Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月22日(2007.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  認証対象者の顔画像を入力する画像入力手段と、
この画像入力手段により入力された顔画像から前記認証対象者の顔の特徴量を抽出する特徴量抽出手段と、
この特徴量抽出手段により抽出された特徴量とあらかじめ登録された基準の特徴量との類似度を計算し、この計算により得られる類似度を前記認証対象者の利用条件に応じて変更設定される閾値と比較することにより、前記認証対象者が本人であるか否かを認証する認識手段と、
を具備したことを特徴とする顔認証装置。
【請求項２】  前記認識手段は、前記閾値を変更する利用条件を前記認証対象者の利用時間とし、登録された本人の利用頻度の高い時間帯では認証し易いように前記閾値を所定の標準値よりも低い第１の値に設定し、登録された本人の利用頻度の低い時間帯では前記閾値を所定の標準値よりも高い第２の値に設定可能であることを特徴とする請求項１記載の顔認証装置。
【請求項３】  前記認識手段は、前記閾値を変更する利用条件を前記認証対象者の利用場所とし、登録された本人の利用頻度の高い場所では認証し易いように前記閾値を所定の標準値よりも低い第１の値に設定し、登録された本人の利用頻度の低い場所では前記閾値を所定の標準値よりも高い第２の値に設定可能であることを特徴とする請求項１記載の顔認証装置。
【請求項４】  認証対象者の顔画像を入力する画像入力手段と、
この画像入力手段により入力された顔画像から前記認証対象者の顔の特徴量を抽出する特徴量抽出手段と、
前記認証対象者が所持していて、その認証対象者を特定する特定情報が記録されている記録媒体から前記特定情報を読取る読取手段と、
あらかじめ認証対象者を特定する特定情報と対応させて登録された基準の特徴量から、前記読取手段により読取られた特定情報と対応する基準の特徴量を検索し、この検索された特徴量と前記特徴量抽出手段により抽出された特徴量との類似度を計算し、この計算により得られる類似度を前記記録媒体の種類に応じて変更設定される閾値と比較することにより、前記認証対象者が本人であるか否かを認証する認識手段と、
を具備したことを特徴とする顔認証装置。
【請求項５】  前記認識手段は、前記閾値を、前記認証対象者が所持する前記記録媒体があらかじめ定められた特定の記録媒体のときは認証し易いように所定の標準値よりも低い第１の値に設定し、前記認証対象者が所持する前記記録媒体が前記特定の記録媒体以外の記録媒体のときは所定の標準値よりも高い第２の値に設定可能であることを特徴とする請求項４記載の顔認証装置。
【請求項６】  前記認識手段の結果に応じて、前記認証対象者が利用しようとしている制御対象機器の利用許可、不許可を制御する制御手段をさらに具備したことを特徴とする請求項１または請求項４記載の顔認証装置。
【請求項７】  あらかじめ定められた複数の位置にそれぞれ設置され、認証対象者の顔画像を複数の異なる位置から撮像する複数の撮像手段と、
この複数の撮像手段の中から前記認証対象者の顔画像を入力するのに最適な撮像手段を選択する選択手段と、
この選択手段により選択された撮像手段から得られる顔画像から前記認証対象者の顔の特徴量を抽出する特徴量抽出手段と、
この特徴量抽出手段により抽出された特徴量とあらかじめ登録された基準の特徴量との類似度を計算し、この計算により得られる類似度に基づき前記認証対象者が本人であるか否かを認証する認識手段と、
を具備したことを特徴とする顔認証装置。
【請求項８】  認証対象者の顔画像を入力する画像入力手段と、
前記認証対象者の顔以外の生体情報を計測する第１の計測手段と、
前記画像入力手段により入力された顔画像から前記認証対象者の顔の特徴量を抽出する特徴量抽出手段と、
この特徴量抽出手段により抽出された特徴量とあらかじめ登録された基準の特徴量との類似度を計算し、この計算により得られる類似度に基づき前記認証対象者が本人であるか否かを認証する認識手段と、
制御対象機器を利用する人物の顔以外の生体情報を計測する第２の計測手段と、
前記認識手段の認証結果と、前記第１の計測手段で計測された生体情報と前記第２の計測手段で計測された生体情報との一致度に応じて前記制御対象機器の利用許可、不許可を制御する制御手段と、
を具備したことを特徴とする顔認証装置。
【請求項９】  認証対象者の顔画像を入力する第１のステップと、
この第１のステップにより入力された顔画像から前記認証対象者の顔の特徴量を抽出する第２のステップと、
この第２のステップにより抽出された特徴量とあらかじめ登録された基準の特徴量との類似度を計算し、この計算により得られる類似度を前記認証対象者の利用条件に応じて変更設定される閾値と比較することにより、前記認証対象者が本人であるか否かを認証する第３のステップと、
を具備したことを特徴とする顔認証方法。
【請求項１０】  あらかじめ定められた複数の位置にそれぞれ設置され、認証対象者の顔画像を複数の異なる位置から撮像する複数の撮像手段を有し、これら複数の撮像手段によって撮像位置の異なる複数の顔画像を入力する第１のステップと、
前記複数の撮像手段の中から前記認証対象者の顔画像を入力するのに最適な撮像手段を選択する第２のステップと、
この第２のステップにより選択された撮像手段から得られる顔画像から前記認証対象者の顔の特徴量を抽出する第３のステップと、
この第３のステップにより抽出された特徴量とあらかじめ登録された基準の特徴量との類似度を計算し、この計算により得られる類似度に基づき前記認証対象者が本人であるか否かを認証する第４のステップと、
を具備したことを特徴とする顔認証方法。
【請求項１１】  認証対象者の顔画像を入力する第１のステップと、
前記認証対象者の顔以外の生体情報を計測する第２のステップと、
前記第１のステップにより入力された顔画像から前記認証対象者の顔の特徴量を抽出する第３のステップと、
この第３のステップにより抽出された特徴量とあらかじめ登録された基準の特徴量との類似度を計算し、この計算により得られる類似度に基づき前記認証対象者が本人であるか否かを認証する第４のステップと、
制御対象機器を利用する人物の顔以外の生体情報を計測する第５のステップと、
前記第４のステップによる認証結果と、前記第２のステップで計測された生体情報と前記第５のステップで計測された生体情報との一致度に応じて前記制御対象機器の利用許可、不許可を制御する第６のステップと、
