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【手続補正書】
【提出日】平成20年2月8日(2008.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワーク上の端末に対して撮影手段によって得られた映像を配信する情報処理装置であって、
映像の配信を要求する端末からの指示に応じて、前記撮影手段の撮影範囲を制御する制御手段と、
予め定められた撮影範囲に関する情報を格納する格納手段と、
前記制御手段により制御される撮影範囲が前記格納手段によって格納された撮影範囲に含まれると判断した場合に、セキュア通信で前記端末に前記撮影手段によって得られた映像を配信する通信手段と
を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記セキュア通信は、ネットワークレベルの暗号通信、トランスポートレベルの暗号通信、及び独自暗号化方式によるアプリケーションレベルの暗号通信のうち少なくともいずれか１つであることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記通信手段は、課金サーバ経由の通信により前記セキュア通信を担保することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記通信手段は、前記制御手段により制御される撮影範囲が前記格納手段によって格納された撮影範囲に含まれるような指示を端末から受信した場合、前記セキュア通信を行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の情報処理装置。
【請求項５】
複数の前記端末に対して映像を配信している場合、前記通信手段は、接続中のいずれかの端末に対してセキュア通信を行うよう制御した際に、他の接続中の端末に対してもセキュア通信を行うよう制御することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記通信手段は、接続中の全ての端末に対してセキュア通信を行うよう制御する場合に、セキュア通信が必要でないと判断した端末との接続を切断することを特徴とする請求項５に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記通信手段は、セキュア通信が必要でないと判断した端末に対して、広角光学系の撮影手段で撮像された映像に切り替えて配信することを特徴とする請求項５に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記撮影手段で撮像した映像と共に前記映像に関する音声を配信する音声配信手段を更に有し、
前記通信手段は、更に、前記音声配信手段が音声を配信するか否かに応じて前記端末とセキュア通信を行うよう制御することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項９】
ネットワーク上の端末に対して撮影手段によって得られた映像を配信する情報処理装置における情報処理方法であって、
映像の配信を要求する端末からの指示に応じて、前記撮影手段の撮影範囲を制御する制御ステップと、
前記制御ステップで制御される撮影範囲が予め定められた撮影範囲に関する情報を格納する格納手段に格納されている前記撮影範囲に含まれると判断した場合に、セキュア通信で前記端末に前記撮影手段によって得られた映像を配信する通信ステップと
を有することを特徴とする情報処理方法。
【請求項１０】
ネットワーク上の端末に対して撮影手段によって得られた映像を配信するコンピュータに、
映像の配信を要求する端末からの指示に応じて、前記撮影手段の撮影範囲を制御する制御ステップと、
前記制御ステップで制御される撮影範囲が予め定められた撮影範囲に関する情報を格納する格納手段に格納されている前記撮影範囲に含まれると判断した場合に、セキュア通信で前記端末に前記撮影手段によって得られた映像を配信する通信ステップと
を実行させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
この発明は、上述した課題を解決すべくなされたもので、ネットワーク上の端末に対して撮影手段によって得られた映像を配信する情報処理装置であって、映像の配信を要求する端末からの指示に応じて、前記撮影手段の撮影範囲を制御する制御手段と、予め定められた撮影範囲に関する情報を格納する格納手段と、前記制御手段により制御される撮影範囲が前記格納手段によって格納された撮影範囲に含まれると判断した場合に、セキュア通信で前記端末に前記撮影手段によって得られた映像を配信する通信手段とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、本発明は、ネットワーク上の端末に対して撮影手段によって得られた映像を配信する情報処理装置における情報処理方法であって、映像の配信を要求する端末からの指示に応じて、前記撮影手段の撮影範囲を制御する制御ステップと、前記制御ステップで制御される撮影範囲が予め定められた撮影範囲に関する情報を格納する格納手段に格納されている前記撮影範囲に含まれると判断した場合に、セキュア通信で前記端末に前記撮影手段によって得られた映像を配信する通信ステップとを有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、本発明のプログラムは、ネットワーク上の端末に対して撮影手段によって得られた映像を配信するコンピュータに、映像の配信を要求する端末からの指示に応じて、前記撮影手段の撮影範囲を制御する制御ステップと、前記制御ステップで制御される撮影範囲が予め定められた撮影範囲に関する情報を格納する格納手段に格納されている前記撮影範囲に含まれると判断した場合に、セキュア通信で前記端末に前記撮影手段によって得られた映像を配信する通信ステップとを実行させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月13日(2008.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体光学像を電荷に変換し、画像信号を出力する撮像素子と、
表示手段と、
前記撮像素子を露光して得た第１画像信号から、前記撮像素子を非露光状態にして電荷を蓄積して得た第２画像信号を差し引いて、第３画像信号を生成するノイズリダクション手段と、
前記露光に要した時間が予め設定された閾値よりも短いかどうかを判断し、短くない場合には、前記第１画像信号から仮の画像信号を生成し、前記第３画像信号が生成されるまでの間、前記仮の画像信号を前記表示手段に表示してから前記第３画像信号を表示し、短い場合には、前記仮の画像信号を前記表示手段に表示せずに前記第３画像信号の生成を待ち、生成した後に前記第３画像信号を前記表示手段に表示するように制御する制御手段と
を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記露光に要した時間が前記予め設定された閾値よりも短い場合に、前記制御手段は、前記第３画像信号が生成されるまでの間、前記ノイズリダクション手段の動作の状態を示す情報、または前記第３画像信号の生成終了までにかかる時間を示す情報の少なくともいずれか一方を表示するように制御することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記露光に要した時間が前記予め設定された閾値よりも短くない場合に、前記制御手段は、表示中の画像が仮の画像信号であることを示す情報、前記ノイズリダクション手段の動作の状態を示す情報、または前記第３画像信号の生成終了までにかかる時間を示す情報の少なくともいずれか一つを、前記仮の画像信号とともに表示するように制御することを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
