(57)【要約】  本発明は、基板上に無機薄膜を生成する方法、特に原子層堆積法に関する。本方法は、一般式（Ｉ）    【化１】2017505858.tif 000018（式中、  Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、およびＲ６は、互いに独立して、水素、アルキル基、またはトリアルキルシリル基であり、  ｎは、１から３の整数であり、  Ｍは、金属または半金属であり、  Ｘは、Ｍを配位結合させるリガンドであり、  ｍは、０から４の整数である）の化合物を気体状態またはエーロゾル状態にする工程と、  一般式（Ｉ）の化合物を気体状態またはエーロゾル状態から固体基板上に堆積させる工程とを含む。
2017505858.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）
【化１】
2017505858.tif 000017
（式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、およびＲ６は、互いに独立して、水素、アルキル基、またはトリアルキルシリル基であり、
ｎは、１から３の整数であり、
Ｍは、金属または半金属であり、
Ｘは、Ｍを配位結合させるリガンドであり、
ｍは、０から４の整数である）
の化合物を気体状態またはエーロゾル状態にする工程と、
一般式（Ｉ）の前記化合物を前記気体状態またはエーロゾル状態から固体基板上に堆積させる工程と
を含む方法。
【請求項２】
一般式（Ｉ）の化合物が、固体基板の表面に化学吸着される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
一般式（Ｉ）の堆積した化合物が、全てのリガンドＬおよびＸを除去することにより分解される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記分解が、水、酸素プラズマ、またはオゾンに曝露することにより引き起こされる、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
一般式（Ｉ）の化合物を固体基板上に堆積させる工程および一般式（Ｉ）の堆積した化合物を分解させる工程の手順が少なくとも２回行われる、請求項３または４に記載の方法。
【請求項６】
ＭがＳｒ、Ｂａ、ＮｉまたはＣｏである、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
Ｒ２およびＲ５が互いに独立して水素またはメチルである、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
一般式（Ｉ）
（式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、およびＲ６は、互いに独立して、水素、アルキル基、またはトリアルキルシリル基であり、
ｎは、１から３の整数であり、
Ｍは、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃｏ、またはＮｉであり、
Ｘは、Ｍを配位結合させるリガンドであり、
ｍは、０から４の整数である）
の化合物。
【請求項９】
Ｒ３およびＲ４が水素である、請求項８に記載の化合物。
【請求項１０】
ｎが２でありおよびｍが０である、請求項８または９に記載の化合物。
【請求項１１】
Ｒ２およびＲ５が互いに独立して水素またはメチルである、請求項８から１０のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項１２】
固体基板上での成膜プロセスに、一般式（Ｉ）
（式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、およびＲ６は、互いに独立して、水素、アルキル基、またはトリアルキルシリル基であり、
ｎは、１から３の整数であり、
Ｍは、金属または半金属であり、
Ｘは、Ｍを配位結合させるリガンドであり、
ｍは、０から４の整数である）
の化合物を使用する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に無機薄膜を生成する方法、特に原子層堆積法の分野に含まれる。
【背景技術】
【０００２】
進行する小型化とともに、例えば半導体産業において、基板上の無機薄膜への必要性が高まるものの、かかる膜の品質にかかわる要件はより厳しくなってきている。無機薄膜は、バリア層、シード、ライナ、誘電体（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃａ）、または微細構造の分離などの、様々な目的にかなっている。無機薄膜の生成についていくつかの方法が公知である。それらのうちの１つは、成膜化合物を気体状態から基板上へ堆積させることである。金属または半金属原子を中温で気体状態にするために、例えば金属または半金属と適切なリガンドとの錯体形成により、揮発性前駆物質を用意することが必要である。このようなリガンドは、錯化金属または半金属を基板上へ堆積させた後、除去する必要がある。
【０００３】
ＷＯ２０１２／０５７８８４Ａ１には、遷移金属用の窒素含有リガンドおよび原子層堆積法におけるこれらの使用が開示されている。
【０００４】
特開２００１−２６１６３８Ａには、アルファオレフィン重合の触媒として有用なジイミノピロリルリガンドを含む金属錯体化合物が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】ＷＯ２０１２／０５７８８４Ａ１
【特許文献２】特開２００１−２６１６３８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、金属または半金属を気体状態またはエーロゾル状態から堆積させる工程により、固体基板上に無機薄膜を生成する方法を提供することであった。この方法は、金属または半金属を含む前駆物質を気体状態またはエーロゾル状態にする間に、前駆物質の分解が可能な限り少ない状態で実施可能であることが望まれた。固体基板上に堆積した後、前駆物質は容易に分解される方法を提供することも同時に望まれた。さらなる目的は、多種多様な様々な金属または半金属に適用可能な方法を提供することであった。経済的に妥当な条件下で高品質膜を生成する方法を提供することも目標とした。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
これらの目的は、一般式（Ｉ）
【化１】
2017505858.tif 000003
（式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、およびＲ６は、互いに独立して、水素、アルキル基、またはトリアルキルシリル基であり、
ｎは、１から３の整数であり、
Ｍは、金属または半金属であり、
Ｘは、Ｍを配位結合させるリガンドであり、
ｍは、０から４の整数である）
