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【手続補正書】
【提出日】平成20年9月11日(2008.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スピーカ及びマイクを有するドアホン子機と、前記ドアホン子機と音声通話が可能なドアホン親機とを備えたドアホン装置であって、
前記ドアホン子機は、人物の存在を検知する人感センサ部と、前記マイクから入力された音圧レベルを判定するレベル判定手段とを備え、前記ドアホン親機は、音声案内を指示する音声案内手段と、応答メッセージを格納した応答メッセージ部とを備え、前記人感センサ部が人物を検知して所定時間内に、前記レベル判定手段により前記音圧レベルが所定レベルを越えた回数が所定の回数に達したと判定されたときには、前記音声案内手段が前記応答メッセージ部から所定のメッセージを取り出して前記ドアホン子機のスピーカを介して出力することを特徴とするドアホン装置。
【請求項２】
前記ドアホン子機はカメラを有し、前記ドアホン親機は、前記カメラが撮像した画像情報を表示する表示部と、画像情報を記憶する画像メモリ部と、前記カメラが撮影した画像情報と前記画像メモリ部に格納された画像情報とを照合する照合部とを有し、前記人感センサ部が人物を検知した後であって、前記照合部が画像情報を照合して特定の人物と判断した場合に、前記レベル判定手段が前記マイクから入力された音圧レベルを判定することを特徴とする請求項１記載のドアホン装置。
【請求項３】
前記ドアホン親機は、外部への通報を行う自動発呼手段を有し、前記音声案内手段がメッセージを出力して所定時間が経過しても該人物が前記人感センサ部の検知領域内から退出しない場合に、前記自動発呼手段が所定の外部への通報のための動作を行うことを特徴とする請求項１または２記載のドアホン装置。
【請求項４】
スピーカ及びマイクを有するドアホン子機と、前記ドアホン子機と音声通話が可能なドアホン親機とを備えたドアホン装置であって、
前記ドアホン子機は、人物の存在を検知する人感センサ部と、振動を検知する振動検知センサと、前記振動検知センサにより検知された振動レベルを判定するレベル判定手段とを備え、前記ドアホン親機は、音声案内を指示する音声案内手段と、応答メッセージを格納した応答メッセージ部とを備え、前記人感センサ部が人物を検知して所定時間内に、前記レベル判定手段により前記振動検知センサが検知した振動レベルが所定レベルを越えた回数が所定の回数に達したと判定されたときには、前記音声案内手段が前記応答メッセージ部から所定のメッセージを取り出して前記ドアホン子機のスピーカを介して出力することを特徴とするドアホン装置。
【請求項５】
前記ドアホン子機はカメラを有し、前記ドアホン親機は、前記カメラが撮像した画像情報を表示する表示部と、画像情報を記憶する画像メモリ部と、前記カメラが撮影した画像情報と前記画像メモリ部に格納された画像情報とを照合する照合部とを有し、前記人感センサ部が人物を検知した後であって、前記照合部が画像情報を照合して特定の人物と判断した場合に、前記レベル判定手段が前記振動検知センサにより検知された振動レベルを判定することを特徴とする請求項４記載のドアホン装置。
【請求項６】
前記ドアホン親機は、外部への通報を行う自動発呼手段を有し、前記音声案内手段がメッセージを出力して所定時間が経過しても該人物が前記人感センサ部の検知領域内から退出しない場合に、前記自動発呼手段が所定の外部への通報のための動作を行うことを特徴とする請求項４または５記載のドアホン装置。
【請求項７】
スピーカ及びマイクを有するドアホン子機と、前記ドアホン子機と音声通話が可能なドアホン親機とを備えたドアホン装置であって、
前記ドアホン子機は、人物の存在を検知する人感センサ部と、振動を検知する振動検知センサと、前記子機マイクから入力された音圧レベル及び前記振動検知センサにより検知された振動レベルを判定するレベル判定手段とを備え、前記ドアホン親機は、音声案内を指示する音声案内手段と、応答メッセージを格納した応答メッセージ部とを備え、前記人感センサ部が人物を検知して所定時間内に、前記レベル判定手段により、前記音圧レベルが所定レベルを越えた回数が所定の回数に達し、かつ前記振動レベルが所定レベルを越えた回数が所定の回数に達したと判定されたときには、前記音声案内手段が前記応答メッセージ部から所定のメッセージを取り出して前記ドアホン子機のスピーカを介して出力することを特徴とするドアホン装置。
【請求項８】
前記ドアホン親機は、外部への通報を行う自動発呼手段を有し、前記音声案内手段がメッセージを出力して所定時間が経過しても該人物が前記人感センサ部の検知領域内から退出しない場合に、前記自動発呼手段が所定の外部への通報のための動作を行うことを特徴とする請求項７記載のドアホン装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記従来の課題を解決するために本発明は、上記の目的を達成するために、スピーカ及びマイクを有するドアホン子機と、ドアホン子機と音声通話が可能なドアホン親機とを備えたドアホン装置であって、ドアホン子機は、人物の存在を検知する人感センサ部と、マイクから入力された音圧レベルを判定するレベル判定手段とを備え、ドアホン親機は、音声案内を指示する音声案内手段と、応答メッセージを格納した応答メッセージ部とを備え、人感センサ部が人物を検知して所定時間内に、レベル判定手段により音圧レベルが所定レベルを越えた回数が所定の回数に達したと判定されたときには、音声案内手段が応答メッセージ部から所定のメッセージを取り出してドアホン子機のスピーカを介して出力することを主要な特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記課題を解決するために本発明の第１の発明は、スピーカ及びマイクを有するドアホン子機と、ドアホン子機と音声通話が可能なドアホン親機とを備えたドアホン装置であって、ドアホン子機は、人物の存在を検知する人感センサ部と、マイクから入力された音圧レベルを判定するレベル判定手段とを備え、ドアホン親機は、音声案内を指示する音声案内手段と、応答メッセージを格納した応答メッセージ部とを備え、人感センサ部が人物を検知して所定時間内に、レベル判定手段により音圧レベルが所定レベルを越えた回数が所定の回数に達したと判定されたときには、音声案内手段が応答メッセージ部から所定のメッセージを取り出してドアホン子機のスピーカを介して出力することを特徴とするので、当該メッセージを出力することで、ドアホン子機前で騒ぎがあったときにこの騒ぎを抑えることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の第２の発明は、第１の発明に従属する発明であって、ドアホン親機は、外部への通報を行う自動発呼手段を有し、音声案内手段がメッセージを出力して所定時間が経過しても該人物が人感センサ部の検知領域内から退出しない場合に、自動発呼手段が所定の外部への通報のための動作を行うドアホン装置であり、警察等の所定の箇所へ自動的に緊急の通報を行うことができ、騒ぎを抑えることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月8日(2008.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像機能、通信機能、通話機能を備えた情報処理装置と、予め人物画像、電話番号、メールアドレス等が関連付けされて登録されている照会センターとからなる情報処理システムにおいて、
