Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月20日(2008.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリアルバスを介してデータ転送を行う物理層回路を含む高速インターフェース回路ブロックと、少なくとも１つの他の回路ブロックとを含み、
前記高速インターフェース回路ブロックは、
第１、第２の保護回路ブロックを含み、
前記第１、第２の保護回路ブロックの各々は、前記高速インターフェース回路ブロックの電源と前記他の回路ブロックの電源との間に設けられる少なくとも１つの保護回路を含み、
前記第１の保護回路ブロックは、前記高速インターフェース回路ブロックの短辺を第１の辺とした場合に、前記第２の保護回路ブロックよりも前記第１の辺側に配置され、
前記第２の保護回路ブロックは、前記高速インターフェース回路ブロックの前記第１の辺に対向する辺を第３の辺とした場合に、前記第１の保護回路ブロックよりも前記第３の辺側に配置されることを特徴とする集積回路装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記物理層回路は、前記第１、第２の保護回路ブロックの間に配置されることを特徴とする集積回路装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１の辺から前記第３の辺へと向かう方向を第１の方向とし、前記第１の方向の反対方向を第３の方向とした場合に、前記物理層回路の前記第３の方向側に前記第１の保護回路ブロックが配置され、前記物理層回路の前記第１の方向側に前記第２の保護回路ブロックが配置されることを特徴とする集積回路装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記高速インターフェース回路ブロックは、前記物理層回路と、ロジック回路を含み、
前記高速インターフェース回路ブロックの前記第１の辺から前記第３の辺へと向かう方向を第１の方向とし、前記高速インターフェース回路ブロックの長辺である第２の辺から対向する第４の辺へと向かう方向を第２の方向とした場合に、前記ロジック回路は、前記物理層回路の前記第２の方向側に配置されることを特徴とする集積回路装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記他の回路ブロックとして、表示制御信号を生成するドライバ用ロジック回路ブロックを含み、
前記ドライバ用ロジック回路ブロックは、前記ロジック回路の前記第２の方向側に配置されることを特徴とする集積回路装置。
【請求項６】
請求項４又は５において、
前記物理層回路の前記第１の方向での長さをＬ１とし、前記ロジック回路の前記第１の方向での長さをＬ２とした場合に、Ｌ２＞Ｌ１であることを特徴とする集積回路装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記第１の方向の反対方向を第３の方向とした場合に、前記物理層回路の前記第３の方向側の第１の領域に前記第１の保護回路ブロックが配置され、前記物理層回路の前記第１の方向側の第２の領域に前記第２の保護回路ブロックが配置されることを特徴とする集積回路装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記第１、第２の領域に、前記高速インターフェース回路ブロックの高電位側電源と低電位側電源の間に設けられるキャパシタが形成されるキャパシタ領域が配置されることを特徴とする集積回路装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかにおいて、
前記高速インターフェース回路ブロックは、前記物理層回路と、ロジック回路と、共用電源の電源線を含み、
前記第１の保護回路ブロックは、
前記物理層回路の電源と前記共用電源との間に設けられる第１の保護回路と、
前記ロジック回路の電源と前記共用電源との間に設けられる第２の保護回路と、
前記他の回路ブロックの電源と前記共用電源との間に設けられる第３の保護回路を含み、
前記第２の保護回路ブロックは、
前記物理層回路の電源と前記共用電源との間に設けられる第４の保護回路と、
前記ロジック回路の電源と前記共用電源との間に設けられる第５の保護回路と、
前記他の回路ブロックの電源と前記共用電源との間に設けられる第６の保護回路を含むことを特徴とする集積回路装置。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれかにおいて、
前記高速インターフェース回路ブロックは、前記物理層回路と、ロジック回路を含み、
前記第１の保護回路ブロックは、
前記物理層回路の電源と前記他の回路ブロックの電源との間に設けられる第１の保護回路と、
前記ロジック回路の電源と前記他の回路ブロックの電源との間に設けられる第２の保護回路を含み、
前記第２の保護回路ブロックは、
前記物理層回路の電源と前記他の回路ブロックの電源との間に設けられる第４の保護回路と、
前記ロジック回路の電源と前記他の回路ブロックの電源との間に設けられる第５の保護回路を含むことを特徴とする集積回路装置。
【請求項１１】
請求項９又は１０において、
前記高速インターフェース回路ブロックの前記第１の辺から前記第３の辺へと向かう方向を第１の方向とし、前記第１の方向の反対方向を第３の方向とした場合に、
前記第１の保護回路の前記第３の方向側に前記第２の保護回路が配置され、
前記第４の保護回路の前記第１の方向側に前記第５の保護回路が配置されることを特徴とする集積回路装置。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記第１の保護回路と前記物理層回路を接続する第１の電源線の前記第３の方向側に、前記第２の保護回路と前記ロジック回路を接続する第２の電源線が配線され、
前記第４の保護回路と前記物理層回路を接続する第４の電源線の前記第１の方向側に、前記第５の保護回路と前記ロジック回路を接続する第５の電源線が配線されることを特徴とする集積回路装置。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記高速インターフェース回路ブロックの長辺である第２の辺から対向する第４の辺へと向かう方向を第２の方向とし、前記第２の方向の反対方向を第４の方向とした場合に、
前記第１の電源線が接続される第１のパッドが、前記第１の保護回路の前記第４の方向側に配置され、
前記第２の電源線が接続される第２のパッドが、前記第１のパッドの前記第３の方向側に配置され、
前記第４の電源線が接続される第４のパッドが、前記第４の保護回路の前記第４の方向側に配置され、
