(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リード端子上にヒューズエレメントを配置し、前記ヒューズエレメントの両端部分を避けて熱伝導部材を当接させ、前記熱伝導部材の両端に透明部材を設けた状態で前記ヒューズエレメントと前記リード端子を溶接し、前記透明部材はヒューズエレメントの両端部に対向するように設けられ、前記透明部材は前記熱伝導部材よりも熱伝導率が小さいことを特徴とするヒューズの製造方法。
【請求項２】
前記透明部材は少なくとも赤外線もしくは近赤外線に対して透明であり、前記透明部材を介して、赤外線もしくは近赤外線をヒューズエレメントもしくはリード端子の少なくとも一方に照射し、ヒューズエレメントとリード端子を溶接することを特徴とする請求項１記載のヒューズの製造方法。
【請求項３】
近赤外線もしくは赤外線をレーザー光として用いたことを特徴とする請求項２記載のヒューズの製造方法。
【請求項４】
リード端子上にヒューズエレメントを配置し、熱伝導部材のヒューズエレメントとの対向面に液体を塗布し、前記ヒューズエレメントの両端部分を避けて前記熱伝導部材を当接させた状態で前記ヒューズエレメントと前記リード端子を溶接し、前記熱伝導部材とヒューズエレメントとの間に前記液体を存在させたことを特徴とするヒューズの製造方法。
【請求項５】
リード端子上にヒューズエレメントを配置し、前記ヒューズエレメントの両端部分を避けて熱伝導部材を当接させた状態で前記ヒューズエレメントと前記リード端子を溶接し、前記熱伝導部材は、熱伝導の良い第１の部分と熱伝導の悪い第２の部分を備えたことを特徴とするヒューズの製造方法。
【請求項６】
第１の部分の熱伝導率が２０Ｗ・ｍ-1Ｋ-1以上であり、第２の部分の熱伝導率が２０Ｗ・ｍ-1Ｋ-1以下より小さいことを特徴とする請求項５記載のヒューズの製造方法。
【請求項７】
第１の部分を挟むように前記第１の部分の両端に第２の部分を設けたことを特徴とする請求項５記載のヒューズの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、異常加熱や過電流等による電子機器など破損等を防止するのに好適に用いられるヒューズの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の温度ヒューズは、所定温度に達すると溶断するヒューズエレメントの両端に端子部を設け、その端子部を電源などの回路と接続することで、電源などを構成する部品（電池など）が異常発熱を起こした際に、ヒューズエレメントがその異常発熱による高温度で動作し、電源回路などを遮断し、内部の部品などにダメージを与えない様に構成されている。
【０００３】
従来の温度ヒューズの代表的な構造としては、図１７，図１８に示すように、一対のリード端子２，３間にヒューズエレメント２５を接合し、そのヒューズエレメント２５をケース内に収納し、ケースの開口を樹脂などで封止することで、ケース内部を気密にするとともに、ケースとリード端子２，３の固定を行っていた。
【０００４】
図１７に示すようにリード端子２，３は、リード端子２，３間の端部１７ｂ及び２６ｂを含む端部近傍に中間層１７及び２６を有し、その中間層１７および２６の表面にヒューズエレメント２５が接続されていた。また、ヒューズエレメントは電気溶接、レーザー溶接あるいは、はんだコテによるハンダ付けによって接続されていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら前記従来の構成では、図１７に示すように低融点のヒューズエレメント２５を部分的に加熱し、その端部２５ａおよび２５ｂのみ溶融させ中間層１７及び２６に接続するための溶接条件設定が難しく、加熱量が多きすぎるとヒューズエレメント２５が融けすぎて形状が太くなったり細くなったりし、加熱量が少ないと接続されなかったりするため、抵抗値がばらつき、歩留まりが悪いという課題を有していた。
