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【手続補正書】
【提出日】平成20年10月31日(2008.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層上に第１の開口を有する第１のマスク層を形成し、
前記第１のマスク層を介して、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層をエッチングすることにより、前記第１の導電層に達する第１の開口部を形成し、
前記第１のマスク層を除去した後、前記第１の開口と重なる位置に、前記第１の開口よりも開口面積が広い第２の開口を有し、且つ、導電性材料を含む組成物に対してぬれ性の低い第２のマスク層を前記第２の絶縁層上に形成し、
前記第１の絶縁層上面の一部が露出するように前記第２の絶縁層をエッチングし、第２の開口部を形成し、
前記第１の開口部及び前記第２の開口部に前記導電性材料を含む組成物を充填し、第２の導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に孔を有する第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上に孔を有する第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層上に第１の開口を有する第１のマスク層を形成し、
前記第１のマスク層を介して、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層をエッチングすることにより、前記第１の導電層に達する第１の開口部を形成し、
前記第１のマスク層を除去した後、前記第１の開口と重なる位置に、前記第１の開口よりも開口面積が広い第２の開口を有し、且つ、導電性材料を含む組成物に対してぬれ性の低い第２のマスク層を前記第２の絶縁層上に形成し、
前記第１の絶縁層上面の一部が露出するように前記第２の絶縁層をエッチングし、第２の開口部を形成し、
前記第１の開口部及び前記第２の開口部に前記導電性材料を含む組成物を充填し、第２の導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記第２のマスク層は、フッ化炭素基を含む物質を用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層上に第１の開口を有する第１のマスク層を形成し、
前記第１のマスク層を介して、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層をエッチングすることにより、前記第１の導電層に達する第１の開口部を形成し、
前記第１のマスク層を除去した後、前記第１の開口と重なる位置に、前記第１の開口よりも開口面積が広い第２の開口を有する第２のマスク層を前記第２の絶縁層上に形成し、
前記第１の絶縁層上面の一部が露出するように前記第２の絶縁層をエッチングし、第２の開口部を形成し、
前記第２のマスク層にプラズマ処理を行い、導電性材料を含む組成物に対するぬれ性を低下させ、
前記第１の開口部及び前記第２の開口部に前記導電性材料を含む組成物を充填し、第２の導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に孔を有する第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上に孔を有する第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層上に第１の開口を有する第１のマスク層を形成し、
前記第１のマスク層を介して、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層をエッチングすることにより、前記第１の導電層に達する第１の開口部を形成し、
前記第１のマスク層を除去した後、前記第１の開口と重なる位置に、前記第１の開口よりも開口面積が広い第２の開口を有する第２のマスク層を前記第２の絶縁層上に形成し、
前記第１の絶縁層上面の一部が露出するように前記第２の絶縁層をエッチングし、第２の開口部を形成し、
前記第２のマスク層にプラズマ処理を行い、導電性材料を含む組成物に対するぬれ性を低下させ、
前記第１の開口部及び前記第２の開口部に前記導電性材料を含む組成物を充填し、第２の導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４又は５において、前記プラズマ処理はフッ素を含むガス雰囲気中で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月30日(2008.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体単結晶基板上に多孔質の絶縁膜を形成し、
前記多孔質の絶縁膜をエッチングして接続孔を形成し、
前記多孔質の絶縁膜及び前記接続孔の表面に撥水表面を有する膜を形成し、
前記接続孔の表面に形成された前記撥水表面を有する膜の一部に光を照射して親水表面を有する領域を形成し、
前記親水表面を有する領域に導電性粒子を有する液状物質を吐出し、
焼成して導電膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
半導体単結晶基板上に多孔質の絶縁膜を形成し、
前記多孔質の絶縁膜をエッチングして接続孔を形成すると共に前記半導体単結晶基板の一部を露出し、
前記多孔質の絶縁膜、前記接続孔、及び前記露出された半導体単結晶基板の一部の表面に撥水表面を有する膜を形成し、
前記接続孔及び前記半導体単結晶基板の一部の表面に形成された前記撥水表面を有する膜の一部に光を照射して親水表面を有する領域を形成し、
前記親水表面を有する領域に導電性粒子を有する液状物質を吐出し、
焼成して前記半導体単結晶基板に接続する導電膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記導電膜は、配線及びプラグとして機能することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
半導体単結晶基板上に第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜上に多孔質の絶縁膜を形成し、
前記多孔質の絶縁膜をエッチングして接続孔を形成すると共に前記第１の導電膜の一部を露出し、
