【手続補正書】
【提出日】平成20年1月24日(2008.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマーメンブレン；
前記ポリマーメンブレン上に形成されたヒューズ要素層；ならびに
前記ヒューズ要素層に対向する面上に伸び、且つそれに結合された第１および第２の中間絶縁層を含む低抵抗ヒューズであって、前記第１および第２の中間絶縁層の少なくとも１つがそれを通る開口部を含み、前記ポリマーメンブレンが前記開口部中で前記ヒューズ要素層を支持するものである、低抵抗ヒューズ。
【請求項２】
前記ポリマーメンブレンがポリイミドフィルムを含む、請求項１記載の低抵抗ヒューズ。
【請求項３】
前記ポリマーメンブレンが液晶ポリマーを含む、請求項１記載の低抵抗ヒューズ。
【請求項４】
約０．０００５インチ（０．０１３ｍｍ）以下の厚さである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の低抵抗ヒューズ。
【請求項５】
前記開口部中にアーククエンチング媒体を更に含み、前記アーククエンチング媒体が前記開口部内で前記ヒューズ要素層の部分を囲んでいる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の低抵抗ヒューズ。
【請求項６】
前記ヒューズ要素層が薄いフィルムフォイルを含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の低抵抗ヒューズ。
【請求項７】
前記ヒューズ要素層が約１〜約２０ミクロンの厚みを有する、請求項６記載の低抵抗ヒューズ。
【請求項８】
前記ヒューズ要素層が約３〜約９ミクロンの厚みを有する、請求項６記載の低抵抗ヒューズ。
【請求項９】
前記ヒューズ要素層が第１および第２の接点パッドを含み、その間に少なくとも１つの可融性リンクが伸びている、請求項１〜８のいずれか一項に記載の低抵抗ヒューズ。
【請求項１０】
前記可融性リンクに直列に接続された少なくとも１つのヒーター要素を更に含む、請求項９記載の低抵抗ヒューズ。
【請求項１１】
前記ヒューズ要素層に隣接して位置するヒートシンクを更に含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の低抵抗ヒューズ。
【請求項１２】
前記第１および第２の中間絶縁層のそれぞれに積層された第１および第２外絶縁層を更に含む、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の低抵抗ヒューズ。
【請求項１３】
前記第１および第２外絶縁層のうちの少なくとも１つならびに前記第１および第２の中間絶縁層のうちの少なくとも１つが液晶ポリマーを含む、請求項１２記載の低抵抗ヒューズ。
【請求項１４】
前記第１および第２外絶縁層のうちの少なくとも１つならびに前記第１および第２の中間絶縁層のうちの少なくとも１つがポリイミド物質を含む、請求項１２記載の低抵抗ヒューズ。
【請求項１５】
低抵抗ヒューズの加工方法であって；
第１の中間絶縁層を与え；
第１および第２の接点パッド間に伸びる可融性リンクを有するヒューズ要素層を形成し；そして
該ヒューズ要素層によって第２の中間絶縁層を第１の中間絶縁層に接着積層する、
ことを含む方法。
【請求項１６】
前記接着積層することが、ポリイミド接着フィルムを積層することを含む、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
前記接着積層することが、液体ポリイミド接着剤を前記絶縁層のうちの１つに適用することを含む、請求項１５記載の方法。
【請求項１８】
前記接着積層することが、シリコーン接着剤を前記絶縁層のうちの１つに適用することを含む、請求項１５記載の方法。
【請求項１９】
前記接着積層することが、接着剤要素で該ヒューズ要素層を封入することを含む、請求項１５記載の方法。
【請求項２０】
ポリマーメンブレンを与え；
該ポリマーメンブレンをメタライズして、該ヒューズ要素層を形成し；
該ヒューズ要素層から第１および第２の接点パッド間に伸びる可融性リンクを形成し；そして
前記ポリマーメンブレンを前記第１の中間絶縁層に結合する、
ことを更に含む、請求項１５〜１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
該絶縁層中に開口部を形成し、そして該ポリマーメンブレンを用いて該開口部内で該可融性リンクを支持することを更に含む、請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
該ポリマーメンブレンをポリイミド物質に積層することを更に含む、請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
