(57)【要約】  本発明は、追加的な酸受容体の非存在下、ピラゾール−カルボニル誘導体およびアミンから開始される、ピラゾール−カルボキサミド誘導体の製造方法に関する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）のカルボキサミド誘導体
【化１】
2017509673.tif 000014
［式中、
Ｒ１およびＲ２は、独立して、水素、任意にハロ置換されたＣ１−Ｃ４アルキルまたは任意にハロ置換されたＣ３−Ｃ７シクロアルキルから選択され、好ましくは水素またはＣ１−Ｃ２アルキル、より好ましくは水素またはメチル、さらにより好ましくは水素であり、
Ｚ１、Ｚ２およびＺ３は、独立して、水素、Ｃ１−Ｃ４アルキル、ハロ置換Ｃ１−Ｃ４アルキル、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル、ハロ置換Ｃ３−Ｃ６シクロアルキルからなる群から選択され、好ましくは、Ｚ１およびＺ２は、独立して、ハロ置換Ｃ１−Ｃ４アルキルから選択され、かつ、Ｚ３はＣ１−Ｃ４アルキルであり、より好ましくはＺ１およびＺ２は、独立して、ハロ置換Ｃ１−Ｃ２アルキルから選択され、かつ、Ｚ３はＣ１−Ｃ２アルキルであり、
Ｈａｌは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩから選択され、好ましくはＣｌである］
の製造方法であって、
式（ＩＩ）の化合物
【化２】
2017509673.tif 000015
［式中、
Ｚ１、Ｚ２およびＺ３は、独立して、水素、Ｃ１−Ｃ４アルキル、ハロ置換Ｃ１−Ｃ４アルキル、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル、ハロ置換Ｃ３−Ｃ６シクロアルキルからなる群から選択され、１つの、Ｚ１およびＺ２は、独立して、ハロ置換Ｃ１−Ｃ４アルキルから選択され、かつ、Ｚ３はＣ１−Ｃ４アルキルであり、より好ましくは、Ｚ１およびＺ２は、独立して、ハロ置換Ｃ１−Ｃ２アルキルから選択され、かつ、Ｚ３はＣ１−Ｃ２アルキルであり、かつ、
脱離基は、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ、またはＦ、Ｃｌ、ＢｒもしくはＩから選択されるハロゲンである］
と、式（ＩＩＩ）のアミン誘導体またはその塩（ＩＩＩ’）
【化３】
2017509673.tif 000016
［式中、
Ｒ１およびＲ２は、独立して、水素、任意にハロ置換されたＣ１−Ｃ４アルキルまたは任意にハロ置換されたＣ３−Ｃ７シクロアルキルから選択され、好ましくは水素またはＣ１−Ｃ２アルキル、より好ましくは水素またはメチル、さらにより好ましくは水素であり、
Ｈａｌは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩから選択され、好ましくはＣｌであり、
Ｘは、Ｆ−、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＨＳＯ４−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＢＦ４−、ＣＨ３ＳＯ３−、ｐ−トルエンスルホネート、ＣＦ３ＣＯＯ−またはＣＦ３ＳＯ３−からなる群から選択される］
とを、化合物（ＩＩＩ）または（ＩＹ）に加えて酸受容体の非存在下で行う、前記製造方法。
【請求項２】
前記アミン誘導体が、式（ＩＩＩａ）またはその塩（ＩＩＩａ’）
【化４】
2017509673.tif 000017
［式中、
Ｈａｌは、Ｆ、ＣｌまたはＢｒから選択される。好ましくは、ＨａｌはＣｌであり、かつ、
Ｘ−は、Ｆ−、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＨＳＯ４−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＢＦ４−、ＣＨ３ＳＯ３−、ＣＦ３ＣＯＯ−またはＣＦ３ＳＯ３−からなる群から選択される］
である、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記アミン誘導体が、式（ＩＩＩｂ）またはその塩（ＩＩＩｂ’）
【化５】
2017509673.tif 000018
［式中、
Ｘ−は、Ｆ−、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＨＳＯ４−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＢＦ４−、ＣＨ３ＳＯ３−、ＣＦ３ＣＯＯ−またはＣＦ３ＳＯ３−からなる群から選択される］
