(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層配線基板の製造方法において、
ａ．絶縁ベース材の所要部位にスルーホールをレーザー加工により形成する工程と、
ｂ．該絶縁ベース材の両面に、スルーホールめっき層によって電気的に接続する配線パターンを形成する工程と、
ｃ．前記絶縁ベース材の一方の面に前記配線パターンを覆って絶縁接着層を形成する工程と、
ｄ．前記絶縁ベース材の他方の面に前記配線パターンを覆って感光性レジスト層を形成する工程と、
ｅ．該感光性レジスト層を露光、現像して、前記絶縁ベース材の他方の面の配線パターンの所要部位が露出するビアホールを形成するフォトリソグラフィー工程と、
ｆ．前記ビアホール内にビアポストを形成するめっき工程と、
ｇ．該ビアポストの端面に錫めっきからなる接合層を形成するめっき工程と、
ｈ．前記ａ、ｂ、ｃの工程で得られた第１の積層ユニットと、前記ａ〜ｇの工程で得られた１または複数の第２の積層ユニットとを、前記第１のユニットを最表層にして、対応する前記ビアポストと配線パターンとが積層方向に位置が一致するようにして重ね合わせて熱圧着し、前記ビアポストと配線パターンとを前記錫めっきからなる接合層を介して電気的に接合するとともに絶縁接着層を熱硬化させる熱圧着工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記ｂの配線パターンを形成する工程が、
前記スルーホールを形成した絶縁ベース材の表裏面およびスルーホール内壁に無電解めっき皮膜を形成する工程と、
該無電解めっき皮膜上に、該無電解めっき皮膜が形成すべき配線パターン通りのパターンで露出するレジストによるマスクパターンを形成するフォトリソグラフィー工程と、
前記スルーホール内および露出している無電解めっき皮膜上に電解めっき皮膜を形成する工程と、
次いで前記マスクパターンを除去し、さらにマスクパターンを除去して露出した無電解めっき皮膜を除去する除去工程とを含むことを特徴とする請求項１記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記配線パターンを銅で形成することを特徴とする請求項１または２記載の多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は多層配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
多層配線基板には種々の構成のものが知られている。
図９〜図１４に、従来の多層配線基板の製造方法の一例を示す。
図９は、ガラス繊維入りの樹脂からなるベース材（プリプレグ材）１０の両面に銅箔１１、１２が形成され、さらに銅箔１２上に保護フイルム１３が形成されたシート材１４を示す。
まず、図示しないが、銅箔１１上にドライフイルムを積層し、ドライフイルムを露光現像して所要パターンのマスクを形成し、このマスクを用いて、銅箔１１をエッチング加工して、銅箔パターン１１ａ（図１０）を形成する。そしてこの銅箔パターン１１ａをマスクとして、ドライエッチングあるいはレーザー加工等によりベース材１０にビアホール１５を形成する（図１０）。
【０００３】
次いで図１１に示すように、ビアホール１５内にビアポスト１６を銅めっきによって形成し、さらにビアポスト１６の端面に接合層たる錫めっき皮膜１７を形成した後、銅箔パターン１１ａを除去する。
次に図１２に示すように、保護フイルム１３を剥離し、フォトリソグラフィー法により銅箔１２をエッチング加工して配線パターン１８に形成する。
このようにして形成した積層ユニット１９を図１３に示すように複数枚積層し、図１４に示すように熱圧着し、ベース材１０を熱硬化させて多層回路基板２０に形成する。ビアポスト１６は錫めっき皮膜１７が両銅層中に拡散することによって配線パターン１８と接合する。
なお、最表層の積層ユニットには両面に配線パターンが形成されたユニットが用いられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の多層配線基板２０の製造方法には次のような課題がある。
