(57)【要約】  半導体として、特に有機エレクトロニクス及び有機光起電における半導体として使用される式（Ｉ）の化合物が開示されており、式中、Ｘ1、Ｘ2は、Ｏ、又はＣ（ＣＮ）2であり、Ａは、式（ＩＩ１）、式（ＩＩ２）、式（ＩＩ３）、式（ＩＩ４）、式（ＩＩ５）、式（ＩＩ６）から選択され、Ｘ3、Ｘ4は存在する場合には、Ｏ、又はＣ（ＣＮ）2であり、Ｒ4a、Ｒ4b、Ｒ5a、Ｒ5b、Ｒ6a、Ｒ6b、Ｒ6c、Ｒ6d、Ｒ7a、Ｒ7b、Ｒ8a、Ｒ8b、Ｒ9、Ｒ10a、Ｒ10b、Ｒm1、Ｒm2、Ｒm3、及びＲm4は、請求項及び明細書で定義されている。
2017512755.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式Ｉの化合物：
【化１】
2017512755.tif 000163
であって、
前記式中、
Ｘ1及びＸ2は相互に独立して、Ｏ、及びＣ（ＣＮ）2から選択され、
Ｒ1、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ3a、及びＲ3bは相互に独立して、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ヒドロキシ、メルカプト、ニトロ、シアナト、チオシアナト、ホルミル、アシル、カルボキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、アルキルアミノカルボニル、ジアルキルアミノカルボニル、スルホ、スルホネート、スルホアミノ、スルファモイル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アミジノ、ＮＥ1Ｅ2、ここでＥ1及びＥ2はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールから選択され、
それぞれの場合において非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ、（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、（ジアリール）アミノ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、（モノヘタリール）アミノ、及び（ジヘタリール）アミノから選択され、
Ａは、一般式（ＩＩ．１）、（ＩＩ．２）、（ＩＩ．３）、（ＩＩ．４）、（ＩＩ．５）、及び（ＩＩ．６）の群：
【化２】
2017512755.tif 000164
から選択され、
前記式中、
＃は、それぞれの場合において、シクラジン骨格に対する結合箇所を示し、
式（ＩＩ．１）、（ＩＩ．２）、（ＩＩ．３）、（ＩＩ．４）において、
Ｒ4a、Ｒ4b、Ｒ5a、Ｒ5b、及び存在する場合にはＲ6a、Ｒ6b、Ｒ6c、及びＲ6dは相互に独立して、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ヒドロキシ、メルカプト、ニトロ、シアナト、チオシアナト、ホルミル、アシル、カルボキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、アルキルアミノカルボニル、ジアルキルアミノカルボニル、スルホ、スルホネート、スルホアミノ、スルファモイル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アミジノ、ＮＥ1Ｅ2、ここでＥ1及びＥ2はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールから選択され、
それぞれの場合において非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ、（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、（ジアリール）アミノ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、（モノヘタリール）アミノ、及び（ジヘタリール）アミノから選択され、
式（ＩＩ．５）におけるｍは、１、２、３、又は４であり、
式（ＩＩ．５）、及び（ＩＩ．６）において、
Ｘ3及びＸ4は相互に独立して、Ｏ、及びＣ（ＣＮ）2から選択され、
Ｒ7a、Ｒ7b、Ｒ8a、Ｒ8b、Ｒ9、及び存在する場合にはＲm1、Ｒm2、Ｒm3、及びＲm4は相互に独立して、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ヒドロキシ、メルカプト、ニトロ、シアナト、チオシアナト、ホルミル、アシル、カルボキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、アルキルアミノカルボニル、ジアルキルアミノカルボニル、スルホ、スルホネート、スルホアミノ、スルファモイル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アミジノ、ＮＥ1Ｅ2、ここでＥ1及びＥ2はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールから選択され、
それぞれの場合において非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ、（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、（ジアリール）アミノ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、（モノヘタリール）アミノ、及び（ジヘタリール）アミノから選択され、
Ｒ10a、及びＲ10bは存在する場合には、相互に独立して、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ヒドロキシ、メルカプト、ニトロ、シアナト、チオシアナト、ホルミル、アシル、カルボキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、アルキルアミノカルボニル、ジアルキルアミノカルボニル、スルホ、スルホネート、スルホアミノ、スルファモイル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アミジノ、ＮＥ1Ｅ2、ここでＥ1及びＥ2はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、及びヘタリールから選択され、
それぞれの場合において非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ、（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、（ジアリール）アミノ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、（モノヘタリール）アミノ、及び（ジヘタリール）アミノから選択される、
前記化合物。
【請求項２】
Ａが、一般式（ＩＩ．１）、（ＩＩ．２）、（ＩＩ．３）、及び（ＩＩ．４）の群から選択される、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
Ａが、一般式（ＩＩ．１）、（ＩＩ．２）、（ＩＩ．３）、（ＩＩ．４）、及び（ＩＩ．５）の群から選択される、請求項１に記載の化合物。
【請求項４】
式（Ｉ．Ａ）、及び（Ｉ．Ｂ）の化合物：
【化３】
2017512755.tif 000165
から選択される請求項１又は２に記載の一般式Ｉの化合物であって、
前記式中、
Ｒ4a、Ｒ4b、Ｒ5a、Ｒ5b、及び存在する場合にはＲ6a、及びＲ6bは相互に独立して、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ヒドロキシ、メルカプト、ニトロ、シアナト、チオシアナト、ホルミル、アシル、カルボキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、アルキルアミノカルボニル、ジアルキルアミノカルボニル、スルホ、スルホネート、スルホアミノ、スルファモイル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アミジノ、ＮＥ1Ｅ2、ここでＥ1及びＥ2はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールから選択され、
それぞれの場合において非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ、（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、（ジアリール）アミノ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、（モノヘタリール）アミノ、及び（ジヘタリール）アミノから選択される、
前記化合物。
【請求項５】
式（Ｉ．Ｃ）の化合物：
【化４】
2017512755.tif 000166
から選択される、請求項１に記載の一般式Ｉの化合物であって、
前記式中、
ｍは１、２、３、又は４であり、
Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、及びＸ4は相互に独立して、Ｏ、及びＣ（ＣＮ）2から選択され、
Ｒ1、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ3a、Ｒ3b、Ｒ7a、Ｒ7b、Ｒ8a、Ｒ8b、Ｒ9、並びにＲm1、Ｒm2、Ｒm3、及びＲm4はそれぞれ、相互に独立して、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ヒドロキシ、メルカプト、ニトロ、シアナト、チオシアナト、ホルミル、アシル、カルボキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、アルキルアミノカルボニル、ジアルキルアミノカルボニル、スルホ、スルホネート、スルホアミノ、スルファモイル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アミジノ、ＮＥ1Ｅ2、ここでＥ1及びＥ2はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールから選択され、
それぞれの場合において非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ、（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、（ジアリール）アミノ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、（モノヘタリール）アミノ、及び（ジヘタリール）アミノから選択される、
前記化合物。
【請求項６】
式（Ｉ．Ｄ）の化合物：
【化５】
2017512755.tif 000167
から選択される、請求項１に記載の一般式Ｉの化合物であって、
前記式中、
Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、及びＸ4は相互に独立して、Ｏ、及びＣ（ＣＮ）2から選択され、
Ｒ1、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ3a、Ｒ3b、Ｒ7a、Ｒ7b、Ｒ8a、Ｒ8b、Ｒ9、Ｒ10a、及びＲ10bは、相互に独立して、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ヒドロキシ、メルカプト、ニトロ、シアナト、チオシアナト、ホルミル、アシル、カルボキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、アルキルアミノカルボニル、ジアルキルアミノカルボニル、スルホ、スルホネート、スルホアミノ、スルファモイル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アミジノ、ＮＥ1Ｅ2、ここでＥ1及びＥ2はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、及びヘタリールから選択され、
それぞれの場合において非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ、（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、（ジアリール）アミノ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、（モノヘタリール）アミノ、及び（ジヘタリール）アミノから選択される、
前記化合物。
【請求項７】
請求項１に記載の一般式Ｉの化合物であって、
前記式中、
Ｘ1及びＸ2は相互に独立して、Ｏ、及びＣ（ＣＮ）2から選択され、
Ｒ1、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ3a、及びＲ3bは相互に独立して、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ヒドロキシ、メルカプト、ＮＥ1Ｅ2、ここでＥ1及びＥ2はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、及びアリールから選択され、
それぞれの場合において非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、及び（ジアリール）アミノから選択され、
Ａは、一般式（ＩＩ．１）、（ＩＩ．２）、（ＩＩ．３）、（ＩＩ．４）、（ＩＩ．５）、及び（ＩＩ．６）の群：
【化６】
2017512755.tif 000168
から選択され、
前記式中、
＃は、それぞれの場合において、シクラジン骨格に対する結合箇所を示し、
式（ＩＩ．１）、（ＩＩ．２）、（ＩＩ．３）、（ＩＩ．４）において、
Ｒ4a、Ｒ4b、Ｒ5a、Ｒ5b、及び存在する場合にはＲ6a、Ｒ6b、Ｒ6c、及びＲ6dは相互に独立して、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ヒドロキシ、メルカプト、ホルミル、アシル、カルボキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、スルホ、スルホネート、スルホアミノ、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、ＮＥ1Ｅ2、ここでＥ1及びＥ2はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、及びアリールから選択され、
それぞれの場合において非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、及び（ジアリール）アミノから選択され、
式（ＩＩ．５）におけるｍは、１、２、３、又は４であり、
式（ＩＩ．５）及び（ＩＩ．６）において、
Ｘ3及びＸ4は相互に独立して、Ｏ、及びＣ（ＣＮ）2から選択され、
Ｒ7a、Ｒ7b、Ｒ8a、Ｒ8b、Ｒ9、及び存在する場合にはＲm1、Ｒm2、Ｒm3、及びＲm4はそれぞれ、相互に独立して、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ヒドロキシ、メルカプト、ＮＥ1Ｅ2、ここでＥ1及びＥ2はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、及びアリールから選択され、
それぞれの場合において非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、及び（ジアリール）アミノから選択され、
Ｒ10a、Ｒ10bは存在する場合には、相互に独立して、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ヒドロキシ、メルカプト、ホルミル、アシル、カルボキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、スルホ、スルホネート、スルホアミノ、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、ＮＥ1Ｅ2、ここでＥ1及びＥ2はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、及びアリールから選択され、
それぞれの場合において非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、及び（ジアリール）アミノから選択される、
前記化合物。
【請求項８】
請求項１から７までのいずれか１項に記載の化合物であって、前記基Ｒ1、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ3a、Ｒ3b、及び存在する場合にはＲ4a、Ｒ4b、Ｒ5a、Ｒ5b、Ｒ6a、Ｒ6b、Ｒ6c、Ｒ6d、Ｒ7a、Ｒ7b、Ｒ8a、Ｒ8b、Ｒ9、Ｒ10a、Ｒ10b、及びＲm1、Ｒm2、Ｒm3、及びＲm4はそれぞれ、相互に独立して、水素、直鎖状Ｃ1〜Ｃ30アルキル、分枝鎖状Ｃ3〜Ｃ30アルキル、ペルフルオロＣ1〜Ｃ30アルキル、１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロＣ2〜Ｃ30アルキル、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロＣ3〜Ｃ30アルキル、式Ｇ．１の基、式Ｇ．２の基、及び式Ｇ．３の基：
【化７】
2017512755.tif 000169
から選択され、
前記式中、
＃は、分子の残部に対する結合箇所を表し、
Ｂは、存在する場合には、Ｏ、Ｓ、及びＣ1〜Ｃ10アルキレン基から選択され、該アルキレン基はＯ及びＳから選択される１個以上の隣接しない基によって中断されていてよく、
ｙは０、又は１であり、
Ｒhは相互に独立して、Ｃ1〜Ｃ30アルキル、Ｃ1〜Ｃ30フルオロアルキル、フッ素、塩素、臭素、ＮＥ3Ｅ4、ニトロ、及びシアノから選択され、ここでＥ3及びＥ4は相互に独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールであり、
Ｒiは相互に独立して、Ｃ1〜Ｃ30アルキルから選択され、
式Ｇ．２及びＧ．３におけるｘは、１、２、３、４、又は５である、
前記化合物。
【請求項９】
Ｘ1及びＸ2が同じ意味を有する、請求項１から８までのいずれか１項に記載の化合物。
【請求項１０】
Ａが式（ＩＩ．５）又は（ＩＩ．６）の基であり、ここでＸ1、Ｘ2、Ｘ3及びＸ4が同じ意味を有する、請求項１に記載の式（Ｉ）の化合物。
【請求項１１】
請求項１から１０までのいずれか１項に記載の化合物であって、Ｒ1、及び存在する場合にはＲ9が、一般式（ＩＩＩ．１）、及び（ＩＩＩ．２）の基：
【化８】
2017512755.tif 000170
から選択され、
上記式中、
＃は結合箇所であり、
式（ＩＩＩ．１）においてＲd、及びＲeは独立して、Ｃ1〜Ｃ28アルキルから選択され、ここで基Ｒd及びＲeの炭素原子の合計は、２〜２９の整数であり、
式（ＩＩＩ．２）においてＲd、Ｒe、及びＲfは独立して、Ｃ1〜Ｃ27アルキルから選択され、ここで基Ｒd、Ｒe、及びＲfの炭素原子の合計は、３〜２９の整数である、
前記化合物。
【請求項１２】
Ｒ1、及び存在する場合にはＲ9が、イソプロピル、又はｔｅｒｔ−ブチルである、請求項１から１１までのいずれか１項に記載の化合物。
【請求項１３】
Ｒ1、及び存在する場合にはＲ9が、水素、又は直鎖状Ｃ1〜Ｃ10アルキルである、請求項１から１０までのいずれか１項に記載の化合物。
【請求項１４】
Ｒ3a、Ｒ3b、及び存在する場合にはＲ7a、及びＲ7bが独立して、水素、非置換若しくは置換のアルキル、及び非置換若しくは置換のアリールから選択される、請求項１から１３までのいずれか１項に記載の化合物。
【請求項１５】
Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ3a、Ｒ3b、及び存在する場合には、Ｒ4a、Ｒ4b、Ｒ5a、Ｒ5b、Ｒ6a、Ｒ6b、Ｒ6c、Ｒ6d、Ｒ7a、Ｒ7b、Ｒ8a、Ｒ8b、Ｒ9、Ｒ10a、Ｒ10b、並びにＲm1、Ｒm2、Ｒm3、及びＲm4がそれぞれ、全て水素である、請求項１から１４までのいずれか１項に記載の化合物。
【請求項１６】
請求項１に記載の一般式Ｉの化合物であって、式（Ｉ．Ｃａ）の化合物：
【化９】
2017512755.tif 000171
から選択され、
前記式中、
Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、及びＸ4は全てＯであるか、又は全てＣ（ＣＮ）2であり、
Ｒ1、及びＲ9は相互に独立して、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ヒドロキシ、メルカプト、ニトロ、シアナト、チオシアナト、ホルミル、アシル、カルボキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、アルキルアミノカルボニル、ジアルキルアミノカルボニル、スルホ、スルホネート、スルホアミノ、スルファモイル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アミジノ、ＮＥ1Ｅ2、ここでＥ1及びＥ2はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールから選択され、
それぞれの場合において非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ、（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、（ジアリール）アミノ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、（モノヘタリール）アミノ、及び（ジヘタリール）アミノから選択され、
Ｒ14、及びＲ21はともに水素であり、Ｒ12及びＲ23は同じ意味を有し、かつＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、及びそれぞれの場合において非置換若しくは置換のアリール、アリールオキシ、及びアリールチオから選択されるか、
又はＲ21及びＲ23はともに水素であり、Ｒ12、及びＲ14は同じ意味を有し、かつＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、及びそれぞれの場合において非置換若しくは置換のアリール、アリールオキシ、及びアリールチオから選択されるか、
又は、Ｒ12、Ｒ14、Ｒ21、及びＲ23は同じ意味を有し、かつ水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、及びそれぞれの場合において非置換若しくは置換のアリール、アリールオキシ、及びアリールチオから選択される、
前記化合物。
【請求項１７】
式Ｉ．Ａの化合物：
【化１０】
2017512755.tif 000172
の製造方法であって、
前記式中、
Ｘ1、及びＸ2は相互に独立して、Ｏ、及びＣ（ＣＮ）2から選択され、
Ｒ1、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ4a、Ｒ4b、Ｒ5a、及びＲ5bは相互に独立して、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ヒドロキシ、メルカプト、ニトロ、シアナト、チオシアナト、ホルミル、アシル、カルボキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、アルキルアミノカルボニル、ジアルキルアミノカルボニル、スルホ、スルホネート、スルホアミノ、スルファモイル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アミジノ、ＮＥ1Ｅ2、ここでＥ1及びＥ2はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールから選択され、
それぞれの場合において非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ、（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、（ジアリール）アミノ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、（モノヘタリール）アミノ、及び（ジヘタリール）アミノから選択され、
以下の工程：
ｉ．ａ）無水フタル酸化合物（Ａ）、及び２，６−ジブロモアニリン化合物（Ｂ１）を反応させて、式（Ｃ）のイミド化合物を得る工程、
【化１１】
2017512755.tif 000173
ｉｉ．ａ）式（Ｃ）の化合物を、トリブチル（１−エトキシ−１−エテニル）−スタンナンとＰｄ触媒の存在下で反応させて、化合物（Ｄ）を得る工程、
【化１２】
2017512755.tif 000174
ｉｉｉ．ａ）式（Ｄ）の化合物を縮合反応に供して、化合物（Ｉ．Ａ１）を得る工程、
【化１３】
2017512755.tif 000175
ｉｖ．ａ）任意で、式（Ｉ．Ａ１）の化合物をマロノニトリルと反応させて、化合物（Ｉ．Ａ２）を得る工程、
【化１４】
2017512755.tif 000176
を有する、前記製造方法。
【請求項１８】
式Ｉ．Ｂの化合物：
【化１５】
2017512755.tif 000177
の製造方法であって、
前記式中、
Ｘ1、及びＸ2は相互に独立して、Ｏ、及びＣ（ＣＮ）2から選択され、
Ｒ1、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ4a、Ｒ4b、Ｒ5a、Ｒ5b、Ｒ6a、及びＲ6bは相互に独立して、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ヒドロキシ、メルカプト、ニトロ、シアナト、チオシアナト、ホルミル、アシル、カルボキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、アルキルアミノカルボニル、ジアルキルアミノカルボニル、スルホ、スルホネート、スルホアミノ、スルファモイル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アミジノ、ＮＥ1Ｅ2、ここでＥ1及びＥ2はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールから選択され、
それぞれの場合において非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ、（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、（ジアリール）アミノ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、（モノヘタリール）アミノ、及び（ジヘタリール）アミノから選択され、
以下の工程：
ｉ．ｂ）２，６−ジブロモアニリン（Ｂ１）をトリブチル（１−エトキシ−１−エテニル）スタンナンと、Ｐｄ触媒の存在下で反応させて化合物（Ｅ１）を得る工程、
【化１６】
2017512755.tif 000178
ｉｉ．ｂ）式（Ｅ１）の化合物を、ナフタレンモノ無水物（Ｆ）と反応させて、化合物（Ｉ．Ｂ１）を得る工程、
【化１７】
2017512755.tif 000179
ｉｉｉ．ｂ）任意で、式（Ｉ．Ｂ１）の化合物をマロノニトリルと反応させて、化合物（Ｉ．Ｂ２）を得る工程、
【化１８】
2017512755.tif 000180
を有する、前記製造方法。
【請求項１９】
式Ｉ．Ｃの化合物：
【化１９】
2017512755.tif 000181
の製造方法であって、
前記式中、
ｍは１、２、３、又は４であり、
Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、及びＸ4は相互に独立して、Ｏ、及びＣ（ＣＮ）2から選択され、
Ｒ1、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ8a、Ｒ8b、Ｒ9、並びにＲm1、Ｒm2、Ｒm3、及びＲm4はそれぞれ、相互に独立して、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ヒドロキシ、メルカプト、ニトロ、シアナト、チオシアナト、ホルミル、アシル、カルボキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、アルキルアミノカルボニル、ジアルキルアミノカルボニル、スルホ、スルホネート、スルホアミノ、スルファモイル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アミジノ、ＮＥ1Ｅ2、ここでＥ1及びＥ2はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、及びヘタリールから選択され、
それぞれの場合において非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ、（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、（ジアリール）アミノ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、（モノヘタリール）アミノ、及び（ジヘタリール）アミノから選択され、
以下の工程：
ｉ．ｃ）リレンテトラカルボン酸ビス無水物（Ｋ）：
【化２０】
2017512755.tif 000182
を、式（Ｂ１）の２，６−ジブロモアニリン：
【化２１】
2017512755.tif 000183
と、及び任意で、式（Ｂ２）の別の２，６−ジブロモアニリン：
【化２２】
2017512755.tif 000184
と反応させ、式（Ｌ）のイミド化合物：
【化２３】
2017512755.tif 000185
を得る工程、
ｉｉ．ｃ）式（Ｌ）の化合物をトリブチル（１−エトキシ−１−エテニル）−スタンナンと、Ｐｄ触媒の存在下で反応させて、化合物（Ｍ）：
【化２４】
2017512755.tif 000186
を得る工程、
ｉｉｉ．ｃ）式（Ｍ）の化合物を縮合反応に供して、化合物（Ｉ．Ｃ１）：
【化２５】
2017512755.tif 000187
を得る工程、
ｉｖ．ｃ）任意で、式（Ｉ．Ｃ１）の化合物を、マロノニトリルと反応させて、化合物（Ｉ．Ｃ２）：
【化２６】
2017512755.tif 000188
を得る工程
を有する、前記製造方法。
【請求項２０】
式Ｉ．Ｃの化合物：
【化２７】
2017512755.tif 000189
の製造方法であって、
前記式中、
ｍは１、２、３、又は４であり、
Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、及びＸ4は相互に独立して、Ｏ、及びＣ（ＣＮ）2から選択され、
Ｒ1、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ8a、Ｒ8b、Ｒ9、並びにＲm1、Ｒm2、Ｒm3、及びＲm4はそれぞれ、相互に独立して、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ヒドロキシ、メルカプト、ニトロ、シアナト、チオシアナト、ホルミル、アシル、カルボキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、アルキルアミノカルボニル、ジアルキルアミノカルボニル、スルホ、スルホネート、スルホアミノ、スルファモイル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アミジノ、ＮＥ1Ｅ2、ここでＥ1及びＥ2はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、及びヘタリールから選択され、
それぞれの場合において非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ、（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、（ジアリール）アミノ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、（モノヘタリール）アミノ、及び（ジヘタリール）アミノから選択され、
以下の工程：
ｉ．ｄ）式（Ｋ）のリレンテトラカルボン酸ビス無水物：
【化２８】
2017512755.tif 000190
を、式（Ｅ１）の化合物：
【化２９】
2017512755.tif 000191
と、及び任意で別の化合物（Ｅ２）：
【化３０】
2017512755.tif 000192
と反応させて、化合物（Ｉ．Ｃ１）：
【化３１】
2017512755.tif 000193
を得る工程、
ｉｉ．ｄ）任意で、式（Ｉ．Ｃ１）の化合物を、マロノニトリルと反応させて、化合物（Ｉ．Ｃ２）：
【化３２】
2017512755.tif 000194
を得る工程、
を有する、前記製造方法。
【請求項２１】
式Ｉ．Ｄの化合物：
【化３３】
2017512755.tif 000195
の製造方法であって、
前記式中、
Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、及びＸ4は相互に独立して、Ｏ、及びＣ（ＣＮ）2から選択され、
Ｒ1、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ8a、Ｒ8b、Ｒ10a、及びＲ10bは相互に独立して、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ヒドロキシ、メルカプト、ニトロ、シアナト、チオシアナト、ホルミル、アシル、カルボキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、アルキルアミノカルボニル、ジアルキルアミノカルボニル、スルホ、スルホネート、スルホアミノ、スルファモイル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アミジノ、ＮＥ1Ｅ2、ここでＥ1及びＥ2はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールから選択され、
それぞれの場合において非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ、（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、（ジアリール）アミノ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、（モノヘタリール）アミノ、及び（ジヘタリール）アミノから選択され、
以下の工程：
ｉ．ｅ）式（Ｎ）のピロメリット酸二無水物：
【化３４】
2017512755.tif 000196
を、式（Ｂ１）の２，６−ジブロモアニリン：
【化３５】
2017512755.tif 000197
と、任意で式（Ｂ２）の別の２，６−ジブロモアニリン：
【化３６】
2017512755.tif 000198
と反応させて、式（Ｏ）のイミド化合物：
【化３７】
2017512755.tif 000199
を得る工程、
ｉｉ．ｅ）式（Ｏ）の化合物をトリブチル（１−エトキシ−１−エテニル）−スタンナンと、Ｐｄ触媒の存在下で反応させて、式（Ｐ）の化合物：
【化３８】
2017512755.tif 000200
を得る工程、
ｉｉｉ．ｅ）式（Ｐ）の化合物を縮合反応に供し、化合物（Ｉ．Ｄ１）：
【化３９】
2017512755.tif 000201
を得る工程、
ｉｖ．ｅ）任意で、式（Ｉ．Ｄ１）の化合物をマロノニトリルと反応させて、式（Ｉ．Ｄ２）の化合物：
【化４０】
2017512755.tif 000202
を得る工程、
を有する、前記製造方法。
【請求項２２】
請求項１から１６までのいずれか１項で規定した式（Ｉ）の化合物少なくとも１種の使用であって、
・蛍光着色剤としての、好ましくは蛍光変換に基づくディスプレイにおける蛍光着色剤としての、
・データ蓄積のための、
・紫外線吸収剤としての、
・光ラベルのための、
・生体分子用蛍光ラベルとしての、
・ポリマー材料のレーザー溶接における、
・インクにおける、好ましくはインクジェットインク及び印刷インクにおける、
・表面被覆における、好ましくは被覆組成物の着色層としての、又は被覆組成物の着色層における、特に自動車工業用の被覆組成物における、及び
・着色ポリマー組成物のための、
前記使用。
【請求項２３】
少なくとも１つのゲート構造、ソース電極、及びドレイン電極を備える基板、並びに半導体材料としての、請求項１から１６までのいずれか１項で規定した式Ｉの化合物少なくとも１種を有する、有機電界効果トランジスタ。
【請求項２４】
複数の有機電界効果トランジスタを有する基板であって、少なくとも幾つかの電界効果トランジスタが、請求項１から１６までのいずれか１項で規定した式Ｉの化合物少なくとも１種を有する、前記基板。
【請求項２５】
請求項２４で規定した基板を少なくとも１つ有する、半導体ユニット。
【請求項２６】
上部電極、下部電極、エレクトロルミネッセンス層、及び任意で補助層を有するエレクトロルミネッセンス装置であって、前記電極のうち少なくとも１つが透明であり、請求項１から１６までのいずれか１項で規定した式Ｉの化合物少なくとも１種を有する、前記エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２７】
