【手続補正書】
【提出日】平成20年6月13日(2008.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電素子に電流を流して励振させる発振回路と、直流阻止用固定容量素子と、温度変化による発振周波数の変化を補償する周波数温度補償回路と、所定の周波数で励振される圧電素子を備えた圧電振動子と、を有する温度補償型圧電発振器であって、
前記周波数温度補償回路は、周囲温度によりパラメータが変化する温度検出部により変化したパラメータに基づいて電圧を発生する温度補償用電圧発生部を備え、
前記温度補償用電圧発生部は、前記圧電素子の温度特性の常温を中心として低温側の温度特性を補償する電圧を発生する低温制御電圧発生部と、高温側の温度特性を補償する電圧を発生する高温制御電圧発生部とを備え、
前記低温制御電圧発生部は、温度に対して直線的に変化する電圧を生成する低温１次電圧生成手段と、該低温１次電圧生成手段により生成された電圧の低温側の温度に対して高次の次数を持つ電圧を生成する低温高次電圧生成手段と、前記低温１次電圧生成手段及び低温高次電圧生成手段により生成される電圧を合成する低温電圧合成手段とを備えたことを特徴とする温度補償型圧電発振器。
【請求項２】
圧電素子に電流を流して励振させる発振回路と、直流阻止用固定容量素子と、温度変化による発振周波数の変化を補償する周波数温度補償回路と、所定の周波数で励振される圧電素子を備えた圧電振動子と、を有する温度補償型圧電発振器であって、
前記周波数温度補償回路は、周囲温度によりパラメータが変化する温度検出部により変化したパラメータに基づいて電圧を発生する温度補償用電圧発生部を備え、
前記温度補償用電圧発生部は、前記圧電素子の温度特性の常温を中心として低温側の温度特性を補償する電圧を発生する低温制御電圧発生部と、高温側の温度特性を補償する電圧を発生する高温制御電圧発生部とを備え、
前記高温制御電圧発生部は、温度に対して直線的に変化する電圧を生成する高温１次電圧生成手段と、該高温１次電圧生成手段により生成された電圧の高温側の温度に対して高次の次数を持つ電圧を生成する高温高次電圧生成手段と、前記高温１次電圧生成手段及び高温高次電圧生成手段により生成される電圧を合成する高温電圧合成手段とを備えたことを特徴とする温度補償型圧電発振器。
【請求項３】
圧電素子に電流を流して励振させる発振回路と、直流阻止用固定容量素子と、温度変化による発振周波数の変化を補償する周波数温度補償回路と、所定の周波数で励振される圧電素子を備えた圧電振動子と、を有する温度補償型圧電発振器であって、
前記周波数温度補償回路は、周囲温度によりパラメータが変化する温度検出部により変化したパラメータに基づいて電圧を発生する温度補償用電圧発生部を備え、
前記温度補償用電圧発生部は、前記圧電素子の温度特性の常温を中心として低温側の温度特性を補償する電圧を発生する低温制御電圧発生部と、高温側の温度特性を補償する電圧を発生する高温制御電圧発生部とを備え、
前記低温制御電圧発生部は、温度に対して直線的に変化する電圧を生成する低温１次電圧生成手段と、該低温１次電圧生成手段により生成された電圧の低温側の温度に対して高次の次数を持つ電圧を生成する低温高次電圧生成手段と、前記低温１次電圧生成手段及び低温高次電圧生成手段により生成される電圧を合成する低温電圧合成手段とを備え、
前記高温制御電圧発生部は、温度に対して直線的に変化する電圧を生成する高温１次電圧生成手段と、該高温１次電圧生成手段により生成された電圧の高温側の温度に対して高次の次数を持つ電圧を生成する高温高次電圧生成手段と、前記高温１次電圧生成手段及び高温高次電圧生成手段により生成される電圧を合成する高温電圧合成手段とを備えたことを特徴とする温度補償型圧電発振器。
【請求項４】
圧電素子に電流を流して励振させる発振回路と、直流阻止用固定容量素子と、温度変化による発振周波数の変化を補償する周波数温度補償回路と、所定の周波数で励振される圧電素子を備えた圧電振動子と、を有する温度補償型圧電発振器であって、
前記周波数温度補償回路は、周囲温度によりパラメータが変化する温度検出部により変化したパラメータに基づいて電圧を発生する温度補償用電圧発生部を備え、
前記温度検出部は、低温から温度が上昇するに従って直線的に上昇する電圧を発生する第１のセンサ電圧発生回路と、低温から温度が上昇するに従って直線的に下降する電圧を発生する第２のセンサ電圧発生回路と、低温から温度が上昇するに従って直線的に上昇する電圧を発生する第３のセンサ電圧発生回路と、を備え、
前記温度補償用電圧発生部は、前記圧電素子の温度特性の常温を中心として低温側の温度特性を補償する電圧を発生する低温制御電圧発生部と、高温側の温度特性を補償する電圧を発生する高温制御電圧発生部とを備え、
