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【手続補正書】
【提出日】平成20年7月18日(2008.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】非接触型薄膜集積回路装置の作製方法および非接触型薄膜集積回路装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ発振器と、
前記レーザ発振器より射出したレーザビームの端部を遮断するためのスリットと、
前記スリットを通過した前記レーザビームを集光して前記照射面に照射するための集光レンズと、
前記集光レンズを通過した前記レーザビームに対して、前記照射面を相対的に移動する手段とを有するレーザ照射装置を用いる非接触型薄膜集積回路装置の作製方法であって、
基板上に非単結晶半導体膜を形成し、
前記レーザ照射装置を用いて、前記半導体膜を結晶化し、大粒径結晶領域と微結晶領域を形成し、
前記大粒径結晶領域に薄膜トランジスタを形成し、
前記微結晶領域に配線を形成することを特徴とする非接触型薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項２】
第１のレーザ発振器と、
第２のレーザ発振器と、
前記第１のレーザ発振器より射出した第１のレーザビームの偏光方向を変える波長板と、
前記第１のレーザビームと、前記第２のレーザ発振器より射出した第２のレーザビームとを合成するための偏光子と、
前記偏光子によって合成されたレーザビームの端部を遮断するスリットと、
前記スリットを通過した前記レーザビームを集光して照射面に照射するための集光レンズと、
前記集光レンズを通過した前記レーザビームに対して、前記照射面を相対的に移動する手段とを有するレーザ照射装置を用いる非接触型薄膜集積回路装置の作製方法であって、
基板上に非単結晶半導体膜を形成し、
前記レーザ照射装置を用いて、前記半導体膜を結晶化し、大粒径結晶領域と微結晶領域を形成し、
前記大粒径結晶領域に薄膜トランジスタを形成し、
前記微結晶領域に配線を形成することを特徴とする非接触型薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項３】
レーザ発振器と、
前記レーザ発振器より射出したレーザビームの端部を遮断するためのスリットと、
前記スリットにより形成された前記レーザビームの像を照射面に投影し、照射するための投影レンズと、
前記投影レンズを通過した前記レーザビームに対して、前記照射面を相対的に移動する手段とを有するレーザ照射装置を用いる非接触型薄膜集積回路装置の作製方法であって、
基板上に非単結晶半導体膜を形成し、
前記レーザ照射装置を用いて、前記半導体膜を結晶化し、大粒径結晶領域と微結晶領域を形成し、
前記大粒径結晶領域に薄膜トランジスタを形成し、
前記微結晶領域に配線を形成することを特徴とする非接触型薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項４】
第１のレーザ発振器と、
第２のレーザ発振器と、
前記第１のレーザ発振器より射出した第１のレーザビームの偏光方向を変える波長板と、
前記波長板を通過した前記第１のレーザビームと、前記第２のレーザ発振器より射出した第２のレーザビームとを合成するための偏光子と、
前記偏光子によって合成されたレーザビームの端部を遮断するスリットと、
前記スリットにより形成された前記レーザビームの像を照射面に投影し、照射するための投影レンズと、
前記投影レンズを通過した前記レーザビームに対して、前記照射面を相対的に移動する手段とを有するレーザ照射装置を用いる非接触型薄膜集積回路装置の作製方法であって、
基板上に非単結晶半導体膜を形成し、
前記レーザ照射装置を用いて、前記半導体膜を結晶化し、大粒径結晶領域と微結晶領域を形成し、
前記大粒径結晶領域に薄膜トランジスタを形成し、
前記微結晶領域に配線を形成することを特徴とする非接触型薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１または請求項２において、前記集光レンズは、凸型シリンドリカルレンズまたは凸型球面レンズであることを特徴とする非接触型薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項６】
請求項３または請求項４において、前記投影レンズは、凸型シリンドリカルレンズまたは凸型球面レンズであることを特徴とする非接触型薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、前記投影レンズは、前記スリットと前記照射面が共役になるように配置されていることを特徴とする非接触型薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記レーザビームは、連続発振のレーザであることを特徴とする非接触型薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、前記レーザビームは、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌＯ３、もしくはＧｄＶＯ４、または多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、もしくはＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、Ａｒイオンレーザ、Ｋｒイオンレーザ、ＧａＮレーザ、ＧａＡｓレーザ、ＩｎＡｓレーザから選ばれた一種であることを特徴とする非接触型薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記レーザビームは、発振周波数が１０ＭＨｚ以上のパルスレーザであることを特徴とする非接触型薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１０において、前記レーザビームは、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌＯ３、もしくはＧｄＶＯ４、または多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、もしくはＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、Ａｒイオンレーザ、またはＴｉ：サファイアレーザであることを特徴とする非接触型薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項において、前記レーザ照射装置によって形成される前記半導体膜の前記大粒径結晶領域の幅が２００μｍ以上で、前記微結晶領域の幅が１〜２０μｍであることを特徴とする非接触型薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項において、前記非接触型薄膜集積回路装置の作製方法によって作製された非接触型薄膜集積回路装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月7日(2008.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）で示されるベンゾオキサゾール誘導体と、電子供与性を有する有機化合物とを含むことを特徴とする電子注入性組成物。
