Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月22日(2007.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技球を誘導するための球通路を備えた遊技機において、
前記球通路が２本並設された部位において、
前記２本の球通路のうちの一方である第１球通路を通過する遊技球を検出可能な第１検出手段と、他方の第２球通路を通過する遊技球を検出可能な第２検出手段とを一体化した球検出手段を備えたことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記球検出手段は、本体部と、当該本体部から突設された発光部と、当該発光部と対峙するように前記発光部の両側においてそれぞれ前記本体部から突設された第１受光部及び第２受光部とから構成され、
前記発光部及び前記第１受光部により前記第１検出手段が構成され、
前記発光部及び前記第２受光部により前記第２検出手段が構成されていることを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】
前記発光部は、１つの発光素子を内包するとともに、前記第１受光部及び前記第２受光部と対峙する側にそれぞれ前記発光素子が発する光を透過させる透孔を備え、
前記第１受光部及び前記第２受光部は、それぞれ１つの受光素子を内包するとともに、前記発光部と対峙する側において前記発光素子からの光を受光するための透孔が設けられていることを特徴とする請求項２に記載の遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月29日(2007.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シャフトの下端部がヘッドの上端面に連結されている一方、ヘッドの横幅が縦幅に比して大きく、かつヘッド縦幅が最も広い箇所で７ｃｍ以上８ｃｍ以下であるように定められたグラウンド・ゴルフ用クラブにおいて、
ヘッド底部及びヘッド上部にはヘッド素材よりも比重の大きい重量バランス部が設けられていることを特徴とするグラウンド・ゴルフ用クラブ。
【請求項２】
上記重量バランス部はヘッド底部のトウ・ヒール間及びヘッド上部のトウ・ヒール間に設けられている請求項１記載のグラウンド・ゴルフ用クラブ。
【請求項３】
上記重量バランス部は帯状部分を有し、ヘッド底面及びヘッド上端面に固定されている請求項１記載のグラウンド・ゴルフ用クラブ。
【請求項４】
上記重量バランス部の帯状部分がヘッド底面のトウ・ヒールの先端間及びヘッド上端面のトウ・ヒールの先端間に延びた形状をなしている請求項３記載のグラウンド・ゴルフ用クラブ。
【請求項５】
上記重量バランス部のうち、ヘッド底面の帯状部分はヘッド底面のトウ・ヒールの先端間に延びた形状をなし、ヘッド上端面の帯状部分はヘッド上端面のトウの先端とシャフト連結部位近傍との間及びヒールの先端とシャフト連結部位近傍との間に延びた形状をなしている請求項３記載のグラウンド・ゴルフ用クラブ。
【請求項６】
上記重量バランス部のうち、ヘッド上端面及び／又はヘッド底面の帯状部分はヘッド厚み方向の寸法がトウ側の端部からシャフトの取付け部位及びヒール側の端部からシャフトの取付け部位に向けて漸減又は漸増するような形状となっている請求項３ないし５のいずれかに記載のグラウンド・ゴルフ用クラブ。
【請求項７】
上記重量バランス部は金属材料、合成樹脂材料、炭素繊維強化材料あるいはガラス繊維強化材料で構成されている請求項１ないし６のいずれかに記載のグラウンド・ゴルフ用クラブ。
【請求項８】
上記ヘッドの打球面には金属材料製、合成樹脂材料製、炭素繊維強化材料製あるいはガラス繊維強化材料製の補強盤が取付けられている請求項１記載のグラウンド・ゴルフ用クラブ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
そこで、本発明に係るグラウンド・ゴルフ用クラブは、シャフトの下端部がヘッドの上端面に連結されている一方、ヘッドの横幅が縦幅に比して大きく、かつヘッド縦幅が最も広い箇所で７ｃｍ以上８ｃｍ以下であるように定められたグラウンド・ゴルフ用クラブにおいて、ヘッド底部及びヘッド上部にはヘッド素材よりも比重の大きい重量バランス部が設けられていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月31日(2008.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通常遊技中に遊技球が始動入賞口に入賞したことを契機として可動部材の開閉動作を行い、遊技球の受け入れを可能とする可変入賞装置を備え、その可動部材の開閉動作に伴って前記可変入賞装置内に受け入れられた遊技球がさらに特定入賞口を通過した場合、遊技者に対して特別な利益を供与する特別遊技状態に移行する遊技機において、前記可動部材の開閉動作に伴って前記可変入賞装置内に遊技球が受け入れられたことを検出して入賞信号を出力する検出器と、前記可変入賞装置内に設けられており、この可変入賞装置内に受け入れられた遊技球を前記特定入賞口に案内するための特定入賞口案内部が形成されているとともに、この特定入賞口案内部を周期的に移動させることで遊技球の行き先を前記特定入賞口またはそれ以外の一般入賞口のいずれかに振り分ける振分部材と、周期的に移動する前記特定入賞口案内部の位置を特定可能な基準点を検出し、この基準点を検出したことを表す基準点検出信号を出力する基準点検出手段と、遊技動作を制御するとともに、前記特定入賞口案内部の移動に応じて遊技球が前記特定入賞口に案内されたことを契機として前記特別遊技状態に移行させる遊技制御基板と、遊技の進行に応じて演出動作を制御する演出制御基板とを備え、前記遊技制御基板は、前記入賞信号が出力されたことを契機として前記演出制御基板に対して、前記基準点検出信号に基づいて特定された前記基準点からの前記特定入賞口案内部の位置に関する前記位置情報を含めた位置情報信号を前記演出制御基板に対して送信し、前記演出制御基板は、前記位置情報信号を受信したことを契機として、前記入賞信号が出力された時点における遊技球と前記特定入賞口案内部との位置関係に応じた演出動作を実行させることを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月3日(2008.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  制御弁本体と、ソレノイド励磁部と、感圧部と、を備えた可変容量型圧縮機用制御弁において、前記ソレノイド励磁部は、ソレノイドと、該ソレノイドの励磁によって上下方向に移動するプランジャと、を備え、前記制御弁本体は、前記ソレノイド励磁部の上方側に配置され、底面に弁孔を有する弁室と、該弁室の上方に配置された圧力室と、前記弁室内に配置され前記プランジャにより開閉作動する棒状体の弁体と、を備え、該弁体は、その上部端が前記圧力室に挿入されるとともに下部端が前記ソレノイド励磁部のプランジャ室に挿入され、該プランジャ室と前記圧力室とは、前記弁体に穿設されたキャンセル孔を介して連通していることを特徴とする可変容量型圧縮機用制御弁。