である、請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
前記式（ＩＩ）の化合物が、式の化合物
【化６】
2017509673.tif 000019
［式中、
脱離基は、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩから選択される］
である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項５】
前記式（ＩＩ）の化合物が、式（ＩＩｃ）の化合物
【化７】
2017509673.tif 000020
である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項６】
式（Ｉ）の化合物がＮ−［３−（ベンジルカルバモイル）−４−クロロフェニル]−１−メチル−３−（ペンタフルオロエチル）−４−（トリフルオロメチル）−１Ｈ−ピラゾール−５−カルボキサミドであり、式（ＩＩ）の化合物が式（ＩＩｂ）の化合物であり、かつ、式（ＩＩＩ）の化合物が式（ＩＩＩｂ）の化合物である、請求項１に記載の製造方法。
【請求項７】
前記化合物（ＩＩＩｂ）（またはその塩（ＩＩＩｂ’））と（ＩＩｃ）との比が、１：１〜１：３である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
式（Ｉ）の化合物を製造するための、式（ＩＩ）の化合物、好ましくは式（ＩＩａ）、（ＩＩｂ）または（ＩＩｃ）の化合物の使用。
【請求項９】
式（Ｉ）の化合物を製造するための、式（ＩＩＩ）の化合物、好ましくは式（ＩＩＩａ）もしくは（ＩＩＩｂ）の化合物またはそれらの塩の使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、酸受容体の非存在下で、対応するピラゾール酸誘導体(pyrazolic acid derivatives)（ハロゲン化物など）と芳香族アミン誘導体とから、既知の殺虫活性および殺ダニ活性のハロゲン置換化合物を製造するための新規な方法に関する。
【従来技術】
【０００２】
国際特許出願ＷＯ２０１０／０５１９２６により、対応する酸誘導体と所望の芳香族アミン誘導体とを反応させることにより、ピラゾール−カルボキサミド誘導体が得られることが知られている。しかしながら、前記反応は、活性化剤の存在下、かつ、酸受容体の存在下で行われていた。
【０００３】
国際特許出願ＷＯ２００６／１３６２８７により、酸受容体の非存在下で、５−フルオロ−１，３−ジメチル−１Ｈ−ピラゾール−４−カルボニルフルオリドと、異なるアニリン誘導体とが反応して、対応するカルボキシアミドを形成することが知られている。前記反応中に形成された弱酸（ＨＦ）は、低塩基性アニリンと塩を生成せず、反応を完了することができるので、前記反応は、酸受容体なしで行うことが可能であった。
【０００４】
さらに、国際特許出願ＷＯ２００６／０９２２９１により、１，３−ジメチル−５−フルオロ−４−ピラゾールカルボニルブロミドまたは１，３−ジメチル−５−フルオロ−４−ピラゾールカルボニルクロリドがそれぞれ、酸受容体の非存在下で２−アミノアセトフェノンと反応することが知られている。しかしながら、２−アミノアセトフェノンは、弱塩基であり、反応の間に形成されるＨＣｌなどの強酸は、反応の過程でアミンと完全に結合せず、従って、アミドの形成を妨げない。
【０００５】
特に、反応性のフッ素含有酸塩化物とアミンとが、塩基なしで反応する場合に、より塩基性の他のアミンとの反応が可能であるかどうか、また、どのような反応条件が必要であるかは予測されていない。特に、このカップリングに必要な高温では、二重アセチル化(double acetylation)も起こり、反応の選択性を著しく変える可能性がある。
【０００６】
それにもかかわらず、ＮＥｔ３、Ｐｙ、またはＮａＯＨのような無機塩基のような腋窩塩基(axillary bases)（酸受容体）の使用は、酸ハロゲン化物およびアミンから得られるアミドの形成に必須である（Schotten-Baum法）。多くの場合、アミドの形成に使用される過剰量のアミンは、形成された酸を捕捉するためにも使用することができる。追加的な塩基の使用は、プロセスをより高価にする。
【０００７】
今回、式（Ｉ）の化合物
【化１】
