【手続補正書】
【提出日】平成20年1月25日(2008.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  層間ビアホールを介して電気的に接続された多層配線パターンを備えた第１のセラミック体と、
層間ビアホールを介して電気的に接続された多層配線パターンを備えた第２のセラミック体と、
前記第１及び第２のセラミック体の間に挟まれた熱硬化性樹脂シートと
からなり、
前記熱硬化性樹脂シートは、前記第１のセラミック体の前記多層配線パターンのいずれかと、前記第２のセラミック体の前記多層配線パターンのいずれかとを互いに電気的に接続する導電性樹脂が充填された貫通孔を備えることを特徴とするセラミック積層デバイス。
【請求項２】  前記セラミック体は、積層一体焼成された低温焼結セラミック体であることを特徴とする請求項１に記載のセラミック積層デバイス。
【請求項３】  前記第１及び第２のセラミック体は、前記熱硬化性樹脂シートと熱硬化して一体化したことを特徴とする請求項１に記載のセラミック積層デバイス。
【請求項４】  前記第１及び第２のセラミック体は、比誘電率が互いに異なることを特徴とする請求項１に記載のセラミック積層デバイス。
【請求項５】  層間ビアホールを介して電気的に接続された多層配線パターンを備えた第３のセラミック体と、
前記第２及び第３のセラミック体との間に挟まれた熱硬化性樹脂シートとをさらに備え、
前記第１のセラミック体は、比誘電率が１０未満であって、前記第２のセラミック体は、比誘電率が１０以上であって、前記第３のセラミック体は、比誘電率が１０未満であることを特徴とする請求項１に記載のセラミック積層デバイス。
【請求項６】  前記第１及び第３のセラミック体は、実質的に同一の厚さであり、前記第２のセラミック体は、前記第１及び第３のセラミック体より厚いことを特徴とする請求項５に記載のセラミック積層デバイス。
【請求項７】  前記各セラミック体は、互いに異なる厚みを有することを特徴とする請求項１に記載のセラミック積層デバイス。
【請求項８】  前記第２のセラミック体の他のセラミック体と対向していない面にランドグリッドアレー端子電極を備えることを特徴とする請求項１に記載のセラミック積層デバイス。
【請求項９】  前記第２のセラミック体と前記ランドグリッドアレー端子電極との間に挟み込まれた熱硬化性樹脂シートを備えることを特徴とする請求項８に記載のセラミック積層デバイス。
【請求項１０】  前記第１のセラミック体は、前記第２のセラミック体と対向していない面に、半導体ベアチップと電極部が気密封止されたＳＡＷフィルタの少なくとも一つが電極部を対向させて実装され、上部を封止樹脂でコーティングされたことを特徴とする請求項１に記載のセラミック積層デバイス。
【請求項１１】  前記第１のセラミック体は、上方に凹部を持つキャビティ型セラミック体であって、
前記第１のセラミック体は、前記凹部の底面に、半導体ベアチップとＳＡＷフィルタの少なくとも一つが電極部を対向させて実装され、上部を封止樹脂でコーティングされたことを特徴とする請求項１に記載のセラミック積層デバイス。
【請求項１２】  前記第１のセラミック体は、穴開き部を含む穴開き型セラミック体であって、
前記第１のセラミック体は、前記穴開き部の底面を構成する前記熱硬化性樹脂シートの面に、半導体ベアチップとＳＡＷフィルタの少なくとも一つが電極部を対向させて実装され、上部を封止樹脂でコーティングされていることを特徴とする請求項１に記載のセラミック積層デバイス。
【請求項１３】  前記第１のセラミック体は、比誘電率が１０未満であり、前記第２セラミック体は、比誘電率が１０以上であることを特徴とする請求項１２に記載のセラミック積層デバイス。
【請求項１４】  前記半導体ベアチップは、ＵＨＦ帯以上の周波数で動作する半導体ベアチップを含むことを特徴とする請求項１０に記載のセラミック積層デバイス。
【請求項１５】  前記半導体ベアチップは、ＰＩＮダイオードを含むことを特徴とする請求項１０に記載のセラミック積層デバイス。
【請求項１６】  前記ＳＡＷフィルタは、不平衡入力平衡出力の端子構造を持つことを特徴とする請求項１０に記載のセラミック積層デバイス。
【請求項１７】  層間ビアホールを介して電気的に接続された多層配線パターンを備えた第１のセラミック体と、
層間ビアホールを介して電気的に接続された多層配線パターンを備えた第２のセラミック体と
が順に積層されており、
前記第１のセラミック体は、前記第２のセラミック体と対向していない面に、半導体ベアチップと電極部が気密封止されたＳＡＷフィルタの少なくとも一つが電極部を対向させて実装され、上部を封止樹脂でコーティングされ、
前記第２のセラミック体は、前記第１のセラミック体と対向していない面に、ランドグリッドアレー端子電極が設けられていることを特徴とするセラミック積層デバイス。
【請求項１８】  前記第１及び第２のセラミック体は、比誘電率が互いに異なることを特徴とする請求項１７に記載のセラミック積層デバイス。
【請求項１９】  前記第１のセラミック体は、上方に凹部を持つキャビティ型セラミック体であって、