【請求項２】  制御弁本体と、ソレノイド励磁部と、感圧部と、を備えた可変容量型圧縮機用制御弁において、前記ソレノイド励磁部は、ソレノイドと、該ソレノイドの励磁によって上下方向に移動するプランジャと、を備えるとともに、該プランジャの下側に吸引子を備え、前記感圧部は、前記吸引子の内側に形成されていることを特徴とする可変容量型圧縮機用制御弁。
【請求項３】  前記吸引子は、前記プランジャに向けて有底の筒状をなしていることを特徴とする請求項２記載の可変容量型圧縮機用制御弁。
【請求項４】  前記吸引子は、前記ソレノイド励磁部の内側に係合される筒状部と、該筒状部の上端に圧入される蓋部とからなることを特徴とする請求項２記載の可変容量型圧縮機用制御弁。
【請求項５】  前記プランジャは、その内部の長手軸方向に冷媒抜き孔を備えていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の可変容量型圧縮機用制御弁。
【請求項６】  前記プランジャは、その側面の長手軸方向にスリットを備えていることを特徴とする請求項２乃至５のいずれか一項に記載の可変容量型圧縮機用制御弁。
【請求項７】  前記ソレノイド励磁部は、前記プランジャに前記感圧部の動きを伝達するステムとを備え、該ステムは、その断面が略半月状の形状をなしていることを特徴とする請求項２乃至６のいずれか一項に記載の可変容量型圧縮機用制御弁。
【請求項８】  制御弁本体及びソレノイド励磁部を備え、該ソレノイド励磁部は、ソレノイドと、該ソレノイドの励磁によって移動するプランジャとを備え、前記制御弁本体は、弁孔を有する弁室と、前記プランジャにより前記弁孔を開閉する作動を行う棒状の弁体とを備え、該弁体には軸方向に延びるキャンセル孔が穿設されており、前記弁体の一端側に供給された圧縮機のガスの吸入圧力が前記キャンセル孔を介して前記弁体の他端側に供給されて前記弁体に作用する開弁方向の吸入圧力が閉弁方向の吸入圧力により相殺されることを特徴とする可変容量型圧縮機用制御弁。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、本発明に係る可変容量型圧縮機用制御弁における好ましい他の具体的な態様は、前記プランジャは、その内部の長手軸方向に冷媒抜き孔を備えていること、若しくは前記プランジャは、その側面の長手軸方向にスリットを備えていること、又は前記ソレノイド励磁部は、前記プランジャに前記感圧部の動きを伝達するステムとを備え、該ステムは、その断面が略半月状の形状をなしていることを特徴としている。
更に、本発明に係る可変容量型圧縮機用制御弁における他の態様は、制御弁本体及びソレノイド励磁部を備え、該ソレノイド励磁部は、ソレノイドと、該ソレノイドの励磁によって移動するプランジャとを備え、前記制御弁本体は、弁孔を有する弁室と、前記プランジャにより前記弁孔を開閉する作動を行う棒状の弁体とを備え、該弁体には軸方向に延びるキャンセル孔が穿設されており、前記弁体の一端側に供給された圧縮機のガスの吸入圧力が前記キャンセル孔を介して前記弁体の他端側に供給されて前記弁体に作用する開弁方向の吸入圧力が閉弁方向の吸入圧力により相殺されることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月15日(2008.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影画面内中央部分を測光するために複数の測光素子がマトリクス状に配置された測光センサと、
上記測光センサの測光可能領域内においてスポット測光領域を任意設定するための操作手段と、
上記測光センサ内の上記スポット測光領域に含まれる測光素子出力に基づいて被写体輝度を測定するスポット測光手段と、
上記操作手段によって設定されたスポット測光領域を示す枠を被写体像に重畳して表示する表示手段と、
を具備すること特徴としたカメラ。
【請求項２】
上記スポット測光手段は、新たなスポット測光領域が設定されるたびに、その領域について測光動作を実行することを特徴とする請求項１記載のカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明のカメラは、撮影画面内中央部分を測光するために複数の測光素子がマトリクス状に配置された測光センサと、上記測光センサの測光可能領域内においてスポット測光領域を任意設定するための操作手段と、上記測光センサ内の上記スポット測光領域に含まれる測光素子出力に基づいて被写体輝度を測定するスポット測光手段と、上記操作手段によって設定されたスポット測光領域を示す枠を被写体像に重畳して表示する表示手段と、を具備すること特徴とした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明のカメラは、上記スポット測光手段は、新たなスポット測光領域が設定されるたびに、その領域について測光動作を実行することを特徴とした。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明のカメラは、スポット測光手段により測光する撮影画面の測光領域を操作手段の操作によって任意に設定可能であり、この設定されたスポット測光領域を示す枠が被写体像に重畳して表示手段に表示される。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月15日(2008.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  支持体上のいずれかの層に感光性ハロゲン化銀、有機銀塩、還元剤、硬調化剤および物理現像核を有する平版印刷版材料であって、該硬調化剤がヒドラジン誘導体または下記一般式（Ｇ）で示されるビニル化合物であることを特徴とする平版印刷版材料。
【化１】
2002303987.tif 000001
