【手続補正書】
【提出日】平成20年8月28日(2008.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に画素領域と、接続領域とを有し、
前記画素領域に不純物領域を含む半導体層を有し、
前記半導体層上にはゲート絶縁層を有し、
前記ゲート絶縁層上にはゲート電極層を有し、
前記ゲート電極層上には第１の層間絶縁層を有し、
前記ゲート絶縁層及び前記第１の層間絶縁層は前記不純物領域に達する第１の開口を有し、
前記第１の開口にソース電極層又はドレイン電極層が設けられ、
前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層は、前記第１の層間絶縁層を介して前記ゲート電極層の一部を覆っており、
前記ソース電極層、前記ドレイン電極層、及び前記第１の層間絶縁層上に第２の層間絶縁層を有し、
前記第２の層間絶縁層は前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層に達する第２の開口を有し、
前記第２の開口に第１の電極層が設けられ、
前記第１の電極層上に隔壁となる絶縁層及び前記絶縁層と同材料でなるスペーサを有し、
前記接続領域には前記第１の層間絶縁層を有し、
前記第１の層間絶縁層上に配線層を有し、
前記配線層上に、前記配線層に達する第３の開口が設けられた前記第２の層間絶縁層を有し、
前記第３の開口の上端部は、前記絶縁層に覆われており、
前記第３の開口に、前記絶縁層に接して第２の電極層が設けられ、
前記基板は、前記第１の層間絶縁層上に形成されたシール材によって封止基板と貼り合わされ、
前記シール材は前記絶縁層と接しないことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、前記スペーサは柱状であることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１または２において、前記スペーサと前記絶縁層とは分離していることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１または２において、前記スペーサと前記絶縁層とはつながっていることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
基板上に画素領域と、接続領域とを有し、
前記画素領域に不純物領域を含む半導体層を有し、
前記半導体層上にはゲート絶縁層を有し、
前記ゲート絶縁層上にはゲート電極層を有し、
前記ゲート電極層上には第１の層間絶縁層を有し、
前記ゲート絶縁層及び前記第１の層間絶縁層は前記不純物領域に達する第１の開口を有し、
前記第１の開口にソース電極層又はドレイン電極層が設けられ、
前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層は、前記第１の層間絶縁層を介して前記ゲート電極層の一部を覆っており、
前記ソース電極層、前記ドレイン電極層、及び前記第１の層間絶縁層上に第２の層間絶縁層を有し、
前記第２の層間絶縁層は前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層に達する第２の開口を有し、
前記第２の開口に第１の電極層が設けられ、
前記第１の電極層上に隔壁となる絶縁層を有し、
前記接続領域には前記第１の層間絶縁層を有し、
前記第１の層間絶縁層上に配線層を有し、
前記配線層上に、前記配線層に達する第３の開口が設けられた前記第２の層間絶縁層を有し、
前記第３の開口の上端部は、前記絶縁層に覆われており、
前記第３の開口に、前記絶縁層に接して第２の電極層が設けられ、
前記基板は、前記第１の層間絶縁層上に形成されたシール材によって封止基板と貼り合わされ、
前記シール材は前記絶縁層と接しないことを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、前記第１の層間絶縁層は無機絶縁性材料であり、前記第２の層間絶縁層は有機絶縁性材料であることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記第２の層間絶縁層は２層の積層構造であることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項７において、前記第２の層間絶縁層は無機絶縁性材料と有機絶縁性材料の２層の積層構造であることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
基板上の画素領域に不純物領域を有する半導体層を形成し、
接続領域及び前記半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極層及び導電層を形成し、
前記ゲート電極層及び前記導電層上に第１の層間絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層及び前記第１の層間絶縁層に前記不純物領域に達する第１の開口を有し、
前記第１の開口及び前記ゲート電極層の一部を覆ってソース電極層又はドレイン電極層を形成し、
前記第１の層間絶縁層を介して前記導電層上に配線層を形成し、
前記第１の層間絶縁層、前記配線層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上に第２の層間絶縁層を形成し、
前記第２の層間絶縁層に前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層に達する第２の開口、及び前記配線層に達する第３の開口を形成し、
前記第２の開口に第１の電極層を形成し、
前記第２の層間絶縁層の前記第３の開口の上端部及び前記第１の電極層の一部を覆って絶縁層を形成し、
前記第１の電極層上に前記絶縁層と同材料でなるスペーサを形成し、
前記第３の開口に、前記絶縁層に接して第２の電極層を形成し、
前記基板と、前記第１の層間絶縁層上に形成したシール材を用いて封止基板とを貼り合わせ、
前記シール材は前記絶縁層に接せずに形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項９において、前記スペーサと前記絶縁層とを同工程で形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１１】
基板上の画素領域に不純物領域を有する半導体層を形成し、
接続領域及び前記半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極層及び導電層を形成し、
前記ゲート電極層及び前記導電層上に第１の層間絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層及び前記第１の層間絶縁層に前記不純物領域に達する第１の開口を有し、
前記第１の開口及び前記ゲート電極層の一部を覆ってソース電極層又はドレイン電極層を形成し、
前記第１の層間絶縁層を介して前記導電層上に配線層を形成し、
前記第１の層間絶縁層、前記配線層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上に第２の層間絶縁層を形成し、
前記第２の層間絶縁層に前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層に達する第２の開口、及び前記配線層に達する第３の開口を形成し、
前記第２の開口に第１の電極層を形成し、
前記第２の層間絶縁層の前記第３の開口の上端部及び前記第１の電極層の一部を覆って絶縁層を形成し、
前記第３の開口に、前記絶縁層に接して第２の電極層を形成し、
前記基板と、前記第１の層間絶縁層上に形成したシール材を用いて封止基板とを貼り合わせ、
前記シール材は前記絶縁層に接せずに形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項９乃至１１のいずれか一項において、前記第１の層間絶縁層を形成した後、加熱処理を行うことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項９乃至１２のいずれか一項において、前記第１の層間絶縁層は無機絶縁材料を用いて形成し、前記第２の層間絶縁層は有機絶縁性材料を塗布法を用いて形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項９乃至１２のいずれか一項において、前記第２の層間絶縁層は２層の積層構造であり、酸化窒化膜を形成した後、アルキル基を有する酸化珪素膜を塗布法により形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項９乃至１２のいずれか一項において、前記第１の層間絶縁層は２層の積層構造であり、窒化酸化珪素膜を形成し、連続的に酸化窒化珪素膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。