(57)【要約】  いくつかの新規の特徴が集積デバイス（たとえば、集積パッケージ）に関連し、その集積デバイスは、集積デバイス用の基部部分と、基部部分の第１の表面に結合される第１のダイと、第１のダイと基部部分との間のアンダーフィルとを含む。基部部分は、誘電体層および１組の再分配金属層を含む。いくつかの実施態様では、集積デバイスは、第１のダイを封入する封入材料をさらに含む。いくつかの実施態様では、集積デバイスは、基部部分の第１の表面に結合される第２のダイをさらに含む。いくつかの実施態様では、集積デバイスは、基部部分上に、第１のダイと第２のダイを電気的に結合する１組のインターコネクトをさらに含む。いくつかの実施態様では、第１のダイが第１の組のインターコネクトピラーを含み、第２のダイが第２の組のインターコネクトピラーを含む。
2017507495.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積デバイスであって、
誘電体層および１組の再分配金属層を備える、前記集積デバイス用の基部部分と、
前記基部部分の第１の表面に結合される第１のダイと、
前記第１のダイと前記基部部分との間のアンダーフィルとを備える、集積デバイス。
【請求項２】
前記第１のダイを封入する封入材料をさらに備える、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項３】
前記基部部分の前記第１の表面に結合される第２のダイをさらに備える、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項４】
前記第１のダイと前記第２のダイを電気的に結合する、前記基部部分上の１組のインターコネクトをさらに備える、請求項３に記載の集積デバイス。
【請求項５】
前記第１のダイは第１の組のインターコネクトピラーを備え、前記第２のダイは第２の組のインターコネクトピラーを備え、前記１組のインターコネクトは、前記第１の組のインターコネクトピラーおよび前記第２の組のインターコネクトピラーに結合されており、ランディングパッドを回避する、請求項４に記載の集積デバイス。
【請求項６】
前記１組のインターコネクトは、約４０ミクロン（μｍ）以下である第１のピッチを含む、請求項４に記載の集積デバイス。
【請求項７】
前記第１のダイは第１のウェハレベルダイである、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項８】
前記第１のダイは第１の組のインターコネクトピラーを備え、前記第１の組のインターコネクトピラーを介して前記１組の再分配金属層に結合される、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項９】
前記第１の組のインターコネクトピラーは、約４０ミクロン（μｍ）以下である第１のピッチを含む、請求項８に記載の集積デバイス。
【請求項１０】
音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末、定置端末、タブレットコンピュータ、および／またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも１つに組み込まれる、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項１１】
誘電体層および再分配手段を備える、集積デバイス用の基部部分と、
前記基部部分の第１の表面に結合される第１のダイと、
前記第１のダイと前記基部部分との間の領域を封入するための手段とを備える、装置。
【請求項１２】
前記第１のダイを封入する封入手段をさらに備える、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記基部部分の前記第１の表面に結合される第２のダイをさらに備える、請求項１１に記載の装置。
【請求項１４】
前記第１のダイと前記第２のダイを電気的に結合する、前記基部部分上の１組のインターコネクトをさらに備える、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記第１のダイは第１の組のインターコネクトピラーを備え、前記第２のダイは第２の組のインターコネクトピラーを備え、前記１組のインターコネクトは、前記第１の組のインターコネクトピラーおよび前記第２の組のインターコネクトピラーに結合されており、ランディングパッドを回避する、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記１組のインターコネクトは、約４０ミクロン（μｍ）以下である第１のピッチを含む、請求項１４に記載の装置。
【請求項１７】
前記第１のダイは第１のウェハレベルダイである、請求項１１に記載の装置。
【請求項１８】
前記第１のダイは第１の組のインターコネクトピラーを備え、前記第１の組のインターコネクトピラーを介して前記１組の再分配手段に結合される、請求項１１に記載の装置。
【請求項１９】
前記第１の組のインターコネクトピラーは、約４０ミクロン（μｍ）以下である第１のピッチを含む、請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末、定置端末、タブレットコンピュータ、および／またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも１つに組み込まれる、請求項１１に記載の装置。
【請求項２１】
集積デバイスを配設するための方法であって、
前記集積デバイス用の基部部分を形成するステップであって、誘電体層を形成するステップおよび１組の再分配金属層を形成するステップを含むステップと、
前記基部部分の第１の表面上に第１のダイを配設するステップと、
前記第１のダイと前記基部部分との間にアンダーフィルを形成するステップとを含む、方法。
【請求項２２】
前記第１のダイを封入する封入材料を形成するステップをさらに含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記基部部分の前記第１の表面上に第２のダイを配設するステップをさらに含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
前記第１のダイと前記第２のダイを電気的に結合する１組のインターコネクトを前記基部部分上に形成するステップをさらに含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記第１のダイは第１の組のインターコネクトピラーを備え、前記第２のダイは第２の組のインターコネクトピラーを備え、前記１組のインターコネクトは、前記第１の組のインターコネクトピラーおよび前記第２の組のインターコネクトピラーに結合されており、ランディングパッドを回避する、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記１組のインターコネクトは、約４０ミクロン（μｍ）以下である第１のピッチを含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】
前記第１のダイは第１のウェハレベルダイである、請求項２１に記載の方法。
【請求項２８】
前記第１のダイは第１の組のインターコネクトピラーを備え、前記第１の組のインターコネクトピラーを介して前記１組の再分配金属層に結合される、請求項２１に記載の方法。
【請求項２９】
前記第１の組のインターコネクトピラーは、約４０ミクロン（μｍ）以下である第１のピッチを含む、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記集積デバイスは、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末、定置端末、タブレットコンピュータ、および／またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも１つに組み込まれる、請求項２１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、内容全体が参照により本明細書に組み込まれる、２０１４年３月４日に米国特許商標庁に出願された、米国非仮特許出願第１４／１９６，８１７号の優先権および恩典を主張する。
【０００２】
種々の特徴は、高密度インターコネクトおよび再分配層を含む集積デバイスに関する。
【背景技術】
【０００３】
図１は、基板１０２と、第１のダイ１０６と、第２のダイ１０８と、第１の組のハンダボール１１６と、第２の組のハンダボール１１８と、第３の組のハンダボール１２０とを含む従来の集積パッケージ１００を示す。第１のダイ１０６は、第１の組のハンダボール１１６を通して基板１０２に結合される。第２のダイ１０８は、第２の組のハンダボール１１８を通して基板１０２に結合される。第３の組のハンダボール１２０は基板１０２に結合される。通常、第３の組のハンダボール１２０は、プリント回路基板（ＰＣＢ）（図示せず）に結合される。
【０００４】
図１に示されるような従来の集積パッケージは、ある制約および不利な点を有する。たとえば、図１の集積パッケージ１００の基板１０２は通常、有機積層板（たとえば、硬質または軟質）、またはシリコン（Ｓｉ）インターポーザから形成される。基板としてそのような材料を使用することは、薄型集積パッケージを製造しようと試みるときに、設計上の問題を引き起こす。すなわち、これらの材料は、その製造上の制約に起因して、著しい設計上の不利益をもたらす。詳細には、これらの材料は、薄型集積パッケージを提供することを不可能にするか、またはそのようなパッケージを提供する費用を法外に高くする。
【０００５】
さらに、ダイと基板との間の結合方法としてハンダボールを使用することは、ハンダボール間に必要とされる最小間隔が基板上のトレースおよび／またはビア間に必要とされる最小間隔より大きい場合があるので、ダイと基板との間に存在することができる接続の密度を制限する。
【０００６】
さらに、集積デバイスの製造プロセス中のツールアラインメントの許容差およびダイのシフティングが、基板上のダイの配置の不正確さの原因になることがある。これらの問題に対処するために、ダイの適切な接続があることを保証するように、大きいランディングパッドを用意しなければならない。これらの大きいランディングパッドは、集積デバイスの貴重なスペースを占有し、集積デバイスの製作に対して不必要なコストを付け足す可能性がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
それゆえ、薄型であるが、占有するリアルエステートが可能な限り少ないコスト効率の良い集積パッケージが必要とされている。理想的には、そのような集積パッケージは、より高密度の、ダイとの接続も提供することになる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本明細書において説明される種々の特徴、装置および方法は、高密度インターコネクトおよび再分配層を含む集積デバイスを提供する。
