Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月31日(2008.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技動作を制御する主制御基板と、遊技媒体の払出動作を制御するとともに、起動してから前記遊技媒体の払出動作の制御が可能な状態に至ったことを契機として前記主制御基板に対して、状態を表す状態信号を間欠的に出力し続ける払出制御基板と、前記主制御基板の制御によって遊技動作の進行に応じた演出動作を制御する演出制御基板とを備え、前記主制御基板は、前記状態信号の受信を認識したことを契機として前記遊技動作の制御が可能な状態であることを示す応答信号を出力し、前記払出制御基板は、前記応答信号の受信を契機として前記状態信号の出力を停止するとともに、前記遊技媒体の払出動作の制御を開始することを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月7日(2008.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換機能を有する撮像素子、および、前記撮像素子に被写体光を導くための撮像光学系からなる撮像手段と、
前記撮像素子で生成された画像データから、該画像データよりも解像度の小さな表示用画像データを生成する信号処理手段と、
前記表示用画像データを用いて画像を表示する表示手段と、
前記撮像素子で生成された画像データから、被写体の状態を判定する判定手段と、
前記判定手段の判定結果をもとに、警告を行う警告手段と、
を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
光電変換機能を有する撮像素子、および、前記撮像素子に被写体光を導くための撮像光学系からなる撮像手段と、
前記撮像された画像データから、該画像データよりも解像度の小さな判定用画像データを生成するとともに、前記撮像された画像データから、前記判定用画像データよりも解像度の小さな表示用画像データを生成する信号処理手段と、
前記表示用画像データを用いて画像を表示する表示手段と、
前記判定用画像データから、被写体の状態を判定する判定手段と、
前記判定手段の判定結果をもとに、警告を行う警告手段と、
を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項３】
前記警告手段は、前記表示用画像データに前記警告の内容を付加した警告用の表示画像を生成し、前記警告用の表示画像を前記表示手段に表示させることを特徴とする請求項１又は２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記警告手段は、被写体が目を閉じているとき、被写体に赤目が生じているとき、または、被写体がぶれているときに、警告を行うことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項５】
前記警告の内容に応じて、前記撮像手段の制御パラメータを自動で変更する制御手段を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項６】
前記判定手段が前記被写体に赤目が生じていると判定したときに、前記制御手段は赤目緩和用ランプの点灯時間、赤目緩和用ランプの光量、および、フラッシュ発光量のいずれかを変更することを特徴とする請求項５に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記判定手段が前記被写体がぶれていると判定したときに、前記制御手段は前記撮像手段における露出時間、絞り値、および、感度のいずれかを変更することを特徴とする請求項５に記載の撮像装置。
【請求項８】
撮像素子で生成された画像データから、該画像データよりも解像度の小さな表示用画像データを生成する信号処理工程と、
前記表示用画像データを用いて画像を表示する表示工程と、
前記撮像素子で生成された画像データから、被写体の状態を判定する判定工程と、
前記判定手段の判定結果をもとに、警告を行う警告工程と、
を有することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項９】
前記撮像された画像データから、該画像データよりも解像度の小さな判定用画像データを生成するとともに、前記撮像された画像データから、前記判定用画像データよりも解像度の小さな表示用画像データを生成する信号処理工程と、
前記表示用画像データを用いて画像を表示する表示工程と、
前記判定用画像データから、被写体の状態を判定する判定工程と、
前記判定手段の判定結果をもとに、警告を行う警告工程と、
を有することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記課題を解決し、目的を達成するために、本発明の撮像装置は、光電変換機能を有する撮像素子、および、前記撮像素子に被写体光を導くための撮像光学系からなる撮像手段と、前記撮像素子で生成された画像データから、該画像データよりも解像度の小さな表示用画像データを生成する信号処理手段と、前記表示用画像データを用いて画像を表示する表示手段と、前記撮像素子で生成された画像データから、被写体の状態を判定する判定手段と、前記判定手段の判定結果をもとに、警告を行う警告手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、上記課題を解決し、目的を達成するために、本発明の撮像装置は、光電変換機能を有する撮像素子、および、前記撮像素子に被写体光を導くための撮像光学系からなる撮像手段と、前記撮像された画像データから、該画像データよりも解像度の小さな判定用画像データを生成するとともに、前記撮像された画像データから、前記判定用画像データよりも解像度の小さな表示用画像データを生成する信号処理手段と、前記表示用画像データを用いて画像を表示する表示手段と、前記判定用画像データから、被写体の状態を判定する判定手段と、前記判定手段の判定結果をもとに、警告を行う警告手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月7日(2008.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
雑音が低減された話声信号の一部分を表す雑音低減値についての推定値を決定する方法であって、
時間フレームのセットのうちの各時間フレームについて、気導マイクロフォン以外の代替センサを使用して、少なくとも一部が話者からの話声に基づいている、代替センサ値を生成することと、
前記時間フレームのセットのうちの各フレームについて、少なくとも一部が前記話者からの話声および雑音に基づいている、気導マイクロフォン値を生成することと、
前記代替センサ値と前記気導マイクロフォン値を使用し、前記時間フレームのセットについて前記話者から前記代替センサまでのチャネルのチャネル応答についての値を推定することと、