【０００６】
また、ヒューズエレメントの端部２５ａおよび２５ｂがヒューズエレメントの表面張力によって部分的に球状化し、ヒューズエレメント２５の厚さより必ず厚くなるため、温度ヒューズの厚さをより薄くすることに限界があった。
【０００７】
特に、リード端子間が３ｍｍ以下の小型・薄型のヒューズにおいては、特に顕著に上記課題が生じる。
【０００８】
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、ヒューズエレメントの接続部を薄型化し、端子間距離を小さくしてもヒューズが動作した後の絶縁距離を確実に確保し、小型化薄型化を実現できるヒューズの製造方法を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、リード端子上にヒューズエレメントを配置し、前記ヒューズエレメントの両端部分を避けて熱伝導部材を当接させ、前記熱伝導部材の両端に透明部材を設けた状態で前記ヒューズエレメントと前記リード端子を溶接し、前記透明部材はヒューズエレメントの両端部に対向するように設けられ、前記透明部材は前記熱伝導部材よりも熱伝導率が小さいことを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】
請求項１記載の発明は、リード端子上にヒューズエレメントを配置し、前記ヒューズエレメントの両端部分を避けて熱伝導部材を当接させ、前記熱伝導部材の両端に透明部材を設けた状態で前記ヒューズエレメントと前記リード端子を溶接し、前記透明部材はヒューズエレメントの両端部に対向するように設けられ、前記透明部材は前記熱伝導部材よりも熱伝導率が小さいことを特徴とするヒューズの製造方法とすることで、ヒューズエレメントとリード端子を溶接する際に発生した熱を熱伝導部材で吸収するので、溶接の際の熱がヒューズエレメントの中央部に伝わるのを抑制できるので、ヒューズエレメントの中央部もしくはその近傍部に他の部分よりも薄く或いは細く形成されることを抑制し、抵抗値のバラツキを低減し、機械的強度を向上させ、しかも薄いヒューズエレメントが使用可能となるので小型化を実現でき、更に、ヒューズエレメントとリード端子との接合部においてヒューズエレメントが突出することはなく、ヒューズの薄型化を実現できる。
【００１３】
請求項２記載の発明は、前記透明部材は少なくとも赤外線もしくは近赤外線に対して透明であり、前記透明部材を介して、赤外線もしくは近赤外線をヒューズエレメントもしくはリード端子の少なくとも一方に照射し、ヒューズエレメントとリード端子を溶接することを特徴とする請求項１記載のヒューズの製造方法とすることで、透明部材を通してヒューズエレメントかリード端子の少なくとも一方を加熱できるので、ヒューズエレメントの接合部を突出させることなく、簡単に製造でき、しかも薄型化を図れる。
【００１４】
請求項３記載の発明は、近赤外線もしくは赤外線をレーザー光として用いたことを特徴とする請求項２記載のヒューズの製造方法とすることで、ピンポイントでの溶接が可能となり、確実な溶接を行うことができる。
【００１５】
請求項４記載の発明は、リード端子上にヒューズエレメントを配置し、熱伝導部材のヒューズエレメントとの対向面に液体を塗布し、前記ヒューズエレメントの両端部分を避けて前記熱伝導部材を当接させた状態で前記ヒューズエレメントと前記リード端子を溶接し、前記熱伝導部材とヒューズエレメントとの間に前記液体を存在させたことを特徴とするヒューズの製造方法とすることで、ヒューズエレメントとリード端子を溶接する際に発生した熱を熱伝導部材で吸収するので、溶接の際の熱がヒューズエレメントの中央部に伝わるのを抑制できるので、ヒューズエレメントの中央部もしくはその近傍部に他の部分よりも薄く或いは細く形成されることを抑制し、抵抗値のバラツキを低減し、機械的強度を向上させ、しかも薄いヒューズエレメントが使用可能となるので小型化を実現でき、更に液体の沸騰もしくは気化により、溶接の際の熱を確実に吸収でき、沸騰もしくは気化による冷却以外にも、熱伝導部材とヒューズエレメント間の熱伝導を促進し、しかも熱伝導部材のヒューズエレメントとの当接面の洗浄なども行うことができる。