（一般式（Ｇ）において、Ｘは電子吸引性基を表し、Ｗは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、ハロゲン原子、アシル基、チオアシル基、オキサリル基、オキシオキサリル基、チオオキサリル基、オキサモイル基、オキシカルボニル基、チオカルボニル基、カルバモイル基、チオカルバモイル基、スルホニル基、スルフィニル基、オキシスルホニル基、チオスルホニル基、スルファモイル基、オキシスルフィニル基、チオスルフィニル基、スルフィナモイル基、ホスホリル基、ニトロ基、イミノ基、Ｎ−カルボニルイミノ基、Ｎ−スルホニルイミノ基、ジシアノエチレン基、アンモニウム基、スルホニウム基、ホスホニウム基、ピリリウム基又はインモニウム基を表す。Ｒはハロゲン原子、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アルケニルオキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アミノカルボニルオキシ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、アルケニルチオ基、アシルチオ基、アルコキシカルボニルチオ基、アミノカルボニルチオ基、ヒドロキシル基又はメルカプト基の有機又は無機の塩、アミノ基、アルキルアミノ基、環状アミノ基、アシルアミノ基、オキシカルボニルアミノ基、ヘテロ環基、ウレイド基又はスルホンアミド基を表す。ＸとＷ、ＸとＲは、それぞれ互いに結合して環状構造を形成してもよい。）
【請求項２】  感光性ハロゲン化銀の平均粒径が０．０１〜０．１μｍであることを特徴とする請求項１に記載の平版印刷版材料。
【請求項３】  請求項１または２に記載の平版印刷版材料を像様に露光し、熱現像することを特徴とする平版印刷版の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
１）支持体上のいずれかの層に感光性ハロゲン化銀、有機銀塩、還元剤、硬調化剤および物理現像核を有する平版印刷版材料であって、該硬調化剤がヒドラジン誘導体または前記一般式（Ｇ）で示されるビニル化合物であることを特徴とする平版印刷版材料。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
２）感光性ハロゲン化銀の平均粒径が０．０１〜０．１μｍであることを特徴とする前記１）に記載の平版印刷版材料。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
３）前記１）または２）に記載の平版印刷版材料を像様に露光し、熱現像することを特徴とする平版印刷版の作製方法。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
以下に本発明を更に詳しく説明する。
本発明においては、有機銀塩を有する面側の構成層の少なくとも１層に、硬調化剤が含有されることが特徴の一つである。硬調化剤としては、下記一般式（Ｇ）で表されるビニル化合物またはヒドラジン誘導体の少なくとも１種を含有する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月31日(2008.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内燃機関の出力軸と、変速操作により変速比が切り換えられる歯車変速機の入力軸とに介装された切り換え操作によりクラッチの断続が行われる切り換えクラッチにおいて、
該切り換えクラッチの出力部材と、前記歯車変速機の入力軸に連結された従動
部材とに、ダンパーが介装されたことを特徴とする切り換えクラッチ。
【請求項２】
前記切り換えクラッチの入力部であるクラッチアウタに、内燃機関の動力を伝達する歯車が形成されることを特徴とする請求項１に記載の切り換えクラッチ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
請求項１記載の発明では、切り換えクラッチの出力部材と、歯車変速機の入力軸に連結された従動部材とに、ダンパーが介装されているため、切り換えクラッチの断続により発生する大きな衝動的なトルク変動が前記ダンパーにより吸収され、動力の被伝達側の歯車変速装置に大きな衝動的なトルクが加えられることが未然に阻止され、騒音や、衝撃や、振動の発生が回避されうる。
請求項２記載の発明では、歯車をクラッチアウタ上に形成したので、部品数を少なくすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月4日(2008.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも１組の電極が形成された基板と、
前記基板の前記１組の電極が形成された面上に、前記１組の電極のうち一方の電極の全部または前記一方の電極の少なくとも他方の電極の側の一部を被覆するように形成された、放射線を電荷に変換する光電変換膜と、
前記光電変換膜の全部または一部と前記他方の電極の全部または一部を被覆する対向電極とを備え、
前記光電変換膜の端部のうち前記対向電極に被覆されている部分であって、少なくとも前記他方の電極側に傾斜を形成したことを特徴とする放射線検出素子。
【請求項２】  前記光電変換膜は、１μｍ以上５ｍｍ以下の厚さを有することを特徴とする請求項１記載の放射線検出素子。
【請求項３】  前記傾斜のうち少なくとも一部の部分の最大傾斜角度は、前記基板に対し１５度以上であり８０度以下の角度であることを特徴とする請求項１記載の放射線検出素子。
【請求項４】  前記光電変換膜は、アモルファスセレン（ａ−Ｓｅ）、ヨウ化水銀（ＨｇＩ2）、ヨウ化鉛（ＰｂＩ2）、ヨウ化タリウム（ＴｌＩ2）、ヨウ化ビスマス（ＢｉＩ3）、シュウ化水銀（ＨｇＢ2）、シュウ化鉛（ＰｂＢ2）、シュウ化タリウム（ＴｌＢ2）、シュウ化ビスマス（ＢｉＩ3）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、及びテルル化カドミウム亜鉛（ＣｄＺｎＴｅ）からなる群から選択される一つの物質または２つ以上の物質の混合物が材料として用いられている、請求項１記載の放射線検出素子。
【請求項５】  各画素毎に設けられた請求項１〜４のいずれかに記載の放射線検出素子と、
前記各画素領域毎に少なくとも１つ設けられた電荷蓄積容量と、
前記各画素領域毎に少なくとも１つ設けられたスィッチング素子とを備え、
前記各放射線検出素子の基板は、共通の基板であることを特徴とする放射線検出ユニット。
【請求項６】  請求項１〜４のいずれかに記載の放射線検出素子の１組の電極が形成されている基板に前記光電変換膜を形成する際、マスクを用いて前記光電変換膜を形成する放射線検出素子の製造方法であって、
前記１組の電極が形成されている前記基板に第１のマスクを用いて所定のパターンに前記光電変換膜を形成し、
前記光電変換膜が形成された前記基板に第２のマスクを用いて前記対向電極を形成し、