請求項１から１６までのいずれか１項で規定した式Ｉの化合物少なくとも１種を、正孔注入層内に、又は透明電極の一部として有する、請求項２６に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２８】
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の形態の、請求項２６又は２７に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２９】
請求項１から１６までのいずれか１項で規定した式Ｉの化合物を少なくとも１種有する、有機太陽電池。
【請求項３０】
請求項１から１６までのいずれか１項で規定した一般式Ｉの化合物の使用であって、半導体材料としての、好ましくは有機エレクトロニクス若しくは有機光起電における半導体材料としての、好ましくは有機電界効果トランジスタにおける半導体としての、前記使用。
【請求項３１】
請求項１から１６までのいずれか１項で規定した式（Ｉ）の化合物少なくとも１種、及び少なくともポリマー、好ましくは少なくとも１種の熱可塑性ポリマーを含有する組成物。
【請求項３２】
請求項３１に記載の組成物であって、前記熱可塑性ポリマーが、以下のもの：
・Ｃ2〜Ｃ10モノオレフィン、１，３−ブタジエン、２−クロロ−１，３−ブタジエン、ビニルアルコール、及びそのＣ2〜Ｃ10アルキルエステル、塩化ビニル、塩化ビニリデン、フッ化ビニリデン、テトラフルオロエチレン、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、Ｃ1〜Ｃ10アルコールのアクリレート及びメタクリレート、ビニル芳香族化合物、（メタ）アクリロニトリル、無水マレイン酸、及びα，β−エチレン系不飽和モノカルボン酸及びジカルボン酸から選択される共重合されたモノマーを少なくとも１種含有するホモポリマー及びコポリマー、
・ビニルアセタールのホモポリマー及びコポリマー、
・ポリビニルエステル、
・ポリカーボネート、
・ポリエステル、
・ポリエーテル、
・ポリエーテルケトン、
・熱可塑性ポリウレタン、
・ポリスルフィド、
・ポリスルホン、
・ポリエーテルスルホン、
・セルロースアルキルエステル、
及びこれらの混合物
から選択される、前記組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シクロ［３．３．３］アジンの新規物質群、その製造方法、及びその半導体としての、特に有機エレクトロニクス及び有機光起電における半導体としての使用に関する。
【０００２】
将来的には、従来の無機半導体のみならず、増加しつつある低分子量又はポリマー材料に基づく有機半導体も、電子産業の多くの分野で使用されることが予測されている。多くの場合、これらの有機半導体は、従来の無機半導体よりも利点を有し、それは例えば、より良好な基板適合性、及び有機半導体に基づく半導体部材のより良好な加工性である。これにより、可撓性基板における加工が可能になり、またそのインターフェース軌道エネルギーを、分子モデリング法により特定の適用範囲に厳密に調整することができる。このような部材コストの著しい削減は、有機エレクトロニクスの研究領域に革新をもたらしている。
【０００３】
有機エレクトロニクスは原則的に、新規材料の開発、及び有機半導体層に基づく電子部材を作製するための製造方法に関連する。これには特に、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）、及び有機エレクトロルミネッセンスデバイス（以下、「ＥＬ」デバイスと省略する）が含まれる。開発のための大きな可能性は、有機電界効果トランジスタ、例えばメモリ要素、及び集積型オプトエレクトロニクスデバイスにある。有機エレクトロルミネッセンスデバイスとは、電界が適用された際にアノードから注入された正孔と、カソードから注入された電子との再結合エネルギーによって、蛍光材料又はフォトルミネセンス材料が光を放出するという原則を用いた自己放射型デバイスである。有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）形態のＥＬデバイスは、平面型視覚ディスプレイユニットを製造するための、カソード管束、及び液晶ディスプレイに対する代替手段として、特に興味深い。非常にコンパクトなデザイン、また本来的に電力消費量が低いため、ＯＬＥＤを有するデバイスは、モバイル適用、例えば携帯電話、ラップトップ型ＰＣなどにおける適用に特に適している。
【０００４】
有機光起電は原則的に、有機太陽電池用の新規材料の開発に関連する。開発のための大きな可能性は、光励起状態のための最大の輸送幅と高い移動性（高励起放射長）を有する材料であり、このため、いわゆる励起子太陽電池における活性材料として有利に適している。このような材料に基づく太陽電池により、非常に良好な量子効率を達成することが、一般的に可能である。よって、正孔輸送材料又は励起子輸送材料として適切な有機化合物に対して、大きな需要が存在する。
【０００５】
リレン（又はポリ（ペリナフタレン））及びリレン誘導体は、発色団の物質群であり、その特徴は、ペリ位で相互に結合された少なくとも２個のナフタレン単位である。ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、リレン−テトラカルボン酸二無水物、及びこれらの相応するジイミドは、既存の着色剤として、また電子デバイス及び光学電子デバイスの活性成分としても、非常に重要になっている。しかしながら、これらの化合物の中には、改善の余地がある適用特性を有しているものがあると判明している。一般的には、多様なポリマー組成物に容易に組み込み可能な新規着色剤に対する需要が、なおも存在する。これらの組成物は好ましくは、加工の間に色、又はその他の光学特性が著しく変わること無く、熱可塑性プラスチックにとって慣用の温度のもとで加工できるのが望ましい。さらに、従来技術から公知のナフタレン及びリレン誘導体の中には、有機エレクトロニクス又は有機光起電における半導体材料としての使用という観点で、何ら改善されていないものがある。
【０００６】
シクラジンという名称はそもそも、V. Boekelheideによって提唱され、３つの共有結合により内部窒素原子に対して平面的に保持された、共役不飽和複素環を示す。シクロ［３．３．３］アジン（ピリド−［２，１，６−ｄ，ｅ］キノリジン）の最初の合成は、D. Farquhar及びD. Leaverによって、Chem. Comm. 24 (1969)で報告された。この合成の概観、及びシクラジンの同定、及び関連するＮ架橋されたアヌレンは、D. Leaverによって、Pure & Appl. Chem., Vol. 58, No. 1, pp. 143〜152 (1986)に示されている。
【０００７】
H.Z. Alkhathlan, M.A. Al-Jaradah, K.A. Al-Farhan 、及びA.A. Mousa.は、Phosphorous, Sulfur and Silicon, 179: 378〜388, 2004で、２−アセチルアニリン、及びフタル酸無水物、又は３−ニトロフタル酸無水物、４−ニトロフタル酸無水物、又は３，４，５，６−テトラクロロフタル酸無水物から出発して、Ｎ−ヘテリルイミノホスホランの製造を記載している。それぞれ、３−ニトロフタル酸無水物、及び３，４，５，６−テトラクロロフタル酸無水物の反応のみが、それぞれ、副生成物としてのイソインドロ［２，３−ａ］キノリン−５，１１−ジオン化合物、すなわち７−ニトロイソインドロ［２，３−ａ］−キノリン−５，１１−ジオン、及び７，８，９，１０−テトラクロロイソインドロ［２，３−ａ］キノリン−５，１１−ジオンの形成につながる。７−ニトロイソインドロ［２，３−ａ］キノリン−５，１１−ジオン、又は７，８，９，１０−テトラクロロイソインドロ［２，３−ａ］キノリン−５，１１−ジオンの使用については、何ら言及されていない。
【０００８】
窒素含有不飽和複素環を、無機エレクトロニクス及び有機光起電において半導体として用いることは、公知である。
【０００９】
WO 2007/031165 A2は、式（１）及び（２）の化合物：
【化１】
2017512755.tif 000003
を記載しており、上記式中でｐは、Ｌ基の価数に応じて２〜６であり、またこれらの化合物をエレクトロルミネッセンスデバイス（例えばＯＬＥＤ及びＯＦＥＴ）において、使用することも記載している。具体的な化合物は、中心核として（ヘテロ）トリアングレン部分を１個だけ有する。
【００１０】
Kerstin Schmoltner、Florian Schluetter、Milan Kivala、Martin Baumgarten、Stefanie Winkler、Roman Trattnig、Norbert Koch、Andreas Klug、Emil J.W. List、及びKlaus Muellenは、Polym. Chem., 2013, 4, 5337において、空気安定性の有機電界効果トランジスタ用のヘテロトリアングレンポリマーを記載している。
【００１１】
DE 10 2010 014 933 A1は、一般式（Ａ）の複素環式芳香族化合物、及び有機エレクトロニクスにおけるその使用を記載しており、
【化２】
2017512755.tif 000004
上記式中、
ＸはＮ、Ｐ、又はＰ＝Ｏであり、
Ｙは、それぞれの場合において同一であるか又は異なって、Ｃ（Ｒ1）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ1、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ2、ＰＲ1、ＰＯＲ1、ＮＡｒ、ＮＲ1、又は単結合であり、
Ｔは、それぞれの場合において同一であるか又は異なり、Ｃ（Ｒ1）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ1、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ2、ＰＲ1、ＰＯＲ1、ＮＡｒ、ＮＲ1、又は単結合であり、
Ａは、Ａｒ3、又はＸ（Ａｒ4）2であり、ここで基Ｔに対する結合は、基Ａｒ3又はＡｒ4の芳香族環、又は複素環式芳香族環から始まり、基Ｘ（Ａｒ4）2の２個の基Ａｒ4は任意で、基Ｔを介して相互に結合されていてよく、
Ａｒ、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3、及びＡｒ4は、それぞれの場合において同一であるか、又は異なって、５〜３０個の芳香族環原子を有するアリール基、又はヘテロアリール基であり、これらのアリール基又はヘテロアリール基は任意で、１個以上の基Ｒ2によって置換されていてよい。
【００１２】
WO 2012163471は、下記一般式：
【化３】
2017512755.tif 000005
の金属錯体に関し、
上記式中、
Ｍは遷移金属であり、
Ａは、Ｎ、Ｐ、Ｂ、Ｃ-、又はＣＲであり、
Ｙはそれぞれの場合において、同一、又は異なる意味を有し、かつＣＲ2、ＮＲ、Ｏ、Ｓ、又は単結合であり、
Ｚはそれぞれの場合において、同一、又は異なる意味を有し、かつＣ、又はＮであり、
Ａｒ1、Ａｒ2、及びＡｒ3は、アリール基、又はヘテロアリール基であり、
また、これらの金属錯体を含有する電子デバイス、特に有機エレクトロルミネッセンスデバイスに関する。
【００１３】
事後的に刊行されたAngew. Chem. Int. Ed. 2015, 54, 2285〜2289には、ナフタレンモノ無水物を４−ｔｅｒｔ−ブチル−２，６−ジアセチルアニリンで処理することによって、２−（ｔｅｒｔ−ブチル）ナフタ［１’，８’：７，８，９］キノリジノ［３，４，５，６−ｉｊａ］キノリン−４，１３−ジオンを製造することが記載されている。２−（ｔｅｒｔ−ブチル）ナフタ［１’，８’：７，８，９］キノリジノ［３，４，５，６−ｉｊａ］キノリン−４，１３−ジオンをマロジニトリルによって、氷酢酸及び無水酢酸の存在下で処理することにより、２，２’−（２−（ｔｅｒｔ−ブチル）ナフタ［１’８’：７，８，９］キノリジノ［３，４，５，６−ｉｊａ］キノリン−４，１３−ジイリデン）ジマロノニトリルが得られる。ここにはまた、５，６，１６，１７−テトラ−ｔｅｒｔ−オクチル−フェノキシ−ペリレノ−［３’，４’：７，８，９；９’，１０’：７，８，９］ジキノリジノ［３，４，５，６−ｉｊａ］キノリン−２，９，１３，２０−テトロンの製造も記載されている。これらの化合物は着色剤として、又は有機エレクトロニクス用の新規材料として、使用できる。
【００１４】
意外なことに、二重結合の酸素又はマロジニトリル基で置換され、核を拡張させたシクロ［３．３．３］アジンは、有機エレクトロニクス及び有機光起電における半導体材料として、特に有利であることが判明した。さらに、核を拡張させたこれらのシクロ［３．３．３］アジンは、着色剤として有利な適用特性を有する新規発色団であることが判明した。これらは特に、少なくとも以下の特性を有する：
・高い光安定性、
・高い熱安定性、
・高い対光堅牢度、
・高いモル吸光係数、
・セキュリティ印刷に対する適性。
【００１５】
発明の概要
本発明の第一の態様によれば、一般式Ｉの化合物が提供される：
【化４】
2017512755.tif 000006
前記式中、
Ｘ1及びＸ2は相互に独立して、Ｏ、及びＣ（ＣＮ）2から選択され、
Ｒ1、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ3a、及びＲ3bは相互に独立して、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ヒドロキシ、メルカプト、ニトロ、シアナト、チオシアナト、ホルミル、アシル、カルボキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、アルキルアミノカルボニル、ジアルキルアミノカルボニル、スルホ、スルホネート、スルホアミノ、スルファモイル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アミジノ、ＮＥ1Ｅ2、ここでＥ1及びＥ2はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールから選択され、
それぞれの場合において非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ、（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、（ジアリール）アミノ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、（モノヘタリール）アミノ、及び（ジヘタリール）アミノから選択され、
Ａは、一般式（ＩＩ．１）、（ＩＩ．２）、（ＩＩ．３）、（ＩＩ．４）、（ＩＩ．５）、及び（ＩＩ．６）の群：から選択され、
【化５】
2017512755.tif 000007
【００１６】
＃は、それぞれの場合において、シクラジン骨格に対する結合箇所を示し、
式（ＩＩ．１）、（ＩＩ．２）、（ＩＩ．３）、（ＩＩ．４）において、
Ｒ4a、Ｒ4b、Ｒ5a、Ｒ5b、及び存在する場合にはＲ6a、Ｒ6b、Ｒ6c、及びＲ6dは相互に独立して、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ヒドロキシ、メルカプト、ニトロ、シアナト、チオシアナト、ホルミル、アシル、カルボキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、アルキルアミノカルボニル、ジアルキルアミノカルボニル、スルホ、スルホネート、スルホアミノ、スルファモイル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アミジノ、ＮＥ1Ｅ2、ここでＥ1及びＥ2はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールから選択され、
それぞれの場合において非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ、（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、（ジアリール）アミノ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、（モノヘタリール）アミノ、及び（ジヘタリール）アミノから選択され、
式（ＩＩ．５）におけるｍは、１、２、３、又は４であり、
式（ＩＩ．５）及び（ＩＩ．６）において、
Ｘ3及びＸ4は相互に独立して、Ｏ、及びＣ（ＣＮ）2から選択され、
Ｒ7a、Ｒ7b、Ｒ8a、Ｒ8b、Ｒ9、及び存在する場合にはＲm1、Ｒm2、Ｒm3、及びＲm4はそれぞれ、相互に独立して、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ヒドロキシ、メルカプト、ニトロ、シアナト、チオシアナト、ホルミル、アシル、カルボキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、アルキルアミノカルボニル、ジアルキルアミノカルボニル、スルホ、スルホネート、スルホアミノ、スルファモイル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アミジノ、ＮＥ1Ｅ2、ここでＥ1及びＥ2はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールから選択され、
それぞれの場合において非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ、（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、（ジアリール）アミノ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、（モノヘタリール）アミノ、及び（ジヘタリール）アミノから選択され、
Ｒ10a、及びＲ10bは存在する場合には、相互に独立して、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ヒドロキシ、メルカプト、ニトロ、シアナト、チオシアナト、ホルミル、アシル、カルボキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、アルキルアミノカルボニル、ジアルキルアミノカルボニル、スルホ、スルホネート、スルホアミノ、スルファモイル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アミジノ、ＮＥ1Ｅ2、ここでＥ1及びＥ2はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、及びヘタリールから選択され、
それぞれの場合において非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ、（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、（ジアリール）アミノ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、（モノヘタリール）アミノ、及び（ジヘタリール）アミノから選択される。
【００１７】
好ましい態様において一般式Ｉの化合物は、式（Ｉ．Ａ）及び（Ｉ．Ｂ）の化合物から選択される：
【化６】
2017512755.tif 000008
前記式中、
Ｘ1、Ｘ2、Ｒ1、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ3a、及びＲ3bは、先に規定した通りであり、
Ｒ4a、Ｒ4b、Ｒ5a、Ｒ5b、及び存在する場合にはＲ6a、及びＲ6bは相互に独立して、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ヒドロキシ、メルカプト、ニトロ、シアナト、チオシアナト、ホルミル、アシル、カルボキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、アルキルアミノカルボニル、ジアルキルアミノカルボニル、スルホ、スルホネート、スルホアミノ、スルファモイル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アミジノ、ＮＥ1Ｅ2、ここでＥ1及びＥ2はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールから選択され、
それぞれの場合において非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ、（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、（ジアリール）アミノ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、（モノヘタリール）アミノ、及び（ジヘタリール）アミノから選択される。
【００１８】
さらなる好ましい態様において一般式Ｉの化合物は、式（Ｉ．Ｃ）の化合物から選択される：
【化７】
2017512755.tif 000009
前記式中、
ｍは、１、２、３、又は４であり、
Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、及びＸ4は相互に独立して、Ｏ、及びＣ（ＣＮ）2から選択され、
Ｒ1、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ3a、Ｒ3b、Ｒ7a、Ｒ7b、Ｒ8a、Ｒ8b、Ｒ9、並びにＲm1、Ｒm2、Ｒm3、及びＲm4はそれぞれ、相互に独立して、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ヒドロキシ、メルカプト、ニトロ、シアナト、チオシアナト、ホルミル、アシル、カルボキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、アルキルアミノカルボニル、ジアルキルアミノカルボニル、スルホ、スルホネート、スルホアミノ、スルファモイル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アミジノ、ＮＥ1Ｅ2、ここでＥ1及びＥ2はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールから選択され、
それぞれの場合において非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ、（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、（ジアリール）アミノ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、（モノヘタリール）アミノ、及び（ジヘタリール）アミノから選択される。
【００１９】
特別な態様が、式（Ｉ．Ｃａ）の化合物であり：
【化８】
2017512755.tif 000010
前記式中、
Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、及びＸ4は、全てＯであるか、又は全てＣ（ＣＮ）2であり、
Ｒ1、及びＲ9は相互に独立して、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ヒドロキシ、メルカプト、ニトロ、シアナト、チオシアナト、ホルミル、アシル、カルボキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、アルキルアミノカルボニル、ジアルキルアミノカルボニル、スルホ、スルホネート、スルホアミノ、スルファモイル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アミジノ、ＮＥ1Ｅ2、ここでＥ1及びＥ2はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールから選択され、
それぞれの場合において非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ、（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、（ジアリール）アミノ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、（モノヘタリール）アミノ、及び（ジヘタリール）アミノから選択され、
Ｒ14、及びＲ21はともに水素であり、Ｒ12及びＲ23は同じ意味を有し、かつＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、及びそれぞれの場合において非置換若しくは置換のアリール、アリールオキシ、及びアリールチオから選択されるか、
又はＲ21、及びＲ23はともに水素であり、Ｒ12及びＲ14は同じ意味を有し、かつＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、及びそれぞれの場合において非置換若しくは置換のアリール、アリールオキシ、及びアリールチオから選択されるか、
又は、Ｒ12、Ｒ14、Ｒ21、及びＲ23は同じ意味を有し、かつＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、及びそれぞれの場合において非置換若しくは置換のアリール、アリールオキシ、及びアリールチオから選択される。
【００２０】
さらなる好ましい態様において一般式Ｉの化合物は、式（Ｉ．Ｄ）の化合物から選択される：
【化９】
2017512755.tif 000011
前記式中、
Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、及びＸ4は相互に独立して、Ｏ、及びＣ（ＣＮ）2から選択され、
Ｒ1、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ3a、Ｒ3b、Ｒ7a、Ｒ7b、Ｒ8a、Ｒ8b、Ｒ9、Ｒ10a、及びＲ10bは、相互に独立して、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ヒドロキシ、メルカプト、ニトロ、シアナト、チオシアナト、ホルミル、アシル、カルボキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、アルキルアミノカルボニル、ジアルキルアミノカルボニル、スルホ、スルホネート、スルホアミノ、スルファモイル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アミジノ、ＮＥ1Ｅ2、ここでＥ1及びＥ2はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、及びヘタリールから選択され、
それぞれの場合において非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ、（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、（ジアリール）アミノ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、（モノヘタリール）アミノ、及び（ジヘタリール）アミノから選択される。
【００２１】
本発明のさらなる態様によれば、式Ｉ．Ａの化合物の製造方法、式Ｉ．Ｂの化合物の製造方法、及び式Ｉ．Ｃの化合物の製造方法が提供される。本発明のさらなる態様によれば、式Ｉ．Ｄの化合物の製造方法が提供される。
【００２２】
本発明のさらなる態様によれば、少なくとも１つのゲート構造、ソース電極、及びドレイン電極を備える基板、並びに半導体材料として先に規定した、また以下で半導体材料として規定される式Ｉの化合物少なくとも１種を有する、有機電界効果トランジスタが提供される。
【００２３】
式（Ｉ）の化合物は原則的に、ｎ型半導体として、又はｐ型半導体として使用できる。式（Ｉ）の化合物がｎ型半導体として又はｐ型半導体として働くかどうかは特に、使用するゲート誘電体に依存する。ゲート誘電体は通常、適切な化合物（例えば多かれ少なかれ負に帯電した置換基を有するシラン、アルキルホスホン酸、フルオロアルキルホスホン酸など）の自己組織化単分子層（ＳＡＭ）の形態で使用される。特定のＳＡＭゲート誘電体、又は異なるＳＡＭゲート誘電体の特定の混合物を選択することにより、半導体材料の特性を制御することが可能になる。２種の異なる半導体の組み合わせを用いる電子デバイス（例えば有機太陽電池）では、式（Ｉ）の化合物がｎ型半導体として働くか、又はｐ型半導体として働くかは、相応する半導体材料次第である。
【００２４】
本発明のさらなる態様によれば、複数の有機電界効果トランジスタを有する基板であって、少なくとも幾つかの電界効果トランジスタが、先に規定した、また以下で規定する式Ｉの化合物少なくとも１種を有する基板が、提供される。
【００２５】
本発明のさらなる態様によれば、複数の有機電界効果トランジスタを有する半導体ユニットであって、少なくとも幾つかの電界効果トランジスタが、先に規定した、また以下で規定する式Ｉの化合物少なくとも１種を有する半導体ユニットが、提供される。
【００２６】
本発明のさらなる態様によれば、上部電極、下部電極、エレクトロルミネッセンス層、及び任意で補助層を有するエレクトロルミネッセンス装置が提供され、ここで前記電極のうち少なくとも１つが透明であり、前記エレクトロルミネッセンス装置は、先に規定した、また以下で規定する式Ｉの化合物少なくとも１種を有する。
【００２７】
好ましい態様においてこのエレクトロルミネッセンス装置は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の形態である。
【００２８】
本発明のさらなる態様によれば、先に規定した、また以下で規定する式（Ｉ）の化合物少なくとも１種を有する有機太陽電池が提供される。
【００２９】
本発明のさらなる態様によれば、先に規定した、また以下で規定する一般式Ｉの化合物の、半導体材料としての使用が提供される。
【００３０】
好ましい態様において一般式Ｉの化合物は、有機エレクトロニクス又は有機光起電における半導体材料として使用される。
【００３１】
本発明のさらなる態様によれば、先に規定した、また以下で規定する式（Ｉ）の化合物少なくとも１種、及び少なくともポリマー、好ましくは少なくとも１種の熱可塑性ポリマーを含有する組成物が提供される。
【００３２】
本発明のさらなる態様によれば、先に規定した、また以下で規定する一般式Ｉの化合物の使用が提供され、この使用は、
・蛍光着色剤としての、好ましくは蛍光変換に基づくディスプレイにおける蛍光着色剤としての、
・データ蓄積のための、
・紫外線吸収剤としての、
・光ラベルのための、
・生体分子用蛍光ラベルとしての、
・ポリマー材料のレーザー溶接における、
・インクにおける、好ましくはインクジェットインク及び印刷インクにおける、
・表面被覆における、好ましくは被覆組成物の着色層としての、又は被覆組成物の着色層における、特に自動車工業用の被覆組成物における、及び
・着色ポリマー組成物のための、
使用である。
【００３３】
発明の詳細な説明
Ａが式（ＩＩ．５）の基である式Ｉの新規化合物、及び式（Ｉ．Ｃ）の相応する化合物の特徴は、ナフタレン又はリレン系（ペリレン、テリレン、又はクワテリレン）によって形成される芳香族核であり、これは、窒素原子を完全に取り囲むアミノエノン部分を２個有するイソ−ジュリン（juline）−１，７−ジオン単位によりペリ位で核が拡張されている：
【化１０】
2017512755.tif 000012
【００３４】
Ａが式（ＩＩ．５）の基である式Ｉの化合物、及び式（Ｉ．Ｃ）の相応する化合物においてｍは、ナフタレン単位の数であり、ｍが２、３、又は４の場合、ペリ位で結合されており、リレン化合物の基本骨格を形成する。それぞれのＲm1〜Ｒm4基においてｍは特に、リレン骨格のナフタレン基であり、この骨格に基が結合されている。異なるナフタレン基に結合しているＲm1〜Ｒm4基は、それぞれ同じ、又は異なる定義を有することができる。従って、Ａが式（ＩＩ．５）の基である式Ｉの化合物、及び式（Ｉ．Ｃ）の相応する化合物は、以下の式を有することができる：
【化１１】
2017512755.tif 000013
【００３５】
より高度の類似体（ｍ＝４）は、同様に形成される。
【００３６】
「ハロゲン」という表現はそれぞれの場合において、フッ素、臭素、塩素、又はヨウ素を表し、特に塩素、臭素、又はヨウ素を表す。
【００３７】
本発明の文脈において、「非置換又は置換のアルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、及びヘタリール」とは、非置換若しくは置換のアルキル、非置換若しくは置換のシクロアルキル、非置換若しくは置換のヘテロシクロアルキル、非置換若しくは置換のアリール、及び非置換若しくは置換のヘタリールを表す。
【００３８】
本発明の文脈において、「非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ、（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、（ジアリール）アミノ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、（モノヘタリール）アミノ、及び（ジヘタリール）アミノ」という表現は、非置換若しくは置換のアルキル、非置換若しくは置換のアルコキシ、非置換若しくは置換のアルキルチオ、非置換若しくは置換の（モノアルキル）アミノ、非置換若しくは置換の（ジアルキル）アミノ、非置換若しくは置換のシクロアルキル、非置換若しくは置換のシクロアルコキシ、非置換若しくは置換のシクロアルキルチオ、非置換若しくは置換の（モノシクロアルキル）アミノ、非置換若しくは置換の（ジシクロアルキル）アミノ、非置換若しくは置換のヘテロシクロアルキル、非置換若しくは置換のヘテロシクロアルコキシ、非置換若しくは置換のヘテロシクロアルキルチオ、非置換若しくは置換の（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、非置換若しくは置換の（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、非置換若しくは置換のアリール、非置換若しくは置換のアリールオキシ、非置換若しくは置換のアリールチオ、非置換若しくは置換の（モノアリール）アミノ、非置換若しくは置換の（ジアリール）アミノ、非置換若しくは置換のヘタリール、非置換若しくは置換のヘタリールオキシ、非置換若しくは置換のヘタリールチオ、非置換若しくは置換の（モノヘタリール）アミノ、及び非置換若しくは置換の（ジヘタリール）アミノを表す。
【００３９】
