(57)【要約】  ダブルパターン形成プロセスを使用して、半導体基板内に活性区域及び隔離領域を形成する方法。本方法は、基板表面上に第１の材料を形成することと、第１の材料上に第２の材料を形成することと、第２の材料中に複数の第１のトレンチであって、互いに平行である、複数の第１のトレンチを形成することと、第２の材料中に第２のトレンチであって、基板の中心領域で複数の第１のトレンチと垂直であり、それらを横断する、第２のトレンチを形成することと、第１及び第２のトレンチに第３の材料を充填することと、第２の材料を除去して、互いに平行であり、基板の中心領域を通して延出しない第３のトレンチを第３の材料内に形成することと、第３のトレンチを、第１の材料を通して基板内に延出させることと、を含む。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を処理する方法であって、
基板表面上に第１の材料を形成することと、
前記第１の材料上に第２の材料を形成することと、
前記第２の材料中に複数の第１のトレンチであって、互いに平行である、複数の第１のトレンチを形成することと、
前記第２の材料中に第２のトレンチであって、前記基板の中心領域で前記複数の第１のトレンチと垂直であり、それらを横断する、第２のトレンチを形成することと、
前記第１及び第２のトレンチに第３の材料を充填することと、
前記第２の材料を除去して、互いに平行であり、前記基板の前記中心領域を通って延出しない第３のトレンチを前記第３の材料中に形成することと、
前記第３のトレンチを、前記第１の材料を通して前記基板内に延出させることと、を含む、方法。
【請求項２】
前記第１の材料が二酸化ケイ素であり、前記第２の材料がポリシリコンである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第３の材料が二酸化ケイ素である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記複数の第１のトレンチの前記形成が、
前記第２の材料上にフォトレジスト材料を形成することと、
前記フォトレジスト材料を選択的に除去して、前記第２の材料の列を露出させることと、
前記第２の材料の前記露出した列をエッチングで除去することと、を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第２のトレンチの前記形成が、
前記第２の材料上に第２のフォトレジスト材料を形成することと、
前記第２のフォトレジスト材料のストリップを選択的に除去して、前記第２の材料の行を露出させることと、
前記第２の材料の前記露出した行をエッチングで除去することと、を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第２の材料の前記除去が、前記第１の材料の部分を露出させる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第３のトレンチの前記延出が、
前記基板の部分が露出したままであるように、前記第１の材料の前記露出した部分をエッチングで除去することと、
前記基板の前記露出した部分にエッチングを実施することと、を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記延出させた第３のトレンチに絶縁材料を充填することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第３のトレンチの前記延出後に、
前記第３の材料を除去することと、
前記第１の材料を除去することと、を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第３及び第１の材料の前記除去の後に、
前記基板内の前記第３のトレンチに絶縁材料を充填することを更に含む、請求項９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、より具体的には、活性区域及び隔離領域を中に形成するための半導体ウエハのフロントエンド処理に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板上への活性区域及び隔離領域の形成は、周知である。活性区域とは、半導体装置が上及び／又は中に形成される半導体基板の領域である。隔離領域とは、活性区域間の半導体基板の絶縁領域である。
