(57)【要約】  本発明は、テクスチャー化した層により被覆された面を含む発光性材料であって、前記層のテクスチャーは前記面に均一に分布している同一のパターンを含み、前記層が前記発光性材料により放出されそして前記面を通過する光の取出コーンの角度を低減する、発光性材料に関する。この発光性材料は、シンチレータ材料又は波長変換材料であることができる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
テクスチャー化した層により被覆された面を含む発光性材料であって、前記層のテクスチャーは前記面に均一に分布している同一の表面構造を含み、前記層が当該発光性材料により放出されそして前記面を通過する光の取出コーンの角度を低減し、前記層の厚さが１０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲に含まれる、発光性材料。
【請求項２】
前記表面構造がパッド又は孔であることを特徴とする、請求項１記載の発光性材料。
【請求項３】
前記テクスチャー化した層の材料の屈折率が当該発光性材料の屈折率の０．８〜１．２倍、好ましくは０．９〜１．１倍の範囲に含まれることを特徴とする、請求項１又は２記載の発光性材料。
【請求項４】
λSC／ａが０．５〜１．５、好ましくは０．８〜１．３、より好ましくは０．８５〜１．１の範囲に含まれ、ここで、λSCは当該発光性材料の発光波長を表し、ａは前記表面構造間の距離を表すことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項記載の発光性材料。
【請求項５】
Ｄ／ａが０．２〜０．８の範囲に含まれ、ここで、Ｄは前記表面構造の特性寸法を表し、ａは前記表面構造間の距離を表すことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項記載の発光性材料。
【請求項６】
前記層の厚さが１００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲に含まれることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項記載の発光性材料。
【請求項７】
前記テクスチャー化した層が窒化ケイ素又は酸化チタンから製作されていることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項記載の発光性材料。
【請求項８】
前記テクスチャー化した層の被覆されていない面が粗く、そして反射性材料により被覆されていることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項記載の発光性材料。
【請求項９】
シンチレータ材料であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項記載の発光性材料。
【請求項１０】
前記テクスチャー化した層の被覆されていない面が粗く、そしてＰＴＦＥから製作された反射性材料により、前記シンチレータ材料とそれ自体との間に空気を残して被覆されていることを特徴とする、請求項９記載の発光性材料。
【請求項１１】
請求項９及び１０のいずれか１項記載の材料を含むデバイスであって、当該材料が前記テクスチャー化した層の被覆面を介して許容角度が４５°未満である光学結合系により少なくとも１つの光検知器に結合されている、デバイス。
【請求項１２】
前記光学結合系の許容角度が２０°未満であり、さらには１０°未満であることを特徴とする、請求項１１記載のデバイス。
【請求項１３】
請求項９及び１０のいずれか１項記載の材料を含むデバイスであって、当該材料が前記テクスチャー化した層により被覆された面を介して光検知器に結合されており、当該検知器が少なくとも５ｃｍ又はさらには少なくとも１ｍの距離だけ当該材料から離れている、デバイス。
【請求項１４】
