(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部本体、ならびに前記上部本体に固定された上部金型と、
下部本体、ならびに前記下部本体に固定され電気的に伝導性である物質で構成されている下部金型とを備え、
前記下部金型は金型工程をリードフレーム上で遂行するための所定の方向にリードフレームを安着するように構成されているモールディングブロックを有し、前記モールディングブロックは少なくとも一つのモールディング空洞を定義し、
前記下部金型に隣接して配置されている少なくとも一つの電気的に伝導性である検出ブロックを備え、
前記検出ブロックは、前記下部金型と電気的に連結されている電気的に伝導性であるすべての構成要素と絶縁された半導体チップ成形装置であって、
前記構成要素と前記検出ブロックとの間に電圧が印加されており、
前記リードフレームが、前記所定の方向から傾斜して前記下部金型に配置され、前記リードフレームによって前記構成要素と前記検出ブロックとの間が導通された場合の電気信号が前記検出ブロックを経由して送られてくるように前記検出ブロックと連結されている制御器を備えることを特徴とする半導体チップ成形装置。
【請求項２】
前記検出ブロックと各々接触している伝導性スプリングまたはスクリューを有する連結ブロックと、前記連結ブロック及び前記制御器を連結する検出ワイヤとをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体チップ成形装置。
【請求項３】
前記検出ブロックは、各々前記下部金型の対向する一端に配置されている一対の検出ブロックを含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体チップ成形装置。
【請求項４】
前記検出ブロックは、各々前記下部金型の対向する一端に配置されている一対の検出ブロックを含むことを特徴とする請求項２に記載の半導体チップ成形装置。
【請求項５】
前記検出ブロックは各々前記伝導性スプリングまたは前記スクリューを備える連結ブロックと接触し、前記検出ワイヤは前記連結ブロックの間に配置されて前記制御器まで至るように配置されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体チップ成形装置。
【請求項６】
電気的絶縁物質が前記検出ブロックと前記下部金型との間に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体チップ成形装置。
【請求項７】
前記リードフレームを前記下部金型上に挿入してモールディングするようにセッティングする段階と、
前記構成要素と前記検出ブロックとの間に電圧を印加する段階と、
電気信号が前記検出ブロックから送り出されるかどうかを感知する段階とを含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体チップ成形装置の作動方法。
【請求項８】
前記電気信号が前記検出ブロックから送り出されることを感知した時、挿入されてモールディングされている前記リードフレームが前記下部金型に不正確に配置されているかどうかを感知する段階をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の半導体チップ成形装置の作動方法。
【請求項９】
前記半導体チップ成形装置は、前記電気信号が前記検出ブロックから感知される時、作動が中断されることを特徴とする請求項８に記載の半導体チップ成形装置の作動方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップ成形装置及び挿入型モールディング装置の作動方法に関し、さらに詳細には半導体チップ（Ｃｈｉｐ）が実装されたリードフレームが成形金型に安着されるにおいて、成形条件に合う指定された位置に正確に安着されなかった場合、これを感知して成形がなされる前に成形装置を未然に停止させるようにした半導体チップ成形装置及び挿入型モールディング装置の作動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般的に半導体製造工程は、純粋シリコンウェーハ（Ｗａｆｅｒ）上に複数個の半導体チップを形成させるＦＡＢ（Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ）工程、ウェーハ上に形成された複数個の半導体チップを電気的に検査して良品と不良品とを選別するＥＤＳ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  