【化１】
2006093673.tif 000001
（式中、Ａｒはアリール基を示し、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ独立に水素、ハロゲン、シアノ基、アルキル基（ただし、炭素数１〜１０）、ハロアルキル基（ただし、炭素数１〜１０）、アルコキシル基（ただし、炭素数１〜１０）、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環残基を示す。）
【請求項２】
構造式（２）で示されるベンゾオキサゾール誘導体と、電子供与性を有する有機化合物とを含むことを特徴とする電子注入性組成物。
【化２】
2006093673.tif 000002
【請求項３】
構造式（３）で示されるベンゾオキサゾール誘導体と、電子供与性を有する有機化合物とを含むことを特徴とする電子注入性組成物。
【化３】
2006093673.tif 000003
【請求項４】
構造式（４）で示されるベンゾオキサゾール誘導体と、電子供与性を有する有機化合物とを含むことを特徴とする電子注入性組成物。
【化４】
2006093673.tif 000004
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記電子供与性を有する有機化合物は一般式（５）で示されるテトラチアフルバレン誘導体であることを特徴とする電子注入性組成物。
【化５】
2006093673.tif 000005
（式中、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ独立に水素、ハロゲン、シアノ基、アルキル基（ただし、炭素数１〜１０）、ハロアルキル基（ただし、炭素数１〜１０）、アルコキシル基（ただし、炭素数１〜１０）、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環残基を示す。）
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記電子供与性を有する有機化合物は構造式（６）で示されるテトラチアフルバレン誘導体であることを特徴とする電子注入性組成物。
【化６】
2006093673.tif 000006
【請求項７】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記電子供与性を有する有機化合物は構造式（７）で示されるテトラチアフルバレン誘導体であることを特徴とする電子注入性組成物。
【化７】
2006093673.tif 000007
【請求項８】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記電子供与性を有する有機化合物は構造式（８）で示されるテトラチアフルバレン誘導体であることを特徴とする電子注入性組成物。
【化８】
2006093673.tif 000008
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記ベンゾオキサゾール誘導体と前記電子供与性を有する有機化合物とのモル比が１：０．５〜１０であることを特徴とする電子注入性組成物。
【請求項１０】
陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に発光物質を含む層とを有し、
前記発光物質を含む層のうち前記陰極と接する層に、一般式（１）で示されるベンゾオキサゾール誘導体と電子供与性を有する有機化合物とを含む層を設けることを特徴とする発光素子。
【化９】
2006093673.tif 000009
（式中、Ａｒはアリール基を示し、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ独立に水素、ハロゲン、シアノ基、アルキル基（ただし、炭素数１〜１０）、ハロアルキル基（ただし、炭素数１〜１０）、アルコキシル基（ただし、炭素数１〜１０）、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環残基を示す。）
【請求項１１】
陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に発光物質を含む層とを有し、
前記発光物質を含む層のうち前記陰極と接する層に、構造式（２）で示されるベンゾオキサゾール誘導体と電子供与性を有する有機化合物とを含む層を設けることを特徴とする発光素子。
【化１０】
2006093673.tif 000010
【請求項１２】
陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に発光物質を含む層とを有し、
前記発光物質を含む層のうち前記陰極と接する層に、構造式（３）で示されるベンゾオキサゾール誘導体と電子供与性を有する有機化合物とを含む層を設けることを特徴とする発光素子。
【化１１】
2006093673.tif 000011
【請求項１３】
陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に発光物質を含む層とを有し、
前記発光物質を含む層のうち前記陰極と接する層に、構造式（４）で示されるベンゾオキサゾール誘導体と電子供与性を有する有機化合物とを含む層を設けることを特徴とする発光素子。
【化１２】
2006093673.tif 000012
【請求項１４】
請求項１０乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記電子供与性を有する有機化合物は一般式（５）で示されるテトラチアフルバレン誘導体であることを特徴とする発光素子。
【化１３】
2006093673.tif 000013
（式中、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ独立に水素、ハロゲン、シアノ基、アルキル基（ただし、炭素数１〜１０）、ハロアルキル基（ただし、炭素数１〜１０）、アルコキシル基（ただし、炭素数１〜１０）、置換もしくは無置換のアリール基、または、置換もしくは無置換の複素環残基を示す。）
【請求項１５】
請求項１０乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記電子供与性を有する有機化合物は構造式（６）で示されるテトラチアフルバレン誘導体であることを特徴とする発光素子。
【化１４】
2006093673.tif 000014
【請求項１６】
請求項１０乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記電子供与性を有する有機化合物は構造式（７）で示されるテトラチアフルバレン誘導体であることを特徴とする発光素子。
【化１５】
2006093673.tif 000015
【請求項１７】
