多くのアルケニル基を有し、以下の平均組成式によって表される、オルガノポリシロキサンであり：
Ｒ４ｘＳｉＯ（４−ｘ）／２
式中、Ｒ４は独立して、置換又は非置換の１価の炭化水素基を表し、ただし、Ｒ４の０．１〜４０モル％はアルケニル基であり、「ｘ」は、１≦ｘ＜２であるような正数である；
（Ｇ−２）は、以下の一般式によって表されるジオルガノポリシロキサンであり：
ＨＲ５２Ｓｉ（Ｒ５２ＳｉＯ）ｎＲ５２ＳｉＨ
式中、Ｒ５は独立して、脂肪族不飽和結合を含まない置換又は非置換の１価の炭化水素基を表し、「ｎ」は０〜１，０００の整数である；
及び
（Ｈ）は、以下の平均組成式によって表されるオルガノハイドロジェンポリシロキサンであり：
Ｒ５ｙＨｚＳｉＯ（４−ｙ−ｚ）／２
式中、Ｒ５は、上記で定義されたとおりであり、「ｙ」及び「ｚ」は、０．７≦ｙ≦２．１、０．００１≦ｚ≦１．０、かつ、０．８≦ｙ＋ｚ≦２．６を満たす正数である。
【００８０】
１価の炭化水素基、及びアルケニル基は、本明細書で説明されたとおりである。脂肪族不飽和結合を含まない１価の炭化水素基の例としては、１〜２０個の炭素原子を有するアルキル基、６〜２０個の炭素原子を有するアリール基、及び７〜２０個の炭素原子を有するアラルキル基が挙げられる。１〜２０個の炭素原子を有するアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、及び、他の直鎖状、分岐状、又は環状のアルキル基が挙げられる。この１価の炭化水素基は、好ましくはメチル基である。６〜２０個の炭素原子を有するアリール基の例としては、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、及びアントラセニル基が挙げられる。７〜２０個の炭素原子を有するアラルキル基の例としては、ベンジル基、フェネチル基、及びフェニルプロピル基が挙げられる。この１価の炭化水素基の水素原子の一部は、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、エポキシ基などによって部分的に置換することができる。
【００８１】
ヒドロシリル化硬化性シリコーン組成物（３）では、一部の実施形態では、成分（Ｇ−１）中のアルケニル基の合計モル濃度に対する成分（Ｇ−２）中のケイ素原子結合水素原子の合計モル濃度の比が、０．３〜０．９の範囲となるように、成分（Ｇ−１）及び成分（Ｇ−２）の相対量が調節されており、それゆえ、未反応のヒドロシリル化反応性シリコーン組成物をヒドロシリル化反応させることによって得られる、架橋物（Ｇ）は、ヒドロシリル化反応で消費されなかったアルケニル基を有する。それゆえ、ヒドロシリル化硬化性シリコーン組成物（３）は、成分（Ｈ）の存在の結果として、ヒドロシリル化反応を介して更に架橋及び硬化させることが可能である。
【００８２】
本発明の組成物は、任意選択的な成分として、エチニルヘキサノール、２−メチル−３−ブチン−２−オール、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、２−フェニル−３−ブチン−２−オール、又は別の他のアルキンアルコール；３−メチル−３−ペンテン−１−イン、３，５−ジメチル−３−ヘキセン−１−イン、又は別のエンイン化合物；１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラヘキセニルシクロテトラシロキサン、又はベンゾトリアゾールなどの、反応遅延剤を含み得る。反応遅延剤の含有量に対しては、制限は存在せず、例えば、この組成物の重量に対して１〜５，０００ｐｐｍの範囲である。
【００８３】
本発明の組成物はまた、様々な基材への結合性を向上させるために、接着促進剤も含み得る。接着促進剤の例としては、限定するものではないが、トリアルコキシシロキシ基（例えば、トリメトキシシロキシ基、又はトリエトキシシロキシ基）又はトリアルコキシシリルアルキル基（例えば、トリメトキシシリルエチル基、又はトリエトキシシリルエチル基）、及びヒドロシリル基又はアルケニル基（例えば、ビニル基、又はアリル基）を有する、オルガノシラン、あるいは、約４〜２０個のケイ素原子を有する直鎖状、分岐状、又は環状オルガノシロキサンオリゴマー；トリアルコキシシロキシ基又はトリアルコキシシリルアルキル基、及びメタクリロキシアルキル基（例えば、３−メタクリロキシプロピル基）を有する、オルガノシラン、あるいは、約４〜２０個のケイ素原子を有する直鎖状、分岐状、又は環状オルガノシロキサンオリゴマー；トリアルコキシシロキシ基又はトリアルコキシシリルアルキル基、及びエポキシ基結合アルキル基（例えば、３−グリシドキシプロピル基、４−グリシドキシブチル基、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル基、又は３−（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロピル基）を有する、オルガノシラン、あるいは、約４〜２０個のケイ素原子を有する直鎖状、分岐状、又は環状オルガノシロキサンオリゴマー；並びに、アミノアルキルトリアルコキシシランとエポキシ基結合アルキルトリアルコキシシランとの反応物、及びエポキシ基含有エチルポリシリケートが挙げられる。接着促進剤の具体例としては、ビニルトリメトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、ハイドロジェントリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシランと３−アミノプロピルトリエトキシシランとの反応物、シラノール基封鎖メチルビニルシロキサンオリゴマーと３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランとの縮合反応物、シラノール基封鎖メチルビニルシロキサンオリゴマーと３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシランとの縮合反応物、及びトリス（３−トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレートが挙げられる。
