【手続補正書】
【提出日】平成20年6月30日(2008.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の面上に形成された配線と、
前記基板の面上に配置された第１反射層と、
前記第１反射層を挟んで前記基板とは反対側に配置された第２反射層と、
前記第１反射層と前記第２反射層との間に介在する発光層を各々が含む複数の単位素子と、
光透過性の絶縁材料により形成されて前記配線および前記第１反射層を被覆するとともに前記配線と重なり合う部位に前記複数の単位素子ごとにコンタクトホールが形成された透光層と、
前記透光層の面上に前記単位素子ごとに形成されて前記発光層と前記第１反射層との間に介在する光透過性の電極と、を具備し、
前記複数の単位素子のうち第１の単位素子の前記電極は、第１導電膜の選択的な除去によって形成されるとともに前記コンタクトホールを介して前記配線に接触する第１層を含み、
前記複数の単位素子のうち第２の単位素子の前記電極は、前記第１導電膜の選択的な除去によって形成されて前記コンタクトホールを介して前記配線に接触する第１導通部と、前記第１層の形成後に成膜された第２導電膜の選択的な除去によって形成されるとともに前記第１導通部に導通する第２層とを含む
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記第１の単位素子の前記電極は、前記第２導電膜の選択的な除去によって形成される前記第１層に導通する第２層を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記各単位素子の電極のうち前記第２導電膜から形成された部分は、当該単位素子の電極のうち前記第１導電膜から形成された部分の側端面を被覆する
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記複数の単位素子のうち第３の単位素子の前記電極は、
前記第１導電膜の選択的な除去によって形成されるとともに前記コンタクトホールを介して前記配線に接触する第１導通部と、
前記第２導電膜の選択的な除去によって形成されて当該第１導通部に導通する第２導通部と、
前記第２層の形成後に成膜された第３導電膜の選択的な除去によって形成されて前記発光層と前記第１反射層との間に介在するとともに前記第２導通部に導通する第３層とを含む
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
前記第１の単位素子および前記第２の単位素子のうち少なくとも一方の単位素子の前記電極は、前記第３導電膜の選択的な除去によって形成される第３層を含む
ことを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記各単位素子の電極のうち前記第３導電膜から形成された部分は、当該単位素子の電極のうち前記第１導電膜または前記第２導電膜から形成された部分の側端面を被覆する
ことを特徴とする請求項４または請求項５に記載の発光装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６の何れかに記載の発光装置を具備する電子機器。
【請求項８】
基板の面上に配置された第１反射層と、前記第１反射層を挟んで前記基板とは反対側に配置された第２反射層と、前記第１反射層と前記第２反射層との間に介在する発光層とを各々が含む複数の単位素子を備える発光装置を製造する方法であって、
前記基板の面上に配線を形成する配線形成工程と、
前記各単位素子の前記第１反射層を前記基板の面上に形成する反射層形成工程と、
前記配線と重なり合う部位に単位素子ごとにコンタクトホールを有する透光層を、前記配線および前記第１反射層を被覆するように光透過性の絶縁材料によって形成する透光層形成工程と、
前記透光層を被覆する第１導電膜を形成する第１成膜工程と、
前記複数の単位素子のうち第１の単位素子の前記発光層と前記第１反射層との間に介在するとともに当該第１の単位素子に対応する前記コンタクトホールを介して前記配線に接触する第１層と、前記複数の単位素子のうち第２の単位素子に対応する前記コンタクトホールを介して前記配線に接触する第１導通部とを、前記第１導電膜の選択的な除去によって一括的に形成する第１除去工程と、
前記第１層および前記第１導通部とを被覆する第２導電膜を形成する第２成膜工程と、
前記第２の単位素子の前記発光層と前記反射層との間に介在するとともに前記第１導通部に導通する第２層を前記第２導電膜の選択的な除去によって形成する第２除去工程と
を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２除去工程においては、前記第１の単位素子の前記発光層と前記第１反射層との間に介在する第２層を前記第２導電膜の選択的な除去によって形成する
ことを特徴とする請求項８に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第２除去工程においては、各単位素子のうち前記第２導電膜から形成される部分が、当該単位素子のうち前記第１導電膜から形成された部分の側端面を被覆するように、前記第２導電膜を選択的に除去する