前記第１のセラミック体は、前記半導体ベアチップと前記ＳＡＷフィルタの少なくとも一つが電極部を前記凹部の底面に対向させて実装され、上部を封止樹脂でコーティングされたことを特徴とする請求項１７に記載のセラミック積層デバイス。
【請求項２０】  層間ビアホールを介して電気的に接続された多層配線パターンを備えた第３のセラミック体をさらに備え、
前記第３のセラミック体は、前記第２のセラミック体の前記第１のセラミック体と対向していない面に積層され、
前記第１のセラミック体は、比誘電率が１０未満であり、前記第２のセラミック体は、比誘電率が１０以上であり、前記第３のセラミック体は、比誘電率が１０未満であることを特徴とする請求項１７に記載のセラミック積層デバイス。
【請求項２１】  層間ビアホールを介して電気的に接続された多層配線パターンを備え、上方に凹部を持つキャビティ型セラミック体からなる第１のセラミック体と、
層間ビアホールを介して電気的に接続された多層配線パターンを備えた第２のセラミック体と
が順に積層されており、
前記第１のセラミック体は、前記凹部の底面に、半導体ベアチップと電極部が気密封止されたＳＡＷフィルタの少なくとも一つが電極部を対向させて実装され、上部を封止樹脂でコーティングされていることを特徴とするセラミック積層デバイス。
【請求項２２】  前記第１のセラミック体は、前記第２のセラミック体と対向していない面の平坦部に形成された電極パターンからなるアレーアンテナを有することを特徴とする請求項２１に記載のセラミック積層デバイス。
【請求項２３】  請求項１から２２のいずれか一項に記載の前記セラミック積層デバイスを備えたことを特徴とする移動体通信機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
さらに、本発明に係るセラミック積層デバイスは、前記セラミック積層デバイスであって、前記第１のセラミック体は、前記第２のセラミック体と対向していない面に、半導体ベアチップと電極部が気密封止されたＳＡＷフィルタの少なくとも一つが電極部を対向させて実装され、上部を封止樹脂でコーティングされたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
またさらに、本発明に係るセラミック積層デバイスは、前記セラミック積層デバイスであって、前記第１のセラミック体は、上方に凹部を持つキャビティ型セラミック体であって、
前記第１のセラミック体は、前記凹部の底面に、半導体ベアチップとＳＡＷフィルタの少なくとも一つが電極部を対向させて実装され、上部を封止樹脂でコーティングされたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、本発明に係るセラミック積層デバイスは、前記セラミック積層デバイスであって、前記第１のセラミック体は、穴開き部を含む穴開き型セラミック体であって、
前記第１のセラミック体は、前記穴開き部の底面を構成する前記熱硬化性樹脂シートの面に、半導体ベアチップとＳＡＷフィルタの少なくとも一つが電極部を対向させて実装され、上部を封止樹脂でコーティングされていることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
本発明に係るセラミック積層デバイスは、層間ビアホールを介して電気的に接続された多層配線パターンを備えた第１のセラミック体と、
層間ビアホールを介して電気的に接続された多層配線パターンを備えた第２のセラミック体と
が順に積層されており、
前記第１のセラミック体は、前記第２のセラミック体と対向していない面に、半導体ベアチップと電極部が気密封止されたＳＡＷフィルタの少なくとも一つが電極部を対向させて実装され、上部を封止樹脂でコーティングされ、
前記第２のセラミック体は、前記第１のセラミック体と対向していない面に、ランドグリッドアレー端子電極が設けられていることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
さらに、本発明に係るセラミック積層デバイスは、前記セラミック積層デバイスであって、前記第１のセラミック体は、上方に凹部を持つキャビティ型セラミック体であって、
前記第１のセラミック体は、前記半導体ベアチップと前記ＳＡＷフィルタの少なくとも一つが電極部を前記凹部の底面に対向させて実装され、上部を封止樹脂でコーティングされたことを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
本発明に係るセラミック積層デバイスは、層間ビアホールを介して電気的に接続された多層配線パターンを備え、上方に凹部を持つキャビティ型セラミック体からなる第１のセラミック体と、
層間ビアホールを介して電気的に接続された多層配線パターンを備えた第２のセラミック体と
が順に積層されており、
前記第１のセラミック体は、前記凹部の底面に、半導体ベアチップと電極部が気密封止されたＳＡＷフィルタの少なくとも一つが電極部を対向させて実装され、上部を封止樹脂でコーティングされていることを特徴とするセラミック積層デバイス。