(57)【要約】  本開示の実施例は、折り曲げ可能および伸び縮み可能なデバイスのための波状インターコネクトと、関連の技術およびコンフィグレーションを説明する。一つの実施例において、インターコネクトアセンブリは、一つの平面を定めるフレキシブル基板と、フレキシブル基板上に配置され、かつ、集積回路（ＩＣ）デバイスの電気信号を平面と同一平面にある第１方向においてルーティングするように構成されている波状インターコネクトを含む。波状インターコネクトは、第１方向に垂直であり、かつ、平面と同一平面にある第２方向から見て波状プロフィールを有している。他の実施例が、説明及び／又は請求されてよい。
2017517890.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インターコネクトアセンブリであって、
一つの平面を定めるフレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板上に配置され、かつ、集積回路（ＩＣ）デバイスの電気信号を前記平面と同一平面にある第１方向においてルーティングするように構成されている波状インターコネクトであり、前記波状インターコネクトは、前記第１方向に垂直であり、かつ、前記平面と同一平面にある第２方向から見て波状プロフィールを有している、波状インターコネクトと、
を含む、インターコネクトアセンブリ。
【請求項２】
前記波状インターコネクトは、前記第１方向と前記第２方向に対して垂直な第３方向から見て直線プロフィールを有している、
請求項１に記載のインターコネクトアセンブリ。
【請求項３】
前記フレキシブル基板と前記波状インターコネクトは、前記第１方向において伸び、及び／又は、前記第１方向と前記第２方向に対して垂直な第３方向において曲がる、ように構成されている、
請求項１に記載のインターコネクトアセンブリ。
【請求項４】
前記波状インターコネクトは、前記第２方向から見て幅を有し、
前記波状プロフィールは、半アンプを有しており、かつ、
前記半アンプに対する前記幅の割合（幅／半アンプ）は、１／２より大きいか、等しい、
請求項１に記載のインターコネクトアセンブリ。
【請求項５】
前記波状インターコネクトは、前記第１方向と前記第２方向に対して垂直な第３方向から見て厚さを有し、かつ、
前記厚さに対する前記半アンプの割合（半アンプ／厚さ）は、１０より大きいか、等しい、
請求項４に記載のインターコネクトアセンブリ。
【請求項６】
前記波状プロフィールは、曲がったプロフィールである、
請求項１乃至５いずれか一項に記載のインターコネクトアセンブリ。
【請求項７】
前記波状インターコネクトは、前記第１方向において前記波状インターコネクトと平行に走る複数の波状インターコネクトのうちの一つである、
請求項１乃至５いずれか一項に記載のインターコネクトアセンブリ。
【請求項８】
前記波状インターコネクトは、金属を含み、かつ、
前記フレキシブル基板は、ポリマーを含む、
請求項１乃至５いずれか一項に記載のインターコネクトアセンブリ。
【請求項９】
集積回路（ＩＣ）アセンブリを製造するための方法であって、
フレキシブル基板を備えるステップであり、前記フレキシブル基板は一つの平面を定める、ステップと、
前記フレキシブル基板上に波状インターコネクトを形成するステップであり、
前記波状インターコネクトは、前記平面と同一平面にある第１方向において集積回路（ＩＣ）デバイスの電気信号をルーティングするように構成されており、
前記波状インターコネクトは、前記第１方向に垂直であり、かつ、前記平面と同一平面にある第２方向から見て波状プロフィールを有している、
ステップと、
を含む、方法。
【請求項１０】
前記波状インターコネクトを形成するステップは、
前記フレキシブル基板の表面において波状インターコネクトの表面上に波状プロフィールを形成するステップと、
前記波状プロフィールの上に金属をデポジットするステップと、
を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記波状プロフィールを形成するステップは、
印刷、モールディング、または、リソグラフィプロセスを使用するステップと、
を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記方法は、さらに、
前記波状インターコネクトをカバーするように、前記フレキシブル基板上にパッシベーション層をデポジットするステップと、
を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記方法は、さらに、
前記パッシベーション層をデポジットするステップの以前に、前記ＩＣデバイスを前記波状インターコネクトと電気的に接続するステップと、を含み、
前記パッシベーション層をデポジットするステップは、前記ＩＣデバイスの上に前記パッシベーション層をデポジットするステップと、を含む、
請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記波状インターコネクトを形成するステップは、
前記フレキシブル基板の実質的に平坦な表面上に金属をデポジットするステップと、
前記波状プロフィールを作成するために、前記金属と前記フレキシブル基板を成形するステップと、
を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記金属は、前記フレキシブル基板の第２側面とは反対側に配置された前記フレキシブル基板の第１側面上にデポジットされ、
前記方法は、さらに、
前記フレキシブル基板上にＩＣデバイスをマウントするステップと、
前記波状プロフィールを閉じ込めるために、前記フレキシブル基板の前記第１側面および前記第２側面の上にフレキシブルパッシベーション層をデポジットするステップと、
を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記フレキシブル基板は、第１フレキシブル基板であり、
前記方法は、さらに、
第２フレキシブル基板の中に前記ＩＣデバイスをエンベッドするステップと、
前記第１フレキシブル基板を前記第２フレキシブル基板と接続するステップと、
前記波状インターコネクトと前記ＩＣデバイスとの間に電気的な接続を形成するステップと、
を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１７】
前記電気的な接続を形成するステップは、
サブストレート貫通インターコネクトを形成するステップと、を含む、
請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
伸び縮み可能または折り曲げ可能な集積回路（ＩＣ）アセンブリであって、
集積回路（ＩＣ）デバイスと、
一つの平面を定めるフレキシブル基板と、
前記フレキシブル基板上に配置され、かつ、前記ＩＣデバイスの電気信号を前記平面と同一平面にある第１方向においてルーティングするように前記ＩＣデバイスと電気的に接続されている波状インターコネクトであり、前記波状インターコネクトは、前記第１方向に垂直であり、かつ、前記平面と同一平面にある第２方向から見て波状プロフィールを有している、波状インターコネクトと、
を含む、ＩＣアセンブリ。
【請求項１９】
前記波状インターコネクトは、前記第１方向と前記第２方向に対して垂直な第３方向から見て直線プロフィールを有している、
請求項１８に記載のＩＣアセンブリ。
【請求項２０】
前記ＩＣデバイスは、第１ＩＣデバイスであり、
前記ＩＣアセンブリは、さらに、
前記波状インターコネクトと電気的に接続された第２ＩＣデバイスであり、前記波状インターコネクトは、前記第１ＩＣデバイスと前記第２ＩＣデバイスとの間で電気信号をルーティングするように構成されている、第２ＩＣデバイスと、
を含む、請求項１８に記載のＩＣアセンブリ。
【請求項２１】
前記第１ＩＣデバイスは、ダイであり、かつ、前記第２ＩＣデバイスは、センサである、
請求項２０に記載のＩＣアセンブリ。
【請求項２２】
前記ＩＣデバイスは、前記フレキシブル基板と直接的に接続されており、
前記ＩＣアセンブリは、さらに、
前記波状インターコネクトと前記ＩＣデバイスの上に配置されたフレキシブルパッシベーション層を含む、
請求項１８に記載のＩＣアセンブリ。
【請求項２３】
前記波状インターコネクトは、前記フレキシブル基板の第１側面上に配置されており、
前記フレキシブル基板の第２側面は、前記波状インターコネクトの前記波状プロフィールに対応する波状プロフィールを有しており、かつ、前記第２側面は、前記第１側面とは反対側に配置されている、
請求項２２に記載のＩＣアセンブリ。
【請求項２４】
前記フレキシブル基板は、第１フレキシブル基板であり、
前記ＩＣデバイスは、前記第１フレキシブル基板と接続された第２フレキシブル基板の中にエンベッドされており、かつ、
前記ＩＣデバイスは、前記第１フレキシブル基板と前記第２フレキシブル基板の少なくとも一部分を通して延びるサブストレート貫通インターコネクトを使用して、前記波状インターコネクトと電気的に接続されている、
請求項１８に記載のＩＣアセンブリ。
【請求項２５】
前記ＩＣアセンブリは、人が身に付けることができる、
