(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶と、この液晶を駆動する薄膜トランジスタ（TFT:Thin Film Transistor)パネルと、その対向基板とを備え、前記ＴＦＴパネルが、交差して配線された複数の信号線および複数の走査線ならびにその交差する部位に配置された複数の画素トランジスタを含む表示領域と、複数の駆動トランジスタを含む駆動回路領域とを有する液晶表示装置であって、
前記駆動回路領域に形成される前記駆動トランジスタのゲート配線は、第１の方向に沿って直線的に延びる第１の線分と、前記第１の方向と異なる第２の方向に沿って直線的に延びる第２の線分と、前記第１の線分と第２の線分とを接続する屈曲部とを備えた折れ線に沿って配置され、
前記駆動トランジスタは、平面的に見て、そのチャネル領域が前記屈曲部と重ならないように、前記第１の線分および第２の線分に沿って配置され、
前記第１の線分および第２の線分は、各線分の前記表示領域に近い端点から遠い端点に向かう方向が、前記表示領域側から見て逆方向になっている、液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１の線分および第２の線分は、各々、さらに小さな折れ線によって構成されている、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記屈曲部は、前記第１の線分および第２の線分を接続する、前記表示領域と前記駆動回路領域との境界にほぼ直交する線分を含む、請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記屈曲部は、前記第１の線分および第２の線分が角度をもって直接連続している部分を含む、請求項１〜３のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記駆動トランジスタのチャネル領域の幅方向は、前記第１の線分および第２の線分に対して平行になるように配置されている、請求項１〜４のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記表示領域は矩形であり、前記駆動回路領域が、前記矩形の表示領域の対向する２つの平行な辺の延長線の間からはみ出さないように配置されている、請求項１〜５のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記駆動トランジスタと、その駆動トランジスタの最も近くに位置する隣の駆動トランジスタとの間の前記表示領域側から見た距離が、レーザビーム照射の走査痕であるピッチ縞の間隔よりも長い、請求項１〜６のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記駆動トランジスタの各々のチャネル領域は、前記表示領域に最も近いチャネル領域の角部と、前記表示領域に最も遠いチャネル領域の角部との間の前記表示領域側から見た距離が、レーザビーム照射の走査痕であるピッチ縞の間隔よりも長い、請求項１〜６のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項９】
交差して配線された複数の信号線および複数の走査線ならびにその交差する部位に配置された複数の画素トランジスタを含む表示領域と、複数の駆動トランジスタを含む駆動回路領域とを有する、液晶を駆動する薄膜トランジスタ（TFT:Thin Film Transistor)パネルであって、
前記駆動回路領域に形成される前記駆動トランジスタのゲート配線は、第１の方向に沿って直線的に延びる第１の線分と、前記第１の方向と異なる第２の方向に沿って直線的に延びる第２の線分と、前記第１の線分と第２の線分とを接続する屈曲部とを備えた折れ線に沿って配置され、
前記駆動トランジスタは、平面的に見て、そのチャネル領域が前記屈曲部と重ならないように、前記第１の線分および第２の線分に沿って配置され、
前記第１の線分および第２の線分は、各線分の前記表示領域に近い端点から遠い端点に向かう方向が、前記表示領域側から見て逆方向になっている、ＴＦＴパネル。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜トランジスタ（TFT:Thin Film Transistor)を備えたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置およびＴＦＴパネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】
図２８は、表示領域および駆動回路領域一体型のアクティブマトリクス方式の液晶表示装置のＴＦＴパネルを示す概略図である。このＴＦＴパネルにおいては、透明基板１０１の上に、表示領域１０２およびその周辺の領域が設けられている。周辺の領域は、Ｘ側駆動回路部１１１、Ｙ側駆動回路部１１２、および外部接続端子部１１７から構成されている。各駆動回路部には、駆動トランジスタ（図示せず）が配置されて、表示領域の信号線と走査線（いずれも図示せず）の交差部に配置された画素トランジスタ（図示せず）を制御して駆動する。液晶表示装置は薄くかつコンパクトである点に大きな特徴があり、需要者もそこに引き付けられて購入する場合が多い。各駆動回路部に配置された駆動トランジスタがコンパクトに収納されれば、表示画面の縁を小さくでき、商品価値を高めることができる。この意味で、図２８に示す、領域１１５および領域１１６におけるＸ側駆動回路部１１１の駆動トランジスタの配置は重要となる。
【０００３】
表示領域および駆動回路領域一体型のＴＦＴパネルにおいては、画素トランジスタはともかく、少なくとも駆動トランジスタには多結晶体シリコン（以下、「ポリシリコン」と記す）が用いられる。ＴＦＴパネルの表示領域および駆動回路領域に一体的にポリシリコン膜を形成する場合、次の方法がとられる。減圧ＣＶＤ法などにより基板上に非晶質シリコン（以下、「アモルファスシリコン］と記す）を成膜し、その後、エキシマレーザのビームをそのアモルファスシリコンに照射することによりアニールし、結晶化させてポリシリコンとする。このエキシマレーザのビームは、エネルギ密度の均一性を確保し、かつなるべく広い範囲を照射する必要がある。このため、その断面形状が、長さ１５０〜３００ｍｍで、幅が３００μｍすなわち０．３ｍｍの線に近い細長い形状のビームを用いる方法が主流になっている。面を照射するときは、上記のビームの長手方向を図２８に示す座標軸のＹ方向にして、また断面における細い幅方向をＸ方向に合わせて、１ショット毎に５〜５０μｍずつＸ方向にずらしながら、約２００〜３００Ｈｚの周期でパルス露光してスキャンしていく。