Ｄｉｅ  Ｓｏｒｔｉｎｇ）工程、良品チップのみを個々に分離してチップが電気的及び物理的特性を有するようにパッケージ（Ｐａｃｋａｇｅ）状態に形状化させるアセンブリ（Ａｓｓｅｍｂｌｙ）工程、ならびにパッケージされた製品をテスト（Ｔｅｓｔ）するテスト工程で構成される。
【０００３】
このような半導体製造工程中アセンブリ工程は、パッケージ工程ともいい、良品の半導体チップを分離してリードフレームのパッド（Ｐａｄ）に実装するダイ接着（Ｄｉｅ  ａｔｔａｃｈｍｅｎｔ）工程、半導体チップとリードフレームのリードとを電気的に連結するワイヤボンディング（Ｗｉｒｅｂｏｎｄｉｎｇ）工程、半導体チップとそれに電気的に連結された部分とを成形樹脂等で封止するモールディング（Ｍｏｌｄｉｎｇ）工程、ならびに外部リードを実装形態に適合する所定形態に成形するフォーム（Ｆｏｒｍ）工程などを含む。
【０００４】
ここで、モールディング工程は、半導体チップパッケージの外形に適合する形態のキャビティ（Ｃａｖｉｔｙ）が形成された成形金型の指定された位置に、半導体チップが実装されたリードフレームが正確に安着されるようにした後、成形樹脂であるエポキシモールドコンパウンド（Ｅｐｏｘｙ  Ｍｏｌｄ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）を液状に熔融させ、次にそのままキャビティに供給して硬化させることによって、半導体チップとそれに電気的に連結された部分とを成形樹脂によって封止する工程で、半導体成形装置によって遂行される。
【０００５】
このようなモールディング工程を通して成形樹脂で封止された半導体チップは、成形樹脂材が半導体チップの外観を形成しているために外部の衝撃から適切に保護されている。
しかし、このようなモールディング工程を安定的に進めるためには、リードフレームを成形樹脂で封止する成形作業前に、リードフレームが成形条件に合うように指定された位置に正確に安着されたかを未然に感知する感知作業が先行されるべきであり、従来の半導体成形装置にはこのようなリードフレームが指定された位置に正確に安着されたかどうかを事前に感知する感知機能が必須的に備えられている実情である。
【０００６】
以下、これを具現した従来の半導体成形装置の一例を図１を参照して具体的に説明すると次のとおりである。
図１は、従来の半導体成形装置中チップを封止するのに用いられる成形金型９０の一例を示したものであって、図示したように従来の半導体成形装置の成形金型９０は大別して上部本体８０と下部本体７０、ならびに上部本体８０に結合された上部金型６０と下部本体７０に結合された下部金型５０で構成される。
【０００７】
ここで、上部本体８０の一側には近接センサ（Ｓｅｎｓｏｒ）６５が設けられて、この近接センサ６５に対応する部分の下部本体７０には感知プレート（Ｐｌａｔｅ）５７が設けられる。
そして、下部金型５０にはリードフレーム２０が安着されるが、リードフレーム２０が指定された位置に正確に安着されるように位置をガイド（Ｇｕｉｄｅ）するロケーションピン（Ｌｏｃａｔｉｏｎ  ｐｉｎ）５３が下部金型５０の縁部分に複数個設けられ、下部金型５０の中央部分にはリードフレーム２０が安着された後これにＥＭＣのような成形樹脂が供給されるようにするポートブロック（Ｐｏｒｔ  ｂｌｏｃｋ）５５が設けられる。
【０００８】
以上のように構成された従来の半導体成形装置の成形金型９０は、先行工程を遂行して、半導体チップが実装されたリードフレーム２０が下部金型５０に安着される場合、このリードフレーム２０に成形樹脂を供給する前にまずリードフレーム２０が成形条件に合う下部金型５０の指定された位置に正確に安着されたかどうかを感知する。
【０００９】
