Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月1日(2008.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
階層符号化方式によって符号化された画像データを格納したサーバと、該サーバから前記画像データをダウンロードして表示可能なクライアントからなる画像通信システムであって、該サーバは、
前記クライアントからのリクエストを受信し、
該受信したリクエストに基づいて特定コマンドが要求されているか否かを判定し、
前記特定コマンドが要求された場合に、該特定コマンドで指定された処理を施した画像データに、前記階層符号化方式によって符号化された画像データの符号化条件を示す付随データを付加して返送データを生成し、
前記返送データを前記クライアントに送信する
ことを特徴とする画像通信システム。
【請求項２】
前記特定コマンドは、画像データの領域を指定することを特徴とする請求項１記載の画像通信システム。
【請求項３】
前記特定コマンドは、画像データの画像サイズを指定することを特徴とする請求項１または２記載の画像通信システム。
【請求項４】
前記特定コマンドは、画像データの送信時の圧縮方式を特定することを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の画像通信システム。
【請求項５】
前記特定コマンドが要求されていない場合には、前記リクエストで指定された画像データを、該リクエストで指定された形式に変換して返送データを生成することを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の画像通信システム。
【請求項６】
前記返送データは、前記リクエストの受信毎に生成されることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の画像通信システム。
【請求項７】
前記返送データは、サーバ内に予め用意されていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の画像通信システム。
【請求項８】
前記特定コマンドは、画像データのサムネイルを要求するコマンドであることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の画像通信システム。
【請求項９】
前記特定コマンドは、画像データの特定領域を要求するコマンドであることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の画像通信システム。
【請求項１０】
前記返送データは、画像データから前記特定領域を抽出して生成されることを特徴とする請求項９記載の画像通信システム。
【請求項１１】
前記画像データは、JPEG2000方式により符号化されていることを特徴とする請求項１乃至１０の何れか一項に記載の画像通信システム。
【請求項１２】
前記付随データは、JPEG2000方式の符号化データにおけるメインヘッダ部であることを特徴とする請求項１１記載の画像通信システム。
【請求項１３】
前記サーバと前記クライアント間における通信は、JPIPプロトコルに準拠することを特徴とする請求項１乃至１２の何れか一項に記載の画像通信システム。
【請求項１４】
前記クライアントは、前記サーバから受信した前記返送データ内の画像データに関して、前記付随データに基づいて前記サーバとのインタラクティブ通信を行うことを特徴とする請求項１３記載の画像通信システム。
【請求項１５】
階層符号化方式によって符号化された画像データを格納し、該画像データをクライアントに対してダウンロードするサーバ装置であって、
前記クライアントからのリクエストを受信する受信手段と、
該受信したリクエストに基づいて特定コマンドが要求されているか否かを判定する特定コマンド判定手段と、
前記特定コマンドが要求された場合に、該特定コマンドで指定された処理を施した画像データに、前記階層符号化方式によって符号化された画像データの符号化条件を示す付随データを付加して返送データを生成する返送データ生成手段と、
前記返送データを前記クライアントに送信する送信手段と、
を有することを特徴とするサーバ装置。
【請求項１６】
階層符号化方式によって符号化された画像データを格納し、該画像データをクライアントに対してダウンロードするサーバ装置における画像通信方法であって、
前記クライアントからのリクエストを受信する受信ステップと、
該受信したリクエストに基づいて特定コマンドが要求されているか否かを判定する特定コマンド判定ステップと、
前記特定コマンドが要求された場合に、該特定コマンドで指定された処理を施した画像データに、前記階層符号化方式によって符号化された画像データの符号化条件を示す付随データを付加して返送データを生成する返送データ生成ステップと、
前記返送データを前記クライアントに送信する送信ステップと、
を有することを特徴とする画像通信方法。
【請求項１７】
コンピュータに請求項１乃至請求項１４の何れか一項に記載された画像通信システムのサーバとして機能させることを特徴とするプログラム。
【請求項１８】
請求項１７に記載されたプログラムが記録されたことを特徴とするコンピュータ可読の記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月4日(2008.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
道路近傍に設置され、この道路を走行する車両に搭載された無線通信装置との間で無線信号を授受する無線部と、この無線部に接続され前記無線信号により伝送する送受信ベースバンド信号と前記無線部を調整するための調整信号とを多重化信号として授受する第１多重化部とを有する路側アンテナ装置、
および複数の前記路側アンテナ装置に対応して設けられ、前記第１多重化部との間で前記多重化信号を授受する第２多重化部と、この第２多重化部に接続され複数の信号源との間で前記多重化信号とすべき前記ベースバンド信号を授受する無線制御部と、前記無線制御部と外部の有線通信網とに接続され前記有線通信網に接続された他のシステムとの間で前記送受信ベースバンド信号を授受するネットワーク接続部とを有する路側装置を備え、
前記無線制御部は、前記無線制御部に接続される調整ツールからの指令情報を前記調整信号として前記第２多重化部に送信し、
前記無線部は、前記無線制御部からの調整信号によってテーブルを参照して設定を行なうことを特徴とする路側狭域無線通信装置。
【請求項２】
前記無線部は、前記無線制御部から送られる多重化信号のヘッダ情報がループバックコードであることを認識すると、前記無線制御部から送られる多重化信号を一定間隔でループバック送信することを特徴とする請求項１に記載の路側狭域無線通信装置。
