(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性支持体；
この支持体上に形成された磁性層；および
磁性層上に滑剤層を含む磁気記録媒体であって、この滑剤層が、トリス−（２−オクチルドデシル）シクロペンタンよりなる滑剤を含む該磁気記録媒体。
【請求項２】
前記滑剤層が他の滑剤および／又は添加剤を更に含む請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記添加剤が、環状ホスファゼンであり、前記他の滑剤が、金属石鹸、脂肪酸、アミド、脂肪酸エステル、高級脂肪族アルコール、モノアルキルホスフェート、ジアルキルホスフェート、トリアルキルホスフェート、パラフィン、シリコーン油、動物性または植物性の油、鉱油、高級脂肪族アミン、無機微粉、樹脂微粉、および室温で液体の不飽和脂肪族炭化水素である請求項２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記滑剤層中のトリス−（２−オクチルドデシル）シクロペンタンの含有量が０．０５５重量％である請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記滑剤層中のトリス−（２−オクチルドデシル）シクロペンタンの含有量が０．１１重量％である請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記滑剤層中のトリス−（２−オクチルドデシル）シクロペンタンの含有量が０．２２重量％である請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
更に、前記磁性層と滑剤層との間に保護層を含む請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
非磁性支持体上に磁性層、およびこの磁性層上に滑剤層を含む磁気記録媒体であって、この滑剤層が、トリス−（２−オクチルドデシル）シクロペンタンよりなる滑剤を含む該磁気記録媒体；および
この磁気記録媒体に隣接した磁気ヘッドであって、記録媒体上の情報を読取りおよび書込みするように、この磁気記録媒体上をスライディングする該磁気ヘッド；
を含むデータ記憶／取出し装置。
【請求項９】
前記装置がコンピュータディスクドライブである請求項８に記載のデータ記憶／取出し装置。
【請求項１０】
ＣＰＵ；
このＣＰＵに接続されたディスクドライブであって、このディスクドライブはＣＰＵとコミュニケーションできる該ディスクドライブ；
を含むコンピュータであって、このディスクドライブが、
非磁性支持体上に磁性層、およびこの磁性層上に滑剤層を有する磁気記録媒体であって、この滑剤層が、トリス−（２−オクチルドデシル）シクロペンタンよりなる滑剤を含む該磁気記録媒体；および
この磁気記録媒体に隣接した磁気ヘッドであって、磁気記録媒体上の情報を読取りおよび書込みするために、この磁気記録媒体上をスライディングする磁気ヘッド；
を含む該コンピュータ。
【請求項１１】
非磁性支持体を与え；
その支持体上で磁性層を形成し；
その磁性層上に、トリス−（２−オクチルドデシル）シクロペンタンよりなる滑剤を含む滑剤層を形成することを含む磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
発明の分野
【０００２】
本発明は、滑剤膜をその上に有する磁気記録媒体（magnetic recording medium）およびこれを製造する方法に関する。更に、本発明は、このような磁気記録媒体を取り入れたデータ記録／取出し（retrieval）装置およびコンピュータにも関する。
【０００３】
発明の背景
【０００４】
薄膜磁気記録ディスクおよびディスクドライブは、多量のデータを磁化可能な形で記憶するために一般に用いられている。最近の１０年にわたって、磁気記録は、現代のコンピュータシステムにおけるデジタル情報の記憶のための支配的な技術になった。
