Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月18日(2008.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ３Ｄモデルに対する属性情報が関連付けられた前記３Ｄモデルの断面を表示手段に表示させる情報処理装置において、
前記３Ｄモデルとともに、前記３Ｄモデルの断面が表示される方向を示す視線方向を表す印を仮想的な３次元空間に表示させる制御手段を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】  前記制御手段は、前記３Ｄモデルの断面の位置に前記視線方向を表す印を表示させることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】  ３Ｄモデルに対する属性情報が関連付けられた前記３Ｄモデルの断面を表示手段に表示させる情報処理装置の制御方法において、
前記３Ｄモデルとともに、前記３Ｄモデルの断面が表示される方向を示す視線方向を表す印を仮想的な３次元空間に表示させる制御工程を有することを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項４】  前記制御工程において、前記３Ｄモデルの断面の位置に前記視線方向を表す印を表示させることを特徴とする請求項３に記載の情報処理装置の制御方法。
【請求項５】  請求項３または請求項４に記載の情報処理装置の制御方法を情報処理装置に実現させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
【課題を解決するための手段】
本発明の情報処理装置は、３Ｄモデルに対する属性情報が関連付けられた前記３Ｄモデルの断面を表示手段に表示させる情報処理装置において、前記３Ｄモデルとともに、前記３Ｄモデルの断面が表示される方向を示す視線方向を表す印を仮想的な３次元空間に表示させる制御手段を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
更に、本発明の情報処理装置の制御方法は、３Ｄモデルに対する属性情報が関連付けられた前記３Ｄモデルの断面を表示手段に表示させる情報処理装置の制御方法において、前記３Ｄモデルとともに、前記３Ｄモデルの断面が表示される方向を示す視線方向を表す印を仮想的な３次元空間に表示させる制御工程を有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月26日(2008.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】メモリＴＦＴ及びその作製方法、電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
島状半導体層と、
前記島状半導体層を覆う、前記島状半導体層の熱酸化膜と、
前記熱酸化膜上に形成された導電層と、を有し、
前記島状半導体層の端部のうち、少なくとも前記導電層と重なる部分の端部はテーパ形状を有することを特徴とするメモリＴＦＴ。
【請求項２】
請求項１において、
前記熱酸化膜と前記導電層との間に、絶縁膜が形成されていることを特徴とするメモリＴＦＴ。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記テーパ形状は、多段階のテーパ形状であることを特徴とするメモリＴＦＴ。
【請求項４】
請求項１又は請求項２において、
前記テーパ形状は、連続的に変化するテーパ形状であることを特徴とするメモリＴＦＴ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のメモリＴＦＴを有する電子機器。
【請求項６】
半導体膜をフォトレジストを用いてエッチングすることによって、端部にテーパ形状を有する島状半導体層を形成し、
前記島状半導体層を熱酸化することによって、前記島状半導体層を覆う熱酸化膜を形成し、
前記熱酸化膜上に、少なくとも前記島状半導体の端部と重なる部分を有する導電層を形成することを特徴とするメモリＴＦＴの作製方法。
【請求項７】
半導体膜をフォトレジストを用いてエッチングすることによって、端部にテーパ形状を有する島状半導体層を形成し、
前記島状半導体層を熱酸化することによって、前記島状半導体層を覆う熱酸化膜を形成し、
前記熱酸化膜上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に、少なくとも前記島状半導体の端部と重なる部分を有する導電層を形成することを特徴とするメモリＴＦＴの作製方法。
【請求項８】
請求項６又は請求項７において、
前記エッチングは、前記半導体膜をエッチングする第１のエッチングガスと、前記フォトレジストをエッチングする第２のエッチングガスと、を用いて行い、
前記第２のエッチングガスの流量を多段階的に増やしながら行うことを特徴とするメモリＴＦＴの作製方法。
【請求項９】
請求項６又は請求項７において、
前記エッチングは、前記半導体膜をエッチングする第１のエッチングガスと、前記フォトレジストをエッチングする第２のエッチングガスと、を用いて行い、
前記第２のエッチングガスの流量を連続的に増やしながら行うことを特徴とするメモリＴＦＴの作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月23日(2008.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  カーボンを含有する第１シリコン酸化膜の表面に、１０〜５０ｎｍの膜厚を有し、且つ、前記第１シリコン酸化膜よりも膜厚の薄い第２シリコン酸化膜を形成した後、前記第２シリコン酸化膜上にレジストパターンを塗布し、その後、前記レジストパターンをマスクとして前記第１及び第２シリコン酸化膜をエッチングすることで、前記第１及び第２シリコン酸化膜に溝パターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】  （ａ）半導体基板上にシリコン、酸素、及び、カーボンを含有する第１絶縁膜を形成する工程、
（ｂ）前記第１絶縁膜上に、シリコン酸化膜からなり、且つ、前記第１絶縁膜よりも膜厚の薄い第２絶縁膜を形成する工程、
（ｃ）前記第２絶縁膜上にレジストパターンを形成する工程、
（ｄ）前記レジストパターンをマスクとして、前記第１及び第２絶縁膜に溝パターンを形成する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程後に、前記レジストパターンを除去する工程、
（ｆ）前記（ｅ）工程後に、前記溝パターン内、及び、前記第２絶縁膜上に銅膜を形成する工程、
