(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）窒素原子を１〜４個有するアミン化合物、一般式（Ｉ）：
【化１】
0004044215.tif 000010
（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 はそれぞれ独立して炭素数１〜１０の炭化水素基又はヒドロキシアルキル基、Ｘ- は陰イオンを示す）で表される４級アンモニウム塩及び酸からなる群より選ばれた１種以上の分子量１７〜３００の化合物、
（Ｂ）分子量３０１〜５０００の非イオン性界面活性剤、並びに（Ｃ）水を含有するレジスト用剥離剤組成物であって、前記（Ｂ）の非イオン性界面活性剤の含有量が５〜５０重量％である、レジスト用剥離剤組成物。
【請求項２】
（Ａ）窒素原子を１〜４個有するアミン化合物、一般式（Ｉ）：
【化２】
0004044215.tif 000011
（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 はそれぞれ独立して炭素数１〜１０の炭化水素基又はヒドロキシアルキル基、Ｘ- は陰イオンを示す）で表される４級アンモニウム塩及び酸からなる群より選ばれた１種以上の分子量１７〜３００の化合物、
（Ｂ’）一般式（II）：
【化３】
0004044215.tif 000012
（式中、Ｒ5 は水素原子、炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数２〜５のアルケニル基、Ａは炭素数２又は３のアルキレン基、Ｙは水素原子、炭素数１〜８の炭化水素基又はアシル基、ｐは０〜５の整数、ｑは１〜１０の整数を示す）で表される化合物、並びに（Ｃ）水を含有するレジスト用剥離剤組成物。
【請求項３】
分子量３２〜３００の１〜６価アルコール、１〜６価アルコール又は該アルコールのＯＨ基をＣＯＯＨ基に置き換えた対応するカルボン酸にアルキレンオキサイドを付加した分子量６０〜３００の化合物及びその誘導体、並びに分子内に窒素原子又は硫黄原子を有する極性溶媒からなる群より選ばれた１種以上の化合物をさらに含有してなる請求項１記載の剥離剤組成物。
【請求項４】
分子量３２〜３００の１〜６価アルコール、１〜６価アルコール又は該アルコールのＯＨ基をＣＯＯＨ基に置き換えた対応するカルボン酸にアルキレンオキサイドを付加した分子量６０〜３００の化合物及びその誘導体（但し、一般式（II）で表される化合物は除く）、並びに分子内に窒素原子又は硫黄原子を有する極性溶媒からなる群より選ばれた１種以上の化合物をさらに含有してなる請求項２記載の剥離剤組成物。
【請求項５】
請求項１〜４いずれか記載の剥離剤組成物を使用するレジスト剥離方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レジスト用剥離剤組成物に関する。さらに詳しくは、半導体素子や液晶表示器（ＬＣＤ）等の技術分野においてリソグラフィー技術に用いられるレジストを除去するための剥離液組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体素子やＬＣＤ等の製造工程においては、スパッタリング等の方法で基板上に形成した薄膜上にリソグラフィーにより所定のレジストパターンを形成し、これをエッチングレジストとして下層部の薄膜を選択的にエッチングで除去した後、残りのレジストを完全に除去する工程が採られている。この工程には、一般に、レジスト用剥離剤として強酸、フェノール系化合物又は塩素系溶剤が用いられる。しかしながら、強酸は、アルミニウム、銅等の配線を有する基板を腐食したり、作業上の安全性の面で劣り、フェノール系化合物及び塩素系溶剤は、毒性が高く、廃液処理が煩雑であるという欠点を有している。
【０００３】
これらの欠点を解決する剥離剤として、水溶性アミン及び水溶性プロピレングリコール誘導体からなる剥離剤（特公平７−８２２３８号公報）、アミン類、極性溶媒及び界面活性剤からなる剥離剤（特開昭６３−２３１３４３号公報）、アミノアルコール類、極性溶媒及び水からなる剥離剤（特公平７−６９６１８号公報）、モノエタノールアミン、グリコールモノアルキルエーテル、ブチンジオール及び水からなる剥離剤（特許第２６３１８４９号公報）が提案されている。
【０００４】