【０００５】
磁気記録は、一般に、磁気媒体と磁気記録ヘッドとの間の相対的な運動によって達成される。磁気記録ヘッドは、磁気媒体に面するギャップを有する小さい電磁石からなる。書込みの間、電流は電磁石の巻線に印加され、ヘッド印加された電流の方向に従ってヘッドのギャップで漏れ磁場を形成し、磁気媒体を磁化する。読取りの間、磁気媒体からの磁束はヘッドのコアからインターセプトされ、読取られたヘッドのコイル内に電圧パルスを誘導する。
【０００６】
図ｌＡおよびｌＢは、典型的なディスクドライブを説明する。図１Ａは、そのディスクドライブの上平面図であり、図ｌＢは、そのディスクドライブの側面図である。ディスクドライブ１０は、一般に、磁気ディスク１１と、その磁気ディスク１１に書込みし、且つ磁気ディスク１１から情報を読取るためのディスクヘッド１６とを含む。ディスクヘッド１６は、読取り／書込みエレメント１２と、スライダ１３を含むことができる。ディスクヘッド１６は、サスペンションアーム１４に接続され、そして、それは回転するアクチュエータ１５に接続されている。
【０００７】
データを記憶する、または取出す共通の方法は、接触スタート／ストップと称されている（「ＣＳＳ」としても知られている）。典型的なＣＳＳ操作において、操作の初めではそれらが互いに接触しているように、ディスクヘッドと磁気ディスク表面がセットされる。その後、磁気ディスクに所定の回転を与えることによって、空気層のスペースが、ヘッドと磁気ディスク表面との間で形成される。この状態で、データの記録または／取出しが行われる。操作の終わりに、磁気ディスクの回転が停止される。この点で、ヘッドと磁気ディスク表面は、操作が開始された時のように、摩擦接触状態にある。この摩擦接触状態においてヘッドと磁気ディスクとの間で生じる摩擦力は、ヘッドおよび磁気ディスクを摩耗させる。結局、この摩擦力は、ヘッドおよび磁気ディスクを損傷させる可能性がある。更に、摩擦接触の状態において、磁気記録ヘッドの高度の僅かな変化は、時々ヘッド上の負荷を不均一とし、ヘッドおよび磁気ディスク表面を損傷させる。
【０００８】
ヘッドとの接触、およびヘッド上のスライディングに起因する磁気ディスクの摩耗を防止するために、磁気ディスク表面に滑剤層が配置される。磁気ディスクで用いられる通常の滑剤は、ポリフルオロポリエーテル（「ＰＦＰＥ」）である。磁気ディスクの耐摩耗性を増大させ、且つＰＦＰＥ滑剤の腐食性効果から磁性材料を保護するために、保護層が、時々磁気媒体と滑剤層の間に配置される。その保護層は、アモルファス炭素、ダイアモンド状炭素、および他の材料を含むことができる。
【０００９】
コンピュータの使用が普及したために、磁気ディスクの面データ記憶密度の増加は、ほとんど４０年の間、速く、且つ衰えずに続いた。高い記録密度への傾向は、続くと予想される。例えば、現在の面密度は、平方センチメートル当たり約０．７７ギガバイト（平方インチ当たり０．５０ギガバイト）である。次世代ディスクは、平方センチメートル当たり約１．５５ギガバイト（平方インチ当たり約１０ギガバイト）の面密度を有するであろう。数年のうちに、面密度は、平方センチメートル当たり６．２ギガバイト（平方インチ当たり４０ギガバイト）を上回ると予想される。高い記録密度を達成するためには、磁気媒体の表面に出来る限り近接して、磁気ヘッドが配置されるべきである。磁気ヘッドの先端と磁気媒体の表面との間の距離は、「フライト高さ」と称される。例えば平方センチメートル当たり約０．０７７ギガバイト（平方インチ当たり０．５ギガバイト）の面密度を達成するために、約２０〜３０ｎｍの範囲のフライト高さが要求される。平方センチメートル当たり約１．５５ギガバイト（平方インチ当たり１０ギガバイト）の面密度を達成するためには、約１０〜１５ｎｍのフライト高さが要求される。平方センチメートル当たり６．２ギガバイト（平方インチ当たり４０ギガバイト）の面密度が望まれるならば、フライト高さは更に約３．５ｎｍまで減少すべきである。これは、滑剤層（または膜）の厚さと、保護層の厚さの合計が約３ｎｍ以下であるべきことを意味する。従って、より高い密度ディスクのための征服が続くにつれて、ヘッド−ディスクインターフェイスの信頼性は、滑剤膜の寿命および性能に、更に依存するようになる。換言すれば、物理的、化学的、および摩擦学的性質等の滑剤膜の特性は、このような高密度ディスクの性能に対する決定的な影響を有する。
