Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月31日(2008.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
従来、このロータリジョイント装置としては、固定ハウジング側に設けられる固定側部材と、軸受を介して上記固定側部材に対して回転自在に支承されると共にスピンドル主軸等の回転体の軸端に設けられる回転側部材と、これら固定側部材と回転側部材との隙間を密封するメカニカルシールとから構成され、回転軸に沿って回転側部材に形成された受給孔に対し、これに対向して固定側部材に形成された供給孔から流体を吹き込むタイプのものが知られている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面に基づいて本発明の動圧シール装置及びこれを用いたロータリジョイント装置を詳細に説明する。
図１は本発明の動圧シール装置を含むロータリジョイント装置の簡易的な実施例を示すものである。このロータリジョイント装置は図示外の固定ハウジングと回転軸Ｓとの間で水やクーラント液等の目的流体を受け渡しするために使用され、上記固定ハウジングに装着される固定側部材としての固定スリーブ１と、上記回転軸Ｓに装着されると共に上記固定スリーブ１の中空部内に遊嵌した回転側部材としての回転スリーブ２と、上記回転スリーブ２を軸方向から挟むようにして上記回転軸Ｓに装着された一対のスラスト円板３，３とから構成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
このように、本実施例のロータリジョイント装置では、回転スリーブと固定スリーブとが構成する動圧軸受の軸受隙間に生じる潤滑流体の圧力を利用して目的流体の漏出を防止しており、機械的な摺接を伴わない非接触シールによって目的流体の密封を行っている。このため、経時的な使用によってシール機能が損なわれるといったこともなく、長期使用に十分に耐え得るものとなっている。また、固定スリーブに対して回転スリーブを回転自在に支承している動圧軸受で目的流体の密封を行っていることから、軸受機構とシール機構とが一体化して実現されており、その分だけコンパクトなロータリジョイント装置を提供することができるものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2003056719.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月5日(2008.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】自動車用排気系タービンハウジングおよびその製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  自動車用排気系部品鋳造品において、ロストワックス精密鋳造により製造されてなることを特徴とする自動車用排気系タービンハウジング。
【請求項２】  ハウジング部の最小肉厚が２．０ｍｍ未満であることを特徴とする請求項１に記載の自動車用排気系タービンハウジング。
【請求項３】  オーステナイト系耐熱鋳鋼を用いてなることを特徴とする請求項１または２に記載の自動車用排気系タービンハウジング。
【請求項４】  レジンコーテッドサンドで成形した成形体に、コロイダルシリカまたはエチルシリケートあるいはそれらに耐火物フィラーを混錬した耐火物スラリーを、前記成形体の表面から深さ２ｍｍ以上含浸させた耐火性中子を使用し、ロストワックス精密鋳造により製造することを特徴とする自動車用排気系タービンハウジングの製造方法。
【請求項５】  前記成形体の表面から２ｍｍ〜５ｍｍの深さまで前記耐火物スラリーを含浸させた耐火性中子を使用することを特徴とする請求項４に記載の自動車用排気系タービンハウジングの製造方法。
【請求項６】  オーステナイト系耐熱鋳鋼を用いることを特徴とする請求項４または５に記載の自動車用排気系タービンハウジングの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
すなわち、本発明は自動車用排気系部品鋳造品において、ロストワックス精密鋳造により製造されてなることを特徴とする自動車用排気系タービンハウジングである。また、ハウジング部の最小肉厚が２．０ｍｍ未満であることを特徴とする自動車用排気系タービンハウジングである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、上記タービンハウジングにおいて、材質がオーステナイト系耐熱鋳鋼であることを特徴とした自動車用排気系タービンハウジングである。なお、オーステナイト系耐熱鋳鋼の組成については、質量比率でＦｅ−０．４５Ｃ−０．１５Ｓ−２０Ｎｉ−２５Ｃｒ−３Ｗ−２ＮｂまたはＦｅ−０．４５Ｃ−０．１５Ｓ−１０Ｎｉ−２０Ｃｒ−３Ｗ−２Ｎｂであることが望ましい。ここで、Ｆｅは残であることを示し、以下同様に記載する。上述した本発明の自動車用排気系タービンハウジングは、レジンコーテッドサンドで成形した成形体に、コロイダルシリカまたはエチルシリケートあるいはそれらに耐火物フィラーを混錬した耐火物スラリーを、前記成形体の表面から深さ２ｍｍ以上含浸させた耐火性中子を使用し、ロストワックス精密鋳造により製造することができる。望ましくは、中子の大きさや形状との関係において、前記成形体の表面から２ｍｍ〜５ｍｍの深さまで前記耐火物スラリーを含浸させた耐火性中子を使用することである。また、耐熱性に優れたオーステナイト系耐熱鋳鋼を用いることが望ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、一般的な大きさのタービンハウジングの場合、中子の含浸層の厚みが２ｍｍ未満では鋳型焼成または鋳造時に中子形状を保持することができないので、中子となる成形体の表面から深さ２ｍｍ以上耐火物スラリーを含浸させて含浸層を形成する。但し、含浸層が５ｍｍ以上の深さまで厚くなると、鋳造後の中子の崩壊性が悪くなる為、中子の大きさや形状との関係において、前記成形体の表面から２ｍｍ〜５ｍｍの深さまで耐火物スラリーを含浸させた耐火性中子を使用することが望ましい。中子は鋳型内部に設置されており、該範囲の含浸層の場合、鋳型焼成時は鋳型や含浸層により中子内部は減酸素雰囲気となり、中子内部の有機バインダーは焼失することなく炭化する為、焼成中や鋳造時にもその形状を保持することができるが、中子内部の骨材は炭化した有機バインダーで保持されているだけであるので、鋳造後は鋳型に振動を与えるだけで中子は容易に崩壊する。但し、中子の大きさや形状によっては５ｍｍ以上の含浸層を必要とする場合もある。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月21日(2008.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
