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【手続補正書】
【提出日】平成20年1月18日(2008.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
黒鉛粉末（Ａ）からなるリチウム二次電池用負極材料であって、
該黒鉛粉末（Ａ）のタップ密度が０．８ｇ／ｃｍ3以上、１．３５ｇ／ｃｍ3以下であり、表面官能基量Ｏ／Ｃ値が０以上、０．０１以下であり、ＢＥＴ比表面積が２．５ｍ2／ｇ以上、７．０ｍ2／ｇ以下であり、ラマンＲ値が０．０２以上、０．０５以下である
ことを特徴とする、リチウム二次電池用負極材料。
・表面官能基量Ｏ／Ｃ値：
Ｘ線光電子分光法分析に於いて、Ｃ１ｓとＯ１ｓのスペクトルのピーク面積を求め、これに基づいてＣとＯの原子濃度比Ｏ／Ｃ（Ｏ原子濃度／Ｃ原子濃度）を算出し、この値を表面官能基量Ｏ／Ｃ値とする。
・ラマンＲ値：
ラマンスペクトル分析に於いて、１５８０ｃｍ-1付近のピークＰAの強度ＩAと、１３６０ｃｍ-1付近のピークＰBの強度ＩBを測定し、その強度比Ｒ（Ｒ＝ＩB／ＩA）を算出し、この値をラマンＲ値とする。
【請求項２】
該黒鉛粉末（Ａ）の体積基準平均粒径が１０μｍ以上、５０μｍ以下であり、体積基準における９０％粒径と１０％粒径との比（ｄ90／ｄ10）が１．５以上、４．０以下であることを特徴とする、請求項１記載のリチウム二次電池用負極材料。
【請求項３】
該黒鉛粉末（Ａ）が、天然黒鉛を処理して得られる
ことを特徴とする、請求項１又は請求項２に記載のリチウム二次電池用負極材料。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか一項に記載の負極材料に、天然黒鉛、人造黒鉛、非晶質被覆黒鉛、樹脂被覆黒鉛、及び非晶質炭素の中から選ばれる一種以上の炭素材料（Ｂ）を混合してなる、リチウム二次電池用負極材料であって、
黒鉛粉末（Ａ）及び炭素材料（Ｂ）の総量に対する炭素材料（Ｂ）の割合が５重量％以上、９５重量％以下である
ことを特徴とする、リチウム二次電池用負極材料。
【請求項５】
炭素材料（Ｂ）が、
（ｉ）天然黒鉛粒子を黒鉛化可能な炭素質であるバインダが熱処理されたものにより一部ないし全てが被覆された炭素材料、及び、
（ii）黒鉛化可能な炭素質であるバインダが熱処理されたものにより天然黒鉛粒子同士が結合された炭素材料
からなる群より選ばれる少なくとも一つ以上の炭素材料であるとともに、
黒鉛粉末（Ａ）及び炭素材料（Ｂ）の総量に対する炭素材料（Ｂ）の割合が１０重量％以上、９０重量％以下である
ことを特徴とする、請求項４記載のリチウム二次電池用負極材料。
【請求項６】
リチウム二次電池用負極材料を製造する方法であって、
タップ密度が０．８ｇ／ｃｍ3以上、１．３５ｇ／ｃｍ3以下であり、ＢＥＴ比表面積が３．５ｍ2／ｇ以上、１１．０ｍ2／ｇ以下であり、真密度が２．２５ｇ／ｃｍ3以上である天然黒鉛を、１６００℃以上、３２００℃以下で熱処理することにより、表面官能基量Ｏ／Ｃ値が０．０１以下の黒鉛粉末（Ｃ）を得る
ことを特徴とする、リチウム二次電池用負極材料の製造方法。
【請求項７】
該天然黒鉛が、球形化処理された黒鉛粉末である
ことを特徴とする、請求項６記載のリチウム二次電池用負極材料の製造方法。
【請求項８】
該熱処理後の黒鉛粉末（Ｃ）と、天然黒鉛、人造黒鉛、非晶質被覆黒鉛、樹脂被覆黒鉛、及び非晶質炭素の中から選ばれる少なくとも一つ以上の炭素材料（Ｂ）とを、（Ｃ）及び（Ｂ）の総量に対して（Ｂ）の割合が５重量％以上、９５重量％以下となるように混合する
ことを特徴とする、請求項６又は請求項７に記載のリチウム二次電池用負極材料の製造方法。
【請求項９】
炭素材料（Ｂ）が、
（ｉ）天然黒鉛粒子を黒鉛化可能な炭素質であるバインダが熱処理されたものにより一部ないし全てが被覆された炭素材料、及び、
（ii）黒鉛化可能な炭素質であるバインダが熱処理されたものにより天然黒鉛粒子同士が結合された炭素材料
からなる群より選ばれる少なくとも一つ以上の炭素材料であるとともに、
黒鉛粉末（Ｃ）及び炭素材料（Ｂ）の総量に対する炭素材料（Ｂ）の割合が１０重量％以上、９０重量％以下となるように混合する
ことを特徴とする、請求項８記載のリチウム二次電池用負極材料の製造方法。
【請求項１０】
集電体と、該集電体上に形成された活物質層とを備えると共に、
該活物質層が、請求項１〜５の何れか一項に記載のリチウム二次電池用負極材料を含有する
ことを特徴とする、リチウム二次電池用負極。
【請求項１１】
集電体と、該集電体上に形成された活物質層とを備えると共に、
該活物質層が、請求項６〜９の何れか一項に記載の方法によって製造されたリチウム二次電池用負極材料を含有する
ことを特徴とする、リチウム二次電池用負極。
【請求項１２】
リチウムイオンを吸蔵・放出可能な正極及び負極、並びに電解質を備えると共に、
該負極が、請求項１０又は請求項１１に記載のリチウム二次電池用負極である
ことを特徴とする、リチウム二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
円形度（相当円の周囲長／粒子投影面積を持つ円の周囲長）としては、フロー式粒子像分析装置（例えば、シスメックス社製ＦＰＩＡ）を用い、測定対象（ここでは黒鉛材料）０．２ｇを界面活性剤であるポリオキシエチレン（２０）ソルビタンモノラウレートの０．２体積％水溶液（約５０ｍｌ）に混合し、２８ｋＨｚの超音波を出力６０Ｗで１分間照射した後、検出範囲を０．６〜４０μｍに指定し、１０〜４０μｍの範囲の粒子について測定した値を用いることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５３】
混合により得られた実施例５の負極材料の物性を測定したところ、メジアン径１９μｍ、ｄ90／ｄ10＝２．５、タップ密度１．０ｇ／ｃｍ3、表面官能基量Ｏ／Ｃ値０．０１５
、ＢＥＴ比表面積５．７ｍ2／ｇ、ラマンＲ値０．１１、ラマン半値幅２１．３ｃｍ-1
、円形度０．９４であった。なお、メジアン径、タップ密度、ＢＥＴ比表面積、表面官能基量Ｏ／Ｃ値、ラマンＲ値、ラマン半値幅、円形度は、前記記載の手法にて測定した値を用いた。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月10日(2008.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
封着機能を有する絶縁層と、導通可能な導電層とを少なくとも含む複層構造が放電プラズマ焼結法により形成されていることを特徴とする封止用機能性傾斜材料。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
実施例１では、ＳＰＳ法を用いて、絶縁層と導電層を繋ぐ緩衝層に含有される絶縁粒子が溶融して一体化することにより、従来の常圧焼成法や熱間等方圧加圧（ＨＩＰ）法に比較して、大幅に層間の結合力が大きくなり強度の大きい封止用機能性傾斜材料ＦＧＭが得られる。また、焼成時、加圧を行いながら、パルス電圧を印加することで絶縁層、導電層、および緩衝層に含有される絶縁性物質および導電性物質の間にパルス電流が流れることで、粒子間の結合力が強まりクラックのない、封止用機能性傾斜材料ＦＧＭが作成できたものと考えられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