前記多孔質の絶縁膜、前記接続孔、及び前記露出された第１の導電膜の一部の表面に撥水表面を有する膜を形成し、
前記接続孔及び前記第１の導電膜の一部の表面に形成された前記撥水表面を有する膜の一部に光を照射して親水表面を有する領域を形成し、
前記親水表面を有する領域に導電性粒子を有する液状物質を吐出し、
焼成して前記第１の導電膜に接続する第２の導電膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記第２の導電膜は、配線及びプラグとして機能することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記多孔質の絶縁膜は、絶縁材料を塗布した後加熱して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記多孔質の絶縁膜は、プラズマＣＶＤ法により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月24日(2008.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のメモリセルを含むメモリセルアレイを有する有機メモリと、
前記有機メモリを制御する制御回路と、
アンテナと、を有し、
前記複数のメモリセルはそれぞれ、トランジスタと記憶素子を有し、
前記記憶素子は、第１の導電層と、有機化合物層と、第２の導電層と、を有し、
前記第２の導電層は、前記複数のメモリセルが有する記憶素子に共通であり、線状に設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
複数のメモリセルを含むメモリセルアレイを有する有機メモリと、
前記有機メモリを制御する制御回路と、
アンテナと、を有し、
前記複数のメモリセルはそれぞれ、トランジスタと記憶素子を有し、
前記記憶素子は、第１の導電層と、有機化合物層と、第２の導電層と、を有し、
前記第２の導電層は、前記複数のメモリセルが有する記憶素子に共通であり、線状に設けられ、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層の少なくとも一方は、透光性を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記有機化合物層は、光を照射することによって電気抵抗が変化する材料を用いて設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１又は請求項２において、
前記有機化合物層は、前記第１の導電層と前記第２の導電層の間に電位差を生じさせることによって電気抵抗が変化する材料を用いて設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１又は請求項２において、
前記有機化合物層は、加熱することによって電気抵抗が変化する材料を用いて設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第２の導電層は、前記アンテナが設けられている面と同一面上又は平行な面上に設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第２の導電層は、くし状に設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第２の導電層は、導通した複数の線状の導電層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第２の導電層は、はしご型に設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記有機化合物層は、電子輸送層又はホール輸送層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＦｅＲＡＭ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、マスクＲＯＭ（Ｍａｓｋ  Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＰＲＯＭ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｅｒａｓａｂｌｅ  Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、又はフラッシュメモリを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
電源回路、クロック発生回路、復調回路、変調回路、命令解析部、又は符号化回路を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記有機メモリと前記アンテナは、ガラス基板上に設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記有機メモリと前記アンテナは、可撓性基板上に設けられることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月23日(2008.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のメモリセルを含むメモリセルアレイを有するメモリと、アンテナとを有し、
前記メモリセルアレイは、第１の方向に延在するビット線と、前記第１の方向と垂直な第２の方向に延在するワード線とを有し、前記ビット線と前記ワード線との間に不可逆的に相変化する材料層を有し、前記ビット線と前記ワード線の一方または両方は透光性を有し、前記メモリは、記録された情報を光学読み取り手段により読み取る識別面を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記メモリに記憶されたデータを無線信号により読み取ることにより得られた第１のデータと、前記メモリの識別面から光学読み取り手段により得られた第２のデータと、を照合する照合手段を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
複数のメモリセルを含むメモリセルアレイを有するメモリと、アンテナとを有し、
