【手続補正書】
【提出日】平成20年2月1日(2008.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に薄膜トランジスタを形成する方法であって
絶縁基板上に逐次下地絶縁膜、半導体膜、そしてキャップ絶縁膜を含む膜構造を形成し、
所定の光強度分布を有するレーザ光を前記膜構造に照射することにより、前記半導体膜を結晶化し、
薄膜トランジスタにおけるチャネル形成領域上のキャップ絶縁膜を残すように、前記チャネル形成領域周囲のキャップ絶縁膜をエッチングして除去し、
前記エッチングした基板全面に金属膜を堆積し、
熱処理を施して前記キャップ絶縁膜が除去された領域の前記半導体膜と前記金属膜を反応させて金属シリサイド層を形成し、
前記キャップ絶縁膜上の未反応の前記金属膜を除去し、
前記チャネル形成領域上の前記キャップ絶縁膜を除去する工程を含む、
薄膜トランジスタを形成する方法。
【請求項２】
さらに前記チャネル形成領域を個々のトランジスタのアイランド領域に分離する工程を含む
請求項１記載の薄膜トランジスタを形成する方法。
【請求項３】
前記ゲート絶縁膜を前記トランジスタのアイランド領域上に形成し、
前記チャネル形成予定領域内の前記ゲート絶縁膜上にゲート電極パターンを形成する工程を含む、
請求項２記載の薄膜トランジスタを形成する方法。
【請求項４】
前記絶縁基板はガラス基板または石英基板である
請求項１乃至３の何れか１項記載の薄膜トランジスタを形成する方法。
【請求項５】
前記下地絶縁膜はシリコン酸化膜である
請求項１乃至３の何れか１項記載の薄膜トランジスタを形成する方法。
【請求項６】
前記半導体膜は非晶質または多結晶シリコン膜である
請求項１乃至３の何れか１項記載の薄膜トランジスタを形成する方法。
【請求項７】
前記キャップ絶縁膜はシリコン酸化膜である
請求項１乃至３の何れか１項記載の薄膜トランジスタを形成する方法。
【請求項８】
請求項１乃至７記載の薄膜トランジスタを形成する方法を用いて形成された薄膜トランジスタを表示装置を駆動または制御するためのトランジスタとして使用するアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項９】
絶縁基板上に薄膜トランジスタを形成する方法であって
絶縁基板上に逐次下地絶縁膜、半導体膜、そしてキャップ絶縁膜を含む膜構造を形成し、
所定の光強度分布を有するレーザ光を前記膜構造に照射することにより、前記半導体膜に前記基板に対し傾斜した結晶化領域を生成し、
薄膜トランジスタにおけるチャネル形成領域上のキャップ絶縁膜を残すように、前記チャネル形成領域周囲のキャップ絶縁膜をエッチングして除去し、
前記エッチングした基板全面に金属膜を堆積し、
熱処理を施して前記キャップ絶縁膜が除去された領域の前記半導体膜と前記金属膜を反応させて金属シリサイド層を形成し、
前記キャップ絶縁膜上の未反応の前記金属膜を除去し、
前記チャネル形成領域上の前記キャップ絶縁膜を除去する工程を含む、
薄膜トランジスタを形成する方法。
【請求項１０】
基板に対して傾斜を有するように結晶成長された結晶化領域を有する半導体薄膜にソース領域、チャネル領域、およびドレイン領域を有し、前記チャネル領域上部にゲート絶縁膜およびゲート電極を有する薄膜トランジスタであって、
前記チャネル領域は前記基板に対して傾斜した結晶化領域に設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１１】
絶縁基板上に薄膜トランジスタを形成する方法であって
絶縁基板上に逐次下地絶縁膜、半導体膜、そしてキャップ絶縁膜を含む膜構造を形成し、
所定の光強度分布を有するレーザ光を前記膜構造に照射することにより、前記半導体膜の所定の結晶成長の開始位置より前記基板に対して横方向に結晶成長させた結晶化領域を生成し、
前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域上のキャップ絶縁膜を残すように、前記チャネル形成領域周囲のキャップ絶縁膜をエッチングして除去し、
