【手続補正書】
【提出日】平成20年9月10日(2008.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線を受けて発生した電荷を蓄積する画素生成部と、露光を受けないで暗電流成分を蓄積する暗電流測定部とを備えた固体撮像素子を用いた２次元画像生成方法であって、
上記固体撮像素子を非露光状態とした上記画素生成部の出力に基づく暗電流成分と上記暗電流測定部の出力に基づく暗電流成分とによる出力比を上記画素生成部の画素又は画素列について算出して予めメモリに記憶しておき、
上記固体撮像素子によりＸ線撮影を行い、
上記暗電流測定部が上記Ｘ線撮影の時に出力した蓄積電荷信号に対して記憶された上記出力比を適用する演算により、上記画素生成部の画素又は画素列における上記Ｘ線撮影の時の暗電流成分を算出し、
上記画素生成部が出力した蓄積電荷信号から上記算出された暗電流成分を減算した値を算出することで、暗電流成分を除去した画像を生成することを特徴とする固体撮像素子の２次元画像生成方法。
【請求項２】
請求項１において、
上記メモリに記憶する上記出力比が、上記画素生成部の蓄積電荷信号の露光時間に対する出力変化の傾きと、上記暗電流測定部の蓄積電荷信号の露光時間に対する出力変化の傾きとの比であることを特徴とする固体撮像素子の２次元画像生成方法。
【請求項３】
請求項２において、
上記画素生成部の画素又は画素列について、上記画素生成部の出力に含まれる暗電流成分におけるオフセット成分を算出して、上記メモリに更に記憶し、
撮像時における上記演算に上記出力比と上記オフセット成分を適用して、上記画素生成部の画素又は画素列に対する撮像時における暗電流成分を算出することを特徴とする固体撮像素子の２次元画像生成方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかにおいて、
上記暗電流成分を除去するにあたり、上記出力比を用いることにより、温度に基づく暗電流成分の変動成分を更に除去することを特徴とする固体撮像素子の２次元画像生成方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかにおいて、
上記固体撮像素子は、パノラマＸ線撮影、セファロＸ線撮影、リニアスキャンＸ線撮影、デンタルＸ線撮影又はＣＴ撮影に必要な撮影を行うことを特徴とする固体撮像素子の２次元画像の生成方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかにおいて、
上記固体撮像素子は、ＣＣＤセンサ、ＭＯＳセンサ、Ｃ−ＭＯＳセンサ、２次元フラットパネルセンサのいずれかであることを特徴とする固体撮像素子の２次元画像の生成方法。
【請求項７】
医療用デジタルＸ線撮影装置において、
Ｘ線発生器からのＸ線を受けて発生した電荷を蓄積する画素生成部と、Ｘ線を受けないで暗電流成分を蓄積する暗電流測定部とを備えた固体撮像素子と、
上記画素生成部の画素又は画素列について算出された、上記固体撮像素子を非露光状態とした上記画素生成部の出力に基づく暗電流成分と上記暗電流測定部の出力に基づく暗電流成分とによる出力比を、予め記憶したメモリと、
上記固体撮像素子によりＸ線撮影が行われると、上記暗電流測定部が上記Ｘ線撮影の時に出力した蓄積電荷信号に対して記憶された上記出力比を適用する演算により、上記画素生成部の画素又は画素列における暗電流成分を算出し、上記画素生成部が出力した蓄積電荷信号から上記算出された暗電流成分を減算した値を算出することで、暗電流成分を除去した画像を生成する画像処理手段とを備えたことを特徴とする医療用デジタルＸ線撮影装置。
【請求項８】
請求項７において、
上記メモリに記憶する上記出力比が、上記画素生成部の蓄積電荷信号の露光時間に対する出力変化の傾きと、上記暗電流測定部の蓄積電荷信号の露光時間に対する出力変化の傾きとの比であることを特徴とすることを特徴とする医療用デジタルＸ線撮影装置。