【請求項３】
前記無線部は、前記無線制御部にテストパターンを送信し、前記無線制御部から返送されるテストパターンと前記無線制御部に送信したテストパターンとを比較することを特徴とする請求項１に記載の路側狭域無線通信装置。
【請求項４】
前記第１多重化部または前記第２多重化部は、前記送受信ベースバンド信号と前記調整信号と無線用送受信基準クロック信号とを多重化していることを特徴とする請求項１に記載の路側狭域無線通信装置。
【請求項５】
前記無線制御部は、前記設定ツールとシリアルデータ制御装置を介して接続され、前記指令情報をシリアルデータとして受信することを特徴とする請求項１に記載の路側狭域無線通信装置。
【請求項６】
前記第１多重化部と前記第２多重化部との間で伝送される前記多重化信号の伝送速度は、前記車両の無線通信装置と前記路側アンテナ装置の前記無線部との間で伝送される前記無線信号の伝送速度より高速であることを特徴とする請求項１に記載の路側狭域無線通信装置。
【請求項７】
前記送受信ベースバンド信号に対して、前記第１多重化部と前記第２多重化部との間で伝送される前記多重化信号の信号伝送速度が同期であることを特徴とする請求項２に記載の路側狭域無線通信装置。
【請求項８】
前記第１多重化部と前記第２多重化部との間で伝送される前記多重化信号は、ヘッダ、無線通信部アドレス、無線制御部アドレス、多重化データ、パリティビットより構成したバケツト信号であることを特徴とする請求項２又は６に記載の路側狭域無線通信装置。
【請求項９】
前記第１多重化部と前記第２多重化部との間で伝送される信号は光信号であることを特徴とする請求項に１記載の路側狭域無線通信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この発明による路側狭域無線通信装置は、道路近傍に設置され、この道路を走行する車両に搭載された無線通信装置との間で無線信号を授受する無線部と、前記無線信号により伝送する送受信ベースバンド信号と前記無線部を調整するための調整信号とを多重化信号として授受する第１多重化部とを有する路側アンテナ装置、
および複数の前記路側アンテナ装置に対応して設けられ、前記第１多重化部との間で前記多重化信号を授受する第２多重化部と、この第２多重化部に接続され複数の信号源との間で前記多重化信号とすべき信号を授受するとともに前記ベースバンド信号を生成する無線制御部と、前記無線制御部と外部の有線通信網とに接続され前記有線通信網に接続された他のシステムとの間で前記送受信ベースバンド信号となすべきデータを授受するネットワーク接続部とを有する路側装置を備え、
前記無線制御部は、前記無線制御部に接続される調整ツールからの指令情報を前記調整信号として前記第２多重化部に送信し、
前記無線部は、前記無線制御部からの調整信号によってテーブルを参照して設定を行なうものである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月30日(2008.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２３】
前記フィルターに酸性溶液を通す酸性溶液注入手段を有する請求項１２から２２のいずれか１項に記載の水処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月21日(2008.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  結合端と前記結合端の周囲の第１導電性リングとを有する、光波を伝送する導波路と、
頂面の光検出器と前記光検出器の周囲の第２導電性リングとを有するデバイスと、
前記検出器と前記結合端との間の液晶ポリマーと
を含む装置。
【請求項２】  第１結合端と前記結合端の周囲の第１導電性リングとを有する第１光学デバイスと、
第２結合端と前記第２結合端の周囲の第２導電性リングとを有する第２光学デバイスと、
前記第１および第２結合端の間の透過性材料であって、印加される電界によって変化する屈折率を持つ透過性材料と
を含む装置。
【請求項３】  第１光学デバイスの第１結合端を第２光学デバイスの第２結合端に結合する方法であって、
前記第１結合端を第１電圧で包囲するステップと、
前記第２結合端を前記第１電圧とは異なる第２電圧で包囲するステップと、
前記第１および第２結合端の間に、印加される電界によって変化する屈折率を持つ透過性材料を形成するステップと
を含む方法。
【請求項４】  第１結合端を有する第１光学デバイスと、
第２結合端を有する第２光学デバイスと、
前記第１および第２結合端の間の透過性材料と
を含む光学装置であって、
前記第１光学デバイスから前記第２光学デバイスへ伝送される光が第１方向であり、前記透過性材料内の第１経路に従い、
前記透過性材料が、前記第１方向では、前記第１経路の第１屈折率および前記第１経路の周囲の第２屈折率を持ち、前記第２屈折率が前記第１屈折率より低いことを特徴とする光学装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月18日(2007.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のアレイ形状に配列された複数の点光源と、
前記複数の点光源の各々に接続されており、前記複数の点光源のために一つ以上のイルミネーションシーケンスを決定するように構成されたマイクロプロセッサと、
前記マイクロプロセッサに接続されて電力供給する電源と、
前記複数の点光源の回転速度及び相対位置を決定するに十分な情報を含んでいる一つ以上のタイミング信号を前記マイクロプロセッサに供給する、加速度計又は圧電式アクチュエータを具備しているタイミングセンサと、
前記複数の点光源から発せられる光を拡散するように前記複数の点光源の内の選択した部分を覆うように設けられている材料層と、
前記複数の点光源と前記材料層との間に設けられている光ファイバ分岐のネットワークと
を具備しているイルミネーション装置。
【請求項２】
一つ以上の電力内蔵型発光組立体とタイヤとのタイヤ組立体であって、
空気タイヤ構造体と、少なくとも１つのタイヤマーキング装置とを具備しており、
前記空気タイヤ構造体は、地面と接触するトレッド部分を有するクラウン部分と、タイヤをホイールリムに取り付けるビード部分と、前記ビード部分と前記クラウン部分との間に延びるサイドウォール部分とを有しており、
前記少なくとも１つのタイヤマーキング装置は、前記空気タイヤ構造体の前記サイドウォール部分の選択した場所に一体化して設けられており、前記空気タイヤ構造体の前記サイドウォール部分の選択した場所の表面に、発光視覚表示をするように構成されており、
前記少なくとも１つのタイヤマーキング装置は、所定のアレイ形状に配列されている複数の点光源を具備しており、
