Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月28日(2007.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数種の識別情報を可変表示するとともに停止操作手段の操作に起因して可変表示を停止する可変表示手段を備え、該可変表示手段にて所定領域に停止された識別情報が特定識別情報である場合には特別遊技状態を発生させる遊技機において、
前記特別遊技状態として遊技価値の高い第１特別遊技状態と遊技価値の低い第２特別遊技状態とが設定されており、
前記第１特別遊技状態と第２特別遊技状態とを所定条件下で、一の特別遊技状態の途中で切換るように構成したことを特徴とする遊技機。
【請求項２】  第１特別遊技状態から第２特別遊技状態となることのないように設定されていることを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】  第１特別遊技状態と第２特別遊技状態のいずれの状態を獲得したかを報知する補助表示手段を備えたことを特徴とする請求項１又は２に記載の遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月28日(2007.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高機能高性能の、携帯電話などの移動体画像通信に端末及び、ＰＤＣｏｒ／ａｎｄＰＨＳなどの移動体ネットシステム及びプロトコル変換などを行うゲートウエーおよびインターネットと、プレイヤ演技者の体の動きを撮える１乃至複数のカメラ及び、このカメラの映像情報をエンコード化して有線ｏｒ／ａｎｄ無線のネット回線を介して映像サーバに転送するシステム及び、上記体の動きの各種情報を入力し、そのデータを有線ｏｒ／ａｎｄ無線のネット回線を介してデータサーバに転送するシステムよりなり、視聴者ユーザーは上記移動体画像通信端末で、データサーバを検索し、該データ及びこれに関連する映像データを自動的に同一画面にリンクさせて、見ることができるようにしたことを特徴とする移動体画像通信による移動体画像通信を用いたスポーツにおける体の動かし方の指導検索方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月18日(2007.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技球が入球可能な作動口と、
前記作動口への遊技球の入球を検出可能な入球検出手段と、
前記入球検出手段により前記作動口への遊技球の入球が検出されることに基づき、表示部において図柄の変動表示及び停止表示を行う可変表示装置と、
第１の状態と、当該第１の状態と比較して遊技球の入球しやすい第２の状態とで切換可能な可変入賞装置とを備え、
前記入球検出手段により前記作動口への遊技球の入球が検出されることに基づき、抽選を行い、その抽選結果が特定の条件を満たす場合に、前記表示部の所定の有効ライン上に特定の図柄の組み合わせである当たり図柄を停止表示し、第１の状態とされていた前記可変入賞装置を第２の状態とし、その後第１の状態とする特別遊技状態を発生させる遊技機において、
前記図柄の変動表示は、複数の図柄表示列において複数の図柄を変動させることにより実行されるとともに、
少なくとも前記当たり図柄が停止表示される前段階においては、前記有効ライン上に所定のリーチ図柄を停止表示した上で未だ変動表示中の図柄に関し所定のリーチ演出表示が行われるよう構成し、
前記有効ラインとして、複数の有効ラインが設定されており、
前記有効ラインのうち、第１の有効ライン及び第２の有効ラインを含む複数の有効ライン上に、それぞれ所定のリーチ図柄が停止表示された場合に、
前記第２の有効ライン上に停止表示されているリーチ図柄を縮小表示する処理と、
前記第１の有効ライン上に停止表示されているリーチ図柄に関し、第１リーチ演出表示を行う第１リーチ演出表示処理と、
前記第１リーチ演出表示の結果導出が終了した後に、前記第２の有効ライン上に縮小表示されていたリーチ図柄を拡大表示する処理と、
前記第２の有効ライン上に停止表示されているリーチ図柄に関し、第２リーチ演出表示を行う第２リーチ演出表示処理と
を実行する手段を備えることを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記第１リーチ演出表示の結果導出として、当たり図柄が停止表示されなかった場合に、結果導出が終了した後に、前記第２の有効ライン上に縮小表示されていたリーチ図柄を拡大表示する処理と、前記第２の有効ライン上に停止表示されているリーチ図柄に関し、第２リーチ演出表示を行う第２リーチ演出表示処理とが実行されることを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月15日(2008.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に配された光電変換素子を含む複数の画素と、前記基板上に配された前記各光電変換素子の受光部を画する遮光層と、少なくとも前記各光電変換素子の受光部に対応する位置に設けられたカラーフィルタとを有する光電変換装置であって、
前記複数の光電変換素子は、前記基板の端部に最も近接して配置された第１の光電変換素子を有し、該第１の光電変換素子の受光部上に設けられたカラーフィルタと同一の分光特性を有するカラーフィルタが、前記第１の光電変換素子の受光部を画する遮光層と前記基板の端部との間の少なくとも一部を覆うように配置されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光電変換装置において、前記画素はトランジスタを含んでおり、前記トランジスタの主電極領域および前記第１の光電変換素子は前記基板の端部に沿って配置されており、
前記第１の光電変換素子の受光部を画する遮光層は、前記トランジスタの主電極領域の少なくとも一部を覆っており、
前記第１の光電変換素子の受光部上に設けられたカラーフィルタと同一の分光特性を有するカラーフィルタが、前記トランジスタの主電極領域と前記基板の端部との間の少なくとも一部を覆うように配置されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
請求項２に記載の光電変換装置において、前記第１の光電変換素子の受光部上に設けられたカラーフィルタと同一の分光特性を有するカラーフィルタが、前記主電極領域上の前記遮光層が配置されてない領域を覆うように配置されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の光電変換装置において、前記遮光層は導電性を有し、前記第１の光電変換素子の受光部上に設けられたカラーフィルタ及び該カラーフィルタと同一の分光特性を有する前記カラーフィルタが絶縁性を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
一画素に含まれる、光電変換素子及びトランジスタと、
前記トランジスタの主電極領域上に配された導電層と、
