Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月1日(2008.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
近時、例えば、携帯電話等に使用されるコネクタ等の成形品の微細化や精密化の要求はますます厳しくなっている。本願出願人は、このような成形には、射出シリンダから可塑化シリンダへの成形材料の逆流を、可塑化スクリュの前進又は後退動作による直接的な閉鎖動作によって防止するプリプラ式射出装置が最適であると確信している。このようなプリプラ式射出装置は、インラインスクリュ式のスクリュヘッドに装着されたチェックリングのような受動的な逆流防止機構を有しないので、計量から射出に切り替わる際の逆流の防止を正確なタイミングで確実に行うことができ、射出容量の変動を発生させないからである。その上、この射出装置は、可塑化シリンダの可塑化室と射出シリンダの射出室とをそれぞれの前端で連通することによって、成形材料の滞留を最小限に抑えるからである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
以下、本発明のプリプラ式射出成形機の射出装置１がより具体的な一実施例によって説明される。射出装置１の可塑化シリンダ２には、代表的には、図示省略されたホッパから供給された成形材料を可塑化スクリュ３によって可塑化する可塑化装置が採用される。ただし、この可塑化装置では、スクリュ３が逆流を防止することがないことからその進退装置が備えられておらず、回転装置だけが備えられている。この回転装置は、従来の装置と同じであるから図示省略されている。シリンダ２の外周は、従来どおりに図示省略された加熱ヒータによって加熱される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
なお、本発明の可塑化装置は、可塑化スクリュ３で可塑化する装置に限定されず、例えば、トーピード（図示省略）で可塑化する可塑化装置であっても良い。また、本発明の可塑化装置は、液状樹脂を混合して供給する液状樹脂成形機の供給装置（図示省略）等の、反応成形装置の供給装置であっても良い。本発明の可塑化装置は、単に溶融材料を計量の度に供給することができればどのような装置であっても良い。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
止まり溝６ｂは、図２により詳細に示されるように、プランジャヘッド部６ａの外周の先端から後方に向かって所定長さに２本形成され、軸心に関して対称な１８０度の位置に配置される。それらの溝６ｂは、例えば略円錐台の断面の形状に加工される。また、それらの溝６ｂは、略半球端面のボールエンドミルによって、その加工深さがその半球の半径ないしは直径に略等しいように加工されたものであっても良い。何れにあっても２本の溝の形状は全く同じ形状に形成される。上記連通路４ａの開口孔４ｂの絞られた内径は、このような溝６ｂの幅寸法に合わされる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
以上のような射出装置１は、例えば理論射出容量が１ｃｃである場合に、プランジャ外径が８ｍｍ、最大プランジャストロークが２０ｍｍに設計される。また、可塑化スクリュの外径が１４ｍｍに設計される。そして、止まり溝６ｂの幅が２ｍｍ程度に、その長さが２０ｍｍ程度に形成される。また、開口孔４ｂの内径は、１．５ｍｍ程度である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
プランジャ６の回動装置１２の回転駆動装置１５は、例えばステッピングモータなどで構成されて前記射出駆動装置の出力軸９に固定されたブラケット１６に取り付けられる。そして、その出力軸に例えば平歯車である回転伝達要素１７が固定される。また、前記２個の軸受１３と１４の間のプランジャ軸部に例えばもう一つの平歯車である回転被伝達要素１８が固定される。回転伝達要素１７と回転被伝達要素１８は歯合して、回転駆動装置１５の回転をプランジャ６に伝達する。したがって、回転伝達要素１７と回転被伝達要素１８との組み合わせはプーリとタイミングベルトから構成されるもの等であっても良い。これらは、射出シリンダ５と駆動装置とを接続する接続部材８中の空間及びその接続部材８の開口部にコンパクトに収容される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
プランジャ６が所定量後退して計量が完了すると、射出がそのタイミングに至るまで待機される。やがてそのタイミングに至ると、その直前にプランジャ６が回動して止まり溝６ｂが開口孔４ｂから遮断されて逆流が防止される。このとき、止まり溝６ｂの中の溶融材料は、溝と共に回動するだけで連通路の中で移動することはない。それで、溶融材料の逆流が正確なタイミングで確実に防止され、その結果、射出容積が安定して射出が正確になる。そして、この状態でプランジャ６が前進して射出が行われる。このとき、止まり溝６ｂの中に押し込まれた溶融材料に伝達された射出圧力は、止まり溝６ｂがプランジャ軸の中心に全く対称に形成されているのでプランジャ６に如何なる偏荷重をも発生させない。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月12日(2008.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】ゴム質重合体により強化されたスチレン系共重合体の樹脂組成物において、該樹脂組成物中に含まれるアセトン可溶性樹脂成分は、芳香族ビニル系単量体（ａ１）５〜７０重量％、不飽和カルボン酸アルキルエステル系単量体（ａ２）３０〜９５重量％、シアン化ビニル系単量体（ａ３）０〜５０重量％及びこれらと共重合可能な他の単量体（ａ４）０〜５０重量％からなる単量体組成を有するものであり、かつ、アセトン可溶性樹脂成分の酸価が０．０１〜１ｍｇＫＯＨ／ｇであることを特徴とするゴム強化スチレン系透明樹脂組成物。
【請求項２】アセトン可溶性樹脂成分を構成する芳香族ビニル系単量体（ａ１）と不飽和カルボン酸アルキルエステル系単量体（ａ２）との重量比（φST ／φMMA ）の組成分布において、その重量比（φST ／φMMA ）の平均値の０．７５〜１．２倍の範囲内に、アセトン可溶性樹脂成分の８０重量％以上の部分が含まれる請求項１記載のゴム強化スチレン系透明樹脂組成物。
【請求項３】ゴム質重合体の屈折率とアセトン可溶性樹脂成分の屈折率との差が０．０３以内である請求項１又は２に記載のゴム強化スチレン系透明樹脂組成物。
【請求項４】ビニル系単量体混合物（ａ）を共重合してなる共重合体（Ａ）１０〜９５重量部、および、ゴム質重合体（ｂ）の存在下にビニル系単量体混合物（ｃ）をグラフト重合してなるゴム質含有グラフト共重合体（Ｂ）９０〜５重量部からなる請求項１〜３のいずれかに記載のゴム強化スチレン系透明樹脂組成物。
