(57)【要約】  本発明は、コーティングを有する基材の表面をアニーリングするための方法であり、アニーリングしようとするコーティング（２）を支持している基材（１）を、フラッシュランプ（４）の下を該コーティングを支持する基材の面をフラッシュランプ（４）の方に向けて移動させること、及び、フラッシュランプとアニーリングしようとするコーティングとの間に位置し長手方向の軸線が基材の走行方向に垂直なスロットを含むマスク（３）を介して、フラッシュランプ（４）により放射されたインテンスパルスライトをアニーリングしようとするコーティングに照射し、フラッシュランプの周波数と基材の走行速度とをアニーリングしようとするコーティングの各点が少なくとも１つの光パルスを受け取るように調整すること、を含む方法であって、マスクの下面とアニーリングしようとするコーティングの表面との間隔が１ｍｍ以上であること、且つ、スロットの形状と大きさが、マスクがなければアニーリングしようとするコーティングに達する光の強度が以下において公称光強度と称する限界光強度よりも小さい全ての領域において、アニーリングしようとするコーティングをマスクが隠蔽するようなものであることを特徴とする、コーティングを有する基材表面のアニーリング方法に関する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コーティングを支持している基材の表面をアニーリングするための方法であり、
・アニーリングしようとするコーティング（２）を支持している基材（１）を、インテンスパルスライトを放射するフラッシュランプ（４）の下を、該コーティングを支持する基材の面を該フラッシュランプの方に向けて走行させること、及び、
・前記フラッシュランプとアニーリングしようとする前記コーティングとの間で該フラッシュランプに対し一定の位置にあり、長手方向の軸線が前記基材の走行方向に垂直なスリットを含むマスク（３）を介して、前記フラッシュランプにより放射されたインテンスパルスライトを、アニーリングしようとする前記コーティングに照射し、該フラッシュランプの周波数と該基材の走行速度とを、アニーリングしようとする該コーティングの各点が少なくとも１つの光パルスを受け取るように調整すること、
を含む方法であって、
前記マスクの下面とアニーリングしようとする前記コーティングの表面との間隔が最大で１ｍｍに等しく、好ましくは最大で５００μｍに等しく、理想的には最大で１００μに等しいこと、且つ、
前記スリットの形状と面積が、前記マスクがなければアニーリングしようとするコーティングに達する光の強度が下記において「公称光強度」と称する限界光強度よりも小さい全てのゾーンにおいて、アニーリングしようとするコーティングを前記マスクが見えなくするようなものであること、
を特徴とする、アニーリング方法。
【請求項２】
スリットの形状が実質的に矩形であることを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項３】
フラッシュランプの周波数、スリットの幅及び基材の走行速度が、アニーリングしようとするコーティングの点のうちの少なくとも９０％、好ましくは少なくとも９５％、より好ましくは少なくとも９８％がただ一つの光パルスを受け取るようなものであることを特徴とする、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
スリットの長さがアニーリングしようとするコーティングの幅に実質的に等しいことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
アニーリングしようとするコーティングの幅が少なくとも１ｍに等しく、好ましくは少なくとも２ｍに等しく、特に少なくとも３ｍに等しいことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
スリットの幅が１ｃｍと５０ｃｍの間、好ましくは５ｃｍと２０ｃｍの間に含まれることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
