Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月1日(2008.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）
【化１】
2006022332.tif 000001
（ここで、Ｚは
【化２】
2006022332.tif 000002
から選択され、そして各Ｒ４およびＲ５は−Ｏ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３、または−Ｏ−（ＳｉＲ４Ｒ５Ｏ）ｎ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３から独立に選択されるか、あるいは水素またはヒドロキシルであり得、あるいはアルキル、アルコキシル、アラルキル、アラルキルオキシル、ヒドロキシル、アリール、アリールオキシル、シリル、−Ｏ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３、−Ｏ−（ＳｉＲ４Ｒ５Ｏ）ｎ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３、ハロゲン、アミノ（好ましくは、３級アミノ）またはアミノアルキル基を含んでなる群から独立に選択される１つ以上の置換基により場合によっては置換されるアルキル、アリール、アルコキシル、アリールオキシル、アルケニル、アルキニル、アラルキルまたはアラルキルオキシル基から独立に選択され得、そしてＲ１、Ｒ２およびＲ３は、アルキル、アルコキシル、アラルキル、アラルキオキシル、アリール、アリールオキシル、シリル、−Ｏ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３、−Ｏ−（ＳｉＲ４Ｒ５Ｏ）ｎ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３、ハロゲン、ヒドロキシル、アミノ（好ましくは３級アミノ）またはアミノアルキル基を含んでなる群から独立に選択される１つ以上の置換基により場合によっては置換される水素、ヒドロキシル、アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシル、−Ｏ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３、−Ｏ−（ＳｉＲ４Ｒ５Ｏ）ｎ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３、アリール、アリールオキシ、アラルキルまたはアラルキルオキシル基を各々独立に表し、そして各ｎは１〜１０００の−Ｓｉ（Ｒ４）（Ｒ５）−Ｏ−単位の数を独立に表す）の少なくとも１つの加水分解型側鎖を含んでなる加水分解型バインダー。
【請求項２】
Ｒ４またはＲ５が基−Ｏ−（ＳｉＲ４Ｒ５Ｏ）ｎ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３である場合、前記基内のＲ４とＲ５がそれ自身−Ｏ−（ＳｉＲ４Ｒ５Ｏ）ｎ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３でない請求項１に記載の加水分解型バインダー。
【請求項３】
各ｎが１〜５０の−Ｓｉ（Ｒ４）（Ｒ５）−Ｏ−単位の数を独立に表す請求項１および２のいずれかに記載の加水分解型バインダー。
【請求項４】
Ｒ４とＲ５がアルキル、アルコキシル、アリール、ヒドロキシル基、−Ｏ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３、または−Ｏ−（ＳｉＲ４Ｒ５Ｏ）ｎ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３基を各々独立に表す請求項１〜３のいずれかに記載の加水分解型バインダー。
【請求項５】
Ｒ４とＲ５がアルキル基、−Ｏ−（ＳｉＲ４Ｒ５Ｏ）ｎ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３基、−Ｏ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３基を含んでなる群から各々独立に選択される請求項１〜４のいずれかに記載の加水分解型バインダー。
【請求項６】
Ｒ４またはＲ５の少なくとも１つが一般式（Ｉ）中の−Ｚ−Ｏ−基に隣接するＳｉに結合する請求項５に記載の加水分解型バインダー。
【請求項７】
一般式（Ｉ）中の同一のＳｉに結合するＲ４とＲ５の両方が−Ｏ−（ＳｉＲ４Ｒ５Ｏ）ｎ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３または−Ｏ−ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３から選択される請求項１〜６のいずれかに記載の加水分解型バインダー。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに定義される式（Ｉ）の少なくとも１つの加水分解型側鎖を有するポリマー（Ｐ）を含んでなる防汚バインダー組成物。
【請求項９】
Ｐがアクリルポリマー鎖を含んでなる請求項８に記載の防汚バインダー組成物。
【請求項１０】
式（Ｉ）の側鎖が前記ポリマーＰ中の１−９９％の残りのモノマー単位上に存在する請求項８〜９のいずれかに記載の防汚バインダー組成物。
【請求項１１】
式（Ｉ）の側鎖が前記ポリマーＰ中の１０−２０％の残りのモノマー単位上に存在する請求項１０に記載の防汚バインダー組成物。
【請求項１２】
式（Ｉ）の基が１−９９％ｗ／ｗの範囲で前記ポリマーＰ中に存在する請求項８〜９のいずれかに記載の防汚バインダー組成物。
【請求項１３】
請求項８〜１２のいずれかに記載の防汚バインダーを含んでなる防汚コーティング組成物。
【請求項１４】
前記コーティング組成物が好ましくはＣｕ２ＯとＺｎＯから選択される防汚有効量の少なくとも１つの金属酸化物を更に含有する請求項１３に記載の防汚コーティング組成物。
【請求項１５】
前記防汚バインダーが前記組成物の１０−８０重量％を占める請求項１３〜１４のいずれかに記載の防汚コーティング組成物。
【請求項１６】
Ｃｕ２Ｏが前記組成物の２０−６０重量％の間の量で存在する請求項１４〜１５のいずれかに記載の防汚コーティング組成物。
【請求項１７】
ＺｎＯが前記組成物の１−２０重量％の間の量で存在する請求項１４〜１６のいずれかに記載の防汚コーティング組成物。
【請求項１８】
前記コーティング組成物が防汚塗料組成物である請求項１３〜１７のいずれかに記載の防汚コーティング組成物。
【請求項１９】
少なくとも１つの流動学的添加物とキシレンを更に含んでなる請求項１８に記載の防汚コーティング組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月31日(2008.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
