(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電磁弁の各ハイサイドが高圧電源を含む電源供給制御回路に共通に接続され、前記複数の電磁弁の各ローサイドには対応する電磁弁を対応する駆動信号の印加に応答して駆動可能に選択するためのローサイド回路がそれぞれ設けられ、前記ローサイド回路によって駆動可能に選択された電磁弁を、前記電源供給制御回路により駆動初期段階において前記高圧電源から高電圧を印加して応答性よく作動させ、その後は所定の作動状態を所要の期間だけ保持させるように駆動するようにした電磁弁駆動装置において、
前記ローサイド回路が、それぞれ、
対応する電磁弁のローサイドとアースとの間に設けられた駆動電流制御用半導体スイッチング素子と、
該駆動電流制御用半導体スイッチング素子の各入出力間に設けられた対応する電磁弁に生じた逆起電圧をクランプするための定電圧ダイオードと前記逆起電圧吸収制御のための吸収制御用半導体スイッチング素子との直列回路と、
対応する駆動信号に応答し前記吸収制御用半導体スイッチング素子を前記駆動電流制御用半導体スイッチング素子の導通に遅延させて導通させるための遅延制御回路手段とを備えて成り、
該遅延制御回路手段の設定遅延時間が、対応する電磁弁の逆起電圧を吸収するのに要する時間以上で前記高電圧の印加時間以下に設定されていることを特徴とする電磁弁駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、駆動初期段階において高電圧を印加して電磁弁を応答性よく作動させ、その後は所定の作動状態を保持するための保持動作エネルギーを所要の期間だけ電磁弁に供給するようにした電磁弁駆動装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、内燃機関の気筒内に高圧燃料を直接噴射するためのインジェクタを構成する電磁弁は、動作の高応答性が要求される。このため、電磁弁に駆動初期段階で高電圧を印加して電磁弁の開動作を迅速に行わせ、しかる後、電磁弁の開状態を保持するに足る比較的レベルの小さい保持電流を必要な期間だけ電磁弁に供給するように構成された電磁弁駆動装置が公知である。
【０００３】
ところで、多気筒内燃機関の場合、このようなインジェクタは、気筒の数だけ用意されるが、各気筒は相互に異なる動作モードとなっている。
【０００４】
図３は、４気筒の直噴式ガソリン機関の場合の各気筒のクランク角に対する動作モードの例を示している。この場合、燃料の噴射の可能性があるのは、「吸気」と「圧縮」の各行程のみであるから、図３から判るように、第１筒と第４筒とはインジェクタ噴射期間は絶対に重ならない。また、第２筒と第３筒とにおいてもインジェクタ噴射期間は絶対に重ならない。このため、電磁弁を高電圧で駆動するのに必要な高電圧供給回路の共用が可能であり、これにより駆動用パワースイッチング素子の削減を図ることが考えられている。
【０００５】
また、この種の装置では、フェイルセーフの観点から、各インジェクタのハイサイド、ローサイドの両方にパワースイッチング素子を配置することが望まれる。図４は、このような要求を満たした従来の電磁弁駆動装置の一例を示す回路構成図である。この回路は、高圧駆動用の高圧電源１００を共用して２つのインジェクタの電磁弁１０１、１０２を開閉制御するための回路であり、電磁弁１０１及び１０２の各ローサイドには、ローサイドスイッチ１０３、１０４が設けられている。１０５、１０６は定電圧ダイオードである。一方、電磁弁１０１及び１０２のハイサイドは共通に接続され、ピークスイッチ１０７を介して高圧電源１００から高電圧ＶＨが印加されると共に、ダイオード１０８及びホールドスイッチ１０９を介して低電圧源であるバッテリの電圧ＶＢが印加されている。１１０は電磁弁１０１、１０２に生じる逆起電圧による電流帰還路を構成するためのダイオードである。
