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【手続補正書】
【提出日】平成19年12月25日(2007.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された、光電変換素子と、該光電変換素子からの電気信号を転送する手段とを有する撮像領域と、
前記撮像領域の上に、積層方向に互いに異なる高さに設けられた複数の配線部と、
積層方向に隣接する前記配線部同士の間、および前記撮像領域と該撮像領域に積層方向に隣接する前記配線部との間に設けられた複数の絶縁膜と、
各々が前記絶縁膜のひとつを貫通して設けられ、積層方向に隣接する前記配線部同士、または前記配線部と前記撮像領域の一部とを電気的に導通させる、複数の埋込プラグとを有する固体撮像装置の製造方法において、
前記埋込プラグを形成する工程は、
前記埋込プラグが形成される前記絶縁膜に接続孔を形成する工程と、
前記接続孔が形成された前記絶縁膜に、該接続孔の内部、および該絶縁膜の積層方向上面の少なくとも一部を覆うように金属膜を堆積させる金属膜堆積工程と、
前記金属膜が堆積された前記絶縁膜の上面を研磨して、前記接続孔の内部を除く該金属膜を除去する金属膜除去工程とを有し、
前記金属膜除去工程は、少なくとも積層方向最上部の前記絶縁膜に形成される前記埋込プラグについてはエッチバック法を用い、
他の一つの前記絶縁膜に形成される前記埋込プラグについては化学的機械研磨法を用いることを特徴とする、固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
少なくとも積層方向最上部の前記絶縁膜に設けられる前記埋込プラグを形成する工程は、
前記金属膜堆積工程では化学気相成長法を用いる、
請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記積層方向最上部の前記絶縁膜に形成される前記埋込プラグを除く埋込プラグについては、
前記金属膜除去工程で化学的機械研磨法を用いる、
請求項２に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
積層方向最上部の前記絶縁膜の上部にパッシベーション膜を設ける工程を有する、請求項１から３のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記パッシベーション膜は、窒化シリコン膜である、請求項４に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記パッシベーション膜と前記積層方向最上部の前記絶縁膜との間に、該パッシベーション膜と前記積層方向最上部の前記絶縁膜との界面における反射を低減する反射防止膜を形成する工程を有する、請求項４または５に記載の固体撮像装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の固体撮像装置の製造方法は、基板と、基板上に形成された、光電変換素子と、光電変換素子からの電気信号を転送する手段とを有する撮像領域と、撮像領域の上に、積層方向に互いに異なる高さに設けられた複数の配線部と、積層方向に隣接する配線部同士の間、および撮像領域と撮像領域に積層方向に隣接する配線部との間に設けられた複数の絶縁膜と、各々が絶縁膜のひとつを貫通して設けられ、積層方向に隣接する配線部同士、または配線部と撮像領域の一部とを電気的に導通させる、複数の埋込プラグとを有する固体撮像装置の製造方法である。埋込プラグを形成する工程は、埋込プラグが形成される絶縁膜に接続孔を形成する工程と、接続孔が形成された絶縁膜に、接続孔の内部、および絶縁膜の積層方向上面の少なくとも一部を覆うように金属膜を堆積させる金属膜堆積工程と、金属膜が堆積された絶縁膜の上面を研磨して、接続孔の内部を除く金属膜を除去する金属膜除去工程とを有し、金属膜除去工程は、少なくとも積層方向最上部の絶縁膜に形成される埋込プラグについてはエッチバック法を用い、他の一つの絶縁膜に形成される埋込プラグについては化学的機械研磨法を用いることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月23日(2008.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被照明面を照明する照明光学系において、
前記被照射面を照明する照明光の主光線の傾きと前記被照射面上における位置とを調節する補正光学系を含み、
前記補正光学系は、前記被照明面の近傍、前記被照明面と共役な位置、及び／又は、前記被照明面と共役な位置の近傍に設けられた複数の非球面光学素子を有することを特徴とする照明光学系。
【請求項２】
前記補正光学系は、
前記照明光の主光線の傾きを調節する第１の非球面光学素子と、
前記照明光の前記被照射面上における位置を調節する第２の非球面光学素子とを含むことを特徴とする請求項１記載の照明光学系。
【請求項３】
前記非球面光学素子は、前記照明光学系の光軸と共軸ではないことを特徴とする請求項１記載の照明光学系。
【請求項４】
前記非球面光学素子は非球面レンズ、非球面ミラー又は自由曲面を含むことを特徴とする請求項１記載の照明光学系。
【請求項５】
前記非球面光学素子は交換可能であることを特徴とする請求項１記載の照明光学系。
【請求項６】
前記補正光学系は、互いに１００ｍｍ以上離間して配置されている２つの非球面光学素子を有することを特徴とする請求項１記載の照明光学系。
【請求項７】
前記被照明面としてのレチクルを照明する請求項１乃至６のうちいずれか一項記載の照明光学系と、
前記レチクルのパターンを被露光体に投影する投影光学系とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項８】
レチクルを照明する照明光学系と、前記レチクルのパターンを被露光体に投影する投影光学系とを有する露光装置において、
前記レチクルを照明する照明光の主光線の傾きと前記投影光学系による結像光の主光線の傾きを一致させる補正光学系を含み、
前記補正光学系は、前記レチクルの近傍、前記レチクルと共役な位置、及び／又は、前記レチクルと共役な位置の近傍に設けられた複数の非球面光学素子を有することを特徴とする露光装置。
【請求項９】
前記補正光学系は前記投影光学系内に設けられていることを特徴とする請求項８記載の露光装置。
【請求項１０】
