(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性接着剤により接着された第１ダイと、第２ダイを接着するための接着領域とを有する導電性基板を提供する段階と、
絶縁接着テープを提供する段階と、
前記導電性基板の接着領域に前記絶縁接着テープを取り付ける段階と、
前記第２ダイを提供する段階と、
前記絶縁接着テープに前記第２ダイを接着する段階と、
前記導電性基板をアンロードする段階と、
を含むことを特徴とする半導体素子のダイ接着方法。
【請求項２】
前記絶縁接着テープを提供する段階は、リールに絶縁接着テープを巻取る段階と、前記リールから巻出される絶縁接着テープを、前記第２ダイのサイズに合わせて切断する段階とを含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子のダイ接着方法。
【請求項３】
前記絶縁接着テープを取り付ける段階は、前記絶縁接着テープをピックアップして前記導電性基板側に運搬する段階と、前記絶縁接着テープを前記導電性基板に取り付ける段階とを含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子のダイ接着方法。
【請求項４】
前記絶縁接着テープを取り付ける段階は、前記導電性基板に１５０℃以上５００℃以下の熱を加えることにより行われることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子のダイ接着方法。
【請求項５】
前記絶縁接着テープを接着する段階は、前記絶縁接着テープに０．９８Ｎ/mm2以上５．８８Ｎ/mm2以下の圧力を加えることにより行われることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子のダイ接着方法。
【請求項６】
前記第２ダイを接着する段階は、前記導電性基板に１５０℃以上５００℃以下の熱を加えることにより行われることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子のダイ接着方法。
【請求項７】
前記第２ダイを接着する段階は、前記第２ダイに０．９８Ｎ/mm2以上５．８８Ｎ/mm2以下の圧力を加えることにより行われることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子のダイ接着方法。
【請求項８】
前記第２ダイを接着する段階後、前記第２ダイを加圧する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子のダイ接着方法。
【請求項９】
導電性接着剤により接着された第１ダイと、第２ダイを接着するための接着領域とを有する導電性基板を積載するスタッカーと、
前記スタッカーにその一端が隣接するように配置され、所定の間隔をもって前記導電性基板を搬送する搬送部と、
前記導電性基板に前記第２ダイを接着するための絶縁接着テープを供給するテープ供給部と、
前記テープ供給部と前記搬送部との間に配置され、前記テープ供給部から供給される前記絶縁接着テープを前記導電性基板の接着領域に接着するテープピックアップ手段と、
複数の前記第２ダイを有するウェーハを載置するウェーハテーブルと、
前記ウェーハテーブルと前記搬送部との間に配置され、前記ウェーハテーブル上のウェーハから前記第２ダイを分離して、前記第２ダイを前記導電性基板の接着領域に接着させるダイピックアップ手段とを含むことを特徴とする半導体素子のダイ接着装置。
【請求項１０】
前記スタッカーは、リードフレームストリップ用マガジンであることを特徴とする請求項９に記載の半導体素子のダイ接着装置。
【請求項１１】
前記テープ供給部は、前記絶縁接着テープが巻取られているリールを含むことを特徴とする請求項９に記載の半導体素子のダイ接着装置。
【請求項１２】
前記リールは、前記絶縁接着テープの幅に応じた幅のリールに変更され得ることを特徴とする請求項１１に記載の半導体素子のダイ接着装置。
【請求項１３】
前記テープ供給部は、前記リールから巻出される絶縁接着テープを前記第２ダイのサイズに合わせて切断するテープ切断機をさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載の半導体素子のダイ接着装置。
【請求項１４】