【００８４】
本発明の組成物は、任意選択的な成分として、成分（Ａ）〜成分（Ｈ）以外のオルガノポリシロキサン；シリカ、ガラス、アルミナ、又は酸化亜鉛などの無機充填剤；ポリメタクリレート樹脂などの有機樹脂微粉末；耐熱剤；染料；顔料；蛍光体；難燃性付与剤；溶媒；などを、そのような任意選択的成分が、とりわけ、本発明の様々な実施形態の組成物の光学特性及び物理特性に悪影響を及ぼさない程度まで、更に含み得る。
【００８５】
一部の実施形態では、本発明の様々な実施形態の組成物は、少なくとも１種のオルガノポリシロキサンブロックコポリマーを含む。一部の実施形態では、このオルガノポリシロキサンブロックコポリマーは、一部の実施形態で以下を含む：
４０〜９０モル％の［Ｒ６２ＳｉＯ２／２］によって表されるジシロキシ単位；
１０〜６０モル％の［Ｒ７ＳｉＯ３／２］によって表されるトリシロキシ単位；及び
２〜２５モル％の［≡ＳｉＯＨ］によって表されるシラノール基；
式中、
各Ｒ６は独立して、Ｃ１〜Ｃ３０の炭化水素基を表し、
各Ｒ７は独立して、Ｃ１〜Ｃ２０の炭化水素基を表し、
ジシロキシ単位［Ｒ６２ＳｉＯ２／２］は、平均１０〜４００（例えば、５０〜３００）のジシロキシ単位［Ｒ６２ＳｉＯ２／２］を含む直鎖状ブロック中に存在し、
トリシロキシ単位は、少なくとも５００ｇ／モルの分子量を有する非直鎖状ブロック中に存在し、
各直鎖状ブロックは、少なくとも１つの非直鎖状ブロックに結合される。
【００８６】
炭化水素基の例としては、本明細書で説明される１価の炭化水素基が挙げられる。
【００８７】
このオルガノポリシロキサンブロックコポリマーは、少なくとも２０，０００ｇ／モルの重量平均分子量（Ｍｗ）、あるいは少なくとも４０，０００ｇ／モルの重量平均分子量、あるいは少なくとも５０，０００ｇ／モルの重量平均分子量、あるいは少なくとも６０，０００ｇ／モルの重量平均分子量、あるいは少なくとも７０，０００ｇ／モルの重量平均分子量、あるいは少なくとも８０，０００ｇ／モルの重量平均分子量を有する。一部の実施形態では、このオルガノシロキサンブロックコポリマーは、約２０，０００ｇ／モル〜約２５０，０００ｇ／モル、又は約１００，０００ｇ／モル〜約２５０，０００ｇ／モルの重量平均分子量（Ｍｗ）、あるいは約４０，０００ｇ／モル〜約１００，０００ｇ／モルの重量平均分子量、あるいは約５０，０００ｇ／モル〜約１００，０００ｇ／モルの重量平均分子量、あるいは約５０，０００ｇ／モル〜約８０，０００ｇ／モルの重量平均分子量、あるいは約５０，０００ｇ／モル〜約７０，０００ｇ／モルの重量平均分子量、あるいは約５０，０００ｇ／モル〜約６０，０００ｇ／モルの重量平均分子量を有する。更に他の実施形態では、このオルガノシロキサンブロックコポリマーの重量平均分子量は、４０，０００〜１００，０００、５０，０００〜９０，０００、６０，０００〜８０，０００、６０，０００〜７０，０００、１００，０００〜５００，０００、１５０，０００〜４５０，０００、２００，０００〜４００，０００、２５０，０００〜３５０，０００、又は２５０，０００〜３００，０００ｇ／モルである。更に他の実施形態では、このオルガノシロキサンブロックコポリマーは、４０，０００〜６０，０００、４５，０００〜５５，０００、又は約５０，０００ｇ／モルの重量平均分子量を有する。
【００８８】
一部の実施形態では、この少なくとも１種のオルガノポリシロキサンブロックコポリマーを含む組成物は、ＡＳＴＭ  Ｄ５４２を使用して判定される、少なくとも１．４の屈折率を有する。一部の実施形態では、この少なくとも１種のオルガノシロキサンブロックコポリマーを含む組成物は、約１．４〜約２．５、例えば約１．５〜約２．５、約１．７〜約２．４、約１．４〜約１．７、又は約１．９〜約２．３の屈折率を有する。
【００８９】
許容可能なオルガノポリシロキサンブロックコポリマーの例としては、国際公開第２０１２／０４０４５７号、同第２０１２／０４０４５３号、同第２０１２／０４０３６７号、同第２０１２／０４０３０５号、及び同第２０１２／０４０３０２号で開示されるものが挙げられ、これらは、本明細書に完全に記載されているかのように、参照により組み込まれる。
【００９０】
一部の実施形態では、本発明は、本発明の組成物を含むシリコーンフィルムに関する。本発明のシリコーンフィルムの少なくとも２０重量％、少なくとも５０重量％、少なくとも７０重量％、少なくとも９０重量％は、この組成物によって構成され、又は一部の実施形態では、フィルムは、この組成物のみによって構成される。
【００９１】
本発明による組成物及びシリコーンフィルムは、少なくとも１種の蛍光体を含み得る。２種以上の蛍光体の組み合わせもまた、使用することができる。それゆえ、例えば、本発明の様々な実施形態による組成物又はシリコーンフィルムを使用して、ＬＥＤなどの発光体を封止する場合には、その放射光の波長を変換して、そのＬＥＤなどによって放出される光の色を調節することが可能となり得る。更には、この蛍光体は、シート内部に含まれるため、ＬＥＤ又は他の発光体を容易に位置決めすることができ、その色を容易に調節することができる。発光色の調節の直後に、圧縮成形又は積層工程もまた実行することにより、効率的に封止体を得ることができる。更には、この蛍光体は、液体中には存在していないため、保管の間に、不均一な濃度分布をもたらす恐れがある、蛍光体の沈降が生じることがない。
