Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月10日(2008.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
焦点調節を行うレンズ手段を介して形成される被写体像を入力とし、複数の画像からなる画像信号を出力する固体撮像素子と、
前記複数の画像の動きベクトルを検出する動きベクトル検出手段と、
前記動きベクトル検出手段で検出された各動きベクトルに基づいて画像の合成を行う合成手段と、
前記合成された画像に基づき、被写体に対する前記レンズ手段の合焦度に応じた第１の信号を抽出する抽出手段と、
前記抽出された第１の信号に基づいて前記レンズ手段を制御し焦点調節を行う焦点制御手段と
を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記抽出手段は、前記合成前の画像を基に前記レンズ手段の合焦度に応じた第２の信号を抽出し、
前記焦点制御手段は、前記第２の信号又は前記第１の信号を選択することを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】
前記抽出手段は、前記合成前の画像に応じて、被写体に対する前記レンズ手段の合焦度に応じた第２の信号を抽出し、
前記焦点制御手段は、前記第２の信号の振幅値が閾値より大きいときには前記第２の信号に基づいて前記レンズ手段を制御し焦点調節を行い、前記第２の信号の振幅値が閾値より小さいときには前記第１の信号に基づいて前記レンズ手段を制御し焦点調節を行うことを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項４】
さらに、前記固体撮像素子から出力された前記複数の画像からなる画像信号を記憶する記憶手段を有し、
前記合成手段は、前記記憶手段に記憶される各画像のずれを補正して各画像の合成を行うことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
焦点調節を行うレンズ手段を介して形成される被写体像を入力とし、複数の画像からなる画像信号を出力する固体撮像素子と、
前記複数の画像の動きベクトルを検出する動きベクトル検出手段と、
前記複数の動きベクトルに応じて画像の合成を行う合成手段と、
前記合成前の画像の信号から、被写体に対する前記レンズ手段の合焦度に応じた第１の信号を抽出する抽出手段と、
前記第１の信号に基づいて前記レンズ手段を制御し焦点調節を行う焦点制御手段と
を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項６】
前記抽出手段は、前記動きベクトル検出手段で検出された動きベクトルを用いて前記第１の信号を抽出することを特徴とする請求項５記載の撮像装置。
【請求項７】
焦点調節を行うためのレンズユニットを介して形成される被写体像を入力とし、複数の画像からなる画像信号を出力する固体撮像ユニットを有する撮像装置の制御方法であって、
前記複数の画像の動きベクトルを検出する動きベクトル検出ステップと、
前記動きベクトル検出ステップで検出された各動きベクトルに応じて画像の合成を行う合成ステップと、
前記合成された画像に応じて、被写体に対する前記レンズユニットの合焦度に応じた信号を抽出する抽出ステップと、
前記抽出された信号に基づいて前記レンズユニットを制御し焦点調節を行う焦点制御ステップと
を有することを特徴とする撮像方法。
【請求項８】
焦点調節を行うためのレンズユニットを介して形成される被写体像を入力とし、複数の画像からなる画像信号を出力する固体撮像ユニットを有する撮像装置の制御方法であって、
前記複数の画像の動きベクトルに応じて画像の合成を行う合成ステップと、
前記画像を合成する前の信号から、被写体に対する前記レンズユニットの合焦度に応じた第１の信号を抽出する抽出ステップと、
前記抽出された第１の信号に基づいて前記レンズユニットを制御し焦点調節を行う焦点制御ステップと
を有することを特徴とする撮像方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の撮像装置は、焦点調節を行うレンズ手段を介して形成される被写体像を入力とし、複数の画像からなる画像信号を出力する固体撮像素子と、前記複数の画像の動きベクトルを検出する動きベクトル検出手段と、前記動きベクトル検出手段で検出された各動きベクトルに基づいて画像の合成を行う合成手段と、前記合成された画像に基づき、被写体に対する前記レンズ手段の合焦度に応じた第１の信号を抽出する抽出手段と、前記抽出された第１の信号に基づいて前記レンズ手段を制御し焦点調節を行う焦点制御手段とを有することを特徴とする。
また、本発明の撮像装置は、焦点調節を行うレンズ手段を介して形成される被写体像を入力とし、複数の画像からなる画像信号を出力する固体撮像素子と、前記複数の画像の動きベクトルを検出する動きベクトル検出手段と、前記複数の動きベクトルに応じて画像の合成を行う合成手段と、前記合成前の画像の信号から、被写体に対する前記レンズ手段の合焦度に応じた第１の信号を抽出する抽出手段と、前記第１の信号に基づいて前記レンズ手段を制御し焦点調節を行う焦点制御手段とを有することを特徴とする。
また、本発明の撮像方法は、焦点調節を行うためのレンズユニットを介して形成される被写体像を入力とし、複数の画像からなる画像信号を出力する固体撮像ユニットを有する撮像装置の制御方法であって、前記複数の画像の動きベクトルを検出する動きベクトル検出ステップと、前記動きベクトル検出ステップで検出された各動きベクトルに応じて画像の合成を行う合成ステップと、前記合成された画像に応じて、被写体に対する前記レンズユニットの合焦度に応じた信号を抽出する抽出ステップと、前記抽出された信号に基づいて前記レンズユニットを制御し焦点調節を行う焦点制御ステップとを有することを特徴とする。
また、本発明の撮像方法は、焦点調節を行うためのレンズユニットを介して形成される被写体像を入力とし、複数の画像からなる画像信号を出力する固体撮像ユニットを有する撮像装置の制御方法であって、前記複数の画像の動きベクトルに応じて画像の合成を行う合成ステップと、前記画像を合成する前の信号から、被写体に対する前記レンズユニットの合焦度に応じた第１の信号を抽出する抽出ステップと、前記抽出された第１の信号に基づいて前記レンズユニットを制御し焦点調節を行う焦点制御ステップとを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
複数の画像のずれを補正して合成することにより、低速シャッタで動画像の撮影をするときに手振れの影響を抑制し、撮影動画像の精度を向上させることができる。また、合成された画像を基に第１の信号を抽出して焦点調節することにより、照明が少なくて暗い被写体の動画像を撮影する場合に、合焦性能を向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月6日(2008.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
