【手続補正書】
【提出日】平成20年7月11日(2008.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも下記一般式［１］
【化１】
2008081633.tif 000001
（式中、Ｒ1〜Ｒ4のうち少なくとも一つが、下記一般式［２］
【化２】
2008081633.tif 000002
（式中、鎖線は結合手を示す。Ｒ5は水素原子、炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数２〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルキル基、又は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアシル基を示す。Ｒ6は炭素数４〜２０の三級アルキル基を示す。Ｗ1は単結合又は炭素数１〜１０のｋ＋２価の炭化水素基を示す。ｋは０又は１であり、ｋが０のときＷ１は単結合である。）で表される酸不安定基を有する官能基であり、その他はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、ハロゲン、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のハロゲン化アルキル基、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、炭素数２〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルキル基、炭素数２〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６〜２０のアリールカルボニルオキシ基、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキルスルホニルオキシ基、炭素数６〜２０のアリールスルホニルオキシ基、炭素数２〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシカルボニル基、又は炭素数３〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシカルボニルアルキル基から選ばれ、Ｘ1は−Ｏ−又はＣＲ7２−（Ｒ7は水素原子又は炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す）であり、同一でも異なってもよい。ｊは０又は１〜３の整数を表す。）
で表される構造単位［Ａ］と、下記一般式［３］及び/又は［４］
【化３】
2008081633.tif 000003
2008081633.tif 000004
（式中、Ｒ8〜Ｒ11は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、Ｘ2は−Ｏ−又はＣＲ12２−（Ｒ12は水素原子又は炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す）であり、同一でも異なってもよい。ｍは０又は１〜３の整数を表す。Ｒ13〜Ｒ16は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、Ｘ3は−Ｏ−又はＣＲ17２−（Ｒ17は水素原子又は炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す）であり、同一でも異なってもよい。Ｙ1及びＹ2は、一方が−（Ｃ＝Ｏ）−であり、他方は、−ＣＲ18２−（Ｒ18は水素原子又は炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す）である。ｎは０又は１〜３の整数を表す。）
から選ばれる構造単位［Ｂ］と、下記一般式［５］及び/又は［６］
【化４】
2008081633.tif 000005
2008081633.tif 000006
（式中、ｅは０又は１〜３の整数を表す。ｆは０又は１〜３の整数を表す。）
から選ばれる構造単位［Ｃ］とから構成され、かつ、構造単位［Ａ］の一般式［１］のＸ1、構造単位［Ｂ］の一般式［３］のＸ2、及び一般式［４］のＸ3のうち少なくとも１つが−Ｏ−であり、その構成モル比が［Ａ］／（［Ｂ］＋［Ｃ］）＝２０／８０〜９８／２、（［Ａ］＋［Ｂ］）／［Ｃ］＝９９／１〜５０／５０、（［Ａ］＋［Ｃ］）／［Ｂ］＝９９／１〜２１／７９を同時に満たす開環メタセシス重合体水素添加物。
【請求項２】
一般式［１］のＲ1〜Ｒ4のうち少なくとも一つとして選ばれる一般式［２］中のＲ６が、１−アルキルシクロペンチル基、２−アルキル−２−ノルボルニル基又は２−アルキル−２−アダマンチル基である請求項１に記載の開環メタセシス重合体水素添加物。
【請求項３】
一般式［７］
【化５】
2008081633.tif 000007
（式中、Ｒ19〜Ｒ22のうち少なくとも一つが、下記一般式［８］
【化６】
2008081633.tif 000008
（式中、鎖線は結合手を示す。Ｒ23は水素原子、炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数２〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルキル基、又は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアシル基を示す。Ｗ2は単結合又は炭素数１〜１０のｑ＋２価の炭化水素基を示す。ｑは０又は１であり、ｑが０のときＷ２は単結合である。）で表されるカルボキシル基を有する官能基であり、その他はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、ハロゲン、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のハロゲン化アルキル基、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、炭素数２〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルキル基、炭素数２〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６〜２０のアリールカルボニルオキシ基、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキルスルホニルオキシ基、炭素数６〜２０のアリールスルホニルオキシ基、炭素数２〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシカルボニル基、又は炭素数３〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシカルボニルアルキル基から選ばれ、Ｘ4は−Ｏ−又はＣＲ24２−（Ｒ24は水素原子又は炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す）であり、同一でも異なってもよい。ｐは０又は１〜３の整数を表す。）
