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【手続補正書】
【提出日】平成20年8月25日(2008.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光を屈折させる第１レンズと、
前記第1レンズに重ねられ、入射光を屈折させる第２レンズと、
開口部により入射光の入射範囲を制限し、前記第１レンズと前記第２レンズの間で挟まれることにより固定された遮光シートと、
前記遮光シートにより制限されるとともに前記第１レンズと前記第２レンズにより屈折された入射光が入射するセンサと、を備えた光学機器であって、
前記遮光シートは、プラスチックとカーボンブラックからなり、前記開口部近傍の内周部における厚さが外周部の厚さよりも薄く、前記外周部の厚みが２００μｍ以下であることを特徴とする光学機器。
【請求項２】
入射光を屈折させる第１レンズと、
前記第１レンズに重ねられ、入射光を屈折させる第２レンズと、
開口部により入射光の入射範囲を制限し、前記第１レンズと前記第２レンズの間で挟まれることにより固定された遮光シートと、
前記遮光シートにより制限されるとともに前記第１レンズと前記第２レンズにより屈折された入射光が入射するセンサと、を備えた光学機器であって、
前記遮光シートは、プラスチックとカーボンブラックからなり、前記外周部の厚みが50μｍ以上200μｍ以下で、前記開口部近傍の内周部における厚さが外周部の厚さよりも薄く、かつ前記開口部の内周部の厚さが当該外周部の厚さの７０％以下であることを特徴とする光学機器。
【請求項３】
前記開口部の内周部は加圧により薄肉化されたことを特徴とする請求項１又は２記載の光学機器。
【請求項４】
カメラに用いられることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の光学機器。
【請求項５】
請求項１又は２に記載の光学機器において、Ｔ／Ｄ<０．５であることを特徴とする、光学機器。
Ｔ：遮光シートの開口の（内）径
Ｄ：第１レンズと第２レンズの中心部のレンズ面間隔
【請求項６】
第１レンズと、
前記第１レンズに重ねられた第２レンズと、
２００μｍ以下の厚みを有し、前記第１レンズと前記第２レンズの間で挟まれることにより固定された遮光シートからなる光学機器において、
前記遮光シートは、プラスチックとカーボンブラックからなり、
入射光の入射範囲を制限する開口部と、
外側領域にある厚肉部と、
内側領域にあり、前記開口を定義し、その厚さが厚肉部より薄い薄肉部と、を有する、光学機器。
【請求項７】
前記遮光シートは、前記厚肉部の厚みが５０μｍ以上２００μｍ以下で、前記開口部の薄肉部の厚さが前記厚肉部の厚さの７０％以下であることを特徴とする請求項６に記載の光学機器。
【請求項８】
請求項７に記載の光学機器において、Ｔ／Ｄ<０．５であることを特徴とする光学機器。
Ｔ：遮光シートの開口の（内）径
Ｄ：第１レンズと第２レンズの中心部のレンズ面間隔
【請求項９】
前記開口部の薄肉部は加圧により薄肉化されたことを特徴とする請求項６に記載の光学機器。
【請求項１０】
開口部により通過光の範囲を制限する遮光シートの製造方法であって、
プラスチックとカーボンブラックからなり、５０μｍ以上の厚さを有し、前記開口部が設けられた遮光シートを製造し、
前記遮光シートの開口部近傍の内周部を加圧することにより当該開口部内周部の厚さが
加圧加工前の厚さの７０％以下になるまで薄肉化して所定幅を有する薄肉領域を形成する遮光シートの製造方法。
【請求項１１】
開口部により通過光の範囲を制限する遮光シートの製造方法であって、
プラスチックとカーボンブラックからなり、遮光性を有するシート状部材を製造するステップと、
前記シート状部材において前記開口部が形成される領域の近傍を加圧し所定幅を有する薄肉領域を形成するステップと、
開口部近傍が薄肉化された後に、前記開口部及び外周を切り取るステップとを備えた遮光シートの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月30日(2008.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子の上部と下部とのそれぞれに導電性磁性層からなる上部シールド層と下部シールド層と、該磁気抵抗効果素子の両側壁面に直に接するサイドシールド層とを有し、該磁気抵抗効果素子を垂直方向に通過してセンス電流が流れる磁気抵抗効果ヘッドにおいて、
該サイドシールド層の材料が、Ｍｎ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｎｉ−Ｚｎ及びＣｕ−Ｚｎ−Ｍｇのうちの少なくとも一つを含むフェライトからなる高絶縁性磁性材料である
ことを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項２】
該磁気抵抗効果素子が、多層に積層された非磁性導電層からなる中間層を有し、該中間層が二つの磁性材料層に挟持されており、該磁性材料層の一方が反磁性材料層であるスピンバルブ型ＣＰＰ−ＧＭＲ素子である
ことを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項３】
該磁気抵抗効果素子が、多層に積層された非磁性絶縁層からなるトンネル接合層を有し、該トンネル接合層が二つの磁性材料層に挟持されており、該磁性材料層の一方が反磁性材料層であるスピンバルブ型ＴＭＲ素子である
ことを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項４】
請求項１記載の磁気抵抗効果ヘッドを読み取り用ヘッドとして搭載した
ことを特徴とする磁気記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項１において、磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子の上部と下部とのそれぞれに導電性磁性層からなる上部シールド層と下部シールド層と、該磁気抵抗効果素子の両側壁面に直に接するサイドシールド層とを有し、該磁気抵抗効果素子の膜面を垂直方向に通過してセンス電流が流れる磁気抵抗効果ヘッドにおいて、該サイドシールド層の材料が、Ｍｎ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｎｉ−Ｚｎ及びＣｕ−Ｚｎ−Ｍｇのうちの少なくとも一つを含むフェライトからなる高絶縁性磁性材料であるように構成された磁気抵抗効果ヘッドによって解決される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