を具備したことを特徴とする顔認証方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月16日(2008.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 口金から出ている導通用ワイヤを備え、該ワイヤの向きがランプ取り付け部材に対し所定方向になるように方向決めし固定するための方向決め固定手段を有することを特徴とする水銀ランプ。
【請求項２】 前記方向決め固定手段は、前記口金と前記ランプ取り付け部材とが互いに係合する一方の突出部とこれを受け入れる他方の受け入れ部との嵌合関係によって所定方向決めを行うものであることを特徴とする請求項１に記載の水銀ランプ。
【請求項３】 前記方向決め固定手段は、前記口金と前記ランプ取り付け部材とに設けた相互に対向する平らな面によって所定方向決めを行うものであることを特徴とする請求項１に記載の水銀ランプ。
【請求項４】 前記方向決め固定手段は、前記口金と前記ランプ取り付け部材とに設けた位置合わせマークの位置を一致させて所定方向決めを行うものであることを特徴とする請求項１に記載の水銀ランプ。
【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載の前記水銀ランプを備えることを特徴とする照明装置。
【請求項６】 水銀ランプの口金から出ている導通用ワイヤの向きが一定方向になるように前記水銀ランプを固定する方向決め固定手段を有することを特徴とする照明装置。
【請求項７】 前記方向決め固定手段として、水銀ランプ取り付け側口金及びランプ取り付け部材に回転拘束のための一方にピン及び他方に切り欠きを設け、前記ランプ取り付け部材に位置を合わせて固定する手段を有することを特徴とする請求項６に記載の照明装置。
【請求項８】 請求項５〜７のいずれかに記載の照明装置により所定のパターンを基板上に露光することを特徴とする露光装置。
【請求項９】 請求項８に記載の露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製造工場に設置する工程と、該製造装置群を用いて複数のプロセスによって半導体デバイスを製造する工程とを有することを特徴とする半導体デバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため、本発明に係る水銀ランプは、口金から出ている導通用ワイヤを備え、該ワイヤの向きがランプ取り付け部材に対し所定方向になるように方向決めし固定するための方向決め固定手段を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、本発明に係る照明装置は、水銀ランプの口金から出ている導通用ワイヤの向きが一定方向になるように前記水銀ランプを固定する方向決め固定手段を有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月29日(2008.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】アダプタ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電気接続部を備えた電子機器の電気接続部を当該電子機器と異なる電子機器用のスロットの接点に電気的に接続するアダプタであって、
前記スロットの接点と電気的に接続する第１のコネクタと、
前記第１のコネクタと電気的に接続され、前記電子機器の電気接続部と電気的に接続する第２のコネクタと、
前記第１および第２のコネクタが設けられたシャーシと、
前記シャーシの両側にそれぞれ設けられた１対の導電プレートとを有し、前記電子機器の接地用接触部と前記スロットの接地手段とを前記導電プレートを介さずに電気的に接続する経路を有することを特徴とするアダプタ。
【請求項２】  前記経路は、前記電子機器の接地用接触部および前記スロットの接地手段とそれぞれ接触する接地部材によって設けられていることを特徴とする請求項１に記載のアダプタ。
【請求項３】  前記シャーシは、該シャーシの前記第２のコネクタの側から間隔をおいて延出し、前記電子機器の収容部を規定する１対の腕部を有しており、
前記電子機器は前記腕部の一方に対向する側面に前記接地用接触部を備えており、
前記スロットは前記アダプタが該スロットに収容された状態で該アダプタの側面の一部と接触する部分に前記接地手段を備えており、
前記接地部材は、前記第２のコネクタに前記電子機器が接続された状態で前記アダプタが前記スロットに装着された際に、前記電子機器の接地用接触部と前記スロットの接地手段とを直接電気的に接続するように構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載のアダプタ。
【請求項４】  前記接地部材は、前記電子機器の接地用接触部に弾性的に接触する弾性片と、前記スロットの接地手段に接触する接触片と、前記弾性片および前記接触片を連結する連結片とを有し、前記弾性片、前記接触片および前記連結片が一体的に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載のアダプタ。
【請求項５】  前記接地部材の弾性片は前記シャーシの腕部の内側側面に配置され、前記接触片は前記腕部の外側側面に配置されていることを特徴とする請求項４に記載のアダプタ。
【請求項６】  前記接地部材は、前記導電プレートと絶縁された状態で設けられていることを特徴とする請求項２ないし５のいずれかに記載のアダプタ。
【請求項７】  前記複数の電気接続部を備えた電子機器は、半導体メモリカード、インターフェースカード、またはハードディスクであることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載のアダプタ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（１）  電気接続部を備えた電子機器の電気接続部を当該電子機器と異なる電子機器用のスロットの接点に電気的に接続するアダプタであって、
前記スロットの接点と電気的に接続する第１のコネクタと、
前記第１のコネクタと電気的に接続され、前記電子機器の電気接続部と電気的に接続する第２のコネクタと、
前記第１および第２のコネクタが設けられたシャーシと、
