(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板上に形成する第１の下地膜が非磁性かつアモルファス構造を有するＮｉＴａ合金を含んで成り、その上の第２の下地膜が少なくともＣｒ及びＴｉを有する合金を含んで成り、その上にＣｏＣｒＰｔ合金を有する第１の磁性膜、Ｒｕを有する非磁性中間膜、ＣｏＣｒＰｔＢ合金を有する第２の磁性膜が順次形成された磁気記録媒体において、
前記第１の下地膜と前記第２の下地膜の界面に酸素が存在し、
第２の下地膜のＴｉ濃度が１０ａｔ％以上１５ａｔ％以下であり、第１の磁性膜であるＣｏＣｒＰｔ合金のＰｔ濃度が３ａｔ％以上８ａｔ以下であり、第２の磁性膜であるＣｏＣｒＰｔＢ合金のＰｔ濃度が１４ａｔ％であり、
第２の下地膜の膜厚が５ｎｍ以上１５ｎｍ以下であり、第１の磁性膜及び第２の磁性膜により重なった位置に出る(１１.０)回折ピークにおけるロッキングカーブの半値幅が８°以下である磁気記録媒体。
【請求項２】
請求項１記載の磁気記録媒体において、前記酸素は前記界面に局所的に散在していることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３】
非磁性基板上に非磁性かつアモルファス構造を有するＮｉＴａ合金の第１の下地膜を形成する第１のステップと、
第１の下地膜を酸素雰囲気に曝す第２のステップであって、第１の下地膜を形成するステップと、第２の下地膜を形成するステップの間の酸素分圧と該酸素雰囲気に曝す時間の積が１５(ｍＰａ・秒)以上３５(ｍＰａ・秒)以下である第２のステップと、
第１の下地膜上に少なくともＣｒ及びＴｉを含む合金を有し、膜厚が５ｎｍ以上１５ｎｍ以下の第２の下地膜であって、Ｔｉ濃度が１０ａｔ％以上１５ａｔ％以下である第２の下地膜を形成する第３のステップと、
第２の下地膜上にＣｏＣｒＰｔ合金を有する第１の磁性膜であってＰｔ濃度が３ａｔ％以上８ａｔ以下である第１の磁性膜、Ｒｕを有する非磁性中間膜、ＣｏＣｒＰｔＢ合金を有する第２の磁性膜であってＰｔ濃度が１４ａｔ％である第２の磁性膜を、順次、形成する第４のステップと、を有する磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
非磁性基板上に非磁性かつアモルファス構造を有するＮｉＴａ合金の第１の下地膜を形成する第１のステップと、
第１の下地膜を酸素雰囲気に曝す第２のステップであって、第１の下地膜を形成するステップと、第２の下地膜を形成するステップの間の酸素分圧と該酸素雰囲気に曝す時間の積が２０(ｍＰａ・秒)以上４０(ｍＰａ・秒)以下である第２のステップと、
第１の下地膜上に少なくともＣｒ、Ｔｉ及びＢを含む合金を有し、膜厚が５ｎｍ以上１５ｎｍ以下の第２の下地膜であって、Ｔｉ濃度が１０ａｔ％以上１５ａｔ％以下である第２の下地膜を形成する第３のステップと、
第２の下地膜上にＣｏＣｒＰｔ合金を有する第１の磁性膜であってＰｔ濃度が３ａｔ％以上８ａｔ以下である第１の磁性膜、Ｒｕを有する非磁性中間膜、ＣｏＣｒＰｔＢ合金を有する第２の磁性膜であってＰｔ濃度が１４ａｔ％である第２の磁性膜を、順次、形成する第４のステップと、を有する磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報格納装置の磁気記録媒体に係わり、特に、高い記録密度を実現するのに好適な磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
情報化社会の進行により、日常的に扱う情報量は増加の一途を辿っている。これに伴って、磁気記憶装置に対する高記録密度・大記憶容量化の要求は留まるところを知らない。
