Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月28日(2008.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイヤモンドからなるチャネル領域と、このチャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜と、を有し、前記ゲート絶縁膜は、酸化シリコン層、窒化アルミニウム層、アルミナ層、ダイヤモンド状炭素層、窒化シリコン層、ジルコニア層、チタン酸ストロンチウム層、チタン酸バリウム層及びサイアロン層からなる群から選択された２種以上の層を積層したものであり、前記ゲート絶縁膜における前記チャネル領域に最も近い層は、ダイヤモンド状炭素層、窒化シリコン層及び窒化アルミニウム層からなる群から選択された１種の層であることを特徴とするダイヤモンド電界効果トランジスタ。
【請求項２】
前記チャネル領域の両側には、夫々、前記チャネル領域を形成しているダイヤモンドよりも低抵抗のダイヤモンドからなり、少なくとも一部が前記チャネル領域と接触するソース領域及びドレイン領域が形成されていることを特徴とする請求項１に記載のダイヤモンド電界効果トランジスタ。
【請求項３】
前記チャネル領域、前記ソース領域及び前記ドレイン領域はダイヤモンド基板上に形成されていることを特徴とする請求項２に記載のダイヤモンド電界効果トランジスタ。
【請求項４】
前記ゲート絶縁膜における前記チャネル領域に最も近い層の厚さは、１乃至１００ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のダイヤモンド電界効果トランジスタ。
【請求項５】
低抵抗ダイヤモンドからなるソース領域及びドレイン領域を形成する工程と、前記ソース領域及び前記ドレイン領域間に高抵抗ダイヤモンドからなり少なくとも一部が前記ソース領域及び前記ドレイン領域と接触するチャネル領域を形成する工程と、前記チャネル領域上に、酸化シリコン層、窒化アルミニウム層、アルミナ層、ダイヤモンド状炭素層、窒化シリコン層、ジルコニア層、チタン酸ストロンチウム層、チタン酸バリウム層及びサイアロン層からなる群から選択された２種以上の層を積層してゲート絶縁膜を形成する工程と、を有し、
前記ゲート絶縁膜における前記チャネル領域に最も近い層は、ダイヤモンド状炭素層、窒化シリコン層及び窒化アルミニウム層からなる群から選択された１種の層であり、
原子堆積法により形成することを特徴とするダイヤモンド電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項６】
前記ソース領域及び前記ドレイン領域を形成する工程は、ダイヤモンド基板上にギャップ層を形成する工程と、前記ギャップ層をマスクにして前記ダイヤモンド基板上に前記ソース領域及び前記ドレイン領域となる低抵抗ダイヤモンド層を形成する工程と、前記ギャップ層を除去する工程と、を有し、前記チャネル領域を形成する工程は、前記ダイヤモンド基板上における前記ソース領域及び前記ドレイン領域間の領域に、少なくとも一部が前記ソース領域及び前記ドレイン領域と接触するようにチャネル領域となる高抵抗ダイヤモンド層を形成する工程を有することを特徴とする請求項５に記載のダイヤモンド電界効果トランジスタの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本願第１発明に係るダイヤモンド電界効果トランジスタは、ダイヤモンドからなるチャネル領域と、このチャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜と、を有し、前記ゲート絶縁膜は、酸化シリコン層、窒化アルミニウム層、アルミナ層、ダイヤモンド状炭素層、窒化シリコン層、ジルコニア層、チタン酸ストロンチウム層、チタン酸バリウム層及びサイアロン層からなる群から選択された２種以上の層を積層したものであり、前記ゲート絶縁膜における前記チャネル領域に最も近い層は、ダイヤモンド状炭素層、窒化シリコン層及び窒化アルミニウム層からなる群から選択された１種の層であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
更に、本発明においては、前記ゲート絶縁膜における前記チャネル領域に最も近い層は、ダイヤモンド状炭素層、窒化シリコン層及び窒化アルミニウム層からなる群から選択された１種の層である。これにより、ゲート絶縁膜と半導体ダイヤモンドからなるチャネル領域との密着性が向上するため、ゲート絶縁膜の剥離を防止することができる。また、これらの層は、チャネル領域との界面における界面準位密度も低いため、トランジスタ特性が向上する。更に、チャネル領域と接触する層以外の層を、ダイヤモンドとの密着性は低いが、耐電界性が高い材料及び／又は誘電率が高い材料により形成することができるため、ゲート絶縁膜全体としての耐電界性及びトラジスタ特性を向上させることができる。その結果、絶縁耐性が優れ、界面準位密度が低く、高性能なダイヤモンド電界効果トランジスタが得られる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本願第２発明に係るダイヤモンド電界効果トランジスタの製造方法は、低抵抗ダイヤモンドからなるソース領域及びドレイン領域を形成する工程と、前記ソース領域及び前記ドレイン領域間に高抵抗ダイヤモンドからなり少なくとも一部が前記ソース領域及び前記ドレイン領域と接触するチャネル領域を形成する工程と、前記チャネル領域上に、酸化シリコン層、窒化アルミニウム層、アルミナ層、ダイヤモンド状炭素層、窒化シリコン層、ジルコニア層、チタン酸ストロンチウム層、チタン酸バリウム層及びサイアロン層からなる群から選択された２種以上の層を積層してゲート絶縁膜を形成する工程と、を有し、
前記ゲート絶縁膜における前記チャネル領域に最も近い層は、ダイヤモンド状炭素層、窒化シリコン層及び窒化アルミニウム層からなる群から選択された１種の層であり、
原子堆積法により形成することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明においては、これらのダイヤモンド電界効果トランジスタの製造方法においては、前記ゲート絶縁膜における前記チャネル領域に最も近い層を、原子堆積法により形成する。これにより、組成（ストイキオメトリー）及び原子構造をバルク材料と略同一にすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月4日(2007.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テトラリン、ｐ−シメン、α−ピネン、１，８−シネオール、およびそれらの混合物からなる群１から選ばれる溶剤からなることを特徴とする、ポリシラザン処理溶剤。
