Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月4日(2008.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像形成装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  像担持体と、前記像担持体の面を帯電する帯電手段と、帯電した像担持体の面に静電潜像を形成する潜像形成手段と、前記静電潜像を帯電した現像剤により現像剤像として現像する現像手段と、前記現像剤像を転写材に転写する転写手段と、を有し、前記現像手段が、前記転写手段により前記現像剤像を前記転写材へ転写した後の前記像担持体上の転写残現像剤を回収する像担持体クリーニング手段を兼ねる画像形成装置において、
前記現像手段は、現像剤を担持して前記像担持体との対向部である現像部へ搬送する現像剤担持体と、前記現像剤担持体に担持された現像剤の層厚を規制する現像剤層厚規制部材と、現像部よりも現像剤担持体の現像剤搬送方向上流側であって、前記現像剤層厚規制部材との当接部よりも現像剤担持体の現像剤搬送方向下流側に設けられ、電圧が印加され、現像剤担持体に担持されて現像部に搬送される現像剤を静電潜像を現像する帯電極性に帯電する現像剤帯電手段を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】 前記現像剤の形状係数ＳＦ−１が１００〜１８０であり、形状係数ＳＦ−２が１００〜１４０であることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。 
【請求項３】  前記像担持体の帯電手段は、像担持体に当接もしくは近接して配設される帯電部材と、該帯電部材に前記像担持体とのニップ部に放電開始電圧以上の直流電圧を印加する帯電電源を有することを特徴とする請求項１または２に記載の画像形成装置。 
【請求項４】  前記帯電部材が弾性ローラである特徴とする請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項５】  前記像担持体に前記現像手段の前記現像剤担持体が接触し現像部を形成することを特徴とする請求項１ないし４の何れかに記載の画像形成装置。
【請求項６】  前記転写材に転写された現像剤像を転写材上に定着する定着手段を備えることを特徴とする請求項１ないし５の何れかに記載の画像形成装置。
【請求項７】  前記現像剤帯電手段に前記現像剤担持体上の現像剤に対し放電開始電圧以上かつ前記現像剤の帯電電荷と同極性のバイアスを印加することを特徴とする請求項１ないし６の何れかに記載の画像形成装置。
【請求項８】  前記現像剤帯電手段が前記現像剤担持体上に対する圧接弾性部材であることを特徴とする請求項１ないし７の何れかに記載の画像形成装置。
【請求項９】  前記現像剤帯電手段は長手方向において前記像担持体の帯電手段の帯電部材より長いことを特徴とする請求項１ないし８の何れかに記載の画像形成装置。 
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子写真感光体・静電記録誘電体等の像担持体上に形成された静電潜像を現像剤（トナー）で可視化する現像装置を有する画像形成装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
【課題を解決するための手段】
本発明は下記の手段構成を特徴とする画像形成装置である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
下記（１）〜（９）に記載した、画像形成装置の構成は前述のクリーナーレスプロセスの課題を解決するものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
（１）像担持体と、前記像担持体の面を帯電する帯電手段と、帯電した像担持体の面に静電潜像を形成する潜像形成手段と、前記静電潜像を帯電した現像剤により現像剤像として現像する現像手段と、前記現像剤像を転写材に転写する転写手段と、を有し、前記現像手段が、前記転写手段により前記現像剤像を前記転写材へ転写した後の前記像担持体上の転写残現像剤を回収する像担持体クリーニング手段を兼ねる画像形成装置において、
前記現像手段は、現像剤を担持して前記像担持体との対向部である現像部へ搬送する現像剤担持体と、前記現像剤担持体に担持された現像剤の層厚を規制する現像剤層厚規制部材と、現像部よりも現像剤担持体の現像剤搬送方向上流側であって、前記現像剤層厚規制部材との当接部よりも現像剤担持体の現像剤搬送方向下流側に設けられ、電圧が印加され、現像剤担持体に担持されて現像部に搬送される現像剤を静電潜像を現像する帯電極性に帯電する現像剤帯電手段を有することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
（２）前記現像剤の形状係数ＳＦ−１が１００〜１８０であり、形状係数ＳＦ−２が１００〜１４０であることを特徴とする（１）に記載の画像形成装置。 
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
【発明の実施の形態】
＜実施例１＞（図１〜図６）
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２９】
＜実施例２＞（図７〜図９）
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月5日(2007.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンテナからの高周波信号の増幅を行う増幅手段と、この増幅手段の出力と前記増幅手段を通さず導かれるアンテナ受信信号とを選択する切替手段と、受信信号レベルの大小に応じて前記切替手段を制御する制御手段とを備えたアンテナアンプにおいて、
前記増幅手段として同一の周波数帯域で複数の増幅手段を有し、前記制御手段に複数の増幅手段のいずれかの出力が入力されるとともに、前記制御手段がすべての増幅手段の切替手段を制御することを特徴とするアンテナアンプ。
【請求項２】
アンテナからの高周波信号の増幅を行う増幅手段と、この増幅手段の出力と前記増幅手段を通さず導かれるアンテナ受信信号とを選択する切替手段と、受信信号レベルの大小に応じて前記切替手段を制御する制御手段とを備えたアンテナアンプにおいて、
前記切替手段を制御する温度検出制御手段を備え、規定温度以上では、前記温度検出制御手段が受信信号レベルの大小による切替えに優先してアンテナ受信信号側を選択することを特徴とするアンテナアンプ。
【請求項３】
請求項２に記載されたアンテナアンプにおいて、
アンテナ受信信号側を選択する温度と、アンテナ受信信号側選択状態から復帰する温度との間にヒステリシスを有することを特徴とするアンテナアンプ。
【請求項４】
請求項２または請求項３に記載されたアンテナアンプにおいて、
前記増幅手段がゲイン制御手段を備え、前記ゲイン制御手段が、温度の上昇に応じて前記増幅手段のゲインを低減し、上記規定温度近傍でゲインが１となるように制御することを特徴とするアンテナアンプ。