芳香族ジカルボン酸又はそのエステル形成性誘導体を主成分とするジカルボン酸成分と、エチレングリコールを主成分とするジオール成分とを、エステル化反応又はエステル交換反応を経て重縮合させることにより製造されたポリエステル樹脂であって、２８０℃での射出成形後の成形体における樹脂の環状三量体含有量（ＣＴS；重量％）と、射出成形前の樹脂の環状三量体含有量（ＣＴ0；重量％）との差（ＣＴS−ＣＴ0）が０．１０重量％以下であると共に、同上成形体における樹脂の降温結晶化温度（ＴC2）が１８０℃以下であり、かつ、コバルト化合物の含有量が、ポリエステル樹脂１トン当たり、コバルト原子（Ｃｏ）として１モル以下であることを特徴とするポリエステル樹脂。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、前記目的を達成すべくなされたものであって、即ち、本発明は、芳香族ジカルボン酸又はそのエステル形成性誘導体を主成分とするジカルボン酸成分と、エチレングリコールを主成分とするジオール成分とを、エステル化反応又はエステル交換反応を経て重縮合させることにより製造されたポリエステル樹脂であって、２８０℃での射出成形後の成形体における樹脂の環状三量体含有量（ＣＴS；重量％）と、射出成形前の樹脂の環状三量体含有量（ＣＴ0；重量％）との差（ＣＴS−ＣＴ0）が０．１０重量％以下であると共に、同上成形体における樹脂の降温結晶化温度（ＴC2）が１８０℃以下であり、かつ、コバルト化合物の含有量が、ポリエステル樹脂１トン当たり、コバルト原子（Ｃｏ）として１モル以下であるポリエステル樹脂、を要旨とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月26日(2008.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）で表されるベンジジン誘導体。
【化０１】
2006022089.tif 000001
（式中、Ｒ１は、炭素数１〜４のアルキル基のいずれかを表す。）
【請求項２】
構造式（２）で表されるベンジジン誘導体。
【化０２】
2006022089.tif 000002
【請求項３】
一対の電極間に、請求項１または請求項２に記載のベンジジン誘導体を含む層を有する発光素子。
【請求項４】
Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジンと、２−ブロモ−スピロ−９，９’−ビフルオレンとのカップリング反応によって得られ、融点が３２３℃〜３２４℃である化合物。
【請求項５】
一対の電極間に、請求項４に記載の化合物を含む層を有する発光素子。
【請求項６】
一般式（１）で表されるベンジジン誘導体を含む正孔輸送材料。
【化０３】
2006022089.tif 000003
（式中、Ｒ１は、炭素数１〜４のアルキル基のいずれかを表す。）
【請求項７】
構造式（２）で表されるベンジジン誘導体を含む正孔輸送材料。
【化０４】
2006022089.tif 000004
【請求項８】
Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジンと、２−ブロモ−スピロ−９，９’−ビフルオレンとのカップリング反応によって得られ、融点が３２３℃〜３２４℃である化合物を含む正孔輸送材料。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか一項に記載の正孔輸送材料から成る層を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項１０】
請求項３、請求項５または請求項９のいずれか一項に記載の発光素子を画素部に用いていることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の発光装置を表示部に用いていることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月23日(2008.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
ホスゲンとＭＣＢをホスゲン化工程から排出された混合物から先行技術に従って分離し、そして該混合物に熱的後処理を行った。こうして製造されたＰＭＤＩは以下の生成物特性を特徴としていた：
イソシアネート基の濃度：３１．８質量％
２５℃での粘度：８１ｍＰａｓ
７バールで作業された第１の管形反応器についての試験の完了後に行われた検査により、管の内表面上に明らかな固形物の粘結が見られた。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月28日(2008.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
従来例１
図１０には、従来の流体動圧軸受の１例が図示されている。この流体動圧軸受０１は、回転軸本体部０３の一端（図１０において下端）にフランジ部０４を有するフランジ付き回転軸０２と、フランジ付き回転軸０２を相対回転自在に支承する円筒状のスリーブ０５と、筒状のケース０６と、ケース０６の下端部を閉塞する円板状のエンドプレート０７とを備えている。スリーブ０５は、ケース０６に嵌入され、その上端部の外周側が、ケース０６の上端部に接着剤０１９により固着されている。エンドプレート０７は、ケース０６の下端部の拡径された段部に嵌入され、そこに接着剤０２１により固着されている。なお、ここで用いられる接着剤としては、嫌気性熱硬化型接着剤やエポキシ系熱硬化型接着剤などが良く知られているが、これらの接着剤を完全硬化させるためには、いずれも８０〜１００°Ｃ程度の温度雰囲気内に一定時間保持して硬化させる処理を行なう必要がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
従来例２
図１１には、従来の流体動圧軸受の他の例が図示されている。この流体動圧軸受０１は、図１０の従来例におけるケース０６とエンドプレート０７とが有底形状に一体化されて、カップ状ケース０６を形成している。スリーブ０５は、カップ状ケース０６に嵌入され、その上端部の外周側が、カップ状ケース０６の内周面に接着剤０１９により固着されている。カップ状ケース０６の上端部には、円板状のシールカバー０９が嵌入され、接着剤０２０によりそこに固着されている。このシールカバー０９は、中央部に回転軸本体部０３が貫通する孔を有し、スリーブ０５の上端面に接して、スリーブ０５を覆っている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
なお、このシールカバー０９は、流体動圧軸受０１が、そのフランジ付き回転軸０２のフランジ部０４を回転軸本体部０３の他端（図１１において上端）寄りに有する構造のものとされる場合には、フランジ部０４の上面部に接してこれを上方から押さえ、フランジ付き回転軸０２の抜け止めの役を果たすことになる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
