(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体層と導体パターンを積層し、これらの積層体内に、第１の共振器と第２の共振器を電磁気的に結合したバンドパスフィルタと、第１のコイルと第２のコイルが接続され、第１のコイルに一端が接地された第３のコイルを電磁気的に結合し、第２のコイルに一端が接地された第４のコイルを電磁気的に結合したバランが形成され、
該バンドパスフィルタと該バランは、絶縁体層の積層方向から積層体を透視したときに互いに横に並び、かつ、該バンドパスフィルタと該バランの間隔が２００μｍ以上有する様に、該バンドパスフィルタを構成する導体パターンと該バランを構成する導体パターンが、該絶縁体層上に形成される位置を互いに横にずらして形成され、
該バンドパスフィルタを構成するコイルと該バランを構成するコイルは、絶縁体層の積層方向に互いに位置をずらして形成され、
該バンドパスフィルタの該第２の共振器の一端に接続されたコンデンサを構成する導体パターンと該バランの該第１のコイルの一端を構成する導体パターンが接続されることにより、該バンドパスフィルタと該バランが不平衡用端子と１対の平衡用端子間に接続されることを特徴とする積層型電子部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、移動体通信端末や、無線ＬＡＮなどの高周波（マイクロ波）通信機器に実装される積層型電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
移動体通信端末に、図１４に示すように受信回路１４３と送信回路１４４を、アンテナ１４１に接続されたスイッチング素子１４２を介して接続し、アンテナ１４１からの受信信号を受信回路１４３に、送信回路１４４からの送信信号をアンテナ１４１にそれぞれ伝送するようにスイッチング素子１４２を高速で交互に切替えるものがある。この移動体通信端末の受信回路１４３では、高周波増幅器１４５と周波数混合器１４６間にフィルタ１４７が挿入されている。
近年、この種の移動体通信端末は、何個かのＩＣと、その周辺回路の受動部品、フィルタによって構成されるようになってきている。また、このＩＣは、省電力化されつつある移動体通信端末に用いるために駆動電圧が低電圧化されている。この様な状況の中で、この種の移動体通信端末では、駆動電圧の低電圧化に伴うＳ／Ｎ比の向上を目的に周波数混合器に平衡入出力タイプのＩＣが用いられつつある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、スイッチング素子１４２や高周波増幅器１４５は、未だ不平衡型のものが多い。そのため、受信回路１４３のフィルタ１４７は、フィルタを構成する回路素子にディスクリート部品を用いて移動体通信端末のプリント基板上で不平衡タイプのものを形成したり、フィルタを構成する回路素子を一体に形成した不平衡タイプのものを移動体通信端末のプリント基板上に実装するのが一般的になっている。また、周波数混合器に用いられる平衡入出力タイプのＩＣは、入力インピーダンスが例えば100Ωや200Ωといったように、一般的にフィルタの出力インピーダンスと異なっている。従って、この種の移動体通信端末では、フィルタ１４７から出力された不平衡信号を平衡信号に変換し、かつフィルタ１４７と周波数混合器１４６のインピーダンスの整合を取るために、図１５に示すように、フィルタ１４７と周波数混合器１４６の間にバラン１４８を挿入する必要があり、移動体通信端末のプリント基板にバラン１４８を実装するためのスペースと、バラン１４８とフィルタ１４７及びバラン１４８と周波数混合器１４６を接続するための配線パターンを形成するスペースが必要となり、形状が大型化する。