情報処理装置は、選択した撮影画像を照会センターに送信する手段を備え、
照会センターは、該送信画像が登録画像に一致したときにのみ、情報処理装置と登録先との通話回線を接続する手段を備えていることを特徴とする情報処理システム。
【請求項２】
請求項１記載の情報処理システムにおいて、
照会センターは、登録情報を登録しておく時間を設定可能であり、該時間経過後に登録情報を削除する手段を備えていることを特徴とする情報処理システム。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の情報処理システムにおいて、
登録者は、照会センターの登録情報を任意に差し替え可能に構成されていることを特徴とする情報処理システム。
【請求項４】
撮像機能、通信機能、通話機能を備えた情報処理装置と、予め人物画像、電話番号、メールアドレス等が関連付けされて登録されている照会センターとからなる情報処理システムを制御する情報処理方法において、
情報処理装置から、選択した撮影画像が照会センターに送信され、該送信画像が、照会センターでの登録画像に一致したときにのみ、情報処理装置と登録画像の登録先との通信回線を接続することを特徴とする情報処理方法。
【請求項５】
請求項４記載の情報処理方法において、
登録者が、登録情報を照会センターに登録しておく時間を設定することにより、照会センターでは、該時間経過後に登録情報を削除することを特徴とする情報処理方法。
【請求項６】
請求項４または請求項５記載の情報処理方法において、
登録者は、照会センターの登録情報を、必要に応じて差し替えることを特徴とする情報処理方法。
【請求項７】
画像を記憶する画像記憶手段と、
予め人物画像、電話番号、メールアドレス等が関連付けされて登録されている照会センターを介して相手先との通信回線を接続することにより、相手先との間でメール通信または音声通話を行う通信通話手段と、
前記画像記憶手段に記憶された複数の画像の中から前記相手先に係る画像を選択する選択手段と、
前記選択手段により選択された画像を前記照会センターに送信する送信手段と、
前記送信手段による前記画像の送信に応答して前記照会センターより送られてくる照会結果情報であり、前記照会センターに予め記憶されている人物画像と前記送信した画像とが一致するか否かの照会結果を示す照会結果情報を受信する受信手段と、
前記受信手段により受信した前記照会結果情報の内容に従って、前記選択手段により選択された画像に係る相手先との間での前記通信通話手段によるメール通信または音声通話の可否を制御する制御手段と、
を具備したことを特徴とする情報処理装置。
【請求項８】
被写体を撮像して画像を取得する撮像手段を更に備え、
前記選択手段は、前記撮像手段により取得されて前記画像記憶手段に記憶されている画像を選択することを特徴とする請求項７記載の情報処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理装置、情報処理システムおよび情報処理方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、たとえば携帯電話機のように撮像機能、通信機能、通話機能を備えた情報処理装置と、予め人物画像、電話番号、メールアドレス等が関連付けされて登録されている照会センターとからなる情報処理システム、情報処理装置およびこれを用いた情報処理方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明（請求項６記載の発明）に係る情報処理方法は、請求項４または請求項５記載の情報処理方法において、登録者は、照会センターの登録情報を、必要に応じて差し替えることを特徴とする。
本発明（請求項７記載の発明）に係る情報処理装置は、画像を記憶する画像記憶手段と、予め人物画像、電話番号、メールアドレス等が関連付けされて登録されている照会センターを介して相手先との通信回線を接続することにより、相手先との間でメール通信または音声通話を行う通信通話手段と、前記画像記憶手段に記憶された複数の画像の中から前記相手先に係る画像を選択する選択手段と、前記選択手段により選択された画像を前記照会センターに送信する送信手段と、前記送信手段による前記画像の送信に応答して前記照会センターより送られてくる照会結果情報であり、前記照会センターに予め記憶されている人物画像と前記送信した画像とが一致するか否かの照会結果を示す照会結果情報を受信する受信手段と、前記受信手段により受信した前記照会結果情報の内容に従って、前記選択手段により選択された画像に係る相手先との間での前記通信通話手段によるメール通信または音声通話の可否を制御する制御手段と、を具備したことを特徴とする。
本発明（請求項８記載の発明）に係る情報処理装置は、請求項７記載の情報処理装置において、被写体を撮像して画像を取得する撮像手段を更に備え、前記選択手段は、前記撮像手段により取得されて前記画像記憶手段に記憶されている画像を選択することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月4日(2008.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
従って、第２の従来例の高耐圧ＭＯＳトランジスタにおいてボディ領域端の曲率半径を大きくすればオフ耐圧は上昇すると考えられるが、ボディ領域端の半円の曲率半径を大きくして、ボディ領域の幅も大きくすると、デバイス面積も大きくなりコストアップにつながるという課題がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
（第２の実施形態）
図２は、本発明の第２の実施形態の高耐圧ＮｃｈＭＯＳトランジスタを示す。
図２に示すように、第１の実施形態と同様に、Ｎ＋ソース領域１２、Ｐ型ボディ領域１１およびＰ＋ボディ・コンタクト拡散領域１４を、Ｎ＋ドレイン領域１５およびＮ型ドリフト領域１３で包囲している。また、Ｐ型ボディ領域１１の端部に重なってゲート電極１６が形成されている。そして、前記Ｐ型ボディ領域１１の端部は、半円状の平面形状をしており、その直径Ａは１４〜１８μｍの範囲である。一方、端部から離れた直線状の中央部の幅Ｂは１０μｍである。オフ耐圧は、ボディ領域端の直径が中央部の幅と同じ場合は、１７５ボルトであるが、ボディ領域端の直径を中央部に比べて長くした場合は１８０ボルトまで上昇した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
