(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント基板表面の所定位置に半導体ペレットを挿入するための凹部溝あるいは貫通孔が形成され，
前記凹部溝あるいは前記貫通孔に挿入された前記半導体ペレット表面は金属ワイヤを介して前記プリント基板と電気的に接続され，かつ，前記半導体ペレット裏面は導電配線が形成される導電配線テープを介して前記プリント基板と電気的に接続され，
前記半導体ペレット及び前記金属ワイヤ及び前記導電配線テープが絶縁樹脂で封止されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項２】
プリント基板の所定位置に半導体ペレットを挿入するための凹部溝あるいは貫通孔が形成され，
前記凹部溝あるいは前記貫通孔に挿入された前記半導体ペレット表裏両面共に，導電配線が形成される導電配線テープを介して前記プリント基板と電気的に接続され，
前記半導体ペレット及び前記導電配線テープが絶縁樹脂で封止されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項３】
プリント基板の所定位置に貫通孔を形成する工程と，
前記貫通孔を覆い，かつ前記貫通孔内部方向が粘着面となるように粘着テープを前記プリント基板の裏面に貼り付ける工程と，
前記半導体ペレットを前記プリント基板の前記貫通孔に挿入して，前記粘着テープの前記粘着面に前記半導体ペレットを接着する工程と，
選択的に，前記粘着テープを介して前記貫通孔に突起形状物を挿入して前記半導体ペレットを所定高さ位置に固定する，あるいは平坦なステージで前記半導体ペレットを所定位置に固定する工程と，
前記半導体ペレット表面と前記プリント基板とを金属ワイヤで電気的に接続する工程と，
前記半導体ペレット表面と前記金属ワイヤとを絶縁樹脂により封止する工程と，
前記プリント基板に貼り付けられた前記粘着テープを剥ぎ取る工程と，
前記プリント基板の上下を反対にした後，前記プリント基板裏面の所定位置にメタルマスクを貼り付け，前記半導体ペレット裏面と前記プリント基板裏面とが電気的に導通するように印刷法により所定範囲に導電樹脂を塗布する工程と，
前記導電樹脂の充填により形成された凸部をスキージにより平坦にする工程と，
を有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項４】
プリント基板の所定位置に貫通孔を形成する工程と，
前記貫通孔を覆い，かつ前記貫通孔内部方向が粘着面となるように粘着テープを前記プリント基板の裏面に貼り付ける工程と，
前記半導体ペレットを前記プリント基板の前記貫通孔に挿入して，前記粘着テープの前記粘着面に前記半導体ペレットを接着する工程と，
選択的に，前記粘着テープを介して前記貫通孔に突起形状物を挿入して前記半導体ペレットを所定高さ位置に固定する，あるいは平坦なステージで前記半導体ペレットを所定位置に固定する工程と，
前記半導体ペレット表面と前記プリント基板とを金属ワイヤで電気的に接続する工程と，
前記半導体ペレット表面と前記金属ワイヤとを絶縁樹脂により封止する工程と，
前記プリント基板に貼り付けられた前記粘着テープを剥ぎ取る工程と，
前記プリント基板の上下を反対にした後，前記半導体ペレット裏面と前記プリント基板裏面とが電気的に導通するように，塗布法により塗布ノズルを介して所定範囲に導電樹脂を塗布する工程と，
前記導電樹脂の充填により形成された凸部を研磨により平坦にする工程と，
を有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，樹脂封止型半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に，従来の樹脂封止型半導体装置の構造は，図８に示すように，プリント基板上６０１に絶縁接着剤６１９を介して半導体ペレット６０２が積載され半導体ぺレット６０２とプリント基板６０１とが，金属ワイヤ６０３を介して電気的に接続される。また，金属ワイヤ６０３と半導体ペレット６０２を保護するために絶縁樹脂６０４により封止されている。
【０００３】
かかる従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を図９に基づいて説明する。
【０００４】
まず，図９（ａ）に示すように，プリント基板６０１上に絶縁接着剤６１９を塗布する。次いで，図９（ｂ）に示すように，プリント基板６０１に塗布された絶縁接着剤６１９上に半導体ペレット６０２を積載する。
【０００５】