【００９２】
この蛍光体は、任意の既知の蛍光体とすることができ、また、その単層シートの厚さを増大させ、良好に波長を変換するために、この蛍光体の最小含有量は、一部の実施形態では、本発明による組成物又はシリコーンフィルムの総重量に対して、少なくとも０．０１重量％、少なくとも０．１重量％、又は少なくとも１重量％である。他の実施形態では、単層シートの厚さを低減しつつ、波長を変換するために、蛍光体の最小含有量は、一部の実施形態では、１０重量％、２０重量％、又は５０重量％である。更に他の実施形態では、単層シートの厚さを低減しつつ、波長を変換するために、蛍光体の最大含有量は、一部の実施形態では、９５重量％、９０重量％、８０重量％、又は５０重量％である。更に他の実施形態では、単層シートの厚さを増大させつつ、波長を変換するために、蛍光体の最大含有量は、３０重量％、２０重量％、又は１０重量％である。この蛍光体は、その粒径が、一部の実施形態では、少なくとも１０ｎｍ、１０ｎｍ〜１００μｍ、又は１００ｎｍ〜３０μｍであるような、例えばＣＩＬＡＳレーザ測定デバイスなどを利用するレーザ光回折法を介した粒子分布測定で測定される、粒径範囲を有する。
【００９３】
本発明によるシリコーンフィルムの厚さに対する特定の制限は存在せず、例えば、１０μｍ〜１０ｍｍ、又は２０μｍ〜５ｍｍである。
【００９４】
この蛍光体は、例えばＬＥＤからの光を吸収して、その光を異なる波長に変換することが可能な、任意の蛍光体とすることができる。例としては、ユーロピウム若しくはセリウムなどのランタニド元素によって主に活性化される窒化物蛍光体及び酸窒化物蛍光体、ユーロピウムなどのランタニド若しくはマンガンなどの遷移金属元素によって主に活性化されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩蛍光体、アルカリ土類硫化物蛍光体、アルカリ土類チオガレート蛍光体、アルカリ土類窒化ケイ素蛍光体、ゲルマン酸塩蛍光体、セリウムなどのランタニド元素によって主に活性化される希土類アルミン酸塩蛍光体、希土類ケイ酸塩蛍光体、ユーロピウムなどのランタニド元素によって主に活性化される有機蛍光体及び有機錯体蛍光体、並びにＣａ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系オキシ窒化物ガラス蛍光体のうちの１つ以上が挙げられる。許容可能な蛍光体の具体例は、以下で列挙されるが、本発明は、それらに限定されるものではない。
【００９５】
ユーロピウム又はセリウムなどのランタニド元素によって主に活性化される、窒化物蛍光体の例としては、Ｍ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ（式中、Ｍは、ストロンチウム、カルシウム、バリウム、マグネシウム、及び亜鉛から選択される少なくとも１種である）が挙げられる。Ｍ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕに加えて、他の例としては、ＭＳｉ７Ｎ１０：Ｅｕ、Ｍ１．８Ｓｉ５Ｏ０．２Ｎ８：Ｅｕ、及びＭ０．９Ｓｉ７Ｏ０．１Ｎ１０：Ｅｕ（式中、Ｍは、ストロンチウム、カルシウム、バリウム、マグネシウム、及び亜鉛から選択される少なくとも１種である）が挙げられる。
【００９６】
ユーロピウム又はセリウムなどのランタニド元素によって主に活性化される、酸窒化物蛍光体の例としては、ＭＳｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕ（式中、Ｍは、ストロンチウム、カルシウム、バリウム、マグネシウム、及び亜鉛から選択される少なくとも１種である）が挙げられる。
【００９７】
ユーロピウムなどのランタニド元素又はマンガンなどの遷移金属元素によって主に活性化される、アルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体の例としては、Ｍ５（ＰＯ４）３Ｘ：Ｒ（式中、Ｍは、ストロンチウム、カルシウム、バリウム、マグネシウム、及び亜鉛から選択される少なくとも１種であり、Ｘは、フッ素、塩素、臭素、及びヨウ素から選択される少なくとも１種であり、Ｒは、ユーロピウム、マンガン、あるいはユーロピウム及びマンガンから選択される少なくとも１種である）が挙げられる。
【００９８】
アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体の例としては、Ｍ２Ｂ５Ｏ９Ｘ：Ｒ（式中、Ｍは、ストロンチウム、カルシウム、バリウム、マグネシウム、及び亜鉛から選択される少なくとも１種であり、Ｘは、フッ素、塩素、臭素、及びヨウ素から選択される少なくとも１種であり、Ｒは、ユーロピウム、マンガン、あるいはユーロピウム及びマンガンから選択される少なくとも１種である）が挙げられる。
【００９９】
アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光の例としては、ＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｒ、Ｓｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｒ、ＣａＡｌ２Ｏ４：Ｒ、ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２７：Ｒ、ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ１２：Ｒ、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｒ（式中、Ｒは、ユーロピウム、マンガン、あるいはユーロピウム及びマンガンから選択される少なくとも１種である）が挙げられる。
