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【手続補正書】
【提出日】平成20年10月20日(2008.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記調整機構は、前記供給口から前記気体を供給する場合には、前記供給口を前記被露光体方向へ移動させ、前記気体供給以外の場合には、前記供給口を前記被露光体から退避させることを特徴とする請求項４記載の露光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月3日(2008.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板のシリコン含有表面上にＴｉ合金膜を形成する基板処理装置の基板処理方法であって，
前記被処理基板において露出するシリコン含有表面をアモルファス化せず，前記シリコン含有表面上の異物をプラズマを用いずに除去する異物除去処理工程と，
前記被処理基板の温度をＴｉと前記シリコン含有表面との反応が起こらない温度範囲に設定して，前記シリコン含有表面にＴｉ含有原料ガスを供給してＴｉ膜を成膜するＴｉ膜成膜処理工程と，
前記被処理基板を熱処理して前記Ｔｉ膜と前記シリコン含有表面とを反応させ，前記シリコン含有表面上に下地との界面が平坦なＴｉ合金膜を形成する合金化処理工程と，
を前記被処理基板を大気に露出することなく，前記基板処理装置内で連続して実行することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
前記異物除去処理工程は，
前記被処理基板上に励起ガスを供給し，前記シリコン含有表面上の前記異物と前記励起ガスのガス成分とを化学反応させて生成物を生成するための生成物生成処理工程と，
前記被処理基板を熱処理して前記シリコン含有表面上の前記生成物を昇華除去するための生成物除去処理工程とを連続して実行することを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記合金膜は，Ｔｉシリサイド膜であり，
前記合金化処理工程は，前記被処理基板を熱処理して前記Ｔｉ膜と前記シリコン含有表面との反応を起こさせることによってＴｉシリサイド膜を形成するシリサイド形成処理工程であることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記Ｔｉ膜成膜処理工程は，前記Ｔｉ膜の成膜処理を，前記Ｔｉ膜のシリサイド相が形成されない程度の温度範囲で実行し，
前記シリサイド形成処理工程は，前記Ｔｉ膜の熱処理を，前記Ｔｉ膜のシリサイド相が形成される程度の温度範囲で実行することを特徴とする請求項３に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記Ｔｉ膜成膜処理工程は，前記Ｔｉ膜の成膜処理を，５８０℃未満の温度範囲で実行し，
前記シリサイド形成処理工程は，前記Ｔｉ膜の熱処理を，５８０℃以上の温度範囲で実行することを特徴とする請求項４に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記Ｔｉ膜成膜処理工程は，前記被処理基板上に前記Ｔｉ含有原料ガスを供給して前記シリコン含有表面上に前記Ｔｉ膜の吸着反応を生じさせる工程と，還元ガスを供給して前記シリコン含有表面上に吸着した前記Ｔｉ膜を還元する工程とを複数回繰返すことにより，前記Ｔｉ膜を成膜することを特徴とする請求項５に記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記Ｔｉシリサイド膜上にＴｉ含有原料ガスと窒化ガスを供給して，前記Ｔｉシリサイド膜上にＴｉＮ膜を成膜するＴｉＮ膜成膜工程と，
を含むことを特徴とする請求項３〜６のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項８】
被処理基板のシリコン含有表面上にＴｉシリサイド膜を形成する基板処理装置の基板処理方法であって，
前記被処理基板において露出するシリコン含有表面をアモルファス化せず，前記シリコン含有表面上の異物をプラズマを用いずに除去する異物除去処理工程と，
前記被処理基板の温度をＴｉと前記シリコン含有表面との反応が起こらない温度範囲に設定して，前記シリコン含有表面にＴｉ含有原料ガスを供給してＴｉ膜を成膜するＴｉ膜成膜処理工程と，
前記被処理基板を熱処理して前記Ｔｉ膜と前記シリコン含有表面との珪化反応を起させることによって，準安定なシリサイド相のＴｉシリサイド膜を形成する準安定シリサイド相形成処理工程と，
前記被処理基板を熱処理して前記Ｔｉ膜と前記シリコン含有表面との珪化反応を起させることによって，安定なシリサイド相のＴｉシリサイド膜を形成する安定シリサイド相形成処理工程と，
を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項９】
被処理基板のシリコン含有表面上にＴｉシリサイド膜を形成する基板処理装置の基板処理方法を実行するプログラムを記憶した記録媒体であって，
コンピュータに，
前記被処理基板において露出するシリコン含有表面をアモルファス化せず，前記シリコン含有表面上の異物をプラズマを用いずに除去する異物除去ステップと，
前記被処理基板の温度をＴｉと前記シリコン含有表面との反応が起こらない温度範囲に設定して，前記シリコン含有表面にＴｉ含有原料ガスを供給してＴｉ膜を成膜するＴｉ膜成膜処理ステップと，
前記被処理基板を熱処理して前記Ｔｉ膜と前記シリコン含有表面との珪化反応を起させることによって，Ｔｉシリサイド膜を形成するシリサイド形成処理ステップと，
を前記基板処理装置内で連続して実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項１０】
被処理基板のシリコン含有表面上にＴｉシリサイド膜を形成する基板処理装置の基板処理方法を実行するプログラムであって，
コンピュータに，
前記被処理基板において露出するシリコン含有表面をアモルファス化せず，前記シリコン含有表面上の異物をプラズマを用いずに除去する異物除去ステップと，
前記被処理基板の温度をＴｉと前記シリコン含有表面との反応が起こらない温度範囲に設定して，前記シリコン含有表面にＴｉ含有原料ガスを供給してＴｉ膜を成膜するＴｉ膜成膜処理ステップと，
前記被処理基板を熱処理して，前記Ｔｉ膜と前記シリコン含有表面との珪化反応を起させることによって，Ｔｉシリサイド膜を形成するシリサイド形成処理ステップと，
を前記基板処理装置内で連続して実行させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月25日(2008.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配向性を有する複数のカーボンナノチューブをボンディング部材或いはバンプ部材と合金化が可能な金属からなる埋込部材で埋め込むとともに、前記カーボンナノチューブの先端部を前記埋込部材から露出させることを特徴とするカーボンナノチューブパッド。
【請求項２】
