【手続補正書】
【提出日】平成20年8月22日(2008.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  半導体基板に作り込まれる絶縁ゲート型トランジスタ及び絶縁ゲート型容量を含む半導体装置であって、
前記絶縁ゲート型トランジスタは、
前記半導体基板上に選択的に形成されるトランジスタ用ゲート絶縁膜と、
前記トランジスタ用ゲート絶縁膜上に形成されるトランジスタ用ゲート電極と、
前記半導体基板の表面内における前記トランジスタ用ゲート電極下のトランジスタ用ボディー領域を挟んで形成されるソース・ドレイン領域とを含み、
前記絶縁ゲート型容量は、
前記半導体基板上に選択的に形成される容量用ゲート絶縁膜と、
前記容量用ゲート絶縁膜上に形成される容量用ゲート電極と、
前記半導体基板の表面内における前記容量用ゲート電極下の容量用ボディー領域を挟んで形成され、同電位となる取り出し電極領域とを含み、
前記絶縁ゲート型トランジスタは、前記ソース・ドレイン領域から前記トランジスタ用ボディー領域の一部にかけて形成される、前記ソース・ドレイン領域と逆の導電型の第１の不純物領域を有し、かつ、
前記絶縁ゲート型容量は、前記取り出し電極と前記容量用ボディー領域は同一導電型で容量用ゲート電極の下で接することを特徴とする、
半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】  半導体基板に作り込まれる絶縁ゲート型トランジスタ及び絶縁ゲート型容量を含む半導体装置であって、
前記絶縁ゲート型トランジスタは、
前記半導体基板上に選択的に形成されるトランジスタ用ゲート絶縁膜と、
前記トランジスタ用ゲート絶縁膜上に形成されるトランジスタ用ゲート電極と、
前記半導体基板の表面内における前記トランジスタ用ゲート電極下のトランジスタ用ボディー領域を挟んで形成されるソース・ドレイン領域とを含み、
前記絶縁ゲート型容量は、
前記半導体基板上に選択的に形成される容量用ゲート絶縁膜と、
前記容量用ゲート絶縁膜上に形成される容量用ゲート電極と、
前記半導体基板の表面内における前記容量用ゲート電極下の容量用ボディー領域を挟んで形成され、同電位となる取り出し電極領域とを含み、
前記絶縁ゲート型トランジスタは、前記ソース・ドレイン領域から前記トランジスタ用ボディー領域の一部にかけて形成される、前記ソース・ドレイン領域と逆の導電型の不純物領域を有し、かつ、
前記絶縁ゲート型容量は、前記容量用ボディー領域側における前記取り出し電極領域の近傍領域において、前記取り出し電極領域と逆の導電型の領域を有していないことを特徴とする、
半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】  請求項２記載の半導体装置であって、
前記容量用ボディー領域及び前記取り出し電極領域は互いに異なる導電型で形成される、
半導体装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】  半導体基板に作り込まれる絶縁ゲート型トランジスタ及び絶縁ゲート型容量を含む半導体装置であって、
前記絶縁ゲート型トランジスタは、
前記半導体基板上に選択的に形成されるトランジスタ用ゲート絶縁膜と、
前記トランジスタ用ゲート絶縁膜上に形成されるトランジスタ用ゲート電極と
、
前記半導体基板の表面内における前記トランジスタ用ゲート電極下のトランジスタ用ボディー領域を挟んで形成されるソース・ドレイン領域と、
前記ソース・ドレイン領域から前記トランジスタ用ボディー領域の一部にかけて形成される、前記ソース・ドレイン領域と逆の導電型の第１の不純物領域とを含み、
前記絶縁ゲート型容量は、
前記半導体基板上に選択的に形成される容量用ゲート絶縁膜と、
前記容量用ゲート絶縁膜上に形成される容量用ゲート電極と、
前記半導体基板の表面内における前記容量用ゲート電極下の容量用ボディー領域を挟んで形成される取り出し電極領域と、
前記取り出し電極領域から前記容量用ボディー領域の一部にかけて形成される
、前記取り出し電極領域と逆の導電型の第２の不純物領域とを含み、
前記容量用ボディー領域の表面における不純物濃度と前記トランジスタ用ボディー領域の表面における不純物濃度とが互いに異なる濃度に設定されることを特徴とする、
