Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月2日(2008.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トンネル障壁層と、前記トンネル障壁層の第１面側に形成されたＢＣＣ構造を有する第１の強磁性体層と、前記トンネル障壁層の第２面側に形成されたＢＣＣ構造を有する第２の強磁性体層と、を有する磁気トンネル接合構造を備えた磁気抵抗素子において、
前記トンネル障壁層が、単結晶ＭｇＯ（００１）あるいは（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯであって、酸素欠損を有し、かつ、トンネル障壁の高さが０．２〜０．５ｅＶのものからなり、
素子の室温での出力電圧が２００ｍＶより高いことを特徴とする磁気抵抗素子。
【請求項２】
トンネル障壁層と、前記トンネル障壁層の第１面側に形成されたＦｅ（００１）からなる第１の強磁性体層と、前記トンネル障壁層の第２面側に形成されたＦｅ（００１）からなる第２の強磁性体層と、を有する磁気トンネル接合構造を備えた磁気抵抗素子において、
前記トンネル障壁層が、単結晶ＭｇＯ（００１）あるいは（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯであって、酸素欠損を有し、かつ、トンネル障壁の高さが０．２〜０．５ｅＶのものからなり、
素子の室温での出力電圧が２００ｍＶより高いことを特徴とする磁気抵抗素子。
【請求項３】
トンネル障壁層と、前記トンネル障壁層の第１面側に形成されたＢＣＣ構造を有するＦｅ系合金の単結晶（００１）または（００１）結晶面が優先配向した多結晶からなる第１の強磁性体層と、前記トンネル障壁層の第２面側に形成されたＢＣＣ構造を有するＦｅ系合金の単結晶（００１）または（００１）結晶面が優先配向した多結晶からなる第２の強磁性体層と、を有する磁気トンネル接合構造を備えた磁気抵抗素子において、
前記トンネル障壁層が、単結晶ＭｇＯ（００１）あるいは（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯであって、酸素欠損を有し、かつ、トンネル障壁の高さが０．２〜０．５ｅＶのものからなり、
素子の室温での出力電圧が２００ｍＶより高いことを特徴とする磁気抵抗素子。
【請求項４】
（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯであって、酸素欠損を有し、かつ、トンネル障壁の高さが０．２〜０．５ｅＶのものからなることを特徴とする室温での出力電圧が２００ｍＶより高い磁気抵抗素子のトンネル障壁層。
【請求項５】
基板を準備する第１工程と、
前記基板上に第１のＦｅまたはＢＣＣ構造を有するＦｅ系合金の単結晶（００１）層または（００１）結晶面が優先配向した多結晶層を堆積する第２工程と、
前記第１のＦｅまたはＢＣＣ構造を有するＦｅ系合金の（００１）層上に、トンネル障壁層を高真空下において堆積する第３工程と、
前記トンネル障壁層上に第２のＦｅまたはＢＣＣ構造を有するＦｅ系合金の単結晶（００１）層または（００１）結晶面が優先配向した多結晶層を形成する第４工程と、
を有する磁気抵抗素子の製造方法において、
前記トンネル障壁層が、単結晶ＭｇＯ（００１）あるいは（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯであって、酸素欠損を有し、かつ、トンネル障壁の高さが０．２〜０．５ｅＶのものからなり、
素子の室温での出力電圧が２００ｍＶより高いことを特徴とする方法。
【請求項６】
単結晶ＭｇＯ（００１）あるいは（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯからなる基板を準備する第１工程と、
前記基板上に第１のＦｅまたはＢＣＣ構造を有するＦｅ系合金の単結晶（００１）層または（００１）結晶面が優先配向した多結晶層を堆積し、次いで、結晶化のためのアニールを行う第２工程と、
前記第１のＦｅまたはＢＣＣ構造を有するＦｅ系合金の（００１）層上にトンネル障壁層を高真空下において堆積する第３工程と、
前記トンネル障壁層上に第２のＦｅまたはＢＣＣ構造を有するＦｅ系合金の単結晶（００１）層または（００１）結晶面が優先配向した多結晶層を形成する第４工程と、
を有する磁気抵抗素子の製造方法において、
前記トンネル障壁層が、単結晶ＭｇＯ（００１）あるいは（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯであって、酸素欠損を有し、かつ、トンネル障壁の高さが０．２〜０．５ｅＶのものからなり、
素子の室温での出力電圧が２００ｍＶより高いことを特徴とする方法。
【請求項７】
前記第１工程と第２工程との間に、単結晶ＭｇＯ（００１）あるいは（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯからなるシード層を成長させる工程を付加したことを特徴とする請求項５または６に記載の磁気抵抗素子の製造方法。
【請求項８】
基板を準備する工程と、
前記基板上に第１のＦｅまたはＢＣＣ構造を有するＦｅ系合金の単結晶（００１）層または（００１）結晶面が優先配向した多結晶層を堆積する工程と、
前記第１のＦｅまたはＢＣＣ構造を有するＦｅ系合金の（００１）層上にアモルファスＭｇＯ層を形成し、アニールにより前記アモルファスＭｇＯ層を結晶化して単結晶ＭｇＯｘ（００１）あるいは（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯｘ（０＜ｘ＜１）からなるトンネル障壁層を形成する工程と、
前記トンネル障壁層上に第２のＦｅまたはＢＣＣ構造を有するＦｅ系合金の単結晶（００１）層または（００１）結晶面が優先配向した多結晶層を堆積する工程と、
を有すること特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。
【請求項９】
前記アモルファスＭｇＯ層を形成するとき、スパッタリング法により、ＭｇＯｘのｘ値を調整済みのターゲットを用いて堆積、形成することを特徴とする請求項８に記載の磁気
抵抗素子の製造方法。
【請求項１０】
前記アモルファスＭｇＯを形成する工程中に、ＭｇＯｘのｘ値を調整する工程を含むことを特徴とする請求項８に記載の磁気抵抗素子の製造方法。
【請求項１１】
トンネル障壁層と、前記トンネル障壁層の第１面側に形成されたアモルファス磁性合金からなる第１の強磁性体層と、前記トンネル障壁層の第２面側に形成されたアモルファス磁性合金からなる第２の強磁性体層と、を有する磁気トンネル接合構造を備えた磁気抵抗素子において、
前記トンネル障壁層が、（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯであって、酸素欠損を有し、かつ、トンネル障壁の高さが０．２〜０．５ｅＶのものからなり、
素子の室温での出力電圧が２００ｍＶより高いことを特徴とする磁気抵抗素子。