しかしながら、これらの剥離剤は、プリベーク又はポストベーク後の遠紫外線の照射、エッチング工程でのプラズマ処理、剥離工程でのドライアッシング等の高エネルギー処理により硬化又は化学変質したレジストに対して十分な剥離性を有しておらず、より一層剥離性に優れた剥離剤の開発が要求されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、作業性や安全性に優れるのみならず、高エネルギー処理を受けて硬化又は化学変質したレジストでも容易にかつ短時間で剥離し得るレジスト用剥離剤組成物を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明の要旨は、
（１）（Ａ）窒素原子を１〜４個有するアミン化合物、一般式（Ｉ）：
【０００７】
【化４】
0004044215.tif 000002
【０００８】
（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 はそれぞれ独立して炭素数１〜１０の炭化水素基又はヒドロキシアルキル基、Ｘ- は陰イオンを示す）で表される４級アンモニウム塩及び酸からなる群より選ばれた１種以上の分子量１７〜３００の化合物（以下、Ａ成分という）、（Ｂ）分子量３０１〜５０００の非イオン性界面活性剤（以下、Ｂ成分という）並びに（Ｃ）水（以下、Ｃ成分という）を含有するレジスト用剥離剤組成物、
（２）Ａ成分、（Ｂ’）一般式（II）：
【０００９】
【化５】
0004044215.tif 000003
【００１０】
（式中、Ｒ5 は水素原子、炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数２〜５のアルケニル基、Ａは炭素数２又は３のアルキレン基、Ｙは水素原子、炭素数１〜８の炭化水素基又はアシル基、ｐは０〜５の整数、ｑは１〜１０の整数を示す）で表される化合物（以下、Ｂ’成分という）、並びにＣ成分を含有するレジスト用剥離剤組成物、並びにかかる剥離剤組成物を使用するレジスト剥離方法、
に関するものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明の剥離剤組成物は、Ａ成分、Ｂ及び／又はＢ’成分、及びＣ成分を含有する。
【００１２】
Ａ成分として、分子量１７〜３００である分子中に窒素原子を１〜４個有するアミン化合物、一般式（Ｉ）：
【００１３】
【化６】
0004044215.tif 000004
【００１４】
（式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 はそれぞれ独立して炭素数１〜１０の炭化水素基又はヒドロキシアルキル基、Ｘ- は陰イオンを示す）で表される４級アンモニウム塩又は酸が用いられる。かかる窒素原子を１〜４個有するアミン化合物、一般式（Ｉ）で表される４級アンモニウム塩及び酸は、高い剥離性の観点から、分子量は１７〜３００であり、それぞれ単独で又は２種類以上を混合して用いることができる。
【００１５】
アミン化合物の中では、優れた剥離性の観点から、窒素原子を１〜３個有する分子量５０〜１００のアミン化合物、それにエチレンオキサイドを２〜５モル付加した化合物及び分子量１５０以下のアルカノールアミンが好ましい。
【００１６】
アミン化合物の具体例としては、例えば、炭素数１〜２０のモノアルキルアミン、ジアルキルアミン及びトリアルキルアミン、さらにはベンジルアミン、ジベンジルアミン、トリベンジルアミン、１−アミノナフタレン、アルキルベンジルアミン等の窒素原子１個を有するアミン；エチレンジアミン、トリエチレンジアミン、１，３−ジアミノプロパン、１，６−ジアミノヘキサン、１，３−ジアミノキシレン、１，３−ビスアミノシクロヘキサン、テトラメチルヘキサメチレンジアミン等の窒素原子２個を有するアミン；ジエチレントリアミン等の窒素原子３個を有するアミン、トリエチレンテトラアミン等の窒素原子４個を有するアミン；それら窒素原子１〜４個を有するアミン化合物に炭素数２〜４のアルキレンオキサイドを付加した化合物、モノエタノールアミン、モノプロパノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジエタノールアミン、メチルモノエタノールアミン、ブチルモノエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジメチルモノエタノールアミン、メチルジエタノールアミン等のアルカノールアミンが挙げられる。これらの中では、剥離性能が優れることから、ベンジルアミン、１，３−ジアミノプロパン、ジエチレントリアミン、モノエタノールアミン、モノプロパノールアミン、モノイソプロパノールアミン、メチルモノエタノールアミン、１，３−ジアミノキシレン、エチレンジアミン及びこれらのアルキレンオキサイド付加物が好ましい。