請求項１０乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記電子供与性を有する有機化合物は構造式（８）で示されるテトラチアフルバレン誘導体であることを特徴とする発光素子。
【化１６】
2006093673.tif 000016
【請求項１８】
請求項１０乃至請求項１７のいずれか一項において、
前記ベンゾオキサゾール誘導体と前記電子供与性を有する有機化合物とのモル比が１：０．５〜１０であることを特徴とする発光素子。
【請求項１９】
請求項１０乃至請求項１８のいずれか一項に記載の発光素子を有する発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月10日(2008.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のトランジスタと、
前記複数のトランジスタのそれぞれと電気的に接続された複数の第１の電極と、
前記複数の第１の電極間で前記複数の第１の電極の端部のみをそれぞれ覆うように、複数の開口を備えた絶縁層と、
前記開口における前記絶縁層の端部、及び前記絶縁層の上面の一部を覆う厚さを有するようにそれぞれ設けられ、有機化合物を含み、且つ導電性を有する複数の第１の層と、
前記複数の第１の層上にそれぞれ接し、前記絶縁層の開口を覆い、無機化合物を含み、且つ正孔輸送性を有する複数の第２の層と、
前記絶縁層の複数の開口にそれぞれ設けられ、前記複数の第２の層の側面及び前記複数の第１の層の側面を覆う複数の発光層と、
前記複数の発光層に接し、且つ覆うように設けられた第２の電極と、を有することを特徴とする発光素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記有機化合物は、カンファースルホン酸、トルエンスルホン酸、およびポリ（スチレンスルホン酸）の中から選ばれる少なくとも一の化合物を含むポリチオフェン誘導体であることを特徴とする発光素子。
【請求項３】
請求項１又は２のいずれか一つにおいて、
前記無機化合物は、酸化コバルト、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化ニッケル、酸化ネオジウム、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ランタン、酸化ルテニウム、酸化レニウムの中から選ばれる少なくとも一の化合物であることを特徴とする発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一つにおいて、
前記第１の層は、０．１μｍから２μｍの厚さを有することを特徴とする発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の発光素子を画素として用い、表示機能を有することを特徴とする発光装置。
【請求項６】
基板上に複数のトランジスタを形成し、
前記複数のトランジスタのそれぞれと電気的に接続された複数の第１の電極を形成し、
前記複数の第１の電極間で、前記複数の第１の電極の端部のみをそれぞれ覆うように、複数の開口を備えた絶縁層を形成し、
前記開口における前記絶縁層の端部、及び前記絶縁層の上面の一部を覆う厚さを有するように複数の第１の層を形成し、
前記複数の第１の層上にそれぞれ接し、前記絶縁層の開口を覆い、且つ前記第１の電極と前記第１の層とが重畳する部位に選択的に第２の層を形成し、
前記第２の層をマスクとして前記第１の層をエッチングし、
前記絶縁層の複数の開口にそれぞれ設けられ、前記複数の第２の層の側面及び前記複数の第１の層の側面を覆う複数の発光層を形成し、
前記複数の発光層に接し、且つ覆うように第２の電極を形成することを特徴とする発光素子の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記第１の層は、有機化合物を含み、且つ導電性を有する層であることを特徴とする発光素子の作製方法。
【請求項８】
請求項６または７において、
前記第２の層は、無機化合物を含み、且つ正孔輸送性を有する層であることを特徴とする発光素子の作製方法。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれか一つにおいて、
前記第１の層は、湿式法によって形成されることを特徴とする発光素子の作製方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年1月7日(2008.1.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも１つの硬化可能な樹脂が含浸された繊維状の基材料から成る非アスベストの摩擦材料において、該繊維状の基材料が、多孔質の一次層と、二次層とを備え、一次層が、一次層に基づいて、重量比で約１０乃至約５０％のフィブリル化された程度が小さいアラミド繊維と、約５乃至約２０％の炭素粒子と、約５乃至約２５％の炭素繊維と、約１５乃至約３５％のフィラー材料と、約０乃至約１０％の綿繊維と、約０．５乃至約５％のフェノールノボロイド繊維とを含み、多孔質の一次層が約２．０乃至約１５μｍの平均的孔寸法を有し、二次層が一次層の少なくとも１つの面の上に炭素粒子を含み、炭素粒子が、繊維状の基材料の重量に基づいて、重量比で約０．２乃至約２０％存在し、炭素粒子が、一次層の表面積の約３％乃至約９０％をカバーする、非アスベストの摩擦材料。
【請求項２】  請求項１の摩擦材料において、一次層が、約４３％のフィブリル化された程度が小さいアラミド繊維と、約２０％の炭素繊維と、約１５％の炭素粒子と、約２０％のフィラー材料と、約２％のノボロイドフェノール繊維とを含む、摩擦材料。
【請求項３】  請求項１の摩擦材料において、一次層が、摩擦材料に対し高耐熱性及び実質的に均一な摩擦係数を提供するのに十分な量にてカナディアン標準ろ水度が約４５０以上のフィブリル化された程度が小さいアラミド繊維とを含む、摩擦材料。
【請求項４】  請求項１の摩擦材料において、二次層が、繊維状の基材料の重量に基づいて、炭素粒子を重量比で約３％乃至約５％含む、摩擦材料。
【請求項５】  請求項１の摩擦材料において、二次層が、繊維状の基材料の重量に基づいて、炭素粒子を重量比で約５％乃至約１５％含む、摩擦材料。
【請求項６】  請求項１の摩擦材料において、炭素粒子の寸法が約６乃至約５０μｍの範囲にある、摩擦材料。
【請求項７】  請求項１の摩擦材料において、一次層上の炭素粒子の被覆面積が、一次層の表面積の３乃至８０％の範囲にある、摩擦材料。
【請求項８】  請求項１の摩擦材料において、一次層が、炭素粒子を一次層の表面に接着させるため少なくとも１つの保持促進材を更に備える、摩擦材料。
【請求項９】  請求項８の摩擦材料において、保持促進材が約４．５のｐＨを有する約２０％以内のミョウバンから成る、摩擦材料。
【請求項１０】  請求項３の摩擦材料において、フィビリル化された程度が小さいアラミド繊維がカナディアン標準ろ水度に基づいて約５８０乃至６４０のろ水度を有する、摩擦材料。
【請求項１１】  請求項１の摩擦材料において、フィビリル化された程度が小さいアラミド繊維が約３乃至約６ｍｍの範囲の平均的繊維長さを有する、摩擦材料。
【請求項１２】  請求項１の摩擦材料において、フィラーが珪藻土から成る、摩擦材料。
