(57)【要約】  温度補償部を備えたＢＡＷ共振器（ＲＥＳ）を提案する。この共振器は、基板（ＳＵ）と音響ミラー（ＡＳ）との上に構築されている。音響ミラーと、最も下方の電極層（Ｅ１）との間には、補償層（ＫＳ）が設けられていて、この補償層の材料は、粘弾性特性の正の温度係数を有する。この補償層による圧電結合の低減は、補償層と、音響ミラーの最も上方の低インピーダンス層（ＬＩ）との全層厚を用いて最小限にされ、これは、λ／４の奇数の倍数、少なくとも３／４λであり、λは音波の波長である。
2017509246.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（ＳＵ）と、
この上に載置された積層体（ＳＴ）と
を有するＢＡＷ共振器であって、前記積層体が、
・２つの電極層（Ｅ１、Ｅ２）と、
・前記電極層間に配置された圧電層（ＰＳ）と、
・下方の電極層（Ｅ１）と前記基板との間に配置されていて、かつ少なくとも２つのミラー層を具備する音響ミラー（ＡＳ）であって、高インピーダンス層（ＨＩ）と低インピーダンス層（ＬＩ）とが交互に配置されている、音響ミラー（ＡＳ）と、
・粘弾性特性の正の温度係数を有する材料を有し、前記音響ミラーと前記下方の電極層（Ｅ１）との間に配置されている補償層（ＫＳ）と
を具備し、
・前記ミラー層が、共になってブラッグミラーを形成し、
・最も上方の高インピーダンス層と前記下方の電極層との間の前記１つまたは複数の層の全厚が、λ／４の奇数の倍数に相当し、かつ、少なくとも３λ／４であり、
・λは、反射されるべき音波の波長である、
ＢＡＷ共振器。
【請求項２】
前記補償層（ＫＳ）は、ＳｉＯ２またはＧｅＯ２から形成され、それぞれ純粋な形態で、または、Ｆ、ＰまたはＢ強化された形態で形成されている請求項１に記載のＢＡＷ共振器。
【請求項３】
前記音響ミラー（ＡＳ）の最も上方の低インピーダンス層（ＬＩ）と、前記補償層（ＫＳ）とは、等しい材料から形成されている請求項１または２に記載のＢＡＷ共振器。
【請求項４】
前記圧電層（ＰＳ）はＡｌＮを含む請求項１〜３のいずれか１項に記載のＢＡＷ共振器。
【請求項５】
少なくとも１つまたは全ての高インピーダンス層（ＨＩ）の材料は、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔａ２Ｏ５およびＳｃから選択されている請求項１〜４のいずれか１項に記載のＢＡＷ共振器。
【請求項６】
少なくとも１つまたは全ての低インピーダンス層（ＬＩ）の材料は、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ＧｅＯ２、Ｓｉ３Ｎ４および有機層から選択されている請求項１〜５のいずれか１項に記載のＢＡＷ共振器。
【請求項７】
前記下方の電極層（Ｅ１）は、Ａｌよりも高い音響インピーダンスを有する材料から形成されている請求項１〜６のいずれか１項に記載のＢＡＷ共振器。
【請求項８】
前記圧電層（ＰＳ）用に、ＡｌＮよりも強い圧電結合を有する材料が採用されている請求項１〜７のいずれか１項に記載のＢＡＷ共振器。
【請求項９】
前記圧電層（ＰＳ）の材料として、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、酸化亜鉛、ＰＺＴまたはニオブ酸ナトリウムカリウムが選択されている請求項８に記載のＢＡＷ共振器。
【請求項１０】
前記圧電層（ＰＳ）は、圧電結合を高めるためのドーピングを有する請求項１〜９のいずれか１項に記載のＢＡＷ共振器。
【請求項１１】
前記圧電層（ＰＳ）は、ドーピングされたＡｌＮを含み、これには、ドーピング材料として、Ｙ、Ｍｇ、Ｚｒ、ＴｉまたはＳｃが添加されている請求項１０に記載のＢＡＷ共振器。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
