(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理チャンバ内に配置した基板の上に堆積した層の界面における膜品質を向上させる方法であって、
（ａ）不活性ガスと酸素含有反応物ガスを備えた第１のガスを前記処理チャンバに導入するステップと、
（ｂ）ＲＦ電力を印加し、フルパワーまで前記ＲＦ電力を上昇させることにより前記第１のガスからプラズマを発生させるステップと、
（ｃ）前記印加ＲＦ電力が実質的にフルパワーまで致った後、前記酸素含有反応物ガスと珪素含有反応物ガスを備えたプロセスガスを前記プロセスチャンバに導入して、前記層を堆積するステップと、を有する方法。
【請求項２】
更に、前記印加ＲＦ電力がフルパワーに実質的に致った後、前記チャンバに前記第１のガスを導入する速度を低下させるステップを有する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記酸素含有反応物ガスが酸素を備え、前記珪素含有反応物ガスがテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）を備える請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記プロセスガスが更に、弗素含有反応物ガスを備える請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記珪素含有反応物ガスの１〜１０秒後、前記弗素含有反応物ガスが前記チャンバに導入される請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記酸素含有反応物ガスが酸素を備え、前記珪素含有反応物ガスがＴＥＯＳを備え、前記弗素含有反応物ガスがＳｉＦ4を備える請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記不活性ガスと、前記第１のガス中の前記珪素含有反応物ガスとの比が、０．０１５〜１：１である請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ステップ（ａ）で導入する前記酸素含有反応物ガスが、前記ステップ（ｃ）で増加する請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記プロセスガスが、前記第１のガスを導入する流量と実質的に同じ流量で、前記チャンバに導入される請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
処理チャンバ内に配置した基板の上に堆積した層の界面における膜品質を向上させる方法であって、
（ａ）不活性ガス及び酸素含有ガスを備えた第１のガスを前記処理チャンバに導入するステップと、
（ｂ）ＲＦ電力を印加し、２００ワット／秒以下の上昇速度以下でフルパワーまで前記ＲＦ電力を上昇させることにより前記第１のガスからプラズマを発生させるステップと、
（ｃ）前記印加ＲＦ電力が実質的にフルパワーまで致った後、反応物ガスを備えたプロセスガスを前記プロセスチャンバに導入して、前記層を堆積するステップと、
を有する方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ウエハ処理中における薄膜の堆積に関する。より具体的に本発明は、膜をプラズマ励起化学気相堆積法により堆積した場合に膜の界面を改善するための方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在の半導体デバイス製造工程における基本的なステップの１つに、気体の化学反応による半導体基板上への膜の形成が挙げられる。この堆積プロセスは、化学気相堆積、あるいは「ＣＶＤ」と称される。