パッチ画像は、本実施例の画像形成装置で用いるマゼンタ、シアン、イエロー、ブラックのトナーを用い、それぞれ１つづつ形成され、合計４個形成される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
また、画像間領域にパッチ画像が形成されると、このパッチ画像が２次転写ローラ２６を通過した後、この画像領域間に２次転写ローラ２６が接している間に、２次転写ローラ２６にはクリーニングバイアスが印加され、２次転写ローラ２６に付着したパッチ画像のトナーが除去される。このクリーニングバイアスについては、後に詳しく述べる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
かぶりトナーは、パッチ画像よりも単位面積あたりのトナー量は少ないが、繰り返し多くの画像形成が行われると、２次転写ローラ２６に付着するトナーは、紙の裏面（トナー像の転写される面の裏面）へのトナー付着の原因となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
続いて、次のプリントジョブの画像形成が開始されると、感光ドラム２１の前回転に伴い、２次転写ローラ２６のクリーニングとして、２次転写ローラ２６の１周分、転写バイアスと逆極性のバイアス、−５００Ｖを印加後、同様に２次転写ローラ２６の１周分転写バイアスと同極性のバイアス、＋５００Ｖを印加する。その後、画像形成動作に同期し、記録材８が２次転写ローラ２６に到達するタイミングで、転写バイアスとして約＋２ＫＶを印加する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
また、パッチ画像がプリントジョブの終了時の後回転のタイミングに、中間転写ベルト２８にパッチ画像が形成された場合に、クリーニングバイアスが２次転写ローラに印加される時間を、中間転写ベルト２８にパッチ画像が形成されなかった場合に、クリーニングバイアスが２次転写ローラ２６に印加される時間よりも長くすることにより、２次転写ローラ２６に付着するトナーを充分に除去することができた。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
本実施例においても、パッチ画像がプリントジョブの終了時の後回転のタイミングに、中間転写ベルト２８にトナーパッチ画像が形成された場合に、クリーニングバイアスが２次転写ローラに印加される時間を、中間転写ベルト２８にパッチ画像が形成されなかった場合に、クリーニングバイアスが２次転写ローラに印加される時間よりも長くすることにより、２次転写ローラ２６に付着するトナーを充分に除去することができた。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
本実施例の様に、プリントジョブの前回転時に、中間転写ベルト２８に色ずれ防止用のパターン画像が形成された場合に、クリーニングバイアスが２次転写ローラ２６に印加される時間を、中間転写ベルト２８に色ずれ防止用のパターン画像が形成されなかった場合に、クリーニングバイアスが２次転写ローラ２６に印加される時間よりも長くすることにより、２次転写ローラ２６に付着するトナーを充分に除去することができた。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月2日(2008.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
対向面に各々走査電極と信号電極を有する一対の基板間に、少なくとも二つの安定状態を持つメモリ性液晶を挟持し、前記走査電極と信号電極とが前記メモリ性液晶を挟んで対向する部分で画素を形成するメモリ性液晶パネルと、該メモリ性液晶パネルを駆動して表示データを前記画素に表示させる駆動回路とを備えた液晶表示装置であって、
前記駆動回路によって、前記メモリ性液晶パネルの前記走査電極には電圧値ゼロと正または負の単一極性の電圧値で構成される電圧波形の走査電圧が印加され、かつ前記信号電極にも電圧値ゼロと前記走査電圧と同極性の単一極性の電圧値で構成される電圧波形の信号電圧が印加され、
前記画素に表示される表示データは複数の走査期間で表示され、該複数の走査期間において、前記画素を構成する部分の前記走査電極と信号電極間に印加される電圧が交流化されることを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
対向面に各々走査電極と信号電極を有する一対の基板間に、少なくとも二つの安定状態を持つメモリ性液晶を挟持し、前記走査電極と信号電極とが前記メモリ性液晶を挟んで対向する部分で画素を形成するメモリ性液晶パネルの駆動回路であって、
前記走査電極に走査電圧を印加するための走査電極駆動回路と、前記信号電極に信号電圧を印加するための信号電極駆動回路とを備え、
前記走査電極駆動回路は、電圧値ゼロと正または負の単一極性の電圧値で構成される電圧波形の走査電圧を出力し、
前記信号電極駆動回路は、電圧値ゼロと前記走査電圧と同極性の単一極性の電圧値で構成される電圧波形の信号電圧を出力し、
複数の走査期間に出力される前記走査電圧と前記信号電圧との合成電圧を前記画素を構成する部分の前記走査電極と信号電極間に印加することによって該画素に表示データを表示させ、
前記複数の走査期間において、前記画素を構成する部分の前記走査電極と信号電極間に印加する前記合成電圧が交流化されるようにしたことを特徴とするメモリ性液晶パネルの駆動回路。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
上記駆動回路によって、上記メモリ性液晶パネルの上記走査電極には、電圧値ゼロと正または負の単一極性の電圧値で構成される電圧波形の走査電圧が印加され、かつ上記信号電極にも、電圧値ゼロと走査電圧と同極性の単一極性の電圧値で構成される電圧波形の信号電圧が印加される。
そして、上記画素に表示される表示データは複数の走査期間で表示され、その複数の走査期間に表示される表示データは複数の走査期間で表示され、該複数の走査期間において、画素を構成する部分の走査電極と信号電極間に印加される電圧が交流化されるようにした。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
さらに、複数の走査期間に出力される上記走査電圧と信号電圧との合成電圧を画素を構成する部分の走査電極と信号電極間に印加することによって該画素に表示データを表示させ、その複数の走査期間において、画素を構成する部分の走査電極と信号電極間に印加する上記合成電圧が交流化されるようにした。
上記走査電極駆動回路が上記最初の走査期間において出力する走査電圧の基準電位と、その後の走査期間において出力する走査電圧の基準電位とを、異なる電圧値にすることができる。
