【手続補正書】
【提出日】平成20年2月5日(2008.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発振周波数がＶＨＦ帯域ないしＵＨＦ帯域に属する高周波電源の出力の電力を用いて生成されるプラズマを利用して真空容器に配置された基板の表面を処理する表面処理装置に用いられる高周波プラズマ発生装置において、電極間に電磁波の定在波の腹の位置が異なる複数の定在波を発生させ、かつ、それらを重畳させる手段を備えたことを特徴とする高周波プラズマ発生装置。
【請求項２】
請求項１記載の高周波プラズマ発生装置において、電磁波の定在波の腹の位置が異なる複数の定在波を発生させ、かつ、それらを重畳させる手段を備え、かつ、該複数の定在波の腹の位置を制御する手段を有することを特徴とする高周波プラズマ発生装置。
【請求項３】
請求項２に記載の高周波プラズマ発生装置において、電磁波の定在波の腹の位置が異なる第１の定在波と第２の定在波を発生させ、かつ、該第１及び第２の定在波を重畳させる手段を備えたことを特徴とする高周波プラズマ発生装置。
【請求項４】
請求項２あるいは３のいずれか１項に記載の高周波プラズマ発生装置において、電極に平行な面内での複数の方向に、それぞれ複数の定在波を発生させ、かつ、該複数の定在波を重畳させる手段を備えたことを特徴とする高周波プラズマ発生装置。
【請求項５】
請求項４に記載の高周波プラズマ発生装置において、電極に平行な面内で互いに直交関係にある２つの方向の一方の方向に第１の定在波と第２の定在波を発生させ、他方の方向に第３の定在波と第４の定在波を発生させ、かつ、該第１、第２、第３及び第４の定在波を重畳させる手段を備えたことを特徴とする高周波プラズマ発生装置。
【請求項６】
前記第１の定在波と第２の定在波を発生させ、かつ、該第１及び第２の定在波を重畳させる手段は、複数の給電点を有する第１及び第２の電極から成る一対の電極と、２つの出力端子を有し、かつ該２つの出力端子の出力の電圧の位相差を任意に設定可能な第１の高周波電源と、該第１の高周波電源の２つの出力端子にそれぞれ一つずつ接続された第１及び第２のインピーダンス整合器と、該第１の高周波電源から独立し、かつ、２つの出力端子を有し、かつ該２つの出力端子の出力の電圧の位相差を任意に設定可能な第２の高周波電源と、該第２の高周波電源の２つの出力端子にそれぞれ一つずつ接続された第３及び第４のインピーダンス整合器とを具備し、該第１の電極に配置された第１の給電点に該第１及び第３のインピーダンス整合器の出力端子が接続され、該第１の給電点に対して電磁波の伝播上での対向点となる関係にある位置に配置された第２の給電点に該第２及び第４のインピーダンス整合器の出力端子が接続されるという構成を有することを特徴とする請求項３記載の高周波プラズマ発生装置。
【請求項７】
前記第１の定在波と第２の定在波を発生させ、かつ、該第１及び第２の定在波を重畳させる手段は、複数の給電点を有する第１及び第２の電極から成る一対の電極と、２つの出力端子を有し、かつ該２つの出力端子の出力の電圧の位相差を任意に設定可能な第１の高周波電源と、該第１の高周波電源の２つの出力端子にそれぞれ一つずつ接続された第１及び第２のインピーダンス整合器と、該第１の高周波電源から独立し、かつ、２つの出力端子を有し、かつ該２つの出力端子の出力の電圧の位相差を任意に設定可能な第２の高周波電源と、該第２の高周波電源の２つの出力端子にそれぞれ一つずつ接続された第３及び第４のインピーダンス整合器とを具備し、該第１の電極に配置された第１の給電点に該第１のインピーダンス整合器の出力端子が接続され、該第１の給電点に対して電磁波の伝播上での対向点となる関係にある位置に配置された第２の給電点に該第２のインピーダンス整合器の出力端子が接続され、かつ、該第１の給電点と該第２の給電点を結ぶ線分に平行な関係にある位置に配置された第３及び第４の給電点に、それぞれ一つずつ、該第３及び第４のインピーダンス整合器の出力端子が接続されるという構成を有することを特徴とする請求項３記載の高周波プラズマ発生装置。
【請求項８】
前記第１の定在波と第２の定在波を発生させ、かつ、該第１及び第２の定在波を重畳させる手段は、複数の給電点を有する第１及び第２の電極から成る一対の電極と、任意のパルス変調が可能で、かつ、２つの出力端子を有し、該２つの出力端子の出力の電圧の位相差を任意に設定可能な第１の高周波電源と、該第１の高周波電源の２つの出力端子にそれぞれ一つずつ接続された第１及び第２のインピーダンス整合器と、該第１の高周波電源のパルス変調信号に同期した任意のパルス変調が可能で、かつ、２つの出力端子を有し、該２つの出力端子の出力の電圧の位相差を任意に設定可能な第２の高周波電源と、該第２の高周波電源の２つの出力端子にそれぞれ一つずつ接続された第３及び第４のインピーダンス整合器とを具備し、該第１の電極に配置された第１の給電点に該第１及び第３のインピーダンス整合器の出力端子が接続され、かつ、該第１の給電点に対して電磁波の伝播上での対向点となる関係にある位置に配置された第２の給電点に該第２及び第４のインピーダンス整合器の出力端子が接続されるという構成を有することを特徴とする請求項３記載の高周波プラズマ発生装置。
【請求項９】
前記第１の定在波と第２の定在波を発生させ、かつ、該第１及び第２の定在波を重畳させる手段は、複数の給電点を有する第１及び第２の電極から成る一対の電極と、任意のパルス変調が可能で、かつ、２つの出力端子を有し、該２つの出力端子の出力の電圧の位相差を任意に設定可能な第１の高周波電源と、該第１の高周波電源の２つの出力端子にそれぞれ一つずつ接続された第１及び第２のインピーダンス整合器と、該第１の高周波電源のパルス変調信号に同期した任意のパルス変調が可能で、かつ、２つの出力端子を有し、該２つの出力端子の出力の電圧の位相差を任意に設定可能な第２の高周波電源と、該第２の高周波電源の２つの出力端子にそれぞれ一つずつ接続された第３及び第４のインピーダンス整合器とを具備し、該第１の電極に配置された第１の給電点に該第１のインピーダンス整合器の出力端子が接続され、該第１の給電点に対して電磁波の伝播上での対向点となる関係にある位置に配置された第２の給電点に該第２のインピーダンス整合器の出力端子が接続され、かつ、該第１の給電点と該第２の給電点を結ぶ線分に平行な関係にある位置に配置された第３及び第４の給電点に、それぞれ一つずつ、該第３及び第４のインピーダンス整合器の出力端子が接続されるという構成を有することを特徴とする請求項３記載の高周波プラズマ発生装置。
【請求項１０】
前記第１の定在波と第２の定在波を発生させ、かつ、該第１及び第２の定在波を重畳させる手段は、複数の給電点を有する第１及び第２の電極から成る一対の電極と、任意のパルス変調が可能で、かつ、４つの出力端子を有すると共に該４つの出力端子の出力の電圧の位相をそれぞれ任意に設定可能な高周波電源と、該高周波電源の４つの出力端子に、それぞれ一つずつ接続された第１、第２、第３及び第４のインピーダンス整合器とを具備し、該第１の電極に配置された第１の給電点に、該第１及び第３のインピーダンス整合器の出力端子が接続され、かつ該第１の給電点に対して電磁波の伝播上での対向点となる関係にある位置に配置された第２の給電点に、該第２及び第４のインピーダンス整合器の出力端子が接続されるという構成を有することを特徴とする請求項３記載の高周波プラズマ発生装置。
【請求項１１】
前記第１の定在波と第２の定在波を発生させ、かつ、該第１及び第２の定在波を重畳させる手段は、複数の給電点を有する第１及び第２の電極から成る一対の電極と、任意のパルス変調が可能で、かつ、４つの出力端子を有すると共に該４つの出力端子の出力の電圧の位相をそれぞれ任意に設定可能な高周波電源と、該高周波電源の４つの出力端子に、それぞれ一つずつ接続された第１、第２、第３及び第４のインピーダンス整合器とを具備し、該第１の電極に配置された第１の給電点に該第１のインピーダンス整合器の出力端子が接続され、該第１の給電点に対して電磁波の伝播上での対向点となる関係にある位置に配置された第２の給電点に該第２のインピーダンス整合器の出力端子が接続され、かつ、該第１の給電点と該第２の給電点を結ぶ線分に平行な関係にある位置に配置された第３及び第４の給電点に、それぞれ一つずつ、該第３及び第４のインピーダンス整合器の出力端子が接続されるという構成を有することを特徴とする請求項３記載の高周波プラズマ発生装置。
【請求項１２】
