Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月9日(2008.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
次に、動作について説明する。第１の帯状シンチレーションファイバー２１ａを構成するシンチレーションファイバー２１１に放射線が入射した結果として発する蛍光は、その内部を反射しながら端面に伝達して第１の光電子増倍管２３ａに入射する。第１の光電子増倍管２３ａに蛍光が入射すると電子が放出され、該電子は増倍されて電流パルスに変換される。第１の前置増幅器２４ａは、該電流パルスを電圧パルスに変換して出力する。
同様に、第２の帯状シンチレーションファイバー２１ｂを構成するシンチレーションファイバー２１１に放射線が入射した結果として発する蛍光は、その内部を反射しながら端面に伝達して第２の光電子増倍管２３ｂに入射し、電流パルスに変換され、第２の前置増幅器２４ｂは、該電流パルスを電圧パルスに変換して出力する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
第１の前置増幅器２４ａから出力された電圧信号パルスおよび第２の前置増幅器２４ｂから出力された電圧パルスは、それぞれ測定部３に入力されて定周期で計数され、測定部３に設けられた演算装置により演算されて第１の帯状シンチレーションファイバー２１ａが検出した放射線に対応する計数率ｎａと第２の帯状シンチレーションファイバー２１ｂが検出した放射線に対応する計数率ｎｂが求められる。
第１の帯状シンチレーションファイバー２１ａが検出した放射線に対応する計数率ｎａは、被測定体１から放射されたβ線による計数率ｎａ（β）と被測定体１から放射されたγ線による計数率ｎａ（γｓ）と環境から入射したγ線による計数率ｎａ（γｅ）を合計したものである。
第２の帯状シンチレーションファイバー２１ｂが検出した放射線に対応する計数率ｎｂは、被測定体１から放射されたγ線による計数率ｎｂ（γｓ）および環境から入射したγ線による計数率ｎｂ（γｅ）の合計である。
したがって、正味計数率ｎＮ＝ｎａ（β）は、次の（１）式で示される。
ｎａ（β）＝ｎａ−ｎａ（γｓ）−ｎａ（γｅ）＝ｎａ−｛ｋｓ×ｎｂ（γｓ）＋ｋｅ              ×ｎｂ（γｅ）｝………（１）式
ここで、第１の帯状シンチレーションファイバー２１ａが検出した被測定体１から放射されたγ線による計数率ｎａ（γｓ）は、第２の帯状シンチレーションファイバー２１ｂが検出した被測定体１から放射されたγ線による計数率ｎｂ（γｓ）に比例し、比例計数をｋｓとすると、次の（３）式で示されるものである。
ｎａ（γｓ）＝ｋｓ×ｎｂ（γｓ）………（２）式
また、第１の帯状シンチレーションファイバー２１ａが検出した環境から入射したγ線による計数率ｎａ（γｅ）は、第２の帯状シンチレーションファイバー２１ｂが検出した環境から入射したγ線による計数率ｎｂ（γｅ）に比例し、比例係数をｋｅとすると、次の（３）式で示されるものである。
ｎａ（γｅ）＝ｋｅ×ｎｂ（γｅ）………（３）式
ｋｓ＝ｋｅ＝ｋとすると、被測定体１から放射されたβ線による計数率ｎａ（β）は、次の（４）式で示される。
ｎａ（β）＝ｎａ−ｋ×ｎｂ………（４）式
このように、代表的なエネルギーのγ線について計算または実験的に係数ｋを求めておけば、（４）式におけるｋ×ｎｂを算出することができ、このｋ×ｎｂを計数率ｎａから減算すれば計数率ｎａ（β）を算出できて、被測定体１から放射されたβ線を測定することができる。なお、β線遮蔽体２２はβ線を遮断するがγ線に対する遮蔽効果は低いことから、ｋ＝１としても大きな支障はない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
さらに、第１の帯状シンチレーションファイバー２１ａおよび第２の帯状シンチレーションファイバー２１ｂについて、可撓性の遮光基板２１２に０．３ｍｍ以下の細径のプラスチックシンチレーションファイバー２１１ａ，２１１ｂ，２１１ｃ…２１１ｎをＵ字型に曲げて順次ずらして密着して貼り付けることにより、折損なくプラスチックシンチレーションファイバー２１１ａ，２１１ｂ，２１１ｃ…２１１ｎを自動で配線することができ、製造コストを従来の１／３以下に低減できる。手作業で配線していたときは、細径のプラスチックシンチレーションファイバー２１１ａ，２１１ｂ，２１１ｃ…２１１ｎは作業量の増加および作業性低下のため、細径のものを避けて最小径は１ｍｍが一般的であったが、自動化により細径のものを使用できるようになり、γ感度を抑制できるため、β線を高感度に測定できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
（１Ｄ）この発明による実施の形態１によれば、前記（１Ａ）から前記（１Ｃ）項までのいずれかの構成において、β線遮蔽体として金属または金属を練りこんだプラスチック部材を使用したので、β線遮蔽体の後方散乱効果によりβ線の検出感度を向上しβ線をより高感度に測定できる放射線モニタまたは放射能汚染検査装置としての放射線測定システムを得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月22日(2007.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【図１】本発明に係るうず巻き排水口を水平方向に分割した斜視図である。
【図２】本発明に係るうず巻き排水口図１の上面図である。
【図３】本発明に係るうず巻き排水口の別の例の上面図である。
【図４】本発明に係るうず巻き排水口図２のＡ−Ａ断面図である。
【図５】本発明に係るうず巻き排水口の別の例の断面図である。
【図６】本発明に係るうず巻き排水口の実施例の断面図である。
【図７】本発明に係るうず巻き排水口の実施例の断面図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】追加
【補正の内容】
【図６】
2007192024.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】追加
【補正の内容】
【図７】
2007192024.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月5日(2008.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置された複数の画素と、該画素の各列に配置された複数の画像信号線と、前記画素の各行に配置された複数の走査信号線と、前記画像信号線に前記画素を駆動するための画像信号を供給する画像信号線駆動手段と、
垂直ブランキング期間中においても所定の周期で画像表示制御信号を前記画像信号線駆動手段に送るよう構成されたタイミング制御回路を具備するアクティブマトリクス表示装置であって、