スリーブ０５の下面０５ａとカップ状ケース０６の底面０６ａとの間には、スペーサ０８が組み込まれており、このスペーサ０８により、スリーブ０５の下面０５ａとカップ状ケース０６の底面０６ａとの間の間隔が一定に設定されて、これにより、フランジ部０４の上下面部の軸受隙間が確保されるようになっている。その他の構成は、図１０の従来例と同様である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、スリーブ０５の上端部の外周側とケース０６の上端部やその内周面との接着（図１０、図１１）、シールカバー０９とカップ状ケース０６の上端部との接着（図１１）は、接着剤０１９、０２０がスリーブ０５の上端面やシールカバー０９の上面に溢れて、スリーブ０５の内周面内に入り込み、その内周面や回転軸０２の外周面に付着する問題を有している。この問題は、特に流体動圧軸受の小型化に伴って、接着剤の注入部位とスリーブ内周縁との半径方向距離が小さくなるために、益々発生し易くなり、重要な問題である。そこで、これを防止するためには、接着剤０１９、０２０の量の適正化、接着剤充填時や充填後乾燥までの間の接着剤０１９、０２０の所定の充填部位以外への付着や流出防止のための対策が必要であり、また、ハンドリングの対策問題等、組立時の問題を生じさせる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月7日(2008.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基礎の堀削面から地山内部に削孔し、削孔内に剛性の高い補強材を地山に定着させた後に前記補強材の基端部を基礎本体内に定着させて基礎体を築造する地盤補強型の基礎形成方法において、
前記補強材は、前記基礎本体から水平方向外側に向けて打設されるとともに、
前記補強材に地山に対する引張応力、圧縮応力及びせん断応力の一部を構造的に分担させることで基礎体に作用する水平力に対する地山の抵抗力を高める、下記式（１）で演算される耐力増分△Ｐｓと、
△Ｐｓ＝Σ（Ｓｍａｘi・ｃｏｓΘ＋Ｎｍａｘi・ｓｉｎΘ）…（１）
ただし、Ｓｍａｘiは前記補強材の最大せん断力、
Ｎｍａｘiは前記補強材の最大軸力、
Θは水平力の作用方向に直交する水平線と前記補強材の打設方向とがなす角
度、
ｉは補強材の本数に相当（ｉ≧１）
地山に発生する引張歪みや圧縮歪みを前記補強材により拘束することで基礎体に作用する水平力に対する地山の抵抗力を高める、下記式（２）と式（３）で演算される耐力増分△Ｐｒと、
△Ｐｒ＝Σ（Ｎｍａｘi・ｃｏｓΘ−Ｓｍａｘi・ｓｉｎΘ）・ｔａｎΦ・ｆ（Θ）…（２）
ｆ（Θ）＝[２ｃｏｓ2（Θ−４５°＋Φ／２）−（１−ｓｉｎν）]／（１＋ｓｉｎν）…（３）
ただし、Φは前記基礎体が築造される地山の内部摩擦角、
νはダイレイタンシー角
に基づいて前記基礎体に水平力が作用すると想定した時の前記補強材の配置をしたことを特徴とする地盤補強型の基礎形成における水平支持力強化型補強材の配置方法。
【請求項２】
前記補強材は、少なくとも前記耐力増分ΔＰｓとΔＰｒとを加算した最大値が生じる前記角度Θに配置されることを特徴とする請求項１に記載の地盤補強型の基礎形成における水平支持力強化型補強材の配置方法。
【請求項３】
前記補強材は、前記水平力が前記補強材に引張力として作用する場合には、少なくとも最小主歪み方向に配置されることを特徴とする請求項１に記載の地盤補強型の基礎形成における水平支持力強化型補強材の配置方法。
【請求項４】
前記補強材は、前記水平力が前記補強材に圧縮力として作用する場合には、少なくとも最大主歪み方向に配置されることを特徴とする請求項１から３のいずれか一つに記載の地盤補強型の基礎形成における水平支持力強化型補強材の配置方法。
【請求項５】
前記補強材を前記基礎本体の外周面に略２平方メートルに１本の割合で配置することを特徴とする請求項１から４のいずれか一つに記載の地盤補強型の基礎形成における水平支持力強化型補強材の配置方法。
【請求項６】
地山を堀削して築造した基礎本体と、
前記基礎本体から水平方向外側に打設されて前記地山内に固着される棒状の補強材と、
からなり、水平力が作用する地盤補強型の基礎体において、
前記水平力が前記補強材に引張力として作用する場合には、前記地山の最小主歪み方向と一致するように前記補強材の少なくとも１本を配置し、
かつ、前記水平力が前記補強材に圧縮力として作用する場合には、前記地山の最大主歪み方向と一致するように前記補強材の少なくとも１本を配置するようにしたことを特徴とする地盤補強型の基礎体。
【請求項７】
地山を堀削して築造した基礎本体と、
前記基礎本体から外側に打設されて前記地山内に固着される棒状の補強材と、
からなり、水平力が作用する地盤補強型の基礎体において、
前記基礎本体は水平力により前記基礎本体内の回転中心周りに回転し、
前記水平力が前記補強材に圧縮力として作用する場合には、前記補強材を前記基礎本体から斜め下方向に配置することを特徴とする地盤補強型の基礎体。
【請求項８】
前記水平力が前記補強材に圧縮力として作用する場合には、前記補強材を前記基礎本体から斜め下方向に配置し、かつ前記補強材を前記地山の最大主歪み方向と一致するように前記補強材の少なくとも１本を配置するようにしたことを特徴とする請求項７に記載の地盤補強型の基礎体。
【請求項９】
前記水平力が前記補強材に引張力として作用する場合には、前記基礎本体の下部の前記補強材を前記基礎本体から斜め下方向に配置することを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の地盤補強型の基礎体。
【請求項１０】
前記水平力が前記補強材に引張力として作用する場合には、前記基礎本体の下部の前記補強材を前記基礎本体から斜め下方向に配置し、かつ前記地山の最小主歪み方向と一致するように前記補強材の少なくとも１本を配置するようにしたことを特徴とする請求項９に記載の地盤補強型の基礎体。
【請求項１１】
前記基礎本体の水平断面形状は、円形、楕円形、小判形またはこれらの環状の断面形状のいずれかであることを特徴とする請求項６から請求項１０のいずれか一つに記載の地盤補強型の基礎体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
第７の発明は、地山を堀削して築造した基礎本体と、前記基礎本体から外側に打設されて前記地山内に固着される棒状の補強材と、からなり、水平力が作用する地盤補強型の基礎体において、前記基礎本体は水平力により前記基礎本体内の回転中心周りに回転し、前記水平力が前記補強材に圧縮力として作用する場合には、前記補強材を前記基礎本体から斜め下方向に配置する。
第８の発明は、前記水平力が前記補強材に圧縮力として作用する場合には、前記補強材を前記基礎本体から斜め下方向に配置し、かつ前記補強材を前記地山の最大主歪み方向と一致するように前記補強材の少なくとも１本を配置するようにした。
第９の発明は、前記水平力が前記補強材に引張力として作用する場合には、前記基礎本体の下部の前記補強材を前記基礎本体から斜め下方向に配置する。
第１０の発明は、前記水平力が前記補強材に引張力として作用する場合には、前記基礎本体の下部の前記補強材を前記基礎本体から斜め下方向に配置し、かつ前記地山の最小主歪み方向と一致するように前記補強材の少なくとも１本を配置するようにした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
第１１の発明は、前記基礎本体の水平断面形状が、円形、楕円形、小判形またはこれらの環状の断面形状のいずれかである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月14日(2008.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フックスロート部の下向きエッヂの全長または一部に、滑らかな波形凹凸を形成したタフティング機のルーパ。
