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【手続補正書】
【提出日】平成20年5月13日(2008.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜を結晶化して第１の多結晶半導体膜を形成し、
前記第１の多結晶半導体膜に酸化雰囲気中でランプ光源を用いて加熱処理を行い、第２の多結晶半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜を結晶化して第１の多結晶半導体膜を形成し、
前記第１の多結晶半導体膜に酸化雰囲気中でランプ光源を用いて加熱処理を行い、第２の多結晶半導体膜を形成し、
前記第２の多結晶半導体膜の表面に形成された酸化膜を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にレーザービームを照射して第１の多結晶半導体膜を形成し、
前記第１の多結晶半導体膜に酸化雰囲気中で前記基板の歪み点以上の温度でランプ光源を用いて加熱処理を行い、第２の多結晶半導体膜を形成し、
前記第２の多結晶半導体膜の表面に形成された酸化膜を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に酸化雰囲気中で第１のレーザービームを照射して第１の多結晶半導体膜を形成し、
前記第１の多結晶半導体膜の表面に形成された酸化膜を除去し、
前記第１の多結晶半導体膜に不活性気体雰囲気中で第２のレーザービームを照射して第２の多結晶半導体膜を形成し、
前記第２の多結晶半導体膜に酸化雰囲気中で前記基板の歪み点以上の温度でランプ光源を用いて加熱処理を行い、第３の多結晶半導体膜を形成し、
前記第３の多結晶半導体膜の表面に形成された酸化膜を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に触媒元素を添加して、第１の加熱処理により結晶化して第１の多結晶半導体膜を形成し、
前記第１の多結晶半導体膜にレーザービームを照射して第２の多結晶半導体膜を形成し、
前記第２の多結晶半導体膜に酸化雰囲気中で前記基板の歪み点以上の温度でランプ光源を用いて加熱処理を行い、第３の多結晶半導体膜を形成し、
前記第３の多結晶半導体膜の表面に形成された酸化膜を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に触媒元素を添加して、第１の加熱処理により結晶化して第１の多結晶半導体膜を形成し、
前記第１の多結晶半導体膜に酸化雰囲気中で第１のレーザービームを照射して第２の多結晶半導体膜を形成し、
前記第２の多結晶半導体膜の表面に形成された酸化膜を除去し、
前記第２の多結晶半導体膜に不活性気体雰囲気中で第２のレーザービームを照射して第３の多結晶半導体膜を形成し、
前記第３の多結晶半導体膜に酸化雰囲気中で前記基板の歪み点以上の温度でランプ光源を用いて加熱処理を行い、第４の多結晶半導体膜を形成し、
前記第４の多結晶半導体膜の表面に形成された酸化膜を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記酸化雰囲気中で加熱処理を行うことにより、前記第１の多結晶半導体膜中の欠陥を酸化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至３、又は７のいずれか一において、前記酸化雰囲気中で加熱処理を行うことにより、前記第１の多結晶半導体膜中の格子歪みを緩和することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至３、７又は８のいずれか一において、前記第２の多結晶半導体膜中の酸素濃度は１×１０１８／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項４又は５において、前記酸化雰囲気中で加熱処理を行うことにより、前記第２の多結晶半導体膜中の欠陥を酸化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項４、５又は１０のいずれか一において、前記酸化雰囲気中で加熱処理を行うことにより、前記第２の多結晶半導体膜中の格子歪みを緩和することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項４、５、１０又は１１のいずれか一において、前記第３の多結晶半導体膜中の酸素濃度は１×１０１８／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項６において、前記酸化雰囲気中で加熱処理を行うことにより、前記第３の多結晶半導体膜中の欠陥を酸化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項６又は１３において、前記酸化雰囲気中で加熱処理を行うことにより、前記第３の多結晶半導体膜中の格子歪みを緩和することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項６、１３又は１４のいずれか一において、前記第４の多結晶半導体膜中の酸素濃度は１×１０１８／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一において、前記酸化雰囲気に、酸素と窒素とが含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一において、前記酸化雰囲気に、亜酸化窒素、二酸化窒素、オゾンから選ばれた一種又は複数種が含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一において、前記酸化雰囲気に、水蒸気が含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一において、前記酸化雰囲気に、１〜５％のハロゲンが含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月2日(2008.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】  テレビジョンの画像パターンを投写光に変換する光学手段と、投写光を収束光に変換するフレネルレンズと、フレネルレンズが出力する光の進行方向をテレビが見られる視野角範囲に広げる拡散スクリーンと、拡散スクリーンの前面に設けた保護板とを有するプロジェクションテレビジョンにおいて、
前記保護板は、平面板材と、前記平面板材の少なくとも片面に設けたブラインド手段とで構成され、前記保護板の光線透過率が、入射面法線と角度β度をなして入射する光についてβに依存するＴ（β）％として表される角度依存特性を有し、Ｔ（０）が６０％以上の所定の値であるとともに、
前記保護板がニュートラルデンシティ着色された前記平面板材だけで構成されＴ（０）が前記所定値であるときの光線透過率の角度依存特性を基準特性Ｔｓ（β）と表すときに、Ｔ（β）が少なくとも波長５４５ｎｍ近傍において、
