【手続補正書】
【提出日】平成20年6月30日(2008.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を吐出するために利用されるエネルギーを発生するエネルギー発生素子が配置された基板上に、流路を形成するための固体層を設ける工程と、
該固体層が設けられた基板上に該固体層を覆う被覆層を形成する工程と、
前記固体層上に形成された被覆層に、液体を吐出するための吐出口をフォトリソグラフィプロセスで形成する工程と、
前記固体層を除去することで前記エネルギー素子および前記吐出口に連通した流路を形成する工程と、
を有する液体吐出ヘッドの製造方法において、
前記被覆層を形成する材料は、カチオン重合性化合物と、光カチオン重合開始剤と、光カチオン重合阻害剤と、を含み、
該固体層の、前記被覆層の前記吐出口が形成される個所との境界部分を形成する材料は、メタクリル酸とメタクリル酸エステルの共重合体を含むことを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記固体層の前記被覆層との境界部分は、メタクリル酸とメタクリル酸メチルとの共重合体から形成されることを特徴とする請求項１に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記メタクリル酸とメタクリル酸エステルとの共重合体は、重量平均分子量が５００００〜３０００００、メタクリル酸の含まれる比率が５〜３０重量％であることを特徴とする請求項２に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記カチオン重合性化合物が、エポキシ化合物である請求項１〜３のいずれかに記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記光カチオン重合阻害剤は、非共有電子対を有する塩基性物質であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記非共有電子対を有する塩基性物質は、非共有電子対を有する含窒素化合物であることを特徴とする請求項５に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記非共有電子対を有する含窒素化合物は、アミン化合物であることを特徴とする請求項６に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記アミン化合物が、トリエタノールアミンであることを特徴とする請求項７に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記光カチオン重合開始剤に対して０．０１〜１００重量％の割合で、前記光カチオン重合阻害剤を添加する請求項１〜８のいずれかに記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記固体層を形成する工程が、
基板上に、第１の波長域の電離放射線に感光する第１のポジ型感光性材料層を形成する工程と、
該第１のポジ型感光性材料層の上に、前記第１の波長域とは異なる、第２の波長域の電離放射線に感光する第２のポジ型感光性材料層を形成する工程と、
第１及び第２のポジ型感光性材料層が形成された基板面に、前記第２の波長域の電離放射線を照射することで、前記第２のポジ型感光性材料層に所望のパターンを形成する工程と、
第１及び第２のポジ型感光性材料層が形成された基板面に、前記第１の波長域の電離放射線を照射することで、前記第１のポジ型感光性材料層に所望のパターンを形成する工程と、を含み、
前記第２のポジ型感光性材料層が、前記被覆層との境界部分を形成することを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記第１のポジ型感光性材料層を形成する材料は、ポリメチルイソプロペニルケトンを含むことを特徴とする請求項１０に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の液体噴射記録ヘッドの製造方法により製造される液体吐出ヘッドであって、
該ヘッドの吐出口を形成する吐出口形成材料は、カチオン重合性化合物と、光カチオン重合開始剤と、光カチオン重合阻害剤と、を含むことを特徴とする液体吐出ヘッド。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
次いで図６（ｆ）に示すように、低圧水銀灯を用いて２１０〜３３０ｎｍ領域帯の電離放射線Ｂを流路構造体材料２０４に向けて全面照射し、ポジ型レジストを分解した。その後、基板を乳酸メチルに浸漬して、図６（ｇ）の縦断面図に示すようにポジ型レジストからなる型パターンを一括除去した。この時、２００ＭＨｚのメガソニック槽に入れ溶出時間の短縮を図った。これにより、吐出口を含むインク流路２１１が形成され、インク供給孔２１０からインク流路２１１にインクを導いて、発熱素子２０２によって吐出口２０９より吐出させる構造のインク吐出エレメントが作製される。出来合った吐出口のサイズは、φ８μｍであり、ＯＨ高さは、２０μｍであった。ＯＰ厚は、５μｍになっていた。また、先に述べたスカムの発生ないものであった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