少なくとも前記光電変換素子の受光部上に設けられたカラーフィルタとを基板上に有する光電変換装置であって、
前記カラーフィルタと同一の分光特性を有するカラーフィルタが、前記トランジスタの主電極領域上の前記導電層で遮光されない領域を覆うように配置されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項６】
請求項１から４のいずれか１項に記載の光電変換装置において、前記第１の光電変換素子の受光部上に設けられたカラーフィルタは、前記第１の光電変換素子の受光部上に設けられたカラーフィルタを、前記受光部上から前記第１の光電変換素子の受光部を画する遮光層と前記基板端部との間まで延在させることで設けられることを特徴とする光電変換装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の光電変換装置を隣接するように複数配置したことを特徴とするマルチチップ型イメージセンサ。
【請求項８】
請求項７に記載のマルチチップ型イメージセンサと、被読取体に光を照射する光源と、該被読取体からの光を前記マルチチップ型イメージセンサへ導く光学系とを備えた密着型イメージセンサ。
【請求項９】
請求項８に記載の密着型イメージセンサと、前記密着型イメージセンサに前記被読取体となる原稿を搬送するローラと、を備えた画像読取装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
上記問題を解決するために、本発明の光電変換装置は、基板に配された光電変換素子を含む複数の画素と、前記基板上に配された前記各光電変換素子の受光部を画する遮光層と、少なくとも前記各光電変換素子の受光部に対応する位置に設けられたカラーフィルタとを有する光電変換装置であって、
前記複数の光電変換素子は、前記基板の端部に最も近接して配置された第１の光電変換素子を有し、該第１の光電変換素子の受光部上に設けられたカラーフィルタと同一の分光特性を有するカラーフィルタが、前記第１の光電変換素子の受光部を画する遮光層と前記基板の端部との間の少なくとも一部を覆うように配置されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また本発明の光電変換装置は、一画素に含まれる、光電変換素子及びトランジスタと、
前記トランジスタの主電極領域上に配された導電層と、
少なくとも前記光電変換素子の受光部上に設けられたカラーフィルタとを基板上に有する光電変換装置であって、
前記カラーフィルタと同一の分光特性を有するカラーフィルタが、前記トランジスタの主電極領域上の前記導電層で遮光されない領域を覆うように配置されていることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月21日(2007.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のステージが定盤上で移動するステージ装置であって、
前記定盤は、隙間を介して隣接して配置された複数の定盤を有し、
各ステージは、前記定盤と対向する面に複数の気体軸受部を有し、
前記複数の気体軸受部の一部が前記隙間に位置するときに、他の部分が前記隙間に位置しないように配置されていることを特徴とするステージ装置。
【請求項２】
前記ステージを定盤上で駆動する平面モータを備えることを特徴とする請求項１にステージ装置。
【請求項３】
前記複数の気体軸受部は、前記定盤が隣接する方向に離間して配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載のステージ装置。
【請求項４】
前記複数の気体軸受部は、前記定盤が隣接する方向を長手方向とすることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のステージ装置。
【請求項５】
前記離間して配置された気体軸受部は、それぞれ気体を供給するための気体供給孔と、前記気体供給孔の周囲に配置された溝を有することを特徴とする請求項３または４に記載のステージ装置。
【請求項６】
前記複数の気体軸受部は各ステージの重心位置に対して均等に配置されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のステージ装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載のステージ装置であって、
前記複数のステージは２つのステージであり、
前記複数の定盤は前記２つのステージの一方に第１の処理を行うために利用される第１定盤と、他方に第２の処理を行うために利用される第２定盤と、を備え、前記２つのステージは第１および第２定盤間で入れ換え可能に構成されることを特徴とするステージ装置。
【請求項８】
パターンを基板に露光する露光装置であって、
請求項１乃至７のいずれかに記載のステージ装置を用いて、基板をパターンに位置決めして露光することを特徴とする露光装置。
【請求項９】
請求項８に記載の露光装置を用いてウエハを露光する工程と、
前記ウエハを現像する工程とを備えることを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上述の目的を達成するために本発明では、複数のステージが定盤上で移動するステージ装置であって、前記定盤は、隙間を介して隣接して配置された複数の定盤を有し、各ステージは、前記定盤と対向する面に複数の気体軸受部を有し、前記複数の気体軸受部の一部が前記隙間に位置するときに、他の部分が前記隙間に位置しないように配置されていることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月18日(2008.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の酸化膜に対してプラズマ窒化処理し、その当該基板をアニール処理して絶縁膜を形成する方法において、
前記アニール処理は、６００℃〜７００℃の第１の温度で行われる第１のアニール処理工程と、９５０℃〜１１５０℃の第２の温度で行われる第２のアニール処理工程と、を有し、
前記第１のアニール処理工程と前記第２のアニール処理工程は、６６．７Ｐａ〜９９３．２Ｐａの圧力の下で行われることを特徴とする絶縁膜形成方法。
【請求項２】
前記第１のアニール処理工程は，アニール時間が１秒〜４０秒、
前記第２のアニール処理工程は、アニール時間が５〜６０秒、
であることを特徴とする，請求項１に記載の絶縁膜形成方法。
【請求項３】
前記第２のアニール処理工程のアニール時間は１０秒〜４０秒であることを特徴とする，請求項２に記載の絶縁膜形成方法。
【請求項４】
前記酸化膜に対して，プラズマ窒化処理を施すにあたり，多数の透孔が形成されている平板アンテナを用いたマイクロ波プラズマによってプラズマ窒化処理することを特徴とする，請求項１〜３のいずれかに記載の絶縁膜形成方法。
【請求項５】
前記酸化膜は，熱酸化またはプラズマ酸化によって形成したものであることを特徴とする，請求項１〜４のいずれかに記載の絶縁膜形成方法。
【請求項６】
