【手続補正書】
【提出日】平成20年3月19日(2008.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高分子と液晶材料からなり、可視光線以上の波長の光を実質的に散乱せず、かつ電界を印加していない時に光学的に等方性であり、液晶材料がキラリティーを有する液晶材料であることを特徴とする高分子／液晶複合材料。
【請求項２】
カー係数が１×１０−９ｍＶ−２以上を示す請求項１に記載の高分子／液晶複合材料。
【請求項３】
カー係数が１×１０−１０ｍＶ−２以上を示し、かつ温度差１０℃でのカー係数の比が１．５以下である領域が存在する請求項１に記載の高分子／液晶複合材料。
【請求項４】
モノマーと液晶材料との混合物を重合して得られる請求項１に記載の高分子／液晶複合材料において、モノマーと液晶材料の混合物が等方相を呈する温度で重合が開始されることを特徴とする請求項１〜３に記載の高分子／液晶複合材料。
【請求項５】
重合過程で等方相から液晶相に相転移することを特徴とする請求項４に記載の高分子／液晶複合材料。
【請求項６】
重合終了まで等方相であることを特徴とする請求項４に記載の高分子／液晶複合材料。
【請求項７】
室温でカイラルネマチック相またはブルー相を呈し、かつカイラルピッチ長が１００μｍから１０ｎｍである液晶材料を用いる請求項１〜６のいずれか１項に記載の高分子／液晶複合材料。
【請求項８】
室温でカイラルネマチック相またはブルー相を呈し、かつカイラルピッチ長が１０μｍから１０ｎｍである液晶材料を用いる請求項１〜６のいずれか１項に記載の高分子／液晶複合材料。
【請求項９】
室温でカイラルネマチック相またはブルー相を呈し、かつカイラルピッチ長が１μｍから１０ｎｍである液晶材料を用いる請求項１〜６のいずれか１項に記載の高分子／液晶複合材料。
【請求項１０】
液晶材料含有率が６５〜９９重量％である請求項１〜９のいずれか１項に記載の高分子／液晶複合材料。
【請求項１１】
高分子が架橋構造を有する請求項１に記載の高分子／液晶複合材料。
【請求項１２】
二官能以上のモノマーを含有するモノマーを用いることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の高分子／液晶複合材料。
【請求項１３】
高分子がメソゲン部位を有する請求項１〜１２のいずれか１項に記載の高分子／液晶複合材料。
【請求項１４】
印加電界の二乗と電気複屈折値が比例関係にあることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の高分子／液晶複合材料。
【請求項１５】
請求項１に記載の高分子／液晶複合材料を製造する方法であって、モノマーと液晶材料の混合物の重合において可視光線以上の波長の光を実質的に散乱せずかつ光学的に等方性の液晶状態または等方相で重合を終了することを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項１〜１５の何れか１項に記載の高分子／液晶複合材料を用いることを特徴とする光素子。
【請求項１７】
少なくとも一方が透明な一対の基板、該基板の一方または両方に形成された電極、前記基板間に挟持された液晶層と前記基板の外側に偏光板を有し、前記電極を介して液晶層に電界を印加する電界印加手段を備えた液晶表示装置であって、前記液晶層が、高分子と液晶材料からなる高分子／液晶複合材料から構成され、電界を印加していない時には光学的に等方性であり、電界印加時には光学的異方性を示し、前記液晶材料が室温でのカイラルピッチ長が１００μｍから１０ｎｍのキラリティーを有し、前記高分子は三次元架橋の網目状構造を形成し、液晶材料は該高分子中で一つの連続した層を形成し、液晶層に対する液晶材料の含有率が６５〜９９重量％であることを特徴とする液晶表示素子。
【請求項１８】
液晶層に用いる液晶材料のカイラルピッチ長が室温で１μｍから１０ｎｍであることを特徴とする請求項１７に記載の液晶表示素子。
【請求項１９】
液晶層に用いる液晶材料が室温でカイラルネマチック相またはブルー相を呈し、且つ該液晶材料のカイラルピッチ長が室温で１μｍから１０ｎｍであることを特徴とする請求項１７または１８に記載の液晶表示素子。
【請求項２０】
一対の基板の一方の基板上において基板面に並行で、且つ少なくとも２方向に電界を印加できるよう電極が構成されていることを特徴とする請求項１７〜１９のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
【請求項２１】
電極がマトリックス状に形成されて、画素電極を構成し、各画素にはアクティブ素子を備え、このアクティブ素子が薄膜トランジスター（ＴＦＴ）であることを特徴とする請求項１７〜２０のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