で表される構造単位［Ｄ］を更に含む請求項１または２に記載の開環メタセシス重合体水素添加物。
【請求項４】
一般式［１］で表される構造単位［Ａ］、一般式［３］及び／又は［４］で表される構造単位［Ｂ］、一般式［５］及び／又は［６］で表される構造単位［Ｃ］の合計と、一般式［７］で表される構造単位［Ｄ］との構成モル比が（［Ａ］＋［Ｂ］＋［Ｃ］）／［Ｄ］＝１００／０〜２０／８０である請求項３に記載の開環メタセシス重合体水素添加物。
【請求項５】
一般式［９］
【化７】
2008081633.tif 000009
（式中、Ｒ25〜Ｒ28のうち少なくとも一つが、下記一般式［１０］
【化８】
2008081633.tif 000010
（式中、鎖線は結合手を示す。Ｒ29は水素原子、炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数２〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルキル基、又は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアシル基を示す。Ｒ30は炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキル基、炭素数２〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルキル基、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のハロゲン化アルキル基を示す。Ｗ3は単結合又は炭素数１〜１０のｓ＋２価の炭化水素基を示す。ｓは０又は１であり、ｓが０のときＷ３は単結合である。）で表されるカルボン酸エステル基を有する官能基であり、その他はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、ハロゲン、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のハロゲン化アルキル基、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、炭素数２〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルキル基、炭素数２〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６〜２０のアリールカルボニルオキシ基、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキルスルホニルオキシ基、炭素数６〜２０のアリールスルホニルオキシ基、炭素数２〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシカルボニル基、又は炭素数３〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシカルボニルアルキル基から選ばれ、Ｘ5は−Ｏ−又はＣＲ31２−（Ｒ31は水素原子又は炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す）であり、同一でも異なってもよい。ｒは０又は１〜３の整数を表す。）
で表される構造単位［Ｅ］を更に含む請求項１ないし４のいずれかに記載の開環メタセシス重合体水素添加物。
【請求項６】
一般式［１］で表される構造単位［Ａ］、一般式［３］及び／又は［４］で表される構造単位［Ｂ］、一般式［５］及び／又は［６］で表される構造単位［Ｃ］の合計と、一般式［９］で表される構造単位［Ｅ］との構成モル比が（［Ａ］＋［Ｂ］＋［Ｃ］）／［Ｅ］＝１００／０〜４０／６０である請求項５に記載の開環メタセシス重合体水素添加物。
【請求項７】
ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定したポリスチレン換算の数平均分子量が２，０００〜２００，０００である請求項１ないし６のいずれかに記載の開環メタセシス重合体水素添加物。
【請求項８】
ＧＰＣで測定したポリスチレン換算の数平均分子量が３，０００〜５０，０００である請求項７に記載の開環メタセシス重合体水素添加物。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかに記載の開環メタセシス重合体水素添加物をベース樹脂として含有するレジスト材料。
【請求項１０】
請求項１ないし８のいずれかに記載の開環メタセシス重合体水素添加物をベース樹脂として含有するレジスト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後フォトマスクを介して高エネルギー線もしくは電子線で露光する工程と、必要に応じて加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
しかしながら、これらのポリ（メタ）アクリル酸エステル誘導体の耐エッチング性は未だ充分ではない。また、今後のパターン微細化に伴って、解像性確保のためにレジストの薄膜化が必至であることから、耐エッチング性の重要性が一層高まることが予想される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【化４】
2008081633.tif 000011
2008081633.tif 000012
（式中、ｅは０又は１〜３の整数を表す。ｆは０又は１〜３の整数を表す。）
から選ばれる構造単位［Ｃ］とから構成され、かつ、構造単位［Ａ］の一般式［１］のＸ1、構造単位［Ｂ］の一般式［３］のＸ2、及び一般式［４］のＸ3のうち少なくとも１つが−Ｏ−であり、その構成モル比が［Ａ］／（［Ｂ］＋［Ｃ］）＝２０／８０〜９８／２、（［Ａ］＋［Ｂ］）／［Ｃ］＝９９／１〜５０／５０、（［Ａ］＋［Ｃ］）／［Ｂ］＝９９／１〜２１／７９を同時に満たす開環メタセシス重合体水素添加物。
（２）一般式［１］のＲ1〜Ｒ4のうち少なくとも一つとして選ばれる一般式［２］中のＲ６が、１−アルキルシクロペンチル基、２−アルキル−２−ノルボルニル基又は２−アルキル−２−アダマンチル基である（１）に記載の開環メタセシス重合体水素添加物。
（３）一般式［７］
【化５】
2008081633.tif 000013
（式中、Ｒ19〜Ｒ22のうち少なくとも一つが、下記一般式［８］
【化６】
2008081633.tif 000014