【請求項１２】
トンネル障壁層と、前記トンネル障壁層の第１面側に形成された第１の強磁性体層と、前記トンネル障壁層の第２面側に形成された第２の強磁性体層と、を有する磁気トンネル接合構造を備えた磁気抵抗素子において、
前記トンネル障壁層が、（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯであって、酸素欠損を有し、かつ、トンネル障壁の高さが０．２〜０．５ｅＶのものからなり、
素子の室温での出力電圧が２００ｍＶより高いことを特徴とする磁気抵抗素子。
【請求項１３】
ＢＣＣ構造を有する第１の強磁性体層、ＢＣＣ構造を有する第２の強磁性体層及び該第１の強磁性体層と該第２の強磁性体層との間に位置する酸素欠損の酸化マグネシウム結晶層を有することを特徴とする磁気抵抗素子。
【請求項１４】
１つのトランジスタと、前記トランジスタの負荷として用いられる請求項１、２、３、１１、１２または１３のいずれかに記載の磁気抵抗素子とを有する記憶素子。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月26日(2007.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インバータケースと、
前記インバータケース内に設けられたモジュールベースと、
前記モジュールベースに固定されている樹脂製のモジュールケースと、
前記モジュールベースに絶縁材を介して固定された複数の半導体素子と、
前記複数の半導体素子の駆動を制御する制御部と、
前記半導体素子に電気的に接続された正極および負極の入力側リードフレームと、
前記半導体素子に電気的に接続された三相の出力側導電性部材と、
平滑用コンデンサとを有し、
前記平滑用コンデンサは、前記正極および負極の入力側リードフレームと電気的に接続される正極および負極の平板状の導体と、前記正極および負極の前記平板状の導体と電気的に接続されると共に前記平板状の導体の平らな面に固定されたコンデンサ素子とを有し、
前記コンデンサ素子はフィルム系コンデンサであり、
前記正極および負極の平板状の導体は前記コンデンサ素子の固定部分からコンデンサ端子として伸びて前記正極および負極の入力側リードフレームと電気的に接続され、さらに前記コンデンサ端子として伸びる部分は絶縁部材を介したラミネート構造を成していることを特徴とするインバータ装置。
【請求項２】
請求項１に記載のインバータ装置において、
前記正極および負極のコンデンサ端子はそれぞれ複数の接続部を有していると共に、
前記複数の接続部を介して、対応する前記正極および負極の入力側リードフレームに接続されていることを特徴とするインバータ装置。
【請求項３】
請求項２に記載のインバータ装置において、
前記複数の接続部は貫通孔であり、
前記複数のコンデンサ端子はそれぞれ、前記貫通孔に挿通されたボルトによって、対応する前記入力側リードフレームに接続されていることを特徴とするインバータ装置。
【請求項４】
請求項１に記載のインバータ装置において、
前記入力側リードフレームに電気的に接続されたフィルタコンデンサを有しており、
前記フィルタコンデンサは、前記モジュールベース上に設けられて前記モジュールベースに電気的に接続されていることを特徴とするインバータ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】インバータ装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、インバータ装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
電気自動車やハイブリッド電気自動車などの電動車両に用いられる電力変換装置、例えばバッテリから供給された直流電力を交流電力に変換し、電機負荷である交流電動機に供給するインバータ装置には、電動車両の低価格化，一充電あたりの走行距離の向上，燃費向上，実装スペースの縮小化などから小型化及び低価格化が要求されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
しかし、特許文献１に記載されたものでは、低インダクタンス化によるインバータ装置の性能向上については十分に考慮されていなかった。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、インバータケースと、前記インバータケース内に設けられたモジュールベースと、前記モジュールベースに固定されている樹脂製のモジュールケースと、前記モジュールベースに絶縁材を介して固定された複数の半導体素子と、前記複数の半導体素子の駆動を制御する制御部と、前記半導体素子に電気的に接続された正極および負極の入力側リードフレームと、前記半導体素子に電気的に接続された三相の出力側導電性部材と、平滑用コンデンサとを有し、前記平滑用コンデンサは、前記正極および負極の入力側リードフレームと電気的に接続される正極および負極の平板状の導体と、前記正極および負極の前記平板状の導体と電気的に接続されると共に前記平板状の導体の平らな面に固定されたコンデンサ素子とを有し、前記コンデンサ素子はフィルム系コンデンサであり、前記正極および負極の平板状の導体は前記コンデンサ素子の固定部分からコンデンサ端子として伸びて前記正極および負極の入力側リードフレームと電気的に接続され、さらに前記コンデンサ端子として伸びる部分は絶縁部材を介したラミネート構造を成していることを特徴とするインバータ装置である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
好ましくは、前記正極および負極のコンデンサ端子はそれぞれ複数の接続部を有していると共に、前記複数の接続部を介して、対応する前記正極および負極の入力側リードフレームに接続されていることを特徴とするインバータ装置である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
好ましくは、前記複数の接続部は貫通孔であり、前記複数のコンデンサ端子はそれぞれ、前記貫通孔に挿通されたボルトによって、対応する前記入力側リードフレームに接続されていることを特徴とするインバータ装置である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
好ましくは、前記入力側リードフレームに電気的に接続されたフィルタコンデンサを有しており、前記フィルタコンデンサは、前記モジュールベース上に設けられて前記モジュールベースに電気的に接続されていることを特徴とするインバータ装置である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明によれば、コンデンサ端子のインダクタンスを低減することができ、低インダクタンス化によるインバータ装置の性能向上を図ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月19日(2008.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケーブルの端部に固着された第１コネクタと、この第１コネクタが着脱自在に接続される第２コネクタと、これら第１コネクタと第２コネクタとの接続部を覆うカバーとからなる防水型コネクタであって、
