【手続補正書】
【提出日】平成19年12月3日(2007.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  露光され現像されたフォトレジスト・フィーチャを改変するための方法であって、現像されたフォトレジスト・フィーチャを少なくとも１つの化合物にさらすこと、該化合物はその化合物自身反応するものであり、該反応はフォトレジストの少なくとも１成分の存在下で起こさせるものであり、および現像されたフォトレジスト・フィーチャを前記少なくとも１つの化合物にさらす前、さらすと同時、およびさらした後からなる群から選ばれた少なくとも一つの時期に、フォトレジスト・フィーチャを反応開始エネルギーにさらすことを含む方法。
【請求項２】  前記少なくとも１つの化合物が蒸気、気体または液体である請求項１に記載の方法。
【請求項３】 前記少なくとも１つの化合物とその化合物自身の反応の結果として、前記フォトレジスト・フィーチャが実質的に同じ寸法を有する請求項２に記載の方法。
【請求項４】  前記フォトレジスト・フィーチャを反応開始エネルギーにさらす前、およびさらすと同時からなる群から選ばれた少なくとも一つの時期に、フォトレジスト・フィーチャを室温より高い温度にさらすことをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】  前記フォトレジスト・フィーチャが反応開始エネルギーおよび室温より高い温度に連続的にさらされる請求項４に記載の方法。
【請求項６】  前記フォトレジスト・フィーチャが反応開始エネルギーおよび室温より高い温度に間欠的にさらされる請求項４に記載の方法。
【請求項７】  前記温度が約２０℃〜約２５０℃である請求項４に記載の方法。
【請求項８】  前記フォトレジスト・フィーチャが反応開始エネルギーに連続的にさらされる請求項１に記載の方法。
【請求項９】  前記フォトレジスト・フィーチャが反応開始エネルギーに間欠的にさらされる請求項１に記載の方法。
【請求項１０】  前記フォトレジスト・フィーチャが合計約５秒〜約１時間の間、前記少なくとも１つの化合物にさらされる請求項１に記載の方法。
【請求項１１】  前記フォトレジスト・フィーチャが合計約５秒〜約５分の間、反応開始エネルギーにさらされる請求項１に記載の方法。
【請求項１２】  前記フォトレジスト・フィーチャが合計約５秒〜約１時間の間、室温より高い温度にさらされる請求項１に記載の方法。
【請求項１３】  前記フォトレジスト・フィーチャが約２０℃〜２００℃の温度で、前記少なくとも１つの化合物にさらされる請求項１に記載の方法。
【請求項１４】  前記フォトレジスト・フィーチャを光安定化させることをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１５】  前記光安定化がフォトレジスト中に少なくとも１つの酸を発生させ、該酸が前記化合物のその化合物自体との反応を触媒する請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】  前記光安定化がフォトレジスト中にフリーラジカルを発生させ、該フリーラジカルが前記化合物のその化合物自体との反応を触媒する請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】  前記少なくとも１つの化合物が、アクリルモノマー類、スチレンモノマー類およびアクリロニトリルモノマー類からなる群から選択された少なくとも１つのモノマーを含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】  前記少なくとも１つの化合物とその化合物自体の反応が、フォトレジスト・フィーチャの質量を増大させる請求項１に記載の方法。
【請求項１９】  前記少なくとも１つの化合物とその化合物自体の反応が、フォトレジスト・フィーチャの幅と高さの少なくとも一方を増加させる請求項１に記載の方法。
【請求項２０】  前記少なくとも１つの化合物とその化合物自体の反応が、フォトレジスト・フィーチャの幅と高さの少なくとも一方を減少させる請求項１に記載の方法。
【請求項２１】  前記少なくとも１つの化合物とその化合物自体の反応が、フォトレジストのエッチング選択性を増大させる請求項１に記載の方法。
【請求項２２】  前記少なくとも１つの化合物とその化合物自体の反応が、フォトレジスト・フィーチャの臨界寸法制御を増大させる請求項１に記載の方法。
【請求項２３】  前記フォトレジスト・フィーチャが遠紫外フォトレジストを含む請求項１に記載の方法。