【０００４】
また、この種の移動体通信端末では、移動体通信端末のプリント基板の配線パターンを介して高周波増幅器１４５、フィルタ１４７、バラン１４８、周波数混合器１４６が順次接続されるので、フィルタ１４７とバラン１４８間のインピーダンスの整合を取るために、フィルタ１４７の入出力インピーダンスとバラン１４８の入力インピーダンスを50Ωに統一する必要がある。そのため、フィルタの特性は入出力インピーダンスによって制限されることになり、フィルタとしての機能を充分に発揮できない場合があった。
【０００５】
本発明は、高周波（マイクロ波）通信機器の小型化に貢献し、使用周波数帯域外のノイズ除去能力を向上させることができる積層型電子部品を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の積層型電子部品は、絶縁体層と導体パターンを積層した積層体内に、バンドパスフィルタとバランを内蔵し、バンドパスフィルタとバランは、積層体の積層方向から積層体を透視したときに互いに横に並び、かつ、バンドパスフィルタとバランの間隔が200μｍ以上有する様に積層体内に形成され、バンドパスフィルタとバランが不平衡用端子と１対の平衡用端子間に接続される。
また、本発明の積層型電子部品は、絶縁体層と導体パターンを積層した積層体内に、第１の共振器と第２の共振器を電磁気的に結合したバンドパスフィルタと、第１のコイルと第２のコイルが接続され、第１のコイルに一端が接地された第３のコイルを電磁気的に結合し、第２のコイルに一端が接地された第４のコイルを電磁気的に結合したバランを内蔵し、バンドパスフィルタとバランは、積層体の積層方向から積層体を透視したときに互いに横に並び、かつ、バンドパスフィルタとバランの間隔が200μｍ以上有する様に積層体内に形成され、バンドパスフィルタとバランが不平衡用端子と１対の平衡用端子間に接続される。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明の積層型電子部品は、絶縁体層と導体パターンを積層した積層体内にバンドパスフィルタとバランが一体に形成される。このバンドパスフィルタとバランは、積層体の積層方向から積層体を透視したとき、互いに横に並ぶ様に積層体の一方の側にバンドパスフィルタが、他方の側にバランが形成される。また、バンドパスフィルタを構成するコイルとバランを構成するコイルは、積層体の積層方向と垂直な方向に200μｍ以上離れて形成される。この様に形成されたフィルタとバランは、積層体に設けられた不平衡用端子と１対の平衡用端子間に接続される。この場合、バンドパスフィルタとバランとは、同一の絶縁体層に形成されたフィルタを構成する導体パターンとバランを構成する導体パターンをその同一絶縁体層上で接続することにより互いに接続される。
従って、本発明の積層型電子部品は、積層体内にバンドパスフィルタとバランが前述の様に離して一体に形成されるので、バンドパスフィルタとバラン間で互いに干渉してこの積層型電子部品の特性、特に減衰極の周波数における減衰特性が劣化するのを防止することができる。また、ＩＣの入力インピーダンス（例えば100Ωや200Ω）に応じて必要とされるバランの出力インピーダンスに影響されることなくフィルタの出力インピーダンスを設定することができる。この積層型電子部品は、不平衡用端子が不平衡線路に接続され、１対の平衡用端子が平衡線路に接続される。
【０００８】
【実施例】
以下、本発明の積層型電子部品を図１乃至図１３を参照して説明する。
図１は本発明の積層型電子部品を用いた高周波（マイクロ波）通信機器の回路例を示す回路図、図２は本発明の積層型電子部品の回路図、図３は本発明の積層型電子部品の第１の実施例を示す分解斜視図である。
