【手続補正書】
【提出日】平成20年9月16日(2008.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機発光材料を含有する転写層を支持基板上に塗布形成する工程と、
前記支持基板上において前記転写層を加熱処理する工程と、
前記加熱処理された転写層を装置基板上に熱転写する工程とを行う
表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記加熱処理は、前記転写層に主として含有される有機材料のガラス転移点以上でかつ融点より低い温度で行われる
請求項１記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記加熱処理は、不活性な雰囲気中で行われる
請求項１または２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記装置基板上に熱転写された転写層を加熱処理する工程を行う
請求項１〜３の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記装置基板上に熱転写された転写層の加熱処理は、当該転写層に主として含有される有機材料のガラス転移点以上でかつ融点より低い温度で行われる
請求項４記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記装置基板上に熱転写された転写層の加熱処理は、前記支持基板上において行われる前記転写層の加熱処理よりも低い温度で行われる
請求項１〜５の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記転写層を装置基板上に熱転写する工程では、前記装置基板上に形成された下部電極上に前記転写層を熱転写し、
前記転写層が熱転写された前記装置基板上に、当該転写層に積層させる状態で上部電極を形成する工程を行う
請求項１〜６の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記上部電極を形成した後に、前記下部電極から当該上部電極までを積層してなる発光素子を覆う状態で保護膜を形成する工程を行うと共に、
前記転写層を熱転写する工程から前記保護膜を形成する工程までを一連の不活性な雰囲気中で行う
請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記支持基板上に前記転写層を塗布形成する工程では、当該支持基板上の全面に当該転写層を形成し、
前記転写層を装置基板上に熱転写する工程では、当該転写層の一部を当該装置基板上にパターン転写する
請求項１〜８の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記転写層を塗布形成する工程では、前記支持基板上に当該転写層をパターン形成し、
前記転写層を装置基板上に熱転写する工程では、パターン形成された当該転写層を当該装置基板上に一括転写する
請求項１〜８の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記転写層を塗布形成する工程では、前記支持基板上に異なる種類の有機発光材料を含有する各転写層を個別にパターン形成する
請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記転写層を塗布形成する工程では、前記支持基板上にパターン形成された熱変換層を覆う状態で、当該支持基板上の全面に当該転写層を形成し、
前記転写層を装置基板上に熱転写する工程では、パターン形成された前記熱変換層上における当該転写層部分のみを当該装置基板上に一括転写する
請求項１〜８の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
そして赤色転写層３５ｒは、主に正孔輸送性を有するホスト材料と、赤色発光性のゲスト材料（有機発光材料）とで構成される。このうちゲスト材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよいが、発光特性の制御の容易さから蛍光性のものが好ましい。このような赤色転写層３５ｒは、例えば、ホスト材料に正孔輸送性材料のα−ＮＰＤ(α-naphtyl phenyl diamine)を用い、赤色発光性のゲスト材料として２，６≡ビス［（４’≡メトキシジフェニルアミノ）スチリル］≡１，５≡ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより、膜厚４５ｎｍ程度に構成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
＜工程Ｓ１２＞