の化合物を気体状態またはエーロゾル状態にする工程と、
一般式（Ｉ）の化合物を気体状態またはエーロゾル状態から固体基板上に堆積させる工程と
を含む方法により達成された。
【０００８】
本発明は、一般式（Ｉ）
（式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、およびＲ６は、互いに独立して、水素、アルキル基、またはトリアルキルシリル基であり、
ｎは、１から３の整数であり、
Ｍは、Ｓｒ、Ｂａ、ＣｏまたはＮｉであり、
Ｘは、Ｍを配位結合させるリガンドであり、
ｍは、０から４の整数である）
の化合物にも関する。
【０００９】
本発明は、固体基板上での成膜プロセスに、一般式（Ｉ）
（式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、およびＲ６は、互いに独立して、水素、アルキル基、またはトリアルキルシリル基であり、
ｎは、１から３の整数であり、
Ｍは、金属または半金属であり、
Ｘは、Ｍを配位結合させるリガンドであり、
ｍは、０から４の整数である）
の化合物を使用する方法にも関する。
【００１０】
本発明の好ましい実施形態は、本明細書および本請求項に記載されている。様々な実施形態の組合せが本発明の範囲に包含される。
【００１１】
本発明による方法では、一般式（Ｉ）の化合物を気体状態またはエーロゾル状態にする。リガンドＬにおいて、２つのイミノメチル基がピロール環にコンジュゲートしている。このことが、例えば本発明による方法で形成した膜において、求められていない断片を残さずに、Ｌを一般式（Ｉ）の化合物から除去することができるように、Ｌを断片化に対して非常に安定なものとしていると考えられる。
【００１２】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、およびＲ６は、互いに独立して、水素、アルキル基、またはトリアルキルシリル基である。リガンドＬの炭素原子数は、一般式（Ｉ）の化合物を著しい分解を起こすことなく気体状態またはエーロゾル状態にすることができることの容易さに影響を及ぼすとされる。本発明に関して著しい分解がないということは、一般式（Ｉ）の化合物の少なくとも９０ｗｔ．％を、より好ましくは少なくとも９５ｗｔ．％を、特に少なくとも９８ｗｔ．％を、化学的変化を生じることなく気体状態またはエーロゾル状態にすることができることを意味する。
【００１３】
リガンドＬの全てのアルキル基および／またはトリアルキルシリル基が一緒になって最大１２個の炭素原子を含有することが好ましく、最大８個がより好ましい。アルキル基は直鎖状または分枝鎖状とすることができる。直鎖状アルキル基の例は、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシルである。分枝鎖状アルキル基の例としては、イソプロピル、イソ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、２−メチル−ペンチル、２−エチル−ヘキシル、シクロプロピル、シクロヘキシル、インダニル、ノルボルニルである。トリアルキルシリル基は、同一のまたは異なるアルキル基を有することができる。同一のアルキル基を有するトリアルキルシリル基の例は、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリ−ｎ−プロピルシリル、トリ−イソ−プロピルシリル、トリシクロヘキシルシリルである。異なるアルキル基を有するトリアルキルシリル基の例は、ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルシリル、ジメチルシクロヘキシルシリル、メチル−ジ−イソ−プロピルシリルである。
【００１４】
本発明によれば、Ｒ１およびＲ６は、互いに独立して、リガンドＬのイミノ窒素原子への炭素結合またはケイ素結合に接続する水素原子がないアルキル基またはトリアルキルシリル基であることが、好ましい。この場合、リガンドＬは、１００℃を超えるような、特に１５０℃を超えるような、高温において転移および切断に対してより安定であるとされる。この理論に制限されないが、このことにより、気化温度における一般式（Ｉ）の化合物の熱安定性を高めることが一般には可能となるとされる。熱安定性を決定するのに適した方法は、ＤＩＮ５１００６（Ｔｈｅｒｍｉｓｃｈｅ  Ａｎａｌｙｓｅ（ＴＡ）−Ｔｈｅｒｍｏｇｒａｖｉｍｅｔｒｉｅ（ＴＧ）−Ｇｒｕｎｄｌａｇｅｎ、２００６年７月）に記載のように不活性雰囲気下での熱重量分析法であり、ここで、温度制御に関してより精密な手順Ａが好ましい。一般式（Ｉ）の化合物は、気化温度に加熱されたとき、これの質量の１０％未満を喪失する場合、５％未満が好ましいが、その温度において熱的に安定であるとみなされる。Ｒ１およびＲ６は、互いに独立して、ｔｅｒｔ−ブチル基またはトリメチルシリル基であることが特に好ましい。
【００１５】
本発明によれば、Ｒ３およびＲ４は、互いに独立して、水素または短鎖アルキル基もしくはトリメチルシリル基である。短鎖アルキル基の例としては、メチル、エチル、ｎ−プロピルおよびイソ−プロピルである。この場合、錯体はより嵩が小さくなる可能性がある。Ｒ３およびＲ４の両方とも、水素であることがより好ましい。Ｒ２およびＲ５は、互いに独立して、水素、短鎖アルキル基またはトリメチルシリル基である場合、錯体はおそらくさらに効率的に密集する。したがって、Ｒ２およびＲ５は、互いに独立して、水素、短鎖アルキル基またはトリメチルシリル基、例えば特に水素、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソ−プロピル、またはトリメチルシリルであることが好ましい。Ｒ２およびＲ５は、互いに独立して、水素またはメチルであることがより好ましく、Ｒ２およびＲ５は、両方とも水素であることがより好ましい。Ｒ２およびＲ５は、両方ともメチルであることが、またより好ましい。この場合、リガンドＬは、１００℃を超えるような、特に１５０℃を超えるような、高温に加熱したとき、断片化に対してより高い安定性を示すとされる。
【００１６】
一般式（Ｉ）の化合物の分子量が、最大１０００ｇ／ｍｏｌであることが好ましく、最大９００ｇ／ｍｏｌであることがより好ましく、最大８００ｇ／ｍｏｌであることがさらに好ましく、特に最大７００ｇ／ｍｏｌである。
【００１７】
本発明による一般式（Ｉ）の化合物は、１から３のリガンドＬを含むことができ、すなわち、ｎは、１から３の整数である。概して、金属または半金属Ｍが大きければ大きいほど、ｎは大きくなることができる。通常、大きいＭに対してのみ、ｎは最大３である。Ｍが元素周期律表の第４族からのまたはそれより高い族からの金属または半金属である場合、上のことは正しい。ｎは１から２であることが好ましく、ｎは２に等しいことがより好ましい。
【００１８】
