Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月10日(2008.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】エチレングリコール、ブタンジオール、プロパンジオールから選択されるグリコール成分を少なくとも２種類以上含有するポリエステルＡを構成成分とし、下記式（１）を満足し、８０℃におけるフィルムの平均破断伸度が８００％以上であることを特徴とするポリエステルフィルム。
Ｍ／Ｐ＜１ ………（１）
（但し、式中のＭはポリエステルＡ中に残存する触媒金属元素の濃度（ミリモル％）、ＰはポリエステルＡ中に残存するリン元素の濃度（ミリモル％）を示す。）
【請求項２】ポリエステルＡのグリコール成分の１０〜９０モル％がエチレングリコールであり、１０〜９０モル％がブタンジオールおよび／またはプロパンジオールであることを特徴とする請求項１に記載のポリエステルフィルム。
【請求項３】ポリエステルＡが、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレンテレフタレートおよびポリブチレンテレフタレートからなる群から選ばれる２以上の樹脂をブレンドしてなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のポリエステルフィルム。
【請求項４】ポリエステルＡが、ポリエチレンテレフタレート４０〜９０重量％と、ポリプロピレンテレフタレート１０〜６０重量％とをブレンドしてなることを特徴とする請求項３に記載のポリエステルフィルム。
【請求項５】ＤＳＣにおける融点ピークの少なくとも一つが２２０℃以上２８０℃以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のポリエステルフィルム。
【請求項６】分子量が３０００以下の可塑剤を１〜６０重量％含有する請求項１〜５のいずれかに記載のポリエステルフィルム。
【請求項７】請求項１〜６のいずれかに記載のポリエステルフィルムの少なくとも片面にポリエステルＢ層が複合されてなることを特徴とするポリエステルフィルム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】前述した本発明の目的は、エチレングリコール、ブタンジオール、プロパンジオールから選択されるグリコール成分を少なくとも２種類以上含有するポリエステルＡを構成成分とし、下記式（１）を満足し、８０℃におけるフィルムの平均破断伸度が８００％以上であることを特徴とするポリエステルフィルムによって達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本発明のポリエステルフィルムは、８０℃におけるフィルムの平均破断伸度が８００％以上であることが、種々の成形、加工性を良好にする上で必要である。ここで、フィルムの平均破断伸度とは、１０ｍｍ幅、１００ｍｍ長さのフィルムを３００ｍｍ／分で伸長した際の縦、横方向の破断伸度を各１０回測定し、各方向の最大、最小点を除き、平均した値である。８０℃における平均破断伸度が９００％以上であることがさらに好ましく、１０００％以上２０００％以下であることが特に好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
比較例４
実施例４においてポリエステルＡの可塑剤を５重量％とし、縦延伸温度を８０℃、延伸倍率を３．１倍、横延伸温度１００℃、２．８倍、熱処理温度２３０℃として二軸延伸フィルムを得た。成形性は低下したが印刷性に優れていた。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
【表２】
2002097261.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
【発明の効果】本発明によれば、エチレングリコール、ブタンジオール、プロパンジオールから選択されるグリコール成分を少なくとも２種類以上含有するポリエステルフィルム中に含まれる触媒金属元素の濃度とリン元素の濃度の比Ｍ／Ｐを１以下とし、８０℃におけるフィルムの平均破断伸度を８００％以上とすることにより、成形、加工、印刷製品または成形、加工、印刷時の工程フィルムとして好適なポリエステルフィルムを提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月2日(2008.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】  衛生用途、家電製品ハウジング、家電製品ライナー、家電製品ドア、建築用ドア、窓トリム、シャッター、自動車部品又は農業装置において用いられる請求項７記載の製品。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月21日(2008.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  一般式（Ｉ）
【化１】
2002097158.tif 000001
（式中、Ｒ6は、ヒドロキシ基、Ｃ１〜４のアルコキシ基、フェニル基１個で置換されたＣ１〜４のアルコキシ基、または、ＮＲ9Ｒ10基
（基中、Ｒ9およびＲ10は、それぞれ独立して
（ｉ）水素原子、
（ii）Ｃ１〜４のアルキル基、
（iii）フェニル基、
（iv）Ｃ１〜４のアルコキシ基またはカルボキシル基で置換されているフェニル基、
（ｖ）窒素原子１個含有する４〜７員の複素環、または
（vi）フェニル基で置換されているＣ１〜４のアルキル基、
Ｃ１〜４のアルコキシ基またはカルボキシル基で置換されているフェニル基で置換されているＣ１〜４のアルキル基、または
窒素原子を１個含有する４〜７員の複素環で置換されているＣ１〜４のアルキル基、
（vii）それらが結合する窒素原子と一緒になって、窒素原子を１または２個含有する４〜７員の複素環、または窒素原子と酸素原子を１個ずつ含有する４〜７員の複素環、または
（viii）それらが結合する窒素原子と一緒となって、アミノ酸残基を表わす。）で示される基を表わし、
（１）ｎは、１を表わし、
Ｒ11は、水素原子を表わし、
Ｒ5は、（１個の炭素原子が１〜３個のフッ素原子で置換されているＣ１〜１０のアルキル）−ＣＨ2−基を表わし（ただし、Ｒ5は、Ｆ−（ＣＨ2）5−、Ｆ−（ＣＨ2）6−、Ｆ−（ＣＨ2）7−、Ｆ3Ｃ−（ＣＨ2）2−で示される基は表わさない。）、または
（２）ｎは、０または１を表わし、
Ｒ11は、水素原子または塩素原子を表わし、
Ｒ5は、
Ｃ３〜１０のアルキル基、
