Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月19日(2008.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
郵便物の表裏の画像を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された郵便物の表裏の画像を表示する表示手段と、
前記表示手段により表示された画像に対する所定領域の指定操作に対応して、前記画像上に前記所定領域を指定する指定手段と、
を備えたことを特徴とする郵便物処理装置。
【請求項２】
前記指定手段による前記所定領域の指定情報に基づき、前記郵便物の前記所定領域内の画像を認識する認識手段を備えたことを特徴とする請求項１に記載の郵便物処理装置。
【請求項３】
前記指定手段による前記所定領域の指定情報に基づき、前記郵便物の前記所定領域に押印する押印手段を備えたことを特徴とする請求項１又は２に記載の郵便物処理装置。
【請求項４】
前記表示手段により表示された画像に対する郵便番号の入力操作に対応して、前記郵便物に対して前記郵便番号を入力する入力手段を備えたことを特徴とする請求項１、２、又は３に記載の郵便物処理装置。
【請求項５】
郵便物の画像に基づき、郵便番号を認識する認識手段と、
前記認識手段により郵便番号が認識できなかった郵便物の表示画像に対する郵便番号の入力操作に対応して、前記郵便番号を入力する入力手段と、
を備えたことを特徴とする請求項１、２、又は３に記載の郵便物処理装置。
【請求項６】
郵便物の表裏の画像を取得し、
前記取得された郵便物の表裏の画像を表示し、
前記表示された画像に対する所定領域の指定操作に対応して、前記画像上に前記所定領域を指定する、
ことを特徴とする郵便物処理方法。
【請求項７】
前記所定領域の指定情報に基づき、前記郵便物の前記所定領域内の画像を認識することを特徴とする請求項６に記載の郵便物処理方法。
【請求項８】
前記所定領域の指定情報に基づき、前記郵便物の前記所定領域に押印することを特徴とする請求項６又は７に記載の郵便物処理方法。
【請求項９】
前記表示された画像に対する郵便番号の入力操作に対応して、前記郵便物に対して前記郵便番号を入力することを特徴とする請求項６、７、又は８に記載の郵便物処理方法。
【請求項１０】
郵便物の画像に基づき郵便番号が認識できなかった郵便物の表示画像に対する郵便番号の入力操作に対応して、前記郵便番号を入力することを特徴とする請求項６、７、又は８に記載の郵便物処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月30日(2008.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
病変を空間的に画定するための方法であって、
a)計画期間中に、第１の座標基準系において、超音波装置により取得された第１の超音波データを基に、前記病変の超音波映像の第１組を作成するステップと、
b)前記計画期間に続く治療期間中に、第２の座標基準系において、前記超音波装置により取得された第２の超音波データを基に、前記病変の超音波映像の第２組を作成するステップと、
c) 前記第１及び第２の座標基準系を整合するステップと、
d) 前記整合するステップに基づき、前記病変について変化を識別するために、超音波映像の前記第１組と前記第２組とを重ね合わせるステップと
を含む方法。
【請求項２】
a)前記治療期間中に、第３の座標基準系において、非超音波診断映像装置を用いて取得した非超音波映像の組を作成するステップと、
b)前記第２と第３の座標基準系とを整合するステップと、
c)前記整合ステップに基づき、前記病変についての変化を識別するために、超音波映像の前記第２組および前記非超音波映像の組を重ね合わせるステップと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
a)前記第２の座標基準系を、放射線治療装置に対応付けられた第３の座標基準系に整合するステップと、
b)前記整合ステップに基づき、前記第２座標基準系において、撮像された前記病変に対して前記放射線治療装置からの放射線を照射するステップと
をさらに含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記非超音波映像装置が、CTスキャナー、PETスキャナーおよびMRIスキャナーから成るグループから選択される、請求項２又は３に記載の方法。
【請求項５】
前記第１および前記第２の少なくとも１つの座標系が、校正されたレーザシステムを使って確立される、請求項１から４に記載の方法。
【請求項６】
超音波映像の前記第２組と前記非超音波映像の組は、前記病変のスライスを表し、整合されることにより各々が前記病変のスライスの１つを表す複数の合成映像となる、請求項２から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記第１と第２の座標系は、同一である、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記第１と第２の座標系は、異なるが、座標変換によって関係付けられている、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
放射線治療の為に病変を空間的に規定する為のシステムであって、
a)第１および第２の座標基準系において、超音波装置により取得された映像データを基に、前記病変の時間的に離れた第１および第２の超音波映像の組であって計画段階と治療前とにおける超音波映像の組を作成する手段と、
b)前記第１と第２の座標基準系を整合する手段と、
c)前記整合に基づき、前記病変について前記計画段階と治療との間の変化の識別を容易にする為に、超音波映像の前記第１および第２組を重ね合わせる手段と
を含むシステム。
【請求項１０】
a)非超音波診断映像装置により、前記第１の座標基準系において、非超音波映像の組を、前記超音波映像の第１の組と実質的に同時に作成する手段と、
b)前記治療計画段階において、前記病変の、より精密な画像を得るために、超音波映像の前記第１組と前記非超音波映像の組とを整合し、前記病変の一連の合成映像にする手段とをさらに含む、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
放射線治療に先だって病巣の場所を特定するためのシステムであって、
ａ）第１の超音波装置により取得された映像データに基づいて、前記病変の第１の超音波映像を作成する手段と、
ｂ）第１の超音波映像の作成とほぼ同時に、前記第１の超音波装置に付随する位置測定システムにより、前記病変の位置、サイズおよび配向を判定する手段と、
ｃ）前記放射線治療の前に、第２の超音波装置により取得されたデータに基づいて前記病変の第２の超音波映像を作成する手段と、
ｄ）第２の超音波映像の作成と実質的に同時に、前記第２の超音波装置に付随する位置測定システムによって得られたデータに基づいて、前記病変のサイズ、位置および配向を判定する手段と、
ｅ）前記病変の最新の映像が確認できるように、それぞれ計画段階と治療段階で取得される前記第１の超音波映像と前記第２の超音波映像とを融合する手段と
を含むシステム。
【請求項１２】
a)前記第１の座標基準系において、非超音波診断映像装置により取得されたデータに基づいて非超音波映像の組を、前記超音波映像の第１組と実質的に同時に作成する手段と、
b)計画段階において、前記病変のより精密な画像を得る為に、超音波映像の前記第１組と前記非超音波映像の組とを整合し、前記病変の一連の合成映像にする手段とをさらに含む、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
放射線治療の為に病変を空間的に規定する為のシステムであって、
第１および第２の座標基準系において、前記病変の時間的に離れた、計画段階で得られる第１の超音波映像および治療の前に得られる第２の超音波映像の組を作成するために超音波装置を操作する手段と、