一般式（Ｉ）の化合物のＭは、本発明によれば、任意の金属または半金属とすることができる。金属は、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｇ、Ｔｌ、Ｂｉである。好ましい金属は、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｔａ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｓｒ、およびＢａである。より好ましい金属は、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃｏ、またはＮｉである。半金属は、Ｂ、Ｓｉ、Ａｓ、Ｇｅ、Ｓｂである。
【００１９】
金属または半金属Ｍは、任意の酸化状態にあることができる。Ｍは、それが固体基板上の最終膜にあることになる酸化状態に近いことが好ましい。例えば、酸化状態０の金属または半金属膜が所望の場合、一般式（Ｉ）の化合物の金属または半金属Ｍは、一般式（Ｉ）の安定な化合物が利用できるなら、酸化状態０または−１もしくは＋１であることが好ましい。そうでない場合、一般式（Ｉ）の安定な化合物を得ることができる−２または＋２などの、次のより高いまたはより低い酸化状態が選択される。さらに、金属が酸化状態＋２を有している金属酸化物膜が所望の場合、一般式（Ｉ）の化合物の金属または半金属Ｍは、酸化状態＋１、＋２、または＋３であることが好ましい。金属が酸化状態４を有する金属酸化物膜の例もある。この場合、一般式（Ｉ）の化合物のＭは、酸化状態＋４または＋３もしくは＋５であることが好ましい。一般式（Ｉ）の化合物のＭは、固体基板上の最終膜にあることになるのと同一の酸化状態を有することが、より好ましい。この場合、酸化または還元は必要としない。
【００２０】
一般式（Ｉ）の化合物のリガンドＸは、本発明によれば、Ｍを配位結合させる任意のリガンドとすることができる。Ｘが電荷を有する場合、一般式（Ｉ）の化合物が中性に荷電しているように、ｍが通常には選択される。２以上のかかるリガンドが一般式（Ｉ）の化合物に存在する場合、すなわちｍ＞１である場合、これらのリガンドは、同一かまたは互いに異なるとすることができる。ｍ＞２の場合、２つのリガンドＸは同一であり、かつ残りのＸはこれら２つのリガンドＸと異なることが可能である。Ｘは、金属または半金属Ｍの任意のリガンド圏に、例えば、リガンド内圏に、リガンド外圏にあることができ、またはＭにただ穏やかに会合していることができる。Ｘは、Ｍのリガンド内圏にあることが好ましい。全てのリガンドＸがＭのリガンド内圏にある場合、一般式（Ｉ）の化合物の揮発性は、その化合物を分解させずに気体状態またはエーロゾル状態にできるように高いと考えられる。
【００２１】
本発明による一般式（Ｉ）の化合物のリガンドＸは、ハロゲンのアニオン、例えばフッ化物、塩化物、臭化物またはヨウ化物、および擬ハロゲン、例えばシアニド、イソシアニド、シアナート、イソシアナート、チオシアナート、イソチオシアナート、またはアジドなどが挙げられる。さらに、Ｘは任意のアミンリガンドとすることができ、ここで、配位結合窒素原子は、ジアルキルアミン、ピペリジン、モルフォリン、またはヘキサメチルジシラザン；アミノイミドであるような脂肪族；ピロール、インドール、ピリジン、またはピラジンであるような芳香族、のいずれかである。アミンリガンドの窒素原子は、Ｍに配位結合する前に脱プロトン化することが多い。さらに、Ｘは、フォルムアミドまたはアセトアミドなどのアミドリガンド；アセトアミジンなどのアミジナートリガンド；またはグアニジンなどのグアニジナートリガンドとすることができる。Ｘは、酸素原子が金属または半金属に配位結合しているリガンドであることも可能である。例としては、アルカノレート、テトラヒドロフラン、アセチルアセトネート、アセチルアセトン、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトネート、または１，２−ジメトキシエタンである。Ｘの他の適切な例として、ジメチルアミノ−イソ−プロパノールを含めて、その双方ともＭに配位結合している窒素原子および酸素原子の両方が挙げられる。また、Ｘに適切なものは、リン原子を介してＭに配位結合しているリガンドである。このようなものには、トリメチルホスフィン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、などのトリアルキルホスフィン、またはトリフェニルホスフィン、もしくはトリトリルホスフィンなどの芳香族ホスフィンが含まれる。
【００２２】
さらに、適切なリガンドＸは、メチル、エチル、プロピルまたはブチルアニオンなどのアルキルアニオンである。Ｘは、π結合でＭに配位結合している不飽和炭化水素とすることもできる。不飽和炭化水素には、エチレン、プロピレン、イソ−ブチレン、シクロヘキセン、シクロオクタジエン、エチン、プロピンが含まれる。末端アルキンは、比較的容易に脱プロトン化できる。次いで、これらは、負の電荷を有する末端炭素原子を介して配位結合することができる。Ｘは、アニオンおよびアリルまたは２−メチル−アリルなどの不飽和結合の双方を介して配位結合することができる不飽和アニオン性炭化水素とすることもできる。シクロペンタジエニルアニオンおよび置換されたシクロペンタジエニルアニオンもＸに適している。さらに、Ｘの適切な例は、一酸化炭素（ＣＯ）または一酸化窒素（ＮＯ）である。Ｍに配位結合している複数の原子を含む分子を使用することも可能である。例としては、ビピリジン、ｏ−テルピリジン、エチレンジアミン、置換されたエチレンジアミン、エチレン−ジ（ビスフェニルホスフィン）、エチレン−ジ（ビス−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン）である。
【００２３】
気化温度の低い小分子リガンドがＸにとって好ましい。そのような好ましいリガンドには、一酸化炭素、シアン化物、エチレン、テトラヒドロフラン、ジメチルアミン、トリメチルホスフィン、一酸化窒素および１，２−ジメトキシエタンが含まれる。プロトン化に際して、例えば表面結合プロトンにより、揮発性中性化合物に容易に転換することができる低分子アニオン性リガンドが、Ｘにとって好ましい。例としては、メチル、エチル、プロピル、ジメチルアミド、ジエチルアミド、アリル、２−メチル−アリルが挙げられる。
【００２４】
一般式（Ｉ）の化合物は、２つのリガンドＬを含むことが好ましい。この場合、ｎは２に等しい。一般式（Ｉ）の化合物にリガンドＸが存在しないこと、すなわち、ｍは０に等しいのがより好ましい。この場合、一般式（Ｉ）の化合物は、一般式（Ｉａ）
【化２】
2017505858.tif 000004
となる。
【００２５】
２つのリガンドＬは、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、およびＲ６それぞれに対して、同一の置換基または異なる置換基のいずれかを有することができる。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、およびＲ６については前述のように同一の定義が適用される。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、およびＲ６それぞれは、両方のリガンドＬにおいて同一の置換基であることが好ましい。
