(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板主面と基板裏面を有し、これら基板主面と基板裏面との間を貫通する収容部を有する基板本体と、
上記収容部内に内蔵されたＩＣチップと、
を備える配線基板の製造方法であって、
表面に粘着剤を有するシート材により、上記収容部の上記基板主面側または基板裏面側の開口部を、上記粘着剤が上記収容部の内側に露出するように塞ぐ閉塞工程と、
上記ＩＣチップを、上記シート材に粘着した状態となるように、上記収容部内に配置するＩＣ配置工程と、
上記ＩＣチップが配置された上記収容部内に、固定用樹脂を充填し硬化させて、上記ＩＣチップを上記基板本体内に固定するＩＣ固定工程と、
を備え、
前記ＩＣ配置工程では、前記ＩＣチップのＩＣ端子が配置された端子面を前記シート材に向けて、上記端子面の少なくとも周縁と上記シート材とを隙間なく密着させる
配線基板の製造方法。
【請求項２】
基板主面と基板裏面を有し、これら基板主面と基板裏面との間を貫通する複数の収容部を有する基板本体と、
各々の上記収容部内に内蔵された複数のＩＣチップと、
を備える多数個取り用の配線基板の製造方法であって、
表面に粘着剤を有するシート材により、上記複数の収容部の上記基板主面側または基板裏面側の開口部を、上記粘着剤が上記収容部の内側にそれぞれ露出するように塞ぐ閉塞工程と、
上記複数のＩＣチップを、上記シート材に粘着した状態となるように、上記収容部内にそれぞれ配置するＩＣ配置工程と、
上記ＩＣチップが配置された各々の上記収容部内に、固定用樹脂を充填し硬化させて、上記ＩＣチップを上記基板本体内にそれぞれ固定するＩＣ固定工程と、を備え、
前記ＩＣ配置工程では、前記ＩＣチップのＩＣ端子が配置された端子面を前記シート材に向けて、上記端子面の少なくとも周縁と上記シート材とを隙間なく密着させる
多数個取り用の配線基板の製造方法。
【請求項３】
基板主面と基板裏面を有し、収容部、及び、上記基板主面と基板裏面との間を貫通するスルーホールを有する基板本体と、
上記収容部内に内蔵されたＩＣチップと、
上記スルーホールに形成されたスルーホール導体と、
を備える配線基板の製造方法であって、
前記収容部は、前記基板主面と基板裏面との間を貫通してなり、
表面に粘着剤を有するシート材により、上記収容部の上記基板主面側または基板裏面側の開口部を、上記粘着剤が上記収容部の内側に露出するように塞ぐ閉塞工程と、
前記ＩＣチップを、上記シート材に粘着した状態となるように、上記収容部内に配置するＩＣ配置工程と、
上記基板本体に穿孔された上記スルーホールの内周面にメッキを施して、上記スルーホール導体を形成するメッキ工程と、
上記スルーホール導体の孔に孔埋用樹脂を充填し硬化させる孔埋工程と、
上記孔埋工程後に、上記ＩＣチップが配置された上記収容部内に固定用樹脂を充填し硬化させて、上記ＩＣチップを上記基板本体内に固定するＩＣ固定工程と、
を備え、
前記ＩＣ配置工程では、前記ＩＣチップのＩＣ端子が配置された端子面を前記シート材に向けて、上記端子面の少なくとも周縁と上記シート材とを隙間なく密着させる
配線基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法であって、
前記ＩＣ固定工程後に、前記固定用樹脂のうち、前記ＩＣチップのＩＣ端子が配置された端子面側に位置する露出面を、平坦に整面する整面工程を備える
配線基板の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の配線基板の製造方法であって、
前記整面工程では、＃３２０以上の研磨紙により、前記露出面を研磨して平坦に整面する
配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＩＣチップを有する配線基板に関し、特に、基板本体に設けられた収容部にＩＣチップが内蔵された配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、チップコンデンサ等の電子部品が表面実装され、基板内部にＩＣチップが内蔵された配線基板が知られている。このような形態をとるのは、ＩＣチップと電子部品を共に表面実装するよりも、ＩＣチップと電子部品との間の配線長の短縮化を図ることができるため、配線のインダクタンス成分が増加するのを抑制できるからである。特に、搭載する電子部品がチップコンデンサの場合には、ＩＣチップのスイッチングノイズの低減や動作電源電圧の安定化を図る上で有利となる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、基板本体に設けた収容部にＩＣチップを高精度で配置することは容易でない。即ち、ＩＣチップを収容部の所望の位置に配置しても、ＩＣチップが基板本体内に固定されるまでの間に、外部からの振動等によってＩＣチップの位置がずれる可能性がある。その結果、ＩＣチップと基板の配線との電気的接続に不具合が生じる。そして、この問題は、特に、製造する配線基板が、個々の配線基板が複数連結した多数個取り用の配線基板の場合に顕著に現れる。複数個所にＩＣチップを配置する際に、すべてのＩＣチップの位置を高精度に制御するのはより困難だからである。
【０００４】
ところで、ＩＣチップを内蔵する基板本体には、その基板主面と基板裏面との間を貫通するスルーホール導体を形成することが多いが、ＩＣチップを基板本体に内蔵すると共にスルーホール導体を形成する手法としては、図４３〜図４５に示すような方法が考えられる。
即ち、基板本体９０３に、ＩＣチップＩＣ１用の収容部９０５を形成すると共に、スルーホール導体９０８用のスルーホール９０７を形成する（図４３参照）。そして、収容部９０５内にＩＣチップＩＣ１を配置し、さらに、固定用樹脂９０６を充填し硬化させることにより、ＩＣチップＩＣ１を基板本体９０３内に固定する。その後、図４４に示すように、パネルメッキにより、スルーホール９０７にスルーホール導体９０８を形成すると共に、基板主面９０３ａ及び基板裏面（図示しない）上や固定用樹脂９０６の露出面上にメッキ層９１１を形成する。そしてさらに、図４５に示すように、スルーホール導体９０８の孔に孔埋用樹脂９０９を充填し硬化させる、というものである。
【０００５】
しかしながら、この手法では、収容部９０５に固定用樹脂９０６を充填する際に、この固定用樹脂９０６がはみ出してスルーホール９０７を塞いでしまい、その後のスルーホール導体９０８の形成が上手くいかない可能性がある。また、固定用樹脂９０６の露出面上やその周縁の基板主面９０３ａまたは基板裏面上にメッキ層９１１を形成する際に、収容部９０５の開口縁近傍において、メッキ層９１１に窪み９２３が生じる可能性がある（図４４参照）。これは、固定用樹脂９０６と収容部９０５の開口縁とが完全には密着し難く、それらの間に僅かな隙間９２１が生じるためである（図４３参照）。こうした窪み９２３が生じた場合、メッキ後、スルーホール導体９０８の孔に孔埋用樹脂９０９を充填するときに、その窪み９２３にも孔埋用樹脂９０９が入り込む可能性があり（図４５参照）、その後、メッキ層９１１から所定パターンの導体層を形成するのに支障を来す結果となる。例えば、所定のパターンを形成するためにメッキ層９１１をエッチングする際に、樹脂残り部がエッチングされずに短絡を生じるなどの不具合を生じることとなる。
【０００６】
本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであって、基板本体内にＩＣチップが内蔵された配線基板において、合理的な配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