この種の支持装置の１つとして、被検査基板の受け渡しを搬送ロボットのような受け渡し装置により行うものがある（例えば、特開平１１−２７８９号、特開平１１−２７８９号、特開平１１−２２７９４２号、特開２００２−６２８２２号、特開２０００−２１６２３号）。このことから、従来の支持装置においては、被検査基板の受け渡し時に、被検査基板を受け渡し装置の受け渡しアームに対して昇降させる複数の昇降ピンを備えている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月28日(2008.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録ヘッドに対向する位置へ搬送された記録媒体に対し前記記録ヘッドを走査させながら前記記録媒体に画像を記録する記録装置において、
前記記録ヘッドに対向する位置へ前記記録媒体を搬送するための一対のローラを含む搬送手段と、
前記搬送手段により搬送される記録媒体の後端が前記一対のローラの近傍に達したとき、前記記録媒体と前記記録ヘッドの間隔を広げるための間隔変更手段と、
を備えたことを特徴とする記録装置。
【請求項２】
前記間隔変更手段は、前記記録ヘッドを支持するガイドシャフトを移動させることを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項３】
前記間隔変更手段は、前記ガイドシャフト両端に設けられた偏心カムを回転させることによって前記ガイドシャフトを移動させることを特徴とする請求項２に記載の記録装置。
【請求項４】
前記一対のローラの近傍とは、前記記録媒体の後端が前記一対のローラが配される位置よりも搬送方向下流側にある所定の位置であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の記録装置。
【請求項５】
前記一対のローラの近傍とは、前記記録媒体の後端が前記一対のローラが配される位置よりも搬送方向上流側にある所定の位置であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の記録装置。
【請求項６】
記録ヘッドに対向する位置へ搬送された記録媒体に対し前記記録ヘッドを走査させながら前記記録媒体に記録を行う記録装置において、
前記記録ヘッドより記録媒体搬送方向上流側に配され、前記記録ヘッドに対向する位置へ前記記録媒体を搬送するための第１ローラ対と、
前記記録ヘッドより記録媒体搬送方向下流側に配され、前記記録ヘッドによって記録された記録媒体を搬送するための第２ローラ対と、
前記第１ローラ対と前記第２ローラ対によって搬送される前記記録媒体の後端が前記第１ローラ対から外れる位置の近傍に達したとき、前記記録媒体と前記記録ヘッドとの間隔を広げる手段と、
を備えることを特徴とする記録装置。
【請求項７】
記録ヘッドに対向する位置へ搬送された記録媒体に対し前記記録ヘッドを走査させながら前記記録媒体に画像の記録を行う記録装置において、
前記記録ヘッドより記録媒体搬送方向上流側に配され、前記記録ヘッドに対向する位置へ前記記録媒体を搬送するための第１ローラ対と、
前記記録ヘッドより記録媒体搬送方向下流側に配され、前記記録ヘッドによって画像が記録された記録媒体を搬送するための第２ローラ対と、
前記第１および第２ローラ対の少なくとも一方によって搬送される記録媒体の搬送方向における位置情報に基づいて、前記記録媒体と前記記録ヘッドとの間隔を変更する変更手段とを備え、
前記変更手段は、前記第１ローラ対と前記第２ローラ対によって搬送される第１の位置に記録媒体が存在するときの前記間隔に比して、前記第１のローラ対は使用されず前記第２ローラ対によって搬送される第２の位置に記録媒体が存在するときの前記間隔の方が広くなるように、前記間隔を変更することを特徴とする記録装置。
【請求項８】
記録ヘッドを記録媒体に対して走査させながら前記記録ヘッドからインクを吐出して、前記記録媒体に画像を記録する記録装置において、
前記記録媒体を挟持しつつ回転することで、前記記録媒体を搬送するための一対のローラと、
前記一対のローラから前記記録媒体の後端部が外れる前に、前記一対のローラの少なくとも一方を移動させることにより、前記記録媒体の挟持を解除する解除手段と、
を備えることを特徴とする記録装置。
【請求項９】
前記記録媒体の後端部の位置を検出する検出手段を備え、
前記解除手段は、前記検出手段によって検出される記録媒体の後端部の位置に基づいて、前記一対のローラから前記記録媒体の後端部が抜ける時期を判断することを特徴とする請求項８に記載の記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
そのため本発明の記録装置の第１形態は、記録ヘッドに対向する位置へ搬送された記録媒体に対し前記記録ヘッドを走査させながら前記記録媒体に画像を記録する記録装置において、前記記録ヘッドに対向する位置へ前記記録媒体を搬送するための一対のローラを含む搬送手段と、前記搬送手段により搬送される記録媒体の後端が前記一対のローラの近傍に達したとき、前記記録媒体と前記記録ヘッドの間隔を広げるための間隔変更手段と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明の記録装置の第２形態は、記録ヘッドに対向する位置へ搬送された記録媒体に対し前記記録ヘッドを走査させながら前記記録媒体に記録を行う記録装置において、前記記録ヘッドより記録媒体搬送方向上流側に配され、前記記録ヘッドに対向する位置へ前記記録媒体を搬送するための第１ローラ対と、前記記録ヘッドより記録媒体搬送方向下流側に配され、前記記録ヘッドによって記録された記録媒体を搬送するための第２ローラ対と、前記第１ローラ対と前記第２ローラ対によって搬送される前記記録媒体の後端が前記第１ローラ対から外れる位置の近傍に達したとき、前記記録媒体と前記記録ヘッドとの間隔を広げる手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明の記録装置の第３形態は、記録ヘッドに対向する位置へ搬送された記録媒体に対し前記記録ヘッドを走査させながら前記記録媒体に画像の記録を行う記録装置において、前記記録ヘッドより記録媒体搬送方向上流側に配され、前記記録ヘッドに対向する位置へ前記記録媒体を搬送するための第１ローラ対と、前記記録ヘッドより記録媒体搬送方向下流側に配され、前記記録ヘッドによって画像が記録された記録媒体を搬送するための第２ローラ対と、前記第１および第２ローラ対の少なくとも一方によって搬送される記録