【００１７】
一般式（Ｉ）で表される４級アンモニウム塩において、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 は、それぞれ独立して炭素数１〜１０の炭化水素基又はヒドロキシアルキル基（アルキル基の末端に水酸基を有する基）であり、これらの中では、剥離性が優れることから、炭素数１〜３の炭化水素基及びヒドロキシアルキル基が好ましい。また、一般式（Ｉ）のＸ- としては、例えば、ＯＨ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＨＳＯ4 、Ｈ2 ＰＯ4 等の陰イオンが挙げられ、これらの中では、シリコン基板や金属部材に対する影響が少ない点からＯＨが好ましい。一般式（Ｉ）で表される４級アンモニウム塩の具体例としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、モノメタノールトリメチルアンモニウムヒドロキシド、コリンヒドロキシド等が挙げられ、これらの中では、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、モノメタノールトリメチルアンモニウムヒドロキシド及びテトラエチルアンモニウムヒドロキシドが好ましい。
【００１８】
酸としては、塩酸、フッ酸、シアン酸、塩素酸、次亜塩素酸、硫酸、亜硫酸、リン酸、ホウ酸等の無機酸や、カルボン酸、過酸、炭酸エステル、チオカルボン酸、メルカプタン酸、スルホン酸、スルフィン酸、スルフェン酸、硫酸エステル、ホスホン酸、ホスファチジン酸、リン酸エステル、ホスフィン、硼酸エステルの錯化合物等の有機酸が挙げられる。
【００１９】
なお（Ａ）成分としてアミン化合物と酸とを併用すると、それらから形成される塩の形態で存在する場合があるが、本発明においてはこの塩の形態で存在していてもよい。
【００２０】
Ａ成分の剥離剤組成物中における含有量は、良好な剥離性能を発揮させる観点から、０．１重量％以上、好ましくは０．５重量％以上、より好ましくは５重量％以上であることが望ましく、金属部材に対する腐食を抑制する観点から、９５重量％以下、好ましくは９０重量％以下、より好ましくは８０重量％以下、さらに好ましくは５０重量％以下であることが望ましい。
【００２１】
Ｂ成分として、分子量３０１〜５０００の非イオン性界面活性剤が用いられる。本発明の剥離剤組成物には、この非イオン性界面活性剤が含まれているので、表面張力が低く、高エネルギー処理されて硬化又は化学変質したレジストにアミン化合物や４級アンモニウム塩を効率よく浸透させて剥離性を著しく向上させるという効果が発現される。
【００２２】
さらに、この剥離剤組成物は、微小な付着物、残渣物、パーティクル等の不溶物を基板表面から取り除き、不溶物を剥離剤中に安定に分散させて再付着を防ぎ、また、アセトン、メチルエチルケトン、２−プロパノール等の有機溶剤や純水などで剥離剤をすすぐ工程でも、不溶物の再付着を防ぎ、さらに剥離剤が分離することなく均一な液状態を維持するという効果を発現する。
【００２３】
前記非イオン性界面活性剤としては、例えば、一般式(III）：
Ｒ6 （Ｚ）（ＡＯ）m Ｒ7               (III)
（式中、Ｒ6 は炭素数１〜２２の炭化水素基、Ｒ7 は水素原子又は炭素数１〜８の炭化水素基、Ｚは−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＮＨ−又は−Ｎ（（ＡＯ）n Ｈ）−基、ｍ及びｎはそれぞれ１〜１００の整数、Ａは炭素数２又は３のアルキレン基を示す）で表される化合物、炭素数７〜２２の炭化水素基を有する直鎖又は分岐鎖の飽和又は不飽和の１価アルコール、炭素数１〜２２の炭化水素基を有する直鎖又は分岐鎖の飽和又は不飽和のアミン、炭素数１〜２２の炭化水素基を有する直鎖又は分岐鎖の飽和又は不飽和の脂肪酸、炭素数２〜１５の多価アルコール、炭素数２〜１０のポリアミン、炭素数２〜１０の多価脂肪酸、アルキル基の炭素数が６以上のアルキルフェノール、スチレン化フェノール、ベンジル化フェノール及びナフトール等にエチレンオキサイド又はプロピレンオキサイドが付加された化合物が挙げられる。これらの中では、剥離性及び再付着防止性の観点から、一般式（III)で表される化合物が好ましい。
