【手続補正書】
【提出日】平成20年9月9日(2008.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを半導体装置の半導体チップ搭載基板に取り付ける半導体製造装置であって、
前記半導体チップ搭載基板に前記半導体チップを加圧して載置する載置装置部と、
加圧後の前記半導体チップ全体を加圧する加圧装置部とを備え、
前記載置装置部は、
前記半導体チップ搭載基板と前記半導体チップとを載置するための載置装置部側載置部と、
前記半導体チップを保持して移動し、前記半導体チップ搭載基板に加圧して載置する保持部と、を含み、
前記加圧装置部は、
前記載置装置部において前記半導体チップが載置された前記半導体チップ搭載基板を載置する加圧装置部側載置部と、
前記半導体チップ搭載基板と前記半導体チップとを加圧する加圧部と、を含むことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
前記載置装置部側載置部及び／または前記加圧装置部側載置部は、前記半導体チップ搭載基板と前記半導体チップとを加熱するための載置部側加熱部を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項３】
前記加圧部の前記半導体チップの表面に対向する面は、前記半導体チップの表面より大きいことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体製造装置。
【請求項４】
前記加圧部を、複数備えることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の半導体製造装置。
【請求項５】
前記加圧部は、前記半導体チップを加熱するための加圧部側加熱部を備えることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の半導体製造装置。
【請求項６】
第１の載置部に半導体チップ搭載基板を載置する載置工程と、
前記半導体チップ搭載基板に供給されている接合剤に対して、前記半導体チップを加圧して載置する加圧載置工程と、
前記加圧載置工程の後、前記半導体チップ搭載基板を第２の載置部に移送する基板移送工程と、
前記基板移送工程の後、前記第２の載置部において前記半導体チップの表面全体を加圧する加圧工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記加圧工程において、前記第２の載置部がヒータにより加熱されており、さらに、別のヒータにより加熱された加圧ツールが、前記半導体チップの方向に加工することにより前記半導体チップが加圧されることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記加圧工程において、加圧ツールが前記半導体チップの方向に下降することにより前記半導体チップが加圧され、
その加圧ツールの前記半導体チップと対向する面の面積は、前記半導体チップの前記加圧ツールと対向する面の面積よりも大きいことを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
第１の載置部に半導体チップ搭載基板を載置する載置工程と、
半導体チップを保持部でピックアップし、前記半導体チップの下に接合剤が介在した状態で、前記保持部を使って、前記半導体チップ搭載基板に対し当該半導体チップを加圧し載置する加圧載置工程と、
前記加圧載置工程の後、前記半導体チップ搭載基板を第２の載置部に移送する基板移送工程と、
前記基板移送工程の後、ヒータにより加熱された加圧ツールを使って、別のヒータにより加熱された前記第２の載置部の上方に位置する前記半導体チップを加圧する加圧工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
第１の載置部に半導体チップ搭載基板を載置する載置工程と、
半導体チップを保持部でピックアップし、前記半導体チップの下に接合剤が介在した状態で前記半導体チップ搭載基板に対し前記保持部を使って当該半導体チップを加圧し載置する加圧載置工程と、
前記加圧載置工程の後、前記半導体チップ搭載基板を第２の載置部に移送する基板移送工程と、
前記基板移送工程の後、加圧ツールを使って前記第２の載置部の上方に位置する前記半導体チップを加圧する加圧工程と、
を含み、
前記加圧ツールが加圧する前記半導体チップの部分は、前記保持部が接触する前記半導体チップの部分よりも大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この発明の半導体製造装置は、半導体チップを半導体装置の半導体チップ搭載基板に取り付ける半導体製造装置であって、
前記半導体チップ搭載基板に前記半導体チップを加圧して載置する載置装置部と、
加圧後の前記半導体チップ全体を加圧する加圧装置部とを備え、
前記載置装置部は、
前記半導体チップ搭載基板と前記半導体チップとを載置するための載置装置部側載置部と、
前記半導体チップを保持して移動し、前記半導体チップ搭載基板に加圧して載置する保持部と、を含み、
前記加圧装置部は、
前記載置装置部において前記半導体チップの載置された前記半導体チップ搭載基板を載置する加圧装置部側載置部と、
前記半導体チップ搭載基板と前記半導体チップとを加圧する加圧部と、を含むものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
次に、この発明の半導体装置の製造方法は、第１の載置部に半導体チップ搭載基板を載置する載置工程と、
前記半導体チップ搭載基板に供給されている接合剤に対して、前記半導体チップを加圧して載置する加圧載置工程と、
前記加圧載置工程の後、前記半導体チップ搭載基板を第２の載置部に移送する基板移送工程と、
前記基板移送工程の後、前記第２の載置部において前記半導体チップの表面全体を加圧する加圧工程と、
を含むものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、この発明の半導体装置の製造方法は、前記加圧工程において、前記第２の載置部がヒータにより加熱されており、さらに、別のヒータにより加熱された加圧ツールが、前記半導体チップの方向に加工することにより前記半導体チップが加圧されるものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、この発明の半導体装置の製造方法は、前記加圧工程において、加圧ツールが前記半導体チップの方向に下降することにより前記半導体チップが加圧され、
その加圧ツールの前記半導体チップと対向する面の面積は、前記半導体チップの前記加圧ツールと対向する面の面積よりも大きいものである。
あるいは、この発明の半導体装置の製造方法は、
第１の載置部に半導体チップ搭載基板を載置する載置工程と、
半導体チップを保持部でピックアップし、前記半導体チップの下に接合剤が介在した状態で、前記保持部を使って、前記半導体チップ搭載基板に対し当該半導体チップを加圧し載置する加圧載置工程と、
前記加圧載置工程の後、前記半導体チップ搭載基板を第２の載置部に移送する基板移送工程と、
前記基板移送工程の後、ヒータにより加熱された加圧ツールを使って、別のヒータにより加熱された前記第２の載置部の上方に位置する前記半導体チップを加圧する加圧工程と、
を含むものである。
あるいは、この発明の半導体装置の製造方法は、
第１の載置部に半導体チップ搭載基板を載置する載置工程と、
半導体チップを保持部でピックアップし、前記半導体チップの下に接合剤が介在した状態で前記半導体チップ搭載基板に対し前記保持部を使って当該半導体チップを加圧し載置する加圧載置工程と、
前記加圧載置工程の後、前記半導体チップ搭載基板を第２の載置部に移送する基板移送工程と、
前記基板移送工程の後、加圧ツールを使って前記第２の載置部の上方に位置する前記半導体チップを加圧する加圧工程と、
を含み、
前記加圧ツールが加圧する前記半導体チップの部分は、前記保持部が接触する前記半導体チップの部分よりも大きいものである。