請求項９及び１０のいずれか１項記載の材料を含む画像形成デバイスであって、当該材料が前記テクスチャー化した層により被覆された面を介して複数の光検知器に結合されている、デバイス。
【請求項１５】
請求項９及び１０のいずれか１項記載の材料を含むデバイスであって、当該材料が前記テクスチャー化した層により被覆された面を介して光検知器に結合されており、入射光線に対する当該光検知器の出力応答が、当該光検知器の受光面の法線に対する入射角が０〜８０°である場合に１０％を超えて変化する、デバイス。
【請求項１６】
光源と、請求項１〜７のいずれか１項記載の発光性材料のプレートとを含む投射型ランプであって、当該光源が当該プレートの第一の面に向けて光を放出し、当該プレートの第二の面が前記テクスチャー化した層により被覆されている、投射型ランプ。
【請求項１７】
前記発光性材料が不可視入射光を可視出射光に変換することを特徴とする、請求項１６記載のランプ。
【請求項１８】
前記発光性材料が、ＹＡＧ又はＧＡＧ又はＧＹＧＡＧタイプのものであり、特にＹＡＧ：Ｃｅ又はＧＡＧ：Ｃｅ又はＧＹＧＡＧ：Ｃｅタイプのものであることを特徴とする、請求項１６又は１７記載のランプ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光性材料の分野に関し、特に電離放射線を検知するためのシンチレータタイプ、そしてまた波長変換タイプの発光性材料の分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
電離放射線（電離粒子、例えば特に陽子、中性子、電子、α粒子、イオンなど、及びＸ線もしくはγ線を含む）は、通常、入射放射線を光に変換する、多くの場合単結晶の、シンチレータ用いて検知され、この光はその後、光電子増倍管などの受光器を用いて電気信号に変換される。使用するシンチレータは、特に、タリウムをドープしたヨウ化ナトリウム（以下、ＮａＩ（Ｔｉ）と表記）、タリウムもしくはナトリウムをドープしたヨウ化セシウム、又はセリウムもしくはプラセオジムをドープしたランタンハロゲン化物の単結晶から製造することができる。ランタンハロゲン化物をベースとする結晶は最近の研究の主題となってきており、例えば米国特許第７０６７８１５号明細書、米国特許第７０６７８１６号明細書、米国特許出願公開第２００５／１８８９１４号明細書、米国特許出願公開第２００６／１０４８８０号明細書及び米国特許出願公開第２００７／２４１２８４号明細書において公開されている。これらの結晶は、光強度及び分解能に関して有望である。
【０００３】
ＹＡＧ（セリウムをドープしたアルミン酸イットリウム）などの特定の発光性材料は、不可視光、特にＵＶ光を可視光に変換し、こうして可視の投射光の量を増加させるために、投射型ランプにおいて使用されている。強度のこの増加を利用して、画像のコントラストを増加させることができる。
【０００４】
シンチレータにより放射された光は、光電子増倍管、光ダイオード又はＣＣＤタイプなどであることができる光検知器により受け取られる。多くの用途において、光検知器は直接の接触によるか又は、場合により単一の薄いグリースの層の形態を取る、非常に薄いウィンドーを介してシンチレータに光学的に結合される。このタイプの結合では、シンチレータと光検知器とがすぐ近くにあるために、シンチレータからの光の出口角度はあまり重要でない。しかしながら、この場合でも、角度はいくらか重要性を有することがあり、１）（列又はピクセル）空間検出器では、垂直な入射角がクロストークを減少させて、画像の鮮明さを増加させ、２）シリコン光検知器は高い屈折率を有し、そして垂直の入射を低減することがフレネル反射を減らして効率を向上させ、３）光電子増倍管では、垂直の入射がより狭いエネルギー分散の光電子を生じさせ、それゆえより良好な解像度をもたらす。シンチレータから出てくる光は、一般に準ランバーティアンであり、これはシンチレータの出口面から出てくる光が非常に広い角度分布を有することを意味する。