また、上記駆動回路によって出力される上記最初の走査期間における信号電圧の基準電位と、上記その後の走査期間における信号電圧の基準電位とが異なるようにしてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月10日(2008.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスの観察画像を用い、その不良を解析する半導体不良解析装置であって、
半導体デバイスの観察画像として、不良についての検査を行って得られた、不良に起因する反応情報を含む不良観察画像を取得する検査情報取得手段と、
前記半導体デバイスのレイアウト情報を取得するレイアウト情報取得手段と、
前記不良観察画像及び前記レイアウト情報を参照して前記半導体デバイスの不良についての解析を行う不良解析手段と、
前記半導体デバイスの不良の解析についての情報を表示手段に表示させる情報表示制御手段とを備え、
前記不良解析手段は、前記不良観察画像を参照し、前記反応情報に対応して解析領域を設定するための領域設定手段と、前記半導体デバイスのレイアウトに含まれる複数のネットについて前記解析領域を通過するネットを抽出するネット情報解析手段とを有し、
前記情報表示制御手段は、前記領域設定手段及び前記ネット情報解析手段による前記半導体デバイスの不良の解析結果についての情報を前記表示手段に表示させることを特徴とする半導体不良解析装置。
【請求項２】
前記検査情報取得手段は、前記不良観察画像に加えて、通常の前記観察画像であるパターン画像を取得し、前記レイアウト情報取得手段は、前記レイアウト情報としてレイアウト画像を取得するとともに、
前記不良解析手段は、前記パターン画像と前記レイアウト画像とを参照して、前記パターン画像及び前記不良観察画像を含む前記観察画像と、前記レイアウト画像との間の位置合わせを行う位置調整手段を有することを特徴とする請求項１記載の不良解析装置。
【請求項３】
前記領域設定手段は、前記解析領域に対して属性を設定することが可能に構成されていることを特徴とする請求項１または２記載の不良解析装置。
【請求項４】
前記ネット情報解析手段は、前記解析領域に対して設定された前記属性を参照して、その解析領域について前記ネットの抽出に用いるかどうかを選択することを特徴とする請求項３記載の不良解析装置。
【請求項５】
前記不良解析手段は、別の解析方法によって得られた前記半導体デバイスの不良についての付加的な解析情報を取得する付加解析情報取得手段を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の不良解析装置。
【請求項６】
半導体デバイスの観察画像を用い、その不良を解析する半導体不良解析方法であって、
半導体デバイスの観察画像として、不良についての検査を行って得られた、不良に起因する反応情報を含む不良観察画像を取得する検査情報取得ステップと、
前記半導体デバイスのレイアウト情報を取得するレイアウト情報取得ステップと、
前記不良観察画像を参照し、前記反応情報に対応して解析領域を設定する領域設定ステップと、
前記半導体デバイスのレイアウトに含まれる複数のネットについて前記解析領域を通過するネットを抽出するネット情報解析ステップと、
前記領域設定ステップ及び前記ネット情報解析ステップによる前記半導体デバイスの不良の解析結果についての情報を表示手段に表示させる情報表示ステップと
を備えることを特徴とする半導体不良解析方法。
【請求項７】
前記検査情報取得ステップにおいて、前記不良観察画像に加えて、通常の前記観察画像であるパターン画像を取得し、前記レイアウト情報取得ステップにおいて、前記レイアウト情報としてレイアウト画像を取得するとともに、
前記パターン画像と前記レイアウト画像とを参照して、前記パターン画像及び前記不良観察画像を含む前記観察画像と、前記レイアウト画像との間の位置合わせを行う位置調整ステップを備えることを特徴とする請求項６記載の不良解析方法。
【請求項８】
前記領域設定ステップにおいて、前記解析領域に対して属性を設定することが可能となっていることを特徴とする請求項６または７記載の不良解析方法。
【請求項９】
前記ネット情報解析ステップにおいて、前記解析領域に対して設定された前記属性を参照して、その解析領域について前記ネットの抽出に用いるかどうかを選択することを特徴とする請求項８記載の不良解析方法。
【請求項１０】
別の解析方法によって得られた前記半導体デバイスの不良についての付加的な解析情報を取得する付加解析情報取得ステップを備えることを特徴とする請求項６〜９のいずれか一項記載の不良解析方法。
【請求項１１】
半導体デバイスの観察画像を用い、その不良を解析する半導体不良解析をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
半導体デバイスの観察画像として、不良についての検査を行って得られた、不良に起因する反応情報を含む不良観察画像を取得する検査情報取得処理と、
前記半導体デバイスのレイアウト情報を取得するレイアウト情報取得処理と、
前記不良観察画像を参照し、前記反応情報に対応して解析領域を設定する領域設定処理と、
前記半導体デバイスのレイアウトに含まれる複数のネットについて前記解析領域を通過するネットを抽出するネット情報解析処理と、
前記領域設定処理及び前記ネット情報解析処理による前記半導体デバイスの不良の解析結果についての情報を表示手段に表示させる情報表示処理と
をコンピュータに実行させる半導体不良解析プログラム。
【請求項１２】
前記検査情報取得処理は、前記不良観察画像に加えて、通常の前記観察画像であるパターン画像を取得し、前記レイアウト情報取得処理は、前記レイアウト情報としてレイアウト画像を取得するとともに、
前記パターン画像と前記レイアウト画像とを参照して、前記パターン画像及び前記不良観察画像を含む前記観察画像と、前記レイアウト画像との間の位置合わせを行う位置調整処理をコンピュータに実行させる請求項１１記載の不良解析プログラム。
【請求項１３】
前記領域設定処理は、前記解析領域に対して属性を設定することが可能となっていることを特徴とする請求項１１または１２記載の不良解析プログラム。
【請求項１４】
前記ネット情報解析処理は、前記解析領域に対して設定された前記属性を参照して、その解析領域について前記ネットの抽出に用いるかどうかを選択することを特徴とする請求項１３記載の不良解析プログラム。
【請求項１５】
別の解析方法によって得られた前記半導体デバイスの不良についての付加的な解析情報を取得する付加解析情報取得処理をコンピュータに実行させる請求項１１〜１４のいずれか一項記載の不良解析プログラム。
【請求項１６】
前記情報表示処理は、前記解析結果として、前記ネット情報解析処理によって抽出されたネットを一覧表示したネットリストを前記表示手段に表示させることを特徴とする請求項１１〜１５のいずれか一項記載の不良解析プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月20日(2008.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