従来からの熱ＣＶＤプロセスでは、基板表面に反応性ガスを供給し、そこで化学反応を生じさせ所望の膜を堆積する。熱ＣＶＤによっては操作する温度が高く、これがメタル層を有する基板にダメージを与え得る。他方、プラズマ励起ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）プロセスでは、基板表面近くの反応領域に高周波（ＲＦ）エネルギーを印加することにより反応性ガスの励起や分解を促し、反応性の高いイオン種のプラズマを生成する。放出される種の反応性が高いため、化学反応に要するエネルギーが低減され、係るＣＶＤプロセスに要する温度を低下する。ＰＥＣＶＤプロセスの温度は比較的低いため、堆積したメタル層の上に絶縁層を形成する場合や、その他の絶縁層の形成の場合に対して、このプロセスは理想的である。
【０００３】
半導体デバイスの幾何は、最初に半導体デバイスが表れた数十年前から、急速に小さくなってきた。それ以来、集積回路は一般に、「サイズが半減するのに２年」のルール（しばしば、Mooreの法則と称される）に従ってきており、このことは、１つのチップに入るデバイスの数が、２年毎に２倍になってきたことを意味する。今日のウエハ加工のプラントは、０．５ミクロンの表面形状サイズのデバイス、更には０．３５ミクロンのデバイスをルーティン的に製造し、明日のプラントでは、これよりも更に小さなサイズの幾何を有するデバイスを製造しているだろう。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
デバイスのサイズが小さくなり集積密度が高くなるにつれて、以前は産業上重要だとは考えられていなかった事項が問題となる。このような問題の１つとして、アウトガス（ないしガス放出）等の現象により発生し得るクラック、ボイド形成等の欠陥に対する、堆積膜の耐性が挙げられる。アウトガス分子の顕著な発生源の１つに、膜が最初に堆積した界面がある。一般に、膜の界面には膜のバルク層に比べて多くの不純物及び欠陥が存在し、このため膜のバルクに比べて更に多孔質である。このように膜界面が多孔性であるため、シリコンの格子構造の中で原子がしっかりと結合しない不安定な状態となる。このように、膜界面はアウトガス分子又は原子の発生源となり得る。この多孔質な界面は、湿気を収集する源にもなり得る。
【０００５】
従来技術のデバイスでは、膜界面の不純物源の１つに、ＲＦ電力がフルパワーまで上昇したときプラズマ中で発生する不完全反応がある。例えば、シリコン酸化物層の堆積工程では、ＲＦ電力をチャンバに印加し、処理チャンバ内に放出されたプロセスガスからプラズマを形成する。既知の従来技術では、チャンバ内にプロセスガスを導入してからＲＦ電力を印加する。一般に、ＲＦ電力をオフの状態からフルパワーまで上げるためには数秒かかり、このように電力が部分的である期間中に生じる反応は不完全になり易く、このため、フルパワーの条件下で堆積する膜に比べれば、不純物のレベルが比較的高い膜が堆積する。
【０００６】
上記から、新生の技術のペースを守るためにも、界面の膜品質を改善した膜が必要であることが理解されよう。また、シリコン酸化物及びその他の膜を安定化させ、膜の湿気の吸収を防止しアウトガス発生を防止する方法が必要であることが理解されよう。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、向上した膜品質を界面に有する絶縁層を与えることにより、従来技術の上述の問題を解決する。また、本発明は、このような絶縁層を形成するための方法及び装置を提供する。
【０００８】
特に、本発明では、プラズマがフルパワーに致った後まで反応性ガスの導入を遅らせることにより、上述のような不完全な反応を低減する方法を提供する。具体的には、本発明の方法の具体例の１つでは、処理チャンバに導入した不活性ガスからプラズマを形成する。プラズマ形成に用いるＲＦ電力は、チャンバ内に不活性ガスを伴って、オフの状態からフルパワーの状態にされる。ＲＦ電力がフルパワーの状態に達してから初めて、反応性ガスが導入される。