とは言え、この光は、多くの場合に光検知器によりうまく集められる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、高エネルギー電子加速器放射線技術、ＭＲＩ−ＰＥＴ、反応器の中心の画像化及び人体の画像化などの特定の用途では、シンチレータの光の出口面と光検知器とのより大きな距離にわたる光結合が用いられる。これらの用途は、光ファイバー又はレンズなどの、シンチレータから光検知器を分離する光学装置を使用する。これらの用途では、シンチレータの出口面からの光の出口角を減少させることが特に重要である。この角度分布を低減させることにより、検知される光の量は増加する。さらに、光検知器が光の入射角にもともと敏感である場合には、シンチレータから出てくる光の角度分布を低減させることにより、より均一な光検知器の応答を得ることが可能になる。シンチレータの出口面から出てくる光の角度分布を低減させるためには、特に結晶の外表面を粗化するなどの、結晶中で光が取る経路のランダム性を増加させる手段を使用することは原則として推奨されない。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によると、発光性材料から出てくる光をより狭い角度のコーンに導くために、光を放出する当該発光性材料の出口面にテクスチャー化したフォトニック結晶を配置することが提案される。シンチレータタイプの発光性材料の場合、フォトニック結晶の機能は、光検知器との結合がより効率的でありそしてシンチレータ／フォトニック結晶系の全出口面にわたって均一であるように光を平行にすることである。特に投射型ランプ用途における、発光性材料の場合には、光は、例えば画像などの対象によりうまく向けられる。
【０００７】
本発明は、第一に、特にシンチレータタイプの発光性材料であって、テクスチャー化した層により被覆された面を含み、該層のテクスチャーは前記面に均一に分布している同一の表面構造を含み、該層が該発光性材料により放出されて前記面を通過する光の取出コーンの角度を低減する、発光性材料に関する。
【０００８】
本発明によって、発光性材料から出てくる光は、より小さい頂角のコーン内により密にとどめられ、それによりその収集を改善する。フォトニック結晶のテクスチャーは周期的な構造であり、その周期はシンチレータにより放出される光の波長と同様である。
【０００９】
フォトニック層は、発光性材料からの光の出口面に規則的に配置されている同一のパッド又は孔のアレイからなる。これらの表面構造は、高さＨ（＝層の厚さ）及び特性寸法Ｄを特徴とすることができる。それらは同一であり、そして互いに周期的に間隔を開けて離れて配置されている。所与の層において、Ｈの算術平均に対して最大で１０％のＨの偏差が許容され、そしてＤの算術平均に対して最大で１０％のＤの偏差が許容され、特定の表面構造におけるこれらの偏差はそれらをその他のものと同一であると見なすことを妨げない。これらの表面構造はいかなる形状であってもよいが、一般には円筒状であり、その軸線は出口面に垂直である。これらの表面構造は、出口面に平行な最も大きい寸法に対応する特性寸法を有する。この特性寸法は「Ｄ」と呼ばれる。表面構造が出口面に平行な正方形又は矩形断面である場合、Ｄは該正方形又は矩形の対角線に相当する。表面構造が円筒であり、その軸線が出口面に垂直である場合には、Ｄは円筒の直径に相当する。
【００１０】
表面構造は、出口面の平面において２つのベクトル
【００１１】
【数１】
2017529408.tif 000003
【００１２】
を有する一連の、場合により組み合わせの、並進によって材料の全表面にわたって規則的に繰り返されている。ベクトル間の角度は０°と９０°の間に含まれる。例えば、正方形の組織は互いに９０°の角度を形成する同一長さのベクトル
【００１３】
【数２】
2017529408.tif 000004
【００１４】
に対応し、一方、六角形の組織は互いに６０°の角度を形成する同一長さのベクトル
【００１５】
【数３】
2017529408.tif 000005
【００１６】
に対応する。２つの隣接表面構造間の「ａ」と称する距離は、ベクトル