Ｔ（３０）／Ｔｓ（３０）≧１
Ｔ（６０）／Ｔｓ（６０）＜０．９５
の条件を満足することを特徴とするプロジェクションテレビジョン。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
請求項６に係わるプロジェクションテレビジョンは、テレビジョンの画像パターンを投写光に変換する光学手段と、投写光を収束光に変換するフレネルレンズと、フレネルレンズが出力する光の進行方向をテレビが見られる視野角範囲に広げる拡散スクリーンと、拡散スクリーンの前面に設けた保護板とを有するプロジェクションテレビジョンにおいて、
前記保護板は、平面板材と、前記平面板材の少なくとも片面に設けたブラインド手段とで構成され、前記保護板の光線透過率が、入射面法線と角度β度をなして入射する光についてβに依存するＴ（β）％として表される角度依存特性を有し、Ｔ（０）が６０％以上の所定の値であるとともに、
前記保護板がニュートラルデンシティ着色された前記平面板材だけで構成されたＴ（０）が前記所定値であるときの光線透過率の角度依存特性を基準特性Ｔｓ（β）と表すときに、少なくとも波長５４５ｎｍ近傍において、
Ｔ（３０）／Ｔｓ（３０）≧１
Ｔ（６０）／Ｔｓ（６０）＜０．９５
の条件を満足することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月30日(2008.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】  上記係数生成手段は上記平滑化マスクのサイズを上記対象画像の画像値の関数として生成することを特徴とする請求項９記載の画像処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２６】  上記係数生成ステップは、上記平滑化マスクのサイズを上記対象画像の画像値の関数として生成するステップを含むことを特徴とする請求項２５記載の画像処理方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３２】  請求項１〜１５の何れかに記載の画像処理装置の機能、又は請求項１６記載の画像処理システムの機能をコンピュータに実現させるためのプログラムを記録したコンピュータ読取可能な記憶媒体。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
第１０の発明は、上記第９の発明において、上記係数生成手段は上記平滑化マスクのサイズを上記対象画像の画像値の関数として生成することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
第２６の発明は、上記第２５の発明において、上記係数生成ステップは、上記平滑化マスクのサイズを上記対象画像の画像値の関数として生成するステップを含むことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
第３２の発明は、上記第１〜１５の発明の何れかに記載の画像処理装置の機能、又は上記第１６の発明に記載の画像処理システムの機能をコンピュータに実現させるためのプログラムをコンピュータ読取可能な記憶媒体に記録したことを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
第３３の発明は、上記第１７〜３１の発明の何れかに記載の画像処理方法の処理ステップをコンピュータに実行させるためのプログラムをコンピュータ読取可能な記憶媒体に記録したことを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
第３４の発明は、上記第１〜１５の発明の何れかに記載の画像処理装置の機能、又は上記第１６の発明に記載の画像処理システムの機能をコンピュータに実現させるためのプログラムであることを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
第３５の発明は、上記第１７〜３１の発明の何れかに記載の画像処理方法の処理ステップをコンピュータに実行させるためのプログラムであることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月29日(2008.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  正極と負極とをセパレータを介して巻回した発電要素と電解液とを備えた非水電解質二次電池において、前記正極は正極活物質と導電剤と結着剤とを含む正極合材が集電体上に設けられ、前記正極の結着剤はフッ素系高分子共重合体を含み、前記電解液の溶媒は環状カーボネートと鎖状カーボネートを含み、電解液溶媒中の環状カーボネート含有量が１０〜４０ｗｔ％であることを特徴とする非水電解質二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記非水電解質二次電池において、フッ素系高分子共重合体が、フッ化ビニリデンとヘキサフルオロプロピレンとの共重合体、フッ化ビニリデンとテトラフルオロエチレンとの共重合体、フッ化ビニリデンとクロロトリフルオロエチレンとの共重合体、及びフッ化ビニリデンとヘキサフルオロプロピレンとテトラフルオロエチレンの共重合体から選ばれる少なくとも１種であることが好ましく、柔軟な正極合材を得ることが容易となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記非水電解質二次電池において、環状カーボネートがエチレンカーボネートであることが好ましく、エチレンカーボネートが耐酸化還元性やイオン溶媒和能力に優れているため、優れた充放電特性を示す非水電解質二次電池を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月23日(2008.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】蓄電池