【請求項９】
請求項８において、
上記画素生成部の画素又は画素列について算出された、上記画素生成部の出力に含まれる暗電流成分におけるオフセット成分を、上記メモリが記憶し、
上記画像処理手段が、撮像時における上記演算に上記出力比と上記オフセット成分を適用して、上記画素生成部の画素又は画素列に対する撮像時における暗電流成分を算出することを特徴とする医療用デジタルＸ線撮影装置。
【請求項１０】
請求項７〜９のいずれかにおいて、
上記暗電流成分を除去するにあたり、上記出力比を用いることにより、温度に基づく暗電流成分の変動成分を更に除去することを特徴とする医療用デジタルＸ線撮影装置。
【請求項１１】
請求項７〜１０のいずれかに記載の医療用デジタルＸ線撮影装置が、パノラマＸ線撮影装置、セファロＸ線撮影装置、リニアスキャンＸ線撮影装置、デンタルＸ線撮影装置又はＣＴ撮影装置のいずれかであることを特徴とする医療用デジタルＸ線撮影装置。
【請求項１２】
請求項７〜１１のいずれかにおいて、上記固体撮像素子は、ＣＣＤセンサ、ＭＯＳセンサ、Ｃ−ＭＯＳセンサ、２次元フラットパネルセンサのいずれかであることを特徴とする医療用デジタルＸ線撮影装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的のため、本発明では、次のような特徴を有した固体撮像素子の２次元画像生成方法を提案している。
すなわち請求項１では、Ｘ線を受けて発生した電荷を蓄積する画素生成部と、露光を受けないで暗電流成分を蓄積する暗電流測定部とを備えた固体撮像素子を用いた２次元画像生成方法であって、上記固体撮像素子を非露光状態とした上記画素生成部の出力に基づく暗電流成分と上記暗電流測定部の出力に基づく暗電流成分とによる出力比を上記画素生成部の画素又は画素列について算出して予めメモリに記憶しておき、上記固体撮像素子によりＸ線撮影を行い、上記暗電流測定部が上記Ｘ線撮影の時に出力した蓄積電荷信号に対して記憶された上記出力比を適用する演算により、上記画素生成部の画素又は画素列における上記Ｘ線撮影の時の暗電流成分を算出し、上記画素生成部が出力した蓄積電荷信号から上記算出された暗電流成分を減算した値を算出することで、暗電流成分を除去した画像を生成することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項２では、請求項１において、上記メモリに記憶する上記出力比が、上記画素生成部の蓄積電荷信号の露光時間に対する出力変化の傾きと、上記暗電流測定部の蓄積電荷信号の露光時間に対する出力変化の傾きとの比であることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項４では、請求項１〜３のいずれかにおいて、上記暗電流成分を除去するにあたり、上記出力比を用いることにより、温度に基づく暗電流成分の変動成分を更に除去することを特徴とする。ここでは、温度に基づく変動成分を除去することを限定しており、温度に対応させて、暗電流測定部から出力される蓄積電荷信号を電荷蓄積時間の１次関数で表したときの傾きと、露光させない状態での画素生成部の各画素又は各列の蓄積電荷信号を電荷蓄積時間の１次関数で表したときの傾きとの比を温度毎に求めておき、撮影時の温度に応じて、その比のうちのいずれかを適用する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項５では、請求項１〜４のいずれかにおいて、上記固体撮像素子は、パノラマＸ線撮影、セファロＸ線撮影、リニアスキャンＸ線撮影、デンタルＸ線撮影又はＣＴ撮影のいずれかを行うことを特徴としており、請求項６では、請求項１〜５のいずれかにおいて、上記固体撮像素子は、ＣＣＤセンサ、ＭＯＳセンサ、Ｃ−ＭＯＳセンサ、２次元フラットパネルセンサのいずれかであることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