前記メモリセルアレイは、第１の方向に延在するビット線と、前記第１の方向と垂直な第２の方向に延在するワード線とを有し、前記ビット線と前記ワード線との間に不可逆的に相変化する材料層を有し、前記ビット線と前記ワード線の一方または両方は透光性を有し、前記メモリに記録された同一の情報は複数の異なる読み取り手段により読み取られることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記材料層は、光の照射により第１の状態から第２の状態に相変化し、前記ビット線と前記ワード線との間の電気抵抗が変化することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記材料層は、光の照射により第１の状態から第２の状態に相変化し、前記識別面で相変化が読み取れることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記半導体装置は、前記メモリを制御する回路を有し、前記メモリを制御する回路は、薄膜トランジスタを有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記半導体装置は、前記アンテナと電気的に接続する回路を有し、前記アンテナと電気的に接続する回路は薄膜トランジスタを有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記半導体装置は、前記メモリを制御する回路と、前記アンテナと電気的に接続する回路とを有し、前記メモリを制御する回路と、前記アンテナと電気的に接続する回路は、同一基材上に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記半導体装置は、基材と封止材とで密封されており、前記基材と前記封止材の一方または両方は透光性を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記半導体装置は、基材と封止材とで狭持されており、前記基材及び前記封止材は、樹脂を含むことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月12日(2008.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極と所定の間隔離れた前記半導体基板の第１の領域に、選択的に第１の不純物元素を導入し、
前記ゲート電極と前記第１の領域との間の前記半導体基板の第２の領域に、第２の不純物元素を導入し、
少なくとも前記第２の領域に、パルス幅が１ｆｓ以上１０ｐｓ以下で、波長が３７０ｎｍ以上６４０ｎｍ以下のレーザビームを照射することによって、ソース領域、ドレイン領域、およびエクステンション領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
半導体基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極と所定の間隔離れた前記半導体基板の第１の領域に、選択的に第１の不純物元素を導入し、
前記ゲート電極と前記第１の領域との間の前記半導体基板の第２の領域に、第２の不純物元素、およびゲルマニウム、アルゴン、クリプトン、キセノン、またはラドンを導入し、
少なくとも前記第２の領域に、パルス幅が１ｆｓ以上１０ｐｓ以下で、波長が３７０ｎｍ以上６４０ｎｍ以下のレーザビームを照射することによって、ソース領域、ドレイン領域、およびエクステンション領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記レーザビームは、１０ＭＨｚ以上の繰り返し周波数を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記レーザビームは、Ｓａｐｐｈｉｒｅ、ＹＡＧ、セラミックスＹＡＧ、セラミックスＹ２Ｏ３、ＫＧＷ、ＫＹＷ、Ｍｇ２ＳｉＯ４、ＹＬＦ、ＹＶＯ４、またはＧｄＶＯ４の結晶に、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、およびＥｒのいずれかのドーパントを添加したレーザ発振器を用いて形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記半導体基板として、Ｎ型またはＰ型の単結晶シリコン基板、ＧａＡｓ基板、ＩｎＰ基板、ＧａＮ基板、ＳｉＣ基板、サファイア基板、またはＺｎＳｅ基板を用いて作製された基板を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記半導体基板として、ガラス、石英、または合成樹脂に単結晶半導体膜を形成した基板を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記エクステンション領域は、前記ソース領域および前記ドレイン領域よりも浅く形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記エクステンション領域を０．１ｎｍ以上２０ｎｍ以下の深さで形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記第１の不純物元素及び前記第２の不純物元素としてヒ素またはリンを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記第１の不純物元素及び前記第２の不純物元素としてホウ素を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月18日(2008.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に金属膜を形成し、
前記金属膜にプラズマ処理を行うことによって前記金属膜の表面に金属酸化膜を形成し、
前記金属酸化膜上に薄膜トランジスタを有する素子形成層を形成し、
前記素子形成層を覆って絶縁膜を形成し、
前記金属酸化膜の表面の一部が露出されるように前記絶縁膜及び前記素子形成層に開口部を形成した後、前記基板から前記素子形成層を剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に金属膜を形成し、
前記金属膜に熱処理を行うことによって前記金属膜の表面に金属酸化膜を形成し、
前記金属酸化膜上に薄膜トランジスタを有する素子形成層を形成し、
前記素子形成層を覆って絶縁膜を形成し、
前記金属酸化膜の表面の一部が露出されるように前記絶縁膜及び前記素子形成層に開口部を形成した後、前記基板から前記素子形成層を剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に金属膜を形成し、
