Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月18日(2008.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に、フォトダイオード部および前記フォトダイオード部からの電荷信号を転送する電荷転送部を形成する工程と、
前記電荷転送部の上に電荷転送電極を形成する工程と、
前記電荷転送電極の上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜に接するように第１の金属材料を用いてスパッタ法により下地密着層を形成する工程と、
前記下地密着層に接するように第２の金属材料を用いてＣＶＤ法により遮光膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２の金属材料は、高融点金属または前記高融点金属のシリサイドであることを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記高融点金属は、タングステンであることを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２の金属材料は、アルミニウム合金であることを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の金属材料は、アルミニウム膜よりも低反射率である請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記下地密着層と前記遮光膜により前記フォトダイオード部に開口部が形成され、
前記開口部において、前記遮光膜は前記下地密着層よりも端部が突出していることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項７】
前記下地密着層と前記遮光膜により前記フォトダイオード部に開口部が形成され、
前記開口部において、前記遮光膜は前記下地密着層の端部を覆うように形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の固体撮像装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】固体撮像装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明はビデオカメラなどに用いられる固体撮像装置の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この固体撮像装置では、電荷転送電極１８をそれぞれ交互に第１相電極と第２相電極に区別し、第２相電極にパルス電圧を印加することによって、図１０に示した第２相電極９下の垂直ＣＣＤ部のＮ型領域４に信号電荷を移動させる。次に第１相電極と第２相電極にパルス信号を交互に印加して信号電荷を転送する。上述したように、高融点金属またはそのシリサイドからなる電荷転送電極１８は膜ストレスが高く、単層ではきわめて密着性が悪いことから、ポリシリコンからなる下地密着層１７を介在させることでその膜ストレスを緩和し、密着性を高めるという方法がとられている。
【特許文献１】特開平７−３００９０号公報
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記課題を解決するために、半導体基板に、フォトダイオード部および前記フォトダイオード部からの電荷信号を転送する電荷転送部を形成する工程と、電荷転送部の上に電荷転送電極を形成する工程と、電荷転送電極の上に層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜に接するように第１の金属材料を用いてスパッタ法により下地密着層を形成する工程と、下地密着層に接するように第２の金属材料を用いてＣＶＤ法により遮光膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
本発明によれば、下地密着層および前記遮光膜がともに高融点金属またはそのシリサイドで形成されているため、密着性が良好で信頼性が高くスミア特性の良好な固体撮像装置を提供することが可能となる。また、高温に耐え得るため、熱処理での基板ダメージ緩和によって、暗電流、白キズ特性の向上が可能な、固体撮像装置を得ることが可能となる。また、下地密着層自体に遮光性があるため、遮光膜自体の膜厚も低減され、表面の平坦性を高めることが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月12日(2007.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の好ましい第１の実施の形態では、撮像レンズ、該撮像レンズで集光された光を電気信号に変換し、映像を出力する手段、該映像を出力する手段以外に少なくとも２つ以上の電力を消費する手段、電源供給は前記映像を出力する手段との電源重畳および外部電源により電源を供給される撮像装置において、前記電力を消費する手段は３つのグループに分かれ、第１のグループのものは他のグループに対して優先的に駆動し、第２のグループのものは第３のグループのものに対して優先的に駆動し、外部電源を使用する場合は優先しないことを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の好ましい第３の実施の形態では、撮像レンズ、該撮像レンズで集光された光を電気信号に変換し、映像を出力する手段、該映像を出力する手段以外に少なくとも２つ以上の電力を消費する手段、電源供給は前記映像を出力する手段との電源重畳で供給される撮像装置において、前記電力を消費する手段は３つのグループに分かれ、第１のグループのものは他のグループに対して優先的に駆動し、第２のグループのものは第３のグループのものに対して優先的に駆動すること特徴とする。第１のグループは常に他のグループに優先するが、第２のグループと第３のグループとの関係については、第３のグループを第２のグループに優先させる構成とすることも可能である。即ち、第２のグループに属する手段と第３のグループに属する手段とを排他的に駆動することもできる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
以下、本発明の実施例を説明する。
［実施例１］
第１の実施例は、信号伝達手段を介して給電される撮像装置が監視カメラシステムの場合である。