更に本発明では、上記の固体撮像素子の２次元画像の生成方法を用いた医療用デジタルＸ線撮影装置について、次のように提案する。
すなわち請求項７では、医療用デジタルＸ線撮影装置において、Ｘ線発生器からのＸ線を受けて発生した電荷を蓄積する画素生成部と、Ｘ線を受けないで暗電流成分を蓄積する暗電流測定部とを備えた固体撮像素子と、上記画素生成部の画素又は画素列について算出された、上記固体撮像素子を非露光状態とした上記画素生成部の出力に基づく暗電流成分と上記暗電流測定部の出力に基づく暗電流成分とによる出力比を、予め記憶したメモリと、上記固体撮像素子によりＸ線撮影が行われると、上記暗電流測定部が上記Ｘ線撮影の時に出力した蓄積電荷信号に対して記憶された上記出力比を適用する演算により、上記画素生成部の画素又は画素列における暗電流成分を算出し、上記画素生成部が出力した蓄積電荷信号から上記算出された暗電流成分を減算した値を算出することで、暗電流成分を除去した画像を生成する画像処理手段とを備えたことを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項８では、請求項７において、上記メモリに記憶する上記出力比が、上記画素生成部の蓄積電荷信号の露光時間に対する出力変化の傾きと、上記暗電流測定部の蓄積電荷信号の露光時間に対する出力変化の傾きとの比であることを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項１０では、請求項７〜９のいずれかにおいて、上記暗電流成分を除去するにあたり、上記出力比を用いることにより、温度に基づく暗電流成分の変動成分を更に除去することを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項１１では、請求項７〜１０のいずれかに記載の医療用デジタルＸ線撮影装置は、パノラマＸ線撮影装置、セファロＸ線撮影装置、リニアスキャンＸ線撮影装置、デンタルＸ線撮影装置又はＣＴ撮影装置のいずれかであることを特徴としており、請求項１２では、請求項７〜１１のいずれかにおいて、上記固体撮像素子は、ＣＣＤセンサ、ＭＯＳセンサ、Ｃ−ＭＯＳセンサ、２次元フラットパネルセンサのいずれかであることを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項１〜６で提案した本発明方法によれば、暗電流測定部と画素生成部の特定の画素又は列との、所定の露光時間に対する暗電流成分の出力比を予め記憶し、撮像時において上記画素生成部より取り出された蓄積電荷信号に対して上記出力比に基づいて、所定の演算処理を実行することで暗電流成分を除去しているので、画素毎の特性のバラツキに対応できる。
また、蓄積時間に係る演算を行わないので、蓄積時間を撮影プロファイルで変化させても、同じ手順で補正処理を行える。
更に、暗電流の補正のために従来のような２度の撮影を行う必要がないので、リアルタイムの暗電流補正が達成できる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
そして、特に請求項２で提案した本発明方法によれば、画素生成部の特定の画素又は列の蓄積電荷信号の露光時間に対する出力変化の傾きと、暗電流測定部での画素又は少なくとも1列の蓄積電荷信号の露光時間に対する出力変化の傾きとの比を求めているので、補正処理での演算が簡単になる。
特に請求項４で提案した方法によれば、温度に基づいて予め記憶させた暗電流成分の変動成分を除去しているので、暗電流の補正結果に温度が反映されて、より良好になる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
特に請求項５で提案した方法によれば、パノラマＸ線撮影、セファロＸ線撮影、リニアスキャンＸ線撮影、デンタルＸ線撮影又はＣＴ撮影において、暗電流の補正を行える。