これは、Ｐ型ボディ領域１１端部の直径を長くすることによって、Ｎ型ドリフト領域１３に拡がる空乏領域の曲率半径を大きくすることができるため、ゲート電極１６端下方の電界を緩和できるからと考えられる。Ｐ型ボディ領域１１は端部の幅は大きくなっているが、中央部の幅は不変であるため、デバイス面積は増加せず、コストアップは生じない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2007096143.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月1日(2008.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
前記第１の基板に少なくとも一部が重ねて配置される第２の基板と、
前記第１の基板に設けられる第１のスルーホールと、
前記第２の基板に設けられる第２のスルーホールと、
前記第１および第２のスルーホールを貫通するピンコンタクト部と前記ピンコンタクト部の一端に形成され少なくとも上面の一部が平面状をなす頭部とを具備する接続ピンと、
を備え、
前記第１および第２のスルーホールの少なくとも一部に充填される導電性ペーストによって、前記第１の基板および前記第２の基板が前記接続ピンを介して接続されることを特徴とするプリント配線板。
【請求項２】
前記接続ピンは、前記頭部の上面を吸着するノズルを備えたマウンタ装置によって、前記第１および第２のスルーホールを貫通してマウントされることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
【請求項３】
前記第１および第２の基板は、前記ピンコンタクト部を前記第１および第２のスルーホールを貫通させた後、リフロー処理によって前記導電性ペーストを溶融し、前記接続ピンを介して接続されることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
【請求項４】
前記接続ピンは、前記プリント配線板に実装される表面実装部品のマウント工程の中でマウントされることを特徴とする請求項２に記載のプリント配線板。
【請求項５】
前記第１および第２の基板は、前記プリント配線板に実装される表面実装部品のリフロー処理工程の中で接続されることを特徴とする請求項３に記載のプリント配線板。
【請求項６】
前記接続ピンは、前記ピンコンタクト部の少なくとも一部に補充用導電性ペーストを有する接続ピンである、ことを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
【請求項７】
前記接続ピンは、電気導電性を有する材料で形成されることと特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
【請求項８】
前記第１の基板と前記第２の基板の間に接着剤層をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
【請求項９】
少なくとも一部が重ねて配置される第１の基板と第２の基板とを接続するプリント配線板の接続方法において、
前記第１の基板に設けられる第１のスルーホールと前記第２の基板に設けられる第２のスルーホールの位置を合わせるステップと、
ピンコンタクト部と前記ピンコンタクト部の一端に形成され少なくとも上面の一部が平面状をなす頭部とを具備する接続ピンを、前記第１および第２のスルーホールに貫通させるステップと、
前記第１および第２のスルーホールの少なくとも一部に充填される導電性ペーストによって、前記第１の基板および前記第２の基板を前記接続ピンを介して接続するステップと、
を備えたことを特徴とするプリント配線板の接続方法。
【請求項１０】
マウンタ装置のノズルによって前記接続ピンの頭部の上面を吸着し、前記接続ピンを前記第１および第２のスルーホールに前記マウンタ装置を用いて貫通させることを特徴とする請求項９に記載のプリント配線板の接続方法。
【請求項１１】
前記接続ピンを前記第１および第２のスルーホールを貫通させた後、前記第１および第２のスルーホールをリフロー処理によって接続することを特徴とする請求項９に記載のプリント配線板の接続方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月7日(2008.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中空を有するガラス体と、前記中空内に封入したルビジウム原子とを有するルビジウムランプと、前記ルビジウムランプに電磁界を供給する為の励振コイルと、前記励振コイルが前記ガラス体をコアにして巻きつけられた構成と、を有するルビジウム原子発振回路用のランプ励振器であって、
前記中空の形状が前記ルビジウムランプの発光面の位置とは異なる所に凹みを有し、
前記励振コイルの２つの端のうち高周波電圧の高い側となる端側を前記発光面側に配置すると共に、前記凹み部分を前記励振コイルの他方の端側に配置したことを特徴とするルビジウム原子発振回路用のランプ励振器。
【請求項２】
中空を有するガラス体と、前記中空内に封入したルビジウム原子とを有するルビジウムランプと、前記ルビジウムランプに電磁界を供給する為の励振コイルと、前記励振コイルが前記ガラス体をコアにして巻きつけられた構成と、前記励振コイルとコンデンサとを有する共振回路と発振用トランジスタとを備えたＬＣ発振回路と、前記発振用トランジスタのバイアス回路に印加する電圧を制御する為の電圧制御回路と、を備え、前記電圧制御回路が、バッファアンプと、リレーと、前記リレーと並列に接続した抵抗とを有し、前記リレーが、前記バイアス回路に導通した端子と直流電源に導通した端子との間を開閉制御可能な導通路を有し、前記導通路が、前記バッファアンプが出力する駆動電流によって開閉制御されるものであり、前記ルビジウムランプの発光に伴い検出電圧を出力するランプ点灯光検出回路の出力端子と前記バッファアンプの入力端子とを導通接続したことを特徴とするルビジウム原子発振器用のランプ励振器。
【請求項３】
前記中空の形状が前記ルビジウムランプの発光面の位置とは異なる所に凹みを有し、
前記励振コイルの２つの端のうち高周波電圧の高い側となる端側を前記発光面側に配置すると共に、前記凹み部分を前記励振コイルの他方の端側に配置したことを特徴とするルビジウム原子発振回路用のランプ励振器。
【請求項４】
前記凹み部分を形成するガラス体の部分の外面と、前記ルビジウムランプを収容するケースの壁面とを熱伝導性接着剤によって固着したことを特徴とする請求項１または請求項３に記載のルビジウム原子発振回路用のランプ励振器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ルビジウム原子発振回路用のランプ励振器
