Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月7日(2008.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２０】
半導体パッケージの製造方法であって、
支持体の表面にソルダレジスト層を形成する工程と、
該ソルダレジスト層上から支持体の表面に凹部を形成する工程と、
前記凹部の内部表面及び該内部表面に隣接してソルダレジスト層の表面の一部に延びた延在部にのみ金属層を形成する工程と、
該金属層を形成した前記凹部の内部及び前記ソルダレジスト層の表面を絶縁樹脂で覆う工程と、
前記支持体の延在部上の絶縁樹脂に、前記延在部上の金属層が露出するビア孔を形成する工程と、
該ビア孔に導体ビアを形成する工程と、
前記絶縁樹脂の上に１層ないし多層の絶縁樹脂層及び配線層を、該配線層が前記導体ビアに電気的に接続するように、形成する工程と、
最上面の絶縁樹脂層上に、前記配線層を介して前記導体ビアに接続する端子を形成する工程と、
前記支持体を除去し、該パッケージの最下面に、内部は絶縁樹脂で充填され且つ表面は金属層で覆われたバンプを露出させる工程と、
を含むことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３３】
前記ソルダレジスト層としては、エポキシアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂の何れかのソルダレジストを用いることを特徴とする請求項１７〜２２及び３２のいずれか１項に記載の半導体パッケージの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３７】
半導体素子を搭載し、封止した後、前記支持体は２枚に分離され、更に分離された２枚の支持体が各半導体装置から除去されることを特徴とする請求項３６に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
図９は本発明の第５実施形態に係る半導体パッケージの断面図である。この第５実施形態は、図３に示した第１実施形態に係る半導体パッケージのビア接続の構造のみが異なる。即ち、第１実施形態では、突出バンプ１２の金属層１６に接触する導体ビア２６ａが、バンプ１２の内部に充填されている絶縁樹脂１４の中を貫通しているが、この第５実施形態では、突出バンプ１２の表面を覆っている金属層１６は、半導体パッケージ最下層の下面上にまで延びた延在パッド部１６ａを有し、導体ビア２６ｄが最下層の絶縁樹脂層２２を貫通してこの延在パッド部１６ａに接続されている。その他の構造は、図３に示した第１実施形態に係る半導体パッケージと同様である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
また、同様に、図１７に示すように、支持体である金属板４０をエッチングにより除去する際に、支持体４０の半導体搭載側の突出バンプ１１２の端子面周縁を枠状に残すことにより補強体５００として構成することも可能である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
図２０は本発明の第６実施形態に係る半導体パッケージの製造方法を示す。この第６実施形態のように、半導体パッケージ１０ａの最下層の下面にソルダレジスト層２８を形成し、最下層の絶縁樹脂層２２の下面から下方に突出した外部接続用端子側のバンプ１２がこのソルダレジスト層２８から部分的に露出するように構成した場合も、同様の方法にて製造することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１４】
まず図２８（ａ）〜図２８（ｅ）の工程と同様の工程で、支持体４０の表面にソルダレジスト層２８が形成され、凹部４４の内部表面に電解めっきにより金属層１６が形成される。この場合において、開口部のあるソルダレジストパターンを形成するには、図３０（ａ）及び図３０（ｂ）に示すように、スクリーン印刷法やインクジェット法によって形成しても良いことは勿論である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３１】
2006196860.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月12日(2008.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】導電層を有する基板の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に導電性粒子を有する組成物の接触角が小さい無機絶縁層を形成し、
前記無機絶縁層上に有機樹脂層を選択的に形成するとともに前記無機絶縁層に第１の露出部を形成し、
前記第１の露出部上に、前記無機絶縁層と比較して導電性粒子を有する組成物の接触角が大きい層を形成し、
前記有機樹脂層を除去することにより前記無機絶縁層に第２の露出部を形成し、
前記第２の露出部上に、導電性粒子を有する組成物を塗布し焼成して、導電層を形成することを特徴とする導電層を有する基板の作製方法。
【請求項２】
基板上に導電性粒子を有する組成物の接触角が小さい有機樹脂層を形成し、
前記有機樹脂層上に無機絶縁層を選択的に形成し、
前記無機絶縁層の表面に、前記有機絶縁層と比較して導電性粒子を有する組成物の接触角が大きい層を形成し、
露出する前記有機樹脂層上に導電性粒子を有する組成物を塗布し焼成して、導電層を形成することを特徴とする導電層を有する基板の作製方法。
【請求項３】
基板上に無機絶縁層を形成し、
前記無機絶縁層上に光触媒層を選択的に形成し、
前記無機絶縁層及び前記光触媒層上に導電性粒子を有する組成物の接触角が大きい層を形成し、
前記光触媒層に光を照射し、前記導電性粒子を有する組成物の接触角が大きい層のうち前記光触媒層に接する領域を導電性粒子を有する組成物の接触角が小さい領域とし、
前記導電性粒子を有する組成物の接触角が小さい領域に、導電性粒子を有する組成物を塗布し焼成して、導電層を形成することを特徴とする導電層を有する基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１又は２において、
