【手続補正書】
【提出日】平成19年12月28日(2007.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に、下記一般式（１）で表される部分構造を有する有機金属錯体と、前記有機金属錯体よりもエネルギーギャップが大きい金属錯体又は芳香族アミンとを含む発光層を有することを特徴とする発光素子。
【化１】
2006073992.tif 000001
（式中、Ｒ1〜Ｒ5は水素、ハロゲン元素、アシル基、アルキル基、アルコキシル基、アリール基、シアノ基、複素環基のいずれかを表す。またＡｒは電子吸引性の置換基を有するアリール基または電子吸引性の置換基を有する複素環基を表す。また、Ｍは第９族元素または第１０族元素を表す。）
【請求項２】
一対の電極間に、下記一般式（２）で表される部分構造を有する有機金属錯体と、前記有機金属錯体よりもエネルギーギャップが大きい金属錯体又は芳香族アミンとを含む発光層を有することを特徴とする発光素子。
【化２】
2006073992.tif 000002
（式中、Ｒ1〜Ｒ9は水素、ハロゲン元素、アシル基、アルキル基、アルコキシル基、アリール基、シアノ基、複素環基のいずれかを表す。ただし、Ｒ6〜Ｒ9の少なくとも１つは、電子吸引性の置換基を表す。また、Ｍは第９族元素または第１０族元素を表す。）
【請求項３】
一対の電極間に、下記一般式（３）で表される部分構造を有する有機金属錯体と、前記有機金属錯体よりもエネルギーギャップが大きい金属錯体又は芳香族アミンとを含む発光層を有することを特徴とする発光素子。
【化３】
2006073992.tif 000003
（式中、Ｒ2〜Ｒ14は水素、ハロゲン元素、アシル基、アルキル基、アルコキシル基、アリール基、シアノ基、複素環基のいずれかを表す。また、Ｍは第９族元素または第１０族元素を表す。）
【請求項４】
一対の電極間に、下記一般式（４）で表される部分構造を有する有機金属錯体と、前記有機金属錯体よりもエネルギーギャップが大きい金属錯体又は芳香族アミンとを含む発光層を有することを特徴とする発光素子。
【化４】
2006073992.tif 000004
（式中、Ｒ15およびＲ16は水素、ハロゲン元素、アシル基、アルキル基、アルコキシル基、アリール基、シアノ基、複素環基のいずれかを表す。また、Ｍは第９族元素または第
１０族元素を表す。）
【請求項５】
一対の電極間に、下記一般式（４−１）で表される部分構造を有する有機金属錯体と、前記有機金属錯体よりもエネルギーギャップが大きい金属錯体又は芳香族アミンとを含む発光層を有することを特徴とする発光素子。
【化５】
2006073992.tif 000005
（式中、Ｒ15およびＲ16は水素、ハロゲン元素、アシル基、アルキル基、アルコキシル基、アリール基、シアノ基、複素環基のいずれかを表す。また、Ｍは第９族元素または第１０族元素を表す。）
【請求項６】
一対の電極間に、下記構造式（４−２）で表される部分構造を有する有機金属錯体と、前記有機金属錯体よりもエネルギーギャップが大きい金属錯体又は芳香族アミンとを含む発光層を有することを特徴とする発光素子。
【化６】
2006073992.tif 000006
（式中、Ｍは第９族元素または第１０族元素を表す。）
【請求項７】
一対の電極間に、下記構造式（４−３）で表される部分構造を有する有機金属錯体と、前記有機金属錯体よりもエネルギーギャップが大きい金属錯体又は芳香族アミンとを含む発光層を有することを特徴とする発光素子。
【化７】
2006073992.tif 000007
（式中、Ｍは第９族元素または第１０族元素を表す。）
【請求項８】
一対の電極間に、下記一般式（５）で表される有機金属錯体と、前記有機金属錯体よりもエネルギーギャップが大きい金属錯体又は芳香族アミンとを含む発光層を有することを特徴とする発光素子。
【化８】
2006073992.tif 000008
（式中、Ｒ1〜Ｒ5は水素、ハロゲン元素、アシル基、アルキル基、アルコキシル基、アリール基、シアノ基、複素環基のいずれかを表す。またＡｒは電子吸引性の置換基を有するアリール基または電子吸引性の置換基を有する複素環基を表す。また、Ｍは第９族元素または第１０族元素を表し、前記Ｍが第９族元素の場合はｎ＝２、第１０族元素の場合はｎ＝１となる。Ｌはアニオン性の配位子を表す。）
