Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月21日(2008.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザが指定する検索条件に合致する商品またはサービスをネットワーク上で検索して前記ユーザに提示する情報提供システムに用いられる情報提供方法であって、
前記ユーザを識別するユーザ識別情報と、前記ユーザが指定した検索条件と、前記ユーザが指定した検索条件に基づいて抽出された商品またはサービスのうちユーザが選択した商品またはサービスとを記憶する条件記憶ステップと、
前記記憶したユーザ識別情報と商品またはサービスと検索条件とを前記商品またはサービスの提供者に通知する条件通知ステップと、
前記商品・サービス提供者から前記商品またはサービスに関する情報の設定を受け付ける設定ステップと、
設定された商品またはサービスに関する情報を前記ユーザに提供する情報提供ステップと、
を含む情報提供方法。
【請求項２】
ネットワーク上のユーザ端末が指定する検索条件に合致する商品またはサービスを検索して前記ユーザ端末に提供する情報提供装置であって、
前記ユーザ端末が指定した検索条件に基づいて検索された商品またはサービスに含まれる任意の商品またはサービスの選択を受け付ける受付手段と、
前記選択された商品またはサービスである購買候補と、前記指定された検索条件と、前記ユーザ端末を識別するユーザ識別情報とを対応づけて記憶する条件記憶手段と、
を有する情報提供装置。
【請求項３】
前記ネットワーク上の第１コンピュータ端末群からユーザ参照要求を受け付けるユーザ参照要求受付手段と、
前記第１コンピュータ端末群に含まれる提供者端末の管理者が提供する第１商品を購買候補に選択している第１ユーザ端末群の第１ユーザ識別情報群と、前記第１ユーザ端末群のそれぞれが前記第１商品に設定している検索条件群とを、前記条件記憶手段から抽出し、前記提供者端末に提供する条件提供手段と、
をさらに有する前記請求項２に記載の情報提供装置。
【請求項４】
ネットワーク上のユーザ端末が指定する検索条件に合致する商品またはサービスを検索して前記ユーザ端末に提供するコンピュータに用いられる情報提供プログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体であって、
前記ユーザ端末が指定した検索条件に基づいて検索された商品またはサービスに含まれる任意の商品またはサービスの選択を受け付ける受付ステップと、
前記選択された商品またはサービスである購買候補と、前記指定された検索条件と、前記ユーザ端末を識別するユーザ識別情報とを対応づけて記憶する条件記憶ステップと、
を実行する情報提供プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項５】
ネットワーク上で商品またはサービスを検索するための検索条件の指定を受け付け、前記検索条件に合致する商品群またはサービス群をユーザに通知する、前記ネットワーク上のコンピュータ端末であって、
前記商品群またはサービス群に含まれる任意の商品またはサービスを購買候補に指定する候補指定手段と、
購買候補群と各購買候補の検索条件群とを記憶する前記ネットワーク上の情報提供装置に、前記購買候補とその検索条件とを送信する送信手段と、
購買候補群を参照するための参照要求を前記情報提供装置に送信する要求手段と、
購買候補群及び各購買候補の検索条件群を前記情報提供装置から取得する取得手段と、
取得した購買候補群及び各購買候補の検索条件群を出力する出力手段と、
を有するコンピュータ端末。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月11日(2008.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】    【請求項１】   通信ネットワークに接続され、商品の購入日、賞味期限、数量を含む購買商品固有の商品情報を入力し、ディスプレイに表示させる商品情報入力端末であって、前記商品情報を記憶する外部記憶媒体から前記商品情報を読取る読取手段と、該読取手段で読取った情報に基づき前記通信ネットワークを介して商品に関連する所定のウエッブサーバに接続する接続手段と、該ウエッブサーバのホームページの内容を前記ディスプレイに表示させ、前記外部記憶媒体に記憶された認証情報に基づき電子商取引を遂行させる認証情報伝送手段と、を備える商品情報入力端末機。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月25日(2008.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】    使用者の生体情報測定値と生活習慣情報を商品・サービス提供者に送致する情報提供手段と、前記商品・サービス提供者が、送致された情報に基づき使用者の症状を改善する商品又はサービスを決定し、その商品又はサービスを提供する商品・サービス提供手段と、前記商品・サービス提供者が、前記送致されてくる情報を継続的にモニタリングすることで当該商品又はサービスによる使用者の症状の変化を検出する症状変化検出手段とからなる健康管理システム。
【請求項２】    トイレ・洗面所・風呂・キッチン内での作業により得られた使用者の排泄物もしくは分泌物成分に関する定量または定性測定を、あるいは生存により発生するシグナルを含む生体情報検出を実行する生体情報検査装置の測定値と、使用者が実施する運動と、使用者の食生活と、使用者の睡眠時間・喫煙習慣等の生活習慣の少なくとも１つ以上を、使用者の生活習慣病維持・管理に関する商品またはサービスを提供者に送致すると共に、目標特性をもとに前記商品またはサービスの提供者は使用者の症状を改善する処方の商品またはサービスを提供しながら、前記生体情報測定値の改善状況をモニタリングすることを特徴とする健康管理システム。
【請求項３】    前記目標特性は生活習慣病の改善指標であることを特徴とする請求項２記載の健康管理システム。
【請求項４】    使用者の生活習慣病維持・管理に関する商品またはサービスの提供者は製薬およびその販売会社であり、製薬およびその販売会社は使用者の症状を改善する処方の薬品を調合・販売しながら、前記生体情報測定値の改善状況をモニタリングすることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の健康管理システム。
【請求項５】    使用者の生活習慣病維持・管理に関する商品またはサービスの提供者は運動サービス会社であり、運動サービス会社は使用者の症状を改善する処方の運動メニューを提供しながら、前記生体情報測定値の改善状況をモニタリングすることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の健康管理システム。
