【手続補正書】
【提出日】平成20年2月18日(2008.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  感光材料が塗布された基板に所定の現像パターンを形成するために、感光材料の塗布工程、露光工程及び現像工程を含むリソグラフィ・プロセスの評価方法であって、
感光材料が塗布された基板を評価用パターンを介して露光し；
露光した基板を現像して現像パターンを形成し；
形成した現像パターンを観測し；
該観測結果から、現像パターンにそれぞれ影響を与える前記塗布工程に特有の塗布因子、前記露光工程に特有の露光因子、及び前記現像工程に特有の現像因子の少なくとも一つの因子を他の因子とは独立して求めることを含む評価方法。
【請求項２】  前記塗布因子及び現像因子をそれぞれ露光因子とは独立して求めるために、基板を評価用パターンを介して露光する際に、評価用パターンを照明する領域を制限する請求項１に記載の評価方法。
【請求項３】  前記評価用パターンが、塗布因子、現像因子及び露光因子をそれぞれ求めるためのパターンを含み、前記一つの因子を他の因子とは独立して求めるために、該一つの因子を求めるためのパターンの現像パターンを観測する請求項２に記載の評価方法。
【請求項４】  塗布因子、現像因子及び露光因子をそれぞれ独立に求める請求項１に記載の評価方法。
【請求項５】  現像パターンから塗布因子を求めた後、現像因子を求める請求項１に記載の評価方法。
【請求項６】  塗布因子が塗布むらであり、現像因子が現像むらである請求項１に記載の評価方法。
【請求項７】  感光材料を基板に塗布する塗布装置と、感光材料が塗布された基板を露光する露光装置と、感光材料を現像する現像装置とを有するリソグラフィ・システムの評価方法であって、
前記塗布装置によって基板上に感光材料を塗布する第１工程と；
前記感光材料が塗布された基板を前記露光装置によって評価用パターンを介して露光する第２工程と；
前記現像装置によって前記基板の前記感光材料を現像する第３工程と；
前記現像された基板上の前記感光材料の現像パターンを計測する第４工程と；
第４工程の計測結果に基づいて、現像パターンにそれぞれ影響を与える前記塗布装置の特性、前記露光装置の特性及び前記現像装置の特性の少なくとも一つの特性を他の特性とは独立に評価する第５工程と；
を含むリソグラフィ・システムの評価方法
【請求項８】  前記露光装置は、基板上にパターン像を投影する投影系を備え、
前記第２工程において、前記投影系を介してその有効視野内の所定の狭い領域に生成される前記評価用パターンの像を、前記基板上の複数の区画領域にそれぞれ転写し、
前記第５工程において、前記塗布装置の特性又は前記現像装置の特性を評価する請求項７に記載のリソグラフィ・システムの評価方法。
【請求項９】  前記第４工程において、前記基板上の複数の区画領域に形成された前記感光材料の現像パターンの厚さのばらつきに対応する物理量を計測し、
前記第５工程において、前記塗布装置による前記感光材料の塗布むらを評価する請求項８に記載のリソグラフィ・システムの評価方法。
【請求項１０】  前記評価用パターンは、計測方向に交差する方向に配列された複数個の楔型のパターンであり、
前記第４工程において、前記基板上の複数の区画領域に形成された前記感光材料の現像パターンの前記計測方向の長さのばらつきを計測し、
前記第５工程において、前記現像装置の現像むらを評価する請求項９に記載のリソグラフィ・システムの評価方法。
【請求項１１】  前記露光装置は、基板上にパターン像を投影する投影系を備え、
前記第２工程において、前記投影系を介してその有効視野内の所定の広い領域に生成される前記評価用パターンの像を、前記基板上の複数の区画領域にそれぞれ転写し、
前記第５工程において、前記露光装置の前記投影系の特性を評価する請求項７に記載のリソグラフィ・システムの評価方法。
【請求項１２】  前記第２工程において、前記露光装置は、前記評価用パターンの像を走査露光方式で前記基板上の複数の区画領域に転写し、
前記第５工程において、前記露光装置のダイナミックな特性を評価する請求項８に記載のリソグラフィ・システムの評価方法。
