Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月1日(2008.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも部分的に壁（12）によって区画され、かつスパッタ用ガスが注入される入口（45）、およびイオンビーム（Ｂ）が引き出される開口（18）を有するイオン化室（14）と、
スパッタリングプラズマを形成するために前記スパッタ用ガスをイオン化する電子源（44）と、
前記電子源によって放出された電子を反射させ、さらに、前記電子源によってイオン化されて、スパッタリングされる材料源を供給するリペラ（100）と、
前記イオン化室（14）の壁に対して前記リペラ（100）に負バイアスを与えるための可変電源（114）と、
この電源（114）に制御信号（128）を出力して、イオン注入装置から受け入れられたイオンビーム電流のフィードバック信号（124）の一部に基づいて前記負バイアスを変化させるためのコントローラ（122）とを含み、
前記スパッタ可能なリペラ（100）は、スパッタ可能材料のスラグ（108）を含み、さらに前記イオン化室（14）内に前記スラグを取り付ける取付構造体（102,104）を含み、前記スラグは、前記取付構造体から取り外し可能であり、さらに、前記リペラ（100）は、前記イオン化室の壁（12）から絶縁され、かつ前記イオン化室の壁（12）に対して負にバイアスされていることを特徴とするイオン注入装置用のイオン源。
【請求項２】
前記スパッタ可能なリペラ（100）と前記電子源（44）は、前記イオン化室（14）の対向する端部に取り付けられていることを特徴とする請求項１記載のイオン源。
【請求項３】
前記取付構造体（102,104）は、炭化ケイ素(SiC)から構成されていることを特徴とする請求項１記載のイオン源。
【請求項４】
前記スパッタ可能材料の融点は、800℃以上であることを特徴とする請求項１記載のイオン源。
【請求項５】
前記スパッタ可能材料は、アルミニウム（Ａｌ）、ボロン（Ｂ）、ベリリウム（Ｂｅ）、炭素（Ｃ）、セシウム（Ｃｓ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、モリブデン（Ｍｏ）、アンチモン（Ｓｂ）またはシリコン（Ｓｉ）のいずれかの元素またはそれらのいくつかを含む化合物からなることを特徴とする請求項４記載のイオン源。
【請求項６】
前記電子源は、エンドキャップの陰極（44）によって少なくとも部分的に取り囲まれた加熱フィラメントを含んでいることを特徴とする請求項５記載のイオン源。
【請求項７】
前記リペラ（100）の電位は、前記スパッタ用ガスの電位と異なっていることを特徴とする請求項１記載のイオン源。
【請求項８】
イオン注入装置におけるイオン源（10）のためのリペラ（100）であって、
イオン化ガスによってスパッタリングされる材料からなるスパッタ電極スラグ（108）と、
前記スパッタ電極スラグを支持するブロック（102）と、
前記スパッタ電極スラグ（108）をブロック（102）に取外し可能に取り付けられるロック要素（104）とを含み、
前記スパッタ電極のスラグが、イオン化ガス内に含まれる電子を反射し、かつスパッタされる材料を供給して、この材料が前記イオン化ガスによってイオン化されるようになっており、さらに、
前記リペラ（100）に電気的な負バイアスを与えるための可変電源（114）と、
この電源（114）に制御信号（128）を出力して、イオン注入装置から受け入れられたイオンビーム電流のフィードバック信号（124）の一部に基づいて前記負バイアスを変化させるためのコントローラ（122）とを含むことを特徴とするイオン源用のリペラ。
【請求項９】
前記ロック要素（104）は、前記スパッタ電極スラグ（108）を前記ブロック（102）に固定するために前記ブロックに螺合することを特徴とする請求項８記載のリペラ。
【請求項１０】
前記ロック要素（104）と前記ブロック（102）は、炭化ケイ素(SiC)から構成されていることを特徴とする請求項８記載のリペラ。
【請求項１１】
前記スパッタ可能な材料の融点は、800℃以上であることを特徴とする請求項８記載のリペラ。
【請求項１２】
前記スパッタ可能な材料は、アルミニウム（Ａｌ）、ボロン（Ｂ）、ベリリウム（Ｂｅ）、炭素（Ｃ）、セシウム（Ｃｓ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、モリブデン（Ｍｏ）、アンチモン（Ｓｂ）またはシリコン（Ｓｉ）のいずれかの元素またはそれらのいくつかを含む化合物からなることを特徴とする請求項８記載のリペラ。
【請求項１３】
前記リペラ（100）の負バイアスは、前記イオン化ガスの電位と異なっていることを特徴とする請求項８記載のリペラ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月22日(2008.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 ＭＲシステムにおいて、第１及び第２の境界の間に延在する寸法を持つ指定された視野内にある物体の領域のＭＲ像を提供する方法であって、
前記物体領域に対して選択された空間関係にある複数のコイル要素で構成されたフェーズド・アレイ表面コイルを前記物体領域に対して選択された空間関係に位置決めするステップと、
前記コイル要素のサブセットをＭＲデータの取得に使用するために選択するステップであって、前記サブセットのコイル要素の数が、前記フェーズド・アレイに含まれるコイル要素の数よりも少なく、前記寸法に等しい長さを持つ範囲であって、あるコイル要素が、前記フェーズド・アレイに沿って延在し且つ前記寸法に等しい長さを持つ範囲であって、前記第１及び第２の境界にそれぞれ対応する位置の間に存在する該範囲の中に存在している場合に、該コイル要素が前記サブセットとして選択される、前記選択するステップと、
各々の前記選択されたコイル要素を作動して、前記物体領域のうちのそれぞれ対応する小領域からＭＲデータを取得するステップと、
前記選択されたコイル要素によって取得されたＭＲデータからのみ前記ＭＲ像を構成するステップと、を有することを特徴とする前記方法。
【請求項２】 前記フェーズド・アレイは前記コイル要素の線形アレイで構成され、前記ＭＲシステムにはアイソセンタを持つ主磁石が設けられており、前記の位置決めするステップは、前記フェーズド・アレイの各々のコイル要素が前記アイソセンタから一定の既知の距離の所に位置するように前記フェーズド・アレイ表面コイルを位置決めすることより成る請求項１記載の方法。
【請求項３】 前記の選択するステップは、前記アイソセンタに関して前記第１および第２の境界の位置を決定し、次いでコイル要素が前記アイソセンタに関する前記第１および第２の境界の位置の間に位置決めされている場合にのみ、該コイル要素をＭＲデータの取得に使用するために選択することより成る請求項２記載の方法。