【請求項１３】  請求項１の摩擦材料において、平均寸法の孔直径が約２．５乃至約１２μｍの範囲にある、摩擦材料。
【請求項１４】  請求項１の摩擦材料において、一次層が容易に利用可能な少なくとも約５０％の空隙を有する、摩擦材料。
【請求項１５】  請求項１の摩擦材料において、フェノール樹脂又は改質フェノール樹脂を含浸させた、摩擦材料。
【請求項１６】  請求項１５の摩擦材料において、摩擦材料が重量比で約２５乃至約６０％の樹脂を含む、摩擦材料。
【請求項１７】  請求項１の摩擦材料において、繊維状の基材料にフェノール樹脂及びシリコーン樹脂の混合体が含浸され、該混合体中のシリコーン樹脂の量が、混合体の重量に基づいて、重量比で約５乃至８０％の範囲にあり、摩擦材料が、高耐熱性及び実質的に均一な摩擦係数を呈する、摩擦材料。
【請求項１８】  請求項１７の摩擦材料において、フェノール樹脂が溶剤材料中に存在し、シリコーン樹脂が、フェノール樹脂の溶剤材料と適合可能な溶剤材料中に存在する、摩擦材料。
【請求項１９】  請求項１７の摩擦材料において、シリコーンフェノール樹脂混合体中に存在するシリコーン樹脂の量が、混合体の重量に基づいて、重量比で約２０乃至約２５％の範囲にある、摩擦材料。
【請求項２０】  請求項１７の摩擦材料において、シリコーン樹脂混合体中に存在するシリコーン樹脂の量が、混合体の重量に基づいて、重量比で約１５乃至約２５％の範囲にある、摩擦材料。
【請求項２１】  請求項１５の摩擦材料において、改質フェノール樹脂がエポキシフェノール樹脂から成る、摩擦材料。
【請求項２２】  請求項２１の摩擦材料において、エポキシフェノール樹脂中に存在するエポキシ樹脂の量が、エポキシフェノール樹脂の重量に基づいて、重量比で約５乃至約２５％の範囲にある、摩擦材料。
【請求項２３】  請求項２２の摩擦材料において、エポキシフェノール樹脂中に存在するエポキシ樹脂の量が、エポキシフェノール樹脂の重量に基づいて、重量比で約１０乃至約１５％の範囲にある、摩擦材料。
【請求項２４】  非アスベストの摩擦材料の製造方法において、繊維状の基材料が繊維状の基材料の重量に基づいて、重量比で約１０乃至約５０％のフィビリル化された程度が小さいアラミド繊維と、約５乃至約２０％の炭素粒子と、約５乃至約２０％の炭素繊維と、約１５乃至約３５％のフィラー材料と、約３乃至約１０％の綿繊維と、約０．５乃至約５％のフェノールノボロイド繊維とを含み、炭素粒子が多孔質の基材料の重量に基づいて、重量比で約０．２乃至約２０％の率にて存在し、約２．５乃至約１２μｍの平均孔直径を有する、多孔質の繊維状の基材料における少なくとも１つの表面の表面積の約３％乃至約９０％を被覆することと、炭素で被覆した繊維状の基材料を少なくとも１つのフェノール樹脂又は改質フェノール樹脂にて含浸することと、その後、含浸を行った炭素を被覆した繊維状の基材料を所定の時間、所定の温度にて硬化させることとを備える、非アスベストの摩擦材料の製造方法。
【請求項２５】  繊維状の基材料が多孔質の一次層と、二次層とを備え、該一次層が、一次層に基づいて、重量比で約１０乃至約５０％のフィビリル化された程度が小さいアラミド繊維と、約５乃至約２０％の炭素粒子と、約５乃至約２５％の炭素繊維と、約１５乃至約３５％のフィラー材料と、約０乃至約１０％の綿繊維と、約０．５乃至約５％のフェノールノボロイド繊維とを含み、多孔質の一次層が、約２．０乃至約１５μｍの平均孔直径を有し、二次層が一次層の少なくとも１つの面の上に炭素粒子を備え、炭素粒子が、繊維状の基材料の重量に基づいて、重量比で約０．２乃至約２０％の率にて存在し、炭素粒子が、一次層の表面積の約３％乃至約９０％をカバーする、非アスベストの摩擦材料の製造方法において、フェノール樹脂をシリコーン樹脂と混合させることと、繊維状の基材料にシリコーンフェノール樹脂の混合体を含浸させることと、その後、炭素で被覆し且つ含浸を行った繊維状の基材料を加熱して、フェノール樹脂及びシリコーン樹脂を硬化させることとを含む、非アスベストの摩擦材料の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月29日(2008.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
グルコン酸クロルヘキシジンに関しては、指示試験紙を用いた濃度測定法（特開平６−２３０００３号公報）が、塩化ベンザルコニウムに関しては、同様に指示試験紙を用いた濃度測定法（特開平７−１４０１３１号公報）が報告されているが、これらは実際の使用の場において、簡易かつ迅速に殺菌剤を検出できるという点で優れてはいるものの、いずれも病院での使用が想定されており、比較的高濃度である特定濃度以上の殺菌剤を検出するように構成されている。
また、その他の第４級アンモニウム塩やグアニジン誘導体からなる殺菌剤についての簡易検出法の報告はなされていない。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月8日(2008.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  放射線を光に変換する柱状結晶構造の波長変換体と、前記波長変換体で変換された光を検知するセンサとを備えた放射線検出装置において、
前記波長変換体のセンサ側表面の凹凸差が所定の値以下となるように、前記波長変換体のセンサ側表面の凸部の少なくとも一部が除去されていることを特徴とする放射線検出装置。
【請求項２】  前記センサ側表面の凹凸差が５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の放射線検出装置。
【請求項３】  前記波長変換体と前記センサとは接着層を介して貼り合わされており、該接着層は、前記波長変換体で変換された光が、解像力レスポンスが少なくとも０．７以上となるような厚さであることを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線検出装置。
【請求項４】  前記波長変換体は、センサ側表面に、全面に表面が平坦な保護層が形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項記載の放射線検出装置。
【請求項５】  基材と、前記基材上の反射層と、前記反射層上の柱状結晶構造の波長変換体と、を有する蛍光板において、
前記波長変換体の前記反射層とは反対側の表面の凹凸差が所定の値以下となるように、前記波長変換体のセンサ側表面の凸部の少なくとも一部が除去されていることを特徴とする蛍光板。
【請求項６】  放射線を光に変換する柱状結晶構造の波長変換体と、前記波長変換体で変換された光を検知するセンサとを貼り合わせる放射線検出装置の製造方法において、
基材上に蒸着によって前記柱状結晶構造の前記波長変換体を形成し、
蒸着により形成した前記波長変換体と前記センサとを貼り合わせる前に、前記波長変換体の表面の凹凸差が所定の値以下となるように、前記波長変換体のセンサ側表面の凸部の少なくとも一部を除去することを特徴とする放射線検出装置の製造方法。
