(57)【要約】  温度センサー用の処理済み光ファイバー（５）を製造するための方法であって、純シリカの、又はフッ素及び窒素のうちの少なくとも一種の元素でドープされた光ファイバー（１２５）の提供（１２０）を行うステップａ）と、フェムト秒レーザーを用いて、光ファイバーに少なくとも一つのブラッグ格子の刻み込み（１３０）を行うステップｂ）であって、ブラッグ格子が刻み込み済み光ファイバーの一部の長手方向に延在し、刻み込み済み光ファイバーに沿って伝播する光波を反射するのに適していて、レーザーが４５０ｍＷ以上のパワーを有する、ステップｂ）と、刻み込み済みファイバーの少なくとも一部のアニーリング（１４０）を行い、処理済み光ファイバーを得るステップｃ）とを少なくとも備える方法。こうした処理済み光ファイバーの温度センサーにおける使用。
2017507345.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
温度センサー（１）用の処理済み光ファイバー（５）を製造するための方法（１１０）であって、
純シリカの、又はフッ素及び窒素のうちの少なくとも一種の元素でドープされた光ファイバー（１２５）の提供（１２０）を行うステップａ）と、
フェムト秒レーザーを用いた前記光ファイバー（１２５）への少なくとも一つのブラッグ格子（２５）の刻み込み（１３０）を行い、刻み込み済み光ファイバー（１３５）を得るステップｂ）であって、前記ブラッグ格子（２５）が前記刻み込み済み光ファイバー（１３５）の一部の長手方向に延在し、且つ前記刻み込み済み光ファイバー（１３５）に沿って伝播する光波（３０）を反射するのに適していて、前記レーザーが４５０ｍＷ以上のパワーを有する、ステップｂ）と、
前記刻み込み済み光ファイバー（１３５）の少なくとも一部のアニーリング（１４０）を行い、前記処理済み光ファイバー（５）を得るステップｃ）と、を少なくとも備える方法（１１０）。
【請求項２】
前記レーザーを用いた刻み込み（１３０）の前記ステップｂ）が３０秒間以上の持続時間を有することを特徴とする請求項１に記載の方法（１１０）。
【請求項３】
前記ステップａ）において提供される光ファイバー（１２５）がシングルモードファイバーであることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法（１１０）。
【請求項４】
前記ステップｂ）において、１２ミリメートルから１９ミリメートルまでの短焦点距離を有するシリンドリカルレンズを用いて、前記フェムト秒レーザーの集束を行うことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の方法（１１０）。
【請求項５】
前記ステップｂ）において、前記レーザーがパルスを放出し、各パルスが１５０フェムト秒以下の幅を有することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の方法（１１０）。
【請求項６】
前記ステップａ）で提供される光ファイバー（１２５）が、２マイクロメートルから２０マイクロメートルまでの間の直径（ＤＣ）を有するコア（１５）を含むことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の方法（１１０）。
【請求項７】
前記ステップｂ）の刻み込み（１３０）中において、前記光ファイバー（１２５）に固定された４グラムから３００グラムまでの重りによって、前記光ファイバー（１２５）を伸長させることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の方法（１１０）。
【請求項８】
前記ステップｃ）のアニーリング（１４０）中において、前記刻み込み済み光ファイバー（１３５）を少なくとも１５分間にわたって５００℃以上のアニーリング温度に熱することを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の方法（１１０）。
【請求項９】
前記方法（１１０）が、前記温度センサー（１）の部品としての前記処理済み光ファイバー（５）の最大使用可能温度を決定するステップ（１５０）を更に備え、
