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【手続補正書】
【提出日】平成20年3月3日(2008.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザ照射装置、及び半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のレーザビームを発振させるレーザ発振器と、
前記第１のレーザビームを一方向に分割して、複数の第２のレーザビームを形成する軸外しシリンドリカルレンズアレイと、
前記複数の第２のレーザビームを前記一方向に集光して、第３のレーザビームを形成する光学素子と、を有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項２】
第１のレーザビームを発振させるレーザ発振器と、
前記第１のレーザビームを長方形状の短辺方向に分割して、複数の第２のレーザビームを形成するシリンドリカルレンズアレイと、
前記複数の第２のレーザビームを長方形状の長辺方向に分割して、複数の第３のレーザビームを形成する軸外しシリンドリカルレンズアレイと、
前記複数の第３のレーザビームを前記長辺方向に集光して、複数の第４のレーザビームを形成する第１のシリンドリカルレンズと、
前記複数の第４のレーザビームを前記短辺方向に集光して、第５のレーザビームを形成する第２のシリンドリカルレンズと、を有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項３】
請求項２において、前記レーザ発振器側から照射面側に向かって、前記シリンドリカルレンズアレイ、前記軸外しシリンドリカルレンズアレイ、前記第１のシリンドリカルレンズ、前記第２のシリンドリカルレンズの順に配置されていることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記軸外しシリンドリカルレンズアレイを構成するシリンドリカルレンズの母線は、アレイの中心から離れた方向にレンズ中心軸からずれていることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項５】
請求項４において、前記軸外しシリンドリカルレンズアレイの中心に配置されたシリンドリカルレンズから両端に配置されたシリンドリカルレンズに向って、母線とレンズ中心軸とのずれ量が大きくなることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項６】
第１のレーザビームを発振させるレーザ発振器と、
前記第１のレーザビームを一方向に分割して、複数の第２のレーザビームを形成する第１の光学素子と、
前記複数の第２のレーザビームを前記一方向に集光して、第３のレーザビームを形成する第２の光学素子と、を有し、
前記複数の第２のレーザビームを前記レーザ発振器側に延長したときに、前記複数の第２のレーザビームがそれぞれ同一領域に重畳する仮想的な面が、前記第２の光学素子を介して照射面と共役関係となることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項７】
第１のレーザビームを発振させるレーザ発振器と、
前記第１のレーザビームを長方形状の短辺方向に分割して、複数の第２のレーザビームを形成する第１の光学素子と、
前記複数の第２のレーザビームを長方形状の長辺方向に分割して、複数の第３のレーザビームを形成する第２の光学素子と、
前記複数の第３のレーザビームを前記長辺方向に集光して、複数の第４のレーザビームを形成する第３の光学素子と、
前記複数の第４のレーザビームを前記短辺方向に集光して、第５のレーザビームを形成する第４の光学素子と、を有し、
前記複数の第３のレーザビームを前記レーザ発振器側に延長したときに、前記複数の第３のレーザビームがそれぞれ同一領域に重畳する仮想的な面が、前記第３の光学素子を介して照射面と共役関係となることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項８】
請求項７において、前記レーザ発振器側から前記照射面側に向かって、前記第１の光学素子、前記第２の光学素子、前記第３の光学素子、前記第４の光学素子の順に配置されていることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項９】
請求項７または８において、前記第２の光学素子は軸外しシリンドリカルレンズアレイであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、前記レーザ発振器は、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ、ガラスレーザのいずれか一であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１１】
請求項１乃至９のいずれか一において、前記レーザ発振器は、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、Ａｒレーザ、ＧｄＶＯ４レーザのいずれか一であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１２】
軸外しシリンドリカルレンズアレイを用いて、レーザ発振器より発振された第１のレーザビームを一方向に分割して、複数の第２のレーザビームを形成し、
光学素子を用いて前記複数の第２のレーザビームを前記一方向に集光して、第３のレーザビームを形成し、
前記第３のレーザビームを非単結晶半導体膜に照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１２において、前記光学素子はシリンドリカルレンズであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
シリンドリカルレンズアレイを用いて、レーザ発振器より発振された第１のレーザビームを長方形状の短辺方向に分割して、複数の第２のレーザビームを形成し、
軸外しシリンドリカルレンズアレイを用いて、前記複数の第２のレーザビームを長方形状の長辺方向に分割して、複数の第３のレーザビームを形成し、
第１のシリンドリカルレンズを用いて、前記複数の第３のレーザビームを前記長辺方向に集光して、複数の第４のレーザビームを形成し、
第２のシリンドリカルレンズを用いて、前記複数の第４のレーザビームを前記短辺方向に集光して、第５のレーザビームを形成し、
前記第５のレーザビームを非単結晶半導体膜に照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月10日(2008.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に複数の薄膜集積回路を形成し、