前記シャーシの両側にそれぞれ設けられた１対の導電プレートとを有し、前記電子機器の接地用接触部と前記スロットの接地手段とを前記導電プレートを介さずに電気的に接続する経路を有することを特徴とするアダプタ。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
（２）  前記経路は、前記電子機器の接地用接触部および前記スロットの接地手段とそれぞれ接触する接地部材によって設けられていることを特徴とする上記（１）に記載のアダプタ。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
（３）  前記シャーシは、該シャーシの前記第２のコネクタの側から間隔をおいて延出し、前記電子機器の収容部を規定する１対の腕部を有しており、
前記電子機器は前記腕部の一方に対向する側面に前記接地用接触部を備えており、
前記スロットは前記アダプタが該スロットに収容された状態で該アダプタの側面の一部と接触する部分に前記接地手段を備えており、
前記接地部材は、前記第２のコネクタに前記電子機器が接続された状態で前記アダプタが前記スロットに装着された際に、前記電子機器の接地用接触部と前記スロットの接地手段とを直接電気的に接続するように構成されていることを特徴とする上記（１）または（２）に記載のアダプタ。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
（４）  前記接地部材は、前記電子機器の接地用接触部に弾性的に接触する弾性片と、前記スロットの接地手段に接触する接触片と、前記弾性片および前記接触片を連結する連結片とを有し、前記弾性片、前記接触片および前記連結片が一体的に形成されていることを特徴とする上記（１）または（２）に記載のアダプタ。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
（５）  前記接地部材の弾性片は前記シャーシの腕部の内側側面に配置され、前記接触片は前記腕部の外側側面に配置されていることを特徴とする上記（４）に記載のアダプタ。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
（６）  前記接地部材は、前記導電プレートと絶縁された状態で設けられていることを特徴とする上記（２）ないし（５）のいずれかに記載のアダプタ。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
（７）  前記複数の電気接続部を備えた電子機器は、半導体メモリカード、インターフェースカード、またはハードディスクであることを特徴とする上記（１）ないし（６）のいずれかに記載のアダプタ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月29日(2008.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】アダプタ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電気接続部を備えた電子機器の電気接続部を当該電子機器と異なる電子機器用のスロットの接点に電気的に接続するアダプタであって、
前記スロットの接点と電気接続する第１のコネクタと、
前記第１のコネクタと電気的に接続され、前記電子機器の電気接続部と電気的に接続する第２のコネクタと、
前記第１および第２のコネクタが設けられたシャーシと、
前記シャーシの両面にそれぞれ設けられた１対の導電プレートと、を有し、
前記シャーシは、該シャーシの前記第２のコネクタの側から間隔をおいて延出し、前記電子機器の収容部を規定する１対の腕部を有しており、前記腕部に、前記１対の導電プレートと当該アダプタを把持する操作者とを絶縁する絶縁把持部を設けたことを特徴とするアダプタ。
【請求項２】  前記絶縁把持部は、前記腕部の延出方向先端側に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のアダプタ。
【請求項３】  前記シャーシは絶縁性素材によって形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載のアダプタ。
【請求項４】  前記絶縁把持部は、前記腕部の一部を露出させることにより構成されていることを特徴とする請求項３に記載のアダプタ。
【請求項５】  前記絶縁把持部は、前記一対の腕部の延出方向先端側から少なくとも１ｃｍの距離にわたって設けられていることを特徴とする請求項２ないし４のいずれかに記載のアダプタ。
【請求項６】  前記一対の導電プレートの少なくとも一方は、前記スロットに設けられた接地手段に電気接続する接続突起を具備することを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載のアダプタ。
【請求項７】  当該アダプタが前記スロットに装着される際に、前記接続突起は、前記第１のコネクタが前記スロットの接点に電気接続された後に前記スロットの接地手段に電気接続されるよう構成されていることを特徴とする請求項６に記載のアダプタ。
【請求項８】  前記複数の電気接続部を備えた電子機器は、半導体メモリカード、インターフェースカード、またはハードディスクであることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載のアダプタ。
【請求項９】  前記メモリカードは前記シャーシの腕部の側に位置する少なくとも一方の側面に接地用接触部を備えており、前記腕部には、前記第２のコネクタに装着された前記メモリカードの前記接地用接触部を前記導電プレートの少なくとも一方に電気的に接続する接続手段が設けられていることを特徴とする請求項８に記載のアダプタ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（１）  電気接続部を備えた電子機器の電気接続部を当該電子機器と異なる電子機器用のスロットの接点に電気的に接続するアダプタであって、
前記スロットの接点と電気接続する第１のコネクタと、
前記第１のコネクタと電気的に接続され、前記電子機器の電気接続部と電気的に接続する第２のコネクタと、
前記第１および第２のコネクタが設けられたシャーシと、
前記シャーシの両面にそれぞれ設けられた１対の導電プレートと、を有し、