【０００９】
本発明の好ましい具体例では、ＲＦ電力がフルパワーになるまでは、それ自身では堆積の源として不十分である第１の反応性ガスが不活性ガスを伴って導入される。フルパワーに達した後、残りのその他の堆積ガスを導入して、プラズマ堆積を行わせる。
【００１０】
本発明の別の具体例では、ＲＦ電力がフルパワーになるまでのチャンバに導入するガスの全流量は、バルク膜層を堆積するためにチャンバに導入するガスの全流量と実質的に等しい。
【００１１】
本発明の具体例を利点及び特徴と共に、以下の説明及び添付の図面により詳細に説明することにする。
【００１２】
【発明の実施の形態】
（１．代表的なＣＶＤリアクタチャンバ）
図１は、本発明に従った誘電層をを堆積できる真空チャンバ１５を有する平行平板プラズマ励起化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）システム１０を例示する。リアクタ１０は、堆積のためのガスを、サセプタ１２に置かれるウエハ（図示せず）に散布するためのガス散布マニホールド１１を有している。サセプタ１２は、熱応答性が非常に高い。また、サセプタ１２は支持フィンガ１３上に載置され、サセプタ１２（及びサセプタ１２の上面で支持されるウエハ）が、下方の搬入出のポジションと、マニホールド１１に近接した上方の処理のポジション１４の間で、制御により移動できるようになっている。
【００１３】
サセプタ１２とウエハが処理のポジション１４にあるときは、これらは、間隔をおいて配置される複数の穴ないしポート２３を有するバッフル板によって包囲される。この穴２３から、環状の真空マニホールド２４の中へと排気される。堆積ガスとキャリアガスが、ガスライン１８を通じてミキシングチャンバ１９内に供給され、そこで、これらは混合されマニホールド１１へと送られる。処理中に、マニホールド１１に供給されたガスは、矢印２１に示されるように、ウエハ表面全体に放射状に、均一に散布される。そして、ガスは真空ポンプシステム（図示せず）により、ポート２３を介して円形の真空マニホールド２４内へと排気され、更に、排気ライン３１へと出て行く。排気ライン３１を通じてガスが放出される速度は、スロットルバルブ３２によって制御される。
【００１４】
ＲＦ電源２５からマニホールド１１に印加されるＲＦエネルギーにより、プラズマがウエハに近隣に形成され制御される。ここでガス散布マニホールドはＲＦ電極であり、サセプタ１２は接地されている。ＲＦ電源は、チャンバ１５内に導入される反応性の化学種の分解を促進するために、単一の周波数のＲＦ電力又は混合周波数のＲＦ電力（又はその他の変形）をマニホールド１１に供給することができる。
【００１５】
円形の外部ランプモジュール２６により、クオーツウィンドウ２８を介しサセプタ１２の環状外縁部分の上に、光を、コリメートされた環状のパターン２７で与える。この熱分布により、サセプタの自然の熱損失のパターンを補償し、且つ、堆積のを行うためにサセプタ及びウエハを迅速且つ均一に加熱する。
【００１６】
モータ（図示せず）により、サセプタ１２が処理のポジション１４と下側のウエハ搬入のポジションとの間で昇降する。モータと、ガスライン１８に接続するガス供給バルブと、スロットルバルブと、ＲＦ電源２５とが、制御ライン３６を介してプロセッサ３４によって制御される。制御ライン３６は、一部のみ図示される。プロセッサ３４は、メモリ３８に格納されたコンピュータプログラムによる制御を受けて動作する。ここでのコンピュータプログラムは、特定のプロセスに対してタイミング、ガスの混合、チャンバ圧力、チャンバ温度、ＲＦ電力レベル、サセプタのポジションその他のパラメータの命令を行う。