なお、請求項１において、該高絶縁性磁性材料が、Ｍｎ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｎｉ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｚｎ−Ｍｇの少なくとも一つを含むフェライト材料であるように構成する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
さらに、請求項４において、本発明の磁気抵抗効果ヘッドを搭載した磁気記録装置によって解決される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
（付記１）  磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子の上部と下部とのそれぞれに導電性磁性層からなる上部シールド層と下部シールド層と、該磁気抵抗効果素子の両側壁面に直に接するサイドシールド層とを有し、該磁気抵抗効果素子を垂直方向に通過してセンス電流が流れる磁気抵抗効果ヘッドにおいて、
該サイドシールド層の材料が、Ｍｎ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ｎｉ−Ｚｎ及びＣｕ−Ｚｎ−Ｍｇのうちの少なくとも一つを含むフェライトからなる高絶縁性磁性材料である
ことを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
（付記２）  該サイドシールド層が、該磁気抵抗効果素子の両側壁面に絶縁層を介して接している
ことを特徴とする付記１記載の磁気抵抗効果ヘッド。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
（付記３）  該磁気抵抗効果素子が、多層に積層された非磁性導電層からなる中間層を有し、該中間層が二つの磁性材料層に挟持されており、該磁性材料層の一方が反磁性材料層であるスピンバルブ型ＣＰＰ−ＧＭＲ素子である
ことを特徴とする付記１記載の磁気抵抗効果ヘッド。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
（付記４）  該磁気抵抗効果素子が、多層に積層された非磁性絶縁層からなるトンネル接合層を有し、該トンネル接合層が二つの磁性材料層に挟持されており、該磁性材料層の一方が反磁性材料層であるスピンバルブ型ＴＭＲ素子である
ことを特徴とする付記１記載の磁気抵抗効果ヘッド。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
（付記５）  付記１記載の磁気抵抗効果ヘッドを読み取り用ヘッドとして搭載した
ことを特徴とする磁気記録装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月19日(2008.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報を記憶する情報記憶装置と、
情報を表示する情報表示装置と、
外部からの指示を入力する入力装置と、
情報を処理する情報処理装置と、
前記情報処理装置により再生された情報を出力する出力装置とを有し、
前記情報表示装置は、第一の領域と第二の領域とを有し、前記情報記憶装置に記憶された情報をアイコンとして表示し、
前記情報処理装置は、前記第一の領域内に含まれる前記アイコンの情報を再生し、
前記第一の領域内に含まれる前記アイコンは、１または２以上のアイコンを有する第一のアイコン群と、１または２以上のアイコンを有する第二のアイコン群とを有し、
前記第一のアイコン群は、前記入力装置により前記情報記憶装置に記憶された情報の中から選択された情報のアイコンであり、
前記第二のアイコン群は、前記第二の領域内に含まれるアイコンのうち、所定の条件により前記第一の領域に移動する情報のアイコンであり、
前記入力装置により前記第一に領域に移動する前記第二のアイコン群の量を変更できることを特徴とする情報再生装置。
【請求項２】
前記第一の領域は第一の開口部と第二の開口部を有し、
前記変更は、前記第一の開口部の大きさにより、前記第二の領域内に含まれるアイコンが前記第一の領域に移動する量を変更し、
前記第二の開口部の大きさにより、前記第一の領域内に含まれるアイコンが前記第二の領域に移動する量を変更することにより行われることを特徴とする請求項１記載の情報再生装置。
【請求項３】
前記情報表示装置は、前記第二の領域内にある前記アイコンを、前記表示装置上を移動するように表示することを特徴とする請求項１記載の情報再生装置。
【請求項４】
前記入力装置により、前記第二の領域内にある前記アイコンを前記第一の領域内に、または前記第一の領域内にある前記アイコンを前記第二の領域内に移動することができることを特徴とする請求項１記載の情報再生装置。
【請求項５】
前記所定の条件は、ランダムもしくは、前記アイコンの属性に依存、もしくは前記入力装置により指定可能であることを特徴とする請求項１記載の情報再生装置。
【請求項６】
情報を記憶する情報記憶装置と、情報を表示する情報表示装置と、外部からの指示を入力する入力装置と、情報を処理する情報処理装置と、前記情報処理装置により再生された情報を出力する出力装置とを有する情報再生装置を、
前記情報表示装置は、第一の領域と第二の領域とを有し、前記情報記憶装置に記憶された情報をアイコンとして表示し、
前記情報処理装置は、前記第一の領域内に含まれる前記アイコンの情報を再生し、
前記第一の領域内に含まれる前記アイコンは、１または２以上のアイコンを有する第一のアイコン群と、１または２以上のアイコンを有する第二のアイコン群とを有し、
前記第一のアイコン群は、前記入力装置により前記情報記憶装置に記憶された情報の中から選択された情報のアイコンであり、
前記第二のアイコン群は、前記第二の領域内に含まれるアイコンのうち、所定の条件により前記第一の領域に移動する情報のアイコンであり、
前記入力装置により前記第一に領域に移動する前記第二のアイコン群の量を変更できるように機能させるための情報再生プログラム。
【請求項７】
前記第一の領域は第一の開口部と第二の開口部を有し、
前記変更は、前記第一の開口部の大きさにより、前記第二の領域内に含まれるアイコンが前記第一の領域に移動する量を変更し、
前記第二の開口部の大きさにより、前記第一の領域内に含まれるアイコンが前記第二の領域に移動する量を変更することにより行われることを特徴とする請求項６の記載情報再生プログラム。
【請求項８】
前記情報表示装置は、前記第二の領域内にある前記アイコンを、前記表示装置上を移動するように表示することを特徴とする請求項６の記載情報再生プログラム。
【請求項９】
前記入力装置により、前記第二の領域内にある前記アイコンを前記第一の領域内に、または前記第一の領域内にある前記アイコンを前記第二の領域内に移動することができることを特徴とする請求項６の記載情報再生プログラム。