画像の撮影直後に、当該撮影した画像を前記表示手段に自動的に表示する動作の許可と禁止を切り替える設定手段を更に有し、
前記設定手段により禁止に設定されている場合に、前記露光に要した時間に関わらず、前記第３画像信号を生成している間、前記ノイズリダクション手段の動作の状態を示す情報、または前記第３画像信号の生成終了までにかかる時間を示す情報の少なくともいずれか一方を表示することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記第３画像信号の生成の中止を指示する指示手段を更に有し、
前記指示手段により前記第３画像信号の生成の中止が指示された場合に、前記ノイズリダクション手段は、前記第３画像信号の生成にかかる処理を中止することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記仮の画像信号を、前記第１画像信号に対する所定の補正をした後に生成することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記所定の補正に使われる補正値は、前記撮像素子を非露光状態にして前記露光に要した時間よりも短い時間だけ電荷を蓄積して得られた、あらかじめ用意された黒画像であることを特徴とする請求項６に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記所定の補正に使われる補正値は、シェーディングをキャンセルするためにあらかじめ用意された補正値であることを特徴とする請求項６に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記所定の補正に使われる補正値は、前回の撮影時に得られた第２画像信号であることを特徴とする請求項６に記載の撮像装置。
【請求項１０】
被写体光学像を電荷に変換して画像信号を出力する撮像素子と、表示手段とを有する撮像装置の制御方法であって、
前記撮像素子を露光して第１画像信号を取得する第１の撮像工程と、
前記撮像素子を非露光状態にして電荷を蓄積して第２画像信号を取得する第２の撮像工程と、
前記第１画像信号から前記第２画像信号を差し引いて第３画像信号を生成するノイズリダクション工程と、
前記露光に要した時間が予め設定された閾値よりも短いかどうかを判断する判断工程と、
前記露光に要した時間が前記予め設定された閾値よりも短くない場合に、前記第１画像信号から仮の画像信号を生成し、前記第３画像信号が生成されるまでの間、前記仮の画像信号を前記表示手段に表示してから前記第３画像信号を表示する第１の表示工程と、
前記露光に要した時間が前記予め設定された閾値よりも短い場合に、前記仮の画像信号を前記表示手段に表示せずに前記第３画像信号の生成を待ち、生成後に前記第３画像信号を前記表示手段に表示する第２の表示工程と
を有することを特徴とする制御方法。
【請求項１１】
コンピュータに、請求項１０に記載の制御方法の各工程を実行させるためのプログラム。
【請求項１２】
請求項１１に記載のプログラムを格納したことを特徴とするコンピュータが読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明は上記問題点を鑑みてなされたものであり、本発明の撮像装置は、被写体光学像を電荷に変換し、画像信号を出力する撮像素子と、表示手段と、前記撮像素子を露光して得た第１画像信号から、前記撮像素子を非露光状態にして電荷を蓄積して得た第２画像信号を差し引いて、第３画像信号を生成するノイズリダクション手段と、前記露光に要した時間が予め設定された閾値よりも短いかどうかを判断し、短くない場合には、前記第１画像信号から仮の画像信号を生成し、前記第３画像信号が生成されるまでの間、前記仮の画像信号を前記表示手段に表示してから前記第３画像信号を表示し、短い場合には、前記仮の画像信号を前記表示手段に表示せずに前記第３画像信号の生成を待ち、生成した後に前記第３画像信号を前記表示手段に表示するように制御する制御手段とを有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、被写体光学像を電荷に変換して画像信号を出力する撮像素子と、表示手段とを有する撮像装置の本発明の制御方法は、前記撮像素子を露光して第１画像信号を取得する第１の撮像工程と、前記撮像素子を非露光状態にして電荷を蓄積して第２画像信号を取得する第２の撮像工程と、前記第１画像信号から前記第２画像信号を差し引いて第３画像信号を生成するノイズリダクション工程と、前記露光に要した時間が予め設定された閾値よりも短いかどうかを判断する判断工程と、前記露光に要した時間が予め設定された閾値よりも短くない場合に、前記第１画像信号から仮の画像信号を生成し、前記第３画像信号が生成されるまでの間、前記仮の画像信号を前記表示手段に表示してから前記第３画像信号を表示する第１の表示工程と、前記露光に要した時間が予め設定された閾値よりも短い場合に、前記仮の画像信号を前記表示手段に表示せずに前記第３画像信号の生成を待ち、生成後に前記第３画像信号を前記表示手段に表示する第２の表示工程とを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月30日(2008.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の電極層を形成し、
前記第１の電極層上に光電変換層を形成し、
前記光電変換層上に有機物層を形成し、
前記光電変換層に、前記第１の電極層に達する開孔を形成し、
前記開孔に導電性ペーストを充填して第２の電極層を形成し、
前記有機物層上に、前記第２の電極層を介して前記第１の電極層に電気的に接続される第１の導電層と、前記光電変換層に電気的に接続される第２の導電層を形成し、
前記有機物層は、前記導電性ペーストの前記光電変換層に対する接触角を増大させることを特徴とする太陽電池の作製方法。
【請求項２】
基板上に第１の電極層を形成し、
前記第１の電極層上に光電変換層を形成し、
前記光電変換層の表面を有機材料で処理することにより前記光電変換層の表面を改質し、
前記光電変換層に、前記第１の電極層に達する開孔を形成し、
前記開孔に導電性ペーストを充填して第２の電極層を形成し、
前記光電変換層上に、前記第２の電極層を介して前記第１の電極層に電気的に接続される第１の導電層と、前記光電変換層に電気的に接続される第２の導電層を形成し、