【請求項７】  前記凸部の少なくとも一部を除去する工程が、蒸着時の異常成長により形成された凸部少なくとも一部を除去することであることを特徴とする請求項６に記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項８】  前記波長変換体と前記センサとは、接着層によって貼り合わされており、該接着層の厚さが最大で５０μｍ以内となるように前記波長変換体の表面の凸部の少なくとも一部を除去することを特徴とする請求項６記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項９】  前記接着層は、前記波長変換体と前記センサとの間に塗布された接着材を、該波長変換体と該センサとで挟む際に厚さの調整を行うことを特徴とする請求項８記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項１０】  前記接着層は、前記波長変換体と前記センサとの間に最大で５０μｍの厚さとなるように設けた隙間に流し込まれた接着材であることを特徴とする請求項８記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項１１】  前記接着材は、粘着材であることを特徴とする請求項８〜１０のいずれか１項記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項１２】  前記凸部の少なくとも一部の除去は、凸部を押しつぶすことで行うことを特徴とする請求項７記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項１３】  前記凸部の少なくとも一部の除去は、凸部を削ることで行うことを特徴とする請求項７記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項１４】  前記凸部の少なくとも一部の除去は、凸部を切り取ることで行うことを特徴とする請求項７記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項１５】  前記凸部の少なくとも一部を除去するのに先だって前記凸部の高さを測定し、前記凸部の高さが所定のしきい値を越えている場合に前記凸部の高さが該しきい値内に納まるように前記凸部の少なくとも一部の除去を行うことを特徴とする請求項７記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項１６】  放射線を光に変換する柱状結晶構造の波長変換体と、前記波長変換体で変換された光を検知するセンサとを有する放射線検出装置の製造装置において、
前記波長変換体の表面の凸部の位置を検出する手段と、
位置検出された前記凸部の高さを測定する手段と、
所定のしきい値と前記凸部の高さを比較する手段と、
前記凸部の高さが前記しきい値を超えている場合に前記凸部の少なくとも一部を除去する手段とを有することを特徴とする放射線検出装置の製造装置。
【請求項１７】 前記凸部の位置の検出は、前記波長変換体の表面の画像のコントラストの検知結果に基づいて行うことを特徴とする請求項７記載の放射線検出装置の製造方法。
【請求項１８】  前記しきい値は前記放射線検出において出力される画像の解像力レスポンスが少なくとも０．７以上となるような値に設定されていることを特徴とする請求項１７記載の放射線検出装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は、放射線を光に変換する柱状結晶構造の波長変換体と、前記波長変換体で変換された光を検知するセンサとを備えた放射線検出装置において、
前記波長変換体のセンサ側表面の凹凸差が所定の値以下となるように、前記波長変換体のセンサ側表面の凸部の少なくとも一部が除去されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明は、基材と、前記基材上の反射層と、前記反射層上の柱状結晶構造の波長変換体と、を有する蛍光板において、
前記波長変換体の前記反射層とは反対側の表面の凹凸差が所定の値以下となるように、前記波長変換体のセンサ側表面の凸部の少なくとも一部が除去されていることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明は、放射線を光に変換する柱状結晶構造の波長変換体と、前記波長変換体で変換された光を検知するセンサとを貼り合わせる放射線検出装置の製造方法において、
基材上に蒸着によって前記柱状結晶構造の前記波長変換体を形成し、
蒸着により形成した前記波長変換体と前記センサとを貼り合わせる前に、前記波長変換体の表面の凹凸差が所定の値以下となるように、前記波長変換体のセンサ側表面の凸部の少なくとも一部を除去することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
さらに、本発明は、放射線を光に変換する柱状結晶構造の波長変換体と、前記波長変換体で変換された光を検知するセンサとを有する放射線検出装置の製造装置において、
前記波長変換体の表面の凸部の位置を検出する手段と、
位置検出された前記凸部の高さを測定する手段と、
所定のしきい値と前記凸部の高さを比較する手段と、
前記凸部の高さが前記しきい値を超えている場合に前記凸部の少なくとも一部を除去する手段とを有することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月20日(2008.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  探知方向に伝搬波を周期的に送信し、物標からの反射波を受信する送受信手段と、前記伝搬波に比較して持続時間が長い不要信号成分の強度を検出する不要信号成分検出手段と、前記送受信の繰り返しに伴う前記探知方向の同一箇所またはその近傍からの受信信号を基に、同一箇所またはその近傍からの反射波を相関処理により抽出する相関処理手段と、前記不要信号成分検出手段により検出された不要信号成分の強度が所定値より高い受信信号に対してのみ前記相関処理を施す、または、前記不要信号成分検出手段により検出された不要信号成分が所定値より高い受信信号に対する相関処理の強さを、その他の受信信号に対する相関処理の強さより強くする、信号処理制御手段と、を備えた探知装置。
【請求項２】  探知方向に伝搬波を周期的に送信し、物標からの反射波を受信する送受信手段と、前記伝搬波に比較して持続時間が長い不要信号成分の強度を検出する不要信号成分検出手段と、前記送受信の繰り返しに伴う前記探知方向の同一箇所またはその近傍からの受信信号の欠損を埋める残像処理手段と、前記不要信号成分検出手段により検出された不要信号成分の強度が所定値より低い受信信号に対してのみ前記残像処理を施す、または、前記不要信号成分検出手段により検出された不要信号成分の強度が所定値より低い受信信号に対する残像処理の強さを、その他の受信信号に対する残像処理の強さより強くする、信号処理制御手段と、を備えた探知装置。