前記照明光学系の光軸と前記投影光学系の光軸とはずれていることを特徴とする請求項７乃至９のうちいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記投影光学系はカタディオプトリック系であることを特徴とする請求項７乃至９のうちいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１２】
請求項７乃至９のうちいずれか一項に記載の露光装置を用いて前記被露光体を露光するステップと、
前記露光された前記被露光体を現像するステップとを有するデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の一側面としての照明光学系は、被照明面を照明する照明光学系において、前記被照射面を照明する照明光の主光線の傾きと前記被照射面上における位置とを調節する補正光学系を含み、前記補正光学系は、前記被照明面の近傍、前記被照明面と共役な位置、及び／又は、前記被照明面と共役な位置の近傍に設けられた複数の非球面光学素子を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の別の側面としての露光装置は、かかる照明光学系と、前記パターンを被露光体に投影する投影光学系とを有することを特徴とする。本発明の更に別の側面としての露光装置は、レチクルを照明する照明光学系と、前記レチクルのパターンを被露光体に投影する投影光学系とを有する露光装置において、前記レチクルを照明する照明光の主光線の傾きと前記投影光学系による結像光の主光線の傾きを一致させる補正光学系を含み、前記補正光学系は、前記レチクルの近傍、前記レチクルと共役な位置、及び／又は、前記レチクルと共役な位置の近傍に設けられた複数の非球面光学素子を有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
以下、添付図面を参照して、本発明の一実施例としての露光装置について説明する。ここで、
1201071157265_0
は、露光装置１００の概略構成図である。１は光源となるレーザーであり、２は被照射面の照度を調整するためのＮＤフィルタであり、離散的もしくは連続的に透過率が調整できるようになっている。３は１段目のハエの目レンズであり、複数のロットレンズによって波面分割された光を、コンデンサレンズ４を用いて２段目ハエの目レンズ５の入射面上に重畳的に重ね合わせてこれを略均一に照明している。照明光は、２段目のハエの目レンズ５で再度、複数のロットレンズによって波面分割され、コンデンサレンズ６を通して絞り７の面で重畳的に重ねあわされる。この結果、レーザーのプロファイルが時間的に変化し、装置とレーザー間で振動が発生しても、絞り面で均一な照度分布が形成される。絞り７は有効光源形状を切り出す。ハエの目レンズ５を構成するロッドレンズの断面形状は四角形又は六角形となる。レチクル上を照明する照明光の角度分布である有効光源形状は丸いので、有効光源形状を丸形状とするために絞り７で丸に光を切り出している。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月18日(2008.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光増幅器と、前記光増幅器からの光を反射するミラーと、前記光増幅器と前記ミラーとの間に配置され、所定の波長について透過性を有し、前記光増幅器からの光を透過する波長光学部品とを備える外部共振器と、
前記波長光学部品を透過した透過光の光強度を検知する第１の光検知手段と、
前記光増幅器側から入射しかつ前記波長光学部品により反射された反射光の光強度を検知する第２の光検知手段とを備えることを特徴とするレーザモジュール。
【請求項２】
光増幅器と、前記光増幅器からの光を反射するミラーと、前記光増幅器と前記ミラーとの間に配置され、所定の波長について透過性を有し、前記光増幅器からの光を透過する波長光学部品とを備える外部共振器と、
前記波長光学部品を透過した透過光の光強度を検知する第１の光検知手段と、
前記ミラー側から入射しかつ前記波長光学部品により反射された反射光の光強度を検知する第２の光検知手段とを備えることを特徴とするレーザモジュール。
【請求項３】
前記波長光学部品は、エタロン、フィルタまたは透過性を有するミラーであることを特徴とする請求項１または２記載のレーザモジュール。
【請求項４】
前記波長光学部品の温度を制御する温度制御装置をさらに備え、
前記波長光学部品の透過波長は、前記波長光学部品の温度によって変化することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のレーザモジュール。
【請求項５】
前記透過波長は、前記波長光学部品に与えられる電気信号によって制御可能であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のレーザモジュール。
【請求項６】
出力波長が制御可能である光出力手段が光を出力し、
所定の波長について透過性を有し、透過波長が制御可能であり、前記光出力手段からの光を透過する波長光学部品を透過した透過光の光強度を検知し、
前記波長光学部品により反射された反射光の光強度を検知し、
前記透過光の光強度の増減と前記反射光の光強度の増減とが逆である場合に前記光出力手段からの光の波長と前記波長光学部品の透過波長との相対関係が変化していると判定し、
前記判定結果に基づいて、前記光出力手段の出力波長または前記波長光学部品の透過波長を制御することを特徴とする光学装置の制御方法。
【請求項７】
前記透過光の光強度と前記反射光の光強度との比が変化したことに基づき、前記相対関係が変化していると判定することを特徴とする請求項６記載の光学装置の制御方法。
【請求項８】
前記判定結果に基づいて、前記光出力手段からの光の波長が一定になるように前記光出力手段を制御しつつ、前記透過光の光強度と前記反射光の光強度との比が所定の値で一定になるように前記波長光学部品の透過波長を制御することを特徴とする請求項７記載の光学装置の制御方法。
【請求項９】
前記判定結果に基づいて、前記透過波長が一定になるように前記波長光学部品を制御しつつ、前記透過光の光強度と前記反射光の光強度との比が所定の値で一定になるように前記光出力手段の出力波長を制御することを特徴とする請求項７記載のレーザ装置の制御方法。
【請求項１０】
出力波長が制御可能である光増幅器により光が増幅され、
前記光増幅器からの光が、所定の波長について透過性を有し透過波長が制御可能である波長光学部品を透過しつつ前記光増幅器とミラーとの間で共振し、
前記波長光学部品を透過した透過光の光強度を検知し、