前記第１のマスクは開口部を有し、その開口部の端縁の前記基板面側の部分は、前記光電変換膜の成膜厚さと実施上同じ距離だけ前記基板の表面から離れており、
前記開口部は、前記光電変換膜が前記一方の電極の全部、または前記一方の電極の少なくとも前記他方の電極の側の一部を被覆するような形状を有することを特徴とする放射線検出素子の製造方法。
【請求項７】  前記光電変換膜の成膜は、蒸着法、昇華法、またはスパッタ法によって行われることを特徴とする請求項６記載の放射線検出素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
Ｘ線、ガンマ線のような電離放射線のセンサ材料として、従来より半導体材料が用いられてきた。従来から用いられているセンサ材料はＳｉ、Ｇｅ、ＣｄＴｅ、ＣｄＺｎＴｅなどの単結晶材料を切り出して用いられてきた。これらは両端面に電極を形成し、基板上に張りつけた後、図１に示すように対向電極５をワイヤーボンディング等の接続線１６を用いてリード線２（３）に接続を行ってきた。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、第１の本発明（請求項１に対応）は、少なくとも１組の電極が形成された基板と、
前記基板の前記１組の電極が形成された面上に、前記１組の電極のうち一方の電極の全部または前記一方の電極の少なくとも他方の電極の側の一部を被覆するように形成された、放射線を電荷に変換する光電変換膜と、
前記光電変換膜の全部または一部と前記他方の電極の全部または一部を被覆する対向電極とを備え、
前記光電変換膜の端部のうち前記対向電極に被覆されている部分であって、少なくとも前記他方の電極側に傾斜を形成したことを特徴とする放射線検出素子である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、第４の本発明（請求項４に対応）は、前記光電変換膜は、アモルファスセレン（ａ−Ｓｅ）、ヨウ化水銀（ＨｇＩ2）、ヨウ化鉛（ＰｂＩ2）、ヨウ化タリウム（ＴｌＩ2）、ヨウ化ビスマス（ＢｉＩ3）、シュウ化水銀（ＨｇＢ2）、シュウ化鉛（ＰｂＢ2）、シュウ化タリウム（ＴｌＢ2）、シュウ化ビスマス（ＢｉＩ3）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、及びテルル化カドミウム亜鉛（ＣｄＺｎＴｅ）からなる群から選択される一つの物質または２つ以上の物質の混合物が材料として用いられている、第１の本発明に記載の放射線検出素子である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、第７の本発明（請求項７に対応）は、前記光電変換膜の成膜は、蒸着法、昇華法、またはスパッタ法によって行われることを特徴とする第６の本発明に記載の放射線検出素子の製造方法である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
図５は対向電極５の形成方法である。対向電極形成に用いるマスク７は光電変換膜４の厚さを考慮して、光電変換膜４とリード線１（２）との高さに差を設ける必要がある。また対向電極５が光電変換膜４の傾斜部分により厚く形成するように、ソースの位置をずらすことも有効となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2002303676.tif 000001
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2002303676.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月24日(2008.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
三重項励起によりエレクトロルミネッセンスが得られる発光性材料を用いたＥＬ素子および該ＥＬ素子に電気的に接続された薄膜トランジスタが備えられ、前記薄膜トランジスタを介して前記ＥＬ素子に印加される電圧は２．５Ｖ乃至１０Ｖであることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
薄膜トランジスタおよび該薄膜トランジスタに電気的に接続されたＥＬ素子を含む発光装置において、
前記ＥＬ素子は、下記一般式（１）
【化１】
2002050484.tif 000001
で示される発光性材料からなる薄膜を含み、
前記薄膜トランジスタを介して前記ＥＬ素子に印加される電圧は２．５Ｖ乃至１０Ｖであることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
薄膜トランジスタおよび該薄膜トランジスタに電気的に接続されたＥＬ素子を含む発光装置において、
前記ＥＬ素子は、下記一般式（２）
【化２】
2002050484.tif 000002
で示される発光性材料からなる薄膜を含み、
前記薄膜トランジスタを介して前記ＥＬ素子に印加される電圧は２．５Ｖ乃至１０Ｖであることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項２または請求項３において、前記周期表の８〜１０族に属する元素は、ニッケル、コバルトもしくはパラジウムであることを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月19日(2008.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  供給ステーション（３）にて基板（２）上の予め定められた基板サイト（５）に接着剤（４）を付与し、接着ステーション（６）にて基板サイト（５）上に複数の半導体チップ（１）を配置し、かつ、硬化ステーション（７）にて接着剤（４）を硬化してなる半導体チップ（１）を可撓性基板（２）上に取り付ける方法であって、
前記接着剤（４）を硬化させる間、平らな支持面（１０）上に、真空によって前記基板（２）を固定することを特徴とする方法。
【請求項２】  請求項１に記載の方法において、
前記接着ステーション（６）の直後に位置していて、前記基板（２）を吸い付けるために真空状態におかれる溝（１１）を有する加熱板（９）上で前記接着剤（４）を硬化することを特徴とする方法。
【請求項３】  請求項１に記載の方法において、
前記接着ステーション（６）と別に設けられたオーブン（１９）の中で前記接着剤（４）を硬化することを特徴とする方法。
【請求項４】  複数のブロック（１６）に配列された複数の前記基板サイト（５）を有する前記基板（２）に装着を行うための請求項１または請求項２に記載の方法において、