図１は本発明の実施例１に係る監視カメラシステムの全体図である。同図において、１はネットワークサーバ機能を内蔵したネットワークカメラであり、撮像レンズと該撮像レンズで集光された光を電気信号に変換する光電変換機能を持ち、フォーカス機能、ズーム機能およびＩＲカットフィルター切替機能を内蔵している。ネットワークサーバ機能とカメラ機能を別々に構成しても良い。４はネットワークカメラ１に電源を供給する外部電源である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図３は本実施例１のフローチャートである。
不図示の電源が投入されることにより、ステップ２０１で動作を開始し、まず、ステップ２０２で外部電源からの供給でないか、否かを確認する。外部電源から供給の場合はステップ２０２でＮＯとなり、ステップ２０１へ戻り、これを繰り返す。すなわち、電力を外部電源５（図１）から供給する場合は、フォーカス、ズーム、パン、ティルト、ＩＲカットフィルター切替のいずれもが常時駆動可能となり、これらの間ならびにこれらと映像出力および映像通信との間に駆動の優先順位はない。すなわち、撮像装置に電力を供給する外部電源を備え、該外部電源を使用する場合は複数グループに属する手段の同時駆動を可能にすることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
ステップ２０４ではズーム、ティルトあるいはＩＲカットフィルターが切替中でないかを確認する。ズーム、ティルトあるいはＩＲカットフィルターの駆動がいずれも行なわれていない場合はＹＥＳとなり、所定の電力の許容値を超えることがない場合である。ＹＥＳの場合は、スタート（ステップ２０１）へ戻り、これを繰り返す。すなわち、フォーカス、ズーム、パン、ティルト、ＩＲカットフィルター切替のいずれもが駆動可能となる。言い換えれば、各グループに属する手段の全部が同時に駆動された場合でも、信号伝達手段（本実施例ではＰＯＥ）を介して給電される電力の許容値を超えないような組み合わせが実現されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
ステップ２０４ではズーム、ティルトあるいはＩＲカットフィルターのうち少なくとも一つでも駆動中の場合はＮＯとなり、ステップ２０５へ進む。ステップ２０５ではパン動作が行なわれているかを確認し、もし行なわれていない場合は所定の電力の許容値を超えることがない場合であり、ＹＥＳとなり、スタートステップ２０１へ戻り、これを繰り返す。すなわち、ズーム、ティルトあるいはＩＲカットフィルターの駆動を可能にする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
パン動作が行なわれている場合は所定の電力の許容値を超える可能性がある。この場合、ステップ２０４の判定はＮＯとなり、ステップ２０６へ進む。ステップ２０６ではズーム、ティルトあるいはＩＲカットフィルターの駆動を駆動中であっても禁止する。次いで、ステップ２０７へ進み、パン駆動を開始する。すなわち、パン駆動はズーム、ティルト駆動およびＩＲカットフィルター切替に優先して行なう。なお、フォーカス駆動は、映像及び信号通信とともに最優先で行なう。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
［実施例２］
以下に、本発明の実施例２を説明する。
図４は本発明の実施例２に係る監視カメラシステムの全体図である。同図において、１および６はネットワークカメラであり、撮像レンズと該撮像レンズで集光された光を電気信号に変換する光電変換機能を持ち、フォーカス機能、ズーム機能を内蔵している。また、これらのカメラ１および６は定期的に静止画を通信するように設定されている。４および７はネットワークカメラ１および６それぞれに電源を供給する外部電源である。５はＰＯＥハブであり、所定の電力供給と映像信号およびズーム等の制御コマンド信号の伝達を行なう。ＰＯＥハブ５はネットワークカメラ１および６に接続されている。２はネットワークであり、通常のネットワークあるいはＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ
Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）である。３は監視用のモニターを兼ねたネットワークサーバであり、映像表示および制御コマンド信号を、ネットワーク２を介して、ネットワークカメラ１に出すことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月10日(2008.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低誘電率の誘電膜を酸化させる酸化剤と、
酸化物を除去するための酸化物エッチング剤を含むことを特徴とする誘電膜エッチング溶液。
【請求項２】
前記低誘電率の誘電膜の湿潤特性を向上させるための界面活性剤をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の低誘電率の誘電膜エッチング溶液。
【請求項３】
前記酸化剤はＨ３ＰＯ４、ＨＮＯ３、Ｈ２ＳＯ４、ＨＣｌＯ４、ＨＣｌＯ２、Ｈ２Ｏ２、 ＮａＯＣｌ、ＣｌＯ２、ＣＨ３ＣＯＯＯＨ、Ｏ３またはこれらの調合物を含むことを特徴とする請求項１に記載の低誘電率の誘電膜エッチング溶液。
【請求項４】
前記酸化物エッチング剤はＨＦ、ＨＢＦ４、ＮＨ４Ｆまたはこれらの調合物を含むことを特徴とする請求項１に記載の低誘電率の誘電膜エッチング溶液。
【請求項５】
前記低誘電率の誘電膜エッチング溶液は残量の純水をさらに含み、
前記酸化剤は約３０乃至約９０ｖ／ｖ％で含まれ、前記酸化物エッチング剤は約０.１乃至３０ｖ／ｖ％で含まれ、前記純水は約０.１乃至４０ｖ／ｖ％で含まれることを特徴とする請求項１に記載の低誘電率の誘電膜エッチング溶液。
【請求項６】
少なくとも低誘電率の誘電膜が形成されたウェーハを提供し、
酸化剤及び酸化物エッチング剤を含むエッチング溶液に前記ウェーハを接触させることを含むことを特徴とする低誘電率の誘電膜エッチング方法。
【請求項７】
前記低誘電率の誘電膜は炭素がドーピングされたシリコン酸化膜であることを特徴とする請求項６に記載の低誘電率の誘電膜エッチング方法。
【請求項８】
前記酸化剤はＨ３ＰＯ４、ＨＮＯ３、Ｈ２ＳＯ４、ＨＣｌＯ４、ＨＣｌＯ２、Ｈ２Ｏ２、ＮａＯＣｌ、ＣｌＯ２、ＣＨ３ＣＯＯＯＨ、Ｏ３またはこれらの調合物を含むことを特徴とする請求項６または７に記載の低誘電率の誘電膜エッチング方法。
【請求項９】
低誘電率の誘電膜をエッチングする方法において、