【００１７】
典型的には、チャンバライニング、ガス流入マニホールドフェース板、支持フィンガ１３その他のリアクタのハードウェアの一部又は全部が、アルミニウムや陽極酸化アルミニウム（アノーダイズドアルミニウム）等の材料でできている。このようなＰＥＣＶＤの装置の例が、標題 "Thermal CVD/PECVD Reactor and Use for Thermal Chemical Vapor Deposition of Silicon Dioxide and In-situ Multistep Planarized Process" （二酸化珪素の熱ＣＶＤ及びインシチュウマルチステップ平坦化プロセスのための熱ＣＶＤ／ＰＥＣＶＤリアクタ及びその使用法）である米国特許第５,０００,１１３号に記載されている。
【００１８】
上述のリアクタの説明は主に例示のためのものであり、本発明には、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ：electron cyclotron reasonance ）プラズマＣＶＤ装置や、誘導結合ＲＦ高密度プラズマＣＶＤ装置等、その他のＣＶＤ装置を用いてもよい。上述のシステムの変形、例えばサセプタデザイン、ヒーターデザイン、ＲＦ電力接続部の配置その他に関する変形も可能である。例えば、抵抗加熱サセプタによりウエハを支持し加熱してもよい。本発明の誘電層やこの誘電層を形成する方法は、特定の装置や特定のプラズマ励起法に限定されるものではない。
【００１９】
（２．プラズマ励起ＣＶＤ法により堆積した膜の膜品質の向上）
本発明を用いて、プラズマ励起ＣＶＤ法により堆積した膜の界面における膜品質を向上することができる。具体的には、プラズマが選ばれたフルパワーレベルに移行した後反応性ガスを導入する新規な手法により、膜界面での品質の向上が実現される。完全なプラズマに達するまで反応性ガスの導入を遅らせることにより、不完全反応が生じる量が減り、膜界面を向上させる。
【００２０】
本発明の方法の１つの具体例では、 ＳｉＦ4-ＦＳＧ 膜の界面の膜質が向上する。この具体例に従い、真空ロックドアを介してウエハを真空チャンバ１５へ搬入し、サセプタ１２上に置く（図２、ステップ２００）。次いで、サセプタを処理のポジション１４へと移動させる（図２０５）処理のポジション１４では、ウエハはガス散布マニホールド１１から約２００〜６００ｍｉｌ（１ｍｉｌ＝約２５．４μｍ）に配置される。
【００２１】
ウエハを適正に配置した後、ウエハとサセプタを２００〜５００℃の温度まで加熱し（ステップ２１０）、不活性ガスをガス散布マニホールドからリアクタチャンバに導入する（ステップ２１５）。ステップ２１５で導入するガスは、非反応性のガスであればよいが、好ましい具体例ではヘリウムを導入している。原子量に鑑みれば、ヘリウムは、これよりも重いアルゴン等の不活性ガスに比べて、ウエハへのスパッタ効果が小さくなるだろう。不活性ガスを導入した後は、スロットルバルブ３２を真空ポンプシステムと協働し且つ不活性ガスを導入して、チャンバに選択した圧力（約１〜１０００トール）を設定しこれを維持する（ステップ２２０）。
【００２２】
そして、単一周波数又は混合周波数のＲＦ電源を用いて、ＲＦ電力を供給しプラズマを発生させる（ステップ２２５）。一般に、ＲＦ電力がオフの状態からフルパワー（ステップ２３０でＲＦ電源を駆動する電力レベル）に致るまで数秒以上かかる。無論、フルパワーに致るまでの実際の時間は、ＲＦ上昇速度及び採用するフルパワーレベルに依拠する。ＲＦ電力は５０ワット／秒〜９００ワット／秒の速度で上昇してもよい。ＲＦ電力を増加させる速度は、上昇の期間中一定であってもよく、あるいは、この期間中変化させてもよい。好ましくは、ＲＦ電力上昇速度は５０ワット／秒〜６００ワット／秒であり、最も好ましくは約２００ワット／秒以下又は未満である。ＲＦ電力の上昇が低い速度で行われた場合は、粒子の発生が少なく、その結果、強い界面になる。混合周波数の電源を用いた場合は、電源は１３．５６ＭＨｚの高い周波数では０〜１２００ワット、約３５０ｋＨｚの低い周波数では約０〜５００ワットで駆動される。