前記平らな支持面（１０）が、加熱板（９）の表面であり、前記加熱板（９）が、前記接着剤を付与する間ないしは前記半導体チップ（１）を配置する間に前記可撓性基板（２）を固定する役割をなす支持板（１２）に堅固に連結され、前記基板サイト（５）が、ブロックごとに処理され、
前記可撓性基板（２）を搬送方向で搬送し、真空を用いて前記可撓性基板（２）を固定し、
前記支持面（１２）及び前記加熱板（９）を予め定められた数の位置に繰り返し移動させ、前記位置それぞれにて前記接着剤が前記接着ステーション（６）における前記基板サイト（５）に付与され、前記半導体チップ（１）が前記接着ステーション（６）における他の基板サイト（５）上に配置され、
前記真空状態が解除され、
前記可撓性基板（２）を前記搬送方向に搬送し、同時に前記支持板（１２）及び前記加熱板（９）を前記搬送方向とは反対の方向に移動することを特徴とする方法。
【請求項５】  基板（２）に接着剤（４）を付与する供給ステーション（３）と、基板（２）に半導体チップ（１）を装着する接着ステーション（６）とを備えた半導体チップ（１）を可撓性基板（２）上に取り付ける装置であって、
前記接着剤（４）を硬化するための加熱板（９）であって、前記基板（２）を吸い付けるために真空状態におかれる溝（１１）を有する加熱板（９）が、前記接着ステーション（６）の前記基板（２）の搬送方向（８）方向後方側に配置されていることを特徴とする装置。
【請求項６】  請求項５に記載の装置において、
前記基板（２）のために支持板（１２）が設けられ、この支持板（１２）は、前記接着剤（４）を付与する間、及び前記半導体チップ（１）を配置する間、前記基板（２）を平らに固定するために真空が付与される溝１１を有するとともに、前記支持板（１２）及び前記加熱板（９）は、互いに堅固に連結されかつ前記搬送方向に移動可能であることを特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月26日(2008.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体膜を形成し、
オゾンにより前記半導体膜表面に酸化膜を形成し、
フッ素を含有する酸性溶液を用いて前記酸化膜及び前記半導体膜表面をエッチングすることにより、前記酸化膜とともに前記半導体膜表面の汚染不純物を除去し、
前記半導体膜表面上に絶縁膜を形成し、
前記酸化膜を形成する工程、前記汚染不純物を除去する工程、及び前記絶縁膜を形成する工程は、大気雰囲気に曝されることなく連続的に行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化膜は、前記オゾンを溶存させた純水で前記半導体膜表面を洗浄することによって形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
非晶質構造を有する半導体膜を形成し、
前記非晶質構造を有する半導体膜を結晶化して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜をパターニングして結晶質半導体層を形成し、
オゾンにより前記結晶質半導体層表面に酸化膜を形成し、
フッ素を含有する酸性溶液を用いて前記酸化膜及び前記結晶質半導体層表面をエッチングすることにより、前記酸化膜とともに前記結晶質半導体層表面の汚染不純物を除去し、
前記結晶質半導体層表面上に絶縁膜を形成し、
前記酸化膜を形成する工程、前記汚染不純物を除去する工程、及び前記絶縁膜を形成する工程は、大気雰囲気に曝されることなく連続的に行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記酸化膜は、前記オゾンを溶存させた純水で前記結晶質半導体層表面を洗浄することによって形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記絶縁膜はゲート絶縁膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
絶縁膜を形成し、
オゾンにより前記絶縁膜表面に酸化膜を形成し、
フッ素を含有する酸性溶液を用いて前記酸化膜及び前記絶縁膜表面をエッチングすることにより、前記酸化膜とともに前記絶縁膜表面の汚染不純物を除去し、
前記絶縁膜表面上に半導体膜を形成し、
前記酸化膜を形成する工程、前記汚染不純物を除去する工程、及び前記半導体膜を形成する工程は、大気雰囲気に曝されることなく連続的に行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記酸化膜は、前記オゾンを溶存させた純水で前記絶縁膜表面を洗浄することによって形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項６または請求項７において、
前記絶縁膜は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
ゲート絶縁膜を形成し、
オゾンにより前記ゲート絶縁膜表面に酸化膜を形成し、
フッ素を含有する酸性溶液を用いて前記酸化膜及び前記ゲート絶縁膜表面をエッチングすることにより、前記酸化膜と共に前記ゲート絶縁膜表面の汚染不純物を除去し、
前記ゲート絶縁膜表面上にゲート導電膜を形成し、
前記酸化膜を形成する工程、前記汚染不純物を除去する工程、及び前記ゲート導電膜を形成する工程は、大気雰囲気に曝されることなく連続的に行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項９において、
前記酸化膜は、前記オゾンを溶存させた純水で前記ゲート絶縁膜表面を洗浄することによって形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記汚染不純物は、Ｂ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａから選択された一元素または複数元素からなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月13日(2008.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に設けられた半導体層と、
前記半導体層上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられたゲート電極と、を有する半導体装置であって、
前記ゲート電極は、第１の幅を有する第１の導電層を下層とし、前記第１の幅より狭い第２の幅を有する第２の導電層を上層として設けられた積層構造を有し、
前記半導体層は、前記第２の導電層と重なるチャネル形成領域と、前記第１の導電層と一部重なる低濃度不純物領域と、前記低濃度不純物領域よりも高濃度の不純物が添加されたソース領域及びドレイン領域とを有し、
