(57)【要約】  （ａ）発光素子と、（ｂ）支持体と、（ｃ）一次光学素子と、を備える照明装置であって、（ｉ）前記発光素子（ａ）が支持体（ｂ）上にあり、および（ｉｉ）前記一次光学素子（ｃ）は、所望の配光で発光素子から出射する放射を吸収し、案内しおよび放出するように、発光素子（ａ）および支持体（ｂ）から成る複合体上に配置され、（ｉｉｉ）前記一次光学素子（ｃ）は、高屈折率ガラスから製造され、および（ｉｖ）ダイレクトボンディングによって支持体に付着される、ことを特徴とする照明装置が提案されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）発光素子と、
（ｂ）支持体と、
（ｃ）一次光学素子と、
を備える照明装置であって、
（ｉ）前記発光素子（ａ）が前記支持体（ｂ）上にあり、および
（ｉｉ）前記一次光学素子（ｃ）は、所望の配光で前記発光素子から出射する放射を吸収し、案内しおよび放出するように、前記発光素子（ａ）および前記支持体（ｂ）から成る複合体上に配置され、
（ｉｉｉ）前記一次光学素子（ｃ）は、高屈折率ガラスから製造され、および
（ｉｖ）ダイレクトボンディングによって前記支持体に付着される、
ことを特徴とする照明装置。
【請求項２】
前記発光素子（ａ）は、ＬＥＤ、ＯＬＥＤ、ＬＥＴおよびＯＬＥＴから成る群から選択されることを特徴とする、請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
前記発光素子（ａ）が窒化物ベースのＬＥＤであることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の照明装置。
【請求項４】
前記発光素子（ａ）は、ＧａＰ、ＡｌＰ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＧａＰおよび／またはＩｎＧａＡｌＰを半導体として含有するＬＥＤであることを特徴とする、請求項３に記載の照明装置。
【請求項５】
前記発光素子（ｂ）と前記支持体（ｃ）がチップを形成することを特徴とする、請求項１乃至４の少なくとも一項に記載の照明装置。
【請求項６】
前記一次光学素子（ａ）がレンズであることを特徴とする、請求項１乃至５の少なくとも一項に記載の照明装置。
【請求項７】
前記レンズは、前記発光素子と前記支持体とから成る複合体に対向する平坦面を有することを特徴とする、請求項６に記載の照明装置。
【請求項８】
前記高屈折率ガラスは、少なくとも１．５の屈折率ｎＤを有することを特徴とする、請求項１乃至７の少なくとも一項に記載の照明装置。
【請求項９】
前記高屈折率ガラスは、少なくとも１．７の屈折率ｎＤを有することを特徴とする、請求項８に記載の照明装置。
【請求項１０】
前記高屈折率ガラスは、合計が１００重量％になるという条件で、以下の組成、すなわち、
（ａ１）約５８から約６３重量％の四価金属酸化物と、
（ａ２）約１４から約２２重量％の二価金属酸化物と、
（ａ３）約１４から約２０重量％の一価金属酸化物と、
を有することを特徴とする、請求項１乃至９の少なくとも一項に記載の照明装置。
【請求項１１】
一方の前記一次光学素子（ａ）と、他方の前記発光素子（ｂ）および前記支持体（ｃ）から成る前記複合体とで構成されるユニットの結合すべき面が、１０ｎｍ以下の粗度（Ｒａ）を有することを特徴とする、請求項１乃至１０の少なくとも一項に記載の照明装置。
【請求項１２】
前記面は、５ｎｍ以下の粗度（Ｒａ）を有することを特徴とする、請求項１１に記載の照明装置。
【請求項１３】
一方の前記一次光学素子（ａ）と、他方の前記発光素子（ｂ）および前記支持体（ｃ）から成る前記複合体とで構成されるユニットの結合すべき面が、１００ｎｍ以下の平面性（ＰＶ）を有することを特徴とする、請求項１乃至１２の少なくとも一項に記載の照明装置。
【請求項１４】