このとき、このようなリードフレーム２０の安着不良を感知する感知手段として、従来の半導体成形装置では成形金型９０の近接センサ６５と感知プレート５７がこの役割をする。すなわち、成形金型９０の近接センサ６５はリードフレーム２０が下部金型５０に安着される場合、リードフレーム２０が成形条件に合うように下部金型５０の指定された位置に正確に安着したか否かを感知プレート５７を感知することによって判断する。
【００１０】
具体的に従来の成形金型９０は、リードフレーム２０が下部金型５０に安着されれば上部本体８０及び下部本体７０に１次加圧を進めるが、このとき、近接センサ６５は１次加圧後に感知プレート５７を感知して、この感知プレート５７と近接センサ６５がなすギャップ（Ｇａｐ、図１のＣ）の大きさによってリードフレーム２０が下部金型５０に正確に安着したか安着不良かを判断する。
【００１１】
しかし、このような方法でリードフレーム２０の安着不良を感知する従来の半導体成形装置は、図１のＡのようにリードフレーム２０がロケーションピン５３が位置する方向に離脱する時には感知されず、図１のＢのようにリードフレーム２０がポートブロック５５が位置する方向に離脱する時にのみ感知が可能であるのみならず、リードフレーム２０がポートブロック５５方向に離脱して安着不良が感知されたときには既にリードフレーム２０の一側のサイドレール（Ｓｉｄｅｒａｉｌ）が甚だしく損傷された後であるいう問題点が発生する。
【００１２】
また、現在使用中であるリードフレーム２０の厚さは１０ｍｍ、８ｍｍ、６ｍｍ、５ｍｍなどを用いているために、このようなリードフレーム２０がポートブロック５５方向に離脱して上部金型６０と下部金型５０間のギャップをさらに広げるようにしても、近接センサ６５には限界があってこのようなギャップの僅かな差を感知できないという問題点がある。
【００１３】
また、以上のような僅かな差のギャップまでも感知可能にするために近接センサ６５を最大０．３ｍｍ以上のレベル（Ｌｅｖｅｌ）においても敏感に作動するように設定する場合、先行成形作業後に金型に残存する成形樹脂の残渣によってもリードフレーム２０が安着不良と感知されて誤作動を誘発する問題点が生じる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、本発明はこのような問題点を勘案したものであり、本発明の目的は、リードフレームの厚さのみならずリードフレームの離脱方向にも関係なく、リードフレームが下部金型の指定された位置から離脱する場合これを事前に感知可能な半導体チップ成形装置及び挿入型モールディング装置の作動方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するための本発明の請求項１記載の半導体チップ成形装置は上部本体、ならびに前記上部本体に固定された上部金型と、下部本体、ならびに前記下部本体に固定されて電気的に伝導性である物質で構成されている下部金型とを備え、前記下部金型は金型工程がリードフレーム上で遂行されるように適切な方向に前記リードフレームを安着するように構成されているモールディングブロックを含んでおり、前記モールディングブロックは少なくとも一つのモールディング空洞（ｃａｖｉｔｙ）を定義する。前記下部金型に隣接して配置されている少なくとも一つの電気的に伝導性である検出ブロックを備え、少なくとも一つの電気的に伝導性である検出ブロックは前記下部金型と電気的に連結されている電気的に伝導性であるすべての構成要素と絶縁されている。さらに、前記構成要素と前記検出ブロックとの間に電圧が印加されており、前記リードフレームが、前記所定の方向から傾斜して前記下部金型に配置され、前記リードフレームによって前記構成要素と前記検出ブロックとの間が導通された場合の電気信号が少なくとも一つの前記検出ブロックを経由して送られてくるように前記検出ブロックと連結されている制御器を備える。
【００１６】
ひいては、請求項２記載の手段を採用することにより、少なくとも一つの前記検出ブロックと各々接触している伝導性スプリングまたはスクリューを有する連結ブロックと、連結ブロックと前記制御器を連結する検出ワイヤとをさらに備える。