さらに，図９（ｃ）に示すように，半導体ペレット６０２とプリント基板６０１とを電気的に導通するために金属ワイヤ６０３を接続する。最後に，図９（ｄ）に示すように，金属ワイヤ６０３と半導体ペレット６０２を保護するため絶縁樹脂６０４により，金属ワイヤ６０３と半導体ペレット６０２を封止する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，従来の樹脂封止型半導体装置及び製造方法では，以下のような問題があった。
【０００７】
〔１〕半導体ペレットはプリント基板上に載置され，半導体ペレット裏面はプリント基板と電気的に接続されないので，半導体ペレットの裏面電位を制御することができない。
〔２〕例えば略３５０μｍ厚さの半導体ペレット上に金属ワイヤが接続されて，例えば略２００μｍ高さの凸部が形成されるので，半導体装置全体の厚さが増大する。
〔３〕半導体ペレットを接着するための接着剤が例えば熱などの衝撃により樹脂界面で剥離し，半導体装置の信頼性が低下する。
〔４〕金属ワイヤを使用しているため，樹脂を塗布する際の負荷などに起因して配線が変形し，隣接する配線と接触して電気的なショートが発生する。
〔５〕半導体ペレットよりも広い範囲で塗布される絶縁接着剤は，半導体ペレットの接着圧力により不安定な形状で拡大してしまうので，プリント基板側の金属ワイヤの接続を，半導体ペレットから例えば略０．８ｍｍ以上離隔した位置でおこなわなければならない。このため，プリント基板の配線を形成できない部分が増大する。
【０００８】
したがって，本発明の課題は，上記問題を解決して，半導体ペレット裏面を制御し，かつ，半導体装置の厚さを低減することが可能な新規かつ改良された樹脂封止型半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため，請求項１に記載の発明のように，プリント基板の所定位置に半導体ペレットを挿入するための凹部溝あるいは貫通孔が形成され，前記凹部溝あるいは前記貫通孔に挿入された前記半導体ペレット表面は金属ワイヤを介して前記プリント基板と電気的に接続され，かつ，前記半導体ペレット裏面は導電配線が形成される導電配線テープを介して前記プリント基板と電気的に接続され，前記半導体ペレット及び前記金属ワイヤ及び前記導電配線テープが絶縁樹脂で封止されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置が提供される。
【００１０】
本項記載の発明では，半導体ペレットの裏面電位を制御することができると共に，プリント基板の貫通孔に挿入した半導体ペレット裏面を導電性テープにより電気的に接続するので，本項記載の発明によらない半導体装置と比較して，さらに厚さ低減することができる。さらに，接着剤をプリント基板上に塗布しないので，熱応力による接着剤の剥離がなく，半導体ペレット裏面から電気的導通を図ることができる。
【００１１】
また，上記課題を解決するため，請求項２に記載の発明のように，プリント基板の所定位置に凹部溝あるいは貫通孔が形成され，前記凹部溝あるいは前記貫通孔に挿入された前記半導体ペレット表裏両面共に，導電配線が形成される導電配線テープを介して前記プリント基板と電気的に接続され，前記半導体ペレット及び前記導電配線テープが絶縁樹脂で封止されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置が提供される。
【００１２】
本項記載の発明では，半導体ペレットの裏面電位を制御することができると共に，プリント基板の貫通孔に挿入した半導体ペレット表裏両面を導電性テープにより電気的に接続するので，請求項１に記載の半導体装置と比較して，さらに厚さ低減することができる。さらに，接着剤をプリント基板上に塗布しないので，熱応力による接着剤の剥離がなく，半導体ペレット両面から電気的導通を図ることができる。さらに配線が固定がされている導電性テープにより半導体ペレットとプリント基板の電気的接続を図るため隣接する配線が変形して電気的にショートすることがない。
【００１３】
また，上記課題を解決するため，請求項３に記載の発明のように，プリント基板の所定位置に貫通孔を形成する工程と，前記貫通孔を覆い，かつ前記貫通孔内部方向が粘着面となるように粘着テープを前記プリント基板の裏面に貼り付ける工程と，前記半導体ペレットを前記プリント基板の前記貫通孔に挿入して，前記粘着テープの前記粘着面に前記半導体ペレットを接着する工程と，選択的に，前記粘着テープを介して前記貫通孔に突起形状物を挿入して前記半導体ペレットを所定高さ位置に固定する，あるいは平坦なステージで前記半導体ペレットを所定位置に固定する工程と，前記半導体ペレット表面と前記プリント基板とを金属ワイヤで電気的に接続する工程と，前記半導体ペレット表面と前記金属ワイヤとを絶縁樹脂により封止する工程と，前記プリント基板に貼り付けられた前記粘着テープを剥ぎ取る工程と，前記プリント基板の上下を反対にした後，前記プリント基板裏面の所定位置にメタルマスクを貼り付け，前記半導体ペレット裏面と前記プリント基板裏面とが電気的に導通するように印刷法により所定範囲に導電樹脂を塗布する工程と，前記導電樹脂の充填により形成された凸部をスキージにより平坦にする工程と，を有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法が提供される。