前記シャーシは、該シャーシの前記第２のコネクタの側から間隔をおいて延出し、前記電子機器の収容部を規定する１対の腕部を有しており、前記腕部に、前記１対の導電プレートと当該アダプタを把持する操作者とを絶縁する絶縁把持部を設けたことを特徴とするアダプタ。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
（２）  前記絶縁把持部は、前記腕部の延出方向先端側に設けられていることを特徴とする上記（１）に記載のアダプタ。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
（３）  前記シャーシは絶縁性素材によって形成されていることを特徴とする上記（１）または（２）に記載のアダプタ。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
（４）  前記絶縁把持部は、前記腕部の一部を露出させることにより構成されていることを特徴とする上記（３）に記載のアダプタ。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
（５）  前記絶縁把持部は、前記一対の腕部の延出方向先端側から少なくとも１ｃｍの距離にわたって設けられていることを特徴とする上記（２）ないし（４）のいずれかに記載のアダプタ。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
（６）  前記一対の導電プレートの少なくとも一方は、前記スロットに設けられた接地手段に電気接続する接続突起を具備することを特徴とする上記（１）ないし（４）のいずれかに記載のアダプタ。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
（７）  当該アダプタが前記スロットに装着される際に、前記接続突起は、前記第１のコネクタが前記スロットの接点に電気接続された後に前記スロットの接地手段に電気接続されるよう構成されていることを特徴とする上記（６）に記載のアダプタ。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
（８）  前記複数の電気接続部を備えた電子機器は、半導体メモリカード、インターフェースカード、またはハードディスクであることを特徴とする上記（１）ないし（７）のいずれかに記載のアダプタ。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
（９）  前記メモリカードは前記シャーシの腕部の側に位置する少なくとも一方の側面に接地用接触部を備えており、前記腕部には、前記第２のコネクタに装着された前記メモリカードの前記接地用接触部を前記導電プレートの少なくとも一方に電気的に接続する接続手段が設けられていることを特徴とする上記（８）に記載のアダプタ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月4日(2008.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  弁作用金属からなる陽極体を陽極部と陰極部に分離し、この陰極部の表面に誘電体酸化皮膜層、固体電解質層、陰極層を順次積層形成したコンデンサ素子と、このコンデンサ素子を複数枚積層した状態で各陽極部の積層面間に陰極部に接して配設された絶縁物からなる高さ調整用のスペーサと、各陽極部を一体に接続した陽極コム端子と、同じくコンデンサ素子を複数枚積層した状態で各陰極部を一体に接続した陰極コム端子と、上記陽極端子ならびに陰極コム端子の一部が夫々外表面に露呈する状態で上記複数個のコンデンサ素子を被覆した絶縁性の外装樹脂からなる固体電解コンデンサ。
【請求項２】  複数枚積層したコンデンサ素子のうち１枚のみを陽極部の長さを長くした請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項３】  弁作用金属からなる陽極体を陽極部と陰極部に分離し、この陰極部の表面に誘電体酸化皮膜層、固体電解質層、陰極層を順次積層形成してコンデンサ素子を作製し、続いてこのコンデンサ素子を各陽極部の積層面間に絶縁物からなる高さ調整用のスペーサを陰極部に接するように配設しながら陽極部を陽極コム端子上に、陰極部を陰極コム端子上に複数枚積層して各陽極部ならびに各陰極部を夫々一体に接合した後、上記陽極コム端子ならびに陰極コム端子の一部が夫々外表面に露呈する状態で上記複数枚のコンデンサ素子を絶縁性の外装樹脂で被覆する固体電解コンデンサの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明の請求項１に記載の発明は、特に、コンデンサ素子を複数枚積層した状態で各陽極部の積層面間に陰極部に接して配設された絶縁物からなる高さ調整用のスペーサと、各陽極部を一体に接続した陽極コム端子と、同じくコンデンサ素子を複数枚積層した状態で各陰極部を一体に接続した陰極コム端子からなる構成にしたものであり、これにより溶接時に各コンデンサ素子の陽極部を加圧して一体化する際に、陽極部の根本部分（陰極部と陽極部の境界部分）に機械的な応力とストレスがかからないようになり、ＬＣ（漏れ電流）不良を防止して高信頼性の製品を提供することができるという作用効果を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の請求項３に記載の発明は、特に、コンデンサ素子を各陽極部の積層面間に絶縁物からなる高さ調整用のスペーサを陰極部に接するように配設しながら陽極部を陽極コム端子上に、陰極部を陰極コム端子上に複数枚積層して各陽極部ならびに各陰極部を夫々一体に接合する製造方法であり、この方法により、より簡単な構成と容易な製造方法でＬＣ（漏れ電流）不良を防止した高信頼性の製品を提供することができるという作用効果を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月20日(2008.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
このように、気泡を液晶とともに封止することにより、外部環境温度の変化などにより液晶封止素子の温度が変化し、シール材と比べ熱膨張係数の大きな液晶の体積が大きく変動した場合、気泡の体積が大きくなったり小さくなったりして液晶層の体積変化分を吸収する。この結果、液晶封止素子は、図１１、図１２のように膨らんだりへこんだりするのが低減され、液晶封止素子の液晶層の厚さが場所により異なることに起因する液晶層面内のリタデーション値の変化、また透過波面変化の倍率成分の変動が小さい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
