(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱手段に内蔵されるとともに、画像形成装置の駆動制御に用いられる交流電源の振幅周期の半サイクルを単位として前記交流電源の電圧が前記振幅周期によりゼロクロスするタイミングで点灯制御して前記加熱手段の加熱制御を行うヒータと、
ヒータ消灯からヒータ連続点灯に至る過程でオンオフデューテイ比のヒータオン比率が経時的に増加させ、一方ヒータ連続点灯からヒータ消灯に至る過程で前記ヒータオン比率が経時的に減少させる可変比率発生部と、前記ヒータオン比率が経時的に増加若しくは減少させる期間を設定する不連続期間決定部とを具え、前記不連続期間決定部に、予め決定された不連続期間とそれに対応するヒータオンオフ比率との組み合わせを多数、テーブルとして用意し、該テーブルに基づいて、前記半サイクル単位の１回点灯に対する消灯回数との比で決まる前記ヒータオン比率の所定パターンを、１回毎に変える単調可変型と、前記所定パターンを複数回繰り返した後に前記ヒータオン比率を変えた次のパターンに変更する段階的可変型とを組み合わせて、前記ヒータへの電力供給を制御する事を特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記ヒータは記録媒体に形成した画像を定着する定着装置に設けることを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、記録媒体に形成した画像をヒータを内蔵した加熱手段により定着する定着装置を備え、および／または感光体に加熱装置を備え像流れ現象の防止を行うタイプの画像形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、加熱手段にハロゲンランプヒータを内蔵し、交流の半サイクルを単位として加熱電力を通電制御する方法が特開平９−８０９６１号公報に提案されている。そして、この技術は前記加熱手段に全波交流を通電するとハロゲンランプヒータに流れる電流により周囲に生じる電圧降下によってフリッカが生じることを防止するために、ハロゲンランプヒータのオフからオンに切り替わる場合に、交流不連続パターンを用いて、前記ハロゲンランプヒータを交流電源の電圧がゼロクロスするタイミングで点灯制御して前記ハロゲンランプヒータへの突入電流を押さえるとともに、前記交流の不連続パターンによりフリッカが生じるフリッカ周波数を、人間が感じやすい８．８Ｈｚとなる前記交流の不連続パターンを避けた組み合わせを用いるものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この技術には、交流１サイクルのうち半サイクルのみの通電（１／２のデューテイ）をする場合、また、交流３サイクルのうちの５個の半サイクルのみの通電（５／６のデューテイ）をする場合等のように、所定のｏｎ・ｏｆｆパターンを繰り返すものであり、後者の（５／６のデューテイ）の場合は、全波通電に近くフリッカ値が大きくなり、前者の（１／２のデューテイ）の場合は、フリッカ値は小さくなるがヒータオフからヒータが完全にオンするまでの時間がかかるという問題がある。
【０００４】
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、フリッカを抑制しつつヒータオフからヒータが完全にオンするまでの時間を短縮した定着装置を備えた画像形成装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、加熱手段に内蔵されるとともに、画像形成装置の駆動制御に用いられる交流電源の振幅周期の半サイクルを単位として前記交流電源の電圧が前記振幅周期によりゼロクロスするタイミングで点灯制御して前記加熱手段の加熱制御を行うヒータと、