現在、実用化されている磁気記録媒体では、磁性膜としてＣｏ-Ｃｒ-Ｐｔ-Ｂ、Ｃｏ-Ｃｒ-Ｐｔ-Ｔａ等、Ｃｏを主成分とする合金が用いられている。これらのＣｏ合金はｃ軸方向を磁化容易軸とする六方晶構造(ｈｃｐ構造)をとるため、磁化を磁性膜面内で反転させて記録する面内磁気記録媒体としては、このＣｏ合金のｃ軸が面内方向をとる結晶配向すなわち(１１.０)配向が望ましい。しかし、この(１１.０)配向は不安定であるため、基板上に直接Ｃｏ合金を形成しても、一般にはこの配向とならない。
【０００３】
そこで、体心立方構造(ｂｃｃ構造)をとるＣｒ(１００)面がＣｏ(１１.０)面と整合性が良いことを利用して、このＣｏ合金磁性膜を形成する前に、(１００)配向したＣｒ下地膜を形成し、その上にＣｏ合金磁性膜をエピタキシャル成長させることによってＣｏ合金磁性膜のｃ軸が面内方向を向いた(１１.０)配向をとらせる手法が用いられている。
【０００４】
また、Ｃｏ合金磁性膜とＣｒ下地膜界面での結晶格子整合性を更に向上させるために、Ｃｒに第二元素を添加し、Ｃｒ下地膜の格子間隔を増加させる手法が用いられている。
これによってＣｏ合金磁性膜の(１１.０)配向が更に増大し、保磁力を増加させることが出来る。このような技術の例としては、特開昭６２-２５７６１８号公報や、特開昭６３-１９７０１８号公報に示されているようにＶ、Ｔｉ等を添加するものが挙げられる。
【０００５】
また、下地膜の下にＮｉＴａ膜又はＮｉＮｂ膜を形成することで、Ｃｏ合金磁性膜の(１１.０)配向が得られ、高記録密度が達成できることが、特開平１１-３０６５３２に示されている。更に、Ｃｏ合金磁性膜の結晶粒を微細化し、かつ(１１.０)配向を実現する手段として、第１の下地膜を一定の酸化雰囲気に曝した後に、第２の下地膜を形成する方法が、特表２０００-５０３４４８、特開平１０-１４３８６５に示されている。
【０００６】
高記録密度化に必要な要素としては、記録媒体の高保磁力化と並んで低ノイズ化が挙げられる。
再生感度が極めて高いため高密度記録技術に適した磁気抵抗効果型ヘッドが用いられることが主流であるが、磁気抵抗効果型ヘッドを用いると、磁気記録媒体からの再生信号のみならず、ノイズに対する感度も同時に高くなる。このため、記録媒体には従来にも増して低ノイズ化が求められる。
【０００７】
記録媒体のノイズを低減するためには、磁性膜中の結晶粒を微細化し、結晶粒径を均一化することなどが効果的であることが知られている。再公表ＷＯ９８/０６０９３では、磁性膜の結晶粒径を微細化するための下地膜としてＣｒＴｉＢ合金が有効であることが示されている。
【０００８】
また、磁気記録媒体における重要な課題として、耐熱減磁特性の向上が挙げられる。熱減磁とは、磁気記録媒体からの再生出力が、経時的に減衰する現象である。媒体ノイズを低減するために、結晶粒を微細化したことで、個々の結晶粒の持つ磁化が熱的に不安定になるため熱減磁が起こると考えられている。
【０００９】
この熱減磁の問題を解決するために特開２００１-１４８１１０では、２つの磁気記録層を非磁性層を介して互いに反強磁性的に結合させる磁気記録媒体が提案されており、これをＡＦ結合と呼んでいる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
記録密度が、１平方ミリメートル当たり４６.５メガビット(１平方インチ当たり３０ギガビット)以上の磁気記憶装置を実現するためには、磁気特性、記録再生特性、及び実用上十分な耐熱減磁特性を有する磁気記録媒体を実現しなければならない。具体的には、結晶粒を微細化して低ノイズ化し、熱減磁を抑制するためのＡＦ結合を用いた磁性膜とする必要があるが、更に、これらの媒体の特性を改善するには、六方晶構造を有しＣｏ基合金から成る磁性膜の面内における結晶配向性を向上させることが効果的である。磁性膜結晶の膜面内の配向性を向上させれば、結晶磁気異方性が面内方向に強くなり、磁気特性の保磁力、保磁力角形比及び残留磁化が増加するため、記録再生特性が向上するからである。
