Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月31日(2008.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
吸入した水を加圧するための羽根車が多段に配設された回転軸、前記回転軸をラジアル方向で支持する軸受、および前記羽根車の加圧作用に起因して生じる軸方向の推力に対抗するバランス推力を前記回転軸に加えるバランス装置を備えた一軸多段ポンプにおいて、
前記ラジアル軸受に水潤滑の軸受を用い、この水潤滑ラジアル軸受により前記バランス装置におけるバランス部材を介して前記回転軸の支持がなされていることを特徴とする一軸多段ポンプ。
【請求項２】
請求項１において、前記水潤滑の軸受は、摺動要素が樹脂材料で形成された水潤滑樹脂軸受が用いられていることを特徴とする一軸多段ポンプ。
【請求項３】
請求項２において、前記樹脂材料は、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）であることを特徴とする一軸多段ポンプ。
【請求項４】
吸入した水を加圧するための羽根車が多段に配設された回転軸と、この回転軸を支持するラジアル軸受と、前記回転軸を伝わって前記水が漏れるのを防止し、回転環と固定環からなるシール装置と、前記回転軸を駆動するための駆動機と、前記回転軸の一端側と前記駆動機とを接続するためのカップリングとを備えている一軸多段ポンプにおいて、
前記ラジアル軸受として、摺動要素が樹脂材料で形成され潤滑に水を用いることができるようにされた水潤滑樹脂軸受を用い、
前記シール装置の回転環と固定環は、それぞれが径方向に分割できるように分割構造に構成され、これによって前記カップリングを取り外すことなくシール装置のメンテナンスを可能としたことを特徴とする一軸多段ポンプ。
【請求項５】
請求項４において、分割溝造の前記回転環と固定環は、二つの半円筒部材を組合わせた二つ割構造であることを特徴とする一軸多段ポンプ。
【請求項６】
請求項４において、前記羽根車の加圧作用に起因して生じる軸方向の推力に対抗するバランス推力を前記回転軸に加えるバランス装置を備え、前記水潤滑樹脂軸受を、前記バランス装置におけるバランス部材の外径側に配置して、このバランス部材を介して前記水潤滑樹脂軸受により回転軸を支承するようにしたことを特徴とする一軸多段ポンプ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明では上記目的のために、吸入した水を加圧するための羽根車が多段に配設された回転軸、前記回転軸をラジアル方向で支持する軸受、および前記羽根車の加圧作用に起因して生じる軸方向の推力に対抗するバランス推力を前記回転軸に加えるバランス装置を備えた一軸多段ポンプにおいて、前記ラジアル軸受に水潤滑の軸受を用い、この水潤滑ラジアル軸受により前記バランス装置におけるバランス部材を介して前記回転軸の支持がなされていることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明では上記目的のために、前記水潤滑の軸受は、摺動要素が樹脂材料で形成された水潤滑樹脂軸受が用いられていることを特徴としている。
また前記樹脂材料は、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）であることを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明では上記目的のために、吸入した水を加圧するための羽根車が多段に配設された回転軸と、この回転軸を支持するラジアル軸受と、前記回転軸を伝わって前記水が漏れるのを防止し、回転環と固定環からなるシール装置と、前記回転軸を駆動するための駆動機と、前記回転軸の一端側と前記駆動機とを接続するためのカップリングとを備えている一軸多段ポンプにおいて、前記ラジアル軸受として、摺動要素が樹脂材料で形成され潤滑に水を用いることができるようにされた水潤滑樹脂軸受を用い、前記シール装置の回転環と固定環は、それぞれが径方向に分割できるように分割構造に構成され、これによって前記カップリングを取り外すことなくシール装置のメンテナンスを可能としたことを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明では上記目的のために、分割溝造の前記回転環と固定環は、二つの半円筒部材を組合わせた二つ割構造であることを特徴としている。
また本発明では上記目的のために、前記羽根車の加圧作用に起因して生じる軸方向の推力に対抗するバランス推力を前記回転軸に加えるバランス装置を備え、前記水潤滑樹脂軸受を、前記バランス装置におけるバランス部材の外径側に配置して、このバランス部材を介して前記水潤滑樹脂軸受により回転軸を支承するようにしたことを特徴ととしている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明では、ラジアル軸受に水潤滑の軸受を用い、この水潤滑ラジアル軸受によりバランス装置のバランス部材を介して回転軸の支持をなすようにしている。このため、上記のような水潤滑軸受がもたらす軸受用シール装置の不要化による軸方向についての小型化などに加えて、ラジアル軸受の一つとバランス装置を一体化させることによる軸方向についての小型化を図れ、さらに一層の小型・省スペース化を実現できる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また本発明では、軸受に水潤滑樹脂軸受を用いるようにしている。その樹脂軸受は、一軸多段ポンプ用の水潤滑軸受として適した特性を多く有しており、水潤滑における軸受に対する信頼性を大幅に高めることができるようになる。
さらに本発明では、複数に分割された分割円筒部材を組み合わせてなる分割構造でシール装置の回転環と固定環を形成するようにしている。このため、駆動機と回転軸との接続に用いられているスペーサやカップリングを取り外さなくともシール装置の保守点検作業を行えるようになり、シール装置のメンテナンス性を大幅に向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月9日(2008.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
