Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月7日(2008.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像装置、画像処理装置及び画像処理方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  被写体を撮影し、垂直方向及び水平方向に所定の画素数Ｐ画素×Ｑ画素以下の任意の画素数Ｈ画素×Ｗ画素からなる画像信号を発生する撮像手段と、
前記撮像手段により発生された画像信号に対して拡大処理を施し、前記Ｐ画素×Ｑ画素の拡大画像信号を生成する拡大手段と、
前記拡大手段により得られたＰ画素×Ｑ画素の拡大画像信号に対して縮小処理を施し、所定の画素数Ｍ画素×Ｎ画素からなる縮小画像信号を得る縮小手段と、
前記縮小手段から出力されたＭ画素×Ｎ画素の縮小画像信号を記録媒体に記録する記録手段とを備える撮像装置。
【請求項２】  前記拡大手段は前記撮像手段により発生された画像信号の画素数Ｈ及びＷに応じて前記拡大処理における倍率を設定することを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】  前記縮小手段は固定の倍率ｎで前記拡大画像信号を縮小処理して前記Ｎ画素×Ｍ画素の縮小画像信号を生成することを特徴とする請求項１または２記載の撮像装置。
【請求項４】  前記撮像手段は前記Ｐ画素×Ｑ画素の撮像素子を有し、前記撮像素子の一部の領域を用いて前記Ｈ画素×Ｗ画素の画像信号を発生することを特徴とする請求項１〜３の何れか１項記載の撮像装置。
【請求項５】  前記縮小手段から出力されたＭ画素×Ｎ画素の縮小画像信号と、前記拡大手段から出力されたＰ画素×Ｑ画素の拡大画像信号のうちの一方を選択的に前記記録手段により前記記録媒体に記録させる制御手段を備えたことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項記載の撮像装置。
【請求項６】  前記縮小手段より出力されたＮ画素×Ｍ画素の縮小画像信号に係る画像を表示する表示手段を備えたことを特徴とする請求項１〜５の何れか１項記載の撮像装置。
【請求項７】  前記縮小画像信号の画素数は前記記録媒体のフォーマットにて規定された画素数であることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項記載の撮像装置。
【請求項８】  撮像手段により得られた第１の所定サイズ以下の任意のサイズの画像信号を前記第１の所定サイズよりも小さい第２の所定サイズの画像信号に変換する撮像装置であって、
前記撮像手段により得られた任意のサイズの画像信号のサイズを前記第１の所定サイズに拡大する拡大手段と、
前記拡大手段により得られた画像信号のサイズを前記第２の所定サイズに縮小する縮小手段と、
前記縮小手段から出力された第２の所定サイズの画像信号を記録媒体に記録する記録手段とを備える撮像装置。
【請求項９】  前記拡大手段は前記撮像手段により得られた画像信号のサイズに応じた倍率で拡大処理を行い、前記縮小手段は固定倍率で前記拡大手段から出力される画像信号を縮小処理することを特徴とする請求項８記載の撮像装置。
【請求項１０】  電子ズーム機能を有する撮像手段と、
前記撮像手段により得られた画像信号を前記電子ズーム倍率に応じた可変倍率で拡大処理する拡大手段と、
前記拡大手段により拡大処理された画像信号を固定倍率で縮小処理する縮小手段と、
前記縮小手段により縮小処理された画像信号を記録媒体に記録する記録手段とを備える撮像装置。
【請求項１１】  垂直方向及び水平方向に所定の画素数Ｐ画素×Ｑ画素以下の任意の画素数Ｈ画素×Ｗ画素からなる画像信号を入力する入力手段と、
前記入力手段により入力された画像信号に対して拡大処理を施し、前記Ｐ画素×Ｑ画素の拡大画像信号を生成する拡大手段と、
前記拡大手段により得られたＰ画素×Ｑ画素の拡大画像信号に対して縮小処理を施し、所定の画素数Ｍ画素×Ｎ画素からなる縮小画像信号を得る縮小手段と、
前記縮小手段から出力されたＭ画素×Ｎ画素の縮小画像信号を記録媒体に記録する記録手段とを備える画像処理装置。
【請求項１２】  撮像手段により得られた垂直方向及び水平方向に所定の画素数Ｐ×Ｑ画素以下の任意の画素数Ｈ×Ｗ画素からなる画像信号を入力し、所定の画素数Ｍ×Ｎ画素からなる画像信号に変換する方法であって、
前記入力画像信号に対して拡大処理を施して前記Ｐ×Ｑ画素の拡大画像信号を生成するステップと、
前記拡大処理により生成されたＰ×Ｑ画素の拡大画像信号に対して縮小処理を施して所定の画素数Ｍ×Ｎ画素からなる画像信号を生成するステップと、
前記縮小処理により生成されたＭ画素×Ｎ画素の縮小画像信号を記録媒体に記録するステップとを有する画像処理方法。
【請求項１３】  撮像手段により得られた第１の所定サイズ以下の任意のサイズの入力画像信号を前記第１の所定サイズよりも小さい第２の所定サイズの画像信号に変換する方法であって、
前記入力画像信号のサイズを前記第１の所定サイズに拡大処理するステップと、
前記拡大処理により得られた画像信号のサイズを前記第２の所定サイズに縮小処理するステップと、
前記縮小処理により得られたＭ画素×Ｎ画素の縮小画像信号を記録媒体に記録するステップとを有する画像処理方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は撮像装置、画像処理装置及び画像処理方法に関し、特には、入力画像信号の画素数の変換処理に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
このような目的下において、本発明によれば、被写体を撮影し、垂直方向及び水平方向に所定の画素数Ｐ画素×Ｑ画素以下の任意の画素数Ｈ画素×Ｗ画素からなる画像信号を発生する撮像手段と、前記撮像手段により発生された画像信号に対して拡大処理を施し、前記Ｐ画素×Ｑ画素の拡大画像信号を生成する拡大手段と、前記拡大手段により得られたＰ画素×Ｑ画素の拡大画像信号に対して縮小処理を施し、所定の画素数Ｍ画素×Ｎ画素からなる縮小画像信号を得る縮小手段と、前記縮小手段から出力されたＭ画素×Ｎ画素の縮小画像信号を記録媒体に記録する記録手段とを備える撮像装置が提示される。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月9日(2008.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形形状を有する画像データの一部であり任意の形状を持つ画像オブジェクトに対して、前記矩形形状領域内のうち前記画像オブジェクト外の領域に適当な画素データを代入するパディング処理を備えた画像処理装置において、