上記カーボンナノチューブの長さ方向が、パッド面と垂直な方向に配向していることを特徴とする請求項１記載のカーボンナノチューブパッド。
【請求項３】
請求項１または２に記載のカーボンナノチューブパッドを備えたことを特徴とする電子デバイス。
【請求項４】
上記カーボンナノチューブの先端部が、ボンディング部材或いはバンプ部材と直接接触していることを特徴とする請求項３記載の電子デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月25日(2008.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
筐体に収容された電子回路基板の電気的接続後、該筐体内にコーティング剤を充填して前記電子回路基板を浸漬した後、前記コーティング剤を排出することにより前記電子回路基板に該コーティング剤を塗布するコーティング剤塗布方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
筐体内に収容された電子回路基板を有し、前記電子回路基板には、該電子回路基板を前記筐体に組付けた状態で、該筐体内にコーティング剤を充填して前記電子回路基板を浸漬した後、前記コーティング剤を排出することにより該コーティング剤の塗布が行われる電子制御装置であって、
前記筐体は、注入／排出用ノズルを挿入可能な開口部を有するとともに、前記電子回路基板には、前記注入／排出用ノズルの筐体底部への挿入を可能とするノズル挿通部が形成されること、を特徴とする電子制御装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記問題点を解決するために、請求項１に記載の発明は、筐体に収容された電子回路基板の電気的接続後、該筐体内にコーティング剤を充填して前記電子回路基板を浸漬した後、前記コーティング剤を排出することにより前記電子回路基板に該コーティング剤を塗布するコーティング剤塗布方法であること、を要旨とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項２に記載の発明は、筐体内に収容された電子回路基板を有し、前記電子回路基板には、該電子回路基板を前記筐体に組付けた状態で、該筐体内にコーティング剤を充填して前記電子回路基板を浸漬した後、前記コーティング剤を排出することにより該コーティング剤の塗布が行われる電子制御装置であって、前記筐体は、注入／排出用ノズルを挿入可能な開口部を有するとともに、前記電子回路基板には、前記注入／排出用ノズルの筐体底部への挿入を可能とするノズル挿通部が形成されること、を要旨とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月7日(2008.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
また、特許文献１に記載の送信機において、センサから出力される検出信号をデジタル信号に変換するのではなく、アナログ信号のままＦＭ変調して被変調信号を送信するテレメータ（以下、第２のテレメータという）が提案されている。
【特許文献１】特公平３−１８２４０号公報
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月8日(2008.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、ＡＣアダプタ及びバッテリーパックの何れから電源を供給されて動作している場合でも、装着されているメモリカードを、当該動作を停止させることなく安全に取り外すことが可能なラップトップ型パーソナルコンピュータを提供することにある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明によれば、ＡＣアダプタ及びバッテリーパックの何れから電源を供給されて動作している場合でも、装着されているメモリカードを、当該動作を停止させることなく安全に取り外すことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月18日(2008.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気ディスクと、
前記磁気ディスクにアクセスするヘッドと、
加速度を検出可能なセンサ部と、
前記センサ部の出力に基づいて落下を判定する第１の判定部と、
前記第１の判定部が落下を判定したことに応じて前記ヘッドの退避を実行する処理部と、
前記センサ部の出力に基づいて衝撃の発生を検出する第２の判定部とを備える磁気ディスク装置であって、
前記処理部は、前記第１の判定部が落下を判定した後に前記第２の判定部が衝撃の発生を検出したか否かによって落下の誤判定を検出し、誤判定の検出履歴に基づいて、前記第１の判定部における落下の判定条件を変更し、更に落下の誤判定が所定回数を超えた場合に、前記第１の判定部が落下を判定し難くなるよう前記判定条件を変更する、磁気ディスク装置。
【請求項２】
前記センサ部は、無重力状態であることを検出して検出信号を生成する無重力センサと落下による衝撃の加速度変動を検出する衝撃センサとを含み、
前記第１の判定部は、前記無重力センサの検出信号に基づいて落下の判定を行い、
前記第２の判定部は、前記衝撃センサの検出信号に基づいて衝撃の判定を行う請求項１に記載の磁気ディスク装置。
【請求項３】
前記判定条件の変更は、前記第１の判定部が前記センサ部の出力信号の変動を検出してから落下を判定するまでの判定時間を変更するものである請求項１に記載の磁気ディスク装置。
【請求項４】
前記第１の判定部は、前記センサ部が検出する加速度に対する閾値判定を行って落下を判定するものであり、
前記判定条件の変更は、前記閾値を変更するものである請求項１に記載の磁気ディスク装置。
【請求項５】
前記センサ部と前記第1の判定部との間にローパスフィルタを更に備え、
落下の誤判定が所定回数を超えた場合に、前記ローパスフィルタを無効とする、または前記ローパスフィルタの透過帯域を高周波側に拡大する請求項1に記載の磁気ディスク装置。
【請求項６】
磁気ディスクと、
前記磁気ディスクにアクセスするヘッドと、
加速度を検出可能なセンサ部と、
前記センサ部の出力に基づいて落下状態にあるか否かを判定する第１の判定部と、
前記第１の判定部が落下状態にあることを判定したことに応じて前記ヘッドの退避を実行する処理部と、
前記センサ部の出力に基づいて衝撃の発生を検出する第２の判定部とを備える磁気ディスク装置であって、
前記処理部は、前記ヘッドの退避を開始した後に前記第１の判定部による落下状態の判定が解除されたこと、及び、前記落下状態の判定の解除後に前記第２の判定部が衝撃を検出しないことに応じて、前記第１の判定部による落下状態の判定が解除されてから第１の所定時間経過後に前記ヘッドの復帰を行う磁気ディスク装置。
【請求項７】
前記処理部は、前記ヘッドの退避を開始した後に前記第２の判定部による衝撃を検出した場合、第２の所定時間経過後に、前記ヘッドの復帰を行う請求項６に記載の磁気ディスク装置。
【請求項８】
前記第１の所定時間は、第２の所定時間よりも短い請求項７に記載の磁気ディスク装置。