前記プラズマ窒化処理された後の基板は，大気に曝されることなく減圧雰囲気のまま，アニール処理を行うアニール装置に搬入されてアニール処理されることを特徴とする，請求項１〜５のいずれかに記載の絶縁膜形成方法。
【請求項７】
コンピュータに，請求項１〜６のいずれかに記載の絶縁膜形成方法におけるアニール方法を，アニール装置において実行させるためのソフトウエアを含む，コンピュータ記録媒体。
【請求項８】
前記第１のアニール処理工程と前記第２のアニール処理工程は６６７Ｐａ以下の圧力の下で行われることを特徴とする、請求項１に記載の絶縁膜形成方法。
【請求項９】
前記アニール処理は、窒素ガス／酸素ガスの混合ガスの雰囲気で行われることを特徴とする、請求項１〜５及び請求項８に記載の絶縁膜形成方法。
【請求項１０】
前記混合ガス中の酸素分圧は、１３．３Ｐａ〜９３．３Ｐａであることを特徴とする、請求項９に記載の絶縁膜形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
前記目的を達成するため，本発明によれば，基板上の酸化膜に対してプラズマ窒化処理し，その後当該基板をアニール処理して絶縁膜を形成する方法において，前記アニール処理は，６００℃〜７００℃の第１の温度で行われる第１のアニール処理工程と，９５０℃〜１１５０℃の第２の温度で行われる第２のアニール処理工程と，を有し，前記第１のアニール処理工程と前記第２のアニール処理工程は、６６．７Ｐａ〜９９３．２Ｐａの圧力の下で行われることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
このようにプラズマ窒化処理後のアニール処理を６６．７Ｐａ〜９９３．２Ｐａの減圧された雰囲気で行う，いわばライトアニールで行うことにより，膜厚の増大を防止することができる。またトランジスタＯＮ電流特性，動作速度を向上させることができる。さらにアニール処理自体も，急激なスパイク状のアニールではなく、第１のアニール処理工程と，その後引き続いて行われる第２のアニール処理工程とに分けることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前記減圧下のアニール処理は，６６７Ｐａ（５Ｔｏｒｒ）以下が好ましい。また酸素分圧は，好ましくは，１３．３３〜９３．３Ｐａ（０．１〜１．０Ｔｏｒｒ）付近で行うのが良い。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記第１のアニール処理工程のアニール時間は１秒〜４０秒、前記第２のアニール処理工程のアニール時間は５〜６０秒、がよい。より好ましくは、前記第２のアニール処理工程のアニール時間は、１０秒〜４０秒間がよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月1日(2008.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向するように設けられた第１の電極と第２の電極との間に、第１の層と、第２の層と、第３の層とを有し、
前記第１の層は、芳香族アミン化合物と、前記芳香族アミン化合物に対して電子受容性を示す第１の物質とを含み、
前記第２の層は、正孔よりも電子の輸送性が高い第２の物質と、前記第２の物質に対して電子供与性を示す第３の物質とを含み、
前記第３の層は、発光物質を含み、
前記第１の層と前記第２の層と前記第３の層とは順に積層され、
前記第１の層は、前記第１の電極と接し、
前記第３の層は、前記第２の電極と接し、
前記第１の電極の電位よりも前記第２の電極の電位の方が高くなるように電圧を印加したときに発光することを特徴とする発光素子。
【請求項２】
対向するように設けられた第１の電極と第２の電極との間に、第１の層と、第２の層と、第３の層とを有し、
前記第１の層は、芳香族アミン化合物と、前記芳香族アミン化合物に対して電子受容性を示す第１の物質とを含み、
前記第２の層は、正孔よりも電子の輸送性が高い第２の物質と、前記第２の物質に対して電子供与性を示す第３の物質とを含み、
前記第３の層は、発光物質を含み、
前記第１の層は、前記第２の層よりも前記第１の電極側に設けられ、
前記第３の層は、前記第２の層よりも前記第２の電極側に設けられ、
前記第１の電極の電位よりも前記第２の電極の電位の方が高くなるように電圧を印加したときに発光することを特徴とする発光素子。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の物質は、前記芳香族アミン化合物に対し、０．５以上２以下のモル比の値となるように含まれることを特徴とする発光素子。
【請求項４】
対向するように設けられた第１の電極と第２の電極との間に、第１の層と、第２の層と、第３の層とを有し、
前記第１の電極は、５０％以上１００％以下の反射率を有する導電物から成り、
前記第２の電極は、可視光を透過する導電物から成り、
前記第１の層は、芳香族アミン化合物と、前記芳香族アミン化合物に対して電子受容性を示す第１の物質とを含み、
前記第２の層は、正孔よりも電子の輸送性が高い第２の物質と、前記第２の物質に対して電子供与性を示す第３の物質とを含み、
前記第３の層は、発光層を含みｘ層（ｘは２以上の任意の正の整数）から成る層であり、
前記第１の層と前記第２の層と前記第３の層とは順に積層され、
前記第１の層は、前記第１の電極と接し、
前記第３の層における第１層目の層は、前記第２の層と接し、
前記第３の層における第ｘ層目の層は、前記第２の電極と接し、
前記発光層と前記第２の層との間には、ｙ層（ｙ≦ｘ、ｙは正の整数）の層を有し、
前記第１の電極の電位よりも前記第２の電極の電位の方が高くなるように電圧を印加したときに発光し、
前記第１の層の膜厚と前記第２の層の膜厚は、数式（１）、数式（２）、数式（３）を満たすように調節されることを特徴とする発光素子。
【数０１】
2006156997.tif 000001
（数式（１）、数式（２）、数式（３）において、ｎｉは第１の層の屈折率、ｄｉは第１の層の膜厚、ｎｉｉは第２の層の屈折率、ｄｉｉは第２の層の膜厚、ｎｋは発光層と第２の層との間に含まれる層の中の第ｋ番目（ｋは自然数）の層の屈折率、ｄｋは発光層と第２の層との間に含まれる層の中の第ｋ番目の層の膜厚、ｎｊは発光層の屈折率、ｄｊは発光層における第１の電極側の膜面から発光領域までの距離、λは発光素子からの発光の波長、ｍは任意の正の整数、ｄｅｍｉは発光層の膜厚を表す。）
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第３の物質は、アルカリ金属酸化物及びアルカリ土類金属酸化物の中から選ばれる一の物質であることを特徴とする発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の発光素子を画素部に含むことを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項６に記載の発光装置を表示部として用いることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月14日(2008.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】複合材料
