【手続補正書】
【提出日】平成20年5月15日(2008.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置及びその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に設けられたゲート電極層及び画素電極層を有し、
前記ゲート電極層上に設けられたゲート絶縁層を有し、
前記ゲート絶縁層上に設けられた結晶性半導体層を有し、
前記結晶性半導体層に接して設けられた一導電型を有する半導体層を有し、
前記一導電性を有する半導体層に接して設けられたソース電極層及びドレイン電極層を有し、
前記ソース電極層、前記ドレイン電極層及び前記画素電極層上に設けられた絶縁層を有し、
前記絶縁層は前記ソース電極層または前記ドレイン電極層に達する第１の開口部を有し、
前記ゲート絶縁層及び前記絶縁層は画素電極層に達する第２の開口部を有し、
前記第１の開口部及び前記第２の開口部に設けられた、前記ソース電極層または前記ドレイン電極層と前記画素電極層とを電気的に接続する配線層を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
絶縁表面上に設けられたゲート電極層及び第１の電極層を有し、
前記ゲート電極層上に設けられたゲート絶縁層を有し、
前記ゲート絶縁層上に設けられた結晶性半導体層を有し、
前記結晶性半導体層に接して設けられた一導電型を有する半導体層を有し、
前記一導電性を有する半導体層に接して設けられたソース電極層及びドレイン電極層を有し、
前記ソース電極層、前記ドレイン電極層及び前記第１の電極層上に設けられた第１の絶縁層を有し、
前記第１の絶縁層は前記ソース電極層または前記ドレイン電極層に達する第１の開口部を有し、
前記ゲート絶縁層及び前記第１の絶縁層は前記第１の電極層に達する第２の開口部を有し、
前記第１の開口部及び前記第２の開口部に設けられた、前記ソース電極層または前記ドレイン電極層と前記第１の電極層とを電気的に接続する配線層を有し、
前記第１の電極層の一部、及び前記配線層を覆う第２の絶縁層を有し、
前記第１の電極層上に設けられた電界発光層を有し、
前記電界発光層上に設けられた第２の電極層を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記一導電性を有する半導体層は前記半導体層の結晶化を促進又は助長させる金属元素を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項４】
絶縁表面上に設けられたゲート電極層及び画素電極層を有し、
前記ゲート電極層上に設けられたゲート絶縁層を有し、
前記ゲート絶縁層上に設けられた、ソース領域及びドレイン領域が形成された結晶性半導体層を有し、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域に接して設けられたソース電極層及びドレイン電極層を有し、
前記ソース電極層、前記ドレイン電極層及び前記画素電極層上に設けられた絶縁層を有し、
前記絶縁層は前記ソース電極層または前記ドレイン電極層に達する第１の開口部を有し、
前記ゲート絶縁層及び前記絶縁層は画素電極層に達する第２の開口部を有し、
前記第１の開口部及び前記第２の開口部に設けられた、前記ソース電極層または前記ドレイン電極層と前記画素電極層とを電気的に接続する配線層を有することを特徴とする表示装置。
【請求項５】
絶縁表面上に設けられたゲート電極層及び第１の電極層を有し、
前記ゲート電極層上に設けられたゲート絶縁層を有し、
前記ゲート絶縁層上に設けられた、ソース領域及びドレイン領域が形成された結晶性半導体層を有し、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域に接して設けられたソース電極層及びドレイン電極層を有し、
前記ソース電極層、前記ドレイン電極層及び前記第１の電極層上に設けられた第１の絶縁層を有し、
前記第１の絶縁層は前記ソース電極層または前記ドレイン電極層に達する第１の開口部を有し、
前記ゲート絶縁層及び前記第１の絶縁層は前記第１の電極層に達する第２の開口部を有し、
前記第１の開口部及び前記第２の開口部に設けられた、前記ソース電極層または前記ドレイン電極層と前記第１の電極層とを電気的に接続する配線層を有し、
前記第１の電極層の一部、及び前記配線層を覆う第２の絶縁層を有し、
前記第１の電極層上に設けられた電界発光層を有し、
前記電界発光層上に設けられた第２の電極層を有することを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項４又は請求項５において、前記ソース領域及び前記ドレイン領域は前記半導体層の結晶化を促進又は助長させる金属元素を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１又は請求項４において、前記ゲート電極層及び前記画素電極層は同一面上に形成され、タングステン、モリブデン、ジルコニア、ハフニウム、ビスマス、ニオブ、タンタル、クロム、コバルト、ニッケル、及び白金から選ばれる一つ又は複数からなることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１又は請求項４において、前記ゲート電極層及び前記画素電極層は同一面上に形成され、インジウム錫酸化物、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウム酸化亜鉛合金からなることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項２又は請求項５において、前記ゲート電極層及び前記第１の電極層は同一面上に形成され、タングステン、モリブデン、ジルコニア、ハフニウム、ビスマス、ニオブ、タンタル、クロム、コバルト、ニッケル、及び白金から選ばれる一つ又は複数からなることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項２又は請求項５において、前記ゲート電極層及び前記第１の電極層は同一面上に形成され、インジウム錫酸化物、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウム酸化亜鉛合金からなることを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項において、前記ゲート絶縁層及び前記第１の絶縁層は前記ゲート電極層に達する第３の開口部を有し、
前記第３の開口部に設けられた前記ゲート電極層に接するゲート配線層を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
画素領域及び駆動回路領域を同一基板上に有し、
前記駆動回路領域において、前記基板上に設けられた第１のゲート電極層及び第２のゲート電極層を有し、
前記第１のゲート電極層及び前記第２のゲート電極層上に設けられたゲート絶縁層を有し、
前記ゲート絶縁層上に設けられた第１の結晶性半導体層及び第２の結晶性半導体層を有し、
前記第１の結晶性半導体層に接して設けられたｎ型を有する半導体層を有し、
前記第２の結晶性半導体層に接して設けられたｐ型を有する半導体層を有し、
前記ｎ型を有する半導体層に接して設けられた第１のソース電極層及び第１のドレイン電極層を有し、
前記ｐ型を有する半導体層に接して設けられた第２のソース電極層及び第２のドレイン電極層を有し、
前記画素領域において、前記基板上に設けられた画素電極層を有し、
前記画素電極層の一部が前記ゲート絶縁層で覆われていることを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
画素領域及び駆動回路領域を同一基板上に有し、
前記駆動回路領域において、前記基板上に設けられた第１のゲート電極層及び第２のゲート電極層を有し、
前記第１のゲート電極層及び前記第２のゲート電極層上に設けられたゲート絶縁層を有し、
前記ゲート絶縁層上に設けられた第１の結晶性半導体層及び第２の結晶性半導体層を有し、
前記第１の結晶性半導体層に接して設けられたｎ型を有する半導体層を有し、
前記第２の結晶性半導体層に接して設けられたｐ型を有する半導体層を有し、
前記ｎ型を有する半導体層に接して設けられた第１のソース電極層及び第１のドレイン電極層を有し、
前記ｐ型を有する半導体層に接して設けられた第２のソース電極層及び第２のドレイン電極層を有し、
前記画素領域において、前記基板上に設けられた第１の電極層を有し、
前記第１の電極層上に設けられた電界発光層を有し、
前記電界発光層上に設けられた第２の電極層を有し、
前記第１の電極層の一部が前記ゲート絶縁層で覆われていることを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
絶縁表面上に導電層を形成し、
前記導電層上にレジストを形成し、
前記レジストをレーザ光で露光してパターニングして、マスクを形成し、
前記マスクを用いて前記導電層をパターニングして、ゲート電極層及び画素電極層を形成し、
前記ゲート電極層及び前記画素電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に非晶質半導体層を形成し、
前記非晶質半導体層に前記非晶質半導体層の結晶化を促進又は助長させる金属元素を添加して加熱することにより、前記非晶質半導体層を結晶化して、結晶性半導体層を形成し、
前記結晶性半導体層に接して一導電型を有する半導体層を形成し、
前記結晶性半導体層及び前記一導電型を有する半導体層を加熱し、
前記一導電型を有する半導体層をパターニングして、ソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域に接してソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層、前記ドレイン電極層及び前記ゲート絶縁層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層に対して前記ソース電極層または前記ドレイン電極層に達する第１の開口部、及び前記絶縁層と前記ゲート絶縁層に対して前記画素電極層に達する第２の開口部を形成し、
前記第１の開口部及び前記第２の開口部に、前記ソース電極層または前記ドレイン電極層と、前記画素電極層とを電気的に接続する配線層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１５】
絶縁表面上に導電層を形成し、
前記導電層上にレジストを形成し、
前記レジストをレーザ光で露光してパターニングして、マスクを形成し、
前記マスクを用いて前記導電層をパターニングして、ゲート電極層及び第１の電極層を形成し、
前記ゲート電極層及び前記第１の電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に非晶質半導体層を形成し、
前記非晶質半導体層に前記非晶質半導体層の結晶化を促進又は助長させる金属元素を添加して加熱することにより、前記非晶質半導体層を結晶化して、結晶性半導体層を形成し、
