【手続補正書】
【提出日】平成20年10月21日(2008.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性を持つ化合物を、コンピュータ・シミュレーションを用いて設計する化合物の設計方法において、
前記コンピュータ・シミュレーションは、
前記化合物の側鎖の修飾又は／及び側鎖間の架橋を行った分子モデルを取得する第１のステップと、
前記分子モデルに対して、スピン電荷密度分布を求める数値計算を行う第２のステップと、
前記数値計算の結果から前記分子モデルが磁性を有するか否かを判定する第３のステップと、
を実行する化合物の設計方法。
【請求項２】
前記第２のステップは、前記分子モデルの、上向きのスピン（スピンアップ）波動関数Φ↑（ｒ）、下向きのスピン（スピンダウン）波動関数Φ↓（ｒ）、スピンアップ有効ポテンシャルＶ↑（ｒ）、スピンダウン有効ポテンシャルＶ↓（ｒ）、スピンアップ電荷密度ρ↑（ｒ）、そして、スピンダウン電荷密度ρ↓（ｒ）のそれぞれの初期値を取得する第４のステップを有する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記第４のステップは、前記スピンアップ波動関数Φ↑（ｒ）の初期値を、前記分子モデルを構成する各原子が孤立原子として３次元空間上に存在する場合のスピンアップ波動関数Φ↑（ｒ）を各原子について求め、このように求めたスピンアップ波動関数Φ↑（ｒ）を全て加算したものとし、
前記スピンダウン波動関数Φ↓（ｒ）の初期値を、前記分子モデルを構成する各原子が孤立原子として３次元空間上に存在する場合のスピンダウン波動関数Φ↓（ｒ）を各原子について求め、このように求めたスピンダウン波動関数Φ↓（ｒ）を全て加算したものとし、
前記スピンアップ有効ポテンシャルＶ↑（ｒ）の初期値を、前記分子モデルを構成する各原子が孤立原子として３次元空間上に存在する場合の前記スピンアップ波動関数Φ↑（ｒ）に基づいてスピンアップ有効ポテンシャルＶ↑（ｒ）を各原子について求め、当該各原子について求めたスピンアップ有効ポテンシャルＶ↑（ｒ）を全て加算したものとし、
前記スピンダウン有効ポテンシャルＶ↓（ｒ）の初期値を、前記分子モデルの各原子が孤立原子として３次元空間上に存在する場合の前記スピンダウン波動関数Φ↓（ｒ）に基づいてスピンダウン有効ポテンシャルＶ↓（ｒ）を各原子について求め、当該各原子について求めたスピンダウン有効ポテンシャルＶ↓（ｒ）を全て加算したものとし、
前記スピンアップ電荷密度ρ↑（ｒ）の初期値を、前記分子モデルの各原子について求めたスピンアップ波動関数Φ↑（ｒ）を下記演算式（１）に代入することによって求めたものとし、そして、
前記スピンダウン電荷密度ρ↓（ｒ）の初期値を、前記分子モデルの各原子について求めたスピンダウン波動関数Φ↓（ｒ）を下記演算式（２）に代入することによって求めたものとする、請求項２記載の方法。
2007314544.tif 000001
式（１）において、Φ↑＊（ｒ）は、スピンアップ波動関数Φ↑（ｒ）の共役複素数であり、下記式（２）において、Φ↓＊（ｒ）は、スピンダウン波動関数Φ↓（ｒ）の共役複素数である。
【請求項４】
前記第２のステップは、前記スピンアップ有効ポテンシャルＶ↑（ｒ）及び前記スピンダウン有効ポテンシャルＶ↓（ｒ）の初期値と、前記スピンアップ電荷密度ρ↑（ｒ）及び前記スピンダウン電荷密度ρ↓（ｒ）の初期値に基づいて、下記Kohn Sham方程式（３）、（４）を解くことにより、前記分子モデルのスピンアップ波動関数Φ↑（ｒ）及びスピンダウン波動関数Φ↓（ｒ）と、スピンアップエネルギ固有値ε↑及びスピンダウンエネルギ固有値ε↓とを算出する、第５のステップを有する請求項２又は３記載の方法。
2007314544.tif 000002
【請求項５】
前記第２のステップは、前記分子モデルの前記スピンアップ波動関数Φ↑（ｒ）及び前記スピンダウン波動関数Φ↓（ｒ）に基づいて、前記分子モデルの前記スピンアップ電荷密度ρ↑（ｒ）及び前記スピンダウン電荷密度ρ↓（ｒ）と、前記スピンアップ有効ポテンシャルＶ↑（ｒ）及び前記スピンダウン有効ポテンシャルＶ↓（ｒ）と、を算出する、第６のステップを備える請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記第２のステップは、前記スピンアップ電荷密度ρ↑（ｒ）及びスピンダウン電荷密度ρ↓（ｒ）の今回の算出値と、前記スピンアップ電荷密度ρ↑（ｒ）及びスピンダウン電荷密度ρ↓（ｒ）の前回の算出値とが等しいか否かを判断する、第７のステップを備える請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記第７のステップにおいて、前記スピンアップ電荷密度ρ↑（ｒ）及びスピンダウン電荷密度ρ↓（ｒ）の前回値と今回値とが等しくないと判断された際に、前記スピンアップ電荷密度ρ↑（ｒ）及び前記スピンダウン電荷密度ρ↓（ｒ）の前回算出値と今回算出値とが等しくなるまで、請求項４記載の前記Kohn Sham方程式（３）、（４）を満足するスピンアップ波動関数Φ↑（ｒ）及びスピンダウン波動関数Φ↓（ｒ）と、スピンアップエネルギ固有値ε↑及びスピンダウンエネルギ固有値ε↓とを求める、第８のステップを前記第２のステップが備える請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記第７のステップにおいて、前記スピンアップ電荷密度ρ↑（ｒ）及びスピンダウン電荷密度ρ↓（ｒ）の前回値と今回値とが等しいと判断された際、前記Kohn