【００１７】
さらにひいては、請求項３または４記載の手段を採用することにより、少なくとも一つの前記検出ブロックは、各々前記下部金型の対向する一端に配置されている一対の検出ブロックを含む。
また、請求項５記載の手段を採用することにより、前記検出ブロックは、各々伝導性スプリングまたはスクリューを備える連結ブロックと接触しており、前記検出ワイヤは前記連結ブロック間に配置されて前記制御器まで至るようになっている。
【００１８】
また、請求項６記載の手段を採用することにより、電気的絶縁物質が少なくとも一つの前記検出ブロックと前記下部金型との間に位置する。
一方、上述の目的を具現するための本発明の請求項７記載の挿入型モールディング装置の作動方法は、前記リードフレームを前記下部金型上に挿入してモールディングするようにセッティングする段階と、前記構成要素と前記検出ブロックとの間に電圧を印加する段階と、電気信号が前記検出ブロックから送り出されるかどうかを感知する段階とを含む。前記下部金型は少なくとも一つのモールド空洞（ｃａｖｉｔｙ）を定義する。
【００１９】
ひいては、請求項８記載の手段を採用することにより、電気信号が前記検出ブロックから送り出されることを感知した時、挿入されてモールディングされている前記金属部分が前記下部金型に不正確に位置しているかどうかを感知する段階をさらに含む。
また、請求項９記載の手段を採用することにより、前記挿入型モールディング装置は前記電気信号が前記検出ブロックから感知される時作動が中断される。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、図２から図４を参照しながら、本発明の一実施例による半導体チップ成形装置９００を具体的に説明すると次のとおりである。
図２に示したように、本実施例による半導体チップ成形装置９００は、大別してローディング部（Ｌｏａｄｉｎｇ  Ｐａｒｔ）と金型部、ならびにアンローディング部（Ｕｎｌｏａｄｉｎｇ  ｐａｒｔ）と制御部７００で構成され、先行工程によって半導体チップが実装されたリードフレーム８００を局部的に成形樹脂等によって封止する役割をする。
【００２１】
このとき、ローディング部は、工程の進行によってリードフレーム８００を供給するリードフレーム供給ユニット１００と、工程の進行によって成形樹脂塊りを供給するタブレットユニット（Ｔａｂｌｅｔ  ｕｎｉｔ）２００と、リードフレーム供給ユニット１００及びタブレットユニット２００からリードフレーム８００と成形樹脂塊りの供給を各々受けて金型部に移送させるローダユニット（Ｌｏａｄｅｒ  ｕｎｉｔ）３００とで構成される。
【００２２】
また、金型部は、ローダユニット３００によって移送されるリードフレーム８００及び成形樹脂塊りが安着されて所定のパッケージ状で封止される成形金型４００と、このような成形金型４００が駆動されるように工程の進行によって成形金型４００を適切に加圧及び加熱する駆動ユニット（図示せず）とで構成される。
【００２３】
このとき、本実施例の核心部分である成形金型４００をさらに具体的に説明すると次のとおりである。
本実施例の成形金型４００は、大別して下部本体４２０と上部本体４６０に分けられて、ローダユニット３００によって安着された成形樹脂塊りを熔融させてリードフレーム８００を封止する役割をするが、下部本体４２０にはリードフレーム８００及び成形樹脂塊りが安着する下部金型４４０が結合されて、上部本体４６０にはこのような下部金型４４０に対応して一対をなす上部金型４８０が結合される。このとき、上部金型４８０は下部金型４４０と垂直に離隔されるように設けられることが望ましい。
【００２４】
図３を参照して下部金型４４０を具体的に説明すると、下部金型４４０は成形樹脂塊りが安着されるポートブロック４４４と、リードフレーム８００が安着されるモールディングブロック４４１と、リードフレーム８００がモールディングブロック４４１に正確に安着されたかを感知するリードフレーム安着不良感知手段とで構成される。
【００２５】