（式中、鎖線は結合手を示す。Ｒ23は水素原子、炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数２〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルキル基、又は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアシル基を示す。Ｗ2は単結合又は炭素数１〜１０のｑ＋２価の炭化水素基を示す。ｑは０又は１であり、ｑが０のときＷ２は単結合である。）で表されるカルボキシル基を有する官能基であり、その他はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、ハロゲン、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のハロゲン化アルキル基、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、炭素数２〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルキル基、炭素数２〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６〜２０のアリールカルボニルオキシ基、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキルスルホニルオキシ基、炭素数６〜２０のアリールスルホニルオキシ基、炭素数２〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシカルボニル基、又は炭素数３〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシカルボニルアルキル基から選ばれ、Ｘ4は−Ｏ−又はＣＲ24２−（Ｒ24は水素原子又は炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す）であり、同一でも異なってもよい。ｐは０又は１〜３の整数を表す。）
で表される構造単位［Ｄ］を更に含む請求項１または２に記載の開環メタセシス重合体水素添加物。
（４）一般式［１］で表される構造単位［Ａ］、一般式［３］及び／又は［４］で表される構造単位［Ｂ］、一般式［５］及び／又は［６］で表される構造単位［Ｃ］の合計と、一般式［７］で表される構造単位［Ｄ］との構成モル比が（［Ａ］＋［Ｂ］＋［Ｃ］）／［Ｄ］＝１００／０〜２０／８０である（３）に記載の開環メタセシス重合体水素添加物。
（５）一般式［９］
【化７】
2008081633.tif 000015
（式中、Ｒ25〜Ｒ28のうち少なくとも一つが、下記一般式［１０］
【化８】
2008081633.tif 000016
（式中、鎖線は結合手を示す。Ｒ29は水素原子、炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数２〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルキル基、又は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアシル基を示す。Ｒ30は炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキル基、炭素数２〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルキル基、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のハロゲン化アルキル基を示す。Ｗ3は単結合又は炭素数１〜１０のｓ＋２価の炭化水素基を示す。ｓは０又は１であり、ｓが０のときＷ３は単結合である。）で表されるカルボン酸エステル基を有する官能基であり、その他はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、ハロゲン、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のハロゲン化アルキル基、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基、炭素数２〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシアルキル基、炭素数２〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６〜２０のアリールカルボニルオキシ基、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキルスルホニルオキシ基、炭素数６〜２０のアリールスルホニルオキシ基、炭素数２〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシカルボニル基、又は炭素数３〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシカルボニルアルキル基から選ばれ、Ｘ5は−Ｏ−又はＣＲ31２−（Ｒ31は水素原子又は炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す）であり、同一でも異なってもよい。ｒは０又は１〜３の整数を表す。）
で表される構造単位［Ｅ］を更に含む（１）ないし（４）のいずれかに記載の開環メタセシス重合体水素添加物。
（６）一般式［１］で表される構造単位［Ａ］、一般式［３］及び／又は［４］で表される構造単位［Ｂ］、一般式［５］及び／又は［６］で表される構造単位［Ｃ］の合計と、一般式［９］で表される構造単位［Ｅ］との構成モル比が（［Ａ］＋［Ｂ］＋［Ｃ］）／［Ｅ］＝１００／０〜４０／６０である（５）に記載の開環メタセシス重合体水素添加物。
（７）ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定したポリスチレン換算の数平均分子量が２，０００〜２００，０００である（１）ないし（６）のいずれかに記載の開環メタセシス重合体水素添加物。
（８）ＧＰＣで測定したポリスチレン換算の数平均分子量が３，０００〜５０，０００である（７）に記載の開環メタセシス重合体水素添加物。
（９）前記（１）ないし（８）のいずれかに記載の開環メタセシス重合体水素添加物をベース樹脂として含有するレジスト材料。
（１０）前記（１）ないし（８）のいずれかに記載の開環メタセシス重合体水素添加物をベース樹脂として含有するレジスト材料を基板上に塗布する工程と、加熱処理後フォトマスクを介して高エネルギー線もしくは電子線で露光する工程と、必要に応じて加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