前記薄膜集積回路上に前記薄膜集積回路を押さえる手段を形成し、
前記薄膜集積回路を押さえる手段及び前記複数の薄膜集積回路の境界に開口部を形成することにより、前記剥離層を露出させ、
前記薄膜集積回路を前記絶縁基板に固定した状態で、前記開口部にフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入し、前記剥離層を除去し、
前記薄膜集積回路を、接着面を備える第１の基体へ転置した後、前記絶縁基板を分離し、
前記第１の基体の接着面より高い接着強度を有する接着面を備える第２の基体へ前記薄膜集積回路を転置することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記剥離層を形成しない領域により、前記薄膜集積回路を前記絶縁基板に固定することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項３】
請求項１において、前記薄膜集積回路を押さえる手段により、前記薄膜集積回路を前記絶縁基板に固定することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項４】
絶縁基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に複数の薄膜集積回路を形成し、
前記薄膜集積回路上に前記薄膜集積回路を押さえる手段を形成し、
前記薄膜集積回路を押さえる手段及び前記複数の薄膜集積回路の境界に選択的に開口部を形成することにより、前記剥離層を露出させ、
前記開口部にフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入し、前記剥離層を除去することによって前記絶縁基板を分離し、
前記薄膜集積回路を、接着面を備える第１の基体へ転置し、
前記第１の基体の接着面より高い接着強度を有する接着面を備える第２の基体へ前記薄膜集積回路を転置することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、前記選択的に形成された開口部により、前記複数の薄膜集積回路は一体化された状態となることを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項６】
請求項４において、前記薄膜集積回路を押さえる手段により、前記複数の薄膜集積回路は一体化された状態となることを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記第１の基体はシリコン系樹脂、又はフッ素系樹脂を有することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項８】
絶縁基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に複数の薄膜集積回路を形成し、
前記複数の薄膜集積回路の境界に第１の開口部を形成することにより、前記剥離層を露出させ、
前記複数の薄膜集積回路上に、第２の開口部が設けられたアンテナ用基板を配置し、
前記第１の開口部及び前記第２の開口部にフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入し、前記剥離層を除去して前記絶縁基板を分離し、かつ前記複数の薄膜集積回路は前記アンテナ用基板に固定された状態となっており、
前記アンテナ用基板に固定された薄膜集積回路を、前記アンテナ用基板の接着面より高い接着強度を有する接着面を備える基体へ転置することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、前記第２の開口部が設けられた第１の基体により、前記複数の薄膜集積回路は一体化された状態となることを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項１０】
請求項８または９において、前記第１の基体はフレキシブル基板からなることを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、前記薄膜集積回路を押さえる手段は、接着面を備える支持基体であることを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、前記複数の薄膜集積回路の境界に選択的に開口部を形成し、前記複数の薄膜集積回路間に接続領域を形成することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一において、０．２μｍ以下の膜厚を有する半導体膜を有するように前記薄膜集積回路を形成することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項１４】
請求項１３において、レーザ照射により前記半導体膜を結晶化することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月11日(2008.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記電気的損失材含有シートの坪量が１２０〜２００ｇ／ｍ２である、請求項１〜７のいずれかに記載の電波吸収シート材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
前記平面状ライナの坪量が１２０〜４００ｇ／ｍ２である、請求項１〜１１のいずれかに記載の電波吸収シート材。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
中芯に使用する電気的損失材含有シートの坪量としては、１２０〜２００ｇ／ｍ２が好ましい。１２０ｇ／ｍ２以上とすることで、波形に加工して平面状ライナに接着する際に発生しやすいシート破れ等を防ぐことができる。また、２００ｇ／ｍ２以下とすることで、波形加工がし易くなる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
セルロース繊維を１２質量％以上とすることで、シートとしての剛性を付与することができる。セルロース繊維の含有量の上限値は、併用する含水無機化合物の含有量の下限値により定まる。また、含水無機化合物を４０質量％以上とすることで、難燃性を付与することができる。また、含水無機化合物の含有量の上限値は、併用するセルロース繊維の含有量の下限値により定まる。
平面状ライナの坪量としては、１２０〜４００ｇ／ｍ２が好ましい。１２０ｇ／ｍ２以上とすることで、中芯との接着の際にシート破れ等が発生するのを防ぐことができる。一方、坪量が大きくなりすぎると、コストアップを招くので、４００ｇ／ｍ２を上限とするとよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