図７に本液晶封止素子を組み込んだ光ヘッド装置の一例を示す。半導体レーザ１より出射された光はコリメートレンズ２により平行光とされ液晶封止素子３を透過する。電圧制御装置１１を用いて液晶封止素子３には外部から電圧を印加できる。液晶封止素子３を透過した光は、偏光ビームスプリッタ４、λ／４板８を透過後、アクチュエータ６に搭載された対物レンズ５により光記録媒体７に集光される。光記録媒体７で反射された光は上記の光路を逆に進み、偏光ビームスプリッタ４により反射後、集光レンズ９により集光されて光検出器１０に到達する。このとき、液晶封止素子３に電圧を印加（実際には、液晶素子を構成する透明基板の表面に形成された透明電極に電圧を印加）することにより、液晶封止素子３を透過した光の波面を変化させ、光記録媒体への集光特性を向上させる。本発明の液晶封止素子を使用することにより、外部環境温度の変化などによる液晶封止素子の面内のリタデーション値変動が抑えられ、集光特性の劣化を防ぐことができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
透明基板１２０１にスクリーン印刷法によりエポキシ系のシール材１２０７を印刷した。エポキシ系のシール材１２０７には、所定のセルギャップを維持するための直径５μｍのファイバスペーサを３％（質量比換算。以下同じ。）と、透明電極１２０３と１２０４との間の導電性を得るために表面に導電性コーティングを施した直径５．５μｍのアクリル球を２％混合した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
透明基板１２０１と１２０２とは位置合わせ後に重ね、１７０℃にて、６×１０４Ｎ／ｍ２の圧力で圧着しセルを形成した。作製したセルに真空注入法により常光屈折率および異常光屈折率の差△ｎ＝０．１の液晶を注入して液晶層１２０８とし、注入口をＵＶ接着剤にて封止して外形８ｍｍ×１２ｍｍ角、液晶セル内部のアスペクト比１．４の液晶封止素子を作製した。このとき、液晶層１２０８とともに液晶層との体積比０．１倍、圧力０．１×１０５Ｎ／ｍ２の空気の気泡１２１０を同時に封入した。この液晶封止素子は、電極端子取り出し部（液晶封止素子の外部に突出した透明基板１２０２の部分）を介して、外部から液晶層に電圧を印加できる。作製された液晶封止素子の透過波面変化の倍率成分の温度依存性を測定した結果、大きな変動がなく良好な特性を示した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の液晶封止素子においては、液晶とともに気泡を同時に液晶封止素子内に封入することにより、広温度範囲にわたり液晶封止素子の面内のリタデーション値の変動が小さな液晶封止素子を作製でき、またこの液晶封止素子を光ヘッド装置に搭載することにより、光ディスク上での光の集光特性が優れた小型・軽量の光ヘッド装置を提供得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月20日(2008.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明における液晶素子は、液晶層を挟持する複数の透明基板を備え、おのおのの透明基板面の液晶層に接する側には、無機物材料が斜方蒸着された配向膜が備えられている。液晶素子をこのように構成することにより、波長が５００ｎｍ以下、特に４０５ｎｍ付近の光を照射し続けても、無機物材料からなる配向膜は劣化することなく、液晶素子を構成する液晶層の配向性に影響を与えない。したがって、この液晶素子を光ヘッド装置に搭載した場合、素子へ光を入射し続けても入射光の波面変化を生じない効果を有する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
この液晶素子は、図２に示した断面図と同じ構造を有する。使用した液晶は、ネマティック液晶であり、液晶分子の配向方向は、半導体レーザからの出射光の波面を変化させるように、液晶層に入射する前の出射光の偏光方向に平行とした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
この液晶素子は図２に示すように、液晶層２３を、シール材２２で囲み、配向膜２６、２６ａ透明電極膜２４、２４ａおよびガラス基板２１、２１ａで挟む構成とした。この実施例では液晶層２３を挟む２枚の透明なガラス基板には、液晶層２３に電圧を印加できるように、図４に示す同心円状のセグメントに分割されたＩＴＯよりなる透明電極を形成した。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月24日(2008.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】正極活物質の理論容量に対する電解液の理論容量の比が、０．２５以上０．４０以下であることを特徴とする密閉型鉛蓄電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、請求項１に記載の密閉型鉛蓄電池は、６セルより多いモノブロック電池であることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、過充電は均等充電のみによるとする使用方法が好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
そして、均等充電時においては、その充電時の端子電圧が１セル当り２．７Ｖ以下であることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月7日(2008.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  正極、負極及び電解質を備えた非水二次電池であって、前記正極に芳香族性の置換基を有するリン酸化合物又はスルホン酸化合物を含有させたことを特徴とする非水二次電池。
【請求項２】  前記芳香族性の置換基を有するリン酸化合物又はスルホン酸化合物が、正極活物質に対して０．０１〜１質量％の割合で前記正極に含有されている請求項１に記載の非水二次電池。