請求項１８乃至２４いずれか一項に記載のＩＣアセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示の実施例は、一般的に、集積回路（ＩＣ）アセンブリの分野に関する。そして、より特定的には、折り曲げ可能および伸び縮み可能なデバイスのための波状インターコネクトと、関連の技術およびコンフィグレーションに関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路（ＩＣ）デバイスは、様々な伸び縮み可能、折り曲げ可能、フレキシブル、及び/又は、ウェアラブル（ｗｅａｒａｂｌｅ）なデバイスの中に統合されている。そうしたイマージング（ｅｍｅｒｇｉｎｇ）デバイスのための電気ルーティング（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  ｒｏｕｔｉｎｇ）のインターコネクト密度は、より固いサブストレート上のＩＣデバイスに対するインターコネクト密度よりも一般的に小さい。例えば、伸び縮み可能なデバイスの現在のインターコネクト密度は、ミリメートル（ｍｍ）あたり約１入／出力（Ｉ／Ｏ）接続、または、より低い範囲にあるものである。低減されたフォームファクタを用いたバンド幅を改善するために、電気信号のルーティングのために必要とされる領域を削減することが望ましいであろう。
【図面の簡単な説明】
【０００３】
実施例は、添付の図面と併せて、以降の詳細の説明によって、直ちに理解されよう。この説明を促進するために、類似の参照番号は、類似の構造的エレメントを示している。実施例は、例示として説明されているのであり、そして、添付図面に係る図において限定するものとして説明されるのではない。
【図１】図１は、いくつかの実施例に従って、集積回路（ＩＣ）アセンブリの一つの実施例に係る側面の断面図を模式的に示している。
【図２】図２は、いくつかの実施例に従って、曲がったコンフィグレーションにおける図１のＩＣアセンブリの側面の断面図を模式的に示している。
【図３】図３は、いくつかの実施例に従って、波状インターコネクトを含むインターコネクトアセンブリの上面の断面図を模式的に示している。
【図４】図４は、いくつかの実施例に従って、波状インターコネクトを含むインターコネクトアセンブリの側面の断面図を模式的に示している。
【図５ａ】図５ａは、いくつかの実施例に従って、製造の様々なステージの最中におけるＩＣアセンブリの一つの実施例に係る側面の断面図を模式的に示している。
【図５ｂ】図５ｂは、いくつかの実施例に従って、製造の様々なステージの最中におけるＩＣアセンブリの一つの実施例に係る側面の断面図を模式的に示している。
【図５ｃ】図５ｃは、いくつかの実施例に従って、製造の様々なステージの最中におけるＩＣアセンブリの一つの実施例に係る側面の断面図を模式的に示している。
【図５ｄ】図５ｄは、いくつかの実施例に従って、製造の様々なステージの最中におけるＩＣアセンブリの一つの実施例に係る側面の断面図を模式的に示している。
【図５ｅ】図５ｅは、いくつかの実施例に従って、製造の様々なステージの最中におけるＩＣアセンブリの一つの実施例に係る側面の断面図を模式的に示している。
【図５ｆ】図５ｆは、いくつかの実施例に従って、製造の様々なステージの最中におけるＩＣアセンブリの一つの実施例に係る側面の断面図を模式的に示している。
【図６ａ】図６ａは、いくつかの実施例に従って、製造の様々なステージの最中におけるＩＣアセンブリの一つの実施例に係る側面の断面図を模式的に示している。
【図６ｂ】図６ｂは、いくつかの実施例に従って、製造の様々なステージの最中におけるＩＣアセンブリの一つの実施例に係る側面の断面図を模式的に示している。
【図６ｃ】図６ｃは、いくつかの実施例に従って、製造の様々なステージの最中におけるＩＣアセンブリの一つの実施例に係る側面の断面図を模式的に示している。
【図７】図７は、いくつかの実施例に従って、ＩＣアセンブリの別の実施例に係る側面の断面図を模式的に示している。
【図８ａ】図８ａは、いくつかの実施例に従って、製造の様々なステージの最中における図７のＩＣアセンブリの実施例に係る側面の断面図を模式的に示している。
【図８ｂ】図８ｂは、いくつかの実施例に従って、製造の様々なステージの最中における図７のＩＣアセンブリの実施例に係る側面の断面図を模式的に示している。
【図８ｃ】図８ｃは、いくつかの実施例に従って、製造の様々なステージの最中における図７のＩＣアセンブリの実施例に係る側面の断面図を模式的に示している。
【図８ｄ】図８ｄは、いくつかの実施例に従って、製造の様々なステージの最中における図７のＩＣアセンブリの実施例に係る側面の断面図を模式的に示している。
【図８ｅ】図８ｅは、いくつかの実施例に従って、製造の様々なステージの最中における図７のＩＣアセンブリの実施例に係る側面の断面図を模式的に示している。
【図８ｆ】図８ｆは、いくつかの実施例に従って、製造の様々なステージの最中における図７のＩＣアセンブリの実施例に係る側面の断面図を模式的に示している。
【図９】図９は、いくつかの実施例に従って、ＩＣアセンブリを製造する方法のためのフローチャートを模式的に示している。
【図１０】図１０は、いくつかの実施例に従って、ここにおいて説明されるような波状インターコネクトを有するＩＣアセンブリを含むコンピューティングデバイスに係る一つの実施例を模式的に示している。
【発明を実施するための形態】
【０００４】
本開示の実施例は、折り曲げ可能および伸び縮み可能なデバイスのための波状インターコネクトと、関連技術およびコンフィグレーションを説明する。以降の説明においては、他の当業者に対して自分の仕事の本質を伝えるために当業者によって一般的に使用される用語を使用して、説明的な実施に係る様々な態様が説明されるだろう。しかしながら、当業者にとっては、説明された態様のいくつかだけを用いて、本開示の実施例が実行され得ることが明らかである。説明目的のために、説明された実施の完全な理解を提供するように、特定の数、材料、および構成が明らかにされる。しかしながら、特定の詳細が無くても本開示の実施例が実行され得ることが、当業者にとっては明らかである。他のインスタンスにおいては、説明的な実施例を不明確にしないように、よく知られた機能は省略され、または、簡素化される。
【０００５】
以下の詳細な説明においては、添付の図面が参照される。図面は、ここの一部分を形成しており、類似の数字は、全てを通じて類似のパーツを示している。その中で説明として、実施例が示され、その中で本開示に係る技術的事項が実行され得る。他の実施例が使用され得ること、および、本開示の範囲から逸脱することなく構造的または論理的な変更がなされ得ることが理解されるべきである。従って、以下の詳細な説明は、限定する意味において理解されるべきではなく、そして、実施の範囲は、添付の特許請求とその均等物によって定められるものである。
【０００６】
本発明開示の目的のために、フレーズ「Ａ及び/又はＢ」は、（Ａ）、（Ｂ）、または、（ＡとＢ）を意味する。本発明開示の目的のために、フレーズ「Ａ、Ｂ、及び/又はＣ」は、（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（ＡとＢ）、（ＡとＣ）、（ＢとＣ）、または、（ＡとＢとＣ）を意味する。
【０００７】
説明は、トップ／ボトム、イン／アウト、上／下、等といった視点ベースの記述を使用し得る。そうした記述は、説明を促進するために単に使用されるものであって、ここにおいて説明される実施例の適用を表して特定の方向について限定するように意図されたものではない。
【０００８】
説明は、フレーズ「一つの実施例において、」または「実施例において、」を使用し得るが、それぞれが一つまたはそれ以上の同一または異なる実施例を参照してよい。さらに、用語「含む、有する（”ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ”、”ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ”、および”ｈａｖｉｎｇ”）」等は、本開示の実施例に関して使用される際には、同義のものである。
【０００９】
用語「結合された（”ｃｏｕｐｌｅｄ  ｗｉｔｈ”）」は、その派生語に加えて、ここにおいて使用されてよい。「結合（”ｃｏｕｐｌｅｄ”）」は、以下のうち一つまたはそれ以上を意味し得る。「結合」は、２つまたはそれ以上のエレメントが直接に物理的または電気的に接触していることを意味してよい。しかしながら、「結合」は、また、２つまたはそれ以上のエレメントがお互いに間接的に接触していることも意味し得るが、それでもなお、お互いに協働または相互作用するものである。そして、一つまたはそれ以上の他のエレメントが、お互いに結合されたといわれるエレメント間において結合され、または接続されていることを意味してよい。
【００１０】
種々の実施例において、フレーズ「第２形体（ｆｅａｔｕｒｅ）上に形成され、デポジットされ、もしくは、そうでなければ配置された第１形体」は、第１形体が第２形体の上に形成され、デポジットされ、または配置されていること、そして、第１形体の少なくとも一部分が、第２形体の少なくとも一部分と直接的に接触（例えば、直接的な物理的及び／又は電気的な接触）、または、間接的に接触（例えば、第１形体と第２形体との間に一つまたはそれ以上の他の形体を有していること）を意味してよい。
【００１１】