【請求項５】
アンテナからの高周波信号の増幅を行う増幅手段と、この増幅手段の出力と前記増幅手段を通さず導かれるアンテナ受信信号とを選択する切替手段と、受信信号レベルの大小に応じて前記切替手段を制御する制御手段とを備えたアンテナアンプにおいて、
電源供給がないとき、アンテナ受信信号を出力端子から出力させる出力選択手段を備えていることを特徴とするアンテナアンプ。
【請求項６】
アンテナからの高周波信号の増幅を行う増幅手段と、この増幅手段の出力と前記増幅手段を通さず導かれるアンテナ受信信号とを選択する切替手段と、受信信号レベルの大小に応じて前記切替手段を制御する制御手段とを備えたアンテナアンプと、前記切替手段を制御する第２の制御手段を備えたラジオ受信手段とよりなるアンテナアンプシステムにおいて、
前記ラジオ受信手段の受信モードが近距離受信の場合、前記第２の制御手段が、前記制御手段による受信信号レベルの大小による切替えを停止するとともに、前記切替手段によりアンテナ受信信号側を強制的に選択することを特徴とするアンテナアンプシステム。
【請求項７】
アンテナからの高周波信号の増幅を行う増幅手段と、この増幅手段の出力と前記増幅手段を通さず導かれるアンテナ受信信号とを選択する切替手段とを備えたアンテナアンプと、前記切替手段を制御する制御手段を備えたナビゲーション手段とよりなるアンテナアンプシステムにおいて、
前記ナビゲーション手段が近くに放送アンテナがあることを検知した場合、前記制御手段が前記切替手段によりアンテナ受信信号側を選択することを特徴とするアンテナアンプシステム。
【請求項８】
請求項７に記載されたアンテナアンプシステムにおいて、
前記アンテナアンプが受信信号レベルの大小に応じて前記切替手段を制御する第２の制御手段を備え、
前記ナビゲーション手段の電源がオンしてから前記制御手段がアンテナ情報を取得するまでの間、前記第２の制御手段が受信信号レベルの大小に応じて上記切替手段を制御することを特徴とするアンテナアンプシステム。
【請求項９】
請求項７に記載されたアンテナアンプシステムにおいて、
前記増幅手段として複数の異なった帯域の増幅手段を備え、前記制御手段が前記放送アンテナの周波数データを基に、該当する周波数を含む帯域の増幅手段のみアンテナ受信信号側を選択することを特徴とするアンテナアンプシステム。
【請求項１０】
アンテナからの高周波信号の増幅を行う増幅手段と、この増幅手段の出力と前記増幅手段を通さず導かれるアンテナ受信信号とを選択する切替手段と、受信信号レベルの大小に応じて前記切替手段を制御する制御手段とを備えたアンテナアンプにおいて、
前記増幅手段として同一の周波数帯域で複数の増幅手段を有し、前記制御手段に複数の増幅手段の出力の混合出力が入力されることを特徴とするアンテナアンプ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月26日(2007.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体表面上に取り付けられ、指の操作に応答して複数のキーパターンを発生するキーパターン発生手段と、
複数のキーパターンの各々と任意の撮影条件とを関連付けして登録する情報登録手段と、
前記キーパターン発生手段で発生した任意のキーパターンと前記情報登録手段に登録されているキーパターンとを照合して一致するキーパターンが登録されているか否かを判定する判定手段と、
この判定手段の判定結果が肯定の時に前記一致するキーパターンに関連付けられた撮影条件を前記情報登録手段から読み出し該撮影条件に基づいてカメラの動作を制御する制御手段と
を備えたことを特徴とする電子カメラ。
【請求項２】
前記情報登録手段は、前記複数のキーパターンの各々と当該電子カメラのユーザを識別するための情報とを関連付けして更に登録し、
前記制御手段は、前記判定手段の判定結果が肯定の時に前記一致するキーパターンに関連付けられたユーザを識別するための情報と撮影条件とを前記情報登録手段から読み出しこれらに基づいてカメラの動作を制御することを特徴とする請求項１記載の電子カメラ。
【請求項３】
前記キーパターン発生手段は、前記本体のグリップ部に備えられることを特徴とする請求項１又は２記載の電子カメラ。
【請求項４】
本体表面上に取り付けられ、指の操作に応答して複数のキーパターンを発生するキーパターン発生部を備える電子カメラが有するコンピュータを、
前記キーパターン発生部にて発生した任意のキーパターンと予め複数のキーパターンの各々と任意の撮影条件とを関連付けして登録した情報登録部に登録されているキーパターンとを照合して一致するキーパターンが登録されているか否かを判定する判定手段、
この判定手段の判定結果が肯定の時に前記一致するキーパターンに関連付けられた撮影条件を前記情報登録部から読み出し該撮影条件に基づいてカメラの動作を制御する制御手段
として機能させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子カメラ、及び、プログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、電子カメラ、及び、プログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
そこで、本発明は、様々な技量の利用者に対応することのできる電子カメラ、及び、プログラムを提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項１記載の発明は、本体表面上に取り付けられ、指の操作に応答して複数のキーパターンを発生するキーパターン発生手段と、複数のキーパターンの各々と任意の撮影条件とを関連付けして登録する情報登録手段と、前記キーパターン発生手段で発生した任意のキーパターンと前記情報登録手段に登録されているキーパターンとを照合して一致するキーパターンが登録されているか否かを判定する判定手段と、この判定手段の判定結果が肯定の時に前記一致するキーパターンに関連付けられた撮影条件を前記情報登録手段から読み出し該撮影条件に基づいてカメラの動作を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。
請求項２記載の発明は、上記請求項１記載の発明において、前記情報登録手段は、前記複数のキーパターンの各々と当該電子カメラのユーザを識別するための情報とを関連付けして更に登録し、前記制御手段は、前記判定手段の判定結果が肯定の時に前記一致するキーパターンに関連付けられたユーザを識別するための情報と撮影条件とを前記情報登録手段から読み出しこれらに基づいてカメラの動作を制御することを特徴とする。
請求項３記載の発明は、上記請求項１又は２記載の発明において、前記キーパターン発生手段は、前記本体のグリップ部に備えられることを特徴とする。