【請求項９】
一対の電極間に、下記一般式（６）で表される有機金属錯体と、前記有機金属錯体よりもエネルギーギャップが大きい金属錯体又は芳香族アミンとを含む発光層を有することを特徴とする発光素子。
【化９】
2006073992.tif 000009
（式中、Ｒ1〜Ｒ9は水素、ハロゲン元素、アシル基、アルキル基、アルコキシル基、アリール基、シアノ基、複素環基のいずれかを表す。ただし、Ｒ6〜Ｒ9の少なくとも１つは、電子吸引性の置換基を表す。また、Ｍは第９族元素または第１０族元素を表し、前記Ｍが第９族元素の場合はｎ＝２、第１０族元素の場合はｎ＝１となる。Ｌはアニオン性の配位子を表す。）
【請求項１０】
一対の電極間に、下記一般式（７）で表される有機金属錯体と、前記有機金属錯体よりもエネルギーギャップが大きい金属錯体又は芳香族アミンとを含む発光層を有することを特徴とする発光素子。
【化１０】
2006073992.tif 000010
（式中、Ｒ2〜Ｒ14は水素、ハロゲン元素、アシル基、アルキル基、アルコキシル基、アリール基、シアノ基、複素環基のいずれかを表す。また、Ｍは第９族元素または第１０族元素を表し、前記Ｍが第９族元素の場合はｎ＝２、第１０族元素の場合はｎ＝１となる。Ｌはアニオン性の配位子を表す。）
【請求項１１】
一対の電極間に、下記一般式（８）で表される有機金属錯体と、前記有機金属錯体よりもエネルギーギャップが大きい金属錯体又は芳香族アミンとを含む発光層を有することを特徴とする発光素子。
【化１１】
2006073992.tif 000011
（式中、Ｒ15およびＲ16は水素、ハロゲン元素、アシル基、アルキル基、アルコキシル基、アリール基、シアノ基、複素環基のいずれかを表す。また、Ｍは第９族元素または第１０族元素を表し、前記Ｍが第９族元素の場合はｎ＝２、第１０族元素の場合はｎ＝１となる。Ｌはアニオン性の配位子を表す。）
【請求項１２】
一対の電極間に、下記一般式（８−１）で表される有機金属錯体と、前記有機金属錯体よりもエネルギーギャップが大きい金属錯体又は芳香族アミンとを含む発光層を有することを特徴とする発光素子。
【化１２】
2006073992.tif 000012
（式中、Ｒ15およびＲ16は水素、ハロゲン元素、アシル基、アルキル基、アルコキシル基、アリール基、シアノ基、複素環基のいずれかを表す。また、Ｍは第９族元素または第１０族元素を表し、前記Ｍが第９族元素の場合はｎ＝２、第１０族元素の場合はｎ＝１となる。Ｌはアニオン性の配位子を表す。）
【請求項１３】
一対の電極間に、下記構造式（８−２）で表される有機金属錯体と、前記有機金属錯体よりもエネルギーギャップが大きい金属錯体又は芳香族アミンとを含む発光層を有することを特徴とする発光素子。
【化１３】
2006073992.tif 000013
（式中、Ｍは第９族元素または第１０族元素を表し、前記Ｍが第９族元素の場合はｎ＝２、第１０族元素の場合はｎ＝１となる。Ｌはアニオン性の配位子を表す。）
【請求項１４】
一対の電極間に、下記構造式（８−３）で表される有機金属錯体と、前記有機金属錯体よりもエネルギーギャップが大きい金属錯体又は芳香族アミンとを含む発光層を有することを特徴とする発光素子。
【化１４】
2006073992.tif 000014
（式中、Ｍは第９族元素または第１０族元素を表し、前記Ｍが第９族元素の場合はｎ＝２、第１０族元素の場合はｎ＝１となる。Ｌはアニオン性の配位子を表す。）
【請求項１５】
一対の電極間に、下記一般式（１）で表される部分構造を有する有機金属錯体と、前記有機金属錯体よりもエネルギーギャップが大きい金属錯体及び芳香族アミンとを含む発光層を有することを特徴とする発光素子。
【化１５】
2006073992.tif 000015
（式中、Ｒ1〜Ｒ5は水素、ハロゲン元素、アシル基、アルキル基、アルコキシル基、アリール基、シアノ基、複素環基のいずれかを表す。またＡｒは電子吸引性の置換基を有するアリール基または電子吸引性の置換基を有する複素環基を表す。また、Ｍは第９族元素または第１０族元素を表す。）
【請求項１６】