当該タイヤ組立体は更に、
前記複数の点光源が取り付けられている支持基板と、
前記空気タイヤ構造体の前記サイドウォール部分の前記選択した場所に前記支持基板を取り付けて、前記空気タイヤ構造体のストレスから、前記少なくとも１つのタイヤマーキング装置を遮断する発泡接着剤層と
を具備しているタイヤ組立体。
【請求項３】
一つ以上の電力内蔵型発光組立体とタイヤとのタイヤ組立体であって、
空気タイヤ構造体と、少なくとも１つのタイヤマーキング装置とを具備しており、
前記空気タイヤ構造体は、地面と接触するトレッド部分を有するクラウン部分と、タイヤをホイールリムに取り付けるビード部分と、前記ビード部分と前記クラウン部分との間に延びるサイドウォール部分とを有しており、
前記少なくとも１つのタイヤマーキング装置は、前記空気タイヤ構造体の前記サイドウォール部分の選択した場所に一体化して設けられており、前記空気タイヤ構造体の前記サイドウォール部分の選択した場所の表面に、発光視覚表示をするように構成されており、
前記少なくとも１つのタイヤマーキング装置は、所定のアレイ形状に配列されている複数の点光源を具備しており、
当該タイヤ組立体は更に、前記少なくとも１つのタイヤマーキング装置の選択した部分に設けられているゴムパッチを具備しており、前記ゴムパッチが、前記空気タイヤ構造体の前記サイドウォール部分の選択した場所に融着されているタイヤ組立体。
【請求項４】
一つ以上の電力内蔵型発光組立体とタイヤとのタイヤ組立体であって、
空気タイヤ構造体と、少なくとも１つのタイヤマーキング装置とを具備しており、
前記空気タイヤ構造体は、地面と接触するトレッド部分を有するクラウン部分と、タイヤをホイールリムに取り付けるビード部分と、前記ビード部分と前記クラウン部分との間に延びるサイドウォール部分とを有しており、
前記少なくとも１つのタイヤマーキング装置は、前記空気タイヤ構造体の前記サイドウォール部分の選択した場所に一体化して設けられており、前記空気タイヤ構造体の前記サイドウォール部分の選択した場所の表面に、発光視覚表示をするように構成されており、
前記少なくとも１つのタイヤマーキング装置は、所定のアレイ形状に配列されている複数の点光源を具備しており、
当該タイヤ組立体は更に、
前記複数の点光源から発せられる光を拡散するように前記複数の点光源の内の選択した部分を覆う材料層と、
前記複数の点光源と前記材料層との間に設けられた光ファイバ分岐のネットワークと
を具備しているタイヤ組立体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月12日(2007.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
芯金の周囲に導電性弾性層を具備している導電性ローラの製造方法であって、
所定の長さの芯金を、該導電性弾性層の原料組成物の押出し機に接続されたクロスヘッドに連続的に供給して、該クロスヘッドを通過させると共に該芯金の周囲に該原料組成物の被膜を形成し、次いで該クロスヘッドを通過した該芯金の周囲を被覆している該被膜を所定の長さに切断する工程を有し、
前記工程が、該芯金の下端面を支持部材で支持しつつ、該芯金を鉛直下方に進行させる工程を含むことを特徴とする導電性ローラの製造方法。
【請求項２】
前記工程が、該被膜の切断のときを除き、該芯金の下端面を支持部材で支持しつつ該芯金を鉛直下方に進行させる工程を含む請求項１記載の導電性ローラの製造方法。
【請求項３】
芯金の周囲に導電性弾性層を具備している導電性ローラの製造装置であって、
該導電性弾性層の原料組成物の押出し機と、
該押出し機に接続され、芯金を通過させることにより該芯金の周囲に該原料組成物の被膜を形成せしめるクロスヘッドと、を具備し、
該押出し機及び該クロスヘッドは、該芯金が鉛直下方に進行しつつ該被覆がその周囲に形成されるように配置されており、
更に、該芯金の下端面を支持する支持部材を備え、該支持部材は、該芯金の鉛直下方への進行に応じて移動可能に構成されていることを特徴とする導電性ローラの製造装置。
【請求項４】
該支持部材は、該芯金の進行方向と直交する面内を移動可能に構成されている請求項３に記載の導電性ローラの製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明によれば、
芯金の周囲に導電性弾性層を具備している導電性ローラの製造方法であって、
所定の長さの芯金を、該導電性弾性層の原料組成物の押出し機に接続されたクロスヘッドに連続的に供給して、該クロスヘッドを通過させると共に該芯金の周囲に該原料組成物の被膜を形成し、次いで該クロスヘッドを通過した該芯金の周囲を被覆している該被膜を所定の長さに切断する工程を有し、
前記工程が、該芯金の下端面を支持部材で支持しつつ、該芯金を鉛直下方に進行させる工程を含むことを特徴とする導電性ローラの製造方法が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また本発明によれば、
芯金の周囲に導電性弾性層を具備している導電性ローラの製造装置であって、
該導電性弾性層の原料組成物の押出し機と、
該押出し機に接続され、芯金を通過させることにより該芯金の周囲に該原料組成物の被膜を形成せしめるクロスヘッドと、を具備し、
該押出し機及び該クロスヘッドは、該芯金が鉛直下方に進行しつつ該被覆がその周囲に形成されるように配置されており、
更に、該芯金の下端面を支持する支持部材を備え、該支持部材は、該芯金の鉛直下方への進行に応じて移動可能に構成されていることを特徴とする導電性ローラの製造装置が提供される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月31日(2008.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
支持体と、光電荷発生層と、電荷輸送層とを有する光導電性画像形成部材において、電荷輸送層が下記のいずれかの式で表されるヒンダードフェノールを含むことを特徴とする光導電性画像形成部材。
【化１】
2005227776.tif 000001
または
【化２】
2005227776.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月17日(2008.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上に形成されたＳｉＣドリフト層と、
該ＳｉＣドリフト層上に形成されたＧａＮ系半導体層と、
該ＧａＮ系半導体層上に形成されたソース電極並びにゲート電極と、
前記ソース電極および前記ゲート電極下の前記ＳｉＣドリフト層の一部に形成されたｐ型ＳｉＣ領域と、