ヒータ消灯からヒータ連続点灯に至る過程でオンオフデューテイ比のヒータオン比率が経時的に増加させ、一方ヒータ連続点灯からヒータ消灯に至る過程で前記ヒータオン比率が経時的に減少させる可変比率発生部と、前記ヒータオン比率が経時的に増加若しくは減少させる期間を設定する不連続期間決定部とを具え、前記不連続期間決定部に、予め決定された不連続期間とそれに対応するヒータオンオフ比率との組み合わせを多数、テーブルとして用意し、該テーブルに基づいて、前記半サイクル単位の１回点灯に対する消灯回数との比で決まる前記ヒータオン比率の所定パターンを、１回毎に変える単調可変型と、前記所定パターンを複数回繰り返した後に前記ヒータオン比率を変えた次のパターンに変更する段階的可変型とを組み合わせて、前記ヒータへの電力供給を制御する事を特徴とする。
【０００６】
また、前記ヒータは記録媒体に形成した画像を定着する定着装置に設けることが望ましい。
【０００７】
また、前記半サイクル単位の１回点灯に対する消灯回数との比で決まる前記ヒータオン比率の所定パターンを１回毎、もしくは前記所定パターンを複数回繰り返した後に次のパターンに変更して、ヒータ消灯からヒータ連続点灯に至る過程で前記ヒータオン比率が経時的に増加するように制御するように構成することも本発明の有効な手段である。
【０００８】
かかる技術手段によると、前記半サイクル単位の１回点灯に対する消灯回数との比で決まるヒータオン比率の所定パターンを１回毎に変化させる、たとえば、ヒータオン比率を（１：４→１：３→１：２→１：１）とヒータオン比率を１回毎に増加するように徐々に変化させることができる。
【０００９】
また、前記ヒータオン比率を（１：４→１：３→１：２→１：１）と、ヒータオン比率を複数回（たとえば、１：３を３回行った後に次のヒータオン比率で行う）毎に経時的に増加させて段階的に変化させることができる。
【００１０】
本発明は、交流電源の振幅周期の半サイクルを単位として、前記ヒータへの電力供給が連続オフから連続オンへ移行する場合は、ヒータオン比率が経時的に増加するように、すなわち、ヒータオン比率を１回毎に増すように徐々に変化させたり、段階的に変化させたりして制御するので、ヒータ点灯による電源供給側への電圧変動を緩和するとともに、フリッカを抑制しつつヒータがオフから完全にオンするまでの時間が短縮される。
【００１１】
また、前記半サイクル単位の１回点灯に対する消灯回数との比で決まる前記ヒータオン比率の所定パターンを、１回毎に変える単調可変型と、前記所定パターンを複数回繰り返した後に前記ヒータオン比率を変えた次のパターンに変更する段階的可変型とを組み合わせて、前記ヒータへの電力供給がオフからオンへ移行するように制御する事も本発明の有効な手段である。
【００１２】
かかる技術手段によると、ヒータオフ状態から完全なオン状態に立ち上がる際には所定パターンを複数回繰り返して立ち上がり、また完全なオン状態近傍においては、所定パターンを複数回繰り返すことにより、フリッカを低減することができる。
【００１３】
また、前記ヒータへの電力供給が連続オンから連続オフへ移行する間に、前記ヒータオン比率が経時的に減少するように制御することも本発明の有効な手段である。
そして、その際には、前記半サイクル単位の１回点灯に対する消灯回数との比で決まるヒータオン比率の所定パターンを１回毎、もしくは前記所定パターンを複数回繰り返した後にヒータオン比率を変えた次のパターンに変更して、ヒータ連続点灯からヒータ消灯に至る過程でヒータオン比率が経時的に減少するように制御構成することが望ましい。
【００１４】
かかる技術手段によると、前記半サイクル単位の１回点灯に対する消灯回数との比で決まるヒータオン比率の所定パターンを１回毎に変化させる、たとえば、ヒータオン比率を（１：１→１：２→１：３→１：４）と、ヒータオン比率を１回毎に減少させて徐々に経時的に現像を低下させることができる。
また、前記ヒータオン比率を（１：１→１：２→１：３→１：４）と、ヒータオン比率を複数回（たとえば、１：３を３回行った後に次ぎのヒータオン比率で行う）毎に経時的に減少させて段階的に温度を低下させることができる。
【００１５】
よって、完全なヒータオン状態から完全なオフ状態に立ち下がる際には所定パターンを経時的に徐々にまたは、段階的に減少させることにより、他の電圧被供給側への極端な電圧変動を防止することができる。
【００１６】
また、前記半サイクル単位の１回点灯に対する消灯回数との比で決まる前記ヒータオン比率の所定パターンを１回毎に変える単調可変型と、前記所定パターンを複数回繰り返した後に前記ヒータオン比率を変えた次のパターンに変更する段階的可変型とを組み合わせて、前記ヒータへの電力供給が連続オンから連続オフへ移行するように制御するように構成することも本発明の有効な手段である。