【００１７】
【数４】
2017529408.tif 000006
【００１８】
の最も小さい長さである。
【００１９】
λSCが発光性材料から出てくる光の最大発光（発光ピークの最大値に対応する）の波長であるとすると、一般に、λSC／ａは０．５〜１．５の範囲、好ましくは０．８〜１．３、より好ましくは０．８５〜１．１の範囲に含まれる。
【００２０】
好ましくは、Ｄ／ａは０．２〜０．８の範囲に含まれる。層の厚さＨは、１０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲、好ましくは１００ｎｍと５００ｎｍの間に含まれる。
【００２１】
本発明による被覆された発光性材料は、小さい許容角度、特に４５°未満、さらには２０°未満、そしてさらには１０°未満の許容角度を有する光学結合系に特に好適である。従って、本発明はまた、許容角度が４５°未満、さらには２０°未満、そしてさらには１０°未満である光学結合系により、テクスチャー化した層の被覆面を介して少なくとも１つの光検知器に結合されている、本発明によるシンチレータ材料を含むデバイスにも関する。
【００２２】
光の出口角度が小さくなければならないほど、λSC／ａが１に近づくことが有利である。本発明による層により、光の取り出し（ワットで測定）を５０％超、さらには１００％超、さらには１５０％超、増加させることができる。所与の許容角度の結像系（例えば既知の焦点長さ及び直径のレンズからなる）からの出力をワット数で測定することにより、この増加を測定することが可能である。この場合、測定はレンズの焦点で行う。特にシンチレータ材料と光検知器との結合の場合には、光学結合系の許容角度が小さいために、出口角度がより小さいことが望まれることがある。
【００２３】
テクスチャー化した層は、特に発光性材料がシンチレータタイプである場合には、それからの光の出口面に適用される。具体的に言うと、シンチレータからの光の出口面は、所与の許容角度、例えば光ファイバーの場合には２０°の許容角度を有する光学系により光検知器に結合することが要求されることがある。発光性材料の他の面を処理する方法も、取り出される光の量に影響を及ぼす。他の面が粗くそして光の反射体により覆われている場合に、驚くべきことに最良の結果が得られることが、特にシンチレータ材料の場合に観察された。粗さは事実上、シンチレータの出口界面での光の角度及び位置を完全にランダム化する。しかしながら、このタイプの表面処理は最も良好な結果を生じさせた。表面の粗さは、例えばサンドペーパ（特にＰ２００〜Ｐ１０００タイプの）での、やすりがけによる既知の方法で得られる。光の反射体は、好ましくは白色であり、そしてポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、特に商標名Ｔｅｆｌｏｎで販売されるＰＴＦＥなどの、反射性材料のストリップの適用によって粗い表面に適用することができる。反射性材料のストリップをシンチレータの粗い面へ適用するとストリップとシンチレータとの間に空気を捕獲し、有利となる。このように、好ましくは、テクスチャー化した層により被覆されていない本発明による材料の面は粗く、そして反射性材料、特にＰＴＦＥにより被覆されて、シンチレータとそれ自体との間に空気を残している。
【００２４】
テクスチャー化した層の材料は、屈折率が発光性材料の屈折率に近く、そして好ましくは発光性材料の屈折率の０．８〜１．２倍の範囲、好ましくは０．９〜１．１倍の範囲に含まれる。この層は、発光性材料から出てくる光の波長に対して透明である材料から製作される。テクスチャー化した層の材料は、第一に、屈折率の観点から発光性材料との適合性を得るために選択される。一般に、テクスチャー化した層は窒化ケイ素又は酸化チタンで製作することができる。テクスチャーは、リソグラフィー、ｅビームミリングにより、又はゾルゲル層のエンボス加工により作ることができる。
【００２５】