前記テープ供給部は、前記リールから前記テープ切断機側に前記絶縁接着テープを供給するローラーをさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載の半導体素子のダイ接着装置。
【請求項１５】
前記テープ供給部は、前記テープ切断機により切断された前記絶縁接着テープを、その下面を吸着することにより固定するためのテープ吸着機をさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載の半導体素子のダイ接着装置。
【請求項１６】
前記テープピックアップ手段は、前記絶縁接着テープの上面を吸着して前記導電性基板に移送し、前記絶縁接着テープを前記導電性基板の接着領域に取り付けることを特徴とする請求項９に記載の半導体素子のダイ接着装置。
【請求項１７】
前記ダイピックアップ手段は、前記第２ダイの上面を吸着して前記導電性基板に移送し、前記第２ダイを前記導電性基板上の前記絶縁接着テープに接着することを特徴とする請求項９に記載の半導体素子のダイ接着装置。
【請求項１８】
前記搬送部の他端に隣接して配置され、前記第２ダイが接着された導電性基板をアンロードするアンローダーをさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の半導体素子のダイ接着装置。
【請求項１９】
前記ダイピックアップ手段と前記アンローダーとの間に配置され、前記導電性基板に接着された前記第２ダイを加圧するための加圧機をさらに含むことを特徴とする請求項１８に記載の半導体素子のダイ接着装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、一般に半導体素子と、その製造方法及び製造装置に関し、より詳しくは、絶縁接着テープにより接着されるダイを有する半導体素子と、半導体素子のダイ接着方法及びダイ接着装置とに関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体素子の製造において、ダイ接着とは、半導体ダイをリードフレーム又は印刷回路基板等の基板に接着する段階を言う。従来のダイ接着では、ダイを基板に接着する手段として、銀−エポキシ、銀−ガラス又はソルダ等の導電性の液状接着剤を使用する。この液状接着剤を基板上に滴下し、接着剤上に半導体ダイを実装し押圧する。
【０００３】
しかしながら、半導体製品の特性上、ダイ接着に絶縁接着剤を使用しなければならない場合がある。例えば、単一基板に複数のダイを接着する場合、各々のダイを互いに電気的に絶縁するため、絶縁接着剤が使用される。ここで、従来の液状の絶縁接着剤は、幾つかの問題点を有する。液状の絶縁接着剤は、ダイ接着の際、ダイへの下向押圧力により絶縁接着剤が側方に広がるため、基板上に極薄い接着剤層が形成されることになる。従って、液状の絶縁接着剤は、高い絶縁性を要求する半導体製品には使用することができない。液状接着剤の他の問題点は、接着剤層内に気泡が生じやすいことである。よく知られているように、接着剤層内の気泡は、接着剤層間の剥離又はパッケージクラックを引き起こす。また、液状接着剤の広がり性により接着領域以外の領域に接着剤が塗布されるおそれがある。このような不良は、後続のワイヤボンディング段階時に悪影響を及ぼす。
【０００４】
一方、液状の絶縁接着剤だけを使用する場合、充分な絶縁性を確保することが難しいことから、絶縁性を向上するため、液状の絶縁接着剤と一緒に絶縁薄片を使用することもある。セラミック又はエポキシのような絶縁材料よりなる薄片を、接着剤層間に介在する。しかるに、このような方法は、充分な絶縁性を確保することができるという利点を有するが、付加的な絶縁材料が要求され、製造工程が一層複雑であるという欠点を有する。さらに、作業時間が長く、且つ製造コストの上昇も不可避である。
【０００５】
絶縁薄片を用いた半導体素子１０の構造が図１に示されている。図１を参照すると、第１ダイ１３は、導電性接着剤１２によりリードフレーム１１に接着されている。第２ダイ１７は、絶縁薄片１５によりリードフレーム１１と電気的に絶縁される。第１ダイ１３のダイ接着は、通常のダイ接着方法により行われる。まず、リードフレーム１１における第１ダイの接着領域に導電性の液状接着剤１２を塗布し、それに第１ダイ１３を接着し、導電性の液状接着剤１２を硬化する。一方、第２ダイ１７のダイ接着は、次のような幾つかの段階を経て行われる。まず、液状の絶縁接着剤１４をリードフレームにおける第２ダイの接着領域に塗布する。次いで、液状の絶縁接着剤１４に絶縁薄片１５を取り付け、液状の絶縁接着剤１４を１次硬化する。絶縁薄片１５上に液状の絶縁接着剤１６を塗布し、それに第２ダイ１７を接着し、液状の絶縁接着剤１６を２次硬化する。ここで、絶縁薄片１５は、別の工程により製作されてダイ接着工程に供給される。この際、絶縁薄片をウェーハ状態で製造した後、ウェーハから個別ダイを分離することと同様に、絶縁薄膜から複数の個別絶縁薄片１５を分離する。
