【手続補正書】
【提出日】平成20年5月16日(2008.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
次に、電極膜７２上にレジストを例えばスピンコート法により塗布して厚さ１０〜１５μｍのレジスト層（第１レジスト層）１５１を形成する。後程説明する各レジスト層はレジスト層１５１と同様の方法で形成される。次に、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、レジスト層１５１をパターニングして、電極膜７２を露出させる開口６１ａ、６２ａ及び開口（第１開口）８１ａ、８２ａをレジスト層１５１に形成する。開口６１ａ、６２ａは素子形成領域の外周囲の長辺の内側近傍で各短辺に沿って並んで形成される。複数の細長状の開口８１ａ、８２ａは、交互にほぼ等間隔に並列して形成される。開口８１ａ、８２ａは素子形成領域の短辺に対して所定の角度で形成される。当該短辺側に配置される２つの開口８２ａの一端部は、開口６２ａに繋がれて形成される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
上記変形例４のコモンモードチョークコイル４は、コイル上部３５ａ、３６ａがコア４１に直交しコイル底部３１ａ、３２ａがコア４１に斜めに交差している。これに対し、本変形例５のコモンモードチョークコイル５は、第１ヘリカルコイル部１９の１巻きのコイルを構成するコイル底部１３１（長辺部１３１ａ）、コイル側部１３３ｂ、コイル上部１３５（長辺部１３５ａ）及びコイル側部１３３ａのうちの第１仮想平面ＩＰ１に含まれていないコイル側部１３３ａは、第１仮想平面ＩＰ１に交差せずに形成され、第２ヘリカルコイル部２０の１巻きのコイルを構成するコイル底部１３２（長辺部１３２ａ）、コイル側部１３４ａ、コイル上部１３６（長辺部１３６ａ）及びコイル側部１３４ｂのうちの第２仮想平面ＩＰ２に含まれていないコイル側部１３４ｂは、第１仮想平面ＩＰ１に交差せずに形成されている。このように、第１及び第２ヘリカルコイル部１９、２０を構成する各コイル部１３１〜１３５、１３２〜１３６は、短辺部１３１ｂ、１３２ｂを除いてコア４１の延伸方向にほぼ直交して配置されている。このため、コモンモードチョークコイル５は、上記変形例４のコモンモードチョークコイル４よりも効率よくコア４１が磁化されるので、さらに電気的特性の向上を図ることができる。また、第１及び第２ヘリカルコイル部１９、２０が分離せずに２重らせん構造を形成しているので、コモンモードチョークコイル５はコモンモードノイズ信号を十分に除去することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
次に、本実施の形態の変形例６によるコモンモードチョークコイル６について図３４（ｂ）を用いて説明する。図３４（ｂ）は本変形例によるコモンモードチョークコイル６の内部構造を示す平面図である。上記変形例１のコモンモードチョークコイル１’は外周囲の両短辺側に形成された外部電極接続部６３、６４を備えているのに対し、本変形例のコモンモードチョークコイル６は、図３４（ｂ）に示すように、外周囲の両長辺側に形成された一対の外部電極接続部６５、６６を備えている点に特徴を有している。第１ヘリカルコイル部２１の両端部は、リード線１６３ａ、１６３ｂを介して外部電極接続部６５にそれぞれ電気的に接続されている。同様に第２ヘリカルコイル部２２の両端部は、リード線１６４ａ、１６４ｂを介して外部電極接続部６６にそれぞれ電気的に接続されている。リード線１６３ａ、１６４ｂは閉磁路１４３の上層に形成され、リード線１６３ｂ、１６４ａは閉磁路１４３の下層に形成されている。後程説明するコモンモードチョークコイル７、８の第１ヘリカルコイル部の両端部は外部電極接続部６５に電気的に接続され、第２ヘリカルコイル部の両端部は外部電極接続部６６に電気的に接続されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