前記低誘電率の誘電膜を酸化させた後、連続的に酸化された低誘電率の誘電膜を揮発性のフッ化物でフッ化させることを含むことを特徴とする低誘電率の誘電膜エッチング方法。
【請求項１０】
前記低誘電率の誘電膜の酸化及び酸化された低誘電率の誘電膜のフッ化はエッチング溶液によって行われることを特徴とする請求項９に記載の低誘電率の誘電膜エッチング方法。
【請求項１１】
前記エッチング溶液は、
前記低誘電率の誘電膜を酸化させる酸化剤と、
前記酸化された低誘電率の誘電膜を揮発性のフッ化物でフッ化させて除去する酸化物エッチング剤を含むことを特徴とする請求項１０に記載の低誘電率の誘電膜エッチング方法。
【請求項１２】
低誘電率の誘電膜を酸化させる酸化剤と、
酸化物を除去するための酸化物エッチング剤とを含み、
前記酸化剤と前記酸化物エッチング剤の体積比が約１:１乃至約９００:１であることを特徴とする低誘電膜エッチング溶液。
【請求項１３】
前記酸化剤はＨ３ＰＯ４、ＨＮＯ３、Ｈ２ＳＯ４、ＨＣｌＯ４、ＨＣｌＯ２、Ｈ２Ｏ２、ＮａＯＣｌ、ＣｌＯ２、ＣＨ３ＣＯＯＯＨ、Ｏ３またはこれらの調合物を含み、
前記酸化物エッチング剤はＨＦ、ＨＢＦ４、ＮＨ４Ｆまたはこれらの調合物を含むことを特徴とする請求項１２に記載の誘電膜エッチング溶液。
【請求項１４】
低誘電率の誘電膜を酸化させる約３０乃至約９０ｖ／ｖ％の酸化剤と、
酸化物を除去するための約０.１乃至約３０ｖ／ｖ％の酸化物エッチング剤と、
残量の純水を含むことを特徴とする低誘電率の誘電膜エッチング溶液組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月8日(2008.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクジェット法により、導電層上にシロキサンを含む絶縁層を形成し、
臭化水素ガスを含む処理用ガスを用いて、前記導電層の一部が露出するように前記シロキサンを含む絶縁層をエッチングする
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
トランジスタに電気的に接続する導電層を形成し、
インクジェット法により、前記導電層上にシロキサンを含む絶縁層を形成し、
臭化水素ガスを含む処理用ガスを用いて、前記導電層の一部が露出するように前記シロキサンを含む絶縁層をエッチングする
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記処理用ガスは、２５ｓｃｃｍ以上１２５ｓｃｃｍ以下の前記臭化水素ガスを含む
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記導電層は、チタン、アルミニウム、モリブデンから選ばれる一または二以上の金属を有する層である
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記処理用ガスは、前記臭化水素ガスに加えて、酸素ガス、四フッ化炭素ガス、六フッ化硫黄ガスから選ばれた一または二以上の気体を含む
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記シロキサンを含む絶縁層の下に酸化珪素を含む絶縁層を形成し、
前記シロキサンを含む絶縁層のみをエッチングする際、前記臭化水素ガスに加えて塩素ガスを用い、
前記酸化珪素を含む絶縁層をエッチングする際、前記臭化水素ガスに加えて四フッ化炭素ガスを用いて、前記導電層の一部が露出するようにエッチングする
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記エッチングは、２Ｐａ未満の圧力で行う
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月20日(2008.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板内に配置された複数の平行なドーピングラインと；
前記ドーピングラインと重畳される部分に交差点を形成するように前記ドーピングラインの上部を横切る複数の平行な上部電極と；
前記ドーピングラインと前記上部電極の間の前記交差点にそれぞれ位置する複数の下部電極と；
前記上部電極と前記下部電極との間に介在して、データ保存物質膜として提供される２成分系金属酸化膜と；
前記下部電極及び前記ドーピングラインの間に介在して前記ドーピングラインとともにダイオードを構成し、前記ドーピングラインと反対の導電型（ｏｐｐｏｓｉｔｅ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ）を有し、前記ドーピングライン上の各交差点に配置されるドーピング膜パターンと；
前記２成分系金属酸化膜と前記基板との間の空間に提供され、前記ドーピング膜パターンの側壁及び前記下部電極の側壁を覆う絶縁膜を含み、
前記２成分系金属酸化膜は、ＭｘＯｙの化学式で現される金属酸化物を含み、前記記号「Ｍ」は金属、「Ｏ」は酸素、「ｘ」は金属組成比、「ｙ」は酸素組成比、をそれぞれ示し、前記金属Ｍは、転移金属またはアルミニウムであることを特徴とする不揮発性記憶素子。
【請求項２】
前記の転移金属は、ニッケル、ニオビオム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、コバルト、鉄、銅、またはクロムであることを特徴とする請求項１記載の不揮発性記憶素子。
【請求項３】
前記ドーピング膜パターンは、ドーピングされたポリシリコン膜パターンまたはドーピングされた単結晶シリコン膜パターンであることを特徴とする請求項１記載の不揮発性記憶素子。
【請求項４】
前記下部電極はイリジウム膜、白金膜、ルテニウム膜、イリジウム酸化膜、ルテニウム酸化膜、タングステン膜、チタン窒化膜、またはポリシリコン膜であることを特徴とする請求項１記載の不揮発性記憶素子。
【請求項５】
基板内に複数の平行なドーピングラインを形成する段階と、
前記ドーピングラインと接して前記ドーピングラインと反対の導電型を有する複数のドーピング膜パターン、及び前記ドーピング膜パターン上に複数の下部電極を形成する段階と、
前記下部電極を有する基板上に絶縁膜を形成する段階と、
前記下部電極が、上部面が露出されるまで前記絶縁膜を平坦化し、前記平坦化された絶縁膜は前記ドーピング膜パターンの側壁及び前記下部電極の側壁を覆い、
前記下部電極の上部面及び前記平坦化された絶縁膜上に２成分系金属酸化膜を形成する段階と、
前記２成分系金属酸化膜は、ＭｘＯｙの化学式で現される金属酸化物を含み、前記記号「Ｍ」は金属、「Ｏ」は酸素、「ｘ」は金属組成比、「ｙ」は酸素組成比、をそれぞれ示し、前記金属Ｍは、転移金属またはアルミニウムであって、