前記チャネル応答を使用し、前記チャネル応答が推定された前記時間フレームのセットのうちの各フレームについて、前記雑音低減値を推定することとを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
チャネル応答についての値を推定することは、目的関数の末端を見つけることを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
チャネル応答を推定することは、前記チャネル応答と重畳され、その結果が雑音項と合計された、雑音のない話声信号として代替センサ信号をモデル化することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
雑音のない話声信号が前記話者から前記チャネルへ供給されることを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
背景話者から前記代替センサまでのチャネルの背景チャネル応答を決定することをさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記チャネル応答を使用し、前記雑音低減値を推定することは、前記話者から前記代替センサまでのチャネルの前記チャネル応答および前記背景話者から前記代替センサまでのチャネルの前記背景チャネル応答を使用し、前記雑音低減値を推定することを含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記雑音低減値の前記推定値を使用し、背景話者によって発せられた背景話声信号についての値を推定することをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記チャネル応答についての値を推定することは、前記時間フレームのセットのうちのフレームのすべてについて、単一のチャネル応答値を推定することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記チャネル応答を使用し、雑音低減値を推定することは、前記時間フレームのセットのうちの各フレームについて、別々の雑音低減値を推定することを含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記チャネル応答についての値を推定することは、現在のフレーム内の代替センサ信号および気導マイクロフォン信号についての値を、先のフレーム内の前記代替センサ信号および前記気導マイクロフォン信号についての値より重く加重することによって、前記現在のフレームについての前記値を推定することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
時間フレームのセットのうちの各時間フレームについて、代替センサ信号についての値、および話者からの話声およびノイズを含む気導マイクロフォン信号を受信するステップと、
前記時間フレームのセットの全体についての前記代替センサ信号についての値、および前記時間フレームのセットの全体についての前記気導マイクロフォン信号についての値を使用して、前記話者から代替センサまでのチャネルについてのチャネル応答を決定するステップと、
前記時間フレームのセット内の時間フレームについての前記代替センサ信号についての値および前記チャネル応答を使用し、当該時間フレームについての雑音のない話声値を推定するステップと
をプロセッサに実施させるコンピュータ実行可能命令を記憶したことを特徴とするコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１２】
前記チャネル応答を決定するステップは、前記時間フレームのセットについての前記代替センサ信号および前記気導マイクロフォン信号の単一のチャネル応答を決定するステップを含むことを特徴とする請求項１１に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１３】
前記チャネル応答は、雑音のない話声信号に対するチャネル応答を含むことを特徴とする請求項１１に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１４】
背景話声信号に対するチャネル応答を決定するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１５】
前記雑音のない話声信号に対する前記チャネル応答と共に前記背景話声信号に対する前記チャネル応答を使用し、前記雑音のない話声値を推定するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１６】
前記雑音のない話声値を使用し、背景話声値を推定するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１７】
雑音のない話声信号を識別する方法であって、
気導マイクロフォン以外の代替センサからの代替センサ信号を使用して、話者が発話している期間、および前記話者が発話していない期間とを決定することと、
前記話者が発話していない期間に関する気導マイクロフォン信号の複数の部分で発話検出を行い、前記話者が発話していない期間内における非話声期間および背景発話期間を特定することと、
前記非話声期間中の前記代替センサ信号内の雑音を示す雑音分散を推定することと、
前記背景発話期間に関する前記代替センサ信号の複数の部分を使用して、背景話者から前記代替センサまでのチャネルについての背景発話チャネル応答を推定することと、
時間フレームのセットのうちの各時間フレームについて、前記代替センサ信号および前記気導マイクロフォン信号を受信することと、
前記雑音分散、前記時間フレームのセットについての前記代替センサ信号、および前記時間フレームのセットについての前記気導マイクロフォン信号を使用し、前記時間フレームのセット内の少なくとも１つの時間フレームについて、前記話者から前記代替センサまでのパスのチャネル応答を推定することと、
前記チャネル応答および前記背景発話チャネル応答を使用し、前記チャネル応答が推定された前記時間フレームのセットのうちの各フレームについて、雑音のない話声信号についての値を推定するステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項１８】
前記非話声期間を使用し、前記気導マイクロフォン信号内の雑音を示す雑音パラメータを推定するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
背景話声値の推定値を決定するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記背景話声値の推定値を決定するステップは、前記雑音のない話声値の前記推定値を使用し、前記背景話声値を推定するステップを含むことを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記チャネル応答の前のモデルを使用し、前記雑音のない話声値を推定するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月9日(2008.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力信号の周波数特性を変更して出力する少なくとも１つの周波数特性変更手段と、