前記第５の電源線が接続される第５のパッドが、前記第４のパッドの前記第１の方向側に配置されることを特徴とする集積回路装置。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記物理層回路の受信用パッド又は送信用パッドの少なくとも一方が、前記第１のパッドと前記第４のパッドの間に配置されることを特徴とする集積回路装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれかにおいて、
前記第１、第２の保護回路ブロックが含む保護回路は、双方向ダイオードを含むことを特徴とする集積回路装置。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれかに記載の集積回路装置と、
前記集積回路装置により駆動される表示パネルと、
を含むことを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月23日(2008.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
端まで延びる引出電極が主面に形成されている第１誘電体基板と周囲が絶縁された浮き電極が主面に形成されている第２誘電体基板とが交互に積層されてなる積層体、および、
前記積層体の１方向で対向する２側面に設けられ前記引出電極が接続する一対の外部電極を有する積層コンデンサであって、
前記浮き電極は、対向する前記誘電体基板の電極が形成されてない部分に形成され電極が一部欠落するごとく設けられた無電極部を囲繞するように形成された囲繞部を有し、前記浮き電極は、前記無電極部の位置が積層方向で揃うように整列して形成されていることを特徴とする積層コンデンサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、囲繞部は、積層体の積層方向の少なくとも中間部に形成されている。この構成により、電圧応力が強くかかる中間部において、耐圧を他の部分より向上させるという作用を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、囲繞部は、積層体の積層方向の中心部のみに形成されている。この構成により、電圧応力が最も強くかかる中心部において、耐圧を他の部分より向上させるという作用を有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、囲繞部は、矩形の無電極部を囲繞する矩形枠型を成す。この構成により、囲繞部の電極材が不要な分、材料費を安くすることが出来、またコンデンサの小型化を図れるという作用を有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、囲繞部は、円形の無電極部を囲繞する矩形枠型を成す。この構成により、囲繞部の電極材が不要な分、材料費を安くすることが出来、またコンデンサの小型化を図れるという作用を有する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、囲繞部は、矩形の無電極部を囲繞する２個のコ字型部が閉塞側を接続されてなるＨ型を成す。この構成により、誘電体による支柱が２本（２列）形成され、電圧応力に対する強度がさらに向上するという作用を有する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、引出電極及び浮き電極が、誘電体基板に転写により形成されている。この構成により、誘電体基板に損傷を与えることなく内部電極を形成するという作用を有する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、引出電極及び浮き電極が、誘電体基板にスクリーン印刷により形成されている。この構成により、精度の高い内部電極を形成するという作用を有する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、引出電極及び浮き電極が、誘電体基板にペースト塗布により形成されている。この構成により、内部電極の形成を容易とするという作用を有する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
さらに本発明は、積層コンデンサと、積層コンデンサに接続される一対のリード端子と、一対のリード端子の一部及び積層コンデンサの全体を覆う外装材とを有する。この構成により、耐圧向上に加えて、耐衝撃性、耐損傷性、耐久性、耐湿性を向上させるという作用を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月25日(2008.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加圧されたガス状生成物をシールするためのシールアセンブリ（２２）であって、
軸方向に間隔を置いて配置されて間にチャンバ（２８）を画定する一対のシール（２４、２６）と、
このうち内側シール（２４）がシールされたガス状生成物とチャンバ（２８）の間に配置されたガスシールであることと、
内側シールのガス状生成物にさらされる側に開口する流入孔（３８）にクリーンガスを供給するように備えられている手段とからなるシールアセンブリにおいて、
前記シールの間に画定されたチャンバがリザーバ（５０）に接続され、
前記リザーバ（５０）が圧力増強装置（７０）を介して流入孔（３８）に再接続され、
リザーバ（５０）内の圧力が所定の最小値を下まわる場合に追加クリーンガスをリザーバ（５０）に配送する手段が備えられていることを特徴とするシールアセンブリ。
【請求項２】
リザーバ（５０）内の圧力が、所定の最大値を下まわるように維持されることを特徴とする、請求項１記載のシールアセンブリ（２２）。
【請求項３】
リザーバ（５０）がフレアスタック（４４）に接続されてなり、前記所定の最大値がフレアスタック（４４）の作動背圧であることを特徴とする、請求項２記載のシールアセンブリ（２２）。
【請求項４】
前記リザーバ（５０）が通気孔に接続され、ばね負荷された逆止弁（６０）がリザーバ（５０）と通気孔の間に備えられ、前記所定の最大値が前記逆止弁（６０）のばね荷重圧であることを特徴とする、請求項２記載のシールアセンブリ（２２）。
【請求項５】
前記フレアスタックの作動背圧又は前記ばね荷重圧が、大気圧より０．５ＭＰa（５ｂａｒ）上までであることを特徴とする、請求項３又は４に記載のシールアセンブリ（２２）。
【請求項６】
前記フレアスタックの作動背圧又は前記ばね荷重圧が、大気圧より０．１から０．２ＭＰa（１から２ｂａｒ）上であることを特徴とする、請求項３又は４に記載のシールアセンブリ（２２）。
