【手続補正書】
【提出日】平成20年3月18日(2008.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主表面の一部に凹部が形成された基板と、
前記主表面に形成された遮蔽膜と
を備え、
前記凹部は、前記遮蔽膜の一部が庇となるように形成されたアンダーカット部を含み、
前記遮蔽膜は、前記凹部の一部を露出するように形成された第１主開口部と、
前記基板の主表面を露出するように形成された第２主開口部と、
前記第１主開口部が形成されている前記凹部の端部の一部を露出するように形成された第１補助開口部と
を含み、
前記凹部は、前記端部が前記第１主開口部とほぼ相似な形状に形成され、
前記第１主開口部は、前記凹部が形成されている領域に含まれるように形成され、
前記第１主開口部を通った第１の光と前記第２主開口部を通った第２の光との各位相が互いに略半波長ずれるように形成された、位相シフトマスク。
【請求項２】
前記第１主開口部は、直線状の一辺を有し、
前記第１主開口部の前記一辺と、前記第１補助開口部から露出した前記凹部の前記端部とが略平行になるように形成された、請求項１に記載の位相シフトマスク。
【請求項３】
前記第１主開口部の一辺と前記第１補助開口部から露出した前記凹部の前記端部との距離は、
前記第１主開口部の前記一辺と前記第１主開口部に向かう側の前記第１補助開口部の端部との距離より大きく、前記第１主開口部の一辺と前記第１主開口部に向かう側と反対側の前記第１補助開口部の端部との距離より小さい、請求項２に記載の位相シフトマスク。
【請求項４】
前記第１補助開口部と前記第１主開口部とが連通している、請求項１から３のいずれかに記載の位相シフトマスク。
【請求項５】
前記第１主開口部および前記第１補助開口部は、ウエハ上にパターンを形成するための露光領域の外側に形成されている、請求項１から４のいずれかに記載の位相シフトマスク。
【請求項６】
前記第１補助開口部が複数形成された、請求項１から５のいずれかに記載の位相シフトマスク。
【請求項７】
前記第１主開口部は、複数の辺を有し、
前記第１補助開口部は、前記複数の辺のうち少なくとも２辺以上のそれぞれの辺に対応するように形成された、請求項６に記載の位相シフトマスク。
【請求項８】
前記遮蔽膜は、第２補助開口部を含み、
前記第１補助開口部および前記第２補助開口部は、前記第１主開口部の一辺に沿って並ぶように形成され、
前記第１補助開口部および前記第２補助開口部は、前記一辺に沿って見たときに、前記第１主開口部から徐々に遠ざかるように形成された、請求項１から７のいずれかに記載の位相シフトマスク。
【請求項９】
前記遮蔽膜は、第２補助開口部を含み、
前記第１補助開口部および前記第２補助開口部は、前記第１主開口部の一辺に沿って並ぶように形成され、
前記第１主開口部の前記一辺にほぼ垂直な方向の前記第２補助開口部の長さは、前記第１主開口部の前記一辺にほぼ垂直な方向の前記第１補助開口部の長さと異なる、請求項１から７のいずれかに記載の位相シフトマスク。
【請求項１０】
前記遮蔽膜は、第２補助開口部を含み、
前記第１補助開口部および前記第２補助開口部は、前記第１主開口部の一辺に沿って並ぶように形成され、
前記第１主開口部と前記第１補助開口部の前記第１主開口部に向かう端部との第１の距離を有し、
前記第１主開口部と前記第２補助開口部の前記第１主開口部に向かう端部との第２の距離を有し、
前記第１の距離と前記第２の距離とが異なるように形成された、請求項１から７のいずれかに記載の位相シフトマスク。
【請求項１１】
前記遮蔽膜は、第２補助開口部を含み、
前記第１補助開口部および前記第２補助開口部は、前記第１主開口部の一辺に沿って並ぶように形成され、
前記第１補助開口部の前記第１主開口部に向かう側と反対側の端部と前記第１主開口部との第３の距離を有し、
前記第２補助開口部の前記第１主開口部に向かう側と反対側の端部と前記第１主開口部との第４の距離を有し、
前記第３の距離と前記第４の距離とが異なるように形成された、請求項１から７のいずれかに記載の位相シフトマスク。
【請求項１２】
前記第１補助開口部および前記第２補助開口部は、前記第１主開口部に向かう側の端部同士および前記第１主開口部に向かう側と反対側の端部同士のうち、前記第１主開口部の一辺に対して少なくとも一方がずれるように形成され、
前記第１補助開口部および前記第２補助開口部は、前記第１主開口部に向かう側の端部同士のずれ量、または、前記第１主開口部に向かう側と反対側の端部同士のずれ量が、ほぼ同じ長さになるように形成された、請求項８から１１のいずれかに記載の位相シフトマスク。