【００１０】
第一に、ドライブの寿命の間、滑剤膜または層は持続すべきである。滑剤層が時期尚早に摩耗すれば、ディスクドライブは、それに応じて故障するであろう。更に、滑剤層は、化学的な分解に対して抵抗性であるべきである。滑剤層の化学的分解は、熱分解、固体表面による触媒反応、およびディスクヘッドとの高速接触のための機械的剪断により誘導される可能性がある。
【００１１】
化学安定性に加えて、ディスク滑剤系を開発する際の主な挑戦は、静摩擦を容認できないレベルに増大させることなく、適切な耐久性を提供することである。磁気ディスクの寿命の間、ディスクヘッドは、数千回のストップおよびスタートのサイクルを受ける。ディスクヘッドと磁気媒体との間の静止摩擦力があまり大きくなるならば、ドライブモーターが、ディスクのスピンを再開するために充分なトルクを発揮できない可能性がある。これは、ディスクドライブの故障をもたらす可能性がある。
【００１２】
上記したように、磁気記録媒体における滑剤膜を形成するために、ＰＦＰＥ類が広く用いられて来た。ＰＦＰＥ類は比較的高価である。したがって、より安価な代替品が、より望ましい。ＰＦＰＥ類は良好な熱的安定度を有するが、それらがルイス酸と接触すると、それらは容易に分解する。磁気記録ヘッドがしばしばＡｌ2Ｏ3／ＴｉＣ複合材料から製造され、Ａｌ2Ｏ3がＡｌＦ3（強いルイス酸）に変換される可能性があるため、これは重要な問題である。このＡｌＦ3の形成は、ＰＦＰＥ滑剤の化学的な分解をもたらす。更に、ＰＦＰＥ類が磁気媒体に塗布される際には、溶媒としてのクロロフルオロ炭化水素（「ＣＦＣ類」）の使用が、一般に必要とされる。ＣＦＣ類はオゾン層に対して有害な効果を有し、可能ならばその使用を避けるべきである。
【００１３】
前述の議論を考慮して、情報時代の要求に応じるために、高い剪断速度および過酷な環境に耐えるように、より化学的および機械的に強い滑剤層を有する磁気記録媒体を開発するニーズがある。その滑剤層は、高い面密度が達成できるように、低減されたフライト高さを許容するべきである。更に、このような滑剤が比較的安価で、その滑剤層を形成するためにＣＦＣ類を使用しないことが望ましい。
【００１４】
発明の概要
【００１５】
上記のニーズは、磁気記録媒体における磁性層上の滑剤層を形成するために使用できる、トリス（２−オクチルドデシル）シクロペンタンからなる滑剤によって満たされる。
【００１６】
１つの面においては、本発明は磁気記録媒体に関する。その磁気記録媒体は、（１）非磁性支持体；（２）その支持体上に形成された磁性層；および（３）磁性層上の滑剤層を含み；その滑剤層は、トリス（２−オクチルドデシル）シクロペンタンからなる滑剤を含む。いくつかの態様において、磁気記録媒体は、更に、磁性層と滑剤層の間の保護層（炭素オーバーコート等）を含むことができる。
【００１７】
本発明の更なる面は、ここで記述される。本発明の利点および目的は、以下の記述から明らかである。
【００１８】
発明の態様の詳細な説明
【００１９】
本発明の態様は、トリス（２−オクチルドデシル）シクロペンタンから形成された滑剤膜または層を有する磁気記録媒体を与える。この磁気記録媒体は、コンピュータディスクドライブ等のデータ読み込み／取出し装置の製造において有用である。
【００２０】
