【手続補正書】
【提出日】平成19年12月11日(2007.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ドットパターンを有する基板の製造方法及び柱状構造体の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ドットパターンを有する基板の製造方法であって、
基板上に、第１の成分と該第１の成分とは異なる第２の成分とを蒸着することによって、該第１の成分を含む複数の柱状の部材と、該第２の成分を含み且つ該柱状の部材を取り囲む領域とを含み構成される構造体を用意する工程と、
前記構造体から前記柱状の部材を除去する除去工程と、
ドットパターンを形成するために、前記除去工程によって得られる多孔体が有する柱状の空孔内に材料を導入する導入工程と、
前記多孔体を除去する工程と、を有し、
前記第１の成分と第２の成分との全量に対して、該第２の成分が２０atomic％以上７０atomic％以下の割合で含まれていることを特徴とするドットパターンを有する基板の製造方法。
【請求項２】  前記第１の成分と前記第２の成分とが互いに共晶系にあることを特徴とする請求項１に記載のドットパターンを有する基板の製造方法。
【請求項３】  ドットパターンを有する基板の製造方法であって、
基板上に、第１の成分と該第１の成分とは異なる第２の成分とをスパッタリングすることによって、該第１の成分を含む複数の柱状の部材と、該第２の成分を含み且つ該柱状の部材を取り囲む領域とを含み構成される構造体を用意する工程と、
前記構造体から前記柱状の部材を除去する除去工程と、
ドットパターンを形成するために、前記除去工程によって得られる多孔体が有する柱状の空孔内に材料を導入する導入工程と、
前記多孔体を除去する工程と、を有し、
前記第１の成分と第２の成分との全量に対して、該第２の成分が２０atomic％以上７０atomic％以下の割合で含まれていることを特徴とするドットパターンを有する基板の製造方法。
【請求項４】  前記第１の成分と前記第２の成分との全量に対して、該第２の成分が３０ａｔｏｍｉｃ％以上６０ａｔｏｍｉｃ％以下の割合で含まれることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のドットパターンを有する基板の製造方法。
【請求項５】  前記柱状の部材が、結晶性の柱状アルミニウムであることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のドットパターンを有する基板の製造方法。
【請求項６】  前記領域が、非晶質なシリコンとゲルマニウムの混合物であることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載のドットパターンを有する基板の製造方法。
【請求項７】  前記柱状の部材の直径が０．５ｎｍ以上１５ｎｍ以下である請求項１から６のいずれか１項に記載のドットパターンを有する基板の製造方法。
【請求項８】  前記柱状の部材どうしの間隔が５ｎｍ以上２０ｎｍ以下である請求項１から７のいずれか１項に記載のドットパターンを有する基板の製造方法。
【請求項９】  前記材料が金属類であることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載のドットパターンを有する基板の製造方法。
【請求項１０】  前記柱状の部材を除去する除去工程がエッチングであることを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載のドットパターンを有する基板の製造方法。
【請求項１１】  前記導入工程が電着であることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載のドットパターンを有する基板の製造方法。
【請求項１２】  請求項１から１１のいずれか１項に記載の方法により製造されたドットパターンを有する基板を用いた柱状構造体の製造方法であって、
前記ドットパターンをマスクとして前記基板をエッチングする工程と、
前記ドットパターンを除去する工程と、を有することを特徴とする柱状構造体の製造方法。
【請求項１３】  前記ドットパターンをマスクとして前記基板をエッチングする工程において、該エッチングがドライエッチングであることを特徴とする請求項１２に記載の柱状構造体の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ドットパターンを有する基板の製造方法であって、基板上に、第１の成分と該第１の成分とは異なる第２の成分とを蒸着することによって、該第１の成分を含む複数の柱状の部材と、該第２の成分を含み且つ該柱状の部材を取り囲む領域とを含み構成される構造体を用意する工程と、前記構造体から前記柱状の部材を除去する除去工程と、ドットパターンを形成するために、前記除去工程によって得られる多孔体が有する柱状の空孔内に材料を導入する導入工程と、前記多孔体を除去する工程と、を有し、前記第１の成分と第２の成分との全量に対して、該第２の成分が２０atomic％以上７０atomic％以下の割合で含まれていることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
前記第１の成分と前記第２の成分とが互いに共晶系にあることが望ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明は、ドットパターンを有する基板の製造方法であって、基板上に、第１の成分と該第１の成分とは異なる第２の成分とをスパッタリングすることによって、該第１の成分を含む複数の柱状の部材と、該第２の成分を含み且つ該柱状の部材を取り囲む領域とを含み構成される構造体を用意する工程と、前記構造体から前記柱状の部材を除去する除去工程と、ドットパターンを形成するために、前記除去工程によって得られる多孔体が有する柱状の空孔内に材料を導入する導入工程と、前記多孔体を除去する工程と、を有し、前記第１の成分と第２の成分との全量に対して、該第２の成分が２０atomic％以上７０atomic％以下の割合で含まれていることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
前記第１の成分と前記第２の成分との全量に対して、該第２の成分が３０ａｔｏｍｉｃ％以上６０ａｔｏｍｉｃ％以下の割合で含まれることが望ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
前記柱状の部材が、結晶性の柱状アルミニウムであることが望ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
前記領域が、非晶質なシリコンとゲルマニウムの混合物であることが望ましい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
前記柱状の部材の直径が０．５ｎｍ以上１５ｎｍ以下であることが望ましい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
前記柱状の部材どうしの間隔が５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが望ましい。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
前記材料が金属類であることが望ましい。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
前記柱状の部材を除去する除去工程がエッチングであることが望ましい。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
前記導入工程が電着であることが望ましい。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、本発明は、上記いずれかに記載の方法により製造されたドットパターンを有する基板を用いた柱状構造体の製造方法であって、前記ドットパターンをマスクとして前記基板をエッチングする工程と、前記ドットパターンを除去する工程と、を有することを特徴とする。前記ドットパターンをマスクとして前記基板をエッチングする工程において、該エッチングがドライエッチングであることが望ましい。