2017509673.tif 000002
［式中、
Ｒ１およびＲ２は、独立して、水素、任意にハロ置換されたＣ１−Ｃ４アルキルまたは任意にハロ置換されたＣ３−Ｃ７シクロアルキルから選択され、好ましくは水素またはＣ１−Ｃ２アルキル、より好ましくは水素またはメチル、さらにより好ましくは水素であり、
Ｚ１、Ｚ２およびＺ３は、独立して、水素、Ｃ１−Ｃ４アルキル、ハロ置換Ｃ１−Ｃ４アルキル、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル、ハロ置換Ｃ３−Ｃ６シクロアルキルからなる群から選択され、好ましくは、Ｚ１およびＺ２は、独立して、ハロ置換Ｃ１−Ｃ４アルキルから選択され、かつ、Ｚ３はＣ１−Ｃ４アルキルであり、より好ましくはＺ１およびＺ２は、独立して、ハロ置換Ｃ１−Ｃ２アルキルから選択され、かつ、Ｚ３はＣ１−Ｃ２アルキルであり、例えば、Ｚ１はペンタフルオロエチルであり、Ｚ２はトリフルオロメチルであり、かつ、Ｚ３はメチルであり、
Ｈａｌは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩから選択され、好ましくはＣｌである］
が、式（ＩＩ）の化合物、例えば、式（ＩＩ）のＺ１−Ｚ２−Ｚ３−１Ｈ−ピラゾール−５−カルボニルハライドのような、式（ＩＩ）の化合物であるＺ１−Ｚ２−Ｚ３−１Ｈ−ピラゾール−５−Ｃ（＝Ｏ）−脱離基の誘導体
【化２】
2017509673.tif 000003
［式中、
Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３は、本明細書で定義される通りであり、かつ、
脱離基は、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩからなる群から選択されるハロゲン、好ましくはＣｌである］
と、式（ＩＩＩ）のアミン誘導体
【化３】
2017509673.tif 000004
［式中、Ｒ１、Ｒ２およびＨａｌは、本明細書で定義される通りである］
とを、酸受容体（酸結合剤とも呼ばれる）の非存在下で反応させることにより製造されることを見出した。
【０００８】
本発明に関して、「酸受容体の非存在下で」とは、アミン反応物（ＩＩＩ）以外の酸受容体の非存在下であることを意味し、換言すれば、「追加的な酸受容体」の「追加的」は、式（ＩＩＩ）のアミン誘導体（またはその化学変化の一部であるその塩（ＩＩＩ’））に加えてであることを意味する。本発明の意味における「追加的な酸受容体」とは、本発明のアミン化合物に加えて、反応中に形成される強酸（脱離基アニオン＋水素カチオン）を、不溶性塩と弱酸とに変換することができる、例えば、銀シアン化物（ＡｇＣＮ）等の形成された酸(formed acid)の強度を低下させる塩基または化合物であり得る（例えば、形成されたＨＣＬ（脱離基が塩素である場合）はＡｇＣＮと反応して、不溶性のＡｇＣｌおよび弱塩基のＨＣＮになる）。
【０００９】
本発明に関して、「ハロアルキル」または「ハロ置換アルキル」（置換可能に使用することができる）は、少なくとも１個の水素がハロゲン（ハロ）で置換されたアルキル残基である。１つの好ましい実施形態において、アルキル残基のすべての水素は、ハロゲン、例えば、−Ｃ（ハロ）３、−Ｃ２（ハロ）５、−Ｃ３（ハロ）７、−Ｃ４（はろ）で置換されている。さらなる実施形態は、少なくとも１、２、３、４、５、６、７または８個の水素がハロゲンで置換されているハロアルキルである。好ましくは、ハロアルキル中のハロゲンは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩ、より好ましくはＦまたはＣｌ、最も好ましくはＦから選択される。同じ定義および実施形態が、「ハロシクロアルキル」または「ハロ置換シクロアルキル」についてもあてはまる。
【００１０】
アミンは、式（ＩＩＩ’）の塩の形態でも使用することができる
【化４】
2017509673.tif 000005
［式中、
Ｘは、Ｆ−、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＨＳＯ４−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＢＦ４−、ＣＨ３ＳＯ３−、ｐ−トルオールスルホネート、ＣＦ３ＣＯＯ−またはＣＦ３ＳＯ３−からなる群から選択され、好ましくはＣｌ−、Ｂｒ−、ＨＳＯ４−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＣＨ３ＳＯ３−、ｐ−トルエンスルホネート、ＣＦ３ＣＯＯ−またはＣＦ３ＳＯ３−であり、かつ、