前記光電変換層を前記有機材料によって処理することにより、前記導電性ペーストの前記光電変換層に対する接触角が増大することを特徴とする太陽電池の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記基板は、ガラス、ステンレスまたは高分子材料で形成されていることを特徴とする太陽電池の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記高分子材料は、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンナフタレート（ＰＢＮ）のいずれか１つであることを特徴とする太陽電池の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記有機物層は、シランカップリング化合物を含むことを特徴とする太陽電池の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記導電性ペーストは、銀、金、銅、またはニッケルの金属材料を含む導電性ペースト、もしくは導電性カーボンペーストのいずれかであることを特徴とする太陽電池の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月13日(2008.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイと、
前記ＬＥＤダイを支持する装着面と、
光放出パターンを成形するために前記ＬＥＤダイの近くの前記装着面に固定された不透光のビームシャッタとを含み、
前記ＬＥＤダイは、前記装着面に平行な平面内に外周を有しており、前記ビームシャッタは前記ＬＥＤダイの外周の周囲の一部に設けられていて、前記ビームシャッタが、前記ＬＥＤダイによって発せられる光のうち外周の一部を通過する光を直接的に遮断するとともに外周の他の部分を通過する光を遮断しないようにされ、非対称な光放射パターンを生成するようにされており、
そして、前記ＬＥＤダイによってその最上面に垂直な方向に放射された光が遮断も反射もされないように、前記ビームシャッタのどの部分も、前記ＬＥＤダイの最上面を直接覆う位置にはないことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記装着面は、前記ＬＥＤダイのためのサブマウントの表面であり、該サブマウントは、該ＬＥＤダイ上の接点に接合された一又は二以上の電気接点を有するものである請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記サブマウントは、シリコンを含んでいる請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記装着面は、回路基板の表面を含んでいる請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記ビームシャッタは、前記装着面に接着固定されたものである請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記ビームシャッタは、半田付けにより、ろう付けにより、又は超音波溶接により接着固定されている請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記ビームシャッタは、エポキシによって接着固定されている請求項５に記載の装置。
【請求項８】
前記ビームシャッタは、反射性である請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記ビームシャッタは、アルミニウムである請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記ビームシャッタは、実質的に直線状である請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記ビームシャッタは、前記ＬＥＤダイの外周の周囲の一部において湾曲している壁を含んでいる、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記ＬＥＤダイの上のレンズを更に含んでいる請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
前記ＬＥＤダイからの光を異なる波長に変換するために該ＬＥＤダイの少なくとも一部分の上に重なる燐光体を更に含んでいる請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
前記燐光体は、前記ＬＥＤ光を変換して白色光を発生させる請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記燐光体は、前記ＬＥＤダイ上に堆積されている請求項１３に記載の装置。
【請求項１６】
前記燐光体は、前記ＬＥＤダイの上に重なるレンズ上又はレンズ内にある請求項１３に記載の装置。
【請求項１７】
前記ビームシャッタは、前記ＬＥＤダイの外周に沿った幅を有し、その幅が１〜１５ｍｍである請求項１に記載の装置。
【請求項１８】
前記ビームシャッタは、前記装着面に垂直な高さを有し、その高さが０．１〜１０ｍｍである請求項１に記載の装置。
【請求項１９】
前記ＬＥＤダイとこれに最も近い前記ビームシャッタの面との距離は、０〜５ｍｍである請求項１に記載の装置。
【請求項２０】
前記ＬＥＤダイの上のレンズを更に含み、
前記レンズとこれに最も近い前記ビームシャッタの面との距離は、０〜５ｍｍである、
請求項１に記載の装置。
【請求項２１】
光パターンを生成する方法であって、
発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイを装着面上に設ける段階であっ、前記ＬＥＤダイは、前記装着面に平行な平面内に外周を有している、そのような段階と、
前記ＬＥＤダイ近傍の前記装着面に固定された不透光のビームシャッタを設ける段階であって、前記ビームシャッタは前記ＬＥＤダイの外周の周囲の一部に設けられていて、前記ビームシャッタが、前記ＬＥＤダイによって発せられる光のうち外周の一部を通過する光を直接的に遮断するとともに外周の他の部分を通過する光を遮断しないようにされ、それにより非対称な光放射パターンを生成するようにされており、そして、前記ＬＥＤダイによってその最上面に垂直な方向に放射された光が遮断も反射もされないように、前記ビームシャッタのどの部分も、前記ＬＥＤダイの最上面を直接覆う位置にはないようにする、そのような段階と、
光放出パターンを成形するために放出される光の一部分が前記ビームシャッタによって遮断されるように前記ＬＥＤダイを活性化して光を放出させて、非対称な光放射パターンを生成する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２２】
前記ＬＥＤダイを活性化する段階は、光放出パターンを成形するために前記放出された光の一部分が前記ビームシャッタにより遮断されてかつ反射されるように、該ＬＥＤダイを活性化して光を放出させる段階を含んでいる請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記ビームシャッタは、前記ＬＥＤダイの外周に沿った幅を有し、その幅が１〜１５ｍｍである請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
前記ビームシャッタは、前記装着面に垂直な高さを有し、その高さが０．１〜１０ｍｍである請求項２１に記載の方法。
【請求項２５】
前記ＬＥＤダイとこれに最も近い前記ビームシャッタの面との距離は、０〜５ｍｍである請求項２１に記載の方法。
【請求項２６】
レンズが、前記ＬＥＤダイの上にあり、
前記レンズとこれに最も近い前記ビームシャッタの面との距離は、０〜５ｍｍである、
請求項２１に記載の方法。
【請求項２７】
さらに、前記ＬＥＤダイのためのサブマウントを含み、前記装着面は、前記サブマウントが装着される回路基板の表面を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項２８】