【請求項２】
テトラリン、ｐ−シメン、α−ピネン、１，８−シネオール、およびそれらの混合物からなる群１から選ばれる溶剤と、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、およびそれらの混合物からなる群２から選ばれる溶剤とを含んでなることを特徴とするポリシラザン処理溶剤。
【請求項３】
前記処理溶剤の１ｍｌ中に含まれる０．５ミクロン以上の微粒子が、５０個以下である、請求項１または２に記載のポリシラザン処理溶剤。
【請求項４】
水分含有率が１００ｐｐｍ以下である、請求項１〜３のいずれかに記載のポリシラザン処理溶剤。
【請求項５】
請求項１〜４に記載のいずれかのポリシラザン処理溶剤をポリシラザン化合物と接触させることを特徴とする、ポリシラザンの処理方法。
【請求項６】
ポリシラザン化合物を基板に塗布した後、基板上に形成されたポリシラザン塗膜のエッジ部分またはポリシラザン塗膜が形成されていない基板裏面に、請求項１〜４に記載のいずれかのポリシラザン処理溶剤を噴射することによりポリシラザン塗膜の処理を行うことを特徴とする、ポリシラザンの処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、ポリシラザン塗膜から形成されたシリカ質の膜は、半導体素子以外にも、液晶表示装置、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）などの誘電体膜、絶縁膜あるいは隔壁膜などとして、さらには自動車などの車体表面、住宅の内外装、ガラス製品、陶磁器、プラスチック製品などの各種物品の保護被膜などとして種々の分野で用いられており、これら分野でも半導体素子の製造における場合と同様、不要部に付着したポリシラザン被膜を除去しなくてはならないという問題が生じる場合がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明による第一のポリシラザン化合物の処理方法は、前記のいずれかのポリシラザン処理溶剤をポリシラザン化合物と接触させることを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明による第二のポリシラザン塗膜の処理方法は、ポリシラザン化合物を基板に塗布した後、基板上に形成されたポリシラザン塗膜のエッジ部分またはポリシラザン塗膜が形成されていない基板裏面に、前記のいずれかのポリシラザン処理溶剤を噴射することによりポリシラザン塗膜の処理を行うことを特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
１  基板
２  ポリシラザン塗膜
３  エッジカット部
４  膜の盛り上がり
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月22日(2008.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化硼素化合物、ガラス粉末および有機ビヒクルを含み、該窒化硼素化合物が黒鉛化指数３．５以下の窒化硼素であることを特徴とする絶縁ペースト。
【請求項２】
ガラス粉末の比誘電率が７以下であることを特徴とする請求項１に記載の絶縁ペースト。
【請求項３】
ガラス粉末が、酸化物換算表記で、
ＳｉＯ２  １５〜７０質量％
Ａｌ２Ｏ３  ３〜５０質量％
Ｂ２Ｏ３  ４〜２０質量％
ＭｇＯ  １〜２０質量％
およびＣａＯ、ＢａＯ、ＴｉＯ２、Ｌｉ２Ｏ、Ｋ２ＯおよびＮａ２Ｏの少なくとも１種の化合物を０．１〜２０質量％含有するガラスであることを特徴とする請求項１または２に記載の絶縁ペースト。
【請求項４】
窒化硼素化合物とガラス粉末との質量比が５０：５０〜９５：５の範囲内であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の絶縁ペースト。
【請求項５】
有機ビヒクルが不飽和二重結合を有する化合物を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の絶縁ペースト。
【請求項６】
４００ｎｍを越えた波長領域に吸収極大をもつ化合物とビス（アルキルアミノ）ベンゾフェノンもしくはチオキサントン誘導体を含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の絶縁ペースト。
【請求項７】
少なくとも基板上に絶縁ペーストを塗布した後に乾燥する工程を含む電子回路部品の製造方法であって、絶縁ペーストとして請求項１〜６のいずれかに記載の絶縁ペーストを用いることを特徴とする電子回路部品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明における絶縁ペーストは、窒化硼素化合物、ガラス粉末および有機ビヒクルを含み、該窒化硼素化合物が黒鉛化指数３．５以下の窒化硼素であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
（実施例１〜６、比較例１、２）
以下の方法で絶縁ペーストを作成し、評価を行った。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
評価結果を表１に示す。実施例１〜３では、比誘電率４以下の低誘電率と緻密性（吸水率が低い）に優れた絶縁膜が得られた。実施例４は、緻密性（吸水率が低い）は優れていたが、ガラス粉末を多く用いたため、少し比誘電率が高い絶縁膜であった。実施例５は、比誘電率は低いものであったが、ガラス粉末が少ないために緻密性がやや不良（吸水率が少し高い）であった。
実施例６では、比誘電率が７を越えるガラス粉末を用いたために、絶縁膜の比誘電率は高めであったが、緻密性は良好であった。比較例１では、黒鉛化指数が３．５を越える窒化硼素を用いたために、絶縁膜の比誘電率はやや高めであったが、緻密性は良好であった。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
また、比較例２では、ガラス粉末を用いなかったために、絶縁層の緻密性が著しく不良であり、比誘電率の測定ができなかった。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
（実施例７）