【請求項１３】
主表面の一部に凹部が形成された基板と、
前記主表面に形成された遮蔽膜と
を備え、
前記凹部は、前記遮蔽膜の一部が庇となるように形成されたアンダーカット部を含み、
前記遮蔽膜は、前記凹部の一部を露出するように形成された第１主開口部と、
前記基板の主表面を露出するように形成された第２主開口部と、
前記凹部の端部の一部を露出するように形成された第１補助開口部と
を含み、
前記凹部は、前記凹部を通る光の位相が略半波長ずれるような深さを有し、
前記凹部は、前記端部が前記第１主開口部とほぼ相似な形状に形成され、
前記第１主開口部は、前記凹部が形成されている領域に含まれるように形成された、位相シフトマスク。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】位相シフトマスク
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、位相シフトマスクに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたものであり、庇になる部分の大きさを直接的に正確に測定することができる位相シフトマスクを提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明に基づく位相シフトマスクは、主表面の一部に凹部が形成された基板と、上記主表面に形成された遮蔽膜とを備える。上記凹部は、上記遮蔽膜の一部が庇となるように形成されたアンダーカット部を含み、上記遮蔽膜は、上記凹部の一部を露出するように形成された第１主開口部と、上記基板の主表面を露出するように形成された第２主開口部と、上記凹部の端部の一部を露出するように形成された第１補助開口部とを含む。上記凹部は、上記端部が上記第１主開口部とほぼ相似な形状に形成され、上記第１主開口部は、上記
凹部が形成されている領域に含まれるように形成され、上記第１主開口部を通った第１の
光と上記第２主開口部を通った第２の光との各位相が互いに略半波長ずれるように形成されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明によれば、庇になる部分の大きさを直接的に測定することができる位相シフトマスクを提供することができる。また、微細な製造を行なうことができる半導体装置の製造方法を提供することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
図１は、本実施の形態におけるレベンソンマスクの平面図であり、図２は、図１におけるＩＩ−ＩＩ線に関する矢視断面図である。図１に示すパターンは、庇量を測定するためのモニターマークとして形成されている。本実施の形態における位相シフトマスクとしてのレベンソンマスクは、基板としての石英基板（Ｑｚ基板）２と、石英基板２の主表面に形成された遮蔽膜としてのＣｒ膜３とを備える。石英基板２の主表面の一部には、凹部としての掘り込み部９が形成されている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
Ｃｒ膜３には、所望の形状で露光を行なうための開口部が形成されている。開口部は、石英基板２の主表面に形成された掘り込み部の表面を露出するように形成された第１主開口部としてのπ開口部と、石英基板２の主表面を露出するように形成された第２主開口部としての０開口部とを含む。０開口部およびπ開口部は、Ｃｒ膜３を貫通する穴である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本実施の形態におけるレベンソンマスクは、Ｃｒ膜で露光を行なう光が遮蔽され、０開口部およびπ開口部で光が透過する。０開口部を通る光は、位相が変化せずに光が透過する一方で、π開口部を通る光は、位相が半波長（π）変化する（π開口部を通った第１の光は、位相が半波長（π）変化している一方で、０開口部を通った第２の光は、位相が変化していない）。したがって、光が照射される対象物のうち０開口部を通った光が露光される領域と、π開口部を通った光が露光される領域との間の領域において、光の干渉が生じて光が広がる部分が互いに打ち消される。このため、０開口部の形状とπ開口部の形状とを正確に露光することができ、解像度が向上する。また、掘り込み部にはアンダーカット部が形成されているため、転写寸法差を小さくすることができる。