磁気記録媒体上の滑剤膜は大気の条件に晒され、製造プロセスにおいて一回だけ塗布されるため、磁気記録媒体上の膜の形の滑剤は、好ましくは低い蒸気圧、高い化学安定性、および良好な許容荷重（load-carrying capability）および望ましい摩擦学的性質を有するべきである。トリス（２−オクチルドデシル）シクロペンタンは、磁気記録媒体における滑剤膜または層としての使用のために必要な性質を有する。
【００２１】
滑剤
【００２２】
上記したように、磁性材料層上の滑剤膜または層を形成するための適当な化合
物は、トリス（２−オクチルドデシル）シクロペンタンである。この化合物は低い蒸気圧および所望の摩擦学的性質を有し、約２０℃で約１×１０-12ｍｍＨｇ（トル；Torr）の蒸気圧を有する。その摩擦学的性質は、既存の磁気記録媒体用の滑剤よりも良好であるか、または匹敵する程度である。加えて、それは良好な熱的安定性、添加溶解性および耐酸化性を有する。
【００２３】
磁気記録媒体
【００２４】
本発明の態様に従って、磁気記録媒体は（１）非磁性支持体；（２）その支持体上に形成された磁性層；および（３）磁性層上に滑剤層を含む。滑剤層は、トリス（２−オクチルドデシル）シクロペンタンからなる滑剤を含む。所望により、保護層が磁性層と滑剤層の間にあってもよい。換言すれば、いくつかの態様は保護層を含むことができ、他方、他の態様がこのような層を含まなくてもよい。
【００２５】
データ記憶／取出し装置は、本発明の磁気記録媒体を用いて、構成することができる。
【００２６】
本発明の態様に従う磁気記録媒体は、（１）非磁性支持体を与え；（２）その支持体上に磁性層を形成し；および（３）磁性層上にトリス（２−オクチルドデシル）シクロペンタンからなる滑剤を含む滑剤層を形成する方法によって製造することができる。所望により、磁性層と滑剤層の間に、保護層が形成されていてもよい。
【００２７】
一般的に、基材支持体として任意の非磁性物質を使用することができる。支持体のための適当な材料は、（これらに制限されないが）、アルミニウム合金、チタン合金またはステンレス鋼合金等の金属；ポリエステル、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、芳香族ポリエーテル、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ポリカーボネート、ジアリル（allyl）フタレート樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニレンエーテル、ポリアセタール樹脂、ポリブチレンテレフタレート、ビスマレイミド  トリアジン樹脂、ポリオキシベンジレン樹脂、ポリフェニレニスルフィド等のプラスチック；ガラス、ケイ素、ゲルマニウム、アルミナ、シリカ、ダイアモンド、アモルファス炭素またはグラファイト等のセラミック；およびＮｉ−Ｐプレーティング膜、Ｃｒ、ＦｅＮｉ、ステンレス鋼、Ｍｏ、またはＷ、陽極酸化されたアルミニウムでコートされたアルミニウム合金被覆等の金属を含む。磁気媒体を製造する際に、非磁性支持体が必ずしも必要とは限らないことを認識するべきである。
【００２８】
支持体上に磁性層を形成するために、任意の磁性材料を使用することができる
。適当な磁性材料は、（これらに制限されないが）Ｆｅ3Ｏ4、γ−Ｆｅ2Ｏ3、バリウムフェライトまたはＣｒＯ2等の酸化物；Ｆｅ3Ｎ4等の窒化物；Ｆｅ5Ｃ2等の炭化物；Ｃｏ、ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＰ、ＣｏＭｎＰ、ＣｏＭＮｉＰ、ＣｏＲｅ、ＣｏＰｔ、ＣｏＮｉＰｔ、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＮｉＲｅ、ＣｏＭｎＲｅＰ、ＣｏＦｅＣｒ、ＣｏＶ、ＣｏＲｕ、ＣｏＯｓ、ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＰｔＶ、ＣｏＲｈ、ＣｏＣｒＲｈ、ＣｏＮｉＭｏ、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＮｉＷまたはＣｏＳｍ等のコバルト含有金属；ＦｅＮｄ、ＦｅＭｇ、ＦｅＡｇ、ＦｅＰｄ、またはＦｅＴｂ等の鉄含有金属；ＭｎＡＩまたはＭｎＣｕＡＩ等のマンガン含有金属を含む。上記の種々の磁性材料の粒子を混合し、分散させることによって製造した樹脂を用いることも可能である。
