【手続補正書】
【提出日】平成20年7月16日(2008.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プリント方法およびプリント装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  インクを吐出するための複数の吐出口を配列してなるプリントヘッドを用いるプリント方法であって、
前記プリントヘッドを前記複数の吐出口の配列方向とは異なる主走査方向に走査させるとともに、前記複数の吐出口の配列幅未満の量ずつ前記プリント媒体を前記主走査方向と直交する副走査方向に相対的に搬送して同一画像領域に対しては相補的な関係にある画素配列に従った複数回の前記主走査にてプリント媒体上に画像の形成を行う工程と、
前記相補的な画素配列に、前記複数回の主走査のそれぞれでのプリント許容画素と非プリント許容画素との配置が視覚的に好ましくなるような、低周波成分が少なくかつ分散性の高いマスク配列を適用する工程と、
を具えたことを特徴とするプリント方法。
【請求項２】  前記マスク配列は疑似周期的マスク配列であることを特徴とする請求項１に記載のプリント方法。
【請求項３】  前記所定の画素数の広がりを持つマスクエリア内で前記疑似周期的マスク配列を生成する工程をさらに具え、該工程は、前記マスクエリア内で初期プリント許容画素をランダムに設定する第１工程と、設定されたすべてのプリント許容画素位置に対して所定の斥力ポテンシャルを付与する第２工程と、該ポテンシャルの和が最小となる前記マスクエリア内の位置の画素を新たなプリント許容画素として設定する第３工程と、前記第２工程および前記第３工程を前記マスクエリア内のすべての位置の画素がプリント許容画素となるまで繰り返す第４工程と、を有することを特徴とする請求項２に記載のプリント方法。
【請求項４】  前記所定の画素数の広がりを持つマスクエリア内で前記疑似周期的マスク配列を生成する工程をさらに具え、該工程は、前記マスクエリア内を前記複数回行われる前記主走査に対応して前記マスクエリアを複数の領域に分割する第１工程と、少なくとも一つの前記領域内で少なくとも一つの初期プリント許容画素をランダムに設定する第２工程と、設定されたすべてのプリント許容画素に位置的に対応する他の前記領域の画素を非プリント許容画素として設定する第２工程と、設定されたすべてのプリント許容画素の位置に所定の斥力ポテンシャルを付与する第３工程と、前記非プリント許容画素として設定されたものを除き、前記ポテンシャルの和が最小となる前記マスクエリア内の位置の画素を新たなプリント許容画素として設定する第４工程と、前記マスクエリア内の画素数を前記領域の数で除した数の画素がプリント許容画素となるまで、前記第２工程から前記第４工程を繰り返す第５工程と、を有することを特徴とする請求項２に記載のプリント方法。
【請求項５】  前記複数回の主走査のうち少なくとも第１番目の主走査に適用される前記マスク配列が、前記主走査方向にｍ画素および前記副走査方向にｎ画素（ｍ，ｎは整数。ただし少なくとも一方は２以上）のサイズを持つ集中画素を単位として規定されることを特徴とする請求項１に記載のプリント方法。
【請求項６】  前記マスク配列は、前記集中画素を単位とした疑似周期的マスク配列であり、近接する前記集中画素は互いに、１画素以上ｍ画素未満（ｍは２以上の整数）の範囲にわたって前記副走査方向に重畳するよう配列されていることを特徴とする請求項５に記載のプリント方法。
【請求項７】  前記マスク配列は、前記集中画素を単位とした疑似周期的マスク配列であり、近接する前記集中画素は互いに、１画素以上ｎ画素未満（ｎは２以上の整数）の範囲にわたって前記主走査方向に重畳するよう配列されていることを特徴とする請求項５に記載のプリント方法。
【請求項８】  前記画像形成工程では、前記同一画像領域に対し往方向および復方向についてそれぞれ少なくとも２回の前記主走査が行われ、前記少なくとも２回の往方向の主走査に適用される前記マスク配列の和、および／または前記少なくとも２回の復方向の主走査に適用される前記マスク配列の和についても、前記プリント許容画素と前記非プリント許容画素との配置が視覚的に好ましくなるような、低周波成分が少なくかつ分散性の高い配列であることを特徴とする請求項１に記載のプリント方法。
【請求項９】  前記プリントヘッドには前記複数の吐出口が前記搬送のピッチの整数倍の間隔をもって前記副走査方向に配列され、前記画像形成工程は前記複数回の主走査と前記搬送とを行うことで前記画像形成を行うものであり、前記適用工程は、１回の前記主走査でプリントされる前記画素配列に、視覚的に好ましくなるような低周波成分が少なくかつ分散性の高いマスク配列を適用することを特徴とする請求項１に記載のプリント方法。
【請求項１０】  前記画像形成に際し、前記同一画像領域に対する全体のデータプリント量に対する前記複数回の主走査のうちの奇数番目の主走査におけるデータプリント量の比率の和を、前記複数回の主走査のうちの偶数番目の主走査におけるデータプリント量の比率の和より小となるよう制御する工程をさらに具えたことを特徴とする請求項１に記載のプリント方法。
【請求項１１】  前記画像形成に際し、前記複数回の主走査のうちの第１番目の主走査におけるデータプリント量の前記比率を第２番目の主走査におけるデータプリント量の前記比率より小とするとともに、前記第１番目の主走査および前記第２番目の主走査での形成ドットによる前記プリント媒体の被覆率の和を５０％より大となるよう制御する工程をさらに具えたことを特徴とする請求項１に記載のプリント方法。