【請求項５】ビニル系単量体混合物（ａ）および／またはビニル系単量体混合物（ｃ）の酸価が０．０１ｍｇＫＯＨ／ｇ未満である請求項４記載のゴム強化スチレン系透明樹脂組成物。
【請求項６】ビニル系単量体混合物（ａ）及びビニル系単量体混合物（ｃ）が、芳香族ビニル系単量体（ａ１）５〜７０重量％、不飽和カルボン酸アルキルエステル系単量体（ａ２）３０〜９５重量％、シアン化ビニル系単量体（ａ３）０〜５０重量％およびこれらと共重合可能な他の単量体（ａ４）０〜５０重量％からなり、かつ、不飽和カルボン酸系単量体（但し不飽和カルボン酸アルキルエステル系単量体（ａ２）を除く）（ａ５）を実質的に含有しない単量体混合物である請求項４または５記載のゴム強化スチレン系透明樹脂組成物。
【請求項７】共重合体（Ａ）とゴム質含有グラフト共重合体（Ｂ）とを溶融混合することにより請求項４〜６のいずれかに記載のゴム強化スチレン系透明樹脂組成物を製造する方法において、共重合体（Ａ）との混合時に、ゴム質含有グラフト共重合体（Ｂ）が乳化剤を０．１〜５重量％含有することを特徴とするゴム強化スチレン系透明樹脂組成物の製造方法。
【請求項８】共重合体（Ａ）との混合時に、ゴム質含有グラフト共重合体（Ｂ）の水分率が０．１重量％以上、５重量％未満である請求項７記載のゴム強化スチレン系透明樹脂組成物の製造方法。
【請求項９】ビニル系単量体混合物（ａ）を連続塊状重合または連続溶液重合することにより共重合体（Ａ）を製造し、続いて溶融状態の共重合体（Ａ）に、ゴム質含有グラフト共重合体（Ｂ）を添加し、溶融混合する方法によりゴム強化スチレン系樹脂組成物を連続的に製造する請求項７又は８記載のゴム強化スチレン系透明樹脂組成物の製造方法。
【請求項１０】ビニル系単量体混合物（ａ）の重合に続いて脱モノマーを行うことにより共重合体（Ａ）を製造する工程における脱モノマー工程の途中もしくは脱モノマー工程の後、溶融状態の共重合体（Ａ）に、ゴム質含有グラフト共重合体（Ｂ）を添加する請求項９記載のゴム強化スチレン系透明樹脂組成物の製造方法。
【請求項１１】ゴム質含有グラフト共重合体（Ｂ）が添加される時の共重合体（Ａ）中の残存モノマー量が１０重量％以下である請求項７〜１０のいずれかに記載のゴム強化スチレン系透明樹脂組成物の製造方法。
【請求項１２】 共重合体（Ａ）に添加される時のゴム質含有グラフト共重合体（Ｂ）が半溶融もしくは溶融状態である請求項８〜１２のいずれかに記載のゴム強化スチレン系透明樹脂組成物の製造方法。
【請求項１３】 共重合体（Ａ）とゴム質含有グラフト共重合体（Ｂ）を混合し溶融混練する工程の途中で、水を、ゴム強化スチレン系透明樹脂組成物に対して０．１〜５重量％の量添加する請求項７〜１２のいずれかに記載のゴム強化スチレン系透明樹脂組成物の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月11日(2008.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  繊維材料用の調節式練条機で調節開始点に対する調整値を直接求めるための装置であって、スライバのドラフトを調整できる練条機の制御装置が、スライバのドラフトを変化させるために少なくとも１つの予備制御装置を有しており、ドラフトされたスライバに基づいて品質を特徴づける値の複数の測定値を記録でき、しかもこれらの測定値を、練条機を制御するための最適な調節開始点を与える最小値を有する関数を求めるために取り出すことができ、最適化された調節開始点を練条機の運転前の試験運転または調整運転で求めることができるようにしたものにおいて、ドラフトされたスライバ（５''' ）に基づいて品質を特徴づける少なくとも２つの値の複数の測定値を記録でき、スライバ（５''' ）における品質を特徴づける値の、調節開始点（Ｒ）を基準にして互いに対応する測定値が１つの品質特性係数（ＱＫ）にまとめることができ、さらに複数の品質特性係数（ＱＫ）に基づいて最小値が最適な調節開始点（Ｒｏｐｔ）を与える関数を求め得ることを特徴とする装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】  ドラフトされていないスライバ（５）に基づいて、品質を特徴づける少なくとも１つの値の複数の測定値を記録できることを特徴とする請求項１記載の装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】  品質を特徴づける値と調節開始点との間の関数が、ドラフトされていないスライバ（５）およびドラフトされたスライバ（５'''）における測定値から求め得ることを特徴とする請求項１または２記載の装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】  最適化された調節開始点（Ｒｏｐｔ）が運転中に変わらないことを特徴とする請求項１から４までのいずれか１項記載の装置。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】  ドラフトされたスライバの、品質を特徴づける少なくとも２種類の値が用いられることを特徴とする請求項１から５までのいずれか１項記載の装置。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】  ドラフトされていないスライバ（５）の、品質を特徴づける少なくとも１種類の値が用いられることを特徴とする請求項１から６までのいずれか１項記載の装置。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】  品質を特徴づける種々の値が種々の測定長さでのＣＶ値であることを特徴とする請求項１から７までのいずれか１項記載の装置。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】  ドラフトされていないスライバ（５）の、品質を特徴づける少なくとも１つの値が、入口測定部材（６、９）内で測定されることを特徴とする請求項１から１３までのいずれか１項記載の装置。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】  ドラフトされたスライバ（５''' ）の、品質を特徴づける少なくとも１つの値が、出口測定部材（１７、２５）内で測定されることを特徴とする請求項１から１５までのいずれか１項記載の装置。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】  測定値が少なくとも一部は、互いに異なる距離を有していることを特徴とする請求項１から１７までのいずれか１項記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月2日(2008.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  処理容器内に被処理基板を配置する工程と、処理容器内にＳｉ含有ガスを供給して前記基板に前処理を施す前処理工程と、引き続き処理容器に成膜ガスを供給して成膜処理を行う成膜工程とを具備する成膜方法であって、
