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【手続補正書】
【提出日】平成20年2月25日(2008.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のネットワークに無線接続され、各ネットワークとの発着信を行う通信装置であって、
前記ネットワークに対応する複数のインタフェース部と、
前記ネットワークに対する着信先のインタフェース部を選択し、前記各インタフェース部に対する電源の接続切替えを行う制御部と、
前記着信先の前記インタフェース部に前記ネットワークからの着信を迂回させるための迂回先情報を前記ネットワークの一部又は全部に通知する通知部と、
を備え、前記ネットワークの着信を迂回先の前記インタフェース部に転送させることを特徴とする通信装置。
【請求項２】
請求項１の通信装置において、
前記制御部は、電波強度により着信先のインタフェース部を選択することを特徴とする通信装置。
【請求項３】
請求項１の通信装置において、
前記制御部は、予め又は随時に設定される優先順位により着信先のインタフェース部を選択することを特徴とする通信装置。
【請求項４】
請求項１の通信装置において、
前記インタフェース部は、電波の送受を行う送受信部と、この送受信部に対する発着信情報を処理する情報処理部とを備えており、
前記情報処理部に対する電源の接続切替えを行うことを特徴とする通信装置。
【請求項５】
複数のインタフェース部を備える通信装置と無線接続されるネットワークに設置されるネットワーク装置であって、
着信先の前記インタフェース部に前記ネットワークからの着信を迂回させるための迂回先情報の通知を受け、迂回先として選択されている前記インタフェース部に着信を迂回させる処理部を備えることを特徴とするネットワーク装置。
【請求項６】
複数のネットワークと、各ネットワークに設置されたネットワーク装置に無線接続される通信装置とを備える通信システムあって、
前記通信装置は、前記ネットワークに対応する複数のインタフェース部を備え、前記ネットワークに対する着信先のインタフェース部を選択し、前記各インタフェース部に対する電源の接続切替えを行うとともに、前記着信先の前記インタフェース部に前記ネットワークからの着信を迂回させるための迂回先情報を前記ネットワークの一部又は全部に通知し、
前記ネットワーク装置は、前記迂回先情報を受け、前記通信装置の前記迂回先の前記インタフェース部に着信を迂回させることを特徴とする通信システム。
【請求項７】
複数のネットワークに無線接続されて各ネットワークとの発着信を行う通信方法であって、
前記ネットワークに対応する複数のインタフェース部の何れかを選択し、前記各インタフェース部に対する電源の接続切替えを行うステップと、
着信先の前記インタフェース部に前記ネットワークからの着信を迂回させるための迂回先情報を前記ネットワークの一部又は全部に通知するステップと、
前記ネットワークの着信を迂回先の前記インタフェース部に転送させるステップと、
を含むことを特徴とする通信方法。
【請求項８】
通信装置の複数のインタフェース部と無線接続されて発着信する通信方法であって、
着信先の前記インタフェース部にネットワークからの着信を迂回させるための迂回先情報の通知を受けるステップと、
迂回先として選択されている前記インタフェース部に着信を迂回させるステップと、
を含むことを特徴とする通信方法。
【請求項９】
コンピュータに実行させる通信プログラムであって、
複数のネットワークに対応する複数のインタフェース部の何れかを選択し、前記各インタフェース部に対する電源の接続切替えを行うステップと、
着信先の前記インタフェース部に前記ネットワークからの着信を迂回させるための迂回先情報を前記ネットワークの一部又は全部に通知するステップと、
前記ネットワークの着信を迂回先の前記インタフェース部に転送させるステップと、
を含むことを特徴とする通信プログラム。
【請求項１０】
コンピュータに実行させる通信プログラムであって、
通信装置にある複数のインタフェース部における着信先のインタフェース部に対し、ネットワークからの着信を迂回させるための迂回先情報の通知を受けるステップと、
迂回先として選択されている前記インタフェース部に着信を迂回させるステップと、
を含むことを特徴とする通信プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上記目的を達成するため、本発明の第４の側面は、複数のネットワークに無線接続されて各ネットワークとの発着信を行う通信方法であって、前記ネットワークに対応する複数のインタフェース部の何れかを選択し、前記各インタフェース部に対する電源の接続切替えを行うステップと、着信先の前記インタフェース部に前記ネットワークからの着信を迂回させるための迂回先情報を前記ネットワークの一部又は全部に通知するステップと、前記ネットワークの着信を迂回先の前記インタフェース部に転送させるステップとを含む構成である。斯かる構成により、上記目的を達成することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
上記目的を達成するため、本発明の第６の側面は、コンピュータに実行させる通信プログラムであって、複数のネットワークに対応する複数のインタフェース部の何れかを選択し、前記各インタフェース部に対する電源の接続切替えを行うステップと、着信先の前記インタフェース部に前記ネットワークからの着信を迂回させるための迂回先情報を前記ネットワークの一部又は全部に通知するステップと、前記ネットワークの着信を迂回先の前記インタフェース部に転送させるステップとを含む構成である。斯かる構成により、上記目的を達成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月24日(2008.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の成分（Ａ）、（Ｂ）：
（Ａ）キナ酸−３−ガレート（テオガリン）、キナ酸−４−ガレート、キナ酸−５−ガレートからなる３種類のキナ酸モノガレート
（Ｂ）アルミニウム
を含有し、成分（Ａ）と成分（Ｂ）の重量比率〔（Ａ）／（Ｂ）〕が１．０〜８０である容器詰茶飲料（但しカテキン類の含量が０．０５〜０．５重量％である容器詰緑茶飲料を除く）。
【請求項２】
キナ酸−３−ガレート（テオガリン）、キナ酸−４−ガレート、キナ酸−５−ガレートからなる３種類のキナ酸モノガレートの含量が０．２０〜１０ｍｇ／１００ｍｌである請求項１記載の容器詰茶飲料。
【請求項３】
アルミニウムの含量が０．０７０〜２．０ｍｇ／１００ｍｌである請求項１または２記載の容器詰茶飲料。
【請求項４】
カテキン類の含量が２０〜４２．４ｍｇ／１００ｍｌである請求項１乃至３のいずれかに記載の容器詰茶飲料。
【請求項５】
茶抽出物を添加したものである請求項１乃至４のいずれかに記載の容器詰茶飲料。
【請求項６】
環状オリゴ糖を添加したものである請求項１乃至５のいずれかに記載の容器詰茶飲料。
【請求項７】