特に請求項６で提案した方法によれば、ＣＣＤセンサ、ＭＯＳセンサ、Ｃ−ＭＯＳセンサ、２次元フラットパネルセンサのいずれかを用いたＸ線画像撮影で、暗電流の補正を行える。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、請求項７〜１２で提案した医療用デジタルＸ線撮影装置は、各々請求項１〜６で提案した固体撮像素子の２次元画像生成方法を用いているので、請求項１〜６と同等の効果が奏される。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
図１は、本発明概念を説明する図である。この基本的な構成要素のみで示した２次元画像生成装置Ａ１は、固体撮像素子１ａと、画像処理手段２、メモリに記憶された暗電流補正テーブル３を備えている。
ここに、固体撮像素子１ａは、ＴＤＩ（時間遅延積分）クロックから駆動クロックを生成する撮像素子駆動回路１１ｄによる駆動クロックによって駆動されるようになっており、画素生成部１ａａと、暗電流測定部１ａｂと、蓄積電荷転送部１ａｃとに区分された構成になっている。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
暗電流補正テーブル３は、画素生成部１ａａの各列の電荷を所定の転送経路、すなわち各列での横方向の転送経路と、更に蓄積電荷転送部１ａｃでの縦方向の転送経路とに従って転送している間に生じる暗電流成分を、暗電流測定部１ａｂで測定した暗電流測定信号に基づいて予測算出するためのパラメータを予め記憶している。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
ここで、上述の２次元画像生成装置Ａ１における暗電流の補正の原理を説明する。
画像撮影時の温度がξのときに、固体撮像素子１ａの画素生成部１ａａと暗電流測定部１ａｂとの各列（ｋ＝ｎ・・・１，０）について、それぞれの全段で蓄積された電荷が蓄積電荷転送部１ａｃを通じて転送され、暗電流測定信号Ｏｓ（ｐ０，ξ）を含んだ蓄積電荷信号Ｏｓ（ｐｋ，ξ）として出力されるとすると、それらは次式（イ）によって表される。
Ｏｓ（ｐｎ，ξ）＝Ｏｓｘ（ｐｎ，ξ）＋Ｄｋ（ｐｎ，ξ）＋Ｏｆ（ｐｎ）
Ｏｓ（ｐｎ−１，ξ）＝Ｏｓｘ（ｐｎ−１，ξ）＋Ｄｋ（ｐｎ−１，ξ）＋Ｏｆ（ｐｎ−１）
｜
Ｏｓ（ｐ１，ξ）＝Ｏｓｘ（ｐ１，ξ）＋Ｄｋ（ｐ１，ξ）＋Ｏｆ（ｐ１）
Ｏｓ（ｐ０，ξ）＝Ｄｋ（ｐ０，ξ）＋Ｏｆ（ｐ０）  …（イ）
ただし、
Ｏｓ    ：蓄積電荷信号
Ｏｓｘ  ：露光に基づく有効画素信号（蓄積電荷信号の露光による信号成分）
Ｄｋ    ：蓄積電荷信号の暗電流成分
Ｏｆ    ：蓄積電荷信号のオフセット成分
ｐ      ：列の位置
ξ      ：温度
一方、同様に固体撮像素子１ａを遮蔽して露光させないときには、暗電流測定信号Ｏｓ（ｐ０，ξ）を含んだ蓄積電荷信号Ｏｓ（ｐｋ，ξ）は式（ロ）で示される。
Ｏｓ（ｐｎ，ξ）＝Ｄｋ（ｐｎ，ξ）＋Ｏｆ（ｐｎ）
Ｏｓ（ｐｎ−１，ξ）＝Ｄｋ（ｐｎ−１，ξ）＋Ｏｆ（ｐｎ−１）
｜
Ｏｓ（ｐ１，ξ）＝Ｄｋ（ｐ１，ξ）＋Ｏｆ（ｐ１）
Ｏｓ（ｐ０，ξ）＝Ｄｋ（ｐ０，ξ）＋Ｏｆ（ｐ０）  …（ロ）
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
上式（ハ）より（ロ）は一次関数ととらえられ、電荷蓄積時間Ｔを何通りか変化させて、蓄積電荷信号Ｏｓ（ｐｋ，ξ）や暗電流測定信号Ｏｓ（ｐ０，ξ）の値を測定し、最小二乗法を用いれば最適なものになるが、簡易には、２通りの電荷蓄積時間Ｔについて、それぞれ値を測定し、その２点を通る直線により求められるものとしてもよい。