【請求項３】  探知方向に伝搬波を周期的に送信し、物標からの反射波を受信する送受信手段と、前記伝搬波に比較して持続時間が長い不要信号成分の強度を検出する不要信号成分検出手段と、前記送受信の繰り返しに伴う前記探知方向の同一箇所またはその近傍からの受信信号を基に、同一箇所またはその近傍からの反射波を相関処理により抽出する相関処理手段と、前記送受信の繰り返しに伴う前記探知方向の同一箇所またはその近傍からの受信信号の欠損を埋める残像処理手段と、前記不要信号成分検出手段により検出された不要信号成分の強度が所定値より高い受信信号に対して前記相関処理を施し、他の受信信号に対して前記残像処理を施す、信号処理制御手段と、を備えた探知装置。
【請求項４】  探知方向に伝搬波を周期的に送信し、物標からの反射波を受信する送受信手段と、該送受信手段による受信信号に含まれる物標からの反射波のパルス幅を時間軸方向に拡大する手段と、前記伝搬波に比較して持続時間が長い不要信号成分の強度を検出する手段と、該不要信号成分の強度に応じて前記拡大の幅を変える手段と、を備えた探知装置。
【請求項５】  探知方向に伝搬波を周期的に送信し、物標からの反射波を受信する送受信手段と、該送受信手段による受信信号に含まれる物標からの反射波のパルス幅を時間軸方向に拡大する手段と、前記伝搬波の送信源から遠距離である程前記拡大の幅を大きくする手段と、を備えた探知装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月6日(2008.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】  請求項４に記載のカラーフィルタと、該カラーフィルタに対向させて配置した対向基板との間に液晶を封入してなることを特徴とする液晶素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の第二は、透明基板上に複数の着色部を少なくとも有し、上記本発明のカラーフィルタの製造方法により製造されたことを特徴とするカラーフィルタであり、本発明の第三は、該カラーフィルタと、該カラーフィルタに対向させて配置した対向基板との間に液晶を封入してなることを特徴とする液晶素子である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月13日(2008.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】測長装置および測長用走査電子顕微鏡装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンが形成された試料に対して電子線を照射し、発生する２次電子または反射電子を信号として検出する走査電子顕微鏡と、
当該検出された信号を処理するコンピュータとを備え、
当該コンピュータは、前記検出信号から形成される前記電子線の照射領域に関する前記信号の２次元強度分布データをもとに、前記パターンのエッジ位置を抽出し、
当該エッジ位置の空間周波数分布を求めることを特徴とする測長装置。
【請求項２】
請求項１に記載の測長装置において、
前記コンピュータは、前記エッジ位置のデータに対してフーリエ変換を行うことにより前記空間周波数分布を求めることを特徴とする測長装置。
【請求項３】
請求項１に記載の測長装置において、
前記コンピュータは、前記空間周波数分布を当該空間周波数の逆数の指数関数でフィッティングし、
当該フィッティングのフィッティングパラメータを計算することを特徴とする測長装置。
【請求項４】
請求項３に記載の測長装置において、
前記コンピュータは、前記フィッティングを、Ａ０を定数、ｆを空間周波数、ｄをべき乗の指数として、Ａ０／ｆｄなる関数を用いて実行することを特徴とする測長装置。
【請求項５】
請求項３に記載の測長装置において、
前記コンピュータは、前記フィッティングを、Ａ０を定数、ｆを空間周波数、ｄをべき乗の指数として、Ａ０／ｆなる関数を用いて実行することを特徴とする測長装置。
【請求項６】
請求項５に記載の測長装置において、
前記コンピュータは、前記エッジ位置の空間周波数分布において、当該分布が１／ｆ則から外れる領域の有無を判別することを特徴とする測長装置。
【請求項７】
パターンが形成された試料に対して電子線を照射して得られる２次電子信号または反射電子信号を用いて当該パターンの測長を行う機能を備えた測長用走査電子顕微鏡装置において、
前記２次電子信号または反射電子信号を検出する走査電子顕微鏡と、
当該検出された信号を処理するコンピュータとを備え、
当該コンピュータは、前記検出信号から形成される前記電子線の照射領域に関する前記信号の２次元強度分布データをもとに、前記パターンのエッジ位置を抽出し、
当該エッジ位置の空間周波数分布を計算し、
当該得られた空間周波数分布を、Ａ０を定数、ｆを空間周波数、ｄをべき乗の指数として、Ａ０／ｆなる関数を用いてフィッティングすることにより、前記空間周波数分布の空間周波数依存性を求めることを特徴とする測長用走査電子顕微鏡装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月31日(2008.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【実施例】
図１は本発明に係る立体形状測定装置の一実施例の全体構成図である。単色光源１１からは、或る直線偏光（例えばｐ偏光の光）が投射される。単色光源１１から投射された偏光照明光は照明用リングスリット１２を通過し、リング状の照明光となる。これは輪帯照明と呼ばれる。この輪帯照明光は偏光ビームスプリッタ１６により図中下方に反射され、レンズ１５により収束され、４分の１波長板（λ/4板）１４を通過して位相物体（被測定物）１３を照射する。λ/4板１４は光の偏光状態を変えるものであり、本実施例の場合、直線偏光は円偏光となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
位相物体１３の凹部１３３（深さd）で反射された光も同様に、０次光が可動リング２０２表面で、高次回折光が基板２０１表面でそれぞれ反射され、受光部２２における位相物体１３の像の凹部１３３の部分において両光の干渉光が結像する。このうち、高次回折光は基準面１３１よりも位相θdだけ遅れており、０次光の位相は可動リング２０２の位置に応じて図６(a)、(b)、(c)のように変化する。従って、その最高強度における０次光の位相変化θmより、凹部１３３の深さdを次のように算出することができる。d＝λ・θm/(4・π)
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月20日(2008.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む、１，３−プロパンジオールの製造方法。
工程（１）
式（１）の化合物を異性化反応させて、式（２）の化合物および／または式（３）の化合物を製造する工程。
【化１】
2007230979.tif 000001
【化２】
2007230979.tif 000002
【化３】
2007230979.tif 000003
（各式中のＲ１、Ｒ２はそれぞれ独立に水素原子または炭素数１〜４の分岐してもよいアルキル基を表す）
工程（２）
式（２）および／または式（３）の化合物を酸触媒の存在下で加水分解し、１，３−プロパンジオールを得る工程。
【請求項２】