一対の電極間に、下記一般式（２）で表される部分構造を有する有機金属錯体と、前記有機金属錯体よりもエネルギーギャップが大きい金属錯体及び芳香族アミンとを含む発光層を有することを特徴とする発光素子。
【化１６】
2006073992.tif 000016
（式中、Ｒ1〜Ｒ9は水素、ハロゲン元素、アシル基、アルキル基、アルコキシル基、アリール基、シアノ基、複素環基のいずれかを表す。ただし、Ｒ6〜Ｒ9の少なくとも１つは、電子吸引性の置換基を表す。また、Ｍは第９族元素または第１０族元素を表す。）
【請求項１７】
一対の電極間に、下記一般式（３）で表される部分構造を有する有機金属錯体と、前記有機金属錯体よりもエネルギーギャップが大きい金属錯体及び芳香族アミンとを含む発光層を有することを特徴とする発光素子。
【化１７】
2006073992.tif 000017
（式中、Ｒ2〜Ｒ14は水素、ハロゲン元素、アシル基、アルキル基、アルコキシル基、アリール基、シアノ基、複素環基のいずれかを表す。また、Ｍは第９族元素または第１０族元素を表す。）
【請求項１８】
一対の電極間に、下記一般式（４）で表される部分構造を有する有機金属錯体と、前記有機金属錯体よりもエネルギーギャップが大きい金属錯体及び芳香族アミンとを含む発光層を有することを特徴とする発光素子。
【化１８】
2006073992.tif 000018
（式中、Ｒ15およびＲ16は水素、ハロゲン元素、アシル基、アルキル基、アルコキシル基、アリール基、シアノ基、複素環基のいずれかを表す。また、Ｍは第９族元素または第１０族元素を表す。）
【請求項１９】
一対の電極間に、下記一般式（４−１）で表される部分構造を有する有機金属錯体と、前記有機金属錯体よりもエネルギーギャップが大きい金属錯体及び芳香族アミンとを含む発光層を有することを特徴とする発光素子。
【化１９】
2006073992.tif 000019
（式中、Ｒ15およびＲ16は水素、ハロゲン元素、アシル基、アルキル基、アルコキシル基、アリール基、シアノ基、複素環基のいずれかを表す。また、Ｍは第９族元素または第１０族元素を表す。）
【請求項２０】
一対の電極間に、下記構造式（４−２）で表される部分構造を有する有機金属錯体と、前記有機金属錯体よりもエネルギーギャップが大きい金属錯体及び芳香族アミンとを含む発光層を有することを特徴とする発光素子。
【化２０】
2006073992.tif 000020
（式中、Ｍは第９族元素または第１０族元素を表す。）
【請求項２１】
一対の電極間に、下記構造式（４−３）で表される部分構造を有する有機金属錯体と、前記有機金属錯体よりもエネルギーギャップが大きい金属錯体及び芳香族アミンとを含む発光層を有することを特徴とする発光素子。
【化２１】
2006073992.tif 000021
（式中、Ｍは第９族元素または第１０族元素を表す。）
【請求項２２】
一対の電極間に、下記一般式（５）で表される有機金属錯体と、前記有機金属錯体よりもエネルギーギャップが大きい金属錯体及び芳香族アミンとを含む発光層を有することを特徴とする発光素子。
【化２２】
2006073992.tif 000022
（式中、Ｒ1〜Ｒ5は水素、ハロゲン元素、アシル基、アルキル基、アルコキシル基、アリール基、シアノ基、複素環基のいずれかを表す。またＡｒは電子吸引性の置換基を有するアリール基または電子吸引性の置換基を有する複素環基を表す。また、Ｍは第９族元素または第１０族元素を表し、前記Ｍが第９族元素の場合はｎ＝２、第１０族元素の場合はｎ＝１となる。Ｌはアニオン性の配位子を表す。）
【請求項２３】
一対の電極間に、下記一般式（６）で表される有機金属錯体と、前記有機金属錯体よりもエネルギーギャップが大きい金属錯体及び芳香族アミンとを含む発光層を有することを特徴とする発光素子。
【化２３】
2006073992.tif 000023
（式中、Ｒ1〜Ｒ9は水素、ハロゲン元素、アシル基、アルキル基、アルコキシル基、アリール基、シアノ基、複素環基のいずれかを表す。ただし、Ｒ6〜Ｒ9の少なくとも１つは、電子吸引性の置換基を表す。また、Ｍは第９族元素または第１０族元素を表し、前記Ｍが第９族元素の場合はｎ＝２、第１０族元素の場合はｎ＝１となる。Ｌはアニオン性の配位子を表す。）
【請求項２４】