前記波長光学部品により反射された反射光の光強度を検知し、
前記透過光の光強度の増減と前記反射光の光強度の増減とが逆である場合に前記光増幅器からの光の波長と前記波長光学部品の透過波長との相対関係が変化していると判定し、
前記判定結果に基づいて、前記光増幅器の出力波長または前記波長光学部品の透過波長を制御することを特徴とするレーザ装置の制御方法。
【請求項１１】
前記透過光の光強度と前記反射光の光強度との比が変化したことに基づき、前記相対関係が変化していると判定することを特徴とする請求項１０記載のレーザ装置の制御方法。
【請求項１２】
前記判定結果に基づいて、前記光増幅器からの光の波長が一定になるように前記光増幅器を制御しつつ、前記透過光の光強度と前記反射光の光強度との比が所定の値で一定になるように前記波長光学部品の透過波長を制御することを特徴とする請求項１１記載のレーザ装置の制御方法。
【請求項１３】
前記判定結果に基づいて、前記ピーク波長が一定になるように前記波長光学部品を制御しつつ、前記透過光の光強度と前記反射光の光強度との比が所定の値で一定になるように前記光増幅器の出力波長を制御することを特徴とする請求項１１記載のレーザ装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月31日(2008.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板を基材として作り込まれ、前記シリコン基板を切断することにより得られる半導体素子の製造方法において、
前記半導体素子の間の切断ラインの位置に凹部を形成する工程と、
前記半導体素子と外部との電気的接続を行うための接続用電極を、前記凹部内に形成する接続用電極の形成工程と、
前記凹部に沿って切断することにより、前記半導体素子を前記シリコン基板から分離する工程と、
を有することを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記接続用電極の形成工程は、前記切断ラインをまたぐ領域にめっき導体を形成する工程と、前記めっき導体の上にレジストを形成してパターニングする工程と、前記レジストの存在しない領域に電解めっき法により金属を成長させる工程と、前記レジストと前記めっき導体とを除去する工程と、を有し、前記切断ラインをまたぐ領域に成長した金属によって前記接続用電極を構成することを特徴とする、請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項３】
シリコン基板を切断することによって得られる半導体素子に、インクジェット記録ヘッドの構造を形成するインクジェット記録ヘッドの製造方法において、
前記シリコン基板に作り込まれた半導体素子に、インクを吐出する吐出エネルギーを発生する手段と、インク吐出口と、インク流路と、を設ける工程と、
前記半導体素子の間の切断ラインの位置に凹部を形成する工程と、
前記半導体素子と外部との電気的接続を行うための接続用電極を、前記凹部内に形成する接続用電極の形成工程と、
前記凹部に沿って切断することにより、前記半導体素子を前記シリコン基板から分離する工程と、
前記接続用電極と外部導電部材とを接合する工程と、
を有することを特徴とするインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記接続用電極の形成工程は、前記切断ラインをまたぐ領域にめっき導体を形成する工程と、前記めっき導体の上にレジストを形成してパターニングする工程と、前記レジストの存在しない領域に電解めっき法により金属を成長させる工程と、前記レジストと前記めっき導体とを除去する工程と、を有し、前記切断ラインをまたぐ領域に成長した金属によって前記接続用電極を構成することを特徴とする、請求項３に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記接続用電極と前記外部導電部材との接続部を覆う封止材を設ける工程をさらに有し、前記封止材は、前記インク吐出口が開口する表面より突出しないように設けられていることを特徴とする、請求項３または４に記載のインクジェット記録ヘッドの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体素子の製造方法およびインクジェット記録ヘッドの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体素子の製造方法とインクジェット記録用ヘッドの製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
そこで本発明の目的は、外部と電気接続するための接続用電極の形成工程が簡略化でき、製造コストを低くすることができ、しかも、高密度化およびスペース効率向上が可能な半導体素子の製造方法とインクジェット記録ヘッドの製造方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の特徴は、シリコン基板を基材として作り込まれ、シリコン基板を切断することにより得られる半導体素子の製造方法において、半導体素子の間の切断ラインの位置に凹部を形成する工程と、半導体素子と外部との電気的接続を行うための接続用電極を、凹部内に形成する接続用電極の形成工程と、凹部に沿って切断することにより、半導体素子を前記シリコン基板から分離する工程と、を有するところにある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明のもう１つの特徴は、シリコン基板を切断することによって得られる半導体素子に、インクジェット記録ヘッドの構造を形成するインクジェット記録ヘッドの製造方法において、シリコン基板に作り込まれた半導体素子に、インクを吐出する吐出エネルギーを発生する手段と、インク吐出口と、インク流路と、を設ける工程と、半導体素子の間の切断ラインの位置に凹部を形成する工程と、半導体素子と外部との電気的接続を行うための接続用電極を、凹部内に形成する接続用電極の形成工程と、凹部に沿って切断することにより、半導体素子をシリコン基板から分離する工程と、接続用電極と外部導電部材とを接合する工程と、を有するところにある。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月29日(2008.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明導電膜を形成し、
前記透明導電膜上に第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜上に第２の導電膜を形成し、