【請求項１２】  前記画像形成に際し、前記同一画像領域に対する全体のデータプリント量に対する前記複数回の主走査のうちの奇数番目の主走査におけるデータプリント量の比率の和を、前記複数回の主走査のうちの偶数番目の主走査におけるデータプリント量の比率の和より小となるよう制御する第１制御工程と、
該第１制御工程より少ない複数回の主走査として前記第１制御工程と同様の制御を行うとともに、当該複数回の主走査のうち少なくとも第１番目の主走査での画素の配列を、前記主走査方向にｍ画素および前記副走査方向にｎ画素（ｍ，ｎは整数。ただし少なくとも一方は２以上）の画素群を単位として規定する第２制御工程と、
をさらに具えたことを特徴とする請求項１に記載のプリント方法。
【請求項１３】  インクを吐出するための複数の吐出口を配列してなるプリントヘッドを用いるプリント装置であって、
前記プリントヘッドを前記複数の吐出口の配列方向とは異なる主走査方向に往復走査させるとともに、前記複数の吐出口の配列幅未満の量ずつ前記プリント媒体を前記主走査方向と直交する副走査方向に相対的に搬送して同一画像領域に対しては相補的な関係にある画素配列に従った複数回の前記主走査にてプリント媒体上に画像の形成を行う手段と、
前記相補的な画素配列に、前記複数回の主走査のそれぞれでのプリント許容画素と非プリント許容画素との配置が視覚的に好ましくなるような、低周波成分が少なくかつ分散性の高いマスク配列を適用する手段と、
を具えたことを特徴とするプリント装置。
【請求項１４】  前記マスク配列は疑似周期的マスク配列であることを特徴とする請求項１３に記載のプリント装置。
【請求項１５】  前記所定の画素数の広がりを持つマスクエリア内で前記疑似周期的マスク配列を生成する手段をさらに具え、該手段は、前記マスクエリア内で初期プリント許容画素をランダムに設定する第１手段と、設定されたすべてのプリント許容画素位置に対して所定の斥力ポテンシャルを付与する第２手段と、該ポテンシャルの和が最小となる前記マスクエリア内の位置の画素を新たなプリント許容画素として設定する第３手段と、前記第２手段および前記第３手段による処理を前記マスクエリア内のすべての位置の画素がプリント許容画素となるまで繰り返させる第４手段と、を有することを特徴とする請求項１４に記載のプリント装置。
【請求項１６】  前記所定の画素数の広がりを持つマスクエリア内で前記疑似周期的マスク配列を生成する手段をさらに具え、該手段は、前記マスクエリア内を前記複数回行われる前記主走査に対応して前記マスクエリアを複数の領域に分割する第１手段と、少なくとも一つの前記領域内で少なくとも一つの初期プリント許容画素をランダムに設定する第２手段と、設定されたすべてのプリント許容画素に位置的に対応する他の前記領域の画素を非プリント許容画素として設定する第２手段と、設定されたすべてのプリント許容画素の位置に所定の斥力ポテンシャルを付与する第３手段と、前記非プリント許容画素として設定されたものを除き、前記ポテンシャルの和が最小となる前記マスクエリア内の位置の画素を新たなプリント許容画素として設定する第４手段と、前記マスクエリア内の画素数を前記領域の数で除した数の画素がプリント許容画素となるまで、前記第２手段による処理から前記第４手段による処理を繰り返させる第５手段と、を有することを特徴とする請求項１４に記載のプリント装置。
【請求項１７】  前記画像形成手段により、前記同一画像領域に対し往方向および復方向についてそれぞれ少なくとも２回の前記主走査が行われ、前記少なくとも２回の往方向の主走査に適用される前記マスク配列の和、および／または前記少なくとも２回の復方向の主走査に適用される前記マスク配列の和についても、前記プリント許容画素と前記非プリント許容画素との配置が視覚的に好ましくなるような、低周波成分が少なくかつ分散性の高い配列であることを特徴とする請求項１３に記載のプリント装置。
【請求項１８】  前記画像形成手段により、前記同一画像領域に対し往方向および復方向についてそれぞれ少なくとも２回の前記主走査が行われ、前記少なくとも２回の往方向の主走査に適用される前記マスク配列の和、および／または前記少なくとも２回の復方向の主走査に適用される前記マスク配列の和が、前記主走査方向にｍ画素および前記副走査方向にｎ画素（ｍ，ｎは整数。ただし少なくとも一方は２以上）のサイズを持つ集中画素を単位とした画素配列であることを特徴とする請求項１３に記載のプリント装置。
【請求項１９】  前記少なくとも２回の往方向の主走査に適用される前記マスク配列の和、および／または前記少なくとも２回の復方向の主走査に適用される前記マスク配列の和についても、前記プリント許容画素と前記非プリント許容画素との配置が視覚的に好ましくなるような、低周波成分が少なくかつ分散性の高い配列であることを特徴とする請求項１８に記載のプリント装置。
【請求項２０】  前記マスク配列は、前記プリント対象として入力される画像を２値化処理した際のマスク配列と同期しないことを特徴とする請求項１３に記載のプリント装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
ここで、前記マスク配列は、前記集中画素を単位とした疑似周期的マスク配列であり、近接する前記集中画素は互いに、１画素以上ｍ画素未満（ｍは２以上の整数）の範囲にわたって前記副走査方向に重畳するよう配列されているものとすることができる。あるいは、前記マスク配列は、前記集中画素を単位とした疑似周期的マスク配列であり、近接する前記集中画素は互いに、１画素以上ｎ画素未満（ｎは２以上の整数）の範囲にわたって前記主走査方向に重畳するよう配列されているものとすることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】削除
【補正の内容】