半導体装置。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】  半導体基板に作り込まれる絶縁ゲート型トランジスタ及び絶縁ゲート型容量を含む半導体装置の製造方法であって、
(a) トランジスタ用ボディー領域及び容量用ボディー領域を有する半導体基板を準備するステップと、
(b) 前記トランジスタ用ボディー領域上にトランジスタ用ゲート絶縁膜及びトランジスタ用ゲート電極を選択的に形成するとともに、前記容量用ボディー領域上に容量用ゲート絶縁膜及び容量用ゲート電極を選択的に形成するステップと、
(c) 前記トランジスタ用ボディー領域以外をトランジスタ用レジストで覆い、前記トランジスタ用ゲート電極から露出する領域に、前記トランジスタ用ボディー領域と同じ導電型の不純物を導入して前記トランジスタ用ボディー領域の上層部にトランジスタ用不純物拡散領域を形成するステップと、
(d) 前記トランジスタ用ゲート電極から露出する領域に、前記トランジスタ用ボディー領域と異なる導電型の不純物を導入して、前記トランジスタ用ボディー領域の表面内にソース・ドレイン領域を形成するステップとを備え、前記ステップ(d) の実行後に、前記トランジスタ用不純物拡散領域が第１の不純物領域として前記ソース・ドレイン領域から前記トランジスタ用ボディー領域の一部にかけて残存し、
(e) 前記容量用ゲート電極から露出する領域に、所定の導電型の不純物を導入して、前記容量用ボディー領域の表面内に取り出し電極領域を形成するステップとを備え、
前記トランジスタ用ボディー領域、前記トランジスタ用ゲート絶縁膜、前記トランジスタ用ゲート電極、前記ソース・ドレイン領域及び前記第１の不純物領域によって前記絶縁ゲート型トランジスタが構成され、
前記容量用ボディー領域、前記容量用ゲート絶縁膜、前記容量用ゲート電極、及び前記取り出し電極領域によって前記絶縁ゲート型容量が構成される、
半導体装置の製造方法。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】  請求項１６記載の半導体装置の製造方法であって、
前記ステップ(c) は、
(c-1) 前記トランジスタ用レジストで覆い、前記トランジスタ用ゲート電極から露出する領域に、前記トランジスタ用ボディー領域と異なる導電型の不純物を導入して前記トランジスタ用ボディー領域の表面内にトランジスタ用エクステンション領域を形成するステップをさらに含み、
前記半導体装置の製造方法は、
(f) 前記ステップ(d) 及びステップ(e) の前に実行され、前記容量用ボディー領域以外を容量用レジストで覆い、前記容量用ゲート電極から露出する領域に、前記容量用ボディー領域と同じ導電型の不純物を導入して、前記容量用ボディー領域の表面内に容量用エクステンション領域を形成するステップをさらに備え、
前記ステップ(d) は、さらに前記トランジスタ用ゲート電極の側面に形成されたサイドウォールから露出する領域に、前記トランジスタ用ボディー領域と異なる導電型の不純物を導入するステップを含み、
前記ステップ(e) は、さらに前記容量用ゲート電極の側面に形成されたサイドウォールから露出する領域に、前記容量用ボディー領域と同じ導電型の不純物を導入するステップを含み、
前記ステップ(c-1)及び前記ステップ(f) は、前記容量用エクステンション領域が前記トランジスタ用エクステンション領域よりも不純物濃度が高濃度になるように実行されることを特徴とする、
半導体装置の製造方法。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】  半導体基板に作り込まれる絶縁ゲート型トランジスタ及び絶縁ゲート型容量を含む半導体装置の製造方法であって、
(a) トランジスタ用ボディー領域及び容量用ボディー領域を有する半導体基板を準備するステップと、
(b) 前記トランジスタ用ボディー領域上にトランジスタ用ゲート絶縁膜及びトランジスタ用ゲート電極を選択的に形成するとともに、前記容量用ボディー領域上に容量用ゲート絶縁膜及び容量用ゲート電極を選択的に形成するステップと、