前記高周波電源の出力のパルス変調のデューテイ比、即ちパルス幅Ｈｗと周期Ｔ０の比Ｈｗ／Ｔ０は５０％以下であることを特徴とする請求項８〜１１のいずれか１項に記載の高周波プラズマ発生装置。
【請求項１３】
前記第１の定在波の腹の位置と前記第２の定在波の腹の位置との距離が、前記一対の電極間に生成のプラズマ内部を伝播する電磁波の波長λの０．２２〜０．２８倍、好ましくは０．２５倍、即ち０．２２〜０．２８λ、好ましくはλ／４になるように設定する手段を有することを特徴とする請求項２〜１２のいずれか１項に記載の高周波プラズマ発生装置。
【請求項１４】
発振周波数がＶＨＦ帯域ないしＵＨＦ帯域に属する高周波電源の出力の電力を用いて生成されたプラズマを利用して真空容器に配置された基板の表面を処理するプラズマ表面処理装置において、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の高周波プラズマ発生装置から構成されることを特徴とするプラズマ表面処理装置。
【請求項１５】
発振周波数がＶＨＦ帯域ないしＵＨＦ帯域に属する高周波電源の出力の電力を用いて生成されたプラズマを利用して真空容器に配置された基板の表面を処理するプラズマ表面処理方法において、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の高周波プラズマ発生装置を用いて、前記基板の表面処理を行うことを特徴とするプラズマ表面処理方法。
【請求項１６】
発振周波数がＶＨＦ帯域ないしＵＨＦ帯域に属する高周波電源の出力の電力を用いて生成されたプラズマを利用して真空容器に配置された基板の表面を処理するプラズマ表面処理方法において、請求項６あるいは７のいずれか１項に記載の高周波プラズマ発生装置を用いて、前記第１の電極表面において電磁波の伝播上での対向点となる関係にある少なくとも２つの地点に配置された第１及び第２の給電点のいずれか一方の給電点に、前記第１及び第３のインピーダンス整合器の出力端子を接続し、他方の給電点に前記第２及び第４のインピーダンス整合器の出力端子を接続すると共に、該第１及び第２のインピーダンス整合器の出力端子から出力される電力の電圧の位相差及び該第３及び第４のインピーダンス整合器の出力端子から出力される電力の電圧の位相差を制御し、該２つの定在波の腹の位置間の距離、即ち第１の定在波の腹の位置と第２の定在波の腹の位置との間の距離を前記一対の電極間に生成のプラズマ内部を伝播する電磁波の波長λの０．２２〜０．２８倍、好ましくは０．２５倍、即ち０．２２〜０．２８λ、好ましくはλ／４に設定することにより、前記基板の表面処理を行うことを特徴とするプラズマ表面処理方法。
【請求項１７】
発振周波数がＶＨＦ帯域ないしＵＨＦ帯域に属する高周波電源の出力の電力を用いて生成されたプラズマを利用して真空容器に配置された基板の表面を処理するプラズマ表面処理方法において、請求項８あるいは９のいずれか１項に記載の高周波プラズマ発生装置を用いて、前記第１の電極表面において電磁波の伝播上での対向点となる関係にある少なくとも２つの地点に配置された第１及び第２の給電点のいずれか一方の給電点に、前記第１及び第３のインピーダンス整合器の出力端子を接続し、かつ、他方の給電点に前記第２及び第４のインピーダンス整合器の出力端子を接続すると共に、該第１の高周波電源の第１及び第２の出力端子から出力される電力をパルス幅Ｈｗ及びパルス周期Ｔ０でパルス変調し、該第２の高周波電源の第１及び第２の出力端子から出力される電力を該第１の高周波電源の出力端子から出力されるパル変調された電力の立ち上がり時刻より半周期、即ちＴ０／２遅れた時刻に立ち上がる形でパルス変調することにより、該第１の高周波電源の第１及び第２の出力端子から出力されるパルス変調された電力と該第２の高周波電源の第１及び第２の出力端子から出力されるパルス変調された電力の該第１及び第２の給電点への供給時間帯を分離し、該一対の電極間に該第１の高周波電源の第１及び第２の出力端子から出力される２つの電力により形成される第１の定在波と該第２の高周波電源の第１及び第２の出力端子から出力される２つの電力により形成される第２の定在波の発生時関領域を異ならしめると共に、該第１及び第２のインピーダンス整合器の出力端子から出力される電力の電圧の位相差と、該第３及び第４のインピーダンス整合器の出力端子から出力される電力の電圧の位相差を制御し、該２つの定在波の腹の位置間の距離即ち第１の定在波の腹の位置と第２の定在波の腹の位置との間の距離を前記一対の電極間に生成のプラズマ内部を伝播する電磁波の波長λの０．２２〜０．２８倍、好ましくは０．２５倍、即ち０．２２〜０．２８λ、好ましくはλ／４に設定することにより、前記基板の表面処理を行うことを特徴とするプラズマ表面処理方法。
【請求項１８】
発振周波数がＶＨＦ帯域ないしＵＨＦ帯域に属する高周波電源の出力の電力を用いて生成されたプラズマを利用して真空容器に配置された基板の表面を処理するプラズマ表面処理方法において、請求項１０あるいは１１のいずれか１項に記載の高周波プラズマ発生装置を用いて、前記第１の電極表面において電磁波の伝播上での対向点となる関係にある少なくとも２つの地点に配置された第１及び第２の給電点のいずれか一方の給電点に、前記第１及び第３のインピーダンス整合器の出力端子を接続し、かつ、他方の給電点に前記第２及び第４のインピーダンス整合器の出力端子を接続すると共に、該高周波電源の第１及び第２の出力端子から出力される電力をパルス幅Ｈｗ及びパルス周期Ｔ０でパルス変調し、該高周波電源の第３及び第４の出力端子から出力される電力を該第１の出力端子から出力されるパル変調された電力の立ち上がり時刻より半周期、即ちＴ０／２遅れた時刻に立ち上がる形でパルス変調することにより、該高周波電源の第１及び第２の出力端子から出力されるパルス変調された電力と該高周波電源の第３及び第４の出力端子から出力されるパルス変調された電力の該第１及び第２の給電点への供給時間帯を分離し、該一対の電極間に該高周波電源の第１及び第２の出力端子から出力される２つの電力により形成される第１の定在波と該高周波電源の第３及び第４の出力端子から出力される２つの電力により形成される第２の定在波の発生時関領域を異ならしめると共に、該第１及び第２のインピーダンス整合器の出力端子から出力される電力の電圧の位相差と、該第３及び第４のインピーダンス整合器の出力端子から出力される電力の電圧の位相差を制御し、該２つの定在波の腹の位置間の距離即ち第１の定在波の腹の位置と第２の定在波の腹の位置との間の距離を前記一対の電極間に生成のプラズマ内部を伝播する電磁波の波長λの０．２２〜０．２８倍、好ましくは０．２５倍、即ち０．２２〜０．２８λ、好ましくはλ／４に設定することにより、前記基板の表面処理を行うことを特徴とするプラズマ表面処理方法。
【請求項１９】
前記第１の定在波の腹の位置を把握する工程と、前記第２の定在波の腹の位置を把握する工程と、該第１の腹の位置と第２の定在波の腹の位置の間隔を前記一対の電極間に生成のプラズマ内部を伝播する電磁波の波長λの０．２２〜０．２８倍、好ましくは０．２５倍、即ち０．２２〜０．２８λ、好ましくはλ／４に設定し、基板のプラズマ表面処理を行う工程を有すること特徴とする請求項１６〜１８のいずれか１項に記載のプラズマ表面処理方法。
【請求項２０】
前記基板の表面に、アモルファスＳｉ系材料、微結晶Ｓｉ系材料、多結晶Ｓｉ系材料、結晶Ｓｉ系材料、酸化物、金属、有機金属化合物、有機ケイ素化合物、及び有機化合物のいずれかを形成するようにしたことを特徴とする請求項１６〜１９のいずれか１項に記載のプラズマ表面処理方法。
【請求項２１】
前記基板の表面に固着したアモルファスＳｉ系材料、微結晶Ｓｉ系材料、多結晶Ｓｉ系材料、結晶Ｓｉ系材料、酸化物、金属、有機金属化合物、有機ケイ素化合物、及び有機化合物のいずれかの材料をエッチング加工するようにしたことを特徴とする請求項１６〜１９のいずれか１項に記載のプラズマ表面処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【非特許文献１】L.Sansonnens,  A.Pletzer，  D.Magni,  A.A.Howling，Ch.Hollenstein  and  J.P.M.Schmitt,：Ａ  voltage  uniformity  study  in  large-area  reactors  for  RF  plasma  deposition、Plasma  Source  Sci. Technol. 6 (1997),p.170-178.