前記前処理工程は、Ｓｉ含有ガス分圧を５０Ｐａ以上にして行うことを特徴とする成膜方法。
【請求項２】  前記前処理工程に先立って前記基板を加熱する予備加熱工程をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の成膜方法。
【請求項３】  処理容器内に被処理基板を配置する工程と、前記基板を加熱する予備加熱工程と、その後処理容器内にＳｉ含有ガスを供給して前記基板に前処理を施す前処理工程と、引き続き処理容器に成膜ガスを供給して成膜処理を行う成膜工程とを具備する成膜方法であって、
前記前処理工程は、Ｓｉ含有ガス分圧を３０Ｐａ以上にして行うことを特徴とする成膜方法。
【請求項４】  処理容器内に被処理基板を配置する工程と、処理容器内にＳｉ含有ガスを供給して前記基板に前処理を施す前処理工程と、引き続き処理容器に成膜ガスを供給して成膜処理を行う成膜工程とを具備する成膜方法であって、
前記前処理工程は、Ｓｉ含有ガス分圧を１００Ｐａ以上にして行うことを特徴とする成膜方法。
【請求項５】  処理容器内に被処理基板を配置する工程と、前記基板を加熱する予備加熱工程と、その後処理容器内にＳｉ含有ガスを供給して前記基板に前処理を施す前処理工程と、引き続き処理容器に成膜ガスを供給して成膜処理を行う成膜工程とを具備する成膜方法であって、
前記前処理工程は、Ｓｉ含有ガス分圧を１００Ｐａ以上にして行うことを特徴とする成膜方法。
【請求項６】  前記前処理工程は、４０ｓｅｃ以上実施されることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の成膜方法。
【請求項７】  前記前処理工程は、Ｓｉ含有ガスの流量を４×１０-2Ｌ／ｍｉｎ以上で導入して行うことを特徴とする請求項１から請求項６のいず１れか１項に記載の成膜方法。
【請求項８】  前記成膜工程によりＷ薄膜が成膜されることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の成膜方法。
【請求項９】  前記被処理基板は、表面にＴｉＮ薄膜が形成されていることを特徴とする請求項８に記載の成膜方法。
【請求項１０】  前記前処理工程は、処理容器内の全圧を５３３〜１０６６６Ｐａにして行うことを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の成膜方法。
【請求項１１】  前記Ｓｉ含有ガスは、ＳｉＨ４ガス、Ｓｉ２Ｈ６ガスおよびＳｉＣｌ２Ｈ２ガスから選択さるガスであることを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の成膜方法。
【請求項１２】  前記前処理工程は、ＳｉＨｘを吸着させることを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の成膜方法。
【請求項１３】  前記前処理工程は、さらにＨ２ガスを供給することを特徴とする請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の成膜方法。
【請求項１４】  前記前処理工程は、基板を加熱して行われることを特徴とする請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の成膜方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
これら第１から第４の発明において、前記前処理工程が、Ｓｉ含有ガスの流量を４×１０-2Ｌ／ｍｉｎ以上で導入して行われることにより、上記Ｓｉ含有ガス分圧を達成しやすくなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、上記第１から第４の発明において、前記成膜工程により成膜される薄膜としてはＷ薄膜を挙げることができ、このようにＷ薄膜を形成する場合に、前記成膜工程として、核形成を行う核形成工程と、引き続き行われる本成膜工程とを有するものを採用することができる。また、前記被処理基板は、その表面にＷ薄膜の下地としてＴｉＮ薄膜が形成されているものが好ましい。さらに、前記Ｓｉ含有ガスは、ＳｉＨ４ガス、Ｓｉ２Ｈ６ガスおよびＳｉＣｌ２Ｈ２ガスから選択さるガスであることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記第１から第４の発明において、前記前処理工程は、処理容器内の全圧を５３３〜１０６６６Ｐａにして行うことができる。また、前記前処理工程は、ＳｉＨｘを吸着させるものとすることができる。さらに、前記前処理工程は、さらにＨ２ガスを供給することができる。さらにまた、前記前処理工程は、基板を加熱して行われることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月19日(2008.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】  【請求項１】  ａ）潤滑粘性の基油、  ｂ）次式【化１】2002105481.tif 000001
（式中、Ｒ1は分枝鎖の炭素原子数８ないし２２のアルキル基を表わす。）で表わされるフェノールの少なくとも一種、  ｃ）次式【化２】2002105481.tif 000002
（式中、Ｒ1およびＲ2は水素原子を表すか、または一緒になって次式【化３】2002105481.tif 000003
で表わされる基を表わし、そしてＲ3およびＲ3’の一方は水素原子を表わし、かつ他方は炭素原子数２ないし３０のアルキル基を表わすか、またはＲ3およびＲ3’の両方は炭素原子数２ないし３０のアルキル基を表わす。）で表わされる芳香族アミンの少なくとも一種、ならびに  ｄ）次式【化４】2002105481.tif 000004
（式中、Ｒ1およびＲ2は直鎖の、または分枝鎖の炭素原子数３ないし２０のアルキル基を表わす。）で表わされるジチオリン酸亜鉛の少なくとも一種からなる組成物。【請求項２】  ａ）エンジンオイル、ギア液または圧媒液に使用される潤滑粘性の基油、  ｂ）式（Ｉ）（式中、Ｒ1は分枝鎖の炭素原子数８ないし１８のアルキル基を表わす。）で表わされるフェノールの少なくとも一種、  ｃ）次式【化５】2002105481.tif 000005
（式中、Ｒ1およびＲ2は水素原子を表すか、または一緒になって次式【化６】2002105481.tif 000006