【請求項１０】
前記所定の条件は、ランダムもしくは、前記アイコンの属性に依存、もしくは前記入力装置により指定可能であることを特徴とする請求項６の記載情報再生プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月7日(2008.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
書換型の光ディスクを所定の速度で回転駆動するスピンドルモータと、前記スピンドルモータにより回転駆動される前記書換型光ディスクの情報記録面にレーザ光を照射して情報を記録する情報記録部と、前記書換型光ディスクの情報記録面からのレーザ反射光により前記書換型光ディスクの情報記録面の情報を再生する情報再生部と、前記各部の動作を制御するための制御部とを備え、前記書換型光ディスクに対してリードモディファイライト動作が可能な情報記録再生装置であって、
前記書換型光ディスクに対する書込みコマンドがベリファイ処理を必要としない場合には、当該書込みコマンドが前記書換型光ディスクのクラスタの単位に一致するか否かを判定し、一致しないと判定する場合には前記リードモディファイライト動作を実施すると共に、当該リードモディファイライト動作により書込んだ情報にベリファイ処理を実行することを特徴とする情報記録再生装置。
【請求項２】
前記請求項１に記載した装置において、前記ベリファイ処理を実行する情報は、当該書換型光ディスクのクラスタを単位として、前記書込みコマンドに対応するクラスタの前後のクラスタであることを特徴とする情報記録再生装置。
【請求項３】
前記請求項２に記載した装置において、前記書込みコマンドに対応するクラスタの前後のクラスタに対する前記ベリファイ処理を、当該装置のシーク動作によって実行することを特徴とする情報記録再生装置。
【請求項４】
前記請求項１に記載した装置において、前記書換型光ディスクに対する書込みコマンドがベリファイ処理を必要とせず、かつ、当該書込みコマンドが前記書換型光ディスクのクラスタの単位に一致する場合には、前記リードモディファイライト動作を実施せずに当該情報を前記書換型光ディスクの情報記録面に書込むことを特徴とする情報記録再生装置。
【請求項５】
前記請求項１に記載した装置において、前記リードモディファイライト動作を実施する際に、前記コマンドに対応するクラスタの一部の読み出しが不可能な場合には、当該クラスタに対応するユーザデータのセクタの一部に、正しい情報位置を示すための情報を挿入して前記リードモディファイライト動作を実行することを特徴とする情報記録再生装置。
【請求項６】
前記請求項１に記載した装置において、超高速記録の要求時には、前記ベリファイ処理は実行しないことを特徴とする情報記録再生装置。
【請求項７】
書換型の光ディスクの情報記録面に対して、情報を記録又は再生することによるリードモディファイライト動作により、所望の情報を記録することが可能な情報記録方法であって、
前記書換型光ディスクに対する書込みコマンドがベリファイ処理を必要としない場合には、当該書込みコマンドが前記書換型光ディスクのクラスタの単位に一致するか否かを判定し、一致しないと判定する場合には前記リードモディファイライト動作を実施すると共に、当該リードモディファイライト動作により書込んだ情報にベリファイ処理を実行することを特徴とする情報記録方法。
【請求項８】
前記請求項７に記載した方法において、前記ベリファイ処理を実行する情報は、当該書換型光ディスクのクラスタを単位として、前記書込みコマンドに対応するクラスタの前後のクラスタであることを特徴とする情報記録方法。
【請求項９】
前記請求項８に記載した方法において、前記書込みコマンドに対応するクラスタの前後のクラスタに対する前記ベリファイ処理を、シーク動作によって実行することを特徴とす
る情報記録方法。
【請求項１０】
前記請求項７に記載した方法において、前記書換型光ディスクに対する書込みコマンドがベリファイ処理を必要とせず、かつ、当該書込みコマンドが前記書換型光ディスクのクラスタの単位に一致する場合には、前記リードモディファイライト動作を実施せずに当該情報を前記書換型光ディスクの情報記録面に書込むことを特徴とする情報記録方法。
【請求項１１】
前記請求項７に記載した方法において、前記リードモディファイライト動作を実施する際に、前記コマンドに対応するクラスタの一部の読み出しが不可能な場合には、当該クラスタに対応するユーザデータのセクタの一部に、正しい情報位置を示すための情報を挿入して前記リードモディファイライト動作を実行することを特徴とする情報記録方法。
【請求項１２】
前記請求項７に記載した方法において、超高速記録の要求時には、前記ベリファイ処理は実行しないことを特徴とする情報記録方法
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月15日(2008.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の反応ガスと第２の反応ガスの電気化学反応により発電する燃料電池本体と、燃料電池本体に第１および第２の反応ガスを供給する第１ガス供給流路および第２ガス供給流路と、燃料電池本体から第１および第２の反応ガスのオフガスを排出する第１ガス排出流路および第２ガス排出流路と、を備える燃料電池システムであって、
さらに、第１ガス排出流路と第２ガス排出流路のうちの一方から分岐された分岐流路を有し、該分岐流路には、他方のガス排出流路から導かれたオフガスが流通でき、前記分岐流路は、気液分離手段で処理された水分を含むガスを排出する流路であることを特徴とする燃料電池システム。
【請求項２】
前記他方のガス排出流路のオフガスを、分岐流路に導くバイパス流路を備えることを特徴とする請求項１に記載の燃料電池システム。
【請求項３】
前記他方のガス排出流路のオフガスをバイパス流路に導入するための調整手段を有することを特徴とする請求項２に記載の燃料電池システム。
【請求項４】
前記分岐流路の、該分岐流路とバイパス流路の接続点よりも上流側には、電磁弁が配置され、前記調整手段は、前記電磁弁が閉じているときに、前記他方のガス排出流路のオフガスを前記バイパス流路に導入するように操作されることを特徴とする請求項２または３に記載の燃料電池システム。
【請求項５】
前記分岐流路は、２重管構造の配管を有し、２重管の一方には、バイパス流路からの他方の反応ガスのオフガスが流通されることを特徴とする請求項２または３に記載の燃料電池システム。
【請求項６】
第１ガス排出流路は、第１ガス供給流路に接続され、前記分岐流路は、第１の反応ガスを系外に排出する流路であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一つに記載の燃料電池システム。