図１の例では、調整用エレメント７１が第１の付設用接続導体７を起点として後部サイド窓ガラス板１０の周縁部に沿って第１のエレメント２の外側に反時計回り方向に伸長されている。調整用エレメント７１と第４のエレメント４とは、容量結合されていることが好ましい。この容量結合によって高周波帯において無指向性になり、かつ、ＡＭ帯及びＬＷ帯等の５０ＭＨｚ未満の周波数帯において調整用エレメント７１と第４のエレメント４との導体の実効長が長くなり、感度が向上する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図３の例では、ＡＭ帯用第１のエレメントとして機能する調整用エレメント７１が第１の付設用接続導体７より後部サイド窓ガラス板１０の周縁部に沿って第１のエレメント２の外側に反時計回り方向に伸長されている。図３の例におけるＡＭ帯用の導体（導体の名付けとしては「ＡＭ帯」を用いる）として、７２はＡＭ帯用第２のエレメント、７３はＡＭ帯用第３のエレメントである。なお、ＡＭ帯用の各エレメントはＬＷ帯の感度向上にも寄与する。図３において、エレメント７１、７２、７３は後部サイド窓ガラス板１０の下辺近傍に配され、第１の付設用接続導体７より後部サイド窓ガラス板１０の周縁部に沿って第１のエレメント２の外側に時計回り方向にも伸長されている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月11日(2008.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記ゲート電極と重なるチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域とドレイン領域またはソース領域との間にＬＤＤ領域とを備えたＴＦＴを具備した半導体装置において、
前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜上に前記ゲート電極と電気的に接続された電極を有しており、
前記電極は、前記層間絶縁膜を間に挟んで前記ＬＤＤ領域と重なることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記ゲート電極と重なるチャネル形成領域と、ドレイン領域またはソース領域とを少なくとも備えたＴＦＴを具備した半導体装置において、
前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜上に前記ゲート電極と電気的に接続された電極を有しており、
前記電極は、前記層間絶縁膜を間に挟んで前記チャネル形成領域と前記ドレイン領域との境界または前記チャネル形成領域とソース領域との境界を少なくとも覆うことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記電極は、前記層間絶縁膜を間に挟んで前記ソース領域の一部または前記ドレイン領域の一部と重なることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記ゲート電極と重なるチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域とドレイン領域またはソース領域との間にＬＤＤ領域とを備えたＴＦＴを具備した半導体装置において、
前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜上に前記ゲート電極と電気的に接続された電極を有しており、
前記電極は、前記層間絶縁膜を間に挟んで前記ＬＤＤ領域の一部と重なることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記ゲート電極と重なるチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域とドレイン領域またはソース領域との間にＬＤＤ領域とを備えたＴＦＴを具備した半導体装置において、
前記ゲート電極は、第１の導電層と、前記第１の導電層よりも幅の小さい第２の導電層との積層からなり、
前記チャネル形成領域は、前記第２の導電層と前記第１の導電層および前記ゲート絶縁膜を間に挟んで重なっており、
前記ＬＤＤ領域は、前記第１の導電層の一部とゲート絶縁膜を間に挟んで重なっており、
前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜上に前記ゲート電極と電気的に接続された電極を有しており、
前記電極は、前記層間絶縁膜を間に挟んで前記ＬＤＤ領域と重なることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記電極は、前記層間絶縁膜を間に挟んで前記ゲート電極の端部と重なることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記層間絶縁膜上には、前記ソース領域に達するソース電極と、前記ドレイン領域に達するドレイン電極が設けられ、前記電極と同一層上に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記電極は、２つに分岐しており、半導体層上で並置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記電極は、層間絶縁膜、ゲート電極、及びゲート絶縁膜を間に挟んで前記チャネル形成領域の全部と重なることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記電極は、層間絶縁膜を間に挟んで前記チャネル形成領域とドレイン領域との間、或いは前記チャネル形成領域とソース領域との間のいずれか一方と重なることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
複数のゲート電極と、ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記複数のゲート電極とそれぞれ重なる複数のチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域とドレイン領域またはソース領域との間にＬＤＤ領域とを備えたマルチゲート構造のＴＦＴを具備した半導体装置において、
前記複数のゲート電極を覆う層間絶縁膜上に前記複数のゲート電極と電気的に接続された電極を有しており、
前記電極は、前記層間絶縁膜を間に挟んで前記ＬＤＤ領域と重なることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記電極は、前記層間絶縁膜を間に挟んで前記複数のチャネル形成領域間の領域とも重なることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月17日(2008.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面と、
前記主面に形成された複数の外部端子と、
を含む半導体装置であって、
前記半導体装置には、回路が形成されており、
前記複数の外部端子は、前記回路と電気的に接続された第１外部端子と、前記回路と電気的に接続されない第２外部端子とを有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記半導体装置の前記主面の平面形状は、四角形から成り、
前記複数の外部端子は、前記主面に行列配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置において、