本発明の積層型電子部品を用いた移動体通信端末は、スイッチング素子１２の共通端にアンテナが接続され、受信回路１３と送信回路１４がスイッチング素子１２の分岐端にそれぞれ接続される。そして、受信回路１３の高周波増幅器１５の出力端と周波数混合器１６に用いられている平衡入出力タイプのＩＣの入力端間に本発明の積層型電子部品１０が挿入される。
【０００９】
この積層型電子部品１０は、積層体内に、不平衡用端子に接続されたバンドパスフィルタと、このバンドパスフィルタと１対の平衡用端子間に接続されたバランが形成される。このバンドパスフィルタとバランは、例えば図２に示す様に、コイルＬ１とコンデンサＣ１を並列接続した第１の共振器と、コイルＬ２とコンデンサＣ２を並列接続した第２の共振器を電磁気的に結合して形成されたバンドパスフィルタと、コイルＬ３とコイルＬ４が接続され、コイルＬ３に一端が接地されたコイルＬ５を電磁気的に結合し、コイルＬ４に一端が接地されたコイルＬ６を電磁気的に結合して形成したいわゆるマーチャンド型のバランによって構成される。このバンドパスフィルタは、２つの共振器を電磁気的に結合させたもので、コイルＬ１とコンデンサＣ１の接続点がコンデンサＣ４を介して不平衡用端子２１に接続され、コイルＬ２とコンデンサＣ２の接続点がコンデンサＣ５を介してバランのコイルＬ３に接続される。このバランは、コイルＬ５が平衡用端子２２に接続され、コイルＬ６が平衡用端子２３に接続される。
なお、バンドパスフィルタのコンデンサＣ３は２つの共振器が容量結合することにより生じる容量であり、バランのコイルＬ４の他端は電気的に浮いた状態となっている。
この積層型電子部品１０は、移動体通信端末のプリント配線基板に実装される。そして、この積層型電子部品１０の不平衡用端子が、高周波増幅器１５の出力端に接続された不平衡伝送線路に接続される。また、積層型電子部品１０の１対の平衡用端子が、周波数混合器１６に用いられたＩＣの入力端に接続された平衡伝送線路に接続される。
【００１０】
この様なバンドパスフィルタとバランは、図３のように絶縁体層と導体パターンを積層することによりこれらの積層体内に形成される。
絶縁体層３１Ａ乃至３１Ｌは、磁性体、非磁性体、誘電体等、絶縁性を有する材料を用いて形成される。
絶縁体層３１Ａの表面には、アース用導体パターン３２Ａが形成される。このアース用導体パターン３２Ａは、絶縁体層３１Ａの４つの端面に引出される。
絶縁体層３１Ｂ、３１Ｃ、３１Ｄ、３１Ｅの表面には、コイル用導体パターン３３Ａとコイル用導体パターン３３Ｂがそれぞれ形成される。コイル用導体パターン３３Ａとコイル用導体パターン３３Ｂは、絶縁体層の片側半面（図３では左半面）に、絶縁体層の幅方向に並べて形成される。そして、絶縁体層３１Ｂ乃至３１Ｅのコイル用導体パターン３３Ａをスルーホールを介して螺旋状に接続してコイルＬ１が形成され、絶縁体層３１Ｂ乃至３１Ｅのコイル用導体パターン３３Ｂをスルーホールを介して螺旋状に接続してコイルＬ２が形成される。このコイルＬ１とコイルＬ２は、絶縁体層３１Ｂの表面のコイル用導体パターン３３Ａとコイル用導体パターン３３Ｂを接続することにより互いに接続され、コイル用導体パターン３３Ａとコイル用導体パターン３３Ｂの接続点が絶縁体層３１Ｂの端面に引出される。また、絶縁体層３１Ｂ乃至３１Ｅのコイル用導体パターン３３Ａ間に形成される容量及び、絶縁体層３１Ｂのコイル用導体パターン３３Ａとアース用導体パターン３２Ａ間に形成される容量によりコイルＬ１と並列にコンデンサＣ１が形成される。また、絶縁体層３１Ｂ乃至３１Ｅのコイル用導体パターン３３Ｂ間に形成される容量及び、絶縁体層３１Ｂのコイル用導体パターン３３Ｂとアース用導体パターン３２Ａ間に形成される容量によりコイルＬ２と並列にコンデンサＣ２が形成される。