前記絶縁膜の端部は、テーパー形状を有し、
前記半導体層の端部の上面及び側面には、前記ゲート電極と前記半導体層との間に設けられた前記絶縁膜が設けられていないことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記第１の導電層の端部は、テーパー形状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記第１の導電層の端部は、前記チャネル形成領域と前記ソース領域との間、または前記チャネル形成領域と前記ドレイン領域との間の上方に前記絶縁膜を介して存在することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記絶縁膜のうち、前記低濃度不純物領域と重なる領域の膜厚は、チャネル形成領域から遠ざかるにつれて薄くなっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一に記載の半導体装置を用いたビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、携帯型情報端末、デジタルビデオディスクプレーヤー、または電子遊技機器。
【請求項６】
絶縁表面上に半導体層を形成する第１の工程と、
前記半導体層上に絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記絶縁膜上に第１の導電層及び第２の導電層の積層からなる第１の電極を形成する第３の工程と、
前記第１の電極をマスクとして、前記半導体層に不純物元素を添加して高濃度不純物領域を形成する第４の工程と、
前記第２の導電層をエッチングして、前記第３の工程における前記第２の導電層の幅より狭い第２の導電層を形成する第５の工程と、
前記第２の導電層をマスクとして、前記半導体層に不純物元素を添加して低濃度不純物領域を形成する第６の工程と、
前記第１の導電層をエッチングして、前記第３の工程おける前記第１の電極の幅より狭く且つ前記第５の工程における前記第２の導電層の幅より広い第１の導電層を形成し、かつ前記絶縁膜をエッチングして前記半導体層の端部を露出させる第７の工程と、を有する半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、前記不純物元素は、ｎ型またはｐ型の導電型を有する不純物元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項６または請求項７において、前記第３の工程は、前記絶縁膜上に第１の導電膜と第２の導電膜を積層形成した後、
前記第２の導電膜に第１のエッチング処理を行って第２の導電層を形成し、
前記第１の導電膜に第２のエッチング処理を行って第１の導電層を形成して、前記第１の導電層と、前記第２の導電層との積層からなる前記第１の電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月3日(2008.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体の上に半導体膜を形成し、第１のフォトリソグラフィー工程によって前記半導体膜を島状の半導体膜にする第１工程と、
前記島状の半導体膜を覆うゲート絶縁膜を形成する第２工程と、
前記ゲート絶縁膜の上に第１の導電膜を形成し、前記第１の導電膜上に第２の導電膜を形成して、前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜が積層した導電膜を形成する第３工程と、
第２のフォトリソグラフィー工程によって、前記第２の導電膜上にレジストマスクを形成し、前記レジストマスクを用いて前記導電膜をエッチングして、
前記第１の導電膜からなる第１のゲート電極、及び、
前記第２の導電膜からなる第２のゲート電極を形成する第４工程と、
前記レジストマスク、前記第１のゲート電極および前記第２のゲート電極をドーピングマスクにして前記島状の半導体膜のうち、後にソース領域及びドレイン領域となる領域にｎ型不純物元素を添加する第５工程と、
前記レジストマスクを用いて、前記第１のゲート電極および前記第２のゲート電極をエッチングして線幅を細らせた後、前記第２のゲート電極の線幅を前記第１のゲート電極の線幅よりも細くするように選択的にエッチングしてゲート電極を形成し、前記レジストマスクを除去する第６工程と、
前記第６工程の後、前記第２のゲート電極のみをドーピングマスクにし、且つ、前記第１のゲート電極の、前記第２のゲート電極と重なっていない部分を貫通させて前記島状の半導体膜にｎ型不純物元素を添加して、
前記島状の半導体膜に、
チャネル形成領域、
前記ソース領域、
前記ドレイン領域、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域よりもｎ型不純物元素の濃度が低い２つの第１のｎ型不純物領域、及び、
前記第１のｎ型不純物領域よりもｎ型不純物元素の濃度が低い２つの第２のｎ型不純物領域を形成する第７工程と、
前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜を形成する第８工程と、
第３のフォトリソグラフィー工程によって、前記層間絶縁膜の上に、前記ソース領域及びドレイン領域に達するコンタクトホールを形成し、前記層間絶縁膜上に導電膜を形成し、第４のフォトリソグラフィー工程によって、前記導電膜をエッチングして、
ソース配線及びドレイン配線を形成する第９工程と、
前記層間絶縁膜の上に発光素子を形成する第１０工程と、
前記発光素子の上にパッシベーション膜を形成する第１１工程と、
を有し、
前記２つの第２のｎ型不純物領域はそれぞれ前記チャネル形成領域及び前記第１のｎ型不純物領域との間に接して設けられ、
前記２つの第１のｎ型不純物領域はそれぞれ前記第２のｎ型不純物領域及びソース領域との間並びに前記第２のｎ型不純物領域及びドレイン領域との間に接して設けられ、
前記第２のｎ型不純物領域は前記ゲート電極のうち、第１のゲート電極とのみ重なり、