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】複数のセルが連設されてなる蓄電池において、蓄電池の幅方向寸法をＷとし、長さ方向寸法をＬとしたとき、１／５Ｗ〜４／５Ｗ、かつ、１／５Ｌ〜４／５Ｌの位置に蓄電池温度検出手段が設けられたことを特徴とする、蓄電池。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、請求項１記載の蓄電池において、蓄電池温度検出手段が、蓄電池内に突出するよう蓄電池容器に形成された凹状突出部の凹部に収納されることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、凹状突出部の凹部に収納された蓄電池温度検出手段の周囲には充填剤が充填されることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、凹状突出部は、壁面厚が２ｍｍ以下であり、かつ、蓄電池内に収納された極板群との距離が５ｍｍ以下であることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、蓄電池温度検出手段で検出された蓄電池温度に基づいて、充電及び放電の少なくとも一方の制御を行うことが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、制御されるパラメータが充電電圧であることが好ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、蓄電池温度が予め定められた値に達したとき、充電もしくは放電を停止させることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月7日(2008.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体不揮発性メモリ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を含む活性層と、
前記活性層上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の浮遊ゲートと、
前記浮遊ゲート上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の制御ゲートと、を含むメモリトランジスタを有し、
前記チャネル領域は、第１の領域と第２の領域を有し、
前記第１の領域と重なる前記第１の絶縁膜の厚さは、前記第２の領域と重なる前記第１の絶縁膜の厚さより厚いことを特徴とする半導体不揮発性メモリ。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の領域と前記第２の領域は、添加されている不純物の濃度が異なることを特徴とする半導体不揮発性メモリ。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記メモリトランジスタは、多値の情報を記憶することを特徴とする半導体不揮発性メモリ。
【請求項４】
チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を含む活性層と、
前記活性層上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の浮遊ゲートと、
前記浮遊ゲート上の第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上の制御ゲートと、を各々含む第１のメモリトランジスタと第２のメモリトランジスタを有し、
前記第１のメモリトランジスタが含む前記第１の絶縁膜の厚さは、前記第２のメモリトランジスタが含む前記第１の絶縁膜の厚さより厚いことを特徴とする半導体不揮発性メモリ。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１のメモリトランジスタが含む前記活性層と、前記第２のメモリトランジスタが含む活性層は、添加されている不純物の濃度が異なることを特徴とする半導体不揮発性メモリ。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記第１のメモリトランジスタと前記第２のメモリトランジスタの一方は、多値の情報を記憶することを特徴とする半導体不揮発性メモリ。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記活性層は、単結晶半導体基板またはＳＯＩ基板を用いて形成されることを特徴とする半導体不揮発性メモリ。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記活性層は、絶縁表面を有する基板上に形成されることを特徴とする半導体不揮発性メモリ。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の前記半導体不揮発性メモリを用いた電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月27日(2008.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に形成された第１の電極と、
前記第１の電極上に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成され、かつ前記第１の電極と重なる位置に開口部を有する第２の絶縁膜と、
前記開口部に形成された有機半導体膜と、
前記有機半導体膜上に形成された第２の電極、及び第３の電極を有する有機薄膜トランジスタを用いた有機半導体装置であって、
前記有機半導体膜及び前記第２の絶縁膜は、同一表面を形成することを特徴とする有機半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面上に形成された第１の電極と、
前記第１の電極上に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成され、かつ前記第１の電極と重なる位置に開口部を有する第２の絶縁膜と、
前記開口部に形成された有機半導体膜と、
前記有機半導体膜上に形成された第２の電極、及び第３の電極を有する有機薄膜トランジスタを用いた有機半導体装置であって、
前記第２の電極及び前記第３の電極は、互いに接することなく形成されることを特徴とする有機半導体装置。
【請求項３】
絶縁表面上に形成された第１の電極と、
前記第１の電極上に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成され、かつ前記第１の電極と重なる位置に開口部を有する第２の絶縁膜と、
前記開口部に形成された有機半導体膜と、
前記有機半導体膜上に形成された第２の電極、及び第３の電極を有する有機薄膜トランジスタを用いた有機半導体装置であって、
前記第２の絶縁膜は、テーパー状の縁を有することを特徴とする有機半導体装置。
【請求項４】
絶縁表面上に形成された第１の電極と、
前記第１の電極上に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成され、かつ前記第１の電極と重なる位置に開口部を有する第２の絶縁膜と、
前記開口部に形成された有機半導体膜と、
前記有機半導体膜上に形成された第２の電極、及び第３の電極を有する有機薄膜トランジスタを用いた有機半導体装置であって、
前記有機半導体膜は前記第１の絶縁膜と接して形成されることを特徴とする有機半導体装置。
【請求項５】