【０００９】
第１の例は、集積デバイス用の基部部分と、基部部分の第１の表面に結合される第１のダイと、第１のダイと基部部分との間のアンダーフィルとを含む集積デバイスを提供する。基部部分は、誘電体層および１組の再分配金属層を含む。
【００１０】
一態様によれば、集積デバイスは、第１のダイを封入する封入材料をさらに含む。
【００１１】
一態様によれば、集積デバイスは、基部部分の第１の表面に結合される第２のダイをさらに含む。いくつかの実施態様では、集積デバイスは、基部部分上に、第１のダイと第２のダイを電気的に結合する１組のインターコネクトをさらに含む。いくつかの実施態様では、第１のダイが第１の組のインターコネクトピラーを含み、第２のダイが第２の組のインターコネクトピラーを含む。１組のインターコネクトは、第１の組のインターコネクトピラーおよび第２の組のインターコネクトピラーに結合され、バンプパッドおよび／またはランディングパッドを回避する。いくつかの実施態様では、１組のインターコネクトは、約４０ミクロン（μｍ）以下である第１のピッチを有する。いくつかの実施態様では、第２のダイと基部部分との間にはアンダーフィルもある。
【００１２】
一態様によれば、第１のダイは第１のウェハレベルダイである。
【００１３】
一態様によれば、第１のダイは第１の組のインターコネクトピラーを含み、第１の組のインターコネクトピラーを介して１組の再分配金属層に結合される。いくつかの実施態様では、第１の組のインターコネクトピラーは、約４０ミクロン（μｍ）以下である第１のピッチを有する。
【００１４】
一態様によれば、集積デバイスは、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイルフォン、スマートフォン、携帯情報端末、定置端末、タブレットコンピュータ、および／またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも１つに組み込まれる。
【００１５】
第２の例が装置を提供し、その装置は、集積デバイス用の基部部分を含む。基部部分は、誘電体層および再分配手段を含む。装置は、基部部分の第１の表面に結合される第１のダイと、第１のダイと基部部分との間の領域を封入するための手段とをさらに含む。
【００１６】
一態様によれば、装置は、第１のダイを封入する封入手段をさらに含む。
【００１７】
一態様によれば、装置は、基部部分の第１の表面に結合される第２のダイをさらに含む。いくつかの実施態様では、装置は、基部部分上に１組のインターコネクトをさらに含む。１組のインターコネクトは、第１のダイと第２のダイを電気的に結合する。いくつかの実施態様では、第１のダイは第１の組のインターコネクトピラーを含む。第２のダイは第２の組のインターコネクトピラーを含む。１組のインターコネクトは、第１の組のインターコネクトピラーおよび第２の組のインターコネクトピラーに結合され、ランディングパッドを回避する。いくつかの実施態様では、１組のインターコネクトは、約４０ミクロン（μｍ）以下である第１のピッチを含む。
【００１８】
一態様によれば、第１のダイは第１のウェハレベルダイである。
【００１９】
一態様によれば、第１のダイは第１の組のインターコネクトピラーを含む。第１のダイは、第１の組のインターコネクトピラーを介して再分配手段に結合される。
【００２０】
一態様によれば、第１の組のインターコネクトピラーは、約４０ミクロン（μｍ）以下である第１のピッチを含む。
【００２１】
一態様によれば、装置は、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイルフォン、スマートフォン、携帯情報端末、定置端末、タブレットコンピュータ、および／またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも１つに組み込まれる。
【００２２】
第３の例が、集積デバイスを提供するための方法を提供する。その方法は、集積デバイス用の基部部分を形成し、基部部分を形成することは、誘電体層を形成すること、および１組の再分配金属層を形成することを含む。その方法は、基部部分の第１の表面上に第１のダイを配設する。その方法は、第１のダイと基部部分との間にアンダーフィルを形成する。
【００２３】
一態様によれば、その方法は、第１のダイを封入する封入材料をさらに形成する。
【００２４】
一態様によれば、その方法は、基部部分の第１の表面に結合される第２のダイを配設する。いくつかの実施態様では、その方法は、基部部分上に１組のインターコネクトを形成する。１組のインターコネクトは、第１のダイと第２のダイを電気的に結合する。いくつかの実施態様では、第１のダイが第１の組のインターコネクトピラーを含み、第２のダイが第２の組のインターコネクトピラーを含む。１組のインターコネクトは、第１の組のインターコネクトピラーおよび第２の組のインターコネクトピラーに結合され、ランディングパッドを回避する。いくつかの実施態様では、１組のインターコネクトは、約４０ミクロン（μｍ）以下である第１のピッチを含む。
【００２５】
一態様によれば、第１のダイは第１のウェハレベルダイである。
【００２６】
一態様によれば、第１のダイは第１の組のインターコネクトピラーを含む。第１のダイは、第１の組のインターコネクトピラーを介して１組の再分配金属層に結合される。いくつかの実施態様では、第１の組のインターコネクトピラーは、約４０ミクロン（μｍ）以下である第１のピッチを含む。
【００２７】
一態様によれば、集積デバイスは、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイルフォン、スマートフォン、携帯情報端末、定置端末、タブレットコンピュータ、および／またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも１つに組み込まれる。
【００２８】
種々の特徴、性質、および利点は、同様の参照符号が全体にわたって対応して識別する図面と併せて読まれたとき、以下に記載される詳細な説明から明らかになる場合がある。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】従来の集積デバイスの側面図である。
【図２】集積デバイスの一例を示す図である。
【図３】ダイの一例を示す図である。
【図４】基板貫通ビアを含むダイの一例を示す図である。
【図５】集積デバイスの一例を示す図である。
【図６】集積デバイスの一例を示す図である。
【図７Ａ】集積デバイスを配設／製造するための例示的なシーケンスの一部を示す図である。
【図７Ｂ】集積デバイスを配設／製造するための例示的なシーケンスの一部を示す図である。
【図７Ｃ】集積デバイスを配設／製造するための例示的なシーケンスの一部を示す図である。
【図７Ｄ】集積デバイスを配設／製造するための例示的なシーケンスの一部を示す図である。
【図８Ａ】集積デバイスを配設／製造するための例示的なシーケンスの一部を示す図である。
【図８Ｂ】集積デバイスを配設／製造するための例示的なシーケンスの一部を示す図である。
【図８Ｃ】集積デバイスを配設／製造するための例示的なシーケンスの一部を示す図である。
【図８Ｄ】集積デバイスを配設／製造するための例示的なシーケンスの一部を示す図である。
【図９】集積デバイスを配設／製造するための例示的な方法を示す図である。
【図１０Ａ】集積デバイスを配設／製造するための例示的なシーケンスの一部を示す図である。
【図１０Ｂ】集積デバイスを配設／製造するための例示的なシーケンスの一部を示す図である。
【図１０Ｃ】集積デバイスを配設／製造するための例示的なシーケンスの一部を示す図である。
【図１１】本明細書において説明される半導体デバイス、ダイ、集積回路および／またはＰＣＢを組み込むことができる種々の電子デバイスを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下の説明では、本開示の種々の態様を完全に理解してもらうために具体的な詳細が与えられる。しかしながら、それらの態様が、これらの具体的な詳細なしに実施できることは当業者には理解されよう。たとえば、それらの態様を無用に詳しく説明して曖昧にすることを避けるために、回路がブロック図で示される場合がある。他の例では、本開示の態様を曖昧にしないように、周知の回路、構造、および技術は詳細には示されない場合がある。
【００３１】
概説
いくつかの新規の特徴が集積デバイス（たとえば、集積パッケージ）に関連し、その集積デバイスは、集積デバイス用の基部部分と、基部部分の第１の表面に結合される第１のダイ（たとえば、第１のウェハレベルダイ）と、第１のダイと基部部分との間のアンダーフィルとを含む。基部部分は、誘電体層および１組の再分配金属層を含む。いくつかの実施態様では、集積デバイスは、第１のダイを封入する封入材をさらに含む。いくつかの実施態様では、集積デバイスは、基部部分の第１の表面に結合される第２のダイ（たとえば、第２のウェハレベルダイ）をさらに含む。いくつかの実施態様では、集積デバイスは、基部部分上に、第１のダイと第２のダイを電気的に結合する１組のインターコネクトをさらに含む。いくつかの実施態様では、第１のダイが第１の組のインターコネクトピラーを含み、第２のダイが第２の組のインターコネクトピラーを含む。１組のインターコネクトは、第１の組のインターコネクトピラーおよび第２の組のインターコネクトピラーに結合され、ランディングパッド（たとえば、バンプパッド）を回避する。いくつかの実施態様では、１組のインターコネクトは、約４０ミクロン（μｍ）以下である第１のピッチを有する。いくつかの実施態様では、第２のダイと基部部分との間にはアンダーフィルもある。
【００３２】
再分配層を含む例示的な集積デバイス
図２は、いくつかのダイを含む集積デバイス（たとえば、半導体デバイス、集積パッケージ）の側面図の一例を概念的に示す。具体的には、図２は、集積デバイス２００（たとえば、集積パッケージ）を示しており、集積デバイス２００は、誘電体層２０２と、第１の組のハンダボール２０４と、第１のダイ２０６と、第２のダイ２０８と、封入材２２０と、アンダーフィル２２２とを含む。異なる実施態様は、封入材２２０のために異なる材料を使用することができる。たとえば、封入材２２０は、少なくともモールド、エポキシおよび／またはポリマー充填材のうちの１つを含むことができる。ダイ（たとえば、第１のダイ２０６、第２のダイ２０８）は、メモリダイおよび／またはプロセッサのような、異なるタイプのダイを表す場合がある。いくつかの実施態様では、第１のダイ２０６および／または第２のダイ２０８はウェハレベルダイである。ダイはさらに、図３〜図４を参照しながら以下に詳細に説明される。
【００３３】
