(57)【要約】  半導体パッケージ基板内の空洞形成のための方法および装置が提供される。一実施形態では、半導体パッケージ基板内に少なくとも１つの空洞を生成するための方法は、少なくとも１つの空洞を得るために少なくとも１つの意図した空洞位置において半導体パッケージ基板の表面から半導体パッケージ基板をエッチングするステップを含む。本方法は、空洞位置において基板上に銅部分を堆積させるステップを含む。次に、本方法は、銅部分を露出させながら基板をマスキングするステップを含む。最後に、本方法は、銅部分をエッチング除去することによって空洞を形成するために基板をエッチングするステップを含む。形成された構造部は、基板に埋め込まれたガラス構造部にダメージを与えることなく基板を通して部分的に延びる空洞を含む。
2017505540.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板内に空洞を生成するための方法であって、
担体の空洞位置上にめっき部分を形成するステップと、
複合層を用いて前記担体をラミネートするステップと、
前記担体を前記複合層から分離するステップと、
前記分離された複合層および前記めっき部分を含む基板を形成するステップと、
露出されためっき部分をエッチングすることによって前記基板内に空洞を形成するステップであって、前記空洞が前記基板を通して部分的に延びる、ステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記担体上にシード層を形成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記めっき部分を露出させながら、前記基板をマスキングするステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
マスキングされていない部分を除去するために前記基板をエッチングするステップをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記めっき部分が銅である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記複合層が事前に充填された樹脂層およびシード層である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記事前に充填された樹脂層がガラス構造部を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ガラス構造部は、事前に充填された樹脂層にわたって連続し、前記事前に充填された樹脂層の中心からオフセットされる、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
担体の空洞位置上にめっき部分を形成するステップと、
複合層を用いて前記担体をラミネートするステップと、
前記担体を前記複合層から分離するステップと、
前記分離された複合層および前記めっき部分を含む基板を形成するステップと、
露出されためっき部分をエッチングすることによって前記基板内に空洞を形成するステップであって、前記空洞が前記基板を通して部分的に延びる、ステップと
を含む、プロセスによって準備される基板。
【請求項１０】
前記担体上にシード層を形成するステップをさらに含む、請求項９に記載のプロセス。
【請求項１１】
前記めっき部分を露出させながら、前記基板をマスキングするステップをさらに含む、請求項９に記載のプロセス。
【請求項１２】
マスキングされていない部分を除去するために前記基板をエッチングするステップをさらに含む、請求項１１に記載のプロセス。
【請求項１３】
前記めっき部分が銅である、請求項９に記載のプロセス。
【請求項１４】
前記複合層が事前に充填された樹脂層およびシード層である、請求項９に記載のプロセス。
【請求項１５】
前記事前に充填された樹脂層がガラス構造部を含む、請求項１４に記載のプロセス。
【請求項１６】
前記ガラス構造部は、事前に充填された樹脂層にわたって連続し、前記事前に充填された樹脂層の中心からオフセットされる、請求項１５に記載のプロセス。
【請求項１７】
構造部であって、
その第１の側に空洞を画定する基板と、
前記基板上にラミネートされた誘電体層と、
前記誘電体層内に埋め込まれたガラス構造部であって、前記誘電体層の中心からオフセットされたガラス構造部と
を含む、構造部。
【請求項１８】
前記ガラス構造部が前記誘電体層にわたって連続する、請求項１７に記載の構造部。
【請求項１９】
前記誘電体層が事前に充填された層である、請求項１７に記載の構造部。
【請求項２０】
前記空洞が、前記ガラス構造部の開始に近い点まで前記基板を通して部分的に延びる、請求項１７に記載の構造部。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
本特許出願は、本出願の譲受人に譲渡され、その全体が参照により本明細書に明確に組み込まれる、２０１４年１月２３日に出願された「ＳＵＢＳＴＲＡＴＥ  ＡＮＤ  ＭＥＴＨＯＤ  ＯＦ  ＦＯＲＭＩＮＧ  ＴＨＥ  ＳＡＭＥ」と題する米国仮出願第６１／９３０，７４５号の利益を主張する。