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属酸化物と、前記金属酸化物に含まれる金属原子にキレートを形成することにより結合した有機化合物と、を有し、
前記金属酸化物は前記有機化合物に対して電子受容性を示すことを特徴とする複合材料。
【請求項２】
金属酸化物と、前記金属酸化物に含まれる金属原子にキレートを形成することにより結合した有機化合物と、を有し、
前記有機化合物は、アリールアミン骨格を有し、
前記金属酸化物は前記有機化合物に対して電子受容性を示すことを特徴とする複合材料。
【請求項３】
金属酸化物と、前記金属酸化物に含まれる金属原子にキレートを形成することにより結合した有機化合物と、を有し、
前記金属酸化物は、前記有機化合物に対して電子供与性を示すことを特徴とする複合材料。
【請求項４】
金属酸化物と、前記金属酸化物に含まれる金属原子にキレートを形成することにより結合した有機化合物と、を有し、
前記有機化合物は、ピリジン骨格、ピラジン骨格、トリアジン骨格、イミダゾール骨格、トリアゾール骨格、オキサジアゾール骨格、チアジアゾール骨格、オキサゾール骨格及びチアゾール骨格のいずれか一種もしくは複数種を有し、
前記金属酸化物は、前記有機化合物に対して電子供与性を示すことを特徴とする複合材料。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記金属酸化物とは別の金属酸化物がさらに含まれることを特徴とする複合材料。
【請求項６】
第１の金属酸化物と、
前記第１の金属酸化物に含まれる金属原子にキレートを形成することにより結合した有機化合物と、
第２の金属酸化物と、を有し、
前記有機化合物は、アリールアミン骨格を有し、
前記第２の金属酸化物は、前記有機化合物に対して電子受容性を示すことを特徴とする複合材料。
【請求項７】
第１の金属酸化物と、
前記第１の金属酸化物に含まれる金属原子にキレートを形成することにより結合した有機化合物と、
第２の金属酸化物と、を有し、
前記有機化合物は、ピリジン骨格、ピラジン骨格、トリアジン骨格、イミダゾール骨格、トリアゾール骨格、オキサジアゾール骨格、チアジアゾール骨格、オキサゾール骨格及びチアゾール骨格のいずれか一種もしくは複数種を有し、
前記第２の金属酸化物は、前記有機化合物に対して電子供与性を示すことを特徴とする複合材料。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月3日(2008.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックスＹＡＧにＮｄ、Ｙｂのうちの少なくとも一種のドーパントを添加したレーザ結晶を用いるレーザ発振器と、
前記レーザ発振器より射出したレーザビームの強度分布を均一化するビームホモジナイザと、
前記レーザビームに対して前記レーザビームの照射面を相対的に移動する手段とを有するレーザ照射装置。
【請求項２】
セラミックスＹＡＧにＮｄ、Ｙｂのうちの少なくとも一種のドーパントを添加したレーザ結晶を用いるレーザ発振器と、
前記レーザ発振器より射出したレーザビームの強度分布を均一化するビームホモジナイザと、
前記ビームホモジナイザを通過した前記レーザビームを集光するための集光レンズと、
前記レーザビームに対して照射面を相対的に移動する手段とを有するレーザ照射装置。
【請求項３】
セラミックスＹＡＧにＮｄ、Ｙｂのうちの少なくとも一種のドーパントを添加したレーザ結晶を用いるレーザ発振器と、
前記レーザ発振器より射出したレーザビームの強度分布を均一化するビームホモジナイザと、
前記ビームホモジナイザによって強度分布が均一化された前記レーザビームの端部を遮断するスリットと、
前記スリットを通過したレーザビームの像を照射面に投影する投影レンズと、
前記投影レンズを通過した前記レーザビームを集光する集光レンズと、
前記レーザビームに対して前記照射面を相対的に移動する手段とを有するレーザ照射装置。
【請求項４】
請求項２および請求項３において、前記集光レンズは、凸型シリンドリカルレンズまたは凸型球面レンズであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記ビームホモジナイザは、シリンドリカルレンズアレイ、ライトパイプ、またはフライアイレンズのいずれかであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項６】
セラミックスＹＡＧにＮｄ、Ｙｂのうちの少なくとも一種のドーパントを添加したレーザ結晶を用いるレーザ発振器から射出した第１のレーザビームをビームホモジナイザに通過させることによって、強度分布を均一化した第２のレーザビームを形成し、
前記第２のレーザビームを照射面に対して相対的に走査しながら前記第２のレーザビームを前記照射面に照射することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項７】
セラミックスＹＡＧにＮｄ、Ｙｂのうちの少なくとも一種のドーパントを添加したレーザ結晶を用いるレーザ発振器から射出した第１のレーザビームをビームホモジナイザに通過させることによって、強度分布が均一化された第２のレーザビームを形成し、
前記第２のレーザビームを集光レンズに通過させることによって、第３のレーザビームを形成し、
前記第３のレーザビームを照射面に対して相対的に走査しながら前記第３のレーザビームを前記照射面に照射することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項８】
セラミックスＹＡＧにＮｄ、Ｙｂのうちの少なくとも一種のドーパントを添加したレーザ結晶を用いるレーザ発振器から射出した第１のレーザビームをビームホモジナイザに通過させることによって、強度分布が均一化された第２のレーザビームを形成し、
前記第２のレーザビームの端部をスリットによって遮断して第３のレーザビームを形成し、
前記第３のレーザビームを集光レンズおよび投影レンズを通過させた後、照射面に投影し、
前記投影されたレーザビームに対して前記照射面を相対的に移動しながら照射することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか一において、前記集光レンズは、凸型シリンドリカルレンズまたは凸型球面レンズを用いることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項９のいずれか一において、前記ビームホモジナイザは、シリンドリカルレンズアレイ、ライトパイプ、またはフライアイレンズのいずれかを用いることを特徴とするレーザ照射方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月1日(2008.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビームの進行方向に沿った面に互いに対面し、平行でかつ所定の間隙をもって配置された２つの光反射面を有するビーム進行光導波路に、前記光反射面に交差する方向の面にビームの進行方向を変更する進路変更反射面を複数形成したことを特徴とするビームホモジナイザ。