【０００３】
基板上に隔離領域を形成するための２つの周知の技法は、ＬＯＣＯＳ及びＳＴＩである。両方の技法は、フォトレジストが基板の上に形成され、フォトマスクを使用して光に選択的に露光され、それにより、フォトレジストの選択部分のみが除去される（例えば、ポジ型フォトリソグラフィの場合、マスクを通る光に露光された部分）、単一のマスキング工程を含むフォトリソグラフィプロセスを伴う。絶縁材料が、フォトレジストが除去されたそれらの選択部分の基板の上及び／又は中に形成される。例えば、あらゆる目的において参照することにより本明細書に組み込まれる米国特許第７，３１５，０５６号を参照されたい。
【０００４】
図１は、絶縁材料の隔離領域１２が中に形成される半導体基板１０の平面図を例示する。隔離領域１２の間の区域は、活性区域１４である。例えば、フラッシュメモリセル等の記憶装置のアレイの形成に、図１の構成が使用され得る。
【０００５】
図２は、図１の活性区域及び隔離領域を形成するために好適なフォトマスク１６を例示する。マスクは、不透明領域１６ａ（光を遮断する）及び透明又は開口領域１６ｂ（そこを通して光が通過する）を含む。基板を通過し、その上に集束される光の形状及び寸法により、基板１０上の活性区域及び隔離領域の形状及び寸法が決定される。
【０００６】
回折及び／又は処理効果により、基板上に形成される活性区域及び隔離領域の形状は、マスクの不透明領域及び透明領域の形状と正確には一致しない。したがって、光近接効果補正（ＯＰＣ）を実行し、それにより、マスクの形状を変更して、そのような誤差を補正することが知られている。ＯＰＣは、さもなければ、製造される装置（複数可）の電気特性に悪影響を及ぼし得た、線幅並びに丸い角の歪みを補正するために使用される。ＯＰＣは、フォトマスク上に書かれたパターンに対してエッヂを移動させる、又は余分に多角形を追加することを含む。図３は、ＯＰＣ補正マスク１８の一例であり、不透明領域１８ａ及び透明領域１８ｂの寸法及び形状は、図１のパターンをより正確に製造するために変更される。
【０００７】
しかしながら、ＯＰＣを用いても、依然として、フォトパターン形成条件に起因する、有効な角の丸み付け及びパターンの臨界寸法における容認し得ないバラツキ（すなわち、フォトリソグラフィ設備、露光エネルギー、現像時間等のバラツキ）が存在し得る。図４は、隔離領域１２の端部２０が領域間及びウエハ間で異なる、ＯＰＣの実行を伴うにもかかわらず、隔離領域１２の製造におけるバラツキのタイプを例示する。ＯＰＣ及びＣＤ最適化は、装置の大きさが縮小するにつれて、より難しくなる。隔離領域１２間の分離距離は、結果として生じる装置の重要な臨界寸法であるため、活性区域及び隔離領域の形成のより良好な制御が必要である。
【発明の概要】
【０００８】
基板表面上に第１の材料を形成することと、第１の材料上に第２の材料を形成することと、第２の材料中に複数の第１のトレンチであって、互いに平行である、複数の第１のトレンチを形成することと、第２の材料中に第２のトレンチであって、基板の中心領域で複数の第１のトレンチと垂直であり、それらを横断する、第２のトレンチを形成することと、第１及び第２のトレンチに第３の材料を充填することと、第２の材料を除去して、互いに平行であり、基板の中心領域を通して延出しない第３のトレンチを第３の材料内に形成することと、第３のトレンチを、第１の材料を通して基板内に延出させることとによって、半導体基板内に活性区域及び隔離領域を形成する方法。
【０００９】
本発明の他の目的及び特徴は、本明細書、特許請求の範囲、及び添付の図面の査読により明らかになるだろう。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】半導体基板上に形成される従来の隔離領域及び活性区域の平面図である。
【図２】図１の隔離領域及び活性区域を形成するために使用される従来のフォトリソグラフィフォトマスクの上面図である。
【図３】図１の隔離領域及び活性区域を形成するために使用されるＯＰＣ補正を伴う従来のフォトリソグラフィフォトマスクの上面図である。