前記結晶性半導体層に接して一導電型を有する半導体層を形成し、
前記結晶性半導体層及び前記一導電型を有する半導体層を加熱し、
前記一導電型を有する半導体層をパターニングし、ソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域に接してソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層、前記ドレイン電極層及び前記ゲート絶縁層上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層に対して前記ソース電極層または前記ドレイン電極層に達する第１の開口部、及び前記第１の絶縁層と前記ゲート絶縁層に対して前記第１の電極層に達する第２の開口部を形成し、
前記第１の開口部及び前記第２の開口部に、前記ソース電極層または前記ドレイン電極層と、前記第１の電極層とを電気的に接続する配線層を形成し、
前記第１の電極層の一部、及び前記配線層を覆う第２の絶縁層を形成し、
前記第１の電極層上に電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に第２の電極層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１６】
絶縁表面上に導電層を形成し、
前記導電層上にレジストを形成し、
前記レジストをレーザ光で露光してパターニングして、マスクを形成し、
前記マスクを用いて前記導電層をパターニングして、ゲート電極層及び画素電極層を形成し、
前記ゲート電極層及び前記画素電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層に前記第１の半導体層の結晶化を促進又は助長させる金属元素を添加して加熱し、
前記第１の半導体層に接して第１の不純物元素を有する第２の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層及び前記第１の不純物元素を有する第２の半導体層を加熱することにより、前記金属元素を前記第２の半導体層へ移動させ、
前記第１の不純物元素を有する第２の半導体層を除去し、
前記第１の半導体層に第２の不純物元素を添加してソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域に接してソース電極層またはドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層、前記ドレイン電極層及び前記ゲート絶縁層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層に対して前記ソース電極層または前記ドレイン電極層に達する第１の開口部、及び前記絶縁層と前記ゲート絶縁層とに対して前記画素電極層に達する第２の開口部を形成し、
前記第１の開口部及び前記第２の開口部に、前記ソース電極層または前記ドレイン電極層と、前記画素電極層とを電気的に接続する配線層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１７】
絶縁表面上に導電層を形成し、
前記導電層上にレジストを形成し、
前記レジストをレーザ光で露光してパターニングして、マスクを形成し、
前記マスクを用いて前記導電層をパターニングして、ゲート電極層及び第１の電極層を形成し、
前記ゲート電極層及び前記第１の電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層に前記第１の半導体層の結晶化を促進又は助長させる金属元素を添加して加熱し、
前記第１の半導体層に接して第１の不純物元素を有する第２の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層及び前記第１の不純物元素を有する第２の半導体層を加熱することにより、前記金属元素を前記第２の半導体層へ移動させ、
前記第１の不純物元素を有する第２の半導体層を除去し、
前記第１の半導体層に第２の不純物元素を添加してソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域に接してソース電極層またはドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層、前記ドレイン電極層及び前記ゲート絶縁層上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層に対して前記ソース電極層または前記ドレイン電極層に達する第１の開口部、及び前記第１の絶縁層と前記ゲート絶縁層とに対して前記第１の電極層に達する第２の開口部を形成し、
前記第１の開口部及び前記第２の開口部に、前記ソース電極層または前記ドレイン電極層と、前記第１の電極層とを電気的に接続する配線層を形成し、
前記第１の電極層の一部、及び前記配線層を覆う第２の絶縁層を形成し、
前記第１の電極層上に電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に第２の電極層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１４乃至１７のいずれか一項において、前記導電層、前記ソース電極層及びドレイン電極層は、導電性材料を含む組成物を吐出して選択的に形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１９】