前記第１のｎ型不純物領域は前記ゲート電極と重なっていないことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記第１の導電膜として窒化タンタル膜もしくは窒化チタン膜を用い、前記第２の導電膜としてタングステン膜もしくはアルミニウム合金膜を用いることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１において、前記第１の導電膜にタングステン膜を用い、前記第２の導電膜にアルミニウム合金膜を用いることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１において、前記第４工程の前記第１のゲート電極および前記第２のゲート電極はテーパー形状を有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記層間絶縁膜は窒化珪素膜もしくは窒化酸化珪素膜並びに樹脂膜からなることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記パッシベーション膜は炭素膜、窒化珪素膜もしくは窒化酸化珪素膜を含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記配線の最表面は周期表の１族もしくは２族に属する元素を含む金属膜もしくはビスマス膜であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月7日(2007.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】  前記少なくとも１個の前記ストリップ線路導体が１／４波長先端短絡型の共振器を形成しており、その共振器の短絡端側における、側辺部分の厚みが中央部分よりも厚い請求項１に記載の誘電体積層デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】  前記少なくとも１個の前記ストリップ線路導体が１／２波長先端開放型の共振器を形成しており、その共振器の、波長方向において開放端より実質上１／４波長離れた部分における、側辺部分の厚みが中央部分よりも厚い請求項１に記載の誘電体積層デバイス。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】  前記少なくとも１個のストリップ線路導体が１／２波長先端開放型の共振器を形成するとともに、その共振器の開放端より実質上１／４波長離れた部分の厚みが開放端部分よりも厚い請求項５に記載の誘電体積層デバイス。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
第２の本発明（請求項２に対応）は、前記少なくとも１個の前記ストリップ線路導体が１／４波長先端短絡型の共振器を形成しており、その共振器の短絡端側における、側辺部分の厚みが中央部分よりも厚い第１の本発明に記載の誘電体積層デバイスである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
第３の本発明（請求項３に対応）は、前記少なくとも１個の前記ストリップ線路導体が１／２波長先端開放型の共振器を形成しており、その共振器の、波長方向において開放端より実質上１／４波長離れた部分における、側辺部分の厚みが中央部分よりも厚い第１の本発明に記載の誘電体積層デバイスである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
また、図２（ａ）は上述したように、図１に示す誘電体積層デバイスの電極端面図を示すものであって、従来のストリップ線路導体のエッジ部１４０３（図５参照）よりも大きいエッジ角を有する側辺部分１１０３を備えており、ストリップ線路導体の側辺部分１１０３への電界集中による導体損失を抑制する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
次に、本発明の誘電体積層デバイスの製造方法について説明する。各導体の形成方法は、通常のスクリーン印刷による方法を用いており、誘電体グリーンシートの積層、導体パターンの印刷を順に行い、プレス圧着によって一体化して焼成した後外部導体を印刷して焼き付ける。なお、ストリップ線路導体１０３については、誘電体層１０１ｂの上面にストリップ線路導体パターンを印刷して乾燥した後、ストリップ線路導体の側辺部のみのパターンを前記ストリップ線路導体パターンに重ねて印刷することによって形成する。以上の方法により、図２のような断面形状をしたストリップ線路導体が得られる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
また、前記１／４波長先端短絡型共振器を形成するストリップ線路導体１０３を図７のストリップ線路導体７０３のような１／２波長先端開放型共振器としても同様の効果を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月13日(2008.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゴルフパターヘッドであって、
ヒール端部と、トウ端部と、ヒール端部とトウ端部の間に配置されている中間部とを有するゴルフボールを打つためのフェースと、
フェースの略後方に設けられている後方重量部材と、
フェースから後方重量部材に向けて伸びているアームと、を備えており、
フェースのヒール端部の一部、フェースのトウ端部の一部、アーム、及び後方重量部材は、第１密度の第１材料で形成されている下構成要素に含まれており、
フェースのヒール端部の他の部分、フェースのトウ端部の他の部分、及びフェースの中間部は、第２密度の第２材料で形成されている上構成要素に含まれており、
第２密度は、第１密度よりも軽いゴルフパターヘッド。
【請求項２】
アームは、
フェースのヒール端部から後方重量部材に向けて伸びているアームと、
フェースのトウ端部から後方重量部材に向けて伸びているアームと、を有することを特徴とする請求項１のゴルフパターヘッド。
【請求項３】
下構成要素は、金属で形成されており、
上構成要素は、ポリマーで形成されていることを特徴とする請求項１のゴルフパターヘッド。
【請求項４】
下構成要素と上構成要素は、留め具によって固定されていることを特徴とする請求項１のゴルフパターヘッド。
【請求項５】
上構成要素に形成されている複数の突起部をさらに備えており、
突起部は、下構成要素に形成されている複数の穴に適合することを特徴とする請求項４のゴルフパターヘッド。
【請求項６】
少なくとも１つの突起部と少なくとも１つの穴は、フェースのヒール端部に配置されており、
他の少なくとも１つの突起部と他の少なくとも１つの穴は、フェースのトウ端部に配置されていることを特徴とする請求項５のゴルフパターヘッド。
【請求項７】
少なくとも１つの留め具は、フェースのヒール端部に配置されており、
他の少なくとも１つの留め具は、フェースのトウ端部に配置されていることを特徴とする請求項６のゴルフパターヘッド。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月20日(2008.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に形成された銀薄膜パタン上に中性、あるいは塩基性の銅めっき浴により厚さ１μｍ以下のめっき層を形成した後、さらに厚付のための電解めっきすることを特徴とする金属パタンの形成方法。