【００２３】
プラズマが完全な強度まで達した後、反応性ガスを含有するプロセスガスをチャンバに導入し且つ不活性ガスの流入を停止して（ステップ２３０）、ＦＳＧ膜を堆積させる。この具体例でのプロセスガスは、弗素ソースとしてＳｉＦ4 と、珪素ソースとしてＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）と、１つ以上の酸素ソースとを備える混合ガスを有している。ＴＥＯＳは室温では液状であり、液体インジェクションバルブにより気化された後、プロセスガスと混合する前にヘリウム等の不活性ガスと混合される。気化したＴＥＯＳと混合する不活性ガスは、ステップ２１５で導入するガスと同じラインによる同じガスであってもよく、あるいは別のガスラインからであってもよい。
【００２４】
プロセスガス中に種々の前駆体ガスを導入する流量は、所望の膜の性質、チャンバ容積その他の因子に依拠する。２００ｍｍウエハに適する上述の代表的なＣＶＤシステムを用いる具体例の１つでは、インジェクションバルブへのＴＥＯＳの流入量は約４００〜１５００ｍｇｍである。ＳｉＦ4 が１００〜２５００ｓｃｃｍの流量で導入され、酸素はＯ2 の形態又は同様のソースにより、流量約３００〜３０００ｓｃｃｍで導入される。ガス混合チャンバ内のガス及びガス散布マニホールドを通るガスの全流量は、約１０００〜５０００ｓｃｃｍである。
【００２５】
上記の具体例の好ましい態様では、ステップ２１５においてＯ2 の形態での酸素が、５０〜７００ｓｃｃｍ（あるいは酸素：ヘリウムの比が０．０１５〜１：１）等の所定の量で、不活性ガスに同伴してチャンバに導入される。次いで、ステップ２３０では、特定のプロセスに対して適切なレベルまで酸素の量を増加させる。ステップ２１５からステップ２３０まで少なくとも１つのガスの流入を継続させることにより、不活性ガスが停止したときでもプラズマは消失しないことが確保され、且つ、更に安定なプラズマを生成する。無論、採用するプロセスによって、これら２つのステップに共通のガスは、Ｏ2 以外の酸素ソース、例えばＮ2Ｏ 、オゾン又は同様のガスの如きであってもよく、あるいは、全く別のガスを用いてもよい。しかし、ステップ２１５で導入するガスが基板上の堆積材料と反応しないことが重要である。従って、例えば、ＴＥＯＳは、珪素と酸素の両方を含んでおりこれらは共にプラズマ環境下で反応を生じ得るため、ステップ２１５では不活性ガスと共に導入すべきでない。
【００２６】
別の具体例では、ステップ２１５での不活性ガスの導入流量又は不活性ガスと酸素その他のガスの導入混合流量は、ステップ２３０でのプロセスガスの導入流量と実質的に等しい。例えば、特定のプロセスでＳｉＦ4 を流量８００ｓｃｃｍでチャンバに導入する場合は、導入しようとするＴＥＯＳ流量を６００ｍｇｍとし、導入しようとする酸素の流量を７００ｓｃｃｍとし、次いで、ステップ２２０で不活性ガスの導入流量（あるいは不活性ガスと酸素その他のガスの導入混合流量）を約２１００ｓｃｃｍとすべきである。ステップ２２０とステップ２３０の間でこのような均一なガスの流れを維持することにより、堆積が更に均一になる。
【００２７】
また別の具体例では、弗素その他をドープしたシリコン酸化物膜を堆積するが、ここではステップ２３０を別々のステップに分割し、それらのステップでは、珪素源の後、弗素その他のドーパント源を含有する前駆体ガスを導入する。即ち、上記の ＳｉＦ4-ＦＳＧ の例では、ＳｉＦ4 を導入する約１〜１０秒前、ステップ２３０でＴＥＯＳをチャンバに導入する。このようなシーケンスにより、界面にシリコン酸化物の非常に薄い層を堆積し、この界面で弗素の結合が緩まないことを確保する。