ここにおいて使用されるように、用語「モジュール（”ｍｏｄｕｌｅ”）」は、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、電子回路、システムオンチップ（ＳｏＣ）、プロセッサ（共有、専用、またはグループ）、及び／又は、一つまたはそれ以上のソフトウェアまたはファームウェアプログラムを実行するメモリ（共有、専用、またはグループ）、組み合わせ論理回路、及び／又は、説明される機能性を提供する他の適切なコンポーネントを参照し、その一部であり、または、含んでよい。
【００１２】
図１は、いくつかの実施例に従って、集積回路（ＩＣ）アセンブリの一つの実施例に係る側面の断面図を模式的に示している。ＩＣアセンブリ１００は、いくつかの実施例における伸び縮み可能及び/又は折り曲げ可能なＩＣアセンブリ１００を表してよい。例えば、いくつかの実施例において、ＩＣアセンブリ１００は、ウェアラブルデバイス（例えば、人によって着ることが可能な製品）であってよい。様々な実施例に従って、ＩＣアセンブリ１００は、見て分かるように、フレキシブル基板１０２、一つまたはそれ以上の波状インターコネクト（以降において「波状インターコネクト１０４」）、一つの実施例において、ＩＣデバイス（例えば、ＩＣデバイス１０６ａ、１０６ｂ）、および、パッシベーション層１０８を含んでいる。
【００１３】
フレキシブル基板１０２は、伸び、及び/又は、曲がるように構成されている材料で構成されてよい。例えば、いくつかの実施例において、フレキシブル基板１０２は、弾性材料で構成されてよい。いくつかの実施例において、フレキシブル基板１０２は、有機材料（例えば、炭素を含んでいるもの）で構成されてよい。例えば、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ボム、シリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）（例えば、プラチナシリコーン）、ポリイミド、等といったポリマーを含んでいる。他の実施例において、フレキシブル基板１０２は、例えば、シリカ（ｓｉｌｉｃａ）、または、他の非有機材料で構成されるフィルターパーティクルといった、非有機材料で構成されてよい。フレキシブル基板１０２は、他の実施例において、他の適切な材料で構成されてよい。
【００１４】
いくつかの実施例において、波状インターコネクト１０４は、フレキシブル基板１０２上に配置されてよい。波状インターコネクト１０４は、見て分かるように、波形プロフィールを有してよく、そして、電気信号をルーティングするように構成されてよい。例えば、一つまたはそれ以上のＩＣデバイス１０６ａ、１０６ｂの入／出力（Ｉ／Ｏ）信号または電源／グラウンド、といったものである。例えば、いくつかの実施例において、波状インターコネクトは、ＩＣデバイス１０６ａと１０６ｂとの間で電気信号をルーティングする。波状インターコネクト１０４は、例えば、金属といった、電気導電性材料で構成されてよい。いくつかの実施例において、波状インターコネクト１０４は、銅、ニッケル、金、アルミニウム、銀、または、これらの組み合わせで構成されてよく、そして、導電性インク、半田ペースト、または、他の適切な形式であってよい。波状インターコネクト１０４は、他の実施例において他の適切な材料で構成されてよい。
【００１５】
波状インターコネクト１０４の波状プロフィールにより、ＩＣアセンブリ１００の動きのフレキシブルな範囲ができる。例えば、いくつかの実施例において、ＩＣアセンブリは、伸ばされ、曲げられ、または、そうでなければ変形されてよい。図２を簡潔に参照すると、いくつかの実施例に従って、曲がったコンフィグレーションにおける図１のＩＣアセンブリ１００の実施例に係る側面の断面図が描かれている。描かれた実施例において、ＩＣアセンブリ１００は、環状の形状を形成するように曲げられている。ＩＣアセンブリ１００は、曲がったコンフィグレーションに限定されるものではなく、様々な目標に合うように種々の適切なコンフィグレーションへと伸ばされ、及び/又は、曲げられてよい。例えば、ＩＣアセンブリ１００は、人が着るための品物の中に容易に組み込まれ得る形状を提供するために、伸ばされ、及び/又は、曲げられてよい。描かれた実施例において、ＩＣアセンブリ１００の端部は、人の腕、脚、または、首の周りに身に付けられ得る環状の形状を提供するように、あらゆる適切な手段を使用して共に結合されてよい。他の実施例において、ＩＣアセンブリ１００は、衣服、アクセサリー、または、他の製品に係る品物の中に組み込まれてよく、ＩＣアセンブリ１００のフレキシブルな特質により、ＩＣアセンブリを曲げたり、または、伸ばしたりすることができる。
【００１６】
図１と図２の両方を参照すると、一つまたはそれ以上のＩＣデバイス１０６ａと１０６ｂは、波状インターコネクト１０４を用いて電気的に接続されてよい。描かれた実施例において、ＩＣアセンブリ１００は、ＩＣデバイス１０６ａと１０６ｂがフレキシブル基板と直接的に接続されている波状インターコネクト基板（ｗａｖｙ  ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ  ｂｏａｒｄ、ＷＩＢ）を表してよい。例えば、ＩＣデバイス１０６ａと１０６ｂは、サーフェスマウント技術（ＳＭＴ）を使用してフレキシブル基板上にマウントされてよい。描かれた実施例において、ＩＣデバイス１０６ａは、フレキシブル基板１０２の上で電気接点（例えば、パッド、トレース−図示されていない）と接続されてよい。接点は、例えば、バンプ、ピラー、または、類似の構造体といった、一つまたはそれ以上のダイ（ｄｉｅ）インターコネクト構造体１０５ａを使用している波状インターコネクト１０４とそれぞれに対応するものである。ＩＣデバイス１０６ａは、例えば、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）、または、他の導電性接着剤といった、ダイ接続フィルム１０５ｂを使用して、波状インターコネクト１０４のそれぞれの電気接点と接続されてよい。一つまたはそれ以上のＩＣデバイス１０６ａ、１０６ｂは、他の実施例において、他の適切な技術を使用してフレキシブル基板１０２と接続されてよい。
【００１７】
ＩＣデバイス１０６ａ、１０６ｂは、多種多様な適切なＩＣデバイスのあらゆるものを表してよい。例えば、いくつかの実施例において、ＩＣデバイス１０６ａ、１０６ｂのいずれかは、ダイ、パッケージ、センサ、ソケット、バッテリー、受動素子、通信インターフェイス、または、集積回路を伴う他のあらゆる適切なデバイスを表してよい。ダイまたはパッケージは、プロセッサ、メモリ、システムオンチップ（ＳｏＣ）、または、ＡＳＩＣであってよく、それらを含み、または、それらの一部であってよい。一つの実施例において、ＩＣデバイス１０６ａは、ダイを表してよく、そして、ＩＣデバイス１０６ｂは、あらゆる適切なタイプのセンサを表してよい。ダイは、センサから情報を受け取り、かつ、受け取った情報に基づいて動作を実行するように構成されてよい。いくつかの実施例において、一つまたはそれ以上のＩＣデバイス１０６ａ、１０６ｂは、フレキシブル基板１０２及び／又はフレキシブルパッシベーション層１０８と比較して固くてよい。
【００１８】
いくつかの実施例において、フレキシブルパッシベーション層１０８は、見て分かるように、フレキシブル基板１０２上に形成されてよい。いくつかの実施例において、フレキシブルパッシベーション層１０８は、波状インターコネクト１０４及び／又は一つまたはそれ以上のＩＣデバイス１０６ａ、１０６ｂの上に配置されてよい。フレキシブルパッシベーション層１０８は、一つまたはそれ以上のＩＣデバイス１０６ａ、１０６ｂを少なくとも部分的に、または、完全にカプセル化するように構成された、例えば、モールディングコンパウンド、もしくは、他のダイ封止剤であってよい。フレキシブルパッシベーション層１０８は、フレキシブル基板１０２に関連して説明された材料を含む、多種多様な適切な材料で構成されてよい。一つの実施例において、フレキシブルパッシベーション層１０８は、フレキシブル基板１０２と同じ材料組成を有してよい。
【００１９】
図３は、いくつかの実施例に従って、波状インターコネクト１０４を含むインターコネクトアセンブリ３００の上面の断面図を模式的に示している。そして、図４は、いくつかの実施例に従って、波状インターコネクト１０４を含むインターコネクトアセンブリ３００の側面の断面図を模式的に示している。見て分かるように、波状インターコネクト１０４は、フレキシブル基板１０２上に配置されてよく、かつ、フレキシブルパッシベーション層１０８は、波状インターコネクト１０４の上に配置されてよい。フレキシブル基板１０２、波状インターコネクト１０４、および、フレキシブルパッシベーション層１０８は、図１と図２に関連して説明された実施例と共に動いてよく、そして、その逆もまた同様である。
【００２０】
いくつかの実施例において、フレキシブル基板１０２は、図３を見て分かるように、ｘ方向とｙ方向において一般的に拡がり得る平面を定めてよい。いくつかの実施例において、波状インターコネクト１０４は、ｘ方向、上記平面と同一平面であってよい、においてＩＣデバイス（例えば、図１−図２のＩＣデバイス１０６ａ、１０６ｂ）の電気信号をルーティングするように構成されてよい。波状インターコネクトは、お互いについて平行に走ってよく、そして、図を見て分かるように、ｘ方向とｙ方向に垂直な方向（例えば、図４のｚ方向）から見たときに、直線を有してよい。いくつかの実施例において、波状インターコネクト１０４は、図４を見て分かるように、ｘ方向に対して垂直であり、かつ、フレキシブル基板１０２によって定められる平面と同一平面である方向（例えば、図３のｙ方向）から見たときに、波状プロフィールを有してよい。