本発明において、一般式［１］で表される構造単位［Ａ］と、一般式［３］及び／又は一般式［４］で表される構造単位［Ｂ］と、一般式［５］及び／又は一般式［６］で表される構造単位［Ｃ］の構成モル比が［Ａ］／（［Ｂ］＋［Ｃ］）＝２０／８０〜９８／２、（［Ａ］＋［Ｂ］）／［Ｃ］＝９９／１〜５０／５０、（［Ａ］＋［Ｃ］）／［Ｂ］＝９９／１〜２１／７９を同時に満たし、構造単位［Ａ］に加えて構造単位［Ｂ］及び［Ｃ］がある一定量存在することが必須である。ここで、構造単位［Ａ］は、一般式［２］で表される三級エステル基、即ち露光時に感光剤から発生する酸により分解してカルボン酸を生成する基を含んでおり、露光後、アルカリ水溶液で現像してレジストパターンを作るために必要である。また、構造単位［Ｂ］は、シリコン基板のような被処理基板との密着性を発現するのに必要である。また、構造単位［Ｃ］は、アルカリ現像液に対する溶解阻止性を付与し、溶解コントラストを調整するために必要である。構成モル比［Ａ］／（［Ｂ］＋［Ｃ］）が２０／８０未満であると、露光後の溶解速度が不足し、現像不良となり、９８／２を超えると、被処理基板との密着性不足や解像性不良が問題となる。また、（［Ａ］＋［Ｂ］）／［Ｃ］が９９／１以下であることが構造単位［Ｃ］による現像特性改善効果の発現に不可欠であるが、５０／５０未満であると親水性が過度に低く、現像特性はむしろ劣化する。さらに、（［Ａ］＋［Ｃ］）／［Ｂ］が９９／１を超えると被処理基板との密着性が発現せず、２１／７９未満であると現像不良となる。従って、［Ａ］／（［Ｂ］＋［Ｃ］）＝２０／８０〜９８／２、（［Ａ］＋［Ｂ］）／［Ｃ］＝９９／１〜５０／５０、（［Ａ］＋［Ｃ］）／［Ｂ］＝９９／１〜２１／７９を同時に満たすことが必要になり、好ましくは、［Ａ］／（［Ｂ］＋［Ｃ］）＝２０／８０〜８８／１２、（［Ａ］＋［Ｂ］）／［Ｃ］＝９５／５〜６０／４０、（［Ａ］＋［Ｃ］）／［Ｂ］＝９３／７〜２５／７５を同時に満たす組成であり、より好ましくは、［Ａ］／（［Ｂ］＋［Ｃ］）＝２０／８０〜７０／３０、（［Ａ］＋［Ｂ］）／［Ｃ］＝９０／１０〜７０／３０、（［Ａ］＋［Ｃ］）／［Ｂ］＝８０／２０〜４０／６０を同時に満たす組成である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
本発明における好ましい実施態様において、一般式［１］で表される構造単位［Ａ］、一般式［３］及び／又は一般式［４］で表される構造単位［Ｂ］、一般式［５］及び／又は一般式［６］で表される構造単位［Ｃ］の合計と、一般式［７］で表される構造単位［Ｄ］との構成モル比（［Ａ］＋［Ｂ］＋［Ｃ］）／［Ｄ］は１００／０〜２０／８０であり、構造単位［Ａ］、［Ｂ］及び［Ｃ］に加えて構造単位［Ｄ］がある一定量存在することが好ましい。ここで、構造単位［Ｄ］は、シリコン基板のような被処理基板との密着性を極めて高め、更に現像液との親和性を向上させる。好ましくは構成モル比（［Ａ］＋［Ｂ］＋［Ｃ］）／［Ｄ］は９８／２〜５０／５０であり、更に好ましくは９７／３〜６０／４０、最も好ましくは９５／５〜７０／３０である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
本発明における好ましい実施態様において、一般式［１］で表される構造単位［Ａ］、一般式［３］及び／又は一般式［４］で表される構造単位［Ｂ］、一般式［５］及び／又は一般式［６］で表される構造単位［Ｃ］の合計と、一般式［９］で表される構造単位［Ｅ］との構成モル比（［Ａ］＋［Ｂ］＋［Ｃ］）／［Ｅ］は１００／０〜４０／６０であり、構造単位［Ａ］、［Ｂ］及び［Ｃ］に加えて構造単位［Ｅ］がある一定量存在することが好ましい。ここで構造単位［Ｅ］は、露光時の分解性や、現像特性制御、及び熱特性制御や溶剤溶解性等の設計自由度を増すために有用である。好ましくは構成モル比（［Ａ］＋［Ｂ］＋［Ｃ］）／［Ｅ］は９８／２〜５０／５０であり、更に好ましくは９７／３〜６０／４０、最も好ましくは９５／５〜７０／３０である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
本発明の開環メタセシス共重合体水素添加物において、一般式［１］で表される構造単位［Ａ］と、一般式［３］及び／又は一般式［４］で表される構造単位［Ｂ］と、一般式［５］及び／又は一般式［６］で表される構造単位［Ｃ］の構成モル比が［Ａ］／（［Ｂ］＋［Ｃ］）＝２０／８０〜９８／２、（［Ａ］＋［Ｂ］）／［Ｃ］＝９９／１〜５０／５０、（［Ａ］＋［Ｃ］）／［Ｂ］＝９９／１〜２１／７９を同時に満たし、構造単位［Ａ］に加えて構造単位［Ｂ］及び［Ｃ］がある一定量存在することが必須である。ここで、構造単位［Ａ］は、一般式［２］で表される三級エステル基、即ち露光時に感光剤から発生する酸により分解してカルボン酸を生成する基を含んでおり、露光後、アルカリ水溶液で現像してレジストパターンを作るために必要である。また、構造単位［Ｂ］は、シリコン基板のような被処理基板との密着性を発現するのに必要である。また、構造単位［Ｃ］は、アルカリ現像液に対する溶解阻止性を付与し、溶解コントラストを調整するために必要である。構成モル比［Ａ］／（［Ｂ］＋［Ｃ］）が２０／８０未満であると、露光後の溶解速度が不足し、現像不良となり、９８／２を超えると、被処理基板との密着性不足や解像性不良が問題となる。また、（［Ａ］＋［Ｂ］）／［Ｃ］が９９／１以下であることが構造単位［Ｃ］による現像特性改善効果の発現に不可欠であるが、５０／５０未満であると親水性が過度に低く、現像特性はむしろ劣化する。さらに、（［Ａ］＋［Ｃ］）／［Ｂ］が９９／１を超えると被処理基板との密着性が発現せず、２１／７９未満であると現像不良となる。また、一般式［７］で表される構造単位［Ｄ］はカルボキシル基を含んでおり、シリコン基板のような被処理基板との密着性を改善すること、及び溶剤への溶解性を改善することができる。更に、構造単位［Ａ］、［Ｂ］及び［Ｃ］の合計と、構造単位［Ｄ］との構成モル比（［Ａ］＋［Ｂ］＋［Ｃ］）／［Ｄ］が１００／０〜２０／８０の範囲にあると、露光後のアルカリ水溶液による現像時に濡れ張力を改善し、現像むらを解決するために好ましい。これらの構造単位がこの範囲にあることは、レジスト組成を調製するのに好適であり、極性の高い感光剤と共に、例えば、２−ヘプタノンなどの極性溶媒に溶解し、シリコン基板のような被処理基板に塗布するレジスト材として極めて重要である。すなわち、開環メタセシス重合体の水素添加物が、レジスト組成物を調製する時に、極性溶媒に対する溶解度、又は溶解速度を高めることで均一な平滑コーティング膜を形成することができる。また、構造単位［Ａ］と［Ｂ］及び［Ｃ］に加えて構造単位［Ｅ］を含むと、構造単位［Ａ］に含まれるエステル基とは反応性の異なるエステル基や分解しないエステル基を含むことになり、よって露光時の分解性や現像特性制御、及び熱特性制御や溶剤溶解性の観点で設計の自由度が増すため有用である。この場合の好ましい構造単位の構成モル比（［Ａ］＋［Ｂ］＋［Ｃ］）／［Ｅ］は１００／０〜４０／６０の範囲である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３５】
