【手続補正書】
【提出日】平成20年1月15日(2008.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非晶質半導体膜に前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記非晶質半導体膜に加熱処理を行って部分的に結晶化させて、結晶化領域と非晶質領域を有する多結晶半導体膜を形成し、
前記多結晶半導体膜に波長が３６０〜６５０ｎｍのレーザビームを照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
非晶質半導体膜に前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記非晶質半導体膜に加熱処理を行って部分的に結晶化させて、結晶化領域と非晶質領域を有する多結晶半導体膜を形成し、
前記多結晶半導体膜に波長が４００〜６００ｎｍのレーザビームを照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
非晶質半導体膜に前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記非晶質半導体膜に加熱処理を行って部分的に結晶化させて、結晶化領域と非晶質領域を有する多結晶半導体膜を形成し、
前記多結晶半導体膜に前記結晶化領域の吸収係数よりも前記非晶質領域の吸収係数が高いレーザビームを照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
非晶質半導体膜に前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記非晶質半導体膜に加熱処理を行って、９２〜９９％が結晶化した第１の多結晶半導体膜を形成し、
前記第１の多結晶半導体膜に波長が３６０〜６５０ｎｍのレーザビームを照射して第２の多結晶半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
非晶質半導体膜に前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記非晶質半導体膜に加熱処理を行って、９２〜９９％が結晶化した第１の多結晶半導体膜を形成し、
前記第１の多結晶半導体膜に波長が４００〜６００ｎｍのレーザビームを照射して第２の多結晶半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
非晶質半導体膜に前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記非晶質半導体膜に加熱処理を行って９２〜９９％を結晶化させて、結晶化領域と非晶質領域を有する第１の多結晶半導体膜を形成し、
前記第１の多結晶半導体膜に前記結晶化領域の吸収係数よりも前記非晶質領域の吸収係数が高いレーザビームを照射して第２の多結晶半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
非晶質半導体膜に前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記非晶質半導体膜に加熱処理を行って、９２〜９９％が結晶化した第１の多結晶半導体膜を形成し、
前記第１の多結晶半導体膜に波長が３６０〜６５０ｎｍのレーザビームを照射して、９９％以上が結晶化した第２の多結晶半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
非晶質半導体膜に前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記非晶質半導体膜に加熱処理を行って、９２〜９９％が結晶化した第１の多結晶半導体膜を形成し、
前記第１の多結晶半導体膜に波長が４００〜６００ｎｍのレーザビームを照射して、９９％以上が結晶化した第２の多結晶半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
非晶質半導体膜に前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記非晶質半導体膜に加熱処理を行って９２〜９９％を結晶化させて、結晶化領域と非晶質領域を有する第１の多結晶半導体膜を形成し、
前記第１の多結晶半導体膜に前記結晶化領域の吸収係数よりも前記非晶質領域の吸収係数が高いレーザビームを照射して、９９％以上が結晶化した第２の多結晶半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
非晶質半導体膜に前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記非晶質半導体膜に加熱処理を行って、結晶化領域と面積の割合が１〜８％である非晶質領域を有する第１の多結晶半導体膜を形成し、
前記第１の多結晶半導体膜に波長が３６０〜６５０ｎｍのレーザビームを照射して第２の多結晶半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
非晶質半導体膜に前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記非晶質半導体膜に加熱処理を行って、結晶化領域と面積の割合が１〜８％である非晶質領域を有する第１の多結晶半導体膜を形成し、
前記第１の多結晶半導体膜に波長が４００〜６００ｎｍのレーザビームを照射して第２の多結晶半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
非晶質半導体膜に前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記非晶質半導体膜に加熱処理を行って、結晶化領域と面積の割合が１〜８％である非晶質領域を有する第１の多結晶半導体膜を形成し、
前記第１の多結晶半導体膜に前記結晶化領域の吸収係数よりも前記非晶質領域の吸収係数が高いレーザビームを照射して第２の多結晶半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
非晶質半導体膜に前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記非晶質半導体膜に加熱処理を行って、結晶化領域と面積の割合が１〜８％である非晶質領域を有する第１の多結晶半導体膜を形成し、
前記第１の多結晶半導体膜に波長が３６０〜６５０ｎｍのレーザビームを照射して、面積の割合が１％以下である非晶質領域を有する第２の多結晶半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
非晶質半導体膜に前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記非晶質半導体膜に加熱処理を行って、結晶化領域と面積の割合が１〜８％である非晶質領域を有する第１の多結晶半導体膜を形成し、
前記第１の多結晶半導体膜に波長が４００〜６００ｎｍのレーザビームを照射して、面積の割合が１％以下である非晶質領域を有する第２の多結晶半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
非晶質半導体膜に前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記非晶質半導体膜に加熱処理を行って、結晶化領域と面積の割合が１〜８％である非晶質領域を有する第１の多結晶半導体膜を形成し、
前記第１の多結晶半導体膜に前記結晶化領域の吸収係数よりも前記非晶質領域の吸収係数が高いレーザビームを照射して、面積の割合が１％以下である非晶質領域を有する第２の多結晶半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
非晶質半導体膜に前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記非晶質半導体膜に加熱処理を行って、結晶化領域と少なくとも１つの面積が０．３０μｍ２以上１０．０μｍ２以下の非晶質領域を有する第１の多結晶半導体膜を形成し、
前記第１の多結晶半導体膜に波長が３６０〜６５０ｎｍのレーザビームを照射して第２の多結晶半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
非晶質半導体膜に前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記非晶質半導体膜に加熱処理を行って、結晶化領域と少なくとも１つの面積が０．３０μｍ２以上１０．０μｍ２以下の非晶質領域を有する第１の多結晶半導体膜を形成し、
前記第１の多結晶半導体膜に波長が４００〜６００ｎｍのレーザビームを照射して第２の多結晶半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
非晶質半導体膜に前記非晶質半導体膜の結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記非晶質半導体膜に加熱処理を行って、結晶化領域と少なくとも１つの面積が０．３０μｍ２以上１０．０μｍ２以下の非晶質領域を有する第１の多結晶半導体膜を形成し、
前記第１の多結晶半導体膜に前記結晶化領域の吸収係数よりも前記非晶質領域の吸収係数が高いレーザビームを照射して第２の多結晶半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１乃至請求項１８のいずれか一項に於いて、
前記金属元素は、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂから選ばれた一種または複数種類の元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１乃至請求項１８のいずれか一項に於いて、
前記金属元素は、８族、１Ｂ族、３Ｂ族、４Ｂ族、５Ｂ族元素から選ばれた一種または複数種類の元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１乃至請求項２０のいずれか一項に於いて、
前記レーザビームはＹＡＧレーザの第２高調波、ガラスレーザの第２高調波、Ａｒレーザ、ＹＬＦレーザの第２高調波、ＹＶＯ４レーザの第２高調波から選ばれた一種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項１乃至請求項２１のいずれか一項に於いて、
前記非晶質半導体膜は非晶質珪素膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
請求項１乃至請求項２２のいずれか一項に於いて、
前記半導体装置は、液晶表示装置、または発光装置であることを特徴とする半導体装置の作製方法。