（ｇ）前記（ｆ）工程後に、ＣＭＰ法によって、前記溝パターン外部の銅膜を除去する工程、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】  （ａ）半導体基板上にＳｉＯＣからなる第１絶縁膜を形成する工程、
（ｂ）前記第１絶縁膜上に、シリコン酸化膜からなり、且つ、前記第１絶縁膜よりも膜厚の薄い第２絶縁膜を形成する工程、
（ｃ）前記第２絶縁膜上にレジストパターンを形成する工程、
（ｄ）前記レジストパターンをマスクとして、前記第１及び第２絶縁膜に溝パターンを形成する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程後に、前記レジストパターンを除去する工程、
（ｆ）前記（ｅ）工程後に、前記溝パターン内、及び、前記第２絶縁膜上に銅膜を形成する工程、
（ｇ）前記（ｆ）工程後に、ＣＭＰ法によって、前記溝パターン外部の銅膜を除去する工程、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】  請求項２または３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２絶縁膜の膜厚は、１０〜５０ｎｍであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】  請求項２〜４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２絶縁膜は、ＴＥＯＳ（tetra ethyl ortho silicate : Si(OC2H5)）とオゾンとをソースガスに用いたプラズマＣＶＤ法によって形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】 請求項２〜５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２絶縁膜は、前記（ｇ）工程で除去されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】 請求項２〜６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｇ）工程後に、前記銅膜上にキャップ絶縁膜を形成する工程を更に含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】 請求項７に記載の半導体装置の製造方法において、
前記キャップ絶縁膜は、ＳｉＣ膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月16日(2008.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】手続補正書
【補正対象項目名】手続補正１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１の実施例に係るデバイス製造装置（露光装置）の全体構成図である。
【図２】 図１の温調エアー供給装置の詳細図であり、（ａ）は全体図、（ｂ）は抵抗体の一例を示す詳細図である。
【図３】 本発明の第２の実施例に係るデバイス製造装置の全体構成図である。
【図４】 第３の実施例に係る露光装置（スキャナ）における温調エアー供給装置の詳細図であり、（ａ）は全体図、図４（ｂ）は図４（ａ）の抵抗体の一例をそれぞれ示す。
【図５】 第３の実施例に係る露光装置（スキャナ）における温調エアー供給装置の詳細図であり、（ａ）は図４の抵抗体における吹き出し面の風量（風速）分布（縦軸は風量、横軸は吹き出し位置）、（ｂ）は温調空間内の温度分布（縦軸は温度、横軸は吹き出し位置）をそれぞれ示す。
【図６】 本発明の一実施例に係るデバイス製造装置を含む半導体デバイスの生産システムをある角度から見た概念図である。
【図７】 本発明の一実施例に係るデバイス製造装置を含む半導体デバイスの生産システムを別の角度から見た概念図である。
【図８】 本発明の一実施例に係るデバイス製造装置を含む半導体デバイスの生産システムにおけるユーザインタフェースの具体例を示す図である。
【図９】 本発明の一実施例に係るデバイス製造装置によるデバイスの製造プロセスのフローを説明する図である。
【図１０】 本発明の一実施例に係るデバイス製造装置によるウエハプロセスを説明する図である。
【図１１】 従来例に係るデバイス製造装置の全体構成図である。
【図１２】 従来例に係る露光装置における温調エアー供給装置の詳細図であり、（ａ）は全体図、（ｂ）は（ａ）の温調エアー吹き出し面をそれぞれ示す。
【図１３】 従来例に係る露光装置における温調エアー供給装置の詳細図であり、（ａ）は図１２の温調エアー吹き出し面の風量（風速）分布（縦軸は風量、横軸は吹き出し位置）、（ｂ）は温調空間内の温度分布（縦軸は温度、横軸は吹き出し位置）をそれぞれ示す。
【符号の説明】 １：チャンバ、１０：空調機室、１１：冷却器、１２：ベースヒータ、１２Ｂ：再熱ヒータ（ブース用）、１２Ｗ：再熱ヒータ（ウエハステージ空間用）、１２Ｒ：再熱ヒータ（レチクルステージ空間用）、１３：送風機、１４：ケミカルフィルタ（循環用）、１４’：ケミカルフィルタ（外気導入口用）、１５：除塵フィルタ、１５Ｗ：除塵フィルタ（ウエハステージ空間用）、１５Ｒ：除塵フィルタ（レチクルステージ空間用）、１６Ｗ：温調エアー供給装置（ウエハステージ空間用）、１６Ｒ：温調エアー供給装置（レチクルステージ空間用）、１７：リターン口、１８：外気導入口、１９Ｗ：抵抗体（ウエハステージ空間用）、１９Ｒ：抵抗体（レチクルステージ空間用）、２０：フィルタボックス、２１：露光装置制御系、２２：開孔率コントローラ、２３：開孔率可変装置、２５：ウエハステージ空間、２６：レチクルステージ空間、２７：温度コントローラ、２８，２８Ｗ，２８Ｒ：温度センサ、３０：ブース。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月24日(2008.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板に複数のウエルを有し、各ウエルには複数の不揮発性記憶セルが設けられ、該不揮発性記憶セルは、電界効果型トランジスタのゲート部に強誘電体素子を含み、ソース、ドレイン間に流れる電流を、該強誘電体素子の強誘電体の残留分極を用いて制御してなる強誘電体トランジスタ型セルである強誘電体トランジスタ型不揮発性記憶素子の駆動方法において、
同一ウエル内の全ての不揮発性記憶セルにおける強誘電体素子の残留分極を同一方向に分極させ、初期化する初期化動作と、
選択されたウエルの特定の不揮発性記憶セルの電界効果型トランジスタのドレイン又はソースに書き込み電圧を印加するとともに、非選択ウエルにおける全ての不揮発性記憶セルについて、ゲート部とウエルとに該書込み電圧と同一極性の電圧を印加する動作と、