【請求項７】
前記調整手段は、開度を調整することにより、バイパス流路と、該バイパス流路が接続された排出流路に、該排出流路を流れるオフガスを分配することのできる手段であることを特徴とする請求項３乃至６のいずれか一つに記載の燃料電池システム。
【請求項８】
前記調整手段の開度は、バイパス流路が接続された分岐流路の温度および／または外気温度によって、変化することを特徴とする請求項７に記載の燃料電池システム。
【請求項９】
前記分岐流路は、第１の電磁弁を有し、
前記分岐流路は、前記他方のガス排出流路に接続され、
第１の電磁弁と前記他方のガス排出流路の間には、別の排出流路が設けられ、該別の排出流路には第２の電磁弁が配置されることを特徴とする請求項１に記載の燃料電池システム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月30日(2008.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
このように、経済的でかつ耐熱性の高い、改善された固体高分子型燃料電池用高分子電解質膜は提案されていないのが実情である
【特許文献１】特開平６−９３１１４号公報
【特許文献２】特表２０００−５１３４８４号公報
【特許文献３】米国特許第５４６８５７４号明細書
【特許文献４】特開２００３−１４２１２５号公報
【特許文献５】特開２００１−２１０３３６号公報
【非特許文献１】“Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ”，１９９８年、第２号、１４８−１５２頁
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月26日(2008.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料電池と、
電圧変換装置と、
前記電圧変換装置を介して前記燃料電池と並列に接続された蓄電装置と、
前記蓄電装置に接続された補機と、
所定条件を満たす場合に通常運転動作点よりも電力損失の大きな低効率運転動作点にて前記燃料電池を運転する運転制御手段と、
前記燃料電池の運転動作点と前記補機の駆動電圧に基づき、前記電圧変換装置による電圧変換動作を制御する電圧変換制御手段とを備え、
前記運転制御手段は、出力電力を一定に保持した状態で前記運転動作点をシフトさせることを特徴とする燃料電池システム。
【請求項２】
前記電圧変換制御手段は、前記電圧変換装置により、前記運転動作点に応じた前記燃料電池の端子電圧を、少なくとも前記補機の駆動電圧まで昇圧させることを特徴とする請求項１に記載の燃料電池システム。
【請求項３】
前記運転制御手段は、前記燃料電池の暖機運転が必要な場合、または前記燃料電池の触媒活性を回復させる運転が必要な場合に、前記燃料電池を低効率運転動作点にて運転することを特徴とする請求項２に記載の燃料電池システム。
【請求項４】
前記運転制御手段は、酸化ガス欠乏状態を生成してから前記燃料電池を低効率運転動作点にて運転することを特徴とする請求項３に記載の燃料電池システム。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１の請求項に記載の燃料電池システムを搭載し、モータを動力源とする移動体であって、
前記モータは前記蓄電装置側に接続され、前記燃料電池を低効率運転動作点にて運転する場合には、前記蓄電装置の放電電力またはコンバータにて昇圧された燃料電池の出力電力の少なくともいずれか一方を用いて該モータを駆動することを特徴とする移動体。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか１の請求項に記載の燃料電池システムを搭載し、モータを動力源とする移動体であって、
前記モータは前記燃料電池側に接続され、前記燃料電池を低効率運転動作点にて運転する場合には、該モータの駆動を停止する、または該モータの出力を制限して駆動することを特徴とする移動体。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月15日(2008.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料電池本体と、該燃料電池へ反応ガスを供給および排出するガス流路と、該ガス流路におけるガス流通状態を調整する調整部品と、を備える燃料電池システムであって、
前記ガス流路の一部を掃気する少なくとも２系統の掃気経路を備え、第１の掃気経路は燃料電池本体を含むように形成され、第２の掃気経路は燃料電池本体をバイパスするように形成され、
当該燃料電池システムは、さらに、第１の掃気経路または第２の掃気経路にガスを流通させるため、前記調整部品の動作を制御する制御部を有し、
前記制御部は、第１の掃気経路でのガスの流通を停止してから、第２の掃気経路にガスを流通させることを特徴とする燃料電池システム。
【請求項２】
当該燃料電池システムは、さらに、第１の掃気経路内の残留水分量を把握する手段を有し、
第１の掃気経路にガスが流通されている間に、前記手段によって第１の掃気経路内の残留水分量が基準値以下となったことが確認された場合、前記制御部は、第１の掃気経路でのガスの流通を停止し、第２の掃気経路にガスを流通させることを特徴とする請求項1に記載の燃料電池システム。
【請求項３】
さらに第１の掃気経路の所定箇所の温度を検出する検出手段を有し、前記制御部は、前記検出手段により検出された温度が基準値以下となったときに、前記調整部品の動作を制御し、第１の掃気経路にガスを流通させることを特徴とする請求項２に記載の燃料電池システム。
【請求項４】
前記反応ガスを排出するガス流路は、排出された反応ガスを、循環ポンプによって、前記反応ガスを供給するガス流路に戻す循環流路を備え、
第１および第２の掃気経路は、循環ポンプを有することを特徴とする請求項１に記載の燃料電池システム。
【請求項５】
第２の掃気経路は、さらにバイパス流路を有し、該バイパス流路の一端は、前記循環流路の、循環ポンプと前記供給流路の間に接続され、前記バイパス流路の他端は、前記循環流路の、燃料電池本体と循環ポンプの間に接続されることを特徴とする請求項４に記載の燃料電池システム。
【請求項６】
第１および／または第２の掃気経路は、気液分離装置を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一つに記載の燃料電池システム。
【請求項７】
第２の掃気経路は、燃料電池本体に流通されていない反応ガスで掃気されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一つに記載の燃料電池システム。
【請求項８】