【非特許文献２】J.Kuske, U.Stephan, O.Steinkeand S.Rohleck: Power feeding in large area PECVD of amorphous silicon, Mat. Res. Soc. Symp.Proc. Vol. 377(1995),p.27-32.
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
即ち、本願に係わる第１の発明は、発振周波数がＶＨＦ帯域ないしＵＨＦ帯域に属する高周波電源の出力の電力を用いて生成されるプラズマを利用して真空容器に配置された基板の表面を処理する表面処理装置に用いられる高周波プラズマ発生装置において、電極間に電磁波の定在波の腹の位置が異なる複数の定在波を発生させ、かつ、それらを重畳させる手段を備えたことを特徴とする。
また、本願に係わる第２の発明は、本願に係わる第１の発明の高周波プラズマ発生装置において、電磁波の定在波の腹の位置が異なる複数の定在波を発生させ、かつ、それらを重畳させる手段を備え、かつ、該複数の定在波の腹の位置を制御する手段を有することを特徴とする。
また、本願に係わる第３の発明は、本願に係わる第２の発明の高周波プラズマ発生装置において、電磁波の定在波の腹の位置が異なる第１の定在波と第２の定在波を発生させ、かつ、該第１及び第２の定在波を重畳させる手段を備えたことを特徴とする。
また、本願に係わる第４の発明は、本願に係わる第２の発明あるいは本願に係わる第３の発明のいずれかの発明の高周波プラズマ発生装置において、電極に平行な面内での複数の方向に、それぞれ複数の定在波を発生させ、かつ、該複数の定在波を重畳させる手段を備えたことを特徴とする。
また、本願に係わる第５の発明は、本願に係わる第４の発明の高周波プラズマ発生装置において、電極に平行な面内で互いに直交関係にある２つの方向の一方の方向に第１の定在波と第２の定在波を発生させ、他方の方向に第３の定在波と第４の定在波を発生させ、かつ、該第１、第２、第３及び第４の定在波を重畳させる手段を備えたことを特徴とする。
また、本願に係わる第６の発明は、本願に係わる第３の発明の高周波プラズマ発生装置において、前記第１の定在波と第２の定在波を発生させ、かつ、該第１及び第２の定在波を重畳させる手段は、複数の給電点を有する第１及び第２の電極から成る一対の電極と、２つの出力端子を有し、かつ該２つの出力端子の出力の電圧の位相差を任意に設定可能な第１の高周波電源と、該第１の高周波電源の２つの出力端子にそれぞれ一つずつ接続された第１及び第２のインピーダンス整合器と、該第１の高周波電源から独立し、かつ、２つの出力端子を有し、かつ該２つの出力端子の出力の電圧の位相差を任意に設定可能な第２の高周波電源と、該第２の高周波電源の２つの出力端子にそれぞれ一つずつ接続された第３及び第４のインピーダンス整合器とを具備し、該第１の電極に配置された第１の給電点に該第１及び第３のインピーダンス整合器の出力端子が接続され、該第１の給電点に対して電磁波の伝播上での対向点となる関係にある位置に配置された第２の給電点に該第２及び第４のインピーダンス整合器の出力端子が接続されるという構成を有することを特徴とする。
また、本願に係わる第７の発明は、本願に係わる第３の発明の高周波プラズマ発生装置において、前記第１の定在波と第２の定在波を発生させ、かつ、該第１及び第２の定在波を重畳させる手段は、複数の給電点を有する第１及び第２の電極から成る一対の電極と、２つの出力端子を有し、かつ該２つの出力端子の出力の電圧の位相差を任意に設定可能な第１の高周波電源と、該第１の高周波電源の２つの出力端子にそれぞれ一つずつ接続された第１及び第２のインピーダンス整合器と、該第１の高周波電源から独立し、かつ、２つの出力端子を有し、かつ該２つの出力端子の出力の電圧の位相差を任意に設定可能な第２の高周波電源と、該第２の高周波電源の２つの出力端子にそれぞれ一つずつ接続された第３及び第４のインピーダンス整合器とを具備し、該第１の電極に配置された第１の給電点に該第１のインピーダンス整合器の出力端子が接続され、該第１の給電点に対して電磁波の伝播上での対向点となる関係にある位置に配置された第２の給電点に該第２のインピーダンス整合器の出力端子が接続され、かつ、該第１の給電点と該第２の給電点を結ぶ線分に平行な関係にある位置に配置された第３及び第４の給電点に、それぞれ一つずつ、該第３及び第４のインピーダンス整合器の出力端子が接続されるという構成を有することを特徴とする。
また、本願に係わる第８の発明は、本願に係わる第３の発明の高周波プラズマ発生装置において、前記第１の定在波と第２の定在波を発生させ、かつ、該第１及び第２の定在波を重畳させる手段は、複数の給電点を有する第１及び第２の電極から成る一対の電極と、任意のパルス変調が可能で、かつ、２つの出力端子を有し、該２つの出力端子の出力の電圧の位相差を任意に設定可能な第１の高周波電源と、該第１の高周波電源の２つの出力端子にそれぞれ一つずつ接続された第１及び第２のインピーダンス整合器と、該第１の高周波電源のパルス変調信号に同期した任意のパルス変調が可能で、かつ、２つの出力端子を有し、該２つの出力端子の出力の電圧の位相差を任意に設定可能な第２の高周波電源と、該第２の高周波電源の２つの出力端子にそれぞれ一つずつ接続された第３及び第４のインピーダンス整合器とを具備し、該第１の電極に配置された第１の給電点に該第１及び第３のインピーダンス整合器の出力端子が接続され、かつ、該第１の給電点に対して電磁波の伝播上での対向点となる関係にある位置に配置された第２の給電点に該第２及び第４のインピーダンス整合器の出力端子が接続されるという構成を有することを特徴とする。
