【手続補正書】
【提出日】平成20年4月23日(2008.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不活性ガスをプラズマ化することにより形成されたプラズマにより真空引き可能になされた処理容器内で金属ターゲットをイオン化させて金属イオンを含む金属粒子を発生させ、該金属粒子を前記処理容器内の載置台上に載置した被処理体にバイアス電力により引き込んで、表面に凹部が形成されると共に該凹部の底部に配線層を有している前記被処理体の表面に金属膜を形成する成膜方法において、
前記凹部内の表面を含む前記被処理体の表面に下地膜を形成する下地膜形成工程と、
前記凹部の底部の前記下地膜と前記配線層とを削って削り込み凹部を形成しつつ前記凹部内の表面を含む前記被処理体の表面の全体に前記金属膜を形成する金属膜形成工程を行うようにしたことを特徴とする金属膜の成膜方法。
【請求項２】
前記金属膜形成工程は、
前記凹部以外の被処理体の表面において前記金属粒子による成膜量と不活性ガスのプラズマによるエッチング量とが実質的に同じになるように条件設定された第１ステップと、
前記凹部以外の被処理体の表面において前記金属粒子による成膜量が不活性ガスのプラズマによるエッチング量よりも僅かに大きくなるように条件設定された第２ステップと、よりなることを特徴とする請求項１記載の金属膜の成膜方法。
【請求項３】
前記金属形成工程は、
前記凹部以外の被処理体の表面において前記金属粒子による成膜量と不活性ガスのプラズマによるエッチング量とが実質的に同じになるように条件設定された第１ステップと、
前記凹部以外の被処理体の表面において不活性ガスによるエッチングが起きず、且つ金属イオンが最大限引き込まれるように条件設定された補助ステップと、
よりなることを特徴とする請求項１記載の金属膜の成膜方法。
【請求項４】
前記金属形成工程は、前記凹部以外の被処理体の表面において前記金属粒子による成膜量が不活性ガスのプラズマによるエッチング量よりも僅かに大きくなるように条件設定された第２ステップよりなることを特徴とする請求項１記載の金属膜の成膜方法。
【請求項５】
前記金属形成工程では、プラズマ電力、前記金属ターゲットへ印加する直流電力及び前記バイアス電力の一部、或いは全部をコントロールすることにより条件設定されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の金属膜の成膜方法。
【請求項６】
前記プラズマ電力は５００〜６０００ワットの範囲内、前記直流電力は１００〜１２０００ワットの範囲内及び前記バイアス電力は１００〜２０００ワットの範囲内であることを特徴とする請求項５記載の金属膜の成膜方法。
【請求項７】
前記下地膜と前記金属膜とで２層構造のバリヤ層が形成されていることを特徴とする請求項６記載の金属膜の成膜方法。
【請求項８】
前記下地膜はＴａＮ膜であり、前記金属膜はＴａ膜であることを特徴とする請求項７記載の金属膜の成膜方法。
【請求項９】
前記下地膜はＴａ膜であり、前記金属膜は前記下地膜とは成膜条件の異なるＴａ膜であることを特徴とする請求項７記載の金属膜の成膜方法。
【請求項１０】
前記凹部には、ビアホールまたはスルーホールとなる連通穴が設けられて２段階の段部状になされていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の金属膜の成膜方法。
【請求項１１】
前記凹部はビアホールまたはスルーホールとなる連通穴であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の金属膜の成膜方法。
【請求項１２】
真空引き可能になされた処理容器と、
表面に凹部の形成された被処理体を載置するための載置台と、
前記処理容器内へ少なくとも不活性ガスを含む所定のガスを導入するガス導入手段と、
プラズマ電力により前記処理容器内へプラズマを発生させるためのプラズマ発生源と、
前記処理容器内に設けられて直流電力が印加されると共に、前記プラズマによりイオン化されるべき金属ターゲットと、
前記載置台に対して所定のバイアス電力を供給するバイアス電源と、
装置全体を制御する装置制御部と、を有する成膜装置において、
前記装置制御部は、少なくとも前記凹部の最下層の底部を削って削り込み凹部を形成しつつ前記凹部内の表面を含む前記被処理体の表面の全体に前記金属膜を形成するように制御することを特徴とする成膜装置。
【請求項１３】
前記装置制御部は、前記凹部以外の被処理体の表面において前記金属粒子による成膜量と不活性ガスのプラズマによるエッチング量とが実質的に同じになるように条件設定された第１ステップと、前記凹部以外の被処理体の表面において前記金属粒子による成膜量が不活性ガスのプラズマによるエッチング量よりも僅かに大きくなるように条件設定された第２ステップと、を行うように制御することを特徴とする請求項１２記載の成膜装置。
【請求項１４】
前記装置制御部は、前記凹部以外の被処理体の表面において前記金属粒子による成膜量と不活性ガスのプラズマによるエッチング量とが実質的に同じになるように条件設定された第１ステップと、前記凹部以外の被処理体の表面において不活性ガスによるエッチングが起きず、且つ金属イオンが最大限引き込まれるように条件設定された補助ステップと、を行うように制御することを特徴とする請求項１２記載の成膜装置。
【請求項１５】
前記装置制御部は、前記凹部以外の被処理体の表面において前記金属粒子による成膜量が不活性ガスのプラズマによるエッチング量よりも僅かに大きくなるように条件設定された第２ステップを行うように制御することを特徴とする請求項１１記載の成膜装置。
【請求項１６】
前記装置制御部は、プラズマ電力、前記金属ターゲットへ印加する直流電力及び前記バイアス電力の一部、或いは全部をコントロールするように制御することを特徴とする請求項１２乃至１５のいずれかに記載の成膜装置。
【請求項１７】
