【手続補正書】
【提出日】平成19年11月7日(2007.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン含有材料よりなる下地層上にタングステン及び／又は窒化タングステンよりなるエッチング対象層が形成された被処理体に対して真空引き可能になされた処理容器内にてプラズマの存在下でエッチング処理を施すようにしたエッチング方法において、
前記エッチング時のガスとして塩素含有ガスと酸素含有ガスと窒素含有ガスのみとを用いるようにしたことを特徴とするエッチング方法。
【請求項２】
前記塩素含有ガス及び前記窒素含有ガスの合計流量に対する前記酸素含有ガスの添加量は２．９〜８．６％の範囲内であり、前記塩素含有ガス及び前記窒素含有ガスの合計流量に対する前記窒素含有ガスの流量比は５０〜８０％の範囲内であることを特徴とする請求項１記載のエッチング方法。
【請求項３】
シリコン含有材料よりなる下地層上にタングステン及び／又は窒化タングステンよりなるエッチング対象層が形成された被処理体に対して真空引き可能になされた処理容器内にてプラズマの存在下でエッチング処理を施すようにしたエッチング方法において、
前記エッチング時のガスとして塩素含有ガスと酸化窒素系ガスのみとを用いるようにしたことを特徴とするエッチング方法。
【請求項４】
前記プラズマはマイクロ波によって発生されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のエッチング方法。
【請求項５】
前記エッチング処理はＲＬＳＡ（Ｒａｄｉａｌ  Ｌｉｎｅ  Ｓｌｏｔ  Ａｎｔｅｎｎａ）方式の平面アンテナ部材を用いた処理容器内で行われることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のエッチング方法。
【請求項６】
前記下地層はポリシリコン層よりなり、前記エッチング対象層は窒化タングステン膜とタングステン膜との積層構造よりなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のエッチング方法。
【請求項７】
シリコン含有材料よりなる下地層上にタングステン及び／又は窒化タングステンよりなるエッチング対象層が形成された被処理体に対して真空引き可能になされた処理容器内にてプラズマの存在下でエッチング処理を施すに際して、
前記エッチング時のガスとして塩素含有ガスと酸素含有ガスと窒素含有ガスのみとを用いてエッチング処理を施すようにエッチング装置を制御するプログラムを記憶する記憶媒体。
【請求項８】
シリコン含有材料よりなる下地層上にタングステン及び／又は窒化タングステンよりなるエッチング対象層が形成された被処理体に対して真空引き可能になされた処理容器内にてプラズマの存在下でエッチング処理を施すに際して、
前記エッチング時のガスとして塩素含有ガスと酸化窒素系ガスのみとを用いてエッチング処理を施すようにエッチング装置を制御するプログラムを記憶する記憶媒体。
【請求項９】
真空引き可能になされた処理容器と、
シリコン含有材料よりなる下地層上にタングステン及び／又は窒化タングステンよりなるエッチング対象層が形成された被処理体を載置するために前記処理容器内に設けられた載置台と、
前記処理容器内へ塩素含有ガスと酸素含有ガスと窒素含有ガスのみとをエッチング時のガスとして供給するためのガス供給手段と、
前記処理容器内でプラズマを立てるためのプラズマ形成手段と、
前記処理容器内へ前記エッチング時のガスを供給する工程と前記処理容器内へプラズマを立ててエッチングを行う工程とを実行するように制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とするエッチング装置。
【請求項１０】
真空引き可能になされた処理容器と、
シリコン含有材料よりなる下地層上にタングステン及び／又は窒化タングステンよりなるエッチング対象層が形成された被処理体を載置するために前記処理容器内に設けられた載置台と、
前記処理容器内へ塩素含有ガスと酸化窒素系ガスのみとをエッチング時のガスとして供給するためのガス供給手段と、
前記処理容器内でプラズマを立てるためのプラズマ形成手段と、
前記処理容器内へ前記エッチング時のガスを供給する工程と前記処理容器内へプラズマを立ててエッチングを行う工程とを実行するように制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とするエッチング装置。
【請求項１１】
前記プラズマはマイクロ波によって発生されることを特徴とする請求項９または１０記載のエッチング装置。
【請求項１２】
前記プラズマ形成手段は、ＲＬＳＡ方式の平面アンテナ部材によりプラズマを形成するように構成されていることを特徴とする請求項９乃至１１のいずれかに記載のエッチング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項１に係る発明は、シリコン含有材料よりなる下地層上にタングステン及び／又は窒化タングステンよりなるエッチング対象層が形成された被処理体に対して真空引き可能になされた処理容器内にてプラズマの存在下でエッチング処理を施すようにしたエッチング方法において、前記エッチング時のガスとして塩素含有ガスと酸素含有ガスと窒素含有ガスのみとを用いるようにしたことを特徴とするエッチング方法である。