前記エッチングした基板全面に金属膜を堆積し、
熱処理を施して前記キャップ絶縁膜が除去された領域の前記半導体膜と前記金属膜を反応させて金属シリサイド層を形成し、
前記キャップ絶縁膜上の未反応の前記金属膜を除去し、
前記チャネル形成領域上の前記キャップ絶縁膜を除去する工程を含む、
薄膜トランジスタを形成する方法。
【請求項１２】
所定の結晶成長の開始位置より横方向に結晶成長された結晶化領域を有する半導体薄膜にソース領域、チャネル領域、およびドレイン領域を有し、前記チャネル領域上部にゲート絶縁膜およびゲート電極を有する薄膜トランジスタであって、
前記ドレイン領域又は前記ソース領域の前記チャネル領域側端部は結晶成長の開始位置を除く結晶化領域に設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１３】
絶縁基板上に逐次形成された下地絶縁膜、半導体膜、そしてキャップ絶縁膜を含む膜構造にレーザ光を照射して前記半導体膜を結晶化する結晶化装置であって、
レーザ光を発生するレーザ源と、
膜構造を有する前記絶縁基板が載置されるステージと、
前記ステージと前記レーザ光源との間に設けられ、入射角度および光強度に関して前記レーザ光を均一化するホモジナイザと、
前記ホモジナイザと前記ステージとの間に設けられ、前記ホモジナイザで均一化されたレーザ光を位相変調して、鋸歯状の繰り返しパターンの光強度分布を形成するする位相変調光学系と、
を具備することを特徴とする結晶化装置。
【請求項１４】
前記絶縁基板は載置台を介して前記ステージに固定されることを特徴とする請求項１３記載の結晶化装置。
【請求項１５】
絶縁基板と、
この絶縁基板上に設けられた横方向に結晶成長された結晶粒からなる長方形状結晶化領域と、
この長方形状結晶化領域内の短辺方向に離間して設けられたソース領域およびドレイン領域を有するＰＭＯＳトランジスタと、
前記長方形状結晶化領域内であって前記ＰＭＯＳトランジスタと長辺方向に離間した位置に設けられ、且つ前記短辺方向に離間して設けられたソース領域およびドレイン領域を有するＮＭＯＳトランジスタと、
前記ＰＭＯＳトランジスタ又はＮＭＯＳトランジスタのソース領域又はドレイン領域に接続され前記短辺方向に長く設けられた電源配線と、
前記NＭＯＳトランジスタ又はPＭＯＳトランジスタのドレイン領域又はソース領域に接続され前記電源配線と離隔して前記短辺方向に長く設けられた接地配線と、
前記長方形状結晶化領域の長辺方向に長く設けられた前記ＰＭＯＳトランジスタのゲート電極および前記ＮＭＯＳトランジスタのゲート電極と
を具備してなることを特徴とするＣＭＯＳインバータ回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
さらに、絶縁基板は載置台を介してステージに固定される結晶化装置である。
また、本発明の実施の形態に係る発明は、絶縁基板と、この絶縁基板上に設けられた横方向に結晶成長された結晶粒からなる長方形状結晶化領域と、この長方形状結晶化領域内の短辺方向に離間して設けられたソース領域およびドレイン領域を有するＰＭＯＳトランジスタと、前記長方形状結晶化領域内であって前記ＰＭＯＳトランジスタと長辺方向に離間した位置に設けられ、且つ前記短辺方向に離間して設けられたソース領域およびドレイン領域を有するＮＭＯＳトランジスタと、前記ＰＭＯＳトランジスタ又はＮＭＯＳトランジスタのソース領域又はドレイン領域に接続され前記短辺方向に長く設けられた電源配線と、前記NＭＯＳトランジスタ又はPＭＯＳトランジスタのドレイン領域又はソース領域に接続され前記電源配線と離隔して前記短辺方向に長く設けられた接地配線と、前記長方形状結晶化領域の長辺方向に長く設けられた前記ＰＭＯＳトランジスタのゲート電極および前記ＮＭＯＳトランジスタのゲート電極とを具備してなることを特徴とするＣＭＯＳインバータ回路に係る。