【手続補正書】
【提出日】平成20年7月10日(2008.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩｎＰ基板上にｎ型クラッド層、活性層およびｐ型クラッド層を有し、
前記ｐ型クラッド層は第１の層と第２の層を有し、
前記第１の層として、次の（ａ）乃至（ｅ）のうちの少なくとも一つを用いるものであり、
（ａ）ＭｇＺｎＣｄＳｅ層、
（ｂ）ＭｇＳｅ層とＺｎＣｄＳｅ層を有する超格子、
（ｃ）ＭｇＺｎＳｅＴｅ、ＢｅＺｎＣｄＳｅ又はＢｅＺｎＳｅＴｅの少なくとも一つを有する層、
（ｄ）ＭｇＳｅ層とＺｎＳｅ層とを有する超格子を用いるものであって、前記ＭｇＳｅ層にＢｅ、Ｚｎ又はＴｅの少なくとも一方を含有する場合を含み、前記ＺｎＳｅ層にＢｅ、Ｃｄ、Ｍｇ又はＴｅの少なくとも一つを含有する場合を含む、
（ｅ）前記第１の層としてＩＩ−ＶＩ族材料を用い、前記ＩＩ族材料にＣｄを有し、前記ＶＩ族材料にＳを有し、かつ、この第１の層は単一の層であるか、又は超格子の層である、
前記第２の層として、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＢｅＴｅ、ＺｎＴｅ、ＭｇＺｎＳｅＴｅ、又はＢｅＴｅ層の少なくとも一つを用いることを特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
前記第１の層および前記第２の層を有する層のｐ型キャリア濃度は１×１０１７ｃｍ−３以上、１×１０２２ｃｍ−３以下であることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
【請求項３】
ＩｎＰ基板上にｎ型クラッド層、活性層およびｐ型クラッド層を有し、
前記ｐ型クラッド層は第１の層と第２の層を有し、
前記第１の層としてＭｇＺｎＣｄＳｅを用い、
前記第２の層として、ＺｎＳｅＴｅを用いることを特徴とする光半導体装置。
【請求項４】
前記第１の層および前記第２の層を有する層のｐ型キャリア濃度は１×１０１７ｃｍ−３以上、１×１０２２ｃｍ−３以下であることを特徴とする請求項３記載の光半導体装置。
【請求項５】
ＩｎＰ基板上にｎ型クラッド層、活性層およびｐ型クラッド層を有し、
前記ｐ型クラッド層は第１の層と第２の層を有し、
前記第１の層としてＭｇＳｅとＺｎＣｄＳｅとを有する超格子を用い、
前記第２の層として、ＺｎＳｅＴｅを用いることを特徴とする光半導体装置。
【請求項６】
前記第１の層および前記第２の層を有する層のｐ型キャリア濃度は１×１０１７ｃｍ−３以上、１×１０２２ｃｍ−３以下であることを特徴とする請求項５記載の光半導体装置。
【請求項７】
ＩｎＰ基板上にｎ型クラッド層、活性層およびｐ型クラッド層を有し、
前記ｐ型クラッド層は第１の層と第２の層を有し、
前記第１の層としてＭｇＺｎＳｅＴｅ、ＢｅＺｎＣｄＳｅ又はＢｅＺｎＳｅＴｅの少なくとも一つを用い、
前記第２の層として、ＺｎＳｅＴｅを用いることを特徴とする光半導体装置。
【請求項８】
前記第１の層および前記第２の層を有する層のｐ型キャリア濃度は１×１０１７ｃｍ−３以上、１×１０２２ｃｍ−３以下であることを特徴とする請求項７記載の光半導体装置。
【請求項９】
ＩｎＰ基板上にｎ型クラッド層、活性層およびｐ型クラッド層を有し、
前記ｐ型クラッド層は第１の層と第２の層を有し、
前記第１の層として、ＭｇＺｎＣｄＳｅ、ＭｇＺｎＳｅＴｅ、ＢｅＺｎＣｄＳｅ、又はＢｅＺｎＳｅＴｅの材料の少なくとも一つを用い、
前記第２の層として、ＺｎＴｅ、ＺｎＢｅＴｅ、ＭｇＺｎＳｅＴｅ又はＢｅＴｅの材料の少なくとも一つを用いることを特徴とする光半導体装置。
【請求項１０】
前記第１の層および前記第２の層を有する層のｐ型キャリア濃度は１×１０１７ｃｍ−３以上、１×１０２２ｃｍ−３以下であることを特徴とする請求項９記載の光半導体装置。
【請求項１１】
ＩｎＰ基板上にｎ型クラッド層、活性層およびｐ型クラッド層を有し、