第１コネクタには、ケーブルの軸方向と直交する方向において第１シール面及び第２シール面が形成され、
第２コネクタには、その外周面に雄ネジ部が形成されると共に、第１コネクタの第１シール面に対向するシール面が形成され、
カバーには、その内周面に雌ネジ部が形成されると共に、第１コネクタの第２シール面に対向するシール面が形成され、且つ、
第１コネクタの第１シール面と第２コネクタのシール面との間に第１シール部材が配設されると共に、第１コネクタの第２シール面とカバーのシール面との間に第２シール部材が配設された状態で、第２コネクタの雄ネジ部とカバーの雌ネジ部とが螺合され、更に、
第１コネクタ及び第２コネクタのそれぞれが金属製のコネクタ部に固着された樹脂部材を備えると共に、第１コネクタの第１シール面及び第２コネクタのシール面が、それぞれの樹脂部材に形成されていることを特徴とする防水型コネクタ。
【請求項２】
請求項１に記載の防水型コネクタであって、
第２コネクタが金属製のコネクタ部に固着された樹脂部材を備えると共に、この樹脂部材にカバーの雌ネジ部と螺合される雄ネジ部が形成され、且つ、カバーが第２コネクタの樹脂部材と同色の樹脂で形成されていることを特徴とする防水型コネクタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の防水型コネクタは、ケーブルの端部に固着された第１コネクタと、この第１コネクタが着脱自在に接続される第２コネクタと、これら第１コネクタと第２コネクタとの接続部を覆うカバーとからなる防水型コネクタであって、第１コネクタには、ケーブルの軸方向と直交する方向において第１シール面及び第２シール面が形成され、第２コネクタには、その外周面に雄ネジ部が形成されると共に、第１コネクタの第１シール面に対向するシール面が形成され、カバーには、その内周面に雌ネジ部が形成されると共に、第１コネクタの第２シール面に対向するシール面が形成され、且つ、第１コネクタの第１シール面と第２コネクタのシール面との間に第１シール部材が配設されると共に、第１コネクタの第２シール面とカバーのシール面との間に第２シール部材が配設された状態で、第２コネクタの雄ネジ部とカバーの雌ネジ部とが螺合され、更に、第１コネクタ及び第２コネクタのそれぞれが金属製のコネクタ部に固着された樹脂部材を備えると共に、第１コネクタの第１シール面及び第２コネクタのシール面が、それぞれの樹脂部材に形成されていることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の防水型コネクタは、ケーブルの端部に固着された第１コネクタと、この第１コネクタが着脱自在に接続される第２コネクタと、これら第１コネクタと第２コネクタとの接続部を覆うカバーとからなる防水型コネクタであって、第１コネクタには、ケーブルの軸方向と直交する方向において第１シール面及び第２シール面が形成され、第２コネクタには、その外周面に雄ネジ部が形成されると共に、第１コネクタの第１シール面に対向するシール面が形成され、カバーには、その内周面に雌ネジ部が形成されると共に、第１コネクタの第２シール面に対向するシール面が形成され、且つ、第１コネクタの第１シール面と第２コネクタのシール面との間に第１シール部材が配設されると共に、第１コネクタの第２シール面とカバーのシール面との間に第２シール部材が配設された状態で、第２コネクタの雄ネジ部とカバーの雌ネジ部とが螺合され、更に、第１コネクタ及び第２コネクタのそれぞれが金属製のコネクタ部に固着された樹脂部材を備えると共に、第１コネクタの第１シール面及び第２コネクタのシール面が、それぞれの樹脂部材に形成されているものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月20日(2008.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
加熱を必要としないあるいは低温での加熱により導電性を発現させるために、基材側への工夫もなされており、例えば特開２００４−１２７８５１号公報（特許文献５）では金属コロイドを乾燥することにより形成される導電性被膜を積層形成してなる導電性被膜複合体において、少なくとも多孔質の無機フィラーを含有する受像層を用いる事を特徴とする導電性被膜複合体が開示されており、また特開２００５−３２４５８号公報（特許文献６）では、金属コロイド溶液を乾燥することにより形成される導電性被膜を積層形成してなる導電性被膜複合体において、水溶性樹脂もしくは親水性樹脂からなり、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１による十点平均表面粗さＲｚが３μｍ以下である中間層が介され、体積抵抗率が１０×１０−５Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする導電性被膜複合体が開示されている。
【特許文献１】特開平３−２８１７８３号公報
【特許文献２】特開２００１−３５２５５号公報
【非特許文献１】Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｓｃｉｅｎｃｅ，Ｖｏｌ．３７，Ｐ４７６−４９１，１８８９，Ｍ  Ｃａｒｅｙ  Ｌｅａ．
【非特許文献２】Ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔｓ  ｉｎ  Ｃｏｌｌｏｉｄ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，１９４０，ｐ．１９，Ｈａｕｓｅｒ，Ｅ．Ａ．ａｎｄ  ｌｙｎｎ，Ｊ．Ｅ．
【特許文献３】特開２００２−３３８８５０号公報
【特許文献４】特開２００５−０８１５０１号公報
【特許文献５】特開２００４−１２７８５１号公報
【特許文献６】特開２００５−３２４５８号公報
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月11日(2008.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