アニーリングしようとするコーティングを支持している基材の走行速度が０．１ｍ／分と３０ｍ／分の間、好ましくは１ｍ／分と２０ｍ／分の間、特に２ｍ／分と１０ｍ／分の間に含まれることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
アニーリングしようとするコーティングが金属の膜、好ましくは銀膜、を少なくとも１つ、又は透明導電性酸化物の膜を少なくとも１つ含むことを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
コーティングを支持している基材の表面をアニーリングするための装置であり、
・インテンスパルスライトを放射することができるフラッシュランプ（４）、
・アニーリングしようとするコーティング（２）を支持している平らな基材（１）を前記フラッシュランプの前を走行させるのを可能にする搬送手段（６）、及び、
・前記フラッシュランプと前記搬送手段との間で前記フラッシュランプに対して一定の位置にあるマスク（３）であって、前記基材の走行方向に対して長手方向の軸線が垂直であるスリットを含むとともに、前記フラッシュランプにより放射された光をこのスリットを通してアニーリングしようとするコーティングを支持している前記平らな基材の方向に投射するように位置しているマスク（３）、
を含む装置であって、前記マスクの下面とアニーリングしようとする前記コーティングの表面との間隔を１ｍｍ未満、好ましくは５００μｍ未満、特に１００μｍ未満の値に調整可能であるように前記マスクと前記搬送手段との間隔を調整するための手段を含むことを特徴とする、アニーリング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平坦な基材上に被着した薄膜をフラッシュランプを用いて素速くアニーリングするための方法と装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
平坦な基材上に被着した薄いコーティングを局所的に且つ素速くレーザーアニーリング（レーザーフラッシュ加熱）することが知られている。これを行うためには、アニーリングしようとするコーティングを備えた基材にレーザーラインの下を走行させるか、又はその代わりにレーザーラインにコーティングを支えている基材上を走査させる（例えば国際公開第２００８／０９６０８９号及び国際公開第２０１３／１５６７２１号参照）。
【０００３】
レーザーアニーリングは、下にある基材を保護しながら、加熱すべき薄いコーティングをおよそ数百度の高温に加熱するのを可能にする。
【０００４】
最近になって、このような表面アニーリング法において例えばレーザーダイオードなどのレーザー光源を、インテンスパルスライト（ＩＰＬ）を生じさせフラッシュランプとも称されるランプで置き換えることが提案されている。例えば、国際公開第２０１３／０２６８１７号により、低Ｅコーティングを製造するための方法であって、銀ベースの薄膜を被着させる工程、次いでこの膜をその放射率を低下させそしてその伝導率を増大させることを目的として素速く表面アニーリングする工程を含む方法が提供されている。このアニーリング工程のために、銀膜で被覆した基材を、その膜を被着させるための処理設備の下流でフラッシュランプのアレイの下を走行させる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２００８／０９６０８９号
【特許文献２】国際公開第２０１３／１５６７２１号
【特許文献３】国際公開第２０１３／０２６８１７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
出願人は、この方法をＰｌａｎｉｔｈｅｒｍ  Ｏｎｅ（商標）グレージングペイン（真空スパッタリングにより被着した、一部の膜は貴金属製である、透明薄膜の多層で被覆した透明ガラス）で再現することを試みて、アニーリング後のコーティングの外観に不均一性を観測した。図１は、次の条件、すなわち、
各光パルスの強度：  ３５Ｊ／ｃｍ2
各光パルスの幅：    ２．７ｍｓ
パルスの周波数：    ０．５Ｈｚ
基材の走行速度：    ０．７８ｍ／分
