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【手続補正書】
【提出日】平成20年4月22日(2008.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体レーザの基本波の照射により多結晶半導体膜を形成する工程を含む半導体装置の作製方法であって、
絶縁表面を有する基板上に下地絶縁膜を形成し、
前記下地絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に前記基本波の吸収が可能な島状の光吸収層を間隔を空けて複数形成し、
前記基本波の照射により前記島状の光吸収層を選択的に加熱することによって、前記半導体膜を所定の方向に結晶成長させて多結晶半導体膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
固体レーザの基本波の照射により多結晶半導体膜を形成する工程を含む半導体装置の作製方法であって、
絶縁表面を有する基板上に下地絶縁膜を形成し、
前記下地絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に前記基本波の吸収が可能な島状の光吸収層を間隔を空けて複数形成し、
前記基本波の照射により前記島状の光吸収層を選択的に加熱することによって、前記光吸収層が形成されていない領域から前記光吸収層が形成されている領域に向かう方向に前記半導体膜を結晶成長させて多結晶半導体膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面を有する基板上に下地絶縁膜を形成し、
前記下地絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に固体レーザの基本波の吸収が可能な島状の光吸収層を間隔を空けて複数形成し、
前記固体レーザの基本波を照射することにより前記島状の光吸収層を選択的に加熱することによって、前記半導体膜を所定の方向に結晶成長させて多結晶半導体膜を形成し、
前記多結晶半導体膜をパターニングして島状の半導体膜を形成し、
前記島状の半導体膜に不純物元素を添加してソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の間にチャネル形成領域とを形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面を有する基板上に下地絶縁膜を形成し、
前記下地絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に島状に固体レーザの基本波の吸収が可能な島状の光吸収層を間隔を空けて複数形成し、
前記固体レーザの基本波を照射することにより前記島状の光吸収層を選択的に加熱することによって、前記光吸収層が形成されていない領域から前記光吸収層が形成されている領域に向かう方向に前記半導体膜を結晶成長させて多結晶半導体膜を形成し、
前記多結晶半導体膜をパターニングして島状の半導体膜を形成し、
前記島状の半導体膜に不純物元素を添加してソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の間にチャネル形成領域とを形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記光吸収層は長手方向を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記島状の光吸収層の幅を０．５〜５０μｍに形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記島状の光吸収層を１μｍ以上の間隔を空けて複数形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項３又は請求項４において、前記光吸収層は長手方向を有し、前記ソース領域及びドレイン領域を結ぶ方向と前記光吸収層の長手方向とが直交するように前記多結晶半導体膜をパターニングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項３又は請求項４において、前記光吸収層は長手方向を有し、薄膜トランジスタのキャリアが移動する方向と前記光吸収層の長手方向とが直交するように前記多結晶半導体膜をパターニングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項３又は請求項４において、前記光吸収層に重なる前記多結晶半導体膜中に粒界が形成され、該粒界が前記チャネル形成領域に含まれないように前記多結晶半導体膜をパターニングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、前記絶縁膜をゲート絶縁膜に用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、前記光吸収層をゲート電極に用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１１のいずれか一において、前記光吸収層を配線に用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一において、前記固体レーザの基本波の波長は、近赤外域から赤外域の波長域を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか一において、マルチモードの固体レーザを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか一において、前記光吸収層は、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ又はＣｏから選ばれる金属、前記金属の合金、前記金属の窒化物、又は前記金属の珪化物のいずれかを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１乃至１５のいずれか一において、前記光吸収層は、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ又はＣｏから選ばれる金属、前記金属の合金、前記金属の窒化物、又は前記金属の珪化物のいずれかを積層した積層膜を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１乃至１７のいずれか一において、前記島状の光吸収層は第１の層と第２の層からなり、前記第１の層と前記第２の層とは重なる部分と重ならない部分とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１乃至１７のいずれか一において、前記島状の光吸収層は第１の層と第２の層を積層した積層膜であり、前記第１の層と前記第２の層の幅は異なることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月1日(2008.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理装置の処理室内で、被処理体表面のシリコンに酸素含有プラズマを作用させてシリコン酸化膜を形成する酸化処理工程を含むゲート絶縁膜の製造方法であって、
