【手続補正書】
【提出日】平成20年1月28日(2008.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】磁気記憶装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  非接触で交差して、マトリックスを構成する複数のビット線および複数のワード線、
前記複数のビット線と前記複数のワード線との交差部にそれぞれ配設され、少なくとも１つの磁気トンネル接合を含む複数のメモリセル、
前記複数のビット線の両端部に接続される第１および第２の列読み出し／書き込み制御回路および、
前記複数のワード線の両端部に接続される第１および第２の行読み出し／書き込み制御回路、
で構成される複数のメモリセルアレイと、
前記複数のメモリセルアレイに渡る複数のメインワード線と、
前記複数のメモリセルアレイの個々に対応して配設された複数のメモリセルアレイ選択線と、を有した、少なくとも１のメモリセルアレイ群を備え、
前記複数のワード線は、前記複数のメインワード線と前記複数のメモリセルアレイ選択線との交差部にそれぞれ設けられた第１の組み合わせ論理ゲートの出力に、前記第１の行読み出し／書き込み制御回路を介してそれぞれ接続され、
前記第１の組み合わせ論理ゲートの入力は、交差状態にある前記複数のメインワード線の１本と前記複数のメモリセルアレイ選択線の１本とに接続される、磁気記憶装置。
【請求項２】  前記少なくとも１のメモリセルアレイ群を複数有し、
前記複数のメモリセルアレイ群に渡る複数のグローバルワード線と、
前記複数のメモリセルアレイ群の個々に対応して配設された複数のメモリセルアレイ群選択線とをさらに有し、
前記複数のメインワード線は、前記複数のグローバルワード線と前記複数のメモリセルアレイ群選択線との交差部にそれぞれ設けられた第２の組み合わせ論理ゲートの出力にそれぞれ接続され、
前記第２の組み合わせ論理ゲートの入力は、交差状態にある前記複数のグローバルワード線の１本と前記複数のメモリセルアレイ群選択線の１本とに接続される、請求項１記載の磁気記憶装置。
【請求項３】  非接触で交差して、マトリックスを構成する複数のビット線および複数のワード線、
前記複数のビット線と前記複数のワード線との交差部にそれぞれ配設され、少なくとも１つの磁気トンネル接合を含む複数のメモリセル、
前記複数のビット線の両端部に接続される第１および第２の列読み出し／書き込み制御回路および、
前記複数のワード線の両端部に接続される第１および第２の行読み出し／書き込み制御回路、
で構成される複数のメモリセルアレイと、
前記複数のメモリセルアレイに渡る複数のメインビット線と、
前記複数のメモリセルアレイの個々に対応して配設された複数のメモリセルアレイ選択線とを有した、少なくとも１のメモリセルアレイ群とを備え、
前記複数のビット線は、前記複数のメインビット線と前記複数のメモリセルアレイ選択線との交差部にそれぞれ設けられた第１の組み合わせ論理ゲートの出力に、前記第１の列読み出し／書き込み制御回路を介してそれぞれ接続され、
前記第１の組み合わせ論理ゲートの入力は、交差状態にある前記複数のメインビット線の１本と前記複数のメモリセルアレイ選択線の１本とに接続される、磁気記憶装置。
【請求項４】  前記少なくとも１のメモリセルアレイ群を複数有し、
前記複数のメモリセルアレイ群に渡る複数のグローバルビット線と、
前記複数のメモリセルアレイ群の個々に対応して配設された複数のメモリセルアレイ群選択線とをさらに有し、
前記複数のメインビット線は、前記複数のグローバルビット線と前記複数のメモリセルアレイ群選択線との交差部にそれぞれ設けられた第２の組み合わせ論理ゲートの出力にそれぞれ接続され、
前記第２の組み合わせ論理ゲートの入力は、交差状態にある前記複数のグローバルビット線の１本と前記複数のメモリセルアレイ群選択線の１本とに接続される、請求項３記載の磁気記憶装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【数１】
2002231904.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
図７７は、図７５に示すメモリセルアレイの等価回路図であり、ワード線１〜３の両端は、それぞれワード線制御回路２５３に接続され、ビット線４〜６の両端は、それぞれビット線制御回路２５１に接続されている。なお、図７８の説明の便宜を図るため、ワード線１〜３をワード線ＷＬ１〜ＷＬ３、ビット線４〜６をビット線ＢＬ４〜ＢＬ６として示す場合もある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