前記２成分系金属酸化膜上に前記下部電極と重畳されるように前記ドーピングラインを横切る複数の平行な上部電極を形成する段階と
を含むことを特徴とする不揮発性記憶素子の製造方法。
【請求項６】
前記ドーピングラインを形成することは、
前記基板上にライン形状の開口部を有するマスクパターンを形成する段階と、
前記マスクパターンをイオン注入マスクとして用いて前記基板内に不純物イオンを注入する段階と、
を含むことを特徴とする請求項５記載の不揮発性記憶素子の製造方法。
【請求項７】
前記ドーピング膜パターン及び前記下部電極を形成することは、
前記ドーピングラインを有する基板上に前記ドーピングラインと反対の導電型を有するドーピング膜を形成する段階と、
前記ドーピング膜上に下部導電膜を形成する段階と、
前記下部導電膜及び前記ドーピング膜を順にパターニングする段階と、
を含むことを特徴とする請求項５記載の不揮発性記憶素子の製造方法。
【請求項８】
前記ドーピングラインはＮ型の不純物イオンを含み、前記ドーピング膜はＰ型の不純物イオンを含むことを特徴とする請求項７記載の不揮発性記憶素子の製造方法。
【請求項９】
前記ドーピング膜は、ドーピングされたポリシリコン膜またはドーピングされた単結晶シリコン膜で形成することを特徴とする請求項７記載の不揮発性記憶素子の製造方法。
【請求項１０】
前記の転移金属は、ニッケル、ニオビオム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、コバルト、鉄、銅、またはクロムであることを特徴とする請求項５記載の不揮発性記憶素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月29日(2008.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信ネットワークを介して他の通信端末装置との間で、通話音声データと該通話音声データ以外の付加データとを送受信可能な通信端末装置であって、
前記付加データを入力する入力部と、
前記他の通信端末装置との間で、
前記通話音声データの送受による通話要求を送信する際に、
前記通信端末装置の識別データと、前記入力部で入力された付加メッセージと、を送信するとともに、
前記通話音声データの送受による通話要求の際に、前記他の通信端末装置より送信された当該他の通信端末装置の識別データと、当該識別データ送信の際に送信された付加メッセージと、を受信する通信処理部と
を備えた通信端末装置。
【請求項２】
さらに、
前記通話音声データの送受による通話要求の際に、前記他の通信端末装置より送信された当該他の通信端末装置の識別データと、当該識別データ送信の際に送信された付加メッセージと、を表示する表示部を備えた請求項１に記載の通信端末装置。
【請求項３】
前記通話音声データの送受による通話要求の際に、
直ちに通話を開始する通話開始モードと、現在は通話ができない旨を通知する通話拒否モードと、のいずれかを選択できる選択手段を有している請求項１または２に記載の通信端末装置。
【請求項４】
さらに、
複数通りの通話拒否メッセージを記憶する記憶部と、
前記通話拒否モードが選択されている場合に、複数の前記通話拒否メッセージの中から選択したいずれかの通話拒否メッセージを、前記他の通信端末装置に返信する通話拒否メッセージ送信手段と
を有している請求項３に記載の通信端末装置。
【請求項５】
複数の前記通話拒否メッセージの文字列に可変部分として特殊記号を付加して前記記憶部に記憶されており、
該特殊記号部分に対して具体的な入力を行うことで、前記通話拒否メッセージの文字列を編集可能とする請求項４に記載の通信端末装置。
【請求項６】
前記表示部に、前記通信処理部により受信した前記通話拒否メッセージを表示させるメッセージ処理部を有する請求項４又は５に記載の通信端末装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月29日(2008.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
統制局と、前記統制局と無線回線又は有線回線を介して接続される親局と、前記親局と無線回線又は有線回線を介して接続される端末局とを含み、前記端末局の受令状況を前記統制局で監視する通信システムの一斉指令受令確認方法において、
前記統制局が前記親局を経由して前記端末局へ一斉指令及び受令確認要求信号を送信した後、前記端末局から前記親局を介して統制局へ送信される受令応答信号を前記統制局と前記親局で監視するようにしたことを特徴とする一斉指令受令確認方法。
【請求項２】
請求項１記載の一斉指令受令確認方法において、
前記端末局が送信する前記受令応答信号を前記親局で受信し、
前記受信した受令応答信号で受令確認した前記端末局から待受状態にさせるようにしたことを特徴とする一斉指令受令確認方法。
【請求項３】
統制局と、前記統制局と無線回線又は有線回線を介して接続される親局と、前記親局と無線回線又は有線回線を介して接続される端末局とを含む通信システムの統制局において、
前記統制局は、前記親局を経由して前記端末局へ一斉指令及び受令確認要求信号を送信する送信手段と、
前記端末局から前記親局を介して前記統制局へ送信される受令応答信号を監視するようにした監視手段と、を有することを特徴とする前記通信システムの統制局。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月15日(2008.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】実装検査システムおよび実装検査方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板を撮像する撮像手段と、前記撮像手段によって得られた撮像画像を処理して前記基板上に実装された部品の実装状態を検査する部品検査手段と、前記撮像画像を処理して前記基板上に印刷もしくは塗布されたはんだを検査するはんだ検査手段とを備える実装検査装置と、
チップ部品を実装する第１実装機と、
パッケージ部品を実装する第２実装機と、から構成され、
前記第１実装機と前記第２実装機との間に前記実装検査装置が配置されることを特徴とする、実装検査システム。
【請求項２】  前記はんだ検査手段は、前記第２実装機が前記パッケージ部品を実装する前記基板上の領域において異物の有無を検査する手段であることを特徴とする請求項１に記載の実装検査システム。