【０１００】
アルカリ土類硫化物蛍光体の例としては、Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、及びＧｄ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕが挙げられる。
【０１０１】
セリウムなどのランタニド元素によって主に活性化される、希土類アルミン酸塩蛍光体の例としては、組成式Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、（Ｙ０．８Ｇｄ０．２）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、Ｙ３（Ａｌ０．８Ｇａ０．２）５Ｏ１２：Ｃｅ、及び（Ｙ，Ｇｄ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２によって表される、ＹＡＧ蛍光体が挙げられる。他の例としては、イットリウムが、テルビウム、ルテニウムなどによって、部分的又は完全に置換された、Ｔｂ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ、及びＬｕ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅなどの蛍光体が挙げられる。
【０１０２】
他の蛍光体としては、ＺｎＳ：Ｅｕ、Ｚｎ２ＧｅＯ４：Ｍｎ、及びＭＧａ２Ｓ４：Ｅｕ（式中、Ｍは、ストロンチウム、カルシウム、バリウム、マグネシウム、及び亜鉛から選択される少なくとも１種であり、Ｘは、フッ素、塩素、臭素、及びヨウ素から選択される少なくとも１種である）が挙げられる。
【０１０３】
上述の蛍光体はまた、ユーロピウムの代わりに、又はそれに加えて、テルビウム、銅、銀、金、クロム、ネオジム、ジスプロシウム、コバルト、ニッケル、及びチタニウムから選択される少なくとも１種も含有し得る。
【０１０４】
Ｃａ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系オキシ窒化物ガラス蛍光体は、オキシ窒化物ガラスをマトリクス材料とすることによって構成される蛍光体であり、ＣａＯ換算で２０〜５０モル％のＣａＣＯ３、０〜３０モル％のＡｌ２Ｏ３、２５〜６０モル％のＳｉＯ、５〜５０モル％のＡｌＮ、及び０．１〜２０モル％の希土類酸化物若しくは遷移金属酸化物を含み、これらの５種の成分の合計は、１００モル％である。オキシ窒化物ガラスをマトリクス材料とすることによって構成される蛍光体は、１５重量％以下の窒素を含有し、この蛍光ガラスは、好ましくは、希土類酸化物イオンの他に、希土類酸化物として増感剤を構成する、０．１〜１０モル％の別の希土類元素イオンを、共賦活剤として含有する。
【０１０５】
上述の蛍光体以外の、同様の特性及び効果を有する別の蛍光体もまた、使用することができる。
【０１０６】
本発明の様々な実施形態による組成物又はシリコーンフィルムは、本発明による組成物と、必要に応じて上述の無機粒子及び／又は蛍光体のうちの１種以上とを混合し、得られた混合物を、比較的短時間にわたって加熱して、部分的に架橋させることによって製造することができる。この加熱温度は、５０〜２００℃、又は８０〜１５０℃である。加熱時間は、１〜２０分、又は５〜１５分である。本発明による組成物又は混合物は、ヒドロシリル化反応を介して部分的に架橋され、室温では高い硬度を有する固体であり、１００℃以上などの高温では軟化又は液化する架橋物である、本発明のシリコーンフィルムを形成する。
【０１０７】
本発明はまた、本発明による組成物を含有する少なくとも１つの層を含む、積層体、例えば、このシリコーンフィルムと少なくとも１つの他のシートとを備える積層体にも関する。
【０１０８】
本発明による積層体の厚さに対する特定の制限は存在せず、例えば、１０μｍ〜１０ｍｍ、１００μｍ〜８ｍｍ、又は０．５〜５ｍｍである。
【０１０９】
他のシートの厚さに対する特定の制限は存在せず、それらのシートは、存在する場合、本発明によるシリコーンフィルムと同じ厚さを有し得るか、又は必要に応じて、より薄くすることも可能であり、その場合には、例えば０．１μｍ〜３ｍｍ、又は１μｍ〜２ｍｍの厚さである。
【０１１０】
他のシートは、存在する場合、シリコーンフィルムを支持するための、支持シートとすることができる。この支持シートは、単層シート、又は、複数のフィルムを重ね合わせた多層シートとすることができる。他のシートはまた、シリコーンフィルムに埃などが付着することを防止するための、保護シートとすることもできる。支持シートの材料に対しては、シリコーンフィルムを支持することが可能である限り、特定の制限は存在しない。保護シートの材料に対しては、シリコーンフィルムから剥離することが可能である限り、特定の制限は存在しない。支持シート及び保護シートの材料の例としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、ポリイミド、ポリテトラフルオロエチレン、エチレン−テトラフルオロエチレンコポリマー樹脂、三酢酸セルロースなどが挙げられる。フッ素含有剥離剤又はシリコーン含有剥離剤などの表面処理剤を、支持シート又は保護シートの表面に適用することができる。支持シートは、圧縮成形又は積層工程の前に、若しくはそれらの工程中に、剥離することができる。支持シートは、シリコーン組成物層と同時に機械加工することができ、そのような場合には、そのシートは、機械加工の後にシリコーン組成物層から剥離することができ、又は、シリコーン組成物層に接合させたまま残すこともできる。