請求項３において、前記テーパーの角度は４５°から６０°であることを特徴とする有機半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記有機半導体膜は、可溶性の有機半導体材料からなることを特徴とする有機半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第２の電極及び前記第３の電極は、前記有機半導体膜とオーミック接触をとれる仕事関数を有する同一の金属からなることを特徴とする有機半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記第２の電極及び前記第３の電極は、金、白金、クロム、パラジウム、アルミニウム、インジウム、モリブデン、またはニッケルを含む金属からなることを特徴とする有機半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、前記有機半導体装置は、表示装置、デジタルスチルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、モバイルコンピュータ、記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置、ゴーグル型ディスプレイ、ビデオカメラ、または携帯電話から選ばれた一種であることを特徴とする有機半導体装置。
【請求項１０】
絶縁表面上に第１の電極を形成し、
前記第１の電極上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜が前記第１の絶縁膜を介して前記第１の電極と重なる位置に開口部を形成し、
前記開口部及び前記第２の絶縁膜上に有機半導体膜を形成し、
前記有機半導体膜を前記第２の絶縁膜が露出するまで研磨し、
前記有機半導体膜上に第２の電極及び第３の電極を互いに接することなく形成することを特徴とする有機半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
絶縁表面上に第１の電極を形成し、
前記第１の電極上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜が前記第１の絶縁膜を介して前記第１の電極と重なる位置に開口部を形成し、
前記開口部及び前記第２の絶縁膜上に有機半導体膜をスピンコート法により形成し、
前記第２の絶縁膜上に形成された前記有機半導体膜を除去し、
前記開口部に形成された前記有機半導体膜上に第２の電極及び第３の電極を互いに接することなく形成することを特徴とする有機半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
絶縁表面上に第１の電極を形成し、
前記第１の電極上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜が前記第１の絶縁膜を介して前記第１の電極と重なる位置に開口部を形成し、
前記開口部及び前記第２の絶縁膜上に有機半導体膜をスピンコート法により形成し、
前記有機半導体膜を前記第２の絶縁膜が露出するまでアッシング処理し、
前記有機半導体膜上に第２の電極及び第３の電極を互いに接することなく形成することを特徴とする有機半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
絶縁表面上に第１の電極を形成し、
前記第１の電極上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜が前記第１の絶縁膜を介して前記第１の電極と重なる位置に開口部を形成し、
前記開口部及び前記第２の絶縁膜上に有機半導体膜をスピンコート法により形成し、
前記有機半導体膜を前記第２の絶縁膜が露出するまで化学的機械研磨法により研磨し、
前記有機半導体膜上に第２の電極及び第３の電極を形成することを特徴とする有機半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１０乃至請求項１３のいずれか一において、
前記有機半導体膜は、可溶性の有機半導体材料で形成することを特徴とする有機半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１０乃至請求項１４のいずれか一において、
前記第２の電極及び前記第３の電極は、前記有機半導体膜とオーミック接触をとれる仕事関数を有する同一の金属で形成することを特徴とする有機半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１５において、
前記第２の電極及び前記第３の電極は、金、白金、クロム、パラジウム、アルミニウム、インジウム、モリブデン、またはニッケルを含む金属で形成することを特徴とする有機半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月19日(2008.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  デジタル入力コードをアナログ出力に変換するデジタル・アナログ（ＤＡ）変換回路であって、第１のビット列をデジタルからアナログに変換する第１のＤＡ変換部と、前記第１のビット列の下位にあたる第２のビット列に対応してデジタルからアナログに変換する第２のＤＡ変換部とからなり、
前記第１のＤＡ変換部は、前記第１のビット列に対応した第１のアナログ出力と第２のアナログ出力とを有し、前記第１のビット列の最下位ビットが０の時には前記第１のアナログ出力よりも前記第２のアナログ出力の方が大きな値をとり、前記第１のビット列の最下位ビットが１の時には前記第２のアナログ出力よりも前記第１のアナログ出力の方が大きな値をとり、
前記第２のＤＡ変換部は、前記第１のアナログ出力と前記第２のアナログ出力と前記第１のビット列の最下位ビットと前記第２のビット列とを入力としてＤＡ変換し、前記第１のビット列の最下位ビットが０の時には前記第１のアナログ出力を起点として前記第２のビット列に対応してＤＡ変換し、前記第１のビット列の最下位ビットが１の時には前記第２のアナログ出力を起点として前記第２のビット列に対応してＤＡ変換することを特徴とするデジタル・アナログ変換回路。
【請求項２】  請求項１に記載のデジタル・アナログ変換回路であって、
前記第１のビット列が１増加するときに、前記第１のアナログ出力又は前記第２のアナログ出力のどちらか一方の出力レベルが変化しないことを特徴とするデジタル・アナログ変換回路。
【請求項３】  請求項２に記載のデジタル・アナログ変換回路であって、
前記第１のＤＡ変換部は、Ｒ−２Ｒ型のＤＡ変換部を備えることを特徴とするデジタル・アナログ変換回路。
【請求項４】  請求項２に記載のデジタル・アナログ変換回路であって、
前記第２のＤＡ変換部は、
前記第１のアナログ出力と前記第２のアナログ出力との間に直列接続された少なくとも２以上の抵抗と、
前記抵抗と出力ノードとの間に接続された２つ以上のスイッチ部と、
前記第１のビット列の最下位ビット及び前記第２のビット列を入力とするデコーダとを有し、
前記デコーダの出力により前記スイッチ部をオン／オフすることを特徴とするデジタル・アナログ変換回路。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月9日(2008.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発振容量と水晶振動子とを有する共振部と、前記共振部を励振する増幅用電界効果型トランジスタを有する増幅部と、を備える発振回路を有する水晶発振回路において、