【請求項７】
動的な条件下で前記圧力増強装置（７０）が、前記リザーバ（５０）内の圧力を所定の限界範囲内に維持することを特徴とする、請求項３から６のいずれか一項に記載のシールアセンブリ（２２）。
【請求項８】
前記圧力増強装置（７０）が、前記リザーバ（５０）内の圧力を前記フレアスタックの作動背圧又はばね荷重圧の５％から９５％の間に維持することを特徴とする、請求項７記載のシールアセンブリ（２２）。
【請求項９】
前記圧力増強装置（７０）が、前記リザーバ内の圧力を前記フレアスタックの作動背圧又はばね荷重圧の３０％から９５％の間に維持することを特徴とする、請求項７記載のシールアセンブリ（２２）。
【請求項１０】
前記圧力増強装置（７０）が、シール（２４）を介しての漏洩を超える割合で前記リザーバ（５０）からのガスを圧送するように作動されることを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載のシールアセンブリ（２２）。
【請求項１１】
追加クリーンガスを前記リザーバ（５０）に配送する前記手段が圧力制御弁（８４）を含み、この圧力制御弁（８４）は前記リザーバ（５０）内の圧力が所定の最小値を下まわる場合に開放して、クリーンガスを前記リザーバ（５０）に配送することを特徴とする、請求項１０記載のシールアセンブリ（２２）。
【請求項１２】
前記所定の最小値が、前記フレアスタックの作動背圧又はばね荷重圧の３０％であることを特徴とする、請求項１１記載のシールアセンブリ（２２）。
【請求項１３】
前記所定の最小値が０．０３ＭＰa（０．３ｂａｒ）であることを特徴とする、請求項１１記載のシールアセンブリ（２２）。
【請求項１４】
前記リザーバ内の圧力が第二の所定値を下まわる場合に圧力増強装置（７０）を停止させる手段が備えられていることを特徴とする、請求項１から１３のいずれか一項に記載のシールアセンブリ（２２）。
【請求項１５】
前記圧力増強装置（７０）が容積式ポンプであることを特徴とする、請求項１から１４のいずれか一項に記載のシールアセンブリ（２２）。
【請求項１６】
前記圧力増強装置（７０）が圧縮流体によって駆動されるガス昇圧ポンプであることを特徴とする、請求項１５記載のシールアセンブリ（２２）。
【請求項１７】
漏洩ガスの圧力が多段階の行程で増強され、第１リザーバ（５０）からのガスが第１圧力増強装置（７０）によって第２リザーバ（５０’）に圧送され、最終的に必要な圧力が達成されることを特徴とする、請求項１から１６のいずれか一項記載のシールアセンブリ（２２）。
【請求項１８】
リザーバ（５０’）内の圧力が所定値を下まわる場合、追加クリーンガスが最終段階のリザーバ（５０’）に取り入れられることを特徴とする請求項１７記載のシールアセンブリ（２２）。
【請求項１９】
クリーンガスが濾過された生成ガスであることを特徴とする、請求項１から１８のいずれか一項に記載のシールアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月19日(2007.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 第２部分を１つの方向でのみ収容するように寸法を取られた第１部分（７２）と前記第２部分（７４）とを含むスプレー遮蔽（７０）を用いて、ガスタービンエンジン（１０）の燃料マニホールド組立品連結を封入する方法であって、
前記連結周辺に前記スプレー遮蔽第２部分を取付ける段階と、
前記スプレー遮蔽第１部分を、前記第２部分が前記第１部分内に収容されて前記第１部分に取付けられるように、前記連結周辺に取付ける段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】 前記ガスタービンエンジン（１０）は、エンジン主要部を含み、
前記スプレー遮蔽第１部分（７２）を取付ける段階は、エンジン運転中に、前記燃料マニホールド組立品連結からの潜在的燃料洩れが前記ガスタービンエンジンの主要部に衝突することを防ぐために、前記第２部分（７４）を前記第１部分に固定する段階を更に含む、
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】 ガスタービンエンジン燃料マニホールド組立品（４０）用のスプレー遮蔽組立品（７０）であって、
側壁（８８）と、前記側壁に接続する外側（８０）及び内側（８２）と、前記側壁から前記外側に向かって延びる少なくとも１つの保持ストラップ（７６）とを含む第１部分（７２）と、
側壁（１５６）と、側壁に接続する外側（１５０）及び内側（１５２）とを含み、前記第１部分内に１つの方向にのみ取付けられるように形成された第２部分（７４）と、
を含む、スプレー遮蔽組立品。
【請求項４】 前記第２部分（７２）は、前記第２部分外側（１５０）内に配置された複数の第１開口部（７８）及び前記第２部分側壁（１５６）内に配置された複数の第２開口部（１６８）を更に含む、請求項３記載のスプレー遮蔽組立品（７０）。
【請求項５】 前記第１部分（７２）は、前記第１部分側壁（８８）内に配置された複数の第１開口部（９８）を更に含む、請求項３記載のスプレー遮蔽組立品（７０）。
【請求項６】 前記第１部分（７２）は、前記第１部分側壁（８８）内に配置された複数の開口部（９８）を更に含み、前記第２部分（７４）は、前記第２部分側壁（１５６）内に配置された複数の開口部（１６８）を更に含み、前記第１開口部が前記第２開口部と同心になるように前記第１部分内に取付けられるよう形成されている、請求項３記載のスプレー遮蔽組立品（７０）。
【請求項７】 前記ガスタービンエンジン内で円周方向に延びる燃料マニホールド環（４２）と、
前記燃料マニホールド環に少なくとも１つの連結により取付けられ、前記燃料マニホールド環と流体連絡する主燃料取入管（４４）と、
少なくとも１つの連結を各々封入し、第２部分を収容するように寸法が取られた第１部分（７２）と、前記第１部分内に１つの方向にのみ取付けられるように形成された前記第２部分（７４）とを含む、少なくとも１つのスプレー遮蔽組立品（７０）と、
を含む、ガスタービンエンジン（１０）用の燃料マニホールド組立品（４０）。
【請求項８】 前記ガスタービンエンジン（１０）は、エンジン主要部を含み、
前記スプレー遮蔽（７０）は、エンジン運転中、前記少なくとも１つの連結における潜在的燃料洩れが前記エンジン主要部に衝突するのを防ぐように配置される、請求項７記載の燃料マニホールド（４０）。
【請求項９】 前記スプレー遮蔽第１部分（７２）は、複数の開口部（９８）を備える側壁（８８）を含み、
前記スプレー遮蔽第２部分（７４）は、複数の開口部（１６８）を備える側壁（１５６）を含み、