絶縁ペーストとして、表１に示した無機成分（窒化硼素化合物とガラス粉末の合計）６０質量部、酸価＝８５、重量平均分子量＝３２，０００の感光性アクリルポリマー（東レ社製ＡＰＸ−７１６）１０質量部、プロピレンオキシド変性トリメチロールプロパントリアクリレート（第一工業製薬社製）１０質量部、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）１．５重量部、４，４−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン（東京化成社製）０．５質量部、Ｎ−ブチルアクリドン（最大吸収波長４０２ｎｍ、東京化成社製）０．５質量部、ベーシックブルー２６（東京化成社製）０．０２質量部、ｐ−メトキシフェノール（東京化成社製）０．０５質量部、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート（協和発酵工業社製）２０質量部からなる感光性絶縁ペーストを用いた以外は、実施例１〜６と同様に比誘電率、絶縁層の緻密性を評価した。結果、表１のとおり、比誘電率４以下の低誘電率と緻密性（吸水率が低い）に優れた絶縁膜が得られた。
次に、該感光性絶縁ペーストを、基板（９９．６％アルミナ基板、７６ｍｍ角、厚さ０．６３５ｍｍ）上にマイクロテック社製スクリーン印刷機および３８０メッシュのスクリーン版を用いて全面塗布し、タバイ社製熱風乾燥機を用いて１００℃で３０分乾燥した。乾燥後の膜厚は２０μｍとした。乾燥後、解像度テストパターンが形成されたフォトマスク（６、８、１０、１２、１５、２０、２５、３０、４０、５０μｍφが５０μｍピッチで並んでいる）を介して露光を行った。露光機は、大日本スクリーン製露光機（光源：２ｋＷ超高圧水銀灯）を用いた。露光後、０．１％の２−アミノエタノール水溶液を用いて、１分間シャワーで現像しパターンを得た（現像液温度は２５℃とした）。その後、８５０℃で１０分間光洋サーモテック社製ローラーハース焼成炉を用いて焼成した。焼成後、電子顕微鏡（キーエンス社製、ＶＥ−７８００）を用いて解像度を調査したところ、１０μｍφまで解像していた。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
（実施例８）
絶縁ペーストとして、表１に示した無機成分（窒化硼素化合物とガラス粉末の合計）６０質量部、酸価＝８５、重量平均分子量＝３２，０００の感光性アクリルポリマー（東レ社製ＡＰＸ−７１６）１０質量部、プロピレンオキシド変性トリメチロールプロパントリアクリレート（第一工業製薬社製）１０質量部、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製）２質量部、ベーシックブルー２６（東京化成社製）０．０２質量部、ｐ−メトキシフェノール（東京化成社製）０．０５質量部、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート（協和発酵工業社製）２０質量部からなる感光性絶縁ペーストを用いた以外は、実施例１〜７と同様に比誘電率、絶縁層の緻密性を評価した。結果、表１のとおり、比誘電率４以下の低誘電率と緻密性（吸水率が低い）に優れた絶縁膜が得られた。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
【表１】
2006216300.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月17日(2008.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像を撮像する撮像部を備え、記録媒体に前記撮像部で撮像された映像を記録する撮像装置において、
前記記録媒体の種別を判別する媒体種別判別手段と、
前記撮像装置に電力を供給する電源手段と、
前記電源手段の供給状態を判別する電力供給判別手段と、
前記媒体種別判別手段で記録媒体が追記型記録媒体と判別された場合、記録された映像を再生専用装置で再生できるようにするための終了処理を行なう終了処理手段と、
前記撮像部で撮像された映像を表示する表示部と、
前記電力供給判別手段により、電力は電池によって供給されており、前記電池が供給できる電力量が所定値未満であることを判別した場合、前記終了処理手段が追記型記録媒体に終了処理を行なわないよう制御する制御部と、
を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記制御部は、前記電力供給判別手段により、電力は電池によって供給されており、前記電池が供給できる電力量が前記所定値以上であることを判別した場合、前記終了処理手段が追記型記録媒体に終了処理を行なうよう制御する、
ことを特徴とする撮像装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記制御部は、前記電力供給判別手段により、電力は商用交流電源によって供給されていることを判別した場合、前記終了処理手段が追記型記録媒体に終了処理を行なうよう制御する、
ことを特徴とする撮像装置。
【請求項４】
映像を撮像する撮像部を備え、記録媒体に前記撮像部で撮影された映像を記録する撮像装置において、
前記記録媒体の種別を判別する媒体種別判別手段と、
前記撮像装置に電力を供給する電源手段と、
前記電源手段の供給状態を判別する電力供給判別手段と、
前記媒体種別判別手段で記録媒体が追記型記録媒体と判別された場合、記録された映像を再生専用装置で再生できるようにするための終了処理を行なう終了処理手段と、
前記撮像部で撮像された映像を表示する表示部と、
前記電力供給判別手段により、電力は電池によって供給されており、前記電池が供給できる電力量が所定値以上であることを判別した場合、前記終了処理手段が追記型記録媒体に終了処理を行なうよう制御する制御部と、
を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記制御部は、前記電力供給判別手段により、電力は商用交流電源によって供給されていることを判別した場合、前記終了処理手段が追記型記録媒体に終了処理を行なうよう制御する、
ことを特徴とする撮像装置。
【請求項６】
請求項１ないし６において、
前記制御部は、前記電力供給判別手段により、電力は電池によって供給されており、前記電池が供給できる電力量が前記所定値未満であることを判別した場合、前記表示部に、前記終了処理を行えない旨を通知する表示、前記電池を充電するよう通知する表示、新しい電池に交換するよう通知する表示、または商用交流電源によって電力供給するよう通知する表示をするよう制御する、
ことを特徴とする撮像装置。
【請求項７】
請求項１ないし６において、
前記記録媒体は光ディスクであり、前記追記型記録媒体はＤＶＤ−Ｒである、
ことを特徴とする撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月13日(2007.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ディスクにデータを記録するための記録レーザパワーの調整を、
記録を行う光ディスクの記録位置とディスク使用環境温度に応じて、
調整を行う手段を有する光ディスク装置。
【請求項２】
光ディスクにデータを記録するための記録レーザパワーを、