また、本願に係わる第９の発明は、本願に係わる第３の発明の高周波プラズマ発生装置において、前記第１の定在波と第２の定在波を発生させ、かつ、該第１及び第２の定在波を重畳させる手段は、複数の給電点を有する第１及び第２の電極から成る一対の電極と、任意のパルス変調が可能で、かつ、２つの出力端子を有し、該２つの出力端子の出力の電圧の位相差を任意に設定可能な第１の高周波電源と、該第１の高周波電源の２つの出力端子にそれぞれ一つずつ接続された第１及び第２のインピーダンス整合器と、該第１の高周波電源のパルス変調信号に同期した任意のパルス変調が可能で、かつ、２つの出力端子を有し、該２つの出力端子の出力の電圧の位相差を任意に設定可能な第２の高周波電源と、該第２の高周波電源の２つの出力端子にそれぞれ一つずつ接続された第３及び第４のインピーダンス整合器とを具備し、該第１の電極に配置された第１の給電点に該第１のインピーダンス整合器の出力端子が接続され、該第１の給電点に対して電磁波の伝播上での対向点となる関係にある位置に配置された第２の給電点に該第２のインピーダンス整合器の出力端子が接続され、かつ、該第１の給電点と該第２の給電点を結ぶ線分に平行な関係にある位置に配置された第３及び第４の給電点に、それぞれ一つずつ該第３及び第４のインピーダンス整合器の出力端子が接続されるという構成を有することを特徴とする。
また、本願に係わる第１０の発明は、本願に係わる第３の発明の高周波プラズマ発生装置において、前記第１の定在波と第２の定在波を発生させ、かつ、該第１及び第２の定在波を重畳させる手段は、複数の給電点を有する第１及び第２の電極から成る一対の電極と、任意のパルス変調が可能で、かつ、４つの出力端子を有すると共に該４つの出力端子の出力の電圧の位相をそれぞれ任意に設定可能な高周波電源と、該高周波電源の４つの出力端子に、それぞれ一つずつ接続された第１、第２、第３及び第４のインピーダンス整合器とを具備し、該第１の電極に配置された第１の給電点に、該第１及び第３のインピーダンス整合器の出力端子が接続され、かつ該第１の給電点に対して電磁波の伝播上での対向点となる関係にある位置に配置された第２の給電点に、該第２及び第４のインピーダンス整合器の出力端子が接続されるという構成を有することを特徴とする。
また、本願に係わる第１１の発明は、本願に係わる第３の発明の高周波プラズマ発生装置において、前記第１の定在波と第２の定在波を発生させ、かつ、該第１及び第２の定在波を重畳させる手段は、複数の給電点を有する第１及び第２の電極から成る一対の電極と、任意のパルス変調が可能で、かつ、４つの出力端子を有すると共に該４つの出力端子の出力の電圧の位相をそれぞれ任意に設定可能な高周波電源と、該高周波電源の４つの出力端子に、それぞれ一つずつ接続された第１、第２、第３及び第４のインピーダンス整合器とを具備し、該第１の電極に配置された第１の給電点に該第１のインピーダンス整合器の出力端子が接続され、該第１の給電点に対して電磁波の伝播上での対向点となる関係にある位置に配置された第２の給電点に該第２のインピーダンス整合器の出力端子が接続され、かつ、該第１の給電点と該第２の給電点を結ぶ線分に平行な関係にある位置に配置された第３及び第４の給電点に、それぞれ一つずつ、該第３及び第４のインピーダンス整合器の出力端子が接続されるという構成を有することを特徴とする。
また、本願に係わる第１２の発明は、本願に係わる第８ないし第１１の発明のいずれか一つの発明の高周波プラズマ発生装置において、前記高周波電源の出力のパルス変調のデューテイ比、即ちパルス幅Ｈｗと周期Ｔ０の比Ｈｗ／Ｔ０は５０％以下であることを特徴とする。
また、本願に係わる第１３の発明は、本願に係わる第２ないし第１２の発明のいずれか一つの発明の高周波プラズマ発生装置において、前記第１の定在波の腹の位置と前記第２の定在波の腹の位置との距離が、前記一対の電極間に生成のプラズマ内部を伝播する電磁波の波長λの０．２２〜０．２８倍、好ましくは０．２５倍、即ち０．２２〜０．２８λ、好ましくはλ／４になるように設定する手段を有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、本願に係わる第１４の発明は、本願に係わる第１ないし第１３の発明のいずれか一つの発明の高周波プラズマ発生装置において、前記第２の電極は平板型の形状を有し、前記第１の電極は、該第２の電極に平行な面内に含まれるように配置された方形あるいは円形の平板型の構造を有することを特徴とする。
また、本願に係わる第１５の発明は、本願に係わる第１ないし第１３の発明のいずれか一つの発明の高周波プラズマ発生装置において、前記第２の電極は平板型の形状を有し、前記第１の電極は、前記第２の電極に平行な面内に配置された棒状導体から成る棒型あるいはＵ字型あるいはＷ字型あるいは螺旋型の構造を有することを特徴とする。
また、本願に係わる第１６の発明は、本願に係わる第１ないし第１３の発明のいずれか一つの発明の高周波プラズマ発生装置において、前記第２の電極は円筒型の形状を有し、前記第１の電極は、該第２の電極を外套状に取り囲む円筒の面内に配置された棒状導体から成る棒型あるいはＵ字型あるいはＷ字型あるいはコイル型の構造を有することを特徴とする。
また、本願に係わる第１７の発明は、本願に係わる第１ないし第１３の発明のいずれか一つの発明の高周波プラズマ発生装置において、前記第１及び第２の電極は複数の開口を有する板状の導電体で、かつ、前記基板が該一対の電極間の外に配置されるという構成を有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、本願に係わる第１８の発明は、発振周波数がＶＨＦ帯域ないしＵＨＦ帯域に属する高周波電源の出力の電力を用いて生成されたプラズマを利用して真空容器に配置された基板の表面を処理するプラズマ表面処理装置において、本願に係わる第１ないし第１７の発明のいずれか一つの発明の高周波プラズマ発生装置から構成されることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、本願に係わる第１９の発明は、発振周波数がＶＨＦ帯域ないしＵＨＦ帯域に属する高周波電源の出力の電力を用いて生成されたプラズマを利用して真空容器に配置された基板の表面を処理するプラズマ表面処理方法において、本願に係わる第１ないし第１７の発明のいずれか一つの発明の高周波プラズマ発生装置を用いて、前記基板の表面処理を行うことを特徴とする。