【請求項９】
前記処理部は、前記ヘッドの退避を開始した後に前記第１の判定部による落下状態の判定が解除された場合に、前記落下状態の判定が解除された時点を含む所定の時間内に前記第２の判定部が衝撃を検出しないことに応じて前記ヘッドの復帰を行う請求項６に記載の磁気ディスク装置。
【請求項１０】
前記処理部は、前記ヘッドの退避を開始した後に前記第２の判定部による衝撃を検出した場合、前記第２の判定部による衝撃検出が解除されてから第２の所定時間経過後に、前記ヘッドの復帰を行う請求項６に記載の磁気ディスク装置。
【請求項１１】
前記処理部は、前記第２の所定時間の経過を待っている間に前記第２の判定部が新たな衝撃を検出した場合、前記新たな衝撃が解除された時点から前記第２の所定時間経過後に前記ヘッドの復帰を行う請求項１０に記載の磁気ディスク装置。
【請求項１２】
前記処理部は、前記第２の判定部が衝撃を検出し、この衝撃検出が解除された場合と、前記第２の判定部が衝撃を検出せず前記第１の判定部による落下状態の判定が解除された場合とでは、解除後から前記ヘッドの復帰を行うまでの時間を異ならせる請求項６に記載の磁気ディスク装置。
【請求項１３】
磁気ディスクと、
前記磁気ディスクにアクセスするヘッドと、
加速度を検出可能なセンサ部と、
前記センサ部の出力に基づいて落下状態にあることを判定して前記ヘッドの退避を実行する処理部とを備える磁気ディスク装置であって、
前記処理部は、前記ヘッドの退避において、少なくとも前記ヘッドが前記磁気ディスクの外周部に位置するまでは、前記磁気ディスクに記録されたサーボ・データに基づいて前記ヘッドの位置を検出し、検出した前記ヘッドの位置を用いて前記ヘッドの移動速度を制御する磁気ディスク装置。
【請求項１４】
前記処理部は、前記ヘッドが前記磁気ディスクの非データエリアに位置するまで、前記サーボ・データに基づく前記ヘッドの移動速度の制御を行う請求項１３に記載の磁気ディスク装置。
【請求項１５】
前記ヘッドを移動させるアクチュエータを備え、
前記処理部は、前記ヘッドの退避において、前記磁気ディスクの外周部から前記ヘッドの退避場所までは、前記ヘッドを等速度で退避するように、前記アクチュエータを駆動する請求項１３に記載の磁気ディスク装置。
【請求項１６】
前記アクチュエータは、前記ヘッドを移動させる駆動力を発生するボイス・コイル・モータを備え、
前記処理部は、前記磁気ディスクの外周部から前記ヘッドの退避場所まで前記ヘッドを退避する際に、前記ボイス・コイル・モータの逆起電力の値が所定範囲内となるよう、前記アクチュエータを駆動する請求項１５に記載の磁気ディスク装置。
【請求項１７】
前記ヘッドを移動させるアクチュエータを備え、
前記処理部は、前記磁気ディスクの外周部から前記ヘッドの退避場所まで前記ヘッドを退避する際に、前記アクチュエータに対して予め定められた駆動電圧又は予め定められた駆動電流を供給することにより前記ヘッドを移動する請求項１３に記載の磁気ディスク装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月23日(2008.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録前に対して記録後に反射率が低下する光ディスクと記録前に対して記録後に反射率が上昇する光ディスクの再生に対応するサーボ制御信号生成装置において、
光ディスクの反射光からＲＦ信号を生成するＲＦ生成手段と、
前記ＲＦ信号から光ディスクの種類を判別するディスク判別手段と、
前記ＲＦ信号のトップエンベロープ信号を生成するトップエンベロープ生成手段と、
前記ＲＦ信号のボトムエンベロープ信号を生成するボトムエンベロープ生成手段とを備えて、
前記ディスク判別手段により、記録前に対して記録後に反射率が低下する光ディスクか、記録前に対して記録後に反射率が上昇する光ディスクかを判別された光ディスクの種類にあわせて、トップエンベロープ信号とボトムエンベロープ信号から信号を選択し、ディフェクト信号、ミラー信号を生成することを特徴とするサーボ制御信号生成装置。
【請求項２】
記録前に対して記録後に反射率が低下する光ディスクと記録前に対して記録後に反射率が上昇する光ディスクの再生に対応するサーボ制御信号生成装置において、
光ディスクの反射光からＲＦ信号を生成するＲＦ生成手段と、
前記ＲＦ信号から光ディスクの種類を判別するディスク判別手段と、
前記ＲＦ信号のトップエンベロープ信号を生成するトップエンベロープ生成手段と、
前記ＲＦ信号のボトムエンベロープ信号を生成するボトムエンベロープ生成手段とを備えて、
前記ディスク判別手段が光ディスクの種類を記録前に対して記録後に反射率が低下するディスクと判別したときはトップエンベロープ信号からディフェクト信号をボトムエンベロープ信号からミラー信号を生成し、記録前に対して記録後に反射率が上昇するディスクと判別したときはボトムエンベロープ信号からディフェクト信号をトップエンベロープ信号からミラー信号を生成することを特徴とするサーボ制御信号生成装置。
【請求項３】
記録前に対して記録後に反射率が低下する光ディスクと記録前に対して記録後に反射率が上昇する光ディスクの再生に対応するサーボ制御信号生成装置において、
光ディスクの反射光からＲＦ信号を生成するＲＦ生成手段と、
前記ＲＦ信号から光ディスクの種類を判別するディスク判別手段と、
前記ＲＦ信号のトップエンベロープ信号を生成するトップエンベロープ生成手段と、
前記ＲＦ信号のボトムエンベロープ信号を生成するボトムエンベロープ生成手段と
前記ディスク判別手段が光ディスクの種類を記録前に対して記録後に反射率が低下するディスクと判別したときはトップエンベロープ信号を、上昇するディスクと判別したときはボトムエンベロープ信号を選択して出力する第1の選択手段と、
前記ディスク判別手段が光ディスクの種類を記録前に対して記録後に反射率が低下するディスクと判別したときはボトムエンベロープ信号を、上昇するディスクと判別したときはトップエンベロープ信号を選択して出力する第２の選択手段と、
前記第1の選択手段の出力信号レベルが第1の所定レベルよりも小さい期間を検出する第1の検出手段と、
前記第２の選択手段の出力信号からＤＣ成分を除去する低域除去手段と、
前記低域除去手段の出力信号レベルが第２の所定レベルよりも大きい期間を検出する第２の検出手段とを備えて、
前記第1の検出手段の出力信号をディフェクト信号とし、前記第２の検出手段の出力信号をミラー信号とすることを特徴とするサーボ制御信号生成装置。  
【請求項４】
記録前に対して記録後に反射率が低下する光ディスクと記録前に対して記録後に反射率が上昇する光ディスクの再生に対応するサーボ制御信号生成装置において、
光ディスクの反射光からＲＦ信号を生成するＲＦ生成手段と、
前記ＲＦ信号から光ディスクの種類を判別するディスク判別手段と、
前記ＲＦ信号のトップエンベロープ信号を生成するトップエンベロープ生成手段と、
前記ＲＦ信号のボトムエンベロープ信号を生成するボトムエンベロープ生成手段と、
前記トップエンベロープ信号とボトムエンベロープ信号を切り換えて出力する切り換え手段と、
前記切り換え手段の出力からＤＣ成分を除去する低域除去手段と、