記録を行う光ディスクの記録位置とディスク使用環境温度に応じて、
調整を行う手段を有し、
前記調整手段は、記録を行う光ディスクの記録位置とディスク使用環境温度に応じて、
記録レーザパワーの調整値を変更する
ことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項３】
光ディスクにデータを記録するための記録レーザパワーを、
記録を行う光ディスクの記録位置とディスク使用環境温度に応じて、
調整値を変更して調整を行う手段を有する光ディスク装置であって、
前記調整のためのデータ保持手段を有し、
前記データ保持手段は光ディスクの記録位置による複数のデータを保持することができ前記調整手段は、前記データ保持手段のデータにより、
記録を行う光ディスクの記録位置とディスク使用環境温度に応じて、
記録レーザパワーの調整値を変更する
ことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項４】
請求項３の光ディスク装置において、前記記録を行う光ディスクの記録位置が、記録を行う光ディスクの半径方向位置であり、この光ディスクの半径方向位置とディスク使用環境温度に応じて、記録レーザパワーの調整値を変更する
ことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項５】
請求項３の光ディスク装置において、前記データ保持手段のデータをあらかじめ所持していることを特徴とする光ディスク装置。
【請求項６】
請求項３の光ディスク装置において、前記データ保持手段のデータを作成、更新することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項７】
請求項３の光ディスク装置において、前記データ保持手段のデータを、ディスク使用環境温度に応じて、補正してから使用することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項８】
請求項３の光ディスク装置において、前記データ保持手段のデータを、
記録を行うディスクの半径位置とディスク使用環境温度に応じた構成で保持する
ことを特徴とする光ディスク装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月31日(2008.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記更新手段における前記第１の重み付け係数ｋ１（０＜ｋ１＜１）、前記第２の重み付け係数ｋ２としたとき、
ｋ２＝１−ｋ１
なる関係を有することを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記ＡＬＣ手段で得られた音響データの絶対値が所定の閾値を超える場合の前記第１の重み付け係数をｋ１、前記所定の閾値以下の場合の重み付け係数をｋ１’としたとき、
ｋ１＜ｋ１’
の関係を有することを特徴とする請求項２に記載の電子機器。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記更新手段における前記第１の重み付け係数ｋ１（０＜ｋ１＜１）、前記第２の重み付け係数ｋ２としたとき、
ｋ２＝１−ｋ１
なる関係を有することを特徴とする請求項７に記載の電子機器。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記ゲイン調整手段で得られた音響データの絶対値が所定の閾値を超える場合の前記第１の重み付け係数をｋ１、前記所定の閾値以下の場合の重み付け係数をｋ１’としたとき、
ｋ１＜ｋ１’
の関係を有することを特徴とする請求項８に記載の電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月5日(2008.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光源と、
前記レーザ光源から出射されるレーザ光に対して所定の角度で傾斜して配置されて複数枚の液晶層が一体化して構成された、前記レーザ光の波面収差を補正するための多層液晶光学素子と、
その多層液晶光学素子を透過して前記レーザ光が光ディスクに照射され、前記光ディスクからの反射光を受光するための受光器と、を有する光ピックアップ装置であって、
前記複数枚の液晶層をそれぞれ挟持する透明電極の光軸中心が、前記多層液晶光学素子の前記レーザ光に対する傾斜角度に応じてずらして配置されるとともに、前記レーザ光の光軸と一致して配設されていることを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項２】
前記多層液晶光学素子は、前記レーザ光源から出射され、前記光ディスクに至るまでの往路のレーザ光の波面収差の補正を行うための第１の液晶光学素子と、
前記光ディスクから反射され、前記受光器に至るまでの復路のレーザ光の波面収差の補正を行うための第２の液晶光学素子により構成されていることを特徴とする請求項１に記載の光ピックアップ装置。
【請求項３】
前記複数枚の液晶層は、透明基板で挟持されており、
前記傾斜角度に応じてずらして配置するオフセット量は、前記複数枚の液晶層の間に位置する前記透明基板の屈折率をｎ、当該透明基板に示す厚さをｔ、前記光軸中心に対して傾けて取り付ける角度をθとしたときに、下記式に基づき決定される
ｔ×ｔａｎ（ｓｉｎ−１（ｓｉｎθ／ｎ）
ことを特徴とする請求項１または２に記載の光ピックアップ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月20日(2007.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
一方、デジタル信号処理方式を適用する場合に、消費電力の低減を行うために、再生ＲＦ信号３から、それに含まれるクロック成分の半分の周波数の位相と同期したデジタルＲＦ信号６を生成することが必要である。それを実現するために、位相同期制御回路１７を用いて、アナログデジタルコンバータ５から第一のオフセット補正回路９を経て生成された出力信号と、その信号から時間方向に欠落した信号を補間処理により復元した信号を用いて位相誤差情報２０を検出した後、これを位相同期制御を行うための位相同期制御信号１７ａに加工して、クロック生成回路７に入力することにより、サンプリングクロック８の位相と再生ＲＦ信号調整回路４の出力信号が有するクロック成分の半分の周波数の位相が同期するように制御する。ここで、クロック生成回路７は、入力される電圧値に応じてサンプリングクロック８を生成するものであり、電圧制御発振器（以下、ＶＣＯと称す）により構成されるものであっても良い。このように、アナログデジタルコンバータ５→第一のオフセット補正回路９→位相同期制御回路１７→クロック生成回路７→アナログデジタルコンバータ５の一連の回路動作を行うことにより位相同期制御を実現できる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５（ａ）