前記ＳｉＣドリフト層の前記ＧａＮ系半導体層と相対する面に接続されたドレイン電極と、を具備する半導体装置。
【請求項２】
前記ＧａＮ系半導体層は、ＧａＮ、ＡｌＮおよびＩｎＮの少なくとも１つからなる結晶層または混晶層を含む請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ｐ型ＳｉＣ領域は、前記ＧａＮ系半導体層と接している請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ＧａＮ系半導体層は、チャネル層と、チャネル層よりバンドギャップの大きいキャップ層を含む請求項１から３のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項５】
前記基板がＳｉＣ基板またはＳｉ基板である請求項１から４のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ＳｉＣドリフト層が１μｍ以上の膜厚を有する請求項１から５のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項７】
基板と、
該基板上に形成され、ｐ型ＳｉＣ層を含み、少なくともｐ型ＳｉＣ層より深い開口部を有するＳｉＣドリフト層と、
前記開口部を有する前記ＳｉＣドリフト層上に形成されたＧａＮ系半導体層と、
該ＧａＮ系半導体層上に形成されたソース電極若しくはエミッタ電極並びにゲート電極と、
前記ＳｉＣドリフト層の前記ＧａＮ系半導体層と相対する面に接続されたドレイン電極またはコレクタ電極と、を具備する半導体装置。
【請求項８】
前記ＧａＮ系半導体層は、ＧａＮ、ＡｌＮおよびＩｎＮの少なくとも１つからなる結晶層または混晶層を含む請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
前記ｐ型ＳｉＣ層は、前記ＧａＮ系半導体層と接している請求項７または８記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記ＧａＮ系半導体層は、チャネル層と、チャネル層よりバンドギャップの大きいキャップ層を含む請求項７から９のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記基板がＳｉＣ基板またはＳｉ基板である請求項７から１０のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記ＳｉＣドリフト層が１μｍ以上の膜厚を有する請求項７から１０のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項１３】
基板と、
該基板上に形成されたＳｉＣドリフト層と、
該ＳｉＣドリフト層上に形成され、チャネル層を含み、少なくとも前記チャネル層より深い開口部を有するＧａＮ系半導体層と、
前記開口部の前記チャネル層の側面に形成され、前記チャネル層よりバンドギャップの大きいキャップ層と、
前記チャネル層の前記開口部の側面に前記キャップ層を介し形成されたゲート電極と、
前記ＧａＮ系半導体層上に形成されたソース電極またはエミッタ電極と、
前記ＳｉＣドリフト層の前記ＧａＮ系半導体層と相対する面に接続されたドレイン電極またはコレクタ電極と、を具備する半導体装置。
【請求項１４】
前記ＧａＮ系半導体層は、ＧａＮ、ＡｌＮおよびＩｎＮの少なくとも１つからなる結晶層または混晶層を含む請求項１３記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記基板がＳｉＣ基板またはＳｉ基板である請求項１３または１４記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記ＳｉＣドリフト層が１μｍ以上の膜厚を有する請求項１３から１５のいずれか一項記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は半導体装置およびその製造方法、特に、縦型構造を有する電力制御用トランジスタに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、耐圧が高く、オン抵抗が低い半導体装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明によれば、ＳｉＣドリフト層を有することによりドリフト層の厚膜化が可能となる。そのため、耐圧が高くできる。さらに、チャネル移動度の高いＧａＮ系半導体層をチャネル層として用いることによりオン抵抗が低い半導体装置を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月19日(2008.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極を挟むように前記半導体層上に設けられたソース電極およびドレイン電極と、
前記半導体層上の前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に設けられ、前記ゲート電極および前記ドレイン電極間方向に１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下で延在する電極部とを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体層上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極を挟むように前記半導体層上に設けられたソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極から前記ゲート電極の上方を通過して前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間まで延在し、かつ、その先端がさらに前記半導体層方向に延在するソースウォールとを備え、
前記ソースウォールの先端は、前記ゲート電極および前記ドレイン電極間方向に１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下で延在することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
半導体層上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極を挟むように前記半導体層上に設けられたソース電極およびドレイン電極と、
前記半導体層上の前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間に設けられ、かつ、前記ゲート電極の延在する方向に延在し、前記半導体層方向に延在するくし歯型からなる電極部とを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