【００２６】
リガンドＬの平面性のために、置換基Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、およびＲ６が、リガンドＬの少なくとも１つがＣ２Ｖシンメトリを有するようなものでない限り、一般式（Ｉａ）の化合物はキラルである。例えば、一般式（Ｉ）の化合物にとって一般には好ましい置換パターンであるが、Ｒ１がＲ６に等しく、Ｒ２がＲ５に等しく、およびＲ３がＲ４に等しい場合、上のことは正しい。一般式（Ｉａ）の化合物がキラリティーを示す場合、当該化合物はラセミ混合物として使用することができるかまたは鏡像異性的に純粋で使用することができる。一般式（Ｉａ）に関して鏡像異性的に純粋な化合物が好ましい。
【００２７】
一般式（Ｉ）の化合物の一部の特定な例を、以下の表に示す。
【００２８】
【表１】
2017505858.tif 000005
【００２９】
TMSはトリメチルシリルを表し、TBDMSはtert-ブチル-ジメチルシリルを表し、THFはテトラヒドロフランを表し、ビピは2,2’-ビピリジンを表し、PPh3はトリフェニルホスフィンを表し、NMe2はジメチルアミンを表し、n-BuOはn-ブトキシを表す。
【００３０】
本発明による方法において使用される一般式（Ｉ）の化合物を高純度で使用することで、最良の結果が達成される。高純度とは、使用される物質が、一般式（Ｉ）の化合物の少なくとも９０ｗｔ．％を、好ましくは一般式（Ｉ）の化合物の少なくとも９５ｗｔ．％を、より好ましくは一般式（Ｉ）の化合物の少なくとも９８ｗｔ．％を、特に一般式（Ｉ）の化合物の少なくとも９９ｗｔ．％を含有することを意味する。純度は、ＤＩＮ５１７２1（Ｐｒｕｅｆｕｎｇ  ｆｅｓｔｅｒ  Ｂｒｅｎｎｓｔｏｆｆｅ−Ｂｅｓｔｉｍｍｕｎｇ  ｄｅｓ  Ｇｅｈａｌｔｅｓ  ａｎ  Ｋｏｈｌｅｎｓｔｏｆｆ  ｕｎｄ  Ｗａｓｓｅｒｓｔｏｆｆ−Ｖｅｒｆａｈｒｅｎ  ｎａｃｈ  Ｒａｄｍａｃｈｅｒ−Ｈｏｖｅｒａｔｈ、２００１年８月）による元素分析により決定することができる。
【００３１】
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５が水素であるリガンドＬを、典型的なイミン形成条件下で２，５−ジカルボニルピロールを各アミンと縮合させることにより合成することができる。前駆物質２，５−ジカルボニルピロールは、次の文献の手順により合成することができる。
【００３２】
Ｋ．Ｏｌｓｓｏｎ、Ｐ．Ｐｅｒｎｅｍａｌｍ、Ａｃｔａ  Ｃｈｅｍｉｃａ  Ｓｃａｎｄｉｎａｖｉｃａ  Ｂ３３（１９７９年）、１２５〜１３２頁
Ｒ．Ｍｉｌｌｅｒ、Ｋ．Ｏｌｓｓｏｎ、Ａｃｔａ  Ｃｈｅｍｉｃａ  Ｓｃａｎｄｉｎａｖｉｃａ  Ｂ３５（１９８１年）３０３〜３１０頁
【００３３】
本発明による方法では、一般式（Ｉ）の化合物を気体状態またはエーロゾル状態にする。これは、一般式（Ｉ）の化合物を高温に加熱することにより可能である。いずれにせよ、一般式（Ｉ）の化合物の分解温度より低い温度を選択する必要がある。加熱温度は、室温より少し高温から３００℃の範囲であることが好ましく、３０℃から２５０℃の範囲がより好ましく、４０℃から２００℃の範囲がさらに好ましく、特に５０℃から１５０℃の範囲である。
【００３４】
一般式（Ｉ）の化合物を気体状態またはエーロゾル状態にする別の方法は、例えば米国特許出願公開第２００９／０２２６６１２（Ａ１）号に記載のようにダイレクトリキッドインジェクション（ＤＬＩ）である。この方法では、典型的には、一般式（Ｉ）の化合物を溶媒に溶解させ、キャリアーガスでまたは真空で噴霧する。一般式（Ｉ）の化合物の蒸気圧、温度および圧力にしたがって、一般式（Ｉ）の化合物が気体状態またはエーロゾル状態のいずれかに至る。一般式（Ｉ）の化合物が、その溶媒に、少なくとも１ｇ／ｌ、好ましくは少なくとも１０ｇ／ｌ、より好ましくは少なくとも１００ｇ／ｌなどで、十分な溶解度を示すことを条件として、様々な溶媒を使用することができる。このような溶媒の例は、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエトキシエタン、ピリジンなどの配位結合性溶媒またはヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、もしくはキシレンなどの非配位結合性溶媒である。溶媒混合物も適切である。一般式（Ｉ）の化合物を含むエーロゾルは、微細液滴または微細固体粒子を含有することになる。液滴または固体粒子の質量平均径は５００ｎｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍ以下であることがより好ましい。液滴または固体粒子の質量平均径は、ＩＳＯ２２４１２：２００８に記載のように動的光散乱法により決定することができる。例えば、一般式（Ｉ）の化合物の限定された蒸気圧がエーロゾル状態にある一般式（Ｉ）の化合物の部分的蒸発を起こすので、一般式（Ｉ）の化合物の一部が気体状態であり、かつ残部がエーロゾル状態であることも可能である。
【００３５】
減圧下で、一般式（Ｉ）の化合物を気体状態またはエーロゾル状態にすることが好ましい。この方法では、一般式（Ｉ）の化合物の分解を低下させる低い加熱温度で、当該プロセスを通常には実施することができる。上昇した圧力を使用して、気体状態またはエーロゾル状態の一般式（Ｉ）の化合物を固体基板に向けることも可能である。圧力は、１００から１０−１０ｍｂａｒの範囲であることができ、好ましくは１から１０−８ｍｂａｒの範囲であり、より好ましくは０．０１から１０−６ｍｂａｒの範囲であり、特に１０−４ｍｂａｒなどの１０−３から１０−５ｍｂａｒの範囲である。しかし、好ましくは、圧力は１０ｂａｒ〜１０−７ｍｂａｒであり、より好ましくは１ｂａｒ〜１０−３ｍｂａｒであり、特に０．１ｍｂａｒなどの０．０１〜１ｍｂａｒである。
【００３６】
本発明による方法では、一般式（Ｉ）の化合物は、気体状態またはエーロゾル状態から固体基板上に堆積する。固体基板は任意の個体材料とすることができる。これらには、例えば金属、半金属、酸化物、窒化物、およびポリマーが含まれる。基板は様々な材料の混合物であることも可能である。金属の例は、アルミニウム、スティール、亜鉛、および銅である。半金属の例は、ケイ素、ゲルマニウム、およびガリウムヒ素である。酸化物の例は、二酸化ケイ素、二酸化チタン、および酸化亜鉛である。窒化物の例は、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化チタン、および窒化ガリウムである。ポリマーの例は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレン−ジカルボン酸（ＰＥＮ）、およびポリアミドである。