【０００２】
本開示は、一般に、半導体に関し、より詳細には、限定はしないが、半導体パッケージ基板内の空洞形成のための方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
従来、基板内に空洞を形成するためのルータ加工またはレーザーアブレーションなどの機械的処理が続く、積層基板を形成するための様々な方法を使用することによって、半導体パッケージが形成される。しかしながら、機械的処理は、コスト効果がなく、低い生産量をもたらし、不均一な表面を残す。
【０００４】
したがって、本明細書で提供する改善された方法および装置を含む、従来の方法を改善する方法に対する長年にわたる産業界のニーズが存在する。
【０００５】
本教示を特徴付ける発明性がある特徴は、さらなる目的および利点とともに、詳細な説明および添付の図からより十分に理解される。図面の各々は例示および説明のみのために与えられ、本教示を限定しない。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
以下は、本明細書で開示する装置および方法に関連する１つまたは複数の態様および／または実施形態に関する簡略化された概要を提示する。したがって、以下の概要は、すべての考えられる態様および／または実施形態に関する包括的な概説と見なされるべきではなく、すべての考えられる態様および／もしくは実施形態に関する重要もしくは決定的な要素を識別するか、または任意の特定の態様および／もしくは実施形態に関連付けられる範囲を定めると見なされるべきではない。したがって、以下の概要は、以下に提示される詳細な説明に先立って、本明細書で開示する装置および方法に関する１つまたは複数の態様および／または実施形態に関する特定の概念を簡略化された形で提示することが唯一の目的である。
【０００７】
本開示のいくつかの例示的な実施形態は、半導体パッケージ内の空洞形成のためのシステム、装置、および方法を対象とする。
【０００８】
本開示のいくつかの実施形態では、これらのシステム、装置、および方法は、担体の空洞位置上にめっき部分を形成することと、複合層を用いて担体をラミネートすることと、担体を複合層から分離することと、分離された複合層およびめっき部分を含む基板を形成することと、露出されためっき部分をエッチングすることによって基板内に空洞を形成することであって、空洞が基板を通して部分的に延びる、こととを含む。
【０００９】
本明細書で開示する装置および方法に関連する他の目的および利点は、添付の図面および詳細な説明に基づいて、当業者には明らかになるであろう。
【００１０】
添付の図面は、本教示の例について説明するために提示され、限定するためのものではない。添付の図面は、本開示の実施形態の説明を助けるために提示され、実施形態の限定ではなく、実施形態の例示のためにのみ提供される。
【００１１】
以下の詳細な説明を参照しながら、本開示を限定するためではなく例示のためにのみ提示される添付の図面とともに考察すれば、本開示の態様およびその付随する利点の多くがより十分に理解されるようになるので、それらに関するより完全な諒解が容易に得られるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】従来の先行技術の空洞形成処理を示す図である。
【図２】本開示の一実施形態による例示的な方法および装置を示す図である。
【図３】パッケージオンパッケージ半導体パッケージの断面図を示す本開示の一実施形態による別の例示的な方法および装置を示す図である。
【図４】積層基板を含む断面図を示す本開示の一実施形態による例示的な方法および装置を示す図である。
【図５】基板に含まれる埋込みパターンを示す本開示の一実施形態による例示的な方法および装置を示す図である。
【図６】空洞を含む多層基板の断面図を示す本開示の一実施形態による例示的な方法および装置を示す図である。
【図７Ａ】空洞形成の前の銅めっき基板の形成を示す本開示の一実施形態による例示的な方法および装置を示す図である。
【図７Ｂ】基板内の空洞の形成を示す本開示の一実施形態による例示的な方法および装置を示す図である。
【図８】アンダーフィルおよび接着剤を示す本開示の一実施形態による追加の例示的な方法および装置を示す図である。
【図９Ａ】空洞形成の前の銅めっき基板の形成を示す本開示の一実施形態による例示的な方法および装置を示す図である。
【図９Ｂ】基板内の空洞の形成を示す本開示の一実施形態による例示的な方法および装置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
慣例に従って、図面に示される特徴は、一定の縮尺で描かれていない可能性がある。したがって、示された特徴の寸法は、明快にするために、任意に拡大または縮小されている可能性がある。慣例に従って、図面のうちのいくつかは、明快にするために簡略化されている。したがって、図面は、特定の装置または方法のすべての構成要素を示すとは限らない。さらに、同様の参照番号は、本明細書および図を通して同様の特徴を示す。