前記入力信号の特性を分析することにより、前記入力信号の周波数成分間でマスキングを起こす周波数帯域を決定して、前記マスキングを起こす周波数帯域を特定する情報を前記周波数特性変更手段に出力する分析手段と、
を備え、
前記周波数特性変更手段は、前記入力信号に対して、前記マスキングを起こす周波数帯域成分を片方の耳側で遮断又は減衰させることにより、左右の耳に異なる周波数特性の信号を出力する音響処理装置。
【請求項２】
周波数帯域ごとにゲインを変更可能に構成され、前記入力信号または前記周波数特性変更手段が出力した信号を周波数帯域ごとに増幅して出力する少なくとも１つの帯域別増幅手段と、
入力信号のパワーを周波数帯域ごとに算出し、前記算出された入力信号のパワーに基づいて、前記帯域別増幅手段のゲインを周波数帯域ごとに決定して、前記ゲインを特定する情報を帯域別増幅手段に出力するラウドネス補償量算出手段と、
をさらに備える請求項１に記載の音響処理装置。
【請求項３】
前記周波数特性変更手段は、周波数帯域ごとにゲインを変更可能に構成され、
前記音響処理装置は、さらに、
入力信号のパワーを周波数帯域ごとに算出し、前記入力信号のパワーに基づいて、前記周波数特性変更手段のゲインを周波数帯域ごとに決定して、前記ゲインを特定する情報を少なくとも１つの周波数特性変更手段に出力するラウドネス補償量算出手段
を備え、
前記周波数特性変更手段は、入力信号に対して、前記ゲインに基づいて周波数帯域ごとに増幅し、かつ前記マスキングを起こす周波数帯域成分を片方の耳側で遮断又は減衰させ、左右の耳に異なる周波数特性の信号を出力する請求項１に記載の音響処理装置。
【請求項４】
前記分析手段は、入力信号の母音の種類を判別し、母音の種類に対応して定められる周波数帯域を、前記マスキングを起こす周波数帯域として決定する請求項１から請求項３のいずれかに記載の音響処理装置。
【請求項５】
前記分析手段は、入力信号のフォルマント周波数を検出し、検出したフォルマント周波数に基づいて母音の種類を判別する請求項４に記載の音響処理装置。
【請求項６】
前記分析手段は、入力信号の第１フォルマント周波数を検出し、第１フォルマント周波数に対応して定められる周波数帯域を、前記マスキングを起こす周波数帯域として決定する請求項１から請求項３のいずれかに記載の音響処理装置。
【請求項７】
入力信号の周波数特性を変更して出力する少なくとも１つの周波数特性変更手段と、
前記入力信号の特性を分析し、前記入力信号の少なくとも一つのフォルマント周波数帯域を検出して、前記フォルマント周波数帯域を特定する情報を少なくとも１つの周波数特性変更手段に出力する分析手段と、
を備え、
前記周波数特性変更手段は、前記フォルマント周波数帯域成分を、片方の耳側で遮断又は減衰させることにより、左右の耳に異なる周波数特性の信号を出力する音響処理装置。
【請求項８】
入力信号の周波数特性を変更して出力する少なくとも１つの周波数特性変更手段と、
前記入力信号の特性を分析し、入力信号の母音の種類を判別し、母音の種類に対応した特定周波数帯域の情報を前記少なくとも１つの周波数特性変更手段に出力する分析手段と、
を備え、
前記周波数特性変更手段は、前記母音の種類に対応した特定周波数帯域成分を、片方の耳側で遮断又は減衰させることにより、左右の耳に異なる周波数特性を有する信号を出力する音響処理装置。
【請求項９】
遮断周波数の変更が可能な低域通過フィルタまたは高域通過フィルタにより、入力信号の周波数特性を変更して出力する周波数特性変更手段と、
前記入力信号の特性を分析することにより、入力信号の周波数成分間でマスキングを起こす周波数帯域を決定して、前記マスキングを起こす周波数帯域を特定する遮断周波数情報を前記周波数特性変更手段に出力する分析手段と、
を備え、
前記周波数特性変更手段は、前記遮断周波数情報に基づいて、片方の耳側で前記低域通過フィルタまたは高域通過フィルタに前記入力信号を濾波させることにより、左右の耳に異なる周波数特性を有する信号を出力する音響処理装置。
【請求項１０】
前記分析手段は、入力信号の先行母音の種類を判別し、前記先行母音の種類に対応して定められる周波数帯域を、前記マスキングを起こす周波数帯域として決定する請求項９に記載の音響処理装置。
【請求項１１】
前記分析手段は、入力信号のフォルマント周波数を検出し、検出したフォルマント周波数に基づいて先行母音の種類を判別する請求項１０に記載の音響処理装置。
【請求項１２】
前記分析手段は、入力信号の第１フォルマント周波数を検出し、第１フォルマント周波数に対応して定められる周波数帯域を、前記マスキングを起こす周波数帯域として決定する請求項９に記載の音響処理装置。
【請求項１３】
入力信号の特性を分析することにより、前記入力信号の周波数成分間でマスキングを起こす周波数帯域を決定して、前記マスキングを起こす周波数帯域を特定する情報を出力する分析ステップと、
前記マスキングを起こす周波数帯域成分を片方の耳側で遮断又は減衰させることにより、左右の耳に異なる周波数特性を有する信号を出力する周波数特性変更ステップと、
を有する音響処理方法。
【請求項１４】
前記分析ステップは、前記入力信号の母音の種類を判別し、前記母音の種類に対応して定められる周波数帯域を、前記マスキングを起こす周波数帯域として決定する請求項１３に記載の音響処理方法。
【請求項１５】
前記分析ステップは、入力信号のフォルマント周波数を検出し、検出したフォルマント周波数に基づいて前記母音の種類を判別する請求項１３に記載の音響処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月18日(2008.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
前記画像サイズに関連するデータは、更に上クロップ値および左クロップ値を含み、
上クロップ値は前記全画素領域の上端から前記出力領域の上端までの画素数を示し、
左クロップ値は前記全画素領域の左端から前記出力領域の左端までの画素数を示す
ことを特徴とする請求項１５記載の画像復号化方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月5日(2008.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
補給水タンクからの流体及び純水タンクからの流体が独立して送られる減圧脱気手段を設け、
減圧脱気手段から動力機器に至るラインから分岐して補給水タンクにつながる補給ラインを設け、
補給水タンクの水量を導出する水量導出手段を備え、
補給水タンクの水量が所定量を下回ったときには純水タンクからの流体を水流導出手段と減圧脱気手段と補給ラインを経由して補給水タンクに供給する補給水供給手段を備えた
ことを特徴とする補給水供給装置。
【請求項２】
請求項１において、
減圧脱気手段は復水タービン設備の復水器であり、
補給水タンクからの流体が補給水ポンプにより復水器に送られ、