【０１１１】
他のシートは、存在する場合、２０１４年１２月２０日出願の国際出願第ＰＣＴ／ＵＳ２０１３／０７７０７４号で説明されるものなどの、少なくとも１種の非ホットメルト硬化性シリコーン組成物を含み得るものであり、その開示の全体は、本明細書に完全に記載されているかのように、参照により組み込まれる。
（実施例）
【０１１２】
３つの非限定的な成形型のタイプが、本明細書で説明される。
成形型タイプＡ：ナノ柱状パターン成形型ＣＯＰ（環状オレフィンポリマー）フィルムＦＬＰ２３０／２００／４６０−１２０（Φ２３０ｎｍ、パターン高さ２００ｎｍ、ピッチ４００ｎｍ、フィルム厚さ０．２ｍｍ、Ｋｙｏｄｏ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ，Ｉｎｃより購入）。
成形型タイプＢ：ランダムなモスアイパターン金属成形型（Ｔｏｋａｉ  Ｓｅｉｍｉｔｓｕ  Ｋｏｇｙｏ  Ｃｏ．，ＬＴＤによる製造、パターン高さ：２１２ｎｍ、パターンピッチ：１３０ｎｍ）。
成形型タイプＣ：マイクロメッシュ（メッシュ数３２５、線径２８０μｍ）。
【０１１３】
以下の様々な非限定的実施例で説明されるＬＥＤデバイスは、ＬＥＤチップ区域の周囲に白色ドームを有さない、ＭＡ５０５０−Ａ２（サイズ：５０×５０ｍｍ、基板上に１００個のＬＥＤチップを有するもの）とした。ＬＥＤデバイスＭＡ５０５０上のＬＥＤチップのサイズは、２６０μｍ×５８５μｍ、厚さ９０μｍであった。
【０１１４】
以下の表１は、本明細書で提示される様々な非限定的実施例で説明される、パターン化ｓを要約するものである。
【表１】
2017520918.tif 000003
【０１１５】
実施例１：ホットメルトシリコーンフィルム１
２Ｌの３つ首丸底フラスコに、５４４ｇのトルエン、及び２１６グラムのフェニル−Ｔ樹脂（ＦＷ＝１３６．６ｇ／モルＳｉ；３５．０ｇ、０．２５６モルＳｉ）を投入する。このフラスコには、温度計、テフロン（登録商標）撹拌パドル、及び、トルエンが予め充填され、かつ水冷凝縮器に取り付けられたＤｅａｎ  Ｓｔａｒｋ装置が装備されている。次いで、窒素ブランケットを適用する。油浴を使用して、還流させながら３０分間にわたってフラスコを加熱する。続いて、このフラスコを、約１０８℃（ポット温度）まで冷却する。
【０１１６】
次いで、トルエン（１７６ｇ）及びシラノール末端ＰｈＭｅシロキサン（１４０ｄｐ、ＦＷ＝１３６．３ｇ／モルＳｉ、１．２４モル％ＳｉＯＨ、２６４ｇ）の溶液を調製し、このシロキサンに５０／５０のＭＴＡ／ＥＴＡ（平均ＦＷ＝２３１．２ｇ／モルＳｉ、４．８４ｇ、０．０２０９モルＳｉ）を添加し、室温で２時間にわたって混合することによって、窒素下のグローブボックス内で、シロキサンを５０／５０のＭＴＡ／ＥＴＡで封鎖する（同日）。次いで、封鎖されたシロキサンを、１０８℃でフェニル−Ｔ樹脂／トルエン溶液に添加し、約２時間にわたって還流させる。
【０１１７】
還流の後、この溶液を冷却して約１０８℃に戻し、追加量の５０／５０のＭＴＡ／ＥＴＡ（平均ＦＷ＝２３１．２ｇ／モルＳｉ、３８．３２ｇ、０．１６６モルＳｉ）を添加し、次いで、その溶液を更に２時間にわたって還流させる。
【０１１８】
次いで、この溶液を９０℃まで冷却し、３３．６３ｇのＤＩ水を添加する。次いで、この溶液を、還流させながら１時間にわたって加熱し、共沸蒸留を介して水を除去する。次いで、この溶液を、更に３時間にわたって加熱し、次いで１００℃まで冷却する。続いて、４．８グラムのＤａｒｃｏ  Ｇ６０カーボンブラックを添加し、その溶液を、撹拌しながら室温まで冷却して、室温で一晩撹拌する。次いで、５．０μｍのフィルタを通して圧力濾過することにより、固体組成物を単離する。
【０１１９】
次いで、その固体組成物５０．０１ｇをトルエン中に溶解して、５８．２％固形分溶液を形成する。次いで、０．１５グラムの１重量％ＤＢＵ触媒／トルエン溶液を添加し、その溶液を、３０℃及び１．７Ｋｐａ（１３トル）で２時間にわたって蒸留することにより、３６．０５ｇ（８０．７％固形分溶液）を得る。続いて、この溶液を、ＰＥＴフィルム上に厚さ約１ｍｍで流延させた後、４日間にわたって窒素下で乾燥させる。次いで、過剰な溶媒を、真空炉中で２時間にわたって、５０℃の真空下で更に除去する。この固体組成物を８０℃で押圧することによって、４００μｍの厚さを有するホットメルトシリコーンフィルム１を得た。
【０１２０】
実施例２：ホットメルトシリコーンフィルム２（Ｂステージ）
平均単位式：（ＭｅＶｉＳｉＯ２／２）０．２５（Ｐｈ２ＳｉＯ２／２）０．３（ＰｈＳｉＯ３／２）０．４５によって表されるメチルビニルポリシロキサン７５質量部、式：（ＨＭｅ２ＳｉＯ）２ＳｉＰｈ２によって表されるトリシロキサン２５質量部、ＶｉＭｅ２ＳｉＯ（ＭｅＰｈＳｉＯ）１７．５ＳｉＶｉＭｅ２によって表されるメチルフェニルポリシロキサン１０質量部、白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−メチルジシロキサンの１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン溶液（組成物の全量に対して、白金金属が質量単位で４０ｐｐｍとなるような量）、及びエチニルヘキサノール（組成物の全量に対して、質量単位で６００ｐｐｍに相当する量）を加えて、均質になるまで混合することにより、２５℃で８，６３０ｍＰａ・ｓの粘度を有する、液体ヒドロシリル化硬化性シリコーン組成物を調製した。得られたシリコーン組成物を、厚さ１ｃｍの成形型に流し込み、プレス装置内で３０分間にわたって１００℃で加熱して、冷却した後、２５℃でのタイプＡ硬さの測定値は、６８の結果を得た。得られたシリコーン組成物を、加熱プレス装置内で３０分間にわたって１００℃で加熱することにより、厚さ４００マイクロメートルの透明ホットメルトシリコーンフィルム２を得た。