画素領域及び駆動回路領域において、基板上に導電層を形成し、
前記導電層をレーザ光を用いて露光してパターニングして、駆動回路領域に第１のゲート電極層及び第２のゲート電極層、画素領域に第３のゲート電極層及び画素電極層を形成し、
前記第１のゲート電極層、前記第２のゲート電極層、前記第３のゲート電極層、及び前記画素電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に、半導体膜を形成し、
前記半導体膜に前記半導体層の結晶化を促進又は助長させる金属元素を添加して加熱し、
前記半導体膜上にｎ型を有する半導体膜を形成し、
前記半導体膜及び前記ｎ型を有する半導体膜を加熱し、
前記半導体膜及び前記ｎ型を有する半導体膜をパターニングし、駆動回路領域において第１の半導体層、第２の半導体層、第１のｎ型を有する半導体層、及び第２のｎ型を有する半導体層を形成し、画素領域において、第３の半導体層及び第３のｎ型を有する半導体層を形成し、
第１のｎ型を有する半導体層、及び第３のｎ型を有する半導体層を覆う第１のマスクを形成し、
前記第２のｎ型を有する半導体層にｐ型を付与する不純物元素を添加し、前記第２のｎ型を有する半導体層をｐ型を有する半導体層に反転し、
前記第１のｎ型を有する半導体層に接して第１のソース電極層及び第１のドレイン電極層を、前記ｐ型を有する半導体層に接して第２のソース電極層及び第２のドレイン電極層を、前記第３のｎ型を有する半導体層に接して第３のソース電極層及び第３のドレイン電極層を形成し、
前記第１のソース電極層、前記第１のドレイン電極層、前記第２のソース電極層、前記第２のドレイン電極層、前記第３のソース電極層、前記第３のドレイン電極層及び前記ゲート絶縁層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層に対して前記第３のソース電極層または前記第３のドレイン電極層に達する第１の開口部、及び前記絶縁層及び前記ゲート絶縁層に対して前記画素電極層に達する第２の開口部を形成し、
前記第１の開口部及び前記第２の開口部に、前記第３のソース電極層または前記第３のドレイン電極層と、前記画素電極層とを電気的に接続する配線層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２０】
画素領域及び駆動回路領域において、基板上に導電層を形成し、
前記導電層をレーザ光を用いて露光してパターニングして、駆動回路領域に第１のゲート電極層及び第２のゲート電極層、画素領域に第３のゲート電極層及び第１の電極層を形成し、
前記第１のゲート電極層、前記第２のゲート電極層、前記第３のゲート電極層、及び前記第１の電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に、半導体膜を形成し、
前記半導体膜に前記半導体層の結晶化を促進又は助長させる金属元素を添加して加熱し、
前記半導体膜上にｎ型を有する半導体膜を形成し、
前記半導体膜及び前記ｎ型を有する半導体膜を加熱し、
前記半導体膜及び前記ｎ型を有する半導体膜をパターニングし、駆動回路領域において第１の半導体層、第２の半導体層、第１のｎ型を有する半導体層、及び第２のｎ型を有する半導体層を形成し、画素領域において、第３の半導体層及び第３のｎ型を有する半導体層を形成し、
第１のｎ型を有する半導体層、及び第３のｎ型を有する半導体層を覆う第１のマスクを形成し、
前記第２のｎ型を有する半導体層にｐ型を付与する不純物元素を添加し、前記第２のｎ型を有する半導体層をｐ型を有する半導体層に反転し、
前記第１のｎ型を有する半導体層に接して第１のソース電極層及び第１のドレイン電極層を、前記ｐ型を有する半導体層に接して第２のソース電極層及び第２のドレイン電極層を、前記第３のｎ型を有する半導体層に接して第３のソース電極層及び第３のドレイン電極層を形成し、
前記第１のソース電極層、前記第１のドレイン電極層、前記第２のソース電極層、前記第２のドレイン電極層、前記第３のソース電極層、前記第３のドレイン電極層及び前記ゲート絶縁層上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層に対して前記第３のソース電極層または前記第３のドレイン電極層に達する第１の開口部、及び前記第１の絶縁層及び前記ゲート絶縁層に対して前記第１の電極層に達する第２の開口部を形成し、
前記第１の開口部及び前記第２の開口部に、前記第３のソース電極層または前記第３のドレイン電極層と、前記第１の電極層とを電気的に接続する配線層を形成し、
前記第１の電極層の一部、及び前記配線層を覆う第２の絶縁層を形成し、
前記第１の電極層上に電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に第２の電極層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１９又は請求項２０において、前記導電層、前記第１のソース電極層、前記第１のドレイン電極層、前記第２のソース電極層、前記第２のドレイン電極層、前記第３のソース電極層、及び前記第３のドレイン電極層は、導電性材料を含む組成物を吐出して選択的に形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項１５、１７及び２０いずれか一項において、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層は、絶縁性材料を含む組成物を吐出して選択的に形成することを特徴とする表示装置の作製方法。