【０００６】
上述した絶縁薄片を用いた従来のダイボンディグ方法は、工程が複雑で、作業時間が長く、製造コストが高いという問題点を有する。さらに、絶縁薄片１５と一緒に液状の絶縁接着剤１４、１６が使用されるので、接着剤層内の気泡や液状接着剤の広がり性に起因した問題が依然として存在する。ダイ接着後、ダイが所定の剪断応力を有するように、液状の接着剤を硬化しなければならない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、電気絶縁性テープを用いてダイを接着することにより、絶縁性及び信頼性を向上させることができるとともに、製造コストを減少させることができる半導体素子を提供することにある。
【０００８】
本発明の他の目的は、電気絶縁性テープを用いて製造段階を簡素化し、作業時間を短縮することができるダイ接着方法及び装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明の方法で製造される半導体素子は、電気伝導性を有する所定のサイズの導電性基板と、導電性接着剤により導電性基板に接着される第１ダイと、絶縁接着テープにより導電性基板に接着される少なくとも１つの第２ダイとを含む。
【００１０】
本発明の好ましい実施例による絶縁接着テープは、上面及び下面を有し且つポリイミドよりなる中心層と、該中心層の上面及び下面に各々形成され且つポリイミドよりなる接着層とを含むことが好ましい。中心層は約２０μｍ〜約６０μｍの厚さを有し、接着層は約１０μｍ〜約３０μｍの厚さを有する。また、絶縁接着テープは、約２５００Ｖ以上の絶縁耐圧を有する。基板としてはリードフレームを使用することができ、第１ダイはトランジスタチップ、第２ダイは制御チップに適用することができる。
【００１１】
本発明による半導体素子のダイ接着方法は、導電性接着剤により接着された第１ダイと、第２ダイを接着するための接着領域とを有する導電性基板を提供する段階と、絶縁接着テープを提供する段階と、導電性基板の接着領域に絶縁接着テープを取り付ける段階と、第２ダイを提供する段階と、絶縁接着テープに第２ダイを接着する段階と、導電性基板をアンロードする段階とを含む。
【００１２】
特に、本発明の好ましい実施例によると、絶縁接着テープを提供する段階は、リールに絶縁接着テープを巻き取りする段階と、リールから巻出される絶縁接着テープを、第２ダイのサイズに合わせて切断する段階とを含む。また、絶縁接着テープを取り付ける段階は、絶縁接着テープをピックアップして、基板側に運搬する段階と、絶縁接着テープを基板に取り付ける段階とを含む。絶縁接着テープを取り付ける段階又は第２ダイを接着する段階は、基板に約１５０℃〜約５００℃の熱、又は絶縁接着テープ又は第２ダイに約０．９８Ｎ/mm2〜約５．８８Ｎ/mm2の圧力を加えることにより行われる。本発明のダイ接着方法は、第２ダイを接着する段階後、第２ダイを加圧する段階をさらに含むことができる。
【００１３】
本発明のさらに他の態様によると、半導体素子のダイ接着装置は、導電性接着剤により接着された第１ダイと、第２ダイを接着するための接着領域とを有する基板を積載しているスタッカーと、スタッカーにその一端が隣接するように配置され、所定の距離をもって基板を搬送する搬送部と、基板に第２ダイを接着するための絶縁接着テープを供給するテープ供給部と、テープ供給部と搬送部との間に配置され、テープ供給部から供給される絶縁接着テープを基板の接着領域に取り付けるテープピックアップ手段と、複数の第２ダイを有するウェーハを載置するウェーハテーブルと、ウェーハテーブルと搬送部との間に配置され、ウェーハテーブル上のウェーハから第２ダイを分離して、第２ダイを基板の接着領域に接着させるダイピックアップ手段とを含む。
【００１４】
スタッカーとしては、リードフレームストリップ用マガジンを使用することができる。本発明のダイ接着装置は、搬送部の他端に隣接して配置され、第２ダイが接着された基板をアンロードするアンローダーと、ダイピックアップ手段とアンローダーとの間に配置され、基板に接着された第２ダイを加圧するための加圧機をさらに含むことができる。