前記金属膜上にスパッタ法により金属酸化膜を形成し、
前記金属酸化膜上に薄膜トランジスタを有する素子形成層を形成し、
前記素子形成層を覆って絶縁膜を形成し、
前記金属酸化膜の表面の一部が露出されるように前記絶縁膜及び前記素子形成層に開口部を形成した後、前記基板から前記素子形成層を剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上にスパッタ法により金属酸化膜を形成し、
前記金属酸化膜上に薄膜トランジスタを有する素子形成層を形成し、
前記素子形成層を覆って絶縁膜を形成し、
前記金属酸化膜の表面の一部が露出されるように前記絶縁膜及び前記素子形成層に開口部を形成した後、前記基板から前記素子形成層を剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記金属膜として、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、鉛（Ｐｂ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）から選択された元素または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記金属酸化膜の形成を、酸素雰囲気下で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記素子形成層は、さらにアンテナを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記絶縁膜として、ダイヤモンドライクカーボン膜、炭素を含む膜、窒化珪素を含む膜、窒化酸化珪素を含む膜、または有機材料からなる膜を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記開口部を、レーザ光の照射により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、
前記基板から前記素子形成層を剥離した後、可撓性を有する第１及び第２のフィルムを用いて前記素子形成層を封止することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記第１及び前記第２のフィルムとして、帯電防止フィルムを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１０において、
前記第１及び前記第２のフィルムとして、帯電防止可能な材料が貼り付けられたフィルムを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月20日(2007.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板を保持する基板保持具であって、
本体部と、
粘着性材料により前記本体部上に平面状に構成された保持層とを備え、
前記保持層の表面には第１の粘着度にて回路基板を保持する第１粘着保持領域と、当該第１の粘着度とは異なる第２の粘着度にて当該第１粘着保持領域と共に前記回路基板を保持する第２粘着保持領域とが一体に形成され、
当該第１粘着保持領域および当該第２粘着保持領域のそれぞれの表面の凹凸特性が異なることを特徴とする、基板保持具。
【請求項２】
前記第１粘着保持領域と前記第２粘着保持領域とにおいて表面の粗さが異なることを特徴とする、請求項１に記載の基板保持具。
【請求項３】
前記第１粘着保持領域および前記第２粘着保持領域の何れか一方の領域が他方の領域を囲むことを特徴とする、請求項２に記載の基板保持具。
【請求項４】
前記第１の粘着度が前記第２の粘着度よりも低く、前記第１粘着保持領域が前記第２粘着保持領域を包含することを特徴とする、請求項１ないし３のいずれかに記載の基板保持具。
【請求項５】
前記第１の粘着度が前記第２の粘着度よりも低く、
前記第１粘着保持領域に回路基板剥離用のピンが挿入される貫通穴が形成されることを特徴とする、請求項１ないし４のいずれかに記載の基板保持具。
【請求項６】
回路基板を着脱自在に保持する基板保持具であって、
互いに対向する概ね平行な第１面と第２面で規定されるベースプレートと、
前記第１面に設けられて前記回路基板を粘着保持する保持面を有する保持層とを備え、
前記保持層には、
第１の粘着度にて前記回路基板を保持する第１粘着保持領域と、
前記第１の粘着度とは異なる第２の粘着度にて前記第１粘着保持領域と共に前記回路基板を保持する第２粘着保持領域とが同一の粘着材料によって一体的に成形され、前記第２面と前記保持面の間には複数の開口が延在し、
前記開口は回路基板の前記保持面からの剥離に利用されることを特徴とする、基板保持具。
【請求項７】
ベースプレートと、粘着性材料とからなる基板を保持する基板保持具の製造方法であって、
前記ベースプレート上に前記粘着性材料を載置する工程と、
粘着度調整用の凹凸パターンが形成された金型を加熱しつつ前記粘着性材料に押圧する工程とを備える、基板保持具の製造方法。
【請求項８】
前記金型は、第１の凹凸パターンが形成された領域と、第２の凹凸パターンが形成された領域とを有することを特徴とする、請求項７に記載の基板保持具の製造方法。
【請求項９】
前記金型は、前記第１の凹凸パターンが形成された領域と、前記第２の凹凸パターンが形成された領域との間に段差を有することを特徴とする、請求項８に記載の基板保持具の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板保持具及び基板保持具の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る基板保持具は、回路基板を保持するものであって、本体部と、粘着性材料により本体部上に平面状に構成された保持層とを備え、保持層の表面には第１の粘着度にて回路基板を保持する第１粘着保持領域と当該第１の粘着度とは異なる第２の粘着度にて当該第１粘着保持領域と共に回路基板を保持する第２粘着保持領域が一体に形成され、当該第１粘着保持領域および当該第２粘着保持領域のそれぞれの表面の凹凸特性が異なる。