不活性ガスをプラズマ化することにより形成されたプラズマにより真空引き可能になされた処理容器内で金属ターゲットをイオン化させて金属イオンを含む金属粒子を発生させ、該金属粒子を前記処理容器内の載置台上に載置した被処理体にバイアス電力により引き込んで表面に凹部が形成されている前記被処理体の表面に金属膜を形成する成膜装置を用いて金属膜を形成するに際して、
前記凹部の最下層の底部を削って削り込み凹部を形成しつつ前記凹部内の表面を含む前記被処理体の表面の全体に前記金属膜を形成する金属膜形成工程を行うように制御するコンピュータ用のプログラムを記憶する記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項１に係る発明は、不活性ガスをプラズマ化することにより形成されたプラズマにより真空引き可能になされた処理容器内で金属ターゲットをイオン化させて金属イオンを含む金属粒子を発生させ、該金属粒子を前記処理容器内の載置台上に載置した被処理体にバイアス電力により引き込んで、表面に凹部が形成されると共に該凹部の底部に配線層を有している前記被処理体の表面に金属膜を形成する成膜方法において、前記凹部内の表面を含む前記被処理体の表面に下地膜を形成する下地膜形成工程と、前記凹部の底部の前記下地膜と前記配線層とを削って削り込み凹部を形成しつつ前記凹部内の表面を含む前記被処理体の表面の全体に前記金属膜を形成する金属膜形成工程を行うようにしたことを特徴とする金属膜の成膜方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また例えば請求項５に規定するように、前記金属形成工程では、プラズマ電力、前記金属ターゲットへ印加する直流電力及び前記バイアス電力の一部、或いは全部をコントロールすることにより条件設定される。
また例えば請求項６に規定するように、前記プラズマ電力は５００〜６０００ワットの範囲内、前記直流電力は１００〜１２０００ワットの範囲内及び前記バイアス電力は１００〜２０００ワットの範囲内である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また例えば請求項７に規定するように、前記下地膜と前記金属膜とで２層構造のバリヤ層が形成されている。
また例えば請求項８に規定するように、前記下地膜はＴａＮ膜であり、前記金属膜はＴａ膜である。
また例えば請求項９に規定するように、前記下地膜はＴａ膜であり、前記金属膜は前記下地膜とは成膜条件の異なるＴａ膜である。
また例えば請求項１０に規定するように、前記凹部には、ビアホールまたはスルーホールとなる連通穴が設けられて２段階の段部状になされている。
また例えば請求項１１に規定するように、前記凹部はビアホールまたはスルーホールとなる連通穴である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項１２に係る発明は、真空引き可能になされた処理容器と、表面に凹部の形成された被処理体を載置するための載置台と、前記処理容器内へ少なくとも不活性ガスを含む所定のガスを導入するガス導入手段と、プラズマ電力により前記処理容器内へプラズマを発生させるためのプラズマ発生源と、前記処理容器内に設けられて直流電力が印加されると共に、前記プラズマによりイオン化されるべき金属ターゲットと、前記載置台に対して所定のバイアス電力を供給するバイアス電源と、装置全体を制御する装置制御部と、を有する成膜装置において、前記装置制御部は、少なくとも前記凹部の最下層の底部を削って削り込み凹部を形成しつつ前記凹部内の表面を含む前記被処理体の表面の全体に前記金属膜を形成するように制御することを特徴とする成膜装置である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
この場合、例えば請求項１３に規定するように、前記装置制御部は、前記凹部以外の被処理体の表面において前記金属粒子による成膜量と不活性ガスのプラズマによるエッチング量とが実質的に同じになるように条件設定された第１ステップと、前記凹部以外の被処理体の表面において前記金属粒子による成膜量が不活性ガスのプラズマによるエッチング量よりも僅かに大きくなるように条件設定された第２ステップと、を行うように制御する。
また例えば請求項１４に規定するように、前記装置制御部は、前記凹部以外の被処理体の表面において前記金属粒子による成膜量と不活性ガスのプラズマによるエッチング量とが実質的に同じになるように条件設定された第１ステップと、前記凹部以外の被処理体の表面において不活性ガスによるエッチングが起きず、且つ金属イオンが最大限引き込まれるように条件設定された補助ステップと、を行なうようにしてもよい。
また例えば請求項１５に規定するように、前記装置制御部は、前記凹部以外の被処理体の表面において前記金属粒子による成膜量が不活性ガスのプラズマによるエッチング量よりも僅かに大きくなるように条件設定された第２ステップを行うように制御する。
また例えば請求項１６に規定するように、前記装置制御部は、プラズマ電力、前記金属ターゲットへ印加する直流電力及び前記バイアス電力の一部、或いは全部をコントロールするように制御する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項１７に係る発明は、不活性ガスをプラズマ化することにより形成されたプラズマにより真空引き可能になされた処理容器内で金属ターゲットをイオン化させて金属イオンを含む金属粒子を発生させ、該金属粒子を前記処理容器内の載置台上に載置した被処理体にバイアス電力により引き込んで表面に凹部が形成されている前記被処理体の表面に金属膜を形成する成膜装置を用いて金属膜を形成するに際して、前記凹部の最下層の底部を削って削り込み凹部を形成しつつ前記凹部内の表面を含む前記被処理体の表面の全体に前記金属膜を形成する金属膜形成工程を行うように制御するコンピュータ用のプログラムを記憶する記憶媒体である。