前記第１外部端子は、前記主面の各辺に沿って複数列に亘って配置され、
前記第２外部端子は、前記主面において、前記複数の第１外部端子よりも内側に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置において、
前記第２外部端子は、さらに前記主面における４つの角部に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の実装方法：
（ａ）複数の外部端子が形成された主面を有する前記半導体装置を準備する工程；
（ｂ）前記（ａ）工程の後に、前記半導体装置の前記主面が基板の表面と対向するように、前記複数の外部端子を介して前記半導体装置を基板上に搭載する工程；
（ｃ）前記（ｂ）工程の後に、前記半導体装置の前記主面と前記基板との間にアンダーフィル材を充填する工程、
ここで、前記（ａ）工程で準備される前記半導体装置は、さらに以下の構成を含む；
（ａ１）前記半導体装置には、回路が形成されており；
（ａ２）前記複数の外部端子は、前記回路と電気的に接続された第１外部端子と、前記回路と電気的に接続されない第２外部端子とを有している。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置の実装方法において、
前記半導体装置の前記主面の平面形状は、四角形から成り、
前記複数の外部端子は、前記主面に行列配置されていることを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置の実装方法において、
前記第１外部端子は、前記主面の各辺に沿って複数列に亘って配置され、
前記第２外部端子は、前記主面において、前記複数の第１外部端子よりも内側に配置されていることを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置の実装方法において、
前記第２外部端子は、さらに前記主面における４つの角部に配置されていることを特徴とする半導体装置の実装方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
すなわち、本発明は、主面と、前記主面に形成された複数の外部端子と、を含む半導体装置であって、前記半導体装置には、回路が形成されており、前記複数の外部端子は、前記回路と電気的に接続された第１外部端子と、前記回路と電気的に接続されない第２外部端子とを有していることを特徴とする半導体装置である。
さらに、前記半導体装置において、前記半導体装置の前記主面の平面形状は、四角形から成り、前記複数の外部端子は、前記主面に行列配置されていることを特徴とする。さらに、前記第１外部端子は、前記主面の各辺に沿って複数列に亘って配置され、前記第２外部端子は、前記主面において、前記複数の第１外部端子よりも内側に配置されていることを特徴とする。さらに、前記第２外部端子は、さらに前記主面における４つの角部に配置されていることを特徴とする。
また、本発明は、以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の実装方法である：（ａ）複数の外部端子が形成された主面を有する前記半導体装置を準備する工程；（ｂ）前記（ａ）工程の後に、前記半導体装置の前記主面が基板の表面と対向するように、前記複数の外部端子を介して前記半導体装置を基板上に搭載する工程；（ｃ）前記（ｂ）工程の後に、前記半導体装置の前記主面と前記基板との間にアンダーフィル材を充填する工程、ここで、前記（ａ）工程で準備される前記半導体装置は、さらに以下の構成を含む；（ａ１）前記半導体装置には、回路が形成されており；（ａ２）前記複数の外部端子は、前記回路と電気的に接続された第１外部端子と、前記回路と電気的に接続されない第２外部端子とを有している。
さらに、前記半導体装置の実装方法において、前記半導体装置の前記主面の平面形状は、四角形から成り、前記複数の外部端子は、前記主面に行列配置されていることを特徴とする。さらに、前記第１外部端子は、前記主面の各辺に沿って複数列に亘って配置され、前記第２外部端子は、前記主面において、前記複数の第１外部端子よりも内側に配置されていることを特徴とする。さらに、前記第２外部端子は、さらに前記主面における４つの角部に配置されていることを特徴とする。
本発明による半導体装置およびその実装方法を具体的に説明すれば、以下のとおりである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月9日(2008.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】    【請求項１】基板を処理する処理室と、この処理室に隣設した密閉室と、この密閉室の内部に配設されて前記基板を支持して移動する移動体と、この移動体を移動させる駆動部と、この駆動部を前記密閉室の内部空間に対して隔離するように被覆する中空伸縮体とを備えており、前記中空伸縮体は前記移動体の片側に配設された第一中空伸縮体と、前記移動体の反対側に配設された第二中空伸縮体とを備え、前記第一中空伸縮体および前記第二中空伸縮体の中空部内が前記密閉室の外部に連通されていることを特徴とする基板処理装置。      【請求項２】前記第一中空伸縮体および第二中空伸縮体の中間部にはこれらの中空伸縮体自体の変形を防止する変形防止部材が設置されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。      【請求項３】前記移動体は前記基板を保持して前記処理室に搬入搬出するボートに連結されていることを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理装置。      【請求項４】前記密閉室には最も短縮した状態の前記第一中空伸縮体および第二中空伸縮体のうち少なくとも一方を収容する収容部が配設されていることを特徴とする請求項１、２または３に記載の基板処理装置。      【請求項５】前記密閉室が真空雰囲気もしくは不活性ガス雰囲気または真空雰囲気および不活性ガス雰囲気を形成するように構成されていることを特徴とする請求項１、２、３または４に記載の基板処理装置。      【請求項６】前記中空伸縮体は前記密閉室のコーナ部に配置されていることを特徴とする請求項１、２、３、４または５に記載の基板処理装置。      【請求項７】基板を処理する処理室と、この処理室に隣設した密閉室と、この密閉室の内部に配設されて前記基板を支持して移動する移動体と、この移動体を移動させる駆動部と、この駆動部を前記密閉室の内部空間に対して隔離するように被覆する中空伸縮体であって、中空部内が前記密閉室の外部に連通されている、前記移動体の片側に配設された第一中空伸縮体および前記移動体の反対側に配設された第二中空伸縮体とを備える中空伸縮体とを用いて処理する基板処理方法であって、前記駆動部で前記移動体を移動して前記処理室に前記基板を搬入する工程と、前記処理室で基板を処理する工程とを有することを特徴とする基板処理方法。      