前記第１と第２の座標基準系を整合する手段と、
該整合に基づき、該病変について変化の識別を容易にする為に、計画段階における超音波映像の該第１組および治療段階における第２組を重ね合わせる手段と、
第３の座標基準系において、前記第２組の超音波映像と実質的に同時に、非超音波映像の組を作成するために非超音波診断映像装置を操作する手段と、
該第２と第３の座標基準系を整合し、該整合に基づき、該第２の超音波映像の組と前記非超音波映像の組とを整合し、該病変の一連の合成映像にする手段と
を含むシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月12日(2008.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
底面、上面、前面および後面を備え、所定の幅、厚みおよび奥行をしたハウジングと、
ハウジングの底面に形成され、ハウジングの幅方向に長手の主吸込口と、
ハウジングの前面に形成され、主吸込口とつながった副吸込口と、
ハウジング後面の幅方向中央に配置され、奥行方向に延びる軸を中心に回動可能に設けられているベンドベースと、
ベンドベースに対して支点を中心に揺動可能に取り付けられたベンドとを備え、
ハウジングに対してベンドベースを回動させ、かつハウジングの向きを変えることによって、主吸込口が被清掃面に対向した状態でハウジングを奥行方向に前後へ移動させ得る基本姿勢と、副吸込口が被清掃面に対向した状態でハウジングを幅方向に前後へ移動させ得る起立姿勢とに、ハウジングの姿勢を切り換えることができる電気掃除機用吸込具であって、
前記支点は、ベンドベースの回動中心に対して偏った位置に設けられていることを特徴とする、電気掃除機用吸込具。
【請求項２】
前記支点は、ハウジングが基本姿勢のとき、ベンドベースの回動中心よりも上方に偏った位置に設けられていることを特徴とする、請求項１記載の電気掃除機用吸込具。
【請求項３】
前記支点には、ベンドをベンドベースの回動の中心軸方向に向けるように付勢する弾性付勢部材が備えられていることを特徴とする、請求項１または２記載の電気掃除機用吸込具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
このように、ベンドベースに対して支点を中心に揺動可能に取り付けられたベンドを、常時、ベンドベースに対して一定方向に弾力付勢されるようにすることによって、ハウジングを基本姿勢と起立姿勢とに切り換える操作が確実に行える電気掃除機用吸込具とすることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月31日(2008.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動手段によって湾曲動作する湾曲部を挿入部に備え、前記駆動手段の駆動量と前記湾曲部の湾曲角度とを対応付けるための補正情報を記憶手段に格納して保持している内視鏡装置の、湾曲部の湾曲角度のキャリブレーションを行う、内視鏡装置の湾曲部調整装置において、
前記湾曲部を撮像して画像データを生成する撮像手段と、
前記画像データから前記湾曲部の湾曲角度を算出する湾曲角度算出手段と、
前記湾曲角度を前記駆動手段の前記駆動量と対応付け、前記補正情報として前記記憶手段に書き込む補正情報書き込み手段とを具備したことを特徴とする、内視鏡装置の湾曲部調整装置。
【請求項２】
前記湾曲角度算出手段は、前記湾曲部の輪郭を検出することによって前記湾曲角度を算出することを特徴とする請求項１に記載の内視鏡装置の湾曲部調整装置。
【請求項３】
所定の湾曲角度となるように前記駆動手段の駆動量を制御して前記湾曲部を湾曲させる制御手段を備えたことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の内視鏡装置の湾曲部調整装置。
【請求項４】
前記補正情報に格納されている駆動量に基づく湾曲角度と、前記湾曲角度算出手段によって算出された前記湾曲部の湾曲角度との差分を算出し、前記差分に基づいて前記湾曲部の調整の要否を判定する制御手段を備えたことを特徴とする請求項１又は請求項２に内視鏡装置の湾曲部調整装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月20日(2008.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板の一主面上に成長された第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層をパターニングすることにより形成されたストライプ形状の種結晶を用いて上記基板上に第２の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を横方向成長させた窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板において、
上記基板の縁から所定の距離までの部分における上記一主面上に上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が残されており、その内側の部分に上記種結晶が形成されている
ことを特徴とする窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板。
【請求項２】  上記所定の距離は０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下である
ことを特徴とする請求項１記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板。
【請求項３】  上記所定の距離は１ｍｍ以上３ｍｍ以下である
ことを特徴とする請求項１記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板。
【請求項４】  上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層および上記第２の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層はＧａＮ層である
ことを特徴とする請求項１記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板。
【請求項５】  上記種結晶は〈１−１００〉方向に互いに平行に延在する複数のストライプ形状を有する
ことを特徴とする請求項１記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板。
【請求項６】  上記種結晶は〈１１−２０〉方向に互いに平行に延在する複数のストライプ形状を有する
ことを特徴とする請求項１記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板。
【請求項７】  基板の一主面上に第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させる工程と、
上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層をパターニングすることにより、上記基板の縁から所定の距離までの部分における上記一主面上に上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を残すとともに、ストライプ形状の種結晶を形成する工程と、
上記種結晶を用いて上記基板上に第２の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を横方向成長させる工程とを有する
ことを特徴とする窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の製造方法。