前記低域除去手段の出力のトップレベルをホールドするトップホールド手段と、
前記低域除去手段の出力のボトムレベルをホールドするボトムホールド手段と、
前記トップホールド手段の出力信号と前記ボトムホールド手段の出力信号を分圧した信号を出力する分圧手段と、
前記低域除去手段の出力と前記分圧手段の出力とを比較して比較結果である２値化信号をミラー信号として出力する比較手段とを備えて、
前記ディスク判別手段が光ディスクの種類を記録前に対して記録後に反射率が低下するディスクと判別したときは前記切り換え手段はボトムエンベロープ信号を出力し、記録前に対して記録後に反射率が上昇するディスクと判別したときは前記切り換え手段はトップエンベロープ信号を出力することを特徴とするサーボ制御信号生成装置。
【請求項５】
前記請求項４に記載のサーボ制御信号生成装置において、
前記分圧手段は、前記トップホールド手段と前記ボトムホールド手段の出力信号を１：１に分圧することを特徴とするサーボ制御信号生成装置。
【請求項６】
前記請求項１乃至５に記載のいずれか1つのサーボ制御信号生成装置において、
前記ディスク判別手段が光ディスクの種類を記録前に対して記録後に反射率が低下するディスクと判別したときと記録後に反射率が上昇すると判別したときで、前記ミラー信号の極性を切り換えることを特徴とするサーボ制御信号生成装置。
【請求項７】
前記請求項１乃至６に記載のいずれか1つのサーボ制御信号生成装置において、
前記ディスク判別手段は、ＢＣＡ領域に記録されているディスクＩＤから、光ディスクの反射率が記録前に対して記録後に低下するか上昇するかを判別することを特徴とするサーボ制御信号生成装置。  
【請求項８】
前記請求項１乃至６に記載のいずれか1つのサーボ制御信号生成装置において、
前記ディスク判別手段は、リードイン領域に記録されているディスクＩＤから、光ディスクの反射率が記録前に対して記録後に低下するか上昇するかを判別することを特徴とするサーボ制御信号生成装置。  
【請求項９】
前記請求項１乃至８のいずれかの１つのサーボ制御信号生成装置を備える光ディスク装置において、
前記ディフェクト信号がディフェクトを検出した期間においてサーボ制御をホールド動作とすることを特徴とする光ディスク装置。
【請求項１０】
前記請求項１乃至８のいずれかの１つのサーボ制御信号生成装置を備える光ディスク装置において、
前記ミラー信号を用いて横断トラック数をカウントすることを特徴とする光ディスク装置。
【請求項１１】
記録前に対して記録後に反射率が低下する光ディスクと記録前に対して記録後に反射率が上昇する光ディスクの再生に対応する光ディスク装置であって、
光ディスクの反射光から信号を生成する生成手段と、
前記生成された信号から光ディスクの種類を判別するディスク判別手段と、
を備えて、
前記ディスク判別手段により、記録前に対して記録後に反射率が低下する光ディスクか、記録前に対して記録後に反射率が上昇する光ディスクかを判別する、
光ディスク装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月30日(2008.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
行列状に配置された複数のメモリセルと、
メモリセル列にそれぞれ対応して設けられ、データ読出時あるいはデータ書込時に選択されたメモリセルを介して電流を供給するための複数の第１および第２の電流線とを備え、
各前記メモリセルは、
各々が、対応する第１および第２の電流線との間に設けられ、磁気的に不揮発的なデータ記憶を実行する磁気抵抗素子を含み、
前記磁気抵抗素子は、
前記対応する第１の電流線と電気的に結合され、第１の磁化方向に磁化した固定磁化層と、
前記対応する第２の電流線と電気的に結合され、前記データ書込時に前記対応する第１および第２の電流線を介して流れるデータ書込電流の流入方向に応じたスピン偏極電子に基づいて前記第１の磁化方向あるいは前記第１の磁化方向と反対の方向である第２の磁化方向のいずれか一方に磁化する自由磁化層と、
前記固定磁化層と前記自由磁化層との間に設けられ、非磁性体であるバリア層とを有し、
前記データ読出時に、前記選択されたメモリセルに対応する第１および第２の電流線に対してディスターブが生じにくい方向にデータ読出電流を供給するデータ読出回路をさらに備える、不揮発性記憶装置。
【請求項２】
前記データ書込時に、前記選択されたメモリセルを介して対応する第１の電流線から対応する第２の電流線に対して第１のデータ書込電流が供給された場合には、前記選択メモリセルの磁気抵抗素子は、第１の抵抗値を有し、前記選択されたメモリセルを介して前記対応する第２の電流線から前記対応する第１の電流線に対して前記第１のデータ書込電流よりも小さい第２のデータ書込電流が供給された場合には、前記選択メモリセルの磁気抵抗素子は、前記第１の抵抗値よりも低い第２の抵抗値を有し、
前記データ読出回路は、前記磁気抵抗素子の第１および第２の抵抗値の抵抗比および前記第１および第２のデータ書込電流の電流比の関係に基づいて前記ディスターブが生じにくい方向に前記データ読出電流を供給する、請求項１記載の不揮発性記憶装置。
【請求項３】
前記データ読出回路は、基準電流と前記第１および第２の抵抗値に応じたデータ読出電流との比較に基づいて読出データを生成するセンスアンプを含む、請求項２記載の不揮発性記憶装置。
【請求項４】
前記データ読出時に、前記選択されたメモリセルと並列に前記対応する第１および第２の電流線との間に電気的に結合されるダミー抵抗素子をさらに備える、請求項３記載の不揮発性記憶装置。
【請求項５】
メモリセル行にそれぞれ対応して設けられる複数のワード線をさらに備え、
各前記メモリセルは、前記対応する第１および第２の電流線の間に前記磁気抵抗素子を介して接続されるスイッチをさらに含み、
前記スイッチは、対応するワード線と電気的に結合されるゲートを有するｐ型ＭＯＳチャンネルトランジスタに相当する、請求項１記載の不揮発性記憶装置。
【請求項６】
前記複数のワード線のうち選択されたワード線は、前記ｐ型ＭＯＳチャンネルトランジスタをターンオンする第１の電位レベルに設定され、
前記複数のワード線のうち非選択のワード線は、前記ｐ型ＭＯＳチャンネルトランジスタをターンオフする前記第１の電位レベルよりも高い第２の電位レベルに設定される、請求項５記載の不揮発性記憶装置。
【請求項７】
前記複数の第１および第２の電流線は、同一方向に沿って並行に配置される、請求項１記載の不揮発性記憶装置。
【請求項８】
前記データ書込時あるいは前記データ読出時に前記選択されたメモリセルに対応する第１および第２の電流線のいずれか一方は、固定電位と電気的に結合され、前記対応する第１および第２の電流線の他方は、前記固定電位よりも高いあるいは低い電位と電気的に結合される、請求項１記載の不揮発性記憶装置。
【請求項９】
前記データ書込時に、前記選択されたメモリセルに対して前記データ書込電流を供給するための前記対応する第１および第２の電流線にそれぞれ対応して設けられた第１および第２の電流線ドライバをさらに備え、
前記第１および第２の電流線ドライバの少なくとも一方は、対応する電流線の一端側および他端側を第１および第２の電位レベルに制御するための第１および第２のドライバユニットを含み、