(c) 前記トランジスタ用ゲート電極から露出する領域に、前記トランジスタ用ボディー領域と同じ導電型の不純物を導入して前記トランジスタ用ボディー領域の上層部にトランジスタ用不純物拡散領域を形成するステップと、
(d) 前記容量用ゲート電極から露出する領域に、前記容量用ボディー領域と異なる導電型の不純物を導入して前記容量用ボディー領域の上層部に容量用不純物拡散領域を形成するステップと、
(e) 前記トランジスタ用ゲート電極から露出する領域に、前記トランジスタ用ボディー領域と異なる導電型の不純物を導入して、前記トランジスタ用ボディー領域の表面内にソース・ドレイン領域を形成するステップとを備え、前記ステップ(e) の実行後に、前記トランジスタ用不純物拡散領域が第１の不純物領域として前記ソース・ドレイン領域から前記トランジスタ用ボディー領域の一部にかけて残存し、
(f) 前記容量用ゲート電極から露出する領域に、前記容量用ボディー領域と同じ導電型の不純物を導入して、前記容量用ボディー領域の表面内に取り出し電極領域を形成するステップとを備え、前記ステップ(f) の実行後に、前記容量用不純物拡散領域が第２の不純物領域として前記取り出し電極領域から前記容量用ボディー領域の一部にかけて残存し、
(g) 前記ステップ(f) の実行後、前記容量用ゲート電極から露出する領域に、前記容量用ボディー領域と同じ導電型の不純物をさらに注入した後、ＴＥＤ(Transient Enhanced Diffusion)現象が生じる程度の温度で拡散処理を行うステップをさらに備え、
前記トランジスタ用ボディー領域、前記トランジスタ用ゲート絶縁膜、前記トランジスタ用ゲート電極、前記ソース・ドレイン領域及び前記第１の不純物領域によって前記絶縁ゲート型トランジスタが構成され、
前記容量用ボディー領域、前記容量用ゲート絶縁膜、前記容量用ゲート電極、前記取り出し電極領域及び前記第２の不純物領域によって前記絶縁ゲート型容量が構成される、
半導体装置の製造方法。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２１】  半導体基板に作り込まれる絶縁ゲート型トランジスタ及び絶縁ゲート型容量を含む半導体装置の製造方法であって、
(a) トランジスタ用ボディー領域及び容量用ボディー領域を有する半導体基板を準備するステップと、
(b) 前記トランジスタ用ボディー領域上にトランジスタ用ゲート絶縁膜及びトランジスタ用ゲート電極を選択的に形成するとともに、前記容量用ボディー領域上に容量用ゲート絶縁膜及び容量用ゲート電極を選択的に形成するステップと、
(c) 前記トランジスタ用ゲート電極から露出する領域に、前記トランジスタ用ボディー領域と同じ導電型の不純物を導入して前記トランジスタ用ボディー領域の上層部にトランジスタ用不純物拡散領域を形成するステップと、
(d) 前記容量用ゲート電極から露出する領域に、前記容量用ボディー領域と異なる導電型の不純物を導入して前記容量用ボディー領域の上層部に容量用不純物拡散領域を形成するステップと、
(e) 前記トランジスタ用ゲート電極から露出する領域に、前記トランジスタ用ボディー領域と異なる導電型の不純物を導入して、前記トランジスタ用ボディー領域の表面内にソース・ドレイン領域を形成するステップとを備え、前記ステップ(e) の実行後に、前記トランジスタ用不純物拡散領域が第１の不純物領域として前記ソース・ドレイン領域から前記トランジスタ用ボディー領域の一部にかけて残存し、
(f) 前記容量用ゲート電極のゲート長方向において端部領域を除去するステップと、
(g) 前記ステップ(f) 後の前記容量用ゲート電極から露出する領域に、前記容量用ボディー領域と同じ導電型の不純物を導入して、前記容量用ボディー領域の表面内に取り出し電極領域を形成するステップとをさらに備え、前記ステップ(g) の実行後に、前記容量用不純物拡散領域の全領域が前記取り出し電極領域内に包含され、
前記トランジスタ用ボディー領域、前記トランジスタ用ゲート絶縁膜、前記トランジスタ用ゲート電極、前記ソース・ドレイン領域及び前記第１の不純物領域によって前記絶縁ゲート型トランジスタが構成され、
前記容量用ボディー領域、前記容量用ゲート絶縁膜、前記容量用ゲート電極、及び前記取り出し電極領域によって前記絶縁ゲート型容量が構成される、