その解決手段は、基板主面と基板裏面を有し、これら基板主面と基板裏面との間を貫通する収容部を有する基板本体と、上記収容部内に内蔵されたＩＣチップと、を備える配線基板の製造方法であって、表面に粘着剤を有するシート材により、上記収容部の上記基板主面側または基板裏面側の開口部を、上記粘着剤が上記収容部の内側に露出するように塞ぐ閉塞工程と、上記ＩＣチップを、上記シート材に粘着した状態となるように、上記収容部内に配置するＩＣ配置工程と、上記ＩＣチップが配置された上記収容部内に、固定用樹脂を充填し硬化させて、上記ＩＣチップを上記基板本体内に固定するＩＣ固定工程と、を備え、前記ＩＣ配置工程では、前記ＩＣチップのＩＣ端子が配置された端子面を前記シート材に向けて、上記端子面の少なくとも周縁と上記シート材とを隙間なく密着させる配線基板の製造方法である。
【０００８】
本発明では、まず閉塞工程において、基板本体を貫通する収容部のうち、基板主面側または基板裏面側の一方の開口部をシート材により塞ぐ。シート材は表面に粘着剤を有するものであり、上記開口部は、その粘着剤が収容部の内側に露出するように塞がれる。また、ＩＣ配置工程では、ＩＣチップを収容部内に配置するが、その際、ＩＣチップがシート材に粘着した状態となるようにする。そして、ＩＣ固定工程では、ＩＣチップが配置された収容部内に樹脂を充填し、それを硬化させて、ＩＣチップを基板本体内に固定する。
従って、高い位置精度で収容部内、即ち、配線基板の内部に、ＩＣチップを配置できる。そのため、ＩＣチップと基板の配線との電気的接続も確実に図ることができ、信頼性の高い配線基板を得ることができる。
さらに本発明によれば、ＩＣ配置工程において、ＩＣチップの端子面の少なくとも周縁とシート材とを隙間なく密着させる。このため、ＩＣ固定工程で収容部内に固定用樹脂を充填しても、ＩＣチップの端子面には固定用樹脂が付着しない。従って、その後、シート材を剥離すれば、ＩＣチップの端子面とＩＣ端子が露出するので、直ちにＩＣ端子に配線等を接続することが可能となる。即ち、固定用樹脂の一部を穿孔したり研磨するなどしてＩＣ端子を露出させる手間が省ける。
なお、ＩＣ配置工程は、必ずしも閉塞工程の後に行う必要はなく、同時に行うようにしてもよい。例えば、シート材にＩＣチップを粘着させておき、そのシート材で収容部を塞ぐと同時に、ＩＣチップが収容部内部に配置されるようにすれば、閉塞工程とＩＣ配置工程を同時に行うことができる。
【０００９】
なお、ＩＣチップとしては、ＭＰＵチップ、ＣＰＵチップ、ＤＳＰチップなどが挙げられる。
また、基板本体としては、例えば、１層の絶縁層からなるコア基板の他、導体層と絶縁層とが交互に積層された基板などが挙げられる。
また、シート材としては、例えば、ポリイミド、ポリエステル、ＰＥＴ、テフロン（登録商標）で構成されたものが考えられる。このうち、耐熱性、耐薬品性に優れているテフロン（登録商標）を使用するのが比較的好ましい。また、シート材の表面に付される粘着剤としては、例えば、シリコン系の粘着剤、アクリル系の粘着剤、熱可塑性ゴム系の粘着剤などが挙げられる。このうち、離型性、即ち、剥がし易さや、耐熱性の点で優れているシリコン系の粘着剤を使用するのが比較的好ましい。
【００１０】
ところで、シート材の表面においてＩＣチップを正確な位置に配置しても、その後、充填される固定用樹脂に押さえ付けられることにより、その位置がずれたり、傾いたりする可能性がある。そうすると、後で、ＩＣチップと基板の配線との接続が困難となることが考えられる。
そこで、ＩＣチップの位置精度を上げるためには、シート材の粘着力を高くした方が好ましい。具体的には、粘着力が８．０Ｎ／２５ｍｍ以上であるのが好ましい。この粘着力は、１８０度引き剥がし法（ＪＩＳ  Ｚ０２３７）により測定されるものである。また、この単位［Ｎ／２５ｍｍ］は、幅２５ｍｍのシート材を試料として測定された力を意味する（以下同様）。このようにシート材の粘着力が高ければ、ＩＣチップが配置された収容部に固定用樹脂を充填する際にも、ＩＣチップが動きにくくなり、ＩＣチップの位置精度を高めることができる。
また、シート材は、機械的強度の高いものである方が好ましい。シート材の強度が低すぎると、シート材にＩＣチップを配置する際にシート材が変形しＩＣチップの位置ずれが生じるなど、ＩＣチップの正確な配置が困難となるからである。具体的には、引張強さ（ＪＩＳ  Ｚ０２３７）が１００Ｎ／２５ｍｍ以上、より好ましくは１５０Ｎ／２５ｍｍ以上であるのがよい。
【００１１】
また、他の解決手段は、基板主面と基板裏面を有し、これら基板主面と基板裏面との間を貫通する複数の収容部を有する基板本体と、各々の上記収容部内に内蔵された複数のＩＣチップと、を備える多数個取り用の配線基板の製造方法であって、表面に粘着剤を有するシート材により、上記複数の収容部の上記基板主面側または基板裏面側の開口部を、上記粘着剤が上記収容部の内側にそれぞれ露出するように塞ぐ閉塞工程と、上記複数のＩＣチップを、上記シート材に粘着した状態となるように、上記収容部内にそれぞれ配置するＩＣ配置工程と、上記ＩＣチップが配置された各々の上記収容部内に、固定用樹脂を充填し硬化させて、上記ＩＣチップを上記基板本体内にそれぞれ固定するＩＣ固定工程と、を備え、前記ＩＣ配置工程では、前記ＩＣチップのＩＣ端子が配置された端子面を前記シート材に向けて、上記端子面の少なくとも周縁と上記シート材とを隙間なく密着させる多数個取り用の配線基板の製造方法である。
【００１２】
本発明では、多数個取り用の配線基板において、前述したように、閉塞工程とＩＣ配置工程とＩＣ固定工程を行う。従って、複数個のＩＣチップを一挙に内蔵するにも拘わらず、高い位置精度で収容部内、即ち、配線基板の内部にＩＣチップを配置できる。そのため、ＩＣチップと基板の配線との電気的接続も確実に図ることができ、信頼性の高い配線基板を得ることができる。
さらに本発明によれば、ＩＣ配置工程において、ＩＣチップの端子面の少なくとも周縁とシート材とを隙間なく密着させる。このため、ＩＣ固定工程で収容部内に固定用樹脂を充填しても、ＩＣチップの端子面には固定用樹脂が付着しない。従って、その後、シート材を剥離すれば、ＩＣチップの端子面とＩＣ端子が露出するので、直ちにＩＣ端子に配線等を接続することが可能となる。即ち、固定用樹脂の一部を穿孔したり研磨するなどしてＩＣ端子を露出させる手間が省ける。
なお、収容部の開口部は、各々別個のシート材で塞ぐようにしても上記効果を得ることができるが面倒である。そこで、１枚のシート材で複数の収容部を同時に塞ぐようにするのが好ましい。製造工程を簡素化することができるからである。
【００１３】
また、他の解決手段は、基板主面と基板裏面を有し、収容部、及び、上記基板主面と基板裏面との間を貫通するスルーホールを有する基板本体と、上記収容部内に内蔵されたＩＣチップと、上記スルーホールに形成されたスルーホール導体と、を備える配線基板の製造方法であって、前記収容部は、前記基板主面と基板裏面との間を貫通してなり、表面に粘着剤を有するシート材により、上記収容部の上記基板主面側または基板裏面側の開口部を、上記粘着剤が上記収容部の内側に露出するように塞ぐ閉塞工程と、前記ＩＣチップを、上記シート材に粘着した状態となるように、上記収容部内に配置するＩＣ配置工程と、上記基板本体に穿孔された上記スルーホールの内周面にメッキを施して、上記スルーホール導体を形成するメッキ工程と、上記スルーホール導体の孔に孔埋用樹脂を充填し硬化させる孔埋工程と、上記孔埋工程後に、上記ＩＣチップが配置された上記収容部内に固定用樹脂を充填し硬化させて、上記ＩＣチップを上記基板本体内に固定するＩＣ固定工程と、を備え、前記ＩＣ配置工程では、前記ＩＣチップのＩＣ端子が配置された端子面を前記シート材に向けて、上記端子面の少なくとも周縁と上記シート材とを隙間なく密着させる配線基板の製造方法である。
【００１４】
本発明では、スルーホール導体の孔を孔埋用樹脂で孔埋めした後に（孔埋工程後に）、ＩＣチップが配置された収容部への固定用樹脂の充填、硬化を行うこととしているため（ＩＣ固定工程）、収容部に充填されるべき固定用樹脂によりスルーホールまたはスルーホール導体の孔が塞がれるといった不具合が生じない。また、収容部の開口縁近傍においてメッキ層に窪みが生じても、この窪みに孔埋用樹脂が詰まることもないため、この詰まりに起因して所定パターンの導体層の形成に支障が生じることもなくなる。