【０００６】
図４の回路構成によれば、ローサイドスイッチ１０４を開き且つローサイドスイッチ１０３を閉じた状態で、ピークスイッチ１０７及びホールドスイッチ１０９の開閉を制御することにより電磁弁１０１の開閉を制御することができる。逆に、ローサイドスイッチ１０３を開いてローサイドスイッチ１０４を閉じれば、ピークスイッチ１０７及びホールドスイッチ１０９の開閉を制御することにより電磁弁１０２の開閉を制御することができる。すなわち、高圧電源１００、ピークスイッチ１０７及びホールドスイッチ１０９を電磁弁１０１の制御と電磁弁１０２の制御とに共用することができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、図４に示したような回路構成を採用する場合、電磁弁１０１、１０２に発生する各逆起電圧を吸収するツェナーダイオードの消費電力を下げて小型化を可能にする構成が可能であり、例えば、図５に示すような回路構成が考えられる。
【０００８】
図５に示す回路構成は、図４に示したピークスイッチ１０７、ホールドスイッチ１０９、ローサイドスイッチ１０３、ローサイドスイッチ１０４をそれぞれＦＥＴスイッチング素子２０１、２０２、２０３、２０４に置き換え、ＦＥＴスイッチング素子２０３、２０４のそれぞれにおいて、入出力間に定電圧ダイオード２０５、２０６及びダイオード２０７、２０８を図示の如く接続する。
【０００９】
この構成によると、例えば電磁弁１０１に生じた逆起電圧を定電圧ダイオード２０５の導通により吸収させることができる。電磁弁１０２についても同様である。
【００１０】
しかし、図５に示した回路構成によると、高圧電源１００から出力される高電圧ＶＨが定電圧ダイオード２０５、２０６のツェナー電圧ＶＺよりも高い場合、ＦＥＴスイッチング素子２０３、２０４がオフ状態であっても電磁弁１０１、１０２に駆動電流が流れてしまうという不都合を生じる。このため、例えば、ＦＥＴスイッチング素子２０３をオフとして電磁弁１０１を非駆動状態に保とうとしても、電磁弁１０２の高速駆動のために高電圧ＶＨを印加したときに電磁弁１０１に駆動電流が流れてしまい、誤動作を生じることになるほか、駆動エネルギーの損失を生じるという問題点を有している。
【００１１】
また、この場合、ＦＥＴスイッチング素子２０１が導通状態を保持するショートモードの故障を生じると、電磁弁１０１、１０２に駆動電流が流れ続けることとなり、最悪の場合、燃料噴射を停止することができないという事態に陥る虞がある。
【００１２】
これらの不具合を解決するための１つの方法として、図５のＸ点及びＹ点にスイッチを挿入し、これらのスイッチを適宜に開閉制御する構成が考えられる。しかし、この方法を採用する場合には、Ｘ点に設けられるスイッチの要求制御状態とＹ点に設けられるスイッチの要求制御状態とが例えば図６に示されるようになる。したがって、各電磁弁１０１、１０２の作動モードに応じてこれらのスイッチをオン、オフ制御するための複雑な構成の制御回路が必要となるため、却って回路規模が増大し、コストアップの要因となってしまうという問題を生じる。
【００１３】