［実施例１］
（中芯用シート）
下記の繊維および含水無機化合物をそれぞれに記載の質量割合で水を媒体として混合し、巻き取りスピード１００ｍ/分で湿式抄紙し、厚み０．１２ｍｍ、坪量１００ｇ／ｍ２の平面状の電気的損失材含有シートＡを中芯用シートとして得た。
平均繊維長６ｍｍ、繊維径７μｍのＰＡＮ系炭素繊維： ０．８質量％
繊維長６ｍｍ、繊維径７μｍのチョップドガラス繊維： ２９．２質量％
平均繊維長１ｍｍのアラミドパルプ： １０質量％
水酸化アルミニウム： ６０質量％。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
（平面状ライナ用シート）
下記の繊維および含水無機化合物をそれぞれに記載の質量割合で水を媒体として混合し、巻き取りスピード１００ｍ／分で湿式抄紙し、厚み０．１２ｍｍ、坪量１００ｇ／ｍ２の平面状の電気的損失材を含まないシートＢを平面状ライナ用シートとして得た。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
引き続き同コルゲータにより、上記中芯と平面状ライナ用シートＢとを、塗布量５ｇ／ｍ２のデンプン系接着剤にて接着し、両面段ボール構造の電波吸収シート材Ｃを作製した。この際、段ボール製造の送り方向（長手方向）は、上記中芯の波形の稜線方向と直交するようにした。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
引き続き同コルゲータを用いて、上記中芯と平面状ライナ用シートＥとを、塗布量５ｇ／ｍ２のデンプン系接着剤にて接着し、両面段ボール構造を有する電波吸収シート材Ｆを作製した。この際、段ボール製造の送り方向（長手方向）は、上記中芯の波形の稜線方向と直交するようにした。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
引き続き同コルゲータで、上記中芯と実施例１で得たのと同様の平面状ライナ用シートＢとを、塗布量５ｇ／ｍ２のデンプン系接着剤にて接着し、片面段ボールを作製した。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
引き続き同コルゲータを用いて、上記中芯と平面状ライナ用シートＢとを、塗布量５ｇ／ｍ２のデンプン系接着剤にて接着し、両面段ボール構造を有する電波吸収シート材Ｉを作製した。この際、段ボール製造の送り方向（長手方向）は、上記中芯の波形の稜線方向と直交するようにした。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月14日(2008.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体の結晶化を助長する金属元素を用いて結晶化された半導体層にレーザ光を照射する第１工程と、
前記レーザ光が照射された前記半導体層の表面にケミカルオキサイドを形成する第２工程と、
前記ケミカルオキサイドが表面に形成された前記半導体層に加熱処理を行うことによって、前記レーザ光を照射することによって生じた前記半導体層の歪みを低減する第３工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
半導体の結晶化を助長する金属元素を用いて結晶化された第１の半導体層にレーザ光を照射する第１工程と、
前記レーザ光が照射された前記半導体層の表面にケミカルオキサイドを形成する第２工程と、
前記ケミカルオキサイドが表面に形成された前記半導体層に加熱処理を行うことによって、前記レーザ光を照射することによって生じた前記半導体層の歪みを低減する第３工程と、
前記歪みを低減した前記半導体層上にバリア層を形成する第４工程と、
前記バリア層上に希ガス元素を含む半導体からなるゲッタリングサイトを形成する第５工程と、
前記半導体層中に含まれる前記金属元素を前記ゲッタリングサイト中にゲッタリングさせる第６工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第３工程の前記加熱処理を行うことによって、前記半導体層中に含まれる前記金属元素を、前記ケミカルオキサイド中または前記半導体層と前記ケミカルオキサイドとの界面に移動させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第３工程の前記加熱処理は、前記半導体層が４００℃〜１０００℃の温度に加熱されるように行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第３工程の前記加熱処理は、前記半導体層が瞬間的に４００℃〜１０００℃の温度に加熱されるように行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第３工程の前記加熱処理は、強光を照射する熱処理、炉を用いた熱処理、又は加熱されたガス中に前記半導体層を投入する熱処理のいずれかであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１工程の後であって前記第２工程の前に、パターニングを行うことにより前記半導体層を所望の形状に加工することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月6日(2007.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の主面にＬＥＤ素子が実装される基板と、前記ＬＥＤ素子の実装位置に対応して開設された反射孔を有する樹脂製の反射体とを備えたＬＥＤ実装用モジュールの製造方法であって、
前記反射体は熱硬化性樹脂製であって、半硬化状態の反射体を成形する成形工程と、
半硬化状態の反射体を基板の主面上に載置し、加熱をともなう圧着により、前記基板と反射体の対向する主面同士を密着させる工程と、
加熱をともなう圧着を継続することで、前記基板と密着している反射体を完全硬化させて、前記基板と反射体とを直接接合する接合工程とを
順次実施することを特徴とするＬＥＤ実装用モジュールの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のＬＥＤ実装用モジュールの製造方法によりＬＥＤ実装用モジュールを製造するＬＥＤ実装用モジュール製造工程と、
製造されたＬＥＤ実装用モジュールのＬＥＤ素子の実装位置にＬＥＤ素子を実装するＬＥＤ実装工程と、
実装されたＬＥＤ素子を蛍光粉末の混入する樹脂材料で被覆するＬＥＤ素子被覆工程とを