前記第２部分は、前記第１部分の開口部が前記第２部分の開口部と同心になるように前記第１部分内に取付けられるように形成される、
請求項７記載の燃料マニホールド（４０）。
【請求項１０】 前記スプレー遮蔽第１部分（７２）及び前記スプレー遮蔽第２部分（７４）のうち少なくとも１つは、前記第２部分を前記第１部分内に固定するように配置されたアンカー（１２６，１９０）を含む、請求項７記載の燃料マニホールド（４０）。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月3日(2007.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  タービンを貫通する高温ガス流路（３０）を部分的に画成するノズル壁（１８）と、該ノズル壁から離隔してノズル壁との間にチャンバ（２４）を画成するカバー（２０）と、該チャンバ内に配置され、冷却媒体を導入するための第１キャビティ（２６）をその片側でカバーと共に画成するインピンジメント板（２２）とを含むバンド部（１２）を有するガスタービン用ノズルセグメント（１０）であって、上記インピンジメント板がその反対側でノズル壁と共に第２キャビティ（２８）を画成し、上記インピンジメント板が冷却媒体を第１キャビティから第２キャビティに流してノズル壁をインピンジメント冷却するための複数の開口（２３）を有し、当該ノズルセグメントが、側壁（３４）及びノズル壁と共にアンダーカット領域（４４）を画成する側壁に沿った内曲フランジ（３６）を含む側壁（３４）と、第１キャビティから冷却媒体を導入するため側壁に向かってアンダーカット領域内に張り出した手段（４８）とを含み、該張出手段が、ノズル側壁の一部をインピンジメント冷却するため、第１キャビティからアンダーカット領域内に冷却媒体を流すための複数の開口（５２）を有する、ノズルセグメント（１０）。
【請求項２】  前記インピンジメント板が略カバーの方に延びる内曲端部（４６）を有し、張出手段が内曲端部から側壁に向かう方向に張出している、請求項１記載のノズルセグメント。
【請求項３】  前記カバーが、内曲フランジに沿ってノズル側壁に溶接される（３３）、請求項１記載のノズルセグメント。
【請求項４】  前記インピンジメント板が、互いに離隔した複数の開口（４７）を有し、前記張出手段が、第１キャビティから冷却媒体を導入するため、上記開口の各々に配置され片側が開いたレセプタクル（４８）にして側壁に向かってアンダーカット領域（４４）内に延在する複数のレセプタクル（４８）を含み、該レセプタクルが、ノズル側壁の部分をインピンジメント冷却するため、複数の開口を通して導入した冷却媒体をアンダーカット領域内へ流すための複数の開口（５２）を有する、請求項１記載のノズルセグメント。
【請求項５】  前記レセプタクルが、ノズル側壁をインピンジメント冷却するために冷却媒体の流れをノズル側壁に向けるように配置された開口（５２）を有する、請求項１記載のノズルセグメント。
【請求項６】  外側及び内側バンド部（１２，１４）とそれらの間に延在する１以上のベーン（１６）を有し、バンド部のうちの少なくとも１つが、タービンを貫通する高温ガス流路（３０）を部分的に画成するノズル壁（１８）と、該ノズル壁から半径方向に離隔してノズル壁との間にチャンバ（２４）を画成するカバー（２２）と、該チャンバ内に配置され、冷却媒体を導入するための第１キャビティ（２６）をその片側でカバーと共に画成するインピンジメント板（２２）とを含む、ガスタービン用ノズルセグメントであって、上記インピンジメント板がその反対側でノズル壁と共に第２キャビティ（２８）を画成し、上記インピンジメント板が冷却媒体を第１キャビティから第２キャビティに流してノズル壁（１８）をインピンジメント冷却するための複数の開口（２３）を有し、当該ノズルセグメントが、ノズル壁（１８）とカバー（２０）の間で略半径方向に延在する側壁（３４）にして該側壁に沿って延在し第２キャビティの一部をなすアンダーカット領域（４４）を画成する内曲フランジ（３６）を含む側壁（３４）を含み、上記インピンジメント板が、側壁に固定された端部（４６）を有するとともに、冷却媒体を第１キャビティからアンダーカット領域内へ連通するための１以上の開口（４７）を有しており、第１キャビティから冷却媒体を導入するため、側壁に向かってアンダーカット領域（４４）内に延びる片側が開いたレセプタクル（４８）が上記開口に配設され、該レセプタクルが、ノズル側壁（３４）の部分をインピンジメント冷却するため、上記開口から導入した冷却媒体をアンダーカット領域内に流すための複数の開口（５４）を有する、ノズルセグメント（１０）。
【請求項７】  前記インピンジメント板の端部（４６）が略カバーの方へ内曲し、前記レセプタクルが内曲端部から半径方向と略垂直な方向に張出している、請求項６記載のノズルセグメント。
【請求項８】  前記カバー（２０）が、内曲フランジに沿ってノズル側壁に溶接される、請求項６記載のノズルセグメント。
【請求項９】  前記インピンジメント板の端部が、互いに離隔した複数の開口（４７）と、第１キャビティから冷却媒体を導入するため、上記開口の各々に配置され片側が開いたレセプタクル（４８）にして側壁に向かってアンダーカット領域（４４）内に延在する複数のレセプタクル（４８）とを有し、該レセプタクルが、ノズル側壁（３４）の部分をインピンジメント冷却するため、複数の開口を通して導入した冷却媒体をアンダーカット領域内へ流すための複数の開口（５２）を有する、請求項６記載のノズルセグメント。
【請求項１０】  前記レセプタクルが、それぞれノズル壁、ノズル側壁及び内曲フランジから離隔した壁（５３，５１，５７）を含み、内曲フランジとレセプタクルの壁（５７）の１つとが、アンダーカット領域内のノズル側壁に沿うクロスフローを低減してインピンジメント後の流れが側壁に沿って低圧領域に流れるようにするフローチャンバを画成する、請求項６記載のノズルセグメント。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月25日(2008.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技機本体側に設けられた遊技盤装着部に遊技盤が着脱交換可能に装着され、前記遊技機本体の後側上部に多数個の球を貯留して放出する球タンクが設けられた遊技機であって、
前記遊技盤の上部には、前記球タンクの前側に略対面状態で表示ユニットが設けられ、
前記遊技盤には前記表示ユニットに接近しかつ同表示ユニットの後面を覆うようにして導電性のシールド部材が配設されていることを特徴とする遊技機。
【請求項２】
請求項１に記載の遊技機であって、
遊技盤の上部前側に表示ユニットが装着され、