また、本願に係わる第２０の発明は、発振周波数がＶＨＦ帯域ないしＵＨＦ帯域に属する高周波電源の出力の電力を用いて生成されたプラズマを利用して真空容器に配置された基板の表面を処理するプラズマ表面処理方法において、本願に係わる第６あるいは第７の発明のいずれか一つの発明の高周波プラズマ発生装置を用いて、前記第１の電極表面において電磁波の伝播上での対向点となる関係にある少なくとも２つの地点に配置された第１及び第２の給電点のいずれか一方の給電点に、前記第１及び第３のインピーダンス整合器の出力端子を接続し、他方の給電点に前記第２及び第４のインピーダンス整合器の出力端子を接続すると共に、該第１及び第２のインピーダンス整合器の出力端子から出力される電力の電圧の位相差及び該第３及び第４のインピーダンス整合器の出力端子から出力される電力の電圧の位相差を制御し、該２つの定在波の腹の位置間の距離、即ち第１の定在波の腹の位置と第２の定在波の腹の位置との間の距離を前記一対の電極間に生成のプラズマ内部を伝播する電磁波の波長λの０．２２〜０．２８倍、好ましくは０．２５倍、即ち０．２２〜０．２８λ、好ましくはλ／４に設定することにより、前記基板の表面処理を行うことを特徴とする。
また、本願に係わる第２１の発明は、発振周波数がＶＨＦ帯域ないしＵＨＦ帯域に属する高周波電源の出力の電力を用いて生成されたプラズマを利用して真空容器に配置された基板の表面を処理するプラズマ表面処理方法において、本願に係わる第８あるいは第９の発明のいずれか一つの発明の高周波プラズマ発生装置を用いて、前記第１の電極表面において電磁波の伝播上での対向点となる関係にある少なくとも２つの地点に配置された第１及び第２の給電点のいずれか一方の給電点に、前記第１及び第３のインピーダンス整合器の出力端子を接続し、かつ、他方の給電点に前記第２及び第４のインピーダンス整合器の出力端子を接続すると共に、該第１の高周波電源の第１及び第２の出力端子から出力される電力をパルス幅Ｈｗ及びパルス周期Ｔ０でパルス変調し、該第２の高周波電源の第１及び第２の出力端子から出力される電力を該第１の高周波電源の出力端子から出力されるパル変調された電力の立ち上がり時刻より半周期、即ちＴ０／２遅れた時刻に立ち上がる形でパルス変調することにより、該第１の高周波電源の第１及び第２の出力端子から出力されるパルス変調された電力と該第２の高周波電源の第１及び第２の出力端子から出力されるパルス変調された電力の該第１及び第２の給電点への供給時間帯を分離し、該一対の電極間に該第１の高周波電源の第１及び第２の出力端子から出力される２つの電力により形成される第１の定在波と該第２の高周波電源の第１及び第２の出力端子から出力される２つの電力により形成される第２の定在波の発生時関領域を異ならしめると共に、該第１及び第２のインピーダンス整合器の出力端子から出力される電力の電圧の位相差と、該第３及び第４のインピーダンス整合器の出力端子から出力される電力の電圧の位相差を制御し、該２つの定在波の腹の位置間の距離即ち第１の定在波の腹の位置と第２の定在波の腹の位置との間の距離を前記一対の電極間に生成のプラズマ内部を伝播する電磁波の波長λの０．２２〜０．２８倍、好ましくは０．２５倍、即ち０．２２〜０．２８λ、好ましくはλ／４に設定することにより、前記基板の表面処理を行うことを特徴とする。
また、本願に係わる第２２の発明は、発振周波数がＶＨＦ帯域ないしＵＨＦ帯域に属する高周波電源の出力の電力を用いて生成されたプラズマを利用して真空容器に配置された基板の表面を処理するプラズマ表面処理方法において、本願に係わる第１０あるいは第１１の発明のいずれか一つの発明の高周波プラズマ発生装置を用いて、前記第１の電極表面において電磁波の伝播上での対向点となる関係にある少なくとも２つの地点に配置された第１及び第２の給電点のいずれか一方の給電点に、前記第１及び第３のインピーダンス整合器の出力端子を接続し、かつ、他方の給電点に前記第２及び第４のインピーダンス整合器の出力端子を接続すると共に、該高周波電源の第１及び第２の出力端子から出力される電力をパルス幅Ｈｗ及びパルス周期Ｔ０でパルス変調し、該高周波電源の第３及び第４の出力端子から出力される電力を該第１の出力端子から出力されるパル変調された電力の立ち上がり時刻より半周期、即ちＴ０／２遅れた時刻に立ち上がる形でパルス変調することにより、該高周波電源の第１及び第２の出力端子から出力されるパルス変調された電力と該高周波電源の第３及び第４の出力端子から出力されるパルス変調された電力の該第１及び第２の給電点への供給時間帯を分離し、該一対の電極間に該高周波電源の第１及び第２の出力端子から出力される２つの電力により形成される第１の定在波と該高周波電源の第３及び第４の出力端子から出力される２つの電力により形成される第２の定在波の発生時関領域を異ならしめると共に、該第１及び第２のインピーダンス整合器の出力端子から出力される電力の電圧の位相差と、該第３及び第４のインピーダンス整合器の出力端子から出力される電力の電圧の位相差を制御し、該２つの定在波の腹の位置間の距離即ち第１の定在波の腹の位置と第２の定在波の腹の位置との間の距離を前記一対の電極間に生成のプラズマ内部を伝播する電磁波の波長λの０．２２〜０．２８倍、好ましくは０．２５倍、即ち０．２２〜０．２８λ、好ましくはλ／４に設定することにより、前記基板の表面処理を行うことを特徴とする。
また、本願に係わる第２３の発明は、本願に係わる第２０ないし第２２の発明のいずれか一つの発明のプラズマ表面処理方法において、前記第１の定在波の腹の位置を把握する工程と、前記第２の定在波の腹の位置を把握する工程と、該第１の腹の位置と第２の定在波の腹の位置の間隔を前記一対の電極間に生成のプラズマ内部を伝播する電磁波の波長λの０．２２〜０．２８倍、好ましくは０．２５倍、即ち０．２２〜０．２８λ、好ましくはλ／４に設定し、基板のプラズマ表面処理を行う工程を有すること特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、本願に係わる第２４の発明は、本願に係わる第２０ないし第２３の発明のいずれか一つの発明のプラズマ表面処理方法において、前記基板の表面に、アモルファスＳｉ系材料、微結晶Ｓｉ系材料、多結晶Ｓｉ系材料、結晶Ｓｉ系材料、酸化物、金属、有機金属化合物、有機ケイ素化合物、及び有機化合物のいずれかを形成するようにしたことを特徴とする。