【請求項２】
前記ビーム進行光導波路は、表面が平らで、均一な厚さの透光性板状体内に形成されたものである請求項１に記載のビームホモジナイザ。
【請求項３】
前記ビーム進行光導波路は、板に反射性被膜を形成したミラー２枚を間隙を以って平行に対面して配置することにより形成されたものである請求項１に記載のビームホモジナイザ。
【請求項４】
前記ビーム進行光導波路の前記光反射面を備える面の形状は５角形で、互いに隣接する辺に入射口及び射出口を形成し、その入射口及び射出口を形成した２つの辺に隣接する辺に前記進路変更反射面を形成した２つの進路変更反射面を持つ請求項１ないし３のいずれか１項に記載のビームホモジナイザ。
【請求項５】
前記ビーム進行光導波路の前記光反射面を備える面の形状は５角形で、互いに隣接する辺に入射口及び射出口を形成し、その入射口及び射出口を形成した以外の全ての辺に前記進路変更反射面を形成した３つの進路変更反射面を持つ請求項１ないし３のいずれか１項に記載のビームホモジナイザ。
【請求項６】
前記入射口、前記射出口の少なくとも一方の形状が、線状である請求項４又は５に記載のビームホモジナイザ。
【請求項７】
ビームの進行方向に沿った面に互いに対面し、平行でかつ所定の間隙をもって配置された２つの光反射面を有するビーム進行光導波路に、前記光反射面に交差する方向の面にビームの進行方向を変更する進路変更反射面を複数形成した短辺方向のエネルギー密度分布が均一化されたビームを形成するビームホモジナイザ、前記ビームを順次入射して長辺方向のエネルギー密度分布を均一化するシリンドリカルレンズアレイとシリンドリカルレンズ、及びそこから射出された長辺方向及び短辺方向のエネルギー密度分布が均一化された照射ビームを投影する照射面を設置するステージを備えたことを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項８】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載のビームホモジナイザを用いることにより短辺方向のエネルギー密度分布が均一化されたビームを形成するレーザ照射装置。
【請求項９】
ビームの進行方向に沿った面に互いに対面し、平行でかつ所定の間隙をもって配置された２つの光反射面を有するビーム進行光導波路に、前記光反射面に交差する方向の面にビームの進行方向を変更する進路変更反射面を複数形成したビームホモジナイザに、レーザビームを入射して短辺方向のエネルギー密度分布が均一化されたレーザビームを形成し、
前記短辺方向のエネルギー密度分布が均一化されたレーザビームをシリンドリカルレンズアレイ及びシリンドリカルレンズに順次通過させることによって長辺方向のエネルギー密度分布も均一化した照射レーザビームを形成し、
次いで、前記照射レーザビームを照射面に照射することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１０】
ビームの進行方向に沿った面に互いに対面し、平行でかつ所定の間隙をもって配置された２つの光反射面を有するビーム進行光導波路に、前記光反射面に交差する方向の面にビームの進行方向を変更する進路変更反射面を複数形成したビームホモジナイザに、レーザビームを入射して短辺方向のエネルギー密度分布が均一化されたレーザビームを形成し、
前記短辺方向のエネルギー密度分布が均一化されたレーザビームをシリンドリカルレンズアレイ及びシリンドリカルレンズに順次通過させることによって長辺方向のエネルギー密度分布も均一化した照射レーザビームを形成し、
次いで、前記照射レーザビームを基板上の非単結晶半導体膜に照射することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１１】
ビームホモジナイザが請求項１ないし６のいずれか１項に記載のものである請求項９又は１０に記載のレーザ照射方法。
【請求項１２】
ビームの進行方向に沿った面に互いに対面し、平行でかつ所定の間隙をもって配置された２つの光反射面を有するビーム進行光導波路に、前記光反射面に交差する方向の面にビームの進行方向を変更する進路変更反射面を複数形成したビームホモジナイザに、レーザビームを入射して短辺方向のエネルギー密度分布が均一化されたレーザビームを形成し、
前記短辺方向のエネルギー密度分布が均一化されたレーザビームをシリンドリカルレンズアレイ及びシリンドリカルレンズに順次通過させることにより長辺方向のエネルギー密度分布も均一化した照射レーザビームを形成し、
次いで、前記照射レーザビームを基板上の非単結晶半導体膜に照射することを特徴とするレーザアニール方法。
【請求項１３】
ビームホモジナイザが請求項１ないし６のいずれか１項に記載のものである請求項１２に記載のレーザアニール方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月2日(2008.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に絶縁体層を形成し、
前記絶縁体層上にソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記絶縁体層上に、前記ドレイン電極に電気的に接続する陽極を形成し、
第二の基板上に配向膜及び陰極を形成し、
前記ゲート電極と前記配向膜とが互いに向かい合うように、かつ、前記陰極と前記陽極とが互いに向かい合うように前記第一の基板と前記第二の基板を配置し、
前記第一の基板と前記第二の基板の間に有機半導体材料を注入して、有機電界効果トランジスタ及び発光素子を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
第一の基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に絶縁体層を形成し、
前記絶縁体層上に、ソース電極、ドレイン電極、及び有機半導体膜を形成し、
第二の基板上に配向膜を形成し、
前記有機半導体膜の少なくとも一部と、前記配向膜とを接触させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
第一の基板上に有機半導体膜の一部もしくは全部が表面に露出した半導体素子を形成し、
第二の基板上に配向膜を形成し、
前記有機半導体膜の少なくとも一部と前記配向膜とを接触させ、
前記有機半導体膜を加熱することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記半導体素子は、前記第一の基板の表面上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極上に絶縁体層を形成し、前記絶縁体層上にソース電極、及びドレイン電極を形成して設けられることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２乃至請求項４のいずれか一において、
