【手続補正書】
【提出日】平成19年11月15日(2007.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
交流電圧を整流して直流電圧に変換する変換回路と、
前記変換回路と電気的に接続されたアンテナ回路と、
第１の参照電圧と前記変換回路の出力電圧とを比較する第１の比較回路と、
第２の参照電圧と前記変換回路の出力電圧とを比較する第２の比較回路と、
前記第１の比較回路からの出力によってオン／オフが制御され、一端が接地された第１のスイッチング素子と、
前記第２の比較回路からの出力によってオン／オフが制御され、一端が接地された第２のスイッチング素子と、
前記アンテナ回路および前記第１のスイッチング素子の他端と電気的に接続された第１の容量手段と、
前記アンテナ回路および前記第２のスイッチング素子の他端と電気的に接続された第２の容量手段と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
交流電圧を整流して直流電圧に変換する変換回路と、
前記変換回路と電気的に接続されたアンテナ回路と、
第１の参照電圧と前記変換回路の出力電圧とを比較する第１の比較回路と、
第２の参照電圧と前記変換回路の出力電圧とを比較する第２の比較回路と、
前記第１の比較回路からの出力によってオン／オフが制御され、一端が接地された第１のスイッチング素子と、
前記第２の比較回路からの出力によってオン／オフが制御され、一端が接地された第２のスイッチング素子と、
前記アンテナ回路および前記第１のスイッチング素子の他端と電気的に接続された第１の容量手段と、
前記アンテナ回路および前記第２のスイッチング素子の他端と電気的に接続された第２の容量手段と、
一端が前記変換回路と電気的に接続され、他端が前記第１の比較回路または前記第２の比較回路の一方と電気的に接続された第１の抵抗素子と、
一端が前記第１の比較回路または前記第２の比較回路の一方と電気的に接続され、他端が接地された第２の抵抗素子と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の参照電圧を出力する第１の参照電圧源と、
前記第２の参照電圧を出力する第２の参照電圧源と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記アンテナ回路、前記変換回路、前記第１の比較回路、前記第２の比較回路、前記第１の容量手段、前記第２の容量手段、前記第１のスイッチング素子および前記第２のスイッチング素子が、同一の絶縁基板上に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記変換回路、前記第１の比較回路、前記第２の比較回路、前記第１の容量手段、前記第２の容量手段、前記第１のスイッチング素子および前記第２のスイッチング素子が、同一の絶縁基板上に形成され、
前記アンテナ回路が、別基板に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記アンテナ回路は、前記変換回路、前記第１の比較回路、前記第２の比較回路、前記第１のスイッチング素子または前記第２のスイッチング素子と重なることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
交流電圧を整流して直流電圧に変換する変換回路と、
前記変換回路と電気的に接続されたアンテナ回路と、
複数の参照電圧と前記変換回路の出力電圧とを比較する複数の比較回路と、
前記複数の比較回路の一つからの出力によってオン／オフが制御され、一端が接地されたスイッチング素子と、
前記アンテナ回路と前記スイッチング素子の他端と電気的に接続された容量手段と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記複数の参照電圧を出力する複数の参照電圧源を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
第１の交流電圧を整流して第１の直流電圧に変換する第１の変換回路と、
第２の交流電圧を整流して第２の直流電圧に変換する第２の変換回路と、
前記第１の変換回路の出力電圧と前記第２の変換回路の出力電圧とを比較する比較回路と、
前記第１の変換回路と電気的に接続された第１のアンテナ回路と、
前記第２の変換回路と電気的に接続された第２のアンテナ回路と、
前記比較回路からの出力によってオン／オフが制御されたスイッチング素子と、
前記第１のアンテナ回路および前記スイッチング素子の一端と電気的に接続された容量手段と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
第１の交流電圧を整流して第１の直流電圧に変換する第１の変換回路と、
第２の交流電圧を整流して第２の直流電圧に変換する第２の変換回路と、
前記第１の変換回路の出力電圧と前記第２の変換回路の出力電圧とを比較する比較回路と、
前記第１の変換回路と電気的に接続された第１のアンテナ回路と、
前記第２の変換回路と電気的に接続された第２のアンテナ回路と、
前記比較回路からの出力によってオン／オフが制御されたスイッチング素子と、
前記第１のアンテナ回路および前記スイッチング素子の一端と電気的に接続された容量手段と、
一端が前記第１の変換回路と電気的に接続され、他端が前記比較回路と電気的に接続された第１の抵抗素子と、
一端が前記比較回路と電気的に接続され、他端が接地された第２の抵抗素子と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項９または請求項１０において、
前記第２のアンテナ回路は、前記第１のアンテナ回路よりも発生する電圧値が低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項９乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記第１のアンテナ回路、前記第２のアンテナ回路、前記第１の変換回路、前記第２の変換回路、前記比較回路、前記容量手段、前記スイッチング素子が、同一の絶縁基板上に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項９乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記第１の変換回路、前記第２の変換回路、前記比較回路、前記容量手段、前記スイッチング素子が、同一の絶縁基板上に形成され、
前記第１のアンテナ回路および前記第２のアンテナ回路が、別基板に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項９乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記第１のアンテナ回路または前記第２のアンテナ回路は、前記第１の変換回路、前記第２の変換回路、前記比較回路、または前記スイッチング素子と重なることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項４、請求項５、請求項１２、および請求項１３のいずれか一項において、
前記絶縁基板は、ガラス、プラスチック、またはフィルム状の絶縁物であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一項において、
前記半導体装置は、ＩＣカード、ＲＦＩＤタグまたはＲＦＩＤチップに組み込まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
アンテナ回路において生じた交流電圧を整流して直流電圧に変換し、
前記直流電圧と第１の参照電圧および第２の参照電圧を比較し、
前記直流電圧が前記第１の参照電圧または前記第２の参照電圧を超えたときに、前記直流電圧を超えた前記第１の参照電圧または前記第２の参照電圧に対応する容量手段が前記アンテナ回路と電気的に並列に接続され、
前記アンテナ回路において生じる交流電圧が減衰し、
前記減衰した交流電圧を整流して直流電圧に変換することを特徴とする半導体装置の駆動方法。
【請求項１８】
アンテナ回路において生じた交流電圧を整流して直流電圧に変換し、
前記直流電圧と複数の参照電圧を比較し、
前記直流電圧が前記複数の参照電圧のいずれか一つを超えたときに、前記直流電圧を超えた参照電圧に対応する容量手段が前記アンテナ回路と電気的に並列に接続され、
前記アンテナ回路において生じる交流電圧が減衰し、
前記減衰した交流電圧を整流して直流電圧に変換することを特徴とする半導体装置の駆動方法。
【請求項１９】
第１のアンテナ回路において生じた交流電圧を整流して第１の直流電圧に変換し、
第２のアンテナ回路において生じた交流電圧を整流して第２の直流電圧に変換し、
前記第１の直流電圧と前記第２の直流電圧を比較し、
前記第１の直流電圧が前記第２の直流電圧を超えたときに、容量手段が前記第１のアンテナ回路と電気的に並列に接続され、
前記第１のアンテナ回路において生じる交流電圧が減衰し、
前記減衰した交流電圧を整流して直流電圧に変換することを特徴とする半導体装置の駆動方法。
【請求項２０】
請求項１９において、
前記第２のアンテナ回路は、前記第１のアンテナ回路よりも発生する電圧値が低いことを特徴とする半導体装置の駆動方法。