で表わされる基を表わし、そしてＲ3およびＲ3’の一方は水素原子を表わし、かつ他方は炭素原子数２ないし１８のアルキル基を表わすか、またはＲ3およびＲ3’の両方は炭素原子数２ないし１８のアルキル基を表わす。）で表わされる芳香族アミンの少なくとも一種、  ｄ）式（ＩＩＩ）（式中、Ｒ1およびＲ2は、イソプロピル基、第二ブチル基および第三ブチル基からなる群から選択された分枝鎖の炭素原子数３ないし１８のアルキル基を表わす。）で表わされるジチオリン酸亜鉛の少なくとも一種、ならびに  ｅ）慣用のオイル添加剤の少なくとも一種からなる請求項１記載の組成物。【請求項３】  ａ）エンジンオイル、ギア液または圧媒液に使用される潤滑粘性の基油、  ｂ）式（Ｉ）（式中、Ｒ1は、３，４−、３，５−または４，５−ジメチル−１−ヘキシル基および３−または５−メチル−１−ヘプチル基、あるいは側鎖が炭素鎖の２位に結合している、８より多い炭素原子を有する分枝鎖のアルキル基であって、２−ｎ−ブチル−ｎ−オクチル基、２−ｎ−ヘキシル−ｎ−デシル基および２−ｎ−オクチル−ｎ−ドデシル基からなる群から選択されたものからなる群から選択されたイソオクチル型からなる。）で表わされるフェノールの少なくとも一種、  ｃ）式（ＩＩ’）（式中、Ｒ1およびＲ2は水素原子を表すか、または一緒になって式（Ａ）で表わされる基を表わし、そしてＲ3およびＲ3’の一方は水素原子を表わし、かつ他方はイソブチレンの二量体から得られる分枝鎖のオクチル基、トリプロピレンの三量体から得られる分枝鎖のノニル基、イソブチレンの三量体もしくはプロピレンの四量体から得られる分枝鎖のドデシル基、またはプロピレンの五量体から得られる分枝鎖のペンタデシル基を表わすか、あるいはＲ3およびＲ3’の両方はイソブチレンの二量体から得られる分枝鎖のオクチル基、トリプロピレンの三量体から得られる分枝鎖のノニル基、イソブチレンの三量体もしくはプロピレンの四量体から得られる分枝鎖のドデシル基、またはプロピレンの五量体から得られる分枝鎖のペンタデシル基を表わす。）で表わされる芳香族アミンの少なくとも一種、  ｄ）式（ＩＩＩ）（式中、Ｒ1およびＲ2は、イソプロピル基、第二ブチル基および第三ブチル基からなる群から選択された分枝鎖の炭素原子数３ないし１８のアルキル基を表わす。）で表わされるジチオリン酸亜鉛の少なくとも一種、ならびに  ｅ）慣用のオイル添加剤の少なくとも一種からなる請求項１記載の組成物。【請求項４】  ａ）エンジンオイル、ギア液または圧媒液に使用される潤滑粘性の基油、  ｂ）式（Ｉ）（式中、Ｒ1は、３，４−、３，５−または４，５−ジメチル−１−ヘキシル基および３−または５−メチル−１−ヘプチル基からなる群から選択されたイソオクチル型を表わす。）で表わされるフェノールの少なくとも一種、  ｃ）式（ＩＩ’）（式中、Ｒ1およびＲ2は水素原子を表すか、または一緒になって式（Ａ）で表わされる基を表わし、そしてＲ3およびＲ3’の一方は水素原子を表わし、かつ他方は１，４，４−トリメチル−２−ペンチル基または直鎖の、もしくは分枝鎖のノニル基を表わすか、あるいはＲ3およびＲ3’の両方は１，４，４−トリメチル−２−ペンチル基または直鎖の、もしくは分枝鎖のノニル基を表わす。）で表わされる芳香族アミンの少なくとも一種、  ｄ）式（ＩＩＩ）（式中、Ｒ1およびＲ2は、イソプロピル基、第二ブチル基および第三ブチル基からなる群から選択された分枝鎖の炭素原子数３ないし１８のアルキル基を表わす。）で表わされるジチオリン酸亜鉛の少なくとも一種、ならびに  ｅ）慣用のオイル添加剤の少なくとも一種からなる請求項１記載の組成物。【請求項５】  ａ）エンジンオイル、ギア液または圧媒液に使用される潤滑粘性の基油、  ｂ）式（Ｉ）（式中、Ｒ1は、３，４−、３，５−または４，５−ジメチル−１−ヘキシル基および３−または５−メチル−１−ヘプチル基からなる群から選択されたイソオクチル型を表わす。）で表わされるフェノールの少なくとも一種  ０．２ないし３．０重量％、  ｃ）式（ＩＩ’）（式中、Ｒ1およびＲ2は水素原子を表すか、または一緒になって式（Ａ）で表わされる基を表わし、そしてＲ3およびＲ3’の一方は水素原子を表わし、かつ他方は１，４，４−トリメチル−２−ペンチル基または直鎖の、もしくは分枝鎖のノニル基を表わすか、あるいはＲ3およびＲ3’の両方は１，４，４−トリメチル−２−ペンチル基または直鎖の、もしくは分枝鎖のノニル基を表わす。）で表わされる芳香族アミンの少なくとも一種  ０．１ないし１．５重量％、  ｄ）式（ＩＩＩ）（式中、Ｒ1およびＲ2は、イソプロピル基、第二ブチル基および第三ブチル基からなる群から選択された分枝鎖の炭素原子数３ないし１８のアルキル基を表わす。）で表わされるジチオリン酸亜鉛の少なくとも一種  ０．０１ないし０．０５％（重量％Ｐ）、ならびに  ｅ）慣用のオイル添加剤の少なくとも一種  ０．１ないし１．０重量％からなる請求項１記載の組成物。【請求項６】  ｂ）式（Ｉ）（式中、Ｒ1は分枝鎖の炭素原子数８ないし２２のアルキル基を表わす。）で表わされるフェノールの少なくとも一種、  ｃ）式（ＩＩ）（式中、Ｒ1およびＲ2は水素原子を表すか、または一緒になって式（Ａ）で表わされる基を表わし、そして、Ｒ3およびＲ3’の一方は水素原子を表わし、かつ他方は炭素原子数２ないし３０のアルキル基を表わすか、またはＲ3およびＲ3’の両方は炭素原子数２ないし３０のアルキル基を表わす。）で表わされる芳香族アミンの少なくとも一種、ならびに  ｄ）式（ＩＩＩ）（式中、Ｒ1およびＲ2は直鎖の、または分枝鎖の炭素原子数３ないし２０のアルキル基を表わす。）で表わされるジチオリン酸亜鉛の少なくとも一種からなる濃縮物。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月18日(2008.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ａ）次式（Ｉ）：
【化１】
2002105338.tif 000001
〔式中、
ｎは０又は１を表わし、
Ｒ1 及びＲ2 は水素原子又は塩素原子を表わし、
Ｒ3 は水素原子又はヒドロキシル基を表わし、
Ｒ4 ，Ｒ5 及びＲ6 は水素原子又は塩素原子を表わし、
Ｒ7 はヒドロキシル基を表わし、そして
Ｘは−Ｏ−基又は−ＣＨ2 −基を表わす〕で表わされる少なくとも１種のフェノール性抗微生物化合物、並びに
ｂ）酸化亜鉛、銅及び銅化合物、銀、コロイド状銀、硝酸銀、硫酸銀、塩化銀、銀錯体、金属含有ゼオライト及び表面が変性された金属含有ゼオライトからなる群から選択される少なくとも１種の無機抗微生物化合物からなり、そして
成分ａ）：成分ｂ）の比率が約１：９ないし約９：１からなる、プラスチックス用途のための抗微生物剤の混合物。
【請求項２】  Ａ）ポリマー基材、及び
Ｂ）有効な抗微生物量の請求項１記載の抗微生物剤の混合物