また、本発明では、前述したように、シート材を用いて、閉塞工程とＩＣ配置工程を行う。従って、高い位置精度で収容部内、即ち、配線基板の内部にＩＣチップを配置できる。そのため、ＩＣチップと基板の配線との電気的接続も確実に図ることができ、信頼性の高い配線基板を得ることができる。
さらに本発明では、ＩＣ配置工程において、ＩＣチップの端子面の少なくとも周縁とシート材とを隙間なく密着させる。このため、ＩＣ固定工程で収容部内に固定用樹脂を充填しても、ＩＣチップの端子面には固定用樹脂が付着しない。従って、その後、シート材を剥離すれば、ＩＣチップの端子面とＩＣ端子が露出するので、直ちにＩＣ端子に配線等を接続することが可能となる。即ち、固定用樹脂の一部を穿孔したり研磨するなどしてＩＣ端子を露出させる手間が省ける。
なお、基板本体への収容部の形成や、収容部へのＩＣチップの配置は、ＩＣ固定工程における固定用樹脂の充填前であれば、いつ行ってもよい。
収容部は、基板主面と基板裏面との間を貫通してなるものの他、基板主面側あるいは基板裏面側に開口する凹部等であっても構わない。但し、凹部にＩＣチップを高い位置精度で配置し、さらに固定することは容易ではないので、後述するように、収容部は貫通孔であるのが好ましい。
【００１５】
【００１６】
【００１７】
【００１８】
【００１９】
さらに、上記のいずれかに記載の配線基板の製造方法であって、前記ＩＣ固定工程後に、前記固定用樹脂のうち、前記ＩＣチップのＩＣ端子が配置された端子面側に位置する露出面を、平坦に整面する整面工程を備える配線基板の製造方法とすると良い。
【００２０】
本発明によれば、ＩＣ固定工程後に、固定用樹脂のうち、ＩＣチップの端子面側に位置する露出面を、平坦に整面する。固定用樹脂は、収容部内に充填後、硬化により形成されるので、その露出面が盛り上がったり、その露出面に凹凸ができやすい。しかし、本発明では、その露出面のうち、少なくともＩＣチップの端子面側に位置する露出面を平坦化することから、その後、この上にビルドアップ層（絶縁層及び導体層）の形成を支障なく行うことができる。また、固定用樹脂の露出面の平坦化を、固定用樹脂の硬化が不完全な状態で行うと、収容部内でＩＣチップの位置がずれる可能性があるが、本発明では、固定用樹脂を硬化させた後（ＩＣ固定工程後）に平坦化を行うので、そういった心配もない。
なお、固定用樹脂の平坦化は、特に、機械研磨、例えば、バフ研磨、ベルトサンダーによる研磨などにより行うのが好ましく、そうすれば、固定用樹脂の露出面と基板本体の基板主面または基板裏面とを簡単に同一平面にすることができる。
【００２１】
さらに、上記の配線基板の製造方法であって、前記整面工程では、＃３２０以上の研磨紙により、前記露出面を研磨して平坦に整面する配線基板の製造方法とすると良い。
【００２２】
本発明では、整面工程は、＃３２０以上の研磨紙により、露出面を研磨することにより行う。＃３２０以上の番手（ＪＩＳ規格Ｒ６００１「研磨剤の粒度」に規定されている。）の研磨紙を用いて固定用樹脂を研磨すれば、基板本体の表面に傷が付きにくい。そのため、例えば、ビルドアップ法による配線形成など、配線形成を支障なく行うことができる。
また、＃３２０以上＃６００以下の研磨紙を利用すれば、基板本体の表面に導体層が形成されている場合であっても、その導体層の剥離を抑制できるという効果を奏する。
【００２３】
なお、以上で説明した製造方法によって得られる配線基板において、所望の配線パターンを形成するためには、収容部に充填された固定用樹脂の露出面及びその周辺などに導体層（メッキ層）を形成して配線パターンを構成する必要がある。そして、基板本体には、収容部の他にも、スルーホールを設けてその内周面にメッキによりスルーホール導体を形成し、基板本体の基板主面と基板裏面に形成された配線同士を導通させる。そして、そのスルーホール導体の孔に孔埋用樹脂を充填する場合が多い。
【００２４】
固定用樹脂には、固定用樹脂よりも熱膨張係数が小さいフィラー（例えばＳｉＯ2 等）を混合（樹脂を含む複合材料となる。）しておくのが好ましい。こうすることにより、固定用樹脂とフィラーとの複合体としての熱膨張係数を精度よくコントロールすることが可能となる。その結果、例えば、Ｃｕ等により形成される配線（導体層）やＳｉ等により形成されるＩＣチップと基板本体との間で熱膨張係数の整合をとり易くなり、熱に対する信頼性を向上させることができる。
【００２５】
また、特に、固定用樹脂には、酸化剤に溶解しにくい成分として無機フィラーを含有させるとよい。固定用樹脂の表面は、配線パターンや電子部品との密着性を高めるために、酸化剤により粗化処理をすることがある。そこで、酸化剤に溶解しにくい成分として無機フィラーを含有させると、熱膨張係数を調整できる他、固定用樹脂の硬化後において無機フィラーが骨材として機能することにより、粗化処理後における固定用樹脂の形状が必要以上に崩れることを防止できる。
酸化剤に実質的に溶解しない無機フィラーとしては、特に制限はないが、結晶性シリカ、溶解シリカ、アルミナ、窒化ケイ素等がよく、固定用樹脂の熱膨張率を効果的に下げることができる。これらの無機フィラーを充填材として高い充填率になるように添加し、固定用樹脂の熱膨張率を４０ｐｐｍ／℃以下、好ましくは３０ｐｐｍ／℃以下、より好ましくは２５ｐｐｍ／℃以下、さらに好ましくは２０ｐｐｍ／℃以下であって、下限値として１０ｐｐｍ／℃以上にすることで、内蔵されたＩＣチップと実装される電子部品との熱膨張係数の差に起因する応力集中を少なくすることができる。
【００２６】
無機フィラーの形状は、固定用樹脂の流動性と充填率とを高くするために、略球状であるとよい。特に、シリカ系の無機フィラーは、容易に球状のものが得られるため好ましい。固定用樹脂の粘度、高充填率化をさらに向上達成させるためには、粒子の形状の異なる無機フィラーを２種以上添加するとよい。
無機フィラーの径は、固定用樹脂の流動性をよくするため、粗径５０μｍ以下のフィラーを使用するとよい。この粒径の好ましい範囲は、３０μｍ以下であり、より好ましくは２０μｍ以下、さらに好ましくは１０μｍ以下である。５０μｍを越えると、流動性が悪く充填がうまくいかないこと可能性がある上、固定用樹脂の露出面を平坦化するために研磨する際に、フィラーが脱落して大きな凹みが発生し、その後のメッキによる微細配線の形成を妨げる。フィラー径の下限値としては、０．１μｍ以上がよい。これよりも細かいと、固定用樹脂の流動性が確保しにくくなる。好ましくは０．３μｍ以上、さらに好ましくは０．５μｍ以上がよい。固定用樹脂の低粘度、高充填化を達成するためには、粒度分布を広くとるとよい。
【００２７】
無機フィラーの表面は、必要に応じてカップリング剤により表面処理するとよい。無機フィラーの樹脂成分との濡れ性がよくなり、固定用樹脂の流動性を良好にできるからである。カップリング剤の種類としては、シラン系、チタン系、アルミニウム系等が用いられる。
【００２８】
また、固定用樹脂には、酸化剤に実質的に溶解しない成分として、他に、硬化促進剤、シリコンオイル、反応性シリコンゲル、反応性希釈剤、消泡剤、改質剤等を用いることができる。固定用樹脂に熱硬化性樹脂を含む場合には、硬化剤の添加が必要である。硬化剤の種類に特に制限はないが、イミダゾール系、アミン系、酸無水物系、ノボラック樹脂系等を用いるとよい。特に、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いた場合は、イミダゾール系、アミン系や酸無水物系等の液状硬化剤を用いると、固定用樹脂の低粘度化が容易なため、無機フィラー等の充填材を添加する際に有効でよい。
【００２９】
硬化した固定用樹脂は、少なくとも配線との接触界面において粗化されているとよい。粗化面の細かい凹凸が、メッキにより形成される配線との密着性を高めるアンカー効果を奏するからである。この粗化面は、表面粗度Ｒｚが０．１μｍ〜１５μｍになるように調整するのがよい。好ましくは０．５μｍ〜１０μｍ、より好ましくは１μｍ〜８μｍ、さらに好ましくは３μｍ〜７μｍ、特には５〜７μｍがよい。配線は、この粗化面の凹凸に実質的に食い込んでいるのがよい。配線が凹凸に実質的に食い込んでいないような微細な隙間や密着不良部があると、信頼性試験において配線膨れが発生しやすくなるからである。