以下の工程（２）を含む、１，３−プロパンジオールの製造方法。
工程（２）
式（２）および／または式（３）の化合物を酸触媒の存在下で加水分解し、１，３−プロパンジオールを得る工程。
【化４】
2007230979.tif 000004
【化５】
2007230979.tif 000005
（各式中のＲ１、Ｒ２はそれぞれ独立に水素原子または炭素数１〜４の分岐してもよいアルキル基を表す）
【請求項３】
前記式（１）、（２）、（３）で表される化合物のＲ１およびＲ２が水素原子である請求項１または請求項２に記載の１，３−プロパンジオールの製造方法。
【請求項４】
前記工程（２）の加水分解反応の温度が３０〜１５０℃であることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の１，３−プロパンジオールの製造方法。
【請求項５】
前記工程（２）の加水分解反応の圧力が０．００５ＭＰａ〜０．５ＭＰａであることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の１，３−プロパンジオールの製造方法。
【請求項６】
前記酸触媒が、鉱酸であることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の１，３−プロパンジオールの製造方法。
【請求項７】
前記酸触媒が、カルボキシル基含有化合物であることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の１，３−プロパンジオールの製造方法。
【請求項８】
前記酸触媒が、無機固体酸であることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の１，３−プロパンジオールの製造方法。
【請求項９】
前記酸触媒が、スルホン酸基を含有する化合物であることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の１，３−プロパンジオールの製造方法。
【請求項１０】
前記スルホン酸基を含有する化合物が、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸およびスルホン酸型イオン交換樹脂からなる群から選ばれる少なくとも１種以上であることを特徴とする請求項９に記載の１，３−プロパンジオールの製造方法。
【請求項１１】
前記工程（２）の酸触媒が、反応系内で溶媒および／または反応原料に溶解し、均一状態で加水分解反応が起こることを特徴とする請求項１〜請求項１０のいずれかに記載の１，３−プロパンジオールの製造方法。
【請求項１２】
前記工程（２）の酸触媒が、反応系内で溶媒および／または反応原料に不溶であり、不均一状態で加水分解反応が起こることを特徴とする請求項１〜請求項１０のいずれかに記載の１，３−プロパンジオールの製造方法。
【請求項１３】
前記工程（２）の加水分解反応を式（２）および／または式（３）の化合物の３０倍モル以下の水の存在下に実施することを特徴とする請求項１〜請求項１２のいずれかに記載の１，３−プロパンジオールの製造方法。
【請求項１４】
鉄、ニッケル、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、イリジウムおよび白金から選ばれた少なくとも１種以上の元素を含有する触媒の存在下、式（１）の化合物を異性化反応させることを特徴とする式（２）および／または式（３）の化合物の製造方法。
【化６】
2007230979.tif 000006
【化７】
2007230979.tif 000007
【化８】
2007230979.tif 000008
【請求項１５】
前記鉄、ニッケル、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、イリジウムおよび白金から選ばれた少なくとも１種以上の元素を含有する触媒が、担体に担持されていることを特徴とする、請求項１４に記載の式（２）および／または式（３）の化合物の製造方法。
【請求項１６】
前記担体が、シリカ、珪そう土、モンモリロナイト、チタニア、活性炭、シリカアルミナ、アルミナ、マグネシア、ゼオライト、ニオビア及びジルコニアからなる群から選ばれることを特徴とする請求項１５に記載の式（２）および／または式（３）の化合物の製造方法。
【請求項１７】
前記担体の比表面積が１０〜４０００ｍ２／ｇであることを特徴とする請求項１５または請求項１６のいずれかに記載の式（２）および／または式（３）の化合物の製造方法。
【請求項１８】
前記式（１）の化合物の異性化反応を気相で実施することを特徴とする、請求項１４〜請求項１７のいずれかに記載の式（２）および／または式（３）の化合物の製造方法。
【請求項１９】
前記工程（１）の異性化反応を鉄、ニッケル、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、イリジウムおよび白金から選ばれた少なくとも１種以上の元素を含有する触媒の存在下で行うことを特徴とする請求項１〜請求項１３のいずれかに記載の１，３−プロパンジオールの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月29日(2008.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リム部とディスク部とよりなり該ディスク部に飾り穴をもつホイール本体と、
少なくとも該ディスク部に保持され該飾り穴に表出する樹脂製の加飾部材と、からなり、
該加飾部材には複数の固定部が形成され、該ホイール本体に形成された複数の被固定部に該固定部がそれぞれ係合することで、該加飾部材が該ホイール本体に一体的に保持され、
該加飾部材は中空部をもつ断面略Ｕ字形状をなし、該中空部を横断するリブを備え、
該固定部は該リブに形成されたボス部から突出し、該リブ及び該ボス部は該中空部の底部から離間していることを特徴とする車両用ホイール。
【請求項２】
前記固定部は、前記加飾部材の周縁部より内周側に形成されている請求項１に記載の車両用ホイール。
【請求項３】
前記ホイール本体は前記飾り穴内へ延出する突起をもち、前記被固定部の少なくとも一つが該突起に形成されている請求項１に記載の車両用ホイール。
【請求項４】
前記ディスク部は、ハブ部と、該ハブ部から放射状に延びる複数のスポーク部と、隣接する該スポーク部どうしの間に形成された前記飾り穴とからなり、前記飾り穴には該ハブ部から薄肉部が延出し、前記被固定部の少なくとも一つが該薄肉部に形成されている請求項３に記載の車両用ホイール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決する本発明の車両用ホイールの特徴は、リム部とディスク部とよりなりディスク部に飾り穴をもつホイール本体と、少なくともディスク部に保持され飾り穴に表出する樹脂製の加飾部材と、からなり、
加飾部材には複数の固定部が形成され、ホイール本体に形成された複数の被固定部に固定部がそれぞれ係合することで、加飾部材がホイール本体に一体的に保持され、
加飾部材は中空部をもつ断面略Ｕ字形状をなし、中空部を横断するリブを備え、