【０１２１】
実施例３：ホットメルトシリコーンフィルム３
以下の平均単位式によって表される、２５℃で固体のオルガノポリシロキサン３５質量部：
（Ｍｅ２ＶｉＳｉＯ１／２）０．０８（Ｍｅ３ＳｉＯ１／２）０．４４（ＳｉＯ４／２）０．５２、
以下の式によって表される、２５℃で液体のオルガノポリシロキサン１１質量部：
Ｍｅ２ＶｉＳｉＯ（ＳｉＭｅ２Ｏ）８０ＳｉＭｅ２Ｖｉ、
及び以下の式によって表される、２５℃で液体のオルガノポリシロキサン４質量部：
Ｍｅ２ＨＳｉＯ（ＳｉＭｅ２Ｏ）３０ＳｉＭｅ２Ｈ
を、５０質量部のキシレン中に溶解した。白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンの１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン溶液（組成物の全量に対して、金属白金の量が質量単位で５ｐｐｍとなるような量）を添加して、フラスコ内で６時間にわたって１００℃で加熱した。ケイ素原子結合水素原子は、ＦＴ−ＩＲを介して検出されることなく、ヒドロシリル化反応の進行が確認された。以下の平均式によって表される、２５℃で液体のオルガノポリシロキサン４質量部：
Ｍｅ３ＳｉＯ（ＳｉＭｅＨＯ）２０ＳｉＭｅ３、
及びエチニルヘキサノール（組成物の全量に対して、質量単位で１，０００ｐｐｍに相当する量）を、得られた溶液に添加し、全体を混合した後、ロータリーエバポレータを使用して８０℃でキシレンを除去することにより、ヒロドシリル化硬化性シリコーン組成物を調製した。この液体ヒロドシリル化硬化性シリコーン組成物を１００℃で押圧することによって、４００μｍの厚さを有するホットメルトシリコーンフィルム３を得た。
【０１２２】
実施例４：ホットメルトシリコーンフィルム４
以下の平均単位式によって表される、２５℃で固体のオルガノポリシロキサン４３質量部：
（Ｍｅ２ＶｉＳｉＯ１／２）０．２５（ＰｈＳｉＯ３／２）０．７５、
【０１２３】
及び２５℃で液体の１，１，５，５−ヘキサメチル−３，３−ジフェニルトリシロキサン７質量部を、５０質量部のトルエン中に溶解した。白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンの１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン溶液（組成物の全量に対して、金属白金の量が質量単位で５ｐｐｍとなるような量）を添加して、フラスコ内で６時間にわたって１００℃で加熱した。ケイ素原子結合水素原子は、ＦＴ−ＩＲを介して検出されることなく、ヒドロシリル化反応の進行が確認された。以下の平均単位式によって表される、２５℃で液体のオルガノポリシロキサン６質量部：
（Ｍｅ２ＨＳｉＯ１／２）０．６０（ＰｈＳｉＯ３／２）０．４０、
【０１２４】
及びエチニルヘキサノール（組成物の全量に対して、質量単位で１，０００ｐｐｍに相当する量）を、得られた溶液に添加し、全体を混合した後、ロータリーエバポレータを使用して８０℃でトルエンを除去することにより、ヒロドシリル化硬化性シリコーン組成物を調製した。この液体ヒロドシリル化硬化性シリコーン組成物を１００℃で押圧することによって、４００μｍの厚さを有するホットメルトシリコーンフィルム４を得た。
【０１２５】
実施例５：ホットメルトシリコーンフィルム５（Ａステージ）
以下の平均単位式によって表される、２５℃で固体のオルガノポリシロキサン４３質量部：
（ＭｅＶｉＳｉＯ２／２）０．１０（Ｍｅ２ＳｉＯ２／２）０．１５（ＰｈＳｉＯ３／２）０．７５、
及び以下の式によって表される、２５℃で液体のオルガノポリシロキサン７質量部：
（Ｍｅ２ＨＳｉＯ１／２）０．６０（ＰｈＳｉＯ３／２）０．４０
を、５０質量部のトルエン中に溶解した。白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンの１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン溶液（組成物の全量に対して、金属白金の量が質量単位で５ｐｐｍとなるような量）、及び１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン０．００１質量部を添加して混合した後、ロータリーエバポレータを使用して６０℃でトルエンを除去することにより、固体ヒロドシリル化硬化性シリコーン組成物を調製した。得られた固体ヒロドシリル化硬化性シリコーン組成物を、１００℃のプレス装置を使用して圧縮することにより、厚さ４００マイクロメートルのホットメルトシリコーンフィルム５を得た。
【０１２６】
実施例６
ホットメルトシリコーンフィルム１を、ＬＥＤデバイスＭＡ５０５０−Ａ２（ＬＥＤチップ区域の周囲に白色ドームを有さない、サイズ：５０×５０ｍｍの、基板上に１００個のＬＥＤチップを有するもの）上に接触させた。このＬＥＤデバイス及びホットメルトシリコーンフィルム１を、真空ラミネータ（Ｎｉｓｓｈｉｎｂｏ  Ｍｅｃｈａｔｒｏｎｉｃｓ  Ｉｎｃ．による製造の、製品名：ラミネータ０５０５Ｓ）内に設置した。パターン化ＣＯＰフィルム（成形型タイプＡ）を、そのＣＯＰフィルム上のパターンがホットメルトシリコーンフィルム１に面する状態で、ホットメルトシリコーンフィルム１上に位置決めした。次いで、第１チャンバ及び第２チャンバの空気を真空引きした。第２チャンバに空気を通すことにより、パターン化ＣＯＰフィルムによって押圧されたホットメルトシリコーンフィルム１を、１３５℃で２０分間にわたって、ＬＥＤデバイス上に積層させた。ＬＥＤデバイス上のシリコーン封入体１を得た。パターン化ＣＯＰフィルムを剥離した後、ナノパターン化表面の特性である弱い青色又は緑色の光反射が、シリコーン封入体１上で観察された。シリコーン封入体１の表面を、ＳＰＭ（走査型プローブ顕微鏡）によって走査した。得られたＳＰＭ画像は、その表面が、多くのナノサイズのディンプルを有することを示すものであった。シリコーン封入体１の断面を、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）によって観察した。インプリントされたディンプルの深さは、約１２０ｎｍ〜１６０ｎｍであった。