請求項４記載の発明は、本体表面上に取り付けられ、指の操作に応答して複数のキーパターンを発生するキーパターン発生部を備える電子カメラが有するコンピュータを、前記キーパターン発生部にて発生した任意のキーパターンと予め複数のキーパターンの各々と任意の撮影条件とを関連付けして登録した情報登録部に登録されているキーパターンとを照合して一致するキーパターンが登録されているか否かを判定する判定手段、この判定手段の判定結果が肯定の時に前記一致するキーパターンに関連付けられた撮影条件を前記情報登録部から読み出し該撮影条件に基づいてカメラの動作を制御する制御手段として機能させることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明によれば、指の操作に応答して発生するキーパターンと一致する撮影条件を読み出して、カメラの動作を制御するので、様々な技量の利用者に対応することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月27日(2007.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１チップのＡＳＩＣを構成する回路において、
複数ブロックに分割された少なくとも同一クロックで駆動されるブロックとを有し、
該ＡＳＩＣのクロック入力端子からのクロックの伝播遅延が前記複数の各ブロック毎に互いに異なるように、前記クロック入力端子から各ブロックのクロック入力端子までのクロックのデレーを、その間に挿入されるクロックバッファのデメンジョンを変更してタイミング調整を行い、その結果に応じて、ブロックのレイアウト及び配線が行われたことを特徴とするＡＳＩＣ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月6日(2008.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、その半導体素子を配置する凹部を有する支持部材と、前記凹部内にて前記半導体素子を封止する被覆部材とを備えており、前記凹部の側壁が底面側の第一の側壁と、前記凹部の開口側にて突出された第二の側壁とを有する半導体装置であって、
前記第二の側壁における壁面のうち、少なくとも前記凹部の底面側の壁面は、金属材料により被覆されており、
前記金属材料は、前記第一の側壁において最表面が凸状の曲面に配置され、前記第一の側壁と前記第二の側壁とからなる隅部において最表面が凹状の曲面に配置されており、
前記金属材料の厚みは、前記凸状および凹状の最表面に対する接平面が、それぞれ前記第二の側壁に交線を有する厚みとされていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記金属材料は、前記第二の側壁における壁面のうち、前記凹部の底面側の壁面から前記支持部材の正面側の壁面まで延在している請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記被覆部材は、シリコーン樹脂またはエポキシ樹脂から選択された少なくとも一種を含む材料からなる請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記支持部材は、セラミックスからなる請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記金属材料は、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｎ）あるいはタンタル（Ｔａ）から選択された少なくとも一種を含む請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月22日(2007.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
図８は、従来から使われている半導体製造用の真空装置の真空処理室を示している。真空処理室２１６は、被処理基板２０１を搭載して被処理基板２０１を加熱する発熱抵抗体２０２を内装している板状基体２０３と、板状基体２０３を支持している円筒形状の基板支持台２０４とを有している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
被処理基板を成膜する時やエッチングする時には、基板支持台２０４の外側Ａが真空雰囲気になり、基板支持台２０４の内側Ｂが真空処理室２１６の壁部２１６ａに開けられている開口部２１６ｂを通して外気と連通されており大気圧になる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、縦型の熱処理装置で反応管とガス導入管またはガス排気管を接続する固定フランジ部２１６ｄでは、シール部材２２５を保護するために固定フランジ部２１６ｄ、又は固定フランジ部２１６ｄをカバーするカバー体の内部に冷却流体を流す方法を用いている（例えば、特許文献２を参照）。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、発熱抵抗体２０２が埋設された板状基体２０３と、シール部材２２５が接し冷却用媒体の流れる流路を内部にもつプレートとの間に、熱伝導を阻害する隙間を介在させ、真空断熱することにより、シール部材２２５を保護している（例えば、特許文献３を参照）。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
特許文献１乃至３では、いずれも、シール部材２２５に接する固定フランジ２１６ｄを冷却することによりシール部材２２５を保護している。冷却用媒体として水等の液体を用いる場合には、沸点以下の温度で使う必要がある。その場合、シール部材２２５は耐熱温度に対して実際温度は十分すぎるくらい低い温度になってしまう。その結果、基板支持台２０４内の温度勾配は大きくなる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
構造体１０は、図２にも示すように、筒部７と、筒部７の外面に固定されている羽（はね）８と、羽８の下部に接続されている第１導入パイプ１１と、筒部７の上部に一端が接続されている第１排出パイプ１２とを有している。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
羽８は、一軸Ｘ方向で螺旋状に形成されており、筒部７の外面に固定されている。第１導入パイプ１１は、筒部７の外側に羽８によって形成された螺旋状の空間９である冷却用ガスの流路９ａへ冷却ガスを導入するように羽８の下部に一端が連通している。第１排出パイプ１２は、冷却ガスを排出するように筒部７の上部に一端が連通するように接続されている。第１導入パイプ１１及び第１排出パイプ１２は、羽８又は筒部７に接続している部分から開口部６ｂを通り真空処理室６の壁部６ａから外へ延びている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
一例として、スパッタリング装置の場合は、通常、ガス導入口３０から所定流量のアルゴンガスを導入し、エッチング装置の場合は、ガス導入口３０から四フッ化メタン、六フッ化硫黄、又は酸素などのガスを導入する。真空排気口３１の先端は、ＯＮ／ＯＦＦバルブや圧力調整用バルブを通してターボポンプなどの真空ポンプがつながっており、真空処理室６内のガスを排気する。なお、真空とは、大気圧以下における所定の圧力の状態であり、その圧力はガス流量と排気量とのバランスで決まる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