なお、セル９ａのソフト強磁性体層２４の磁化方向を、相反する２つの異なる磁化方向にできるように、電流ＩBおよびＩWの少なくとも一方は、双方向に流れるように設計される。なお、図７７においては、ビット線制御回路２５１もワード線制御回路２５３も２つペアで構成されているので、電流ＩBおよびＩWは両方とも、電流の向きを変えることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る請求項１記載の磁気記憶装置は、非接触で交差して、マトリックスを構成する複数のビット線および複数のワード線、前記複数のビット線と前記複数のワード線との交差部にそれぞれ配設され、少なくとも１つの磁気トンネル接合を含む複数のメモリセル、前記複数のビット線の両端部に接続される第１および第２の列読み出し／書き込み制御回路および、前記複数のワード線の両端部に接続される第１および第２の行読み出し／書き込み制御回路、で構成される複数のメモリセルアレイと、前記複数のメモリセルアレイに渡る複数のメインワード線と、前記複数のメモリセルアレイの個々に対応して配設された複数のメモリセルアレイ選択線と、を有した、少なくとも１のメモリセルアレイ群を備え、前記複数のワード線は、前記複数のメインワード線と前記複数のメモリセルアレイ選択線との交差部にそれぞれ設けられた第１の組み合わせ論理ゲートの出力に、前記第１の行読み出し／書き込み制御回路を介してそれぞれ接続され、前記第１の組み合わせ論理ゲートの入力は、交差状態にある前記複数のメインワード線の１本と前記複数のメモリセルアレイ選択線の１本とに接続される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
本発明に係る請求項２記載の磁気記憶装置は、前記少なくとも１のメモリセルアレイ群を複数有し、前記複数のメモリセルアレイ群に渡る複数のグローバルワード線と、前記複数のメモリセルアレイ群の個々に対応して配設された複数のメモリセルアレイ群選択線とをさらに有し、前記複数のメインワード線は、前記複数のグローバルワード線と前記複数のメモリセルアレイ群選択線との交差部にそれぞれ設けられた第２の組み合わせ論理ゲートの出力にそれぞれ接続され、前記第２の組み合わせ論理ゲートの入力は、交差状態にある前記複数のグローバルワード線の１本と前記複数のメモリセルアレイ群選択線の１本とに接続される。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
本発明に係る請求項３記載の磁気記憶装置は、非接触で交差して、マトリックスを構成する複数のビット線および複数のワード線、前記複数のビット線と前記複数のワード線との交差部にそれぞれ配設され、少なくとも１つの磁気トンネル接合を含む複数のメモリセル、前記複数のビット線の両端部に接続される第１および第２の列読み出し／書き込み制御回路および、前記複数のワード線の両端部に接続される第１および第２の行読み出し／書き込み制御回路、で構成される複数のメモリセルアレイと、前記複数のメモリセルアレイに渡る複数のメインビット線と、前記複数のメモリセルアレイの個々に対応して配設された複数のメモリセルアレイ選択線とを有した、少なくとも１のメモリセルアレイ群とを備え、前記複数のビット線は、前記複数のメインビット線と前記複数のメモリセルアレイ選択線との交差部にそれぞれ設けられた第１の組み合わせ論理ゲートの出力に、前記第１の列読み出し／書き込み制御回路を介してそれぞれ接続され、前記第１の組み合わせ論理ゲートの入力は、交差状態にある前記複数のメインビット線の１本と前記複数のメモリセルアレイ選択線の１本とに接続される。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
本発明に係る請求項４記載の磁気記憶装置は、前記少なくとも１のメモリセルアレイ群を複数有し、前記複数のメモリセルアレイ群に渡る複数のグローバルビット線と、前記複数のメモリセルアレイ群の個々に対応して配設された複数のメモリセルアレイ群選択線とをさらに有し、前記複数のメインビット線は、前記複数のグローバルビット線と前記複数のメモリセルアレイ群選択線との交差部にそれぞれ設けられた第２の組み合わせ論理ゲートの出力にそれぞれ接続され、前記第２の組み合わせ論理ゲートの入力は、交差状態にある前記複数のグローバルビット線の１本と前記複数のメモリセルアレイ群選択線の１本とに接続される。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２９】
図４に、スピンを反転させるのに必要な磁界Ｈｋを、磁界ＨｘとＨｙとの結合磁界で形成する場合の上記３磁界の関係を示す。図４において横軸に磁界Ｈｘを、縦軸に磁界Ｈｙを示している。また、当該関係を以下に数式で表す。
【手続補正３４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９３】
行デコーダＲＤは行アドレス信号をデコードし、デコードされた行アドレス信号に従ってワード線を選択する。同時にワード線の一方端に接続される行読み出し／書き込み第１制御回路ＲＲＷ１に信号を出力し、行読み出し／書き込み第１制御回路ＲＲＷ１からは、読み出し、あるいは、書き込みに応じて選択ワード線に電圧、電流が印加される。
【手続補正３５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２９】
ＭＲＡＭセルＭＣ１１のメモリセルを流れるセンス電流ＩSCは、ＭＴＪの抵抗値（すなわち可変抵抗Ｒ１１の値）により大きさが変わる。ＭＴＪの抵抗がＲHおよびＲLのときのセンス電流の値をＩLおよびＩHとすると、ＲH＞ＲLであるので、ＩL＞ＩHが成り立つ。
【手続補正３６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４８５】
【発明の効果】
本発明に係る請求項１記載の磁気記憶装置によれば、複数のメモリセルアレイを有する磁気記憶装置において、複数のメモリセルアレイに渡る複数のメインワード線と、単一のメモリセルアレイだけに渡るワード線とを用いることで、同一の配線に直接に接続されるメモリセルの個数が減少するので、負荷容量が低減される。その結果、負荷容量に起因する遅延時間を短くして、高速アクセスを実現することができる。