【請求項６】    使用者の生活習慣病維持・管理に関する商品またはサービスの提供者は食事サービス会社であり、食事サービス会社は使用者の症状を改善する処方の食事メニューを提供しながら、前記生体情報測定値の改善状況をモニタリングすることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の健康管理システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するために請求項５は、使用者の生活習慣病維持・管理に関する商品またはサービスの提供者は運動サービス会社であり、運動サービス会社は使用者の症状を改善する処方の運動メニューを提供しながら、前記生体情報測定値の改善状況をモニタリングすることを特徴とするので、運動サービス会社は運動習慣の改善によって、使用者の健康状態や罹っている病気の症状が好転し、悪化することを防止することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記目的を達成するために請求項６は、使用者の生活習慣病維持・管理に関する商品またはサービスの提供者は食事サービス会社であり、食事サービス会社は使用者の症状を改善する処方の食事メニューを提供しながら、前記生体情報測定値の改善状況をモニタリングすることを特徴とするので、食事サービス会社は食事習慣の改善によって、使用者の健康状態や罹っている病気の症状が好転し、悪化することを防止することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月2日(2008.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極を覆う様にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にシリコンを主成分としてゲルマニウムを０．１原子％以上１０原子％未満の濃度範囲で含有する非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にシリコンの結晶化を助長する金属元素を添加し、結晶化させることによって結晶質半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極を覆う様にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にシリコンを主成分としてゲルマニウムを０．１原子％以上１０原子％未満の濃度範囲で含有する第１の非晶質半導体膜を形成し、
前記第１の非晶質半導体膜にシリコンの結晶化を助長する金属元素を添加し、結晶化させることによって結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜上にバリア層を形成し、
前記バリア層上に希ガス元素を含む第２の非晶質半導体膜を形成し、
加熱処理を行うことにより、前記結晶質半導体膜に含まれた金属元素を前記第２の非晶質半導体膜に移動させ、
前記バリア層をエッチングストッパーとして用いて前記第２の非晶質半導体膜をエッチング除去し、
前記バリア層を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記結晶化は、加熱処理により行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１又は請求項２において、前記結晶化は、加熱処理及びレーザー光の照射により行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記結晶質半導体膜は複数の結晶面を有し、前記結晶面と前記基板表面とのなす角が１０度以下である結晶面の前記複数の結晶面中での割合は、｛１０１｝面が２０％以上であり、｛００１｝面が３％以下であり、｛１１１｝面が５％以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
ガラス基板上に下地膜を形成し、
前記下地膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極を覆う様にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にシリコンを主成分としてゲルマニウムを０．１原子％以上１０原子％未満の濃度範囲で含有する非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にシリコンの結晶化を助長する金属元素を添加し、
前記非晶質半導体膜を４５０℃以上前記ガラス基板の耐熱温度以下の温度範囲内で加熱し、結晶化させることによって結晶質半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
ガラス基板上に下地膜を形成し、
前記下地膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極を覆う様にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にシリコンを主成分としてゲルマニウムを０．１原子％以上１０原子％未満の濃度範囲で含有する第１の非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にシリコンの結晶化を助長する金属元素を添加し、
前記非晶質半導体膜を４５０℃以上前記ガラス基板の耐熱温度以下の温度範囲内で加熱し、結晶化させることによって結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜上にバリア層を形成し、
前記バリア層上に希ガス元素を含む第２の非晶質半導体膜を形成し、
加熱処理を行うことにより、前記結晶質半導体膜に含まれた金属元素を前記第２の非晶質半導体膜に移動させ、
前記バリア層をエッチングストッパーとして用いて前記第２の非晶質半導体膜をエッチング除去し、
前記バリア層を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項６又は請求項７において、前記結晶質半導体膜は複数の結晶面を有し、前記結晶面と前記ガラス基板表面とのなす角が１０度以下である結晶面の前記複数の結晶面中での割合は、｛１０１｝面が２０％以上であり、｛００１｝面が３％以下であり、｛１１１｝面が５％以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、前記結晶質半導体膜は複数の格子面を有し、前記結晶質半導体膜の表面に対して水平に存在する格子面の間隔と、前記結晶質半導体膜の表面に対して６０°傾いて存在する格子面の間隔との差は、格子定数に換算した場合、０を越え０．００２ｎｍ以下の範囲であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月13日(2008.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】固体撮像素子及びその製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板に設けた画素領域内に、それぞれ撮像画素を構成する複数のフォトセンサを形成するとともに、前記フォトセンサに隣接してＣＣＤ転送レジスタを設け、前記半導体基板上のＣＣＤ転送レジスタに対応する領域に転送電極及び遮光膜を積層した構造を有する固体撮像素子において、