このように、エッチング時のガスとして塩素含有ガスと酸素含有ガスと窒素含有ガスとを用いるようにしたので、下地層に対して高い選択性を維持しつつ、しかも適正なエッチング形状を得ることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この場合、例えば請求項２に規定するように、前記塩素含有ガス及び前記窒素含有ガスの合計流量に対する前記酸素含有ガスの添加量は２．９〜８．６％の範囲内であり、前記塩素含有ガス及び前記窒素含有ガスの合計流量に対する前記窒素含有ガスの流量比は５０〜８０％の範囲内である。
請求項３に係る発明は、シリコン含有材料よりなる下地層上にタングステン及び／又は窒化タングステンよりなるエッチング対象層が形成された被処理体に対して真空引き可能になされた処理容器内にてプラズマの存在下でエッチング処理を施すようにしたエッチング方法において、前記エッチング時のガスとして塩素含有ガスと酸化窒素系ガスのみとを用いるようにしたことを特徴とするエッチング方法である。
このように、エッチング時のガスとして塩素含有ガスと酸化窒素系ガスとを用いるようにしたので、下地層に対して高い選択性を維持しつつ、しかも適正なエッチング形状を得ることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
この場合、例えば請求項４に規定するように、前記プラズマはマイクロ波によって発生される。
また例えば請求項５に規定するように、前記エッチング処理はＲＬＳＡ（Ｒａｄｉａｌ  Ｌｉｎｅ  Ｓｌｏｔ  Ａｎｔｅｎｎａ）方式の平面アンテナ部材を用いた処理容器内で行われる。
また例えば請求項６に規定するように、前記下地層はポリシリコン層よりなり、前記エッチング対象層は窒化タングステン膜とタングステン膜との積層構造よりなる。
請求項７に係る発明は、シリコン含有材料よりなる下地層上にタングステン及び／又は窒化タングステンよりなるエッチング対象層が形成された被処理体に対して真空引き可能になされた処理容器内にてプラズマの存在下でエッチング処理を施すに際して、前記エッチング時のガスとして塩素含有ガスと酸素含有ガスと窒素含有ガスのみとを用いてエッチング処理を施すようにエッチング装置を制御するプログラムを記憶する記憶媒体である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項８に係る発明は、シリコン含有材料よりなる下地層上にタングステン及び／又は窒化タングステンよりなるエッチング対象層が形成された被処理体に対して真空引き可能になされた処理容器内にてプラズマの存在下でエッチング処理を施すに際して、前記エッチング時のガスとして塩素含有ガスと酸化窒素系ガスのみとを用いてエッチング処理を施すようにエッチング装置を制御するプログラムを記憶する記憶媒体である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項９に係る発明は、真空引き可能になされた処理容器と、シリコン含有材料よりなる下地層上にタングステン及び／又は窒化タングステンよりなるエッチング対象層が形成された被処理体を載置するために前記処理容器内に設けられた載置台と、前記処理容器内へ塩素含有ガスと酸素含有ガスと窒素含有ガスのみとをエッチング時のガスとして供給するためのガス供給手段と、前記処理容器内でプラズマを立てるためのプラズマ形成手段と、前記処理容器内へ前記エッチング時のガスを供給する工程と前記処理容器内へプラズマを立ててエッチングを行う工程とを実行するように制御する制御手段と、を備えたことを特徴とするエッチング装置である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項１０に係る発明は、真空引き可能になされた処理容器と、シリコン含有材料よりなる下地層上にタングステン及び／又は窒化タングステンよりなるエッチング対象層が形成された被処理体を載置するために前記処理容器内に設けられた載置台と、前記処理容器内へ塩素含有ガスと酸化窒素系ガスのみとをエッチング時のガスとして供給するためのガス供給手段と、前記処理容器内でプラズマを立てるためのプラズマ形成手段と、前記処理容器内へ前記エッチング時のガスを供給する工程と前記処理容器内へプラズマを立ててエッチングを行う工程とを実行するように制御する制御手段と、を備えたことを特徴とするエッチング装置である。
この場合、例えば請求項１１に規定するように、前記プラズマはマイクロ波によって発生される。
また例えば請求項１２に規定するように、前記プラズマ形成手段は、ＲＬＳＡ方式の平面アンテナ部材によりプラズマを形成するように構成されている。