純水タンクからの流体が純水ポンプにより復水器に送られ、
補給水タンクへの補給ラインは復水器の水位が高くなったときに復水器からの復水を補給水タンクに戻して復水器の水位を所定状態に維持する復水器スピルオーバ制御手段である
ことを特徴とする補給水供給装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明の補給水供給装置は、
補給水タンクからの流体及び純水タンクからの流体が独立して送られる減圧脱気
手段を設け、
減圧脱気手段から動力機器に至るラインから分岐して補給水タンクにつながる補給ラインを設け、
補給水タンクの水量を導出する水量導出手段を備え、
補給水タンクの水量が所定量を下回ったときには純水タンクからの流体を水流導出手段と減圧脱気手段と補給ラインを経由して補給水タンクに供給する補給水供給手段を備えた
ことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
【発明の効果】
本発明の補給水供給装置は、補給水タンクからの流体及び純水タンクからの流体が独立して送られる減圧脱気手段を設け、減圧脱気手段から動力機器に至るラインから分岐して補給水タンクにつながる補給ラインを設け、補給水タンクの水量を導出する水量導出手段を備え、補給水タンクの水量が所定量を下回ったときには純水タンクからの流体を水流導出手段と減圧脱気手段と補給ラインを経由して補給水タンクに供給する補給水供給手段を備えたので、補給水タンクへの給水が減圧脱気された後に戻しラインから補給される。このとき、減圧脱気手段への補給水は補給水タンクからではなく純水タンクから供給する。この結果、補給水タンクへの給水を純水タンクから補給する必要がなくなり、既存の設備を最大限に生かして純水タンクやポンプ容量を低減することができ、減圧脱気手段への給水を行う場合における関連機器の低コスト化を達成することが可能になる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月1日(2008.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
図４は顔面保護板アセンブリ１０の拡開した状態の背面図、図５は図４のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。顔面保護板アセンブリ１０では、帽体２の内面に沿った形状の支持板１１の前面側に、顔面保護板１を例えば３個の係合部材１２により昇降自在に取り付けている。顔面保護板１の下縁部には、例えば合成ゴム等から成る保護部材１ａを取り付けている。係合部材１２は雌型係合部材１２ａと雄型係合部材１２ｂとから構成し、支持板１１に顔面保護板１を着脱可能としている。支持板１１の後面側には、係合部材１２の移動を可能とする溝１３ａを有する衝撃防止用のパッキン１３を貼着している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
そして、支持板１１の側部１１ｂの端部には、ハンモック４を帽体２に固定するための固定具５ａと係合する取付孔２３を形成している。また、側部１１ｂの中央部１１ａ寄りには、耳紐８を帽体２に固定するための固定具５ｂと係合する取付孔２４を形成している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
ここで、図５に示すように顔面保護板１の上部には、係合部材１２を取り付けるための３つの取付孔１ｂを、支持板１１の案内孔２１、２２にそれぞれ対応する位置に形成している。この際に、中央の取付孔１ｂは左右の取付孔１ｂよりも上方に位置させている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
顔面保護板アセンブリ１０を組み立てる際には、支持板１１の裏面にパッキン１３を貼着すると共に、支持板１１に固定具２５を組み付ける。次に、支持板１１の前面に顔面保護板１を配置し、係合部材１２の雌型係合部材１２ａを顔面保護板１の前面側からその取付孔１ｂに挿通し、雄型係合部材１２ｂを支持板１１の後面側から雌型係合部材１２ａの押し込む。そして、全ての係合部材１２を顔面保護板１に取り付けた後に、パッキン１３の裏面にシート１４を貼着する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2003049316.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月15日(2008.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ＭＤ方向の一軸延伸フィルム、粘着剤層と、剥離シートを積層した粘着フィルムにおいて、一軸延伸フィルムの表面にコロナ処理を行い、その上にアンカーコート層を設けたことを特徴とする熱収縮性粘着フィルム。
【請求項２】  一軸延伸フィルムのＭＤ方向の引張降伏点強度が、３０Ｎ／１０ｍｍ以上である請求項１記載の熱収縮性粘着フィルム。
【請求項３】  一軸延伸フィルムの厚さが５０〜８０μｍである請求項１または２記載の熱収縮性粘着フィルム。
【請求項４】  一軸延伸フィルムのＭＤ方向の収縮開始温度が７０〜１１０℃である請求項１から３のいずれか記載の熱収縮性粘着フィルム。
【請求項５】  前記アンカーコート層が、顔料５〜１０質量部、バインダー樹脂２０〜３０質量部、分散媒が６０〜７０質量部を含有するコート剤を０．５〜３．０ｇ／ｍ２塗工したアンカーコート層である請求項１から４のいずれかに記載の熱収縮性粘着フィルム。
【請求項６】  前記粘着剤層が、乾燥重量で１０〜３０ｇ／ｃｍ２の塗布量で粘着剤を塗布して得られる粘着剤層である請求項１から５のいずれかに記載の熱収縮性粘着フィルム。
【請求項７】  前記一軸延伸フィルムが、熱可塑性樹脂を延伸倍率３〜１０倍で延伸した一軸延伸フィルムである請求項１から６のいずれかに記載の熱収縮性粘着フィルム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月18日(2008.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
又、上記軸受箱２の前記外輪４の周囲に位置する部分には、センサ取付孔２２を形成している。そして、この外輪４の外周面でこのセンサ取付孔２２の内側に位置する部分に、温度センサ２３を装着している。従来構造の場合、この温度センサ２３として、接触式の温度計である熱電対を使用し、この温度センサ２３の検出部を上記外輪４の外周面に突き当てている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月18日(2008.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