【００２４】
また、Ｂ’成分として、一般式（II）：
【００２５】
【化７】
0004044215.tif 000005
【００２６】
（式中、Ｒ5 は水素原子、炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数２〜５のアルケニル基、Ａは炭素数２又は３のアルキレン基、Ｙは水素原子、炭素数１〜８の炭化水素基又はアシル基、ｐは０〜５の整数、ｑは１〜１０の整数を示す）で表される化合物が用いられる。一般式（II）において、Ｒ5 としては、剥離性が優れる点から、水素原子、炭素数１〜３のアルキル基又は炭素数２〜３のアルケニル基が好ましく、特に水素原子が好ましい。Ｙとしては、剥離性が優れる点から、水素原子、炭素数１〜２のアルキル基又は炭素数１〜２のアシル基がより好ましい。ｐは、０〜２が好ましい。ｑは、剥離性が優れる点から、１〜８が好ましく、特に１〜４が好ましい。（ＡＯ）の部分はエチレンオキサイドとプロピレンオキサイドとをランダムで含んでもよく、ブロックで含んでいてもよい。
【００２７】
一般式（II）で表される化合物としては、フェノール、メチルフェノール、イソプロピルフェノール、イソブチルフェノール、エチルフェノール、ビニルフェノール、ベンジルアルコール、メチルベンジルアルコール、エチルベンジルアルコール、イソプロピルベンジルアルコール、フェニルエチルアルコール、フェニルブチルアルコール等のフェノール類やアルコール類にエチレンオキサイド及び／又はプロピレンオキサイドを付加した化合物等が挙げられる。剥離性の点から、さらに好ましい具体例としては、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、トリエチレングリコールモノフェニルエーテル、テトラエチレングリコールモノフェニルエーテル、ペンタエチレングリコールモノフェニルエーテル、ヘキサエチレングリコールモノフェニルエーテル、ヘプタエチレングリコールモノフェニルエーテル、オクタエチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノベンジルエーテル、ジエチレングリコールモノベンジルエーテル、トリエチレングリコールモノベンジルエーテル、テトラエチレングリコールモノベンジルエーテル、ペンタエチレングリコールモノベンジルエーテル、ヘキサエチレングリコールモノベンジルエーテル、ヘプタエチレングリコールモノベンジルエーテル及びオクタエチレングリコールモノベンジルエーテルと、それらに対応するプロピレングリコールモノフェニルエーテルやプロピレングリコールモノベンジルエーテル；トリエチレングリコールジフェニルエーテル、トリエチレングリコールジベンジルエーテル、トリエチレングリコールベンジルフェニルエーテル、トリエチレングリコールフェニルメチルエーテル、トリエチレングリコールベンジルメチルエーテル等；フェノールやベンジルアルコールにエチレンオキサイドとプロピレンオキサイドをランダム付加やブロック付加したエーテル化合物やそれらの誘導体等が例示される。なお、かかる一般式（II）で表される化合物と前記一般式(III）で表される化合物とは、単独で又は混合して用いることができる。
【００２８】
Ｂ成分及び／又はＢ’成分の剥離剤組成物中における含有量は、良好な界面活性能を得る観点から、０．１重量％以上、好ましくは１重量％以上、より好ましくは５重量％以上であることが望ましく、剥離剤粘度の上昇を抑制する観点から、９８重量％以下、好ましくは９５重量％以下、より好ましくは５０重量％以下、さらに好ましくは３０重量％以下であることが望ましい。
【００２９】
なお、Ｂ成分とＢ’成分とを混合して用いる場合、合計量は前記の含有量であればよい。
【００３０】
Ｃ成分として、水が用いられる。剥離剤組成物には、この水が含まれているので、高エネルギー処理されて硬化又は化学変質したレジストにアミン化合物や４級アンモニウム塩が効率よく浸透するのを促進し、剥離性を向上させ、イオン性の汚れに対しても優れた剥離力を呈し、基板表面を清浄にするという優れた効果を発現する。