前記遊技盤の上部後側にシールド部材が装着されていることを特徴とする遊技機。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の遊技機であって、
表示ユニットは、液晶表示器、プラズマ表示器、ＥＬ表示器等の電気表示式の表示部を備えていることを特徴とする遊技機。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の遊技機であって、
遊技盤の中央部には第１の表示ユニットが設けられ、
遊技盤の上部の表示ユニットは第２の表示ユニットとして用いられることを特徴とする遊技機。
【請求項５】
請求項４に記載の遊技機であって、
第１の表示ユニットは、表面に図柄が表示されたドラム、ベルト等の機械表示式の表示部を備えていることを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月10日(2008.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
前記第１の電位設定部は、
（ｃ−２−４）前記第１の論理と相補的な第２の論理に対応する電位を供給する第２電位点と、
（ｃ−２−５）前記書き込み制御線における論理と相補的な論理及び前記書き込みビット線における論理の双方によって、前記第１の接続点と前記第２電位点との間の導通が制御される第３スイッチと
を更に含む、請求項１２記載の記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
図５１に示されたＳＲＡＭでは、行方向にワード線が、列方向にビット線が、それぞれ延在する構成を採っている。ワード線デコーダ３はワード線群３０i（ｉ＝１，２，３，…，ｍ−１，ｍ）に接続され、入力される行アドレスＲＡに対応するワード線群３０iを選択的に活性化させる。またビット線デコーダ４はビット線群４０j（ｊ＝１，２，３，…，ｎ−１，ｎ）に接続され、入力される列アドレスＣＡに対応するビット線群４０jを選択的に活性化させる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
Ｎ型ＭＯＳＦＥＴは、そのゲートに“Ｈ”が印加されたときにオンし、“Ｌ”が印加されたときにオフする。Ｐ型ＭＯＳＦＥＴは、そのゲートに“Ｌ”が印加されたときにオンし、“Ｈ”が印加されたときにオフする。オンの状態では、電流がソース／ドレイン間を流れ、両者間が電気的に導通する。また、オフの状態では、ソース／ドレイン間は電気的に遮断され電流は殆ど流れない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
この発明のうち請求項１３にかかるものは、請求項１２記載の記憶装置であって、前記第１の電位設定部は、（ｃ−２−４）前記第１の論理と相補的な第２の論理に対応する電位を供給する第２電位点と、（ｃ−２−５）前記書き込み制御線における論理と相補的な論理及び前記書き込みビット線における論理の双方によって、前記第１の接続点と前記第２電位点との間の導通が制御される第３スイッチとを更に含む。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
制御トランジスタＭＮ５，ＭＮ６のゲートは共通して書き込みワード線３１に接続されている。また制御トランジスタＭＮ５は書き込みビット線４１とアクセストランジスタＭＮ２のゲートとの間に介在し、制御トランジスタＭＮ６は書き込み補ビット線４２とアクセストランジスタＭＮ４のゲートとの間に介在している。従って実施の形態１と同様に、ノードＮ１とノードＮ４の間及びノードＮ２とノードＮ５の間の導通は、いずれも書き込みワード線３１及び書き込み制御線４４の両方が“Ｈ”である場合に限られる。従って、実施の形態１と同様にして記憶内容を反転する書き込みを迅速に行いつつ、不要な電力の消費を低減することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
これらのトライステートインバータは、書き込みワード線３１が“Ｈ”、従って書き込み補ワード線３４が“Ｌ”の場合にのみインバータとして機能する。つまり書き込みビット線４１の論理と相補的な論理がノードＮ８に与えられ、書き込み補ビット線４２の論理と相補的な論理がノードＮ９に与えられる。そして書き込みワード線３１が“Ｌ”、従って書き込み補ワード線３４が“Ｈ”の場合には、たとえトランジスタＭＰ３，ＱＮ９がオンしても、ノードＮ８の電位はトライステートインバータによっては設定されない（tristate condition）。またたとえトランジスタＭＰ５，ＱＮ１１がオンしても、ノードＮ９の電位はトライステートインバータによっては設定されない。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１１】
ノードＮ８はＰＭＯＳトランジスタＭＰ９を介してトランジスタＭＰ３に、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ９を介してトランジスタＱＮ９に、ＮＭＯＳトランジスタＱＮ１０を介してノードＮ１に、それぞれ接続されている。ノードＮ９はＰＭＯＳトランジスタＭＰ１１を介してトランジスタＭＰ５に、ＮＭＯＳトランジスタＭＮ１１を介してトランジスタＱＮ１１に、ＮＭＯＳトランジスタＱＮ１２を介してノードＮ２に、それぞれ接続されている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１８】
図２７は第Ｉ行のメモリセルＭＣi1〜ＭＣinにおいて図２６に示された構成を応用した構成を示す回路図である。同じ行に属する複数のメモリセルＭＣijは、書き込みワード線３１、書き込み補ワード線３４を共通に使用する。従ってｎ個のメモリセルＭＣi1〜ＭＣinについて、トランジスタＭＰ４（あるいはトランジスタＭＰ６）及びトランジスタＱＮ１０（あるいはＱＮ１２）は、それぞれ一つのＰＭＯＳトランジスタＭＰ４００及びＮＭＯＳトランジスタＱＮ１００へとマージすることができる。このようなマージにより、トランジスタ数を一層低減することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月24日(2008.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 ＡｇおよびＳｅを含むＰｂ−Ｓｎ合金からなる内部接続用鉛部品を有することを特徴とする鉛蓄電池。
