【手続補正書】
【提出日】平成20年8月21日(2008.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】洗浄装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  表面上にレジスト膜およびポリマ残渣のうち１つを有する基板を洗浄するよう構成された洗浄装置であって、
水を加熱して水蒸気体を発生させるための加熱部と、前記基板の前記表面に第１の温度で前記水蒸気体を供給するよう構成された開口部とを有する水蒸気体発生部と、
水微粒子を含む水ミスト体を前記基板の前記表面に供給するよう構成された開口部を有する水ミスト体発生部と、
を備え、
前記水ミスト体は前記第１の温度よりも低い第２の温度で前記基板の前記表面に供給され、前記水蒸気体発生部は前記水ミスト体発生部とは別であることを特徴とする洗浄装置。
【請求項２】  請求項１に記載の洗浄装置において、
前記水蒸気体と、前記水微粒子を含む前記水ミスト体とのうち、少なくとも１つがガスを伴うことを特徴とする洗浄装置。
【請求項３】  請求項１に記載の洗浄装置において、
前記水蒸気体発生部は前記レジスト膜および前記ポリマ残渣のうち１つの侵潤に適した水蒸気体を発生し、前記水ミスト体発生部は前記レジスト膜および前記ポリマ残渣のうち１つの物理的な剥離に適した水ミスト体を発生することを特徴とする洗浄装置。
【請求項４】  請求項１に記載の洗浄装置において、
前記加熱部は前記水の沸点以上の前記第１の温度で前記水蒸気体を発生するよう構成され、前記水ミスト体発生部は前記水の沸点以下の前記第２の温度で前記水ミスト体を発生するよう構成されることを特徴とする洗浄装置。
【請求項５】  表面上にレジスト膜とポリマ残渣とのうちいずれかを有する基板を洗浄するよう構成された洗浄装置であって、
第１ノズルを通して前記基板の前記表面に水蒸気体を供給するよう構成され、前記水蒸気体が第１水使用率の水を用いて発生される水蒸気体発生部と、
前記第１ノズルとは別の第２ノズルを通して前記基板の前記表面に水ミスト体を供給するよう構成され、前記水ミスト体が前記第１水使用率よりも高い第２水使用率の前記水を用いて発生され、前記水ミスト体が前記水蒸気体の剥離力よりも高い剥離力を前記基板の前記表面に及ぼすことを可能とする水ミスト体発生部と、を備えることを特徴とする洗浄装置。
【請求項６】  請求項５に記載の洗浄装置において、
前記水蒸気体発生部はさらに、前記水ミスト体に関連する第２の温度よりも高い第１の温度で前記水蒸気体を供給するよう構成された加熱部を有し、前記水蒸気体が前記基板の前記表面上の前記レジスト膜および前記ポリマ残渣のうち１つを前記水ミスト体よりも高程度に侵潤することを可能とする洗浄装置。
【請求項７】  請求項５に記載の洗浄装置において、
前記水蒸気体発生部はさらに、前記基板の前記表面を前記水蒸気体にさらす前に、前記水蒸気体とガスとを混合するよう構成され、前記ガスは、空気・窒素・二酸化炭素・オゾン・アルゴンおよびヘリウムのうちいずれか一種であることを特徴とする洗浄装置。
【請求項８】  請求項５に記載の洗浄装置において、
前記水蒸気体発生部は、前記水ミスト体発生部による前記基板の前記表面への前記水ミスト体の導入と同時に、前記基板の前記表面に前記水蒸気体を導入するよう構成されていることを特徴とする洗浄装置。
【請求項９】  請求項５に記載の洗浄装置において、
前記水蒸気体発生部は、前記水ミスト体発生部が前記基板の前記表面に前記水ミスト体を導入する時点とは別の時点で前記基板の前記表面に前記水蒸気体を導入するよう構成されていることを特徴とする洗浄装置。
【請求項１０】  請求項５に記載の洗浄装置において、
前記水ミスト体発生装置は、前記水蒸気体が前記基板の前記表面に供給された後で前記基板の前記表面に前記水ミスト体を導入するよう構成されていることを特徴とする洗浄装置。
【請求項１１】  請求項５に記載の洗浄装置において、
前記基板は処理チャンバ内に配置され、前記処理チャンバは大気圧・減圧および加圧状態のうち１つを保持可能な圧力制御された内部を有することを特徴とする洗浄装置。