茶飲料が緑茶またはジャスミン茶である請求項１乃至６のいずれかに記載の容器詰茶飲料。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月30日(2008.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
床面に載置されるベースと、該ベースに揺動可能に支持され被施療者の腰掛ける座部と、該座部の後端側に揺動可能に支持され被施療者の背中が当たる背凭れ部と、座部の前端側に揺動可能に支持され被施療者のふくらはぎが当たる脚部と、座部を揺動させる座部揺動手段と、背凭れ部を揺動させる背凭れ部揺動手段と、脚部を揺動させる脚部揺動手段と、座部揺動手段、背凭れ部揺動手段及び脚部揺動手段を制御する制御手段と、該制御手段に電気的に接続され座部揺動手段、背凭れ部揺動手段及び脚部揺動手段を操作する操作部と、を具えた椅子型マッサージ機において、
制御手段は、座部、背凭れ部及び脚部の角度について、予め設定されたリクライニング角度を複数記憶しており、
操作部には、前記複数のリクライニング角度のうち任意の一つを選択するリクライニング選択ボタンを具え、
制御手段は、リクライニング選択ボタンにより何れかのリクライニング角度が選択されると、座部揺動手段、背凭れ部揺動手段及び脚部揺動手段を作動させ、選択されたリクライニング角度まで座部、背凭れ部及び脚部を揺動させるようにしたことを特徴とする椅子型マッサージ機。
【請求項２】
予め設定されたリクライニング角度の１つは、床面に対する座部の形成角度Ｚが２０〜４０度、座部と背凭れ部の形成角度Ｌが１００〜１２０度、座部と脚部との形成角度Ｋが１００〜１２０度である請求項１に記載の椅子型マッサージ機。
【請求項３】
予め設定されたリクライニング角度の１つは、床面に対する座部の形成角度Ｚが２０〜４０度、座部と背凭れ部の形成角度Ｌが１１０〜１３０度、座部と脚部との形成角度Ｋが１３０〜１６０度である請求項１に記載の椅子型マッサージ機。
【請求項４】
予め設定されたリクライニング角度Ｚの１つは、床面に対する座部の形成角度が２０〜４０度、座部と背凭れ部の形成角度Ｌが１１０〜１３０度、座部と脚部との形成角度Ｋが１３０〜１６０度であって、座部、背凭れ部及び脚部の前記形成角度までの揺動は、床面に対する座部の形成角度Ｚが２０〜４０度、座部と背凭れ部の形成角度Ｌが１００〜１２０度、座部と脚部との形成角度Ｋが１００〜１２０度の状態から開始される請求項１に記載のマッサージ機。
【請求項５】
予め設定されたリクライニング角度の１つは、背凭れ部及び脚部が床面に対してほぼ水平となり、座部、背凭れ部及び脚部がほぼ平らな状態となる角度である請求項１に記載の椅子型マッサージ機。
【請求項６】
座部揺動手段、背凭れ部揺動手段及び脚部揺動手段は、夫々制御手段によって制御される独立した駆動手段を具え、制御手段は、背凭れ部揺動手段の駆動手段を、背凭れ部を起こす方向に揺動させる速度よりも、背凭れ部を倒す方向に揺動させる速度が遅くなるように制御する請求項１乃至請求項５の何れかに記載の椅子型マッサージ機。
【請求項７】
座部揺動手段、背凭れ部揺動手段及び脚部揺動手段は、夫々制御手段によって制御される独立した駆動手段を具え、制御手段は、操作部のリクライニング選択ボタンにより前記複数のリクライニング角度の何れかが選択操作されたときに、座部揺動手段と背凭れ部揺動手段を同時に作動させない請求項１に記載の椅子型マッサージ機。
【請求項８】
制御手段は、前記リクライニング選択ボタンが操作されたときに、座部揺動手段を作動させた後、背凭れ部揺動手段を作動させる請求項７に記載の椅子型マッサージ機。
【請求項９】
制御手段は、前記リクライニング選択ボタンが操作されたときに、背凭れ部揺動手段を作動させた後、座部揺動手段を作動させる請求項７に記載の椅子型マッサージ機。
【請求項１０】
操作部には、座部、背凭れ部及び脚部を夫々予め設定された初期角度に戻すための初期位置ボタンを具え、制御手段は、前記リクライニング選択ボタン又は初期位置ボタンが操作された後、座部揺動手段、背凭れ部揺動手段又は脚部揺動手段が作動している間に、再度リクライニング選択ボタン又は初期位置ボタンが操作されると、座部揺動手段、背凭れ部揺動手段及び脚部揺動手段の作動を停止する請求項１に記載の椅子型マッサージ機。
【請求項１１】
操作部には、座部、背凭れ部及び脚部を夫々予め設定された初期角度に戻すための初期位置ボタンを具え、座部又は背凭れ部には、制御手段に電気的に接続され、被施療者の有無を検知するセンサを具え、該センサが、被施療者無しと判断すると、リクライニング選択ボタン又は初期位置ボタンが操作されても、座部揺動手段、背凭れ部揺動手段及び脚部揺動手段を作動させない請求項１に記載の椅子型マッサージ機。
【請求項１２】
座部、背凭れ部及び／又は脚部には、被施療者の患部をマッサージするマッサージ手段を具え、さらに操作部には、座部、背凭れ部及び脚部を夫々予め設定された初期角度に戻すための初期位置ボタンを具え、制御手段は、初期位置ボタンが操作されると、マッサージ手段の作動を停止する請求項１に記載の椅子型マッサージ機。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月12日(2008.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信部と受信部に接続された分波回路、前記送信部と受信部に局部発振信号を供給する局部発振回路、および前記送信部と受信部とに接続されたベースバンド回路を含む識別用送受信回路であって、
前記送信部は、送信切替変調回路を含み、この送信切替変調回路は、前記局部発振回路を第１局部発振信号回路と第２局部発振信号回路に切替え接続する第１切替回路と、前記第２局部発振信号回路に接続され前記局部発振信号を前記ベースバンド回路からのベースバンド変調信号に基づいて変調して変調信号回路に変調信号を出力する変調器と、前記分波回路に接続された送信回路を前記第１局部発振信号回路と前記変調信号回路に切替え接続する第２切替回路を有し、
前記第１切替回路が前記局部発振回路を前記第１局部発振信号回路に接続したときに、前記第２切替回路が前記送信回路を前記第１局部発振信号回路に接続し、また、前記第１切替回路が前記局部発振回路を前記第２局部発振信号回路に接続したときに、前記第２切替回路が前記送信回路を前記変調信号回路に接続することを特徴とする識別用送受信回路。
【請求項２】
請求項１記載の識別用送受信回路であって、前記第１局部発振信号回路に振幅補正回路が接続されたことを特徴とする識別用送受信回路。
【請求項３】
請求項１記載の識別用送受信回路であって、前記第１局部発振信号回路に振幅・位相補正回路が接続されたことを特徴とする識別用送受信回路。
【請求項４】
請求項２または３記載の識別用送受信回路であって、前記振幅補正回路が抵抗素子の組合せにより構成されていることを特徴とする識別用送受信回路。
【請求項５】
請求項１記載の識別用送受信回路であって、前記第１局部発振信号回路に第３切替回路が配置され、この第３切替回路は、前記第１切替回路が前記局部発振回路を前記第１局部発振信号回路に接続したときに、前記第１局部発振信号回路を前記第２切替回路を通じて前記送信回路に接続し、また、前記第１切替回路が前記局部発振回路を前記第１局部発振信号回路と切離した状態で、この第１局部発振回路にリークする前記局部発振信号を無反射終端器に供給することを特徴とする識別用送受信回路。