【請求項８】基板を処理する処理室と、この処理室に隣設した密閉室と、この密閉室の内部に配設されて前記基板を支持して移動する移動体と、この移動体を移動させる駆動部と、この駆動部を前記密閉室の内部空間に対して隔離するように被覆する中空伸縮体であって、中空部内が前記密閉室の外部に連通されている、前記移動体の片側に配設された第一中空伸縮体および前記移動体の反対側に配設された第二中空伸縮体とを備える中空伸縮体とを用いて処理する半導体装置の製造方法であって、前記駆動部で前記移動体を移動して前記処理室に前記基板を搬入する工程と、前記処理室で基板を処理する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。    【請求項９】密閉室の内部に配設され物体を支持して移動する移動体と、この移動体を移動させる駆動部と、この駆動部を前記密閉室の内部空間に対して隔離するように被覆する中空伸縮体とを備えており、前記中空���縮体が前記移動体を挟んで両側にそれぞれ配設され、これら中空伸縮体の中空部内が前記密閉室の外部に連通されていることを特徴とする搬送装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月20日(2008.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  １５０℃３０分の条件における加熱収縮率が、長さ方向、幅方向ともに０．５％以下であるフィルム基材の片面または両面に樹脂層貼着用粘着剤層を有し、樹脂層が積層された導体箔積層体の樹脂層面に該樹脂層貼着用粘着剤層を介して剥離可能に貼着されることを特徴とする保護フィルム。
【請求項２】  フィルム基材の片面または両面に厚さが０．１μｍ〜１０μｍである樹脂層貼着用粘着剤層を有し、樹脂層が積層された導体箔積層体の樹脂層面に該樹脂層貼着用粘着剤層を介して剥離可能に貼着されることを特徴とする保護フィルム。
【請求項３】  請求項１又は請求項２に記載の保護フィルムの片面または両面に、樹脂層が積層された導体箔積層体の樹脂層面が前記樹脂層貼着用粘着剤層を介して剥離可能に貼着されてなることを特徴とする保護フィルム付樹脂導体箔積層体。
【請求項４】  請求項３に記載の保護フィルム付樹脂導体箔積層体を用いて導体箔に加工を施す工程を有するフレキシブルプリント配線基板の製造方法。
【請求項５】  前記保護フィルム付樹脂導体箔積層体が、保護フィルムの両面に樹脂導体箔積層体を貼着してなるものである請求項４に記載のフレキシブルプリント配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
すなわち、本発明の保護フィルムは、フィルム基材の片面または両面に樹脂層貼着用粘着剤層を有する保護フィルムであって、樹脂層が積層された導体箔積層体の樹脂層面に該樹脂層貼着用粘着剤層を介して剥離可能に貼着され、本発明の第１の態様では、保護フィルムを構成するフィルム基材は、１５０℃３０分の条件における加熱収縮率が、長さ方向、幅方向ともに０．５％以下であり、本発明の第２の態様では、前記樹脂層貼着用粘着剤層の厚さは０．１μｍ〜１０μｍの範囲である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の請求項３に係る保護フィルム付樹脂導体箔積層体は、前記保護フィルムの片面または両面に、樹脂層が積層された導体箔積層体の樹脂層面が前記樹脂層貼着用粘着剤層を介して剥離可能に貼着されてなることを特徴とする。
また、本発明の請求項４に係るフレキシブルプリント配線基板の製造方法は、前記保護フィルム付樹脂導体箔積層体を用いて導体箔に加工を施す工程を有することを特徴とする。この工程で用いられる保護フィルム付樹脂導体箔積層体においては、樹脂導体箔積層体が保護フィルムの片面のみに貼着したものでも、両面に貼着したものでもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
加熱時の寸法安定性の具体的な数値としては、合成樹脂フィルムの１５０℃の条件下で３０分加熱処理したときの加熱収縮率が幅方向（ＴＤ方向）でも、長さ方向（ＭＤ方向）でも０．５％以下のものが好適であり、本発明の第１の態様ではこの物性値を満たすことを要し、さらに好ましくは、ＴＤ方向０．２％以下、ＭＤ方向０．２％以下のものである。この条件に満たない場合には、回路形成工程やカバーレイ樹脂積層工程にて、保護フィルムを貼着した樹脂導体箔積層体に熱が加わった際に、保護フィルムの寸法変化が大きいため保護フィルムを貼着した樹脂導体箔積層体が、反ってしまったりカールしてしまう。表面保護の観点のみからはこの条件を満たさないものも使用可能であるが、加熱工程が加わる場合には、それに続く工程における取り扱い性が悪くなったり、部品を実装する際にズレ不良が発生しやすくなるため、あまり好ましくない。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
粘着剤の種類としては特に制限を受けるものではなく、上記の性能を満足するものであれば、いずれの種類のものを使用してもよい。具体的には、アクリル１液型粘着剤、アクリル２液型粘着剤、天然ゴム系粘着剤、合成ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ホットメルト型粘着剤などが挙げられる。
粘着剤層の厚さは特に制限を受けるものではないが、０．１〜１０．０μｍ程度が好適であり、本発明の第２の態様では、この厚みの範囲にあることを要する。厚さが０．１μｍ未満であると、樹脂導体箔積層体の樹脂層面への接着性が悪く、保護フィルムを樹脂導体箔積層体の樹脂層面に貼着する際に貼着しなかったり、貼着した場合でも、工程中に保護フィルムが樹脂導体箔積層体から浮いたり剥がれたりし易くなる。粘着剤層の厚さが１０．０μｍを超えると、カバーレイ樹脂層積層の際に粘着剤がはみ出して工程中に周囲を汚したり、カバーレイ樹脂層積層工程後に保護フィルムを剥がす際に、粘着剤の粘着力が高くなりすぎて剥がしにくかったり、樹脂導体箔積層体の樹脂層面に粘着剤が残存しやすくなる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月29日(2008.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  画素電極および前記画素電極を駆動するスイッチング能動素子を備え、前記画素電極と対向電極の間隙に発光層を形成する表示装置の製造方法であって、（１）予めベ−スフィルム上に発光層が形成される発光層形成フィルムを前記画素電極が形成される基板上に発光層側から貼付ける工程と、（２）前記発光層形成フィルムのベ−スフィルム側からレ−ザ照射し選択的に前記画素電極に発光層を密着させる工程と、（３）ベ−スフィルムを基板から剥離する工程と、（４）対向電極を成膜する工程を含む表示装置の製造方法であって、
