【手続補正書】
【提出日】平成20年9月24日(2008.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の付着物を除去する基板の表面処理方法であって、
前記基板を薬液によって洗浄する薬液洗浄ステップと、
前記付着物を所定の圧力下においてアンモニアと弗化水素を含む混合気体の雰囲気に暴露する付着物暴露ステップと、
前記混合気体の雰囲気に暴露された前記付着物を所定の温度に加熱する付着物加熱ステップとを有することを特徴とする基板の表面処理方法。
【請求項２】
前記付着物暴露ステップは、前記基板にプラズマレスエッチング処理を施すことを特徴とする請求項１記載の基板の表面処理方法。
【請求項３】
前記付着物暴露ステップは、前記基板に乾燥洗浄処理を施すことを特徴とする請求項１又は２記載の基板の表面処理方法。
【請求項４】
前記付着物暴露ステップにおける前記所定の圧力は６．７×１０−２〜４．０Ｐａであり、前記付着物加熱ステップにおける前記所定の温度は１００〜２００℃であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の基板の表面処理方法。
【請求項５】
前記付着物は前記基板に形成されたシリコン酸化物であることを特徴する請求項１乃至４記載の基板の表面処理方法。
【請求項６】
前記付着物の形状を測定し、該測定された形状に応じて前記混合気体における前記アンモニアに対する前記弗化水素の体積流量比、及び前記所定の圧力の少なくとも１つを決定する生成物生成条件決定ステップを、さらに有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の基板の表面処理方法。
【請求項７】
前記薬液洗浄ステップの後に前記基板をリンス液で洗浄するリンス液洗浄ステップをさらに有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の基板の表面処理方法。
【請求項８】
前記リンス液洗浄ステップの後に前記基板を回転乾燥するスピンドライ乾燥ステップをさらに有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の基板の表面処理方法。
【請求項９】
基板上に形成された第１層と、該第１層上に形成された所定のパターンのフォトレジスト層と、該フォトレジスト層を用いてエッチング処理により前記第１層において加工成形された接続孔とを備える基板の洗浄方法であって、
前記フォトレジスト層を除去するフォトレジスト除去ステップと、
前記基板表面に親水性層を形成する薬液によって前記基板を洗浄する親水処理洗浄ステップと、
前記基板を所定の圧力下においてアンモニアと弗化水素を含む混合気体の雰囲気に暴露する付着物暴露ステップと、
前記混合気体の雰囲気に暴露された前記基板を所定の温度に加熱する付着物加熱ステップとを有することを特徴とする基板の洗浄方法。
【請求項１０】
前記薬液はＳＣ１及びＳＣ２のいずれか一方であることを特徴とする請求項９記載の基板の洗浄方法。
【請求項１１】
前記親水性層はシリコン自然酸化膜であることを特徴とする請求項９又は１０記載の基
板の洗浄方法。
【請求項１２】
基板上に形成された第１層と、該第１層上に形成された所定のパターンのフォトレジスト層と、該フォトレジスト層を用いてエッチング処理により前記第１層において加工成形された接続孔とを備える基板の洗浄方法であって、
前記フォトレジスト層を除去するフォトレジスト除去ステップと、
前記基板表面に疎水性表面を形成する薬液によって前記基板を洗浄する疎水処理洗浄ステップと、
前記基板を所定の圧力下においてアンモニアと弗化水素を含む混合気体の雰囲気に暴露する付着物暴露ステップと、
前記混合気体の雰囲気に暴露された前記基板を所定の温度に加熱する付着物加熱ステップとを有することを特徴とする基板の洗浄方法。
【請求項１３】
前記薬液はＨＦ水溶液であることを特徴とする請求項１２記載の基板の洗浄方法。
【請求項１４】
基板上に形成された第１層と、該第１層上に形成された所定のパターンのフォトレジスト層と、該フォトレジスト層を用いてエッチング処理により前記第１層において加工成形された接続孔とを備える基板の洗浄方法であって、
前記フォトレジスト層を除去するフォトレジスト除去ステップと、
ＳＣ１によって前記基板を洗浄する第１のウエット洗浄ステップと、
ＳＣ２によって前記第１のウエット洗浄ステップにおいて洗浄された前記基板を洗浄する第２のウエット洗浄ステップと、
弗化水素水溶液によって前記第２のウエット洗浄ステップにおいて洗浄された前記基板を洗浄する第３のウエット洗浄ステップと、
前記第３のウエット洗浄ステップにおいて洗浄された前記基板を乾燥させる乾燥ステップと、
前記乾燥ステップにおいて乾燥された前記基板を所定の圧力下においてアンモニアと弗化水素を含む混合気体の雰囲気に暴露する付着物暴露ステップと、
前記混合気体の雰囲気に暴露された前記基板を所定の温度に加熱する付着物加熱ステップとを有することを特徴とする基板の洗浄方法。
【請求項１５】
基板上に形成された第１層と、該第１層上に形成された所定のパターンのフォトレジスト層と、該フォトレジスト層を用いてエッチング処理により前記第１層において加工成形された接続孔とを備える基板の洗浄方法であって、