前記面は、５０ｎｍ以下の平面性（ＰＶ）を有することを特徴とする、請求項１３に記載の照明装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１４の少なくとも一項に記載の照明装置を用いた、部屋の照明方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気工学の分野に関し、および照明装置、特に、発光素子と、支持体（「ＬＥＤチップ」）と、一次光学素子とから成るいわゆるフリップチップＬＥＤ（「ＦＣＬＥＤ」）に関し、および物体の照明方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
「フリップチップＬＥＤ」技術は、発光素子、一般的にはＬＥＤが、図１ａに図示されているように逆さまに取り付けられているものを意味する。この分野における最初の工業所有権は、Ｍａｔｓｕｓｈｉｔａ（例えば、特開昭５７−０９２８８１号公報）まで遡り、１９８０年代初期から始まる。今日では、この話題に関連する千以上の特許公報がある。
【０００３】
これに関連して、米国特許出願公開第２０１１／０６２４６９（Ａ１）号明細書（Ｐｈｉｌｉｐｓ）について説明する。この文書は、ＬＥＤと、レンズと、ウィンドウ素子と、レンズとウィンドウ素子との間の境界における接合部とから成る発光ユニットに関し、そのウィンドウ素子は、レンズに結合される。
【０００４】
米国特許出願公開第２０１２／１５３３０６（Ａ１）号明細書（ＹＡＯ）は、フリップチップＬＥＤと、そのフリップチップＬＥＤの最上層に施されたレンズとを備える発光ダイオード（ＬＥＤ）チップを開示しており、前記レンズは非高分子材料を含有し、また、本質的には、高分子材料がＬＥＤチップに接触していない。
【０００５】
米国特許出願公開第２０１１／０６２４７１（Ａ１）号明細書（Ｂｉｅｒｈｕｉｚｅｎ）から。この出願は、モジュール構造を有するレンズを備えたＬＥＤモジュールに関し、この場合、前記ＬＥＤモジュールは、支持体に接着接合されている。
【０００６】
国際公開第２００９／１３２８３７（Ａ２）号パンフレット（Ｓｃｈｏｔｔ）は、放出された放射および／または受光される放射を変換する少なくとも一つの変換器と、少なくとも一つの光学素子とを備えるオプトエレクトロニクス機能素子上に実装するための、オプトエレクトロニクス機能素子、好ましくは、ＬＥＤによって放出されたおよび／または受光される放射用の変換器要素について請求しており、前記変換器と前記光学素子は、互いに隣接し、および少なくともそれらのセグメント上で互いに接合されている。
【０００７】
ＦＣＬＥＤには、従来の製品に優る多くの重要な利点があり、具体的には、ＦＣＬＥＤは迅速な法熱を確実にし、そのことは、寿命を著しく延ばす。また、ＦＣＬＥＤは、光を特定の方向に向ける何らかのデバイスを必要とせず、およびそれらは、図１ｂおよび図１ｃに概略的に示されているように、反射においても、高い画像輝度を確実にしている。
【０００８】
別の重要な観点は、ＦＣＬＥＤは、ＥＰＩウェーハ処理段階の後は、その部品を仕上げるのに、ダイボンディングおよび調整のみが必要であるため、より容易かつより迅速に製造できるということである。したがって、特に、ワイヤボンディングの工程および蛍光物質を封入する工程が省かれる。
【０００９】
チップは、透明なレンズ状中空本体によってほとんど密閉され、この場合、一般的には、プラスチック、主にポリジメチルシロキサンが材料物質として用いられる。それらのチップは、出ていく放射を吸収せず、そのため全くまたはほとんど劣化しないため、特に、公知の確立された窒化物ベースの化合物半導体チップにおいて普及している。
【００１０】
しかし、シリコーンは、非常に低い屈折率、典型的には、約１．４０から１．４１を有している。このことは、一般的に、チップとケーシングとの間に著しい屈折率の差があることを意味し、チップからの放射の放出が大幅に低減されるという結果を伴う。
【００１１】
従来、ポリジメチルシロキサンを化学的に変性することにより、例えば、芳香族基を混合させることによって、この問題を解決しようと試みられた。これらのアプローチは、シロキサンの変性が、最終的には、チップから出てシロキサン本体に入る光の吸収の増加につながり、その結果、出ていく放射が強化されるのではなく低減されて、シリコーンケーシングは、その透明性を失い、それによって吸収損失を増加させる可能性があるため、実際には、むしろ逆効果である。