前記ステップｃ）のアニーリング（１４０）中において、前記刻み込み済み光ファイバー（１３５）をアニーリング温度に熱し、前記アニーリング温度と前記最大使用可能温度との間の差が１００℃と２００℃との間であることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の方法（１１０）。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項の方法を用いて得られた少なくとも一つの処理済み光ファイバー（５）の温度センサー（１）における使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、温度センサー用の処理済み光ファイバーを製造するための方法に関し、少なくとも一つのブラッグ格子がレーザーを用いてファイバーに刻み込まれて、ブラッグ格子は、ファイバーの一部において長手方向に延在し、刻み込み済み光ファイバーに沿って伝播する光波を反射するのに適している。
【０００２】
本発明は、温度センサーにおけるこうした処理済み光ファイバーの使用にも関する。
【背景技術】
【０００３】
ブラッグ格子を含む光ファイバー（ＦＰＧ，Ｆｉｂｅｒ  Ｂｒａｇｇ  Ｇｒａｔｉｎｇ，ファイバーブラッググレーティング）を用いて温度を測定することが知られている。ブラッグ格子は、ファイバーの軸に沿ったファイバーのコアの屈折率の周期的変化で構成される。広帯域スペクトルでファイバーのコア内を伝播する光は、格子のピッチに依存する“ブラッグ波長”と呼ばれる特定の波長周辺で格子によって反射される。ブラッグ波長は、ブラッグ格子の温度の関数として変化して、例えば略１０ｐｍ／℃の感度を有する。
【０００４】
ブラッグ格子光ファイバーセンサーは、局所的な電源を必要とせず、電磁的乱れに敏感ではなく、測定点と測定の処理点との間の長距離にわたるオフセットを可能にし、同じファイバーに対する多数の測定点の多重化も可能にし、また、煩わしいものではなく、固有のドリフトを有さない。
【０００５】
しかしながら、こうした興味深い特性にもかかわらず、現状の光ファイバーセンサーは、過酷な環境において温度及び放射線に関する限界を示している。例えば３００度を超える高温に対しては、また、数十ｋＧｙ（キログレイ）を超える放射線量に対しては、ブラッグ格子の消滅によって、及び／又は、測定のドリフトを生じさせるブラッグ波長のオフセットによって、及び／又は、光ファイバーの伝送損失によって、徐々に測定損失が生じる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従って、本発明の目的の一つは、高温及び高放射線量に耐えることができる温度センサー用処理済み光ファイバーを製造するための方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このため、本発明は、温度センサー用の処理済み光ファイバーを製造するための方法に関し、本方法は少なくとも以下のステップを備える：
光ファイバーの提供を行うステップａ）、
フェムト秒レーザーを用いて、光ファイバーへの少なくとも一つのブラッグ格子の刻みみを行い、刻み込み済みファイバーを得るステップｂ）であって、ブラッグ格子が刻み込み済みファイバーの一部の長手方向に延在し、且つ、刻み込み済み光ファイバーに沿って伝播する光波を反射するのに適していて、レーザーが４５０ｍＷ以上のパワーを有する、ステップｂ）と、
刻み込み済みファイバーの少なくとも一部のアニーリングを行い、処理済み光ファイバーを得るステップｃ）。
【０００８】
特定の実施形態によると、本方法は、以下の特徴のうち一つ以上を、単独で又は技術的に可能な組み合わせに従って含む：
‐  レーザーを用いた刻み込みのステップｂ）は３０秒間以上の持続時間を有する；
‐  ステップａ）において提供される光ファイバーはシングルモードファイバーである；
‐  ステップａ）において提供される光ファイバーは、純シリカコアの、又はフッ素及び窒素のうちの少なくとも一種の元素でドープされた光ファイバーである；
‐  ステップｂ）において、レーザーはパルスを放出し、各パルスは１５０フェムト秒以下の幅を有する；
‐  ステップａ）において、光ファイバーは、２マイクロメートルから２０マイクロメートルまでの間の直径を有するコアを含む；
‐  ステップｂ）における刻み込み中において、光ファイバーに固定された４グラムから３００グラムまでの重りによって、光ファイバーを伸長させる；