該第１および第２の中間絶縁層のうちの１つのマスキングを行い、そしてそこで開口部のエッチングを行うことを更に含む、請求項１５〜１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２４】
該マスクを除去することを更に含む、請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
前記メタライズすることが、約１〜約２０ミクロンの厚さにメタライズすることを含む、請求項２０〜２２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２６】
薄いフォイルヒューズ要素層；
前記ヒューズ要素層に対向する面上に伸び、且つそれに結合された第１および第２の中間絶縁層であって、前記ヒューズ要素層が前記第１中間絶縁層上に形成され、且つ前記第２絶縁層が前記ヒューズ要素層に積層されており、そこでは前記第１および第２の中間絶縁層の少なくとも１つがそれを通る開口部を含むものである、第１および第２の中間絶縁層；ならびに
前記開口部中に位置し、且つ前記開口部内で前記ヒューズ要素層を囲んでいる、アーククエンチング媒体、
を含む低抵抗ヒューズ。
【請求項２７】
前記ヒューズ要素層が約１〜約２０ミクロンの厚みを有する、請求項２６記載の低抵抗ヒューズ。
【請求項２８】
前記第１および第２の中間絶縁層のうちの少なくとも１つがポリイミド物質を含む、請求項２６または２７に記載の低抵抗ヒューズ。
【請求項２９】
前記第１および第２の中間絶縁層のうちの少なくとも１つが液晶ポリマーを含む、請求項２６または２７に記載の低抵抗ヒューズ。
【請求項３０】
前記ヒューズ要素層に隣接したヒートシンクを更に含む、請求項２６〜２９のいずれか一項に記載の低抵抗ヒューズ。
【請求項３１】
前記ヒューズ要素層を直列に少なくとも１つのヒーター要素を更に含む、請求項２６〜２９のいずれか一項に記載の低抵抗ヒューズ。
【請求項３２】
薄いフォイルヒューズ要素層；
前記ヒューズ要素層に対向する面上に伸び、且つそれに結合された第１および第２の中間絶縁層であって、前記ヒューズ要素層が前記第１中間絶縁層上に形成され、且つ前記第２絶縁層が前記ヒューズ要素層に積層されており、そこでは前記第１および第２の中間絶縁層の少なくとも１つがそれを通る開口部を含むものである、第１および第２の中間絶縁層；ならびに
前記第１および第２の中間絶縁層の１つに結合されたヒートシンク、
を含む低抵抗ヒューズ。
【請求項３３】
前記薄いフォイルヒューズ要素層が約１〜約２０ミクロンの厚みを有する、請求項３２記載の低抵抗ヒューズ。
【請求項３４】
前記開口部内に位置し、且つ前記開口部内で前記ヒューズ要素層を囲んでいる、アーククエンチング媒体を更に含む、請求項３２または３３に記載の低抵抗ヒューズ。
【請求項３５】
薄いフォイルヒューズ要素層；
前記ヒューズ要素層に対向する面上に伸び、且つそれに結合された第１および第２の中間絶縁層であって、前記ヒューズ要素層が可融性リンクを含んで形成され、前記第１中間絶縁層と前記第２中間絶縁層が前記ヒューズ要素層に対向する面上で積層されたものである、第１および第２の中間絶縁層；ならびに
前記ヒューズ要素層上で前記可融性リンクと直列の少なくとも１つのヒーター要素
を含む低抵抗ヒューズ。
【請求項３６】
前記薄いフォイルヒューズ要素層が約１〜約２０ミクロンの厚みを有する、請求項３５記載の低抵抗ヒューズ。
【請求項３７】
薄いフォイルヒューズ要素層；
前記ヒューズ要素層に対向する面上に伸び、且つそれに結合された第１および第２の中間絶縁層であって、前記ヒューズ要素層が前記第１中間絶縁層上に形成され、且つ前記第２絶縁層が前記ヒューズ要素層に積層されており、そこでは前記第１および第２の中間絶縁層の少なくとも１つがそれを通る開口部を含むものである、第１および第２の中間絶縁層；ならびに
前記第１および第２の中間絶縁層に積層された第１および第２外絶縁層であって、そこでは、前記ヒューズ要素層と前記開口部が、前記開口部の付近で前記ヒューズ要素層の一部の周囲に断熱的囲いを形成するように構成されるものである、第１および第２外絶縁層、
を含む低抵抗ヒューズ。
【請求項３８】
前記薄いフォイルヒューズ要素層が約１〜約２０ミクロンの厚みを有する、請求項３７記載の低抵抗ヒューズ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
もう１つの例示的な態様において、低抵抗ヒューズが提供される。そのヒューズは、薄いフォイルヒューズ要素層、ならびにそのヒューズ要素層に対向する面上に伸び、且つそれに結合された第１および第２の中間絶縁層を含む。そのヒューズ要素層は、可融性リンクを含んで形成され、その第１の中間絶縁層と第２の中間絶縁層がそのヒューズ要素層に対向する面上で積層されたものである。そして、そのヒューズは、そのヒューズ要素層上でその可融性リンクと直列の少なくとも１つのヒーター要素をも含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