【００１２】
ＦＣＬＥＤ用ケーシングとしてのシリコーンの用途に関する別の欠点は、温度が上昇するにつれて、屈折率が低くなり、シリコーンが、ガスおよび水に対して高い透過性を有し、および低い剛性を有するということである。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
したがって、本発明の目的は、従来技術に関する記載されている欠点を克服するフリップチップＬＥＤタイプの照明装置を提供することである。具体的には、その構成要素は、支持体および発光素子から成る複合体と同じ屈折率を有するケーシングを備えていなければならず、温度および環境の影響に耐えなければならず、ガスおよび水に対する透過性を有しておらず、およびポリシロキサンの剛性よりも高い剛性を有する。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、
（ａ）発光素子と、
（ｂ）支持体と、
（ｃ）一次光学素子と、
を備える照明装置であって、
（ｉ）前記発光素子（ａ）が支持体（ｂ）上にあり、および
（ｉｉ）前記一次光学素子（ｃ）は、所望の配光で発光素子から出射する放射を吸収し、案内しおよび放出するように、発光素子（ａ）および支持体（ｂ）から成る複合体上に配置され、
（ｉｉｉ）前記一次光学素子（ｃ）は、高屈折率ガラスから製造され、および
（ｉｖ）ダイレクトボンディングによって支持体に付着される、
ことを特徴とする照明装置に関する。
【００１５】
意外にも、高屈折率ガラスから製造されて、「ダイレクトボンディング」（「機械的ボンディング」ともいう）によってＬＥＤチップに直接付着される一次光学素子が、本発明の全範囲内で目的を達成することが既に分かっている。したがって、一次光学素子とＬＥＤチップとの間のボンディング層が、上述した問題と同様の問題をもたらすため、一次光学素子とＬＥＤチップとの間に、接着材等の独立したボンディング層はない。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１ａ】従来のＬＥＤ（左）およびフリップチップＬＥＤ（右）の構造である。
【図１ｂ】従来のＬＥＤ（左）およびフリップチップＬＥＤ（右）の光放射を示す図である。
【図１ｃ】放射のための案内装置を有する従来のＬＥＤ（左）およびフリップチップＬＥＤ（右）の光放射を示す図である。
【図２】本発明の実施形態における照明装置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
（発光素子）
本発明の範囲内では、多くの場合、「フリップチップＬＥＤ」と呼ばれているが、これは、これまでのところ本技術のための技術用語であったためであり、本発明は、ＬＥＤとしての発光素子の実施形態に限定されない。実際には、それは、ＯＬＥＤ、ＬＥＴまたはＯＬＥＴであってもよい。
【００１８】
（ＬＥＤ）
発光ダイオードとも呼ばれているＬＥＤは、その電気的特性が、ダイオードの特性に一致している発光半導体素子である。電流がダイオード内を順方向に流れる場合、そのダイオードは、半導体材料の種類およびドーパントに依存する波長を伴って、光、ＩＲ放射およびＵＶ放射を放出する。
【００１９】
多くの発光ダイオードの半導体結晶は、金属ホルダ内の円錐形の窪みの底部にはんだ付けされている。その窪みの内側は、その結晶の側部から出射する光のためのリフレクタとして作用する。はんだ接合部は、結晶の２つの電気接点のうちの一つを形成する。同時に、はんだ接合部は、半導体結晶が電力の一部のみを光に変換するために形成される廃熱を吸収する。配線された発光ダイオードにおいて、リフレクタを有するホルダは、電気接点として機能する矩形断面を有するワイヤとして設計されている。電子部品の通常の実施とは逆に、リードワイヤは、錫めっきした銅ではなくて、錫めっきした鋼で形成されている。鋼の熱伝導性は比較的低い。その結果として、半導体結晶は、その部品がプリント回路基板にはんだ付けされる際の過熱によって破壊されない。結晶の上側は、接点が発光面のごく一部を覆うように、薄いボンドワイヤのみを介して、第２の鋼リードワイヤと電気的に接続される。