【請求項１２】  請求項５に記載の洗浄装置において、
前記水蒸気体発生部はさらに、前記水の沸点以上の第１の温度で前記水蒸気体を発生するよう構成された加熱部を有し、前記水ミスト体発生部は、前記水の沸点以下の第２の温度で前記水ミスト体を発生するよう構成されていることを特徴とする洗浄装置。
【請求項１３】  表面上にレジスト膜およびポリマ残渣のうち１つを有する基板を洗浄するよう構成された洗浄装置であって、
水を加熱して第１の温度で水蒸気体を発生するための加熱手段と、前記レジスト膜および前記ポリマ残渣のうちいずれか１つに前記水蒸気体を当てるための手段とを有する水蒸気体発生手段と、
第２の温度で水ミスト体を発生するための手段と、前記レジスト膜および前記ポリマ残渣のうちいずれか１つに前記水ミスト体を当てるための手段とを有する水ミスト体発生手段と、
を備え、
前記第２の温度は前記第１の温度よりも低く、前記水ミスト体を当てるための手段は前記水蒸気体を当てるための手段とは別であることを特徴とする洗浄装置。
【請求項１４】  請求項１３に記載の洗浄装置において、
前記水蒸気体および前記水ミスト体のうち少なくとも１つがガスを伴うことを特徴とする洗浄装置。
【請求項１５】  請求項１４に記載の洗浄装置において、
前記ガスが、空気・窒素・二酸化炭素・オゾン・アルゴンおよびヘリウムのうちいずれか一種であることを特徴とする洗浄装置。
【請求項１６】  請求項１３に記載の洗浄装置において、
前記水蒸気体発生手段は、前記レジスト膜および前記ポリマ残渣のうち１つを侵潤するのに適した水蒸気体を発生するよう構成され、
前記水ミスト体発生手段は前記レジスト膜および前記ポリマ残渣のうち１つを物理的に剥離するのに適した水ミスト体を発生するよう構成されることを特徴とする洗浄装置。
【請求項１７】  請求項１３に記載の洗浄装置において、
前記第１の温度は前記第２の温度と異なり、前記第１の温度は前記水の沸点以上であり、前記第２の温度は前記水の沸点以下であることを特徴とする洗浄装置。
【請求項１８】  請求項１３に記載の洗浄装置において、
前記水ミスト体発生手段は、前記水蒸気体発生手段が前記レジスト膜および前記ポリマ残渣のうち１つに前記水蒸気体を当てた後、前記レジスト膜および前記ポリマ残渣のうち１つに前記水ミスト体を当てるよう構成されていることを特徴とする洗浄装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、製品の製造工程において水（Ｈ２Ｏ）を供給する装置にかかり、製品表面の加工処理や洗浄浄化処理に用いられる高純度の水を供給する装置に関する。より具体的には、半導体ウェハやハードディスク（ＨＤ）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）又はフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）などの対象物表面にリソグラフィ工程で被着したレジスト膜やポリマ残渣等の不用物を剥離して除去するための洗浄装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明による洗浄装置は、上述の課題を解決するために、次のような手段を用いる。
（１）表面上にレジスト膜およびポリマ残渣のうち１つを有する基板を洗浄するよう構成された洗浄装置であって、水を加熱して水蒸気体を発生させるための加熱部と、前記基板の前記表面に第１の温度で前記水蒸気体を供給するよう構成された開口部とを有する水蒸気体発生部と、水微粒子を含む水ミスト体を前記基板の前記表面に供給するよう構成された開口部を有する水ミスト体発生部と、を備え、前記水ミスト体は前記第１の温度よりも低い第２の温度で前記基板の前記表面に供給され、前記水蒸気体発生部は前記水ミスト体発生部とは別であることを特徴とする洗浄装置とした。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