【００１５】
本発明の好ましい実施例によると、ダイ接着装置のダイ供給部は、絶縁接着テープが巻き取りされているリールと、リールから巻出される絶縁接着テープを第２ダイのサイズに合わせて切断するテープ切断機と、リールからテープ切断機側に絶縁接着テープを供給するローラーと、テープ切断機により切断された絶縁接着テープを、その下面を吸着することにより固定するためのテープ吸着機とを含む。
【００１６】
テープピックアップ手段は、絶縁接着テープの上面を吸着して基板に移送し、絶縁接着テープを基板の接着領域に取り付ける。
ダイピックアップ手段は、第２ダイの上面を吸着して基板に移送し、第２ダイを基板上の絶縁接着テープに接着する。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、添付の図面を参照として本発明をより詳しく説明する。
図２は、絶縁接着テープにより接着されるダイを有する本発明による半導体素子を示す断面図である。図２に示す半導体素子２０は、パワースイッチング素子であって、基板としてリードフレーム２１を使用する。半導体素子２０は、リードフレーム２１においての各々異なる接着領域に接着される第１ダイ２３及び第２ダイ２５を含む。第１ダイ２３は、ＭＯＳ型電界効果トランジスタのようなトランジスタチップであり、第２ダイ２５は、制御チップである。ダイ接着後、第１ダイ２３及び第２ダイ２５は、金属線によりリードフレーム２１に電気的に接続され、エポキシ系プラスチック樹脂等の封止樹脂で封止される。なお、金属線及び封止樹脂は、本発明と直接的な関連がないため図示していない。
【００１８】
リードフレーム２１は、電気伝導性及び熱伝導性に優れたＣｕ又はＦｅのような金属よりなり、トランジスタチップのドレインとして使用される。従って、第１ダイ２３とリードフレーム２１とを接着する接着剤２２は、電気伝導性を有するものである。これに対して、第２ダイ２５は、リードフレーム２１から絶縁されるので、接着物質２４は電気絶縁性を有するものである。ところが、上述したように、液状の絶縁接着剤を用いた従来のダイ接着方法では、所望の絶縁特性を確保するに足りない。
【００１９】
従って、本発明による半導体素子２０では、第２ダイ２５は、高い絶縁性を有する絶縁接着テープ２４を用いてリードフレーム２１に接着される。本発明の絶縁接着テープ２４は、ポリイミドよりなる中心層２４ａと、この中心層２４ａの上下面に形成され且つポリイミドよりなる２つの接着層２４ｂとを含む。中心層２４ａは、約２０〜約６０μｍの厚さを有する。接着層２４ｂは、各々約１０〜約３０μｍの厚さを有する。絶縁接着テープ２４は、約２５００以上の絶縁耐圧（又は絶縁破壊電圧ともいう）を有する。
【００２０】
本発明による半導体素子２０は、３つの層、即ち１つの中心層２４ａと２つの接着層２４ｂを含む絶縁接着テープを使用することが好ましい。しかしながら、他の実施例として、ただ１つのポリイミド接着層を含む絶縁接着テープを使用してもよい。この場合、絶縁接着テープ、即ちポリイミド接着層は、約１０〜約３０μｍの厚さを有し、約１０００Ｖ程度の絶縁耐圧を有する。
【００２１】
絶縁接着テープ２４は、絶縁性及び信頼性を向上させることができる。即ち液状接着剤の使用に起因した気泡発生や広がり性不良を防止することができる。また、絶縁接着テープ２４は、常温で全然接着性がないため、取り扱いが容易で、且つ熱及び圧力のいずれかまたは両方を加えることにより容易に接着させることかできる。さらに、絶縁接着テープ２４は、従来の絶縁性の液状絶縁性接着剤とは異なり、別の硬化段階を行わなくても充分な剪断応力を確保することができる。
【００２２】
上述のように、本発明の半導体素子は、ダイ接着手段として絶縁接着テープを使用する。以下では、絶縁接着テープを用いたダイ接着方法及び装置について説明する。ただし、導電性接着剤による第１ダイの接着は従来例と同様であるので、以下、第２ダイのダイ接着のみについて説明する。図３は、本発明によるダイ接着方法３０を示す流れ図である。図４は、本発明によるダイ接着装置４０を示す斜視図である。
【００２３】