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記課題を解決するため、本願発明は、中空を有するガラス体と、前記中空内に封入したルビジウム原子とを有するルビジウムランプと、前記ルビジウムランプに電磁界を供給する為の励振コイルと、前記励振コイルが前記ガラス体をコアにして巻きつけられた構成と、を有するルビジウム原子発振回路用のランプ励振器であって、前記中空の形状が前記ルビジウムランプの発光面の位置とは異なる所に凹みを有し、前記励振コイルの２つの端のうち高周波電圧の高い側となる端側を前記発光面側に配置すると共に、前記凹み部分を前記励振コイルの他方の端側に配置したことを特徴とする。
また、本願発明は、中空を有するガラス体と、前記中空内に封入したルビジウム原子とを有するルビジウムランプと、前記ルビジウムランプに電磁界を供給する為の励振コイルと、前記励振コイルが前記ガラス体をコアにして巻きつけられた構成と、前記励振コイルとコンデンサとを有する共振回路と発振用トランジスタとを備えたＬＣ発振回路と、前記発振用トランジスタのバイアス回路に印加する電圧を制御する為の電圧制御回路と、を備え、前記電圧制御回路が、バッファアンプと、リレーと、前記リレーと並列に接続した抵抗とを有し、前記リレーが、前記バイアス回路に導通した端子と直流電源に導通した端子との間を開閉制御可能な導通路を有し、前記導通路が、前記バッファアンプが出力する駆動電流によって開閉制御されるものであり、前記ルビジウムランプの発光に伴い検出電圧を出力するランプ点灯光検出回路の出力端子と前記バッファアンプの入力端子とを導通接続したことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
更に本願発明は、前記中空の形状が前記ルビジウムランプの発光面の位置とは異なる所に凹みを有し、前記励振コイルの２つの端のうち高周波電圧の高い側となる端側を前記発光面側に配置すると共に、前記凹み部分を前記励振コイルの他方の端側に配置したことを特徴とする。
また、更に加えて本願発明は前記凹み部分を形成するガラス体の部分の外面と、前記ルビジウムランプを収容するケースの壁面とを熱伝導性接着剤によって固着したことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月3日(2008.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）同一の第１の平面に分布された複数の領域を有するシリコン層を用意し、前記各領域は前記シリコン層のそれぞれのトレンチによって、隣接する領域から分離され、前記各領域は第１、第２、第３、第４の側壁を有し、これらの側壁は共に方形表面の境界を規定し、それぞれ前記トレンチの１つの側面を構成しており、
（ｂ）前記シリコン層とイオン源とを、第１の相対的な方位で、相互に方向を規定し、
（ｃ）前記シリコン層と前記イオン源が前記第１の相対的な方位にある状態で、前記第１の側壁に対して前記第１の平面で測定されるときに鋭角である第１の角度成分を有する方向で、イオンを前記シリコン層に指向させ、
（ｄ）前記ステップ（ｃ）の後、前記イオンの指向を停止し、
（ｅ）前記ステップ（ｄ）の後、前記シリコン層と前記イオン源を、前記第１の相対的な方位とは異なる第２の相対的な方位で、相互に方向を規定し、
（ｆ）前記シリコン層と前記イオン源が前記第２の相対的な方位にある状態で、前記第２の側壁に対して前記第１の平面で測定されるときに鋭角である第２の角度成分を有する方向で、イオンを前記シリコン層に指向させるステップを含んでいる方法。
【請求項２】
さらに、前記複数の領域の一部をレジスト層でカバーし、それによって前記ステップ（ｃ）と（ｆ）の期間中に、各前記複数の領域の一部を前記レジスト層によりカバーするステップを含んでいる請求項１記載の方法。
【請求項３】
（ｇ）前記ステップ（ｆ）の後、前記イオンの指向を停止し、
（ｈ）前記シリコン層と前記イオン源とを、前記第１及び第２の相対的な方位とは異なる第３の相対的な方位で、相互に方向を規定し、
（ｉ）前記シリコン層と前記イオン源とが前記第３の相対的な方位にある状態で、前記第３の側壁に対して前記第１の平面で測定されるときに鋭角である第３の角度成分を有する方向で、イオンを前記シリコン層に指向させ、
（ｊ）前記ステップ（ｉ）の後、前記イオンの指向を停止し、
（ｋ）前記ステップ（ｊ）の後、前記シリコン層と前記イオン源とを、前記第１、第２、第３の相対的な方位とは異なる第４の相対的な方位で、相互に方向を規定し、
（ｌ）前記シリコン層と前記イオン源とが前記第４の相対的な方位にある状態で、前記第４の側壁に対して前記第１の平面で測定されるときに鋭角である第４の角度成分を有する方向で、イオンを前記シリコン層に指向させるステップをさらに含んでいる請求項１記載の方法。
【請求項４】
トレンチで囲まれている第１の領域と、前記トレンチの反対側の側面にある第２の領域とを有するシリコン層を用意し、前記第１の領域は、それぞれ前記トレンチの側壁を形成する第１および第２の側面を有し、
複数の逐次的な時間間隔の各期間中に、イオン流の量を交互に増加及び減少させて、前記時間間隔のうちの１つである第１の間隔中の、前記イオン流の量が増加したレベルにある状態で、前記イオン流が同時に前記第１および第２の側面に入射するステップを含んでいる方法。
【請求項５】
シリコン層と、
前記シリコン層上に配置され、活性領域を有するＮＦＥＴと、
前記シリコン層のトレンチ内に配置されている電気的分離層とを具備し、
前記トレンチは前記ＮＦＥＴの前記活性領域のエッジにより形成される第１の側壁を有し、
前記トレンチの底部の平均ボロン濃度が前記第１の側壁の平均ボロン濃度の約２倍である半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
以上、ＳＴＩとＦＥＴのゲートの接合部におけるＳＴＩディボットの不所望な影響を減少させるための改良された方法について説明した。コンポーネントが飛躍的に小さくなり、かつより密集されて製造されるが、これはボロン注入（または別のイオンの注入）の効率を維持しながら、実現できる。
なお、請求項の記載に関連して本発明はさらに次の態様をとり得る。
（１）請求項１に関し、前記第１の鋭角は４０度乃至５０度の範囲の角度である。
（２）請求項１に関し、さらに、前記複数の各領域上にポリシリコン層を形成するステップを含んでいる。
（３）請求項１に関し、さらに、前記各トレンチ中にシャロートレンチアイソレーション層を形成するステップを含んでいる。
（４）請求項３に関し、前記第１、第２、第３、第４の角度は４０度乃至５０度の範囲の角度である。
（５）請求項１に関し、前記イオンはボロンイオンである。