前記半導体基板上の前記フォトセンサに対応する領域に、前記ＣＣＤ転送レジスタの転送電極及び遮光膜の積層部による段差を軽減または相殺する膜厚を有し、各撮像画素に対する入射光を前記フォトセンサの受光面に導く光伝達層を設けた、
ことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】  前記光伝達層は、シリコン膜よりなることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項３】  前記光伝達層は、選択的エピタキシャル成長によって形成されていることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項４】  前記光伝達層は、前記転送電極及び遮光膜の積層部の間に形成される凹部を充填する状態で形成されていることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項５】  前記光伝達層の上面に受光用絶縁膜を設けたことを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項６】  前記遮光膜の縁部は、前記受光用絶縁膜の縁部に上側から重なる状態で形成されていることを特徴とする請求項５記載の固体撮像素子。
【請求項７】  前記光伝達層は、前記転送電極及びその転送電極を絶縁するための絶縁膜を合計した膜厚とほぼ等しい膜厚を有し、前記受光用絶縁膜は、前記遮光膜の膜厚とほぼ等しい膜厚を有していることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項８】  半導体基板に設けた画素領域内に、それぞれ撮像画素を構成する複数のフォトセンサを形成し、前記フォトセンサに隣接するＣＣＤレジスタを設け、前記半導体基板上のＣＣＤ転送レジスタに対応する領域に転送電極及び遮光膜を積層する固体撮像素子の製造方法において、
前記半導体基板上の前記フォトセンサに対応する領域に、前記ＣＣＤ転送レジスタの転送電極及び遮光膜の積層部による段差を軽減または相殺する膜厚を有し、各撮像画素に対する入射光を前記フォトセンサの受光面に導く伝達層を設ける工程を有する、
ことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、撮像画素の受光部に隣接してＣＣＤ転送レジスタを設け、このＣＣＤ転送レジスタの上に転送電極と遮光膜を配置した構造を有するＣＣＤイメージセンサ等の固体撮像素子及びその製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、このような実状に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ＣＣＤ転送レジスタの積層構造によって受光部への入射光が遮られるのを防止することにより、受光効率を改善でき、受光感度の向上を図ることが可能な固体撮像素子及びその製造方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、半導体基板に設けた画素領域内に、それぞれ撮像画素を構成する複数のフォトセンサを形成するとともに、前記フォトセンサに隣接してＣＣＤ転送レジスタを設け、前記半導体基板上のＣＣＤ転送レジスタに対応する領域に転送電極及び遮光膜を積層した構造を有する固体撮像素子において、前記半導体基板上の前記フォトセンサに対応する領域に、前記ＣＣＤ転送レジスタの転送電極及び遮光膜の積層部による段差を軽減または相殺する膜厚を有し、各撮像画素に対する入射光を前記フォトセンサの受光面に導く光伝達層を設けたことを特徴とする。また本発明は、半導体基板に設けた画素領域内に、それぞれ撮像画素を構成する複数のフォトセンサを形成し、前記フォトセンサに隣接するＣＣＤレジスタを設け、前記半導体基板上のＣＣＤ転送レジスタに対応する領域に転送電極及び遮光膜を積層する固体撮像素子の製造方法において、前記半導体基板上の前記フォトセンサに対応する領域に、前記ＣＣＤ転送レジスタの転送電極及び遮光膜の積層部による段差を軽減または相殺する膜厚を有し、各撮像画素に対する入射光を前記フォトセンサの受光面に導く伝達層を設ける工程を有することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の固体撮像素子及びその製造方法によれば、半導体基板上の前記フォトセンサに対応する領域に、ＣＣＤ転送レジスタの転送電極及び遮光膜の積層部による段差を軽減または相殺する膜厚を有する光伝達層を設け、各撮像画素に対する入射光を光伝達層によってフォトセンサの受光面に導くようにしたことから、各撮像画素に対する入射光を遮光膜の頂部に近い高さ位置で光伝達層に入射し、これをフォトセンサに導くことが可能となる。
したがって、ＣＣＤ転送レジスタ（転送電極や遮光膜等）の積層構造によって受光部への入射光が遮られるのを防止することができ、受光効率を改善でき、受光感度の向上を図ることが可能である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の固体撮像素子及びその製造方法によれば、半導体基板上の前記フォトセンサに対応する領域に、ＣＣＤ転送レジスタの転送電極及び遮光膜の積層部による段差を軽減または相殺する膜厚を有する光伝達層を設け、各撮像画素に対する入射光を光伝達層によってフォトセンサの受光面に導くようにしたことから、各撮像画素に対する入射光を遮光膜の頂部に近い高さ位置で光伝達層に入射し、これをフォトセンサに導くことが可能となる。
したがって、ＣＣＤ転送レジスタ（転送電極や遮光膜等）の積層構造によって受光部への入射光が遮られるのを防止することができ、受光効率を改善でき、受光感度の向上を図ることが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月24日(2008.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板に形成した電界効果型トランジスタのゲート電極と電気的に接続される強誘電体の残留分極を利用して、該電界効果型トランジスタのオン、オフ動作をさせる強誘電体トランジスタ型不揮発性記憶素子において、