現代の携帯電話およびこれ以外のワイヤレス応用のために許可された周波数帯域の数が増えるに従って、周波数スペクトル中の個々の無線システムが、互いにますますより近くなっている。隣接する周波数帯域をきれいに分けるために、エッジが急傾斜であるフィルタ、すなわち、その通過帯域が別の無線システムの隣接する通過帯域の方向に向かって迅速に十分減衰に移行するようなフィルタが必要とされる。
【０００２】
密に隣接する周波数帯が、電話端末機器で互いに対して分離されていなければいけないという以外に、フィルタにおけるさらなる問題として、製造による周波数のばらつきが生じ、これが、隣接する周波数帯域のきれいな分離をさらに難しくする。したがって、現在の生産規格では、通常８００〜１５００ｐｐｍの範囲内の製造許容誤差が予想可能で、これは、通過帯域の両側で作用しうる。望ましくない場合には、２つの隣接する周波数帯域間のギャップが、望ましくない製造許容誤差により、双方の側から狭くなる。
【０００３】
さらなる周波数シフトは、温度が変化する際に生じるが、この理由は、通常フィルタ中で採用されるような音響共振器の共振周波数が、温度に応じて変化するからである。この変化は、いわゆるＴＣＦ（周波数の温度係数）によりｐｐｍ／Ｋで表される。ＢＡＷ共振器のＴＣＦは、例えば共振器が構築されている各材料の音響パラメータ（音速およびインピーダンス）の温度係数に依存している。これは、材料の熱膨張係数にもわずかに依存している。全共振器のＴＣＦは、個々の層の特性についてのある種の加重平均値として生じ、構成部品中の局所的な応力に比例した重み付けが、特にＢＡＷ共振器中にある。高い応力を有する領域は、低い応力を有する領域よりもより重み付けられていることができる。効果的なＴＣＦは、したがって、共振器中の積層体の詳細な構造により決められる。
【０００４】
通常、携帯電話は−３５℃〜＋８５℃の温度領域が仕様として決められている。この温度区間内では、フィルタ中に採用され、かつ、典型的なＴＣＦが−２５ｐｐｍ／Ｋである音響共振器用では、周波数微分係数が約３０００ｐｐｍである。この周波数微分係数を考慮するフィルタでは、エッジが極めて急傾斜で形成されていなければならない周波数帯域の組み合わせがあるが、この理由は、この周波数微分係数は、この周波数ギャップの著しい割合を自身に要求するからである。したがって、例えば帯域２２は、ＴＸ帯域とＲＸ帯域との間に、５７００ｐｐｍの周波数ギャップしか有していない。
【０００５】
したがって、温度係数を低減する、または、完全に補償するために、著しい努力が行われる。これに関して公知であるのは、その粘弾性特性の正の温度係数を有する材料からなる音響共振器を用いることである。これらの材料は、加熱すると、そのＥモジュールの上昇を示し、これにより共振周波数が上昇する。共振器で用いられる全ての材料のうちの多数が、その粘弾性特性の負の温度係数を有するので、適切な材料組み合わせにより、異なる材料の温度係数を互いに補償することができる。
【０００６】
積層体として基板材料上に直接構築されるＢＡＷ共振器は、いわゆるＳＭＲ型ＢＡＷ共振器（ＳＭＲ＝ｓｏｌｉｄｌｙ  ｍｏｕｎｔｅｄ  ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）であって、通常音響ミラー上に構築されていて、この音響ミラー中に高インピーダンス層および低インピーダンス層を交互にしたブラッグミラーを形成する。ブラッグミラーは、個々の低インピーダンス層および高インピーダンス層が、それぞれ約λ／４の厚さを有する場合に、波長λの音波の最適な反射を行う。
【０００７】