（６）請求項４に関し、前記イオン流の量を交互に増加及び減少させる前記ステップは、前記イオン流の量を交互に、ゼロから増加させ、ゼロへ減少させるステップを含んでいる。
（７）請求項４に関し、前記イオン流の量を交互に増加及び減少させる前記ステップは、前記複数の時間間隔の各期間中に、前記イオン流の量を交互に増加及び減少させ、それによって、前記時間間隔のうちの第１の時間間隔中、前記第１の時間間隔で前記イオン流の量が最大量である状態で、前記イオン流が同時に前記第１および第２の側面に入射し、前記時間間隔のうちの第２の時間間隔中、前記第２の時間間隔で前記イオン流の量が最大量である状態で、前記イオン流が前記第２の側面に入射するが、前記第１の側面には入射しない。
（８）請求項４に関し、前記第１の領域はさらに、前記トレンチの側壁を形成する第３の側面を含み、前記第２の側面は前記第１と第３の側面の間に配置され、前記方法はさらに、前記時間間隔のうちの第３の時間間隔中、前記イオン流の量が増加されたレベルにある状態で、前記イオン流が同時に前記第２および第３の側面に入射するステップを含んでいる。
（９）請求項４に関し、前記第１及び第２の側面はほぼ、相互に直交している。
（１０）請求項４に関し、さらに、各前記複数の時間間隔の各時間間隔の間で、第１の軸を中心にして前記シリコン層を回転させるステップを含んでいる。
（１１）先の（１０）の記載に関し、前記第１の時間間隔中、前記イオン流の量が増加されたレベルにある状態で、前記イオン流は前記第１の側面に対して１つの入射角度で前記第１の側面を照射し、前記入射角度は４０度乃至５０度の範囲の角度で前記第１の軸を中心とする回転成分を含んでいる。
（１２）先の（１０）の記載に関し、前記第１の時間間隔中、前記イオン流の量が増加されたレベルにある状態で、前記イオン流は前記第１の側面に対して１つの入射角度で前記第１の側面を照射し、前記入射角度は約４５度で前記第１の軸を中心とする回転成分を含んでいる。
（１３）請求項４に関し、前記時間間隔のうちの第２の時間間隔中、前記イオン流の量が増加したレベルにある状態で、前記イオン流は前記第２の側面に入射するが、前記第１の側面には入射しない。
（１４）請求項４に関し、前記イオンはボロンイオンである。
（１５）請求項５に関し、さらに、前記シリコン層上に配置され、活性領域を有するＰＦＥＴを含み、前記トレンチは前記ＰＦＥＴの活性領域のエッジにより形成される第２の反対側の側壁を有し、前記トレンチの底部は前記第１と第２の側壁の間に配置されている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月26日(2008.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像読取手段で読取った原稿画像から出力画像を生成する画像処理装置であって、
前記画像読取手段で原稿を読み取ることで得られた画像データを記憶する記憶手段と、
該記憶手段に記憶された画像データから、記入欄の領域を特定する領域指定情報、及び、前記記入欄の記入情報を暗号化する際に用いる暗号鍵を特定する暗号化鍵特定情報を抽出する抽出手段と、
該抽出手段で抽出した領域指定情報で特定される前記記入欄の領域内の画像データを、前記暗号化鍵特定情報で特定される暗号鍵を用いて暗号化する暗号化手段と、
該暗号化手段で暗号化して得られた情報をイメージデータとして前記記憶手段に記憶された画像データ中の該当する領域に格納することにより、前記記憶手段に記憶された画像データを更新する更新手段と、
該更新手段で更新された画像データを出力する出力手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記出力手段は、前記更新手段で更新された画像データを印刷手段に出力することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記出力手段は、前記更新手段で更新された画像データを通信手段に出力することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記抽出手段は、画像データの背景領域から、前記領域指定情報及び前記暗号化鍵特定情報を抽出することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記暗号化手段は、所定の乱数発生手段で発生した乱数を共通鍵として前記記入欄の領域内の画像データを暗号化し、前記暗号鍵を公開鍵として前記発生した乱数を暗号化するハイブリッド暗号化手段とすることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記暗号化鍵特定情報は、公開鍵の情報であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記暗号化鍵特定情報は、外部記憶装置に格納された公開鍵を特定するための情報であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
画像読取手段で読取った原稿画像から出力画像を生成する画像処理装置の制御方法であって、
格納手段が、前記画像読取手段で原稿を読み取ることで得られた画像データを記憶手段に格納する格納工程と、
抽出手段が、該記憶手段に記憶された画像データから、記入欄の領域を特定する領域指定情報、及び、前記記入欄の記入情報を暗号化する際に用いる暗号鍵を特定する暗号化鍵特定情報を抽出する抽出工程と、
暗号化手段が、該抽出工程で抽出した領域指定情報で特定される前記記入欄の領域内の画像データを、前記暗号化鍵特定情報で特定される暗号鍵を用いて暗号化する暗号化工程と、
更新手段が、該暗号化工程で暗号化して得られた情報をイメージデータとして前記記憶手段に記憶された画像データ中の該当する領域に格納することにより、前記記憶手段に記憶された画像データを更新する更新工程と、
出力手段が、該更新工程で更新された画像データを出力する出力工程と
を備えることを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【請求項９】
コンピュータを、
画像読取手段で原稿を読み取ることで得られた画像データを記憶手段に記憶する格納手段、
該記憶手段に記憶された画像データから、記入欄の領域を特定する領域指定情報、及び、前記記入欄の記入情報を暗号化する際に用いる暗号鍵を特定する暗号化鍵特定情報を抽出する抽出手段、
該抽出手段で抽出した領域指定情報で特定される前記記入欄の領域内の画像データを、前記暗号化鍵特定情報で特定される暗号鍵を用いて暗号化する暗号化手段、
該暗号化手段で暗号化して得られた情報をイメージデータとして前記記憶手段に記憶された画像データ中の該当する領域に格納することにより、前記記憶手段に記憶された画像データを更新する更新手段、
該更新手段で更新された画像データを出力する出力手段、
として機能させるためのコンピュータプログラム。