尚、これらの素子１２０２には、これら素子を動作させるための制御信号入力用電極（図示せず）が接続されている。また、一般にはこれら吐出エネルギー発生素子１２０２の耐用性の向上を目的として、保護層等の各種機能層が設けられるが、もちろん本発明においてもこの様な機能層を設けることは一向に差しつかえない。最も汎用的には、基板１２０１としてはシリコンが適用される。即ち、吐出エネルギー発生素子を制御するドライバーやロジック回路等は、汎用的な半導体製法にて生産される為、該基板にシリコンを適用することが好適である。また、該シリコン基板にインク供給の為の貫通孔を形成する方法としては、ＹＡＧレーザーやサンドブラスト等の技術を適用することも可能ではある。しかし、レジスト塗布時には基板に貫通孔が形成されていないことが好ましい。このような方法は、アルカリ溶液によるシリコンの異方性エッチ技術を適用できる。この場合、基板裏面に耐アルカリ性の窒化シリコン等にてマスクパターンを形成し、基板表面には同様の材質でエッチングストッパーとなるメンブレン膜を形成しておけば良い。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
次いで図９（ｄ）に示すように、Ｐ（ＭＭＡ−ＭＡＡ）の光崩壊型のポジ型レジスト層１２０４の露光１２０５をマスク１２０６を介して行った。露光装置はウシオ電機（株）製マスクアライナーＵＸ−３０００ＳＣにて行い、カットフィルタを用いて、露光波長２３０〜２６０ｎｍ帯を選択的に照射した。次いで図９（ｅ）に示すように、Ｐ（ＭＭＡ−ＭＡＡ）の光崩壊型のポジ型レジスト層１２０４の現像を行った。現像は、以下の組成の現像液にて現像して、所望のパターンを形成した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
現像液：
ジエチレングリコールモノブチルエーテル：６０ｖｏｌ（容量）％
エタノールアミン：５ｖｏｌ％
モルフォリン：２０ｖｏｌ％
イオン交換水：１５ｖｏｌ％
次いで、図９（ｆ）に示すように、下層のＰＭＩＰＫのポジ型レジスト層１２０３のパターニング（露光、現像）を行った。露光装置は同一の装置を用い、カットフィルタを用いて、露光波長２７０〜３３０ｎｍ帯を選択的に照射した。現像はメチルイソブチルケトンにて行った。次いで、実施の形態１で用いた樹脂組成物１を使用して、図９（ｇ）に示すように、パターニングされた下層のポジ型レジスト層１２０３と上層のポジ型レジスト層１２０４を覆うように吐出口形成材料１２０７の層を形成した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
その後、基板１２０１を乳酸メチルに浸漬して、図９（ｉ）の縦断面図に示すように型レジストを一括除去した。この時、２００ＭＨｚのメガソニック槽に入れ溶出時間の短縮を図った。これにより、吐出チャンバを含むインク流路１２１１が形成され、インク供給孔１２１０から各インク流路１２１１を介して各吐出チャンバにインクを導いて、ヒータによって吐出口１２０９より吐出させる構造のインク吐出エレメントが作製される。出来あがった吐出口のサイズは、φ2＝６μｍであり、ＯＨ2は、２５μｍであった。流路高さ（ｈ2）は１５μｍであり、ヒータ上に形成されたＰ（ＭＭＡ−ＭＡＡ）の膜厚が５μｍであったので、ＯＰ2厚は、５μｍになっていた。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
（第７の実施の形態）
第４の実施の形態の製法により、図１２に示した構造のインクジェットヘッドを作製した。本実施形態では図１２に示すとおり、インクジェットヘッドはインク供給口３１０の開口縁部３１０ａから吐出チャンバー３１１のインク供給口側の端部３１１ａまでの水平距離が８０μｍである。インク流路壁３１２は、吐出チャンバー３１１のインク供給口側の端部３１１ａからインク供給口３１０側へ５０μｍの箇所（３１２ａ）で形成され、夫々の吐出エレメントを分割している。また、インク流路高さは１５μｍで形成されている。基板３０１の表面から吐出口形成材料３０７の表面までの距離は２６μｍである。図１２で示すように、インク供給口３１０を挟んで、配置されたインク吐出口３０９ａ，３０９ｂのサイズは、夫々φ７μｍとφ１１μｍであり、各々の吐出量に応じたヒータサイズを配置している。各々の吐出口から飛翔するインク吐出量は、0.6plと2.0plであった。各々のノズルが、不図示の千鳥配列によって、図１２の図面に対して、垂直方向に２５６個、４２．３μｍピッチで配列している。