一次元方向の画素データと、前記画素データが前記画像オブジェクト内の画素かそれ以外かを示す属性情報とを順次入力する入力手段と、
前記属性情報から注目画素データに最も近く、前記画像オブジェクト内に存在する未処理の画素データが存在するか否かを示す第１のフラグ情報を発生する第１のフラグ情報発生手段と、
前記属性情報から注目画素データに最も近く、前記画像オブジェクト内に存在する処理済の画素データが存在するか否かを示す第２のフラグ情報を発生する第２のフラグ情報発生手段と、
前記属性情報と、前記第１のフラグ情報と、前記第２のフラグ情報とに応じてパディング処理のための画素データを出力する出力手段とを有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記出力手段は、前記処理済の画素データと前記未処理の画素データとの平均データを生成する生成手段を含み、前記属性情報と、前記第１のフラグ情報と、前記第２のフラグ情報とに応じて、前記注目画素データと、前記処理済の画素データと、前記未処理の画素データと、前記平均データとからを所望のデータを選択出力することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記属性情報により前記注目画素データがオブジェクト外の画素であり、前記第１のフラグ情報により未処理の画素データが存在し、前記第２のフラグ情報により処理済の画素データが存在しない場合、前記出力手段は前記未処理の画素データを出力することを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記属性情報により前記注目画素データがオブジェクト外の画素であり、前記第１のフラグ情報により未処理の画素データが存在せず、前記第２のフラグ情報により処理済の画素データが存在する場合、前記出力手段は前記処理済の画素データを出力することを特徴とする請求項２又は３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記属性情報により前記注目画素データがオブジェクト外の画素であり、前記第１のフラグ情報により未処理の画素データが存在し、前記第２のフラグ情報により処理済の画素データが存在する場合、前記出力手段は前記平均データを出力することを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
矩形形状を有する画像データの一部であり任意の形状を持つ画像オブジェクトに対して、前記矩形形状領域内のうち前記画像オブジェクト外の領域に適当な画素データを代入するパディング処理を備えた画像処理装置において、
一次元方向の画素データと、前記画素データが前記画像オブジェクト内の画素かそれ以外かを示す属性情報と、前記一次元方向の先頭画素であることを示す先頭フラグ情報を順次入力する入力手段と、
前記属性情報から注目画素データに最も近く、前記画像オブジェクト内に存在する未処理の画素データが存在するか否かを示す第１のフラグ情報を発生する第１のフラグ情報発生手段と、
前記属性情報と、前記先頭フラグ情報と、前記第１のフラグ情報とを用いてパディング処理のための画素データを出力する出力手段とを有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項７】
前記出力手段は、前記処理済の画素データと前記未処理の画素データとの平均データを生成する生成手段を含み、前記属性情報と、前記先頭フラグ情報と、前記第１のフラグ情報とに応じて、前記注目画素データと、前記処理済の画素データと、前記未処理の画素データと、前記平均データとからを所望のデータを選択出力することを特徴とする請求項６に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記出力手段は、前記注目画素よりも１画素前に処理された画素の属性情報に応じてパディング処理のための画素データを出力することを特徴とする請求項７に記載の画像処理装置。
【請求項９】
矩形形状を有する画像データの一部であり任意の形状を持つ画像オブジェクトに対して、前記矩形形状領域内のうち前記画像オブジェクト外の領域に適当な画素データを代入するパディング処理を備えた画像処理方法において、
一次元方向の画素データと、前記画素データが前記画像オブジェクト内の画素かそれ以外かを示す属性情報とを順次入力し、
前記属性情報から注目画素データに最も近く、前記画像オブジェクト内に存在する未処理の画素データが存在するか否かを示す第１のフラグ情報を発生し、
前記属性情報から注目画素データに最も近く、前記画像オブジェクト内に存在する処理済の画素データが存在するか否かを示す第２のフラグ情報を発生し、
前記属性情報と、前記第１のフラグ情報と、前記第２のフラグ情報とに応じてパディング処理のための画素データを出力することを特徴とする画像処理方法。
【請求項１０】
矩形形状を有する画像データの一部であり任意の形状を持つ画像オブジェクトに対して、前記矩形形状領域内のうち前記画像オブジェクト外の領域に適当な画素データを代入するパディング処理を備えた画像処理方法において、
一次元方向の画素データと、前記画素データが前記画像オブジェクト内の画素かそれ以外かを示す属性情報と、前記一次元方向の先頭画素であることを示す先頭フラグ情報を順次入力し、
前記属性情報から注目画素データに最も近く、前記画像オブジェクト内に存在する未処理の画素データが存在するか否かを示す第１のフラグ情報を発生し、
前記属性情報と、前記先頭フラグ情報と、前記第１のフラグ情報とを用いてパディング処理のための画素データを出力することを特徴とする画像処理方法。
【請求項１１】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の画像処理装置を有することを特徴とする画像符号化装置。
【請求項１２】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の画像処理装置を有することを特徴とする画像復号装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月27日(2008.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  情報の交換を可能にするコンピュータネットワーク、特にインターネットに、端末によって、会社などの組織に共用または専用の構内アクセスノードを介してアクセスするユーザのために、および／または、に関するアクセス制御を提供する方法であって、前記端末は、アクセスサーバを介して前記コンピュータネットワークにアクセスするために前記構内アクセスノードに接続され、前記方法は、前記端末から示されたアクセス要求に応答して、前記コンピュータネットワークからユーザ端末宛てのマルチメディアデータのストリームを受信し、下流向きフィルタリングのために一時的に格納し、前記下流向きフィルタリングが、前記構内アクセスノードで受信したデータストリームに適用される特定の基準に応じて、前記端末への前記データストリームの送信を許可または阻止するための装置によって適用される、アクセス制御を提供する方法。