Ｃ３〜１０のアルケニル基、
Ｃ２〜１０のアルコキシ基、
Ｃ２〜１０のアルキルチオ基、
Ｃ３〜７のシクロアルキル基、
フェニル基、
フェノキシ基、
Ｆ−（ＣＨ2）ｍ−基（基中、ｍは５〜７の整数を表わす。）、
Ｆ3Ｃ−（ＣＨ2）2−基、
（塩素原子１または２個で置換されているＣ２〜１０アルキル）−ＣＨ2−基、
（Ｃ１〜４アルコキシ基、Ｃ３〜７のシクロアルキル基、フェニル基またはフェノキシ基から選ばれる１または２個の置換基で置換されているＣ１〜５のアルキル）−ＣＨ2−基を表わすか、または
Ｒ5は、Ｒ11と一緒になってＣ３〜１０のアルキリデン基を表わす。）
で示される化合物、その非毒性塩、またはその水和物を含有してなる、パーキンソン病またはパーキンソン症候群の予防および／または治療剤。
【請求項２】  ｎが１、Ｒ11が水素原子、Ｒ5がＣ３〜１０のアルキル基、Ｒ6がヒドロキシ基である請求項１に記載の剤。
【請求項３】  （Ｒ）−２−プロピルオクタン酸、その非毒性塩、またはその水和物を含有してなる請求項１記載の剤。
【請求項４】  パーキンソン病またはパーキンソン症候群が、振戦、無動、または筋硬直の症状を呈する請求項１記載の剤。
【請求項５】  一般式（Ｉ）
【化１】
2002097158.tif 000002
（式中、Ｒ6は、ヒドロキシ基、Ｃ１〜４のアルコキシ基、フェニル基１個で置換されたＣ１〜４のアルコキシ基、または、ＮＲ9Ｒ10基
（基中、Ｒ9およびＲ10は、それぞれ独立して
（ｉ）水素原子、
（ii）Ｃ１〜４のアルキル基、
（iii）フェニル基、
（iv）Ｃ１〜４のアルコキシ基またはカルボキシル基で置換されているフェニル基、
（ｖ）窒素原子１個含有する４〜７員の複素環、または
（vi）フェニル基で置換されているＣ１〜４のアルキル基、
Ｃ１〜４のアルコキシ基またはカルボキシル基で置換されているフェニル基で置換されているＣ１〜４のアルキル基、または
窒素原子を１個含有する４〜７員の複素環で置換されているＣ１〜４のアルキル基、
（vii）それらが結合する窒素原子と一緒になって、窒素原子を１または２個含有する４〜７員の複素環、または窒素原子と酸素原子を１個ずつ含有する４〜７員の複素環、または
（viii）それらが結合する窒素原子と一緒となって、アミノ酸残基を表わす。）で示される基を表わし、
（１）ｎは、１を表わし、
Ｒ11は、水素原子を表わし、
Ｒ5は、（１個の炭素原子が１〜３個のフッ素原子で置換されているＣ１〜１０のアルキル）−ＣＨ2−基を表わし（ただし、Ｒ5は、Ｆ−（ＣＨ2）5−、Ｆ−（ＣＨ2）6−、Ｆ−（ＣＨ2）7−、Ｆ3Ｃ−（ＣＨ2）2−で示される基は表わさない。）、または
（２）ｎは、０または１を表わし、
Ｒ11は、水素原子または塩素原子を表わし、
Ｒ5は、
Ｃ３〜１０のアルキル基、
Ｃ３〜１０のアルケニル基、
Ｃ２〜１０のアルコキシ基、
Ｃ２〜１０のアルキルチオ基、
Ｃ３〜７のシクロアルキル基、
フェニル基、
フェノキシ基、
Ｆ−（ＣＨ2）ｍ−基（基中、ｍは５〜７の整数を表わす。）、
Ｆ3Ｃ−（ＣＨ2）2−基、
（塩素原子１または２個で置換されているＣ２〜１０アルキル）−ＣＨ2−基、
（Ｃ１〜４アルコキシ基、Ｃ３〜７のシクロアルキル基、フェニル基またはフェノキシ基から選ばれる１または２個の置換基で置換されているＣ１〜５のアルキル）−ＣＨ2−基を表わすか、または
Ｒ5は、Ｒ11と一緒になってＣ３〜１０のアルキリデン基を表わす。）
で示される化合物、その非毒性塩、またはその水和物を含有してなる、脳内ドーパミン量増加剤。
【請求項６】  （Ｒ）−２−プロピルオクタン酸、その非毒性塩、またはその水和物を含有してなる請求項５記載の剤。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月16日(2008.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
請求項２に記載の装置において、前記制御手段は、撮像手段における撮像レンズのズーム倍率に応じて、前記補正手段による補正のオン／オフと、撮影時の感度設定とを制御することを特徴とするディジタル撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
請求項２に記載の装置において、前記制御手段は、撮像手段における撮像レンズのフォーカス位置に応じて、前記補正手段による補正のオン／オフと、撮影時の感度設定とを制御することを特徴とするディジタル撮像装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
請求項２に記載の装置において、前記制御手段は、被写界に対し連続的に自動焦点調節を行う連続自動焦点調節機能を有し、連続自動焦点調節機能のオン／オフ状態に応じて、前記補正手段による補正のオン／オフと、撮影時の感度設定とを制御することを特徴とするディジタル撮像装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
請求項１に記載の装置において、前記制御手段は、前記被写界の明るさに応じて決定される露出値に応じて、絞り、シャッタスピードおよび撮影感度の組み合わせを複数設定し、該設定された複数の撮影条件にて複数コマの撮像を連続して実行することを特徴とするディジタル撮像装置。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
感度ブラケティングモードSW 54は、所定の露出値における撮影時にそれぞれISO感度を変更して複数コマ撮影を行うISO感度ブラケティング撮影を制御部30に指示する操作スイッチである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
さらにステップS212に進むと、制御回路30は、撮像レンズ12のズーム倍率に比例する評価値h1とフォーカス位置までの距離に比例する評価値h2とを算出して、評価値k1に評価値k2を加算した値を評価値h1と評価値h2によって除算する。制御回路30は除算結果を値Kとおいて、値K＝（k1＋k2）／（h1×h2）を求める。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
【図１】本発明が適用されたディジタル撮像装置の実施例を示すブロック図である。
【図２】自動設定モードにおけるディジタル撮像装置の動作を示すフローチャートである。
【図３】ISO感度ブラケティングモードにおけるディジタル撮像装置の動作を示すフローチャートである。
【図４】ISO感度ブラケティングモードにおける手ぶれ補正のオフ、ISO感度設定およびシャッタスピード設定の組み合わせ例を示す図である。