実施例２の封止用機能性傾斜材料を用いて直管状の気密容器を封止して管形ハロゲン電球を試作して1500時間点灯結果、クラックの発生はなかった。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月25日(2008.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁放射を吸収することができる吸収材と、
第１の導電性表面を含む第１の基材と、
前記第１の基材の第１の導電性表面に対向し且つ面する第２の導電性表面を含む第２の基材と、
前記第２の基材の第２の導電性表面と電気的に導通するが、前記第１の基材から電気的に絶縁されている電子トランスポータと、
前記第１の基材の第１の導電性表面と電気的に導通するが、前記第２の基材から電気的に絶縁されている正孔トランスポータと、
を備え、前記正孔トランスポータ及び／又は前記電子トランスポータが電気絶縁シースに化学結合され、前記正孔トランスポータ及び／又は前記電子トランスポータが前記吸収材に化学結合されることを特徴とする光電池。
【請求項２】
前記第１の基材及び／又は前記第２の基材は、波長が３００〜１，１００ナノメートルである光に対して透過性である請求項１に記載の光電池。
【請求項３】
前記第１の基材の導電性表面が、前記光電池の外部にある電子回路を介して前記第２の基材の導電性表面と電気的に導通している請求項１又は２に記載の光電池。
【請求項４】
前記第１及び／又は前記第２の基材の導電性表面が、金属、半導体、ドープ半導体、固有導電性ポリマー、又は前記材料の少なくとも１つを含む組み合わせを含むことができる導電性材料の１つ又はそれ以上の層を備える請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光電池。
【請求項５】
前記電子トランスポータ及び正孔トランスポータが、２ナノメートル以上の特徴寸法を有する交互嵌合フィンガーの形態である請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光電池。
【請求項６】
前記正孔トランスポータ及び前記電子トランスポータが、固有導電性ポリマーを含む請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光電池。
【請求項７】
電気絶縁分子に任意選択的に結合される電子トランスポータと、
電気絶縁分子に任意選択的に結合される正孔トランスポータと、
電磁放射を吸収することができる吸収材と、
を含み、前記吸収材が、前記電子トランスポータ及び前記正孔トランスポータに化学的に結合することを特徴とする光起電組成物。
【請求項８】
前記吸収材が、吸収分子と１つ又はそれ以上の電荷セパレータとを含み、前記電荷セパレータが前記吸収分子に化学結合し、更に、前記電荷セパレータが、置換フェノチアジン成分、置換カルバゾール成分、置換ジベンゾカルコフェン成分、又は前記電荷セパレータの少なくとも１つを含む組み合わせである請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
前記吸収分子が、波長７００〜１，１００ナノメートルの電磁放射を吸収することができる少なくとも１つの長波長吸収分子と、波長３００〜７００ナノメートルの電磁放射を吸収することができる少なくとも１つの短波長吸収分子とを含む請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
電磁放射を吸収することができる吸収材と、電子トランスポータ及び／又は正孔トランスポータと、及び／又は電気絶縁分子とを含む組成物をブレンドする段階と、
前記組成物を基材上に堆積する段階と、
を含む光電池の製造方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年12月3日(2007.12.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスであって、
ワークピースと、
前記ワークピース上の第一絶縁層と、
前記第一絶縁層中の少なくとも一つの第一導電線と、
前記第一絶縁層と前記少なくとも一つの第一導電線上の第一キャップ層と、
からなり、
前記第一キャップ層は、非導電性で、少なくとも一つの第一金属成分からなることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項２】
前記第一キャップ層は、第一窒化金属MNyからなり、Mは第一金属成分で、Nは窒素、yは１以上であることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記第一キャップ層は、第一酸化金属か、第一酸窒化金属からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記第一キャップ層の前記第一金属成分は、Ta、或いは、Ruからなることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記第一キャップ層の前記第一金属成分は、Sc、Ti、V、Cr、Ce、Y、Mo、W、In、Al、及び、Gaからなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項６】
前記第一キャップ層は、前記少なくとも一つの第一導電線上に第一界面領域を有し、前記第一界面領域は、導電相で、前記第一キャップ層の前記第一金属成分からなり、前記第一界面領域は、非導電相で、前記第一キャップ層の前記第一金属成分からなり、前記第一界面領域は、５×１０４μオームセンチ以上の抵抗で、前記第一キャップ層は、第一厚さを有し、前記第一界面領域は、第二厚さを有し、前記第二厚さは、前記第一厚さの三分の一かそれ以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項７】
更に、
前記第一キャップ層上の少なくとも一つの第二絶縁層と、
前記第二絶縁層に形成される少なくとも一つの第二導電線と、
前記第二絶縁層と前記第二導電線上の少なくとも一つの第二キャップ層と、
からなり、
前記少なくとも一つの第二キャップ層は、非導電性で、少なくとも一つの第二金属成分からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項８】
前記第二キャップ層は、第ニ窒化金属MNyからなり、Mは第ニ金属成分で、Nは窒素、yは１以上であることを特徴とする請求項７に記載の半導体デバイス。
【請求項９】
前記第二キャップ層は、第二酸化金属、或いは、第二酸窒化金属からなることを特徴とする請求項７に記載の半導体デバイス。
【請求項１０】
前記第二キャップ層は、５×１０４μオームセンチ以上の抵抗を有し、前記少なくとも一つの第二キャップ層の前記少なくとも一つの第二金属成分は、Ta、或いは、Ruからなることを特徴とする請求項７に記載の半導体デバイス。
【請求項１１】