このとき、ポートブロック４４４は、下部金型４４０の中央に長手方向に沿って矩形状に突出した部分に、上面にローダユニット３００によって移送される成形樹脂塊りが安着されるようにＲＡＭポート４４５が形成され、このＲＡＭポート４４５の周辺には成形樹脂塊りが液体状態に熔融された時この熔融液が後述のキャビティ４４２に流れていくようにする水路状のランナー（Ｒｕｎｎｅｒ）４４６が形成される。
【００２６】
また、モールディングブロック４４１は、下部金型４４０中の中央のポートブロック４４４左右に該当する部分であって、上面にリードフレーム８００に実装された複数個の半導体チップが入るように所定のパッケージ状のキャビティ４４２が複数個形成される。このとき、このようなキャビティ４４２のポートブロック４４４方向にはポートブロック４４４のランナー４４６と連通されるゲート（Ｇａｔｅ）４４３が形成され、このゲート４４３はＲＡＭポート４４５から流出してランナー４４６に流れる成形樹脂熔融液をキャビティ４４２内に流入させる流入口の役割をする。そして、モールディングブロック４４１の縁部分にはモールディングブロック４４１にリードフレーム８００が安着される時指定された位置に正確に安着されるようにガイド役割をするロケーションピン４５１が複数個突出して形成される。
【００２７】
一方、リードフレーム安着不良感知手段は、リードフレーム８００が任意方向に離脱して安着不良が発生したとき、このリードフレーム８００を感知して半導体チップ成形装置９００の成形作業が中断されるように信号を発生させる役割をするが、リードフレーム８００が任意方向に離脱したときこれを感知する検出ブロック４４８と、このような検出ブロック４４８から信号を受けて制御部７００に信号を伝送する連結ブロック４４７及び検出ワイヤ４５０とで構成される。
【００２８】
まず、検出ブロック４４８は、下部金型４４０中の前、後両端部に該当する部分に、前述したポートブロック４４４とモールディングブロック４４１はこの検出ブロック４４８の間に設けられる。このとき、検出ブロック４４８は通電が良い導電性部材で形成され、一面に位置したポートブロック４４４とモールディングブロック４４１、ならびに底面に位置した下部本体４２０とは相互絶縁されるように設けられる。したがって、検出ブロック４４８とポートブロック４４４、検出ブロック４４８とモールディングブロック４４１、ならびに検出ブロック４４８と下部本体４２０間には図４に示したように絶縁体４４９が挟まれる。
【００２９】
ここで、検出ブロック４４８とポートブロック４４４、検出ブロック４４８とモールディングブロック４４１、ならびに検出ブロック４４８と下部本体４２０間に絶縁体４４９が挟まれることは、本発明の一実施例であるだけであり、検出ブロック４４８がモールディングブロック４４１やポートブロック４４４及び下部本体４２０と絶縁できるようにこれらと接する部分に絶縁部材が形成されて、このとき絶縁部材が検出ブロック４４８と一体で形成されても、本発明による検出ブロックの範疇から外れないと見なすべきである。
【００３０】
また、連結ブロック４４７は、検出ブロック４４８のように導電性部材で形成されて、下部本体４２０一側に設けられながら下部金型４４０の前、後両端部に設けられた検出ブロック４４８に各々連結されるように設けられ、検出ブロック４４８が制御部７００と通電可能のように連結する役割をする。そして、検出ワイヤ４５０はライン（Ｌｉｎｅ）形状で、一側端部が連結ブロック４４７と連結されて、他側端部は制御部７００と連結され、連結ブロック４４７と制御部７００が相互通電するようにする役割をする。
【００３１】
一方、アンローディング部は、金型部で成形作業が完了されたリードフレーム８００をアンローディングさせるアンローダーユニット５００と、このアンローダーユニット５００によってアンローディングされたリードフレーム８００を順次に積載する積載ユニット６００とで構成される。
【００３２】
また、制御部７００は、半導体チップ成形装置９００が円滑に駆動されるように半導体チップ成形装置９００を全般的に制御する役割をし、特に、リードフレーム安着不良感知手段がリードフレーム８００の安着不良を感知する場合、半導体チップ成形装置９００を停止させて工程進行を任意に中断させる役割をする。
【００３３】