を含むことを特徴とする強誘電体トランジスタ型不揮発性記憶素子の駆動方法。
【請求項２】  半導体基板に複数のウエルを有し、各ウエルには複数の不揮発性記憶セルが設けられ、該不揮発性記憶セルは、電界効果型トランジスタのゲート部に強誘電体素子を含み、ソース、ドレイン間に流れる電流を、該強誘電体素子の強誘電体の残留分極を用いて制御してなる強誘電体トランジスタ型セルである強誘電体トランジスタ型不揮発性記憶素子の駆動方法において、
同一ウエル内の１又は２個以上の不揮発性記憶セルにおけるソース、ドレイン間のインピーダンスを測定することで読み出しを行うとともに、非選択ウエルにおける全ての不揮発性記憶セルについて、ソース、ドレイン間の導通を防止する保護電圧を印加する動作を、含むことを特徴とする強誘電体トランジスタ型不揮発性記憶素子の駆動方法。
【請求項３】  請求項１又は請求項２に記載の強誘電体トランジスタ型不揮発性記憶素子の駆動方法において、前記電界効果型トランジスタのドレイン又はソースに整流素子を直列に接続したことを特徴とする強誘電体トランジスタ型不揮発性記憶素子の駆動方法。
【請求項４】  請求項１又は請求項２に記載の強誘電体トランジスタ型不揮発性記憶素子の駆動方法において、前記半導体基板として単結晶シリコン基板を用いたことを特徴とする強誘電体トランジスタ型不揮発性記憶素子の駆動方法。
【請求項５】  請求項１又は請求項２に記載の強誘電体トランジスタ型不揮発性記憶素子の駆動方法において、前記強誘電体素子の強誘電体としてＡＢＯ3型構造を持つ強誘電体材料（Ａ、Ｂは金属元素）、Ａ2Ｂ2Ｏ7型構造を持つ強誘電体材料（Ａ、Ｂは金属元素）、あるいは層状ペロブスカイト型構造をもつ強誘電体材料を用いることを特徴とする強誘電体トランジスタ型不揮発性記憶素子の駆動方法。
【請求項６】  請求項１又は請求項２に記載の強誘電体トランジスタ型不揮発性記憶素子の駆動方法において、前記強誘電体素子の強誘電体として、Ｓｒ2Ｎｂ2Ｏ7、あるいはＳｒ2Ｔａ2Ｏ7、あるいはＳｒ2（ＮｂＴａ）2Ｏ7、あるいはＳｒＢｉ2Ｔａ2Ｏ9を主体とする材料を用いることを特徴とする強誘電体トランジスタ型不揮発性記憶素子の駆動方法。
【請求項７】  請求項１又は請求項２に記載の強誘電体トランジスタ型不揮発性記憶素子の駆動方法において、前記強誘電体素子の強誘電体として、比誘電率が５０以下の材料を使用することを特徴とする強誘電体トランジスタ型不揮発性記憶素子の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月12日(2008.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 上下にレシプロ運動する刃物によって金属シートを切断・展開する蓄電池用極板格子の製造装置において、前記刃物の形状が略台形であり、刃物の刃面と金属シート面とのなす角度が、段階的に大きくなる形状の刃物を用いることを特徴とする蓄電池用極板格子製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、上下にレシプロ運動する刃物によって金属シートを切断・展開する蓄電池用極板格子の製造装置において、前記刃物の形状が略台形であり、刃物の刃面と金属シート面とのなす角度が、段階的に大きくなる形状の刃物を用いる蓄電池用極板格子製造装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項１記載の蓄電池用極板格子製造装置において、刃物の刃面と金属シート面とのなす角度が１０〜６０°の範囲である形状の刃物を用いることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、請求項１の蓄電池用極板格子製造装置において、刃物の刃面が略曲面であってもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月24日(2008.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電槽蓋の極柱突出部に切り欠きが形成されたモノブロック式の制御弁式鉛蓄電池において、各セル室の空間容積の差が１０％以下であることを特徴とする制御弁式鉛蓄電池。
【請求項２】  前記切り欠きと略同一の切り欠きが各セルと対応する電槽蓋の上面に形成されていることを特徴とする請求項１記載の制御弁式鉛蓄電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決する為、複数のセルが集合して一体化し、蓋の極柱（端子）突出部に切り欠きが形成された制御弁式鉛蓄電池において、各セル室の空間容積の差が１０％以下であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
そして、前記切り欠きと略同一の切り欠きは、極柱が突出していない各セルと対応する電槽蓋の上面に形成されたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月11日(2008.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ３Ｄモデルに対する視線方向を設定する設定手段と、
前記３Ｄモデルとともに、前記設定手段によって設定された視線方向に正対するように前記３Ｄモデルの属性情報を仮想的な３次元空間に表示させる制御手段とを有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】  さらに、前記設定手段によって設定された視線方向を指示する指示手段を有し、
前記制御手段は、前記指示手段によって指示された視線方向に関連付けられた属性情報を表示手段に表示させることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】  前記制御手段は、前記仮想的な３次元空間に前記属性情報を配置するための属性配置平面を表示させ、前記属性情報は、前記属性配置平面の法線方向に正対して表示させることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項４】  ３Ｄモデルに対する視線方向を設定する設定工程と、
前記３Ｄモデルとともに、前記設定手段によって設定された視線方向に正対するように前記３Ｄモデルの属性情報を仮想的な３次元空間に表示させる制御工程とを有することを特徴とする情報処理方法。
【請求項５】  前記設定工程において設定された視線方向を指示する指示工程とを有し、
前記制御工程において、前記指示工程において指示された視線方向に関連付けられた属性情報を表示手段に表示させることを特徴とする請求項４に記載の情報処理方法。