本発明の目的は、この問題を解決することができるようにした、高圧回路共用型の電磁弁駆動装置を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明によれば、複数の電磁弁の各ハイサイドが高圧電源を含む電源供給制御回路に共通に接続され、前記複数の電磁弁の各ローサイドには対応する電磁弁を対応する駆動信号の印加に応答して駆動可能に選択するためのローサイド回路がそれぞれ設けられ、前記ローサイド回路によって駆動可能に選択された電磁弁を、前記電源供給制御回路により駆動初期段階において前記高圧電源から高電圧を印加して応答性よく作動させ、その後は所定の作動状態を所要の期間だけ保持させるように駆動するようにした電磁弁駆動装置において、前記ローサイド回路が、それぞれ、対応する電磁弁のローサイドとアースとの間に設けられた駆動電流制御用半導体スイッチング素子と、該駆動電流制御用半導体スイッチング素子の各入出力間に設けられた対応する電磁弁に生じた逆起電圧をクランプするための定電圧ダイオードと前記逆起電圧吸収制御のための吸収制御用半導体スイッチング素子との直列回路と、対応する駆動信号に応答し前記吸収制御用半導体スイッチング素子を前記駆動電流制御用半導体スイッチング素子の導通に遅延させて導通させるための遅延制御回路手段とを備えて成り、該遅延制御回路手段の設定遅延時間が、対応する電磁弁の逆起電圧を吸収するのに要する時間以上で前記高電圧の印加時間以下に設定されていることを特徴とする電磁弁駆動装置が提案される。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態の一例につき詳細に説明する。
【００１６】
図１は、本発明による電磁弁駆動装置の実施の形態の一例を示す回路図である。電磁弁駆動装置１は、図示しないガソリン機関の気筒へ加圧燃料を直接噴射供給するためのインジェクタＪ１、Ｊ２の電磁弁ＳＶ１、ＳＶ２を開閉制御するための装置として構成されている。
【００１７】
インジェクタＪ１、Ｊ２は図示しないガソリン機関の異なる気筒にそれぞれ重複しないタイミングで燃料を直接噴射供給するものであり、例えば図３に示した４気筒のガソリン機関で言えば、噴射期間が絶対に重なることのない第１筒と第４筒とにそれぞれ燃料を噴射するために用いることができる。電磁弁ＳＶ１のソレノイドコイルＬ１のローサイド端子Ｌ１Ａとアースとの間には第１ローサイド回路２が設けられ、電磁弁ＳＶ２のソレノイドコイルＬ２のローサイド端子Ｌ２Ａとアースとの間には第２ローサイド回路３が設けられている。
【００１８】
一方、ソレノイドコイルＬ１とソレノイドコイルＬ２との各ハイサイド端子Ｌ１Ｂ、Ｌ２Ｂは共通に接続されて、高圧電源１００を含む電源供給制御回路４に接続されている。ハイサイド端子Ｌ１Ｂ、Ｌ２Ｂの共通接続点は、高圧電圧印加制御用の第１スイッチングＦＥＴ５を介して高圧電源１００の出力端子１００Ａに接続されており、したがって、第１スイッチングＦＥＴ５がオンとなったときに、高圧電源１００からの高電圧ＶＨがハイサイド端子Ｌ１Ｂ、Ｌ２Ｂに同時に印加される。
【００１９】
ハイサイド端子Ｌ１Ｂ、Ｌ２Ｂの共通接続点は、さらに、逆流防止用のダイオード６及び第２スイッチングＦＥＴ７を介してバッテリＢＴの正極に接続されている。したがって、第２スイッチングＦＥＴ７がオンとなったとき、バッテリＢＴのバッテリ電圧ＶＢは、逆流防止用のダイオード６を介してハイサイド端子Ｌ１Ｂ、Ｌ２Ｂに同時に印加される。
【００２０】
なお、ハイサイド端子Ｌ１Ｂ、Ｌ２Ｂとアースとの間には、アースからの電流路を形成するためのダイオード８が図示の極性で接続されている。
【００２１】