【請求項３】  基板上の第１実装領域にチップ部品を実装する第１実装工程と、前記第１実装工程後に前記基板を検査する検査工程と、前記検査工程後に前記基板上の第２実装領域にパッケージ部品を実装する第２実装工程とを有し、
前記検査工程は、前記第１実装領域では部品の実装状態を検査し、前記第２実装領域でははんだを検査する工程であることを特徴とする、実装検査方法。
【請求項４】  前記検査工程は、前記第１実装領域では部品の実装状態を検査し、前記第２実装領域では異物の有無を検出する工程であることを特徴とする、請求項３に記載の実装検査方法。
【請求項５】  前記異物が、前記第１実装工程で実装されるチップ部品であることを特徴とする、請求項４に記載の実装検査方法。
【請求項６】  基板にチップ部品を実装する第１実装工程と、前記実装後の基板にパッケージ部品を実装する第２実装工程との間に配備される実装検査装置で実行される検査方法であって、
前記第１実装工程を経た基板を撮像し得られた画像に基づいて、前記第２実装工程での実装位置に対応する領域に前記第１実装工程で実装される部品が含まれていないかどうかを検査することを特徴とする実装検査方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の検査機では、パッケージ部品実装後は、パッケージ部品の下（パッケージ部品と基板との間）を検査できないという課題がある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記課題を解決するために、本発明の実装検査システムは、基板を撮像する撮像手段と、撮像手段によって得られた撮像画像を処理して基板上に実装された部品の実装状態を検査する部品検査手段と、撮像画像を処理して基板上に印刷もしくは塗布されたはんだを検査するはんだ検査手段とを備える実装検査装置と、チップ部品を実装する第１実装機と、パッケージ部品を実装する第２実装機と、から構成され、第１実装機と第２実装機との間に実装検査装置が配置されることを特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明の実装検査方法は、基板上の第１実装領域にチップ部品を実装する第１実装工程と、第１実装工程後に基板を検査する検査工程と、検査工程後に基板上の第２実装領域にパッケージ部品を実装する第２実装工程とを有し、検査工程は、第１実装領域では部品の実装状態を検査し、第２実装領域でははんだを検査する工程であることを特徴とするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
以上のように、本発明によれば、パッケージ部品実装後においても、パッケージ部品の下（パッケージ部品と基板との間）を検査することが可能となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
したがって本発明の構成によれば、1台の検査装置で、高い装着精度が要求される小型部品の実装状態の検査と、印刷状態の不良による接合不良が部品実装後は確認ができないチップサイズパッケージ（CSP）などの印刷状態を同時に検査でき、もっとも効果的にプリント基板の品質不良の原因を検出することが可能である。さらにデータ構造を共通化してシーケンシャルに検査データを解読しながら、部品とはんだの検査を対象に応じて自動切換えで検査を行うことで、一度の動作で検査が可能で、部品の検査とはんだの検査を二回にわけて行う必要がなく、検査にかかる時間が短縮できる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月21日(2008.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】圧電振動素子とその製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  主面の一部の板厚を薄くした薄板部と、前記一部を除く板厚の厚い枠部とからなる圧電体片と、前記薄板部の両側の主面に配する電極を有する圧電振動素子の製造方法において、複数の圧電体片を形成するウエハーの各圧電体片を構成する一方の主面に一部の保護膜取り除き部を除いて、エッチング加工に耐久性のある保護膜を形成する保護膜形成工程と、少なくとも前記保護膜取り除き部の板厚を薄くエッチング加工して薄板部を形成するウエットエッチング工程と、前記ウエットエッチング工程後のウエハーの複数の圧電体片の間に設けられた切断線をダイシングソーとワイヤソーのうちのいずれか一方を利用して切断加工して分離し前記水晶片の輪郭を形成する切断加工工程とからなることを特徴とする圧電振動素子の製造方法。
【請求項２】  前記保護膜形成工程は、前記切断加工工程にて切断する切断線の付近にも保護膜を形成しない保護膜取り除き部を形成し、前記ウエットエッチング工程は、前記切断線の付近もエッチング加工して、前記圧電体片の少なくとも一方の主面の縁端に面取り部を形成することを特徴とする請求項１に記載の圧電振動素子の製造方法。
【請求項３】  前記面取り部は、前記保護膜形成工程にて、保護膜のパターンにより面取り幅と面取り深さのうちの少なくともいずれか一方を調整して形成することを特徴とする請求項２に記載の圧電振動素子の製造方法。
【請求項４】  前記ウエットエッチング工程でエッチング加工した前記薄板部の板厚をさらに薄く板厚調整するドライエッチング工程を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか1項に記載の圧電振動素子の製造方法。
【請求項５】  前記ドライエッチング工程での前記薄板部におけるエッチング深さは、１０μｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載の圧電振動素子の製造方法。
【請求項６】  前記保護膜形成工程は、少なくとも一方の主面の全面に保護膜を形成し、フォトリソ技術を利用して前記保護膜取り除き部の保護膜を取り除くことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか1項に記載の圧電振動素子の製造方法。
【請求項７】  主面の一部の板厚を薄くした薄板部と、前記一部を除く板厚の厚い枠部とからなる圧電体片と、前記薄板部の両側の主面に配する電極を有する圧電振動素子において、前記圧電体片は少なくとも一方の主面の縁端を面取りした面取り部を有することを特徴とする圧電振動素子。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