前記第１および第２のドライバユニットは、前記データ書込時に、前記選択されたメモリセルの自由磁化層に対して、前記対応する電流線に流れる前記データ書込電流により前記第１および第２の磁化方向の一方への磁化作用を生じさせるアシスト磁場が印加されるように前記対応する電流線の一端側および他端側の電位レベルを制御する、請求項１記載の不揮発性記憶装置。
【請求項１０】
行列状に配置された複数のメモリセルと、
メモリセル列にそれぞれ対応して設けられ、データ読出時あるいはデータ書込時に選択されたメモリセルを介して電流を供給するための複数の第１および第２の電流線とを備え、
各前記メモリセルは、
各々が、対応する第１および第２の電流線との間に設けられ、磁気的に不揮発的なデータ記憶を実行する磁気抵抗素子を含み、
前記磁気抵抗素子は、
前記対応する第１の電流線と電気的に結合され、第１の磁化方向に磁化した固定磁化層と、
前記対応する第２の電流線と電気的に結合され、前記データ書込時に前記対応する第１および第２の電流線を介して流れるデータ書込電流の流入方向に応じたスピン偏極電子に基づいて前記第１の磁化方向あるいは前記第１の磁化方向と反対の方向である第２の磁化方向のいずれか一方に磁化する自由磁化層と、
前記固定磁化層と前記自由磁化層との間に設けられ、非磁性体であるバリア層とを有し、
前記データ読出時に、前記選択されたメモリセルに対応する第１および第２の電流線に対して、前記データ書込時に前記磁気抵抗素子の自由磁化層を前記第２の磁化方向に磁化させる電流の向きと同じ方向にデータ読出電流を供給するデータ読出回路をさらに備える、不揮発性記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2007115320.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2007115320.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
2007115320.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月10日(2008.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも３層の絶縁層を有し、表層から数えて２層目に形成された２層目絶縁層は、それを貫通する電気的接続が導電性ペーストであるペースト接続層となっており、表層から数えて１層目に形成された１層目配線と、表層から数えて３層目に形成された３層目配線とが、前記ペースト接続層を貫通するスキップビアで電気的に接続され、表層から数えて２層目に形成された２層目配線と、表層から３層目に形成された３層目配線とが前記ペースト接続層に埋設されていることを特徴とする多層プリント配線基板であって、前記ペースト接続層は、繊維を含むプリプレグと前記プリプレグに形成された貫通孔に充填された導電性ペーストとからなる多層プリント配線基板。
【請求項２】
樹脂フィルムからなる表層から数えて１層目の１層目絶縁層と、前記１層目絶縁層表面に接着剤を介することなく形成された配線と、を有する請求項１に記載の多層プリント配線基板。
【請求項３】
絶縁基材に貫通孔を加工する孔加工工程と、
前記貫通孔に導電性ペーストを充填してペースト接続層を形成するペースト接続層形成工程と、
両面基板を作成する両面基板作成工程と、
前記ペースト接続層の表裏面に前記両面基板を積層する積層工程と、
前記積層体を熱プレス加工する熱プレス工程と、
を少なくとも備えた多層プリント配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記層間接続形成工程は、
少なくともスキップビア穴を形成する孔加工工程と、
前記スキップビア穴にめっきを施すめっき工程と、
からなる請求項３に記載の多層プリント配線基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月10日(2008.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３層の絶縁層を有し、表層から数えて２層目に形成された２層目絶縁層は、それを貫通する電気的接続が貫通バンプである貫通接続層となっており、表層から数えて２層目に形成された２層目配線と、表層から数えて３層目に形成された３層目配線とが、前記貫通接続層に埋設されていることを特徴とする多層プリント配線基板であって、前記貫通接続層は、繊維を含むプリプレグと貫通バンプとからなる多層プリント配線基板。
【請求項２】
４層以上の絶縁層を有し、少なくとも一方の表層から数えて２層目に形成された２層目絶縁層は、それを貫通する電気的接続が貫通バンプである貫通接続層となっており、少なくとも一方の表層から数えて２層目に形成された２層目配線と、表層から数えて３層目に形成された３層目配線とが、前記貫通接続層に埋設されていることを特徴とする多層プリント配線基板であって、前記貫通接続層は、繊維を含むプリプレグと貫通バンプとからなる多層プリント配線基板。
【請求項３】
表層から数えて１層目の１層目絶縁層は樹脂フィルムであり、前記樹脂フィルムの表面には接着剤を介することなく所定の配線が形成されている請求項１もしくは２のいずれか一つに記載の多層プリント配線基板。
【請求項４】
配線上に貫通バンプを形成するバンプ形成工程と、絶縁層を貫通バンプで貫通して貫通接続層を形成する貫通接続層形成工程と、両面基板を作成する両面基板作成工程と、前記貫通接続層の表裏面に前記両面基板を積層する積層工程と、前記積層体を熱プレス加工する熱プレス工程と、を少なくとも備えた多層プリント配線基板の製造方法。
【請求項５】
配線上に貫通バンプを形成するバンプ形成工程と、
絶縁層を貫通バンプで貫通して貫通接続層を形成する貫通接続層形成工程と、
２層以上の層数を有する多層基板を作成する多層基板作成工程と、
前記貫通接続層の表裏面に前記両面基板を積層する積層工程と、
前記積層体を熱プレス加工する熱プレス工程と、
を少なくとも備えた多層プリント配線基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月7日(2008.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前方に向かって凹状の金属蒸着膜から成る反射面を内側に有しており、光源からの光を上記反射面により前方に向かって反射させて、その前方にて配置された凸状の投影レンズにより、前方に向かって集束させながら照射すると共に、前方の投影レンズの間にて上記投影レンズの光源側の焦点位置付近に配置されたシャッタによりカットオフを形成するようにした車両前照灯におけるリフレクタであって、
上記リフレクタの外側面の少なくとも光源直上領域に金属蒸着膜が形成されていないことを特徴とする、車両前照灯のリフレクタ。
【請求項２】
上記リフレクタの外側面が、光源の上方への投影領域に金属蒸着膜を形成されていないことを特徴とする、請求項１に記載の車両前照灯のリフレクタ。
【請求項３】