前記増幅部のバイアス電流を決定する、基準電流制御手段と基準電流発生手段とを備える基準電流源と、
前記発振回路が発振状態か非発振状態かを検出し、その状態に基づく制御信号を発生する制御信号発生手段と、
を有し、
前記基準電流源は、前記基準電流制御手段に前記発振回路が非発振状態を示す前記制御信号が入力されたとき、前記バイアス電流が定常発振状態のときに比べて大きくなるように基準電流を制御することを特徴とする水晶発振回路。
【請求項２】
前記増幅部は、２つの増幅用電界効果型トランジスタを有し、
前記基準電流源は、前記増幅部の一方の前記増幅用電界効果型トランジスタのバイアス電流を設定し、
前記基準電流制御手段は、前記発振回路が非発振状態のときの前記バイアス電流の電流値を、一方の前記増幅用電界効果型トランジスタの定電流領域に設定すると共に、前記発振回路が高次発振しない電流領域に設定することを特徴とする請求項１に記載の水晶発振回路。
【請求項３】
前記基準電流制御手段は、前記制御信号で動作する制御用電界効果型トランジスタと、前記制御用電界効果型トランジスタと直列に接続する第１の基準抵抗と、前記制御用電界効果型トランジスタおよび前記第１の基準抵抗と並列に接続する第２の基準抵抗と、
を有し、
前記制御用電界効果型トランジスタのオンまたはオフにより、前記第２の基準抵抗と、前記第１の基準抵抗と前記第２の基準抵抗との合成抵抗と、を切り換え、これらの抵抗により前記基準電流を決定することを特徴とする請求項１または２に記載の水晶発振回路。
【請求項４】
前記制御信号発生手段は、同一入力信号に対して互いに充電と放電との異なる状態となる並列に接続した２つの充放電回路を有し、前記２つの充放電回路の出力信号を入力とする論理和を備え、
前記発振回路の出力を前記入力信号として入力し、前記論理和の出力信号を前記制御信
号として出力することを特徴とする請求項１から３のいずれか１つに記載の水晶発振回路。
【請求項５】
定電圧手段と前記基準電流源によって制御される電流制御用素子とを有し、
前記定電圧手段の出力を前記制御信号発生手段と前記基準電流源と前記発振回路とに入力し、
前記電流制御用素子は、前記増幅部と前記定電圧手段の出力との間に設け、
前記発振回路は、前記電流制御用素子が前記バイアス電流の変化に連動して制御されることで定電流制御されることを特徴とする請求項１から４のいずれか１つに記載の水晶発振回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の水晶発振回路は、発振容量と水晶振動子とを有する共振部と、前記共振部を励振する増幅用電界効果型トランジスタを有する増幅部と、を備える発振回路を有する水晶発振回路において、
前記増幅部のバイアス電流を設定する、基準電流制御手段と基準電流発生手段とを備える基準電流源と、前記発振回路が発振状態か非発振状態かを検出し、その状態に基づく制御信号を発生する制御信号発生手段と、を有し、
前記基準電流源は、前記基準電流制御手段に前記発振回路が非発振状態を示す前記制御信号が入力されたとき、前記バイアス電流が定常発振状態のときに比べて大きくなるように基準電流を制御することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月15日(2008.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に非晶質構造を有する第１の半導体膜を形成する第１工程と、
前記非晶質構造を有する第１の半導体膜にレーザービームを照射することによって、結晶構造を有する第１の半導体膜と、前記結晶構造を有する第１の半導体膜上に酸化膜と、を形成する第２工程と、
前記酸化膜を除去する第３工程と、
不活性気体雰囲気または真空中でレーザービームを照射することによって、前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面を平滑化する第４工程と、
前記表面を平滑化した第１の半導体膜上に非晶質構造を有する第２の半導体膜を形成する第５工程と、
前記非晶質構造を有する第２の半導体膜側からレーザービームを照射することによって、結晶構造を有する第２の半導体膜を形成する第６工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上に非晶質構造を有する第１の半導体膜を形成する第１工程と、
前記非晶質構造を有する第１の半導体膜にレーザービームを照射することによって、結晶構造を有する第１の半導体膜と、前記結晶構造を有する第１の半導体膜上に酸化膜と、を形成する第２工程と、
前記酸化膜を除去する第３工程と、
不活性気体雰囲気または真空中でレーザービームを照射することによって、前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面を平滑化する第４工程と、
前記表面を平滑化した第１の半導体膜上に非晶質構造を有する第２の半導体膜を形成する第５工程と、
前記非晶質構造を有する第２の半導体膜側からレーザービームを照射することによって、結晶構造を有する第２の半導体膜を形成する第６工程と、
不活性気体雰囲気または真空中でレーザービームを照射して前記第２の半導体膜の表面を平滑化する第７工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１において、第６工程の後に不活性気体中で５００〜７５０℃の熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２において、第７工程の後に不活性気体中で５００〜７５０℃の熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、第４工程の後に不活性気体中で５００〜７５０℃の熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項３乃至請求項５のいずれか一において、熱処理は加熱された不活性気体により基板及び基板上の半導体膜を加熱することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、前記非晶質構造を有する第１の半導体膜は非晶質シリコンゲルマニウムであり、前記非晶質構造を有する第２の半導体膜は非晶質シリコン膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月28日(2008.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を回転させつつエッチング液を供給して基板上の不要物を除去する基板処理装置であって、