【０１２７】
実施例７
ランダムなモスアイパターンの金属成形型（成形型タイプＢ）を、１５０℃の真空加熱プレスによってＥＴＦＥ剥離フィルム上に押圧することによって、ＥＴＦＥ剥離フィルム１を得た。ホットメルトシリコーンフィルム１を、ＬＥＤデバイスＭＡ５０５０−Ａ２（ＬＥＤチップ区域の周囲に白色ドームを有さない、サイズ：５０×５０ｍｍの、基板上に１００個のＬＥＤチップを有するもの）上に接触させた。このＬＥＤデバイス及びホットメルトシリコーンフィルム１を、真空ラミネータ（Ｎｉｓｓｈｉｎｂｏ  Ｍｅｃｈａｔｒｏｎｉｃｓ  Ｉｎｃ．による製造の、製品名：ラミネータ０５０５Ｓ）内に設置した。ＥＴＦＥ剥離フィルム１を、そのＥＴＦＥ剥離フィルム１のパターンがホットメルトシリコーンフィルム１に面する状態で、ホットメルトシリコーンフィルム１上に位置決めした。次いで、第１チャンバ及び第２チャンバの空気を真空引きした。第２チャンバに空気を通すことにより、ＥＴＦＥ剥離フィルム１によって押圧されたホットメルトシリコーンフィルム１を、１３５℃で２０分間にわたって、ＬＥＤデバイス上に積層させた。ＬＥＤデバイス上のシリコーン封入体２を得た。この剥離フィルムを剥離した後、インプリントされたシリコーン封入体２の表面パターンを、ＳＰＭによって観察した。
【０１２８】
実施例８
ホットメルトシリコーンフィルム１を、ＬＥＤデバイスＭＡ５０５０−Ａ２（ＬＥＤチップ区域の周囲に白色ドームを有さない、サイズ：５０×５０ｍｍの、基板上に１００個のＬＥＤチップを有するもの）上に接触させた。このＬＥＤデバイス及びホットメルトシリコーンフィルム１を、真空ラミネータ（Ｎｉｓｓｈｉｎｂｏ  Ｍｅｃｈａｔｒｏｎｉｃｓ  Ｉｎｃ．による製造の、製品名：ラミネータ０５０５Ｓ）内に設置した。平坦なＥＴＦＥフィルムを、ホットメルトシリコーンフィルム１上に位置決めした。次いで、第１チャンバ及び第２チャンバの空気を真空引きした。第２チャンバに空気を通すことにより、ＥＴＦＥフィルムによって押圧されたホットメルトシリコーンフィルム１を、１３５℃で２０分間にわたって、ＬＥＤデバイス上に積層させた。このＥＴＦＥフィルムを剥離した後、得られたＬＥＤアセンブリを、３時間にわたって、１７０℃の炉内で硬化させた。このシリコーン封入体上に、金属メッシュ（成形型タイプＣ）を置き、次いで、真空ラミネータによって、そのメッシュを１３５℃で押圧した。金属メッシュを剥離した後、ＬＥＤアセンブリ内のシリコーン封入体３を得た。インプリントされたシリコーン封入体３の表面パターンを、光学顕微鏡によって観察した。
【０１２９】
実施例９
マイクロメッシュ（成形型タイプＣ）を、１５０℃の真空加熱プレスによってＥＴＦＥ剥離フィルム上に押圧することによって、ＥＴＦＥ剥離フィルム２を得た。ホットメルトシリコーンフィルム１を、ＬＥＤデバイスＭＡ５０５０−Ａ２（ＬＥＤチップ区域の周囲に白色ドームを有さない、サイズ：５０×５０ｍｍの、基板上に１００個のＬＥＤチップを有するもの）上に接触させた。このＬＥＤデバイス及びホットメルトシリコーンフィルム１を、真空ラミネータ（Ｎｉｓｓｈｉｎｂｏ  Ｍｅｃｈａｔｒｏｎｉｃｓ  Ｉｎｃ．による製造の、製品名：ラミネータ０５０５Ｓ）内に設置した。ＥＴＦＥ剥離フィルム２を、そのＥＴＦＥ剥離フィルム２のパターンがホットメルトシリコーンフィルム１に面する状態で、ホットメルトシリコーンフィルム１上に位置決めした。次いで、第１チャンバ及び第２チャンバの空気を真空引きした。第２チャンバに空気を通すことにより、ＥＴＦＥ剥離フィルム２によって押圧されたホットメルトシリコーンフィルム１を、１３５℃で２０分間にわたって、ＬＥＤデバイス上に積層させた。ＬＥＤデバイス上のシリコーン封入体４を得た。この剥離フィルムを剥離した後、インプリントされたシリコーン封入体４の表面パターンを、ＳＰＭによって観察した。
【０１３０】
実施例１０
実施例９で説明されるものと同じプロセスによって、ホットメルトシリコーンフィルム１の代わりに、ホットメルトシリコーンフィルム２を、１５０℃で１０分間にわたって、ＬＥＤデバイス上に積層させた。ＬＥＤデバイス上のシリコーン封入体５を得た。剥離フィルムを剥離した後、インプリントされたシリコーン封入体５の表面パターンを、ＳＰＭによって観察した。
【０１３１】
実施例１１
実施例９で説明されるものと同じプロセスによって、ホットメルトシリコーンフィルム１の代わりに、ホットメルトシリコーンフィルム３を、１５０℃で１０分間にわたって、ＬＥＤデバイス上に積層させた。ＬＥＤデバイス上のシリコーン封入体６を得た。剥離フィルムを剥離した後、インプリントされたシリコーン封入体５の表面パターンを、ＳＰＭによって観察した。
【０１３２】
実施例１２
実施例９で説明されるものと同じプロセスによって、ホットメルトシリコーンフィルム４の代わりに、ホットメルトシリコーンフィルム３を、１５０℃で１０分間にわたって、ＬＥＤデバイス上に積層させた。ＬＥＤデバイス上のシリコーン封入体７を得た。剥離フィルムを剥離した後、インプリントされたシリコーン封入体７の表面パターンを、ＳＰＭによって観察した。