媒体の搬送方向における位置情報に基づいて、前記記録媒体と前記記録ヘッドとの間隔を変更する変更手段とを備え、前記変更手段は、前記第１ローラ対と前記第２ローラ対によって搬送される第１の位置に記録媒体が存在するときの前記間隔に比して、前記第１のローラ対は使用されず前記第２ローラ対によって搬送される第２の位置に記録媒体が存在するときの前記間隔の方が広くなるように、前記間隔を変更することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明の記録装置の第４形態は、記録ヘッドを記録媒体に対して走査させながら前記記録ヘッドからインクを吐出して、前記記録媒体に画像を記録する記録装置において、前記記録媒体を挟持しつつ回転することで、前記記録媒体を搬送するための一対のローラと、前記一対のローラから前記記録媒体の後端部が外れる前に、前記一対のローラの少なくとも一方を移動させることにより、前記記録媒体の挟持を解除する解除手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月14日(2008.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
《参考製造例１》  水添スチレン系エラストマー（A−１）の製造
（１）窒素置換を十分に行ったオートクレーブ中に、α−メチルスチレン１５２ｇ、シク
ロヘキサン２２１ｇ、ヘキサン３８．５ｇおよびテトラヒドロフラン９．６ｇを投入した
。
（２）続いてｓｅｃ−ブチルリチウムのシクロヘキサン溶液１０ｍＬ（ｓｅｃ−ブチルリ
チウムとして１０ミリモル）を投入し、−１０℃で３時間重合反応を行った。重合開始５
時間後のポリα−メチルスチレン（重合体ブロック（ii）に相当）のＭｎ、Ｍｗ／Ｍｎを
ＧＰＣにより測定したところ、Ｍｎ＝１０５００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．０５であり、α−メチ
ルスチレンの重合転化率は９０％であった。
（３）次に、１，３−ブタジエン１０ｇを加え３０分間攪拌した後、１０℃まで昇温しシ
クロヘキサン１０９ｇを加えて重合溶液を希釈した。続いて重合溶液３１７ｇを抜き取り
、さらにシクロヘキサン５２４ｇを加えた。
（４）次に、１，３−ブタジエン１２８ｇを加え、５０℃で２時間重合を行った。この時
点のサンプリングで得られたポリマーのＭｎ、Ｍｗ／ＭｎをＧＰＣにより測定したところ
、Ｍｎ＝５９７００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．０５、１Ｈ−ＮＭＲ測定から求めたポリブタジエ
ン部の１，４−結合量は６０モル％であった。
（５）続いて、安息香酸フェニルのシクロヘキサン溶液１０ｍＬ（安息香酸フェニルとし
て２．６４ミリモル）をゆっくりと加え５０℃にて１時間攪拌した。攪拌終了後、少量の
脱気したメタノールを加えて重合を完結させた。得られたポリマーの数平均分子量をＧＰ
Ｃにより測定したところ、Ｍｎ＝１１９６００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．０６であった。１Ｈ−
ＮＭＲ測定から求めたα−メチルスチレン重合体ブロックの質量分率は３０質量％、１，
３−ブタジエン重合体ブロックの１，４−結合量は６０モル％であった。
（６）オクチル酸ニッケルとトリイソブチルアルミニウムの反応生成物を水添触媒として
上記（５）で得られた溶液に添加し、水素をオートクレーブ内に導入することで水添反応
を行った。水添反応は水添触媒導入後、１時間かけて５０℃まで昇温した後、７時間行っ
た。得られた溶液をクエン酸と過酸化水素の水溶液、水で十分に洗浄して水添触媒を除去
した後、有機層をアセトン／メタノール混合溶媒に注いでブロック共重合体を沈殿させた
。得られたブロック共重合体をメタノールにて十分に洗浄し、０．１質量部の酸化防止剤
（チバ・スペシャリティーズ・ケミカル社製「Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０」）を添加し、６
０℃で真空乾燥して水添スチレン系エラストマー（A−１）を得た。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
【表２】
2007152751.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月9日(2008.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷部に、記録媒体の吸着機構を有するインクジェットプリンタにおいて、
前記記録媒体の先後端部を印刷するときに、当該記録媒体の先後端部に近い前記吸着機構の吸引孔を閉じる手段を有することを特徴とするインクジェットプリンタ。
【請求項２】
前記構成に加えて、
前記記録媒体の搬送方向と、前記搬送方向と直交する前記記録媒体の幅方向とに、配列された複数のインク受けを有する、幅方向インク受け部を有し、前記幅方向インク受け部は、千鳥配置され、前記吸引孔の開閉は前記幅方向の列を単位として制御する請求項１に記載のインクジェットプリンタ。
【請求項３】
前記記録媒体の幅に対応した、当該記録媒体の搬送方向に沿った搬送方向インク受け部を有し、前記搬送方向インク受け部は、千鳥配置された前記幅方向インク受け部の上流側と下流側のそれぞれのインク受けとオーバーラップしており、前記吸引孔の開閉は、前記搬送方向インク受け部で区切られた幅方向の列を単位として制御する請求項２に記載のインクジェットプリンタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
ここで、本発明に係るインクジェットプリンタにおいては、前記構成に加えて、前記記録媒体の搬送方向と、前記搬送方向と直交する前記記録媒体の幅方向とに、配列された複数のインク受けを有する、幅方向インク受け部を有し、前記幅方向インク受け部は、千鳥配置され、前記吸引孔の開閉は前記幅方向の列を単位として制御することが好ましく、また、前記記録媒体の幅に対応した、当該記録媒体の搬送方向に沿った搬送方向インク受け部を有し、前記搬送方向インク受け部は、千鳥配置された前記幅方向インク受け部の上流側と下流側のそれぞれのインク受けとオーバーラップしており、前記吸引孔の開閉は、前記搬送方向インク受け部で区切られた幅方向の列を単位として制御することが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月25日(2008.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性の袋に液体を収納する液体収納容器において、
液体を収納する矩形の液体収納部と、
