【手続補正書】
【提出日】平成20年11月11日(2008.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）の製造中に堆積される材料の堆積をモニタリングする方法であって、
前記製造中に堆積される少なくとも３つの材料層から成るテストユニットを形成することであって、前記少なくとも３つの材料層は、前記ＭＥＭＳの製造中に堆積される層数よりも少なく、前記少なくとも３つの材料層は、試験ユニット構造を形成することと、
前記試験ユニット構造から反射された光を検出し、それによって前記少なくとも３つの層の性質に関する情報が入手されること、とを具備する方法。
【請求項２】
前記テストユニットを形成することは、前記製造中に用いられるのと同じ材料堆積及びパターン形成ステップに前記テストユニットをさらすことを具備する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記材料のうちの少なくとも１つの屈折指数を前記検出された光から決定することをさらに具備する請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記材料のうちの少なくとも１つの反射率を前記検出された光から決定することをさらに具備する請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記材料のうちの少なくとも１つの透過率を前記検出された光から決定することをさらに具備する請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記材料のうちの少なくとも１つの前記厚さを前記検出された光から決定することをさらに具備する請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記試験ユニット構造の前記深さを前記検出された光から決定することをさらに具備する請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記検出することは、前記反射された光を光検出器で測定することを具備する請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記検出することは、前記反射された光のスペクトルを分光計で測定することを具備する請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記スペクトルを試験ユニット構造から反射された光のモデルに当てはめることをさらに具備する請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記検出することは、前記反射された光を測色計で測定することを具備する請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記反射された光を検出することは、前記テストユニットにおいて前記少なくとも３つの材料層が前記テストユニットの形成中に堆積される側部から反射率を検出することを具備する請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記反射された光を検出することは、前記テストユニットにおいて前記少なくとも３つの材料層が前記テストユニットの形成中に堆積される側部の反対側から反射率を検出することを具備する請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
ディスプレイ内において用いるために適合化された複数のインターフェロメトリック変調器と、
非変調干渉計と、を具備するウェハー。
【請求項１５】
前記非変調干渉計は、前記インターフェロメトリック変調器内の材料層と実質的に同じである少なくとも１つの材料層を具備する請求項１４に記載のウェハー。
【請求項１６】
前記非変調干渉計は、１つにまとまって試験ユニット構造を形成する少なくとも３つの材料層を具備する請求項１４に記載のウェハー。
【請求項１７】
前記試験ユニット構造内の反射面間には実質的なエアギャップが存在しない請求項１６に記載のウェハー。
【請求項１８】
ディスプレイ内において干渉的に光を表示するための複数の第１の手段と、
非変調的に及び干渉的に光を反射させるための第２の手段と、を具備するウェハー。
【請求項１９】
前記第１の手段は、インターフェロメトリック変調器である請求項１８に記載のウェハー。
【請求項２０】
前記第２の手段は、非変調干渉計である請求項１８又は１９に記載のウェハー。
【請求項２１】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）の製造中に堆積される材料の堆積をモニタリングする方法であって、
前記製造中に堆積される１つ以上の材料層を具備するテストユニットを形成することであって、前記テストユニット内の材料層数は、前記ＭＥＭＳを製造中に堆積される層数よりも少ないことと、
前記テストユニットの前記反射率を検出することであって、前記反射率は、前記テストユニット内の前記層の性質に関する情報を提供すること、とを具備する方法。
【請求項２２】
前記テストユニットを形成することは、前記ＭＥＭＳの製造において用いられると同一の一連の材料堆積及びパターン形成ステップを用いることを具備する請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記テストユニット内の最終的な材料層は、実質的に反射性である請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
前記テストユニット内の前記層のうちの１つの反射率を決定することをさらに具備する請求項２１に記載の方法。
【請求項２５】
前記テストユニット内の前記層のうちの１つの透過率を決定することをさらに具備する請求項２１に記載の方法。
【請求項２６】
前記テストユニット内の前記層のうちの１つの厚さを決定することをさらに具備する請求項２１に記載の方法。
【請求項２７】
前記検出することは、前記テストユニットから反射された光のスペクトルを測定することを具備する請求項２１に記載の方法。
【請求項２８】
前記反射率を検出することは、前記テストユニットにおいて前記１つ以上の材料層が前記テストユニットの形成中に堆積される側部から反射率を検出することを具備する請求項２１に記載の方法。
【請求項２９】
前記反射率を検出することは、前記テストユニットにおいて前記１つ以上の材料層が前記テストユニットの形成中に堆積される側部の反対側から反射率を検出することを具備する請求項２１に記載の方法。
【請求項３０】
ディスプレイ内において用いるために適合化された複数のインターフェロメトリック変調器であって、複数の材料層を具備するインターフェロメトリック変調器と、
前記材料層のうちの１つ以上を具備するテストユニットであって、すべての前記複数の材料層よりも少ない材料層を具備するテストユニットと、を具備するウェハー。
【請求項３１】
前記テストユニットは、試験ユニット構造を具備する請求項３０に記載のウェハー。
【請求項３２】
前記テストユニット内の前記最終層は、実質的に反射性である請求項３０に記載にウェハー。
【請求項３３】
前記テストユニット内の前記最終層以外の層は、実質的に透明である請求項３２に記載のウェハー。
【請求項３４】
結合された微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）とテストユニット構造物を製造する方法であって、
ＭＥＭＳ構造物を形成することと、
テストユニットを同時に形成すること、とを具備し、前記ＭＥＭＳ構造物を形成することは、１つ以上の堆積及びパターン形成ステップを含み、前記テストユニットを形成することは、前記１つ以上の材料堆積及びパターン形成ステップを含み、前記テストユニットは、前記ＭＥＭＳ構造物内に存在するすべての構成要素よりも少ない数の構成要素を具備する方法。
【請求項３５】
請求項３４に記載のプロセスによって製造される結合された微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）及びテストユニット構造物。
【請求項３６】
一連の材料層を基板上に堆積及びパターン形成してＭＥＭＳ構造物を形成することと、
一連の材料層を前記基板上に同時に堆積及びパターン形成してテストユニットを形成することであって、前記テストユニットは、前記ＭＥＭＳ構造物内に存在するすべての構成要素よりも少ない数の構成要素を具備すること、とを具備するプロセスによって製造されるウェハー。