【図４】半導体基板上に形成される従来の隔離領域及び活性区域の上面図であり、製造時に生じ得る隔離領域におけるバラツキを例示する。
【図５Ａ】半導体基板上に活性区域及び隔離領域を形成する工程を順に示す上面図である。
【図５Ｂ】半導体基板上に活性区域及び隔離領域を形成する工程を順に示す上面図である。
【図５Ｃ】半導体基板上に活性区域及び隔離領域を形成する工程を順に示す上面図である。
【図５Ｄ】半導体基板上に活性区域及び隔離領域を形成する工程を順に示す上面図である。
【図５Ｅ】半導体基板上に活性区域及び隔離領域を形成する工程を順に示す上面図である。
【図５Ｆ】半導体基板上に活性区域及び隔離領域を形成する工程を順に示す上面図である。
【図５Ｇ】半導体基板上に活性区域及び隔離領域を形成する工程を順に示す上面図である。
【図５Ｈ】半導体基板上に活性区域及び隔離領域を形成する工程を順に示す上面図である。
【図５Ｉ】半導体基板上に活性区域及び隔離領域を形成する工程を順に示す上面図である。
【図６Ａ】半導体基板上に活性区域及び隔離領域を形成する工程を順に示す図５Ａ〜５Ｉの線Ａ−Ａ’に沿って切り取られた断面図である。
【図６Ｂ】半導体基板上に活性区域及び隔離領域を形成する工程を順に示す図５Ａ〜５Ｉの線Ａ−Ａ’に沿って切り取られた断面図である。
【図６Ｃ】半導体基板上に活性区域及び隔離領域を形成する工程を順に示す図５Ａ〜５Ｉの線Ａ−Ａ’に沿って切り取られた断面図である。
【図６Ｄ】半導体基板上に活性区域及び隔離領域を形成する工程を順に示す図５Ａ〜５Ｉの線Ａ−Ａ’に沿って切り取られた断面図である。
【図６Ｅ】半導体基板上に活性区域及び隔離領域を形成する工程を順に示す図５Ａ〜５Ｉの線Ａ−Ａ’に沿って切り取られた断面図である。
【図６Ｆ】半導体基板上に活性区域及び隔離領域を形成する工程を順に示す図５Ａ〜５Ｉの線Ａ−Ａ’に沿って切り取られた断面図である。
【図６Ｇ】半導体基板上に活性区域及び隔離領域を形成する工程を順に示す図５Ａ〜５Ｉの線Ａ−Ａ’に沿って切り取られた断面図である。
【図６Ｈ】半導体基板上に活性区域及び隔離領域を形成する工程を順に示す図５Ａ〜５Ｉの線Ａ−Ａ’に沿って切り取られた断面図である。
【図６Ｉ】半導体基板上に活性区域及び隔離領域を形成する工程を順に示す図５Ａ〜５Ｉの線Ａ−Ａ’に沿って切り取られた断面図である。
【図７Ａ】半導体基板上に活性区域及び隔離領域を形成する工程を順に示す図５Ａ〜５Ｉの線Ｂ−Ｂ’に沿って切り取られた断面図である。
【図７Ｂ】半導体基板上に活性区域及び隔離領域を形成する工程を順に示す図５Ａ〜５Ｉの線Ｂ−Ｂ’に沿って切り取られた断面図である。
【図７Ｃ】半導体基板上に活性区域及び隔離領域を形成する工程を順に示す図５Ａ〜５Ｉの線Ｂ−Ｂ’に沿って切り取られた断面図である。
【図７Ｄ】半導体基板上に活性区域及び隔離領域を形成する工程を順に示す図５Ａ〜５Ｉの線Ｂ−Ｂ’に沿って切り取られた断面図である。
【図７Ｅ】半導体基板上に活性区域及び隔離領域を形成する工程を順に示す図５Ａ〜５Ｉの線Ｂ−Ｂ’に沿って切り取られた断面図である。
【図７Ｆ】半導体基板上に活性区域及び隔離領域を形成する工程を順に示す図５Ａ〜５Ｉの線Ｂ−Ｂ’に沿って切り取られた断面図である。
【図７Ｇ】半導体基板上に活性区域及び隔離領域を形成する工程を順に示す図５Ａ〜５Ｉの線Ｂ−Ｂ’に沿って切り取られた断面図である。
【図７Ｈ】半導体基板上に活性区域及び隔離領域を形成する工程を順に示す図５Ａ〜５Ｉの線Ｂ−Ｂ’に沿って切り取られた断面図である。
【図７Ｉ】半導体基板上に活性区域及び隔離領域を形成する工程を順に示す図５Ａ〜５Ｉの線Ｂ−Ｂ’に沿って切り取られた断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
半導体ウエハに活性区域及び隔離領域を形成する方法が、本明細書に開示される。本方法は、半導体ウエハ上に形成される区域及び領域のパターン及び臨界寸法をより良好に定義し、またそれらに対するより良好な制御を提供する。図５Ａ〜５Ｉ、６Ａ〜６Ｉ、及び７Ａ〜７Ｉは、半導体ウエハ基板上の活性区域及び隔離領域の製造方法を例示し、図５Ａ〜５Ｉは、上面図を例示し、図６Ａ〜６Ｉは、図５Ａ〜５Ｉの線Ａ−Ａ’に沿う断面図を例示し、図７Ａ〜７Ｉは、図５Ａ〜５Ｉの線Ｂ−Ｂ’に沿う断面図を例示する。