【００２１】
図３と図４に関連して説明されたような波状インターコネクト１０４の波状プロフィールのコンフィグレーションにより、ｚ方向から見たときに（例えば、図３のように上面から見たときに）波状プロフィールを有する蛇行したインターコネクトを有しているＩＣアセンブリと比較して、ＩＣアセンブリ（例えば、図１のＩＣアセンブリ１００）において、より高いインターコネクト密度ができる。例えば、そうした蛇行インターコネクトのうち一つの蛇行インターコネクトは、約１００ミクロンの幅のラインと約１．５ミリの蛇行幅を有してよく、ミリメートルあたり約１Ｉ／Ｏ接続のインターコネクト密度を提供する。他方では、一つの実施例において、本開示に係る波状インターコネクト１０４のうち個々の波状インターコネクトは、約１０ミクロンのライン幅（例えば、ｙ方向におけるもの）を有してよく、そして、隣接する波状インターコネクト間のスペースは、約１０ミクロン（隣接する波状インターコネクト間のピッチが約２０ミクロン）であり、ミリメートルあたり約５０Ｉ／Ｏ接続のインターコネクト密度を提供する。従って、本開示に係る波状インターコネクト１０４は、同様な曲げ及び／又は伸ばし強度について、蛇行インターコネクトと比較して、約５０倍またはそれ以上の倍率でインターコネクト密度を増加させ得るものである。波状インターコネクト１０４は、例えば、ミリメートルあたり約１０から１００Ｉ／Ｏ接続を含んでいる他の実施例において、他の適切なインターコネクト密度を有してよい。いくつかの実施例において、波状インターコネクト１０４のそれぞれは、厚さ（例えば、ｚ方向におけるもの）を有してよい。いくつかの実施例において、厚さに対する半アンプ（ｓｅｍｉ−ａｍｐｌｉｔｕｄｅ）の割合は、１０より大きいか、または、同じであってよい。
【００２２】
波状インターコネクト１０４の波状プロフィールは、半アンプ（例えば、ピークトゥピークのアンプの半分）を有してよい。いくつかの実施例においては、波状インターコネクト１０４のライン幅に対する半アンプの割合が、１：２、または、１／２より大きくてよい。より柔らかく／よりフレキシブルな材料（例えば、ＰＤＭＳ）を有しているフレキシブル基板１０２について、波状インターコネクト１０４のライン幅に対する半アンプの割合は、フレキシブル基板１０２を効果的に延ばし、及び／又は、曲げることができるように、１：１５、または、１／１５より大きくてよい。破壊することのない伸ばし、及び／又は、曲げといった屈曲に耐えるための波状インターコネクト１０４の有効性は、ライン幅に対する半アンプの割合に基づいている。一方で、いくつかの実施例に従って、インターコネクトの厚さとライン幅は、ほとんど無関係である。しかしながら、上記の蛇行インターコネクトについて、そうした屈曲に耐えるための有効性は、蛇行インターコネクトのライン幅に対する蛇行幅の割合に基づくものであってよい。波状インターコネクト１０４により、フィルム厚さをコントロールするためのプロセスは、ライン幅をコントロールするためのプロセスよりも正確であり得るという少なくとも一つの理由のために、ずっと高いインターコネクト密度ができる。例えば、波状インターコネクト１０４のうち一つの波状インターコネクトは、１０ミクロンのライン幅／スペース、１ミクロンの厚さ、および、５０ミクロンの半アンプを有してよい。一方、蛇行インターコネクトは、２０ミクロンのライン幅／スペース、および、１ミリメートルの蛇行幅を有してよく、同様な伸ばし、及び／又は、曲げの回復力を提供する。そうした事例において、波状インターコネクトは、蛇行インターコネクトよりも約５０倍以上、または、それより大きいインターコネクト密度を提供する。
【００２３】
いくつかの実施例において、フレキシブル基板１０２と波状インターコネクト１０４は、ｘ方向において伸び、及び／又は、ｚ方向において曲がるように構成されてよい。フレキシブル基板１０２と波状インターコネクト１０４は、他の実施例において他の適切な方向において、伸び、及び／又は、曲がるように構成されてよい。
【００２４】
図４の描かれた実施例において、波状インターコネクト１０４の波状プロフィールは、曲がったプロフィールである（例えば、丸められた端を有している）。他の実施例において、波状プロフィールは、例えば、三角形状、長方形状、または、不規則な形状を含む他の形状を有してよい。曲がった波状プロフィールは、鋭い角を有している波状プロフィールより望ましいものであり得る。応力集中は、鋭い角と同時に発生し、フレキシブル基板１０２を変形し得るものだからである。
【００２５】
図５ａから図５ｆは、いくつかの実施例に従って、製造の様々なステージの最中におけるＩＣアセンブリ５００の一つの実施例に係る側面の断面図を模式的に示している。いくつかの実施例において、図５ａから図５ｆに関連して説明される技術は、ＷＩＢを形成するために使用されてよい。様々な実施例に従って、ＩＣアセンブリ５００は、図１−図２のＩＣアセンブリ１００に関連して説明される実施例を用いて動作してよい。その逆もまた同様である。
【００２６】
図５ａを参照すると、ＩＣアセンブリ５００が、フレキシブル基板１０２の表面に波状プロフィールを形成した後に続いて、描かれている。波状プロフィールは、フレキシブル基板１０２の波状プロフィールの上に形成されることになる波状インターコネクトの波状プロフィールに対応してよい。波状プロフィールは、例えば、印刷、モールディング、または、リソグラフィプロセスを含む、種々の適切な技術に従って形成されてよい。波状プロフィールは、他の実施例において、他の適切な技術を使用して形成されてよい。
【００２７】
図５ｂを参照すると、ＩＣアセンブリ５００が、グラビア印刷プロセスを使用してフレキシブル基板１０２の表面に波状プロフィールを形成している最中に、描かれている。グラビア印刷プロセスにおいて、フレキシブル基板１０２は、フレキシブル基板１０２よりも固い材料で構成された印刷エレメント５５５を使用する波状プロフィールパターンを用いてインプリント（ｉｍｐｒｉｎｔ）されてよい。印刷エレメント５５５は、フレキシブル基板１０２の表面上を転がってよく、そして、波状プロフィールを作成するように、フレキシブル基板１０２の表面に、印刷エレメント５５５の表面上のパターンに対応するギザギザ（ｉｎｄｅｎｔａｔｉｏｎ）を形成してよい。いくつかの実施例において、印刷プロセスは、印刷のためのより柔らかな材料を提供するように、フレキシブル基板１０２のキュアリング（ｃｕｒｉｎｇ）より先に実行される。
【００２８】
図５ｃを参照すると、ＩＣアセンブリ５００が、けば状の（ｆｕｚｚｙ）リソグラフィプロセスを使用してフレキシブル基板１０２の表面に波状プロフィールを形成している最中に、描かれている。けば状のリソグラフィプロセスは、例えば、フレキシブル基板１０２の上に感光性（ｐｈｏｔｏｄｅｆｉｎａｂｌｅ）材料５５７をデポジット（ｄｅｐｏｓｉｔ）すること、および、パターン化することを含んでよい。感光性材料５５７は、フレキシブル基板１０２に波状プロフィールを形成するように、グレースケールリソグラフィ、部分的にフォトトランスペアレントな（ｐｈｏｔｏｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ）レジスト、低解像度の感光性材料、深度焦点外れ（ｏｕｔ  ｏｆ  ｄｅｐｔｈ  ｆｏｃｕｓ）、または、他の適切な技術を使用して、プロセスされてよい。
【００２９】
図５ｄを参照すると、ＩＣアセンブリ５００が、一つまたはそれ以上の波状インターコネクト１０４を形成するために波状プロフィールの上に金属をデポジットした後に続いて、描かれている。金属は、例えば、付加的（ａｄｄｉｔｉｖｅ）または減算的（ｓｕｂｓｔｒａｃｔｉｖｅ）プロセスを含む、あらゆる適切なプロセスを使用してデポジットされてよい。いくつかの実施例において、金属は、単一のフィルムとして最初にデポジットされ、そして、その後に続いて、波状インターコネクト１０４の個別のラインを形成するようにパターン化されてよい。
【００３０】
図５ｅを参照すると、ＩＣアセンブリ５００が、フレキシブル基板１０２上に一つまたはそれ以上のＩＣデバイス１０６ａ、１０６ｂをマウントした後に続いて、描かれている。ＩＣデバイス１０６ａ、１０６ｂは、ＳＭＴまたは他の適切なマウント技術を使用して、フレキシブル基板１０２と直接的に接続されてよい。いくつかの実施例において、ＩＣデバイス１０６ａは、例えば、バンプまたはピラーといった、ダイインターコネクト構造体１０５ａを使用して波状インターコネクト１０４と接続されてよい。いくつかの実施例において、ＩＣデバイス１０６ｂは、ＡＣＦを使用して波状インターコネクト１０４と接続されてよい。ＩＣデバイス１０６ａ、１０６ｂは、他の実施例において、他の適切な技術を使用してフレキシブル基板１０２と接続されてよい。
【００３１】