本発明の文脈において、「アルキル」という表現は、直鎖状又は分枝鎖状のアルキル基を表す。アルキル基は好ましくは、Ｃ1〜Ｃ30アルキル、より好ましくはＣ1〜Ｃ20アルキル、最も好ましくはＣ1〜Ｃ12アルキルである。アルキル基の例は特に、以下のものである：メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、１−メチルブチル、１−エチルプロピル、ネオペンチル、ｎ−ヘキシル、１−メチルペンチル、２−メチルペンチル、１−エチルブチル、２−エチルブチル、ｎ−ヘプチル、１−メチルヘキシル、２−メチルヘキシル、１−エチルペンチル、１−プロピルブチル、２−エチルペンチル、ｎ−オクチル、１−メチルヘプチル、２−メチルヘプチル、１−エチルヘキシル、２−エチルヘキシル、１−プロピルペンチル、２−プロピルペンチル、ｎ−ノニル、１−メチルオクチル、２−メチルオクチル、１−エチルヘプチル、２−エチルヘプチル、１−プロピルヘキシル、２−プロピルヘキシル、１−ブチルペンチル、ｎ−デシル、２−メチルデシル、１−メチルノニル、２−メチルノニル、１−エチルオクチル、２−エチルオクチル、１−プロピルヘプチル、２−プロピルヘプチル、１−ブチルヘキシル、２−ブチルヘキシル、ｎ−ウンデシル、２−エチルノニル、１−プロピルオクチル、２−プロピルオクチル、１−ブチルヘプチル、２−ブチルヘプチル、１−ペンチルヘキシル、ｎ−ドデシル、２−エチルデシル、２−プロピルノニル、１−ブチルオクチル、２−ブチルオクチル、１−ペンチルヘプチル、２−ペンチルヘプチル、２−プロピルデシル、ｎ−トリデシル、１−ペンチルオクチル、２−ペンチルオクチル、１−ヘキシルヘプチル、２−ブチルノニル、ｎ−テトラデシル、１−ヘキシルオクチル、２−ヘキシルオクチル、２−ペンチルノニル、２−ヘキシルノニル、２−ペンチルデシル、２−ブチルデシル，ｎ−ヘキサデシル、１−ヘプチルオクチル、２−ヘプチルノニル、２−ヘキシルデシル、２−ヘプチルデシル、ｎ−オクタデシル、２−オクチルデシル、ｎ−エイコシル、２−ノニルウンデシル、２−オクチルウンデシル、２−ヘプチルウンデシル、２−ヘキシルウンデシル、２−ペンチルウンデシル、２−ブチルウンデシル、２−プロピルウンデシル、２−エチルウンデシル、２−メチルウンデシル、２−デシルドデシル、２−ノニルドデシル、２−オクチルドデシル、２−ヘプチルドデシル、２−ヘキシルドデシル、２−ペンチルドデシル、２−ブチルドデシル、２−プロピルドデシル、２−エチルドデシル、２−メチルドデシル、２−ウンデシルトリデシル、２−デシルトリデシル、２−ノニルトリデシル、２−オクチルトリデシル、２−ヘプチルトリデシル、２−ヘキシルトリデシル、２−ペンチルトリデシル、２−ブチルトリデシル、２−プロピルトリデシル、２−エチルトリデシル、２−メチルトリデシル、２−ウンデシルテトラデシル、２−デシルテトラデシル、２−ノニルテトラデシル、２−オクチルテトラデシル、２−ヘプチルテトラデシル、２−ヘキシルテトラデシル、２−ペンチルテトラデシル、２−ブチルテトラデシル、２−プロピルテトラデシル、２−エチルテトラデシル、２−メチルテトラデシル、２−テトラデシルヘキサデシル、２−トリデシルヘキサデシル、２−ドデシルヘキサデシル、２−ウンデシルヘキサデシル、２−デシルヘキサデシル、２−ノニルヘキサデシル、２−オクチルヘキサデシル、２−ヘプチルヘキサデシル、２−ヘキシルヘキサデシル、２−ペンチルヘキサデシル、２−ブチルヘキサデシル、２−プロピルヘキサデシル、２−エチルヘキサデシル、２−メチルヘキサデシル、２−ドデシルオクタデシル、２−ウンデシルオクタデシル、２−デシルオクタデシル、２−ノニルオクタデシル、２−オクチルオクタデシル、２−ヘプチルオクタデシル、２−ヘキシルオクタデシル、２−ペンチルオクタデシル、２−ブチルオクタデシル、２−プロピルオクタデシル、２−エチルオクタデシル、２−メチルオクタデシル、２−デシルエイコサニル、２−ノニルエイコサニル、２−オクチルエイコサニル、２−ヘプチルエイコサニル、２−ヘキシルエイコサニル、２−ペンチルエイコサニル、２−ブチルエイコサニル、２−プロピルエイコサニル、２−エチルエイコサニル、２−メチルエイコサニル、２−オクタデシルドコサニル、２−ヘプタデシルドコサニル、２−ヘキサデシルドコサニル、２−ペンタデシルドコサニル、２−テトラデシルドコサニル、２−トリデシルドコサニル、２−ウンデシルドコサニル、２−デシルドコサニル、２−ノニルドコサニル、２−オクチルドコサニル、２−ヘプチルドコサニル、２−ヘキシルドコサニル、２−ペンチルドコサニル、２−ブチルドコサニル、２−プロピルドコサニル、２−エチルドコサニル、２−メチルドコサニル、２−ドコサニルテトラコサニル、２−ヘキサデシルテトラコサニル、２−ペンタデシルテトラコサニル、２−ペンタデシルテトラコサニル、２−テトラデシルテトラコサニル、２−トリデシルテトラコサニル、２−ドデシルテトラコサニル、２−ウンデシルテトラコサニル、２−デシルテトラコサニル、２−ノニルテトラコサニル、２−オクチルテトラコサニル、２−ヘプチルテトラコサニル、２−ヘキシルテトラコサニル、２−ペンチルテトラコサニル、２−ブチルテトラコサニル、２−プロピルテトラコサニル、２−エチルテトラコサニル、２−メチルテトラコサニル、２−ドデシルオクタコサニル、２−ウンデシルオクタコサニル、２−デシルオクタコサニル、２−ノニルオクタコサニル、２−オクチルオクタコサニル、２−ヘプチルオクタコサニル、２−ヘキシルオクタコサニル、２−ペンチルオクタコサニル、２−ブチルオクタコサニル、２−プロピルオクタコサニル、２−エチルオクタコサニル、及び２−メチルオクタコサニル。
【００４０】
アルキルという表現はまた、炭素鎖が、−Ｏ−、−Ｓ−、ＮＲa−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）−、及び／又は−Ｓ（＝Ｏ）2−から選択される１個以上の隣接しない基によって中断されていてよいアルキル基も包含する。Ｒaは好ましくは、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールである。
【００４１】
炭素鎖が１個以上の隣接しない基によって中断されているアルキル基の例は特に、以下のものである：２−メトキシエチル、２−エトキシエチル、２−プロポキシエチル、２−イソプロポキシエチル、２−ブトキシエチル、２−及び３−メトキシプロピル、２−及び３−エトキシプロピル、２−及び３−プロポキシプロピル、２−及び３−ブトキシプロピル、２−及び４−メトキシブチル、２−及び４−エトキシブチル、２−及び４−プロポキシブチル、３，６−ジオキサヘプチル、３，６−ジオキサオクチル、４，８−ジオキサノニル、３，７−ジオキサオクチル、３，７−ジオキサノニル、４，７−ジオキサオクチル、４，７−ジオキサノニル、２−及び４−ブトキシブチル、４，８−ジオキサデシル、３，６，９−トリオキサデシル、３，６，９−トリオキサウンデシル、３，６，９−トリオキサドデシル、３，６，９，１２−テトラオキサトリデシル及び３，６，９，１２−テトラオキサテトラデシル；２−メチルチオエチル、２−エチルチオエチル、２−プロピルチオエチル、２−イソプロピルチオエチル、２−ブチルチオエチル、２−及び３−メチルチオプロピル、２−及び３−エチルチオプロピル、２−及び３−プロピルチオプロピル、２−及び３−ブチルチオプロピル、２−及び４−メチルチオブチル、２−及び４−エチルチオブチル、２−及び４−プロピルチオブチル、３，６−ジチアヘプチル、３，６−ジチアオクチル、４，８−ジチアノニル、３，７−ジチアオクチル、３，７−ジチアノニル、２−及び４−ブチルチオブチル、４，８−ジチアデシル、３，６，９−トリチアデシル、３，６，９−トリチアウンデシル、３，６，９−トリチアドデシル、３，６，９，１２−テトラチアトリデシル及び３，６，９，１２−テトラチアテトラデシル；２−モノメチル−及び２−モノエチルアミノエチル、２−ジメチルアミノエチル、２−及び３−ジメチルアミノプロピル、３−モノイソプロピルアミノプロピル、２−及び４−モノプロピルアミノブチル、２−及び４−ジメチルアミノブチル、６−メチル−３，６−ジアザヘプチル、３，６−ジメチル−３，６−ジアザヘプチル、３，６−ジアザオクチル、３，６−ジメチル−３，６−ジアザオクチル、９−メチル−３，６，９−トリアザデシル、３，６，９−トリメチル−３，６，９−トリアザデシル、３，６，９−トリアザウンデシル、３，６，９−トリメチル−３，６，９−トリアザウンデシル、１２−メチル−３，６，９，１２−テトラアザトリデシル及び３，６，９，１２−テトラメチル−３，６，９，１２−テトラアザトリデシル；（１−エチルエチリデン）アミノエチレン、（１−エチルエチリデン）アミノプロピレン、（１−エチルエチリデン）アミノブチレン、（１−エチルエチリデン）アミノデシレン及び（１−エチルエチリデン）アミノドデシレン；プロパン−２−オン−１−イル、ブタン−３−オン−１−イル、ブタン−３−オン−２−イル及び２−エチルペンタン−３−オン−１−イル；２−メチルスルホキシドエチル、２−エチルスルホキシドエチル、２−プロピルスルホキシドエチル、２−イソプロピルスルホキシドエチル、２−ブチルスルホキシドエチル、２−及び３−メチルスルホキシドプロピル、２−及び３−エチルスルホキシドプロピル、２−及び３−プロピルスルホキシドプロピル、２−及び３−ブチルスルホキシドプロピル、２−及び４−メチルスルホキシドブチル、２−及び４−エチルスルホキシドブチル、２−及び４−プロピルスルホキシドブチル及び４−ブチルスルホキシドブチル；２−メチルスルホニルエチル、２−エチルスルホニルエチル、２−プロピルスルホニルエチル、２−イソプロピルスルホニルエチル、２−ブチルスルホニルエチル、２−及び３−メチルスルホニルプロピル、２−及び３−エチルスルホニルプロピル、２−及び３−プロピルスルホニルプロピル、２−及び３−ブチルスルホニルプロピル、２−及び４−メチルスルホニルブチル、２−及び４−エチルスルホニルブチル、２−及び４−プロピルスルホニルブチル、及び４−ブチルスルホニルブチル。
【００４２】
置換されたアルキル基は、アルキル鎖の長さに応じて、１つ以上（例えば１個、２個、３個、４個、５個、又は５個超）の置換基を有することができる。これらは好ましくはそれぞれ独立して、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘタリール、フッ素、塩素、臭素、ヒドロキシ、メルカプト、シアノ、ニトロ、ニトロソ、ホルミル、アシル、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、ＳＯ3Ｈ、スルホネート、スルファミノ、スルファミド、アミジノ、ＮＥ5Ｅ6から選択され、ここでＥ5及びＥ6はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールである。アルキル基の置換基であるシクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、及びヘタリールはそれぞれ、非置換であるか、又は置換されていてよく、これらの基について適切な置換基は、以下で述べる。置換されたアルキル基の特定の態様は、ペルフルオロＣ1〜Ｃ30アルキル、１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ2〜Ｃ30アルキル、及び１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ3〜Ｃ30−アルキルである。これらのフッ化アルキル基の例は、以下で述べる。
【００４３】
置換されたアルキル基の例は特に、カルボキシメチル、２−カルボキシエチル、３−カルボキシプロピル、４−カルボキシブチル、５−カルボキシペンチル、６−カルボキシヘキシル、８−カルボキシオクチル、１０−カルボキシデシル、１２−カルボキシドデシル、及び１４−カルボキシ−テトラデシル；スルホメチル、２−スルホエチル、３−スルホプロピル、４−スルホブチル、５−スルホペンチル、６−スルホヘキシル、８−スルホオクチル、１０−スルホデシル、１２−スルホドデシル、及び１４−スルホテトラデシル；２−ヒドロキシエチル、２−、及び３−ヒドロキシプロピル、１−ヒドロキシプロパ−２−イル、３−、及び４−ヒドロキシブチル、１−ヒドロキシブタ−２−イル、及び８−ヒドロキシ−４−オキサオクチル；２−シアノエチル、３−シアノプロピル、３−、及び４−シアノブチル、２−メチル−３−エチル−３−シアノプロピル、７−シアノ−７−エチルヘプチル、及び４，７−ジメチル−７−シアノヘプチル；２−クロロエチル、２−、及び３−クロロプロピル、２−、３−、及び４−クロロブチル、２−ブロモエチル、２−、及び３−ブロモプロピル、及び２−、３−、及び４−ブロモブチル；２−ニトロエチル、２−、及び３−ニトロプロピル、及び２−、３−、及び４−ニトロブチルである。
【００４４】
カルボキシレート、及びスルホネートはそれぞれ、カルボン酸官能基の誘導体、及びスルホン酸官能基の誘導体を表し、特に金属カルボキシレート若しくは金属スルホネート、カルボン酸エステル官能基若しくはスルホン酸エステル官能基、又はカルボキサミド官能基若しくはスルホアミド官能基を表す。このような誘導体には例えば、Ｃ1〜Ｃ4アルカノール（例えばメタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、及びｔｅｒｔ−ブタノール）とのエステルが含まれる。
【００４５】
アルキルに関する上記記述は、アルコキシ、アルキルチオ（＝アルキルスルファニル）、モノアルキルアミノ、及びジアルキルアミノにおけるアルキル部分にも当てはまる。
【００４６】
アルコキシ基の例は特に、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、ペントキシ、イソペントキシ、ネオペントキシ、ｔｅｒｔ−ペントキシ、及びヘキソキシである。
【００４７】
アルキルチオ基の例は特に、メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、イソプロピルチオ、ブチルチオ、イソブチルチオ、ｓｅｃ−ブチルチオ、ｔｅｒｔ−ブチルチオ、ペンチルチオ、イソペンチルチオ、ネオペンチルチオ、ｔｅｒｔ−ペンチルチオ、及びヘキシルチオである。
【００４８】
モノアルキルアミノ基及びジアルキルアミノ基の例は特に、メチルアミノ、エチルアミノ、プロピルアミノ、イソプロピルアミノ、ブチルアミノ、イソブチルアミノ、ペンチルアミノ、ヘキシルアミノ、ジメチルアミノ、メチルエチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジイソプロピルアミノ、ジブチルアミノ、ジイソブチルアミノ、ジペンチルアミノ、ジヘキシルアミノ、ジシクロペンチルアミノ、ジシクロヘキシルアミノ、ジシクロヘプチルアミノ、ジフェニルアミノ、及びジベンジルアミノである。
【００４９】
アルキレンは、炭素原子を１〜１０個、特に１〜４個有する直鎖状の飽和炭化水素鎖を表し、それは例えばエタン−１，２−ジイル、プロパン−１，３−ジイル、ブタン−１，４−ジイル、ペンタン−１，５−ジイル、又はヘキサン−１，６−ジイルである。
【００５０】
本発明の範囲において、「シクロアルキル」という用語は、通常３〜２０個、好ましくは３〜１２個、より好ましくは５〜１２個の炭素原子を有する、単環式、二環式、又は三環式の炭化水素基を表し、それは例えば、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロドデシル、シクロペンタデシル、ノルボルニル、ビシクロ［２．２．２］オクチル、又はアダマンチルである。
【００５１】
置換されたシクロアルキル基は環の大きさに応じて、１個以上（例えば１個、２個、３個、４個、５個、又は５個超）の置換基を有することができる。これらは好ましくはそれぞれ独立して、アルキル、アルコキシ、アルキルチオ、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘタリール、フッ素、塩素、臭素、ヒドロキシ、メルカプト、シアノ、ニトロ、ニトロソ、ホルミル、アシル、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、ＳＯ3Ｈ、スルホネート、スルファミノ、スルファミド、アミジノ、ＮＥ7Ｅ8から選択され、ここでＥ7及びＥ8はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールである。置換の場合、シクロアルキル基は、１個以上、例えば１個、２個、３個、４個、又は５個、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基を有するのが好ましい。置換されたシクロアルキル基の例は特に、２−及び３−メチルシクロペンチル、２−及び３−メチルシクロペンチル、２−、及び３−エチルシクロペンチル、２−、３−、及び４−メチルシクロヘキシル、２−、３−、及び４−エチルシクロヘキシル、２−、３−、及び４−プロピルシクロヘキシル、２−、３−、及び４−イソプロピルシクロヘキシル、２−、３−、及び４−ブチルシクロヘキシル、２−、３−、及び４−ｓｅｃ−ブチルシクロヘキシル、２−、３−、及び４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル、２−、３−、及び４−メチルシクロヘプチル、２−、３−、及び４−エチルシクロヘプチル、２−、３−、及び４−プロピルシクロヘプチル、２−、３−、及び４−イソプロピルシクロヘプチル、２−、３−、及び４−ブチルシクロヘプチル、２−、３−、及び４−ｓｅｃ−ブチルシクロヘプチル、２−、３−、及び４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘプチル、２−、３−、４−、及び５−メチル−シクロオクチル、２−、３−、４−、及び５−エチルシクロオクチル、２−、３−、４−、及び５−プロピルシクロオクチル、３−、及び４−ヒドロキシシクロヘキシル、３−、及び４−ニトロシクロヘキシル、並びに３−、及び４−クロロシクロヘキシルである。
【００５２】
シクロアルキルに関する上記記述は、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ（＝シクロアルキルスルファニル）、モノシクロアルキルアミノ、及びジシクロアルキルアミノにおけるシクロアルキル部分にも当てはまる。
【００５３】
本発明の文脈において「アリール」という用語は、単環若しくは多環の芳香族炭化水素基を表す。アリールは通常、環員として６〜２４個、好ましくは６〜２０個、特に６〜１４個の炭素原子を有する芳香族基である。アリールは好ましくは、フェニル、ナフチル、インデニル、フルオレニル、アントラセニル、フェナントレニル、ナフタセニル、クリセニル、ピレニル、コロネニル、ペリレニルなどであり、より好ましくは、フェニル又はナフチルである。
【００５４】
置換されたアリールは、環系の数と大きさに応じて、１つ以上（例えば１個、２個、３個、４個、５個、又は５個超）の置換基を有することができる。これらは好ましくはそれぞれ独立して、アルキル、アルコキシ、アルキルチオ、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘタリール、フッ素、塩素、臭素、ヒドロキシ、メルカプト、シアノ、ニトロ、ニトロソ、ホルミル、アシル、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、ＳＯ3Ｈ、スルホネート、スルファミノ、スルファミド、アミジノ、ＮＥ9Ｅ10から選択され、ここでＥ9及びＥ10はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールである。アリール上の置換基であるアルキル、アルコキシ、アルキルアミノ、アルキルチオ、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、及びヘタリールはそれぞれ、非置換であるか、又は置換されていてよい。これらの基のための置換基については、先に述べたことを参照されたい。アリール上の置換基は好ましくは、アルキル、アルコキシ、ハロアルキル、ハロアルコキシ、アリール、フッ素、塩素、臭素、シアノ、及びニトロから選択される。置換されたアリールはより好ましくは、一般的に１個、２個、３個、４個、又は５個、好ましくは１個、２個、又は３個の置換基を有する置換されたフェニルである。
【００５５】
置換されたアリールは好ましくは、少なくとも１個のアルキル基によって置換されたアリールである（「アルカリール」、以下ではアルキルアリールとも呼ぶ）。アルカリール基は、芳香族環系の大きさに応じて、１つ以上（例えば１個、２個、３個、４個、５個、６個、７個、８個、９個、又は９個超）のアルキル置換基を有することができる。アルキル置換基は非置換であるか、又は置換されていてよい。これについては、非置換及び置換アルキルについての上記記載を参照されたい。好ましい態様においてアルカリール基は、非置換のアルキル置換基のみを有する。アルカリールは好ましくは、１個、２個、３個、４個、又は５個、好ましくは１個、２個、又は３個、より好ましくは１個又は２個のアルキル置換基を有する、フェニルである。
【００５６】
１個以上の基を有するアリールは例えば、以下のものである：２−、３−、及び４−メチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−、及び２，６−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、２−、３−、及び４−エチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−、及び２，６−ジエチルフェニル、２，４，６−トリエチルフェニル、２−、３−、及び４−プロピルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−、及び２，６−ジプロピルフェニル、２，４，６−トリプロピルフェニル、２−、３−、及び４−イソプロピルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−、及び２，６−ジイソプロピルフェニル、２，４，６−トリイソプロピルフェニル、２−、３−、及び４−ブチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−、及び２，６−ジブチルフェニル、２，４，６−トリブチルフェニル、２−、３−、及び４−イソブチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−、及び２，６−ジイソブチルフェニル、２，４，６−トリイソブチルフェニル、２−、３−、及び４−ｓｅｃ−ブチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−、及び２，６−ジ−ｓｅｃ−ブチルフェニル、２，４，６−トリ−ｓｅｃ−ブチルフェニル、２−、３−、及び４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル、２，４−、２，５−、３，５−、及び２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル、及び２，４，６−トリ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル；２−、３−、及び４−メトキシフェニル、２，４−、２，５−、３，５−、及び２，６−ジメトキシフェニル、２，４，６−トリメトキシフェニル、２−、３−、及び４−エトキシフェニル、２，４−、２，５−、３，５−、及び２，６−ジエトキシフェニル、２，４，６−トリエトキシフェニル、２−、３−、及び４−プロポキシフェニル、２，４−、２，５−、３，５−、及び２，６−ジプロポキシフェニル、２−、３−、及び４−イソプロポキシフェニル、２，４−、２，５−、３，５−、及び２，６−ジイソプロポキシフェニル、及び２−、３−、及び４−ブトキシフェニル；２−、３−、及び４−クロロフェニル、（２−クロロ−６−メチル）フェニル、（２−クロロ−６−エチル）フェニル、（４−クロロ−６−メチル）フェニル、（４−クロロ−６−エチル）フェニル。
【００５７】
アリールに関する上記記述は、アリールオキシ、アリールチオ（＝アリールスルファニル）、モノアリールアミノ、及びジアリールアミノにおけるアリール部分にも当てはまる。
【００５８】
本発明の文脈において、「ヘテロシクロアルキル」という表現は、非芳香族、不飽和若しくは完全に飽和した、一般的には５〜８個の環原子、好ましくは５個又は６個の環原子を有する脂環式基を包含する。相応するシクロアルキル基と比較するとヘテロシクロアルキル基では、１個、２個、３個、４個、又は４個超の環原子が、ヘテロ原子、又はヘテロ原子含有基によって置き換えられている。ヘテロ原子又はヘテロ原子含有基は好ましくは、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲb−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）−、及び／又は−Ｓ（＝Ｏ）2−から選択される。Ｒbは好ましくは、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールである。ヘテロシクロアルキル基の例は特に、ピロリジニル、ピペリジニル、２，２，６，６−テトラメチルピペリジニル、イミダゾリジニル、ピラゾリジニル、オキサゾリジニル、モルホリニル、チアゾリジニル、イソチアゾリジニル、イソオキサゾリジニル、ピペラジニル、テトラヒドロチオフェニル、ジヒドロチエノ−２−イル、テトラヒドロフラニル、ジヒドロフラノ−２−イル、テトラヒドロピラニル、２−オキサゾリニル、３−オキサゾリニル、４−オキサゾリニル、及びジオキサニルである。
【００５９】
置換されたヘテロシクロアルキル基は環の大きさに応じて、１個以上（例えば１個、２個、３個、４個、５個、又は５個超）の置換基を有する。これらは好ましくはそれぞれ独立して、アルキル、アルコキシ、アルキルチオ、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘタリール、フッ素、塩素、臭素、ヒドロキシ、メルカプト、シアノ、ニトロ、ニトロソ、ホルミル、アシル、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、ＳＯ3Ｈ、スルホネート、スルファミノ、スルファミド、アミジノ、ＮＥ11Ｅ12から選択され、ここでＥ11及びＥ12はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールである。置換の場合、ヘテロシクロアルキル基は、１個以上、例えば１個、２個、３個、４個、又は５個、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基を有するのが好ましい。
【００６０】
ヘテロシクロアルキルに関する上記記述は、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ（＝ヘテロシクロアルキルスルファニル）、モノヘテロシクロアルキルアミノ、及びジヘテロシクロアルキルアミノにおけるヘテロシクロアルキル部分にも当てはまる。
【００６１】
本発明の文脈において「ヘタリール（ヘテロアリール）」という表現は、複素環式芳香族の単環式、又は多環式の基を表す。環炭素原子に加えて、これらは環員として１個、２個、３個、４個、又は４個超のヘテロ原子を有する。ヘテロ原子は好ましくは、酸素、窒素、セレン、及び硫黄から選択される。ヘタリール基は、５〜１８個、例えば５個、６個、８個、９個、１０個、１１個、１２個、１３個、又は１４個の環原子を有するのが好ましい。
【００６２】
単環式ヘタリール基は好ましくは、５員又は６員のヘタリール基、例えば２−フリル（フラン−２−イル）、３−フリル（フラン−３−イル）、２−チエニル（チオフェン−２−イル）、３−チエニル（チオフェン−３−イル）、セレノフェン−２−イル、セレノフェン−３−イル、１Ｈ−ピロール−２−イル、１Ｈ−ピロール−３−イル、ピロール−１−イル、イミダゾール−２−イル、イミダゾール−１−イル、イミダゾール−４−イル、ピラゾール−１−イル、ピラゾール−３−イル、ピラゾール−４−イル、ピラゾール−５−イル、３−イソオキサゾリル、４−イソオキサゾリル、５−イソオキサゾリル、３−イソチアゾリル、４−イソチアゾリル、５−イソチアゾリル、２−オキサゾリル、４−オキサゾリル、５−オキサゾリル、２−チアゾリル、４−チアゾリル、５−チアゾリル、１，２，４−オキサジアゾール−３−イル、１，２，４−オキサジアゾール−５−イル、１，３，４−オキサジアゾール−２−イル、１，２，４−チアジアゾール−３−イル、１，２，４−チアジアゾール−５−イル、１，３，４−チアジアゾール−２−イル、４Ｈ−［１，２，４］−トリアゾール−３−イル、１，３，４−トリアゾール−２−イル、１，２，３−トリアゾール−１−イル、１，２，４−トリアゾール−１−イル、ピリジン−２−イル、ピリジン−３−イル、ピリジン−４−イル、３−ピリダジニル、４−ピリダジニル、２−ピリミジニル、４−ピリミジニル、５−ピリミジニル、２−ピラジニル、１，３，５−トリアジン−２−イル、及び１，２，４−トリアジン−３−イルである。
【００６３】
多環式ヘタリール基は、２個、３個、４個、又は４個超の縮合環を有する。縮合環は、芳香族、飽和、又は部分飽和であり得る。多環式ヘタリール基の例は、キノリニル、イソキノリニル、インドリル、イソインドリル、インドリジニル、ベンゾフラニル、イソベンゾフラニル、ベンゾチオフェニル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾイソオキサゾリル、ベンゾチアゾリル、ベンゾオキサジアゾリル、ベンゾチアジアゾリル、ベンゾオキサジニル、ベンゾピラゾリル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾトリアゾリル、ベンゾトリアジニル、ベンゾセレノフェニル、チエノチオフェニル、チエノピリミジル、チアゾロチアゾリル、ジベンゾピロリル（カルバゾリル）、ジベンゾフラニル、ジベンゾチオフェニル、ナフト［２，３−ｂ］チオフェニル、ナフタ［２，３−ｂ］フリル、ジヒドロインドリル、ジヒドロインドリジニル、ジヒドロイソインドリル、ジヒドロキノリニル、及びジヒドロイソキノリニルである。
【００６４】
置換されたヘタリール基は、環系の数と大きさに応じて、１つ以上（例えば１個、２個、３個、４個、５個、又は５個超）の置換基を有することができる。これらは好ましくはそれぞれ独立して、アルキル、アルコキシ、アルキルチオ、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、ヘタリール、フッ素、塩素、臭素、ヒドロキシ、メルカプト、シアノ、ニトロ、ニトロソ、ホルミル、アシル、ＣＯＯＨ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、ＳＯ3Ｈ、スルホネート、スルファミノ、スルファミド、アミジノ、ＮＥ13Ｅ14から選択され、ここでＥ13及びＥ14はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールである。ハロゲン置換基は好ましくは、フッ素、塩素、又は臭素である。置換基は好ましくは、Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ1〜Ｃ6アルコキシ、ヒドロキシ、カルボキシ、ハロゲン、及びシアノから選択される。
【００６５】
ヘタリールに関する上記記述は、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、モノヘタリールアミノ、及びジヘタリールアミノにおけるヘタリール部分にも当てはまる。
【００６６】
本発明の目的のために、「アシル」という表現は、一般的には２〜１１個、好ましくは２〜８個の炭素原子を有するアルカノイル基又はアロイル基を意味し、それは例えばアセチル基、プロパノイル基、ブタノイル基、ペンタノイル基、ヘキサノイル基、ヘプタノイル基、２−エチルヘキサノイル基、２−プロピルヘプタノイル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、又はナフチル基である。
【００６７】
基ＮＥ1Ｅ2、ＮＥ3Ｅ4、ＮＥ5Ｅ6、ＮＥ7Ｅ8、ＮＥ9Ｅ10、ＮＥ11Ｅ12、及びＮＥ13Ｅ14は好ましくは、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジプロピルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ブチルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジ−ｔ−ブチルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジシクロヘキシルアミノ、又はＮ，Ｎ−ジフェニルアミノである。
【００６８】
縮合環系は、縮合によりヒドロ芳香族的に結合された、脂環式、脂肪族複素環式、芳香族、及び複素環式芳香族環、及びこれらの組み合わせを有することができる。縮合環系は、２個、３個、又はそれより多くの（例えば４個、５個、６個、７個、又は８個）環を有する。縮合環系における環の結合様式に応じて、オルト縮合（すなわち、各環が、隣接する各環と少なくとも１個の端部又は２個の原子を共有する）と、ペリ縮合（炭素原子が２個より多い環に属する）が区別される。好ましい縮合環系は、オルト縮合環系である。
【００６９】
特別な態様において、本発明による化合物は、式（Ｉ）の化合物であって、式中、
Ｘ1及びＸ2は相互に独立して、Ｏ、及びＣ（ＣＮ）2から選択され、
Ｒ1、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ3a、及びＲ3bは相互に独立して、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ヒドロキシ、メルカプト、ＮＥ1Ｅ2、ここでＥ1及びＥ2はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、及びアリールから選択され、
それぞれの場合において非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、及び（ジアリール）アミノから選択され、
Ａは、一般式（ＩＩ．１）、（ＩＩ．２）、（ＩＩ．３）、（ＩＩ．４）、（ＩＩ．５）、及び（ＩＩ．６）の群：
【化１２−１】
2017512755.tif 000014
【化１２−２】
2017512755.tif 000015
から選択され、
前記式中、
＃は、それぞれの場合において、シクラジン骨格に対する結合箇所を示し、
式（ＩＩ．１）、（ＩＩ．２）、（ＩＩ．３）、（ＩＩ．４）において、
Ｒ4a、Ｒ4b、Ｒ5a、Ｒ5b、及び存在する場合にはＲ6a、Ｒ6b、Ｒ6c、及びＲ6dは相互に独立して、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ヒドロキシ、メルカプト、ホルミル、アシル、カルボキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、スルホ、スルホネート、スルホアミノ、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、ＮＥ1Ｅ2、ここでＥ1及びＥ2はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、及びアリールから選択され、
それぞれの場合において非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、及び（ジアリール）アミノから選択され、
式（ＩＩ．５）におけるｍは、１、２、３、又は４であり、
式（ＩＩ．５）及び（ＩＩ．６）において、
Ｘ3及びＸ4は相互に独立して、Ｏ、及びＣ（ＣＮ）2から選択され、
Ｒ7a、Ｒ7b、Ｒ8a、Ｒ8b、Ｒ9、及び存在する場合にはＲm1、Ｒm2、Ｒm3、及びＲm4はそれぞれ、相互に独立して、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ヒドロキシ、メルカプト、ＮＥ1Ｅ2、ここでＥ1及びＥ2はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、及びアリールから選択され、
それぞれの場合において非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、及び（ジアリール）アミノから選択され、
Ｒ10a、Ｒ10bは存在する場合には相互に独立して、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ヒドロキシ、メルカプト、ホルミル、アシル、カルボキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、スルホ、スルホネート、スルホアミノ、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、ＮＥ1Ｅ2、ここでＥ1及びＥ2はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、及びアリールから選択され、
それぞれの場合において非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、及び（ジアリール）アミノから選択される。
【００７０】
態様１の群
基Ａは好ましくは、一般式（ＩＩ．１）、（ＩＩ．２）、（ＩＩ．３）、及び（ＩＩ．４）の群：
【化１３】
2017512755.tif 000016
から選択され、
前記式中、
＃は、それぞれの場合において、シクラジン骨格に対する結合箇所を示し、
Ｒ4a、Ｒ4b、Ｒ5a、Ｒ5b、及び存在する場合にはＲ6a、Ｒ6b、Ｒ6c、及びＲ6dは相互に独立して、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ヒドロキシ、メルカプト、ニトロ、シアナト、チオシアナト、ホルミル、アシル、カルボキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、アルキルアミノカルボニル、ジアルキルアミノカルボニル、スルホ、スルホネート、スルホアミノ、スルファモイル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アミジノ、ＮＥ1Ｅ2、ここでＥ1及びＥ2はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールから選択され、
それぞれの場合において非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ、（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、（ジアリール）アミノ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、（モノヘタリール）アミノ、及び（ジヘタリール）アミノから選択される。
【００７１】
基Ａはより好ましくは、一般式（ＩＩ．１）、及び（ＩＩ．２）の群から選択される。この場合、一般式（Ｉ）の化合物は特に、式（Ｉ．Ａ）の化合物（すなわちＡが式（ＩＩ．１）の基である式（Ｉ）の化合物）、及び式（Ｉ．Ｂ）の化合物（すなわちＡが式（ＩＩ．２）の基である式（Ｉ）の化合物）から選択される。
【００７２】
基Ａが一般式（ＩＩ．１）、（ＩＩ．２）、（ＩＩ．３）、及び（ＩＩ．４）の基から選択される一般式（Ｉ）の化合物、式（Ｉ．Ａ）の化合物、及び式（Ｉ．Ｂ）の化合物は、以下で「態様１の群」とも呼ぶ。態様１の群に関する置換基及び変項の全ての定義は、適用可能な場合には、同様に、基Ａが一般式（ＩＩ．１）、（ＩＩ．２）、（ＩＩ．３）、及び（ＩＩ．４）の群から選択される一般式（Ｉ）の化合物、式（Ｉ．Ａ）の化合物、及び式（Ｉ．Ｂ）の化合物を参照されたい。
【００７３】