前記タイミング制御回路は、前記垂直ブランキング期間内の少なくとも後半の第一の期間に対応して前記画像信号線駆動手段にて画像表示データの読み込みを休止するよう前記画像表示制御信号を制御することを特徴とするアクティブマトリクス表示装置。
【請求項２】
前記タイミング制御回路は、前記第一の期間に対応して前記画像信号線駆動手段への水平スタートパルスを消去することを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス表示装置。
【請求項３】
前記タイミング制御回路は、前記画像表示データの読み込み休止期間中の所定の第一の時点と、垂直ブランキング期間が終了した後の最初の水平表示期間に対応する前記画像表示データの読み込み開始時点を第二の時点とし、前記第一の時点と前記第二の時点期間は、前記画像信号線駆動手段の出力電圧の更新を停止するよう前記画像表示制御信号を制御することを特徴とする請求項１または２に記載のアクティブマトリクス表示装置。
【請求項４】
前記タイミング制御回路は、前記画像信号線駆動手段へのラッチパルスを消去することにより、前記第一の時点と前記第二の時点期間は、前記画像信号線駆動手段の出力電圧の更新を停止するよう制御することを特徴とする請求項３に記載のアクティブマトリクス表示装置。
【請求項５】
前記タイミング制御回路は、前記第一の時点と前記第二の時点期間が、垂直走査期間中の一水平期間より短くなるよう制御すること特徴とする請求項３または４のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス表示装置。
【請求項６】
前記タイミング制御回路は、前記第一の時点と前記第二の時点期間が、前記画像信号線駆動手段の構成に基づいて予め定められたラッチパルスの入力禁止期間を包含するよう前記画像信号線駆動手段を制御することを特徴とする請求項３乃至５のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス表示装置。
【請求項７】
前記タイミング制御回路は、前記画像信号線駆動手段にて画像表示データの読み込みを休止する前記第一の期間長が、前期垂直ブランキング期間長の過半となるよう前記画像表示制御信号を制御することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の前記タイミング制御回路を内蔵したアクティブマトリクス表示装置のタイミング制御用半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この発明に係るアクティブマトリクス表示装置は、マトリクス状に配置された複数の画素と、該画素の各列に配置された複数の画像信号線と、前記画素の各行に配置された複数の走査信号線と、前記画像信号線に前記画素を駆動するための画像信号を供給する画像信号線駆動手段と、垂直ブランキング期間中においても所定の周期で画像表示制御信号を前記画像信号線駆動手段に送るよう構成されたタイミング制御回路を具備するアクティブマトリクス表示装置であって、前記タイミング制御回路が、前記垂直ブランキング期間内の少なくとも後半の第一の期間に対応して前記画像信号線駆動手段にて画像表示データの読み込みを休止するよう前記画像表示制御信号を制御することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
前記出力消去のタイミングについて、図２を用いて概略を説明する。図２に示した波形例では、符号２３で示したＰＯＬ波形中に一点鎖線で囲まれた範囲２８ａ、２８ｂの部分でＰＯＬの極性反転が消去される（破線で記載された波形部分）。また符号２５にて示したＬＰ信号波形中に一点鎖線で囲まれた範囲２７ａ、２７ｂの部分でＬＰ出力が消去される（破線で記載された波形部分）。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
前記の概念は、図７に示すように、通常、ＴＣＯＮ１８の入力信号（ＤＥＮＡ、ＨＤ、ＶＤなど）よりも数クロック遅れたタイミングに同期して前記ＳＴＨｔｒ０およびＬＰｔｒ０は生成される。特に、前記ＴＣＯＮ１８内にいろいろな付加機能回路７０を盛り込んでいけば、入力タイミングに対して、生成される前記ＳＴＨｔｒ０およびＬＰｔｒ０の生成タイミングは、入力信号の同期タイミングより、ますます遅延（遅延値がＤＬＹに相当）する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
これに対して、マスク信号生成回路３３へ入力されるＤＥＮＡは、ＴＣＯＮ１８への入力信号そのもの、もしくは、前記の遅延（ＤＬＹ）と比較して、わずかにしか遅れていない信号を用いる。これによって、前記ＬＰｔｒ０が生成されるよりも数シフトクロック（ＳＣＬＫ）分先に次のフレームの最初のライン走査期間が始まることを予見できて、かつ、これ以降でＳＴＨｔｒ０が発生するまでの間に発生するＬＰｔｒ０をＬＰｖｌｄによって消去することが出来る。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
また、ソースドライバＩＣの前記所定値の制約に応じて、ＬＰｔｒ０の生成タイミングもしくは、ＤＥＮＡのマスク信号生成回路３３への取り込みタイミングまたは前記遅延（ＤＬＹ）の値を調節することで、容易に前記所定値の制約を割り込む範囲のＬＰだけを削ることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
このＳＴＨｔｒ０およびＬＰｔｒ０の生成タイミングをさらに遅延（ＤＬＹ）させてやることで、前記削ることの出来ない部分は、最小限化することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月20日(2008.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粒子を検出する方法であって、該方法は、以下の工程：
複数の可能な汚染現象源を有する密閉加工具のクリーンゾーン（４１０、５１０）を提供する工程；
複数の流体試料の各々を、該密閉加工具のクリーンゾーンにおける該可能な汚染現象源の１つから連続的に同時に引き出す工程；
該複数の流体試料の全てを合体流体ストリームに連続的に合流する工程；および
該合体流体ストリームを粒子検知器（４５０、５７０）に連続的に流す工程；を包含し、
ここで、各該流体試料が、該引き出しと該合流との間の隔離された囲まれた領域内で連続的に流れる、方法。
【請求項２】