以下、図２から図６を参照しながら本実施例による半導体チップ成形装置９００の作用及び効果と、この半導体チップ成形装置９００のリードフレーム安着不良感知方法とを具体的に説明すると次のとおりである。
先行工程の遂行により半導体チップが実装されたリードフレーム８００は、ユーザー（Ｕｓｅｒ）または移送装置（図示せず）によって本実施例による半導体チップ成形装置９００のリードフレーム供給ユニット１００に積載される。
【００３４】
ローダユニット３００は、リードフレーム供給ユニット１００からリードフレーム８００の供給を受けて成形金型４００のモールディングブロック４４１へ移送させ、同時にタブレットユニット２００から成形樹脂塊りの供給を受けて成形金型４００のポートブロック４４４にあるＲＡＭポート４４５に移送させる。このとき、ポートブロック４４４のＲＡＭポート４４５は約１８０℃で加熱されているためにＲＡＭポート４４５に安着される成形樹脂塊りは直ちに液状に熔融する。
【００３５】
そして、ローダユニット３００は、モールディングブロック４４１にリードフレーム８００を移送させるにおいて、成形金型４００の成形条件に合うようにモールディングブロック４４１の指定された位置にリードフレーム８００が正確に安着されるようにしなければならないので、ローダユニット３００はリードフレーム８００をモールディングブロック４４１に安着する時リードフレーム８００に形成されたサイドレールホール（Ｈｏｌｅ）８５０がモールディングブロック４４１に形成されたロケーションピン４５１にそのまま嵌められるようにしながらリードフレーム８００を安着する。
【００３６】
以後、リードフレーム８００が成形金型４００のモールディングブロック４４１に完全に安着されると、駆動ユニット（図示せず）は成形金型４００の上部本体４６０または下部本体４２０を所定大きさの力、すなわち約３トン（Ｔｏｎ）の力で加圧する。それで、上部本体４６０と下部本体４２０に各々結合された上部金型４８０及び下部金型４４０は約１２０Ｔｏｒｒ（１６ｋＰａ）の圧力で密着される。
【００３７】
このとき、駆動ユニットは、ピストン（Ｐｉｓｔｏｎ）等でＲＡＭポート４４５内の熔融した成形樹脂熔融液をＲＡＭポート４４５外部に押し出す。それで、成形樹脂熔融液はＲＡＭポート４４５に連結されたランナー４４６に沿ってゲート４４３に移動し、最終的に下部金型４４０と上部金型４８０がなすキャビティ４４２内部に流入する。
【００３８】
以後、所定時間が経過すれば、キャビティ４４２内部に流入した成形樹脂熔融液は硬化され、リードフレーム８００の半導体チップは封止されて所定パッケージ状すなわちキャビティ４４２形状に成形される。
引続き、アンローダーユニット５００は、成形金型４００で所定パッケージ状に成形されたリードフレーム８００を積載ユニット６００にアンローディングして、モールディング工程は終了する。
【００３９】
しかし、このような工程でローダユニット３００は、たびたびリードフレーム８００を成形金型４００の指定された位置に正確に安着させられず、指定された位置から任意距離ほど離脱させるように移送させたり所定角度から外れて移送させるようになり、リードフレーム８００はポートブロック４４４上にかけられたりロケーションピン４５１にかけられるようになる。
【００４０】
このとき、このようなリードフレーム８００がモールディングブロック４４１の指定された位置から任意距離及び任意角度に離脱するように安着される場合、リードフレーム８００の一側端部は下部金型４４０の前、後両端部に設けられた検出ブロック４４８中少なくとも一個所に接触される。このとき、リードフレーム８００は通電される導電性部材であるので、はじめに絶縁された状態だった検出ブロック４４８とモールディングブロック４４１はこのリードフレーム８００によって通電状態に変換される。すなわち、リードフレーム８００は絶縁状態を通電状態に変えるスイッチ（Ｓｗｉｔｃｈ）の役割をするようになったものである。
【００４１】
したがって、検出ブロック４４８とモールディングブロック４４１が相互通電される状態に変換されると、検出ブロック４４８と連結された連結ブロック４４７及び検出ワイヤ４５０はこのような通電状態を信号として制御部７００に伝送し、制御部７００はこのように伝送された信号によってリードフレーム８００がモールディングブロック４４１の指定された位置に正確に安着されず安着不良状態であることを事前に認知して半導体チップ成形装置９００を停止させる。