図５ｆを参照すると、ＩＣアセンブリ５００が、フレキシブル基板１０４上にフレキシブルパッシベーション層１０８を形成した後に続いて、描かれている。いくつかの実施例において、フレキシブルパッシベーション層１０８は、波状インターコネクト１０４をカバーするように、フレキシブル基板１０２上に電気的な絶縁材料をデポジットすることによって形成されてよい。いくつかの実施例において、フレキシブルパッシベーション層１０８の材料は、ＩＣデバイス１０６ａ、１０６ｂを部分的に、または、完全にカプセル化するようにデポジットされてよい。フレキシブルパッシベーション層１０８の材料は、例えば、モールディング及び／又はラミネーションプロセスを含む、あらゆる適切なプロセスを使用してデポジットされてよい。ＩＣアセンブリ５００は、曲げられ、伸ばされ、または、そうでなければ別の形状（例えば、図２の曲がったコンフィグレーション）へと曲げられてよい。
【００３２】
図６ａから図６ｃは、いくつかの実施例に従って、製造の様々なステージの最中におけるＩＣアセンブリ６００の一つの実施例に係る側面の断面図を模式的に示している。いくつかの実施例において、図６ａから図６ｃに関連して説明される技術は、ＷＩＢを形成するために使用されてよい。様々な実施例に従って、ＩＣアセンブリ６００は、図１−図２のＩＣアセンブリ１００に関連して説明される実施例を用いて動作してよい。その逆もまた同様である。
【００３３】
図６ａを参照すると、ＩＣアセンブリ６００が、フレキシブル基板１０２上に波状インターコネクトのルーティングライン５０４を形成した後に続いて、描かれている。いくつかの実施例において、フレキシブル基板１０２は、キャリア５７０と一時的に結合されてよく、そして、見て分かるように、キャリア５７０と離れて向いている実質的に平坦な表面を有している。フレキシブル基板１０２は、金属のデポジションに先立ってキャリア５７０と結合されてよい。いくつかの実施例において、金属は、フィルムとしてデポジットされたブランケット（ｂｌａｎｋｅｔ）であってよく、波状インターコネクトのルーティングライン５０４を形成するように、例えば、エッチ（ｅｔｃｈ）及び／又はリソグラフィプロセスを使用して実質的にパターン化された、金属層を提供する。他の実施例において、金属は、波状インターコネクトのルーティングライン５０４を形成するように、選択的にデポジットされてよい（例えば、インク印刷プロセス）。
【００３４】
図６ｂを参照すると、ＩＣアセンブリ６００が、フレキシブル基板１０２からキャリア５７０を分離し、そして、波状プロフィールを有する波状インターコネクト１０４を作成するように金属とフレキシブル基板１０２を成形（ｓｈａｐｉｎｇ）した後に続いて、描かれている。いくつかの実施例において、フレキシブル基板１０２は、キャリア５７０から離されてよく、そして、その後に続いて、金属とフレキシブル基板１０２を局所的に変形するように、例えば、プレスまたはケミカル（ｃｈｅｍｉｃａｌ）プロセスを使用して、フレキシブル基板１０２が成形されてよい。いくつかの実施例においては、見て分かるように、形成プロセスは、波状プロフィールが、インターコネクトフレキシブル基板１０２の反対側に形成されるようにしてよい。
【００３５】
図６ｃを参照すると、ＩＣアセンブリ６００が、フレキシブル基板１０２上にＩＣデバイス１０６ａ、１０６ｂをマウントし、そして、フレキシブル基板１０２上にフレキシブルパッシベーション層１０８を成形した後に続いて、描かれている。ＩＣデバイス１０６ａ、１０６ｂは、図５ｅに関連して説明された技術に従って、マウントされてよい。いくつかの実施例において、フレキシブルパッシベーション層１０８は、見て分かるように、波状インターコネクト１０４の波状プロフィールを閉じ込める（ｌｏｃｋ  ｉｎ）ようにフレキシブル基板１０２の反対側において形成されてよい。
【００３６】
図７は、いくつかの実施例に従って、ＩＣアセンブリ７００の別の実施例に係る側面の断面図を模式的に示している。様々な実施例に従って、ＩＣアセンブリ７００は、波状インターコネクトモジュール（ＷＩＭ）コンフィグレーションにおいて構成されてよい。
【００３７】
いくつかの実施例において、波状インターコネクト１０４は、フレキシブル基板１０２とパッシベーション層１０８を含んでいるモジュール７８１の中にエンベッドされている。いくつかの実施例において、モジュール７８１は、フレキシブル基板と波状インターコネクト１０４だけを含んでよい。例えば、フレキシブルパッシベーション層１０８ａが、いくつかの実施例において、波状インターコネクト１０４の上にデポジットされてよい。
【００３８】
波状インターコネクト１０４は、別のフレキシブル基板７０２の中にエンベッドされたＩＣデバイス１０６ａ、１０６ｂと電気的に接続されてよい。見て分かるように、例えば、めっきスル―ホール（ＰＴＨ）またはビア（ｖｉａ）といった、一つまたはそれ以上のサブストレート貫通インターコネクト７７７を使用するものである。いくつかの実施例において、サブストレート貫通インターコネクト７７７は、見て分かるように、フレキシブル基板１０２と７０２の少なくとも一部分を通じて延びてよい。
【００３９】
波状インターコネクト１０４それぞれは、ＩＣデバイス１０６ａ、１０６ｂにおいて形成されたパッド７７９に対応するパッドに電気的に接続されてよい。いくつかの実施例において、別のフレキシブルパッシベーション層１０８ａが、見て分かるように、波状インターコネクト１０４を含んでいるモジュール７８１をカプセル化するように形成されてよい。フレキシブル基板７０２及び／又はパッシベーション層１０８ａは、フレキシブル基板１０２及び／又はパッシベーション層１０８に関連してそれぞれに説明された実施例を用いて動作してよい。
【００４０】
図８ａから図８ｆは、いくつかの実施例に従って、製造の様々なステージの最中における図７のＩＣアセンブリ７００の実施例に係る側面の断面図を模式的に示している。様々な実施例に従って、ＩＣアセンブリ７００は、図７に関連してそれぞれに説明された実施例を用いて動作してよく、そして、その逆もまた同様である。
【００４１】
図８ａを参照すると、ＩＣアセンブリ７００が、フレキシブル基板７０２の中にＩＣデバイス１０６ａ、１０６ｂをエンベッドした後に続いて、描かれている。ＩＣデバイス１０６ａ、１０６ｂは、例えば、積み上げ（ｂｕｉｌｄ−ｕｐ）ラミネーションプロセスを含む、多種多様な適切な技術を使用してエンベッドされてよい。パッド７７９は、いくつかの実施例において、エンベッドされる以前に、ＩＣデバイス１０６ａ、１０６ｂにおいて形成されてよい。
【００４２】
図８ｂを参照すると、ＩＣアセンブリ７００が、フレキシブル基板７０２を伴う波状インターコネクト１０４を含んでいるモジュール７８１を結合した後に続いて、描かれている。モジュール７８１は、図５ａ−図５ｄに関連して説明された動作を実行することによって形成されてよい。いくつかの実施例において、パッシベーション層（例えば、図５ｆのフレキシブルパッシベーション層１０８）は、モジュール７８１を形成するように、図５ｄのＩＣアセンブリ５００の上にデポジットされてよい。
【００４３】
モジュール７８１は、例えば、ラミネーションを含む適切な技術を使用して、または、接着剤を使用して、フレキシブル基板７０２と結合されてよい。いくつかの実施例において、モジュール７８１は、あらゆる適切なアライメント（ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）技術を使用して、モジュール７８１をフレキシブル基板７０２と結合する以前に、フレキシブル基板７０２と整列されてよい。
【００４４】
図８ｃを参照すると、ＩＣアセンブリ７００が、モジュール７８１を通じて形成されるサブストレート貫通インターコネクトに対応する開口８７７を形成した後に続いて、描かれている。いくつかの実施例において、一つまたはそれ以上のパッド７７９は、サブストレート貫通インターコネクトのアライメントと形成を促進するように、モジュール７８１とフレキシブル基板７０２との間におけるアライメントの不確実性よりも大きなサイズであってよい。開口８７７は、例えば、パターン化とエッチング、または、レーザードリル（ｌａｓｅｒ  ｄｒｉｌｌｉｎｇ）といった穴あけを含むアライメント適切な技術を使用して形成されてよい。いくつかの実施例において、隣接するパッド７７９は、約３００ミクロン、または、それより小さいピッチで置かれてよい。
【００４５】
図８ｄを参照すると、ＩＣアセンブリ７００が、見て分かるように、波状インターコネクト１０４をＩＣデバイス１０６ａ、１０６ｂと電気的に接続するサブストレート貫通インターコネクト７７７を形成するように開口８７７の中に金属をデポジットし、そして、モジュール７８１の上にフレキシブルパッシベーション層１０８ａをデポジットした後に続いて、描かれている。いくつかの実施例において、金属は、サブストレート貫通インターコネクト７７７を形成するために、開口８７７を実質的に埋めるようにデポジットされてよい。他の実施例において、金属は、開口８７７を部分的に埋めるようにデポジットされてよい。サブストレート貫通インターコネクト７７７は、他の実施例において、図８ｅ−図８ｆに関連して説明された他の技術を使用して形成されてよい。
【００４６】
