【手続補正書】
【提出日】平成20年5月8日(2008.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エネルギの蓄積と放出とを行うトランスと、
前記トランスから放出されたエネルギを充電するメインコンデンサと、
前記トランス内部に発生する磁束量を０よりも大きい第１のレベルと０よりも大きくかつ前記第１のレベルより小さい第２のレベルとの間で変化させて前記メインコンデンサへの充電制御を行う制御手段とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記トランス内部に発生する磁束量が前記第１のレベルになると前記トランスの一次側への通電を停止させ、前記トランス内部に発生する磁束量が前記第２のレベルになると前記トランスの一次側への通電を開始させることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記トランス内部に発生する磁束量を検出する磁束量検出手段と、
前記トランスの一次側の通電状態を変更するスイッチ手段とを有し、
前記制御手段は、前記磁束量検出手段の検出結果に基づいて前記スイッチ手段を制御することを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記トランス内部に発生する磁束量が前記第１のレベルのときに前記トランスの一次側に流れる電流は第１の所定値であり、前記トランス内部に発生する磁束量が前記第２のレベルのときに前記トランスの二次側に流れる電流は第２の所定値であって、
前記制御手段は、前記トランスの一次側に流れる電流が前記第１の所定値になると前記トランスの一次側への通電を停止させ、前記トランスの二次側に流れる電流が前記第２の所定値になると前記トランスの一次側への通電を開始させることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項５】
前記トランスの一次側に流れる電流を検出する第１の電流検出手段と、
前記トランスの二次側に流れる電流を検出する第２の電流検出手段と、
前記トランスの一次側の通電状態を変更するスイッチ手段とを有し、
前記制御手段は、前記第１の電流検出手段の検出結果および前記第２の電流検出手段の検出結果に基づいて前記スイッチ手段を制御することを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記トランスの一次側への通電が開始されてから前記トランス内部に発生する磁束量が前記第１のレベルとなるまでの時間は第１の時間であり、前記トランスの一次側への通電が停止されてから前記トランス内部に発生する磁束量が前記第２のレベルとなるまでの時間は第２の時間であって、
前記制御手段は、前記トランスの一次側への通電が開始されてから前記第１の時間が経過すると前記トランスの一次側への通電を停止させ、前記トランスの一次側への通電が停止されてから前記第２の時間が経過すると前記トランスの一次側への通電を開始させることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項７】
前記発光装置に電力を供給する電池の電圧を検出する電池電圧検出手段と、
前記メインコンデンサの充電電圧を検出する充電電圧検出手段と、
前記電池電圧検出手段の検出結果に基づいて前記第１の時間を算出し、前記充電電圧検出手段の結果に基づいて前記第２の時間を算出する算出手段と、
前記トランスの一次側の通電状態を変更するスイッチ手段とを有し、
前記制御手段は、前記算出手段により算出された前記第１の時間および前記第２の時間に基づいて前記スイッチ手段を制御することを特徴とする請求項６に記載の発光装置。
【請求項８】
前記第２の時間は、前記メインコンデンサの充電電圧が高いほど短くなることを特徴とする請求項７に記載の発光装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の発光装置を有することを特徴とするカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光装置及び発光装置を有するカメラに関するものであり、特に発光時のエネルギを充電するための充電制御に関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の発光装置は、エネルギの蓄積と放出とを行うトランスと、前記トランスから放出されたエネルギを充電するメインコンデンサと、前記トランス内部に発生する磁束量を０よりも大きい第１のレベルと０よりも大きくかつ前記第１のレベルより小さい第２のレベルとの間で変化させて前記メインコンデンサへの充電制御を行う制御手段とを有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