前記酸化処理工程における処理温度は７００℃超９００℃以下、処理圧力は１．３３Ｐａ〜１３３３Ｐａであり、
前記酸素含有プラズマは、少なくとも希ガスと酸素ガスとを含む酸素含有処理ガスを前記処理室内に導入するとともに、アンテナを介して該処理室内に高周波またはマイクロ波を導入することによって形成される前記酸素含有処理ガスのプラズマであることを特徴とする、ゲート絶縁膜の製造方法。
【請求項２】
プラズマ処理装置の処理室内で、被処理体表面のシリコンに酸素含有プラズマを作用させてシリコン酸化膜を形成する酸化処理工程と、
前記酸化処理工程で形成された前記シリコン酸化膜に窒素含有プラズマを作用させてシリコン酸窒化膜を形成する窒化処理工程と、
を含むゲート絶縁膜の製造方法であって、
前記酸化処理工程における処理温度は７００℃超９００℃以下、処理圧力は１．３３Ｐａ〜１３３３Ｐａであり、
前記酸素含有プラズマは、少なくとも希ガスと酸素ガスとを含む酸素含有処理ガスを前記処理室内に導入するとともに、アンテナを介して該処理室内に高周波またはマイクロ波を導入することによって形成される前記酸素含有処理ガスのプラズマであることを特徴とする、ゲート絶縁膜の製造方法。
【請求項３】
前記窒素含有プラズマは、少なくとも希ガスと窒素ガスとを含む窒素含有処理ガスを処理室内に導入するとともに、アンテナを介して該処理室内に高周波またはマイクロ波を導入することによって形成される前記窒素含有処理ガスのプラズマであることを特徴とする、請求項２に記載のゲート絶縁膜の製造方法。
【請求項４】
前記酸化処理工程と前記窒化処理工程を同一の処理室内で行うことを特徴とする、請求項２または請求項３に記載のゲート絶縁膜の製造方法。
【請求項５】
前記酸化処理工程と前記窒化処理工程を、真空状態で連結された別々の処理室内で行うことを特徴とする、請求項２または請求項３に記載のゲート絶縁膜の製造方法。
【請求項６】
前記酸化処理工程では、前記処理室内のプラズマ発生領域と前記被処理体との間に、複数の貫通開口を有する誘電体プレートを介在させて処理を行なうことを特徴とする、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のゲート絶縁膜の製造方法。
【請求項７】
前記貫通開口の孔径が２．５〜１２ｍｍであり、前記誘電体プレート上の前記基板に対応する領域内で、前記基板の面積に対する前記貫通開口の合計の開口面積比率が１０〜５０％であることを特徴とする、請求項６に記載のゲート絶縁膜の製造方法。
【請求項８】
前記シリコン酸化膜の膜厚が、０．２〜１０ｎｍであることを特徴とする、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のゲート絶縁膜の製造方法。
【請求項９】
コンピュータ上で動作し、実行時に、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載された前記酸化処理工程が行なわれるように前記プラズマ処理装置を制御することを特徴とする、制御プログラム。
【請求項１０】
コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載された前記酸化処理工程が行なわれるように前記プラズマ処理装置を制御するものであることを特徴とする、コンピュータ記憶媒体。
【請求項１１】
プラズマを発生させるプラズマ供給源と、
前記プラズマにより、被処理体を処理するための真空排気可能な処理容器と、
前記処理容器内で前記被処理体を載置する基板支持台と、
請求項１から請求項８のいずれか１項に記載された前記酸化処理工程が行なわれるように制御する制御部と、
を備えたことを特徴とする、プラズマ処理装置。
【請求項１２】
請求項１から請求項８のいずれか１項に記載のゲート絶縁膜の製造方法により製造されたゲート絶縁膜上に、ゲート電極を形成する工程を含むことを特徴とする、半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明の第１の観点によれば、プラズマ処理装置の処理室内で、被処理体表面のシリコンに酸素含有プラズマを作用させてシリコン酸化膜を形成する酸化処理工程を含むゲート絶縁膜の製造方法であって、
前記酸化処理工程における処理温度は７００℃超９００℃以下、処理圧力は１．３３Ｐａ〜１３３３Ｐａであり、
前記酸素含有プラズマは、少なくとも希ガスと酸素ガスとを含む酸素含有処理ガスを前記処理室内に導入するとともに、アンテナを介して該処理室内に高周波またはマイクロ波を導入することによって形成される前記酸素含有処理ガスのプラズマであることを特徴とする、ゲート絶縁膜の製造方法が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の第２の観点によれば、プラズマ処理装置の処理室内で、被処理体表面のシリコンに酸素含有プラズマを作用させてシリコン酸化膜を形成する酸化処理工程と、
前記酸化処理工程で形成された前記シリコン酸化膜に窒素含有プラズマを作用させてシリコン酸窒化膜を形成する窒化処理工程と、
を含むゲート絶縁膜の製造方法であって、
前記酸化処理工程における処理温度は７００℃超９００℃以下、処理圧力は１．３３Ｐａ〜１３３３Ｐａであり、
前記酸素含有プラズマは、少なくとも希ガスと酸素ガスとを含む酸素含有処理ガスを前記処理室内に導入するとともに、アンテナを介して該処理室内に高周波またはマイクロ波を導入することによって形成される前記酸素含有処理ガスのプラズマであることを特徴とする、ゲート絶縁膜の製造方法が提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、前記シリコン酸化膜の膜厚が、０．２〜１０ｎｍであることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月12日(2008.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学結晶であり、励起光の入射により基本波を発振するレーザ結晶と、前記基本波を２次高調波に変換する２次高調波用波長変換結晶と、前記レーザ結晶の射出端面又は前記２次高調波用波長変換結晶の入射端面に形成された前記２次高調波を反射する反射膜とを具備し、隣接する前記光学結晶は接着剤を介して一体化され、前記反射膜は前記２次高調波を反射し、前記２次高調波が前記レーザ結晶内を通過しない様構成され、前記２次高調波の偏光が維持されることを特徴とするレーザ発振装置。