図８ｅを参照すると、ＩＣアセンブリ７００が、より高い密度の電気ルーティングを提供するために別の技術を使用して開口８７７ａ、８７７ｂを形成した後に続いて、描かれている。例えば、図８において、開口８７７ａ、８７７ｂの形成は、モジュール７８１の中、及び/又は、フレキシブル基板７０２の中にエンベッドされたＩＣデバイス１０６ａ、１０６ｂの表面上のいずれかにおいて事前にマップされたパッド（ｐｒｅ−ｍａｐｐｅｄ  ｐａｄ）を使用して促進されてよい。マスキング層１０８ｂは、モジュール７８１とフレキシブル基板７０２の上に形成されてよい。いくつかの実施例において、一つまたはそれ以上の開口８７７ａが、マスキング層１０８ｂとモジュール７８１のフレキシブルパッシベーション層１０８を通して形成されてよく、波状インターコネクト１０４の波状インターコネクトを露出する。ＩＣデバイス１０６ａ、１０６ｂにおける一つまたはそれ以上の対応するパッド７７９を露出するために、一つまたはそれ以上の開口８７７ｂが、マスキング層１０８ｂを通して形成されたよい。いくつかの実施例において、マスキング層１０８ｂは、フレキシブルな材料で構成されてよい。例えば、マスキング層１０８ｂは、いくつかの実施例において、フレキシブル基板１０２及び／又はフレキシブルパッシベーション層１０８に関連して説明された実施例を用いて動作してよい。
【００４７】
図８ｆを参照すると、ＩＣアセンブリ７００が、見て分かるように、波状インターコネクト１０４をＩＣデバイス１０６ａ、１０６ｂと電気的に接続するサブストレート貫通インターコネクト７７７ａ、７７７ｂを形成するように図８ｅの開口８７７ａ、８７７ｂの中に金属をデポジットし、そして、マスキング層１０８ｂの上にフレキシブルパッシベーション層１０８ａをデポジットした後に続いて、描かれている。いくつかの実施例において、金属は、サブストレート貫通インターコネクト７７７ａ、７７７ｂを形成するために、図８ｅの開口８７７ａ、８７７ｂを実質的に埋めるようにデポジットされてよい。他の実施例において、金属は、開口８７７を部分的にだけ埋めるようにデポジットされてよい。例えば、金属は、見て分かるように、開口８７７ａ、８７７ｂを並べ、そして、サブストレート貫通インターコネクト７７７ａとサブストレート貫通インターコネクト７７７ｂとの間のルーティングを提供してよい。他の実施例において、金属は、開口８７７を埋めるようにデポジットされてよい。ＩＣデバイス１０６ａ、１０６ｂ上のサブストレート貫通インターコネクト７７７（例えば、開口８７７ｂに対応するもの）からモジュール７８１上のサブストレート貫通インターコネクト７７７（例えば、開口８７７ａに対応するもの）へのルーティングをパターン化するために、ダイレクトレーザ画像化（ＤＬＩ）が使用されてよい。いくつかの実施例において、見て分かるように、フレキシブルパッシベーション層１０８ａの材料は、開口８７７ａ、８７７ｂを部分的に埋めてよい。
【００４８】
図９は、いくつかの実施例に従って、ＩＣアセンブリ（例えば、図１−図２のＩＣアセンブリ１００または図７のＩＣアセンブリ７００）を製造する方法のためのフローチャートを模式的に示している。方法９００に係るアクション（ａｃｔｉｏｎ）は、図１−図８に関連して説明された技術を用いて動作してよい。
【００４９】
９０２において、方法９００は、フレキシブル基板（例えば、図５ｃのフレキシブル基板１０２）を提供するステップを含んでよい。様々な実施例に従って、フレキシブル基板は、一つの平面を定めてよい。
【００５０】
９０４において、方法９００は、フレキシブル基板上に波状インターコネクト（例えば、図５ｄまたは図６ｂの波状インターコネクト１０４）を形成するステップを含んでよい。様々な実施例に従って、波状インターコネクトは、フレキシブル基板によって定められる平面と同一平面である第１方向においてＩＣデバイスの電気信号をルーティングするように構成されてよい。波状インターコネクトは、第１方向と垂直で、かつ、平面と同一平面にある第２方向からみるとき、波状プロフィールを有してよい。
【００５１】
いくつかの実施例において、波状インターコネクトを形成するステップは、フレキシブル基板の表面に波状プロフィールを形成すること（例えば、図５ａ−図５ｃに関連して説明及び／又は描かれたように）、そして、その後に続いて、波状プロフィールの上に金属をデポジットすること（例えば、図５ｄに関連して説明及び／又は描かれたように）を含んでよい。いくつかの実施例においては、波状プロフィールを形成するために、印刷、モールディング、またはリソグラフィプロセスが使用されてよい。他の実施例において、波状インターコネクトを形成するステップは、フレキシブル基板の実質的に平坦な表面上に金属をデポジットすること（例えば、図６ａに関連して説明及び／又は描かれたように）、そして、その後に続いて、波状プロフィールを作成するために金属とフレキシブル基板を成形すること（例えば、図６ｂに関連して説明及び／又は描かれたように）を含んでよい。
【００５２】
９０６において、方法９００は、一つまたはそれ以上のＩＣデバイス（例えば、図１−図２および図７のＩＣデバイス１０６ａ、１０６ｂ）を波状インターコネクトと電気的に接続するステップを含んでよい。いくつかの実施例において、一つまたはそれ以上のＩＣデバイスは、例えば、半田ジョイントを形成するといったＳＭＴ、等（例えば、図５ｅまたは図６ｃに関連して説明及び／又は描かれたように）を使用して、一つまたはそれ以上のＩＣデバイスを波状インターコネクトと接続することによって、一つまたはそれ以上のＩＣデバイスがフレキシブル基板上にマウントされてよい。他の実施例において、一つまたはそれ以上のＩＣデバイスは、別のフレキシブル基板（例えば、図８のフレキシブル基板７０２）の中にエンベッドされてよく、波状インターコネクトのフレキシブル基板と接続されてよい。波状インターコネクトとエンベッドされた一つまたはそれ以上のＩＣデバイスとの間に電気的接続が形成されてよい。いくつかの実施例において、電気的接続は、サブストレート貫通インターコネクト（図８ｄのサブストレート貫通インターコネクト７７７または図８ｆのサブストレート貫通インターコネクト７７７ａ、７７７ｂ）であってよい。２つまたはそれ以上のＩＣデバイスが波状インターコネクトと接続される事例では、波状インターコネクトが、２つまたはそれ以上のＩＣデバイス間において電気信号をルーティングするように構成されてよい。
【００５３】
９０８において、方法９００は、フレキシブル基板上にパッシベーション層を形成するステップを含んでよい。パッシベーション層（例えば、図５ｆのパッシベーション層１０８）は、いくつかの実施例において、波状インターコネクトをカバーするようにデポジットされてよい。いくつかの実施例においては、パッシベーション層が、フレキシブル基板上に一つまたはそれ以上のＩＣデバイスをマウントすることの後に続いてデポジットされてよい。フレキシブル基板上にデポジットされたときに、一つまたはそれ以上のＩＣデバイスの上にパッシベーション層がデポジットされるようにである（例えば、図５ｆに関連して説明及び／又は描かれたように）。いくつかの実施例において、パッシベーション層は、波状プロフィールを閉じ込めるようにフレキシブル基板の反対側においてデポジットされてよい（例えば、図６ｃに関連して説明及び／又は描かれたように）。いくつかの実施例において、パッシベーション層は、モジュール（例えば、図８ｂのモジュール７８１）を形成するように波状インターコネクトの上にデポジットされてよい。いくつかの実施例においては、モジュールをカプセル化するようにパッシベーション層（例えば、図８ｄまたは図８ｆのパッシベーション層１０８ａ）がデポジットされてよい。
【００５４】
様々なオペレーションが、請求される技術的事項を理解することにおいて最も役に立つやり方において、複数の個別のオペレーションとして順番に説明されている。しかしながら、説明の順番は、これらのオペレーションが必然的に順番に依存するものであることを意味するものとして理解されるべきではない。
【００５５】
本開示の実施例は、あらゆる適切なハードウェア及び／又はソフトウェアを使用して、望むように構成するためにシステムの中へ実装されてよい。図１０は、いくつかの実施例に従って、ここにおいて説明されるような波状インターコネクト（例えば、図１−図２または図７の波状インターコネクト）を有するＩＣアセンブリ（例えば、図１−図２のＩＣアセンブリ１００または図７のＩＣアセンブリ７００）を含むコンピューティングデバイスに係る一つの実施例を模式的に示している。コンピューティングデバイス１０００は、マザーボード１００２といったボードを収納してよい（例えば、ハウジング１００８の中に）。マザーボード及び／又はハウジングは、いくつかの実施例において、フレキシブルな材料を含んでよく、コンピューティングデバイスの伸ばし及び／又は曲げができる。マザーボード１００２は、数多くのコンポーネントを含んでよい。これらに限定されるわけではないが、プロセッサ１００４と少なくとも一つの通信チップ１００６を含んでいる。プロセッサ１００４は、物理的かつ電気的にマザーボード１００２に接続されている。いくつかの実施例において、少なくとも一つの通信チップ１００６は、また、物理的かつ電気的にマザーボード１００２に接続されている。さらなる実施例において、通信チップ１００６は、プロセッサ１００４の一部分であってよい。
【００５６】
アプリケーションに応じて、コンピューティングデバイス１０００は、物理的かつ電気的にマザーボード１００２に接続されても、されなくてもよい他のコンポーネントを含んでよい。これらの他のコンポーネントは、これらに限定されるわけではないが、揮発性メモリ（例えば、ＤＲＡＭ）、不揮発性メモリ（例えば、ＲＯＭ）、フラッシュメモリ、グラフィクスプロセッサ、デジタルシグナルプロセッサ、暗号プロセッサ、チップセット、オーディオコーデック、ビデオコーデック、パワーアンプ、全地球測位システム（ＧＰＳ）デバイス、コンピューティングデバイスパスワード、ガイガーカウンタ、加速度計、ジャイロスコープ、スピーカ、カメラ、および、大容量ストレージデバイス（ハードディスクドライブ、コンパクトディスク（ＣＤ）、デジタル多目的ディスク（ＤＶＤ）、等）を含んでよい。