温度補償のある可能性は、ブラッグミラーの最も上方のミラー層（これは、共振器の下方の電極と直接隣接し、通常ＳｉＯ２からなる）の厚さが、標準値である上述のλ／４を上回るようにする点にある。これにより、ＳｉＯ２層中の応力密度がより高くなり、したがって、温度補償が改善されることにもなるが、しかし、なかんずく共振周波数が低下することにもなる。この点は、共振器の圧電層の層厚を薄くすることによっても補償されうる。これにより、ＴＣＦの補償も達成されるが、圧電層の層厚の低減により、結果として圧電結合も激しく、例えば、約５０％も低減される。
【０００８】
あるいは、従来技術によれば、電極と圧電層との間に、および、圧電層の部分層間にさえ、酸化シリコン層を配置することが可能である。この場合、効果的な結合の劣化はあまり目立たないが、しかしなお、約３０％に達する。これにより、ＴＣＦを補償するこの種のフィルタは、移動通信領域における多くのフィルタ応用において必要な仕様をもはや満たすことはできない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、温度補償部を有するが、効果的な結合が、上述の解決方法のようには低減されていない、ＢＡＷ共振器を示すことである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この目的は、本発明によれば請求項１の特徴を有するＢＡＷ共振器により達成される。本発明のさらなる構成は、従属請求項から明らかである。
【００１１】
本発明はＳＭＲ型のＢＡＷ共振器を示すが、これは、音響ミラーと下方の電極層との間に補償層が配置されていて、この補償層は、その粘弾性特性の正の温度係数を備えた材料を有する。この種の補償層と関連付けられた欠点を減らすために、または、これを完全に補償するために、補償層中に局在化される音響エネルギーの割合が最小であるように、補償層および圧電層の厚さが選択される。この点は、本発明によれば、共振器の最も上方の高インピーダンス層と下方の電極との間の１つまたは複数の層の厚さが、通常低インピーダンス層と補償層とからなる層厚合計であるが、この通常のおよびブラッグ反射器にとって最適な層厚である音波長λの４分の１とは大きく外れて、かつ、とりわけ、λ／４の奇数の倍数に相当する値にまで上げることによって達成される。とりわけ少なくとも３／４λの層厚を選択する。上方の低インピーダンス層が、λ／４の層厚を有するという点から出発すると、補償層の層厚は、λ／２の倍数になる。
【００１２】
驚くべきことに、圧電層の層厚をほぼ変えることなく、この種の厚い補償層での最適化が達成され、その結果、全積層体中に構築される垂直波長の好都合な振幅比率が生じる。この際、圧電層の外側に局在化する音響エネルギーの割合は、最小の割合を有する。
【００１３】
これとは逆に、補償層の厚さが増えるに従って、補償層中の音響エネルギー振幅割合ないしエネルギー割合が上昇すると予想される。ここで示した層厚の補償層を備えたＢＡＷ共振器は、補償層のないＢＡＷ共振器に対して、効果的な結合を約１０〜１５％とわずかに減少させるのみである。さらに、この種の厚さの補償層により、共振器の共振周波数がほんのわずかしか変化しないとのさらなる利点が生じる。この変化は、電極層および／または圧電層の層厚をわずかに合わせることにより修正されうる。さらに、この補償層を用いて、完全な温度補償を達成可能であるＢＡＷ共振器であって、かつ粘弾性特性のＴＣＦを有し、したがって中心周波数のＴＣＦが０を示すＢＡＷ共振器が得られる。
【００１４】
ＳＭＲ型のＢＡＷ共振器は、積層体として基板上に構築されている。この積層体は、基板上に、まず音響ミラーを具備している。この音響ミラーは、少なくとも２つのミラー層を具備し、高インピーダンス層と低インピーダンス層とが交互に配置されている。音響ミラーの上方には補償層が配置されている。補償層の上方には、ＢＡＷ共振器の下方電極層が配置されている。この上に、圧電層と、その上には上方電極層とが存在する。