前記有機半導体膜は、ポリチオフェン、ポリパラフェニレンビニレン、ペンタセン、フタロシアニン、ポリフルオレンからなる群から選ばれたいずれか一であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
第一の基板の第一の表面上にゲート電極、絶縁体層、ソース電極、およびドレイン電極を形成し、
第二の基板の第二の表面上に配向膜を形成し、
前記第一の基板の前記第一の表面と前記第二の基板の前記第二の表面とをシール材を用いて貼り付け、
前記シール材と、前記第一の表面及び前記第二の表面に囲まれた領域に有機半導体材料を注入することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記第一の基板上に前記ゲート電極を形成し、前記ゲート電極上に前記絶縁体層を形成し、前記絶縁体層上に前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項６または請求項７において、
前記有機半導体材料は、ポリチオフェン、ポリパラフェニレンビニレン、ペンタセン、フタロシアニン、ポリフルオレンからなる群から選ばれたいずれか一を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
第一の基板上にゲート電極と、
前記ゲート電極上に絶縁体層と、
前記絶縁体層上にソース電極及びドレイン電極と、
前記絶縁体層上に、前記ドレイン電極に電気的に接続する陽極と、
前記絶縁体層及び前記陽極上に有機半導体層と、
前記有機半導体層上に配向膜及び陰極と、
前記配向膜及び前記陰極上に第二の基板と、を有し、
前記配向膜は、前記ゲート電極と重なるように前記有機半導体層に接して設けられ、
前記陰極は、前記陽極と重なるように前記有機半導体層に接して設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
絶縁表面を有する第一の基板と、
前記第一の基板上に設けられた第一の導電膜と、
前記第一の導電膜上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられた一対の第二の導電膜と、
前記絶縁膜及び前記一対の第二の導電膜上に設けられた有機半導体膜と、
前記有機半導体膜の少なくとも一部と接するように設けられた配向膜と、
前記配向膜上に設けられた第二の基板とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
絶縁表面を有する第一の基板と、
前記第一の基板上に設けられた第一の導電膜と、
前記第一の導電膜上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられた有機半導体膜と、
前記有機半導体膜上に設けられた一対の第二の導電膜と、
前記有機半導体膜の少なくとも一部と接するように設けられた配向膜と、
前記配向膜の上に設けられた第二の基板とを有し、
前記配向膜の少なくとも一部は前記一対の第二の導電膜の間に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１０または請求項１１において、
前記有機半導体膜は、ポリチオフェン、ポリパラフェニレンビニレン、ペンタセン、フタロシアニン、ポリフルオレンからなる群から選ばれたいずれか一であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月14日(2008.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】
前記内側環状凸部により分離される前記密閉空間の内側部分に、熱伝達用ガスを導入する熱伝達用ガス導入部を設けるとともに、
前記同心円状に形成された複数の中間環状凸部の間に形成される複数の間隙に、それぞれ熱伝達用ガスを導入する熱伝達用ガス導入部をさらに設けたことを特徴とする請求項１６に記載の基板載置台。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月8日(2008.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタと、
前記トランジスタと電気的に接続し、第１の層と、前記第１の層上に形成された第２の層とを含み、発光素子の電極として機能する電極と、
前記電極の端部を覆い、前記第２の層が露出するように開口部が設けられた隔壁層と、
を有し、
前記第１の層は、導電性を有する物質を用いて形成された層であり、
前記第２の層は、金属酸化物と有機化合物とを含む層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
トランジスタと、
前記トランジスタと電気的に接続し、第１の層と、前記第１の層上に形成された第２の層とを含み、発光素子の電極として機能する電極と、
前記電極の端部を覆い、前記第２の層が露出するように開口部が設けられた隔壁層と、
を有し、
前記第１の層は、導電性を有する物質を用いて形成された層であり、
前記第２の層は、正孔輸送性物質と、前記正孔輸送性物質に対し電子受容性を示す物質と、を含む層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記正孔輸送性物質は、芳香族アミン化合物であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
トランジスタと、
前記トランジスタと電気的に接続し、第１の層と、前記第１の層上に形成された第２の層とを含み、発光素子の電極として機能する電極と、
前記電極の端部を覆い、前記第２の層が露出するように開口部が設けられた隔壁層と、
を有し、
前記第１の層は、導電性を有する物質を用いて形成された層であり、
前記第２の層は、電子輸送性物質と、前記電子輸送性物質に対し電子供与性を示す物質と、を含む層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
複数のトランジスタと、
発光層と、前記複数のトランジスタのいずれか一つと電気的に接続し、第１の層と前記第１の層上に形成された第２の層とを含む一方の電極と、前記発光層上に設けられた他方の電極と、を有する複数の発光素子と、
を有し、
少なくとも前記複数の発光素子の一つは、他の前記複数の発光素子の一つと発光色が異なり、
前記電極の端部は、前記第２の層が露出するように開口部が設けられた隔壁層によって覆われ、
前記第１の層は、導電性を有する物質を用いて形成された層であり、
前記第２の層は、金属酸化物と有機化合物とを含む層であり、
前記第２の層の厚さは、前記発光素子の発光色によって異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
複数のトランジスタと、
発光層と、前記複数のトランジスタのいずれか一つと電気的に接続し、第１の層と前記第１の層上に形成された第２の層とを含む一方の電極と、前記発光層上に設けられた他方の電極と、を有する複数の発光素子と、
を有し、
少なくとも前記複数の発光素子の一つは、他の前記複数の発光素子の一つと発光色が異なり、