【請求項２】
３次高調波用波長変換結晶が前記２次高調波用波長変換結晶に接着剤により一体化され、前記２次高調波が前記３次高調波用波長変換結晶により３次高調波に変換される様にし、前記２次高調波用波長変換結晶の射出端面又は前記３次高調波用波長変換結晶の入射端面に前記３次高調波を反射する反射膜を形成し、前記３次高調波が前記２次高調波用波長変換結晶内を通過しない様構成され、前記３次高調波の偏光が維持される請求項１のレーザ発振装置。
【請求項３】
所要の結晶間に光学作用のある光学部材を設けた請求項１又は請求項２のレーザ発振装置。
【請求項４】
隣接する前記光学結晶が接着剤により接合され、射出側に位置する光学結晶が入射光を高次の高調波に変換する光学結晶であり、前記射出側に位置する光学結晶の入射端面には前記高次の高調波を反射する反射膜が生成され、前記高次の高調波が前記接着剤及び入射側に位置する光学結晶内を通過しない様構成され、前記高次の高調波の偏光が維持される請求項１又は請求項２のレーザ発振装置。
【請求項５】
前記反射膜はＴｉＯ2 とＭｇＦ2 との交互多層膜である請求項１又は請求項２のレーザ発振装置。
【請求項６】
前記接着剤は前記光学結晶の屈折率と同等の値を持つ請求項１又は請求項２のレーザ発振装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月21日(2008.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板に形成された信号電荷と同導電型である第１導電型の第１の半導体領域、及び、前記第１の半導体領域よりも前記半導体基板の深部に形成された第２導電型の第２の半導体領域を含んで構成された光電変換部と、
前記光電変換部で生成された電荷が転送される転送領域と、
前記光電変換部及び前記転送領域を含む領域を取り囲む素子分離領域と、
前記素子分離領域の下方に配置されて、前記第２の半導体領域と共に、前記領域の少なくとも一部を取り囲む第２導電型のポテンシャル障壁領域と、を備え、
前記ポテンシャル障壁領域が、互いに異なる深さに配置された複数の障壁領域で構成されている、
ことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記第１の半導体領域が前記転送領域の下に広がっていることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記素子分離領域の下にチャネルストップ領域が配置され、
前記ポテンシャル障壁領域が前記チャネルストップ領域と前記第２の半導体領域との間を第２導電型の半導体領域で連結するように配置されている、
ことを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記ポテンシャル障壁領域が前記第２の半導体領域を貫通していることを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記ポテンシャル障壁領域の最も深い位置に配置された障壁領域が最も高い不純物濃度を有することを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の撮像装置。
【請求項６】
半導体基板に形成された第１及び第２画素を有する撮像装置であって、
前記第１及び第２画素は、各々、信号電荷と同導電型である第１導電型の第１の半導体領域、及び、前記第１の半導体領域よりも前記半導体基板の深部に形成された第２導電型の第２の半導体領域を含んで構成された光電変換部と、
前記光電変換部で生成された電荷が転送される転送領域とを含み、
前記撮像装置は、
前記第１画素の転送領域と前記第２画素の光電変換部との間に配置された素子分離領域と、
前記素子分離領域の下方に配置されたポテンシャル障壁領域と、を有し、
前記ポテンシャル障壁領域が、互いに異なる深さに配置された複数の障壁領域で構成されている、
ことを特徴とする撮像装置。
【請求項７】
前記第１の半導体領域が前記転送領域の下に広がっていることを特徴とする請求項６に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記第２の半導体領域が前記第１の半導体領域の下に配置され、
前記素子分離領域の下にチャネルストップ領域が配置され、
前記ポテンシャル障壁領域が前記チャネルストップ領域と前記第２の半導体領域との間を第２導電型の半導体領域で連結するように配置されている、
ことを特徴とする請求項７に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記ポテンシャル障壁領域が前記第２の半導体領域を貫通していることを特徴とする請求項８に記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記ポテンシャル障壁領域の最も深い位置に配置された障壁領域が最も高い不純物濃度を有することを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の撮像装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の撮像装置と、
前記撮像装置の撮像面に像を形成する光学系と、
前記撮像装置から出力される信号を処理する信号処理回路と、