前記導電性粒子を有する組成物の接触角が大きい層上の前記導電性粒子を有する組成物の接触角は、前記導電性粒子を有する組成物の接触角が小さい層上の導電性粒子を有する組成物の接触角より３０度以上大きいことを特徴とする導電層を有する基板の作製方法。
【請求項５】
請求項３において、
前記導電性粒子を有する組成物の接触角が大きい層上の前記導電性粒子を有する組成物の接触角は、前記導電性粒子を有する組成物の接触角が小さい領域上の導電性粒子を有する組成物の接触角より３０度以上大きいことを特徴とする導電層を有する基板の作製方法。
【請求項６】
請求項１、２又は４において、前記無機絶縁層表面に、アルキル基、フルオロアルキル基、またはフッ化炭素鎖を有する化合物を化学吸着させて前記導電性粒子を有する組成物の接触角が大きい層を形成することを特徴とする導電層を有する基板の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記導電性粒子を有する組成物の接触角が大きい層を、液滴吐出法、又は塗布法を用いて形成することを特徴とする導電層を有する基板の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記導電性粒子を有する組成物を、液滴吐出法により塗布することを特徴とする導電層を有する基板の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記導電性粒子を有する組成物を、印刷法により塗布することを特徴とする導電層を有する基板の作製方法。
【請求項１０】
請求項９において、前記印刷法は、スクリーン印刷、オフセット印刷、凸版印刷、又はグラビア印刷であることを特徴とする導電層を有する基板の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、前記導電層はアンテナであることを特徴とする導電層を有する基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月31日(2008.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電層と、
前記導電層上に設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられた、有機化合物と電荷移動錯体を有する無機化合物との混合層と、
前記混合層上に設けられた第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に設けられた半導体層とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
導電層と、
前記導電層上に設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられた第１の有機化合物を有する層と、
前記第１の有機化合物を有する層上に設けられた、第２の有機化合物と電荷移動錯体を有する無機化合物との混合層と、
前記混合層上に設けられた第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に設けられた半導体層とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
導電層と、
前記導電層上に設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられた第１の有機化合物を有する層と、
前記第１の有機化合物を有する層上に設けられた、第２の有機化合物と電荷移動錯体を有する無機化合物との混合層と、
前記混合層上に設けられた第３の有機化合物を有する層と、
前記第３の有機化合物を有する層上に設けられた第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に設けられた半導体層とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
半導体層と、
前記半導体層上に設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられた、有機化合物と電荷移動錯体を有する無機化合物との混合層と、
前記混合層上に設けられた第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に設けられた導電層とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
半導体層と、
前記半導体層上に設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられた、第１の有機化合物と電荷移動錯体を有する無機化合物との混合層と、
前記混合層上に設けられた第２の有機化合物を有する層と、
前記第２の有機化合物を有する層上に設けられた第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に設けられた導電層とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
半導体層と、
前記半導体層上に設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられた第１の有機化合物を有する層と、
前記第１の有機化合物を有する層上に設けられた、第２の有機化合物と電荷移動錯体を有する無機化合物との混合層と、
前記混合層上に設けられた第３の有機化合物を有する層と、
前記第３の有機化合物を有する層上に設けられた第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に設けられた導電層とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記電荷移動錯体を有する無機化合物は、金属酸化物、金属窒化物、又は金属酸化窒化物であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７おいて、