【図５】ISO感度ブラケティングモードにおける手ぶれ補正のオン、ISO感度設定およびシャッタスピード設定の組み合わせ例を示す図である。
【図６】ISO感度ブラケティングモードにおける手ぶれ補正のオン／オフ、ISO感度設定およびシャッタスピード設定の組み合わせ例を示す図である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月9日(2008.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像機能を有する端末において、
前記撮像機能を有する端末の姿勢を検出する姿勢検出手段と、
前記撮像機能で自分撮りモードが選択された場合、前記姿勢検出手段が検出した前記撮像機能を有する端末の姿勢に基づいて、前記撮像機能を有する端末の傾きを算出する傾き算出手段と、
前記傾き算出手段が算出した前記撮像機能を有する端末の傾きに基づいて、前記自分撮りモードで撮像された画像の歪みを補正する画像補正手段と、
を備えることを特徴とする撮像機能を有する端末。
【請求項２】
前記画像補正手段は、前記自分撮りモードで撮像された画像の中心位置からの距離と前記撮像機能を有する端末の傾きに基づいて、当該画像の縦方向の座標単位で横方向の歪みを補正する、
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像機能を有する端末。
【請求項３】
前記画像補正手段は、前記自分撮りモードで撮像された画像の縦方向に複数のブロックを設定し、当該画像の中心位置からの距離と前記撮像機能を有する端末の傾きに基づいて、前記ブロック単位で縦方向の歪みを補正する、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の撮像機能を有する端末。
【請求項４】
撮像機能を有する端末を制御するコンピュータに、
前記撮像機能にかかる動作モードを選択する機能と、
前記動作モードとして自分撮りモードが選択された場合に、前記撮像機能を有する端末の傾きを算出する機能と、
前記算出した前記撮像機能を有する端末の傾きに基づいて、前記自分撮りモードで撮像された画像を補正する機能と、
を実現させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像機能を有する端末、および、プログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、撮像機能を有する端末、および、プログラムに関し、特に、撮像機能を有する移動体通信端末の利便性向上に好適な撮像機能を有する端末、および、プログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたものであり、より良好な撮像画像を容易に得ることができる撮像機能を有する端末を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点にかかる撮像機能を有する端末は、
撮像機能を有する端末において、
前記撮像機能を有する端末の姿勢を検出する姿勢検出手段と、
前記撮像機能で自分撮りモードが選択された場合、前記姿勢検出手段が検出した前記撮像機能を有する端末の姿勢に基づいて、前記撮像機能を有する端末の傾きを算出する傾き算出手段と、
前記傾き算出手段が算出した前記撮像機能を有する端末の傾きに基づいて、前記自分撮りモードで撮像された画像の歪みを補正する画像補正手段と、
を備えることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記撮像機能を有する端末は、
前記画像補正手段は、前記自分撮りモードで撮像された画像の中心位置からの距離と前記撮像機能を有する端末の傾きに基づいて、当該画像の縦方向の座標単位で横方向の歪みを補正することが望ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記撮像機能を有する端末において、
前記画像補正手段は、前記自分撮りモードで撮像された画像の縦方向に複数のブロックを設定し、当該画像の中心位置からの距離と前記撮像機能を有する端末の傾きに基づいて、前記ブロック単位で縦方向の歪みを補正することが望ましい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記目的を達成するため、本発明の第２の観点にかかるプログラムは、
撮像機能を有する端末を制御するコンピュータに、
前記撮像機能にかかる動作モードを選択する機能と、
前記動作モードとして自分撮りモードが選択された場合に、前記撮像機能を有する端末の傾きを算出する機能と、
前記算出した前記撮像機能を有する端末の傾きに基づいて、前記自分撮りモードで撮像された画像を補正する機能と、
を実現させることを特徴とする。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明によれば、撮像機能を有する端末で自分撮りをおこなうときに、撮像機能を有する端末の傾きに基づいて撮像画像を補正するので、より良好な撮像画像を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月13日(2008.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹凸状加工領域を備えた基板と、
前記凹凸状加工領域の上方に凹凸を有するバッファ層と、
前記バッファ層の上方に形成された第１の窒化ガリウム系化合物半導体層と、
前記第１の窒化ガリウム系化合物半導体層の上方に形成された活性層と、
前記活性層の上方に形成された第２の窒化ガリウム系化合物半導体層と、
前記第１の窒化ガリウム系化合物半導体層より前記活性層を通して前記第２の窒化ガリウム系化合物半導体層へと電流を流す一対の電極とを備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、
前記凹凸状加工領域の上方に形成された低抵抗領域に電流を流すことにより、該低抵抗領域の上方を含む領域の活性層を発光させることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項２】
前記第１の窒化ガリウム系化合物半導体層は前記活性層の下面に接して形成され、かつ
ノンドープ窒化ガリウム系化合物半導体層を含むことを特徴とする請求項１記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項３】
凹凸状加工領域を備えた基板と、
前記凹凸状加工領域の上方に凹凸を有するバッファ層と、