前記電界効果型トランジスタのソース領域、ドレイン領域と接続される１層又は２層以上の金属配線を絶縁層を介して形成した後に、絶縁層を介して、前記強誘電体を電極を用いて挟んだ構造を持つキャパシタを設けたことを特徴とする強誘電体トランジスタ型不揮発性記憶素子。
【請求項２】  半導体基板に形成した電界効果型トランジスタのゲート電極と電気的に接続される強誘電体の残留分極を利用して、該電界効果型トランジスタのオン、オフ動作させる強誘電体トランジスタ型不揮発性記憶素子において、
前記強誘電体を電極を用いて挟んだ構造を持つキャパシタを、前記ゲート電極と接続される、２層以上のコンタクトプラグ上に設けたことを特徴とする強誘電体トランジスタ型不揮発性記憶素子。
【請求項３】  請求項１または請求項２に記載の強誘電体トランジスタ型不揮発性記憶素子の強誘電体材料として、比誘電率が５０以下の材料を用いることを特徴とする強誘電体トランジスタ型不揮発性記憶素子。
【請求項４】  請求項１または請求項２に記載の強誘電体トランジスタ型不揮発性記憶素子の強誘電体材料として、残留分極が１０μＣ／ｃｍ2以下の材料を用いることを特徴とする強誘電体トランジスタ型不揮発性記憶素子。
【請求項５】  請求項１または請求項２に記載の強誘電体トランジスタ型不揮発性記憶素子の強誘電体材料として、ＡＢＯ3型構造を持つ強誘電体（Ａ、Ｂは金属元素）、Ａ2Ｂ2Ｏ7（Ａ、Ｂは金属元素）型構造を持つ強誘電体、あるいは層状ペロブスカイト型構造の材料を使用することを特徴とする強誘電体トランジスタ型不揮発性記憶素子。
【請求項６】  請求項１又は請求項２に記載の強誘電体トランジスタ型不揮発性記憶素子において、前記強誘電体素子の強誘電体として、Ｓｒ2Ｎｂ2Ｏ7、あるいはＳｒ2Ｔａ2Ｏ7、あるいはＳｒ2（ＮｂＴａ）2Ｏ7、あるいはＳｒＢｉ2Ｔａ2Ｏ9を主体とする材料を用いることを特徴とする強誘電体トランジスタ型不揮発性記憶素子。
【請求項７】  請求項１または請求項２に記載の強誘電体トランジスタ型不揮発性記憶素子において、半導体基板としてシリコン単結晶を主体とした材料を用いることを特徴とする強誘電体トランジスタ型不揮発性記憶素子。
【請求項８】  請求項１または請求項２に記載の強誘電体トランジスタ型不揮発性記憶素子において、前記キャパシタの電極として、白金、イリジウムまたはチタン、またはこれらの酸化物を混合または積層した構造、を用いることを特徴とする強誘電体トランジスタ型不揮発性記憶素子。
【請求項９】  請求項１または請求項２に記載の強誘電体トランジスタ型不揮発性記憶素子の製造方法であって、前記強誘電体を化学気相成長法を用いて形成することを特徴とする強誘電体トランジスタ型不揮発性記憶素子の製造方法。
【請求項１０】  請求項１または請求項２に記載の強誘電体トランジスタ型不揮発性記憶素子の製造方法であって、前記キャパシタの下地絶縁膜を化学機械研磨法を用いて平坦化することを特徴とする強誘電体トランジスタ型不揮発性記憶素子の製造方法。
【請求項１１】  請求項１または請求項２に記載の強誘電体トランジスタ型不揮発性記憶素子の製造方法であって、前記強誘電体材料を、金属有機物を塗布、焼成することで形成することを特徴とする強誘電体トランジスタ型不揮発性記憶素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月23日(2008.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】  (ａ)半導体基板の表面内に、第１のＮＭＯＳトランジスタおよび第１のＰＭＯＳトランジスタを形成するための第１のＮＭＯＳ領域および第１のＰＭＯＳ領域を規定し、前記第１のＮＭＯＳトランジスタよりも動作電圧が高い第２のＮＭＯＳトランジスタを形成するための第２のＮＭＯＳ領域および、前記第１のＰＭＯＳトランジスタよりも動作電圧が高い第２のＰＭＯＳトランジスタを形成するための第２のＰＭＯＳ領域を規定する工程と
(ｂ)前記第１のＮＭＯＳ領域および前記第１のＰＭＯＳ領域に第１のゲート絶縁膜を形成し、前記第２のＮＭＯＳ領域および前記第２のＰＭＯＳ領域に前記第１のゲート絶縁膜よりも厚い第２のゲート絶縁膜を形成する工程と、
(ｃ)第２のＰＭＯＳ領域の前記半導体基板の表面内に比較的低濃度のＰ型不純物層を形成する工程と、
(ｄ)前記第１および第２のゲート絶縁膜上に、不純物を含まない非単結晶シリコン膜を形成する工程と、
(ｅ)前記第１のＮＭＯＳ領域、前記第２のＮＭＯＳ領域および前記第２のＰＭＯＳ領域の前記非単結晶シリコン膜にのみ、Ｎ型不純物を比較的高濃度の第１の濃度で導入する工程と、
(ｆ)前記非単結晶シリコン膜を用いて、前記第１のＮＭＯＳ領域、前記第１のＰＭＯＳ領域、前記第２のＮＭＯＳ領域および前記第２のＰＭＯＳ領域にそれぞれゲート電極を形成し、しかも前記第１のＰＭＯＳ領域に形成されるゲート電極に、Ｐ型不純物を比較的高濃度の第２の濃度で含ませる工程と、を備える半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】  前記工程(ｅ)は、
前記第１のＮＭＯＳ領域、前記第２のＮＭＯＳ領域および前記第２のＰＭＯＳ領域の前記非単結晶シリコン膜に、窒素を導入する工程を含む、請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】  (ｇ)前記非単結晶シリコン膜をパターニングした後に、不純物のイオン注入により、前記ゲート電極の側面外方の前記半導体基板の表面内に１対のエクステンション層を形成する工程をさらに備え、
前記工程(ｇ)は、
前記第１および第２のＰＭＯＳ領域に形成された、それぞれの前記ゲート電極を注入マスクとして使用し、同時にＰ型不純物をイオン注入して、それぞれ１対のＰ型エクステンション層を形成する工程を含む、請求項５または請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】  (ｇ)前記非単結晶シリコン膜をパターニングした後に、不純物のイオン注入により、前記ゲート電極の側面外方の前記半導体基板の表面内に１対のエクステンション層を形成する工程をさらに備え、
前記工程(ｇ)は、
前記第１のＰＭＯＳ領域に形成された、前記ゲート電極を注入マスクとして使用し、１対のＰ型エクステンション層を前記第１のＰＭＯＳ領域の前記半導体基板の表面内にのみ形成する工程を含む、請求項５または請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