誘電体層２０２は、１つの誘電体層またはいくつかの誘電体層を含むことができる。いくつかの実施態様では、誘電体層２０２は、絶縁層である。図２は、誘電体層２０２が１組の金属層を含むことを示す。詳細には、誘電体層２０２は、第１の組の再分配インターコネクト２３０と、第１のアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層２３２と、第２の組の再分配インターコネクト２４０と、第２のアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層２４２と、第３の組の再分配インターコネクト２５０と、第３のアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層２５２と、第４の組の再分配インターコネクト２６０と、第４のアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層２６２と、第５の組の再分配インターコネクト２８０とを含む。いくつかの実施態様では、誘電体層２０２において、第１の組の再分配インターコネクト２３０、第２の組の再分配インターコネクト２４０、第３の組の再分配インターコネクト２５０および第４の組の再分配インターコネクト２６０は再分配層である。再分配層はビアを含むことができる。異なる実施態様は、異なる数の再分配金属層（たとえば、１つ、２つ、またはそれ以上の金属層）を有することができる。
【００３４】
第５の組の再分配インターコネクト２８０は、誘電体層２０２上の（たとえば、誘電体層２０２の表面上の）金属層である。いくつかの実施態様では、第１の組の再分配インターコネクト２３０、第２の組の再分配インターコネクト２４０、第３の組の再分配インターコネクト２５０、および第４の組の再分配インターコネクト２６０は、それぞれ第１のピッチ、第２のピッチ、第３のピッチ、および第４のピッチを有する。いくつかの実施態様では、第５の組の再分配インターコネクト２８０は、第１のピッチ、第２のピッチ、第３のピッチ、および／または第４のピッチとは異なる第５のピッチを有する。いくつかの実施態様では、第５のピッチは、第１のピッチ、第２のピッチ、第３のピッチ、および／または第４のピッチよりも小さい。第５の組の再分配インターコネクト２８０は、第１の組のインターコネクト２１６および第２の組のインターコネクト２１８に結合される。いくつかの実施態様では、第５の組の再分配インターコネクト２８０は１組の高密度インターコネクトを含む。いくつかの実施態様では、第５の組のインターコネクト２８０は、約４０ミクロン（μｍ）以下である第１のピッチを含む。
【００３５】
第１のダイ２０６は、第１の組のインターコネクト２１６を介して誘電体層２０２の第１の表面に結合される。いくつかの実施態様では、第１の組のインターコネクト２１６は金属ピラー（たとえば、金属層）である。いくつかの実施態様では、金属ピラーは銅ピラーである。いくつかの実施態様では、第１のダイ２０６は、第１の組のインターコネクト２１６、第１の組の再分配インターコネクト２３０、第１のＵＢＭ層２３２、第２の組の再分配インターコネクト２４０および／または第２のＵＢＭ層２４２を通して、１組のハンダボール２０４のうちの少なくとも１つに電気的に結合される。
【００３６】
第２のダイ２０８は、第２の組のインターコネクト２１８を通して、誘電体層２０２の第１の表面に結合される。いくつかの実施態様では、第２の組のインターコネクト２１８は金属ピラー（たとえば、金属層）である。いくつかの実施態様では、金属ピラーは銅ピラーである。いくつかの実施態様では、第２のダイ２０８は、第２の組のインターコネクト２１８、第３の組の再分配インターコネクト２５０、および／または第３のＵＢＭ層２５２を通して、１組のハンダボール２０４のうちの少なくとも１つに電気的に結合される。
【００３７】
図２に示されるように、第１のダイ２０６は、第５の組の再分配インターコネクト２８０を介して、第２のダイ２０８に電気的に結合することができる。図２は、第１の組のインターコネクト２１６および第２の組のインターコネクト２１８がアンダーフィル２２２によって封入されることも示す。アンダーフィル２２２は、いくつかの事例ではオプションである。
【００３８】
図３は、（集積デバイスの一形態である）ダイ３００の一例を概念的に示す。明確にするために、図３は、ダイを一般化したものを示す。したがって、図３において、ダイのすべての構成要素が示されるとは限らない。いくつかの実施態様では、ダイ３００は、図２のダイ２０６および／または２０８の少なくとも１つに対応することができる。図３に示されるように、ダイ３００（たとえば、集積デバイス）は、基板３０１と、いくつかの下位金属層および誘電体層３０２と、１組のインターコネクト３１１〜３１６（たとえば、バンプ、ピラーインターコネクト）と、封入材３２０（たとえば、モールド、エポキシ、ポリマー充填材）とを含む。いくつかの実施態様では、封入材３２０はオプションとすることができる。
【００３９】
ダイ３００は、正面領域（たとえば、アクティブ領域）と背面領域とを含む。いくつかの実施態様では、ダイ３００はウェハレベルダイである。
【００４０】
いくつかの実施態様では、ダイ３００は、パッド、パッシベーション層、第１の絶縁体層、第１のアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層、および第２のアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層も含むことができる。そのような場合に、パッドは下位金属層および誘電体層３０２に結合することができる。パッシベーション層は、下位金属層および誘電体層３０２と封入材３２０との間に配置することができる。第１のバンプ層は、パッドおよびインターコネクト３１１〜３１６のうちの１つに結合することができる。
【００４１】
いくつかの実施態様では、ダイは、１つまたは複数の基板貫通ビア（ＴＳＶ）を含むこともできる。図４は、少なくとも１つのＴＳＶを含む、（集積デバイスの形態である）ダイ４００の一例を概念的に示す。明確にするために、図４は、ダイを一般化したものを示す。したがって、図４において、ダイのすべての構成要素が示されるとは限らない。いくつかの実施態様では、ダイ４００は、図２のダイ２０６および／または２０８の少なくとも１つに対応することができる。図４に示されるように、ダイ４００（たとえば、集積デバイス）は、基板４０１と、いくつかの下位金属層および誘電体層４０２と、１組のインターコネクト４１１〜４１６（たとえば、バンプ、ピラーインターコネクト）と、封入材４２０（たとえば、モールド、エポキシ、ポリマー充填材）とを含む。いくつかの実施態様では、封入材４２０はオプションとすることができる。
【００４２】
ダイ４００は、正面領域（たとえば、アクティブ領域）と背面領域とを含む。いくつかの実施態様では、ダイ４００はウェハレベルダイである。
【００４３】
図４に示されるように、ダイ４００は、第１の基板貫通ビア（ＴＳＶ）４２１と、第２のＴＳＶ４２２と、第３のＴＳＶ４３３と、第４のＴＳＶ４３４とを含む。第１のＴＳＶ４２１および第２のＴＳＶ４２２は基板４０１と、下位金属層および誘電体層４０２とを横断する。すなわち、第１のＴＳＶ４２１および第２のＴＳＶ４２２は、ダイ４００のアクティブ領域（たとえば、正面領域）および背面領域を横断する。第３のＴＳＶ４３３および第４のＴＳＶ４３４は、基板４０１を横断する。すなわち、第３のＴＳＶ４３３および第４のＴＳＶ４３４は、ダイ４００のアクティブ領域（たとえば、正面領域）を横断する。
【００４４】
いくつかの実施態様では、ダイ４００は、パッド、パッシベーション層、第１の絶縁層、第１のアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層および第２のアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層を含むこともできる。そのような場合に、パッドは下位金属層および誘電体層４０２に結合することができる。パッシベーション層は、下位金属層および誘電体層４０２と封入材４２０との間に配置することができる。第１のバンプ層は、パッドおよびインターコネクト４１１〜４１６のうちの１つに結合することができる。
【００４５】
図５は、いくつかのダイを含む集積デバイス（たとえば、半導体デバイス、集積パッケージ）の側面図の一例を概念的に示す。具体的には、図５は、集積デバイス５００（たとえば、集積パッケージ）を示し、その集積デバイスは、誘電体層５０２と、第１の組のハンダボール５０４と、第１のダイ５０６と、第２のダイ５０８と、封入材５２０と、アンダーフィル５２２とを含む。異なる実施態様は、封入材５２０のために異なる材料を使用することができる。たとえば、封入材５２０は、少なくともモールド、エポキシおよび／またはポリマー充填材のうちの１つを含むことができる。ダイ（たとえば、第１のダイ５０６、第２のダイ５０８）は、メモリダイおよび／またはプロセッサのような、異なるタイプのダイを表す場合がある。いくつかの実施態様では、第１のダイ５０６および／または第２のダイ５０８はウェハレベルダイである。ダイは、図３〜図４を参照しながら詳細に説明される。
【００４６】
誘電体層５０２は、１つの誘電体層またはいくつかの誘電体層を含むことができる。いくつかの実施態様では、誘電体層５０２は、絶縁層である。図５は、誘電体層５０２が１組の金属層を含むことを示す。詳細には、誘電体層５０２は、第１の組の再分配インターコネクト５３０と、第１のアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層５３２と、第２の組の再分配インターコネクト５４０と、第２のアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層５４２と、第３の組の再分配インターコネクト５５０と、第３のアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層５５２と、第４の組の再分配インターコネクト５６０と、第４のアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層５６２と、第５の組の再分配インターコネクト５８０とを含む。いくつかの実施態様では、第１の組の再分配インターコネクト５３０、第２の組の再分配インターコネクト５４０、第３の組の再分配インターコネクト５５０、第４の組再分配インターコネクト５６０および第５の組再分配インターコネクト５８０は再分配層である。再分配層はビアを含むことができる。異なる実施態様は、異なる数の再分配金属層（たとえば、１つ、５つ、またはそれ以上の金属層）を有することができる。
【００４７】
第１のダイ５０６は、第１の組のインターコネクト５１６を通して誘電体層５０２の第１の表面に結合される。いくつかの実施態様では、第１の組のインターコネクト５１６は金属ピラー（たとえば、金属層）である。いくつかの実施態様では、金属ピラーは銅ピラーである。いくつかの実施態様では、第１のダイ５０６は、第１の組のインターコネクト５１６、第１の組の再分配インターコネクト５３０、第１のＵＢＭ層５３２、第２の組の再分配インターコネクト５４０および／または第２のＵＢＭ層５４２を通して、１組のハンダボール５０４のうちの少なくとも１つに電気的に結合される。