前記ＬＥＤダイは、最上面、底面、及び四つの側面を有し、前記ビームシャッタが、前記ＬＥＤダイの前記四つの側面の一つのみに沿って設けられている、請求項１に記載の装置。
【請求項２９】
前記ビームシャッタは、最上部の縁部が楔形であり、前記ＬＥＤダイから離れるに従ってテーパー状になっている、請求項１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月16日(2007.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性のある伝送媒体に通信情報を変調した送信信号を印加し、前記伝送媒体周辺に電界を誘起させる送信装置と、前記伝送媒体が誘起した電界強度を検出し、検出した電界強度から前記通信情報を復調する受信装置とを有する通信システムであって、
前記受信装置は、
前記伝送媒体が誘起した電界強度を検出する電界検出部を有し、
当該電界検出部は、
前記送信装置と当該受信装置との通信時に前記伝送媒体が近接または接触される受信電極と、
コイルと、
前記コイルの中央孔に近接させて配置したセンサ電極と、
前記受信電極と前記センサ電極を接続する導電線とを有し、
前記コイルは前記受信電極に作用する電界の電界強度を表す信号を出力することを特徴とする通信システム。
【請求項２】
請求項１記載の通信システムであって、
前記電界検出部は、前記コイルの中央孔に挿入された磁性体コアを有し、
前記センサ電極は、前記磁性体コアの端面上に当該端面に密着させて配置されていることを特徴とする通信システム。
【請求項３】
請求項２記載の通信システムであって、
前記電界検出部は、
前記センサ電極の全体または前記センサ電極の周縁部を前記磁性体コア上に封止する、空気よりも透磁率の大きい封止体を有することを特徴とする通信システム。
【請求項４】
請求項２記載の通信システムであって、
前記電界検出部は、
前記磁性体コアと当該磁性体に巻き回された前記コイルとの組を複数備え、
かつ、
前記センサ電極は、前記磁性体コアと当該磁性体に巻き回された前記コイルの各組の磁性体コアの端面の間に挟まれた形態で、前記各組の磁性体コアの端面に密着していることを特徴とする通信システム。
【請求項５】
請求項１、２、３または４記載の通信システムであって、
前記伝送媒体は、人体または生体であることを特徴とする通信システム。
【請求項６】
電界強度を検出する電界検出装置であって、
電界中に配置される受信電極と、
コイルと、
前記コイルの中央孔に近接させて配置したセンサ電極と、
前記受信電極と前記センサ電極を接続する導電線とを有し、
前記コイルは前記受信電極に作用する電界の電界強度を表す信号を出力することを特徴とする電界検出装置。
【請求項７】
請求項６記載の電界検出装置であって、
前記コイルの中央孔に挿入された磁性体コアを有し、
前記センサ電極は、前記磁性体コアの端面上に当該端面に密着させて配置されていることを特徴とする電界検出装置。
【請求項８】
請求項７記載の電界検出装置であって、
前記センサ電極の全体または前記センサ電極の周縁部を前記磁性体コア上に封止する、空気よりも透磁率の大きい封止体を有することを特徴とする電界検出装置。
【請求項９】
請求項７記載の電界検出装置であって、
前記磁性体コアと当該磁性体に巻き回された前記コイルとの組を複数備え、
かつ、
前記センサ電極は、前記磁性体コアと当該磁性体に巻き回された前記コイルの各組の磁性体コアの端面の間に挟まれた形態で、前記各組の磁性体コアの端面に密着していることを特徴とする電界検出装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月5日(2008.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像素子と、
前記撮像素子の光軸に対して垂直な方向に関する前記撮像素子の動きを検出する動き検出手段と、
前記撮像素子により得られる画像情報から動画像データを生成する動画像データ生成手段と、
前記撮像素子により得られる画像情報から静止画像データを生成する静止画像データ生成手段と、
所定の操作部への操作に応じて前記動画像データ生成手段により動画像データを生成する動画モードと前記所定の操作部への操作に応じて前記静止画像データ生成手段により静止画像データを生成する静止画モードとを切り換える切換手段と、
前記動画像データ生成手段により動画像データが生成される場合に、前記動き検出手段により検出された前記撮像素子の動きに基づいて、前記動画像データに対して手ブレ補正を実行する第１の手ブレ補正部と、
前記静止画像データ生成手段により静止画像データが生成される場合に、前記動き検出手段により検出された前記撮像素子の動きに基づいて、前記第１の手ブレ補正部の補正方式とは異なる方式で、前記静止画像データに対して手ブレ補正を実行する第２の手ブレ補正部と、
を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記第１の手ブレ補正部は、前記撮像素子により撮像された動画像データ内の１枚の画像の画像データに対して、前記動き検出手段により検出された前記動画像データのフレーム間の前記撮像素子の動きを示す動きデータに基づき、手ブレ補正処理を施し、
前記第２の手ブレ補正部は、前記撮像素子により撮像された１枚の画像を複数の部分領域に区分した各部分画像の画像データに対して、前記撮像素子による撮像の際に前記動き検出手段により検出された前記撮像素子の動きを示す動きデータに基づき、手ブレ補正処理を施すこと、
を特徴とする請求項１記載の撮像装置。  
【請求項３】
所定のレートで動画像の垂直同期信号を生成する垂直同期信号生成手段を有し、
前記動き検出手段は、前記撮像素子の光軸に対して垂直な方向に関する前記撮像素子の動きを検出する動き検出素子と、前記動き検出素子の出力を所定のサンプリングレートでサンプリングするサンプリング回路とを有し、
前記第１および第２の手ブレ補正部は、前記垂直同期信号生成手段による垂直同期信号を基準にして、補正対象の画像データに対応する前記動き検出素子の出力のサンプルを特定して手ブレ量を計算し、その手ブレ量に応じた手ブレ補正を実行し、
前記サンプリング回路は、前記動画像データ生成手段による動画像データの生成と前記静止画像データ生成手段による静止画像データの生成が切り換えられた場合にも継続して所定のレートで前記動き検出素子の出力をサンプリングすること、
を特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項４】
所定のレートで動画像の垂直同期信号を生成する垂直同期信号生成手段を有し、
前記動き検出手段は、前記撮像素子の光軸に対して垂直な方向に関する前記撮像素子の動きを検出する動き検出素子と、前記動き検出素子の出力を所定のサンプリングレートでサンプリングするサンプリング回路とを有し、
前記第１および第２の手ブレ補正部は、前記垂直同期信号生成手段による垂直同期信号を基準にして、補正対象の画像データに対応する前記動き検出素子の出力のサンプルを特定して手ブレ量を計算し、前記手ブレ量に応じた手ブレ補正を実行し、
前記サンプリング回路は、前記切換手段により動画モードと静止画モードが切り換えられた場合にも継続して所定のレートで前記動き検出素子の出力をサンプリングすること、
を特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項５】
所定の操作部に対する操作に応じて動画モードと静止画モードとを切り換えるステップと、
撮像素子による撮像の際に、前記撮像素子の光軸に対して垂直な方向に関する前記撮像素子の動きを、動画モードと静止画モードとの切り換え時に継続して検出するステップと、
