【手続補正書】
【提出日】平成20年3月28日(2008.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】基板の洗浄方法において、洗浄液を用いて洗浄をおこなう第１の洗浄工程と、大気圧下で放電したプラズマに前記基板を曝露して洗浄をおこなう第２の洗浄工程とを含み、前記第１の洗浄工程後、前記基板を１００℃以上２５０℃以下の温度で乾燥させた後、前記第２の洗浄工程を行うことを特徴とする基板の洗浄方法。
【請求項２】前記基板が透明基板もしくは透明基板上に有機膜を形成したカラーフィルタ基板であることを特徴とする請求項１に記載の基板の洗浄方法。
【請求項３】前記透明基板上に形成した有機膜が、パターン化された有機着色層およびオーバーコート層よりなることを特徴とする請求項２に記載の基板の洗浄方法。
【請求項４】前記オーバーコート層が、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、尿素樹脂、ポリビニールアルコール樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹脂、イミド変形シリコーン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、およびポリイミド樹脂から選ばれたいずれか、もしくはこれらの混合物より形成されることを特徴とする請求項３に記載の基板の洗浄方法。
【請求項５】前記第１の洗浄工程前および／または洗浄後に、紫外線照射による処理を行うことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板の洗浄方法。
【請求項６】前記洗浄に用いる洗浄液が純水もしくはアルカリであることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板の洗浄方法。
【請求項７】前記第２の洗浄工程終了後、有機膜上に透明導電膜を形成することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板の洗浄方法。
【請求項８】前記透明導電膜がパターン化されることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の基板の洗浄方法。
【請求項９】基板を洗浄する洗浄装置において、洗浄液を用いて洗浄をおこなう第１の洗浄手段と、大気圧下で放電したプラズマに前記基板を曝露して洗浄をおこなう第２の洗浄手段と、前記第１の洗浄手段と第２の洗浄手段の間に、前記基板を１００℃以上２５０℃以下の温度で乾燥させる乾燥手段を含むことを特徴とする基板の洗浄装置。
【請求項１０】請求項１〜８のいずれかに記載の基板の洗浄方法、もしくは請求項９に記載の基板の洗浄装置を用いて製造することを特徴とするカラーフィルタ基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板の洗浄方法および装置に関する。特にカラー液晶表示装置に用いられるカラーフィルタ製造工程の洗浄方法および装置、なかでも有機着色層、オーバーコート層上に透明導電膜を成膜する際の成膜前洗浄方法および洗浄装置に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
一方、ＴＦＴ方式においては画素内でのパターン化は行わず、前記カラーフィルタの着色画素層が形成された画素表示領域全面に透明導電膜を形成するため、例えば特開昭６２−４４７８８号公報に示されているように、パターン化した金属マスクを使用して膜のパターン化を行うマスク成膜法により透明導電膜を形成する。通常、ＴＦＴ方式の場合コスト上昇を避けるため中間層は形成せず、オーバーコート上に直接透明導電膜を成膜する。そのため、オーバーコートと透明導電膜との密着性が悪いと、オーバーコート表面へのムラの発生や、透明導電膜のムラの発生などカラーフィルタの品質および信頼性が著しく低下する。さらにこれら欠点は透明導電膜成膜直後には発生せず、例えば透明導電膜上に配向膜を形成する際の、基板の加熱や湿熱など次工程における処理により顕在化する問題点もある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、本発明の基板の洗浄方法および装置は以下の構成をとる。すなわち、
（１）基板の洗浄方法において、洗浄液を用いて洗浄をおこなう第１の洗浄工程と、大気圧下で放電したプラズマに前記基板を曝露して洗浄をおこなう第２の洗浄工程とを含み、前記第１の洗浄工程後、前記基板を１００℃以上２５０℃以下の温度で乾燥させた後、前記第２の洗浄工程を行うことを特徴とする基板の洗浄方法。
（２）前記基板が透明基板もしくは透明基板上に有機膜を形成したカラーフィルタ基板であることを特徴とする（１）に記載の基板の洗浄方法。
（３）前記透明基板上に形成した有機膜が、パターン化された有機着色層およびオーバーコート層よりなることを特徴とする（２）に記載の基板の洗浄方法。
（４）前記オーバーコート層が、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、尿素樹脂、ポリビニールアルコール樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹脂、イミド変形シリコーン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、およびポリイミド樹脂から選ばれたいずれか、もしくはこれらの混合物より形成されることを特徴とする（３）に記載の基板の洗浄方法。
（５）前記第１の洗浄工程前および／または洗浄後に、紫外線照射による処理を行うことを特徴とする（１）〜（４）のいずれかに記載の基板の洗浄方法。
（６）前記洗浄に用いる洗浄液が純水もしくはアルカリであることを特徴とする（１）〜（５）のいずれかに記載の基板の洗浄方法。
（７）前記第２の洗浄工程終了後、有機膜上に透明導電膜を形成することを特徴とする（１）〜（６）のいずれかに記載の基板の洗浄方法。
（８）前記透明導電膜がパターン化されることを特徴とする（１）〜（７）のいずれかに記載の基板の洗浄方法。
（９）基板を洗浄する洗浄装置において、洗浄液を用いて洗浄をおこなう第１の洗浄手段と、大気圧下で放電したプラズマに前記基板を曝露して洗浄をおこなう第２の洗浄手段と、前記第１の洗浄手段と第２の洗浄手段の間に、前記基板を１００℃以上２５０℃以下の温度で乾燥させる乾燥手段を含むことを特徴とする基板の洗浄装置。
（１０）（１）〜（８）のいずれかに記載の基板の洗浄方法、もしくは請求項９に記載の基板の洗浄装置を用いて製造することを特徴とするカラーフィルタ基板の製造方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
【発明の実施の形態】
本発明は基板を洗浄する洗浄方法であって、洗浄液を用いて洗浄をおこなう第１の洗浄工程と、大気圧下で放電したプラズマに前記基板を曝露して洗浄をおこなう第２の洗浄工程とを含み、前記第１の洗浄工程後、前記基板を１００℃以上２５０℃以下の温度で乾燥させた後、前記第２の洗浄工程を行うことを特徴とする基板の洗浄方法である。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
さらに本発明においては上記湿式洗浄の実施後、第２の洗浄工程として大気圧下で放電させたプラズマに基板を曝露して基板の洗浄を実施する。大気圧下でプラズマ放電させることにより生成される励起活性種により、基板表面の処理を実施するが、大気圧下での放電のため従来のプラズマ洗浄装置と異なり、真空装置を必要とせず、開放系で使用可能なため、装置を簡単かつ小型化でき、さらにはインライン設備による連続処理が可能である。また励起活性種を直接基板へ供給するため従来のＵＶ−オゾン洗浄と比較すると遙かに高速に残差を除去することが可能である。このように大気圧下でのプラズマ放電を利用することにより生産性と経済性の向上の両面を達成することができる。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
一方、後者の間接方式でプラズマ処理を実施する場合、基板とプラズマ間の距離が重要になる。プラズマにより生成された活性種には寿命が存在するため、基板とプラズマとの距離が離れすぎると処理能力が著しく低下する。そのため基板とプラズマとの距離関係にはある制約が生じ、好ましくはプラズマと基板間の距離は３０ｍｍ以内であり、より好ましくは１０ｍｍ以内である。しかしながらプラズマによるダメージを受けにくく、ＸＹステージなどの基板搬送設備を使用することにより部分的かつ選択的な処理を実施することも可能でありことより、本発明における大気圧下で放電したプラズマに前記基板を曝露して洗浄をおこなう第２の洗浄工程としてはより好適に使用することができる。