を備えることを特徴とする撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の第１の側面に係る撮像装置は、半導体基板と、前記半導体基板に形成された信号電荷と同導電型である第１導電型の第１の半導体領域、及び、前記第１の半導体領域よりも前記半導体基板の深部に形成された第２導電型の第２の半導体領域を含んで構成された光電変換部と、前記光電変換部で生成された電荷が転送される転送領域と、前記光電変換部及び前記転送領域を含む領域を取り囲む素子分離領域と、前記素子分離領域の下方に配置されて、前記第２の半導体領域と共に、前記領域の少なくとも一部を取り囲む第２導電型のポテンシャル障壁領域と、を備え、前記ポテンシャル障壁領域が、互いに異なる深さに配置された複数の障壁領域で構成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の第２の側面に係る撮像装置は、半導体基板に形成された第１及び第２画素を有する撮像装置であって、前記第１及び第２画素は、各々、信号電荷と同導電型である第１導電型の第１の半導体領域、及び、前記第１の半導体領域よりも前記半導体基板の深部に形成された第２導電型の第２の半導体領域を含んで構成された光電変換部と、前記光電変換部で生成された電荷が転送される転送領域とを含み、前記撮像装置は、前記第１画素の転送領域と前記第２画素の光電変換部との間に配置された素子分離領域と、前記素子分離領域の下方に配置されたポテンシャル障壁領域と、を有し、前記ポテンシャル障壁領域が、互いに異なる深さに配置された複数の障壁領域で構成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月25日(2008.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
開口カバー３５は、板状をしており背面側の所定の位置から電子機器の内側方向に突出し下方へ延在するスイッチ操作用のスイッチ押部３６およびねじ孔などが形成されている。また、開口カバー３５の両側部にはそれぞれ左右方向に延在し、ガイド凹部６５に係合する突出部６７が形成されており、ガイド凹部６５と突出部６７とを摺動させて開口カバー３５を着脱することにより、スイッチ押部３６の軌跡が所定の位置まで規制されるようになっている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
以上説明したように、本発明の実施例４の電子機器用スイッチ機構１４によれば、開口部３１に設けられたガイド凹部６５と開口カバー３５に設けられた突出部６７とを摺動させながら開口カバー３５の着脱が行われるので、スイッチ押部３６の軌跡が所定の位置まで規制される。したがって、スイッチ押部３６がプッシュスイッチ４１の近傍に設けられた部品類への当接が防止されるので、電子機器内部空間の有効利用が可能となり小型化にもつながる。その他に、スイッチ押部３６がプッシュスイッチ４１を押圧するばね部材４３の先端に接触して、ばね部材４３が変形するのを防止することができる。尚、本例では開口部３１にガイド凹部６５を設け、開口カバー３５に突出部６７を設けたが、これに限らず、それぞれにガイド溝とガイド溝に係合する突出部を設けてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
以上説明したように、本発明の実施例５の電子機器用スイッチ機構１５によれば、構造の簡略化が図られ周辺部品との干渉が回避されるので、電子機器内部空間の有効利用が可能となり小型化にもつながる。その他に、内部ユニットの着脱の際には内部ユニットとメイン基板４０との電気的接続が断たれるので、内部ユニットを安全に着脱することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月23日(2008.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１８】
1     コンデンサ素子
8     陽極端子
8a    陽極樹脂注入孔
2     陰極端子
2a    陽極樹脂注入孔
10    起伏部
9     ハウジング
11    緩衝体
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月22日(2008.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体を巻回することにより形成される複数のコイルと、
磁性材料から形成され、上記複数のコイルのそれぞれの内側に配置される複数の棒状のコア部材と、
当該複数のコア部材の両端に、上記複数のコア部材と接触するように配置されて、上記複数のコア部材との間で閉磁路を形成する透磁性カバーと、
を有し、
上記透磁性カバーの透磁率は、上記コア部材の透磁率よりも低いことを特徴とするチョークコイル。
【請求項２】
前記コア部材の少なくとも１つは、アモルファスダストによって形成されていることを特徴とする請求項１記載のチョークコイル。
【請求項３】
前記透磁性カバーは、アモルファスダストと樹脂との混合材を成型することによって形成されていることを特徴とする請求項１または２記載のチョークコイル。
【請求項４】
前記コア部材の比透磁率の値の範囲は４０〜８０であることを特徴とする請求項２記載のチョークコイル。
【請求項５】
前記透磁性カバーの比透磁率の値の範囲は６〜１７であることを特徴とする請求項３記載のチョークコイル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
さらに、他の発明は、上述の各発明に加えて更に、透磁性カバーは、アモルファスダストと樹脂との混合材を成型することによって形成されているものである。このように構成した場合には、アモルファスダストと樹脂との混合比を変化させることによって、透磁性カバーの透磁率を変化させることが可能となる。このため、透磁性カバーの透磁率を変化させることによって、チョークコイルの擬似的なギャップ調整を行うことが可能となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、他の発明は、上述の各発明に加えて更に、透磁性カバーの比透磁率の値の範囲を６〜１７としたものである。このように構成した場合には、透磁性カバーの透磁率を変化させることによって、チョークコイルの擬似的なギャップ調整を行うことが可能となる。また、異なる透磁率を有する透磁性カバーをコア部材と組み合わせることで、チョークコイルの透磁率を変化させることが可能となるため、当該チョークコイルの擬似的なギャップ調整が容易なものとなると共に、チョークコイルの透磁率に自由度を持たせることが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月3日(2008.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ミラーと、
前記ミラーとによって複数の気体室を形成する隔壁部と、
前記複数の気体室のうち少なくとも１つの気体室内の圧力を調整する調整装置とを備え、
前記調整装置は、前記気体室内の圧力を調整することで前記気体室外の圧力との差圧によって前記ミラーを変形させることを特徴とするミラー装置。
【請求項２】
前記気体室内の圧力を測定する手段を有することを特徴とする請求項１に記載のミラー装置。
【請求項３】
前記気体室外の圧力を測定する手段を有することを特徴とする請求項２に記載のミラー装置。