前記金属酸化物は、バナジウム酸化物、モリブデン酸化物、ニオブ酸化物、レニウム酸化物、タングステン酸化物、ルテニウム酸化物、チタン酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、又はタンタル酸化物であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月9日(2008.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高熱伝導率を有し、電気的抵抗経路に接触するように構成された第１の電気絶縁体と、
前記第１の電気絶縁体と熱接触して配置された高熱伝導率の導電体と
を備えるヒート・シンク。
【請求項２】
前記第１の電気絶縁体により、電気的な絶縁がもたらされると同時に、前記電気的抵抗経路と周囲の材料の間の熱伝導が妨げられることが少なくなる、請求項１に記載のヒート・シンク。
【請求項３】
前記第１の電気絶縁体と熱接触し、ヒート・シンク・コンタクトを取り囲む高熱伝導率の絶縁体をさらに備える、請求項１に記載のヒート・シンク。
【請求項４】
前記電気的抵抗経路から、前記高熱導電率の絶縁体または前記高熱伝導率の導電体を介して前記ヒート・シンク・コンタクトに向かって形成された熱経路をさらに備える、請求項３に記載のヒート・シンク。
【請求項５】
前記電気的抵抗経路は、前記高熱伝導率の導電体の上部に形成される、請求項１に記載のヒート・シンク。
【請求項６】
前記高熱伝導率の導電体の上に形成された窒化物層と、
前記窒化物層の上に形成された高熱伝導率の第２の絶縁体と、
ヒート・シンク・コンタクトの間に介在する金属コンタクトを介して、前記ヒート・シンク・コンタクトを貫通し、高熱伝導率の前記第１の電気絶縁体に入るように形成された熱経路と、をさらに備える、請求項５に記載のヒート・シンク。
【請求項７】
前記熱経路は、前記電気的抵抗経路の下に設けられ、かつ、前記ヒート・シンク・コンタクトの２つの間にまたがる金属基板を含む、請求項６に記載のヒート・シンク。
【請求項８】
前記熱経路は、前記ヒート・シンク・コンタクトの両側に設けられる、請求項７に記載のヒート・シンク。
【請求項９】
前記金属基板は、前記電気的抵抗経路の長手方向の長さにほぼ平行に配置された第２の電気絶縁体を含む、請求項７に記載のヒート・シンク。
【請求項１０】
前記熱経路は、前記ヒート・シンク・コンタクトの両側に設けられる、請求項６に記載のヒート・シンク。
【請求項１１】
前記第１の電気絶縁体は、Ａｌ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＣｏＯ、またはＢｅＯの少なくともいずれか１つを含む、請求項１に記載のヒート・シンク。
【請求項１２】
前記第１導電体は、銅およびタングステンの少なくともいずれか１つを含む、請求項１に記載のヒート・シンク。
【請求項１３】
前記電気的抵抗経路と熱接触して配置された高熱伝導率の第２の電気絶縁体と、前記第２の電気絶縁体と熱接触して配置された高熱伝導率の第２の導電体とをさらに備える、請求項１に記載のヒート・シンク。
【請求項１４】
ヒート・シンク・コンタクトの間に介在する金属コンタクトを介して、前記ヒート・シンク・コンタクトを貫通し、高熱伝導率の前記第１の電気絶縁体に入るように形成された熱経路をさらに備える、請求項１に記載のヒート・シンク。
【請求項１５】
第１基板内に配置された電気的抵抗経路と、
前記電気的抵抗経路と熱接触して配置された高熱伝導率の電気絶縁体と、
前記電気絶縁体に隣接して配置された第２基板と、
前記電気絶縁体と熱接触して前記第２基板内に配置された高熱伝導率の導電体と
を備える、抵抗器。
【請求項１６】
前記電気絶縁体は、Ａｌ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＣｏＯ、またはＢｅＯの少なくともいずれか１つを含み、
前記導電体は、銅またはタングステンの少なくともいずれか１つを含む、請求項１５に記載の抵抗器。
【請求項１７】
前記電気絶縁体および前記導電体と熱接触して配置された高熱伝導率の第２の電気絶縁体をさらに備える、請求項１５に記載の抵抗器。
【請求項１８】
前記第２の電気絶縁体の長手方向の長さは、前記電気的抵抗経路の長手方向の長さにほぼ平行に配置される、請求項１７に記載の抵抗器。
【請求項１９】
前記電気的抵抗経路と熱接触して配置された高熱伝導率の第２の電気絶縁体と、前記第２の電気絶縁体と熱接触して配置された高熱伝導率の第２の導電体とをさらに備える、請求項１５に記載の抵抗器。
【請求項２０】
熱経路は、ヒート・シンク・コンタクトの間に介在する金属コンタクトを介して、前記ヒート・シンク・コンタクトを貫通し、高熱伝導率の前記第１の電気絶縁体に入るように形成される、請求項１５に記載の抵抗器。
【請求項２１】
第１の導電体および第２の導電体に隣接して高熱伝導率の電気絶縁体膜を備える、集積回路内の熱界面であって、前記高熱伝導率の電気絶縁体膜は、Ａｌ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＣｏＯ、またはＢｅＯの少なくともいずれか１つを含み、前記第１の導電体は抵抗器を含み、前記第２の導電体は金属を含む、熱界面。
【請求項２２】
前記第２の導電体は、前記第１の導電体から、前記高熱伝導率の電気絶縁体膜を通過してヒート・シンクに熱を伝えるように構成される、請求項２１に記載の熱界面。
【請求項２３】
抵抗器を冷却する方法であって、
電気的抵抗経路と熱接触して高熱伝導率の第１の電気絶縁体を形成するステップと、
前記第１の電気絶縁体に隣接して基板を形成するステップと、
前記第１の電気絶縁体と熱接触して第２基板内に高熱伝導率の第１の導電体を形成するステップと
を含む、方法。
【請求項２４】
前記第１の電気絶縁体および前記第１導電体と熱接触して高熱伝導率の第２の電気絶縁体を形成するステップをさらに備える、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記電気的抵抗経路の長手方向の長さにほぼ平行に、前記第２の電気絶縁体の長手方向の長さを形成するステップをさらに含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