【請求項８】  上記所定の距離は０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下である
ことを特徴とする請求項７記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の製造方法。
【請求項９】  上記所定の距離は１ｍｍ以上３ｍｍ以下である
ことを特徴とする請求項７記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の製造方法。
【請求項１０】  上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層および上記第２の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層はＧａＮ層である
ことを特徴とする請求項７記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の製造方法。
【請求項１１】  上記種結晶は〈１−１００〉方向に互いに平行に延在する複数のストライプ形状を有する
ことを特徴とする請求項７記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の製造方法。
【請求項１２】  上記種結晶は〈１１−２０〉方向に互いに平行に延在する複数のストライプ形状を有する
ことを特徴とする請求項７記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の製造方法。
【請求項１３】  基板の一主面上に成長された第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層をパターニングすることにより、上記基板の縁から所定の距離までの部分における上記一主面上に上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を残すとともに、その内側の部分にストライプ形状の種結晶を形成し、この種結晶を用いて上記基板上に第２の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を横方向成長させた窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を用い、
この窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板上に、発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させるようにした
ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項１４】  上記所定の距離は０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下である
ことを特徴とする請求項１３記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１５】  上記所定の距離は１ｍｍ以上３ｍｍ以下である
ことを特徴とする請求項１３記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１６】  上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層および上記第２の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層はＧａＮ層である
ことを特徴とする請求項１３記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１７】  上記種結晶は〈１−１００〉方向に互いに平行に延在する複数のストライプ形状を有する
ことを特徴とする請求項１３記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１８】  上記種結晶は〈１１−２０〉方向に互いに平行に延在する複数のストライプ形状を有する
ことを特徴とする請求項１３記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１９】  上記発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層はＡｌを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を少なくとも一層含む
ことを特徴とする請求項１３記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項２０】  基板の一主面上に第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させる工程と、
上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層をパターニングすることにより、上記基板の縁から所定の距離までの部分における上記一主面上に上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を残すとともに、その内側の部分にストライプ形状の種結晶を形成する工程と、
上記種結晶を用いて上記基板上に第２の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を横方向成長させる工程と、
上記第２の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層上に、発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させる工程とを有する
ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項２１】  上記所定の距離は０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下である
ことを特徴とする請求項２０記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項２２】  上記所定の距離は１ｍｍ以上３ｍｍ以下である
ことを特徴とする請求項２０記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項２３】  上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層および上記第２の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層はＧａＮ層である
ことを特徴とする請求項２０記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項２４】  上記種結晶は〈１−１００〉方向に互いに平行に延在する複数のストライプ形状を有する
ことを特徴とする請求項２０記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項２５】  上記種結晶は〈１１−２０〉方向に互いに平行に延在する複数のストライプ形状を有する
ことを特徴とする請求項２０記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項２６】  上記発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層はＡｌを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を少なくとも一層含む
ことを特徴とする請求項２０記載の半導体発光素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月25日(2008.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）表面を有する支持用平板を準備する工程；