【００３１】
また、微小な汚れを基板表面から取り除き、剥離剤中に微小な汚れを安定に分散させて、微小な汚れを基板に再付着させない等という非イオン性界面活性剤の界面活性能を十分に発揮させる点から水は必須である。
【００３２】
水は、剥離剤が半導体素子やＬＣＤの製造分野で使用されることを考慮してイオン交換水、純水や超純水などのイオン性物質やパーティクル等を極力低減させたものが好ましい。
【００３３】
Ｃ成分の剥離剤組成物中における含有量は、十分な界面活性能を発現させる観点から、１重量％以上、好ましくは１０重量％以上であることが望ましく、剥離性能の低下を抑制する観点から、９５重量％以下、好ましくは８０重量％以下、さらに好ましくは５０重量％以下であることが望ましい。
【００３４】
また、本発明の剥離剤組成物には、さらにアルコール、アルキレンオキサイド付加化合物及びその誘導体（但し、Ｂ’成分を使用している場合には、一般式（II）で表される化合物は除く）、極性溶媒等が含有されていてもよい。
【００３５】
アルコールは、適度の粘度を有する点から、１〜６価アルコールが好ましく、適度の粘度を有し、剥離性に優れる点から、その分子量は３２〜３００であることが好ましい。その具体例としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ヘキサノール、オクタノール、ヘキサンジオール、オクタンジオール、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、ペンタエリスリトール、ソルビット、ソルビタン等が挙げられ、これらの中では、剥離性が優れることから、エタノール、プロパノール、ブタノール、ヘキサノール、エチレングリコール及びプロピレングリコールが好ましい。
【００３６】
また、アルキレンオキサイド付加化合物は、適度の粘度を有し、剥離性に優れる点から、その分子量が６０〜３００のものが好ましい。その具体例としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ヘキサノール、オクタノール、ヘキサンジオール、オクタンジオール、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、ペンタエリスリトール、ソルビット、ソルビタン等の１〜６価アルコールや該アルコールに対応するカルボン酸（該アルコールのＯＨ基がＣＯＯＨ基であるもの）に炭素数２〜４のアルキレンオキサイドを付加した化合物、並びにそれらの化合物の末端の水酸基又はカルボキシル基の一部もしくは全部を炭素数１〜１０の炭化水素基でエーテル化又はエステル化した誘導体が挙げられる。これらの中では、粘度が低く、剥離性能が優れることから炭素数１〜６の１価アルコールにエチレンオキサイドやプロピレンオキサイドを１〜８モル付加した化合物やそれらに炭素数１〜４のアルキル基でエーテル化した誘導体が好ましい。その具体例としては、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルプロピルエーテル、ジエチレングリコールブチルエチルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル等が挙げられる。
【００３７】
極性溶媒は、窒素原子や硫黄原子を有するものがより好ましい。その具体例としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジメチルスルホキサイド、スルホラン、ジエチレンスルホラン、ジメチルスルホン等が挙げられる。これらの中では、極性が高く剥離性が優れる点から、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン及びジメチルスルホキサイドがより好ましい。
【００３８】
アルコール、アルキレンオキサイド付加化合物及び極性溶媒から選ばれた少なくとも１種の剥離剤組成物中における含有量は、優れた剥離性を得る観点から、１重量％以上、好ましくは５重量％以上であることが望ましく、剥離性能の低下を防ぐ観点から、９５重量％以下、好ましくは７０重量％以下であることが望ましい。
【００３９】
本発明の剥離剤組成物は、例えば、Ａ成分、Ｂ成分及び／又はＢ’成分並びにＣ成分を配合することによって調製することができる。