絶縁体層３１Ｆの表面には、アース用導体パターン３２Ｂが形成される。このアース用導体パターン３２Ｂは、絶縁体層３１Ｆの３つの端面に引出される。
絶縁体層３１Ｇの表面には、コイル用導体パターン３４とコイル用導体パターン３５が形成される。コイル用導体パターン３４とコイル用導体パターン３５は、絶縁体層の片側半面（図３では右半面）に形成され、互いに接続される。
絶縁体層３１Ｈの表面には、コイル用導体パターン３４、３５と容量用導体パターン３８Ａ、３９Ａが形成される。コイル用導体パターン３４とコイル用導体パターン３５は、絶縁体層３１Ｈの片側半面（図３では右半面）に、絶縁体層の幅方向に並べて形成される。また、容量用導体パターン３８Ａと容量用導体パターン３９Ａは、絶縁体層３１Ｈの残りの半面（図３では左半面）に、絶縁体層の幅方向に並べて形成される。この容量用導体パターン３８Ａは、絶縁体層３１Ｆ〜３１Ｈのスルーホールを介してコイル用導体パターン３３Ａに接続される。また、容量用導体パターン３９Ａは、絶縁体層３１Ｆ〜３１Ｈのスルーホールを介してコイル用導体パターン３３Ｂに接続される。そして、この容量用導体パターン３８Ａと容量用導体パターン３９Ａ間に形成される容量及びコイルＬ１とコイルＬ２間の容量によってコンデンサＣ３が形成される。
絶縁体層３１Ｉの表面には、コイル用導体パターン３４、３５と容量用導体パターン３８Ｂ、３９Ｂが形成される。コイル用導体パターン３４とコイル用導体パターン３５は、絶縁体層３１Ｈの片側半面（図３では右半面）に、絶縁体層の幅方向に並べて形成される。また、容量用導体パターン３８Ｂと容量用導体パターン３９Ｂは、絶縁体層３１Ｉの残りの半面（図３では左半面）に、容量用導体パターン３８Ｂが容量用導体パターン３８Ａと対向し、容量用導体パターン３９Ｂが容量用導体パターン３９Ａと対向するように形成される。そして、絶縁体層３１Ｇ乃至３１Ｉのコイル用導体パターン３４をスルーホールを介して螺旋状に接続してコイルＬ３が形成され、絶縁体層３１Ｇ乃至３１Ｉのコイル用導体パターン３５をスルーホールを介して螺旋状に接続してコイルＬ４が形成される。このコイルＬ３とコイルＬ４は、絶縁体層３１Ｇのコイル用導体３４とコイル用導体３５を接続することにより互いに接続される。このコイルＬ３は、絶縁体層３１Ｉのコイル用導体パターン３４と容量用導体パターン３９Ｂを接続することにより、容量用導体パターン３９Ａと容量用導体パターン３９Ｂ間の容量で形成されるコンデンサＣ５を介してコイルＬ２に接続される。また、コイルＬ４は、絶縁体層３１Ｉのコイル用導体パターン３５の一端をどこにも接続することなく絶縁体層３１Ｉの端面と離れた位置に延在させることにより、一端が電気的に浮いた状態になっている。さらに、容量用導体パターン３８Ａと容量用導体パターン３８Ｂ間に形成された容量によりコンデンサＣ４が形成される。
絶縁体層３１Ｊの表面には、コイル用導体パターン３６とコイル用導体パターン３７が形成される。コイル用導体パターン３６とコイル用導体パターン３７は、絶縁体層３１Ｊの片側半面（図３では右半面）に、コイル用導体パターン３６がコイル用導体パターン３４と対向し、コイル用導体パターン３７がコイル用導体パターン３５と対向するように形成される。このコイル用導体パターン３６とコイル用導体パターン３７は互いに接続され、接続点が絶縁体層３１Ｊの端面まで引出される。