該液体収納部の一端に設けられた液体を取り出すための供給口と、
前記液体収納部の一端に対して反対側の他端に設けられ、前記袋の形状を保持するために液体又は気体を封入する矩形の袋形状保持部と
を有し、
前記液体収納部及び前記袋形状保持部は、同一の袋にそれぞれシール部をもって隔てられて個別に設けられていることを特徴とする液体収納容器。
【請求項２】
前記袋形状保持部は、前記液体又は前記気体の供給又は排出を行う出入口を有し、該出入口は、前記液体収納部の一端及び他端と直交する方向に位置する前記袋形状保持部の端部に設けられていることを特徴とする請求項１記載の液体収納容器。
【請求項３】
前記出入口を複数設けたことを特徴とする請求項２記載の液体収納容器。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の液体収納容器の前記液体収納部に液体としてインクを収納し、前記液体収納部を格納するケースを有することを特徴とするインクカートリッジ。
【請求項５】
請求項４記載のインクカートリッジを有することを特徴とするインクジェット記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
前記問題点を解決するために、本発明は可撓性の液体収納袋に液体を収納する液体収納容器であって、液体を収納する矩形の液体収納部と、該液体収納部の一端に設けられた液体を取り出すための供給口と、液体収納部の一端に対して反対側の他端に設けられ、袋の形状を保持するために液体又は気体を封入する矩形の袋形状保持部とを有し、液体収納部及び袋形状保持部は、同一の袋にそれぞれシール部をもって隔てられて個別に設けられていることに特徴がある。よって、液体を収納する袋の変形を防止し、かつ液体残量の低減を図ることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
更に、袋形状保持部は、液体又は気体の供給又は排出を行う出入口を有し、この出入口は、液体収納部の一端及び他端と直交する方向に位置する袋形状保持部の端部に設けられている。よって、輸送時などは袋形状保持部を低圧気味にしておき弾力性を持たせることで、クッション材として活用し、収納液体使用時には流体の出入口より袋形状保持（回復）のために流体又は気体を高圧で注入することにより、袋形状の原状回復を行うことで液体収納部に収納された液体を供給する時の袋のきれいなつぶれを促進することで、収納液体の残量を低減できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、別の発明としてのインクカートリッジは、上記の液体収納容器の液体収納部に液体としてインクを収納し、液体収納部を格納するケースを有し、インクを収納する袋の変形を防止し、かつインクの残量の低減を図ることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の液体収納容器によれば、液体を収納する矩形の液体収納部と、該液体収納部の一端に設けられた液体を取り出すための供給口と、液体収納部の一端に対して反対側の他端に設けられ、袋の形状を保持するために液体又は気体を封入する矩形の袋形状保持部とを有し、液体収納部及び袋形状保持部は、同一の袋にそれぞれシール部をもって隔てられて個別に設けられている。よって、液体を収納する袋の変形を防止し、かつ液体残量の低減を図ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月11日(2008.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上述の原理に基づく具体的な構成として、請求項１に係る温度調整型減圧槽は、（図１参照）、
温調機（２）を備えた減圧槽本体（１）と、真空ポンプ（６）と、上記減圧槽本体と真空ポンプとの間に介装接続された絞り弁（９ａ，９ｂ）を備えた排気弁（７，８）とを具備し、かつ、前記減圧槽本体に連通された圧力制御弁（１０）を有する温度調整型減圧槽において、前記圧力制御弁の流出口が直接的に減圧槽本体に接続されることなく、前記排気弁の流入口に接続連通されていることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項３の発明を前記請求項１の発明と併用すると、圧力制御部の圧力制御弁の流出口と減圧槽本体１とが直接的に連通されず、逆止弁を介して連通されるため、更に一定温度を保ちつつ短時間に減圧することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項４の発明に係る温度調整方法を適用すると、圧力制御部の圧力制御弁を流通した圧力調節用の気体を減圧槽本体内へ流通させないため、一定温度を保ちつつ短時間に減圧することができる。
しかも、圧力調節用の気体を排気弁に流入させるので、この流入気体は排気弁を経て真空ポンプに吸入され、該真空ポンプの実効排気量を相殺する。これによって、一定温度を保ちつつ短時間に減圧槽本体内の気圧を精密に減圧することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
図１は本発明に係る温度調整型減圧槽の実施形態を描いた配管系統図である。
この実施形態は、前掲の図２に示した従来例の温度調整型減圧槽に本発明を適用して改良した１例である。
次に、本図１が図２に比して異なる点、すなわち、本発明を適用して改良した事項について説明する。
図２（従来例）は、圧力制御部５の圧力制御弁１０の流出口が減圧槽本体１に接続連通されていた（矢印ａ）。図１の実施形態は圧力制御部５の該圧力制御弁１０の流出口を、排気部４に設けられている排気弁７，８の流入側に接続連通されている（請求項１の構成）。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
先に説明したように、主排気弁７及び副排気弁８の流入口は圧力制御弁１０の流出口と接続連通されている。この接続部と減圧槽本体１との間に補助タンク１６を介装接続すると、圧力制御弁１０から流出した気体（温度制御されていない）が減圧槽本体１内へ混入する虞れを確実に無くすことができる（請求項２に対応）。
上記補助タンク１６に代えて、仮想線で示した逆止弁１７を設けても同様の作用効果が得られる。
従って本実施形態による温度調整型減圧槽およびその減圧方法は、減圧槽設備の全体を大形大重量化させることなく、減圧槽本体内の温度擾乱を防止し、一定温度を保ちつつ短時間に減圧することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月11日(2008.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