【請求項４】
前記複数の気体室は、それぞれ独立に気体室内の圧力が調整されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のミラー装置。
【請求項５】
前記隔壁部の少なくとも一部と前記ミラーとによって形成される角部が、曲率を有する滑らかな面を備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のミラー装置。
【請求項６】
前記隔壁部の少なくとも一部と前記ミラーが微小隙間を介して配置されることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のミラー装置。
【請求項７】
前記隔壁部の少なくとも一部が移動可能であり、前記隔壁部を移動させることによって前記気体室の配置を可変とすることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のミラー装置。
【請求項８】
前記ミラーの変形量と前記気体室内の圧力との相関関係に基づいて、前記調整装置を制御する制御器を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のミラー装置。
【請求項９】
前記ミラーの厚さは、前記ミラーの有効径の範囲内で異なることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のミラー装置。
【請求項１０】
前記隔壁部はベース定盤と前記ベース定盤よりも剛性が低い側壁とを含むことを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載のミラー装置。
【請求項１１】
ミラーと、
隔壁と、
前記ミラーと前記隔壁とからなる気体室と、
前記気体室を複数に区切る側壁と、
前記複数の気体室のそれぞれに気体を供給する供給部とを有することを特徴とするミラー装置。
【請求項１２】
前記供給部から供給される気体を調整することで前記複数の気体室内の圧力をそれぞれ調整する調整装置を有することを特徴とする請求項１１に記載のミラー装置。
【請求項１３】
露光装置において、光源からの光を原版に照明する照明装置と、原版のパターンを基板に投影するための投影光学系とを備え、
前記投影光学系は、請求項１〜１２の少なくともいずれかに記載のミラー装置を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項１４】
前記調整装置は、前記投影光学系の光学収差を補正するように、前記圧力を調整することを特徴とする請求項１３に記載の露光装置。
【請求項１５】
請求項１３または１４に記載の露光装置を用いてウエハを露光する工程と、
前記ウエハを現像する工程とを備えることを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月17日(2008.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクリルニトリル系ポリマーの水系懸濁重合工程で発生する未反応モノマー成分の回収方法であって、  
重合工程で得られるポリマー／未反応モノマー／水の混合物を蒸留して未反応モノマー成分と水とをポリマーから気化分離させる未反応モノマー成分の気化分離工程と、気化した未反応モノマー成分と水とを凝縮させて未反応モノマー成分を回収する未反応モノマー成分回収工程とを含み、
前記重合工程で得られるポリマー／未反応モノマー／水の混合物を容量が０．０５〜１．２ｍ3 に設定されてなる筒体を有する脱気筒部を介して脱気しつつ前記気化分離工程へと連続して導入することを含んでなることを特徴とするアクリルニトリル系未反応モノマー成分の回収方法。
【請求項２】
前記脱気筒部の筒体は、内径が２００〜５００ｍｍ、高さが２０００〜６０００ｍ
ｍに設定されてなる請求項１記載の回収方法。
【請求項３】
所定量の前記ポリマー／未反応モノマー／水の混合物を前記筒体内部の混合物導出部に貯留しつつ前記気化分離工程へと連続して導入することを含んでなる請求項１又は２に記載の回収方法。
【請求項４】
前記脱気筒部の内壁面に向けて水を噴射することを含んでなる請求項１〜３のいずれかに記載の回収方法。
【請求項５】
水系懸濁重合方式により発生するアクリルニトリル系未反応モノマー成分の回収システ
ムであって、
重合部と、同重合部に流路を介して連結された脱気筒部と、同脱気筒部に流路を介して連結され、ポリマー／未反応モノマー／水の混合物を蒸留して未反応モノマー成分と水とをポリマーから気化分離させる未反応モノマー成分の気化分離部と、同気化分離部にて気化分離された未反応モノマー成分と水とを凝縮させて未反応モノマー成分を回収する未反応モノマー成分回収部とを備えてなり、
前記脱気筒部は、容量が０．０５〜１．２ｍ3 に設定された筒体を含み、
前記脱気筒部の端部を上下方向の向きに配するとともに、少なくともその上端部には脱気口が、下端部には前記ポリマー／未反応モノマー／水の混合物の導出口が設けられてなる、
ことを特徴とするアクリルニトリル系未反応モノマー成分の回収システム。
【請求項６】
前記脱気筒部の筒体は、内径が２００〜５００ｍｍ、高さが２０００〜６０００ｍｍに設定されてなる請求項５記載の回収システム。
【請求項７】
ポリマー／未反応モノマー／水の混合物の導出口と前記気化分離部との間の流路に送液ポンプが配されてなる請求項５又は６記載の回収システム。
【請求項８】
前記脱気筒部の少なくとも上端部に、噴射口を同脱気筒部の内壁面に向けた水噴射口を有してなる請求項５又は６記載の回収システム。
【請求項９】
前記脱気筒部が所定範囲の液面を検出する液面検出手段を有するとともに、同液面検出手段の検出値に基づき液面位置を前記範囲内となるように、前記送液ポンプの送液量を制御する液面制御部を有してなる請求項５〜８のいずれかに記載の回収システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
更に多様な試験運転を行ったところ、請求項１に記載したとおり、本発明の基本構成である、アクリルニトリル系ポリマーの水系懸濁重合工程で発生する未反応モノマー成分の回収方法に到達した。すなわち、重合工程で得られるポリマー／未反応モノマー／水の混合物を蒸留して未反応モノマー成分と水とをポリマーから気化分離させる未反応モノマー成分の気化分離工程と、気化した未反応モノマー成分と水とを凝縮させて未反応モノマー成分を回収する未反応モノマー成分回収工程とを含み、前記重合工程で得られるポリマー／未反応モノマー／水の混合物を容量が０．０５〜１．２ｍ3 に設定されてなる筒体を有する脱気筒部を介して脱気しつつ前記気化分離工程へと連続して導入することを含んでなることを特徴とするアクリルニトリル系モノマー成分の回収方法を採用することにより、重合工程全体としてのＡＡＰの発生を大幅に減少させることができた。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