（２）（１）の洗浄装置において、前記水蒸気体と、前記水微粒子を含む前記水ミスト体とのうち、少なくとも１つがガスを伴う。
（３）（１）の洗浄装置において、前記水蒸気体発生部は前記レジスト膜および前記ポリマ残渣のうち１つの侵潤に適した水蒸気体を発生し、前記水ミスト体発生部は前記レジスト膜および前記ポリマ残渣のうち１つの物理的な剥離に適した水ミスト体を発生する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（４）（１）の洗浄装置において、前記加熱部は前記水の沸点以上の前記第１の温度で前記水蒸気体を発生するよう構成され、前記水ミスト体発生部は前記水の沸点以下の前記第２の温度で前記水ミスト体を発生する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（５）表面上にレジスト膜とポリマ残渣とのうちいずれかを有する基板を洗浄するよう構成された洗浄装置であって、第１ノズルを通して前記基板の前記表面に水蒸気体を供給するよう構成され、前記水蒸気体が第１水使用率の水を用いて発生される水蒸気体発生部と、前記第１ノズルとは別の第２ノズルを通して前記基板の前記表面に水ミスト体を供給するよう構成され、前記水ミスト体が前記第１水使用率よりも高い第２水使用率の前記水を用いて発生され、前記水ミスト体が前記水蒸気体の剥離力よりも高い剥離力を前記基板の前記表面に及ぼすことを可能とする水ミスト体発生部と、を備えることを特徴とする洗浄装置とした。
（６）（５）の洗浄装置において、前記水蒸気体発生部はさらに、前記水ミスト体に関連する第２の温度よりも高い第１の温度で前記水蒸気体を供給するよう構成された加熱部を有し、前記水蒸気体が前記基板の前記表面上の前記レジスト膜および前記ポリマ残渣のうち１つを前記水ミスト体よりも高程度に侵潤することを可能とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
（７）（５）の洗浄装置において、前記水蒸気体発生部はさらに、前記基板の前記表面を前記水蒸気体にさらす前に、前記水蒸気体とガスとを混合するよう構成され、前記ガスは、空気・窒素・二酸化炭素・オゾン・アルゴンおよびヘリウムのうちいずれか一種である。
（８）（５）の洗浄装置において、前記水蒸気体発生部は、前記水ミスト体発生部による前記基板の前記表面への前記水ミスト体の導入と同時に、前記基板の前記表面に前記水蒸気体を導入するよう構成されている。
（９）（５）の洗浄装置において、前記水蒸気体発生部は、前記水ミスト体発生部が前記基板の前記表面に前記水ミスト体を導入する時点とは別の時点で前記基板の前記表面に前記水蒸気体を導入するよう構成されている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（１０）（５）の洗浄装置において、前記水ミスト体発生装置は、前記水蒸気体が前記基板の前記表面に供給された後で前記基板の前記表面に前記水ミスト体を導入するよう構成されている。
（１１）（５）の洗浄装置において、前記基板は処理チャンバ内に配置され、前記処理チャンバは大気圧・減圧および加圧状態のうち２つを保持可能な圧力制御された内部を有する。
（１２）（５）の洗浄装置において、前記水蒸気体発生部はさらに、前記水の沸点以上の第１の温度で前記水蒸気体を発生するよう構成された加熱部を有し、前記水ミスト体発生部は、前記水の沸点以下の第２の温度で前記水ミスト体を発生するよう構成されている。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
（１３）表面上にレジスト膜およびポリマ残渣のうち１つを有する基板を洗浄するよう構成された洗浄装置であって、水を加熱して第１の温度で水蒸気体を発生するための加熱手段と、前記レジスト膜および前記ポリマ残渣のうちいずれか１つに前記水蒸気体を当てるための手段とを有する水蒸気体発生手段と、第２の温度で水ミスト体を発生するための手段と、前記レジスト膜および前記ポリマ残渣のうちいずれか１つに前記水ミスト体を当てるための手段とを有する水ミスト体発生手段と、を備え、前記第２の温度は前記第１の温度よりも低く、前記水ミスト体を当てるための手段は前記水蒸気体を当てるための手段とは別であることを特徴とする洗浄装置とした。