【請求項２】
前記波形凹凸のピッチ及び高さを均一にした請求項１に記載のタフティング機のルーパ。
【請求項３】
前記波形凹凸のピッチ及び高さのいずれかまたは両方を不均一にした請求項１に記載のタフティング機のルーパ。
【請求項４】
前記波形凹凸のピッチが約０．０１〜６ｍｍ、高さが約０．０１〜２ｍｍである請求項１〜３のいずれかに記載のタフティング機のルーパ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
上記の課題を解決するために、この発明においては、ルーパ のフックスロート部の下向きエッヂの全長または一部に、滑らかな波形凹凸を形成したのである。上記波形凹凸の高さを均一にしておくのが好ましい場合と不均一でよい場合がある。波形凹凸のピッチは約０．０１〜６ｍｍ、高さは約０．０１〜２ｍｍが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月30日(2008.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉを有する化合物又はその製薬上許容される塩：
2006022107.tif 000001
［式中、
Ｒ1は、エチルであり；
Ｘは、−ＣＯＮＨ2であり；
Ｒ3は２，２−ジフルオロビニルであり；
Ｒ3aは、水素である］。
【請求項２】
純粋なエナンチオマーである請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
Ｒ1が結合している炭素原子が不斉である場合、該炭素原子は「Ｓ」−配置である、請求項１又は２に記載の化合物。
【請求項４】
２−（２−オキソ−４−（２，２−ジフルオロビニル）−１−ピロリジニル）ブタンアミド；（２Ｓ）−２−（２−オキソ−４−（２，２−ジフルオロビニル）−１−ピロリジニル）ブタンアミド；（２Ｓ）−２−［（４Ｓ）−４−（２，２−ジフルオロビニル）−２−オキソピロリジニル］ブタンアミド、及び（２Ｓ）−２−［（４Ｒ）−４−（２，２−ジフルオロビニル）−２−オキソピロリジニル］ブタンアミドから選択される化合物、又はそれらの混合物又はそれらの製薬上許容される塩。
【請求項５】
（２Ｓ）−２−［（４Ｓ）−４−（２，２−ジフルオロビニル）−２−オキソピロリジニル］ブタンアミド又はその製薬上許容される塩。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載の化合物又はその製薬上許容される塩を有効成分として含む医薬組成物。
【請求項７】
（２Ｓ）−２−［（４Ｓ）−４−（２，２−ジフルオロビニル）−２−オキソピロリジニル］ブタンアミドを有効成分として含む医薬組成物。
【請求項８】
てんかん、てんかん誘発症、発作性疾患、痙攣又は双極性障害を包含するその他の神経学的障害、躁病、うつ病、不安症、偏頭痛、三叉神経痛、慢性の痛み、ニューロパシイ性痛み、脳虚血、心不整脈、ミオトニー、コカイン乱用、卒中、ミオクローヌス、本態性振せん、運動障害、新生児脳出血、筋萎縮側索硬化症、痙縮、パーキンソン病又はその他の変質性疾病、気管支喘息、喘息発作重積状態又はアレルギー性気管支炎、喘息症候群、気管支過剰反応又は気管支痙攣症候群、或いはアレルギー性又は血管神経性鼻炎又は鼻結膜炎を処置するための請求項６又は７に記載の医薬組成物。
【請求項９】
てんかん、ニューロパシイ性痛み、双極性障害又は偏頭痛を治療するための、請求項６又は７に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
てんかんを治療するための、請求項６又は７に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月6日(2007.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１メモリ・セル（１００）を含む半導体デバイスを動作させる方法であって：
前記半導体デバイスを設ける段階であって、第１メモリ・セル（１００）は不連続な蓄積素子（１０８）を有する、段階；および
前記不連続な蓄積素子（１０８）を、少なくとも３つの異なる状態のうちの一つである第１状態に選択的にプログラミングする段階；
によって構成されることを特徴とする方法。
【請求項２】  第１メモリ・セル（１００）からなる半導体デバイスを動作させる方法であって、前記第１メモリ・セルは：
不連続な蓄積素子（１０８）；
基板（１１２）；
前記基板（１１２）内の第１電流伝達電極（１０４）；
前記基板（１１２）内で、かつ前記第１電流伝達電極（１０４）から離間した第２電流伝達電極（１０２）；
第１面と、前記第１面に対置する第２面とを有する第１誘電層（１１０）であって、前記基板（１１２）は前記第１誘電層（１１０）の前記第１面にあり、前記不連続な蓄積素子（１０８）は前記第１誘電層（１１０）の前記第２面にある、第１誘電層（１１０）；
第１面と、前記第１面に対置する第２面とを有する第２誘電層（１１１）であって、前記第１誘電層（１１０）および前記不連続な蓄積素子（１０８）は前記第２誘電層（１１１）の前記第２面にある、第２誘電層（１１１）；および
前記第２誘電層（１１１）の前記第２面にある制御電極（１０６）；
によって構成され、
前記第１メモリ・セル（１００）を、少なくとも３つの異なる状態のうちの一つである第１状態に選択的にプログラミングする段階であって：
プログラミングは、第１電位および第２電位を用いて実施され、前記第１電位と第２電位との間の差は約５ボルト以下であり；
プログラミングはさらに：
前記第１電流伝達電極（１０４）および前記制御電極（１０６）を前記第１電位にバイアスし；および
前記第２電流伝達電極（１０２）および前記基板（１１２）を前記第２電位にバイアスすることを含んで構成されることを特徴とする方法。
【請求項３】  第１メモリ・セル（１００）からなる半導体デバイスを動作させる方法であって，前記第１メモリ・セル（１００）は：
不連続な蓄積素子（１０８）；
基板（１１２）；
前記基板（１１２）内の第１電流伝達電極（１０４）；
前記基板（１１２）内で、かつ前記第１電流伝達電極（１０４）から離間した第２電流伝達電極（１０２）；
第１面と、前記第１面に対置する第２面とを有する第１誘電層（１１０）であって、前記基板（１１２）は前記第１誘電層（１１０）の前記第１面にあり、前記不連続な蓄積素子（１０８）は前記第１誘電層（１１０）の前記第２面にある、第１誘電層（１１０）；
第１面と、前記第１面に対置する第２面とを有する第２誘電層（１１１）であって、前記第１誘電層（１１０）および前記不連続な蓄積素子（１０８）は前記第２誘電層（１１１）の前記第２面にある、第２誘電層（１１１）；および
前記第２誘電層（１１１）の前記第２面にある制御電極（１０６）；
によって構成され、
前記第１メモリ・セル（１００）を、少なくとも３つの異なる状態のうちの一つである第１状態に選択的にプログラミングする段階であって：
プログラミングは、第１電位，第２電位および第３電位を用いて実施され、前記第１電位と第３電位との間の差は約５ボルト以下であり、前記第２電位は前記第１電位と第３電位との間にあり；
プログラミングはさらに：
前記第１電流伝達電極（１０４），前記第２電流伝達電極（１０２）および前記基板（１１２）を前記第２電位にバイアスし；および