以下、本発明を図面に示す実施形態に基づいて説明する。
図１に示すように、本実施形態に係るボーリングヘッドは、ヘッド本体１０と、このヘッド本体１０の先端部分において、ヘッド本体１０の軸線と直交する方向に形成した取付穴１０ａに装着したチップカートリッジ部材１１とで構成されている。
取付穴１０ａは、図１に示すように、ヘッド本体１０の下端から上方に向けて開口し、上端部直前で縮径する孔部１０ｂを形成している。この取付孔１０ａには、下端開口からガイド筒部１２が挿入される。このガイド筒部１２の一端には、チップホルダ１３がねじ１４により一体的に固定される。そして、このチップホルダ１３に超硬チップ等のチップ３０がねじ１５で固定される。さらに、このチップホルダ１３に固定されたガイド筒部１２の他端から開口するねじ穴１２ａには、内外径にねじ１６ａ，１６ｂを形成したスリーブ１６がねじ込まれて固定される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
１０  ヘッド本体
１０ａ  取付穴
１０ｃ  溝
１０ｄ  内壁
１０ｅ，１０ｈ  孔
１１  チップカートリッジ部材
１２  ガイド筒部
１２ａ  ねじ穴
１２ｂ  台形突起
１２ｄ  長溝
１２ｅ  溝
１２ｆ  環状凸部
１３  チップホルダ
１３ａ  筒状部
１３ｂ  チップ取付部
１３ｃ  台形状溝
１３ｅ  環状凹部
１４，１５，１６ａ，１６ｂ，２２，２３  ねじ
１６  スリーブ
１７  ブッシュ
１８  皿ばね
１９  ダイアル付ボルト
２０  鋼球
２１  ばね
３０  チップ
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月20日(2008.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
又、上記位置決め筒部１６に関しては、請求項５又は請求項６に記載した方法を採用できる。即ち、この位置決め筒部１６の内外径を（内径に関しては適正値よりも小さな寸法から拡げ、外径に関しては適正値よりも大きな寸法から縮めて）適正値にする為の筒部仕上工程を備える。より具体的には、この筒部仕上工程で上記位置決め筒部１６に、上記適正値よりも大きな外径と同じく小さな内径とを有する素筒部に冷間で扱き加工を施す。そして、この素筒部の内外径を適正値にすると共に強度を向上させて、上記位置決め筒部１６とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
［軌道輪部材の全加工工程に就いて］
前述した通り、本発明を実施する場合に、小径段部１８を加工する作業と、取付フランジ１５及び位置決め筒部１６を形成する作業との前後は問わない。又、これら取付フランジ１５及び位置決め筒部１６の加工方法も特に問わない。そこで、軌道輪部材である、従動輪用のハブ本体１３ａの全加工工程と、上記取付フランジ１５及び位置決め筒部１６の加工方法との具体例の幾つかに就いて、以下に説明する。尚、駆動輪用のハブ本体１３に就いても、小径段部１８の加工時に上述したマンドレル５０を使用する点以外、従動輪用とほぼ同様に実施できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2007152413.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月3日(2008.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
横方向に延びるように配設された線状光源と、上記線状光源からの光を前方に向かって反射させるように、線状光源の後方に配設された反射部材と、から成る灯具における線状光源であって、基板上にて線状に構成された線状発光部と、その上に配置された回転面から成るレンズと、を含んでおり、
上記線状発光部の長手方向に延びる発光領域の一側縁が、上記レンズの中心に沿って配置されていることを特徴とする、灯具用線状光源。
【請求項２】
上記線状発光部が、直線状に配置された複数個の発光素子から成ることを特徴とする、請求項１に記載の灯具用線状光源。
【請求項３】
上記線状発光部が、ＬＥＤアレイであることを特徴とする、請求項２に記載の灯具用線状光源。
【請求項４】
上記線状発光部が、線状に形成された面発光素子であることを特徴とする、請求項１に記載の灯具用線状光源。
【請求項５】
上記線状発光部の発光面側に、線状発光部を覆うように波長変換材料層が形成されており、この波長変換材料層の長手方向に延びる一側縁が、発光領域の一側縁として、上記レンズの中心に配置されていることを特徴とする、請求項１から４の何れかに記載の灯具用線状光源。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月15日(2008.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  高抵抗の第１導電型ベース層と、
前記第１導電型ベース層の一方の表面上に形成された第１導電型コレクタ層と、
前記第１導電型ベース層の他方の表面に選択的に形成された第２導電型ベース層と、
前記第２導電型ベース層の表面に選択的に形成された第１導電型エミッタ層と、
前記第１導電型ベース層の他方の表面上で、前記第２導電型ベース層とは異なる領域に形成されたトレンチ溝と、
前記第２導電型ベース層の表面上に形成されたベース電極と、
前記第１導電型コレクタ層の表面上に形成された第１の主電極と、
前記第１導電型エミッタ層の表面上に形成された第２の主電極と
を備えたことを特徴とする半導体素子。
【請求項２】  前記第１導電型ベース層の表面で前記第２導電型ベース層の占める面積占有比率が、０．１以下である
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項３】  前記トレンチ溝内に、絶縁膜を介して埋め込み電極が形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体素子。
【請求項４】  前記埋め込み電極は、
前記第２の主電極あるいは前記ベース電極と電気的に接続されている
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体素子。
【請求項５】  前記トレンチ溝の深さは、
前記第２導電型ベース層の深さよりも深い
ことを特徴とする請求項１乃至４に記載の半導体素子。
【請求項６】  高抵抗の第１導電型ベース層と、
前記第１導電型ベース層の一方の表面上に形成された第１導電型コレクタ層と、
前記第１導電型ベース層の他方の表面に選択的に形成された第２導電型ベース層と、
前記第２導電型ベース層の表面に選択的に形成された第１導電型エミッタ層と、