【００１４】
半導体パッケージ基板内の空洞形成のための方法が提供される。本明細書で開示する例示的な方法は、有利なことに、長年にわたる産業界のニーズおよびこれまでに同定されていない他のニーズに対処し、従来の方法の欠点を軽減する。たとえば、本明細書で開示する方法によって提供される利点は、従来のデバイスを超える、コスト削減、生産量、低減された上部ボールパッドのピッチ、および表面の滑らかさの改善である。
【００１５】
本開示の例示的な実施形態に関する具体例を示すために、次の説明および関連の図面において様々な態様が開示される。代替実施形態は、本開示を読めば当業者に明らかとなり、本開示の範囲または趣旨から逸脱することなく構築され、実践され得る。加えて、本明細書で開示する態様および実施形態の関連する詳細を不明瞭にしないように、よく知られている要素は詳細には記載されないか、または省略される場合がある。
【００１６】
「例示的」という言葉は、「例、事例、または例示として役立つ」ことを意味するように本明細書において使用される。「例示的」として本明細書で説明するいかなる実施形態も、他の実施形態よりも好ましいまたは有利であると必ずしも解釈されるべきではない。同様に、「実施形態」という用語は、すべての実施形態が、論じられている特徴、利点、または動作モードを含むことを必要としない。本明細書において「一例では」、「例」、「１つの特徴では」、および／または「特徴」という用語を使用する場合、必ずしも同じ特徴および／または例を指すとは限らない。さらに、特定の特徴および／または構造は、１つもしくは複数の他の特徴および／または構造と組み合わせることができる。その上、本明細書で説明する装置の少なくとも一部分は、本明細書で説明する方法の少なくとも一部分を実行するように構成することができる。
【００１７】
本明細書で使用する用語は、特定の実施形態について説明することのみを目的とするものであり、本発明の実施形態を限定するものではない。本明細書で使用する単数形「ａ」、「ａｎ」、および「ｔｈｅ」は、文脈が別段に明確に示すのでなければ、複数形も含むものとする。本明細書で使用する場合、「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」、「備えている（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅｓ）」、および／または「含んでいる（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」という用語は、述べられた特徴、整数、ステップ、動作、要素、および／または構成要素の存在を明示するが、１つまたは複数の他の特徴、整数、ステップ、動作、要素、構成要素、および／またはそれらのグループの存在または追加を排除するものではないことがさらに理解されよう。
【００１８】
「接続される」、「結合される」という用語、またはそれらのいかなる変形形態も、要素間の直接的または間接的な任意の接続または結合を意味し、仲介要素を介して互いに「接続」または「結合」される２つの要素間に仲介要素の存在を含むことができることに留意されたい。要素間の結合および／または接続は、物理的、論理的、またはそれらの組合せであってもよい。本明細書で使用する要素は、たとえば、１つまたは複数のワイヤ、ケーブル、および／またはプリントされた電気接続部を使用することによって、ならびに電磁エネルギーを使用することによって互いに「接続」または「結合」することができる。電磁エネルギーは、無線周波数領域、マイクロ波領域、および／または光学的（可視と不可視の両方の）領域の波長を有することができる。これらは、いくつかの非限定的かつ非網羅的な例である。
【００１９】
「信号」という用語は、データ信号、オーディオ信号、ビデオ信号、マルチメディア信号、アナログ信号、および／またはデジタル信号などの任意の信号を含むことができることを理解されたい。多種多様な技術および技法のうちのいずれかを使用して情報および信号を表すことができる。たとえば、本明細書で説明するデータ、命令、処理ステップ、コマンド、情報、信号、ビット、および／もしくはシンボルは、電圧、電流、電磁波、磁場および／または磁性粒子、光場および／もしくは光学粒子、またはそれらの任意の組合せによって表すことができる。
【００２０】
本明細書における「第１の」、「第２の」などの呼称を使用する要素のあらゆる参照は、これらの要素の数量および／または順序を限定するものではない。むしろ、これらの呼称は、２つ以上の要素、および／または要素の例を区別する都合のよい方法として使用されている。したがって、第１および第２の要素への参照は、２つの要素のみを使用することができること、または第１の要素が第２の要素に必ず先行しなければならないことを意味しない。また、別段に記載されていない限り、１組の要素は、１つまたは複数の要素を含むことができる。加えて、明細書または特許請求の範囲に使用される「Ａ、Ｂ、またはＣのうちの少なくとも１つ」という形態の用語は、「ＡもしくはＢもしくはＣまたはこれらの要素の任意の組合せ」と解釈することができる。