図３及び図４を参照すると、第１ダイ６４が導電性接着剤６２により接着されているリードフレーム６０がダイ接着装置４０に提供される（図３のブロック３１）。リードフレーム６０は、ストリップタイプで形成されており、マガジン４２に積載されている。リードフレーム６０の代わりに、印刷回路基板、テープ配線基板等を基板として使用可能である。また、必要に応じて、マガジン４２以外に他のスタッカーを使用することができる。マガジン４２は、搬送部（図示せず）の一端に隣接して位置し、マガジン４２に積載されたリードフレーム６０は、順次搬送部に供給される。ダイ接着の際、搬送部は、リードフレーム６０を一定の間隔をもって搬送することにより、連続作業を可能とする。図４では、図面を簡単にするため、搬送部を図示していない。ここで、移送レール等の従来の基本的な移送システムが搬送部として使用され、リードフレームの下部に長手方向に搬送部を形成することは自明である。
【００２４】
リードフレーム６０に加えて、絶縁接着テープ６８がダイ接着装置４０に提供される（図３のブロック３２）。リードフレーム６０が搬送部により移送されると、テープ供給部７４がリードフレーム６０の接着領域６６に絶縁接着テープ６８を供給する。テープ供給部７４は、絶縁接着テープ６８が巻取られているリール４４と、このリール４４から巻出される絶縁接着テープ６８を切断するテープ切断機４８とを含む。そして、テープ供給部７４は、テープ切断機４８側に絶縁接着テープ６８を供給する上下部ローラー４６Ａ、４６Ｂを有する１組のローラー４６と、絶縁接着テープ６８の下面を吸着して絶縁接着テープ６８を固定するテープ吸着機５０とをさらに含む。図５乃至図８に示すように、テープ供給部７４は、テープ押圧手段４９をさらに含むことができる。
【００２５】
絶縁接着テープ６８は、リール４４に巻取られた状態で、上下部のローラ４６Ａ、４６Ｂ間を経てテープ切断機４８に連続的に供給され、テープ切断機４８は、絶縁接着テープ６８を第２ダイ７２のサイズに合わせて切断する。リール４４及び切断機４８の使用は、効率的且つ連続的なテープ供給を実現し、ダイ接着工程の生産性を向上させる。連続的に供給される絶縁接着テープ６８を切断する段階が図５及び図６に示されている。
【００２６】
図５及び図６に示すように、絶縁接着テープ６８がテープ切断機４８に提供されてテープ切断機４８により切断される際、テープ押圧手段４９がテープ切断機４８の前方でテープ６８を押圧し、テープ吸着機５０がテープ切断機６８の後方でテープ６８を吸着する。これにより、絶縁接着テープ６８が固定される。テープ押圧手段４９は、絶縁接着テープ６８の上下面を押圧することによりテープ６８を固定し、テープ吸着機５０は、テープ６８の下面を吸着することによりテープ６８を固定する。参照符号５１は、真空を提供する、即ち絶縁接着テープ６８を吸着するための真空吸着孔を指す。テープ切断機４８側に供給される絶縁接着テープ６８の長さを変化させるか、切断機４８の位置を変えることにより、絶縁接着テープ６９の切断サイズを調節することができる。また、テープ６８の幅によってリール４４の幅は変わる。
【００２７】
絶縁接着テープ６８を切断した後、図３及び図４に示すように、テープピックアップ手段５２が切断された絶縁接着テープ６８をリードフレーム６０に接着する（図３のブロック３３）。テープピックアップ手段５２は、テープ供給部７４のテープ吸着機５０と搬送部との間に位置し、テープ吸着機５０と搬送部上のリードフレーム６０との間を往復する。図７に示すように、テープピックアップ手段５２は、テープ吸着機５０に固定されている絶縁接着テープ６８をピックアップし、これ６８をリードフレーム６０側に運搬する。そして、図８に示すように、テープピックアップ手段５２は、絶縁接着テープ６８をリードフレーム６０の接着領域６６（図４参照）に接着する。テープピックアップ手段５２は、テープ吸着機５０と同様に、真空によりテープ６８を吸着する。テープピックアップ手段５２は、絶縁接着テープ６８の上面に位置し、真空吸着孔５３を通じて絶縁接着テープ６８の上面を吸着する。同時に、テープ吸着機５０の真空吸着孔５１は、絶縁接着テープ６８の下面を吸着することを中止する。従って、絶縁接着テープ６８は、テープ吸着機５０からテープピックアップ手段５２に移送される。
【００２８】
上述のように、本発明に使用される絶縁接着テープ６８は、熱及び圧力下で接着性を有する。熱は、搬送部を介してリードフレーム６０に提供され、圧力は、テープピックアップ手段５２により絶縁接着テープ６８に直接提供される。ここで、リードフレーム６０に提供される熱は、略１５０〜５００℃であり、絶縁接着テープ６８に提供される圧力は、約０．９８〜５．８８Ｎ/mm2である。
【００２９】