【請求項２２】
請求項１７〜２１のいずれか１項に記載の液晶表示素子を用いる液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
かくして、上記課題は、以下の項に示す本発明によって達成される。
［１］  高分子と液晶材料からなり、可視光線以上の波長の光を実質的に散乱せず、かつ電界を印加していない時に光学的に等方性であり、液晶材料がキラリティーを有する液晶材料であることを特徴とする高分子／液晶複合材料。
［２］  カー係数が１×１０−９ｍＶ−２以上を示す［１］項に記載の高分子／液晶複合材料。
［３］  カー係数が１×１０−１０ｍＶ−２以上を示し、かつ温度差１０℃でのカー係数の比が１．５以下である領域が存在する［１］項に記載の高分子／液晶複合材料。
［４］  モノマーと液晶材料との混合物を重合して得られる[１]項に記載の高分子／液晶複合材料において、モノマーと液晶材料の混合物が等方相を呈する温度で重合が開始されることを特徴とする[１]項〜[３]項に記載の高分子／液晶複合材料。
［５］  重合過程で等方相から液晶相に相転移することを特徴とする[４]項に記載の高分子／液晶複合材料。
［６］  重合終了まで等方相であることを特徴とする[４]項に記載の高分子／液晶複合材料。
［７］  室温でカイラルネマチック相またはブルー相を呈し、かつカイラルピッチ長が１００μｍから１０ｎｍである液晶材料を用いる[１]項〜[６]項のいずれか１項に記載の高分子／液晶複合材料。
［８］  室温でカイラルネマチック相またはブルー相を呈し、かつカイラルピッチ長が１０μｍから１０ｎｍである液晶材料を用いる[１]項〜[６]項のいずれか１項に記載の高分子／液晶複合材料。
［９］  室温でカイラルネマチック相またはブルー相を呈し、かつカイラルピッチ長が１μｍから１０ｎｍである液晶材料を用いる[１]項〜[６]項のいずれか１項に記載の高分子／液晶複合材料。
［１０］  液晶材料含有率が６５〜９９重量％である[１]項〜[９]項のいずれか１項に記載の高分子／液晶複合材料。
［１１］  高分子が架橋構造を有する[１]項に記載の高分子／液晶複合材料。
［１２］  二官能以上のモノマーを含有するモノマーを用いることを特徴とする[１]項〜[１１]項のいずれか１項に記載の高分子／液晶複合材料。
［１３］  高分子がメソゲン部位を有する[１]項〜[１２]項のいずれか１項に記載の高分子／液晶複合材料。
［１４］  印加電界の二乗と電気複屈折値が比例関係にあることを特徴とする[１]項〜[１３]項のいずれか１項に記載の高分子／液晶複合材料。
［１５］  [１]項に記載の高分子／液晶複合材料を製造する方法であって、モノマーと液晶材料の混合物の重合において可視光線以上の波長の光を実質的に散乱せずかつ光学的に等方性の液晶状態または等方相で重合を終了することを特徴とする方法。
［１６］  [１]項〜[１５]項の何れか１項に記載の高分子／液晶複合材料を用いることを特徴とする光素子。
［１７］  少なくとも一方が透明な一対の基板、該基板の一方または両方に形成された電極、前記基板間に挟持された液晶層と前記基板の外側に偏光板を有し、前記電極を介して液晶層に電界を印加する電界印加手段を備えた液晶表示装置であって、前記液晶層が、高分子と液晶材料からなる高分子／液晶複合材料から構成され、電界を印加していない時には光学的に等方性であり、電界印加時には光学的異方性を示し、前記液晶材料が室温でのカイラルピッチ長が１００μｍから１０ｎｍのキラリティーを有し、前記高分子は三次元架橋の網目状構造を形成し、液晶材料は該高分子中で一つの連続した層を形成し、液晶層に対する液晶材料の含有率が６５〜９９重量％であることを特徴とする液晶表示素子。
［１８］  液晶層に用いる液晶材料のカイラルピッチ長が室温で１μｍから１０ｎｍであることを特徴とする[１７]項に記載の液晶表示素子。
［１９］  液晶層に用いる液晶材料が室温でカイラルネマチック相またはブルー相を呈し、且つ該液晶材料のカイラルピッチ長が室温で１μｍから１０ｎｍであることを特徴とする[１７]項または[１８]項に記載の液晶表示素子。
［２０］  一対の基板の一方の基板上において基板面に並行で、且つ少なくとも２方向に電界を印加できるよう電極が構成されていることを特徴とする[１７]項〜[１９]項のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
［２１］  電極がマトリックス状に形成されて、画素電極を構成し、各画素にはアクティブ素子を備え、このアクティブ素子が薄膜トランジスター（ＴＦＴ）であることを特徴とする[１７]項〜[２０]項のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
［２２］  [１７]項〜[２１]項のいずれか１項に記載の液晶表示素子を用いる液晶表示装置。