【００４０】
本発明の剥離剤組成物は、作業性や安全性に優れるのみならず、高エネルギー処理を受けて硬化又は化学変質したレジストでも容易にかつ短時間で剥離し得るものであるので、半導体素子やＬＣＤの製造工程におけるレジストの剥離等に好適に使用し得るものである。
【００４１】
【実施例】
実施例１〜３２
表１〜３に示す組成からなる剥離剤組成物を用い、そのレジスト剥離性について評価した。なお、剥離性評価については、以下のように行い、その結果を表１〜３に示す。なお、表中のＰＯＥはポリオキシエチレン、ＰＯＰはポリオキシプロピレン、（ＰＯＥ）及び（ＰＯＰ）の添字は付加モル数を示す。
【００４２】
〔剥離剤組成物の剥離性評価〕
ポジ型フォトレジストＳ１８０５（シプレイ・ファーイースト（株）製）をスピンナーを用いてシリコンウエハー（厚さ：０．８ｍｍ、直径：２０ｃｍ）上に塗布した。ついでホットプレートを用いて、このウエハーを１１０℃で９０秒間プリベークして１．５μｍの膜厚を有するフォトレジスト膜を得た。
【００４３】
このフォトレジスト膜を  縮小投影露光装置（ニコン（株）製）にフォトマスクを介して露光した。この後、現像液（２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液）を用いて一定時間パドル現像を行った。現像後のフォトレジスト膜を純水で３０秒間すすいだ後、窒素気流下で乾燥した。
【００４４】
次に、１４０℃で、２０分間ポストベーキング処理を施し、このレジストパターンをマスクとして下地層をドライエッチングとイオン注入を行って、レジストを硬化させた。そして剥離工程の第１段階としてドライアッシングを行って、得られたシリコンウエハーをダイヤモンドカッターで２ｃｍ×２ｃｍに切断し、ピースを得た。
【００４５】
得られた剥離剤組成物を３０〜６０℃に加温しておき、その中に得られたピースを５〜２０分間浸漬した後、取り出し、イソプロピルアルコールで１回、次いで純水で１回すすいだ。その後、ピースを乾燥させ、走査型電子顕微鏡（日立製作所（株）製）を用いて各ピースのレジストパターンを５０００倍に拡大して観察し、その剥離性について検討した。なお、表中の剥離率は、シリコンウエハー上に形成させた２μｍ×２μｍのレジストパターンを無作為に１００箇所観察し、その中でレジストが完全に除去されている箇所の割合とした。
【００４６】
【表１】
0004044215.tif 000006
【００４７】
【表２】
0004044215.tif 000007
【００４８】
【表３】
0004044215.tif 000008
【００４９】
比較例１〜１５
表４に示す組成からなる剥離剤組成物を用い、そのレジスト剥離性について実施例１と同様に評価した。その結果を表４に示す。なお、表中のＰＯＥはポリオキシエチレン、ＰＯＰはポリオキシプロピレン、（ＰＯＥ）及び（ＰＯＰ）の添字は付加モル数を示す。
【００５０】
【表４】
0004044215.tif 000009
【００５１】
表１〜３の結果から、実施例１〜３２で得られた剥離剤組成物は、いずれも人体に対して安全な物質からなるので、作業性よく、安全にレジストを除去できることがわかる。
【００５２】
表１〜４に示された結果から、実施例１〜３２で得られた剥離剤組成物は、比較例１〜１５で得られた剥離剤組成物と比べて、いずれも硬化又は化学変質したレジストに対する剥離性に優れていることがわかる。
【００５３】
また、表１〜４に示された結果から、実施例１〜３２で得られた剥離剤組成物は、比較例１〜１５で得られた剥離剤組成物と比べて、ピースを剥離剤組成物に５〜２０分間という短時間、浸漬させただけでも十分な剥離性を示すため、実施例１〜３２で得られた剥離剤組成物は、いずれも硬化又は化学変質したレジストを容易にかつ短時間で剥離することができることがわかる。
【００５４】
また、実施例１２、１３、２３、２４、２９及び３２で得られた剥離剤組成物は、３０℃という低温でも十分な剥離性を示すため、特に、作業性、安全性に優れていることがわかる。
【００５５】
【発明の効果】
本発明のレジスト用剥離剤組成物を用いることで、半導体素子やＬＣＤ等の技術分野においてリソグラフィー技術に用いられるレジストを作業性よく、安全に除去でき、さらに、高エネルギー処理を受けて硬化又は化学変質したレジストでも容易にかつ短時間で剥離することができるという効果が奏される。