【００２８】
無論、本発明の方法は、上記の具体例に限定されるものではない。例えば、上記の具体例ではＳｉＦ4 を弗素源として用いているが、Ｃ2Ｆ6やＴＥＦＳ等の他の弗素源を用いてもよい。また、Ｏ2 以外の酸素源及びＴＥＯＳ以外の珪素源を用いてもよい。別の具体例では、ＳｉＨ4 やその他の珪素源を用いることができ、また、Ｎ2Ｏ 、Ｏ3 又は同様の酸素源を用いてもよい。
【００２９】
更に、上記で弗素ドープシリコン酸化物膜に関して本発明の方法を例示してきたが、本発明は、プラズマ環境下で形成したその他のシリコン酸化物膜、例えばノンドープシリケートガラス（ＵＳＧ）、リンシリケートガラス（ＰＳＧ）やホウ素リンシリケートガラス（ＢＰＳＧ）その他のシリコン酸化物膜の膜質を向上させるために用いてもよい。これらの具体例では例えば、弗素源ではなくリン源を用いてＰＳＧ膜を堆積し、あるいは、プロセスガスに珪素と酸素を含有させるが弗素を含有させないでＵＳＧを堆積してもよい。また、本発明はシリコンナイトライドや、シリコンオキシナイトライドその他の、プラズマ励起堆積層のプラズマ堆積に用いることもできる。
【００３０】
従って、上記のプロセスで挙げたパラメータは、ここに記載した特許請求の範囲を制限するべきではないことが理解されよう。当業者には、その他の化学品、処理パラメータ、処理条件を用いて本発明を行うことが可能である。
【００３１】
（３．代表的な構造体）
図３は、本発明に従った集積回路３００の簡略化いた断面を例示する。図示の如く、集積回路３００は、ＮＭＯＳトランジスタ３０３とＰＭＯＳトランジスタ３０６を有しており、これらは別々に離れておりフィールド酸化物領域３２０により相互に電気的に絶縁されている。トランジスタ３０３及び３０６のそれぞれは、ソース領域３１２と、ドレイン領域３１５と、ゲート領域３１８とを有している。
【００３２】
プレメタル誘電層３２１により、トランジスタ３０３及び３０６はメタル層Ｍ１から隔てられつつも、メタル層Ｍ１とこれらトランジスタの間の接続はコンタクト３２４によりなされている。メタル層Ｍ１は、集積回路３００内に含まれる４つのメタル層Ｍ１〜Ｍ４の中の１つである。メタル層Ｍ１〜Ｍ４のそれぞれは隣接し合うメタル層とは、それぞれのメタル間誘電層３２７（ＩＭＤ１、ＩＭＤ２及びＩＭＤ３）によって隔てられている。隣接し合うメタル層は、バイア３２６により、選択された開口のところで接続されている。メタル層Ｍ４の上には、平坦化されたパッシベーション層３３０が堆積している。
【００３３】
本発明の層は、集積回路３００に示される誘電層のそれぞれに用いられることが見出されてもよい。本発明の層はまた、集積回路によっては含まれることのあるダマシーン層(damascene layer) に用いられてもよい。ダマシーン層では、ブランケットを基板上に堆積し、これを基板に到達するまでエッチングし、次いで、メタルを充填し、そして、これをエッチバック又は研磨して、Ｍ１のようなメタルコンタクトを形成する。メタル層を堆積した後、第２のブランケットを堆積してこれを選択的にエッチングする。エッチングした領域をその後メタルで充填し、エッチバック又は研磨してバイア３２６を形成する。
【００３４】
この単純化した集積回路３００は例示の目的のみのものであることが理解されよう。当業者には、マイクロプロセッサや特定用途集積回路（ＡＳＩＣＳ）、メモリーデバイス等の他の集積回路の製造のために本発明を実施することができるだろう。
【００３５】
【実施例】
（４．試験結果及び測定）