‐  ステップｃ）のアリーリング中において、刻み込み済みファイバーを少なくとも１５分間にわたって５００℃以上のアニーリング温度に熱する；
‐  本方法は、温度センサーの部品としての処理済み光ファイバーの最大使用可能温度を決定するステップを更に備え、アニーリングのステップｃ）中において、刻み込み済みファイバーをアニーリング温度に熱し、そのアニーリング温度と最大使用可能温度との間の差は１００℃と２００℃との間である。
【０００９】
本発明は、上記方法を用いて得られる少なくとも一つの処理済み光ファイバーの温度センサーにおける使用にも関する。
【００１０】
本発明は、添付図面を参照して、単に例として提供される以下の説明を読むことでより良く理解されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明に係る方法を用いて得られた処理済み光ファイバーを含む本発明に係る温度センサーの線図である。
【図２】ブラッグ格子が晒される温度発展の関数として、図１に示される処理済み光ファイバーのブラッグ格子のブラッグ波長の発展を示すグラフである。
【図３】図１に示される処理済み光ファイバーを製造するのに適した本発明に係る方法の主要ステップを示す図である。
【図４】図１に示されるものと同様の光ファイバーのブラッグ格子のブラッグピークに対する異なるアニーリング温度の影響を示すグラフである。
【図５】二つの連続した放射段階中の図１に示されるものと同様の光ファイバーのブラッグ格子のブラッグ波長のシフトを示すグラフである。
【図６】本発明のものとは異なる方法を用いて得られた参照光ファイバーの格子のブラッグピークの振幅に対する図３に示される処理のアニーリングステップの影響を示すグラフである。
【図７】本発明に係るものと同様の方法と同様であるが、そのアニーリング温度が本発明のものと異なる方法を用いて得られたファイバーに対する二つの連続した放射の影響を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１を参照すると、本発明に係る温度センサー１が示されている。温度センサー１は処理済み光ファイバー５を備える。
【００１３】
温度センサー１は、例えば、原子炉（図示せず）内に配置される。例えば、センサー１は、熱伝達流体、例えば、加圧水型原子炉の一次冷却回路の水や、高速中性子炉の液体ナトリウムや、高活性核廃棄物を製造又は貯蔵するための施設等の温度を測定するのに用いられる。
【００１４】
簡単のため、軸Ｄに沿って延伸する処理済み光ファイバー５の一部１０のみを図１に示す。
【００１５】
処理済み光ファイバー５は、コア１５と、軸Ｄ周りでコア１５を取り囲む周辺部２０（光学シースと呼ばれることもある）と、コア１５内に位置するブラッグ格子２５とを備える。
【００１６】
代替例（図示せず）では、処理済み光ファイバー５はブラッグ格子２５と同様のブラッグ格子を複数備える。
【００１７】
処理済み光ファイバー５は、例えば、純シリカファイバーであり、又は例えばフッ素及び／又は窒素でドープされたファイバーである。処理済み光ファイバー５はブラッグ格子２５のブラッグ波長においてシングルモードファイバーである。
【００１８】
“元素でドープされた”とは、ドープされたファイバーのコア又はシースがその元素を少なくとも１０ｐｐｍ備えることを意味する。
【００１９】
コア１５は、例えば２μｍから２０μｍまでの間の直径ＤＣを有する。
【００２０】
ブラッグ格子２５は、軸Ｄに沿って交互になっている部分２７及び部分２９を備え、部分２９は例えば、部分２７の屈折率よりも高い屈折率を有する。簡単のため、二つの部分２７及び二つの部分２９のみが図１に示されている。
【００２１】
図１に示されるように、処理済み光ファイバー５のブラッグ格子２５を機能させるため、光信号３０を処理済み光ファイバー内に送る。光信号３０は、例えば、曲線３５によって表されている或る範囲の波長を備える。
【００２２】
光信号３０は、処理済み光ファイバー５に沿ってブラッグ格子２５まで伝わり、ブラッグ格子２５は、透過光信号４０を通し、反射光信号４５を反射する。
【００２３】
反射光信号４５は、“ブラッグピーク”と呼ばれるピークを有する或る範囲の波長５０を含む。ブラッグピークは、ブラッグ格子２５の“ブラッグ波長”と呼ばれる波長λに中心がある。
【００２４】