【請求項２】
前記銀薄膜パタンが、支持体上に設けられたハロゲン化銀乳剤層に露光・現像処理を行うことにより得られる還元銀パタンであることを特徴とする請求項１に記載の金属パタンの形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月16日(2008.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 対象ボリュームの３次元データのボリューム・レンダリングで使用するための変換関数を生成させる方法であって、対象ボリュームの３次元データを取得するステップと、前記３次元データの複数のサンプルに関して選択した特性を評価するステップと、選択した特性に基づいて３次元データをボリューム・レンダリングするための変換関数範囲を計算するステップと、を含み、
変換関数範囲を計算する前記ステップが、ＴＦ（ｘ）を変換関数、ｘをボクセル強度値、Ａ及びＢを不透明度値、Ｃを不透明度ｙ軸でのｙ切片とし、さらにＬＬを変換関数範囲の下限、ＵＬを変換関数範囲の上限として、ＴＦ（ｘ）＝Ａ （ｘ≦ＬＬの場合）
ＴＦ（ｘ）＝（Ｂ−Ａ）ｘ／（ＵＬ−ＬＬ）＋Ｃ （ＬＬ＜ｘ＜ＵＬの場合）
ＴＦ（ｘ）＝Ｂ （ｘ≧ＵＬの場合）
に従って実行されており、
前記下限及び上限が、μ、σ、Ｎをそれぞれ平均値、標準偏差、標準偏差の数として、下限＝ＬＬ＝μ−Ｎ×σ上限＝ＵＬ＝μ＋Ｎ×σに従って計算されている、方法。
【請求項２】 前記３次元データがノイズ及び低コントラストの影響を受けている、請求項１に記載の方法。
【請求項３】 前記３次元データが、コンピュータ断層（ＣＴ）、磁気共鳴（ＭＲ）、超音波、及び３次元ディジタルＸ線マンモグラフィ（３ＤＤＭ）のうちの少なくとも一つによって収集されている、請求項１に記載の方法。
【請求項４】 前記選択した特性が平均値と標準偏差である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】 対象ボリュームの３次元データ組のボリューム・レンダリングで使用するための変換関数を生成させる方法であって、対象ボリュームの３次元データ組を取得するステップと、前記３次元データ組をサンプリングして対象ボリュームに対する複数のサンプルを生成させるステップと、前記複数のサンプルに対する平均値と標準偏差を計測するステップと、サンプルに対する平均値及び標準偏差の前記計測に基づいて、３次元データをボリューム・レンダリングするために使用する変換関数の範囲を生成させるステップと、を含み、
前記変換関数範囲が上限と下限を備えており、
前記上限をＵＬとしかつ前記下限をＬＬとして、ＵＬ及びＬＬが、μ、σ、Ｎをそれぞれ平均値、標準偏差、標準偏差の数として、下限＝ＬＬ＝μ−Ｎ×σ上限＝ＵＬ＝μ＋Ｎ×σに従って計算されている、方法。
【請求項６】 前記３次元データ組がノイズ及び低コントラストの影響を受けている、請求項５に記載の方法。
【請求項７】 前記３次元データ組がコンピュータ断層（ＣＴ）、磁気共鳴（ＭＲ）、及び３次元ディジタルＸ線マンモグラフィ（３ＤＤＭ）のうちの少なくとも一つによって収集されている、請求項５に記載の方法。
【請求項８】 対象ボリュームの３次元データのボリューム・レンダリングのためのシステムであって、対象ボリュームの画像データを取得するためのイメージング装置と、取得した画像データに基づいて対象ボリュームの少なくとも一つの３次元画像データ組を作成するように前記イメージング装置と結合されており、ボリューム・レンダリングで使用するための変換関数範囲を計算するように適合されている画像処理装置と、を備え、
前記変換関数範囲が上限と下限を備えており、
前記上限をＵＬとしかつ前記下限をＬＬとして、ＵＬ及びＬＬが、μ、σ、Ｎをそれぞれ平均値、標準偏差、標準偏差の数として、下限＝ＬＬ＝μ−Ｎ×σ上限＝ＵＬ＝μ＋Ｎ×σに従って計算されている、システム。
【請求項９】 前記イメージング装置が、コンピュータ断層（ＣＴ）装置、磁気共鳴（ＭＲ）イメージング装置、超音波、及び３次元ディジタルＸ線マンモグラフィ（３ＤＤＭ）装置のうちの少なくとも一つを含む、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】 前記画像処理装置がさらに、対象ボリュームの画像データの取得と実質的に同時に前記変換関数範囲を計算するように適合されている、請求項８に記載のシステム。
【請求項１１】 前記３次元データがノイズ及び低コントラストの影響を受けている、請求項８に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月5日(2008.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１半導体材料の基板の上に、第２半導体材料の単結晶構造を形成する方法であって：
前記基板の表面の下で、前記第１半導体材料の一部分を水平層状に除去して、前記表面の第１部分の下に空隙を形成する段階であって、前記空隙および前記表面の前記第１部分は飛込台構造を形成し、かつ前記表面の前記第１部分は少なくとも柔軟性を有するか変形可能であるように充分薄いシリコン膜である段階；および
前記表面の前記第１部分の上に、前記第２半導体材料を堆積して、前記単結晶構造を形成する段階；
を具備することを特徴とする方法。
【請求項２】  半導体構造であって：
第１半導体材料の基板であって、第１表面を有する基板；
下に空隙を有する前記基板の第１部分であって、前記第１表面の一部分を含む第１部分；および
前記第１部分上の単結晶構造の第２材料；
を具備することを特徴とする構造。
【請求項３】  第１半導体材料の基板上に、第２半導体材料の単結晶構造を形成する方法であって：
前記第２半導体材料と比較して、相対的に高い表面移動度を有する材料によって囲まれる前記第１半導体材料の細幅ストリップを形成する段階；および
前記細幅ストリップ上に前記第２半導体材料をエピタキシャル堆積して、堆積の際に前記単結晶構造が単結晶となるようにシード層として堆積する際に前記細幅ストリップを使用することにより、前記単結晶構造を形成する段階；
を具備することを特徴とする方法。
【請求項４】  半導体構造であって：
第１表面を有し、第２材料に比べて比較的高い表面移動度を有する材料によって隣接される第１半導体材料の細幅ストリップであって、前記材料は、前記第１表面と実質的に同一平面を成す表面を有する細幅ストリップ；および
前記細幅ストリップ上の第２半導体材料の単結晶構造；
を具備することを特徴とする半導体構造。