基材の走行方向のランプが照射するゾーンのおおよその幅：    １０ｃｍ
フラッシュランプと基材との間隔：    ２０ｍｍ
という条件の下でフラッシュランプを用いてアニーリング後のＰｌａｎｉｔｈｅｒｍ  Ｏｎｅ（商標）のコーティングを示している。
【０００７】
約２．６ｃｍ離れた周期的な条痕が観測され、それらはＰｌａｎｉｔｈｅｒｍ  Ｏｎｅ（商標）の多層の被着直後のコーティングにはなかった。
【０００８】
同一の基材をレーザーダイオードにより生じさせたレーザーラインの下を走行させてコーティングのアニーリングを行った場合も、これらの条痕は現れなかった。従って、目に見える均一性の欠陥の出現は、連続光源（レーザーダイオード）の代わりにパルス光源（フラッシュランプ）を使用することに関連しているように思われる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この望ましくない効果をよりよく理解することを目的としたたくさんの試みの後に、出願人は、実施するのが全く簡単であって、且つアニーリングした基材におけるこの周期的な均一性の欠陥をかなり減らしあるいは完全に抑えることさえ可能にする解決策を見いだした。
【００１０】
この解決策は、フラッシュランプとアニーリングしようとするコーティングとの間に照射スリットを含む不透明マスクを配置するものである。このようなマスクを使用してアニーリングしたコーティングの均一性欠陥を低減し又は抑制するためには、以下の条件、すなわち、
・マスクと照射スリットとはフラッシュフランプに対して位置が固定されていなければならない、
・フラッシュランプの周波数と基材の走行速度とはコーティングの各点が少なくとも１つの光パルスを受け取るようでなければならない、
・マスクはアニーリングしようとするコーティングの表面のできるだけ近くに位置しなければならず、最大でもそれから数ミリメートルのところに位置しなければならない、そして、
・照射スリットの形状と面積とは、光の強度が以下において公称光強度と称する限界光強度未満である全てのゾーンにおいて、マスクがランプからの光を遮る、すなわち基材を見えなくするようでなければならない、
という条件を満足させなければならない。
【００１１】
本願において、「公称光強度」という表現は、所定の継続時間の光パルスの強度であって、それより大きいと、強度が第１のパルスのそれ以上であり且つ同じ継続時間の第２のパルスがコーティングの反射の色の変化をもたらすことにならない強度を意味するものと理解される。
【００１２】
色の変化は、ＣＩＥ  Ｌ*ａ*ｂ*（Ｄ６５光源）表色系により規定されるような、２つの色の間の差（ΔＥ*）、すなわち、
【００１３】
【数１】
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【００１４】
である。ＣＩＥ  Ｌａｂ系は、明度を特性化するＬ*軸、赤／緑のａ*軸及び青／黄のｂ*軸を有する球状の色空間を規定する。０よりも大きいａ*値は赤の成分を有する色合いに相当し、負のａ*値は緑の成分を有する色合いに相当し、正のｂ*値は黄色成分を有する色合いに相当し、そして負のｂ*値は青の成分を有する色合いに相当する。上記の式において、Ｌ1、ａ1及びｂ1は第１の色のＣＩＥＬａｂ色空間における座標であり、Ｌ2、ａ2及びｂ2は第２の色のそれらである。
【００１５】
アニーリングしようとするコーティングに十分な強度の第１のパルスを照射すると、この照射はコーティングの色の変化（ΔＥ*1）を引き起こす。その後、同じ照射を同じエネルギー（同じ強度と同じ継続時間）のパルスで繰り返すと、引き起こされる更なる色の変化が完全な色の変化（ΔＥ*2）をもたらす。
【００１６】
ΔＥ*2がΔＥ*1に実質的に等しい場合、すなわちΔＥ*2−ΔＥ*1が１以下である場合、第２のパルスはコーティングの色に有意の影響を及ぼさないと見なされ、そしてパルスの強度は先に定義したような公称強度以上であると見なされる。
【００１７】
その一方、第２のパルスが有意の色の変化を引き起こす（ΔＥ*2−ΔＥ*1＞１）場合には、第２のパルスはコーティングの色に影響を及ぼすものと見なされ、そして光の強度は公称光強度よりも小さいと見なされる。
