【手続補正書】
【提出日】平成20年10月29日(2008.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理装置であって、
被処理基板を露光処理する露光処理装置と被処理基板にレジスト液を供給して処理または／及び被処理基板に現像液を供給して処理するレジスト処理装置との間に配置され、前記露光処理装置と前記レジスト処理装置との間で被処理基板の搬送を実質的に行う搬送機構と、
前記露光処理装置にて処理された被処理基板に対して所定の温度にて加熱処理を行う加熱機構と、
前記露光処理装置及び前記レジスト処理装置と信号の受け渡しを行うとともに、実質的に前記露光処理装置側の制御装置の制御下にされる制御機構と
を具備し、
当該基板処理装置内の雰囲気圧力は、前記レジスト処理装置内の雰囲気圧力または／及び前記露光処理装置内の雰囲気圧力よりも低い雰囲気圧力に設定される
基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記基板処理装置内に少なくとも所定の温度と湿度に設定された気体を供給する気体供給機構をさらに具備し、
前記気体供給機構に対する気体の供給は、前記露光処理装置側より供給されるよう構成される
基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記搬送機構は自走式に構成され、
前記加熱機構は、前記搬送機構の自走方向の一端側に配置され、
前記基板処理装置は、前記搬送機構の自走方向の他端側に、前記レジスト処理装置にて位置決めされた被処理基板をさらに位置決めする位置決め機構をさらに具備する
基板処理装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、
前記搬送機構は自走式に構成され、
前記露光処理装置は、前記搬送機構の自走方向と直交する方向の一端側に配置され、
前記レジスト処理装置は、前記搬送機構の自走方向と直交する方向の他端側に配置される
基板処理装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、
前記露光処理装置との被処理基板の受渡し位置と、前記レジスト処理装置との被処理基板の受渡し位置とは、異なる高さ位置または／及び前記搬送機構を挟んで非対称位置に配置される
基板処理装置。
【請求項６】
請求項３に記載の基板処理装置であって、
前記加熱機構に対する搬送位置による搬送高さ位置は、前記位置決め機構に対する搬送機構による搬送高さ位置より、高い位置に設定される
基板処理装置。
【請求項７】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記加熱機構の下方位置に、前記レジスト処理装置との被処理基板受渡し位置が配置される
基板処理装置。
【請求項８】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記被処理基板を複数収納自在に構成された収納体を少なくとも一つ配置する配置部
をさらに具備する基板処理装置。
【請求項９】
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、
前記装置内の雰囲気温度は、前記レジスト処理装置内の雰囲気温度よりも低いまたは／及び前記露光処理装置内の雰囲気温度と略同一の温度に設定される
基板処理装置。
【請求項１０】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
被処理基板にレジスト液を供給して処理または／及び被処理基板に現像液を供給して処理するレジスト処理装置
をさらに具備する基板処理装置。
【請求項１１】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
被処理基板に露光処理を施す露光処理装置
をさらに具備する基板処理装置。
【請求項１２】
被処理基板を処理する基板処理装置において、一方向から被処理基板を装置外から搬入出自在に構成された基板搬入出部と、この基板搬入出部の前記一方向と略直行する方向に併設され被処理基板を減圧雰囲気下で搬送する搬送機構を備えた減圧搬送室と、この減圧搬送室の前記一方向と平行する方向に併設され被処理基板に露光処理を施す露光処理室と、を具備したことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１３】
被処理基板を処理する基板処理装置において、他の装置から被処理基板を搬入出自在に構成された搬送機構を備えたインターフェイス部と、このインターフェイス部の前記搬送機構により一方向から被処理基板を搬入出自在に構成された真空予備室と、この真空予備室の前記一方向と略直行する方向に併設され被処理基板を減圧雰囲気下で搬送する搬送機構を備えた減圧搬送室と、この減圧搬送室の前記一方向と平行する方向に併設され被処理基板に露光処理を施す露光処理室と、を具備したことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１４】