【０００４】
薄膜半導体をポリシリコンとする理由は、駆動トランジスタにおける電荷担体の移動度を高くする必要があるためである。アモルファスシリコンにおける電荷担体の移動度は、ポリシリコンにおける移動度に比べると、格段に低いため、アモルファスシリコンを駆動トランジスタに用いることはできない。従来、表示領域と駆動回路領域とを一体的に形成していなかった場合には、画素トランジスタにはアモルファスシリコンを用い、別工程で作製する駆動トランジスタには単結晶シリコンを用いていた。ポリシリコンにおける電荷担体の移動度は単結晶における移動度より小さいが、結晶粒径を粗大化させることにより、必要な移動度を確保することができる。したがって、上記のレーザビームのエネルギ密度は、アモルファスシリコンを多結晶化したうえで適切な大きさの結晶粒径とするエネルギ密度でなければならない。この条件を満たすレーザビームのエネルギ密度は、高低に限界を有する狭い範囲に限定されるが、実施に大きな困難を生じるほどではない。
【０００５】
しかしながら、上記のレーザビームのエネルギ密度のショット間の均一性については、要求性能を満たさない場合が生じる。すなわち、数万回に１回程度のオーダーでミスショットが発生し、上記の範囲内のエネルギ密度から低い側または高い側に外れる。ミスショットの悪影響が残る箇所は、スキャン１ピッチ分の幅、例えば、１５μｍの幅で、長さ１５０〜３００ｍｍにわたって十分粗大化した結晶粒径とならない。この結晶粒径粗大化が不充分となる現象は、レーザビームのエネルギ密度が小さすぎても、また大きすぎても発生する。このため、ＴＦＴのチャネル幅方向とレーザビーム断面の長手方向とが平行になる配置で、レーザビームをチャネル長方向にスキャンした場合、つぎの問題を生じる。すなわち、不良ショットがＴＦＴチャネル領域で発生すると、結晶化不充分な領域が、ＴＦＴのチャネル領域を遮断して形成されることになる。この結果、不良トランジスタがその不良ショットの領域に沿って連続して大量に形成され、表示欠陥として歩留り低下をもたらす。図２９は、そのような事態が発生する可能性がある従来例の駆動トランジスタの平面配列を示す図である。Ｘ側駆動回路部の複数の駆動トランジスタ１３０には、ゲート配線１４１、ソース配線１４３およびドレイン配線１４２が各駆動トランジスタにわたって連続して設けられている。これらの配線と駆動トランジスタの重複部に、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極が設けられている。ソース電極とドレイン電極とには、それぞれ半導体薄膜のソース領域１３３およびドレイン領域１３２と導通するコンタクト部１３７が設けられている。また、チャネル領域１３１は、平面的に見てゲート電極とほとんど重複している。図２９において、チャネルの幅１３４の方向に平行にレーザビーム断面の長手方向を配置して、パルスレーザをショットをしながらチャネル長さ１３５の方向にスキャンする。このとき、たまたま、ミスショットがチャネル領域に重なって発生すると、ミスショットのうちのスキャン１ピッチ分１４０は、チャネル領域１３１を完全に遮断する。図２９において、斜線部は、チャネル領域１３１とレーザビームのミスショット１ピッチ分Ｐとの重複部である。電荷担体は、この斜線部を通ることなく、トランジスタのチャネル領域を通過することはできない。ミスショットがトランジスタの特性に悪影響を及ぼすのは、ミスショットの１ピッチ分１４０がチャネル領域を完全に遮断して形成される場合であり、ソース領域やドレイン領域において、ミスショットのスキャン１ピッチ分１４０が完全に遮断して形成されても、それほど大きな悪影響は生じない。図２９の配置の場合、ゲート配線に連なるその列の駆動トランジスタが全て劣化するので、液晶表示装置の表示品位を明確に劣化させるような悪影響を及ぼす。この図２９のような駆動トランジスタの配置の場合には、図３０および図３１に示すように、領域１１５および１１６において、駆動トランジスタはコンパクトに収納され、表示画面の額縁を拡大することはない。Ｘ側駆動回路部の駆動トランジスタ（図示せず）のゲート配線１３１は、領域１１５および領域１１６の両方においてはみ出すことがない。このため、左側の額縁の幅１１８および右側の���縁の幅１１９、ともに拡大する必要がない。なお、Ｘ側駆動回路部の駆動トランジスタにおいては、ｎ型トランジスタとｐ型トランジスタ（いずれも図示せず）とが、ペアで配置されるが、とくに必要ない場合はペアのｎ型トランジスタとｐ型トランジスタとを区別しない。
【０００６】
上記の表示品位劣化の問題を解決するために、チャネル幅方向とレーザビーム断面の長手方向とを非平行にする提案がなされた（特開平１１−８７７２０号公報）。また、さらに非平行の条件を、チャネル幅Ｗ、チャネル長Ｌ、レーザビーム断面の短軸方向へのスキャンピッチＰ、レーザ光のスキャン方向とチャネル幅方向との角度θなどを用いて限定する提案がなされている（特開平１１−８７７２９号公報、特開平１１−８７６７０号公報）。すなわち、図３２に示すように、駆動トランジスタをレーザビームの断面の長軸方向に対して角度θを有するように傾斜させ、チャネル部の幅１３４をＷとし、レーザビームのスキャンピッチをＰとしたとき、Ｗ・sinθ>Ｐを満たすようにする。この条件を課すことにより、チャネル幅Ｗが７００μｍにも及ぶ駆動トランジスタの場合、ミスショットがチャネル領域で発生しても、その特性不完全部を横切ることなくチャネル領域を通過できる部分が余裕をもって生じる。すなわち、特性の良好な領域のみを通過する電荷担体も相当程度ある。この結果、トランジスタの特性がレーザビームのミスショットによって劣化することがなくなり、表示品位が実質的に劣化する事態を避けることができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、表示信号を制御する駆動回路においては、多数の駆動トランジスタが連続して配列されるので、矩形画面の辺に交差する一定方向に沿って直列に駆動トランジスタを配置すると、駆動トランジスタの列が表示画面の端から大きくはみ出してしまう。