前記バッファ層の上方に形成された第１の窒化ガリウム系化合物半導体層と、
前記第１の窒化ガリウム系化合物半導体層の上方に形成された活性層と、
前記活性層の上方に形成された第２の窒化ガリウム系化合物半導体層と、
前記第１の窒化ガリウム系化合物半導体層より前記活性層を通して前記第２の窒化ガリウム系化合物半導体層へと電流を流す一対の電極とを備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、
前記凹凸状加工領域の上方における前記第１の窒化ガリウム系化合物半導体層と前記活性層の間に、ノンドープ窒化ガリウム系化合物半導体層を備えることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項４】
前記バッファ層は、ＡｌxＧａ1-xＮ（０≦ｘ≦１）からなることを特徴とする請求項１
乃至３に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項５】
Ｓｉを含むＧａＮ層が前記バッファ層に接して具備されることを特徴とする請求項１乃
至４記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項６】
前記活性層がＩｎを含むことを特徴とする請求項１乃至５に記載の窒化ガリウム系化合
物半導体発光素子。
【請求項７】
基板に凹凸状加工領域を形成する工程と、
前記凹凸状加工領域の上方に凹凸を有するバッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層の上方に第１の窒化ガリウム系化合物半導体層を形成する工程と、
前記第１の窒化ガリウム系化合物半導体層の上方に活性層を形成する工程と、
前記活性層の上方に第２の窒化ガリウム系化合物半導体層を形成する工程と、
前記第１の窒化ガリウム系化合物半導体層より前記活性層を通して前記第２の窒化ガリウム系化合物半導体層へと電流を流す一対の電極を形成する工程とを備えたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法であって、
前記凹凸状加工領域の上方に形成された低抵抗領域に電流を流すことにより、該低抵抗領域の上方を含む領域の活性層を発光させることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、凹凸状加工領域を備えた基板と、前記凹凸状加工領域の上方に凹凸を有するバッファ層と、前記バッファ層の上方に形成された第１の窒化ガリウム系化合物半導体層と、前記第１の窒化ガリウム系化合物半導体層の上方に形成された活性層と、前記活性層の上方に形成された第２の窒化ガリウム系化合物半導体層と、前記第１の窒化ガリウム系化合物半導体層より前記活性層を通して前記第２の窒化ガリウム系化合物半導体層へと電流を流す一対の電極とを備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記凹凸状加工領域の上方に形成された低抵抗領域に電流を流すことにより、該低抵抗領域の上方を含む領域の活性層を発光させることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明による窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、前記第１の窒化ガリウム系化合物半導体層は前記活性層の下面に接して形成され、かつノンドープ窒化ガリウム系化合物半導体層を含むことが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、凹凸状加工領域を備えた基板と、前記凹凸状加工領域の上方に凹凸を有するバッファ層と、前記バッファ層の上方に形成された第１の窒化ガリウム系化合物半導体層と、前記第１の窒化ガリウム系化合物半導体層の上方に形成された活性層と、前記活性層の上方に形成された第２の窒化ガリウム系化合物半導体層と、前記第１の窒化ガリウム系化合物半導体層より前記活性層を通して前記第２の窒化ガリウム系化合物半導体層へと電流を流す一対の電極とを備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記凹凸状加工領域の上方における前記第１の窒化ガリウム系化合物半導体層と前記活性層の間に、ノンドープ窒化ガリウム系化合物半導体層を備えることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明は、基板に凹凸状加工領域を形成する工程と、前記凹凸状加工領域の上方に凹凸を有するバッファ層を形成する工程と、前記バッファ層の上方に第１の窒化ガリウム系化合物半導体層を形成する工程と、前記第１の窒化ガリウム系化合物半導体層の上方に活性層を形成する工程と、前記活性層の上方に第２の窒化ガリウム系化合物半導体層を形成する工程と、前記第１の窒化ガリウム系化合物半導体層より前記活性層を通して前記第２の窒化ガリウム系化合物半導体層へと電流を流す一対の電極を形成する工程とを備えたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法であって、前記凹凸状加工領域の上方に形成された低抵抗領域に電流を流すことにより、該低抵抗領域の上方を含む領域の活性層を発光させることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導光素子の製造方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月21日(2008.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記第１イネーブル線と前記第４イネーブル線とが共通の第１制御信号を搬送し、これにより、前記第１ディジタル化回路の第１動作が、前記第２ディジタル化回路の第２動作とほぼ同時に行われることを特徴とする請求項３に記載のホログラフィックメモリーシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記第２イネーブル線と前記第３イネーブル線とが共通の第２制御信号を搬送し、これにより、前記第１ディジタル化回路の第２動作が、前記第２ディジタル化回路の第１動作とほぼ同時に行われることを特徴とする請求項５に記載のホログラフィックメモリーシステム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】列並列ＡＤＣを有するＣＭＯＳセンサにおける倍速化
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
