【手続補正書】
【提出日】平成20年8月1日(2008.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、
前記透明基板に島状に複数個形成され、互いに異なる形状を有する光遮断パターンと、
を含み、
前記各光遮断パターンの隣接する２辺がなす角度は互いに異なり、前記各光遮断パターンの大きさは、３．５μｍより大きく、５．５μｍより小さいことを特徴とするマスク。
【請求項２】
相互に隣接した前記光遮断パターン間の間隔は、２．５μｍ〜３．５μｍの範囲に含まれることを特徴とする請求項１記載のマスク。
【請求項３】
前記相互に隣接した光遮断パターン間の間隔は、実質的に同一であることを特徴とする請求項２記載のマスク。
【請求項４】
前記各光遮断パターンの大きさは、４．０μｍより大きく、５．０μｍより小さいことを特徴とする請求項１記載のマスク。
【請求項５】
相互に隣接した前記光遮断パターン間の間隔は、前記各光遮断パターンの大きさの４０％〜１００％であることを特徴とする請求項３記載のマスク。
【請求項６】
前記各光遮断パターンは、平面で見たとき、三角形、四角形、五角形、及び六角形などの多角形形状を有することを特徴とする請求項１記載のマスク。
【請求項７】
ベース基板に形成された電圧印加素子と、
前記電圧印加素子の出力端が露出されるように形成され、光反射率を向上させるために一の面に島状に複数個形成されて互いに異なる形状を有するマイクロレンズ部を有する有機膜と、
前記有機膜上に形成された第１電極及び当該第１電極上に形成されて一部に透過窓を備えた第２電極を有する画素電極と、
を含み、
前記各マイクロレンズ部の隣接する２辺がなす角度は互いに異なり、前記各光遮断パターンの大きさは、３．５μｍより大きく、５．５μｍより小さいことを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
【請求項８】
前記マイクロレンズ部は、平面で見たとき、三角形、四角形、五角形、及び六角形などの多角形形状を有することを特徴とする請求項７記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項９】
前記マイクロレンズ部の各辺の長さは、互いに異なることを特徴とする請求項８記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項１０】
相互に隣接した前記マイクロレンズ部間の間隔は、実質的に同一であり、
前記間隔は、前記各マイクロレンズ部の大きさの４０％〜１００％であることを特徴とする請求項７記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項１１】
前記各マイクロレンズ部の大きさは、４．０μｍより大きく、５．０μｍより小さいことを特徴とする請求項７記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項１２】
相互に隣接した前記マイクロレンズ部間の間隔は、２．５μｍ〜３．５μｍの範囲に含まれることを特徴とする請求項１０記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項１３】
前記電圧印加素子は、
前記出力端を有する薄膜トランジスタと、
指定されたタイミングに電圧を前記出力端に出力するために前記薄膜トランジスタに連結された信号線と、
を含むことを特徴とする請求項７記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項１４】
第１基板に出力端を有する電圧印加素子を形成する段階と、
前記第１基板に電圧印加素子を覆う有機膜を形成する段階と、
前記有機膜の上方に、隣接する辺の長さが互いに異なる多角形形状を有する薄膜状の光遮断パターンを有するマスクを配置する段階と、
前記光遮断パターンを介して前記有機膜を露光し、前記有機膜上に平面で見たときに互いに異なる形状を有するマイクロレンズ部を形成する段階と、
前記有機膜上に第１電極を形成する段階と、
前記第１電極上に当該第１電極の一部を露出させる透過窓を備えた第２電極を形成する段階と、
を含み、
前記各光遮断パターンの隣接する２辺がなす角度は互いに異なり、前記各光遮断パターンの大きさは、３．５μｍより大きく、５．５μｍより小さいことを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１５】
前記光遮断パターンは、平面で見たとき、三角形、四角形、五角形、及び六角形などの多角形形状を有することを特徴とする請求項１４記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１６】
前記各光遮断パターンの各辺の長さは、互いに異なることを特徴とする請求項１５記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１７】
相互に隣接した前記光遮断パターン間の間隔は、実質的に同一であり、
前記間隔は、前記各光遮断パターンの大きさの４０％〜１００％であることを特徴とする請求項１４記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１８】
前記各光遮断パターンの大きさは、４．０μｍより大きく、５．０μｍより小さいことを特徴とする請求項１４記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１９】
相互に隣接した前記光遮断パターン間の間隔は、２．５〜３．５μｍであることを特徴とする請求項１７記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項２０】
第１基板に形成された電圧印加素子、前記電圧印加素子の出力端が露出されるように形成され、光反射率を向上させるために一の面に島状に複数個形成されて互いに異なる面積を有するマイクロレンズ部を有する有機膜、ならびに前記有機膜上に形成された第１電極及び当該第１電極上に形成されて一部に透過窓を備えた第２電極を有する画素電極を含むＴＦＴ基板と、