第２ダイ７２は、ウェーハ７０状態でダイ接着装置４０に提供される（図３のブロック３４）。ウェーハ７０は、個別ダイに分離されるべき複数の第２ダイ７２を含んでおり、ウェーハテーブル５６上に載置される。ウェーハ７０状態で第２ダイ７２が提供されると、ダイピックアップ手段５４が第２ダイ７２をピックアップしてリードフレーム６０の絶縁接着テープ６８に接着する（図３のブロック３５）。ダイピックアップ手段５４は、上記のテープピックアップ手段５２と同様の構造と作用を有する。ダイピックアップ手段５４は、ウェーハテーブル５６と搬送部との間に位置し、ウェーハテーブル５６と搬送部上のリードフレーム６０との間を往復する。ダイピックアップ手段５４は、第２ダイ７２の上面を吸着することにより、第２ダイ７２をウェーハから分離し、第２ダイ７２をリードフレーム６０に運搬し、絶縁接着テープ６８に接着する。第２ダイ７２のダイ接着には、絶縁接着テープの接着時と同様に、熱及び圧力を必要とする。
【００３０】
本発明のダイ接着方法（図３のブロック３０）は、第２ダイの接着段階（図３のブロック３５）後に、第２ダイを加圧する段階（図３のブロック３６）をさらに含むことができる。この加圧段階は、ダイ接着後に、確実な接着力を与えるために行われ、必ずしも必要なものではない。加圧機５８は、リードフレーム５８上に整列され、第２ダイ７２の上面を加圧する。
【００３１】
ダイ接着が完了した後、リードフレーム６０は、搬送部からアンローダー（図示せず）に排出される（図３のブロック３７）。アンローダーは、搬送部の他端（マガジン４２の反対側）に隣接して位置し、搬送部から排出されるリードフレーム６０を収納する。
【００３２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半導体素子は、ダイ接着に絶縁接着テープを使用するので、絶縁性及び信頼性を確保することができる。絶縁接着テープは、約２５００Ｖ以上の絶縁耐圧を有し、液状接着剤の使用に起因した接着剤層内の気泡、接着剤層間の剥離又はパッケージクラックを防止することができる。また、絶縁接着テープは、従来の液状接着剤の使用に起因した広がり性不良のような信頼性問題を防止することができる。さらに、絶縁接着テープは、常温で接着性がないため、取り扱いが容易で、別の硬化段階を行わなくても充分な剪断応力を確保することができる。
【００３３】
本発明による絶縁接着テープを用いたダイ接着方法は、液状接着剤と絶縁薄片を用いた従来のダイ接着方法に比べて簡単である。従って、本発明によると、ダイ接着作業時間を短縮することができ、製造コストを低減することができる。絶縁薄片等のように追加的に要求される資材もない。
【００３４】
尚、上述した本発明の好ましい実施例は、あくまでも、本発明の技術内容を明らかにするものであって、そのような具体例にのみ限定して狭義に解釈されるべきものではなく、本発明の精神と特許請求の範囲内で、いろいろと変更して実施することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の半導体素子を示す断面図である。
【図２】絶縁接着テープにより接着されるダイを有する本発明による半導体素子を示す断面図である。
【図３】本発明によるダイ接着方法を示す流れ図である。
【図４】本発明によるダイ接着装置を示す斜視図である。
【図５】絶縁接着テープ上にテープ切断機を整列する段階を示す断面図である。
【図６】切断機で絶縁接着テープを切断する段階を示す断面図である。
【図７】切断された絶縁接着テープの上面をテープピックアップ手段により吸着する段階を示す断面図である。
【図８】絶縁接着テープをリードフレームに接着する段階を示す断面図である。
【符号の説明】
２０  半導体素子
２１  基板（又はリードフレーム）
２２  導電性接着剤
２３  第１ダイ
２５  第２ダイ
２４  絶縁接着テープ
４２  マガジン
４４  リール
４６  ローラー
４８  テープ切断機
５０  テープ吸着機
５２  テープピックアップ手段
５４  ダイピックアップ手段
５６  ウェーハテーブル
５８  加圧機
６０  リードフレーム
６２  導電性接着剤
６４  第１ダイ
６６  接着領域
６８  絶縁接着テープ
７０  ウェーハ
７２  第２ダイ
７４  テープ供給部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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