【００１７】
かかる技術手段によると、完全なヒータオン状態から完全なオフ状態に立ち下がる際には所定パターンを複数回繰り返し、またオフ状態近傍においては、所定パターンを複数回繰り返すことにより、他の電圧被供給側への極端な電圧変動を防止することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を例示的に詳しく説明する。但しこの実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは特に特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく単なる説明例に過ぎない。
【００１９】
図１は、本発明に用いられる定着装置を制御する概略ブロック構成図、図２は、定着装置を制御する要部ブロック構成図、図３は、ヒータへの電力供給方法を説明する説明図、図４は、半波波数制御によりヒータへ通電する方法を説明する説明図である。
【００２０】
図１において、内部に両端子形のハロゲンランプヒータ３が配置された加熱ローラ２６は、記録媒体への加熱部分が熱伝導体で円筒状に形成され、その一端側には絶縁体の合成樹脂で形成された回転軸部２８、及び他端側には歯部２７ａと回転軸部２７ｂを有するギア部２７が配設され、前記回転軸部２８及び２７ｂは図示しない枠体の軸受けによって回転自在に保持されている。
【００２１】
前記回転軸部２８及び２７ｂからは接点軸２９及び３０が突設され、接点軸２９はリード線３１を介してトライアック２４に、また、接点軸３０は電源に接続されている。図示を省略したが、これらのリード線のそれぞれの回転軸側は固定接点が設けられ、該固定接点が回転可能な接点軸２９、３０と接触するように構成されている。
【００２２】
後述する半波波数制御パルス発生回路１２、温度制御部１３、インターフェイス回路及びＣＰＵ（中央演算装置）等を備えた電気制御回路２０は、前記したヒータ制御手段２４、ＲＯＭ２２、入出力手段２１、温度センサ２５、前記加熱ローラ２６の歯部２７ａと噛合して前記加熱ローラ２６を回転駆動する加熱ローラ駆動手段２３と接続している。
【００２３】
ヒータ制御手段２４、温度制御部１３、及び半波波数制御パルス発生回路１２は、図２に示すように構成される。
ヒータ制御手段２４は、電源プラグ１、ヒューズ２及びハロゲンランプヒータ３及びトライアック４、５との直列回路に、ハロゲンランプヒータ３及びトライアック４に並列にゼロクロス検出回路６が接続されて構成される。
【００２４】
そして、電源プラグ１により交流電源が印加されている状態で、フォトトライアック５に外部から光信号が入来するとトライアック４が導通し、ハロゲンランプヒータ３が点灯し、交流電源の振幅波形が正から負に切り替わる際の、ゼロクロス時点に同期して外部に光信号を送出するように構成されている。
【００２５】
また、温度センサ２５からの検知温度に基づいて温度制御部１３は、定着装置の設定温度上限値ＴＵと、設定温度下限値ＴＬとが設定され、前記上限値ＴＵ及び下限値ＴＬ内に加熱ローラ２６の温度を制御している。そして、ヒータ制御手段２４、温度センサ２５、温度制御部１３は温度制御手段を構成している。
【００２６】
温度制御部１３は、図３に示すように、半波波数制御パルス発生回路１２にヒータオン信号（ａ）を、すなわち、負から正への立ち上がり信号を送出するとともに、温度センサ２５からの検知温度に基づいて、設定温度上限値ＴＵ＞検知温度Ｔとなったときに負となる前記ヒータオン信号（ａ）を送出する。
【００２７】
このヒータオン信号（ａ）は、そのままヒータ制御信号として用いられるものではなく、（ｂ）に示すように半波波数制御パルス発生回路１２において、前記ヒータオン信号の立ち上がり時点から連続点灯に入る前にオンオフ信号により断続点灯を行う連続点灯前断続点灯制御（Ａ段階）と、前記ヒータオン信号の立ち下がり時点から連続消灯に入る前にオンオフ信号により連続消灯前断続点灯制御（Ｂ段階）とを行うために、不連続期間決定部７に伝えられる。
【００２８】