【請求項６】  前記制御工程において、前記仮想的な３次元空間に前記属性情報を配置するための属性配置平面を表示させ、前記属性情報は、前記属性配置平面の法線方向に正対して表示させることを特徴とする請求項４に記載の情報処理方法。
【請求項７】  請求項４乃至６のいずれか１項に記載の情報処理方法を情報処理装置が実現するためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
【課題を解決するための手段】
本発明の情報処理装置は、３Ｄモデルに対する視線方向を設定する設定手段と、前記３Ｄモデルとともに、前記設定手段によって設定された視線方向に正対するように前記３Ｄモデルの属性情報を仮想的な３次元空間に表示させる制御手段とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、本発明の情報処理方法は、３Ｄモデルに対する視線方向を設定する設定工程と、前記３Ｄモデルとともに、前記設定手段によって設定された視線方向に正対するように前記３Ｄモデルの属性情報を仮想的な３次元空間に表示させる制御工程とを有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月11日(2008.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ３Ｄモデルに対して入力された属性情報が関連付けられる仮想的な平面である属性配置平面を設定する設定手段と、
前記３Ｄモデルとともに、前記属性配置平面を示すフレームを仮想的な３次元空間に表示させる制御手段とを有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】  前記制御手段は、前記属性情報の存在を報知するフレームを表示させることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】  ３Ｄモデルに対して入力された属性情報が関連付けられる仮想的な平面である属性配置平面を設定する設定工程と、
前記３Ｄモデルとともに、前記属性配置平面を示すフレームを仮想的な３次元空間に表示させる制御工程とを有することを特徴とする情報処理方法。
【請求項４】  前記制御工程において、前記属性情報の存在を報知するフレームを表示させることを特徴とする請求項３に記載の情報処理方法。
【請求項５】  請求項３又は４に記載の情報処理方法を情報処理装置が実現するためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
【課題を解決するための手段】
本発明の情報処理装置は、３Ｄモデルに対して入力された属性情報が関連付けられる仮想的な平面である属性配置平面を設定する設定手段と、前記３Ｄモデルとともに、前記属性配置平面を示すフレームを仮想的な３次元空間に表示させる制御手段とを有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、本発明の情報処理方法は、３Ｄモデルに対して入力された属性情報が関連付けられる仮想的な平面である属性配置平面を設定する設定工程と、
前記３Ｄモデルとともに、前記属性配置平面を示すフレームを仮想的な３次元空間に表示させる制御工程とを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月3日(2008.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
ホスト計算機と、前記ホスト計算機に接続される複数の仮想ストレージ装置と、前記複数の仮想ストレージ装置に接続されるストレージ装置と、前記ホスト計算機、前記仮想ストレージ装置及び前記ストレージ装置に接続される管理計算機と、を備える計算機システムの制御方法であって、
前記ストレージ装置は、
第１ネットワークを介して前記仮想ストレージ装置に接続される第１インターフェースと、第２ネットワークを介して前記管理計算機に接続される第２インターフェースと、前記第１インターフェース及び前記第２インターフェースに接続される第１プロセッサと、前記第１プロセッサに接続される第１メモリと、を備え、
前記ホスト計算機に論理ボリュームとして提供される記憶領域を含み、
前記各仮想ストレージ装置は、
前記第１ネットワークを介して前記ホスト計算機及び前記ストレージ装置に接続される第３インターフェースと、前記第２ネットワークを介して前記管理計算機に接続される第４インターフェースと、前記第３インターフェース及び前記第４インターフェースに接続される第２プロセッサと、前記第２プロセッサに接続される第２メモリと、を備え、
前記論理ボリュームに対応付けられる仮想記憶領域を前記ホスト計算機に提供し、
前記ホスト計算機は、
前記第１ネットワークを介して前記仮想ストレージ装置に接続される第５インターフェースと、前記第２ネットワークを介して前記管理計算機に接続される第６インターフェースと、前記第５インターフェース及び前記第６インターフェースに接続される第３プロセッサと、前記第３プロセッサに接続される第３メモリと、を備え、
一つの前記論理ボリュームに書き込まれるべきデータを含む複数のデータＩ／Ｏを、定められた比率で、前記一つの論理ボリュームに至る複数の経路上の前記仮想記憶領域に分散し、
前記管理計算機は、
前記第２ネットワークを介して前記ホスト計算機、前記仮想ストレージ装置及び前記ストレージ装置に接続される第７インターフェースと、前記第７インターフェースに接続される第４プロセッサと、前記第４プロセッサに接続される第４メモリと、を備え、
前記方法は、
警告を発するか否かを判定するために前記複数の経路のうち第１の経路の前記仮想記憶領域に設定される性能値の閾値の入力を受け付け、
前記入力された閾値及び前記定められた比率に基づいて、前記複数の経路のうち第２の経路の前記仮想記憶領域に設定される前記閾値を算出することを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月1日(2008.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
融点が１８０℃以上の結晶性ポリエステルとオレフィン系ポリマーをブレンドした樹脂層を金属板の片面又は両面に被覆された樹脂被覆金属板の製造方法であって、
樹脂被膜がポリエステルとオレフィン系ポリマーのブレンド比率が０：１００〜３０：７０重量％のポリオレフィン系ポリマーであり、
Ｔダイから両端部と中央部のポリエステルとオレフィン系ポリマーのブレンド比率が０：１００〜３０：７０と重量％７０：３０〜９９：１重量％である層状に押出された溶融樹脂を冷却固化した後、両端部を切断除去する工程と、