【請求項１３】  前記物理量を、露光装置に備えられた第１センサにより計測する請求項９に記載のリソグラフィ・システムの評価方法。
【請求項１４】  前記現像パターンの前記計測方向の長さのばらつきを、露光装置に備えられた第２センサにより計測する請求項１０に記載のリソグラフィ・システムの評価方法。
【請求項１５】  更に、前記基板上の複数の区画領域に形成された前記感光材料の現像パターンの前記計測方向の長さのばらつきを計測する第６工程と、
前記現像装置の現像むらを評価する第７工程とを含む請求項９に記載のリソグラフィ・システムの評価方法。
【請求項１６】  更に、前記塗布装置によって別の基板上に感光材料を塗布する第８工程と；
前記感光材料が塗布された基板を、前記評価用パターンとは異なるパターンの像を前記投影系の有効視野内の所定の広い領域を介して前記基板上の複数の区画領域に投影して感光材料を露光する第９工程と；
前記第９工程で露光された感光材料を現像する第１０工程と；
前記第１０工程で現像された感光材料の現像パターンを計測して前記露光装置の前記投影系の何れかの特性を評価する第１１工程とを含む請求項１５に記載のリソグラフィ・システムの評価方法。
【請求項１７】  更に、評価された前記投影系の特性に応じて、前記投影系を調整することを含む請求項１６に記載のリソグラフィ・システムの評価方法。
【請求項１８】  さらに、塗布装置によりテスト用基板に感光材料を塗布する第１２工程と；
前記露光装置によって評価用マスクの像を走査露光方式で前記基板上の複数の区画領域にそれぞれ投影して感光材料を露光する第１３工程と；
前記第１３工程で露光された感光材料を現像する第１４工程と；
露光装置のダイナミックな特性を観測して評価する第１５工程とを含む請求項１７に記載のリソグラフィ・システムの評価方法。
【請求項１９】  感光材料が塗布された基板を露光する露光装置と、前記感光材料の露光前と露光後との少なくとも一方で前記基板を処理する基板処理装置とを有するリソグラフィ・システムの評価方法であって、
リソグラフィ・システムによって評価用パターンを感光材料に転写して転写像を形成し；
転写像の状態を計測し；
該計測結果に基づいて、前記露光装置の特性と前記基板処理装置の特性とを独立に評価することを含むリソグラフィ・システムの評価方法。
【請求項２０】  前記露光装置の特性と基板処理装置の特性を独立して求めるために、基板を評価用パターンを介して露光する際に、求める特性に応じて評価用パターンを照明する領域の大きさを調整する請求項１９に記載の評価方法。
【請求項２１】  前記評価用パターンが、露光装置の特性と基板処理装置の特性をそれぞれ求めるためのパターンを含み、独立して求める特性に応じたパターンの現像パターンを観測する請求項２０に記載の評価方法。
【請求項２２】  転写像が、感光材料が感光してできた潜像である請求項１９に記載の評価方法。
【請求項２３】  基板処理装置が、感光材料を基板に塗布する塗布装置及び転写像が形成された感光材料を現像する現像装置を含む請求項１９に記載の評価方法。
【請求項２４】  前記露光装置の特性が、露光装置に備えられた投影系の結像特性であり、前記基板処理装置の特性が感光材料の塗布むらである請求項１９に記載の評価方法。
【請求項２５】  感光材料が塗布された基板を露光する露光装置と共にリソグラフィ・システムを構成し、前記感光材料の露光前と露光後との少なくとも一方で前記基板を処理する基板処理装置の調整方法において、
リソグラフィ・システムによって評価用パターンを基板上の感光材料に転写して転写像を形成し；
該転写像の状態を計測し；
該計測結果に基づいて、前記露光装置の特性とは独立に前記基板処理装置の特性を検出することを含む基板処理装置の調整方法。
【請求項２６】  更に、検出された特性が所定の値を満足していない場合に、基板処理装置を調整することを含む請求項２５に記載の調整方法。
【請求項２７】  転写像が、感光材料が感光してできた潜像である請求項２５に記載の調整方法。
【請求項２８】  基板処理装置が、感光材料を基板に塗布する塗布装置及び転写像が形成された感光材料を現像する現像装置を含む請求項２５に記載の調整方法。
【請求項２９】  前記露光装置の特性が、露光装置に備えられた投影系の結像特性であり、前記基板処理装置の特性が感光材料の塗布むらである請求項２５に記載の調整方法。