【請求項６】
請求項１または５記載の識別用送受信回路であって、前記ベースバンド回路と前記変調器との間に第４切替回路が配置され、この第４切替回路は、前記第１切替回路が前記局部発振回路を前記第１局部発振信号回路に接続したときに、前記変調器と前記ベースバンド回路とを切離し、また、前記第１切替回路が前記局部発振回路を前記第１局部発振信号回路と切離した状態で、前記変調器に対して前記ベースバンド変調信号を供給することを特徴とする識別用送受信回路。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月11日(2008.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 
電子ワークピースを製造するための装置であり、
プラズマチャンバと、
前記プラズマチャンバ内に配置され、垂直方向に移動可能なサセプタと、
前記サセプタと前記プラズマチャンバの壁との間を接続する１つ又は２つ以上の導電性ストラップと、を備える電子ワークピースを製造するための装置。
【請求項２】 
前記各導電性ストラップが柔軟である請求項１に記載の装置。
【請求項３】 
前記サセプタは、移動範囲に沿って垂直方向に移動可能であって、
前記各導電性ストラップは、前記移動範囲に沿った前記サセプタの移動に対応するのに充分柔軟である請求項１に記載の装置。
【請求項４】 
前記サセプタは、ワークピースを前記プラズマチャンバの中へ又は前記プラズマチャンバの外へ出すような移送が可能な低位置と前記プラズマチャンバ内でプラズマ処理を実行するのに適した上位置との間で、垂直方向に移動可能であって、
前記各導電性ストラップは、前記低位置と前記上位置との間での前記サセプタの移動に対応するのに充分柔軟である請求項１に記載の装置。
【請求項５】 
前記１つ又は２つ以上の導電性ストラップが前記サセプタの下向きの表面を覆って空間的に分布される複数の導電性ストラップを含む請求項１に記載の装置。
【請求項６】 
前記サセプタは、ワークピースを保持するのに適した前面と、前記前面の反対側の背面とを有し、
前記１つ又は２つ以上の導電性ストラップが前記サセプタの前記背面を覆って空間的に分布される複数の導電性ストラップを含む請求項１に記載の装置。
【請求項７】 
前記１つ又は２つ以上の導電性ストラップが前記サセプタ周囲の周りに空間的に分布される複数の導電性ストラップを含む請求項１に記載の装置。
【請求項８】 
前記１つ又は２つ以上の導電性ストラップが前記サセプタの四隅にそれぞれ接続された４つの導電性ストラップを含む請求項１に記載の装置。
【請求項９】 
前記各導電性ストラップは、前記サセプタに接続される第１の部分と前記プラズマチャンバの前記壁に接続される第２の部分とを含み、
前記各導電性ストラップは、当該ストラップの第１の部分と第２の部分との間の間隔よりも長い請求項１〜８の何れか一項に記載の装置。
【請求項１０】 
前記各導電性ストラップがＶ字型である請求項１〜８の何れか一項に記載の装置。
【請求項１１】 
前記各導電性ストラップが＜型又は＞型である請求項１〜８の何れか一項に記載の装置。
【請求項１２】 
前記各導電性ストラップは、前記サセプタに接続される第１の部分と前記プラズマチャンバの前記壁に接続される第２の部分とを含み、
前記各導電性ストラップは、当該ストラップの第１の部分と第２の部分との間の間隔よりも長く、
前記各導電性ストラップはＶ字型であって、当該導電性ストラップの前記第１及び第２の部分がそれぞれＶ字の２つの異なる直線部分に位置する請求項１〜８の何れか一項に記載の装置。
【請求項１３】 
前記プラズマチャンバ内に配置されたガス分配プレートと、
前記ガス分配プレートに接続された接地されていない出力と前記プラズマチャンバの電気的に接地された壁に接続された接地された出力とを有するＲＦ電源とをさらに備える請求項１に記載の装置。
【請求項１４】 
電子ワークピースを製造するための装置であり、
プラズマチャンバと、
前記プラズマチャンバ内に配置され、垂直方向に移動可能なサセプタと、
前記サセプタに接続される第１の部分と前記プラズマチャンバの壁に接続される第２の部分とを含む導電性ストラップと、
前記サセプタに結合されたブロックとを備え、
前記導電性ストラップの前記第１の部分は、前記サセプタと前記ブロックとの間にあり、
前記ブロックは、前記導電性ストラップに向かい合う凸状にカーブした表面を有し、前記凸状にカーブした表面の一部が前記導電性ストラップの上位置と接している装置。
【請求項１５】 
前記ブロックは、当該ブロックが前記導電性ストラップを前記サセプタに固定するように、前記サセプタにボルトで固定されている請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】 
前記ブロックはアルミニウムである請求項１４に記載の装置。
【請求項１７】 
前記導電性ストラップはＶ字型であって、当該導電性ストラップの前記第１及び第２の部分がＶ字の２つの直線として位置する請求項１４に記載の装置。
【請求項１８】 
前記各導電性ストラップは＜型又は＞型である請求項１４に記載の装置。
【請求項１９】 
前記サセプタは、移動範囲に沿って垂直方向に移動可能であって、
前記導電性ストラップは、前記移動範囲に沿った前記サセプタの移動に対応するのに充分柔軟である請求項１４に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月18日(2008.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスのエッチング後の洗浄処理法（20）であって、
フッ素化合物と塩素化合物の両方を含むエッチング液を用意し、及び
ウエット洗浄工程において前記エッチング液を前記半導体デバイスに適用することを含む、洗浄処理法（20）。
【請求項２】
前記フッ素化合物が、ＮＨ４Ｆ、ＮａＦ、ＣａＦ２及びＨＦからなるグループから選択される、請求項１に記載の処理法。
【請求項３】
前記塩素化合物が、ＮＨ４Ｃｌ、ＨＣｌ、ＮａＣｌ及びＮａＣｌＯ４からなるグループから選択される、請求項１に記載の処理法。
【請求項４】
前記フッ素化合物がＮＨ４Ｆからなる、請求項１に記載の処理法。
【請求項５】
前記フッ素化合物がＨＦからなる、請求項１に記載の処理法。
【請求項６】
前記塩素化合物がＨＣｌからなる、請求項１に記載の処理法。
【請求項７】
前記エッチング液が、フッ素化合物：塩素化合物：水を、約１：１．６：５０００から１：１．６：１０００の範囲の比率で含む、請求項５に記載の処理法。
【請求項８】
前記ウエット洗浄工程が、処理槽への浸漬工程を含む、請求項１に記載の処理法。
【請求項９】
前記ウエット洗浄工程が、スプレー工程を含む、請求項１に記載の処理法。
【請求項１０】