【図１】本発明に係る実施例１の被処理基板の加熱冷却構造を真空処理室に配設した状態を示す断面図である。
【図２】図１に示した構造体を示す断面図である。
【図３】（Ａ）は本発明に係る実施例２の被処理基板の加熱冷却構造を真空処理室に配設した状態を示す断面図、（Ｂ）は、（Ａ）に示した分離板の平面図である。
【図４】本発明に係る実施例３の被処理基板の加熱冷却構造を真空処理室に配設した状態を示す断面図である。
【図５】図４に示した構造体をシール部材側から見た状態の平面図である。
【図６】本発明に係る実施例４の被処理基板の加熱冷却構造を真空処理室に配設した状態を示す断面図である。
【図７】図６に示した冷却パイプの一部を示す側面図である。
【図８】従来の真空処理室を示す断面図である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
１,２０１    被処理基板
２,２０２    発熱抵抗体
３,２０３    板状基体
３ａ 第１面
３ｂ 第２面
４    筒状支持体
４ａ 筒状支持体の内壁面
４ｂ，２０４ａ    上部フランジ部
４ｃ，２０４ｂ    下部フランジ部
６ｄ，２１６ｄ    固定フランジ部
５、２２５    シール部材
６，２１６    真空処理室
６ａ，２１６ａ    壁部
７    筒部
８    羽
９    螺旋状の空間
９ａ  冷却ガスの流路
１０，１１０    構造体
１１    第１導入パイプ
１２    第１排出パイプ
１４    冷却パイプ
１５    リード線
１６    熱電対
１８    穴
２０    分離板
２１    支持部
３０    ガス導入口
３１    真空排気口
２０４  基板支持台
２３２    冷却機構
Ａ    筒状支持体の外側
Ｂ    筒状支持体の内側
Ｘ 一軸
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月7日(2008.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電界効果型トランジスタであって、
ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、及び
電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満である非晶質酸化物を含む活性層を備え、且つ
該ゲート電極と、該ソース及びドレイン電極とが自己整合していることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
【請求項２】
前記非晶質酸化物が、Ｉｎ、Ｚｎ、及びＳｎのいずれかを含む酸化物であることを特徴とする請求項１記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項３】
前記非晶質酸化物が、ＩｎとＺｎとＳｎを含む酸化物、ＩｎとＺｎを含む酸化物、ＩｎとＳｎを含む酸化物、及びＩｎを含む酸化物のうちのいずれかである請求項１記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項４】
前記電界効果型トランジスタは、透明基板上に形成されている前記ソース及びドレイン電極のパターンをマスクとして、前記ゲート電極のパターンを形成するトップゲート型トランジスタであることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項５】
前記電界効果型トランジスタは、透明基板上に形成されている前記ゲート電極のパターンをマスクとして、前記ソース及びドレイン電極のパターンを形成するボトムゲート型トランジスタであることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項６】
電界効果型トランジスタであって、
ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、及び
非晶質酸化物を含む活性層を備え、
該ゲート電極と、該ソース及びドレイン電極とが自己整合しており、且つノーマリーオフ型であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
本発明における薄膜トランジスタの半導体層は透明膜からなり、その吸収端はおよそ3.0eV（波長；413nm）であり、これより波長の長い光源で露光することで、上記セルフアライン（自己整合）工程を行う事が出来る。また、前記の波長範囲では半導体層での光の吸収が殆んど無いので、光照射による半導体層の劣化を防ぐ事ができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月7日(2008.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受容した電磁波を検知するセンサであって、
第１の電極と、第２の電極と、該第１の電極と該第２の電極との間に設けられている非晶質酸化物層とを備えることを特徴とするセンサ。
【請求項２】
前記非晶質酸化物層の電子キャリア濃度が1018/cm3未満であることを特徴とする請求項１記載のセンサ。
【請求項３】
前記非晶質酸化物層が、Ｉｎ、Ｚｎ及びＳｎの少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項１又は２記載のセンサ。
【請求項４】
前記非晶質酸化物層が、ＩｎとＺｎとＳｎを含む酸化物、ＩｎとＺｎを含む酸化物、ＩｎとＳｎを含む酸化物、またはＩｎを含む酸化物のいずれかであることを特徴とする請求項１又は２記載のセンサ。
【請求項５】
前記非晶質酸化物層が、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含むことを特徴とする請求項１又は２記載のセンサ。
【請求項６】
前記第１の電極は、前記非晶質酸化物層が感度を有する波長域の光に対して、透過性を有することを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載のセンサ。
【請求項７】
前記非晶質酸化物層に有機色素が設けられていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載のセンサ。
【請求項８】
可撓性基板上に前記第１及び第２の電極と、前記非晶質酸化物層とが設けられていることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載のセンサ。
【請求項９】
前記第１の電極と前記第２の電極との間に、複数の前記非晶質酸化物層を有することを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載のセンサ。
【請求項１０】
受容した電磁波を検知するセンサであって、
第１の電極と第２の電極との間に設けられている非晶質酸化物層を備え、
該非晶質酸化物層は、Zn,In及びSnのうち、少なくとも１種類の元素を含み、電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示す非晶質酸化物であることを特徴とするセンサ。