次に、本実施の形態の変形例７によるコモンモードチョークコイル７について図３４（ｃ）を用いて説明する。図３４（ｃ）は、本変形例によるコモンモードチョークコイル７の内部構造を示す平面図である。上記変形例２のコモンモードチョークコイル２は外周囲の両短辺側に形成された外部電極接続部６３、６４を備えている。これに対して本変形例のコモンモードチョークコイル７は、図３４（ｃ）に示すように、当該コイル７の外周囲の両長辺側に形成された外部電極接続部６５、６６と、当該外周囲の短辺に沿って延伸して閉磁路１４５の一構成要素になるコア４５ａ、４５ｂにそれぞれ巻き回された第１及び第２ヘリカルコイル部２３、２４とを備えている点に特徴を有している。閉磁路１４５はＨ状の中空部を備えた薄板直方体形状に形成されている。閉磁路１４５は、その中空部の中心を通り、素子形成面の短辺側にほぼ平行に延伸する仮想直線に対して対称になっている。コア４５ａには第１ヘリカルコイル部２３が巻き回され、コア４５ｂには第２ヘリカルコイル部２４が巻き回されている。本変形例では、閉磁路１４５の中空部はＨ状に形成されているが、長方形状に形成されていてもよい。本変形例のコモンモードチョークコイル７は、上記変形例６のコモンモードチョークコイル６と同様の効果を得ることができる。表７は、コモンモードチョークコイル７の２種類の構成パターンを例示している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
本実施の形態によるコモンモードチョークコイル２０１の製造方法について図３６乃至図５７を用いて説明する。図３６乃至図５７は、１個のコモンモードチョークコイル２０１の素子形成領域を示している。図３６(ａ)乃至図５７(ａ)は、図３６(ｂ)乃至図５７(ｂ)のＡ−Ａ線で切断した断面図であり、図３６(ｂ)乃至図５７(ｂ)は、コモンモードチョークコイル１の製造方法を示す平面図である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１９】
〔第３の実施の形態〕
本発明の第３の実施の形態によるコモンモードチョークコイル及びその製造方法について図５８乃至図１０４を用いて説明する。まず、本実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１について図５８乃至図６０を用いて説明する。図５８は、本実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の内部構造を示す平面図である。図５９は、図５８のαの方向から見たコモンモードチョークコイル４０１の内部構造を示す正面図である。図５９では、理解を容易にするため、実際には同一平面内に形成されていないコイル底部４３１とコイル上部４３５とを同一平面内に示している。また、図６０は図５８のβの方向から見たコモンモードチョークコイル４０１の内部構造を示す側面図である。図５８及び図６０では、隠れ線は破線で表している。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３４】
図５９に示すように、絶縁層４６０は、シリコン基板５１上に絶縁層（下部絶縁層）５２、絶縁層４５４、絶縁層４５６、絶縁層４５８及び絶縁層４５９が順次積層されて形成されている。絶縁層５２、４５４、４５６、４５８、４５９は、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）でそれぞれ形成されている。絶縁層５２上にはコイル底部４３１、４３２が形成されている。絶縁層４５４上にはコア４４１が形成されている。絶縁層４５６上にはコイル上部４３５、４３６が形成されている。絶縁層４５８上には、閉磁路上部５１５が形成されている。このように、コモンモードチョークコイル４０１は、コア４４１やコイル底部４３１等と各絶縁層５２、４５４〜４５９とが積層された積層構造を有している。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３５】