具体的には、例えばトリフルオロメタンスルホン酸ジフェニルヨードニウム、トリフルオロメタンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルヨードニウム、ｐ−トルエンスルホン酸ジフェニルヨードニウム、ｐ−トルエンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルヨードニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸トリス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、ブタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリメチルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸トリメチルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ジメチルフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸ジメチルフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ジシクロヘキシルフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸ジシクロヘキシルフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリナフチルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸（２−ノルボニル）メチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウム、エチレンビス［メチル（２−オキソシクロペンチル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホナート］、１，２'−ナフチルカルボニルメチルテトラヒドロチオフェニウムトリフレート等のオニウム塩、ビス（ベンゼンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（キシレンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロペンチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｓｅｃ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ−プロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソプロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ−アミルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソアミルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｓｅｃ−アミルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔｅｒｔ−アミルスルホニル）ジアゾメタン、１−シクロヘキシルスルホニル−１−（ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、１−シクロヘキシルスルホニル−１−（ｔｅｒｔ−アミルスルホニル）ジアゾメタン、１−ｔｅｒｔ−ア��ルスルホニル−１−（ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン等のジアゾメタン誘導体、ビス−ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−α−ジフェニルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−α−ジシクロヘキシルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−２，３−ペンタンジオングリオキシム、ビス−ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−２−メチル−３，４−ペンタンジオングリオキシム、ビス−ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−α−ジフェニルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−α−ジシクロヘキシルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−２，３−ペンタンジオングリオキシム、ビス−ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−２−メチル−３，４−ペンタンジオングリオキシム、ビス−ｏ−（メタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（トリフルオロメタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（１，１，１−トリフルオロエタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｔｅｒｔ−ブタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（パーフルオロオクタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（シクロヘキサンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（ベンゼンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｐ−フルオロベンゼンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（キシレンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（カンファースルホニル）−α−ジメチルグリオキシム等のグリオキシム誘導体、ビスナフチルスルホニルメタン、ビストリフルオロメチルスルホニルメタン、ビスメチルスルホニルメタン、ビスエチルスルホニルメタン、ビスプロピルスルホニルメタン、ビスイソプロピルスルホニルメタン、ビス−ｐ−トルエンスルホニルメタン、ビスベンゼンスルホニルメタン等のビススルホン誘導体、２−シクロヘキシルカルボニル−２−（ｐ−トルエンスルホニル）プロパン、２−イソプロピルカルボニル−２−（ｐ−トルエンスルホニル）プロパン等のβ−ケトスルホン誘導体、ジフェニルジスルホン、ジシクロヘキシルジスルホン等のジスルホン誘導体、ｐ−トルエンスルホン酸２，６−ジニトロベンジル、ｐ−トルエンスルホン酸２，４−ジニトロベンジル等のニトロベンジルスルホネート誘導体、１，２，３−トリス（メタンスルホニルオキシ）ベンゼン、１，２，３−トリス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ベンゼン