【００１２】
本明細書で使用する場合、「の上に（over）」及び「の上に（on）」という用語は両方とも、「の上に直接」（中間材料、要素、又は空間がそれらの間に何ら配置されない）と、「の上に間接的に」（中間材料、要素、又は空間がそれらの間に配置される）とを包括的に含むことに留意されたい。同様に、「隣接する」という用語は、「直接隣接する」（中間材料、要素、又は空間がそれらの間に何ら配置されない）ことと、「間接的に隣接する」（中間材料、要素、又は空間がそれらの間に配置される）こととを含む。例えば、要素を「基板の上に」形成することは、その要素を基板の上に直接、中間材料／要素をそれらの間に何ら伴わずに、形成することと、その要素を基板の上に間接的に、１つ以上の中間材料／要素をそれらの間に伴って、形成することとを含み得る。
【００１３】
本方法は、図５Ａ、６Ａ、及び７Ａに示されるように半導体基板２２を提供することによって開始し、それは、好ましくはＰ型のものであり、当該技術分野において既知である。二酸化ケイ素（酸化物）等の絶縁材料の第１の層２４を基板２２上に形成する。層２４は、例えば、酸化又は蒸着（例えば、化学気相蒸着ＣＶＤ）によって形成することができる。ポリシリコン（ポリ）等のダミー材料の層２６を、絶縁層２４上に形成する。ポリ層２６の形成は、低圧ＣＶＤ又はＬＰＣＶＤ等の周知のプロセスによって行うことができる。好適な第１のフォトレジスト材料２７をポリ層２６上に形成し、マスキング工程を実施して、ある特定の領域（例えば、示されるように列方向に平行なストリップ）からフォトレジスト材料２７を選択的に除去する。次いで、標準的エッチング技法（すなわち、異方性エッチングプロセス）を使用して、フォトレジスト材料２７が除去された、ポリ層２６の露出した部分をエッチングで除去し、ポリ層２６に平行なトレンチ２８を残す。結果として得られる構造が、図５Ａ、６Ａ、及び７Ａに示される。図６Ａ及び７Ａに示されるように、この段階の構造は、断面Ａ−Ａ’及びＢ−Ｂ’の両方にわたって均一であり、平行な縦のトレンチ２８がポリ層２６に形成される。
【００１４】
第１のフォトレジスト２７を除去した後、第２の好適なフォトレジスト材料３０を構造上に形成する。第２のマスキング工程を使用して、トレンチ２８と垂直に（すなわち、断面線Ａ−Ａ’に沿って）延出する中心領域ＣＲ内のフォトレジスト３０の水平のストリップを除去し、図５Ｂ、６Ｂ、及び７Ｂに示されるようにフォトレジスト３０内にトレンチ３２をもたらす。水平のトレンチ３２は、垂直なトレンチ２８を横断し、それと垂直である。次いで、ポリエッチングを実施して、図５Ｃ、６Ｃ、及び７Ｃに示されるように、トレンチ３２内の露出したダミーポリ２６の部分を除去する（すなわち、中心領域ＣＲ内で水平方向にトレンチ３２をポリ層２６の中に延出させる）。次に、フォトレジスト３０を除去する。図５Ｄ、６Ｄ、及び７Ｄに示されるように、窒化ケイ素（窒化物）等のマスキング材料３４を構造の上に形成して、トレンチ２８及び３０を充填する。次いで、図５Ｅ、６Ｅ、及び７Ｅに例示されるように、エッチバックプロセスを実施して、ダミーポリ２６の列の頂部までマスキング材料３４を除去する（すなわち、ポリ２６をエッチングストップとして使用する）。
【００１５】
次いで、ポリエッチングプロセスを使用してダミーポリ２６を除去して、絶縁層２４を露出させるように、マスキング材料中まで延出するトレンチ３６を残す。これは、図５Ｆ、６Ｆ、及び７Ｆに例示されるように、マスキング材料３４で被覆された中心領域ＣＲを除いて、トレンチ３６によって分離されたマスキング材料３４の列をもたらす。次いで、シリコンエッチングが続く酸化物エッチングを実施して、図５Ｇ、６Ｇ、及び７Ｇに例示されるように、層２４を通してトレンチ３６を基板２２の中まで延出させる。
【００１６】
