【手続補正書】
【提出日】平成20年2月6日(2008.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素領域が形成された第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板の画素領域の外側に設けられ、結晶質半導体を有する複数の薄膜トランジスタで形成された駆動回路を有するガラスまたは石英から成る複数のスティック状の基板とを有する半導体装置であって、
複数の前記スティック状の基板のうち少なくとも一つは、第１の厚さのゲート絶縁膜で形成された第１の薄膜トランジスタを含み、
複数の前記スティック状の基板のうち少なくとも他の一つは、前記第１の厚さのゲート絶縁膜よりも薄い第２の厚さのゲート絶縁膜で形成された第２の薄膜トランジスタを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
非晶質半導体を有する薄膜トランジスタをマトリクス状に配置して画素領域を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板の画素領域の外側に設けられ、結晶質半導体を有する複数の薄膜トランジスタで形成された駆動回路を有するガラスまたは石英から成る複数のスティック状の基板とを有する半導体装置であって、
複数の前記スティック状の基板のうち少なくとも一つは、第１の厚さのゲート絶縁膜で形成された第１の薄膜トランジスタを含み、
複数の前記スティック状の基板のうち少なくとも他の一つは、前記第１の厚さのゲート絶縁膜よりも薄い第２の厚さのゲート絶縁膜で形成された第２の薄膜トランジスタを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
複数の走査線と、複数のデータ線とが絶縁層を介して交差部を有するように設けられ、
前記交差部に対応して非晶質半導体を有する薄膜トランジスタが設けられた画素領域を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、
前記第１の基板の画素領域の外側に設けられ、結晶質半導体を有する複数の薄膜トランジスタで形成された駆動回路を有するガラスまたは石英から成る複数のスティック状の基板とを有する半導体装置であって、
複数の前記スティック状の基板のうち少なくとも一つは、第１の厚さのゲート絶縁膜で形成された第１の薄膜トランジスタを含み、前記走査線に接続する第１の駆動回路が形成され、
複数の前記スティック状の基板のうち少なくとも他の一つは、前記第１の厚さのゲート絶縁膜よりも薄い第２の厚さのゲート絶縁膜で形成された第２の薄膜トランジスタを含み、前記データ線に接続する第２の駆動回路が形成され、かつ、前記第２の駆動回路は信号分割回路と接続していることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２又は３において、
前記非晶質半導体を有する薄膜トランジスタはボトムゲート型の構造であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記結晶質半導体を有する複数の薄膜トランジスタはトップゲート型の構造であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記スティック状の基板の短辺の長さは１〜６ｍｍ、長辺の長さは１５〜８０ｍｍの矩形状に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記駆動回路の出力端子は３０〜１００μｍのピッチで形成され、
前記駆動回路からの信号が前記画素領域に入力するように接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記駆動回路の出力端子は前記走査線または前記データ線のいずれかと電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記第１の基板と、前記第２の基板と、前記スティック状の基板とは同じ厚さであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、
前記第１の基板と、前記第２の基板と、前記スティック状の基板とは同じ材質であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項３において、
前記走査線に接続する前記駆動回路は、シフトレジスタ回路部、レベルシフタ回路部、バッファ回路部を有し、
少なくとも前記バッファ回路部に設けられるｎチャネル型薄膜トランジスタには、該薄膜トランジスタのゲート電極と重なるＬＤＤ領域が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、
前記第２の薄膜トランジスタのチャネル長は前記第１の薄膜トランジスタのチャネル長よりも短いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、