前記低温制御電圧発生部は、前記第２のセンサ電圧に基づいて直線的に変化する電圧を生成する低温１次電圧生成手段と、前記第２のセンサ電圧及び前記第３のセンサ電圧に基づいて前記低温１次電圧生成手段により生成された電圧の低温側の温度に対して高次の次数を持つ電圧を生成する低温高次電圧生成手段と、前記低温１次電圧生成手段及び低温高次電圧生成手段から生成される電圧を合成する低温電圧合成手段とを備え、
前記高温制御電圧発生部は、前記第２のセンサ電圧に基づいて直線的に変化する電圧を生成する高温１次電圧生成手段と、前記第１のセンサ電圧及び前記第２のセンサ電圧に基づいて前記高温１次電圧生成手段により生成された電圧の高温側の温度に対して高次の次数を持つ電圧を生成する高温高次電圧生成手段と、前記高温１次電圧生成手段及び高温高次電圧生成手段から生成される電圧を合成する高温電圧合成手段とを備えたことを特徴とする温度補償型圧電発振器。
【請求項５】
前記低温高次電圧生成手段及び高温高次電圧生成手段は、高次の次数を持つ電圧の次数を変更可能としたことを特徴とする請求項４に記載の温度補償型圧電発振器。
【請求項６】
前記低温制御電圧発生部は、常温付近より高温部において電圧を一定にした電圧を生成することを特徴とする請求項１、３または４に記載の温度補償型圧電発振器。
【請求項７】
前記高温制御電圧発生部は、常温付近より低温部において電圧を一定にした電圧を生成することを特徴とする請求項２、３または４の何れかに記載の温度補償型圧電発振器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明はかかる課題を解決するために、請求項１は、圧電素子に電流を流して励振させる発振回路と、直流阻止用固定容量素子と、温度変化による発振周波数の変化を補償する周波数温度補償回路と、所定の周波数で励振される圧電素子を備えた圧電振動子と、を有する温度補償型圧電発振器であって、前記周波数温度補償回路は、周囲温度によりパラメータが変化する温度検出部により変化したパラメータに基づいて電圧を発生する温度補償用電圧発生部を備え、前記温度補償用電圧発生部は、前記圧電素子の温度特性の常温を中心として低温側の温度特性を補償する電圧を発生する低温制御電圧発生部と、高温側の温度特性を補償する電圧を発生する高温制御電圧発生部とを備え、前記低温制御電圧発生部は、温度に対して直線的に変化する電圧を生成する低温１次電圧生成手段と、該低温１次電圧生成手段により生成された電圧の低温側の温度に対して高次の次数を持つ電圧を生成する低温高次電圧生成手段と、前記低温１次電圧生成手段及び低温高次電圧生成手段により生成される電圧を合成する低温電圧合成手段とを備えたことを特徴とする。
本発明は直線的な制御電圧を用いて温度補償を行っていた従来の方式に対して、可能な限りＭＯＳ型バラクタの特性を水晶振動子の特性に近づけるために、直線的な制御電圧と高次の次数を持つ電圧を合成するものである。即ち、低温側に対しては低温側の温度で高次の次数を持つ電圧を生成するようにし、高温側に対しては高温側の温度で高次の次数を持つ電圧を生成するようにした高次電圧生成手段をそれぞれ備え、直線的な制御電圧と合成することにより低温側と高温側の制御電圧を生成して温度補償回路に印加するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
請求項２は、圧電素子に電流を流して励振させる発振回路と、直流阻止用固定容量素子と、温度変化による発振周波数の変化を補償する周波数温度補償回路と、所定の周波数で励振される圧電素子を備えた圧電振動子と、を有する温度補償型圧電発振器であって、前記周波数温度補償回路は、周囲温度によりパラメータが変化する温度検出部により変化したパラメータに基づいて電圧を発生する温度補償用電圧発生部を備え、前記温度補償用電圧発生部は、前記圧電素子の温度特性の常温を中心として低温側の温度特性を補償する電圧を発生する低温制御電圧発生部と、高温側の温度特性を補償する電圧を発生する高温制御電圧発生部とを備え、前記高温制御電圧発生部は、温度に対して直線的に変化する電圧を生成する高温１次電圧生成手段と、該高温１次電圧生成手段により生成された電圧の高温側の温度に対して高次の次数を持つ電圧を生成する高温高次電圧生成手段と、前記高温１次電圧生成手段及び高温高次電圧生成手段により生成される電圧を合成する高温電圧合成手段とを備えたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項３は、圧電素子に電流を流して励振させる発振回路と、直流阻止用固定容量素子と、温度変化による発振周波数の変化を補償する周波数温度補償回路と、所定の周波数で励振される圧電素子を備えた圧電振動子と、を有する温度補償型圧電発振器であって、前記周波