からなる抗微生物ポリマー組成物。
【請求項３】  請求項１記載の抗微生物剤の混合物が混入された抗微生物プラスチックのフィルム、繊維又は物品。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月25日(2008.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部電極と、
この内部電極を覆う樹脂とを備え、
前記樹脂が複数の突起部を有し、
前記突起部の突起方向が少なくとも２方向以上を向いており、
前記突起部を端子電極が覆うと共に前記端子電極が前記内部電極と
電気的に接続されている
電子部品。
【請求項２】
樹脂で覆われた電子部品の端子部形成部位の端子電極の外部露出部面積をＳ１とし、感光性樹脂の内部に埋まっている端子電極金属部の断面積をＳ２、端子電極のくびれ部の断面積をＳ３としたとき、Ｓ３≦Ｓ１＜Ｓ２なる関係となる端子電極金属を有する電子部品。
【請求項３】
感光性樹脂で覆われた電子部品が、外部露出電極部、前記感光性樹脂の内部に埋まっている金属部、くびれ部を有する端子電極を有し、前記くびれ部を有する端子電極の側面が感光性樹脂から露出している請求項２に記載の電子部品。
【請求項４】
感光性樹脂で覆われた電子部品が、外部露出電極部、感光性樹脂の内部に埋まっている金属部、くびれ部を有する端子電極を有し、前記外部露出電極部と前記くびれ部を有する端子電極の側面が前記感光性樹脂から露出している請求項２に記載の電子部品。
【請求項５】
感光性樹脂材料で覆われた電子部品において、外部露出金属部、感光性樹脂の内部に埋まっている金属部、金属のくびれ部からなる端子電極を有し、前記外部露出金属部と前記くびれ部を有する端子電極と前記感光性樹脂の内部に埋まっている金属部の側面が感光性樹脂から露出している請求項２に記載の電子部品。
【請求項６】
前記樹脂材料が、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂のいずれかまたはこれらの複合樹脂から形成されている請求項１から５のいずれかに記載の電子部品。
【請求項７】
前記樹脂材料で覆われた電子部品がコイル電子部品である請求項１から５のいずれかに記載の電子部品。
【請求項８】
前記端子電極金属が、銅、金、ニッケル、パラジウム、錫のいずれかまたはこれらの積層体である金属とした請求項１から５のいずれかに記載の電子部品。
【請求項９】
前記端子電極の暴露部が、錫、金、銀のいずれかの金属とした請求項１から５のいずれかに記載の電子部品。
【請求項１０】
前記樹脂材料から端子電極の暴露部方向に対して、銅／ニッケル／錫となる構造を有する請求項１から５のいずれかに記載の電子部品。
【請求項１１】
前記樹脂材料から端子電極の暴露部方向に対して、パラジウム／銅／ニッケルとなる構造を有する請求項１から５のいずれかに記載の電子部品。
【請求項１２】
前記樹脂材料から端子電極の暴露部方向に対して、銅／ニッケル／金となる構造を有する請求項１から５のいずれかに記載の電子部品。
【請求項１３】
前記樹脂材料から端子電極の暴露部方向に対して、パラジウム／銅／ニッケル／金となる構造を有する請求項１から５のいずれかに記載の電子部品。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月13日(2008.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子源と、
前記電子源から放出される電子線の強度を制御する引き出し電圧を印加する引き出し電極と、前記電子線を所望の加速電圧まで加速あるいは減速する加速電圧を印加するアノード電極との２枚の電極で構成される静電レンズを有し、
前記電子線が前記引き出し電圧と前記加速電圧の間で加速あるいは減速される空間内に、前記電子線の集束を制御する磁界レンズを設けたことを特徴とする電子銃。
【請求項２】
請求項１記載の電子銃において、
前記磁界レンズは、第一の磁極と第二の磁極を備え、
前記第一と第二の磁極間の距離は、前記引き出し電極の入り口部と前記アノード電極の終端部間の距離よりも小さいことを特徴とする電子銃。
【請求項３】
請求項１又は２記載の電子銃において、
前記電子源は、前記電界放出型電子源あるいはショットキー型電子源であることを特徴とする電子銃。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の電子銃を備えることを特徴とする電子顕微鏡。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月26日(2008.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
ステップＳ８１４において、前記計算した比率が大でない場合は、ステップＳ８１５において、発光スペクトルのステップ内平均値を計算し、放電していない場合の発光強度との比を計算する。ステップＳ８１７において、前記計算した比率と予め設定した発光強度比（図１２（ｂ）参照）を比較し、前記計算した比率が小である場合は当該チェックステップは放電不安定であるとする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2006324316.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
2006324316.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月9日(2008.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上にゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程と、
前記ゲート絶縁膜に接するとともに金属、金属合金、またはこれらの化合物からなるゲート電極を、該ゲート電極の厚さを制御することにより閾値特性を制御して形成するゲート電極形成・閾値制御工程と、
前記半導体基板の表層の前記ゲート絶縁膜の周辺領域に、チャネル領域を規定するように所定の間隔を隔てて一対のソース・ドレイン領域を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
異なる閾値特性を有する複数の半導体装置を製造するに際して、
前記ゲート絶縁膜形成工程において、異なる複数のゲート絶縁膜材料からなる複数のゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート電極形成・閾値制御工程において、前記複数のゲート絶縁膜上に同一材料からなるゲート電極材料を同時に成膜することにより前記複数のゲート絶縁膜上における成膜特性の違いにより各ゲート絶縁膜上に異なる厚みのゲート電極を形成すること