基板に供給すべきエッチング液を吐出するエッチング液吐出口、基板の一方面上におけるエッチング液の供給位置とは異なる純水供給位置に向けて純水を吐出する純水吐出口、および上記一方面上における上記純水供給位置よりも回転半径内方の気体供給位置に向けて気体を吐出する気体吐出口を有していることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
基板の上記一方面にほぼ平行な対向面を有する対向部材をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
上記純水吐出口および気体吐出口は、上記対向部材に設けられていることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
上記エッチング液吐出口は、上記対向部材に設けられていることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
【請求項５】
上記エッチング液吐出口は、基板の上記一方面上の上記気体供給位置よりも回転半径外方のエッチング液供給位置に向けてエッチング液を吐出するように設けられていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
上記基板処理装置は、基板の上記一方面の周縁部の不要な薄膜をエッチング除去するものであることを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
上記エッチング液吐出口、純水吐出口および気体吐出口の吐出方向は、基板の回転半径外方に向かうにつれて基板に接近するように傾斜していることを特徴とする請求項５または６記載の基板処理装置。
【請求項８】
上記基板処理装置は、次工程で上記一方面とは反対の面のほぼ全域から不要物がエッチング除去される基板に対して処理を行うものであることを特徴とする請求項５ないし７のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項９】
上記エッチング液吐出口は、基板の上記一方面とは反対の面上のエッチング液供給位置に向けてエッチング液を吐出するように設けられていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１０】
上記エッチング液供給位置は、基板の回転中心の近傍に設定されていることを特徴とする請求項９記載の基板処理装置。
【請求項１１】
上記基板処理装置は、基板の上記一方面とは反対の面の不要な金属イオンをエッチング除去するものであることを特徴とする請求項９または１０記載の基板処理装置。
【請求項１２】
上記基板処理装置は、基板の上記一方面とは反対の面の不要な薄膜をエッチング除去するものであることを特徴とする請求項９ないし１１のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１３】
上記純水吐出口および気体吐出口の吐出方向は、基板の回転半径外方に向かうにつれて基板に接近するように傾斜していることを特徴とする請求項９ないし１２のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１４】
上記基板処理装置は、前工程で上記一方面の周縁部から不要物が除去された基板に対して処理を行うものであることを特徴とする請求項９ないし１３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１５】
上記純水供給位置および気体供給位置は、基板の回転中心を中心とする円周上に渡って設定されていることを特徴とする請求項１ないし１４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１６】
上記純水供給位置は、基板の上記一方面に形成されたデバイス形成領域を取り囲む基板周縁領域上に設定されていることを特徴とする請求項１ないし１５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１７】
基板上の不要物を除去するための処理方法であって、
回転している基板に向けてエッチング液を吐出するエッチング液吐出工程と、
回転している基板の一方面上におけるエッチング液の供給位置とは異なる純水供給位置に向けて純水を吐出する純水吐出工程と、
回転している基板の上記一方面上における上記純水供給位置よりも内方の気体供給位置に向けて気体を吐出する気体吐出工程とを含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１８】
上記エッチング液吐出工程では、基板の上記一方面上の上記気体供給位置よりも回転半径外方のエッチング液供給位置に向けてエッチング液が吐出されることを特徴とする請求項１７記載の基板処理方法。
【請求項１９】
上記エッチング液吐出工程では、基板の上記一方面とは反対の面上のエッチング液供給位置に向けてエッチング液が吐出されることを特徴とする請求項１７記載の基板処理方法。
【請求項２０】
上記気体吐出工程が開始された後に上記純水吐出工程が開始され、その後上記エッチング液吐出工程が開始されることを特徴とする請求項１７ないし１９のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項２１】
上記気体吐出工程が開始された後に上記エッチング液吐出工程が開始され、その後上記純水吐出工程が開始されて、さらにその後、上記エッチング液吐出工程が終了されることを特徴とする請求項１７ないし２０のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項２２】
上記エッチング液吐出工程が終了された後に上記純水吐出工程が終了され、その後上記気体吐出工程が終了されることを特徴とする請求項１７ないし２１のいずれかに記載の基板処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）を回転させつつエッチング液を供給して基板上の不要物を除去する基板処理装置であって、基板に供給すべきエッチング液を吐出するエッチング液吐出口（１２２ａ；２２１）、基板の一方面上におけるエッチング液の供給位置とは異なる純水供給位置（Ｐｄ）に向けて純水を吐出する純水吐出口（１２２ｂ）、および上記一方面上における上記純水供給位置よりも回転半径内方の気体供給位置（Ｐｎ）に向けて気体を吐出する気体吐出口（１２２ｃ）を有していることを特徴とする基板処理装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項１７記載の発明は、基板（Ｗ）上の不要物を除去するための処理方法であって、回転している基板に向けてエッチング液を吐出するエッチング液吐出工程と、回転している基板の一方面上におけるエッチング液の供給位置とは異なる純水供給位置（Ｐｄ）に向けて純水を吐出する純水吐出工程と、回転している基板の上記一方面上における上記純水供給位置よりも内方の気体供給位置（Ｐｎ）に向けて気体を吐出する気体吐出工程とを含むことを特徴とする基板処理方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月13日(2008.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子を有する画素部と、