【請求項２】  前記コンピュータネットワークから受信した前記データが、一時的に格納され、後に、解析の結果に応じて前記ユーザ端末に送信されるか、あるいはされない請求項１に記載の方法。
【請求項３】  解析の結果、前記ユーザに送信しないとの決定に従い、前記コンピュータネットワークから受信した送信されない前記データは、後続のデータストリームのデータと比較できるように保持され、それによって、特定の組のデータについて、異なるデータストリームのデータが同一である場合、意思決定を加速することができ、保持したデータを送信しないとの決定に相当するさらなる解析を実行する必要がない請求項２に記載の方法。
【請求項４】  前記コンピュータネットワークから受信したデータのユーザ端末への転送は、受信したものと特定の標準との適合性の決定の間、前記一時記憶手段で一時的に遅延され、適合すれば、前記端末に送信される請求項１に記載の方法。
【請求項５】  適合性決定段階で格納されるデータストリームに関係して一時的に遅延されるデータが保持され、前記コンピュータネットワークから送信されたデータストリームが中断される、非適合の検出中に受信したデータに関して、またはすべての受信したデータに関して、前記データストリームを中断することなく、非適合の場合にさらなる確認を行うことが可能になる請求項４に記載の方法。
【請求項６】  非適合性が受信したデータストリーム中に検出されているデータおよび／またはデータ発信源が保持され、それにより、前記データおよび／または前記発信源が後に受信する前記ストリーム中で再び検出された場合、前記データストリームが送信するデータの完全な解析の前に、後に受信するデータストリームを中断することが可能である請求項４に記載の方法。
【請求項７】  特有のデータの組合せから構成される特定のコンテンツが、特定の端末に宛てられた少なくとも１つのデータストリーム中で、前記コンピュータネットワークから受信した後に、前記一時的に格納されたデータから見つかった場合、前記コンテンツを、制御の目的で数えることを含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】  前記ネットワークから受信したデータが、制限された信号送信権に特有のシグナチャを組み込んでいる場合、ユーザ端末への前記データの送信を、少なくとも一時的に阻止するためのシグナチャ解析を含む請求項２に記載の方法。
【請求項９】  前記ユーザ端末に宛てられた受信データ中に１つまたは複数の特定の識別子が見つかった場合、前記ユーザ端末への前記データの送信を許可するために、ユーザ端末に宛てられた受信データに適用される識別子検索解析を含む請求項２に記載の方法。
【請求項１０】  情報の交換を可能にするコンピュータネットワーク、特にインターネットに、端末によって、会社などの組織に共用または専用の構内アクセスノードを介してアクセスするユーザのために、および／または、に関するアクセス制御を提供する装置であって、前記端末は、接続業者を介してコンピュータネットワークにアクセスするために前記構内アクセスノードに接続され、前記装置は、前記構内アクセスノードで前記受信するデータストリームに適用される特定の基準に応じて、前記端末への前記データストリームの送信を許可または阻止するように編成されたハードウェア手段および／またはソフトウェア製品を含む、アクセス制御を提供する装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月28日(2008.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに間隔をあけて配置されている複数の歯と、ベルトに沿って前記歯から離れて延びている少なくとも一つの引張コードと、前記歯を充填し前記引張コードを封止しているエラストマ材料と、を有するベルトにおいて、
前記少なくとも一つの引張コードに沿って概ね追従する少なくとも一つの補強コードであって、前記引張コードの上を通る少なくとも一つの覆い部分と、前記少なくとも一つの歯の中へ延びて前記歯を前記引張コードに固定する少なくとも一つのループ部分と、を持つ前記少なくとも一つの補強コードを有することを特徴とするベルト。
【請求項２】
前記少なくとも一つの補強コードは、互い違いに位置する一連の前記覆い部分および前記ループ部分を有する、請求項１に記載のベルト。
【請求項３】
前記少なくとも一つの補強コードは、前記引張コードの左側および右側を交互に通って前記歯の中へ入って前記歯を前記引張コードに固定する、請求項１に記載のベルト。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月20日(2008.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端が開口している中空円筒状の凹部と、
前記凹部の底面位置から突出し、当該凹部の内周壁に沿った外周壁を有し、当該内周壁と当該外周壁とによって旋回流通路を形成する円筒状の凸部と、
前記旋回流通路に沿って供給流体を噴出させる流体通路と
を備えることを特徴とする旋回流形成体。
【請求項２】
前記凹部開口側に平坦に形成された平坦状端面を備えることを特徴とする請求項１に記載の旋回流形成体。
【請求項３】
前記供給流体は超音波周波数の振動を有する流体であることを特徴とする請求項１または２に記載の旋回流形成体。
【請求項４】
前記凹部の開口縁には、面取りにより傾斜面が形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の旋回流形成体。
【請求項５】
イオン供給源を前記凹部内に臨むように設けたことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の旋回流形成体。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の旋回流形成体が板状の基体に２個以上設けられていることを特徴とする非接触搬送装置。
【請求項７】