（ｂ）複数の端子を有するチップ搭載領域が複数設けられた上面、及び前記上面とは反対側に位置し、複数のランドが形成された下面を有する配線基板を準備する工程；
（ｃ）複数のパッドが形成された主面、及び前記主面とは反対側に位置する裏面を有する半導体チップを複数準備する工程；
（ｄ）前記配線基板の前記下面が前記支持用平板の前記表面と対向するように、第１接着材を介して前記支持用平板の前記表面上に前記配線基板を載置する工程；
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記複数の半導体チップを前記配線基板の前記複数のチップ搭載領域上に、第２接着材を介してそれぞれ搭載する工程；
（ｆ）前記（ｅ）工程の後、前記複数の半導体チップの前記複数のパッドと前記配線基板の前記複数の端子とを、複数の導電性部材を介してそれぞれ電気的に接続する工程；
（ｇ）前記（ｆ）工程の後、前記複数の半導体チップ、前記複数の導電性部材、及び前記配線基板の前記上面を樹脂で封止する工程；
（ｈ）前記（ｇ）工程の後、前記配線基板から前記支持用平板及び前記第１接着材を剥離する工程；
（ｉ）前記（ｈ）工程の後、前記配線基板の前記複数のランドのそれぞれに外部装置接続用端子を形成する工程；
（ｊ）前記（ｉ）工程の後、前記配線基板を切断分離する工程。
【請求項２】
前記（ｂ）工程において、前記配線基板の前記上面は、平面形状が四角形から成り、かつ前記複数の端子を有する前記チップ搭載領域が行列状に複数設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記（ｄ）工程において、前記第１接着材は、両面接着フィルムであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記（ｄ）工程の後で、かつ前記（ｅ）工程の前に、前記配線基板及び前記支持用平板を熱圧着することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記両面接着フィルムは、熱硬化性の樹脂フィルムであることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記（ｅ）工程では、前記複数の半導体チップのそれぞれの前記主面が前記配線基板の前記上面と対向するように、前記複数の半導体チップを前記配線基板の前記複数のチップ搭載領域上に、ペーストを介してそれぞれ搭載することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記導電性部材は、金ボンディングワイヤであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）複数の端子を有するチップ搭載領域が複数設けられた上面、及び前記上面とは反対側に位置し、複数のランドが形成された下面を有し、前記下面が支持用平板の表面と対向するように、第１接着材を介して前記支持用平板の前記表面上に載置された配線基板を準備する工程；
（ｂ）複数のパッドが形成された主面、及び前記主面とは反対側に位置する裏面を有する半導体チップを複数準備する工程；
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記複数の半導体チップを前記配線基板の前記複数のチップ搭載領域上に、第２接着材を介してそれぞれ搭載する工程；
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記複数の半導体チップの前記複数のパッドと前記配線基板の前記複数の端子とを、複数の導電性部材を介してそれぞれ電気的に接続する工程；
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記複数の半導体チップ、前記複数の導電性部材、及び前記配線基板の前記上面を樹脂で封止する工程；
（ｆ）前記（ｅ）工程の後、前記配線基板から前記支持用平板及び前記接着材を剥離する工程；
（ｇ）前記（ｆ）工程の後、前記配線基板の前記複数のランドのそれぞれに外部装置接続用端子を形成する工程；
（ｈ）前記（ｇ）工程の後、前記配線基板を切断分離する工程。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
すなわち、本発明は、以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である：
（ａ）表面を有する支持用平板を準備する工程；
（ｂ）複数の端子を有するチップ搭載領域が複数設けられた上面、及び前記上面とは反対側に位置し、複数のランドが形成された下面を有する配線基板を準備する工程；
（ｃ）複数のパッドが形成された主面、及び前記主面とは反対側に位置する裏面を有する半導体チップを複数準備する工程；
（ｄ）前記配線基板の前記下面が前記支持用平板の前記表面と対向するように、第１接着材を介して前記支持用平板の前記表面上に前記配線基板を載置する工程；
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記複数の半導体チップを前記配線基板の前記複数のチップ搭載領域上に、第２接着材を介してそれぞれ搭載する工程；
（ｆ）前記（ｅ）工程の後、前記複数の半導体チップの前記複数のパッドと前記配線基板の前記複数の端子とを、複数の導電性部材を介してそれぞれ電気的に接続する工程；
（ｇ）前記（ｆ）工程の後、前記複数の半導体チップ、前記複数の導電性部材、及び前記配線基板の前記上面を樹脂で封止する工程；
（ｈ）前記（ｇ）工程の後、前記配線基板から前記支持用平板及び前記第１接着材を剥離する工程；
（ｉ）前記（ｈ）工程の後、前記配線基板の前記複数のランドのそれぞれに外部装置接続用端子を形成する工程；
（ｊ）前記（ｉ）工程の後、前記配線基板を切断分離する工程。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、本発明は、以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である：
（ａ）複数の端子を有するチップ搭載領域が複数設けられた上面、及び前記上面とは反対側に位置し、複数のランドが形成された下面を有し、前記下面が支持用平板の表面と対向するように、第１接着材を介して前記支持用平板の前記表面上に載置された配線基板を準備する工程；
（ｂ）複数のパッドが形成された主面、及び前記主面とは反対側に位置する裏面を有する半導体チップを複数準備する工程；
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記複数の半導体チップを前記配線基板の前記複数のチップ搭載領域上に、第２接着材を介してそれぞれ搭載する工程；
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記複数の半導体チップの前記複数のパッドと前記配線基板の前記複数の端子とを、複数の導電性部材を介してそれぞれ電気的に接続する工程；
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記複数の半導体チップ、前記複数の導電性部材、及び前記配線基板の前記上面を樹脂で封止する工程；
（ｆ）前記（ｅ）工程の後、前記配線基板から前記支持用平板及び前記接着材を剥離する工程；
（ｇ）前記（ｆ）工程の後、前記配線基板の前記複数のランドのそれぞれに外部装置接続用端子を形成する工程；
（ｈ）前記（ｇ）工程の後、前記配線基板を切断分離する工程。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月30日(2008.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも一対のチップ部品について導電性のバンプを介した接続構造により互いを接合させる工程を有する電気部品の製造方法において、第１のチップ部品を基板に固定する工程と、前記第１のチップ部品の電極と前記基板の電極とをワイヤボンディングにより結線して電気的に接続するとともに前記第１のチップ部品上にボールバンプを形成する工程と、このボールバンプを用いて前記第１のチップ部品の電極と前記第２のチップ部品の電極とを接続する工程とを具備することを特徴とする積層構造を有する電気部品の製造方法。