、１，２，３−トリス（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）ベンゼン等のスルホン酸エステル誘導体、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドトリフルオロメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドエタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド１−プロパンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド２−プロパンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイ��ド１−ペンタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド１−オクタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドｐ−トルエンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドｐ−メトキシベンゼンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド２−クロロエタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドベンゼンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド−２，４，６−トリメチルベンゼンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド１−ナフタレンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド２−ナフタレンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシ−２−フェニルスクシンイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシマレイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシマレイミドエタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシ−２−フェニルマレイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシグルタルイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシグルタルイミドベンゼンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシフタルイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシフタルイミドベンゼンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシフタルイミドトリフルオロメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシフタルイミドｐ−トルエンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミドベンゼンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシ−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシ−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミドトリフルオロメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシ−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミドｐ−トルエンスルホン酸エステル等のＮ−ヒドロキシイミド化合物のスルホン酸エステル誘導体等が挙げられるが、トリフルオロメタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸トリス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリナフチルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸（２−ノルボニル）メチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウム、１，２'−ナフチルカルボニルメチルテトラヒドロチオフェニウムトリフレート等のオニウム塩、ビス（ベンゼンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｓｅｃ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ−プロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソプロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン等のジアゾ���タン誘導体、ビス−ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム等のグリオキシム誘導体、ビスナフチルスルホニルメタン等のビススルホン誘導体、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドトリフルオロメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド１−プロパンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド２−プロパンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド１−ペンタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシスクシンイミドｐ−トルエンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミドベンゼンスルホン酸エステル等のＮ−ヒドロキシイミド化合物のスルホン酸エステル誘導体が好ましく用いられる。なお、上記酸発生剤は１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。オニウム塩は矩形性向上効果に優れ、ジアゾメタン誘導体及びグリオキシム誘導体は定在波低減効果に優れるため、両者を組み合わせることによりプロファイルの微調整を行うことが可能である。