図３３および図３４は、領域１１５および領域１１６における傾斜させた駆動トランジスタ（図示せず）の配置を示す図である。駆動トランジスタを傾斜させて配置することにより、額縁の幅１１８および１１９は大きく拡大していることが分かる。このような傾斜配置は、液晶画面の周辺部の狭額縁化に逆行し、かえって駆動回路領域が広くなってしまう。スキャンピッチＰを非常に小さくできれば、角度θを小さくしても、Ｗ・sinθ>Ｐを満たすようにすることができる。しかし、スキャンピッチＰをあまり小さくすると、ポリシリコン表面が粗くなり、使用に耐えないものになる。なお、レーザビーム断面の長手方向に対して斜めに配向した駆動トランジスタを、Ｙ方向に沿って直列接続する配列も考えられる。この配列によれば、狭額縁化を達成することができる。しかしながら、この配置では、トランジスタ間の電極距離が狭くなり、トランジスタの直列配線の形成が困難になる。このため、斜めに配向した駆動トランジスタをＹ方向に沿って直列接続する配列は、実際の駆動回路部の製造には用いられない。
【０００８】
そこで、本発明の目的は、エキシマレーザショットのスキャン照射によってアモルファスシリコン薄膜から生成したポリシリコン薄膜を、少なくとも駆動回路領域に備えるＴＦＴパネルを含む液晶表示装置において、そのエキシマレーザのミスショットがあってもポリシリコン薄膜の上に形成される複数の駆動トランジスタについて、表示品位を劣化させる場合が生じる配置を避け、かつ狭額縁化を達成することができる配置とした液晶表示装置およびＴＦＴパネルを提供することにある。
【０００９】
なお、本発明が対象とする液晶表示装置は、画素トランジスタの薄膜半導体と駆動トランジスタの薄膜半導体とが同じ工程で一体的に形成されたものであってもよいし、または両者が別工程で作製された後に一体化されたものであってもよい。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の液晶表示装置は、液晶と、この液晶を駆動するＴＦＴパネルと、その対向基板とを備え、そのＴＦＴパネルが、交差して配線された複数の信号線および複数の走査線ならびにその交差する部位に配置された複数の画素トランジスタを含む表示領域と、複数の駆動トランジスタを含む駆動回路領域とを有している。その駆動回路領域に形成される駆動トランジスタのゲート配線は、第１の方向に沿って直線的に延びる第１の線分と、第１の方向と異なる第２の方向に沿って直線的に延びる第２の線分と、第１の線分と第２の線分とを接続する屈曲部とを備えた折れ線に沿って配置される。さらに、駆動トランジスタは、平面的に見て、そのチャネル領域が屈曲部と重ならないように、第１の線分および第２の線分に沿って配置されている。
【００１１】
この構成により、ゲート配線と重なって下方に形成される駆動トランジスタのチャネル領域もこの折れ線に沿って配置される。したがって、レーザミスショットに起因する直線状の特性不完全部に対して駆動トランジスタのチャネル領域の位置をずらすことができる。この結果、特性不完全部が全てのトランジスタのチャネル部を遮断するように等しく配置される事態を避け、駆動トランジスタの位置に応じて、チャネル領域の端、ソース領域、またはドレイン領域において重なるようにすることができる。この結果、不完全特性の悪影響が分散されるので、表示品位を実質的に劣化させる事態を避けることができる。また、第１の方向の線分と第２の方向の線分とを有するジグザグ状の折れ線に沿って配置されるので、駆動回路領域が表示画面から大きくはみ出して拡大することがなく、狭額縁化を実現することができる。また、上記の折れ線に沿って駆動トランジスタのチャネル領域の中心付近を配置した上で、駆動トランジスタを上記のレーザ光の長軸方向に対して傾斜または回転させて配置することもできる。この場合、上記した各駆動トランジスタのレーザビームスキャン方向のずれに加えて、傾斜または一定角度の回転が加えられることになる。このため、レーザのミスショットに起因する特性不完全部によってチャネル領域が完全に遮断された駆動トランジスタが、その列全体にわたって発生する可能性をいっそう容易に避けることができる。すなわち、傾斜または回転を行うと、レーザビームの細長い断面の長手方向がチャネル長さ方向に平行となる配置に近づき、特性不完全部を通過しないでチャネル領域を横断できる部分が増大する。これに加えて、さらに上述のずれを有する配置を行うと、危険分散の効果に加えて、上記の特性不完全部を通過しないでチャネル領域を横断できる部分の増大の効果が加算される。その結果、駆動トランジスタの特性の劣化はほとんど生じなくなる。
【００１２】
また、チャネル領域を平面的に見てゲート配線の屈曲部を避けて形成するのは、この屈曲部では電界集中が生じて、チャネル領域における電荷担体の移動に何らかの影響を及ぼし誤動作を発生する恐れがあるからである。
【００１３】
なお、上記の駆動回路領域は、１枚の基板上に表示領域と一体的に同一工程内で形成されてもよいし、別の基板上に別工程で形成された後に一体化されたものであってもよい。したがって、画素トランジスタの半導体薄膜はアモルファスシリコンのままでもよいし、同じ工程で一体的に形成されたポリシリコンでもよい。
【００１４】
上記液晶表示装置では、第１の線分および第２の線分は、各線分の表示領域に近い端点から遠い端点に向かう方向が、表示領域側から見て逆方向になっている。
【００１５】
この構成により、特性不完全領域にその列の全ての駆動トランジスタのチャネル領域を完全に遮断させないようにした上で、狭額縁化を実際に実現することが可能になる。なお、表示領域側から見た方向または長さは、表示領域の縁辺への射影方向または射影長さである。
【００１６】
上記液晶表示装置では、好ましくは、第１の線分および第２の線分は、各々、さらに小さな折れ線によって構成されている。
【００１７】
この構成により、駆動トランジスタの列全体の配置は、例えば第１の線分に沿うようにして、例えば、個々の駆動トランジスタのチャネル長さ方向を、表示領域と駆動回路領域との境界の延びる方向に平行に配置することができる。すなわち、ゲート配線等の配線方向とチャネル領域の幅方向とを平行にしたうえで、各駆動トランジスタの向きの配置を自由に設定することが容易になる。
【００１８】
上記液晶表示装置では、好ましくは、屈曲部は、第１の線分および第２の線分を接続する、表示領域と駆動回路領域との境界にほぼ直交する線分を含んでいる。
【００１９】