前記発光層形成フィルムは、前記画素電極上に正孔輸送層を形成した後に、前記正孔輸送層上に素子分離膜を形成せずに貼付けられる表示装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
このような課題を解決するため、本発明は、発光層の形成する方法として、画素電極および前記画素電極を駆動するスイッチング能動素子を備え、前記画素電極と対向電極の間隙に発光層を形成する表示装置の製造方法であって、（１）予めベ−スフィルム上に発光層が形成される発光層形成フィルムを前記画素電極が形成される基板上に発光層側から貼付ける工程と、（２）前記発光層形成フィルムのベ−スフィルム側からレ−ザ照射し選択的に前記画素電極に発光層を密着させる工程と、（３）ベ−スフィルムを基板から剥離する工程と、（４）対向電極を成膜する工程を含む表示装置の製造方法であって、
前記発光層形成フィルムは、前記画素電極上に正孔輸送層を形成した後に、前記正孔輸送層上に素子分離膜を形成せずに貼付けられる表示装置の製造方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月23日(2008.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板に形成された高濃度のＮ型埋め込み層と、
前記N型埋め込み層の上に前記Ｎ型埋め込み層と連続して形成されたＰ型拡散層と、
前記Ｐ型拡散層上に形成されたＮ型エピタキシャル層と、
前記Ｐ型拡散層をコレクタ層とし、前記Ｎ型エピタキシャル層をベース層として前記半導体基板に形成されたＰＮＰバイポーラトランジスタとを備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記Ｐ型拡散層の不純物の拡散定数が前記Ｎ型埋め込み層の不純物の拡散定数よりも大きいことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体基板の前記Ｎ型埋め込み層上に形成されたＮＰＮバイポーラトランジスタを更に備えたことを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体基板における複数の素子領域を電気的に分離する分離拡散層を備え、
前記Ｐ型拡散層が前記分離拡散層の下部と同一の層として形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体基板における複数の素子領域を電気的に分離するトレンチ素子分離を備えたことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体基板にＮ型の不純物を導入して第１の不純物拡散層を形成する第１の工程と、
前記第１の不純物拡散層を形成した領域にＰ型の不純物を導入する第２の工程と、
前記第１の不純物拡散層上を含む前記半導体基板上にエピタキシャル層を成長させて、前記第１の不純物拡散層を埋め込む第３の工程と、
熱処理を施して前記Ｐ型の不純物を前記第１の不純物拡散層上に拡散させて、前記第１の不純物拡散層上に前記Ｐ型の不純物から成る第２の不純物拡散層を形成する第４の工程と、
前記第１の不純物拡散層上に前記第２の不純物拡散層をコレクタ層とするＰＮＰバイポーラトランジスタを形成する第５の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記Ｐ型の不純物の拡散定数が前記Ｎ型の不純物の拡散定数よりも大きいことを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２の工程において、前記Ｐ型の不純物を前記第１の不純物拡散層が形成されていない領域を含めて導入し、
前記第４の工程において、前記第２の不純物拡散層を形成するともに、前記第１の不純物拡散層が形成されていない領域に素子領域間を分離する分離拡散層の少なくとも一部を形成することを特徴とする請求項６又は７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第５の工程後、前記エピタキシャル層の表面から前記第１の不純物拡散層まで到達するトレンチ素子分離を形成する第６の工程を更に有することを特徴とする請求項６〜８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
【課題を解決するための手段】
この発明の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板に形成された高濃度のＮ型埋め込み層と、前記Ｎ型埋め込み層の上に前記Ｎ型埋め込み層と連続して形成されたＰ型拡散層と、前記Ｐ型拡散層上に形成されたＮ型エピタキシャル層と、前記Ｐ型拡散層をコレクタ層とし、前記Ｎ型エピタキシャル層をベース層として前記半導体基板に形成されたＰＮＰバイポーラトランジスタとを備えたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月26日(2008.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に希ガス元素を添加し、
前記非晶質半導体膜に触媒元素を添加し、
前記希ガス元素および触媒元素が添加された非晶質半導体膜を結晶化して、結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜に選択的にゲッタリング領域を形成し、
加熱処理により、前記結晶質半導体膜中の前記触媒元素を前記ゲッタリング領域に移動させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上に希ガス元素を含む非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に触媒元素を添加し、
前記希ガス元素が添加された非晶質半導体膜を結晶化して、結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜に選択的にゲッタリング領域を形成し、
加熱処理により、前記結晶質半導体膜中の前記触媒元素を前記ゲッタリング領域に移動させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記半導体膜はシリコン、前記希ガス元素はアルゴン、前記触媒元素はニッケルであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記結晶化は、加熱処理であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記加熱処理は、光源の輻射熱を用いた加熱処理、不活性気体を加熱した雰囲気における加熱処理、炉を用いた加熱処理のいずれか一であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記結晶質半導体膜形成後であって、前記ゲッタリング領域形成前に、前記結晶質半導体膜にレーザ光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記触媒元素を移動させたのち、ゲッタリング領域を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月19日(2008.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  表面に突起を有する半導体膜を高圧酸化雰囲気で酸化し、該表面酸化膜を除去することにより前記半導体膜の表面を平坦化したことを特徴とする半導体膜。