【請求項２】 前記Ｐｂ−Ｓｎ合金はＡｇおよびＳｅをそれぞれ０．０１〜１．０質量％、０．００１〜０．０５質量％を含み、Ｓｎの含有量が０．５〜５．０質量％であることを特徴とする請求項１記載の鉛蓄電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願第１の発明は、鉛蓄電池が、ＡｇおよびＳｅを含むＰｂ−Ｓｎ合金からなるの部接続用鉛部品を有することを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本願第２の発明は、内部接続用鉛部品に用いられるＰｂ−Ｓｎ合金が、ＡｇおよびＳｅをそれぞれ０．０１〜１．０質量％、０．００１〜０．０５質量％含有し、Ｓｎを０．５〜５．０質量％含有するものであることを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本願第２の発明によれば、ＡｇおよびＳｅを含むＰｂ−Ｓｎ合金におけるＡｇ、Ｓｅ、Ｓｎの含有量を上記の組成範囲とすることで、耐全面腐食性ならびに耐粒界腐食性の両者を顕著に向上させ、かつ高い合金強度を得ることができるものである。さらに、耐全面腐食性の点でより十分な改善効果を得るためには、ＡｇおよびＳｅの含有量をそれぞれ０．０２〜１．０質量％、０．００５〜０．０５質量％とするのがより好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
耐粒界腐食性向上の観点からは、ＡｇとＳｅをともに含むＰｂ−Ｓｎ合金において、Ｓｅを０．００１〜０．０５質量％含有するとともに、かつＡｇを０．０１〜１質量％含有することが好ましいと言える。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
耐全面腐食性向上の観点からは、ＡｇとＳｅをともに含むＰｂ−Ｓｎ合金において、Ａｇを０．０１〜１質量％含有する合金が有用であり、Ｓｅを０．００１〜０．０５質量％含有することが好ましく、さらにはＡｇを０．０２〜１質量％含有し、かつＳｅを０．００５〜０．０５質量％含有することがより好ましいものと考えられる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
【発明の効果】
本願発明のＡｇおよびＳｅを含むＰｂ−Ｓｎ合金を内部接続用鉛部品に用いることより、ストラップ、ポールおよびセル間接続部品の耐全面腐食性、耐粒界腐食性を向上させ、横領腐食割れの発生を抑制し、さらには合金強度を高めて信頼性に優れた鉛蓄電池を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月29日(2008.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  投影光を放射する光源と、光源と対物面の間の光路に配置された照明光学装置と、対物面と投影面の間の光路に配置された投影光学装置とにより、対物面に配置された対象物の像を投影面に生じさせ、その際、光源と対物面の間の瞳面の領域に位置するフィルタ平面に可動式のフィルタ・エレメントを持つフィルタが配置され、このフィルタ・エレメントは、フィルタ平面で移動可能であり、かつフィルタ平面における光軸に対する垂直方向での投影光の光度分布が、光路上のフィルタの後ろでフィルタ・エレメントの移動によって変化する透過率分布を持つ、特にマイクロリソグラフィ用の投影露光装置であって、フィルタ・エレメント（２２、２２’、１２２、２２２、３２２、４２２）が少なくとも一部領域で（２４、１２４、２２４）、投影光（５）に対し０より大きく１００％より小さい透過率を示し、
フィルタ・エレメント（２２、２２’、１２２、２２２、３２２、４２２）の透過率は、フィルタ表面で投影光学装置の光軸（１４）に関し回転対称でなく、またフィルタ・エレメント（２２、２２’、１２２、２２２、３２２、４２２）は、光軸（１４）を中心に回転できるように取り付けられており、
回転可能なフィルタ・エレメント（２２’）と結合された駆動装置（２０）を備え、
駆動装置（２０）と共同動作して、対物面（１０）における投影光（５）の所定の照明角度分布に従って、駆動装置（２０）を制御して、フィルタ・エレメント（２２’）を所定の位置にセットする制御装置（１８）を備え、
制御装置（１８）と共同動作する少なくとも１つの検出装置（１５、１６、３０）が、投影光（５）の光度分布を検知するため、光軸（１４）に垂直な１つの面に備えられている
ことを特徴とする投影露光装置。
【請求項２】  フィルタが、光軸（１４）に対して半径方向に変化できる透過率を持つフィルタ・エレメント（３２２、４２２）を、少なくとも１個備えることを特徴とする請求項１に記載の投影露光装置。
【請求項３】  フィルタが連続的な傾斜密度フィルタであることを特徴とする、請求項１または２に記載の投影露光装置。
【請求項４】  フィルタ・エレメント（２２、１２２、２２２、３２２、４２２）が、異なる透過率を持つ少なくとも２つのゾーン（２３、２４、１２３、１２４、２２３、２２４、３３０、３３１、３３２、４３５〜４３８）を備えることを特徴とする請求項１または２に記載の投影露光装置。
【請求項５】  フィルタ平面（１３）における照明光学装置（６）の開放された絞りが円形であること、およびフィルタ（７、１０７、２０７）が、円周方向に見て透過率が異なる多数のゾーン（２３、２４、１２３、１２４、２２３、２２４）を持つフィルタ・エレメント（２２、２２’、１２２、２２２、３２２、４２２）を少なくとも１つ備えることを特徴とする請求項４に記載の投影露光装置。
【請求項６】  フィルタ・エレメント（３２２、３２４）が、半径方向に見て透過率が異なるゾーン（３３０、３３１、３３２、４３５〜４３８）を少なくとも２つ備えることを特徴とする請求項４または５に記載の投影露光装置。
【請求項７】  フィルタ・エレメント（２２、２２’）が、円周方向に透過率が交代する４個の四分円（２３、２４）を備えることを特徴とする請求項４ないし６のいずれか一項に記載の投影露光装置。
【請求項８】  フィルタ（７、１０７、２０７）が少なくとも２つのフィルタ・エレメント（２２、２２’）を備え、これらのフィルタ・エレメントは、相対的に互いに回転できるように保持されていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一項に記載の投影露光装置。
【請求項９】  フィルタ・エレメント（２２、２２’）の相対的位置から、フィルタ（７）の透過率が回転対称的に生じることを特徴とする請求項８に記載の投影露光装置。
【請求項１０】  検出装置（１５、１６、３０）が二次元ＣＣＤ配列（１６）を備えることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか一項に記載の投影露光装置。