更に、ここで画素生成部１ａａの第ｋ列の暗電流成分Ｄｋ（ｐｋ，ξ）と、暗電流測定部１ａｂの暗電流成分Ｄｋ（ｐ０，ξ）との、所定の蓄積時間Ｔにおける出力比α２を求めると、次式（ニ）のようになる。次式（ニ）の右辺に示す比は、固体撮像素子１ａを露光させないときの蓄積電荷信号Ｏｓ（ｐｋ，ξ）のグラフと暗電流測定信号Ｏｓ（ｐ０，ξ）のグラフとの傾きの比に相当する。
α２（ｐｋ，ξ）＝Ｄｋ（ｐｋ，ξ）／Ｄｋ（ｐ０，ξ）
＝｛α（ｐｋ，ξ）・Ｔ｝／｛α（ｐ０，ξ）・Ｔ｝
＝α（ｐｋ，ξ）／α（ｐ０，ξ）  …（ニ）
ここで、出力比α（ｐｋ，ξ）が、場所ｐｋに依存する部分と温度ξに分離できるとすれば、
α（ｐｋ，ξ）＝α１（ｐｋ）・β（ξ）
であるから、出力比α２は温度ξに依存せずに次式（ホ）のようになる。
α２（ｐｋ）＝α１（ｐｋ）／α１（ｐ０）  …（ホ）
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
従って、式（イ）及び、式（ホ）から、撮影時の温度がξのとき、画素生成部１ａａの各列（ｋ＝ｎ・・・１）の露光に基づく有効画素信号Ｏｓｘ（ｐｋ，ξ）を、暗電流測定信号Ｏｓ（ｐ０，ξ）を用いて表すと、更に（ヘ）のようになる。
Ｏｓｘ（ｐｋ，ξ）＝Ｏｓ（ｐｋ，ξ）−Ｄｋ（ｐｋ，ξ）−Ｏｆ（ｐｋ）
＝Ｏｓ（ｐｋ，ξ）−α２（ｐｋ）・Ｄｋ（ｐ０，ξ）−Ｏｆ（ｐｋ）
＝Ｏｓ（ｐｋ，ξ）−α２（ｐｋ）・｛Ｏｓ（ｐ０，ξ）−Ｏｆ（ｐ０）｝−Ｏｆ（ｐｋ）  …（ヘ）
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
よって式（ヘ）から理解されるように、撮影時において、画素生成部１ａａの各列（ｋ＝ｎ・・・１）の蓄積電荷信号Ｏｓ（ｐｋ，ξ）を、式（ヘ）に従って暗電流測定部１ａｂの暗電流測定信号Ｏｓ（ｐ０，ξ）を用いて補正すれば、撮影時の温度に基づく、より精密に暗電流成分の除去された有効画素信号Ｏｓｘ（ｐｋ，ξ）を得ることができる。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図２Ａは、ＣＣＤセンサを用いた固体撮像素子１ａの各列から出力される蓄積電荷信号（一次元）を撮影時刻順に並べた歯科用等のパノラマＸ線撮影をする際の時間と電気信号の出力の関係図を示している。図において（ｉ）は、画素生成部１ａａ中の第ｋ列の位置と暗電流測定部１ａｂの位置とをそれぞれｐｋとｐ０で示し、（ｉｉ）は暗電流測定部１ａｂからの暗電流測定信号（暗電流成分）Ｄｋ（ｐ０）を示している。これは、工場出荷前に予めＸ線パノラマ撮影した際の暗電流測定部１ａｂでの暗電流測定信号を示す。（ｉｉｉ）は実際の撮影時の第ｋ列からの蓄積電荷信号Ｏｓ（ｐｋ）と、その中の暗電流成分Ｄｋ（ｐｋ）を示している。
（ｉｉ）、（ｉｉｉ）から理解されるように、被験者の臼歯部−前歯部−臼歯部とパノラマＸ線撮影する場合、一般的に前歯部ではパノラマＸ線撮影の走査速度を遅くしてＸ線量を増やすことによって、頸椎によるＸ線吸収を補っている。このためにその部分では暗電流成分Ｄｋ（ｐｋ）が走査速度に応じて増加している。しかし、絶対強度の変動にかかわらず、暗電流測定部１ａｂと画素生成部１ａａ中の第ｋ列との暗電流成分の出力比はほぼ一定である。すなわち、図においては、出力比であるｂ／ａが一定になっている。
従って、暗電流測定部１ａｂと画素生成部１ａａの各画素又は各列との、所定の露光時間に対する暗電流成分の出力比を暗電流補正テーブル３に予め記憶しておけば、撮像時において画素生成部１ａａより取り出された蓄積電荷信号Ｏｓ（ｐｋ）に対してその出力比を適用して暗電流成分Ｄｋ（ｐｋ）を予測演算することが可能である。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
図２Ｂは、ＭＯＳセンサを用いた固体撮像素子１ａから出力される蓄積電荷信号Ｏｓ（ｐｋ）を画素ｅの位置に応じて二次元に並べた画像における特定の画素の位置ｐｋと暗電流測定部１ａｂの位置ｐ０とを示す図面（ｉｖ）と、及びそれぞれの蓄積電荷信号Ｏｓ（ｐｋ）及び暗電流測定信号Ｏｓ（ｐ０）と露光時間Ｔとの関係（ｖ）を示すグラフである。