【請求項４】 各々の前記コイル要素は、互いに対向する関係にある第１および第２の端を持っており、前記方法が更に、前記アイソセンタに関してそれぞれのコイル要素の前記第１および第２の端の位置を決定することを含んでおり、所与のコイル要素の前記第１および第２の端の位置が前記第１および第２の境界と比較されて、前記所与のコイル要素をＭＲデータの取得に使用するために選択すべきかどうかが決定される請求項３記載の方法。
【請求項５】 前記第１及び第２の境界の間に延在する前記寸法は既知であり、前記第１及び第２の境界のそれぞれの位置は、前記寸法から、並びに前記第１及び第２の境界の中間に位置する前記物体上のランドマークと前記アイソセンタとの間の既知の距離から、決定される請求項４記載の方法。
【請求項６】 コイル要素の前記第１および第２の端の位置は、該コイルの既知の長さから、並びに該コイル要素の中間点と前記アイソセンタとの間の既知の距離から、決定され、
ＭＲデータの取得に使用するために選択されていない前記フェーズド・アレイの各々のコイル要素は、データ取得の際にそれぞれ不作動にされる請求項５記載の方法。
【請求項７】 前記方法は、前記比較ステップおいて前記第１および第２の端の位置を使用する前に、前記コイル要素の前記第１および第２の端のそれぞれの位置をルックアップ・テーブルに記憶することを含んでいる請求項４記載の方法。
【請求項８】 前記ＭＲシステムは、前記コイル要素によってそれぞれ取得されたＭＲデータを受信するために、前記コイル要素にそれぞれ結合された受信増幅器を含んでおり、前記フェーズド・アレイの各々の前記コイル要素は、前記物体に関連したＭＲデータを取得するために作動可能であり、前記選択されたコイル要素にそれぞれ結合された前記受信増幅器によって受信されたデータのみが前記ＭＲ像を構成する際に用いられる請求項１記載の方法。
【請求項９】 前記フェーズド・アレイの各々の前記コイル要素は、前記物体に関連したＭＲデータを取得するために作動可能であり、前記の構成するステップは、前記像を構成するためのアルゴリズムを実行する前記ＭＲシステムの特定の構成部品を作動することを含み、前記選択されたコイル要素以外の前記コイル要素によって取得されたデータはどれも前記実行において無効にされる請求項１記載の方法。
【請求項１０】 第１及び第２の境界の間に延在する寸法を持つ指定された視野内にある物体の領域のＭＲ像を提供するＭＲ装置であって、
前記物体の領域内でＭＲ信号データを励起する手段と、
前記物体領域に対して選択された空間関係にある複数のコイル要素で構成されたフェーズド・アレイ表面コイルと、
ＭＲデータを取得するために使用するコイル要素を選択する電子回路であって、前記サブセットのコイル要素の数が、前記フェーズド・アレイに含まれるコイル要素の数よりも少なく、前記寸法に等しい長さを持つ範囲であって、あるコイル要素が、前記フェーズド・アレイに沿って延在し且つ前記寸法に等しい長さを持つ範囲であって、前記第１及び第２の境界にそれぞれ対応する位置の間に存在する該範囲の中に存在している場合に、該コイル要素が前記サブセットとして選択される、前記電子回路と、
前記コイル要素にそれぞれ結合された受信増幅器であって、前記選択されたコイル要素にそれぞれ結合された前記受信増幅器によって受信されたデータのみが前記ＭＲ像を構成する際に用いられる前記受信増幅器を有することを特徴とする前記装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月28日(2008.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 少なくとも、各々が撮像空間を画成する互いに反対向きのほぼ平面の磁極面を持つ複数の磁極片を備えていると共に、少なくとも１個の励起コイルおよび磁極片を持つ磁気励起手段を備えている開放型磁気共鳴イメージング・システムにおいて、前記磁極面が複数の磁気ブロックを有し、各々の磁気ブロックが、互いに非導電性基板により分離されているが、該基板により一緒に保持されている複数の積層シートで構成され、各積層シートが前記磁極面とほぼ平行に揃えられており、各積層シートがアモルファス強磁性材料で構成されていることを特徴とする、アーティファクトを低減した開放型磁気共鳴イメージング・システム。
【請求項２】 前記アモルファス材料が、残留磁化を減少させするために鉄−硼素（Ｆｅ−Ｂ）である請求項１に記載のシステム。
【請求項３】 前記アモルファス材料が、残留磁化を減少させするために鉄−硼素−珪素（Ｆｅ−Ｂ−Ｓｉ）である請求項１に記載のシステム。
【請求項４】 前記アモルファス材料が、残留磁化を減少させするために鉄−燐（Ｆｅ−Ｐ）である請求項１に記載のシステム。
【請求項５】 前記アモルファス材料が、残留磁化を減少させするために鉄−ニッケル−硼素（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｂ）である請求項１に記載のシステム。
【請求項６】 前記複数のブロックが特定方向において互いに間隔をあけて設けられており、この間隔が、該特定方向における時間変化する磁界に対する透磁率を１００〜５００の範囲に調節するように選択されている請求項１に記載のシステム。
【請求項７】 前記ブロックが複数の層を成すように設けられている請求項１に記載のシステム。
【請求項８】 前記複数のブロック層が互いに特定の間隔を有し、この層間の間隔を選択することにより、これらのブロック層の厚さ方向における時間変化する磁界に対する透磁率を、これらの磁界が磁極片に侵入しないで磁極片材料をバイアスするように調節している請求項７に記載のシステム。
【請求項９】 各々の前記ブロックが「スキン深さ」より小さい厚さの複数の積層シートから構成されている請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】 前記ブロックが約８０〜９５％の充填率を有する請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】 前記磁極片から磁束を受け取り、その磁束をＸ、ＹおよびＺ方向のそれぞれに選択的に差し向ける磁束導通体を備え、前記磁極面が複数の層から成り、各層が、ＸおよびＹ方向の各々における所定の透磁率に合致させるようにＸおよびＹ方向の各々において互いから離間された積層シートの複数のブロックで構成されていることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】 前記ブロックは、互いに基板により分離されているが、該基板により一緒に保持されている複数の積層シートで構成されており、ブロックの充填率、積層シート材料および基板材料が、前記積層シートに沿った方向および前記積層シートに垂直な方向の両方で所定の透磁率に合致するように選択されている請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】 前記層間の間隔がＺ方向における所定の透磁率に合致するように選択されている請求項１１に記載のシステム。
【請求項１４】 さらに、前記磁極片と前記磁極面との間に適当な材料の中実部材からなる磁束シールドであって、他のソースからの磁束が前記磁極片に入り込むのを減少させて前記磁極片の残留磁化を減少させるように作用する磁束シールドを含んでいる請求項１１に記載のシステム。