前記電極の端部は、前記第２の層が露出するように開口部が設けられた隔壁層によって覆われ、
前記第１の層は、導電性を有する物質を用いて形成された層であり、
前記第２の層は、正孔輸送性物質と、前記正孔輸送性物質に対し電子受容性を示す物質と、を含む層であり、
前記第２の層の厚さは、前記発光素子の発光色によって異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
前記正孔輸送性物質は、芳香族アミン化合物であることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
複数のトランジスタと、
発光層と、前記複数のトランジスタのいずれか一つと電気的に接続し、第１の層と前記第１の層上に形成された第２の層とを含む一方の電極と、前記発光層上に設けられた他方の電極と、を有する複数の発光素子と、
を有し、
少なくとも前記複数の発光素子の一つは、他の前記複数の発光素子の一つと発光色が異なり、
前記電極の端部は、前記第２の層が露出するように開口部が設けられた隔壁層によって覆われ、
前記第１の層は、導電性を有する物質を用いて形成された層であり、
前記第２の層は、電子輸送性物質と、前記電子輸送性物質に対し電子供与性を示す物質と、を含む層であり、
前記第２の層の厚さは、前記発光素子の発光色によって異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
前記第２の層は、１００ｎｍ〜３００ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
トランジスタと、
前記トランジスタと電気的に接続し、第１の層と、前記第１の層上に形成された第２の層とを含む第１の電極と、
前記第１の電極の端部を覆い、前記第２の層が露出するように開口部が設けられた隔壁層と、
発光層と、
第２の電極と、
を有し、
前記第１の層は、導電性を有する物質を用いて形成された層であり、
前記第２の層は、金属酸化物と有機化合物とを含む層であり、
前記第１の電極と前記発光層と前記第２の電極とは重畳していることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
トランジスタと、
前記トランジスタと電気的に接続し、第１の層と、前記第１の層上に形成された第２の層とを含む第１の電極と、
前記第１の電極の端部を覆い、前記第２の層が露出するように開口部が設けられた隔壁層と、
発光層と、
第２の電極と、
を有し、
前記第１の層は、導電性を有する物質を用いて形成された層であり、
前記第２の層は、正孔輸送性物質と、前記正孔輸送性物質に対し電子受容性を示す物質と、を含む層であり、
前記第１の電極と前記発光層と前記第２の電極とは重畳していることを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
前記正孔輸送性物質は、芳香族アミン化合物であることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
トランジスタと、
前記トランジスタと電気的に接続し、第１の層と、前記第１の層上に形成された第２の層とを含む第１の電極と、
前記第１の電極の端部を覆い、前記第２の層が露出するように開口部が設けられた隔壁層と、
発光層と、
第２の電極と、
を有し、
前記第１の層は、導電性を有する物質を用いて形成された層であり、
前記第２の層は、電子輸送性物質と、前記電子輸送性物質に対し電子供与性を示す物質と、を含む層であり、
前記第１の電極と前記発光層と前記第２の電極とは重畳していることを特徴とする発光装置。
【請求項１４】
請求項１０乃至請求項１３のいずれか一項に記載の発光装置を表示部に用いていることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月31日(2008.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機素子とトランジスタを並列に接続した構成を有するメモリセルを複数有し、
複数の前記メモリセルは直列に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
有機素子とトランジスタを並列に接続した構成を有するメモリセルを複数有し、
複数の前記メモリセルは直列に接続され、ＮＡＮＤ型メモリを構成することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
有機素子とトランジスタを直列に接続した構成を有するメモリセルを複数有し、
複数の前記メモリセルは並列に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
有機素子とトランジスタを直列に接続した構成を有するメモリセルを複数有し、
複数の前記メモリセルは並列に接続され、ＮＯＲ型メモリを構成することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記メモリセルの信号を検出する手段を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記メモリセルの信号を検出する手段は、センスアンプを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記有機素子は有機化合物層を有し、前記有機化合物層は、電子輸送材料またはホール輸送材料を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記有機素子は有機化合物層を有し、前記有機化合物層は、光を照射することによって電気抵抗が変化する材料を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項７において、
前記有機化合物層は、レーザ光の照射により導電性が変化することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記有機素子は有機化合物層を有し、前記有機化合物層は、電圧または電流を印加することによって電気抵抗が変化する材料を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
前記有機素子は、半導体基板、ガラス基板、または可撓性基板上に設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
前記トランジスタは、薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一に記載された半導体装置を有するＩＣカード、ＩＣタグ、ＲＦＩＤタグ、トランスポンダ、紙幣、有価証券、パスポート、電子機器、バッグ、または衣類。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一に記載された半導体装置を有し、電源回路、クロック発生回路、データ復調回路、データ変調回路、制御回路、及びインターフェイス回路のいずれか一を少なくとも有するＲＦＩＤタグ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月3日(2008.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された周期表の１３族に属する元素を含む島状の第１の半導体膜と、