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５（ａ）】
2006216187.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２（ａ）
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２（ａ）】
2006216187.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月13日(2008.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ内に放電電極と接地電極とが対向するように設置されたプラズマＣＶＤ装置を用いた光電変換装置の製造方法であって、
前記放電電極に対向するように、ｐ層を製膜した基板を前記接地電極に設置する工程と、
前記基板と前記放電電極との間の距離を８ｍｍ未満に設定する工程と、
前記接地電極に内蔵された加熱器により１８０〜２２０℃に前記基板温度を設定する工程と、
前記チャンバ内に材料ガスを供給する工程と、
前記チャンバ内の圧力を６００Ｐａ〜２０００Ｐａに設定する工程と、
前記放電電極に超高周波電力を供給し該放電電極と前記基板との間にプラズマを発生させて発電層を製膜する工程と、
前記発電層を製膜する工程の後にｎ層を製膜する工程と
を具備する
光電変換装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の光電変換装置の製造方法であって、
前記超高周波電力の周波数は４０ＭＨｚ〜１００ＭＨｚである
光電変換装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の光電変換装置の製造方法であって、
前記発電層が製膜される速度は２ｎｍ／ｓ以上である
光電変換装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の光電変換装置の製造方法であって、
前記超高周波電力のパワー密度は３．０ｋＷ／ｍ２以上である
光電変換装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の光電変換装置の製造方法であって、
前記放電電極は、互いに略平行な一対の第１電極棒と、前記第１電極棒と直交するように接続される互いに略平行な複数の第２電極棒とを備え、
前記放電電極と前記基板との間にプラズマを発生させて前記発電層を製膜する
光電変換装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の光電変換装置の製造方法であって、
前記発電層として微結晶シリコン膜、又は微結晶シリコンゲルマニウム膜が製膜される
光電変換装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の光電変換装置の製造方法であって、
前記ｐ層を製膜した基板を前記接地電極に設置する工程より前に、前記基板に対してアモルファスシリコン膜からなる光電変換層を製膜する工程を更に具備する
光電変換装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６又は７に記載の光電変換装置の製造方法であって、
前記ｎ層を製膜する工程の後に、微結晶シリコンゲルマニウム膜を発電層とする光電変換層を製膜する工程を更に具備する
光電変換装置の製造方法。
【請求項９】
チャンバ内に放電電極と接地電極とが対向するように設置されたプラズマＣＶＤ装置を用いることにより、前記接地電極上の基板に製膜される光電変換装置であって、
前記基板上に製膜されるｐ層と、
前記放電電極と前記基板との間の距離が８ｍｍ未満、前記チャンバ内の圧力が６００Ｐａ〜２０００Ｐａ、前記基板温度が１８０〜２２０℃、前記放電電極に供給される超高周波電力の周波数が４０ＭＨｚ〜１００ＭＨｚ、製膜速度が２ｎｍ／ｓ以上の条件で、前記ｐ層上に製膜される発電層と、
前記発電層上に製膜されるｎ層と
を備える光電変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月28日(2008.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
配線体の断面の観察・測定結果について説明する。
図４において、Ａは溶融粗化処理したメッキ層の断面を示し、Ｂは未処理のメッキ層の断面を示す図である。Ａは溶融粗化処理3のサンプルである。未処理品では、母材のCu層１０の上に薄い合金層９と厚いSn層(Sn100％)８が形成されている。溶融粗化処理品では、Cu層１０とSn層８の間に厚い合金層９が形成されている。レーザ光によりSn層が溶融し、母材の銅イオンが拡散することにより合金層９がＢに対しさらに厚く形成されたことが分かる。Ｂにおいて、Sn層８の厚さは約0.8μmであり、合金層９の厚さは約0.2μmであった。Ａにおいて、Sn層８の厚さは約0.1μmであり、合金層９の厚さは約0.9μmであった。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月17日(2008.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子が実装されたプリント基板と、
前記プリント基板を収容し、照光部を持つ筐体と、
前記照光部は、前記筐体に設けた照光窓部と前記発光素子からの光で照光される照光部材とからなり、
この照光部材は、前記光を遮光するための外層部と前記光を導光し、前記照光窓部から照光する内層部とからなることを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記照光部材は、二色成形により作製されたことを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記筐体には、前記照光部材を保持するための保持部が設けられており、前記外層部には、前記保持部と嵌合するための嵌合部が設けられていることを特徴とする請求項２記載の電子機器。
【請求項４】
前記照光部材は、外層にメッキが施されたことを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子機器