【請求項１５】 前記磁束シールドが焼鈍珪素鋼からなる請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】 隣り合う前記層のブロックを部分的にオーバーラップさせて、前記層に垂直および平行なソース磁束の相対量を制御する請求項１１に記載のシステム。
【請求項１７】 隣り合う前記層のブロックを部分的にオーバーラップさせて、前記層に垂直および平行な勾配磁束の相対量を制御する請求項１４に記載のシステム。
【請求項１８】 前記ブロックが渦電流を減少させる最小の長さと幅を有する、請求項１に記載の開放型ＭＲＩシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月26日(2008.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 少なくとも１つの導体層、
前記導体層に隣接して配置される第１の遮蔽層であって、該第１の遮蔽層が前記第１の遮蔽層に対して斜めに横切って延びている第１の断熱部を有する前記第１の遮蔽層、
前記導体層と前記第１の遮蔽層との間に配置され、ケーブルの第１の端から第２の端まで連続して結合されている第１の絶縁層、
前記第１の遮蔽層に対向する側において前記導体層に隣接して配置された第２の遮蔽層、及び
前記第２の遮蔽層と前記導体層との間に配置された第２の絶縁層、
を含み、
前記第２の遮蔽層が前記第２の遮蔽層に対して斜めに横切って延びている第２の断熱部を有し、
前記第１及び第２の断熱部が互いに反対の方向に傾斜していることを特徴とするケーブル。
【請求項２】 少なくとも１個の検出器、データ収集装置（ＤＡＳ）、及び前記検出器を含むコンピュータ断層撮影システム用のケーブルにおいて、
前記検出器を前記ＤＡＳに対して電気的に接続する導体層、
前記導体層に隣接して配置され且つ第１の断熱部を有する第１の固体遮蔽層であって、前記第１の断熱部が、前記第１の固体遮蔽層において複数の開口を有し、該複数の開口が前記第１の固体遮蔽層を斜めに横切って延びる一連の複数の開口である、前記第１の固体遮蔽層、
前記導体層と前記第１の固体遮蔽層との間に配置され、ケーブルの第１の端から第２の端まで連続して結合されている第１の絶縁層、
前記第１の固体遮蔽層に対向する側において前記導体層に隣接して配置され且つ第２の断熱部を有する第２の固体遮蔽層であって、前記第２の断熱部が、前記第２の固体遮蔽層において複数の開口を有し、該複数の開口が前記第２の固体遮蔽層を斜めに横切って延びる一連の複数の開口である、前記第２の固体遮蔽層、及び
前記導体層と前記第２の遮蔽層との間に配置された第２の絶縁層を含み、
前記第１及び第２の断熱部が互いに反対の方向に傾斜していることを特徴とするケーブル。
【請求項３】 少なくとも１個の検出器、データ収集装置（ＤＡＳ）、及び前記検出器を含むコンピュータ断層撮影システム用のケーブルにおいて、
前記検出器を前記ＤＡＳに対して電気的に接続する導体層、
前記導体層に隣接して配置される第１の遮蔽層であって、該第１の遮蔽層が前記第１の遮蔽層に対して斜めに横切って延びている第１の断熱部を有する前記第１の遮蔽層、
前記導体層と前記第１の遮蔽層との間に配置され、ケーブルの第１の端から第２の端まで連続して結合されている第１の絶縁層、
前記第１の遮蔽層に対向する側において前記導体層に隣接して配置された第２の遮蔽層、及び
前記第２の遮蔽層と前記導体層との間に配置された第２の絶縁層、
を含み、
前記第２の遮蔽層が前記第２の遮蔽層に対して斜めに横切って延びている第２の断熱部を有し、
前記第１及び第２の断熱部が互いに反対の方向に傾斜していることを特徴とするケーブル。
【請求項４】 前記ケーブルが柔軟である請求項１乃至３のいずれかに記載のケーブル。
【請求項５】 前記導体層が複数の導体を含んでいる請求項１乃至３のいずれかに記載のケーブル。
【請求項６】 少なくとも１個の検出器、データ収集装置（ＤＡＳ）、及び前記検出器を前記ＤＡＳに対して電気的に接続するためのケーブルを含むコンピュータ断層撮影システムにおいて、
前記ケーブルが
少なくとも１つの導体層、
前記導体層に隣接して配置される第１の遮蔽層であって、該第１の遮蔽層が前記第１の遮蔽層に対して斜めに横切って延びている第１の断熱部を有する前記第１の遮蔽層、
前記導体層と前記第１の遮蔽層との間に配置され、ケーブルの第１の端から第２の端まで連続して結合されている第１の絶縁層、
前記第１の遮蔽層に対向する側において前記導体層に隣接して配置された第２の遮蔽層、及び
前記第２の遮蔽層と前記導体層との間に配置された第２の絶縁層、
を含み、
前記第２の遮蔽層が前記第２の遮蔽層に対して斜めに横切って延びている第２の断熱部を有し、
前記第１及び第２の断熱部が互いに反対の方向に傾斜している
ことを特徴とするコンピュータ断層撮影システム。
【請求項７】 前記導体層が前記検出器を前記ＤＡＳに対して電気的に接続するように配列された複数の導体から成っている請求項６記載のシステム。
【請求項８】 前記導体が銅から成る請求項７記載のシステム。
【請求項９】 前記第１及び第２の遮蔽層が銅から成る請求項６記載のシステム。
【請求項１０】 前記第１および第２の遮蔽層が固体であり、前記第１の断熱部が前記第１の遮蔽層において複数の開口を有し、該複数の開口が前記第１の固体遮蔽層を斜めに横切って延びる一連の複数の開口であり、前記第２の断熱部が前記第２の遮蔽層において複数の開口を有し、該複数の開口が前記第２の固体遮蔽層を斜めに横切って延びる一連の複数の開口である請求項６記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月21日(2008.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体側及び眼球側のいずれかの屈折面又は両面に、所定の距離にあるものを見るための屈折力を有する第１屈折部と、この第１屈折部と異なる屈折力を有する第２屈折部と、前記第１屈折部から前記第２屈折部まで屈折力が累進的に変化する累進部とを備える累進屈折面を有し、累進屈折力眼鏡レンズとして眼鏡フレームに嵌め込まれて使用される基本レンズに補助レンズが組み合わされてなる組み合わせ眼鏡レンズにおいて、着脱自在に装着される補助レンズであって、
前記基本レンズの主子午線と一致する主注視線が、前記組み合わせ眼鏡レンズの累進開始点に対応する部分より上方、または前記組み合わせ眼鏡レンズの累進終了点に対応する部分より下方のいずれか一方又は両方に屈折力のない領域を有することを特徴とする補助レンズ。
【請求項２】
請求項１記載の補助レンズにおいて、
更に、前記主注視線が、前記基本レンズの累進開始点又は累進終了点近傍において屈折力が極大又は極小となる部分、又は前記主注視線の前記基本レンズの第１屈折部に対応する部分又は前記基本レンズの第２屈折部と対応する部分のいずれか一方に屈折力がほぼ一定の領域を有することを特徴とする補助レンズ。
【請求項３】
請求項１または２に記載の補助レンズを前記基本レンズに組み合わせた眼鏡レンズであって、