【００１８】
考慮すべき光の強度は、言うまでもなく作業平面のレベルで、すなわちアニーリングすべきコーティングのレベルで、測定されるものである。
【００１９】
フラッシュランプにより放射される光は、作業平面のレベルで、光強度が先に定義したような公称強度以上である少なくとも１つのゾーン、及び光強度が公称光強度よりも小さい他のゾーン、一般には照射ゾーンの周辺に、出力密度プロファイルとも称される、光強度プロファイルを有する。
【００２０】
照射マスクは、アニーリングしようとするコーティングのレベルで公称強度よりも小さい光強度を有する光の全てを遮るようにランプとコーティングとの間に配置されなくてはならない。マスクは、場合により、公称強度以上の強度を有する光をわずかに遮ってもよい。
【００２１】
本発明の１つの対象は、コーティングを支持している基材の表面をアニーリングするための方法であり、
・アニーリングしようとするコーティングを支持している基材を、インテンスパルスライトを放射するフラッシュランプの下を該コーティングを支持する基材の面をフラッシュランプの方に向けて走行させること、及び、
・アニーリングしようとするコーティングに、フラッシュランプとアニーリングしようとするコーティングとの間でフラッシュランプに対し一定の位置にあり長手方向の軸線が基材の走行方向に垂直なスリットを含むマスクを介して、フラッシュランプにより放射されたインテンスパルスライトを照射し、フラッシュランプの周波数と基材の走行速度とをアニーリングしようとするコーティングの各点が少なくとも１つの光パルスを受け取るように調整すること、
を含む方法であって、
マスクの下面とアニーリングしようとするコーティングの表面との間隔が最大で１ｍｍに等しく、好ましくは最大で５００μｍに等しく、理想的には最大で１００μに等しいこと、且つ、
スリットの形状と面積が、マスクがなければアニーリングしようとするコーティングに達する光の強度が以下において「公称光強度」と称する限界光強度よりも小さい全てのゾーンにおいて、アニーリングしようとするコーティングをマスクが見えなくするようなものであること、
を特徴とする方法である。
【００２２】
本願で言及する「フラッシュランプ」という用語は、単一のフラッシュランプを指示するか、あるいは、好ましくは互いどうし平行に配置されて１以上のミラーと結合された、複数のフラッシュランプのアレイ、例えば５〜２０のランプ、更には８〜１５のランプのアレイを指示する。フラッシュランプとミラーのこのようなアレイは、例えば、国際公開第２０１３／０２６８１７号に開示された方法で使用される。ミラーの機能は、ランプにより放射された全ての光を基材の方向に導くこと、及び光強度プロファイルにほとんど一定の中央強度平坦域（変動が５％未満）と強度が徐々に低下する側部とを有する先端を断ち切られた所望のベル型形状を与えることである。これらのミラーは、平面ミラーでもよく、あるいは集束ミラーでもよい。
【００２３】
本発明で使用するフラッシュランプは一般に、希ガスが充填されて端部に電極を備えた密閉ガラス又は石英管である。コンデンサーの放電により得られる短期間の電気パルスの作用下で、ガスが電離しそして特に強力なインコヒーレント光のパルスを生じさせる。発光スペクトルは一般に、少なくとも２つの輝線を含み、近紫外に発光の最大値を有する連続スペクトルであるのが好ましい。
【００２４】
ランプは、好ましくはキセノンランプである。それはまた、アルゴンランプ、ヘリウムランプ又はクリプトンランプであってもよい。発光スペクトルは、とりわけ１６０〜１０００ｎｍの範囲の波長に、複数の線を有するのが好ましい。
【００２５】
光パルス（フラッシュ）の継続時間は、好ましくは０．０５〜２０ミリ秒、特に０．１〜５ミリ秒の範囲に含まれる。反復速度（周波数）は、好ましくは０．１〜５Ｈｚ、特に０．２〜２Ｈｚの範囲に含まれる。
【００２６】
ランプは、基材の一番長い辺を横切って配置するのが好ましい。その長さは、大きな基材を処理するのを可能にするように、好ましくは少なくとも１ｍ、とりわけ少なくとも２ｍ、更には少なくとも３ｍである。