【００１５】
補償層の好適な材料はＳｉＯ２である。これは、十分高い正の温度係数を示し、これにより効果的な温度補償が可能である。さらに、ＳｉＯ２からなる補償層は音響ミラーの適切な高インピーダンス層と連結させても、低インピーダンス層と連結させても有効である。最も上方の低インピーダンス層と補償層とは、したがって、等しい材料から形成可能である。双方の層について、異なる材料を採用することも可能である。
【００１６】
さらに、補償層および／または低インピーダンス層は、ＧｅＯ２から形成可能である。追加的にＳｉＯ２もＧｅＯ２も、少量のＦ、ＰまたはＢで強化可能である。
【００１７】
ある実施形態では、圧電層は、圧電材料として窒化アルミニウムを含む。窒化アルミニウムは、他の圧電材料と比較して、相対的に低い粘弾性特性のＴＣＦを示す。さらに、窒化アルミニウムは、比較的強い圧電結合を有する。
【００１８】
音響ミラーの高インピーダンス層として、とりわけ高い密度の材料を採用可能である。好適であるのは、金属とりわけ重金属、例えばタングステン、モリブデン、ルビジウム、スカンジウムまたはタンタルである。金、プラチナおよびＴａ２Ｏ５も適している。
【００１９】
ある実施形態では、低インピーダンス層として、誘電層が採用可能である。相対的に低い密度を備えた層が低い音響インピーダンスを示す。好適には、シリコン、ＳｉＯ２、窒化シリコン、または、十分な耐熱性があり湿度に対する感応性が低い場合に限り有機層からなる層も採用される。
【００２０】
ある実施形態では、ＢＡＷ共振器の下方電極層は、アルミニウムより高いインピーダンスを有する材料を有する。これにより、より良い結合が達成される。ある実施形態では、圧電層中で、窒化アルミニウムより悪い温度挙動を有するが、その代わりにより強い圧電結合を示す材料が採用される。例えばニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、酸化亜鉛、チタン酸ジルコン酸鉛およびニオブ酸ナトリウムカリウムが採用可能である。公知のＢＡＷ共振器において欠点となるより劣った温度挙動（より高いＴＣＦ）の効果は、本発明により補償されうる。より強い結合により、改良された特性を備えた共振器を得られることができ、これから、より良い特性を備えた精確な周波数のフィルタが構築されうる。
【００２１】
本発明のさらなる構成では、圧電層に窒化アルミニウムが用いられ、これは、圧電結合を高める材料を備えている。したがって、窒化アルミニウムをイットリウムまたはスカンジウムでドープすることにより、圧電結合を高めることは公知である。Ｍｇ、ＺｒおよびＴｉによるドーピングによっても、圧電結合を高めることができる。このようにして、提案された補償層では１５％までにもなりうる圧電結合の劣化をさらに小さくすることができ、この結果、１５％未満になる。このようにして、広いフィルタ帯域幅を必要とし、１５％の圧電結合の劣化が仕様には合わない応用についても、ＢＡＷ共振器が採用可能になる。これに応じてより強い圧電結合を用いて、例えば圧電材料を提案したように選択することにより、より要求の高い応用ないし要求の高い仕様を備えた応用に対しても、ＢＡＷ共振器の採用可能性数を増やすことができる。
【００２２】
ある実施形態では、補償層の厚さはλ／２であり、上方低インピーダンス層の厚さはλ／４である。しかし、補償層の厚さを、２λ／２、３λ／２またはより大きい値に設定することも可能であり、常にλ／２の倍数が可能な値として許される。ｎ×λ／２（ｎ＝整数）の層厚とは、正確にλ／２の倍数であるとは理解されない。むしろ、これから外れてはいるが、しかしｎ×λ／２の範囲内にある層厚が許されることは明確である。重要であるのは、補償層中に、高い音響応力を備えたゾーンが生じることであるが、この理由は、温度補償の程度が、応力に比例しているからである。応力振幅が節（０通過）を有するゾーンは、従ってＴＣＦ補償にほとんど寄与しない。同時に、音響エネルギーが圧電層の外側で強すぎると、効果的な結合があまりにも低下するので、これが強すぎないよう顧慮される。