被処理基板を処理する基板処理装置において、他の装置から被処理基板を搬入出自在に構成された搬送機構を備えたインターフェイス部と、このインターフェイス部に設けられ被処理基板の位置合わせを行う位置合わせ機構と、この位置合わせ機構により位置合わせされた被処理基板を前記搬送機構により一方向から被処理基板を搬入出自在に構成された真空予備室と、この真空予備室の前記一方向と略直行する方向に併設され被処理基板を減圧雰囲気下で搬送する搬送機構を備えた減圧搬送室と、この減圧搬送室の前記一方向と平行する方向に併設され被処理基板に露光処理を施す露光処理室と、前記インターフェイス部に設けられ前記露光処理室で露光処理された被処理基板を熱処理する熱処理部と、この熱処理部での処理と前記搬送機構との搬送の制御を施す少なくとも一つの制御機構と、を具備したことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１５】
被処理基板を処理する基板処理装置において、一方向から被処理基板を搬入出自在に構成された基板搬入出部と、この基板搬入出部に設けられ被処理基板の位置合わせを検出する検出機構と、前記基板搬入出部の前記一方向と略直行する方向に併設され被処理基板を減圧雰囲気下にて搬送する搬送機構を備えた減圧搬送室と、この減圧搬送室の前記一方向と平行する方向に併設され被処理基板に露光処理を施す露光処理室と、この露光処理室に設けられ前記検出機構の検出データに基づいて前記搬送機構から搬送される被処理基板の搬入位置に移動自在に設けられたステージと、を具備したことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１６】
被処理基板を処理する基板処理装置において、他の装置にて所定の精度で位置決めされた被処理基板を一方向から搬入出自在に構成された基板搬入出部と、この基板搬入出部の前記一方向と略直行する方向に併設され被処理基板を減圧雰囲気下で搬送する搬送機構を備えた減圧搬送室と、この減圧搬送室の前記一方向と平行する方向に併設され被処理基板に露光処理を施す露光処理室と、基板搬入出部または／及び減圧搬送室に設けられ前記所定の精度より高い精度の位置決めを施す位置決め機構と、を具備したことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１７】
被処理基板を処理する基板処理装置において、被処理基板を搬入出自在に構成された搬送機構を備えたインターフェイス部と、このインターフェイス部の前記搬送機構により一方向から被処理基板を搬入出自在に構成された真空予備室と、この真空予備室の前記一方向と略直行する方向に併設され被処理基板を減圧雰囲気下で搬送する搬送機構を備えた減圧搬送室と、この減圧搬送室の前記一方向と平行する方向に併設され被処理基板に露光処理を施す露光処理室と、前記インターフェイス部と真空予備室と減圧搬送室と露光処理室の少なくとも二つの部署に設けられ被処理基板の位置決めを施す位置決め機構と、を具備したことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１８】
被処理基板を処理する基板処理装置において、被処理基板を搬入出自在に構成された搬送機構を備えたインターフェイス部と、このインターフェイス部の前記搬送機構により一方向から被処理基板を搬入出自在に構成された真空予備室と、この真空予備室の前記一方向と略直行する方向に併設され被処理基板を減圧雰囲気下で搬送する搬送機構を備えた減圧搬送室と、この減圧搬送室の前記一方向と平行する方向に併設され被処理基板に露光処理を施す露光処理室と、前記インターフェイス部に配置され被処理基板の位置決めを第一の精度で施す第一の位置決め機構と、減圧搬送室または／及び露光処理室にて前記第一の精度より精度の高い第二の精度にて位置決めを施す第二の位置決め機構と、を具備したことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１９】
被処理基板を処理する基板処理装置において、他の装置より被処理基板を搬入出自在に構成された搬送機構を備えたインターフェイス部と、このインターフェイス部の前記搬送機構により一方向から被処理基板を搬入出自在に構成されるとともに前記インターフェイス部の前記他の装置の作業スペース側に配置された真空予備室と、この真空予備室の前記一方向と略直行する方向に併設され被処理基板を減圧雰囲気下で搬送する搬送機構を備えた減圧搬送室と、この減圧搬送室の前記一方向と平行する方向に併設され被処理基板に露光処理を施す露光処理室と、前記インターフェイス部の前記真空予備室側に配置され被処理基板の位置決めを施す位置決め機構と、前記インターフェイス部に設けられ搬送機構の前記位置決め機構と対向する側に配置され被処理基板に熱処理を施す熱処理機構と、を具備したことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２０】