また、本願に係わる第２５の発明は、本願に係わる第２０ないし第２３の発明のいずれか一つの発明のプラズマ表面処理方法において、前記基板の表面に固着したアモルファスＳｉ系材料、微結晶Ｓｉ系材料、多結晶Ｓｉ系材料、結晶Ｓｉ系材料、酸化物、金属、有機金属化合物、有機ケイ素化合物、及び有機化合物のいずれかの材料をエッチング加工するようにしたことを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本願に係わる第１ないし第３の発明のプラズマ発生装置によれば、発振周波数がＶＨＦ帯域ないしＵＨＦ帯域に属する高周波電源の出力の電力を用いて生成されるプラズマを利用して真空容器に配置された基板の表面を処理するプラズマ表面処理装置において、大面積プラズマの一様化に不可欠な一対の電極間の電力の強さの分布を均一に制御することが可能である。即ち、従来の装置では該一対の電極間の電力の強さの分布を制御することは不可能視されているが、それが可能である。その結果、従来の装置では不可能視されている大面積基板を対象にしたＶＨＦプラズマあるいはＵＨＦプラズマによる大面積で、かつ均一なプラズマ表面処理が可能になる。即ち、ＶＨＦプラズマ及びＵＨＦプラズマの応用分野においての重要課題である大面積でかつ均一のプラズマ処理化を実現可能な装置の提供が可能である。その効果は、産業上、著しく大きい価値がある。
本願に係わる第４あるいは第５の発明のプラズマ発生装置によれば、大面積でかつ均一で、かつ高密度のプラズマを確実に生成可能であり、応用上の価値が高い。
本願に係わる第６ないし第１１の発明のプラズマ発生装置は、それぞれ、本願に係わる第１ないし第５の発明のプラズマ発生装置を実現する確実な手段であり、その産業界における応用上の価値は著しく高い。
即ち、本願に係わる第６及び第７の発明のプラズマ発生装置は、独立した２つの２出力位相可変の高周波電源を主体に構成することにより、本願に係わる第１ないし第５の発明のプラズマ発生装置を確実に実現可能であり、その実用価値は高い。
また、本願に係わる第８及び第９の発明のプラズマ発生装置は、任意のパルス変調が可能で、かつ、２出力でかつ該２出力の電圧の位相差を任意に設定可能な第１の高周波電源と該第１の高周波電源のパルス変調信号に同期した任意のパルス変調が可能で、かつ、２出力でかつ該２出力の電圧の位相差を任意に設定可能な第２の高周波電源を主体に構成することにより、本願に係わる第１ないし第５の発明のプラズマ発生装置を確実に実現可能であり、その実用価値は高い。
また、本願に係わる第１０及び第１１の発明のプラズマ発生装置は、任意のパルス変調が可能で、４つの出力端子を有すると共に、該４つの出力端子の出力の電圧の位相を、それぞれ任意に設定可能な高周波電源を主体に構成することにより、本願に係わる第１ないし第５の発明のプラズマ発生装置を確実に実現可能であり、その実用価値は高い。
本願に係わる第１２の発明のプラズマ発生装置は、本願に係わる第８ないし第１１の発明のいずれか一つのプラズマ発生装置を実現する確実な手段として、その価値は著しく高い。
本願に係わる第１３の発明のプラズマ発生装置は、本願に係わる第６ないし第１２の発明のそれぞれのプラズマ発生装置において、大面積でかつ均一なプラズマを実現する確実な手段を提供するものである。その結果、ＶＨＦプラズマあるいはＵＨＦプラズマを用いた大面積で、かつ均一な表面処理が容易に実現可能であり、その産業界における応用上の価値は著しく高い。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本願に係わる第１４ないし第１７の発明の高周波プラズマ発生装置は、本願に係わる第６ないし第１３の発明のそれぞれのプラズマ発生装置を産業界における様々な応用に関して、確実に実現する手段として、その価値は著しく高い。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本願に係わる第１８の発明のプラズマ表面処理装置によれば、発振周波数がＶＨＦ帯域ないしＵＨＦ帯域に属する高周波電源の出力の電力を用いて生成されるプラズマを利用して真空容器に配置された基板の表面を処理するプラズマ表面処理装置において、大面積プラズマの一様化に不可欠な一対の電極間の電力の強さの分布の均一化制御が可能である。その結果、従来の装置では困難視されている大面積基板を対象にしたＶＨＦプラズマあるいはＵＨＦプラズマによる大面積で、かつ均一なプラズマ表面処理が可能になる。即ち、ＶＨＦプラズマ及びＵＨＦプラズマの応用分野においての重要課題である大面積でかつ均一のプラズマ処理化を実現可能な装置の提供が可能である。その効果は、産業上、著しく大きい価値がある。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本願に係わる第１９の発明のプラズマ表面処理方法によれば、発振周波数がＶＨＦ帯域ないしＵＨＦ帯域に属する高周波電源の出力の電力を用いて生成されるプラズマを利用して真空容器に配置された基板の表面を処理するプラズマ表面処理方法において、大面積プラズマの一様化に不可欠な一対の電極間の電力の強さの分布の均一化制御が可能である。その結果、従来の方法では困難視されている大面積基板を対象にしたＶＨＦプラズマあるいはＵＨＦプラズマによる大面積で、かつ均一なプラズマ表面処理が可能になる。即ち、ＶＨＦプラズマ及びＵＨＦプラズマの応用分野においての重要課題である大面積でかつ均一のプラズマ処理化を実現可能な方法の提供が可能である。その効果は、産業上、著しく大きい価値がある。
本願に係わる第２０ないし第２３の発明のプラズマ表面処理方法は、それぞれ、発振周波数がＶＨＦ帯域ないしＵＨＦ帯域に属する高周波電源の出力の電力を用いて生成されるプラズマを利用して真空容器に配置された基板の表面を処理するプラズマ表面処理方法において、大面積プラズマの一様化に不可欠な一対の電極間の電力の強さの分布の均一化制御を確実に実現することが可能である。その結果、従来の方法では困難視されている大面積基板を対象にしたＶＨＦプラズマあるいはＵＨＦプラズマによる大面積で、かつ均一なプラズマ表面処理が可能になる。即ち、ＶＨＦプラズマ及びＵＨＦプラズマの応用分野においての重要課題である大面積でかつ均一のプラズマ処理化を実現可能な方法の提供が可能である。その効果は、産業上、著しく大きい価値がある。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本願に係わる第２４の発明のプラズマ表面処理方法によれば、発振周波数がＶＨＦ帯域ないしＵＨＦ帯域に属する高周波電源の出力の電力を用いて生成されるプラズマを利用して真空容器に配置された基板の表面を処理するプラズマ表面処理方法において、基板の表面に、アモルファスＳｉ系材料、微結晶Ｓｉ系材料、多結晶Ｓｉ系材料、結晶Ｓｉ系材料、酸化物、金属、有機金属化合物、有機ケイ素化合物、及び有機化合物のいずれかを、大面積で、かつ均一に形成することが可能である。その結果、ＬＳＩ（大規模集積回路）、ＬＣＤ（液晶デイスプレー）用ＴＦＴ（薄膜トランジスター）、アモルファスＳｉ系太陽電池、薄膜多結晶Ｓｉ系太陽電池、複写機用感光体、および各種情報記録デバイス等のそれぞれの分野における製品の生産性の抜本的向上が実現される。したがって、その効果は、著しく大きい価値がある。