半導体装置の製造方法。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
ＭＯＳトランジスタの構造を利用して、絶縁ゲート型容量である可変容量に損失の少ないものを得ようとした場合、基板（ボディー領域）と取り出し電極部との不純物の導電型を同じにしたアキュムレーション(accumulation)型の可変容量を作る必要がある。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る請求項１記載の半導体装置は、半導体基板に作り込まれる絶縁ゲート型トランジスタ及び絶縁ゲート型容量を含んでおり、前記絶縁ゲート型トランジスタは、前記半導体基板上に選択的に形成されるトランジスタ用ゲート絶縁膜と、前記トランジスタ用ゲート絶縁膜上に形成されるトランジスタ用ゲート電極と、前記半導体基板の表面内における前記トランジスタ用ゲート電極下のトランジスタ用ボディー領域を挟んで形成されるソース・ドレイン領域とを含み、前記絶縁ゲート型容量は、前記半導体基板上に選択的に形成される容量用ゲート絶縁膜と、前記容量用ゲート絶縁膜上に形成される容量用ゲート電極と、前記半導体基板の表面内における前記容量用ゲート電極下の容量用ボディー領域を挟んで形成され、同電位となる取り出し電極領域とを含み、前記絶縁ゲート型トランジスタは、前記ソース・ドレイン領域から前記トランジスタ用ボディー領域の一部にかけて形成される、前記ソース・ドレイン領域と逆の導電型の第１の不純物領域を有し、かつ、前記絶縁ゲート型容量は、前記取り出し電極と前記容量用ボディー領域は同一導電型で容量用ゲート電極の下で接している。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
この発明に係る請求項２記載の半導体装置は、半導体基板に作り込まれる絶縁ゲート型トランジスタ及び絶縁ゲート型容量を含んでおり、前記絶縁ゲート型トランジスタは、前記半導体基板上に選択的に形成されるトランジスタ用ゲート絶縁膜と、前記トランジスタ用ゲート絶縁膜上に形成されるトランジスタ用ゲート電極と、前記半導体基板の表面内における前記トランジスタ用ゲート電極下のトランジスタ用ボディー領域を挟んで形成されるソース・ドレイン領域とを含み、前記絶縁ゲート型容量は、前記半導体基板上に選択的に形成される容量用ゲート絶縁膜と、前記容量用ゲート絶縁膜上に形成される容量用ゲート電極と、前記半導体基板の表面内における前記容量用ゲート電極下の容量用ボディー領域を挟んで形成され、同電位となる取り出し電極領域とを含み、前記絶縁ゲート型トランジスタは、前記ソース・ドレイン領域から前記トランジスタ用ボディー領域の一部にかけて形成される、前記ソース・ドレイン領域と逆の導電型の不純物領域を有し、かつ、前記絶縁ゲート型容量は、前記容量用ボディー領域側における前記取り出し電極領域の近傍領域において、前記取り出し電極領域と逆の導電型の領域を有していない。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
また、請求項３の発明は、請求項２記載の半導体装置であって、前記容量用ボディー領域及び前記取り出し電極領域は互いに異なる導電型で形成される。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
この発明に係る請求項１３記載の半導体装置は、半導体基板に作り込まれる絶縁ゲート型トランジスタ及び絶縁ゲート型容量を含んでおり、前記絶縁ゲート型トランジスタは、前記半導体基板上に選択的に形成されるトランジスタ用ゲート絶縁膜と、前記トランジスタ用ゲート絶縁膜上に形成されるトランジスタ用ゲート電極と  前記半導体基板の表面内における前記トランジスタ用ゲート電極下のトランジスタ用ボディー領域を挟んで形成されるソース・ドレイン領域と、前記ソース・ドレイン領域から前記トランジスタ用ボディー領域の一部にかけて形成される、前記ソース・ドレイン領域と逆の導電型の第１の不純物領域とを含み、前記絶縁ゲート型容量は、前記半導体基板上に選択的に形成される容量用ゲート絶縁膜と、前記容量用ゲート絶縁膜上に形成される容量用ゲート電極と、前記半導体基板の表面内における前記容量用ゲート電極下の容量用ボディー領域を挟んで形成される取り出し電極領域と、前記取り出し電極領域から前記容量用ボディー領域の一部にかけて形成される、前記取り出し電極領域と逆の導電型の第２の不純物領域とを含み、前記容量用ボディー領域の表面における不純物濃度と前記トランジスタ用ボディー領域の表面における不純物濃度とが互いに異なる濃度に設定される。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