ビニレンカーボネートやビニルエチレンカーボネートなど不飽和基を含む環状化合物を含有する電解液は、リチウム、天然黒鉛、人造黒鉛、易黒鉛化炭素、難黒鉛化炭素、炭素コート天然黒鉛、ポリアセンなどいずれの負極に使用した場合にも一定の効果が得られる。それは、負極の表面を被膜で覆うことにより、負極表面で起こっていた溶媒の分解などの副反応の抑制が緩和されるためであり、初期の不可逆容量の低下などが改善される。そのため特にビニレンカーボネートは電解液添加剤として広く使用されている。しかしその効果は十分なものではなかった。すなわち、ビニレンカーボネートやビニルエチレンカーボネートなどにより形成される被膜は、耐久性が低いために、電池の長期使用中や８０℃以上の環境下では分解してしまい、被膜分解後は再び負極表面が露出してしまうために電池の長期使用中や８０℃以上の環境下では電池の劣化が起こるという弱点があった。この弱点を補おうとして電解液中に過剰に添加した場合は、生成した被膜成分の抵抗により、初期の抵抗上昇が大きくなり、逆に電池性能低下を導くという問題が生じる。そのため、ビニレンカーボネートやビニルエチレンカーボネートなどの環状化合物の電解液への添加は、電池の長期特性や高温特性を根本的に解決することに繋がるものではなかった。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月25日(2008.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
論理回路部とメモリ部を有する半導体装置の製造方法であって、
前記論理回路部と前記メモリ部にフォトレジストを形成し、
前記論理回路部の前記フォトレジストに、ミラープロジェクション露光装置、ステップ・アンド・リピート露光装置、またはステップ・アンド・スキャン露光装置のいずれかである第一の露光手段を用いて露光をおこない、
前記メモリ部の前記フォトレジストに、電子ビーム露光装置またはレーザ露光装置である第二の露光手段を用いて露光をおこない、
前記第一及び第二の露光手段を用いて露光された前記フォトレジストを現像することを特徴とした半導体装置の製造方法。
【請求項２】
論理回路部とメモリ部を有する半導体装置の製造方法であって、
前記論理回路部と前記メモリ部に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にフォトレジストを形成し、
前記論理回路部の前記フォトレジストに、ミラープロジェクション露光装置、ステップ・アンド・リピート露光装置、またはステップ・アンド・スキャン露光装置のいずれかである第一の露光手段を用いて露光をおこない、
前記メモリ部の前記フォトレジストに、電子ビーム露光装置またはレーザ露光装置である第二の露光手段を用いて露光をおこない、
前記第一及び第二の露光手段を用いて露光された前記フォトレジストを現像し、
現像された前記フォトレジストを用いて前記絶縁膜をエッチングすることにより、前記論理回路部および前記メモリ部にコンタクトホールを形成することを特徴とした半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記メモリ部はマスクＲＯＭを有することを特徴とした半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３に記載のいずれか一項において、前記メモリ部は複数のメモリ回路を有し、前記メモリ回路はそれぞれ異なる記憶データを有することを特徴とした半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４に記載のいずれか一項において、前記第二の露光手段はプログラムによって、露光内容を変えられることを特徴とした半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５に記載のいずれか一項において、前記論理回路部と前記メモリ部は同一基板上に形成されていることを特徴とした半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載された半導体装置の製造方法で製造された半導体装置を有するＩＣカード、ＩＣタグ、ＲＦＩＤ、トランスポンダ、紙幣、有価証券、パスポート、電子機器、バッグ、衣類。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月6日(2008.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イベント信号を生成する中央処理回路と、
前記イベント信号に基づき、前記中央処理回路に供給する電源電位とクロック周波数とを変更する情報を含む命令信号を生成する制御回路と、
アンテナを接続する接続端子と、を有することを特徴とする集積回路。
【請求項２】
請求項１において、前記イベント信号は、前記中央処理回路が含む整数演算ユニット、浮動小数点演算ユニット、ロード・ストアユニット若しくは分岐ユニットの動作状況の情報を含む信号、又は前記中央処理回路が含む複数のユニットに対する整数演算命令、浮動小数点演算命令、ロード命令、ストア命令、分岐命令若しくはＮＯＰ命令の実行状況の情報を含む信号、又は前記複数のユニットから選択された複数を含む組み合わせ回路が生成する信号、から選択された一つ若しくは複数であることを特徴とする集積回路。
【請求項３】
中央処理回路と、
電源情報信号を生成する電源供給判定回路と、
前記電源情報信号に基づき、前記中央処理回路に供給する電源電位とクロック周波数とを変更する情報を含む命令信号を生成する制御回路と、
アンテナを接続する接続端子と、を有することを特徴とする集積回路。
【請求項４】
請求項３において、前記電源供給判定回路は、負荷抵抗を含む電源回路と、参照電圧発生回路と、前記電源回路の出力電位と前記参照電圧発生回路の出力電位とを比較する比較回路と、を有することを特徴とする集積回路。
【請求項５】
メモリと、
メモリアクセス信号を生成する中央処理回路と、
前記メモリアクセス信号に基づき、前記メモリに供給する電源電位とクロック周波数とを変更する情報を含む命令信号を生成する制御回路と、
アンテナを接続する接続端子と、を有することを特徴とする集積回路。
【請求項６】
請求項５において、前記メモリアクセス信号は、前記中央処理回路が含むメモリ制御ユニットの動作状況の情報を含む信号、又は前記中央処理回路のロード・ストア命令の実行状況の情報を含む信号、又は前記中央処理回路が含む複数のユニットから選択された複数を含む組み合わせ回路が生成する信号、から選択された一つ若しくは複数であることを特徴とする集積回路。
【請求項７】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、前記制御回路は、前記中央処理回路の内部に設けられることを特徴とする集積回路。
【請求項８】
請求項５又は請求項６において、前記制御回路は、前記中央処理回路の内部又は前記メモリの内部に設けられることを特徴とする集積回路。
【請求項９】
請求項５又は請求項６において、前記メモリは、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｅｒａｓａｂｌｅ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）及びフラッシュメモリから選択された一つ又は複数であることを特徴とする集積回路。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の前記集積回路は、ガラス基板上又はフレキシブル基板上に設けられることを特徴とする集積回路。