この構成により、各駆動トランジスタをジグザグ状の折れ線に沿って、各駆動トランジスタを余裕をもって配置することが可能となる。
【００２０】
上記液晶表示装置では、好ましくは、屈曲部は、第１の線分および第２の線分が角度をもって直接連続している部分を含んでいる。
【００２１】
この構成により、Ｘ方向（表示領域と駆動回路領域の境界が延びる方向）の狭額縁化を実現できるだけでなく、Ｙ方向（上記境界の垂直方向）についても狭額縁化を実現することができる。すなわち、駆動トランジスタはＹ方向について高密度で配置される。なお、上記の第１および第２の線分に配置された駆動トランジスタは、Ｙ方向に平行な特性不完全領域に対して共通位置にならないように、危険分散をはかるためＸ方向の位置がずれるように配置することが好ましい。また、特性不完全領域にチャネル領域が完全に遮断されないように、チャネル領域の幅方向をＹ方向から大きく傾斜させて配置することが望ましい。
【００２２】
上記液晶表示装置では、好ましくは、駆動トランジスタのチャネル領域の幅方向は、第１の線分および第２の線分に対して平行になるように配置されている。
【００２３】
この構成により、チャネル領域幅方向のみならず、ソース領域およびドレイン領域の幅方向もそれぞれのソース配線およびドレイン配線の方向と平行になり、配線の形成が容易になる。
【００２４】
上記液晶表示装置では、好ましくは、表示領域は矩形であり、駆動回路領域が、矩形の表示領域の対向する２つの平行な辺の延長線の間からはみ出さないように配置されている。
【００２５】
この構成により、レーザアニールにおいてレーザビームが不必要に重複する部分を生じることなく、能率よく、表示画面全体にわたって偏ることなく結晶化および結晶成長させたうえで、狭額縁化と危険分散とを実現することができる。
【００２６】
上記液晶表示装置では、好ましくは、駆動トランジスタと、その駆動トランジスタの最も近くに位置する隣の駆動トランジスタとの間の表示領域側から見た距離が、レーザビーム照射の走査痕であるピッチ縞の間隔よりも長くなっている。
【００２７】
この構成により、たとえ１つの駆動トランジスタのチャネル領域をレーザビームのミスショットに起因する特性不完全部が遮断する場合が生じても、隣接する駆動トランジスタでは、その特性不完全部はソース領域か、またはドレイン領域を通過することになる。この結果、特性不完全部は表示品位に実質的に影響を及ぼさなくすることができ、歩留りを向上させることが可能となる。
【００２８】
上記液晶表示装置では、好ましくは、駆動トランジスタの各々のチャネル領域は、表示領域に最も近いチャネル領域の角部と、表示領域に最も遠いチャネル領域の角部との間の表示領域側から見た距離が、レーザビーム照射の走査痕であるピッチ縞の間隔よりも長くなっている。
【００２９】
この構成の場合、駆動トランジスタを上記の辺に立てた垂線に対して傾斜または回転させて配置する必要がある。各駆動トランジスタをレーザビームの長軸方向に対して傾斜または回転させて配置すると、レーザビームのミスショットに起因する特性不完全部がチャネル部を通る最悪の場合であっても、上述の理由により電荷担体が特性不完全部をよぎらずに通過できる部分が増大する。上記の請求項９の液晶表示装置では、チャネル領域を特性不完全部が通る場合であっても、確実に、電荷担体が特性不完全部を通過せずにチャネル領域を通ることできる部分が確実に存在するようにできる。したがって、特性不完全部が表示品質に悪影響しないようにすることが可能となる。
【００３０】
上記の液晶表示装置は、駆動トランジスタと画素トランジスタとが、１枚の基板の上に一体的に形成されたポリシリコン膜に設けられていてもよい。または、駆動トランジスタと画素トランジスタとが、それぞれ別の基板の上に別々の工程で形成された薄膜半導体の上に形成された後に、一体化されていてもよい。どちらの液晶表示装置においても、駆動回路領域のトランジスタをアモルファスシリコンからポリシリコンにして形成する装置である限り、上記の各構成は実質的に表示品位を劣化させない作用を有する。両方の液晶表示装置ともに、表示領域の半導体は、アモルファスシリコン膜のままであってもよいし、または、アモルファスシリコン膜に対して同じ工程において一体的にエキシマレーザビームを照射してポリシリコン膜としたものでもよい。
【００３１】
本発明のＴＦＴパネルは、交差して配線された複数の信号線および複数の走査線ならびにその交差する部位に配置された複数の画素トランジスタを含む表示領域と、複数の駆動トランジスタを含む駆動回路領域とを有する、液晶を駆動するパネルである。その駆動回路領域に形成される駆動トランジスタのゲート配線は、第１の方向に沿って直線的に延びる第１の線分と、第１の方向と異なる第２の方向に沿って直線的に延びる第２の線分と、第１の線分と第２の線分とを接続する屈曲部とを備えた折れ線に沿って配置されている。さらに、駆動トランジスタは、平面的に見て、そのチャネル領域が屈曲部と重ならないように、第１の線分および第２の線分に沿って配置され、第１の線分および第２の線分は、各線分の表示領域に近い端点から遠い端点に向かう方向が、表示領域側から見て逆方向になっている。
【００３２】
この構成により、このＴＦＴパネルは液晶表示装置に用いられて、特性不完全部がチャネル領域の中央部および端部、ソース領域、ドレイン領域に分散されるので、表示品位が大きく劣化する事態を避けることができる。また、駆動トランジスタどうしの上記のずれに加えて駆動トランジスタをチャネル領域を中心に一定角度だけ回転させて配置することにより、さらに危険分散を図ることが容易となる。
【００３３】
【発明の実施の形態】
次ぎに、図面を用いて本発明の実施の形態について説明する。
【００３４】
（実施の形態１）