【請求項２】  基板上の非晶質半導体膜にレーザ光を照射して多結晶化した多結晶半導体膜の表面を高圧酸化雰囲気で酸化し、該酸化により形成される表面酸化膜を除去することにより、前記多結晶半導体膜の表面を平坦化したことを特徴とする半導体膜。
【請求項３】  基板上の非晶質半導体膜にレーザ光を照射して多結晶化した多結晶半導体膜の表面を高圧酸化雰囲気で酸化し、該酸化により形成される表面酸化膜を除去することにより、前記半導体膜の表面を平坦化したことを特徴とする半導体膜。
【請求項４】  表面に突起を有する半導体膜の表面を高圧酸化雰囲気で酸化して表面酸化膜を形成する工程と、該表面酸化膜を除去して前記半導体膜の表面の突起を減少させる工程とを備えたことを特徴とする半導体膜の形成方法。
【請求項５】  基板上に非晶質半導体膜を形成する工程と、該非晶質半導体膜にレーザ光を照射して非晶質半導体膜を多結晶半導体膜に改質する工程と、該多結晶半導体膜の表面を高圧雰囲気中で酸化する工程と、該酸化された酸化多結晶半導体膜を除去する工程と、を備えたことを特徴とする半導体膜の形成方法。
【請求項６】  基板上に非晶質半導体膜を形成する工程と、該非晶質半導体膜にレーザ光を照射して非晶質半導体膜を多結晶半導体膜に改質する工程と、該多結晶半導体膜の表面を高圧酸化雰囲気中で酸化する工程と、該酸化された酸化多結晶半導体膜を除去して前記多結晶半導体膜を露出する工程と、該多結晶半導体膜を覆った絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】  基板上にゲート電極を形成する工程と、該ゲート電極を覆ったゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート電極の上方に非晶質半導体膜を形成する工程と、該非晶質半導体膜にレーザ光を照射して非晶質半導体膜を多結晶半導体膜に改質する工程と、該多結晶半導体膜の表面を高圧酸化雰囲気中で酸化する工程と、該酸化された酸化多結晶半導体膜を除去して前記多結晶半導体膜を露出する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月18日(2008.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
請求項１において、
前記めっき被膜の上に単数または複数のコーティング膜を有する合金化溶融亜鉛めっき鋼板を試料とし、
前記コーティング膜に含まれる元素から発生する蛍光Ｘ線の強度を測定する検出手段を備え、
前記めっき被膜の付着量および深さ方向についての平均的な組成と同時に前記コーティング膜の付着量および／または組成を分析する蛍光Ｘ線分析装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月10日(2008.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
また、補償用電離箱２８の前段にキャリヤガスフィルタ２６を、その前段にイオントラップ２５を備えて、キャリヤガス中に含まれる帯電ダスト及び帯電ミストを電極に捕集して除去し、キャリヤガスフィルタ２６で捕集するようにしたので、補償用電離箱２８及び測定用電離箱１６が帯電ダスト及び帯電ミストで誤動作することがなくなり、安定して動作させることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2007108120.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2007108120.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月14日(2008.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と前記基板上に形成された多層膜とを含む多層膜ミラーの製造方法であって、
前記多層膜ミラーに要求される光学性能に基づいて、前記多層膜ミラーの反射面の目標とする形状を算出するステップと、
前記多層膜を前記基板の表面上に形成する前の前記基板の前記表面の形状と前記多層膜を前記基板の前記表面上に形成した後の前記多層膜ミラーの前記反射面の形状との差分である表面形状変化量を求めるステップと、
前記基板の表面形状を、前記多層膜ミラーの前記反射面の目標とする形状から前記表面形状変化量を差し引いた形状に加工するステップと、
その加工された前記基板上に前記多層膜を形成するステップとを有することを特徴とする製造方法。
【請求項２】
基板と前記基板上に形成された多層膜とを含む多層膜ミラーを複数含む光学系の製造方法であって、
前記複数の多層膜ミラーのうち第一群を製造する第１製造ステップと、
前記複数の多層膜ミラーのうち第二群を製造する第２製造ステップと、
前記複数の多層膜ミラーを鏡筒に組み込むステップとを有し、
前記第１製造ステップでは、前記光学系に要求される光学性能に基づいて前記第一群の各多層膜ミラーの反射面の目標とする形状を算出し、前記反射面の目標とする形状に基づいて前記基板の表面を加工し、その加工された前記基板の前記表面上に前記多層膜を形成し、
前記第２製造ステップでは、前記光学性能を得るために必要な前記第二群の各多層膜ミラーの反射面の目標とする形状を算出し、前記多層膜を前記基板の表面上に形成する前の前記基板の前記表面の形状と前記多層膜を前記基板の前記表面上に形成した後の前記多層膜ミラーの前記反射面の形状との差分である表面形状変化量を求め、前記基板の表面形状を前記多層膜ミラーの前記反射面の目標とする形状から前記表面形状変化量を差し引いた形状に加工し、その加工された前記基板上に前記多層膜を形成することを特徴とする製造方法。
【請求項３】