前記ウエット洗浄処理が、スピンリンス乾燥工程を含む、上記１に記載の処理法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月26日(2008.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上に触媒ＣＶＤ法により少なくとも表面が窒化物からなる触媒体を用いて多結晶シリコン層を成長させるようにした多結晶シリコン層の成長方法。
【請求項２】  上記窒化物の厚さは少なくとも１ｎｍ以上である請求項１記載の多結晶シリコン層の成長方法。
【請求項３】  上記多結晶シリコン層を成長させる前に触媒体の表面を窒化することにより上記窒化物を形成するようにした請求項１記載の多結晶シリコン層の成長方法。
【請求項４】  上記多結晶シリコン層を成長させる前にタングステンからなる触媒体の表面を窒化することにより上記窒化物として窒化タングステンを形成するようにした請求項１記載の多結晶シリコン層の成長方法。
【請求項５】  窒素を含むガスの雰囲気中において８００℃以上２２００℃以下の温度に上記タングステンからなる触媒体を加熱することにより上記窒化を行うようにした請求項４記載の多結晶シリコン層の成長方法。
【請求項６】  窒素を含むガスの雰囲気中において１６００℃以上２１００℃以下の温度に上記タングステンからなる触媒体を加熱することにより上記窒化を行うようにした請求項４記載の多結晶シリコン層の成長方法。
【請求項７】  上記触媒体を使用温度に加熱する際に上記触媒体を水素雰囲気中に保つようにした請求項１記載の多結晶シリコン層の成長方法。
【請求項８】  上記触媒体を上記窒化温度に加熱する際に上記触媒体を水素雰囲気中に保つようにした請求項３記載の多結晶シリコン層の成長方法。
【請求項９】  水素雰囲気中において上記タングステンからなる触媒体を８００℃以上１６００℃以下の第１の温度に加熱した後、窒素を含むガスの雰囲気中において上記タングステンからなる触媒体を上記第１の温度よりも高く、かつ９００℃以上２２００℃以下の第２の温度に加熱することにより上記窒化を行うようにした請求項４記載の多結晶シリコン層の成長方法。
【請求項１０】  上記第１の温度は９００℃以上１１００℃以下であり、上記第２の温度は１２００℃以上２２００℃以下である請求項９記載の多結晶シリコン層の成長方法。
【請求項１１】  上記第１の温度は９００℃以上１１００℃以下であり、上記第２の温度は１６００℃以上２１００℃以下である請求項９記載の多結晶シリコン層の成長方法。
【請求項１２】  上記多結晶シリコン層中の最大タングステン濃度は５×１０16原子／ｃｍ3 以下である請求項４記載の多結晶シリコン層の成長方法。
【請求項１３】  上記窒化物は触媒体の表面に窒化物を堆積させることにより形成されたものである請求項１記載の多結晶シリコン層の成長方法。
【請求項１４】  少なくとも成長初期に成長雰囲気の全圧を１．３３×１０-3Ｐａ以上４Ｐａ以下に設定するようにした請求項１記載の多結晶シリコン層の成長方法。
【請求項１５】  少なくとも成長初期に成長雰囲気における酸素および水分の分圧を６．６５×１０-10 Ｐａ以上２×１０-6Ｐａ以下に設定するようにした請求項１記載の多結晶シリコン層の成長方法。
【請求項１６】  上記基板と上記多結晶シリコン層との界面から少なくとも厚さ１０ｎｍの部分の最大酸素濃度が５×１０18原子／ｃｍ3 以下である請求項１記載の多結晶シリコン層の成長方法。
【請求項１７】  上記基板と上記多結晶シリコン層との界面から少なくとも厚さ１０ｎｍの部分の最大酸素濃度が２．５×１０18原子／ｃｍ3 以下である請求項１記載の多結晶シリコン層の成長方法。
【請求項１８】  上記基板と上記多結晶シリコン層との界面から少なくとも厚さ５０ｎｍの部分の最大酸素濃度が５×１０18原子／ｃｍ3 以下である請求項１記載の多結晶シリコン層の成長方法。
【請求項１９】  上記基板と上記多結晶シリコン層との界面から少なくとも厚さ１００ｎｍの部分の最大酸素濃度が５×１０18原子／ｃｍ3 以下である請求項１記載の多結晶シリコン層の成長方法。
【請求項２０】  単結晶シリコンと格子整合する物質層上に触媒ＣＶＤ法により少なくとも表面が窒化物からなる触媒体を用いて単結晶シリコン層をエピタキシャル成長させるようにした単結晶シリコン層のエピタキシャル成長方法。
【請求項２１】  少なくとも表面が窒化物からなる触媒体を用いた触媒ＣＶＤ装置。
【請求項２２】  基板上に触媒ＣＶＤ法により少なくとも表面が炭化物からなる触媒体を用いて多結晶シリコン層を成長させるようにした多結晶シリコン層の成長方法。
【請求項２３】  単結晶シリコンと格子整合する物質層上に触媒ＣＶＤ法により少なくとも表面が炭化物からなる触媒体を用いて単結晶シリコン層をエピタキシャル成長させるようにした単結晶シリコン層のエピタキシャル成長方法。
【請求項２４】  少なくとも表面が炭化物からなる触媒体を用いた触媒ＣＶＤ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月23日(2008.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のＥＬ素子と、第１のトランジスタと、を有する第１の画素と、
第２のＥＬ素子と、第２のトランジスタと、を有する第２の画素と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は前記第１のＥＬ素子と電気的に接続され、前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方は第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方は前記第２のＥＬ素子と電気的に接続され、前記第２のトランジスタのソース及びドレインの他方は第２の配線と電気的に接続され、
前記第１のＥＬ素子と前記第２のＥＬ素子は互いに異なる色に発光し、
前記第１の配線の幅と前記第２の配線の幅は互いに異なることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１のトランジスタのチャネル幅と前記第２のトランジスタのチャネル幅は互いに異なることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとはＬＤＤ領域を有し、
前記第１のトランジスタのＬＤＤ領域の幅と前記第２のトランジスタのＬＤＤ領域の幅は互いに異なることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
第１のＥＬ素子と、第１のトランジスタと、を有する第１の画素と、
第２のＥＬ素子と、第２のトランジスタと、を有する第２の画素と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は前記第１のＥＬ素子と電気的に接続され、前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方は第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方は前記第２のＥＬ素子と電気的に接続され、前記第２のトランジスタのソース及びドレインの他方は第２の配線と電気的に接続され、