前記第２導電型ベース層の表面上に選択的に形成されたトレンチ溝と、
前記第２導電型ベース層の表面に形成されたベース電極と、
前記第１導電型コレクタ層に形成された第１の主電極と、
前記第１導電型エミッタ層に形成された第２の主電極と
を備えたことを特徴とする半導体素子。
【請求項７】  前記第２導電型ベース層の表面で前記トレンチ溝の形成されていない領域の占める面積占有比率は、０．１以下である
ことを特徴とする請求項６に記載の半導体素子。
【請求項８】  前記トレンチ溝の深さは、
前記第２導電型ベース層の深さより浅く、且つ、前記第１導電型エミッタ層の深さより深い
ことを特徴とする請求項６または７に記載の半導体素子。
【請求項９】  前記ベース電極は、
前記第１導電型エミッタ層に隣接して形成された
ことを特徴とする請求項１または６に記載の半導体素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明の一態様によれば、高抵抗の第１導電型ベース層と、前記第１導電型ベース層の一方の表面上に形成された第１導電型コレクタ層と、前記第１導電型ベース層の他方の表面に選択的に形成された第２導電型ベース層と、前記第２導電型ベース層の表面に選択的に形成された第１導電型エミッタ層と、前記第１導電型ベース層の他方の表面上で、前記第２導電型ベース層とは異なる領域に形成されたトレンチ溝と、前記第２導電型ベース層の表面上に形成されたベース電極と、前記第１導電型コレクタ層の表面上に形成された第１の主電極と、前記第１導電型エミッタ層の表面上に形成された第２の主電極とを備えたことを特徴とする半導体素子が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明の別の一態様によれば、高抵抗の第１導電型ベース層と、前記第１導電型ベース層の一方の表面上に形成された第１導電型コレクタ層と、前記第１導電型ベース層の他方の表面に選択的に形成された第２導電型ベース層と、前記第２導電型ベース層の表面に選択的に形成された第１導電型エミッタ層と、前記第２導電型ベース層の表面上に選択的に形成されたトレンチ溝と、前記第２導電型ベース層の表面に形成されたベース電極と、
前記第１導電型コレクタ層に形成された第１の主電極と、前記第１導電型エミッタ層に形成された第２の主電極とを備えたことを特徴とする半導体素子が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月17日(2008.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に下地絶縁膜を形成し、
前記下地絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、端部にテーパー部を有するゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして、非質量分離型のドーピング方法により、前記下地絶縁膜、前記ゲート絶縁膜、または前記ゲート電極にＨ３のピークが形成される加速電圧で前記半導体膜にｎ型を付与する元素またはｐ型を付与する元素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に下地絶縁膜を形成し、
前記下地絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、端部にテーパー部を有するゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして、非質量分離型のドーピング方法により、前記下地絶縁膜、前記ゲート絶縁膜、または前記ゲート電極にＨ３のピークが形成される加速電圧で前記半導体膜にｎ型を付与する元素またはｐ型を付与する元素を添加し、
レーザアニール法またはＲＴＡ法により、前記ｎ型を付与する元素またはｐ型を付与する元素を活性化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に下地絶縁膜を形成し、
前記下地絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の導電膜及び第２の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜上に第１のレジストマスクを形成した後、前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜をエッチングして、前記第１の導電膜の端部及び前記第２の導電膜の端部にテーパー部を有するゲート電極を形成し、
前記第１の導電膜のテーパー部を通して、非質量分離型のドーピング方法により、前記下地絶縁膜、前記ゲート絶縁膜、または前記ゲート電極にＨ３のピークが形成される第１の加速電圧で前記半導体膜にｎ型を付与する元素またはｐ型を付与する元素を添加し、
前記第１のレジストマスクを除去し、
前記ゲート電極をマスクとして、前記非質量分離型のドーピング方法により、第２の加速電圧で前記半導体膜に前記ｎ型を付与する元素またはｐ型を付与する元素を添加して、ソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域及び前記ドレイン領域とチャネル形成領域との間にそれぞれ形成された低濃度不純物領域とを形成し、
レーザアニール法またはＲＴＡ法により、前記ｎ型を付与する元素またはｐ型を付与する元素を活性化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２または３において、前記レーザアニール法を行う際に、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、またはＴｉ：サファイアレーザを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１または２において、
前記加速電圧をＶとし、前記ゲート絶縁膜の膜厚をｔ１、前記ゲート電極の膜厚をｔ２、前記ゲート電極のイオン阻止能をαとしたとき、前記加速電圧Ｖは、
Ｖ≧｛ｔ１＋（ｔ２×α）｝×０．３５
を満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１、２、または５において、前記加速電圧を８０〜１２０ｋＶとすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項３において、
前記第１の加速電圧をＶとし、前記ゲート絶縁膜の膜厚をｔ１、前記ゲート電極の膜厚をｔ２、前記ゲート電極のイオン阻止能をαとしたとき、前記第１の加速電圧Ｖは、
Ｖ≧｛ｔ１＋（ｔ２×α）｝×０．３５