すなわち、従来方法では、上記のように、銅箔パターン１１ａを形成するのにサブトラクティブ法を用いていて、銅箔１１を化学エッチングする際、どうしてもサイドエッチングが生じてしまうので、微細なビアホール１５の形成が困難で、したがって微細なビアポスト１６を形成することができず、配線パターン１８の高密度化が制限されるという課題がある。
また上記のように、積層ユニット１９には片面のみにしか配線パターン１８を形成できず、多層の場合、多数の積層ユニット１９を用いなければならないという課題がある。
【０００５】
そこで本発明は上記課題を解決すべくなされたものであり、その目的とするところは、微細なビアポストの形成が可能で密な配線パターンとすることができる多層配線基板の製造方法を提供するにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明に係る多層配線基板の製造方法では、
ａ．絶縁ベース材の所要部位にスルーホールをレーザー加工により形成する工程と、ｂ．該絶縁ベース材の両面に、スルーホールめっき層によって電気的に接続する配線パターンを形成する工程と、ｃ．前記絶縁ベース材の一方の面に前記配線パターンを覆って絶縁接着層を形成する工程と、ｄ．前記絶縁ベース材の他方の面に前記配線パターンを覆って感光性レジスト層を形成する工程と、ｅ．該感光性レジスト層を露光、現像して、前記絶縁ベース材の他方の面の配線パターンの所要部位が露出するビアホールを形成するフォトリソグラフィー工程と、ｆ．前記ビアホール内にビアポストを形成するめっき工程と、ｇ．該ビアポストの端面に錫めっきからなる接合層を形成するめっき工程と、ｈ．前記ａ、ｂ、ｃの工程で得られた第１の積層ユニットと、前記ａ〜ｇの工程で得られた１または複数の第２の積層ユニットとを、前記第１のユニットを最表層にして、対応する前記ビアポストと配線パターンとが積層方向に位置が一致するようにして重ね合わせて熱圧着し、前記ビアポストと配線パターンとを前記錫めっきからなる接合層を介して電気的に接合するとともに絶縁接着層を熱硬化させる熱圧着工程とを含むことを特徴とする。
【０００７】
また、前記ｂの配線パターンを形成する工程が、前記スルーホールを形成した絶縁ベース材の表裏面およびスルーホール内壁に無電解めっき皮膜を形成する工程と、該無電解めっき皮膜上に、該無電解めっき皮膜が形成すべき配線パターン通りのパターンで露出するレジストによるマスクパターンを形成するフォトリソグラフィー工程と、前記スルーホール内および露出している無電解めっき皮膜上に電解めっき皮膜を形成する工程と、次いで前記マスクパターンを除去し、さらにマスクパターンを除去して露出した無電解めっき皮膜を除去する除去工程とを含むことを特徴とする。
前記配線パターンを銅で形成すると好適である。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下本発明の好適な実施の形態を添付図面に基づき詳細に説明する。
図１〜図８に製造工程を示す。
まず図１に示すように、絶縁ベース材３０の所要部位にスルーホール３１をレーザー加工により形成する。
絶縁ベース材３０には、厚さ５０μｍ程度の、ガラス繊維を含まないポリイミド樹脂フイルムを用いることができるが、これに限定されるものではない。
レーザー加工は炭酸ガスレーザーが好適であるが、これに限定されない。絶縁ベース材にガラス繊維を含まない樹脂を用いることによって、レーザー加工によって、直径５０μｍ前後の微細な孔径のスルーホール３１をあけることができる。
【０００９】
次に、図２に示すように、絶縁ベース材３０の両面に、スルーホールめっき層３２によって電気的に接続する配線パターン３３、３４を形成する。
このスルーホールめっき層３２、配線パターン３３、３４を形成する方法も特に限定されないが、微細パターンを得るにはセミアディチブ法が好適である。
【００１０】
セミアディチブ法では、図示しないが、まず、スルーホール３１を形成した絶縁ベース材３０の表裏面およびスルーホール３１内壁に無電解めっき皮膜（具体的には無電解銅めっき皮膜）を形成する。次いで、該無電解めっき皮膜上に、該無電解めっき皮膜が形成すべき配線パターン３３、３４通りのパターンで露出するドライフイルムによるマスクパターンをフォトリソグラフィー法により形成する。次に、スルーホール３１内および露出している無電解めっき皮膜上に電解めっき皮膜（電解銅めっき皮膜）を形成し、次いでマスクパターンを除去し、さらにマスクパターンを除去して露出した無電解めっき皮膜を除去するようにするのである。
