【手続補正書】
【提出日】平成20年9月10日(2008.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された一対の基板間に電気光学材料が挟持されており、一方の基板上に形成されたゲート配線と、前記ゲート配線と同一層で形成され、互いに分離された第１の金属薄膜で形成された複数の補助容量配線と、
前記複数の補助容量配線と互いに分離されている集合引出し配線と、
前記複数の補助容量配線を覆って前記基板上に形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタと電気的に接続されて、透明導電膜からなる画素電極と、
前記ゲート配線と交差し、少なくとも前記ゲート絶縁層を介して前記基板上に形成されたソース配線と、
少なくとも前記ゲート絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して前記複数の補助容量配線と前記集合引出し配線とを電気的に接続する導電性パターンとを備えた電気光学素子であって、前記第１の金属薄膜は、Ａｌ、Ａｌ合金あるいは少なくともそれらのうちのいずれかを用いた多層金属、もしくはＭｏで形成されていることを特徴とする電気光学素子。
【請求項２】
前記導電性パターンは、前記コンタクトホール内において、前記複数の補助容量配線の上層と前記集合引出し配線の上層とに積層することにより、前記複数の補助容量配線と前記集合引出し配線とを電気的に接続することを特徴とする請求項１記載の電気光学素子。
【請求項３】
前記Ａｌ合金は、ＡｌＮｄまたはＡｌＺｒであることを特徴とする請求項１または２記載の電気光学素子。
【請求項４】
前記ゲート絶縁層は、ＳｉＮｘ膜、ＳｉＯ2膜、ＳｉＯｘＮｙ膜、もしくはこれらのいずれかからなる積層膜であることを特徴とする請求項１または３記載の電気光学素子。
【請求項５】
前記集合引出し配線は、反ゲート端子側に形成されていることを特徴とする請求項１〜４項のいずれか１項に記載の電気光学素子。
【請求項６】
前記導電性パターンは前記ソース配線と同一層で形成されており、前記集合引出し配線は前記複数の補助容量配線と同一層で形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の電気光学素子。
【請求項７】
前記複数の補助容量配線と前記集合引出し配線パターン間に突起状に対峙したパターンを有する構造であることを特徴とする請求項６記載の電気光学素子。
【請求項８】
前記ゲート絶縁層に設けられた前記コンタクトホールの形成前に、ウェットエッチングがなされていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の電気光学素子。
【請求項９】
基板上にＡｌ、Ａｌ合金あるいは少なくともそれらのうちのいずれかを用いた多層金属、もしくはＭｏからなる金属膜を成膜し、
前記金属膜をパターニングすることにより、前記基板上にゲート配線を配置すると共に、複数の補助容量配線および集合引出し配線を互いに分離するように配置し、
前記ゲート配線、前記複数の補助容量配線および前記集合引出し配線を覆うように前記基板上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に透明導電層を形成し、前記透明導電層のウェットエッチングを実施後、前記ゲート絶縁層にコンタクトホールを設け、
前記ゲート配線と交差するよう、少なくとも前記ゲート絶縁層を介して前記基板上にソース配線を配置し、同時に前記コンタクトホールによって前記複数の補助容量配線と前記集合引出し配線とを互いに電気的に接続する導電性パターンを配置することを特徴とする電気光学素子の製造方法。
【請求項１０】
前記複数の補助容量配線の一終端部に突起状のパターンを設け、かつ前記集合引出し配線において前記複数の補助容量配線に設けた突起状パターンと対峙した箇所に突起状パターンを配置することを特徴とする請求項９記載の電気光学素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項１の電気光学素子では、対向配置された一対の基板間に電気光学材料が挟持されており、一方の基板上に形成されたゲート配線と、ゲート配線と同一層で形成され、互いに分離された第１の金属薄膜で形成された複数の補助容量配線と、複数の補助容量配線と互いに分離されている集合引出し配線と、複数の補助容量配線を覆って基板上に形成されたゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に形成された薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタと電気的に接続されて、透明導電膜からなる画素電極と、ゲート配線と交差し、少なくともゲート絶縁層を介して基板上に形成されたソース配線と、少なくともゲート絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して複数の補助容量配線と集合引出し配線とを電気的に接続する導電性パターンとを備えた電気光学素子であって、第１の金属薄膜は、Ａｌ、Ａｌ合金あるいは少なくともそれらのうちのいずれかを用いた多層金属、もしくはＭｏで形成される。また、前記導電性パターンは、前記コンタクトホール内において、前記複数の補助容量配線の上層と前記集合引出し配線の上層とに積層することにより、前記複数の補助容量配線と前記集合引出し配線とを電気的に接続することが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項３の電気光学素子では、Ａｌ合金は、ＡｌＮｄまたはＡｌＺｒである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項４の電気光学素子では、ゲート絶縁層は、ＳｉＮｘ膜、ＳｉＯ2膜、ＳｉＯｘＮｙ膜、もしくはこれらのいずれかからなる積層膜である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項５の電気光学素子では、集合引出し配線は、反ゲート端子側に形成される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項６の電気光学素子では、導電性パターンはソース配線と同一層で形成されており、集合引出し配線は複数の補助容量配線と同一層で形成される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項７の電気光学素子では、複数の補助容量配線と集合引出し配線パターン間に突起状に対峙したパターンを有する構造である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項８の電気光学素子では、ゲート絶縁層に設けられた前記コンタクトホールの形成前に、ウェットエッチングがなされる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項９の電気光学素子の製造方法では、基板上にＡｌ、Ａｌ合金あるいは少なくともそれらのうちのいずれかを用いた多層金属、もしくはＭｏからなる金属膜を成膜し、金属膜をパターニングすることにより、基板上にゲート配線を配置すると共に、複数の補助容量配線および集合引出し配線を互いに分離するように配置し、ゲート配線、複数の補助容量配線および集合引出し配線を覆うように基板上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に透明導電層を形成し、透明導電層のウェットエッチングを実施後、ゲート絶縁層にコンタクトホールを設け、ゲート配線と交差するよう、少なくともゲート絶縁層を介して基板上にソース配線を配置し、同時にコンタクトホールによって複数の補助容量配線と集合引出し配線とを互いに電気的に接続する導電性パターンを配置する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項１０の電気光学素子の製造方法では、複数の補助容量配線の一終端部に突起状のパターンを設け、かつ集合引出し配線において複数の補助容量配線に設けた突起状パターンと対峙した箇所に突起状パターンを配置する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
以上詳述に説明したように請求項１から１０に記載した発明によれば、Ａｌなど腐食されやすい材料を補助容量配線群に適用し、補助容量配線群上に成膜された絶縁膜にカバレージ不良などの膜欠陥が存在していても、画素電極エッチング時に配線を腐食断線することなく、ＴＦＴアレイ基板を製造することが可能になる。Ａｌ配線などの表面には自然酸化膜が形成されているが、画素電極エッチング時にエッチング液と一定以上の電位差が発生すると自然酸化膜が溶解し、ひいては金属自体が腐食する。補助容量配線群を互いに分離して形成した場合には、配線金属の量が小さいため、配線の電位がエッチング液にひきずられ結果的にエッチング液と配線金属との電位差が小さく腐食に至らないと考えられる。一方補助容量配線群を集合引出し配線に接続した状態では、画素電極のエッチングした場合、配線全体の量が分離してある場合の数百倍〜千倍程度になるため、エッチング液と配線金属の間に電位差が生じ、自然酸化および配線が腐食すると推定される。