シンチレータタイプの発光性材料は特に、ＬＳＯ、ＬＹＳＯ、ＬｕＡＰ、ＹＡＧ、ＮａＩ、ＣｓＩ、ＧＳＯ、ＢＧＯ、ＣＬＹＣ、ＣＬＬＢ、ＬａＣｌ3、ＬａＢｒ3又はＧｄ2Ｏ2Ｓ：Ｐｒ：Ｃｅ（「ＧＯＳ」と呼ばれる）タイプのものであり、すべてのこれらの材料はそのシンチレーションに適するドーパント元素を含む。シンチレータタイプの発光性材料はまた、ＢＧＯ（Ｂｉ4Ｇｅ3Ｏ12）、ＣＤＯ（ＣｄＷＯ4）、ＰＷＯ（ＰｂＷＯ4）又はＣｓＩでもよい。シンチレータは正確な波長で発光し、そしてその発光ピークの幅はその種類に依存する。ＬＹＳＯシンチレータは通常、約４２０ｎｍで発光する。ＣＬＹＣシンチレータ（Ｃｓ2ＬｉＹＣｌ6の系統に属す）は一般に、約３６５ｎｍで発光する。上記の波長λSCは、シンチレータの特徴的な発光ピークの頂点に対応する。シンチレータは、一般に単結晶である。
【００２６】
波長変換タイプの発光性材料は、ＹＡＧタイプでよく、すなわち一般にセリウムをドープされたイットリウムアルミニウムガーネット（ＹＡＧ：Ｃｅ）でよい。例として、Ｙ2.99Ａｌ5Ｃｅ0.01Ｏ12を挙げることができる。この材料はＵＶを可視光に変換する。波長変換タイプの発光性材料はまた、Ｇｄ3（Ａｌ1-xＧａx）5Ｏ12：Ｃｅ（「ＧＡＧ：Ｃｅ」と呼ばれる）又は（Ｇｄ1-yＹy）3（Ａｌ1-xＧａx）5Ｏ12：Ｃｅ（「ＧＹＧＡＧ：Ｃｅ」と呼ばれる）であってもよい。このように、波長変換タイプの発光性材料はＹＡＧ又はＧＡＧ又はＧＹＧＡＧタイプでよく、特にＹＡＧ：Ｃｅ又はＧＡＧ：Ｃｅ又はＧＹＧＡＧ：Ｃｅタイプでよい。
【００２７】
特にシンチレータタイプの、発光性材料は、単結晶でも多結晶でもよい。多結晶性材料の場合には、ペレットにするため材料の粉末を圧縮する。投射型ランプ用途では、発光性材料は薄いプレートの形態で使用され、その厚さは一般に０．０５ｍｍと０．２ｍｍの間に含まれる。プレートは１つの面を介して入射光を受け、この光が通過し、そして他の面を介して出射光を放出する。発光性波長変換材料の場合には、発光性材料が不可視入射ＵＶ光の一部を可視出射光に変換していることから、出射光は可視範囲においてより高い強度を有する。こうして、本発明はまた、光源及び本発明による発光性材料のプレートを含む投射型ランプであって、該発光性材料が波長変換タイプであり、該光源が光をプレートの第一の面に向けて放出し、プレートの第二の面がテクスチャー化した層により被覆されている、投射型ランプにも関する。具体的に言うと、発光性材料は不可視入射光（第一の面での）を可視出射光（第二の面からの）に有利に変換する。発光性材料により放出される光はテクスチャー化した層を通過し、その後テクスチャー化した層から出てきて、該テクスチャー化した層が、テクスチャー化した層なしの同じデバイスと比較して放出される光の取出コーンの角度を小さくする。
【００２８】
本発明によるフォトニック層により被覆されたシンチレータタイプの発光性材料は、シンチレータと光検知器との間の距離が大きくなる光学系を必要とする検知デバイスにとって特に有利である。このように、本発明は特に、テクスチャー化した層により被覆された面を介して光検知器に結合された、本発明によるシンチレータ材料を含むデバイスであって、該検知器が少なくとも５ｃｍ、又はさらには少なくとも１ｍの距離だけ材料から離れているデバイスに関する。例として、このタイプの下記の２つの用途を挙げることができる。
ａ）画像形成、特に医療向けの画像形成における、シンチレータ材料で作製したピクセルのマトリックス領域の、この領域にカメラを向けての使用。カメラは、ＣＣＤカメラ又は映画用カメラ又は高速デジタルカメラでよい。これは、光検知器が放射線源又は電磁ノイズから遠く離れていなければならない場合の放射線写真撮影に有用であろう。高エネルギー電子線加速放射線撮影が１つの具体的な例である。
ｂ）場合により、放射線源から十分な距離のところに光検知器を配置する目的で、又はピクセルに接近した機器のサイズを小さくするために、光ファイバーをシンチレータピクセルに結合する。狭い発光コーンは、より多量の光が全内部反射の臨界角の範囲内となることを意味する。この技術を使用する具体的な例は、ＭＲＩなどの高磁場を用いる画像形成（例えばＭＲＩ−ＰＥＴ）、反応器の中心部の画像形成、人体又は動物の画像形成（例えば結腸の画像形成）などである。