本願に係わる第２５の発明のプラズマ表面処理方法によれば、発振周波数がＶＨＦ帯域ないしＵＨＦ帯域に属する高周波電源の出力の電力を用いて生成されるプラズマを利用して真空容器に配置された基板の表面を処理するプラズマ表面処理方法において、基板の表面に固着のアモルファスＳｉ系材料、微結晶Ｓｉ系材料、多結晶Ｓｉ系材料、結晶Ｓｉ系材料、酸化物、金属、有機金属化合物、有機ケイ素化合物、及び有機化合物のいずれかを、大面積で、かつ均一にエッチングすることが可能である。その結果、ＬＳＩ（大規模集積回路）、ＬＣＤ（液晶デイスプレー）用ＴＦＴ（薄膜トランジスター）、アモルファスＳｉ系太陽電池、薄膜多結晶Ｓｉ系太陽電池、複写機用感光体、および各種情報記録デバイス等のそれぞれの分野における製品の生産性の抜本的向上が実現される。したがって、その効果は、著しく大きい価値がある。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
一対の電極２、４間に４つの電圧波が供給されると、前述のように、Ｗ１１（ｘ、ｔ）とＷ２１（ｘ、ｔ）は干渉して第１の定在波Ｗ１（ｘ、ｔ）を形成し、Ｗ１２（ｘ、ｔ）とＷ２２（ｘ、ｔ）は干渉して第２の定在波Ｗ２（ｘ、ｔ）を形成する。ただし、第１及び第２の位相可変２出力発信器１５ａ、２８ａは互いに独立した電源なので、Ｗ１１（ｘ、ｔ）は、Ｗ１２（ｘ、ｔ）及びＷ２２（ｘ、ｔ）とは干渉しない。また、同様に、Ｗ２１（ｘ、ｔ）は、Ｗ１２（ｘ、ｔ）及びＷ２２（ｘ、ｔ）と干渉しない。
なお、該第１及び第２の位相可変２出力発信器１５ａ、２８ａが、互いに独立した電源であるということが重要である。
したがって、一対の電極２、４間に生成される電力の強さの分布は、第１の定在波Ｗ１（ｘ、ｔ）の強さの分布Ｉ１（ｘ、ｔ）と第２の定在波Ｗ２（ｘ、ｔ）の強さの分布Ｉ２（ｘ、ｔ）が重畳した形となる。その様子を概念的に図６に示す。
ここで、基板の中央点をｘ軸の原点とし、該原点から第１の給電点２１を向いた方向を正の方向とすると、第１の定在波Ｗ１（ｘ、ｔ）の強さの分布Ｉ１（ｘ、ｔ）は、
Ｉ１（ｘ、ｔ）∝ｃｏｓ２｛２πｘ／λ＋２π（λ／８）／λ｝
＝ｃｏｓ２｛２πｘ／λ＋π／４｝
第２の定在波Ｗ２（ｘ、ｔ）の強さの分布Ｉ２（ｘ、ｔ）は、
Ｉ２（ｘ、ｔ）∝ｃｏｓ２｛２πｘ／λ−２π（λ／８）／λ｝
＝ｃｏｓ２｛２πｘ／λ−π／４｝
一対の電極２、４間に生成される電力の強さの分布Ｉ（ｘ、ｔ）は、
Ｉ（ｘ、ｔ）
＝ｃｏｓ２｛２πｘ／λ＋π／４｝＋ｃｏｓ２｛２πｘ／λ−π／４｝
＝１
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
一対の電極２、４間に４つの電圧波が供給されると、Ｗ１１（ｘ、ｔ）とＷ２１（ｘ、ｔ）は干渉して第１の定在波Ｗ１（ｘ、ｔ）を形成し、Ｗ１２（ｘ、ｔ）とＷ２２（ｘ、ｔ）は干渉して第２の定在波Ｗ２（ｘ、ｔ）を形成する。ただし、Ｗ１１（ｘ、ｔ）は、Ｗ１２（ｘ、ｔ）及びＷ２２（ｘ、ｔ）とは、時間的に分離されているので干渉しない。また、同様に、Ｗ２１（ｘ、ｔ）は、Ｗ１２（ｘ、ｔ）及びＷ２２（ｘ、ｔ）と干渉しない。
したがって、上記パルス変調の周期Ｔ０より大幅に長い数秒以上の一般的な製膜時間で考えれば、一対の電極２、４間に生成される電力の強さの分布は、第１の定在波Ｗ１（ｘ、ｔ）の強さの分布Ｉ１（ｘ、ｔ）と第２の定在波Ｗ２（ｘ、ｔ）の強さの分布Ｉ２（ｘ、ｔ）が重畳した形となる。その様子を概念的に図６に示す。
ここで、基板の中央点をｘ軸の原点とし、該原点から第１の給電点２１を向いた方向を正の方向とすると、第１の定在波Ｗ１（ｘ、ｔ）の強さの分布Ｉ１（ｘ、ｔ）は、
Ｉ１（ｘ、ｔ）∝ｃｏｓ２｛２πｘ／λ＋２π（λ／８）／λ｝
＝ｃｏｓ２｛２πｘ／λ＋π／４｝
第２の定在波Ｗ２（ｘ、ｔ）の強さの分布Ｉ２（ｘ、ｔ）は、
Ｉ２（ｘ、ｔ）∝ｃｏｓ２｛２πｘ／λ−２π（λ／８）／λ｝
＝ｃｏｓ２｛２πｘ／λ−π／４｝
一対の電極２、４間に生成される電力の強さの分布Ｉ（ｘ、ｔ）は、
Ｉ（ｘ、ｔ）
＝ｃｏｓ２｛２πｘ／λ＋π／４｝＋ｃｏｓ２｛２πｘ／λ−π／４｝
＝１
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
前記一対の電極２ａ〜２ｄ、４間に、前記第１及び第２の給電点２１ａ〜２１ｂ、２７ａ〜２７ｂを介して４つの電圧波からなる電力が供給されると、前述のように、Ｗ１１（ｘ、ｔ）とＷ２１（ｘ、ｔ）は干渉して第１の定在波Ｗ１（ｘ、ｔ）を形成し、Ｗ１２（ｘ、ｔ）とＷ２２（ｘ、ｔ）は干渉して第２の定在波Ｗ２（ｘ、ｔ）を形成する。ただし、Ｗ１１（ｘ、ｔ）は、Ｗ１２（ｘ、ｔ）及びＷ２２（ｘ、ｔ）とは時間的に分離されているので干渉しない。また、同様に、Ｗ２１（ｘ、ｔ）は、Ｗ１２（ｘ、ｔ）及びＷ２２（ｘ、ｔ）と干渉しない。
したがって、上記パルス変調の周期Ｔ０より大幅に長い数秒以上の一般的な製膜時間で考えれば、一対の電極２ａ〜２ｄ、４間に生成される電力の強さの分布は、第１の定在波Ｗ１（ｘ、ｔ）の強さの分布Ｉ１（ｘ、ｔ）と第２の定在波Ｗ２（ｘ、ｔ）の強さの分布Ｉ２（ｘ、ｔ）が重畳した形となる。その様子を概念的に図６に示す。
ここで、基板の中央点をｘ軸の原点とし、該原点から第１の給電点２１ａ〜２１ｄを向いた方向を正の方向とすると、第１の定在波Ｗ１（ｘ、ｔ）の強さの分布Ｉ１（ｘ、ｔ）は、
Ｉ１（ｘ、ｔ）＝ｃｏｓ２｛２πｘ／λ＋２π（λ／８）／λ｝
＝ｃｏｓ２｛２πｘ／λ＋π／４｝
第２の定在波Ｗ２（ｘ、ｔ）の強さの分布Ｉ２（ｘ、ｔ）は、
Ｉ２（ｘ、ｔ）＝ｃｏｓ２｛２πｘ／λ−２π（λ／８）／λ｝
＝ｃｏｓ２｛２πｘ／λ−π／４｝
一対の電極２ａ〜２ｄ、４間に生成される電力の強さの分布Ｉ（ｘ、ｔ）は、
Ｉ（ｘ、ｔ）
＝ｃｏｓ２｛２πｘ／λ＋π／４｝＋ｃｏｓ２｛２πｘ／λ−π／４｝