前記脱気筒部の筒体は、容量が０．０５〜１．２ｍ3 に設定されていることが必要である。さらに、内径が２００〜５００ｍｍ、高さが２０００〜６０００ｍｍに設定されていることが好ましい。そして、所定量の前記ポリマー／未反応モノマー／水の溶液を前記筒体内部の溶液導出部に貯留しつつ前記気化分離工程へと連続して導入する。更に、前記脱気筒部の内壁面に向けて水を噴射することが望ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月14日(2008.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に少なくとも電極と隔壁とが形成された部材に対して、前記隔壁側面および／または隔壁間に蛍光体層および蛍光体層以外の層を形成するに際して、これらの層はペースト材料を付与し、乾燥および／または焼成して形成すると共に、前記の蛍光体層以外の層の形成に用いるペーストには、前記の蛍光体層の形成に用いるペーストとは異なる色に着色され、かつ酸化チタン、酸化亜鉛、硫化亜鉛、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、ジルコニア、酸化スズ、融点が６２０℃以上のガラス粉末、フッ化リチウム、フッ化カルシウム、アルミナおよびシリカからなる群のうち少なくとも１種を含み、さらに有機染料および顔料から選ばれる着色剤を含むペーストを用いることを特徴とするプラズマディスプレイパネル用部材の製造方法。
【請求項２】
前記蛍光体層の形成に用いるペーストの付与・乾燥後の膜と前記蛍光体層以外の層の形成に用いるペーストの付与・乾燥後の膜の、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系色座標から求めた色差（ΔＥ＊ａｂ）が次の式を満たすことを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネル用部材の製造方法。
ΔＥ＊ａｂ＝［（ΔＬ＊）２＋（Δａ＊）２＋（Δｂ＊）２］１／２＞１．５
（ここで、ΔＬ＊、Δａ＊、Δｂ＊はそれぞれ、蛍光体ペーストの付与・乾燥後の膜のＬ＊値、ａ＊値、ｂ＊値と、蛍光体層以外の層の形成に用いるペーストの付与・乾燥後の膜のＬ＊値、ａ＊値、ｂ＊値との差をあらわす。）
【請求項３】
前記蛍光体層以外の層の形成に用いるペーストをディスペンサーにより塗布することを特徴とする請求項１または２記載のプラズマディスプレイパネル用部材の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか記載のプラズマディスプレイパネル用部材の製造方法により製造したプラズマディスプレイパネル用部材を背面板に用いたプラズマディスプレイ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル用部材の製造方法およびプラズマディスプレイに関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明者らは、該蛍光体層以外の層を形成するために用いるペースト材料が蛍光体層に用いるペーストに対して光学的に識別可能であれば、前記の課題は解決でき、蛍光体（特に青色）の輝度劣化を生じることなく、ＰＤＰの高性能化と高歩留まりな製造を実現できることを究明した。すなわち、本発明の本旨とするところは、基板上に少なくとも電極と隔壁とが形成された部材に対して、前記隔壁側面および／または隔壁間に蛍光体層および蛍光体層以外の層を形成するに際して、これらの層はペースト材料を付与し、乾燥および／または焼成して形成すると共に、前記の蛍光体層以外の層の形成に用いるペーストには、前記の蛍光体層の形成に用いるペーストとは異なる色に着色され、かつ酸化チタン、酸化亜鉛、硫化亜鉛、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、ジルコニア、酸化スズ、融点が６２０℃以上のガラス粉末、フッ化リチウム、フッ化カルシウム、アルミナおよびシリカからなる群のうち少なくとも１種を含み、さらに有機染料および顔料から選ばれる着色剤を含むたペーストを用いることを特徴とするプラズマディスプレイパネル用部材の製造方法であり、また、種々の好ましい態様を提案するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月1日(2008.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルカリ可溶性高分子：３０〜７０質量％、エチレン性不飽和結合を有する光重合性モノマー：２０〜７０質量％、及び光重合開始剤：０．１〜２０質量％、を含む感光性樹脂組成物であって、
光重合開始剤が、イミダゾール環の少なくとも一つの窒素原子が塩構造であるアリールビスイミダゾリウム塩を含むことを特徴とする感光性樹脂組成物。
【請求項２】
上記イミダゾール環の少なくとも一つの窒素原子が塩構造であるアリールビスイミダゾリウム塩が、式（Ｉ）または（ＩＩ）で表されるアリールビスイミダゾリウム塩であることを特徴とする請求項１に記載の感光性樹脂組成物。
【化１】
2006225498.tif 000001
【化２】
2006225498.tif 000002
（式中、Ａは、アルキル基、置換されたアルキル基または式（ＩＩＩ）で表される基である。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６は、各々独立に水素、アルキル基、アルコキシ基、ポリアルキレンオキシ基、アセチル基、アセトキシ基、アミノ基、アルキルアミノ基、ヒドロキシ基およびハロゲン原子からなる群より選ばれる一つの基を表す。ｎ１、ｎ２、ｎ３、ｎ４、ｎ５およびｎ６は、各々独立に１〜５の整数である。Ｘ−はＩ−、ＢＦ４−、ＣＦ３ＳＯ３−およびＰＦ６−よりなる群より選ばれる一つの陰イオンを表す。）
−（Ｒ７Ｏ）ｎ７−Ｒ８                        ・・・（ＩＩＩ）
（Ｒ７は炭素数１〜４のアルキレン基、ｎ７は１〜１０の整数、Ｒ８は水素または炭素数１〜４のアルキル基を表す。）
【請求項３】
上記イミダゾール環の少なくとも一つの窒素原子が塩構造であるアリールビスイミダゾリウム塩が、式（ＩＶ）および（Ｖ）で表されるアリールビスイミダゾリウム塩であることを特徴とする請求項１に記載の感光性樹脂組成物。