以上の説明から判るように、ソレノイドコイルＬ１及びソレノイドコイルＬ２のハイサイドに設けられた電源供給制御回路４の回路構成は、図４及び図５に示した従来の回路構成と基本的に同一であり、電磁弁ＳＶ１及び電磁弁ＳＶ２の駆動の各初期段階において電源供給制御回路４がオンとされて高電圧ＶＨを電磁弁に印加し、このとき駆動可能に選択されている電磁弁を応答性よく開き、その後は当該電磁弁の開状態を所要の期間だけ保持するため第２スイッチングＦＥＴ７がオンとされる構成である。図１では、第１スイッチングＦＥＴ５、第２スイッチングＦＥＴ７を上述の如くオン、オフ制御するための制御回路は公知であるから、これを図示するのを省略してある。
【００２２】
次に、第１ローサイド回路２について説明する。第１ローサイド回路２は、第１駆動信号ＤＳ１に応答し第１駆動信号ＤＳ１によって定められる所定期間だけ電磁弁ＳＶ１を駆動可能に選択するための回路であり、ソレノイドコイルＬ１の駆動電流をオン、オフ制御するためのスイッチングＦＥＴ２１を有し、スイッチングＦＥＴ２１のドレイン−ソース回路がソレノイドコイルＬ１のローサイド端子Ｌ１Ａとアースとの間に接続されている。第１ローサイド回路２の制御入力端子２Ａには、インジェクタＪ１の駆動期間を示すための第１駆動信号ＤＳ１が入力され、第１駆動信号ＤＳ１はＦＥＴ制御回路２２において増幅され、ＦＥＴ制御回路２２からの出力電圧Ａは抵抗器２３を介してスイッチングＦＥＴ２１のゲートに印加される。第１駆動信号ＤＳ１は、図２の（Ａ）に示されるように、電磁弁ＳＶ１の駆動予定期間の間だけ「Ｈ」となるパルス信号である。
【００２３】
スイッチングＦＥＴ２１がオンからオフに切り換えられたときにソレノイドコイルＬ１に生じる逆起電圧をクランプするための定電圧ダイオード２４とダイオード２５との直列回路が、逆起電圧吸収制御のためのスイッチングトランジスタ２６のエミッタ−コレクタ回路を介して、スイッチングＦＥＴ２１のドレイン（すなわち、ソレノイドコイルＬ１のローサイド端子Ｌ１Ａ）とスイッチングＦＥＴ２１のゲートとの間に接続されている。スイッチングトランジスタ２６は、スイッチングＦＥＴ２１がオフとされている場合に第１スイッチングＦＥＴ４がオンとなったとき、高電圧ＶＨにより定電圧ダイオード２４が導通してしまうのを防ぐために設けられたものであり、スイッチングトランジスタ２６は後述するタイミングでオン、オフされる。
【００２４】
スイッチングトランジスタ２６のオン、オフを制御するため、第１駆動信号ＤＳ１に応答して作動するタイマー回路２８が遅延制御回路手段として設けられている。タイマー回路２８は、抵抗器２９とコンデンサ３２とから成る積分回路３３と、積分回路３３の出力によりオン、オフ制御されるトランジスタ３４及びその入力抵抗器３０、３１とから成っている。積分回路３３はパルス信号である第１駆動信号ＤＳ１を積分し、第１駆動信号ＤＳ１の立上りから所定の遅延時間をもってトランジスタ３４をオンさせる、遅延回路として働く。トランジスタ３４のコレクタは、抵抗器３５を介してスイッチングトランジスタ２６のベースに接続され、スイッチングトランジスタ２６のベースは抵抗器３６を介してそのエミッタに接続されている。
【００２５】
したがって、第１駆動信号ＤＳ１の立上りから所定時間経過後にトランジスタ３４がオンとなったとき、スイッチングトランジスタ２６がオフからオンに変化し、これによりソレノイドコイルＬ１に生じた逆起電圧が定電圧ダイオード２４のツェナー電圧より高くなったときに定電圧ダイオード２４が導通し逆起電圧吸収が可能となる構成である。
【００２６】
すなわち、スイッチングトランジスタ２６がオフの場合には逆起電圧吸収動作は実行されず、スイッチングトランジスタ２６がオンとなることによって逆起電圧吸収動作が可能となるよう、タイマー回路２８とスイッチングトランジスタ２６とによって逆起電圧吸収制御が実行される。