実施することを特徴とするＬＥＤモジュールの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＬＥＤ実装用モジュールの製造方法及びＬＥＤモジュールの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤ実装用モジュール及びＬＥＤモジュールの製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、上記のような問題点に鑑みてなされたもので、光束の取り出し効率を下げることなく、しかも、低コストで製造できるＬＥＤ実装用モジュール及びＬＥＤモジュールの製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月8日(2008.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜トランジスタの作製方法および電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性を有する基板の上にゲート電極を形成し、
前記基板及び前記ゲート電極の上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜の上に光触媒物質を有する第１の層を形成し、
前記光触媒物質を有する第１の層の上にフッ化炭素鎖を含む物質を有する第２の層を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして用いて、前記基板の裏面から前記第１の層及び前記第２の層に光照射を行うことによって、前記第２の層を選択的に改質し、
前記第２の層の改質した領域及び改質していない領域に導電性材料を含む組成物を吐出して、前記改質した領域の上に前記組成物を残存させることによってソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記第２の層の上に半導体層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２】
透光性を有する基板の上にソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に位置する前記基板の上に半導体層を形成し、
前記半導体層の上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜の上に光触媒物質を有する第１の層を形成し、
前記第１の層の上にフッ化炭素鎖を含む物質を有する第２の層を形成し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極をマスクとして用いて、前記基板の裏面から前記第１の層及び前記第２の層に光照射を行うことによって、前記第２の層を選択的に改質し、
前記第２の層の改質した領域及び改質していない領域に導電性材料を含む組成物を吐出して、前記改質した領域の上に前記組成物を残存させることによってゲート電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記半導体層は、印刷法、スプレー法、スピン塗布法、又は液滴吐出法により形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記光触媒物質は、酸化チタンであることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記改質した領域は、前記改質していない領域より、前記導電性材料を含む組成物に対するぬれ性が高いことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５に記載の作製方法を用いて作製されたことを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月13日(2008.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板上に形成された薄膜半導体を用いて形成され、それぞれがコンタクトを経て対応する電極に接続されるソース領域及びドレイン領域のための高濃度不純物導入領域と、該高濃度不純物導入領域に関連して形成され、該高濃度不純物導入領域間にドレイン電流を流すチャネルを形成するためのゲート電極を含む薄膜半導体装置であって、
前記ゲート電極は前記絶縁性基板上から見て環状に形成され、前記高濃度不純物導入領域は、前記環状ゲート電極を境にしてその内方及び外方にそれぞれ区画して形成されていることを特徴とする薄膜半導体装置。
【請求項２】
前記チャネル領域は複数の扇形形状半導体単結晶部分により形成されていることを特徴とする請求項１記載の薄膜半導体装置。
【請求項３】
絶縁性基板上に形成された薄膜半導体を用いて形成されるＭＯＳＦＥＴ形の薄膜半導体装置であって、前記薄膜半導体装置は互いに隣接するソース領域、チャネル領域そしてドレイン領域を有し、前記チャネル領域は複数の前記ソース領域から前記ドレイン領域まで延在する単結晶領域により形成されて  いる薄膜半導体装置。
【請求項４】
前記チャネル領域は前記絶縁性基板上から見て環状に形成されている請求項３記載の薄膜半導体装置。
【請求項５】
前記ドレイン領域と前記チャネル領域の間にチャネル領域と同じ不純物濃度の環状のオフセット領域を設けた請求項１乃至３のいずれか1項記載の薄膜半導体装置。
【請求項６】
前記ドレイン領域と前記チャネル領域の間に前記ドレイン領域よりは低濃度でチャネル領域よりは高濃度の不純物がドープされた環状のＬＤＤ領域を設けた請求項１乃至３のいずれか１項記載の薄膜半導体装置。
【請求項７】
複数の画素と前記画素をそれぞれ制御する複数のスイッチング素子を有する表示装置であって、請求項１乃至６のいずれか１項記載の薄膜半導体装置を各画素の前記スイッチング素子として使用する表示装置。
【請求項８】
絶縁性基板上に形成された半導体集積回路の入出力端子にサージ電流を吸収するために接続される保護回路であって、少なくとも請求項１乃至６のいずれか１項記載の薄膜半導体装置を構成要素として使用する保護回路。
【請求項９】
少なくとも請求項１乃至６のいずれか１項記載の薄膜半導体装置を構成要素として使用し、電流増幅のために用いられるバッファ回路として形成されたＣＭＯＳインバータ。
【請求項１０】
絶縁性基板上に形成された薄膜半導体を用いて形成されるＭＯＳＦＥＴ形の薄膜半導体装置であって、前記薄膜半導体装置は互いに隣接するソース領域、チャネル領域そしてドレイン領域を有し、前記チャネル領域は前記薄膜半導体装置の中央部から放射状に延在する結晶粒界により区画された複数の単結晶領域により形成されている薄膜半導体装置。
【請求項１１】
前記チャネル領域は前記絶縁性基板上から見て環状に形成されており、その内側および外側にソース領域またはドレイン領域が形成されている請求項１０記載の薄膜半導体装置。
【請求項１２】
前記チャネル領域は多角形の帯状に形成され、その内側および外側にソース領域またはドレイン領域が形成されている請求項１０記載の薄膜半導体装置。
【請求項１３】
