【手続補正書】
【提出日】平成20年5月30日(2008.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】  前記第１および第２のレベルは、前記第１および第２の外部電源電圧の一方ずつにそれぞれ対応し、
前記外部制御信号を受けて内部制御信号を生成するための内部制御信号生成回路をさらに備え、
前記内部制御信号生成回路は、
前記低消費電力モードにおいて動作する、前記第１の外部電源電圧で駆動される第１のバッファと、
前記通常モードにおいて動作する、前記内部電源電圧で駆動される前記外部制御信号を受けるための第２のバッファと、
前記第１および第２のバッファのうちの動作している一方で受けた前記外部制御信号に応じて、前記内部制御信号を前記内部電源電圧および前記第２の外部電源電圧のいずれかに設定する論理回路とを含み、
前記制御回路は、前記内部制御信号に応答して前記復帰を指示する、請求項７記載の半導体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】  前記内部電源回路は、
前記外部電源電圧を受けて、前記目標レベルに対応する参照電圧を生成する参照電圧生成部と、
前記参照電圧と前記内部電源電圧との比較結果に応じた電圧を内部ノードに生成する電圧比較部と、
前記外部電源配線と前記内部電源配線との間に配置され、前記外部電源電圧のレベルにかかわらず同様の電流供給能力で、内部電源電流を前記内部電源配線に供給するための内部電源電流供給部とを含み、
前記内部電源電流供給部は、前記外部電源電圧のレベルが前記目標レベルによりも高い場合には、前記内部ノードの電圧に応じて前記内部電源電流を供給するとともに、前記外部電源電圧のレベルが前記目標レベルに相当する外部電源直結モード時には、前記外部電源配線および前記内部電源配線を電気的に結合して前記内部電源電流を供給する、請求項
１２記載の半導体記憶装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２１】  前記第１の昇圧ユニットは、
前記第２および第３の検出部の検知結果に応答して、一定周期を有するポンプクロックを生成するための発振部と、
前記ポンプクロックに応答して、第１のノードの電圧を前記外部電源電圧よりも高く設定するポンプ動作部と、
前記第１のノードと前記内部電源配線との間に電気的に結合される伝達トランジスタと、
前記ポンプクロックに応答して、前記伝達トランジスタのゲート電圧を前記外部電源電圧よりも高く設定するゲート昇圧部とを有し、
前記ポンプ動作部は、
前記ポンプクロックが入力される第２のノードと前記第１のノードとの間に結合される第１のポンプキャパシタと、
前記外部電源電圧のレベルに応じて動作状態となり、前記ポンプクロックを第３のノードに伝達するクロック伝達回路と、
前記第１のノードと前記第３のノードとの間に結合される第２のポンプキャパシタとを有する、請求項２０記載の半導体記憶装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２４】  前記発振部は、
循環状に結合された奇数個のインバータと、
前記インバータ間に結合される遅延素子とを有する、請求項２１記載の半導体記憶装置。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２６】  前記内部電源回路は、
低消費電力モード時に、前記外部電源配線と前記内部電源配線とを電気的に結合するための接続スイッチと、
前記低消費電力モード時に、前記第１から第３の検知部の動作電流を遮断するための電流遮断スイッチとを含む、請求項２０記載の半導体記憶装置。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項８記載の半導体記憶装置は、請求項７記載の半導体記憶装置であって、第１および第２のレベルは、第１および第２の外部電源電圧の一方ずつにそれぞれ対応し、外部制御信号を受けて内部制御信号を生成するための内部制御信号生成回路をさらに備える。内
部制御信号生成回路は、低消費電力モードにおいて動作する、第１の外部電源電圧で駆動される第１のバッファと、通常モードにおいて動作する、内部電源電圧で駆動される外部制御信号を受けるための第２のバッファと、第１および第２のバッファのうちの動作している一方で受けた外部制御信号に応じて、内部制御信号を内部電源電圧および第２の外部電源電圧のいずれかに設定する論理回路とを含む。制御回路は、内部制御信号に応答して復帰を指示する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