【請求項１１】
撮像装置であって、
可撓性基板と、
該可撓性基板上に設けられているＸ線センサと、
該Ｘ線センサからの信号を読み出すための電界効果型トランジスタとを備え、
該電界効果型トランジスタは、活性層として非晶質酸化物を有し、且つ
該非晶質酸化物は、その電子キャリア濃度が1018/cm3未満であるか、あるいは該非晶質酸化物は、Zn,In及びSnのうち、少なくとも１種類の元素を含み、電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示す酸化物であることを特徴とする撮像装置。
【請求項１２】
前記Ｘ線センサと前記電界効果型トランジスタを含む、非平面の領域を有する請求項１１に記載の撮像装置。
【請求項１３】
前記Ｘ線センサが、X線を光に変換するシンチレータと光電変換素子とを含み構成されていることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の撮像装置。
【請求項１４】
前記Ｘ線センサは、半導体層を含み構成され、該半導体層は、非晶質酸化物からなることを特徴とする請求項１１又は１２記載の撮像装置。
【請求項１５】
撮像装置であって、
非平面の領域を有する基板と、
該基板上に設けられているＸ線センサと、
該Ｘ線センサからの信号を読み出すための電界効果型トランジスタとを備え、
該電界効果型トランジスタは、非晶質酸化物からなる活性層を有するノーマリーオフ型のトランジスタであることを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明に係る受容した電磁波を検知するセンサは、
第１の電極と、第２の電極と、該第１の電極と該第２の電極との間に設けられている非晶質酸化物層とを備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月18日(2007.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非晶質酸化物であって、
前記非晶質酸化物は、微結晶を含み且つ電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満であることを特徴とする非晶質酸化物。
【請求項２】
前記非晶質酸化物が、Ｉｎ、Ｚｎ、及びＳｎの少なくとも一つを含有する酸化物であることを特徴とする請求項１記載の非晶質酸化物。
【請求項３】
前記非晶質酸化物が、ＩｎとＺｎとＳｎを含む酸化物、ＩｎとＺｎを含む酸化物、ＩｎとＳｎを含む酸化物、及びＩｎを含む酸化物のうちのいずれかである請求項１記載の非晶質酸化物。
【請求項４】
前記非晶質酸化物が、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含有する酸化物であることを特徴とする請求項１記載の非晶質酸化物。
【請求項５】
非晶質酸化物であって、
前記非晶質酸化物は、微結晶を含み、且つ電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示すことを特徴とする非晶質酸化物。
【請求項６】
電界効果型トランジスタであって、
微結晶を含む非晶質酸化物を有する活性層と、
前記活性層に対してゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、
を具備することを特徴とする電界効果型トランジスタ。
【請求項７】
前記電界効果型トランジスタが、ノーマリーオフ型のトランジスタであることを特徴とする請求項６記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項８】
非晶質酸化物であって、
前記非晶質酸化物は膜厚方向に組成が変化しており、且つ、
前記非晶質酸化物は、電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満であることを特徴とする非晶質酸化物。
【請求項９】
前記非晶質酸化物が、Ｉｎ、Ｚｎ、及びＳｎの少なくとも一つを含有する酸化物であることを特徴とする請求項８記載の非晶質酸化物。
【請求項１０】
前記非晶質酸化物が、ＩｎとＺｎとＳｎを含む酸化物、ＩｎとＺｎを含む酸化物、ＩｎとＳｎを含む酸化物、及びＩｎを含む酸化物のうちのいずれかである請求項８記載の非晶質酸化物。
【請求項１１】
前記非晶質酸化物が、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含有する酸化物であることを特徴とする請求項８記載の非晶質酸化物。
【請求項１２】
電界効果型トランジスタであって、
膜厚方向に組成が変化している非晶質酸化物を含む活性層と、
前記活性層に対してゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、
を具備し、
前記活性層は、第１の領域と、該第１の領域よりも前記ゲート絶縁膜に近い第２の領域とを含み、
前記第２の領域の酸素濃度が、前記第１の領域の酸素濃度より高いことを特徴とする電界効果型トランジスタ。
【請求項１３】
電界効果型トランジスタであって、
ＩｎあるいはＺｎの少なくとも一方を有する非晶質酸化物を含む活性層と、
前記活性層に対してゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、
を具備し、
前記活性層は、第１の領域と、該第１の領域よりも前記ゲート絶縁膜に近い第２の領域とを含み、
前記第２の領域のＩｎ濃度あるいはＺｎ濃度が、前記第１の領域のＩｎ濃度あるいはＺｎ濃度より高いことを特徴とする電界効果型トランジスタ。
【請求項１４】
非晶質酸化物であって、
前記非晶質酸化物は膜厚方向に組成が変化しており、且つ、
前記非晶質酸化物は、電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示すことを特徴とする非晶質酸化物。
【請求項１５】
電界効果型トランジスタであって、
Ｉｎ及びＺｎを有する非晶質酸化物を含む活性層と、
前記活性層に対してゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、
を具備し、
前記活性層は、第１の領域と、該第１の領域よりも前記ゲート絶縁膜に近い第２の領域とを含み、
前記第２の領域のＩｎ濃度が、前記第１の領域のＩｎ濃度より高いか、あるいは前記第２の領域のＺｎ濃度が、前記第１の領域のＺｎ濃度より高いことを特徴とする電界効果型トランジスタ。
【請求項１６】
非晶質酸化物であって、
該非晶質酸化物の電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満であり、且つ該非晶質酸化物はLi、Na、Mn、Ni、Pd、Cu、Cｄ、C、N、P、Ti、Zr、V、Ru、Ge、Sn、Fから選ばれる１種または複数種の元素を含むことを特徴とする非晶質酸化物。
【請求項１７】
前記非晶質酸化物が、Ｉｎ、Ｚｎ、及びＳｎの少なくとも一つを含む酸化物であることを特徴とする請求項１６に記載の非晶質酸化物。
【請求項１８】