【００３０】
無機フィラーを固定用樹脂に含有させることは、固定用樹脂の粗化後の表面形状（凹凸）を調整する上でも意義がある。即ち、固定用樹脂は、少なくとも１種類の無機フィラーを含むものであり、かつ、その含有量が３５〜６５体積％の範囲、好ましくは、４０〜６０体積％の範囲、より好ましくは４０〜５０体積％の範囲であるとよい。固定用樹脂の表面粗度Ｒｚが所定の範囲となるように調整し、また、無機フィラーの含有量を所定の範囲とすることで、配線の密着性を得るために必要なアンカー効果がより効果的に得られると共に、粗化処理後の固定用樹脂の形状保持を図って、配線の下部に過大な大きさの空孔等の潜在的欠陥の発生を抑制できる利点がある。
【００３１】
そして特に、熱硬化性樹脂とその硬化剤と少なくとも１種類の無機フィラーとを含む固定用樹脂であってその熱硬化性樹脂がビスフェノールエポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂及びフェノールノボラック樹脂から選ばれる少なくとも１種であり、その無機フィラーの含有量が３５〜６５体積％であり、その硬化剤が酸無水物系の硬化剤である固定用樹脂を用いるとよい。配線の固定用樹脂に対する密着力を向上できると共に、耐熱衝撃試験、耐水性試験などの信頼性試験において高い信頼性が得られるからである。
【００３２】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しつつ説明する。
図１は本実施形態１に係る配線基板１０１の内部構成を説明する図である。なお、この配線基板１０１は、図２に示すように、分割により複数の配線基板１０２（縦横約４０ｍｍ×約４０ｍｍ）となる多数個取り用の配線基板（縦横約３３０ｍｍ×約３３０ｍｍ）である。
【００３３】
図１に示すように、この配線基板１０１においては、厚さ約０．８ｍｍのガラス−エポキシ樹脂複合材料製であるコア基板（基板本体）１０３の基板主面１０３ａと基板裏面１０３ｂには、厚さ約２５μｍのＣｕからなる第１導体層１０５ａ，１０５ｂが形成されている。
コア基板１０３には、基板主面１０３ａと基板裏面１０３ｂとの間を貫通するスルーホール１０７の内周面に、Ｃｕからなる直径約２５０μｍのスルーホール導体１０８が形成されている。そして、スルーホール導体１０８の孔には、孔埋用樹脂１０９が充填形成されている。このスルーホール導体１０８により、基板主面１０３ａ上の第１導体層１０５ａと基板裏面１０３ｂ上の第１導体層１０５ｂとが相互に接続されている。
【００３４】
また、コア基板１０３には、基板主面１０３ａと基板裏面１０３ｂとの間を貫通する収容部１１１（縦横約１２ｍｍ×約１２ｍｍ）が形成されており、その内部には、ＩＣチップＩＣ２が、そのＩＣ端子ＩＣ２ｔが多数配置された端子面ＩＣ２ｍを基板裏面１０３ｂ側に向けて内蔵されている。
収容部１１１の内部において、ＩＣチップＩＣ２は、硬化した固定用樹脂１１３によりコア基板１０３内に固定されている。配線基板１０１の裏面側には複数のチップコンデンサＣＣが実装されるので、これにより、ＩＣチップＩＣ２で発生するスイッチングノイズの抑制や、また、ＩＣチップＩＣ２に供給すべき動作電源電圧の安定化を図ることができる。
【００３５】
第１導体層１０５ａ，１０５ｂ上には、厚さ約３０μｍのエポキシ樹脂等からなる第１層間絶縁層１１５ａ，１１５ｂが積層され、さらに、第１層間絶縁層１１５ａ，１１５ｂの上には、厚さ約１５μｍのＣｕからなる第２導体層１１７ａ，１１７ｂが形成されている。即ち、第１導体層１０５ａ（１０５ｂ）と第２導体層１１７ａ（１１７ｂ）とは、第１層間絶縁層１１５ａ（１１５ｂ）を間に挟んで積層されている。また、第１導体層１０５ａ（１０５ｂ）と第２導体層１１７ａ（１１７ｂ）とは、第１層間絶縁層１１５ａ（１１５ｂ）に形成された開口径約６０μｍのＣｕからなるフィルドビア導体１１９ａ（１１９ｂ）により相互に接続されている。
【００３６】
第２導体層１１７ａ，１１７ｂ上には、厚さ約３０μｍのエポキシ樹脂等からなる第２層間絶縁層１２１ａ，１２１ｂが積層され、さらに、この第２層間絶縁層１２１ａ，１２１ｂの上には、厚さ約１５μｍのＣｕからなる第３導体層１２３ａ，１２３ｂが形成されている。
このうち、基板主面１０３ａ側の第３導体層１２３ａには、チップコンデンサＣＣを接続するためのフリップチップパッド（図示しない）が多数形成され、各フリップチップパッド上には、高温ハンダからなる略半球状のフリップチップバンプ（図示しない）が形成されている。なお、フリップチップパッドの周囲には、フリップチップバンプの形成時に、フリップチップパッドの周囲にハンダが流れ出すのを防止するためのソルダーレジスト層１２５ａ（厚さ約２０μｍ）が積層されている。
一方、基板裏面１０３ｂ側の第３導体層１２３ｂにも、チップコンデンサＣＣを接続するためのフリップチップパッド１２３ｂｆが多数形成され、各フリップチップパッド１２３ｂｆ上には、高温ハンダからなる略半球状のフリップチップバンプ１２７が形成されている。また、マザーボードなどの他の基板と接続するため、ピンパッド（図示しない）が多数形成され、さらに、各ピンパッドにはハンダによりピン（図示しない）が立設されている。なお、フリップチップパッド１２３ｂｆやピンパッドの周囲にも、ソルダーレジスト層１２５ｂ（厚さ約２０μｍ）が積層されている。
【００３７】
なお、第２導体層１１７ａ（１１７ｂ）と第３導体層１２３ａ（１２３ｂ）とは、第２層間絶縁層１２１ａ（１２１ｂ）に形成された開口径約５０μｍのＣｕからなるフィルドビア導体１２９ａ（１２９ｂ）により相互に接続されている。このように、層間接続にフィルドビア導体１１９ｂ，１２９ｂを用いることでＩＣチップＩＣ２のＩＣ端子ＩＣ２ｔとフリップチップパッド１２３ｂｆとを一直線で結ぶことができる（即ち、スタックトビアを形成できる。）。そのため、ＩＣチップＩＣ２とチップコンデンサＣＣとを短い距離で結ぶことが可能となり、電気的特性の向上を図ることが可能となる。
この多数個取り用の配線基板１０１は、後述する各工程を経た後、ダイシング加工により分割され、複数の配線基板１０２となる。
【００３８】
次いで、上記配線基板１０１の製造方法について、図を参照しつつ説明する。
図３に示すように、コア基板（基板本体）１０３としては、予め銅張積層板の一部として構成されたものを使用すると好ましい。銅張積層板は、樹脂製の絶縁性基板の両面に銅箔を載せ、加熱及び加圧により、絶縁性基板にＣｕからなる導体層１０３ｄａ，１０３ｄｂを積層したものである。なお、コア基板１０３として、こうした導体層１０３ｄａ，１０３ｄｂが積層されていない絶縁性基板を使用してもよい。
そして、このコア基板１０３に、基板主面１０３ａと基板裏面１０３ｂとの間を貫通するスルーホール１０７を例えばドリルにより多数形成すると共に、基板主面１０３ａと基板裏面１０３ｂとの間を貫通する収容部１１１を例えばパンチングにより形成する。これらスルーホール１０７や収容部１１１は、レーザ（ＣＯ2 、ＹＡＧ、エキシマ等）で穿孔することとすれば、その大きさを小さくすることも可能である。なお、図２に示すように、配線基板１０１には、複数の収容部１１１が形成される。
【００３９】
次に、図４に示すように、収容部１１１の開口部の一方（基板裏面１０３ｂ側の開口部１１１ｂ）を、片面にシリコン系の粘着剤１５１を有するポリイミドからなるシート材１５３で覆う（閉塞工程）。その際、粘着剤１５１をコア基板１０３側に向けてシート材１５３をコア基板１０３に貼り付ける。そうすれば、粘着剤１５１は、収容部１１１の内側に露出する。また、コア基板１０３には複数の収容部１１１が形成されているが、これらの開口部１１１ｂを１枚のシート材１５３で覆う。
【００４０】
シート材１５３で一方の開口部１１１ｂを塞いだ後、図５に示すように、ＩＣチップＩＣ２を、シート材１５３に粘着するように、収容部１１１の内部に配置する（ＩＣ配置工程）。この際、ＩＣ端子ＩＣ２ｔが配置された端子面ＩＣ２ｍ全体がシート材１５３と隙間なく粘着するように配置する。一方、ＩＣ端子ＩＣ２ｔとシート材１５３との間には、若干の隙間ができることもある。