前記フォトレジスト層を除去するフォトレジスト除去ステップと、
ＳＣ１によって前記基板を洗浄する第１のウエット洗浄ステップと、
弗化水素水溶液によって前記第１のウエット洗浄ステップにおいて洗浄された前記基板を洗浄する第２のウエット洗浄ステップと、
前記第２のウエット洗浄ステップにおいて洗浄された前記基板を乾燥させる乾燥ステップと、
前記乾燥ステップにおいて乾燥された前記基板を所定の圧力下においてアンモニアと弗化水素を含む混合気体の雰囲気に暴露する付着物暴露ステップと、
前記混合気体の雰囲気に暴露された前記基板を所定の温度に加熱する付着物加熱ステップとを有することを特徴とする基板の洗浄方法。
【請求項１６】
基板上に形成された第１層と、該第１層上に形成された所定のパターンのフォトレジスト層と、該フォトレジスト層を用いてエッチング処理により前記第１層において加工成形された接続孔とを備える基板の洗浄方法であって、
前記フォトレジスト層を除去するフォトレジスト除去ステップと、
ＳＣ１によって前記基板を洗浄する第１のウエット洗浄ステップと、
ＳＣ２によって前記第１のウエット洗浄ステップにおいて洗浄された前記基板を洗浄する第２のウエット洗浄ステップと、
前記第２のウエット洗浄ステップにおいて洗浄された前記基板を乾燥させる乾燥ステップと、
前記乾燥ステップにおいて乾燥された前記基板を所定の圧力下においてアンモニアと弗化水素を含む混合気体の雰囲気に暴露する付着物暴露ステップと、
前記混合気体の雰囲気に暴露された前記基板を所定の温度に加熱する付着物加熱ステップとを有することを特徴とする基板の洗浄方法。
【請求項１７】
基板上に形成された第１層と、該第１層上に形成された所定のパターンのフォトレジスト層と、該フォトレジスト層を用いてエッチング処理により前記第１層において加工成形された接続孔とを備える基板の洗浄方法であって、
前記フォトレジスト層を除去するフォトレジスト除去ステップと、
ＳＣ１によって前記基板を洗浄する第１のウエット洗浄ステップと、
弗化水素水溶液によって前記第１のウエット洗浄ステップにおいて洗浄された前記基板を洗浄する第２のウエット洗浄ステップと、
ＳＣ２によって前記第２のウエット洗浄ステップにおいて洗浄された前記基板を洗浄する第３のウエット洗浄ステップと、
前記第３のウエット洗浄ステップにおいて洗浄された前記基板を乾燥させる乾燥ステップと、
前記乾燥ステップにおいて乾燥された前記基板を所定の圧力下においてアンモニアと弗化水素を含む混合気体の雰囲気に暴露する付着物暴露ステップと、
前記混合気体の雰囲気に暴露された前記基板を所定の温度に加熱する付着物加熱ステップとを有することを特徴とする基板の洗浄方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板の表面処理方法、及び基板の洗浄方法  
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、基板の表面処理方法、及び基板の洗浄方法に関し、特に、表面に形成されたシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）を除去する基板の表面処理方法、及び基板の洗浄方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の目的は、基板の付着物を除去し、清浄な基板を得ることができる基板の表面処理方法、及び基板の洗浄方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
請求項１記載の基板の表面処理方法によれば、薬液によって洗浄された基板の付着物が所定の圧力下においてアンモニアと弗化水素を含む混合気体の雰囲気に暴露され、該混合気体の雰囲気に暴露された付着物が所定の温度に加熱される。付着物が所定の圧力下においてアンモニアと弗化水素を含む混合気体の雰囲気に暴露されると、付着物及び混合気体に基づいた錯体である生成物が生成される。この生成された生成物が所定の温度に加熱されると、生成物が気化する。この生成物の気化により、酸化膜等の基板の付着物が除去される。したがって、酸化膜等の基板の付着物を除去することができ、清浄な基板を得ることができる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
請求項９記載の基板の洗浄方法によれば、基板上に形成された第１層上に形成された所定のパターンのフォトレジスト層を用いてエッチング処理により第１層において加工成形された接続孔を備える基板に対して、フォトレジスト層の除去を行い、基板表面に親水性層を形成する薬液による洗浄を行い、所定の圧力下においてアンモニアと弗化水素を含む混合気体の雰囲気への暴露を行い、次いで所定の温度における加熱を行うので、薬液によって所定のコンタミネーションを除去することができる。また、薬液による洗浄によって、基板表面に親水性層（自然酸化膜や擬似ＳｉＯ２層）が発生するが、請求項１記載の基板の表面処理方法と同様の効果を奏することができ、親水性層である自然酸化膜等の基板の付着物を除去することができる。従って、清浄な基板を得ることができる。また、その方法が不明である洗浄方法によって既に洗浄されている基板に対しても、本洗浄方法は適用することができる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