本発明に係る請求項６記載の半導体装置の製造方法は、半導体基板の表面内に、第１のＮＭＯＳトランジスタおよび第１のＰＭＯＳトランジスタを形成するための第１のＮＭＯＳ領域および第１のＰＭＯＳ領域を規定し、前記第１のＮＭＯＳトランジスタよりも動作電圧が高い第２のＮＭＯＳトランジスタを形成するための第２のＮＭＯＳ領域および、前記第１のＰＭＯＳトランジスタよりも動作電圧が高い第２のＰＭＯＳトランジスタを形成するための第２のＰＭＯＳ領域を規定する工程(ａ)と、前記第１のＮＭＯＳ領域および前記第１のＰＭＯＳ領域に第１のゲート絶縁膜を形成し、前記第２のＮＭＯＳ領域および前記第２のＰＭＯＳ領域に前記第１のゲート絶縁膜よりも厚い第２のゲート絶縁膜を形成する工程(ｂ)と、第２のＰＭＯＳ領域の前記半導体基板の表面内に比較的低濃度のＰ型不純物層を形成する工程(ｃ)と、前記第１および第２のゲート絶縁膜上に、不純物を含まない非単結晶シリコン膜を形成する工程(ｄ)と、前記第１のＮＭＯＳ領域、前記第２のＮＭＯＳ領域および前記第２のＰＭＯＳ領域の前記非単結晶シリコン膜にのみ、Ｎ型不純物を比較的高濃度の第１の濃度で導入する工程(ｅ)と、前記非単結晶シリコン膜を用いて、前記第１のＮＭＯＳ領域、前記第１のＰＭＯＳ領域、前記第２のＮＭＯＳ領域および前記第２のＰＭＯＳ領域にそれぞれゲート電極を形成し、しかも前記第１のＰＭＯＳ領域に形成されるゲート電極に、Ｐ型不純物を比較的高濃度の第２の濃度で含ませる工程(ｆ)とを備えている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
本発明に係る請求項１０記載の半導体装置の製造方法は、前記工程(ｅ)が、前記第１のＮＭＯＳ領域、前記第２のＮＭＯＳ領域および前記第２のＰＭＯＳ領域の前記非単結晶シリコン膜に、窒素を導入する工程を含んでいる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
本発明に係る請求項１１記載の半導体装置の製造方法は、前記非単結晶シリコン膜をパターニングした後に、不純物のイオン注入により、前記ゲート電極の側面外方の前記半導体基板の表面内に１対のエクステンション層を形成する工程(ｇ)をさらに備え、前記工程(ｇ)が、前記第１および第２のＰＭＯＳ領域に形成された、それぞれの前記ゲート電極を注入マスクとして使用し、同時にＰ型不純物をイオン注入して、それぞれ１対のＰ型エクステンション層を形成する工程を含んでいる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
本発明に係る請求項１２記載の半導体装置の製造方法は、前記非単結晶シリコン膜をパターニングした後に、不純物のイオン注入により、前記ゲート電極の側面外方の前記半導体基板の表面内に１対のエクステンション層を形成する工程(ｇ)をさらに備え、前記工程(ｇ)が、前記第１のＰＭＯＳ領域に形成された、前記ゲート電極を注入マスクとして使用し、１対のＰ型エクステンション層を前記第１のＰＭＯＳ領域の前記半導体基板の表面内にのみ形成する工程を含んでいる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月14日(2008.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板上のプラグが埋め込まれて形成された層間絶縁膜上に下層層間絶縁膜と、ストッパ膜と、上記ストッパ膜のエッチング特性と異なるエッチング特性を有する上層層間絶縁膜とを順次積層する工程と、上記下層層間絶縁膜、上記ストッパ膜および上記上層層間絶縁膜を貫通し上記プラグ上に至る開口部を形成する工程と、上記開口部内の内壁上に導電膜を形成する工程と、上記上層層間絶縁膜を上記ストッパ膜をエッチングストッパとして除去する工程と、上記導電膜を下部電極とし、上記プラグに電気的に接続されたキャパシタを形成する工程とを備え、
上記上層層間絶縁膜と上記下層層間絶縁膜とをエッチング特性の異なる膜にて形成し、開口部形成後で導電膜形成前に、上記開口部にて露出された下層層間絶縁膜を所望量ウェットエッチングし、上記開口部の上記下層層間絶縁膜位置に上記開口部が幅方向に凹んだ凹部を形成する工程を備えたことを特徴とする、半導体装置の製造方法。
【請求項２】  上記下層層間絶縁膜形成前に、上記層間絶縁膜上に上記層間絶縁膜および上記下層層間絶縁膜のエッチング特性と異なるエッチング特性を有する下層ストッパ膜を形成する工程と、上記下層ストッパ膜はウェットエッチング時においては開口部の底部に残存させ、上記ウェットエッチング後で導電膜を形成する前に、上記開口部の底部に露出している上記下層ストッパ膜を除去する工程を備えたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】  層間絶縁膜に埋め込まれて形成されたプラグに電気的に接続され筒状構造にて成るキャパシタを備えた半導体装置において、上記キャパシタの下部電極の外部の、上記筒状構造の下部電極の下端から所望高さ位置にストッパ膜が形成され、上記キャパシタの上部電極は、上記筒状構造の下部電極の内壁上および上記下部電極の外壁の上記ストッパ膜より上部位置上に形成されており、
筒状構造の上記キャパシタの、ストッパ膜位置より下端側の筒状径が、上記ストッパ膜位置より上端側の筒状径より大きくなることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】  筒状構造の上記下部電極の底部以外の上記層間絶縁膜上に下層ストッパ膜が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、この製造方法においては、上層層間絶縁膜と下層層間絶縁膜とをエッチング特性の異なる膜にて形成し、開口部形成後で導電膜形成前に、開口部にて露出された下層層間絶縁膜を所望量ウェットエッチングし、開口部の下層層間絶縁膜位置に開口部が幅方向に凹んだ凹部を形成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、この発明に係る請求項２の半導体装置の製造方法は、請求項１において、下層層間絶縁膜形成前に、層間絶縁膜上に層間絶縁膜および下層層間絶縁膜のエッチング特性と異なるエッチング特性を有する下層ストッパ膜を形成し、下層ストッパ膜はウェットエッチング時においては開口部の底部に残存させ、ウェットエッチング後で導電膜を形成する前に、開口部の底部に露出している下層ストッパ膜を除去するものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、この発明に係る請求項３の半導体装置は、層間絶縁膜に埋め込まれて形成されたプラグに電気的に接続され筒状構造にて成るキャパシタを備えた半導体装置において、キャパシタの下部電極の外部の、筒状構造の下部電極の下端から所望高さ位置にストッパ膜が形成され、キャパシタの上部電極は、筒状構造の下部電極の内壁上および下部電極の外壁のストッパ膜より上部位置上に形成されているものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、この半導体装置においては、筒状構造のキャパシタの、ストッパ膜位置より下端側の筒状径が、ストッパ膜位置より上端側の筒状径より大きくされている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、この発明に係る請求項４の半導体装置は、請求項３において、筒状構造の下部電極の底部以外の層間絶縁膜上に下層ストッパ膜が形成されているものである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月16日(2008.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ドーピング装置及び半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドーピング用の元素をイオン化して基板上の半導体膜又は半導体基板に注入するドーピング装置であって、