【００１１】
次に、図３に示すように、ベース材３０の一方の面に配線パターン３４を覆って絶縁接着層（プリプレグ材）４０を形成し、仮熱圧着して、第１の積層ユニット３５を形成する。
この仮熱圧着は上記素材を固定できれば足り、絶縁接着層４０を完全硬化させるものではない。
絶縁接着層４０には、ポリイミド樹脂を好適に用いることができる。
【００１２】
次に図５に示す第２の積層ユニット４１を形成する工程について説明する。
図１、図２に示す工程までは第１の積層ユニット３５を形成する場合と同じである。
図２に示す工程の後、図４に示すように、他方の配線パターン３３の所要部位にフォトリソグラフィー法によりビアポスト３７を形成し、このビアポスト３７の端面に接合層３８を形成する。
【００１３】
このビアポスト３７を形成するにもセミアデティブ法により形成する。
すなわち、図示しないが、まず、絶縁ベース材３０の他方の面に配線パターン３３を覆って感光性レジスト層を形成する。感光性レジスト層はドライフイルムを用いるのが好適であるが、感光性レジストを塗布して形成してもよい。
そして、この感光性レジスト層を露光、現像して、絶縁ベース材３０の他方の面の配線パターン３３の所要部位が露出するビアホールを形成し、このビアホール内にビアポストを電解めっき（銅めっき）により形成し、さらにビアポストの端面に錫めっきにより接合層３８を形成するのである。
【００１４】
このセミアディティブ法によるときは、感光性レジスト層にビアホールを形成するので、このビアホールは、従来法における銅箔に化学エッチングにより銅箔パターン１１ａを形成するのに比して、サイドエッチングがほとんど生じないので、５０μｍ程度の極めて微細なビアホールの形成が可能となる。
したがって、微細な径のビアポスト３７を形成でき、それだけ高密度の配線パターン３３とすることができる。
【００１５】
次に、図５に示すように、ベース材３０の一方の面に配線パターン３４を覆って絶縁接着層（プリプレグ材）４０を形成し、仮熱圧着して、第２の積層ユニット４１を形成する。
この仮熱圧着は上記素材を固定できれば足り、絶縁接着層４０を完全硬化させるものではない。
絶縁接着層４０には、ポリイミド樹脂を好適に用いることができる。
【００１６】
次に、図６に示すように、第１の積層ユニット３５を最表層にして、第１の積層ユニット３５と１または複数の第２の積層ユニット４１とを、対応するビアポスト３７と配線パターン３４とが積層方向に位置が一致するようにして重ね合わせて熱圧着する。
これにより、ビアポスト３７は絶縁接着層４０を押しのけて配線パターン３４と当接し、接合層３８を介して配線パターン３４と電気的に接合する。また各ユニット間のエアは排出され、絶縁接着層４０が熱硬化して一体化されて、多層配線基板４２に形成される（図７）。
【００１７】
接合層３８の錫めっき層は銅のビアポスト３７と銅の配線パターン３４中に拡散し、ビアポスト３７と配線パターン３４とを好適に接合する。
なお、図８に示すように、表層の配線パターン３３、３４の一部が露出するようにして、表裏面にソルダーレジスト層４３を形成するようにしてもよい。
また、上記各工程は必ずしも上記で説明した順序でなくともよい。
【００１８】
（付記１）  多層配線基板の製造方法において、
ａ．絶縁ベース材の所要部位にスルーホールをレーザー加工により形成する工程と、
ｂ．該絶縁ベース材の両面に、スルーホールめっき層によって電気的に接続する配線パターンを形成する工程と、
ｃ．前記絶縁ベース材の一方の面に前記配線パターンを覆って絶縁接着層を形成する工程と、
ｄ．前記絶縁ベース材の他方の面に前記配線パターンを覆って感光性レジスト層を形成する工程と、
ｅ．該感光性レジスト層を露光、現像して、前記絶縁ベース材の他方の面の配線パターンの所要部位が露出するビアホールを形成するフォトリソグラフィー工程と、
ｆ．前記ビアホール内にビアポストを形成するめっき工程と、
ｇ．該ビアポストの端面に接合層を形成するめっき工程と、