【００２１】
さらに、多くの実施形態が、たとえば、コンピューティングデバイスの要素によって実行されるべき一連の動作の観点から説明される。本明細書で説明する様々な動作は、特定の回路（たとえば、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ））によって、１つもしくは複数のプロセッサによって実行されるプログラム命令によって、または両方の組合せによって実行することができることが認識されよう。加えて、本明細書で説明するこれらの一連の動作は、実行時に、関連のプロセッサに本明細書で説明する機能を実行させるコンピュータ命令の対応するセットを記憶した、任意の形式のコンピュータ可読記憶媒体内で完全に具現化されるものと見なすことができる。したがって、本発明の様々な態様はいくつかの異なる形態で具現化することができ、そのすべてが、請求する主題の範囲内に入ると考えられる。加えて、本明細書で説明する実施形態ごとに、任意のそのような実施形態の対応する形式は、本明細書では、たとえば、説明する動作を実行する「ように構成された論理」として説明されることがある。
【００２２】
本明細書では、特定の特徴について説明するために特定の用語が使用される。「モバイルデバイス」という用語は、限定はしないが、モバイルフォン、モバイル通信デバイス、ページャ、携帯情報端末、個人情報管理装置、モバイルハンドヘルドコンピュータ、ラップトップコンピュータ、ワイヤレスデバイス、ワイヤレスモデム、および／または通常個人によって持ち運ばれ、かつ／もしくは通信機能（たとえば、ワイヤレス、セルラー、赤外線、短距離無線など）を有する他のタイプの携帯型電子デバイスについて説明することができる。さらに、「ユーザ機器」（ＵＥ）、「モバイル端末」、「モバイルデバイス」、および「ワイヤレスデバイス」という用語は、互換性のある場合がある。
【００２３】
図１は、機械的な空洞形成のための従来の処理を示す。図１では、従来のＳＲコーティング技法、露出技法、および現像技法を使用して、積層基板１０が形成される。基板１０が形成された後、基板１０内に空洞２０が形成される。ルータ加工またはレーザーアブレーションなどの従来の機械的な技法を使用して空洞２０が形成される。図１からわかるように、空洞２０の形成中に、基板１０に埋め込まれたガラス構造部（ガラスファブリック）３０がダメージを受ける。基板１０の形成中、ガラス構造部３０は、基板１０の中心に垂直に、また第１の側から第２の側まで水平に連続的に埋め込まれる。次の段階では、空洞２０の領域内の埋め込まれた構造部３０の一部分を含む基板材料の除去によって、基板１０内に空洞２０が形成される。わかるように、空洞２０を形成するために基板材料の一部分が除去され、構造部３０が第１の側から第２の側まで水平に連続しなくなったとき、埋め込まれた構造部はダメージを受ける。
【００２４】
図２は、基板の層にダメージを与えることのない空洞形成のための装置および方法の例示的な実施形態を示す。図２では、空洞のない基板２００が形成される。基板２００の形成中、ガラス構造部２２０が、基板２００内に埋め込まれる場合がある。ガラス構造部は、基板２００の垂直中心から、また第１の側から第２の側に水平に連続的にオフセットされる場合がある。次の段階では、エッチング技法を使用した基板材料の除去によって、基板２００内に空洞２１０が形成される場合がある。図２からわかるように、空洞２１０を形成するために基板材料の一部分が除去され、構造部２２０が第１の側から第２の側まで水平に連続したままであるとき、埋め込まれた構造部２２０はダメージを受けない。
【００２５】
図３は、基板の層にダメージを与えることのない空洞形成のための装置および方法の例示的な実施形態を示す。図３では、空洞のない基板３００が形成される。エッチング技法を使用して、基板３００内に空洞３１０が形成される。図３からわかるように、基板３００に埋め込まれたガラス構造部３２０は、基板３００内に空洞３１０をエッチングすることによってダメージを受けない。
【００２６】
図４は、基板の層にダメージを与えることのない空洞形成のための装置および方法の例示的な実施形態を示す。図４では、空洞のない基板４００が形成される。エッチング技法を使用して、基板４００内に空洞４１０が形成される。図４からわかるように、基板４００に埋め込まれたガラス構造部４２０は、基板４００内に空洞４１０をエッチングすることによってダメージを受けない。
【００２７】
図５は、基板の層にダメージを与えることのない空洞形成のための装置および方法の例示的な実施形態を示す。図５では、空洞のない基板５００が形成される。エッチング技法を使用して、基板５００内に空洞５１０が形成される。図５からわかるように、基板５００に埋め込まれたガラス構造部５２０は、基板５００内に空洞５１０をエッチングすることによってダメージを受けない。
【００２８】