樹脂膜を加熱された金属板にラミネートする工程よりなることを特徴とする樹脂被覆金属板の製造方法。
【請求項２】
オレフィン系ポリマーが両端部と中央部で同一であることを特徴とする請求項１に記載された樹脂被覆金属板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月26日(2008.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  酸素バリア性を必要とする毛髪化粧料を収容する毛髪化粧料用容器であって、
複層構造の容器壁における任意の中間層部位に、ＥＶＯＨ（エチレン・ビニルアルコール共重合体）を用いた１層又は２層以上の酸素バリア層を備えることを特徴とする毛髪化粧料用容器。
【請求項２】  前記ＥＶＯＨが、エチレン含有量が３６モル％以下であるモノマー組成であることを特徴とする請求項１に記載の毛髪化粧料用容器。
【請求項３】  複層構造の容器壁における任意の中間層部位に、２０°Ｃにおける６０％の相対湿度での酸素透過係数が０．０１（ｃｃ・ｍｍ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ）以下であるＥＶＯＨを用いた１層又は２層以上の酸素バリア層を備えることを特徴とする毛髪化粧料用容器。
【請求項４】  前記複層構造の容器壁が、ポリオレフィン系樹脂，ポリアクリロニトリル系樹脂又はポリエステル系樹脂を用いた最内層を備えることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の毛髪化粧料用容器。
【請求項５】  前記複層構造の容器壁が、ポリオレフィン系樹脂，ポリアクリロニトリル系樹脂又はポリエステル系樹脂を用いた最外層を備えることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の毛髪化粧料用容器。
【請求項６】前記酸素バリア性を必要とする毛髪化粧料が、酸化染毛剤の第１剤又は第２剤、毛髪脱色剤の第１剤又は第２剤、あるいはパーマネントウェーブ用剤の第１剤又は第２剤であることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の毛髪化粧料用容器。
【請求項７】前記毛髪化粧料用容器がエアゾール容器の内袋であることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれかに記載の毛髪化粧料用容器。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月31日(2008.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】水洗便器の上部に設けられた便座及び該便座を覆う便蓋を有するトイレ装置において、前記便座の軸支部の後ろ側に収納部が設けられ、前記便蓋の軸支部は前記収納部の後ろ側に設けられていることを特徴とするトイレ装置。
【請求項２】請求項１記載のトイレ装置において、前記収納部は、上部に収納口を有する容器状となって、前記便蓋が該収納部の蓋を兼用していることを特徴とするトイレ装置。
【請求項３】請求項１記載のトイレ装置において、前記収納部は、平板状に形成され、前記便蓋は前記収納部を覆うことを特徴とするトイレ装置。
【請求項４】請求項１記載のトイレ装置において、前記便蓋は、前記収納部を覆う部分に切欠き部が形成されていることを特徴とするトイレ装置。
【請求項５】請求項４記載のトイレ装置において、前記収納部は、上部に収納口を有する容器状となって、前記収納部の収納口を開閉する収納蓋を設けたことを特徴とするトイレ装置。
【請求項６】請求項１〜５のいずれか１項に記載のトイレ装置において、前記収納部の下位置に、人体の局部を洗浄する衛生洗浄装置の機能部が設けられていることを特徴とするトイレ装置。
【請求項７】水洗便器の上部に設けられた便座及び該便座を覆う便蓋を有するトイレ装置において、前記トイレ装置はさらに収納部と、前記収納部の収納口とを備え、前記便座の軸支部の後ろ側に前記収納口が設けられ、前記便蓋の軸支部は前記収納口の後ろ側に設けられていることを特徴とするトイレ装置。
【請求項８】請求項７記載のトイレ装置において、前記便蓋が前記収納口の蓋を兼用していることを特徴とするトイレ装置。
【請求項９】請求項７記載のトイレ装置において、前記便蓋は、前記収納口を覆う部分に切欠き部が形成されていることを特徴とするトイレ装置。
【請求項１０】請求項７記載のトイレ装置において、前記トイレ装置は前記収納口を開閉する収納蓋を設けたことを特徴とするトイレ装置。
【請求項１１】請求項７〜１０のいずれか１項に記載のトイレ装置において、前記収納部の下位置に、人体の局部を洗浄する衛生洗浄装置の機能部が設けられていることを特徴とするトイレ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月15日(2008.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  始動操作手段の操作に起因して複数種の識別情報を可変表示するとともに、停止操作手段の操作に起因して或いは該停止操作手段が操作されないまま所定時間経過したことに起因して可変表示を停止する可変表示手段を備え、該可変表示手段にて所定領域に停止された識別情報が特定識別情報である場合には所定の遊技価値を付与するように構成し、その特定識別情報として付与される遊技価値の異なる複数種のものが設定されており、前記可変表示手段の前記所定領域には内部抽選によって当選した特定識別情報或いは特定識別情報以外の識別情報が停止されるように構成された遊技機において、
前記当選した状態で、前記停止操作手段の操作を行うことなく前記所定時間が経過すると、可変表示手段に前記当選に対応する特定識別情報を強制的に停止表示する制御手段を備えたことを特徴とする遊技機。
【請求項２】  前記制御手段による特定識別情報の停止表示制御は、可変表示手段の可変表示の終期における停止タイミングを制御することによって実現されることを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】  前記制御手段による特定識別情報の停止表示制御は、可変表示手段の可変表示の初期における一定速度の可変表示に至るまでの間の速度変化の度合を調整するように制御することによって実現されることを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【請求項４】  始動操作手段の操作に起因して複数種の識別情報を可変表示するとともに、停止操作手段の操作に起因して或いは該停止操作手段が操作されないまま所定時間経過したことに起因して可変表示を停止する可変表示手段を備え、該可変表示手段にて所定領域に停止された識別情報が特定識別情報である場合には所定の遊技価値を付与するように構成し、その特定識別情報として付与される遊技価値の異なる複数種のものが設定されており、前記可変表示手段の前記所定領域には内部抽選によって当選した特定識別情報或いは特定識別情報以外の識別情報が停止されるように構成された遊技機において、