【００２３】
本発明による補償層がλ／４の偶数の倍数の層厚を備えている場合には、垂直波長が構築され、この際に、最も大きい振幅の振動の腹は、圧電層の領域内にあり、同時に二次的な振動腹が補償層中に構築される。この二次的な振動腹は、ＴＣＦの強い補償から完全な補償を行わせる。
【００２４】
さらに、応力振幅であって、その二乗が、記憶された音響エネルギーに比例する応力振幅が、補償層の内側で、ＴＣＦ補償を備えた公知のＢＡＷ共振器よりも実質的に小さいことが示される。
【００２５】
以下に、本発明を、実施例およびこれに関する図に基づいて、より詳細に説明する。図は、本発明の図解のためにのみ役立ち、したがって、概略的であるのみで、正確な縮尺ではない。同じまたは同じ作用を有する部品は、同じ参照符号で記している。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】ＳＭＲ技術での補償層を備えたＢＡＷ共振器の概略断面図である。
【図２Ａ】様々なＢＡＷ共振器の応力振幅を示す概略断面図である。
【図２Ｂ】様々なＢＡＷ共振器の応力振幅を示す概略断面図である。
【図２Ｃ】様々なＢＡＷ共振器の応力振幅を示す概略断面図である。
【図３】ＢＡＷ共振器から構築されたフィルタを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
図１は、本発明によるＢＡＷ共振器をいかに構築可能であるかを示す概略図である。底部は、機械的に安定した基板ＳＵであり、その上にＢＡＷ共振器ＲＥＳの積層体が析出可能である。好適な材料はシリコンである。基板ＳＵの直接上には音響ミラーＡＳが析出されていて、これは、少なくとも２つのミラー層を含む。双方のミラー層は、低インピーダンス層ＬＩと高インピーダンス層ＨＩとからなる対を形成する。ここでは、２つのミラー層のみが提示されていて、これは望ましい反射にとって十分でありえるが、それ自体公知の音響ミラーは、通常３〜５個のミラー層を具備する。ミラー効果、すなわち、音波の反射性は、ミラー層の数と共に上昇し、さらに、高インピーダンス層ＨＩと低インピーダンス層ＬＩとの間のインピーダンスの差異に比例している。音響ミラーＡＳと基板ＳＵとの間には、必要に応じて、さらに１つの薄い接着促進層を配置可能である。
【００２８】
上方に向かって低インピーダンス層ＬＩで終わる音響ミラーＡＳの上方に、補償層ＫＳが配置されている。補償層ＫＳの厚さは、例えば２λ／４である。これは、音波の既定の伝搬速度では、最も上方の低インピーダンス層と補償層ＫＳとの内側に、全振動の４分の３が伸張していることを意味する。ミラー層も、約λ／４の規定の層厚を有し、これは、異なる音速を有する異なる材料用の長さ単位に換算すると、異なる値を意味しうる。
【００２９】
補償層ＫＳの上方には、第１電極層Ｅ１があり、その上には、圧電層ＰＳと、その上には、第２電極層Ｅ２とが配置されている。Ｅ１、ＰＳおよびＥ２の層厚の合計が、波長の半分に相当するように選択されている。しかし、音響エネルギーの少なくとも１部分は補償層ＫＳ内に局在しているので、層厚を適合させることが必要でありえ、この場合、Ｅ１、ＰＳおよびＥ２の層のうちの少なくとも１つの層の層厚が低減させられる。しかし、この点は、本発明によるＢＡＷ共振器ではわずかに必要なだけである。
【００３０】