前記流体試料の各々が、前記複数の可能な汚染源に位置している複数のサンプリングプローブ（５１２）の１個を通して引き出され、該サンプリングプローブの各々が、前記試料ポートの１個に流体接続されている、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記流体試料の引き出しが、等速で行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記流体試料が、気体状流体、エアロゾル粒子および液状流体からなる群から選択される流体を含有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
アンサンブルマニホルドを、前記粒子検知器に直接取り付ける工程をさらに包含する、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月10日(2008.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体容器内の液体の消費状態を検出するために用いられる圧電装置と、
前記圧電装置と一体化され、前記圧電装置を前記液体容器に取り付けるための取付部材と、
を含み、
前記圧電装置は、
基板と、
前記基板の一方の面上に設けられた振動板と、
前記振動板の前記基板とは反対側の面に設けられた圧電素子と、
を有し、
前記基板には、前記基板を貫通する開口が形成されており、
前記振動板は、前記開口を覆っており、
前記取付部材は、前記圧電装置の前記開口と連通する貫通孔を備えたプレートを有し、
前記プレートは、前記基板の前記振動板が設けられた面とは反対の面側に接合され、
前記プレートの厚さは前記貫通孔の径または最小幅よりも小さいことを特徴とする液体検出用の取付モジュール体。
【請求項２】
前記プレートの厚さは前記貫通孔の径または最小幅の１／３以下であることを特徴とする請求項１に記載の液体検出用の取付モジュール体。
【請求項３】
前記貫通孔の形状が円形であることを特徴とする請求項１または２に記載の液体検出用の取付モジュール体。
【請求項４】
前記圧電素子は、一対の電極と、前記電極間に設けられた圧電層と、を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の液体検出用取付モジュール体。
【請求項５】
前記液体容器に対して着脱可能に装着されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の液体検出用の取付モジュール体。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の液体検出用の取付モジュール体が備えられた液体容器。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の液体検出用の取付モジュール体が備えられたインクジェット記録装置に装着されるインクカートリッジ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明のある態様は、液体検出用のモジュール体である。このモジュール体は、圧電装置と取付部材を含む。圧電装置は、液体容器内の液体の消費状態を検出するために用いられる。取付部材は、前記圧電装置と一体化され、前記圧電装置を前記液体容器に取り付ける。前記圧電装置は、基板と、前記基板の一方の面上に設けられた振動板と、前記振動板の前記基板とは反対側の面に設けられた圧電素子と、を有し、前記基板には、前記基板を貫通する開口（開口キャビティ）が形成されており、前記振動板は、前記開口を覆っている。前記取付部材は、前記圧電装置の前記開口と連通する貫通孔を備えたプレートを有し、前記プレートは、前記基板の前記振動板が設けられた面とは反対の面側に接合され、前記プレートの厚さは前記貫通孔の径または最小幅よりも小さい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
好ましくは、プレートの厚さは前記貫通孔の径または最小幅の１／３以下である。貫通孔が円形であれば、開口最小幅は開口寸法（開口直径）である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
前記取付部材は、前記液体容器に設けられた貫通孔に嵌合されてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月22日(2008.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
試料を撮像して得た検査画像を比較対象の参照画像と比較して欠陥を検出する欠陥検査方法であって、前記検査画像と前記参照画像との位置ずれを検出して補正し、該位置ずれを補正した前記検査画像と参照画像との各画素の特徴量を求め、該求めた各画素の特徴量のばらつきに応じて前記検査画像と参照画像との特徴量を合わせ込み、該特徴量を合わせ込んだ前記検査画像と参照画像との差画像を求めて欠陥を抽出することを特徴とする欠陥検査方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月9日(2008.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
【数３】
2007192622.tif 000001
である。ここで、ε0は真空の誘電率であり、εHは感湿膜の比誘電率であり、εNは窒化膜の比誘電率であり、Sは電極１１と電極１２の対向面積であり、dHは電極１１と電極１２間に存在する感湿膜の厚さであり、dNは電極１１及び１２の表面の窒化膜の厚さである。窒化膜の厚さdNが十分に薄ければ、CH≪CNとなり（２）式は、（１）式とほぼ等しくなる。（２）式から明らかなように、窒化膜の厚さdNが薄いほうが、湿度に対する電極間の容量値の変化が大きくなる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月30日(2008.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、
導光板と、
前記光源及び前記導光板とそれぞれ密着して前記光源と前記導光板との間に設けられた中間層と、
を備え、
前記光源は、
発光ダイオードと、
前記発光ダイオードを封止し光を外部に放出する光放出面を有する封止樹脂と、
を有し、
前記中間層は、前記封止樹脂の前記光放出面に密着してなり、前記導光体の屈折率と前記封止樹脂の屈折率との間の屈折率を有する材料により形成されてなることを特徴とするバックライトユニット。
【請求項２】
前記中間層は、樹脂からなることを特徴とする請求項１記載のバックライトユニット。
【請求項３】
前記樹脂は、前記光源における前記中間層との密着部よりも低く、且つ前記導光板よりも低い硬度を有することを特徴とする請求項２記載のバックライトユニット。
【請求項４】
前記樹脂は、ゴム状弾性を有することを特徴とする請求項２または３に記載のバックライトユニット。
【請求項５】