【請求項３０】  前記評価用パターンが、基板処理装置の特性を露光装置の特性とは独立して求めるためのパターンを含む請求項２５に記載の調整方法。
【請求項３１】  感光材料を塗布した基板に所定の現像パターンを形成するリソグラフィ・システムであって、
感光材料を基板に塗布する塗布装置と；
感光材料が塗布された基板を露光する露光装置と；
露光された感光材料を現像する現像装置と；
前記塗布装置によって感光材料が塗布された基板を、前記露光装置によって所定の評価用パターンを介して露光するように露光装置を制御する制御系と；
前記露光装置によって露光された前記基板を前記現像装置によって現像して得られる前記感光材料の現像パターンの状態を計測するセンサと；
該センサの計測情報に基づいて、現像パターンにそれぞれ影響を与える前記塗布装置の特性、前記露光装置の特性及び前記現像装置の特性のうちの一つの特性を他の特性とは独立に判定する判定系と；を有するリソグラフィ・システム。
【請求項３２】  前記センサは、感光材料の塗布むら、現像むらの及び露光装置の結像特性の少なくとも一つを計測する請求項３１に記載のリソグラフィ・システム。
【請求項３３】  前記判定系は、前記一つの特性を、予定された特性と比較する請求項３２に記載のリソグラフィ・システム。
【請求項３４】  露光装置が、評価用パターンの像を基板上に投影する投影系と投影系により照明される評価用パターンの照明視野を制限する視野絞りとを備え、前記制御系は判定される特性に応じて前記視野絞りを制御する請求項３３に記載のリソグラフィ・システム。
【請求項３５】  前記センサが、露光装置に設けられている請求項３１に記載のリソグラフィ・システム。
【請求項３６】  更に、基板を搬送する搬送系を含む請求項３１に記載のリソグラフィ・システム。
【請求項３７】  前記評価用パターンが、感光材料の塗布むら、現像むらの及び露光装置の結像特性をそれぞれ計測するためのパターンを含む請求項３１に記載のリソグラフィ・システム。
【請求項３８】  マスクを介して感光材料が塗布された基板を露光する露光装置であって、
前記マスクを照明する照明系と；
基板の位置決めを行う基板ステージと；
前記照明系による照明領域の大きさを切り換える可変視野絞りと；
前記基板ステージ上の基板上の現像後の感光材料のパターンの形状に対応する物理量を計測する第１センサと；
前記基板ステージ上の基板上の現像後の感光材料のパターンの位置を計測する第２センサと；
前記第１センサ及び第２センサの検出結果を用いて、前記基板上の感光材料の状態を評価する判定系とを有する露光装置。
【請求項３９】  更に、照明系からの照明光を基板に投影する投影系を含み、判定系は前記第１センサ及び第２センサの少なくとも一方を用いて投影系の結像特性を評価する請求項３８に記載の露光装置。
【請求項４０】  前記物理量が感光材料の厚さであり、前記感光材料の状態が感光材料の塗布むら及び現像むらを含む請求項３８に記載の露光装置。
【請求項４１】  更に、前記可変視野絞りを制御する制御系を備え、
前記制御系は基板上の感光材料の状態が評価されるときに、前記可変視野絞りを前記投影系の結像特性が観測されるときよりも狭くなるように制御する請求項３９に記載の露光装置。
【請求項４２】  前記第２センサは、前記投影系からの照明光に対する基板のアライメントを実行するためにも用いられる請求項３９に記載の露光装置。
【請求項４３】  リソグラフィ・システムを用いたデバイスの製造方法であって、
塗布装置によって基板上に感光材料を塗布する第１工程と；
前記感光材料が塗布された基板を露光装置によって評価用パターンを介して露光する第２工程と；
現像装置によって前記基板の前記感光材料を現像する第３工程と；
前記現像された基板上の前記感光材料の現像パターンを計測する第４工程と；
第４工程の計測結果に基づいて、現像パターンにそれぞれ影響を与える前記塗布装置の特性、前記露光装置の特性及び前記現像装置の特性のうちの一つの特性を他の特性とは独立に評価する第５工程と；
評価された特性に応じて、評価された特性を有する装置を調整する第６工程と；