透過光信号４０は、波長３５の範囲から波長５０の範囲を引いたものに対応する或る範囲の波長５５を備える。
【００２５】
図２は、図１に示される処理済み光ファイバー５のブラッグ波長２５が受ける温度Ｔ（℃）の関数として、ブラッグ波長λ（ナノメートル）の発展を与える曲線Ｃ０を含むグラフである。
【００２６】
従って、波長５０の範囲から、ブラッグ波長λ（図１）を決定して、次に、曲線Ｃ０（図２）を用いて温度Ｔを決定することができる。感度は略１０ｐｍ／℃である。
【００２７】
以下、図３を参照して、本発明に係る方法１１０を説明する。
【００２８】
方法１１０は、温度センサー１に適した、図１に示される処理済み光ファイバー５を製造することを可能にする。
【００２９】
方法１１０は、光ファイバー１２５を提供するステップ１２０と、光ファイバー１２５にブラッグ格子を刻み込み、ブラッグ格子２５を含む刻み込み済みファイバー１３５を得るステップ１３０と、刻み込み済みファイバー１３５の少なくとも一部をアニーリングして、処理済み光ファイバー５を得るステップ１４０とを備える。
【００３０】
代わりに、ステップ１３０では、複数のブラッグ格子が光ファイバー１２５に刻み込まれる。
【００３１】
ステップ１２０では、提供された光ファイバー１２５は、例えば、純シリカの、又は、有利にはフッ素及び／又は窒素から選択された一種以上の元素でドープされたシングルモードファイバーである。
【００３２】
任意で、方法１１０は、温度センサー１の部品としての処理済み光ファイバー５の最大使用可能温度を決定するステップ１５０を更に備える。
【００３３】
ステップ１３０では、提供されたファイバー１２５の長手方向部分が剥がされて、ブラッグ格子２５が刻み込まれる。刻み込みは、フェムト秒レーザーを用いて行われ、例えば、従来の位相マスク法が用いられる。フェムト秒レーザーの集束は、短焦点距離（例えば、１２ミリメートルから１９ミリメートル）のシリンドリカルレンズを用いて行われる。
【００３４】
“フェムト秒レーザー”とは、略数フェムト秒から数百フェムト秒の持続時間を有するパルスを生じさせるレーザーのことを称する。
【００３５】
レーザーは、有利には４５０ｍＷ以上の平均パワーを有する。レーザーはパルスを放出し、各パルスは、１５０フェムト秒以下の幅を有する。レーザーは、例えば８００ｎｍの波長を有する。
【００３６】
刻み込みステップ１３０中に、光ファイバーに固定された６グラムから８グラムの重り（図示せず）によって、光ファイバー１２５を有利に伸長させる。
【００３７】
ステップ１４０では、第一の実施形態によると、刻み込み済みファイバー１３５を少なくとも１５分間にわたって５００℃以上のアニーリング温度に熱する。
【００３８】
他の実施形態によると、ステップ１４０では、刻み込み済みファイバー１３５をアニーリング温度に熱するが、そのアニーリング温度とステップ１５０で決定される最大使用可能温度との間の差は１００℃から２００℃までの間である。例えば、最大使用可能温度が６００℃であり、アニーリング温度が７５０℃である。
【００３９】
使用される露出パラメータ（パルスの持続時間、フェムト秒レーザーのパワー）の関数として、刻み込み済み光ファイバー１３５のブラッグ格子２５は、アニーリングステップ１４０で消去され易く又は難くなる。露出パラメータは、ブラッグ格子が処理済み光ファイバー５の使用温度に適していて、耐放射性に関して興味深い性能レベルを有するように決定される。
【００４０】
放射線試験では、放射線に対するブラッグ格子２５の耐性がアニーリング温度と共に増大することが示されている。例えば、アニーリング温度が７５０℃の場合、ブラッグ格子２５は、アニーリング温度が３５０℃の場合に得られるシフトよりも小さな放射線下でのブラッグ波長シフト（ＢＷＳ，Ｂｒａｇｇ  ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ  ｓｈｉｆｔ）を有する。更に、アニーリング温度が７５０℃の場合、ブラッグ格子２５の消滅現象は放射線下で観測されない。
【００４１】
図４は、ブラッグピークに対するアニーリング温度の影響を示すグラフ２００である。グラフ２００は四つの曲線Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３及びＣ４を有する。
【００４２】