さらに、CMP(Chemical
Mechanical Planarization)等の手法による平坦化・平滑化を施したGaN表面においても、なおまだGaN表面は原子レベルの微小な凹凸を残している。GaNは、硬度においてSi及びGaAs基板に比較して極めて高く、かつ融点においてもこれらのSi及びGaAsに比べて高い。このため、GaN表面を原子レベルで広範囲に渡って平坦化・平滑化することは困難である。この様に、GaN表面に凹凸があるため、サフィア基板上のGaN同士を直接接合することは、容易ではなかった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
しかしながら、上記従来例の方法では、接合界面に圧縮応力を印加した状態でN2、H2等の雰囲気中で熱処理する場合においても、両接合表面の凸部同士で先ず接触する。このことから、凸部個所で先行して生ずるクリープ効果によって周囲を封止される領域は、次第に外界から遮蔽された封止状態になって行くため、雰囲気ガスを封止領域内に導入することが困難になる。このため、接合面の全面に渡って雰囲気ガスを供給することは難しくなり、接合用に還流している雰囲気ガスの効果が低減する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
以下に、本発明の実施の形態を説明する。本発明のGaN/GaN直接接合方法の一実施形態では、一方のGaN接合表面、あるいは両方のGaN表面に予めアンモニア水を塗布し、この後両GaN接合表面を重ね合わせ、両GaNの両側から圧縮荷重を印加し、接合界面に圧縮応力を印加した状態にする。そして、Heなどの雰囲気の還流中で室温から次第に温度を上昇させていき、所定の温度になった時、所定の時間で熱処理する。本接合方法の場合、GaN接合表面にアンモニア水を塗布した状態で接合面に圧縮応力を印加することから、アンモニア水を接合界面の微小な空隙部に封じ込めることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この状態においてHeなどの雰囲気中で加熱昇温していった場合、すなわち熱処理していった場合、約500℃以上の温度でアンモニア水（NH4OH）は次の様に分解する。
2NH4OH  →  N2＋3H2 ＋ 2H（＋）＋2OH（−）
こうして、N2及びH2が生成される。すなわち、接合界面に封じ込められたH2は、Ga終端のGaN表面のNと結合し、Gaを遊離させる。この遊離したGaは低融点金属のため表面拡散能が大きく、速い速度で拡散する過程で接合表面の凹凸部の凹部を埋めながらNと結合し、GaNを生成して安定状態になる。上記の反応過程により、接合界面の微小凹凸部は平坦になり、同時にGaN/GaNの直接接合を可能にする。尚、上記反応過程において、アンモニア水が不足する恐れがある場合、GaN表面に形成した溝にアンモニア水を予め貯蔵しておいてもよい。以上の説明から分かるように、本実施形態に代表される本発明のGaN/GaN直接接合方法によれば、従来例の課題のところで述べたような封止領域がたとえ生じたとしても、そこにはアンモニア水が存在するので上記反応過程が進行し、GaN/GaN直接接合が良好に行われることになる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
次に、電気炉の温度を上昇して行き、２時間で５００℃（アンモニア水の分解温度）まで上昇させ、５００℃で３０分間保持し（ここで上記の反応過程が進行する）、２時間で８００℃まで上昇させ、８００℃で２時間保持し（ここで直接接合が進行する）、この後室温まで降温する。これにより、全面に渡ってGaN/GaN同士の直接接合が可能になった。徐々に昇温させるのは、その過程で不要なストレスなどを生じさせないと同時に、加熱過程においてGaN/GaN接合面で発生する不要なガスを接合面の隙間から外部に追出すためである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月4日(2008.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記半導体装置は、
前記ヒューズに直列に接続され、前記ヒューズに電流を流すに際してオン状態となるＭＯＳトランジスタを備え、
前記ヒューズ部の全長は、
前記ヒューズ部の温度上昇による前記ヒューズ配線の電気抵抗率の増加率を加味して算出する前記ヒューズ部で発生する電圧降下が、前記ＭＯＳトランジスタの電源電圧と、溶断に必要な溶断電流を得るために必要なドレイン・ソース電圧との差よりも小さくなるように決定される、請求項１記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2007005424.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月19日(2008.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のステージに載置された原版をＥＵＶ光で照明する照明光学系と、
前記原版のパターンを第２のステージに載置された被処理体へ投影する投影光学系と、
前記第１および前記第２のステージを制御する制御部と、
前記第２のステージに配設された基準開口と、
前記第２のステージに配設され、前記基準開口を通過した前記ＥＵＶ光を吸収して前記ＥＵＶ光よりも波長の長い光を発する蛍光発生手段と、
前記蛍光発生手段が発する光を前記制御部へ導光する光導波手段と、を有し、
前記制御部は、前記蛍光発生手段が発する光を電気信号に変換し、その電気信号に基づいて前記原版と前記被処理体との位置合わせを行うことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
第１のステージに載置された原版をＥＵＶ光で照明する照明光学系と、
前記原版のパターンを第２のステージに載置された被処理体へ投影する投影光学系と、
前記第１および前記第２のステージを制御する制御部と、
前記第２のステージに配設された基準開口と、
前記第２のステージに配設され、前記基準開口を通過した前記ＥＵＶ光を光電変換する光電変換素子と、
前記第２のステージに配設され、前記光電変換素子からの電気信号を電光変換する電光変換手段と、
前記電光変換手段からの光を前記制御部に導光する光導波手段と、を有し、