Sham方程式（３）、（４）を満足するスピンアップ波動関数Φ↑（ｒ）及びスピンダウン波動関数Φ↓（ｒ）と、スピンアップエネルギ固有値ε↑及びスピンダウンエネルギ固有値ε↓とに基づいて各原子に働く原子間力を算出すると共に、前記分子モデルの構造の最適化を行う、第９のステップを前記第２のステップが備える請求項６又は７記載の方法。
【請求項９】
前記第９のステップは、前記分子モデルを構成する各原子を、３次元空間上においてスピンアップ波動関数Φ↑（ｒ）及びスピンダウン波動関数Φ↓（ｒ）から推測される最適な方向に所定の距離だけ移動させ、その時の各原子に働く原子間力を算出し、原子間力が０になり各原子が動かなくなった場合に前記分子モデルが最適化されたと判断する、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記第９のステップは、前記移動後の各原子に働く原子間力を算出し、当該原子間力が０になったか否かを判断し、原子間力が０ではなく、前記分子モデルの構造が最適化されていない場合、各原子の移動後の構造におけるスピンアップ波動関数Φ↑（ｒ）及びスピンダウン波動関数Φ↓（ｒ）を求めると共に、当該スピンアップ波動関数Φ↑（ｒ）及びスピンダウン波動関数Φ↓（ｒ）から求めたスピンアップ有効ポテンシャルＶ↑（ｒ）及びスピンダウン有効ポテンシャルＶ↓（ｒ）と、スピンアップ電荷密度ρ↑（ｒ）及びスピンダウン電荷密度ρ↓（ｒ）と、を新たな初期値に設定する請求項８記載の方法。
【請求項１１】
前記第９のステップは、前記分子モデルの各原子に働く原子間力が０になって当該分子モデルの構造が最適化された場合、その最適化された構造におけるスピンアップ波動関数Φ↑（ｒ）及びスピンダウン波動関数Φ↓（ｒ）に基づいてスピン電荷密度分布を求める、請求項８記載の方法。
【請求項１２】
前記第３のステップは、前記評価対象として選定された分子モデルが磁性を有しない場合、他の分子モデルを新たに選定して再度磁性評価を行い、当該他の分子モデルが磁性を有する場合、前記スピン電荷密度分布に基づいて強磁性かフェリ磁性かを判断する、請求項１記載の方法。
【請求項１３】
前記第３のステップは、前記スピンアップ電荷密度及び前記スピンダウン電荷密度が混在している場合は、前記分子モデルがフェリ磁性を有すると判断し、前記スピンアップ電荷密度又は前記スピンダウン電荷密度のどちらか一方のみの存在では、前記分子モデルが強磁性を有すると判断する請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
磁性を持つ化合物を、コンピュータ・シミュレーションを用いて設計するコンピュータ装置において、
前記コンピュータ・シミュレーションは、
前記化合物の側鎖の修飾又は／及び側鎖間の架橋を行った分子モデルを取得する第１の手段と、
前記分子モデルに対して、スピン電荷密度分布を求める数値計算を行う第２の手段と、
前記数値計算の結果から前記分子モデルが磁性を有するか否かを判定する第３の手段と、
を備えるコンピュータ装置。
【請求項１５】
有機化合物または無機化合物から構成され、側鎖の修飾または／及び側鎖間の架橋により磁性を有することを特徴とする化合物。
【請求項１６】
前記有機化合物は、フォルスコリンであることを特徴とする請求項１５記載の化合物。
【請求項１７】
前記有機化合物は、男性勃起不全治療に効果のある組成物であることを特徴とする請求項１５記載の化合物。
【請求項１８】
前記無機化合物は、金属錯体であることを特徴とする請求項１５記載の化合物。
【請求項１９】
前記金属錯体は、抗がん性を有するシス幾何異性体であることを特徴とする請求項１８記載の薬。
【請求項２０】
前記シス幾何異性体は、シスプラチンであることを特徴とする請求項２１記載の化合物。
【請求項２１】
有機化合物の基本骨格に対して、正又は負のスピン電荷密度付与する側鎖が結合され、全体として外部磁場に対して磁気共有誘導される範囲の磁性を持ち、人体や動物に適用された際に、体外からの磁場によって局所的に磁場が与えられている領域に蓄積され、元来保有している薬効果を前記領域において発揮するようにした、局所治療薬。