【００５７】
通信チップ１００６は、コンピューティングデバイス１００へ、又は、からのデータ転送のための無線通信をできるようにし得る。用語「無線（”ｗｉｒｅｌｅｓｓ”）」及びその派生語は、非固体の媒体を通じた変調された電磁気的放射の使用を通してデータを通信し得る、回路、デバイス、システム、方法、技術、通信チャンネル、等を表わすために使用されてよい。その用語は、関連するデバイスが、いくつかの実施例においてはそうでないが、電線を全く有さないことを意味するものではない。通信チップ１００６は、数多くの無線規格またはプロトコルのうちあらゆるものを実施してよく、これらに限定されるわけではないが、米国電気電子学会（ＩＥＥＥ）標準規格を含んでいる。Ｗｉ−Ｆｉ（ＩＥＥＥ８０２．１１ファミリー）、ＩＥＥＥ８０２．１６標準規格（例えば、ＩＥＥＥ８０２．１６−２００５年改正）、あらゆる改正、変更、及び／又は、リビジョンと併せたロングタームエボリューション（ＬＴＥ）プロジェクト（例えば、アドバンストＬＴＥプロジェクト、ウルトラモバイルブロードバンド（ＵＭＢ）プロジェクト（”３ＧＰＰ２”としても参照されるもの））を含んでいる。ＩＥＥＥ８０２．１６コンパチブルブロードバンドワイヤレスアクセス（ＢＷＡ）ネットワークは、一般的にＷｉＭＡＸとして参照される、Ｗｏｒｌｄｗｉｄｅ  Ｉｎｔｅｒｏｐｅｒａｂｉｌｉｔｙ  ｆｏｒ  Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ａｃｃｅｓｓを表わす頭字語であり、ＩＥＥＥ８０２．１６標準規格について適合性と相互運用性の試験を合格した製品のための証明マークである。通信チップ１００６は、Ｇｌｏｂａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ  ｆｏｒ  Ｍｏｂｉｌｅ  Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ（ＧＳＭ）（登録商標）、Ｇｅｎｅｒａｌ  Ｐａｃｋｅｔ  Ｒａｄｉｏ  Ｓｅｒｖｉｃｅ（ＧＰＲＳ）、Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  Ｍｏｂｉｌｅ  Ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ  Ｓｙｓｔｅｍ（ＵＴＭＳ）、Ｈｉｇｈ  Ｓｐｅｅｄ  Ｐａｃｋｅｔ  Ａｃｃｅｓｓ（ＨＳＰＡ）、Ｅｖｏｌｖｅｄ  ＨＳＰＡ（Ｅ−ＨＳＰＡ）、または、ＬＴＥネットワーク、に従って動作してよい。通信チップ１００６は、Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｄａｔａ  ｆｏｒ  ＧＳＭ  Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ（ＥＤＧＥ）、ＧＳＭ  ＥＤＧＥ  Ｒａｄｉｏ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｎｅｔｗｏｒｋ（ＧＥＲＡＮ）、Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  Ｔｅｒｒｅｓｔｒｉａｌ  Ｒａｄｉｏ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｎｅｔｗｏｒｋ（ＵＴＲＡＮ）、または、Ｅｖｏｌｖｅｄ  ＵＴＲＡＮ（Ｅ−ＵＴＲＡＮ）、に従って動作してよい。通信チップ１００６は、Ｃｏｄｅ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｔｉｐｌｅ  Ａｃｃｅｓｓ（ＣＤＭＡ）、Ｔｉｍｅ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅ  Ａｃｃｅｓｓ（ＴＤＭＡ）、Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｏｒｄｌｅｓｓ  Ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ（ＤＥＣＴ）、Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ−Ｄａｔａ  Ｏｐｔｉｍｉｚｅｄ（ＥＶ−ＤＯ）、それらの派生物、に従って動作してよい。３Ｇ、４Ｇ、５Ｇ、および、それを超えるものとして表されるあらゆる他の無線プロトコルも同様である。通信チップ１００６は、他の実施例において、他の無線プロトコルに従って、動作してよい。
【００５８】
コンピューティングデバイス１０００は、複数の通信チップ１００６を含んでよい。例えば、第１通信チップ１１０６は、Ｗｉ−Ｆｉおよびブルートゥース（登録商標）といった近距離無線通信専用であってよく、そして、第２通信チップ１１０６は、ＧＰＳ、ＥＤＧＥ、ＧＰＲＳ、ＣＤＭＡ、ＷｉＭＡＸ、ＬＴＥ、ＥＶ−ＤＯ、その他、といった長距離無線通信専用であってよい。
【００５９】
コンピューティングデバイス１０００のプロセッサ１００４は、ここにおいて説明されるように、波状インターコネクト（例えば、図１−図２、または図７の波状インターコネクト１０４）を有するＩＣアセンブリ（例えば、図１−図２のＩＣアセンブリ１００、または図７のＩＣアセンブリ７００）の中にパッケージされてよい。例えば、ここにおいて説明されるように、マザーボード１００２は、フレキシブル基板（例えば、図１−図２のフレキシブル基板１０２、または図７のフレキシブル基板７０２）に接続されるか、その一部分であってよく、そして、プロセッサ１００４または他のＩＣデバイス（例えば、通信チップ１００６、メモリデバイス、コンパス、等）は、一つまたはそれ以上のＩＣデバイス（例えば、ＩＣデバイス１０６ａ、１０６ｂ）であってよい。他の適切なコンフィグレーションが、ここにおいて説明される実施例に従って、実施されてよい。用語「プロセッサ（”ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ”）」は、レジスタ及び／又はメモリからの電子データを処理する、あらゆるデバイスまたはデバイスの一部を参照してよく、電子データをレジスタ及び／又はメモリに保管され得る他の電子データへと変換するものである。
【００６０】
様々な実施において、コンピューティングデバイス１０００は、ラップトップ、ネットブック、ノートブック、ウルトラブック、スマートフォン、タブレット、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、ウルトラモバイルＰＣ、モバイルフォン、デスクトップコンピュータ、サーバ、プリンタ、スキャナ、モニタ、セットトップボックス、エンターテイメントコントロール装置、デジタルカメラ、ポータブル音楽プレーヤ、または、デジタルビデオレコーダ、であってよい。コンピューティングデバイス１０００は、いくつかの実施例において、フレキシブルなモバイルコンピューティングデバイスであってよい。いくつかの実施例において、コンピューティングデバイスのフレキシブルなＩＣアセンブリは、人が身に付けることができる（ｗｅａｒａｂｌｅ）なもの（例えば、衣服またはアクセサリー製品の中に組み込まれたもの）であってよい。将来の実施において、コンピューティングデバイス１０００は、データを処理するあらゆる他の電子デバイスであってよい。
【００６１】
様々な実施例において、本開示は、装置（例えば、インターコネクトアセンブリ）を説明している。インターコネクトアセンブリの第１実施例は、一つの平面を定めるフレキシブル基板と、フレキシブル基板上に配置され、かつ、集積回路（ＩＣ）デバイスの電気信号を平面と同一平面にある第１方向においてルーティングするように構成されている波状インターコネクトであり、波状インターコネクトは、第１方向に垂直であり、かつ、平面と同一平面にある第２方向から見て波状プロフィールを有している、波状インターコネクトと、を含む。第２実施例は、第１実施例に係るインターコネクトアセンブリを含んでよく、波状インターコネクトは、第１方向と第２方向に対して垂直な第３方向から見て直線プロフィールを有している。第３実施例は、第１実施例に係るインターコネクトアセンブリを含んでよく、フレキシブル基板と波状インターコネクトは、第１方向において伸び、及び／又は、第１方向と第２方向に対して垂直な第３方向において曲がるように構成されている。第４実施例は、第１実施例に係るインターコネクトアセンブリを含んでよく、波状インターコネクトは、第２方向から見て幅を有し、波状プロフィールは、半アンプを有しており、かつ、半アンプに対する幅の割合（幅／半アンプ）は、１／２より大きいか等しい。第５実施例は、第４実施例に係るインターコネクトアセンブリを含んでよく、波状インターコネクトは、第１方向と第２方向に対して垂直な第３方向から見て厚さを有し、かつ、厚さに対する半アンプの割合（半アンプ／厚さ）は、１０より大きいか等しい。第６実施例は、第１乃至第５いずれかの実施例に係るインターコネクトアセンブリを含んでよく、波状プロフィールは、曲がったプロフィールである。第７実施例は、第１乃至第５いずれかの実施例に係るインターコネクトアセンブリを含んでよく、波状インターコネクトは、第１方向において波状インターコネクトと平行に走る複数の波状インターコネクトのうちの一つである。第８実施例は、第１乃至第５いずれかの実施例に係るインターコネクトアセンブリを含んでよく、波状インターコネクトは金属を含み、かつ、フレキシブル基板は、ポリマーを含む。