レジスト液を被処理基板に塗布する装置及びレジスト膜が形成された被処理基板に露光処理を施す装置に対して被処理基板を搬送自在に構成された搬送機構と、露光処理を施す装置側から受け取った被処理基板に対し所定の熱処理を施す熱処理部と、レジスト液を被処理基板に塗布する装置側から受け取った被処理基板に対し位置決めする位置決め機構と、を具備したことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２１】
直線状の空間部と、この空間部の一端側に設けられレジスト液を被処理基板に塗布する装置側から受け取った被処理基板に対し位置決めする位置決め機構と、
前記空間部の他端側に設けられ露光処理を施す装置側から受け取った被処理基板に対し所定の熱処理を施す熱処理部と、この熱処理部と前記位置決め機構との間に配置され被処理基板を搬送自在に構成された搬送機構と、を具備したことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２２】
被処理基板を大気雰囲気或いは陽圧雰囲気下にて第一の精度にて位置決めする工程と、被処理基板を減圧雰囲気下にて前記第一の精度より高い精度の第二の精度にて位置決めする工程と、この工程の後、被処理基板に対し所定の処理を施す工程と、を具備したことを特徴とする基板処理方法。
【請求項２３】
被処理基板を大気雰囲気或いは陽圧雰囲気下にて第一の制御機構により第一の精度にて位置決めする工程と、被処理基板を減圧雰囲気下にて前記第一の制御機構を制御する第二の制御機構にて前記第一の精度より高い精度の第二の精度にて位置決めする工程と、この工程の後、被処理基板に対し所定の処理を施す工程と、を具備したことを特徴とする基板処理方法。
【請求項２４】
第一の制御機構にて制御される搬送機構により他の装置側から被処理基板を搬入する工程と、前記第一の制御機構を管理する第二の制御機構により被処理基板に対して露光処理する工程と、この露光処理が終了した被処理基板に前記第一の制御機構にて制御される搬送機構により熱処理装置に搬送する工程と、第一の制御機構にて制御される搬送機構により他の装置側に対して被処理基板を搬出する工程と、を具備したことを特徴とする基板処理方法。
【請求項２５】
レジスト液を被処理基板に塗布する装置側から受け取った被処理基板に対し位置決めする位置決めする工程と、露光処理を施す装置側から受け取った被処理基板に対し露光処理を施す装置側からの情報に基づいて所定の温度にて熱処理を施す工程と、を具備したことを特徴とする基板処理方法。
【請求項２６】
レジスト液を被処理基板に塗布する装置側から受け取った被処理基板に対し位置決めする位置決めする工程と、露光処理を施す装置側から受け取った被処理基板に対し露光処理を施す装置側からの情報に基づいて所定の温度にて熱処理を施す工程と、この熱処理の温度情報または／及び熱処理の終了時間に係る情報をレジスト液を被処理基板に塗布する装置側に送信する工程と、を具備したことを特徴とする基板処理方法。
【請求項２７】
被処理基板にレジスト液を供給して処理または／及び被処理基板に現像液を供給して処理する他の基板処理装置と実質的に接続自在に構成され、被処理基板を露光処理する基板処理装置であって、
減圧下にて前記被処理基板に対して電子線を照射して所定の処理を施す減圧処理室と、
前記減圧処理室に併設され、前記被処理基板を搬送自在に構成された搬送機構を有する減圧搬送室と、
前記搬送室に前記被処理基板が搬送される前に前記他の基板処理装置にて位置決めされた被処理基板の位置合わせ精度より高い精度の位置合わせを施す位置合わせ機構または／及び前記減圧処理室に搬送した後若しくは搬送する前の被処理基板の温度を前記他の基板処理装置の雰囲気温度より低い温度に設定する温度設定機構と
を具備する基板処理装置。
【請求項２８】
請求項２７に記載の基板処理装置であって、
前記位置合わせ機構は、前記減圧搬送室に併設して設けられ、被処理基板の位置合わせに係る被処理基板の位置情報を検出する検出機構を備えた予備室に備えられ、
前記温度設定機構は、前記減圧処理室に搬送した後若しくは搬送する前の被処理基板の温度を前記他の基板処理装置の雰囲気温度、前記塗布処理する処理室内の雰囲気温度並びに前記現像処理する処理室内の雰囲気温度の少なくとも１つの雰囲気温度または全ての雰囲気温度より低い温度に設定する
基板処理装置。
【請求項２９】
請求項２７または請求項２８に記載の基板処理装置であって、