【００２７】
コンデンサーは、一般には５００Ｖ〜５００ｋＶの電圧に充電される。電流密度は少なくとも４０００Ａ／ｃｍ2であるのが好ましい。コーティングの面積で除した、フラッシュランプにより放射される全エネルギー密度は、好ましくは１Ｊ／ｃｍ2と１００Ｊ／ｃｍ2の間に含まれ、より好ましくは２Ｊ／ｃｍ2と３０Ｊ／ｃｍ2の間、特に５Ｊ／ｃｍ2と２０Ｊ／ｃｍ2の間に含まれる。
【００２８】
アニーリングしようとするコーティングを支持する基材は、好ましくはガラス又はガラス−セラミック製である。それは好ましくは、透き通っており、無色（透明又は超透明ガラス）であり、又は着色されていて、例えば青、グレー、緑もしくはブロンズ色である。ガラスは、好ましくはソーダ石灰シリカガラスであるが、ホウケイ酸塩ガラス又はアルミノホウケイ酸塩ガラスであってもよい。基材は、少なくとも１つの寸法が１ｍ以上、又は更には２ｍ以上、更には３ｍ以上であることが有利である。基材の厚さは、一般には０．１ｍｍと１９ｍｍの間、好ましくは０．７ｍｍと９ｍｍの間、とりわけ１ｍｍと６ｍｍの間、あるいは更には２ｍｍと４ｍｍの間である。
【００２９】
アニーリングしようとするコーティングの材料は、原則としては、表面アニーリング処理によって破壊されることがなく、物理的特性、とりわけ色が、この処理の後に変更される任意の有機又は無機材料でよい。
【００３０】
それは、好ましくは無機コーティングであり、特に、金属酸化物の１以上の膜及び／又は金属の、好ましくは貴金属の、金属状態での１以上の膜を含むコーティングである。
【００３１】
一つの実施形態では、アニーリングすべきコーティングは透明導電性酸化物（ＴＣＯ）の膜を少なくとも１つ含むのが好ましい。この酸化物は、好ましくは、酸化スズインジウム（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）、フッ素又はアンチモンをドープした酸化スズ（ＦＴＯ及びＡＴＯ）、アルミニウムをドープした（ＡＺＯ）及び／又はガリウムをドープした（ＧＺＯ）及び／又はチタンをドープした酸化亜鉛、ニオブ及び／又はタンタルをドープした酸化チタン、及びスズ酸亜鉛又はスズ酸カドミウムである。
【００３２】
一つの特に好ましい酸化物は、しばしばＩＴＯと称される酸化スズインジウムである。Ｓｎの原子百分率は、好ましくは５〜７０％の範囲に含まれ、とりわけ６〜６０％、有利には８〜１２％の範囲に含まれる。その他の導電性酸化物、例えばフッ素をドープした酸化スズなどと比べて、ＩＴＯは、電気伝導率が高いことが評価されており、良好な放射率又は抵抗率レベルを得るのに小さい厚さを用いるのを可能にする。
【００３３】
別の実施形態において、アニーリングすべきコーティングは、金属の、特に貴金属の薄膜を、典型的には銀又は金をベースとする薄膜を、１つ以上含み、好ましくは少なくとも１つの銀膜を含む。
【００３４】
アニーリングすべきコーティングの物理的な厚さは、少なくとも３０ｎｍに等しく最大で５０００ｎｍに等しいのが有利であり、好ましくは５０ｎｍと２０００ｎｍの間に含まれる。
【００３５】
本発明の方法では、アニーリングしようとするコーティングを支持している基材を、照射マスクによって部分的に覆われたフラッシュランプの下又は前を走行させる。
【００３６】
処理のエネルギー効率を上げるために、フラッシュランプはアニーリングしようとするコーティングの近くにあるのが好ましく、有利には２０ｃｍ未満、好ましくは１０ｃｍ未満、特に５ｃｍ未満のところに位置する。この距離が小さくなるほど、所定の運転出力に対して作業平面（アニーリングすべきコーティング）のレベルでの光強度が高くなる。
【００３７】
照射マスクは、基材の走行方向に対して長手方向の軸線が垂直なスリットを含む。アニーリングしようとするコーティングの均一な照射を保証する一番簡単なスリットは、矩形である。従って、スリットは実質的に矩形の形状を有することが好ましい。とは言え、より複雑であるがそれほど好ましくない形状も想定でき、本発明はスリットが矩形である実施形態に限定されない。円弧形状、ジグザグ形状又は波形形状のスリットは、スリットの上流の端部と下流の端部とが平行のままであって、一連の光パルスに対応する照射ゾーンの完全な並列（すき間なしの）を可能にするのであれば、矩形のスリットと同等であろう。