数温度補償回路は、周囲温度によりパラメータが変化する温度検出部により変化したパラメータに基づいて電圧を発生する温度補償用電圧発生部を備え、前記温度補償用電圧発生部は、前記圧電素子の温度特性の常温を中心として低温側の温度特性を補償する電圧を発生する低温制御電圧発生部と、高温側の温度特性を補償する電圧を発生する高温制御電圧発生部とを備え、前記低温制御電圧発生部は、温度に対して直線的に変化する電圧を生成する低温１次電圧生成手段と、該低温１次電圧生成手段により生成された電圧の低温側の温度に対して高次の次数を持つ電圧を生成する低温高次電圧生成手段と、前記低温１次電圧生成手段及び低温高次電圧生成手段により生成される電圧を合成する低温電圧合成手段とを備え、前記高温制御電圧発生部は、温度に対して直線的に変化する電圧を生成する高温１次電圧生成手段と、該高温１次電圧生成手段により生成された電圧の高温側の温度に対して高次の次数を持つ電圧を生成する高温高次電圧生成手段と、前記高温１次電圧生成手段及び高温高次電圧生成手段により生成される電圧を合成する高温電圧合成手段とを備えたことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項４は、圧電素子に電流を流して励振させる発振回路と、直流阻止用固定容量素子と、温度変化による発振周波数の変化を補償する周波数温度補償回路と、所定の周波数で励振される圧電素子を備えた圧電振動子と、を有する温度補償型圧電発振器であって、前記周波数温度補償回路は、周囲温度によりパラメータが変化する温度検出部により変化したパラメータに基づいて電圧を発生する温度補償用電圧発生部を備え、前記温度検出部は、低温から温度が上昇するに従って直線的に上昇する電圧を発生する第１のセンサ電圧発生回路と、低温から温度が上昇するに従って直線的に下降する電圧を発生する第２のセンサ電圧発生回路と、低温から温度が上昇するに従って直線的に上昇する電圧を発生する第３のセンサ電圧発生回路と、を備え、  前記温度補償用電圧発生部は、前記圧電素子の温度特性の常温を中心として低温側の温度特性を補償する電圧を発生する低温制御電圧発生部と、高温側の温度特性を補償する電圧を発生する高温制御電圧発生部とを備え、前記低温制御電圧発生部は、前記第２のセンサ電圧に基づいて直線的に変化する電圧を生成する低温１次電圧生成手段と、前記第２のセンサ電圧及び前記第３のセンサ電圧に基づいて前記低温１次電圧生成手段により生成された電圧の低温側の温度に対して高次の次数を持つ電圧を生成する低温高次電圧生成手段と、前記低温１次電圧生成手段及び低温高次電圧生成手段から生成される電圧を合成する低温電圧合成手段とを備え、前記高温制御電圧発生部は、前記第２のセンサ電圧に基づいて直線的に変化する電圧を生成する高温１次電圧生成手段と、前記第１のセンサ電圧及び前記第２のセンサ電圧に基づいて前記高温１次電圧生成手段により生成された電圧の高温側の温度に対して高次の次数を持つ電圧を生成する高温高次電圧生成手段と、前記高温１次電圧生成手段及び高温高次電圧生成手段から生成される電圧を合成する高温電圧合成手段とを備えたことを特徴とする。
請求項５は、前記低温高次電圧生成手段及び高温高次電圧生成手段は、高次の次数を持つ電圧の次数を変更可能としたことを特徴とする。
請求項６は、前記低温制御電圧発生部は、常温付近より高温部において電圧を一定にした電圧を生成することを特徴とする。
請求項７は、前記高温制御電圧発生部は、常温付近より低温部において電圧を一定にした電圧を生成することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によれば、低温と高温時のそれぞれの１次制御電圧に高次の次数の制御電圧を合成して低温制御電圧、高温制御電圧を生成するので、ＭＯＳ型バラクタの特性を水晶振動子の特性に近づけることができる。
また、１次の制御電圧を２種類用意して、それらを合成して低温制御電圧、高温制御電圧を生成するので、制御が簡略化されると共に、ＭＯＳ型バラクタの特性を水晶振動子の特性に近づけることができる。
また、温度センサから発生するセンサ電圧を３種類用意し、それらの組み合わせに基づいて低温、高温時の１次制御電圧と高次の次数の電圧を生成して合成することにより、低温部と高温部の制御電圧を生成するので、ＭＯＳ型バラクタの特性を水晶振動子の特性に更に近づけることができる。
また、低温高次電圧生成手段及び高温高次電圧生成手段は、高次の次数を持つ電圧の次数を変更可能としたので、次数を外部から調整することができ、ＭＯＳ型バラクタの特性を水晶振動子の特性に微調整することができる。
また、低温部の制御電圧を常温以上で一定値にし、高温部の制御電圧を常温以下で一定値にするので、低温部と高温部の制御電圧の影響度を減少させることができる。