次に、図８は、やはり請求項１〜４に対応する、本発明の実施の形態の第４例を示している。本例の場合には、４点接触型のラジアル玉軸受に本発明を適用している。即ち、本例のプーリ支持用玉軸受５ｄの場合には、内、外輪各軌道１４ａ、１２ａの断面形状を、各玉１５の直径Ｄ15（図１参照）の１／２よりも大きな曲率半径を有し互いに曲率中心が異なる１対の円弧同士が中間部で交差して成る、所謂ゴシックアーチ状としている。そして、上記各軌道１４ａ、１２ａと上記各玉１５の転動面とを、それぞれ２点ずつ、これら各玉１５毎に合計４点ずつで接触させている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2003049848.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月19日(2008.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、末端水酸基の全末端基に対する割合の下限としては特に制限はないが、極端に少ないと製造上困難であるので、通常０．５モル％以上であり、好ましくは１モル％以上である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
例えば、前記したそれぞれの要因を同じ条件で製造し、且つ得られる粘度平均分子量も同一な樹脂を製造すると仮定した際に、任意の仕込み比で製造される任意の用途に使用する芳香族ポリカーボネート樹脂の末端水酸基の割合を２０モル％とすると、末端水酸基の割合が全末端基に対して５モル％未満である芳香族ポリカーボネート樹脂を得るには、芳香族ジヒドロキシ化合物に対する炭酸ジエステルの仕込み比を任意の仕込み比より若干大きくすることにより得ることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
［実施例１］
コンデンサーを具備したステンレス製２０リットルの竪型攪拌反応装置にビスフェノールＡ２２８３ｇ（１０．０モル）、ジフェニルカーボネート２３５６ｇ（１１．０モル）および触媒として０．０１Ｎ水酸化ナトリウム０．７ｍｌ（ビスフェノールＡ１モルに対して７×１０-7モル）を仕込み窒素置換を行った。この混合物を２２０℃で４０分かけて原料モノマーを溶融した後、２２０℃／１．３３×１０4Ｐａで６０分、２４０℃／２．００×１０3Ｐａで６０分、２８０℃／６６．７Ｐａで６０分間反応を行い、更に、ｐ−トルエンスルホン酸ブチルを触媒失活剤として芳香族ポリカーボネート樹脂に対して２重量ｐｐｍ添加し反応を終了させた。その結果、粘度平均分子量２１，２００、末端水酸基濃度４モル％の芳香族ポリカーボネート樹脂が得られた。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
［実施例２］
実施例１において、ジフェニルカーボネートの量を２３６７ｇ（１１．０５モル）に代えた他は、実施例１と同様に反応を行い粘度平均分子量２１，４００、末端水酸基濃度２モル％の芳香族ポリカーボネート樹脂を得た。更に、実施例１と同様にして、ＰＢＴ樹脂と混合してペレットを得た。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
［実施例３］
実施例１において、ジフェニルカーボネートの量を２３７８ｇ（１１．１０モル）に代えた他は、実施例１と同様に反応を行い粘度平均分子量２１，３００、末端水酸基濃度１モル％の芳香族ポリカーボネート樹脂を得た。更に、実施例１と同様にして、ＰＢＴ樹脂と混合してペレットを得た。
量２１，４００、末端水酸基濃度４モル％の芳香族ポリカーボネート樹脂が得られた。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
［比較例１］
実施例１において、ジフェニルカーボネートの量を２３１４ｇ（１０．８０モル）に代えた他は、実施例１と同様に反応を行い粘度平均分子量２１，３００、末端水酸基濃度１０モル％の芳香族ポリカーボネート樹脂を得た。更に、実施例１と同様にして、ＰＢＴ樹脂と混合してペレットを得た。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
［比較例２］
実施例１において、ジフェニルカーボネートの量を２２７１ｇ（１０．６０モル）に代えた他は、実施例１と同様に反応を行い粘度平均分子量２１，２００、末端水酸基濃度２０モル％の芳香族ポリカーボネート樹脂を得た。更に、実施例１と同様にして、ＰＢＴ樹脂と混合してペレットを得た。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
【表１】
2003049058.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月19日(2008.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂の末端水酸基は、全末端基に対して、５モル％未満であり、好ましくは４．９５モル％未満、さらに好ましくは４．９０モル％未満に制御することがよい。ここで芳香族ポリカーボネート樹脂の末端水酸基のモル％は、常法により1Ｈ−ＮＭＲを用いて末端水酸基数（μｅｑ／ｇ）および末端フェニル基数（μｅｑ／ｇ）を測定し、全末端基数における末端水酸基数の割合を算出して末端水酸基濃度（モル％）として求めることができる。全末端基に対して、５モル％以上の末端水酸基を含有する芳香族ポリカーボネート樹脂を用いて、ガラスフィラーとの樹脂組成物を製造すると耐湿性や長期熱老化特性などの耐候性が著しく悪化する傾向にある。また、末端水酸基の全末端基に対する割合の下限としては特に制限はないが、極端に少ないと製造上困難であるので、通常０．５モル％以上であり、好ましくは１モル％以上である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
芳香族ポリカーボネート樹脂の末端水酸基の割合は、重合温度、重合時の真空度、コンデンサー温度等の重合条件によっても影響を受けるが、これらがある一定の条件下では、ビスフェノールＡで代表される芳香族ジヒドロキシ化合物とジフェニルカーボネートで代表される炭酸ジエステルとの仕込み比によって制御することができる。
例えば、前記したそれぞれの要因を同じ条件で製造し、且つ得られる粘度平均分子量も同一な樹脂を製造すると仮定した際に、任意の仕込み比で製造される任意の用途に使用する芳香族ポリカーボネート樹脂の末端水酸基の割合を２０モル％とすると、末端水酸基の割合が全末端基に対して５モル％未満である芳香族ポリカーボネート樹脂を得るには、芳香族ジヒドロキシ化合物に対する炭酸ジエステルの仕込み比を任意の仕込み比より若干大きくすることにより得ることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
［実施例１］
コンデンサーを具備したステンレス製２０リットルの竪型攪拌反応装置にビスフェノールＡ２２８３ｇ（１０．０モル）、ジフェニルカーボネート２３５６ｇ（１１．０モル）および触媒として０．０１Ｎ水酸化ナトリウム０．７ｍｌ（ビスフェノールＡ１モルに対して７×１０-7モル）を仕込み窒素置換を行った。この混合物を２２０℃で４０分かけて原料モノマーを溶融した後、２２０℃／１．３３×１０4Ｐａで６０分、２４０℃／２．００×１０3Ｐａで６０分、２８０℃／６６．７Ｐａで６０分間反応を行い、更に、ｐ−トルエンスルホン酸ブチルを触媒失活剤として芳香族ポリカーボネート樹脂に対して２重量ｐｐｍ添加し反応を終了させた。その結果、粘度平均分子量２１，０００、末端水酸基濃度４モル％の芳香族ポリカーボネート樹脂が得られた。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