【請求項１１】
イベント信号を生成する中央処理回路と、
前記イベント信号に基づき、前記中央処理回路に供給する電源電位とクロック周波数とを変更する情報を含む命令信号を生成する制御回路と、
前記中央処理回路と前記制御回路とに電源供給を行うアンテナと、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１１において、前記イベント信号は、前記中央処理回路が含む整数演算ユニット、浮動小数点演算ユニット、ロード・ストアユニット若しくは分岐ユニットの動作状況の情報を含む信号、又は前記中央処理回路が含む複数のユニットに対する整数演算命令、浮動小数点演算命令、ロード命令、ストア命令、分岐命令若しくはＮＯＰ命令の実行状況の情報を含む信号、又は前記複数のユニットから選択された複数を含む組み合わせ回路が生成する信号、から選択された一つ若しくは複数であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
中央処理回路と、
電源情報信号を生成する電源供給判定回路と、
前記電源情報信号に基づき、前記中央処理回路に供給する電源電位とクロック周波数とを変更する情報を含む命令信号を生成する制御回路と、
前記中央処理回路と前記制御回路とに電源供給を行うアンテナと、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１３において、前記電源供給判定回路は、負荷抵抗を含む電源回路と、参照電圧発生回路と、前記電源回路の出力電位と前記参照電圧発生回路の出力電位とを比較する比較回路と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
メモリと、
メモリアクセス信号を生成する中央処理回路と、
前記メモリアクセス信号に基づき、前記メモリに供給する電源電位とクロック周波数とを変更する情報を含む命令信号を生成する制御回路と、
前記メモリと前記中央処理回路と前記制御回路とに電源供給を行うアンテナと、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１５において、前記メモリアクセス信号は、前記中央処理回路が含むメモリ制御ユニットの動作状況の情報を含む信号、又は前記中央処理回路のロード・ストア命令の実行状況の情報を含む信号、又は前記中央処理回路が含む複数のユニットから選択された複数を含む組み合わせ回路が生成する信号、から選択された一つ若しくは複数であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１１乃至請求項１４のいずれか１項において、前記制御回路は、前記中央処理回路の内部に設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１５又は請求項１６において、前記制御回路は、前記中央処理回路の内部又は前記メモリの内部に設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
請求項１５又は請求項１６において、前記メモリは、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｅｒａｓａｂｌｅ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）及びフラッシュメモリから選択された一つ又は複数であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
請求項１１乃至請求項１９のいずれか１項に記載の前記半導体装置は、ガラス基板上又はフレキシブル基板上に設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項２１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の前記集積回路、又は請求項１１乃至請求項２０のいずれか一項に記載の前記半導体装置が組み込まれることを特徴とする無線チップ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月28日(2007.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のシリンダボア内にオイルを噴射するピストン冷却構造を備える内燃機関において、前記ピストン冷却構造は、該シリンダボアにそれぞれ嵌合される複数のピストンに向けて前記オイルを噴射して該ピストンを冷却するための複数の噴射口を備えるオイル噴射用配管からなり、該オイル噴射用配管は、クランク軸方向視にて、前記シリンダボアの延長線上かつシリンダ軸線方向で前記クランク軸と前記シリンダボアとの間の空間に設けられていることを特徴とするピストン冷却装置。
【請求項２】
前記オイル噴射用配管は、前記機関の構造部とは別部材として形成されて、該機関のクランクケースにその車巾方向から挿入して取付けられることを特徴とする請求項１に記載のピストン冷却装置。
【請求項３】
前記オイル噴射用配管は、その端部に該噴射用配管の取付部材が設けられ、該取付部材を介して前記噴射用配管は前記機関のクランクケースに取付けられ、前記噴射用配管と前記取付部材の相対関係を決定することでそのオイル噴射の噴射方向が決められることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のピストン冷却装置。
【請求項４】
前記オイル噴射用配管を分割形成し、クランクケースにその車巾方向から挿入して取付られ、前記取付部材は、オイル噴射用配管の左右端に設けられ、前記噴射用配管の左右端にそれぞれ設けられる取付部材は、前記噴射用配管からその締付位置までの距離が互いに異なるものであることを特徴とする請求項３に記載のピストン冷却装置。
【請求項５】
前記オイル噴射用配管へのオイル供給路の途中に複数の小径の孔を有するオリフィスが設けられたことを特徴とする前記請求項１ないし４のいずれかに記載のピストン冷却装置。
【請求項６】
前記オイル噴射用配管の外径と内径は偏心されており、該噴射用配管の肉厚部にオイル噴射用噴射口が形成されたことを特徴とする前記請求項１ないし５のいずれかに記載のピストン冷却装置。
【請求項７】