この時点で、トレンチ３６を二酸化ケイ素等の絶縁材料３８で充填することができ（例えば、マスキング材料３４をエッチングストップとして使用して、二酸化ケイ素蒸着及びＣＭＰ（化学機械研磨）を用いる）、図５Ｈ、６Ｈ、及び７Ｈに示される構造をもたらす（酸化物３８の隔離領域が活性区域間に配置される）。あるいは、又は更に、図５Ｇ、６Ｇ、及び７Ｇの構造上で窒化物及び酸化物エッチングを実施して、図５Ｉ、６Ｉ、及び７Ｉに例示されるように、中心領域ＣＲにおけるベアシリコンと、中心領域ＣＲの両側上で基板２２の部分中に形成されるトレンチ３６と、をもたらす。その後、当該技術分野で既知のようにトレンチ３６内に絶縁部を形成することができ、隔離領域を形成する。
【００１７】
２つのフォトリソグラフィプロセスを伴う上述の技法は、任意の特別なＯＰＣの使用を必ずしも必要とすることなく、活性区域を分離する隔離領域をより正確に形成する。活性区域のＸ方向の臨界寸法は、独立して制御することができる。更に、Ｘ及びＹ方向両方の臨界寸法は、均一に制御することができる。
【００１８】
本発明は、本明細書に例示された上述の実施形態（複数可）に限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲内にあるあらゆる全ての変形形態を包含することを理解されたい。例えば、本明細書における本発明への言及は、いかなる特許請求の範囲又は特許請求の範囲の用語も限定することを意図するものではなく、代わりに特許請求の範囲の１つ以上によって網羅され得る１つ以上の特徴に言及するにすぎない。上述の材料、プロセス、及び数値例は、単なる例示であり、特許請求の範囲を限定するものと見なされるべきではない。例えば、層２４、２６、及び３４は、それぞれ、酸化物、ポリ、及び窒化物材料で上の実施形態に関連して記載されるが、十分に特徴的なエッチング特性を呈する任意の適切な材料を使用することができる。図に例示される隔離領域及び活性区域のパターンは、単一のウエハ上で異なってもよく、及び／又は繰り返し反復されてもよい。例えば、単一の中心領域ＣＲが図に示されるが、単一のウエハ上に複数のそのような中心領域ＣＲが存在してもよい。更に、特許請求の範囲及び明細書から明らかなように、全ての方法の工程は、例示される又は特許請求される正確な順序で実施される必要はなく、むしろ任意の順序であっても、基板上の隔離領域の適切な形成が可能である。最後に、単一層の材料をそのような又は同様の材料の複数層として形成することができ、逆もまた同様である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
2017505542.tif 000007
【図５Ｂ】
2017505542.tif 000008
【図５Ｃ】
2017505542.tif 000009
【図５Ｄ】
2017505542.tif 000010
【図５Ｅ】
2017505542.tif 000011
【図５Ｆ】
2017505542.tif 000012
【図５Ｇ】
2017505542.tif 000013
【図５Ｈ】
2017505542.tif 000014
【図５Ｉ】
2017505542.tif 000015
【図６Ａ】
2017505542.tif 000016
【図６Ｂ】
2017505542.tif 000017
【図６Ｃ】
2017505542.tif 000018
【図６Ｄ】
2017505542.tif 000019
【図６Ｅ】
2017505542.tif 000020
【図６Ｆ】
2017505542.tif 000021
【図６Ｇ】
2017505542.tif 000022
【図６Ｈ】
2017505542.tif 000023
【図６Ｉ】
2017505542.tif 000024
【図７Ａ】
2017505542.tif 000025
【図７Ｂ】
2017505542.tif 000026
【図７Ｃ】
2017505542.tif 000027
【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
2017505542.tif 000029
【図７Ｆ】
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【図７Ｇ】
2017505542.tif 000031
【図７Ｈ】
2017505542.tif 000032
【図７Ｉ】
2017505542.tif 000033
【国際調査報告】
2017505542.tif 000034
2017505542.tif 000035