【００３７】
固体基板は任意の形状を有することができる。これには、シートプレート、膜、繊維、種々のサイズの粒子、および溝または他のギザギザを備える基板が含まれる。固体基板は任意のサイズとすることができる。固体基板が粒子形状である場合、粒度は１００ｎｍ未満から数センチメーターまでの範囲であることができ、１μｍから１ｍｍまでであることが好ましい。一般式（Ｉ）の化合物を固体基板上に堆積させる間、粒子または繊維が互いにくっつくことを回避するために、粒子または繊維を動いている状態に保つことが好ましい。これは、例えば、攪拌により、ドラム回転により、または流動層技術により可能である。
【００３８】
基板が一般式（Ｉ）の化合物と接触する場合、堆積が起こる。概して、堆積プロセスは、基板を一般式（Ｉ）の化合物の分解温度より高温に加熱するかまたは低温に加熱するか、いずれかの２つの異なる方法で実施することができる。基板を一般式（Ｉ）の化合物の分解温度より高く加熱する場合、一般式（Ｉ）の化合物は、気体状態またはエーロゾル状態にある一般式（Ｉ）の化合物のより多くが固体基板の表面に到達する限り、固体基板の表面で連続的に分解する。この方法は典型的には、化学蒸着法（ＣＶＤ）と呼ばれる。通常は、有機材料が金属または半金属Ｍから離脱するので、均一組成物の無機層が、例えば金属または金属酸化物もしくは半金属酸化物または金属窒化物もしくは半金属窒化物が、固体基板の上に形成される。典型的には、固体基板を、３００〜１０００℃の範囲の、好ましくは３５０〜６００℃の範囲の温度に加熱する。
【００３９】
あるいは、基板を一般式（Ｉ）の化合物の分解温度より低温にする。典型的には、固体基板を、一般式（Ｉ）の化合物が気体状態またはエーロゾル状態に至る環境の温度より低温とするが、室温とするかまたは室温よりごくわずか高温とすることが多い。好ましくは、基板の温度は、一般式（Ｉ）の化合物が気体状態またはエーロゾル状態に至る環境の温度より少なくとも３０℃低温であり、より好ましくは少なくとも５０℃低温であり、特に少なくとも１００℃低温である。あるいは、固体基板を、一般式（Ｉ）の化合物が気体状態またはエーロゾル状態に至る環境の温度より高温とする。好ましくは、基板の温度は、一般式（Ｉ）の化合物の分解温度より少なくとも３０℃低温である。好ましくは、基板の温度は、室温から４００℃までであり、より好ましくは１００から３００℃までである。
【００４０】
固体基板上への一般式（Ｉ）の化合物の堆積は、物理吸着プロセスまたは化学吸着プロセスのいずれかである。一般式（Ｉ）の化合物が固体基板上に化学吸着させるのが好ましい。化学吸着は典型的には、リガンドＸまたはＬの少なくとも１つの喪失を伴う。これらリガンドのうちの一方の喪失は、固体基板を取り囲む気相の赤外分光を介して観察することができる。水晶に問題の基板の表面が設けられている状態で、水晶マイクロバランスを、気体状態またはエーロゾル状態にある一般式（Ｉ）の化合物に対して曝露することにより、一般式（Ｉ）の化合物が固体基板へ化学吸着するかどうか、判定することができる。水晶の固有振動数により質量増加が記録される。水晶が設置されているチャンバーを真空排気すると、化学吸着が起こった場合、質量は当初の質量へと低下しないが、一般式（Ｉ）の残留性化合物のほぼ単一層が残る。一般式（Ｉ）の化合物の固体基板への化学吸着が生じるほとんどの場合、基板への結合が形成されるので、ＭのＸ線光電子分光（ＸＰＳ）シグナル（ＩＳＯ１３４２４  ＥＮ−Ｓｕｒｆａｃｅ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ａｎａｌｙｓｉｓ−Ｘ−ｒａｙ  ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ−Ｒｅｐｏｒｔｉｎｇ  ｏｆ  ｒｅｓｕｌｔｓ  ｏｆ  ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ  ａｎａｌｙｓｉｓ；２０１３年１０月）が、変化する。
【００４１】
本発明による方法において基板の温度が一般式（Ｉ）の化合物の分解温度より低く保持される場合、典型的には固体基板上に単一層が堆積する。一般式（Ｉ）の分子が固体基板上に堆積すると、それの上面へのさらなる堆積は、通常には可能性が低くなる。したがって、固体基板上への一般式（Ｉ）の化合物の堆積は、自己制御製造工程であることが好ましい。自己制御堆積製造工程による典型的な層厚は、０．０１から１ｎｍであり、０．０２から０．５ｎｍであるのが好ましく、０．０３から０．４ｎｍであるのがより好ましく、特に０．０５から０．２ｎｍである。層厚は典型的には、ＰＡＳ１０２２ＤＥ（Ｒｅｆｅｒｅｎｚｖｅｒｆａｈｒｅｎ  ｚｕｒ  Ｂｅｓｔｉｍｍｕｎｇ  ｖｏｎ  ｏｐｔｉｓｃｈｅｎ  ｕｎｄ  ｄｉｅｌｅｋｔｒｉｓｃｈｅｎ  Ｍａｔｅｒｉａｌｅｉｇｅｎｓｃｈａｆｔｅｎ  ｓｏｗｉｅ  ｄｅｒ  Ｓｃｈｉｃｈｔｄｉｃｋｅ  ｄｕｅｎｎｅｒ  Ｓｃｈｉｃｈｔｅｎ  ｍｉｔｔｅｌｓ  Ｅｌｌｉｐｓｏｍｅｔｒｉｅ；２００４年２月）に記載のように偏光解析法により測定する。
【００４２】
上記のものより厚い層を構築することが望まれることが多い。本発明による方法でこのことを達成するために、全てのＬおよびＸを除去することにより、一般式（Ｉ）の堆積した化合物を分解させることが好ましい。本発明に関して全てのＬおよびＸを除去するということは、一般式（Ｉ）の堆積した化合物のＬおよびＸの総質量の少なくとも９５ｗｔ．％を、好ましくは少なくとも９８ｗｔ．％を、特に少なくとも９９ｗｔ．％を除去することを意味する。分解は種々の方法で引き起こすことができる。固体基板の温度は分解温度より高温に高めることができる。
【００４３】
さらに、一般式（Ｉ）の堆積した化合物を酸素、オゾン、酸素プラズマなどのプラズマ、アンモニア、亜酸化窒素または過酸化水素などの酸化剤、水素、アンモニア、アルコール、ヒドラジン、ジアルキルヒドラジン、またはヒドロキシルアミンなどの還元剤；または水などの溶媒に曝露することが可能である。酸化剤、プラズマ、または水を使用して、金属酸化物または半金属酸化物の層を得ることが好ましい。水、酸素プラズマまたはオゾンに曝露するのが好ましい。水へ曝露するのが特に好ましい。元素金属または元素半金属の層が所望の場合、還元剤を使用するのが好ましい。金属窒化物または半金属窒化物の層については、アンモニアまたはヒドラジンを使用するのが好ましい。リガンドＬの芳香族部分の平面性のために、低分子が金属または半金属Ｍに容易にアクセスすると考えられるが、この平面性は、２つのイミノメチル基がリガンドＬにおけるピロール単位へコンジュゲートする結果である。典型的には、生成した膜に関して分解時間が短いことおよび純度が高いことが観察される。
【００４４】
自己制御製造工程および継続する自己制御反応を含む堆積プロセスは原子層堆積（ＡＬＤ）と呼ばれることが多い。同等の表現は、分子層堆積（ＭＬＤ）または原子層エピタキシー（ＡＬＥ）である。したがって、本発明による方法は、ＡＬＤ法であるのが好ましい。