前記各旋回流形成体における旋回流の方向が、時計方向と反時計方向が混在するように調整されていることを特徴とする請求項６に記載の非接触搬送装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】旋回流形成体および非接触搬送装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の発明の旋回流形成体は、一端が開口している中空円筒状の凹部と、前記凹部の底面位置から突出し、当該凹部の内周壁に沿った外周壁を有し、当該内周壁と当該外周壁とによって旋回流通路を形成する円筒状の凸部と、前記旋回流通路に沿って供給流体を噴出させる流体通路とを備えることを特徴とする。
好ましくは、上述の態様において、前記凹部開口側に平坦に形成された平坦状端面を備えるとよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の請求項３に係る旋回流形成体は、上述の態様において、前記供給流体は超音波周波数の振動を有する流体であることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明の請求項４に係る旋回流形成体は、上述の態様において、前記凹部の開口縁には、面取りにより傾斜面が形成されていることを特徴とする。
好ましくは、上述の態様において、イオン供給源を前記凹部内に臨むように設けるとよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明の請求項６に係る非接触搬送装置は、上述の旋回流形成体が板状の基体に２個以上設けられていることを特徴とする。
また、本発明の請求項７に係る非接触搬送装置は、前記各旋回流形成体における旋回流の方向が、時計方向と反時計方向が混在するように調整されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月11日(2008.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハを処理する半導体処理装置の処理状態を監視するセンサと、
前記半導体処理装置により処理した半導体ウエハの処理結果の測定値を入力する処理結果入力手段と、
前記センサが取得したセンサデータおよび前記測定値をもとに前記センサデータを説明変数として処理結果を予測するモデル式を生成するモデル式生成部と、
前記モデル式および前記センサデータをもとに処理結果を予測する処理結果予測部と、
前記予測した処理結果と予め設定した設定値を比較してそのずれを補正するように前記半導体処理装置の処理条件を制御する処理条件制御部を備えた半導体処理装置であって、
前記処理条件制御部は、異なる種類の二つ以上のエッチング性能のうち一つのエッチング性能のみを制御するか、またはそれぞれを安定に維持する制御手段を具備することを特徴とする半導体処理装置。
【請求項２】
請求項１の記載において、前記モデル式生成部はＰＬＳ法(Partial Least Square method)を用いてモデル式を生成することを特徴とする半導体処理装置。
【請求項３】
請求項１の記載において、前記モデル式生成部はロバスト回帰分析法(Robust Regression)を用いてモデル式を生成することを特徴とする半導体処理装置。
【請求項４】
請求項１の記載において、前記モデル式生成部は主成分ロバスト回帰分析法(Principal Component Robust Regression)を用いてモデル式を生成することを特徴とする半導体処理装置。
【請求項５】
請求項１の記載において、前記複数のセンサが取得した複数のセンサデータをもとに主成分を抽出する主成分抽出部と、
該抽出部が抽出した主成分の変動のばらつきをもとに処理の異常を検出する異常検出部を備え、
前記モデル式生成部にモデル式が生成されていない場合、前記異常検出部が異常を検出したとき処理を停止することを特徴とする半導体処理装置。
【請求項６】
請求項１の記載において、前記センサデータを保存するセンサデータ保存部および処理結果入力手段に入力した処理結果を保存する処理結果測定値保存部を備え、前記モデル式生成部は前記各保存部に保存したセンサデータおよび測定値をもとに前記モデル式を生成し、生成したモデル式をモデル式保存部に保存することを特徴とする半導体処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
半導体ウエハを処理する半導体処理装置の処理状態を監視するセンサと、前記半導体処理装置により処理した半導体ウエハの処理結果の測定値を入力する処理結果入力手段と、前記センサが取得したセンサデータおよび前記測定値をもとに前記センサデータを説明変数として処理結果を予測するモデル式を生成するモデル式生成部と、前記モデル式および前記センサデータをもとに処理結果を予測する処理結果予測部と、前記予測した処理結果と予め設定した設定値を比較してそのずれを補正するように前記半導体処理装置の処理条件を制御する処理条件制御部を備えた半導体処理装置であって、前記処理条件制御部は、異なる種類の二つ以上のエッチング性能のうち一つのエッチング性能のみを制御するか、またはそれぞれを安定に維持する制御手段を具備する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年8月7日(2008.8.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
クロック比を理解するのに重要な式は、次の式である。
CyclePeriod1＝n＊CyclePeriod2＋m＊CyclePeriod2，n∈N，0≦m＜1
ただし、CyclePeriod1は第１クロックの周期、CyclePeriod2は第１クロックをサンプリングする第２クロックの周期である。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
サンプルされる信号のレートが１MHzに近いが大きなずれがある場合を考える。１サイクルは、１０MHzサンプリング・クロックの（１０＋５/３２）サイクル、すなわち１MHzに対して約１．６％ずれている。この値５/３２が、サンプリング誤差が、主に高周波成分から構成されることを保証する。これは、変形エンゲル級数からの間接的な結果であり、５/３２とその補数１−５/３２＝２７/３２は主に高周波成分を生成する。これらの高周波成分は、フィルタで取り除くことが容易である。例えば、これらの数値は、間引くこと（デシメーション）が容易である。この解析から、第１のクロックをサンプリングする第２のクロックの周波数を出来る限り高くするべきであり、かつサイクル関係が、上記の式の数ｍが、５/３２、２７/３２等の奇分数となるような関係であるべきであることが分かる。しかし、問題は、サンプリングの典型的な最小周波数は１０MHz（周期１００ns）の程度であり、一方、タイミングを伝送することが出来る典型的なパケットレートは低く、例えば１秒間に１０〜１００パケットのオーダであるということである。これにより、クロック比はクロックの精度の大きさのオーダでもある１００万のオーダになる。従って、サンプリング周波数を所望の特性を持つように整えるのが困難となる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５２】