半導体層上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極を挟むように前記半導体層上に設けられたソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極から前記ゲート電極の上方を通過して前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間まで延在するソースウォールとを備え、
前記ソースウォールの先端は、前記ゲート電極の延在する方向に延在し、前記半導体層方向に延在するくし歯型からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記ソースウォールまたは前記電極部は、ＷＳｉ，Ａｕまたはポリシリコンのいずれかからなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体装置は、ＬＤＭＯＳ、ＧａＡｓＦＥＴ、Ｓｉ系ＦＥＴまたはＧａＮ系ＦＥＴのいずれかであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記半導体層は、Ｓｉ，ＳｉＣ，ＧａＡｓまたはＧａＮ系のいずれかであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置。
、１４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明に係る他の半導体装置は、半導体層上に設けられたゲート電極と、ゲート電極を挟むように半導体層上に設けられたソース電極およびドレイン電極と、ソース電極からゲート電極の上方を通過してゲート電極とドレイン電極との間まで延在し、かつ、その先端がさらに前記半導体層方向に延在するソースウォールとを備え、ソースウォールの先端は、ゲート電極およびドレイン電極間方向に１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下で延在することを特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月17日(2008.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に開口部を有するマスク層と、
基板上に前記マスク層をマスクに選択的に形成されたＧａＮ系半導体層と、
該ＧａＮ系半導体層上に形成されたゲート電極並びにソース電極またはエミッタ電極と、
前記ＧａＮ系半導体層上または下に形成されたドレイン電極またはコレクタ電極と、を具備する半導体装置。
【請求項２】
前記基板はＳｉＣ基板、サファイア基板、Ｓｉ基板およびＧａＮを含む半導体基板のいずれかである請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記マスク層は、酸化珪素膜層、窒化珪素膜層、酸化チタン膜層および酸化ジルコニウム膜層の少なくともひとつである請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記マスク層の厚さは１００ｎｍ以下である請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
基板上に形成された第１の半導体層と、
該第１の半導体層上に、選択的に成長されたＧａＮ系半導体層と、
該ＧａＮ系半導体層の側面に形成されたゲート電極と、
前記ＧａＮ系半導体層上に形成されたソース電極またはエミッタ電極と、
前記第１の半導体層の前記ＧａＮ系半導体層と相対する面あるいは同じ面に接続されたドレイン電極またはコレクタ電極と、を具備する半導体装置。
【請求項６】
前記基板はＳｉＣ基板、サファイア基板、Ｓｉ基板およびＧａＮを含む半導体基板のいずれかである請求項５項記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１の半導体層と前記ゲート電極の間にマスク層を具備する請求項５記載の半導体装置。
【請求項８】
前記マスク層は酸化珪素膜層、窒化珪素膜層、酸化チタン膜層または酸化ジルコニウム膜層である請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
前記マスク層の厚さは１００ｎｍ以下である請求項７記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第１の半導体層と前記ＧａＮ系半導体層の間にシード層を具備する請求項５記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記シード層を形成する前に第１の半導体層はＡｌＮを含む半導体層で覆う請求項１０記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は半導体装置およびその製造方法、特に、ＧａＮ系半導体層が選択的に形成された半導体装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、基板の反りを防ぎ、ＧａＮ半導体層のクラックや製造工程における位置合わせ精度の低下を防止すること、若しくはＧａＮ系半導体層に開口部を形成する際のダメージを防ぎ、電気的特性が劣化を防ぐことが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月19日(2008.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成され、開口部を有するＧａＮ系半導体層と、
前記ＧａＮ系半導体層の前記開口部側面に形成された電子走行層と、
前記電子走行層の前記開口部側の側面に形成され、前記電子走行層よりバンドギャップの大きい電子供給層と、
前記電子供給層の前記開口部側の側面に形成されたゲート電極と、
前記ＧａＮ系半導体層上に形成されたソース電極と、
前記ＧａＮ系半導体層のソース電極と相対する面に接続されたドレイン電極と、を具備する半導体装置。
【請求項２】
前記ＧａＮ系半導体層はＰ型ＧａＮ系半導体層を含み、
前記開口部は少なくとも前記Ｐ型ＧａＮ系半導体層を除去されており、
前記電子走行層は、前記Ｐ型ＧａＮ系半導体層の側面に形成された請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ＧａＮ系半導体層は、前記Ｐ型ＧａＮ系半導体層を挟む第１のＮ型ＧａＮ系半導体層および第２のＮ型ＧａＮ系半導体層を含む請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記Ｐ型ＧａＮ系半導体層はＧａＮ層とＡｌＧａＮ層の少なくとも一方である請求項２または３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記電子走行層がＩｎｘ２Ａｌｙ２Ｇａ（１−ｘ２−ｙ２）Ｎ層であり、前記電子供給層がＩｎｘ１Ａｌｙ１Ｇａ（１−ｘ１−ｙ１）Ｎ層であり（０≦ｘ２，ｙ２，ｘ１，ｙ１≦１）、２．８１（ｙ１−ｙ２）−１．５０（ｘ１−ｘ２）＞０の関係を満たす請求項１から４のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項６】