本発明の有効性を立証するため、本発明の方法の利益を有しない場合の弗素ドープシリコン酸化物膜の堆積と、本発明の方法に従った場合の弗素ドープシリコン酸化物膜の堆積とを行った。これら実験は、アプライドマテリアルズ社の２００ｍｍチャンバ用の、ランプ加熱式のＤＣＶＤプレシジョン５０００処理チャンバにおいて行った。それぞれの実験では、低抵抗シリコンウエハの上に、フルオロシリケートガラス（ＦＳＧ）層を堆積した。
【００３６】
第１の実験では、本発明の方法の利益を有しないでＳｉＦ4-ＦＳＧ膜を堆積した。具体的には、ウエハを処理チャンバに搬入しガス散布マニホールドから２５０ｍｉｌの処理のポジションまで移動させた。ウエハを適正に配置した後、４００℃まで加熱した。そして、ＳｉＦ4 、ＴＥＯＳ及びＯ2 を含むプロセスガスをチャンバに導入した。ＴＥＯＳの導入流量は９１５ｍｇｍ、酸素（Ｏ2 ）の導入流量は７００ｓｃｃｍ、ＳｉＦ4 の導入流量は７２５ｓｃｃｍであった。チャンバ内の圧力を５トールに設定しこれを維持し、１１０ワット、１３．５６ＭＨｚの高周波数と３４０ワット３５０ｋＨｚの低周波数を用いてプラズマを形成した。ＦＳＧ層が２０００オングストローム堆積するまでプラズマを維持した。
【００３７】
上記のプロセス条件により得られたＦＳＧ膜は、フーリエ変換赤外（ＦＴＩＲ）分光分析によるＳｉＦ結合と（ＳｉＦ＋ＳｉＯ）結合のピーク比の測定で、ＳｉＦを２．５％有していた。堆積膜の安定性を評価するため、熱吸着データ（ＴＤＳ）測定を従来技術で知られると同様に行った。図４は、上述のように堆積したＳｉＦ4-ＦＳＧ膜から放出されるＨ2Ｏ とＨ2 を示すグラフである。このグラフでは、約３８０℃で膜の中からＨ2 がアウトガスされることが示される。このＨ2 の源は膜界面であると考えられる。
【００３８】
第２の実験では、本発明に従ってＳｉＦ4-ＦＳＧ膜を堆積した。この堆積プロセスでは、ウエハを処理チャンバに搬入しガス散布マニホールドから２５０ｍｉｌの処理のポジションまで移動させた。ウエハを適正に配置した後、４００℃まで加熱した。そして、ヘリウムを含む不活性ガスと酸素をチャンバに導入した。ガスの導入流量は１４００ｓｃｃｍ、そのうち流量７００ｓｃｃｍはＯ2 、流量７００ｓｃｃｍはヘリウムであった。
【００３９】
チャンバ内の圧力を５トールに設定しこれを維持し、１１０ワット、１３．５６ＭＨｚの高周波数と３４０ワット３５０ｋＨｚの低周波数を用いてプラズマを形成した。プラズマの形成にあたり、ＲＦ電力を、１００ワット／秒の速度で印加した。ＲＦ電力がフルパワーに達した（約３．５秒）後、酸素の流量を７００ｓｃｃｍに上げ、ＴＥＯＳを流量９１５ｍｇｍで導入し、ＳｉＦ4 を流量７２５ｓｃｃｍで導入し、ヘリウムを停止した。ＦＳＧ層が２４５８オングストローム堆積するまでプラズマを維持した。
【００４０】
上記のプロセスにより、ＳｉＦを２．５％有するＦＳＧ膜が堆積した。上述のように堆積したＳｉＦ4-ＦＳＧ膜から放出されるＨ2Ｏ とＨ2 を示す熱吸着グラフである図５に示されるように、この膜からアウトガスにより放出されるＨ2 は、第１の実験の膜に比べて少なかった。
【００４１】
他の一組の実験では、本発明の利益を有する場合と有しない場合とで、ガスクロマトグラフィー質量分析（ＧＣＭＳ）測定を行った。これらの実験の結果は図６（ａ）と図６（ｂ）に示され、これらの図は、ＳｉＦ3 イオンのＧＣＭＳにより測定したＳｉＦ4 のアウトガスを例示する。
【００４２】
図６（ａ）の試験結果では、低抵抗シリコンウエハの上に、ＳｉＦ4-ＦＳＧ膜を堆積した。ウエハを処理チャンバに搬入しガス散布マニホールドから２５０ｍｉｌの処理のポジションに配置し、４００℃まで加熱した。ＳｉＦ4 、ＴＥＯＳ及びＯ2 を有するプロセスガスをチャンバに導入した。ＴＥＯＳの導入流量は９１５ｍｇｍ、酸素（Ｏ2 ）の導入流量は７００ｓｃｃｍ、ＳｉＦ4 の導入流量は１７００ｓｃｃｍであった。チャンバ内の圧力を５トールに設定しこれを維持し、１１０ワット、１３．５６ＭＨｚの高周波数と３４０ワット３５０ｋＨｚの低周波数を用いてプラズマを形成し、５０００オングストロームのＦＳＧ層を堆積した。