環境照度を感知するセンサ部と、
前記環境照度に対する前記発光素子の発光輝度の比率を一定に保つために、前記環境照度に応じて前記発光輝度を調節する演算回路と、を有することを特徴とする発光モジュール。
【請求項２】
同一の絶縁体上に設けられた画素部とセンサ部とを有する発光装置と、
前記発光装置に電気的に接続された演算回路と、を有し、
前記画素部は発光素子を有し、
前記センサ部は環境照度を感知し、
前記演算回路は、前記環境照度に対する前記発光素子の発光輝度の比率を一定に保つために、前記環境照度に応じて前記発光輝度を調節することを特徴とする発光モジュール。
【請求項３】
同一の絶縁体上に設けられた画素部と駆動回路とセンサ部とを有する発光装置と、
前記発光装置に電気的に接続された演算回路と、を有し、
前記画素部は発光素子を有し、
前記センサ部は環境照度を感知し、
前記演算回路は、前記環境照度に対する前記発光素子の発光輝度の比率を一定に保つために、前記環境照度に応じて前記発光輝度を調節するための信号を前記駆動回路に出力することを特徴とする発光モジュール。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記演算回路は、前記発光輝度を補正するためのデータが格納された補正メモリを有し、
前記演算回路において、前記センサ部から伝送された環境照度のデータと前記補正メモリに格納されたデータに基づいて、前記発光輝度を調節するための信号が算出されることを特徴とする発光モジュール。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記センサ部から伝達された環境照度のデータをデジタル信号に変換し前記演算回路に入力する第１の回路と、
前記演算回路から出力された前記発光輝度を調節するための信号をアナログ信号に変換する第２の回路と、を有することを特徴とする発光モジュール。
【請求項６】
請求項４又は請求項５において、
前記算出された信号に基づいて前記発光素子に流れる電流量を補正することによって、前記発光輝度を調節することを特徴とする発光モジュール。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記センサ部は、フォトダイオードを有することを特徴とする発光モジュール。
【請求項８】
請求項７において、
前記センサ部は、前記フォトダイオードで感知された信号を増幅するトランジスタを有することを特徴とする発光モジュール。
【請求項９】
請求項７又は請求項８において、
前記フォトダイオードをリセットするトランジスタを有することを特徴とする発光モジュール。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記センサ部は、フォトダイオードとトランジスタとを有し、
前記フォトダイオードは、前記トランジスタのドレイン領域をｎ型領域として有することを特徴とする発光モジュール。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記センサ部は、フォトダイオードとトランジスタとを有し、
前記フォトダイオードは、前記トランジスタと電気的に接続された配線と、前記配線上に設けられた変換層と、前記変換層上に設けられた電極とを有することを特徴とする発光モジュール。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記発光素子は、前記フォトダイオードの電極と同一材料で設けられた電極を有することを特徴とする発光モジュール。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記センサ部は、フォトダイオードと、トランジスタと、引き出し配線とを有し、
前記フォトダイオードは、前記トランジスタと電気的に接続された配線と、前記配線上に設けられた変換層と、前記変換層上に設けられ前記引き出し配線と電気的に接続された電極とを有し、
前記発光素子は、前記引出電極と同一材料で設けられた電極を有することを特徴とする発光モジュール。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記センサ部は、フォトダイオードとトランジスタとを有し、
前記フォトダイオードは、電極と、前記電極上に設けられたｐ型半導体層と、前記ｐ型半導体層上に設けられた変換層と、前記変換層上に設けられたｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層上に設けられ前記トランジスタと電気的に接続された配線とを有し、
前記発光素子は、前記フォトダイオードの電極と同一材料で設けられた電極を有することを特徴とする発光モジュール。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記トランジスタは、ボトムゲート型薄膜トランジスタであることを特徴とする発光モジュール。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一項において、
前記発光素子は、ＥＬ素子であることを特徴とする発光モジュール。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１６のいずれか一項に記載の発光モジュールを含むことを特徴とする電気器具。
【請求項１８】
請求項１７に記載される電気機器とは、カメラ、ヘッドマウントディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響機器、コンピュータ、ゲーム機器、携帯機器、又は記録媒体を備えた画像再生装置であることを特徴とする電気機器。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月14日(2008.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】アクティブマトリクス型の発光装置、及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
定電流源と、一対の電極を有するモニター用発光素子と、入力された電位と概略等しい電位を出力する回路と、複数の画素と、を有し、
前記複数の画素は、それぞれ、一対の電極を有する発光素子と、薄膜トランジスタと、を有し、
前記薄膜トランジスタは、ボトムゲート型の薄膜トランジスタであって、ソース又はドレインの一方が前記発光素子の一方の電極に電気的に接続され、
前記定電流源と、前記モニター用発光素子の一方の電極と、前記入力された電位と概略等しい電位を出力する回路の入力とが互いに電気的に接続され、
前記入力された電位と概略等しい電位を出力する回路の出力に、前記薄膜トランジスタのソース又はドレインの他方が電気的に接続されていることを特徴とするアクティブマトリクス型の発光装置。