【請求項２】  基板として、表面に電極を有する配線パターンを有する配線基板もしくはリードフレームのうち何れか一方を用いることを特徴とする請求項１記載の積層構造を有する電気部品の製造方法。
【請求項３】  少なくとも一対のチップ部品について導電性のバンプを介した接続構造により互いを接合させる工程を有する電気部品の製造方法において、第１のチップ部品を基板に固定する工程と、前記第１のチップ部品上にボールバンプを形成する工程と、このボールバンプを用いて前記第１のチップ部品の電極と第２のチップ部品の電極とを接続する工程と、前記第１のチップ部品の電極と前記基板の電極とをワイヤボンディングにより結線して電気的に接続する工程と、を具備することを特徴とする積層構造を有する電気部品の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月22日(2008.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  希ガスが封入された放電容器と、
前記放電容器の内に、少なくとも一方が２以上の電極である、第１電極と第２電極とが、互いに対向するように配置され、
対向する前記電極の間に、高周波でデューティ比の小さなパルス電圧を同時に印加された無水銀ランプ。
【請求項２】  対向する前記電極に印加するパルス電圧のデューティ比が２０％以下である、請求項１に記載の無水銀ランプ。
【請求項３】  対向する電極間を結ぶ直線に直交する方向の前記放電容器の断面形状が、長方形または楕円形である、請求項１または２に記載の無水銀ランプ。
【請求項４】  対向する前記電極のうち、一方の電極の表面に誘電体層を形成した、請求項１から３までのいずれかに記載の無水銀ランプ。
【請求項５】  対向する前記電極のうち、一方が単一電極で、他方が複数電極である、請求項３から４までのいずれかに記載の無水銀ランプ。
【請求項６】  前記放電容器の内壁全面または一部に、紫外線で励起発光する蛍光体層を設けた、請求項１から５までのいずれかに記載の無水銀ランプ。
【請求項７】  請求項６に記載の無水銀ランプと、
前記無水銀ランプからの光を導く導光部材とを備えた液晶バックライト装置。
【請求項８】  請求項７に記載の液晶バックライト装置と、
液晶パネルとを備えた液晶表示装置。
【請求項９】  前記第１電極と前記第２電極とのそれぞれが複数の電極である、請求項１または２に記載の無水銀ランプ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月24日(2008.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）複数のボンディングパッドが形成された主面を有するチップ領域を、複数備えた半導体ウエハを準備する工程；
（ｂ）前記（ａ）工程の後、前記複数のチップ領域のそれぞれの前記複数のボンディングパッド上にチキソ材料及びフラックスを塗布し、複数のバンプ電極を形成する工程；
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、複数の洗浄ノズルを備えたステージ上に前記半導体ウエハを配置し、前記半導体ウエハを回転させながら、前記複数の洗浄ノズルを介して洗浄液を前記半導体ウエハの前記主面に噴射する工程；
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記半導体ウエハをダイシングすることで、前記複数のバンプ電極をそれぞれ有した複数の半導体チップを取得する工程；
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記複数のバンプ電極を介して前記半導体チップを配線基板上に実装する工程。
【請求項２】  前記（ｂ）工程では、前記複数のチップ領域のそれぞれの前記複数のボンディングパッド上に前記チキソ材料、前記フラックス及びハンダ粒を含有するハンダペーストを塗布し、前記ハンダペーストに熱処理を施すことで前記バンプ電極を形成することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】  前記複数のボンディングパッドのピッチは０．８ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】  前記（ｃ）工程では、前記洗浄液を前記複数のバンプ電極及び前記半導体ウエハの前記主面に噴射することで、前記バンプ電極の表面に残存する前記チキソ材料及び前記フラックスを除去することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の半導体装置の製造方法は、（ａ）複数のボンディングパッドが形成された主面を有するチップ領域を、複数備えた半導体ウエハを準備する工程；（ｂ）前記（ａ）工程の後、前記複数のチップ領域のそれぞれの前記複数のボンディングパッド上にチキソ材料及びフラックスを塗布し、複数のバンプ電極を形成する工程；（ｃ）前記（ｂ）工程の後、複数の洗浄ノズルを備えたステージ上に前記半導体ウエハを配置し、前記半導体ウエハを回転させながら、前記複数の洗浄ノズルを介して洗浄液を前記半導体ウエハの前記主面に噴射する工程；（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記半導体ウエハをダイシングすることで、前記複数のバンプ電極をそれぞれ有した複数の半導体チップを取得する工程；（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記複数のバンプ電極を介して前記半導体チップを配線基板上に実装する工程を含むものである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月14日(2008.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】有機発光素子、並びにそれを用いた発光装置及び電気器具
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰極の間に設けられた有機化合物層とを有し、
前記有機化合物層は、タングステン原子を中心金属とし、かつ、４員環を形成するπ共役系のキレート配位子を有するタングステンキレート錯体を含むことを特徴とする有機発光素子。
【請求項２】
陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰極の間に設けられた有機化合物層とを有し、
前記有機化合物層は、タングステン原子を中心金属とし、かつ、４員環を形成するπ共役系のキレート配位子を有するタングステンキレート錯体を含み、
前記タングステンキレート錯体は、近紫外発光を呈することを特徴とする有機発光素子。
【請求項３】
請求項１または２において、前記タングステンキレート錯体は、前記有機化合物層における発光体であることを特徴とする有機発光素子。
【請求項４】
請求項１または２において、前記タングステンキレート錯体は、前記有機化合物層における発光体に対するホスト材料であることを特徴とする有機発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記タングステンキレート錯体は、下記一般式（１）
【化１】
2003007468.tif 000001
（ただし、ＸおよびＹは、酸素原子または硫黄原子を表す。また、Ｚは多環縮合環を表し、置換基を有していてもよい。）で表されることを特徴とする有機発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記タングステンキレート錯体は、下記一般式（２）