【００４８】
第２のダイ５０８は、第２の組のインターコネクト５１８を通して、誘電体層５０２の第１の表面に結合される。いくつかの実施態様では、第２の組のインターコネクト５１８は金属ピラー（たとえば、金属層）である。いくつかの実施態様では、金属ピラーは銅ピラーである。いくつかの実施態様では、第２のダイ５０８は、第２の組のインターコネクト５１８、第３の組の再分配インターコネクト５５０、および／または第３のＵＢＭ層５５２を通して、１組のハンダボール５０４のうちの少なくとも１つに電気的に結合される。
【００４９】
図５に示されるように、第１のダイ５０６は、第５の組の再分配インターコネクト５８０を介して、第２のダイ５０８に電気的に結合することができる。図５は、第１の組のインターコネクト５１６および第２の組のインターコネクト５１８がアンダーフィル５２２によって封入されることも示す。アンダーフィル５２２は、いくつかの事例ではオプションである。
【００５０】
図６は、いくつかのダイを含む集積デバイス（たとえば、半導体デバイス、集積パッケージ）の側面図の一例を概念的に示す。具体的には、図６は、誘電体層６０２と、第１の組のハンダボール６０４と、第１のダイ６０６と、第２のダイ６０８と、封入材料６２０とを含む集積デバイス６００（たとえば集積パッケージ）を示す。異なる実施態様は、封入材６２０のために異なる材料を使用することができる。たとえば、封入材６２０は、少なくともモールド、エポキシおよび／またはポリマー充填材のうちの１つを含むことができる。ダイ（第１のダイ６０６、第２のダイ６０８）は、メモリダイおよび／またはプロセッサのような、異なるタイプのダイを表す場合がある。いくつかの実施態様では、第１のダイ６０６および／または第２のダイ６０８はウェハレベルダイである。ダイは、図３〜図４を参照しながら詳細に説明された。
【００５１】
誘電体層６０２は、１つの誘電体層またはいくつかの誘電体層を含むことができる。いくつかの実施態様では、誘電体層６０２は、絶縁層である。図６は、誘電体層６０２が１組の金属層を含むことを示す。詳細には、誘電体層６０２は、第１の組の再分配インターコネクト６３０と、第１のアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層６３２と、第２の組の再分配インターコネクト６４０と、第２のアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層６４２と、第３の組の再分配インターコネクト６５０と、第３のアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層６５２と、第４の組の再分配インターコネクト６６０と、第４のアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層６６２と、第５の組の再分配インターコネクト６８０とを含む。いくつかの実施態様では、第１の再分配インターコネクト６３０、第２の再分配インターコネクト６４０、第３の再分配インターコネクト６５０および第４の再分配インターコネクト６６０は再分配層である。再分配層はビアを含むことができる。異なる実施態様は、異なる数の再分配金属層（たとえば、１つ、６つ、またはそれ以上の金属層）を有することができる。
【００５２】
第１のダイ６０６は、第１の組のインターコネクト６１６を通して誘電体層６０２の第１の表面に結合される。いくつかの実施態様では、第１の組のインターコネクト６１６は金属ピラー（たとえば、金属層）である。いくつかの実施態様では、金属ピラーは銅ピラーである。いくつかの実施態様では、第１のダイ６０６は、第１の組のインターコネクト６１６を介して、１組のハンダボール６０４のうち少なくとも１つ、第１の組の再分配インターコネクト６３０、第１のＵＢＭ層６３２、第２の組の再分配インターコネクト６４０、および／または第２のＵＢＭ層６４２に電気的に結合される。
【００５３】
第２のダイ６０８は、第２の組のインターコネクト６１８を通して、誘電体層６０２の第１の表面に結合される。いくつかの実施態様では、第２の組のインターコネクト６１８は金属ピラー（たとえば、金属層）である。いくつかの実施態様では、金属ピラーは銅ピラーである。いくつかの実施態様では、第２のダイ６０８は、第２の組のインターコネクト６１８、第３の組の再分配インターコネクト６５０、および／または第３のＵＢＭ層６５２を通して、１組のハンダボール６０４のうちの少なくとも１つに電気的に結合される。
【００５４】
図６に示されるように、第１のダイ６０６は、第５の組の再分配インターコネクト６８０を通して、第２のダイ６０８に電気的に結合される。
【００５５】
いくつかの集積デバイスを説明してきたが、ここで、集積デバイス（たとえば、半導体デバイス）を配設／製造するためのシーケンスが以下に説明される。
【００５６】
再分配層を含む集積デバイスを提供するための例示的なシーケンス
いくつかの実施態様では、再分配層を含む集積デバイス（たとえば、集積パッケージ）を配設することは、いくつかのプロセスを含む。図７Ａ〜図７Ｄは、集積デバイスを配設するための例示的なシーケンスを示す。いくつかの実施態様では、図７Ａ〜図７Ｄのシーケンスを用いて、図２、および／または図５〜図６の集積デバイスまたは本開示において説明される他の集積デバイスを配設／製造することができる。
【００５７】
図７Ａ〜図７Ｄのシーケンスを用いて、回路素子をさらに含む集積デバイスを配設／製造できることにも留意されたい。いくつかのダイを含む集積デバイスを配設するためのシーケンスを簡単にし、および／または明確にするために、図７Ａ〜図７Ｄのシーケンスは、１つまたは複数のステージを組み合わせることができることにさらに留意されたい。
【００５８】
いくつかの実施態様では、図７Ａ〜図７Ｄのプロセスは、高密度インターコネクト（たとえば、インターコネクト間のピッチは約４０ミクロン以下である）を有する集積デバイスおよび／または不必要な大きいランディングパッド（たとえば大きいバンプパッド）の使用を回避する集積デバイスを配設する新規のプロセスを示す。
【００５９】
図７Ａのステージ１に示されるように、キャリア（たとえばキャリア７００）、第１の組のインターコネクト７０２（たとえば、第１の組のトレース）および第２の組のインターコネクト７０４（たとえば、第２の組のトレース）が配設される。いくつかの実施態様では、キャリアは基板である。異なる実施態様は、キャリアのために異なる材料を用いることができる（たとえば、シリコン基板、ガラス基板、セラミック基板）。
【００６０】
ステージ２において、キャリア上にいくつかのダイが配設される。ステージ２に示されるように、キャリア上に第１のダイ７１２および第２のダイ７１４が配設される。具体的には、第１のダイ７１２および第２のダイ７１４の正面（アクティブ面）がキャリア７００に結合される。ダイの一例が図３〜図４に描かれている。第１のダイ７１２は、第１の組のインターコネクト７２２（たとえば、バンプ、銅ピラー）を含む。第２のダイ７１４は、第２の組のインターコネクト７２４（たとえば、バンプ、銅ピラー）を含む。ステージ２に示されるように、第１のダイ７１２の第１の組のインターコネクト７２２がキャリア７００の第１の組のインターコネクト７０２に結合される。同様に、第２のダイ７１４の第２の組のインターコネクト７２４がキャリア７００の第２の組のインターコネクト７０４に結合される。いくつかの実施態様では、第１のダイ７１２および／または第２のダイ７１４はウェハレベルダイである。
【００６１】
ステージ３において、キャリア７００上にアンダーフィル７３０が配設される。いくつかの実施態様では、アンダーフィル７３０は、第１の組のインターコネクト７０２、第２の組のインターコネクト７０４、第１の組のインターコネクト７２２、および第２の組のインターコネクト７２４を被覆するように配設される。いくつかの実施態様では、アンダーフィル７３０の配設はオプションである。
【００６２】
ステージ４において、封入材料７４０が配設される。封入材料７４０は、第１のダイ７１２および第２のダイ７１４を実質的にまたは完全に、包囲または封入する。
【００６３】
ステージ５において、図７Ｂに示されるように、集積デバイスが上下逆さにされて一時的キャリア７４２に結合される。すなわち、封入材料７４０が一時的キャリア７４２に結合される。異なる実施態様は、キャリア７４２用に異なる材料（たとえば基板、シリコン、ガラス、セラミック）を使用することができる。いくつかの実施態様では、一時的キャリア７４２に集積デバイスの封入材料７４０を結合するのに接着層（図示せず）を使用することができる。異なる実施態様は接着層用に異なる材料を使用することができる。いくつかの実施態様では、一時的キャリア７４２はボンディングテープである。
【００６４】
ステージ６において、集積デバイスの第１の表面が除去される（たとえば、研磨される、研削される）。この例では、キャリア７００を含む表面が除去される（たとえば、研磨される、研削される）。いくつかの実施態様では、集積デバイスを研磨することは、キャリア７００、第１の組のインターコネクト７０２、第２の組のインターコネクト７０４、第１の組のインターコネクト７２２、第２の組のインターコネクト７２４、アンダーフィル７３０、および／または、封入材料７４０を研磨および／または研削することを含むことができる。いくつかの実施態様では、集積デバイスを研磨することは、第１の組のインターコネクト７０２、第２の組のインターコネクト７０４、第１の組のインターコネクト７２２、第２の組のインターコネクト７２４、アンダーフィル７３０、および／または封入材料７４０の一部を残すことができる。
【００６５】
ステージ７において、第１のダイ７１２および第２のダイ７１４の正面上に、第１の誘電体層７５０およびいくつかの再分配インターコネクト（たとえば、再分配インターコネクト７５１〜７５５）が配設される。具体的には、第１の組のインターコネクト７２２および第２の組のインターコネクト７２４の上にいくつかのインターコネクトが配設される。いくつかの実施態様では、第１の再分配金属層上に再分配インターコネクト７５１〜７５５が形成される。いくつかの実施態様では、再分配インターコネクト７５１〜７５５は少なくとも１つのビアを含むことができる。いくつかの実施態様では、再分配インターコネクト７５１〜７５５は、第１の組のインターコネクト７２２および／または第２の組のインターコネクト７２４を結合するとき、不必要なランディングパッド（たとえば、大きいバンプパッド）の使用を回避する。いくつかの実施態様では、再分配インターコネクト７５１〜７５５は、第１の組のインターコネクト７２２および／または第２の組のインターコネクト７２４に直接結合される。
【００６６】
ステージ８において、図７Ｃに示されるように、第１の誘電体層７５０および再分配インターコネクト７５１〜７５４の上に、第２の誘電体層７６０およびいくつかの再分配インターコネクト（たとえば、再分配インターコネクト７６１〜７６４）が配設される。いくつかの実施態様では、再分配インターコネクト７６１〜７６４は第２の再分配金属層上に形成される。いくつかの実施態様では、再分配インターコネクト７６１〜７６４は少なくとも１つのビアを含むことができる。