【００１６】
請求項５記載の発明は、リード端子上にヒューズエレメントを配置し、前記ヒューズエレメントの両端部分を避けて熱伝導部材を当接させた状態で前記ヒューズエレメントと前記リード端子を溶接し、前記熱伝導部材は、熱伝導の良い第１の部分と熱伝導の悪い第２の部分を備えたことを特徴とするヒューズの製造方法とすることで、ヒューズエレメントとリード端子を溶接する際に発生した熱を熱伝導部材で吸収するので、溶接の際の熱がヒューズエレメントの中央部に伝わるのを抑制できるので、ヒューズエレメントの中央部もしくはその近傍部に他の部分よりも薄く或いは細く形成されることを抑制し、抵抗値のバラツキを低減し、機械的強度を向上させ、しかも薄いヒューズエレメントが使用可能となるので小型化を実現でき、更にリード端子とヒューズの濡れ性を向上させることができ、ヒューズエレメントの突出高さを低くできる。
【００１７】
請求項６記載の発明は、第１の部分の熱伝導率が２０Ｗ・ｍ-1Ｋ-1以上であり、第２の部分の熱伝導率が２０Ｗ・ｍ-1Ｋ-1以下より小さいことを特徴とする請求項５記載のヒューズの製造方法とすることで、リード端子とヒューズの濡れ性を更に向上させることができ、ヒューズエレメントの突出高さを低くできる。
【００１８】
請求項７記載の発明は、第１の部分を挟むように前記第１の部分の両端に第２の部分を設けたことを特徴とする請求項５記載のヒューズの製造方法とすることで、ヒューズエレメントの両端が通常リード端子との接合部となるので、非常に生産性などを良くすることができる。
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いてその製造工程を示すと共に、構成について説明する。
【００２０】
先ず、図１に示すように、基板１を用意する。基板１は、絶縁体で構成されており、プラスチック、ガラス、セラミックあるいは絶縁被服処理を施した金属であってもよい。本実施の形態では、基板１としてアルミナのセラミック板を使用した。また、本実施の形態では、方形板状の基板１を用いたが、円盤状，楕円形状，三角形状，５角形以上の多角形状の板状体を用いても良い。
【００２１】
図２に示すように基板１の上にリード端子２，３を接着する。リード端子２，３は、電気伝導性の有る材料であり、金属が好ましく、具体的には、鉄、ニッケル、銅、アルミニウム、金、銀、スズから選ばれる少なくとも一つの単体材料もしくはそれら金属材料の合金、或いは前述の材料グループから選ばれる少なくとも一つの単体もしくは合金に前記材料グループ以外の元素を含有させた金属材料等が使用できる。
【００２２】
基板１の上にリード端子２，３を接着する材料としては、プラスチック樹脂、ガラス及びプラスチック樹脂またはガラスを含有する金属皮膜などが使用できる。金属被膜を接着剤として用いる場合には、基板１上に印刷などによって、金属被膜を形成し、この金属被膜上にリード端子２，３を載置し、超音波溶接等を用いて基板１とリード端子２，３とを接合する。基板１の材料が熱可塑性プラスチックである場合には、リード端子２，３を基板１に配置した後、急速加熱、急速冷却して直接基板１の表面を融かし接着することもできる。本実施の形態では、リード端子２，３として表面にスズメッキしたニッケルの板を使用し、接着剤として、アルミナ及びシリカのフィラーを含有したエポキシ樹脂を使用した。
【００２３】