【化２】
2003007468.tif 000002
（ただし、Ｒは水素原子、アルキル基、アルコキシル基、アリール基、または置換基を有するアリール基を表す。）で表されることを特徴とする有機発光素子。
【請求項７】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記タングステンキレート錯体は、下記一般式（３）
【化３】
2003007468.tif 000003
（ただし、Ｒは水素原子、アルキル基、アルコキシル基、アリール基、または置換基を有するアリール基を表す。）で表されることを特徴とする有機発光素子。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一に記載の有機発光素子を用いたことを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれか一に記載の有機発光素子を用いたことを特徴とする電気器具。
【請求項１０】
白色の蛍光塗料が塗布された第１の基板と、シール材により前記第１の基板と貼り合わされた第２の基板とを有する発光装置であって、
前記第２の基板には、陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰極の間に設けられた有機化合物層とを有する有機発光素子が設けられており、
前記有機化合物層は、タングステン原子を中心金属とし、かつ、４員環を形成するπ共役系のキレート配位子を有するタングステンキレート錯体を含み、
前記タングステンキレート錯体は、近紫外発光を呈することを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰極の間に設けられた有機化合物層とを有する有機発光素子が画素ごとに設けられた複数の画素を有する発光装置であって、
前記有機化合物層は、タングステン原子を中心金属とし、かつ、４員環を形成するπ共役系のキレート配位子を有するタングステンキレート錯体を含み、
前記タングステンキレート錯体は、近紫外発光を呈し、
前記陽極と重なる位置に色変換層を有することを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求項１１において、前記色変換層により、近紫外光を赤、緑、または青に変換することを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月9日(2008.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
昇華性を有さず、且つ分子数が２０以下の分子を含有する組成物を用いて、インクジェット方式により前記組成物をインクヘッドから吐出させてパターンを形成し、
加熱処理により前記組成物から溶媒を離脱させて発光層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２】
周期律第６族から選ばれた原子を中心金属とし、且つ４員環を形成するπ共役系キレート配位子を有するキレート錯体を含有する組成物を用いて、インクジェット方式により前記組成物をインクヘッドから吐出させてパターンを形成し、
加熱処理により前記組成物から溶媒を離脱させて発光層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３】
タングステン原子を中心金属とし、且つ４員環を形成するπ共役系キレート配位子を有するタングステンキレート錯体を含有する組成物を用いて、インクジェット方式により前記組成物をインクヘッドから吐出させてパターンを形成し、
加熱処理により前記組成物から溶媒を離脱させて発光層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４】
スピン塗布法により高分子化合物から成る第１有機化合物層を形成し、
前記第１有機化合物層上に周期律第６族から選ばれた原子を中心金属とし、且つ４員環を形成するπ共役系キレート配位子を有するキレート錯体を含有する組成物を用いて、インクジェット方式により前記組成物をインクヘッドから吐出させて第２有機化合物層のパターンを形成し、
加熱処理により前記組成物から溶媒を離脱させて発光層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項５】
スピン塗布法により高分子化合物から成る第１有機化合物層を形成し、
前記第１有機化合物層上に、タングステン原子を中心金属とし、且つ４員環を形成するπ共役系キレート配位子を有するタングステンキレート錯体を含有する組成物を用いて、インクジェット方式により前記組成物をインクヘッドから吐出させて第２有機化合物層のパターンを形成し、
加熱処理により前記組成物から溶媒を離脱させて発光層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４又は請求項５において、
前記高分子化合物としてポリエチレンジオキシチオフェンを用いることを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月19日(2008.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】          明細書
【発明の名称】    抵抗器とこれを用いた制御機器
【特許請求の範囲】
【請求項１】  抵抗素子を封入する絶縁ケース内に、熱伝導の良い金属板を配置し、前記金属板の一方端は、前記抵抗素子と対向させて吸熱部を構成するとともに、他方端は前記絶縁ケースの外部に突出させて放熱部を構成したことを特徴とする抵抗器。
【請求項２】  前記放熱部に取付穴を設けたことを特徴とする請求項１に記載の抵抗器。
【請求項３】  制御機器内に内蔵したプリント基板に抵抗器を実装する制御機器において、前記抵抗器を、請求項１または請求項２に記載の抵抗器で構成したことを特徴とする制御機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、制御機器内のプリント基板上で使用する抵抗器、およびこの抵抗器を用いた制御機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の抵抗器は、磁器などの絶縁ケース内に抵抗素子を配置して絶縁性充填材で封入して構成している。そのため、例えば、制御機器に内蔵するプリント基板に抵抗器を実装する場合は、図６に示すように、プリント基板２１の裏面に、抵抗器２２の端子２３を半田付けする接続用銅箔２４と、これよりも広い放熱用銅箔２５を設けて、抵抗器２２の熱を前記放熱用銅箔２５から放熱するようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来技術においては、次のような問題があった。
(1) プリント基板２１に放熱用銅箔２４を設けたいが、プリント基板２１に放熱用銅箔２４を設けるスペースがない。したがって、プリント基板が熱によって劣化しやすくなる。
(2) プリント基板２１に放熱用銅箔２４を設けるため、プリント基板２１の外形が大きくなる。
本発明は、このような問題を解消するためになされたもので、プリント基板に放熱用の銅箔等を設ける必要がなく、かつプリント基板の劣化を防ぐことができる抵抗器を提供することを目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記問題を解決するために、本発明の抵抗器は、抵抗素子を封入する絶縁ケース内に、熱伝導の良い金属板を配置し、前記金属板の一方端を、前記抵抗素子と対向させて吸熱部を構成するとともに、他方端を前記絶縁ケースの外部に突出させて放熱部を構成させるようにしたものである。
【０００５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を図に基づいて説明する。
[第１の実施例]
