【手続補正書】
【提出日】平成20年9月9日(2008.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面、前記第１主面に形成された複数の第１主面電極、前記複数の第１主面電極を露出するように、前記第１主面上に形成された絶縁膜、前記第１主面とは反対側の第１裏面、及び前記第１裏面に形成された複数の第１裏面電極を有する配線基板と、
前記配線基板の前記絶縁膜上に配置されたペースト状の接着材と、
第２主面、前記第２主面に形成された複数の第２主面電極、前記第２主面とは反対側の第２裏面、及び前記第２主面と前記第２裏面との間の側面を有し、前記第２裏面が前記配線基板の前記第１主面と対向するように、前記接着材を介して前記配線基板の前記絶縁膜上に固定された半導体チップと、
前記配線基板の前記複数の第１主面電極と前記半導体チップの前記複数の第２主面電極とをそれぞれ電気的に接続する複数のワイヤと、
前記半導体チップ及び前記複数のワイヤを封止する封止体と、
を含み、
前記複数の第１主面電極は、前記半導体チップの周囲に配置され、
前記接着材は、前記半導体チップの前記側面を覆っており、
前記絶縁膜は、前記複数の第１主面電極のそれぞれと前記半導体チップとの間に溝を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置おいて、
前記封止体の一部は、前記配線基板の前記第１主面に形成された前記絶縁膜と接触していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置おいて、
前記配線基板の前記第１裏面電極には、複数のバンプ電極が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置おいて、
前記接着材は、前記半導体チップの前記側面における７０％以上の部分を覆っていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置おいて、
前記半導体チップの平面形状は四角形から成り、
前記配線基板の前記複数の第１主面電極は、前記半導体チップの各辺に沿って配置され、
前記絶縁膜に形成された溝は、前記半導体チップの各辺に沿って、複数個形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
（ａ）第１主面、前記第１主面に形成された複数の第１主面電極、前記複数の第１主面電極を露出するように、前記第１主面上に形成された絶縁膜、前記第１主面とは反対側の第１裏面、及び前記第１裏面に形成された複数の第１裏面電極を有する配線基板を準備する工程；
（ｂ）前記配線基板の前記絶縁膜上に、ペースト状の接着材を配置する工程；
（ｃ）第２主面、前記第２主面に形成された複数の第２主面電極、前記第２主面とは反対側の第２裏面、及び前記第２主面と前記第２裏面との間の側面を有する半導体チップを、前記半導体チップの前記第２裏面が前記配線基板の前記第１主面と対向し、前記複数の第１主面電極の内側に位置するように、前記配線基板の前記絶縁膜上に配置し、前記接着材を介して前記半導体チップを前記配線基板の前記絶縁膜上に固定する工程；
（ｄ）前記配線基板の前記複数の第１主面電極と前記半導体チップの前記複数の第２主面電極とを、複数のワイヤを介してそれぞれ電気的に接続する工程；
（ｅ）前記半導体チップ及び前記複数のワイヤを樹脂で封止する工程；
を含み、
前記絶縁膜は、前記複数の第１主面電極のそれぞれと前記半導体チップとの間に溝を有しており、
前記（ｃ）工程では、前記接着材が前記半導体チップの側面を這い上がるように、前記半導体チップを前記配線基板に押し付けることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置の製造方法おいて、
前記（ｃ）工程の後で、かつ前記（ｄ）工程の前に、前記接着材をベーキングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６に記載の半導体装置の製造方法おいて、
前記（ｃ）工程では、前記半導体チップを真空吸着保持するボンディングツールで、前記半導体チップを前記配線基板に押し付けることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項６に記載の半導体装置の製造方法おいて、
前記封止体の一部は、前記配線基板の前記第１主面に形成された前記絶縁膜と接触していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項６に記載の半導体装置の製造方法おいて、
前記配線基板の前記第１裏面電極には、複数のバンプ電極が形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項６に記載の半導体装置の製造方法おいて、
前記接着材は、前記半導体チップの前記側面における７０％以上の部分を覆っていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項６に記載の半導体装置の製造方法おいて、
前記半導体チップの平面形状は四角形から成り、
前記配線基板の前記複数の第１主面電極は、前記半導体チップの各辺に沿って配置され、
前記絶縁膜に形成された溝は、前記半導体チップの各辺に沿って、複数個形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
（１）第１主面、前記第１主面に形成された複数の第１主面電極、前記複数の第１主面電極を露出するように、前記第１主面上に形成された絶縁膜、前記第１主面とは反対側の第１裏面、及び前記第１裏面に形成された複数の第１裏面電極を有する配線基板と、
前記配線基板の前記絶縁膜上に配置されたペースト状の接着材と、
第２主面、前記第２主面に形成された複数の第２主面電極、前記第２主面とは反対側の第２裏面、及び前記第２主面と前記第２裏面との間の側面を有し、前記第２裏面が前記配線基板の前記第１主面と対向するように、前記接着材を介して前記配線基板の前記絶縁膜上に固定された半導体チップと、
前記配線基板の前記複数の第１主面電極と前記半導体チップの前記複数の第２主面電極とをそれぞれ電気的に接続する複数のワイヤと、
前記半導体チップ及び前記複数のワイヤを封止する封止体と、
を含む半導体装置であって、
前記複数の第１主面電極は、前記半導体チップの周囲に配置され、前記接着材は、前記半導体チップの前記側面を覆っており、前記絶縁膜は、前記複数の第１主面電極のそれぞれと前記半導体チップとの間に溝を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
（ａ）第１主面、前記第１主面に形成された複数の第１主面電極、前記複数の第１主面電極を露出するように、前記第１主面上に形成された絶縁膜、前記第１主面とは反対側の第１裏面、及び前記第１裏面に形成された複数の第１裏面電極を有する配線基板を準備する工程；
（ｂ）前記配線基板の前記絶縁膜上に、ペースト状の接着材を配置する工程；
（ｃ）第２主面、前記第２主面に形成された複数の第２主面電極、前記第２主面とは反対側の第２裏面、及び前記第２主面と前記第２裏面との間の側面を有する半導体チップを、前記半導体チップの前記第２裏面が前記配線基板の前記第１主面と対向し、前記複数の第１主面電極の内側に位置するように、前記配線基板の前記絶縁膜上に配置し、前記接着材を介して前記半導体チップを前記配線基板の前記絶縁膜上に固定する工程；
（ｄ）前記配線基板の前記複数の第１主面電極と前記半導体チップの前記複数の第２主面電極とを、複数のワイヤを介してそれぞれ電気的に接続する工程；
（ｅ）前記半導体チップ及び前記複数のワイヤを樹脂で封止する工程；
を含む半導体装置の製造方法であって、
前記絶縁膜は、前記複数の第１主面電極のそれぞれと前記半導体チップとの間に溝を有しており、前記（ｃ）工程では、前記接着材が前記半導体チップの側面を這い上がるように、前記半導体チップを前記配線基板に押し付けることを特徴とする。