＝１
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
一対の電極２、４間に４つの電圧波が供給されると、前述のように、Ｗ１１（ｘ、ｔ）とＷ２１（ｘ、ｔ）は干渉して第１の定在波Ｗ１（ｘ、ｔ）を形成し、Ｗ１２（ｘ、ｔ）とＷ２２（ｘ、ｔ）は干渉して第２の定在波Ｗ２（ｘ、ｔ）を形成する。ただし、Ｗ１１（ｘ、ｔ）は、Ｗ１２（ｘ、ｔ）及びＷ２２（ｘ、ｔ）とは、時間的に分離されているので干渉しない。また、同様に、Ｗ２１（ｘ、ｔ）は、Ｗ１２（ｘ、ｔ）及びＷ２２（ｘ、ｔ）と干渉しない。
したがって、上記パルス変調の周期Ｔ０より大幅に長い数秒以上の一般的な製膜時間で考えれば、一対の電極２、４間に生成される電力の強さの分布は、第１の定在波Ｗ１（ｘ、ｔ）の強さの分布Ｉ１（ｘ、ｔ）と第２の定在波Ｗ２（ｘ、ｔ）の強さの分布Ｉ２（ｘ、ｔ）が重畳した形となる。その様子を概念的に図６に示す。
ここで、基板の中央点をｘ軸の原点とし、該原点から第１の給電点２１を向いた方向を正の方向とすると、第１の定在波Ｗ１（ｘ、ｔ）の強さの分布Ｉ１（ｘ、ｔ）は、
Ｉ１（ｘ、ｔ）∝ｃｏｓ２｛２πｘ／λ＋２π（λ／８）／λ｝
＝ｃｏｓ２｛２πｘ／λ＋π／４｝
第２の定在波Ｗ２（ｘ、ｔ）の強さの分布Ｉ２（ｘ、ｔ）は、
Ｉ２（ｘ、ｔ）∝ｃｏｓ２｛２πｘ／λ−２π（λ／８）／λ｝
＝ｃｏｓ２｛２πｘ／λ−π／４｝
一対の電極２、４間に生成される電力の強さの分布Ｉ（ｘ、ｔ）は、
Ｉ（ｘ、ｔ）
＝ｃｏｓ２｛２πｘ／λ＋π／４｝＋ｃｏｓ２｛２πｘ／λ−π／４｝
＝１
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１９】
前記一対の電極２、４間に４つの電圧波が供給されると、前述のように、Ｗ１１（ｘ、ｔ）とＷ２１（ｘ、ｔ）は干渉して第１の定在波Ｗ１（ｘ、ｔ）を形成し、Ｗ１２（ｘ、ｔ）とＷ２２（ｘ、ｔ）は干渉して第２の定在波Ｗ２（ｘ、ｔ）を形成する。ただし、Ｗ１１（ｘ、ｔ）は、Ｗ１２（ｘ、ｔ）及びＷ２２（ｘ、ｔ）とは時間的に分離されているので干渉しない。また、同様に、Ｗ２１（ｘ、ｔ）は、Ｗ１２（ｘ、ｔ）及びＷ２２（ｘ、ｔ）と干渉しない。
したがって、一対の電極２、４間に生成される電力の強さの分布は、第１の定在波Ｗ１（ｘ、ｔ）の強さの分布Ｉ１（ｘ、ｔ）と第２の定在波Ｗ２（ｘ、ｔ）の強さの分布Ｉ２（ｘ、ｔ）が重畳した形となる。その様子を概念的に図６に示す。
ここで、該Ｕ字型電極２の中央点をｘ軸の原点とし、該原点からＵ字に沿った線分上において、第１の給電点２１を向いた方向を正の方向とすると、第１の定在波Ｗ１（ｘ、ｔ）の強さの分布Ｉ１（ｘ、ｔ）は、
Ｉ１（ｘ、ｔ）＝ｃｏｓ２｛２πｘ／λ＋２π（λ／８）／λ｝
＝ｃｏｓ２｛２πｘ／λ＋π／４｝
第１の定在波Ｗ２（ｘ、ｔ）の強さの分布Ｉ２（ｘ、ｔ）は、
Ｉ２（ｘ、ｔ）＝ｃｏｓ２｛２πｘ／λ−２π（λ／８）／λ｝
＝ｃｏｓ２｛２πｘ／λ−π／４｝
一対の電極２、４間に生成される電力の強さの分布Ｉ（ｘ、ｔ）は、
Ｉ（ｘ、ｔ）
＝ｃｏｓ２｛２πｘ／λ＋π／４｝＋ｃｏｓ２｛２πｘ／λ−π／４｝
＝１
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４１】
前記一対の電極２、４間に４つの電圧波が供給されると、前述のように、Ｗ１１（ｘ、ｔ）とＷ２１（ｘ、ｔ）は干渉して第１の定在波Ｗ１（ｘ、ｔ）を形成し、Ｗ１２（ｘ、ｔ）とＷ２２（ｘ、ｔ）は干渉して第２の定在波Ｗ２（ｘ、ｔ）を形成する。ただし、Ｗ１１（ｘ、ｔ）は、Ｗ１２（ｘ、ｔ）及びＷ２２（ｘ、ｔ）とは時間的に分離されているので、干渉しない。また、同様に、Ｗ２１（ｘ、ｔ）は、Ｗ１２（ｘ、ｔ）及びＷ２２（ｘ、ｔ）と干渉しない。
したがって、上記パルス変調の周期Ｔ０より大幅に長い数秒以上の一般的な製膜時間で考えれば、一対の電極２、４間に生成される電力の強さの分布は、第１の定在波Ｗ１（ｘ、ｔ）の強さの分布Ｉ１（ｘ、ｔ）と第２の定在波Ｗ２（ｘ、ｔ）の強さの分布Ｉ２（ｘ、ｔ）が重畳した形となる。その様子を概念的に図６に示す。
ここで、基板の中央点、即ち該楔形９０の頂点とスリットを結ぶラインをｘ軸の原点とし、該原点から第１の給電点２１を向いた方向を正の方向とすると、第１の定在波Ｗ１（ｘ、ｔ）の強さの分布Ｉ１（ｘ、ｔ）は、
Ｉ１（ｘ、ｔ）＝ｃｏｓ２｛２πｘ／λ＋２π（λ／８）／λ｝
＝ｃｏｓ２｛２πｘ／λ＋π／４｝
第２の定在波Ｗ２（ｘ、ｔ）の強さの分布Ｉ２（ｘ、ｔ）は、
Ｉ２（ｘ、ｔ）＝ｃｏｓ２｛２πｘ／λ−２π（λ／８）／λ｝
＝ｃｏｓ２｛２πｘ／λ−π／４｝
一対の電極２、４間に生成される電力の強さの分布Ｉ（ｘ、ｔ）は、
Ｉ（ｘ、ｔ）
＝ｃｏｓ２｛２πｘ／λ＋π／４｝＋ｃｏｓ２｛２πｘ／λ−π／４｝
＝１
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６１】
一対の電極２、４間に４つの電圧波が供給されると、前述のように、Ｗ１１（ｘ、ｔ）とＷ２１（ｘ、ｔ）は干渉して第１の定在波Ｗ１（ｘ、ｔ）を形成し、Ｗ１２（ｘ、ｔ）とＷ２２（ｘ、ｔ）は干渉して第２の定在波Ｗ２（ｘ、ｔ）を形成する。ただし、Ｗ１１（ｘ、ｔ）は、Ｗ１２（ｘ、ｔ）及びＷ２２（ｘ、ｔ）とは、時間的に分離されているので干渉しない。また、同様に、Ｗ２１（ｘ、ｔ）は、Ｗ１２（ｘ、ｔ）及びＷ２２（ｘ、ｔ）と干渉しない。
したがって、上記パルス変調の周期Ｔ０より大幅に長い数秒以上の一般的な製膜時間で考えれば、一対の電極２、４間に生成される電力の強さの分布は、第１の定在波Ｗ１（ｘ、ｔ）の強さの分布Ｉ１（ｘ、ｔ）と第２の定在波Ｗ２（ｘ、ｔ）の強さの分布Ｉ２（ｘ、ｔ）が重畳した形となる。その様子を概念的に図６に示す。
ここで、基板の中央点をｘ軸の原点とし、該原点から第１の給電点２１を向いた方向を正の方向とすると、第１の定在波Ｗ１（ｘ、ｔ）の強さの分布Ｉ１（ｘ、ｔ）は、
Ｉ１（ｘ、ｔ）∝ｃｏｓ２｛２πｘ／λ＋２π（λ／８）／λ｝
＝ｃｏｓ２｛２πｘ／λ＋π／４｝
第２の定在波Ｗ２（ｘ、ｔ）の強さの分布Ｉ２（ｘ、ｔ）は、
Ｉ２（ｘ、ｔ）∝ｃｏｓ２｛２πｘ／λ−２π（λ／８）／λ｝
＝ｃｏｓ２｛２πｘ／λ−π／４｝
一対の電極２、４間に生成される電力の強さの分布Ｉ（ｘ、ｔ）は、
Ｉ（ｘ、ｔ）
＝ｃｏｓ２｛２πｘ／λ＋π／４｝＋ｃｏｓ２｛２πｘ／λ−π／４｝
＝１