この不連続期間決定部７は、前記ヒータオン信号（ａ）に同期して制御出力部９に信号を送出して制御出力部９を駆動して光出力をフォトトライアック５に送出してトライアック４をオンしてハロゲンランプヒータ３を点灯する。
【００２９】
一方、ゼロクロス検出回路６は、図４に示すように、交流電源の振幅周期の半サイクル毎に点滅する光出力を半波波数制御パルス発生回路１２のクロック発生部１１に送出して、このクロック発生部１１により形成される交流電源の振幅周期の半サイクル毎のクロック信号を波数制御パルス発生部１０に送出する。
【００３０】
一方、前記不連続期間決定部７は、予め決定された不連続期間とそれに対応するヒータオンオフ比率との組み合わせが多数、テーブルとして用意されている。よって、所定の不連続期間、所定のパルス出力を繰り返すように前記不連続期間決定部７から可変比率発生部８に指令すると、可変比率発生部８によって、その不連続期間に対応する所定のパルス出力を出力するために波数制御パルス発生部１０に信号を出力する。
【００３１】
この出力を受けて波数制御パルス発生部１０は交流電源の振幅周期の半サイクル毎の光出力をフォトトライアック５に送出するように制御出力部９を制御し、ハロゲンランプヒータ３を点滅する。
【００３２】
所定のパルス出力を繰り返した後は、次のヒータオンオフ比率へ切替えられ、パルス出力を所定の回数繰り返す。よって、所定の不連続期間、所定のパルス出力を繰り返すと可変比率発生部８により次のヒータオンオフ比率へ切替えられ、パルス出力を所定の回数繰り返す。
【００３３】
波数制御パルス発生部１０と制御出力部９は、不連続期間決定部７と可変比率発生部８からの信号により最終的にフォトトライアック５を制御する事でヒータがオフからオンへ移行する時とオンからオフへ移行する時、ゼロクロスを制御の起点にした半波波数制御となる。
【００３４】
ヒータ制御手段２４、温度制御部１３、及び半波波数制御パルス発生回路１２は、上述のように構成されているので、ゼロクロス検出回路６は電源電圧を光に変換しクロック発生部１１に伝え、半波波数制御パルス発生回路１２はゼロクロス信号に同期して動作する。
温度制御部１３からの検知温度に基づくヒータオン信号は不連続期間決定部７に伝えられ半波波数制御が開始される。
【００３５】
あらかじめ設定されたヒータオンオフ比率から始まり、所定のパルス出力を繰り返すと可変比率発生部８により次のヒータオンオフ比率へ切替えられ、パルス出力を所定の回数繰り返す。
波数制御パルス発生部１０と制御出力部９は、不連続期間決定部７と可変比率発生部８からの信号により最終的にフォトトライアック５を制御する事でヒータがオフからオンへ移行する時とオンからオフへ移行する時、ゼロクロスを制御の起点にした半波波数制御となる。
【００３６】
図３（ａ）は、温度制御部１３からのヒータオン信号であり、この信号をもとに図３（ｂ）のＡ部及びＢ部の半波波数制御パルスが追加される。
図４には、交流電源の振幅周期の半サイクル毎にヒータの電流が通過する様子が示されている。
Ｒ１の期間では、半波波数制御がオンオフ比１：２で３回、１：１で３回オン比率を増し、Ｒ２の期間では全波オンになり、Ｒ３の期間更にオンオフ比１：１で２回、１：２で２回、１：３で１回オン比率を減らしながら終結する様子を示す。
破線で示すところはヒータに電力供給されず間引かれた部分である。
【００３７】
次に、本実施の形態にかかる定着装置のランプヒータの動作を説明する。
定着装置の温度センサ２５が設定温度下限値ＴＬ以下の検知温度Ｔを検出した際には、図３（ｂ）に示すように、ＴＬ≧Ｔでありヒータが連続的にオンであるために、定着装置の温度は画像形成装置の周囲温度と定着装置のヒータオン以前の温度等との関係から決まる適宜温度から上昇する。
【００３８】
そして、検知温度が前記下限値ＴＬよりも高く前記上限値ＴＵよりも低い適正範囲内では、ＴＬ＜Ｔ＜ＴＵであり、半波波数制御パルス発生回路１２により、図３（ｂ）に示す前記ヒータオン信号の立ち下がり時点から連続消灯に入る前にオンオフ信号により連続消灯前断続点灯制御（Ｂ段階）のごとく、半波波数制御が開始され、その後に連続消灯に入る。そのために、上昇勾配は、半波波数制御のために緩くなり、前記上限値ＴＵを超えてから立ち下がる。