（ｖ）のグラフから理解されるように、固体撮像素子１ａを露光させないときの画素生成部１ａａの特定の画素又は列の蓄積電荷信号Ｏｓ（ｐｋ）の露光時間Ｔに対する出力変化の傾きと、暗電流測定部１ａｂでの画素又は少なくとも1列の暗電流測定信号Ｏｓ（ｐ０）の露光時間に対する出力変化の傾きとの比は、ほぼ一定になっている。従って、その出力変化の傾きの比を画素生成部１ａａの各画素または各列に対応させて暗電流補正テーブル３に予め記憶しておけば、撮像時において画素生成部１ａａより取り出された蓄積電荷信号Ｏｓ（ｐｋ）に対してその出力変化の傾きの比を適用して実際の撮影時間に応じて暗電流成分Ｄｋ（ｐｋ）を予測演算することが可能である。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
画像処理手段２では、固体撮像素子１ａで画像撮影を行う時に、暗電流測定信号抽出部２ａが、固体撮像素子１ａから出力された蓄積電荷信号から所定のタイミングで暗電流測定信号Ｏｓ（ｐ０，ξ）を抽出する毎に、暗電流予測部２ｂは、暗電流補正テーブル３を参照して、次の式
Ｄｋ（ｐｋ，ξ）＝α２（ｐｋ）・｛Ｏｓ（ｐ０，ξ）−Ｏｆ（ｐ０）｝
に従って、画素生成部１ａａの蓄積電荷信号Ｏｓ（ｐｋ，ξ）に含まれている暗電流成分を予測演算し、暗電流補正部２ｃは、次の式
Ｏｓｘ（ｐｋ，ξ）＝Ｏｓ（ｐｋ，ξ）−Ｄｋ（ｐｋ，ξ）−Ｏｆ（ｐｋ）
に従って、画素生成部１ａａの各列（ｋ＝ｎ・・・１）に対して、暗電流成分の除去された有効画素蓄積電荷信号Ｏｓｘ（ｐｋ，ξ）をリアルタイムに得ている。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
図６は、そのＸ線撮影装置Ａ２の外観図である。装置本体４の基台４ａに支柱４ｂが立設され、この支柱４ｂに支持体５が昇降可能に取り付けられ、この支持体５に旋回アーム６が旋回可能に取り付けられている。支持体５の上端と下端とのそれぞれには、ほぼ水平に伸びた支持アーム５ａと、被験者フレーム５ｂを設けてあり、被験者フレーム５ｂにはチンレスト５ｃが設けられている。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
図１１は、Ｘ線撮影用検出器１１Ａに備えられた固体撮像素子１ａの概略構成を示す図面である。この固体撮像素子１ａは、ＦＦＴタイプ（フルフレームトランスファー型）のＣＣＤセンサで構成されている。ここで、１ａｄは受光部を構成するセンサマトリクスであり、水平方向に蓄積電荷を転送するシフトレジスタ１ａｅを、上下に複数列形成して構成され、これらのシフトレジスタ１ａｅに形成されるポテンシャルウエルによって、列及び段に配置された画素ｅを形成した構造にしている。
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
１ａｃは上下に複数列形成して構成された各シフトレジスタ１ａｅのポテンシャルウエルを通じて一斉に水平方向に並列して転送されて来た蓄積電荷を垂直方向に転送するポテンシャルウエルを形成する別の蓄積電荷転送部、１ａｆは蓄積電荷転送部１ａｃから垂直方向にシリアル転送されて来る蓄積電荷を取り出すための出力ウエル、２２は出力ウエル１ａｆから、順次出力されて来る蓄積電荷を更に電圧信号に変換し、蓄積電荷信号として出力させる増幅器である。
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
このセンサマトリクス１ａｄは、図中では画素ｅが１１列（垂直方向）４段（水平方向）の行列状に配置されているが、画素ｅは実際には１５００列６４段に配置されている。そして、受光部１ａｄでは、図中の最下部以外の列に、画像を形成する画素を蓄積電荷として出力する画素生成部１ａａを割り当て、最下部の列には、Ｘ線遮蔽部材１９ｂがＸ線を遮蔽することによって、常に露光しない状態にされて暗電流測定信号を蓄積電荷として出力する暗電流測定部１ａｂを割り当てている。