【００２９】
磁性層と滑剤層との間に、保護層を形成するために適当な材料は、（これらに制限されないが）ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＣ、またはケイ酸ポリマー等のケイ素化合物；Ａｌ2Ｏ3、ＣｏＯ、Ｃｏ3Ｏ4、Ｃｏ2Ｏ3、α−Ｆｅ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3、ＣｒＯ3、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＺｎＯ、ＰｂＯ、ＮｉＯ、ＭｏＯ2またはＳｎＯ2等の金属酸化物；ＭｏＳ2、ＷＳ2またはＴａＳ2等の金属硫化物；ＴｉＣ、ＺｒＣ、ＣｒＣまたはＴａＣ等の金属炭化物；金属フッ化物またはグラファイトのフッ化物；Ｗ、Ｃｒ、Ｉｒ、ＮｉＢ、ＮｉＰ、ＦｅＣｒ、ＮｉＣｒ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｒｕ、Ｒｂ、Ｍｎ、Ｍｏ、ＯｓまたはＴａ、または、これらの金属の個々の合金等の金属；Ｓｉ、Ｇｅ、ＢまたはＣ等の半導体（例えば、アモルファス水素化炭素、アモルファス窒素化炭素、アモルファス炭素、ダイアモンド状炭素またはそれらの混合物；またはグラファイト状炭素またはその混合物）；およびポリ四フッ化エチレン、フェノール樹脂、またはポリイミド等のプラスチックを含む。
【００３０】
これらの層を形成するための方法は、当該技術において公知である。例えば、これらの膜は、化学蒸気堆積（vapor deposition）、物理蒸気堆積、電気化学的プレーティング、電子アシスト（electron-assisted）堆積、イオンアシスト堆積、その他によって形成することができる。
【００３１】
磁気ヘッド本体を作製するための適当な材料は、（これらに制限されないが）石英、ガラス、アルミナ、サファイヤ、ルビー、ダイアモンドまたはケイ素等の絶縁体；伝導性を有するシリコン炭化物、アルミナ−炭化チタン等の焼結体；およびセラミックベースの導体（例えばマンガン−亜鉛フェライトまたはニッケル−亜鉛フェライト）を含む。所望により、薄い絶縁膜を、磁気ヘッド本体に適用することができる。絶縁膜は、ダイアモンド状炭素、ＳｉＯ2またはアルミナを含むことができる。
【００３２】
滑剤層中でトリス（２−オクチルドデシル）シクロペンタンを単独で用いることもできるが、追加的な滑剤が磁気記録媒体の性能に悪影響を及ぼさない限り、他の滑剤および／又は添加剤と組み合わせて使用することもできる。任意の公知の添加剤を用いることができるが、環状ホスファゼン添加剤、例えばフッ化フェノキシ置換された環状ホスファゼンの混合物、またはフルオロアルコキシ置換された環状ホスファゼンの混合物が好ましい。適当な追加的な滑剤は、（これらに制限されないが）金属石鹸、脂肪酸、アミド；脂肪酸エステル；高級脂肪族アルコール：モノアルキルホスフェート；ジアルキルホスフェート、トリアルキルホスフェート、パラフィン、シリコーン油；動物性または植物性の油；鉱油、高級脂肪族アミン、グラファイト、シリカ、二硫化モリブデン、および二硫化タングステン等の無機微粉；およびポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、エチレン−塩化ビニルコポリマー、およびポリ四フッ化エチレン、アルファ−オレフィンポリマー等の樹脂微粉、および室温で液体である不飽和脂肪族炭化水素を含む。
【００３３】