前記第ニキャップ層の前記第ニ金属成分は、Sc、Ti、V、Cr、Ce、Y、Mo、W、In、Al、及び、Gaからなる群から選択されることを特徴とする請求項７に記載の半導体デバイス。
【請求項１２】
前記第ニキャップ層は、前記少なくとも一つの第ニ導電線上に、第ニ界面領域を有し、前記第ニ界面領域は、導電相で、前記第ニキャップ層の前記少なくとも一つの第ニ金属成分からなり、前記第二キャップ層は、５×１０４μオームセンチ以上の抵抗で、前記第ニキャップ層は、第一厚さを有し、前記第ニ界面領域は、第二厚さを有し、前記第二厚さは、前記第一厚さの三分の一かそれ以下であることを特徴とする請求項７に記載の半導体デバイス。  
【請求項１３】
前記第一キャップ層は、Ta Ox Ny、或いは、Ru Ox Nyからなることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項１４】
半導体デバイスであって、
ワークピースと、
前記ワークピース上の第一絶縁層と、
前記第一絶縁層中に形成された少なくとも一つの第一導電線と、
前記第一絶縁層と前記少なくとも一つの第一導電線上の第一キャップ層と、
からなり、
前記第一キャップ層は、MOx Nyからなり、Mは少なくとも一つの第一金属成分からなることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１５】
前記第一キャップ層の前記第一金属成分は、Ta、或いは、Ruからなることを特徴とする請求項１４に記載の半導体デバイス。
【請求項１６】
前記第一キャップ層の前記第一金属成分は、Sc、Ti、V、Cr、Ce、Y、Mo、W、In、Al、及び、Gaからなる群から選択されることを特徴とする請求項１４に記載の半導体デバイス。
【請求項１７】
前記第一キャップ層は、約１０〜６００Åの第一厚さを有し、前記第一キャップ層は、前記少なくとも一つの第一導電線上に、第一界面領域を有し、前記第一界面領域は、第二厚さを有し、前記第二厚さは、前記第一厚さの三分の一、或いは、それ以下であることを特徴とする請求項１４に記載の半導体デバイス。
【請求項１８】
前記第一キャップ層は、非導電性で、前記第一キャップ層は、前記少なくとも一つの第一導電線上に、第一界面領域を有し、前記第一界面領域は、導電相で、前記第一キャップ層の前記第一金属成分からなり、前記第一界面領域は、非導電相で、前記第一キャップ層の前記第一金属成分からなり、前記第一界面領域は、５×１０４オームセンチ以上の抵抗で、前記第一キャップ層は、５×１０４μオームセンチ以上の抵抗を有することを特徴とする請求項１４に記載の半導体デバイス。
【請求項１９】
前記第一キャップ層は、Ta Ox Ny、或いは、Ru Ox Nyからなることを特徴とする請求項１４に記載の半導体デバイス。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
第一キャップ層１１２が、第一窒化金属M Nyからなる場合、yは、好ましくは、１以上である。言い換えると、N：M＝１：１以上であるか、或いは、原子百分率で、窒素Nの比率は、第一金属Mの比率より大きい。一具体例において、第一キャップ層は、５×１０４μオームセンチ以上の抵抗を有する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
第一界面領域１１４は、好ましくは、第一キャップ層１１２内に、金属Mを有する。第一界面領域１１４の厚さｔ2は、好ましくは、ｔ1の三分の一、或いは、それ以下で、ｔ1は、第一キャップ層１１２の厚さである。第一界面領域１１４は、少なくとも一つの第一導電線１１０の上表面で、金属と金属の接着を形成する。第一界面領域１１４は、本発明の具体例において、ほぼ純粋な金属、或いは、導電相で、第一キャップ層１１２の第一金属Mからなる。もう一つの具体例において、第一界面領域１１４は、非導電性で、５×１０４μオームセンチ以上の抵抗を有する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４９】
図１０で示されないが、界面領域が、第一キャップ層４１２、第二キャップ層４２６、或いは、両方の中に形成され、少なくとも一つの導電線４１０と４２４に隣接する。界面領域は、導電、或いは、非導電性で、好ましくは、第一キャップ層４１２と第二キャップ層４２６の金属からなる。一具体例において、界面領域は、５×１０４μオームセンチ以上の抵抗を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月8日(2008.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の表面のトランジスタとなる領域に形成された、前記トランジスタのチャネル方向と平行に配置された第１の凹の領域および第１の凸の領域と、前記第１の凹の領域の両端にそれぞれ連結されて配置された第２の凹の領域とを有するトレンチ領域と、
前記トランジスタとなる領域に前記第１の凹の領域および前記第２の凹の領域よりも前記半導体基板の表面からみて深く形成された第２導電型のウェル領域と、
前記第１の凹の領域および前記第１の凸の領域の両端部分を除いてその表面に配置されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に接して設けられたゲート電極と、
前記第１の凹の領域および前記第１の凸の領域の両端部分と前記第２の凹の領域に配置された、前記ウェル領域より浅く設けられた第１導電型のソース領域およびドレイン領域とを有する半導体装置。
【請求項２】
前記第１の凸の領域は、前記トランジスタの動作時に内部まですべて空乏化する前記チャネル方向と垂直な方向の長さである幅を有する請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
半導体基板の表面に長さ方向がゲート長方向と平行なトレンチが形成された第１トレンチ領域と、
前記第１トレンチ領域の凹部底面と同一平面に前記第１トレンチ領域の長さ方向の両端に接して設けられた第２トレンチ領域および第３トレンチ領域と、
前記第１トレンチ領域および前記第２トレンチ領域あるいは前記第３トレンチ領域の少なくとも１領域に形成された第２導電型のウェル領域と、
前記第１トレンチ領域に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に接して設けられたゲート電極と、
前記第１トレンチと前記第２トレンチ領域と前記第３トレンチ領域に前記ウェル領域より浅く設けられた第１導電型のソース領域およびドレイン領域とを有する半導体装置。
【請求項４】
DDD構造を有する請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
LDMOS構造を有する請求項３に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第1トレンチ領域の凸部の幅が1000A程度である請求項３から請求項５のいずれか1項に記載の半導体装置。
【請求項７】
ツインウェル技術を併合した請求項３から請求項６のいずれか1項に記載の半導体装置。
【請求項８】