一対の電極間に、下記一般式（７）で表される有機金属錯体と、前記有機金属錯体よりもエネルギーギャップが大きい金属錯体及び芳香族アミンとを含む発光層を有することを特徴とする発光素子。
【化２４】
2006073992.tif 000024
（式中、Ｒ2〜Ｒ14は水素、ハロゲン元素、アシル基、アルキル基、アルコキシル基、アリール基、シアノ基、複素環基のいずれかを表す。また、Ｍは第９族元素または第１０族元素を表し、前記Ｍが第９族元素の場合はｎ＝２、第１０族元素の場合はｎ＝１となる。Ｌはアニオン性の配位子を表す。）
【請求項２５】
一対の電極間に、下記一般式（８）で表される有機金属錯体と、前記有機金属錯体よりもエネルギーギャップが大きい金属錯体及び芳香族アミンとを含む発光層を有することを特徴とする発光素子。
【化２５】
2006073992.tif 000025
（式中、Ｒ15およびＲ16は水素、ハロゲン元素、アシル基、アルキル基、アルコキシル基、アリール基、シアノ基、複素環基のいずれかを表す。また、Ｍは第９族元素または第１０族元素を表し、前記Ｍが第９族元素の場合はｎ＝２、第１０族元素の場合はｎ＝１となる。Ｌはアニオン性の配位子を表す。）
【請求項２６】
一対の電極間に、下記一般式（８−１）で表される有機金属錯体と、前記有機金属錯体よりもエネルギーギャップが大きい金属錯体及び芳香族アミンとを含む発光層を有することを特徴とする発光素子。
【化２６】
2006073992.tif 000026
（式中、Ｒ15およびＲ16は水素、ハロゲン元素、アシル基、アルキル基、アルコキシル基、アリール基、シアノ基、複素環基のいずれかを表す。また、Ｍは第９族元素または第１０族元素を表し、前記Ｍが第９族元素の場合はｎ＝２、第１０族元素の場合はｎ＝１となる。Ｌはアニオン性の配位子を表す。）
【請求項２７】
一対の電極間に、下記構造式（８−２）で表される有機金属錯体と、前記有機金属錯体よりもエネルギーギャップが大きい金属錯体及び芳香族アミンとを含む発光層を有することを特徴とする発光素子。
【化２７】
2006073992.tif 000027
（式中、Ｍは第９族元素または第１０族元素を表し、前記Ｍが第９族元素の場合はｎ＝２、第１０族元素の場合はｎ＝１となる。Ｌはアニオン性の配位子を表す。）
【請求項２８】
一対の電極間に、下記構造式（８−３）で表される有機金属錯体と、前記有機金属錯体よりもエネルギーギャップが大きい金属錯体及び芳香族アミンとを含む発光層を有することを特徴とする発光素子。
【化２８】
2006073992.tif 000028
（式中、Ｍは第９族元素または第１０族元素を表し、前記Ｍが第９族元素の場合はｎ＝２、第１０族元素の場合はｎ＝１となる。Ｌはアニオン性の配位子を表す。）
【請求項２９】
請求項８乃至１４、２２乃至２８のいずれか１項に記載の発光素子において、
前記アニオン性の配位子Ｌが、ベータジケトン構造を有するアニオン性の配位子、カルボキシル基を有するアニオン性の二座配位子またはフェノ−ル性水酸基を有するアニオン
性の二座配位子であることを特徴とする発光素子。
【請求項３０】
請求項８乃至１４、２２乃至２８のいずれか１項に記載の発光素子において、
前記アニオン性の配位子Ｌが、下記式（９）〜（１５）のいずれかで表される配位子であることを特徴とする発光素子。
【化２９】
2006073992.tif 000029
【請求項３１】
請求項１乃至３０のいずれか１項において、
前記金属錯体及び前記芳香族アミンは、前記有機金属錯体よりもイオン化ポテンシャルが大きく、電子親和力が小さいことを特徴とする発光素子。
【請求項３２】
請求項１乃至３１のいずれか１項において、
前記金属錯体はトリス（８−キノリノラト）アルミニウムであり、
前記芳香族アミンは４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルであることを特徴とする発光素子。
【請求項３３】
請求項１乃至３２のいずれか１項において、
ホール注入層、ホール輸送層、ホールブロッキング層、電子輸送層、電子注入層の中の少なくとも１つの層をさらに有することを特徴とする発光素子。
【請求項３４】
請求項１乃至３３のいずれか１項に記載の発光素子を用いた発光装置。