動画モードの場合に、前記撮像素子により得られる画像情報から生成された動画像データのフレーム間で検出した前記撮像素子の動きを示す動きデータに基づき、前記動画像データに対して手ブレ補正処理を実行するステップと、
静止画モードの場合に、前記撮像素子により撮像された１枚の画像情報から生成された静止画像データを複数の部分領域に区分した各部分画像の画像データに対して、前記撮像素子による撮像の際に検出した前記撮像素子の動きを示す動きデータに基づき、前記動画像データに対する手ブレ補正方式とは異なる方式で、前記静止画像データに対して手ブレ補正処理を実行するステップと、
を有することを特徴とする手ブレ補正方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月26日(2007.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を記録するための記録手段と、
１回の手動操作に応答して複数回の撮影動作を繰り返し行い、複数の画像を取得する連写手段と、
上記連写手段で取得された複数の画像を一時的に格納するための一時格納手段と、
上記一時格納手段に格納されている複数の画像の中から参照画像を設定するとともに、該参照画像に対して一致度の低い他の画像を１つ以上選出する選出手段と、
上記参照画像と上記選出手段で選出された画像を上記記録手段に記録するように制御する記録制御手段と、
を具備することを特徴とするデジタルカメラ。
【請求項２】
上記選出手段は、上記参照画像と上記他の画像の対応する所定領域についての一致度を判定することを特徴とする請求項１に記載のデジタルカメラ。
【請求項３】
上記所定領域は、主要被写体が存在する確率の高い領域を含むことを特徴とする請求項２に記載のデジタルカメラ。
【請求項４】
上記所定領域は、中央部周辺の領域を含むことを特徴とする請求項２に記載のデジタルカメラ。
【請求項５】
上記選出手段は、上記参照画像と上記他の画像の不一致画素を検出し、この不一致画素が占める割合によって上記一致度を判定することを特徴とする請求項１に記載のデジタルカメラ。
【請求項６】
上記選出手段は、上記参照画像と上記他の画像の画素毎の差を演算し、その演算結果がゼロにならない画素を検出することにより、上記不一致画素を検出することを特徴とする請求項５に記載のデジタルカメラ。
【請求項７】
上記記録制御手段は、さらに上記連写手段によって最後に取得された画像を上記記録手段に記録するように制御することを特徴とする請求項１に記載のデジタルカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記の目的を達成するために、本発明の第１の態様によるカメラは、画像を記録するための記録手段と、１回の手動操作に応答して複数回の撮影動作を繰り返し行い、複数の画像を取得する連写手段と、上記連写手段で取得された複数の画像を一時的に格納するための一時格納手段と、上記一時格納手段に格納されている複数の画像の中から参照画像を設定するとともに、該参照画像に対して一致度の低い他の画像を１つ以上選出する選出手段と、上記参照画像と上記選出手段で選出された画像を上記記録手段に記録するように制御する記録制御手段とを具備することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この第１の態様によれば、連続撮影で得られた画像のうちで、設定された参照画像とこの参照画像に対して一致度の低い他の画像が記録手段に記録される。これにより、高速連写によって多数の画像が撮影されても、それを効率良く記録手段に記録することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月7日(2008.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  透明基板上に保護層を有する光記録媒体において、表面に露出している親水性表面保護層がカチオン性有機粒子を含有するプリンタブル層を少なくとも１層以上有する光記録媒体。
【請求項２】  前記プリンタブル面表面に４μｌの純水を滴下し、滴下０．１秒後における吸水量が０．１０〜４．００μｌであり、且つ又は、角度７５°における光沢度が５０以上であることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項３】  前記プリンタブル面表面に４μｌの純水を滴下し、滴下０．１秒後における液滴と記録面表面の接触面積あたりの吸水量が、０．１０〜４．００μｌ／ｃｍ2
であることを特徴とする請求項１又は２に記載の光記録媒体。
【請求項４】  前記カチオン性有機粒子が、熱可塑性樹脂粒子であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項５】  前記カチオン性有機粒子が、アクリル系ポリマー（アクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルの重合体又は共重合体）、ＭＢＲ系ポリマー（メチルメタクリレート−ブタジエン共重合体）、ＳＢＲ系ポリマー（スチレン−ブタジエン共重合体）、ウレタン系ポリマー、エポキシ系ポリマー、ＥＶＡ系ポリマー（エチレン−酢酸ビニル共重合体）、メラミン系ポリマー、尿素系ポリマー又はオレフィン系ポリマーの中から選択される１種ならびにこれらの２種以上の共重合体の材料から選択される有機粒子であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項６】  前記カチオン性有機粒子が、（Ａ）アクリル酸アルキルエステル及び／又はメタクリル酸アルキルエステルと、（Ｂ）アミノ基含有アクリレート系モノマー及び／又はアミノ基含有メタクリレート系モノマー、さらに（Ｃ）その他の共重合可能なモノマーとを共重合して得られるカチオン性エマルション粒子であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項７】  前記カチオン性有機粒子のガラス転移温度が、６５℃以上であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項８】  前記カチオン性有機粒子を含有する層が、記録面表面の最外層にあることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項９】  前記カチオン性有機粒子を含有する層中に、無機粒子が含有されていないことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項１０】  前記カチオン性有機粒子を含有する層が、光記録媒体の保護層上、又は顔料を含むＵＶ硬化樹脂上又はプラスチック基板上に塗設されることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の光記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
即ち、本発明は、以下の［１］〜［１０］に記載した事項により特定される。
［１］  透明基板上に保護層を有する光記録媒体において、光記録媒体上にカチオン性有機粒子を含有する層を少なくとも１層以上有するプリンタブル光記録媒体。
［２］前記プリンタブル光記録媒体表面に４μｌの純水を滴下し、滴下０．１秒後における吸水量が０．１０〜４．００μｌであり、且つ角度７５°における光沢度が５０以上であることを特徴とする［１］記載のプリンタブル光記録媒体。