【請求項１１】  検出装置（３０）は、対物面（１０）における投影光（５）の照明角度分布を検出するように設計されていることを特徴とする１ないし１０のいずれか一項に記載の投影露光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月21日(2007.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】基板を配した処理容器内に原料ガス供給系から原料ガスが供給され、当該原料ガスが高温に維持された発熱体によって分解及び／又は活性化され、前記基板に薄膜が形成される発熱体ＣＶＤ装置であって、
発熱体が電力供給機構に接続されている接続部は、発熱体の端部が挿脱される発熱体挿入口と、当該発熱体の端部が発熱体挿入口に挿脱する方向へ摺動自在に取り付けられている弾性体支持具とを備えていると共に、当該発熱体挿入口内に、一方側が発熱体挿入口に挿入される発熱体の端部に面し、他方側が前記弾性体支持具に摺動自在に支持される金属製又はセラミック製の弾性体を備えており、前記弾性体支持具を、発熱体端部が発熱体挿入口に挿入される方向へ移動させることによって、前記弾性体の弾性力で発熱体端部を接続部に押し付けて、発熱体の接続部への取り付けが行われることを特徴とする発熱体ＣＶＤ装置。
【請求項２】基板を配した処理容器内に原料ガス供給系から原料ガスが供給され、当該原料ガスが高温に維持された発熱体によって分解及び／又は活性化され、前記基板に薄膜が形成される発熱体ＣＶＤ装置であって、
前記発熱体が電力供給機構に接続されている接続部は、発熱体の端部が挿脱される発熱体挿入口と、当該発熱体挿入口内に配置されている金属製コイルバネを備えており、前記発熱体挿入口に挿入された発熱体の端部の金属製ブロックが、前記発熱体挿入口内の金属製コイルバネの弾性力によって保持され、当該金属製コイルバネを通して前記電力供給機構からの電力供給が行われることを特徴とする発熱体ＣＶＤ装置。
【請求項３】前記金属性コイルバネは、ベリリューム銅、ステンレススチール、又は、ニッケル基超合金からなることを特徴とする請求項２記載の発熱体ＣＶＤ装置。
【請求項４】前記発熱体は、タングステンを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の発熱体ＣＶＤ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
ここで、金属製又はセラミック製の弾性体としては、１６００〜２０００℃の高温に達する発熱体と接触し、６００℃近くまで加熱される場合があるため、そのような温度でもその弾性力を失わない材質であるインコネル（登録商標）などの金属や窒化硅素などのセラミックからできているバネなどを採用することが望ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
ここでも、金属製コイルバネは、１６００〜２０００℃の高温に達する発熱体と接触し、６００℃近くまで加熱される場合があるため、そのような温度でもその弾性力を失わない材質であるインコネル（登録商標）などの金属製とすることが望ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
発熱体３の端部を接続端子本体３３１に押し付ける弾性力を発揮する弾性体としては、バネが考えられ、このバネは、ベリリューム銅、ステンレススチール、インコネル（登録商標）などの金属製のものや、セラミック製などのものを採用することができる。ただし、１６００〜２０００℃の高温に達する発熱体と接触し、６００℃近くまで加熱される場合には、インコネル（登録商標）やセラミックス製のバネを採用することが望ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月13日(2008.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上にゲルマニウムを０．１原子％〜１０原子％で含む第１の非晶質半導体膜を形成し、
前記第１の非晶質半導体膜上に、シリコンからなる第２の非晶質半導体膜を形成し、
結晶化を助長する元素を前記第１の非晶質半導体膜または前記第２の非晶質半導体膜に導入し、
前記第１の非晶質半導体膜及び前記第２の非晶質半導体膜を加熱して結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上にゲルマニウムを０．１原子％〜１０原子％で含む第１の非晶質半導体膜を形成し、
前記第１の非晶質半導体膜上に、シリコンからなる第２の非晶質半導体膜を形成し、
結晶化を助長する元素を前記第１の非晶質半導体膜または前記第２の非晶質半導体膜に導入し、
前記第１の非晶質半導体膜及び前記第２の非晶質半導体膜にレーザ光を照射して結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲルマニウムを０．１原子％〜１０原子％で含む第１の非晶質半導体膜を形成し、
前記第１の非晶質半導体膜上に、シリコンからなる第２の非晶質半導体膜を形成し、
結晶化を助長する元素を前記第１の非晶質半導体膜または前記第２の非晶質半導体膜に導入し、
前記第１の非晶質半導体膜及び前記第２の非晶質半導体膜を加熱して結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲルマニウムを０．１原子％〜１０原子％で含む第１の非晶質半導体膜を形成し、
前記第１の非晶質半導体膜上に、シリコンからなる第２の非晶質半導体膜を形成し、
結晶化を助長する元素を前記第１の非晶質半導体膜または前記第２の非晶質半導体膜に導入し、
前記第１の非晶質半導体膜及び前記第２の非晶質半導体膜にレーザ光を照射して結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２または請求項４において、前記レーザ光はエキシマレーザであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記第１の非晶質半導体膜は前記第２の非晶質半導体膜の厚さよりも薄く形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記結晶化後に結晶質半導体膜上にバリア層を形成し、
前記バリア層上に希ガス元素を含む非晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜及び前記希ガス元素を含む非晶質半導体膜を加熱し、前記結晶化を助長する元素をゲッタリングし、