前記基板又は前記半導体基板の外周部をイオンの照射から遮る遮蔽板が設けられていることを特徴とするドーピング装置。
【請求項２】
イオン化した原子又は分子を電界により加速して基板上の半導体膜又は半導体基板に注入するドーピング装置であって、
前記基板又は前記半導体基板の外周部を前記イオン化した原子又は分子が注入されないように遮る遮蔽板が設けられていることを特徴とするドーピング装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記遮蔽板に基板を固定するクランパーが備えられていることを特徴とするドーピング装置。
【請求項４】
基板上の半導体膜又は半導体基板にイオンを注入する半導体装置の作製方法であって、
前記半導体膜又は前記半導体基板上にレジストを形成し、
前記基板又は前記半導体基板の外周部を遮蔽板で覆った状態で前記半導体膜又は前記半導体基板に前記イオンを注入することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板上の半導体膜又は半導体基板にイオンを注入する半導体装置の作製方法であって、
前記半導体膜又は前記半導体基板上にレジストを形成し、
前記レジストの端部を遮蔽板で覆った状態で前記半導体膜又は前記半導体基板に前記イオンを注入することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月23日(2008.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜の表面に酸化膜を形成し、
前記半導体膜に、窒素、水素、または不活性気体から選ばれた一種の気体雰囲気または複数種の気体の混合雰囲気において、第１条件、第２条件および第３条件のレーザ光を順に照射し、
前記第１条件のレーザ光は、第１のエネルギー密度、第１の波長、および第１のパルス幅を有し、
前記第２条件のレーザ光は、前記第１のエネルギー密度より低い第２のエネルギー密度、前記第１の波長より短い第２の波長、および前記第１のパルス幅より小さい第２のパルス幅を有し、
前記第３条件のレーザ光は、前記第１のエネルギー密度より３０〜６０ｍＪ／ｃｍ２高い第３のエネルギー密度を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜の表面に酸化膜を形成し、
前記半導体膜に第１条件のレーザ光を照射することにより結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜に第２条件のレーザ光を照射することにより前記酸化膜を除去し、
前記第２条件のレーザ光を照射した後、前記結晶質半導体膜に第３条件のレーザ光を照射することにより前記結晶質半導体膜の表面を平坦化し、
前記第１乃至第３条件のレーザ光の照射は、窒素、水素、または不活性気体から選ばれた一種の気体雰囲気または複数種の気体の混合雰囲気において行われ、
前記第１条件のレーザ光は、第１のエネルギー密度、第１の波長、および第１のパルス幅を有し、
前記第２条件のレーザ光は、前記第１のエネルギー密度より低い第２のエネルギー密度、前記第１の波長より短い第２の波長、および前記第１のパルス幅より小さい第２のパルス幅を有し、
前記第３条件のレーザ光は、前記第１のエネルギー密度より３０〜６０ｍＪ／ｃｍ２高い第３のエネルギー密度を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜の表面に酸化膜を形成し、
前記半導体膜に第１条件のレーザ光を照射することにより結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜に第２条件のレーザ光を照射することにより前記酸化膜を除去し、
前記第２条件のレーザ光を照射した後、前記結晶質半導体膜に第３条件のレーザ光を照射することにより前記結晶質半導体膜の表面の最高点と最低点との差を６ｎｍ以下にし、
前記第１乃至第３条件のレーザ光の照射は、窒素、水素、または不活性気体から選ばれた一種の気体雰囲気または複数種の気体の混合雰囲気において行われ、
前記第１条件のレーザ光は、第１のエネルギー密度、第１の波長、および第１のパルス幅を有し、
前記第２条件のレーザ光は、前記第１のエネルギー密度より低い第２のエネルギー密度、前記第１の波長より短い第２の波長、および前記第１のパルス幅より小さい第２のパルス幅を有し、
前記第３条件のレーザ光は、前記第１のエネルギー密度より３０〜６０ｍＪ／ｃｍ２高い第３のエネルギー密度を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を結晶化して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜の表面に酸化膜を形成し、
前記結晶質半導体膜に第１条件のレーザ光を照射することにより前記結晶質半導体膜の結晶性を向上させ、
前記結晶質半導体膜に第２条件のレーザ光を照射することにより前記酸化膜を除去し、
前記第２条件のレーザ光を照射した後、前記結晶質半導体膜に第３条件のレーザ光を照射することにより前記結晶質半導体膜の表面を平坦化し、
前記第１乃至第３条件のレーザ光の照射は、窒素、水素、または不活性気体から選ばれた一種の気体雰囲気または複数種の気体の混合雰囲気において行われ、
前記第１条件のレーザ光は、第１のエネルギー密度、第１の波長、および第１のパルス幅を有し、
前記第２条件のレーザ光は、前記第１のエネルギー密度より低い第２のエネルギー密度、前記第１の波長より短い第２の波長、および前記第１のパルス幅より小さい第２のパルス幅を有し、
前記第３条件のレーザ光は、前記第１のエネルギー密度より３０〜６０ｍＪ／ｃｍ２高い第３のエネルギー密度を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記酸化膜は、前記半導体膜の表面にオゾンを含む溶液または気体を接触させることにより形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