［３］  前記記録シートの記録面表面に４μｌの純水を滴下し、滴下０．１秒後における液滴と記録面表面の接触面積あたりの吸液量が、０．１０〜４．００μｌ／ｃｍ2である
ことを特徴とする［１］〜［２］のいずれかに記載のプリンタブル光記録媒体。
［４］  前記カチオン性有機粒子が、熱可塑性樹脂粒子であることを特徴とする［１］〜［３］のいずれかに記載のプリンタブル光記録媒体。
［５］  前記カチオン性有機粒子が、アクリル系ポリマー（アクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルの重合体又は共重合体）、ＭＢＲ系ポリマー（メチルメタクリレート−ブタジエン共重合体）、ＳＢＲ系ポリマー（スチレン−ブタジエン共重合体）、ウレタン系ポリマー、エポキシ系ポリマー、ＥＶＡ系ポリマー（エチレン−酢酸ビニル共重合体）、メラミン系ポリマー、尿素系ポリマー又はオレフィン系ポリマーの中から選択される１種ならびにこれらの２種以上の共重合体の材料から選択される有機粒子であることを特徴とする［１］〜［４］のいずれかに記載のプリンタブル光記録媒体。
［６］  前記カチオン性有機粒子が、（Ａ）アクリル酸アルキルエステル及び／又はメタクリル酸アルキルエステルと、（Ｂ）アミノ基含有アクリレート系モノマー及び／又はアミノ基含有メタクリレート系モノマー、さらに（Ｃ）その他の共重合可能なモノマーとを共重合して得られるカチオン性エマルション粒子であることを特徴とする［１］〜［５］のいずれかに記載のプリンタブル光記録媒体。
［７］  前記カチオン性有機粒子のガラス転移温度が、６５℃以上であることを特徴とする［１］〜［６］のいずれかに記載のプリンタブル光記録媒体。
［８］  前記カチオン性有機粒子を含有する層が、記録面表面の最外層にあることを特徴とする［１］〜［７］のいずれかに記載のプリンタブル光記録媒体。
［９］  前記カチオン性有機粒子を含有する層中に、無機粒子が含有されていないことを特徴とする［１］〜［８］のいずれかに記載のプリンタブル光記録媒体。
［１０］  前記カチオン性有機粒子を含有する層が、光記録媒体の保護層上、又は顔料を含むＵＶ硬化樹脂上又はプラスチック基板上に塗設されることを特徴とする［１］〜［９］のいずれかに記載のプリンタブル光記録媒体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明のプリンタブル光記録媒体とは、透明基板上に保護層を有する光記録媒体において、表面に露出している親水性表面保護層がカチオン性有機粒子を含有するプリンタブル層を少なくとも１層以上有する光記録媒体であって、プリンタブル層が特定の吸液量と光
沢を有することを特徴とする光記録媒体である。好ましくは、透明基板上に記録層、金属反射層、２層以上の保護層を順次積層してなる光記録媒体において、表面に露出している親水性表面保護層がカチオン性有機粒子を含有するプリンタブル層を少なくとも１層以上有する光記録媒体あって、プリンタブル層が特定の吸液量と光沢を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月7日(2008.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光素子、発光装置及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と第２の電極との間に、ｎ（ｎは２以上の自然数）個の発光層を有し、
ｍ（ｍは自然数、１≦ｍ≦ｎ−１）番目の発光層と、ｍ＋１番目の発光層との間には、正孔輸送性の物質と電子受容性の物質とを含む第１の層と、電子輸送性の物質と電子供与性の物質とを含む第２の層と、を有し、
前記電子受容性の物質はモリブデン酸化物であることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
第１の電極と第２の電極との間に、ｎ（ｎは２以上の自然数）個の発光層を有し、
ｍ（ｍは自然数、１≦ｍ≦ｎ−１）番目の発光層と、ｍ＋１番目の発光層との間には、正孔輸送性の物質と電子受容性の物質とを含む第１の層と、前記第１の層と接し、電子輸送性の物質と電子供与性の物質とを含む第２の層と、を有し、
前記電子受容性の物質はモリブデン酸化物であることを特徴とする発光素子。
【請求項３】
正孔輸送性の物質と電子受容性の物質とを含む第１の層と、
電子輸送性の物質と電子供与性の物質とを含む第２の層と、
前記第１の層と前記第２の層との間に設けられた発光層と、
を含む層群を、
一対の電極間に、ｎ（ｎは２以上の自然数）個有し、
ｎ個の前記層群は、
ｍ（ｍは自然数、１≦ｍ≦ｎ−１）番目の層群に含まれる第１の層と、ｍ＋１番目の群に含まれる第２の層とが接するように積み重なっていることを特徴とする発光素子。
【請求項４】
第１の電極と、前記第１の電極よりも光の反射率が高い第２の電極との間に、ｎ（ｎは２以上の自然数）個の発光層を有し、
ｍ（ｍは自然数、１≦ｍ≦ｎ−１）番目の発光層とｍ＋１番目の発光層との間には、
正孔輸送性の物質と電子受容性の物質とを含む第１の層と、
前記第１の層と接し、電子輸送性の物質と電子供与性の物質とを含む第２の層と、を有し、
ｍ番目の発光層における発光スペクトルのピーク波長よりも、ｍ＋１番目の発光層における発光スペクトルのピーク波長の方が波長が小さく、
前記ｍ＋１番目の発光層は、前記ｍ番目の発光層より前記第２の電極側に設けられていることを特徴とする発光素子。
【請求項５】
第１の電極と、前記第１の電極よりも光の反射率が高い第２の電極との間に、ｎ（ｎは２以上の自然数）個の発光層を有し、
ｍ（ｍは自然数、１≦ｍ≦ｎ−１）番目の発光層とｍ＋１番目の発光層との間には、
正孔輸送性の物質と電子受容性の物質とを含む第１の層と、
前記第１の層と接し、電子輸送性の物質と電子供与性の物質とを含む第２の層と、を有し、
前記ｎ個の発光層は、発光スペクトルのピーク波長が小さい波長を示す発光層程、前記第２の電極との距離が近くなるように設けられていることを特徴とする発光素子。
【請求項６】
第１の電極と第２の電極との間に、前記第１の電極側から順に、
赤色系の発光を呈する第１の発光層と、
電子輸送性の物質と電子供与性の物質とを含む第１の層と、
前記第１の層に接する正孔輸送性の物質と電子受容性の物質とを含む第２の層と、
緑色系の発光を呈する第２の発光層と、
電子輸送性の物質と電子供与性の物質とを含む第３の層と、
前記第３の層に接する正孔輸送性の物質と電子受容性の物質とを含む第４の層と、
青色系の発光を呈する第３の発光層と、
を有することを特徴とする発光素子。
【請求項７】
請求項６において、前記第２の電極は、前記第１の電極よりも光の反射率が高いことを特徴とする発光素子。
【請求項８】
請求項３乃至７のいずれか一において、前記電子受容性の物質は、モリブデン酸化物であることを特徴とする発光素子。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一に記載の発光素子を含む発光装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の前記発光装置と、操作スイッチ又はスピーカーとを含む電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月9日(2008.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に形成された第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上に形成された半導体層と、