なお、シート材１５３として、８．８３Ｎ／２５ｍｍの粘着力を有するものを使用したところ、一部のピースにおいて、シート材１５３からのＩＣチップＩＣ２の剥がれが確認された。このことから、シート材１５３上にＩＣチップＩＣ２を保持するためには、粘着力が８．０Ｎ／２５ｍｍ以上のものを使用すると好ましいと思われる。
【００４１】
このようにして、収容部１１１内にＩＣチップＩＣ２を配置した状態で、図６に示すように、収容部１１１内に固定用樹脂１１３を充填し、さらにこれを硬化させる（ＩＣ固定工程）。これにより、コア基板１０３内にＩＣチップＩＣ２が内蔵されることとなる。なお、ＩＣチップＩＣ２とシート材１５３との間には、固定用樹脂１１３は流れ込まない。端子面ＩＣ２ｍとシート材１５３とが隙間なく密着しているからである。
固定用樹脂１１３を充填した後、これを硬化させる前には、真空脱法により固定用樹脂１１３から気泡を抜く。固定用樹脂１１３を硬化させるには、固定用樹脂１１３の種類に応じて様々な方法が考えられる。本実施形態１では、固定用樹脂１１３として熱硬化性のエポキシ系樹脂を使用しており、加熱及び乾燥により硬化（キュア）させる。具体的には、充填した固定用樹脂１１３を、１時間〜３時間ほど、１００℃〜１２０℃の温度に保つことによってキュアを行う。
なお、固定用樹脂１１３には、固定用樹脂１１３よりも熱膨張係数が小さいフィラー（例えばＳｉＯ2 等）を混合（樹脂を含む複合材料となる。）しておくと好ましい。こうすることにより、固定用樹脂１１３とフィラーとの複合体として、熱膨張係数を精度よくコントロールすることができる。その結果、例えば、Ｃｕ等によって形成される配線（導体層）やＳｉ等によって形成されるＩＣチップＩＣ２とコア基板１０３との間で熱膨張係数の整合をとりやすくなり、熱に対する信頼性を向上させることができる。
【００４２】
次に、シート材１５３を除去し、その後、基板主面１０３ａ及び固定用樹脂１１３の基板主面１０３ａ側の露出面、並びに、基板裏面１０３ｂ、固定用樹脂１１３の基板裏面１０３ｂ側の露出面及びＩＣチップＩＣ２の端子面ＩＣ２ｍを、ベルトサンダーにより研磨する（整面工程）（図７参照）。この研磨により、固定用樹脂１１３の各露出面が平坦化されると共に、固定用樹脂１１３の各露出面と基板主面１０３ａ及び基板裏面１０３ｂ（導体層１０３ｄａ，１０３ｄｂの表面）との高さが揃えられる。即ち、固定用樹脂１１３と基板主面１０３ａとが同一平面をなすと共に、固定用樹脂１１３と基板裏面１０３ｂとＩＣチップＩＣ２とが同一平面をなすことになる。その結果、基板主面１０３ａ及び基板裏面１０３ｂ側に、公知のビルドアップ法により、平坦な導体層や層間絶縁層を形成することが可能となる。
【００４３】
なお、研磨に使用する研磨紙は、目の細かさが＃４００のものを使用したが、好ましくは＃３２０または＃３２０よりも目の細かい研磨紙を使用するのがよく、特に、＃３２０以上＃６００以下の研磨紙を利用するとさらに好ましい。その理由は、表１に示すように、＃１２０、＃２４０の研磨紙により研磨を行ったところ、導体層１０３ｄａ，１０３ｄｂが剥げたり、導体層１０３ｄａ，１０３ｄｂの表面にキズが見られ、また、＃８００の研磨紙を用いたところ、導体層１０３ｄａ，１０３ｄｂにキズは見られなかったが、一部に剥げが生じたためである。これは、研磨紙の目が細かくなると、固定用樹脂１１３が削られにくくなるにも拘わらず、その分、金属部分が相対的に削られ易くなり、導体層１０３ｄａ，１０３ｄｂに剥離が生じたものと考えられる。
【００４４】
【表１】
【００４５】
なお、表１において、○は良好、×は不良を示す。
また、本実施形態１では、シート材１５３の粘着剤１５１としてシリコン系のものを使用したが、これは、次のような実験に基づいている。表２は、シート材１５３の基材と粘着剤１５１との種々の組み合わせについて、硬化した固定用樹脂１１３からの剥がし易さ、及び、シート材１５３の耐熱性（２００℃の環境における変形、変質の有無）について調べた結果を示している。この実験において、固定用樹脂１１３としては、エポキシ系樹脂を使用し、これにシリカフィラーを混入したものを用いた。
【００４６】
【表２】
【００４７】
なお、表２において、○は良好、×は不良、−は未確認であることを示す。
表２に示すように、基材がポリエステルまたはポリイミドであると、シート材１５３は耐熱性に優れたものとなり変形や変質がなく、また、粘着剤１５１がシリコン系である場合には、固定用樹脂１１３の硬化後に剥がし易いことが判る。
本実施形態１では、シート材１５３の基材としてポリイミドを用い、かつ、シリコン系の粘着剤１５１を用いているので、固定用樹脂１１３を熱硬化させる際にシート材１５３に変形がなく、そのため、シート材１５３上に配置したＩＣチップＩＣ２の位置ずれが少なく、高い位置精度でＩＣチップＩＣ２をコア基板１０３内に配置することができる。また、硬化した固定用樹脂１１３からシート材１５３を剥がし易いため、シート材１５３の一部が残渣となって後のビルドアップ工程に支障を来すことを防ぐことができる。
【００４８】
さて、本実施形態１では、整面工程の後、図８に示すように、スルーホール導体１０８の形成、及び、基板主面１０３ａと基板裏面１０３ｂへの第１導体層１０５ａ，１０５ｂの形成を行う。
これらの形成は、次のようにして行われる。即ち、収容部１１１内にＩＣチップＩＣ２を内蔵したコア基板１０３全体に、Ｃｕ無電解メッキを施した後、さらに、Ｃｕ電解メッキを施すことにより、コア基板１０３全体にパネルメッキを行う（メッキ工程）。そして、エッチングによって不要部分を除去することにより、第１導体層１０５ａ，１０５ｂを形成する。なお、パネルメッキの際には、スルーホール１０７の内周面にスルーホール導体１０８も形成される。従って、その後、スルーホール導体１０８の孔に孔埋用樹脂１０９を充填し硬化させる（孔埋工程）。この孔埋用樹脂１０９には、ＳｉＯ2 やＣｕ粉等の無機フィラーや金属フィラーを混合（樹脂を含む複合材料となる。）しておくとよい。
【００４９】
第１導体層１０５ａ、１０５ｂの形成後は、以下の様なビルドアップ工程を行う。まず、基板主面１０３ａ側及び基板裏面１０３ｂ側に、エポキシ樹脂を主成分とするフィルム化された感光性樹脂を貼付する。そして、この感光性樹脂を露光・現像することにより、所定の位置にビアホールを形成し、感光性樹脂を硬化させて、第１層間絶縁層１１５ａ，１１５ｂを形成する（図１参照）。なお、ビアホールは、第１層間絶縁層１１５ａ，１１５ｂを感光性のない樹脂で形成した後、レーザなどを用いて穿設しても良い。
【００５０】
さらに、Ｃｕ無電解メッキおよびＣｕ電解メッキを施し、第１層間絶縁層１１５ａ、１１５ｂに形成したビアホールにフィルドビア導体１１９ａ，１１９ｂを充填形成すると共に、第１層間絶縁層１１５ａ、１１５ｂの表面にメッキ層を形成する。そして、このメッキ層の上にドライフィルムを貼り付け、露光・現像してエッチングレジストを形成し、メッキ層のうちの不要部分をエッチングにより除去する。これにより、配線等からなる所定パターンの第２導体層１１７ａ、１１７ｂが形成される。なお、第２導体層１１７ａ，１１７ｂの形成には、周知のセミアディティブティブ法やフルアディテイブ法を利用してもよい。
【００５１】
以降は、同様にして、第２層間絶縁層１２１ａ，１２１ｂ、フィルドビア導体１２９ａ，１２９ｂ、第３導体層１２３ａ，１２３ｂを順に形成し、その後、ソルダレジスト層１２５ａ，１２５ｂを形成する。そして、基板主面１０３ａ側のソルダレジスト層１２５ａから露出したフリップチップパッド上には、Ｎｉ−Ａｕメッキ層を形成し、さらに、ハンダペーストを塗布しリフローすることで、フリップチップバンプを形成する。一方、基板裏面１０３ｂ側のソルダレジスト層１２５ｂから露出したフリップチップパッド１２３ｂｆ及びピンパッドの上にも、Ｎｉ−Ａｕメッキ層を形成し、さらに、フリップチップパッド１２３ｂｆ上には、ハンダペーストを塗布しリフローすることで、フリップチップバンプ１２７を形成する。また、ピンパッド上には、ハンダペーストを塗布した後ピンを載置してリフローすることで、ピンを立設する。