本発明に係る基板保持具の製造方法は、ベースプレートと、粘着性材料とからなる基板を保持するものであって、ベースプレート上に粘着性材料を載置する工程と、粘着度調整用の凹凸パターンが形成された金型を加熱しつつ粘着性材料に押圧する工程とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月12日(2008.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主表面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の主表面上に絶縁層を介在して形成され、絶縁ゲートトランジスタ部を有する素子の形成領域および他の素子の形成領域を有する半導体層と、
前記半導体層に形成され、前記素子の形成領域と前記他の素子の形成領域とを電気的に分離するために前記素子の形成領域の周囲を取囲む溝と、
前記半導体層の前記表面に形成された、前記絶縁ゲートトランジスタのソース領域およびドレイン領域と、
前記ソース領域に電気的に接続されたソース引出配線層と、
前記ソース引出配線層を覆うように形成された第１層間絶縁層と、
前記第１層間絶縁層を覆うように形成された第２層間絶縁層と、
前記第２層間絶縁層上に延在するように形成され、前記ドレイン領域に電気的に接続されたドレイン引出配線層とを備え、
前記ソース領域は、前記半導体層の前記表面において前記素子の形成領域内で前記ドレイン領域の周囲を取囲むように形成され、
前記ソース引出配線層を、前記ソース領域の全周にわたって前記ソース領域の表面と接触させる一方で、前記第１層間絶縁層と前記第２層間絶縁層とを介して前記ドレイン引出配線層を前記ソース引出配線層と交差する方向に延在させて前記ソース引出配線層で囲まれる領域上から前記ソース引出配線層上を経由して前記ソース引出配線層の周囲の領域上に引出すようにした、半導体装置。
【請求項２】
前記ドレイン領域の外周形状を円形とし、かつ前記ソース領域の内周形状および外周形状を円形とした、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記素子は、複数の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタを含み、
前記複数の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタを囲むように前記溝を形成した、請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
主表面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の主表面上に絶縁層を介在して形成され、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの形成領域を有する半導体層と、
前記半導体層に形成され、前記絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの形成領域と周囲の領域とを電気的に分離するために前記絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの形成領域の周囲を取囲む溝と、
前記半導体層の前記表面に形成された、前記絶縁ゲート型バイポーラトランジスタのエミッタ領域およびコレクタ領域と、
前記エミッタ領域に電気的に接続された第１引出配線層と、
前記第１引出配線層を覆うように形成された第１層間絶縁層と、
前記第１層間絶縁層を覆うように形成された第２層間絶縁層と、
前記第２層間絶縁層上に延在するように形成され、前記コレクタ領域に電気的に接続された第２引出配線層とを備え、
前記エミッタ領域は、前記半導体層の前記表面において前記絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの形成領域内で前記コレクタ領域の周囲を取囲むように環状に形成され、
前記第１引出配線層を、前記エミッタ領域の全周にわたって前記エミッタ領域の表面と接触させる一方で、前記第１層間絶縁層と前記第２層間絶縁層とを介して前記第２引出配線層を前記第１引出配線層と交差する方向に延在させて前記第１引出配線層で囲まれる領域上から前記第１引出配線層上を経由して前記第１引出配線層の周囲の領域上に引出すようにした、半導体装置。
【請求項５】
主表面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の主表面上に絶縁層を介在して形成され、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタを形成した第１領域と、ＭＯＳ（Metal Oxide. Semiconductor）トランジスタを形成した第２領域とを有する半導体層と、
前記半導体層に形成され、前記第１領域と前記第２領域とを電気的に分離するために前記第１領域の周囲を取囲む溝と、
前記第１領域の前記表面に間隔をあけて形成された、前記絶縁ゲート型バイポーラトランジスタのエミッタ領域およびコレクタ領域と、
前記第２領域の前記表面に間隔をあけて形成された、前記ＭＯＳトランジスタの１対のソース／ドレイン領域と、
前記エミッタ領域に電気的に接続された第１引出配線層と、
前記第１引出配線層と前記ＭＯＳトランジスタとを覆うように前記第１領域上から前記第２領域上にわたって形成された第１層間絶縁層と、
前記第１層間絶縁層を覆うように形成された第２層間絶縁層と、
前記第２層間絶縁層上に延在するように形成され、前記コレクタ領域に電気的に接続された第２引出配線層とを備え、
前記エミッタ領域は、前記第１領域内で前記コレクタ領域の周囲を取囲むように環状に形成され、
前記第１引出配線層を、前記エミッタ領域の全周にわたって前記エミッタ領域の表面と接触させる一方で、前記第１層間絶縁層と前記第２層間絶縁層とを介して前記第２引出配線層を前記第１引出配線層と交差する方向に延在させて前記第１引出配線層で囲まれる領域上から前記第１引出配線層上を経由して前記第１引出配線層の周囲の領域上に引出すようにした、半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
実施の形態２
図１９は、本発明の実施の形態２における半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。また図２０は、図１９に示す横型ｎ−ｃｈＩＧＢＴのソース層とドレイン層との平面レイアウトを示す図である。また図２１は、図２０にソース引出配線層とドレイン引出配線層を加えた図である。なお、図１９は図２０のＢ−Ｂ線に沿う断面に対応する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月16日(2008.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バッファアンプの一端に電気的に接続されたモニター素子及び定電流源と、