Ｒ１、Ｒ２およびＨａｌは本明細書で定義される通りである］
【００１１】
１つの好ましい実施形態において、式（ＩＩ）の化合物は、式（ＩＩａ）の化合物である。
【化５】
2017509673.tif 000006
［式中、
ハロは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩ、好ましくはＦからなる群から選択され、脱離基は本明細書で定義される通りである］
【００１２】
好ましくは、式（ＩＩａ）中のハロ置換アルキル置換基は、過フッ化置換基である。
【００１３】
より好ましい実施形態において、式（ＩＩ）の化合物は、式（ＩＩｂ）の化合物である。
【化６】
2017509673.tif 000007
［式中、脱離基は本明細書で定義される通りである］
【００１４】
１つのより好ましい実施形態において、脱離基はＣｌまたはＦであり、さらにより好ましくはＣｌである（化合物（ＩＩｃ））。
【化７】
2017509673.tif 000008
【００１５】
別の好ましい実施形態において、式（ＩＩＩ）のアミン誘導体は、式（ＩＩＩａ）またはその塩（ＩＩＩａ’）の化合物である。
【化８】
2017509673.tif 000009
［式中、
ＨａｌはＦ、ＣｌまたはＢｒから選択され、好ましくは、ＨａｌはＣｌであり、かつ、
Ｘ−（化合物（ＩＩＩａ’）の場合）は、Ｆ−、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＨＳＯ４−、ＣＨ３ＣＯＯ−、ＢＦ４−、ＣＨ３ＳＯ３−、トルエンスルホネート（トルオールスルホネートのアニオン形態）、ＣＦ３ＣＯＯ−またはＣＦ３ＳＯ３−である。
【００１６】
驚くべきことに、式（Ｉ）のカルボキサミドは、本発明の条件下で、高い純度および選択性、良好な収率で製造することができる。本発明の方法のさらなる利点は、酸受容体が必要ないので、後処理がより簡単なことにある。これによって、同じ反応容器に脂肪族アルコールを添加することによる事前単離を行うことなく、排水をほとんどまたはまったく出さずに容易に精製することができ、処理をより高濃度で行うことができる。その結果、生成物は、酸受容体の存在下である従来の条件では、一般に、ほぼ９０％未満の純度であるのに対し、少ない試薬および労力で、９０％よりも高いか、または１００％に近い驚くべき純度で得られる。本発明の方法は、より経済的に実施可能である。
【００１７】
１つの好ましい実施形態は、化合物に加えて酸受容体の非存在下での、式（Ｉａ）の化合物の製造のための反応に関する。
【化９】
2017509673.tif 000010
［式中、
脱離基は、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩ、好ましくはＦまたはＣｌを意味し、かつ、
Ｒ１およびＲ２は、独立して、水素、任意にハロ置換されたＣ１−Ｃ４アルキルまたは任意にハロ置換されたＣ３−Ｃ７シクロアルキルから選択され、好ましくは水素またはＣ１−Ｃ２アルキル、より好ましくは水素またはメチル、さらにより好ましくは水素であり、
Ｈａｌは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩ、好ましくはＦまたはＣｌ、より好ましくはＣｌから選択される］
【００１８】
化合物（ＩＩＩ）の代わりに化合物（ＩＩＩ’）を用いる場合も同様の方法で行うことができる。
【００１９】
別の好ましい実施形態は、化合物（ＩＩＩ）に加えて酸受容体の非存在下での、式（Ｉａ）の化合物の製造のための反応に関する。
【化１０】
2017509673.tif 000011
［式中、
Ｒ１およびＲ２は、独立して、水素、任意にハロ置換されたＣ１−Ｃ４アルキルまたは任意にハロ置換されたＣ３−Ｃ７シクロアルキルから選択され、好ましくは水素またはＣ１−Ｃ２アルキル、より好ましくは水素またはメチル、さらにより好ましくは水素であり、かつ、
Ｈａｌは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩ、好ましくはＦまたはＣｌ、より好ましくはＣｌから選択される］
【００２０】
化合物（ＩＩＩ）の代わりに化合物（ＩＩＩ’）を用いる場合も同様の方法で行うことができる。
【００２１】
