【手続補正書】
【提出日】平成20年1月24日(2008.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素ＴＦＴおよび保持容量を有する画素部を含む半導体装置であって、
前記画素ＴＦＴは、半導体層の第１の領域に設けられたチャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域、前記第１の領域に接したゲート絶縁膜ならびに該ゲート絶縁膜上のゲート電極を有し、
前記保持容量は、前記半導体層の第２の領域、該第２の領域に接した絶縁膜および該絶縁膜上の容量配線を有し、
前記第２の領域はｎ型またはｐ型を付与する不純物元素を含み、
前記第２の領域に接した絶縁膜の膜厚は、前記第１の領域に接したゲート絶縁膜の膜厚よりも薄いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
画素ＴＦＴおよび保持容量を有する画素部を含む半導体装置であって、
前記画素ＴＦＴは、半導体層の第１の領域に設けられたチャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域、前記第１の領域に接したゲート絶縁膜ならびに該ゲート絶縁膜上のゲート電極を有し、
前記画素ＴＦＴは、ｎチャネル型ＴＦＴであって、
前記保持容量は、前記半導体層の第２の領域、該第２の領域に接した絶縁膜および該絶縁膜上の容量配線を有し、
前記第２の領域は、一導電型を付与する不純物元素を１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３〜１×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の濃度範囲で含んでおり、
前記第２の領域に接した絶縁膜の膜厚は、前記第１の領域に接したゲート絶縁膜の膜厚よりも薄いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
画素部および駆動回路を同一基板上に有する半導体装置であって、
前記画素部は画素ＴＦＴおよび保持容量を有し、
前記画素ＴＦＴは、半導体層の第１の領域に設けられたチャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域、前記第１の領域に接したゲート絶縁膜、該ゲート絶縁膜上のゲート電極を有し、
前記画素ＴＦＴは、ｎチャネル型ＴＦＴであって、
前記保持容量は、前記半導体層の第２の領域、該第２の領域に接した絶縁膜および該絶縁膜上の容量配線を有し、
前記駆動回路はｐチャネル型ＴＦＴおよびｎチャネル型ＴＦＴを有し、
前記駆動回路のｎチャネル型ＴＦＴの半導体層は、チャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域、ＬＤＤ領域、前記半導体層に接したゲート絶縁膜、該ゲート絶縁膜上のゲート電極を有し、該ゲート電極は、第１の導電層および第２の導電層を有し、
前記第２の導電層は、前記ゲート絶縁膜を介して前記ＬＤＤ領域と重なるように形成され、前記容量配線と同じ材料からなり、
前記第２の領域に接した絶縁膜の膜厚は、前記第１の領域に接したゲート絶縁膜の膜厚よりも薄いことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、前記保持容量を形成する容量配線と前記第２の導電層とはアルミニウム（Ａｌ）または銅（Ｃｕ）から選ばれた元素、または前記元素を成分とする化合物、または前記元素を組み合わせた化合物材料からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３において、前記第１の導電層はタングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）から選ばれた元素、または前記元素を成分とする化合物、または前記元素を組み合わせた化合物、または前記元素を成分とする窒化物、または前記元素を成分とするシリサイドから選ばれた材料からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
画素部と駆動回路を同一基板上に有する半導体装置であって、
前記画素部はｎチャネル型ＴＦＴと保持容量を有し、
前記保持容量は、半導体層と、該半導体層に接する保持容量の誘電体となる絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された容量配線からなり、
前記半導体層は、一導電型を付与する不純物元素を１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３から１×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の濃度範囲で含んでおり、
前記駆動回路は、ｐチャネル型ＴＦＴとｎチャネル型ＴＦＴを有し、
前記駆動回路のｐチャネル型ＴＦＴおよび前記駆動回路のｎチャネル型ＴＦＴは、半導体層と、前記半導体層に接するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を有し、
前記ゲート電極は、テーパー部を有する形状であり、
前記絶縁膜の膜厚は、前記絶縁膜から連続して形成された前記画素部のｎチャネル型ＴＦＴのゲート絶縁膜より薄くなっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
画素部と駆動回路を同一基板上に有する半導体装置であって、
前記画素部はｎチャネル型ＴＦＴと保持容量を有し、