図１は実施の形態１に用いたレーザ光の光学装置を示す構成図である。レーザ発振器６６には、波長３０８ｎｍを発生するＸｅＣｌを発振ガスとするエキシマレーザを用いた。パルスのショットピッチは１００Ｈｚ〜３００Ｈｚの範囲とした。発振ガスとしてＫｒＦを用いることもできる。このとき、百万ショットにつき数ショットの割合で、ミスショットが発生する。レーザ発振器６６を発したレーザ光７０は、アッテネータ６５を経て、ミラー６２で方向を転じられ、ビーム成形光学系６３，６４でビーム断面形状を細長い矩形状にされる。その後、再びミラー６２で方向を変えられ光学系筐体６８を出て、チャンバ６７の中にウィンドウ６１から導入される。チャンバ６７の中のＸ-Ｙステージ６０の上に配置された基板１は、Ｘ-Ｙステージの動きによってＸ方向、Ｙ方向の両方向に移動することができる。このレーザビームは、基板１の上に形成されたアモルファスシリコン膜に対して照射される。図２は、アモルファスシリコン膜に対するレーザアニールの状況を説明する図である。細長い矩形断面のレーザビーム７０は、その矩形の短軸方向２６に１ショットごとに一定間隔のピッチでずらしながら照射領域７１をアニールする。基板１に成膜されたアモルファスシリコン膜は、照射が済んだ領域７２は結晶化してポリシリコンとなっており、未照射領域７３はアモルファスシリコンのままである。図３は、レーザビームの断面におけるエネルギ密度分布を示す図である。レーザビーム断面は細長い矩形状であり、長軸方向２５の長さ７４は１５０〜３００ｍｍであり、短軸方向２６の長さ７５は３００〜４００μｍ（０．３〜０．４ｍｍ）の範囲にある。エネルギ密度は、矩形断面において、±２％程度のばらつきがある。また、パルスショット毎のばらつきは±１５％程度ある。この矩形断面のレーザビームで面をアニールする場合、図４に示すように、レーザビーム断面の短軸方向２６に、一定間隔のピッチＰでスキャンする。図４においてｎショット目の照射領域を実線で、ｎ＋１番目のショットの照射領域を破線で、また、ｎ＋２番目のショットの照射領域を一点鎖線によって表している。
【００３５】
本実施の形態では、Ｘ側駆動回路部のゲート配線４１を図５のように配置する。図５では、このゲート配線に各駆動トランジスタ３０のチャネル領域の幅３４の方向を平行に配置している。各駆動トランジスタ３０は、中央部はゲート配線４１、その両側はソース配線４３、ドレイン配線４２によって電気的に連結されている。これらの配線と駆動トランジスタの重複部に、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極が形成されており、さらにソース電極とドレイン電極にはそれぞれポリシリコン膜のソース領域３３およびドレイン領域３２と導通するコンタクト部３７が設けられている。図５において、折れ線の屈曲部に相当する部分９０にチャネル領域を重複させないようにして配置するのは、駆動トランジスタの配線がこの部分で発生する電界集中を避けるためである。電界集中部にチャネル部を重複させると、誤動作を生じるので避ける必要がある。１つの線分に配置された３個の駆動トランジスタのずらしピッチのレーザビームスキャン方向への射影距離Ａは、レーザビームのスキャンのピッチＰよりも大きくても、または小さくてもよい。通常、チャネル幅３４は２０μｍ程度であり、チャネル長さ３５は５μｍ程度であり、またレーザビームのスキャンピッチＰは１５μｍ程度である。
【００３６】
図６は、レーザビームのスキャンのピッチＰが駆動トランジスタのずらしピッチＡより小さい場合において、ミスショットによる不完全領域４０がチャネル領域を遮断した場合の配置を示す図である。不完全領域４０は領域Ｂにおいて、この駆動トランジスタのチャネル部を完全に遮断している。しかし、本発明に基づく駆動トランジスタの配置をすることにより、他の隣接する駆動トランジスタにはソース、ドレイン領域３２、３３で重なることはあってもチャネル領域を完全に遮断することはない。図２２の波線は、ジグザグ状の折れ線の２分の１波長相当分の駆動トランジスタの配列を示しているが、この範囲内で、一部の駆動トランジスタのチャネル領域において、領域Ｃのように重なるものもある。しかし、この場合には、矢印Ｄの経路に示されるように、特性不完全領域を通過しなくてもチャネル領域を横断できる部分があるので、表示特性に悪影響を及ぼすことはない。したがって、この場合には６分の１の駆動トランジスタが悪影響を及ぼすだけであり、表示特性を実質上劣化させない。したがって、歩留りが低下することはない。なお、駆動トランジスタの６分の１が悪影響を受けるのは、図６に示したジグザグ状の折れ線の２分の１波長相当分と同じ配列が残りの２分の１波長相当分においても繰り返す場合である。残りの２分の１波長相当分における駆動トランジスタの配列は、図６のそれより少しずらすことが可能であり、また、各線分の傾きや長さを変えることも可能である。そのような配列にしていた場合には、悪影響を受ける駆動トランジスタは全体の１２分の１になる可能性がある。
【００３７】
図７は、レーザビームのスキャンのピッチＰが駆動トランジスタのずらしピッチＡより大きい場合において、ミスショットによる特性不完全領域４０がチャネル領域を遮断した場合の配置を示す図である。特性不完全領域４０は、領域Ｅおよび領域Ｊの２つの領域において各駆動トランジスタのチャネル領域を完全に遮断している。したがって、この領域が重なっている駆動トランジスタは悪影響を受ける。しかし、例えば、不完全領域４０とチャネル領域との重複領域ＦまたはＨを有する駆動トランジスタでは、矢印ＧまたはＩのように不完全領域４０を通ることなくチャネル領域を横断できる経路部分がある。また、その他の駆動トランジスタはチャネル領域を不完全領域と重複させない。したがって、全体の３分の１程度の駆動トランジスタが悪影響を受けるだけなので、表示品位を実質的に劣化させることはない。さらに、ジグザグ状の折れ線の残りの２分の１波長相当分に配置される駆動トランジスタが図７の配置からずれていれば、特性不完全領域によってチャネル領域が完全に遮断される駆動トランジスタの比率はより小さくなる。
【００３８】
図８は、図５の駆動トランジスタのＶＩＩＩ-ＶＩＩＩ断面図である。駆動トランジスタ３０は、透明基板１に重ねられた下地膜５１の上に形成されたポリシリコンを基礎にして作製されている。駆動トランジスタの形状にパターニングされたポリシリコンの中央部にチャネル領域３１、その両側にドレイン、ソース領域３２、３３が形成されている。これらの上には容量絶縁膜を兼ねたゲート絶縁膜５３が積層されており、その下のチャネル領域３１と平面的に重なる位置にゲート電極５４が位置している。これらの上の層間絶縁膜５５とゲート絶縁膜５３とに開口されたコンタクトホールにドレイン配線５７およびソース配線５８が成膜され、それぞれドレイン領域３２およびソース領域３３とコンタクト部３７を形成する。
【００３９】