この発明に係る請求項１５記載の半導体装置の製造方法は、半導体基板に作り込まれる絶縁ゲート型トランジスタ及び絶縁ゲート型容量を含む半導体装置の製造方法であって、(a) トランジスタ用ボディー領域及び容量用ボディー領域を有する半導体基板を準備するステップと、(b) 前記トランジスタ用ボディー領域上にトランジスタ用ゲート絶縁膜及びトランジスタ用ゲート電極を選択的に形成するとともに、前記容量用ボディー領域上に容量用ゲート絶縁膜及び容量用ゲート電極を選択的に形成するステップと、(c) 前記トランジスタ用ボディー領域以外をトランジスタ用レジストで覆い、前記トランジスタ用ゲート電極から露出する領域に、前記トランジスタ用ボディー領域と同じ導電型の不純物を導入して前記トランジスタ用ボディー領域の上層部にトランジスタ用不純物拡散領域を形成するステップと、(d) 前記トランジスタ用ゲート電極から露出する領域に、前記トランジスタ用ボディー領域と異なる導電型の不純物を導入して、前記トランジスタ用ボディー領域の表面内にソース・ドレイン領域を形成するステップとを備え、前記ステップ(d) の実行後に、前記トランジスタ用不純物拡散領域が第１の不純物領域として前記ソース・ドレイン領域から前記トランジスタ用ボディー領域の一部にかけて残存し、(e) 前記容量用ゲート電極から露出する領域に、所定の導電型の不純物を導入して、前記容量用ボディー領域の表面内に取り出し電極領域を形成するステップとを備え、前記トランジスタ用ボディー領域、前記トランジスタ用ゲート絶縁膜、前記トランジスタ用ゲート電極、前記ソース・ドレイン領域及び前記第１の不純物領域によって前記絶縁ゲート型トランジスタが構成され、前記容量用ボディー領域、前記容量用ゲート絶縁膜、前記容量用ゲート電極、及び前記取り出し電極領域によって前記絶縁ゲート型容量が構成される。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
また、請求項１７の発明は、請求項１６記載の半導体装置の製造方法であって、前記ステップ(c) は、(c-1) 前記トランジスタ用レジストで覆い、前記トランジスタ用ゲート電極から露出する領域に、前記トランジスタ用ボディー領域と異なる導電型の不純物を導入して前記トランジスタ用ボディー領域の表面内にトランジスタ用エクステンション領域を形成するステップをさらに含み、前記半導体装置の製造方法は、(f) 前記ステップ(d) 及びステップ(e) の前に実行され、前記容量用ボディー領域以外を容量用レジストで覆い、前記容量用ゲート電極から露出する領域に、前記容量用ボディー領域と同じ導電型の不純物を導入して、前記容量用ボディー領域の表面内に容量用エクステンション領域を形成するステップをさらに備え、前記ステップ(d) は、さらに前記トランジスタ用ゲート電極の側面に形成されたサイドウォールから露出する領域に、前記トランジスタ用ボディー領域と異なる導電型の不純物を導入するステップを含み、前記ステップ(e) は、さらに前記容量用ゲート電極の側面に形成されたサイドウォールから露出する領域に、前記容量用ボディー領域と同じ導電型の不純物を導入するステップを含み、前記ステップ(c-1)及び前記ステップ(f) は、前記容量用エクステンション領域が前記トランジスタ用エクステンション領域よりも不純物濃度が高濃度になるように実行される。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