前記第２の導電膜を、塩素を含むガスを用いてエッチングし、
前記第１の導電膜を、フッ素を含むガスを用いてエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記エッチングによって前記第１の導電膜と前記第２の導電膜とが除去された前記透明導電膜上に、発光層を含む有機化合物層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面を有する基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を覆うように絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に透明導電膜を形成し、
前記絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
前記透明導電膜上と前記コンタクトホール内に第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜上に第２の導電膜を形成し、
前記第２の導電膜を、塩素を含むガスを用いてエッチングし、
前記第１の導電膜を、フッ素を含むガスを用いてエッチングし、
前記透明導電膜は前記半導体膜と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面を有する基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を覆うように絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に透明導電膜を形成し、
前記絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
前記透明導電膜上と前記コンタクトホール内に第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜上に第２の導電膜を形成し、
前記第２の導電膜を、塩素を含むガスを用いてエッチングし、
前記第１の導電膜を、フッ素を含むガスを用いてエッチングし、
前記エッチングによって前記第１の導電膜と前記第２の導電膜とが除去された前記透明導電膜上に、発光層を含む有機化合物層を形成し、
前記透明導電膜は前記半導体膜と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記透明導電膜を、前記フッ素を含むガスでエッチングされない材料で形成し、
前記第１の導電膜を、前記塩素を含むガスと反応しない材料で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記透明導電膜は、酸化インジウムスズ合金（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ（ＩＴＯ））膜、シリコン（Ｓｉ）を含む酸化インジウムスズ合金膜、酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜、酸化スズ（ＳｎＯ２）膜、酸化インジウム（ＩｎＯ）膜、又は酸化インジウム（ＩｎＯ）に２〜２０ａｔｏｍｉｃ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合した酸化インジウム酸化亜鉛合金膜のいずれか１つであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１の導電膜は、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）のいずれか一の元素、前記元素の窒化物、又は前記元素を含む合金のいずれか１つを含むことを特徴する半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第２の導電膜は、アルミニウム膜、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、ネオジウム（Ｎｄ）、銅（Ｃｕ）のうち少なくとも１種の元素を含むアルミニウム合金膜、又はニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、モリブデン（Ｍｏ）、シリコン（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、ネオジウム（Ｎｄ）、銅（Ｃｕ）のうち少なくとも１種の元素及び炭素（Ｃ）を含むアルミニウム合金膜のいずれか１つであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記塩素を含むガスは、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、ＳｉＣｌ４、又はＣＣｌ４を含むガスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記フッ素を含むガスは、ＣＦ４、ＳＦ６、又はＮＦ３を含むガスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３５】
本実施例の表示装置は、電極５６１〜５６７の形成の際に細かいパーティクルが発生しないので、画素電極５５４と他の導電膜との間のショートを防ぐことができる。これにより信頼性の高い良好な表示装置を作製することが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月26日(2007.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の蛍光体層を有する前面基板と、
上記複数の蛍光体層に対応した複数の電子放出素子を有する背面基板と、
上記前面基板および背面基板の周縁部同士を封着した封着部材と、を有し、
上記封着部材は、上記周縁部に沿って設けられる一種類の材料によって形成された芯部材と、この芯部材を埋設するとともに該芯部材と上記各基板を封止する封止材と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
上記芯部材は、金属ワイヤにより形成されており、上記封止材は、低融点金属で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
上記芯部材は、短軸が上記各基板と略直交する略楕円形の断面を有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