【００１４】
本項記載の発明では，絶縁接着剤を使用せずに半導体ペレット表面とプリント基板とを金属ワイヤで配線できるので，絶縁樹脂を塗布する面積を低減することができる。この結果，半導体装置の全体面積も小さくすることができる。
【００１５】
また，上記課題を解決するため，請求項４に記載の発明のように，プリント基板の所定位置に貫通孔を形成する工程と，前記貫通孔を覆い，かつ前記貫通孔内部方向が粘着面となるように粘着テープを前記プリント基板の裏面に貼り付ける工程と，前記半導体ペレットを前記プリント基板の前記貫通孔に挿入して，前記粘着テープの前記粘着面に前記半導体ペレットを接着する工程と，選択的に，前記粘着テープを介して前記貫通孔に突起形状物を挿入して前記半導体ペレットを所定高さ位置に固定する，あるいは平坦なステージで前記半導体ペレットを所定位置に固定する工程と，前記半導体ペレット表面と前記プリント基板とを金属ワイヤで電気的に接続する工程と，前記半導体ペレット表面と前記金属ワイヤとを絶縁樹脂により封止する工程と，前記プリント基板に貼り付けられた前記粘着テープを剥ぎ取る工程と，前記プリント基板の上下を反対にした後，前記半導体ペレット裏面と前記プリント基板裏面とが電気的に導通するように，塗布法により塗布ノズルを介して所定範囲に導電樹脂を塗布する工程と，前記導電樹脂の充填により形成された凸部を研磨により平坦にする工程と，を有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法が提供される。
【００１６】
本項記載の発明では，絶縁樹脂を塗布する面積を低減して半導体装置の全体面積も小さくすることができると共に，メタルマスクを使用せずに半導体ペレット裏面の配線を形成できるので，請求項３に記載の発明と比較して，低コストで製造できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の好適な実施の形態について，添付図面を参照しながら詳細に説明する。尚，以下の説明および添付図面において，同一の機能及び構成を有する構成要素については，同一符号を付することにより，重複説明を省略する。
【００１８】
まず，図１を参照しながら，樹脂封止型半導体装置の一例について説明する。図１は，一例としての樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【００１９】
まず，図１に示すように，プリント基板１０１の貫通孔１２０に半導体ペレット１０２が挿入されている。半導体ペレット１０２の表面は，プリント基板１０１との電気的導通を図るために金属ワイヤ１０３が接続されている。また，金属ワイヤ１０３及び半導体ペレット１０２の表面は，金属ワイヤ１０３及び半導体ペレット１０２を保護するため，絶縁樹脂１０４で封止されている。このとき，金属ワイヤの高さ１０６は，例えば略１５０〜２５０μｍであるので，絶縁樹脂が形成される高さ１０７は，例えば略１７０〜２７０μｍである。
【００２０】
一方，プリント基板１０１の裏面の開放部は，導電樹脂１０５により封止されている。この導電樹脂１０５を介して，プリント基板１０１と半導体ペレット１０２の裏面とが電気的に導通されるので，半導体ペレット１０２裏面電位を制御することができる。プリント基板１０１と比較して半導体ペレット１０２が薄い場合には，ワイヤボンド位置の認識できるようにするため，あるいは，金属ワイヤ１０３とプリント基板１０１の配線が電気的にショートしないように，半導体ペレット１０２を底上げする。このとき，プリント基板１０１の裏面に形成される導電樹脂１０５の凸部厚さ１０８は，メタルマスクを使用して印刷法で導電樹脂を形成した場合には，例えば略１００μｍである。
【００２１】
以上のように，図１に示した樹脂封止型半導体装置においては，半導体ペレットの裏面電位を制御することができると共に，プリント基板の貫通孔に半導体ペレットを挿入するので半導体装置の厚さは，従来構造の半導体装置と比較して例えば略２／３程度の厚さに低減することができる。
【００２２】