絶縁基板上に設けられた薄膜半導体層と、
この薄膜半導体層に設けられた環状チャネル領域と、
この環状チャネル領域の内側に設けられたソース領域又はドレイン領域と、
前記環状チャネル領域の外側に設けられたドレイン領域又はソース領域と、
環状チャネル領域上に設けられたゲート絶縁膜と、
このゲート絶縁膜上に設けられた環状ゲート電極と
を具備してなることを特徴とする薄膜半導体装置。
【請求項１４】
前記絶縁基板は、半導体基板上に絶縁体層が設けられた構成であることを特徴とする請求項１３に記載の薄膜半導体装置。
【請求項１５】
前記薄膜半導体層の少なくとも前記環状チャネル領域が形成される半導体層は、結晶化された単結晶半導体層であることを特徴とする請求項１３に記載の薄膜半導体装置。
【請求項１６】
前記薄膜半導体層の少なくとも前記環状チャネル領域が形成される半導体層は、アニールされた多結晶半導体層であることを特徴とする請求項１３に記載の薄膜半導体装置。
【請求項１７】
前記薄膜半導体層の少なくとも前記環状チャネル領域が形成される半導体層は、扇形形状半導体単結晶部分が環状に設けられた半導体層であることを特徴とする請求項１３に記載の薄膜半導体装置。
【請求項１８】
半導体基板上に設けられた絶縁体層と、
この絶縁体層上に設けられた薄膜半導体層と、
の薄膜半導体層に設けられた環状チャネル領域と、
この環状チャネル領域の内側に設けられたソース領域又はドレイン領域と、
前記環状チャネル領域の外側に設けられたドレイン領域又はソース領域と、
環状チャネル領域上に設けられたゲート絶縁膜と、
このゲート絶縁膜上に設けられた環状ゲート電極と
を具備してなることを特徴とする薄膜半導体装置。
【請求項１９】
前記ドレイン領域と前記チャネル領域の間にチャネル領域と同じ不純物濃度の環状のオフセット領域を設けた請求項１３乃至１８のいずれか1項記載の薄膜半導体装置。
【請求項２０】
前記ドレイン領域と前記チャネル領域の間に前記ドレイン領域よりは低濃度でチャネル領域よりは高濃度の不純物がドープされた環状のＬＤＤ領域を設けた請求項１３乃至１８のいずれか１項記載の薄膜半導体装置。
【請求項２１】
複数の画素と前記画素をそれぞれ制御する複数のスイッチング素子を有する表示装置であって、請求項１３乃至１８のいずれか１項記載の薄膜半導体装置を各画素の前記スイッチング素子として使用する表示装置。
【請求項２２】
絶縁性基板上に形成された半導体集積回路の入出力端子にサージ電流を吸収するために接続される保護回路であって、少なくとも請求項１３乃至１８のいずれか１項記載の薄膜半導体装置を構成要素として使用する保護回路。
【請求項２３】
少なくとも請求項１３乃至１８のいずれか１項記載の薄膜半導体装置を構成要素として使用し、電流増幅のために用いられるバッファ回路として形成されたＣＭＯＳインバータ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月13日(2008.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子を駆動するためのトランジスタを作製する工程を有し、
前記トランジスタは第２の半導体層と、絶縁層と、導電層とが順に積層して成り、
前記工程において、
格子状の第１の半導体層を基板上に形成すると共に、
前記第１の半導体層の間に、島状に分離した前記第２の半導体層を複数形成する工程を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項２】
発光素子を駆動するためのトランジスタを作製する工程を有し、
前記トランジスタはシリコン層により形成された第２の半導体層と、絶縁層と、導電層とが順に積層して成り、
前記工程において、
格子状のシリコン層により形成された第１の半導体層を基板上に形成すると共に、
前記第１の半導体層の間に、島状に分離した前記第２の半導体層を複数形成する工程を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の発光装置の製造方法において、前記第１の半導体層に不純物を添加する工程を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の発光装置の製造方法において、前記導電層は、前記絶縁層を覆うように形成した後、ドライエッチングにより加工されることを特徴とする発光装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月18日(2008.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気回路に対して接続する少なくとも１つの端部を有する導電体を用意し、
前記導電体の所定の長さに亘ってストレスを分散するように形成されたストレス分散体内に、前記導電体の前記少なくとも１つの端部の直前の前記所定の長さを位置づけ、
前記電気回路に対して固定している支持面に前記ストレス分散体を取付け、
前記導電体の前記少なくとも１つの端部を前記電気回路を接続する
ことを特徴とする、疲労耐性電気接続構造を形成する方法。
【請求項２】
前記所定の長さに亘って前記ストレス分散体に対して前記導電体を接着する工程を更に有していることを特徴とする請求項１に記載の疲労耐性電気接続構造を形成する方法。
【請求項３】
前記ストレス分散体は弾性材料で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の疲労耐性電気接続構造を形成する方法。
【請求項４】
前記弾性材料はゴムからなることを特徴とする請求項３に記載の疲労耐性電気接続構造を形成する方法。
【請求項５】
前記ストレス分散体を取付ける工程は、前記ストレス分散体を前記印刷回路基板に接着することを含むことを特徴とする請求項１に記載の疲労耐性電気接続構造を形成する方法。
【請求項６】
前記導電体はコイル状ワイヤであることを特徴とする請求項１に記載の疲労耐性電気接続構造を形成する方法。
【請求項７】
前記所定の長さに亘って、前記コイル状ワイヤの少なくとも一部に対して非導電性被覆を設けることを特徴とする請求項６に記載の疲労耐性電気接続構造を形成する方法。
【請求項８】
機械的な力を分散することができる弾性材料を用意し、
前記弾性材料内に、導電体の第一の端部の直前の一部分を位置づけ、
前記弾性材料を支持体に取り付け、
前記支持体に対して前記第一の端部を固定するように前記導電体の前記第一の端部を電気回路に接続して、前記弾性材料内に前記導電体が入り込む点から前記電気回路に対する前記第一の端部の接続点へ向かう方向に前記導電体の撓み性が減少してゆく遷移領域を、前記弾性材料が前記導電体のために当該弾性材料内に形成する
ことを特徴とする電気回路に対して歪み耐性電気接続構造を形成する方法。
【請求項９】
前記導電体を前記弾性材料を接着する工程を更に含むことを特徴とする、請求項８に記載の歪み耐性電気接続構造を形成する方法。