前記複数の多層膜ミラーのうち前記第一群を前記鏡筒に組み込んだ場合の光学性能を計測し、その計測結果に基づいて前記光学系に要求される光学性能を得るために必要な前記第二群の各多層膜ミラーの反射面の前記目標とする形状を算出することを特徴とする請求項２に記載の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記目的を達成するために、発明の一側面としての露光装置は、基板と前記基板上に形成された多層膜とを含む多層膜ミラーの製造方法であって、前記多層膜ミラーに要求される光学性能に基づいて、前記多層膜ミラーの反射面の目標とする形状を算出するステップと、前記多層膜を前記基板の表面上に形成する前の前記基板の前記表面の形状と前記多層膜を前記基板の前記表面上に形成した後の前記多層膜ミラーの前記反射面の形状との差分である表面形状変化量を求めるステップと、前記基板の表面形状を、前記多層膜ミラーの前記反射面の目標とする形状から前記表面形状変化量を差し引いた形状に加工するステップと、その加工された前記基板上に前記多層膜を形成するステップとを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の別の側面としての製造方法は、基板と前記基板上に形成された多層膜とを含む多層膜ミラーを複数含む光学系の製造方法であって、前記複数の多層膜ミラーのうち第一群を製造する第１製造ステップと、前記複数の多層膜ミラーのうち第二群を製造する第２製造ステップと、前記複数の多層膜ミラーを鏡筒に組み込むステップとを有し、前記第１製造ステップでは、前記光学系に要求される光学性能に基づいて前記第一群の各多層膜ミラーの反射面の目標とする形状を算出し、前記反射面の目標とする形状に基づいて前記基板の表面を加工し、その加工された前記基板の前記表面上に前記多層膜を形成し、前記第２製造ステップでは、前記光学性能を得るために必要な前記第二群の各多層膜ミラーの反射面の目標とする形状を算出し、前記多層膜を前記基板の表面上に形成する前の前記基板の前記表面の形状と前記多層膜を前記基板の前記表面上に形成した後の前記多層膜ミラーの前記反射面の形状との差分である表面形状変化量を求め、前記基板の表面形状を前記多層膜ミラーの前記反射面の目標とする形状から前記表面形状変化量を差し引いた形状に加工し、その加工された前記基板上に前記多層膜を形成することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
次に、光学系を構成する複数の多層膜ミラーを、反射面形状を修正する多層膜ミラー（Ａ群）と、反射面形状を修正しない多層膜ミラー（Ｂ群）とに選別する（ステップＳ２０４）。例えば、ステップＳ２０２の光学設計に基づいて、反射面形状を修正すると光学系の光学性能に大きく影響する、即ち、波面収差に敏感な多層膜ミラーをＡ群（第一群）とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
一方、反射面形状を修正しないＢ群（第二群）の多層膜ミラーに関して、ステップＳ２０２で算出された反射面形状に基づいて、基板の表面形状を加工する（ステップＳ２０８）。次いで、ステップＳ２０８で加工された基板上に多層膜を形成し（ステップＳ２１０）、基板に多層膜を形成した後の多層膜ミラー（多層膜）の表面形状を計測する（ステップＳ２１２）。ステップＳ２１２で計測されるＢ群の多層膜ミラーの表面形状は、多層膜の応力によって基板が変形しているため、ステップＳ２０２で算出した所望の反射面形状からずれた（異なる）形状となる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月8日(2008.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
図１に示したマイクロレンズＭＬの配列方法について図２を用いて説明する。図２には、マイクロレンズＭＬが規則正しく並んでいる場合（基本パターン）の各マイクロレンズの頂点（中心）をドットＧで示しており、隣接するドットＧ同士の間隔（レンズ頂点間隔）Ｌは全て等しい等間隔Ｌとなっている。この配列をここでは基本パターンと称している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
本実施例においては全てのマイクロレンズＭＬの面頂点位置Ｔが、上記基本パターンにおける面頂点位置を中心とした半径ｄが半径０．５Ｌ以下の円内に位置するように設定している。尚、マイクロレンズＭＬの面頂点位置Ｔは、グリッドポイントＧから０．５Ｌだけ離れて位置する場合もあれば、グリッドポイントＧ上に位置する場合もある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
本実施例においては複数のマイクロレンズＭＬの境界領域A1〜A3は、該マイクロレンズＭＬの面曲率とは異なる符号の曲率のある幅W1〜W3をもった面(境界部)より成っている。これにより前記図７の光線ｌ２で示されるケラレ光線を減少させ、粒状感を低減させている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
本実施例では境界部A1〜A3の面内方向の幅をＷ、基本パターンにおける頂点間隔をＬとするとき、
Ｌ／２０≦Ｗ≦Ｌ／３ ‥‥‥（1）
なる条件を満足させている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
同図において被写体からの光束は、撮影レンズ１１を通過してクイックリターンミラー１２で反射された後、マイクロレンズアレイよりなる焦点板１３上に物体像が結像する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月6日(2008.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体側より像側へ順に、負の屈折力の第１レンズ群と、正の屈折力の第２レンズ群より構成され、ズーミングに際し、双方のレンズ群の間隔が変わるズームレンズにおいて、該第１レンズ群は、負レンズと正レンズより構成され、該第２レンズ群は、物体側より像側へ順に、正レンズ２１と負レンズ２２とを接合した接合レンズと、正レンズ２３より構成され、該正レンズ２１の物体側の面の曲率半径をＲ２１ａ、該負レンズ２２の像側の面の曲率半径をＲ２２ｂ、該正レンズ２１と該負レンズ２２の材料の屈折率を各々Ｎ２１，Ｎ２２とするとき、
１３＜（Ｒ２１ａ＋Ｒ２２ｂ）／（Ｒ２１ａ−Ｒ２２ｂ）＜５０
０．２３＜Ｎ２２−Ｎ２１＜０．４
なる条件を満足することを特徴とするズームレンズ。
【請求項２】
前記負レンズ２２の像側の面の曲率半径をＲ２２ｂ、前記正レンズ２３の物体側の面の曲率半径をＲ２３ａとするとき、
０．４５＜Ｒ２２ｂ／Ｒ２３ａ＜０．８
なる条件を満足することを特徴とする請求項１のズームレンズ。
【請求項３】
前記第２レンズ群中の２つのレンズ面は非球面形状であり、該非球面形状の２つのレンズ面の光軸方向の距離をＤ２ａ、全系の広角端の焦点距離をｆｗとするとき、
０．４＜Ｄ２ａ／ｆｗ＜０．６
なる条件を満足することを特徴とする請求項１又は２のズームレンズ。
【請求項４】
前記第１レンズ群は、屈折力の絶対値が物体側の面に比べ像側の面が大きく、像側の面が凹で非球面形状の負レンズと、物体側の面が凸でメニスカス形状の正レンズより成ることを特徴とする請求項１、２又は３のズームレンズ。
【請求項５】
前記第１レンズ群は、フォーカシング用のレンズ群であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項のズームレンズ。