前記バッファアンプの他端に薄膜トランジスタを介して電気的に接続された発光素子と、を有する発光装置であって、
前記発光素子は、透光性の絶縁膜上に設けられた第１の下部電極と、前記第１の下部電極上に設けられた第１の有機化合物層と、前記第１の有機化合物層上に設けられた第１の上部電極と、を有し、
前記モニター素子は、前記絶縁膜上に設けられた第２の下部電極と、前記第２の下部電極上に設けられた第２の有機化合物層と、前記第２の有機化合物層上に設けられた第２の上部電極と、を有し、
前記第１及び第２の下部電極は、透明電極であり、
前記第２の下部電極と重なる位置に設けられた前記絶縁膜の膜厚は、前記第１の下部電極と重なる位置に設けられた前記絶縁膜の膜厚よりも薄く、
前記第２の下部電極と重なる位置に設けられた前記絶縁膜の膜厚をｄ１とし、前記モニター素子が発する光の波長をλとした場合、ｄ１はλ／４の奇数倍になるように調整されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
バッファアンプの一端に電気的に接続されたモニター素子及び定電流源と、
前記バッファアンプの他端に薄膜トランジスタを介して電気的に接続された発光素子と、を有する発光装置であって、
前記発光素子は、透光性の絶縁膜上に設けられた第１の下部電極と、前記第１の下部電極上に設けられた第１の有機化合物層と、前記第１の有機化合物層上に設けられた第１の上部電極と、を有し、
前記モニター素子は、前記絶縁膜上に設けられた第２の下部電極と、前記第２の下部電極上に設けられた第２の有機化合物層と、前記第２の有機化合物層上に設けられた第２の上部電極と、を有し、
前記第１及び第２の下部電極は、透明電極であり、
前記第２の下部電極の膜厚は、前記第１の下部電極の膜厚よりも薄く、
前記第２の下部電極の膜厚をｄ２とし、前記モニター素子が発する光の波長をλとした場合、ｄ２はλ／４の奇数倍になるように調整されていることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
バッファアンプの一端に電気的に接続されたモニター素子及び定電流源と、
前記バッファアンプの他端に薄膜トランジスタを介して電気的に接続された発光素子と、を有する発光装置であって、
前記発光素子は、透光性の絶縁膜上に設けられた第１の下部電極と、前記第１の下部電極上に設けられた第１の有機化合物層と、前記第１の有機化合物層上に設けられた第１の上部電極と、を有し、
前記モニター素子は、前記絶縁膜上に設けられた第２の下部電極と、前記第２の下部電極上に設けられた第２の有機化合物層と、前記第２の有機化合物層上に設けられた第２の上部電極と、を有し、
前記第１及び第２の上部電極は、透明電極であり、
前記第２の上部電極の膜厚は、前記第１の上部電極の膜厚よりも薄く、
前記第２の上部電極の膜厚をｄ３とし、前記モニター素子が発する光の波長をλとした場合、ｄ３はλ／４の奇数倍になるように調整されていることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１において、
前記第２の下部電極の膜厚は、前記第１の下部電極の膜厚よりも薄く、
前記第２の下部電極の膜厚をｄ４とした場合、ｄ４はλ／４の奇数倍になるように調整されていることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１、請求項２、又は請求項４のいずれか一項において、
前記第１及び第２の上部電極は、透明電極であり、
前記第２の上部電極の膜厚は、前記第１の上部電極の膜厚よりも薄く、
前記第２の上部電極の膜厚をｄ５ととした場合、ｄ５はλ／４の奇数倍になるように調整されていることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１、請求項２、又は請求項４のいずれか一項において、
前記第１及び前記第２の上部電極は、反射電極であることを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月28日(2008.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に設けられた第１の電極と、
前記絶縁表面上及び前記第１の電極上に設けられた第１の誘電層と、
前記第１の誘電層上に設けられた第２の電極と、を有する容量素子を有し、
前記第１の電極は、互いに間隔をあけて配置された複数の電極よりなり、
前記第２の電極は、凹凸形状を有し、
前記第２の電極の凸部は、前記複数の電極の間に配置され、
前記第２の電極の凹部は、前記複数の電極と重なる位置に配置され、
前記第２の電極の上面は、平坦であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記容量素子は、前記第２の電極上に設けられた第２の誘電層と、前記第２の誘電層上に設けられた第３の電極と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に設けられたゲート電極と、を有するＴＦＴを有し、
前記絶縁表面は、前記ゲート絶縁層の表面であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
絶縁表面上に、互いに間隔をあけて配置された複数の電極よりなる第１の電極を形成し、
前記絶縁表面上及び前記第１の電極上に、第１の誘電層を形成し、
前記第１の誘電体層上に、凸部が前記複数の電極の間に配置され、且つ、凹部が前記複数の電極と重なる位置に配置された凹凸形状を有し、上面が平坦な第２の電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に、ゲート電極と、互いに間隔をあけて配置された複数の電極よりなる第１の電極と、を形成し、
前記ゲート絶縁層上及び前記第１の電極上に、第１の誘電層を形成し、
前記第１の誘電体層上に、凸部が前記複数の電極の間に配置され、且つ、凹部が前記複数の電極と重なる位置に配置された凹凸形状を有し、上面が平坦な第２の電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４又は請求項５において、
前記第２の電極上に第２の誘電層を形成し、
前記第２の誘電層上に第３の電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第２の電極を、