【請求項１０】
請求項９に記載のコンピュータプログラムを格納したことを特徴とするコンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
かかる課題を解決するため、本発明の画像処理装置は以下の構成を備える。すなわち、
画像読取手段で読取った原稿画像から出力画像を生成する画像処理装置であって、
前記画像読取手段で原稿を読み取ることで得られた画像データを記憶する記憶手段と、
該記憶手段に記憶された画像データから、記入欄の領域を特定する領域指定情報、及び、前記記入欄の記入情報を暗号化する際に用いる暗号鍵を特定する暗号化鍵特定情報を抽出する抽出手段と、
該抽出手段で抽出した領域指定情報で特定される前記記入欄の領域内の画像データを、前記暗号化鍵特定情報で特定される暗号鍵を用いて暗号化する暗号化手段と、
該暗号化手段で暗号化して得られた情報をイメージデータとして前記記憶手段に記憶された画像データ中の該当する領域に格納することにより、前記記憶手段に記憶された画像データを更新する更新手段と、
該更新手段で更新された画像データを出力する出力手段とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月28日(2008.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に凹所を有した絶縁容器と、該凹所内に配置されて圧電振動素子の各励振電極と電気的に接続される内部パッドと、該絶縁容器の外底面の一辺に沿って配置した実装端子と、ＩＣ部品を搭載するために絶縁容器の外底面に配置された底面パッドと、前記実装端子と前記各内部パッドと前記底面パッドとの間を導通する導体と、を備え、
前記実装端子は、前記絶縁容器外底面の一辺に沿って突設した段差部の底面に配置されていることを特徴とする表面実装型圧電モジュール用パッケージ。
【請求項２】
上面に凹所を有した絶縁容器と、該凹所内に配置されて圧電振動素子の各励振電極と電気的に接続される内部パッドと、該絶縁容器の外底面の一辺に沿って配置した実装端子と、ＩＣ部品を搭載するために絶縁容器の外底面に配置された底面パッドと、前記実装端子と前記各内部パッドと前記底面パッドとの間を導通する導体と、を備え、
前記実装端子には、凸状端子部材が電気的機械的に固定されていることを特徴とする表面実装型圧電モジュール用パッケージ。
【請求項３】
上面に凹所を有した絶縁容器と、該凹所内に配置されて圧電振動素子の各励振電極と電気的に接続される内部パッドと、該絶縁容器の外底面の一辺に沿って配置した実装パッドと、ＩＣ部品を搭載するために絶縁容器の外底面に配置された底面パッドと、前記実装端子と前記各内部パッドと前記底面パッドとの間を導通する導体と、を備え、
前記絶縁容器外底面の前記一辺に沿った位置には、前記実装パッドに跨って単一の柱状端子部材が接合されており、
前記柱状端子部材は、絶縁基部と、該絶縁基部の裏面に形成されて前記実装パッドと個別に導通する裏面電極と、前記裏面電極と個別に導通し且つ該絶縁基部底面に露出配置された実装端子と、を備えていることを特徴とする表面実装型圧電モジュール用パッケージ。
【請求項４】
請求項１、２、又は３に記載の表面実装型圧電モジュール用パッケージを用いて構成した表面実装型圧電モジュールであって、前記内部パッドに圧電振動素子の各励振電極を電気的に接続した状態で前記凹所が金属蓋にて気密封止されており、前記底面パッドにはＩＣ部品が搭載されていることを特徴とする表面実装型圧電モジュール。
【請求項５】
前記ＩＣ部品をモールド樹脂により被覆することにより前記絶縁容器外底面に一体化したことを特徴とする請求項４に記載の表面実装型圧電モジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表面実装型圧電モジュール用パッケージ、及び表面実装型圧電モジュール
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明の表面実装型圧電モジュール用パッケージは、上面に凹所を有した絶縁容器と、該凹所内に配置されて圧電振動素子の各励振電極と電気的に接続される内部パッドと、該絶縁容器の外底面の一辺に沿って配置した実装端子と、ＩＣ部品を搭載するために絶縁容器の外底面に配置された底面パッドと、前記実装端子と前記各内部パッドと前記底面パッドとの間を導通する導体と、を備え、前記実装端子は、前記絶縁容器外底面の一辺に沿って突設した段差部の底面に配置されていることを特徴とする。
本発明の表面実装型圧電モジュール用パッケージは、上面に凹所を有した絶縁容器と、該凹所内に配置されて圧電振動素子の各励振電極と電気的に接続される内部パッドと、該絶縁容器の外底面の一辺に沿って配置した実装端子と、ＩＣ部品を搭載するために絶縁容器の外底面に配置された底面パッドと、前記実装端子と前記各内部パッドと前記底面パッドとの間を導通する導体と、を備え、前記実装端子には、凸状端子部材が電気的機械的に固定されていることを特徴とする。
本発明の表面実装型圧電モジュール用パッケージは、上面に凹所を有した絶縁容器と、該凹所内に配置されて圧電振動素子の各励振電極と電気的に接続される内部パッドと、該絶縁容器の外底面の一辺に沿って配置した実装パッドと、ＩＣ部品を搭載するために絶縁容器の外底面に配置された底面パッドと、前記実装端子と前記各内部パッドと前記底面パッドとの間を導通する導体と、を備え、前記絶縁容器外底面の前記一辺に沿った位置には、前記実装パッドに跨って単一の柱状端子部材が接合されており、前記柱状端子部材は、絶縁基部と、該絶縁基部の裏面に形成されて前記実装パッドと個別に導通する裏面電極と、前記裏面電極と個別に導通し且つ該絶縁基部底面に露出配置された実装端子と、を備えていることを特徴とする。
本発明の表面実装型圧電モジュールは、本発明に係る表面実装型圧電モジュール用パッケージを用いて構成した表面実装型圧電モジュールであって、前記内部パッドに圧電振動素子の各励振電極を電気的に接続した状態で前記凹所が金属蓋にて気密封止されており、前記底面パッドにはＩＣ部品が搭載されていることを特徴とする。
本発明の表面実装型圧電モジュールは、前記ＩＣ部品をモールド樹脂により被覆することにより前記絶縁容器外底面に一体化したことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月28日(2008.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に凹所を有した上部絶縁容器、該凹所内に配置されて圧電振動素子の各励振電極と電気的に接続される内部パッド、該上部絶縁容器の外底面に配置した底部パッド、及び前記凹所を封止する蓋を備えた圧電振動子と、
上面に発振回路を構成するＩＣ部品を搭載するためのＩＣ部品用パッドを備えた絶縁基板、該絶縁基板上面から上方に突設された凸部、該凸部上面に配置されて前記各底部パッドと導通した状態で接合される接合パッド、及び絶縁基板底部に配置された実装端子を備えた下部絶縁容器と、
