【手続補正書】
【提出日】平成20年2月18日(2008.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンタクトホールパターンと当該コンタクトホールパターンよりも寸法の小さな補助ホールパターンとが配列されたマスクを光で照明し当該マスクを経た光を被露光体に投影光学系を介して投影する露光方法に適した前記マスクの製造方法であって、
前記補助ホールパターンの配置を、前記コンタクトホールパターンの周期と前記光の波長と前記投影光学系の開口数とに基づいて、通常の配置とずれた配置とから選択する選択ステップと、
前記選択ステップで選択された前記補助ホールパターンの配置になるように、前記コンタクトホールパターン及び前記補助ホールパターンを前記マスクに形成する形成ステップと、を有し、
前記通常の配置は、前記コンタクトホールパターンのうち所定のコンタクトホールから周期方向に対して垂直方向に伸ばした線と、前記補助ホールパターンのうち前記所定のコンタクトホールに最も近い所定の補助ホールと当該所定のコンタクトホールとを結ぶ線と、のなす角度が０度になる配置であり、
前記ずれた配置は、前記角度が０度より大きくかつ４５度より小さくなる配置であることを特徴とする製造方法。
【請求項２】
前記選択ステップでは、前記コンタクトホールパターンの半周期を以下の式で表されるｋ１で換算した場合に、当該ｋ１換算値に基づいて、
前記補助ホールパターンの配置を、前記通常の配置と前記ずれた配置とから選択することを特徴とする請求項１記載の製造方法。
ｋ１＝ＨＰ（ＮＡ／λ）
但し、ＨＰ：前記コンタクトホールパターンの半周期  λ：前記光の波長  ＮＡ：前記投影光学系の開口数
【請求項３】
前記選択ステップでは、前記ｋ１換算値が０．２５乃至０．３２の場合に、前記通常の配置を選択することを特徴とする請求項２記載の製造方法。
【請求項４】
前記選択ステップでは、前記ｋ１換算値が０．３５乃至０．３８の場合に、前記ずれた配置を選択することを特徴とする請求項２記載の製造方法。
【請求項５】
コンタクトホールパターンと当該コンタクトホールパターンよりも寸法の小さな補助ホールパターンとが配列されたマスクを光で照明し当該マスクを経た光を被露光体に投影光学系を介して投影する露光方法に適した前記マスクの設計方法であって、
前記補助ホールパターンの配置を、前記コンタクトホールパターンの周期と前記光の波長と前記投影光学系の開口数とに基づいて、通常の配置とずれた配置とから選択する選択ステップを有し、
前記通常の配置は、前記コンタクトホールパターンのうち所定のコンタクトホールから周期方向に対して垂直方向に伸ばした線と、前記補助ホールパターンのうち前記所定のコンタクトホールに最も近い所定の補助ホールと当該所定のコンタクトホールとを結ぶ線と、のなす角度が０度になる配置であり、
前記ずれた配置は、前記角度が０度より大きくかつ４５度より小さくなる配置であることを特徴とする設計方法。
【請求項６】
請求項５記載の設計方法を実行するためのプログラム。
【請求項７】
コンタクトホールパターンが解像され、且つ、補助ホールパターンの解像が抑制されるように請求項１乃至４のいずれか一項に記載の製造方法で製造したマスクを照明して前記マスクを経た光を被露光体に投影光学系を介して投影することによって、前記被露光体を露光することを特徴とする露光方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の一側面としての製造方法は、コンタクトホールパターンと当該コンタクトホールパターンよりも寸法の小さな補助ホールパターンとが配列されたマスクを光で照明し当該マスクを経た光を被露光体に投影光学系を介して投影する露光方法に適した前記マスクの製造方法であって、前記補助ホールパターンの配置を、前記コンタクトホールパターンの周期と前記光の波長と前記投影光学系の開口数とに基づいて、通常の配置とずれた配置とから選択する選択ステップと、前記選択ステップで選択された前記補助ホールパターンの配置になるように、前記コンタクトホールパターン及び前記補助ホールパターンを前記マスクに形成する形成ステップと、を有し、前記通常の配置は、前記コンタクトホールパターンのうち所定のコンタクトホールから周期方向に対して垂直方向に伸ばした線と、前記補助ホールパターンのうち前記所定のコンタクトホールに最も近い所定の補助ホールと当該所定のコンタクトホールとを結ぶ線と、のなす角度が０度になる配置であり、前記ずれた配置は、前記角度が０度より大きくかつ４５度より小さくなる配置であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の別の側面としての設計方法は、コンタクトホールパターンと当該コンタクトホールパターンよりも寸法の小さな補助ホールパターンとが配列されたマスクを光で照明し当該マスクを経た光を被露光体に投影光学系を介して投影する露光方法に適した前記マスクの設計方法であって、前記補助ホールパターンの配置を、前記コンタクトホールパターンの周期と前記光の波長と前記投影光学系の開口数とに基づいて、通常の配置とずれた配置とから選択する選択ステップを有し、前記通常の配置