燃料電池本体と、該燃料電池へ反応ガスを供給および排出するガス流路と、該ガス流路におけるガス流通状態を調整する調整部品と、を備える燃料電池システムの停止方法であって、
前記燃料電池システムは、前記ガス流路の一部を掃気する少なくとも２系統の掃気経路を備え、第１の掃気経路は燃料電池本体を含むように形成され、第２の掃気経路は燃料電池本体をバイパスするように形成され、
システム停止前に、
第１の掃気経路で掃気を行うステップと、
第２の掃気経路で掃気を行うステップと、が実行されることを特徴とする燃料電池システムの停止方法。
【請求項９】
前記燃料電池システムはさらに、所定箇所の温度を検出する検出手段を有し、該検出手段により検出された温度が基準値以下となった場合に、第１の掃気経路と第２の掃気経路の両方で掃気が行われることを特徴とする請求項８に記載の燃料電池システムの停止方法。
【請求項１０】
第１の掃気経路の残留水分量が基準値以下になったと判断された場合に、第１の掃気経路で掃気を行うステップから、第２の掃気経路で掃気を行うステップに移行することを特徴とする請求項８または９に記載の燃料電池システムの停止方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月21日(2008.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形状の雄型コネクタ端子が嵌め込まれる雌型コネクタ端子であって、
雄型コネクタ端子を嵌め込む矩形状の嵌め込み部を有する中空状の導電体と、
導電体の嵌め込み部に配置され、雄型コネクタ端子と接触する突出した突出部と、
導電体の嵌め込み部に突出部と対向するように配置され、雄型コネクタ端子を突出部と挟んで支持する板バネと、
を備え、
板バネは、
板バネと接触する雄型コネクタ端子接触面の両側縁に当接し、板材を折り曲げて成形される当て部と、雄型コネクタ端子の挿入方向と直行する方向に配列し、雄型コネクタ端子接触面を支持する複数のフィンと、を有し、
雄型コネクタ端子と雌型コネクタ端子との摺動を抑制することを特徴とする雌型コネクタ端子。
【請求項２】
請求項１に記載の雌型コネクタ端子であって、
当て部は、板材を一方が他方と逆向きに折り曲げて成形されることを特徴とする雌型コネクタ端子。
【請求項３】
請求項１または２に記載の雌型コネクタ端子であって、
当て部の側縁は、嵌め込み部の両側面に当接することを特徴とする雌型コネクタ端子。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１に記載の雌型コネクタ端子を備えることを特徴とする雌型コネクタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明に係る雌型コネクタ端子は、矩形状の雄型コネクタ端子が嵌め込まれる雌型コネクタ端子であって、雄型コネクタ端子を嵌め込む矩形状の嵌め込み部を有する中空状の導電体と、導電体の嵌め込み部に配置され、雄型コネクタ端子と接触する突出した突出部と、導電体の嵌め込み部に突出部と対向するように配置され、雄型コネクタ端子を突出部と挟んで支持する板バネとを備え、板バネは、板バネと接触する雄型コネクタ端子接触面の両側縁に当接し、板材を折り曲げて成形される当て部と、雄型コネクタ端子の挿入方向と直行する方向に配列し、雄型コネクタ端子接触面を支持する複数のフィンと、を有し、雄型コネクタ端子と雌型コネクタ端子との摺動を抑制することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
そして、本発明に係る雌型コネクタは、矩形状の雄型コネクタ端子が嵌め込まれる雌型コネクタ端子であって、雄型コネクタ端子を嵌め込む矩形状の嵌め込み部を有する中空状の導電体と、導電体の嵌め込み部に配置され、雄型コネクタ端子と接触する突出した突出部と、導電体の嵌め込み部に突出部と対向するように配置され、雄型コネクタ端子を突出部と挟んで支持する板バネとを備え、板バネは、板バネと接触する雄型コネクタ端子接触面の両側縁に当接し、板材を折り曲げて成形される当て部と、雄型コネクタ端子の挿入方向と直行する方向に配列し、雄型コネクタ端子接触面を支持する複数のフィンと、を有し、雄型コネクタ端子と雌型コネクタ端子との摺動を抑制することを特徴とする雌型コネクタ端子を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月30日(2008.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
ダイヤモンドは、極めて硬く、耐磨耗性、化学的安定性に優れ、高い熱伝導率を有する。これらの特長を活かして、ダイヤモンド膜を半導体部品の保護膜に応用が期待されてきた。ダイヤモンドは高温高圧相であり、成膜技術が十分に確立していなかったが、近年、プラズマCVD法やレーザーアブレーションなどを用い、６００℃以下といった比較的低温で良好なダイヤモンド薄膜を形成することが可能になってきた。通常、ダイヤモンド状の薄膜は結晶部と非結晶部から成り立ち、その成分比によって種々の呼び方がある。一般的には、結晶部が少なく結晶性が低い場合は非晶質カーボン膜やグラファイト膜、結晶部が多く結晶性が高い場合はダイヤモンド状カーボン（ＤＬＣ）膜、さらに結晶性が高い場合はダイヤモンド膜と呼ばれている。結晶性により熱伝導率は変わってくるが、非晶質カーボン膜で約５００W/m・K、DLC膜で１０００W/m・K、ダイヤモンド膜では約２０００W/m・Kである。これらの値は、銅の３９０W/m・K、アルミニウムの２３６W/m・Kと比べても高く、絶縁膜のSiO2の１．４W/m・K、プラスチックパッケージに使われるエポキシ樹脂の０．５W/m・K、プリント基板等に用いられる熱導電性樹脂の３W/m・K、実装基板やパッケージに使われるアルミナの約３０W/m・Kに比べて十分大きい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
次に第２の従来例として、Siで形成された小電力用パワートランジスタを実装基板に実装する場合について、図面を参照しながら説明する。図９はパワートランジスタを面実装型パッケージ２０１に組み立て、実装基板（プリント基板）２０３に実装した従来例である。実装基板２０３の裏面には放熱板２０４が接着剤で接着されている。パワートランジスタからの熱は図中の矢印で示すように、パッケージ２０１から放熱板２０４に伝導する。このような、裏面に放熱板（ヒートシンク）を用いる実装基板は特許文献１に開示されている。
【非特許文献１】ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ. Electron Devices, vol.52, No.9, pp.1963-1968, 2005