【請求項３】  前記芳香族性の置換基が、フェニル基である請求項１又は２に記載の非水二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月10日(2008.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解質の一方の側にアノード側電極を設け、他方の側にカソード側電極を設けた電解質・電極構造体を有し、前記電解質・電極構造体をアノード側セパレータとカソード側セパレータとで挟持した単位セルを、複数個積層するとともに、前記単位セルの積層方向両端にアノード側集電板およびカソード側集電板を備えた燃料電池スタックであって、
前記アノード側集電板または前記カソード側集電板の少なくともいずれか一方の外側に、該燃料電池スタックから電力を取り出す電力取り出し端子を設けた発熱体が配設されることを特徴とする燃料電池スタック。
【請求項２】
請求項１記載の燃料電池スタックにおいて、前記アノード側集電板または前記カソード側集電板の少なくともいずれか一方に設けられた電力取り出し端子と、前記発熱体に設けられた前記電力取り出し端子とが接続される切り換えスイッチを備えることを特徴とする燃料電池スタック。
【請求項３】
請求項２記載の燃料電池スタックにおいて、前記発熱体に接続される温度センサと、
前記温度センサによる検出信号に基づいて前記切り換えスイッチを制御する制御部と、
を備えることを特徴とする燃料電池スタック。
【請求項４】
電解質の一方の側にアノード側電極を設け、他方の側にカソード側電極を設けた電解質・電極構造体を有し、前記電解質・電極構造体をアノード側セパレータとカソード側セパレータとで挟持した単位セルを、複数個積層するとともに、前記単位セルの積層方向両端に設けられたアノード側集電板およびカソード側集電板の少なくともいずれか一方の外側に、該燃料電池スタックから電力を取り出す電力取り出し端子を設けた発熱体が配設された燃料電池スタックの運転方法であって、
前記燃料電池スタックが定常運転状態であるか否かを判断する工程と、
前記燃料電池スタックが定常運転状態でない際に、前記発熱体に設けられた前記電力取り出し端子から電力を取り出す工程と、
前記燃料電池スタックが定常運転状態である際に、前記発熱体から切り替えて前記アノード側集電板および前記カソード側集電板から電力を取り出す工程と、
を有することを特徴とする燃料電池スタックの運転方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に係る燃料電池スタックでは、電解質の一方の側にアノード側電極を設け、他方の側にカソード側電極を設けた電解質・電極構造体を有し、前記電解質・電極構造体をアノード側セパレータとカソード側セパレータとで挟持した単位セルを、複数個積層するとともに、前記単位セルの積層方向両端に設けられたアノード側集電板およびカソード側集電板の少なくともいずれか一方の外側に、該燃料電池スタックから電力を取り出す電力取り出し端子を設けた発熱体が配設されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明の請求項４に係る燃料電池スタックの運転方法では、燃料電池スタックが定常運転状態であるか否かを判断し、前記燃料電池スタックが定常運転状態でない際には、発熱体に設けられた電力取り出し端子から電力を取り出す一方、前記燃料電池スタックが定常運転状態である際には、前記発熱体から切り替えてアノード側集電板およびカソード側集電板より電力を取り出すようにしている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月1日(2008.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凸状または凹状に湾曲した曲面を有する基材上に、複数の薄膜トランジスタが設けられ、
前記複数の薄膜トランジスタのチャネル長方向は全て同一方向に配置され、且つ、前記チャネル長方向は、前記基材の湾曲している方向とは異なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
凸状または凹状に湾曲した曲面を有する基材上に、複数の薄膜トランジスタが転写されて設けられ、
前記複数の薄膜トランジスタのチャネル長方向は全て同一方向に配置され、且つ、前記チャネル長方向と前記基材の湾曲している方向とは異なっていること特徴とする半導体装置。
【請求項３】
凸状または凹状に湾曲した曲面を有する基材上に、画素部と駆動回路部が設けられ、
前記画素部に設けられた複数の薄膜トランジスタのチャネル長方向と、前記駆動回路部に設けられた複数の薄膜トランジスタのチャネル長方向は同一方向に配置され、且つ、前記チャネル長方向は、前記基材の湾曲している方向とは異なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記基材の湾曲している方向と前記チャネル長方向は直交していることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
一方向に湾曲する基材上に、複数の薄膜トランジスタが設けられ、前記複数の薄膜トランジスタのチャネル長方向は全て同一方向に配置され、且つ、前記一方向に湾曲する方向は、前記チャネル長方向と異なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、前記基材の湾曲する方向と前記チャネル長方向は直交していることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
曲率を持つ方向と曲率を持たない方向とを有する曲面を備えた基材上に複数の薄膜トランジスタが設けられ、
前記複数の薄膜トランジスタのチャネル長方向は全て同一方向に配置され、且つ、前記チャネル長方向と前記基材の曲率を持たない方向とが同一方向であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、前記基材の曲率を持つ方向と前記チャネル長方向は直交していることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、前記チャネル長方向は、前記複数の薄膜トランジスタの半導体層に照射されたレーザー光の走査方向と同一方向であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