【００２９】
上記のｂ）の場合、本発明による材料はテクスチャー化した層により被覆された面を介して複数の光検知器に結合される。本発明は、各光検知器について意図された放射線を分離する必要性から、材料と光検知器との間の距離が大きいためだけでなく、光検知器が複数であることからも、利点を提供する。
【００３０】
本発明はまた、より慣用的な構成である、光検知器がシンチレータに非常に接近している一部のデバイスにとっても有利である。例として、このタイプの下記の４つの用途を挙げることができる。
ａ）線形ピクセルのマトリックスを断面デンシトメトリー画像形成に使用する。隣接ピクセルから発した光が光ダイオードに入るときに光ダイオード間でクロストークが生じることがある。これは画像の復元においてボケを生じさせる。本発明は、光を最も近い光ダイオード中により直接送ることによって、このクロストークの低減を可能にする。
ｂ）シリコンで製作された光ダイオードが光子の検知に関して１００％効率的でない主な理由は、シリコンが高い屈折率を有し、そして過度に反射性であることである。シリコンに垂直に接近する光子はフレネル反射を受けにくい。このため、シリコンの表面に対して垂直である狭いコーン内により集中されたシンチレーション光は、透過される可能性が高い。こうして、シリコンの光検知器はより強力な信号を送出する。
ｃ）上述の用途の場合におけるように、光電子増倍管（ＰＭＴ）のウインドーに接近する光はあまり反射されないだけでなく、さらに光電陰極から発生される光電子はより狭いエネルギー分布を有する。これにより、ＰＭＴにおいて利得の変動がより小さくなり、エネルギー解像度がより良好になる。このため、高い解像度のγ線スペクトロメータが本発明により得られる。
ｄ）本発明により、マルチアノード光電子増倍管（ＰＭＴ）はより高い割合の垂直に近い光子から利得を得る。これらの光子はガラスのウインドーであまり散乱せず、それゆえクロストークが減少し、そして空間解像度が上昇する。これらのマルチアノードＰＭＴは、ＰＥＴやＳＰＥＣＴ画像形成などの医療用画像形成において使用される。
【００３１】
上記のａ）の場合には、材料はテクスチャー化した層の被覆面を介して複数の光検知器に結合される。上記のｂ）、ｃ）及びｄ)の場合には、光検知器の受光面の法線に対する入射角が０〜８０°であるとき、入射光線に対する光検知器の出力応答は１０％を超えて変動する。光検知器の受光面の法線に対する入射角の変動を実質的に小さくすることにより、本発明は実質的な利点を提供する。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】出口面を本発明による層で被覆されたシンチレータ材料を示す図である。
【図２】ダイオードを光源として使用する投射型ランプを示す図である。
【図３】本発明によりテクスチャー化した層で被覆されたシンチレータの面の一部を示す図である。
【図４】本発明によりテクスチャー化した層で被覆されたシンチレータの面の一部を示す図である。
【図５】図３のようにテクスチャー化されたＳｉ3Ｎ4層により被覆された単結晶ＬＹＳＯシンチレータの場合における光取り出しの増加に対するパラメータ「ａ」及び「Ｄ」の影響を示すグラフである。
【図６】ＬＹＳＯシンチレータの出口面を介して取り出される光の割合を取出角の関数として示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
図面は原寸に比例していない。
【００３４】
図１は、出口面が本発明による層２により被覆されているシンチレータ材料１を示している。このシンチレータの他の面は粗く、そして光を反射する材料３により被覆されている。テクスチャー化された光の出口面は光カプラ４と接触している。光カプラの他方の面は、光を光検知器５に送る。
【００３５】