図６は、変調された信号の小片が、サンプリング・クロックの追加の量子化レベル（水平線）をとおる斜め線で示した送信信号の変動（PMの場合は傾斜、FMの場合は DCオフセット）を引き起こす様子を示す。切上げ切捨て操作において、水平線は受信された信号がどこで出力されるかを示す。切上げ切捨て操作の種類（切上げまたは切捨て）は、図においてどの方向に時間が流れているか、上方（切上げ）か下方（切捨て）か、に基づいている。切上げ切捨て操作は、一種のモジュロ演算である。斜め線が上方又は下方にシフトしても、切上げ切捨て後の読み出しが変化しない場合は、受信機は、シフト前とシフト後とを区別することができない。切上げ切捨てにより、シフトしたという情報は捨てられることになる。従って、斜め線が上方及び下方にシフト可能な最大シフト量は、受信機における最小の誤差を直接的に示す。それより大きなシフトは、切上げ切捨て後の値を変えるので、検出することが可能である。従って、最小の誤差は、理論的な最大シフト量で表される。正確な誤差境界を見つけるのに、前記干渉パターンに基づくツールが手助けになる。干渉パターンは、変調を表すことができ、２組の線のうち１組が傾斜する。これにより一次元干渉パターンは、図７に示すように二次元パターンになる。一方向が通常の進行時間、もう一方向が時間に渡る変調を表す。このようなパターンから必要な観察窓と達成可能な精度を計算（簡単な線形計算）することができる。斜め線の傾斜を小さくすると高い精度が得られるが、観察時間がより長くなる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月21日(2007.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
音声を取り込んでデジタル化された音声データを生成する音声データ生成手段と、
前記音声データ生成手段によって生成された音声データを伝送するためのエリアを含んだフレーム構造の送信データを生成するフレームデータ生成手段と、
前記フレームデータ生成手段によって生成された送信データに対応して４値ＦＳＫ変調を施した被変調波信号を生成するＦＳＫ変調手段と、
前記ＦＳＫ変調手段によって生成された被変調波信号を所定の無線周波数帯域にて外部装置へと送信する送信手段と、
前記音声データ生成手段に取り込まれた音声における有音期間と無音期間とを検出する音声有無検出手段とを備え、
前記ＦＳＫ変調手段は、前記音声有無検出手段によって検出された無音期間に対応して、４値のシンボルのうちで搬送波周波数からの偏移が小さい２値のシンボルのみを用いてＦＳＫ変調を施した被変調波信号を生成する、
ことを特徴とする無線通信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
無線通信装置による無線通信方法であって、
音声を取り込んでデジタル化された音声データを生成する音声データ生成ステップと、
前記音声データ生成ステップにて生成した音声データを伝送するためのエリアを含んだフレーム構造の送信データを生成するフレームデータ送信ステップと、
前記フレームデータ生成ステップにて生成した送信データに対応して４値ＦＳＫ変調を施した被変調波信号を生成するＦＳＫ変調ステップと、
前記ＦＳＫ変調ステップにて生成した被変調波信号を所定の無線周波数帯域にて外部装置へと送信する送信ステップと、
前記音声データ生成ステップにて取り込んだ音声における有音期間と無音期間とを検出する音声有無検出ステップとを備え、
前記ＦＳＫ変調ステップは、前記音声有無検出ステップにて検出した無音期間に対応して、４値のシンボルのうちで搬送波周波数からの偏移が小さい２値のシンボルのみを用いて２値ＦＳＫ変調を施した被変調波信号を生成するステップを含む、
ことを特徴とする無線通信方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
この発明の第２の観点に係る無線通信装置は、
音声を取り込んでデジタル化された音声データを生成する音声データ生成手段と、
前記音声データ生成手段によって生成された音声データを伝送するためのエリアを含んだフレーム構造の送信データを生成するフレームデータ生成手段と、
前記フレームデータ生成手段によって生成された送信データに対応して４値ＦＳＫ変調を施した被変調波信号を生成するＦＳＫ変調手段と、
前記ＦＳＫ変調手段によって生成された被変調波信号を所定の無線周波数帯域にて外部装置へと送信する送信手段と、
前記音声データ生成手段に取り込まれた音声における有音期間と無音期間とを検出する音声有無検出手段とを備え、
前記ＦＳＫ変調手段は、前記音声有無検出手段によって検出された無音期間に対応して、４値のシンボルのうちで搬送波周波数からの偏移が小さい２値のシンボルのみを用いてＦＳＫ変調を施した被変調波信号を生成する、
ことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
この発明の第４の観点に係る無線通信方法は、
無線通信装置による無線通信方法であって、
音声を取り込んでデジタル化された音声データを生成する音声データ生成ステップと、
前記音声データ生成ステップにて生成した音声データを伝送するためのエリアを含んだフレーム構造の送信データを生成するフレームデータ送信ステップと、
前記フレームデータ生成ステップにて生成した送信データに対応して４値ＦＳＫ変調を施した被変調波信号を生成するＦＳＫ変調ステップと、
前記ＦＳＫ変調ステップにて生成した被変調波信号を所定の無線周波数帯域にて外部装置へと送信する送信ステップと、
前記音声データ生成ステップにて取り込んだ音声における有音期間と無音期間とを検出する音声有無検出ステップとを備え、
前記ＦＳＫ変調ステップは、前記音声有無検出ステップにて検出した無音期間に対応して、４値のシンボルのうちで搬送波周波数からの偏移が小さい２値のシンボルのみを用いて２値ＦＳＫ変調を施した被変調波信号を生成するステップを含む、
ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月21日(2007.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
制御チャネルと、該制御チャネル上で伝送される情報によって特定された複数の無線通信装置のいずれかに割当可能な複数の通信チャネルとを用いた無線通信を制御する無線通信制御装置であって、
少なくとも同期ワード、チャネル識別情報、制御情報の３つのエリアを有するフレーム構造の送信データを生成する送信データ生成手段と、
前記送信データ生成手段により生成された送信データに対応して４値ＦＳＫ変調を施した被変調波信号を、１つの制御チャネル上にて前記複数の無線通信装置の少なくとも１つに対して送信する送信手段とを備え、
前記送信手段は、前記送信データ生成手段により生成された送信データに含まれる制御情報のエリアを制御用メッセージの伝送に使用しないときに、当該制御情報のエリアに対応して、４値のシンボルのうちで搬送波周波数からの偏移が小さい２値のシンボルのみを用いてＦＳＫ変調を施した被変調波信号を送信する、
ことを特徴とする無線通信制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
制御チャネルと、該制御チャネル上で伝送される情報によって特定された複数の無線通信装置のいずれかに割当可能な複数の通話チャネルとを用いた無線通信を制御する無線通信制御装置による無線通信方法であって、
少なくとも同期ワード、チャネル識別情報、制御情報の３つのエリアを有するフレーム構造の送信データを生成する送信データ生成ステップと、
前記送信データ生成ステップにて生成した送信データに対応して４値ＦＳＫ変調を施した被変調波信号を、１つの制御チャネル上にて前記複数の無線通信装置の少なくとも１つに対して送信する送信ステップとを備え、
前記送信ステップは、前記送信データ生成ステップにて生成した送信データに含まれる制御情報のエリアを制御用メッセージの伝送に使用しないときに、当該制御情報エリアに対応して、４値のシンボルのうちで搬送波周波数からの偏移が小さい２値のシンボルのみを用いてＦＳＫ変調を施した被変調波信号を送信するステップを含む、
ことを特徴とする無線通信方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
この発明の第２の観点に係る無線通信制御装置は、
制御チャネルと、該制御チャネル上で伝送される情報によって特定された複数の無線通信装置のいずれかに割当可能な複数の通信チャネルとを用いた無線通信を制御する無線通信制御装置であって、
少なくとも同期ワード、チャネル識別情報、制御情報の３つのエリアを有するフレーム構造の送信データを生成する送信データ生成手段と、
前記送信データ生成手段により生成された送信データに対応して４値ＦＳＫ変調を施した被変調波信号を、１つの制御チャネル上にて前記複数の無線通信装置の少なくとも１つに対して送信する送信手段とを備え、
前記送信手段は、前記送信データ生成手段により生成された送信データに含まれる制御情報のエリアを制御用メッセージの伝送に使用しないときに、当該制御情報のエリアに対応して、４値のシンボルのうちで搬送波周波数からの偏移が小さい２値のシンボルのみを用いてＦＳＫ変調を施した被変調波信号を送信する、
ことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
この発明の第４の観点に係る無線通信方法は、
制御チャネルと、該制御チャネル上で伝送される情報によって特定された複数の無線通信装置のいずれかに割当可能な複数の通話チャネルとを用いた無線通信を制御する無線通信制御装置による無線通信方法であって、
少なくとも同期ワード、チャネル識別情報、制御情報の３つのエリアを有するフレーム構造の送信データを生成する送信データ生成ステップと、
前記送信データ生成ステップにて生成した送信データに対応して４値ＦＳＫ変調を施した被変調波信号を、１つの制御チャネル上にて前記複数の無線通信装置の少なくとも１つに対して送信する送信ステップとを備え、
前記送信ステップは、前記送信データ生成ステップにて生成した送信データに含まれる制御情報のエリアを制御用メッセージの伝送に使用しないときに、当該制御情報エリアに対応して、４値のシンボルのうちで搬送波周波数からの偏移が小さい２値のシンボルのみを用いてＦＳＫ変調を施した被変調波信号を送信するステップを含む、
ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月21日(2008.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶接装置のためのクイックコネクタアッセンブリであって、
溶接ケーブルに接続可能であって且つケーブル端部と溶接デバイス端部とを有する、ケーブルアダプタと、
前記ケーブルアダプタの前記溶接デバイス端部に係合するように構成された、デバイスアダプタと、
を具備する、クイックコネクタアッセンブリにおいて、
前記デバイスアダプタは、
第１の端部と第２の端部とを有する、本体と、
前記第１の端部から前記本体内に伸張する凹部と、
前記第１の端部の近位の前記凹部内に形成されたねじ切り部分と、
前記ねじ切り部分と前記第２の端部との間で前記凹部内に形成された滑らかな部分と、
を具備しており、
前記デバイスアダプタは、前記第２の端部から前記本体内に伸張していて且つ前記第１の凹部に流体接続する、別の凹部を更に具備することを特徴とするクイックコネクタアッセンブリ。
【請求項２】
溶接装置のためのクイックコネクタアッセンブリであって、
溶接ケーブルに接続可能であって且つケーブル端部と溶接デバイス端部とを有する、ケーブルアダプタと、
前記ケーブルアダプタの前記溶接デバイス端部に係合するように構成された、デバイスアダプタと、
を具備する、クイックコネクタアッセンブリにおいて、
前記デバイスアダプタは、
第１の端部と第２の端部とを有する、本体と、
前記第１の端部から前記本体内に伸張する凹部と、
前記第１の端部の近位の前記凹部内に形成されたねじ切り部分と、
前記ねじ切り部分と前記第２の端部との間で前記凹部内に形成された滑らかな部分と、
を具備しており、
前記ケーブルアダプタの前記溶接デバイス端部は、その端部において肩部を有する柄部と、前記肩部を有する柄部と前記ケーブルアダプタのケーブル端部との間におけるねじ切り部分と、を具備することを特徴とするクイックコネクタアッセンブリ。
【請求項３】
コネクタアッセンブリであって、
溶接ケーブルに接続可能である、ケーブルコネクタと、
溶接用途に適する動力信号を発生するように形成される、動力源に電気的に接続可能な出力コネクタと、