図６は、基板の層にダメージを与えることのない空洞形成のための装置および方法の例示的な実施形態を示す。図６では、空洞のない基板６００が形成される。エッチング技法を使用して、基板６００内に空洞６１０が形成される。図６からわかるように、基板６００に埋め込まれたガラス構造部６２０は、基板６００内に空洞６１０をエッチングすることによってダメージを受けない。
【００２９】
図７Ａおよび図７Ｂは、基板の層にダメージを与えることのない空洞形成のための装置および方法の例示的な実施形態を示す。図７Ａでは、シード層を含む担体７００が形成される。次に、担体７００上に銅めっき７１０が形成される。後の空洞の領域または位置に銅めっき７１０が形成される。次に、銅めっきされた担体７００は、プリプレグ層７２０および別のシード層７３０を用いてラミネート加工される。プリプレグ７２０は、埋め込まれたガラス構造部または同様のタイプの層を充填された樹脂層とすることができる。埋め込まれたガラス構造部は、プリプレグ層７２０の中心線からガラス構造部がオフセットされるように埋め込まれる場合がある。代替的には、プリプレグ層は、埋め込まれたガラス構造部が最初に内部に埋め込まれた層からオフセットされていない場合でも、埋め込まれたガラス構造部が複合プリプレグ層の中心線からオフセットされるように構成することができる。埋め込まれたガラス構造部は、プリプレグ層７２０にわたって連続的か、またはほぼ連続的である場合がある。代替構成では、ガラス構造部が中心に置かれる場合があり、中心のガラス構造部にダメージを与えることなく空洞が形成される場合がある。担体７００、プリプレグ７２０、およびシード層７３０は、図示するように１つの複合構造部を形成するために互いにラミネート加工される。図７Ａには、複合構造部の上部層および下部層が示されているが、望ましい場合には、一方の側の上だけに複合構造部が形成され得る。
【００３０】
次いで、複合構造部から担体７００が分離され、別々の基板７４０および７４５を形成する。基板のさらなる処理について１つの基板のみに関して説明するが、さらなる処理は、両方の基板に適用され得ることを理解されたい。基板７４０から担体７００を分離した後、基板７４０内にビア７４１が形成され、基板７４０は、複合リソグラフィ／Ｃｕめっき層７５０でコーティングされる。めっき層７５０は、リソグラフィ樹脂および銅めっきから構成することができる。次いで、めっき層７５０は基板７４０の様々な部分を露出させるためにむき出しにされる。露出された部分は、所望のパターンを実現するために必要に応じて配置され得る。
【００３１】
例示的な実施形態によれば、図７Ｂに示すように処理が続けられる。図７Ｂでは、露出された銅層を含む基板７４０が、さらにエッチングされ、シード層７６０を除去するが、銅部分７７０および銅めっき７１０を保持する。このエッチング処理に続いて、後の空洞または銅めっき７１０の位置を除いて、基板７４０上にマスク層７８０が形成される。空洞７９０を形成するために基板７４０に別のエッチング処理が適用される。このエッチング処理では、基板７４０のマスク部分は、エッチングから保護され、露光された銅めっき７１０のみがエッチング除去される。空洞７９０を形成した後、基板７４０からマスク層７８０が除去される。次に、基板７４０に、３段階処理が適用される。３段階処理では、ＳＲコーティングが適用され、露出され、次いで現像される。この３段階処理の後、表面仕上げなどのさらなる処理のために基板７４０の構造部が準備される場合がある。
【００３２】
図８は、基板の層にダメージを与えることのない空洞形成のための装置および方法の例示的な実施形態を示す。図８では、空洞のない基板８００が形成される。一実施形態では、基板８００は、はんだの相互接続部を保護するためにギャップ間にアンダーフィル８０５を含む。別の実施形態では、基板８００は、機械的強度をもたらすためにインターポーザとダイとの間に接着剤８０７を含む。
【００３３】
図９Ａおよび図９Ｂは、基板の層にダメージを与えることのない空洞形成のための装置および方法の例示的な実施形態を示す。図９Ａでは、シード層９０１を含む担体９００が形成される。次に、担体９００上に銅めっき９１０が形成される。後の空洞の領域または位置に銅めっき９１０が形成される。次に、銅めっきされた担体９００は、プリプレグ層９２０および別のシード層９３０を用いてラミネート加工される。プリプレグ９２０は、埋め込まれたガラス構造部または同様のタイプの層を充填された樹脂層とすることができる。担体９００、プリプレグ９２０、およびシード層９３０は、図示するように１つの複合構造部を形成するために互いにラミネート加工される。図９Ａには、複合構造部の上部層および下部層が示されているが、望ましい場合には、一方の側の上だけに複合構造部が形成され得る。
【００３４】
次いで、複合構造部から担体９００が分離され、別々の基板９４０および９４５を形成する。基板のさらなる処理について１つの基板のみに関して説明するが、さらなる処理は、両方の基板に適用され得ることを理解されたい。基板９４０から担体９００を分離した後、基板９４０内にビア９４１が形成され、基板９４０は、複合リソグラフィ／Ｃｕめっき層９５０でコーティングされる。めっき層９５０は、リソグラフィ樹脂および銅めっきから構成することができる。次いで、めっき層９５０は基板９４０の様々な部分を露出させるためにむき出しにされる。露出された部分は、所望のパターンを実現するために必要に応じて配置され得る。