以上のようにして、図１に示す構造の配線基板１が完成する。なお、この多数個取り用の配線基板１は、例えばダイシング加工などにより分割されて最終製品である配線基板１０２となる。
【００５２】
以上で説明した製造方法によれば、以下の効果を奏する。
即ち、収容部１１１内にＩＣチップＩＣ２を配置する前には、まず、粘着剤１５１付きのシート材１５３により、その収容部１１１の基板裏面１０３ｂ側の開口部１１１ｂを塞ぐ。その際、シート材１５３は、粘着剤１５１が収容部１１１の内側に露出するように収容部１１１を塞ぐ。そして、ＩＣチップＩＣ２を収容部１１１内に配置するにあたっては、ＩＣチップＩＣ２をシート材１５３に粘着させ、収容部１１１内で当該ＩＣチップＩＣ２の位置がずれないようにしておき、その状態で固定用樹脂１１３を収容部１１１内に充填し硬化させる。このため、高い位置精度で収容部１１１内、即ち、コア基板１０３内にＩＣチップＩＣ２を内蔵できる。そして、ＩＣチップＩＣ２の位置精度が高いため、ＩＣチップＩＣ２と基板の配線との電気的接続も確実に図ることができ、信頼性の高い配線基板１０１を得ることができる。
【００５３】
また、１枚のシート材１５３で複数の収容部１１１を同時に塞ぐこととしているため、製造工程を簡素化することができる。
また、シート材１５３は除去することから、その後、基板裏面１０３ａ側における第１導体層１０５ｂや第１層間絶縁層１１５ｂの形成など（即ち、ビルドアップ工程）を支障なく行うことができる。また、シート材１５３の除去を、固定用樹脂１１３が硬化した後に行うことから、ＩＣチップＩＣ２の位置がずれるという心配もない。
また、ＩＣチップＩＣ２を、その端子面ＩＣ２ｍがシート材１５３に隙間なく密着するように配置していることから、端子面ＩＣ２ｍやＩＣ端子ＩＣ２ｔには固定用樹脂１１３が付着しない。このため、シート材１５３を除去すれば、ＩＣ端子ＩＣ２ｔが基板裏面１０３ｂ側に露出する。従って、その後ＩＣ端子ＩＣ２ｔ上の固定用樹脂１１３を除去することなく、ＩＣ端子ＩＣ２ｔと基板の配線とを接続することが可能となる。しかも、ＩＣ端子ＩＣ２ｔと基板の配線とをビア導体を介することなく、直接接続することが可能となる。
【００５４】
また、固定用樹脂１１３の各露出面を研磨により平坦化することから、その後、これらの上でのビルドアップ工程を支障なく行うことができる。しかも、化学研磨ではなく、ベルトサンダーを使用した機械研磨により研磨を行うことから、固定用樹脂１１３と基板主面１０３ａ及び基板裏面１０３ｂとを同一平面にすることができ、平坦なビルドアップ層（第１導体層１０５ａ，１０５ｂや第１層間絶縁層１１５ａ，１１５ｂなど）を形成できる。さらに、＃４００の研磨紙を用いて研磨するので、コア基板１０３の導体層１０３ｄａ，１０３ｄｂにキズが付きにくい。そのため、例えば、ビルドアップ法などの、配線形成を支障なく行うことができる。また、導体層１０３ｄａ，１０３ｄｂの剥離を生じさせる可能性も少ない。
【００５５】
（実施形態２）
次いで、第２の実施の形態について説明する。なお、上記実施形態１と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。
上記実施形態１では、ＩＣチップＩＣ２を収容部１１１内に固定用樹脂１１３で固定し、その後、スルーホール導体１０８を形成する場合を説明した。しかし、このような手順を採ると、従来の技術で説明したように、いくつかの問題が生じる。
そこで、本実施形態２では、スルーホール導体２０８の形成等をＩＣチップＩＣ３の固定よりも先に行う。なお、本実施形態２では、図９に示すように、コア基板（基板本体）２０３として、銅箔が張られていない絶縁性基板を使用するものとして説明する。また、上記実施形態１のように多数個取り用の配線基板を製造するのではなく、１つの配線基板を製造するものとして説明する。
【００５６】
まず、図１０に示すように、コア基板２０３に、基板主面２０３ａと基板裏面２０３ｂとの間を貫通するスルーホール２０７を形成する。次に、図１１に示すように、コア基板２０３に対してパネルめっきを施すことによって、スルーホール２０７の内周面にスルーホール導体２０８を形成すると共に、基板主面２０３ａと基板裏面２０３ｂにメッキ層２０４ａ，２０４ｂを形成する（メッキ工程）。その後、図１２に示すように、スルーホール導体２０８の孔に孔埋用樹脂２０９を充填し硬化させる（孔埋工程）。なお、孔埋用樹脂２０９の端部は、メッキ層２０４ａ，２０４ｂと略同一面を形成するように研磨するとよい。
【００５７】
次に、図１３に示すように、基板主面２０３ａと基板裏面２０３ｂとの間を貫通する収容部２１１を形成する。次に、上記実施形態１で示した手順と同様にして、収容部２１１の一方の開口部２１１ｂ（基板裏面２０３ｂ側）を、粘着剤２５１が収容部２１１の内側に露出するようにシート材２５３で覆う（閉塞工程）。そして、このシート材２５３にＩＣチップＩＣ３の端子面ＩＣ３ｍ全体が粘着するように、収容部２１１内にＩＣチップＩＣ３を配置する（ＩＣ配置工程）。その後、収容部２１１内に固定用樹脂２１３を充填し、気泡を抜いた後、硬化させる（ＩＣ固定工程）（図１４参照）。
【００５８】
固定用樹脂２１３を硬化させた後、固定用樹脂２１３の露出面等を上記実施形態１と同様にして研磨して平坦化する（整面工程）（図１５参照）。なお、上記のスルーホール導体２０８に充填した孔埋用樹脂２０９に対する研磨は、その硬化後であればいつでも行い得るが、この研磨と同時に行うと作業効率がよい。
その後、パネルめっきにより、Ｃｕからなるメッキ層２０６ａ，２０６ｂを上記のメッキ層２０４ａ，２０４ｂ上、固定用樹脂２１３上、端子面ＩＣ３ｍ上及び孔埋用樹脂２０９上に形成する（図１６参照）。そして、エッチングによって不要部分を除去することにより、第１導体層２０５ａ、２０５ｂ（第１実施例の第１導体層１０５ａ、１０５ｂに相当する）を形成する（図１７参照）。
こうして第１導体層２０５ａ，２０５ｂを形成した後は、上記実施形態１と同様のビルドアップ工程を行うことにより、上記実施形態１に示した配線基板１と同様の構成を有する配線基板を得ることができる。
【００５９】
このような製造方法によれば、スルーホール導体２０８の孔を孔埋用樹脂２０９で孔埋めした後に、ＩＣチップＩＣ２の収容部２１１への固定用樹脂２１３の充填、硬化を行うこととしているため、収容部２１１に充填されるべき固定用樹脂２１３によりスルーホール２０７またはスルーホール導体２０８の孔が塞がれるといった不具合が生じない。また、収容部２１１の開口縁近傍においてメッキ層に生じた窪みに孔埋用樹脂２０９が詰まることもないため、この詰まりに起因して配線パターンの形成に支障が生じることもなくなる。
【００６０】
（変形形態１）
次いで、第１の変形形態について説明する。
本変形形態１では、コア基板３０３を用意し、シート材３５３を貼り付けるまでの工程が、上記実施形態２と異なる。
本変形形態１では、図１８に示すように、コア基板（基板本体）３０３として、上記実施形態２と同様な銅箔のない絶縁性基板を使用するものとしている。そして、図１９に示すように、コア基板３０３に、基板主面３０３ａと基板裏面３０３ｂとの間を貫通するスルーホール３０７と収容部３１１を形成する。
次に、図２０に示すように、コア基板３０３に対してパネルめっきを施すことにより、スルーホール９の内周面にスルーホール導体３０８を、収容部３１１の内周面にメッキ層３１２を形成すると共に、基板主面３０３ａと基板裏面３０３ｂにもメッキ層３０４ａ，３０４ｂを形成する。そして、図２１に示すように、スルーホール導体３０８の孔に孔埋用樹脂３０９を充填し硬化させる。
そして次に、図２２に示すように、上記実施形態２等と同様に、収容部３１１の一方の開口部３１１ｂ（基板裏面３０３ｂ側）を、粘着剤３５１が収容部３１１の内側に露出するようにシート材３５３で覆う。
このような手順に従って、シート材３５３を貼り付けるまでの工程を行うこともできる。
【００６１】
（変形形態２）