態様１の群に従った式（Ｉ）の化合物において、基Ｒ2a及び2bは同じ定義を有するか、又は異なる定義を有する。基Ｒ2a及びＲ2bは好ましくは、同じ定義を有する。態様１の群に従った式（Ｉ）の化合物において、基Ｒ3a及びＲ3bは同じ定義を有するか、又は異なる定義を有する。基Ｒ3a及びＲ3bは好ましくは、同じ定義を有する。態様１の群に従った式（Ｉ）の化合物において、基Ｒ4a及びＲ4bは同じ定義を有するか、又は異なる定義を有する。基Ｒ4a及びＲ4bは好ましくは、同じ定義を有する。態様１の群に従った式（Ｉ）の化合物において、基Ｒ5a及びＲ5bは同じ定義を有するか、又は異なる定義を有する。基Ｒ5a及び5bは好ましくは、同じ定義を有する。態様１の群に従った式（Ｉ）の化合物において、基Ｒ6a及びＲ6bは同じ定義を有するか、又は異なる定義を有する。基Ｒ6a及びＲ6bは好ましくは、同じ定義を有する。
【００７４】
特別な態様において基Ａは、Ｒ4a、Ｒ4b、Ｒ5a、及びＲ5bが全て水素である一般式（ＩＩ．１）の基である。
【００７５】
さらなる特別な態様において基Ａは、Ｒ4a、Ｒ4b、Ｒ5a、Ｒ5b、Ｒ6a、及びＲ6bが全て水素である一般式（ＩＩ．２）の基である。
【００７６】
態様１の群において好ましくは、Ｘ1及びＸ2が、同じ意味を有する。
【００７７】
好ましくは、基Ｒ1、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ3a、Ｒ3b、Ｒ4a、Ｒ4b、Ｒ5a、Ｒ5b、及び存在する場合にはＲ6a、Ｒ6b、Ｒ6c、及びＲ6dはそれぞれ、相互に独立して、水素、直鎖状Ｃ1〜Ｃ30アルキル、分枝鎖状Ｃ3〜Ｃ30アルキル、ペルフルオロＣ1〜Ｃ30アルキル、１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロＣ2〜Ｃ30アルキル、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロＣ3〜Ｃ30アルキル、式Ｇ．１の基、式Ｇ．２の基、及び式Ｇ．３の基：
【化１４】
2017512755.tif 000017
から選択され、
前記式中、
＃は、分子の残部に対する結合箇所を表し、
Ｂは、存在する場合には、Ｏ、Ｓ、及びＣ1〜Ｃ10アルキレン基から選択され、該アルキレン基は−Ｏ−及び−Ｓ−から選択される１個以上の隣接しない基によって中断されていてよく、
ｙは０、又は１であり、
Ｒhは相互に独立して、Ｃ1〜Ｃ30アルキル、Ｃ1〜Ｃ30フルオロアルキル、フッ素、塩素、臭素、ＮＥ3Ｅ4、ニトロ、及びシアノから選択され、ここでＥ3及びＥ4は相互に独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールから選択され、
Ｒiは相互に独立して、Ｃ1〜Ｃ30アルキルから選択され、
式Ｇ．２及びＧ．３におけるｘは、１、２、３、４、又は５である。
【００７８】
Ｂが存在する場合、すなわちｙが１であれば、変項Ｂは好ましくは、Ｏ、又はＣ1〜Ｃ10アルキレン基である。
【００７９】
現れるかどうかに拘わらず、Ｒhは好ましくは、Ｃ1〜Ｃ30アルキルから選択される。
【００８０】
現れるかどうかに拘わらず、Ｒiは好ましくは、Ｃ1〜Ｃ30アルキルから選択される。
【００８１】
好ましい態様において、基Ｒ1、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ3a、Ｒ3b、Ｒ4a、Ｒ4b、Ｒ5a、Ｒ5b、及び存在する場合には、Ｒ6a、Ｒ6b、Ｒ6c、及びＲ6dのうち少なくとも１個は、直鎖状Ｃ1〜Ｃ30アルキル基である。好ましい直鎖状アルキル基は、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシル、ｎ−ドデシル、ｎ−トリデシル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ヘキサデシル、ｎ−オクタデシル、及びｎ−エイコシルである。
【００８２】
特別な態様において、Ｒ1は直鎖状のＣ1〜Ｃ30アルキル基である。この特別な態様によれば、Ｒ1は好ましくは、直鎖状Ｃ1〜Ｃ10アルキルである。この態様によれば、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ3a、Ｒ3b、Ｒ4a、Ｒ4b、Ｒ5a、Ｒ5b、及び存在する場合にはＲ6a、Ｒ6b、Ｒ6c、及びＲ6dは好ましくは、全て水素である。この態様によれば、同様にＲ2a、Ｒ2b、Ｒ3a、及びＲ3bは好ましくは、全て水素であり、基Ｒ4a、Ｒ4b、Ｒ5a、Ｒ5b、及び存在する場合にはＲ6a、Ｒ6b、Ｒ6c、及びＲ6dのうち少なくとも１個は、フッ素、塩素、シアノ、Ｃ1〜Ｃ10アルキル、及びアリールから選択され、該アリールは非置換であるか、又は１個、２個、若しくは３個のＣ1〜Ｃ10アルキル基を有し、その他の基Ｒ4a、Ｒ4b、Ｒ5a、Ｒ5b、及び存在する場合にはＲ6a、Ｒ6b、Ｒ6c、及びＲ6dは全て水素である。
【００８３】
好ましい態様において、Ｒ1、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ3a、Ｒ3b、Ｒ4a、Ｒ4b、Ｒ5a、Ｒ5b、及び存在する場合には、Ｒ6a、Ｒ6b、Ｒ6c、及びＲ6dのうち少なくとも１個は、分枝鎖状Ｃ3〜Ｃ30アルキル基である。
【００８４】
特別な態様において、Ｒ1は分枝鎖状のＣ3〜Ｃ30アルキル基である。この態様によれば好ましくは、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ3a、Ｒ3b、Ｒ4a、Ｒ4b、Ｒ5a、Ｒ5b、及び存在する場合にはＲ6a、Ｒ6b、Ｒ6c、及びＲ6dは全て、水素である。この態様によれば、同様にＲ2a、Ｒ2b、Ｒ3a、Ｒ3bは好ましくは、全て水素であり、Ｒ4a、Ｒ4b、Ｒ5a、Ｒ5b、及び存在する場合にはＲ6a、Ｒ6b、Ｒ6c、及びＲ6dのうち少なくとも１個は、フッ素、塩素、シアノ、Ｃ1〜Ｃ10アルキル、及びアリールから選択され、該アリールは非置換であるか、又は１個、２個、若しくは３個のＣ1〜Ｃ10アルキル基を有し、その他の基Ｒ4a、Ｒ4b、Ｒ5a、Ｒ5b、及び存在する場合にはＲ6a、Ｒ6b、Ｒ6c、及びＲ6dは全て水素である。
【００８５】
基Ｒ1、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ3a、Ｒ3b、Ｒ4a、Ｒ4b、Ｒ5a、Ｒ5b、及び存在する場合にはＲ6a、Ｒ6b、Ｒ6c、及びＲ6dのうち少なくとも１個は、一般式（ＩＩＩ．１）及び（ＩＩＩ．２）の基：
【化１５】
2017512755.tif 000018
から選択され、
前記式中、
＃は結合箇所であり、
式（ＩＩＩ．１）においてＲd、及びＲeは独立して、Ｃ1〜Ｃ28アルキルから選択され、ここで基Ｒd及びＲeの炭素原子の合計は、２〜２９の整数であり、
式（ＩＩＩ．２）においてＲd、Ｒe、及びＲfは独立して、Ｃ1〜Ｃ27アルキルから選択され、ここで基Ｒd、Ｒe、及びＲfの炭素原子の合計は、３〜２９の整数である。
【００８６】
化合物（Ｉ）の好ましい態様において、基Ｒ1は、式（ＩＩＩ．１）又は（ＩＩＩ．２）の基である。この態様によれば好ましくは、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ3a、Ｒ3b、Ｒ4a、Ｒ4b、Ｒ5a、Ｒ5b、及び存在する場合にはＲ6a、Ｒ6b、Ｒ6c、及びＲ6dは全て、水素である。
【００８７】
式（ＩＩＩ．１）及び（ＩＩＩ．２）において好ましくは、基Ｒd、Ｒe、及びＲfが独立して、Ｃ1〜Ｃ12アルキルから、特にＣ1〜Ｃ8アルキルから選択される。
【００８８】
式（ＩＩＩ．１）の基は好ましくは、以下のものである：
１−エチルプロピル、１−メチルプロピル、１−プロピルブチル、１−エチルブチル、１−メチルブチル、１−ブチルペンチル、１−プロピルペンチル、１−エチルペンチル、１−メチルペンチル、１−ペンチルヘキシル、１−ブチルヘキシル、１−プロピルヘキシル、１−エチルヘキシル、１−メチルヘキシル、１−ヘキシルヘプチル、１−ペンチルヘプチル、１−ブチルヘプチル、１−プロピルヘプチル、１−エチルヘプチル、１−メチルヘプチル、１−ヘプチルオクチル、１−ヘキシルオクチル、１−ペンチルオクチル、１−ブチルオクチル、１−プロピルオクチル、１−エチルオクチル、１−メチルオクチル、１−オクチルノニル、１−ヘプチルノニル、１−ヘキシルノニル、１−ペンチルノニル、１−ブチルノニル、１−プロピルノニル、１−エチルノニル、１−メチルノニル、１−ノニルデシル、１−オクチルデシル、１−ヘプチルデシル、１−ヘキシルデシル、１−ペンチルデシル、１−ブチルデシル、１−プロピルデシル、１−エチルデシル、１−メチルデシル、１−デシルウンデシル、１−ノニルウンデシル、１−オクチルウンデシル、１−ヘプチルウンデシル、１−ヘキシルウンデシル、１−ペンチルウンデシル、１−ブチルウンデシル、１−プロピルウンデシル、１−エチルウンデシル、１−メチルウンデシル、１−ウンデシルドデシル、１−デシルドデシル、１−ノニルドデシル、１−オクチルドデシル、１−ヘプチルドデシル、１−ヘキシルドデシル、１−ペンチルドデシル、１−ブチルドデシル、１−プロピルドデシル、１−エチルドデシル、１−メチルドデシル、１−ドデシルトリデシル、１−ウンデシルトリデシル、１−デシルトリデシル、１−ノニルトリデシル、１−オクチルトリデシル、１−ヘプチルトリデシル、１−ヘキシルトリデシル、１−ペンチルトリデシル、１−ブチルトリデシル、１−プロピルトリデシル、１−エチルトリデシル、１−メチルトリデシル、１−トリデシルテトラデシル、１−ウンデシルテトラデシル、１−デシルテトラデシル、１−ノニルテトラデシル、１−オクチルテトラデシル、１−ヘプチルテトラデシル、１−ヘキシルテトラデシル、１−ペンチルテトラデシル、１−ブチルテトラデシル、１−プロピルテトラデシル、１−エチルテトラデシル、１−メチルテトラデシル、１−ペンタデシルヘキサデシル、１−テトラデシルヘキサデシル、１−トリデシルヘキサデシル、１−ドデシルヘキサデシル、１−ウンデシルヘキサデシル、１−デシルヘキサデシル、１−ノニルヘキサデシル、１−オクチルヘキサデシル、１−ヘプチルヘキサデシル、１−ヘキシルヘキサデシル、１−ペンチルヘキサデシル、１−ブチルヘキサデシル、１−プロピルヘキサデシル、１−エチルヘキサデシル、１−メチルヘキサデシル、１−ヘキサデシルオクタデシル、１−ペンタデシルオクタデシル、１−テトラデシルオクタデシル、１−トリデシルオクタデシル、１−ドデシルオクタデシル、１−ウンデシルオクタデシル、１−デシルオクタデシル、１−ノニルオクタデシル、１−オクチルオクタデシル、１−ヘプチルオクタデシル、１−ヘキシルオクタデシル、１−ペンチルオクタデシル、１−ブチルオクタデシル、１−プロピルオクタデシル、１−エチルオクタデシル、１−メチルオクタデシル、１−ノナデシルエイコサニル、１−オクタデシルエイコサニル、１−ヘプタデシルエイコサニル、１−ヘキサデシルエイコサニル、１−ペンタデシルエイコサニル、１−テトラデシルエイコサニル、１−トリデシルエイコサニル、１−ドデシルエイコサニル、１−ウンデシルエイコサニル、１−デシルエイコサニル、１−ノニルエイコサニル、１−オクチルエイコサニル、１−ヘプチルエイコサニル、１−ヘキシルエイコサニル、１−ペンチルエイコサニル、１−ブチルエイコサニル、１−プロピルエイコサニル、１−エチルエイコサニル、１−メチルエイコサニル、１−エイコサニルドコサニル、１−ノナデシルドコサニル、１−オクタデシルドコサニル、１−ヘプタデシルドコサニル、１−ヘキサデシルドコサニル、１−ペンタデシルドコサニル、１−テトラデシルドコサニル、１−トリデシルドコサニル、１−ウンデシルドコサニル、１−デシルドコサニル、１−ノニルドコサニル、１−オクチルドコサニル、１−ヘプチルドコサニル、１−ヘキシルドコサニル、１−ペンチルドコサニル、１−ブチルドコサニル、１−プロピルドコサニル、１−エチルドコサニル、１−メチルドコサニル、１−トリコサニルテトラコサニル、１−ドコサニルテトラコサニル、１−ノナデシルテトラコサニル、１−オクタデシルテトラコサニル、１−ヘプタデシルテトラコサニル、１−ヘキサデシルテトラコサニル、１−ペンタデシルテトラコサニル、１−ペンタデシルテトラコサニル、１−テトラデシルテトラコサニル、１−トリデシルテトラコサニル、１−ドデシルテトラコサニル、１−ウンデシルテトラコサニル、１−デシルテトラコサニル、１−ノニルテトラコサニル、１−オクチルテトラコサニル、１−ヘプチルテトラコサニル、１−ヘキシルテトラコサニル、１−ペンチルテトラコサニル、１−ブチルテトラコサニル、１−プロピルテトラコサニル、１−エチルテトラコサニル、１−メチルテトラコサニル、１−ヘプタコサニルオクタコサニル、１−ヘキサコサニルオクタコサニル、１−ペンタコサニルオクタコサニル、１−テトラコサニルオクタコサニル、１−トリコサニルオクタコサニル、１−ドコサニルオクタコサニル、１−ノナデシルオクタコサニル、１−オクタデシルオクタコサニル、１−ヘプタデシルオクタコサニル、１−ヘキサデシルオクタコサニル、１−ヘキサデシルオクタコサニル、１−ペンタデシルオクタコサニル、１−テトラデシルオクタコサニル、１−トリデシルオクタコサニル、１−ドデシルオクタコサニル、１−ウンデシルオクタコサニル、１−デシルオクタコサニル、１−ノニルオクタコサニル、１−オクチルオクタコサニル、１−ヘプチルオクタコサニル、１−ヘキシルオクタコサニル、１−ペンチルオクタコサニル、１−ブチルオクタコサニル、１−プロピルオクタコサニル、１−エチルオクタコサニル、１−メチルオクタコサニル。
【００８９】
式（ＩＩＩ．１）の基は特に好ましくは、以下のものである：
１−メチルエチル、１−メチルプロピル、１−メチルブチル、１−メチルペンチル、１−メチルヘキシル、１−メチルヘプチル、１−メチルオクチル、１−エチルプロピル、１−エチルブチル、１−エチルペンチル、１−エチルヘキシル、１−エチルヘプチル、１−エチルオクチル、１−プロピルブチル、１−プロピルペンチル、１−プロピルヘキシル、１−プロピルヘプチル、１−プロピルオクチル、１−ブチルペンチル、１−ブチルヘキシル、１−ブチルヘプチル、１−ブチルオクチル、１−ペンチルヘキシル、１−ペンチルヘプチル、１−ペンチルオクチル、１−ヘキシルヘプチル、１−ヘキシルオクチル、１−ヘプチルオクチル。
【００９０】
式（ＩＩＩ．２）の特に好ましい基は、ｔｅｒｔ−ブチルである。
【００９１】
基Ｒ1、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ3a、Ｒ3b、Ｒ4a、Ｒ4b、Ｒ5a、Ｒ5b、及び存在する場合にはＲ6a、Ｒ6b、Ｒ6c、及びＲ6dのうち少なくとも１個は好ましくは、ペルフルオロ−Ｃ1〜Ｃ30−アルキル、１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ2〜Ｃ30アルキル、又は１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ3〜Ｃ30アルキルから選択される。
【００９２】
化合物（Ｉ）の好ましい態様において基Ｒ1は、ペルフルオロＣ1〜Ｃ30アルキル、１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ2〜Ｃ30アルキル、又は１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ3〜Ｃ30−アルキルから選択される。この態様によれば好ましくは、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ3a、Ｒ3b、Ｒ4a、Ｒ4b、Ｒ5a、Ｒ5b、及び存在する場合にはＲ6a、Ｒ6b、Ｒ6c、及びＲ6dは全て、水素である。
【００９３】
別の好ましい態様において、基Ｒ4a、Ｒ4b、Ｒ5a、Ｒ5b、及び存在する場合にはＲ6a、Ｒ6b、Ｒ6c、及びＲ6dのうち少なくとも１個は、フッ素、塩素、シアノ、Ｃ1〜Ｃ10アルキル、又はアリールから選択され、該アリールは非置換であるか、又は１個、２個、又は３個のＣ1〜Ｃ10アルキル基を有する。
【００９４】
好ましい態様において、基Ｒ1、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ3a、Ｒ3b、Ｒ4a、Ｒ4b、Ｒ5a、Ｒ5b、及び存在する場合には、Ｒ6a、Ｒ6b、Ｒ6c、及びＲ6dのうち少なくとも１個は以下のものから選択される：
ＣＦ3、Ｃ2Ｆ5、ｎ−Ｃ2Ｆ7、ｎ−Ｃ4Ｆ9、ｎ−Ｃ5Ｆ11、ｎ−Ｃ6Ｆ13、ＣＦ（ＣＦ3）2、Ｃ（ＣＦ3）3、ＣＦ2ＣＦ（ＣＦ3）2、ＣＦ（ＣＦ3）（Ｃ2Ｆ5）、ＣＨ2−ＣＦ3、ＣＨ2−Ｃ2Ｆ5、ＣＨ2−（ｎ−Ｃ3Ｆ7）、ＣＨ2−（ｎ−Ｃ4Ｆ9）、ＣＨ2−（ｎ−Ｃ5Ｆ11）、ＣＨ2−（ｎ−Ｃ6Ｆ13）、ＣＨ2−ＣＦ（ＣＦ3）2、ＣＨ2−Ｃ（ＣＦ3）3、ＣＨ2−ＣＦ2ＣＦ（ＣＦ3）2、ＣＨ2−ＣＦ（ＣＦ3）（Ｃ2Ｆ5）、ＣＨ2−ＣＨ2−ＣＦ3、ＣＨ2−ＣＨ2−Ｃ2Ｆ5、ＣＨ2−ＣＨ2−（ｎ−Ｃ3Ｆ7）、ＣＨ2−ＣＨ2−（ｎ−Ｃ4Ｆ9）、ＣＨ2−ＣＨ2−（ｎ−Ｃ5Ｆ11）、ＣＨ2−ＣＨ2−（ｎ−Ｃ6Ｆ13）、ＣＨ2−ＣＨ2−ＣＦ（ＣＦ3）2、ＣＨ2−ＣＨ2−Ｃ（ＣＦ3）3、ＣＨ2−ＣＨ2−ＣＦ2ＣＦ（ＣＦ３）2、及びＣＨ2−ＣＨ2−ＣＦ（ＣＦ3）（Ｃ2Ｆ5）。式（Ｉ）の化合物の特に好ましい態様において基Ｒ1は、上記基から選択される。特により好ましい態様において、Ｒ1は水素、直鎖状Ｃ1〜Ｃ10アルキル、又は分枝鎖状のＣ3〜Ｃ20アルキルである。この態様によれば好ましくは、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ3a、Ｒ3b、Ｒ4a、Ｒ4b、Ｒ5a、Ｒ5b、及び存在する場合にはＲ6a、Ｒ6b、Ｒ6c、及びＲ6dは全て、水素である。
【００９５】
特に好ましい化合物（Ｉ）のうち幾つかを、以下に示す：
【化１６−１】
2017512755.tif 000019
【化１６−２】
2017512755.tif 000020
【化１６−３】
2017512755.tif 000021
【化１６−４】
2017512755.tif 000022
【化１６−５】
2017512755.tif 000023
【００９６】
態様２の群
基Ａが一般式（ＩＩ．５）の基：
【化１７】
2017512755.tif 000024
から選択されている一般式（Ｉ）の化合物もまた好ましく、
前記式中、
＃は、それぞれの場合において、シクラジン骨格に対する結合箇所を示し、
ｍは、１、２、３、又は４であり、
Ｘ3及びＸ4は相互に独立して、Ｏ、及びＣ（ＣＮ）2から選択され、
Ｒ7a、Ｒ7b、Ｒ8a、Ｒ8b、Ｒ9、及びＲm1、Ｒm2、Ｒm3、及びＲm4はそれぞれ、相互に独立して、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ヒドロキシ、メルカプト、ニトロ、シアナト、チオシアナト、ホルミル、アシル、カルボキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、アルキルアミノカルボニル、ジアルキルアミノカルボニル、スルホ、スルホネート、スルホアミノ、スルファモイル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アミジノ、ＮＥ1Ｅ2、ここでＥ1及びＥ2はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールから選択され、
それぞれの場合において非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ、（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、（ジアリール）アミノ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、（モノヘタリール）アミノ、及び（ジヘタリール）アミノから選択される。
【００９７】
基Ａが一般式（ＩＩ．５）の基から選択される一般式（Ｉ）の化合物はまた、式（Ｉ．Ｃ）の化合物のことも指し、特に式（Ｉ．Ｃａ）の化合物から選択される。式（Ｉ．Ｃ）の化合物、及び式（Ｉ．Ｃａ）の化合物は、以下で「態様２の群」とも言う。
【００９８】
態様２の群に従った式（Ｉ）の化合物において、基Ｒ1及びＲ9は同じ定義を有するか、又は異なる定義を有する。好ましい態様において基Ｒ1及びＲ9は、同じ定義を有する。態様２の群に従った式（Ｉ）の化合物において、基Ｒ2a及びＲ2bは同じ定義を有するか、又は異なる定義を有する。好ましい態様において基Ｒ2a及びＲ2bは、同じ定義を有する。式（Ｉ）の化合物において、基Ｒ3a及び3bは同じ定義を有するか、又は異なる定義を有する。好ましい態様において基Ｒ3a及びＲ3bは、同じ定義を有する。式（Ｉ）の化合物において、基Ｒ7a及びＲ7bは同じ定義を有するか、又は異なる定義を有する。好ましい態様において基Ｒ7a及びＲ7bは、同じ定義を有する。式（Ｉ）の化合物において、基Ｒ8a及びＲ8bは同じ定義を有するか、又は異なる定義を有する。好ましい態様において基Ｒ8a及びＲ8bは、同じ定義を有する。
【００９９】
態様２の群において好ましくは、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、及びＸ4が、全てＯ、又は全てＣ（ＣＮ）2である。
【０１００】
態様２の群において、Ｒ1は好ましくは、態様１の群について前述の好ましい意味のいずれかを有する。
【０１０１】
態様２の群において、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ3a、及びＲ3bは好ましくは、態様１の群について前述の好ましい意味のいずれかを有する。特にＲ2a、Ｒ2b、Ｒ3a、及びＲ3bは、それぞれ水素である。
【０１０２】
態様２の群において好ましくは、基Ｒ1、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ3a、Ｒ3b、Ｒ7a、Ｒ7b、Ｒ8a、Ｒ8b、Ｒ9、及びＲm1、Ｒm2、Ｒm3、及びＲm4はそれぞれ、相互に独立して、水素、塩素、臭素、直鎖状Ｃ1〜Ｃ30アルキル、分枝鎖状Ｃ3〜Ｃ30アルキル、ペルフルオロＣ1〜Ｃ30アルキル、１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロＣ2〜Ｃ30アルキル、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロＣ3〜Ｃ30アルキル、式Ｇ．１の基、式Ｇ．２の基、及び式Ｇ．３の基：
【化１８】
2017512755.tif 000025
から選択され、
前記式中、
＃は、分子の残部に対する結合箇所を表し、
Ｂは、存在する場合には、Ｏ、Ｓ、及びＣ1〜Ｃ10アルキレン基から選択され、該アルキレン基はＯ及びＳから選択される１個以上の隣接しない基によって中断されていてよく、
ｙは０、又は１であり、
Ｒhは相互に独立して、Ｃ1〜Ｃ30アルキル、ＣＯＯＨ基を有するＣ1〜Ｃ30アルキル、Ｃ1〜Ｃ30フルオロアルキル、フッ素、塩素、臭素、ＳＯ3Ｈ、ＮＥ3Ｅ4、ニトロ、及びシアノから選択され、ここでＥ3及びＥ4は相互に独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールであり、
Ｒiは相互に独立して、Ｃ1〜Ｃ30アルキルから選択され、
式Ｇ．２及びＧ．３におけるｘは、１、２、３、４、又は５である。
【０１０３】
態様２の群において、基Ｒ1及びＲ9は好ましくは、相互に独立して、水素、塩素、臭素、Ｃ1〜Ｃ30アルキル、及びＣ1〜Ｃ30ハロアルキルから選択される。
【０１０４】
特にＲ1及びＲ9は、以下のものから選択される：
・水素、
・塩素、臭素、
・直鎖状Ｃ1〜Ｃ30アルキル、
・分枝鎖状Ｃ3〜Ｃ30アルキル、
・ペルフルオロ−Ｃ1〜Ｃ30アルキル、
・１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ2〜Ｃ30アルキル、及び
・１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ3〜Ｃ30アルキル。
【０１０５】
特にＲ1及びＲ9は、以下のものから選択される：
・水素、
・塩素、臭素、
・メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシル、ｎ−ドデシル、ｎ−トリデシル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ヘキサデシル、ｎ−オクタデシル、ｎ−エイコシル、・一般式（ＩＩＩ．１）及び（ＩＩＩ．２）の基：
【化１９】
2017512755.tif 000026
から選択される分枝鎖状Ｃ3〜Ｃ30アルキル、
上記式中、＃は、分子の残部に対する結合箇所であり、式（ＩＩＩ．１）においてＲd及びＲeは独立して、Ｃ1〜Ｃ28アルキルから選択され、ここで基Ｒd及びＲeの炭素原子の合計は、２〜２９の整数であり、式（ＩＩＩ．２）においてＲd、Ｒe、及びＲfは独立して、Ｃ1〜Ｃ27アルキルから選択され、ここで基Ｒd、Ｒe、及びＲfの炭素原子の合計は、３〜２９の整数であり、
・ＣＦ3、Ｃ2Ｆ5、ｎ−Ｃ3Ｆ7、ｎ−Ｃ4Ｆ9、ｎ−Ｃ5Ｆ11、ｎ−Ｃ6Ｆ13、ＣＦ（ＣＦ3）2、Ｃ（ＣＦ3）3、ＣＦ2ＣＦ（ＣＦ3）2、ＣＦ（ＣＦ3）（Ｃ2Ｆ5）、
・ＣＨ2−ＣＦ3、ＣＨ2−Ｃ2Ｆ5、ＣＨ2−（ｎ−Ｃ3Ｆ7）、ＣＨ2−（ｎ−Ｃ4Ｆ9）、ＣＨ2−（ｎ−Ｃ5Ｆ11）、ＣＨ2−（ｎ−Ｃ6Ｆ13）、ＣＨ2−ＣＦ（ＣＦ3）2、ＣＨ2−Ｃ（ＣＦ3）3、ＣＨ2−ＣＦ2ＣＦ（ＣＦ3）2、ＣＨ2−ＣＦ（ＣＦ3）（Ｃ2Ｆ5）、
・ＣＨ2−ＣＨ2−ＣＦ3、ＣＨ2−ＣＨ2−Ｃ2Ｆ5、ＣＨ2−ＣＨ2−（ｎ−Ｃ3Ｆ7）、ＣＨ2−ＣＨ2−（ｎ−Ｃ4Ｆ9）、ＣＨ2−ＣＨ2−（ｎ−Ｃ5Ｆ11）、ＣＨ2−ＣＨ2−（ｎ−Ｃ6Ｆ13）、ＣＨ2−ＣＨ2−ＣＦ（ＣＦ3）2、ＣＨ2−ＣＨ2−Ｃ（ＣＦ3）3、ＣＨ2−ＣＨ2−ＣＦ2ＣＦ（ＣＦ3）2、及びＣＨ2−ＣＨ2−ＣＦ（ＣＦ3）（Ｃ2Ｆ5）。
【０１０６】
より好ましい態様において、基Ｒ1及びＲ9は相互に独立して、水素、塩素、臭素、式（ＩＩＩ．１）の基、又は式（ＩＩＩ．２）の基から選択される。式（ＩＩＩ．１）及び（ＩＩＩ．２）の文脈では、基Ｒd、Ｒe、及びＲfが独立して、Ｃ1〜Ｃ12アルキルから、特にＣ1〜Ｃ8アルキルから選択される。
【０１０７】
式（ＩＩＩ．１）の好ましい基の例は、以下のものである：
１−メチルエチル、１−メチルプロピル、１−メチルブチル、１−メチルペンチル、１−メチルヘキシル、１−メチルヘプチル、１−メチルオクチル、１−エチルプロピル、１−エチルブチル、１−エチルペンチル、１−エチルヘキシル、１−エチルヘプチル、１−エチルオクチル、１−プロピルブチル、１−プロピルペンチル、１−プロピルヘキシル、１−プロピルヘプチル、１−プロピルオクチル、１−ブチルペンチル、１−ブチルヘキシル、１−ブチルヘプチル、１−ブチルオクチル、１−ペンチルヘキシル、１−ペンチルヘプチル、１−ペンチルオクチル、１−ヘキシルヘプチル、１−ヘキシルオクチル、１−ヘプチルオクチル。
【０１０８】
式（ＩＩＩ．２）の特に好ましい基は、ｔｅｒｔ−ブチルである。
【０１０９】
より好ましくは、基Ｒ1及びＲ9は相互に独立して水素、塩素、臭素、直鎖状Ｃ1〜Ｃ10アルキル、及び分枝鎖状Ｃ3〜Ｃ10アルキルでから選択される。特に、基Ｒ1及びＲ9は同じ意味を有し、かつ水素、塩素、臭素、直鎖状Ｃ1〜Ｃ10アルキル、及び分枝鎖状Ｃ3〜Ｃ10アルキルである。特に好ましい分枝鎖状Ｃ3〜Ｃ10アルキル基は、イソプロピル、及びｔｅｒｔ−ブチルである。
【０１１０】
態様の群において特に、基Ｒ1及びＲ9は相互に独立して、塩素、又は分枝鎖状Ｃ3〜Ｃ10アルキルである。特に、基Ｒ1及びＲ9は同じ意味を有し、かつ相互に独立して水素、塩素、又は分枝鎖状Ｃ3〜Ｃ10アルキルである。特に好ましいＣ3〜Ｃ10アルキル基は、イソプロピル、及びｔｅｒｔ−ブチルである。
【０１１１】
態様２の群において、基Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ8a、及びＲ8bは、同じ定義、又は異なる定義を有することができる。基Ｒ2aとＲ2b、Ｒ8aとＲ8bは好ましくは、同じ定義を有する。特にＲ2a、Ｒ2b、Ｒ8a、及びＲ8bは、それぞれ水素である。
【０１１２】
態様２の群において、基Ｒ3a、Ｒ3b、Ｒ7a、及びＲ7bは、同じ定義、又は異なる定義を有することができる。Ｒ3aとＲ3b、Ｒ7aとＲ7bは好ましくは、同じ定義を有する。特にＲ3a、Ｒ3b、Ｒ7a、及びＲ7bは、それぞれ水素である。
【０１１３】
好ましくはＲm1、Ｒm2、Ｒm3、及びＲm4は相互に独立して、水素、Ｃ1〜Ｃ30アルコキシ、Ｃ1〜Ｃ30アルキルスルファニル、アリールオキシ、及びアリールチオから選択され、ここでアリールオキシ及びアリールチオは、非置換であるか、又はＳＯ3Ｈ、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ、及び非置換Ｃ1〜Ｃ10アルキル、若しくはＣＯＯＨで置換されたＣ1〜Ｃ10アルキルから選択される置換基を１個、２個、又は３個を有する。
【０１１４】
より好ましくは、Ｒm1、Ｒm2、Ｒm3、及びＲm4は相互に独立して、水素、Ｃ1〜Ｃ30アルコキシ、Ｃ1〜Ｃ30アルキルスルファニル、フェニルオキシ、及びフェニルチオから選択され、ここでフェニルオキシ及びフェニルチオは、非置換であるか、又はＳＯ3Ｈ、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ、Ｃ1〜Ｃ10アルキル、及びＣＯＯＨで置換されたＣ1〜Ｃ10アルキルから選択される置換基を１個、２個、又は３個を有する。
【０１１５】
最も好ましくは、Ｒm1、Ｒm2、Ｒm3、及びＲm4は相互に独立して、水素、フェノキシ、２，６−ジイソプロピルフェノキシ、２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ、４−ｔｅｒｔ−オクチルフェノキシ、４−スルホフェノキシ、及び４−（カルボキシメチル）フェノキシから選択される。
【０１１６】
態様２の群において好ましくは、変項ｍは１、２、又は３であり、より好ましくは１、又は２である。特に、ｍは２である。
【０１１７】
さらなる特定の態様によれば、ｍは１であり、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、及びＲ14は、先に規定の通りである。
【０１１８】
特別な態様によれば、ｍは１であり、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、及びＲ14は、水素、Ｃ1〜Ｃ30アルコキシ、Ｃ1〜Ｃ30アルキルスルファニル、フェニルオキシ、及びフェニルチオから選択され、ここでフェニルオキシ及びフェニルチオは、非置換であるか、又はＳＯ3Ｈ、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ、Ｃ1〜Ｃ10アルキル、及びＣＯＯＨで置換されたＣ1〜Ｃ10アルキルから選択される置換基を１個、２個、又は３個を有する。
【０１１９】
さらなる特定の態様によれば、ｍは２であり、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、及びＲ24は、先に規定の通りである。
【０１２０】
特別な態様によれば、ｍは２であり、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、及びＲ24は、水素、Ｃ1〜Ｃ30アルコキシ、Ｃ1〜Ｃ30アルキルスルファニル、フェニルオキシ、及びフェニルチオからなる群から選択され、ここでフェニルオキシ及びフェニルチオは、非置換であるか、又はＳＯ3Ｈ、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ、Ｃ1〜Ｃ10アルキル、及びＣＯＯＨで置換されたＣ1〜Ｃ10アルキルから選択される置換基を１個、２個、又は３個を有する。
【０１２１】
特に好ましくは、態様２の群において、ｍは２であり、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、及びＲ24はそれぞれ、水素である。
【０１２２】
同様に、ｍが２であり、基Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、及びＲ24のうち２個又は４個が、非置換フェニルオキシ、若しくはＳＯ3Ｈ、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ、非置換Ｃ1〜Ｃ10アルキル、若しくはＣＯＯＨで置換されたＣ1〜Ｃ10アルキルから選択される１個、２個、又は３個の置換基によって置換されたフェニルオキシから選択され、残りの基Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、及びＲ24がそれぞれ水素である、態様２の群が特に好ましい。
【０１２３】
特に、基Ｒ12、Ｒ14、Ｒ21、及びＲ23のうち２個又は４個が、非置換フェニルオキシ、若しくはＳＯ3Ｈ、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ、非置換Ｃ1〜Ｃ10アルキル、若しくはＣＯＯＨで置換されたＣ1〜Ｃ10アルキルから選択される１個、２個、又は３個の置換基によって置換されたフェニルオキシであり、残りの基Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、及びＲ28がそれぞれ水素である。
【０１２４】
態様の第２群の特に好ましい化合物のうち幾つかを、以下に示す：
【化２０−１】
2017512755.tif 000027
【化２０−２】
2017512755.tif 000028
【化２０−３】
2017512755.tif 000029
【化２０−４】
2017512755.tif 000030
【化２０−５】
2017512755.tif 000031
【化２０−６】
2017512755.tif 000032
【化２０−７】
2017512755.tif 000033
【化２０−８】
2017512755.tif 000034
【化２０−９】
2017512755.tif 000035
【化２０−１０】
2017512755.tif 000036
【化２０−１１】
2017512755.tif 000037
【化２０−１２】
2017512755.tif 000038
【化２０−１３】
2017512755.tif 000039
【化２０−１４】
2017512755.tif 000040
【０１２５】
態様３の群
基Ａが一般式（ＩＩ．６）の基：
【化２１】
2017512755.tif 000041
から選択されている一般式（Ｉ）の化合物もまた好ましく、
前記式中、
Ｘ3及びＸ4は相互に独立して、Ｏ、及びＣ（ＣＮ）2から選択され、
Ｒ7a、Ｒ7b、Ｒ8a、Ｒ8b、Ｒ9、及び存在する場合にはＲm1、Ｒm2、Ｒm3、及びＲm4はそれぞれ、相互に独立して、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ヒドロキシ、メルカプト、ニトロ、シアナト、チオシアナト、ホルミル、アシル、カルボキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、アルキルアミノカルボニル、ジアルキルアミノカルボニル、スルホ、スルホネート、スルホアミノ、スルファモイル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アミジノ、ＮＥ1Ｅ2、ここでＥ1及びＥ2はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、及びヘタリールから選択され、
それぞれの場合において非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ、（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、（ジアリール）アミノ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、（モノヘタリール）アミノ、及び（ジヘタリール）アミノから選択され、
Ｒ10a、及びＲ10bは存在する場合には、相互に独立して、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ヒドロキシ、メルカプト、ニトロ、シアナト、チオシアナト、ホルミル、アシル、カルボキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、アルキルアミノカルボニル、ジアルキルアミノカルボニル、スルホ、スルホネート、スルホアミノ、スルファモイル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アミジノ、ＮＥ1Ｅ2、ここでＥ1及びＥ2はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、及びヘタリールから選択され、
それぞれの場合において非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ、（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、（ジアリール）アミノ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、（モノヘタリール）アミノ、及び（ジヘタリール）アミノから選択される。
【０１２６】
基Ａが一般式（ＩＩ．６）の群から選択される一般式（Ｉ）の化合物は、以下、「態様３の群」とも言う。基Ａが式（ＩＩ．６）の基である一般式（Ｉ）の化合物は、式（Ｉ．Ｄ）の化合物とも言う。
【０１２７】