電気的抵抗経路と熱接触して高熱伝導率の第２の電気絶縁体を形成し、前記第１の電気絶縁体と熱接触して高熱伝導率の第２の導電体とを形成するステップをさらに含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２７】
ヒート・シンク・コンタクトの間に介在する金属コンタクトを介して、前記ヒート・シンク・コンタクトを貫通し、高熱伝導率の前記第１の電気絶縁体に入る熱経路を形成するステップをさらに含む、請求項２３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月11日(2008.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた開口部を有する絶縁膜と、
前記第１の電極上の前記開口部と重なる領域と、前記絶縁膜の上と、に設けられたホール注入層と、
前記ホール注入層上に設けられた発光層と、を備えた有機ＥＬ装置において、
前記絶縁膜は、第１の絶縁層と第２の絶縁層とを有し、
前記第２の絶縁層は前記第１の絶縁層と前記ホール注入層との間に設けられ、
前記第１の絶縁層の屈折率は前記ホール注入層の屈折率と略同じであり、
前記第２の絶縁層の屈折率は前記第１の絶縁層の屈折率より大きいことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
異なる屈折率の絶縁層が複数積層されてなる共振器を、前記第１の電極の直下に設けたことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の有機ＥＬ装置において、ボトムエミッションであることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置を、ラインヘッドとして用いたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置を、表示手段とすることを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の有機ＥＬ装置は、第１の電極と、前記第１の電極上に設けられた開口部を有する絶縁膜と、前記第１の電極上の前記開口部と重なる領域と、前記絶縁膜の上と、に設けられたホール注入層と、前記ホール注入層上に設けられた発光層と、を備えた有機ＥＬ装置において、前記絶縁膜は、第１の絶縁層と第２の絶縁層とを有し、前記第２の絶縁層は前記第１の絶縁層と前記ホール注入層との間に設けられ、前記第１の絶縁層の屈折率は前記ホール注入層の屈折率と略同じであり、前記第２の絶縁層の屈折率は前記第１の絶縁層の屈折率より大きいことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月27日(2007.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
口金を有し点灯装置を収納したカバーと；
前記カバーから突設された蛍光ランプと；
前記蛍光ランプを保持するとともに前記蛍光ランプの通常点灯中に蛍光ランプ側表面温度が１４５℃以上となるホルダーと；
少なくとも前記ホルダーの蛍光ランプ側表面に形成されたシリコーン樹脂の保護膜と；
を具備したことを特徴とする電球形蛍光ランプ装置。
【請求項２】
シリコーン樹脂の保護膜の形成面は、蛍光ランプ側のホルダーの中央部のみ、またはホルダーの中央部を厚く、ホルダーの外周側を薄くしたことを特徴とする請求項１記載の電球形蛍光ランプ装置。
【請求項３】
ソケットを有する器具本体と；
ソケットに装着される請求項１または２記載の電球形蛍光ランプ装置と；
を具備したことを特徴とする照明装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項２の発明に係わる電球形蛍光ランプ装置は、請求項１の発明において、シリコーン樹脂の保護膜の形成面は、蛍光ランプ側のホルダーの中央部のみ、またはホルダーの中央部を厚く、ホルダーの外周側を薄くしたことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明は、蛍光ランプの通常点灯中に蛍光ランプ側表面温度が高温となるホルダーの部位は、蛍光ランプ側のホルダー表面のうち、特にその中央部であるので、その部位にシリコーン樹脂を厚く形成する（保護手段の形成）ようにしたものである。これにより、保護手段の形成を簡単化したり、材料を節約したりすることができる。また、ホルダーの温度が１４５℃以上、特に１５０℃以上となっても、ホルダーからオリゴマーが発生しないようにする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項３の発明に係わる照明装置は、ソケットを有する器具本体と；ソケットに装着される請求項１または２記載の電球形蛍光ランプ装置と；を具備したことを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明は、請求項１または２記載の電球形蛍光ランプ装置を装着した照明装置である。器具本体は天井または壁に埋込式のもの、置き形のスタンド式のもの、天井から吊す型式のもの等を含む。本発明によれば、ホルダーの温度が１５０℃以上となっても、ホルダーからオリゴマーが発生しない電球形蛍光ランプを使用しているので、長寿命の照明装置を提供できる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、請求項２の発明によれば、蛍光ランプ側のホルダー表面のうち、特に温度が高くなるホルダー中央部にシリコーン樹脂を厚く形成するので、より効率的にホルダーから発生するオリゴマーを抑制できる。請求項３の発明によれば、長寿命の照明装置を提供できる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月11日(2007.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