次に、図３に示すように、リード端子２，３の端部４，５に溶接用フラックスを塗布する。溶接用フラックスは、リード端子２，３と図４のヒューズエレメント６とを電気的に接続するための補助剤であり、リード端子２，３の材料とヒューズエレメント６の材料の相性を確認した上で選定できる。本実施の形態では、溶接用フラックスとして、ロジン系の液体フラックスを使用した。
【００２４】
次に、図４に示すように、ヒューズエレメント６をリード端子の端部４，５の上に実装する。ヒューズエレメント６は、ヒューズ機能を発生させる材料であり、電流ヒューズとしては、金、銅、銀、ニッケル、アルミニウム、スズ及びその複合材または合金が使用でき、温度ヒューズとしては、スズ、ビスマス、インジウム、鉛、カドミニウムなどの低融点金属を単独であるいは複数混合した合金として使用できる。本実施の形態では、ヒューズエレメント６として融点は９６℃のスズ、ビスマス、鉛の３元合金である温度ヒューズのヒューズエレメントを使用した。
【００２５】
また、本実施の形態では、ヒューズエレメント６の外観形状は略直方体であるものを用いたが、円盤状のものや円柱状のもの或いは線状のもの等を用いても良い。
【００２６】
次に、図５に示すように、ヒューズエレメント６の両端部６ａ，６ｂを溶融しリード端子２，３と接合する。この時の接続方法についてその断面図である図６及び図１０を使用して詳細に説明する。
【００２７】
図６に示すように、ヒューズエレメント６を溶接フラックス塗布したリード端子２，３の上に置く。次にヒューズエレメント６の端部６ａ,６ｂを除く部分に冷却板（熱伝導部材）１１を接触させる。この時冷却板１１は、ヒューズエレメント６をリード端子２，３に機械的に仮固定する効果とヒューズエレメント６を冷却する効果を有している。
【００２８】
冷却板１１の材料としては冷却効果を得るために、熱伝導率が、２０Ｗ・ｍ-1Ｋ-1以上の材料が使用でき、具体的にはアルミニウム、マグネシウム、銅、チタン、金、銀ニッケル、鉄、炭素（グラファイト）、シリコンの単金属あるいはその合金または，酸化物，窒化物及びその複合材が使用できる。熱伝導率２０Ｗ・ｍ-1Ｋ-1以下の材料では、例えば図１５に示すように、熱伝導率１．１Ｗ・ｍ-1Ｋ-1の材料であるガラス１１ｂによる冷却の場合、ヒューズエレメント６をリード端子２，３に機械的に仮固定する効果はあるが、ヒューズエレメント６の溶接時に、溶接部１０ａ、１０ｂの溶融熱によって、ヒューズエレメントが溶接部１０ａ、１０ｂ近傍で球状化し、ヒューズエレメント中央部１０と溶接部１０ａ、１０ｂの間の細り部１０ｃ、１０ｄの位置において、ヒューズエレメントの細り又は断線が発生したり、溶接熱が小さいと溶接されなかったりする場合が発生し、溶接条件幅が狭く、大量に生産した場合歩留まりが小さい。
【００２９】
また図１６に示すようにステンレス合金１１ｃのように熱伝導率１５Ｗ・ｍ-1Ｋ-1の材料では、ヒューズエレメント６をリード端子２，３に機械的に仮固定する効果はあるが、ヒューズエレメント６の溶接後、溶接部１０ａ、１０ｂの溶融熱がヒューズエレメント６の中心部１０まで伝達してしまい、ヒューズエレメント６の断面形状が太くなったり細くなったりする場合が発生し、溶接条件幅が狭く、大量に生産した場合抵抗値バラツキが大きくなるため、歩留まりが悪い。
【００３０】
また、上述の通り、ヒューズエレメント６の中央部１０または、細り部１０ｃ、１０ｄが細くなることによって、製造途中などで外部から衝撃が加わると、その細くなった部分が欠けたりすることなどが生じ、電気的導通を得ることができなかったり、あるいは、ヒューズエレメント６の断面積を大きくしなければ、上述の通り中央部１０または、細り部１０ｃ、１０ｄが細くなることで、断線などが生じるので、断面積の小さなすなわち細い或いは薄いヒューズエレメント６を使用することが困難である。
【００３１】
本実施の形態では、冷却板１１としてアルミニウム単金属或いはアルミニウムが９０％以上含有するアルミニウム合金を使用し冷却効果を高めた場合について図６に示している。