【００４５】
本発明による方法の特定の利点は、一般式（Ｉ）の化合物は汎用性が高く、そこで製造パラメーターを幅広い範囲で変えることができる。したがって、本発明による方法には、ＣＶＤ法ならびにＡＬＤ法の両方が含まれる。
【００４６】
固体基板上に堆積した一般式（Ｉ）の化合物の分解の後、一般式（Ｉ）のさらなる化合物を上面に堆積させて、固体基板上の膜厚をさらに厚くすることも可能である。一般式（Ｉ）の化合物を固体基板上に堆積させる工程および一般式（Ｉ）の堆積した化合物を分解させる工程の手順を少なくとも２回実施するのが好ましい。この手順は何回も、例えば５０または１００回、繰り返すことができる。このようにして、所定の均一な厚さの膜が利用可能となる。上の手順を繰り返すことにより生成した典型的な膜は、厚さ０．５〜５０ｎｍである。一般式（Ｉ）の同一化合物で、または一般式（Ｉ）の様々な化合物で、または一般式（Ｉ）の１つもしくは複数の化合物と一般式（Ｉ）とは異なる１つもしくは複数の金属前駆物質または半金属前駆物質とで、各手順を進行させることも可能である。例えば、１番目の、３番目の、５番目などの手順を一般式（Ｉ）の化合物で実施する場合であって、ここでＭはＢａである場合、そして２番目毎の、４番目毎の、６番目毎などの手順をＴｉ前駆物資で実施する場合、すなわち一般式（Ｉ）の化合物または異なるＴｉを含んでいる化合物のいずれかで実施する場合、ＢａＴｉＯ３の膜を生成することが可能である。
【００４７】
本発明による方法の手順回数に応じて、種々の厚さの膜が生成される。理想的には、膜の厚さは、実施された手順の回数に比例する。しかし、実際には、最初の３０〜５０の手順の間、比例性からのある偏差が観察される。固体基板の表面構造の不規則性がこの非比例性を生じると想定される。
【００４８】
本発明による方法の一手順に、ミリ秒から数分までを要してもよく、０．１秒から１分までが好ましく、特に１から１０秒までである。固体基板が、一般式（Ｉ）の化合物の分解温度より低温で、一般式（Ｉ）の化合物に曝露されるのが長ければ長いほど、欠陥がより少ないさらに規則的な膜が形成される。
【００４９】
本発明による方法は、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃｏ、またはＮｉを固体基板上に堆積させるのに特に適している。したがって、本発明は、一般式（Ｉ）
（式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、およびＲ６は、互いに独立して、水素、アルキル基、またはトリアルキルシリル基であり、
ｎは、１から３の整数であり、
Ｍは、Ｓｒ、Ｂａ、ＣｏまたはＮｉであり、
Ｘは、Ｍを配位結合させるリガンドであり、
ｍは、０から４の整数である）
の化合物にも関する。
【００５０】
前述のように、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、ｎ、Ｘ、およびｍについて同一の定義が適用される。一般式（Ｉ）の化合物は、例えば昇華により容易に精製することができ、高純度で入手することができるように一般には十分安定である。高純度とは、使用される物質が、一般式（Ｉ）の化合物の少なくとも９０ｗｔ．％を、好ましくは一般式（Ｉ）の化合物の少なくとも９５ｗｔ．％を、より好ましくは一般式（Ｉ）の化合物の少なくとも９８ｗｔ．％を、特に一般式（Ｉ）の化合物の少なくとも９９ｗｔ．％を含有することを意味する。前述のように、純度は元素分析により決定することができる。
【００５１】
本発明は、固体基板上での成膜プロセスに、一般式（Ｉ）
（式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、およびＲ６は、互いに独立して、水素、アルキル基、またはトリアルキルシリル基であり、
ｎは、１から３の整数であり、
Ｍは、金属または半金属であり、
Ｘは、Ｍを配位結合させるリガンドであり、
ｍは、０から４の整数である）
の化合物を使用する方法にも関する。前述のように、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、ｎ、Ｘ、およびｍについて同一の定義が適用される。
【００５２】
本発明による方法により、膜が生成される。膜は、一般式（Ｉ）の堆積した化合物の１つの単一層のみ、一般式（Ｉ）の化合物の連続して堆積および分解したいくつかの層、または、膜中の少なくとも１つの層は一般式（Ｉ）の化合物を使用することにより生成された、いくつかの様々な層とすることができる。膜は、ホールのような欠陥を含むこともある。しかし、このような欠陥は、膜により被覆されている表面領域の半分未満を一般には占める。当該膜は無機膜であることが好ましい。無機膜を生成するために、前述のように、全ての有機リガンドＬおよびＸを膜から除去する必要がある。当該膜は、金属酸化物、半金属酸化物、金属窒化物、または半金属窒化物製の無機膜であるのがより好ましい。膜の厚さは、前述のように、成膜プロセスに応じて０．１ｎｍ〜１μｍ以上とすることができる。膜の厚さは、０．５〜５０ｎｍであることが好ましい。膜は極めて均一な膜厚を有することが好ましく、極めて均一な膜厚とは、基板上の様々な場所での膜厚がほとんど変動せず、通常１０％未満、好ましくは５％未満である。さらに、当該膜は、基板の表面上の共形膜であることが好ましい。膜厚および均一性を決定するのに適した方法は、ＸＰＳまたは偏光解析法である。
【００５３】
本発明により生成した膜を、当該膜を含む電子素子に使用することができる。そのような電子素子は、例えば１００ｎｍから１００μｍの種々のサイズの構造的特徴を備えることができる。電子素子用の膜を形成する方法は、極細構造に特に適している。したがって、１μｍより小さいサイズの電子素子が好ましい。電子素子の例は、電界効果形トランジスタ（ＦＥＴ）、太陽電池、発光ダイオード、センサ、またはコンデンサーである。発光ダイオードまたは光センサなどの光学デバイスにおいて、当該膜は、光を反射する層の反射率を高める働きをする。センサの例は、酸素センサであり、例えば、金属酸化物膜を製造する場合、膜は酸素伝導体として働くことができる。金属酸化物半導体からの電界効果形トランジスタ（ＭＯＳ−ＦＥＴ）において、膜は、誘電体層としてまたは拡散隔膜として働くことができる。元素ニッケル−ケイ素が固体基板上に堆積している膜から半導体層を製造することも可能である。さらに、コバルト含有膜を、例えば元素コバルトを、例えば、Ｃｕ−Ｗ合金などの銅をベースとした接点用の拡散隔膜として、本発明による方法により堆積させることができる。
【００５４】
好ましい電子素子はコンデンサーである。本発明による方法で製造した膜は、コンデンサーにおけるいくつかの考えられる機能を有する。当該膜は、例えば、誘電体層と導電層との間で誘電体として、または中間膜として働いて、積層を促進することができる。当該膜はコンデンサー中で誘電体として働くのが好ましい。
【００５５】