前記第１の誘電体層上の前記複数の電極と重なる位置及び前記複数の電極の間に、導電層を形成し、
前記導電層の上面を平坦化することによって形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項４乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第２の電極を、
前記第１の誘電体層上であって前記複数の電極の間に、第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上及び前記第１の誘電体層上の前記複数の電極と重なる位置に、第２の導電層を形成することによって形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月25日(2007.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線源からの荷電粒子線をアパーチャアレイに設けられた複数の開口で複数の荷電粒子ビームに分割し、前記複数の荷電粒子ビームを用いて露光を行う荷電粒子線露光装置において、
前記アパーチャアレイの開口を通過する際の前記荷電粒子ビームの強度を検出する検出手段と、前記検出手段の検出結果に基づいて前記荷電粒子ビームの強度を調整する調整手段と、を有することを特徴とする荷電粒子線露光装置。
【請求項２】
前記検出手段は、前記アパーチャアレイに設けられた開口毎に対応する検出電極を有し、前記アパーチャアレイに設けられた開口毎に前記荷電粒子ビームの強度を検出することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項３】
前記検出手段は、前記アパーチャアレイに設けられた開口の複数毎に対応する検出電極を有し、前記アパーチャアレイに設けられた開口の複数毎に前記荷電粒子ビームの強度を検出することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項４】
前記調整手段は、前記アパーチャアレイに設けられた開口毎に対応する開口と、前記開口に個別に印加電圧を設定できる駆動手段に接続された調整電極とを有し、前記調整電極に前記荷電粒子線源のアノードと同極の電圧を与えることで通過する前記荷電粒子ビームの量を調整することを特徴とする請求項１または２に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項５】
前記調整手段は、前記アパーチャアレイに設けられた開口の複数毎に対応する開口と、前記開口の複数毎に印加電圧を設定できる駆動手段に接続された調整電極とを有し、前記調整電極に前記荷電粒子線源のアノードと同極の電圧を与えることで通過する前記荷電粒子ビームの量を調整することを特徴とする請求項１または３に記載の荷電粒子線露光装置。
【請求項６】
荷電粒子線源からの荷電粒子線をアパーチャアレイに設けられた複数の開口で複数の荷電粒子ビームに分割し、前記複数の荷電粒子ビームを用いて露光を行う荷電粒子線露光装置による露光方法において、
前記アパーチャアレイの開口を通過する際の前記荷電粒子ビームの強度を検出する工程と、前記検出する工程での検出結果に基づいて前記荷電粒子ビームの強度を調整する工程とを有することを特徴とする荷電粒子線露光方法。
【請求項７】
請求項１〜５の何れか一項に記載の荷電粒子線露光装置を用いて、露光対象に露光を行う工程と、露光された前記露光対象を現像する工程と、を具備することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
さらに、上記目的を達成するための本発明の荷電粒子線露光方法は、荷電粒子線源からの荷電粒子線をアパーチャアレイに設けられた複数の開口で複数の荷電粒子ビームに分割し、前記複数の荷電粒子ビームを用いて露光を行う荷電粒子線露光装置による露光方法において、前記アパーチャアレイの開口を通過する際の前記荷電粒子ビームの強度を検出する工程と、前記検出する工程での検出結果に基づいて前記荷電粒子ビームの強度を調整する工程とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明に係る露光装置および露光方法は、荷電粒子調整手段の各電極に適切な電圧を印加することで、複数の開口を通してウエハなどの露光対象上に到達する荷電粒子ビームの強度を同一とすることで、露光対象に照射される荷電粒子ビームの強度分布を均一にすることができ、これによって露光対象の各部露光量が均一となり、精度良くパターンを描画することが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図２にアパーチャアレイ３ａの詳細を示す。図２（ａ）はアパーチャアレイ３ａの全体図であり、図２（ｂ）、（ｃ）、および（ｄ）は開口９および照射電流検出器３ｂの詳細図である。図２（ａ）に示すように、アパーチャアレイ３ａは複数の開口９とそれ以外の遮光部分１０からなる。照射電流検出器３ｂは、アパーチャアレイ３ａの各開口９の周囲遮光部分１０の表面に形成した照射電子線を集光する電極パッド（検出電極）１１（図２（ｂ）および（ｃ）参照）と、照射電流を検出する電流検出手段１４（図２（ｄ）参照）で構成される。それぞれの電極パッド１１は開口９毎に独立している。即ち、1単位の開口に対し1単位の電極パッド（検出電極）が対応している。図２（ｃ）に示すように、各電極パッド１１は、配線基板１２に形成された配線１３によりアパーチャアレイ３ａの外部に引き出される。外部に引き出された各配線１３は、各々電流検出手段１４に接続される。電流検出手段１４の出力は照射電流検出回路１０１に接続される。配線基板１２の開口は、開口９を通過した電子ビームが遮られなければよく、例えば開口９と同心同径でよい。配線基板１２の配線はその開口以外の部分を、該開口を避けて通る。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、図８（ａ）に示すように、電極パッド１１は複数の開口９を取り囲むように共通としてもよい。即ち、複数の開口毎に１の電極パッド（検出電極）が対応するようにしてもよい。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