【００３２】
次にヒューズエレメント６の端部６ａ，６ｂを加熱しリード端子２，３の端部に溶接する。ヒューズエレメント６の端部６ａ，６ｂの加熱方法としては、リード端子２，３をヒーターで加熱する方法や、リード端子２単独に電気を流すことで、リード端子２自体を発熱させたり或いはリード端子３単独に電流を流すことでリード端子３自体を発熱させたりすることで加熱する方法や、赤外線によってリード端子２，３及びヒューズエレメント６の端部６ａ，６ｂを直接加熱する方法が可能である。本実施の形態では、ヒューズエレメント６の端部６ａ，６ｂをリード端子２，３の片面上で加熱することで溶接できるため、図６の矢印Ａ及び矢印Ｂの方向から近赤外線レーザー光８，９を使用して加熱した。
【００３３】
次に冷却板１１を溶接後のヒューズエレメント１２から取り外す。溶接後のヒューズエレメント１２は、溶接部１２ａ及び１２ｂのみ溶融し、冷却板１１が接触していた部分はほとんど溶融していないため、ヒューズエレメント６の断面形状を維持している。これによって、溶接条件幅が広く、大量に生産した場合抵抗値バラツキが小さくなり、歩留まりが非常に良くなった。
【００３４】
なお、さらに冷却板１１の冷却効果をさらに高めるために、ヒューズエレメント６の融点近傍の沸点を持つ液体を冷却板１１とヒューズエレメント６の間に配置することが好ましい。これは、前記液体の気化熱を使って冷却することによって冷却効果を高める目的と、冷却板１１とヒューズエレメント６の間の僅かな隙間を液体で埋めることにより冷却板１１への熱伝導効率を高める目的と、さらに冷却板１１の繰り返し使用による汚れを前記液体で洗い流すことによって冷却板１１へ異物付着を防止する目的とをもって行われる。具体的には、純水、メチルアルコール、エチルアルコール、プロパノール、ブタノールなどが使用でき、好ましくは液体フラックスに使用している溶剤がよい。
【００３５】
図７，図８，図９に各種熱伝導率の材料を冷却板１１として使用した場合の溶接条件と抵抗値および断線不良率のグラフを示す。冷却板１１に使用した材料は、銅（４０３Ｗ・ｍ-1Ｋ-1）、アルミニウム（２３６Ｗ・ｍ-1Ｋ-1）、黄銅（１０６Ｗ・ｍ-1Ｋ-1）、銅ニッケル合金（２３Ｗ・ｍ-1Ｋ-1）、ステンレス合金（１５Ｗ・ｍ-1Ｋ-1）、ガラス（１．１Ｗ・ｍ-1Ｋ-1）、プラスチック（０．２Ｗ・ｍ-1Ｋ-1）を用いた。端子２，３は、母材がニッケルで表面にスズメッキしたものを使用し、ヒューズエレメントは１．２×０．２×３ｍｍの低融点可溶合金を使用した。端子間距離は、１ｍｍとし、冷却板の幅は２ｍｍとした。
【００３６】
図７に示す溶接は、レーザー溶接によって行ない、レーザー照射時間及び雰囲気温度は固定し、レーザーの出力に相当する、レーザー発信装置の電流値をもって溶接範囲を測定した。図８に示す抵抗値データ及び図９に示す断線または未溶接データは、図７に示すレーザー溶接電流の溶接可能領域において、ほぼ中心地となる条件で溶接を行なった結果、抵抗値が測定できるものについて抵抗値データを測定し、断線または未溶接のものを断線または未溶接不良数としてカウントした。サンプル数は各ｎ＝２０個で行なった。
【００３７】
図７、図８、図９より熱伝導率が２０Ｗ・ｍ-1Ｋ-1より大きいほど溶接可能領域が広くなり、溶接条件の変動による不良発生要因が小さくなることが分かる。
【００３８】
次に図１０に他の溶接方法による実施の形態について説明する。図６の溶接方法と異なる点は、図６では冷却板１１の側面に何も無いが、図１０では冷却板１１の側面に透明成形板１３，１４が配置されており、この透明成形板１３，１４が、ヒューズエレメント６の溶接予定部分である端部６ａ，６ｂ上に配置されていることにある。
【００３９】