前記出力コネクタの周りに配置されていて且つ前記動力源の周りに配置されるハウジングに固定されるように形成される、絶縁物と、
を具備する、コネクタアッセンブリにおいて、
前記絶縁物は、ボスを有する第１の本体と、凹部を有する第２の本体と、を具備しており、
前記第１の本体の前記ボスは、前記ハウジングに係合し且つ前記第２の本体の前記凹部に適合するように収容されるように形成されており、
前記ケーブルコネクタと前記出力コネクタの内の少なくとも１つは、テルル銅材料と、硫化銅材料と、クロム銅材料との内の少なくとも１つから形成されることを特徴とするコネクタアッセンブリ。
【請求項４】
溶接動力クイックコネクタであって、
内部に形成された凹部を有するレセプタクルと、
溶接ケーブルに接続するように形成される、ケーブルコネクタと、
前記レセプタクルの前記凹部に収容されるように形成される、前記ケーブルコネクタから伸張する、スタッドと、
を具備する、溶接動力クイックコネクタにおいて、
前記スタッドは、ねじ切り部分と、肩部とを有しており、
前記肩部は、前記ねじ切り部分に比べて、前記ケーブルコネクタの端部の、より近くに設置されており、更に前記肩部は、前記ねじ切り部分の外径より大きい直径を有することを特徴とする溶接動力クイックコネクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月26日(2008.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光材料のドットを光学ディスプレイ・パネルのセル内に塗布するよう構成された噴射システムであって、
ノズルを有し、且つ前記発光材料の源に接続されるよう適合された噴射ディスペンサであって、前記表面に対する相対運動のため取り付けられている噴射ディスペンサと、
前記噴射ディスペンサに動作的に接続され、且つオフセット値を格納するメモリを有する制御装置と、を備え、
前記制御装置が、前記噴射ディスペンサを、第１の位置で、前記発光材料のドットを前記表面に塗布するよう動作させ、
前記制御装置に接続され、且つ前記表面上の或る物理的特性のドットの位置を表すフィードバック信号を前記制御装置に与えるカメラを更に備え、
前記制御装置が、前記表面上のドットの位置を決定し、次いで、第１の位置と前記表面上の前記或る物理的特性のドットの位置との差を表すオフセット値を決定するよう動作可能である、噴射システム。
【請求項２】
発光流体のドットを光学ディスプレイ・パネルのセル内に塗布するよう構成された噴射システムを動作させる方法であって、
噴射ディスペンサが発光材料のドットを表面に塗布するよう動作可能である当該噴射ディスペンサの位置を表す第１の座標値を与えるステップと、
前記噴射ディスペンサを前記表面に対して或る相対速度で移動させるステップと、
発光材料のドットを前記表面に塗布するよう前記噴射ディスペンサを動作させるステップと、
前記発光材料のドットをカメラを用いて検出するステップと、
前記表面上の発光材料のドットの物理的特性の位置を表すフィードバック信号を発生するステップと、
前記表面上の前記発光材料のドットの位置を表す第２の座標値を決定するステップと、
第１の座標値と第２の座標値との差を表すオフセット値を決定するステップであって、前記オフセット値が、ドットの前記表面への後続の塗布の間に、前記第１の座標値を変更するため用いられる、前記オフセット値を決定するステップと
を備える方法。
【請求項３】
発光流体のドットを光学ディスプレイ・パネルのセル内に塗布するよう構成された噴射システムを動作させる方法であって、
前記噴射ディスペンサを前記表面に対して或る相対速度で移動させるステップと、
発光材料のドットを前記表面に供給するよう前記噴射ディスペンサを動作させるステップと、
前記噴射ディスペンサを動作させる際の当該噴射ディスペンサの位置を表す第１の座標値を記憶するステップと、
前記表面上の前記発光材料のドットの位置を表す第２の座標値を記憶するステップと、
第１の座標値と第２の座標値との差を表すオフセット値を決定するステップであって、前記オフセット値が、前記噴射ディスペンサの後続の動作の間に、前記第１の座標値を変更するため用いられる、前記オフセット値を決定するステップと
を備える方法。
【請求項４】
発光流体のドットを光学ディスプレイ・パネルのセル内に塗布するよう構成された噴射システムを動作させる方法であって、
噴射ディスペンサを前記表面に対して第１の方向に第１の相対速度で移動させるステップと、
前記表面に対して第１の位置で前記噴射ディスペンサを動作させて、発光材料の第１のドットを前記表面に塗布するステップと、
前記噴射ディスペンサを前記表面に対して第２の方向に第２の相対速度で移動させるステップと、
前記表面に対して第２の位置で前記噴射ディスペンサを動作させて、発光材料の第２のドットを前記表面に塗布するステップと、
前記第１のドットと前記第２のドットとの間の距離を決定するステップと、
前記の第１の相対位置に対するオフセット値を決定するステップと
を備える方法。
【請求項５】
前記第２の方向が前記第１の方向と反対である請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記第１の相対速度が前記第２の相対速度に等しい請求項４記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月6日(2008.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共役二重結合を含み分子量１００〜１０００である第１の化合物を含む第１の層と、
前記第１の化合物が付加反応により環状の構造を形成することによって生成された第２の化合物を含む第２の層とを有し、
第１の層と第２の層とが積層していることを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
第１の電極と第２の電極との間に第１の層と第２の層とを有し、
前記第１の層は、共役二重結合を含み分子量１００〜１０００である第１の化合物を含み、
前記第２の層は、付加反応により前記第１の化合物が環状の構造を形成することによって生成された第２の化合物を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項３】
第１の半導体層と、第３の半導体層との間に第２の半導体層を有し、
前記第１の半導体層は、共役二重結合を含み分子量１００〜１０００である第１の化合物を含み、
前記第２の半導体層は、付加反応により前記第１の化合物が環状の構造を形成することによって生成された第２の化合物を含み、
前記第３の半導体層は、第１の半導体層と優先的に輸送されるキャリアの極性が異なることを特徴とする半導体素子。
