【手続補正書】
【提出日】平成20年7月30日(2008.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射する放射線（７５）によって照射された被写体（２００）を画像化するイメージャ（１００）であって、
ポリマーを含む基板（１０１）と、
前記基板上に配置された光センサ・アレイ（１１０）と、
前記入射する放射線を受けかつ吸収するように配置され、前記入射する放射線を光子に変換するように構成され、前記光センサ・アレイに光学的に結合されたシンチレータ（１９０）と、
を備え、
前記光センサ・アレイは、前記光子を受けて、該光子に対応する電気信号を生成するように構成されており、
前記光センサ・アレイ（１１０）が、複数の光センサ（１２０）と、複数のＴＦＴ（１３４）を含むアドレス指定可能な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイ（１３０）とを備え、
前記ＴＦＴの各々は、各光センサが前記光センサ・アレイにおいて選択的にアドレス指定されるように前記光センサの１つとそれぞれ電気的に接続され、
前記ＴＦＴ（１３４）の各々は、ゲート電極（１３８）と、前記ゲート電極の上に配置された有機半導体を含む半導体領域（１３９）と、前記半導体領域に接触したソース電極（１３７）及びドレイン電極（１３６）とを備える、
ことを特徴とするイメージャ。
【請求項２】
入射する放射線（７５）によって照射された被写体（２００）を画像化するイメージャ（１００）であって、
ポリマーを含む基板（１０１）と、
前記基板（１０１）の背面（１０７）上に配置された背面層（１０６）であって、複数の加熱素子（１０８）を備える前記背面層と、
前記基板上に配置された光センサ・アレイ（１１０）と、
前記入射する放射線を受けかつ吸収するように配置され、前記入射する放射線を光子に変換するように構成され、前記光センサ・アレイに光学的に結合されたシンチレータ（１９０）と、
を備え、
前記光センサ・アレイは、前記光子を受けて、該光子に対応する電気信号を生成するように構成されていることを特徴とするイメージャ。
【請求項３】
前記基板（１０１）がフレキシブル有機ポリマーを含むことを特徴とする、請求項１または２に記載のイメージャ（１００）。
【請求項４】
前記基板（１０１）がポリイミドを含むことを特徴とする、請求項３に記載のイメージャ（１００）。
【請求項５】
前記光センサ・アレイ（１１０）が、複数の光センサ（１２０）と、複数のＴＦＴ（１３４）を含むアドレス指定可能な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイ（１３０）とを備え、
前記ＴＦＴの各々は、各光センサが前記光センサ・アレイにおいて選択的にアドレス指定されるように前記光センサの１つとそれぞれ電気的に接続され、
前記ＴＦＴ（１３４）の各々は、ゲート電極（１３８）と、前記ゲート電極の上に配置された半導体領域（１３９）と、前記半導体領域に接触しかつ該領域の上に配置されたソース電極（１３７）及びドレイン電極（１３６）とを備え、
前記半導体領域（１３９）の各々は、真性アモルファス・ケイ素（ａ−Ｓｉ）層（１０３）と、前記真性ａ−Ｓｉ層の上に配置されたドープ処理アモルファス・ケイ素層（１０４）とを備える、
ことを特徴とする、請求項２に記載のイメージャ（１００）。
【請求項６】
前記アドレス指定可能なＴＦＴアレイ（１３０）が、前記基板（１０１）と前記複数の光センサ（１２０）との間に位置され、前記光センサの各々は、アモルファス−ケイ素・光ダイオード（１２０）を含み、前記イメージャが更に、
前記基板（１０１）と前記アドレス指定可能なＴＦＴアレイ（１３０）との間に配置された被覆層（１０５）と、
前記シンチレータ（１９０）の上に配置されたカバー層（１９５）と、
を備える、
ことを特徴とする、請求項５に記載のイメージャ（１００）。
【請求項７】
前記半導体領域が、前記ソース及びドレイン電極（１３７、１３６）の上に配置され、前記複数の光センサ（１２０）が、前記基板（１０１）と前記アドレス指定可能なＴＦＴアレイ（１３０）との間に位置され、前記ＴＦＴ（１３４）が光学的に透明なものにされ、前記イメージャが更に、前記シンチレータ（１９０）の上に配置されたカバー層（１９５）を備えることを特徴とする、請求項１に記載のイメージャ（１００）。
【請求項８】
前記シンチレータ（１９０）がヨウ化セシウムを含むことを特徴とする、請求項１または２に記載のイメージャ（１００）。
【請求項９】
前記シンチレータ（１９０）が蛍光体スクリーン（１９０）を含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の可撓性イメージャ（１００）。
【請求項１０】
入射する放射線（７５）によって照射された被写体（２００）を画像化するための可撓性デジタルイメージャ（１００）であって、
有機ポリマーを含み、約３ミルから約８ミルまでの厚さにされている基板（１０１）と、