【請求項１０】
前記接続工程は、前記弾性材料を介して導電性コネクタをクリンプして前記導電体に接触させることを含むことを特徴とする、請求項８に記載の歪み耐性電気接続構造を形成する方法。
【請求項１１】
前記導電体はコイル状ワイヤであることを特徴とする、請求項８に記載の歪み耐性電気接続構造を形成する方法。
【請求項１２】
前記コイル状ワイヤは、真鍮被覆鋼であることを特徴とする、請求項１１に記載の歪み耐性電気接続構造を形成する方法。
【請求項１３】
前記弾性材料はゴムであることを特徴とする、請求項８に記載の歪み耐性電気接続構造を形成する方法。
【請求項１４】
前記電気回路の少なくとも一部は前記支持体上に配置されていることを特徴とする、請求項８に記載の歪み耐性電気接続構造を形成する方法。
【請求項１５】
電気回路の少なくとも一部を支持している基板と、
前記電気回路に取り付けられた少なくとも１つの接続端を有する導電体と、
前記接続端の直前に位置して前記導電体の所定の部分を囲んで前記基板又は前記導電体又は両方のみに取り付けらており、前記導電体に沿って前記電気回路に向う方向における前記接続端に亘って前記導電体の可動性を徐々に制限するような形状にされたエラストマー材料と
を具備することを特徴とする、電気回路のための耐久性のある電気接続構造。
【請求項１６】
前記導電体はコイル状ワイヤであることを特徴とする、請求項１５に記載の電気回路のための耐久性のある電気接続構造。
【請求項１７】
前記基板は、前記電気回路の少なくとも一部を含む印刷回路基板であることを特徴とする、請求項１６に記載の電気回路のための耐久性のある電気接続構造。
【請求項１８】
請求項１５に記載の電気回路のための耐久性のある電気接続構造を備えることを特徴とするタイヤ。
【請求項１９】
ストレス分散材料と、
第１の端部を有しており、当該第１の端部付近の一部が、前記ストレス分散材料内に埋込まれているワイヤと、
電気回路と電気的に接続しているワイヤコネクタと、
前記ストレス分散材料が取り付けらている、前記電気回路に対して実質的に固定している支持面と
を具備しており、前記ワイヤコネクタは、前記ストレス分散材料を囲んでおり、前記第１の端部直前の前記ワイヤに物理的に接触し且つ拘束して、電気的な接続を形成している
ことを特徴とする、電気回路に対する歪み耐性電気接続構造。
【請求項２０】
前記ストレス分散材料はゴムからなることを特徴とする、請求項１９に記載の電気回路に対する歪み耐性電気接続構造。
【請求項２１】
前記ワイヤは、真鍮被覆鋼から構成されるコイル状バネ導体からなることを特徴とする、請求項２０に記載の電気回路に対する歪み耐性電気接続構造。
【請求項２２】
前記ワイヤは前記ストレス分散材料に接着されていることを特徴とする、請求項１９に記載の電気回路に対する歪み耐性電気接続構造。
【請求項２３】
前記ワイヤを前記ストレス分散材料から絶縁するように非導電性被覆が前記ワイヤに設けられていることを特徴とする、請求項１９に記載の電気回路に対する歪み耐性電気接続構造。
【請求項２４】
電気回路の少なくとも一部を支持している回路基板と、
前記回路基板に取り付けられた、所定の長さのエラストマー材料からなるストレス分散体と、
前記ストレス分散体の外側に位置して且つ前記ストレス分散体に隣接して、前記電気回路に取り付けられている少なくとも１つの接続端を有する導電体と
を具備しており、前記導電体の少なくとも一部が、前記ストレス分散体の長さに亘って収容されていることを特徴とする、電気回路のための耐久性のある電気接続構造。
【請求項２５】
前記ストレス分散体は前記導電体の少なくとも一部に接着されていることを特徴とする、請求項２４に記載の電気回路のための耐久性のある電気接続構造。
【請求項２６】
前記導電体はコイル状ワイヤであることを特徴とする、請求項２４に記載の電気回路のための耐久性のある電気接続構造。
【請求項２７】
前記ストレス分散体は、複数の側部を有しており、且つ前記複数の側部の内の１つの側部のみに沿って前記回路基板に取り付けられていることを特徴とする、請求項２４に記載の電気回路のための耐久性のある電気接続構造。
【請求項２８】
請求項２４に記載の電気回路のための耐久性のある電気接続構造を備えることを特徴とするタイヤ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月24日(2007.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔性シリカ連続体担体上で、分子識別基を有するモノマーを重合することにより得られるポリマー結合型カラムであって、シリカゲル表面に導入されたリンカーとしての３‐メタクリロキシプロピルトリメトキシシランあるいは３-メタクリルアミドプロピルトリエトキシシランに、識別基を有するモノマーとしてのアルキル、アリールメタクリレート、同アクリレートを始めとする不飽和エステル類、不飽和アミド類、スチレン、ビニルピレンなどビニル化合物、アリル化合物を重合させて得ることを特徴とするカラム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月22日(2008.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
このように、キャラクタへの指示が入力釦から行われるビデオゲームの１つとして、モニタに選手キャラクタを表示させて競技を行わせる対戦ビデオゲームたとえばサッカーゲームが知られている（非特許文献１および非特許文献２を参照）。このサッカーゲームにおいてプレイヤが選手キャラクタに各種の命令を指示する場合、まず、プレイヤは、方向指示釦を操作することにより、指示対象となる選手キャラクタを選択する。そして、決定釦を操作することにより、指示対象となる選手キャラクタを決定する。次に、プレイヤは、方向指示釦を操作することにより、この選手キャラクタに対する命令をコマンド群から選択する。そして、決定釦を操作することにより、この選手キャラクタに対する命令を決定する。すると、プレイヤは、決定された命令に対応した動作を、この選手キャラクタに実行させることができる。なお、プレイヤが複数の選手キャラクタに各種の命令を指示する場合は、プレイヤが上記と同様の操作を各選手キャラクタに対して個別に実行することによって、プレイヤは、複数の選手キャラクタに命令を指示することができるようになっている。
［非特許文献１］  ワールドサッカー  ウイニングイレブン８、コナミ株式会社、コナミコンピュータエンタテインメント東京、プレイステイション２版、２００４年８月５日発売
［非特許文献２］  ワールドサッカー  ウイニングイレブン８公式ガイドファーストエディション、日本、コナミメディアエンタテインメント、２００４年８月５日発売