【請求項２】
定電流源と、一対の電極を有するモニター用発光素子と、入力された電位と概略等しい電位を出力する回路と、複数の画素と、を有し、
前記複数の画素は、それぞれ、一対の電極を有する発光素子と、第１の薄膜トランジスタ及び第２の薄膜トランジスタと、を有し、
前記第１の薄膜トランジスタは、ボトムゲート型の薄膜トランジスタであって、ゲートが第１の配線に電気的に接続され、ソース又はドレインの一方が第２の配線に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第２の薄膜トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第２の薄膜トランジスタは、ボトムゲート型の薄膜トランジスタであって、ソース又はドレインの一方が前記発光素子の一方の電極に電気的に接続され、
前記定電流源と、前記モニター用発光素子の一方の電極と、前記入力された電位と概略等しい電位を出力する回路の入力とが互いに電気的に接続され、
前記入力された電位と概略等しい電位を出力する回路の出力に、前記第２の薄膜トランジスタのソース又はドレインの他方が電気的に接続されていることを特徴とするアクティブマトリクス型の発光装置。
【請求項３】
定電流源と、一対の電極を有するモニター用発光素子と、入力された電位と概略等しい電位を出力する回路と、加算回路と、複数の画素と、を有し、
前記複数の画素は、それぞれ、一対の電極を有する発光素子と、薄膜トランジスタと、を有し、
前記薄膜トランジスタは、ボトムゲート型の薄膜トランジスタであって、ソース又はドレインの一方が前記発光素子の一方の電極に電気的に接続され、
前記定電流源と、前記モニター用発光素子の一方の電極と、前記入力された電位と概略等しい電位を出力する回路の入力とが互いに電気的に接続され、
前記入力された電位と概略等しい電位を出力する回路の出力に、前記加算回路の入力が電気的に接続され、
前記加算回路の出力に、前記薄膜トランジスタのソース又はドレインの他方が電気的に接続されていることを特徴とするアクティブマトリクス型の発光装置。
【請求項４】
定電流源と、一対の電極を有するモニター用発光素子と、入力された電位と概略等しい電位を出力する回路と、加算回路と、複数の画素と、を有し、
前記複数の画素は、それぞれ、一対の電極を有する発光素子と、第１の薄膜トランジスタ及び第２の薄膜トランジスタと、を有し、
前記第１の薄膜トランジスタは、ボトムゲート型の薄膜トランジスタであって、ゲートが第１の配線に電気的に接続され、ソース又はドレインの一方が第２の配線に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第２の薄膜トランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第２の薄膜トランジスタは、ボトムゲート型の薄膜トランジスタであって、ソース又はドレインの一方が前記発光素子の一方の電極に電気的に接続され、
前記定電流源と、前記モニター用発光素子の一方の電極と、前記入力された電位と概略等しい電位を出力する回路の入力とが互いに電気的に接続され、
前記入力された電位と概略等しい電位を出力する回路の出力に、前記加算回路の入力が電気的に接続され、
前記加算回路の出力に、前記第２の薄膜トランジスタのソース又はドレインの他方が電気的に接続されていることを特徴とするアクティブマトリクス型の発光装置。
【請求項５】
請求項３及び請求項４において、
前記加算回路の入力と出力は、常に一定の電位差を有していることを特徴とするアクティブマトリクス型の発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記入力された電位と概略等しい電位を出力する回路は、ＩＣチップに形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス型の発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記入力された電位と概略等しい電位を出力する回路は、前記複数の画素が形成された基板と同じ基板上に形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス型の発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記定電流源は、ＩＣチップに形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス型の発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記定電流源は、前記複数の画素が形成された基板と同じ基板上に形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス型の発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記モニター用発光素子は、前記複数の画素が形成された基板と同じ基板上に形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス型の発光装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記モニター用発光素子は、前記複数の画素が形成された領域と異なる領域に設けられていることを特徴とするアクティブマトリクス型の発光装置。
【請求項１２】
請求項１０において、
前記モニター用発光素子は、前記複数の画素が形成された領域に設けられていることを特徴とするアクティブマトリクス型の発光装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、
前記入力された電位と概略等しい電位を出力する回路はバッファアンプであることを特徴とするアクティブマトリクス型の発光装置。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記バッファアンプは、ＩＣチップに形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス型の発光装置。
【請求項１５】
請求項１３において、
前記バッファアンプは、前記複数の画素が形成された基板と同じ基板上に形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス型の発光装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一において、
前記発光素子はＥＬ素子であることを特徴とするアクティブマトリクス型の発光装置。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１６のいずれか一において、
前記アクティブマトリクス型の発光装置を用いたことを特徴とする電子機器。