（１４）（１３）の洗浄装置において、前記水蒸気体および前記水ミスト体のうち少なくとも１つがガスを伴う。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
（１５）（１４）の洗浄装置において、前記ガスが、空気・窒素・二酸化炭素・オゾン・アルゴンおよびヘリウムのうちいずれか一種である。
（１６）（１３）の洗浄装置において、前記水蒸気体発生手段は、前記レジスト膜および前記ポリマ残渣のうち１つを侵潤するのに適した水蒸気体を発生するよう構成され、前記水ミスト体発生手段は前記レジスト膜および前記ポリマ残渣のうち１つを物理的に剥離するのに適した水ミスト体を発生するよう構成される。
（１７）（１３）の洗浄装置において、前記第１の温度は前記第２の温度と異なり、前記第１の温度は前記水の沸点以上であり、前記第２の温度は前記水の沸点以下である。
（１８）（１３）の洗浄装置において、前記水ミスト体発生手段は、前記水蒸気体発生手段が前記レジスト膜および前記ポリマ残渣のうち１つに前記水蒸気体を当てた後、前記レジスト膜および前記ポリマ残渣のうち１つに前記水ミスト体を当てるよう構成されている。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【発明の実施の形態】
次に図１乃至図７を参照して、本発明による洗浄装置の実施の形態について詳細に説明する。
図７は、本発明で使用される水蒸気体と水ミスト体との模式構造を示した図である。ここでの水蒸気体は、図７（ａ）に示すように、空気などのガス中に熱せられ気化した水（気化水（Ｈ２Ｏ分子））が包含された状態で存在するのが一般的であるが、ガスは全く含まずに水蒸気１００％として構成することもまた可能である。そして水ミスト体は、図７（ｂ）に示すように、ガス中に液状の水微粒子が包含された状態で存在する。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
図１（ａ）は、本発明の洗浄装置に用いられるノズル手段の構成の一例を示したものであり、２つのノズル１０と１２とがそれぞれ独立に用意されている。また、供給物Ａはノズル１０に供給される水蒸気体を、供給物Ｂはノズル１２に供給される水ミスト体を示している。ここで、ノズル１０とノズル１２とは図示しない対象物に近接して配置されている。
ノズル１０から噴出する水蒸気体は、対象物表面に到達するとレジスト膜等の不用物中を浸透（侵潤）して界面においてこれら不用物と基板との結合力を弱める。
また、ノズル１２から噴出する水ミスト体は、所定の圧力を伴なって対象物表面に噴射され、界面との結合力の弱まったレジスト膜等の不用物を剥離・除去する。
そして、発明者等の研究実験によれば、水蒸気体はその温度が１００℃を超えて１２０〜１８０℃であり、一方の水ミスト体はその温度が１００℃以下であるとき、高い剥離効果が得られることがわかっており、このような条件に設定制御することにより、能率の高いレジスト膜等不用物の除去装置が実現できる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
このようにして本発明の洗浄装置では、一方のノズルに水蒸気体を供給する手段を、また他方のノズルに水ミスト体を供給する手段を、備えさせ、これらの二つの手段を組み合わせて独立的に制御することにより、前記水蒸気体および前記水ミスト体を適正かつ効果的に対象物に提供するよう装置構成がなされる。
なお、図１（ａ）において、供給物Ａはノズル１０に供給される水蒸気体、供給物Ｂはノズル１２に供給される水ミスト体として説明してきたが、供給物Ａはノズル１０に供給される水ミスト体、供給物Ｂはノズル１２に供給される水蒸気体であっても勿論よい。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