【００４３】
図６（ｂ）の試験結果では、プラズマを最初はヘリウムと酸素から形成してＲＦフルパワーに移行させる点を除いて、同じプロセスを用いた。ＲＦフルパワーに致った（約３．５秒）後、ＴＥＯＳとＳｉＦ4 をプロセスガスに導入し、プラズマを維持して、５０００オングストロームのＦＳＧ層を堆積した。
【００４４】
上記のプロセスにより、ＳｉＦを４．５％有するＦＳＧ膜が堆積した。この一組の実験では、膜を堆積したウエハは摂氏４００度に３０分間加熱された。この３０分の間にＧＣＭＳ測定を行い、膜からアウトガスにより放出されるＳｉＦ4 の量を測定した。このアウトガスによる放出分子の量は任意の単位で測定されているが、この測定結果は、図６（ｂ）の膜中のアウトガスＳｉＦ4 分子の量と比較した図６（ａ）の膜中のアウトガスＳｉＦ4 分子の量を例示している。このように、図６（ａ）と図６（ｂ）に示されるように、従来技術の方法に従って堆積した膜からは、本発明の方法に従って堆積した膜からよりも多くの量のアウトガスが検出された。試験結果を図６（ｂ）で示した、ウエハ上に堆積した膜が良好な品質を有していたのは、膜の界面がより強かったからであると考えられる。
【００４５】
本発明の具体例をいくつか詳細に説明してきたが、本発明に従って低誘電定数の酸化物層を堆積する別の等価又は代替的な方法が当業者には可能であろう。例えば、ここい例示した具体例は、ＴＥＯＳを珪素源としＯ2 を酸素源として用いるプロセスに関するものであるが、シラン等の別の珪素源や、Ｎ2Ｏ 、ＣＯ等の別の酸素源を用いることも可能である。このような変形物や同等物は本発明の範囲に含まれると考えられる。
【００４６】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、シリコン酸化物及びその他の膜を安定化させアウトガス発生を防止する方法及び装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に従った化学気相堆積装置の単純化した具体例の断面図である。
【図２】本発明の方法の１つの具体例を例示するフローチャートである。
【図３】本発明の方法に従って製造した半導体デバイスの断面図である。
【図４】本発明の方法に従って堆積しなかった２．５％ ＳｉＦ4-ＦＳＧ 膜のＨ2Ｏ 及びＨｅ放出を示すグラフである。
【図５】本発明の方法に従って堆積した２．５％ ＳｉＦ4-ＦＳＧ 膜のＨ2Ｏ 及びＨｅ放出を示すグラフである。
【図６】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ、本発明の利益を有して堆積した場合と有しないで堆積した場合での、膜のＳｉＦ4 放出を示すグラフである。
【符号の説明】
１０…化学気相堆積システム、１１…ガス散布マニホールド、１２…サセプタ、１３…支持フィンガ、１４…処理のポジション、１５…真空チャンバ、２１…矢印、２３…ポート、２４…真空マニホールド、２５…ＲＦ電源、２６…ランプモジュール、３１…排気ライン、３２…スロットルバルブ、３４…プロセッサ、３６…制御ライン、３８…メモリ、
３００…集積回路、３０３…ＮＭＯＳトランジスタ、３０６…ＰＭＯＳトランジスタ、３１２…ソース領域、３１５…ドレイン領域、３１８…ゲート領域、３２０…フィールド酸化物領域、３２４…コンタクト、３２６…ビア、３３０…パッシベーション層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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