上記リフレクタの外側面が、光軸方向に関して光源の先端より後方の領域に金属蒸着膜を形成されていないことを特徴とする、請求項１に記載の車両前照灯のリフレクタ。
【請求項４】
上記リフレクタの外側面が、全面に亘って金属蒸着膜を形成されていないことを特徴とする、請求項１に記載の車両前照灯のリフレクタ。
【請求項５】
前方に向かって凹状の金属蒸着膜から成る反射面を内側に有しており、光源からの光を上記反射面により前方に向かって反射させて、その前方にて配置された凸状の投影レンズにより、前方に向かって集束させながら照射すると共に、前方の投影レンズの間にて上記投影レンズの光源側の焦点位置付近に配置されたシャッタによりカットオフを形成するようにした車両前照灯におけるリフレクタの製造方法であって、
上記リフレクタを構成する樹脂成形品の内側面に反射膜としての金属蒸着膜を形成する際に、上記樹脂成形品における外側面の少なくとも光源直上領域をマスキングして、上記樹脂成形品の表面全体に金属蒸着膜を形成することを特徴とする、車両前照灯のリフレクタの製造方法。
【請求項６】
上記マスキングが、上記リフレクタを構成する樹脂成形品の外側面における光源の上方への投影領域に対して行なわれることを特徴とする、請求項５に記載の車両前照灯のリフレクタの製造方法。
【請求項７】
上記マスキングが、上記リフレクタを構成する樹脂成形品の外側面における光軸方向に関して光源の先端より後側の上半領域に対して行なわれることを特徴とする、請求項５に記載の車両前照灯のリフレクタの製造方法。
【請求項８】
上記マスキングが、上記リフレクタを構成する樹脂成形品の外側面の全面に亘って行なわれることを特徴とする、請求項５に記載の車両前照灯のリフレクタの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】車両前照灯のリフレクタとその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、例えば自動車の前部に設けられた前照灯または補助前照灯として使用される車両前照灯のリフレクタとその製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、以上の点から、簡単な構成により、リフレクタの反射面を構成しない領域には、アルミニウム蒸着膜を形成しないことにより、溶損対策及び熱低減対策を可能にした、車両前照灯のリフレクタ及びその製造方法を提供することを目的としている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月4日(2008.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
撮影光学系の光軸に沿って移動可能で、常時上記光軸上に位置する第１の光学要素を支持した後方進退部材：
第２の光学要素を上記光軸上に位置する軸上位置と光軸から外れた軸外位置とに移動可能に支持する軸外退避部材；及び
該軸外退避部材を使用状態と退避状態に動作させ、使用状態では第２の光学要素を上記第１の光学要素よりも光軸方向前方で上記軸上位置に位置させ、退避状態では、第２の光学要素を光軸方向後方に移動させると共に上記軸外位置へ移動させ、該第２の光学要素の少なくとも一部の光軸方向位置を第１の光学要素と重複させる位置制御手段；
を備え、
後方進退部材と軸外退避部材は、上記位置制御手段による軸外退避部材の使用状態から退避状態への移行時において、後方進退部材が光軸方向の定められた収納用位置よりも前方に位置しているとき互いに当接する当接面を、第１と第２の光学要素以外の領域に有していることを特徴とするレンズ鏡筒の光学要素退避機構。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載のレンズ鏡筒の光学要素退避機構において、上記位置制御手段によって軸外退避部材が使用状態から退避状態への移行を開始する前に、上記後方進退部材を上記収納用位置に移動させる後退制御手段を有しているレンズ鏡筒の光学要素退避機構。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載のレンズ鏡筒の光学要素退避機構において、上記後方進退部材の後方に位置し、該後方進退部材に当接して上記収納用位置を定める固定部材を有しているレンズ鏡筒の光学要素退避機構。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、撮影光学系の光軸に沿って移動可能で、常時上記光軸上に位置する第１の光学要素を支持した後方進退部材：第２の光学要素を光軸上に位置する軸上位置と光軸から外れた軸外位置とに移動可能に支持する軸外退避部材；及び、この軸外退避部材を使用状態と退避状態に動作させ、使用状態では第２の光学要素を上記第１の光学要素よりも光軸方向前方で軸上位置に位置させ、退避状態では、第２の光学要素を光軸方向後方に移動させると共に軸外位置へ移動させ、該第２の光学要素の少なくとも一部の光軸方向位置を第１の光学要素と重複させる位置制御手段；を備え、後方進退部材と軸外退避部材は、位置制御手段による軸外退避部材の使用状態から退避状態への移行時において、後方進退部材が光軸方向の定められた収納用位置よりも前方に位置しているとき互いに当接する当接面を、第１と第２の光学要素以外の領域に有していることを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
さらに本発明の光学要素退避機構では、位置制御手段によって軸外退避部材が使用状態から退避状態への移行を開始する前に、後方進退部材を収納用位置へと移動させる後退制御手段を備えるとよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、後方進退部材に当接してその収納用位置を定める固定部材を設けることが好ましい。この固定部材は、例えば、撮像素子を保持する撮像素子ホルダとすることができる。また、軸外退避部材の位置制御手段は、この固定部材に設けられ使用状態で軸外退避部材の光軸方向後方に位置し、該軸外退避部材が後退するとき軸外位置方向へ押圧移動させる押圧カム部材を備えるとよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１６】
以上の通り、本実施形態の２群レンズ枠６の退避構造では、撮影状態から収納状態になるとき、ＡＦレンズ枠５１がフォーカシング用の可動領域（使用位置）から、フィルタホルダ２１ｂにより後退が規制される後方移動端（収納用位置）へと移動済みの状態（図４０及び図４１）では、２群レンズ枠６が退避回転及び後退動作を行っても（退避状態に移行しても）該ＡＦレンズ枠５１と干渉しないように設計されている。そして、メインスイッチがオフされたときには、制御回路１４０によって、まずＡＦモータ１６０を駆動してＡＦレンズ枠５１を後方移動端に移動させるように制御される。しかし、仮にメインスイッチがオフされても何らかの原因でＡＦレンズ枠５１が後方移動端まで移動されなかった場合には、２群レンズ移動枠８と共に光軸方向後方に移動しながら退避位置へ向けて回転している最中の２群レンズ枠６の移動軌跡上に、ＡＦレンズ枠５１が重なってしまうおそれがある（図４６、図４４）。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月24日(2008.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アノード導電層、アノード触媒層、電解質膜、カソード触媒層、カソード導電層がこの順に積層されてなる膜電極複合体と、前記アノード触媒層および前記カソード触媒層に接する多孔質構造体とを少なくとも備え、