次に工程Ｓ１２においては、支持基板３１上に塗布形成した緑色転写層３５ｇを加熱処理する。この加熱処理は、緑色転写層３５ｇを構成する有機材料のガラス転移点以上でかつ融点より低い温度で行われる。例えば本実施形態においては、緑色転写層３５ｇを構成する主材料としてＡＤＮが用いられており、そのガラス転移温度は１０６℃であり融点は３８９℃である。このため、加熱処理は、主材料であるＡＤＮのガラス転移点より高く、融点以下の温度範囲で行われ、例えば1６０℃において３０分程度行われる。尚、この加熱処理は、真空状態を含む不活性な雰囲気中において行うこととする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
青色転写層３５ｂは、主に電子輸送性を有するホスト材料と、青色発光のゲスト材料（有機発光材料）とで構成されている。このうち、ホスト材料は、上述した緑色転写層（３５ｇ）と同様に、正孔輸送層を構成する材料と比較して電子輸送性が高ければ良く、またゲスト材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよいが、発光特性の制御の容易さから蛍光性のものが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
例えばここでは、表示装置が上面発光型であり、第１電荷を正電荷とし、下部電極３を陽極として用いることとする。この場合、下部電極３は、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、プラチナ（Ｐｔ）さらには金（Ａｕ）のように、反射率の高い導電性材料、及びその合金で構成される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
尚、表示装置が上面発光型であるが、下部電極３を陰極として用いる（つまり第１電荷を負電荷とする）場合には、下部電極３は仕事関数が小さな導電性材料を用いて構成される。このような導電性材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ等の活性な金属とＡｇ、Ａｌ、Ｉｎ等の金属との合金、或いはこれらを積層した構造を使用できる。また、機能層との間に例えば、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ等の活性な金属とフッ素、臭素等のハロゲンや酸素等との化合物層を薄く挿入した構造としても良い。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
これに対して、表示装置が透過型、または両面発光型であり下部電極３を陽極として用いる場合には、ＩＴＯ(Ｉｎｄｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ)やＩＺＯ（Ｉｎｉｄｉｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ）のように、透過率の高い導電性材料で下部電極３を構成する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
ここでは先ず、工程Ｓ１１，Ｓ１２のようにして作製した赤色転写基板３０ｒを、正孔輸送層９が形成された装置基板１に対向配置させる。この際、赤色転写層３５ｒと正孔輸送層９とが向き合うように、赤色転写基板３０ｒと装置基板１とを配置する。また、装置基板１と赤色転写基板３０ｒとを密着させる。このようにした場合であっても、装置基板１側の絶縁膜５上に赤色転写層３５ｒが支持された状態となり、下部電極３上の正孔輸送層９の部分に赤色転写基板３０ｒが接触することはない。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
また、転写用基板３０ｒ、３０ｇ、３０ｂの作製における工程Ｓ１２での加熱処理より低い温度で、本工程Ｓ４の加熱処理を行うことが好ましい。工程Ｓ１２の加熱処理よりも高い温度で本工程Ｓ４の加熱処理を行うと、正孔輸送層９と発光層１１ｒ，１１ｇ，１１ｂとの反応が生じたりして好ましくない。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
ここでの、ガラス移転点付近の温度とは、正孔輸送層９を支配的に構成している有機材料のガラス転移点と、赤色発光層１１ｒ、緑色発光層１１ｇ、青色発光層１１ｂを支配的に構成している有機材料のガラス転移点との中間の温度±３０℃以内の温度であることとする。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
次に、図５（２）に示すように、電子輸送層１３上に第２電荷注入層（すなわちここでは電子注入層）１７を成膜する。この電子注入層１７は、装置基板１上の全面に共通層として蒸着成膜される。このような電子注入層１７は、一般的な電子注入材料を用いて構成され、一例としてＬｉＦを真空蒸着法により約０．３ｎｍ（蒸着速度〜０．０１ｎｍ／ｓｅｃ）の膜厚で形成してなる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