前記バリア層を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記結晶化を助長する元素は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記結晶化を助長する元素の導入方法は、スパッタ法、蒸着法、プラズマ処理法、吸着法、または前記元素を含有する塩の溶液を塗布する方法であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月18日(2008.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車輪付き車両のバネ付きボディから車輪アッセンブリを吊るすためのアクティブ車輪サスペンションであって、
前記車輪アッセンブリの中心が、ジャウンス及びリバウンド移動により前記バネ付きボディに対して移動することを可能にし、前記ボディに対する車輪中心軌跡経路を画定しており、
前記車輪サスペンションは、前記車輪アッセンブリ及び前記バネ付きボディの両方に接続されるアクチュエータを備え、該アクチュエータは、該ボディと前記車輪アッセンブリとの間にアクティブ制御力を印加して前記車輪アッセンブリを移動させるように構成され、
前記車輪中心軌跡経路に対する接線は、道路表面の合成力の方向に一致した角度で後方に傾斜しており、前記方向は、前記合成力に対向した方向においてアクティブ制御力が車輪アッセンブリに適用されるような方向である、アクティブ車輪サスペンション。
【請求項２】
前記サスペンションは、ジャウンス及びリバウンドにより前記車輪中心が前記ボディに対して略直線経路に沿って移動するように構成され、該直線経路は、垂直に対して後方に傾斜されている、請求項１に記載のアクティブ車輪サスペンション。
【請求項３】
前記車輪中心軌跡経路に対する接線の後方傾斜を、車両速度の関数として変化させるように構成されたアクチュエータを更に備える、請求項１に記載のアクティブ車輪サスペンション。
【請求項４】
前記車輪中心軌跡経路に対する接線の後方傾斜の大きさは、車両速度に関して逆に変化するように構成されている、請求項３に記載のアクティブ車輪サスペンション。
【請求項５】
前記アクチュエータは、電磁アクチュエータを備える、請求項１に記載のアクティブ車輪サスペンション。
【請求項６】
前記車輪サスペンションは、自動車の前輪サスペンションを備える、請求項１に記載のアクティブ車輪サスペンション。
【請求項７】
前記アクチュエータは、支柱として配置されている、請求項６に記載のアクティブ車輪サスペンション。
【請求項８】
前記車輪サスペンションは、自動車の後輪サスペンションを備える、請求項１に記載のアクティブ車輪サスペンション。
【請求項９】
前記車輪アッセンブリは、該車輪アッセンブリに対して垂直方向のバネ付きのダンパー質量を有する、請求項１に記載のアクティブ車輪サスペンション。
【請求項１０】
前記車輪中心の軌跡経路に沿った少なくとも０．２メートルのアクティブ制御範囲に亘って前記ボディと前記車輪アッセンブリとの間にアクティブ制御力を生成するように構成された、請求項１に記載のアクティブ車輪サスペンション。
【請求項１１】
ジャウンス及びリバウンド移動を制限する機械的停止手段を更に備えている、請求項１に記載のアクティブ車輪サスペンション。
【請求項１２】
前記アクチュエータがそのアクティブ制御範囲を通して移動するとき、約４．０ミリメートルより小さい前記車輪アッセンブリの最大水平運動変位を生成するように選択された形状を画定する、請求項１に記載のアクティブ車輪サスペンション。
【請求項１３】
前記アクティブ制御範囲は、少なくとも０．２メートルの前記車輪アッセンブリの重心の垂直変位を網羅する、請求項１２に記載のアクティブ車輪サスペンション。
【請求項１４】
前記車輪サスペンションは、後部車輪サスペンションを備え、該後部車輪サスペンションは、
上側相対的回転中心を画定するため前記車輪アッセンブリに連結され、かつ、上側枢動部で前記バネ付きボディに回転可能に連結された、上側構造部材と、
前記上側相対的回転中心とは反対側の前記車輪アッセンブリの重心の側に配置された下側相対的回転中心を画定するため前記車輪アッセンブリに連結され、かつ、下側枢動部で前記バネ付きボディに回転可能に連結された、下側構造部材と、
を備える、請求項１に記載のアクティブ車輪サスペンション。
【請求項１５】
車輪付き車両のバネ付きボディから車輪アッセンブリを吊るすためのアクティブ車輪サスペンションであって、
前記車輪アッセンブリの中心が、ジャウンス及びリバウンド移動により前記バネ付きボディに対して移動することを可能にし、前記ボディに対する車輪中心軌跡経路を画定しており、
前記車輪サスペンションは、前記車輪アッセンブリ及び前記バネ付きボディの両方に接続されるアクチュエータを備え、該アクチュエータは、該ボディと前記車輪アッセンブリとの間にアクティブ制御力を印加して前記車輪アッセンブリを移動させるように構成され、
前記車輪中心軌跡経路に対する接線は、道路表面の合成力の方向に一致した角度で後方に傾斜しており、前記方向は、公称の車高において前記車輪中心に関して１°〜５°の角度を形成している前記合成力に対向した方向において、アクティブ制御力が車輪アッセンブリに適用されるような方向であり、
前記車輪サスペンションは、前記ボディに対して略直線経路に沿ったジャウンス及びリバウンドにより前記車輪中心を移動するように構成され、該直線経路は垂直線に対して後方に傾斜されている、アクティブ車輪サスペンション。
【請求項１６】
車輪付き車両のアクティブ車輪サスペンションを作動させる方法であって、
前記車輪アッセンブリを移動させるため、バネ付き車両ボディと車輪アッセンブリとの間にアクティブ制御力を印加する工程と、
前記バネ付きボディに対する車輪中心軌跡経路に沿ったジャウンス及びリバウンド移動を通して前記バネ付きボディに対し前記車輪アッセンブリの中心を移動させる工程と、を含み、
前記車輪中心軌跡経路に対する接線は、道路表面の合成力の方向に一致した角度で後方に傾斜しており、前記方向は、前記合成力に対向した方向においてアクティブ制御力が車輪アッセンブリに適用されるような方向である、方法。
【請求項１７】
前記ボディに対する略直線経路に沿ったジャウンス及びリバウンドを通して前記車輪アッセンブリの中心を移動させる工程を更に備える、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記車輪中心軌跡経路に対する接線の後方傾斜を車両速度の関数として変化させる工程を更に備える、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記車輪中心軌跡経路に対する接線の後方傾斜の大きさは、車両速度に関して逆に変化するように構成される、請求項１８に記載の方法。