図１（ｂ）および（ｃ）は、本発明の洗浄装置に用いられるノズル手段の構成の他の例を示したものである。この図１（ｂ）のノズル１８、または図１（ｃ）のノズル１６は、図１（ａ）における２つのノズル１０と１２のいずれかに該当するものである。
図１（ｃ）のノズル１６は、水ミスト体ｃ２を供給するにあたり、別のところで作った水ミスト体ｃ２そのものを、ノズル１６内を通して供給していることを示す図である。
また、図１（ｂ）は、ノズル１８内を中心側供給部１８ｂと外側供給部１８ａとに分離して、ノズル１８内で水ミスト体ｃ１を生成して供給することのできる構造のノズル装置である。このような構造を用いてノズル内で水ミスト体を作るには、例えば、液体水と水蒸気とを混合して生成してもいいし、また、液体水とガス（気体）とを混合して生成することもできる。よって、ノズル１８においては、それぞれの２種類の物質を、中心供給部１８ｂと外側供給部１８ａとに分けて供給し、噴出口付近で混合されて水ミスト体ｃ１が得られるようにすればよい。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
図２は、本発明による洗浄装置に用いられるノズル装置の例を断面で示した図である。
図２（ａ）に示すノズル装置では、中央の供給口ｅ１から供給物Ｂとして高圧状態の液体水が供給される。また、側方の供給口ｅ２から供給物Ａとして水蒸気が供給される。そして、ノズル装置の吐出口近傍付近（図中の点線○印の箇所）において、水蒸気体Ａと液体水Ｂとが混合され、水ミスト体Ｃが生成され、噴出口１４から噴出される。
図２（ａ）に示すノズル装置では、１台のノズル装置ではあるが、水蒸気体を供給する手段と水ミスト体を供給する手段の、二つの手段を備えている。ただし、このノズル装置での水ミスト体Ｃは、既にできているものを別のところから供給してくるのではなく、液体水Ｂの吐出により水ミスト体Ｃを生成する。よってここでは、水蒸気体Ａと液体水Ｂの供給を制御管理することにより、水蒸気体を供給する手段と水ミスト体を供給する手段の二つの手段を独立的に制御することが可能で、また、２つの手段の様々な組合せも自在である。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
図３に示したレジスト膜が付着したウェハは、本発明の洗浄装置における対象物の一つの例であり、本発明の洗浄装置を用いることによって、イオン打ち込み後のレジスト膜除去が極めて効果的に実行される。
対象物はこれに限られるものではなく、他の例としてはポリマ残渣が挙げられる。このポリマ残渣は、ドライエッチングの際の反応生成物として発生してくるものであり、本発明の洗浄装置を用いることによって、このポリマ残渣も極めて効果的に除去される。
これらレジスト膜除去とポリマ残渣除去とは、本発明の洗浄装置を用いることにより両方ともいっぺんに除去処理がなされることも可能であるが、それぞれを別々に処理することも勿論可能である。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本発明による洗浄装置においては、水蒸気体（多くの場合はガス中に気化した水を含む）を供給する手段と、Ｈ２Ｏ微粒子を含む水ミスト体を供給する手段と、を備え、これら二つの供給手段を独立的に制御され、水蒸気体および水ミスト体とが対象物に直接提供されるものである。
そこで、これらのレジスト膜等の不用物を除去する工程を実施するにあたっては、水蒸気体をウェハに提供する工程と、水ミスト体をウェハに提供する工程とを、別々に分けて考えることもできる。そのときは、水ガス体はガス体による浸透によってレジスト膜等を変質させるのに有効であり、また、水ミスト体は水の微粒子によってレジスト膜等を剥離させるのに有効であるとされてもよい。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