前記中間層は、光を散乱させる散乱体を含有してなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載のバックライトユニット。
【請求項６】
前記光源と前記中間層との間と、前記中間層と前記導光板との間と、の少なくともいずれかに光学グリースが介在してなることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載のバックライトユニット。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１つに記載のバックライトユニットと、
前記導光板から放射された光の透過量を制御して画像を表示する液晶表示ユニットと、
を備えたことを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一態様によれば、光源と、導光板と、前記光源及び前記導光板とそれぞれ密着して前記光源と前記導光板との間に設けられた中間層と、を備え、前記光源は、発光ダイオードと、前記発光ダイオードを封止し光を外部に放出する光放出面を有する封止樹脂と、を有し、前記中間層は、前記封止樹脂の前記光放出面に密着してなり、前記導光体の屈折率と前記封止樹脂の屈折率との間の屈折率を有する材料により形成されてなることを特徴とするバックライトユニットが提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月18日(2008.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
触媒金属、陽イオン交換樹脂およびカーボンを有する触媒粉末を含む触媒層を備えた高分子形燃料電池用電極において、前記触媒層が陽イオン交換樹脂のイオン交換容量が異なる２種以上の触媒粉末を混合して含むことを特徴とする高分子形燃料電池用電極。
【請求項２】
触媒金属は陽イオン交換樹脂のプロトン伝導経路とカーボンの表面との接面に主に担持されていることを特徴とする請求項１に記載の高分子形燃料電池用電極。
【請求項３】
請求項１または２記載の高分子形燃料電池用電極を備えることを特徴とする高分子形燃料電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明は、触媒金属、陽イオン交換樹脂およびカーボンを有する触媒粉末を含む触媒層を備えた高分子形燃料電池用電極において、前記触媒層が陽イオン交換樹脂のイオン交換容量が異なる２種以上の触媒粉末を混合して含むことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明は、前記触媒金属は陽イオン交換樹脂のプロトン伝導経路とカーボンの表面との接面に主に担持されていることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明は、高分子形燃料電池において、本発明に係る高分子形燃料電池用電極を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月3日(2008.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の実施の形態におけるイオンビーム加工方法は、上記した本発明を適用してイオンビーム加工するに際し、例えば、つぎのように実施することができる。
まず、イオンビームを用いて被加工物と同じ種類の材料を加工し、そのイオンビームによる単位時間あたりの除去形状を求めておく。次に被加工物の表面形状を測定し、ここで測定された測定データ（測定形状）と設定形状の差から、加工量に相当する除去量を算出する。求めた各部の除去量中で、最も除去量の小さい部分を基準とし各部の除去量を算出する。
また、あらかじめ求めた単位時間あたりの除去形状と被加工物の除去量から各部の加工必要時間を算出し、被加工物の表面上をイオンビームでスキャンしながら加工する。
このとき、加工時間に合せてスキャンを止め、必要な量を除去する。また、加工が不要な部分はビームを遮蔽又はＯＦＦし、除去加工を行わない。このようにして加工を必要とする位置でのみ照射する間欠照射によって加工することにより、加工精度を上げながら加工時間を短縮することができる。
このように、本実施の形態によれば、例えば被加工物の形状誤差を計測した値に対し、加工すべき位置とその除去量を演算から求め加工する場合に、除去すべき位置でのみイオンビームを照射する。
そして、除去加工不要の位置ではイオンビームを止めることにより、被加工物全体の加工量が最小量で済ますことができ、加工精度を上げるためにイオンビームの照射量を減少させて除去レートを小さくした場合であっても、加工時間を短くて済ますことができる。
更に、加工すべき部分のみにイオンビームを照射し、そのときの加工量が小さく設定されていることにより、加工精度が多少ばらついて加工しすぎた場合にも、加工前よりも形状誤差を悪化させることはない。
また、イオンビームのＯＮ／ＯＦＦ機構に機械的シャッターを用いた場合には、構造が簡単で容易にイオンビームのＯＮ／ＯＦＦを実現できる。
また、本実施例によれば、イオンビームのＯＮ／ＯＦＦをする手段を、イオンの引き出し電圧及び加速電圧をＯＮ／ＯＦＦさせる構成により実現することができる。
これによると、真空室内部に機械的導入をすることが不要なため良好な真空を保つことが容易になり、さらに、イオンがシャッターに当たりパーティクルを発生させることが無いので、シャッターの材料による汚染をなくすことができる。
また、本実施例によれば、イオンビームのＯＮ／ＯＦＦをする手段を、イオンビームガン内部に設けた静電偏向電極にかける電圧をＯＮ／ＯＦＦさせる構成によっても実現することができる。
これによると、真空室内部に機械的導入をすることが不要なため良好な真空を保つことが容易であり、またビームを横に曲げるだけなので、ビームのＯＮ／ＯＦＦの応答性がよく、特にビームＯＮ時の安定性が良く精度の高い加工が可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月18日(2008.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極板、セパレータ、負極板を積層した積層体を捲回してなる捲回式極群を備え、前記正極板と負極板のうち少なくとも一方の極板と外部端子とをリボン状のリードを介して接続した電池であって、該リードの長辺と前記一方の極板の長辺とが直交するように、リードの一方の端部が極板の基板に当接し、該当接面にリードと基板の接合箇所を設けた電池において、前記リードの基板との当接部に、リードの長辺に平行な直線状であって、長さが前記当接部の長さ以上であり、且つ、リードの長さの１／３以下の溝を設けたことを特徴とする電池。
【請求項２】