【００２０】
高性能ＬＥＤ（Ｈ−ＬＥＤ）は、２０ミリアンペア以上の電流で作動される。このことは、放熱に対して特別な要件を課し、そのことは、特有の設計によってもたらされる。熱は、電力供給ラインを介して、リフレクタトラフを介して、または、発光ダイオード本体に組み込まれた熱伝導体を介して消散させることができる。
【００２１】
本発明による、光源として利用できるさらに適当なＬＥＤデザインは、後に鋳造シリコーン合成物に埋め込まれる、基板上への発光ダイオードチップのダイレクトワイヤボンディング（チップオンボード）を含む。
【００２２】
光源として利用されるＬＥＤは、多色にすることもできる。多色発光ダイオードは、一つのケーシング内のいくつかの（２つまたは３つの）ダイオードから成る。それらは、多く場合、共通の陽極または陰極と、すべての色のためのリードとを有している。２つのリードを有するデザインにおいては、２つの発光ダイオードチップが逆並列に接続されている。その極性により、一方のダイオードまたは他方のダイオードが光を放出する。適切な交流電流の可変パルス幅比によって、実質的に連続的な色変化を実現することができる。
【００２３】
本発明の発光ダイオードの基本的デザインは、半導体ｐｎ接合ダイオードから成るということであり、そのため、発光ダイオードは、それらと同じ基本特性を有している。大きな違いは、用いられる半導体材料の種類にある。非発光ダイオードは、シリコーンから作製され、場合によっては、ゲルマニウムまたはセレンから作製されるが、発光ダイオード用の出発物質は、直接遷移型半導体、大部分は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体としてのガリウム化合物である。
【００２４】
順方向の電圧が半導体ダイオードに印加されると、電子がｎ型ドープ側からｐ−ｎ接合へ移動する。電子は、ｐ型ドープ側に移動した後、エネルギー的に好適な価電子帯に移動する。伝導帯内の電子の欠陥電子（ホール）との衝突として解釈することもできるため、この移動は、「再結合」と呼ばれている。再結合中に放出されたエネルギーは、直接遷移型半導体中に光（光子）として放出することができる。
【００２５】
直接放出再結合に加えて、励起子およびフォノンの関与も可能であり、このことは、わずかに低いエネルギー放射およびより長い波長範囲への放射光のシフトをもたらすことになる。このメカニズムは、特に、緑色ガリウムリン発光ダイオードにおける励起子発光に影響を与える。
【００２６】
半導体のバンド構造は、特に、伝導帯から価電子帯への電子の移動におけるエネルギー伝達の挙動を決め、逆もまた同様である。本発明の範囲内で適切であるＬＥＤにおいては、直接遷移型半導体を排他的に意図することができる。それらの半導体は、「直接バンド遷移」によって特徴付けられ、このことは、伝導帯の下端における電子（伝導帯最少）と、価電子帯の上端における電子（価電子帯最大）が、同じ運動量を有していることを意味する。したがって、光子の放射（光）を伴う電子の直接遷移は、運動量の保存のためにフォノンが関与することなく可能である。直接遷移型半導体ＧａＡｓの量子収量は、約０．５であり、間接遷移型半導体Ｓｉの量子収量は、わずかに約１・１０−５である。
【００２７】
放出された光子のエネルギーは、バンドギャップのエネルギー、すなわち、伝導帯と価電子帯との間のエネルギー的距離に等しい。
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ただし、λ（ＷＤ）は放射光の波長であり、ｈはプランク定数であり、ｃは光の速度であり、ＷＤは仕事である。
【００２８】