前記電子走行層はＧａＮとＩｎＧａＮのいずれか一方であり、前記電子供給層はＡｌＧａＮである請求項１から４のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項７】
前記電子走行層と前記電子供給層の間にＡｌＮ層を具備する請求項１から６のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項８】
前記電子走行層は、５から１００ｎｍの膜厚を有する請求項１から７のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項９】
前記基板はＳｉＣ基板、サファイア基板およびＧａＮを含む半導体基板のいずれかである請求項１から８のいずれか一項記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は半導体装置、特に、縦型構造を有する電力制御用トランジスタに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、ピンチオフ特性を改善しまたはチャネル層の移動度を向上させ電気的特性の良好な半導体装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明によれば、ピンチオフ特性を改善し、または電子走行層の移動度を向上させ電気的特性の良好な縦型ＦＥＴである半導体装置を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月16日(2008.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
本発明の半導体電極および光電変換素子は、一般式[Ｉ]〜一般式[IV]で示される化合物の何れかを色素として用いる。また、これらを併用しても構わない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
本発明では、一般式[Ｉ]〜一般式[IV]で示される化合物を色素として半導体層に吸着する際、ステロイド系化合物を併用しても構わない。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月3日(2007.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
実施例１，３〜６、比較例３〜５にかかる電池に対し、上記の条件で８０℃充電保存試験を行った。この結果を下記表４に示す。  
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
また、表６より、プロピレンカーボネート（ＰＣ）の含有量が６５体積％である比較例１０では、保存後膨れ量が０．３７９ｍｍ、冷却後膨れ量が０．１２５ｍｍと、ＰＣの含有量が１０〜６０体積％である実施例１０〜１５の保存後膨れ量の０．０３９〜０．１１４ｍｍ、冷却後膨れ量０．０３４〜０．０７２ｍｍよりも大きいことがわかる。また、比較例１０の残存保存特性が７０．２％、復帰保存特性が８０．８％と、ＰＣの含有量が１０〜６０体積％以下である実施例１０〜１５の残存保存特性８３．４〜８７．１％、復帰保存特性９１．７〜９５．６％よりも低いことがわかる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月4日(2008.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹凸部を有する部材上に記録層を有する磁気記録媒体において、前記凹部及び凸部上に前記記録層が設けられており、且つ前記凸部上と前記凹部上の前記記録層の磁気特性が互いに異なり、少なくとも前記凸部上の記録層には、シリンダー状磁性粒子を有するグラニュラー構造が形成されていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記凸部上と凹部上の記録層の磁気特性について、凸部上の記録層における残留磁化と保磁力が、凹部上の記録層における残留磁化と保磁力より値が大きいことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記凹部上の記録層におけるグラニュラー構造のシリンダー状磁性粒子の平均直径が前記凸部上の記録層のものより小さい、又は前記凸部上の記録層におけるシリンダー状磁性粒子が基体垂直方向と平行であるのに対して前記凹部上の記録層にあっては少なくとも一部においてシリンダー状磁性粒子の方向が平行から乱れていることの少なくとも一方を満たしていることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記凹部上の記録層には、磁性粒子の存在が判別できないアモルファス状の構造が形成されていることを特徴とする請求項１又は２のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記部材上の記録層の表面段差は、２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記凹部の深さＤは、５０ｎｍ以下、前記凹部の部材表面における幅Ｗｇは、１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
Ｗｇ＜２Ｄであることを特徴とする請求項６に記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
前記凸部の幅Ｗｔは、１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項６又は７のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項９】
前記凸部上の記録層の厚さは、３０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項６〜８のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項１０】