前記基本レンズのいずれかの屈折面の少なくとも２箇所に設計基準位置と所定の方向を示す第１アライメントマークが設けられ、前記補助レンズのいずれかの屈折面の少なくとも２箇所に前記設計基準位置と所定の方向を示す第２アライメントマークが設けられていることを特徴とする組み合わせ眼鏡レンズ。
【請求項４】
請求項３記載の組み合わせ眼鏡レンズにおいて、
前記第１アライメントマークが、フィッティングポイント及び水平方向を示す位置に設けられていることを特徴とする組み合わせ眼鏡レンズ。
【請求項５】
請求項３記載の組み合わせ眼鏡レンズにおいて、
前記第２アライメントマークが、前記第１アライメントマークと重なるそれぞれの位置に設けられていることを特徴とする組み合わせ眼鏡レンズ。
【請求項６】
請求項３〜５のいずれかに記載の組み合わせ眼鏡レンズを眼鏡フレームに嵌め込むための玉型加工方法であって、
眼鏡フレームに取り付けられる前記基本レンズと、前記基本レンズと組み合わされる前記補助レンズの相互の屈折面を所定の相対位置に位置決めする位置決め工程と、
位置決めした前記基本レンズと前記補助レンズとを貼り合わせる接着工程と、
前記基本レンズと前記補助レンズとを貼り合わせたまま前記基本レンズと前記補助レンズの玉型加工を行う玉型工程と、
前記基本レンズと前記補助レンズとを剥離させる剥離工程と
を有することを特徴とする組み合わせ眼鏡レンズの玉型加工方法。
【請求項７】
請求項６記載の組み合わせ眼鏡レンズの玉型加工方法において、
前記位置決め工程において、前記基本レンズに設けられている第１アライメントマークに対して前記補助レンズに設けられている第２アライメントマークを符合させるように位置決めすることを特徴とする組み合わせ眼鏡レンズの玉型加工方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月7日(2008.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
しかしながら、基本波の波長に応じて適切な分極反転周期は異なり、変換できる基本波長の範囲は非常に狭い。基本波の波長は、レーザ発光素子の個体差によってばらつきがあり、また、レーザ発光素子温度や環境温度により変動するため、常時、分極反転周期によって決まる変換波の位相に、基本波の位相を合わせることは困難である。そのため、非線形光学素子を用いたレーザ光源装置では、変換波と基本波の位相の不整合による波長変換効率の低下が生じ、出力パワーの安定したレーザ光の射出が容易でないという問題がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
Ｂ２．波長変換素子の作用について：
図５を参照して、第２実施例の波長変換素子の作用について説明する。第２実施例では、第１実施例と同様に、半導体レーザ装置１００ａから射出される基本波Ｆとして、２種類の波長λ１、λ２（λ１＞λ２）の光Ｗ１，Ｗ２を例に説明する。基本波Ｆが波長λ２の光Ｗ２である場合、光Ｗ２は波長λ２に応じた回折角θ２で回折し、二次高調波発生素子２００ａに入射する。一方、基本波Ｆが、波長がλ１の光Ｗ１である場合、光Ｗ１は、回折角θ２よりも大きな回折角θ１で回折し、二次高調波発生素子２００ａに入射する。すなわち、波長λ２の光Ｗ２は、入射角θ２で二次高調波発生素子２００ａに入射し、波長λ２よりも長い波長λ１の光Ｗ１は、入射角θ１で二次高調波発生素子２００ａに入射する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
二次高調波発生素子２００に入射する光Ｗ１，Ｗ２は、それぞれ波長に応じた異なる入射角θ１、θ２で入射するため、波長の長い光ほど、長い分極反転周期を選択して二次高調波発生素子２００内を通過する。こうすることにより、二次高調波の位相整合を擬似的に行うことができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
ダイクロイックミラー８１０，８１１は、ガラス基板に特定の波長域を反射する膜がコーティングされており、特定の波長の光だけを透過する鏡である。ダイクロイックミラー８１０，８１１は、入射光を赤色成分、緑色成分、青色成分の三原色に分離するためのフィルタとして機能する。本実施形態では、ダイクロイックミラー８１０は、赤色成分を透過すると共に、緑色成分を反射する。また、ダイクロイックミラー８１１は、赤色成分、緑色成分を反射するとともに、青色成分を透過する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
（３）二次高調波発生素子の分極領域、分極反転領域のパターニングと同時に透過型グレーティングを形成してもよい。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年7月11日(2008.7.11)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
シーケンス命令「古いパケット」が受信されると、即ち、処理されたパケットに、前に処理したパケットのシーケンス番号よりも少ないシーケンス番号が含まれている場合、ネットワーク処理部は、パケットのタイミングに基づいた現在の或いは古い配列のいずれかから、そのシーケンス番号を持つ登録を検索する。ネットワーク処理部が「損失」のマークと関連づけられた登録を発見し、その登録を変更した場合、ネットワーク処理部は、損失パケットを追跡している損失パケットカウンターを一つ減らす。損失とマークされたパケットがない場合、ネットワーク処理部は２倍のパケットを意味する。シーケンス番号は、ジター窓の深さよりも更に古いパケット日付である場合、ネットワーク処理部は検索を行わない。ドロップパケットのカウントを実行するこの方法は、ＲＴＣＰを用いて得られるものより、更に正確である。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
入力された見通しから、トラフィック管理部１７２は、ＲＴＰマルチメディアパケットフローを監視し、ＲＴＰマルチメディアパケットフローに割り当てられた帯域幅外である場合、ＲＴＰマルチメディアパケットをドロップすること、または、捨てるべきものとしてこれらをマークすることにより、最大データ送信レートを強化する。トラフィック管理部１７２は、セションルーター１１６（図１）によって割り当てられた帯域幅及びビットレートに従った特定の量のマルチメディアを受け入れ、より高いビットレートで受信したマルチメディアは、メディアルーター１１８によって、送信されない。セションルーター１１６（図１）によって明記される特徴は、セションルーター１１６（図１）を利用することなく、メディアルーター１１８によって直接プログラムされても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月23日(2008.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  デジタル小位相検出器であって、
