【手続補正書】
【提出日】平成20年1月18日(2008.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に形成された第１金属層と、
前記第１金属層上に形成され、前記第１金属層の腐食を抑制する酸化膜と、
前記酸化膜上に形成された第２金属層と、
を含むことを特徴とする金属配線。
【請求項２】
前記基板と前記第１金属層との間に形成された第３金属層を更に含み、前記第３金属層は、前記第１金属層と実質的に同じ金属物質であることを特徴とする請求項１記載の金属配線。
【請求項３】
前記酸化膜の厚さは、１０ｎｍ未満であることを特徴とする請求項１記載の金属配線。
【請求項４】
酸素の密度は、前記酸化膜と前記第２金属層との境界から前記第２金属層に行くほど減少することを特徴とする請求項１記載の金属配線。
【請求項５】
基板に第１金属物質を蒸着する段階と、
前記第１金属物質が蒸着された基板を酸素雰囲気で停滞させ、前記第１金属物質上に酸化膜を形成する段階と、
前記酸化膜上に第２金属物質を蒸着する段階と、
フォトリソグラフィ工程を通じて前記第２金属物質が蒸着された結果物をパターニングする段階と、
を含むことを特徴とする金属配線の製造方法。
【請求項６】
前記酸化膜は、
前記フォトリソグラフィ工程に用いられる現像液による前記第１金属物質の腐食を防止することを特徴とする請求項５記載の金属配線の製造方法。
【請求項７】
前記酸化膜は、前記第１金属物質と前記第２金属物質との間の電子の移動を抑制することを特徴とする請求項５記載の金属配線の製造方法。
【請求項８】
基板と、
前記基板上に形成されたスキャン配線と、
前記スキャン配線と電気的に絶縁しかつ交差するように形成されたデータ配線と、
制御電極が前記スキャン配線に接続され、第１電流電極が前記データ配線に接続されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子の第２電流電極に接続された画素電極と、
を含み、
前記スキャン配線及びデータ配線のうち、いずれか一つ以上は、第１金属層と、前記第１金属層上に形成された酸化膜と、前記酸化膜上に形成された第２金属層と、を含むことを特徴とするアレイ基板。
【請求項９】
前記データ配線は、前記第１金属層の下に形成された第３金属層を更に含むことを特徴とする請求項８記載のアレイ基板。
【請求項１０】
前記第２電流電極と電気的に接続された第２電極を有するストレージキャパシタを更に含み、
前記ストレージキャパシタの第１電極は、前記第１金属層、酸化膜及び第２金属層を含むことを特徴とする請求項８記載のアレイ基板。
【請求項１１】
前記第１金属層は、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、銅、銅合金からなる群から選択された一つ以上の金属であることを特徴とする請求項８記載のアレイ基板。
【請求項１２】
前記第３金属層は、前記第１金属層と実質的に同じ物質であることを特徴とする請求項９記載のアレイ基板。
【請求項１３】
前記第２金属層は、モリブデン、モリブデン合金、クロム、クロム合金、タンタル、タンタル合金、チタニウム、チタニウム合金からなる群から選択された一つ以上の金属であることを特徴とする請求項８記載のアレイ基板。
【請求項１４】
前記酸化膜の厚さは、１０ｎｍ未満であることを特徴とする請求項８記載のアレイ基板。
【請求項１５】
複数のスキャン配線と、複数のデータ配線と、前記スキャン配線及びデータ配線が接続されたスイッチング素子と、を含むアレイ基板の製造方法において、
第１金属物質を蒸着する段階と、
前記第１金属物質上に酸化膜を形成する段階と、
前記酸化膜上に第２金属物質を蒸着する段階と、
前記第１金属物質及び第２金属物質をパターニングして、前記スキャン配線を形成する段階と、
を含むことを特徴とするアレイ基板の製造方法。
【請求項１６】
前記第２金属物質を蒸着する段階と、
前記第２金属物質上に前記第１金属物質を蒸着する段階と、
前記第１金属物質上に前記酸化膜を形成する段階と、
前記酸化膜上に第２金属物質を蒸着する段階と、
前記第１金属物質及び第２金属物質をパターニングして、前記データ配線を形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１５記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項１７】
前記第１金属物質上に形成された酸化膜は、約１０ｓｃｃｍの酸素が注入された装置内において、前記第１金属物質が蒸着された透明基板を６秒以上停滞させて形成することを特徴とする請求項１５記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項１８】
前記酸化膜の厚さは、１０ｎｍ未満であることを特徴とする請求項１５記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項１９】
前記第１金属物質は、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、銅、銅合金からなる群から選択された一つ以上の金属物質であることを特徴とする請求項１６記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項２０】
前記第２金属物質は、モリブデン、モリブデン合金、クロム、クロム合金、タンタル、タンタル合金、チタニウム、チタニウム合金からなる群から選択された一つ以上の金属物質であることを特徴とする請求項１６記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項２１】
液晶層と、
第１基板と、