前記第１の半導体膜の上面の一部及び側面に接するように形成された一対の第２の半導体膜と、
一対の前記第２の半導体膜上に形成された一対の電極とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された周期表の１３族に属する元素を含む第１の半導体膜と、
前記半導体膜の上面の一部に形成された保護膜と、
前記保護膜の上面の一部及び側面に接し、かつ前記第１の半導体膜上に形成された一対の第２の半導体膜と、
一対の前記第２の半導体膜上に形成された一対の電極とを有し、
前記第２の半導体膜は、前記第１の半導体膜の膜厚方向及び前記基板と平行な方向において前記第１の半導体膜と接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
基板上に形成された周期表の１３族に属する元素を含む島状の第１の半導体膜と、
前記第１の半導体膜の上面の一部及び側面に接するように形成された一対の第２の半導体膜と、
一対の前記第２の半導体膜上に形成された一対の電極と、
前記第１の半導体膜、一対の前記第２の半導体膜、及び一対の前記電極を覆うように形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１の半導体膜は、非晶質半導体膜、微結晶半導体膜、または結晶性半導体膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第２の半導体膜は、周期表の１５族に属する元素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第２の半導体膜は、前記第１の半導体膜よりも高い濃度で周期表の１３族に属する元素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一に記載の半導体装置を搭載した電子機器。
【請求項８】
請求項７において、前記電子機器は、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末、モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機、電子書籍、記録媒体を備えた画像再生装置、またはテレビ受像機であることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月27日(2007.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
本発明では、電解質はポリマー添加、オイルゲル化剤添加、多官能モノマー類を含む重合、ポリマーの架橋反応等の手法によりゲル化させることもできる。ポリマー添加によりゲル化させる場合の好ましいポリマーとしては、ポリアクリロニトリル、ポリフッ化ビニリデン等を挙げることができる。オイルゲル化剤添加によりゲル化させる場合の好ましいゲル化剤としては、ジベンジリデン−Ｄ−ソルビトール、コレステロール誘導体、アミノ酸誘導体、トランス−（１Ｒ，２Ｒ）−１，２−シクロヘキサンジアミンのアルキルアミド誘導体、アルキル尿素誘導体、Ｎ−オクチル−Ｄ−グルコンアミドベンゾエート、双頭型アミノ酸誘導体、４級アンモニウム誘導体等を挙げることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月30日(2007.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一次光源と組み合わせて面光源装置を構成するのに使用され、前記一次光源から発せられる光を導光する面光源装置用導光体であって、
前記一次光源から発せられる光が入射する光入射端面及び導光された光が出射する光出射面及び該光出射面の反対側の裏面を有しており、
前記光出射面及び／または裏面には前記光入射端面を横切る方向に延在し且つ互いに平行に配列された複数のプリズム列が形成されており、
前記プリズム列のそれぞれの頂部は、その延在方向に関し少なくとも一部の領域で、断面形状において第１曲率半径をもつ第１部分と前記第１曲率半径より小さな第２曲率半径をもつ第２部分とを含んでなることを特徴とする面光源装置用導光体。
【請求項２】
請求項１記載の面光源装置用導光体の光入射端面に対向して前記一次光源が配置されており、
更に、前記導光体の光出射面上に配置され、且つ前記導光体の光出射面から出射する光が入光する入光面及びその反対側の出光面を有する光偏向素子を備えていることを特徴とする面光源装置。
【請求項３】
導光体のプリズム列が形成される面を転写形成する転写面を有する型部材の製造方法であって、
前記転写面を形成するに際して、プリズム列に対応するプリズム列対応部を、第１曲率半径Ｒ１の先端形状をもつ第１のバイトを用いて切削加工する第１工程と、第２曲率半径Ｒ２の先端形状をもつ第２のバイトを用いて切削加工する第２工程とを順次行う方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】面光源装置用導光体及び面光源装置並びに型部材の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月16日(2007.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
商用電源を所定電圧まで降圧する点灯装置が配設された器具本体と、
ＬＥＤ光源を有する表示パネルを備え、前記器具本体から離して配置された表示パネルユニットと、
内部に前記点灯装置と前記ＬＥＤ光源とを電気的に接続する電線が挿通され、かつ前記器具本体と前記表示パネルユニットとを機械的に接続するパイプと、
を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
表示パネルの背面側に、該表示パネルを収容してＬＥＤ光源から発する熱を放散させる蓋状の表示板保持部材を設け、該表示板保持部材をパイプ側に接続することで、器具本体と表示パネルユニットとを接続することを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
ＬＥＤ光源の基板を放熱特性の良い材料からなるランプカバーと一体化し、該ランプカバーと表示板保持部材とで表示パネルを挾持するように、該ランプカバーを表示板保持部材に着脱可能に取り付けたことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の表示装置。
【請求項４】
点灯装置を、器具本体より側方に突出させて設けたことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項５】
器具本体を、スイッチボックスに収納できる形状に形成したことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の表示装置。