次ぎに、図８に示す駆動トランジスタの作製方法について説明する。まず、図９に示すように、ガラス基板１の上に、例えばＰＥＣＶＤ(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)法によって、下地膜５１としてシリコン窒化膜とシリコン酸化膜との２層膜を形成する。次ぎに、その上にアモルファスシリコン膜５２を成膜し、エキシマレーザによってアモルファスシリコンをポリシリコンとした後、ソースからドレインに至る領域をパターニングして、チャネル領域３１および下部電極を形成する（図１０）。次いで、レジストマスク８５を用いて、容量部を形成する下部電極（図示せず）以外を覆った後、燐（Ｐ）イオンを注入する（図１１）。次ぎに、容量絶縁膜を兼ねたゲート絶縁膜５３として、例えば、図１２に示すように、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を形成する。次いで、Ｃｒ膜を成膜した後、パターニングしてゲート電極５４および共通配線を形成する（図１３）。この共通配線と下部電極との間には蓄積容量が形成されている。その後、図１４に示すように、ｎ型トランジスタ側のＬＤＤ(Lightly Doped Drain)を形成するためのレジスト８６、およびｐ型トランジスタ側のポリシリコン半導体層を覆うレジスト８７を設けて、Ｐイオンを注入する。この結果、ｎ型トランジスタのドレイン、ソース領域３２ｎ、３３ｎが形成される。次いで、図１５に示すように、レジストパターンを除いた後、低濃度のＰイオンを注入する。その後、図１６に示すように、ｎ型トランジスタ側をレジストで覆い、Ｂイオンを注入してｐ型トランジスタのソース、ドレイン領域３３ｐ、３４ｐを形成する。その後、図１７に示すように、層間絶縁膜５５として、ＴＥＯＳ ＰＥＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を形成した後、４００℃で活性化アニールを行う。その後、図１８に示すように、層間絶縁膜５５とゲート酸化膜５３とにコンタクトホール５６をドライエッチにより開口する。次ぎに、図１９に示すように、Ｃｒ膜を１００ｎｍ、Ａｌ系合金膜４００ｎｍをスパッタ法により積層成膜し、パターニングしてソース、ドレイン電極５７，５８を形成する。この後は、パッシベーション膜形成、および表示部に画素電極を形成する。さらに、図２０に示すプロセスにしたがって、上記の手順で作製したＴＦＴパネルをカラーフィルタと合わせ、画素電極表面およびカラーフィルタ表面に配向膜を塗布し、ラビング処理により配向方向を設定する。その後、通常の組立て工程により組立てる。
【００４０】
本実施の形態の駆動トランジスタの配列によれば、図２１および図２２に示すように、駆動トランジスタ（図示せず）は、ジグザグ状のゲート配線に沿ってチャネル領域（図示せず）の中央付近を合わせて配列される。この配置のため、レーザ光のミスショットがチャネル領域に重なって形成された場合の表示品位の実質的劣化を防止したうえで、額縁を拡大させることがない。すなわち、額縁の幅１８および１９が拡大することがなく、狭額縁化を実現することが可能となる。本実施の形態では、レーザビームのずらしピッチＰは１５μｍを採用しており、シリコン膜の表面を粗くすることがなく、かつポリシリコン化を高能率で実施することができる。
【００４１】
（実施の形態２）
図２３は、実施の形態２における液晶表示装置の駆動トランジスタの平面配置を示す図である。図２３において、各トランジスタのチャネル領域の幅３４の方向は、レーザビームの長軸方向２５に平行である。図２３において、ジグザグ状の折れ線の４分の１波長相当分に配置された３個の駆動トランジスタのずれピッチＡは、レーザビームのスキャンピッチＰよりも大きいほうが望ましいが、小さくてもよい。この実施の形態２における第１の線分および第２の線分は、さらに小さい折れ線によって形成されている。
【００４２】
この配置により、いずれかの駆動トランジスタのチャネル領域３１を、たまたまミスショットに起因する特性不完全部が覆っても、すべての駆動トランジスタのチャネル部を特性不完全部が覆うことにならない。特性不完全部は、隣接する駆動トランジスタではソース領域３３またはドレイン領域３２にかかることがありうるが、ソース領域またはドレイン領域に特性不完全部がかかっても表示品位に及ぼす影響はほとんどない。表示品位劣化の可能性は、駆動トランジスタのずれピッチＡがレーザビームのスキャンピッチＰよりも大きいほうが小さくなる。しかし、たとえ駆動トランジスタのずれピッチＡがレーザビームのスキャンピッチＰより小さくても危険分散の作用はあるので、上記の場合が生じても表示品位の劣化の程度を限定的なものにすることが可能である。
【００４３】
この結果、実質的に表示品位を劣化させる可能性を排除してＸ側駆動回路部を形成することが可能となり、歩留りの低下を防止することが可能となる。また、上記の駆動トランジスタはジグザグ状の線に沿って配置されるので、駆動回路部をはみ出すことがないので、実施の形態１に示した図２１および図２２における額縁幅１８、１９を拡大させず、狭額縁化を達成することが可能となる。
【００４４】
（実施の形態３）
図２４は、実施の形態３における駆動トランジスタの配置を示す平面図である。本実施の形態では、ジグザグ状の折れ線の４分の１波長相当分に２個の駆動トランジスタが配置される。この２個の駆動トランジスタのずれのレーザビームスキャン方向への射影距離Ａは、レーザビームのスキャンのピッチＰより大きいほうが望ましいが、小さくてもよい。図２４に示す駆動トランジスタの配置により、たとえ万一、チャネル領域３１にミスショットの１ピッチ分の領域が重なることがあっても、駆動トランジスタの全てが特性不良になることはなく、表示品位の実質的劣化を防止することが可能となる。さらに、この駆動トランジスタの配列は、額縁を拡大することがないので、狭額縁化に有効である。
【００４５】
（実施の形態４）
図２５は、実施の形態４における駆動トランジスタのポリシリコン半導体層の配置を示す平面図である。本実施の形態では、ジグザグ状の折れ線の４分の１波長相当分に１個の駆動トランジスタが配置される。この配置においても、隣り合う駆動トランジスタはたがいにレーザビームのスキャン方向にずれることは可能である。この場合には、隣り合う駆動トランジスタを、ある程度互いにずらした上で、図２６に示すように各駆動トランジスタのチャネル幅３４の方向をレーザビームの断面の長軸方向２５から傾けることが望ましい。大きく傾けることができない場合においては、上記のずれの効果により、たとえ１つの駆動トランジスタのチャネル領域が完全に特性不完全領域に遮断されても、１波長相当分の範囲内の残りの３個の駆動トランジスタが問題ない配置となる可能性がある。図２５の場合は、一定の傾きと長さを持った線分の場合であるが、ジグザグ状の折れ線の４分の１波長相当分ごとに不ぞろいの折れ線の場合には、上記のずれをより容易に設けることが可能となる。