さらに好ましい電子素子は、集積回路の複雑なアレイである。当該膜は、複雑な集積回路においていくつかの考えられる機能を有する。当該膜は、例えば、伝導性銅層と絶縁金属酸化物層との間でインターコネクトとしてまたは中間層として働いて、絶縁層への銅の移行性を低下することが可能である。当該膜は、電界効果形トランジスタにおいてインターコネクトとしてまたは複雑な集積回路の電子接点において中間層として働くのが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】化合物Ｃ１の熱重量分析を示す図である。ｘ軸に試料の温度が℃で示され、ｙ軸に残存質量が試料の初期質量の百分率として示されている。
【図２】化合物Ｃ２の熱重量分析を示す図である、ｘ軸に試料の温度が℃で示され、ｙ軸に残存質量が試料の初期質量の百分率として示されている。
【図３】化合物Ｃ８の熱重量分析を示す図である。
【図４】化合物Ｃ９の熱重量分析を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【実施例】
【００５７】
金属錯体の合成または操作を含む全ての合成工程を、絶乾ガラス器具、乾燥溶媒および不活性アルゴン雰囲気または不活性窒素雰囲気を使用する不活性条件下で実施した。
【００５８】
リガンドＬの一般的合成
２，５−ジフォルミルピロール０．１４モル、相当するアミン３．５モルおよびｎ−ペンタン１５０ｍｌを、３．５〜５時間、加熱還流した。溶媒および余剰のアミンを蒸留により除去し、残部を減圧下で蒸留して、リガンドＬを得た。
【００５９】
例１〜７に関して、一般式（Ｉ）の化合物の一般的合成
リガンドＬ（２モル当量）をヘキサンに溶解した。ヘキサンに懸濁したＮａＨ（２モル当量）をリガンドＬに加えた。反応混合物を室温にて２４時間攪拌した。次いで、Ｓｒ含有化合物についてはＴＨＦに溶解したＳｒＩ２（１モル当量）を、Ｂｒ含有化合物についてはＴＨＦに溶解したＢａＩ２（１モル当量）を、リガンドＬを含む混合物に加えた。この混合物を４８時間攪拌した。ＮａＩを分離した後、溶媒を減圧下で除去した。一般式（Ｉ）の純粋な化合物を真空昇華（１５０〜２００℃、０．１ｍｂａｒ）により単離した。
【００６０】
水素核磁気共鳴（１Ｈ−ＮＭＲ）スペクトルにおける略字は、慣用的な意味を有する：一重線についてはＳ、二重線についてはｄ、三重線についてはｔ、多重線についてはｍ、ブロード一重線についてはｂｓである。
【実施例１】
【００６１】
一般的合成により合成された化合物Ｃ１（ビス（２，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルイミノピロール）バリウム）
【００６２】
【化３】
2017505858.tif 000006
【００６３】
解析：
１Ｈ−ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６，３６０ＭＨｚ，２５℃）：δ（ｐｐｍ）８．０８  ｓ（１Ｈ）、６．６５  ｓ（１Ｈ）、１．０９  ｓ（９Ｈ）
【００６４】
試料約２０ｍｇで熱重量分析を実施した。試料をアルゴン気流中５℃／分の速度で加熱した。熱重量分析の結果を図１に示す。電子衝撃分光法（固体試料、７０ｅＶビーム、ＭＳＤ検出器）により得た質量スペクトルでは、最も強いピークが３７０ａｍｕにあり、２０％強度のピークが６０２ａｍｕにある。
【実施例２】
【００６５】
一般的合成により合成された化合物Ｃ２（ビス（２，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルイミノピロール）ストロンチウム）
【００６６】
【化４】
2017505858.tif 000007
【００６７】
１Ｈ−ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６，３６０ＭＨｚ，２５℃）：δ（ｐｐｍ）７．８９  ｓ（１Ｈ）、６．３７  ｓ（１Ｈ）、１．１１  ｓ（９Ｈ）
【００６８】
試料約２０ｍｇで熱重量分析を実施した。試料をアルゴン気流中５℃／分の速度で加熱した。熱重量分析の結果を図２に示す。電子衝撃分光法（固体試料、７０ｅＶビーム、ＭＳＤ検出器）により得た質量スペクトルでは、最も強いピークが５５２ａｍｕにあり、７０％強度のピークが３２０ａｍｕにある。
【実施例３】
【００６９】
一般的合成により合成された化合物Ｃ３（ビス（２，５−ジ−イソ−プロピルイミノピロール）バリウム）
【００７０】
【化５】
2017505858.tif 000008
【００７１】
１Ｈ−ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６，３６０ＭＨｚ，２５℃）：δ（ｐｐｍ）７．９２  ｓ（１Ｈ）、６．７３  ｓ（１Ｈ）、３．０８  ｍ（１Ｈ）、０．８７  ｄ（６Ｈ）
【実施例４】
【００７２】
一般的合成により合成された化合物Ｃ４（ビス（２，５−ジ−イソ−プロピルイミノピロール）ストロンチウム）
【００７３】
【化６】
2017505858.tif 000009
【００７４】
１Ｈ−ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６，３６０ＭＨｚ，２５℃）：δ（ｐｐｍ）７．９５  ｓ（１Ｈ）、６．７５  ｓ（１Ｈ）、３．０７  ｍ（１Ｈ）、０．８９  ｄ（６Ｈ）
【実施例５】
【００７５】
一般的合成により合成された化合物Ｃ５（ビス（２，５−ジ−ｎ−ブチルイミノピロール）バリウム）
【００７６】
【化７】
2017505858.tif 000010
【００７７】
１Ｈ−ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６，３６０ＭＨｚ，２５℃）：δ（ｐｐｍ）７．８９  ｓ（１Ｈ）、６．７６  ｓ（１Ｈ）、３．０４  ｔ（２Ｈ）、１．３１  ｍ（２Ｈ）、１．１４  ｍ（２Ｈ）、１．１１  ｔ（３Ｈ）
【実施例６】
【００７８】
一般的合成により合成された化合物Ｃ６（ビス（２，５−ジ−ｎ−ブチルイミノピロール）ストロンチウム）
【００７９】
【化８】
2017505858.tif 000011
【００８０】
１Ｈ−ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６，３６０ＭＨｚ，２５℃）：δ（ｐｐｍ）７．９０  ｓ（１Ｈ）、６．７２  ｓ（１Ｈ）、３．０１  ｔ（２Ｈ）、１．３０  ｍ（２Ｈ）、１．１３  ｍ（２Ｈ）、０．８１  ｔ（３Ｈ）
【実施例７】
【００８１】
一般的合成により合成された化合物Ｃ７（ビス（２，５−ジ−イソ−ブチルイミノピロール）ストロンチウム）
【００８２】
【化９】
2017505858.tif 000012
【００８３】
１Ｈ−ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６，３６０ＭＨｚ，２５℃）：δ（ｐｐｍ）７．８３  ｓ（１Ｈ）、６．７４  ｓ（１Ｈ）、２．８５  ｄ（２Ｈ）、１．５１  ｍ（１Ｈ）、０．７４  ｄ（６Ｈ）