請求項１２記載の基板の洗浄方法によれば、基板上に形成された第１層上に形成された所定のパターンのフォトレジスト層を用いてエッチング処理により第１層において加工成形された接続孔を備える基板に対して、フォトレジスト層の除去を行い、基板表面に疎水性表面を形成する薬液による洗浄を行い、所定の圧力下においてアンモニアと弗化水素を含む混合気体の雰囲気への暴露を行い、次いで所定の温度における加熱を行うので、薬液によって所定のコンタミネーションを除去することができる。また、薬液による洗浄によって、基板表面に疎水性表面が発生するために付着物としてウオータマークが発生するが、請求項１記載の基板の表面処理方法と同様の効果を奏することができ、基板の疎水性表面の付着物を除去することができる。従って、清浄な基板を得ることができる。また、その方法が不明である洗浄方法によって既に洗浄されている基板に対しても、本洗浄方法は適用することができる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
請求項１４記載の基板の洗浄方法によれば、基板上に形成された第１層上に形成された所定のパターンのフォトレジスト層を用いてエッチング処理により第１層において加工成形された接続孔を備える基板に対して、フォトレジスト層の除去を行い、ＳＣ１による洗浄を行い、ＳＣ２による洗浄を行い、弗化水素水溶液による洗浄を行い、乾燥を行い、所定の圧力下におけるアンモニアと弗化水素を含む混合気体の雰囲気への暴露を行い、次いで所定の温度における加熱を行うので、コンタミネーション、及び自然酸化膜等を除去することができる。また、乾燥によってウオータマークが付着物としてが発生するが、請求項１記載の基板の表面処理方法と同様の効果を奏することができ、基板の付着物を除去することができる。したがって、清浄な基板を得ることができる。特に、金属コンタミネーションを除去することができるＳＣ２洗浄を行うので、付着物として金属コンタミネーションが付着した基板の洗浄に対して効果的である。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
請求項１５記載の基板の洗浄方法によれば、基板上に形成された第１層上に形成された所定のパターンのフォトレジスト層を用いてエッチング処理により第１層において加工成形された接続孔を備える基板に対して、フォトレジスト層の除去を行い、ＳＣ１による洗浄を行い、弗化水素水溶液による洗浄を行い、乾燥を行い、所定の圧力下におけるアンモニアと弗化水素を含む混合気体の雰囲気への暴露を行い、次いで所定の温度における加熱を行うので、コンタミネーション、及び自然酸化膜等を除去することができる。また、乾燥によってウオータマークが付着物として発生するが、請求項１記載の基板の表面処理方法と同様の効果を奏することができ、基板の付着物を除去することができる。したがって、清浄な基板を得ることができる。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
請求項１６記載の基板の洗浄方法によれば、基板上に形成された第１層上に形成された所定のパターンのフォトレジスト層を用いてエッチング処理により第１層において加工成形された接続孔を備える基板に対して、フォトレジスト層の除去を行い、ＳＣ１による洗浄を行い、ＳＣ２による洗浄を行い、乾燥を行い、所定の圧力下におけるアンモニアと弗化水素を含む混合気体の雰囲気への暴露を行い、次いで所定の温度における加熱を行うので、コンタミネーション、及び自然酸化膜等を除去することができる。また、乾燥によってウオータマークが付着物として発生するが、請求項１記載の基板の表面処理方法と同様の効果を奏することができ、基板の付着物を除去することができる。したがって、清浄な基板を得ることができる。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
請求項１７記載の基板の洗浄方法によれば、基板上に形成された第１層上に形成された所定のパターンのフォトレジスト層を用いてエッチング処理により第１層において加工成形された接続孔を備える基板に対して、フォトレジスト層の除去を行い、ＳＣ１による洗浄を行い、弗化水素水溶液による洗浄を行い、ＳＣ２による洗浄を行い、乾燥を行い、所定の圧力下におけるアンモニアと弗化水素を含む混合気体の雰囲気への暴露を行い、次いで所定の温度における加熱を行うので、コンタミネーション、及び自然酸化膜等を除去することができる。また、乾燥によってウオータマークが付着物として発生するが、請求項１記載の基板の表面処理方法と同様の効果を奏することができ、基板の付着物を除去することができる。したがって、清浄な基板を得ることができる。特に、金属コンタミネーションを除去することができるＳＣ２洗浄を行うので、付着物として金属コンタミネーションが付着した基板の洗浄に対して効果的である。