前記第１のＥＬ素子と前記第２のＥＬ素子は互いに異なる色に発光し、
前記第１のＥＬ素子が発光するときに前記第１のＥＬ素子を流れる電流の電流密度は、前記第２のＥＬ素子が発光するときに前記第２のＥＬ素子を流れる電流の電流密度よりも大きく、
前記第１の配線の幅は前記第２の配線の幅よりも大きいことを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１のトランジスタのチャネル幅は前記第２のトランジスタのチャネル幅よりも大きいことを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとはＬＤＤ領域を有し、
前記第１のトランジスタのＬＤＤ領域の幅は前記第２のトランジスタのＬＤＤ領域の幅よりも大きいことを特徴とする表示装置。
【請求項７】
第１のＥＬ素子と、第１のトランジスタと、を有する第１の画素と、
第２のＥＬ素子と、第２のトランジスタと、を有する第２の画素と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は前記第１のＥＬ素子と電気的に接続され、前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方は第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方は前記第２のＥＬ素子と電気的に接続され、前記第２のトランジスタのソース及びドレインの他方は第２の配線と電気的に接続され、
前記第１のＥＬ素子と前記第２のＥＬ素子は互いに異なる色に発光し、
前記第１のＥＬ素子が発光するときに前記第１のＥＬ素子を流れる電流の電流密度をＩ１とし、前記第２のＥＬ素子が発光するときに前記第２のＥＬ素子を流れる電流の電流密度をＩ２とし、前記第１の配線の幅をＷ１とし、前記第２の配線の幅をＷ２とすると、
Ｗ１：Ｗ２＝Ｉ１：Ｉ２であることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
第１のＥＬ素子と、第１のトランジスタと、を有する第１の画素と、
第２のＥＬ素子と、第２のトランジスタと、を有する第２の画素と、
第３のＥＬ素子と、第３のトランジスタと、を有する第３の画素と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は前記第１のＥＬ素子と電気的に接続され、前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方は第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方は前記第２のＥＬ素子と電気的に接続され、前記第２のトランジスタのソース及びドレインの他方は第２の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース及びドレインの一方は前記第３のＥＬ素子と電気的に接続され、前記第３のトランジスタのソース及びドレインの他方は第３の配線と電気的に接続され、
前記第１のＥＬ素子乃至前記第３のＥＬ素子は互いに異なる色に発光し、
前記第１のＥＬ素子が発光するときに前記第１のＥＬ素子を流れる電流の電流密度をＩ１とし、前記第２のＥＬ素子が発光するときに前記第２のＥＬ素子を流れる電流の電流密度をＩ２とし、前記第３のＥＬ素子が発光するときに前記第３のＥＬ素子を流れる電流の電流密度をＩ３とし、前記第１の配線の幅をＷ１とし、前記第２の配線の幅をＷ２とし、前記第３の配線の幅をＷ３とすると、
Ｗ１：Ｗ２：Ｗ３＝Ｉ１：Ｉ２：Ｉ３であることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記表示装置を有することを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月23日(2008.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極、第２の電極および前記第１の電極と前記第２の電極とに挟まれた有機化合物層を有する発光素子を含む発光装置において、
前記発光素子は絶縁表面を有する第１の基板上に形成され、かつ、シール材によって第２の基板と張り合わされており、
前記第１の基板の側部から前記シール材の露出部および前記第２の基板の側部まで連続的にＤＬＣ膜が設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
第１の電極、第２の電極および前記第１の電極と前記第２の電極とに挟まれた有機化合物層を有する発光素子を含む発光装置において、
前記発光素子は絶縁表面を有する第１の基板上に形成され、かつ、シール材によって第２の基板と張り合わされており、
前記第１の基板の端部から前記シール材の露出部および前記第２の基板の端部まで連続的にＤＬＣ膜が設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の基板と前記ＤＬＣ膜の間、および前記第２の基板と前記ＤＬＣ膜の間には、窒化膜が設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記窒化膜は、窒化珪素膜または、窒化酸化珪素膜であることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項３または請求項４において、
前記窒化膜の膜厚は２〜２０ｎｍであることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記ＤＬＣ膜の膜厚は５〜１００ｎｍであることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第２の基板は、前記有機化合物層から放射された光を透過することを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記第２の基板の表面及び裏面には、前記ＤＬＣ膜が設けられていないことを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記第１の基板および前記第２の基板は、可撓性を有する有機樹脂材料からなることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記ＤＬＣ膜は、１５〜２５ＧＰａの硬度を有することを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月12日(2008.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶構造を有する半導体層の一部にｎ型を付与する不純物元素及び水素を同時に添加することによって、前記一部の上層部分を非晶質化するとともに、前記一部の下層部分に結晶質を残存させ、
１００〜３００℃の温度で加熱処理を行うことによって、前記一部の中に前記水素を拡散させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