例えば、１−メチル−３−ペンタフルオロエチル−４−トリフルオロメチル−１Ｈ−ピラゾール−５−カルボニルクロリドおよび５−アミノ−Ｎ−ベンジル−２−クロロベンズアミドを出発物質として使用する場合には、化合物に加えて酸受容体の非存在下での本発明の方法は、以下の式スキームで説明することができる。
【化１１】
2017509673.tif 000012
この反応を良好に実施するために、本明細書で定義される化合物（ＩＩＩｂ）の塩を使用することができる。
【００２２】
（ＩＩＩｂ）の代わりに化合物（ＩＩＩｂ’）を用いる場合にも同様の方法で行うことができる。
【化１２】
2017509673.tif 000013
［式中、Ｘ−は本明細書で定義される通りである］
【００２３】
本発明の方法を実施する際に出発物質として使用される式（ＩＩ）のカルボニルの塩化物およびフッ化物（およびその生成物）は、例えば、ＷＯ２０１０／０５１９２６により公知である。
【００２４】
式（ＩＩＩｂ）のアミンまたはその塩（ＩＩＩｂ'）を使用することが好ましい。
【００２５】
本発明の方法は、好ましくは、式（Ｉｂ）の化合物Ｎ−［３−（ベンジルカルバモイル）−４−クロロフェニル］−１−メチル−３−（ペンタフルオロエチル）−４−（トリフルオロメチル）−１Ｈ−ピラゾール−５−カルボキサミドを製造するために使用される。
【００２６】
一つの態様はまた、式（Ｉ）の化合物を製造するための、式（ＩＩ）、好ましくは式（ＩＩａ）、（ＩＩｂ）または（ＩＩｃ）の化合物の使用に関する。
【００２７】
式（Ｉ）の化合物を製造するための、式（ＩＩＩ）、好ましくは式（ＩＩＩａ）もしくは（ＩＩＩｂ）の化合物、またはそれらの塩の使用に関する。
【００２８】
式（ＩＩＩ）のアミン誘導体およびそれらの塩は公知であるか、または公知の方法で製造することができる（例えば、ＷＯ２０１０／０５１９２６を参照）。本発明の方法は、希釈剤の存在下で行うことができる。この目的のために有用な希釈剤には、すべての不活性有機溶媒、好ましくは脂肪族、脂環族または芳香族炭化水素、例えば、石油エーテル、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレンまたはデカリン；ハロゲン化炭化水素、例えば、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、ジクロロメタン、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロエタンまたはトリクロロエタン；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチルｔ−ブチルエーテル、メチルｔ−アミルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、１，２−ジエトキシエタンまたはアニソール等のエーテル；アセトン、ブタノン、メチルイソブチルケトンまたはシクロヘキサノン等のケトン；アセトニトリル、プロピオニトリル、ｎ−またはｉ−ブチロニトリルまたはベンゾニトリル等のニトリル；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルホルムアニリド、Ｎ−メチルピロリドンまたはヘキサメチルホスホラミド等のアミドが含まれ、より好ましくはクロロベンゼンおよびトルエンが使用される。
【００２９】
好ましい希釈剤は、脂肪族、脂環族または芳香族炭化水素、例えば、石油エーテル、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレンまたはデカリン、およびハロゲン化炭化水素、例えば、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、ジクロロメタン、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロエタンまたはトリクロロエタンであり、例えば、トルエンまたはクロロベンゼンである。
【００３０】
本発明の方法を実施する際の反応温度は、比較的広い範囲内で変えることができる。一般に、７０℃〜１５０℃の温度、好ましくは８０℃〜１４０℃の温度、例えば、８０℃〜１３０℃または８０℃〜１２０℃等の１００℃または１００℃付近の範囲の温度を用いる。
【００３１】
本発明の方法では、一般に、ピラゾール−カルボキサミド誘導体（ＩＩ）、好ましくは（ＩＩａ）〜（ＩＩｆ）、式（ＩＩ）の１−メチル−３−ジフルオロメチル−５−フルオロ−１Ｈ−ピラゾール−４−カルボニルハライドの１モル当たり、０．８〜１．５モル、好ましくは０．８〜１．４モル、０．９〜１．４モル、等モル量または１〜１．２モルの、式（ＩＩＩ）、好ましくは（ＩＩＩａ）、（ＩＩＩａ’）、（ＩＩＩｂ）または（ＩＩＩｂ'）、特に好ましくは（ＩＩＩｂ）または（ＩＩＩｂ’）のアミン誘導体を使用する。