態様３の群に従った式（Ｉ）の化合物において、基Ｒ1及びＲ9は同じ定義を有するか、又は異なる定義を有する。好ましい態様において基Ｒ1及びＲ9は、同じ定義を有する。態様３の群に従った式（Ｉ）の化合物において、基Ｒ2a及びＲ2bは同じ定義を有するか、又は異なる定義を有する。好ましい態様において、基Ｒ2a及びＲ2bは、同じ定義を有する。態様３に従った式（Ｉ）の化合物において、基Ｒ3a及び3bは同じ定義を有するか、又は異なる定義を有する。好ましい態様において基Ｒ3a及びＲ3bは、同じ定義を有する。態様３に従った式（Ｉ）の化合物において、基Ｒ7a及びＲ7bは同じ定義を有するか、又は異なる定義を有する。好ましい態様において基Ｒ7a及びＲ7bは、同じ定義を有する。態様３の群に従った式（Ｉ）の化合物において、基Ｒ8a及びＲ8bは同じ定義を有するか、又は異なる定義を有する。好ましい態様において基Ｒ8a及びＲ8bは、同じ定義を有する。態様３に従った式（Ｉ）の化合物において、基Ｒ10a及びＲ10bは同じ定義を有するか、又は異なる定義を有する。好ましい態様において基Ｒ10a及びＲ10bは、同じ定義を有する。
【０１２８】
態様３の群において好ましくは、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、及びＸ4が、全てＯ、又は全てＣ（ＣＮ）2である。
【０１２９】
態様３の群において、Ｒ1は好ましくは、態様１の群について前述の好ましい意味のいずれかを有する。
【０１３０】
態様３の群において、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ3a、及びＲ3aは好ましくは、態様１の群について前述の好ましい意味のいずれかを有する。特にＲ2a、Ｒ2b、Ｒ3a、及びＲ3bは、それぞれ水素である。
【０１３１】
態様３の群において、Ｒ10a及びＲ10bは好ましくは、水素、フッ素、塩素、シアノ、Ｃ1〜Ｃ10アルキル、及び非置換のアリール、若しくはＣ1〜Ｃ10アルキル基を１個、２個、又は３個有するアリールから選択される。
【０１３２】
態様３の群において好ましくは、基Ｒ1、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ3a、Ｒ3b、Ｒ7a、Ｒ7b、Ｒ8a、Ｒ8b、及びＲ9は相互に独立して、水素、塩素、臭素、直鎖状Ｃ1〜Ｃ30アルキル、分枝鎖状Ｃ3〜Ｃ30アルキル、ペルフルオロＣ1〜Ｃ30アルキル、１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロＣ2〜Ｃ30アルキル、１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロＣ3〜Ｃ30アルキル、式Ｇ．１の基、式Ｇ．２の基、及び式Ｇ．３の基：
【化２２】
2017512755.tif 000042
から選択され、
前記式中、
＃は、分子の残部に対する結合箇所を表し、
Ｂは、存在する場合には、Ｏ、Ｓ、及びＣ1〜Ｃ10アルキレン基から選択され、該アルキレン基はＯ及びＳから選択される１個以上の隣接しない基によって中断されていてよく、
ｙは０、又は１であり、
Ｒhは相互に独立して、Ｃ1〜Ｃ30アルキル、Ｃ1〜Ｃ30フルオロアルキル、フッ素、塩素、臭素、ＮＥ3Ｅ4、ニトロ、及びシアノから選択され、ここでＥ3及びＥ4は相互に独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールであり、
Ｒiは相互に独立して、Ｃ1〜Ｃ30アルキルから選択され、
式Ｇ．２及びＧ．３におけるｘは、１、２、３、４、又は５である。
【０１３３】
態様３の群において、基Ｒ1及びＲ9は好ましくは、相互に独立して、水素、塩素、臭素、Ｃ1〜Ｃ30アルキル、及びＣ1〜Ｃ30ハロアルキルから選択される。
【０１３４】
特にＲ1及びＲ9は、以下のものから選択される：
・水素、
・塩素、臭素、
・直鎖状Ｃ1〜Ｃ30アルキル、
・分枝鎖状Ｃ3〜Ｃ30アルキル、
・ペルフルオロ−Ｃ1〜Ｃ30アルキル、
・１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ2〜Ｃ30アルキル、及び
・１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−ペルフルオロ−Ｃ3〜Ｃ30アルキル。
【０１３５】
特にＲ1及びＲ9は、以下のものから選択される：
・水素、
・塩素、臭素、
・メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、ｎ−デシル、ｎ−ウンデシル、ｎ−ドデシル、ｎ−トリデシル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ヘキサデシル、ｎ−オクタデシル、ｎ−エイコシル、・一般式（ＩＩＩ．１）及び（ＩＩＩ．２）の基：
【化２３】
2017512755.tif 000043
から選択される分枝鎖状Ｃ3〜Ｃ30アルキル、
前記式中、
＃は、分子の残部に対する結合箇所を表し、
式（ＩＩＩ．１）においてＲd、及びＲeは独立して、Ｃ1〜Ｃ28アルキルから選択され、ここで基Ｒd及びＲeの炭素原子の合計は、２〜２９の整数であり、
式（ＩＩＩ．２）においてＲd、Ｒe、及びＲfは独立して、Ｃ1〜Ｃ27アルキルから選択され、ここで基Ｒd、Ｒe、及びＲfの炭素原子の合計は、３〜２９の整数である、
・ＣＦ3、Ｃ2Ｆ5、ｎ−Ｃ3Ｆ7、ｎ−Ｃ4Ｆ9、ｎ−Ｃ5Ｆ11、ｎ−Ｃ6Ｆ13、ＣＦ（ＣＦ3）2、Ｃ（ＣＦ3）3、ＣＦ2ＣＦ（ＣＦ3）2、ＣＦ（ＣＦ3）（Ｃ2Ｆ5）、
・ＣＨ2−ＣＦ3、ＣＨ2−Ｃ2Ｆ5、ＣＨ2−（ｎ−Ｃ3Ｆ7）、ＣＨ2−（ｎ−Ｃ4Ｆ9）、ＣＨ2−（ｎ−Ｃ5Ｆ11）、ＣＨ2−（ｎ−Ｃ6Ｆ13）、ＣＨ2−ＣＦ（ＣＦ3）2、ＣＨ2−Ｃ（ＣＦ3）3、ＣＨ2−ＣＦ2ＣＦ（ＣＦ3）2、ＣＨ2−ＣＦ（ＣＦ3）（Ｃ2Ｆ5）、
・ＣＨ2−ＣＨ2−ＣＦ3、ＣＨ2−ＣＨ2−Ｃ2Ｆ5、ＣＨ2−ＣＨ2−（ｎ−Ｃ3Ｆ7）、ＣＨ2−ＣＨ2−（ｎ−Ｃ4Ｆ9）、ＣＨ2−ＣＨ2−（ｎ−Ｃ5Ｆ11）、ＣＨ2−ＣＨ2−（ｎ−Ｃ6Ｆ13）、ＣＨ2−ＣＨ2−ＣＦ（ＣＦ3）2、ＣＨ2−ＣＨ2−Ｃ（ＣＦ3）3、ＣＨ2−ＣＨ2−ＣＦ2ＣＦ（ＣＦ３）2、及びＣＨ2−ＣＨ2−ＣＦ（ＣＦ3）（Ｃ2Ｆ5）。
【０１３６】
より好ましい態様において、基Ｒ1及びＲ9は相互に独立して、水素、塩素、臭素、直鎖状Ｃ1〜Ｃ10アルキル、式（ＩＩＩ．１）の基、又は式（ＩＩＩ．２）の基から選択される。式（ＩＩＩ．１）及び（ＩＩＩ．２）の文脈では、基Ｒd、Ｒe、及びＲfが独立して、Ｃ1〜Ｃ12アルキルから、特にＣ1〜Ｃ8アルキルから選択される。
【０１３７】
式（ＩＩＩ．１）の基の例は好ましくは、以下のものである：
１−メチルエチル、１−メチルプロピル、１−メチルブチル、１−メチルペンチル、１−メチルヘキシル、１−メチルヘプチル、１−メチルオクチル、１−エチルプロピル、１−エチルブチル、１−エチルペンチル、１−エチルヘキシル、１−エチルヘプチル、１−エチルオクチル、１−プロピルブチル、１−プロピルペンチル、１−プロピルヘキシル、１−プロピルヘプチル、１−プロピルオクチル、１−ブチルペンチル、１−ブチルヘキシル、１−ブチルヘプチル、１−ブチルオクチル、１−ペンチルヘキシル、１−ペンチルヘプチル、１−ペンチルオクチル、１−ヘキシルヘプチル、１−ヘキシルオクチル、１−ヘプチルオクチル。
【０１３８】
式（ＩＩＩ．２）の特に好ましい基は、ｔｅｒｔ−ブチルである。
【０１３９】
より好ましくは、基Ｒ1及びＲ9は相互に独立して水素、塩素、臭素、直鎖状Ｃ1〜Ｃ10アルキル、及び分枝鎖状Ｃ3〜Ｃ10アルキルから選択される。特に、基Ｒ1及びＲ9は同じ意味を有し、かつ水素、塩素、臭素、直鎖状Ｃ1〜Ｃ10アルキル、及び分枝鎖状Ｃ3〜Ｃ10アルキルである。特に好ましい直鎖状Ｃ1〜Ｃ10アルキル基は、ｎ−プロピル、又はｎ−デシルである。特に好ましい分枝鎖状Ｃ3〜Ｃ10アルキル基は、イソプロピル、及びｔｅｒｔ−ブチルである。
【０１４０】
態様３の群において、基Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ8a、及びＲ8bは、同じ定義、又は異なる定義を有することができる。Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ8a、及びＲ8bは好ましくは、同じ定義を有する。特にＲ2a、Ｒ2b、Ｒ8a、及びＲ8bは、それぞれ水素である。
【０１４１】
態様３の群において、基Ｒ3a、Ｒ3b、Ｒ7a、及びＲ7bは、同じ定義、又は異なる定義を有することができる。Ｒ3a、Ｒ3b、Ｒ7a、及びＲ7bは好ましくは、同じ定義を有する。特にＲ3a、Ｒ3b、Ｒ7a、及びＲ7bは、それぞれ水素である。
【０１４２】
特別な態様において、Ｒ10a及びＲ10bはともに水素である。
【０１４３】
態様の第３群の特に好ましい化合物のうち幾つかを、以下に示す：
【化２４】
2017512755.tif 000044
【０１４４】
本発明のさらなる対象は、式Ｉ．Ａの化合物：
【化２５】
2017512755.tif 000045
の製造方法であり、
前記式中、
Ｘ1及びＸ2は相互に独立して、Ｏ、及びＣ（ＣＮ）2から選択され、
Ｒ1、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ4a、Ｒ4b、Ｒ5a、及びＲ5bは相互に独立して、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ヒドロキシ、メルカプト、ニトロ、シアナト、チオシアナト、ホルミル、アシル、カルボキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、アルキルアミノカルボニル、ジアルキルアミノカルボニル、スルホ、スルホネート、スルホアミノ、スルファモイル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アミジノ、ＮＥ1Ｅ2、ここでＥ1及びＥ2はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールから選択され、
それぞれの場合において非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ、（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、（ジアリール）アミノ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、（モノヘタリール）アミノ、及び（ジヘタリール）アミノから選択され、
前記製造方法は、
ｉ．ａ）無水フタル酸化合物（Ａ）、及び２，６−ジブロモアニリン化合物（Ｂ１）を反応させて、式（Ｃ）のイミド化合物を得る工程、
【化２６】
2017512755.tif 000046
ｉｉ．ａ）式（Ｃ）の化合物を、トリブチル（１−エトキシ−１−エテニル）−スタンナンとＰｄ触媒の存在下で反応させて、化合物（Ｄ）を得る工程、
【化２７】
2017512755.tif 000047
ｉｉｉ．ａ）式（Ｄ）の化合物を縮合反応に供して、化合物（Ｉ．Ａ１）を得る工程、
【化２８】
2017512755.tif 000048
ｉｖ．ａ）任意で、式（Ｉ．Ａ１）の化合物をマロノニトリルと反応させて、化合物（Ｉ．Ａ２）を得る工程
【化２９】
2017512755.tif 000049
【０１４５】
工程ｉ．ａ）
無水フタル酸、及び置換された無水フタル酸（Ａ）は、市販で手に入るか、又は公知の方法により合成できる。式Ｂ１の化合物、例えば２，６−ジブロモアニリン（CAS 608-30-0）、２，６−ジブロモ−４−メチルアニリン（CAS 6968-24-7）、２，６−ジブロモ−４−ｎ−プロピルアニリン（CAS 10546-64-2）、２，６−ジブロモ−４−イソプロピルアニリン（CAS 10546-65-3）、２，６−ジブロモ−４−ｔｅｒｔ−ブチルアニリン（＝２，６−ジブロモ−４−（１，１−ジメチルエチル）−ベンゼンアミン、CAS No. 10546-67-5）、及び２，６−ジブロモ−４−（トリフルオロメチル）アニリン（CAS 72678-19-4）も、すぐに手に入る。当業者に公知の方法によって、誘導体を合成することができる。フタルイミド（Ｃ）の合成は、無水フタル酸化合物（Ａ）を、第一級アミン（Ｂ１）により直接脱水素縮合することによって、行うことができる。
【０１４６】
工程ｉ．ａ）における反応のために好ましい溶媒は、酢酸である。
【０１４７】
工程ｉ．ａ）における反応温度は一般的に、５０〜２５０℃の範囲、好ましくは８０〜１５０℃の範囲にある。好ましい態様においてこの反応は、酢酸中、還流温度で、周囲圧力下に行う。
【０１４８】
工程ｉｉ．ａ）
工程ｉｉ．ａ）では式（Ｃ）の化合物を、トリブチル（１−エトキシ−１−エテニル）−スタンナンとＰｄ触媒の存在下、スティルカップリング反応で反応させる。
【０１４９】
トリブチル（１−エトキシ−１−エテニル）スタンナン（＝トリブチル（１−エトキシビニル）スズ）は、市販で手に入る（例えばSigma Aldrich社製）。
【０１５０】
カップリング反応は好ましくは、パラジウム触媒の存在下、スティルカップリング反応のためにそれ自体公知の反応条件で行う。適切な触媒は特に、パラジウム触媒であり、例えばＰｄ2（ｄｂａ）3／ＢＩＮＡＰ、Ｐｄ2（ｄｂａ）3／Ｔｏｌ−ＢＩＮＡＰ、Ｐｄ（ＯＡｃ）2、Ｐｄ2（ｄｂａ）3、Ｐｄ2（ｄｂａ）3／２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）−ビフェニル、Ｐｄ（ＯＡｃ）2／２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）−ビフェニル、Ｐｄ（ＯＡｃ）2／２−（ジ−ｔ−ブチル−ホスフィノ）−２’−メチルビフェニル、Ｐｄ（ｄｂａ）2／ＤＴＰＥ、Ｐｄ（ｄｂａ）2／ＤＰＰＦ、Ｐｄ（ＯＡｃ）2／キサントフォス、Ｐｄ（ＯＡｃ）2／ｎ−ブチルビス（１−アダマンチル）−ホスフィン、Ｐｄ（ｄｂａ）2／ｎ−ブチルビス（１−アダマンチル）−ホスフィン、Ｐｄ（ＯＡｃ）2／ＰＰｈ3、Ｐｄ（ＯＡｃ）2／（４−ＸＣ6Ｈ4）3Ｐ、Ｐｄ2（ｄｂａ）3／キサントフォス、Ｐｄ（ＯＡｃ）2／２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）−２’−メチルビフェニル、Ｐｄ（ＯＡｃ）2／ＤＰＰＰ、ＰｄＣｌ2（Ｐｈ3Ｐ）2、ＰｄＣｌ2−［（ｏ−Ｔｏｌ）3］2、Ｐｄ（Ｐｈ3Ｐ）4、Ｐｄ（ＯＡｃ）2／Ｐ（ｔ−Ｂｕ）3、Ｐｄ2（ｄｂａ）3／ＣＨＣｌ3／ＢＩＮＡＰ、及びこれらの組み合わせである。触媒の量は通常、使用するトリブチル（１−エトキシ−１−エテニル）スタンナンに対して１〜２０ｍｏｌ％、特に１．５〜５ｍｏｌ％である。
【０１５１】
工程ｉｉ．ａ）におけるプロセスは、各反応条件下で不活性である適切な溶媒中で行うことができる。一般的に適切な溶媒は例えば、芳香族化合物、例えばトルエン及びキシレン、炭化水素、若しくは炭化水素混合物、例えばシクロヘキサン、エーテル、例えばｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、１，４−ジオキサン、及びテトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、イオン性液体などである。特に好ましい溶媒は、ジオキサンである。
【０１５２】
反応温度は一般的に、２０〜１８０℃、好ましくは２０〜１２０℃である。
【０１５３】
工程ｉｉ．ａ）における反応は、不活性ガス（例えば窒素、アルゴンなど）の存在下で行うことができる。
【０１５４】
工程ｉｉｉ．ａ）
工程ｉｉｉ．ａ）におけるアルドール縮合は好ましくは、塩基の存在下で行う。この塩基は好ましくは、強度に立体障害性の基から選択する。適切な塩基は例えば、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン（ＤＢＵ）、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン（ＤＢＮ）、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）などである。
【０１５５】
適切な溶媒は例えば、極性非プロトン性溶媒、例えばアセトニトリル、窒素含有複素環、Ｎ，Ｎ−ジ置換脂肪族カルボキサミド（好ましくはＮ，Ｎ−ジ（Ｃ1〜Ｃ4アルキル）（Ｃ1〜Ｃ4）カルボキサミド）、及びＮ−アルキルラクタム、例えばジメチルホルムアミド、ジエチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルブチルアミド、及びＮ−メチルピロリドン、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサンである。
【０１５６】
反応温度は一般的に、１０〜１００℃、好ましくは１５〜５０℃である。
【０１５７】
さらなる好ましい態様において、塩基はイミダゾールである。この場合、イミダゾールは塩基として、また溶媒としても働く。この反応は通常、還流温度で行う。
【０１５８】
好ましい態様において、反応における反応は、保護ガス雰囲気下、例えば窒素下若しくはアルゴン下で行う。
【０１５９】
工程ｉｖ．ａ）
工程ｉｖ．ａ）における反応は、式（Ｉ．Ａ１）の化合物と、マロノニトリルとのクネーフェナーゲル縮合反応と考えることができる。
【０１６０】
１つの態様において反応は、触媒としての酸の存在下で行う。好ましい酸は、氷酢酸と無水酢酸との混合物である。
【０１６１】
別の態様において反応は、ルイス酸、好ましくはＴｉＣｌ4、及びピリジンの存在下で行う。
【０１６２】
本発明のさらなる対象は、式Ｉ．Ｂの化合物：
【化３０】
2017512755.tif 000050
の製造方法であり、
前記式中、
Ｘ1及びＸ2は相互に独立して、Ｏ、及びＣ（ＣＮ）2から選択され、
Ｒ1、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ4a、Ｒ4b、Ｒ5a、Ｒ5b、Ｒ6a、及びＲ6bは相互に独立して、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ヒドロキシ、メルカプト、ニトロ、シアナト、チオシアナト、ホルミル、アシル、カルボキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、アルキルアミノカルボニル、ジアルキルアミノカルボニル、スルホ、スルホネート、スルホアミノ、スルファモイル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アミジノ、ＮＥ1Ｅ2、ここでＥ1及びＥ2はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールから選択され、
それぞれの場合において非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ、（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、（ジアリール）アミノ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、（モノヘタリール）アミノ、及び（ジヘタリール）アミノから選択され、
前記製造方法は、
ｉ．ｂ）２，６−ジブロモアニリン（Ｂ１）をトリブチル（１−エトキシ−１−エテニル）スタンナンと、Ｐｄ触媒の存在下で反応させて化合物（Ｅ１）を得る工程、
【化３１】
2017512755.tif 000051
ｉｉ．ｂ）式（Ｅ１）の化合物を、ナフタレンモノ無水物（Ｆ）と反応させて、化合物（Ｉ．Ｂ１）を得る工程、
【化３２】
2017512755.tif 000052
ｉｉｉ．ｂ）任意で、式（Ｉ．Ｂ１）の化合物をマロノニトリルと反応させて、化合物（Ｉ．Ｂ２）を得る工程、
【化３３】
2017512755.tif 000053
を有する。
【０１６３】
工程ｉ．ｂ）
工程ｉ．ｂ）では、式Ｂ１の２，６−ジブロモアニリンを、トリブチル（１−エトキシ−１−エテニル）−スタンナンと、パラジウム触媒の存在下、スティルカップリング反応で反応させる。このカップリング反応は好ましくは、スティルカップリング反応のためにそれ自体公知の反応条件で行う。適切かつ好ましい反応条件については、上記工程ｉｉ．ａ）の反応条件を参照されたい。
【０１６４】
工程ｉｉ．ｂ）
無水ナフタレン（Ｆ）は、市販で手に入るか、又は公知の方法で合成できる。その誘導体は、当業者であれば公知の方法により合成できる。化合物（Ｉ．Ｂ１）の合成は、直接脱水素縮合によって行うことができる。
【０１６５】
工程ｉｉ．ｂ）における反応温度は一般的に、８０〜２５０℃の範囲、好ましくは１００〜２００℃の範囲である。
【０１６６】
この反応は、触媒量の酢酸亜鉛及び塩基の存在下で行うのが好ましい。適切な塩基は例えば、塩基性の窒素含有複素環化合物であり、これは反応のための溶媒としても役立つことがある。好ましい塩基は、イミダゾールである。
【０１６７】
工程ｉｉ．ｃ）
工程ｉｉ．ｃ）における反応は、式（Ｉ．Ｂ１）の化合物と、マロノニトリルとのクネーフェナーゲル縮合反応と考えることができる。適切かつ好ましい反応条件については、上記工程ｉｖ．ａ）の反応条件を参照されたい。
【０１６８】
本発明のさらなる対象は、式Ｉ．Ｃの化合物：
【化３４】
2017512755.tif 000054
の製造方法であり、
前記式中、
ｍは、１、２、３、又は４であり、
Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、及びＸ4は相互に独立して、Ｏ、及びＣ（ＣＮ）2から選択され、
Ｒ1、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ8a、Ｒ8b、Ｒ9、及びＲm1、Ｒm2、Ｒm3、及びＲm4はそれぞれ、相互に独立して、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ヒドロキシ、メルカプト、ニトロ、シアナト、チオシアナト、ホルミル、アシル、カルボキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、アルキルアミノカルボニル、ジアルキルアミノカルボニル、スルホ、スルホネート、スルホアミノ、スルファモイル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アミジノ、ＮＥ1Ｅ2、ここでＥ1及びＥ2はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールから選択され、
それぞれの場合において非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ、（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、（ジアリール）アミノ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、（モノヘタリール）アミノ、及び（ジヘタリール）アミノから選択され、
前記製造方法は、
ｉ．ｃ）リレンテトラカルボン酸ビス無水物（Ｋ）を、
【化３５】
2017512755.tif 000055
２，６−ジブロモアニリン（Ｂ１）と、
【化３６】
2017512755.tif 000056
及び任意で、別の２，６−ジブロモアニリン（Ｂ２）と反応させて、
【化３７】
2017512755.tif 000057
式（Ｌ）のイミド化合物を得る工程、
【化３８】
2017512755.tif 000058
ｉｉ．ｃ）式（Ｌ）の化合物を、トリブチル（１−エトキシ−１−エテニル）−スタンナンとＰｄ触媒の存在下で反応させて、化合物（Ｍ）を得る工程、
【化３９】
2017512755.tif 000059
ｉｉｉ．ｃ）式（Ｍ）の化合物を縮合反応に供して、化合物（Ｉ．Ｃ１）を得る工程、
【化４０】
2017512755.tif 000060
ｉｖ．ｃ）任意で、式（Ｉ．Ｃ）の化合物をマロノニトリルと反応させて、化合物（Ｉ．Ｃ２）を得る工程、
【化４１】
2017512755.tif 000061
を有する。
【０１６９】
工程ｉ．ｃ）
リレンテトラカルボン酸無水物（Ｋ）は、市販で手に入るか、又は公知の方法で合成できる。前述のように、２，６−ジブロモ−４−ｔｅｒｔ−ブチルアニリン（Ｂ）（＝２，６−ジブロモ−４−（１，１−ジメチルエチル）−ベンゼンアミン、CAS No. 10546-67-5）もまた、すぐに手に入る。その誘導体は、当業者であれば公知の方法により合成できる。フタルイミド（Ｌ）の合成は、リレンテトラカルボン酸無水物（Ｋ）を、化合物（Ｂ１）と、任意で別の化合物（Ｂ２）と直接脱水素縮合することによって行うことができる。
【０１７０】
工程ｉ．ｃ）における反応温度は一般的に、５０〜２５０℃の範囲、好ましくは８０〜２００℃の範囲である。
【０１７１】
この反応は、触媒量の酢酸亜鉛及び塩基の存在下で行うのが好ましい。適切な塩基は例えば、塩基性の窒素含有複素環化合物であり、これは反応のための溶媒としても役立つことがある。好ましい塩基は、イミダゾールである。
【０１７２】
工程ｉｉ．ｃ）
工程ｉｉ．ｃ）では、式（Ｌ）の化合物を、トリブチル（１−エトキシ−１−エテニル）−スタンナンと、Ｐｄ触媒の存在下、スティルカップリング反応で反応させる。
【０１７３】
カップリング反応は好ましくは、パラジウム触媒の存在下、スティルカップリング反応のためにそれ自体公知の反応条件で行う。工程ｉｉ．ｃ）の適切かつ好ましい反応条件については、上記工程ｉｉ．ａ）の反応条件を参照されたい。
【０１７４】
工程ｉｉｉ．ｃ）
工程ｉｉｉ．ｃ）におけるアルドール縮合は好ましくは、塩基の存在下で行う。
【０１７５】
適切な塩基は例えば、塩基性の窒素含有複素環化合物であり、これは反応のための溶媒としても役立つことがある。好ましい塩基は、イミダゾールである。適切な塩基はまた、強度に立体障害性の塩基であり、例えば、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン（ＤＢＵ）、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン（ＤＢＮ）、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）などである。
【０１７６】
反応温度は一般的に、１０〜１８０℃、好ましくは２０〜１５０℃である。
【０１７７】
好ましい態様において、反応における反応は、保護ガス雰囲気下、例えば窒素下若しくはアルゴン下で行う。
【０１７８】
工程ｉｖ．ｃ）
工程ｉｖ．ｃ）における反応は、式（Ｉ．Ｃ１）の化合物と、マロノニトリルとのクネーフェナーゲル縮合反応と考えることができる。
【０１７９】
１つの態様において反応は、触媒としての酸の存在下で行う。好ましい酸は、氷酢酸と無水酢酸との混合物である。
【０１８０】
本発明のさらなる対象は、式Ｉ．Ｃの化合物：
【化４２】
2017512755.tif 000062
の製造方法であり、
前記式中、
ｍは、１、２、３、又は４であり、
Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、及びＸ4は相互に独立して、Ｏ、及びＣ（ＣＮ）2から選択され、
Ｒ1、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ8a、Ｒ8b、Ｒ9、及びＲm1、Ｒm2、Ｒm3、及びＲm4はそれぞれ、相互に独立して、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ヒドロキシ、メルカプト、ニトロ、シアナト、チオシアナト、ホルミル、アシル、カルボキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、アルキルアミノカルボニル、ジアルキルアミノカルボニル、スルホ、スルホネート、スルホアミノ、スルファモイル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アミジノ、ＮＥ1Ｅ2、ここでＥ1及びＥ2はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールから選択され、
それぞれの場合において非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ、（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、（ジアリール）アミノ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、（モノヘタリール）アミノ、及び（ジヘタリール）アミノから選択され、
前記製造方法は、
ｉ．ｄ）リレンテトラカルボン酸ビス無水物（Ｋ）を、
【化４３】
2017512755.tif 000063
式（Ｅ１）の化合物と、
【化４４】
2017512755.tif 000064
及び任意で、別の化合物（Ｅ２）と反応させて、
【化４５】
2017512755.tif 000065
化合物（Ｉ．Ｃ１）を得る工程、
【化４６】
2017512755.tif 000066
ｉｉ．ｄ）任意で、式（Ｉ．Ｃ１）の化合物をマロノニトリルと反応させて、化合物（Ｉ．Ｃ２）を得る工程、
【化４７】
2017512755.tif 000067
を有する。
【０１８１】
工程ｉ．ｄ）
リレンテトラカルボン酸無水物（Ｋ）は、式（Ｅ１）の化合物、及び任意で別の化合物（Ｅ２）によるイミド化、及び引き続いた縮合反応を有する、ワンポット反応に供することができる。
【０１８２】
化合物（Ｅ１）及び（Ｅ２）の製造は、上記工程ｉ．ｂ）で記載したように、相応する２，６−ジブロモアニリンを、トリブチル（１−エトキシ−１−エテニル）スタンナンと、Ｐｄ触媒の存在下で反応させるによって行うことができる。
【０１８３】
リレンテトラカルボン酸無水物（Ｋ）と、式（Ｅ１）の化合物との、及び任意で別の化合物（Ｅ２）との反応は、５０〜２５０℃の範囲、好ましくは８０〜２００℃の範囲の反応温度で行う。
【０１８４】
この反応は、触媒量の酢酸亜鉛及び塩基の存在下で行うのが好ましい。適切な塩基は例えば、塩基性の窒素含有複素環化合物であり、これは反応のための溶媒としても役立つことがある。好ましい塩基は、キノリンである。
【０１８５】
工程ｉｉ．ｄ）
工程ｉｉ．ｄ）の適切かつ好ましい反応条件については、上記工程ｉｖ．ｃ）の反応条件を参照されたい。
【０１８６】
本発明のさらなる対象は、式Ｉ．Ｄの化合物：
【化４８】
2017512755.tif 000068
の製造方法であり、
前記式中、
Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、及びＸ4は相互に独立して、Ｏ、及びＣ（ＣＮ）2から選択され、
Ｒ1、Ｒ2a、Ｒ2b、Ｒ8a、Ｒ8b、Ｒ9、及びＲm1、Ｒm2、Ｒm3、及びＲm4はそれぞれ、相互に独立して、水素、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ヒドロキシ、メルカプト、ニトロ、シアナト、チオシアナト、ホルミル、アシル、カルボキシ、カルボキシレート、アルキルカルボニルオキシ、カルバモイル、アルキルアミノカルボニル、ジアルキルアミノカルボニル、スルホ、スルホネート、スルホアミノ、スルファモイル、アルキルスルホニル、アリールスルホニル、アミジノ、ＮＥ1Ｅ2、ここでＥ1及びＥ2はそれぞれ独立して、水素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリール、又はヘタリールから選択され、
それぞれの場合において非置換又は置換のアルキル、アルコキシ、アルキルチオ、（モノアルキル）アミノ、（ジアルキル）アミノ、シクロアルキル、シクロアルコキシ、シクロアルキルチオ、（モノシクロアルキル）アミノ、（ジシクロアルキル）アミノ、ヘテロシクロアルキル、ヘテロシクロアルコキシ、ヘテロシクロアルキルチオ、（モノヘテロシクロアルキル）アミノ、（ジヘテロシクロアルキル）アミノ、アリール、アリールオキシ、アリールチオ、（モノアリール）アミノ、（ジアリール）アミノ、ヘタリール、ヘタリールオキシ、ヘタリールチオ、（モノヘタリール）アミノ、及び（ジヘタリール）アミノから選択され、
前記製造方法は、
ｉ．ｅ）式（Ｎ）のピロメリット酸二無水物を、
【化４９】
2017512755.tif 000069
式（Ｂ１）の２，６−ジブロモアニリンと、
【化５０】
2017512755.tif 000070
及び任意で、式（Ｂ２）の別の２，６−ジブロモアニリンと反応させて、
【化５１】
2017512755.tif 000071
式（Ｏ）のイミド化合物を得て、
【化５２】
2017512755.tif 000072
ｉｉ．ｅ）式（Ｏ）の化合物を、トリブチル（１−エトキシ−１−エテニル）−スタンナンとＰｄ触媒の存在下で反応させて、化合物（Ｐ）を得る工程、
【化５３】
2017512755.tif 000073
ｉｉｉ．ｅ）式（Ｐ）の化合物を縮合反応に供して、化合物（Ｉ．Ｄ１）を得る工程、
【化５４】
2017512755.tif 000074
ｉｖ．ｅ）任意で、式（Ｉ．Ｄ１）の化合物をマロノニトリルと反応させて、化合物（Ｉ．Ｄ２）を得る工程、
【化５５】
2017512755.tif 000075
を有する。
【０１８７】
工程ｉ．ｅ）
ピロメリット酸二無水物、及び置換されたピロメリット酸二無水物（Ｎ）は、市販で手に入るか、又は公知の方法で合成できる。前述のように、式（Ｂ１）の２，６−ジブロモアニリン化合物も、すぐに手に入る。その誘導体は、当業者であれば公知の方法により合成できる。イミド（Ｏ）の合成は、二無水物（Ｎ）を、化合物（Ｂ１）と、任意で別の化合物（Ｂ２）と直接脱水素縮合することによって行うことができる。
【０１８８】
工程ｉ．ｅ）における反応のために好ましい溶媒は、酢酸である。
【０１８９】
工程ｉ．ｅ）における反応温度は一般的に、５０〜２５０℃の範囲、好ましくは８０〜１５０℃の範囲である。好ましい態様において、この反応は酢酸中、還流温度、周囲圧力下で行う。
【０１９０】
工程ｉｉ．ｅ）
工程ｉｉ．ｅ）では、式（Ｏ）の化合物を、トリブチル（１−エトキシ−１−エテニル）−スタンナンと、Ｐｄ触媒の存在下、スティルカップリング反応で反応させる。
【０１９１】
カップリング反応は好ましくは、パラジウム触媒の存在下、スティルカップリング反応のためにそれ自体公知の反応条件で行う。工程ｉｉ．ｅ）の適切かつ好ましい反応条件については、上記工程ｉｉ．ａ）の反応条件を参照されたい。
【０１９２】
工程ｉｉｉ．ｅ）
工程ｉｉｉ．ｅ）におけるアルドール縮合は好ましくは、塩基の存在下で行う。
【０１９３】
適切な塩基は例えば、塩基性の窒素含有複素環化合物であり、これは反応のための溶媒としても役立つことがある。好ましい塩基は、イミダゾールである。適切な塩基はまた、強度に立体障害性の塩基であり、例えば、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン（ＤＢＵ）、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン（ＤＢＮ）、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）などである。
【０１９４】
反応温度は一般的に、１０〜１８０℃、好ましくは２０〜１５０℃である。
【０１９５】
好ましい態様において、反応における反応は、保護ガス雰囲気下、例えば窒素下若しくはアルゴン下で行う。
【０１９６】
工程ｉｖ．ｅ）
工程ｉｖ．ｅ）における反応は、式（Ｉ．Ｄ１）の化合物と、マロノニトリルとのクネーフェナーゲル縮合反応と考えることができる。
【０１９７】
１つの態様において反応は、触媒としての酸の存在下で行う。好ましい酸は、氷酢酸と無水酢酸との混合物である。
【０１９８】
式（Ｉ）の化合物は、特に有機半導体として適切である。これらは一般的に、ｎ型半導体、又はｐ型半導体として機能することができる。
【０１９９】
式（Ｉ）の化合物は、特に有機半導体として適切である。これらは一般的に、ｎ型半導体、又はｐ型半導体として機能することができる。２種の異なる半導体の組み合わせを用いる電子デバイス（例えば有機太陽電池）では、式（Ｉ）の化合物がｎ型半導体として働くか、又はｐ型半導体として働くかは、相応する半導体材料におけるエネルギーレベルの位置（イオン化エネルギー：ＩＰ、及び電子親和力：ＥＡ）次第である。さらに、式（Ｉ）の化合物がｎ型半導体として、又はｐ型半導体として働くかどうかは特に、使用するゲート誘電体に依存する。式（Ｉ）の化合物はまた、同時二極性半導体（すなわち、正孔輸送特性と、電子輸送特性をともに有する材料）として適している。
【０２００】
式（Ｉ）の化合物は、公知の有機半導体材料に対して、以下の利点を少なくとも１つ有する：
・高い電荷輸送移動性、
・空気安定性、
・高いオン／オフ比
・溶媒系プロセスで用いるための適合性。
【０２０１】
式（Ｉ）の化合物は有利には、有機電界効果トランジスタに適切である。これらの化合物は例えば、集積回路（ＩＣ）を製造するために使用できる（この製造のためには従来、ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ（金属酸化物半導体電界効果トランジスタ）が使用されてきた）。これらは、例えばマイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、スタティックＲＡＭ、及びその他のデジタル論理回路のための、ＣＭＯＳ系半導体ユニットである。半導体材料を製造するため、式（Ｉ）の化合物はさらに、以下のプロセスによって加工することができる：プリント（オフセット、フレキソ印刷、グラビア、スクリーン印刷、インクジェット、電子写真技術）、蒸着、レーザー転写、フォトリソグラフィー、ドロップキャスティング。これらは、ディスプレイ（特に、表面積の大きい、及び／又は可撓性のディスプレイ）、ＲＦＩＤタグ、スマートラベル、及びセンサにおける使用のために特に適している。