バンドギャップ、すなわち、エネルギーギャップＥ″−Ｅ´のサイズは、エネルギー、すなわち、放射光の周波数、波長または色を決定する。それは、半導体の化学組成によって制御することができる。したがって、結晶格子中の原子の交換は、その格子定数またはその格子構造も含む、物質の結晶／分子構造を変える。例えば、半導体ガリウムヒ素は、近赤外領域における８８５ｎｍという波長に相当する１．４ｅＶの直接バンドギャップを有する。リンの添加はバンドギャップを増加させ、そのことは、放射光をより高いエネルギーにし、この場合、その波長が低下し、および色が赤外線から赤色および黄色に変化する。しかし、結晶中のリンの増加は、伝導帯も変形させる。リンがヒ素原子の５０％を置換する場合、バンドギャップは、ほぼ２電子ボルトになるが、このことは、６５０ｎｍの放射（赤色）に相当し、バンド構造が大幅にシフトするため、右側の図に示されているように、直接放射遷移はもはや観測されない。また、バンドギャップのエネルギーは、ダイオードの順方向電圧のレベルでも反映される。それは、長波長光の場合は約１．５Ｖであり、青色光の場合は、約３Ｖである。
【００２９】
生成された光の特性は、半導体材料およびドーパントを意図的に選択することによって変えることができる。スペクトル領域および効率は、主に以下のように影響される可能性がある。
・アルミニウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）−赤色（６６５ｎｍ）および１０００ｎｍ波長までの赤外線
・ガリウムヒ素リン（ＧａＡｓＰ）およびアルミニウムインジウムガリウムリン（ＡｌＩｎＧａＰ）−赤色、橙色および黄色
・ガリウムリン（ＧａＰ）−緑色
・炭化ケイ素（ＳｉＣ）−最初の工業用青色ＬＥＤ
・セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）−青色エミッタ
・窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）／窒化ガリウム（ＧａＮ）−紫外線、紫色、青色および緑色
・本発明によれば好適である白色ＬＥＤは、大部分は、波長変換器として機能する、その前面に発光層を備えた青色ＬＥＤである。
【００３０】
本発明による照明装置は、窒化物ベースのＬＥＤチップにより好適に適しているが、例えば、ＧａＰ、ＡｌＰ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＧａＰおよび／またはＩｎＧａＡｌＰ半導体材料を有するりん化物ベースのＬＥＤチップ等の他のチップタイプにおいて用いてもよい。このようなＬＥＤチップは、特に、（ｗｗｗ．ｉｍａｐｓ．ｏｒｇ／ｇｂｃ／ＩＭＡＰＳ０７／ＧＢＣ１＿ＰｈｉｌｉｐｓＬｕｍｉｌｅｄｓ．ｐｄｆの下で検索される）“Ｌｉｇｈｔｉｎｇｙｏｕｒｐａｔｈｔｏｔｈｅｆｕｔｕｒｅ”ＰｈｉｌｉｐｓＬｕｍｉｌｅｄｓＬｉｇｈｔｉｎｇＣｏｍｐａｎｙ，ＩＭＡＰＳ２００７年１１月から分かるため、本願明細書においては、これ以上詳細に説明しない。
【００３１】
（ＯＬＥＤ）
本発明による特に好適な光源はＯＬＥＤである。有機発光ダイオード、より具体的には、電流密度および輝度が低く、および単結晶材料が必要であるということから無機発光ダイオード（ＬＥＤ）と区別される、有機半導体材料で形成された発光薄膜素子がある。そのため、有機発光ダイオードは、従来の（無機）発光ダイオードと比較して、より少ないコストで薄膜技術で製造することができる。ＯＬＥＤは、いくつかの有機層で構成されている。通常は、ガラスシートの上にある酸化インジウム錫（ＩＴＯ）から成る正孔輸送層（ｈｏｌｅｔｒａｎｓｐｏｒｔｌａｙｅｒ：ＨＴＬ）が、陽極に施される。多くの場合、正孔の注入障壁を低くし、およびインジウムが接合部に拡散するのを防ぐために作用するＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの層が、製造方法により、ＩＴＯとＨＴＬとの間に施される。ＨＴＬは、染料（約５から１０％）を含有する、または、まれではあるが、全面的に染料から成る層、例えば、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム、すなわちＡｌｑ３によって被覆される。この層は、エミッタ層（ＥＬ）とも呼ばれている。それは、必要に応じて、電子輸送層に応じて、電子輸送層によって被覆される。完成させるために、カルシウム、アルミニウム、バリウム、ルテニウム、マグネシウム銀合金等の低仕事関数の金属または合金から成る陰極が、高真空から蒸着される。電子の注入障壁を低減するために、通常、フッ化リチウム、フッ化セシウムまたは銀から成る非常に薄い層が、陰極と、保護層としてのＥ（Ｔ）Ｌとの間に蒸着される。