【請求項６】
前記第２レンズ群の像側に開口絞りを有することを特徴とする請求項１から５のいずれか１項のズームレンズ。
【請求項７】
固体撮像素子に像を形成することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項のズームレンズ。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項のズームレンズと、該ズームレンズによって形成された像を受光する固体撮像素子とを有していることを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明のズームレンズは、物体側より像側へ順に、負の屈折力の第１レンズ群と、正の屈折力の第２レンズ群より構成され、ズーミングに際し、双方のレンズ群の間隔が変わるズームレンズにおいて、該第１レンズ群は、負レンズと正レンズより構成され、該第２レンズ群は、物体側より像側へ順に、正レンズ２１と負レンズ２２とを接合した接合レンズと、正レンズ２３より構成され、該正レンズ２１の物体側の面の曲率半径をＲ２１ａ、該負レンズ２２の像側の面の曲率半径をＲ２２ｂ、該正レンズ２１と該負レンズ２２の材料の屈折率を各々Ｎ２１，Ｎ２２とするとき、
１３＜（Ｒ２１ａ＋Ｒ２２ｂ）／（Ｒ２１ａ−Ｒ２２ｂ）＜５０
０．２３＜Ｎ２２−Ｎ２１＜０．４
なる条件を満足することを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
各実施例では、第１レンズ群Ｌ１はフォーカシング用のレンズ群である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
第２レンズ群Ｌ２は、物体側より像側へ順に、正レンズＧ２１(正レンズ２１)と負レンズＧ２２(負レンズ２２)とを接合した接合レンズＧ２１ａと、正レンズＧ２３(正レンズ２３)より成っている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月8日(2008.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極間に色及び極性が異なる２種類の電気泳動粒子を有する電気泳動表示パネルを制御す
るための表示制御装置において、
前記電極間に駆動電圧を印可するためのパルス状の駆動信号を供給し、前記電気泳動表
示パネルの表示色を前記電気泳動粒子の各色の間で変化させて中間色を表示させることが
可能な駆動部と、目標となる前記表示色である目標表示色および前記２種類の電気泳動粒子の移動特性の違いに基づいて前記各電気泳動粒子の移動状態を前記駆動部を介して制御する移動状態制御部と、を備えた表示制御装置において、前記移動状態制御部は、複数の異なる色の領域を同一色に移行させるに際し、移行終了タイミングが各領域で一致するように前記駆動部を介してパルス印加タイミングを制御するパルス印加制御部を備えたことを特徴とする表示制御装置。
【請求項２】
請求項１のいずれかに記載の表示制御装置において、
現在の表示色から前記目標表示色に移行させるために必要な前記パルス状の駆動信号の
パルス数あるいは前記パルス状の駆動信号による電圧印加時間を記憶するパルス情報記憶
テーブルを備え、前記移動状態制御部は、複数の異なる表示色の領域の表示色を同一色に切り替えるに際し、前記パルス情報記憶テーブルを参照して、前記各電気泳動粒子の移動状態を制御することを特徴とする表示制御装置。
【請求項３】
電極間に色及び極性が異なる２種類の電気泳動粒子を有する電気泳動表示パネルと、
前記電極間に駆動電圧を印可するためのパルス状の駆動信号を供給し、前記電気泳動表
示パネルの表示色を前記電気泳動粒子の各色の間で変化させて中間色を表示させることが
可能な駆動部と、目標となる前記表示色である目標表示色および前記２種類の電気泳動粒子の移動特性の違いに基づいて前記各電気泳動粒子の移動状態を前記駆動部を介して制御する移動状態制御部と、を備えた表示装置において、前記移動状態制御部は、複数の異なる色の領域を同一色に移行させるに際し、移行終了タイミングが各領域で一致するように前記駆動部を介してパルス印加タイミングを制御するパルス印加制御部を備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項４】
電極間に色及び極性が異なる２種類の電気泳動粒子を有する電気泳動表示パネルを備えた
表示装置の表示制御方法において、
前記電極間に駆動電圧を印可するためのパルス状の駆動信号を供給し、前記電気泳動表示パネルの表示色を前記電気泳動粒子の各色の間で変化させて中間色を表示させる駆動過程と、目標となる前記表示色である目標表示色および前記２種類の電気泳動粒子の移動特性の違いに基づいて前記各電気泳動粒子の移動状態を前記駆動部を介して制御する移動状態制御過程と、
を備えた表示装置の制御方法において、前記移動状態制御過程は、複数の異なる色の領域を同一色に移行させるに際し、移行終了タイミングが各領域で一致するように前記駆動部を介してパルス印加タイミングを制御するパルス印加制御過程を備えたことを特徴とする表示装置の表示制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、表示装置は、電極間に色及び極性が異なる２種類の電気泳動粒子を有する電気泳動表示パネルと、前記電極間に駆動電圧を印可するためのパルス状の駆動信号を供給し、前記電気泳動表
示パネルの表示色を前記電気泳動粒子の各色の間で変化させて中間色を表示させることが
可能な駆動部と、目標となる前記表示色である目標表示色および前記２種類の電気泳動粒子の移動特性の違いに基づいて前記各電気泳動粒子の移動状態を前記駆動部を介して制御する移動状態制御部と、を備えた表示装置において、前記移動状態制御部は、複数の異なる色の領域を同一色に移行させるに際し、移行終了タイミングが各領域で一致するように前記駆動部を介してパルス印加タイミングを制御するパルス印加制御部を備えたことを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、電極間に色及び極性が異なる２種類の電気泳動粒子を有する電気泳動表示パネルを備えた
表示装置の表示制御方法において、前記電極間に駆動電圧を印可するためのパルス状の駆動信号を供給し、前記電気泳動表示パネルの表示色を前記電気泳動粒子の各色の間で変化させて中間色を表示させる駆動過程と、目標となる前記表示色である目標表示色および前記２種類の電気泳動粒子の移動特性の違いに基づいて前記各電気泳動粒子の移動状態を前記駆動部を介して制御する移動状態制御過程と、を備えた表示装置の制御方法において、前記移動状態制御過程は、複数の異なる色の領域を同一色に移行させるに際し、移行終了タイミングが各領域で一致するように前記駆動部を介してパルス印加タイミングを制御するパルス印加制御過程と、を備えたことを特徴としている。