この冷却板１１の側面部材である透明成形板１３，１４の追加に伴い、図１０に示すように近赤外線レーザー光８，９を矢印Ａ及び矢印Ｂの方向から透明成型板１３，１４を透過させて、ヒューズエレメント６の端部６ａ，６ｂを加熱している。
【００４０】
この構成によって、図６では溶接後にヒューズエレメント１２の溶接部１２ａ及び１２ｂに角状の突起部が発生していたが、図１０では溶接後のヒューズエレメント７の溶接部７ａ，７ｂが透明成形板１３，１４の形に従い角状の突起部も無く薄く成形されている。これによって、製品を薄く設計することが可能となった。
【００４１】
透明成形板１３，１４の材料としては、溶接に使用する加熱方法によって異なり、リード端子２，３をヒーターで加熱する方法や、リード端子２，３に電気を流しリード端子２，３の抵抗による自己発熱によって加熱する方法を使用する場合においては、熱伝導率が２０Ｗ・ｍ-1Ｋ-1より小さい材料であれば良く、赤外線によってリード端子２，３及びヒューズエレメント６の端部６ａ，６ｂを直接加熱する方法を使用する場合においては、熱伝導率が２０Ｗ・ｍ-1Ｋ-1より小さな材料であって、赤外線を透過することが必要である。
【００４２】
ここで、熱伝導率２０Ｗ・ｍ-1Ｋ-1をこえると冷却板１１と同様の冷却効果を示し始めるため、溶融したい溶接予定部である端部６ａ及び６ｂが溶融不十分となりやすく、大量に生産した場合抵抗値バラツキが大きくなるため、歩留まりが悪い。熱伝導率が２０Ｗ・ｍ-1Ｋ-1より小さい材料を使用すると、溶融したい溶接予定部である端部６ａ及び６ｂを保温する効果が働き、十分融けるため溶接状態が安定し、大量に生産した場合抵抗値バラツキが小さく、歩留まりが良い。透明成形板１３，１４の材料として、具体的には赤外線に対して透明なガラス材料、赤外線に対して透明な結晶材料、赤外線に対して透明なプラスチック材料などが使用できる。本実施の形態では、溶接工法として近赤外線レーザー光８，９を使用したので、近赤外線を透過するガラス板を使用した。熱伝導率は、１．１Ｗ・ｍ-1Ｋ-1である。
【００４３】
なお、透明成形板１３，１４の形を凹凸あるいは傾斜平面など自由に形状設定することで、溶接部７ａ，７ｂの形状も平面に限らず自由に成形することもできる。
【００４４】
なお、図１０では、透明成形板１３，１４をヒューズエレメント６の溶接予定部である端部６ａ，６ｂ全体を覆うように配置したが、図１１のように端部６ａ，６ｂが表出するようにすなわち、透明成形板１３，１４の長さを短くし、不透明な材料として成形板１３ａ，１４ａをもうけても良い。具体的には冷却板１１の側面に熱伝導率２０Ｗ・ｍ-1Ｋ-1以下の材料で構成された薄板や薄膜等を設けるだけでも、図６の溶接部１２ａ，１２ｂのような角状の突起物の発生を防止できる。これは、図６に示す実施の形態の場合、溶融したヒューズエレメント７が冷却板１１の側面で冷却されて固化し角状の突起物になったことに対して、図１１に示す実施の形態の場合、冷却板１１の側面に熱伝導率が２０Ｗ・ｍ-1Ｋ-1より小さい材料を薄く配置すると、溶融したヒューズエレメント７が冷却板１１の側面で保温されるため端子２，３に濡れ性良く接続され、図６に示す実施の形態の場合よりもヒューズエレメント７の突起物が丸くなりさらに低くなる。
【００４５】
図６，図１０，図１１に示す実施の形態では、ヒューズエレメント７，１２に当接させる熱伝導部材として冷却板１１を用いたが、ブロック状体のものや、熱伝導が良い或いは熱伝導が悪いブロック状体或いは板状体上に熱伝導率の高い板，シートを張り付けたり、或いは熱伝導率の高い薄膜などを形成したものでもよい。
【００４６】
また、図６，図１０，図１１に示す実施の形態では、熱伝導部材である冷却板１１のヒューズエレメント６との当接面を平坦形状としたが、粗面化しても良いし凹凸形状としても良い。冷却板１１のヒューズエレメント６との当接面を凹凸形状にすると、溶接後のヒューズエレメント７，１２にも凹凸が形成されてしまいそうだが、冷却板１１にて、溶接時の熱が冷却板１１に吸収されるので、ヒューズエレメント７，１２が柔らかくなって冷却板１１の凹凸が転写されることはない。