前記制御電極（１０６）を前記第１電位にバイアスすることを含んで構成されることを特徴とする方法。
【請求項４】  第１メモリ・セル（１００）を含む半導体デバイスを動作させる方法であって：
前記半導体デバイスを設ける段階であって、前記半導体デバイスは：
不連続な蓄積素子からなる第１メモリ・セル（１００）；
第２メモリ・セル（１００Ｂ），第２メモリ・セル（１００Ｃ）および第３メモリ・セル（１００Ｄ）であって：
前記第２メモリ・セル（１００Ｂ），前記第３メモリ・セル（１００Ｃ）および前記第４メモリ・セル（１００Ｄ）のそれぞれは、不連続な蓄積素子を有し；
前記第１メモリ・セル（１００Ａ），第２メモリ・セル（１００Ｂ），第３メモリ・セル（１００Ｃ）および第４メモリ・セル（１００Ｄ）のそれぞれは：
第１電流伝達電極（１０４）；
前記第１電流伝達電極（１０４）から離間した第２電流伝達電極（１０２）；
第１誘電層（１１０）であって、前記不連続な蓄積素子（１０８）が前記第１誘電層（１１０）の上にある、第１誘電層（１１０）；
前記第１誘電層（１１０）および前記不連続な蓄積素子（１０８）の上にある第２誘電層（１１１）；および
前記第２誘電層（１１１）の上にある制御電極（１０６）；
を含み；
前記第１および第３メモリ・セルの前記第１電流伝達電極（１０４Ａ，１０４Ｃ）は、互いに電気接続され；
前記第１および第３メモリ・セルの前記第２電流伝達電極（１０２Ａ，１０２Ｃ）は、互いに電気接続され；
前記第１および第２メモリ・セル（１００Ａ，１００Ｃ）は、第１ウェル領域（６２）内に少なくとも部分的にあり；
前記第１および第２メモリ・セルの前記制御電極（１０６Ａ，１０６Ｂ）は、互いに電気接続され；
前記第２および第４メモリ・セルの前記第１電流伝達電極（１０４Ｂ，１０４Ｄ）は、互いに電気接続され；
前記第２および第４メモリ・セルの前記第２電流伝達電極（１０２Ｂ，１０２Ｄ）は、互いに電気接続され；
前記第２および第４メモリ・セル（１００Ｂ，１００Ｄ）は、第２ウェル領域（６４）内に少なくとも部分的にあり；および
前記第３および第４メモリ・セルの前記制御電極（１０６Ｃ，１０６Ｄ）は、互いに電気接続される、前記半導体デバイスを設ける段階；および
前記半導体デバイスをプログラミングする段階であって、プログラミングは：
前記第１および第３メモリ・セルの前記第１電流伝達電極（１０４Ａ，１０４Ｃ）を第１電位にバイアスし；
前記第１および第３メモリ・セルの前記第２電流伝達電極（１０２Ａ，１０２Ｃ）を第２電位にバイアスし；
前記第１および第２メモリ・セルの前記制御電極（１０６Ａ，１０６Ｂ）を第３電位にバイアスし；
前記第１ウェル領域（６２）を第２電位にバイアスし；
前記第２および第４メモリ・セルの前記第１電流伝達電極（１０４Ｂ，１０４Ｄ）を第１電位にバイアスし；
前記第２および第４メモリ・セルの前記第２電流伝達電極（１０２Ｂ，１０２Ｄ）を第１電位にバイアスし；
前記第３および第４メモリ・セルの前記制御電極（１０６Ｃ，１０６Ｄ）を第２電位にバイアスし；および
前記第２ウェル領域（６４）を第１電位にバイアスする；
ことを含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月17日(2008.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  スタブ調整可能素子の調整依存量を調整する方法であって、
前記スタブ調整可能素子に関しての所望の調整依存量を選択するステップと、
調整スタブの２つの導電性ランナを、前記調整スタブに沿う第１の位置で、電気的に短絡するステップと、
前記スタブ調整可能素子を試験して、前記調整依存量を決定するステップと、
前記スタブ調整可能素子に関しての前記所望の調整依存量を生成するために、短絡部が位置付けされるべき前記調整スタブに沿う第２の位置を決定するステップと、
自動位置決め装置を用いて、前記調整スタブに沿う前記第２の位置で前記調整スタブの前記２つの導電性ランナを電気的に短絡するステップとを含む方法。
【請求項２】  前記調整スタブに沿う第１の位置で調整スタブの２つの導電性ランナを電気的に短絡する前記ステップは、自動位置決め装置を用いて、前記２つの導電性ランナを短絡するステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】  自動位置決め装置を用いる前記ステップは、ワイヤをワイヤ接着して、前記２つの導電性ランナを電気的に短絡するステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】  前記調整スタブに沿う前記第１の位置で電気的な前記短絡を解消するステップを更に含んでいる請求項１に記載の方法。
【請求項５】  前記決定ステップが、前記第１の位置からの移動量として前記第２の位置を決定する請求項１に記載の方法。
【請求項６】  前記決定ステップが、自動位置決め装置に対する既知の基準に対応して前記第２の位置を決定するステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】  前記スタブ調整可能素子が発振器である請求項１に記載の方法。
【請求項８】  前記調整依存量が周波数である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】  請求項１に記載のプロセスで製造された製品。
【請求項１０】  スタブ調整可能素子を調整する方法であって、
前記スタブ調整可能素子に関しての所望の調整依存量を選択するステップと、
調整スタブの２つの導電性ランナを、前記調整スタブに沿う第１の位置で電気的に短絡するステップと、
前記スタブ調整可能素子を試験して、前記調整依存量を決定するステップと、
前記スタブ調整可能素子に関しての前記所望の調整依存量を生成するために、短絡部を位置付けされるべき前記調整スタブに沿う第２の位置を決定するステップと
前記導電性ランナに沿って、前記第１の位置の近接した、所定数の可能性のある第２のスタブ短絡位置を定めるステップと、
前記第２の位置として前記所定数の可能性のある第２のスタブ短絡位置のうちの１つを選択するステップと、
自動位置決め装置を用いて、前記調整スタブに沿う前記第２の位置で前記調整スタブの前記２つの導電性ランナを電気的に短絡するステップとを含む前記方法。
【請求項１１】  前記第１の位置の近くに前記所定数の可能性のあるスタブ短絡位置を定めるステップが、前記導電性ランナに沿って等しい間隔で前記所定数の可能性のあるスタブ短絡位置を定めるステップを含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】  前記第１の位置の近くに前記所定数の可能性のある第２のスタブ短絡位置を定めるステップが、前記第１の位置に関して可能性のある第２のスタブ短絡位置を基準にして非対称の分布を定めるステップを含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】  前記第１の位置の近くに前記所定数の可能性のある第２のスタブ短絡位置を定めるステップが、前記第１の位置に関して可能性のある第２のスタブ短絡位置を基準にして対称の分布を定めるステップを含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】  スタブ調整可能素子を調整する装置であって、