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
増幅器２２から出力された蓄積電荷信号は、ＡＤ変換器１１ｅに送出されてデジタル信号に変換されるようになっている。ＣＣＤセンサを構成するシフトレジスタ１ａｅ、蓄積電荷転送部１ａｃ、出力ウエル１ａｆは、撮像素子駆動回路１１ｄの生成する駆動クロックに従って、蓄積電荷の転送を行う。
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
図１２は、以上のように構成されたパノラマＸ線撮影装置Ａ２で撮影されるパノラマＸ線画像の一例を示す図面であり、ここで（ａ）は全顎パノラマＸ線透過画像、（ｂ）は、固体撮像素子１ａに設定された画素生成部１ａａからの蓄積電荷信号中の暗電流成分と、暗電流測定部１ａｂからの暗電流測定信号とを示すグラフである。
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
このＸ線画像撮影装置Ａ５に用いられるＸ線撮影用検出器１１Ｄと、実施例２−４の各Ｘ線画像撮影装置に用いられているＸ線撮影用検出器１１Ａ〜１１Ｃとの違いについて説明する。
すなわち、実施例２−４のＸ線撮影用検出器１１Ａ〜１１Ｃでは、図１１を参照して説明したように、ＣＣＤセンサの受光部１ａｄの最下部以外の列に、画像を形成する画素を蓄積電荷として出力する画素生成部１ａａを割り当て、各列から出力される電荷を時間遅延積分して１画素の蓄積電荷信号としていた（蓄積電荷信号は１次元画像を形成する）のに対し、Ｘ線撮影用検出器１１Ｄでは、各画素ｅからの電荷を、２次元画像を形成する蓄積電荷信号として扱うようになっている。
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
しかし、各画素ｅからの電荷を、２次元画像を形成する蓄積電荷信号として扱う場合であっても、非露光状態での暗電流測定部１ａｂと画素生成部１ａａの各画素ｅとの、所定の露光時間に対する出力比を暗電流補正テーブル３に予め記憶しておく。そして、Ｘ線撮像時において各画素ｅより取り出された蓄積電荷信号に対して、暗電流測定部１ａｂから取り出される暗電流測定信号と暗電流補正テーブル３に記憶しておいたその出力比を適用した演算とにより暗電流成分を除去する方法を採ることができる。この方法も本発明の思想に含まれる。
【手続補正３１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2005312805.tif 000001
【手続補正３２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２Ａ】
2005312805.tif 000002
【手続補正３３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２Ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２Ｂ】
2005312805.tif 000003
【手続補正３４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
2005312805.tif 000004
【手続補正３５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１７】
2005312805.tif 000005
【手続補正３６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１８】
2005312805.tif 000006