この発明に係る請求項１９記載の半導体装置の製造方法は、半導体基板に作り込まれる絶縁ゲート型トランジスタ及び絶縁ゲート型容量を含む半導体装置の製造方法であって、(a) トランジスタ用ボディー領域及び容量用ボディー領域を有する半導体基板を準備するステップと、(b) 前記トランジスタ用ボディー領域上にトランジスタ用ゲート絶縁膜及びトランジスタ用ゲート電極を選択的に形成するとともに、前記容量用ボディー領域上に容量用ゲート絶縁膜及び容量用ゲート電極を選択的に形成するステップと、(c) 前記トランジスタ用ゲート電極から露出する領域に、前記トランジスタ用ボディー領域と同じ導電型の不純物を導入して前記トランジスタ用ボディー領域の上層部にトランジスタ用不純物拡散領域を形成するステップと、(d) 前記容量用ゲート電極から露出する領域に、前記容量用ボディー領域と異なる導電型の不純物を導入して前記容量用ボディー領域の上層部に容量用不純物拡散領域を形成するステップと、(e) 前記トランジスタ用ゲート電極から露出する領域に、前記トランジスタ用ボディー領域と異なる導電型の不純物を導入して、前記トランジスタ用ボディー領域の表面内にソース・ドレイン領域を形成するステップとを備え、前記ステップ(e) の実行後に、前記トランジスタ用不純物拡散領域が第１の不純物領域として前記ソース・ドレイン領域から前記トランジスタ用ボディー領域の一部にかけて残存し、(f) 前記容量用ゲート電極から露出する領域に、前記容量用ボディー領域と同じ導電型の不純物を導入して、前記容量用ボディー領域の表面内に取り出し電極領域を形成するステップとを備え、前記ステップ(f) の実行後に、前記容量用不純物拡散領域が第２の不純物領域として前記取り出し電極領域から前記容量用ボディー領域の一部にかけて残存し、(g) 前記ステップ(f) の実行後、前記容量用ゲート電極から露出する領域に、前記容量用ボディー領域と同じ導電型の不純物をさらに注入した後、ＴＥＤ(Transient Enhanced Diffusion)現象が生じる程度の温度で拡散処理を行うステップをさらに備え、前記トランジスタ用ボディー領域、前記トランジスタ用ゲート絶縁膜、前記トランジスタ用ゲート電極、前記ソース・ドレイン領域及び前記第１の不純物領域によって前記絶縁ゲート型トランジスタが構成され、前記容量用ボディー領域、前記容量用ゲート絶縁膜、前記容量用ゲート電極、前記取り出し電極領域及び前記第２の不純物領域によって前記絶縁ゲート型容量が構成される。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
この発明に係る請求項２１記載の半導体装置の製造方法は、半導体基板に作り込まれる絶縁ゲート型トランジスタ及び絶縁ゲート型容量を含む半導体装置の製造方法であって、(a) トランジスタ用ボディー領域及び容量用ボディー領域を有する半導体基板を準備するステップと、(b) 前記トランジスタ用ボディー領域上にトランジスタ用ゲート絶縁膜及びトランジスタ用ゲート電極を選択的に形成するとともに、前記容量用ボディー領域上に容量用ゲート絶縁膜及び容量用ゲート電極を選択的に形成するステップと、(c) 前記トランジスタ用ゲート電極から露出する領域に、前記トランジスタ用ボディー領域と同じ導電型の不純物を導入して前記トランジスタ用ボディー領域の上層部にトランジスタ用不純物拡散領域を形成するステップと、(d) 前記容量用ゲート電極から露出する領域に、前記容量用ボディー領域と異なる導電型の不純物を導入して前記容量用ボディー領域の上層部に容量用不純物拡散領域を形成するステップと、(e) 前記トランジスタ用ゲート電極から露出する領域に、前記トランジスタ用ボディー領域と異なる導電型の不純物を導入して、前記トランジスタ用ボディー領域の表面内にソース・ドレイン領域を形成するステップとを備え、前記ステップ(e) の実行後に、前記トランジスタ用不純物拡散領域が第１の不純物領域として前記ソース・ドレイン領域から前記トランジスタ用ボディー領域の一部にかけて残存し、(f) 前記容量用ゲート電極のゲート長方向において端部領域を除去するステップと、(g) 前記ステップ(f) 後の前記容量用ゲート電極から露出する領域に、前記容量用ボディー領域と同じ導電型の不純物を導入して、前記容量用ボディー領域の表面内に取り出し電極領域を形成するステップとをさらに備え、前記ステップ(g) の実行後に、前記容量用不純物拡散領域の全領域が前記取り出し電極領域内に包含され、前記トランジスタ用ボディー領域、前記トランジスタ用ゲート絶縁膜、前記トランジスタ用ゲート電極、前記ソース・ドレイン領域及び前記第１の不純物領域によって前記絶縁ゲート型トランジスタが構成され、前記容量用ボディー領域、前記容量用ゲート絶縁膜、前記容量用ゲート電極、及び前記取り出し電極領域によって前記絶縁ゲート型容量が構成される。