前記第６工程での調整後、評価用パターンの代わりにデバイス形成用のパターンを用いて前記第１〜第３の工程を実行してデバイス形成用の現像パターンが形成された基板を得る第７工程とを含むデバイスの製造方法。
【請求項４４】  感光材料が塗布された基板を照明する照明系を備える露光装置により露光される基板の感光材料の塗布状態の測定方法であって、
感光材料が塗布された基板を評価用マークを介して感光し；
感光した評価用マークの感光パターンの状態を検出して、その感光パターンに影響を与える、少なくとも前記感光に関連する因子を除いて、感光材料の塗布状態を求めることを含む測定方法。
【請求項４５】  前記基板には評価用のマークが形成されている請求項４４に記載の測定方法。
【請求項４６】  基板を評価用マークを介して感光した後、現像することを更に含み、現像された評価用マークの感光パターンの状態を検出して感光材料の塗布状態を求める請求項４４に記載の測定方法。
【請求項４７】  基板を露光する際に基板の露光位置に対するアライメントを実行するために用いられる前記露光装置の検出器を用いて前記感光パターンの状態を検出する請求項４４に記載の測定方法。
【請求項４８】  基板を評価用マークを介して感光するときに、露光装置が有する光源からの光を用いる請求項４４に記載の測定方法。
【請求項４９】  感光材料が塗布された基板を照明する照明系を備える露光装置により露光される基板の感光材料の現像状態の測定方法であって、
感光材料が塗布された基板を評価用マークを介して感光し；
感光された基板を現像し；
現像した評価用マークの現像パターンを検出して、その現像パターンに影響を与える、少なくとも前記感光に関連する因子を除いて、感光材料の現像状態を求めることを含む基板の感光材料の現像状態の測定方法。
【請求項５０】  基板を露光する際に基板の露光位置に対するアライメントを実行するために用いられる前記露光装置の検出器を用いて前記現像パターンの状態を検出する請求項４９に記載の測定方法。
【請求項５１】  基板を評価用マークを介して感光するときに、露光装置が有する光源からの光を用いる請求項４９に記載の測定方法。
【請求項５２】  請求項４４に記載の測定方法を用いて測定される塗布状態に基づいて、前記露光装置におけるデバイスパターンを有する第１物体を介した感光性の第２物体の露光条件を調整する工程を含む露光方法。
【請求項５３】  請求項４９に記載の測定方法を用いて測定される現像状態に基づいて、前記露光装置におけるデバイスパターンを有する第１物体を介した感光性の第２物体の露光条件を調整する工程を含む露光方法。
【請求項５４】  前記塗布工程と前記現像工程との少なくとも一方での基板処理条件の変更に応じて、その基板処理条件が変更される工程に対応する前記塗布因子と前記現像因子との少なくとも一方を前記露光因子とは独立して求める請求項１に記載の評価方法。
【請求項５５】  前記塗布因子と前記現像因子との少なくとも一方が前記露光因子とは独立して求められ、その求めた因子に基づいて対応する前記塗布工程と前記現像工程との少なくとも一方での基板処理条件を調整する請求項１に記載の評価方法。
【請求項５６】  前記塗布因子と前記現像因子との少なくとも一方が前記露光因子とは独立して求められ、その求めた因子に基づいて前記露光工程での基板処理条件を調整する請求項１に記載の評価方法。
【請求項５７】  リソグラフィ・プロセスを含むデバイス製造方法であって、
請求項１〜６、５４〜５６のいずれか一項に記載の評価方法を用いて、前記塗布因子、前記露光因子、及び前記現像因子の少なくとも一つを他の因子とは独立して求め、
前記少なくとも一つの因子に基づいて前記リソグラフィ・プロセスでの基板処理条件を調整し、
前記基板処理条件が調整されたリソグラフィ・プロセスによってパターンが形成された基板が得られるデバイス製造方法。
【請求項５８】  前記少なくとも一つの因子に対応する、前記塗布工程、前記露光工程、及び前記現像工程の少なくとも一つでの基板処理条件が調整される請求項５７に記載のデバイス製造方法。
【請求項５９】  前記塗布装置と前記現像装置との少なくとも一方での基板処理条件の変更に応じて、その基板処理条件が変更される装置の特性を前記露光装置の特性とは独立して評価する請求項７に記載のリソグラフィ・システムの評価方法。