【００２７】
第１駆動信号ＤＳ１が立上ってから積分回路３３がオンとなるまでの時間は、電磁弁ＳＶ１に高電圧ＶＨが印加されて初期駆動が終了する少し手前の時点となるように設定されるのが好ましいが、これについては図２を参照して後述する。
【００２８】
タイマー回路２８が上述の如く設定されることにより、第１駆動信号ＤＳ１に応答してスイッチングＦＥＴ２１がオンとなった後、所定の遅延時間をもってスイッチングトランジスタ２６がオンとされる構成となり、スイッチングトランジスタ２６は常に、電磁弁ＳＶ１の高圧駆動期間中は殆どオフで、電磁弁ＳＶ１の高圧駆動期間が終了する直前にオンとなる回路が構成される。
【００２９】
以上、第１ローサイド回路２について説明したが、第２ローサイド回路３も第１ローサイド回路２と同様の回路構成となっており、制御入力端子３Ａに印加される第２駆動信号ＤＳ２に応答してスイッチングＦＥＴ３２１がオンとなり、スイッチングトランジスタ３２６もまた第２駆動信号ＤＳ２に応答して作動するタイマー回路３２８によりオン、オフ制御され、電磁弁ＳＶ２の初期高電圧駆動期間中は殆どオフであり、電磁弁ＳＶ２の初期高電圧駆動期間の終了直前にオンとなる。したがって、第２ローサイド回路３の各部には、第１ローサイド回路２の対応する部分の符号の３００番台のものを付して、第１ローサイド回路２についての上述の説明と同様の説明を重複して行うのを省略する。
【００３０】
次に、図２を参照しながら、インジェクタＪ１の制御動作について説明する。
【００３１】
第１駆動信号ＤＳ１のレベルが時点Ｔ１において「Ｌ」から「Ｈ」に変化すると（図２の（Ａ））、出力電圧Ａ及びスイッチングＦＥＴ２１のゲートのゲート電圧Ｂも同時に「Ｌ」レベルから「Ｈ」レベルとなる（図２の（Ｃ）、（Ｄ））。
【００３２】
このとき、インジェクタＪ１のハイサイドの回路においては、ピーク制御信号ＰＳにより第１スイッチングＦＥＴ５がオンとされ、時点Ｔ１で高電圧ＶＨがソレノイドコイルＬ１のハイサイド端子Ｌ１Ｂに印加される。この結果、ソレノイドコイルＬ１に流れるインジェクタ電流ＩＪ１は高電圧ＶＨの印加により急速に大きくなり、電磁弁ＳＶ１がその閉状態から応答性よく開状態に移行する。
【００３３】
そして時点Ｔ２において高電圧ＶＨによる初期駆動を終了させるためにピーク制御信号ＰＳにより第１スイッチングＦＥＴ５がオフとされると、インジェクタ電流ＩＪ１は急速に小さくなる。時点Ｔ２において、ＦＥＴ制御回路２２から出力されている出力電圧Ａもまた「Ｌ」レベルとされる。
【００３４】
一方、時点Ｔ１で第１駆動信号ＤＳのレベルが「Ｌ」から「Ｈ」となることにより、タイマー回路２８では第１駆動信号ＤＳの積分が開始され、積分回路３３の積分電圧Ｃのレベルが徐々に上昇する（図２の（Ｆ））。タイマー回路２８は、時点Ｔ２の少し手前の時点ＴＡにおいて、積分電圧Ｃのレベルがトランジスタ３４をオンさせるためのしきい値レベルＬＴＨを越えるように設定されている。したがって、時点ＴＡにおいてトランジスタ３４がオンとなり、同時にスイッチングトランジスタ２６がオンとされる（図２の（Ｇ））。
【００３５】
そして、時点ＴＡより若干後の時点Ｔ２においてインジェクタ電流ＩＪ１が急激に小さくなると、これによりソレノイドコイルＬ１に生じた逆起電圧がスイッチングトランジスタ２６、定電圧ダイオード２４、ダイオード２５、ダイオード８が作るループに流れる。このため、出力電圧Ａのレベルは略アースレベルになるのに対し、ゲート電圧Ｂのレベルはアースレベルよりも少し高いレベルに保たれる。
【００３６】