図１は本発明の第１の実施例における抵抗器を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は側面図、（ｄ）は正断面図である。図２は本発明の抵抗器をプリント基板に実装した状態を示す側面図である。
図において、１は抵抗器、２は磁器などからなる抵抗器本体としての絶縁ケース、３は抵抗素子、４は抵抗素子３の端子、５は金属板、６は絶縁板、７は絶縁性充填材である。
前記絶縁ケース２は、箱状をした磁器のケースで、熱伝導の良い、例えばＬ字形状をした金属板５を配置し、前記金属板５の一方端は、抵抗素子３と対向させて吸熱部５ａを構成するとともに、他方端は前記絶縁ケース２の外部に突出させて放熱部５ｂを構成している。放熱部５ｂには、外部への取り付け用の取付穴８が形成されている。
なお、前記抵抗素子３、金属板５、および絶縁板６は絶縁ケース２の内部に絶縁性充填材７によって封止されている。
このような抵抗器１をプリント基板９上に実装する場合は、図２に示すように、前記金属板５の放熱部５ｂの取付穴８を使用して、制御機器等の筐体の固定部１０にねじ１１で締付け固定することにより行う。これにより、抵抗器１の熱の一部を、金属板５の吸熱部５ａから放熱部に伝えられ、さらに放熱部５ｂから制御機器等の筐体に導くことができ、抵抗器１の温度を低下させることができる。あるいは抵抗器１の温度の上昇を抑えることができる。
[第２の実施例]
図３は、第２の実施例における抵抗器を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図、（Ｃ）は側面図である。
前記第１の実施例では、抵抗器１の金属板５をＬ字形状に構成しているが、Ｌ字形状の先端部を、さらにコ字形状にして金属板自身で放熱に必要な表面積を確保し放熱を行なうようにしてもよい。
[第３の実施例]
図４は、第３の実施例における抵抗器を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図である。
この第３の実施例では、抵抗器１の金属板５を、階段状に構成している。このため、制御機器等への取付けにおいて、筐体などに固定する際のねじ締め方向を９０度回転することができる。
[第４の実施例]
図５は、第４の実施例における抵抗器を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は正断面図である。
前記第１の実施例から第３の実施例までは、金属板５を絶縁ケース２内に封入していたが、金属板５を平板状に構成し、一方端の吸熱部を絶縁ケース２の底部の一部として構成するようにしてもよい。このようにすることにより、金属板５の厚みを増して熱容量を大きくし、抵抗素子３から多くの熱を吸収、伝達することができる。
【０００６】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、次のような効果がある。
(1) プリント基板に放熱用銅箔が不要になるとともに、抵抗器の温度上昇を抑えられ、プリント基板の劣化を防止することができる。
(2) 抵抗器の発熱を制御機器外に直接導けるようになるので、制御機器内の温度を下げることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１の実施例における抵抗器を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は側面図、（ｄ）は正断面図である。
【図２】  本発明の抵抗器をプリント基板に実装した状態を示す側面図である。
【図３】  本発明の第２の実施例における抵抗器を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図、（Ｃ）は側面図である。
【図４】  本発明の第３の実施例における抵抗器を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図である。
【図５】  第４の実施例における抵抗器を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は正面図、（ｃ）は正断面図である。
【図６】  従来技術における抵抗器をプリント基板に実装した状態を示す図で、（ａ）は側面図、（ｂ）は底面図である。
【符号の説明】
１    抵抗器、
２    絶縁ケース、
３    抵抗素子、
４    端子、
５    金属板、
５ａ  吸熱部、
５ｂ  放熱部、
６    絶縁板、
７    絶縁性充填材、
８    取付穴、
９    プリント基板、
１０  筐体の固定部、
１１  ねじ
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月18日(2008.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  金属リチウム、リチウム合金、又はリチウムを吸蔵及び放出することが可能な材料を含む負極、リチウムを吸蔵及び放出することが可能な材料を含む正極、並びに非水系電解液を含む非水系電解液二次電池用の非水系電解液であって、該非水系電解液が、非水溶媒にリチウム塩を溶解してなり、電解液中にフッ素化されたニトリル化合物を含有することを特徴とする非水系電解液。
【請求項２】  フッ素化されたニトリル化合物が、フルオロアセトニトリル、α−フルオロプロピオニトリル、及びβ−フルオロプロピオニトリルよりなる群から選ばれたものであることを特徴とする請求項１に記載の非水系電解液。
【請求項３】  電解液中のフッ素化されたニトリル化合物が、電解液の０．０１〜１０重量％を占めることを特徴とする請求項１又は２記載の非水系電解液。
【請求項４】  非水溶媒が、炭素数３〜９のラクトン化合物又は環状カーボネートが２０容量％以上を占め、かつこれを含めて炭素数３〜９のラクトン化合物、環状カーボネート、鎖状カーボネート、鎖状エーテル、及び鎖状カルボン酸エステルよりなる群から選ばれたものが７０容量％以上を占める混合溶媒であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の非水系電解液。
【請求項５】  リチウム塩が、ＬｉＰＦ６、ＬｉＢＦ４、ＬｉＣＦ３ＳＯ３、ＬｉＮ（ＣＦ３ＳＯ２）２、ＬｉＮ（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２、ＬｉＮ（ＣＦ３ＳＯ２）（Ｃ４Ｆ９ＳＯ２）、ＬｉＰＦ３（Ｃ２Ｆ５）３、ＬｉＢＦ２（ＣＦ３）２、及びＬｉＢＦ３（Ｃ２Ｆ５）２よりなる群から選ばれたものであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の非水系電解液。
【請求項６】  金属リチウム、リチウム合金、又はリチウムを吸蔵及び放出することが可能な材料を含む負極、リチウムを吸蔵及び放出することが可能な材料を含む正極、並びに請求項１ないし５のいずれかに記載の非水系電解液を含むことを特徴とする非水系電解液二次電池。
【請求項７】  リチウムを吸蔵及び放出することが可能な負極材料が、Ｘ線回折における格子面（００２面）のｄ値が０．３３５〜０．３４ｎｍの炭素材料であることを特徴とする請求項６に記載の非水系電解液二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月18日(2008.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層と、
前記半導体層上に形成された第１の絶縁膜と、
前記半導体層上に、前記第１の絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記半導体層上に少なくとも一部が重畳するように、前記第１の絶縁膜を介して形成された導電層と、
前記ゲート電極及び前記導電層上に形成された第２の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記半導体層に接続された配線とを有する半導体装置であって、