結晶構造を有する半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして用いて、前記半導体層の一部にｎ型を付与する不純物元素及び水素を同時に添加することによって、前記一部の上層部分を非晶質化するとともに、前記一部の下層部分に結晶質を残存させ、
１００〜３００℃の温度で加熱処理を行うことによって、前記一部の中に前記水素を拡散させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記加熱処理は、水素化処理であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
結晶構造を有する半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして用いて、前記半導体層の一部にｎ型を付与する不純物元素及び水素を同時に添加することによって、前記一部の上層部分を非晶質化するとともに、前記一部の下層部分に結晶質を残存させ、
前記ゲート電極上に１００〜３００℃の温度で層間絶縁膜を形成することによって、前記一部の中に前記水素を拡散させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記不純物元素及び前記水素を添加する前に、前記ゲート電極をマスクとして前記ゲート絶縁膜を選択的に除去して、前記半導体層の前記一部を露出させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
全ての製造プロセス温度を３５０℃以下の温度で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
全ての製造プロセス温度を３５０℃以下の温度で行う半導体装置の作製方法であって、
結晶構造を有する半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして用いて、前記半導体層の一部にｎ型を付与する不純物元素及び水素を同時に添加することによって、前記一部の上層部分を非晶質化するとともに、前記一部の下層部分に結晶質を残存させ、
前記ゲート電極上に１００〜３００℃の温度で層間絶縁膜を形成することによって、前記一部の中に前記水素を拡散させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
絶縁表面上のＴＦＴを含む半導体装置において、
前記ＴＦＴのチャネル形成領域は、結晶構造であり、且つ、前記ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域は、主に非晶質構造であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
絶縁表面上のＴＦＴを含む半導体装置において、
前記ＴＦＴのチャネル形成領域は、結晶構造を有し、且つ、前記ＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の少なくとも上層部分は、非晶質構造を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項８又は９において、
前記絶縁表面は、プラスチック基板上に設けられた絶縁膜表面であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月31日(2008.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体層に不純物元素を導入し、
前記不純物元素が導入された前記半導体層に選択的に金属元素を導入し、
加熱処理により前記半導体層の結晶化および前記不純物元素の活性化を行ない、
前記半導体層に前記基板の表面側からレーザビームを照射し、
前記レーザビームの一部は、前記ゲート電極を透過することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板の表面上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体層に不純物元素を導入し、
前記不純物元素が導入された前記半導体層に選択的に金属元素を導入し、
加熱処理により前記半導体層の結晶化および前記不純物元素の活性化を行ない、
前記半導体層に前記基板の裏面側からレーザビームを照射し、
前記レーザビームの一部は、前記基板を透過することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板の表面上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体層に不純物元素を導入し、
前記不純物元素が導入された前記半導体層に選択的に金属元素を導入し、
加熱処理により前記半導体層の結晶化および前記不純物元素の活性化を行ない、
前記半導体層に前記基板の表面側および裏面側の両側からレーザビームを照射し、
前記レーザビームの一部は、前記基板または前記ゲート電極を透過することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板の表面上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体層に不純物元素を導入し、
前記不純物元素が導入された前記半導体層に選択的に金属元素を導入し、
第１の加熱処理により前記半導体層の結晶化および前記不純物元素の活性化を行ない、
前記半導体層に前記基板の表面側からレーザビームを照射し、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体層に１５族に属する元素を導入し、
第２の加熱処理により前記金属元素を前記１５族に属する元素が導入された領域にゲッタリングし、
前記レーザビームの一部は、前記ゲート電極を透過することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板の表面上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体層に不純物元素を導入し、
前記不純物元素が導入された前記半導体層に選択的に金属元素を導入し、
第１の加熱処理により前記半導体層の結晶化および前記不純物元素の活性化を行ない、
前記半導体層に前記基板の裏面側からレーザビームを照射し、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体層に１５族に属する元素を導入し、
第２の加熱処理により前記金属元素を前記１５族に属する元素が導入された領域にゲッタリングし、
前記レーザビームの一部は、前記基板を透過することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
基板の表面上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体層に不純物元素を導入し、
前記不純物元素が導入された前記半導体層に選択的に金属元素を導入し、