請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法であって、前記表面に凹凸部を有する部材をスパッタ装置に導入し、前記部材を基体として直流バイアス電圧を印加して、磁性材料をスパッタ成膜することにより、少なくとも該凸部上に、シリンダー状磁性粒子を有するグラニュラー構造を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法であって、前記表面に凹凸部を有する部材をスパッタ装置に導入し、前記部材を基体として直流バイアス電圧を印加して、ＡｌＳｉをスパッタ成膜し、少なくとも該凸部上に、シリンダー状Ａｌ粒子を有するグラニュラー構造を形成後、Ａｌ部分を除去して磁性材料を充填することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜９に記載の磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の磁気記録再生装置を用いた情報処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月21日(2008.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記読み出し判定回路は、前記判定処理を行う場合には、電流検知型のセンスアンプ回路に対して、読み出し動作時よりも厳しい判定基準となる基準電流を与えることを特徴とする、請求項２に記載の不揮発性記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記読み出し判定回路は、前記判定処理を行う場合には、前記メモリセルトランジスタに対して、読み出し動作時よりも厳しい判定基準となるゲート電圧を印加することを特徴とする、請求項２に記載の不揮発性記憶装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
この場合、読み出し判定回路は、読み出し動作時よりも厳しい判定基準に従って判定処理を行ってもよい。読み出し判定回路は、判定処理を行う場合には、電流検知型のセンスアンプ回路に対して、読み出し動作時よりも厳しい判定基準となる基準電流を与えてもよく、あるいは、メモリセルトランジスタに対して、読み出し動作時よりも厳しい判定基準となるゲート電圧を印加してもよい。これにより、メモリセルトランジスタの特性劣化を早めに検出し、メモリセルトランジスタに対する消去および書き込みをより確実に行うことができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
例えば、読み出し判定回路１７０は、消去後の閾値電圧Ｖ１についての基準電圧Ｖｘを有し、消去後の閾値電圧Ｖ１の実際の値が基準電圧Ｖｘを上回ったときに、異常と判定してもよい。あるいは、読み出し判定回路１７０は、書き込み後の閾値電圧Ｖ０についての基準電圧Ｖｙを有し、消去後の閾値電圧Ｖ１の実際の値が基準電圧Ｖｙを下回ったときに、異常と判定してもよい。あるいは、読み出し判定回路１７０は、上記基準電圧ＶｘおよびＶｙを有し、消去後の閾値電圧Ｖ１の実際の値が基準電圧Ｖｘを上回るか、あるいは、書き込み後の閾値電圧Ｖ０の実際の値が基準電圧Ｖｙを下回ったときに、異常と判定してもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
なお、本実施形態に係るフラッシュＥＥＰＲＯＭでは、トリミング値に含まれる０の個数が１個増加した場合の調整後消去／書き込み電圧の上昇幅（以下、単に上昇幅という）は、以下の理由により、約０．１〜０．４Ｖの範囲内から選択することが好ましい。上昇幅を０．１Ｖよりも小さな値（例えば、数１０ｍＶ）とした場合、トリミング値を記憶するために必要なビット数は増加する。ところが、読み出し判定回路１７０における読み出し判定時の誤差等により、調整後消去／書き込み電圧を数１０ｍＶの単位で制御することは、現実には困難である。このようにトリミング値を記憶するために必要なビット数の増加に見合うだけの効果を期待できないので、上昇幅は約０．１Ｖ以上とすることが好ましい。一方、上昇幅を０．４Ｖよりも大きな値（例えば、０．５Ｖ）とした場合、調整後消去／書き込み電圧を段階的に上昇させて、全ての消去単位領域に対する書き換え回数を十分に向上させるには、段階の数が十分でない。このため、上昇幅は約０．４Ｖ以下とすることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
また、フラッシュＥＥＰＲＯＭ６００は、図７に示すように、消去単位領域に対して消去および書き込みを行う前に、エラーフラグ回路６０５に記憶されたエラーフラグをクリアし（ステップＳ７３０）、読み出し判定で異常と判定したときに（ステップＳ２５０のＮＧ）、仮のトリミング値を変更するとともに（ステップＳ５５１）、エラーフラグ回路６０５にエラーフラグをセットする（ステップＳ７５１）。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月13日(2008.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
部品実装装置の実装ヘッドへ着脱する装着部と、前記装着部の中空穴につながるシリンダを内部に備えた本体部と、前記シリンダ内に嵌装されるピストンと、前記ピストンの動きに連動して動作するレバーアセンブリと、前記レバーアセンブリに取り付けられた複数のホルダアームとから構成され、前記ピストンの動きに応じて動作する前記複数のホルダアームにより部品を把持する部品保持機構において、
前記中空穴を介して前記シリンダ内に導入されるエアを、負圧エアと正圧エアの間で切換えることにより前記複数のホルダアームが閉鎖動作から開放動作へ、または開放動作から閉鎖動作へと切換えられ、
前記閉鎖動作におけるホルダアームの部品保持力と、前記開放動作におけるホルダアームの部品把持力とがほぼ等しいことを特徴とする部品保持機構。
【請求項２】
部品実装装置の実装ヘッドへ着脱する装着部と、前記装着部の中空穴につながるシリンダを内部に備えた本体部と、前記シリンダ内に嵌装されるピストンと、前記ピストンの動きに連動して動作するレバーアセンブリと、前記レバーアセンブリに取り付けられた複数のホルダアームとから構成され、前記ピストンの動きに応じて動作する前記複数のホルダアームにより部品を把持する部品保持機構において、
前記本体部が、前記ピストンに対して前記中空穴の反対側に位置するシリンダ内に開口するエア通路をさらに備え、
前記シリンダ内に導入される負圧エアまたは正圧エアの導入を前記中空穴側と前記エア通路側との間で切り換えることにより前記複数のホルダアームが閉鎖動作から開放動作へ、または開放動作から閉鎖動作へと切換えられ、
前記閉鎖動作におけるホルダアームの部品保持力と、前記開放動作におけるホルダアームの部品把持力とがほぼ等しいことを特徴とする部品保持機構。