導電型を反転した請求項３から請求項７のいずれか1項に記載の半導体装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８に記載の半導体装置の製造方法であって、前記トレンチ領域形成後に多方向からによる斜めイオン注入によって前記ウェル領域を形成する半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から請求項８に記載の半導体装置の製造方法であって、前記トレンチ領域形成後に多方向からによる斜めイオン注入によって前記ソース領域と前記ドレイン領域を形成する半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１から請求項８に記載の半導体装置の製造方法であって、前記半導体基板の表面にイオン注入によって第２導電型半導体領域を作成する工程と、前記半導体基板の表面に半導体をエピタキシャル成長させる工程と、前記のエピタキシャル成長させた半導体表面にイオン注入によって第２導電型半導体領域を作成する工程により、前記ウェル領域を作成する工程を有する半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月4日(2008.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】配線基板の作製方法及び薄膜トランジスタの作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理物を形成し、
前記被処理物の表面の一部を改質して、第１の領域と、前記第１の領域と境界線を有する第２の領域とを形成し、
前記境界線を越えて、前記第１の領域の一部及び前記第２の領域に連続的に導電性材料を含む組成物を吐出し、
前記組成物を固化して導電層を形成し、
前記導電層に接着面を有する物質の前記接着面を接着し、
前記接着面を有する物質、及び前記境界線を越えて前記第１の領域の一部に形成された導電層を剥離することを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項２】
被処理物を形成し、
前記被処理物の表面の一部を光の照射により改質して、第１の領域と、前記第１の領域と境界線を有する第２の領域とを形成し、
前記境界線を越えて、前記第１の領域の一部及び前記第２の領域に連続的に導電性材料を含む組成物を吐出し、
前記組成物を固化して導電層を形成し、
前記導電層に接着面を有する物質の前記接着面を接着し、
前記接着面を有する物質、及び前記境界線を越えて前記第１の領域の一部に形成された導電層を剥離することを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項３】
請求項１または２において、前記被処理物の表面の一部を改質することによって、前記第２の領域は前記第１の領域より前記導電層に対する密着性が高くなることを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記光はレーザ光を用いることを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記被処理物はフッ素炭素鎖を有する材料であることを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項６】
被処理物を形成し、
前記被処理物の表面の一部を改質して、第１の領域と、前記第１の領域と境界線を有する第２の領域とを形成し、
前記境界線を越えて、前記第１の領域の一部及び前記第２の領域に連続的に導電性材料を含む組成物を吐出し、
前記組成物を固化してゲート電極層を形成し、
前記導電層に接着面を有する物質の前記接着面を接着し、
前記接着面を有する物質、及び前記境界線を越えて前記第１の領域の一部に形成されたゲート電極層を剥離することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項７】
被処理物を形成し、
前記被処理物の表面の一部を光の照射により改質して、第１の領域と、前記第１の領域と境界線を有する第２の領域とを形成し、
前記境界線を越えて、前記第１の領域の一部及び前記第２の領域に連続的に導電性材料を含む組成物を吐出し、
前記組成物を固化してゲート電極層を形成し、
前記導電層に接着面を有する物質の前記接着面を接着し、
前記接着面を有する物質、及び前記境界線を越えて前記第１の領域の一部に形成されたゲート電極層を剥離することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項８】
請求項６または７において、前記被処理物の表面の一部を改質することによって、前記第２の領域は前記第１の領域より前記ゲート電極層に対する密着性が高くなることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれか一項において、前記光はレーザ光を用いることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１０】
請求項６乃至９のいずれか一項において、前記被処理物はフッ素炭素鎖を有する材料であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月7日(2008.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に第１の素子群と第２の素子群を含む層を形成し、
前記第１の素子群に前記剥離層に達する第１の開口部を、前記第２の素子群に前記剥離層に達する第２の開口部を、それぞれ形成し、
前記第１の素子群と前記第２の素子群の間の領域上に、当該領域と重なる材料体を形成し、
前記第１の開口部及び前記第２の開口部にエッチング剤を導入して、前記第１の素子群と前記第２の素子群の間の領域と重なる前記剥離層の一部が残存するように前記剥離層を選択的に除去し、
前記絶縁表面を有する基板から前記第１の素子群及び前記第２の素子群を切り離すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記絶縁表面を有する基板から前記第１の素子群及び前記第２の素子群を切り離すことによって、前記第１の素子群及び前記第２の素子群から前記材料体を切り離すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の素子群及び前記第２の素子群は、それぞれ半導体素子を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記材料体の上面形状は、前記第１の素子群及び前記第２の素子群をそれぞれ囲む格子形状であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面を有する基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に第１の薄膜集積回路及び第２の薄膜集積回路を含む層を形成し、
前記第１の薄膜集積回路に前記剥離層に達する第１の開口部を、前記第２の薄膜集積回路に前記剥離層に達する第２の開口部を、それぞれ形成し、