【手続補正３７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４８６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４８７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４８８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４８９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４９０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４９１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４９２】
本発明に係る請求項２記載の磁気記憶装置によれば、複数のメモリセルアレイを有するメモリセルアレイ群を複数備える磁気記憶装置において、単一のメモリセルアレイだけに渡るワード線と、複数のメモリセルアレイに渡る複数のメインワード線と、複数のメモリセルアレイ群に渡る複数のグローバルワード線とを用いることで、同一の配線に直接に接続されるメモリセルの個数が減少するので、負荷容量が低減される。その結果、負荷容量に起因する遅延時間を短くして、高速アクセスを実現することができる。
【手続補正４４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４９３】
本発明に係る請求項３記載の磁気記憶装置によれば、複数のメモリセルアレイを有する磁気記憶装置において、複数のメモリセルアレイに渡る複数のメインビット線と、単一のメモリセルアレイだけに渡るビット線とを用いることで、同一の配線に直接に接続されるメモリセルの個数が減少するので、負荷容量が低減される。その結果、負荷容量に起因する遅延時間を短くして、高速アクセスを実現することができる。
【手続補正４５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４９４】
本発明に係る請求項４記載の磁気記憶装置によれば、複数のメモリセルアレイを有するメモリセルアレイ群を複数備える磁気記憶装置において、単一のメモリセルアレイだけに渡るビット線と、複数のメモリセルアレイに渡る複数のメインビット線と、複数のメモリセルアレイ群に渡る複数のグローバルビット線とを用いることで、同一の配線に直接に接続されるメモリセルの個数が減少するので、負荷容量が低減される。その結果、負荷容量に起因する遅延時間を短くして、高速アクセスを実現することができる。
【手続補正４６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４９５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４９６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４９７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４９８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４９９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０５００
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０５０１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０５０２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０５０３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０５０４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０５０５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０５０６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０５０７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０５０８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０５０９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０５１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０５１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２８】
2002231904.tif 000002
【手続補正６４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３２】
2002231904.tif 000003
【手続補正６５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７７】
2002231904.tif 000004