図２は、ダイオード２０を光源として使用する投射型ランプを示している。ダイオードは、一般に真空下で、容積空間２１中に光を放出する。内側の側壁２２は光を反射する。ＹＡＧのプレート２３が、容積空間２１の内側に向けられた第一の面を介して光を受ける。外側に向けられたプレート２３の第二の面は、光を小さい角度のコーンへと送るテクスチャー化した層２４を備えている。使用する発光性材料に応じて、光源により放出される不可視光をプレートを通過する間に可視光へと変換することができる。
【００３６】
図３は、本発明によりテクスチャー化した層３１で被覆されているシンチレータ３０の面の一部を示しており、この面はシンチレータの表面全体に規則的に並置されている複数の同一の円筒状の孔を、各円筒状の孔がそれとの等しい距離「ａ」で６つの同一の孔により包囲されるように含んでおり、その距離は孔の軸線から計測される（ここでは、
【００３７】
【数５】
2017529408.tif 000007
【００３８】
である）。角度αは、シンチレータから発した光がその内側で平行にされる角度を表す。
【００３９】
図４は、本発明によりテクスチャー化した層４１で被覆されているシンチレータ４０の面の一部を示しており、この面はシンチレータの表面全体に規則的に並置されている複数の同一の円筒状のパッドを含む。各円筒状のパッドは、それとの等しい距離「ａ」で６つの同一のパッドにより包囲されており、その距離はパッドの軸線から計測される（ここでは、
【００４０】
【数６】
2017529408.tif 000008
【００４１】
である）。角度αは、シンチレータから発した光がその内側で平行にされる角度を表す。
【００４２】
図５は、適用されそしてｅビームエッチングにより図３のようにテクスチャー化されたＳｉ3Ｎ4層により被覆されている単結晶ＬＹＳＯシンチレータ（λSC＝４２０ｎｍで発光する）の場合における光取り出しの増加に対するパラメータ「ａ」及び「Ｄ」の影響を示しており、円筒状の孔の高さに対応した層の厚さは４５０ｎｍである。
【００４３】
下記の表は幾つかの実験値を列記したものである。
【００４４】
【表１】
2017529408.tif 000009
【００４５】
これらの結果は、ｙ軸上の値１を通過する水平の直線を与えるテクスチャー化した層なしの同一の結晶と比較して示されている。「ａ」が４２０ｎｍにもっとも近い値で最良の結果が得られることが判る。これらの結果は、取出コーンの角度（°）がより小さいときにより良好となり、２０°未満でさらに格別になっている。
【００４６】
図６は、λSC＝４２０ｎｍで発光するＬＹＳＯシンチレータの出口面を介して取り出される光の割合を取出角の関数として示している。結晶は円筒状であり、直径が６３．２ｍｍ、高さが７６．２ｍｍである。ここで、結晶の中央で完全にランダムな方向に放出される１ワットの光を考える。すべての可能な構成（出口面を除くシンチレータのすべての面をやすりがけし又はやすりがけせず、そして出口面をテクスチャー化し又はテクスチャー化しない）を比較する。出口面にテクスチャー化した層が存在する場合、層はパラメータ
【００４７】
【数７】
2017529408.tif 000010
【００４８】
、Ｄ＝２８０ｎｍ及びＨ＝４５０ｎｍの円筒状の孔でテクスチャー化したＳｉ3Ｎ4で製作した。やすりがけ且つテクスチャーの組み合わせが最良の結果を提供することが判る。特に、３０°の取出角度では、テクスチャー加工がやすりがけした表面を有する結晶から取り出される光を５０％を超えて増加させる。
【図１】
2017529408.tif 000011
【図２】
2017529408.tif 000012
【図３】
2017529408.tif 000013
【図４】
2017529408.tif 000014
【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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