１３は放電管であり、トリガ回路１１からの出力を受けることにより放電発光する。この放電管１３は、メインコンデンサ７と並列に接続されている。１４はコンパレータであり、反転入力端子に抵抗８が接続され、非反転入力端子にＧＮＤが接続されている。１５はコンパレータであり、非反転入力端子に抵抗５が接続され、反転入力端子にＧＮＤが接続されている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
この積分回路で得られた積分値（磁束Φ）を、コンパレータ１４にて第２レベル（二次側電流の値Ｉ２０に相当する磁束Φの値）と比較動作をさせるとともに、コンパレータ１５にて第１レベル（一次側電流のピーク値Ｉ１０に相当する磁束Φの値）と比較動作をさせる。ここで、二次側電流（Ｉ２）の値Ｉ２０は、二次側電流（Ｉ２）のピーク値に対して半分の値となっている。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
積分値が第１レベルになると、コンパレータ１５が反転してＨレベルのパルスを制御回路１６に出力する。そして、制御回路１６のＲ端子がＨレベルになることにより、Ｐ端子がＬレベルになり半導体ＳＷ４がオフになる。これにより、トランス２１の一次側への通電が停止する。一次側への通電が停止すると、トランス２１の内部に蓄えられた磁気エネルギはダイオード６を介してメインコンデンサ７へ充電電流として流れ、このメインコンデンサ７で充電されることになる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
メインコンデンサ７への充電が開始されてトランス２１内に蓄えられた磁気エネルギが減少することにより、積分値が第２レベルになると、コンパレータ１４が反転してＨレベルのパルスを制御回路１６に出力する。そして、制御回路１６のＳ端子がＨレベルになることにより、Ｐ端子がＬレベルからＨレベルへと変化し、再度半導体ＳＷ４がオンになりトランス２１の一次側への通電が開始される。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
Ｔ１＝（Ｌ１×Ｉ１０）／ＶＢＡＴ ・・・（１）
ここで、Ｌ１：トランス３の一次側インダクタンス値
Ｉ１０：一次側電流の最大値
ＶＢＡＴ：電池電圧
ステップ１０４では、マイコン３１の出力により半導体ＳＷ４をオンにし、半導体ＳＷ４をオンにしてから時間Ｔ１経過した後に、半導体ＳＷ４をオフに切り換える。半導体ＳＷ４をオフに切り換える直前でトランス３の一次側電流はちょうどこのピーク値であるＩ１０に到達する。以下では、「Φ」はトランス３の内部に生じる磁束、「Ｉ１」はトランス３の一次側電流、「Ｉ２」はトランス３の二次側電流、「Ｐ２」はマイコン３１のＰ２端子を示す。一次側電流（Ｉ１）がピーク値（Ｉ１０）に到達したとき、磁束Φは第１レベルに到達する。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
Ｔ２＝（Ｌ２×Ｉ１０）／（２×Ｎ×ＶＣＭ） ・・・（２）
ここで、Ｌ２：トランス３の二次側インダクタンス値
Ｉ１０：一次側電流の最大値
Ｎ：一次巻線及び二次巻線の巻数比
ＶＣＭ：メインコンデンサ７の充電電圧
（２）式で示すように、時間Ｔ２はメインコンデンサ７の充電電圧が高くなるほど短くなっていく。ステップ１０７では、半導体ＳＷ４を時間Ｔ２の間だけオフにする。半導体ＳＷ４をオフにした時点では、二次側電流の値がピーク値（Ｉ１０／Ｎ）にあり、半導体ＳＷ４をオフにし続けることで二次側電流の値が徐々に低下していく。そして、時間Ｔ２の経過時点で二次側電流はピーク値（Ｉ１０／Ｎ）の半分の値となる。このとき、磁束Φは第２レベルまで低下する。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
本実施形態の発光装置では、マイコン３１のＰ２端子がＴ１時間の間Ｈレベルとなることにより半導体ＳＷ４をオン制御し、Ｔ１時間経過後一次側電流は最大値Ｉ１０に到達する。このときの磁束Φは第１レベルまで上昇する。一次側電流が最大値Ｉ１０に到達した後は、マイコン３１のＰ２端子がＴ２時間の間Ｌレベルとなることにより半導体ＳＷ４をオフ制御し、二次側よりメインコンデンサ７への電流放出が行われる。つぎに、２回目以降の充電においては、マイコン３１のＰ２端子をＴ３時間の間Ｈレベルとすることにより半導体ＳＷ４をオン制御し、Ｔ３時間経過後一次側電流はちょうどＩ１０の半分の値から上昇して最大値Ｉ１０に到達する。以降、半導体ＳＷ４をＴ２時間の間オフ制御し、Ｔ３時間の間オン制御することを繰り返すことにより、充電を行うことになる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2002333653.tif 000001
【手続補正１６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2002333653.tif 000002