【００３５】
例示的な実施形態によれば、図９Ｂに示すように処理が続けられる。図９Ｂでは、露出された銅層を含む基板９４０が、さらにエッチングされ、シード層９６０を除去するが、銅部分９７０および銅めっき９１０を保持する。次に、基板９４０に、３段階処理が適用される。３段階処理では、ＳＲコーティングが適用され、露出され、次いで現像される。この３段階処理に続いて、後の空洞または銅めっき９１０の位置を除いて、基板９４０上にマスク層９８０が形成される。空洞９９０を形成するために基板９４０に別のエッチング処理が適用される。このエッチング処理では、基板９４０のマスク部分は、エッチングから保護され、露光された銅めっき９１０のみがエッチング除去される。空洞９９０を形成した後、基板９４０からマスク層９８０が除去される。
【００３６】
上記の説明は銅に言及するが、銅の代わりに代替材料を使用することができることを理解されたい。代替材料は、エッチングに耐える機械的構造、またはエッチングに耐えるためにコーティングされ得る構造を含み得る。
【００３７】
本明細書で説明する方法の実施形態は、いくつかの用途および集積回路に使用することができる。たとえば、インターポーザ内の空洞形成により、上部のボールパッドピッチを低減するためにパッケージオンパッケージ（ＰｏＰ）半導体パッケージに説明した実施形態を使用することができる。さらなる用途は、当業者には直ちに明らかになるはずである。
【００３８】
本出願に記述されるか、例示されるか、または図示されたもののいずれも、任意の構成要素、ステップ、特徴、物体、利益、利点、または均等物が特許請求の範囲に記載されているかどうかにかかわらず、それらの構成要素、ステップ、特徴、物体、利益、利点、または均等物を公衆に献呈することを意図していない。
【００３９】
情報および信号が、多種多様な異なる技術および技法のいずれかを用いて表される場合があることが当業者には理解されよう。たとえば、上記の説明全体にわたって参照される場合があるデータ、命令、コマンド、情報、信号、ビット、シンボル、およびチップは、電圧、電流、電磁波、磁場もしくは磁性粒子、光場もしくは光学粒子、またはそれらの任意の組合せによって表されてもよい。
【００４０】
さらに、本明細書において開示された実施形態に関連して説明した種々の例示的な論理ブロック、モジュール、回路、およびアルゴリズムステップを、電子ハードウェア、コンピュータソフトウェア、または両方の組合せとして実現してもよいことが当業者には理解されよう。ハードウェアとソフトウェアのこの互換性を明確に示すために、様々な例示的な構成要素、ブロック、モジュール、回路、およびステップは、概してそれらの機能に関してこれまで説明されてきた。そのような機能が、ハードウェアとして実装されるかソフトウェアとして実装されるかは、具体的な適用例と、システム全体に課せられる設計制約とによって決まる。当業者は、説明された機能を各々の特定の応用分野について様々な方式で実装してもよいが、そのような実装判断は、本開示の範囲からの逸脱を引き起こすと解釈されるべきではない。
【００４１】
本明細書で開示した実施形態に関して説明した方法、シーケンス、および／またはアルゴリズムは、ハードウェア、プロセッサによって実行されるソフトウェアモジュール、またはその２つの組合せにおいて直接具現化されてもよい。ソフトウェアモジュールは、ＲＡＭメモリ、フラッシュメモリ、ＲＯＭメモリ、ＥＰＲＯＭメモリ、ＥＥＰＲＯＭメモリ、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、または当技術分野において知られている任意の他の形態の記憶媒体中に存在してもよい。例示的な記憶媒体は、プロセッサが記憶媒体から情報を読み取り、記憶媒体に情報を書き込むことができるようにプロセッサに結合される。代替的に、記憶媒体はプロセッサと一体化されてもよい。
【００４２】
本明細書で開示する態様に関して説明する様々な例示的な論理ブロック、モジュール、および回路は、汎用プロセッサ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）もしくは他のプログラマブル論理デバイス、個別ゲートもしくはトランジスタ論理、個別ハードウェア構成要素、または本明細書で説明する機能を実行するように設計されたそれらの任意の組合せを用いて実装または実行され得る。汎用プロセッサはマイクロプロセッサであり得るが、代替実施形態では、プロセッサは、任意の従来のプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ、またはステートマシンであり得る。プロセッサは、コンピューティングデバイスの組合せ（たとえば、ＤＳＰとマイクロプロセッサの組合せ、複数のマイクロプロセッサ、ＤＳＰコアと連結した１つもしくは複数のマイクロプロセッサ、または任意の他のそのような構成）として実装されてもよい。