また、引き込み電流量は、グリッド電極１５への印加電圧を、ある基準値に対し高くすると増加し（通過電流量は基準値に対し減少）、低くすると減少（通過電流量は基準値に対し増加）する。したがって、電子ビームの照射電流密度はグリッド電極（調整電極）１５への印加電圧値によって調整することができる。即ち、調整電極を通過する荷電粒子ビームの量は、調整電極に荷電粒子線源のアノードと同極の電圧を与えることによって調整することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月17日(2007.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体を撮像する撮像手段と、
被写体よりの光を受光する第１の受光手段と、
紫外線をカットした被写体よりの光を受光する第２の受光手段と、
前記第１及び第２の受光手段による前記光の受光量に基づいて、紫外線の受光量を測定する紫外線測定手段と、
前記紫外線測定手段の測定結果に基づいて撮影光源を判断する撮影光源判断手段と、
前記撮影光源判断手段において判断した撮影光源に基づきホワイトバランスを設定する設定手段と、
を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
被写体の色温度を測定する色温度測定手段を備え、
前記撮影光源判断手段は、前記紫外線測定手段の測定結果と前記色温度測定手段の測定結果とに基づいて前記撮影光源を判断する
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記撮像手段は撮影レンズと撮像素子とを備え、
前記第１及び第２の受光手段は、前記撮像素子の一部に設けられている
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記第１及び第２の受光手段は、前記撮像素子の周辺領域に設けられている
ことを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記撮像素子の撮影方向前方に、この撮像素子で受光する光の赤外線をカットするフィルタを備える
ことを特徴とする請求項３又は４に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記撮影環境判断手段は、曇天、日陰、及び蛍光灯の環境を判断可能である
ことを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項７】
被写体を撮像する撮像手段と、被写体よりの光を受光する第１の受光手段と、紫外線をカットした被写体よりの光を受光する第２の受光手段と、を備える撮像装置に搭載したコンピュータに、
前記第１及び第２の受光手段による前記光の受光量に基づいて、紫外線の受光量を測定する処理と、
前記紫外線受光量の測定結果に基いて撮影光源を判断する処理と、
前記判断した撮影光源に基づきホワイトバランスを設定する処理と、
を実行させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像装置及びそのプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ホワイトバランスの調整機能を備えた撮像装置及びそのプログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
そこで、本発明は、上記のような問題点を解決しようとしてなされたものであり、特定の有彩色の被写体が画面一杯に入るような場合でも、精度良くホワイトバランスを調整することができる撮像装置及びそのプログラムを提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
以上の課題を解決するために、請求項１記載の発明は、被写体を撮像する撮像手段と、被写体よりの光を受光する第１の受光手段と、紫外線をカットした被写体よりの光を受光する第２の受光手段と、前記第１及び第２の受光手段による前記光の受光量に基づいて、紫外線の受光量を測定する紫外線測定手段と、前記紫外線受光量の測定結果に基いて撮影光源を判断する撮影光源判断手段と、前記判断した撮影光源に基づきホワイトバランスを設定する設定手段と、を備えることを特徴とする撮像装置である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項２記載の発明は、被写体の色温度を測定する色温度測定手段を備え、前記撮影光源判断手段は、前記紫外線測定手段と、前記色温度測定手段とに基づいて前記撮影光源を判断することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項３記載の発明は、前記撮像手段は撮影レンズと撮像素子とを備え、前記第１及び第２の受光手段は、前記撮像素子の一部に構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の撮像装置である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項４記載の発明は、前記第１及び第２の受光手段は、前記撮像素子の周辺部に設けられていることを特徴とする請求項３に記載の撮像装置である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項５記載の発明は、前記撮像部の撮影方向前方に、この撮像部で受光する光の赤外線をカットするフィルタを備えることを特徴とする請求項３又は４に記載の撮像装置である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項６記載の発明は、前記撮影環境判断手段は、曇天、日陰、及び蛍光灯の環境を判断可能であることを特徴とする請求項２に記載の撮像装置である。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項７記載の発明は、被写体を撮像する撮像手段と、被写体よりの光を受光する第１の受光手段と、紫外線をカットした被写体よりの光を受光する第２の受光手段と、を備える撮像装置に搭載したコンピュータに、前記第１及び第２の受光手段による前記光の受光量に基づいて、紫外線の受光量を測定する処理と、前記紫外線受光量の測定結果に基いて撮影光源を判断する処理と、前記判断した撮影光源に基づきホワイトバランスを設定する処理と、を実行させることを特徴とするプログラムである。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明によれば、紫外線強度に基づき光源の種別を判別するので、光源の判断精度を向上して、光源の種別に適切なホワイトバランスに調整することができる。