絶縁表面上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜に触媒元素を添加し第１の加熱処理することにより結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜の表面に酸化膜を形成し、
前記結晶質半導体膜に第１条件のレーザ光を照射することにより前記結晶質半導体膜の結晶性を向上させ、
前記結晶質半導体膜に第２条件のレーザ光を照射することにより前記酸化膜を除去し、
前記第２条件のレーザ光を照射した後、前記結晶質半導体膜に第３条件のレーザ光を照射することにより前記結晶質半導体膜の表面を平坦化し、
前記結晶質半導体膜に第２の加熱処理をすることにより前記結晶質半導体膜に含まれる前記触媒元素をゲッタリングサイトに移動させ、
前記第１乃至第３条件のレーザ光の照射は、窒素、水素、または不活性気体から選ばれた一種の気体雰囲気または複数種の気体の混合雰囲気において行われ、
前記第１条件のレーザ光は、第１のエネルギー密度、第１の波長、および第１のパルス幅を有し、
前記第２条件のレーザ光は、前記第１のエネルギー密度より低い第２のエネルギー密度、前記第１の波長より短い第２の波長、および前記第１のパルス幅より小さい第２のパルス幅を有し、
前記第３条件のレーザ光は、前記第１のエネルギー密度より３０〜６０ｍＪ／ｃｍ２高い第３のエネルギー密度を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、前記触媒元素は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項６において、前記第１の加熱処理は、電熱線、ランプ光源または加熱されたガスを熱源として用いて行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項６において、前記ゲッタリングサイトには、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれた一種または複数種の元素が含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項６において、前記ゲッタリングサイトには、周期表の１５族に属する元素から選ばれた一種または複数種の元素が含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、前記第１のエネルギー密度は３００〜５００ｍＪ／ｃｍ２であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月14日(2008.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  着磁器によって磁性材料に磁界を印加し着磁したときの、該磁性材料における磁化分布を算出する磁化分布算出装置であって、
前記着磁器に流れる電流波形を算出する着磁電流波形計算手段を備え、
該着磁電流波形計算手段は、
前記着磁器の固有のパラメータを設定する設定手段と、
前記設定された固有のパラメータと前記磁性材料の特性とに基づいて、前記着磁器と該磁性材料とを含んだ系に対応したパラメータを算出する算出手段と、
前記固有のパラメータと系に対応したパラメータとに基づいて前記着磁器に流れる電流波形を計算する計算手段とを備え、
前記着磁電流波形計算手段により算出された電流波形に基づいて磁化分布を算出することを特徴とする磁化分布算出装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】  前記完全着磁曲線推定手段は、
前記磁性材料の特性を示す、低磁界の磁化曲線と、残留磁化Ｍｒと、該磁化曲線のうち着磁時と減磁時のヒステリシスが生じない最小の磁界Ｈｂとを読み込み、
前記磁性材料の特性に基づき、飽和磁化Ｍｓを算出し、
前記飽和磁化Ｍｓと、前記残留磁化Ｍｒとに基づいて、（２−３）式および（２−４）式より磁化回転角ωをもとめ、
前記最小の磁界Ｈｂ以上の任意の磁化曲線上の点（Ｈｆ、Ｍｆ）に基づき、（２−５）式及び（２−６）式より、異方性磁界ＨＡをもとめ、
（２−１）式および（２−２）式より高磁界における磁化回転角φを（Ａ−２）乃至（Ａ−４）式を用いたニュートン法で算出することを特徴とする請求項６に記載の磁化分布算出装置。
2002329624.tif 000001
2002329624.tif 000002
2002329624.tif 000003
2002329624.tif 000004
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】  前記完全着磁曲線推定工程は、
前記磁性材料の特性を示す、低磁界の磁化曲線と、残留磁化Ｍｒと、該磁化曲線のうち着磁時と減磁時のヒステリシスが生じない最小の磁界Ｈｂとを読み込み、
前記磁性材料の特性に基づき、飽和磁化Ｍｓを算出し、
前記飽和磁化Ｍｓと、前記残留磁化Ｍｒとに基づいて、磁化回転角ωをもとめ、
前記最小の磁界Ｈｂ以上の任意の磁化曲線上の点（Ｈｆ、Ｍｆ）に基づき、（２−５）式及び（２−６）式より、異方性磁界ＨＡをもとめ、
（２−１）式および（２−２）式より高磁界における磁化回転角φを（Ａ−２）乃至（Ａ−４）式を用いたニュートン法で算出することを特徴とする請求項１７に記載の磁化分布算出方法。
2002329624.tif 000005
2002329624.tif 000006
2002329624.tif 000007
2002329624.tif 000008
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２３】  請求項１２乃至２２のいずれか１項に記載の磁化分布算出方法をコンピュータに実行させるための制御プログラムを格納したコンピュータ読取可能な記憶媒体。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２４】  請求項１２乃至２２のいずれか１項に記載の磁化分布算出方法をコンピュータに実行させるための制御プログラム。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、例えば本発明の磁化分布算出処理装置は以下の構成を備える。すなわち、
着磁器によって磁性材料に磁界を印加し着磁したときの、該磁性材料における磁化分布を算出する磁化分布算出装置であって、
前記着磁器に流れる電流波形を算出する着磁電流波形計算手段を備え、
該着磁電流波形計算手段は、
前記着磁器の固有のパラメータを設定する設定手段と、
前記設定された固有のパラメータと前記磁性材料の特性とに基づいて、前記着磁器と該磁性材料とを含んだ系に対応したパラメータを算出する算出手段と、