【００３８】
アニーリングすべきコーティングを支持する基材は、任意の適当な機械的搬送手段を用いて、例えばベルト、ローラー及び／又は並進トレイを用いて、走行移動をさせることができる。この搬送装置は、移動の速度を制御し調整するのを可能にする。
【００３９】
基材の走行速度は、コーティングの各点が少なくとも１つの光パルスを受け取るように、パルスの周波数とマスクのスリットの幅とに応じて調整しなければならず、言い換えるならば走行速度はスリットの幅（Ｌ）と２つのパルスを隔てる周期（Ｐ）との比Ｌ／Ｐ以下でなければならない。
【００４０】
例えば、１Ｈｚの照射周期と１０ｃｍのスリット幅について言えば、基材の走行速度は最大で１０ｃｍ／秒でなくてはならない。基材の走行速度がＬ／Ｐ未満である場合には、一定数の点が２つの光パルスを受け取り（重複ゾーン）、これは処理のエネルギー効率の観点からあまり有利でない。とは言え、比較的狭い重複ゾーンの存在することは、走行速度が小さく変動する場合の照射ゾーンの連続性を保証する。
【００４１】
従って、本発明の方法の一つの好ましい実施形態では、フラッシュランプの周波数、スリットの幅及び基材の走行速度は、アニーリングしようとするコーティングの点のうちの少なくとも９０％、好ましくは少なくとも９５％、より好ましくは少なくとも９８％が、ただ一つの光パルスのみを受け取るようなものである。言い換えれば、コーティングの点のうちの最大で１０％、好ましくは最大で５％、より好ましくは最大で２％は、２つの光パルスを受け取る。
【００４２】
従って、基材の走行速度はＬ／Ｐと０．９Ｌ／Ｐとの間に含まれるのが好ましい。
【００４３】
アニーリングしようとするコーティングを支持する基材の走行速度は０．１ｍ／分と３０ｍ／分の間、好ましくは１ｍ／分と２０ｍ／分の間、特に２ｍ／分と１０ｍ／分の間に含まれるのが有利である。
【００４４】
照射スリットの幅は、１ｃｍと５０ｃｍの間、好ましくは５ｃｍと２０ｃｍの間に含まれるのが有利である。
【００４５】
スリットの長さは、アニーリングしようとするコーティングの幅に実質的に等しく、すなわち一般に少なくとも１ｍに等しく、好ましくは少なくとも２ｍに等しく、特に少なくとも３ｍに等しい。
【００４６】
前述のとおり、照射マスクはアニーリングすべきコーティングにできる限り近くなければならず、すなわちその下面とアニーリングすべきコーティングの表面との距離は１ｍｍを超えてはならず、好ましくは５００μｍを超えてはならず、理想的には最大で１００μｍに等しい。
【００４７】
言うまでもなく、基材が静止したランプの下を連続的に走行する、あるいはランプとマスクとが静止した基材に対して連続的に走行する、連続式の方法では、アニーリングしようとするコーティングと直に接触してマスクを配置することは不可能である。アニーリングすべきコーティングの表面に再現される基材の表面のむらを考慮に入れるよう、マスクとアニーリングすべきコーティングとの間隔を調整することが不可欠である。
【００４８】
従って、マスクとコーティングの表面との最大の間隔だけでなく、マスクとコーティングとが接触しないことを保証するのに十分でなければならない最小の間隔もあることを理解することが重要である。もちろんながら、この最小間隔は、基材の平坦性及び／又はコーティングの粗さに依存する。それは、例えば１０μｍ、又は２０μｍ、あるいは更には５０μｍでよい。
【００４９】
本発明のもう一つの対象は、アニーリングしようとするコーティングを支持している基材の表面をアニーリングするための装置であって、この装置は本発明の方法を実施するのに特に適している。
【００５０】
本発明の装置は、
・インテンスパルスライトを放射することができるフラッシュランプ、
・アニーリングしようとするコーティングを支持している平らな基材をフラッシュランプの前を走行させるのを可能にする搬送手段、及び、