前記非晶質酸化物が、ＩｎとＺｎとＳｎを含む酸化物、ＩｎとＺｎを含む酸化物、ＩｎとＳｎを含む酸化物、またはＩｎを含む酸化物のいずれかである請求項１６に記載の非晶質酸化物。
【請求項１９】
前記非晶質酸化物が、Ｉｎ、Ｚｎ、及びＧａを含む酸化物であることを特徴とする請求項１６に記載の非晶質酸化物。
【請求項２０】
非晶質酸化物であって、
前記非晶質酸化物は、
電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示し、且つ
Li、Na、Mn、Ni、Pd、Cu、Cｄ、C、N、P、Ti、Zr、V、Ru、Ge、Sn、Fから選ばれる少なくとも１種の元素を含むことを特徴とする非晶質酸化物。
【請求項２１】
電界効果型トランジスタであって、
Li、Na、Mn、Ni、Pd、Cu、Cｄ、C、N、P、Ti、Zr、V、Ru、Ge、Sn、Fから選ばれる少なくとも１種の元素を含む非晶質酸化物を有する活性層と、
前記活性層に対してゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、
を具備することを特徴とする電界効果型トランジスタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の第４の骨子は、非晶質酸化物であって、
前記非晶質酸化物は膜厚方向に組成が変化しており、且つ、
前記非晶質酸化物は、
電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満である、
ことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の第５の骨子は、電界効果型トランジスタであって、
膜厚方向に組成が変化している非晶質酸化物を含む活性層と、
前記活性層に対してゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、
を具備し、
前記活性層は、第１の領域と該第１の領域よりも前記ゲート絶縁膜に近い第２の領域とを含み、
前記第２の領域の酸素濃度が、前記第１の領域の酸素濃度より高いことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月10日(2008.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブマトリックス型の画像表示装置であって、
光制御素子と、
該光制御素子を駆動するための電界効果型トランジスタと、を備え、
該電界効果型トランジスタの活性層は、電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満の非晶質酸化物であり、
該電界効果型トランジスタは、ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記非晶質酸化物が、Zn、In及びSnの少なくとも一つを含む酸化物である請求項１記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記非晶質酸化物が、ＩｎとＺｎとＳｎを含む酸化物、ＩｎとＺｎを含む酸化物、ＩｎとＳｎを含む酸化物、Ｉｎを含む酸化物のいずれかである請求項１記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記非晶質酸化物が、In、Ga、及びZnを含む酸化物である請求項１記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記光制御素子が、液晶あるいは電気泳動粒子を含み構成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記光制御素子が、液晶を含み構成されており、且つ
前記活性層と該液晶との間には、該液晶側から配向膜および絶縁膜をこの順に有することを特徴とする請求項５に記載の画像表示装置。
【請求項７】
前記光制御素子が、液晶を含み構成されており、且つ
前記電界効果型トランジスタのゲート電極と該液晶との間には、該液晶側から配向膜および絶縁膜をこの順に有することを特徴とする請求項５に記載の画像表示装置。
【請求項８】
前記絶縁膜が酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜であることを特徴とする請求項６又は７に記載の画像表示装置。
【請求項９】
前記光制御素子が、可撓性樹脂基体上に設けられていることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項１０】
前記光制御素子が、光透過性基体上に設けられていることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項１１】
アクティブマトリックス型の画像表示装置であって、
光制御素子と、
該光制御素子を駆動するための電界効果型トランジスタと、を備え、
該電界効果型トランジスタの活性層は、Zn,In及びSnのうち、少なくとも１種類の元素を含み、電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示す非晶質酸化物であり、
該電界効果型トランジスタは、ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項１２】
アクティブマトリックス型の画像表示装置であって、
光制御素子と、
該光制御素子を駆動するための電界効果型トランジスタと、を備え、
前記電界効果型トランジスタの活性層は非晶質酸化物半導体を有し、
該電界効果型トランジスタは、ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項１３】
前記非晶質酸化物半導体は、１０１８／ｃｍ３未満の電子キャリア濃度を有する請求項１２に記載の画像表示装置。
【請求項１４】
前記非晶質酸化物半導体が、ＩｎとＺｎとＳｎを含む酸化物、ＩｎとＺｎを含む酸化物、ＩｎとＳｎを含む酸化物、Ｉｎを含む酸化物のいずれかである請求項１２記載の画像表示装置。
【請求項１５】
アクティブマトリックス型の画像表示装置であって、
第１の電極と、
第２の電極と、
該第１の電極と該第２の電極との間に介在する液晶と、
該液晶を駆動するための電界効果型トランジスタとを備え、
該トランジスタの活性層は、非晶質酸化物であり、
該電界効果型トランジスタは、ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項１６】
前記非晶質酸化物が、ＩｎとＺｎとＳｎを含む酸化物、ＩｎとＺｎを含む酸化物、ＩｎとＳｎを含む酸化物、またはＩｎを含む酸化物のいずれかである請求項１５記載の画像表示装置。
【請求項１７】
前記電界効果型トランジスタのゲート電極と該液晶との間には、該液晶側から配向膜および絶縁膜をこの順に有することを特徴とする請求項１６に記載の画像表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の第１の骨子は、アクティブマトリックス型の画像表示装置であって、
光制御素子と、
該光制御素子を駆動するための電界効果型トランジスタと、を備え、