曲線Ｃ１は、アニーリングステップ１４０を行わない場合のブラッグ格子２５のブラッグピークを表す。
【００４３】
曲線Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４はそれぞれ３００℃、５５０℃、７５０℃に等しいアニーリング温度で得られたブラッグ格子２５のブラッグピークを示す。ブラッグ格子は、フッ素でドープされたシリカコアを有するファイバーに、５００ｍＷの平均パワーで８００ｎｍに等しい波長を有するフェムト秒レーザーで刻み込むことで得られる。
【００４４】
各曲線Ｃ１からＣ４は、波長（ナノメートル）の関数として、反射光信号の強度の発展を詳細に与えている。各曲線Ｃ１からＣ４は図１に示される波長５０の範囲と同様である。
【００４５】
アニーリング温度を徐々に上昇させると、ブラッグピークの減衰が生じ、また、ブラッグ波長λが短波長に向かってシフトすることが見て取れる。
【００４６】
図５は、グラフ２００と同じ方法を用いて７５０℃のアニーリング温度で得られた処理済み光ファイバー５のブラッグ格子２５の耐放射性を示すグラフ３００である。
【００４７】
グラフ３００は、測定温度に対する、ブラッグ波長のシフトΔλ（ナノメートル）の部分と、誤差ＥＴ（℃）との発展を、時間ｔ（秒）の関数として示す曲線Ｃ５を有する。
【００４８】
シフトΔλをグラフ３００の左側のｙ軸で読み、誤差ＥＴをグラフ３００の右側のｙ軸で読む。
【００４９】
略３００００秒間続く第一段階Ａ中において、処理済み光ファイバー５のブラッグ格子２５に一定の放射線量率で放射線照射する。第一段階Ａの終わりで受けた放射線量は１．５ＭＧｙ（メガグレイ）となる。
【００５０】
略６００００秒間続く第二段階Ｂでは、ブラッグ格子２５への放射を停止する。
【００５１】
略３００００秒間続く第三段階Ｃでは、第一段階と同じ条件下で再びブラッグ格子２５に放射線照射して、つまり、ブラッグ格子２５は再び１．５ＭＧｙに等しい放射線量を受ける。
【００５２】
第一段階Ａにおいて、ブラッグ波長は４ｐｍ（ピコメートル）分だけ減少し、その後、第一段階Ａ中において徐々に略１２ｐｍ分だけ増大する。このブラッグ波長のドリフトは、センサーによって測定される温度に対する略０．４℃の誤差ＥＴ１（図５）に対応する。
【００５３】
第二段階Ｂ中において、ブラッグ波長は急激に減少して、初期値の下略１２ｐｍで安定化する。
【００５４】
第三段階Ｃ中において、ブラッグ波長は急激に増大して、第一段階Ａの終わりにおいて有していた値に実質的に達して、第三段階Ｃ全体にわたって比較的安定なままとなる。第三段階Ｃ中におけるブラッグ波長のドリフトは、測定温度に対する略０．４℃の誤差ＥＴ２に対応する。以上より、処理済み光ファイバー５のブラッグ格子２５が、３ＭＧｙの放射線量に対応する二回の放射線の後においても非常に優れた耐放射性を有することが分かる。
【００５５】
図６及び図７は、方法１１０のステップの一つに従わないことの影響を求めるために行われたパラメータ研究の結果を示す。
【００５６】
図６は、刻み込みステップ１３０が図４の５００ｍＷの代わりに４００ｍＷのパワーを有するフェムト秒レーザーを用いて行われた場合における、ブラッグ格子２５のブラッグピークの正規化振幅ＡＮ（ｙ軸）に対するアニーリング温度Ｔ（℃、ｘ軸）の影響を示す曲線Ｃ６を含むグラフ４００である。
【００５７】
曲線Ｃ６は、アニーリングステップを行わない場合におけるブラッグピークの振幅を与える第一の点４１０を有する。その振幅は１６ｄＢであり、図４の曲線Ｃ１の最大値に対応する。１６ｄＢのこの振幅は、図６のグラフ４００では１．０に正規化されている。
【００５８】
曲線Ｃ６は、アニーリング温度Ｔがそれぞれ３００℃、５５０℃、７５０℃の場合におけるブラッグピークの正規化振幅ＡＮが徐々に減少することを示す。
【００５９】
曲線Ｃ６’は、アニーリング温度Ｔがそれぞれ３００℃、５５０℃、７５０℃の場合において、５００ｍＷのパワーを有するフェムト秒レーザーを用いて刻み込みステップ１３０を行った場合におけるブラッグピークの正規化振幅ＡＮが徐々に減少することを示す。
【００６０】
曲線Ｃ６について、７５０℃において、ブラッグ格子２５が消滅するので、ブラッグピークの振幅が事実上ゼロになることが見て取れる。
【００６１】