図１に示した樹脂封止型半導体装置では，半導体ペレット裏面とプリント基板とを導電樹脂を使用して電気的導通を図っているが，次に示す樹脂封止型半導体装置では銅箔を使用する。
【００２３】
以下，図２に基づいて，樹脂封止型半導体装置の他の例について説明する。図２は，樹脂封止型半導体装置の他の構成を示す断面図である。
【００２４】
まず，図２に示すように，プリント基板２０１の貫通孔２２０には，プリント基板２０１と略同一厚さの半導体ペレット２０２挿入されている。半導体ペレット２０２の表面は，プリント基板２０１との電気的導通を図るために金属ワイヤ２０３が接続されている。また，金属ワイヤ２０３及び半導体ペレット２０２の表面は，金属ワイヤ２０３及び半導体ペレット２０２を保護するため，絶縁樹脂２０４で封止されている。このとき，金属ワイヤの高さ２０６は，例えば略１５０〜２５０μｍであるので，絶縁樹脂が形成される高さ２０７は，例えば略１７０〜２７０μｍである。
【００２５】
一方，プリント基板２０１の裏面には，貫通孔２２０を覆うように銅箔２０９が装着されており，導電性接着剤２１０を介して，半導体ペレット２０２が接着されている。このように，半導体ペレット２０２の裏面は，銅箔２０９を介してプリント基板２０１と電気的に導通されるので，半導体ペレット２０２の裏面電位を制御することができる。なお，この銅箔２０９の厚さは，例えば略１０μｍである。
【００２６】
以上のように，図２に示した樹脂封止型半導体装置においては，半導体ペレットの裏面電位を制御することができると共に，プリント基板と半導体ペレットの厚さが略同一である場合には，プリント基板裏面に装着した銅箔上に，半導体ペレットを搭載するすることができるので半導体装置の厚さは，図１の例と比較して，例えば略９０μｍ程度の厚さを低減することができる。
【００２７】
（第１の実施の形態）
図２に示した樹脂封止型半導体装置では，半導体ペレット裏面とプリント基板とを銅箔を使用して電気的導通を図っているが，本実施形態では導電配線が形成されている導電性テープを使用する。
【００２８】
以下，図３に基づいて，第１の実施の形態を説明する。図３は，本実施形態にかかる樹脂封止型半導体装置の構成を示す断面図である。
【００２９】
プリント基板３０１の貫通孔３２０には，半導体ペレット３０２が挿入されている。半導体ペレット３０２の表面は，プリント基板３０１との電気的導通を図るために金属ワイヤ３０３が接続されている。
【００３０】
一方，半導体ペレット３０２の裏面は，導電配線が形成されている導電性テープ３１１が接着され，プリント基板３０１の表面と電気的に接続されている。また，金属ワイヤ３０３，半導体ペレット３０２，導電性テープ３１１を保護するため，金属ワイヤ３０３及び半導体ペレット３０２表面及び貫通孔３２０の内部は，絶縁樹脂３０４で封止されている。このとき，金属ワイヤの高さ３０６は，例えば略１５０〜２５０μｍであるので，絶縁樹脂３０４が形成される高さ３０７は，例えば略１７０〜２７０μｍである。
【００３１】
以上のように，第１の実施の形態においては，半導体ペレットの裏面電位を制御することができると共に，プリント基板の貫通孔に半導体ペレットを挿入し，半導体ペレットの裏面を導電性テープを介してプリント基板と電気的な導通を図っているので，半導体装置の厚さは，図２の例と比較して，例えば略１０μｍ程度薄くすることができる。また，接着剤をプリント基板上に塗布していないので，熱応力などにより半導体ペレットが接着剤から剥離することがなく，半導体ペレット裏面と電気的な導通を図ることができる。
【００３２】
（第２の実施の形態）
第１の実施の形態では，半導体ペレット裏面とプリント基板とを導電配線が形成されている導電性テープを使用して電気的導通を図っているが，本実施形態では半導体ペレットの表裏両面を導電性テープを使用してプリント基板と電気的な導通を図っている。
【００３３】
以下，図４に基づいて，第２の実施の形態を説明する。図４は，本実施形態にかかる樹脂封止型半導体装置の構成を示す断面図である。
【００３４】
プリント基板４０１の貫通孔４２０には，半導体ペレット４０２が挿入されており，半導体ペレット４０２の表面は，プリント基板４０１と電気的導通を図るため，導電配線が形成される導電性テープ４１１が貼り付けられている。
【００３５】
一方，半導体ペレット４０２の裏面は，導電配線が形成されている導電性テープ４１２が接着され，プリント基板４０１の表面と電気的に接続されている。また，半導体ペレット４０２，導電性テープ４１１，４１２を保護するため，半導体ペレット４０２表面及び貫通孔４２０の内部は，絶縁樹脂４０４で封止されている。このときの絶縁樹脂４０４の高さ４０７は，例えば略５０μｍである。