なお、本実施の形態６では、バイアス電位ＶbsがｎＭＯＳトランジスタＭ3のゲート端子に接続される経路の回路構成と、バイアス電位ＶbsがｎＭＯＳトランジスタＭ4のゲート端子に接続される経路の回路構成とは相違しているが、図７に示されるように抵抗素子Ｒb13，Ｒb14を追加することによって、両経路の回路構成を同一にしても良い。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
図７に示される回路では、ｎＭＯＳトランジスタＭ3，Ｍ4のゲート端子は、互いに直列接続された抵抗素子Ｒb11〜Ｒb14を介して接続されており、抵抗素子Ｒb12，Ｒb13の接続点には容量素子Ｃ2の一端が接続されるとともに、バイアス電位Ｖbsが印加される。従って、バイアス電位Ｖbsは、抵抗素子Ｒb13，Ｒb14を介してｎＭＯＳトランジスタＭ4のゲート端子に印加されるとともに、抵抗素子Ｒb11，Ｒb12を介してｎＭＯＳトランジスタＭ3のゲート端子に印加される。その結果、バイアス電位ＶbsがｎＭＯＳトランジスタＭ3のゲート端子に接続される経路の回路構成と、バイアス電位ＶbsがｎＭＯＳトランジスタＭ4のゲート端子に接続される経路の回路構成とが同一となり、バイアス回路３経由でｎＭＯＳトランジスタＭ3，Ｍ4のゲート端子に入力される基本波成分の位相差を低減できる。よって、バイアス電位Ｖbsに基本波成分が含まれることに起因して差動アンプ２の差動入力端子に入力される基本波成分を、図６に示される回路よりも確実に除去することができ、差動アンプ２の出力信号には現れる基本波成分を抑制することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月9日(2008.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｉｎを含む窒化物半導体からなる井戸層と窒化物半導体からなる障壁層を有する量子井戸構造の活性層を、ｐ型窒化物半導体層と、ｎ型窒化物半導体層とで挟む構造を有する窒化物半導体素子において、
前記活性層が、前記井戸層より前記ｐ型窒化物半導体層側に配置された障壁層の第１の障壁層と、該第１の障壁層とは前記井戸層を挟んで前記ｎ型窒化物半導体層側であって、前記井戸層より外側で前記ｎ型窒化物半導体層側又は前記井戸層と井戸層の間の障壁層である、第２の障壁層と、を有すると共に、
前記第１の障壁層のｎ型不純物濃度が、１×１０１７／cm3以下であり、前記第２の障壁層のｎ型不純物濃度が５×１０１７／cm3以上である窒化物半導体素子。
【請求項２】
Ｉｎを含む窒化物半導体からなる井戸層と窒化物半導体からなる障壁層を有する量子井戸構造の活性層を、ｐ型窒化物半導体層と、ｎ型窒化物半導体層とで挟む構造を有する窒化物半導体素子において、
前記活性層が、前記井戸層より外側又は前記井戸層と井戸層の間の障壁層を、Ｌ個（Ｌ≧２）有し、
前記ｎ型窒化物半導体層側に配置された障壁層を障壁層Ｂ１、該障壁層Ｂ１から前記ｐ型窒化物半導体層に向かって数えてｉ番目（ｉ＝１，２，３，・・・Ｌ）の障壁層を障壁層Ｂｉ、とした時に、
ｉ＝１からｉ＝ｎ（１＜ｎ＜Ｌ）までの障壁層Ｂｉのｎ型不純物濃度が１×１０１７／cm3以下であり、ｉ＝Ｌの障壁層ＢＬのｎ型不純物濃度が５×１０１７／cm3以上である窒化物半導体素子。
【請求項３】
前記第１の障壁層又は前記障壁層ＢＬが、前記活性層の最も外側に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化物半導体素子。
【請求項４】
前記第２の障壁層が、実質的にｐ型不純物を含まない請求項１乃至３のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【請求項５】
前記活性層内の少なくとも１つの井戸層が、４０Å以上の膜厚を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【請求項６】
前記第１の障壁層又は前記障壁層ＢＬの膜厚が、前記第２の障壁層又はｉ≠Ｌの障壁層Ｂｉの膜厚より大きいことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【請求項７】
前記第１のｐ側障壁層の膜厚が前記第２のｎ側障壁層の膜厚とほぼ同じであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【請求項８】
前記ｐ型窒化物半導体層中に、活性層に隣接して第１のｐ型窒化物半導体層を有し、該第１のｐ型窒化物半導体層がＡｌを含む窒化物半導体からなることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【請求項９】
前記第１の障壁層と前記第１のｐ型窒化物半導体層との間に、前記第１の障壁層と前記第１のｐ型窒化物半導体層との中間のバンドギャップエネルギーを有する中間層を有する請求項８記載の窒化物半導体素子。
【請求項１０】
前記第１のｐ型窒化物半導体層が、ＡｌａＧａ１−ａＮ（０＜ａ＜１）であり、前記井戸層との距離が１００Å以上で１０００Å以下である請求項８又は９記載の窒化物半導体素子。
【請求項１１】
前記活性層において、井戸層の数が１以上３以下の範囲であることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【請求項１２】
前記井戸層より外側又は井戸層と井戸層の間の障壁層が、組成・不純物量の異なる２層以上で構成される請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【請求項１３】
前記井戸層が、ＩｎαＧａ１−αＮ（０＜α≦１）であり、
前記障壁層が、ＩｎβＧａ１−βＮ（０≦β＜１、α＞β）である請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【請求項１４】