前記スタブ調整可能素子が製作される基板を受けるワイヤ・ボンダと、
独自の基板識別子を決定する検出器と、
複数のスタブ調整可能素子の調整依存量を維持するホスト・プロセッサに結合できるデータベースであって、特殊な独自の識別子によって識別された基板上のスタブ調整可能素子の前記調整依存量を得るために、前記ホスト・プロセッサがアクセスできる、データベースと、
前記ワイヤ・ボンダに及びそれと通信する前記検出器とに結合されたホスト・プロセッサであって、第２のスタブ短絡が前記スタブ調整可能素子の前記調整依存量を微調整するために生じなければならない、所定数の可能性のある第２のスタブ短絡位置のなかの何れか１つを識別できて、前記ワイヤ・ボンダは前記所定数の可能性のある第２のスタブ短絡位置のなかで識別されたものを前記ホスト・プロセッサから受けるように適応されていて、前記ワイヤ・ボンダがそこで第２のスタブ短絡を固定できる、ホスト・プロセッサとを含む装置。
【請求項１５】  前記検出器がカメラである、請求項１４に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月21日(2007.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  通信チャネルを介して送信されるデータパケットをインターリーブする方法であって、前記データパケットはデータ要素Ｂr個の最大有効ブロックサイズより大きな可変長であり、前記方法は、
データ要素Ｎr個のインターリーバブロック幅を指定するステップと，
データ要素Ｎf個の長さのデータパケットを供給するステップと、
パケットをＮｓ０個のセグメントに分割するステップであって、ここで、
2001217815.tif 000001
であり、
2001217815.tif 000002
は、パケット内のインターリーバの行の総数であり、
Ｉr,max＝ｆｌｏｏｒ（Ｂr／Ｎr）
は、インターリーバブロックサイズがＢｒを越えないようなセグメント当たり最大行数であり、
“ｃｅｉｌ（ｘ）”は正の無限方向で最も近い整数に“ｘ”を丸める関数、
“ｆｌｏｏｒ（ｘ）”は負の無限方向で最も近い整数に“ｘ”を丸める関数
である、前記分割するステップと、
ｍが１からＮＳ０である各セグメントｍに対して、前記指定されたインターリーバブロック幅Ｎrに相当する列数と、他のすべてのセグメントｍの行数と同じあるいは１ちがう数内である行数
2001217815.tif 000003
をもつインターリーバブロックを確立するステップと、
各セグメントｍに対し、セグメントのデータ要素をそのセグメントのために確立されたインターリーバブロックに行方向に置いて、そのセグメントのデータ要素を該インターリーバブロックから列方向に読み出すことにより、インターリーブを行なうステップと、
を含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、ｍが１からＮＳ０である各セグメントｍのために確立したインターリーバブロックサイズの行数は、
第一のインターリーバブロックのインターリーバ深さ
2001217815.tif 000004
を決定し、
深さIr１のインターリーバブロックの数
2001217815.tif 000005
を決定し、
ｉが１からＮＳ０である各セグメントiのために、iが１からMである各セグメントに対して行数
2001217815.tif 000006
と、iがM+１からＮs0である各セグメントに対して行数
2001217815.tif 000007
を決定し、
前記決定された行数Ir１に相当する行数を持つＮＳ０のうちのＭ個のセグメントインターリーバブロックと、前記決定された最大行数Ir１＋１に相当する行数を持つ、ＮＳ０のうちの残りセグメントインターリーバブロックを確立する、
ことにより与えられる方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、インターリーバ幅Ｎｒが符号語長さに等しく指定される、方法。
【請求項４】
請求項２に記載の方法であって、インターリーバ幅Ｎｒが符号語長さに等しく指定される、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、ｍが１からＮＳ０である各セグメントｍに対して確立されたインターリーバブロックの行数は、
2001217815.tif 000008
ここで、
2001217815.tif 000009
2001217815.tif 000010
で与えられる、方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法であって、インターリーバ幅Ｎｒが符号語長さに等しく指定される、方法。
【請求項７】
パケット網のデータパケットのセグメントのためのインターリーバブロックのサイズを確立する方法であって、最大有効ブロックサイズより長い可変長パケットが通信チャネルを介して送信され、前記方法は、
データ要素Ｎf個の長さのパケットを供給するステップと、
データ要素Ｎr個のインターリーバブロック幅を指定するステップと，
データ要素Ｂr個の最大ブロックサイズを指定するステップと，
パケットのためにインターリーバの行の総数
2001217815.tif 000011
を決定するステップであって、ここで、“ｃｅｉｌ（ｘ）”は正の無限方向で最も近い整数に“ｘ”を丸める関数であるステップと、
セグメントあたりの行の最大数
Ｉr,max＝ｆｌｏｏｒ（Ｂr／Ｎr）
を、インターリーバブロックがＢｒを超えないように決定するステップであって、“ｆｌｏｏｒ（ｘ）”は負の無限方向で最も近い整数に“ｘ”を丸める関数であるステップと、
パケットのためのセグメントの数
2001217815.tif 000012
を決定するステップと、
ｍが１からＮＳ０である各セグメントｍに対して、行の最大数
2001217815.tif 000013
ここで、
2001217815.tif 000014
2001217815.tif 000015
を決定するステップと、
各セグメントｍに対して、前記指定されたインターリーバブロック幅Ｎrに相当する列数と、前記決定された行の最大数
に相当する行数 
2001217815.tif 000016
をもつインターリーバブロックを確立するステップと、
を含む方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、インターリーバ幅Ｎｒが符号語長さに等しく指定される、方法。
【請求項９】
パケット網のデータパケットのセグメントのためのインターリーバブロックのサイズを確立する方法であって、最大有効ブロックサイズより長い可変長パケットが通信チャネルを介して送信され、前記方法は、
データ要素Ｎf個の長さのパケットを供給するステップと、
データ要素Ｎr個のインターリーバブロック幅を指定するステップと，
データ要素Ｂr個の最大ブロックサイズを指定するステップと，
パケットのためにインターリーバの行の総数
2001217815.tif 000017
を決定するステップであって、ここで、“ｃｅｉｌ（ｘ）”は正の無限方向で最も近い整数に“ｘ”を丸める関数であるステップと、
セグメントあたりの行の最大数
Ｉr,max＝ｆｌｏｏｒ（Ｂr／Ｎr）
を、インターリーバブロックがＢｒを超えないように決定するステップであって、“ｆｌｏｏｒ（ｘ）”は負の無限方向で最も近い整数に“ｘ”を丸める関数であるステップと、
