【手続補正書】
【提出日】平成20年11月11日(2008.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板に所定の処理を施す複数の処理室と，これらの処理室に共通に連結され，前記各処理室に対して前記被処理基板の搬出入を行う共通搬送室とを備える基板処理装置であって，
前記複数の処理室は，前記被処理基板上に付着した自然酸化膜を含む付着物をプラズマによらないガス成分との化学反応と熱処理によって除去するための付着物除去処理室と，前記被処理基板上に成膜処理を施すための成膜処理室と，前記被処理基板上の測定処理を行うための測定処理室とを含み，
前記測定処理室は，前記被処理基板上の膜厚を測定する膜厚測定部と，前記被処理基板上のパーティクルを測定するパーティクル測定部とを備え，前記膜厚測定部と前記パーティクル測定部を構成する光学ユニットは，前記被処理基板の半径方向へ移動可能に構成されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記付着物除去処理室は，前記被処理基板上の前記付着物とガス成分とを化学反応させて生成物を生成するための生成物生成処理室と，前記被処理基板上に形成された前記付着物の生成物を熱処理により除去するための生成物除去処理室との２つの処理室により構成されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記成膜処理室は，前記被処理基板に第１膜を成膜する第１膜成膜処理室と，前記第１膜上に第２膜を成膜する第２膜成膜処理室との２つの処理室により構成されることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記測定処理室は，さらに前記被処理基板の表面画像を撮像し，認識するための画像処理部を備えることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
被処理基板に所定の処理を施す複数の処理室と，これらの処理室に共通に連結される共通搬送室と，この共通搬送室内に設けられた前記被処理基板を搬送するための搬送機構とをそれぞれ備える複数の真空処理装置をパス部を介してそれぞれ連結してなる基板処理装置であって，
前記複数の処理室は，前記被処理基板上に付着した自然酸化膜を含む付着物をプラズマによらないガス成分との化学反応と熱処理によって除去するための付着物除去処理室と，前記被処理基板上に成膜処理を施すための成膜処理室と，前記被処理基板上の測定処理を行うための測定処理室とを含み，
前記測定処理室は，前記被処理基板上の膜厚を測定する膜厚測定部と，前記被処理基板上のパーティクルを測定するパーティクル測定部とを備え，前記膜厚測定部と前記パーティクル測定部を構成する光学ユニットは，前記被処理基板の半径方向へ移動可能に構成されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
前記付着物除去処理室は，前記被処理基板上の前記付着物とガス成分とを化学反応させて生成物を生成するための生成物生成処理室と，前記被処理基板上に形成された前記付着物の生成物を熱処理により除去するための生成物除去処理室との２つの処理室により構成されることを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記成膜処理室は，前記被処理基板に第１膜を成膜する第１膜成膜処理室と，前記第１膜上に第２膜を成膜する第２膜成膜処理室との２つの処理室により構成されることを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記成膜処理室は，前記被処理基板に第１膜を成膜する第１膜成膜処理室と，前記第１膜上に第２膜を成膜する第２膜成膜処理室とから構成される２つの処理室の組を複数含むことを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記付着物除去処理室で処理される被処理基板は，コンタクトホール又はビアホールが形成された被処理基板であり，
前記成膜処理室は，前記被処理基板に形成されたコンタクトホール又はビアホールの内側に第１バリア層を成膜する第１バリア層成膜処理室と，前記第１バリア層の上側に第２バリア層を成膜する第２バリア層成膜処理室とにより構成されることを特徴とする請求項１又は５に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記付着物除去処理室で処理される被処理基板は，シリコン基板であり，