該電界効果型トランジスタの活性層は、電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満の非晶質酸化物であり、
該電界効果型トランジスタは、ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の第２の骨子は、アクティブマトリックス型の画像表示装置であって、
光制御素子と、
該光制御素子を駆動するための電界効果型トランジスタと、を備え、
該電界効果型トランジスタの活性層は、Zn,In及びSnのうち、少なくとも１種類の元素を含み、電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示す非晶質酸化物であり、
該電界効果型トランジスタは、ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の第３の骨子は、アクティブマトリックス型の画像表示装置であって、
光制御素子と、
該光制御素子を駆動するための電界効果型トランジスタと、を備え、
前記電界効果型トランジスタの活性層は非晶質酸化物半導体を有し、
該電界効果型トランジスタは、ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の第４の骨子は、アクティブマトリックス型の画像表示装置であって、
第１の電極と、
第２の電極と、
該第１の電極と該第２の電極との間に介在する液晶と、
該液晶を駆動するための電界効果型トランジスタとを備え、
該トランジスタの活性層は、非晶質酸化物であり、
該電界効果型トランジスタは、ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であることを特徴とする。
前記非晶質酸化物は、ＩｎとＺｎとＳｎを含む酸化物、ＩｎとＺｎを含む酸化物、ＩｎとＳｎを含む酸化物、またはＩｎを含む酸化物のいずれかであることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月10日(2008.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電界効果型トランジスタの製造方法であって、
基板を用意する第１の工程、及び該基板上に非晶質酸化物を含み構成される活性層を形成する第２の工程を備え、且つ
該第２の工程前に、
該基板表面にオゾン雰囲気中で紫外線を照射する工程、該基板表面にプラズマを照射する工程、及び該基板表面を、過酸化水素を含有する薬液により洗浄する工程
のうちの、少なくともいずれかの工程を行うことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項２】
電界効果型トランジスタの製造方法であって、
基板を用意する第１の工程、及び該基板上に非晶質酸化物を含み構成される活性層を形成する第２の工程を備え、且つ
該第２の工程を、
成長室に設置されたオゾン発生装置から、オゾンガスを成長室に導入する工程、
窒素酸化物ガスを成長室の外部から成長室に導入する工程、
成長室に設置されたラジカル発生装置から、酸素ラジカルを成長室に導入する工程、
成長室に設置されたプラズマ発生装置から、酸素イオンを該基板に向けて照射する工程、
から選択されるいずれかの工程により発生させた、オゾンガス、窒素酸化物ガス、酸素含有ラジカル、酸素イオン、酸素ラジカルの少なくともいずれかを含む雰囲気中で行うことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項３】
電界効果型トランジスタの製造方法であって、
基板を用意する第１の工程、及び
該基板上に非晶質酸化物を含み構成される活性層を形成する第２の工程を備え、且つ
該第２の工程後に、
オゾン、窒素酸化物、水蒸気の少なくともいずれかを含有する雰囲気中において、
該第２の工程における該活性層の成膜温度よりも高い温度で熱処理する工程、
該活性層を備えている該基板に酸素含有プラズマを照射する工程、
の少なくともいずれかの工程を行うことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項４】
電界効果型トランジスタの製造方法であって、
基板を用意する第１の工程、及び該基板上に非晶質酸化物を含み構成される活性層を形成する第２の工程を備え、且つ
該第２の工程を、
抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、化学気相成長法、ラインビームレーザー蒸着法、あるいは電気析出法により行うことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項５】
電界効果型トランジスタの製造方法であって、
基板を用意する第１の工程、及び該基板上に非晶質酸化物を含み構成される活性層を成膜する第２の工程を備え、且つ
該第２の工程を、成膜温度が７０℃以上で行うことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項６】
前記成膜温度が、７０℃以上２００℃以下であることを特徴とする請求項５記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明に係る電界効果型トランジスタの製造方法は、
基板を用意する第１の工程、及び該基板上に非晶質酸化物を含み構成される活性層を形成する第２の工程を備え、且つ
該第２の工程を、
成長室に設置されたオゾン発生装置から、オゾンガスを成長室に導入する工程、
窒素酸化物ガスを成長室の外部から成長室に導入する工程、
成長室に設置されたラジカル発生装置から、酸素ラジカルを成長室に導入する工程、
成長室に設置されたプラズマ発生装置から、酸素イオンを該基板に向けて照射する工程、
から選択されるいずれかの工程により発生させた、オゾンガス、窒素酸化物ガス、酸素含有ラジカル、酸素イオン、酸素ラジカルの少なくともいずれかを含む雰囲気中で行うことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明に係る電界効果型トランジスタの製造方法は、
基板を用意する第１の工程、及び
該基板上に非晶質酸化物を含み構成される活性層を形成する第２の工程を備え、且つ
該第２の工程後に、
オゾン、窒素酸化物、水蒸気の少なくともいずれかを含有する雰囲気中において、
該第２の工程における該活性層の成膜温度よりも高い温度で熱処理する工程、
該活性層を備えている該基板に酸素含有プラズマを照射する工程、
の少なくともいずれかの工程を行うことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月29日(2008.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収納する収納容器からの前記基板の取り出し及び収納を行なう搬送部と、
前記基板の検査を行う検査部と、を備えた外観検査装置であって、
前記搬送部は、前記検査部に対して独立に構成され、複数の装置レイアウトに対応して設置位置を変更可能であることを特徴とする外観検査装置。