前記オイル噴射用配管への油経路はオイルフィルタ下流近傍から分岐するオイル噴射専用油路であることを特徴とする前記請求項１ないし５のいずれかに記載のピストン冷却装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、上述した課題を解決するためのピストンの冷却装置の提供に関するものであり、請求項１の発明は、複数のシリンダボア内にオイルを噴射するピストン冷却構造を備える内燃機関において、前記ピストン冷却構造は、該シリンダボアにそれぞれ嵌合される複数のピストンに向けて前記オイルを噴射して該ピストンを冷却するための複数の噴射口を備えるオイル噴射用配管からなり、該オイル噴射用配管は、クランク軸方向視にて、前記シリンダボアの延長線上かつシリンダ軸線方向で前記クランク軸と前記シリンダボアとの間の空間に設けられていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月21日(2007.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、駆動穴１０の中心側に嵌合部１４を残すために図１に示すように、側壁に略々水平な平坦面が形成されるが、これは係合溝１１の種類による形状の違いから設けたものであって、しかも、この平坦面を設けてそれから深部にかけて斜面を形成することで、頭部２の圧造成型時における肉の流れが円滑になっている。一方、駆動穴１０の深部に嵌合部１４が残る形状であれば、例えば、嵌合部１４の傾斜がきつくなって間隔ｂが広くなっている場合や係合溝１１の巾が狭くなっている場合においては図８及び図９に示す本発明の変形例のように、前記平坦面を形成せずに直立受動面１３は係合溝１１の底面１２から駆動穴１０の深部近くまでその全体に渡って形成してもよく、これにより、駆動力の伝達面積をより多くすることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
更に、このような構成の駆動穴１０を有するねじ１に使用するドライバビットは通常の即ち、先端に前記駆動穴１０の嵌合部１４に嵌合する基部と先端から後部にかけて徐々に厚くなった係合羽根を形成したドライバビットを使用してもドライバビットとねじ１との食い付き性能及び締め付け作業には支障はないが、より安定した作業を得るには図４に示す形状のドライバビット２０が適する。これは通常のドライバビット２０を構成する係合羽根２１の形状を前記駆動穴１０の側壁としての直立受動面１３に沿うようにしたものであり、ドライバビット２０の先端部は図５に示すように、係合羽根２１の外周端側が基部側より僅かに厚みの薄い巾で形成されている。そのため、この互いに隣接する係合羽根２１の側面がなす角度αはＪＩＳにより規定された角度（９２°）となっている。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月11日(2007.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一対のニードルベッドに対して、度山カムを備えたキャリッジを往復させて編成する横編機において、
編地の編み入部及び編み出部を特定区域として、編成する編地の種類に応じて、
前記特定区域における針の度目を補正する度目補正手段を設けて、編み中に比べて、編み入部の度目を小さくまたは大きくし、編み出部の度目を大きくまたは小さくするように、編み入部と編み出部の度目を互いに逆方向に補正することを特徴とする、度目調整機能付きの横編機。
【請求項２】
前記度目補正手段は、筒状編地を一方向に周回編成する際に、編み中に比べて、
編み入部の度目を小さく、編み出部の度目を大きくするように、度目を補正することを特徴とする、請求項１の度目調整機能付きの横編機。
【請求項３】
前記度目補正手段は、平編地を編成する際に、編み中に比べて、編み入部の度目を大きく、編み出部の度目を小さくするように、度目を補正することを特徴とする、請求項１の度目調整機能付きの横編機。
【請求項４】
現コースの編み出で形成した編目に、次コースの編み入で編目を形成する場合に、
編み中に比べて編み入部の度目を大きく、編み出部の度目を小さくし、
現コースの編み出で形成した編目とは異なる編目に、次コースの編み入で編目を形成する場合に、編み中に比べて編み入部の度目を小さく、編み出部の度目を大きくするように、  前記度目補正手段を構成したことを特徴とする、請求項１〜３のいずれかの度目調整機能付きの横編機。
【請求項５】
編み中に対する編み入と編み出への度目の補正値を、編成条件を変数として記憶するための度目補正データ記憶手段を設けたことを特徴とする、請求項１〜４のいずれかの度目調整機能付きの横編機。
【請求項６】
少なくとも一対のニードルベッドに対して、度山カムを備えたキャリッジを往復させて横編機で編地を編成する方法において、
筒状編地を一方向に周回編成する際に、編み入部の度目を小さく編み出部の度目を大きくするように度目を補正することを特徴とする編成方法。
【請求項７】
少なくとも一対のニードルベッドに対して、度山カムを備えたキャリッジを往復させて編成する横編機のためのプログラムにおいて、
編地の編み入部及び編み出部を特定区域として、編成する編地の種類に応じて、前記特定区域における針の度目を、編み中に比べて、編み入部の度目を小さくまたは大きくし、編み出部の度目を大きくまたは小さくするように、編み入部と編み出部とで逆方向に補正する度目補正命令を設けたことを特徴とする、横編機のプログラム。
【請求項８】
前記度目補正命令は、筒状編地を一方向に周回編成する際に、編み中に比べて、
編み入部の度目を小さく、編み出部の度目を大きくするように、度目を補正することを特徴とする、請求項７の横編機のプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
この発明は、少なくとも一対のニードルベッドに対して、度山カムを備えたキャリッジを往復させて編成する横編機において、編地の編み入部及び編み出部を特定区域として、編成する編地の種類に応じて、前記特定区域における針の度目を補正する度目補正手段を設けて、編み中に比べて、編み入部の度目を小さくまたは大きくし、編み出部の度目を大きくまたは小さくするように、編み入部と編み出部の度目を互いに逆方向に補正することを特徴とする。特定区域での度目は例えば一定とするが、これに限るものではない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
さらにこの発明は、少なくとも一対のニードルベッドに対して、度山カムを備えたキャリッジを往復させて編成する横編機のためのプログラムにおいて、編地の編み入部及び編み出部を特定区域として、編成する編地の種類に応じて、前記特定区域における針の度目を、編み中に比べて、編み入部の度目を小さくまたは大きくし、編み出部の度目を大きくまたは小さくするように、編み入部と編み出部とで逆方向に補正する度目補正命令を設けたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月8日(2008.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