正極板、セパレータ、負極板を積層した積層体を捲回してなる捲回式極群を備え、前記正極板と負極板のうち少なくとも一方の極板と外部端子とをリボン状のリードを介して接続した電池であって、該リードの長辺と前記一方の極板の長辺とが直交するように、リードの一方の端部が極板の基板に当接し、該当接面にリードと基板の接合箇所を設けた電池において、前記リードの基板との当接部に、リードの長辺と平行にスリットを設けたことを特徴とする電池。
【請求項３】
スリットの長さは、リードの一方の端部と極板の基板との当接部の長さ以上であり、且つ、リードの長さの１／３以下であることを特徴とする請求項２記載の電池。
【請求項４】
前記スリットによって分断されたリードの区画のうち、リードと極板の基板との接合箇所を設けた区画において、少なくともリードの先端を前記基板と接合させたことを特徴とする請求項２または請求項３に記載の電池。                                    以上
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の一つは、正極板、セパレータ、負極板を積層した積層体を捲回してなる捲回式極群を備え、前記正極板と負極板のうち少なくとも一方の極板と外部端子とをリボン状のリードを介して接続した電池であって、該リードの長辺と前記一方の極板の長辺とが直交するように、リードの一方の端部が極板の基板に当接し、該当接面にリードと基板の接合箇所を設けた電池において、前記リードの基板との当接部に、リードの長辺に平行な直線状であって、長さが前記当接部の長さ以上であり、且つ、リードの長さの１／３以下の溝を設けたことを特徴とする電池である。
本発明に係る電池は、隣接する前記直線状の溝と溝との間隔およびリードの長辺と該長辺に隣接する直線状の溝との間隔が、前記当接面と極群の捲回の中心間の距離の１／３以下であることが好ましい。
本発明の一つは、正極板、セパレータ、負極板を積層した積層体を捲回してなる捲回式極群を備え、前記正極板と負極板のうち少なくとも一方の極板と外部端子とをリボン状のリードを介して接続した電池であって、該リードの長辺と前記一方の極板の長辺とが直交するように、リードの一方の端部が極板の基板に当接し、該当接面にリードと基板の接合箇所を設けた電池において、前記リードの基板との当接部に、リードの長辺と平行にスリットを設けたことを特徴とする電池である。
本発明に係る電池は、隣接する前記直線状のスリットとスリットとの間隔およびリードの長辺と該長辺に隣接する直線状のスリットとの間隔が、前記当接面と極群の捲回の中心間の距離の１／３以下であることが好ましい。
本発明に係る電池は、前記スリットによって分断されたリードの区画のうち、リードと極板の基板との接合箇所を設けた区画において、少なくともリードの先端を前記基板と接合させることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明によれば、極群を捲回する過程において極板に亀裂が入るのを抑制し、捲回工程において極群に短絡が発生するのを抑制することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明においては、隣接する直線状の溝と溝との間隔およびリードの長辺と該長辺に隣接する直線状の溝との間隔が前記当接面と極群の捲回の中心間の距離の１／３以下であるという構成を備えることによって、上記の効果をさらに高めることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明においては、隣接する直線状のスリットとスリットとの間隔およびリードの長辺と該長辺に隣接する直線状のスリットとの間隔が前記当接面と極群の捲回の中心間の距離の１／３以下であるという構成を備えることによって、上記の効果をさらに高めることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明においては、スリットによって分断されたリードの区画のうちリードと極板の基板との接合箇所を設けた区画において少なくともリードの先端を前記基板と接合させるという構成を備えることによって、リードが反り却って先端が基板から離れて突出するのを抑制することができ、極群内短絡発生を防ぐのに有効である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月17日(2007.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状の抵抗用合金からなる抵抗体と、
一対の電極と、を備え、
前記抵抗体には側方からの切り込みが無く、
前記一対の電極は、前記抵抗体よりも電気抵抗が小さい金属の厚板であって、前記抵抗体の同一平面上にクラッド接合されるとともに前記抵抗体の表面より前記金属の厚板の厚み分だけチップ抵抗器を実装する基板側に突き出ており、
前記一対の電極の各基板接合面にのみ溶融はんだ材によるはんだ膜が形成されていることを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項２】
前記抵抗体の少なくとも一面が露出していることを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器。
【請求項３】
前記電極の前記抵抗体と前記電極との接合面および前記電極の前記はんだ膜が形成されている前記基板接合面を除き、前記電極が露出していることを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するための本発明のチップ抵抗器は、以下の構成を有する。すなわち、板状の抵抗用合金からなる抵抗体と、一対の電極と、を備え、前記抵抗体には側方からの切り込みが無く、前記一対の電極は、前記抵抗体よりも電気抵抗が小さい金属の厚板であって、前記抵抗体の同一平面上にクラッド接合されるとともに前記抵抗体の表面より前記金属の厚板の厚み分だけチップ抵抗器を実装する基板側に突き出ており、前記一対の電極の各基板接合面にのみ溶融はんだ材によるはんだ膜が形成されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月3日(2008.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を内蔵する多層プリント配線板であって、
前記電子部品が実装される実装層と、
前記実装層に形成される実装層導体パターンと、
前記電子部品を挟んで前記実装層と対向する対向層と、
前記対向層に形成される対向層導体パターンと、
前記実装層と前記対向層との間に内蔵されるとともに、前記実装層導体パターンと前記対向層導体パターンとを互いに電気的に接続する導電性を有する接続体と、
を具備することを特徴とする多層プリント配線板。
【請求項２】
前記接続体は、一つの部材であることを特徴とする請求項１に記載の多層プリント配線板。