第１の入力に関連する複数の遅延要素と、第２の入力と複数の出力に関連する複数のラッチ／レジスタ要素とを有する時間デジタル変換器（TDC）を備え、前記第１の入力は、第１のクロック信号を受信するように構成され、前記第２の入力は、基準クロック信号を受信して前記複数のラッチ／レジスタ要素が前記第２のクロックに関連する有意なエッジの遷移に応答して、前記第１のクロック信号データの遅れを表すベクトルの瞬時値を格納することができるように構成されたデジタル小位相検出器。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月12日(2007.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光学的評価方法により、半導体デバイスの要素の物理量の複数の実測値を得るステップ（ａ）と、
上記要素を形成するためのプロセス条件を仮定し、この仮定されたプロセス条件を用いたプロセスを経て形成される上記要素の構造を計算により求めるステップ（ｂ）と、
上記ステップ（ｂ）で求められた上記要素の構造を上記光学的評価方法により評価したときに得られる物理量の複数の測定値の予想値を計算するステップ（ｃ）と、
上記要素の物理量の上記複数の実測値と上記複数の測定値の予想値とに基づいて、上記要素の構造を推定するステップ（ｄ）と
を含む構造評価方法。
【請求項２】  請求項１に記載の構造評価方法において、
上記ステップ（ｂ）では、プロセスシミュレータを用いて上記計算を行なうことを特徴とする構造評価方法。
【請求項３】  請求項１又は２に記載の構造評価方法において、
予め複数のプロセス条件を用いたプロセスにより要素を形成して、上記光学的評価方法により、この要素の構造を求めておき、上記複数のプロセス条件とこのプロセス条件により形成された要素の構造との相関関係をデータベース化しておいて、
上記ステップ（ｂ）では、上記相関関係に基づいて上記要素の構造を計算により求めることを特徴とする構造評価方法。
【請求項４】  請求項１〜３のうちいずれか１つに記載の構造評価方法において、
上記プロセスは、結晶膜のエピタキシャル成長プロセスであることを特徴とする構造評価方法。
【請求項５】  請求項４に記載の構造評価方法において、
上記結晶膜は、複数の元素を含む結晶膜であることを特徴とする構造評価方法。
【請求項６】  請求項５に記載の構造評価方法において、
上記結晶膜は、Ｓｉ及びＧｅを含みバンドギャップが傾斜して変化する構造を含む結晶膜であることを特徴とする構造評価方法。
【請求項７】  請求項１〜６のうちいずれか１つに記載の構造評価方法において、
上記光学的評価方法は、分光エリプソメトリ法及び分光反射率測定法のうちいずれか一方であることを特徴とする構造評価方法。
【請求項８】  半導体デバイスの要素を含む複数のウェハのうち１つの評価用ウェハについて、光学的評価方法により、上記要素の物理量の複数の実測値を得るステップ（ａ）と、
上記評価用ウェハの上記要素を形成するためのプロセス条件を仮定し、この仮定されたプロセス条件を用いたプロセスを経て形成される上記要素の構造を計算により求めるステップ（ｂ）と、
上記ステップ（ｂ）で求められた上記要素の構造を上記光学的評価方法により評価したときに得られる物理量の複数の測定値の予想値を計算するステップ（ｃ）と、
上記評価用ウェハの上記要素の物理量の上記複数の実測値と上記複数の測定値の予想値とに基づいて、上記要素の構造を推定するステップ（ｄ）と、
上記評価用ウェハの上記要素の推定された構造と上記複数のウェハの設計構造との相違が許容範囲外である場合には、上記複数のウェハのうち少なくとも上記評価用ウェハ以外のウェハについて、上記プロセスのプロセス条件を補正するステップ（ｅ）と
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項９】  請求項８に記載の半導体装置の製造方法において、
上記プロセスは、結晶膜のエピタキシャル成長プロセスであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】  請求項９に記載の半導体装置の製造方法において、
上記結晶膜は、複数の元素を含む結晶膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】  請求項１０に記載の半導体装置の製造方法において、
上記結晶膜は、Ｓｉ及びＧｅを含みバンドギャップが傾斜して変化する構造を含む結晶膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】  光学的評価法により半導体デバイスの要素の特性評価を行なうために使用されるコンピュータに組み込み可能な記録媒体であって、
上記半導体デバイスの要素の物理量の複数の実測値を取り込む手順（ａ）と、
上記要素を形成するためのプロセス条件を仮定し、この仮定されたプロセス条件を用いたプロセスを経て形成される上記要素の構造を計算により求める手順（ｂ）と、
上記手順（ｂ）で求められた上記要素の構造を上記光学的評価方法により評価したときに得られる物理量の複数の測定値の予想値を計算する手順（ｃ）と、
上記要素の物理量の上記複数の実測値と上記複数の測定値の予想値とに基づいて、上記要素の構造を推定する手順（ｄ）と
をコンピュータに実行させるプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月13日(2008.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （ａ）第１の材料でできた上側表面及びこの上側表面から下向きに延びる開口を有する基材を提供すること、ここで前記開口は、部分的に誘電体材料で満たされており、且つ前記上側表面によって作られる上側平面の下のボイド領域を有する、
（ｂ）前記上側表面上にシリコンフィルムを堆積させ、前記ボイド領域を充填すること、
（ｃ）前記シリコンフィルムを熱的に酸化させ、それによって前記シリコンフィルムを二酸化ケイ素フィルムにすること、及び
（ｄ）前記二酸化ケイ素フィルムの一部を前記上側平面上から除去すること、
を含む、絶縁トレンチ構造を形成する方法。
【請求項２】  前記工程（ｄ）が、前記ボイド領域内に残りこのボイド領域を満たす前記二酸化ケイ素フィルムのキャップ部分を作ることを含み、前記キャップ部分が、前記上側表面と実質的に共面の上部表面を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記工程（ｄ）が化学機械研磨を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】  前記誘電体材料が化学気相堆積によって作られている、請求項１に記載の方法。
【請求項５】  前記工程（ａ）が、
（１）第１の材料をその上に有する半導体基材を提供すること、
（２）前記第１の材料を通って前記半導体基材内にまで延びる前記開口をエッチングすること、
（３）前記上側表面上に前記誘電体材料のフィルムを堆積させ、前記開口を充填すること、及び