ある好適な実施形態では、基板は、シリコン結晶基板であり、低インピーダンス層ＬＩはＳｉＯ２から選択され、一方、高インピーダンス層ＨＩは、重金属例えばタングステンを含む。補償層ＫＳはＳｉＯ２からなり、一方、第１および第２電極Ｅ１、Ｅ２はアルミニウムからなりうる。しかし、下方電極Ｅ１が、アルミニウムよりも重い金属（例えばタングステン）で製造されることも可能である。電極層Ｅ１および／またはＥ２が複数の部分層を合わせたものであり、このうちの一方が高い音響インピーダンスを有する層であり、逆に他方では導電性が良好であることも可能である。圧電層ＰＳとしては、好ましくは窒化アルミニウムが採用される。
【００３１】
ある実施形態では、（図１中では不図示であるが）第２電極層Ｅ２上にさらなる補償層を配置し、これも、粘弾性特性の正の温度係数を有する材料からなることが可能である。
【００３２】
さらなる実施形態では、音響ミラーを等しく保ち、補償層ＫＳの厚さを等しく保ちつつ、窒化アルミニウムよりも強い圧電結合を有する圧電材料を採用する。この材料には、確かにＴＣＦがより大きくなってしまうとの欠点があるが、しかし、本発明によれば、これは補償層ＫＳを用いて補償されることができ、十分な圧電結合で良好から完全なまでのＴＣＦ補償を有するＢＡＷ共振器ＲＥＳが得られる。
【００３３】
図２Ａ〜２Ｃでは、概略図に基づいて、いかに、音響エネルギーがＢＡＷ共振器の積層体に渡って分布しているかを示し、公知のＢＡＷ共振器と本発明によるＢＡＷ共振器とを比較している。
【００３４】
図２Ａは、補償層を追加していないそれ自体公知のＢＡＷ共振器を示す図である。この場合、音響ミラーＡＳの最も上方の低インピーダンス層の直接上に、下方電極が配置されていて、その上に圧電層ＰＳが配置されている。積層体内で図示されているのは、最大偏向時の応力振幅である。位相境界における全振動節が、音響ミラーＡＳのミラー層間に配置されている。最大の振動腹は、この図中の右側の圧電層内で延在している。音響エネルギーは図中に提示されている応力振幅の二乗に比例しているので、音響ミラーと圧電層との間の音響エネルギーの差は、約１：１０である。
【００３５】
図２Ｂは、従来の上方低インピーダンス層を備えたＢＡＷ共振器についての応力振幅の経過を示す図であるが、この上方低インピーダンス層の厚さは、λ／４よりもわずかに大きくなるように選択されている、ないし、わずかな層厚のみを有する補償層により補強されている。この振幅比率は実質的に劣化し、音響エネルギーの大部分が、音響ミラーおよび補償層内に局在していることがわかる。音響エネルギーを分布させるために、ここで、比率が１：２であることが明らかであり、このために、この共振器の効果的な結合は大きく劣化している。
【００３６】
図２Ｃは、本発明によるＢＡＷ共振器についての応力振幅の経過を示すが、この場合、最も上方のミラー層（低インピーダンス層ＬＩおよび補償層ＫＳは、ここでは別個に提示されていない）の層厚が３λ／４である。この場合、すでに一見してこの実施形態では、振幅比率が改良されていることが明らかである。補償層内の応力振幅は実質的に低減され、最も大きい振動腹は、実際完全に圧電層ＰＳ内に置かれている。図２Ａ中に提示されているＴＣＦ補償のないＢＡＷ共振器と比べると、振幅比率はわずかにのみ劣化していて、図２Ｂで示しているような応力補償を行う公知のＢＡＷ共振器に比べると、非常に改良している。圧電層ＰＳ内に局在している利用可能な音響エネルギーの割合は、圧電結合の尺度であるので、図２Ｃに提示された、厚い補償層ＫＳを備えた本発明によるＢＡＷ共振器で、圧電結合が改良されている点、ないし、ＴＣＦ補償部を備えた公知のＢＡＷ共振器よりも、補償層によって実質的にわずかしか低減されていない圧電結合を有する点は明らかである。
【００３７】