さらに、転写用基板３０ｒ，３０ｇ，３０ｂの作製においては、支持基板３１上に光熱変換層３３をパターン形成し、この上部に酸化保護膜３４を介して転写層３５ｒ，３５ｇ，３５ｂを全面に塗布形成しても良い。この場合であっても、工程Ｓ２の熱転写においては、広い範囲にレーザ光を一括照射することで、パターン形成された転写層が目的の形成画素に対応する部分に一括転写される。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
この場合、工程Ｓ１２の加熱処理においては、各転写層３５ｒ，３５ｇ，３５ｂを構成する有機材料のガラス転移点以上でかつ融点より低い温度で行われることとする。このため、例えば各転写層３５ｒ，３５ｇ，３５ｂに対して設定される加熱処理温度のうち、最も低い温度を採用すれば良い。前述した実施形態の例で言えば、赤色転写層３５ｒに対する工程Ｓ１２での熱処理温度が１５０℃であり、緑色転写層３５ｇと青色転写層３５ｂに対する工程Ｓ１２での熱処理温度が１６０℃であるため、３種類の転写層３５ｒ，３５ｇ，３５ｂを同一の支持基板３１上にパターン形成した場合の工程Ｓ１２での熱処理温度は１５０℃とする。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
このように作製された転写用基板を用いた場合であっても、工程Ｓ２の熱転写においては、広い範囲にレーザ光を一括照射することで、パターン形成された転写層が目的の形成画素に対応する部分に転写される。しかも、複数種類の転写層３５ｒ，３５ｇ，３５ｂを一度の熱転写によって一括して装置基板上に熱転写できる。また、この場合であっても、支持基板３１上の転写層に対して加熱処理を行わない場合に比較して、十分な特性向上の効果を得ることができる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１５】
（工程Ｓ１）
装置基板１となるガラス基板の上に、銀合金層であるＡＰＣ(Ag-Pd-Cu)層（膜厚１２０ｎｍ）、ＩＴＯからなる透明導電層（膜厚１０ｎｍ）をこの順に形成した２層構造の下部電極３を陽極としてパターン形成した。次に下部電極３を覆う状態で酸化シリコンの絶縁膜５をスパッタリング法により約２μｍの厚さで成膜し、リソグラフィー法により下部電極３を露出させ、画素領域とした。その表面の上に、正孔注入層７として、ｍ−ＭＴＤＡＴＡを１０ｎｍの膜厚で蒸着した。次に、正孔輸送層９として、α−ＮＰＤを３５ｎｍの膜厚で蒸着した。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１６】
（工程Ｓ２）
成膜された有機層同士が向き合う状態で、上記工程Ｓ１１，Ｓ１２において作製した赤色転写基板３０ｒを装置基板１の上に配置し、真空中で密着させた。両基板は、絶縁膜５の厚さによって、約２μｍの小さな間隙が維持される。この状態で、装置基板１の画素領域に相等する領域に、転写用基板３０ｒの裏側から波長８００ｎｍのレーザ光線を照射することにより、転写用基板３０ｒから赤色転写層３５ｒを熱転写させ、正孔輸送性の赤色発光層１１ｒを形成した。レーザ光線のスポットサイズは、３００μｍ×１０μｍとした。レーザ光線は、該光線の長手寸法に対して直交する方向において走査した。エネルギー密度は、１．８Ｊ／ｃｍ2とした。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２４】
（工程Ｓ１１）
青色転写層３５ｂの塗布形成においては、ＡＤＮからなるホスト材料に、ＤＰＡＶＢｉからなる青色発光性のゲスト材料を２．５重量％の割合で混合したものをトルエンに対して０．８重量％の濃度で溶解した溶液を作製し、光熱変換層３３および酸化保護層３４が成膜された支持基板３１上に、前記溶液を滴下しスピンコーターを使用して１５００ｒｐｍの回転数で回転させて塗膜（青色転写層３５ｂ）を形成した。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２５】
（工程Ｓ１２）
塗布形成した青色転写層３５ｂを加熱処理した。青色発光層３５ｂを構成する主材料としてＡＤＮが用いられており、そのガラス転移温度は１０６℃である。この加熱処理は、このガラス転移点より高く、融点以下の温度範囲で行われる。そこで窒素ガス中１６０℃において３０分間加熱処理した。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２８】
≪評価結果≫
以上のようにして作製した実施例の各色発光素子および比較例の各色発光素子について、１０ｍＡ／ｃｍ2の定電流密度を印加した状態で、分光放射輝度計を用いて色度（ＣＩＥ-x，ＣＩＥ-y）および発光効率を測定した。また、実施例と比較例で同色の発光素子が同輝度で発光するように電流印加を設定した状態で寿命試験を行い、１００時間経過後の輝度減少率を測定した。これらの結果を下記表１に示す。