前記検出機構の検出情報をもとに前記搬送機構の減圧処理室に搬送する被処理基板の移動位置を被処理基板の搬送ごとに制御する制御機構
をさらに具備する基板処理装置。
【請求項３０】
請求項２７から請求項２９のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、
少なくとも前記減圧処理室の周囲に配置された磁気シールド
をさらに具備する基板処理装置。
【請求項３１】
請求項２７から請求項２９のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、
前記減圧処理室の上部位置に配置された電子線照射機構をさらに具備し、
前記電子線照射機構の電子線の通路の上部方向に向かって真空度が高くなる
基板処理装置。
【請求項３２】
請求項２８に記載の基板処理装置であって、
前記予備室の近傍に設けられ、被処理基板を複数収納自在に構成された収納体の配置部
をさらに具備する基板処理装置。
【請求項３３】
請求項３２に記載の基板処理装置であって、
前記配置部の収納体を装置外の作業エリアから搬入出自在である
基板処理装置。
【請求項３４】
請求項２７から請求項２９のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、
前記減圧搬送室に水平方向位置に併設され、実質的に減圧搬送室内を排気自在に構成された空間部
をさらに具備する基板処理装置。
【請求項３５】
請求項３４に記載の基板処理装置であって、
前記空間部に接続され、排気機構により空間部とともに減圧搬送室を一括して減圧する排気経路
をさらに具備する基板処理装置。
【請求項３６】
請求項２７から請求項２９のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、
温度設定機構による被処理基板の温度設定は、前記他の基板処理装置の雰囲気圧力よりも低い圧力雰囲気下にて行う
基板処理装置。
【請求項３７】
被処理基板にレジスト液を供給して処理または／及び被処理基板に現像液を供給して処理する他の基板処理装置と実質的に接続自在に構成された被処理基板を露光処理する基板処理装置にて被処理基板を処理する基板処理方法であって、
前記他の基板処理装置にて位置決めされた被処理基板を装置内に搬入しまたは搬入され、
搬入したまたは搬入された被処理基板に対し、前記他の基板処理装置にて位置決めされた位置合わせ精度より高い精度の位置合わせを施し、
この後、被処理基板に対し、減圧処理室にて露光処理を施す
基板処理方法。
【請求項３８】
請求項３７に記載の基板処理方法において、さらに、
前記被処理基板を減圧処理室に搬送する際に、減圧処理室の被処理基板を載置する載置台上方にて、被処理基板の移動位置を設定する
基板処理方法。
【請求項３９】
請求項３７に記載の基板処理方法において、さらに、
前記減圧処理室に搬送した後または搬送する前の被処理基板の温度を他の基板処理装置の雰囲気温度より低い温度に設定する
基板処理方法。
【請求項４０】
請求項３７に記載の基板処理方法において、さらに、
前記減圧処理室に搬送した後または搬送する前の被処理基板の温度を他の基板処理装置の雰囲気圧力よりも低い圧力雰囲気下にて他の基板処理装置の雰囲気温度より低い温度に設定する
基板処理方法。
【請求項４１】
請求項３７に記載の基板処理方法において、さらに、
前記減圧処理室に搬送した後または搬送する前の被処理基板の温度を他の基板処理装置の雰囲気温度、前記塗布処理する処理室内の雰囲気温度及び前記現像処理する処理室内の雰囲気温度の少なくとも１つの雰囲気温度または全ての雰囲気温度より低い温度に設定する
基板処理方法。
【請求項４２】
請求項３７に記載の基板処理方法において、さらに、
少なくとも前記減圧処理室の周囲に磁気シールドを配置する
基板処理方法。
【請求項４３】
請求項３７に記載の基板処理方法において、さらに、
前記減圧処理室の上部位置に電子線照射機構を配置し、
前記電子線商社機構の電子線の通路の上部方向に向かって真空度が高くなるように設定する
基板処理方法。
【請求項４４】
請求項３７に記載の基板処理方法において、さらに、
前記位置合わせを施した後、減圧処理室に被処理基板を搬入するまでの間に、被処理基板の位置情報を得るために被処理基板の周縁部の複数個所の画像データを収集する
基板処理方法。
【請求項４５】
請求項３７に記載の基板処理方法において、さらに、
前記露光処理を施す前に、前記減圧処理室に対して開閉自在に構成され、互いに連通する２つの空間部を一括して排気する
基板処理方法。
【請求項４６】
請求項４５に記載の基板処理方法において、さらに、
前記２つの空間部の１つの空間部は、減圧処理室に対して被処理基板を搬送する搬送機構が配置され、前記搬送機構に被処理基板を保持し移動させ位置決めする
基板処理方法。
【請求項４７】