【実施例８】
【００８４】
化合物Ｃ８（ビス（２，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルイミノピロール）ニッケル）の合成
【００８５】
【化１０】
2017505858.tif 000013
【００８６】
リガンドＬ（０．８９１ｇ、３．８２ｍｍｏｌ、２モル当量）を、乾燥ＴＨＦ４０ｍＬに溶解し、次いでＫＨ（０．２３０ｇ、５．７３ｍｍｏｌ、３モル当量）の乾燥ＴＨＦ４０ｍ中懸濁液に加えた。反応混合物を室温で１８時間、攪拌した。別個のフラスコで、ＮｉＢｒ２（ｄｍｅ）（０．６０８ｇ、１．９１ｍｍｏｌ、１モル当量）をＴＨＦ５０ｍＬに懸濁させた。リガンドＬのカリウム塩を含有する懸濁液をろ過し、清澄なろ過液を、当該金属塩を含む懸濁液に加えた。この混合物を室温で２４時間攪拌し、無色の析出物を含む暗褐色溶液を得た。無色カリウム塩を分離した後、溶媒を減圧下で除去した。固体の褐色残留分をトルエン８０ｍＬで抽出し、固体をろ過にて分離した。ろ液を減圧下で再度エバポレーションし、固体の粗生成物０．６９８ｇを得た。暗褐色の純粋な化合物（０．４６５ｍｇ、収率６６％）を真空昇華（１６０〜１８０℃、０．４ｍｂａｒ）により単離した。
【００８７】
元素分析：実測値：Ｃ：６４．４，Ｈ：９．２，Ｎ：１６．１，Ｎｉ：１０．６，Ｂｒ：＜０．０５；計算値：Ｃ：６４．３，Ｈ：８．５，Ｎ：１６．１，Ｎｉ：１１．２，Ｂｒ：０．０
【００８８】
ＴＨＦ溶液からのＬＩＦＤＩ−ＭＳ：ｍ／ｚ＝５２２（１００）ａｍｕ（％）、Ｍ＋＝［Ｃ２８Ｈ４４Ｎ６Ｎｉ］＋に対する理論値：５２２．３
【００８９】
試料約２０ｍｇで熱重量分析を実施した。試料をアルゴン気流中５℃／分の速度で加熱した。熱重量分析の結果を図３に示す。
【実施例９】
【００９０】
化合物Ｃ９（ビス（２，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルイミノピロール）コバルト）の合成
【００９１】
【化１１】
2017505858.tif 000014
【００９２】
リガンドＬ（０．８９１ｇ、３．８２ｍｍｏｌ、２モル当量）を乾燥ＴＨＦ４０ｍＬに溶解し、次いでＫＨ（０．２３０ｇ、５．７３ｍｍｏｌ、３モル当量）の乾燥ＴＨＦ４０ｍＬ中懸濁液に加えた。反応混合物を室温で１８時間、攪拌した。別個のフラスコで、ＣｏＣｌ２（０．２４８ｇ、１．９１ｍｍｏｌ、１モル当量）をＴＨＦ５０ｍＬに懸濁させ、室温で１晩攪拌し、深青色混合物を得た。リガンドＬのカリウム塩を含有する懸濁液をろ過し、清澄なろ過液を、当該金属塩を含む懸濁液に加えた。この混合物を室温で２４時間攪拌し、無色の析出物を含む暗赤褐色溶液を得た。無色カリウム塩を分離した後、溶媒を減圧下で除去した。固体の褐色残留分をトルエン１００ｍＬで抽出し、固体をろ過にて分離した。ろ液を減圧下で再度エバポレーションし、固体の粗生成物０．６２８ｇを得た。暗赤色の純粋な化合物（０．４５８ｍｇ、収率４６％）を真空昇華（１６０〜１７０℃、０．５ｍｂａｒ）により単離した。
【００９３】
元素分析：実測値：Ｃ：６４．４，Ｈ：８．５，Ｎ：１５．９，Ｃｏ：１０．５，Ｃｌ：＜２５ｐｐｍ；計算値：Ｃ：６４．３，Ｈ：８．５，Ｎ：１６．０，Ｃｏ：１１．２，Ｃｌ：０．０
【００９４】
ＴＨＦ溶液からのＬＩＦＤＩ−ＭＳ：ｍ／ｚ＝５２３（１００）ａｍｕ（％）、Ｍ＋＝［Ｃ２８Ｈ４４ＣｏＮ６］＋に対する理論値：５２３．３
【００９５】
試料約２０ｍｇで熱重量分析を実施した。試料をアルゴン気流中５℃／分の速度で加熱した。熱重量分析の結果を図４に示す。
【実施例１０】
【００９６】
化合物Ｃ１０（ビス（２，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルイミノ−３，４−ジメチル−ピロール）ストロンチウム）の合成
【００９７】
【化１２】
2017505858.tif 000015
【００９８】
リガンドＬ（１．０ｇ、３．８３ｍｍｏｌ、２モル当量）を乾燥ＴＨＦ２０ｍＬに溶解し、次いでＫＨ（０．１６ｇ、４．０２ｍｍｏｌ、２．１モル当量）の乾燥ＴＨＦ３０ｍＬ中懸濁液に加えた。反応混合物を室温で１８時間、攪拌した。別個のフラスコで、ＳｒＩ２（０．６５ｇ、１．９１ｍｍｏｌ、１モル当量）をＴＨＦ３０ｍＬに溶解させた。リガンドＬのカリウム塩を含有する溶液を、ストロンチウム塩を含有する溶液に加えた。この混合物を室温で２４時間攪拌し、白色懸濁液を得た。無色カリウム塩を分離した後、溶媒を減圧下で除去した。純粋な化合物（２５０ｍｇ、収率２２％）を真空昇華（１６０〜１８０℃、１０−３ｍｂａｒ）により単離した。
【００９９】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ８，５００ＭＨｚ，３００Ｋ）：δ（ｐｐｍ）８．２３  ｓ（２Ｈ）、２．０９  ｓ（６Ｈ）、１．１２  ｓ（１８Ｈ）。
【０１００】
ＬＩＦＤＩ−ＭＳ、ＴＨＦ溶液から：ｍ／ｚ＝６０８（５５）［Ｍ＋］，２６１（１００）［Ｌ＋］，Ｍ＋の計算値＝［Ｃ３２Ｈ５２Ｎ６Ｓｒ］＋：６０８．４
【実施例１１】
【０１０１】
化合物Ｃ１１（ビス（２，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルイミノ−３，４−ジメチル−ピロール）バリウム）の合成
【０１０２】
【化１３】
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【０１０３】
リガンドＬ（１．０ｇ、３．８３ｍｍｏｌ、２モル当量）を乾燥ＴＨＦ２０ｍＬに溶解し、次いでＫＨ（０．１６ｇ、４．０２ｍｍｏｌ、２．１モル当量）の乾燥ＴＨＦ３０ｍＬ中懸濁液に加えた。反応混合物を室温で１６時間、攪拌した。別個のフラスコで、ＢａＩ２（０．７５ｇ、１．９１ｍｍｏｌ、１モル当量）をＴＨＦ３０ｍＬに溶解させた。リガンドＬのカリウム塩を含有する溶液を、バリウム塩を含有する溶液に加えた。この混合物を室温で１８時間攪拌し、白色懸濁液を得た。無色カリウム塩を分離した後、溶媒を減圧下で除去した。残留分をｎ−ヘキサン２０ｍＬで抽出した。分離した黄色化合物が８℃で１晩、結晶を形成した。純粋な化合物（１２０ｍｇ、収率１０％）を真空昇華（１８０℃、１０−３ｍｂａｒ）により単離した。
【０１０４】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＴＨＦ−ｄ８，３６０ＭＨｚ，２９８Ｋ）：δ（ｐｐｍ）８．２２  ｓ（２Ｈ）、２．０７  ｓ（６Ｈ）、１．１３  ｓ（１８Ｈ）。
【０１０５】
ＬＩＦＤＩ−ＭＳ、ＴＨＦ溶液から：ｍ／ｚ＝６５８（５３）［Ｍ＋］，２６１（１００）［Ｌ＋］ａｍｕ（％）、Ｍ＋の計算値＝［Ｃ３２Ｈ５２ＢａＮ６］＋：６５８．１。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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