【００３６】
以上のように，第２の実施の形態においては，半導体ペレットの裏面電位を制御することができると共に，プリント基板の貫通孔に半導体ペレットを挿入し，半導体ペレットの表裏両面を導電性テープを介してプリント基板と電気的な導通を図っているので，半導体装置の厚さは，第１の実施の形態と比較して，例えば略１２０〜２２０μｍ程度薄くすることができる。また，接着剤をプリント基板上に塗布していないので，熱応力などにより接着剤から剥離することがなく，半導体ペレット裏面と電気的に導通を図ることができる。さらに，導電配線が形成される導電性テープを介して半導体ペレットとプリント基板の電気的導通を図っているので，導電配線が変形して隣接配線と電気的にショートすることはない。
【００３７】
（第３の実施の形態）
次いで，本実施形態にかかる半導体装置の製造方法について，図１に示した樹脂封止型半導体装置を例に，図５及び図６に基づいて説明する。図５及び図６は，本実施形態にかかる半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【００３８】
まず，図５（ａ）に示すように，プリント基板５０１の所定位置に貫通孔５２０を形成する。次いで，貫通孔５２０を覆うようにプリント基板５０１の裏面に粘着テープ５１２を貼り付ける。このとき，粘着テープ５１２の粘着面は，貫通孔５２０内部の方向となるように貼り付けられる。さらに，プリント基板５０１の貫通孔５２０に半導体ペレット５０２を挿入し，粘着テープ５１２に接着する。
【００３９】
次いで，図５（ｂ）に示すように，突起部５１４を有するステージ５１３を使用して，突起部５１４がプリント基板５０１の裏面から粘着テープ５１２に接着された半導体ペレット５０２を押し上げるように，貫通孔５２０内に挿入され，半導体ペレット５０２を底上げして所定高さの位置に固定される。
【００４０】
次いで，図５（ｃ）に示すように，半導体ペレット５０２の表面とプリント基板５０１との電気的導通を図るため，金属ワイヤ５０３を接続する。さらに，図５（ｄ）に示すように，金属ワイヤ５０３及び半導体ペレット５０２を覆うように絶縁樹脂５０４を塗布し硬化させる。その後，図５（ｅ）に示すように，ステージ５１３からプリント基板５０１を取り外し，さらにプリント基板５０１から粘着テープ５１２を取り除く。
【００４１】
次いで，図６（ａ）に示すように，プリント基板５０１の上下を反対にする。その後，図６（ｂ）に示すように，プリント基板５０１の裏面の所定位置にメタルマスク５１５を施した後，印刷法により，プリント基板５０１の裏面の開口部から，貫通孔５２０内部及びプリント基板５０１の裏面の所定範囲に導電樹脂５０７が塗布される。さらに，導電樹脂５０７が塗布されたメタルマスク５１５上面に沿ってスキージ５１６を移動して，必要以上に塗布された導電樹脂５０７を伸展して平坦にする。さらに，塗布された導電樹脂５０７を塗布し硬化させることにより，半導体ペレット５０２の裏面とプリント基板５０１とが電気的に導通される。
【００４２】
さらに，図６（ｃ）に示すように，プリント基板５０１からメタルマスク５１５を除去する。その後，図６（ｄ）に示すように，プリント基板の上下を元に戻して，本実施形態にかかる樹脂封止型半導体装置が完成する。
【００４３】
以上のように，第３の実施の形態によれば，絶縁接着剤を使用しないので，金属ワイヤのプリント基板への配線位置を半導体ペレットから例えば略０．３ｍｍ程度の位置で実行できるので，絶縁樹脂の塗布面積が小さくなる。この結果，半導体装置の面積を微小化することができる。
【００４４】
（第４の実施の形態）
第３の実施の形態においては，プリント基板裏面の導電樹脂を印刷法により塗布しているが，本実施形態では塗布ノズルを使用して塗布法により導電樹脂を塗布する方法について説明する。
【００４５】
以下，本実施形態にかかる半導体装置の製造方法について，図７に基づいて説明する。図７は，本実施形態にかかる半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図である。なお，図５（ａ）〜図６（ａ）までの工程は，第３の実施の形態と同様であるので，その説明は省略する。
【００４６】
まず，図７（ａ）に示すように，第３の実施の形態での図５（ａ）〜図６（ａ）に示す工程で形成されたプリント基板は，金属ワイヤ５０３および半導体ペレット５０２を覆うように絶縁樹脂５０４を塗布し硬化させる。
【００４７】
次いで，図７（ｂ）に示すように，塗布ノズル５１７により，プリント基板５０１の裏面の開口部から，貫通孔５２０内部及びプリント基板５０１の裏面の所定範囲に導電樹脂５０７が塗布される。さらに，塗布された導電樹脂５０７を硬化させることにより，半導体ペレット５０２の裏面とプリント基板５０１とが電気的に導通される。