被処理基板を処理する基板処理装置であって、
前記基板処理装置の少なくとも１つの側面に配置され、垂直方向に気流の流れが形成される各々直線状の空間部にて構成された複数の通流機構と、
前記複数の通流機構のうちの少なくとも１つの通流機構に少なくとも温度または／及び湿度が設定された気体を供給する気体供給機構と、
前記複数の通流機構のうちの少なくとも１つの通流機構から気体を回収する回収機構と
を具備する基板処理装置。
【請求項４８】
請求項４７に記載の基板処理装置であって、
前記複数の通流機構の少なくとも１つの通流機構内に設けられ、装置内の制御に係る制御機構の発熱体
をさらに具備する基板処理装置。
【請求項４９】
請求項４７または請求項４８に記載の基板処理装置であって、
前記気体供給機構から気体を供給される通流機構の気体の流れ方向と、前記回収機構により気体が回収される通流機構の気体の流れ方向とは、逆の方向である
基板処理装置。
【請求項５０】
請求項４７または請求項４８に記載の基板処理装置であって、
前記気体供給機構から気体を供給される通流機構の気体の流れ方向は下方向に形成され、
前記回収機構により回収される通流機構の気体の流れ方向は上方向に形成される
基板処理装置。
【請求項５１】
請求項４７または請求項４８に記載の基板処理装置であって、
前記気体供給機構から気体を供給される通流機構の供給口及び前記回収機構により気体が回収される通流機構の回収口は、各通流機構の上部に配置される
基板処理装置。
【請求項５２】
請求項５１に記載の基板処理装置であって、
各通流機構の下方位置は、前記気体供給機構から気体を供給される通流機構から、前記回収機構により気体が回収される通流機構に、気体が供給自在に構成される
基板処理装置。
【請求項５３】
請求項４７または請求項４８に記載の基板処理装置であって、
複数の通流機構の上部に設けられ、前記気体供給機構から気体を供給される通流機構に気体を供給する供給路と、
複数の通流機構の上部に設けられ、前記回収機構に気体が回収される通流機構の回収口より気体を回収する回収路と
をさらに具備する基板処理装置。
【請求項５４】
請求項４７または請求項４８に記載の基板処理装置であって、
複数の通流機構の上部に設けられ、被処理基板にレジスト液を供給して処理または／及び被処理基板に現像液を供給して処理する他の基板処理装置と接続自在に構成されたユニット部に対して少なくとも温度及び湿度が調整された気体を供給する供給路
をさらに具備する基板処理装置。
【請求項５５】
請求項４７または請求項４８に記載の基板処理装置であって、
前記気体の温度は、被処理基板にレジスト液を供給して処理または／及び被処理基板に現像液を供給して処理する他の基板処理装置内の雰囲気温度と略同一の温度またはその温度より低い温度に設定される
基板処理装置。
【請求項５６】
請求項４７または請求項４８に記載の基板処理装置であって、
前記機構の配置位置より内部位置に配置された磁気シールド
をさらに具備する基板処理装置。
【請求項５７】
処理室にて被処理基板を処理する基板処理方法であって、
前記処理室の周囲を囲む４側面の少なくとも１つの対向する側面に、垂直方向の所定の方向に温度または／及び湿度が設定された気体の流れを形成するよう気体を供給し、
垂直方向の所定の方向と逆の方向に温度または／及び湿度が設定された気体の流れを形成し気体を回収する
基板処理方法。
【請求項５８】
請求項５７に記載の基板処理方法であって、さらに、
前記気体の温度を、被処理基板にレジスト液を供給して処理または／及び被処理基板に現像液を供給して処理する他の基板処理装置内の雰囲気温度と略同一の温度またはその温度より低い温度に設定する
基板処理方法。
【請求項５９】
請求項５７に記載の基板処理方法であって、さらに、
前記気体供給機構から気体を供給される通流機構の供給口及び前記回収機構により気体が回収される通流機構の回収口を、各通流機構の上部に配置する
基板処理方法。
【請求項６０】
請求項５７に記載の基板処理方法であって、
垂直方向の所定の方向に温度または／及び湿度が設定された気体の流れを形成するよう気体を供給するとき、上部から下部に向かって気体を供給し、
垂直方向の所定の方向と逆の方向に温度または／及び湿度が設定された気体の流れを形成し気体を回収するとき、下部から上部に向かって気体を回収する
基板処理方法。
【請求項６１】
請求項５７に記載の基板処理方法であって、さらに、
処理室の上部に被処理基板にレジスト液を供給して処理または／及び被処理基板に現像液を供給して処理する他の基板処理装置と接続自在に構成されたユニット部に対して少なくとも温度及び湿度が調整された気体を供給する
基板処理方法。
【請求項６２】
請求項６１に記載の基板処理方法において、さらに、
前記気体の温度を、前記他の基板処理装置内の雰囲気温度と略同一の温度またはその温度より低い温度に設定する
基板処理方法。