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月25日(2008.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配列番号２に記載のアミノ酸配列の内１０以上の連続したアミノ酸配列からなり、ＨＬＡクラスＩＩ分子に結合する、Ｔ細胞の増殖および活性化を刺激するペプチド。
【請求項２】
以下の（ａ）、（ｂ）または（ｃ）のＨＬＡクラスＩＩ分子に結合するペプチド。
（ａ）配列番号４，６または８で表されるアミノ酸配列からなるペプチド。
（ｂ）配列番号４，６または８で表されるアミノ酸配列において１又は数個のアミノ酸が欠失、置換又は付加されたアミノ酸配列からなるペプチド。
（ｃ）（ａ）に記載のペプチドの変異体または誘導体であるペプチド。
【請求項３】
（１）配列番号３、配列番号５または配列番号７で表されるポリヌクレオチド分子、（２）請求項１又は２に記載のペプチドをコードするポリヌクレオチド分子、（３）（１）または（２）において、１もしくは複数個の塩基が置換、欠失又は付加されたポリヌクレオチド分子、および（４）前記（１）〜（３）のいずれかのポリヌクレオチド分子にストリンジェントな条件下でハイブリダイズするポリヌクレオチド分子、からなる群より選択されるポリヌクレオチド分子。
【請求項４】
請求項１又は２に記載のペプチドを認識する白血球。
【請求項５】
請求項１又は２に記載のペプチドを有効成分として含む医薬組成物。
【請求項６】
請求項１又は２に記載のペプチドを有効成分として含む腫瘍の治療剤。
【請求項７】
請求項１又は２に記載のペプチドを含む癌細胞増殖抑制剤。
【請求項８】
ＨＬＡクラスＩＩ分子と請求項１又は２に記載のペプチドとの複合体に選択的に結合する、単離ＣＤ４陽性Ｔ細胞。
【請求項９】
癌細胞を傷害する能力を有する請求項８に記載の単離ＣＤ４陽性Ｔ細胞。
【請求項１０】
ＨＬＡクラスＩＩ分子と請求項１又は２に記載のペプチドとの複合体を含む、単離抗原提示細胞。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
具体的には、本発明は以下の構成からなる。
［１］配列番号２に記載のアミノ酸配列の内１０以上の連続したアミノ酸配列からなり、ＨＬＡクラスＩＩ分子に結合する、Ｔ細胞の増殖および活性化を刺激するペプチド。
［２］以下の（ａ）、（ｂ）または（ｃ）のＨＬＡクラスＩＩ分子に結合するペプチド。
（ａ）配列番号４，６または８で表されるアミノ酸配列からなるペプチド。
（ｂ）配列番号４，６または８で表されるアミノ酸配列において１又は数個のアミノ酸が欠失、置換又は付加されたアミノ酸配列からなるペプチド。
（ｃ）（ａ）に記載のペプチドの変異体または誘導体であるペプチド。
［３］（１）配列番号３、配列番号５または配列番号７で表されるポリヌクレオチド分子、（２）［１］又は［２］に記載のペプチドをコードするポリヌクレオチド分子、（３）（１）または（２）において、１もしくは複数個の塩基が置換、欠失又は付加されたポリヌクレオチド分子、および（４）前記（１）〜（３）のいずれかのポリヌクレオチド分子にストリンジェントな条件下でハイブリダイズするポリヌクレオチド分子、からなる群より選択されるポリヌクレオチド分子。
［４］［１］又は［２］に記載のペプチドを認識する白血球。
［５］［１］又は［２］に記載のペプチドを有効成分として含む医薬組成物。
［６］［１］又は［２］に記載のペプチドを有効成分として含む腫瘍の治療剤。
［７］［１］又は［２］に記載のペプチドを含む癌細胞増殖抑制剤。
［８］ＨＬＡクラスＩＩ分子と［１］又は［２］に記載のペプチドとの複合体に選択的に結合する、単離ＣＤ４陽性Ｔ細胞。
［９］癌細胞を傷害する能力を有する［８］に記載の単離ＣＤ４陽性Ｔ細胞。
［１０］ＨＬＡクラスＩＩ分子と［１］又は［２］に記載のペプチドとの複合体を含む、単離抗原提示細胞。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月30日(2008.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線遮断部材を所定のピッチで配置したグリッドと、
前記グリッドを透過した放射線を受光して画像データを取得するための平面状のセンサとを有し、
前記センサを構成する画素のサンプリングピッチに起因する空間周波数をＦｓとし、前記グリッドの放射線遮断部材に基づく前記グリッドの空間周波数をＦｇとしたとき、Ｆｇ≒ｊ・Ｆｓ／３（但しｊは３の倍数を除く正の整数）を満たすように構成されていることを特徴とする放射線画像取得装置。
【請求項２】
Ｆｓのナイキスト周波数Ｆｎが２．５ｃｙｃ／ｍｍ〜５ｃｙｃ／ｍｍの範囲に存在し、かつｊ＝２であることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像取得装置。
【請求項３】
前記センサで取得された画像データから前記グリッドの画像成分を除去する画像処理部を更に有することを特徴とする請求項１または２に記載の放射線画像取得装置。
【請求項４】
前記センサが、その空間サンプリングピッチをｊ（ｊは３の倍数を除く整数）倍にする画素加算をすることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の放射線画像取得装置。
【請求項５】
前記放射線はＸ線であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の放射線画像取得装置。
【請求項６】
【数１】
2006122695.tif 000001
の条件を満たすようにＦｇを選択することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の放射線画像取得装置。
【請求項７】
被写体を透過した放射線を受光して画像データを取得する放射線画像取得方法であって、
放射線遮断部材を所定のピッチで配置したグリッドを使用し、
前記グリッドを透過した放射線を受光して前記画像データを取得するセンサを構成する画素のサンプリングピッチに起因する空間周波数をＦｓとし、前記グリッドの放射線遮断部材に基づく前記グリッドの空間周波数をＦｇとしたとき、Ｆｇ≒ｊ・Ｆｓ／３（但しｊは３の倍数を除く正の整数）を満たすようにすることを特徴とする放射線画像取得方法。
【請求項８】
被写体を透過した放射線を受光して画像データを取得するための装置の設計方法であって、
放射線遮断部材を所定のピッチで配置したグリッド及び前記画像データを取得するためのセンサの少なくとも一方を、前記センサを構成する画素のサンプリングピッチに起因する空間周波数をＦｓとし、前記グリッドの放射線遮断部材に基づく前記グリッドの空間周波数をＦｇとしたとき、Ｆｇ≒ｊ・Ｆｓ／３（但しｊは３の倍数を除く正の整数）を満たすように設計することを特徴とする設計方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