【００１１】
本発明では、六方晶構造を有しＣｏ基合金から成る磁性膜の基板面に対し(１１.０)配向性を向上させることを課題とした。この(１１.０)配向性は、結晶粒の大きさがほぼ同じであればＸ線回折法による(１１.０)回折強度が強い方が良好であり、また(１１.０)回折ピークのロッキングカーブの半値幅が小さいほど、配向の分散が小さく配向性が高いと評価できる。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
強化ガラスその他の非磁性基板上に、非磁性かつアモルファス構造を有するＮｉＴａ合金から成る第１の下地膜、その上に少なくともＣｒ及びＴｉを含む合金から成る第２の下地膜、その上にＣｏＣｒＰｔ合金から成る第１の磁性膜、Ｒｕから成る非磁性中間膜、ＣｏＣｒＰｔＢ合金から成る第２の磁性膜が、順次、形成された磁気記録媒体において、第１の下地膜と第２の下地膜の界面を適度に酸化することで達成される。この酸素の存在はＳＩＭＳ(二次イオン質量分析法)による深さプロファイルにおいて、酸素成分のピークとして観察できる。
【００１３】
第１の磁性膜であるＣｏＣｒＰｔ合金膜のＰｔ濃度を略８ａｔ％以下にするのは、このＣｏＣｒＰｔ合金膜の異方性磁界Ｈｋを８００ｋＡ/ｍ以下にし、記録ヘッドが書き込み易くするためである。
【００１４】
Ｐｔ濃度を略３％以上にするのは、第２の下地膜であるＣｒＴｉ合金との格子整合を維持するためである。ここで第２の磁性膜であるＣｏＣｒＰｔＢ合金膜の(１１.０)配向性を高めるためには、第２の下地膜であり体心立方構造を有するＣｒＴｉ合金膜が(２００)配向し、その上に第１の磁性膜であり六方晶構造を有するＣｏＣｒＰｔ合金膜をエピタキシャル的に(１１.０)配向させることが必要である。
【００１５】
第１の磁性膜と第２の磁性膜の間には非磁性中間膜としてＲｕが形成されるが、このＲｕ膜は第１及び第２の磁性膜と同様な六方晶構造であり、その膜厚が約０.５ｎｍであって、Ｒｕが数原子層しか形成されないので、結晶配向にはほとんど影響しない。
【００１６】
ＣｒＴｉ合金膜の√２×ａの長さとＣｏＣｒＰｔ合金膜のｃの長さは近い方が、第２の下地膜上に第１の磁性膜が結晶格子に歪みなく成長できるため、第１の磁性膜及び第２の磁性膜の(１１.０)配向性が高くなる。第２の下地膜であるＣｒＴｉ合金膜のＴｉ濃度が略１５ａｔ％より多いと、第２の磁性膜であるＣｏＣｒＰｔ合金膜との格子定数のずれが大きくなるので結晶配向性が劣化する。
【００１７】
一方、ＣｒＴｉ合金膜のＴｉ濃度が略１０ａｔ％より少ないとその結晶粒が大きくなりその上に形成する第１の磁性膜及び第２の磁性膜の結晶粒も大きくなるため、媒体ノイズが増大し好ましくない。
【００１８】
下地膜の膜厚を薄くすると結晶粒が小さくなるため、記録再生時の媒体ノイズを低減できる。しかし一般に、下地膜を薄くすると磁性膜の(１１.０)配向は劣化する傾向にあり、保磁力、残留磁化等が小さくなり再生出力が減少してしまう。本発明の実施例によれば、第２の下地膜の膜厚が５ｎｍ以上１５ｎｍ以下の薄い領域でも、(１１.０)回折ピークのロッキングカーブの半値幅は、ほぼ８°以下を維持できるため、再生出力を低下させずに媒体ノイズが低減できるのでＳ／Ｎが改善できる。ここで、この(１１.０)回折ピークは第１の磁性膜によるピークと第２の磁性膜によるピークとが重なって単一のピークとして観察される。
【００１９】