前記第１の薄膜集積回路及び前記第２の薄膜集積回路を含む層上であって、前記第１の薄膜集積回路と前記第２の薄膜集積回路の境界に材料体を形成し、
前記第１の開口部及び前記第２の開口部にエッチング剤を導入して、前記材料体の下方の前記剥離層の一部が残存するように前記剥離層を選択的に除去し、
前記絶縁表面を有する基板から前記第１の薄膜集積回路及び前記第２の薄膜集積回路を切り離すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記絶縁表面を有する基板から前記第１の薄膜集積回路及び前記第２の薄膜集積回路を切り離すことによって、前記第１の薄膜集積回路及び前記第２の薄膜集積回路から前記材料体を切り離すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
絶縁表面を有する基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に複数の薄膜集積回路を含む層を形成し、
前記複数の薄膜集積回路を含む層に、前記剥離層に達する第１の開口部及び第２の開口部を形成し、
前記複数の薄膜集積回路を含む層上であって、隣り合う薄膜集積回路の境界に材料体を形成し、
前記第１の開口部及び前記第２の開口部にエッチング剤を導入して、前記材料体の下方の前記剥離層の一部が残存するように前記剥離層を選択的に除去し、
前記複数の薄膜集積回路を、接着面を備える基体へ転置し、
前記複数の薄膜集積回路を個々に分断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記複数の薄膜集積回路を前記接着面を備える基体へ転置することによって、前記複数の薄膜集積回路から前記材料体を切り離すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項３及び請求項５乃至請求項８のいずれか一項において、
前記材料体の上面形状は、前記絶縁表面を有する基板の一辺と平行な直線形状であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記エッチング剤としてフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記第１の開口部及び前記第２の開口部は、多数の穴であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記第１の開口部及び前記第２の開口部は、多数の溝であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記材料体をスクリーン印刷法または液滴吐出法により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記材料体は、前記エッチング剤と化学反応しない材料であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記材料体として樹脂を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
第１のフィルムと、
第２のフィルムと、
前記第１のフィルムと前記第２のフィルムとの間に、第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に設けられた半導体素子を含む層と、前記半導体素子を含む層を覆う第２の絶縁膜と、を有し、
前記第１のフィルムは、前記第１の絶縁膜と接し、且つ、前記第２のフィルムは前記第２の絶縁膜と接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
第１のフィルムと、
第２のフィルムと、
前記第１のフィルムと前記第２のフィルムとの間に、第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に設けられた半導体素子およびアンテナを含む層と、前記半導体素子および前記アンテナを含む層を覆う第２の絶縁膜と、を有し、
前記第１のフィルムは、前記第１の絶縁膜と接し、且つ、前記第２のフィルムは前記第２の絶縁膜と接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１６又は請求項１７において、
前記第１の絶縁膜は、窒化珪素または酸化珪素を主成分とする無機絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
第１のフィルムと、
第２のフィルムと、
前記第１のフィルムと前記第２のフィルムとの間に、絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に設けられた半導体素子を含む層と、前記半導体素子を含む層上に設けられたアンテナと、を有し、
前記第１のフィルムは、前記絶縁膜と接し、且つ、前記第２のフィルムは前記アンテナと接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
請求項１６乃至請求項１９のいずれか一項において、
前記第１のフィルムは積層構造を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２１】
請求項１６乃至請求項２０のいずれか一項において、
前記第２のフィルムは積層構造を有していることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月9日(2008.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＩＣチップの作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一方の面上に、複数の素子、導電層及び絶縁膜を含む薄膜集積回路を形成し、
前記薄膜集積回路上にフィルムを設け、
前記基板の他方の面を研削し、
研削した前記基板の他方の面を研磨し、
前記基板と前記薄膜集積回路が含む前記絶縁膜を切断して、前記基板と前記薄膜集積回路が積層されたＩＣチップを複数形成し、
前記ＩＣチップの間に隙間が形成されるように前記フィルムを延伸させることを特徴とするＩＣチップの作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記フィルムを延伸させた後、前記ＩＣチップが分離されるように前記フィルムを切断し、
前記フィルムが接着された前記ＩＣチップを第１のテープの凹部に設け、
前記第１のテープに接するように第２のテープを設けることを特徴とするＩＣチップの作製方法。
【請求項３】
基板の一方の面上に、複数の素子、導電層及び絶縁膜を含む薄膜集積回路を形成し、
前記薄膜集積回路上に第１のフィルムを設け、
前記第１のフィルム上に第２のフィルムを設け、
前記基板の他方の面を研削し、
研削した前記基板の他方の面を研磨し、
前記基板、前記薄膜集積回路が含む前記絶縁膜及び前記第１のフィルムを切断して、前記基板、前記薄膜集積回路及び前記第１のフィルムが積層されたＩＣチップを複数形成し、
前記ＩＣチップの間に隙間が形成されるように前記第２のフィルムを延伸させることを特徴とするＩＣチップの作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記第２のフィルムを延伸させた後、前記第２のフィルムと前記ＩＣチップを分離し、