【００４６】
このずれの効果に加えて、傾斜（回転）配置の効果により、たとえレーザビームのミスショットの１ピッチ分が駆動トランジスタのチャネル領域に重なることが生じたとしても、そのミスショットの１ピッチ分がチャネル領域を遮断する事態を避けることがいっそう容易になる。すなわち、ミスショット部を通過することなく、チャネル領域を横切ることができる部分ができる。さらに、この駆動トランジスタの配列は、額縁を拡大することがないので、狭額縁化に有効である。
【００４７】
（実施の形態５）
実施の形態５は、実施の形態４の類似態様であり、図２６に示すように、駆動トランジスタを配置する。図２６の配置によれば、図２６の配置に得られる効果に加えて、レーザビーム断面の長軸方向（Ｙ方向）に関して駆動トランジスタの配置を圧縮して実施することができる。この結果、この方向（Ｙ方向）の額縁幅を狭くすることが可能になる。
【００４８】
図２６に示す駆動トランジスタの配置において、隣接する各駆動トランジスタをレーザビームのスキャン方向にずらすことは可能である。このレーザビームのスキャン方向へのずらしにより、危険分散をある程度高めることが可能である。しかも、狭額縁化の達成の効果に加えて、表示品位の実質的な劣化を防止する効果も得ることができる。
【００４９】
図２７は、特性不完全領域が駆動トランジスタのチャネル領域の中に完全に含まれて重なる場合を示す図である。すべての駆動トランジスタのチャネル領域において、特性不完全領域の幅は完全にチャネル領域の中にあり、重なり領域Ｋ、Ｍ、ＯおよびＲを形成する。しかしながら、重なり領域Ｒを有する駆動トタンジスタにおいては、チャネル領域の最も表示領域に近い角部ｕと、最も表示領域に遠い角部ｖとの間の、レーザビームスキャン方向への射影距離ＺがレーザビームのスキャンピッチＰより大きい。このため、矢印Ｌ、Ｎ、ＱおよびＳで示すように、特性不完全領域を通ることなくチャネル領域を横断する経路の部分があるので、駆動トランジスタが表示品位に悪影響を及ぼすほど劣化しない。図２７において、特性不完全領域４０の幅は完全にチャネル領域に含まれているので、この特性不完全領域の幅がチャネル領域に含まれながら、少しずれた配置であっても事情は同じである。すなわち、特性不完全領域４０の位置が図２７に示す位置から少し右にずれて、チャネル領域の中央部に位置する場合、特性不完全領域を通ることなくチャネル領域を横断できる部分の総面積は同じである。この場合、チャネル領域を横断できる部分は、特性不完全部４０をはさんで２つの部分に分かれるが、その２つの部分の合計面積は図２７に示す配置と同じである。したがって、特性不完全部４０がどのように発生しても、表示品位が実質的に劣化する事態を避けることができる。すなわち、上記のように傾斜配置の回転角度を大きくとることができれば、全ての駆動トランジスタを問題ない配置とすることができる。
【００５０】
上記の図２７の駆動トランジスタは互いのレーザビームスキャン方向へのずれがゼロの場合であった。しかし、各駆動トランジスタはジグザグ状の折れ線４分の１波長相当分の範囲内で互いに上記スキャン方向にずらすことが可能であり、このずれにより、たとえ上記のような傾斜配置の角度を大きくとれない場合であっても、危険分散を図ることができる。すなわち、傾斜配置の回転角度が上記のように大きくとれない場合であっても、１波長相当分の範囲内で１個の駆動トランジスタのチャネル領域が特性不完全領域に完全に遮断されるが、残りの３個の駆動トランジスタは問題ない位置に配置されることになる。このような配置は、ジグザグ状の折れ線が４分の１波長相当分ごとに不ぞろいな場合において、より一層容易に実現することができる。
【００５１】
上記において、本発明の実施の形態について説明を行ったが、上記に開示された本発明の実施の形態は、あくまで例示であって、本発明の範囲はこれら発明の実施の形態に限定されない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含む。
【００５２】
【発明の効果】
本発明により、液晶表示装置の駆動回路部のアモルファスシリコン膜のレーザアニールにおいてミスショットが発生し、そのミスショットの１ピッチ分が駆動トランジスタのチャネル領域に重なっても表示品位の実質的な劣化を防止することができる。その結果、高い歩留りを確保することが可能となる。さらに、本発明によれば、駆動回路部を拡大させて表示画面の周辺部の額縁を広げることがないので、狭額縁化を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  実施の形態１のレーザアニールに用いたレーザ光学装置を説明する構成図である。
【図２】  ＴＦＴ基板に成膜されたアモルファスシリコン膜をエキシマレーザビームによってアニールする手順を示す概要図である。
【図３】  レーザビームのエネルギ密度の分布を示す図である。
【図４】  レーザアニールにおけるパルスレーザビームの矩形断面のスキャン方向を示す図である。
【図５】  実施の形態１における駆動トランジスタの配置を示す平面図である。
【図６】  図５の駆動トランジスタのチャネル領域にレーザ光のミスショットに起因する特性不完全領域が重なった場合であって、駆動トランジスタのずれピッチＡがレーザビームのピッチＰより大きい場合の特性不完全領域の各駆動トランジスタに対する配置を示す平面図である。
【図７】  駆動トランジスタのずれピッチＡがレーザビームのピッチＰより小さい場合の図６に相当する図である。
【図８】  図５におけるＶＩＩＩ-ＶＩＩＩ断面図である。
【図９】  実施の形態１のＴＦＴの作製において、ガラス基板の上に下地膜を形成した段階の断面図である。
【図１０】  図９の状態に、アモルファスシリコン膜を成膜し、レーザアニールによりポリシリコン化したあと、トランジスタ形状にパターニングした段階の断面図である。
【図１１】  図１０の状態に対して、レジストマスクにより容量部を形成する下部電極以外を覆い、下部電極に燐イオンを注入した段階の断面図である。
【図１２】  図１１の状態に対して容量絶縁膜を兼ねたゲート絶縁膜を成膜した段階の断面図である。