【請求項６０】  前記少なくとも一つの特性に基づいて前記リソグラフィ・システムでの基板処理条件を調整する請求項５９に記載のリソグラフィ・システムの評価方法。
【請求項６１】  リソグラフィ・システムを用いるデバイス製造方法であって、
請求項７〜１８、５９、６０のいずれか一項に記載の評価方法を用いて、前記塗布装置、前記露光装置、及び前記現像装置の少なくとも一つの特性を他の特性とは独立して評価し、
前記少なくとも一つの特性に基づいて前記リソグラフィ・システムでの基板処理条件を調整し、
前記基板条件が調整されたリソグラフィ・システムによってパターンが形成された基板が得られるデバイス製造方法。
【請求項６２】  前記基板処理装置での基板処理条件の変更に応じて、前記基板処理装置の特性を前記露光装置の特性とは独立して評価する請求項１９に記載の評価方法。
【請求項６３】  前記基板処理装置の特性に基づいて、前記基板処理装置と前記露光装置との一方での基板処理条件を調整する請求項１９に記載の評価方法。
【請求項６４】  前記転写像は、前記感光材料を現像して得られる現像パターンであり、前記基板処理装置の特性は、感光材料を基板に塗布する塗布装置と、感光材料を現像する現像装置との少なくとも一方の特性を含む請求項１９に記載の評価方法。
【請求項６５】  前記転写像は、前記感光材料を露光して得られる潜像であり、前記基板処理装置の特性は、感光材料を基板に塗布する塗布装置の特性を含む請求項１９に記載の評価方法。
【請求項６６】  前記計測結果に基づいて前記基板処理装置の特性を検出するとともに、前記検出された特性に応じて前記基板処理装置を調整し、
前記基板処理装置が調整された前記リソグラフィ・システムによって評価用パターンを感光材料に転写して転写像を形成するとともに、該転写像の状態の計測結果に基づいて前記露光装置の特性を検出する請求項１９に記載のリソグラフィ・システムの評価方法。
【請求項６７】  前記計測結果に基づいて前記基板処理装置の特性を検出するとともに、前記計測結果と前記検出された前記基板処理装置の特性とに基づいて前記露光装置の特性を検出する請求項１９に記載のリソグラフィ・システムの評価方法。
【請求項６８】  リソグラフィ・システムを用いるデバイス製造方法であって、
請求項１９〜２４、６２〜６７のいずれか一項に記載の評価方法を用いて、前記露光装置の特性と前記基板処理装置の特性とを評価し、
前記評価された特性の少なくとも一方に基づいて、前記リソグラフィ・システムでの基板処理条件を調整し、
前記基板処理条件が調整されたリソグラフィ・システムによってパターンが形成された基板が得られるデバイス製造方法。
【請求項６９】  前記基板処理装置での基板処理条件の変更に応じて、前記基板処理装置の特性を前記露光装置の特性とは独立して検出する請求項２５に記載の調整方法。
【請求項７０】  前記検出された特性に基づいて、前記基板処理装置と前記露光装置との一方での基板処理条件を調整する請求項２５に記載の調整方法。
【請求項７１】  前記転写像は、前記感光材料を現像して得られる現像パターンであり、前記基板処理装置の特性は、感光材料を基板に塗布する塗布装置と、感光材料を現像する現像装置との少なくとも一方の特性を含む請求項２５に記載の調整方法。
【請求項７２】  前記現像パターンの計測結果に基づいて前記現像装置の特性が評価され、前記塗布装置の特性は、前記現像装置の特性を評価する工程と異なる工程にて評価される請求項７１に記載の調整方法。
【請求項７３】  前記転写像は、前記感光材料を露光して得られる潜像であり、前記基板処理装置の特性は、感光材料を基板に塗布する塗布装置の特性を含む請求項２５に記載の評価方法。
【請求項７４】  リソグラフィ・システムを用いるデバイス製造方法であって、
請求項２５〜３０、６９〜７３のいずれか一項に記載の調整方法を用いて、前記露光装置の特性とは独立に前記基板処理装置の特性を検出し、
前記検出された特性に基づいて前記リソグラフィ・システムでの基板処理条件を調整し、
前記基板処理条件が調整されたリソグラフィ・システムによってパターンが形成された基板が得られるデバイス製造方法。
【請求項７５】  前記求めた塗布状態に基づいて、前記感光材料を基板に塗布する塗布装置と前記露光装置とを含むリソグラフィ・システムの基板処理条件を調整する請求項４４に記載の測定方法。