【請求項２】
前記搬送部は、前記検査部の操作部側に対して背面又は側面のいずれかの面を選択し、隣接して設置されることを特徴とする請求項１に記載の外観検査装置。
【請求項３】
前記検査部は、前記搬送部との間で直接前記基板の受け渡しを行なう基板受け渡し位置を備え、前記基板受け渡し位置から検査位置に前記基板を移送する他の搬送部を備えることを特徴とする請求項1または2に記載の外観検査装置。
【請求項４】
前記搬送部及び前記他の搬送部は、それぞれ前記基板を吸着保持するハンドを有し、前記基板の前記受け渡し位置において角度の異なる２方向の受け渡し方向からの前記搬送部の前記ハンド挿入に対して前記他の搬送部の前記ハンドが干渉しない配置とされたことを特徴とする請求項３に記載の外観検査装置。
【請求項５】
前記搬送部は、複数の連結アームを有する多関節型の搬送ロボットであり、前記搬送ロボットの前記連結アームの先端部に屈曲して設けられた第１のハンドを備え、
前記他の搬送部は、先端部に前記第１のハンドが前記２方向から入り込むよう受け渡し空間を有する略Ｌ字形状に形成され、前記基板を吸着保持する第２のハンドと、を備え、
前記第１のハンドが前記第２のハンドの長辺側の挿入方向から前記基板を受け渡しする際に、前記第２のハンドの長辺との干渉を避ける逃げ部を前記第１のハンドに形成されることを特徴とする請求項４に記載の外観検査装置。
【請求項６】
前記他の搬送部は、軸方向を中心に回転する回転軸を備えていることを特徴とする請求項３から５のいずれか１項に記載の外観検査装置。
【請求項７】
前記他の搬送部は、複数の搬送アームからなり、
これら搬送アームは、前記第１の搬送部との前記基板受け渡し位置、前記検査位置との間を循環移送することを特徴とする請求項３から６のいずれか1項に記載の外観検査装置。
【請求項８】
前記搬送部又は前記他の搬送部は、前記基板を吸着保持する略Ｌ字形状に形成したハンドを有し、この略Ｌ字形状のハンドは、両端に設けた吸着孔を結ぶラインが前記基板の中心より外側に位置されたことを特徴とする請求項３から７のいずれか1項に記載の外観検査装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】外観検査装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、例えば半導体ウエハ、又は液晶ディスプレイなどのフラットパネルディスプレイのガラス基板を目視や顕微鏡等を用いて検査・測定する外観検査装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の主要な局面に係る外観検査装置は、基板を収納する収納容器からの基板の取り出し及び収納を行なう搬送部と、基板の検査を行う検査部と、を備えた外観検査装置であって、搬送部は、前記検査部に対して独立に構成され、複数の装置レイアウトに対応して設置位置を変更可能である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明によれば、各種仕様に対して最小限の設計変更で対応でき、汎用性の高い外観検査装置を提供できる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月29日(2007.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受信したディジタル放送波から番組情報を取得し、この取得した番組情報に基づいて電子番組ガイドを表示するように構成されたディジタル放送受信装置において、取得した番組情報に基づいて次回の番組情報自動取得の処理日時を設定する手段と、前記設定された処理日時が到来したときに番組情報を自動取得する処理を実行する手段と、を備えたことを特徴とするディジタル放送受信装置。
【請求項２】
請求項１に記載のディジタル放送受信装置において、前記処理日時は、取得した番組情報のなかの最も後に放送される番組に関する時刻と予め又はユーザ入力により設定された時間の情報とに基づいて、前記時刻の前記時間の前とするように構成されたことを特徴とするディジタル放送受信装置。
【請求項３】
請求項１に記載のディジタル放送受信装置において、番組情報が取得できたときの時刻の履歴を記憶する手段を備えており、前記処理日時は、取得した番組情報のなかの最も後に放送される番組に関する時刻から所定時間前の範囲内で前記履歴により最も良く番組情報を取得できた時刻とするように構成されたことを特徴とするディジタル放送受信装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のディジタル放送受信装置において、前記処理日時の設定及び番組情報の自動取得処理をチャンネルごとに行うように構成されたことを特徴とするディジタル放送受信装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のディジタル放送受信装置において、前記設定された処理日時が到来して番組情報を自動取得する処理を試みても番組情報を取得できなかった場合に、予め又はユーザにより設定された時間後に再度の自動取得処理を試みるように構成されたことを特徴とするディジタル放送受信装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のディジタル放送受信装置において、番組情報が取得できたときの時刻の履歴を記憶する手段を備えており、前記設定された処理日時が到来して番組情報を自動取得する処理を試みても番組情報を取得できなかった場合に、この取得処理から所定時間の範囲内で前記履歴により最も良く番組情報を取得できた時刻に再
度の自動取得処理を試みるように構成されたことを特徴とするディジタル放送受信装置。
【請求項７】
請求項５又は請求項６に記載のディジタル放送受信装置において、前記再度の自動取得処理をチャンネルごとに行うように構成されたことを特徴とするディジタル放送受信装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれかに記載のディジタル放送受信装置において、放送視聴状態で前記の自動取得又は再度の自動取得を実行するように構成されたことを特徴とするディジタル放送受信装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれかに記載のディジタル放送受信装置において、放送視聴状態でなくても自動的に前記の自動取得又は再度の自動取得を実行するように構成されたことを特徴とするディジタル放送受信装置
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれかに記載のディジタル放送受信装置において、地上ディジタル放送を受信する携帯型又は移動型として構成されたことを特徴とするディジタル放送受信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、これら構成のディジタル放送受信装置において、放送視聴状態で前記の自動取得又は再度の自動取得を実行するように構成されていてもよい。或いは、放送視聴状態でなくても自動的に前記の自動取得又は再度の自動取得を実行するように構成されていてもよい。