磁性層上で滑剤層を形成するための種々の方法は、当該技術において公知である。例えば、有機溶媒中の滑剤の溶液を、基材（例えば、その上に磁性膜を有する非磁性支持体）上にコートまたはスプレーし、溶媒を蒸発させることによって、滑剤膜を形成することができる。他の方法は、磁性層を有する基材を、滑剤を含浸した物体でこすることによって、滑剤をそれに移すことを含む。更に他の方法は、磁性層を有する基材を、有機溶液中の滑剤の溶液に浸漬して、滑剤を基材上へ吸着させることを含む。更に、滑剤層は、「ラングミュア−ブロジェット」法と称される方法によって形成することができる。ラングミュア−ブロジェット法は、膜中で単分子層または多分子層を構成するために使用することができる。この方法は、一般的に米国特許第４，９０７，０３８号で記述されている。
【００３４】
いくつかの態様において、滑剤層は、デイップコーティング、コイル−バーコーティングまたはグラビアコーティングに続く乾燥によって形成される。エタノール、メタノール、ベンゼン、トルエン、アセトン、シクロヘキサン、ヘプタン、エチルエーテル、ジクロロメタン、イソプロパノール、石油ナフサ、酢酸エチル、メチルエチルケトン、その他の種々の溶媒を、この方法において使用することができる。ＣＦＣ類およびこれに関連した溶媒も使用することができるが、それらの有害な環境的な効果のため、それらは好ましくない。
【００３５】
以下の例は本発明の態様を説明するために与えられるが、特に記述しない限り本発明の範囲を制限することを意図しない。ここで開示した全ての数は、近似値である。
【００３６】
例１
【００３７】
この例は、トリス−（２−オクチルドデシル）シクロペンタンからなる滑剤、ペンザン（Pennzane；登録商標）Ｘ−２０００が、既存の滑剤Ｚ−ドル（Ｚ−ＤＯＬ）に匹敵する耐摩耗性、およびより低い摩擦係数を有することを示す。ペンザン（登録商標）Ｘ−２０００は、テキサス州ヒューストンのペンゾイル（Pennzoil）−クエーカー  ステート社から入手可能な製品である。Ｚ−ドル（登録商標）は、オウジモン−モンテジソン（Ausimont Montedison）社により製造された官能基化ＰＦＰＥ（ポリフルオロポリエーテル）である。
【００３８】
比較のため、ペンザン（登録商標）Ｘ−２０００およびＺ−ドル（登録商標）のサンプルを、摩耗瘢痕（wear scar）に対してテストした。それらの摩擦係数も、測定した。それらのテストを、ＡＳＴＭ  Ｄ５７０７−９５およびＤＩＮ  ５１  ８３４の方法に従って行った。ＡＳＴＭ  Ｄ５７０７−９５およびＤＩＮ  ５１  ８３４の方法の記述は、ＮＬＧＩスポークスマンで印刷された「ＳＲＶ（登録商標）テスト装置を用いる摩擦学的性質を測定するための新しいＡＳＴＭおよびＤＩＮの方法」と題する論文、第６０巻、第１２号、第１７頁（１９９７年３月）に見出すことができる。この論文を取り込む。
【００３９】
それらのテスト結果を、表Ｉに纏める。多数の他の滑剤および／又は添加剤を、ペンザン（登録商標）Ｘ−２０００およびＺ−ドル（登録商標）とともに用いた。それらは、トリクレジルホスフェート；オレイン酸；イルガルーブ（Irugalube）６３；イルガルーブ２３２；グリセロールモノオレエート；およびサクラ（Sakura）ルーブ１００を含む。イルガルーブ６３は、無灰ジチオホスフェートであり；イルガルーブ２３２は、無灰ブチル化トリフェニル  ホスホロチオネートであり；サクラルーブ１００は、モリブデン  ジチオカルバメートである。
【００４０】
【表１】
0004199423.tif 000002
【００４１】
表１から、種々の他の滑剤および／又は添加剤と組み合わせたペンザン（登録商標）Ｘ−２０００の摩擦係数は、同じ他の滑剤および／又は添加剤と組み合わせたＺ−ドル（登録商標）より一般に低いことが理解できる。ペンザン（登録商標）Ｘ−２０００の耐摩耗性は、一般に、Ｚ−ドル（登録商標）のそれより良好か、またはこれに匹敵する。
【００４２】
例２
【００４３】
この例は、磁気媒体上に形成されたペンザン（登録商標）Ｘ−２０００の滑剤膜が、Ｚ−ドル（登録商標）滑剤膜より、接触−スタート／ストップサイクルにおいて長い寿命を有することを示す。