を満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項３または７において、前記第１の加速電圧を８０〜１２０ｋＶとすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項３、７、または８において、前記第２の加速電圧を５〜３０ｋＶとすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、前記ゲート電極を形成した後、前記ゲート電極をマスクとして前記ゲート絶縁膜を薄膜化し、当該ゲート絶縁膜の膜厚を２０ｎｍ以下とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、前記非質量分離型のドーピング方法として、イオンドーピング装置またはプラズマドーピング装置を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月17日(2008.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  
絶縁表面上に非晶質構造を有する半導体膜を形成する第１工程と、
前記半導体膜に光を照射する第２工程と、
前記光が照射された半導体膜を加熱して結晶構造を有する半導体膜を形成する第３工程とを有する半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上に非晶質構造を有する半導体膜を形成する第１工程と、
前記半導体膜に金属元素を添加する第２工程と、
前記金属元素が添加された半導体膜に光を照射する第３工程と、
前記光が照射された半導体膜を加熱して結晶構造を有する半導体膜を形成する第４工程とを有する半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記加熱は、炉を用いた熱処理、又はランプを用いた熱処理によって行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記光の照射は、前記半導体膜を溶融させないエネルギー範囲で前記半導体膜の裏面側から行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記光の照射は、エネルギー密度５０ｍＪ／ｃｍ２〜１５０ｍＪ／ｃｍ２であるパルス発振のレーザ光を用いて行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記光の照射は、エネルギー密度０．０１ＭＷ／ｃｍ２〜１００ＭＷ／ｃｍ２である連続発振のレーザ光を用いて行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記結晶構造を有する半導体膜における結晶の集合の大きさは、１μｍ〜２０μｍであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月4日(2008.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】交流電源、交流電源の電源入力端子（Ｔ１），電源出力端子（Ｔ２），および出力端子（Ｔ３，Ｔ４）を有するブリッジ回路の前記両出力端子（Ｔ３，Ｔ４）に受電点を結んだ電磁チャック回路の結線部に介設した端子（Ｔ５，Ｔ６）に、抵抗（Ｒ１）とコンデンサ（Ｃ１）の平滑回路を介設した整流器回路に、前記平滑回路の抵抗（Ｒ１）とコンデンサ（Ｃ１）間に介設した端子（Ｔ７）よりツエナ−ダイオ−ド（ＺＤ）と定電流ダイオ−ド（Ｄ）および検出センサを直列して、かつ、前記コンデンサ（Ｃ１）に対して並列に設けた断線検出回路であって、ツエナ−ダイオ−ド（ＺＤ）の電圧（ＶＺＤ）を、電磁チャックの断線がないときの正常な電圧（ＶＯ）よりは大きく、電磁チャックに断線が生じた際の電圧（Ｖｂ）より小さく設定したことを特徴とする、電磁チャックの断線検出回路。
【請求項２】  さらに、交流電源と交流電源の電源入力端子（Ｔ１）間に双方向サイリスタを介挿させ、抵抗（Ｒ2）とコンデンサ（Ｃ2）を直列に設けた双方向サイリスタ保護回路を前記双方向サイリスタに対して並列に設けたことを特徴とする、請求項１に記載の電磁チャックの断線検出回路。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月14日(2008.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置およびその製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  サブストレートと、
前記サブストレート上に列状に配置された複数のパッドと、
前記複数のパッドの各々の主面を覆い、かつ前記主面を露出する第一開口を有するパッシベーション膜と、
前記複数のパッド及び前記パッシベーション膜を覆い、前記複数のパッドの主面を露出する第二開口を有する第一樹脂膜と、
前記第一樹脂膜上に位置し、前記複数のパッドのそれぞれにおいて前記パッシベーション膜の前記第一開口および前記第一樹脂膜の前記第二開口を介して前記パッドに電気的に接続された複数の配線と、
前記複数の配線のそれぞれに電気的に接続された複数のバンプと、を含み、
前記複数のパッドの配列方向において、前記第二開口の幅は、前記第一開口の幅よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  請求項１において、
前記第二開口の径は、前記第一開口の径よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】  請求項１において、
前記複数の配線は、一端部および前記一端部とは反対側の他端部をそれぞれ有し、
前記複数のバンプは、前記複数の配線のそれぞれの前記他端部上に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】  請求項１において、
前記複数パッドの配列方向において、前記第二開口は前記第一開口の内側に位置することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】  請求項４において、
前記パッシベーション膜は、窒化シリコン膜または酸化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】  請求項５において、
前記第一樹脂膜は、ポリイミド系樹脂膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】  請求項６において、
前記パッシベーション膜上には、第二樹脂膜が形成されており、