絶縁体層３１Ｋの表面には、コイル用導体パターン３６とコイル用導体パターン３７が形成される。コイル用導体パターン３６とコイル用導体パターン３７は、絶縁体層３１Ｋの片側半面（図３では右半面）に、絶縁体層の幅方向に並べて形成される。コイル用導体パターン３６の一端とコイル用導体パターン３７の一端は、絶縁体層３１Ｋの対向する端面に引出される。また、このコイル用導体パターン３６とコイル用導体パターン３７は、絶縁体層３１Ｌによって覆われる。そして、絶縁体層３１Ｊ、３１Ｋのコイル用導体パターン３６をスルーホールを介して螺旋状に接続してコイルＬ５が形成され、絶縁体層３１Ｊ、３１Ｋのコイル用導体パターン３７をスルーホールを介して螺旋状に接続してコイルＬ６が形成される。
この様に積層された積層体には、図４に示す様に不平衡用端子２１、平衡用端子２２、２３、４つのグランド用端子Ｇ、ダミー端子ＮＣが形成される。そして、容量用導体パターン３８Ｂが不平衡用端子２１に、アース用導体パターン３２Ａ、３２Ｂがグランド用端子Ｇに、絶縁体層３１Ｊのコイル用導体パターン３６とコイル用導体パターン３７の共通接続端がグランド用端子Ｇに、絶縁体層３１Ｋのコイル用導体パターン３６が平衡用端子２２に、絶縁体層３１Ｋのコイル用導体パターン３７が平衡用端子２３にそれぞれ接続される。
【００１１】
この様に形成された積層型電子部品は、図５に示す様に、絶縁体層の積層方向から積層体を透視したとき、バンドパスフィルタとバランが横に並ぶ様に、中心線を基準として一方の側（図５では左半分）にバンドパスフィルタが、他方の側（図５では右半分）にバランが形成される。
この様な積層型電子部品は、バンドパスフィルタのコイル用導体パターンの線幅を100μｍ、バランのコイル用導体パターンの線幅を75μｍ、バンドパスフィルタのコイル用導体パターンとバランのコイル用導体パターンの絶縁体層の積層方向と垂直な方向の間隔Ｗを120μｍとしたところ、図６と図８の１に示す様に通過帯域が2.11〜2.17ＧＨｚで、1.7ＧＨｚ付近に減衰極が形成された特性を得ることができ、この積層型電子部品を用いた場合、Ｗ−ＣＤＭＡ帯の信号を通過させ、ＤＣＳ1800ＭＨｚ帯を減衰させることができる。また、この時の積層型電子部品の大きさは、縦横が3.2ｍｍ×1.6ｍｍ、高さが１ｍｍとなった。なお、図６において、横軸は周波数、縦軸は減衰量をそれぞれ示し、Ａに伝送特性、Ｂに反射特性をそれぞれ示している。
【００１２】
図７は、この積層型電子部品について、素子の大きさ（縦横が3.2ｍｍ×1.6ｍｍ、高さが１ｍｍ）を同じにした状態で、バンドパスフィルタのコイル用導体パターンとバランのコイル用導体パターンの絶縁体層の積層方向と垂直な方向の間隔Ｗを50〜450μｍまで変えて、1880ＭＨｚにおける減衰量を比較したものである。本発明の積層型電子部品は、図７に示す様に、バンドパスフィルタのコイル用導体パターンとバランのコイル用導体パターンの絶縁体層の積層方向と垂直な方向の間隔Ｗが大きくなるにしたがって1880ＭＨｚにおける減衰量が大きくなり、バンドパスフィルタのコイル用導体パターンとバランのコイル用導体パターンの絶縁体層の積層方向と垂直な方向の間隔Ｗが200μｍ以上になると、本発明のものの1880ＭＨｚにおける減衰量がバンドパスフィルタのみのものよりもよくなる傾向が得られた。従って、本発明の積層型電子部品は、バンドパスフィルタのコイル用導体パターンとバランのコイル用導体パターンの絶縁体層の積層方向と垂直な方向の間隔Ｗを200μｍ以上にすることにより、バンドパスフィルタとバラン間の干渉をかなり低減することができると共に、1880ＭＨｚにおける減衰量をバンドパスフィルタのみのものに比較して向上させることができた。なお、図７において、横軸はバンドパスフィルタのコイル用導体パターンとバランのコイル用導体パターンの絶縁体層の積層方向と垂直な方向の間隔Ｗ（μｍ）、縦軸は減衰量（ｄＢ）を示している。
【００１３】