パケットのためのセグメントの数
2001217815.tif 000018
を決定するステップと、
第一のインターリーバブロックのインターリーバ深さ
2001217815.tif 000019
を決定するステップと、
深さIr１のインターリーバブロックの数
2001217815.tif 000020
を決定するステップと、
ｉは１からＮＳ０である各セグメントiのために、iが１からMである各セグメントに対して行数
2001217815.tif 000021
と、iがM+１からＮs0である各セグメントに対して行数
2001217815.tif 000022
を決定するステップと、
前記指定された幅に相当する列数と、前記決定されたインターリーバの深さIr１に相当する行数を持つＮＳ０のうちのＭ個のセグメントインターリーバブロックと、前記指定された幅に相当する列数と、前記決定された深さIr１＋１に相当する行数を持つ、ＮＳ０のうちの残りのセグメントインターリーバブロックを確立するステップと、
を含む方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、インターリーバ幅Ｎｒが符号語長さに等しく指定される、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月22日(2007.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  公開鍵システムであって、
サブジェクトと、
前記サブジェクトに第１の証明書を発行する認証局とを備え、該第１の証明書は前記サブジェクトの公開鍵、前記サブジェクトに関する長期識別情報、および前記第１の証明書に関連するメタデータを含み、前記第１の証明書は前記認証局によって署名されず、前記認証局は第１の証明書を示す記録を記憶する発行済みの証明書を示す記録のデータベースを保持し、前記発行済みの証明書は、前記認証局によってそれぞれ署名されず、また、認証局によって取り消されおよび期限切れとなるうちの少なくとも１つまでそれぞれ有効であり、
前記データベースに記憶された記録に対応する有効な証明書の暗号ハッシュを有すると共に、前記第１の証明書の暗号ハッシュを含むハッシュテーブルを保持するベリファイアを備え、前記サブジェクトは認証のために前記ベリファイアへの前記発行された第１の証明書を提示すると共に、前記サブジェクトは前記第１の証明書の前記公開鍵に対応する私有鍵の知識を有する、公開鍵システム。
【請求項２】  前記第１の証明書が、期限日／時を含む、請求項１に記載の公開鍵システム。
【請求項３】  前記第１の証明書が、期限日／時を含まない、請求項１に記載の公開鍵システム。
【請求項４】  前記私有鍵が前記サブジェクトによりアクセス可能なスマートカードに記憶されている、請求項１に記載の公開鍵システム。
【請求項５】  前記認証局および前記ベリファイアは、前記サブジェクトに関する前記長期識別情報の少なくとも一部が前記サブジェクトに当てはまらなくなったときに、前記第１の証明書を取り消すよう動作する、請求項１に記載の公開鍵システム。
【請求項６】  前記認証局および前記ベリファイアは、前記私有鍵の少なくとも１つが備えられ、且つ前記サブジェクトに関連する前記長期識別情報の少なくとも一部が前記サブジェクトに当てはまらなくなったときに、前記第１の証明書を取り消す取り消しプロトコルを実行し、
前記取り消しプロトコルは、
前記認証局が前記第１の証明書を示す記録を検索すると共に前記第１の証明書の暗号ハッシュを得ることと、
前記認証局が前記第１の証明書の前記暗号ハッシュを含むと共に前記ベリファイアが前記対応する前記第１の証明書の暗号ハッシュをそのハッシュテーブルから取り除くことを要求するメッセージを前記ベリファイアに送ることと、
前記ベリファイアが前記第１の証明書の前記暗号ハッシュをそのハッシュテーブルから取り除くと共に、前記第１の証明書の前記暗号ハッシュをそのハッシュテーブルから取り除かれたことを前記認証局に通知することと、
前記認証局が前記ベリファイアにより送られた前記通知を集めることとを含む、請求項１記載の公開鍵システム。
【請求項７】  公開鍵システムにおけるベリファイアへのサブジェクトを認証する方法であって、該方法は、
認証局から前記サブジェクトへの第１の証明書を発行するステップを含み、前記第１の証明書は前記サブジェクトの公開鍵、前記サブジェクトに関連する長期識別情報、および前記第１の証明書に関連するメタデータを有し、前記第１の証明書が前記認証局により署名されず、
前記認証局において、前記認証局によりそれぞれ署名されず、また、認証局によって取り消されおよび期限切れとなるうちの少なくとも１つまでそれぞれ有効である発行済みの証明書を示す記録のデータベースを保持するステップと、
前記データベースにおいて前記第１の証明書を示す記録を記憶するステップと、
前記ベリファイアにおいて、前記データベースに記憶された前記記録に対応する有効な証明書の暗号ハッシュを有すると共に、前記第１の証明書の暗号ハッシュを含むハッシュテーブルを保持するステップと、
前記サブジェクトから前記ベリファイアへの認証のための前記発行済みの第１の証明書を提示するステップと、
前記サブジェクトにより、前記サブジェクトが前記第１の証明書における前記公開鍵に対応する私有鍵の知識を有することを証明するステップとを含む、方法。
【請求項８】  前記サブジェクトに関連する前記長期識別情報が前記サブジェクトに当てはまらなくなったときに前記第１の証明書を取り消すステップを含む、請求項７記載の方法。
【請求項９】  少なくとも１つの前記私有鍵が含まれ、かつ前記サブジェクトに関連する少なくとも１つの前記長期識別情報が前記サブジェクトに当てはまらなくなったときに、前記第１の証明書を取り除くステップをさらに含み、取り除くステップは、
前記認証データベースから前記第１の証明書を示す前記記録を検索すると共に、前記第１の証明の暗号ハッシュを得るステップと、
認証局からベリファイアへ前記第１の証明書の前記暗号化ハッシュを含むメッセージを送るステップと、
前記ベリファイアがそのハッシュテーブルから前記第１の証明書の前記対応する暗号ハッシュを取り除くことを要求するステップと、
前記ハッシュテーブルから前記第１の証明書の前記暗号ハッシュを取り除くステップと、
第１の証明書の前記暗号ハッシュが前記ハッシュテーブルから取り除かれたことを前記認証局に通知するステップと、
前記認証局において、前記通知するステップにおいて送られた前記通知を集めるステップとを含む請求項７記載の方法。
【請求項１０】  前記認証局および前記ベリファイアは、前記第１の証明書における公開鍵に対応する前記私有鍵が漏洩されたときに前記第１の証明書を取り消すよう動作する、請求項１記載の公開鍵システム。
【請求項１１】  前記第１の証明書における前記公開鍵に対応する前記私有鍵が漏洩されたときに前記第１の証明書を取り消すステップをさらに含む、請求項７記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月17日(2007.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  キャリヤの同相−直角位相（ＩＱ）変調を有する広帯域キャリヤ信号または狭帯域キャリヤ信号として送信される送信情報を受信しかつ処理するよう構成された通信受信機であって、