は、前記コンタクトホールパターンのうち所定のコンタクトホールから周期方向に対して垂直方向に伸ばした線と、前記補助ホールパターンのうち前記所定のコンタクトホールに最も近い所定の補助ホールと当該所定のコンタクトホールとを結ぶ線と、のなす角度が０度になる配置であり、前記ずれた配置は、前記角度が０度より大きくかつ４５度より小さくなる配置であることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の別の側面としての露光方法は、コンタクトホールパターンが解像され、且つ、補助ホールパターンの解像が抑制されるように上記製造方法で製造したマスクを照明して前記マスクを経た光を被露光体に投影光学系を介して投影することによって、前記被露光体を露光することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明者らは、所望のパターンと補助パターン（補助ホールパターン）の形成されたマスクを、所望のパターンを解像するために解像力の強い照明光と、補助パターンの解像を抑制する解像力の弱い照明光で照明した。そして、微細なコンタクトホールパターンを露光することに既に成功したのは上述した通りである。一例をあげると、図２（ｃ）のような所望のパターン３４があったとし、かかる所望のパターン３４のホール径は１１０ｎｍ、最小ホール間隔も１１０ｎｍであったとする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
さて、図４（ａ）に模式的に示すように、所望のパターン３１が１列に並んでおり、横方向にパターン周期を有する場合を考える。縦方向及び横方向に対称性をもたせるため、かかるパターン周期で格子３６を形成し、その格子点上に補助パターン３２を配置する。換言すれば、所望のパターン３１のうち真中のパターンからパターンの周期方向に対して垂直な方向に伸ばした線がある。その線と、その真中の所望のパターンからその垂直な方向に最も近い補助パターン（補助ホール）３２の中心とその真中のパターンの中心とを結ぶ線とのなす角度θが０度で配置されている（第１の補助パターン）。通常、所望のパターン３１のまわりに２周分だけ補助パターン３２を配置すればよい。このような補助パターン３２の配置を「通常の配置」と定義する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
次に、図４（ｂ）に模式的に示すように、通常の配置において１行おきに補助パターン３２を周期の半分だけ横方向にずらした補助パターン３２の配置を「ずれた配置」と定義する。当然のことながら、所望のパターン３１の配置によっては通常の配置から１列おきに補助パターン３２を周期の半分だけ縦方向にずらした補助パターン３２の配置もずれた配置である。換言すれば、所望のパターン３１のうち真中のパターンからパターンの周期方向に対して垂直な方向に伸ばした線がある。その線と、その真中の所望パターンからその垂直な方向に最も近い補助パターン３２の中心とその真中のパターンの中心とを結ぶ線とのなす角度θが０度より大きくかつ４５度より小さくなるように補助パターン３２が配置されている（第２の補助パターン）。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
以上のことから、コンタクトホールパターンのパターン周期に応じて補助パターンを最適に配置することにより、例えば、０．１５μｍ以下の微細なホール径を有するパターンを高解像度で露光可能なマスクを製造することができることが分かる。即ち、コンタクトホールパターンの周期に応じて、コンタクトホールパターンのうちあるコンタクトホールパターンから周期方向に対して垂直方向に伸ばした線と、そのあるコンタクトホールパターンから垂直方向に最も近い補助パターンの中心とそのあるコンタクトホールのパターンの中心とを結ぶ線とのなす角度を最適に設定することにより高解像度で露光可能なマスクを製造することができる。より具体的には、コンタクトホールパターンの半周期を数式１で表されるｋ１で換算し、換算されたｋ１に基づいて、補助パターンの配列を、コンタクトホールパターンのうち真中のパターンからパターンの周期方向に対して垂直な方向に伸ばした線と、その真中のコンタクトホールパターンからその垂直な方向に最も近い補助パターンとその真中のパターンとを結ぶ線とのなす角度が０度となるように配置する第１の補助パターン（即ち、通常の配置）、又は、コンタクトホールパターンのうち真中のパターンからパターンの周期方向に対して垂直な方向に伸ばした線と、その真中のコンタクトホールパターンからその垂直な方向に最も近い補助パターンとその真中のパターンとを結ぶ線とのなす角度が０度より大きくかつ４５度より小さくなるように配置する第２の補助パターン（即ち、ずれた配置）、又は、コンタクトホールパターンのうち真中のパターンからパターンの周期方向に対して垂直な方向に伸ばした線と、その真中のコンタクトホールパターンからその垂直な方向に最も近い補助パターンとその真中のパターンとを結ぶ線とのなす角度が４５度となるように配置する第３の補助パターン（即ち、対角配置）のいずれかを決定すればよい。