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８８】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明における請求項１記載の半導体装置の絶縁ゲート型トランジスタは第１の不純物領域を有することにより、ショートチャネル効果を抑制することができる。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８９】
一方、絶縁ゲート型容量は、容量用ボディー領域側における取り出し電極領域の近傍領域において、取り出し電極と容量用ボディー領域は同一導電型で容量用ゲート電極の下で接するため、電気的特性の劣化が生じることはない。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９１】
請求項２記載の半導体装置は、容量用ボディー領域側における取り出し電極領域の近傍領域において、取り出し電極領域と逆の導電型の領域を有していないため、直列抵抗成分が劣化しない構造の絶縁ゲート型容量を得ることができる。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９２】
請求項３記載の半導体装置は、取り出し電極領域と逆の導電型の領域を有していないため、容量値の見積もり精度が劣化しない構造の絶縁ゲート型容量を得ることができる。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０４】
請求項１４記載の半導体装置において、容量用ボディー領域の表面における不純物濃度は、トランジスタ用ボディー領域の表面における不純物濃度より高濃度に設定されるため、第２の不純物領域による抵抗成分の劣化を補うことができる。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０５】
この発明における請求項１５記載の半導体装置の製造方法で製造された半導体装置の絶縁ゲート型トランジスタは第１の不純物領域を有することにより、ショートチャネル効果を抑制することができる。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１１】
この発明における請求項１９記載の半導体装置の製造方法は、取り出し電極領域を形成するステップ(f) の実行後、容量用ゲート電極から露出する領域に、容量用ボディー領域と同じ導電型の不純物をさらに注入した後、ＴＥＤ現象が生じる程度の温度で拡散処理を行うステップ(g) をさらに実行するため、ＴＥＤ現象による取り出し電極領域の拡散により、第２の不純物領域による抵抗成分の劣化を効果的に抑制することができる。
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１２】
請求項２０記載の半導体装置の製造方法は、斜め方向からのイオン注入により、第２の不純物領域による抵抗成分の劣化をより効果的に抑制することができる。
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１３】
この発明における請求項２１記載の半導体装置の製造方法は、ステップ(f) で端部領域が除去された容量用ゲート電極から露出する領域に、容量用ボディー領域と同じ導電型の不純物を導入して、容量用ボディー領域の表面内に取り出し電極領域を形成するステップ(g) を実行することにより、容量用不純物拡散領域の全領域を取り出し電極領域内に包含することができる。
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１４】
その結果、装置完成後の絶縁ゲート型容量には第１の不純物領域に相当する取り出し電極領域隣接逆導電型領域は存在しなくなるため電気的特性の劣化が生じることはない。