上記芯部材は、上記各基板に対向する面が平らに潰れた形状を有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
上記芯部材と各基板との間には封止材が少なくとも介在され、上記芯部材と各基板とは非接触状態で配置されることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
複数の蛍光体層を有する前面基板と、上記複数の蛍光体層に対応した複数の電子放出素子を有する背面基板と、上記前面基板および背面基板の周縁部同士を封着した封着部材と、を有する表示装置であって、上記封着部材が、上記周縁部に沿って設けられる芯部材と、この芯部材を埋設するとともに該芯部材と上記各基板を非接触状態で封止する封止材と、を有する表示装置の製造方法であって、
上記封着部材を上記前面基板および背面基板の周縁部間に配置し、
当該封着部材の上記封止材を溶融し、
上記芯部材が上記前面基板および背面基板のいずれにも接触しないように当該芯部材を支持し、
上記前面基板および背面基板の周縁部を同時に封止することを特徴とする表示装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置、および表示装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
この発明は、背面基板に設けた電子放出素子から電子を放出させて前面基板に設けた蛍光体層を励起発光させることによりカラー画像を表示する表示装置、および表示装置の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この発明の目的は、製造工程を簡略化でき製造コストを低減できる表示装置、および表示装置の製造方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するため、この発明の表示装置は、複数の蛍光体層を有する前面基板と、上記複数の蛍光体層に対応した複数の電子放出素子を有する背面基板と、上記前面基板および背面基板の周縁部同士を封着した封着部材と、を有し、上記封着部材は、上記周縁部に沿って設けられる一種類の材料によって形成された芯部材と、この芯部材を埋設するとともに該芯部材と上記各基板を封止する封止材と、を有する。
また、この発明の表示装置の製造方法によると、上記封着部材を上記前面基板および背面基板の周縁部間に配置し、当該封着部材の上記封止材を溶融し、上記芯部材が上記前面基板および背面基板のいずれにも接触しないように当該芯部材を支持し、上記前面基板および背面基板の周縁部を同時に封止する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月21日(2008.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光装置における荷電粒子線光学系の収差調整方法であって、
前記荷電粒子線光学系のＮ個の収差量を測定する収差測定ステップと、
前記荷電粒子線光学系を構成する光学要素を制御するＭ個の制御量を各々変化させ、前記収差測定ステップを実行させて前記Ｎ個の収差量の変化量を求め、前記Ｍ個の制御量の収差敏感度をそれぞれ求める収差敏感度取得ステップと、
前記Ｎ個の収差量を所定の収差量にするために、前記Ｎ個の収差量および前記Ｍ個の制御量の収差敏感度に基づいて、前記Ｍ個の制御量を決定する制御量決定ステップと、を備え、
前記Ｍは前記Ｎより小さいことを特徴とする収差調整方法。
【請求項２】
前記制御量決定ステップで決定された前記制御量を前記光学要素に設定後、再度、前記収差測定ステップを実行する収差確認ステップを有する請求項１に記載の収差調整方法。
【請求項３】
前記収差確認ステップで、各々の前記収差量が許容値を満たさない場合、再度、前記収差敏感度取得ステップ、前記制御量決定ステップおよび前記収差確認ステップを実行する請求項２に記載の収差調整方法。
【請求項４】
前記収差量は、ツェルニケ係数で示される請求項１から３の何れか一項に記載の収差調整方法。
【請求項５】
前記収差量は、各像高の位置ずれである請求項１から３の何れか一項に記載の収差調整方法。
【請求項６】
前記制御量決定ステップでは、
前記収差量をＣｉ、所定の前記収差量をＣＴｉ、前記許容値をＴｉとして、調整後残差関数ｅｉを
ｅｉ＝（Ｃｉ−ＣＴｉ）/Ｔｉ  で定義し、
前記調整後残差関数ｅｉ,（ｉ＝１,・・・,ｎ）の最大絶対値を最小化するために、｜ｅｉ｜＜Ｔ, （ｉ＝１,・・・,ｎ）となるダミー変数Ｔを導入し、前記ダミー変数Ｔを最小化する線形計画問題へ定式化して、前記収差敏感度に基づいて、前記光学要素を制御する前記制御量を決定する請求項１から５の何れか一項に記載の収差調整方法。
【請求項７】
請求項１から６の何れか一項に記載の収差調整方法を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項８】
荷電粒子線光学系を介して被露光基板を露光する荷電粒子線露光装置であって、
前記荷電粒子線光学系のＮ個の収差量を測定する収差測定手段と、
前記荷電粒子線光学系を構成する光学要素を制御するＭ個の制御量を各々変化させ、前記収差測定手段を用いて前記Ｎ個の収差量の変化量を求め、前記Ｍ個の制御量の収差敏感度をそれぞれ求める収差敏感度取得手段と、
前記Ｎ個の収差量を所定の収差量にするために、前記Ｎ個の収差量および前記Ｍ個の制御量の収差敏感度に基づいて、前記Ｍ個の制御量を決定する制御量決定手段と、を備え、前記Ｍは前記Ｎより小さいことを特徴とする荷電粒子線露光装置。
【請求項９】
請求項８に記載の荷電粒子線露光装置を用いて被露光基板を露光するステップと、露光された前記被露光基板を現像するステップとを備えることを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記の目的を達成するために、本発明の収差調整方法は、露光装置における荷電粒子線光学系の収差調整方法であって、前記荷電粒子線光学系のＮ個の収差量を測定する収差測定ステップと、前記荷電粒子線光学系を構成する光学要素を制御するＭ個の制御量を各々変化させ、前記収差測定ステップを実行させて前記Ｎ個の収差量の変化量を求め、前記Ｍ個の制御量の収差敏感度をそれぞれ求める収差敏感度取得ステップと、前記Ｎ個の収差量を所定の収差量にするために、前記Ｎ個の収差量および前記Ｍ個の制御量の収差敏感度に基づいて、前記Ｍ個の制御量を決定する制御量決定ステップと、を備え、前記Ｍは前記Ｎより小さいことを特徴とする。