【特許文献１】特開平８−１１１５６８号公報
【特許文献２】特開平５−６３１２１号公報
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
しかしながら、第１の従来例の実装基板の構造では、放熱板１０５の高さが高く、また重量も重くなるため、電子機器の小型・軽量化には不向きであった。また、TO-220パッケージのような挿入型パッケージに直接放熱板を取り付けるため、放熱性には都合が良いが、実装密度を高めるには限界があった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
一方、第２の従来例においては、面実装型のパッケージを用いているが、実装基板を介して放熱板に放熱する。前述したように、熱導電性樹脂を用いたとしても熱伝導率は金属に比べて低いため、第一の実施例に比べて熱抵抗が高くなり、扱えるパワーデバイスには限界があった。本発明は放熱性を良くすることにより、パワーデバイスチップを実装する実装基板やパワーデバイスパッケージを取り付ける実装基板を軽量、小型化させること目的とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月16日(2008.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２６】
前記加熱手段は、前記基板に配設され、通電により発熱して前記配線パターンを加熱する発熱手段に通電する電源であり、
前記加熱プロファイル受信手段は、前記基板の発熱手段に接続される電源プローブ又は前記電源プローブの近傍に配設されることを特徴とする請求項２４記載の配線基板接続装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２７】
前記発熱手段にかかる電圧を測定する電圧測定手段と、
前記制御手段は、前記測定された電圧が所定の値の範囲外の場合に、前記発熱手段への通電を停止することを特徴とする請求項２５又は２６記載の配線基板接続装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３２】
前記光ファイバは、前記レーザー光が照射される部位において発生する赤外線を導光し、
前記光ファイバによって導光された赤外線に基づいて、前記レーザー光が照射される部位の温度を算出する温度算出手段を更に備えることを特徴とする請求項３０又は３１に記載の配線基板接続装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
請求項２５に係る配線基板接続装置は、請求項２３又は２４において、前記加熱手段が、前記基板に配設され、通電により発熱して前記接続パターンを加熱する発熱手段に通電する電源であることを特徴とする。また、請求項２６に係る配線基板接続装置は、請求項２４において、前記加熱手段が、前記基板に配設され、通電により発熱して前記配線パターンを加熱する発熱手段に通電する電源であり、前記加熱プロファイル受信手段は、前記基板の発熱手段に接続される電源プローブ又は前記電源プローブの近傍に配設されることを特徴とする。請求項２５及び２６は、加熱手段を、基板に配設された発熱手段に通電して加熱する電源に限定したものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
請求項２７に係る配線基板接続装置は、請求項２５又は２６において、前記発熱手段にかかる電圧を測定する電圧測定手段と、前記制御手段は、前記測定された電圧が所定の値の範囲外の場合に、前記発熱手段への通電を停止することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
請求項２７によれば、例えば、発熱手段に接続不良やショート等の不良があった場合に、通電を停止することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
請求項３２に係る配線基板接続装置は、請求項３０又は３１において、前記光ファイバーが、前記レーザー光が照射される部位において発生する赤外線を導光し、前記光ファイバーによって導光された赤外線に基づいて、前記レーザー光が照射される部位の温度を算出する温度算出手段を更に備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月30日(2008.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記基板上にソース電極と該ソース電極の両側に１対のドレイン電極とが形成され、ソース電極と１対のドレイン電極との間に１対のゲート電極が形成されている、あるいは前記電極類の配置が複数回周期的に配列している場合において、表面保護膜として熱伝導率の高い放熱膜でボンディングパッド以外の表面全体を被覆していること特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
障壁層13の上には、ソース電極14、ドレイン電極15及びゲート電極16が形成され、ヘテロ接合電界効果トランジスタ(Heterojunction Field Effect Transistor、以下HFETと略称する。)として動作する。ゲート電極16と障壁層13とはショットキー障壁を形成し、障壁層13と動作層12とのヘテロ接合界面には、障壁層13と動作層12との自発分極量差及びピエゾ分極量差、および障壁層13内に必要に応じてドープされたn型不純物並びに半導体層内の他の制御不能な欠陥に由来する電子が高濃度に蓄積し、二次元電子ガス(2DEG)を形成し、電界効果トランジスタのチャネルキャリアとして動作する。また、通常は表面保護膜17として窒化シリコン(SiN)を用いる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
III族窒化物半導体を用いた半導体装置をパワー用の高耐圧素子として応用するためには、高電圧、大電流のアプリケーションになればなるほど、半導体装置内で消費される電力が増加し、半導体装置から発生する発熱量も増加するので、半導体装置から発生する熱を効率的に半導体装置外部へ放出させる工夫が必要である。特に、パワー用大電力半導体装置としてよく用いられるマルチフィンガー構造を有するHFETであると、その構造から動作層で発生した熱が不均一に内部に逗留する。半導体装置内部の熱分布を均一にするためには、放熱フィン、ヒートスプレッダー等と称される放熱部品を半導体装置に搭載することが考えられる。しかしながら、このような物を用いると、これらを収容するためのスペースを要するため、省スペース化に逆行することになる。従って、省スペースで熱均一化の効果を十分に有する構造の半導体装置が望まれていた。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月27日(2007.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