【００６７】
ステージ９において、第２の誘電体層７６０および再分配インターコネクト７６１〜７６４の上に、第３の誘電体層７７０およびいくつかの再分配インターコネクト（たとえば、再分配インターコネクト７７１〜７７４）が配設される。いくつかの実施態様では、再分配インターコネクト７７１〜７７４は第３の再分配金属層上に形成される。いくつかの実施態様では、再分配インターコネクト７７１〜７７４は少なくとも１つのビアを含むことができる。
【００６８】
ステージ１０において、少なくとも１つのアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層が配設される。具体的には、第１のアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層７８１、第２のＵＢＭ層７８２、第３のＵＢＭ層７８３および第４のＵＢＭ層７８４が配設される。第４の誘電体層７８０上にＵＢＭ層が配設される。いくつかの実施態様では、ＵＢＭ層の配設はオプションである。
【００６９】
ステージ１１において、図７Ｄに示されるように、ＵＢＭ層上に少なくとも１つのハンダボールが配設される。具体的には、第１のＵＢＭ層７８１に第１のハンダボール７９１が結合され、第２のＵＢＭ層７８２に第２のハンダボール７９２が結合され、第３のＵＢＭ層７８３に第３のハンダボール７９３が結合され、第４のＵＢＭ層７８４に第４のハンダボール７９４が結合される。ステージ１１は１組の誘電体層７９０を示す。いくつかの実施態様では、１組の誘電体層７９０は、誘電体層７５０、７６０、７７０および７８０を含む。いくつかの実施態様では、ＵＢＭ層の代わりにハンダボールを再分配インターコネクトに結合することができる。
【００７０】
ステージ１２において、集積デバイスの一部が除去される（たとえば、研磨される）。ステージ１２に示されるように、キャリア７４２の少なくとも一部が除去される（たとえば、全体のキャリア７４２が除去される）。いくつかの実施態様では、封入材料７４０の少なくとも一部も除去される。
【００７１】
再分配層を含む集積デバイスの配設／製造のための例示的なシーケンス
いくつかの実施態様では、再分配層を含む集積デバイス（たとえば集積パッケージ）の配設は、いくつかのプロセスを含む。図８Ａ〜図８Ｄは、集積デバイスの配設のための例示的なシーケンスを示す。いくつかの実施態様では、図８Ａ〜図８Ｄのシーケンスを用いて、図２、および／または図５〜図６の集積デバイス、および／または本開示において説明される他の集積デバイスを配設／製造することができる。
【００７２】
図８Ａ〜図８Ｄのシーケンスは、回路素子も含む集積デバイスを配設／製造するために使用され得ることにも留意されたい。いくつかのダイを含む集積デバイスを配設するためのシーケンスを、簡単にし、および／または明確にするために、図８Ａ〜図８Ｄのシーケンスは、１つまたは複数のステージを組み合わせることができることにさらに留意されたい。
【００７３】
いくつかの実施態様では、図８Ａ〜図８Ｄのプロセスは、高密度インターコネクト（たとえば、インターコネクト間のピッチは約４０ミクロン以下である）を有する集積デバイスおよび／または不必要な大きいランディングパッド（たとえば大きいバンプパッド）の使用を回避する集積デバイスを配設する新規のプロセスを示す。
【００７４】
図８Ａのステージ１に示されるように、キャリア（たとえばキャリア８００）、第１の組のインターコネクト８０２（たとえば、第１の組のトレース）および第２の組のインターコネクト８０４（たとえば、第２の組のトレース）が配設される。いくつかの実施態様では、キャリアは基板である。異なる実施態様は、キャリアのために異なる材料を用いることができる（たとえば、シリコン基板、ガラス基板、セラミック基板）。
【００７５】
ステージ２において、キャリア上にいくつかのダイが配設される。ステージ２に示されるように、キャリア８００上に第１のダイ８１２および第２のダイ８１４が配設される。具体的には、第１のダイ８１２および第２のダイ８１４の正面（アクティブ面）がキャリア８００に結合される。ダイの一例が図３〜図４に描かれている。第１のダイ８１２は、第１の組のインターコネクト８２２（たとえば、バンプ、銅ピラー）を含む。第２のダイ８１４は、第２の組のインターコネクト８２４（たとえば、バンプ、銅ピラー）を含む。ステージ２に示されるように、第１のダイ８１２の第１の組のインターコネクト８２２がキャリア８００の第１の組のインターコネクト８０２に結合される。同様に、第２のダイ８１４の第２の組のインターコネクト８２４がキャリア８００の第２の組のインターコネクト８０４に結合される。いくつかの実施態様では、第１のダイ８１２および／または第２のダイ８１４はウェハレベルダイである。
【００７６】
ステージ３において、キャリア８００上にアンダーフィル８３０が配設される。いくつかの実施態様では、アンダーフィル８３０は、第１の組のインターコネクト８０２、第２の組のインターコネクト８０４、第１の組のインターコネクト８２２、および第２の組のインターコネクト８２４を被覆するように配設される。いくつかの実施態様では、アンダーフィル８３０の配設はオプションである。
【００７７】
ステージ４において、封入材料８４０が配設される。封入材料８４０は、第１のダイ８１２および第２のダイ８１４を実質的にまたは完全に包囲または封入する。
【００７８】
ステージ５において、図８Ｂに示されるように、集積デバイスが上下逆さにされて一時的キャリア８４２に結合される。すなわち、封入材料８４０が一時的キャリア８４２に結合される。異なる実施態様は、キャリア８４２用に異なる材料（たとえば基板、シリコン、ガラス、セラミック）を使用することができる。いくつかの実施態様では、一時的キャリア８４２に集積デバイスの封入材料８４０を結合するのに接着層（図示せず）を使用することができる。異なる実施態様は接着層用に異なる材料を使用することができる。いくつかの実施態様では、一時的キャリア８４２はボンディングテープである。
【００７９】
ステージ６において、集積デバイスの第１の表面が除去される（たとえば、研磨される、研削される）。この例では、キャリア８００を含む表面が除去される（たとえば、研磨される、研削される）。いくつかの実施態様では、集積デバイスを研磨することは、キャリア８００、第１の組のインターコネクト８０２、第２の組のインターコネクト８０４、第１の組のインターコネクト８２２、第２の組のインターコネクト８２４、アンダーフィル８３０、および／または封入材料８４０を、研磨および／または研削することを含むことができる。いくつかの実施態様では、集積デバイスを研磨することは、第１の組のインターコネクト８０２、第２の組のインターコネクト８０４、第１の組のインターコネクト８２２、第２の組のインターコネクト８２４、アンダーフィル８３０、および／または封入材料８４０の一部を、残すことができる。
【００８０】
いくつかの実施態様では、集積デバイスを研磨することは、集積デバイス内に少なくとも１つの空胴（たとえば、空胴８２５）を作製することを含む。たとえば、空胴８２５は、アンダーフィル８３０および／または封入材料８４０の中に作製することができる。
【００８１】
ステージ７において、空胴８２５内に金属層が配設される。金属層は、１組のインターコネクト８２６からインターコネクトを画定する。いくつかの空胴が作製されるとき、いくつかの実施態様ではいくつかの金属層を配設することができる。１組のインターコネクト８２６は、第１の組のインターコネクト８２２と第２の組のインターコネクト８２４を電気的に結合する。いくつかの実施態様では、１組のインターコネクト８２６は、第１のダイ８１２と第２のダイ８１４を電気的に結合する。いくつかの実施態様では、１組のインターコネクト８２６は、第１の組のインターコネクト８２２および／または第２の組のインターコネクト８２４を結合するとき、不必要なランディングパッド（たとえば、大きいバンプパッド）の使用を回避する。いくつかの実施態様では、１組のインターコネクト８２６は、第１の組のインターコネクト８２２および／または第２の組のインターコネクト８２４に直接結合される。いくつかの実施態様では、１組のインターコネクト８２６は、第１の組のインターコネクト８２２の側面および／または第２の組のインターコネクト８２４の側面に結合される。いくつかの実施態様では、１組のインターコネクト８２６は、第１の組のインターコネクト８２２の上面および／または第２の組のインターコネクト８２４の上面に結合される。いくつかの実施態様では、１組のインターコネクト８２６は高密度インターコネクトである。いくつかの実施態様では、１組のインターコネクト８２６のピッチは約４０ミクロン（μｍ）以下である。
【００８２】
ステージ８において、第１のダイ８１２および第２のダイ８１４の正面上に、第１の誘電体層８５０およびいくつかの再分配インターコネクト（たとえば、再分配インターコネクト８５１〜８５４）が配設される。具体的には、第１の組のインターコネクト８２２および第２の組のインターコネクト８２４の上にいくつかのインターコネクトが配設される。いくつかの実施態様では、第１の再分配金属層上に再分配インターコネクト８５１〜８５４が形成される。いくつかの実施態様では、再分配インターコネクト８５１〜８５４は少なくとも１つのビアを含むことができる。いくつかの実施態様では、再分配インターコネクト８５１〜８５４は、第１の組のインターコネクト８２２および／または第２の組のインターコネクト８２４を結合するとき、不必要なランディングパッド（たとえば、大きいバンプパッド）の使用を回避する。いくつかの実施態様では、再分配インターコネクト８５１〜８５４は、第１の組のインターコネクト８２２および／または第２の組のインターコネクト８２４に直接結合される。
【００８３】
ステージ９において、図８Ｃに示されるように、第１の誘電体層８５０および再分配インターコネクト８５１〜８５４の上に、第２の誘電体層８６０およびいくつかの再分配インターコネクト（たとえば、再分配インターコネクト８６１〜８６４）が配設される。いくつかの実施態様では、再分配インターコネクト８６１〜８６４は第２の再分配金属層上に形成される。いくつかの実施態様では、再分配インターコネクト８６１〜８６４は少なくとも１つのビアを含むことができる。
【００８４】
ステージ１０において、第２の誘電体層８６０および再分配インターコネクト８６１〜８６４の上に、第３の誘電体層８７０およびいくつかの再分配インターコネクト（たとえば、再分配インターコネクト８７１〜８７４）が配設される。いくつかの実施態様では、再分配インターコネクト８７１〜８７４は第３の再分配金属層上に形成される。いくつかの実施態様では、再分配インターコネクト８７１〜８７４は少なくとも１つのビアを含むことができる。
【００８５】