請求項１乃至１５記載の窒化物半導体素子が、前記活性層を、Ａｌを含む窒化物半導体を有する上部クラッド層と、Ａｌを含む窒化物半導体を有する下部クラッド層とで挟むレーザ素子構造を有する請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月7日(2008.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）金属箔、もしくは支持体に張り付けられた金属箔、もしくは支持体に張り付けられ回路パターンを形成された金属箔
（ｂ）層間接続手段を備えたＢステージ状態基板材料
（ｃ）回路、金属箔、層間接続手段を備えたＢステージ状態基板材料
（ｄ）回路もしくは金属箔を備えたＣステージ状態基板材料もしくは回路もしくは金属箔と層間接続手段を備えたＣステージ状態基板材料
のうち、少なくとも１種以上のＢステージ状態基板材料を含んだ２種以上の金属箔もしくは基板材料を積層物として積層する積層工程を含み、
前記積層工程は、下側の金属箔の上に２枚以上からなる下側の前記層間接続手段を備えたＢステージ状態基板材料を位置合わせして仮止めする工程と、前記下側のＢステージ状態基板材料の上に前記Ｃステージ状態基板材料を位置決めして載置し仮止めする工程と、前記Ｃステージ状態基板材料の上に２枚以上の上側の前記層間接続手段を備えたＢステージ状態基板材料を位置決めして載置し仮止めする工程と、前記上側のＢステージ状態基板材料の上に上側の前記金属箔を載置し仮止めする工程とを備えることを特徴とする回路形成基板の製造方法。
【請求項２】
前記積層工程において、互いに隣接する層間接続手段を備えたＢステージ状態基板材料間のクリアス寸法は、３ｍｍ〜０．２ｍｍの範囲であることを特徴とする請求項１に記載の回路形成基板の製造方法。
【請求項３】
前記積層工程における２枚以上の層間接続手段を備えたＢステージ状態基板材料は、Ｂステージ状態のプリプレグであり、厚み１００μｍ以下で略長方形の短辺が３５０ｍｍを超えるもの、または厚み６０μｍ以下で一辺が２００ｍｍを超えるものを分割して２枚以上としたものであることを特徴とする請求項１に記載の回路形成基板の製造方法。
【請求項４】
Ｂステージ状態基板材料は、補強材に織布を用いることを特徴とする請求項１に記載の回路形成基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の請求項１に記載の発明は、
（ａ）金属箔、もしくは支持体に張り付けられた金属箔、もしくは支持体に張り付けられ回路パターンを形成された金属箔
（ｂ）層間接続手段を備えたＢステージ状態基板材料
（ｃ）回路、金属箔、層間接続手段を備えたＢステージ状態基板材料
（ｄ）回路もしくは金属箔を備えたＣステージ状態基板材料もしくは回路もしくは金属箔と層間接続手段を備えたＣステージ状態基板材料
のうち、少なくとも１種以上のＢステージ状態基板材料を含んだ２種以上の金属箔もしくは基板材料を積層物として積層する積層工程を含み、
前記積層工程は、下側の金属箔の上に２枚以上からなる下側の前記層間接続手段を備えたＢステージ状態基板材料を位置合わせして仮止めする工程と、前記下側のＢステージ状態基板材料の上に前記Ｃステージ状態基板材料を位置決めして載置し仮止めする工程と、前記Ｃステージ状態基板材料の上に２枚以上の上側の前記層間接続手段を備えたＢステージ状態基板材料を位置決めして載置し仮止めする工程と、前記上側のＢステージ状態基板材料の上に上側の前記金属箔を載置し仮止めする工程とを備えることを特徴とする回路形成基板の製造方法としたものであり、製造上のワークサイズを大きくできるとともに積層工程後の熱プレス等の工程で金属箔が剥離シートの役目を果たすために剥離シートが不要等の効果を有する。
また、Ｃステージ状態基板材料に回路形成基板を用いることで、いわゆる一括積層方式をとることができ、生産効率が良くなる等の効果を有する。
また、金属箔を基準としてその上側に順次積層対象物を積み重ねることで、ワークサイズを大きくした場合にもプリプレグ等の基板材料のハンドリングおよび積層および位置決めが容易となり、位置合わせの精度を向上するという効果を有する。
さらに、仮止めすることによって、位置合わせの作業性が向上し、安定した積層を図ることで位置合わせの精度が向上するという効果を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明の請求項２に記載の発明は、前記積層工程において、互いに隣接する層間接続手段を備えたＢステージ状態基板材料間のクリアス寸法は、３ｍｍ〜０．２ｍｍの範囲であることを特徴とする請求項１に記載の回路形成基板の製造方法としたものであり、回路形成の際のエッチング液の染み込みや隣接する基板材料の間に隙間やボイドの発生を防止し、基板材料間への埋まり性を向上させ、かつ位置合わせ時の稼動範囲を確保することによって作業性をも向上させるという効果を有する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明の請求項３に記載の発明は、前記積層工程における２枚以上の層間接続手段を備えたＢステージ状態基板材料は、Ｂステージ状態のプリプレグであり、厚み１００μｍ以下で略長方形の短辺が３５０ｍｍを超えるもの、または厚み６０μｍ以下で一辺が２００ｍｍを超えるものを分割して２枚以上としたものであることを特徴とする請求項１に記載の回路形成基板の製造方法としたものであり、特に上記厚みおよび寸法構成のプリプレグ等のＢステージ状態基板材料においては、分割して用いることで、回路形成基板の製造時のワークサイズを大きくした場合にも基板材料のハンドリングを安定させ、より薄くサイズの大きな基板材料を用いて回路形成基板の製造が可能になるという効果を有する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本発明の請求項４に記載の発明は、Ｂステージ状態基板材料は、補強材に織布を用いることを特徴とする請求項１に記載の回路形成基板の製造方法としたものであり、特に、基板材料としてのプリプレグの補強材にガラス等の繊維を用いた織布を用いた場合には、織布を持つ寸法安定性などの利点を生かしながら、織布の持つプリプレグ状態での剛性の不足を補い積層作業を安定化できるという効果を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月29日(2007.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タン白含有物質基質をタン白分解活性および繊維加水分解活性を有する酵素により加水分解することを含む、加水分解物調味料の製造方法。  