また、第１周縁部測定機構３は、図３の水平方向の矢印に示す回転機構２の半径方向に移動可能な測定用ステージ２２に固定されている。測定用ステージ２２は、基台１に敷設された測定用リニアガイド２３に載置されている。つまり、第１周縁部測定機構３は、測定用ステージ２２が測定用パルスモータ２４の駆動により、回転機構２の半径方向に移動するように構成されている。また、測定用ステージ２２には、ウエハＷの周縁部に向けて光を投光する光源２５が配備されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
第２周縁測定機構３６は、図３および図４に示すように、ウエハＷの周縁部分の上方で昇降可能に配備された光学カメラ３６Ａと、ウエハＷの表面側に向けた光を照射する照明装置３６Ｂとを備えている。この照明装置３６Ｂは、光の照射角度を調整できるように構成されている。なお、光学カメラ３６Ａは、本発明の第２検出手段および撮像手段に相当し、照明装置３６Ｂは、本発明の第２光源に相当する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
保持ステージ７を１回の回転走査させる間に所定のパルス間隔でウエハＷの周縁部分を撮像して実画像データを取得する。このとき、回転用パルスモータ９から送られてくる回転角を示すデジタル信号を記憶している。先ず、これら取得された各実画像データを２値化処理してＶノッチＫの部分の変化を特定し、ＶノッチＫの含まれる実画像データを特定する。そして、特定された画像データを取得した時点の回転用パルスモータ９から送信されたデジタル信号から現時点のＶノッチＫのある位置を求める。その結果、図６に示す位置にＶノッチＫがある場合、光学カメラ３６Ａの基準位置データに対するＶノッチＫの含まれる実画像データの位置から撮像位置までのズレ量を算出し、図７の一点鎖線で示すように、撮像位置まで、保持ステージ７を回転させてＶノッチＫを光学カメラ３６Ａの視野３８に収まるようにする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
また、回転走査と同時にウエハＷの斜め上方から照明装置３６ＢによってウエハＷの外周部分に光が照射された状態で、光学カメラ３６Ａによって所定の時間間隔でウエハＷの周縁部分を撮像し、実画像データを取得する（ステップＳ３Ｂ）。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月15日(2008.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の第１のクラッド層と、
前記第１のクラッド層上に設けられた活性層と、
前記活性層上に設けられた第２導電型の第２のクラッド層と、
前記第２のクラッド層上に設けられた第２導電型の光取り出し層と、
前記光取り出し層上に設けられ、前記光取り出し層に対しオ−ミック性であるオ−ミッ
クコンタクト電極と、
前記光取り出し層上に設けられ、前記光取り出し層に対し非オ−ミック性であり、前記
オーミックコンタクト電極と電気的に接続されるボンディングパッド電極と、
を有する半導体発光素子。
【請求項２】
前記ボンディングパッド電極は、前記オーミックコンタクト電極の上面に接触している
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記光取り出し層は、ＧａＰからなることを特徴とする請求項１または２に記載の半導
体発光素子。
【請求項４】
前記ボンディングパッド電極は、前記オーミックコンタクト電極に対しオーミック性で
あることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記ボンディングパッド電極は、上面図において、前記半導体発光素子の中央部に設け
られ、
前記オーミックコンタクト電極は、上面図において、前記半導体発光素子の周辺部に設
けられていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月31日(2008.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に素子形成層を形成し、
前記素子形成層の一方の面に粘着部材を貼り付け、
前記基板と前記粘着部材が貼り付けられた前記素子形成層とを分離し、
前記素子形成層及び前記粘着部材を複数に分断し、
前記複数の素子形成層を前記粘着部材を用いてシートに貼り付け、
前記複数の素子形成層の他方の面に第１の可撓性基板を接着し、
前記複数の素子形成層から前記粘着部材を剥離し、
前記複数の素子形成層の一方の面に第２の可撓性基板を接着することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に素子形成層を形成し、
前記素子形成層の一方の面に粘着部材を貼り付け、
前記基板と前記粘着部材が貼り付けられた前記素子形成層とを分離し、
前記素子形成層及び前記粘着部材を複数に分断し、
前記複数の素子形成層を前記粘着部材を用いてシートに貼り付け、
前記複数の素子形成層の他方の面に、前記粘着部材より粘着力の高い第１の粘着層を用いて第１の可撓性基板を接着し、
前記複数の素子形成層から前記粘着部材を剥離し、
前記複数の素子形成層の一方の面及び前記第１の可撓性基板に、第２の粘着層を用いて第２の可撓性基板を接着することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に素子形成層を形成し、
前記素子形成層の一方の面に粘着部材を貼り付け、
前記基板と前記粘着部材が貼り付けられた前記素子形成層とを分離し、
前記素子形成層及び前記粘着部材を複数に分断し、
前記複数の素子形成層を前記粘着部材を用いてシートに貼り付け、
前記複数の素子形成層の他方の面に第１の可撓性基板を接着し、
前記複数の素子形成層から前記粘着部材を剥離し、
前記複数の素子形成層の一方の面に第２の可撓性基板を接着し、
前記第１の可撓性基板及び前記第２の可撓性基板が接着する領域において分断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に素子形成層を形成し、
前記素子形成層の一方の面に粘着部材を貼り付け、
前記基板と前記粘着部材が貼り付けられた前記素子形成層とを分離し、
前記素子形成層及び前記粘着部材を複数に分断し、
前記複数の素子形成層を前記粘着部材を用いてシートに貼り付け、
前記複数の素子形成層の他方の面に、前記粘着部材より粘着力の高い第１の粘着層を用いて第１の可撓性基板を接着し、