ステージ１１において、少なくとも１つのアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層が配設される。具体的には、第１のアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層８８１、第２のＵＢＭ層８８２、第３のＵＢＭ層８８３、および第４のＵＢＭ層８８４が配設される。第４の誘電体層８８０上にＵＢＭ層が配設される。いくつかの実施態様では、ＵＢＭ層の配設はオプションである。
【００８６】
ステージ１２において、図８Ｄに示されるように、ＵＢＭ層上に少なくとも１つのハンダボールが配設される。具体的には、第１のＵＢＭ層８８１に第１のハンダボール８９１が結合され、第２のＵＢＭ層８８２に第２のハンダボール８９２が結合され、第３のＵＢＭ層８８３に第３のハンダボール８９３が結合され、第４のＵＢＭ層８８４に第４のハンダボール８９４が結合される。ステージ１２は１組の誘電体層８９０を示す。いくつかの実施態様では、１組の誘電体層８９０は、誘電体層８５０、８６０、８７０および８８０を含む。いくつかの実施態様では、ＵＢＭ層の代わりにハンダボールを再分配インターコネクトに結合することができる。
【００８７】
ステージ１３において、集積デバイスの一部が除去される（たとえば、研磨される）。ステージ１３に示されるように、キャリア８４２の少なくとも一部が除去される（たとえば、全体のキャリア８４２が除去される）。いくつかの実施態様では、封入材料８４０の少なくとも一部も除去される。
【００８８】
集積デバイス（たとえば、半導体デバイス）を製造／配設するためのシーケンスを説明してきたが、次に、集積デバイス（たとえば半導体デバイス）を製造／配設するための方法を以下で説明する。
【００８９】
集積デバイスを配設する／製造するための例示的な方法
図９は、集積デバイス（たとえば、集積パッケージ）を配設するための例示的な方法を示す。いくつかの実施態様では、図９の方法は、図２および／または図５〜図６の集積デバイス、および／または本開示で説明された他の集積デバイス（たとえば、ダイパッケージ）を製造／配設するために使用することができる。
【００９０】
その方法は、（９０５において）第１のキャリア（たとえば、キャリア８００）およびインターコネクト（たとえば、トレース）を配設する。いくつかの実施態様では、第１のキャリアは犠牲キャリアである。いくつかの実施態様では、第１のキャリアは基板である。異なる実施態様は、第１のキャリア用に異なる材料（たとえば、シリコン基板、ガラス基板、セラミック基板）を使用することができる。
【００９１】
その方法は、（９１０において）キャリア上に少なくとも１つの集積デバイス（たとえば、ダイ）を配設する。いくつかの実施態様では、（８１０において）少なくとも１つの集積デバイスを配設することは、第１のキャリア上に第１のダイを配設することと、第１のキャリア上に第２のダイを配設することとを含む。いくつかの実施態様では、配設されるダイはウェハレベルダイである。少なくとも１つのダイを配設する例が、図８Ａに示される（ステージ２を参照されたい）。
【００９２】
その方法は、（９１５において）アンダーフィルおよび封入材料をオプションで配設する。いくつかの実施態様では、ダイと第１のキャリアとの間にアンダーフィルが配設される。いくつかの実施態様では、インターコネクト８０２、８０４、８２２、および８２４はアンダーフィルによって被覆される。いくつかの実施態様では、封入材は、ダイ（たとえば、第１のダイ８１２、第２のダイ８１４）を実質的に、または完全に包囲または封入する。
【００９３】
その方法は、（９２０において）第１のキャリアと第１および第２のダイとを含む集積デバイスを第２のキャリアに結合する。いくつかの実施態様では、第２のキャリアは一時的キャリアである。異なる実施態様は、第２のキャリアのために異なる材料を使用することができる。いくつかの実施態様では、第２のキャリアは、ボンディングテープである。
【００９４】
その方法は、（９２５において）少なくとも集積デバイスの一部をさらに除去する。いくつかの実施態様では、集積デバイスの少なくとも一部を除去することは、少なくとも第１のキャリア、アンダーフィルの一部、封入層の一部、および／またはインターコネクト（たとえばインターコネクト８０２、８０４、８２２、８２４）を除去する（たとえば、研磨する、研削する）ことを含む。いくつかの実施態様では、集積デバイスの一部を除去した後、空胴内に少なくとも１つの金属層を配設することができる。いくつかの実施態様では、空胴内の金属層は、インターコネクト（たとえば２つのダイの間の高密度インターコネクト）を画定することができる。
【００９５】
その方法はさらに、（９３０において）少なくとも１つの誘電体層（たとえば、誘電体層８５０、８６０、８７０、８８０）を配設する。異なる実施態様は、誘電体層のために異なる材料を使用することができる。たとえば、第１の絶縁層および第２の絶縁層（誘電体層の１つの形態である）は、ポリベンゾオキサゾール（ＰｂＯ）層および／またはポリマー層とすることができる。
【００９６】
また、その方法は、（９３５において）いくつかの金属再分配層を配設する。いくつかの実施態様では、いくつかの再分配層を配設することは、いくつかの再分配インターコネクト（たとえば、再分配インターコネクト８５１〜８５４）および／またはビアを配設することを含む。いくつかの実施態様では、（９３０において）少なくとも１つの誘電体層を配設する方法および（９３５において）金属再分配層を配設する方法は、順次に繰返し実行することができる。すなわち、いくつかの実施態様では、その方法は、第１の誘電体層、第１の再分配層、第２の誘電体層、第２の再分配層などを配設することができ、それ以降も同様である。
【００９７】
その後、その方法は、オプションで、（９４０において）アンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層を配設する。いくつかの実施態様では、（９４０において）ＵＢＭ層を配設することは、金属再分配層にＵＢＭ層を結合することを含む。いくつかの実施態様では、ＵＢＭ層は銅層である。その方法はさらに、（９４５において）ＵＢＭ層上にハンダボールを配設する。
【００９８】
その方法はさらに、（９５０において）集積デバイスの少なくとも一部を除去する。いくつかの実施態様では、集積デバイスの一部を除去することは、キャリア８４２の少なくとも一部を除去すること（たとえば、研磨し、研削すること）を含む。いくつかの実施態様では、封入材料８４０の少なくとも一部も除去される。
【００９９】
再分配層を配設／製造するための例示的なシーケンス
いくつかの実施態様では、再分配層を含む集積デバイスを配設することはいくつかのプロセスを含む。図１０Ａ〜図１０Ｃは、いくつかの再分配層を含む集積デバイスを配設するための例示的なシーケンスを示す。いくつかの実施態様では、図１０Ａ〜図１０Ｃのシーケンスを用いて、図２および／または図５〜図６の集積デバイスおよび／または本開示において説明される他の集積デバイス（たとえば、ダイ）を配設／製造することができる。図１０Ａ〜図１０Ｃのシーケンスを用いて、回路素子をさらに含む集積デバイスを配設／製造できることにも留意されたい。再分配層を含む集積デバイスを配設するためのシーケンスを簡単にし、および／または明確にするために、図１０Ａ〜図１０Ｃのシーケンスは、１つまたは複数のステージを組み合わせることができることにさらに留意されたい。図１０Ａ〜図１０Ｃは、１つまたは複数の再分配層を配設するためのさらに具体的なプロセスである。
【０１００】
図１０Ａのステージ１において示されるように、基板（たとえば、基板１００１）が配設される。いくつかの実施態様では、基板１００１はウェハである。異なる実施態様は、基板用に異なる材料（たとえば、シリコン基板、ガラス基板、セラミック基板）を使用することができる。
【０１０１】
さらに、ステージ１において、基板１００１上に、いくつかの下位金属層および誘電体層（たとえば、下位金属層および誘電体層１００２）が配設される。異なる実施態様は、異なる数の下位金属層および誘電体層（たとえば、Ｍ１金属層、Ｍ２金属層、Ｍ３金属層、Ｍ４金属層、Ｍ５金属層、Ｍ６金属層、Ｍ７金属層）を配設することができる。
【０１０２】
いくつかの実施態様では、回路、ルート、および／またはインターコネクトも配設される。しかしながら、簡易化および明瞭さのために、下位金属層および誘電体層１００２には回路、ルートおよび／またはインターコネクトは示されていない。
【０１０３】
その上、ステージ１において、下位金属層および誘電体層１００２の上に少なくとも１つのパッド（たとえば、パッド１００４、１０２５、１０２９）が配設される。いくつかの実施態様では、パッド１００４は、下位金属層のうちの１つ（たとえば上部の下位金属層、Ｍ７金属層）に結合される。いくつかの実施態様では、パッド１００４はアルミニウムパッドである。しかしながら、異なる実施態様は、パッド１００４のために異なる材料を使用することができる。異なる実施態様は、下位金属層および誘電体層１００２の上にパッドを配設するのに、異なるプロセスを使用することができる。たとえば、いくつかの実施態様では、下位金属層および誘電体層１００２の上にパッド１００４を配設するのに、リソグラフィおよび／またはエッチングのプロセスを使用することができる。
【０１０４】
その上、ステージ１において、下位金属層および誘電体層１００２の上にパッシベーション層（たとえば、パッシベーション層１００６）が配設される。異なる実施態様は、パッシベーション層１００６のために異なる材料を使用することができる。ステージ４に示されるように、パッシベーション層１００６は、下位金属層および誘電体層１００２の上に、パッド１００４の少なくとも一部が露出されるように配設される。
【０１０５】
ステージ２において、パッシベーション層１００６およびパッド１００４、１０２５、１０２９上に第１の絶縁層（たとえば第１の絶縁層１００８）が配設される。いくつかの実施態様では、第１の絶縁層１００８は誘電体層である。異なる実施態様は、第１の絶縁層１００８のために異なる材料を使用することができる。たとえば、第１の絶縁層１００８は、ポリベンゾオキサゾール（ＰｂＯ）層および／またはポリマー層とすることができる。
【０１０６】
ステージ３において、第１の絶縁層１００８内にいくつかの空洞（たとえば、空洞、トレンチ）も配設される／作製される。ステージ３においてさらに示されるように、空洞１００９はパッド１００４にわたって作製される。同様に、パッド１０２５上に空胴１０１１が作製され、パッド１０２９上に空胴１０１３が作製される。異なる実施態様は、空洞（たとえば、空洞１００９）を異なるように作製することができる。たとえば、空洞１００９は、第１の絶縁層１００８をエッチングすることによって配設する／作製することができる。
【０１０７】