基板上に、複数の薄膜トランジスタのチャネル長方向が全て同一方向となるように形成し、
凸状または凹状に湾曲した曲面を有する基材上に、前記複数の薄膜トランジスタのチャネル長方向と前記基材の湾曲している方向とが異なるように前記複数の薄膜トランジスタを前記基板から剥離して転写することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
基板上に、複数の薄膜トランジスタのチャネル長方向が全て同一方向となるように形成し、
曲率を持つ方向と曲率を持たない方向とを有する曲面を備えた基材上に、前記複数の薄膜トランジスタのチャネル長方向と前記基材の曲率を持つ方向とは異なるように前記複数の薄膜トランジスタを前記基板から剥離して転写することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
基板上に被剥離層を形成し、
前記被剥離層に支持体を接着し、
前記被剥離層及び前記支持体を前記基板から物理的手段により剥離し、
前記被剥離層に転写体を接着し、前記支持体と前記転写体との間に前記被剥離層を挟む半導体装置の作製方法であって、
前記被剥離層は、絶縁膜を間に挟んでゲート電極と重なる半導体層をチャネルとする複数の薄膜トランジスタを有し、
前記転写体は凸状または凹状に湾曲した曲面を有し、
前記転写体の湾曲している方向と前記複数の薄膜トランジスタのチャネル長方向は異なっていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１２において、前記支持体は対向基板であって、
前記被剥離層は画素電極を有しており、
前記画素電極と、前記対向基板との間には液晶材料が充填されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１２において、前記支持体は封止材であって、前記被剥離層は発光素子を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
基板上に被剥離層を形成し、
前記被剥離層を前記基板から物理的手段により剥離し、
前記被剥離層に第１の転写体を接着し、
前記被剥離層に第２の転写体を接着し、前記第１の転写体と第２の転写体との間に前記素子を挟む半導体装置の作製方法であって、
前記被剥離層は、複数の薄膜トランジスタを有し、
前記第２の転写体は、凸状または凹状に湾曲した曲面を有し、
前記湾曲している方向と前記複数の薄膜トランジスタのチャネル長方向は異なっていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１５において、前記第２の転写体は対向基板であって、
前記被剥離層は画素電極を有しており、
前記画素電極と、前記対向基板との間には液晶材料が充填されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１５において、前記第２の転写体は封止材であって、
前記被剥離層は発光素子を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１２乃至請求項１７のいずれか一において、前記複数の薄膜トランジスタのチャネル長方向は全て同一方向に配置されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１０乃至請求項１８のいずれか一において、前記複数の薄膜トランジスタを形成する工程で、前記半導体層に前記チャネルのチャネル長方向と同一方向で走査するレーザー光の照射を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月17日(2008.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザ照射装置および半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザを発振する装置と、
前記装置から発振されたレーザ光を反射するガルバノメータまたはポリゴンミラーと、
前記反射されたレーザ光を成形する光学系と、
前記成形されたレーザ光が照射される基板が設置されるステージと、を有し、
前記ガルバノメータまたはポリゴンミラーは、前記成形されたレーザ光の照射位置を第１の方向または第１の方向とは逆方向へ移動させ、
前記ステージは、前記第１の方向とは異なる第２の方向に動くことを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記基板は、前記光学系に対して斜めに設置されることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項３】
レーザを発振する装置から発振されたレーザ光を、ガルバノメータまたはポリゴンミラーにより反射し、
前記反射されたレーザ光を、光学系により成形して基板に照射し、
前記ガルバノメータまたはポリゴンミラーによって、前記成形されたレーザ光の照射位置を第１の方向または第１の方向とは逆方向へ移動させるとともに、前記基板が設置されているステージによって、前記第１の方向とは異なる第２の方向に動かすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記基板は、前記光学系に対して斜めに設置されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月20日(2008.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】金属配線の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に少なくとも一層の導電膜を形成し、
前記導電膜上にレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンを有する導電膜にエッチングを行い、バイアス電力密度、ＩＣＰ電力密度、下部電極の温度、圧力、反応ガスの流量及び反応ガスにおける酸素又は塩素の割合に応じてテーパー角αが制御された金属配線を形成し、
前記導電膜は、タングステン膜、タングステン化合物を主成分とする金属化合物膜、タングステン合金を主成分とする金属合金膜から選ばれた膜、アルミニウム膜、アルミニウム化合物を主成分とする金属化合物膜、および、アルミニウム合金を主成分とする金属合金膜から選ばれた膜であることを特徴とする金属配線の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記下部電極の温度は、８５〜１２０℃とすることを特徴とする金属配線の作製方法。