図４は、本発明による洗浄装置を用いて処理を行ったとき、ウェハに付着していたレジスト膜が変質してゆく様子を撮影した走査型電子顕微鏡による拡大写真である。写真（ａ）で見られるように、水蒸気体が浸透してくるとレジスト膜の軟化や膨張などの変化が進み、ウェハとレジスト膜との間の端部側から変形や隙間が生じ、接着力が弱まってくる様子がわかる。そして、（ａ）の次の段階にある写真（ｂ）で見られるように、さらなる水蒸気体の浸透によって、レジスト膜体には膨潤・分離・凝固などの物性的変化がさらに進行して大きな亀裂などを生じ、ついには水ミスト体の作用とも合まってレジスト膜はウェハより剥離することとなる。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
図５は、本発明による洗浄装置を用いてレジスト膜除去の処理を行ってゆくとき、ウェハ（色の濃い部分）に被着していたレジスト膜（色の薄い部分）が、（ａ）→（ｂ）→（ｃ）→（ｄ）の順にだんだん減っていき、レジスト膜が剥離して無くなっていく様子を段階的に示す写真である。
図５は本発明の一つの実施例による写真であるが、ここで、本発明の装置を用いたレジスト膜除去の処理プロセスは、次のような条件を基にして実施されている。すなわち、水蒸気体の設定温度は１２０℃、ウェハ設置台は４ｒｐｍで回転、ノズルのギャップ（スペース）は２０ｍｍ、純水のフローレイトはノズルあたり１００ｃｃ、である。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図６は本発明の洗浄装置の一概略構成を示す図である。処理チャンバ２０内には、回転軸６０によって回転する回転テーブル５０上にウェハなどの対象物４０が載置される。この対象物４０に対向し、所定の間隔だけ離れてノズル手段３０が配置され、このノズル手段３０には水蒸気体を供給する流路３２と水ミスト体を供給する流路３４とが取付けられている。
レジスト等不用物の除去処理に際しては、対象物４０を所定の速さで回転させながらノズル手段３０を対象物４０の半径方向にスキャニングしながら、ノズル手段３０の先端から水蒸気体と水ミスト体とを噴出させ剥離・除去を行う。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
なおここまで、本発明の洗浄装置に関し、半導体電子デバイス製造において不用物として発生するレジスト膜やポリマ残渣の除去について多くを述べてきた。しかしながら、本発明の洗浄装置の適用範囲はこれに限られるものではなく、他の電子デバイス等における加工処理や表面精密処理分野をも含むものであり、化学的洗浄浄化処理として、基板洗浄・化学機械研磨（ＣＭＰ）後洗浄・ドライエッチング処理表面洗浄・微細回路洗浄・微細回路形成用マスク洗浄などの分野においても、本発明の水供給装置は大いに有効である。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
【発明の効果】
以上説明したように本発明では、水蒸気体と水ミスト体との供給条件を独立して制御することが出来るので、レジスト膜等不用物の剥離・除去能力が高く、かつ効率の良い洗浄装置を実現することが出来る。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明の洗浄装置に用いられるノズル手段の例を示す構成図である。
【図２】
本発明の洗浄装置に用いられるノズル装置の例として、２流体混合噴出ノズル装置の断面構造図である。
【図３】
本発明に関連して水蒸気体と水ミスト体とを供給される対象物の一例であり、レジスト膜が付着したウェハの断面図である。
【図４】
本発明による装置で処理を行い、ウェハに付着していたレジスト膜が変質してゆく様子を撮影した電子顕微鏡による拡大写真である。
【図５】
ウェハに付着していたレジスト膜が剥離して徐々に無くなっていく様子を示す写真である。
【図６】
本発明の洗浄装置の一概略構成を示す図である。
【図７】
水蒸気体と水ミスト体との模式構造図である。
【符号の説明】
１０、１２、１６、１８  ノズル
１４  噴出口
ｅ１，ｅ２，供給口
２０  処理チャンバ
３０  ノズル手段
３２  流路
３４  流路
４０  対象物
Ａ、Ｂ  供給物
Ｃ、ｃ１、ｃ２    水ミスト体