図１０Ｂのステージ４において、第１の金属再分配層が配設される。具体的には、パッド１００４および第１の絶縁層１００８にわたって、第１の金属再分配層１０１０が配設される。ステージ４において示されるように、第１の金属再分配層１０１０はパッド１００４に結合される。第１の金属再分配層１０１０は、第１の金属層１０３０および第２の金属層１０３２を含むこともできる。すなわち、いくつかの実施態様では、第１の金属層１０３０および第２の金属層１０３２は、第１の金属再分配層１０１０と同じ層上に存在する。いくつかの実施態様では、第１の金属層１０３０および第２の金属層１０３２はビアである。いくつかの実施態様では、第１の金属再分配層１０１０は銅層である。
【０１０８】
ステージ５において、いくつかの絶縁層およびいくつかの再分配層が配設される。具体的には、第２の絶縁層１０１４および第３の絶縁層１０１６が配設される。さらに、第２の金属再分配層１０２０が配設される。さらに、いくつかの金属層（１０４０、１０５０、１０４２、１０５２）が配設される。いくつかの実施態様では、金属層は再分配層の一部である。いくつかの実施態様では、金属層のうちのいくつかはビアを含む。たとえば、いくつかの実施態様では、金属層１０４２および１０５２はビアであり、金属層１０４０および１０５０はトレースである。
【０１０９】
ステージ６において、絶縁層１１１７内に空洞１１１６が配設される。絶縁体層１０１６の空胴１０１７は、第２の金属再分配層１０２０の一部（たとえばインターコネクト）の上にある。
【０１１０】
図１０Ｃのステージ７において、アンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層が配設される。具体的には、絶縁層１０１６の空洞１０１７内にアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層１０７０が配設される。いくつかの実施態様では、ＵＢＭ層１０７０は銅層である。
【０１１１】
ステージ８において、ＵＢＭ層上にハンダボールが配設される。具体的には、ハンダボール１０８０がＵＢＭ層１０７０に結合される。
【０１１２】
例示的な電子デバイス
図１１は、上記の半導体デバイス、集積回路、ダイ、インターポーザ、またはパッケージのうちのいずれかと一体に構成することができる種々の電子デバイスを示す。たとえば、モバイル電話１１０２、ラップトップコンピュータ１１０４、および定置端末１１０６が、本明細書において説明されたような集積回路（ＩＣ）１１００を含むことができる。ＩＣ１１００は、たとえば、本明細書において説明される集積回路、ダイ、またはパッケージのいずれかとすることができる。図１１に示されるデバイス１１０２、１１０４、１１０６は例示にすぎない。限定はしないが、モバイルデバイス、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、携帯情報端末などのポータブルデータユニット、ＧＰＳ対応デバイス、ナビゲーションデバイス、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、メータ読取り機器などの定置データユニット、通信デバイス、スマートフォン、タブレットコンピュータ、またはデータもしくはコンピュータ命令の記憶もしくは取出しを行う任意の他のデバイス、またはそれらの任意の組合せを含む他の電子デバイスが、ＩＣ１１００を採用することもできる。
【０１１３】
図２、図３、図４、図５、図６、図７Ａ〜図７Ｄ、図８Ａ〜図８Ｄ、図９、図１０Ａ〜図１０Ｃおよび／または図１１に示された構成要素、ステップ、特徴、および／または機能のうちの１つまたは複数は、単一の構成要素、ステップ、特徴、もしくは機能に再構成し、かつ／もしくは組み合わせることができ、または、いくつかの構成要素、ステップ、もしくは機能において具現することができる。本開示から逸脱することなく、さらなる要素、構成要素、ステップ、および／または機能を追加することもできる。本開示における図２、図３、図４、図５、図６、図７Ａ〜図７Ｄ、図８Ａ〜図８Ｄ、図９、図１０Ａ〜図１０Ｃおよび／または図１１と、その対応する説明とは、ダイおよび／またはＩＣに限定されないことにも留意されたい。いくつかの実施態様では、図２、図３、図４、図５、図６、図７Ａ〜図７Ｄ、図８Ａ〜図８Ｄ、図９、図１０Ａ〜図１０Ｃおよび／または図１２と、その対応する説明とは、集積デバイスを製造し、形成し、配設し、および／または生産するために用いることができる。いくつかの実施態様では、集積デバイスは、ダイパッケージ、集積回路（ＩＣ）、ウェハ、半導体デバイスおよび／またはインターポーザを含むことができる。
【０１１４】
「例示的」という言葉は、「例、事例、または例示として役立つ」ことを意味するように本明細書において使用される。「例示的な」として本明細書において説明されるいかなる実施態様または態様も、必ずしも本開示の他の態様よりも好ましいか、または有利であると解釈されるべきではない。同様に、「態様」という用語は、本開示のすべての態様が、論じられる特徴、利点、または動作モードを含むことを必要としない。「結合された」という用語は、本明細書において、２つの物体間の直接の、または間接的な結合を指すために使用される。たとえば、物体Ａが物体Ｂに物理的に接触し、物体Ｂが物体Ｃに接触する場合、物体Ａと物体Ｃとは、互いに物理的に直接接触していなくても、それでも互いに結合すると見なすことができる。
【０１１５】
また、実施形態は、流れ図、フロー図、構造図、またはブロック図として示されるプロセスとして説明される場合があることに留意されたい。流れ図は動作を順次プロセスとして説明する場合があるが、動作の多くは、並行してまたは同時に実行することができる。さらに、動作の順序は入れ替えることができる。プロセスは、その動作が完了したときに終了する。
【０１１６】
本明細書において説明される本開示の種々の特徴は、本開示から逸脱することなく、異なるシステムにおいて実施することができる。本開示のこれまでの態様は例にすぎず、本開示を限定するものと解釈されるべきではないことに留意されたい。本開示の態様の説明は、例示であることを意図しており、特許請求の範囲を限定することは意図していない。したがって、本教示は、他のタイプの装置に容易に適用することができ、数多くの代替、修正および変形が、当業者には明らかになるであろう。
【符号の説明】
【０１１７】
１００  集積パッケージ
１０２  基板
１０６  第１のダイ
１０８  第２のダイ
１１６  第１の組のハンダボール
１１８  第２の組のハンダボール
１２０  第３の組のハンダボール
２００  集積デバイス
２０２  誘電体層
２０４  第１の組のハンダボール
２０６  第１のダイ
２０８  第２のダイ
２１６  第１の組のインターコネクト
２１８  第２の組のインターコネクト
２２０  封入材
２２２  アンダーフィル
２３０  第１の組の再分配インターコネクト
２３２  第１のアンダーバンプ（ＵＢＭ）層
２４０  第２の組の再分配インターコネクト
２４２  第１のアンダーバンプ（ＵＢＭ）層
２５０  第３の組の再分配インターコネクト
２５２  第３のアンダーバンプ（ＵＢＭ）層
２６０  第４の組の再分配インターコネクト
２６２  第４のアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層
２８０  第５の組の再分配インターコネクト
３００  ダイ
３０１  基板
３０２  下位金属層および誘電体層
３１１  インターコネクト
３１２  インターコネクト
３１３  インターコネクト
３１４  インターコネクト
３１５  インターコネクト
３１６  インターコネクト
３２０  封入材
４００  ダイ
４０１  基板
４０２  下位金属層および誘電体層
４１１  インターコネクト
４１２  インターコネクト
４１３  インターコネクト
４１４  インターコネクト
４１５  インターコネクト
４１６  インターコネクト
４２０  封入材
４２１  第１の基板貫通ビア（ＴＳＶ）
４２２  第２のＴＳＶ
４３３  第３のＴＳＶ
４３４  第４のＴＳＶ
５００  集積デバイス
５０２  誘電体層
５０４  第１の組のハンダボール
５０６  第１のダイ
５０８  第２のダイ
５１６  第１の組のインターコネクト
５１８  第２の組のインターコネクト
５２０  封入材
５２２  アンダーフィル
５３０  第１の組の再分配インターコネクト
５３２  第１のアンダーバンプ（ＵＢＭ）層
５４０  第２の組の再分配インターコネクト
５４２  第１のアンダーバンプ（ＵＢＭ）層
５５０  第３の組の再分配インターコネクト
５５２  第３のアンダーバンプ（ＵＢＭ）層
５６０  第４の組の再分配インターコネクト
５６２  第４のアンダーバンプ（ＵＢＭ）層
５８０  第５の組の再分配インターコネクト
６００  集積デバイス
６０２  誘電体層
６０４  第１の組のハンダボール
６０６  第１のダイ
６０８  第２のダイ
６１２  第３の組のインターコネクト
６１４  １組のハンダボール
６１６  第１の組のインターコネクト
６１８  第２の組のインターコネクト
６２０  封入材
６３０  第１の組の再分配インターコネクト
６３２  第１のアンダーバンプ（ＵＢＭ）層
６４０  第２の組の再分配インターコネクト
６４２  第１のアンダーバンプ（ＵＢＭ）層
６５０  第３の組の再分配インターコネクト
６５２  第３のアンダーバンプ（ＵＢＭ）層
６６０  第４の組の再分配インターコネクト
６６２  第４のアンダーバンプ（ＵＢＭ）層
６８０  第５の組の再分配インターコネクト
７００  キャリア
７０２  第１の組のインターコネクトの
７０４  第２の組のインターコネクト
７１２  第１のダイ
７１４  第２のダイ
７２２  第１の組のインターコネクト
７２４  第２の組のインターコネクト
７３０  アンダーフィル
７４０  封入材料
７４２  キャリア
７５０  第１の誘電体層
７５１  再分配インターコネクト
７５２  再分配インターコネクト
７５３  再分配インターコネクト
７５４  再分配インターコネクト
７５５  再分配インターコネクト
７６０  第２の誘電体層
７６１  再分配インターコネクト
７６２  再分配インターコネクト
７６３  再分配インターコネクト
７６４  再分配インターコネクト
７７０  第３の誘電体層
７７１  再分配インターコネクト
７７２  再分配インターコネクト
７７３  再分配インターコネクト
７７４  再分配インターコネクト
７８０  第４の誘電体層
７８１  第１のＵＢＭ層
７８２  第２のＵＢＭ層
７８３  第３のＵＢＭ層
７８４  第４のＵＢＭ層
７９０  １組の誘電体層
７９１  第１のハンダボール
７９２  第２のハンダボール
７９３  第３のハンダボール
７９４  第４のハンダボール
８００  キャリア
８０２  第１の組のインターコネクト
８０４  第２の組のインターコネクト
８１２  第１のダイ
８１４  第２のダイ
８２２  第１の組のインターコネクト
８２４  第２の組のインターコネクト
８２５  空胴
８２６  １組のインターコネクト
８３０  アンダーフィル
８４０  封入材料
８４２  キャリア
８５０  第１の誘電体層