【請求項３】
請求項１において、前記圧力は、２．０〜１３Ｐａとすることを特徴とする金属配線の作製方法。
【請求項４】
請求項１において、前記反応ガスの総流量は、２．６１×１０３〜１０．８７×１０３ｓｃｃｍ／ｍ３とすることを特徴とする金属配線の作製方法。
【請求項５】
請求項１において、前記反応ガスにおける酸素の割合は、１７〜５０％とすることを特徴とする金属配線の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月23日(2008.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に窒化物半導体結晶をエピタキシャル成長させた窒化物半導体基板であって、
前記基板の表面の一部に、該表面が窒化処理された窒化処理領域を有し、
前記窒化処理領域を有する基板上に第１の窒化物半導体層と、該第１の窒化物半導体層上に第２の窒化物半導体層と、を備え、
前記第１の窒化物半導体層は、同一面上に成長した、多結晶から成る多結晶領域と、これに隣接して単結晶から成る単結晶領域と、を有し、
前記多結晶領域は前記窒化処理領域上にあって、
前記第２の窒化物半導体層は、前記単結晶領域を核として成長したことを特徴とする窒化物半導体基板。
【請求項２】
前記多結晶領域と前記第２の窒化物半導体層との間には空洞を有することを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体基板。
【請求項３】
基板上に窒化物半導体結晶をエピタキシャル成長させた窒化物半導体基板であって、
前記基板の表面の一部に、該表面が窒化処理された窒化処理領域を有し、
前記窒化処理領域を有する基板上に第１の窒化物半導体層と、該第１の窒化物半導体層を核として成長した第２の窒化物半導体層と、を備え、
前記窒化処理領域と前記第２の窒化物半導体層との間には、前記基板の表面が露出された空洞を有することを特徴とする窒化物半導体基板。
【請求項４】
基板上に窒化物半導体結晶をエピタキシャル成長させる窒化物半導体基板の成長方法であって、
前記基板の表面の一部を窒化処理して窒化処理領域を形成する第１工程と、
前記窒化処理領域が形成された基板上に第１の窒化物半導体層を成長させる第２工程と、
前記窒化処理領域上の第１の窒化物半導体層を熱処理により分解させ、前記第１の窒化物半導体層に、前記窒化処理領域上に凹部を有する凹凸を形成する第３工程と、
前記凹凸が形成された第１の窒化物半導体層の凸部を核として第２の窒化物半導体層を成長させる第４工程と
を有することを特徴とする窒化物半導体基板の成長方法。
【請求項５】
前記第１工程において、窒素を含有するガス雰囲気中で熱処理をすることにより前記窒化処理領域を形成することを特徴とする請求項４に記載の窒化物半導体基板の成長方法。
【請求項６】
前記第１工程の熱処理において、前記窒素を含有するガスの流量を５リットル／分以上、及び処理時間を５分以上とすることを特徴とする請求項５に記載の窒化物半導体基板の成長方法。
【請求項７】
前記第３工程において、前記凹部に前記基板の表面を露出させることを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１項に記載の窒化物半導体基板の成長方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】基板上に窒化物半導体結晶をエピタキシャル成長させた窒化物半導体基板であって、前記基板の表面の一部に、該表面が窒化処理された窒化処理領域を有し、前記窒化処理領域を有する基板上に第１の窒化物半導体層と、該第１の窒化物半導体層上に第２の窒化物半導体層と、を備え、前記第１の窒化物半導体層は、同一面上に成長した、多結晶から成る多結晶領域と、これに隣接して単結晶から成る単結晶領域と、を有し、前記多結晶領域は前記窒化処理領域上にあって、前記第２の窒化物半導体層は、前記単結晶領域を核として成長したことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記窒化物半導体基板において、前記多結晶領域と前記第２の窒化物半導体層との間には空洞を有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
基板上に窒化物半導体結晶をエピタキシャル成長させた窒化物半導体基板であって、前記基板の表面の一部に、該表面が窒化処理された窒化処理領域を有し、前記窒化処理領域を有する基板上に第１の窒化物半導体層と、該第１の窒化物半導体層を核として成長した第２の窒化物半導体層と、を備え、前記窒化処理領域と前記第２の窒化物半導体層との間には、前記基板の表面が露出された空洞を有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
基板上に窒化物半導体結晶をエピタキシャル成長させる窒化物半導体基板の成長方法であって、前記基板の表面の一部を窒化処理して窒化処理領域を形成する第１工程と、前記窒化処理領域が形成された基板上に第１の窒化物半導体層を成長させる第２工程と、前記窒化処理領域上の第１の窒化物半導体層を熱処理により分解させ、前記第１の窒化物半導体層に、前記窒化処理領域上に凹部を有する凹凸を形成する第３工程と、前記凹凸が形成された第１の窒化物半導体層の凸部を核として第２の窒化物半導体層を成長させる第４工程とを有することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
窒化物半導体基板の成長方法であって、前記第１工程において、窒素を含有するガス雰囲気中で熱処理をすることにより前記窒化処理領域を形成することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
窒化物半導体基板の成長方法であって、前記単結晶から成る窒化物半導体層の平面形状は、ストライプ状、島状、矩形状、又は格子状に形成されることを特徴とする。また、前記第１工程の熱処理において、前記窒素を含有するガスの流量を５リットル／分以上、及び処理時間を５分以上とすることを特徴とする。さらに、前記第３工程において、前記凹部に前記基板の表面を露出させることを特徴とする。