本発明の磁気記録媒体において、第１の下地膜と第２の下地膜の界面を適度に酸化するためには、第１下地膜を形成した後、その表面を微量な酸素ガスに曝し、第２下地膜を形成するまでの間に酸素分圧と該雰囲気に曝す時間の積(ＰＯ２・ｔ)を、第２の下地膜がＣｒＴｉの場合は１５(ｍＰａ・秒)以上３５(ｍＰａ・秒)以下、第２の下地膜がＣｒＴｉＢの場合は２０(ｍＰａ・秒)以上４０(ｍＰａ・秒)以下とする。
【００２０】
更に、第２の磁性膜の上に磁性膜の保護膜としてカーボンを厚さ３ｎｍ以上５ｎｍ以下形成し、更に、吸着性のパーフルオロアルキルポリエーテルその他の潤滑膜を、厚さ１ｎｍ以上２ｎｍ以下設けることにより、信頼性が高く、高密度記録が可能な磁気記録媒体が得られる。
【００２１】
また、保護膜として、水素を添加したカーボン膜、炭化シリコン、炭化タングステンその他の炭化化合物から成る膜、これらの化合物とカーボンの混合膜を用いることで、耐摺動性、耐食性を向上でき好ましい。
【００２２】
上記の磁気記録媒体と、これを記録方向に駆動する駆動部と、記録部と再生部から成る磁気ヘッドと、この磁気ヘッドを上記磁気記録媒体に対して相対運動させる手段と、上記磁気ヘッドへの信号入力と該磁気ヘッドからの出力信号再生を行うための記録再生信号処理手段を有する磁気ディスク装置において、前記磁気ヘッドの再生部を磁気抵抗効果型磁気ヘッドで構成することにより、高記録密度における十分な信号強度を得ることができ、１平方ミリメートル当たり４６.５メガビット以上の記録密度を持った信頼性の高い磁気ディスク装置を実現することが出来る。
【００２３】
【発明の実施の形態】
＜実施例１＞
図１に、本発明の一実施の形態である、磁気記録媒体の膜構成を示す。
基板１０には、２.５インチ型の化学強化されたアルミノシリケートを使用した。その上に、６２ａｔ％Ｎｉ-３８ａｔ％Ｔａ合金からなる第１下地膜１１、１１'を厚さ３０ｎｍ、８５ａｔ％Ｃｒ-１５ａｔ％Ｔｉ合金からなる第２下地膜１２、１２'を５ｎｍ、７５ａｔ％Ｃｏ-１９ａｔ％Ｃｒ-６ａｔ％Ｐｔ合金からなる第１の磁性膜１３、１３'を４ｎｍ、Ｒｕからなる非磁性中間膜１４、１４'を０.５ｎｍ、６０ａｔ％Ｃｏ-２０ａｔ％Ｃｒ-１４ａｔ％Ｐｔ-６ａｔ％Ｂからなる第２の磁性膜１５、１５'を１５.５ｎｍ、更に、３.５ｎｍのカーボン保護膜１６、１６'を形成した。
【００２４】
膜形成装置として、Ｉｎｔｅｖａｃ社製の枚葉式スパッタ装置ｍｄｐ２５０Ｂを用い、タクト６.８秒で成膜した。各膜の形成時のアルゴン(Ａｒ)ガス圧はすべて０.８Ｐａとした。成膜中のメインチャンバ３０(図２)の酸素分圧は約７×１０のマイナス７乗(Ｐａ)であった。このスパッタ装置のチャンバ構成は図２に示したとおりである。尚、仕込み室２１には、基板２０がセットされ、所定の成膜を終えて取り出し室２９から取り出される。
【００２５】
第１下地膜は基板を加熱しない状態で第１下地膜形成室２２で形成し、加熱及び酸化室２３でランプヒーターにより約２５０℃まで加熱しながら、９９％Ａｒ-１％Ｏ２混合ガスの圧力０.６Ｐａの雰囲気に４秒間曝し、その後その上に上記各膜を第２の下地膜形成室２４、第１の磁性膜形成室２５、非磁性中間膜形成室２６、第２の磁性膜形成室２７、保護膜形成室２８で順に形成した。このときのＰＯ２・ｔは０.６Ｐａ×０.０１×４秒＝２４(ｍＰａ・秒)に相当する。上記カーボン保護膜まで形成した後、パーフルオロアルキルポリエーテル系の材料をフルオロカーボン材料で希釈したものを潤滑膜として厚さ１.８ｎｍ塗布した。
＜実施例２＞
上記実施例１とほぼ同様の膜構成及び作製方法で第２の磁気記録媒体を作製した。ただし次の点を変更した。上記第２の下地膜１３、１３'を８２ａｔ％Ｃｒ-１５ａｔ％Ｔｉ-３ａｔ％Ｂ合金とし、厚さを１０ｎｍとして作製した。また、上記９９％Ａｒ-１％Ｏ２混合ガスの圧力は０.８Ｐａとした。このとき、ＰＯ２・ｔは３２ｍＰａ・秒に相当する。
【００２６】