（４）前記上側表面上から前記誘電体材料のフィルムの一部を除去し、前記開口内において前記誘電体の上側面が前記上側平面の下にへこんでいるようにし、それによって前記ボイド領域を作ること、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】  前記第１の材料が窒化ケイ素を含み、この第１の材料を前記半導体基材上に作られた更なる二酸化ケイ素フィルム上に提供し、且つ前記工程（２）が、前記更なる二酸化ケイ素フィルムを通して前記開口をエッチングすることを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】  （ｅ）前記第１の材料を除去すること、を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】  前記第１の材料が窒化ケイ素を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】  前記工程（ｂ）が、多結晶シリコンフィルム及びアモルファスシリコンフィルムのうちの一方を堆積させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】  前記工程（ｃ）が、５５０℃〜１，１００℃の温度での急速熱焼きなまし及び炉酸化の一方を含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月27日(2008.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ベース基板、絶縁層およびシリコン層を含むＳＯＩ基板と、
上記ＳＯＩ基板に形成されかつ上記シリコン層および絶縁層を貫通して上記ベース基板にまで伸びる少なくとも１つのトレンチを含むトレンチ・キャパシタと、
上記ＳＯＩ基板に形成された抵抗素子と、
を含む、半導体装置。
【請求項２】  上記少なくとも１つのトレンチはこの少なくとも１つのトレンチに配置された少なくとも１つの絶縁体層を含むものである、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】  上記少なくとも１つのトレンチ・キャパシタは、上記絶縁体層の第１の側に配置された少なくとも１つの第１の導電性層と、上記絶縁体層のその反対の第２の側に配置された少なくとも１つの第２の導電性層と、を含むものである、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】  上記少なくとも１つの第１の導電性層および上記少なくとも１つの第２の導電性層は上記トレンチ・キャパシタの第１の電極を形成するものである、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】  上記少なくとも１つのトレンチに隣接する上記ベース基板の部分は上記トレンチ・キャパシタの第２の電極を形成するものである、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】  上記トレンチ・キャパシタは上記シリコン層および上記絶縁体層を貫通して上記ベース基板層にまで伸びる少なくとも１つの追加的トレンチを含むものである、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】  上記少なくとも１つの追加的トレンチはその中に配置された導電性層を含むものである、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】  上記少なくとも１つの追加的トレンチは上記ＳＯＩ基板の上記ベース基板層に接触するためのコンタクト構造を形成するものである、請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】  上記半導体装置は、さらに、上記ＳＯＩ基板に形成され上記抵抗素子まで伸びる少なくとも１つの第１のトレンチを含み、この少なくとも１つの第１のトレンチは導電性材料が充填されているものであり、
上記半導体装置は、さらに、上記ＳＯＩ基板に形成され上記シリコン層および上記絶縁体層を貫通して上記ベース基板にまで伸びる少なくとも１つの第１の分離トレンチを含み、この少なくとも１つの第１の分離トレンチは絶縁材料が充填されているものである、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１０】  ベース基板、絶縁層およびシリコン層を含むＳＯＩ基板を供給するステップと、
上記シリコン層および上記絶縁層を貫通して上記ベース基板まで伸びる少なくとも１つのトレンチ構造を形成するステップと、
上記ＳＯＩ基板に少なくとも１つの抵抗素子を形成するステップと、
を含む、半導体装置を形成する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月3日(2008.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１入力ノード、第２入力ノードおよび出力ノードを有する主増幅器と、
前記主増幅器の前記第１入力ノードと前記出力ノードとの間に結合されたフィードバック抵抗器と、
第１入力ノード、第２入力ノードおよび出力ノードを有する補正ループ増幅器であって、前記補正ループ増幅器の第１入力ノードが前記主増幅器の前記第１入力ノードに結合された前記補正ループ増幅器と、
前記補正ループ増幅器の前記出力ノードと前記主増幅器の前記第２入力ノードとの間に結合された第１抵抗器と、を備えた電力増幅回路。
【請求項２】  主増幅器と補正増幅器とを備え、前記主増幅器が第１入力ノード、第２入力ノードおよび出力ノードを有し、前記補正増幅器が第１入力ノード、第２入力ノードおよび出力ノードを有する、増幅回路内のひずみを補正するための方法であって、
前記主増幅器の出力ノードからの出力信号を第１抵抗器を介して前記主増幅器の第１入力ノードまでフィードバックする工程と、
前記出力信号を前記第１抵抗器を介して前記補正増幅器の第１入力ノードまでフィードバックする工程と、
前記補正増幅器の前記出力ノードに補正信号を発生する工程と、
第２抵抗器を介して前記主増幅器の第２入力ノードに前記補正信号を供給する工程とを備えた、増幅回路内のひずみを補正する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月14日(2007.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンテンツのデータを挿入する複数の領域を有するテンプレートのレイアウトを、前記領域に入力されるコンテンツのデータに応じて動的に変更し、電子文書を生成する情報処理方法であって、
前記領域に前記コンテンツのデータを挿入し、前記コンテンツのデータが前記領域からオーバフローすると、前記オーバフローしたデータを前記電子文書に付加する付加ステップを有することを特徴とする情報処理方法。
【請求項２】
前記付加ステップは、前記オーバフローしたデータをアノテーション形式のデータとして前記電子文書に付加し、
さらに、前記アノテーション形式のデータを前記電子文書とは別に表示する表示ステップを有することを特徴とする請求項1に記載された情報処理方法。