８５１  再分配インターコネクト
８５２  再分配インターコネクト
８５３  再分配インターコネクト
８５４  再分配インターコネクト
８６０  第２の誘電体層
８６１  再分配インターコネクト
８６２  再分配インターコネクト
８６３  再分配インターコネクト
８６４  再分配インターコネクト
８７０  第３の誘電体層
８７１  再分配インターコネクト
８７２  再分配インターコネクト
８７３  再分配インターコネクト
８７４  再分配インターコネクト
８８０  １組の誘電体層
８８１  第１のアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層
８８２  第２のアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層
８８３  第３のアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層
８８４  第４のアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層
８９０  １組の誘電体層
８９１  第１のハンダボール
８９２  第２のハンダボール
８９３  第３のハンダボール
８９４  第４のハンダボール
１００１  基板
１００２  基部部分
１００４  パッド
１００６  パッシベーション層
１００８  第１の絶縁層
１００９  空洞
１０１０  第１の金属再分配層
１０１１  空洞
１０１３  空洞
１０１４  第２の絶縁層
１０１６  第３の絶縁層
１０１７  空洞
１０２０  第２の金属再分配層
１０２５  パッド
１０２９  パッド
１０３０  第１の金属層
１０３２  第２の金属層
１０４０  金属層
１０４２  金属層
１０５０  金属層
１０５２  金属層
１０７０  アンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層
１０８０  ハンダボール
１１００  ＩＣ
１１０２  モバイル電話
１１０４  ラップトップコンピュータ
１１０６  定置端末
【図１】
2017507495.tif 000003
【図２】
2017507495.tif 000004
【図３】
2017507495.tif 000005
【図４】
2017507495.tif 000006
【図５】
2017507495.tif 000007
【図６】
2017507495.tif 000008
【図７Ａ】
2017507495.tif 000009
【図７Ｂ】
2017507495.tif 000010
【図７Ｃ】
2017507495.tif 000011
【図７Ｄ】
2017507495.tif 000012
【図８Ａ】
2017507495.tif 000013
【図８Ｂ】
2017507495.tif 000014
【図８Ｃ】
2017507495.tif 000015
【図８Ｄ】
2017507495.tif 000016
【図９】
2017507495.tif 000017
【図１０Ａ】
2017507495.tif 000018
【図１０Ｂ】
2017507495.tif 000019
【図１０Ｃ】
2017507495.tif 000020
【図１１】
2017507495.tif 000021
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月6日(2016.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積デバイスであって、
誘電体層および１組の再分配金属層を備える、前記集積デバイス用の基部部分と、
前記基部部分の第１の表面に結合される第１のダイであって、前記基部部分の前記１組の再分配金属層に結合される複数の第１のインターコネクトピラーを備える第１のダイと、
前記第１のダイと前記基部部分との間のアンダーフィルであって、前記複数の第１のインターコネクトピラーを少なくとも部分的に包囲するアンダーフィルとを備える、集積デバイス。
【請求項２】
前記第１のダイを封入する封入材料をさらに備える、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項３】
前記基部部分の前記第１の表面に結合される第２のダイをさらに備える、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項４】
前記第１のダイと前記第２のダイを電気的に結合する、前記基部部分上の１組のインターコネクトをさらに備える、請求項３に記載の集積デバイス。
【請求項５】
前記第２のダイは複数の第２のインターコネクトピラーを備え、前記１組のインターコネクトは、前記複数の第１のインターコネクトピラーおよび前記複数の第２のインターコネクトピラーに結合されており、ランディングパッドを回避する、請求項４に記載の集積デバイス。
【請求項６】
前記１組のインターコネクトは、約４０ミクロン（μｍ）以下である第１のピッチを含む、請求項４に記載の集積デバイス。
【請求項７】
前記第１のダイは第１のウェハレベルダイである、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項８】
前記複数の第１のインターコネクトピラーは、約４０ミクロン（μｍ）以下である第１のピッチを含む、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項９】
音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末、定置端末、タブレットコンピュータ、および／またはラップトップコンピュータに組み込まれる、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項１０】
誘電体層および再分配手段を備える、集積デバイス用の基部部分と、
前記基部部分の第１の表面に結合される第１のダイであって、前記基部部分の前記再分配手段に結合される複数の第１のインターコネクトピラーを備える第１のダイと、
前記第１のダイと前記基部部分との間の領域を封入するための手段であって、前記複数の第１のインターコネクトピラーを少なくとも部分的に包囲する封入するための手段とを備える、装置。
【請求項１１】
前記第１のダイを封入する封入手段をさらに備える、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記基部部分の前記第１の表面に結合される第２のダイをさらに備える、請求項１０に記載の装置。
【請求項１３】
前記第１のダイと前記第２のダイを電気的に結合する、前記基部部分上の１組のインターコネクトをさらに備える、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記第２のダイは複数の第２のインターコネクトピラーを備え、前記１組のインターコネクトは、前記複数の第１のインターコネクトピラーおよび前記複数の第２のインターコネクトピラーに結合されており、ランディングパッドを回避する、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記１組のインターコネクトは、約４０ミクロン（μｍ）以下である第１のピッチを含む、請求項１３に記載の装置。
【請求項１６】
前記第１のダイは第１のウェハレベルダイである、請求項１０に記載の装置。
【請求項１７】
前記複数の第１のインターコネクトピラーは、約４０ミクロン（μｍ）以下である第１のピッチを含む、請求項１０に記載の装置。
【請求項１８】
音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末、定置端末、タブレットコンピュータ、および／またはラップトップコンピュータに組み込まれる、請求項１０に記載の装置。
【請求項１９】
集積デバイスを配設するための方法であって、
前記集積デバイス用の基部部分を形成するステップであって、誘電体層を形成するステップおよび１組の再分配金属層を形成するステップを含むステップと、
前記基部部分の第１の表面上に、複数の第１のインターコネクトピラーを備える第１のダイを配設するステップであって、前記複数の第１のインターコネクトピラーを前記基部部分の前記１組の再分配金属層に結合するステップを含むステップと、
前記第１のダイと前記基部部分との間にアンダーフィルを形成するステップであって、前記アンダーフィルは、前記複数の第１のインターコネクトピラーを少なくとも部分的に包囲するように形成されるステップとを含む、方法。
【請求項２０】
前記第１のダイを封入する封入材料を形成するステップをさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記基部部分の前記第１の表面上に第２のダイを配設するステップをさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
前記第１のダイと前記第２のダイを電気的に結合する１組のインターコネクトを前記基部部分上に形成するステップをさらに含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記第２のダイは複数の第２のインターコネクトピラーを備え、前記１組のインターコネクトは、前記複数の第１のインターコネクトピラーおよび前記複数の第２のインターコネクトピラーに結合されており、ランディングパッドを回避する、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記１組のインターコネクトは、約４０ミクロン（μｍ）以下である第１のピッチを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
前記第１のダイは第１のウェハレベルダイである、請求項１９に記載の方法。
【請求項２６】
前記複数の第１のインターコネクトピラーは、約４０ミクロン（μｍ）以下である第１のピッチを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２７】
前記集積デバイスは、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末、定置端末、タブレットコンピュータ、および／またはラップトップコンピュータに組み込まれる、請求項１９に記載の方法。
【請求項２８】
前記複数のインターコネクトピラーを前記基部部分の前記１組の再分配金属層に結合するとき、ランディングパッドが回避される、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項２９】
前記複数の第１のインターコネクトピラーと前記基部部分の前記１組の再分配金属層との間の接続にハンダが含まれない、請求項１に記載の集積デバイス。
【国際調査報告】
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