前記基板上に配置された光センサ・アレイ（１１０）と、
前記入射する放射線を受けかつ吸収するように配置され、前記入射する放射線を光子に変換するように構成され、前記光センサ・アレイに光学的に結合されたシンチレータ（１９０）と、
前記基板（１０１）の背面（１０７）上に配置された背面層（１０６）であって、複数の加熱素子（１０８）を備える前記背面層と、
を備え、
前記光センサ・アレイは、複数の光センサ（１２０）と、複数のＴＦＴ（１３４）を含むアドレス指定可能な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイ（１３０）とを備え、前記光センサは、複数の列（２１１）と少なくとも１つの行（２１２）とを形成するように配列され、前記ＴＦＴの各々は、各光センサが前記光センサ・アレイにおいて選択的にアドレス指定されるように前記光センサの１つとそれぞれ電気的に接続され、
前記光センサ・アレイは、前記光子を受けて、該光子に対応する電気信号を生成するように構成されている、
ことを特徴とするイメージャ。
【請求項１１】
前記光センサ（１２０）が１つの行（２１２）を形成するように配列されていることを特徴とする、請求項１０に記載のデジタルイメージャ（１００）。
【請求項１２】
前記光センサ（１２０）が複数の行（２１２）を形成するように配置されていることを特徴とする、請求項１０に記載のデジタルイメージャ（１００）。
【請求項１３】
前記ＴＦＴ（１３４）の各々は、ゲート電極（１３８）と、前記ゲート電極の上に配置された半導体領域（１３９）と、前記半導体領域に接触しかつ該領域の上に配置されたソース電極（１３７）及びドレイン電極（１３６）とを備え、
前記半導体領域（１３９）の各々が、真性アモルファス・ケイ素（ａ−Ｓｉ）層（１０３）と、前記真性ａ−Ｓｉ層の上に配置されたドープ処理アモルファス・ケイ素層（１０４）とを備えることを特徴とする、請求項１０に記載のデジタルイメージャ（１００）。
【請求項１４】
前記アドレス指定可能なＴＦＴアレイ（１３０）が前記基板（１０１）と前記光センサ（１２０）との間に位置され、前記光センサの各々は、アモルファス−ケイ素・光ダイオード（１２０）を含み、前記デジタルイメージャが更に、前記基板（１０１）と前記アドレス指定可能なＴＦＴアレイ（１３０）との間に配置された被覆層（１０５）を備えることを特徴とする、請求項１３に記載のデジタルイメージャ（１００）。
【請求項１５】
前記ＴＦＴ（１３４）の各々は、ゲート電極（１３８）と、有機半導体を含み前記ゲート電極の上に配置された半導体領域（１３９）と、前記半導体領域に接触するソース電極（１３７）及びドレイン電極（１３６）とを備えることを特徴とする、請求項１０に記載のデジタルイメージャ（１００）。
【請求項１６】
前記半導体領域が前記ソース及びドレイン電極（１３７、１３６）の上に配置され、前記複数の光センサ（１２０）が前記基板（１０１）と前記アドレス指定可能なＴＦＴアレイ（１３０）との間に位置され、前記ＴＦＴ（１３４）が光学的に透明なものとされていることを特徴とする、請求項１５に記載のデジタルイメージャ（１００）。
【請求項１７】
入射する放射線（７５）によって照射された被写体（２００）を画像化するための線形配列コンピュータ断層撮影（ＣＴ）スキャナ（１００）であって、
ポリマーを含む基板（１０１）と、
前記基板上に配置された線形光センサ・アレイ（１１０）と、
を備え、
前記光センサ・アレイは、行（２１２）に配列された複数の光センサ（１２０）と、複数のＴＦＴ（１３４）を含むアドレス指定可能な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイ（１３０）とを備え、前記ＴＦＴの各々は、各光センサが前記線形光センサ・アレイにおいて選択的にアドレス指定されるように、線形光センサ・アレイ（１１０）の１つとそれぞれ電気的に接続され、
前記ＴＦＴ（１３４）の各々は、ゲート電極（１３８）と、前記ゲート電極の上に配置された有機半導体を含む半導体領域（１３９）と、前記半導体領域に接触したソース電極（１３７）及びドレイン電極（１３６）とを備え、
前記入射する放射線を受けかつ吸収するように配置され、前記入射する放射線を光子に変換するように構成され、前記線形光センサ・アレイに光学的に結合されたシンチレータ（１９０）が設けられ、
前記線形光センサ・アレイは、前記光子を受けて、該光子に対応する電気信号を生成するように構成され、
前記光センサ（１２０）の各々が、前記入射する放射線（７５）に対して位置合わせされるように、隣接する前記光センサの１つに対して所定の角度をなして配向され、前記基板（１１０）と前記線形光センサ・アレイ（１１０）とが、固定構成で配置されていることを特徴とする線形配列ＣＴスキャナ。
【請求項１８】
前記線形光センサ・アレイ（１１０）及び前記基板（１０１）は、前記光センサ（１２０）の各々が隣接する前記光センサの１つに対して所定の角度をもって配置されるように調整可能に構成されていることを特徴とする、請求項１７に記載の線形配列ＣＴスキャナ。