本発明の放射線画像取得装置は、放射線遮断部材を所定のピッチで配置したグリッドと、前記グリッドを透過した放射線を受光して画像データを取得するための平面状のセンサとを有し、前記センサを構成する画素のサンプリングピッチに起因する空間周波数をＦｓとし、前記グリッドの放射線遮断部材に基づく前記グリッドの空間周波数をＦｇとしたとき、Ｆｇ≒ｊ・Ｆｓ／３（但しｊは３の倍数を除く正の整数）を満たすように構成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
本発明の放射線画像取得方法は、被写体を透過した放射線を受光して画像データを取得する放射線画像取得方法であって、放射線遮断部材を所定のピッチで配置したグリッドを使用し、前記グリッドを透過した放射線を受光して前記画像データを取得するセンサを構成する画素のサンプリングピッチに起因する空間周波数をＦｓとし、前記グリッドの放射線遮断部材に基づく前記グリッドの空間周波数をＦｇとしたとき、Ｆｇ≒ｊ・Ｆｓ／３（但しｊは３の倍数を除く正の整数）を満たすようにする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
本発明の設計方法は、被写体を透過した放射線を受光して画像データを取得するための装置の設計方法であって、放射線遮断部材を所定のピッチで配置したグリッド及び前記画像データを取得するためのセンサの少なくとも一方を、前記センサを構成する画素のサンプリングピッチに起因する空間周波数をＦｓとし、前記グリッドの放射線遮断部材に基づく前記グリッドの空間周波数をＦｇとしたとき、Ｆｇ≒ｊ・Ｆｓ／３（但しｊは３の倍数を除く正の整数）を満たすように設計する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月9日(2008.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
基台部１上にはステージ部２の移動方向を検知する左右眼検知部７が設けられ、ステージ部２上には撮影光量設定部８が設けられている。また眼底カメラ３には、ＣＣＤカメラ９と観察用モニタ１０が設けられ、ＣＣＤカメラ９の出力は撮影画像記録部１１、テレビモニタ１２に接続されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
左右眼の判別は、ステージ部２が基台部１に対して左右何れに移動しているかを検知する左右眼検知部７によってなされる。また、操作桿５を回転して眼底カメラ３を上下に移動し、観察用モニタ１０に観察用カメラ２８による被検眼Ｅの前眼部を表示して、眼底カメラ３の光軸と被検眼Ｅとのアライメント調整、眼底Ｅｒを表示して作動距離合わせとピント調整を行って撮影をするために使用する。前眼部を表示する際には、眼底カメラ３内に前眼部観察用レンズが光軸内に挿入され、前眼部観察光源３９で前眼部を照明し、被検眼Ｅの虹彩、瞳孔Ｅｐを拡大して観察用モニタ１０に表示する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月28日(2007.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  表面を光が通過するべき光学素子を含む光学フローセルを洗浄するための方法であって、
ａ）超音波発生手段を堅固な機械的接触で前記フローセルに装着するステップと、
ｂ）前記フローセルの、光が通過しかつ沈殿物と微粒子との付着が起こり得る内部表面に最良に結合する超音周波数の範囲を選択するステップと、
ｃ）前記選択された超音周波数の範囲にわたって前記超音波発生手段を駆動するステップと、
ｄ）前記装着された超音波発生手段が起動され、走査される範囲にわたって周波数を発生させる間、前記フローセルを通して微粒子のない流体を流すステップとを含む、光学フローセルを洗浄するための方法。
【請求項２】  超音波発生手段は圧電振動子である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  超音周波数の前記範囲は、０．５ＭＨｚと５ＭＨｚとの間から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】  前記光学フローセルは、光散乱測光器のフローセル構成要素である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】  前記光散乱測光器は液体クロマトグラフと組合せて使用される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】  前記微粒子を含まない流体は、液体クロマトグラフ分離で使用される移動相である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】  前記機械的な接触は接着手段によって得られる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】  前記接着手段はエポキシ材料によって与えられる、請求項７に記載の方法。
【請求項９】  前記堅固な機械的接触はばね圧力手段によって与えられる、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】  自己洗浄する光学フローセルであって、
ａ）すべての関連の支持要素および搭載要素を備えるフローセルと、
ｂ）前記フローセルに堅固な機械的接触で装着される超音波発生手段と、
ｃ）超音周波数の変動する範囲にわたって前記超音波発生手段を駆動するための手段と、
ｄ）前記超音波発生手段が起動されている期間を通して、微粒子がなく、かつ泡がない流体のソースを前記光学フローセルを通して流すための手段とを含む、光学フローセル。
【請求項１１】  前記超音波発生手段は圧電振動子である、請求項１０に記載の光学フローセル。
【請求項１２】  周波数の前記可変範囲は０．５ＭＨｚと５ＭＨｚとの間である、請求項１０に記載の光学フローセル。
【請求項１３】  前記光学フローセルは光散乱測光器のフローセル構成要素である、請求項１０に記載の光学フローセル。
【請求項１４】  前記光散乱測光器は液体クロマトグラフと組合せて使用される、請求項１３に記載の光学フローセル。
【請求項１５】  前記微粒子のない流体は、液体クロマトグラフ分離で使用される移動相である、請求項１０に記載の光学フローセル。
【請求項１６】  前記堅固な機械的接触はばね圧力手段によって与えられる、請求項１０に記載の光学フローセル。
【請求項１７】  前記堅固な機械的接触は接着手段により得られる、請求項１０に記載の光学フローセル。
【請求項１８】  前記接着手段はエポキシ材料によって与えられる、請求項１７に記載の光学フローセル。