【化３】
2006225498.tif 000003
【化４】
2006225498.tif 000004
（式中、Ｙ−はＩ−、ＢＦ４−、ＣＦ３ＳＯ３−およびＰＦ６−よりなる群より選ばれる一つの陰イオンを表す。）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】感光性樹脂組成物
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、新規な光重合開始剤を含む感光性樹脂組成物に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、アルカリ水溶液に対する溶解性が改善された新規な光重合開始剤を用いた現像凝集物の少ない感光性樹脂組成物を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明者は、前記課題を解決するため検討を行い、アリールビスイミダゾール化合物をイミダゾリウム塩に変性することにより、光重合開始剤としての性能を落とすことなくアルカリ水溶液への溶解性を改善できることを見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明は以下のとおりである。
（１）アルカリ可溶性高分子：３０〜７０質量％、エチレン性不飽和結合を有する光重合性モノマー：２０〜７０質量％、及び光重合開始剤：０．１〜２０質量％、を含む感光性樹脂組成物であって、
光重合開始剤が、イミダゾール環の少なくとも一つの窒素原子が塩構造であるアリールビスイミダゾリウム塩を含むことを特徴とする感光性樹脂組成物。
（２）上記イミダゾール環の少なくとも一つの窒素原子が塩構造であるアリールビスイミダゾリウム塩が、式（Ｉ）または（ＩＩ）で表されるアリールビスイミダゾリウム塩であることを特徴とする（１）に記載の感光性樹脂組成物。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（式中、Ａは、アルキル基、置換されたアルキル基または式（ＩＩＩ）で表される基である。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６は、各々独立に水素、アルキル基、アルコキシ基、ポリアルキレンオキシ基、アセチル基、アセトキシ基、アミノ基、アルキルアミノ基、ヒドロキシ基およびハロゲン原子からなる群より選ばれる一つの基を表す。ｎ１、ｎ２、ｎ３、ｎ４、ｎ５およびｎ６は、各々独立に１〜５の整数である。Ｘ−はＩ−、ＢＦ４−、ＣＦ３ＳＯ３−およびＰＦ６−よりなる群より選ばれる一つの陰イオンを表す。）
−（Ｒ７Ｏ）ｎ７−Ｒ８                        ・・・（ＩＩＩ）
（Ｒ７は炭素数１〜４のアルキレン基、ｎ７は１〜１０の整数、Ｒ８は水素または炭素数１〜４のアルキル基を表す。）
（３）  上記イミダゾール環の少なくとも一つの窒素原子が塩構造であるアリールビスイミダゾリウム塩が、式（ＩＶ）および（Ｖ）で表されるアリールビスイミダゾリウム塩であることを特徴とする（１）に記載の感光性樹脂組成物。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
（式中、Ｙ−はＩ−、ＢＦ４−、ＣＦ３ＳＯ３−およびＰＦ６−よりなる群より選ばれる一つの陰イオンを表す。）
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月15日(2008.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
４−ｎ−ブチルレゾルシノールの量の測定は、液体クロマトグラフィー（ＯＤＳカラム４．６ｍｍ×１５０ｍｍ、カラム温度３５℃、溶出溶媒；メタノール／エタノール（９９．５％）＝８／２、流速１ｍｌ／ｍｉｎ、紫外部検知 ２７５ｎｍ）にて行い、皮膚を透過してリザーバーに移行した４−ｎ−ブチルレゾルシノール、および皮膚上に残留していた４−ｎ−ブチルレゾルシノールの量を定量した。なお定量は、絶対検量線法にて行なった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
＜試験例２＞
次に、ヒトの皮膚におけるメラニン生成抑制効果を確認するために、以下のように２０名のパネラーを使用した美白試験を行った。予め、パネラーの上腕部に１．５ｃｍ×１．５ｃｍの３つの部位を設定した。設定した部位以外の部分を黒布で覆った後、紫外線を０．８ＭＥＤ照射した。照射後、設定された３つの部位のうち２つの部位に、それぞれ実施例１および比較例１の乳液の０．０５ｍｌを、朝、昼、入浴後の１日３回塗布した。残りの１部位には紫外線の照射以外の処理を行わず、陽性対照部位とした。
翌日および３日目にも同様に、紫外線を０．８ＭＥＤ照射した後、各乳液の０．０５ｍｌを朝、昼、入浴後の１日３回塗布した。
４日目に、色彩色差計（ミノルタＣＲ−２００）を用いて、設定した各部位（照射部位）とその隣接部位（非照射部位）のＬ値を測定した。各設定部位のＬ値とその隣接部位のＬ値の差を算出し、ΔＬ値とした。この結果を表２に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月29日(2008.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パンテノール及び／又はパンテノール誘導体とＬ−アスコルビン酸テトラ分岐脂肪酸エステル誘導体、Ｌ−アスコルビン酸−２−リン酸マグネシウム、Ｌ−アスコルビン酸−２−リン酸ナトリウム、Ｌ−アスコルビン酸−２−グルコシドから選ばれる、１種又は２種以上のアスコルビン酸誘導体とを必須に含有するコラーゲン産生促進用の皮膚外用剤。
【請求項２】
パンテノール誘導体がパントテニルエチルエーテル、アセチルパントテニルエチルエーテル又はパンテニルトリアセテートである請求項１に記載のコラーゲン産生促進用の皮膚外用剤。
【請求項３】
パンテノール及び／又はパンテノール誘導体とアスコルビン酸誘導体との配合比率が１００００：１〜１：１である請求項１又は２に記載のコラーゲン産生促進用の皮膚外用剤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】コラーゲン産生促進用の皮膚外用剤
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年9月4日(2008.9.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