図９は、本発明の積層型電子部品の第２の実施例を示す分解斜視図である。
絶縁体層９１Ａの表面には、アース用導体パターン９２Ａが形成される。
絶縁体層９１Ｂ、９１Ｃの表面の片側半面（右半面）にコイル用導体パターン９３、９４を形成し、それぞれのコイル用導体パターンを接続して直列に接続されたコイルＬ３とコイルＬ４が形成される。
絶縁体層９１Ｄ、９１Ｅの表面の片側半面（右半面）にコイル用導体パターン９５、９６を形成し、それぞれのコイル用導体パターンを接続してコイルＬ５とコイルＬ６が形成される。
絶縁体層９１Ｆの表面には、アース用導体パターンが形成される。
絶縁体層９１Ｇ乃至９１Ｊの表面の片側半面（左半面）にコイル用導体パターン９７Ａ、９７Ｂを形成し、それぞれのコイル用導体パターンを接続してコイルＬ１とコイルＬ２が形成される。
絶縁体層９１Ｋの表面の片側半面（左半面）に容量用導体パターン９８Ａと容量用導体パターン９９Ａが形成され、容量用導体パターン９８Ａがコイル用導体パターン９７Ａに、容量用導体パターン９９Ａがコイル用導体パターン９７Ｂにそれぞれ接続される。
絶縁体層９１Ｌの表面の片側半面（左半面）に容量用導体パターン９８Ｂと容量用導体パターン９９Ｂが形成され、容量用導体パターン９８Ａと容量用導体パターン９８Ｂ間にコンデンサＣ４が、容量用導体パターン９９Ａと容量用導体パターン９９Ｂ間にコンデンサＣ５がそれぞれ形成される。また、容量用導体パターン９９Ｂは、積層体の側面に設けられた外部電極を介して絶縁体層９１Ｃのコイル用導体パターン９３に接続される。
この様な積層型電子部品は、バンドパスフィルタのコイル用導体パターンの線幅を100μｍ、バランのコイル用導体パターンの線幅を75μｍとし、バンドパスフィルタのコイル用導体パターンとバランのコイル用導体パターンの絶縁体層の積層方向と垂直な方向の間隔Ｗを200μｍ以上にしたところ、図８の２に示す様に通過帯域が2.11〜2.17ＧＨｚで、1.7ＧＨｚ付近に減衰極が形成された特性を得ることができ、この積層型電子部品を用いた場合、Ｗ−ＣＤＭＡ帯の信号を通過させ、ＤＣＳ1800ＭＨｚ帯を減衰させることができる。また、この時の積層型電子部品の大きさは、縦横が3.2ｍｍ×1.6ｍｍ、高さが１ｍｍとなった。
【００１４】
図１０は、本発明の積層型電子部品の第３の実施例を示す分解斜視図である。絶縁体層１０１Ａの表面には、アース用導体パターン１０２Ａが形成される。アース用導体パターン１０２Ａは、絶縁体層１０１Ａの対向する端面にそれぞれ２箇所ずつ引出される。
絶縁体層１０１Ｂの表面には、片側半面（左半面）にコイル用導体パターン１０３Ｃが形成される。
絶縁体層１０１Ｃ乃至１０１Ｇの表面の片側半面（左半面）にコイル用導体パターン１０３Ａ、１０３Ｂを形成し、それぞれのコイル用導体パターンを接続してコイルＬ１とコイルＬ２が形成される。また、絶縁体層１０１Ｆの表面の残りの半面（右半面）には、アース用導体パターン１０２Ｂが形成される。
絶縁体層１０１Ｈ乃至１０１Ｊの表面の片側半面（右半面）にコイル用導体パターン１０４、１０５を形成し、それぞれのコイル用導体パターンを接続して直列に接続されたコイルＬ３とコイルＬ４が形成される。また、絶縁体層１０１Ｉの表面の残りの半面（左半面）に容量用導体パターン１０８Ａと容量用導体パターン１０９Ａが形成され、容量用導体パターン１０８Ａがコイル用導体パターン１０３Ａに、容量用導体パターン１０９Ａがコイル用導体パターン１０３Ｂにそれぞれ接続される。さらに、絶縁体層１０１Ｊの表面の残りの半面（左半面）に容量用導体パターン１０８Ｂと容量用導体パターン１０９Ｂが形成され、容量用導体パターン１０９Ｂがコイル用導体パターン１０４に接続される。この容量用導体パターン１０８Ａと容量用導体パターン１０８Ｂ間にコンデンサＣ４が、容量用導体パターン１０９Ａと容量用導体パターン１０９Ｂ間にコンデンサＣ５がそれぞれ形成される。