前記第２の絶縁層及び前記半導体層を覆って形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート絶縁層及びゲート電極を覆って形成された第１の層間絶縁層と、
前記第１の層間絶縁層、前記ゲート絶縁層及び前記第２の絶縁層に形成された開口部と、
前記第１の絶縁層及び前記開口部を覆って形成された第２の層間絶縁層と、
前記開口部上に形成された発光素子を有し、
前記開口部は前記発光素子からの発光が発光装置外に射出する際の光路に対応して形成されることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
基板と、
前記基板上に形成された第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に形成された第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上に形成された半導体層と、
前記第２の絶縁層及び前記半導体層を覆って形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート絶縁層及びゲート電極を覆って形成された第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層を覆って形成された第１の層間絶縁層と、
前記第１の層間絶縁層、前記第３の絶縁層、前記ゲート絶縁層及び前記第２の絶縁層を貫通して形成された開口部と、
前記第１の絶縁層及び前記開口部を覆って形成された第２の層間絶縁層と、
前記開口部上に形成された発光素子を有し、
前記開口部は前記発光素子からの発光が発光装置外に射出する際の光路に対応して形成されることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
第１の領域と第２の領域を有する基板を有する発光装置であって、
前記第１の領域は、
前記基板上に形成された第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に形成された第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上に形成された半導体層と、
前記第２の絶縁層及び前記半導体層を覆って形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート絶縁層及びゲート電極を覆って形成された第１の層間絶縁層と、
前記第１の層間絶縁層上に形成された第２の層間絶縁層と、
を有し、
前記第２の領域は、
前記基板上に形成された前記第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に形成された前記第２の層間絶縁層と、
前記第２の層間絶縁層上に形成された発光素子と、
を有し、
前記第２の領域は前記発光素子からの発光が発光装置外に射出する際の光路に対応して形成されることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
第１の領域と第２の領域を有する基板を有する発光装置であって、
前記第１の領域は、
前記基板上に形成された第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に形成された第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上に形成された半導体層と、
前記第２の絶縁層及び前記半導体層を覆って形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート絶縁層及びゲート電極を覆って形成された第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層を覆って形成された第１の層間絶縁層と、
前記第１の層間絶縁層上に形成された第２の層間絶縁層と、
を有し、
前記第２の領域は、
前記基板上に形成された前記第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に形成された前記第２の層間絶縁層と、
前記第２の層間絶縁層上に形成された発光素子と、
を有し、
前記第２の領域は前記発光素子からの発光が発光装置外に射出する際の光路に対応して形成されることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項２または請求項４において、前記第３の絶縁層は窒化珪素を主成分とする材料で形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１または請求項３において、前記第２の層間絶縁層と前記発光素子との間に第３の絶縁層を有することを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項６において、前記第３の絶縁層は窒化珪素を主成分とする材料で形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項２、請求項４、または請求項５において、前記第２の層間絶縁層と前記発光素子との間に第４の絶縁層を有することを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項８において、前記第４の絶縁層は窒化珪素を主成分とする材料で形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、前記第１の絶縁層は窒化珪素を主成分とする材料、前記第２の絶縁層は酸化珪素を主成分とする材料で形成されていることを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月13日(2008.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面の結晶方位が｛１００｝結晶面の半導体基板の表面に、保護膜を形成し、
該半導体基板の表面から、第１の大きさの内径の保護膜を除去して、半導体基板の一部を露出させる開口部を形成し、前記開口部にレーザを照射し、前記第１の大きさの内径よりも小さい第２の大きさの内径の貫通孔を形成し、該貫通孔の内径を異方性エッチングによって内径を拡大し、該貫通孔の内径が該第１の大きさの内径になる前に該エッチングを終了することで、半導体基板に貫通孔を形成する貫通孔形成方法。
【請求項２】
前記エッチングは、前記貫通孔の内径が、該第１の大きさの内径とほぼ等しくなった時に終了することで、前記半導体基板に垂直な貫通孔を形成することを特徴とする。請求項１に記載の貫通孔形成方法。
【請求項３】
前記貫通孔の断面形状と、前記開口部の形状はともには４角形状であり、お互いがほぼ９０°の角度で交差しており、前記異方性エッチングは、前記貫通孔の断面形状の対角線の長さが、前記第１の大きさの内径とほぼ等しくなった時に終了する事を特徴とする請求項１に記載の貫通孔形成方法。
【請求項４】