主面の一部の板厚を薄くした薄板部と、前記一部を除く板厚の厚い枠部とからなる圧電体片と、前記薄板部の両側の主面に配する電極を有する圧電振動素子の製造方法において、複数の圧電体片を形成するウエハーの各圧電体片を構成する一方の主面に一部の保護膜取り除き部を除いて、エッチング加工に耐久性のある保護膜を形成する保護膜形成工程と、少なくとも前記保護膜取り除き部の板厚を薄くエッチング加工して薄板部を形成するウエットエッチング工程と、前記ウエットエッチング工程後のウエハーの複数の圧電体片の間に設けられた切断線をダイシングソーとワイヤソーのうちのいずれか一方を利用して切断加工して分離し前記水晶片の輪郭を形成する切断加工工程とからなることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月9日(2008.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  増幅回路において、
第一電流源と、第二電流源と、ゲートを前記増幅回路の非反転入力端子に接続され、ソースを前記第一電流源に接続される第一の第一導電型ＭＯＳトランジスタと、ゲートを前記増幅回路の反転入力端子に接続され、ソースを前記第二電流源に接続される第二の第一導電型ＭＯＳトランジスタと、前記第一の第一導電型ＭＯＳトランジスタのソースと前記第二の第一導電型ＭＯＳトランジスタのソースとの間に設けられる第一抵抗と、前記第一の第一導電型ＭＯＳトランジスタのドレインに設けられ、ダイオード接続する第一の第二導電型ＭＯＳトランジスタと、前記第二の第一導電型ＭＯＳトランジスタのドレインに設けられ、ダイオード接続する第二の第二導電型ＭＯＳトランジスタと、を有し、差動出力する第一内部増幅回路と、
前記第一内部増幅回路から差動入力され、第二内部増幅回路にプッシュプル出力するＣＭＯＳプッシュプル回路と、
第一入力端子を基準電圧回路の出力端子に接続され、第二入力端子を前記ＣＭＯＳプッシュプル回路の出力端子に接続され、出力端子を前記増幅回路の出力端子に接続される前記第二内部増幅回路と、
前記第二内部増幅回路の第二入力端子と出力端子との間に設けられる第二抵抗と、
を備えることを特徴とする増幅回路。
【請求項２】  増幅回路において、
第一電流源と、第二電流源と、ゲートを前記増幅回路の非反転入力端子に接続され、ソースを前記第一電流源に接続される第一の第一導電型ＭＯＳトランジスタと、ゲートを前記増幅回路の反転入力端子に接続され、ソースを前記第二電流源に接続される第二の第一導電型ＭＯＳトランジスタと、前記第一の第一導電型ＭＯＳトランジスタのソースと前記第二の第一導電型ＭＯＳトランジスタのソースとの間に設けられる第一抵抗と、前記第一の第一導電型ＭＯＳトランジスタのドレインに設けられ、ダイオード接続する第一の第二導電型ＭＯＳトランジスタと、前記第二の第一導電型ＭＯＳトランジスタのドレインに設けられ、ダイオード接続する第二の第二導電型ＭＯＳトランジスタと、を有し、差動出力する第一内部増幅回路と、
前記第一内部増幅回路から差動入力され、第二内部増幅回路にプッシュプル出力するＣＭＯＳプッシュプル回路と、
前記ＣＭＯＳプッシュプル回路の出力端子と接地端子との間に設けられる容量と、
を備えることを特徴とする増幅回路。
【請求項３】  入力端子を前記増幅回路の非反転入力端子に接続され、出力端子を前記第一の第一導電型ＭＯＳトランジスタのゲートに接続される第一ソースフォロア回路と、
入力端子を前記増幅回路の反転入力端子に接続され、出力端子を前記第二の第一導電型ＭＯＳトランジスタのゲートに接続される第二ソースフォロア回路と、
をさらに備えることを特徴とする請求項１及び２記載の増幅回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明では、上記課題を解決するため、増幅回路において、第一電流源と、第二電流源と、ゲートを前記増幅回路の非反転入力端子に接続され、ソースを前記第一電流源に接続される第一の第一導電型ＭＯＳトランジスタと、ゲートを前記増幅回路の反転入力端子に接続され、ソースを前記第二電流源に接続される第二の第一導電型ＭＯＳトランジスタと、前記第一の第一導電型ＭＯＳトランジスタのソースと前記第二の第一導電型ＭＯＳトランジスタのソースとの間に設けられる第一抵抗と、前記第一の第一導電型ＭＯＳトランジスタのドレインに設けられ、ダイオード接続する第一の第二導電型ＭＯＳトランジスタと、前記第二の第一導電型ＭＯＳトランジスタのドレインに設けられ、ダイオード接続する第二の第二導電型ＭＯＳトランジスタと、を有し、差動出力する第一内部増幅回路と、前記第一内部増幅回路から差動入力され、第二内部増幅回路にプッシュプル出力するＣＭＯＳプッシュプル回路と、第一入力端子を基準電圧回路の出力端子に接続され、第二入力端子を前記ＣＭＯＳプッシュプル回路の出力端子に接続され、出力端子を前記増幅回路の出力端子に接続される前記第二内部増幅回路と、前記第二内部増幅回路の第二入力端子と出力端子との間に設けられる第二抵抗と、を備えることを特徴とする増幅回路を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明では、上記課題を解決するため、増幅回路において、第一電流源と、第二電流源と、ゲートを前記増幅回路の非反転入力端子に接続され、ソースを前記第一電流源に接続される第一の第一導電型ＭＯＳトランジスタと、ゲートを前記増幅回路の反転入力端子に接続され、ソースを前記第二電流源に接続される第二の第一導電型ＭＯＳトランジスタと、前記第一の第一導電型ＭＯＳトランジスタのソースと前記第二の第一導電型ＭＯＳトランジスタのソースとの間に設けられる第一抵抗と、前記第一の第一導電型ＭＯＳトランジスタのドレインに設けられ、ダイオード接続する第一の第二導電型ＭＯＳトランジスタと、前記第二の第一導電型ＭＯＳトランジスタのドレインに設けられ、ダイオード接続する第二の第二導電型ＭＯＳトランジスタと、を有し、差動出力する第一内部増幅回路と、前記第一内部増幅回路から差動入力され、第二内部増幅回路にプッシュプル出力するＣＭＯＳプッシュプル回路と、前記ＣＭＯＳプッシュプル回路の出力端子と接地端子との間に設けられる容量と、を備えることを特徴とする増幅回路を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月26日(2008.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】符号化方法及び装置、復号方法及び装置、並びに記録媒体
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  所定の情報値を符号化する符号化方法において、