【０１３３】
実施例１３
実施例９で説明されるものと同じプロセスによって、ホットメルトシリコーンフィルム５の代わりに、ホットメルトシリコーンフィルム５を、１５０℃で１０分間にわたって、ＬＥＤデバイス上に積層させた。ＬＥＤデバイス上のシリコーン封入体８を得た。剥離フィルムを剥離した後、インプリントされたシリコーン封入体８の表面パターンを、ＳＰＭによって観察した。
【０１３４】
参照実施例１
実施例６で説明されるものと同じプロセスによって、パターン化ＣＯＰフィルムの代わりに、平坦なＥＴＦＥフィルムによって、ホットメルトシリコーンフィルム１を積層させた。ＬＥＤデバイス上のシリコーン封入体９を得た。ＥＴＦＥフィルムを剥離した後、シリコーン封入体９の平坦表面を、ＳＰＭによって観察した。
【０１３５】
実施例１３：光出力（ＬＯＰ）測定
実施例７及び参照実施例１で得られたＬＥＤアセンブリのＬＯＰを、ＨａｌｆＭｏｏｎ（Ｏｔｓｕｋａ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  Ｃｏ．，ＬＴＤによる製造）によって測定した。積層プロセスの前、実施例７及び参照実施例１で使用されたＬＥＤデバイスのＬＯＰは、７００ｍＡの電流で、それぞれ、１７４０ｍＷ及び１７４４ｍＷであった。積層の後、それらのＬＯＰは、それぞれ、１７７２及び１７６２であった。ＬＯＰ比（積層後のＬＯＰ／積層前のＬＯＰ）を算出した。実施例７におけるＬＥＤアセンブリのＬＯＰは、参照実施例１におけるものよりも良好であった。
【表２】
2017520918.tif 000004
【０１３６】
本明細書で説明及び特許請求される本発明の実施形態は、本明細書で開示された特定の実施形態によって範囲が限定されるものではないが、これは、それらの実施形態が、本開示の幾つかの態様の例示として意図されるものであるためである。いずれの等価な実施形態も、本開示の範囲内にあることが意図される。実際に、当業者には、本明細書で図示及び説明される実施形態に加えて、それらの実施形態の様々な修正形態が、前述の説明から明らかとなるであろう。そのような修正形態もまた、添付の特許請求の範囲内に包含されることが意図される。
【０１３７】
本明細書では、広範かつ包括的に本発明が説明されてきた。この包括的開示に包含される、より狭義の種及び下位の分類のそれぞれもまた、本発明の一部を形成する。このことは、本発明の包括的説明が、削除される材料が本明細書で具体的に列挙されるか否かに関わりなく、条件又は否定的限定付きで、その総括的概念から任意の主題を排除することを包含する。更には、本発明の特徴又は態様が、マーカッシュ群によって説明されている場合、当業者には、本発明がまた、それにより、そのマーカッシュ群の任意の個々の要素又は要素の下位群によっても説明されることが認識されるであろう。
【０１３８】
本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用するとき、単数形「ａ」、「ａｎ」、及び「ｔｈｅ」は、文脈により明白に別段の指示がない限り、複数形の指示対象を含む。それゆえ、例えば、「ａ  ｒｅａｃｔｏｒ（反応装置）」への言及は、一連の反応装置などの、複数の反応装置を包含する。本文書では、用語「又は」は、別段の指示がない限り、「Ａ又はＢ」が、「ＡではあるがＢではない」、「ＢではあるがＡではない」、及び「Ａ及びＢ」を包含するような、非排他的な「又は」を指すために使用される。
【０１３９】
範囲形式で表される値は、その範囲の限界として明記された数値を含むだけではなく、各数値及び部分的範囲が明記されているかのように、その範囲内に包含される全ての個々の数値又は部分的範囲もまた含むように、柔軟な方式で解釈されるべきである。例えば、「約０．１％〜約５％」又は「約０．１％〜５％」の範囲は、単に約０．１％〜約５％を含むだけではなく、示される範囲内の個々の値（例えば、１％、２％、３％、及び４％）及び部分的範囲（例えば、０．１％〜０．５％、１．１％〜２．２％、３．３％〜４．４％）もまた含むように解釈されるべきである。記述「約Ｘ〜Ｙ」は、別段の指示がない限り、「約Ｘ〜約Ｙ」と同じ意味を有する。同様に、記述「約Ｘ、Ｙ、又は約Ｚ」は、別段の指示がない限り、「約Ｘ、約Ｙ、又は約Ｚ」と同じ意味を有する。
【０１４０】
本明細書で説明される方法では、複数の工程は、本発明の原理から逸脱することなく、任意の順序で実施することができるが、ただし、時間的順序又は操作順序が明記されている場合は除く。更には、特定の複数の工程は、それらが別々に実施されることが特許請求の範囲の言葉で明記されていない限り、同時に実施することができる。例えば、Ｘを行うという特許請求がなされた工程とＹを行うという特許請求がなされた工程とは、単一の操作内で同時に遂行することができ、その結果的なプロセスは、特許請求されるプロセスの、文字通りの範囲内に包含される。
【０１４１】
本明細書で使用するとき、用語「約」は、値又は範囲の、ある程度の変動、例えば、記述される値又は記述される範囲の限界の、１０％以内、５％以内、又は１％以内を許容し得るものである。
【０１４２】
本明細書で言及された非特許文献（例えば、科学誌の論文）、特許出願公報、及び特許を含めた、全ての刊行物は、それぞれが参照により組み込まれることを具体的かつ個別に指示されているかのように、参照により組み込まれる。
【図１】
2017520918.tif 000005
【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【国際調査報告】
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