ｈ．前記ａ、ｂ、ｃの工程で得られた第１の積層ユニットと、前記ａ〜ｇの工程で得られた１または複数の第２の積層ユニットとを、前記第１のユニットを最表層にして、対応する前記ビアポストと配線パターンとが積層方向に位置が一致するようにして重ね合わせて熱圧着し、前記ビアポストと配線パターンとを前記接合層を介して電気的に接合するとともに絶縁接着層を熱硬化させる熱圧着工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
（付記２）  前記ｂの配線パターンを形成する工程が、
前記スルーホールを形成した絶縁ベース材の表裏面およびスルーホール内壁に無電解めっき皮膜を形成する工程と、
該無電解めっき皮膜上に、該無電解めっき皮膜が形成すべき配線パターン通りのパターンで露出するレジストによるマスクパターンを形成するフォトリソグラフィー工程と、
前記スルーホール内および露出している無電解めっき皮膜上に電解めっき皮膜を形成する工程と、
次いで前記マスクパターンを除去し、さらにマスクパターンを除去して露出した無電解めっき皮膜を除去する除去工程とを含むことを特徴とする請求項１記載の多層配線基板の製造方法。
（付記３）  前記配線パターンを銅で形成し、前記接合層を錫めっきで形成することを特徴とする請求項１または２記載の多層配線基板の製造方法。
（付記４）  絶縁ベース材の両面に、該絶縁ベース材を貫通するスルーホールめっき層によって電気的に接続する配線パターンが形成され、前記絶縁ベース材の一方の面に前記配線パターンを覆って絶縁接着層が形成された第１の積層ユニットと、
絶縁ベース材の両面に、該絶縁ベース材を貫通するスルーホールめっき層によって電気的に接続する配線パターンが形成され、前記絶縁ベース材の一方の面に前記配線パターンを覆って絶縁接着層が形成されると共に、他方の面の前記配線パターン上にビアポストが形成され、該ビアポストの端面に接合層が形成された第２の積層ユニットとを具備し、
前記第１の積層ユニットと、１または複数の前記第２の積層ユニットとが、前記第１のユニットを最表層にして、対応する前記ビアポストと配線パターンとが積層方向に位置が一致するようにして重ね合わせて熱圧着され、前記ビアポストと配線パターンとが前記接合層を介して電気的に接合されるとともに絶縁接着層が熱硬化されて一体化されていることを特徴とする多層配線基板。
【００１９】
【発明の効果】
以上のように、本発明にかかる多層配線基板の製造方法によれば、感光性レジスト層にビアホールを形成し、このビアホール内にビアポストをめっきにより形成したので、微細なビアポストの形成が可能で、密な配線パターンとすることができる。
また、各積層ユニットは両面に配線パターンが形成されるので、積層ユニット数を少なくできるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
図１〜図８は、製造工程図を示し、
【図１】絶縁ベース材にスルーホールを設けた状態の説明図、
【図２】絶縁ベース材の両面に配線パターンを形成した説明図、
【図３】一方の面に絶縁接着層を仮熱圧着して第１の積層ユニットに形成した状態の説明図、
【図４】他方の配線パターン上にビアポストを形成した状態の説明図、
【図５】一方の面に絶縁接着層を仮熱圧着して第２の積層ユニットに形成した状態の説明図、
【図６】第１の積層ユニットと第２の積層ユニットとを重ね合わせた状態の説明図、
【図７】多層配線基板の説明図、
【図８】両面にソルダーレジスト層を設けた状態の説明図であり、図９〜図１４は従来の多層配線基板の製造方法の一例を示す工程図で、
【図９】両面銅張りベース材の説明図、
【図１０】ベース材にビアホールを形成した状態の説明図、
【図１１】ビアホール内にビアポストを形成した状態の説明図、
【図１２】積層ユニットに形成した状態の説明図、
【図１３】積層ユニットを複数枚重ね合わせた状態の説明図、
【図１４】熱圧着して多層配線基板に形成した説明図である。
【符号の説明】
３０  絶縁ベース材
３１  スルーホール
３２  スルーホールめっき皮膜
３３、３４  配線パターン
３５  第１の積層ユニット
３７  ビアポスト
３８  接合層
４０  絶縁接着層
４１  第２の積層ユニット
４２  多層配線基板
４３  ソルダーレジスト層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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