第１の加熱処理により前記半導体層の結晶化および前記不純物元素の活性化を行ない、
前記半導体層に前記基板の表面側および裏面側の両側からレーザビームを照射し、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体層に１５族に属する元素を導入し、
第２の加熱処理により前記金属元素を前記１５族に属する元素が導入された領域にゲッタリングし、
前記レーザビームの一部は、前記基板または前記ゲート電極を透過することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記金属元素は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂから選ばれた一種または複数の元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記不純物元素は、ｎ型を付与する不純物元素またはｐ型を付与する不純物元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記レーザビームは、パルス発振または連続発振の気体レーザまたは固体レーザから発振されたレーザビームであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、
前記レーザビームは、パルス発振または連続発振のエキシマレーザ、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザから選ばれた一種から発振されたレーザビームであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至９のいずれか一において、
前記レーザビームは、パルス発振または連続発振のＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザから選ばれた一種から発振されたレーザビームであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月22日(2008.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  遊技球が進入可能な進入口と、当該進入口から進入した遊技球が転動可能な転動部と、当該転動部を転動してから遊技球が通過する複数の通過領域とを備えた遊技機であって、
前記進入口および前記転動部のうちで一方または双方に備えて遊技球の移動速度を検出する速度検出手段と、
前記速度検出手段によって検出した移動速度に基づいて前記複数の通過領域のうちで特定の通過領域を遊技球が通過するか否かを予測して報知する予測報知手段と
を有する遊技機。
【請求項２】  請求項１に記載した遊技機であって、
前記予測報知手段は第１条件を満たすことを契機として報知を行う遊技機。
【請求項３】  請求項１または請求項２に記載した遊技機であって、
前記転動部を転動する遊技球の移動方向を変える可動体と、
前記速度検出手段によって検出した移動速度に基づいて前記可動体の動作態様を異ならせて遊技球の移動方向を変える動作制御手段と
を有する遊技機。
【請求項４】  請求項３に記載した遊技機であって、
前記予測報知手段は、前記速度検出手段によって検出した移動速度と、前記動作制御手段によって制御する前記可動体の動作態様とに基づいて、前記複数の通過領域のうちで特定の通過領域を遊技球が通過するか否かを予測して報知する遊技機。
【請求項５】  請求項３または請求項４に記載した遊技機であって、
前記動作制御手段は、第２条件を満たすことを契機として、遊技球が特定の通過領域を通過するように前記可動体の動作タイミングを調整する遊技機。
【請求項６】  請求項１から請求項５のいずれか一項に記載した遊技機であって、
前記進入口および前記転動部のうちで一方または双方に備えて遊技球の移動方向を検出する方向検出手段を有し、
前記予測報知手段は前記速度検出手段によって検出した移動速度と、前記方向検出手段によって検出した移動方向とに基づいて前記複数の通過領域のうちで特定の通過領域を遊技球が通過するか否かを予測して報知する遊技機。
【請求項７】  請求項３から請求項６のいずれか一項に記載した遊技機であって、
検出手段をそれぞれ有する複数の進入口を有し、
前記動作制御手段は、どの進入口に備えた検出手段が遊技球を検出したかに応じて前記可動体の動作態様を異ならせる遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月6日(2007.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  燃焼器（１４）を運転する方法であって、燃焼器（１４）が、中心軸線の周りに配列された環状列の複数の外側燃料ノズル（３２）と中心軸線上に設置された中央ノズル（３３）とを有しており、上記環状列には、予混合燃料（８２）、液体燃料（１０６）、水（１０２）及び噴霧空気（９４）が選択的に供給され、さらに中央ノズル（３３）には、拡散燃料（５４）及び予混合燃料（６２）が選択的に供給され、当該方法が、
（ａ）始動時に、中央燃料ノズル（３３）に拡散燃料（５４）を供給する段階と、
（ｂ）単位負荷が増加するにつれて、環状列の外側ノズル（３２）の少なくとも１つに予混合燃料（８２）を供給する段階と、
（ｃ）部分負荷時に、中央ノズル（３３）への拡散燃料（５４）の流れを中止し、対応する割合の燃料を環状列の外側ノズル（３２）の少なくとも１つに供給し直して、それによって燃料流れを一定に維持する段階と、
（ｄ）負荷がさらに増加した後、環状列の外側燃料ノズルへの予混合燃料の供給を追加することなく、中央ノズル（３３）への予混合燃料（６２）の供給を開始する段階と、
（ｅ）タービン負荷が増加するにつれて、環状列の燃料ノズル（３２）のすべて及び中央ノズル（３３）に予混合燃料（６２，８２）を選択的に追加する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】  環状列の外側燃料ノズル（３２）における各燃料ノズルが空気旋回翼（５０）を備えており、予混合燃料を、空気旋回翼（５０）の上流の予混合ガス燃料流入口（８２）から外側燃料ノズル（３２）に供給して空気旋回翼（５０）の下流の燃料噴射ポート（８８）から噴射する、請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月21日(2007.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】位置測定装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  走査面を規定する複数の走査要素（１４）とこれらの走査要素（１４) に対して相対運動する測定部面を規定する１つの測定部（１２）とによって位置に依存する出力信号（Ａ，Ｂ）を生成する位置測定装置において、この位置測定装置が、以下の要素を有する：