【００４２】
このように、本実施例の半導体チップ成形装置９００は、リードフレーム８００が安着されるモールディングブロック４４１の前、後両端部に検出ブロック４４８を設置するが、モールディングブロック４４１とは相互絶縁されるように設置することによって、リードフレーム８００がモールディングブロック４４１に安着される時モールディングブロック４４１と検出ブロック４４８が継続して絶縁状態を維持するとリードフレーム８００はモールディングブロック４４１の指定された位置に正確に安着されたことになり、本実施例の半導体チップ成形装置９００もこのように認識して工程を継続して進める。
【００４３】
また、リードフレーム８００がモールディングブロック４４１に安着される時モールディングブロック４４１と検出ブロック４４８が最初の相互絶縁された状態から相互通電される状態に変換される場合には、リードフレーム８００がモールディングブロック４４１の指定された位置に正確に安着されず任意距離及び任意角度に離脱してモールディングブロック４４１と検出ブロック４４８を電気的に連結するスイッチ役割をするようになり、本実施例の半導体チップ成形装置９００もこのような状態、すなわちリードフレーム８００が安着不良状態であることを認識するようになって、工程を任意に停止させる。
【００４４】
したがって、本実施例による半導体チップ成形装置９００は、従来とは異なり、リードフレーム８００の厚さやリードフレーム８００の離脱方向に関係なく、リードフレーム８００がモールディングブロック４４１の指定された位置から離脱する場合これを未然に感知可能であるために、従来リードフレーム２０を感知できず発生した多様な問題をすべて解決することができて、半導体製造収率を大幅に向上させることができる。
【００４５】
【発明の効果】
以上で説明したように、本発明による半導体チップ成形装置は、リードフレームが安着されるモールディングブロックの前、後両端部に検出ブロックを設置するが、モールディングブロックとは相互絶縁されるように設置し、次にリードフレーム自体をスイッチ素子として活用することによって、リードフレームがモールディングブロックの指定された位置に正確に安着された場合には引続きリードフレームとモールディングブロックが相互絶縁されるようにして、リードフレームがモールディングブロックの指定された位置に正確に安着できなかった場合にはリードフレームとモールディングブロックが相互通電されるようにするために、リードフレームの厚さやリードフレームの離脱方向に関係なくリードフレームの安着不良有無を事前に感知可能であって従来リードフレームを感知できず発生した多様な問題をすべて解決することができ、半導体製造収率を大幅に向上させることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の半導体チップ成形装置に用いられる成形金型を示す正面図である。
【図２】本発明の実施例による半導体チップ成形装置を示す構成図である。
【図３】本発明の実施例による半導体チップ成形装置の成形金型を示す斜視図である。
【図４】図３のIV−IV線断面図である。
【図５】本発明の実施例による成形金型にリードフレームが正確に安着された状態を示す平面図である。
【図６】本発明の実施例による成形金型にリードフレーム安着不良が発生した状態を示す平面図である。
【符号の説明】
４２０  下部本体
４４０  下部金型
４４１  モールディングブロック
４４２  キャビティ
４４８  検出ブロック
４６０  上部本体
４８０  上部金型
７００  制御部
８００  リードフレーム
９００  半導体チップ成形装置
【図１】
0004167462.tif 000002
【図２】
0004167462.tif 000003
【図３】
0004167462.tif 000004
【図４】
0004167462.tif 000005
【図５】
0004167462.tif 000006
【図６】
0004167462.tif 000007