［実施例２］
実施例１において、ジフェニルカーボネートの量を２３６７ｇ（１１．０５モル）に代えた他は、実施例１と同様に反応を行い粘度平均分子量２１，４００、末端水酸基濃度２モル％の芳香族ポリカーボネート樹脂を得た。更に、実施例１と同様にして、ガラス繊維と混合してペレットを得た。
得られたペレットを用いて、耐湿性試験を行い、耐湿性保持率を表１に、また射出成形により曲げ試験片（ＡＳＴＭ試験片）を作製し、長期熱老化特性試験を行い、曲げ弾性率保持率を表１に示す。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
［実施例３］
実施例１において、ジフェニルカーボネートの量を２３７８ｇ（１１．１０モル）に代えた他は、実施例１と同様に反応を行い粘度平均分子量２１，５００、末端水酸基濃度１モル％の芳香族ポリカーボネート樹脂を得た。更に、実施例１と同様にして、ガラス繊維と混合してペレットを得た。
得られたペレットを用いて、耐湿性試験を行い、耐湿性保持率を表１に、また射出成形により曲げ試験片（ＡＳＴＭ試験片）を作製し、長期熱老化特性試験を行い、曲げ弾性率保持率を表１に示す。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
［比較例１］
実施例１において、ジフェニルカーボネートの量を２３１４ｇ（１０．８０モル）に代えた他は、実施例１と同様に反応を行い粘度平均分子量２１，０００、末端水酸基濃度１０モル％の芳香族ポリカーボネート樹脂を得た。更に、実施例１と同様にして、ガラス繊維と混合してペレットを得た。
得られたペレットを用いて、耐湿性試験を行い、耐湿性保持率を表１に、また射出成形により曲げ試験片（ＡＳＴＭ試験片）を作製し、長期熱老化特性試験を行い、曲げ弾性率保持率を表１に示す。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
［比較例２］
実施例１において、ジフェニルカーボネートの量を２２７１ｇ（１０．６０モル）に代えた他は、実施例１と同様に反応を行い粘度平均分子量２１，３００、末端水酸基濃度２０モル％の芳香族ポリカーボネート樹脂を得た。更に、実施例１と同様にして、ガラス繊維と混合してペレットを得た。
得られたペレットを用いて、耐湿性試験を行い、耐湿性保持率を表１に、また射出成形により曲げ試験片（ＡＳＴＭ試験片）を作製し、長期熱老化特性試験を行い、曲げ弾性率保持率を表１に示す。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
【表１】
2003049059.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月10日(2008.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  スパッタリングされる面のＸ線回折により求められた結晶面（１１０）のピークの半値幅が０．３５以下であることを特徴とするタングステンスパッタリングターゲット。
【請求項２】  スパッタリングされる面の結晶面（１１０）の半値幅のバラツキが３０％以下であることを特徴とする請求項１記載のタングステンスパッタリングターゲット。
【請求項３】  スパッタリングされる面のＸ線回折により求められた結晶面（１１０）及び（２００）の結晶方位比率（１１０）／（２００）が０．１〜６．５であることを特徴とするタングステンスパッタリングターゲット。
【請求項４】  スパッタリングされる面のＸ線回折により求められた結晶面（１１０）及び（２００）の結晶方位比率（１１０）／（２００）のバラツキが５０％以下であることを特徴とする請求項３記載のタングステンスパッタリングターゲット。
【請求項５】  スパッタリングされる面のＸ線回折により求められた結晶面（１１０），（２００），（２１１），（２２０）及び（３１０）の結晶方位比率（２１１）／｛（１１０）＋（２００）＋（２１１）＋（２２０）＋（３１０）｝が０．１７以下であることを特徴とするタングステンスパッタリングターゲット。
【請求項６】  スパッタリングされる面のＸ線回折により求められた結晶面（２１１），（１１０），（２００），（２１１），（２２０）及び（３１０）の結晶方位比率（２１１）／｛（１１０）＋（２００）＋（２１１）＋（２２０）＋（３１０）｝のバラツキが３０％以下であることを特徴とする請求項５記載のタングステンスパッタリングターゲット。
【請求項７】  スパッタリングされる面のＸ線回折により求められた結晶面（１１０），（２００），（２１１），（２２０）及び（３１０）の結晶方位比率（１１０）／（２００）が０．１〜６．５であり、かつ結晶方位比率（２１１）／｛（１１０）＋（２００）＋（２１１）＋（２２０）＋（３１０）｝が０．１７以下であることを特徴とするタングステンスパッタリングターゲット。
【請求項８】  スパッタリングされる面のＸ線回折により求められた結晶面（１１０）及び（２００）の結晶方位比率（１１０）／（２００）のバラツキが５０％以下であり、かつ結晶方位比率（２１１）／｛（１１０）＋（２００）＋（２１１）＋（２２０）＋（３１０）｝のバラツキが３０％以下であることを特徴とする請求項７記載のタングステンスパッタリングターゲット。
【請求項９】  相対密度が９９％以上であることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載のタングステンスパッタリングターゲット。
【請求項１０】  スパッタリングターゲットは、半導体素子の電極および／または配線の形成に使用されることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか１項記載のタングステンスパッタリングターゲット。
【請求項１１】  スパッタリングターゲットは、バッキングプレートと接合一体化されていることを特徴とする請求項１乃至請求項１０のいずれか１項記載のタングステンスパッタリングターゲット。
【請求項１２】  スパッタリングターゲットは、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施され、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施されることにより仕上げ加工されていることを特徴とする請求項１乃至請求項１１のいずれか１項記載のタングステンスパッタリングターゲット。
【請求項１３】  スパッタリングターゲットは、バッキングプレートと拡散接合またはろう付けにより接合一体化されていることを特徴とする請求項１１記載のタングステンスパッタリングターゲット。