次いで、第２の変形形態について説明する。
本変形形態２では、コア基板４０３を用意し、シート材４５３を貼り付けるまでの工程が、上記実施形態２と異なる。
本変形形態２では、図２３に示すように、コア基板（基板本体）４０３として、導体層が予め積層されたコア基板を使用するものとしている。そして、図２４に示すように、基板主面４０３ａと基板裏面４０３ｂとの間を貫通するスルーホール４０７を形成し、その後に、図２５に示すように、基板主面４０３ａと基板裏面４０３ｂとの間を貫通する収容部４１１を形成する。
次に、図２６に示すように、コア基板４０３に対してパネルめっきを施すことにより、スルーホール４０７の内周面にスルーホール導体４０８を、収容部４１１の内周面にメッキ層４１２を形成すると共に、基板主面４０３ａと基板裏面４０３ｂにも、メッキ層４０４ａ，４０４ｂを形成する。そして、図２７に示すように、スルーホール導体４０８の孔に孔埋用樹脂４０９を充填し硬化させる。
そして次に、図２８に示すように、上記実施形態２等と同様に、収容部４１１の一方の開口部４１１ｂ（基板裏面４０３ｂ側）を、粘着剤４５１が収容部４１１の内側に露出するようにシート材４５３で覆う。
このような手順に従って、シート材４５３を貼り付けるまでの工程を行うこともできる。
【００６２】
（変形形態３）
次いで、第３の変形形態について説明する。
上記各実施形態１，２等では、基板本体内に導体層が存在しないコア基板１０３，２０３等を例示したが、基板本体内に導体層（導体パターン）が内蔵されているものを用いてもよい。例えば、図２９に示す配線基板の基板本体５０３の内部には、導体層５６１ａ，５６１ｂが形成されている。この基板本体５０３は、例えば、次のような手順により得ることができる。
即ち、まず、図３０に示すような銅張積層板５６３を用意する。これは、例えば、ＢＴ樹脂、ＦＲ−４、ＦＲ−５などからなる絶縁基板の両面に銅を積層したものである。この絶縁基板の両面に積層された銅をエッチングすることにより、所要のパターンの導体層５６１ａ，５６１ｂを形成する（図３１参照）。
次に、銅張積層板５６３の両面を粗化した後、図３２に示すように、両面に絶縁材５６５ａ，５６５ｂをラミネートする。絶縁材５６５ａ，５６５ｂは、上記の絶縁基板を構成する樹脂とは異なる材料であっても同じ材料であってもよく、例えばエポキシ樹脂など、種々の樹脂のものを使用できる。このようにして、内部に導体層５６１ａ，５６１ｂを有する基板本体５０３を得ることができる。
【００６３】
次に、図３３に示すように、絶縁材５６５ａ，５６５ｂに対しレーザでビアホール５６７ａ，５６７ｂを形成したり、基板主面５０３ａと基板裏面５０３ｂとの間を貫通するスルーホール５０７をレーザやドリルにより形成する。
その後、図３４に示すように、基板本体５０３にパネルめっきを施すことにより、スルーホール５０７の内周面にスルーホール導体５０８を、ビアホール５６７ａ，５６７ｂの内面にビア導体５６９ａ，５６９ｂを形成すると共に、基板主面５０３ａ及び基板裏面５０３ｂにメッキ層５０４ａ，５０４ｂを形成する。そして、図３５に示すように、スルーホール導体５０５の孔に、孔埋用樹脂５０９を充填し硬化させる。この孔埋用樹脂５０９は、メッキ層５０４ａ，５０４ｂの表面と略同一面を形成するように研磨する。
次に、図３６に示すように、基板主面５０３ａと基板裏面５０３ｂとの間を貫通する収容部５１１を形成する。その後は、上記各実施形態１，２等で説明した手順に従えば、ＩＣチップを基板本体５０３に内蔵でき、更に、ビルドアップ層を形成することができる。
【００６４】
（変形形態４）
次いで、第４の変形形態について説明する。
本変形形態４は、例えば、図３７に示すように、予め内部に導体層６６１ａ，６６１ｂを有する基板本体６０３を用いる。これを用いて図２９と略同様な配線基板を得るには、まず、図３７に示す基板本体６０３に、基板主面６０３ａと基板裏面６０３ｂとの間を貫通するスルーホール６０７や、ビアホール（図示せず）を形成する（図３８参照）。次に、パネルめっきにより、スルーホール６０７の内周面にスルーホール導体６０８を、ビアホールの内面にビア導体（図示しない）を形成すると共に、基板主面６０３ａ及び基板裏面６０３ｂにメッキ層６０４ａ，６０４ｂを形成する（図３９参照）。そして、スルーホール導体６０８の孔に孔埋用樹脂６０９を充填し硬化させる（図４０参照）。そしてさらに、基板主面６０３ａと基板裏面６０３ｂとの間を貫通する収容部６１１を形成する（図４１参照）。その後は、上記各実施形態１，２等で説明した手順に従えば、ＩＣチップを基板本体６０３に内蔵でき、更にビルドアップ層を形成することができる。
【００６５】
上記変形形態３，４のように、基板本体５０３，６０３として、導体層５６１ａ，５６１ｂ、６６１ａ，６６１ｂが内蔵されているものを用いると、基板本体５０３，６０３の上に積層すべき導体層の数を減らすことができる。例えば、上記各実施形態１，２では、基板本体（コア基板）１０３，２０３の両面上に導体層を３層ずつ積層したものを示したが、これに対し、上記変形形態３，４では、図２９に示すように、両面の上に積層すべき導体層の数が２層ずつに減少している。
そのため、ＩＣチップと電子部品との間の導通経路を短くすることができ、ループインダクタンス、スイッチングノイズ、クロストークノイズなどの低減、即ち、配線基板の電気的特性の向上を図ることが可能となる。
【００６６】
また、基板本体５０３，６０３の両面上に積層すべき導体層の数が２層ずつになっていることから、スタックトビア（積み上げビア）を形成する必要がなくなる。そして、スタックトビアが不要となるため、フィルドビア（導体で完全に充填されたビア）を形成する必要がなくなり、コンフォーマルビア（導体で完全には充填されないビア）で足りることになるので、ビアの形成にかかるコストを抑制することができる。
なお、上記変形形態３，４では、基板本体５０３，６０３の両面上に２層の導体層を積層したものを示したが、その層数はこれに限定されない。また、基板本体５０３，６０３の内部には２層の導体層５６１ａ，５６１ｂ，６６１ａ，６６１ｂを有するものを説明したが、その層数はこれに限定されるものではない。
【００６７】
以上において、本発明を実施形態に即して説明したが、本発明は上記各実施形態１，２等に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。
例えば、上記各実施形態１，２等では、収容部１１１等が、基板主面１０３ａ等と基板裏面１０３ｂ等と貫通してなるものを示したが、これに限られるものでなはい。例えば、図４２に示すように、収容部７１１を凹部として構成することもできる。但し、このような配線基板では、シート材を利用してＩＣチップを固定することができないので、上記各実施形態１，２等のように貫通孔型の収容部１１１等を構成するのが好ましい。
【００６８】
また、上記各実施形態１，２等では、配線基板１０１等の主面及び裏面に実装する電子部品として、チップコンデンサＣＣを示したが、これに限らず、チップ状の抵抗体、インダクタ、フィルタ（ＳＡＷフィルタ、ＬＣフィルタ等）、トランジスタ、メモリ、ローノイズアンプ（ＬＮＡ）、ＦＥＴ、アンテナスイッチモジュール、カブラ、ダイプレクサなど、各種の電子部品を実装してもよい。また、異種の電子部品同士を実装してもよい。
【００６９】
また、上記各実施形態１，２等では、基板本体（コア基板）１０３等の材質として、ガラスーエポキシ樹脂複合材料を用いたが、これに限られることなく、耐熱性、機械強度、可境性、加工の容易さ等を考慮して選択すればよい。従って、例えば、ガラス織布、ガラス不織布などのガラス繊維と、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂等の樹脂との複合材料であるガラス繊維一樹脂複合材料を用いることができる。また、ポリイミド繊維などの有機繊維と樹脂との複合材料、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂等の樹脂を含浸させた樹脂一樹脂複合材料などを用いることができる。