貫通孔により表裏面が電気的に接続されている半導体装置の製造方法において、表面の結晶方位が｛１００｝結晶面の半導体基板の表面に、保護膜を形成し、該半導体基板の表面から、第１の大きさの内径の保護膜を除去し、半導体基板の一部を露出させる開口部を形成し、前記開口部にレーザを照射し、前記第１の大きさの内径よりも小さい第２の大きさの内径の貫通孔を形成し、該貫通孔の内径を異方性エッチングによって内径を拡大し、該貫通孔の内径が該第１の大きさの内径になる前に該エッチングを終了し、該貫通孔の内側表面に絶縁層を形成し、該絶縁層の内側表面に導電層を形成することで、該半導体基板の表裏面を電気的に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記エッチングは、前記貫通孔の内径が、該第１の大きさの内径とほぼ等しくなった時に終了することで、前記半導体基板に垂直な貫通孔を形成することを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記貫通孔の断面形状と、前記開口部の形状はともには４角形状であり、お互いがほぼ９０°の角度で交差しており、前記異方性エッチングは、前記貫通孔の断面形状の対角線の長さが、前記第１の大きさの内径とほぼ等しくなった時に終了する事を特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
貫通孔により表裏面が電気的に接続されている半導体装置において、
半導体基板の表面の結晶方位は｛１００｝結晶面であり、該半導体基板の表面には保護膜が形成されており、該保護膜は該半導体基板の一部を露出させる開口部を有しており、該開口部の内側には、該開口部の内径よりも小さい内径の貫通孔が形成されており、該貫通孔は、開口部近傍において、内径が小さくなる方向のテーパ形状を有しており、該貫通孔の内側表面には絶縁層が形成され、該絶縁層の内側表面には導電層が形成され、該導電層により該半導体基板の表裏面が電気的に接続されている事を特徴とする半導体装置。
【請求項８】
該貫通孔の内径は、前記開口部とほぼ等しい大きさであり、前記貫通孔は、半導体基板に垂直な形状を有していることを特徴とする請求項７の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月23日(2008.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に形成され、前記絶縁表面を形成する物質のうち、少なくとも一つと同じ物質が含有された導電層と、
前記導電層上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁層上に形成された半導体層と、を有し、
前記導電層に含有された前記物質は、前記絶縁表面に接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に形成され、前記絶縁表面を形成する物質のうち、少なくとも一つと同じ物質が含有された導電層と、
前記導電層上に形成され、有機材料からなる第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成され、無機材料からなる第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成された半導体層と、を有し、
前記導電層に含有された前記物質は、前記絶縁表面に接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記導電層は液滴吐出法により形成されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
絶縁表面を有する基板上に形成され、前記絶縁表面を形成する物質のうち、少なくとも一つと同じ物質が含有された第１の導電層と、
前記第１の導電層上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に形成された一導電型を有する第２の半導体層と、
前記第２の半導体層上に形成され、前記第２の半導体層を形成する物質のうち、少なくとも一つと同じ物質が含有された第２の導電層と、を有し、
前記第１の導電層に含有された前記物質は、前記絶縁表面に接しており、
前記第２の導電層に含有された前記物質は、前記第２の半導体層に接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
絶縁表面を有する基板上に形成され、前記絶縁表面を形成する物質のうち、少なくとも一つと同じ物質が含有された第１の導電層と、
前記第１の導電層上に形成され、有機材料からなる第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成され、無機材料からなる第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成された第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に形成された一導電型を有する第２の半導体層と、
前記第２の半導体層上に形成され、前記第２の半導体層を形成する物質のうち、少なくとも一つと同じ物質が含有された第２の導電層と、
前記第２の導電層上に形成され、有機材料からなる第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上に形成され、無機材料からなる第４の絶縁膜と、を有し、
前記第１の導電層に含有された前記物質は、前記絶縁表面に接しており、
前記第２の導電層に含有された前記物質は、前記第２の半導体層に接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
絶縁表面を有する基板上に、前記絶縁表面を形成する物質のうち、少なくとも一つと同じ物質が含有された導電層を液滴吐出法により形成し、
前記導電層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に半導体層を形成し、
前記導電層に含有された前記物質は、前記絶縁表面に接していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
絶縁表面を有する基板上に、前記絶縁表面を形成する物質のうち、少なくとも一つと同じ物質が含有された導電層を液滴吐出法により形成し、
前記導電層上に、有機材料からなる第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に、無機材料からなる第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に半導体層を形成し、
前記導電層に含有された前記物質は、前記絶縁表面に接していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
絶縁表面を有する基板上に、前記絶縁表面を形成する物質のうち、少なくとも一つと同じ物質が含有された第１の導電層を液滴吐出法により形成し、
前記第１の導電層上に、有機材料からなる第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に、無機材料からなる第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層上に、一導電型を有する第２の半導体層を形成し、
前記第２の半導体層上に、前記第２の半導体層を形成する物質のうち、少なくとも一つと同じ物質が含有された第２の導電層を液滴吐出法により形成し、
前記第２の導電層上に、有機材料からなる第３の絶縁膜を形成し、
前記第３の絶縁膜上に、無機材料からなる第４の絶縁膜を形成し、
前記第１の導電層に含有された前記物質は、前記絶縁表面に接しており、
前記第２の導電層に含有された前記物質は、前記第２の半導体層に接していることを特徴とする半導体装置の作製方法。