前記制御部は、前記電光変換手段からの光を電気信号に変換し、その電気信号に基づいて前記原版と前記被処理体との位置合わせを行うことを特徴とする露光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記の目的を達成するため、本発明の露光装置は、第１のステージに載置された原版をＥＵＶ光で照明する照明光学系と、前記原版のパターンを第２のステージに載置された被処理体へ投影する投影光学系と、前記第１および前記第２のステージを制御する制御部と、前記第２のステージに配設された基準開口と、前記第２のステージに配設され、前記基準開口を通過した前記ＥＵＶ光を吸収して前記ＥＵＶ光よりも波長の長い光を発する蛍光発生手段と、前記蛍光発生手段が発する光を前記制御部へ導光する光導波手段と、を有し、前記制御部は、前記蛍光発生手段が発する光を電気信号に変換し、その電気信号に基づいて前記原版と前記被処理体との位置合わせを行うことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月19日(2008.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に第１の導電層を形成する第１の工程と、
前記第１の導電層を覆ってシロキサン結合を含む絶縁層を形成する第２の工程と、
前記絶縁層を臭化水素ガス及び酸素ガスを含むガスを用いてエッチングして、前記第１の導電層に達する開口部を形成する第３の工程と、
前記絶縁層上に、前記開口部を介して前記第１の導電層と電気的に接続する第２の導電層を形成する第４の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上に第１の導電層を形成する第１の工程と、
前記第１の導電層を覆ってシロキサン結合を含む第１の絶縁層を形成する第２の工程と、
前記第１の絶縁層上に酸化珪素又は窒化珪素からなる第２の絶縁層を形成する第３の工程と、
前記第２の絶縁層上に第２の導電層を形成する第４の工程と、
前記第２の導電層、前記第２の絶縁層、及び前記第１の絶縁層をエッチングして、前記第１の導電層に達する開口部を形成する第５の工程と、
前記第２の導電層上に、前記開口部を介して前記第１の導電層と電気的に接続する第３の導電層を形成する第６の工程と、を有し、
前記第５の工程において、前記第２の導電層及び前記第２の絶縁層は塩素ガス、酸素ガス、及びＣＦ４ガスを含むガスを用いてエッチングし、前記第１の絶縁層は臭化水素ガス及び酸素ガスを含むガスを用いてエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面上に半導体層を形成する第１の工程と、
前記半導体層を覆って酸化珪素又は窒化珪素からなる第１の絶縁層を形成する第２の工程と、
前記半導体層上に前記第１の絶縁層を介して第１の導電層を形成するとともに、前記絶縁表面上に前記第１の絶縁層を介して第２の導電層を形成する第３の工程と、
前記第１の絶縁層、前記第１の導電層、及び前記第２の導電層を覆ってシロキサン結合を含む第２の絶縁層を形成する第４の工程と、
前記第２の絶縁層及び前記第１の絶縁層をエッチングして、前記第１の導電層、前記第２の導電層、及び前記半導体層に達する開口部を形成する第５の工程と、
前記第２の絶縁層上に、前記開口部を介して前記第１の導電層、前記第２の導電層、及び前記半導体層と電気的に接続する第３の導電層を形成する第６の工程と、を有し、
前記第５の工程において、前記第２の絶縁層は臭化水素ガス及び酸素ガスを含むガスを用いてエッチングし、前記第１の絶縁層はＣＨＦ３ガスを含むガスを用いてエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面上に半導体層を形成する第１の工程と、
前記半導体層を覆って酸化珪素又は窒化珪素からなる第１の絶縁層を形成する工程と、
前記半導体層上に前記第１の絶縁層を介して第１の導電層を形成するとともに、前記絶縁表面上に前記第１の絶縁層を介して第２の導電層を形成する第３の工程と、
前記第１の絶縁層、前記第１の導電層、及び前記第２の導電層を覆ってシロキサン結合を含む第２の絶縁層を形成する第４の工程と、
前記第２の絶縁層上に酸化珪素又は窒化珪素からなる第３の絶縁層を形成する第５の工程と
前記第３の絶縁層上に第３の導電層を形成する第６の工程と、
前記第３の導電層、第３の絶縁層、前記第２の絶縁層、及び前記第１の絶縁層をエッチングして、前記第１の導電層、前記第２の導電層、及び前記半導体層に達する開口部を形成する第７の工程と、
前記第３の導電層上に、前記開口部を介して前記第１の導電層、前記第２の導電層、及び前記半導体層と電気的に接続する第４の導電層を形成する第８の工程と、を有し、
前記第７の工程において、前記第３の導電層及び前記第３の絶縁層は塩素ガス、酸素ガス、及びＣＦ４ガスを含むガスを用いてエッチングし、前記第２の絶縁層は臭化水素ガス及び酸素ガスを含むガスを用いてエッチングし、前記第１の絶縁層はＣＨＦ３ガスを含むガス用いてエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面上に形成された第１の導電層と、
前記第１の導電層上に形成されたシロキサン結合を含む第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に形成された酸化珪素又は窒化珪素からなる第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上に形成された第２の導電層と、
前記第１の絶縁層、第２の絶縁層、及び前記第２の導電層に形成された開口部を介して前記第１の導電層と電気的に接続する第３の導電層と、を有し、
前記第２の導電層及び前記第３の導電層によって、前記第１の導電層と電気的に接続する配線が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記配線は、前記第２の導電層及び前記第３の導電層を同一工程でパターニングすることで形成されたものであることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月17日(2008.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体層上に形成された半導体層と、
前記半導体層に形成され、当該半導体層における活性領域を規定する分離絶縁膜と、
前記活性領域に形成されたソースドレイン領域を有するトランジスタと、
前記トランジスタの前記ソースドレイン領域上部に形成されたシリサイド層と
を備える半導体装置であって、
前記分離絶縁膜は、前記絶縁体層に達していない部分を有しており、
前記ソースドレイン領域は、互いに質量数が異なる第１および第２不純物イオンにより形成されており、
前記第１不純物イオンは、前記第２不純物イオンよりも質量数が小さく、
前記第１不純物イオンが、前記絶縁体層にまで達している
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置であって、
前記シリサイド層と前記ソースドレイン領域との界面において、前記第１不純物イオンの濃度は前記第２不純物イオンの濃度以上である
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の半導体装置であって、
前記半導体層は、１００ｎｍ以下の厚さである