請求項１３記載の半導体記憶装置は、請求項１２記載の半導体記憶装置であって、内部電源回路は、外部電源電圧を受けて、目標レベルに対応する参照電圧を生成する参照電圧生成部と、参照電圧と内部電源電圧との比較結果に応じた電圧を内部ノードに生成する電圧比較部と、外部電源配線と内部電源配線との間に配置され、外部電源電圧のレベルにかかわらず同様の電流供給能力で、内部電源電流を内部電源配線に供給するための内部電源電流供給部とを含む。内部電源電流供給部は、外部電源電圧のレベルが目標レベルによりも高い場合には、内部ノードの電圧に応じて内部電源電流を供給するとともに、外部電源電圧のレベルが目標レベルに相当する外部電源直結モード時には、外部電源配線および内部電源配線を電気的に結合して内部電源電流を供給する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
請求項２１記載の半導体記憶装置は、請求項２０記載の半導体記憶装置であって、第１の昇圧ユニットは、第２および第３の検出部の検知結果に応答して、一定周期を有するポンプクロックを生成するための発振部と、ポンプクロックに応答して、第１のノードの電圧を外部電源電圧よりも高く設定するポンプ動作部と、第１のノードと内部電源配線との間に電気的に結合される伝達トランジスタと、ポンプクロックに応答して、伝達トランジスタのゲート電圧を外部電源電圧よりも高く設定するゲート昇圧部とを有する。ポンプ動作部は、ポンプクロックが入力される第２のノードと第１のノードとの間に結合される第１のポンプキャパシタと、外部電源電圧のレベルに応じて動作状態となり、ポンプクロックを第３のノードに伝達するクロック伝達回路と、第１のノードと第３のノードとの間に結合される第２のポンプキャパシタとを有する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
請求項２４記載の半導体記憶装置は、請求項２１記載の半導体記憶装置であって、発振部は、循環状に結合された奇数個のインバータと、インバータ間に結合される遅延素子とを有する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
請求項２６記載の半導体記憶装置は、請求項２０記載の半導体記憶装置であって、内部電源回路は、低消費電力モード時に、外部電源配線と内部電源配線とを電気的に結合するための接続スイッチと、低消費電力モード時に、第１から第３の検知部の動作電流を遮断するための電流遮断スイッチとを含む。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３４】
外部入力信号用参照電圧発生回路２７０は、さらに、ノードＮ５と接地電圧Ｖｓｓとの間に直列に結合されるＭ個（Ｍ：自然数）のＰＭＯＳトランジスタ２７４を有する。Ｍ個のＰＭＯＳトランジスタ２７４のゲートの各々は、接地電圧Ｖｓｓと結合される。したがって、Ｍ個のトランジスタ２７４の各々は、抵抗素子として機能する。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４６】
インバータ２８３および２８４は、論理ゲート２８１および２８２のそれぞれ出力を反転する。論理ゲート２８５は、インバータ２８３および２８４の出力のＯＲ演算結果を内部クロックイネーブル信号ＩＮＴＣＫＥとして出力する。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６０】
このような構成とすることにより、図１１に示されるバッファ回路１３２は、図８に示された構成を有するバッファ回路と比較して、パワーオンリセット信号／ＰＯＲｒの活性化期間における動作電流を増加させて、通常モードへの復帰時に参照電圧ＶＲＥＦＤを接地電圧Ｖｓｓから高速に立ち上げることができる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６７】
このような構成とすることにより、通常モードへの復帰時にＰＭＯＳトランジスタ２１０のターンオンに応答して、バッファ回路１３２の動作電流経路が確保されると、ＮＭＯＳトランジスタ２６７および２６８の双方によって、バッファ回路１３２の動作電流を供給することができる。この結果、ディープ・パワーダウンモードから通常モードへの復帰時において、参照電圧ＶＲＥＦＰの接地電圧Ｖｓｓからの立上がりを高速化して、ワード線電圧ＶＰＰを速やかに復帰させることができる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６８】