を特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記ゲート電極形成・閾値制御工程において、前記ゲート電極を形成後、該ゲート電極を薄膜化することにより閾値特性を制御すること
を特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記ゲート電極形成・閾値制御工程において、前記ゲート電極を形成後、該ゲート電極を厚膜化することにより閾値特性を制御すること
を特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記ゲート絶縁膜の構成材料として高誘電体材料を用いること
を特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
半導体基板と、
前記半導体基板の上層部に、チャネル領域を規定するように所定の間隔で形成された一対のソース・ドレイン領域と、
前記半導体基板上の前記一対のソース・ドレイン領域に挟まれた領域に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上において前記ゲート絶縁膜に接するとともに金属、金属合金、またはこれらの化合物からなり、その厚さにより閾値特性を制御してなるゲート電極と、
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
前記ゲート絶縁膜が高誘電体材料からなること
を特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記半導体基板と、前記一対のソース・ドレイン領域と、前記ゲート絶縁膜と、前記ゲート電極とを有してなり、前記ゲート電極の厚みがそれぞれ異なる複数の半導体素子を備えること、
を特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月10日(2008.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記複数の当接部は、互いに独立的に変位して被処理体へ当接することを特徴とする、請求項２に記載の処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月2日(2008.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
トランジスタＱｎ１のベースの交流電圧をｖｉとすると、その逆相の交流電圧ｖｉｂ（振幅はｖｉと等しい）はトランジスタＱｎ２のベースに印加されるものとする。ここで、トランジスタＱｎ１，Ｑｎ２が定電流源Ｉｃｓｎによってエミッタフォロワとして動作しているので、エミッタの交流電圧ｖｅ，ｖｅｂは、近似的にそれぞれ交流電圧ｖｉ，ｖｉｂと考えることができる。そのため、エミッタ間のインピーダンスＺを流れる電流ｉｚは、以下の式（３）で表される。
ｉｚ＝（ｖｅ−ｖｅｂ）／Ｚ＝（ｖｉ−ｖｉｂ）／Ｚ＝２ｖｉ／Ｚ  ・・・（３）
また、トランジスタＱｎ１，Ｑｎ２に流れる交流電流をそれぞれ、ｉｏ，ｉｏｂとすると、
ｉｚ＝ｉｏ＝−ｉｏｂ  ・・・（４）
である。ここで｜ｖｉ｜＝｜ｖｉｂ｜である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2006324953.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月13日(2008.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放送を受信する受信手段と、
少なくとも受信中の放送番組に係る番組スケジュールを取得する第一取得手段と、
時間情報として現在時刻を取得する第二取得手段と、
出力中の放送番組の終了時刻までの残り時間を算出する算出手段と、
受信中の放送番組を記録しつつ、当該番組を任意の時点から再生できる記録再生手段と、
前記受信手段で受信し前記記録再生手段にて再生された放送番組を出力する出力手段とを備え、
前記出力手段は、さらに、前記算出手段による終了時刻までの残り時間を出力し、
前記算出手段は、前記記録再生手段による番組の記録位置と再生位置との間に生じる時間差を算出し、前記番組スケジュールと、前記現在時刻の情報と、算出した時間差を用いて、当該番組の再生終了までの残り時間を算出することを特徴とする、放送番組受信機。
【請求項２】
前記第一取得手段はさらに受信中の放送番組に続く番組スケジュールを取得し、
前記出力手段は残り時間と共に前記継続番組スケジュールを出力することを特徴とする、請求項１記載の放送番組受信機。
【請求項３】
前記第一取得手段はさらに受信中の放送番組終了時刻に放送される複数チャンネルの番組スケジュールを取得し、
前記出力手段は前記複数チャンネルの番組スケジュールを出力することを特徴とする、請求項１記載の放送番組受信機。
【請求項４】
前記第二取得手段は、前記時間情報として、デジタル放送信号に含まれるＰＴＳあるいはデジタル放送番組受信機のＳＴＣを取得することを特徴とする、請求項１記載の放送番組受信機。
【請求項５】
前記算出手段は、前記番組スケジュールと、前記ＰＴＳあるいはＳＴＣから、受信中の放送番組の終了時刻までの残り時間を算出し、
前記出力手段は、受信した放送番組をリアルタイムで出力し、さらに前記算出手段で算出した残り時間を出力することを特徴とする、請求項４記載の放送番組受信機。
【請求項６】
前記記録再生手段は、前記受信手段で受信中の放送番組を録画時の時間情報と共に記録し、
前記第二取得手段は、前記記録再生手段による再生位置に記録された記録時の時間情報を取得し、
前記算出手段は、前記番組スケジュールと、前記記録再生手段による再生位置に記録された録画時の時間情報から、当該番組の再生終了までの残り時間を算出することを特徴とする、請求項１記載の放送番組受信機。
【請求項７】
前記第二取得手段は、前記時間情報として少なくとも現在時刻を取得し、
前記算出手段はさらに、算出した前記記録再生手段による再生終了までの残り時間と前記第二取得手段で取得した現在時刻から再生終了時刻を算出し、
前記出力手段は、前記再生終了時刻を出力することを特徴とする、請求項１記載の放送番組受信機。
【請求項８】