【００３９】
また、定着装置の温度センサ２５が設定温度上限値ＴＵ以上の検知温度Ｔを検出した際には、ＴＵ≦Ｔでありヒータが連続的にオフであるために、定着装置の温度は画像形成装置の周囲温度と定着装置のヒータオフ以前の温度等との関係から決まる適宜温度から降下する。
【００４０】
そして、検知温度が前記下限値ＴＬよりも高く前記上限値ＴＵよりも低い適正範囲内では、ＴＬ＜Ｔ＜ＴＵであり、半波波数制御パルス発生回路１２により、図３（ｂ）に示す前記ヒータオフ信号の立ち上がり時点から連続点灯に入る前にオンオフ信号により連続点灯前断続点灯制御（Ａ段階）のごとく、半波波数制御が開始される。そのために、立ち下がった勾配は、半波波数制御のために緩くなり、よって、設定温度下限値ＴＬを越えたあたりで連続点灯に入り、立ち上がり勾配となる。
【００４１】
前記ランプヒータ３への電力供給がオフからオンへ移行する前記Ａ段階においては、ヒータオン比率が経時的に増加するように制御される。すなわち、図４のＲ１期間に示すように半サイクル点灯し１サイクル消灯する周期を３回行い、その後に半サイクル点灯し、半サイクル消灯する周期を３回行い、全波（連続）点灯（Ｒ２期間）を行うように制御される。
【００４２】
このように、交流電源の振幅周期の半サイクルを単位として、前記ランプヒータへの電力供給がオフからオンへ移行する場合は、ヒータオン比率が経時的に増加するように制御するので、ヒータ点灯による電源供給側への電圧変動を緩和するとともに、結果的にはヒータがオフから完全にオンするまでの時間が短縮される。
【００４３】
また、前記ランプヒータ３への電力供給がオンからオフへ移行する前記Ｂ段階においては、ヒータオフ比率が時間的に増加するように制御される。すなわち、図４のＲ３期間に示すように半サイクル消灯し半サイクル点灯する周期を２回行い、その後に１サイクル消灯し、半サイクル点灯する周期を２回行い、その後に１．５サイクル消灯して半サイクル点灯する周期を１回行うように制御される。
【００４４】
よって、交流電源の振幅周期の半サイクルを単位として、前記ランプヒータへの電力供給がオンからオフへ移行する場合は、時間的にヒータオフ比率が増加するように制御するので、ヒータオン状態から完全なオフ状態に立ち下がる際にはオフ比率パターンを増加するように制御することにより、他の電力被供給側への極端な電圧変動を防止することができるとともに、フリッカ値を下げることができる。
【００４５】
本実施の形態は、上述の態様で説明しているが、Ａ段階において、前記半サイクル単位の１回点灯に対する消灯回数との比で決まるヒータオン比率の所定パターンを１回毎に変化させる、たとえば、ヒータオン比率を（１：４→１：３→１：２→１：１）とヒータオン比率を１回毎に増すように徐々に変化させることができる。
また、前記ヒータオン比率を（１：４→１：３→１：２→１：１）と、ヒータオン比率を複数回（たとえば、１：３を３回行った後に次ぎのヒータオン比率で行う）毎に増加させて段階的に変化させることができる。
【００４６】
また、前記半サイクル単位の１回点灯に対する消灯回数との比で決まるヒータオン比率の所定パターンを１回毎にヒータオン比率を変える単調可変型と、前記所定パターンを複数回繰り返した後にヒータオン比率を変えた次のパターンに変更する段階的可変型とを組み合わせて、前記ランプヒータへの電力供給がオフからオンへ移行するように制御する事も可能である。
そして、その際には、ヒータオフ状態から完全なオン状態に立ち上がる際にはまず、所定パターンを複数回繰り返して立ち上がり、また完全なオン状態近傍においては、所定パターンを複数回繰り返すことにより、フリッカを低減することができる。
【００４７】
また、前記ランプヒータへの電力供給がオンからオフへ移行する場合は、前記半サイクル単位の１回点灯に対する消灯回数との比で決まるヒータオン比率の所定パターンを１回毎、もしくは前記所定パターンを複数回繰り返した後にヒータオン比率を変えた次のパターンに変更して、ヒータ全波点灯からヒータ完全消灯に至る過程でヒータオン比率が経時的に減少するように制御することができる。すなわち、前記半サイクル単位の１回点灯に対する消灯回数との比で決まるヒータオン比率の所定パターンを１回毎に変化させる、たとえば、ヒータオン比率を（１：１→１：２→１：３→１：４）と、ヒータオン比率を１回毎に減少させて徐々に低下させることができる。