【請求項７６】  前記調整される基板処理条件は、前記塗布装置の塗布条件と異なる請求項７５に記載の測定方法。
【請求項７７】  リソグラフィ・システムを用いるデバイス製造方法であって、
請求項４４〜４８、７５、７６のいずれか一項に記載の測定方法を用いて、前記感光材料の塗布状態を求め、
前記求めた塗布状態に基づいて、前記感光材料を基板に塗布する塗布装置と前記露光装置とを含むリソグラフィ・システムの基板処理条件を調整し、
前記基板処理条件が調整されたリソグラフィ・システムによってパターンが形成された基板が得られるデバイス製造方法。
【請求項７８】  前記求めた現像状態に基づいて、前記感光材料を現像する現像装置と前記露光装置とを含むリソグラフィ・システムの基板処理条件を調整する請求項４９に記載の測定方法。
【請求項７９】  前記調整される基板処理条件は、前記現像装置の現像条件と異なる請求項７８に記載の測定方法。
【請求項８０】  リソグラフィ・システムを用いるデバイス製造方法であって、
請求項４９〜５１、７８、７９のいずれか一項に記載の測定方法を用いて、前記感光材料の現像状態を求め、
前記求めた現像状態に基づいて、前記感光材料を現像する現像装置と前記露光装置とを含むリソグラフィ・システムの基板処理条件を調整し、
前記基板処理条件が調整されたリソグラフィ・システムによってパターンが形成された基板が得られるデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明による第１のリソグラフィ・システムの評価方法は、感光材料の塗布を基板に塗布する塗布装置（５４）と、感光材料が塗布された基板を露光する露光装置（５０）と、感光材料を現像する現像装置（５９）とを有するリソグラフィ・システムの評価方法であって、その塗布装置によって基板上に感光材料を塗布する第１工程（ステップ１０１，１２０，１２８）と、その感光材料が塗布された基板をその露光装置によって評価用パターン（３６Ａ〜３６Ｃ，４８，４９，６２Ａ〜６２Ｆ）を介して露光する第２工程（ステップ１０５，１２３，１３１）と、その現像装置によってその基板のその感光材料を現像する第３工程（ステップ１０６，１２４，１３２）と、その現像された基板上のその感光材料の現像パターンを計測する第４工程（ステップ１０７，１１０，１２５，１３３）と、第４工程の計測結果に基づいて、現像パターンにそれぞれ影響を与えるその塗布装置の特性、その露光装置の特性及びその現像装置の特性の少なくとも一つの特性を他の特性とは独立に評価する第５工程（ステップ１０８，１１１，１２６，１３４）と、を含むものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、本発明の感光材料の状態の測定方法は、感光材料が塗布された基板を照明する照明系を備える露光装置により露光される基板の感光材料の塗布状態を測定する方法であって、感光材料が塗布された基板を評価用マークを介して感光し、感光した評価用マークの感光パターンの状態を検出して、その感光パターンに影響を与える、少なくともその感光に関連する因子を除いて、感光材料の塗布状態を求めることを含むものである。この方法により、露光装置を用いて感光材料の塗布状態を容易に検査することができる。それゆえ、リソグラフィ・プロセス又はリソグラフィ・システムにおける露光装置を一層有効に用いることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
更に、本発明の別の感光材料の状態の測定方法は、感光材料が塗布された基板を照明する照明系を備える露光装置により露光される基板の感光材料の現像状態の測定方法であって、感光材料が塗布された基板を評価用マークを介して感光し、感光された基板を現像し、現像した評価用マークの現像パターンを検出して、その現像パターンに影響を与える、少なくともその感光に関連する因子を除いて、感光材料の現像状態を求めることを含むものである。この方法により、露光装置を用いて感光材料の現像状態を容易に検査することができる。それゆえ、リソグラフィ・プロセス、又はリソグラフィ・システムにおける露光装置を一層有効に用いることができる。