タンパク質に対するホスホキナーゼ活性を測定するための方法であって、
（ａ）タンパク質をホスホキナーゼに供して、該タンパク質上のリン酸化部位をリン酸化するステップと、
（ｂ）該タンパク質上のリン酸化されるリン酸化部位に特異的な抗体を提供するステップと、
（ｃ）（ａ）由来のタンパク質を（ｂ）の抗体と接触させるステップと、
（ｄ）該リン酸化部位に結合した抗体を検出するステップと、
を含む、方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１５】
タンパク質に対するホスホキナーゼ活性の測定のためのキットであって、
（ａ）該タンパク質のリン酸化形態および非リン酸化形態の両方に特異的かつ該タンパク質のリン酸化形態および非リン酸化形態の両方に結合する第一のｐａｎ抗体と、
（ｂ）標識されることを特徴とする、該第一のｐａｎ抗体由来のタンパク質上の独立部位に結合する第二のｐａｎ抗体と、
（ｃ）非リン酸化タンパク質スタンダードおよびリン酸化タンパク質スタンダードと、
（ｄ）標識されることを特徴とする、該タンパク質上の標的部位がリン酸化される場合にのみ該タンパク質に結合するリン酸化部位特異的抗体（ＰＳＳＡ）と、
（ｅ）緩衝液と、
を含む、キット。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１８】
リン酸化部位のプロフィールを定量することによる、タンパク質に対する異なるキナーゼ活性の測定のためのキットであって、
（ａ）該タンパク質のリン酸化形態および非リン酸化形態の両方に結合する第一のｐａｎ抗体と、
（ｂ）標識されることを特徴とする、該第一のｐａｎ抗体由来のタンパク質上の独立部位に結合する第二のｐａｎ抗体と、
（ｃ）該タンパク質の非リン酸化形態およびリン酸化形態についてのタンパク質スタンダードと、
（ｄ）抗体が存在するように標識されることを特徴とする、タンパク質上の標的部位がリン酸化される場合にのみ該タンパク質に結合する２つ以上のＰＳＳＡと、
（ｅ）緩衝液と、
を含む、キット。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月15日(2008.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置本体と、前記装置本体に接続される複数の外部装置とを有し、前記装置本体と前記複数の外部装置との間のデータの送受信を共通のクロック同期通信線を用いて行う画像形成装置であって、
前記装置本体は、特定の外部装置に対して該外部装置の状態の情報を要求する際に、前記特定の外部装置を認識するための固有情報を付加したコマンドを、前記装置本体に接続された全ての外部装置に対して前記通信線を介して一斉に送信するコマンド送信手段を有し、
前記外部装置は、前記送信されたコマンドに応答する際に、前記コマンドに付加された固有情報に該当する場合は当該コマンドに応答するデータを含む当該固有情報に該当する外部装置に係わる状態の情報を前記共通のクロックに同期させて前記装置本体に送信し、前記固有情報に該当しない場合は当該固有情報に該当しない外部装置に係わる状態の情報を前記共通のクロックに同期させて、前記状態の情報を送信するタイミングとは別のタイミングで前記装置本体に送信するステータス送信手段を有する、
ことを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記状態の情報は、前記外部装置の転写材の搬送路上のセンサ出力であることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記装置本体は、前記外部装置に対して前記状態の情報を指定する外部装置情報の指定手段を有し、前記外部装置は、前記外部装置情報の指定手段によって指定された状態の情報を前記装置本体に送信することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記装置本体は、前記外部装置に対して前記状態の情報の送信のタイミングを指定する状態の情報の送信のタイミングの指定手段を有し、前記外部装置は、前記状態の情報の送信のタイミングの指定手段によって指定されたタイミングで前記状態の情報を送信することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項５】
装置本体と、前記装置本体に接続された複数の外部装置との間のデータの送受信を共通のクロック同期通信線を用いて行う画像形成装置におけるデータ通信方法であって、
特定の外部装置に対して該外部装置の状態の情報を要求する際に、前記特定の外部装置を認識するための固有情報を付加したコマンドを、前記装置本体から当該装置本体に接続された全ての外部装置に対して一斉に送信するステップと、
前記送信されたコマンドに応答する際に、前記コマンドに付加された固有情報に該当する外部装置から、当該コマンドに応答するデータを含むデータを前記共通のクロックに同期させて前記装置本体に送信し、前記固有情報に該当しない外部装置から、当該外部装置のデータを前記共通のクロックに同期させて、前記状態の情報を送信するタイミングとは別のタイミングで前記装置本体に送信するステップと、
を具えることを特徴とする画像形成装置におけるデータ通信方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、装置本体と、前記装置本体に接続される複数の外部装置とを有し、前記装置本体と前記複数の外部装置との間のデータの送受信を共通のクロック同期通信線を用いて行う画像形成装置であって、前記装置本体は、特定の外部装置に対して該外部装置の状態の情報を要求する際に、前記特定の外部装置を認識するための固有情報を付加したコマンドを、前記装置本体に接続された全ての外部装置に対して前記通信線を介して一斉に送信するコマンド送信手段を有し、前記外部装置は、前記送信されたコマンドに応答する際に、前記コマンドに付加された固有情報に該当する場合は当該コマンドに応答するデータを含む当該固有情報に該当する外部装置に係わる状態の情報を前記共通のクロックに同期させて前記装置本体に送信し、前記固有情報に該当しない場合は当該固有情報に該当しない外部装置に係わる状態の情報を前記共通のクロックに同期させて、前記状態情報を送信するタイミングとは別のタイミングで前記装置本体に送信するステータス送信手段を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月19日(2008.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の方法は、ポリアミド樹脂ペレットを製造する方法に利用できる。