前記第１基板に対向し、前記画素電極と対向する共通電極を含む第２基板と、
前記第１基板と第２基板との間に介在された液晶層と、
を含み、
前記各マイクロレンズ部の隣接する２辺がなす角度及び前記各マイクロレンズ部の平面面積は互いに異なり、各光遮断パターンの大きさは、３．５μｍより大きく、５．５μｍより小さいことを特徴とする表示装置。
【請求項２１】
前記マイクロレンズ部は、平面で見たとき、三角形、四角形、五角形、及び六角形などの多角形形状を有することを特徴とする請求項２０記載の表示装置。
【請求項２２】
前記マイクロレンズ部の各辺の長さは、互いに異なることを特徴とする請求項２１記載の表示装置。
【請求項２３】
相互に隣接した前記マイクロレンズ部間の間隔は、実質的に同一であり、
前記間隔は、前記各マイクロレンズ部の大きさの４０％〜１００％であることを特徴とする請求項２０記載の表示装置。
【請求項２４】
前記各マイクロレンズ部の大きさは、４．０μｍより大きく、５．０μｍより小さいことを特徴とする請求項２０記載の表示装置。
【請求項２５】
相互に隣接した前記マイクロレンズ部間の間隔は、２．５〜３．５μｍであることを特徴とする請求項２３記載の薄膜トランジスタ基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
このように本発明の第１目的を具現するために、本発明によるマスクは透明基板、及び前記透明基板に島状に複数個形成され、互いに異なる形状を有する光遮断パターンを含み、前記各光遮断パターンの隣接する２辺がなす角度は互いに異なり、前記各光遮断パターンの大きさは、３．５μｍより大きく、５．５μｍより小さい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
相互に隣接した光遮断パターン間の間隔は、約２．０μｍ〜４．０μｍの範囲に含まれ、望ましくは、約２．５μｍ〜３．５μｍの範囲に含まれる。さらに、相互に隣接した光遮断パターン間の間隔は、実質的に同一である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
望ましくは、各光遮断パターンの大きさは、４．０μｍより大きく、５．０μｍより小さく形成される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の第２目的を具現するために、本発明による薄膜トランジスタ基板は、ベース基板に形成された電圧印加素子、前記電圧印加素子の出力端が露出されるように形成され、光反射率を向上させるために一の面に島状に複数個形成されて互いに異なる形状を有するマイクロレンズ部を有する有機膜、及び前記有機膜上に形成された第１電極と当該第１電極上に形成されて一部に透過窓を備えた第２電極とを有する画素電極を含み、前記各マイクロレンズ部の隣接する２辺がなす角度は互いに異なり、前記各光遮断パターンの大きさは、３．５μｍより大きく、５．５μｍより小さい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、マイクロレンズ部の各辺の長は、互いに異なるように形成される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
望ましくは、相互に隣接したマイクロレンズ部間の間隔は、約２．５μｍ〜３．５μｍである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の第３目的を具現するために、本発明による薄膜トランジスタ基板の製造方法は、第１基板に出力端を有する電圧印加素子を形成し、第１基板に電圧印加素子を覆う有機膜を形成し、前記有機膜の上方に隣接する辺の長さが互いに異なる多角形形状を有する薄膜状の光遮断パターンを有するマスクを配置し、前記光遮断パターンを介して前記有機膜を露光して有機膜上に平面で見たときに互いに異なる形状を有するマイクロレンズ部を形成し、有機膜上に第１電極を形成し、第１電極上に当該第１電極の一部を露出させる透過窓を備えた第２電極を形成し、前記各光遮断パターンの隣接する２辺がなす角度は互いに異なり、前記各光遮断パターンの大きさは、３．５μｍより大きく、５．５μｍより小さい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
望ましくは、各光遮断パターンの各辺の長さは互いに異なる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
望ましくは、相互に隣接した光遮断パターン間の間隔は、約２．５〜３．５μｍである。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明の第４目的を具現するために、本発明による表示装置は、第１基板に形成された電圧印加素子、電圧印加素子の出力端が露出されるように形成され、光反射率を向上させるために一の面に島状に複数個形成されて互いに異なる面積を有する複数個マイクロレンズ部を有する有機膜、ならびに有機膜上に形成された第１電極及び第１電極上に形成されて一部に透過窓を備えた第２電極を有する画素電極を含むＴＦＴ基板と、第１基板に対向し、画素電極と対向する共通電極を含む第２基板と、第１基板と第２基板との間に介在された液晶層と、を含み、前記各マイクロレンズ部の隣接する２辺がなす角度及び前記各マイクロレンズ部の平面面積は互いに異なり、各光遮断パターンの大きさは、３．５μｍより大きく、５．５μｍより小さい。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
望ましく、マイクロレンズ部の各辺の長さは互いに異なるように形成される。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
望ましくは、相互に隣接したマイクロレンズ部間の間隔は、約２．５μｍ〜３．５μｍである。