時点Ｔ２より所定時間経過した時点Ｔ３において再び出力電圧Ａのレベルが「Ｈ」とされ、電磁弁ＳＶ１の開状態を保持させておくための保持動作モードに入る。
【００３７】
以上の説明から判るように、ソレノイドコイルＬ１に生じた逆起電圧が定電圧ダイオード２４のツェナー電圧ＶＤより高い期間だけ定電圧ダイオード２４に電流が流れ、この期間だけソレノイドコイルＬ１のローサイド端子Ｌ１Ａにおける電圧Ｄがツェナー電圧ＶＤにクランプされることになる（図２の（Ｅ））。
【００３８】
したがって、時点Ｔ３以後、スイッチングトランジスタ２６はオン状態であるが、定電圧ダイオード２４はオフとなり、スイッチングＦＥＴ２１がオンとなる。時点Ｔ３において、電源供給制御回路４では第２スイッチングＦＥＴ７に与えられるホールド制御信号ＨＳが「Ｈ」レベルとなることによりバッテリＢＴのバッテリ電圧ＶＢがソレノイドコイルＬ１のハイサイド端子Ｌ１Ｂに印加され、その後インジェクタ電流ＩＪ１がインジェクタを開状態に維持するだけの値に保持されるように第２スイッチングＦＥＴ７がホールド制御信号ＨＳによりスイッチング動作する。その結果、ソレノイドコイルＬ１にはこれによる動作保持電流がインジェクタ電流ＩＪ１として流れる。その後、時点Ｔ４でホールド制御信号ＨＳのレベルが「Ｌ」となるまで電磁弁ＳＶ１の開状態が保持される。
【００３９】
時点Ｔ４で第２スイッチングＦＥＴ７及びスイッチングＦＥＴ２１が同時にオフとなることにより、ソレノイドコイルＬ１には逆起電圧が生じ、これにより再び定電圧ダイオード２４がオンとなり時点Ｔ５まで逆起電圧による電流がソレノイドコイルＬ１に流れることになる。時点Ｔ５でソレノイドコイルＬ１の逆起電圧がツェナー電圧ＶＤより小さくなることでインジェクタ電流ＩＪ１のレベルは零となり、電圧Ｄのレベルも徐々に低下し、時点Ｔ６で積分電圧Ｃのレベルがトランジスタ３４をオンさせるためのしきい値レベルＬＴＨより小さくなることによりトランジスタ３４及びスイッチングトランジスタ２６がオフとなる。
【００４０】
以上、第１ローサイド回路２と電源供給制御回路４とによる電磁弁ＳＶ１の駆動制御について説明したが、第２ローサイド回路３と電源供給制御回路４とによる電磁弁ＳＶ２の駆動制御も、タイミングをずらしてこれと全く同様にして行われるので、第２駆動信号ＤＳ２に応答して行われる第２ローサイド回路３の動作についての説明は省略する。
【００４１】
ここで、第１ローサイド回路２によって電磁弁ＳＶ１が駆動可能なように選択されている場合、第２ローサイド回路３においては、少なくとも第１スイッチングＦＥＴ５がオンの間スイッチングトランジスタ３２６はオフ状態とされることになる。この結果、第２ローサイド回路３によって電磁弁ＳＶ２が駆動可能なように選択されていない場合において高電圧ＶＨが電磁弁ＳＶ２に印加されたとしても、定電圧ダイオード３２４が導通状態となるのを確実に防止し、電磁弁ＳＶ２が作動することはない。第２ローサイド回路３によって電磁弁ＳＶ２が駆動可能に選択され、第１ローサイド回路２によって電磁弁ＳＶ１が駆動可能と選択されていない場合も全く同様である。
【００４２】
図１に示した電磁弁駆動装置１の構成によれば、定電圧ダイオード２４による逆起電圧吸収動作をスイッチングトランジスタ２６のオン、オフで制御するようにしたので、電磁弁ＳＶ２が作動中のときにソレノイドコイルＬ１のハイサイド端子Ｌ１Ｂに高電圧ＶＨが印加されたとしても、このときはスイッチングトランジスタ２６がオフとなるため、高電圧ＶＨが高い電圧であっても、定電圧ダイオード２４がオンとなってしまうことがなく、電磁弁ＳＶ１が予定のタイミング以外のタイミングで開弁状態となってしまうのを有効に防止できる。電磁弁ＳＶが駆動状態で電磁弁ＳＶ２が休止状態の場合も全く同様である。