低インピーダンス層ＬＩおよび補償層ＫＳの全厚が、λ／４の５／４、７／４またはこれより大きい奇数の倍数になる場合には、本発明によるＢＡＷ共振器内で音響エネルギーの類似の比率ないし類似の分布が得られる。
【００３８】
図３は、共振器から製造されたそれ自体は公知の導体タイプのフィルタを示す。この種のフィルタは、第１フィルタ接続部Ｔ１と第２フィルタ接続部Ｔ２との間の直列分岐中に、ここでは直列に接続された３つの共振器を具備し、本発明によれば、これらの共振器には補償層が設けられている。この直列分岐に対して並列に、ここでは２つの並列分岐部が基準電位に対して接続されていて、これらの中に、それぞれ１つのＢＡＷ共振器が配置されている。フィルタを構築する共振器が、粘弾性特性の非常に低減された温度係数から、完全に補償された温度係数までを有するので、本発明によるＢＡＷ共振器を備えたこの種のフィルタは、中心周波数の温度ドリフトを０にまで下げて構築可能である。これにより、ＴＣＦを考慮した許容誤差微分係数は、もはや必要ではない。この結果、例えば図３に示したようなフィルタは、２つの隣接する帯域間での帯域ギャップが小さいことによりエッジが急傾斜でなければならない移動通信システム関連の周波数帯域にも採用可能である。この種のエッジが急傾斜であるフィルタは、上で紹介したＢＡＷ共振器から製造されたフィルタで達成可能である。このＢＡＷ共振器のさらなる応用は、精確な周波数を必要とするこれ以外の全ての応用において、とりわけ発振器においてであることは明らかである。
【００３９】
本発明による共振器から製造されたフィルタ中では、通常少なくとも、音響ミラーＡＳの金属層が構造化されている。誘電層も補償層ＫＳも、全面で実施可能である。析出中およびその後に、電極層Ｅ１、Ｅ２と圧電層ＰＳとを構造化することにより、複数のＢＡＷ共振器を望ましい方法で互いに接続することができる。電極層Ｅ１、Ｅ２は、この際、同時に隣接するＢＡＷ共振器の電気接続を作るために使用することができる。
【００４０】
本発明は、実施例の項目中で提示した実施形態に限定されるのではない。むしろ本発明によるＢＡＷ共振器は、提示した実施形態とは異なる実施形態も含む。本発明は、積層体中で、上述の層以外にさらなる機能層、補助層および中間層が存在することを除外するのではなく、例えば、異なる層材料を備えた２つの異なる層間の境界面で、接着促進層が存在することを除外するのではない。この種の機能層の層厚は通常小さく、１０〜１５０ｎｍの間の範囲である。
【００４１】
さらに、本発明によるＢＡＷ共振器ないしＢＡＷ共振器から製造されたフィルタは、集積パッケージを備えることができる。このためには、基板を、下方向を向いた積層体と共に、担体上で、例えばバンプ連結を介して接着可能である。基板ＳＵ上にカプセル化して載置することも可能である。さらに、さらなる補償層（例えばＳｉＯ２層）を含みうるカプセル層を積層体の上方に載置することも可能である。
【符号の説明】
【００４２】
ＲＥＳ    ＢＡＷ共振器
ＳＴ    積層体
Ｅ１、Ｅ２    電極層
ＰＳ    圧電層
ＨＩ    高インピーダンス層
ＬＩ    低インピーダンス層
ＡＳ    音響ミラー
ＫＳ    補償層
ＳＵ    基板  
Ｔ１、Ｔ２    フィルタ接続部
【図１】
2017509246.tif 000003
【図２Ａ】
2017509246.tif 000004
【図２Ｂ】
2017509246.tif 000005
【図２Ｃ】
2017509246.tif 000006
【図３】
2017509246.tif 000007
【国際調査報告】
2017509246.tif 000008
2017509246.tif 000009
2017509246.tif 000010
2017509246.tif 000011
2017509246.tif 000012
2017509246.tif 000013