前記画素部のｎチャネル型ＴＦＴはチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域の外側にＬＤＤ領域と、前記ＬＤＤ領域の外側にソース領域もしくはドレイン領域と、を有する半導体層と、前記半導体層に接したゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極とを有しており、
前記駆動回路は、ｐチャネル型ＴＦＴとｎチャネル型ＴＦＴを有し、
前記駆動回路のｎチャネル型ＴＦＴはチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域の外側にＬＤＤ領域と、前記ＬＤＤ領域の外側にソース領域もしくはドレイン領域と、を有する半導体層と、前記半導体層に接するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を有しており、
前記画素部のｎチャネル型ＴＦＴのゲート電極および前記駆動回路のｎチャネル型ＴＦＴのゲート電極は、テーパー部を有する形状であり、前記ＬＤＤ領域と一部が重なるように形成されており、
前記ゲート絶縁膜から連続して形成された前記保持容量の誘電体となる絶縁膜は前記ゲート絶縁膜より膜厚が薄くなっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１、請求項２、請求項３、請求項６のいずれか一項において、前記保持容量を形成する容量配線はアルミニウム（Ａｌ）または銅（Ｃｕ）から選ばれた元素、または前記元素を成分とする化合物、または前記元素を組み合わせた化合物材料からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
絶縁表面を有する基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶質半導体膜を形成した後島状の半導体層に形成し、
前記島状の半導体層に接するように絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層をエッチングしてゲート電極またはゲート電極となる導電層Ａを形成し、前記第１の導電層をエッチングした領域において前記絶縁膜の膜厚を薄くし、
前記ゲート電極および前記導電層Ａをマスクにして島状の半導体層に不純物元素を添加し、
前記ゲート電極および前記導電層Ａ上に第２の導電層を形成し、
駆動回路を形成するｎチャネル型ＴＦＴにおける前記導電層Ａの一部およびＬＤＤ領域の一部に重なるように、かつ画素部の半導体層に接して設けられ前記膜厚を薄くした絶縁膜上に容量配線が形成されるように前記第２の導電層をエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項９において、前記第１の導電層は、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）から選ばれた元素、または前記元素を成分とする化合物、または前記元素を組み合わせた化合物、または前記元素を成分とする窒化物、または前記元素を成分とするシリサイドから選ばれた材料で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項９において、前記第２の導電層および前記容量配線は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）から選ばれた元素、または前記元素を成分とする化合物、または前記元素を組み合わせた化合物材料で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項９において、前記第２の導電層と前記容量配線は同じ材料で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
絶縁表面を有する基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶質半導体膜を形成した後、島状の半導体層を形成し、
前記半導体層に接するように絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に導電層を形成し、
前記導電層を選択的にエッチングして第１のテーパー形状を有する導電層を形成し、前記導電層をエッチングした領域において前記絶縁膜の膜厚を薄くし、
前記半導体層に一導電型の不純物元素をドーピングし、
前記第１のテーパー形状を有する導電層をエッチングして第２のテーパー形状を有する導電層を形成し、
前記ドーピング工程より低い濃度で前記半導体層に一導電型の不純物元素をドーピングし、
画素部の半導体層に接して設けられ前記膜厚を薄くした絶縁膜上に容量配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１３において、前記容量配線は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）から選ばれた元素、または前記元素を成分とする化合物、または前記元素を組み合わせた化合物材料から形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１３において、前記第２のテーパー形状の導電層は、３０°〜６０°の角度を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記半導体装置は、パーソナルコンピュータ、ビデオカメラ、携帯型情報端末、デジタルカメラ、デジタルビデオディスクプレーヤー、プロジェクターであることを特徴とする半導体装置。