15)垂直壁を有し、かつ互いに間隔をおいて配置された１対の支持部材間に、上記7)記載の複数の輻射パネルが、幅方向を支持部材の長さ方向に向けて並列状に配置され、支持部材の垂直壁を外側から貫通したビスを輻射パネルのビスねじ嵌め溝内にねじ嵌めることにより、輻射パネルの両端部が支持部材に固定され、隣り合う輻射パネル間に、ビスねじ嵌め溝内に嵌入しうる２つの嵌入部を有しかつ輻射パネルの全長にわたる目隠し部材が配置され、目隠し部材の２つの嵌入部が、隣り合う２つの輻射パネルにおける互いに近接したビスねじ嵌め溝内に嵌め入れられることにより、目隠し部材が両輻射パネルに取り付けられている輻射冷暖房ユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月26日(2007.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明によれば、コアプレート間に構成される流体流路内における流体の流れを均一化することができるため、オイルクーラの熱交換効率を向上させることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
すなわち、上述した第１実施形態においては、冷却水流路７内における冷却水の流れが相対的に均一化されると共に、オイル流路６内におけるオイルの流れが相対的に均一化される。そのため、冷却水流路７内における伝熱面積と、オイル流路６内における伝熱面積と、がそれぞれ有効活用されることになるので、冷却水とオイル間の熱交換効率の向上を図ることができる。換言すれば、積層されたコアプレート５，５間に構成される流体流路内における流体の流れを均一化することができるため、オイルクーラの熱交換効率を向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月28日(2007.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方に開口する多数の製氷小室(21)を有する製氷室(16)と、この製氷室(16)における製氷小室(21)の開口側に対向して傾動可能に枢支した水皿(24)と、前記水皿(24)に連繋されたアクチュエータモータ(AM)とからなり、前記アクチュエータモータ(AM)を正逆方向に回転することで、前記水皿(24)を製氷小室(21)の閉成位置および開放位置の間で傾動させるようにした自動製氷機において、
前記アクチュエータモータ(AM)の回転に伴って回動する回転体(48a)に配設された被検知物(52)と、
前記被検知物(52)を非接触で検知する検知手段(56A,56B)とを備え、
前記被検知物(52)または検知手段(56A,56B)の何れか一方の配設数を１つに設定すると共に、他方を前記回転体(48a)の回転方向に所定角度だけ離間して複数配置し、
前記アクチュエータモータ(AM)の回転時に、前記検知手段(56A,56B)が被検知物(52)を検知すると該アクチュエータモータ(AM)を停止するよう構成した
ことを特徴とする自動製氷機。
【請求項２】
前記回転体(48a)に被検知物としての永久磁石(52)が配設されると共に、該永久磁石(52)を検知する検知手段としての磁気センサ(56A,56B)が所定角度で離間して２つ配置され、一方の磁気センサ(56A)が永久磁石(52)を検知してアクチュエータモータ(AM)が停止されることで水皿(24)が閉成位置で停止され、他方の磁気センサ(56B)が永久磁石(52)を検知してアクチュエータモータ(AM)が停止されることで水皿(24)が開放位置で停止されるよう構成した請求項１記載の自動製氷機。
【請求項３】
前記水皿(24)とアクチュエータモータ(AM)とを連繋する減速機構(48)を覆うカバー(46)に配設されて、前記回転体(48a)の被検知物(52)が配設される端面に対向する前記基板(54)に、前記水皿(24)における閉成位置と開放位置との間の傾動角度に応じた角度で離間する２つの検知手段(56A,56B)が、被検知物(52)の回動軌跡に対向する位置に配置される請求項１または２記載の自動製氷機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記課題を克服し、所期の目的を達成するため、本発明に係る自動製氷機は、
一方に開口する多数の製氷小室を有する製氷室と、この製氷室における製氷小室の開口側に対向して傾動可能に枢支した水皿と、前記水皿に連繋されたアクチュエータモータとからなり、前記アクチュエータモータを正逆方向に回転することで、前記水皿を製氷小室の閉成位置および開放位置の間で傾動させるようにした自動製氷機において、
前記アクチュエータモータの回転に伴って回動する回転体に配設された被検知物と、
前記被検知物を非接触で検知する検知手段とを備え、
前記被検知物または検知手段の何れか一方の配設数を１つに設定すると共に、他方を前記回転体の回転方向に所定角度だけ離間して複数配置し、
前記アクチュエータモータの回転時に、前記検知手段が被検知物を検知すると該アクチュエータモータを停止するよう構成したことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
１６ 製氷室，２１ 製氷小室，２４ 水皿，４６ ギヤカバー(カバー)
４８ 減速機構，４８ａ 最終歯車(所定の歯車)，５２ 永久磁石(被検知物)
５４ 基板，５６Ａ 第１磁気センサ(検知手段,一方の磁気センサ)
５６Ｂ 第２磁気センサ(検知手段,一方の磁気センサ)
ＡＭ アクチュエータモータ
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月28日(2007.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
配管が挿入される挿入孔が形成された複数の部品からなる継手部材に着脱可能に装着され、当該継手部材を組立状態で保持したまま配管へ着脱することを可能とする継手保持部材であって、
前記挿入孔に挿入される一又は複数の保持部と、
前記保持部の一端に設けられ、前記継手部材における前記複数の部品を係合保持する係合部とを具備することを特徴とする継手保持部材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
以上の課題を解決するために、請求項１に記載の発明に係る継手保持部材は、
配管が挿入される挿入孔が形成された複数の部品からなる継手部材に着脱可能に装着され、当該継手部材を組立状態で保持したまま配管へ着脱することを可能とする継手保持部材であって、
前記挿入孔に挿入される一又は複数の保持部と、
前記保持部の一端に設けられ、前記継手部材における前記複数の部品を係合保持する係合部とを具備することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月28日(2007.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明では、圧縮部６を、ゴム１００重量部に対して（イ）Ｎ２ＳＡが７０ｍ２／ｇ以上かつＤＢＰ吸油量が１００ｃｍ３／１００ｇ以上のカーボンブラックを２０〜６０重量部、（ロ）Ｎ２ＳＡが７０ｍ２／ｇ未満かつＤＢＰ吸油量が１００ｃｍ３／１００ｇ未満のカーボンブラックを１５〜５５重量部含有するゴム組成物で構成する。好ましくは、（イ）カーボンブラックはＮ２ＳＡが７０〜１６０ｍ２／ｇかつＤＢＰ吸油量が１００〜１５０ｃｍ３／１００ｇであり、（ロ）カーボンブラックはＮ２ＳＡが１０〜７０ｍ２／ｇかつＤＢＰ吸油量が３０〜１００ｃｍ３／１００ｇである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月12日(2007.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