前記ＩＣチップの一方の面を第３のフィルムに接着させ、
前記ＩＣチップの他方の面を第４のフィルムに接着させることを特徴とするＩＣチップの作製方法。
【請求項５】
請求項３において、
前記第２のフィルムを延伸させた後、前記ＩＣチップの一方の面と前記第２のフィルムとの密着性が弱くなるように、前記第２のフィルムに光を照射し、
前記第２のフィルムと前記ＩＣチップを分離し、
前記ＩＣチップの一方の面上に第３のフィルムを設け、
前記ＩＣチップの他方の面上に第４のフィルムを設け、
加熱処理と加圧処理の少なくとも一方を行って、前記ＩＣチップを前記第３のフィルムと前記第４のフィルムにより封止することを特徴とするＩＣチップの作製方法。
【請求項６】
請求項３において、
前記第２のフィルムを延伸させた後、前記第２のフィルムに光を照射し、前記ＩＣチップの他方の面上に第３のフィルムを設け、
前記第３のフィルムを加熱して、前記ＩＣチップの他方の面を前記第３のフィルムに接着させることにより、前記ＩＣチップの一方の面と前記第２のフィルムを分離し、
前記ＩＣチップの他方の面を第４のフィルムに接着させることを特徴とするＩＣチップの作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記基板の厚さが１００μｍ以下になるまで、前記基板の他方の面を研削することを特徴とするＩＣチップの作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記基板の厚さが２０μｍ以下になるまで、研削した前記基板の他方の面を研磨することを特徴とするＩＣチップの作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記基板はガラス基板であることを特徴とするＩＣチップの作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記導電層はアンテナとして機能することを特徴とするＩＣチップの作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月16日(2008.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に少なくとも発光層を備え、前記発光層からの光を一方の前記電極で反射させるとともに他方の前記電極から出射させる有機ＥＬ装置であって、
白表示における発光色度と、非点灯時における外光の反射色度とが、補色関係にあることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
一対の電極間に少なくとも発光層を備え、前記発光層からの光を一方の前記電極で反射させるとともに他方の前記電極から出射させる有機ＥＬ装置であって、
ＣＩＥ１９３１表色系におけるＣ光源白色の色度（ＸＣ，ＹＣ）に対して、白表示における発光色度（ＸＥＬ，ＹＥＬ）がＸＥＬ＞ＸＣかつＹＥＬ＞ＹＣである場合に、非点灯時におけるＣ光源２度視野の反射色度（ＸＲ，ＹＲ）がＸＲ＜ＸＣかつＹＲ＜ＹＣであることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項３】
一対の電極間に少なくとも発光層を備え、前記発光層からの光を一方の前記電極で反射させるとともに他方の前記電極から出射させる有機ＥＬ装置であって、
ＣＩＥ１９３１表色系におけるＣ光源白色の色度（ＸＣ，ＹＣ）に対して、白表示における発光色度（ＸＥＬ，ＹＥＬ）がＸＥＬ＜ＸＣかつＹＥＬ＜ＹＣである場合に、非点灯時におけるＣ光源２度視野の反射色度（ＸＲ，ＹＲ）がＸＲ＞ＸＣかつＹＲ＞ＹＣであることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項４】
前記他方の電極の外側に、入射する外光を円偏光に変換する円偏光板が配置されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の有機ＥＬ装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、一対の電極間に少なくとも発光層を備え、前記発光層からの光を一方の前記電極で反射させるとともに他方の前記電極から出射させる有機ＥＬ装置であって、
ＣＩＥ１９３１表色系におけるＣ光源白色の色度（ＸＣ，ＹＣ）に対して、白表示における発光色度（ＸＥＬ，ＹＥＬ）がＸＥＬ＞ＸＣかつＹＥＬ＞ＹＣである場合に、非点灯時におけるＣ光源２度視野の反射色度（ＸＲ，ＹＲ）がＸＲ＜ＸＣかつＹＲ＜ＹＣであることを特徴とする。
この構成によれば、有機ＥＬ装置が黄味を帯びた白表示を行う場合に、非点灯時における外光の反射色度が青味を帯びるように設定する。この場合、両者が補色関係にあるので、理想的な白表示を実現することができる。したがって、外光が存在する通常の環境下において、カラーバランスのとれた高画質の表示を実現することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、一対の電極間に少なくとも発光層を備え、前記発光層からの光を一方の前記電極で反射させるとともに他方の前記電極から出射させる有機ＥＬ装置であって、ＣＩＥ１９３１表色系におけるＣ光源白色の色度（ＸＣ，ＹＣ）に対して、白表示における発光色度（ＸＥＬ，ＹＥＬ）がＸＥＬ＜ＸＣかつＹＥＬ＜ＹＣである場合に、非点灯時におけるＣ光源２度視野の反射色度（ＸＲ，ＹＲ）がＸＲ＞ＸＣかつＹＲ＞ＹＣであることを特徴とする。
この構成によれば、有機ＥＬ装置が青味を帯びた白表示を行う場合に、非点灯時における外光の反射色度が黄味を帯びるように設定する。この場合にも、両者が補色関係にあるので、理想的な白表示を実現することができる。したがって、外光が存在する通常の環境下において、カラーバランスのとれた高画質の表示を実現することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月12日(2008.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スルホン化されたプロトン伝導性高分子からなる電解質膜であって、下記数式（１）で定義した該プロトン伝導性高分子の吸水膜スルホン酸基体積密度が１．４５ｍｍｏｌ／ｃｍ２以上、６．０ｍｍｏｌ／ｃｍ３以下であることを特徴とする高分子電解質膜。
数式（１）
（吸水膜スルホン酸基体積密度）＝（絶乾膜スルホン酸基体積密度）
／｛１＋（吸水率）／１００×（絶乾膜密度）｝
数式（１）において、絶乾膜スルホン酸基重量密度、絶乾膜スルホン酸基体積密度、吸水率は、それぞれ下記数式（２）〜（４）で定義した。
数式（２）
（絶乾膜スルホン酸基重量密度）＝（スルホン酸基モル数）／（絶乾膜重量）
数式（３）
（絶乾膜スルホン酸基体積密度）＝（絶乾膜スルホン酸基重量密度）×（絶乾膜密度）
数式（４）
（吸水率）＝（膜中の水重量）／（絶乾膜重量）×１００
【請求項２】
下記数式（５）で定義した該プロトン伝導性高分子の含水率が２ｗｔ％以上、３５ｗｔ％以下であることを特徴とする請求項１に記載の高分子電解質膜。
数式（５）
