【手続補正書】
【提出日】平成20年7月24日(2008.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置、電気器具および発光装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に画素部と駆動回路とを有し、
前記画素部は、電流制御用ＴＦＴ、第１のＴＦＴ、第２のＴＦＴおよび発光素子を有し、前記第１のＴＦＴが有するソースおよびドレインの一方は、前記電流制御用ＴＦＴのゲート電極に電気的に接続され、前記第１のＴＦＴが有するソースおよびドレインの他方は、第１の配線に電気的に接続され、前記第２のＴＦＴが有するソースおよびドレインの一方は、前記電流制御用ＴＦＴのゲート電極に電気的に接続され、前記第２のＴＦＴが有するソースおよびドレインの他方は、第２の配線に電気的に接続され、前記電流制御用ＴＦＴのソースおよびドレインの一方は、前記発光素子に電気的に接続され、
前記駆動回路は、ｎチャネル型ＴＦＴを有し、前記ｎチャネル型ＴＦＴが有する低濃度不純物領域は、ゲート絶縁膜を介して前記ｎチャネル型ＴＦＴのゲート電極と重なる位置にあり、
前記第１のＴＦＴおよび前記第２のＴＦＴが有する低濃度不純物領域は、ゲート絶縁膜を介して前記第１のＴＦＴおよび前記第２のＴＦＴのゲート電極とそれぞれ重ならない位置にあることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
基板上に画素部と駆動回路とを有し、
前記画素部は、電流制御用ＴＦＴ、第１のＴＦＴ、第２のＴＦＴおよび発光素子を有し、前記第１のＴＦＴが有するソースおよびドレインの一方は、前記電流制御用ＴＦＴのゲート電極に電気的に接続され、前記第１のＴＦＴが有するソースおよびドレインの他方は、第１の配線に電気的に接続され、前記第２のＴＦＴが有するソースおよびドレインの一方は、前記電流制御用ＴＦＴのゲート電極に電気的に接続され、前記第２のＴＦＴが有するソースおよびドレインの他方は、第２の配線に電気的に接続され、前記電流制御用ＴＦＴのソースおよびドレインの一方は、前記発光素子に電気的に接続され、
前記駆動回路は、ｎチャネル型ＴＦＴを有し、前記ｎチャネル型ＴＦＴが有する低濃度不純物領域は、ゲート絶縁膜を介して前記ｎチャネル型ＴＦＴのゲート電極と重なる位置にあり、
前記第１のＴＦＴおよび前記第２のＴＦＴが有する低濃度不純物領域は、ゲート絶縁膜を介して前記第１のＴＦＴおよび前記第２のＴＦＴのゲート電極とそれぞれ重ならない位置にあり、
前記ｎチャネル型ＴＦＴのゲート電極は、第１の導電層と前記第１の導電層の上方の第２の導電層を有し、前記ｎチャネル型ＴＦＴが有する前記低濃度不純物領域は、前記第１の導電層と重なる位置にあり、
前記第１のＴＦＴのゲート電極は、第３の導電層と前記第３の導電層の上方の第４の導電層を有し、前記第３の導電層と前記第４の導電層の端部は揃っており、
前記第２のＴＦＴのゲート電極は、第５の導電層と前記第５の導電層の上方の第６の導電層を有し、前記第５の導電層と前記第６の導電層の端部は揃っていることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記第１のＴＦＴおよび前記第２のＴＦＴの前記ゲート絶縁膜は、前記第１のＴＦＴおよび前記第２のＴＦＴが有する低濃度不純物領域の上方でそれぞれテーパー形状を有していることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記電流制御用ＴＦＴはｐチャネル型であり、前記第１のＴＦＴおよび前記第２のＴＦＴは、ｎチャネル型であることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記電流制御用ＴＦＴが有する不純物領域は、前記電流制御用ＴＦＴのゲート電極と重ならない位置にあることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一に記載の発光装置とスイッチとを有することを特徴とする電気器具。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一に記載の発光装置を表示部に用いた表示装置、ビデオカメラ、ヘッドマウントディスプレイ、記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置、ゴーグル型表示装置、パーソナルコンピュータ、携帯電話、音響再生装置、またはデジタルカメラ。
【請求項８】