さらに、本発明の荷電粒子線露光装置は、荷電粒子線光学系を介して被露光基板を露光する荷電粒子線露光装置であって、前記荷電粒子線光学系のＮ個の収差量を測定する収差測定手段と、前記荷電粒子線光学系を構成する光学要素を制御するＭ個の制御量を各々変化させ、前記収差測定手段を用いて前記Ｎ個の収差量の変化量を求め、前記Ｍ個の制御量の収差敏感度をそれぞれ求める収差敏感度取得手段と、前記Ｎ個の収差量を所定の収差量にするために、前記Ｎ個の収差量および前記Ｍ個の制御量の収差敏感度に基づいて、前記Ｍ個の制御量を決定する制御量決定手段と、を備え、前記Ｍは前記Ｎより小さいことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明によれば、荷電粒子線光学系の有効領域での収差をバランスよく調整することが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
次に、本発明の実施例１の露光装置における荷電粒子線光学系の収差調整方法に適用される描画方法を図１、図２、特に図３を参照して説明する。
主制御系２９は、露光制御データに基づいて、ブランキング制御回路２２と偏向器制御回路２３に命じ、偏向器１０によって、複数の電子ビーム１００を偏向させると共に、被露光基板であるウェハ９に露光すべきピクセル１０１に応じてブランカーアレイ８のブランカーを個別にｏｎ／ｏｆｆさせる。
各電子ビーム１００は、図３に示されるようにウェハ９上の対応する要素露光領域（ＥＦ）をラスタースキャン露光する。各電子ビーム１００の要素露光領域（ＥＦ）は、２次元に隣接するように設定されているので、その結果、同時に露光される複数の要素露光領域（ＥＦ）で構成されるサブフィールド（ＳＦ）が露光される。次に、主制御系２９は、サブフィールド１(ＳＦ１)を露光後、次のサブフィールド２(ＳＦ２)を露光する為に、偏向器１０によって、複数の電子ビーム１００を次のサブフィールド２(ＳＦ２)に偏向させる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月23日(2008.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
また、図４に示すＳＢＤには、クロム、モリブデンやチタンなどのショットキー金属からなるショットキー金属層１０４が、低濃度Ｎ型エピタキシャル層１０２に形成された凹部１０３、および、高濃度Ｐ型ガードリング１０７の表面を被覆するように形成されている。また、アルミニウムや銀などからなるアノード電極１０５が、ショットキー金属層１０４を被覆するように形成されており、金や銀などからなるカソード電極１０６が、高濃度Ｎ型半導体基板１０１の裏面に形成されている。
【特許文献１】特開２００３−１１５５９７号公報
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月27日(2007.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、高周波電子部品が高周波装置の端部に設けられたことにより、ストリップ線路が高周波装置用基板の端部にまで引き回す必要がある場合には、高周波用基板の裏面上に形成するグランド電極端子を、高周波装置用基板の中央部から端部近傍にわたって更に広範囲に形成する必要がある。
このように、高周波装置が高周波特性を得るためには、高周波電子部品が実装される高周波装置用基板の裏面上の中央部から端部近傍にわたって略全面に、グランド電極端子を設ける必要があった。
このため、グランド電極端子と、このグランド電極端子に隣接して形成された電極端子との間が狭くなり、高周波装置を電子回路基板上に表面実装するときに、半田ブリッジが発生し易く、電極端子間で短絡が起こりやすかった。
【特許文献１】特開２００４−０４７７８１号公報（図１（Ｂ）、段落００２１）
【特許文献２】特開２００３−３４７３５６号公報（図１）1
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月21日(2008.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加速用電極と減速用電極と基準電極とを備え、荷電粒子線を収束する作用を有する静電レンズ装置であって、
前記加速用電極の電位と前記減速用電極の電位の総和が前記基準電極の電位と等しくなるように、前記加速用電極および前記減速用電極に電圧を印加する電圧印加手段を備えることを特徴とする静電レンズ装置。
【請求項２】
前記加速用電極および減速用電極のそれぞれが、前記荷電粒子線の進行軸と垂直な所定の面に対し対称となるように配列されていることを特徴とする請求項１に記載の静電レンズ装置。
【請求項３】
荷電粒子線を収束する作用を有する静電レンズ装置の調整方法であって、加速用電極と減速用電極と基準電極とを配列する工程と、前記加速用電極の電位と前記減速用電極の電位の総和が前記基準電極の電位と等しくなるように、前記加速用および前記減速用電極に電圧を印加する工程と、を有することを特徴とする静電レンズ装置の調整方法。
【請求項４】
荷電粒子線を収束する作用を有する静電レンズ装置の調整方法であって、加速用電極と減速用電極と基準電極を配列する工程と、前記荷電粒子線の進行方向における焦点位置を変化させずに前記荷電粒子線の進行方向とは垂直な方向における所定の位置に前記荷電粒子線が照射されるように、前記加速用電極および前記減速用電極に電圧を印加する工程と、を有することを特徴とする静電レンズ装置の調整方法。
【請求項５】
荷電粒子線を収束する作用を有する静電レンズ装置を備えた荷電粒子線露光装置であって、
前記静電レンズ装置が、加速用電極と、減速用電極と、基準電極と、前記加速用電極の電位と前記減速用電極の電位の総和が前記基準電極の電位と等しくなるように前記加速用電極および前記減速用電極に電圧を印加する電圧印加手段とを備えることを特徴とする荷電粒子線露光装置。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか一項に記載の静電レンズ装置を用いて所定のパターンを基板上に露光する工程と、露光された前記基板を現像する工程とを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