また、前記ヒータオン比率を（１：１→１：２→１：３→１：４）と、（たとえば、１：３を３回行った後に次のヒータオン比率で行う）毎に経時的に減少させて段階的に低下させることができる。
【００４８】
また、前記半サイクル単位の１回点灯に対する消灯回数との比で決まるヒータオン比率の所定パターンを１回毎にヒータオン比率を変える単調可変型と、前記所定パターンを複数回繰り返した後にヒータオン比率を変えた次のパターンに変更する段階的可変型とを組み合わせて、前記ランプヒータへの電力供給が完全オンから完全オフへ移行するように制御することも可能である。
この際には、ヒータオン状態から完全なオフ状態に立ち下がる際には所定パターンを複数回繰り返し、また完全オフ状態近傍においては、所定パターンを複数回繰り返すことにより、他の電圧被供給側への極端な電圧変動を防止することができる。
【００４９】
よって、ヒータオン状態から完全なオフ状態に立ち下がる際には所定パターンを時間的に徐々にまたは、段階的に減少させることにより、他の電圧被供給側への極端な電圧変動を防止することができるとともにフリッカ値を減少することができる。
【００５０】
尚、本実施の形態においては、図１で説明したハードウェアで交流電源から半波波数制御パターンを得ているが、必ずしもこれに限定されるものではなく、適宜水晶発振器と分周器を用い前記半波波数制御パターンを発生させることも可能である。
また、以上詳述した示威しの形態においては、ハロゲンランプヒータを用いた定着装置を例に説明したが、ヒータそのものが中空管（ダイレクトヒートタイプ）で構成された定着用ヒータローラや感光体ドラムの加熱にも適用ができることは勿論のことである。
【００５１】
【実施例】
図３（ｂ）に示すＡ段階及びＢ段階を一定のオンオフデューテイ比を用いた比較例を［表１］に、Ａ段階にオン比率が増加する場合を、Ｂ段階にオフ比率が増加する場合のデューテイ比を用いた実施例１を［表２］及び［表３］に、実施例２を［表４］に示す。
【００５２】
【表１】
0004195770.tif 000002
【００５３】
【表２】
0004195770.tif 000003
【００５４】
【表３】
0004195770.tif 000004
【００５５】
【表４】
0004195770.tif 000005
【００５６】
比較例の［表１］と比べて、［表２］及び［表３］に示すように、ヒータがオフからオンに移行する前記Ａ段階において、デューテイ比を可変させることによって、立ち上がり時間であるＡ期間が短縮される。
特に、☆印したフリッカ値（Ｐｓｔ）が等しい比較例［表１］と実施例［表２］とを比べると、Ａ段階において［表１］の場合は、５５０ｍｓであるのに対して実施例の［表２］の場合は、１５０ｍｓで完全点灯に移行でき、Ａ期間が短縮される。
また、［表４］に示すように、オンからオフに移行するＢ段階の有無によってフリッカ値が変動し、Ｂ段階におけるオフデューテイの増加によりフリッカ値が０．０３〜０．０４程度改善される。
【００５７】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように本発明は、ノイズ及びフリッカの影響が減少し、少ない時間でヒータの点灯制御が行える等の効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に用いられる定着装置を制御する概略ブロック構成図である。
【図２】  定着装置を制御する要部ブロック構成図である。
【図３】  ヒータへの電力供給方法を説明する説明図である。
【図４】  半波波数制御によりヒータへ通電する方法を説明する説明図である。
【符号の説明】
３          ハロゲンランプヒータ（ヒータ）
６          ゼロクロス検出回路
１２        半波波数制御パルス発生回路
【図１】
0004195770.tif 000006
【図２】
0004195770.tif 000007
【図３】
0004195770.tif 000008
【図４】
0004195770.tif 000009