固定部はリブに形成されたボス部から突出し、リブ及びボス部は中空部の底部から離間していることにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月6日(2008.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】還元型ニコチンアミドアデニンジヌクレオチド類の安定化方法及び試薬
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】ポリりん酸若しくはその塩と、還元型ニコチンアミドアデニンジヌクレオチド類とを共存させることを特徴とする還元型ニコチンアミドアデニンジヌクレオチド類の安定化方法。
【請求項２】還元型ニコチンアミドアデニンジヌクレオチド類が還元型ニコチンアミドアデニンジヌクレオチド（ＮＡＤＨ）若しくはニコチンアミドアデニンジヌクレオチドりん酸（ＮＡＤＰＨ）であることを特徴とする請求項１に記載の安定化方法。
【請求項３】還元型ニコチンアミドアデニンジヌクレオチド類と、その安定化剤としてのポリりん酸若しくはその塩とを含む試薬。
【請求項４】前記試薬が臨床検査試薬であり、前記還元型ニコチンアミドアデニンジヌクレオチド類が、酵素反応を用いた生体試料に含まれる物質の測定方法に用いられる補酵素として含有され、前記測定方法は、前記酵素反応により前記還元型ニコチンアミドアデニンジヌクレオチド類から酸化型ニコチンアミドアデニンジヌクレオチド類へ変換される際の特定波長の吸光度を測定することにより行われる請求項３に記載の試薬。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
すなわち本発明は、
１．ポリりん酸若しくはその塩と、還元型ニコチンアミドアデニンジヌクレオチド類とを共存させることを特徴とする、還元型ニコチンアミドアデニンジヌクレオチド類の安定化方法、
２．還元型ニコチンアミドアデニンジヌクレオチド類がＮＡＤＨ若しくはＮＡＤＰＨであることを特徴とする前記１に記載の安定化方法、
３．還元型ニコチンアミドアデニンジヌクレオチド類と、その安定化剤としてのポリりん酸若しくはその塩とを含む試薬、
４．前記試薬が臨床検査試薬であり、前記還元型ニコチンアミドアデニンジヌクレオチド類が、酵素反応を用いた生体試料に含まれる物質の測定方法に用いられる補酵素として含有され、前記測定方法は、前記酵素反応により前記還元型ニコチンアミドアデニンジヌクレオチド類から酸化型ニコチンアミドアデニンジヌクレオチド類へ変換される際の特定波長の吸光度を測定することにより行われる前記３に記載の試薬、
からなる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【発明の効果】臨床検査試薬などに多く利用されている還元型ニコチンアミドアデニンジヌクレオチド類の安定化方法であり、ポリりん酸若しくはその塩と、還元型ニコチンアミドアデニンジヌクレオチド類とを共存させることにより、安定化を達成することに成功した。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月7日(2008.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  波状に加工することにより伸縮性を持たせて張り渡した帯状ヒータを加熱体としたことを特徴とする定着装置。
【請求項２】  帯状ヒータの材質を黒ニッケルクロムとしたことを特徴とする請求項１に記載の定着装置。
【請求項３】  所定の本数の帯状ヒータを隣り合う帯状ヒータとは離間して並列に張り渡したことを特徴とする請求項１又は２に記載の定着装置。
【請求項４】  前記帯状ヒータをジグザグ状に張り渡したことを特徴とする請求項１乃至３いずれかに記載の定着装置。
【請求項５】  トナーを担持した転写材を通過させトナーを転写材上に熱定着させる定着装置において、波状に加工することにより伸縮性を持たせた帯状ヒータと、前記帯状ヒータを案内する、斜めに切り欠き部を有するホルダと、上下が開放された枠体とを有し、前記ホルダを前記枠体内で一方向に１又は複数個位置させ、前記帯状ヒータを前記ホルダにより案内させてその両端を前記枠体の端子部に固定させ、更に、前記枠体内に風を送る送風手段を設けたことを特徴とする定着装置。
【請求項６】  転写材搬送路に沿ってトナーを担持した転写材を通過させ、トナーを転写材上に熱定着させる定着装置において、転写材搬送路を覆うように下面が開放された断熱部材内に、傾斜した切り欠き部を並列して有する絶縁性の１または複数のホルダを、上下が開放された枠体の長手方向に間隔を持たせて位置させ、伸縮性を持つように波状に加工した帯状ヒータを前記切り欠き部に案内し、両端部を前記枠体に固定させてなるヒータ装置を有し、前記ヒータ装置を通るように風を送る送風手段を設け、前記転写材搬送路上に搬送される転写材に対して前記帯状ヒータにより熱せられた風を供給することを特徴とする定着装置。
【請求項７】  前記帯状ヒータを張力を持たせて張り渡し、前記枠体に固定することを特徴とする請求項５又は６に記載の定着装置。
【請求項８】  前記帯状ヒータを所定の間隔で並列に張り渡して前記枠体に固定することを特徴とする請求項５乃至７いずれか記載の定着装置。
【請求項９】  前記ホルダの切り欠き部が複数並列して設けられ、前記帯状ヒータは前記切り欠き部の位置をずらして案内することにより、ジグザグ状に張り渡して前記枠体に固定することを特徴とする請求項５乃至８いずれか記載の定着装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
特には、トナーを担持した転写材を通過させトナーを転写材上に熱定着させる定着装置において、波状に加工することにより伸縮性を持たせた帯状ヒータと、前記帯状ヒータを案内する、斜めに切り欠き部を有するホルダと、上下が開放された枠体とを有し、前記ホルダを前記枠体内で一方向に１又は複数個位置させ、前記帯状ヒータを前記ホルダにより案内させてその両端を前記枠体の端子部に固定させ、更に、前記枠体内に風を送る送風手段を設けたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月6日(2008.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、各々像担持体を備えた複数の画像形成部を有し、各画像形成部の像担持体上に形成された異なる色のトナー像を、転写手段が設けられた各画像形成部の転写部へと転写材搬送手段にて搬送される転写材上に多重転写して画像形成を行う画像形成装置において、転写材が転写部に通紙されていない時に転写に関わる部材の抵抗値を検知し、この抵抗値検知の結果に基づいて以後の転写材が転写部に通紙されていない時に印加する１種類又は複数種類の転写バイアスを決定する構成とされるので、
（１）環境や転写材の材質、画像形成時のスピード、画像形成装置の耐久による転写に関わる部材の抵抗変化といった様々な条件に関わらず、転写材を介した状態と転写材を介さない状態で、像担持体の転写後電位が等しくなるように転写バイアスを制御し、濃度が均一な高画質の画像を得ることができる。又、
（２）転写材搬送手段に対して画像形成条件制御用の画像転写を行う際に、安定した画像形成を行うことができる。