【請求項１４】  スパッタリングターゲットは、不純物としての鉄，ニッケル，クロム，銅，アルミニウム，ナトリウム，カリウム，ウランおよびトリウムの合計の含有量が１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか１項記載のタングステンスパッタリングターゲット。
【請求項１５】  高純度タングステン粉末を加圧焼結後、得られた焼結体をターゲット形状に加工後、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施し、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施すことにより仕上げ加工することを特徴とする請求項１乃至請求項１４いずれか１項記載のタングステンスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項１６】  加圧焼結は、ホットプレスにより加圧する際に、最高焼結温度まで昇温する段階において、昇温速度２〜５℃／ｍｉｎで昇温後、１４５０〜１７００℃で１時間以上保持する中間焼結工程を有することを特徴とする請求項１５記載のタングステンスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項１７】  請求項１乃至請求項１４のいずれか１項に記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴とする薄膜。
【請求項１８】  請求項１７記載の薄膜により形成されたことを特徴とする配線または電極。
【請求項１９】  請求項１７記載の薄膜を、少なくとも一部の構成要素として具備することを特徴とする電子部品。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月30日(2008.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属板の少なくとも片面に、エポキシ樹脂およびグリコールウリル樹脂により形成した有機皮膜を有し、
前記エポキシ樹脂が、ビスフェノール型エポキシ樹脂、リン酸変性エポキシ樹脂および一級水酸基を有する変性エポキシ樹脂からなる群から選ばれる少なくとも一つであり、
前記リン酸変性エポキシ樹脂が、Ｐ−ＯＨ基当量が１５０〜１０００であってエポキシ当量が５００以下のビスフェノール型エポキシ樹脂にリン酸化合物を反応させて得られたリン酸変性エポキシ樹脂であり、
前記一級水酸基を有する変性エポキシ樹脂が、５００〜５０００のエポキシ当量であるビスフェノール型エポキシ樹脂を一級アミン、二級アミン、２，２−ジメチロールプロピオン酸、２，２−ジメチロールブタン酸、またはカルボン酸化合物と反応させて得た一級水酸基を有する変性エポキシ樹脂である、表面処理金属板。
【請求項２】
前記有機皮膜がさらに撥水剤を含有する請求項１に記載の表面処理金属板。
【請求項３】
エポキシ樹脂およびグリコールウリル樹脂を含有し、
前記エポキシ樹脂が、ビスフェノール型エポキシ樹脂、リン酸変性エポキシ樹脂および一級水酸基を有する変性エポキシ樹脂からなる群から選ばれる少なくとも一つであり、
前記リン酸変性エポキシ樹脂が、Ｐ−ＯＨ基当量が１５０〜１０００であってエポキシ当量が５００以下のビスフェノール型エポキシ樹脂にリン酸化合物を反応させて得られたリン酸変性エポキシ樹脂であり、
前記一級水酸基を有する変性エポキシ樹脂が、５００〜５０００のエポキシ当量であるビスフェノール型エポキシ樹脂を一級アミン、二級アミン、２，２−ジメチロールプロピオン酸、２，２−ジメチロールブタン酸、またはカルボン酸化合物と反応させて得た一級水酸基を有する変性エポキシ樹脂である、表面処理金属剤。
【請求項４】
前記表面処理剤がさらに撥水剤を含有する請求項３に記載の表面処理金属剤。
【請求項５】
前記表面処理剤が金属板用である請求項４または５に記載の表面処理金属剤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
【実施例】
以下、実施例に基づいて本発明を詳しく説明する。
［発明例１〜６０、比較例６１〜７２］
下記エポキシ樹脂（ａ）〜（ｃ）、グリコールウリル樹脂Ａ〜Ｄ、ベンゾグアナミン樹脂Ｅ〜Ｆとメラミン樹脂Ｇ〜Ｈ（以上２樹脂をアミノ樹脂と称する）、ウレタン樹脂Ａ〜Ｇ、撥水剤Ａ〜Ｄを表１に記載した割合（全固形分１００質量部に対する割合）で、水に添加し、常温で攪拌混合して水性表面処理剤を調製した。得られた表面処理剤を、下記金属板Ａ〜Ｎに、ロールコート塗装した。２０秒で金属板温度が１６０℃、１８０℃、２２０℃となるように加熱して、膜厚が０．０５〜６μｍの有機皮膜を形成させ、試験片を作製した。試験片の有機皮膜の特性を表１に示した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
【表４】
2003049281.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
【表８】
2003049281.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月16日(2008.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
Ｑ2＝σ×ｆ（ε1）×［（１００／Ｔｒ）4−（１００／Ｔ1）4］
＝λ／Ｌ（Ｔ1−Ｔ2）
＝σ×ｆ（ε2）×［（１００／Ｔ2）4−（１００／Ｔ0）4］  
ただし、σはステファン・ボルツマン定数、ｆ（ε1）は高温帯域の物体間の放射伝熱の放射係数、Ｔｒは高温帯域の物体又は流体の温度、Ｔ1は断熱板の高温帯域側の表面温度、λは断熱板の熱伝導率、Ｌは断熱板の厚さ、Ｔ2は断熱板の低温帯域側の表面温度、ｆ（ε2）は低温帯域の物体間の放射伝熱の放射係数、Ｔ0は低温帯域の物体又は流体の温度である。
この場合、放射熱伝達と対流熱伝達とを別個に取り扱っているが、実際には放射と対流による熱伝達は同時に行われる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
なお、ここでいう熱容量とは、これをｑで表わしたとき、次の式で定義されるパラメーターである。
ｑ＝Ｖ・ｄ・ｃ
＝Ｗ・ｃ
ただし、ｃは比熱（ｃａｌ／ｇ・Ｋ）、ｄは密度（ｇ／ｃｍ3）、Ｖは全体積（ｃｍ3）、Ｗは全質量（ｇ）である。
したがって、熱容量ｑは、比熱ｃ、密度ｄ及び全質量Ｗに比例するパラメーターであることが分る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
実施例４
実施例１で用いたのと同じ発泡スチロール製の立方体上の箱を５個用意した。実施例２と同じポリエステルフィルムにメタクリル酸メチル−アクリル酸エチル−スチレン共重合体を厚さ５μｍ（熱容量０．５ｃａｌ／℃、放射熱吸収率１８％）積層させた反対側に、ＳｉＯ2を水系のアクリル樹脂に分散させたものを塗布し、それぞれ異なった反射率の層を形成した断熱板を、ＳｉＯ2を積層させた面とガラスを粘着材で積層したもの（Ｃ）をガラス面が外側（低温側）になるように取り付けた。次いで、それぞれの内部に黒布で覆った６０Ｗ−赤外線ランプを配置し、加熱しながら、その内部温度の経時的変化を調べた。その結果を表３に示す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