前記多孔質構造体において、前記アノード触媒層に面する部位の毛管力が、前記カソード触媒層に面する部位の毛管力よりも大きくされてなる、燃料電池。
【請求項２】
前記多孔質構造体が複数種類の多孔質材料からなり、前記アノード触媒層に面する部位を構成する多孔質材料の毛管力が、前記カソード触媒層に面する部位を構成する多孔質材料の毛管力よりも大きくされることにより、前記多孔質構造体において前記アノード触媒層に面する部位の毛管力が前記カソード触媒層に面する部位の毛管力よりも大きくされてなる、請求項１に記載の燃料電池。
【請求項３】
前記多孔質構造体が単一の多孔質材料からなり、前記アノード触媒層に面する部位における前記多孔質材料の密度が前記カソード触媒層に面する部位における前記多孔質材料の密度よりも大きくされることにより、前記多孔質構造体において前記アノード触媒層に面する部位の毛管力が前記カソード触媒層に面する部位の毛管力よりも大きくされてなる、請求項１または２に記載の燃料電池。
【請求項４】
前記多孔質構造体において、前記カソード触媒層に面する部位の多孔質材料の最大密度が前記アノード触媒層に面する部位の多孔質材料の最小密度よりも小さくされることにより、前記多孔質構造体において前記アノード触媒層に面する部位の毛管力が前記カソード触媒層に面する部位の毛管力よりも大きくされてなる、請求項１〜３のいずれかに記載の燃料電池。
【請求項５】
前記多孔質構造体において、前記カソード触媒層に面する部位から前記アノード触媒層に面する部位に向かって連続的に毛管力が大きくなるように、前記多孔質構造体の毛管力に勾配が設けられてなる、請求項１〜４のいずれかに記載の燃料電池。
【請求項６】
前記多孔質構造体、前記アノード導電層、前記アノード触媒層、前記電解質膜、前記カソード触媒層、前記カソード導電層、前記多孔質構造体がこの順に積層され、前記多孔質構造体は前記アノード触媒層および前記カソード触媒層とそれぞれ前記アノード導電層の貫通孔と前記カソード電極層の貫通孔を介して接している、請求項１〜５のいずれかに記載の燃料電池。
【請求項７】
前記多孔質構造体が、前記カソード触媒層と対向する面に複数の突起を有する、請求項１〜６のいずれかに記載の燃料電池。
【請求項８】
前記アノード触媒層、前記カソード触媒層、前記アノード導電層、前記カソード導電層からなる群から選択される少なくとも１つの部材が前記多孔質構造体と一体化されてなる、請求項１〜７のいずれかに記載の燃料電池。
【請求項９】
前記アノード触媒層、前記カソード触媒層、前記アノード導電層、および前記カソード導電層が前記多孔質構造体と一体化されてなる、請求項１〜８のいずれかに記載の燃料電池。
【請求項１０】
燃料電池と燃料供給部とを少なくとも備え、
前記燃料電池は請求項１〜９のいずれかに記載の燃料電池であり、
前記燃料供給部は、前記燃料電池の前記多孔質構造体中の液体燃料の消費量と同等の量の液体燃料を供給するための機構を有する、燃料電池システム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月30日(2008.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
発光管内にタングステン電極が対向配設されると共に、所定量の臭素が封入されて成る高圧放電ランプにおいて、
前記発光管内の封入臭素濃度ＣＳが、次式により算出される濃度に規定されていることを特徴とする高圧放電ランプ。
式：ＣＳ＝Ｅ（ＣＷ＋ＣＨ）
ＣＳ：封入臭素濃度［μｍｏｌ／ｍｍ３］
Ｅ  ：誤差係数（＝０.９〜１.１）
ＣＷ：基準臭素濃度（＝１.４〜１.６［×１０−４μｍｏｌ／ｍｍ３］）
ＣＨ：補正臭素濃度（＝ΣＱｎ（＝１〜１０）／Ｖ＝Σ（Ｍｎ／Ａｎ）／Ｖ）［μｍ
ｏｌ／ｍｍ３］
Ｑｎ：タングステン電極が発光管内に突出する部分に含まれる１０種類のタングス
テンハロゲン輸送サイクル阻害物質（Ａｌ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ｋ、Ｃａ、
Ｍｇ、Ｓｎ、Ｕｒ、Ｔｈ）の夫々と反応する臭素のモル数［μｍｏｌ］
Ｖ  ：発光管有効容積［ｍｍ３］
Ｍｎ：発光管内に突出された電極部分に含まれる各阻害物質の含有量［μｇ］
Ａｎ：各阻害物質の原子量
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この課題を解決するために、本発明は、発光管内にタングステン電極が対向配設されると共に、所定量の臭素が封入されて成る高圧放電ランプにおいて、前記発光管内の封入臭素濃度ＣＳが、次式により算出される濃度に規定されていることを特徴とする。
式：ＣＳ＝Ｅ（ＣＷ＋ＣＨ）
ＣＳ：封入臭素濃度［μｍｏｌ／ｍｍ３］
Ｅ  ：誤差係数（＝０.９〜１.１）
ＣＷ：基準臭素濃度（＝１.４〜１.６［×１０−４μｍｏｌ／ｍｍ３］）
ＣＨ：補正臭素濃度（＝ΣＱｎ（＝１〜１０）／Ｖ＝Σ（Ｍｎ／Ａｎ）／Ｖ）［μｍ
ｏｌ／ｍｍ３］
Ｑｎ：タングステン電極が発光管内に突出する部分に含まれる１０種類のタングス
テンハロゲン輸送サイクル阻害物質（Ａｌ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ｋ、Ｃａ、
Ｍｇ、Ｓｎ、Ｕｒ、Ｔｈ）の夫々と反応する臭素のモル数［μｍｏｌ］
Ｖ  ：発光管有効容積［ｍｍ３］
Ｍｎ：発光管内に突出された電極部分に含まれる各阻害物質の含有量［μｇ］
Ａｎ：各阻害物質の原子量
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月24日(2008.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に配置された青色発光部、緑色発光部及び赤色発光部と、前記各発光部における有機発光層と、前記有機発光層を発光させるための上部電極及び下部電極を有し、前記上部電極及び下部電極のいずれか一方が透明電極であり、他方は反射電極である有機発光表示装置において、
前記各発光部のうち少なくとも２つの発光部の厚さが同じであることを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項２】
前記２つの発光部が緑色発光部と赤色発光部であり、
前記各発光部の厚さの関係が、青色発光部＜緑色発光部＝赤色発光部であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記２つの発光部が青色発光部と緑色発光部であり、
前記各発光部の厚さの関係が、青色発光部＝緑色発光部＜赤色発光部であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記２つの発光部が青色発光部と赤色発光部であり、