スキャン配線と、前記スキャン配線と交差するデータ配線と、前記スキャン配線及びデータ配線に電気的に接続されたスイッチング素子と、を具備し、前記第１基板との合体を通じて前記液晶層を収容するする第２基板と、
を含み、
前記スキャン配線と前記データ配線とのうち、一つ以上は、複数の金属層が多層形態に積層され、前記金属層の間には、酸化膜が介在されたことを特徴とする表示パネル。
【請求項２２】
前記スキャン配線は、二つの金属層と、前記二つの金属層の間に介在する酸化膜と、を含むことを特徴とする請求項２１記載の表示パネル。
【請求項２３】
前記二つの金属層のうち、下部金属層は、アルミニウム又はアルミニウム合金の中で選択された一つであり、前記二つの金属層のうち、上部金属層は、モリブデン又はモリブデン合金の中で選択された一つであることを特徴とする請求項２２記載の表示パネル。
【請求項２４】
前記データ配線は、二つの金属層と、前記二つの金属層の間に介在する酸化膜と、を含むことを特徴とする請求項２１記載の表示パネル。
【請求項２５】
前記データ配線の前記二つの金属層のうち、下部金属層は、アルミニウム又はアルミニウム合金の中で選択された一つであり、前記二つの金属層のうち、上部金属層は、モリブデン又はモリブデン合金の中で選択された一つであることを特徴とする請求項２４記載の表示パネル。
【請求項２６】
前記データ配線は、三つの金属層と、前記三つの金属層の間に介在する酸化膜と、を含むことを特徴とする請求項２１記載の表示パネル。
【請求項２７】
前記三つの金属層のうち、下部金属層は、モリブデン又はモリブデン合金の中で選択された一つであり、中間金属層は、アルミニウム又はアルミニウム合金の中で選択された一つであり、上部金属層は、モリブデン又はモリブデン合金の中で選択された一つであり、前記酸化膜は、前記中間金属層と前記上部金属層との間に介在することを特徴とする請求項２６記載の表示パネル。
【請求項２８】
前記酸化膜の厚さは、１０ｎｍ未満であることを特徴とする請求項２１記載の表示パネル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
望ましくは、前記データ配線は、前記第１金属層の下に形成された第３金属層を更に含む。
より望ましくは、前記第１金属層は、アルミニウム（Ａｌ）及びアルミニウム合金物質の中で選択された一つであり、前記第２金属層は、モリブデン（Ｍｏ）である。また、前記第３金属層は、前記第１金属層と実質的に同じ物質であり、前記酸化膜の厚さは、１０ｎｍ未満である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
前記酸化膜は、約１０ｓｃｃｍの酸素が注入された装置内において前記第１金属物質が蒸着された透明基板を６秒以上停滞させて形成する。望ましくは、前記酸化膜の厚さは、１０ｎｍ未満である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
前記ゲート電極層は、第１金属層１１１ａと、第２金属層１１１ｃと、前記第１金属層１１１ａと第２金属層１１１ｃとの間の金属酸化膜１１１ｂと、で形成される。例えば、前記第１金属層１１１ａは、アルミニウム（Ａｌ）及びアルミニウム合金物質で形成され、前記第２金属層１１１ｃは、モリブデン（Ｍｏ）金属物質で形成される。前記アルミニウム（Ａｌ）は、両方性物質として、酸と塩基両方に全て反応する。これによって、前記フォトリソグラフィ工程のとき、現像液によって、腐食が発生しやすい。前記第１金属層１１１ａの腐食を防止するために、前記金属酸化膜１１１ｂを、前記第１金属層１１１ａを蒸着した後に前記第１金属層１１１ａ上に形成し、前記金属酸化膜１１１ｂ上に、前記第２金属層１１１ｃを形成する。前記金属酸化膜１１１ｂは、約１０ｓｃｃｍ程度の酸素が注入された酸素雰囲気で６秒以上停滞させて形成する。その後、第２金属層１１１ｃを形成することで、前記金属酸化膜１１１ｂは、約１０ｎｍ未満の厚さに形成される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
図３乃至図７は、図１のアレイ基板の製造方法を説明するための工程図である。以下では、二重配線構造を例として説明する。
図３を参照すると、透明基板１０１上に、ゲート金属層４０５を形成する。前記ゲート金属層４０５はまず、スパッタリング蒸着法を用いて、第１金属物質であるアルミニウム（Ａｌ）及びアルミニウム合金のような物質を蒸着して第１金属層４０２を形成する。即ち、第１蒸着装置内でプラズマ場を用いて前記第１金属物質を蒸着して、第１金属層４０２を形成する。その後、前記第１蒸着装置内に約１０ｓｃｃｍ程度の酸素ガスを注入し、６秒以上の酸素雰囲気を維持させる。これによって、前記第１金属層４０２上には、約１０ｎｍ未満の厚さを有する金属酸化膜４０３が形成される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
具体的に、前記第１金属物質であるアルミニウム系列（Ａｌ−Ｎｄ）の金属物質を蒸着した後、酸素雰囲気で６秒間維持して酸化膜を形成する。図示したように、前記酸化膜が形成された第１金属酸化膜領域（ＭＯＡ１）は、約４ｎｍ程度である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
その後、前記第２金属物質であるモリブデン（Ｍｏ）を蒸着する。ここで、前記第２金属物質を蒸着する過程で、前記第１金属酸化膜領域（ＭＯＡ１）内の酸素が、前記第２金属領域（ＭＡ１）の一部に拡散される。図示したように、前記拡散領域（ＤＩＦ）に前記酸素が拡散される。前記第１金属領域（ＭＡ１）と前記第２金属領域（ＭＡ２）との間に実質的に酸素が存在する第２金属酸化膜領域（ＭＯＡ２）は、約１０ｎｍ未満である。即ち、実質的な金属酸化膜４０３の厚さは、約１０ｎｍ未満である。