【００４４】
その上に形成された滑剤膜を有する磁気媒体を含む多数のサンプルを、製造した。ペンザン（登録商標）Ｘ−２０００およびＺ−ドル（登録商標）両方の滑剤膜を、アモルファス水素化炭素コートされたディスク上に堆積させた。指定した重量（質量）パーセンテージでそれぞれの組成物を含有する溶液中に磁気媒体をディッピングすることによって、それらの滑剤膜を形成した。Ｚ−ドル（登録商標）のための溶媒として１，１，２−トリクロロ−トリフルオロエタンを使用し、他方、ペンザン（登録商標）Ｘ−２０００のための溶媒としてシクロヘキサンを使用した。これらのサンプルを、コンピュータディスクドライブにおける磁気ヘッド／ディスクのインタフェースに類似した摩擦学的な条件を発生させる高速ボールオン傾き平面（High-Velocity Ball-on-Inclined Plane；「ＨＶＢＯＩＰ」）テスターと称される装置でテストした。
【００４５】
図２は、ＨＶＢＯＩＰテスター３０の上平面図を模式的に示す。図２を参照して、約１．５９ｍｍの半径を有するルビーボール３１が、歪ゲージ３２の一端で保持されている。そのルビーボールを、１ミクロン平均粒子直径のダイアモンドペーストを用いることによって磨き、それは表面粗さ、約２．１ｎｍのＲa、および約１９．４ｎｍのＲmaxを有する。歪ゲージ３２は、約０．１ｍＮ（ミリニュートン）の力解像度を有する。テストサンプルを超平滑ディスク（約７５オングストロ−ム（Å）厚さの水素化炭素オーバーコートを有する）から切り抜き、他のディスク上にマウントする。ディスクセクション３５を基材３７に接着し、一対のスクリュー３４によって基材クランプ３６を抑える（held down）する。
【００４６】
ディスクを回転させるためにスピンスタンド（図示せず）を使用する。階段状の薄い接着剤溶液の連続塗布を用いて、そのサンプルをディスク上にマウントする。接着剤は、傾斜角を制御する。このようにして、０．００１°の傾斜角を達成できる。テストを開始する際に、ディスクを約２ｍ／ｓの速度で回転させ、およびボールは定常（stationary）とする。回転毎に、接着剤が制御する角で、ボールは一度、斜いた平面上をスライディングする。これは、衝撃、ランディング、およびテークオフをシミュレートする。傾斜角がテストの厳しさを増大させるため、故障に到達するまでに必要なサイクルの合計数が短くなる可能性がある。そのテストを、サイズ１０のクリーンルームで行う。
【００４７】
テスト手順を、２つのステップに分割する。第１段階で、ディスクを約０．１秒で約２ｍ／ｓ（７６０ｒｐｍ）のテスト速度に加速し、そのテスト速度で１００スライディング・サイクルの間回転させ、次いでテストを停止した。テスト速度に対する影響がテストを通して無視できるように、所望の速度への加速または減速ステップを、１つの回転サイクル内で達成する。これらの１００サイクルが、ユニットのテストサイクルを構成する。高いテスト速度のため、テスト装置に対する１秒当たり５０００インプットのデータ収集速度は不適当である。摩擦力に対するほんの僅かなデータポイントしか、収集することができなかった。
【００４８】
この不適当な点を修正するために、１００の高速テストサイクルの後に、摩擦力を正確に測定するため、並びに表面ダメージを検査するために、テスト手順の第２のステップを適用する。第２のステップにおいて、サンプルを約０．０５ｍ／ｓ（２ｒｐｍ）の非常に遅いで回転させる。これにより、ボールと傾斜した平面サンプルとの間の摩擦力の測定が可能となり、ビデオカメラを介するサンプル表面の直接観察が可能となる。サンプルが故障するまで、これらのステップを個々のユニットサイクルに対して繰り返す。サンプルの故障は、摩擦力の突然の激しい増加によって示される。全てのテスト手順を、コンピュータによって制御する。
【００４９】