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか記載の半導体装置であって、
前記第１不純物イオンは、Ｐイオンであり、
前記第２不純物イオンは、Ａｓイオンである
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１から請求項３のいずれか記載の半導体装置であって、
前記第１不純物イオンは、Ｂイオンであり、
前記第２不純物イオンは、ＩｎイオンあるいはＢＦ2イオンである
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
（ａ）絶縁体層上に形成された半導体層に、当該半導体層における活性領域を規定する分離絶縁膜を形成する工程と、
（ｂ）前記活性領域に、トランジスタのゲート電極を形成する工程と、
（ｃ）前記活性領域に、比較的質量数の小さい第１不純物イオンおよび比較的質量数の大きい第２不純物イオンを、質量数の小さい順に注入することによって、前記トランジスタのソースドレイン領域を形成する工程と、
（ｄ）熱処理によって、前記ソースドレイン領域の前記第１および第２不純物イオンを拡散させる工程と、
（ｅ）前記ソースドレイン領域上部にシリサイド層を形成する工程と
を備える半導体装置の製造方法であって、
前記工程（ａ）において、前記分離絶縁膜は、少なくともその一部が前記絶縁体層にまで達しないように形成され、
前記工程（ｃ）における前記第１および第２不純物イオンの注入条件は、前記工程（ｄ）および（ｅ）後における前記シリサイド層と前記ソースドレイン領域との界面において、前記第１不純物イオンの濃度が前記第２不純物イオンの濃度以上になるよう設定される
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置の製造方法であって、
前記工程（ｂ）よりも後、且つ、前記工程（ｃ）よりも前に、
（ｆ）前記分離絶縁膜上を含む前記半導体層上に酸化膜を形成する工程をさらに備え、
前記工程（ｃ）における前記第１および第２不純物イオンの注入は、前記酸化膜を介して行われる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置の製造方法であって、
前記工程（ｄ）の前記熱処理は、前記酸化膜を残存させた状態で行われる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項６から請求項８のいずれか記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第１不純物イオンは、Ｐイオンであり、
前記第２不純物イオンは、Ａｓイオンである
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項６から請求項８のいずれか記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第１不純物イオンは、Ｂイオンであり、
前記第２不純物イオンは、ＩｎイオンあるいはＢＦ2イオンである
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明に係る半導体装置は、絶縁体層上に形成された半導体層と、前記半導体層に形成され、当該半導体層における活性領域を規定する分離絶縁膜と、前記活性領域に形成されたソースドレイン領域を有するトランジスタと、前記トランジスタの前記ソースドレイン領域上部に形成されたシリサイド層とを備える半導体装置であって、前記分離絶縁膜は、前記絶縁体層に達していない部分を有しており、前記ソースドレイン領域は、互いに質量数が異なる第１および第２不純物イオンにより形成されており、前記第１不純物イオンは、前記第２不純物イオンよりも質量数が小さく、前記第１不純物イオンが、前記絶縁体層にまで達しているものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
続いて、トレンチ５４の内壁を酸化して、膜厚５ｎｍ〜５０ｎｍ程度のシリコン酸化膜４を形成する（分離絶縁膜５の表面にシリコン酸化膜４が不要な場合は、この工程は行わなくてもよい）。そしてトレンチ５４を埋めるように、全面にシリコン酸化膜５５を形成する（図６）。このとき必要に応じて、５００℃から１３００℃のアニールにより焼き締めを行う。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
この変形例では、図１７のように、ＭＯＳトランジスタ１０とボディ電位固定用セル３０との間の部分をＰＴＩにし、それ以外の部分をＦＴＩにしている。即ち、Ａ−Ａ線に沿った断面では、分離絶縁膜５はＢＯＸ層２にまで達した構造なる（図１８）。また、Ｂ−Ｂ線に沿った断面では、分離絶縁膜５は、ＭＯＳトランジスタ１０のボディ電位固定用セル３０側ではＢＯＸ層２に達しないがその反対側ではＢＯＸ層２まで達した構造になる。この変形例のように、分離絶縁膜５が部分的にＰＴＩである場合でも、当該ＰＴＩの部分における分離特性を劣化させることなく、シリサイド層１７ａ−ソースドレイン領域１７間の接続抵抗を小さくすることが可能であることは明らかである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
このように、ＳＯＩ層３の薄膜化が進むと、分離絶縁膜５を厚く形成することが難しくなる。その結果、ソースドレイン領域１７形成のための不純物イオンの注入におけるエネルギーを極めて小さく設定する必要が生じ、そのマージンは小さくなる。よって不純物イオンの分離絶縁膜５の突き抜けを防止しつつ、ソースドレイン領域１７を精度よく形成することが困難になる。本実施の形態では、この問題を解決するための技術を提案する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１６】
2007005575.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月18日(2008.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】分布ブラッグ反射型直接変調レーザおよび分布帰還型直接変調レーザ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、分布ブラッグ反射型直接変調レーザおよび分布帰還型直接変調レーザに係わり、特に、光通信等に好適な消費電力の少ない半導体発光・受光素子に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上の一部にその長さが１０μｍ乃至１００μｍの活性層領域が設けられ、
少なくとも前記活性層領域の一端側とその一端側が接続された分布ブラッグ反射層を有し、
前記活性層領域は電流注入領域であり、前記分布ブラッグ反射層は非電流注入領域であり、
光導波路である前記活性層領域と光導波路である前記分布ブラッグ反射層とでレーザ共振器となっており、