なお、図１１に示したバッファ回路の構成は、周辺回路電源電圧ＶＤＤＰおよびメモリアレイ電源電圧ＶＤＤＳにそれぞれ対応する、図６に示したバッファ回路１１２および１２２にも適用することができる。この場合には、図１２に示したパワーオンリセット信号生成回路を、バッファ回路１１２、１２２および１３２で共有することも可能である。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９４】
これに対して、外部電源電圧直結モードに対応する２．５Ｖ系外部電源電圧が適用される（制御信号ＶＤ１はＨレベル）場合には、論理ゲート４３６および４３７の出力は、Ｈレベルに設定される。したがって、ＰＭＯＳトランジスタ４３２はオフし、ＮＭＯＳトランジスタ４３４はオンする。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２３】
スタンバイ昇圧ユニット５７０は、リング発振器５７５とポンプ回路６１０とを有する。リング発振器５７５は、スタンバイ時用検出部５２０の検出信号ＬＯＷＳの活性化に応答して動作状態に設定され、周期Ｔｃ１（＞Ｔｃ２）の周期を有するポンプクロックを生成する。ポンプ回路６１０は、リング発振器５７５が生成するポンプクロックに応答して、外部電源電圧Ｅｘｔ．Ｖｄｄを昇圧して、内部電源配線１３８にワード線電圧ＶＰＰを生成する。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２４】
アクティブ昇圧ユニット５５０で用いられるポンプクロックの周期は、スタンバイ昇圧ユニット５７０で用いられるポンプクロックの周期よりも短く設定される。また、アクティブ昇圧ユニット５５０内のチャージポンプキャパシタの容量は、スタンバイ昇圧ユニット５７０内のチャージポンプキャパシタよりも大きく設計される。したがって、アクティブ昇圧ユニット５５０は、その消費電力は相対的に大きいものの、高速に昇圧動作を行なえる。一方、スタンバイ昇圧ユニット５７０は、昇圧動作は比較的低速であるが、消費電力は小さい。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２４５】
一方、シングルブースト時においては、論理ゲート６２２および６２４の出力は、ＨレベルおよびＬレベルにそれぞれ固定される。したがって、ＰＭＯＳトランジスタ６２６お
よびＮＭＯＳトランジスタ６２８の両方はターンオフされて、ノードＮｐｃは、ハイインピーダンスとなる。したがって、シングルブースト時においては、ポンプキャパシタＣ１のみで昇圧動作が実行される。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２５２】
昇圧ユニット６９０は、外部電源電圧Ｅｘｔ．ＶｄｄとノードＮｂ２との間に電気的に結合されるＮＭＯＳトランジスタ６９２と、ＮＭＯＳトランジスタ６９２のゲートと結合されてサブクロックＰｂの供給を受けるキャパシタ６９４と、外部電源電圧Ｅｘｔ．ＶｄｄとノードＮｂ０との間に電気的に結合されるＮＭＯＳトランジスタ６９５と、外部電源電圧Ｅｘｔ．ＶｄｄとＮＭＯＳトランジスタ６９２のゲートとの間に電気的に結合されるＮＭＯＳトランジスタ６９６とを有する。ＮＭＯＳトランジスタ６９５のゲートは、ＮＭＯＳトランジスタ６９２のゲートと接続される。ＮＭＯＳトランジスタ６９６のゲートには外部電源電圧Ｅｘｔ．Ｖｄｄが入力される。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２５６】
図２２（ａ）を参照して、サブクロックＰｂは、ポンプクロックＰＣＬＫの反転クロックに相当する。サブクロックＰａは、サブクロックＰｂと比較して、その立下がりエッジは遅延しているが、立上がりエッジは揃っている。サブクロックＰｃは、サブクロック生成部６５５によって、シングルブースト時には、サブクロックＰａと極性が反転したクロックとして生成される。また、サブクロックＰｄは、シングルブースト時には、Ｌレベル（接地電圧Ｖｓｓ）に固定される。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
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