【手続補正書】
【提出日】平成19年11月21日(2007.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタと第１、第２の不純物拡散領域が形成された半導体基板と、
前記トランジスタ及び前記半導体基板の上方に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜に形成され、前記第１の不純物拡散領域と接続される第１のコンタクトホールと、
前記第１のコンタクトホールに形成された第１の導電性プラグと、
前記第１の絶縁膜の上方に形成された酸化防止膜と、
前記酸化防止膜及び前記第１の絶縁膜に形成され、前記第２の不純物拡散領域と接続される第２のコンタクトホールと、
前記第２のコンタクトホールに形成された第２の導電性プラグと、
前記第２の導電性プラグの上方に形成された強誘電体キャパシタと、
前記強誘電体キャパシタ及び前記酸化防止膜の上方に形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜及び前記酸化防止膜に形成された第３のコンタクトホールと、
前記第３のコンタクトホールに形成された第３の導電性プラグと、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記キャパシタ及び前記酸化防止膜の上方、かつ、前記第２の絶縁膜の下方に形成されたキャパシタ保護膜を更に有し、
前記第３のコンタクトホールは、前記第２の絶縁膜、前記酸化防止膜、及び前記キャパシタ保護膜に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記酸化防止膜の上方、かつ、前記強誘電体キャパシタと前記第２の絶縁膜の下方に形成された下地絶縁膜を更に有し、
前記第３のコンタクトホールは、前記第２の絶縁膜、前記酸化防止膜、及び前記下地絶縁膜に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体基板に第１、第２の不純物拡散領域とトランジスタを形成する工程と、
前記トランジスタ及び前記半導体基板の上方に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜に前記第１の不純物拡散領域と接続される第１のコンタクトホールを形成する工程と、
前記第１のコンタクトホールに第１の導電性プラグを形成する工程と、
前記第１の絶縁膜及び前記第１の導電性プラグの上方に酸化防止膜を形成する工程と、
前記酸化防止膜及び前記第１の絶縁膜に、前記第２の不純物拡散領域と接続される第２のコンタクトホールを形成する工程と、
前記第２のコンタクトホールに第２の導電性プラグを形成する工程と、
前記第２の導電性プラグの上方に強誘電体キャパシタを形成する工程と、
前記強誘電体キャパシタ及び前記酸化防止膜の上方に第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜及び前記酸化防止膜に第３のコンタクトホールを形成する工程と、
前記第３のコンタクトホールに第３の導電性プラグを形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記キャパシタ及び前記酸化防止膜の上方、かつ、前記第２の絶縁膜の下方にキャパシタ保護膜を形成する工程を更に有し、
前記第３のコンタクトホールは、前記第２の絶縁膜、前記酸化防止膜、及び前記キャパシタ保護膜に形成されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記酸化防止膜の上方、かつ、前記強誘電体キャパシタと前記第２の絶縁膜の下方に下地絶縁膜を形成する工程を更に有し、
前記第３のコンタクトホールは、前記第２の絶縁膜、前記酸化防止膜、及び前記下地絶縁膜に形成されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、より詳しくは、キャパシタの誘電体膜に強誘電体材料を用いた不揮発性メモリ（ＦｅＲＡＭ:Ferroelectric Random Access Memory）を有する半導体装置及びその製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の目的は、導電性プラグの形成後に熱処理がある場合に、導電性プラグが異常酸化してコンタクト不良になるのを防止することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記した課題は、トランジスタと第１、第２の不純物拡散領域が形成された半導体基板と、前記トランジスタ及び前記半導体基板の上方に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜に形成され、前記第１の不純物拡散領域と接続される第１のコンタクトホールと、前記第１のコンタクトホールに形成された第１の導電性プラグと、前記第１の絶縁膜の上方に形成された酸化防止膜と、前記酸化防止膜及び前記第１の絶縁膜に形成され、前記第２の不純物拡散領域と接続される第２のコンタクトホールと、前記第２のコンタクトホールに形成された第２の導電性プラグと、前記第２の導電性プラグの上方に形成された強誘電体キャパシタと、前記強誘電体キャパシタ及び前記酸化防止膜の上方に形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜及び前記酸化防止膜に形成された第３のコンタクトホールと、前記第３のコンタクトホールに形成された第３の導電性プラグとを有することを特徴とする半導体装置によって解決する。
または、半導体基板に第１、第２の不純物拡散領域とトランジスタを形成する工程と、前記トランジスタ及び前記半導体基板の上方に第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜に前記第１の不純物拡散領域と接続される第１のコンタクトホールを形成する工程と、前記第１のコンタクトホールに第１の導電性プラグを形成する工程と、前記第１の絶縁膜及び前記第１の導電性プラグの上方に酸化防止膜を形成する工程と、前記酸化防止膜及び前記第１の絶縁膜に、前記第２の不純物拡散領域と接続される第２のコンタクトホールを形成する工程と、前記第２のコンタクトホールに第２の導電性プラグを形成する工程と、前記第２の導電性プラグの上方に強誘電体キャパシタを形成する工程と、前記強誘電体キャパシタ及び前記酸化防止膜の上方に第２の絶縁膜を形成する工程と、前記第２の絶縁膜及び前記酸化防止膜に第３のコンタクトホールを形成する工程と、前記第３のコンタクトホールに第３の導電性プラグを形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法によって解決する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明によれば、酸化防止膜を形成することにより、熱処理の際に第１の導電性プラグが異常酸化してコンタクト不良を起こすのを防止することができる。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】