【００４３】
そして、スイッチングトランジスタ２６のオン、オフ制御は、第１駆動信号ＤＳ１をタイマー回路２８の如き簡単な回路構成のもので所定の時間だけ遅延させてスイッチングトランジスタ２６をオンにする構成であるから、スイッチングトランジスタ２６のオン、オフ制御のための回路構成が極めて簡単となる。なお、スイッチングトランジスタ２６のオン、オフの遅延時間を電磁弁ＳＶ１の駆動終了時にソレノイドコイルＬ１の逆起電圧を吸収するのに要する時間以上で、且つ高電圧ＶＨ印加時間以下に設定しておけばよいことになる。
【００４４】
【発明の効果】
本発明によれば、複数のインジェクタを駆動するパワー素子の数を削減することにより何等の不都合も生じさせないようにしたので、コストの低減を図ることができるほか、実装面積を小さくすることができる。
【００４５】
また、遅延制御回路手段で与えるべき遅延時間はラフでよいので、高精度の部品が要求されず、逆起電圧吸収制御のための吸収制御用半導体スイッチング素子のオン、オフ制御のための回路を安価なものとすることができる上、この制御回路のために特別な制御信号を発生させる必要がないので、この点からも低コスト化、小型化に大きく寄与する。
【００４６】
このように、逆起電圧吸収用の定電圧ダイオードを初期駆動用の高電圧の印加によって所定のタイミング以外のタイミングで導通させてしまうのを確実に防止できるので、例えば、燃料噴射装置に適用した場合、燃料噴射が停止できない等の事故が生じるのを確実に防止できるなど、極めて信頼性の高いシステムを構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による電磁弁駆動装置の実施の形態の一例を示す回路図。
【図２】図１に示した電磁弁駆動装置の動作を説明するための図。
【図３】４気筒の直噴式ガソリン機関の場合の各気筒のクランク角に対する動作モードの例を示す図。
【図４】従来の電磁弁駆動装置の一例を示す回路構成図。
【図５】図４に示した電磁弁駆動装置の変形例を示す回路構成図。
【図６】図４に示した回路構成を採用する場合に必要なスイッチの要求制御状態を説明するための図。
【符号の説明】
１  電磁弁駆動装置
２  第１ローサイド回路
２Ａ、３Ａ  制御入力端子
３  第２ローサイド回路
４  電源供給制御回路
５  第１スイッチングＦＥＴ
６  逆流防止用のダイオード
７  第２スイッチングＦＥＴ
８  ダイオード
２１、３２１  スイッチングＦＥＴ
２２、３２２  ＦＥＴ制御回路
２４、３２４  定電圧ダイオード
２６、３２６  スイッチングトランジスタ
２８、３２８  タイマー回路
３３、３３３  積分回路
３４、３３４  トランジスタ
１００  高圧電源
ＢＴ  バッテリ
ＤＳ１  第１駆動信号
ＤＳ２  第２駆動信号
ＨＳ  ホールド制御信号
ＩＪ１  インジェクタ電流
Ｊ１、Ｊ２  インジェクタ
Ｌ１、Ｌ２  ソレノイドコイル
Ｌ１Ａ、Ｌ２Ａ  ローサイド端子
Ｌ１Ｂ、Ｌ２Ｂ  ハイサイド端子
ＰＳ  ピーク制御信号
ＳＶ１、ＳＶ２  電磁弁
ＶＢ  バッテリ電圧
ＶＨ  高電圧
【図１】
0004199350.tif 000002
【図２】
0004199350.tif 000003
【図３】
0004199350.tif 000004
【図４】
0004199350.tif 000005
【図５】
0004199350.tif 000006
【図６】
0004199350.tif 000007