【００３２】
ここで、電子が陰極から注入され、それと同時に、陽極は、「正孔」、すなわち、正電荷を供給する。正孔と電子は互いにドリフトして、理想的なケースにおいては、ＥＬ内で出会い、これが、この層が再結合層とも呼ばれる理由である。電子と正孔は、励起子と呼ばれる束縛状態を形成する。そのメカニズムにより、励起子は、既に、染料分子の励起状態を示し、または、励起子の減衰が、染料分子を励起するためのエネルギーを生成する。この染料は、異なる励起状態を有する。励起状態は、基底状態まで減衰して、光子（光の粒子）を放出することができる。放射光の色は、励起状態と基底状態の間のエネルギーギャップに依存し、および染料分子を変えることによって選択的に変更することができる。非放射三重項状態は問題を生じる。この状態は、いわゆる「励起子」を添加することによって解放することができる。
【００３３】
発光ダイオードの代わりに、ＬＥＴまたはＯＬＥＴと呼ばれる同等のトランジスタを用いてもよい。
【００３４】
（支持体）
上述したように、発光素子（ｂ）および支持体（ｃ）は、いわゆるチップまたはＬＥＤチップを構成する。
【００３５】
ＬＥＤチップの基本的技術および明示的デザインにより、一次光学素子に直面するチップの側は、例えば、サファイア、ＳｉＣ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＧａＩｎＮ、ガラス、ガラス中のリン、または、セラミック中のリン（この点において、上述した公報の１２ページに記載されているように、ＴＦＦＣＬＥＤをＬｕｍｉｒａｍｉｃ（商標）と比較する）を有することができる。この文脈において、ガラス、ガラス中のリン、または、セラミック中のリンは、ＬＥＤチップの構成要素と見なされている。
【００３６】
（一次光学素子）
一次光学素子は、好ましくはレンズ、特に、高屈折率ガラスで形成されたレンズである。好ましくは、その素子またはレンズは、ＬＥＤチップに対向している平坦面を有し、一方、そのＬＥＤチップから離れて面している側は、所望の配光を生じる輪郭を有している。
【００３７】
一次光学素子は、ＬＥＤチップの表面のみを本質的に覆うようなデザインを有することができる（「チップスケールレンズ」−図２）。この実施形態は、特に、ＬＥＤチップ内で生成された光が、本質的に、一次光学素子に対向する面を通って放射される場合に選択される。
【００３８】
しかし、一次光学素子は、ＬＥＤチップを越えて突出してもよく（「マッシュルームレンズ」−図２ｂ）、およびチップ表面を越えて突出している面に固定箇所を形成している。
【００３９】
別の実施形態では、一次光学素子は、ＬＥＤチップに対向している側にある開口部を備えてデザインしてもよく、その開口部はチップを収容する。チップをガラス中に埋め込むというこの方法により、チップの側面で出射する光は、ガラス本体まで通り過ぎることも可能である（「共形レンズ」−図２ｃ）。
【００４０】
（ガラス組成）
本発明の別の重要な特徴は、一次光学素子およびレンズがそれで形成されるガラスの組成に関連している。まず、レンズが慣用的に、ポリシロキサンではなく、とにかくガラスで形成されているという状況のみが、本発明の技術的成功に対する連帯的要因になっていることに留意すべきである。ガラスレンズを用いた場合にのみ、正確な光放射を実現することができ、また、ガラスレンズを用いた場合にのみ、安定性要件を満たすことができる。
【００４１】
さらに、ガラスが、四価金属、二価金属および一価金属から成る酸化物を含有していることが必要である。四価金属酸化物は、二酸化ケイ素、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、およびこれらの混合物から成る群から選択される。