前記第一樹脂膜は、前記パッシベーション膜および前記第二樹脂膜上に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】  請求項７において、
前記第一樹脂膜および前記配線上には、前記配線の前記他端部を露出するように、第三樹脂膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】  請求項８において、
前記サブストレートの主面は、四角形から成り、
前記複数のパッドは、前記サブストレートの前記主面の各辺に沿って１列に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】  請求項９において、
前記複数の配線のそれぞれは、前記サブストレートの前記各辺から前記主面の中央部に向かって延在することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
（ａ）半導体からなるサブストレート上に列状に複数のパッドを形成する工程と、
（ｂ）前記サブストレート上に、前記複数のパッドを覆うパッシベーション膜を形成する工程と、
（ｃ）前記パッシベーション膜に前記パッドの主面を露出する第一開口を形成する工程と、
（ｄ）前記パッシベーション膜上に前記複数のパッドを覆うような第一樹脂膜を形成する工程と、
（ｅ）前記第一樹脂膜に、前記パッドの主面を露出する第二開口を形成する工程と、
（ｆ）前記第一樹脂膜上に、前記第一、第二開口を介して前記パッドに接続される配線を複数形成する工程とを有し、
前記複数のパッドの配列方向において、前記第二開口の幅は、前記第一開口の幅よりも小さいことを特徴とする半導体の製造方法。
【請求項１２】  請求項１１において、
前記第二開口の径は、前記第一開口の径よりも小さいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】  請求項１１において、更に
（ｇ）前記複数の配線を覆う第二樹脂膜を形成する工程と、
（ｈ）前記第二樹脂膜に、前記配線の一部を露出する第三開口を形成する工程と、
（ｉ）前記第三開口にバンプ電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】  請求項１１において、
前記複数のパッドの配列方向において、前記第二開口は、前記第一開口の内側に位置することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】  請求項１４において、
前記パッシベーション膜は、窒化シリコン膜または酸化シリコン膜からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】  請求項１５において、
前記第一樹脂膜は、ポリイミド系樹脂膜から成り、
前記第一樹脂膜の前記第二開口は、前記第一樹脂膜を前記パッシベーション膜上に形成した後のリソグラフィー処理によって形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】  請求項１６において、
前記第一樹脂膜は、感光性ポリイミド系樹脂膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】  請求項１７において、
前記サブストレートの主面は、四角形から成り、
前記複数のパッドは、前記サブストレートの一辺に沿って１列に配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】  請求項１８において、
前記複数の配線のそれぞれは、前記一辺から前記主面の中央部に向かって形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月20日(2008.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  正極と、リチウムを吸蔵放出可能な炭素材料を含んでなる負極と、非水電解液とを備えてなる非水電解質二次電池であって、前記非水電解液がビニレンカーボネートおよびビニルエチレンカーボネートを含んでいることを特徴とする非水電解質二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記の非水電解質二次電池において、非水電解液が環状炭酸エステルおよび鎖状炭酸エステルを含み、ビニレンカーボネートおよびビニルエチレンカーボネートを除く全電解液溶媒に対し、ビニレンカーボネートの含有量が０．０１質量％以上５質量％以下であり、ビニルエチレンカーボネ−トの含有量が０．０１質量％以上２質量％以下であることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
ビニレンカーボネートの含有量およびビニルエチレンカーボネ−トの含有量を上記の範囲に限定することにより、炭酸エステルの分解劣化が抑制され、非水電解質二次電池のサイクル特性が著しく改善される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記の非水電解質二次電池において、ビニレンカーボネートおよびビニルエチレンカーボネートを除く全電解液溶媒に対し、環状炭酸エステルの含有量が２０体積％以上５０体積％以下であることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記の非水電解質二次電池において、鎖状炭酸エステルが、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、メチルエチルカーボネートから選ばれた少なくとも１種であることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
環状炭酸エステルの含有量を上記の範囲に限定し、さらに鎖状炭酸エステルをジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、メチルエチルカーボネートから選ばれた少なくとも１種とすることによれば、非水電解質二次電池のサイクル特性の向上が顕著となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記の非水電解質二次電池において、炭素材料の（００２）面の面間隔：ｄ値（ｄ００２）が３．３７Å以下であることが好ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
負極に（００２）面の面間隔：ｄ値（ｄ００２）が３．３７Å以下である高結晶性炭素を用いることにより、非水電解質二次電池のサイクル特性の向上がより顕著となる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
【表３】
2003031259.tif 000001