前記可変表示手段は、前記停止操作手段が操作されないまま所定時間経過したことに起因して可変表示を停止する場合には、常には一定の規則に従って自動停止制御されるように構成され、
前記当選した状態で、前記可変表示手段が自動停止される場合には、これに連続して可変表示手段が前記規則に従って自動停止される場合に当該可変表示手段に内部当選に対応する特定識別情報が停止表示されるように準備された準備識別情報で強制的に停止表示する制御手段を備えたことを特徴とする遊技機。
【請求項５】  前記制御手段による準備識別情報の停止表示制御は、可変表示手段の可変表示の終期における停止タイミングを制御することによって実現されることを特徴とする請求項４に記載の遊技機。
【請求項６】  前記制御手段による準備特定識別情報の停止表示制御は、可変表示手段の可変表示の初期における一定速度の可変表示に至るまでの間の速度変化の度合を調整するように制御することによって実現されることを特徴とする請求項４に記載の遊技機。
【請求項７】  可変表示手段に準備識別情報が停止された場合には、その旨を遊技者に感知させる手段を備えたことを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１項に記載の遊技機。
【請求項８】  前記内部抽選によって当選された結果は、当該当選となった特定識別情報が可変表示手段の前記所定領域に停止表示されるまで維持されることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の遊技機。
【請求項９】  前記内部抽選によって当選があった場合には、その旨を遊技者に感知させる手段を備えたことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の遊技機。
【請求項１０】  前記可変表示手段の可変表示の停止を前記停止操作手段の操作に起因して行う場合に優先して参照される第１テーブルと、前記可変表示手段の可変表示の停止を前記停止操作手段が操作されないまま所定時間経過したことに起因して行う場合に優先して参照される第２テーブルとを備え、該第２テーブルには前記強制的に停止させるべき識別情報が設定されていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の遊技機。
【請求項１１】  前記内部抽選により当選がされた状態で可変表示手段が可変表示された後に停止処理される際、前記制御手段は第１テーブルと第２テーブルとのいずれを参照するかを決定し、停止操作手段が操作されると第１テーブルの内容に従って停止制御し、前記所定時間が経過すると第２テーブルの内容に従って停止制御するようにしたことを特徴とする請求項１０に記載の遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月29日(2008.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオントフォレシス駆動により皮膚もしくは粘膜を通して薬剤を体内へ投与するための薬剤投与装置に使用される薬剤投与具であって、該薬剤投与具は、針支持体と、該針支持体の皮膚又は粘膜接触側に設けられた多数の薬剤投与用針を備え、さらに、前記針支持体の中央付近に位置する薬剤投与用針の先端は、前記針支持体の周縁部に位置する薬剤投与用針の先端より突出していることを特徴とする薬剤投与具。
【請求項２】
前記薬剤投与具は、前記針支持体の非皮膚又は粘膜接触側に位置する電極を備えている請求項１に記載の薬剤投与具。
【請求項３】
前記薬剤投与具は、前記針支持体の非皮膚又は粘膜接触側に位置する薬剤保持部を備えている請求項１または２に記載の薬剤投与具。
【請求項４】
前記薬剤投与具は、前記針支持体と前記電極との間に、薬剤を保持する薬剤保持部を備えている請求項２に記載の薬剤投与具。
【請求項５】
前記薬剤投与具は、前記針支持体の非皮膚又は粘膜接触側に設けられた前記薬剤保持部との接続部を備えている請求項３または４に記載の薬剤投与具。
【請求項６】
前記針支持体は、針支持体本体部を備え、前記多数の薬剤投与用針は該針支持体本体部の皮膚又は粘膜接触側に設けられており、前記針支持体本体部の皮膚又は粘膜接触側が、前記針支持体の周縁部から中央付近に向かって段階的もしくは連続的に突出することにより、前記針支持体の中央付近に位置する薬剤投与用針の先端は、前記針支持体の周縁部に位置する薬剤投与用針の先端より突出するものとなっている請求項１ないし５のいずれかに記載の記載の薬剤投与具。
【請求項７】
前記針支持体本体部は、前記針支持体本体部の皮膚又は粘膜接触側に、前記針支持体の周縁部から中央側に向かうに従って突出が大きくなる複数の段差を有している請求項６に記載の薬剤投与具。
【請求項８】
前記針支持体本体部の皮膚又は粘膜接触側は、前記針支持体の中央付近に頂点を有する曲面状もしくは傾斜面状となっている請求項６に記載の薬剤投与具。
【請求項９】
前記薬剤投与用針は、前記針支持体の周縁部に位置する薬剤投与用針より中央付近に位置する薬剤投与用針が長いものとなっている請求項６ないし８のいずれかに記載の薬剤投与具。
【請求項１０】
前記薬剤投与用針は、前記針支持体の周縁部から中央付近に向かって段階的もしくは連続的に長くなるように作製されている請求項９に記載の薬剤投与具。
【請求項１１】
前記薬剤投与用針の先端の突出の変化は、前記針支持体の周縁部において、前記針支持体の中央部分に比べて大きく変化している請求項１ないし１０のいずれかに記載の薬剤投与具。
【請求項１２】
前記針支持体は、薬剤導通路を備えている請求項１ないし１１のいずれかに記載の薬剤投与具。
【請求項１３】
前記薬剤投与用針は、前記針支持体の皮膚又は粘膜接触側に２５〜５０００本／ｃｍ２の密度で設けられている請求項１ないし１２のいずれかに記載の薬剤投与具。
【請求項１４】
前記薬剤投与用針は、最も突出する針支持体の中央部分に対して、該中央部分より周縁部に５ｍｍ向かうに従って、０．０１〜２ｍｍ突出が小さくなるものである請求項１ないし１３のいずれかに記載の薬剤投与具。
【請求項１５】
