【手続補正書】
【提出日】平成20年8月15日(2008.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
（Ａ１）下記一般式（１）で表される酸発生剤を含有することを特徴とするレジスト組成物。
【化１】
2006215202.tif 000001
一般式（１）中、
Ｓ1〜Ｓ8は各々独立に置換基を表す。ａ、ｎ、ｍ、ｌ、ｋ、ｏ、ｐ、ｑ、ｒは各々独立に０〜２の整数を表す。
Ｘは単結合または２価の連結基を表す。
Ｒ1およびＲ2は各々独立に水素原子または置換基を表す。Ｒ1とＲ2とが互いに連結して単結合または２価の連結基を表しても良い。
Ｙ-、Ｚ-は各々独立に有機スルホン酸アニオンを表す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
（１）  （Ａ）下記一般式（１）で表される酸発生剤を含有することを特徴とするレジスト組成物。
【化２】
2006215202.tif 000002
一般式（１）中、
Ｓ1〜Ｓ8は各々独立に置換基を表す。ａ、ｎ、ｍ、ｌ、ｋ、ｏ、ｐ、ｑ、ｒは各々独立に０〜２の整数を表す。
Ｘは単結合または２価の連結基を表す。
Ｒ1およびＲ2は各々独立に水素原子または置換基を表す。Ｒ1とＲ2とが互いに連結して単結合または２価の連結基を表しても良い。
Ｙ-、Ｚ-は各々独立に有機スルホン酸アニオンを表す。
（２）  さらに、（ＢＰ）アルカリ水溶液に不溶又は難溶性で、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となるポリマーを含有することを特徴とする上記（１）に記載のポジ型レジスト組成物。
（３）  さらに、（ＢＮ）アルカリ可溶性樹脂及び（Ｃ）酸により架橋する架橋剤を含有することを特徴とする上記（１）に記載のネガ型レジスト組成物。
（４）  更に、（Ａ２）下記一般式（Ｉ）〜一般式（III）で表される構造を有する、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とする上記（１）〜（３）のいずれかに記載のレジスト組成物。
【化３】
2006215202.tif 000003
一般式（Ｉ）〜（III）において、Ｒ1〜Ｒ37は、同一又は異なって、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、又は−Ｓ−Ｒ38基を表す。Ｒ38は、アルキル基又はアリール基を表す。
Ｘ-は、
少なくとも１個のフッ素原子、
少なくとも１個のフッ素原子で置換されたアルキル基、
少なくとも１個のフッ素原子で置換されたアルコキシ基、
少なくとも１個のフッ素原子で置換されたアシル基、
少なくとも１個のフッ素原子で置換されたアシロキシ基、
少なくとも１個のフッ素原子で置換されたスルホニル基、
少なくとも１個のフッ素原子で置換されたスルホニルオキシ基、
少なくとも１個のフッ素原子で置換されたスルホニルアミノ基、
少なくとも１個のフッ素原子で置換されたアリール基、
少なくとも１個のフッ素原子で置換されたアラルキル基、及び
少なくとも１個のフッ素原子で置換されたアルコキシカルボニル基、から選択された少なくとも１種を有するアルキルスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、又はアントラセンスルホン酸のアニオンを示す。
（５）  更に、（Ａ３）活性光線又は放射線の照射により、フッ素含有カルボン酸を発生する化合物及び（Ａ４）活性光線又は放射線の照射により、フッ素非含有カルボン酸を発生する化合物の少なくとも一方を含有することを特徴とする（２）〜（４）のいずれかに記載のレジスト組成物。
（６）  上記（１）〜（５）のいずれかに記載のレジスト組成物が電子線、ＥＵＶもしくはＸ線用であることを特徴とするレジスト組成物。
（７）  上記（１）〜（６）のいずれかに記載のレジスト組成物によりレジスト膜を形成し、該レジスト膜を露光し、現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【化４】
2006215202.tif 000004
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
【化５】
2006215202.tif 000005
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１１】
（１）化合物（Ａ１）の合成
窒素雰囲気下、ｐ−ジブロモベンゼン２３．５ｇ（０．１ｍｏｌ）を脱水テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１５０ｍｌに添加した。フラスコを氷冷したあとマグネシウム５．０ｇを攪拌下少しずつ加え、ついでヨウ素０．１ｇを添加した。得たれたマグネシウムブロミド体とジベンゾチオフェンオキシド４０ｇを反応させた後、反応液を塩化アンモニウム水溶液に添加、酢酸エチル抽出を行った。トリプロピルベンゼンスルホン酸カリウム水溶液と混合、塩交換反応を行うことにより目的物（ＢＰ−４）を得た。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２５】
実施例２、１５、及び比較例１〜５
（１）レジスト組成物の塗設
表３に示す各成分を以下の添加量で溶剤総量２６．０ｇに溶解し、レジスト組成物の溶液を調製した。表３において、各成分について複数使用の場合の比は質量比である。
酸分解性樹脂（ＢＰ）              ２．０ｇ
酸発生剤                          ０．２０ｇ
必要に応じて塩基性化合物          ０．００４０ｇ
必要に応じて界面活性剤            ０．００２０ｇ
得られた各溶液を０．１μｍ口径のメンブレンフィルターで精密ろ過して、レジスト溶液を得た。
このレジスト溶液を６インチシリコンウェハー上に東京エレクトロン製スピンコーターＭａｒｋ８を用いて塗布し、１１０℃、９０秒ベークして膜厚０．３０μｍの均一膜を得た。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２８】
【表１】
2006215202.tif 000006
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３４】
実施例２０〜２２、２５、２８、３２及び比較例６〜１０
（１）レジスト組成物の塗設
表４に示す、
アルカリ可溶性樹脂（ＢＮ）                 ２．０ｇ
酸発生剤の総量                             ０．２０ｇ
架橋剤（Ｃ）の総量                         ０．３５ｇ
必要に応じて有機塩基性化合物               ０．００８０ｇ
必要に応じて界面活性剤                     ０．００４０ｇ
を溶剤の総量１８．０ｇに溶解し、本発明のネガ型レジスト組成物を調製した。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３８】
【表２】
2006215202.tif 000007
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２４７】
実施例３７及び比較例１１
上記実施例２及び比較例１の各レジスト組成物を用い、それぞれ実施例２及び比較例１と同様の方法でレジスト膜を得た。但し、レジスト膜厚は０．２５μｍとした。得られたレジスト膜にＥＵＶ光（波長１３ｎｍ）を用いて、露光量を０〜５．０ｍＪの範囲で０．５ｍＪづつ変えながら面露光を行い、さらに１１０℃、９０秒ベークした。その後２．３８％テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液を用いて、各露光量での溶解速度を測定し、感度曲線を得た。この感度曲線において、レジストの溶解速度が飽和するときの露光量を感度とし、また、感度曲線の直線部の勾配から溶解コントラクト（γ値）を算出した。γ値が大きいほど溶解コントラストに優れている。
結果を表３に示す。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２４８】
【表３】
2006215202.tif 000008