対照的に、図４及び曲線Ｃ６’に示されるように、レーザーのパワーが５００ｍＷの場合、驚くべきことに、ブラッグピークの振幅は、アニーリングステップを行わない場合の１６デシベルから、７５０℃のアニーリング温度においてアニーリングステップ１４０を行う場合の８デシベルまでとなっている。これは、レーザーのパワー閾値が４５０ｍＷに存在し、その閾値から、得られるブラッグ格子２５が７５０℃でのアニーリングに耐えることを実証している。
【００６２】
正規化振幅ＡＮが例えば０．２の閾値よりも高いままであれば、つまり、ブラッグピークの振幅の減衰が図６に示される例では７Ｂ未満であれば、ブラッグ格子２５がアニーリングに耐えられると考えられる。
【００６３】
図７は、図５に示されるグラフ３００と同様のグラフ５００を示す。グラフ５００は、レーザーのパワーが５００ｍＷである刻み込みステップ１３０と、５００℃未満の温度でのアニーリングステップ１４０との終わりに得られたブラッグ格子２５の耐放射性を示す曲線Ｃ７を有する。
【００６４】
グラフ５００の段階Ａ、Ｂ１、Ｃはグラフ３００の段階Ａ、Ｂ、Ｃと同様である。
【００６５】
グラフ５００は、段階Ｃ後に放射線を止めることに対応する追加段階Ｂ２を有する。
【００６６】
グラフ５００に見て取れるように、ブラッグ格子２５のブラッグ波長λは、図５のグラフ３００の条件下よりも二回の放射段階Ａ及びＣに対してはるかに敏感である。特に、二回目の放射に対応する第三段階Ｃの終わりにおいて、放射線によるブラッグ波長のシフトは−６０ｐｍである。これは、測定温度に対する略４．５℃に等しい誤差ＥＴ３に対応する。
【００６７】
上記特徴に起因して、製造方法１１０は、１ＭＧｙを超える放射線量に良好に耐えることができ、つまりは、従来技術の光ファイバーよりも高い放射線量に耐えることができるブラッグ格子２５を含む処理済み光ファイバー５を得ることを可能にする。
【００６８】
更に、刻み込み済みファイバー１３５を少なくとも１５分間にわたって５００℃以上のアニーリング温度に熱するという任意追加の特徴は、最大略５５０度の使用温度に耐えることができるブラッグ格子２５を得ることを可能にする。
【００６９】
同様に、アニーリングステップ１４０中において、刻み込み済みファイバー１３５をアニーリング温度に熱するという任意追加の特徴は、アニーリング温度から１００℃と２００℃との間の値を引いた値に等しい使用温度に耐えることができるブラッグ格子２５を得ることを可能にする。
【００７０】
レーザーのパワーは、ビームのサイズ及びブラッグ格子２５の長さに関係しない式によって表される。
【００７１】
パワー密度を計算するための一組の要素を以下の式にまとめることができる：
Ｄ＝２πＥ×Ａ×ｐ／（４×ｆ×λ×ｔ）
ここで、
‐  Ｄは、レーザーが与えるパワー密度（Ｗ／ｃｍ２）であり、
‐  Ｅは、レーザーのパワー（Ｗ）をパルスの周波数（Ｈｚ）で割ることによって導出されるレーザーのパルスエネルギー（Ｊ）であり、
‐  Ａは、位相マスクに対するファイバーの位置に関係するパラメータであり（Ａ＝１）、
‐  ｐは、一次までのエネルギー比であり（７３％に等しい）、
‐  λは、フェムト秒レーザーの波長（ｃｍ）であり、
‐  ｆは、対物レンズの焦点距離（ｃｍ）であり、
‐  ｔは、パルスの持続時間（ｓ）である。
【００７２】
従って、４５０ｍＷのレーザーのパワー閾値は、Ａ＝１、ｆ＝１９ｍｍ、λ＝８００ｎｍ及びｆ＝１５０ｆｓでの２．３×１０１３Ｗ／ｃｍ２の最小パワー密度に対応する。
【符号の説明】
【００７３】
１  温度センサー
５  処理済み光ファイバー
１５  コア
２５  ブラッグ格子
１２５  光ファイバー
１３５  刻み込み済み光ファイバー
【図１】
2017507345.tif 000003
【図２】
2017507345.tif 000004
【図３】
2017507345.tif 000005
【図４】
2017507345.tif 000006
【図５】
2017507345.tif 000007
【図６】
2017507345.tif 000008
【図７】
2017507345.tif 000009
【国際調査報告】
2017507345.tif 000010
2017507345.tif 000011
2017507345.tif 000012
2017507345.tif 000013
2017507345.tif 000014
2017507345.tif 000015