【０２０２】
式（Ｉ）の化合物は有利には、有機電界効果トランジスタ、有機太陽電池、及び有機発光ダイオードにおける電子伝導体として適している。これらはまた特に有利には、励起子型太陽電池における励起子輸送材料として有利である。
【０２０３】
式（Ｉ）の化合物のうち幾つかは、蛍光性であり、また特に有利には、蛍光変換に基づくディスプレイにおける蛍光色素として適している。このようなディスプレイは一般的に、透明な基板、この基板上に存在する蛍光色素、及び放射源を有する。典型的な放射源は、青色（青による色）、又は紫外光（紫外線による色）である。これらの色素は、青色の光、又は紫外光を吸収し、緑色発光体として使用される。これらのディスプレイでは例えば赤色光は、青色の光又は紫外光を吸収する緑色発光体を用いて、赤色発光体を励起させることにより発生される。青色光により発色する適切なディスプレイは例えば、WO 98/28946に記載されている。紫外光により発色する適切なディスプレイは例えば、W. A. Crossland、I. D. Sprigle、及びA. B. Daveyが、Photoluminescent LCDs (PL-LCD) using phosphors, Cambridge University and Screen Technology Ltd.（英国、ケンブリッジ在）で記載している。式（Ｉ）の化合物は特に、電気泳動効果、荷電された顔料色素によるスイッチの色切り替えに基づくディスプレイにも適している。このような電気泳動式ディスプレイは、例えばUS 2004/0130776に記載されている。
【０２０４】
本発明はさらに、少なくとも１つのゲート構造、ソース電極、及びドレイン電極を備える基板、並びに半導体として先に規定した式（Ｉ）の化合物少なくとも１種を有する、有機電界効果トランジスタをもたらす。
【０２０５】
本発明はさらに、複数の有機電界効果トランジスタを有する基板をもたらし、ここで電界効果トランジスタの少なくとも幾つかは、先に規定の式（Ｉ）の化合物を少なくとも１種含有する。
【０２０６】
本発明はまた、このような基板を少なくとも１つ有する、半導体ユニットをもたらす。
【０２０７】
特定の態様は、有機電界効果トランジスタのパターン（トポグラフィー）を有する基板であり、各トランジスタは、以下のもの：
・基板上に堆積させた有機半導体、
・伝導性チャネルの導電性を制御するためのゲート構造、及び
・前記チャネルの両端にある導電性のソース電極及びドレイン電極、
を有し、前記有機半導体は、式（Ｉ）の化合物少なくとも１種から成る、又は式（Ｉ）の化合物を含有する。加えて、有機電界効果トランジスタは、一般的に誘電体を有する。
【０２０８】
特定の態様は、有機電界効果トランジスタのパターン化された（トポグラフィー）基板であり、各トランジスタは、以下のものを有する：
・基板上のバッファ層上に堆積させた有機半導体、
・伝導性チャネルの導電性を制御するためのゲート構造、及び
・前記チャネルの両端にある導電性のソース電極及びドレイン電極、
を有し、前記有機半導体は、式（Ｉ）の化合物少なくとも１種から成る、又は式（Ｉ）の化合物を含有する。加えて、有機電界効果トランジスタは、一般的に誘電体を有する。
【０２０９】
バッファ層としては、あらゆる誘電材料が適切であり、それは例えば無機材料（例えばＬｉＦ、ＡｌＯx、ＳｉＯ2、若しくは窒化ケイ素）、又は有機材料（例えばポリイミド）、又はポリアクリレート（例えばポリメチルメタクリレート：ＰＭＭＡ）である。
【０２１０】
さらなる特別な態様は、有機電界効果トランジスタのパターンを有する基板であり、各トランジスタは集積回路を形成するか、又は集積回路の一部であり、前記トランジスタの少なくとも幾つかは、式（Ｉ）の化合物を少なくとも１種有する。
【０２１１】
適切な基板は原則的に、この目的のために公知の材料である。適切な基板は例えば、金属（好ましくは元素周期表の第８族、第９族、第１０族、又は第１１族の金属、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ）、酸化物系材料（例えばガラス、セラミック、ＳｉＯ2、特に石英）、半導体（例えばドープされたＳｉ、ドープされたＧｅ）、金属合金（例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕなどをベースとしたもの）、半導体合金、ポリマー（例えばポリ塩化ビニル、ポリオレフィン、例えばポリエチレン、及びポリプロピレン、ポリエステル、フルオロポリマー、ポリアミド、ポリイミド、ポリウレタン、ポリエーテルスルホン、ポリアルキル（メタ）アクリレート、ポリスチレン、及びこれらの混合物、若しくはこれらの複合体）、無機固体（例えば塩化アンモニウム）、紙、及びこれらの組み合わせである。これらの基板は、可撓性、又は非可撓性であってよく、所望の使用に応じて、湾曲した形状、又は平面的な形状を有する。
【０２１２】
半導体ユニットのための典型的な基板は、マトリックス（例えば石英又はポリマーのマトリックス）、及び任意で誘電性の最上層を有する。
【０２１３】
適切な誘電体は、ＳｉＯ2、ポリスチレン、ポリ−α−メチルスチレン、ポリオレフィン（例えばポリプロピレン、ポリエチレン、ポリイソブテン）、ポリビニルカルバゾール、フッ化ポリマー（例えばＣｙｔｏｐ）、シアノプルラン（例えばＣＹＭＭ）、ポリビニルフェノール、ポリ−ｐ−キシレン、ポリ塩化ビニル、又は熱により、若しくは大気中の水分により架橋可能なポリマーである。特定の誘電体は、「自己組織化ナノ誘電体」である。これはすなわち、ＳｉＣｌ官能基を有するモノマーから得られるポリマー（例えばＣｌ3ＳｉＯＳｉＣｌ3、Ｃｌ3Ｓｉ−（ＣＨ2）6−ＳｉＣｌ3、Ｃｌ3Ｓｉ−（ＣＨ2）12−ＳｉＣｌ3）、及び／又は大気中の水分により、又は溶媒で希釈した水を添加することにより架橋可能なポリマーである（例えばFacchetti, Adv. Mater. 2005, 17, 1705-1725参照）。水の代わりに、ヒドロキシ含有ポリマー、例えばポリビニルフェノール、又はポリビニルアルコール、又はビニルフェノールとスチレンとのコポリマーを、架橋成分として用いることもできる。架橋作業の間に、少なくとも１種のさらなるポリマー（例えばポリスチレン、これも後に架橋する）が存在していてよい（Facchetti、米国特許出願2006/0202195参照）。
【０２１４】
基板はさらに、電極（例えばＯＦＥＴのゲート電極、ドレイン電極、及びソース電極）を有することができ、これらは通常、基板上で局在化されている（例えば誘電体上の非導電性層に堆積されているか、又は埋め込まれている）。基板はさらに、ＯＦＥＴの導電性ゲート電極を有することができ、これは通常、誘電体上部層（すなわちゲート誘電体）の下側に配置されている。
【０２１５】
特定の態様において絶縁層（ゲート絶縁層）は、基板表面の少なくとも１部に存在する。絶縁層は好ましくは、以下のものから選択される絶縁体を少なくとも１つを有する：無機絶縁体、例えばＳｉＯ2、窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）など、強誘電性絶縁体、例えばＡｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、Ｌａ2Ｏ5、ＴｉＯ2、Ｙ2Ｏ3など、有機絶縁体、例えばポリイミド、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリビニルアルコール、ポリアクリレートなど、及びこれらの組み合わせ。
【０２１６】
ソース電極及びドレイン電極に適切な材料は、原則的に電気伝導性材料である。これらには金属、好ましくは元素周期表の第６族、第７族、第８族、第９族、第１０族、又は第１１族の金属、例えばＰｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒなどが含まれる。適切なのはまた、導電性ポリマー、例えばＰＥＤＯＴ（＝ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン））：ＰＳＳ（＝ポリ（スチレンスルホネート））、ポリアニリン、表面改質された金などである。好ましい導電性材料は、比抵抗が１０-3Ω×メーター未満、好ましくは好ましくは１０-4Ω×メーター未満、特に１０-6又は１０-7Ω×メーター未満
特定の態様において、ドレイン電極及びソース電極は、有機半導体材料上に少なくとも部分的に存在する。基板は、半導体材料又はＩＣで慣用のさらなる成分、例えば絶縁体、レジスタ、キャパシタ、コンダクタトラックなどを含有可能であることが高く評価される。
【０２１７】
電極は公知の方法により、例えば蒸着若しくはスパッタリング、リソグラフィー若しくはその他の構造プロセス、例えば印刷技術によって適用できる。
【０２１８】
半導体材料は、分散相において印刷により、適切な助剤（ポリマー、界面活性剤）とともに、加工できる。
【０２１９】
第一の好ましい態様において、一般式（Ｉ）の少なくとも１種の化合物（適切な場合には、さらなる半導体材料）の堆積は、気相堆積法によって行う（物理蒸着、ＰＶＤ）。ＰＶＤ法は高真空条件下で行い、以下の工程を有する：蒸着、移送、堆積。意外なことに、一般式（Ｉ）の化合物は、ＰＶＤ法における使用のために特に有利に適していることが判明している。それと言うのも、これらは実質的に分解しない、かつ／又は不所望の副生成物を形成しないからである。堆積された材料は、高純度で得られる。特定の態様において、堆積させた材料は、結晶の形で得られるか、又は高い結晶含分を有する。ＰＶＤのためは一般的に、一般式（Ｉ）の化合物少なくとも１種を、その蒸発温度を超える温度に加熱し、結晶化温度を下回る温度に加熱することによって、基板上に堆積させる。堆積における基板の温度は、好ましくは約２０〜２５０℃、より好ましくは５０〜２００℃の範囲内にある。意外なことに、式（Ｉ）の化合物を堆積する際に基板温度を上昇させることにより、得られる半導体素子の特性に対して有利な効果を与えられることが判明した。
【０２２０】
生成する半導体層は一般的に、ソース／ドレイン電極と接触する半導体チャネルを形成するために充分な厚さを有する。この堆積は、不活性雰囲気（例えば窒素、アルゴン、又はヘリウム）のもとで行うことができる。
【０２２１】
この堆積は通常、大気圧、又は減圧下で行われる。適切な圧力範囲は、約１０-7〜１．５ｂａｒである。
【０２２２】
式（Ｉ）の化合物は好ましくは、１０〜１０００ｎｍ、より好ましくは１５〜２５０ｎｍの厚さで基板に堆積させる。特定の態様において式（Ｉ）の化合物は、少なくとも部分的に結晶形態で堆積させる。このためには、特に上記ＰＶＤ法が適している。さらに、事前に作製した有機半導体結晶を使用することができる。このような結晶を得るために適した方法は、R. A. Laudiseら著、"Physical Vapor Growth of Organic Semi-Conductors", Journal of Crystal Growth 187 (1998), p. 449〜454、及び"Physical Vapor Growth of Centimeter-sized Crystals of α-Hexathiophene", Journal of Crystal Growth 1982 (1997), p.416〜427に記載されており、これらは参照を以て本願に組み込まれるものとする。
【０２２３】
第二の好ましい態様において、少なくとも１種の一般式（Ｉ）の化合物（及び任意で、さらに半導体材料）の堆積は、スピンコートによって行う。意外なことに、半導体基板を製造するための湿式プロセスにおいて、本発明により使用される式（Ｉ）の化合物を使用することもできる。よって式（Ｉ）の化合物は、半導体素子、特にＯＦＥＴ、又はＯＦＥＴに基づく半導体素子を、印刷プロセスにより製造するためにも適しているのが望ましい。このために、慣用の印刷プロセス又は被覆プロセス（インクジェット、フレキソ印刷、オフセット、グラビア、凹版印刷、ナノプリンティング、スロットダイ）が使用できる。印刷プロセスにおいて式（Ｉ）の化合物を使用するために好ましい溶媒は、芳香族溶媒、例えばトルエン、キシレンなどである。増粘物質、例えばポリマー（例えばポリスチレンなど）を、これらの「半導体インク」に加えることができる。この場合、使用する誘電体は、上記化合物である。
【０２２４】
好ましい態様において本発明による電界効果トランジスタは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。慣用の構造において、薄膜トランジスタは、基板上、又はバッファ層上に堆積されたゲート電極（バッファ層は基板の一部）、その上に堆積されたゲート絶縁層、ゲート絶縁層上に堆積された半導体層、半導体層上にあるオーム接触層、並びにオーム接触層上にあるソース電極及びドレイン電極を有する。
【０２２５】
好ましい態様において基板表面は、少なくとも１種の一般式（Ｉ）の化合物（及び任意で、少なくとも１種のさらに半導体材料）を堆積させる前に、変性させる。この変性は、半導体材料を結合させる領域、及び／又は半導体材料を堆積不能な領域を形成するために役立つ。基板表面は好ましくは、少なくとも１種の化合物（Ｃ１）により変性し、この化合物は、基板の表面に、また式（Ｉ）の化合物に結合させるために適したものである。基板の表面は好ましくは、少なくとも１種の化合物（Ｃ１）によって変性され、この化合物は、基板に対する、また式（Ｉ）の化合物に対する結合に適したものである。適切な態様では、一般式（Ｉ）の化合物少なくとも１種（及び任意でさらなる半導体化合物）の堆積を改善するために、基板表面の一部、又は基板表面全体が、一般式（Ｉ）の化合物（Ｃ１）少なくとも１種によって被覆する。さらなる態様は、相応する製造方法により、一般式（Ｃ１）の化合物のパターンを基板に堆積させる工程を含む。これには、このために公知のマスクプロセス、及びいわゆる「パターニング」プロセスが含まれ、これは例えばUS 11/353,934に記載されており、その内容については参照を以て本願に組み込まれるものとする。
【０２２６】
式（Ｃ１）の適切な化合物は、基板と、一般式（Ｉ）の半導体化合物少なくとも１種との相互作用を結合させることができる。「結合作用」という用語は、化学結合（共有結合）、イオン結合、配位相互作用、ファンデルワールス強訴作用、例えば双極性−双極性作用など、及びこれらの組み合わせを包含する。一般式（Ｃ１）の適切な化合物は、以下のものである：
・シラン、リン酸、カルボン酸、ヒドロキサム酸、例えばアルキルトリクロロシラン、例えばｎ−オクタデシルトリクロロシラン、トリアルコキシシラン基を有する化合物、例えばアルキルトリアルコキシシラン、例えばｎ−オクタデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリエトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリ（ｎ−プロピル）オキシシラン、ｎ−オクタデシルトリ（イソプロピル）オキシシラン、トリアルコキシアミノアルキルシラン、例えばトリエトキシアミノプロピルシラン、及びＮ［（３−トリエトキシシリル）プロピル］エチレンジアミン；トリアルコキシアルキル３−グリシジルエーテルシラン、例えばトリエトキシプロピル３−グリシジルエーテルシラン；トリアルコキシアリルシラン、例えばアリルトリメトキシシラン；トリアルコキシ（イソシアナトアルキル）シラン；トリアルコキシシリル（メタ）アクロイルオキシアルカン、及びトリアルコキシシリル（メタ）アクリルアミドアルカン、例えば１−トリエトキシシリル−３−アクリロイル−オキシプロパン、
・アミン、ホスフィン、及び硫黄含有化合物、特にチオール。
【０２２７】
化合物（Ｃ１）は好ましくは、アルキルトリアルコキシシラン、特にｎ−オクタデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリエトキシシラン、ヘキサアルキルジシラザン、及び特にヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）；Ｃ8〜Ｃ30アルキルチオール、特にヘキサデカンチオール；メルカプトカルボン酸、及びメルカプトスルホン酸、特にメルカプト酢酸、３−メルカプトプロピオン酸、メルカプトコハク酸、３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸、並びにこれらのアルカリ金属塩、及びアンモニウム塩から選択される。
【０２２８】
本発明による半導体を有する様々な半導体構成も考えられ、それは例えばトップコンタクト、トップゲート、ボトムコンタクト、ボトムゲート、又は垂直構造、例えばＶＯＦＥＴ（垂直型有機電界効果トランジスタ）であり、例えばUS 2004/0046182に記載されている。
【０２２９】
好ましい半導体構成は、以下のものである：
１．基板、誘電体、有機半導体、好ましくはゲート、誘電体、有機半導体、ソース、及びドレイン、「ボトムゲート・トップコンタクト」として知られる
２．基板、誘電体、有機半導体、好ましくは基板、ゲート、誘電体、ソース、及びドレイン、有機半導体、「ボトムゲート・ボトムコンタクト」として知られる
３．基板、有機半導体、誘電体、好ましくは基板、ソース、及びドレイン、有機半導体、誘電体、ゲート、「トップゲート・ボトムコンタクト」として知られる
４．基板、有機半導体、誘電体、好ましくは基板、有機半導体、ソース、及びドレイン、誘電体、ゲート、「トップゲート・トップコンタクト」として知られる。
【０２３０】
層厚は例えば、半導体において１０ｎｍ〜５μｍ、誘電体において５０ｎｍ〜１０μｍであり、電極は例えば、２０ｎｍ〜１０μｍであり得る。ＯＦＥＴはまた、他の部材（例えばリング状発振器、又はインバータ）を形成するために組み込むことができる。
【０２３１】
本発明のさらなる態様は、複数の半導体部材を有する電子部材（ｎ型及び／又はｐ型であり得る）の提供である。このような部材の例は、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、バイポーラトランジスタ（ＢＪＴ）、トンネルダイオード、コンバータ、発光部材、生物的及び化学的な検知器又はセンサ、温度依存性検知器、光検知器、例えば極性敏感型光検知器、ゲート、ＡＮＤ型、ＮＡＮＤ型、ＮＯＴ型、ＯＲ型、ＴＯＲ型、及びＮＯＲ型のゲート、レジスタ、スイッチ、タイマーユニット、静的又は動的なメモリ、及びその他の動的若しくは連続的な、論理的な、若しくはその他のデジタル部材（プログラム可能なスイッチを含む）である。
【０２３２】
特定の半導体素子は、インバータである。デジタル論理においてインバータは、入力された信号を変換するゲートである。インバータは、ＮＯＴゲートとも言われる。リアルインバータスイッチは、入力された電流の逆側を構成する出力電流を有する。典型的な値は例えば、ＴＴＬスイッチについて（０，＋５Ｖ）である。デジタルインバータの性能は、電圧特性曲線（ＶＴＣ）、すなわち、出力電流に対して入力された電流のプロットを再現する。理想的には、これは段階付けされた機能であり、実際の測定曲線がそのような段階に近づけば近づくほど、インバータは良好である。本発明の特定の態様では、式（Ｉ）の化合物をインバータにおける有機半導体として使用する。
【０２３３】
式（Ｉ）の化合物はまた、有機光起電（ＯＰＶ）で使用するために特に有利に適している。励起状態の拡散（励起拡散）によって特徴付けられる太陽電池において使用するのが好ましい。この場合、利用する半導体材料の一方、又は両方が、励起状態の拡散（励起移動性）について顕著である。また、励起状態の拡散によって特徴付けられる半導体材料少なくとも１種と、ポリマー鎖に沿って励起状態の伝導性をもたらすポリマーとの組み合わせも、適切である。本発明の文脈においてこのような太陽電池は、励起型太陽電池と言われる。太陽電池において太陽エネルギーを電気ネルギーに直接変換することは、半導体材料の内部光効果に基づく（すなわち、光子の吸収による電子・正孔ペアの生成、及びｐ−ｎ移行部又はショットキー接触部における負の電荷担体と正の電荷担体との分離）。励起子が形成されるのは例えば、光子が半導体を貫通する場合、及び電子が励起されて、価電子帯から伝導帯へと移行する場合である。しかしながら、電流を発生させるため、吸収された光子によって生成された励起状態は、ｐ−ｎ移行部に到達して、正孔と電子を発生させ、それからこれらがアノード及びカソードへと流れる。このように発生された光起電は、外部回路において光電流をもたらし、これによって太陽電池は出力を得る。半導体は、そのバンドギャップより大きいエネルギーを有するこれらの光子のみを吸収することができる。よって半導体バンドギャップの大きさが、電気エネルギーに変換可能な日光の割合を特定する。太陽電池は通常、太陽エネルギーを非常に効率的に利用するため、異なるバンドギャップを有する２種の材料から成る。たいていの有機半導体は、最大１０ｎｍの励起拡散長を有する。ここに今なお、励起状態が非常に長い距離にわたって通過可能な有機半導体に対する需要がある。意外なことに、上記一般式（Ｉ）の化合物が、励起子型太陽電池における使用のために特に有利に適していることが判明した。
【０２３４】
有機太陽電池は一般的に層構造を有し、一般的に少なくとも以下の層を有する：アノード、光活性層、及びカソード。これらの層は一般的に、このために適した基板に適用される。有機太陽電池の構造は例えば、US 2005/0098726、及びUS 2005/0224905に記載されている。
【０２３５】
本発明により、少なくとも１つのカソード、及び少なくとも１つのアノード、並びに先に規定した一般式（Ｉ）の化合物少なくとも１種を光活性材料として有する有機太陽電池がもたらされる。本発明による有機太陽電池は、少なくとも１つの光活性領域を有する。光活性領域は、２つの層を有することができ、これらはそれぞれ均質な組成を有し、平坦なドナー・アクセプターヘテロ接合を形成する。光活性領域はまた、混合層を有することができ、ドナー・アクセプターバルクヘテロ接合の形態でドナー・アクセプターヘテロ接合を形成することができる。光活性ドナー・アクセプター移行部をバルクヘテロ接合の形で有する有機太陽電池は、本発明の好ましい態様である。
【０２３６】
有機太陽電池に適した基板は例えば、酸化物材料、ポリマー、及びこれらの組み合わせである。好ましい酸化物材料は、ガラス、セラミック、ＳｉＯ2、石英などから選択される。好ましいポリマーは、ポリエチレンテレフタレート、ポリオレフィン（例えばポリエチレン、及びポリプロピレン）、ポリエステル、フルオロポリマー、ポリアミド、ポリウレタン、ポリアルキル（メタ）アクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、及びこれらの混合物及び複合材から選択される。
【０２３７】
適切な電極（カソード、アノード）は基本的に、金属、半導体、金属合金、半導体合金、これらのナノワイヤ、及びこれらの組み合わせである。好ましい金属は、元素周期表の第２族、第８族、第９族、第１０族、第１１族、又は第１３族のものであり、例えばＰｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、又はＣａである。好ましい半導体は例えば、ドープされたＳｉ、ドープされたＧｅ、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、フッ化スズ酸化物（ＦＴＯ）、ガリウムインジウムスズ酸化物（ＧＩＴＯ）、亜鉛インジウムスズ酸化物（ＺＩＴＯ）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）ポリ（スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）などである。好ましい金属合金は例えば、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕなどに基づく合金である。特別な態様は、Ｍｇ／Ａｇ合金である。
【０２３８】
光に面する電極に使用する材料（ノーマル型構造におけるアノード、逆型構造におけるカソード）は好ましくは、励起光に対して少なくとも部分的に透明な材料である。これには好ましくは、担持材料としてガラス及び／又は透明ポリマーを有する電極が含まれる。担体として適切な透明ポリマーは、前述のものであり、例えばポリエチレンテレフタレートである。電気的な接触接続は一般的に、金属層、及び／又は透明導電性酸化物（ＴＣＯ）によって行われる。これらには好ましくは、ＩＴＯ、ドープされたＩＴＯ、ＦＴＯ（フッ素ドープされた酸化スズ）、ＡＺＯ（アルミニウムドープされた酸化スズ）、ＺｎＯ、ＴｉＯ2、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔが含まれる。特に好ましいのは、接触接続用のＩＴＯである。電気的な接触接続のためには、導電性ポリマー、例えばポリ−３，４−アルキレンジオキシチオフェン、例えばポリ−３，４−エチレンオキシチオフェンポリ（スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ）を使用することもできる。
【０２３９】
光に面する電極は、最低限の光吸収性のみをもたらすほど薄いものの、励起された電荷担体の良好な電荷輸送性を可能にするほど厚いように構成されている。電極層の厚さ（担持材料無し）は好ましくは、２０〜２００ｎｍの範囲にある。
【０２４０】
特定の態様において、光とは反対側にある電極に使用する材料（ノーマル型構造におけるカソード、逆型構造におけるアノード）は、励起光を少なくとも部分的に反射する材料である。これには、金属フィルム、好ましくはＡｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｉｎ、及びこれらの混合物が含まれる。好ましい混合物は、Ｍｇ／Ａｌである。電極層の厚さは好ましくは、２０〜３００ｎｍの範囲にある。
【０２４１】
光活性領域は、先に規定した一般式（Ｉ）の化合物を少なくとも１種含有するか、又はこれから成る。加えて、光活性領域は、さらなる層を１つ以上有することができる。これらは例えば、以下のものから選択される：
・電子伝導特性を有する層（電子輸送層、ＥＴＬ）
・正孔伝導材料を有する層（正孔輸送層、ＨＴＬ）、これはあらゆる照射を吸収する必要がない
・励起子及び正孔ブロック層（例えばＥＢＬ）、これは吸収性であってはならない、及び
・増幅層。
【０２４２】
これらの層に適した材料を、以下に記す。
【０２４３】
適切な励起子及び正孔ブロック層は例えば、US 6,451,415に記載されている。励起子ブロック層に適した材料は例えば、バソクプロイン（ＢＣＰ）、４，４’，４’’−トリス［３−メチルフェニル−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）である。
【０２４４】
本発明による太陽電池は、少なくとも１つの光活性ドナー・アクセプターヘテロ接合を有する。有機材料の光学的励起によって、励起子が生じる。光電流を発生させるため、電子・正孔のペアを通常は、２つの同一では無い接触材料間のドナー・アクセプターインターフェースにおいて、分離しなければならない。このようなインターフェースでは、ドナー材料が、アクセプター材料とともにヘテロ接合を形成する。電荷が分離されない場合、これらは「クエンチ（quenching）」として知られる工程において、励起光よりもエネルギーが小さい光の放射により照射的に、又は熱の発生により非照射的に、再結合することができる。いずれの工程も、望ましくない。本発明によれば、一般式（Ｉ）の化合物少なくとも１種を、電荷発生体（ドナー）として、又は電子受容体材料として使用できる。
【０２４５】
一般式（Ｉ）の化合物少なくとも１種を、電荷発生体（ドナー）として使用する場合、適切な電子受容体材料（ＥＴＭ、電子輸送材料）と組み合わせることができる。放射励起が、ＥＴＭに対する迅速な電子輸送に続く。適切なＥＴＭは例えば、Ｃ６０及びその他のフラーレン、ペリレン−３，４，９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）（ＰＴＣＤＩ）、又はこれらのｎドープ層である（以下に記載する）。好ましいＥＴＭは、Ｃ６０及びその他のフラーレン、又はこれらのｎドープ層である。
【０２４６】
第一の態様においてヘテロ接合は、平坦な構成を有する（Two layer organic photovoltaic cell, C. W. Tang, Appl. Phys. Lett., 48 (2), 183〜185 (1986)、又はN. Karl, A. Bauer, J. Holzaepfel, J. Marktanner, M. Moebus, F. Stoelzle, Mol. Cryst. Liq. Cryst., 252, 243〜258 (1994)を参照）。
【０２４７】
第二の好ましい態様においてヘテロ接合は、バルク（混合）ヘテロ接合として構成されており、貫入型ドナー・アクセプターネットワークとも言われる。バルクヘテロ接合を有する有機光起電電池は例えば、C. J. Brabec, N. S. Sariciftci, J. C. HummelenがAdv. Funct. Mater., 11 (1), 15 (2001)に、又はJ. Xue, B. P. Rand, S. Uchida、及びS. R. ForrestがJ. Appl. Phys. 98, 124903 (2005)に記載している。バルクヘテロ接合については、以下で詳細に論じる。
【０２４８】
式（Ｉ）の化合物は、ＭｉＭ、ｐｉｎ、ｐｎ、Ｍｉｐ、又はＭｉｎ型の構造を有する太陽電池において光活性材料として使用することができる（Ｍは金属、ｐはｐドープ型有機若しくは無機半導体、ｎはｎドープ型有機若しくは無機半導体、ｉは有機層の真性導電系である；例えばJ.Drechselら著、Org. Electron., 5 (4), 175 (2004)、又はMaennigら著、Appl. Phys. A 79, 1〜14 (2004)参照）。
【０２４９】
式（Ｉ）の化合物はまた、タンデム型セルにおける光活性材料としても使用することができる。適切なタンデム型セルは例えば、P. Peumans, A. Yakimov, S. R. ForrestがJ. Appl. Phys., 93 (7), 3693〜3723 (2003)に記載しており（US 4,461,922、US 6,198,091、及びUS 6,198,092も参照）、以下で詳細に述べる。タンデム型セルにおける一般式（Ｉ）の化合物の使用は、本発明の好ましい態様である。
【０２５０】
式（Ｉ）の化合物はまた、タンデム型セルにおける光活性材料として使用することもでき、このセルは、積層されたＭｉＭ、ｐｉｎ、Ｍｉｐ、又はＭｉｎ構造から構築されている（DE 103 13 232.5、及びJ. Drechselら、Thin Solid Films, 451452, 515〜517 (2004)参照）。
【０２５１】
Ｍ、ｎ、ｉ、及びｐ層の層厚は通常、１０〜１０００ｎｍの範囲、より好ましくは１０〜４００ｎｍの範囲にある。太陽電池を形成するこれらの層は、当業者に公知の方法によって製造できる。この方法には、減圧下での蒸着、又は不活性ガス雰囲気における蒸着、レーザーアブレーション、若しくは溶液、若しくは分散による工程法、例えばスピンコート、ブレードコート、キャスティング法、スプレー塗布、浸漬塗布、又は印刷（例えばインクジェット、フレキソ印刷、オフセット、グラビア、凹版、ナノインプリンティング）が含まれる。特定の態様において太陽電池全体は、気相堆積法によって製造する。
【０２５２】
太陽電池の効率を改善させるためには、次のドナー・アクセプターインターフェースに到達するために励起子が拡散しなければならない平均距離を短縮することができる。この目的のために、ドナー材料及びアクセプター材料の混合層（これにより相互貫入ネットワークが形成され、内部ドナー・アクセプターヘテロ接合が可能になる）を使用することができる。このバルク接合は、混合層の特別な形態であり、ここでは発生された励起子が、ドメイン領域（ここで励起子が分離される）に到達する前に非常に短い距離しか移動する必要が無い。
【０２５３】
好ましい態様において、バルクヘテロ接合の形における光活性ドナー・アクセプター移行部は、気相堆積法によって製造される（物理蒸着、ＰＶＤ）。適切な方法は例えばUS 2005/0227406に記載されており、これを参照されたい。この目的のために、一般式（Ｉ）の化合物、及び相補的な半導体材料を、同時昇華で気相堆積にかけることができる。ＰＶＤ法は高真空条件下で行い、以下の工程を有する：蒸着、移送、堆積。堆積は好ましくは、約１０-2ｍｂａｒ〜１０-7ｍｂａｒの範囲の圧力、例えば１０-5ｍｂａｒ〜１０-7ｍｂａｒで行う。堆積速度は好ましくは、０．０１〜１００ｎｍ／秒の範囲にある。この堆積は、不活性ガス雰囲気（例えば窒素、ヘリウム、又はアルゴン）中で行うことができる。堆積中の基板の温度は、好ましくは約−１００〜３００℃、より好ましくは−５０〜２５０℃の範囲内にある。
【０２５４】
有機太陽電池のその他の層は、公知の方法によって製造できる。この方法には、減圧下での蒸着、又は不活性ガスにおける蒸着、レーザーアブレーション、若しくは溶液、若しくは分散による工程法、例えばスピンコート、ブレードコート、キャスティング法、スプレー塗布、浸漬塗布、又は印刷（例えばインクジェット、フレキソ印刷、オフセット、グラビア、凹版、ナノインプリンティング）が含まれる。特定の態様において太陽電池全体は、気相堆積法によって製造する。
【０２５５】
光活性層（均質層、又は混合層）は、その製造後直ちに、又は太陽電池を形成するさらなる層の製造後、熱処理にかけることができる。このような熱処理は多くの場合、光活性層の形状を更に改善させることができる。この温度は好ましくは、約６０〜３００℃の範囲にある。処理時間は好ましくは、１分〜３時間の範囲にある。熱処理に加えて、又は熱処理に代えて、光活性層（混合層）は、その製造後直ちに、又は太陽電池を形成するさらなる層の製造後、溶媒含有ガスによる処理にかけることができる。適切な態様では、空気中の飽和溶媒蒸気を、周囲温度で使用する。適切な溶媒は、トルエン、キシレン、クロロホルム、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、酢酸エチル、クロロベンゼン、ジクロロメタン、及びこれらの混合物である。処理時間は好ましくは、１分〜３時間の範囲にある。
【０２５６】
適切な態様において本発明による太陽電池は、平坦なヘテロ接合及びノーマル型構造を有する個別の電池として、存在する。特定の態様において、電池は以下の構造を有する：
・少なくとも部分的に透明な導電層（上部電極、アノード）（１１）
・正孔伝導層（正孔輸送層、ＨＴＬ）（１２）
・ドナー材料を有する層（１３）
・アクセプター材料を有する層（１４）
・励起子ブロック及び／又は電子伝導層（１５）
・第二の導電層（裏面電極、カソード）（１６）。
【０２５７】
ドナー材料は好ましくは、式（Ｉ）の化合物少なくとも１種を含有する、又は式（Ｉ）の化合物から成る。アクセプター材料は好ましくは、少なくとも１種のフラーレン若しくはフラーレン誘導体を含有するか、又はフラーレン若しくはフラーレン誘導体から成る。アクセプター材料は好ましくは、Ｃ６０又はＰＣＢＭ（［６，６］−フェニル−Ｃ６１酪酸メチルエステル）を含有する。
【０２５８】
実質的に透明な伝導層（１１）（アノード）は、担体、例えばガラス若しくはポリマー（例えばポリエチレンテレフタレート）、及び上記導電性材料を有する。この例には、ＩＴＯ、ドープされたＩＴＯ、ＦＴＯ、ＺｎＯ、ＡＺＯなどが含まれる。アノード材料は、表面処理、例えば紫外光、オゾン、酸素プラズマ、Ｂｒ2などによる表面処理にかけることができる。層（１１）は、光の吸収を最大にすることができるように充分に薄いものの、良好な電荷輸送を保証するほど充分に厚いのが望ましい。透明な導電層（１１）の層厚は好ましくは、２０〜２００ｎｍの範囲にある。
【０２５９】
ノーマル型構造を有する太陽電池は、任意で正孔伝導層（ＨＴＬ）を有する。この層は、少なくとも１つの正孔伝導材料（正孔輸送材料、ＨＴＭ）を有する。層（１２）は、実質的に均一な組成の個別の層であってよく、又は２つより多い補助層を有することができる。
【０２６０】
正孔伝導特性（ＨＴＬ）特性を有する層を形成するために適した正孔伝導材料（ＨＴＭ）は好ましくは、イオン化エネルギーが高い材料を少なくとも１種有する。イオン化エネルギーは好ましくは、少なくとも５．０ｅＶ、より好ましくは、少なくとも５．５ｅＶである。これらの材料は、有機材料、又は無機材料であり得る。正孔伝導特性を有する層における使用に適した有機材料は好ましくは、ポリ（３，４−エチレン−ジオキシチオフェン）ポリ（スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）、Ｉｒ−ＤＰＢＩＣ（トリス−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンゾイミダゾール−２−イリデンイリジウム（ＩＩＩ））、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ジフェニル−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤ）、２，２’，７，７’−テトラキス（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−メトキシフェニルアミン）−９，９’−スピロビフルオレン（スピロ−ＭｅＯＴＡＤ）など、及びこれらの混合物から選択される。有機材料は所望の場合、正孔伝導性材料のＨＯＭＯと同じ範囲、又はそれより低い範囲にＬＵＭＯを有するｐドープ剤でドープすることができる。適切なドープ剤は例えば、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（Ｆ4ＴＣＮＱ）、ＷＯ3、ＭｏＯ3などである。正孔伝導性を有する層における使用に適した無機材料は好ましくは、ＷＯ3、ＭｏＯ3などから選択される。