【００４７】
また、本実施の形態では熱伝導部材である冷却板１１はヒューズエレメント６と非接触の場合には、自然冷却にて冷却されるが、更に冷却板１１にペルチェ素子や冷却ファン等の冷却手段を取り付けて、常に所定の温度以下となるように冷却するように構成しても良く、更には、ヒューズエレメント６と非接触の時にのみ、ペルチェ素子や冷却ファンなどで冷却板１１を冷却しても良い。また、特に冷却手段として冷却ファンを用いた場合には、冷却板１１と冷却ファンを離して配置し、冷却板１１をヒューズエレメント６と非接触或いは接触状態の時に常に冷却ファンにて冷却板１１を冷却するようにしても良い。
【００４８】
この様に熱伝導部材である冷却板１１を用いて、ヒューズエレメント６とリード端子２，３を溶接することで、ヒューズエレメント６の中央部において、溶接時の熱による厚みの薄い部分が形成されるのを防止でき、抵抗値のバラツキを抑えることができ、しかも厚さの薄い或いは細いヒューズエレメント６が使用可能となるので、あらゆる特性のヒューズを作製できる。特に、リード端子２，３の間隔すなわち図１７に示すＷ１が３．０ｍｍ以下の小型のヒューズについて特に有効である。すなわち、Ｗ１が３．０ｍｍより大きい場合、溶接時の熱がヒューズエレメント６の中央部まで到達しにくいので、従来の様な課題は発生しにくい。また、十分な溶断特性を得るには、Ｗ１は０．１ｍｍ以上とすることが好ましい。
【００４９】
また、構造的にも有効なものとなる。
【００５０】
すなわち、従来の技術の様に、溶接の際にヒューズエレメント６の中央部１０にも熱が伝わって、ヒューズエレメント７の中央部１０に薄い部分が形成されることが防止される。すなわち、ヒューズエレメント７の形状としては、溶接後も平坦部が製造前と同様に形成されることになる。この様に平坦部を設けたヒューズエレメント７を用いることで、ヒューズエレメント７の外観にバラツキが生じにくい。
【００５１】
次に、図１２に示すように、ヒューズエレメント７及びその溶接部７ａ，７ｂに固形フラックス１５を配置する。固形フラックス１５は、粉末あるいは個片を配置しても良く、本実施の形態では、溶融した固形フラックス１５をヒューズエレメント７及びその溶接部７ａ，７ｂの表面に塗布した。固形フラックス１５としては、ロジン系の材料を使用した。
【００５２】
次に、図１３及び図１４に示すように、基板１とケース１６とを固定する。基板１とケース１６とを接着する材料としては、プラスチック樹脂、ガラス及びプラスチック樹脂が使用でき、基板１の材料及びケース１６の材料が熱可塑性プラスチックである場合には、超音波溶着法による摩擦熱によって基板１とケース１６を直接溶着することもできる。図１３、図１４における本実施の形態では、ケース１６の材料としてアルミナのセラミックケースを使用し、接着剤として、アルミナ及びシリカのフィラーを含有したエポキシ樹脂を使用した。この時接着剤によって、ほぼ基板１及びケース１６間の隙間は埋められ、基板１，ケース１６間に設けられた空間が外界と遮断される。
【００５３】
本実施の形態では、図１０に示すケース長さＬ１を５ｍｍ〜１５ｍｍ、ケース幅Ｌ２を２ｍｍ〜８ｍｍ、ケース厚さＬ３を１ｍｍ〜２ｍｍ、温度ヒューズ全長Ｌ４を１０ｍｍ〜３５ｍｍで試作し、ヒューズエレメント７は融点９６℃の合金を使用し、固形フラックス１５としてはロジン系固形フラックスを使用し、定格電圧５０Ｖｄｃ定格電流４Ａの温度ヒューズとして薄型化を実現できた。また溶断試験を行った結果９８±２℃で溶断した。
【００５４】
本実施の形態では、固形フラックス１５をヒューズエレメント（可溶合金）７上の少なくとも一部に付着させたが、仕様や使用環境等によっては、設けなくても良い。
【００５５】