イオントフォレシス駆動により皮膚もしくは粘膜を通して薬剤を体内へ投与するための薬剤投与装置であって、該薬剤投与装置は、前記請求項１ないし１４のいずれかの薬剤投与具と、薬剤投与具が備えるもしくは薬剤投与具に設けられる薬剤投与具側電極に対向する対向電極と、前記薬剤投与具側電極と前記対向電極に電気的に接続された制御部及び電源を備えることを特徴とする薬剤投与装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月17日(2008.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
患者の体内に挿入して管腔内において使用するガイドワイヤーにおいて、構造的特性が変化する位置にマーキングを設けたことを特徴とするガイドワイヤー。
【請求項２】
患者の体内に挿入して管腔内において使用するガイドワイヤーにおいて、先端から６０ｍｍ以上で４００ｍｍ以内に、特定の位置を示すマーキングを設けたことを特徴とするガイドワイヤー。
【請求項３】
前記構造的特性が変化する位置は、柔軟性の高い先端部分から剛性の高い基端部分への移行部分である請求項１に記載のガイドワイヤー。
【請求項４】
前記構造的特性が変化する位置は、表面摩擦が小さい先端部から表面摩擦が大きい基端部への移行部分である請求項１に記載のガイドワイヤー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明のガイドワイヤーの構造的特性が変化する位置は、柔軟性の高い先端部分から剛性の高い基端部分への移行部分とすることができる。
また、本発明のガイドワイヤーの構造的特性が変化する位置は、表面摩擦が小さい先端部から表面摩擦が大きい基端部への移行部分とすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月17日(2008.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  遊技機において機体の前面に配置される前枠の内部が中空状をなすように形成され、発光ランプのランプレンズとしての機能を有する膨出部を備え、
当該膨出部内の左右両側に、それぞれ１つずつエンクロージャ構造をなすスピーカ収容部が形成され、
前記各スピーカ収容部内に、中高音用スピーカユニット及び中低音用スピーカユニットが、その前面部を機表側に向けるようにしてそれぞれ取り付けられているとともに、発光演出を行う発光ランプが取り付けられており、
前記各スピーカ収容部には、前記中高音用スピーカユニットの前面部と前記中低音用スピーカユニットの前面部に対応する位置にそれぞれ音放出口が形成されているとともに、当該音放出口とは別にバスレフポートが開口形成されており、
前記バスレフポートは、前記スピーカ収容部内に設けられているバスレフダクトに連通されている遊技機用スピーカシステム。
【請求項２】  前記バスレフポートは、前記スピーカ収容部の上下両側に設けられている請求項１に記載の遊技機用スピーカシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するために、請求項１に記載の発明は、遊技機において機体の前面に配置される前枠の内部が中空状をなすように形成され、発光ランプのランプレンズとしての機能を有する膨出部を備え、当該膨出部内の左右両側に、それぞれ１つずつエンクロージャ構造をなすスピーカ収容部が形成され、前記各スピーカ収容部内に、中高音用スピーカユニット及び中低音用スピーカユニットが、その前面部を機表側に向けるようにしてそれぞれ取り付けられているとともに、発光演出を行う発光ランプが取り付けられており、前記各スピーカ収容部には、前記中高音用スピーカユニットの前面部と前記中低音用スピーカユニットの前面部に対応する位置にそれぞれ音放出口が形成されているとともに、当該音放出口とは別にバスレフポートが開口形成されており、前記バスレフポートは、前記スピーカ収容部内に設けられているバスレフダクトに連通されていることを要旨とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の遊技機用スピーカシステムにおいて、前記バスレフポートは、前記スピーカ収容部の上下両側に設けられていることを要旨とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月17日(2008.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  遊技機において機体の前面に配置される前枠の内部が中空状をなすように且つ少なくとも前枠における上部及び左右何れかの側部に亘って連続するように連通形成され、発光ランプのランプレンズとしての機能を有する膨出部を備え、
当該膨出部内をエンクロージャ構造のスピーカ収容部とし、
当該スピーカ収容部に、２以上の中高音用スピーカユニットがその中高音用スピーカユニットの前面部を機表側に向けるようにして取り付けられているとともに、発光演出を行う発光ランプが取り付けられており、
前記膨出部には、前記中高音用スピーカユニットの前面部と対応する位置にそれぞれ音放出口が形成されているとともに、当該音放出口とは別にバスレフポートが開口形成されており、
前記バスレフポートは、前記スピーカ収容部内に設けられているバスレフダクトに連通されている遊技機用スピーカシステム。
【請求項２】  前記中高音用スピーカは、前記膨出部の左右両側にそれぞれ設けられ、前記バスレフダクトは、前記膨出部の上部に設けられている請求項１に記載の遊技機用スピーカシステム。
【請求項３】  前記スピーカ収容部内に、中低音用スピーカがさらに設けられた請求項１又は請求項２に記載の遊技機用スピーカシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するために、請求項１に記載の発明は、遊技機において機体の前面に配置される前枠の内部が中空状をなすように且つ少なくとも前枠における上部及び左右何れかの側部に亘って連続するように連通形成され、発光ランプのランプレンズとしての機能を有する膨出部を備え、当該膨出部内をエンクロージャ構造のスピーカ収容部とし、当該スピーカ収容部に、２以上の中高音用スピーカユニットがその中高音用スピーカユニットの前面部を機表側に向けるようにして取り付けられているとともに、発光演出を行う発光ランプが取り付けられており、前記膨出部には、前記中高音用スピーカユニットの前面部と対応する位置にそれぞれ音放出口が形成されているとともに、当該音放出口とは別にバスレフポートが開口形成されており、前記バスレフポートは、前記スピーカ収容部内に設けられているバスレフダクトに連通されていることを要旨とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の遊技機用スピーカシステムにおいて、前記中高音用スピーカは、前記膨出部の左右両側にそれぞれ設けられ、前記バスレフダクトは、前記膨出部の上部に設けられていることを要旨とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は請求項２に記載の遊技機用スピーカシステムにおいて、前記スピーカ収容部内に、中低音用スピーカがさらに設けられたことを要旨とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