前記第一取得手段は、出力中の放送番組の放送終了前に取得した最新の番組スケジュールを保持し、前記算出手段は、前記出力中の放送番組の放送終了後に当該番組スケジュールを用いて再生終了時刻までの残り時間を算出することを特徴とする、請求項１記載の放送番組受信機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記目的を達成するために、本発明は、放送を受信する受信手段と、少なくとも受信中の放送番組に係る番組スケジュールを取得する第一取得手段と、時間情報として現在時刻を取得する第二取得手段と、出力中の放送番組の終了時刻までの残り時間を算出する算出手段と、受信中の放送番組を記録しつつ、当該番組を任意の時点から再生できる記録再生手段と、受信手段で受信し記録再生手段にて再生された放送番組を出力する出力手段とを備え、出力手段は、さらに、算出手段による終了時刻までの残り時間を出力し、算出手段は、記録再生手段による番組の記録位置と再生位置との間に生じる時間差を算出し、番組スケジュールと、現在時刻の情報と、算出した時間差を用いて、当該番組の再生終了までの残り時間を算出することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
さらに、本発明では、第一取得手段はさらに受信中の放送番組に続く番組スケジュールを取得し、出力手段は残り時間と共に継続番組スケジュールを出力することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の放送番組受信機によると、再生中の番組の残り時間を提供できるだけでなく、タイムシフト再生中の番組の実際の放送が終了するまでの残り時間と当該番組のタイムシフト再生終了までの残り時間を、ユーザに提供することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月25日(2008.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
ステップＳ１３において、高フレームレートの効果が高い動画像であるか否かが判定される。ステップＳ１３に処理が来る場合、供給されている動画像データのコンテンツが、常に高フレームレートで撮影されたコンテンツであると判定されたときである。常に高フレームレートなコンテンツは、基本的に、そのコンテンツのどの部分でも高画質であり、スロー再生したときなどでも、その画像が乱れたりせずに比較的綺麗な動画像として、ユーザに提供できるコンテンツである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
ステップＳ１５に処理にくるのは、ステップＳ１１において、処理対象とされている動画像データが、高フレームレートではないと判定された場合か、または、ステップＳ１３において常時高フレームレートであり、かつ高フレームレートであることによる効果が薄い動画像であると判定された場合である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月16日(2008.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体からの光学信号を結像させて被写体像を形成する撮影レンズと、
前記形成された被写体像を撮像して画像データを生成する撮像素子と、
自装置の物理的な動きを検出する動き検出手段と
前記生成された画像データを表示する表示手段と、
前記表示手段に、前記表示手段に固定された所定の方向を示す第１の情報を表示させるとともに、前記動き検出手段で検出された自装置の物理的な動きを示す第２の情報を表示させるように、制御する表示制御手段と、
を備える撮像装置。
【請求項２】
被写体からの光学信号を結像させて被写体像を形成する撮影レンズと、
前記形成された被写体像を撮像して画像データを生成する撮像素子と、
前記撮影レンズの光軸を中心とした自装置の回転姿勢を検出する回転検出手段と、
前記生成された画像データを表示する表示手段と、
前記表示手段に、前記表示手段に固定された所定の方向を示す第１の情報を表示させるとともに、前記回転検出手段で検出された自装置の回転姿勢を示す第２の情報を表示させるように、制御する表示制御手段と、
を備える撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
これらの課題を解決するために本発明の撮像装置は、被写体からの光学信号を結像させて被写体像を形成する撮影レンズと、形成された被写体像を撮像して画像データを生成する撮像素子と、自装置の物理的な動きを検出する動き検出手段と、生成された画像データを表示する表示手段と、表示手段に、表示手段に固定された所定の方向を示す第１の情報を表示させるとともに、動き検出手段で検出された自装置の物理的な動きを示す第２の情報を表示させるように、制御する表示制御手段と、を備えることにより、撮影者の撮影姿勢向上に役立てることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、被写体からの光学信号を結像させて被写体像を形成する撮影レンズと、形成された被写体像を撮像して画像データを生成する撮像素子と、撮影レンズの光軸を中心とした自装置の回転姿勢を検出する回転検出手段と、生成された画像データを表示する表示手段と、表示手段に、表示手段に固定された所定の方向を示す第１の情報を表示させるとともに、回転検出手段で検出された自装置の回転姿勢を示す第２の情報を表示させるように、制御する表示制御手段と、を備えることにより、被写体と撮影画像の傾きあるいは向きが一致するように、撮像装置を正確な水平状態で保持することができ、且つ手ブレによる画角ずれや、撮影失敗を減らすことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月9日(2008.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
このように構成すると、特に、第２のホーンの先端開口を半円状部と、半楕円状部とによって構成することによって、第１のホーンの先端開口とを非常に接近して配置することができる。しかも、半楕円状部の短軸の先端は、第１のホーンの基端開口よりも外方に位置しているので、第１のホーンの基端開口の径を所望の径に維持することができ、これに結合される導波管の形状も円形導波管とすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月15日(2008.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１個以上のＬＥＤランプと、
前記ＬＥＤランプが実装される基板と、
前記ＬＥＤ実装基板が載置されるソケットと、
前記ＬＥＤランプを覆うように前記ソケットに固定されて一体化されるカバーと、を具備し、
前記カバー内のＬＥＤランプ上方には、開口部にＬＥＤバルブ中心軸が位置し、且つ前記開口部に向けて先細りとなる略円錐形状外周面の反射面としたリング状の反射体を前記ＬＥＤランプに対向させて配置し、
前記カバーは透光性部材からなり、該カバーの外周面にはレンズカットが施されていることを特徴とする車両用灯具用ＬＥＤバルブ。
【請求項２】