杭の頭部と軸方向中間部に、曲げモーメントによる引張力に対する抵抗力が相対的に低下したヒンジ形成予定位置が形成されていることを特徴とする杭のヒンジ誘発構造。
【請求項２】
杭を構成するコンクリートの断面中に補助主筋が杭の軸方向に配筋され、前記ヒンジ形成予定位置は、前記補助主筋が前記ヒンジ形成予定位置で杭の軸方向に分離して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の杭のヒンジ誘発構造。
【請求項３】
前記ヒンジ形成予定位置は、杭を構成する鋼管が前記ヒンジ形成予定位置で杭の軸方向に分離して形成されていることを特徴とする請求項１、もしくは請求項２に記載の杭のヒンジ誘発構造。
【請求項４】
杭を構成するコンクリートの断面中に主筋が杭の軸方向に配筋され、前記主筋は前記ヒンジ形成予定位置付近の一部区間においてコンクリートとの付着が切れていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の杭のヒンジ誘発構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明では杭の軸方向中間部に、曲げモーメントに対する抵抗力が相対的に低下したヒンジ形成予定位置を形成し、またヒンジ形成予定位置以外ではヒンジが形成されないように杭の断面を設計することにより、杭の曲げモーメントの低減とエネルギー吸収を図る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
特に杭の頭部と軸方向中間部に、曲げモーメントに対する抵抗力が相対的に低下したヒンジ形成予定位置を形成することにより、杭の曲げモーメントを低減し、また、地震時のエネルギー吸収能力を発揮させる。更に杭頭部の抵抗モーメント、杭中間部のヒンジ形成予定位置及び抵抗モーメントを適切に設定することにより、免震、もしくは制振的な効果を発揮させる。軸方向中間部のヒンジ形成予定位置は杭の軸方向に1箇所、もしくは複数箇所に形成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明では前記特許文献４とは異なり、図９−（ａ）に示すようにヒンジ形成予定位置に地盤反力に対する抵抗モーメントＭmが働き、杭頭部にも抵抗モーメントＭhが働く。このことから、Ｍhに応じてＭm及び中間部におけるヒンジ形成予定位置の位置（杭中間部においてヒンジ形成予定位置をどこに配置するか）を適切に設定すれば、杭中間部のヒンジ形成予定位置に働くせん断力Ｑmを小さくすることができ、結果として図９−（ｂ）に示すようにヒンジ形成予定位置より下の区間の曲げモーメントを小さくすることが可能となる。すなわち杭頭部と杭中間部のヒンジに一定の抵抗モーメントＭh、Ｍmを持たせることができることで、この杭頭部における抵抗モーメントＭhに応じて杭中間部のヒンジ形成予定位置の位置及び抵抗モーメントＭmを適切に計画することにより杭全長に亘って杭に生じる曲げモーメントを調整することができるため、杭を合理的に設計（杭断面を縮小化）することが可能になる。
これに対し、特許文献４では杭要素の両端に抵抗モーメントが生じないことから、ヒンジ（ピン）を設けない場合より杭に大きな曲げモーメントを生じさせる可能性がある等、杭を合理的に設計することには限界がある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また前記特許文献４とは異なり、杭の中間部に加え、頭部にもヒンジを形成することで、頭部の抵抗モーメントＭh、杭中間部のヒンジ形成予定位置の位置及び抵抗モーメントＭmを調整することが可能であるため、Ｍh、Ｍmを適切に設定すれば、杭中間部のヒンジ形成予定位置に働くせん断力Ｑmを小さくし、ヒンジ形成予定位置より下の区間の曲げモーメントを小さくすることが可能となる。すなわち杭頭部に抵抗モーメントＭh、杭中間部のヒンジに一定の抵抗モーメントＭmを持たせることができることで、これらの抵抗モーメントＭh、Ｍm及び中間部のヒンジ形成予定位置の位置を適切に計画することにより杭全長に亘って杭に生じる曲げモーメントを調整することができるため、杭を合理的に設計（杭断面を縮小化）することが可能になる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また前記の通り、特許文献４において杭を実質的に免震構造化するにはピン間の地盤反力を小さくした上で、水平反力装置とダンパーを付加することが必要であるが、本発明では少なくとも上下いずれかのヒンジに一定の抵抗モーメントを持たせることができることで、地盤に応じて、その抵抗モーメントの大きさとヒンジ形成位置の位置を適切に設定すれば、免震及び制振効果を持たせるのに必要な復元力とエネルギー吸収能力を杭自体に発揮させることが可能であるため、水平反力装置とダンパーを併用する必要がない。換言すれば、本発明によれば、杭頭部と杭中間部、あるいは杭中間部を含む２箇所以上にヒンジを設け、杭頭部における抵抗モーメント、杭中間部のヒンジ形成予定位置の位置及び抵抗モーメントを適切に計画することにより、杭に免震的な作用、あるいは制振的な作用を発揮させることが可能になる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項２に記載の発明では杭を構成するコンクリートの断面中に補助主筋を杭の軸方向に配筋し、この補助主筋をヒンジ形成予定位置で杭の軸方向に分離させることにより、曲げモーメントに対する抵抗力が相対的に低下したヒンジ形成予定位置を形成する。
補助主筋を杭の軸方向に分離させることは請求項１において杭がコンクリート杭、または鋼管コンクリート杭である場合に、ヒンジ形成予定位置を形成するための具体的な手段である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項３に記載の発明では杭を構成する鋼管をヒンジ形成予定位置で杭の軸方向に分離させることにより、曲げモーメントに対する抵抗力が相対的に低下したヒンジ形成予定位置を形成する。
鋼管を軸方向に分離させることは請求項１、もしくは請求項２に記載の発明において杭が鋼管、または鋼管コンクリート杭である場合に、ヒンジ形成予定位置を形成するための具体的な手段である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
請求項４に記載の発明では請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の発明において、杭を構成するコンクリートの断面中に主筋を杭の軸方向に配筋し、その主筋をヒンジ形成予定位置付近の一部区間においてコンクリートとの付着を切ることにより、ヒンジ形成時のヒンジ形成予定位置付近におけるコンクリートの損傷を軽減する。