【００３２】
１つの好ましい実施形態は、化合物（ＩＩＩｂ）またはその塩（ＩＩＩｂ'）のそれぞれと、化合物（ＩＩｃ）との反応に関し、化合物（ＩＩＩｂ）（またはその塩（ＩＩＩｂ’））と（ＩＩｃ）とのモル比は、１：１〜１：３、好ましくは、１：１〜１：１．３である１：１〜１：２、またはちょうど１：１である。
【００３３】
反応物の反応性に応じて、反応時間は１５時間までであり得るが、変換が完了する場合は、反応をより早く終了することもできる。５〜１０時間の反応時間であることが好ましい。
【００３４】
本発明のすべての方法は、一般に、標準圧力下で行われる。しかしながら、加圧下または減圧下で、一般には０．１バール〜１０バールの間で作業することが可能である。反応容積からＨＣｌを除去するために、減圧下で作業することが好ましい。
【００３５】
本発明のすべての方法は、一般に大気下で行うことができる。しかし、本発明の方法は、アルゴンまたは窒素等の保護ガス下で行うことが好ましい。
【００３６】
後処理は、溶媒を除去し、生成物を沈殿させれば十分である。生成物を抽出し、溶液を水で洗浄することも可能である。すべての場合において、生成物は９５％以上の純度で生成したので、さらなる精製は必要ではなかった。
【００３７】
本発明の式（Ｉ）のカルボキサミドの製造は、上記の説明をさらに例示する以下の実施例に記載されている。しかしながら、実施例は限定的に解釈されるべきではない。
【実施例】
【００３８】
製造例
製造例：Ｎ−［３−（ベンジルカルバモイル）−４−クロロフェニル]−１−メチル−３−（ペンタフルオロエチル）−４−（トリフルオロメチル）−１Ｈ−ピラゾール−５−カルボキサミド
保護ガス（アルゴン）下で、最初に、１００ｍｌのトルエン中の２６ｇ（１００ｍｍｏｌ）の５−アミノ−Ｎ−ベンジル−２−クロロベンズアミドの溶液を充填した。３３ｇ（１００ｍｍｏｌ）の１−メチル−３−ペンタフルオロエチル−４−トリフルオロメチル−１Ｈ−ピラゾール−５−カルボニルクロリドを加え、混合物を１００℃で８時間撹拌した。後処理として、５０ｍｌの溶媒を真空下で除去し、沈殿物を濾別して、純度９６〜９７ｗ／ｗ％（理論値％は９３％）のＮ−［３−（ベンジルカルバモイル）−４−クロロフェニル]−１−メチル−３−（ペンタフルオロエチル）−４−（トリフルオロメチル）−１Ｈ−ピラゾール−５−カルボキサミド５３．６ｇを、融点１７４℃の白色結晶の形態で得た。
【００３９】
収率は、通常のとおり、１００％の純粋な化合物として計算された。純度９６〜９７ｗ／ｗ％の５３．６ｇは、純粋な（１００％の）化合物５１．４５、または純粋な化合物の収率９３％（５１．４５：５５．４理論）が得られたことを意味する。
【００４０】
製造例：Ｎ−［３−（ベンジルカルバモイル）−４−クロロフェニル]−１−メチル−３−（ペンタフルオロエチル）−４−（トリフルオロメチル）−１Ｈ−ピラゾール−５−カルボキサミド
保護ガス（アルゴン）下で、最初に、８０ｍｌのクロロベンゼン中の２６ｇ（１００ｍｍｏｌ）の５−アミノ−Ｎ−ベンジル−２−クロロベンズアミドの溶液を充填した。３３ｇ（１００ｍｍｏｌ）の１−メチル−３−ペンタフルオロエチル−４−トリフルオロメチル−１Ｈ−ピラゾール−５−カルボニルクロリドを加え、混合物を１０５℃で８時間撹拌した。後処理として、４５ｍｌの溶媒を真空下で除去し、沈殿物を濾別して、Ｎ−［３−（ベンジルカルバモイル）−４−クロロフェニル]−１−メチル−３−（ペンタフルオロエチル）−４−（トリフルオロメチル）−１Ｈ−ピラゾール−５−カルボキサミドを、融点１７２〜１７４℃の白色結晶として、純度９６ｗ／ｗ％、収率９５％で得た。
【００４１】
収率は、通常のとおり、１００％の純粋な化合物として計算された。純度９６ｗ／ｗ％の５５ｇのＮ−［３−（ベンジルカルバモイル）−４−クロロフェニル]−１−メチル−３−（ペンタフルオロエチル）−４−（トリフルオロメチル）−１Ｈ−ピラゾール−５−カルボキサミドは、純粋な（１００％の）化合物５２．８ｇ、または収率９５％である純粋な化合物５２．８ｇ：理論値の５５．４ｇ＝９５％が得られたことを意味する。
【国際調査報告】
2017509673.tif 000021
2017509673.tif 000022
2017509673.tif 000023