【請求項２】
タン白含有物質基質は大豆、小麦胚芽、コーングルテン、米グルテンまたは小麦グルテンである、請求項１記載の方法。
【請求項３】
タン白含有物質基質はタン白含有物質および炭水化物から製造した発酵タン白麹である、請求項１記載の方法。
【請求項４】
発酵タン白麹は１種以上のタン白含有物質と炭水化物とを一緒にアスペルギルス・オリゼおよび／またはアスペルギルス・ソヤの培養体により発酵させて製造する、請求項３記載の方法。
【請求項５】
タン白分解活性を有する酵素は細菌、かびまたは酵母由来である、請求項１記載の方法。【請求項６】
タン白分解活性を有する酵素は麹発酵中生産される酵素、タン白物質基質に接種するために使用する乳酸菌が生産するタン白分解酵素、工業用タン白分解酵素、または２種以上のこれらの酵素の組合せである、請求項１記載の方法。
【請求項７】
繊維加水分解活性を有する酵素は細菌、かび、または酵母由来である、請求項１記載の方法。
【請求項８】
繊維加水分解活性を有する酵素は麹発酵中生産される繊維加水分解酵素、タン白物質基質に接種するために使用する乳酸菌が生産する繊維加水分解酵素、工業用繊維加水分解酵素であり、または２種以上のこれらの酵素の組合せでよい、請求項１記載の方法。
【請求項９】
タン白分解活性を有する酵素は麹発酵前植物タン白基質に、または加水分解物に添加する、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
繊維加水分解酵素は麹発酵前植物タン白基質に、または加水分解物に添加する、請求項１記載の方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法により得ることができる加水分解物調味料。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月28日(2008.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  画像データを系列変換し、符号化して得られたデータストリームの第１の部分を取り込む第１取込手段と、
前記第１取込手段により取り込まれたデータストリームを復号化して２次元画像を得る復号手段と、
前記復号手段によって得られた２次元画像を解析し、該２次元画像中の関心領域を決定する解析手段と、
前記解析手段によって決定された関心領域に基づいて前記データストリームより選択される第２の部分を取り込む第２取込手段とを備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】  前記第１取込手段で取り込む第１の部分のデータストリームは、前記解析手段による解析の実行を可能とする最低限の画質を保証するものであることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】  前記解析手段は、前記復号手段によって得られた２次元画像について医療診断支援を行なうことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項４】  前記第１取込手段で取り込む前記第１の部分のデータ量を、診断目的に応じて設定する設定手段を更に備えることを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項５】  前記関心領域は、前記医療診断支援の結果、陽性と判定された領域であることを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項６】  前記第２取込手段は、前記解析手段が出力する関心領域に対応する画像の詳細を表すデータストリームを取り込むことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項７】  前記第２取込手段は、データストリームを提供する装置に対して、前記画像の詳細を表すデータストリームの提供を要求することを特徴とする請求項６に記載の画像処理装置。
【請求項８】  前記第２取込手段は、前記関心領域に対応する領域が、前記第１取込手段で取り込まれたデータストリームによって得られる画質よりも高画質になるようにデータストリームを取り込むことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項９】  前記第２取込手段で取り込まれたデータストリームについて前記復号手段と前記解析手段を実行することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項１０】  前記復号手段で復号された２次元画像を表示するとともに、当該表示において前記解析手段で決定された関心領域を明示する表示を行なう表示手段を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項１１】  画像データを系列変換し、符号化して得られたデータストリームの第１の部分を取り込む第１取込工程と、
前記第１取込工程により取り込まれたデータストリームを復号化して２次元画像を得る復号工程と、
前記復号工程によって得られた２次元画像を解析し、該２次元画像中の関心領域を決定する解析工程と、
前記解析工程によって決定された関心領域に基づいて前記データストリームより選択される第２の部分を取り込む第２取込工程とを有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項１２】  前記第１取込工程で取り込む第１の部分のデータストリームは、前記解析工程による解析の実行を可能とする最低限の画質を保証するものであることを特徴とする請求項１１に記載の画像処理方法。
【請求項１３】  前記解析工程は、前記復号工程によって得られた２次元画像について医療診断支援を行なうことを特徴とする請求項１１に記載の画像処理方法。
【請求項１４】  前記第１取込工程で取り込む前記第１の部分のデータ量を、診断目的に応じて設定する設定工程を更に有することを特徴とする請求項１３に記載の画像処理方法。