ことを特徴とする請求項８または請求項９に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１除去工程においては、前記複数の単位素子のうち第３の単位素子に対応する前記コンタクトホールを介して前記配線に接触する第１導通部を前記第１導電膜の選択的な除去によって形成し、
前記基板を被覆する第３導電膜を前記第２除去工程の実施後に形成する第３成膜工程と、
前記第３の単位素子の前記発光層と前記第１反射層との間に介在するとともに当該第３の単位素子の第１導通部に導通する第３層を、前記第３導電膜の選択的な除去によって形成する第３除去工程と
を含むことを特徴とする請求項８から請求項１０の何れかに記載の発光装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第３除去工程においては、前記第１の単位素子および前記第２の単位素子のうち少なくとも一方の単位素子の前記発光層と前記第１反射層との間に介在する第３層を、前記第３導電膜の選択的な除去によって形成する
ことを特徴とする請求項１１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第３除去工程においては、各単位素子のうち前記第３導電膜から形成される部分が、当該単位素子のうち前記第１導電膜または前記第２導電膜から形成される部分の側端面を被覆するように、前記第３導電膜を選択的に除去する
ことを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の発光装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
この課題を解決するために、本発明に係る発光装置は、基板の面上に配置された第１反射層（例えば図１の光反射層２１）と、第１反射層を挟んで基板とは反対側に配置された第２反射層（例えば図１の第２電極３５）と、第１反射層と第２反射層との間に介在する発光層とを各々が含む複数の単位素子を備え、発光層からの出射光を第１反射層と第２反射層との間で共振させる共振器構造が各単位素子に形成される発光装置であって、基板の面上に形成された配線（例えば図１の配線１２）と、光透過性の絶縁材料によって基板の面上に形成されて配線および第１反射層を被覆するとともに配線と重なり合う部位に単位素子ごとにコンタクトホールが形成された透光層（例えば図１の透光層２３）と、透光層の面上に単位素子ごとに形成されて発光層と第１反射層との間に介在する光透過性の電極（例えば図１の第１電極２５）とを具備し、複数の単位素子のうち第１の単位素子（例えば図１の単位素子Ｕr）の電極は、第１導電膜の選択的な除去によって形成されて発光層と第１反射層との間に介在するとともにコンタクトホールを介して配線に接触する第１層（例えば図１における単位素子Ｕrの第１層２６１）を含み、複数の単位素子のうち共振器構造における共振波長が第１の単位素子とは相違する第２の単位素子（例えば図１の単位素子Ｕg）の電極は、第１導電膜の選択的な除去によって形成されてコンタクトホールを介して配線に接触する第１導通部（例えば図１における単位素子Ｕgの第１導通部２７１）と、第１層の形成後に成膜された第２導電膜の選択的な除去によって形成されて発光層と第１反射層との間に介在するとともに第１導通部に導通する第２層（例えば図１における単位素子Ｕgの第２層２６２）とを含む。
この課題を解決するために、本発明に係る発光装置は、基板と、前記基板の面上に形成された配線（例えば図１の配線１２）と、前記基板の面上に配置された第１反射層（例えば図１の光反射層２１）と、前記第１反射層を挟んで前記基板とは反対側に配置された第２反射層（例えば図１の第２電極３５）と、前記第１反射層と前記第２反射層との間に介在する発光層を各々が含む複数の単位素子と、光透過性の絶縁材料により形成されて前記配線および前記第１反射層を被覆するとともに前記配線と重なり合う部位に前記複数の単位素子ごとにコンタクトホールが形成された透光層（例えば図１の透光層２３）と、前記透光層の面上に前記単位素子ごとに形成されて前記発光層と前記第１反射層との間に介在する光透過性の電極（例えば図１の第１電極２５）と、を具備し、前記複数の単位素子のうち第１の単位素子（例えば図１の単位素子Ｕr）の前記電極は、第１導電膜の選択的な除去によって形成されるとともに前記コンタクトホールを介して前記配線に接触する第１層（例えば図１における単位素子Ｕrの第１層２６１）を含み、前記複数の単位素子のうち第２の単位素子（例えば図１の単位素子Ｕg）の前記電極は、前記第１導電膜の選択的な除去によって形成されて前記コンタクトホールを介して前記配線に接触する第１導通部（例えば図１における単位素子Ｕgの第１導通部２７１）と、前記第１層の形成後に成膜された第２導電膜の選択的な除去によって形成されるとともに前記第１導通部に導通する第２層（例えば図１における単位素子Ｕgの第２層２６２）とを含む。