実施例５
実施例２と同じポリエステルフィルムにメタクリル酸メチル−アクリル酸エチル−スチレン共重合体を厚さ５μｍ（熱容量０．５ｃａｌ／℃、放射熱吸収率１８％）積層させた反対側にＣｒを蒸着させ（反射率７０．５％）、Ｃｒ蒸着面とガラス面を粘着剤で積層したものを作成し、実施例２と同様の実験を行った。その結果を表４に示す。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
【発明の効果】
本発明によると、従来の透明層の熱容量が基体の熱容量の１０％以下であり、透明層の放射熱吸収が基体の放射熱吸収の６０％以下である断熱板の基体の材料として、放射熱透過性のある物質も用いることが可能となり、住居、保冷倉庫、保冷車両、保温容器などの隔壁用として好適に利用できる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月16日(2008.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 被検体（２２）のコンピュータ断層（ＣＴ）画像を再構成するための方法（９０）であって、ステップ移動／撮影モードにおいてＣＴイメージング・システム（１０）を初期化するステップ（９２）と、その隣接するアキシャル・スキャン同士の間の距離が検出器アイソセンタの位置における投影した検出器高さに概ね等しいような複数の隣接するアキシャル・スキャンが作成されるように被検体をスキャンするステップ（９４）と、前記隣接するアキシャル・スキャンを用いて被検体の画像を再構成するステップ（９６）と、を含み、
前記隣接するアキシャル・スキャン間の連続したカバー範囲を得るために、前記隣接するアキシャル・スキャン間の距離ｔは、次式の条件を満足する、
ｔ≦（Ｓ−Ｒ）Ｄ／Ｓ
（ここでＤは、アイソセンタの位置での投影された検出器幅を表し、Ｓは、線源・アイソセンタ間距離を表し、Ｒは、前記アキシャル・スキャンの軸Ｚの方向に垂直な再構成ＦＯＶ（ｘ−ｙ）の半径を表す）
方法。
【請求項２】 投影サンプルを傾斜平行幾何学構成サンプルの組に区分けし直すステップをさらに含む請求項１に記載の方法（９０）。
【請求項３】 傾斜平行ビーム再構成アルゴリズムを用いて被検体（２２）の画像を再構成するステップをさらに含む請求項１または２に記載の方法（９０）。
【請求項４】 Ｐβ（ｔ，Ｚ）を点（ｘ，ｙ，ｚ）を通る投影、またβを投影角度とした【数１】
2003210452.tif 000001
であるとして、前記傾斜平行ビーム再構成アルゴリズムが、
【数２】
2003210452.tif 000002
である、請求項３に記載の方法（９０）。
【請求項６】 被検体（２２）の画像を再構成するためのコンピュータ断層（ＣＴ）イメージング・システム（１０）であって、
検出器アレイ（１８）と、
少なくとも１つの放射線源（１４）と、
前記検出器アレイ及び前記放射線源と結合させたコンピュータ（３６）であって、
ステップ移動／撮影モードにおいてＣＴイメージング・システムを初期化すること（９２）、
その隣接するアキシャル・スキャン同士の間の距離が検出器アイソセンタの位置における投影した検出器高さ（７４）に概ね等しいような複数の隣接するアキシャル・スキャンが作成されるように被検体をスキャンすること（９４）、
前記隣接するアキシャル・スキャンを用いて被検体の画像を再構成すること（９６）、
を行うように構成したコンピュータ（３６）と、
を備え、
前記隣接するアキシャル・スキャン間の連続したカバー範囲を得るために、前記隣接するアキシャル・スキャン間の距離ｔは、次式の条件を満足する、ｔ≦（Ｓ−Ｒ）Ｄ／Ｓ
（ここでＤは、アイソセンタの位置での投影された検出器幅を表し、Ｓは、線源・アイソセンタ間距離を表し、Ｒは、前記アキシャル・スキャンの軸Ｚの方向に垂直な再構成ＦＯＶ（ｘ−ｙ）の半径を表す）
コンピュータ断層（ＣＴ）イメージング・システム（１０）。
【請求項６】 前記コンピュータ（３６）がさらに、投影サンプルを傾斜平行幾何学構成サンプルの組に区分けし直すように構成されている、請求項５に記載のＣＴイメージング・システム（１０）。
【請求項７】 前記コンピュータ（３６）がさらに、傾斜平行ビーム再構成アルゴリズムを用いて被検体（２２）の画像を再構成するように構成されている、請求項５に記載のＣＴイメージング・システム（１０）。
【請求項８】 傾斜平行ビーム再構成アルゴリズムを用いて被検体（２２）の画像を再構成するために前記コンピュータ（３６）がさらに、Ｐβ（ｔ，Ｚ）を点（ｘ，ｙ，ｚ）を通る投影、またβを投影角度とした
【数３】
2003210452.tif 000003
であるとした次式、
【数４】
2003210452.tif 000004
に従って被検体の画像を再構成するように構成されている、請求項７に記載のＣＴイメージング・システム（１０）。
【請求項９】 被検体（２２）の画像を再構成させるようにコンピュータ（３６）により実行可能なプログラムで符号化したコンピュータ読み取り可能媒体であって、前記プログラムは、
ステップ移動／撮影モードにおいてＣＴイメージング・システム（１０）を初期化すること（９２）、
その隣接するアキシャル・スキャン同士の間の距離が検出器アイソセンタの位置における投影した検出器高さ（７４）に概ね等しいような複数の隣接するアキシャル・スキャンが作成されるように被検体をスキャンすること（９４）、
前記隣接するアキシャル・スキャンを用いて被検体の画像を再構成すること（９６）、
を行うようにコンピュータに指令するように構成されており、
前記隣接するアキシャル・スキャン間の連続したカバー範囲を得るために、前記隣接するアキシャル・スキャン間の距離ｔは、次式の条件を満足する、ｔ≦（Ｓ−Ｒ）Ｄ／Ｓ
（ここでＤは、アイソセンタの位置での投影された検出器幅を表し、Ｓは、線源・アイソセンタ間距離を表し、Ｒは、前記アキシャル・スキャンの軸Ｚの方向に垂直な再構成ＦＯＶ（ｘ−ｙ）の半径を表す）
コンピュータ読み取り可能媒体。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年2月14日(2008.2.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
（１１）電極アセンブリが、少なくとも３個の脊柱を有する、請求項１記載のカテーテル。
（１２）電極アセンブリが、少なくとも５個の脊柱を有する、請求項１記載のカテーテル。
（１３）脊柱の各々が、ひとつまたは複数のリング電極が取り付けられた非導電性の外側面を有する、請求項１記載のカテーテル。
（１４）脊柱の各々が、内側の可撓性を有するワイヤと、ひとつまたは複数のリング電極が取り付けられた、上記可撓性を有するワイヤを覆う非導電性のカバーとを有する、請求項１記載のカテーテル。
（１５）脊柱の各々の内側の可撓性を有するワイヤがニチノールを含む、実施態様（１４）記載のカテーテル。