ａ）１つの制御装置（１９）が調節量（Ｓ）を処理し、さらにこの目的のために必要なこの調節量値が、この制御装置（１９）によって絶え間なく算出されることによって、この制御装置（１９）は、出力信号（Ａ，Ｂ）を一定の信号振幅に制御するこの制御装置、
ｂ）調節量値をシリアル伝送に適したデジタル信号に変換する１つの変換装置（１６）。    【請求項２】  調節量値をデジタル信号に変換する場合に、このデジタル値は走査面と走査部面との間の走査距離（Ｄ）に相当するように、変換装置（１６）が構成されている請求項１に記載の位置測定装置。
【請求項３】  位置測定装置は、走査面と測定部面との間の距離を規定する走査距離を調節する調節要素（１３）をさらに有する請求項２に記載の位置測定装置。
【請求項４】  デジタル信号を同期式のシリアルインターフェースとして構成されている１つの順次電子機器（２０）に伝送する１つの伝送装置（１６) が、変換装置（１５）に後続配置されている請求項１に記載の位置測定装置。
【請求項５】  １つの表示装置（２１) が、順次電子機器（２０) の側面上に配置されていて、この表示装置（２１) は、伝送されたデジタル信号を表示するために使用される請求項１に記載の位置測定装置。
【請求項６】  位置測定装置（１０) は、誘導的な位置測定装置として構成されていて、この位置測定装置（１０) は、走査面内に多数の送信コイルと受信コイル（１４，１８）を有し、出力信号（Ａ，Ｂ）を一定の信号振幅に制御する制御装置（１９) が、この送信コイル（１８）の通電量を調節量として変化させる請求項１に記載の位置測定装置。    【請求項７】  出力信号（Ａ，Ｂ）を一定の信号振幅に制御する制御装置（１９) は、増幅要素の増幅量を調節量（Ｓ）として変化させる請求項１に記載の位置測定装置。
【請求項８】  位置測定装置は、１つの光源と多数の検出要素を有する光電的な位置測定装置として構成されていて、出力信号を一定の信号振幅に制御する制御装置が光源の光度を変化させるため、その光源電流が調節量として可変である請求項１に記載の位置測定装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この課題は、請求項１の特徴に記載の位置測定装置によって解決される。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月13日(2007.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 ガスタービンエンジンの中空タービン翼形部（１２）であって、
中空内部（２２）を囲んでいる外壁（４０）を備え、
前記外壁（４０）は翼形部基部（４６）から翼形部先端（４８）まで翼幅方向（Ｓ）に半径方向外方に延在し、翼弦方向に相隔たる前縁（ＬＥ）及び後縁（ＴＥ）と、前記前縁（ＬＥ）と後縁ブロック（５０）との間に翼弦方向に延在する幅方向に相隔たる圧力側及び吸引側部分（５２、５４）とを有し、前記後縁ブロック（５０）は前記後縁で終わっており、
また、前記中空内部（２２）から後方に前記後縁ブロック（５０）を翼弦方向に貫通している複数の後縁冷却空気ダクト（６０）と、
前記ダクトから前記後縁ブロック（５０）を貫通している複数の後縁フィルム冷却孔（６２）とを備え、
前記吸引側部分（５４）は、前記圧力側部分（５２）の圧力壁の第２厚さ（Ｔ２）より大きな第１厚さ（Ｔ１）を有する中空タービン翼形部（１２）。
【請求項２】 低いひずみ対破損比の材料で製造した請求項１記載の翼形部（１２）。
【請求項３】 セラミックマトリックス複合材で製造した請求項１記載の翼形部（１２）。
【請求項４】 前記セラミックマトリックス複合材はＳｉＣマトリックスとＳｉＣ繊維を有する、請求項３記載の翼形部（１２）。
【請求項５】 単体セラミック材料で製造した請求項１記載の翼形部（１２）。
【請求項６】 前記後縁冷却空気ダクト（６０）は前記中空内部（２２）から後方に先細になっている、請求項１記載の翼形部（１２）。
【請求項７】 前記後縁冷却空気ダクト（６０）は前記中空内部（２２）から後方に前記後縁ブロック（５０）を完全に貫通している、請求項６記載の翼形部（１２）。
【請求項８】 請求項１乃至７のいずれか１項に記載の中空の翼形部（１２）を有する、ガスタービンエンジン静翼（１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月26日(2007.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
以上、詳述したように、前記各扉錠４〜６の施解錠連動機構にはそれぞれ係合ピン４ｄ，５ａ，６ａを形成し、一本の連結部材７の適所に設けられた係合部７ａ，７ｂ，７ｄにこれらの係合ピン４ｄ，５ａ，６ａを係合することにより、主錠４の施解錠操作に連動して、各補助錠５，６を連動して施解錠可能としている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月14日(2008.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 
コイン投入口(4)と、コイン投入口(4)から受け入れたコインを判定し、受入出口(12f)へ分配するコインセレクタ(12)と、コインの支払装置(20)と、前記受入出口(12f)と前記支払装置(20)を接続する溝(15d)と、前記溝(15d)を覆って筒状の通路(15t)を構成する着脱自在なカバー(18)を含むコイン受入支払装置。
【請求項２】
コイン投入口(4)と、コイン投入口(4)から受け入れたコインを判定し、受入出口(12f)と返却出口(12g)へ分配するコインセレクタ(12)と、投入コインの返却口(5)と、コイン支払装置(20)と、前記受入出口(12f)と前記コイン支払装置(20)とを接続する受入溝(15d)と、前記返却出口(12g)と前記返却口(5)とを接続する返却溝(17d)を有するフレーム(11)と、前記受入溝(15d)、返却溝(17d)を覆ってそれぞれ筒状の受入通路(15t)、返却通路(17t)を構成する着脱自在なカバー(18)を含むコイン受入支払装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月30日(2007.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  処理室内で基板が載置される基板保持台の内部に熱媒体流路が形成され、該熱媒体流路に邪魔板が所要間隔で設けられ、該邪魔板の少なくとも一端に熱媒体が流通する間隙が形成されたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】  処理室内で基板が載置される基板保持台の内部に熱媒体流路が形成され、該熱媒体流路の流路幅より狭い幅を有する邪魔板が放射状に等分角ピッチで前記熱媒体流路を横切る様に形成され、前記邪魔板の少なくとも一端と、円形の中央部とリング状の周辺部との少なくとも一方との間に、所定の間隙が形成され、前記邪魔板は等分した位置の一カ所が欠如しており、欠如した部分には仕切板が配置され、該仕切板を挾んで熱媒体供給管と熱媒体排出管が前記熱媒体流路に連通していることを特徴とする基板処理装置。