前記固有のパラメータと系に対応したパラメータとに基づいて前記着磁器に流れる電流波形を計算する計算手段とを備え、
前記着磁電流波形計算手段により算出された電流波形に基づいて磁化分布を算出する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月19日(2008.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スペクトラム拡散通信用の移動加入者局であって、
電力コマンド信号を受信するように構成された少なくとも一つのアンテナと、
複数の判定のそれぞれが、前記受信した電力コマンド信号のうちの対応する一つの電力コマンド信号が前記移動加入者局の送信電力の増加を示すのか、または減少を示すのかを指し示す複数の判定を行うように構成された、前記アンテナに結合された判定装置と、
前記複数の判定を累算するように構成された累算器と、
前記累算された複数の判定を受信し、前記累算された判定にアルゴリズムを適用して前記累算された複数の判定のそれぞれが同一であるか否かを判定するように構成されたアルゴリズムデバイスと
を含み、
前記累算された複数の判定のそれぞれが同一である場合に、前記送信電力がある量だけ調整され、前記累算された複数の判定のうちの少なくとも一つが前記累算された複数の判定のうちの他の一つと同一でない場合に、前記送信電力が前記ある量だけ調整されないことを特徴とする移動加入者局。
【請求項２】
前記アルゴリズムデバイスの判定に応答して前記送信電力を調整するように構成された可変利得デバイスをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の移動加入者局。
【請求項３】
スペクトラム拡散チャネルにおいて多重化された前記電力コマンド信号を伝送する受信されたスペクトラム拡散チャネルを逆拡散する逆拡散器と、
前記受信されたスペクトラム拡散チャネルから前記電力コマンド信号を逆多重化するように構成されたデマルチプレクサと
をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の移動加入者局。
【請求項４】
前記累算された複数の判定のそれぞれが同一でない場合に、前記送信電力は調整されないことを特徴とする請求項１に記載の移動加入者局。
【請求項５】
スペクトラム拡散通信用の移動加入者局によって送信電力レベルを設定する方法であって、
移動加入者局によって複数の電力コマンド信号を受信するステップと、
前記受信された複数の電力コマンド信号に応答して、それぞれの判定が前記受信された複数の電力コマンド信号のうちの対応する一つの電力コマンド信号が前記移動加入者局の送信電力の増加を示すのか、または減少を示すのかを指し示す複数の判定を行うステップと、
前記複数の判定を累算するステップと、
前記累算された複数の判定にアルゴリズムを適用して、前記累算された複数の判定のそれぞれが同一であるか否かを判定するステップと
を含み、
前記累算された複数の判定のそれぞれが同一である場合に、前記送信電力がある量だけ調整され、前記累算された複数の判定のそれぞれが前記累算された複数の判定のうちの他の一つと同一でない場合に、前記送信電力レベルが前記ある量だけ調整されないことを特徴とする方法。
【請求項６】
可変利得デバイスは前記複数の判定のそれぞれが同一であるという判定に応答して前記送信電力を調整することを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
スペクトラム拡散チャネルを受信し、電力コマンド信号が前記スペクトラム拡散チャネルにおいて多重化されるステップと、
前記スペクトラム拡散チャネルを逆拡散するステップと、
前記逆拡散されたスペクトラム拡散チャネルから前記電力コマンド信号を逆多重化するステップと
をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記累算された複数の判定が同一でない場合に、前記送信電力は調整されないことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項９】
スペクトラム拡散通信用の移動加入者局であって、
複数の電力コマンド信号を受信するように構成されたアンテナと、
前記アンテナに結合された回路であって、
複数の判定値であって、それぞれの判定値が前記移動加入者局の送信電力レベルの増加または減少を指し示し、前記複数の電力コマンド信号のそれぞれの一つに対応する判定値を生成し、
前記複数の判定値のそれぞれを比較する
ように構成された回路と
を含み、
前記複数の判定値のそれぞれが同一である場合に、前記送信電力レベルがある量だけ調整され、前記複数の判定値のそれぞれが前記累算された複数の判定のうちの他の一つと同じでない場合に、前記送信電力レベルが前記ある量だけ調整されないことを特徴とする移動加入者局。
【請求項１０】
前記回路は、前記送信電力レベルが前記判定のシーケンスに基づいて調整されたか否かを判定するようにさらに構成されたことを特徴とする請求項９に記載の移動加入者局。
【請求項１１】
前記送信電力を調整するように構成された可変利得デバイスをさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の移動加入者局。
【請求項１２】
受信したスペクトラム拡散チャネルを逆拡散する逆拡散器と、
前記受信した電力コマンド信号を逆多重化するように構成されたデマルチプレクサと
をさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の移動加入者局。
【請求項１３】
スペクトラム拡散通信用移動加入者局によって実装される制御方法であって、
複数の電力コマンド信号を受信するステップと、
複数の判定値を生成するステップであって、前記複数の判定値のそれぞれは前記移動加入者局の送信電力レベルの増加または減少を指し示し、前記複数の電力コマンド信号のそれぞれの一つに対応するステップと、
前記複数の判定のそれぞれを比較するステップと
を含み、
前記複数の判定値のそれぞれが同一である場合に、前記送信電力レベルがある量だけ調整され、前記複数の判定のそれぞれが前記累算された複数の判定のうちの他の一つと同じでない場合に、前記送信電力レベルが前記ある量だけ調整されないことを特徴とする方法。
【請求項１４】
可変利得デバイスが前記送信電力を調整することを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記電力コマンド信号はスペクトラム拡散チャネルにおいて多重化され、
前記スペクトラム拡散チャネルを逆拡散するステップと、
前記電力コマンド信号を逆多重化するステップと
をさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。