・フラッシュランプと搬送手段との間でフラッシュランプに対して一定の位置にあるマスクであって、基材の走行方向に対して長手方向の軸線が垂直であるスリットを含むとともに、フラッシュランプにより放射された光をこのスリットを通してアニーリングしようとするコーティングを支持している平らな基材の方向に投射するように位置しているマスク、
を含み、
そして更に、マスクの下面とアニーリングしようとするコーティングの表面との間隔を１ｍｍ未満、好ましくは５００μｍ未満、特に１００μｍ未満の値に調整可能であるようにマスクと搬送手段との間隔を調整するための手段、
を含む。
【００５１】
マスクは、好ましくは金属で製作され、典型的にはアルミニウム又は銅で製作される。
【００５２】
それは、場合により、それが遮る光を吸収するために、吸収層で被覆されるか、あるいはそれを吸収性にする陽極酸化処理を受ける。この場合には、マスクの本体は、その温度を１００℃未満、好ましくは５０℃未満に保つように、冷却回路と接触するのが好ましい。
【００５３】
もう一つの可能性は、マスクのために散乱性の反射層を用いて、遮断される光を吸収せずに散乱させて反射光の強度を低下させその結果その危険性を低下させることである。
【００５４】
スリットの端部におけるマスクの厚さは、可能である最小厚さでなければならず、好ましくは５００μｍ未満、又は２００μｍ未満、更には１００μｍ未満でなければならない。
【００５５】
マスクの機械的剛性とその冷却を確保するために、スリットから離れたマスクの部分はより厚くてもよい。例えば、スリットの端部を、一番薄い部分で光を遮るように面取りすることができる。
【００５６】
図面を参照して、本発明をより詳しく説明する。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】マスクなしに照射されたＰｌａｎｉｔｈｅｒｍ（商標）  Ｏｎｅコーティングを支持している基材を示す写真である。
【図２】本発明の方法により処理したＰｌａｎｉｔｈｅｒｍ（商標）  Ｏｎｅ基材を示す写真である。
【図３】本発明の方法の作用を示す模式説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００５８】
図１は、マスクなしに前述したような条件下で照射されたＰｌａｎｉｔｈｅｒｍ（商標）  Ｏｎｅコーティングを支持している基材の写真を示している。約２．６ｃｍの間隔をあけて、周期的な左右方向の条痕を見ることができる。
【００５９】
図２は、本発明の方法により処理したＰｌａｎｉｔｈｅｒｍ（商標）  Ｏｎｅ基材を示す写真である。本発明による条件下でマスクが介在していることにより、図１では目に見える条痕は完全に消失している。
【００６０】
図３は、本発明の方法の作用を示す、より詳しく言えばランプの光強度プロファイルに関して照射マスクの適切な位置を示す、模式説明図である。
【００６１】
この図３において、アニーリングしようとするコーティング２を支持している連続の平らな基材１は、矢印で示した走行方向にローラー６により搬送されている。
【００６２】
アニーリングしようとするコーティング２は、ランプ４のアレイにより放射されて一組のミラー５により下方に向けられた光を、マスク３を通して照射されている。マスク３の２つの部分の間の間隔が、長手方向のスリットの幅に対応している。
【００６３】
マスク３の下面とアニーリングしようとするコーティング２の上面との間隔は１ｍｍ未満である。
【００６４】
この図の下部に、マスク３なしの場合にアニーリングしようとするコーティング２のレベルで存在するであろうような光パルスの強度プロファイルを示す。マスク３は、強度が公称強度よりも小さい光をマスクの不透明ゾーンによって遮るように配置されている。
【図１】
2017536689.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【国際調査報告】
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2017536689.tif 000008
2017536689.tif 000009
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