例えば図６に示されたヒューズ要素を考えると、ヒューズ要素は、第１セグメントに対応する寸法Ｌ1およびｗ1、第２セグメントに対応するＬ2およびｗ2、ならびに三次セグメントに対応するＬ3およびｗ3で同定可能な３つの別個のセグメントを含む。セグメント中の正方形を合計することにより、ヒューズ要素そうの低効率は、むしろ直接的方法でほぼ確定され得る。したがって図６に示されたヒューズ要素に関しては：
正方形の数＝（Ｌ1／ｗ1＋Ｌ2／ｗ2＋Ｌ3／ｗ3） （１）
＝（１０／２０＋３０／４＋１０／２０）
＝８．５□
ここで、ヒューズ要素層の電気抵抗（Ｒ）は、以下の関係にしたがって確定され得る：
ヒューズ要素Ｒ＝（面積抵抗）＊（正方形数）／Ｔ （２）
（式中、Ｔはヒューズ要素層の厚みである）。前記の例に引き続いて、且つ方程式（２）を適用して、以下であることが理解され得る：
ヒューズ要素抵抗＝（０．１６７７９Ω／□）＊（８．５□）／３
＝０．４７５Ω
もちろん、より複雑な幾何学のヒューズ要素抵抗は、同様の方式で同様に確定され得る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
外絶縁層２６、２８（層１および５）が積層されて１６０、５層組合せを形成後、スロット１２６、１２８に対応する凹みが端から端まで伸ばされたものが、過程１６０で形成された５層組合せ全体に形成される。種々の態様において、スロット１２６、１２８は、それらが形成される１６４場合、レーザー機械加工され、化学エッチングされ、プラズマエッチングされ、押抜きまたは孔あけされる。次に、エッチング法により外絶縁層１２２、１２４のメタライズ外表面上に、スロット終端ストリップ１３４、１３６（図１１に示されている）が形成され１６６、且つヒューズ要素層２０がエッチングされて１６６、終端スロット１２６、１２８内にヒューズ要素層接点パッド３２、３４（図１１に示されている）が露呈される。終端ストリップ１３４、１３６を形成するための層化組合せのエッチング１６６、ならびにヒューズ要素層接点パッド３２、３４を露呈するためのヒューズ要素層２０のエッチング後、めっき過程により終端スロット１２６、１２８がメタライズされて１６８、スロット１２６、１２８におけるメタライズ接点終端を完成する。例示的な態様において、終端スロット１２６、１２８を完成するのに、ニッケル／金、ニッケル／スズ、ニッケル／スズ／鉛およびスズが既知のめっきプロセスで使用され得る。他の用途では表面固定の代わりに他の接続機構が使用され得るが、そのようなものとして例えば印刷回路板に表面固定するのに特に適したヒューズ１２０が加工され得る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
例示のために、アークを抑制する特性を有するように知られたセラミック、シリコーンおよびセラミック／シリコーン複合材料が、そのアーククエンチング媒体２１２として使用され得る。当業者が理解し得るように、粉末状、スラリー状または接着剤の形のセラミック製品が使用され得て、既知のプロセスおよび技術に従ってヒューズリンク開口部４０および４２に適用され得る。最も特別には、ＲＴＶおよび変性アルコキシシリコーンのようなシリコーン類がアーククエンチング媒体２１２として使用され得る。アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、シリカ（ＳｉＯ２）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、アルミナ３水和物（Ａｌ２Ｏ３＊３Ｈ２Ｏ）および／またはＡｌ２Ｏ３＊ＭｇＯ＊ＳｉＯ２三元系内の化合物のようなセラミック材料も、アーククエンチング媒体２１２として使用され得る。ＭｇＯ＊ＺｒＯ２化合物、およびＡｌ２Ｏ３＊ＭｇＯのようなスピネル類、およびナトリウムニトレート（ＮａＮＯ２、ＮａＮＯ３）のような高い転移熱を有する他のアーククエンチング媒体も、アーククエンチング媒体２１２としての使用に適している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
他の態様において、他のヒートシンク材料およびヒートシンク２３２の他の相対的位置も採用され得ると理解されるが、例示的一態様では、ヒートシンク２３２がヒューズ要素層２０の上部または下部のいずれかでそのヒューズ要素の近傍に設置されるセラミックまたは金属の要素である。一態様において、そして図１７に示されるように、ヒートシンク２３２は、操作中にヒューズ要素層２０の最も熱い部分から離れて位置される。即ち、そのヒートシンク２３２は、図１７で示された態様においてヒューズ要素層２０または可融性リンク３０の中央から離れてまたは間隔を置いて位置される。可融性リンク３０から間隔を置いてヒートシンク２３２を位置させることによって、そのヒートシンク２３２がヒューズ要素層２０による回路の開放および掃去を妨げなくなる。