図３に、実施例１及び実施例２において、９９％Ａｒ-１％Ｏ２混合ガスの圧力を変化させることにより、ＰＯ２・ｔを５(ｍＰａ・秒)以上４３(ｍＰａ・秒)以下にして作製した磁気記録媒体における、第１及び第２の磁性膜の(１１.０)配向性(Ｃｏ(１１.０)積分強度)の変化を示す。ここで、(１１.０)配向性は、Ｃｕ-Ｋα線を用いてＸ線回折法により測定し、(１１.０)回折ピークの積分強度により評価した。
【００２７】
この第１及び第２の磁性膜の(１１.０)回折ピークは重なり、単一のピークとして観察された。図３に示すように、第２の下地膜がＣｒＴｉの場合はＰＯ２・ｔが１５(ｍＰａ・秒)以上３５(ｍＰａ・秒)以下、第２の下地膜がＣｒＴｉＢの場合はＰＯ２・ｔが２０(ｍＰａ・秒)以上４０(ｍＰａ・秒)以下の範囲でＣｏ(１１.０)積分強度が高く、(１１.０)配向性が向上している。更に、その配向性の分散をロッキングカーブの半値幅で評価したところ、実施例１の媒体は６.８°、実施例２の媒体は７.８°であった。
【００２８】
図４には、実施例１の媒体についてＸ線回折測定したときのＸ線回折プロファイルを示す。Ｃｏ(１１.０)回折が強い上記ＰＯ２・ｔの範囲では、磁性膜に対応した回折ピークは(１１.０)のみであり、他の結晶面の回折ピークは見られない。また、実施例１の媒体において、ＳＩＭＳ分析により媒体の表面から深さ方向のプロファイルを評価したところ、第１の下地膜と第２の下地膜の界面付近に酸素のピークが観察された。しかし、透過電子顕微鏡により断面組織を観察したところ、上記第１の下地膜と第２の下地膜の界面にはこの酸素による新たな層は明瞭には見られなかった。酸素は局所的に散在しているものと推定される。
【００２９】
図５には、図３に示した磁気記録媒体に対して、記録再生特性におけるＳ／Ｎを評価した結果を示す。ここでＳ／Ｎは、面記録密度としては１平方ミリメートル当たり５１メガビット(線記録密度５９５ｋＢＰＩ、トラック密度５５ｋＴＰＩ)の磁気ディスク装置条件において、孤立波再生出力の振幅Ｓ(Ｐｅａｋ ｔｏ Ｐｅａｋ)と１ｍｍ当り２５０００回の磁化反転(２５０００ｆｒ/ｍｍ)の線記録密度における媒体ノイズＮの比である。
【００３０】
図３で実施例１及び実施例２の媒体においてＣｏ(１１.０)積分強度が強くなるＰＯ２・ｔの範囲でＳ／Ｎも高くなり、実施例１の媒体では１平方ミリメートル当たり４８メガビットの面記録密度の装置仕様を満足した。更に、実施例２の媒体では１平方ミリメートル当たり５１メガビットの面記録密度の装置仕様を満足した。
＜比較例１＞
実施例１において、加熱及び酸化室２３において９９％Ａｒ-１％Ｏ２混合ガスを供給しないこと以外は実施例１と同様の膜構成及び作製方法で比較例１の磁気記録媒体を製造した。
＜比較例２＞
実施例２において、加熱及び酸化室２３において９９％Ａｒ-１％Ｏ２混合ガスを供給しないこと以外は実施例２と同様の膜構成及び作製方法で比較例２の磁気記録媒体を製造した。
＜比較例３＞
実施例２において、第２下地膜１２、１２'を７７ａｔ％Ｃｒ-２０ａｔ％Ｔｉ-３ａｔ％Ｂ合金とした以外は実施例２と同様の膜構成及び作製方法で比較例３の磁気記録媒体を製造した。
＜実施例３＞
実施例２において、上記第２の下地膜１３、１３'の厚さを１５ｎｍとし、上記第２の磁性膜１５、１５'の厚さを１７ｎｍにした以外は実施例２と同様の膜構成及び作製方法で実施例３の磁気記録媒体を製造した。
【００３１】
実施例の媒体はすべて、第１の磁性膜と第２の磁性膜が非磁性中間層を介してＡＦ結合しており、これはＶＳＭ(振動試料型磁力計)測定によるヒステリシスカーブの第１象限における段差によって確認された。いずれの実施例の媒体も段差の生じる磁界強度は４０ｋＡ/ｍ以上７０ｋＡ/ｍ以下であり、媒体としては比較的大きなＡＦ結合磁界が働いている。
【００３２】