【請求項１５】  前記関心領域は、前記医療診断支援の結果、陽性と判定された領域であることを特徴とする請求項１３に記載の画像処理方法。
【請求項１６】  前記第２取込工程は、前記解析工程が出力する関心領域に対応する画像の詳細を表すデータストリームを取り込むことを特徴とする請求項１１に記載の画像処理方法。
【請求項１７】  前記第２取込工程は、データストリームを提供する装置に対して、前記画像の詳細を表すデータストリームの提供を要求することを特徴とする請求項１６に記載の画像処理方法。
【請求項１８】  前記第２取込工程は、前記関心領域に対応する領域が、前記第１取込工程で取り込まれたデータストリームによって得られる画質よりも高画質になるようにデータストリームを取り込むことを特徴とする請求項１１に記載の画像処理方法。
【請求項１９】  前記第２取込工程で取り込まれたデータストリームについて前記復号工程と前記解析工程を実行することを特徴とする請求項１１に記載の画像処理方法。
【請求項２０】  前記復号工程で復号された２次元画像を表示するとともに、当該表示において前記解析工程で決定された関心領域を明示する表示を行なう表示工程を更に有することを特徴とする請求項１１に記載の画像処理方法。
【請求項２１】  請求項１１乃至２０のいずれか１項に記載の画像処理方法をコンピュータに実行させるための制御プログラムを格納するコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【請求項２２】  請求項１１乃至２０のいずれか１項に記載の画像処理方法をコンピュータに実行させるための制御プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月25日(2008.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  被検眼を照明する照明手段と、被検眼に対して少なくとも１つの指標を投影する指標投影手段と、前記照明手段によって照明された被検眼及び前記指標投影手段によって投影された指標像を撮影する撮像手段と、該撮像手段の撮影倍率が高いときに前記撮像手段から得られる信号の増幅率を高くするコントローラとを有することを特徴とする眼科装置。
【請求項２】  前記撮像手段の撮影倍率を設定する入力手段を有することを特徴とする請求項１に記載の眼科装置。
【請求項３】  前記指標はピント調整用の指標であることを特徴とする請求項１又は２に記載の眼科装置。
【請求項４】  前記指標は作動距離調整用の指標であることを特徴とする請求項１又は２に記載の眼科装置
【請求項５】  前記撮像手段は被検眼の眼底像を撮影することを特徴とする請求項１〜４の何れか１つの請求項に記載の眼科装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明は、被検眼を照明する照明手段と、被検眼に対して少なくとも１つの指標を投影する指標投影手段と、前記照明手段によって照明された被検眼及び前記指標投影手段によって投影された指標像を撮影する撮像手段と、該撮像手段の撮影倍率が高いときに前記撮像手段から得られる信号の増幅率を高くするコントローラとを有する眼科装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
画像コントローラ３２内には、メモリ３２ａを設ける。画像コントローラ３２の出力は、システムコントローラ３３、ディスプレイ３４、３５、画像記録手段３６、及び制御ライン３７を介してテレビカメラ制御回路３１内のスイッチング回路３１ａを動作させるための通信回路３１ｄに接続する。画像記録手段３６はＭＯ、ＭＤ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＶＴＲテープ、ハードディスク等の外部より電力供給がなくとも記憶を保持可能な記録媒体Ｄへの書き込み又は読み出しを行うドライブ装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月26日(2008.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気吸引力を利用した義歯用磁性アタッチメントと永久磁石構造体とで構成する歯科用キーパーに関するものであり、更に詳しくは、口腔内の顎堤部に固設するに際して支台歯となる残存歯の根管形成部の深さに関係無く永久磁石構造体に吸着される軟磁性体の口腔内側面の位置を理想的な位置に簡単且つ自由に調整することができる歯科用キーパーに関するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月1日(2008.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  図柄始動口に入球した際に抽出した乱数値が所定の数値であれば大当たり、前記所定の数値でなければ外れと判定する判定手段と、図柄を変動表示してから前記判定手段の判定結果が大当たりであれば大当たり図柄を確定表示し、前記判定手段の判定結果が外れであれば外れ図柄を確定表示する表示装置とを備え、前記判定手段による判定が当たりであったことを前提として遊技者に有利な特別遊技を実行する遊技機において、
前記大当たり図柄の確定表示後で前記特別遊技の開始前に特典遊技を実行することを特徴とする遊技機。
【請求項２】  請求項１記載の遊技機において、
先行する前記判定が大当たりであったこと（以下、「先行大当たり」）に起因する特典遊技中における前記判定で大当たりとなった（以下、「後続大当たり」）場合には、該後続大当たりに起因する前記特別遊技の実行を保留し、
前記先行大当たりに起因する前記特別遊技の終了後に前記保留された特別遊技を実行する
ことを特徴とする遊技機。
【請求項３】  請求項２記載の遊技機において、
前記保留された特別遊技があるときには、先行して実行される前記特別遊技の終了後、該保留された特別遊技の開始前に前記特典遊技を実行することを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】