（含水率）＝（膜中の水重量）／（吸水膜重量）×１００
【請求項３】
該プロトン伝導性高分子の３０ｗｔ％メタノール水溶液膨潤率が１．１５以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の高分子電解質膜。
【請求項４】
該プロトン伝導性高分子を膜へ転化する方法として、該高分子の溶液を乾燥して溶媒を除去し、スルホン酸基のプロトンを金属で置換して−ＳＯ３Ｍ型（Ｍは金属）とした後、高温で熱処理し、再度プロトン置換して膜とすることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の高分子電解質膜。
【請求項５】
金属Ｍが２価以上の金属であることを特徴とする請求項４に記載の高分子電解質膜。
【請求項６】
該プロトン伝導性高分子が、炭化水素系高分子であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の高分子電解質膜。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月25日(2008.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  接地プレート（２）と接地プレート（２）からある距離に配置され、接地プレート（２）にほぼ平行であり、一方の端ゾーンで前記接地プレートに導電接続されているラジエータ（３）とを有するフラットアンテナ構成（プレートアンテナ構成、パッチアンテナ構成）であって、アンテナ構成（１）の第１（より低い）共振周波数において、ラジエータと接地プレート（２）の接続点で最小電圧が生じ、ラジエータの他端（自由端）の領域で、第１最大電圧が生じ、他のより高い共振周波数では、最小電圧と第２最大電圧が、それぞれ、ラジエータ（３）の前述した端で生じ、ラジエータの自由端（６）の領域が、ラジエータの他端（７）に容量結合されており、したがって、他の共振周波数が、前述した容量結合が存在するとき、第１共振周波数の値の３倍に比例して低減されることを特徴とする、フラットアンテナ構成。
【請求項２】  容量値と容量結合の接続点が、第２共振周波数が少なくとも第１共振周波数の２倍にほぼ近くなるように選択されていることを特徴とする、請求項１に記載のアンテナ構成。
【請求項３】  容量結合と他点が、第１共振周波数が第２共振周波数より低く低減されるように選択されていることを特徴とする、請求項１および２に記載のアンテナ構成。
【請求項４】  容量結合が行われているラジエータ（３）の前述した他点が、第２共振周波数で、ラジエータ上の第１最大電圧の付近に配置されていることを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載のアンテナ構成。
【請求項５】  前述した他点が、接地プレート（２）への接続点から測定して、ラジエータ（３）の直線的長さの約１／３のところに位置することを特徴とする、請求項４に記載のアンテナ構成。
【請求項６】  ラジエータ（３）が、円形でなく、角のある、ほぼＣの形状である形態を含めて、少なくとも部分的にＣの概形を有することを特徴とする、請求項１から５のいずれか一項に記載のアンテナ構成。
【請求項７】  ラジエータの形態が、自由端が、所望する他のキャパシタンスの接続に対応するラジエータの点に隣接するように選択されていることを特徴とする、請求項１から６のいずれか一項に記載のアンテナ構成。
【請求項８】  容量結合が、誘電材料を挿入した層で、自由端ゾーンの長さの一部と、容量結合のために設けられている他端でラジエータの一部とを覆う金属片（２０、図５）によって形成され、したがって、容量結合が、２つのキャパシタの直列接続によって形成されていることを特徴とする、請求項１から７のいずれか一項に記載のアンテナ構成。
【請求項９】  アンテナ構成の給電（給電線５）が、複数の周波数帯域に対して、ラジエータ（３）への同じ接続点に設けられていることを特徴とする、請求項１から８のいずれか一項に記載のアンテナ構成。
【請求項１０】  音声伝送、データ伝送、ビデオ伝送の目的の少なくとも１つのために、アンテナを有する、トランシーバを含む手持ち式無線通信装置（１５）であって、アンテナが、請求項１から９のいずれか一項に記載のアンテナ構成（１）によって形成されていることを特徴とする、手持ち式無線通信装置（１５）。
【請求項１１】  アンテナ構成の第２（より高い）共振周波数のみを操作で使用することを特徴とする、請求項１から１０のいずれか一項に記載のアンテナ構成の使用または手持ち式無線装置の設計。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月22日(2008.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  無線トランシーバ（２０）の送信機部分（２１）を制御するための方法であって、前記送信機部分（２１）はＩＱ変調器（２１２）を備え、前記無線トランシーバ（２０）はさらに、ＩＱ復調器（２３１）を備えた受信機部分（２３）を備え、前記無線トランシーバ（２０）は、エアインタフェース（２２）を介した変調情報信号送信専用であり、
前記ＩＱ変調器（２１２）で得られ、前記情報信号の一部に関連するＩＱ変調器の入力のベクトル表現を記憶するステップと、
前記情報信号の前記一部を、前記送信機部分（２１）と前記受信機部分（２３）との間の擬似無線インタフェース（２４１）を交差させ、前記受信機部分（２３）にループするステップと、
前記ＩＱ変調器の入力のベクトル表現と、前記情報信号の一部を前記ＩＱ復調器（２３１）で復調して得られるＩＱ復調器の出力のベクトル表現とを比較することによって誤差ベクトルを推定するステップと、
前記誤差ベクトルに基づいて送信機部分のパラメータを修正するステップとを含み、
前記情報信号の一部が、定義済時間間隔で分離された送信タイムスロットの間に、前記送信機部分から前記受信機部分にループされ、
前記時間間隔の継続期間が、前記誤差ベクトルに関連する値で決まることを特徴とする、無線トランシーバ（２０）の送信機部分（２１）を制御するための方法。
【請求項２】  前記送信機部分のパラメータの修正が、前記推定誤差ベクトルを、前記情報信号の次の部分に関連するＩＱ変調ベクトルに加算することからなることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記無線トランシーバ（２０）が、送信タイムスロット時に前記送信機部分（２１）が情報信号を無線通信網に送信し、前記送信タイムスロットとは異なる受信タイムスロット時に前記受信機部分（２３）が情報信号を前記無線通信網から受信する時分割無線通信網の一部であることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】  前記送信機部分（２１）と前記受信機部分（２３）との間の前記擬似無線インタフェース（２４１）が、結合係数が小さく、かつ、前記ループされた情報信号の一部に対する遅延を生じないカプラを使用することによって実現されることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】  ＩＱ変調器（２１２）を備えた送信機部分（２１）と、ＩＱ復調器（２３１）を備えた受信機部分（２３）を備える無線トランシーバ（２０）であって、前記無線トランシーバ（２０）は、前記ＩＱ変調器（２１２）によって変調された情報信号を、エアインタフェース（２２）を介して送信する送信専用であり、前記無線受信機（２２）はさらに、