【請求項２４】  前記フォトレジスト・フィーチャが可変強度を有する反応開始エネルギーにさらされる請求項１に記載の方法。
【請求項２５】  前記フォトレジスト・フィーチャを大気圧より低い圧力にさらすことをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項２６】  圧力が実質的に真空である請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】  前記フォトレジスト・フィーチャを非酸化性雰囲気にさらすことをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項２８】  前記少なくとも１つの化合物が、エポキシ類、エポキシド類、ビニルエーテル類、フラン類、クマリン類、インデン類、スチレン類、アクリロニトリル類、アクリラート類、アリールハライド類、ハロシラン類、アルキン類、アルケン類、環状エーテル類および二酸化硫黄からなる群から選択される請求項１に記載の方法。
【請求項２９】  前記少なくとも１つの化合物がビニルモノマーを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３０】  前記少なくとも１つの化合物がビニルエーテルモノマーを含む請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】  前記ビニルモノマーが芳香族基を含んでいる請求項２９に記載の方法。
【請求項３２】  前記ビニルモノマーが、インデン、２，３−ジベンゾフラン、フェニルビニルエーテル、メチルビニルエーテルおよび２，３−ジヒドロフランからなる群から選択された少なくとも１種を含む請求項２９に記載の方法。
【請求項３３】  前記ビニルモノマー類が極めて揮発性であるか、または気体である請求項２９に記載の方法。
【請求項３４】  前記ビニルモノマー類が極めて揮発性であるか、または気体であり、メチルビニルエーテルおよび２，３−ジヒドロフランからなる群から選択された少なくとも１種を含む請求項２９に記載の方法。
【請求項３５】  前記少なくとも１つの化合物がエポキシ官能基含有モノマーを含んでいる請求項１に記載の方法。
【請求項３６】  エポキシ官能基含有モノマーが、（２，３−エポキシプロピル）ベンゼン、エチレンオキシドおよびプロピレンオキシドからなる群から選択される請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】  エポキシ官能基含有モノマーが極めて揮発性であるか、または気体である請求項３５に記載の方法。
【請求項３８】  前記少なくとも１つの化合物のその化合物自体の反応が、フォトレジストを元のフィーチャより大きなサイズに膨潤させる請求項１に記載の方法。
【請求項３９】  フォトレジスト・フィーチャが、フォトレジストの堆積する表面と平行な少なくとも一方向およびフォトレジストの堆積する前記表面と垂直な方向の少なくとも一方に膨潤する請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】  フォトレジスト・フィーチャがフォトレジストの堆積する表面と平行な少なくとも一方向に膨潤し、それによってフォトレジスト・フィーチャに隣接する空間の縮小をもたらす請求項３８に記載の方法。
【請求項４１】  フォトレジスト・フィーチャの膨潤が、フォトレジスト・フィーチャによって囲まれたビアの縮小をもたらす請求項４０に記載の方法。
【請求項４２】  反応開始エネルギーが、ＵＶ光、電子ビームおよびイオン衝撃からなる群から選択された少なくとも１つのエネルギー形態を含む請求項１に記載の方法。
【請求項４３】  半導体デバイス構造を形成する方法であって、半導体基板上にフォトレジスト層を堆積すること、フォトレジスト内に像パターンを露光すること、フォトレジスト・フィーチャを現像すること、現像されたフォトレジスト・フィーチャを光安定化プロセスにさらすこと、現像されたフォトレジスト・フィーチャを少なくとも１つの化合物にさらすこと、該化合物はその化合物自身と反応するものであり、該反応はフォトレジストの少なくとも１成分の存在下で起こさせるものであり、および現像されたフォトレジスト・フィーチャを前記少なくとも１つの化合物にさらす前、さらすと同時、およびさらした後のうちの少なくとも一つの時期に、フォトレジスト・フィーチャを反応開始エネルギーにさらすことを含む方法。
【請求項４４】  反応開始エネルギーが、ＵＶ光、電子ビームおよびイオン衝撃からなる群から選択された少なくとも１つのエネルギー形態を含む請求項４３に記載の方法。