【００７０】
また、上記各実施形態１，２等では、第１層間絶縁層１１５ａ，１１５ｂ等、第２層間絶縁層１２１ａ，１２１ｂ等としてエポキシ樹脂を主成分とするものを用いたが、耐熱性、パターン成形性等を考慮して適宜選択すればよい。例えば、ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂等の樹脂を含浸させた樹脂一樹脂複合材料などを用いることができる。絶縁層の形成には、絶縁層をフィルム化したものを熱圧着する方法の他、液状樹脂をロールコータなどにより塗布して形成しても良い。
【００７１】
また、上記各実施形態１，２等では、第１導体層１０５ａ，１０５ｂ、第２導体層１１７ａ，１１７ｂ等をＣｕ無電解メッキ及びＣｕ電解メッキによって形成したが、他の材質、例えばＮｉ，Ｎｉ−Ａｕ等によって形成しても良く、さらには、メッキによらず、導電性樹脂を塗布するなどの手法によって形成しても良い。
また、上記各実施形態１，２等では、チップコンデンサＣＣとの接続のために、フリップチップパッド１２３ｂｆやフリップチップバンプ１２７を多数設けるものを説明した。しかし、この接続端子としては、チップコンデンサに形成された端子に応じて、適切な形態のものを使用すれば良く、フリップチップパッドのみのもの、あるいは、ワイヤボンディングパッドやＴＡＢ接続用のパッドを形成したものなどが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  実施形態１，２に係る配線基板の構成を示す説明図である。
【図２】  実施形態１に係る配線基板の簡略化した平面図である。
【図３】  実施形態１の配線基板の製造方法に関し、コア基板にスルーホールと収容部を形成した様子を示す説明図である。
【図４】  実施形態１の配線基板の製造方法に関し、コア基板にシート材を貼り付けた様子を示す説明図である。
【図５】  実施形態１の配線基板の製造方法に関し、収容部内にＩＣチップを配置した様子を示す説明図である。
【図６】  実施形態１の配線基板の製造方法に関し、収容部内に固定用樹脂を充填し硬化させた様子を示す説明図である。
【図７】  実施形態１の配線基板の製造方法に関し、固定用樹脂の露出面等を研磨した様子を示す説明図である。
【図８】  実施形態１の配線基板の製造方法に関し、第１導体層を形成した様子を示す説明図である。
【図９】  実施形態２の配線基板の製造方法に関し、コア基板を示す説明図である。
【図１０】  実施形態２の配線基板の製造方法に関し、コア基板にスルーホールを形成した様子を示す説明図である。
【図１１】  実施形態２の配線基板の製造方法に関し、コア基板にパネルメッキを施した様子を示す説明図である。
【図１２】  実施形態２の配線基板の製造方法に関し、スルーホール導体の孔に孔埋用樹脂を充填形成した様子を示す説明図である。
【図１３】  実施形態２の配線基板の製造方法に関し、コア基板に収容部を形成した様子を示す説明図である。
【図１４】  実施形態２の配線基板の製造方法に関し、収容部にＩＣチップを内蔵した様子を示す説明図である。
【図１５】  実施形態２の配線基板の製造方法に関し、固定用樹脂の露出面等を研磨した様子を示す説明図である。
【図１６】  実施形態２の配線基板の製造方法に関し、コア基板にパネルメッキを施した様子を示す説明図である。
【図１７】  実施形態２の配線基板の製造方法に関し、第１導体層を形成した様子を示す説明図である。
【図１８】  変形形態１の配線基板の製造方法に関し、コア基板を示す説明図である。
【図１９】  変形形態１の配線基板の製造方法に関し、コア基板にスルーホールと収容部を形成した様子を示す説明図である。
【図２０】  変形形態１の配線基板の製造方法に関し、コア基板にパネルメッキを施した様子を示す説明図である。
【図２１】  変形形態１の配線基板の製造方法に関し、スルーホール導体の孔に孔埋用樹脂を充填形成した様子を示す説明図である。
【図２２】  変形形態１の配線基板の製造方法に関し、コア基板にシート材を貼り付けた様子を示す説明図である。
【図２３】  変形形態２の配線基板の製造方法に関し、コア基板を示す説明図である。
【図２４】  変形形態２の配線基板の製造方法に関し、コア基板にスルーホールを形成した様子を示す説明図である。
【図２５】  変形形態２の配線基板の製造方法に関し、コア基板に収容部を形成した様子を示す説明図である。
【図２６】  変形形態２の配線基板の製造方法に関し、コア基板にパネルメッキを施した様子を示す説明図である。
【図２７】  変形形態２の配線基板の製造方法に関し、スルーホール導体の孔に孔埋用樹脂を充填形成した様子を示す説明図である。
【図２８】  変形形態２の配線基板の製造方法に関し、コア基板にシート材を貼り付けた様子を示す説明図である。
【図２９】  変形形態３，４に係る配線基板の構成を示す説明図である。
【図３０】  変形形態３の配線基板の製造方法に関し、コア基板を示す説明図である。
【図３１】  変形形態３の配線基板の製造方法に関し、コア基板の両面に所定パターンの導体層を形成した様子を示す説明図である。
【図３２】  変形形態３の配線基板の製造方法に関し、コア基板の両面に絶縁層を積層し基板本体を形成した様子を示す説明図である。
【図３３】  変形形態３の配線基板の製造方法に関し、基板本体にスルーホールとビアホールを形成した様子を示す説明図である。
【図３４】  変形形態３の配線基板の製造方法に関し、基板本体にパネルメッキを施した様子を示す説明図である。
【図３５】  変形形態３の配線基板の製造方法に関し、スルーホール導体の孔に孔埋用樹脂を充填形成した様子を示す説明図である。
【図３６】  変形形態３の配線基板の製造方法に関し、基板本体に収容部を形成した様子を示す説明図である。
【図３７】  変形形態４の配線基板の製造方法に関し、基板本体を示す説明図である。
【図３８】  変形形態４の配線基板の製造方法に関し、基板本体にスルーホール等を形成した様子を示す説明図である。
【図３９】  変形形態４の配線基板の製造方法に関し、基板本体にパネルメッキを施した様子を示す説明図である。
【図４０】  変形形態４の配線基板の製造方法に関し、スルーホール導体の孔に孔埋用樹脂を充填形成した様子を示す説明図である。
【図４１】  変形形態４の配線基板の製造方法に関し、基板本体に収容部を形成した様子を示す説明図である。
【図４２】  別の実施形態に係る配線基板の構成を示す説明図である。
【図４３】  従来技術の配線基板の製造方法に関し、基板本体にＩＣチップを内蔵した様子を示す説明図である。
【図４４】  従来技術の配線基板の製造方法に関し、基板本体にパネルメッキを施した様子を示す説明図である。
【図４５】  従来技術の配線基板の製造方法に関し、スルーホール導体の孔に孔埋用樹脂を充填形成した様子を示す説明図である。
【符号の説明】
１０１    配線基板
１０３，２０３，３０３，４０３    コア基板（基板本体）
５０３，６０３    基板本体
１０３ａ，２０３ａ，３０３ａ，４０３ａ，５０３ａ，６０３ａ    基板主面
１０３ｂ，２０３ｂ，３０３ｂ，４０３ｂ，５０３ｂ，６０３ｂ    基板裏面
１０７，２０７，３０７，４０７，５０７，６０７    スルーホール
１０８，２０８，３０８，４０８，５０８，６０８    スルーホール導体
１０９，２０９，３０９，４０９，５０９，６０９    孔埋用樹脂
１１１，２１１，３１１，４１１，５１１，６１１    収容部
１１１ｂ，２１１ｂ，３１１ｂ，４１１ｂ    （基板裏面側の）開口部
１１３，２１３    固定用樹脂
１５１，２５１，３５１，４５１    粘着剤
１５３，２５３，３５３，４５３    シート材
ＩＣ２，ＩＣ３    ＩＣチップ
ＩＣ２ｔ    ＩＣ端子
ＩＣ２ｍ，ＩＣ３ｍ    端子面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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