前記活性層領域への電流注入によりレーザ発振させることを特徴とする分布ブラッグ反射型直接変調レーザ。
【請求項２】
前記活性層領域と前記分布ブラッグ反射層とはバットジョイント接続されていることを特徴とする請求項１に記載の分布ブラッグ反射型直接変調レーザ。
【請求項３】
前記レーザの動作波長が、１．２乃至１．４μｍである請求項１に記載の分布ブラッグ反射型直接変調レーザ。
【請求項４】
前記半導体基板がＧａＡｓ基板であり、前記活性層領域の材料がＧａ、Ｉｎ、Ｎ、Ａｓを含む請求項１に記載の分布ブラッグ反射型直接変調レーザ。
【請求項５】
前記レーザの共振器方向の光素子長が１５０〜７００μｍである請求項１に記載の分布ブラッグ反射型直接変調レーザ。
【請求項６】
半導体基板上の一部に活性層領域が設けられ、その上に回折格子が設けられた短共振器分布帰還型導波路を有し、
少なくとも前記短共振器分布帰還型導波路の一端側とその一端側が接続された導波路層を有し、
前記短共振器分布帰還型導波路は電流注入領域であり、前記導波路層は非電流注入領域であり、
光導波路である前記短共振器分布帰還型導波路と光導波路である前記導波路層とでレーザ共振器となっており、
前記活性層領域への電流注入によりレーザ発振させるものであり、
前記レーザの出射端部光出力の出射方向を、前記レーザ共振器の延在方向から前記基板の一の表面方向に変えるためのミラーが設けられていることを特徴とする分布帰還型直接変調レーザ。
【請求項７】
前記ミラーは４５°斜めミラーであることを特徴とする請求項６に記載の分布帰還型直接変調レーザ。
【請求項８】
前記レーザの共振器方向の素子長が１５０〜７００μｍである請求項６に記載の分布帰還型直接変調レーザ。
【請求項９】
少なくとも前記活性層領域の一端側とその一端側が接続された分布ブラッグ反射層を有し、
前記活性層領域は電流注入領域であり、前記分布ブラッグ反射層は非電流注入領域であり、
光導波路である前記活性層領域と光導波路である前記分布ブラッグ反射層とでレーザ共振器となっており、
前記活性層領域への電流注入によりレーザ発振させるものであり、
前記レーザの出射端部光出力の出射方向を、前記レーザ共振器の延在方向から前記基板の一の表面方向に変えるためのミラーが設けられていることを特徴とする分布ブラッグ反射型直接変調レーザ。
【請求項１０】
前記活性層領域と前記分布ブラッグ反射層とはバットジョイント接続されていることを特徴とする請求項９記載の分布ブラッグ反射型直接変調レーザ。
【請求項１１】
前記ミラーは４５°斜めミラーであることを特徴とする請求項９に記載の分布ブラッグ反射型直接変調レーザ。
【請求項１２】
前記レーザの共振器方向の素子長が１５０〜７００μｍである請求項９に記載の分布ブラッグ反射型直接変調レーザ。
【請求項１３】
前記レーザの動作波長が、１．２乃至１．４μｍである請求項９に記載の分布ブラッグ反射型直接変調レーザ。
【請求項１４】
前記半導体基板がＩｎＰ基板であり、前記活性層領域の材料がＩｎ、Ｇａ、Ａｌ、Ａｓを含む請求項９に記載の分布ブラッグ反射型直接変調レーザ。
【請求項１５】
前記分布ブラッグ反射層の回折格子を形成する材料がＩｎＧａＡｓＰで構成される請求項に１４記載の分布ブラッグ反射型直接変調レーザ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月7日(2008.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形形状の回路基板の実装面に所定の間隔で配置実装された複数の発光素子を封止する透明材料により形成される封止部の空気界面を光取り出し面とする光源であって、
前記封止部は前記実装面に対して概ね垂直な方向に延在する互いに平行な２つの側面を有し、当該２つの側面にはそれぞれ前記発光素子から発せられる光を前記方向に全反射させる複数の斜面を有するプリズムアレイを備える光源。
【請求項２】
前記プリズムアレイは、前記封止部の長手方向に延在する複数のプリズムを備え、
前記プリズムは、各々の有する斜面が前記側面に対して成す傾斜角がそれぞれ異なる請求項１に記載の光源。
【請求項３】
前記プリズムの斜面が前記実装面と成す第１の角度は、当該プリズムが前記回路基板から遠ざかるに従って大きくなることを特徴とする請求項２に記載の光源。
【請求項４】
前記第１の角度をθ１とし、前記発光素子の発光中心と前記斜面とを結ぶ直線が前記実装面と成す第２の角度をθ２とすると、
θ１  ≒  π／４  ＋  θ２／２
の関係が成立することを特徴とする請求項３に記載の光源。
【請求項５】
前記プリズムは前記実装面と前記側面との境界から前記方向に向かって所定の距離だけ延在し、前記プリズムの延在端に隣接する矩形ブロックを更に備える、請求項４に記載の光源。
【請求項６】
側面部に位置する入射面から導入された光を、互いに対向する反射面と出射面との間を全反射を繰り返しながらその全面に伝播させると共に、その一部を散乱させて、当該出射面より出射させて面状の照明を行う導光板と、
前記入射面に対向して設置され、前記導光板に光を供給する請求項１乃至５のいずれかに記載の光源とを備えるバックライト。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、バックライトから出射する光Ｌの指向性を制御して所望の配光特性で液晶パネル（図示せず）を照明するために、出射面１１１側に拡散フィルムおよびプリズムシートに代表される光学フィルム１５０が一般的に設置される。さらに、導光板１１０の端面（入射面１１５）に光Ｌを有効に入射させるためには、ＬＥＤ１２１から発せられる光Ｌを導光板１１０の入射面１１５に対応する限定された領域に集中する必要がある。そのために、光源１２０を挟み込むように、リフレクタ１３０が設けられる。しかしながら、図７に示すような、光源１２０の側面部にリフレクタ１３０を単純に配置する構造では必ずしも光を有効利用出来ない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
このように、従来のバックライトにおいては、ＬＥＤ１２１から発せられた光Ｌ’は、リフレクタ１３０によって封止部１２３の外部に漏れ出すことは防止されるが、導光板１１０の入射面１１５に入射出来ず、バックライトの照明としては利用されない成分が発生する。つまり、光の損失は完全には防止出来ずに、ＬＥＤ１２１から発せられた光の利用効率は低下する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図３を参照して、プリズムＰの斜辺の角度と、ＬＥＤ３２１との関係について説明する。図３に、図２と同様に、光源ＬＳの端面３２３Ｅをみた様子、但し側面３２３Ｓに設けられているプリズムＰ１〜Ｐ５の任意の一つが設けられている状態を示す。プリズムＰは、側面３２３Ｓに接する第１辺と、概ね直交する第２辺と、および所定の角度αを成して第１辺と第２辺をつなぐ第３辺で規定される直角三角形の断面形状を有する。以降、角度αを傾斜角と呼び、第３辺を斜辺Ｓｈ、傾斜角αに近接する第１辺を近接辺Ｓａと呼び、傾斜角αに対向する第２辺を対向辺Ｓｏと呼んで、それぞれを識別する。同様に、斜辺Ｓｈ、近接辺Ｓａ、および対向辺Ｓｏで規定される、プリズムＰの延在面をそれぞれ、斜面Ｐｈ、近接面Ｐａ、および対向面Ｐｏと識別する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月23日(2008.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、