従来の荷電粒子ビームを収束するための静電レンズが採用されている一つの形態では、特許文献１（特開平９−２４５７０８号公報）に示されているように、荷電粒子源から放出される荷電粒子を加速、成形、縮小し、試料上にビーム照射することによって所定のパターンを試料上に形成する荷電粒子線描画装置があり、荷電粒子線を成形する際には静電レンズアレイを用いて複数のビームを個別に収束している。さらに、特許文献２（特開２００１−３４５２５９号公報）に示されている方式では静電レンズアレイに印加できる電圧は個別に設定することができ、ビーム毎に異なる収束効果を実現している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明に係る第１の静電レンズ装置の調整方法は、荷電粒子線を収束する作用を有する静電レンズ装置の調整方法であって、加速用電極と減速用電極と基準電極とを配列する工程と、前記加速用電極の電位と前記減速用電極の電位の総和が前記基準電極の電位と等しくなるように、前記加速用および前記減速用電極に電圧を印加する工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る第２の静電レンズ調整方法は、荷電粒子線を収束する作用を有する静電レンズ装置の調整方法であって、加速用電極と減速用電極と基準電極を配列する工程と、前記荷電粒子線の進行方向における焦点位置を変化させずに前記荷電粒子線の進行方向とは垂直な方向における所定の位置に前記荷電粒子線が照射されるように、前記加速用電極および前記減速用電極に電圧を印加する工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る荷電粒子線露光装置は、荷電粒子線を収束する作用を有する静電レンズ装置を備えた荷電粒子線露光装置であって、前記静電レンズ装置が、加速用電極と、減速用電極と、基準電極と、前記加速用電極の電位と前記減速用電極の電位の総和が前記基準電極の電位と等しくなるように前記加速用電極および前記減速用電極に電圧を印加する電圧印加手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
［第１の実施例］
以下、実施例１を説明する。
図１は本発明の第１の実施例に係る静電レンズアレイの概略断面図である。静電レンズアレイを構成する各々の静電レンズは従来技術と同様、円形開口のものである。本静電レンズアレイは複数のビーム４−ａ〜４−ｃを個々に収束するように各々のビームに対応する開口を有しており、また、基準電極としての接地電極１および加速用電極２−ａ〜２−ｆ、減速用電極３−ａ〜３−ｆを有している。ビーム４を収束させるには加速用電極、減速用電極にそれぞれ＋、−の電圧を印加すればよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
そこで本実施例では以下の方法を用いてビーム照射位置のずれがなくなるような静電レンズを実現した。本実施例の電圧印加方法を図２−（ｂ）に示す。
先に述べた静電レンズの偏向作用は加速用電極と減速用電極では反対方向の作用があり、本実施例では加速用電極２−ａ〜２−ｆと減速用電極３−ａ〜３−ｆの偏向作用を打ち消すように、加速用電極２−ａ〜２−ｆおよび減速用電極３−ａ〜３−ｆの基準電極としての接地電極からの印加電圧を逆極性で絶対値をほぼ等しくしている。さらに、加速用電極２−ａ〜２−ｆおよび減速用電極３−ａ〜３−ｆが一組だけであるとビーム偏向による傾きは打ち消すことはできるが、ビームのシフト偏向分が残り、少ないながらもビーム照射位置ずれの原因となる。そこで本実施例では、加速用電極２−ａ〜２−ｃと減速用電極３−ａ〜３−ｃを一組、減速用電極３−ｄ〜３−ｆと加速用電極２−ｄ〜２−ｆを一組それぞれ配置し、シフト偏向分をも打ち消すようにした。即ち、所定の面（図２（ｂ）において中央の接地電極を通り荷電粒子線の進行軸に垂直な面）に対して対称となるように加速用電極２−ａ〜２−ｆと減速用電極３−ａ〜３−ｆとを配列することによってシフト偏向分をも打ち消すようにしている。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月28日(2007.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共鳴周波数の異なる組織１と組織２を含む被検体から、読み出し傾斜磁場の極性を反転させて複数のエコー信号を計測する計測制御手段と、前記複数のエコー信号から組織１の画像と組織２の画像の少なくとも一方を再構成する画像再構成手段と、備えた磁気共鳴イメージング装置において、
前記計測制御手段は、隣接する偶数番目のエコー信号と奇数番目のエコー信号とを同一位相エンコードで計測し、
前記画像再構成手段は、前記偶数番目のエコー信号と前記奇数番目のエコー信号の加算から前記組織１の画像を再構成し、前記偶数番目のエコー信号と前記奇数番目のエコー信号の減算から前記組織２の画像を再構成することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項２】
請求項１記載の磁気共鳴イメージング装置において、
前記計測制御手段は、２エコー信号毎に位相エンコード傾斜磁場を印加することを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項３】
請求項１記載の磁気共鳴イメージング装置において、
前記計測制御手段は、前記組織１からのエコー信号の位相と前記組織２からのエコー信号の位相との差が、１８０°の奇数倍となるように、前記偶数番目エコー信号のピークと前記奇数番目エコー信号のピークとの時間間隔を空けて各エコー信号の計測を行うことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。  
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
（１）上記目的を達成するために、本発明は、被検体に静磁場及び傾斜磁場を与え、励起パルスを繰り返し照射して、被検体の生体組織の原子核の核磁気共鳴により放出されるエコー信号を検出して、このエコー信号を用いて画像再構成演算を行う磁気共鳴画像撮影方法において、１回の励起パルス照射に対して読み出し傾斜磁場パルスの極性反転により複数のエコー信号を得て、異なる共鳴周波数を有する組織１と組織２の信号位相が同位相のタイミングと逆位相のタイミングで計測した信号を加減算するようにしたものである。