次に、制御回路１４０が新たな行アドレスを行デコーダ１１２に送ると、ＲＯＷ信号は再びローの論理状態に遷移する。行デコーダ１１２は、新たな行アドレスのデコードを終えると、新たなデコード行（即ち行ｉ＋１）に対応する信号線２６０をハイ状態に駆動して、他の信号線２６０をローの論理状態に設定する。このことは、図７のＲＯＷ信号が"row i+1（行ｉ＋１）"の所でハイ状態になっていることに現れている。ＲＯＷ信号が行ｉ＋１に対してハイ状態になると、ＡＤＥａ信号及びＳＨＥｂ信号がハイ状態に駆動される。ＡＤＥｂ信号及びＳＨＥａ信号はロー状態のままである。ＡＤＥａ信号をハイ状態に駆動すれば、回路１２０ａ'のアナログ−ディジタル変換器１２３が、（回路１２０ａ'の）サンプル−ホールド回路１２１に保持されているアナログ信号をディジタル信号に変換する。ＳＨＥｂ信号をハイ状態に駆動することによって、回路１２０ｂ'内のサンプル−ホールド回路１２１が、行ｉ＋１のすべての画素をサンプル−ホールドする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月7日(2007.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体を撮像して画像を得る撮像手段と、
前記撮像手段により得られた画像を記憶装置に記憶する第１の記憶制御手段と、
前記画像の少なくとも１つを編集する編集手段と、
前記編集手段により編集された編集画像を新たな画像として前記記憶装置に記憶する第２の記憶制御手段と、
前記編集画像と編集前の元画像とのいずれの画像を前記編集後に表示するかを選択させるための画面を表示する選択画面表示手段とを有するデジタルカメラ。
【請求項２】
前記編集手段により画像を編集するための編集モードを有し、
前記選択画面表示手段は、前記編集モードを終了したときに前記選択画面を表示することを特徴とする請求項１に記載のデジタルカメラ。
【請求項３】
前記選択画面表示手段は、前記編集手段による画像の編集を行った後に前記選択画面を表示することを特徴とする請求項１に記載のデジタルカメラ。
【請求項４】
ユーザからの指示に応じて、予め定められた順番で記憶装置に記憶された画像を順次表示する画像表示手段とを有する請求項１に記載のデジタルカメラ。
【請求項５】
前記選択に基づき表示した画像の印刷を指示する印刷指示手段を有する請求項２に記載のデジタルカメラ。
【請求項６】
前記編集手段は、前記編集モードにおいて複数の画像を編集可能であり、
前記選択画面において編集画像の表示が選択された場合には、一画面に前記編集モードで編集した画像の縮小画像を複数表示するマルチ表示を行うマルチ画像表示手段を有することを特徴とする請求項２に記載のデジタルカメラ。
【請求項７】
前記編集手段による編集は、赤目処理、色補正、画像の回転、露出補正、画像のトリミングのいずれかを含むことを特徴とする請求項１に記載のデジタルカメラ。
【請求項８】
画像を編集するための編集モードにおいて、前記画像の少なくとも１つを編集する編集手段と、
前記編集手段により編集された編集画像を新たな画像として記憶装置に記憶する記憶制御手段と、
前記編集画像と編集前の元画像とのいずれの画像を前記編集モード終了後に表示するかを選択させるための画面を表示する選択画面表示手段とを有する画像処理装置。
【請求項９】
被写体を撮像して画像を得る撮像工程と、
前記撮像工程により得られた画像を記憶装置に記憶する第１の記憶制御工程と、
前記画像の少なくとも１つを編集する編集工程と、
前記編集工程により編集された編集画像を新たな画像として前記記憶装置に記憶する第２の記憶制御工程と、
前記編集画像と編集前の元画像とのいずれの画像を前記編集後に表示するかを選択させるための画面を表示する選択画面表示工程とを有するデジタルカメラの制御方法。
【請求項１０】
画像を編集するための編集モードにおいて、前記画像の少なくとも１つを編集する編集工程と、
前記編集工程で編集された編集画像を新たな画像として記憶装置に記憶する記憶制御工程と、
前記編集画像と編集前の元画像とのいずれの画像を前記編集モード終了後に表示するかを選択させるための画面を表示する選択画面表示工程とを有する画像処理装置の制御方法。
【請求項１１】
コンピュータに、
被写体を撮像して画像を得る撮像工程と、
前記撮像工程で得られた画像を記憶装置に記憶する第１の記憶制御工程と、
前記画像の少なくとも１つを編集する編集工程と、
前記編集工程で編集された編集画像を新たな画像として前記記憶装置に記憶する第２の記憶制御工程と、
前記編集画像と編集前の元画像とのいずれの画像を前記編集後に表示するかを選択させるための画面を表示する選択画面表示工程とを実行させるプログラム。
【請求項１２】
コンピュータに
画像を編集するための編集モードにおいて、前記画像の少なくとも１つを編集する編集工程と、
前記編集工程で編集された編集画像を新たな画像として記憶装置に記憶する記憶制御工程と、
前記編集画像と編集前の元画像とのいずれの画像を前記編集モード終了後に表示するかを選択させるための画面を表示する選択画面表示工程とを有する画像処理装置の制御方法とを実行させるプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本願第２の発明は、画像を編集するための編集モードにおいて、前記画像の少なくとも１つを編集する編集手段と、前記編集手段により編集された編集画像を新たな画像として前記記憶装置に記憶する記憶制御手段と、前記編集画像と編集前の元画像とのいずれの画像を前記編集モード終了後に表示するかを選択させるための画面を表示する選択画面表示手段とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
ステップＳ４００４にて、システム制御回路５０は現在表示中の画像をプリント対象としてメモリ５２または記憶媒体２００に画像の識別情報を記憶し、画像表示部２８にプリント設定画面（図示せず）を表示する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
ステップＳ４００７において、ユーザはプリント設定画面を見ながら、操作部７０を用いて各種プリント設定を行う。プリント設定画面では、例えば用紙サイズ、用紙の種類、印刷枚数、フチ有り／フチ無しの選択などを行うことができる。システム制御回路５０はユーザの選択操作に応じて各種プリント設定をメモリ５２または記憶媒体２００に記憶する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月7日(2007.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