また、本実施の形態では、基板１とケース１６を異なる形状としたが、ケースとしては、丸い管状でも角型の管状でも基板を２枚重ね合わせた形状であっても、また基板及びケースを使用せず、プラスチックを固めて成形した任意の形状であっても良い。
【００５６】
更に、本実施の形態ではヒューズエレメント（可溶合金）７を断面角型状の板材としたが、断面円形状や断面楕円形状としても良い。
【００５７】
本実施の形態では、リード端子２，３を断面角型状の板材としたが、断面円形状や断面楕円形状としても良く、板状であっても、湾曲した略管状の形状に加工した形状であっても良い。
【００５８】
また、本実施の形態では、リード端子２，３を一対、ヒューズエレメント（可溶合金）７を１個設けたが、リード端子及びヒューズエレメントは、複数設けても良い。
【００５９】
【発明の効果】
本発明は、リード端子上にヒューズエレメントを配置し、前記ヒューズエレメントの両端部分を避けて熱伝導部材を当接させ、前記熱伝導部材の両端に透明部材を設けた状態で前記ヒューズエレメントと前記リード端子を溶接し、前記透明部材はヒューズエレメントの両端部に対向するように設けられ、前記透明部材は前記熱伝導部材よりも熱伝導率が小さいことを特徴とすることで、ヒューズエレメントとリード端子を溶接する際に発生した熱を熱伝導部材で吸収するので、溶接の際の熱がヒューズエレメントの中央部に伝わるのを抑制できるので、ヒューズエレメントの中央部もしくはその近傍部に他の部分よりも薄く或いは細く形成されることを抑制し、抵抗値のバラツキを低減し、機械的強度を向上させ、しかも薄いヒューズエレメントが使用可能となるので小型化を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態におけるヒューズの製造工程を示す斜視図
【図２】本発明の一実施の形態におけるヒューズの製造工程を示す斜視図
【図３】本発明の一実施の形態におけるヒューズの製造工程を示す斜視図
【図４】本発明の一実施の形態におけるヒューズの製造工程を示す斜視図
【図５】本発明の一実施の形態におけるヒューズの製造工程を示す斜視図
【図６】本発明の一実施の形態におけるヒューズの製造工程を示す断面図
【図７】本発明の一実施の形態におけるヒューズの溶接条件を示すグラフ
【図８】本発明の一実施の形態におけるヒューズの抵抗値データを示すグラフ
【図９】本発明の一実施の形態におけるヒューズの不良率を示すグラフ
【図１０】本発明の一実施の形態におけるヒューズの製造工程を示す断面図
【図１１】本発明の一実施の形態におけるヒューズの製造工程を示す断面図
【図１２】本発明の一実施の形態におけるヒューズの製造工程を示す斜視図
【図１３】本発明の一実施の形態におけるヒューズの製造工程を示す斜視図
【図１４】本発明の一実施の形態におけるヒューズを示す斜視図
【図１５】本発明の一実施の形態におけるヒューズの比較例を示す図
【図１６】本発明の一実施の形態におけるヒューズの比較例を示す図
【図１７】従来におけるヒューズの製造工程を示す断面図
【図１８】従来におけるヒューズを示す分解斜視図
【符号の説明】
１  基板
２，３  リード端子
４，５  リード端子の端部
６  ヒューズエレメント（可溶合金）
６ａ，６ｂ  ヒューズエレメントの端部
７，１０，１２，２２，２５  溶接後のヒューズエレメント（可溶合金）
７ａ，７ｂ，１０ａ，１０ｂ，１２ａ，１２ｂ，２２ａ，２２ｂ，２５ａ，２５ｂ  溶接後のヒューズエレメント（可溶合金）の溶接部
８，９  レーザー光
１０  中央部
１１  冷却板
１３，１４  透明成形板
１３ａ，１４ａ  成形板
１５  固形フラックス
１６  ケース
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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