（２）また、共鳴周波数の異なる組織１と組織２を含む被検体から、読み出し傾斜磁場の極性を反転させて複数のエコー信号を計測する計測制御手段と、前記複数のエコー信号から組織１の画像と組織２の画像の少なくとも一方を再構成する画像再構成手段と、備えた磁気共鳴イメージング装置において、前記計測制御手段は、隣接する偶数番目のエコー信号と奇数番目のエコー信号とを同一位相エンコードで計測し、前記画像再構成手段は、前記偶数番目のエコー信号と前記奇数番目のエコー信号の加算から前記組織１の画像を再構成し、前記偶数番目のエコー信号と前記奇数番目のエコー信号の減算から前記組織２の画像を再構成するようにしたものである。
（３）さらにまた、前記計測制御手段は、前記組織１からのエコー信号の位相と前記組織２からのエコー信号の位相との差が、１８０°の奇数倍となるように、前記偶数番目エコー信号のピークと前記奇数番目エコー信号のピークとの時間間隔を空けて各エコー信号の計測を行うにしてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月20日(2007.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明を図示の実施の形態に基づいて詳細に説明する。
図１は第１の実施の形態における撮影装置の概略図である。被写体Ｓの後方には放射線Ｘをパルス状に照射することができる放射線源１が設置されており、放射線Ｘのパルスのオン・オフや、放射線源内の放射線管球の管電圧・管電流を制御する放射線制御手段２が接続されている。被写体Ｓの前方には、図示しない撮影部本体が配置され、この本体内には、被写体Ｓ内で散乱した放射線Ｘを吸収するための鉛箔を格子状に配列したグリッド３、グリッド３からの放射線Ｘを可視光に変換するための蛍光体４、蛍光体４により可視光に変換された像情報Ｌを撮像するための放射線撮像手段５が内蔵されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
ここで、放射線撮像手段５のセンサ部は図示しない行列状に配列された複数の光電変換素子から成り、像情報Ｌを電気信号に変換して蓄積し、Ａ／Ｄ変換器６を介して、デジタル画像信号として出力するようにされている。また放射線撮像手段５には、撮影時間や駆動方法を制御する駆動制御手段７が接続されている。この駆動制御手段７は放射線照射の開始と、放射線撮像手段５の撮像動作の開始が同期するように、放射線制御手段２とも接続されている。また、放射線制御手段２には放射線Ｘの照射指示を出力する放射線照射ボタン８が接続されている。更に、グリッド３と蛍光体４との間との間には放射量を測定するためのフォトタイマ９が設けられており、その出力は放射線制御手段２に接続されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
放射線源１から照射された放射線Ｘは被写体Ｓ及びグリッド３を透過し、可視光に変換する蛍光体４に入射する。この際に、被写体Ｓを透過した放射線Ｘは、被写体Ｓの内部の骨や内臓の大きさや形、病巣の有無により透過量が異なり、それらの像情報が含まれている。フォトタイマ９からの出力の積算値が、所定の累積放射線量である閾値に達したり、或いは放射線制御手段２で予め設定された放射線照射時間が経過すると、放射線制御手段２は放射線源１からの放射線Ｘの照射を終了する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
撮影部本体４１のグリッド挿入部４５には検出手段が設けられ、グリッド４４のみ或いはフィルムカセッテ４３とグリッド４４の組み合わせの何れかが挿入されたかを判別する。判別には、第２の実施の形態と同様に、接触式、非接触式検出機構の何れを用いてもよい。上記以外の構成及び動作については、第１及び第２の実施の形態と同様である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月19日(2008.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 散乱した放射線を吸収するように互いに対して幾何的に配列された複数の可撓性放射線吸収性部材（２２）と、該放射線吸収性部材の間に設けられている空間充填材料とを備えた焦点距離可変型散乱防止グリッド（２０）。
【請求項２】 前記複数の放射線吸収性部材（２２）は一体形成されている請求項１に記載の焦点距離可変型散乱防止グリッド（２０）。
【請求項３】 前記複数の吸収性部材（２２）は射出成形されている請求項２に記載の焦点距離可変型散乱防止グリッド（２０）。
【請求項４】 前記グリッドは１以上の軸（３４）に沿って撓曲するように構成されており、これにより、異なるＸ線処置手順に適合させるように前記グリッドの実効焦点距離の暫定的調節を可能にする請求項１に記載の焦点距離可変型散乱防止グリッド（２０）。
【請求項５】 複数の空間（４４）を画定する一体形成された幾何的グリッド構造（３０）と、前記空間内に配置されている空間充填材料とを備えたＸ線散乱防止グリッド（２０）であって、前記グリッド及び前記空間充填材料は、１以上の軸（３４）に沿って撓曲するように構成されており、これにより、異なるＸ線処置手順に適合するように前記グリッドの実効焦点距離の暫定的調節を可能にするＸ線散乱防止グリッド（２０）。
【請求項６】 前記グリッド構造（３０）は射出成形されている請求項５に記載のＸ線散乱防止グリッド（２０）。
【請求項７】 前記グリッド構造（３０）は添加剤を配合した熱可塑性材料から作製される請求項５に記載のＸ線散乱防止グリッド（２０）。
【請求項８】 前記熱可塑性材料はタングステン−熱可塑性材料混合物である請求項７に記載のＸ線散乱防止グリッド（２０）。
【請求項９】 直接Ｘ線を放出するＸ線源（１２）と共に用いられ、複数の空間（４４）を画定する一体形成された幾何的グリッド構造（３０）と、前記空間内に配置されている空間充填材料とを含む距離可変型Ｘ線散乱防止グリッド（２０）によりＸ線画像のコントラストを高める方法であって、前記散乱防止グリッド（２０）は、第一のＸ線処置手順については第一の焦点距離で１以上の軸（３４）に沿って集光し、当該方法は、第二のＸ線処置手順に用いられる第二の焦点距離を選択する工程と、該第二の焦点距離が得られるまで前記１以上の軸に沿って前記散乱防止グリッドを撓曲させる工程と、前記散乱防止グリッドが前記Ｘ線源からの直接線と一致していない放射線を吸収するように前記第二の焦点距離でＸ線源とＸ線検出器との間で前記散乱防止グリッドを位置決めする工程とを備えた方法。
【請求項１０】 前記グリッド（５０）及び空間充填材料は第二の軸（５２）に沿って撓曲するように構成されており、前記方法は、実質的に球状のグリッドを形成するように前記第二の軸に沿って前記散乱防止グリッドを撓曲させる工程をさらに含んでいる請求項９に記載の方法。