上記情報値間の差分値を求める差分値算出工程と、
本来差分値が取りうる値の範囲より変換後の差分値の取りうる値の範囲が小さくなるように上記差分値を変換する変換工程と、
上記変換後の差分値を符号化する符号化工程と
を有する符号化方法。
【請求項２】  上記情報値の取りうる値の範囲の大きさがＮのとき、上記変換工程における変換後の差分値の取りうる範囲の大きさをＮとする請求項１記載の符号化方法。
【請求項３】  上記変換工程において、差がＮである２つの差分値を同一の値に変換する請求項２記載の符号化方法。
【請求項４】  上記変換工程において、上記差分値が、大きさがＮであるような所定の範囲内にある場合には、上記差分値そのものを変換後の差分値とし、上記差分値が上記所定の範囲内にない場合には、上記差分値に対してＮを加算又は減算した値を上記変換後の差分値をする請求項２記載の符号化方法。
【請求項５】  上記変換後の差分値を上記差分値算出工程の入力として、上記差分値算出工程及び上記変換工程の処理をさらに行う請求項１記載の符号化方法。
【請求項６】  上記変換後の差分値を上記差分値算出工程の入力として、上記差分値算出工程及び上記変換工程の処理を複数回行う請求項１記載の符号化方法。
【請求項７】  上記情報値の取りうる値の範囲の大きさＮが２のｎ乗である場合、
上記変換工程では、上記差分値算出工程の出力の下位ｎビットのみを取り出すように変換され、
上記符号化工程では、ｎビットに変換された上記差分値が符号化される
請求項１記載の符号化方法。
【請求項８】  上記符号化工程では、可変長の符号列に符号化される請求項１記載の符号化方法。
【請求項９】  上記情報値は、正規化係数情報、量子化精度情報、ゲイン制御情報、スペクトル係数情報及び音響時系列信号の少なくとも１つを含む請求項１記載の符号化方法。
【請求項１０】  所定の情報値を符号化する符号化装置において、
上記情報値間の差分値を求める差分値算出手段と、
本来差分値が取りうる値の範囲より変換後の差分値の取りうる値の範囲が小さくなるように上記差分値を変換する変換手段と、
上記変換後の差分値を符号化する符号化手段と
を備える符号化装置。
【請求項１１】  所定の情報値の差分値を求め、差分値が本来取りうる値の範囲より変換後の差分値の取りうる値の範囲が小さくなるように上記差分値を変換し、変換後の差分値を符号化する符号化方法によって符号化された上記変換後の差分値を入力し、上記情報値を復号する復号方法であって、
上記変換後の差分値を復号する差分値復号工程と、
上記差分値復号工程にて復号された上記変換後の差分値を用いて本来の情報値を求める情報値復元工程と
を有する復号方法。
【請求項１２】  上記差分値復号工程で復号された差分値の本来取りうる値の範囲の大きさをＮとするとき、上記情報値復元工程で復元される情報値の取りうる範囲の大きさがＮである請求項１１記載の復号方法。
【請求項１３】  上記差分値復号工程で復号された１つの差分値に対して、上記情報値復元工程において、その差がＮであるような２つの情報値の何れかを情報値として復元する請求項１２記載の復号方法。
【請求項１４】  上記情報値復元工程において、上記情報値が、大きさがＮであるような所定の範囲内にある場合には、上記情報値そのものを復元後の差分値とし、上記情報値が、上記所定の範囲にない場合には、上記情報値に対してＮを加算又は減算した値を上記復元後の情報値とする請求項１１記載の復号方法。
【請求項１５】  上記情報値復元工程で復元された値を上記差分値復号工程に再度入力して、上記差分値復号工程及び上記情報値復元工程の処理をさらに行う請求項１１記載の復号方法。
【請求項１６】  上記情報値復元工程で復元された値を上記差分値復号工程に再度入力して、上記差分値復号工程及び上記情報値復元工程の処理を複数回行う請求項１１記載の復号方法。
【請求項１７】  上記情報値の取りうる値の範囲の大きさＮが２のｎ乗である場合、上記差分値がｎビットとなるように変換して符号化された差分値が入力され、
上記差分値復号工程では、上記ｎビットの差分値が復号され、
上記情報値復元工程では、復号後の上記差分値を用いて計算された情報値の下位ｎビットのみを取り出すことにより、本来の情報値が求められる
請求項１１記載の復号方法。
【請求項１８】  上記情報値は、正規化係数情報、量子化精度情報、ゲイン制御情報、スペクトル係数情報及び音響時系列信号の少なくとも１つを含む請求項１１記載の復号方法。
【請求項１９】  所定の情報値の差分値を求め、差分値が本来取りうる値の範囲より変換後の差分値の取りうる値の範囲が小さくなるように上記差分値を変換し、変換後の差分値を符号化する符号化方法によって符号化された上記変換後の差分値を入力し、上記情報値を復号する復号装置であって、
上記変換後の差分値を復号する差分値復号手段と、
上記差分値復号手段によって復号された上記変換後の差分値を用いて本来の情報値を求める情報値復元手段と
を備える復号装置。
【請求項２０】  所定の情報値間の差分値を求める差分値算出工程と、本来差分値が取りうる値の範囲より変換後の差分値の取りうる値の範囲が小さくなるように上記差分値を変換する変換工程と、上記変換後の差分値を符号化する符号化工程とを有する符号化方法によって符号化された上記変換後の差分値が記録された記録媒体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、符号化方法及び装置、復号方法及び装置、並びに記録媒体に関し、特に、音響信号や音声信号等のディジタルデータを高能率符号化して、伝送又は記録媒体に記録し、復号側においてこれを受信又は再生して復号する際に用いて好適な符号化方法及び装置、復号方法及び装置、並びに記録媒体に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
本発明は，このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、符号帳のサイズを大きくすることなく、効率のよい符号化を可能とする符号化方法及び装置、復号方法及び装置、並びに記録媒体を提供することを目的とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月12日(2008.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  任意の資料情報に基づいて情報処理をする一以上の情報処理装置と、
少なくとも、前記情報処理装置の資料情報を参照して情報処理する一以上の情報提供管理手段と、