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、電話機、ファクシミリ等の電気機器において、照明のための照光窓を有する照光部の光漏れ防止のための電子機器に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、上記の種々の問題点を解決するためになされたもので、部材の増加、工数の増加及びケースの強度劣化等の問題を招くことなく、発光ＬＥＤからの発光を有効に導光しつつ、照光部の光漏れを防止するための電子機器を提供することを目的とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月10日(2008.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 放射線放出型医用イメージング装置（１０）のために撮像データを処理する方法（１００）であって、画像用途識別子を受け取るステップ（１０２）と、一組の走査パラメータ値を受け取るステップ（１０４）と、前記受け取った一組の走査パラメータ値から予測ノイズ指数を自動的に作成するステップ（１０６）と、少なくとも予測ノイズ指数に基づいてＸ線源のＸ線管電流分布を作成するステップ（１４６，１７２，１９８）と、Ｘ線管電流分布に基づいて前記自動的に作成された予測ノイズ指数をユーザによりオーバーライドできるようにし（１４８，１７４，２１０）、ユーザがそうすることを選択した場合に好ましいノイズ指数を設定し、好ましいノイズ指数が設定された場合に最終的な管電流分布を作成するステップ（１１０）と、前記最終的な管電流分布を用いて撮像データを取得するステップ（１１２）と、を有し、
患者の非対称性を考慮するためにＸ線照射線量が前記Ｘ線源が装着されたガントリの角度につれて変わる、当該方法。
【請求項２】 前記好ましいノイズ指数を設定する前記ステップは更に、前記自動的に作成された予測ノイズ指数をユーザの直接入力に従って調節するステップを含んでいる、請求項１記載の方法（１００）。
【請求項３】 前記ユーザの直接入力は、走査して画像を処理するための目標ノイズ指数を定義する、請求項２記載の方法（１００）。
【請求項４】 ガントリに装着され、対象物（２２）へ向けて高周波エネルギを投射するＸ線源（１４）と、前記対象物（２２）によって減弱した高周波電磁エネルギを受け取る検出器（２０）と、検出器出力をデータ処理システム（３２）へ伝送するように構成された複数の電気的相互接続部と、ＶＯＩについて複数の初期投影を構成し（１２６）、ユーザ入力を受け取って目標ノイズ指数を作成し（１２８）、前記目標ノイズ指数及び予測ノイズ指数に従って管電流分布を作成し（１４６，１７４，２１０）、前記管電流分布をＶＯＩの１つ以上の部分について変更できるようにするために前記管電流分布を表示し、前記管電流分布のユーザによる変更に基づいてＶＯＩの１つ以上の部分について、患者の非対称性を考慮するためにＸ線照射線量が前記Ｘ線源が装着されたガントリの角度につれて変えて、走査照射線量を調節し（１４８，１７４，２１０）、そして前記ＶＯＩについて撮像データを取得する（１１２）ようにプログラムされているコンピュータ（３６）と、を有しているコンピュータ断層撮影システム（１０）。
【請求項５】 前記コンピュータ（３６）は更に、前記複数の初期投影をコンソール上に表示させるようにプログラムされている、請求項４記載のシステム（１０）。
【請求項６】 前記コンピュータ（３６）は更に、前記ＶＯＩの選択した領域についての直接的なユーザによる目標ノイズ入力（１２２）に基づいて前記管電流分布を変更するようにプログラムされている、請求項４記載のシステム（１０）。
【請求項７】 一組の命令を持つコンピュータ・プログラムを記憶したコンピュータ読出し可能な媒体であって、該一組の命令は、コンピュータ（３６）によって実行されたとき、前記コンピュータ（３６）に、対象物のＶＯＩの予備走査データを取得させ（１０４）、前記予備走査データから予測ノイズ指数を作成させ（１０６）、前記予測ノイズ指数及び目標ノイズ指数に基づいて管電流分布を作成させ（１４６，１７２，２１３）、次いで前記管電流分布の少なくとも一部分の選択的調節を受けさせて、前記管電流分布のユーザによる解析に基づいてＶＯＩの対応する部分について、患者の非対称性を考慮するためにＸ線照射線量が前記Ｘ線源が装着されたガントリの角度につれて変えて、走査照射線量を調節させる（１５１，１７７，２１３）ように構成されている、コンピュータ読出し可能な媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月16日(2008.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 超音波撮影を実行するシステム（５）において、デジタルビーム整形を含む超音波信号処理機能を実行するビーム整形モジュール（４０）と、前記ビーム整形モジュール（４０）に装着されて、ハンドヘルドプローブアセンブリ（２）を形成する取り外し自在の変換器ヘッド（１０）と、前記ハンドヘルドプローブアセンブリ（２）に標準デジタルインタフェース（１５０）を介して接続し、復調、パラメータ評価、走査変換、表示処理を含む、超音波データ処理機能を実行する市販の携帯情報端末（ＰＤＡ）（１２０）とを具備するシステム（５）。
【請求項２】 前記取り外し自在の変換器ヘッド（１０）は、一組の変換器素子（２０）と、前記一組の変換器素子（２０）に接続し、前記一組の変換器素子（２０）のうちの一部の変換器素子からの第１の組の受信アナログ信号を選択し、それらを前記ビーム整形モジュール（４０）へ経路指定するマルチプレクサ（３０）とを具備する請求項１記載のシステム（５）。
【請求項３】 前記ビーム整形モジュール（４０）は、第３の組の受信アナログ信号を第１の組の受信デジタル信号に変換するアナログ／デジタル変換器（ＡＤＣ）（８０）と、前記ＡＤＣ（８０）に接続し、前記第１の組の受信デジタル信号から少なくとも１つのデジタルデータのビームを発生するビーム整形ＡＳＩＣ（９０）と、前記ＰＤＡ（１２０）からのデジタル制御データに応答して一組のアナログ送信信号を発生し、前記一組のアナログ送信信号を前記変換器ヘッド（１０）へ送信するパルサモジュール（６０）とを具備する請求項１記載のシステム（５）。
【請求項４】 前記ビーム整形モジュール（４０）は、前記一組のアナログ送信信号と、第１の組の受信アナログ信号との通過を切り替えるＴＸ／ＲＸ切り替えモジュール（３５）と、前記変換器ヘッド（１０）から前記ＴＸ／ＲＸ切り替えモジュール（３５）を介して受信される前記第１の組の受信アナログ信号から第２の組の受信アナログ信号を発生するフォルダモジュール（５０）と、前記フォルダモジュール（５０）に接続し、前記第２の組の受信アナログ信号から前記第３の組の受信アナログ信号を発生する電圧制御増幅器（ＶＣＡ）（７０）と、前記ビーム整形ＡＳＩＣ（９０）に接続し、前記少なくとも１つのデジタルデータのビームを前記ＰＤＡ（１２０）へ送信し、前記ＰＤＡ（１２０）から前記標準デジタルインタフェース（１５０）を介して前記デジタル制御データを受信するデジタルインタフェースコントローラ（１００）とを更に具備する請求項３記載のシステム（５）。