前記光源からの光によって励起され、第一の波長範囲の励起光を発する第一の蛍光体と、第二の波長範囲の励起光を発する第二の蛍光体と、
前記第一の蛍光体を含んだ第一蛍光体層の表面に第一非通水性材料層が設けられた第一蛍光体フィルムと、
前記第二の蛍光体を含んだ第二蛍光体層の表面に第二非通水性材料層が設けられた第二蛍光体フィルムと、
前記光源からの光を伝播して平面状に照射する導光板と、を備えることを特徴とする照明装置。
【請求項２】
前記光源は青色光源であり、前記第一の蛍光体が青色光を赤色光に変換する赤色蛍光体粒子を含み、前記第二の蛍光体は、青色光を緑色光に変換する緑色蛍光体粒子を含むことを特徴とする請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
前記光源は紫外線光源と青色光源であり、前記第一の蛍光体は紫外光を赤色光に変換する赤色蛍光体粒子を含み、前記第二の蛍光体は紫外光を緑色光に変換する緑色蛍光体粒子とを含むことを特徴とする請求項１に記載の照明装置。
【請求項４】
前記第一蛍光体フィルムが前記第二蛍光体フィルムより光源側に配置されたことを特徴とする請求項２または３に記載の照明装置。
【請求項５】
前記第一蛍光体フィルムと前記第二蛍光体フィルムは前記光源と前記導光体の間に設けられ、前記第一蛍光体フィルムと前記第二蛍光体フィルムに含まれる蛍光体はそのフィルム内の領域によって濃度が異なることを特徴とする請求項４に記載の照明装置。
【請求項６】
前記第一蛍光体フィルムおよび前記第二蛍光体フィルムに含まれる蛍光体の濃度は、前記光源の輻射強度分布に反比例するように設定されたことを特徴とする請求項５に記載の照明装置。
【請求項７】
前記光源からの光を伝播して前記導光板に線状に光を入射する光パイプを備え、前記第一蛍光体層が前記光パイプ内に形成され、前記光パイプの全表面を覆うように非通水性材料層が設けられたことを特徴とする請求項１に記載の照明装置。
【請求項８】
光源と、
前記光源からの光によって励起され、第一の波長範囲の励起光を発する第一の蛍光体と、第二の波長範囲の励起光を発する第二の蛍光体と、
前記第一の蛍光体と前記第二の蛍光体が面内に互いに重なり合わないように配され、表面に非通水性材料層が設けられた蛍光体フィルムと、
前記光源からの光を伝播して平面状に照射する導光板と、を備えることを特徴とする照明装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載された構成の照明装置と、前記照明装置の照射面からの光により照明される非自発光型の表示素子と、を備えることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月26日(2007.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数の電子源を表示領域内にマトリクス状に配置した陰極基板と、前記電子源のそれぞれに対応して配置された蛍光体層と陽極を有する蛍光体基板と、前記表示領域を周回して前記陰極基板と前記蛍光体基板との間に介在して両基板を貼り合せる封止枠とで真空容器を構成してなる画像表示装置であって、
前記陰極基板に平行配置した多数の信号線を有し、
前記信号線と交差する方向に平行配置した多数の走査線を有し、
前記電子源が真空に接した電子を放出する電子放出電極を有し、
かつ当該電子放出電極が局所的に高抵抗領域を有することで、独立な複数電極に分かれていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記電子放出電極の高抵抗領域は、溶融・再結晶化に伴う粒成長、もしくは蒸発現象により形成されることを特徴とする画像表示装置。
【請求項３】
前記電子放出電極において、高抵抗領域の幅をＬ、幅Ｌに沿った該領域内の平均粒子径をＲａｖ、同じく幅Ｌに沿った該領域内に含まれる結晶粒子の平均個数をＮａｖとしたとき、
Ｌ＞２×Ｎａｖ×Ｒａｖ
の関係が成り立つことを特徴とする請求項１又は２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記電子放出電極が、単層もしくは２層以上の積層からなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記電子源が、ＭＩＭ、ＭＩＳ、ＢＳＤ、ＨＥＥＤ若しくはＳＥＤ型であることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記電子放出電極が、下からイリジウム、白金、金の積層薄膜であることを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。
【請求項７】
多数の電子源を表示領域内にマトリクス状に配置した陰極基板と、前記電子源のそれぞれに対応して配置された蛍光体層と陽極を有する蛍光体基板と、前記表示領域を周回して前記陰極基板と前記蛍光体基板との間に介在して両基板を貼り合せる封止枠とで真空容器を構成してなる画像表示装置の製造方法であって、
前記陰極基板に平行配置した多数の信号線を形成し、
前記信号線と交差する方向に平行配置した多数の走査線を形成し、
前記電子源が真空に接した電子を放出する電子放出電極を有し、
かつ当該電子放出電極を局所的に高抵抗化することにより独立な複数電極に分けることを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記電子放出電極の局所的な高抵抗化は、局所的な加熱により粒成長と凝集をおこすことによりおこなわれることを特徴とする請求項７記載の画像表示装置。
【請求項９】
前記電子源は、下部電極と上部電極、およびそれらの間に狭持される電子加速層からなる前記薄膜電子源であり、
前記局所的な加熱はレーザー光照射により行い、使用するレーザー波長をλとした場合、
レーザー照射領域のうち、信号線が存在する第１の領域における分光反射特性が、波長λにおいてほぼ極小値となる、すなわち上部電極／最上層の絶縁層界面と、最下層の絶縁層／信号線金属界面での反射波が互いに干渉して打ち消しあう条件を満足し、
かつレーザー照射領域のうち、信号線が存在しない第２の領域における分光反射特性が、波長λにおいてほぼ極小値となる、すなわち上部電極／最上層の絶縁層と、最下層の絶縁層／ガラス界面での反射波が互いに干渉して打ち消しあう条件を満足させることを特徴とする請求項８記載の画像表示装置の製造方法。