エアインタフェースを介した送信専用である情報信号の一部を、擬似無線インタフェース（２４１）を介して前記送信機部分から前記受信機部分へループするための誘導装置と、
前記情報信号の一部に関連するＩＱ変調器の入力のベクトル表現と、前記ループされた情報信号の一部を前記ＩＱ復調器で復調することによって得られるＩＱ復調器の出力のベクトル表現とを比較する誤差ベクトル推定器（２４２）と、
前記送信機のパラメータを、前記誤差ベクトルに基づいて修正する補正手段（１８）とを備え、
前記無線トランシーバがさらに、前記誤差ベクトルに関する値に基づいて決定される時間間隔で、前記擬似無線インタフェースを介した前記情報信号の一部のループ化を可能／不能にするように構成されたテストコントローラ（２４３、２４４）を備えることを特徴とする無線トランシーバ。
【請求項６】  前記ＩＱ変調器が、前記誤差ベクトルを、前記情報信号の次の部分に関連するＩＱ変調ベクトルに加算するための補正手段を備えることを特徴とする請求項５に記載の無線トランシーバ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月9日(2008.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の移動局にサービスする基地局を有する複数のセルからなるセルラ無線通信において、
前記移動局と基地局の少なくとも一方は、
データ信号と、リンクが確立された局から伝搬する付随ノイズと、別のセル内の局から伝搬する干渉信号とを受領する受信器と、
歪んだ受信信号内に付随する障害から送信されたデータシンボルを検出するよう動作するトレリスベースの等化システムと、
前記データの歪みと障害を最小にするよう受信信号を処理する空間−時間フィルタと、
受信信号内の干渉信号のパワーの値とノイズ信号のパワーの値とに関連する所定の基準に応答した切換器と、を有し、
前記切換器が、受信した信号を前記トレリスベースの等化システムと空間−時間フィルタとの間で切り替えることを特徴とするセルラ無線通信システム。
【請求項２】
前記少なくとも一方の局は、基地局であることを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記少なくとも一方の局は、アンテナの列と、前記アンテナの列に関係する受信器とを有し、これにより信号歪みと、ノイズ信号と干渉信号の影響を最小にすることを特徴とする請求項１、２のいずれかに記載のシステム。
【請求項４】
前記トレリスベースの等化システムは、受信信号のデータ信号成分が、シンボル間干渉とガウス分布障害により損傷されることに基づいて動作することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のシステム。
【請求項５】
前記所定の基準は、受信信号内の信号対ノイズ比（ＳＮＲ）の値が、信号対干渉比率（ＳＩＲ）の値を所定量だけ超えた時点であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のシステム。
【請求項６】
前記所定量は、信号対ノイズ比（ＳＮＲ）または信号対干渉比率（ＳＩＲ）の関数であることを特徴とする請求項５記載のシステム。
【請求項７】
前記所定量は、信号対ノイズ比（ＳＮＲ）が信号対干渉比率（ＳＩＲ）よりも大きい場合には、ｈ1ｄＢであり、信号対ノイズ比（ＳＮＲ）が信号対干渉比率（ＳＩＲ）よりも小さい場合にはｈ2ｄＢであり、ｈ1とｈ2は可変数であることを特徴とする請求項５に記載のシステム。
【請求項８】
ｈ1＝ｈ2であることを特徴とする請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記少なくとも一方の基地局は、ノイズ信号と干渉信号の和のパワーを予測するプロセッサを有することを特徴とする請求項１〜８のいすれかに記載のシステム。
【請求項１０】
前記少なくとも一方の局は、
トレーニングシンボルを記憶する記憶装置と、
前記記憶装置からトレーニング信号を受領し、受領した信号内のトレーニング信号と記憶しているトレーニング信号を比較して、データ信号を再生するプロセッサと、
前記受信した信号から再生したデータ信号を減算する差分手段と、
を更に有することを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月7日(2008.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第三世代以降の通信ネットワークにおいて、移動端末（３０）と遠隔ユーザーとの間を通過するユーザートラフィック用に資源を割り当てる方法において、
あるセッションにおける以前の資源予約プロトコル（ＲＳＶＰ）メッセージを検出するために、一方向性のＲＳＶＰメッセージを比較する
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記セッションにおいて、ＲＳＶＰメッセージがすでに送信されたことを示すためにフラグを設定する
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記フラグは、各ＲＳＶＰメッセージ内の追加のビットとして提供される
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記移動端末（３０）は、前記フラグを設定するよう構成される
ことを特徴とする請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
前記移動端末（３０）は、前記フラグの存在を検出するよう構成される
ことを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記フラグは、セッションフラグであり、パケットデータプロトコル（ＰＤＰ）コンテキスト内に配置される
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記ネットワークのサポートノード（２４）が、前記フラグを設定し、ＰＤＰプロトコルを第１方向に送信するよう構成される
ことを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記サポートノード（２４）は、第２方向で受信したＰＤＰプロトコル内に前記フラグの存在を検出し、該セッション間後続のＲＳＶＰメッセージを廃棄するよう構成される
ことを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記サポートノード（２４）は、ＰＤＰメッセージ内のクオリティーオブサービス要件がそのセッションに現在適用されているクオリティーオブサービスの要件よりも高いか否かを決定し、高い場合には現在のＰＤＰメッセージを修正するよう構成される
ことを特徴とする請求項８記載の方法。