【請求項４】
配列された複数の発光素子を有し、
前記発光素子は、
共役二重結合を含み分子量１００〜１０００である第１の化合物を含む第１の層と、
前記第１の化合物が付加反応により環状の構造を形成することによって生成された第２の化合物を含む第２の層とを有し、
第１の層と第２の層とが積層していることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項４に記載の発光装置を表示部に用いていることを特徴とする電子機器。
【請求項６】
共役二重結合を含み分子量１００〜１０００の化合物を含む層を形成する第１の工程と、
前記化合物について［２＋２］環化付加反応が生じるように前記層に光を照射する第２の工程と、を含むことを特徴とする電子デバイスの作製方法。
【請求項７】
共役二重結合を含み分子量１００〜１０００の化合物を含む第１の層を形成する第１の工程と、
前記化合物について［２＋２］環化付加反応が生じるように前記第１の層の上に光を照射し第２の層を形成する第２の工程と、
前記第２の層の上に第３の層を形成する第３の工程と、を含むことを特徴とする電子デバイスの作製方法。
【請求項８】
前記第３の層は湿式法によって形成されることを特徴とする請求項７に記載の電子デバイスの作製方法。
【請求項９】
前記第３の層は、描画法によって形成されることを特徴とする請求項７に記載の電子デバイスの作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月22日(2008.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
少なくとも希土類元素とマグネシウムとニッケルとアルミニウムと２．０重量％以下のコバルトを含み、Ｃｕ−Ｋα線をＸ線源とするＸ線回折測定において２θ＝３１〜３３°の範囲に現れる最強ピーク強度ＩＡと、２θ＝４０〜４４°の範囲に現れる最強ピーク強度ＩＢとの強度比ＩＡ／ＩＢが０．１以上になった第１の水素吸蔵合金に、この第１の水素吸蔵合金よりもコバルトの含有量が多い第２の水素吸蔵合金が添加されていることを特徴とする水素吸蔵合金電極。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この発明における水素吸蔵合金電極においては、上記のような課題を解決するため、少なくとも希土類元素とマグネシウムとニッケルとアルミニウムと２．０重量％以下のコバルトを含み、Ｃｕ−Ｋα線をＸ線源とするＸ線回折測定において２θ＝３１〜３３°の範囲に現れる最強ピーク強度ＩＡと、２θ＝４０〜４４°の範囲に現れる最強ピーク強度ＩＢとの強度比ＩＡ／ＩＢが０．１以上になった第１の水素吸蔵合金に、この第１の水素吸蔵合金よりもコバルトの含有量が多い第２の水素吸蔵合金を添加させるようにしたのである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
この発明においては、上記のようにアルカリ蓄電池の負極に用いる水素吸蔵合金電極に、少なくとも希土類元素とマグネシウムとニッケルとアルミニウムと２．０重量％以下のコバルトを含み、Ｃｕ−Ｋα線をＸ線源とするＸ線回折測定において２θ＝３１〜３３°
の範囲に現れる最強ピーク強度ＩＡと、２θ＝４０〜４４°の範囲に現れる最強ピーク強度ＩＢとの強度比ＩＡ／ＩＢが０．１以上になった第１の水素吸蔵合金を用いるようにしたため、この第１の水素吸蔵合金における水素吸蔵能力が高く、アルカリ蓄電池における容量が高められる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月5日(2008.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】有機半導体の精製方法、半導体装置、及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機半導体を混合したスルホキシド溶液を濾過する処理を含むことを特徴とする有機半導体の精製方法。
【請求項２】
第１の有機半導体をスルホキシド溶液に混合して第１の溶液を作製する第１の工程と、
前記第１の溶液を濾過する第２の工程と、
前記第２の工程後に前記スルホキシド溶液と分離された第２の有機半導体をアルコール溶液を用いて洗浄処理した後、乾燥させる第３の工程と、
を含むことを特徴とする有機半導体の精製方法。
【請求項３】
ペンタセンを混合したスルホキシド溶液を濾過する処理を含むことを特徴とする有機半導体の精製方法。
【請求項４】
第１のペンタセンをスルホキシド溶液に混合して第１の溶液を作製する第１の工程と、
前記第１の溶液を濾過する第２の工程と、
前記第２の工程後に前記スルホキシド溶液と分離された第２のペンタセンをアルコール溶液を用いて洗浄処理した後、乾燥させる第３の工程と、
を含むことを特徴とする有機半導体の精製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記スルホキシド溶液は、ジメチルスルホキシド溶液であることを特徴とする有機半導体の精製方法。
【請求項６】
半導体層を有し、
前記半導体層は、第１の有機半導体を混合したスルホキシド溶液を濾過する処理によって得られた第２の有機半導体を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
半導体層を有し、
前記半導体層は、第１のペンタセンを混合したスルホキシド溶液を濾過する処理によって得られた第２のペンタセンを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
ゲート電極と、ドレイン電極と、ソース電極と、半導体層と、前記ゲート電極と前記半導体層とに挟まれたゲート絶縁層と、を有し、
前記ドレイン電極及び前記ソース電極は、それぞれ前記半導体層と接し、
前記半導体層は、第１の有機半導体を混合したスルホキシド溶液を濾過する処理によって得られた第２の有機半導体を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
ゲート電極と、ドレイン電極と、ソース電極と、半導体層と、前記ゲート電極と前記半導体層とに挟まれたゲート絶縁層と、を有し、
前記ドレイン電極及び前記ソース電極は、それぞれ前記半導体層と接し、
前記半導体層は、第１のペンタセンを混合したスルホキシド溶液を濾過する処理によって得られた第２のペンタセンを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項９のいずれか一項に記載の半導体装置を回路素子として用いていることを特徴とする電子機器。