前記各内部パッドと底部パッドと接合パッドとＩＣ部品用パッドと実装端子との間を導通する導体と、を備えた表面実装型圧電発振器用パッケージにおいて、
前記底部パッドは、前記上部絶縁容器の外底面の一辺に沿って配列され、
前記凸部は、前記絶縁基板の一辺に沿って存在することを特徴とする表面実装型圧電発振器用パッケージ。
【請求項２】
上面に凹所を有した上部絶縁容器、該凹所内に配置されて圧電振動素子の各励振電極と電気的に接続される内部パッド、該上部絶縁容器の外底面に配置した底部パッド、及び前記凹所を封止する蓋を備えた圧電振動子と、
平板状の絶縁基板、該絶縁基板上面から上方に突設された凸部、該凸部上面に配置されて前記底部パッドと導通した状態で接合される接合パッド、及び絶縁基板底部に配置された実装端子を備えた下部絶縁容器と、
前記各内部パッドと底部パッドと上部パッドと接合パッドと実装端子との間を導通する導体と、を備えた表面実装型圧電発振器用パッケージにおいて、
前記底部パッドは、前記上部絶縁容器の外底面の一辺に沿って配列され、
前記凸部は、前記絶縁基板の一辺に沿って存在し、
前記上部絶縁容器の外底面に発振回路を構成するＩＣ部品を搭載するためのＩＣ部品用パッドを備えたことを特徴とする表面実装型圧電発振器用パッケージ。
【請求項３】
請求項１、又は２に記載の表面実装型圧電発振器用パッケージを用いて構成した表面実装型圧電発振器であって、前記内部パッドに圧電振動素子の各励振電極を電気的に接続した状態で前記凹所が蓋にて気密封止されており、前記ＩＣ部品用パッドには前記ＩＣ部品が搭載されていることを特徴とする表面実装型圧電発振器。
【請求項４】
前記ＩＣ部品を接着剤により前記上部絶縁容器、及び／又は、前記下部絶縁容器に接合したことを特徴とする請求項３に記載の表面実装型圧電発振器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明の表面実装型圧電発振器用パッケージは、上面に凹所を有した上部絶縁容器、該凹所内に配置されて圧電振動素子の各励振電極と電気的に接続される内部パッド、該上部絶縁容器の外底面に配置した底部パッド、及び前記凹所を封止する蓋を備えた圧電振動子と、上面に発振回路を構成するＩＣ部品を搭載するためのＩＣ部品用パッドを備えた絶縁基板、該絶縁基板上面から上方に突設された凸部、該凸部上面に配置されて前記各底部パッドと導通した状態で接合される接合パッド、及び絶縁基板底部に配置された実装端子を備えた下部絶縁容器と、前記各内部パッドと底部パッドとＩＣ部品用パッドと接合パッドと実装端子との間を導通する導体と、を備えた表面実装型圧電発振器用パッケージにおいて、前記底部パッドは、前記上部絶縁容器の外底面の一辺に沿って配列され、前記凸部は、前記絶縁基板の一辺に沿って存在することを特徴とする。
本発明の表面実装型圧電発振器用パッケージは、上面に凹所を有した上部絶縁容器、該凹所内に配置されて圧電振動素子の各励振電極と電気的に接続される内部パッド、該上部絶縁容器の外底面に配置した底部パッド、及び前記凹所を封止する蓋を備えた圧電振動子と、平板状の絶縁基板、該絶縁基板上面から上方に突設された凸部、該凸部上面に配置されて前記各底部パッドと導通した状態で接合される接合パッド、及び絶縁基板底部に配置された実装端子を備えた下部絶縁容器と、前記各内部パッドと底部パッドと上部パッドと接合パッドと実装端子との間を導通する導体と、を備えた表面実装型圧電発振器用パッケージにおいて、前記底部パッドは、前記上部絶縁容器の外底面の一辺に沿って配列され、前記凸部は、前記絶縁基板の一辺に沿って存在し、前記上部絶縁容器の外底面に発振回路を構成するＩＣ部品を搭載するためのＩＣ部品用パッドを備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の表面実装型圧電発振器は、本発明に係る表面実装型圧電発振器用パッケージを用いて構成した表面実装型圧電発振器であって、前記内部パッドに圧電振動素子の各励振電極を電気的に接続した状態で前記凹所が蓋にて気密封止されており、前記ＩＣ部品用パッドには前記ＩＣ部品が搭載されていることを特徴とする。
本発明の表面実装型圧電発振器は、前記ＩＣ部品を接着剤により前記上部絶縁容器、及び／又は、前記下部絶縁容器に接合したことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月22日(2008.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各段がＭＯＳトランジスタと、前記ＭＯＳトランジスタのドレイン又はソースの一方に一端が接続されたキャパシタとからなり、前記ＭＯＳトランジスタが縦列接続されることによって各段が接続されており、
各段における前記ＭＯＳトランジスタのゲートとドレイン又はソースの一方とが互いに電気的に接続されるとともに、少なくとも１組の隣接するＭＯＳトランジスタの基板がその一方のドレイン又はソースの一方と電気的に接続され、少なくとも１組の隣接するＭＯＳトランジスタの基板は共通のＮ型ウェル領域であり、前記キャパシタは前記共通のＮ型ウェル領域上に形成されたＮ型のデプレッションＭＯＳトランジスタで構成されたことを特徴とする昇圧回路。
【請求項２】
請求項１記載の昇圧回路において、
連続する２段の前記キャパシタの他端に逆位相の１対のクロック信号が入力されることを特徴とする昇圧回路。
【請求項３】
請求項１記載の昇圧回路において、
少なくとも１つの段のキャパシタは複数の直列接続されたキャパシタからなることを特徴とする昇圧回路。
【請求項４】
請求項１記載の昇圧回路において、
各段がＬＳＩの入出力回路を形成するＭＯＳトランジスタと同一のプロセスで製造するＭＯＳトランジスタで構成されたことを特徴とする昇圧回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によれば、各段がＭＯＳトランジスタと、前記ＭＯＳトランジスタのドレイン又はソースの一方に一端が接続されたキャパシタとからなり、前記ＭＯＳトランジスタが縦列接続されることによって各段が接続されており、各段における前記ＭＯＳトランジスタのゲートとドレイン又はソースの一方とが互いに電気的に接続されるとともに、少なくとも１組の隣接するＭＯＳトランジスタの基板がその一方のドレイン又はソースの一方と電気的に接続され、少なくとも１組の隣接するＭＯＳトランジスタの基板は共通のＮ型ウェル領域であり、前記キャパシタは前記共通のＮ型ウェル領域上に形成されたＮ型のデプレッションＭＯＳトランジスタで構成されたことを特徴とする昇圧回路が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項１、２に記載の発明は、各段がＭＯＳトランジスタと、前記ＭＯＳトランジスタのドレイン又はソースの一方に一