【請求項３】
文書テンプレートの定義に従い、レコードごとに管理されるコンテンツを複数のコンテナに挿入して電子文書を生成する情報処理方法であって、
前記コンテナにコンテンツを挿入した際に、前記コンテナからの前記コンテンツのデータのオーバフローを検出する検出ステップと、
前記オーバフローしたデータをアノテーション形式のデータとして前記電子文書に付加する付加ステップとを有することを特徴とする情報処理方法。
【請求項４】
前記付加ステップは、前記コンテナに収まらなかった前記コンテンツのテキストデータを前記オーバフローしたデータとすることを特徴とする請求項3に記載された情報処理方法。
【請求項５】
前記付加ステップは、前記コンテナに挿入した前記コンテンツの画像データが予め定めた縮小率よりも縮小された場合、前記縮小の前の画像データを前記オーバフローしたデータとすることを特徴とする請求項3または請求項4に記載された情報処理方法。
【請求項６】
前記付加ステップは、前記オーバフローが発生した位置に関する位置情報を前記アノテーション形式のデータに付加することを特徴とする請求項3から請求項5の何れか一項に記載された情報処理方法。
【請求項７】
さらに、前記アノテーション形式のデータに付加された前記位置情報に基づき、前記アノテーション形式のデータの存在を示すマーカを付加した、前記電子文書に相当する文書を表示するステップを有することを特徴とする請求項6に記載された情報処理方法。
【請求項８】
さらに、前記マーカに対するユーザの操作に応じて、前記アノテーション形式のデータを、前記文書とは別に表示するステップを有することを特徴とする請求項7に記載された情報処理方法。
【請求項９】
文書テンプレートの定義に従い、レコードごとに管理されるコンテンツを複数のコンテナに挿入した電子文書を受信する受信ステップと、
前記電子文書にアノテーション形式のデータが付加されている場合、前記アノテーション形式のデータが含む位置情報に基づき、前記アノテーション形式のデータの存在を示すマーカを付加した、前記電子文書に相当する文書の表示データを生成する生成ステップとを有することを特徴とする情報処理方法。
【請求項１０】
さらに、前記マーカに対するユーザの操作に応じて、前記文書とは別に、前記アノテーション形式のデータを表示する表示データを生成するステップを有することを特徴とする請求項9に記載された情報処理方法。
【請求項１１】
さらに、前記電子文書に前記アノテーション形式のデータが付加されている場合、前記アノテーション形式のデータが含む位置情報に基づき、前記アノテーション形式のデータの存在を示すマーカを付加した、前記電子文書に相当する文書の印刷データを形成するステップと、
前記文書とは別に、前記マーカに関連付けた前記アノテーション形式のデータを印刷する印刷データを形成するステップとを有することを特徴とする請求項9または請求項10に記載された情報処理方法。
【請求項１２】
さらに、前記電子文書に前記アノテーション形式のデータとしてテキストデータが付加されている場合、前記アノテーション形式のデータが含む位置情報に基づき、前記テキストデータがオーバフローした領域の印刷条件を調整するステップと、
前記印刷条件の調整により前記領域に前記テキストデータを含めた、前記電子文書に相当する文書の印刷データを形成するステップとを有することを特徴とする請求項9または請求項10に記載された情報処理方法。
【請求項１３】
文書テンプレートの定義に従い、レコードごとに管理されるコンテンツを複数のコンテナに挿入して電子文書を生成する情報処理装置であって、
前記コンテナにコンテンツを挿入した際のオーバフローを検出する検出手段と、
前記オーバフローしたデータをアノテーション形式のデータとして前記電子文書に付加する付加手段とを有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項１４】
文書テンプレートの定義に従い、レコードごとに管理されるコンテンツを複数のコンテナに挿入した電子文書を受信する受信手段と、
前記電子文書にアノテーション形式のデータが付加されている場合、前記アノテーション形式のデータが含む位置情報に基づき、前記アノテーション形式のデータの存在を示すマーカを付加した、前記電子文書に相当する文書の表示データを生成する生成手段とを有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項１５】
情報処理装置を制御して、請求項1から請求項12の何れか一項に記載された情報処理を実行することを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項１６】
請求項15に記載されたコンピュータプログラムが記録されたことを特徴とするコンピュータが読み取り可能な記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明にかかる情報処理は、コンテンツのデータを挿入する複数の領域を有するテンプレートのレイアウトを、前記領域に入力されるコンテンツのデータに応じて動的に変更し、電子文書を生成する情報処理であって、前記領域に前記コンテンツのデータを挿入し、前記コンテンツのデータが前記領域からオーバフローすると、前記オーバフローしたデータを前記電子文書に付加する付加ステップを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、文書テンプレートの定義に従い、レコードごとに管理されるコンテンツを複数のコンテナに挿入して電子文書を生成する情報処理であって、前記コンテナにコンテンツを挿入した際に、前記コンテナからの前記コンテンツのデータのオーバフローを検出する検出ステップと、前記オーバフローしたデータをアノテーション形式のデータとして前記電子文書に付加する付加ステップとを有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、文書テンプレートの定義に従い、レコードごとに管理されるコンテンツを複数のコンテナに挿入した電子文書を受信する受信ステップと、前記電子文書にアノテーション形式のデータが付加されている場合、前記アノテーション形式のデータが含む位置情報に基づき、前記アノテーション形式のデータの存在を示すマーカを付加した、前記電子文書に相当する文書の表示データを生成する生成ステップとを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月14日(2008.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と第２基板との間に挟持された液晶層を備え、マトリクス状に配置された複数の表示画素からなる表示部を有するＯＣＢモードの液晶表示装置であって、
前記第１基板は、前記複数の表示画素のそれぞれに対応して配置された画素電極を有し、
前記第２基板は、前記複数の画素電極に対向する対向電極を有し、
前記第１基板および前記第２基板は、前記画素電極および前記対向電極上にそれぞれ配置されているとともに、ラビング処理によって前記液晶層に含まれる液晶分子の配向状態を制御する一対の配向膜、を備え、