絶縁体層１０１Ｋ、１０１Ｌの表面の片側半面（右半面）にコイル用導体パターン１０５、１０６を形成し、それぞれのコイル用導体パターンを接続してコイルＬ５とコイルＬ６が形成される。
この様に積層された積層体には、図１１に示す様に対向する側面に４つずつ外部端子が形成される。
この様な積層型電子部品は、バンドパスフィルタのコイル用導体パターンの線幅を100μｍ、バランのコイル用導体パターンの線幅を75μｍとし、バンドパスフィルタのコイル用導体パターンとバランのコイル用導体パターンの絶縁体層の積層方向と垂直な方向の間隔Ｗを200μｍ以上にしたところ、図８の３に示す様に通過帯域が2.4〜2.5ＧＨｚで、1.89ＧＨｚ付近に減衰極が形成された特性を得ることができ、この積層型電子部品を用いた場合、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ帯の信号を通過させ、Ｗ−ＣＤＭＡ帯を減衰させることができる。また、この時の積層型電子部品の大きさは、縦横が3.2ｍｍ×1.6ｍｍ、高さが１ｍｍとなった。
【００１５】
図１２は、本発明の積層型電子部品の第４の実施例を示す分解斜視図である。
絶縁体層１２１Ａの表面には、アース用導体パターン１２２Ａが形成される。アース用導体パターン１２２Ａは、絶縁体層１２１Ａの対向する端面にそれぞれ１箇所ずつ引出される。
絶縁体層１２１Ｂの表面の片側半面（左半面）に形成されたコイル用導体パターン１２３Ｃと絶縁体層１２１Ｃ乃至１２１Ｇの表面の片側半面（左半面）に形成されたコイル用導体パターン１２３Ａ、１２３ＢによってコイルＬ１とコイルＬ２が形成される。また、絶縁体層１２１Ｆの表面の残り半面（右半面）には、アース用導体パターン１２２Ｂが形成される。
絶縁体層１２１Ｈ乃至１２１Ｊの表面の片側半面（右半面）に形成されたコイル用導体パターン１２４、１２５によって直列に接続されたコイルＬ３とコイルＬ４が形成される。また、絶縁体層１２１Ｉの表面の残りの半面に形成された容量用導体パターン１２８Ａ、１２９Ａと絶縁体層１２１Ｊの表面の残りの半面に形成された容量用導体パターン１２８Ｂ、１２９ＢによってコンデンサＣ４とコンデンサＣ５が形成される。
絶縁体層１２１Ｋ、１２１Ｌの表面の片側半面に形成されたコイル用導体パターン１２６、１２７によってコイルＬ５とコイルＬ６が形成される。
この様に積層された積層体には、図１３に示す様に対向する側面に３つずつ外部端子が形成される。
この様な積層型電子部品は、バンドパスフィルタのコイル用導体パターンの線幅を100μｍ、バランのコイル用導体パターンの線幅を75μｍとし、バンドパスフィルタのコイル用導体パターンとバランのコイル用導体パターンの絶縁体層の積層方向と垂直な方向の間隔Ｗを200μｍ以上にしたところ、図８の４に示す様に通過帯域が2.4〜2.5ＧＨｚで、1.92ＧＨｚ付近に減衰極が形成された特性を得ることができ、この積層型電子部品を用いた場合、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ帯の信号を通過させ、Ｗ−ＣＤＭＡ帯を減衰させることができる。また、この時の積層型電子部品の大きさは、縦横が3.2ｍｍ×1.6ｍｍ、高さが１ｍｍとなった。
【００１６】