【０２６１】
存在する場合、正孔伝導特性を有する層の厚さは、好ましくは５〜２００ｎｍの範囲、より好ましくは１０〜１００ｎｍの範囲にある。
【０２６２】
層（１３）は、一般式（Ｉ）の化合物を少なくとも１種含有する。層の厚さは、光の最大量を吸収するのに充分であるものの、電荷の効率的な消失を可能にするほど薄いのが望ましい。層（１３）の厚さは好ましくは、５ｎｍ〜１μｍの範囲、より好ましくは５〜１００ｎｍの範囲にある。
【０２６３】
層（１４）は少なくとも１つのアクセプター材料を含有する。アクセプター材料は好ましくは、少なくとも１種のフラーレン若しくはフラーレン誘導体を含有する。代替的に、又はさらに、適切なアクセプター材料は、以下で特定する。層の厚さは、光の最大量を吸収するのに充分であるものの、電荷の効率的な消失を可能にするほど薄いのが望ましい。層（１４）の厚さは好ましくは、５ｎｍ〜１μｍの範囲、より好ましくは５〜８０ｎｍの範囲にある。
【０２６４】
ノーマル型構造を有する太陽電池は、任意で励起子ブロック層及び／又は電子伝導層（１５）（ＥＢＬ／ＥＴＬ）を有する。励起子ブロック層に適した材料は一般的に、層（１３）及び／又は（１４）の材料よりも大きなバンドギャップを有する。これらは第一に、励起子を反射することができ、第二に、層を通じた良好な電子伝導性を可能にする。層（１５）のための材料は、有機材料、又は無機材料であり得る。適切な有機材料は好ましくは、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（Ｂｐｈｅｎ）、１，３−ビス［２−（２，２’−ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］ベンゼン（ＢＰＹ−ＯＸＤ）などから選択される。有機材料は所望の場合、電子伝導性材料のＬＵＭＯと同じ範囲、又はそれより低い範囲にＨＯＭＯを有するｎドープ剤でドープすることができる。適切なドープ剤は例えば、Ｃｓ2ＣＯ3、ピロニンＢ（ＰｙＢ）、ローダミンＢ、コバルトセンなどである。電子伝導性を有する層における使用に適した無機材料は好ましくは、ＺｎＯなどから選択される。存在する場合、層（１５）の厚さは、好ましくは５〜５００ｎｍの範囲、より好ましくは１０〜１００ｎｍの範囲にある。
【０２６５】
層（１６）はカソードであり、好ましくは仕事関数が低い少なくとも１種の化合物、より好ましくは金属（例えばＡｇ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａなど）を含有する。層（１６）の厚さは好ましくは、約１０ｎｍ〜１０μｍの範囲、例えば１０ｎｍ〜６０ｎｍの範囲にある。
【０２６６】
さらなる適切な態様において本発明による太陽電池は、平坦なヘテロ接合及び逆型構造を有する個別のセルとして、存在する。
【０２６７】
特定の態様において、電池は以下の構造を有する：
・少なくとも部分的に透明な導電層（カソード）（１１）
・励起子ブロック及び／又は電子伝導層（１２）
・アクセプター材料を有する層（１３）
・ドナー材料を有する層（１４）
・正孔伝導層（正孔輸送層、ＨＴＬ）（１５）
・第二の導電層（裏面電極、アノード）（１６）。
【０２６８】
層（１１）〜（１６）のために適切、及び好ましい材料については、ノーマル型構造を有する太陽電池における対応する層に関する上記箇所を参照されたい。
【０２６９】
さらなる好ましい態様において本発明による太陽電池は、ノーマル型構造を有する個別の電池として存在し、バルクヘテロ接合を有する。特定の態様において、電池は以下の構造を有する：
・少なくとも部分的に透明な導電層（アノード）（２１）
・正孔伝導層（正孔輸送層、ＨＴＬ）（２２）
・ドナー材料及びアクセプター材料を有する混合層、これによってバルクヘテロ接合（２３）の形で、ドナー・アクセプターヘテロ接合が形成される
・電子伝導層（２４）
・励起子ブロック及び／又は電子伝導性層（２５）
・第二の導電層（裏面電極、カソード）（２６）。
【０２７０】
層（２３）は、一般式（Ｉ）の化合物少なくとも１種を、光活性材料として、例えばドナー材料として含有する。層（２３）はさらに、相補的な半導体材料、例えば少なくとも１種のフラーレン若しくはフラーレン誘導体を、アクセプター材料として含有する。層（２３）は特に、Ｃ６０又はＰＣＢＭ（［６，６］−フェニル）−Ｃ６１−酪酸メチルエステルを、アクセプター材料として含有する。
【０２７１】
層（２１）については、上記層（１１）に関する上記の箇所を参照されたい。
【０２７２】
層（２２）については、上記層（１２）に関する上記の箇所を参照されたい。
【０２７３】
層（２３）は、一般式（Ｉ）の化合物少なくとも１種を半導体材料として含有する混合層である。さらに、層（２３）は相補的な半導体材料を少なくとも１種、含有する。前述のように、層（２３）は、同時蒸着によって、又は公知の溶媒を用いた溶液法によって製造できる。混合層は、混合層の全質量に対して、一般式（Ｉ）の化合物少なくとも１種を、好ましくは１０〜９０質量％、より好ましくは２０〜８０質量％、含有する。混合層は、混合層の全質量に対して、アクセプター材料少なくとも１種を、好ましくは１０〜９０質量％、より好ましくは２０〜８０質量％、含有する。層（２３）の厚さは、光の最大量を吸収するのに充分であるものの、電荷の効率的な消失を可能にするほど薄いのが望ましい。層（２３）の厚さは好ましくは、５ｎｍ〜１μｍの範囲、より好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍの範囲、特に５〜８０ｎｍの範囲にある。
【０２７４】
バルクヘテロ接合を有する太陽電池は、電子伝導層（２４）（ＥＴＬ）を有する。この層は、少なくとも１つの電子伝導材料（ＥＴＭ）を有する。層（２４）は、実質的に均一な組成の単独の層であってよく、又は２つより多い補助層を有することができる。電子伝導層に適した材料は一般的に、仕事関数が低い、又はイオン化エネルギーが低い。イオン化エネルギーは好ましくは、３．５ｅＶ以下である。適切な有機材料は好ましくは、上記フラーレン及びフラーレン誘導体、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（Ｂｐｈｅｎ）、１，３−ビス［２−（２，２’−ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］ベンゼン（ＢＰＹ−ＯＸＤ）などから選択される。層（２４）で使用される有機材料は所望の場合、電子伝導性材料のＬＵＭＯと同じ範囲、又はそれより低い範囲にＨＯＭＯを有するｎドープ剤でドープすることができる。適切なドープ剤は例えば、Ｃｓ2ＣＯ3、ピロニンＢ（ＰｙＢ）、ローダミンＢ、コバルトセンなどである。存在する場合、層（２３）の厚さは好ましくは、１ｎｍ〜１μｍの範囲、好ましくは５〜６０ｎｍの範囲にある。
【０２７５】
層（２５）については、上記層（１５）に関する上記の箇所を参照されたい。
【０２７６】
層（２６）については、上記層（１６）に関する上記の箇所を参照されたい。
【０２７７】
バルクヘテロ接合の形でドナー・アクセプターヘテロ接合を有する太陽電池は、前述のように気相堆積法によって製造することができる。堆積速度、堆積中の基板温度、及び熱による後処理については、上記箇所を参照されたい。
【０２７８】
さらなる好ましい態様において本発明による太陽電池は、逆型構造を有する個別の電池として存在し、バルクヘテロ接合を有する。
【０２７９】
特に好ましい態様において、本発明による太陽電池は、タンデム型セルである。
【０２８０】
タンデム型セルは、２個より多い（例えば３個、４個、５個など）サブセルから成る。唯一のサブセル、幾つかのサブセル、又は全てのサブセルが、光活性ドナー・アクセプターヘテロ接合を有することができる。ドナー・アクセプターヘテロ接合はそれぞれ、平坦なヘテロ接合の形、又はバルクヘテロ接合の形で存在し得る。好ましくは、ドナー・アクセプターヘテロ接合の少なくとも１つが、バルクヘテロ接合の形である。本発明によれば、少なくとも１つのサブセルの光活性層が、一般式（Ｉ）の化合物を含有する。好ましくは、少なくとも１つのサブセルの光活性層が、一般式（Ｉ）の化合物少なくとも１種、及び少なくとも１種のフラーレン若しくはフラーレン誘導体を含有する。より好ましくは、少なくとも１つのサブセルの光活性層において使用される半導体混合物は、Ｃ60又は［６，６］−フェニル−Ｃ６１−酪酸メチルエステルである。
【０２８１】
タンデムセルを形成するサブセルは、並列で、又は直接で接続されていてよい。タンデムセルを形成するサブセルは好ましくは、直接で接続されている。それぞれの場合において、各サブセルの間に、さらなる再結合層が存在するのが好ましい。個別のサブセルは、同じ極性を有する。すなわち一般的には、ノーマル型構造を有するセルのみ、又は逆型構造を有するセルのみを、相互に組み合わせる。
【０２８２】
本発明によるタンデムセルは好ましくは、透明導電層（層３１）を有する。適切な材料は、個別のセルについて先に特定した通りである。層（３２）及び（３４）は、サブセルから成る。ここで「サブセル」とは、カソード及びアノードを有さない、先に規定したセルを言う。サブセルは例えば、全てが本発明により使用する一般式（Ｉ）の化合物を光活性層に有する（好ましくはフラーレン若しくはフラーレン誘導体、特にＣ６０との組み合わせで）か、又は半導体材料の他の組み合わせを有する（例えばＣ６０と亜鉛フタロシアニン、Ｃ６０とオリゴチオフェン（例えばＤＣＶ５Ｔ））。加えて、個別のサブセルはまた、色素増感型太陽電池、又はポリマー電池として構成されていてよい。
【０２８３】
全ての場合において、励起光（例えば自然の日光）のスペクトルの異なる領域を活用する材料の組み合わせが好ましい。例えば本発明に従って使用される一般式（Ｉ）の化合物と、フラーレン若しくはフラーレン誘導体との組み合わせは、日光の長い波長領域で吸収する。少なくとも１種のペリレン化合物に基づくセルは例えば、国際特許出願のWO2011158211に記載されており、主に短い波長範囲で吸収する。よって、これらのサブセルの組み合わせから構成されるタンデム型セルは、約４００ｎｍ〜９００ｎｍの範囲で放射を吸収するのが望ましい。よってサブセルの適切な組み合わせにより、利用されるスペクトル範囲が拡張されるのが望ましい。最適な性能特性のためには、光干渉を考慮するべきである。例えば、比較的短い波長で吸収するサブセルは、長い波長領域を有するサブセルよりも、金属製トップコンタクトに対して近く配置されるべきである。
【０２８４】
層（３１）については、上記層（１１）及び（２１）に関する上記の箇所を参照されたい。
【０２８５】
層（３２）及び（３４）については、平坦なヘテロ接合のための層（１２）〜（１５）、及びバルクヘテロ接合のための層（２２）〜（２５）に関する上記箇所を参照されたい。
【０２８６】
層（３３）は、再結合層である。再結合層により、１つのサブセルから電荷担体を、隣接するサブセルの電荷担体と再結合させることができる。小さな金属クラスター（例えばＡｇ、Ａｕ）、又は高度にドープされたｎ型及びｐ型層の組み合わせが適切である。金属クラスターの場合、層の厚さは好ましくは、０．５〜５ｎｍの範囲にある。高度にドープされたｎ型及びｐ型層の場合、層の厚さは好ましくは、５〜４０ｎｍの範囲にある。再結合層は一般的に、サブセルの電子伝導層を、隣接するサブセルの正孔伝導層に接続する。このようにさらなるセルを再結合させて、タンデム型セルを形成することができる。
【０２８７】
層（３６）は、上部電極である。その材料は、サブセルの極性に依存する。ノーマル型構造を有するサブセルについては、仕事関数が低い金属（例えばＡｇ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａなど）を使用するのが好ましい。逆型構造を有するサブセルについては、仕事関数が高い金属（例えばＡｕ若しくはＰｔ）、又はＰＥＤＯＴ−ＰＳＳを使用するのが好ましい。
【０２８８】
直列に接続されたサブセルの場合、全体の電圧は、全てのサブセルの各電圧の合計に相当する。これとは対照的に全体の電流は、１つのサブセルの最低電流によって制限される。このため、各サブセルの厚さは、全てのサブセルが実質的に同じ電流を有するように最適化するのが望ましい。
【０２８９】
異なる種類のドナー・アクセプターヘテロ接合の例は、平丹なヘテロ接合を有するドナー・アクセプター二重層であるか、又はヘテロ接合が、ハイブリッドな平坦混合ヘテロ接合、又は勾配型バルク接合、又はアニール型バルクヘテロ接合として構成されている。
【０２９０】
ハイブリッドな平坦混合ヘテロ接合の製造は、Adv. Mater. 17, 66-70 (2005)に記載されている。この構造では、アクセプター及びドナー材料を同時に蒸着させることにより形成された混合ヘテロ接合層が、均質なドナー材料及びアクセプター材料の間に存在する。
【０２９１】
本発明の特定の態様では、ドナー・アクセプターヘテロ接合が、勾配型バルクヘテロ接合の形である。ドナー材料とアクセプター材料から構成される混合層において、ドナー／アクセプター比が徐々に変化する。勾配の形成は、段階的、又は比例的であり得る。段階的な勾配の場合、層０１は例えば、１００％がドナー材料から成り、層０２はドナー／アクセプター比率が１超であり、層０３はドナー／アクセプター比率が１であり、層０４はドナー／アクセプター比率が１未満であり、層０５は１００％アクセプター材料から成る。比例的な勾配の場合、層０１は例えば、１００％がドナー材料から成り、層０２はドナー／アクセプターの比率が低下し（すなわち、ドナー材料の割合が、層０３の方向へと比例的に減少する）、そして層０３は１００％、アクセプター材料から成る。各材料、及びあらゆる材料の堆積速度によって、異なるドナー／アクセプター比率を制御することができる。このような構造は、電荷のためのパーコレーションパスを促進させることができる。
【０２９２】
本発明のさらなる特定の態様において、ドナー・アクセプターヘテロ接合は、アニール型バルクヘテロ接合として構成される（例えばNature 425, 158〜162, 2003参照）。このような太陽電池を製造するための方法は、金属堆積の前、又はその後にアニール工程を有する。アニールの結果、ドナー材料及びアクセプター材料を分離することができ、これによってパーコレーションパスがより延長される。
【０２９３】
本発明のさらなる特定の態様において有機太陽電池は、平坦な、又は制御されたヘテロ接合構造物とともに、有機気相成長法によって製造される。この種の太陽電池は、Materials, 4, 2005, 37に記載されている。
【０２９４】
本発明の有機太陽電池は好ましくは、式（Ｉ）の化合物少なくとも１種を含有する少なくとも１種の光活性領域を有し、この領域は少なくとも１つの相補的な半導体と接触している。式（Ｉ）の化合物に加えて、以下に列挙する半導体材料は原則的に、本発明による太陽電池における使用に適している。
【０２９５】
さらなる好ましい半導体は、フラーレン及びフラーレン誘導体であり、好ましくはＣ60、Ｃ70、Ｃ84、フェニル−Ｃ61−酪酸メチルエステル（［６０］ＰＣＢＭ）、フェニル−Ｃ71−酪酸メチルエステル（［７１］ＰＣＢＭ）、フェニル−Ｃ84−酪酸メチルエステル（［８４］ＰＣＢＭ）、フェニル−Ｃ61−酪酸ブチルエステル（［６０］ＰＣＢＢ）、フェニル−Ｃ61−酪酸オクチルエステル（［６０］ＰＣＢＯ）、チエニル−Ｃ61−酪酸メチルエステル（［６０］ＴｈＣＢＭ）、及びこれらの混合物から選択される。特に好ましいのは、Ｃ60、［６０］ＰＣＢＭ、及びこれらの混合物である。蒸着可能なこれらのフラーレン（例えばＣ６０又はＣ７０）が特に好ましい。フラーレン、及びフラーレン誘導体は通常、式（Ｉ）の化合物少なくとも１種との組み合わせで、アクセプターとして働く。
【０２９６】
さらなる適切な半導体は、式（Ｉ）の化合物とは異なるペリレンジイミドである。例えば下記式のペリレンジイミド：
【化５６】
2017512755.tif 000076
が好ましく、
前記式中、
基Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、及びＲ24はそれぞれ独立して、水素、ハロゲン、又はハロゲン以外の基であり、
Ｙ1は、Ｏ、又はＮＲaであり、ここでＲaは、水素、又はオルガニル基であり、
Ｙ2は、Ｏ、又はＮＲbであり、ここでＲbは、水素、又はオルガニル基であり、
Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、及びＺ4は、それぞれＯであり、
ここで、Ｙ1がＮＲaの場合、基Ｚ1及びＺ2の１つは、ＮＲcであってよく、ここで基Ｒa及びＲcはともに、側方結合の間に２〜５個の炭素原子を有する架橋基であり、
ここで、Ｙ2がＮＲbの場合、基Ｚ3及びＺ4の１つは、ＮＲdであってよく、ここで基Ｒb及びＲdはともに、側方結合の間に２〜５個の炭素原子を有する架橋基である。
【０２９７】
適切なペリレンジイミドは例えば、WO 2007/074137、WO 2007/093643、及びWO 2007/116001に記載されており、これらを参照されたい。
【０２９８】
ペリレンジイミドは式（Ｉ）の化合物少なくとも１種との組み合わせで、特にペリレンジイミドの置換基に応じて、ドナー又はアクセプターとして働くことができる。
【０２９９】
さらなる適切な半導体は、チオフェン化合物である。これらは好ましくは、チオフェン、オリゴチオフェン、及びこれらの置換された誘導体から選択される。適切なオリゴチオフェンは、クアテルチオフェン、キンクエチオフェン、セキシチオフェン、α，ω−ジ（Ｃ1〜Ｃ8）−アルキルオリゴチオフェン、例えばα，ω−ジヘキシルクアテルチオフェン、α，ω−ジヘキシルキンクエチオフェン、及びα，ω−ジヘキシルセキシチオフェン、ポリ（アルキルチオフェン）、例えばポリ（３−ヘキシルチオフェン）、ビス（ジチエノチオフェン）、アントラジチオフェン、及びジアルキルアントラジチオフェン、例えばジヘキシルアントラジチオフェン、フェニレン−チオフェン（Ｐ−Ｔ）オリゴマー、及びその誘導体、特にα，ω−アルキル置換されたフェニレン−チオフェンオリゴマーである。
【０３００】
半導体として適したさらなるチオフェン化合物は、好ましくは以下のような化合物から選択される：
α，α’ビス（２，２−ジシアノビニル）キンクエチオフェン（ＤＣＶ５Ｔ）、
（３−（４−オクチルフェニル）−２，２’−ビチオフェン）（ＰＴＯＰＴ）、
及び、WO 2006/092124に記載されたアクセプター置換されたオリゴチオフェン。
【０３０１】
チオフェン化合物は、式（Ｉ）の化合物少なくとも１種との組み合わせで通常、ドナーとして働く。
【０３０２】
ドナーとして適したさらなる半導体は、WO 2010/049512に記載されたメロシアニンである。
【０３０３】
上記半導体は全て、ドープされていてよい。半導体の導電性は、ドープ剤を用いて化学ドーピング技術により、上昇させることができる。有機半導体材料は、電子伝導材料のＬＵＭＯエネルギーレベルに近い、又はそれよりも高いＨＯＭＯエネルギーレベルを有するｎドープ剤によって、ドープされていてよい。有機半導体材料はまた、正孔伝導材料のＨＯＭＯエネルギーレベルに近い、又はそれよりも高いＬＵＭＯエネルギーレベルを有するｐドープ剤によって、ドープされていてよい。言い換えると、ｎドープ剤の場合、電子はドープ剤から放出され、これがドナーとして働き、その一方でｐドープ剤の場合、ドープ剤は、電子を受容するアクセプターとして働く。
【０３０４】
本発明による式（Ｉ）の化合物とｐ型半導体に適切なドープ剤は一般に、例えばＷＯ3、ＭｏＯ3、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（Ｆ4−ＴＣＮＱ）、３，６−ジフルオロ−２，５，７，７，８，８−ヘキサシアノキノジメタン、ジクロロジシアノキノン（ＤＤＱ）、又はテトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）から選択される。好ましいドープ剤は、３，６−ジフルオロ−２，５，７，７，８，８−ヘキサシアノキノジメタンである。
【０３０５】
さらなる適切なドープ剤は例えば、Ｃｓ2ＣＯ3、ＬｉＦ、ピロニンＢ（ＰｙＢ）、ローダミン誘導体、コバルトセンなどから選択される。好ましいドープ剤は、ピロニンＢ、及びローダミン誘導体であり、特にローダミンＢである。
【０３０６】
ドープ剤は通常、ドープすべき半導体の量に対して最大１０ｍｏｌ％の量、好ましくは最大５ｍｏｌ％の量で使用される。
【０３０７】
本発明はさらに、上部電極、下部電極、エレクトロルミネッセンス層、及び任意で補助層を有するエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置をもたらし、ここで前記電極のうち少なくとも１つが透明であり、前記エレクトロルミネッセンス配置は、先に規定した式Ｉの化合物少なくとも１種を有する。ＥＬ装置の特徴は、電流により電圧が印加された際に、光を放出するということにある。このような装置は発光ダイオード（ＬＥＤ）として、以前から工業技術において公知である。正の電荷（正孔）と負の電荷（電子）が、光の放出により再結合されることに基づき、光が放射される。この用途において、エレクトロルミネッセンス装置、及び有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）という用語は、同義で用いる。原則的に、ＥＬ装置は幾つかの層から構築されている。これらの層のうち少なくとも１つが、１種以上の有機電荷輸送化合物を含有する。その層構造は、原則的に以下の通りである：
１．担体、基板
２．ベース電極（アノード）
３．正孔注入層
４．正孔輸送層
５．発光層
６．電子輸送層
７．電子注入層
８．上部電極（カソード）
９．コンタクト
１０．カバー、封入部。
【０３０８】
この構造は最も一般的な場合であり、この構造は各層を省略することによって単純化でき、この場合、１つの層が複数の役割を担うことになる。最も単純な場合、ＥＬ装置は２つの電極（この間に有機層が配置されている）から成り、これが発光を含む全ての機能を満たす。有機発光ダイオードの構造、及びその製造方法は、例えばWO 2005/019373から当業者に公知である。ＯＬＥＤの各層のための適切な材料は例えば、WO 00/70655に開示されている。これらの開示については、ここで参照しておく。原則的に、本発明によるＯＬＥＤは、当業者に公知の方法によって製造できる。第一の態様ではＯＬＥＤを、各層を適切な基板に、連続的に蒸着させることによって製造する。蒸着のためには、公知の技術を使用することができ、それは例えば、熱蒸着、化学蒸着などである。代替的な態様において有機層は、適切な溶媒における溶液又は分散液から被覆することができ、このためには当業者に公知の被覆技術を用いる。
【０３０９】
基板１として適しているのは、透明担体、例えばガラス又はプラスチックフィルム（例えばポリエステル、例えばポリエチレンテレフタレート、又はポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリスルホン、ポリイミドシート）である。透明な導電性材料として適しているのは、ａ）金属酸化物、例えばインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、スズ酸化物（ＮＥＳＡ）など、及びｂ）半透明金属フィルム、例えばＡｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕなどである。
【０３１０】
式（Ｉ）の化合物は好ましくは、電荷輸送材料（電子伝導体）として用いる。よって、先に規定した式Ｉの化合物少なくとも１種は好ましくは、正孔注入層、正孔輸送層において、又は透明電極の一部として使用する。
【０３１１】
本発明によるＥＬ装置では、低分子量の材料、オリゴマー材料、又はポリマー材料も、発光層５として使用できる。これらの物質の特徴は、フォトルミネッセンス特性を有するということである。従って、適切な物質は例えば、オリゴマーを形成する、又はポリマーに組み込まれる蛍光色素と蛍光生成物である。このような材料の例は、クマリン、ペリレン、アントラセン、フェナントレン、スチルベン、ジスチリル、メチン、又は金属錯体、例えばＡｌｑ3（トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム）などである。適切なポリマーには、置換若しくは非置換のフェニレン、フェニレンビニレン、又はポリマー側鎖若しくはポリマー骨格に蛍光部分を有するポリマーが含まれる。その詳細なリストは、EP-A-532 798に記載されている。ルミネセンスを増大させるために好ましくは、電子注入層又は正孔注入層（３及び／又は７）をＥＬ装置に組み込むことができる。電荷（正孔及び／又は電子）を輸送する多くの有機化合物が、文献に記載されている。主に低分子量の物質が使用され、これらは例えば、高真空中で真空蒸着される。このような物質群、及びその使用についての包括的な概観は、例えばEP-A 387 715、US 4,539,507、US 4,720,432、及びUS 4,769,292に見られる。好ましい材料は、ＰＥＤＯＴ（ポリ−（３，４−エチレンジオキシチオフェン））であり、これはＯＬＥＤの透明電極においても使用できる。
【０３１２】
本発明による化合物（Ｉ）の使用の結果、効率が高いＯＬＥＤを得ることができる。本発明によるＯＬＥＤは、エレクトロルミネッセンスが有用なあらゆるデバイスで使用できる。適切なデバイスは好ましくは、据え置き型、及び可搬型の視覚ディスプレイユニットから選択される。据え置き型のディスプレイユニットは例えば、コンピュータの視覚的ディスプレイユニット、テレビ、プリンターにおける視覚的なディスプレイユニット、台所取り付け品、並びに広告パネル、イルミネーション、及び情報パネルである。可搬型の視覚的ディスプレイユニットは例えば、携帯電話における視覚的ディスプレイ、ラップトップ型パソコン、デジタルカメラ、バスや電車における車両表示と目的地表示である。さらに、化合物（Ｉ）は、逆型構造を有するＯＬＥＤで使用できる。これらの逆型ＯＬＥＤにおける化合物（Ｉ）は、好ましくは発光層で使用する。逆型ＯＬＥＤの構造、及びそこで通常使用される材料は、当業者に公知である。
【０３１３】
電荷輸送材料として、又は励起子輸送材料として使用する前に、式（Ｉ）の化合物を精製工程にかけるのが有用であり得る。適切な精製工程は、慣用のカラム技術、及び式（Ｉ）の化合物を気相に変換する工程を含む。これには、昇華又はＰＶＤ（物理蒸着）による精製が含まれる。
【０３１４】
ポリマー組成物
本発明のさらなる対象は、上記式（Ｉ）の化合物少なくとも１種、及び少なくとも１種のポリマー、好ましくは少なくとも１種の熱可塑性ポリマーを含有する、組成物である。適切かつ好ましい式（Ｉ）の化合物については、先に式（Ｉ）の０化合物について適切かつ好ましいと述べた箇所を参照されたい。
【０３１５】
意外なことに、式（Ｉ）の化合物は、ポリマー組成物における使用のための着色剤として有利な特性を有していることが判明した。
【０３１６】
一般式（Ｉ）の化合物は有利には、幅広い様々なポリマーと相容性である。特に、これらは様々な部類のポリマーにおける良好な相容性によって特徴付けられる。これらは、優れた加工性、及び良好な堅牢性を有する。さらに、一般式（Ｉ）の化合物は、着色された透明なポリマー組成物を形成することができる。
【０３１７】
特別な態様では、一般式（Ｉ）の化合物を、少なくとも１種の熱可塑性ポリマーを含有するポリマー組成物において使用する。
【０３１８】
熱可塑性ポリマーは好ましくは、以下のものから選択される：
・Ｃ2〜Ｃ10モノオレフィン、１，３−ブタジエン、２−クロロ−１，３−ブタジエン、ビニルアルコール、及びそのＣ2〜Ｃ10アルキルエステル、塩化ビニル、塩化ビニリデン、フッ化ビニリデン、テトラフルオロエチレン、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、Ｃ1〜Ｃ10アルコールのアクリレート及びメタクリレート、ビニル芳香族化合物、（メタ）アクリロニトリル、無水マレイン酸、及びα，β−エチレン系不飽和モノカルボン酸及びジカルボン酸から選択される共重合されたモノマーを少なくとも１種含有するホモポリマー及びコポリマー、
・ビニルアセタールのホモポリマー及びコポリマー、
・ポリビニルエステル、
・ポリカーボネート、
・ポリエステル、
・ポリエーテル、
・ポリエーテルケトン、
・熱可塑性ポリウレタン、
・ポリスルフィド、
・ポリスルホン、
・ポリエーテルスルホン、
・セルロースアルキルエステル、
及びこれらの混合物。
【０３１９】
Ｃ4〜Ｃ8アルコールの群からの、特にブタノール、ヘキサノール、オクタノール、及び２−エチルヘキサノールの群からの、同一若しくは異なるアルコール部分を有するポリアクリレートの例について言及されるのは、以下のものであり得る： ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、メチルメタクリレート・ブチルアクリレートのコポリマー、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレンのコポリマー（ＡＢＳ）、エチレン・プロピレンのコポリマー、エチレン・プロピレン・ジエンのコポリマー（ＥＰＤＭ）、ポリスチレン（ＰＳ）、スチレン・アクリロニトリルのコポリマー（ＳＡＮ）、アクリロニトリル・スチレン・アクリレート（ＡＳＡ）、スチレン・ブタジエン・メチルメタクリレートのコポリマー（ＳＢＭＭＡ）、スチレン・無水マレイン酸のコポリマー、スチレン・メタクリル酸のコポリマー（ＳＭＡ）、ポリオキシメチレン（ＰＯＭ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡＬ）、ポリビニルアセテート（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）、ポリカプロラクトン（ＰＣＬ）、ポリヒドロキシ酪酸（ＰＨＢ）、ポリヒドロキシバレリン酸（ＰＨＶ）、ポリ酢酸（ＰＬＡ）、エチルセルロース（ＥＣ）、酢酸セルロース（ＣＡ）、プロピオン酸セルロース（ＣＰ）、及び酢酸酪酸セルロース（ＣＡＢ）。
【０３２０】
本発明による着色剤に有用な熱可塑性ポリマーは、特にポリエステル、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリエチレン、ポリプロピレン、スチレン／アクリロニトリル（ＳＡＮ）、又はアクリロニトリル／ブタジエン／スチレン（ＡＢＳ）である。特に好ましいのは、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、及びＰＭＭＡである。
【０３２１】
式（Ｉ）の化合物は特に、少なくとも１種のエラストマー、及び一般式（Ｉ）の化合物少なくとも１種を含有する成形組成物で使用される。本発明の成形組成物に含有されるエラストマーは好ましくは、少なくとも１種の天然ゴム（ＮＲ）、合成経路によって製造される少なくとも１種のゴム、又はこれらの混合物である。合成経路によって製造される好ましいゴムの例は、ポリイソプレンゴム（ＩＲ）、スチレン・ブタジエンゴム（ＳＢＲ）、ブタジエンゴム（ＢＲ）、ニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）、及びクロロプレンゴム（ＣＲ）である。
【０３２２】
本発明の目的のためにポリマー組成物は、上記成分に加えて、さらなる添加剤を少なくとも１種、含有することができる。適切な添加剤は、可塑剤、安定剤、潤滑剤、充填材、顔料、難燃剤、光安定剤、発泡剤、ポリマー加工助剤、耐衝撃性変性剤、増白剤、静電防止剤、殺生剤などである。
【０３２３】
本発明のポリマー組成物は、様々な製品で使用できる。これらは例えば、食料若しくは飲料の包装、インテリア分野のための製品、玩具、及び幼児用ケア用品、スポーツ及びレジャー用品、アパレル、布用繊維、医療用品、衛生用品などである。
【０３２４】
本発明のポリマー組成物から製造することができる食料若しくは飲料用の包装は例えば、鮮度保持シート、食料若しくは飲料用ホース、飲料水用ホース、食料若しくは飲料を保存又は冷凍するための容器、蓋部充填材、閉鎖キャップ、王冠のコルク、又はワイン用の合成コルクである。
【０３２５】
インテリア分野のために本発明のポリマー組成物から製造可能な製品は、例えばフロアコーティング（少なくとも１つの発泡層から構成される複数の層から構成される均質な構造又は構造を有することができるもの）であり、その例は、スポーツ用フロア、及びその他のフロアコーティング、豪奢なビニルタイル（ＬＶＴ）、合成皮革、壁面コーティング、又は建築物における発泡性若しくは非発泡性の壁紙、又は自動車における外装材若しくはコンソールカバーである。
【０３２６】
本発明のポリマー組成物から製造可能な玩具及び幼児用ケア用品は例えば、人形、膨らませる玩具、例えばボール、おもちゃのフィギュア、工作用粘土、水泳補助具、歩行器用カバー、乳児用取り替えマット、ベッド温め器、噛み輪、又はビンである。
【０３２７】
本発明のポリマー組成物から製造可能なスポーツ及びレジャー製品は例えば、運動用ボール、エクササイズマット、シートクッション、マッサージボール、及びマッサージローラ、靴、及び靴のソール、ボール、エアマットレス、及び飲料用ボトルである。
【０３２８】
本発明による組成物から製造可能な医療用品は例えば、経腸栄養用、及び血液透析用のチューブ、呼吸用チューブ、点滴用チューブ、点滴袋、輸血袋、カテーテル、気管用チューブ、手袋、呼吸マスク、又は使い捨て注射器である。
【０３２９】
さらなる態様において、一般式（Ｉ）の化合物は、表面被覆において使用される。これらは特に、被覆組成物の着色層として、又は被覆組成物の着色層において適している。一般式（Ｉ）の化合物は、マルチコート着色系（例えば自動車産業において乗用車の仕上げに使用される）を製造するために適している。
【０３３０】
典型的な被覆組成物は、以下の要素を１種以上含有する：
（Ａ）少なくとも１つのプライマー、
（Ｂ）少なくとも１つの着色性及び／又は効果付与性ベースコート、及び
（Ｃ）少なくとも１つのクリアコート。
【０３３１】
一般式（Ｉ）の化合物は、被覆組成物の着色性コート及び／又は効果付与性ベースコートにおいて、有利に使用できる。
【０３３２】
被覆組成物は、この分野でよく知られたあらゆる種類の技術によって製品に被覆することができる。これには例えば、スプレーコート、ディップコート、ロールコート、カーテンコートなどが含まれる。自動車ボディのパネルについては、スプレーコートが好ましい。
【０３３３】
基材に単層を作製するため、又は複合材被覆を作製するための、着色された被覆組成物は、この分野でよく知られており、ここでさらなる説明を要しない。被覆組成物において有用な、この分野で公知のポリマーには、アクリル、ビニル、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリエステル、アルキド、ポリシロキサンなどが含まれる。好ましいポリマーには、アクリル、及びポリウレタンが含まれる。１つの態様において被覆組成物は、カルバメート官能性アクリルポリマーも利用することができる。被覆組成物で使用するためのポリマーは、好ましくは架橋可能であるため、１種以上の架橋可能な官能基を有する。このような基には例えば、ヒドロキシ基、イソシアネート基、アミン基、エポキシ基、アクリレート基、ビニル基、シラン基、及びアセトアセトネート基が含まれる。これらの基は、ブロックされずに所望の硬化条件（一般的には温度上昇、及び／又は化学線照射）で架橋反応のために利用可能であるように、マスク又はブロックされていてよい。
【０３３４】
被覆すべき基材は、多様なあらゆる材料から作製されていてよい。適切な材料の例は、木材、ガラス、皮革、プラスチック、金属、特に反応に有利な金属、例えば鉄、鋼、ステンレス鋼、亜鉛、アルミニウム、チタン、及びこれら相互の合金、及びこれらとその他の金属との合金、無機物質、特にか焼した、若しくはか焼されていない粘土、セラミック、天然の石、及び人工の石、発泡体、繊維材料、特にガラスファイバー、セラミック繊維、炭素繊維、布繊維、ポリマー繊維、又は金属繊維、及び複合繊維、又は繊維強化材料、特に上記繊維で強化されたプラスチックである。
【０３３５】
一般式（Ｉ）の化合物は好ましくは、自動車ボディのコーティング、特に市販の旅客用車両のボディ、またその部材、特にその搭載部材、建築物の内部、又は外部、及びその一部、ドア、窓、家具、及び中空ガラス製品、及び工業的な被覆の関連では、コーティングコイル、容器、包装、小部品、例えばナット、ボルト、タイヤのリム又はハブキャップ、電子部材、例えば巻取り型製品（コイル、ステータ、ロータ）、及び白物製品のための部材、例えばラジエータ、家電製品、冷蔵庫のボディ、又は洗濯機のボディで使用できる。
【０３３６】
一般式（Ｉ）の化合物は好ましくは、以下の目的のために使用できる：インク製造、印刷プロセスにおける印刷用インク、フレキソ印刷、スクリーン印刷、包装用印刷、セキュリティーカラー印刷、凹版印刷、又はオフセット印刷、印刷前駆体、及び布印刷、オフィス用途、家庭用途、又は文具用途、例えば紙製品、ボールペン、フェルトペン、繊維ペン、ボール紙、木材、ステイン、金属、スタンプ台、又はインパクトプリンティング工程用インク（インパクトプリンティング用カラーリボン含む）、着色剤の製造、布の脱色、及び産業用マーキング、ロールコート、又はパウダーコート、又は自動車コーティング、高固体含分（低溶媒）の水性又は金属コーティング、又は顔料着色組成物、又は水性塗料、鉱油、グリース、又はワックス；コーティング用、繊維用、プレート用、又は成形担体用の着色プラスチックの製造、デジタル印刷用非インパクトプリンティング材料の製造、熱によるワックス転写式印刷工程、インクジェット印刷工程、又は熱転写印刷工程、又はポリマー性着色粒子、トナー、乾式コピー用トナー、湿式コピートナー、又は電磁トナーの製造。