【図１３】  図１２の状態にゲート電極および共通配線を形成した段階の断面図である。
【図１４】  レジストマスクをしてｎ型トランジスタに燐イオンを注入している断面図である。
【図１５】  レジストマスクを除いて、ｎ型トランジスタにＬＤＤ形成のための燐イオンを注入している断面図である。
【図１６】  ｎ型トランジスタにレジストマスクを施し、ｐ型トランジスタのソース、ドレイン領域にボロンイオンを注入している断面図である。
【図１７】  図１６の状態に層間絶縁膜を形成した段階の断面図である。
【図１８】  図１７の状態に、ソース、ドレイン領域の上にコンタクトホールを開口した段階の断面図である。
【図１９】  図１８の状態に、ソース、ドレイン電極を形成した段階の断面図である。
【図２０】  ＴＦＴアレイ基板から液晶表示装置を形成するプロセスを示す工程図である。
【図２１】  実施の形態１の駆動回路部の角部における駆動トランジスタの配列を示す平面図である。
【図２２】  実施の形態１の駆動回路部のもう一つの角部における駆動トランジスタの配列を示す平面図である。
【図２３】  実施の形態２における駆動トランジスタの配置を示す平面図である。
【図２４】  実施の形態３における駆動トランジスタの配置を示す平面図である。
【図２５】  実施の形態４における駆動トランジスタの配置を示す平面図である。
【図２６】  実施の形態５における駆動トランジスタの配置を示す平面図である。
【図２７】  図２６の駆動トランジスタのチャネル領域にレーザ光のミスショットに起因する特性不完全領域が重なった場合の特性不完全領域の各駆動トランジスタに対する配置を示す平面図である。
【図２８】  ＴＦＴパネルの構成の概要を示す平面図である。
【図２９】  従来例において、ミスショットに起因する特性不完全領域が駆動トランジスタのチャネル領域に重なった場合の平面図である。
【図３０】  図２９の従来例における駆動回路部の角部における駆動トランジスタの配列を示す平面図である。
【図３１】  図２９の従来例における駆動回路部のもう一つの角部における駆動トランジスタの配列を示す平面図である。
【図３２】  他の従来例における駆動トランジスタの配置を示す平面図である。
【図３３】  図３２の従来例における駆動回路部の角部における駆動トランジスタの配列を示す平面図である。
【図３４】  図３２の従来例における駆動回路部のもう一つの角部における駆動トランジスタの配列を示す平面図である。
【符号の説明】
１  透明基板、２  表示領域、１１  Ｘ側駆動回路部、１２  Ｙ側駆動回路部、１７  外部接続端子部領域、１８，１９  額縁の幅、２５  レーザビーム断面の長手方向、２６  レーザビーム断面の幅方向、３０  駆動トランジスタ、３１，３１ｎ，３１ｐ  チャネル領域、３２，３２ｎ，３２ｐ  ドレイン領域、３３，３３ｎ，３３ｐ  ソース領域、３４  チャネル領域の幅、３５  チャネル領域の長さ、３７  ソース、ドレイン領域のコンタクト部、４０  ミスショットに起因する特性不完全領域、４１  ゲート配線、４２  ドレイン配線、４３  ソース配線、５１  下地膜、５２  シリコン膜（アモルファスシリコン、ポリシリコン）、５３  ゲート絶縁膜、５４  ゲート電極、５５  層間絶縁膜、５７  ドレイン電極、５８  ソース電極、６０  Ｘ-Ｙステージ、６１  ウィンドウ、６２  ミラー、６３，６４  ビーム成形光学系、６５  アッテネータ、６６  レーザ発振器、６７  チャンバ、６８  光学系筐体、７０  レーザビーム、７１  レーザビーム照射箇所、７２  レーザ照射領域、７３  レーザ未照射領域、７４  レーザビーム断面の長さ、７５  レーザビーム断面の幅、８６，８７，８８  レジスト、９０  屈曲部、ｕ  チャネル領域の最も表示領域に近い角部、ｖ  チャネル領域の最も表示領域に遠い角部、Ａ  駆動トランジスタのずれのスキャン方向射影長さ、Ｂ，Ｃ，Ｅ，Ｆ，Ｈ，Ｊ，Ｋ，Ｍ，Ｏ，Ｒ  ミスショットに起因する特性不完全領域とチャネル領域の重複部、Ｄ，Ｇ，Ｉ，Ｌ，Ｎ，Ｑ，Ｓ  特性不完全領域を通過しないでチャネル領域を横断できる経路、Ｐ  レーザビームのスキャンピッチ、Ｚ  チャネル領域の最も表示領域に近い角部と、最も表示領域に遠い角部との間のレーザビームスキャン方向への射影距離Ｚ。
【図１】
0004104800.tif 000002
【図２】
0004104800.tif 000003
【図３】
0004104800.tif 000004
【図４】
0004104800.tif 000005
【図５】
0004104800.tif 000006
【図６】
0004104800.tif 000007
【図７】
0004104800.tif 000008
【図８】
0004104800.tif 000009
【図９】
0004104800.tif 000010
【図１０】
0004104800.tif 000011
【図１１】
0004104800.tif 000012
【図１２】
0004104800.tif 000013
【図１３】
0004104800.tif 000014
【図１４】
0004104800.tif 000015
【図１５】
0004104800.tif 000016
【図１６】
0004104800.tif 000017
【図１７】
0004104800.tif 000018
【図１８】
0004104800.tif 000019
【図１９】
0004104800.tif 000020
【図２０】
0004104800.tif 000021
【図２１】
0004104800.tif 000022
【図２２】
0004104800.tif 000023
【図２３】
0004104800.tif 000024
【図２４】
0004104800.tif 000025
【図２５】
0004104800.tif 000026
【図２６】
0004104800.tif 000027
【図２７】
0004104800.tif 000028
【図２８】
0004104800.tif 000029
【図２９】
0004104800.tif 000030
【図３０】
0004104800.tif 000031
【図３１】
0004104800.tif 000032
【図３２】
0004104800.tif 000033
【図３３】
0004104800.tif 000034
【図３４】
0004104800.tif 000035