基板の上方に第１の半導体層および第２の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層の上方にゲート絶縁膜を介して第１の導電層と、前記第１の導電層の上方に前記第１の導電層よりもチャネル長方向の幅が狭い第２の導電層とを形成し、第２の半導体層の上方にゲート絶縁膜を介して第３の導電層と、前記第３の導電層の上方に前記第３の導電層よりもチャネル長方向の幅が狭い第４の導電層とを形成し、
前記第１の導電層および前記第２の導電層をマスクにして、前記ゲート絶縁膜を介して前記第１の半導体層に不純物を添加することにより高濃度不純物領域を形成し、前記第３の導電層および前記第４の導電層をマスクにして、前記ゲート絶縁膜を介して前記第２の半導体層に不純物を添加することにより高濃度不純物領域を形成し、
前記第２の導電層をマスクにして、前記ゲート絶縁膜および前記第１の導電層を介して前記第１の半導体層に不純物を添加することにより低濃度不純物領域を形成し、前記第４の導電層をマスクにして、前記ゲート絶縁膜および前記第３の導電層を介して前記第２の半導体層に不純物を添加することにより低濃度不純物領域を形成し、
前記第４の導電層をマスクにして前記第３の導電層をエッチングし、
前記第１の半導体層、前記第１の導電層および前記第２の導電層を有し、前記第１の半導体層が有する前記低濃度不純物領域が、前記第１の導電層に重なる位置にある第１のＴＦＴを用いて駆動回路が有するｎチャネル型ＴＦＴを形成し、
前記第２の半導体層、前記第３の導電層および前記第４の導電層を有し、前記第２の半導体層が有する前記低濃度不純物領域が、前記第３の導電層に重ならない位置にある第２のＴＦＴを用いて画素部が有するｎチャネル型ＴＦＴを形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項９】
基板の上方に第１の半導体層、第２の半導体層および第３の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層の上方にゲート絶縁膜を介して第１の導電層と、前記第１の導電層の上方に前記第１の導電層よりもチャネル長方向の幅が狭い第２の導電層とを形成し、第２の半導体層の上方にゲート絶縁膜を介して第３の導電層と、前記第３の導電層の上方に前記第３の導電層よりもチャネル長方向の幅が狭い第４の導電層とを形成し、前記第３の半導体層の上方にゲート絶縁膜を介して第５の導電層と、前記第５の導電層の上方に前記第５の導電層よりもチャネル長方向の幅が狭い第６の導電層とを形成し、
前記第１の導電層および前記第２の導電層をマスクにして、前記ゲート絶縁膜を介して前記第１の半導体層にｎ型の不純物を添加することによりｎ型の高濃度不純物領域を形成し、前記第３の導電層および前記第４の導電層をマスクにして、前記ゲート絶縁膜を介して前記第２の半導体層にｎ型の不純物を添加することによりｎ型の高濃度不純物領域を形成し、前記第５の導電層および前記第６の導電層をマスクにして、前記ゲート絶縁膜を介して前記第３の半導体層にｎ型の不純物を添加することによりｎ型の高濃度不純物領域を形成し、
前記第２の導電層をマスクにして、前記ゲート絶縁膜および前記第１の導電層を介して前記第１の半導体層にｎ型の不純物を添加することによりｎ型の低濃度不純物領域を形成し、前記第４の導電層をマスクにして、前記ゲート絶縁膜および前記第３の導電層を介して前記第２の半導体層にｎ型の不純物を添加することによりｎ型の低濃度不純物領域を形成し、前記第６の導電層をマスクにして、前記ゲート絶縁膜および前記第５の導電層を介して前記第３の半導体層にｎ型の不純物を添加することによりｎ型の低濃度不純物領域を形成し、
前記第４の導電層をマスクにして前記第３の導電層をエッチングし、前記第６の導電層をマスクにして前記第５の導電層をエッチングし、
エッチングした前記第５の導電層および前記第６の導電層をマスクにして、前記ゲート絶縁膜を介して前記第３の半導体層にｐ型の不純物を添加することによりｐ型の不純物領域を形成し、
前記第１の半導体層、前記第１の導電層および前記第２の導電層を有し、前記第１の半導体層が有する前記低濃度不純物領域が、前記第１の導電層に重なる位置にある第１のＴＦＴを用いて駆動回路が有するｎチャネル型ＴＦＴを形成し、
前記第２の半導体層、前記第３の導電層および前記第４の導電層を有し、前記第２の半導体層が有する前記低濃度不純物領域が、前記第３の導電層に重ならない位置にある第２のＴＦＴを用いて画素部が有するｎチャネル型ＴＦＴを形成し、
前記第３の半導体層、前記第５の導電層および前記第６の導電層を有する第３のＴＦＴを用いて前記画素部が有するｐチャネル型ＴＦＴを形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項８または請求項９において、前記画素部が有するｎチャネル型ＴＦＴの前記ゲート絶縁膜は、前記画素部が有するｎチャネル型ＴＦＴの前記低濃度不純物領域の上方でテーパー形状を有していることを特徴とする発光装置の作製方法。