【０３３７】
本発明を、以下の非限定的な例により詳細に説明する。
【０３３８】
実施例
一般事項：
特に記載しない限り、全ての試薬と溶媒は、市販の供給元から得たものであり、さらに精製することなく使用した。反応は、標準的な真空ラインとシュレンク技術を用いて行い、あらゆる化合物の後処理と精製は、空気下で、試薬グレードの溶媒を用いて行った。カラムクロマトグラフィーは、Macherey-Nagel社製のシリカゲルを用いて（粒径０．０６３〜０．２００ｍｍ）行い、Macherey-Nagel社製の蛍光指示薬を有するシリカで被覆されたアルミニウムシートを、薄層クロマトグラフィーのために使用した。1Ｈ−ＮＭＲ及び13Ｃ−ＮＭＲのスペクトルは、Bruker AVANCE 300、Bruker AVANCE III 500、及びBruker AVANCE III 700の分光計により、列挙した重水素添加溶媒中で記録した。温度制御は、ＶＴＵ（可変温度ユニット）、精度±０．１Ｋで行い、これを標準的なBruker Topspin 3.1ソフトウェアでモニターした。重水素を添加していない残りの溶媒は、内部標準として使用した。溶液のＵＶ−Ｖｉｓ吸収率、及び放出スペクトルは室温で、Perkin-Elmer Lambda 900分光計及びJ&MTIDAS分光計で、ＣＨ2Ｃｌ2中において、慣用の石英セル（光路１０ｍｍ）で記録した。高解像度の電子スプレーイオン化質量スペクトル分析は、Q-Tof Ultima 3（μ質量／Waters）で行った。高解像度のMALDI-TOFスペクトルは、Waters Synapt G2-Si分光計で、C60を参照として記録した。サイクリックボルタンメトリー測定は、WaveDriver 20バイポテンシオスタット／ガルバノスタット（Pine Instruments社製）で行った。高性能液体クロマトグラフィーは、Agilent 1200 seriesで行った。
【０３３９】
略号の説明：ＤＣＭはジクロロメタン、（ＣＤＣｌ2）2は、重水素テトラクロロエタン、ＴＨＦは、テトラヒドロフランである。
Ｉ．一般式Ｉの化合物の製造
例１：
例１．１
４−ｔｅｒｔ−ブチル−２，６−ジアセチルアニリンの製造
【化５７】
2017512755.tif 000077
【０３４０】
４−ｔｅｒｔ−ブチル２，６−ジブロモアニリン（６ｇ、１９．５ｍｍｏｌ）、及び無水ジオキサン２００ｍＬを混合し、アルゴンを３０分間パージすることによって完全に脱気した。それから、トリブチル（１−エトキシビニル）スズ２０ｍＬ（５９．３ｍｍｏｌ）を添加し、この系をさらに５分間、脱気した。０．２当量のテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（４．５ｇ；３．９ｍｍｏｌ）を、窒素下で添加した。この反応混合物を１００℃に加熱し、２０時間撹拌した。室温に冷却した後、２ＭのＨＣｌ溶液５００ｍＬを添加し、さらに２時間、激しく撹拌した。この反応混合物を、まず酢酸エチルで、それからＤＣＭで抽出した。組み合わせた有機層をブラインで洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させた。蒸発後に残渣を、カラムクロマトグラフィーにより精製した（シリカ、ＰＥ／ＥｔＯＡｃ  ９５／５）。この生成物は、熱水／メタノール（１０／１）から再結晶させた後に、収率７０％で黄色い針状物体として得られた（３．２ｇ；１３．７ｍｍｏｌ）。
【数１】
2017512755.tif 000078
【０３４１】
例１．２：
２−（ｔｅｒｔ−ブチル）ナフト［１’，８’：７，８，９］キノリジノ［３，４，５，６−ｉｊａ］キノリン−４，１３−ジオンの製造
【化５８】
2017512755.tif 000079
【０３４２】
炎で乾燥させた５０ｍＬのシュレンクフラスコ内に、ナフタリンモノ無水物５００ｍｇ（２．５２ｍｍｏｌ）、４−ｔｅｒｔ−ブチル−２，６−ジアセチルアニリン６５０ｍｇ（１．１当量；２．７８ｍｍｏｌ）、０．１当量の酢酸亜鉛（４７ｍｇ、０．２５ｍｍｏｌ）、及びイミダゾール１７ｇを添加した。この固体を、注意深く振ることによって混合し、三回脱気した。これをアルゴン下で１６時間、１６０℃に加熱した。１００℃に冷却した後、この溶融物に水を加えた。生成した溶液を、１ＭのＨＣｌ溶液に注いだ。沈殿物を濾過し、水で洗浄した。フィルターケークをＤＣＭで抽出し、それからＤＣＭ／ＴＨＦ（１０／１）の混合物で抽出し、蒸発させた。残渣をカラムクロマトグラフィーで精製した（シリカ、ＤＣＭ／ＴＨＦ２０／１）。生成物をＤＣＭ／ヘキサンから結晶化させ、純粋な化合物が、黄色〜オレンジ色の針状物質として、収率２５〜５２％で得られた（２４０〜４８０ｍｇ；０．６４〜１．２７ｍｍｏｌ）。
【数２】
2017512755.tif 000080
【０３４３】
この構造は、ＸＲＤにより実証された。
【０３４４】
例１．３
２，２’−（２−（ｔｅｒｔ−ブチル）ナフト［１’，８’：７，８，９］キノリジノ［３，４，５，６−ｉｊａ］キノリン−４，１３−ジイリデン）ジマロノニトリルの製造
【化５９】
2017512755.tif 000081
【０３４５】
２−（ｔｅｒｔ−ブチル）ナフト［１’，８’：７，８，９］キノリジノ［３，４，５，６−ｉｊａ］キノリン−４，１３−ジオン（７０ｍｇ；０．１８５ｍｍｏｌ）を、氷酢酸３．５ｍＬと無水酢酸７ｍＬとの混合物に溶解させた。マロノニトリル（１２３ｍｇ；１．８５ｍｍｏｌ）を添加し、この反応混合物をアルゴン下で２４時間、環流させた。マロノニトリルをもう一度添加し、２４時間、還流を続けた。合計で４８時間の反応時間後、出発材料はもはや観察できず、溶媒を減圧下で蒸発させた。残渣をカラムクロマトグラフィーにより精製し（シリカ；ＤＣＭ）、生成物が３６ｍｇ（７６μｍｏｌ；４１％）、紫色の輝く粉末として得られた。
【数３】
2017512755.tif 000082
【０３４６】
この構造は、ＸＲＤにより実証された。
【０３４７】
例２
例２．１
Ｎ−（２，６−ジブロモ−４−（ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル）フタルアミドの製造
【化６０】
2017512755.tif 000083
【０３４８】
無水フタル酸（５．００ｇ、３３．７６ｍｍｏｌ）と、２，６−ジブロモ−４−ｔｅｒｔ−ブチルアニリン（１２．４４ｇ、４０．５１ｍｍｏｌ）との混合物を、酢酸５０ｍＬに溶解させ、１２時間、還流させた。この反応はＴＬＣ（石油エーテル／酢酸エチル、５／１）によってモニターし、終了後に溶媒を減圧下で蒸発させ、その残渣をメタノールから再結晶させると、所望の生成物が、よく整った無色の結晶として得られた。収率１１．６０ｇ（７８％）。
【数４】
2017512755.tif 000084
【０３４９】
例２．２
Ｎ−（２，６−ジアセチル−４−（ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル）フタルイミドの製造
【化６１】
2017512755.tif 000085
【０３５０】
Ｎ−（２，６−ジブロモ−４−（ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル）フタルイミド（２．１９ｇ；５．０ｍｍｏｌ）、及びＰｄ（ＰＰｈ3）4（３４７ｍｇ；０．０３ｍｍｏｌ）を１，４−ジオキサン（８０ｍＬ）に入れた溶液を１０分間、アルゴンの並流下で撹拌した。この黄色い溶液に、トリブチル（１−エトキシ−１−エテニル）スタンナン（４．２３ｍＬ；１２．５ｍｍｏｌ）を１，４−ジオキサン（１０ｍＬ）に溶解させたものを添加した。この黄色い溶液を還流で（２４時間）加熱すると、黒っぽい茶色の溶液が形成された。この反応の進行は、ＴＬＣ（ヘキサン）により終了までモニターした。反応混合物を、周辺温度に冷却し、１ＮのＨＣｌを５０ｍＬ添加し、５時間、室温で撹拌した。この反応混合物をＤＣＭで抽出し、ＭｇＳＯ4で乾燥させた。濾過、及び溶媒の除去により、茶色い粘稠な油が得られ、これをクロマトグラフィーにより精製して（ヘキサン／ＥｔＯＡｃ、２／１）、生成物が無色の結晶として得られた。収率１．３１ｇ（７２％）。
【数５】
2017512755.tif 000086
【０３５１】
例２．３
２−（ｔｅｒｔ−ブチル）ベンゾ［１，２］インドリジノ［６，５，４，３−ｉｊａ］キノリン−４，１１−ジオンの製造
【化６２】
2017512755.tif 000087
経路（ａ）
Ｎ−（２，６−ジアセチル−４−（ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル）フタルイミド（１００ｍｇ；０．２８ｍｍｏｌ）をアセトニトリル（３ｍＬ）に入れた懸濁液に、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン（ＤＢＮ）（０．１ｍｌ；０．８３ｍｍｏｌ）を滴加し、こうして透明な黄色い溶液が形成された。室温で１〜２時間撹拌した後に沈殿する黄色い粗製生成物を濾過し、少量のアセトニトリルで洗浄した。この粗製生成物を、ショートカラムクロマトグラフィー（ＣＨ2Ｃｌ2）によって、又はＣＨ2Ｃｌ2／ヘキサンの混合物からの再結晶によって精製して、生成物が黄色い針状の物体として得られた。収率６２ｍｇ（６８％）。
【０３５２】
経路（ｂ）
Ｎ−（２，６−ジアセチル−４−（ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル）フタルイミド（２００ｍｇ）とイミダゾール（２〜３ｇ）との混合物を、１２０℃で２時間、撹拌した。この反応混合物を周辺温度に冷却し、それから水を２０ｍＬ添加し、この混合物を３０分間、室温で撹拌した。黄色い懸濁液を濾過し、少量の水及びメタノールで数回洗浄した。この粗製生成物を、ショートカラムクロマトグラフィー（ＣＨ2Ｃｌ2）によって、又はＣＨ2Ｃｌ2／ヘキサンの混合物からの再結晶によって精製して、標記化合物が黄色い針状の物体として得られた。収率１２４ｍｇ（６８％）。
【数６】
2017512755.tif 000088
【０３５３】
例２．４
２，２’−（２−（ｔｅｒｔ−ブチル）ベンゾ［１，２］インドリジノ［６，５，４，３−ｉｊａ］キノリン−４，１１−ジイリデン）ジマロノニトリルの製造
【化６３】
2017512755.tif 000089
経路（ａ）
マロノニトリル（６０．５ｍｇ；０．９ｍｍｏｌ）、ＴｉＣｌ4（０．１０ｍＬ；０．９ｍｍｏｌ）、及びピリジン（０．２２ｍＬ；２．８ｍｍｏｌ）を、ＣＨ2Ｃｌ2（１０ｍＬ）中の２−（ｔｅｒｔ−ブチル）ベンゾ［１，２］インドリジノ［６，５，４，３−ｉｊａ］キノリン−４，１１−ジオン（１００ｍｇ；０．３ｍｍｏｌ）に添加し、この混合物を室温で１２時間、撹拌した。この反応は２時間ごとに、ＴＬＣ（ＣＨ2Ｃｌ2）によってモニターし、同じ量のマロノニトリル、ＴｉＣｌ4、及びピリジンを、終了まで添加した。この混合物を氷／水に注ぎ、ＣＨ2Ｃｌ2（３０ｍＬ×３回）で抽出した。まとめた有機層を乾燥させ（ＭｇＳＯ4）、真空で濃縮した。粗製生成物をショートカラムクロマトグラフィー（ＣＨ2Ｃｌ2）により精製すると、生成物が９１ｍｇ（７０％）、金色で金属光沢を有する平らな結晶として得られた。
【０３５４】
経路（ｂ）
２−（ｔｅｒｔ−ブチル）ベンゾ［１，２］インドリジノ［６，５，４，３−ｉｊａ］キノリン−４，１１−ジオン（１００ｍｇ）、及びマロノニトリル（３００ｍｇ、４．５４ｍｍｏｌ）を、酢酸と無水酢酸との混合物（２：１）に添加し、この混合物を１２０℃で撹拌した。この反応はＴＬＣ（ＣＨ2Ｃｌ2）によってモニターし、さらに同じ量のマロノニトリルを、終了まで添加した。乾燥するまで、溶媒を蒸発させた。粗製生成物をフラッシュカラムクロマトグラフィーにより精製すると、金色で金属光沢を有する平らな結晶が得られた。収率：９１ｍｇ（７０％）。
【数７】
2017512755.tif 000090
【０３５５】
例３
例３．１
Ｎ，Ｎ’−ビス（２，６−ジブロモフェニル）−ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボキシビスイミドの製造
【化６４】
2017512755.tif 000091
【０３５６】
炎で乾燥させた１００ｍＬのシュレンクフラスコ内に、ペリレンテトラカルボン酸ビス無水物２．０ｍｇ（５．１０ｍｍｏｌ）、２，６−ジブロモアニリン１２．８ｇ（１０当量；５１．０ｍｍｏｌ）、９４０ｍｇの酢酸亜鉛（１当量、５．１ｍｍｏｌ）、及びイミダゾール７０ｇを添加した。この固体を、振ることによって混合し、三回脱気した。これをアルゴン下で４８時間、１８０℃に加熱した。この溶融物を１００℃に冷却後、水を添加した。生成した溶液を、１ＭのＨＣｌ溶液に注いだ。沈殿物を濾過し、続いて水及び常温のメタノールで洗浄した。この残渣をＤＣＭ中に溶解させ、カラムクロマトグラフィーによりシリカで精製すると、生成物が１０％の収率で得られた（４６０ｍｇ；０．５４ｍｍｏｌ）。より小さなスケールでは、最大２５％の収率が得られる。
【数８】
2017512755.tif 000092
【０３５７】
例３．２
Ｎ，Ｎ’−ビス（２，６−ジアセチルフェニル）−ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボキシビスイミドの製造
【化６５】
2017512755.tif 000093
【０３５８】
乾燥させた３首フラスコ（５００ｍＬ、環流冷却機付）で、トルエン４００ｍＬに溶解させた例３．１からのＮ，Ｎ’−ビス（２，６−ジブロモフェニル）−ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボキシビスイミド３２０ｍｇ（０．３７ｍｍｏｌ）を、アルゴンで３０分間パージし、トリブチル（１−エトキシビニル）スズを８１０ｍｇ（６．０当量、２．２４ｍｍｏｌ、０．７６ｍｌ）添加した。この反応混合物をさらに５分間脱気し、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムを１７５ｍｇ（０．４当量、０．１５ｍｍｏｌ）添加した。それからこの反応混合物を４８時間還流下で加熱して、それぞれ１２時間後にさらに二回、等量のトリブチル（１−エトキシビニル）スズを添加した。薄層クロマトグラフィーによりモニターした反応の終了後、生成物を２Ｍの塩酸１Ｍに注ぎ、１２時間、撹拌した。有機層は分離して、水相を３回、ＤＣＭで抽出した。まとめた有機層を、硫酸ナトリウムで乾燥させ、濾過し、蒸発させた。粗製材料をカラムクロマトグラフィーによりシリカで精製した（ＤＣＭ：ＴＨＦの混合物（１０：１）。生成物が紫色の粉末として、収率５７％で得られた（１５２ｍｇ；０．２１ｍｍｏｌ）。
【数９】
2017512755.tif 000094
【０３５９】
例３．３
ペリレノ−［３’，４’：７，８，９；９’，１０’：７，８，９］ジキノリジノ［３，４，５，６−ｉｊａ］キノリン−２，９，１３，２０−テトロンの製造
【化６６】
2017512755.tif 000095
【０３６０】
２５ｍＬのシュレンクフラスコ内で、例３．２からのＮ，Ｎ’−ビス（２，６−ジアセチルフェニル）−ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボキシビスイミド１４０ｍｇ（０．２０ｍｍｏｌ）を、イミダゾール５．５ｇと混合し、３回脱気した。アルゴン雰囲気下でこの反応混合物を２時間、１２０℃に加熱した。この反応混合物に水を添加し、生成した混合物を、１ＭのＨＣｌ溶液に注いだ。沈殿物を濾別し、続いて水、メタノール、ＤＣＭ、及びＴＨＦで洗浄した。この残渣を硫酸に溶解させ、ゆっくりと水を拡散させることにより沈殿させた。この沈殿物を濾別し、水とメタノールで洗浄し、真空で乾燥させると、所望の生成物が１０７ｍｇ（０．１７ｍｍｏｌ）、収率８５％で得られた。
【数１０】
2017512755.tif 000096
【０３６１】
例４
例４．１
Ｎ，Ｎ’−ビス（２，６−ジブロモフェニル）−１，６，７，１２−テトラ−ｔｅｒｔ−オクチル−フェノキシ−ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボキシビスイミドの製造
【化６７】
2017512755.tif 000097
【０３６２】
炎で乾燥させた２５ｍＬのシュレンクフラスコ内に、１，６，７，１２−テトラ−ｔｅｒｔ−オクチル−フェノキシペリレンテトラカルボン酸ビス無水物０．４ｇ（０．３３ｍｍｏｌ）、２，６−ジブロモアニリン１．６６ｇ（２０等量；６．６ｍｍｏｌ）、酢酸亜鉛０．２１ｇ（２等量；０．６６ｍｍｏｌ）、及びイミダゾール５ｇを添加し、注意深く振ることによって混合し、３回脱気した。この反応混合物を、アルゴン下で１６０℃に加熱し、１２時間、光を遮断した。１００℃に冷却後、この溶融物に水を添加し、生成した懸濁液を、１Ｍの塩酸に注いだ。沈殿物を濾過し、水及びメタノールで洗浄した。残渣をカラムクロマトグラフィーによりシリカで精製し（ＰＥ／ＤＣＭ）、生成物が３０５ｍｇ（０．１８ｍｍｏｌ）、収率５５％で得られた。
【数１１】
2017512755.tif 000098
【０３６３】
例４．２
Ｎ，Ｎ’−ビス（２，６−ジアセチルフェニル）−１，６，７，１２−テトラ−ｔｅｒｔ−オクチル−フェノキシ−ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボキシビスイミド
【化６８】
2017512755.tif 000099
【０３６４】
乾燥した２５０ｍＬのシュレンクフラスコ内で、例４．１で得られた化合物０．２５ｇ（０．１５ｍｍｏｌ）を、３０ｍＬの無水ジオキサンに溶解させ、アルゴンで３０分間パージすることにより、完全に脱気した。それから、トリブチル（１−エトキシビニル）スズ０．３ｍＬ（６等量、０．９ｍｍｏｌ）を添加し、この系をさらに５分間、パージした。アルゴン雰囲気下、０．４等量のテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（６９ｍｇ；０．６ｍｍｏｌ）を添加し、この反応混合物を２４時間、１００℃に加熱した。さらにトリブチル（１−エトキシビニル）スズ０．３ｍＬ（６等量、０．９ｍｍｏｌ）を添加し、撹拌を２４時間続けた。室温に冷却した後、２ＭのＨＣｌ溶液２００ｍＬを添加し、生成する混合物をさらに６時間、激しく撹拌した。反応混合物をまず、ＤＣＭで抽出し、組み合わせた有機層をブラインで洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させた。蒸発後に残渣を、カラムクロマトグラフィーにより精製した（シリカ、ＤＣＭ）。メタノールから沈殿させると、生成物が赤い結晶の形態で、収率７６％で得られた（１７３ｍｇ；０．１１３ｍｍｏｌ）。
【数１２】
2017512755.tif 000100
【０３６５】
例４．３
５，６，１６，１７−テトラ−ｔｅｒｔ−オクチル−フェノキシ−ペリレノ−［３’，４’：７，８，９；９’，１０’：７，８，９］ジキノリジノ［３，４，５，６−ｉｊａ］キノリン−２，９，１３，２０−テトロンの製造
【化６９】
2017512755.tif 000101
【０３６６】
５０ｍＬの丸底フラスコに、例４．２からのＮ，Ｎ’−ビス（２，６−ジアセチルフェニル）−１，６，７，１２−テトラ−ｔｅｒｔ−オクチル−フェノキシ−ペリレン−３，４，９，１０−テトラカルボキシボスイミド１５０ｍｇ（０．１ｍｍｏｌ）、イミダゾール５ｇ、及びメタノール５ｍＬを装入しアルゴンでパージした。この反応混合物を撹拌しながら１２０℃に加熱し、カニューレを通じてメタノールを蒸発させた。４時間後に、出発材料は完全に反応し、１Ｍの塩酸を３０ｍＬ添加した。沈殿物を濾別し、水及びメタノールで洗浄した。粗製生成物をカラムクロマトグラフィーによりシリカで精製すると（トルエン／ＴＨＦ＝２０：１）、純粋な生成物が緑色の固体として、収率８５％で得られた（１２１ｍｇ；０．０８３ｍｍｏｌ）。
【数１３】
2017512755.tif 000102
【０３６７】
例５
例５．１
２−（２，６−ジブロモフェニル）イソインドリン−１，３−ジオンの製造
【化７０】
2017512755.tif 000103
【０３６８】
標題の化合物を例２．１に記載の方法と同様に製造した。収率３６％。
【数１４】
2017512755.tif 000104
【０３６９】
例５．２
２−（２，６−ジアセチルフェニル）イソインドリン−１，３−ジオンの製造
【化７１】
2017512755.tif 000105
【０３７０】
標題の化合物を例２．２に記載の方法と同様に製造した。収率：５８％。
【数１５】
2017512755.tif 000106
【０３７１】
例５．３
ベンゾ［１，２］インドリジノ［６，５，４，３−ｉｊａ］キノリン−４，１１−ジオンの製造
【化７２】
2017512755.tif 000107
【０３７２】
標題の化合物を例２．３の経路（ｂ）に記載の方法と同様に製造した。収率８８％。
【数１６】
2017512755.tif 000108
【０３７３】
例５．４
２，２’−（ベンゾ［１，２］インドリジノ［６，５，４，３−ｉｊａ］キノリン−４，１１−ジイリデン）ジマロノニトリルの製造
【化７３】
2017512755.tif 000109
【０３７４】
標題の化合物を例２．４の経路（ｂ）に記載の方法と同様に製造した。収率２７％。
【数１７】
2017512755.tif 000110
【０３７５】
例６
例６．１
２−（２，６−ジブロモ−４−メチルフェニル）イソインドリン−１，３−ジオン
【化７４】
2017512755.tif 000111
【０３７６】
標題の化合物を例２．１に記載の方法と同様に製造した。収率８０％。
【数１８】
2017512755.tif 000112
【０３７７】
例６．２
２−（２，６−ジアセチル−４−メチルフェニル）イソインドリン−１，３−ジオンの製造
【化７５】
2017512755.tif 000113
【０３７８】
標題の化合物を例２．２に記載の方法と同様に製造した。収率７５％。
【数１９】
2017512755.tif 000114
【０３７９】
例６．３
２−メチルベンゾ［１，２］インドリジノ［６，５，４，３−ｉｊａ］キノリン−４，１１−ジオンの製造
【化７６】
2017512755.tif 000115
【０３８０】
標題の化合物を例２．３の経路（ｂ）に記載の方法と同様に製造した。収率７９％。
【数２０】
2017512755.tif 000116
【０３８１】
例６．４
２，２’−（２−メチルベンゾ［１，２］インドリジノ［６，５，４，３−ｉｊａ］キノリン−４，１１−ジイリデン）ジマロノニトリルの製造
【化７７】
2017512755.tif 000117
【０３８２】
標題の化合物を例２．４の経路（ｂ）に記載の方法と同様に製造した。収率２６％。
【数２１】
2017512755.tif 000118
【０３８３】
例７
例７．１
２−（２，６−ジブロモ−４−プロピルフェニル）イソインドリン−１，３−ジオンの製造
【化７８】
2017512755.tif 000119
【０３８４】
標題の化合物を例２．１に記載の方法と同様に製造した。収率４３％。
【数２２】
2017512755.tif 000120
【０３８５】
例７．２
２−（２，６−ジアセチル−４−プロプルフェニル）イソインドリン−１，３−ジオンの製造
【化７９】
2017512755.tif 000121
【０３８６】
標題の化合物を例２．２に記載の方法と同様に製造した。収率５４％。
【数２３】
2017512755.tif 000122
【０３８７】
例７．３
２−プロピルベンゾ［１，２］インドリジノ［６，５，４，３−ｉｊａ］キノリン−４，１１−ジオンの製造
【化８０】
2017512755.tif 000123
【０３８８】
標題の化合物を例２．３の経路（ｂ）に記載の方法と同様に製造した。収率７２％。
【数２４】
2017512755.tif 000124
【０３８９】
例７．４
２，２’−（２−プロピルベンゾ［１，２］インドリジノ［６，５，４，３−ｉｊａ］キノリン−４，１１−ジイリデン）ジマロノニトリルの製造
【化８１】
2017512755.tif 000125
【０３９０】
標題の化合物を例２．４の経路（ｂ）に記載の方法と同様に製造した。収率３８％。
【数２５】
2017512755.tif 000126
【０３９１】
例８
例８．１
２−（２，６−ジブロモ−４−イソプロピルフェニル）イソインドリン−１，３−ジオンの製造
【化８２】
2017512755.tif 000127
【０３９２】
標題の化合物を例２．１に記載の方法と同様に製造した。収率６４％。
【数２６】
2017512755.tif 000128
【０３９３】
例８．２
２−（２，６−ジアセチル−４−イソプロピルフェニル）イソインドリン−１，３−ジオンの製造
【化８３】
2017512755.tif 000129
【０３９４】
標題の化合物を例２．２に記載の方法と同様に製造した。収率５４％。
【数２７】
2017512755.tif 000130
【０３９５】
例８．３
２−イソプロピルベンゾ［１，２］インドリジノ［６，５，４，３−ｉｊａ］キノリン−４，１１−ジオンの製造
【化８４】
2017512755.tif 000131
【０３９６】
標題の化合物を例２．３の経路（ｂ）に記載の方法と同様に製造した。収率７２％。
【数２８】
2017512755.tif 000132
【０３９７】
例８．４
２，２’−（２−イソプロピルベンゾ［１，２］インドリジノ［６，５，４，３−ｉｊａ］キノリン−４，１１−ジイリデン）ジマロノニトリルの製造
【化８５】
2017512755.tif 000133
【０３９８】
標題の化合物を例２．４の経路（ｂ）に記載の方法と同様に製造した。収率４８％。
【数２９】
2017512755.tif 000134
【０３９９】
例９
例９．１
２−（２，６−ジブロモ−４−（トリフルオロメチル）フェニル）イソインドリン−１，３−ジオンの製造
【化８６】
2017512755.tif 000135
【０４００】
標題の化合物を例２．１に記載の方法と同様に製造し、カラムクロマトグラフィーにより精製した（ＣＨ2Ｃｌ2／ヘキサン）。収率６１％。
【数３０】
2017512755.tif 000136
【０４０１】
例９．２
２−（２，６−ジアセチル−４−（トリフルオロメチル）フェニル）イソインドリン−１，３−ジオンの製造
【化８７】
2017512755.tif 000137
【０４０２】
標題の化合物を例２．２記載の方法と同様に製造した。収率６１％。
【数３１】
2017512755.tif 000138
【０４０３】
例９．３
２−（トリフルオロメチル）ベンゾ［１，２］インドリジノ［６，５，４，３−ｉｊａ］キノリン−４，１１−ジオンの製造
【化８８】
2017512755.tif 000139
【０４０４】
標題の化合物を例２．３の経路（Ｂ）に記載の方法と同様に製造した。収率２９％。
【数３２】
2017512755.tif 000140
【０４０５】
例１０
例１０．１
２−（２，６−ジブロモ−４−プロピルフェニル）−４，５，６，７−テトラフルオロイソインドリン−１，３−ジオンの製造
【化８９】
2017512755.tif 000141
【０４０６】
標題の化合物を例２．１に記載の方法と同様に製造し、カラムクロマトグラフィーにより精製した（ＣＨ2Ｃｌ2／ヘキサン）。収率６１％。
【数３３】
2017512755.tif 000142
【０４０７】
例１０．２
２−（２，６−ジアセチル−４−プロピルフェニル）−４，５，６，７−テトラフルオロイソインドリン−１，３−ジオンの製造
【化９０】
2017512755.tif 000143
【０４０８】
標題の化合物を例２．２に記載の方法と同様に製造した。収率５６％。
【数３４】
2017512755.tif 000144
【０４０９】
例１１
例１１．１
２，６−ビス（２，６−ジブロモ−４−プロピルフェニル）ピロロ［３，４−ｆ］イソインドール−１，３，５，７（２Ｈ，６Ｈ）−テトラオンの製造
【化９１】
2017512755.tif 000145
【０４１０】
ピロメリット酸二無水物（２．２０ｇ、１０．０６ｍｍｏｌ）と、２，６−ジブロモ−４−ｎ−プロピルアニリン（２５．００ｍｍｏｌ）との混合物を、酢酸３０ｍＬに溶解させ、１２時間、還流させた。この反応はＴＬＣ（石油エーテル／酢酸エチル、５／１）によってモニターし、終了後に溶媒を減圧下で蒸発させ、その残渣をメタノールから再結晶させると、標題の生成物が無色の結晶として得られた。収量５．８０ｇ（７５％）。
【数３５】
2017512755.tif 000146
【０４１１】
例１１．２
２，６−ビス（２，６−ジアセチル−４−プロピルフェニル）ピロロ［３，４−ｆ］イソインドール−１，３，５，７（２Ｈ，６Ｈ）−テトラオンの製造
【化９２】
2017512755.tif 000147
【０４１２】
例１１．１からの化合物１１．１ｇ（３．０ｍｍｏｌ）、及びＰｄ（ＰＰｈ3）4（３６７ｍｇ；０．０３ｍｍｏｌ）を１，４−ジオキサン（５０ｍＬ）に入れた溶液を、アルゴンの並流下で撹拌した（１０分間）。この黄色い溶液に、トリブチル（１−エトキシ−１−エテニル）スタンナン（６．００ｍＬ；１７．８ｍｍｏｌ）を１，４−ジオキサン（１０ｍＬ）に溶解させたものを添加した。この溶液を還流で（４０時間）加熱すると、黒っぽい茶色の溶液が形成された。この反応の進行は、ＴＬＣ（ヘキサン／ＤＣＭ）により終了までモニターした。反応混合物を、周辺温度に冷却し、１ＮのＨＣｌを５０ｍＬ添加し、５時間、室温で撹拌した。この反応混合物をジクロロメタンで抽出し、ＭｇＳＯ4で乾燥させ、乾燥するまで溶媒を蒸発させた。粗製生成物を、メタノール・ジクロロメタンからの再結晶によって、又は必要な場合には、カラムクロマトグラフィー（ヘキサン／ジクロロメタン）によってシリカゲルで精製すると、生成物が無色の結晶として得られた。収量１．５２ｇ（７９％）。
【数３６】
2017512755.tif 000148
【０４１３】
例１１．３：
【化９３】
2017512755.tif 000149
の製造
例１１．２の化合物（３００ｍｇ）、及びイミダゾール（２〜３ｇ）を１２０℃で２時間、撹拌した。この反応混合物を周辺温度に冷却し、それから水を２０ｍＬ添加し、３０分間、室温で撹拌した。黄色〜茶色の懸濁液を濾過し、少量の水、メタノール、及びアセトンで数回洗浄した。
【０４１４】
収量０．１５ｇ（５６％）。
【数３７】
2017512755.tif 000150
【０４１５】
例１２
例１２．１
２，６−ビス（２，６−ジブロモ−４−（ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル）ピロロ［３，４−ｆ］イソインドール−１，３，５，７（２Ｈ，６Ｈ）−テトラオンの製造
【化９４】
2017512755.tif 000151
【０４１６】
標題の化合物を例１１．１に記載の方法と同様に製造した。収率７５％。
【数３８】
2017512755.tif 000152
【０４１７】
例１２．２
２，６−ビス（２，６−ジアセチル−４−（ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル）ピロロ［３，４−ｆ］イソインドール−１，３，５，７（２Ｈ，６Ｈ）−テトラオンの製造
【化９５】
2017512755.tif 000153
【０４１８】
標題の化合物を例１１．２に記載の方法と同様に製造した。収率５６％。
【数３９】
2017512755.tif 000154
【０４１９】
例１２．３
【化９６】
2017512755.tif 000155
の製造
標題の化合物を例１１．３に記載の方法と同様に製造した。収率４１％。
【数４０】
2017512755.tif 000156
【０４２０】
例１３
例１３．１
２，６−ビス（２，６−ジブロモ−４−デシルフェニル）ピロロ［３，４−ｆ］イソインドール−１，３，５，７（２Ｈ，６Ｈ）−テトラオンの製造
【化９７】
2017512755.tif 000157
【０４２１】
標題の化合物を例１１．１に記載の方法と同様に製造した。収率７１％。
【数４１】
2017512755.tif 000158
【０４２２】
例１３．２
２，６−ビス（２，６−ジアセチル−４−デシルフェニル）ピロロ［３，４−ｆ］イソインドール−１，３，５，７（２Ｈ，６Ｈ）−テトラオンの製造
【化９８】
2017512755.tif 000159
【０４２３】
標題の化合物を例１１．２に記載の方法と同様に製造した。収率８６％。
【数４２】
2017512755.tif 000160
【０４２４】
ＩＩ：トランジスタ特性の測定方法
製造手順：
原子層堆積（ＡＬＤ）により作製したＡｌ2Ｏ3の層（３０ｎｍ）で被覆された高ドープシリコンウェハを、イソプロパノールで処理することによって完全に清浄化し、ホットプレートにより周辺空気で、１００℃で１０分間、乾燥させた。Ａｌ2Ｏ3層の表面を、酸素プラズマに短時間さらすことによって処理する。それから基材を、アルキルホスホン酸の２−プロパノール溶液（Ｃ10Ｈ21ＰＯ（ＯＨ）2の溶液０．３４ｍｇ／ｍＬ）に浸し、これにより基板上に自己組織化単分子層（ＳＡＭ）が形成される。高ドープシリコンを基板、及び裏面ゲート電極として使用し、アルキルホスホン酸で処理したＡｌ2Ｏ3が、ゲート誘電体として働く。基板は規定の温度に保ちながら、例１．３、及び２．４からの有機半導体（厚さ３０ｎｍ）を、７×１０-7ｍｂａｒの圧力、及び０．１〜０．５Å／秒の蒸着速度で基板に堆積させる。金製のソース・ドレインコンタクトは、シャドウマスクにより規定した。チャネル幅（ｗ）は５００であり、チャネル長さ（ｌ）は５０μｍである。
【０４２５】
トランジスタの電気特性を、自作のプローブステーションで、半導体パラメータアナライザのAgilent 4156Cを用いて測定する。全ての測定は、室温、暗室中で行った。プローブニードルを金製コンタクトの上部に慎重に置くことによって、プローブニードルをトランジスタのソース電極及びドレイン電極に接触させる。ゲート電極は、ゲート誘電体をチップの特定の位置で破壊し、その破壊された位置へとプローブニードルを押しつけることによって接触させる。
【０４２６】
表１には、例１．３、２．４、及び７．４の化合物について、周辺空気で測定した特定の基板温度（Ｔsub）での、電界効果移動性（μ）、及びオン／オフ比（Ｉon／Ｉoff）が記載されている。
【表１】
2017512755.tif 000161
ＩＩＩ）着色された試料シートの製造
ＩＩＩ．１）  軟質ＰＶＣ
プレミックス：
式Ｉの化合物０．０８ｇを、室温で３０分間、ミキサによりベース混合物１４．０ｇと混合し、それからポリ塩化ビニル（ＰＶＣ：EVI POL（登録商標）SH 7060、EVC GmbH社製）２６．０ｇとともに、ゆっくりと撹拌した。このベース混合物は、可塑剤（Palatinol（登録商標）10P（ジ−２−プロピルヘプチルフタレート、BASF社製））１２．９ｇ、Drapex（登録商標）39（エポキシ化大豆油、Witco Vinyl Additives GmbH社製）０．６ｇ、及びMark BZ 561（バリウム／亜鉛安定剤、Chemtura GmbH社製）０．５ｇから成る。
【０４２７】
ロールシートの製造：先に得られたＰＶＣ、及び式（Ｉ）の化合物／ベース混合物の混合物を、２軸式ロールミル（CoIin社のW110P型、D-85560 Ebersberg在）で、巻取り温度１６０℃で（各ロール）、以下のように巻取った；最初の２０回は冷間ローラ、それから６分間は熱間ローラ（巻取りシートは１分ごとに裏返す。ロール間隙は０．３５ｍｍ）。これにより、厚さ０．３３〜０．３５ｍｍのミルドシートが得られた。
【０４２８】
試料における着色測定は、DIN 53236のmethod Aに従って行った。反射／透過における全ての着色測定は、Minolta CM 3610d分光計（d/8形状、光沢含む、光源D65、観察者10°）、及びB&W Leneta cardを用いて行う。「角度に応じた」あらゆる測定は、Datacolor FX 10及びB&W Leneta cardを用いて行う。これらの結果を評価するため、DIN 6174に従ったCielab色系を使用した。
Ｂ）比色計による試験
【表２】
2017512755.tif 000162
ＩＩＩ．２）ＰＭＭＡ
ポリメチルメタクリレート１０００．００ｇ（PPMA 6N clear、ドイツ国Roehm GmbH社から入手可能）を、最大温度９０℃で４時間、事前乾燥させ、それから式Ｉの化合物０．５ｇと、Turbula Fuchs社製ミキサ内で２０分間、混合した。均質な混合物を、６つの加熱ゾーン（常温、１５０℃、１９５℃、２００℃、２００℃、２００℃、２００℃）を有するドイツ国Collin社製の２軸スクリュー式押出機（２５ｍｍ）で、最大温度２００℃で押出成形した。この押出成形体を、顆粒化装置（Stuttgart在、Scheer）で顆粒化した。この顆粒を最大温度９０℃で４時間、乾燥させ、それからBoy社の射出成形機（ドイツ国Neustadt在、Dr. Boy GmbH社製のBoy 30A）、又はKloeckner Ferromatik FM 40（ドイツ国Kloeckner社製）を用いて、着色された試料シート（３０ｍｍ×５５ｍｍ×１．５ｍｍｍ）に加工した。得られた成形体は乾燥後、真空パック機によって、酸素不含プラスチック袋内に包装された。着色された試料シートを、それから比色にかけた。
【国際調査報告】
2017512755.tif 000203
2017512755.tif 000204