【請求項３】
前記接続体は、電子部品であることを特徴とする請求項２に記載の多層プリント配線板。
【請求項４】
前記接続体は、金属片であることを特徴とする請求項２に記載の多層プリント配線板。
【請求項５】
前記接続体は、
前記実装層導体パターンに電気的に接続される第１の接続部材と、
前記対向層導体パターンに電気的に接続されるとともに前記第１の接続部材に電気的に接続される第２の接続部材と、
を備えることを特徴とする請求項１に記載の多層プリント配線板。
【請求項６】
前記第１の接続部材は、電子部品であり、
前記第２の接続部材は、電子部品であることを特徴とする請求項５に記載の多層プリント配線板。
【請求項７】
前記第１の接続部材は、金属片であり、
前記第２の接続部材は、金属片であることを特徴とする請求項５に記載の多層プリント配線板。
【請求項８】
前記第１の接続部材と前記第２の接続部材とは、導電性接着部材によって互いに電気的に固着されることを特徴とする請求項５に記載の多層プリント配線板。
【請求項９】
電子部品が実装される実装層に形成される実装層導体パターンと、前記電子部品を挟んで前記実装層と対向する対向層に形成される対向層導体パターンと、を互いに電気的に接続する多層プリント配線板の製造方法であって、
導電性を有する第１の接続部材と電子部品とが電気的に接続された実装層導体パターンを前記実装層を形成する面に備える第１の被積層体と、導電性を有する第２の接続材が電気的に接続された対向層導体パターンを前記対向層を形成する面に備える第２の被積層体とを、前記第１の接続部材と前記第２の接続部材とが互いに向かい合う姿勢で第３の被積層体を挟みこむように該第３の被積層体に積層して前記第１の接続部材と前記第２の接続部材とを互いに電気的に接続することによって、前記実装層導体パターンと前記対向層導体パターンとを電気的に接続することを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
【請求項１０】
電子部品が実装される実装層に形成される実装層導体パターンと、前記実装層との間に前記電子部品を内蔵する対向層に形成される対向層導体パターンと、を互いに電気的に接続する多層プリント配線板の製造方法であって、
導電性を有する接続体と電子部品とが電気的に接続された実装層導体パターンを前記実装層を形成する面に備える実装側被積層体に、前記接続体と接続すべき対向導体パターンを前記対向層を形成する面に備える対向側被積層体を、前記対向導体パターンと反対側から積層して前記接続体と前記対向層導体パターンとを電気的に接続することによって、前記実装層導体パターンと前記対向層導体パターンとを電気的に接続することを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
【請求項１１】
電子部品を内蔵する多層プリント配線板を備える電子機器であって、
前記多層プリント配線板は、
前記電子部品が実装される実装層と、
前記実装層に形成される実装層導体パターンと、
前記実装層との間に前記電子部品を内蔵する対向層と、
前記対向層に形成される対向層導体パターンと、
前記実装層と前記対向層との間に内蔵されるとともに、前記実装層導体パターンと前記対向層導体パターンとを互いに電気的に接続する導電性を有する接続体と、
を具備することを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月26日(2008.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
電気的リードを取るための端子が取り付けられたコイン型電池において、前記端子の形状が正極缶および負極缶の少なくとも一方の膨れの頂点となる中央部を避けた形状としたことを特徴とする端子付コイン型電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
前記従来の課題を解決するために、本発明は電気的リードを取るための端子が取り付けられた端子付コイン型電池において、前記端子の形状が正極缶および負極缶の少なくとも一方の膨れの頂点となる中央部を避けた形状としたことを特徴とし、本発明のコイン型電池を用いることによって、電池と端子の接合強度の向上と接合不良の抑制を図ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月7日(2008.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水素ガスを解離させてプロトンを生成する燃料極と、
前記燃料極と対向配置されて空気中の酸素ガスを通過させる空気極と、
前記燃料極と前記空気極との間に配置されて前記プロトンを前記空気極側に移動させる着脱自在な固体電解質とを備え、
前記プロトンを前記空気中の酸素ガスと反応させて発電させることを特徴とする燃料電池。
【請求項２】
燃料極で水素ガスを解離させて生成したプロトンを固体電解質を介して空気極に移動させ、前記プロトンを前記空気中の酸素ガスと反応させて発電させる燃料電池を複数組直列に接続した燃料電池モジュールと、
前記燃料電池モジュールに発生した発電出力値を計測する計測手段と、
前記計測手段で計測した前記燃料電池モジュールの前記発電出力値が初期発電出力値から所定値以下になった場合に、一つ又は全ての前記固体電解質の交換、又は、燃料電池モジュール全体の交換を促す警告手段と、
を少なくとも備えたことを特徴とする燃料電池駆動装置。
【請求項３】
前記固体電解質は、前記固体電解質の環境温度よりも低いガラス転移温度を有していることを特徴とする請求項１記載の燃料電池。
【請求項４】
前記固体電解質は、前記固体電解質の環境温度よりも低いガラス転移温度を有していることを特徴とする請求項２記載の燃料電池駆動装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
また、請求項２記載の発明は、燃料極で水素ガスを解離させて生成したプロトンを固体電解質を介して空気極に移動させ、前記プロトンを前記空気中の酸素ガスと反応させて発電させる燃料電池を複数組直列に接続した燃料電池モジュールと、
前記燃料電池モジュールに発生した発電出力値を計測する計測手段と、
前記計測手段で計測した前記燃料電池モジュールの前記発電出力値が初期発電出力値か
ら所定値以下になった場合に、一つ又は全ての前記固体電解質の交換、もしくは、燃料電池モジュール全体の交換を促す警告手段と、
を少なくとも備えたことを特徴とする燃料電池駆動装置である。
請求項３記載の発明は、前記固体電解質は、前記固体電解質の環境温度よりも低いガラス転移温度を有していることを特徴とする請求項１記載の燃料電池である。