【請求項５】 前記ＰＤＡ（１２０）は、前記システム（５）により生成される超音波画像データ及びメニューを表示するタッチスクリーン表示部（１２５）を含む請求項１記載のシステム（５）。
【請求項６】 前記標準デジタルインタフェース（１５０）は直列リンクを具備する請求項１記載のシステム（５）。
【請求項７】 前記標準デジタルインタフェース（１５０）は並列リンクを具備する請求項１記載のシステム（５）。
【請求項８】 前記標準デジタルインタフェース（１５０）は無線リンクを具備する請求項１記載のシステム（５）。
【請求項９】 前記ＰＤＡ（１２９）は、前記ＰＤＡ（１２０）及び前記ハンドヘルドプローブアセンブリ（２）に電力を供給する内部バッテリを含む請求項１記載のシステム（５）。
【請求項１０】 前記ハンドヘルドプローブアセンブリ（２）に電力を供給するために前記ハンドヘルドプローブアセンブリ（２）に接続する外部バッテリ（１１０）を更に具備する請求項１記載のシステム（５）。
【請求項１１】 前記ＰＤＡ（１２０）と前記ハンドヘルドプローブアセンブリ（２）との間に接続するバッテリパワーインタフェース（１４０）を更に具備する請求項１記載のシステム（５）。
【請求項１２】 前記ハンドヘルドプローブアセンブリ（２）は、前記ハンドヘルドプローブアセンブリ（２）に電力を供給するための内部バッテリを含む請求項１記載のシステム（５）。
【請求項１３】 前記ハンドヘルドプローブアセンブリ（２）のバッテリを充電するために前記ハンドヘルドプローブアセンブリ（２）を差し込むためのドッキングステーションを更に具備する請求項１記載のシステム（５）。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月16日(2008.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 医療画像を遠隔表示するシステムであって、
未処理の医療撮像データを遠隔端末１６５に送る医療撮像システム１１０と、
前記未処理の医療撮像データを受けとり、前記遠隔端末１６５のオペレータの所望の制御に従って前記未処理の医療撮像データを処理し、該処理された撮像データをピクセル画像データに変換して医療画像を形成し、前記遠隔端末１６５で前記医療画像を表示する遠隔端末１６５を備え、
前記医療撮像データの取得及び処理において前記医療撮像システム１１０のオペレーションに影響を及ぼすために前記遠隔端末１６５は前記医療撮像システム１１０にコマンドを送る、システム。
【請求項２】 前記遠隔端末１６５は前記未処理の医療画像データに後処理を施す、請求項１のシステム。
【請求項３】 前記医療撮像システム１１０は前記未処理の医療撮像データを獲得する、請求項１のシステム。
【請求項４】 前記医療撮像システム１１０はまた、オーディオデータを前記遠隔端末１６５に送る、請求項１のシステム。
【請求項５】 前記医療撮像システム１１０はまた、システムパラメータデータを前記遠隔端末１６５に送る、請求項１のシステム。
【請求項６】 医療撮像データを遠隔後処理するシステムであって、
未処理の医療撮像データを受けとる遠隔端末１６５であって、前記未処理の医療撮像データを受けとり、該医療撮像データの後処理を行う遠隔撮像プロセッサ１８０を含む、当該前記遠隔端末１６５を備え、
前記遠隔端末１６５は撮像パラメータに基づいて前記未処理の医療撮像データを処理し、
前記撮像パラメータは前記遠隔端末１６５のオペレータによって制御され、
前記遠隔端末１６５は処理された撮像データをピクセル画像データに変換して医療画像を形成し、前記遠隔端末１６５で前記医療画像を表示する、システム。
【請求項７】 医療撮像システム１１０によって前記未処理の医療撮像データは前記遠隔端末１６５に送られる、請求項６のシステム。
【請求項８】 医療画像を遠隔表示する医療撮像システムで利用される遠隔端末であって、
未処理の医療撮像データを受けとり、前記遠隔端末のオペレータの所望の制御に従って前記未処理の医療撮像データを前処理する遠隔データプロセッサ１７０と、
前記遠隔端末のオペレータの所望の制御に従って前記医療撮像データに後処理を施し、後処理された撮像データをピクセル画像データに変換して医療画像を形成する遠隔撮像プロセッサ１８０と、
前記遠隔撮像プロセッサの撮像パラメータを制御し、前記遠隔データプロセッサ１７０を介して撮像システムに前記医療撮像データの取得及び処理に関するコマンドを伝える遠隔コンソール制御部１９５と、
前記医療画像を表示するディスプレイ１９０とを備える、遠隔端末。
【請求項９】 医療画像の遠隔表示方法であって、
医療撮像システム１１０から遠隔端末１６５へ未処理の医療撮像データを送る工程と、
前記遠隔端末１６５で前記遠隔端末のオペレータの所望の制御に従って前記未処理の医療前記遠隔端末のオペレータの所望の制御に従って、該処理された撮像データをピクセル画像データに変換して医療画像を形成する工程と、
前記遠隔端末１６５から前記医療撮像システム１１０に撮像データの処理に関するコマンドを送る工程と、
前記医療画像を表示する工程を備える方法。
【請求項１０】 前記遠隔端末１６５で前記未処理の医療画像データに後処理を施す工程をさらに備える、請求項９の方法。
【請求項１１】 前記医療撮像システム１１０で前記未処理の医療撮像データを獲得する工程をさらに備える、請求項９の方法。
【請求項１２】 前記医療撮像システム１１０から前記遠隔端末１６５にオーディオデータを送る工程をさらに備える、請求項９の方法。
【請求項１３】 前記医療撮像システム１１０から前記遠隔端末１６５にシステムパラメータデータを送る工程をさらに備える、請求項９の方法。
【請求項１４】 医療撮像データに遠隔後処理を施す方法であって、
遠隔端末１６５で未処理の医療情報データを受けとる工程と、
前記遠隔端末のオペレータの所望の制御に従って前記未処理の医療撮像データを遠隔端末１６５で後処理する工程と、
前記遠隔端末のオペレータの所望の制御に従って、該処理された撮像データをピクセル画像データに変換して医療画像を形成する工程と、
を備え、
前記遠隔端末１６５は撮像パラメータに基づいて前記未処理の医療情報データを処理し、
前記撮像パラメータは前記遠隔端末１６５のオペレータによって制御され、該オペレータの所望の画像処理を反映する、方法。
【請求項１５】 前記未処理の医療撮像データは医療撮像システム１１０によって前記遠隔端末１６５に送られる、請求項１４の方法。
【請求項１６】 前記遠隔端末１６５から前記医療撮像システム１１０に送られるコマンドは、前記医療撮像システム１１０の前処理機能又は後処理機能を有している、請求項１のシステム。