【請求項３】
前記ピストンを、前記負圧エアまたは正圧エアが導入される側のシリンダ容積が拡がる方向に付勢するスプリングをさらに備えていることを特徴とする、請求項１に記載の部品保持機構。
【請求項４】
実装される部品の対向する少なくとも一対の被係合部に、機械式チャックに設けられた複数のホルダアームを内側または外側から係合させて当該部品を把持する部品保持方法において、
前記機械式チャックが備えているシリンダに正圧エアを導入することにより前記複数のホルダアームを動作して部品を把持することを特徴とする部品保持方法。
【請求項５】
実装される部品の対向する少なくとも一対の被係合部に、機械式チャックに設けられた複数のホルダアームを内側または外側から係合させて当該部品を把持する部品保持方法において、
前記機械式チャックが備えているシリンダに導入されるエアを、正圧エアと負圧エアの間で切り替えることによって前記閉鎖動作、開放動作の間を切換え、
前記閉鎖動作と開放動作との間でほぼ等しい部品把持力を提供することを特徴とする部品保持方法。
【請求項６】
実装される部品の対向する少なくとも一対の被係合部に、機械式チャックに設けられた複数のホルダアームを内側または外側から係合させて当該部品を把持する部品保持方法において、
前記ホルダアームを駆動するために前記機械式チャックのシリンダ内に導入される負圧エアまたは正圧エアを前記シリンダ内に嵌装されたピストンに対して軸方向いずれか一方の側から反対側の他方の側に切り換えることにより前記閉鎖動作、開放動作の間を切り換え、
前記閉鎖動作と開放動作との間でほぼ等しい部品把持力を提供することを特徴とする部品保持方法。
【請求項７】
部品を連続的に供給する部品供給部と、前記部品供給部から部品を取り出して回路基板に実装する実装ヘッドと、前記実装ヘッドを搬送するロボットとを含み、前記実装ヘッドが備える部品保持機構を利用して前記部品供給部から部品を取り出し、基板保持装置に保持された回路基板の実装位置に前記部品を実装する部品実装装置において、
前記部品保持機構が、請求項１から請求項３のいずれか一に記載された部品保持機構であることを特徴とする部品実装装置。
【請求項８】
部品供給部に供給される部品を部品保持機構により取り出し、前記部品を搬送して回路基板の実装位置に実装する部品実装方法において、
請求項４から請求項６のいずれか一に記載の部品保持方法を利用することを特徴とする部品実装方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月17日(2008.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上に形成されたＧａＮ系半導体層と、
該ＧａＮ系半導体層上に埋め込まれ形成されたゲート電極と、
該ゲート電極の両側に形成されたソース電極およびドレイン電極と、
前記ゲート電極と前記ソース電極の間に形成された第１のリセス部と、
前記ゲート電極と前記ドレイン電極の間に形成された第２のリセス部と、を具備し、
前記第１のリセス部の深さが、前記第２のリセス部の深さより浅いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記ＧａＮ半導体層は、前記基板の（０００１）面に形成されたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ＧａＮ半導体層は、ＧａＮ、ＡｌＮおよびＩｎＮの少なくとも１つからなる結晶層または混晶層を含む層であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ＧａＮ系半導体層は、ＧａＮ電子走行層とＡｌＧａＮ電子供給層を含むことを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２のリセス部と前記ドレイン電極の間に前記ＧａＮ系半導体層の凹部を具備すること特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は半導体装置、特に、ＧａＮ系半導体装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑み、高出力動作可能であり高周波数動作可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明によれば、高出力動作可能であり高周波数動作可能な半導体装置を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月6日(2008.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で示される部分構造を有する単核の銅配位化合物を発光材料として用いること特徴とする発光素子。
【化１】
2006286749.tif 000001
［Ｃｕは銅イオンであり、ＰＲ1Ｒ2ＡＰＲ1’Ｒ2’は２座のホスフィン配位子である。
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ1’、Ｒ2’は、水素原子、水素原子がハロゲンに置換されても良い炭素数１０以下の分岐、環状または直鎖状のアルキル基、置換基を有しても良いアルコキシ基、置換基を有しても良い芳香環基、置換基を有しても良いアリールオキシ基、および置換基を有しても良い複素環基であり、それぞれ同じでも異なっていても良く、Ｒ1とＲ2、Ｒ1’とＲ2’は、互いに結合し環を形成してもよい。
Ｌ1およびＬ2は炭素、酸素、リン、硫黄、ハロゲンから選ばれる元素を配位原子とする配位子であり、それぞれ同じでも異なっていても良い。］
【請求項２】
前記部分構造が、下記一般式（２）で示されること特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【化２】
2006286749.tif 000002
［Ｘ1ＢＸ2は２座配位子であり、Ｘ1およびＸ2は、炭素、酸素、リン、硫黄から選ばれる原子であり、それぞれ同じでも異なっていても良い。］
【請求項３】
前記２座のホスフィン配位子ＰＲ1Ｒ2ＡＰＲ1’Ｒ2’が下記式（３）で示されることを特徴とする請求項１または２に記載の発光素子。
【化３】
2006286749.tif 000003
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
Ｌ1およびＬ2は炭素、酸素、リン、硫黄、ハロゲンから選ばれる元素を配位原子とする配位子であり、それぞれ同じでも異なっていても良い。］
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
［Ｘ1ＢＸ2は２座配位子であり、Ｘ1およびＸ2は、炭素、酸素、リン、硫黄から選ばれる原子であり、それぞれ同じでも異なっていても良い。］