【００４３】
デバイスに関していくつかの態様について説明してきたが、これらの態様が対応する方法の説明も構成し、したがって、デバイスのブロックまたは構成要素が対応する方法ステップまたは方法ステップの特徴としても理解されるべきであることは言うまでもない。それと同様に、方法ステップに関してまたは方法ステップとして説明した態様は、対応するブロックまたは対応するデバイスの詳細もしくは特徴の説明も構成する。方法ステップのいくつかまたはすべては、たとえば、マイクロプロセッサ、プログラマブルコンピュータ、または電子回路などのハードウェア装置によって（またはハードウェア装置を使用して）実行することができる。いくつかの例示的な実施形態では、最も重要な方法ステップのうちのいくつかまたは複数は、そのような装置によって実行され得る。
【００４４】
上記で説明した例示的な実施形態は、本開示の原理の説明を構成しているにすぎない。本明細書で説明した構成および詳細の修正および変形が他の当業者に明らかになることは言うまでもない。したがって、本開示は、本説明に基づいて提示された具体的な詳細と、本明細書の例示的な実施形態の説明とによってではなく、添付の特許請求の範囲の保護範囲によってのみ限定されるものとする。
【００４５】
上記の発明を実施するための形態では、例示的な実施形態において、様々な特徴が互いにグループ化されることがわかる。本開示のこのやり方は、特許請求された例示的な実施形態が、それぞれの請求項に明示的に述べられたものよりも多い特徴を必要とするものとして理解されるべきでない。むしろ、発明性がある内容が、開示された個々の例示的な実施形態のすべての特徴よりも少なく存在し得るという現実がある。したがって、以下の特許請求の範囲は、これによって本説明に組み込まれたものと見なされるべきであり、各請求項はそれ自体、別々の例示的な実施形態として存在し得る。各請求項がそれ自体、別々の例示的な実施形態として存在し得るが、従属請求項は、特許請求の範囲内で１つまたは複数の請求項との具体的な組合せを参照することができる一方で、他の例示的な実施形態は、前記従属請求項の任意の他の従属請求項の主題との組合せ、または任意の特徴の他の従属請求項および独立請求項との組合せを包含するか、または含む場合もあることに留意されたい。そのような組合せは、具体的な組合せが意図されていないことを明示的に表現されなければ、本明細書で提案される。さらに、請求項の特徴は、前記請求項が独立請求項に直接従属していなくとも、任意の他の独立請求項に含まれる場合があることも意図される。
【００４６】
本説明または特許請求の範囲に開示された方法は、本方法のそれぞれのステップまたは動作を実行するための手段を含むデバイスによって実行され得ることにさらに留意されたい。
【００４７】
さらに、いくつかの例示的な実施形態では、個々のステップ／動作は、複数のサブステップに再分割されるか、または複数のサブステップを含むことができる。そのようなサブステップは、個々のステップの開示に含まれ、個々のステップの開示の一部分となり得る。
【００４８】
したがって、本開示の一実施形態は、位置推定のための方法を具現化するコンピュータ可読媒体を含むことができる。したがって、本開示は図示の例に限定されず、本明細書で説明する機能を実行するためのいかなる手段も、本開示の実施形態に含まれる。
【００４９】
上記の開示は本発明の例示的な実施形態を示すが、添付の特許請求の範囲によって規定される本発明の範囲から逸脱することなく、本明細書において様々な変更および修正を加えることができることに留意されたい。本明細書で説明する本発明の実施形態による方法クレームの機能、ステップ、および／または動作は、任意の特定の順序で実行される必要はない。さらに、本発明の要素は、単数形で説明または請求される場合があるが、単数形に限定することが明示的に述べられていない限り、複数形が企図される。
【符号の説明】
【００５０】
１０  積層基板
２０  空洞
３０  ガラス構造部
２００  基板
２１０  空洞
２２０  ガラス構造部
３００  基板
３１０  空洞
３２０  ガラス構造部
４００  基板
４１０  空洞
４２０  ガラス構造部
５００  基板
５１０  空洞
５２０  ガラス構造部
６００  基板
６１０  空洞
６２０  ガラス構造部
７００  シード層を含む担体
７１０  銅めっき
７２０  プリプレグ層
７３０  別のシード層
７４０  基板
７４１  ビア
７４５  基板
７５０  複合リソグラフィ／Ｃｕめっき層
７６０  シード層
７７０  銅部分
７８０  マスク層
７９０  空洞
８００  基板
８０５  アンダーフィル
８０７  接着剤
９００  担体
９０１  シード層
９１０  銅めっき
９２０  プリプレグ層
９３０  別のシード層
９４０  基板
９４１  ビア
９４５  基板
９５０  めっき層
９６０  シード層
９７０  銅部分
９８０  マスク層
９９０  空洞
【図１】
2017505540.tif 000003
【図２】
