【手続補正書】
【提出日】平成20年6月13日(2008.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロプロセッサと、前記マイクロプロセッサと通信するドライバと、前記ドライバ及び前記マイクロプロセッサの両方と通信するフィードバック回路とを含むエレクトロクロミック装置を加熱する方法であって、
前記エレクトロクロミック装置を通ってある方向に流れる電流を発生するために、前記エレクトロクロミック装置に少なくとも５ボルトを加えるステップと、
前記少なくとも５ボルトを加えるステップの間に、前記エレクトロクロミック装置を通って流れる電流の方向を少なくとも１００Ｈｚで変化させるステップと、を含み、
前記エレクトロクロミック装置を通って電流が流れるときに生成される電力が熱を発生することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記エレクトロクロミック装置を加熱するために、前記電流が時間の５０％を第１の方向に、また時間の５０％を第２の方向に流れることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記エレクトロクロミック装置を加熱するため及び前記エレクトロクロミック装置の透過率を変化させるために、前記電流が５０％を超える時間に第１の方向に流れ、５０％未満の時間に第２の方向に流れることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記少なくとも５ボルトを加えるステップが１２ボルト以上の電圧を加えるステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記少なくとも５ボルトを加えるステップが１２〜２４ボルトを加えるステップを含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも５ボルトを加えるステップが１２〜２４ボルトを１〜１０ｋＨｚで加えるステップを含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記ドライバがＨ形ブリッジ回路を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記Ｈ形ブリッジ回路が少なくとも４つのトランジスタを含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記Ｈ形ブリッジ回路が少なくとも４つのＭＯＳＦＥＴトランジスタを含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記Ｈ形ブリッジ回路が前記ＭＯＳＦＥＴトランジスタのそれぞれと結び付いたドライバ回路を含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
別個の加熱素子を必要とせずに、マイクロプロセッサと、前記マイクロプロセッサと通信するドライバと、前記ドライバ及び前記マイクロプロセッサの両方と通信するフィードバック回路とを含むエレクトロクロミック装置を加熱する方法であって、
前記エレクトロクロミック装置を通ってある方向に流れる電流を発生するために、前記エレクトロクロミック装置に少なくとも１２ボルトを加えるステップと、
前記少なくとも１２ボルトを加えるステップの間に、前記エレクトロクロミック装置を通って流れる電流の方向を１〜１０ｋＨｚで変化させるステップと、を含み、
前記方向を変化させるステップの間に生成される電力が熱を発生することを特徴とする方法。
【請求項１２】
前記エレクトロクロミック装置を加熱するために、前記電流が時間の５０％を第１の方向に、また時間の５０％を第２の方向に流れることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記エレクトロクロミック装置を加熱するため及び前記エレクトロクロミック装置の透過率を変化させるために、前記電流が５０％を超える時間に第１の方向に流れ、５０％未満の時間に第２の方向に流れることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記ドライバがＨ形ブリッジ回路を含むことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記Ｈ形ブリッジ回路が少なくとも４つのＭＯＳＦＥＴトランジスタ及び前記ＭＯＳＦＥＴトランジスタのそれぞれと結び付いたドライバ回路を含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記フィードバック回路が前記マイクロプロセッサに対して電圧及び電流の情報を提供することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
マイクロプロセッサと、前記マイクロプロセッサと通信するドライバと、前記ドライバ及び前記マイクロプロセッサの両方と通信するフィードバック回路とを含むエレクトロクロミック（エレクトロクロミック）装置の加熱及び透過率レベルの変更を同時に行う方法であって、
前記エレクトロクロミック装置を通ってある方向に流れる電流を発生するために、前記エレクトロクロミック装置に少なくとも５ボルトを加えるステップと、
前記少なくとも５ボルトを加えるステップの間に、前記エレクトロクロミック装置を通って流れる電流の方向を少なくとも１００Ｈｚで変化させるステップと、を含み、
電流が前記エレクトロクロミック装置を通って流れるときに生成される電力が熱を発生し、前記エレクトロクロミック装置の透過率レベルを変更するために、前記電流が５０％を超える時間に第１の方向に流れ、５０％未満の時間に第２の方向に流れることを特徴とする方法。
【請求項１８】
前記少なくとも５ボルトを加えるステップが１２〜２４ボルトを１〜１０ｋＨｚで加えるステップを含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記ドライバが、少なくとも４つのＭＯＳＦＥＴトランジスタ及び前記ＭＯＳＦＥＴトランジスタのそれぞれと結び付いたドライバ回路から構成するＨ形ブリッジ回路を備えることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記フィードバック回路が前記マイクロプロセッサに対して電圧及び電流の情報を提供することを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
エレクトロクロミック装置の透過率の状態を決定する方法であって、
前記エレクトロクロミック装置に対して電圧を加えるステップと、
前記エレクトロクロミック装置の漏洩電流を計算するために、印加される電圧及び電流を使用するステップと、
前記印加される電流と漏洩電流との間の差としてイオン電流を測定するステップと、
前記エレクトロクロミック装置の透過率の状態を決定するために前記イオン電流を使用するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２２】
前記漏洩電流を計算するステップが、下記のアルゴリズム、
Ｖint＝Ｖapp−Ｒs＊Ｉapp
を用いて前記エレクトロクロミック装置の内部電圧を計算するステップを含むことを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記漏洩電流を計算するステップが、下記のアルゴリズム、
Ｖint＜ＶTの場合、Ｉleak＝Ｖint／Ｒ1
それ以外の場合、   Ｉleak＝Ｖint／Ｒ1＋（Ｖint−ＶT）／Ｒ2
を用いるステップをさらに含むことを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記透過率の状態を決定するステップが、転送された電荷を求めるためにイオン電流を積分するステップ
【数１】
2006053551.tif 000001
及び式％Ｔ＝ｆ（Ｑ）（ここで、ｆは数学関数あるいはルックアップテーブル）を用いて、前記積分された電荷を前記装置の光学的な状態と相関するステップを含むことを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記エレクトロクロミック装置を望ましい透過率レベルに維持するために保持電圧を加えるステップをさらに含み、
前記保持電圧は、前記装置が中間の状態に着色される前に十分に脱色される場合はより大きくなり、前記装置が同じ中間の状態に脱色される前に十分に着色される場合はより小さくなる、
ことを特徴とする請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記保持電圧を加えるステップが、
前記装置の脱色／着色履歴を用いて前記装置に対する内部保持電圧を計算するステップと、
前記計算された内部電圧Ｖint＝Ｖapp−Ｒs＊Ｉappが必要な値に一致するまで、前記装置に加えられる外部電圧を調整するステップと、
を含むことを特徴とする請求項２５に記載の方法。