広帯域信号の帯域幅（ＢＷ）を包含するのに十分広いスペクトルの一部を検出し、かつ該検出した信号をＩおよびＱ成分におけるベースバンドへと変換するための検出および変換手段（１００〜１０８）であって、各々の成分はＢＷ／２の帯域幅を有するもの、
を具備し、さらに、
前記ＩおよびＱ成分を少なくとも広帯域信号からさらに他のＩおよびＱ成分に変換してサブ成分（ＩＩ，ＩＱ，ＱＩおよびＱＱ）を形成するためのさらに他の変換手段（１１０〜１１６）であって、前記サブ成分の各々はＢＷ／４の帯域幅を有し、かつ元の送信情報の部分を含むことができるもの、
広帯域モードにおいて、前記サブ成分（ＩＩ，ＩＱ，ＱＩおよびＱＱ）の各々を別個に処理して元の送信情報の部分を抽出するよう動作し、かつ狭帯域モードにおいて、狭帯域送信信号内の情報（ＩＩおよびＱＩ）を含む前記サブ成分の各々を別個に処理して元の送信情報の部分を抽出するよう動作可能な処理手段（１１８〜１４０）、および
前記抽出された情報を再結合して元の送信情報を再現するための再結合手段（１４２）、
を具備することを特徴とする通信受信機。
【請求項２】  前記検出および変換手段（１００〜１０８）は、受信された無線信号を単一の局部発振器出力（１０５）によって混合して前記受信された無線信号を前記処理が行なわれる周波数へとダウンコンバートし、かつその後該ダウンコンバートされた信号を独立したかつ同時的な処理のためにＢＷ／２の帯域幅を有する成分へと分割することを特徴とする請求項１に記載の通信受信機。
【請求項３】  前記検出および変換手段（１００〜１０８）は、受信された無線信号を単一の局部発振器出力（１０５）により混合して前記受信された無線信号を中間周波数へとダウンコンバートし、かつその後該ダウンコンバートされた信号を独立したかつ同時的な処理のためにＢＷ／２の帯域幅を有する成分へと分割することを特徴とする請求項１に記載の通信受信機。
【請求項４】  前記さらに他の変換手段（１１０〜１１６）は、前記ダウンコンバートされたＩおよびＱ成分を局部的に発生された信号と混合して前記サブ成分（ＩＩ，ＩＱ，ＱＩおよびＱＱ）を生成するための成分混合手段を具備することを特徴とする請求項２または３に記載の通信受信機。
【請求項５】  前記成分混合手段は、そのデジタル入力が局部発振器からの低周波デジタル局部発振器信号によって駆動される乗算器ＤＡＣを具備することを特徴とする請求項４に記載の通信受信機。
【請求項６】  前記乗算器ＤＡＣは自動利得調整のための利得制御を提供することを特徴とする請求項５に記載の通信受信機。
【請求項７】  前記処理手段（１１８〜１４０）は、アナログ−デジタル変換器（１２６〜１３２）を具備することを特徴とする請求項６に記載の通信受信機。
【請求項８】  前記アナログ−デジタル変換器（１２６〜１３２）は、広帯域または狭帯域変換のためのプログラム可能なオーバサンプリング比を備えたシグマ−デルタＡ／Ｄ変換器からなることを特徴とする請求項７に記載の通信受信機。
【請求項９】  前記さらに他の変換手段（１１０〜１１６）は、前記サブ成分（ＩＩ，ＩＱ，ＱＩおよびＱＱ）のためのそれぞれの経路を有し、前記サブ成分の内の２つの経路は狭帯域モードにおいてディスエーブルされることを特徴とする請求項１〜８の内のいずれか１項に記載の通信受信機。
【請求項１０】  前記再結合手段（１４２）は、前記再結合プロセスの間にデジタル局部発振器（１０５）からの信号との複素混合と組み合わせて前記サブ成分のためのデジタル利得および位相修正を行なうよう構成されていることを特徴とする請求項１〜９の内のいずれか１項に記載の通信受信機。
【請求項１１】  前記再結合手段（１４２）は前記再結合プロセスの間に前記デジタル局部発振器を位相シフトすることにより位相の不連続性を除去するよう構成されていることを特徴とする請求項１０に記載の通信受信機。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月29日(2008.2.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シートを積載するシート積載部と、前記シート積載部に積載されたシートを供給するシート供給手段と、前記シート積載部に積載されたシートにエアーを吹き付けるエアー吹き付け手段とを備えるシート供給装置であって、
前記エアー吹き付け手段は、エアーを吹き出すエアー吹き出し手段と、前記シート積載部に積載されたシートと前記エアー吹き出し手段との間に介在する状態で設けられるとともに、前記エアー吹き出し手段から吹き出されるエアーを受けつつ揺動する揺動部材とを有する
ことを特徴とするシート供給装置。
【請求項２】
前記揺動部材は、前記エアー吹き出し手段から吹き出されたエアーをシートに吹き付けたときに、当該揺動部材に作用するエアーの圧力変動に応じて揺動する
ことを特徴とする請求項１記載のシート供給装置。
【請求項３】
前記揺動部材は、前記エアー吹き出し手段から吹き出されるエアーの流路上で、当該揺動部材を回動自在に支持する回動支点部を中心に揺動可能に設けられている
ことを特徴とする請求項１又は２記載のシート供給装置。
【請求項４】
前記揺動部材は、前記エアー吹き出し手段から吹き出されるエアーの流路上で、シート積載方向に揺動可能に設けられている
ことを特徴とする請求項１又は２記載のシート供給装置。
【請求項５】
前記揺動部材を弾性部材で支持してなる
ことを特徴とする請求項１又は２記載のシート供給装置。
【請求項６】
前記揺動部材を弾性材料で構成してなる
ことを特徴とする請求項１又は２記載のシート供給装置。
【請求項７】
シートを積載するシート積載部と、前記シート積載部に積載されたシートを供給するシート供給手段と、前記シート積載部に積載されたシートにエアーを吹き付けるエアー吹き付け手段とを備えるシート供給装置を具備する画像形成装置であって、
前記エアー吹き付け手段は、エアーを吹き出すエアー吹き出し手段と、前記シート積載部に積載されたシートと前記エアー吹き出し手段との間に介在する状態で設けられるとともに、前記エアー吹き出し手段から吹き出されるエアーを受けつつ揺動する揺動部材とを有する
ことを特徴とする画像形成装置。
【請求項８】
シートを積載するシート積載部と、前記シート積載部に積載されたシートを供給するシート供給手段と、前記シート積載部に積載されたシートにエアーを吹き付けるエアー吹き付け手段とを備えるシート供給装置であって、
前記エアー吹き付け手段は、エアーを吹き出すエアー吹き出し手段と、前記エアー吹き出し手段から吹き出されるエアーの強さを可変する可変手段と、前記エアー吹き出し手段から吹き出されるエアーの強さに応じて揺動する揺動部材とを有する
ことを特徴とするシート供給装置。
【請求項９】
前記可変手段は、前記エアーの強さを繰り返し変化させるものである
ことを特徴とする請求項８記載のシート供給装置。
【請求項１０】
前記揺動部材は、前記エアー吹き出し手段から吹き出されるエアーの流路上で、当該揺動部材を回動自在に支持する回動支点部を中心に揺動可能に設けられている
ことを特徴とする請求項８又は９記載のシート供給装置。
【請求項１１】
前記揺動部材は、前記エアー吹き出し手段から吹き出されるエアーの流路上で、シート積載方向に揺動可能に設けられている
ことを特徴とする請求項８又は９記載のシート供給装置。