【手続補正書】
【提出日】平成20年9月29日(2008.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
排気可能な反応容器内に導電性基体を設置し、高周波電極に供給した高周波電力によってプラズマを生起させ、導電性基体に設けられた光導電層上に、カーボン原子と、周期律表第１３族元素又は第１５族元素と、を含むシリコン原子を母体とする非単結晶膜からなる第一の表面層及びカーボン原子を含むシリコン原子を母体とする非単結晶膜からなる第二の表面層を順次積層させる電子写真感光体の製造方法において、
層内に含有するカーボン原子の増加に伴って光学的バンドギャップが増加していく関係を満たした領域で該第一の表面層を形成し、層内に含有するカーボン原子の増加に伴って光学的バンドギャップが減少していく関係を満たした領域で該第二の表面層を形成することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項２】
前記第一の表面層と前記第二の表面層との光学的バンドギャップの差が０.３eＶ以下であることを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項３】
前記第一の表面層と前記第二の表面層との光学的バンドギャップが同じ値からなる表面層を形成することを特徴とする請求項２に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項４】
前記第一の表面層に含有される周期律表第１３族元素の場合はホウ素原子、第１５族元素の場合はリン原子であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項５】
前記第一の表面層において、シリコン原子に対する周期律表第１３族元素の含有量が１００原子ppｍ以上３００００原子ppｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項６】
前記第一の表面層において、シリコン原子に対する周期律表第１５族元素の含有量が１００原子ppｍ以上３００００原子ppｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項７】
前記高周波電極に供給する高周波電力において、その発振周波数が３０ＭＨz以上２５０ＭＨz以下であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項８】
前記高周波電力は周波数が３０ＭＨz以上２５０ＭＨz以下の高周波電力を少なくとも２つ含み、該周波数範囲内にあるこれらの高周波電力が有する電力値の中で最も大きい電力値と次に大きい電力値を有する高周波電力について、そのうち周波数の高い方の高周波電力の電力値をＰ１、周波数の低い方の高周波電力の電力値をＰ２としたとき、前記電力値Ｐ１，Ｐ２が、０.１ ≦ Ｐ２／（Ｐ１＋Ｐ２） ≦ ０.９の条件を満たす、請求項７に記載の負帯電用電子写真感光体の製造方法。
【請求項９】
導電性基体上に、光導電層と、カーボン原子と、周期律表第１３族元素又は第１５族元素と、を含むシリコン原子を母体とする非単結晶膜からなる第一の表面層と、該第一の表面層上に設けられ、カーボン原子を含むシリコン原子を母体とする非単結晶膜からなる第二の表面層と、を有する電子写真感光体において、
前記第一の表面層は該層内に含有するカーボン原子の増加に伴って光学的バンドギャップが増加していく関係を満たした領域で形成され、前記第二の表面層は該層内に含有するカーボン原子の増加に伴って光学的バンドギャップが減少していく関係を満たした領域で形成されたものであることを特徴とする電子写真感光体。
【請求項１０】
前記第一の表面層と前記第二の表面層との光学的バンドギャップの差が０.３eＶ以下であることを特徴とする請求項９に記載の電子写真感光体。
【請求項１１】
前記第一の表面層と前記第二の表面層との光学的バンドギャップが同じ値であることを特徴とする請求項１０に記載の電子写真感光体。
【請求項１２】
前記第一の表面層に含有される周期律表第１３族元素の場合はホウ素原子、第１５族元素の場合はリン原子であることを特徴とする請求項９〜１１のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項１３】
前記第一の表面層において、シリコン原子に対する周期律表第１３族元素の含有量が１００原子ppｍ以上３００００原子ppｍ以下であることを特徴とする請求項９〜１２のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項１４】
前記第一の表面層において、シリコン原子に対する周期律表１５族元素の含有量が１００原子ppｍ以上３００００原子ppｍ以下であることを特徴とする請求項９〜１２のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項１５】
前記第一の表面層に周期律表第１３族元素が含有され、負帯電用電子写真感光体として用いられることを特徴とする請求項９〜１３のいずれかに記載の電子写真感光体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
（１）排気可能な反応容器内に導電性基体を設置し、高周波電極に供給した高周波電力によってプラズマを生起させ、導電性基体に設けられた光導電層上に、カーボン原子と、周期律表第１３族元素又は第１５族元素と、を含むシリコン原子を母体とする非単結晶膜からなる第一の表面層及びカーボン原子を含むシリコン原子を母体とする非単結晶膜からなる第二の表面層を順次積層させる電子写真感光体の製造方法において、
層内に含有するカーボン原子の増加に伴って光学的バンドギャップが増加していく関係を満たした領域で該第一の表面層を形成し、層内に含有するカーボン原子の増加に伴って光学的バンドギャップが減少していく関係を満たした領域で該第二の表面層を形成することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
（８）前記高周波電力は周波数が３０ＭＨz以上２５０ＭＨz以下の高周波電力を少なくとも２つ含み、該周波数範囲内にあるこれらの高周波電力が有する電力値の中で最も大きい電力値と次に大きい電力値を有する高周波電力について、そのうち周波数の高い方の高周波電力の電力値をＰ１、周波数の低い方の高周波電力の電力値をＰ２としたとき、前記電力値Ｐ１，Ｐ２が、０.１ ≦ Ｐ２／（Ｐ１＋Ｐ２） ≦ ０.９の条件を満たす、上記（７）に記載の負帯電用電子写真感光体の製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
（９）導電性基体上に、光導電層と、カーボン原子と、周期律表第１３族元素又は第１５族元素と、を含むシリコン原子を母体とする非単結晶膜からなる第一の表面層と、該第一の表面層上に設けられ、カーボン原子を含むシリコン原子を母体とする非単結晶膜からなる第二の表面層と、を有する電子写真感光体において、
前記第一の表面層は該層内に含有するカーボン原子の増加に伴って光学的バンドギャップが増加していく関係を満たした領域で形成され、前記第二の表面層は該層内に含有するカーボン原子の増加に伴って光学的バンドギャップが減少していく関係を満たした領域で形成されたものであることを特徴とする電子写真感光体。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
＜下部電荷注入阻止層＞
本発明において、導電性基体１０１の上層には、基体１０１側からの電荷の注入を阻止する働きのある下部電荷注入阻止層１０６を設けるのが効果的である。下部電荷注入阻止層１０６は光受容層１０２が一定極性の帯電処理をその自由表面に受けた際、基体１０１側より光導電層１０３側に電荷が注入されるのを阻止する機能を有している。