【請求項１７】 前記遠隔端末１６５のオペレータは、前記医療撮像システム１１０のユーザとして制御権を有している、請求項１のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月7日(2008.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機能毎に分割された複数のパネルを組み立てて一体化するようにした遊技機において、
前記複数のパネルは、
入賞口が前面側に設けられる遊技盤と、
該遊技盤の裏面側に装着されて前記入賞口に入賞した球を通過させる通路と、所定の基板とが設けられるセーフ球集合板と、
該セーフ球集合板の後方を覆う機構盤とを含み
前記セーフ球集合板には、
前記基板が配置される位置に貫通して形成される透孔と、
前記基板の周縁に対向して形成される壁部と、
前記基板の片面側を支持する支持部と、
前記基板の縁部に沿って片持ち状に延出されると共に、その先端部には前記支持部によって片面側が支持された前記基板の反対面側に係合して該反対面側を支持する係合部が形成されたレバーとが設けられ、
前記壁部、支持部およびレバーによって前記基板が支持され、前記レバーを撓ませることで前記係合部と前記基板との干渉を解除して前記基板を着脱可能としたことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
機能毎に分割された複数のパネルを組み立てて一体化するようにした遊技機において、
前記複数のパネルは、
入賞口が前面側に設けられる遊技盤と、
該遊技盤の裏面側に装着されて前記入賞口に入賞した球を通過させる通路と、所定の基板とが設けられるセーフ球集合板と、
該セーフ球集合板の後方を覆う機構盤とを含み
前記セーフ球集合板には、
前記基板が配置される位置に貫通して形成される透孔と、
前記基板の周縁に対向して形成される壁部と、
前記基板の片面側を支持する支持部と、
前記基板の板面と平行に片持ち状に延出されると共に、その先端部には前記支持部によって片面側が支持された前記基板の反対面側に係合して該反対面側を支持する係合部が形成されたレバーとが設けられ、
前記壁部、支持部およびレバーによって前記基板が支持され、前記レバーを撓ませることで前記係合部と前記基板との干渉を解除して前記基板を着脱可能としたことを特徴とする遊技機。
【請求項３】
前記遊技機は、パチンコ遊技機であることを特徴とする請求項１又は２に記載の遊技機。    
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このような隣接した他のパネルを電飾するためにＬＥＤ基板を配設する場合に生ずる課題として次のようなものがある。
１）当該ＬＥＤ基板をパネルに装着した際にパネル表面に直接貼着したとすれば、ＬＥＤが配設されたＬＥＤ基板表面が同パネルの外表面に露出することとなってしまう。これではパネルを取り扱う際にＬＥＤ基板が接地面と当たってしまう場合もあってパネルの取り扱いに支障を来すため好ましくない。
２）そのためにパネルに透孔を形成し、この透孔を通してパネル内部から照明するようにＬＥＤ基板を配置することが考えられる。
ここでＬＥＤ基板は交換を必要とするケースがあるため一般に着脱可能な構造とされている。着脱可能な構造としては図２４に示すようなＬＥＤ基板装着部（透孔１００）にベース面１０１に対して立設させた（以後、縦方向という）レバー１０２を使用し、同レバー１０２を基部を中心に撓ませることで先端の係合爪１０３によってＬＥＤ基板の縁部を係止させ隣接するパネル方向にＬＥＤを向けて保持するという構造が最も一般的なものとして考えられる。
ところが、このような縦方向のレバー１０２では係合爪１０３が先端に位置することからＬＥＤ基板をある程度透孔１００から図上上方の離間した位置で保持する場合には問題はないが透孔１００にごく近接させたり場合によって透孔１００よりも下方位置で保持したりしなければならないケースについて応用することは困難であった。
本発明は、このような従来の技術に存在する問題点に着目してなされたものである。その目的とするところは、基板を隣接するパネルに十分接近させることのできる遊技機を提供することにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決する為の手段】
上記の目的を達成するために、請求項１に記載の発明では、機能毎に分割された複数のパネルを組み立てて一体化するようにした遊技機において、前記複数のパネルは、入賞口が前面側に設けられる遊技盤と、該遊技盤の裏面側に装着されて前記入賞口に入賞した球を通過させる通路と、所定の基板とが設けられるセーフ球集合板と、該セーフ球集合板の後方を覆う機構盤とを含み前記セーフ球集合板には、前記基板が配置される位置に貫通して形成される透孔と、前記基板の周縁に対向して形成される壁部と、前記基板の片面側を支持する支持部と、前記基板の縁部に沿って片持ち状に延出されると共に、その先端部には前記支持部によって片面側が支持された前記基板の反対面側に係合して該反対面側を支持する係合部が形成されたレバーとが設けられ、前記壁部、支持部およびレバーによって前記基板が支持され、前記レバーを撓ませることで前記係合部と前記基板との干渉を解除して前記基板を着脱可能としたことをその要旨とする。
また、請求項２に記載の発明では、機能毎に分割された複数のパネルを組み立てて一体化するようにした遊技機において、前記複数のパネルは、入賞口が前面側に設けられる遊技盤と、該遊技盤の裏面側に装着されて前記入賞口に入賞した球を通過させる通路と、所定の基板とが設けられるセーフ球集合板と、該セーフ球集合板の後方を覆う機構盤とを含み前記セーフ球集合板には、前記基板が配置される位置に貫通して形成される透孔と、前記基板の周縁に対向して形成される壁部と、前記基板の片面側を支持する支持部と、前記基板の板面と平行に片持ち状に延出されると共に、その先端部には前記支持部によって片面側が支持された前記基板の反対面側に係合して該反対面側を支持する係合部が形成されたレバーとが設けられ、前記壁部、支持部およびレバーによって前記基板が支持され、前記レバーを撓ませることで前記係合部と前記基板との干渉を解除して前記基板を着脱可能としたことをその要旨とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
また、請求項３に記載の発明では、前記遊技機は、パチンコ遊技機であることをその要旨とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【発明の効果】
上記発明では、基板を隣接するパネルに接近させることができ、例えば発光部品の発光部は隣接する他の一のパネルとごく近い位置で発光することが可能となる。また、従来のレバーのようには遊技盤側や機構盤側にレバーが突出することのない遊技機を提供することができる。