前記半導体装置は携帯電話、ビデオカメラ、モバイルコンピュータ、携帯書籍、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、ＤＶＤプレーヤー、テレビから選ばれた一つであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
第１の基板に非晶質半導体を有する薄膜トランジスタが設けられた画素領域を形成し、
前記第１の基板と第２の基板とを貼り合わせ、
第３の基板に結晶質半導体を有する薄膜トランジスタで形成された駆動回路を複数個形成し、
前記第３の基板に形成された複数の駆動回路をそれぞれに分割して、スティック状の基板を形成し、
前記スティック状の基板を前記第１の基板の画素領域の周辺に複数個貼り合わせ、前記駆動回路と前記画素領域とを電気的に接続する半導体装置の作製方法であって、
複数の前記スティック状の基板のうち少なくとも一つは、第１の厚さのゲート絶縁膜で形成された第１の薄膜トランジスタを含み、
複数の前記スティック状の基板のうち少なくとも他の一つは、前記第１の厚さのゲート絶縁膜よりも薄い第２の厚さのゲート絶縁膜で形成された第２の薄膜トランジスタを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
複数の走査線と、複数のデータ線とが絶縁層を介して交差する交差部に非晶質半導体を有する薄膜トランジスタを設けた画素領域を第１の基板に形成し、
前記第１の基板と第２の基板とを貼り合わせ、
結晶質半導体を有する薄膜トランジスタで形成された駆動回路と前記駆動回路に従属する入力端子と出力端子とを一つのユニットとして、複数の前記ユニットを第３の基板に形成し、
前記第３の基板に形成された複数の前記ユニットをそれぞれに分割して、スティック状の基板を形成し、
前記第１の基板の画素領域の周辺に、前記駆動回路の出力端子を前記画素領域の前記複数の走査線または前記複数のデータ線に対応して前記スティック状の基板を複数個貼り合わせて電気的に接続する半導体装置の作製方法であって、
複数の前記スティック状の基板のうち少なくとも一つは、第１の厚さのゲート絶縁膜で形成された第１の薄膜トランジスタを含み、
複数の前記スティック状の基板のうち少なくとも他の一つは、前記第１の厚さのゲート絶縁膜よりも薄い第２の厚さのゲート絶縁膜で形成された第２の薄膜トランジスタを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１４または１５において、
前記第１の厚さのゲート絶縁膜及び前記第２の厚さのゲート絶縁膜は、シリコンと酸素または窒素を含む反応性気体から絶縁膜を堆積する第１の段階と、前記絶縁膜を酸化雰囲気中で熱処理する第２の段階とで形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１４または１５において、
前記第１の厚さのゲート絶縁膜及び前記第２の厚さのゲート絶縁膜は、シリコンと酸素または窒素を含む反応性気体から絶縁膜を堆積する第１の段階と、前記絶縁膜をハロゲンを含む酸化雰囲気中で熱処理する第２の段階とで形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１４乃至１７のいずれか一において、
前記第１の基板と、前記第２の基板と、前記第３の基板とは同じ厚さで形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１４乃至１８のいずれか一において、
前記第１の基板と、前記第２の基板と、前記第３の基板とは同じ材質で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１４乃至１９のいずれか一において、
前記非晶質半導体層を有する薄膜トランジスタはボトムゲート型で形成し、
前記結晶質半導体層を有する薄膜トランジスタはトップゲート型で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１５において、
前記ユニットを短辺の長さが１〜６ｍｍ、長辺の長さが１５〜８０ｍｍの領域内に形成し、前記スティック状の基板に前記ユニットが複数個集合した一辺が１０〜２０ｃｍの群を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項２１において、
前記スティック状の基板は、前記第３の基板を分断して前記一辺が１０〜２０ｃｍの群を切り出すスクライビング工程と、前記一辺が１０〜２０ｃｍの群を分断するダイシング工程とによって形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
請求項１４乃至２２のいずれか一において、
前記第２の薄膜トランジスタのチャネル長は前記第１の薄膜トランジスタのチャネル長よりも短いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２４】
請求項１４乃至２３のいずれか一において、
前記半導体装置は携帯電話、ビデオカメラ、モバイルコンピュータ、携帯書籍、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、ＤＶＤプレーヤー、テレビから選ばれた一つであることを特徴とする半導体装置の作製方法。