前記コンタクトホールは、前記導電層を貫通して形成されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体層と、
前記半導体層上に形成された第１の絶縁膜と、
前記半導体層上に、前記第１の絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記半導体層上及び前記ゲート電極上に形成された第２の絶縁膜と、
前記半導体層上に少なくとも一部が重畳するように、前記第２の絶縁膜を介して形成された導電層と、
前記ゲート電極上及び前記導電層上に形成された第３の絶縁膜と、
前記第１乃至第３の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記半導体層に接続された配線とを有する半導体装置であって、
前記コンタクトホールは、前記導電層を貫通して形成されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記ゲート電極、又は前記導電層は、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ａｌから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料により形成されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１又は請求項２において、
前記ゲート電極、又は前記導電層は、不純物元素を導入した半導体層により形成されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記ゲート電極と、前記導電層とは、同一の導電性材料にて形成されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
半導体層と、
前記半導体層上に形成された第１の絶縁膜と、
前記半導体層上に、前記第１の絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記第１の絶縁膜上に形成された第１の導電層と、
前記ゲート電極上及び前記第１の導電層上に形成された第２の絶縁膜と、
前記半導体層上に少なくとも一部が重畳するように、前記第２の絶縁膜を介して形成された第２の導電層と、
前記ゲート電極、前記第１の導電層、及び前記第２の導電層上に形成された第３の絶縁膜と、
前記第１乃至第３の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記半導体層に接続された配線とを有する半導体装置であって、
前記コンタクトホールは、前記第２の導電層を貫通して形成され、
前記第１の導電層、前記第２の絶縁膜、及び前記第２の導電層とによって形成された容量を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記ゲート電極、前記第１の導電層、又は前記第２の導電層は、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ａｌから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料により形成されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項６において、
前記ゲート電極、前記第１の導電層、又は前記第２の導電層は、不純物元素を導入した半導体層により形成されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか一において、
前記ゲート電極と、前記第１の導電層とは、同一の導電性材料にて形成されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の半導体装置と、操作スイッチとを具備したことを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
絶縁表面上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に第１の絶縁膜を形成し、
前記半導体層上に、前記第１の絶縁膜を介してゲート電極を形成し、
前記半導体層上に少なくとも一部が重畳するように、前記第１の絶縁膜を介して導電層を形成し、
前記ゲート電極及び前記導電層上に第２の絶縁膜を形成し、
前記半導体層と接続される配線を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記配線を形成する際、
前記第２の絶縁膜を部分的にエッチングして、前記導電層の一部の領域を露呈させ、
前記導電層において露呈した領域をエッチングして、前記第１の絶縁膜の一部の領域を露呈させ、
前記第１の絶縁膜において露呈した領域をエッチングして、前記半導体層の一部の領域を露呈させ、
前記半導体層において露呈した領域に接して、前記配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
絶縁表面上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に第１の絶縁膜を形成し、
前記半導体層上に、前記第１の絶縁膜を介してゲート電極を形成し、
前記半導体層上及び前記ゲート電極上に第２の絶縁膜を形成し、
前記半導体層上に少なくとも一部が重畳するように、前記第２の絶縁膜を介して導電層を形成し、
前記ゲート電極及び前記導電層上に第３の絶縁膜を形成し、
前記半導体層と接続される配線を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記配線を形成する際、
前記第３の絶縁膜を部分的にエッチングして、前記導電層の一部の領域を露呈させ、
前記導電層において露呈した領域をエッチングして、前記第２の絶縁膜の一部の領域を露呈させ、
前記第２の絶縁膜において露呈した領域をエッチングして、前記第１の絶縁膜の一部の領域を露呈させ、
前記第１の絶縁膜において露呈した領域をエッチングして、前記半導体層の一部の領域を露呈させ、
前記半導体層において露呈した領域に接して、前記配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
絶縁表面上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に第１の絶縁膜を形成し、
前記半導体層上に、前記第１の絶縁膜を介してゲート電極を形成し、
前記第１の絶縁膜上に、第１の導電層を形成し、
前記ゲート電極上及び前記第１の導電層上に第２の絶縁膜を形成し、
前記半導体層上に少なくとも一部が重畳するように、前記第２の絶縁膜を介して第２の導電層を形成し、
前記ゲート電極、前記第１の導電層、及び前記第２の導電層上に第３の絶縁膜を形成し、
前記半導体層と接続される配線を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記配線を形成する際、
前記第３の絶縁膜を部分的にエッチングして、前記第２の導電層の一部の領域を露呈させ、
前記第２の導電層において露呈した領域をエッチングして、前記第２の絶縁膜の一部の領域を露呈させ、
前記第２の絶縁膜において露呈した領域をエッチングして、前記第１の絶縁膜の一部の領域を露呈させ、
前記第１の絶縁膜において露呈した領域をエッチングして、前記半導体層の一部の領域を露呈させ、
前記半導体層において露呈した領域に接して、前記配線を形成し、
前記第１の導電層、前記第２の絶縁膜、及び前記第２の導電層とによって容量を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１１乃至請求項１３のいずれか一において、
前記エッチングとしてドライエッチング法を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。