取得したデータに対して実行する処理の内容を決定するための基準となる基準データを記憶する第１記憶部と、
前記データの中に前記基準データが含まれているか否かを、前記データと前記基準データとを比較することにより検索する検索部と、
前記検索部による検索結果と前記処理の内容とを対応づけて記憶する第２記憶部と、
前記検索結果に基づいて、前記検索結果に対応づけられた処理を前記データに対して実行する処理部と、を含み、
前記検索部は、前記データの中から前記基準データと比較すべき比較対象データの位置を検出する位置検出回路を含み、
前記位置検出回路は、前記比較対象データの位置を特定するための位置特定データと前記データとを比較する第２比較回路を複数含み、前記複数の第２比較回路に前記データを所定のデータ長ずつ位置をずらして入力し、前記位置特定データと同時に並列して比較する
ことを特徴とするデータ処理装置。
【請求項２】
前記検索部は、ワイヤードロジック回路により構成され、
前記ワイヤードロジック回路は、前記データと前記基準データとをビット単位で比較する第１比較回路を複数含むことを特徴とする請求項１に記載のデータ処理装置。
【請求項３】
前記検索部は、バイナリサーチにより前記データの中に前記基準データが含まれているか否かを検索するバイナリサーチ回路を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載のデータ処理装置。
【請求項４】
前記第１記憶部は、前記データ中の比較対象データの位置を示す情報を更に記憶し、前記検索部は、前記位置を示す情報に基づいて前記比較対象データを抽出することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のデータ処理装置。
【請求項５】
前記第１記憶部又は前記第２記憶部は、外部から書き換え可能に設けられることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のデータ処理装置。
【請求項６】
前記検索部は、通信パケットの全てのデータの取得を待たずに、前記基準データと比較すべきデータを取得した時点で、そのデータと前記基準データの比較を開始することを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のデータ処理装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載のデータ処理装置を複数備え、
それぞれの前記データ処理装置は、通信回線との間でデータを入出力するインタフェースを２つ備えており、それぞれの前記インタフェースの入力と出力を切り替えることにより、前記データを処理する方向を可変に制御されることを特徴とするデータ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月28日(2008.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原画像に対して１つあるいは複数の対象の画像に適した画像処理を適用した１つあるいは複数の対象向け処理結果画像を作成し、前記原画像の各位置について、前記対象が含まれている対象領域らしさを求め、該対象領域らしさに応じて対象向け処理結果画像を統合することにより最終画像を得ることを特徴とする画像処理方法。
【請求項２】
原画像の各部分において、複数種類の対象が含まれていることを識別し、識別された種類ごとに対象の領域を設定する際、前記原画像の各部分について複数種類の対象領域らしさを求めて設定し、前記原画像の各部分について複数種類の対象領域らしさに応じた画像処理を適用し、処理結果を得ることを特徴とする画像処理方法。
【請求項３】
前記対象が、人物あるいは顔、空・雲、人工物、草木、集合人物、自然風景の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１または２記載の画像処理方法。
【請求項４】
前記画像処理が鮮鋭化処理、コントラスト強調処理、彩度強調処理、ホワイトバランス処理の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の画像処理方法。
【請求項５】
原画像に対して１つあるいは複数の対象の画像に適した画像処理を適用した１つあるいは複数の対象向け処理結果画像を作成する画像変換手段と、前記原画像の各位置について前記対象が含まれている対象領域らしさを領域指数として計算する領域指数計算手段と、該領域指数に応じて前記対象向け処理結果画像を統合する画像統合手段を含むことを特徴とする画像処理システム。
【請求項６】
原画像の各部分において、複数種類の対象が含まれていることを識別し、識別された種類ごとに対象の領域を設定する際、前記原画像の各部分について複数種類の対象領域らしさを示す領域指数を計算する領域指数計算手段と、前記原画像の各部分について前記領域指数計算手段により得られた複数の領域指数に応じて画像変換処理を適用する画像変換手段を含むことを特徴とする画像処理システム。
【請求項７】
前記対象が、人物あるいは顔、空・雲、人工物、草木、集合人物、自然風景の少なくとも１つを含むことを特徴とする、請求項５または６記載の画像処理システム。
【請求項８】
前記画像処理が鮮鋭化処理、コントラスト強調処理、彩度強調処理、ホワイトバランス処理の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項５から７のいずれか一項に記載の画像処理システム。
【請求項９】
原画像データに対して１つあるいは複数の対象の画像に適した画像処理を適用した１つあるいは複数の対象向け処理結果画像データを作成する画像変換ステップと、前記原画像の各位置について前記対象が含まれている対象領域らしさを領域指数として計算する領域指数計算ステップと、該領域指数に応じて前記対象向け処理結果画像データを統合する画像統合手段を含むことを特徴とする画像処理プログラム。
【請求項１０】
原画像の各部分において、複数種類の対象が含まれていることを識別し、識別された種類ごとに対象の領域を設定する際、前記原画像の各部分について複数種類の対象領域らしさを示す領域指数を計算する領域指数計算ステップと、前記原画像の各部分について前記領域指数計算手段により得られた複数の領域指数に応じて画像変換処理を適用する画像変換ステップを含むことを特徴とする画像処理プログラム。
【請求項１１】
前記対象が、人物あるいは顔、空・雲、人工物、草木、集合人物、自然風景の少なくとも１つを含むことを特徴とする、請求項９または１０記載の画像処理プログラム。