次に、上記実施形態及び各別例から把握できる技術的思想について、それらの効果と共に以下に追記する。
（１）請求項１に記載の遊技機用スピーカシステムにおいて、前記バスレフダクトは、前記スピーカ収容部内において延長屈折した迷路状のダクト構造をなしている遊技機用スピーカシステム。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
（２）請求項１〜請求項３のうち何れか一項に記載の遊技機用スピーカシステムにおいて、前記スピーカ収容部は、前枠の上部及び左右両側部に亘って連続形成された膨出部内全体を連通するように形成されている遊技機用スピーカシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月22日(2008.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  被写体にＸ線を照射するＸ線照射手段と、Ｘ線デジタル画像を取得するＸ線画像取得手段と、前記被写体内で発生した散乱Ｘ線を除去する散乱Ｘ線除去手段と、前記散乱Ｘ線除去手段を撮影面内で移動させる機能を有し、前記散乱Ｘ線除去手段の移動のタイミングを制御する移動制御手段とを含むことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】  前記移動制御手段による前記散乱Ｘ線除去手段の移動のタイミングを取得するために、Ｘ線強度を時系列に測定するＸ線タイミング取得手段を更に含むこと特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】  前記Ｘ線照射手段によるＸ線の照射は前記散乱Ｘ線除去手段の移動中に行われ、Ｘ線の照射が前記散乱Ｘ線除去手段の有効部分で行われるように当該散乱Ｘ線除去手段の位置を測定する位置測定手段を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項４】  前記移動制御手段は、前記Ｘ線画像取得手段の前面で前記散乱Ｘ線除去手段を往復運動させ、回転運動を前記往復運動に変換するリンク機構を更に含むことを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項５】  前記移動制御手段は、前記散乱Ｘ線除去手段の移動制御をするに際し、折り返しの期間近傍までの移動区間と折り返しの期間以外の移動区間とで移動制御を異ならしめることを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項６】  前記Ｘ線タイミング取得手段により前記Ｘ線照射手段が起動されてから、実際にＸ線が照射されるまでの遅延時間を測定する遅延時間測定手段を更に含むことを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項７】  前記散乱Ｘ線除去手段の移動の折り返し時にＸ線照射強度を検知するＸ線タイミング収得手段と、前記散乱Ｘ線除去手段の移動の折り返しを検知する折り返し位置測定手段とを更に含むことを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項８】  被写体にＸ線を照射し、Ｘ線デジタル画像を取得する撮像方法において、前記被写体内で発生した散乱Ｘ線を除去する散乱Ｘ線除去手段を撮影面内で移動させるに際して、当該移動のタイミングを制御することを特徴とする撮像方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月25日(2008.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超音波プローブと、前記超音波プローブから送受信された超音波によって三次元画像を構築する三次元画像構築手段と、
前記三次元画像構築手段で構築された三次元画像を複数保存する保存手段と、
前記保存手段に保存された三次元画像の一部を複数枚の三次元画像間で相関をとって同一部分であることを判定する判定手段と、
前記判定手段により同一部分と判断された部分を重ね合わせることによって被験域が拡大された三次元画像を合成する合成手段とを、
有する超音波診断装置。
【請求項２】
前記三次元画像構築手段は、前記超音波プローブの移動によって被験域が変更された三次元画像を構築することを特徴とする請求項１に記載の超音波診断装置。
【請求項３】
前記複数枚の三次元画像を組み合わせて合成された三次元画像より任意の断面を切り出し、表示する表示手段を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の超音波診断装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記問題を解決するために、本発明の超音波診断装置は、
三次元撮像することができる超音波プローブと、前記超音波プローブから送受信された超音波によって三次元画像を構築する三次元画像構築手段と、
前記三次元画像構築手段で構築された三次元画像を複数保存する保存手段と、
前記保存手段に保存された三次元画像の一部を複数枚の三次元画像間で相関をとって同一部分であることを判定する判定手段と、
前記判定手段により同一部分と判断された部分を重ね合わせることによって被験域が拡大された三次元画像を合成する合成手段とを有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
以上説明したように、本発明は、
超音波プローブと、前記超音波プローブから送受信された超音波によって三次元画像を構築する三次元画像構築手段と、
前記三次元画像構築手段で構築された三次元画像を複数保存する保存手段と、
前記保存手段に保存された三次元画像の一部を複数枚の三次元画像間で相関をとって同一部分であることを判定する判定手段と、
前記判定手段により同一部分と判断された部分を重ね合わせることによって被験域が拡大された三次元画像を合成する合成手段とを、
有することにより、電気的、あるいは機械的に超音波振動子を移動し、走査する超音波プローブで走査できる範囲よりも大きい被験域を三次元画像として構築することができる。被験域を広げることにより、操作者は、診断を行っている関心領域を大きな視野で診断することができるようになるため、診断精度の向上や診断時間の短縮をすることができるという優れた効果を有する超音波診断装置を提供することができるものである。