請求項４記載の発明は、前記固体電解質は、前記固体電解質の環境温度よりも低いガラス転移温度を有していることを特徴とする請求項２記載の燃料電池駆動装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月29日(2008.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
リンカー分子を有機半導体分子から構成する場合、有機半導体分子は、共役結合を有する有機半導体分子であって、分子の両端に、チオール基（−ＳＨ）、アミノ基（−ＮＨ2）、イソシアノ基（−ＮＣ）、シアノ基（−ＣＮ）、チオアセチル基（−ＳＣＯＣＨ3）、又は、カルボキシ基（−ＣＯＯＨ）を有する構成とすることができる。尚、有機半導体分子の両端に位置する官能基は異なっていてもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
具体的には、有機半導体分子として、例えば、構造式（１）の４，４’−ビフェニルジチオール（ＢＰＤＴ）、構造式（２）の４，４’−ジイソシアノビフェニル、構造式（３）の４，４’−ジイソシアノ−ｐ−テルフェニル、及び構造式（４）の２，５−ビス（５’−チオアセチル−２’−チオフェニル）チオフェン、構造式（５）の４，４’−ジイソシアノフェニル、構造式（６）のベンジジン（ビフェニル−４，４'−ジアミン）、構造式（７）のＴＣＮＱ（テトラシアノキノジメタン）、構造式（８）のビフェニル−４，４'−ジカルボン酸、構造式（９）の１，４−ジ（４−チオフェニルアセチリニル）−２−エチルベンゼン、構造式（１０）の１，４−ジ（４−イソシアノフェニルアセチリニル）−２−エチルベンゼン、あるいは、Bovine Serum Albumin、Horse Radish Peroxidase、antibody-antigen を例示することができる。これらは、いずれも、π共役系分子であって、少なくとも２箇所のそれぞれで、第１の微粒子及び第２の微粒子と化学的に結合する官能基を有していることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
構造式（１）：４，４’−ビフェニルジチオール
2007103829.tif 000001
構造式（２）：４，４’−ジイソシアノビフェニル
2007103829.tif 000002
構造式（３）：４，４’−ジイソシアノ−ｐ−テルフェニル
2007103829.tif 000003
構造式（４）：２，５−ビス（５’−チオアセチル−２’−チオフェニル）チオフェン
2007103829.tif 000004
構造式（５）：４，４’−ジイソシアノフェニル
2007103829.tif 000005
構造式（６）：ベンジジン（ビフェニル−４，４'−ジアミン）
2007103829.tif 000006
構造式（７）：ＴＣＮＱ（テトラシアノキノジメタン）
2007103829.tif 000007
構造式（８）：ビフェニル−４，４'−ジカルボン酸
2007103829.tif 000008
構造式（９）：１，４−ジ（４−チオフェニルアセチリニル）−２−エチルベンゼン
2007103829.tif 000009
構造式（１０）：１，４−ジ（４−イソシアノフェニルアセチリニル）−２−エチルベンゼン
2007103829.tif 000010
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
導電性を有する線状の分子から成るリンカー分子も、その両端に、チオール基（−ＳＨ）、アミノ基（−ＮＨ2）、イソシアノ基（−ＮＣ）、シアノ基（−ＣＮ）、チオアセチル基（−ＳＣＯＣＨ3）、又は、カルボキシ基（−ＣＯＯＨ）を有する構成とすることができる。尚、有機半導体分子の両端に位置する官能基は異なっていてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
［下地の表面処理］
第１の手段は、下地と第１の微粒子との相互作用を考慮した手段である。自己組織化によって第１の微粒子の２次元様の構造を形成させる際、第１の微粒子と下地との相互作用が重要となる。第１の微粒子の表面状態は、主にその表面を覆っている層を構成する分子の性質によって決定される。それ故、様々な層を有する第１の微粒子、例えば表面に疎水性を有する層（層を構成する分子が例えばアルキル基を有するもの）が形成された第１の微粒子を用い、あるいは、表面に親水性を有する層（層を構成する分子が、例えばカルボキシ基、アミノ基あるいは水酸基を有するもの）が形成された第１の微粒子を用い、更には、第１の微粒子を含む溶液から成る薄膜を形成する前に下地の表面処理を行うことで下地の表面状態を最適化し、第１の微粒子及び下地の振る舞いを変えることができ、キャスティング法の実行に最も適した条件を得ることが可能となる（T. Teranishi, et al., Adv. Mater., 2001, 13, 1699 参照）。ここで、ＳｉＯ2から成る下地の表面を親水化処理する場合、プラズマアッシング処理や、ピランハ溶液処理、酸素プラズマ処理、ＵＶ−オゾン処理による水酸基の導入を挙げることができる。一方、ＳｉＯ2から成る下地の表面を疎水化処理する場合、例えば、末端に疎水基を有する処理剤（例えば、ヘキサメチルジシラザン［（ＣＨ3）3ＳｉＮＨＳｉ（ＣＨ3）3］、オクタデシルトリクロロシラン［Ｃ18Ｈ37ＳｉＣｌ3］）による表面処理を行えばよい。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月7日(2008.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
しかしながら、洗浄用ノズルをアーム体の設け、このアーム体を回転駆動して洗浄時に位置決めするようにすると、処理用ノズルのアーム体を駆動する駆動機構とは全く別の駆動機構が必要となる。そのため、処理槽には２つの駆動機構を設けるようになるから、構造の複雑化や部品点数の増大によるコストアップ、さらには装置の大型化を招くということがある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
上記カップ体２の下面側にはベース板８が配置されている。このベース板８には、上記下カップ３と対応する位置に取付け孔９が形成されている。この取付け孔９には制御モータ１１の固定子１２の上端部が嵌入固定されている。制御モータ１１は上記制御装置７によって発停及び回転数が制御されるようになっている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月10日(2008.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記スペーサー層の膜厚は、１０ｎｍ以下であり、且つ
前記スペーサー層の濃度は、１×１０１８ｃｍ−３以上であって且つ２×１０１８ｃｍ−３以下であることを特徴とする請求項８に記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