【００４２】
二価金属酸化物は、酸化カルシウム、酸化マグネシウムおよび酸化亜鉛およびこれらの混合物から成る群から選択される。
【００４３】
一価金属酸化物は、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化リチウムおよびこれらの混合物から成る群から選択される。
【００４４】
好ましくは、個々の金属酸化物は、各三つの群にほぼ同じ量が含有されている。例外は、二酸化ケイ素の量が必然的に明確に多くなっている四価金属酸化物の群である。さらに、ガラスが、すべての新たに明示的に記述された酸化物を含有する場合が有利である。
【００４５】
適切なガラス組成の具体的な実施例は、表１に開示されている。特に好適な組成は、
（ａ１）約５８から約６３重量％の四価金属酸化物、
（ａ２）約１４から約２２重量％の二価金属酸化物、
（ａ３）約１４から約２０重量％の一価金属酸化物、
であり、ただし、合計が１００重量％になるという条件である。
【００４６】
別の重要な数量は屈折率ｎＤであり、その屈折率は、好ましくは、少なくとも１．５、好ましくは、少なくとも１．５５、より好ましくは、少なくとも１．６、および特に好ましくは、約１．７から約１．９という値を有する。
【００４７】
さらに、ガラスは、少なくとも８５％、好ましくは、少なくとも９０％という透過率が、１０×１０−６Ｋ−１以下、好ましくは、６×１０−６Ｋ−１以下の膨張係数、および層の厚さが１０ｍｍの場合に、４００から８００ｎｍのスペクトル範囲で実現されることを特徴とする。
【００４８】
有利には、ガラスは、約２．６５から約２．７５ｇ／ｃｍ３、特に、約２．６８から約２．７３ｇ／ｃｍ３の密度を有している。
【００４９】
また、約６００から約６５０ＨＶ０．１／２０の所定のビッカース硬度を有するガラスも好適である。
【００５０】
（ダイレクトボンディング）
ダイレクトボンディング（または、物理的ボンディング）においては、２つの滑らかな平面が、それらの分子引力のみを介して一緒に結合される。このため、それらの平面には、埃、グリースまたは他の汚れがあってはならない。そのため、本発明に関しては、一方の一次光学素子（ａ）と、他方の発光素子（ｂ）および支持体（ｃ）から成る複合体とで構成されるユニットの結合すべき面が、充分な粗度（Ｒａ）および平面性（ＰＶ）を有していることが重要である。
【００５１】
具体的には、それらの面は、１０ｎｍ以下、特に５ｎｍ以下の粗度（Ｒａ）と、１００ｎｍ以下、特に５０ｎｍ以下の平面性（ＰＶ）とを有していなければならない。
【００５２】
このような面品質は、例えば、研削および研磨により、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）により、および／または酸磨きによって実現することができる。特に、湿式化学エッチングと研磨の組合せが好適である。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明はさらに、部屋を照らすための、本発明による照明装置の用途に関する。この用途において、ＦＣＬＥＤは、単独で、または、グループで配置して、例えば、１チップ上にグループで用いることも
できる。
【実施例】
【００５４】
（実施例１から実施例５）
本発明による光学レンズの製造に適している異なるガラスの組成は、表１に示されている。
【００５５】
【表１】
2017520115.tif 000004
【図１ａ】
2017520115.tif 000005
【図１ｂ】
2017520115.tif 000006
【図１ｃ】
2017520115.tif 000007
【図２】
2017520115.tif 000008
【国際調査報告】
2017520115.tif 000009
2017520115.tif 000010
2017520115.tif 000011
2017520115.tif 000012
2017520115.tif 000013
2017520115.tif 000014