【請求項１２】
前記画像処理が鮮鋭化処理、コントラスト強調処理、彩度強調処理、ホワイトバランス処理の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項９から１１のいずれか一項に記載の画像処理プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月31日(2008.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
両主面に励振電極が設けられた圧電振動片と枠体が一体に形成された中間圧電板と、前記中間圧電板の上面及び下面にそれぞれ接合される上側及び下側基板とを有し、
前記中間圧電板と前記上側及び下側基板とにより画定されるキャビティ内に前記圧電振動片が保持され、
前記上側及び下側基板と前記中間圧電板とが互いに気密に接合され、
前記各励振電極は、前記枠体に設けられる前記上側及び下側基板との接続部に引き出し電極を介してそれぞれ接続され、
前記上側及び下側基板それぞれの前記接続部と対応する位置に、前記上側及び下側基板の少なくともいずれか一方に設けられた外部接続端子と電気的に接続された基板スルーホールが設けられ、各基板スルーホールのそれぞれに導電接合材を埋設することにより前記各励振電極と前記外部接続端子とが導通される構造の圧電振動子であって、
前記枠体の各接続部が、前記枠体を貫通して形成された枠体スルーホールによって反対側に形成された前記励振電極と導通することを特徴とする圧電振動子。
【請求項２】
両主面に励振電極が設けられた圧電振動片と枠体とが一体に形成された中間圧電板と、
前記中間圧電板の上面及び下面にそれぞれ接合される上側及び下側基板とを有し、
前記中間圧電板と前記上側及び下側基板とにより画定されるキャビティ内に前記圧電振動片が保持され、
前記上側及び下側基板と前記中間圧電板とが互いに気密に接合され、
前記各励振電極は、前記枠体に設けられる前記上側及び下側基板のいずれかとの接続部に引き出し電極を介してそれぞれ接続され、
前記上側及び下側基板の少なくとも一方の前記接続部と対応する位置に、前記上側及び下側基板の少なくとも一方に設けられた外部接続端子と電気的に接続された基板スルーホールが設けられ、
前記基板スルーホールに導電接合材を埋設することにより前記各励振電極と前記外部接続端子とが導通される構造の圧電振動子であって、
前記枠体の一方の前記接続部が、前記枠体を貫通して形成された枠体スルーホールによって反対側に形成された一方の前記励振電極と導通し、他方の前記接続部は、前記枠体を貫通して形成された偶数個の枠体スルーホールを往復することにより他方の前記励振電極側と導通することを特徴とする圧電振動子。
【請求項３】
請求項１または２に記載の圧電振動子において、
前記中間圧電板と、上側及び下側基板が水晶からなることを特徴とする圧電振動子。
【請求項４】
請求項１または２に記載の圧電振動子において、
前記上側及び下側基板がガラス材料またはシリコンからなることを特徴とする圧電振動子。
【請求項５】
枠体と一体に形成された圧電振動片の上面及び下面のそれぞれに励振電極を形成し、前記枠体に各励振電極に接続する引き出し電極をそれぞれ形成し、各引き出し電極から前記枠体を貫通する枠体スルーホールをそれぞれ形成し、この枠体スルーホールを介して前記引き出し電極に接続する接続部をそれぞれ形成して中間圧電板を形成する工程と、
前記中間圧電板の上面側に設けられた前記接合部と対応する基板スルーホールを形成して、前記中間圧電板の上面に接合される上側基板を形成する工程と、
前記中間圧電板の下面側に設けられた前記接合部と対応する基板スルーホールを形成して、前記中間圧電板の下面側に接合する下側基板を形成する工程と、
前記中間圧電板と前記上側及び下側基板とを、それらにより画定されるキャビティ内に前記圧電振動片が保持されるように重ね合わせ、それらを加圧して気密に接合する工程と、
前記上側及び下側基板の各基板スルーホールに導電接合材を埋設する工程と、を有することを特徴とする圧電振動子の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の圧電振動子の製造方法において、
複数の前記中間圧電板を有する中間圧電ウェハを形成する工程と、
複数の前記上側基板を前記中間圧電ウェハの中間圧電板に対応させて配設した上側ウェハを形成する工程と、
複数の前記下側基板を前記中間圧電ウェハの中間圧電板に対応させて配設した下側ウェハを形成する工程と、
前記中間圧電ウェハの上下面に前記上側及び下側ウェハを重ね合わせ、それらを加圧して一体に接合してウェハ積層体とする工程と、
前記上側及び下側ウェハの各スルーホールに導電接合材を埋設する工程と、
前記ウェハ積層体を切断して圧電振動子を個片化する工程と、を有することを特徴とする圧電振動子の製造方法。
【請求項７】
請求項５または６に記載の圧電振動子の製造方法において、
前記上側及び下側基板を形成するそれぞれの工程に、前記上側及び下側基板のそれぞれに設けたスルーホールに前記導電接合材を埋設する工程を含むことを特徴とする圧電振動子の製造方法。
【請求項８】
請求項５〜７のいずれか一項に記載の圧電振動子の製造方法において、
前記プラズマ処理が、ＣＦ4、Ａｒ、またはＮ2ガスを用いて、酸素不介在の雰囲気内で行われることを特徴とする圧電振動子の製造方法。
【請求項９】
請求項５〜７のいずれか一項に記載の圧電振動子の製造方法において、
前記プラズマ処理が、Ｏ2ガス、ＣＦ4とＯ2との混合ガス、またはＮ2とＯ2との混合ガスを用いて、酸素介在の雰囲気内で行われることを特徴とする圧電振動子の製造方法。
【請求項１０】
請求項５〜９のいずれか一項に記載の圧電振動子の製造方法において、
前記中間圧電板の上下面に上側及び下側基板を重ね合わせ、常温で加圧して気密に接合することを特徴とする圧電振動子の製造方法。
【請求項１１】
請求項５〜９のいずれか一項に記載の圧電振動子の製造方法において、
前記中間圧電板の上下面に上側及び下側基板を重ね合わせ、加熱した状態で加圧して気密に接合することを特徴とする圧電振動子の製造方法。
【請求項１２】
請求項５〜１１のいずれか一項に記載の圧電振動子の製造方法において、
前記中間圧電板の上下面に上側及び下側基板を重ね合わせ、Ｎ2雰囲気で加圧して気密に接合することを特徴とする圧電振動子の製造方法。
【請求項１３】
請求項５〜１１のいずれか一項に記載の圧電振動子の製造方法において、
前記中間圧電板の上下面に上側及び下側基板を重ね合わせ、減圧雰囲気で加圧して気密に接合することを特徴とする圧電振動子の製造方法。
【請求項１４】