前記複数の素子形成層から前記粘着部材を剥離し、
前記複数の素子形成層の一方の面及び前記第１の可撓性基板に、第２の粘着層を用いて第２の可撓性基板を接着し、
前記第１の可撓性基板、前記第１の接着層、前記第２の接着層、及び前記第２の可撓性基板が接着する領域において分断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
一対の第１のローラーを用いて前記複数の素子形成層の他方の面に第１の可撓性基板を接着することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記一対の第１のローラーの一方には、ヒータが設けられていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
一対の第２のローラーを用いて前記粘着部材を剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
一対の第３のローラーを用いて前記複数の素子形成層の一方の面に第２の可撓性基板を接着することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記一対の第３のローラーの一方には、ヒータが設けられていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記複数の素子形成層は、薄膜集積回路を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月16日(2008.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の設備が直列に配置されて、先頭設備で順次接続された材料群を処理する連続設備への材料投入順序決定方法であって、
投入材料データ及び投入制約が格納された記憶手段からそのデータを読み込んで材料の投入順序を作成する工程と、
設備諸元及び操業条件が格納された記憶手段からそれらのデータを読み込んで、それらのデータと、前記材料の投入順序とに基づいて連続設備の操業シミュレーションを行う工程と、
前記シミュレーションの結果を評価する工程と、
前記シミュレーションの結果評価に基づいて操業条件を変更する操業条件変更工程と、
前記シミュレーションの評価結果に基づいて材料の投入順序を変更する材料投入順序変更工程と
を備え、
前記各工程は計算機によって処理されることを特徴とする連続設備の材料投入順序決定方法。
【請求項２】
前記操業条件の変更に基づいた前記シミュレーションを行い、その評価結果が所定の基準を満たさなかったときに、前記材料の投入順序を変更して前記操業シミュレーションを行わせることを特徴とする請求項１記載の連続設備の材料投入順序決定方法。
【請求項３】
前記材料投入順序変更工程は、連続設備に投入する材料としての当該コイルを含む過去に設定され所定数の材料群を前記投入材料データから抽出し、各コイルのルーパー変化量を算出して変化量の降順にコイルをソートし、他方、前記コイル群と同属性のコイル群を前記投入材料データから抽出し、各コイルのルーパー変化量を算出して変化量の昇順にコイルをソートし、前者のコイル群を後者のコイル群で先頭側から順次入れ替えることを特徴とする請求項１又は２記載の連続設備の材料投入順序決定方法。
【請求項４】
複数の設備が直列に配置されて、先頭設備で順次接続された材料群を処理する連続設備への材料投入順序決定装置であって、
投入材料データ、投入制約、設備諸元及び操業条件が格納される記憶装置と、
前記投入材料データ及び前記投入制約に基づいて材料の投入順序を作成する投入順序作成手段と、
前記材料の投入順序、前記設備諸元及び前記操業条件に基づいて連続設備の操業シミュレーションを行う操業シミュレータと、
前記シミュレーションの結果を評価する結果評価手段と、
前記シミュレーションの結果評価に基づいて操業条件を変更する操業条件変更手段と、
前記シミュレーションの結果評価に基づいて材料の投入順序を変更する投入順序変更部と
を備えたことを特徴とする連続設備の材料投入順序決定装置。
【請求項５】
前記操業条件変更部による操業条件の変更に基づいた前記シミュレーションを行い、その結果評価が所定の基準を満たさなかったときに、前記投入順序変更手段は材料の投入順序を変更して前記操業シミュレータにシミュレーションを行わせることを特徴とする請求項４記載の連続設備の材料投入順序決定装置。
【請求項６】
前記投入順序変更手段は、連続設備に投入する材料として当該コイルを含む過去に設定され所定数のコイル群を前記投入材料データから抽出し、各コイルのルーパー変化量を算出して変化量の降順にコイルをソートし、他方、前記のコイル群と同属性のコイル群を前記投入材料データから抽出し、各コイルのルーパー変化量を算出して変化量の昇順にコイルをソートし、前者のコイル群を後者のコイル群で先頭側から順次入れ替えることを特徴とする請求項５記載の連続設備の材料投入順序決定装置。
【請求項７】
前者のコイル群を後者のコイル群で順次入れ替えた後の前記シュミレーションの結果が所定の基準を満たしたとき、そのときのコイルの投入順次を指示する投入順序指示手段を更に備えたことを特徴とする請求項４〜６の何れかに記載の連続設備の材料投入順序決定装置。
【請求項８】
請求項４〜７の何れかに記載の連続設備の材料投入順序決定装置により決定された操業条件及び／又は材料の投入順序に従って設備を運転し、鋼板を製造することを特徴とする鋼板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】連続設備の材料投入順序決定方法及びその装置並びに鋼板の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、複数の設備が直列に配置されて、先頭設備で順次接続された材料群を処理する連続ラインからなる連続設備の材料投入順序決定方法及びその装置並びに鋼板の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、中央最低速度の制約等の厳しい制約を満足させつつ高効率を追求することを可能にした連続設備の材料投入順序決定方法及びその装置、並びにその連続設備の材料投入順序決定装置を用いた鋼板の製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明に係る連続設備の材料投入順序決定装置は、前者のコイル群を後者のコイル群で順次入れ替えた後の前記シュミレーションの結果が所定の基準を満たしたとき、そのときのコイルの投入順次を指示する投入順序指示手段を更に備えたものである。
また、本発明に係る鋼板の製造方法は、上記の連続設備の材料投入順序決定装置により決定された操業条件及び／又は材料の投入順序に従って設備を運転し、鋼板を製造する。