前記成膜処理室は，前記被処理基板上に酸素ラジカルによってベース酸化膜層を成膜するベース酸化膜層成膜処理室と，前記ベース酸化膜層が形成された被処理基板に高誘電体ゲート酸化膜を成膜する高誘電体ゲート酸化膜成膜処理室とにより構成されることを特徴とする請求項１又は５に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記被処理基板上に付着した自然酸化膜を含む付着物をプラズマによらないガス成分との化学反応と熱処理によって除去する付着物除去処理ステップと，
前記付着物除去処理後に，前記付着物除去処理が適正に実行されたか否かを検査するための測定を行う測定処理ステップと，
前記測定処理後に，前記被処理基板上に成膜処理を施す成膜処理ステップと，を有し，
前記付着物除去処理ステップは，前記被処理基板上の前記付着物とガス成分とを化学反応させて生成物を生成するステップと，前記被処理基板上に形成された前記付着物の生成物を熱処理により除去するステップとからなり，
前記測定処理ステップは，前記被処理基板上に残留した前記付着物を膜厚として測定する膜厚測定ステップと，前記被処理基板上に生成した前記生成物をパーティクルとして測定するパーティクル測定ステップとからなることを特徴とする基板処理方法。
【請求項１２】
前記膜厚測定ステップと前記パーティクル測定ステップとは，１つの前記測定処理室内で実行することを特徴とする請求項１１に記載の基板処理方法。
【請求項１３】
前記測定処理ステップは，さらに前記膜厚測定ステップと前記パーティクル測定ステップにより測定された測定結果に基づいて，前記付着物除去処理を実行するためのプロセスレシピを補正することを特徴とする請求項１２に記載の基板処理方法。
【請求項１４】
前記測定処理ステップは，さらに前記膜厚測定ステップと前記パーティクル測定ステップにより測定された測定結果に基づいて，次の前記成膜処理ステップを実行するか否かを判断することを特徴とする請求項１３に記載の基板処理方法。
【請求項１５】
前記測定処理ステップは，前記付着物除去処理が適正に実行されたか否かを検査するための測定に加え，次の前記成膜処理が施される下地膜の膜厚測定を行うことを特徴とする請求項１４に記載の基板処理方法。
【請求項１６】
前記測定処理ステップは，前記被処理基板上において前記付着物除去処理が施された表面の膜厚測定及び前記成膜処理が施される下地膜の膜厚測定を行うステップと，前記付着物除去処理が施された表面の付着物測定を行うステップとを１つの測定処理室内で実行することを特徴とする請求項１５に記載の基板処理方法。
【請求項１７】
前記成膜処理ステップは，前記被処理基板に第１膜を成膜するステップと，前記第１膜上に第２膜を成膜するステップとを有することを特徴とする請求項１１〜１６のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１８】
被処理基板に所定の処理を施す基板処理方法をコンピュータに実行させるためのプログラムであって，
前記基板処理方法は，
前記被処理基板上に付着した自然酸化膜を含む付着物をプラズマによらないガス成分との化学反応と熱処理によって除去する付着物除去処理ステップと，
前記付着物除去処理後に，前記付着物除去処理が適正に実行されたか否かを検査するための測定を行う測定処理ステップと，
前記測定処理後に，前記被処理基板上に成膜処理を施す成膜処理ステップと，を有し，
前記付着物除去処理ステップは，前記被処理基板上の前記付着物とガス成分とを化学反応させて生成物を生成するステップと，前記被処理基板上に形成された前記付着物の生成物を熱処理により除去するステップとからなり，
前記測定処理ステップは，前記被処理基板上に残留した前記付着物を膜厚として測定する膜厚測定ステップと，前記被処理基板上に生成した前記生成物をパーティクルとして測定するパーティクル測定ステップとからなることを特徴とするプログラム。
【請求項１９】
被処理基板に所定の処理を施す基板処理方法をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体であって，
前記基板処理方法は，
前記被処理基板上に付着した自然酸化膜を含む付着物をプラズマによらないガス成分との化学反応と熱処理によって除去する付着物除去処理ステップと，
前記付着物除去処理後に，前記付着物除去処理が適正に実行されたか否かを検査するための測定を行う測定処理ステップと，
前記測定処理後に，前記被処理基板上に成膜処理を施す成膜処理ステップと，を有し，
前記付着物除去処理ステップは，前記被処理基板上の前記付着物とガス成分とを化学反応させて生成物を生成するステップと，前記被処理基板上に形成された前記付着物の生成物を熱処理により除去するステップとからなり，
前記測定処理ステップは，前記被処理基板上に残留した前記付着物を膜厚として測定する膜厚測定ステップと，前記被処理基板上に生成した前記生成物をパーティクルとして測定するパーティクル測定ステップとからなることを特徴とする記録媒体。