本発明に係る第３のヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、スペーサー層の膜厚は、１０ｎｍ以下であり、且つスペーサー層の濃度は、１×１０１８ｃｍ−３以上であって且つ２×１０１８ｃｍ−３以下であることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
このように、本実施形態に係るＨＢＴでは、図４に示すように、第１のコレクタ層２０２と第２のコレクタ層２０３との間には、膜厚２０００[Å]（＝２００[ｎｍ]）で濃度が１×１０１６[ｃｍ−３]のｎ型ＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ａｓよりなる組成傾斜型コレクタ層２０８が形成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１６】
このように、本実施形態に係るＨＢＴでは、図６に示すように、第１のコレクタ層３０２と第２のコレクタ層３０３との間には、膜厚が１００Å（＝１０ｎｍ）で濃度が２×１０１８[ｃｍ−３]の高濃度ｎ型ＧａＡｓよりなるスペーサー層３０８が形成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月18日(2008.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
（１）第１の実施の形態
（ａ）太陽電池モジュールの全体の構成
図１は本発明の第１の実施の形態に係る太陽電池モジュールの模式的平面図である。図２（ａ），（ｂ）はそれぞれ第１の実施の形態に係る太陽電池モジュールの一部の模式的平面図及び模式的側面図である。図３（ａ）は図２（ａ）のＥ−Ｅ線断面図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
本実施の形態では、複数本の表面側接続タブ２および複数本の裏面側接続タブ３により第１組の２つの太陽電池１が電気的に並列接続され、第２組の２つの太陽電池１ａが電気的に並列接続され、隣接する第１組と第２組とが電気的に直列接続されている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月4日(2008.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを半導体ウェハから切出す半導体チップ切出し方法であって、
前記半導体ウェハの半導体基板の一方面上に構造体を形成する工程と、
前記半導体基板の構造体側に、該構造体の表面に前記半導体チップを保持する金属保持膜を形成する工程と、
前記半導体基板の他方面側から前記構造体の周囲を囲む切出しラインをドライエッチングして前記半導体チップを切出す工程とを備える、半導体チップ切出し方法。
【請求項２】
さらに、前記切出しラインをドライエッチング後、前記半導体基板の構造体とは他方面側を保持部材に固定する工程を含む、請求項１に記載の半導体チップ切出し方法。
【請求項３】
さらに、前記保持部材に固定した半導体チップから前記金属保持膜を除去する工程を含む、請求項２に記載の半導体チップ切出し方法。
【請求項４】
前記金属保持膜を形成する工程は、前記金属保持膜を前記構造体表面に形成した後、前記金属保持膜上に搬送部材を貼り付ける工程を含む、請求項１から３のいずれかに記載の半導体チップ切出し方法。
【請求項５】
前記切出しラインは任意のラインを描く、請求項１から４のいずれかに記載の半導体チップ切出し方法。
【請求項６】
前記切出しラインは円形を描く、請求項１から４のいずれかに記載の半導体チップ切出し方法。
【請求項７】
前記半導体チップは、前記半導体基板の他方面側から一方面側の前記構造体に至り、前記構造体の一部を成す貫通穴を有していて、
前記半導体チップを切出す工程は、前記切出しラインと前記貫通穴とを同時にドライエッチングする工程を含む、請求項１から６のいずれかに記載の半導体チップ切出し方法。
【請求項８】
前記半導体チップを切出す工程は、前記貫通穴と前記切出しラインに対応する領域を除く半導体基板の他方面側にレジストを塗布し、ドライエッチングする工程を含む、請求項７に記載の半導体チップ切出し方法。
【請求項９】
前記構造体は、少なくとも可動部および薄膜のいずれかを有する、請求項１から８のいずれかに記載の半導体チップ切出し方法。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれかの各工程により形成された、半導体チップ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
このような保持膜８としては、Ｔｉ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｌなどの金属系材料を用いると、熱伝導性が良好であるので好ましい。ただし、多少熱伝導性は劣るがポリイミド，レジストなどの樹脂系材料や、ダイシングエキスバンドテープなどのＵＶテープも使用可能である。樹脂系材料を使用した場合には、エッチングマスク用レジストとは異なる種類を用い、選択比を持たせる必要がある。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月5日(2008.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属ベースの貫通孔にガラスを介して一対のリードを気密封着したアイレットと、この金属ベースにろう付けしたヒートシンクとを具備するレーザダイオード用ステムにおいて、前記ヒートシンクは高熱伝導カーボン材である結晶配向面の熱伝導率４５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の炭素複合材または金属含浸炭素材（ＭＩＣＣ）が使用され、ダイオード素子を搭載することを特徴とするレーザダイオード用ステム。
【請求項２】
金属ベースの貫通孔にガラスを介して一対のリードを気密封着したアイレットと、この金属ベースにろう付けしたヒートシンクとを具備するレーザダイオード用ステムにおいて、前記ヒートシンクは前記高熱伝導カーボン材と銅材との合材であることを特徴とする請求項１に記載のレーザダイオード用ステム。
【請求項３】
前記金属ベース内面には前記ヒートシンクがリードとガラスの封着温度以上の融点を有する銀ろう付けにより所定位置に配置し、前記金属ベース外面には接地用リードが固着され、前記一対のリードが先端部潰しによる平坦部を形成し、かつ前記ヒートシンクの近傍にモニタ用受光素子を搭載する傾斜面が形成したことを特徴とする請求項１または２に記載のレーザダイオード用ステム。