図５８に示すように、第１ヘリカルコイル部４１１の両端部は、直方体形状の外部電極接続部４６１にそれぞれ電気的に接続されている。同様に、第２ヘリカルコイル部４１２の両端部は、直方体形状の外部電極接続部４６２にそれぞれ電気的に接続されている。外部電極接続部４６１、４６２の一部は、絶縁層４６０の対向する一対の側面にそれぞれ露出して形成されている。図示は省略するが外部電極接続部４６１、４６２の露出部を覆ってコモンモードチョークコイル４０１の側面には外部電極が形成されている。コモンモードチョークコイル４０１は当該外部電極を用いてＰＣＢに半田付けされて実装される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３７】
次に、本実施の形態によるコモンモードチョークコイル４０１の製造方法について図６１乃至図１０４を用いて説明する。コモンモードチョークコイル４０１はウエハ上に同時に多数形成されるが、図６１乃至図１０４は、１個のコモンモードチョークコイル４０１の素子形成領域を示している。図６１(ａ)乃至図１０４(ａ)は、図６１(ｂ)乃至図１０４(ｂ)のＡ−Ａ線で切断した断面図であり、図６１(ｂ)乃至図１０４(ｂ)は、コモンモードチョークコイル４０１の製造方法を示す平面図である。図１０４（ｃ）は、図１０４（ｂ）のＢ−Ｂ線で切断した断面図である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５６】
次に、図８９（ａ）及び図８９（ｂ）に示すように、開口４６７ａ、４８７ａ内の電極膜４７６上に厚さ７〜１０μｍのＣｕの導電層（第３導電層）４８７を形成し、開口４６８ａ、４８８ａ内の電極膜４７６上に同一形成材料で同一厚さの導電層（第３導電層）４８８を形成する。導電層４８７、４８８は、パターンめっき法により同時に形成され、下層の電極膜４７６に電気的にそれぞれ接続される。次に、図９０（ａ）及び図９０（ｂ）に示すように、レジスト層５５９を除去する。次に、図９１（ａ）及び図９１（ｂ）に示すようにレジスト層５５９の除去により露出した電極膜４７６と、当該電極膜４７６の下層の電極膜４７５とを除去する。これにより、電極膜４７５、４７６及び導電層４８７が積層された積層構造のコイル上部４３５が形成され、電極膜４７５、４７６及び導電層４８８が積層された積層構造のコイル上部４３６が形成される。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６５】
次に、図１０２（ａ）及び図１０２（ｂ）に示すように、レジスト層５６７をエッチングにより除去する。次に、図１０３（ａ）及び図１０３（ｂ）に示すように、レジスト層５６７の除去により露出した電極膜４９８と、当該電極膜４９８の下層の電極膜４９７とをドライエッチング（ミリング）により除去する。電極膜４９７、４９８を除去する際に、磁性部材層５０７の表面も電極膜４９７、４９８の膜厚と同程度の厚さ分だけエッチングされる。しかし、磁性部材層５０７は電極膜４９７、４９８に比べて十分に厚く形成されているので、当該ドライエッチングにより完全に除去されることはない。これにより、電極膜４９７、４９８及び磁性部材層５０７が積層された積層構造の閉磁路上部５１５が形成される。閉磁路上部５１５は、コイル上部４３５、４３６を介してコア４４１と対向して形成される。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０５】
まず、上記第１の実施の形態のコモンモードチョークコイル１と同様の製造方法により、シリコン基板５１上に絶縁層（下部絶縁層）５２、コイル底部３１、３２及び導電層（第２導電層）８３、８４を形成する（図４乃至図１２参照）。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２８】
上記第２の実施の形態のコモンモードチョークコイルの製造方法において、導電層（第２導電層）２８３、２８４が絶縁層２５４に露出する平坦面２５４ａを形成した後の閉磁路及びそれに関連する形成工程（図４２乃至図５１参照）を省略し、電極膜２７５及び電極膜（第２電極膜）２７６の形成工程以降の各工程を平坦面２５４ａ上に行うことにより、閉磁路を有していないコモンモードチョークコイルを製造することができる。また、上記第２の実施の形態において、開口３６２ａ及び溝部３６２を形成せずに開口３６１ａ及び溝部３６１のみを形成して磁性部材層３０１を形成することにより（図４２乃至図４７参照）、コアのみを有するコモンモードチョークコイルを製造することができる。