端が接続されたキャパシタとからなり、前記ＭＯＳトランジスタが縦列接続されることによって各段が接続されており、各段における前記ＭＯＳトランジスタのゲートとドレイン又はソースの一方とが互いに電気的に接続されるとともに、少なくとも１組の隣接するＭＯＳトランジスタの基板がその一方のドレイン又はソースの一方と電気的に接続され、少なくとも１組の隣接するＭＯＳトランジスタの基板は共通のＮ型ウェル領域であり、前記キャパシタは前記共通のＮ型ウェル領域上に形成されたＮ型のデプレッションＭＯＳトランジスタで構成されたことを特徴とする昇圧回路であって、ＭＯＳトランジスタのバックバイアス効果を緩和し、昇圧効率の劣化を抑制し、かつレイアウト面積を縮小することができるという効果を有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項３に記載の発明は、少なくとも１つの段のキャパシタは複数の直列接続されたキャパシタからなることを特徴とする請求項１に記載の昇圧回路であって、各キャパシタの両端に印加される電圧を分圧し、キャパシタの耐圧劣化を抑制できるという効果を有する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項４に記載の発明は、各段がＬＳＩの入出力回路を形成するＭＯＳトランジスタと同一のプロセスで製造するＭＯＳトランジスタで構成されたことを特徴とする請求項１に記載の昇圧回路であって、先端標準ＣＭＯＳプロセスのＬＳＩに混載可能な昇圧回路を実現するという効果を有する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月23日(2008.9.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体層と、ソース電極層と、ドレイン電極層と、前記酸化物半導体層と前記ソース電極層との間に設けられた第１の有機化合物及び無機化合物を含む層と、前記酸化物半導体層と前記ドレイン電極層との間に設けられた第２の有機化合物及び無機化合物を含む層とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極層と、ゲート絶縁層と、酸化物半導体層と、ソース電極層と、ドレイン電極層と、前記酸化物半導体層と前記ソース電極層との間に設けられた第１の有機化合物及び無機化合物を含む層と、前記酸化物半導体層と前記ドレイン電極層との間に設けられた第２の有機化合物及び無機化合物を含む層とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記第１の有機化合物及び無機化合物を含む層と、前記第２の有機化合物及び無機化合物を含む層とは異なる材料を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記第１の有機化合物及び無機化合物を含む層と前記ソース電極層との間に第１の一導電型を有する半導体層と、前記第２の有機化合物及び無機化合物を含む層と前記ドレイン電極層との間に第２の一導電型を有する半導体層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
ゲート電極層と、前記ゲート電極層上にゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上にソース電極層及びドレイン電極層と、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上に有機材料を含む半導体層とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、前記酸化物半導体層は酸化亜鉛を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記酸化物半導体層はアルミニウム又はガリウムを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上に、第１の有機化合物及び無機化合物を含む層と第２の有機化合物及び無機化合物を含む層とを形成し、
前記第１の有機化合物及び無機化合物を含む層上にソース電極層を、前記第２の有機化合物及び無機化合物を含む層上にドレイン電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上に、第１の有機化合物及び無機化合物を含む層と第２の有機化合物及び無機化合物を含む層とを形成し、
前記第１の有機化合物及び無機化合物を含む層上にソース電極層を、前記第２の有機化合物及び無機化合物を含む層上にドレイン電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層上に前記第１の有機化合物及び無機化合物を含む層を、前記ドレイン電極層上に前記第２の有機化合物及び無機化合物を含む層を形成し、
前記第１の有機化合物及び無機化合物を含む層と前記第２の有機化合物と無機化合物を含む層との上に酸化物半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上に第１の有機化合物及び無機化合物を含む層と第２の有機化合物及び無機化合物を含む層とを形成し、
前記第１の有機化合物及び無機化合物を含む層上にソース電極層を、前記第２の有機化合物及び無機化合物を含む層上にドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層、前記ドレイン電極層及び前記酸化物半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項８乃至１１のいずれか一項において、前記第１の有機化合物及び無機化合物を含む層と、前記第２の有機化合物及び無機化合物を含む層とは異なる材料を含んで形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項８乃至１２のいずれか一項において、前記第１の有機化合物及び無機化合物を含む層と前記ソース電極層との間に第１の一導電型を有する半導体層と、前記第２の有機化合物及び無機化合物を含む層と前記ドレイン電極層との間に第２の一導電型を有する半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上に有機材料を含む半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項８乃至１４のいずれか一項において、前記酸化物半導体層は、酸化亜鉛を含んで形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項８乃至１５のいずれか一項において、前記酸化物半導体層は、アルミニウム又はガリウムを含んで形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。