請求項５〜１３のいずれか一項に記載の圧電振動子の製造方法において、
前記中間圧電板の上下面に上側及び下側基板を重ね合わせて仮接合した後、それにより一体化された積層体の上下面を加圧して気密に接合することを特徴とする圧電振動子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月1日(2008.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体メモリ装置であって、
メモリセルがマトリクス状に配置され前記メモリセルの列と平行な方向に沿って配列された第１と第２のメモリセルと、
前記メモリセルがマトリクス状に配置され前記メモリセルの列と平行な方向に沿って配列された第３と第４のメモリセルブロックと、
前記半導体メモリ装置の中央の領域に配置されたロジック領域と、を備え、
前記ロジック領域の一方の側に前記第１と第２のメモリセルブロックが配置され、他方の側に前記第３と第４のメモリセルブロックが配置されている
ことを特徴とする半導体メモリ装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体メモリ装置であって、さらに、
前記第１と第２のメモリセルブロックで共用される第１の共通プリアンプ／ライトドライバと、
前記第３と第４のメモリセルブロックで共用される第２の共通プリアンプ／ライトドライバと、を備える
ことを特徴とする半導体メモリ装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体メモリ装置であって、さらに、
前記第１と第２のメモリセルブロックで共用される第１の共通列アドレスデコーダと、
前記第３と第４のメモリセルブロックで共用される第２の共通列アドレスデコーダと、を備える
ことを特徴とする半導体メモリ装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体メモリ装置であって、
前記第１の共通プリアンプ／ライトドライバと前記第１の共通列アドレスデコーダは隣接配置され、
前記第２の共通プリアンプ／ライトドライバと前記第２の共通列アドレスデコーダは隣接配置される
ことを特徴とする半導体メモリ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月18日(2007.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モノオレイン酸ポリオキシエチレン（20）ソルビタンを点眼剤に配合することを特徴とする、ソフトコンタクトレンズ装用時用点眼剤中のメントールがソフトコンタクトレンズに吸着することを防止する方法。
【請求項２】
モノオレイン酸ポリオキシエチレン（20）ソルビタンをメントールの10〜50倍配合する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
さらに増粘剤を配合する、請求項１または２に記載の方法
【請求項４】
ｐＨを5.5〜8.0に調整する、請求項１から３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
メントールとモノオレイン酸ポリオキシエチレン（20）ソルビタンを含有する、ソフトコンタクトレンズ装用時用点眼剤（ただし、ヒドロキシエチルセルロースを含有するものを除く）。
【請求項６】
さらに増粘剤（ただし、ヒドロキシエチルセルロースを含有するものを除く）を含有する、請求項５に記載の点眼剤。
【請求項７】
メントールとモノオレイン酸ポリオキシエチレン（20）ソルビタンを含有し、さらにカンフルまたはボルネオールを含有するソフトコンタクトレンズ装用時用点眼剤。
【請求項８】
ｐＨが5.5〜8.0である、請求項５から７のいずれかに記載の点眼剤。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月29日(2008.2.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学フィルムの片面または両面に粘着剤層が設けられている粘着型光学フィルムにおいて、前記粘着剤層の端部の少なくとも一部が、前記粘着剤層を積層する光学フィルムの面の端辺よりも内側にある部分を有することを特徴とする粘着型光学フィルム。
【請求項２】
さらに離型フィルム、光学層、第二の光学フィルムおよび第二の粘着剤層から選択された層を少なくとも１層以上積層した請求項１記載の粘着型光学フィルム。
【請求項３】
前記内側にある部分を有する粘着剤層の端部は、断面内の一部が前記光学フィルムの端辺ぎりぎりまである形状をとる、請求項１または２記載の粘着型光学フィルム。
【請求項４】
前記内側にある部分を有する粘着剤層の端部が凹部端面を有する、請求項３記載の粘着型光学フィルム。
【請求項５】
前記内側にある部分を有する粘着剤層の端部が凸部端面を有する、請求項３記載の粘着型光学フィルム。
【請求項６】
前記内側にある部分を有する粘着剤層の端部が、前記粘着剤層の全周囲長さの１／２以上に形成されている、請求項１〜５のいずれかに記載の粘着型光学フィルム。
【請求項７】
前記内側にある部分を有する粘着剤層の端部が、前記粘着剤層の全周囲に形成されている、請求項１〜５のいずれかに記載の粘着型光学フィルム。
【請求項８】
前記光学フィルム端辺と、前記内側にある部分を有する粘着剤層の端部の距離が、１０μｍ〜３００μｍである、請求項１〜７のいずれかに記載の粘着型光学フィルム。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の粘着型光学フィルムを用いた画像表示装置。
【請求項１０】
光学フィルム上に形成された粘着剤層をその両面から加圧することによって、前記光学フィルム側面の端部から粘着剤層をはみ出させる工程、
前記はみ出させた状態の粘着剤層の側面を切削または切断する工程、その後、前記粘着剤層への加圧状態を解放する工程を有する粘着型光学フィルムの製造方法。
【請求項１１】
前記粘着剤層が、動的粘弾性により求められた２５℃での貯蔵弾性率が１．０×１０4〜１．０×１０7Ｐａの範囲にある粘着剤により形成されたものである、請求項１０記載の粘着型光学フィルムの製造方法。
【請求項１２】
前記粘着剤層への加圧状態を解放する工程は、粘着剤層をその厚み方向外側に引っ張る工程からなる、請求項１０または１１記載の粘着型光学フィルムの製造方法。
【請求項１３】
前記粘着剤層の側面を切削または切断する工程において、前記光学フィルムを同時に切削または切断する、請求項１０〜１２のいずれかに記載の粘着型光学フィルムの製造方法。