前記各発光部の厚さの関係が、青色発光部＝赤色発光部＜緑色発光部であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
基板上に配置された青色発光部、緑色発光部及び赤色発光部を有し、
前記各発光部は有機発光層と、前記有機発光層を発光させる上部電極及び下部電極とを有し、
前記上部電極及び下部電極とのいずれか一方が透明電極、他方は反射電極である有機発光表示装置において、
前記透明電極と有機発光層との間に一層もしくは複数層よりなる薄膜を有し、
前記緑色発光部と赤色発光部とに設けられた前記薄膜の膜厚が同じであることを特徴と
する有機発光表示装置。
【請求項６】
前記緑色発光部と赤色発光部における反射電極と有機発光層との間の膜厚が同じであることを特徴とする請求項５に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記透明電極と有機発光層との間の膜厚が、各発光部で同じであることを特徴とする請求項５に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記反射電極と有機発光層との間の膜厚が、各発光部で同じであることを特徴とする請求項５に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記上部電極が透明電極であり、前記下部電極が反射電極であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記上部電極が反射電極であり、前記下部電極が透明電極であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１１】
前記透明電極と有機発光層との間の膜が、上部電極を陽極とし、下部電極を陰極とした場合に、正孔輸送層であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１２】
前記透明電極と有機発光層との間の膜が、上部電極を陰極とし、下部電極を陽極とした場合に、電子輸送層であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１３】
前記透明電極と有機発光層との間の膜厚が、青色発光部より緑色発光部及び赤色発光部で厚く、膜の電子移動度が、青色発光部より緑色発光部及び赤色発光部で高いことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１４】
前記青色発光部が隣り合うように、各発光部を順次配置することを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１５】
前記透明電極上にパッシベーション層を有しており、前記有機発光層からパッシベーション膜までの距離が各発光部で同じであることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１６】
基板上に配置された青色発光部、緑色発光部及び赤色発光部と、前記各発光部における有機発光層と、前記有機発光層を発光させるための上部電極及び下部電極を有し、前記上部電極及び下部電極のいずれか一方が透明電極であり、他方は反射電極である有機発光表示装置の製造方法において、
前記緑色発光部及び赤色発光部における上部電極と有機発光層との間に同じ膜を成膜する工程を有し、前記緑色発光部及び赤色発光部の厚さを同じとすることを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記各発光部における下部電極と有機発光層との間に同じ膜を成膜する工程を有することを特徴とする請求項１６に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記緑色発光部及び赤色発光部における上部電極と有機発光層との間に同じ膜を成膜する工程は、前記各発光部における上部電極と有機発光層との間に同じ膜を成膜する工程の後であることを特徴とする請求項１６に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項５に記載された有機発光表示装置において、前記青色発光部の透明電極と有機発光層との間に設けられた薄膜は、前記緑色または赤色発光部に設けられた薄膜よりも薄いことを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項２０】
請求項５または１９に記載された有機発光表示装置において、前記透明電極と有機発光層との間に設けられた薄膜は、正孔輸送層または電子輸送層のいずれかを含むことを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項２１】
請求項２０に記載された有機発光表示装置において、前記透明電極の上部にパッシベーション層が形成されていることを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項２２】
請求項２１に記載された有機発光表示装置において、前記有機発光層と前記パッシベーション層との間に設けられた層の厚さが青色発光部、緑色発光部及び赤色発光部で同じであることを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項２３】
請求項５または１９に記載された有機発光表示装置において、前記透明電極と有機発光層との間に設けられた薄膜の電子移動度は青色発光部より緑色発光部及び赤色発光部で高いことを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項２４】
請求項５または１９に記載された有機発光表示装置において、前記青色発光部の列同士が隣り合うように各発光部の列を配置することを特徴とする有機発光表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月28日(2008.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
（２）可撓性
厚さ０．５ｍｍに成形したシートを、図３のように直径１ｍｍの丸棒に沿わせて１８０度折り曲げた時のクラックの有無、程度により評価した。（可撓性試験は、抗張力、伸長率、ゴム状弾性の総合物性であるので、無機粉末高充填シートの実用的評価に好適である）。
○：クラックの発生なし
△：若干クラックを発生
×：割れる
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
比較例４は、無機粉末と生分解性有機高分子エラストマーに実施例７に用いる生分解性有機高分子粉末と同じものを、同量で用いた混練り混合物であるに対して、実施例７はその粉砕物に生分解性有機高分子粉末を付着させて用いる点において異なっている。
そして、得られる性能は実施例７の方が比較例４より、加工性、可撓性、生分解性が優れたものとなっており、その原因は比較例４が生分解性有機高分子を練込んで用いたことに依ると考えられる。