2017505540.tif 000004
【図３】
2017505540.tif 000005
【図４】
2017505540.tif 000006
【図５】
2017505540.tif 000007
【図６】
2017505540.tif 000008
【図７Ａ】
2017505540.tif 000009
【図７Ｂ】
2017505540.tif 000010
【図８】
2017505540.tif 000011
【図９Ａ】
2017505540.tif 000012
【図９Ｂ】
2017505540.tif 000013
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月26日(2016.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板内に空洞を生成するための方法であって、
担体の空洞位置上にめっき部分を形成するステップと、
ガラス構造部を含む複合層を用いて前記担体をラミネートするステップと、
前記担体を前記複合層から分離するステップと、
前記ガラス構造部が前記基板の中心からオフセットされるように前記分離された複合層および前記めっき部分を含む基板を形成するステップと、
露出されためっき部分をエッチングすることによって前記基板内に空洞を形成するステップであって、前記空洞が前記基板を通して部分的に延び、前記ガラス構造部までは延びない、ステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記担体上にシード層を形成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記めっき部分を露出させながら、前記基板をマスキングするステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
マスキングされていない部分を除去するために前記基板をエッチングするステップをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記めっき部分が銅である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記複合層が事前に充填された樹脂層およびシード層である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記事前に充填された樹脂層が前記ガラス構造部を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ガラス構造部は、事前に充填された樹脂層にわたって連続し、前記事前に充填された樹脂層の中心からオフセットされる、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
担体の空洞位置上にめっき部分を形成するステップと、
ガラス構造部を含む複合層を用いて前記担体をラミネートするステップと、
前記担体を前記複合層から分離するステップと、
前記ガラス構造部が前記基板の中心からオフセットされるように前記分離された複合層および前記めっき部分を含む基板を形成するステップと、
露出されためっき部分をエッチングすることによって前記基板内に空洞を形成するステップであって、前記空洞が前記基板を通して部分的に延び、前記ガラス構造部までは延びない、ステップと
を含む、プロセスによって準備される基板。
【請求項１０】
前記担体上にシード層を形成するステップをさらに含む、請求項９に記載のプロセス。
【請求項１１】
前記めっき部分を露出させながら、前記基板をマスキングするステップをさらに含む、請求項９に記載のプロセス。
【請求項１２】
マスキングされていない部分を除去するために前記基板をエッチングするステップをさらに含む、請求項１１に記載のプロセス。
【請求項１３】
前記めっき部分が銅である、請求項９に記載のプロセス。
【請求項１４】
前記複合層が事前に充填された樹脂層およびシード層である、請求項９に記載のプロセス。
【請求項１５】
前記事前に充填された樹脂層が前記ガラス構造部を含む、請求項１４に記載のプロセス。
【請求項１６】
前記ガラス構造部は、事前に充填された樹脂層にわたって連続し、前記事前に充填された樹脂層の中心からオフセットされる、請求項１５に記載のプロセス。
【請求項１７】
構造部であって、
その第１の側に空洞を画定する基板と、
前記基板上にラミネートされた誘電体層と、
前記誘電体層内に埋め込まれたガラス構造部であって、前記誘電体層の中心からオフセットされたガラス構造部と
を含む、構造部。
【請求項１８】
前記ガラス構造部が前記誘電体層にわたって連続する、請求項１７に記載の構造部。
【請求項１９】
前記誘電体層が事前に充填された層である、請求項１７に記載の構造部。
【請求項２０】
前記空洞が、前記ガラス構造部の開始に近い点まで前記基板を通して部分的に延びる、請求項１７に記載の構造部。
【国際調査報告】
2017505540.tif 000014
2017505540.tif 000015