各表示画素において、前記配向膜のラビング方向の終端側に、前記液晶層に含まれる液晶分子の配向状態を非表示状態から表示状態へ転移させるための電界を形成する転移形成部が設けられている液晶表示装置。
【請求項２】
前記転移形成部は、矩形状の表示画素の長辺上に設けられた請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記転移形成部は、矩形状の表示画素の短辺上に設けられた請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
さらに、ラビング方向の始端側に転移形成部が設けられた請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記転移形成部は、等間隔に設けられた請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記転移形成部は、矩形状の表示画素の長辺と短辺との交差部側に設けられた請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記転移形成部は、前記長辺の前記短辺と交差する一端側までの間隔が前記長辺の他端側までの間隔より小さくなるような位置に設けられた請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記転移形成部は、前記画素電極と、前記画素電極とは異なる電位であって且つ前記画素電極と絶縁層を介して少なくともその一部が対向する配線とで構成された請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記画素電極は、前記転移形成部において凹部を有し、
前記配線は、前記凹部と重なるように配置されている請求項８記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記画素電極は、前記転移形成部において凸部を有し、
前記配線は、前記凸部と重なるように配置されている請求項８記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記配線は、表示画素が配列する列に沿って配置された信号線、表示画素が配列する行に沿って配置された走査線、及び、前記走査線と並んで配置された補助容量線の少なくとも１つである請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
外部の温度を測定する測定手段と、
液晶分子の配向状態を表示状態へ転移させる際に、前記測定手段によって測定された温度が所定温度よりも低い場合に、前記対向電極に印加する電圧を制御して前記液晶層に印加される電圧を所定温度のときの設定電圧より大きく設定するコントローラと、をさらに備えた請求項１記載の液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
ここで、ラビング方向Ｄ１の終端側の端辺ＰＥ１とは、図３に示すように、各表示画素において、画素電極ＰＥの端辺のうち、ラビング方向Ｄ１と２回目以降に交差する端辺である。すなわち、本実施形態の場合は、ラビング方向Ｄ１の終端側の端辺ＰＥ１は、画素スイッチＳＷに隣接する端辺となる。すなわち、本実施形態では、画素電極ＰＥの凹部ＰＥＡは、画素電極ＰＥの長辺であってラビング方向Ｄ１の終端側の端辺ＰＥ１に配置されている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月3日(2008.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】アルミニウム、マグネシウム及びロジウムを含有することを特徴とする亜酸化窒素分解触媒。
【請求項２】 アルミニウム、マグネシウム及びロジウムが担体に担持されていることを特徴とする請求項１に記載の亜酸化窒素分解触媒。
【請求項３】 マグネシウム及びロジウムがアルミナ担体に担持されていることを特徴とする請求項１に記載の亜酸化窒素分解触媒。
【請求項４】アルミニウムの少なくとも一部とマグネシウムにより、スピネル型結晶性複合酸化物が形成されている担体に、ロジウムが担持されていることを特徴とする請求項１に記載の亜酸化窒素分解触媒。
【請求項５】亜鉛、鉄、マンガン及びニッケルからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属、アルミニウム及びロジウムを含有することを特徴とする亜酸化窒素分解触媒。
【請求項６】亜鉛、鉄、マンガン及びニッケルからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属、アルミニウム及びロジウムが担体に担持されていることを特徴とする請求項５に記載の亜酸化窒素分解触媒。
【請求項７】亜鉛、鉄、マンガン及びニッケルからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属及びロジウムが、アルミナ担体に担持されていることを特徴とする請求項５に記載の亜酸化窒素分解触媒。
【請求項８】アルミニウムの少なくとも一部と、亜鉛、鉄、マンガン及びニッケルからなる群から選ばれる少なくとも１種の金属により、スピネル型結晶性複合酸化物が形成されている担体にロジウムが担持されていることを特徴とする請求項５に記載の亜酸化窒素分解触媒。
【請求項９】請求項１〜８のいずれかに記載の亜酸化窒素分解触媒と亜酸化窒素を含有するガスを接触させることを特徴とする亜酸化窒素の分解方法。
【プルーフの要否】要
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月19日(2007.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】アナターゼ型酸化チタン微粒子が水中に分散している分散液であって、該分散液がチタンに対してモル比で３．０×１０-3以上１５×１０-3以下のペルオキソ基を含有することを特徴とする、アナターゼ型酸化チタン分散液。
【請求項２】チタンに対してモル比で３．０×１０-3以上１５×１０-3以下のペルオキソ基を含有するアナターゼ型酸化チタン微粒子が水中に分散していることを特徴とする、アナターゼ型酸化チタン分散液。
【請求項３】チタン化合物に過酸化水素水を添加して得られたペルオキソチタン溶液を８０℃〜２５０℃で加熱処理することを特徴とするアナターゼ型酸化チタン分散液の製造方法。
【請求項４】加熱温度が８０℃〜２００℃であることを特徴とする請求項３記載のアナターゼ型酸化チタン分散液の製造方法。
【請求項５】加熱時間が４分以上１５分以内であることを特徴とする請求項３または４記載のアナターゼ型酸化チタン分散液の製造方法。
【請求項６】マイクロウエーブで加熱することを特徴とする請求項３〜５のいずれか１項に記載のアナターゼ型酸化チタン分散液の製造方法。
【請求項７】請求項３〜６記載の製造方法のいずれかで製造したことを特徴とするアナターゼ型酸化チタン分散液。