【００６２】
様々な実施例において、本開示は、ＩＣアセンブリの製造方法を説明している。方法に係る第９の実施例は、フレキシブル基板を備えるステップであり、フレキシブル基板は一つの平面を定めるステップと、フレキシブル基板上に波状インターコネクトを形成するステップであり、波状インターコネクトは、平面と同一平面にある第１方向において集積回路（ＩＣ）デバイスの電気信号をルーティングするように構成されており、波状インターコネクトは、第１方向に垂直であり、かつ、平面と同一平面にある第２方向から見て波状プロフィールを有している、ステップと、を含む。第１０実施例は、第９実施例に係る方法を含んでよく、波状インターコネクトを形成するステップは、フレキシブル基板の表面において波状インターコネクトの表面上に波状プロフィールを形成するステップと、波状プロフィールの上に金属をデポジットするステップと、を含む。第１１実施例は、第１０実施例に係る方法を含んでよく、波状プロフィールを形成するステップは、印刷、モールディング、または、リソグラフィプロセスを使用するステップと、を含む。第１２実施例は、第９実施例に係る方法を含んでよく、さらに、波状インターコネクトをカバーするように、フレキシブル基板上にパッシベーション層をデポジットするステップと、を含む。第１３実施例は、第１２実施例に係る方法を含んでよく、さらに、パッシベーション層をデポジットするステップの以前に、ＩＣデバイスを波状インターコネクトと電気的に接続するステップと、を含み、パッシベーション層をデポジットするステップは、ＩＣデバイスの上にパッシベーション層をデポジットするステップと、を含む。第１４実施例は、第９実施例に係る方法を含んでよく、波状インターコネクトを形成するステップは、フレキシブル基板の実質的に平坦な表面上に金属をデポジットするステップと、波状プロフィールを作成するために、金属とフレキシブル基板を成形するステップと、を含む。第１５実施例は、第１４実施例に係る方法を含んでよく、金属は、フレキシブル基板の第２側面とは反対側に配置されたフレキシブル基板の第１側面上にデポジットされ、本方法は、さらに、フレキシブル基板上にＩＣデバイスをマウントするステップと、波状プロフィールを閉じ込めるために、フレキシブル基板の第１側面および第２側面の上にフレキシブルパッシベーション層をデポジットするステップと、を含む。第１６実施例は、第９実施例に係る方法を含んでよく、フレキシブル基板は、第１フレキシブル基板であり、本方法は、さらに、第２フレキシブル基板の中にＩＣデバイスをエンベッドするステップと、第１フレキシブル基板を第２フレキシブル基板と接続するステップと、波状インターコネクトとＩＣデバイスとの間に電気的な接続を形成するステップと、を含む。第１７実施例は、第１６実施例に係る方法を含んでよく、電気的な接続を形成するステップは、サブストレート貫通インターコネクトを形成するステップと、を含む。
【００６３】
様々な実施例において、本開示は、伸び縮み可能または折り曲げ可能な集積回路（ＩＣ）アセンブリを説明している。伸び縮み可能または折り曲げ可能なＩＣアセンブリに係る第１８の実施例は、集積回路（ＩＣ）デバイスと、一つの平面を定めるフレキシブル基板と、フレキシブル基板上に配置され、かつ、ＩＣデバイスの電気信号を平面と同一平面にある第１方向においてルーティングするようにＩＣデバイスと電気的に接続されている波状インターコネクトであり、波状インターコネクトは、第１方向に垂直であり、かつ、平面と同一平面にある第２方向から見て波状プロフィールを有している、波状インターコネクトと、を含む。第１９実施例は、第１８実施例に係るＩＣアセンブリを含んでよく、波状インターコネクトは、第１方向と第２方向に対して垂直な第３方向から見て直線プロフィールを有している。第２０実施例は、第１８実施例に係るＩＣアセンブリを含んでよく、ＩＣデバイスは第１ＩＣデバイスであり、ＩＣアセンブリは、さらに、波状インターコネクトと電気的に接続された第２ＩＣデバイスであり、波状インターコネクトは、第１ＩＣデバイスと第２ＩＣデバイスとの間で電気信号をルーティングするように構成されている、第２ＩＣデバイスと、を含む。第２１実施例は、第２０実施例に係るＩＣアセンブリを含んでよく、第１ＩＣデバイスはダイであり、かつ、第２ＩＣデバイスはセンサである。第２２実施例は、第１８実施例に係るＩＣアセンブリを含んでよく、ＩＣデバイスは、フレキシブル基板と直接的に接続されており、ＩＣアセンブリは、さらに、波状インターコネクトとＩＣデバイスの上に配置されたフレキシブルパッシベーション層を含む。第２３実施例は、第２２実施例に係るＩＣアセンブリを含んでよく、波状インターコネクトは、フレキシブル基板の第１側面上に配置されており、フレキシブル基板の第２側面は、波状インターコネクトの波状プロフィールに対応する波状プロフィールを有しており、かつ、第２側面は、第１側面とは反対側に配置されている。第２５実施例は、第１８乃至第２４いずれかの実施例に係るＩＣアセンブリを含んでよく、ＩＣアセンブリは、人が身に付けることができる。
【００６４】
種々の実施例は、上記の実施例のあらゆる適切な組み合わせを含んでよく、上記と結合的な形式において説明された実施例（例えば、「かつ（”ａｎｄ”）は「及び／又は（”ａｎｄ／ｏｒ”）」であってよい）の代替的な実施例を含んでいる。さらに、いくつかの実施例は、インストラクションを有している一つまたはそれ以上の製造製品（例えば、固定のコンピュータで読取り可能な媒体）を含んでよく、実行されると、あらゆる上述された実施例に係る動作を結果として生じる。その上、いくつかの実施例は、上述された実施例の様々なオペレーションを実行するためのあらゆる適切な手段を有している装置またはシステムを含んでよい。
【００６５】
上記に説明された実施例は、要約において記述されるものを含み、本開示に係る実施例を開示されたまさにその形式について徹底され、または、限定するように意図されたものではない。特定の実施と実施例が説明目的のためにここにおいて説明される一方で、当業者であれば認識するであろうように、本開示の範囲の中で種々の均等な変更が可能である。
【００６６】
これらの変形は、上記の詳細な説明に照らして、本開示の実施例について行われ得るものである。以降の請求項において使用される用語は、本開示の種々の実施例を、明細書と請求項において開示される特定の実施例について限定するものと理解されるべきではない。むしろ、その範囲は、以降の請求項によって完全に決定されるべきものであり、請求項の解釈に係る確立された方針に従って理解されるべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５ａ】
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【図５ｂ】
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【図５ｃ】
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【図５ｄ】
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【図５ｅ】
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【図５ｆ】
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【図６ａ】
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【図６ｂ】
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【図６ｃ】
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【図７】
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【図８ａ】
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【図８ｂ】
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【図８ｃ】
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【図８ｄ】
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【図８ｅ】
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【図８ｆ】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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