前記ｐ型クラッド層は第１の層と第２の層を有し、
前記第１の層として、ＭｇＳｅ層とＺｎＳｅ層とを有する超格子を用いるものであって、前記ＭｇＳｅ層にＢｅ、Ｚｎ又はＴｅの少なくとも一方を含有する場合を含み、前記ＺｎＳｅ層にＢｅ、Ｃｄ、Ｍｇ又はＴｅの少なくとも一つを含有する場合を含み、
前記第２の層として、ＺｎＳｅＴｅ材料を用いることを特徴とする光半導体装置。
【請求項１２】
前記第１の層および前記第２の層を有する層のｐ型キャリア濃度は１×１０１７ｃｍ−３以上、１×１０２２ｃｍ−３以下であることを特徴とする請求項１１記載の光半導体装置。
【請求項１３】
ＩｎＰ基板上にｎ型クラッド層、活性層およびｐ型クラッド層を有し、
前記ｐ型クラッド層は第１の層と第２の層を有し、
前記第１の層として、ＭｇＳｅ層とＺｎＳｅ層とを有する超格子を用いるものであって、前記ＭｇＳｅ層にＢｅ、Ｚｎ又はＴｅの少なくとも一方を含有する場合を含み、前記ＺｎＳｅ層にＢｅ、Ｃｄ、Ｍｇ又はＴｅの少なくとも一つを含有する場合を含み、
前記第２の層として、ＺｎＢｅＴｅ、ＺｎＴｅ、ＭｇＺｎＳｅＴｅ、又はＢｅＴｅ層材料のうちの少なくとも一つを用いることを特徴とする光半導体装置。
【請求項１４】
前記第１の層および前記第２の層を有する層のｐ型キャリア濃度は１×１０１７ｃｍ−３以上、１×１０２２ｃｍ−３以下であることを特徴とする請求項１３記載の光半導体装置。
【請求項１５】
ＩｎＰ基板上にｎ型クラッド層、活性層およびｐ型クラッド層を有し、
前記ｐ型クラッド層は第１の層と第２の層を有し、
前記第１の層として、ＩＩ−ＶＩ族材料を用い、前記ＩＩ族材料にＣｄを有し、前記ＶＩ族材料にＳを有し、かつ、この第１の層は単一の層であり、
前記第２の層として、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＢｅＴｅ、ＺｎＴｅ、ＭｇＺｎＳｅＴｅ、又はＢｅＴｅ層材料のうちの少なくとも一つを用いることを特徴とする光半導体装置。
【請求項１６】
前記第１の層および前記第２の層を有する層のｐ型キャリア濃度は１×１０１７ｃｍ−３以上、１×１０２２ｃｍ−３以下であることを特徴とする請求項１５記載の光半導体装置。
【請求項１７】
ＩｎＰ基板上にｎ型クラッド層、活性層およびｐ型クラッド層を有し、
前記ｐ型クラッド層は第１の層と第２の層を有し、
前記第１の層として、ＩＩ−ＶＩ族材料を用い、前記ＩＩ族材料にＣｄを有し、前記ＶＩ族材料にＳを有し、かつ、この第１の層は超格子の層であり、
前記第２の層として、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＢｅＴｅ、ＺｎＴｅ、ＭｇＺｎＳｅＴｅ、又はＢｅＴｅ層材料のうちの少なくとも一つを用いることを特徴とする光半導体装置。
【請求項１８】
前記第１の層および前記第２の層を有する層のｐ型キャリア濃度は１×１０１７ｃｍ−３以上、１×１０２２ｃｍ−３以下であることを特徴とする請求項１７記載の光半導体装置。
【請求項１９】
ＩｎＰ基板上にｎ型クラッド層、活性層およびｐ型クラッド層を有し、
前記ｐ型クラッド層は第１の層と第２の層を有し、
前記第１の層として、ＭｇｘＺｎｙＣｄ１−ｘ−ｙＳｅの材料を用い、
前記第２の層として、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＢｅＴｅ、ＺｎＴｅ、ＭｇＺｎＳｅＴｅ、又はＢｅＴｅ層材料のうちの少なくとも一つを用い、
前記ＭｇｘＺｎｙＣｄ１−ｘ−ｙＳｅ層の組成比（ｘ、ｙ）がｙ＝０．４７−０．３７ｘ（ｘ＝０〜０．８、ｙ＝０．４７〜０．１７）の関係式を満たす組み合わせで、組成比が（ｘ＝０、ｙ＝０．４７）から（ｘ＝０．８、ｙ＝０．１７）の範囲にあることを特徴とする光半導体装置。
【請求項２０】
前記第１の層および前記第２の層を有する層のｐ型キャリア濃度は１×１０１７ｃｍ−３以上、１×１０２２ｃｍ−３以下であることを特徴とする請求項１９記載の光半導体装置。