前記レンズカットが施されている領域の上側端部が、前記ＬＥＤランプに組み込まれたＬＥＤチップを含み前記ＬＥＤバルブの中心軸に垂直な平面と前記ＬＥＤバルブの中心軸との交点の位置から前記ＬＥＤバルブの中心軸に対する角度が少なくとも略２０°以上の位置にあることを特徴とする請求項１に記載の車両用灯具用ＬＥＤバルブ。
【請求項３】
前記外周面の開口端部が、前記ＬＥＤランプに組み込まれたＬＥＤチップを含み前記ＬＥＤバルブの中心軸に垂直な平面と前記ＬＥＤバルブの中心軸との交点の位置から前記ＬＥＤバルブの中心軸に対する角度が少なくとも略２０°以上の位置にあることを特徴とする請求項１又は２の何れか１項に記載の車両用灯具用ＬＥＤバルブ。
【請求項４】
前記レンズカットは四角錐、三角錐、円錐の形状からなる郡の中の１つの形状であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の車両用灯具用ＬＥＤバルブ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記課題を解決するために、本発明の請求項１に記載された発明は、少なくとも１個以上のＬＥＤランプと、
前記ＬＥＤランプが実装される基板と、
前記ＬＥＤ実装基板が載置されるソケットと、
前記ＬＥＤランプを覆うように前記ソケットに固定されて一体化されるカバーと、を具備し、
前記カバー内のＬＥＤランプ上方には、開口部にＬＥＤバルブ中心軸が位置し、且つ前記開口部に向けて先細りとなる略円錐形状外周面の反射面としたリング状の反射体を前記ＬＥＤランプに対向させて配置し、
前記カバーは透光性部材からなり、該カバーの外周面にはレンズカットが施されていることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明の請求項２に記載された発明は、請求項１において、前記レンズカットが施されている領域の上側端部が、前記ＬＥＤランプに組み込まれたＬＥＤチップを含み前記ＬＥＤバルブの中心軸に垂直な平面と前記ＬＥＤバルブの中心軸との交点の位置から前記ＬＥＤバルブの中心軸に対する角度が少なくとも略２０°以上の位置にあることを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、本発明の請求項３に記載された発明は、請求項１又は２の何れか１項において、前記外周面の開口端部が、前記ＬＥＤランプに組み込まれたＬＥＤチップを含み前記ＬＥＤバルブの中心軸に垂直な平面と前記ＬＥＤバルブの中心軸との交点の位置から前記ＬＥＤバルブの中心軸に対する角度が少なくとも略２０°以上の位置にあることを特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、本発明の請求項４に記載された発明は、請求項１〜３の何れか１項において、前記レンズカットは四角錐、三角錐、円錐の形状からなる郡の中の１つの形状であることを特徴とするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月12日(2008.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の主表面上に形成された第１導電型のドリフト層と、
前記ドリフト層の表層部の所定箇所に形成され、所定深さを有する第２導電型のベース領域と、
前記ベース領域の表層部の所定箇所に形成され、前記ベース領域の深さよりも浅い第１導電型のソース領域と、
前記ソース領域と前記ドリフト層の表面上に形成され、前記ソース領域と前記ドリフト層とを接続する第２導電型のチャネル層と、
前記チャネル領域の表面上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の表面上に形成されたゲート電極と、
前記ベース領域と前記ソース領域の表面上に形成されたソース電極と、
前記半導体基板の下面に形成されたドレイン電極とより構成された
半導体装置。
【請求項２】
第１導電型がｎ型半導体であり、第２導電型がｐ型半導体であることを特徴とする
請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
第１導電型がｐ型半導体であり、第２導電型がｎ型半導体であることを特徴とする
請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
第２導電型のチャネル層がエピタキシャル成長により形成され、その表面が平坦となることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
第２導電型のベース領域と、第１導電型のソース領域とが自己整合的に形成されたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
第１導電型のドリフト層のうち、第２導電型のべース領域が形成されない第１導電型のデプレッション領域の不純物濃度を前記ドリフト層よりも高めたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置を複数個備え、前記複数個の半導体装置の各同一電極が並列に接続されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
第１導電型の半導体基板の主表面上に第１導電型のドリフト層を形成する工程と、
前記ドリフト層の表層部の所定箇所に、所定深さを有する第２導電型のベース領域を形成する工程と、
前記ベース領域の表層部の所定箇所に、前記ベース領域の深さよりも浅い第１導電型のソース領域を形成する工程と、
前記ソース領域と前記ドリフト層との表面上に第２導電型のチャネル層をエピタキシャル成長により形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
第１導電型の半導体基板の主表面上に第１導電型のドリフト層を形成する工程と、
前記ドリフト層の全面に第２導電型の層を形成する工程と、
前記第２導電型の層の表層部の所定箇所に、所定深さを有し、前記第２導電型の層よりも高濃度の第２導電型のベース領域を形成する工程と、
前記ベース領域の表層部の所定箇所に、前記ベース領域の深さよりも浅い第１導電型のソース領域を形成する工程と、
前記第２導電型の層の表層部の所定箇所に、不純物濃度を高めた第１導電型のデプレッション領域を形成する工程と、
前記第２導電型の層の表層部の前記デプレッション領域と前記ソース領域とが形成されていない所定個所に、ソース電極と接触し、前記ベース領域よりも不純物濃度を高めた領域を形成する工程と、
前記ソース領域と前記デプレッション領域との表面上に第２導電型のチャネル層をエピタキシャル成長により形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。