それぞれ０．０５５重量％（質量％）、０．１１重量％（質量％）、および０．２２重量％（質量％）でペンザン（登録商標）Ｘ−２０００を、および０．１重量％（質量％）でＺ−ドル（登録商標）を含有する溶液から、滑剤膜を作製した。これらの膜を、ＨＶＢＯＩＰテスターにおいてテストした。個々の膜に対して、垂直力Ｆｚと、摩擦力Ｆｘの両方を測定した。摩擦係数は、Ｆｘ／Ｆｚの比である。図３および４は、２個のペンザン（登録商標）Ｘ−２０００の滑剤膜に対するプロットである。両方の図において、垂直力Ｆｚ、摩擦力Ｆｘ、および摩擦係数Ｆｘ／Ｆｚが、サイクルの数の関数としてプロットされている。０．１１重量％（質量％）のペンザン（登録商標）Ｘ−２０００の滑剤膜に対する摩擦係数は約０．４であり、他方、０．２２重量％（質量％）のペンザン（登録商標）Ｘ−２０００の滑剤膜に対する摩擦係数は約０．２５まで低下する。
【００５０】
摩擦係数に加えて、故障までのサイクルの数も測定したが、それらのデータは表ＩＩおよび図５に存在する。ペンザン（登録商標）Ｘ−２０００滑剤膜が、Ｚ−ドル（登録商標）滑剤膜より長く持続することは顕著である。ペンザン（登録商標）Ｘ−２０００の０．１１重量％（質量％）および０．２２重量％（質量％）を含有する溶液から作製された膜は、Ｚ−ドル（登録商標）滑剤膜より、少なくとも６倍耐久性がある。したがって、ペンザン（登録商標）Ｘ−２０００または同様の滑剤を含むディスクドライブは、より長い寿命、および改良された性能を有するであろう。
【００５１】
【表２】
0004199423.tif 000003
【００５２】
上記に示したように、本発明の態様は、このような磁気記録媒体の面密度を実質的に増大できるような磁気記録媒体用の滑剤層を提供する。本発明で使用される滑剤は、既存の滑剤（例えばＰＦＰＥ類）より安価である。このような滑剤膜を取り入れた磁気記録媒体は、高密度コンピュータディスク、コンパクトディスク、オーディオテープおよびビデオテープの作製を可能にする。本発明の態様に従う滑剤膜の形成は、クロロフルオロ炭化水素等の環境に有害な溶媒の使用を必須としない。従って、本発明の態様は、既存の方法のいくつかよりも環境に優しい。更に、本発明の態様において用いられた滑剤は、データ記憶／取出しプロセスにおいて生ずる可能性がある化学的分解に対しても、より抵抗性である。それらは、ＰＦＰＥ類より実質的に高い添加物溶解性をも有する。他の性質および利点は、当業者にとって明らかである。
【００５３】
限定された数の態様とともに本発明を記述したが、それからの改変および変化が存在する。本発明を磁気記録媒体に関して記述したが、本発明は、滑剤膜または層を必要とする任意の情報記憶／取出システムに応用することができる。特に、本発明は接触スタート／ストップ情報記憶／取出システムに制限されない。付随する請求項は、本発明の範囲内に入る全ての改変および変化をカバーすることを意図する。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１Ａ】  図１Ａは、典型的なコンピュータディスクドライブ系の上平面図を模式的に示す。
【図１Ｂ】  図１Ｂは、図１Ａのコンピュータディスクドライブ系の側面図を模式的に示す。
【図２】  図２は、本発明の一態様おいて使用された高速斜平面上ボール（High-Velocity-Ball-on-Inclined Plane）テスターの模式的な上面図である。
【図３】  図３は、ペンザン（Pennzane；登録商標）合成炭化水素流体Ｘ−２０００（０．１１重量％(質量％)）に対するサイクル数の関数としての磨耗係数のプロットである。
【図４】  図４は、ペンザン（登録商標）合成炭化水素流体Ｘ−２０００（０．２２重量％(質量％)）に対するサイクル数の関数としての磨耗係数のプロットである。
【図５】  図５は、種々の滑剤の膜耐久性を比較するプロットである。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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