以上、本発明の積層型電子部品の実施例を述べたが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。例えば、バランは、実施例ではマーチャンド型のものについて説明したが、純伝送型や、トリファイラ型でもよい。また、バンドパスフィルタとバランは、コイルＬ３を構成するコイル用導体パターンとコンデンサＣ５を構成する容量用導体パターンを絶縁体層のスルーホールを介して接続してもよい。さらに、コンデンサＣ３を構成する２つの容量用導体パターンは、実施例では横に並べて形成されているが、絶縁体層を介して対向する様に形成されてもよい。またさらに、バンドパスフィルタは様々な回路構成にすることができる。
また、実施例では、受信回路の高周波増幅器の出力端と周波数混合器の平衡入出力タイプのＩＣの入力端間に挿入する場合を説明したが、周波数混合器の平衡入出力タイプのＩＣの入力端とＶＣＯの出力端間に挿入したり、送信回路の不平衡線路と平衡入出力タイプのＩＣの入力端間に挿入することもできる。
さらに、実施例では移動体通信端末の場合を説明したが、不平衡線路と平衡線路間に挿入されればよく、本発明を無線ＬＡＮに適用することもできる。
【００１７】
【発明の効果】
以上述べた様に、本発明の積層型電子部品は、絶縁体層と導体パターンを積層した積層体内に、バンドパスフィルタとバランを内蔵し、バンドパスフィルタとバランは、積層体の積層方向から積層体を透視したときに互いに横に並び、かつ、バンドパスフィルタとバランの間隔が200μｍ以上有する様に積層体内に形成され、バンドパスフィルタとバランが不平衡用端子と１対の平衡用端子間に接続されるので、特性を劣化させることなく、使用周波数帯域外のノイズの除去と平衡信号と不平衡信号の変換を１つのチップ部品で達成できる。また、必要とされるバランの出力インピーダンスに影響されることなくフィルタの特性が最良になる様にフィルタの出力インピーダンスを設定することができる。
従って、本発明の積層型電子部品は、高周波（マイクロ波）通信機器の小型化に貢献することができると共に、従来よりも使用周波数帯域外のノイズ除去能力を向上させることができる。
また、本発明の積層型電子部品は、バンドパスフィルタとバラン間で互いに干渉することがないので、お互いの影響を考慮することなくバンドパスフィルタとバランの設計をすることができ、設計しやすくなると共に設計コストを下げることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の積層型電子部品を用いた高周波（マイクロ波）通信機器の回路例を示す回路図である。
【図２】  本発明の積層型電子部品の回路図である。
【図３】  本発明の積層型電子部品の第１の実施例を示す分解斜視図である。
【図４】  本発明の積層型電子部品の第１の実施例の斜視図である。
【図５】  本発明の積層型電子部品の上面図である。
【図６】  本発明の積層型電子部品の第１の実施例の特性を示すグラフである。
【図７】  本発明の積層型電子部品の特性を示すグラフである。
【図８】  本発明の積層型電子部品の特性を示す表である。
【図９】  本発明の積層型電子部品の第２の実施例を示す分解斜視図である。
【図１０】  本発明の積層型電子部品の第３の実施例を示す分解斜視図である。
【図１１】  本発明の積層型電子部品の第３の実施例の斜視図である。
【図１２】  本発明の積層型電子部品の第４の実施例を示す分解斜視図である。
【図１３】  本発明の積層型電子部品の第４の実施例の斜視図である。
【図１４】  高周波（マイクロ波）通信機器の回路図である。
【図１５】  別の高周波（マイクロ波）通信機器の回路図である。
【符号の説明】
１１  アンテナ
１２  スイッチング素子
１３  受信回路
１４  送信回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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