以上の実施例及び比較例について、それぞれの磁気特性及び記録再生特性をまとめて表１に示す。
磁気特性は残留磁化曲線により測定し、Ｍｒｔは単位面積当たりの磁気モーメントであり、Ｈｒは残留保磁力である。記録再生特性は、面記録密度としては１平方ミリメートル当たり５１メガビット(線記録密度５９５ｋＢＰＩ、トラック密度５５ｋＴＰＩ)の磁気ディスク装置条件において、孤立波再生出力の振幅Ｓ(Ｐｅａｋ ｔｏ Ｐｅａｋ)と１ｍｍ当り２５０００回の磁化反転(２５０００ｆｒ/ｍｍ)における媒体ノイズＮの比(Ｓ／Ｎ)と、１２５００ｆｒ/ｍｍの磁化反転時における再生出力と孤立波再生出力の比(Ｒｅ)で評価した。
【００３３】
Ｓ／Ｎ及びＲｅが共に大きいほど磁気ディスク装置の面記録密度を向上できる。実施例１及び２と比較例１及び２を比較すると、第１の下地膜と第２の下地膜の間に適度の酸素を供給することで、いずれの特性値も向上している。また、比較例３は適度の酸素を供給しているが、第２の下地膜のＴｉ濃度が２０ａｔ％と高いため、第１の磁性膜である７５ａｔ％Ｃｏ-１９ａｔ％Ｃｒ-６ａｔ％Ｐｔ合金との格子整合性が悪くなりＣｏ(１１.０)の配向性が悪くなりＭｒｔ、Ｓ/Ｎが劣化している。熱減磁について実施例３の媒体で評価したところ、７０℃で１００時間放置してもビットエラーレートの劣化は０.５桁以下で良好であった。
【００３４】
また、本発明の実施の態様に用いた膜形成装置に比べ、到達真空度が悪く酸素分圧が大きい膜形成装置、あるいは複数の基板に同時に膜形成できる装置の様に、第１下地膜形成後から第２下地膜を形成するまでの時間が長い膜形成装置では、上記実施例のように酸化室を特に設けなくても、上記のＰＯ２・ｔの条件が満たされれば、上記実施例と同様の効果が得られる。
【００３５】
【発明の効果】
本発明の磁気記録媒体は、熱減磁による再生信号の劣化が抑制され、かつ、従来より高いＳ／Ｎ比を有する。本発明の磁気記録媒体と磁気抵抗効果型ヘッドを用いることにより、１平方ミリメートル当たり４６.５メガビット(１平方インチあたり３０ギガビット)以上の記録密度を有する磁気記憶装置の実現が可能となる。
【００３６】
【表１】
0004072324.tif 000002
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気記録媒体の断面構造の一例を示す模式図である。
【図２】磁気記録媒体の膜形成装置の一例を示す模式図である。
【図３】本発明の磁気記録媒体における磁性膜の結晶配向性を示す図である。
【図４】本発明の磁気記録媒体の一例と比較媒体のＸ線回折パターンである。
【図５】本発明の磁気記録媒体におけるＳ／Ｎを示す図である。
【符号の説明】
１０...基板、                    １１、１１'...第１下地膜、
１２、１２'．．．第２下地膜、      １３、１３'．．．第１の磁性膜、
１４、１４'．．．非磁性中間膜、    １５、１５'．．．第２の磁性膜、
１６、１６'．．．保護膜、          ２０．．．基板、
２１．．．仕込み室、               ２２．．．第１の下地膜形成室
２３．．．加熱及び酸化室、         ２４．．．第２の下地膜形成室、
２５．．．第１の磁性膜形成室、     ２６．．．非磁性中間膜形成室、
２７．．．第２の磁性膜形成室、     ２８．．．保護膜形成室、
２９．．．取り出し室、             ３０．．．メインチャンバ。
【図１】
0004072324.tif 000003
【図２】
0004072324.tif 000004
【図３】
0004072324.tif 000005
【図４】
0004072324.tif 000006
【図５】
0004072324.tif 000007