前記情報提供管理手段と前記情報処理装置とを接続する通信手段とを備え、
前記情報処理装置では、
前記資料情報を記録するための情報共有領域が設定され、
前記情報提供管理手段では、
前記情報共有領域に記録された資料情報が前記通信手段を経由して参照処理され、表示情報を含む電子情報内容が提供されるネットワーク情報処理システム。
【請求項２】  前記情報処理装置では、
特定の前記情報提供管理装置へ情報読出し可能指示が通知され、
前記情報提供管理装置では前記情報読出し可能指示に基づいて前記情報共有領域の資料情報を複写処理する請求項１に記載のネットワーク情報処理システム。
【請求項３】  前記情報提供管理手段は、
前記情報処理装置から提供される資料情報に基づいて映像を表示する表示装置と、
前記情報処理装置からの入力操作指示に基づいて前記表示装置を含む電子情報処理を支援する情報処理支援装置とを備える請求項１に記載のネットワーク情報処理システム。
【請求項４】  前記情報提供管理手段に対して資料複写可能通知を送信するとき、前記情報処理装置では併せて、
前記情報共有領域に係る共有フォルダ名を通知する請求項１に記載のネットワーク情報処理システム。
【請求項５】  前記共有フォルダ名は、
所望の情報処理を開催する毎に発生される請求項４に記載のネットワーク情報処理システム。
【請求項６】  前記情報共有領域へのアクセス権は前記資料情報の読出し専用であって特定の情報処理装置に与えられる請求項１に記載のネットワーク情報処理システム。
【請求項７】  前記アクセス権が与えられた特定の情報処理装置を前記情報提供管理手段に登録する請求項６に記載のネットワーク情報処理システム。
【請求項８】  前記情報共有領域の設定時に、
前記特定の情報処理装置を設定する請求項７に記載のネットワーク情報処理システム。
【請求項９】  任意の資料情報に基づいて情報処理をする一以上の情報処理装置と、前記情報処理装置の資料情報を参照して情報処理する一以上の情報提供管理手段とを通信手段によって接続し、
前記通信手段によって前記情報提供管理手段に接続された情報処理装置には、
前記資料情報を記録するための情報共有領域を設定し、
前記情報提供管理手段では、
前記情報共有領域に記録された資料情報を前記通信手段を経由して参照処理し表示情報を含む電子情報内容を提供するようにした情報処理方法。
【請求項１０】  当該情報処理装置から特定の前記情報提供管理装置へ情報複写可能指示を通知し、
前記情報提供管理装置では前記情報複写可能指示に基づいて前記情報共有領域の資料情報を複写処理する請求項９に記載の情報処理方法。
【請求項１１】  前記情報提供管理手段には、
前記情報処理装置から提供される資料情報に基づいて映像を表示する表示装置と、
前記情報処理装置からの入力操作指示に基づいて前記表示装置を含む電子情報処理を支援する情報処理支援装置とを使用する請求項９に記載の情報処理方法。
【請求項１２】  前記情報提供管理手段に対して資料複写可能通知を送信するとき、前記情報処理装置では併せて、
前記情報共有領域に係る共有フォルダ名を通知する請求項9に記載の情報処理方法。
【請求項１３】    所望の情報処理を開催する毎に前記共有フォルダ名を生成する請求項１２に記載の情報処理方法。
【請求項１４】  前記情報共有領域へのアクセス権は前記資料情報の読出し専用であって特定の情報処理装置に与えられる請求項９に記載の情報処理方法。
【請求項１５】  前記アクセス権が与えられた特定の情報処理装置を前記情報提供管理手段に登録することを特徴とする請求項１４に記載の情報処理方法。
【請求項１６】  前記情報共有領域の設定時に、
前記特定の情報処理装置を設定する請求項１５に記載の情報処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来例に係る電子会議形式によれば、以下のような問題がある。
ｉ．資料発表者が情報処理装置からプロジェクタへプレゼンテーション用の資料情報を転送してから、プロジェクタ側でその資料情報を起動（ファイルオープン）している。このため、情報処理装置からプロジェクタへ転送するファイルのサイズが大きくなるにつれて、ファイル転送に時間がかかり、強いてはプレゼンテーション用の資料映像の表示までに長く時間がかかってしまう。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
ii．また、ネットワーク構成用の電子機器を使用して電子会議システム等を構築し、当該システムでファイルを共有化しようとした場合に、一般的な情報処理装置では、ネットワークコンピュータやファイルマネージャ、ネット・ビューコマンドなどで共有フォルダを一覧することができてしまう。従って、電子会議の資料を容易に覗き見されてしまうおそれがある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
iii．更に、部外者に臨時にプレゼンテーション資料の閲覧を許可したい場合がある。この場合に、そのためだけに新規にユーザを登録して、そのユーザへのアクセス権を追加するという方法が考えられる。この方法は管理が複雑になるばかりか効率的ではない。因みにプレゼンテーション用の資料情報を暗号化する方法が考えられる。この方法は暗号／復号の処理の他、鍵情報の管理が新たに必要になる。更なるファイルの共有化の妨げとなる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上述した課題は、任意の資料情報に基づいて情報処理をする一以上の情報処理装置と、少なくとも、情報処理装置の資料情報を参照して情報処理する一以上の情報提供管理手段と、この情報提供管理手段と情報処理装置とを接続する通信手段とを備え、情報処理装置では資料情報を記録するための情報共有領域が設定され、情報提供管理手段では情報共有領域に記録された資料情報が通信手段を経由して参照処理され、表示情報を含む電子情報内容が提供されるネットワーク情報処理システムによって解決される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明に係る情報処理方法は任意の資料情報に基づいて情報処理をする一以上の情報処理装置と、情報処理装置の資料情報を参照して情報処理する一以上の情報提供管理手段とを通信手段によって接続し、この通信手段によって情報提供管理手段に接続された情報処理装置には、資料情報を記録するための情報共有領域を設定し、情報提供管理手段では情報共有領域に記録された資料情報を通信手段を経由して参照処理し表示情報を含む電子情報内容を提供するようにしたものである。