【手続補正書】
【提出日】平成20年8月26日(2008.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザ処理装置及び半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ発振器と、
前記レーザ発振器に設けられた第１のインターロックと、
一定の動作周期で移動する移動テーブルと、
前記移動テーブルの移動を感知するセンサと、
タイマと、
前記タイマに設けられた第２のインターロックと、を有し、
前記タイマは、前記センサが前記移動テーブルの移動を感知することにより時間計測を開始し、
前記動作周期を経過しても前記センサが前記移動テーブルの移動を感知しない場合、前記タイマに設けられた前記第２のインターロックの接点間の通電が切れることにより、前記レーザ発振器に設けられた前記第１のインターロックが作動し、前記レーザ発振器の出力を停止することを特徴とするレーザ処理装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１のインターロックが作動し、前記レーザ発振器の電源を切ることにより、前記レーザ発振器の出力を停止することを特徴とするレーザ処理装置。
【請求項３】
レーザ発振器と、
一定の動作周期で移動する移動テーブルと、
前記移動テーブルの移動を感知するセンサと、
タイマと、
前記タイマに設けられたインターロックと、
前記タイマに電気的に接続された電磁シャッタと、を有し、
前記タイマは、前記センサが前記移動テーブルの移動を感知することにより時間計測を開始し、
前記動作周期を経過しても前記センサが前記移動テーブルの移動を感知しない場合、前記タイマに設けられた前記インターロックの接点間の通電が切れることにより、前記レーザ発振器から射出される前記レーザ光の光路を前記電磁シャッタによって遮断することを特徴とするレーザ処理装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記電磁シャッタは、
前記インターロックの接点間の通電が切れるとオフ状態になる電磁弁と、
前記オフ状態の電磁弁を介して空気が排気されるエアシリンダと、
前記エアシリンダの空気が排気されることにより、前記レーザ光の光路を遮断する遮断部と、を有することを特徴とするレーザ処理装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記レーザ発振器は、連続発振のレーザであることを特徴とするレーザ処理装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記連続発振のレーザは、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、ＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、ＧｄＶＯ４レーザ、Ｙ２Ｏ３レーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、ヘリウムカドミウムレーザのいずれか１つであることを特徴とするレーザ処理装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記レーザ発振器は、周波数１０ＭＨｚ以上のパルス発振のレーザであることを特徴とするレーザ処理装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記レーザ発振器は、周波数８０ＭＨｚ以上のパルス発振のレーザであることを特徴とするレーザ処理装置。
【請求項９】
請求項７又は請求項８において、
前記パルス発振のレーザは、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザ、ＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ、Ｙ２Ｏ３レーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、ＧｄＶＯ４レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、銅蒸気レーザ、金蒸気レーザのいずれか１つであることを特徴とするレーザ処理装置。
【請求項１０】
基板上に半導体膜を形成し、
前記基板が設置された移動テーブルが一定の動作周期で移動することにより、前記半導体膜にレーザ光を照射し、
センサが前記移動テーブルの移動を感知することにより、タイマが時間計測を開始し、
前記動作周期を経過しても前記センサが前記移動テーブルの移動を感知しない場合、前記タイマに設けられた第１のインターロックの接点間の通電が切れることにより、前記レーザ光を射出するレーザ発振器に設けられた第２のインターロックが作動し、前記レーザ光が前記半導体膜に照射されないことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記第２のインターロックが作動し、前記レーザ発振器の電源を切ることにより、前記レーザ光が前記半導体膜に照射されないことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
基板上に半導体膜を形成し、
前記基板が設置された移動テーブルが一定の動作周期で移動することにより、前記半導体膜にレーザ光を照射し、
センサが前記移動テーブルの移動を感知することにより、タイマが時間計測を開始し、
前記動作周期を経過しても前記センサが前記移動テーブルの移動を感知しない場合、前記タイマに設けられたインターロックの接点間の通電が切れることにより、前記タイマに電気的に接続された電磁シャッタによって前記レーザ光の光路が遮断され、前記レーザ光が前記半導体膜に照射されないことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記電磁シャッタは、電磁弁と、エアシリンダと、遮断部と、を有し、
前記インターロックの接点間の通電が切れると前記電磁弁がオフ状態になり、
前記オフ状態の電磁弁を介して前記エアシリンダの空気が排気され、
前記エアシリンダの空気が排気されることにより、前記レーザ光の光路が前記遮断部によって遮断されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１０乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記レーザ光は、連続発振のレーザから射出されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記連続発振のレーザは、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、ＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、ＧｄＶＯ４レーザ、Ｙ２Ｏ３レーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、ヘリウムカドミウムレーザのいずれか１つであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１０乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記レーザ光は、周波数１０ＭＨｚ以上のパルス発振のレーザから射出されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１０乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記レーザ光は、周波数８０ＭＨｚ以上のパルス発振のレーザから射出されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１６又は請求項１７において、
前記パルス発振のレーザは、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザ、ＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ、Ｙ２Ｏ３レーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、ＧｄＶＯ４レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、銅蒸気レーザ、金蒸気レーザのいずれか１つであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１０乃至請求項１８のいずれか１項において、
前記半導体膜に前記レーザ光を照射することにより、前記半導体膜を結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１０乃至請求項１８のいずれか１項において、
前記半導体膜に前記レーザ光を照射することにより、前記半導体膜の欠陥を補修することを特徴とする半導体装置の作製方法。