【００４８】
最後に，図７（ｃ）に示すように，プリント基板５０１の裏面に必要以上に形成された導電樹脂５０７の凸部を，研磨機５１８により研削して，導電樹脂を平坦化する。また，図７（ｄ）に示すように，プリント基板の上下を元に戻して，本実施形態にかかる樹脂封止型半導体装置が完成する。
【００４９】
以上のように，第４の実施の形態によれば，絶縁接着剤を使用しないので，金属ワイヤのプリント基板への配線位置を半導体ペレットから例えば略０．３ｍｍ程度の位置で実行できるので，絶縁樹脂の塗布面積が小さくなる。この結果，半導体装置の面積を微小化することができる。さらに，第３の実施の形態と比較して，メタルマスクを使用しないので，製造コストの低減を図ることができる。
【００５０】
以上，本発明に係る好適な実施の形態について説明したが，本発明はかかる構成に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術思想の範囲内において，各種の修正例および変更例を想定し得るものであり，それらの修正例および変更例についても本発明の技術範囲に包含されるものと了解される。
【００５１】
例えば，上記図１に示した樹脂封止型半導体装置においては，プリント基板と比較して薄い半導体ペレットを使用した構成を例に挙げて説明したが，プリント基板と同等の厚さの半導体ペレットでも対応することができる。
【００５２】
また，例えば，上記第１の実施の形態及び第２の実施の形態においては，貫通孔を有するプリント基板を使用した構成を例に挙げて説明したが，貫通していない凹部溝であっても実施することができる。
【００５３】
また，例えば，上記第３の実施の形態及び第４の実施の形態では，突起形状のあるステージを使用した構成を例に挙げて説明したが，平坦なステージであっても実施することができる。
【００５４】
【発明の効果】
半導体ペレットの裏面電位を制御することができると共に，プリント基板の貫通孔に半導体ペレットを挿入して半導体ペレットの厚さが低減されるので，半導体装置の厚さを低減することができる。絶縁接着剤を使用せずに半導体ペレット表面とプリント基板とを配線できるので，絶縁樹脂を塗布する面積を低減することができる。この結果，半導体装置の全体面積も微小化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】樹脂封止型半導体装置の一例を示す断面図である。
【図２】樹脂封止型半導体装置の他の例を示す断面図である。
【図３】第１の実施の形態にかかる樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。
【図４】第２の実施の形態にかかる樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。
【図５】第３の実施の形態にかかる樹脂封止型半導体装置を示す製造工程を説明するための工程断面図である。
【図６】第３の実施の形態にかかる樹脂封止型半導体装置を示す製造工程を説明するための工程断面図である。
【図７】第４の実施の形態にかかる樹脂封止型半導体装置の製造工程を説明するための工程断面図である。
【図８】従来における樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。
【図９】従来における樹脂封止型半導体装置の製造工程を説明するための工程断面図である。
【符号の説明】
１０１  プリント基板
１０２  半導体ペレット
１０３  金属ワイヤ
１０４  絶縁樹脂
１０５  導電樹脂
１２０  貫通孔
２０９  銅箔
２１０  導電性接着剤
３１１  導電テープ
５０７  導電樹脂
５１０  導電性接着剤
５１２  粘着テープ
５１３  ステージ
５１４  突起部
５１５  メタルマスク
５１６  スキージ
５１７  塗布ノズル
５１８  研磨機
【図１】
0004147729.tif 000002
【図２】
0004147729.tif 000003
【図３】
0004147729.tif 000004
【図４】
0004147729.tif 000005
【図５】
0004147729.tif 000006
【図６】
0004147729.tif 000007
【図７】
0004147729.tif 000008
【図８】
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【図９】
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