【手続補正書】
【提出日】平成20年10月23日(2008.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の所定領域に設けられた一導電型の不純物拡散層と、
前記不純物拡散層上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられた半導体層と、
前記半導体層に設けられた素子と、を備え、
前記不純物拡散層は定電位電源線に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体基板に設けられて前記不純物拡散層に接合された前記一導電型の電位固定部、を備え、
前記電位固定部を介して前記不純物拡散層は前記定電位電源線に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記電位固定部は、前記半導体基板の前記所定領域周辺の他領域に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記不純物拡散層は、前記半導体基板の前記他領域から前記所定領域にかけて連続して設けられた一導電型のウェル拡散層である、ことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体基板の前記所定領域は前記電位固定部によって平面視で囲まれていることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
一導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の所定領域上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられた半導体層と、
前記半導体層に設けられた素子と、を備え、
前記半導体基板の前記所定領域は定電位電源線に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
前記半導体基板の前記所定領域周辺の他領域に設けられた前記一導電型の電位固定部、を備え、
前記半導体基板の前記所定領域は前記電位固定部によって平面視で囲まれており、且つ前記所定領域は前記電位固定部を介して前記定電位電源線に接続されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
半導体基板と、
前記半導体基板の所定領域上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられた半導体層と、
前記半導体層に設けられた素子と、
前記半導体基板の前記所定領域周辺の他領域に設けられて前記所定領域を定電位に固定する電位固定部と、を備え、
前記所定領域は前記電位固定部によって平面視で囲まれていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するために、発明１の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板の所定領域に設けられた一導電型の不純物拡散層と、前記不純物拡散層上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた半導体層と、前記半導体層に設けられた素子と、を備え、前記不純物拡散層は定電位電源線に接続されていることを特徴とするものである。
発明２の半導体装置は、発明１の半導体装置において、前記半導体基板に設けられて前記不純物拡散層に接合された前記一導電型の電位固定部、を備え、前記電位固定部を介して前記不純物拡散層は前記定電位電源線に接続されていることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
発明３の半導体装置は、発明２の半導体装置において、前記電位固定部は、前記半導体基板の前記所定領域周辺の他領域に設けられていることを特徴とするものである。ここで、「他領域」とは、例えばＳＯＩ構造が形成されていないバルク領域のことである。
発明４の半導体装置は、発明３の半導体装置において、前記不純物拡散層は、前記半導体基板の前記他領域から前記所定領域にかけて連続して設けられた一導電型のウェル拡散層である、ことを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
発明１〜４の半導体装置によれば、半導体基板の所定領域に設けられた不純物拡散層を定電位（例えば、ＧＮＤ）に固定することができるので、半導体基板にバイアスがかかった場合でも、その影響を不純物拡散層上の半導体層に伝えないようにすることができる。これにより、半導体層に設けられた素子の特性変動を防止することができる。例えば、半導体層に形成された複数個のｎチャネルトランジスタと複数個のｐチャネルトランジスタの、それぞれの閾値特性の変動を防止することができ、それらのオン、オフ動作の安定化に寄与することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
発明５の半導体装置は、発明３又は発明４の半導体装置において、前記半導体基板の前記所定領域は前記電位固定部によって平面視で囲まれていることを特徴とするものである。
発明５の半導体装置によれば、半導体基板を介して伝播するノイズ（即ち、基板ノイズ）を、電位固定部によって囲まれている所定領域と、その外側の他領域との間で遮断することができる。例えば、電位固定部の外側から伝播してくる基板ノイズを電位固定部で遮断することができ、その内側にある所定領域に伝えないようにすることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
発明６の半導体装置は、一導電型の半導体基板と、前記半導体基板の所定領域上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた半導体層と、前記半導体層に設けられた素子と、を備え、前記半導体基板の前記所定領域は定電位電源線に接続されていることを特徴とするものである。
発明６の半導体装置によれば、半導体基板の所定領域を定電位（例えば、ＧＮＤ）に固定することができるので、半導体基板にバイアスがかかった場合でも、その影響を所定領域上の半導体層に伝えないようにすることができる。これにより、半導体層に設けられた素子の特性変動を防止することができる。例えば、半導体層に形成された複数個のｎチャネルトランジスタと複数個のｐチャネルトランジスタの、それぞれの閾値特性の変動を防止することができ、それらのオン、オフ動作の安定化に寄与することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
発明７の半導体装置は、発明６の半導体装置において、前記半導体基板の前記所定領域周辺の他領域に設けられた前記一導電型の電位固定部、を備え、前記半導体基板の前記所定領域は前記電位固定部によって平面視で囲まれており、且つ前記所定領域は前記電位固定部を介して前記定電位電源線に接続されていることを特徴とするものである。ここで、「電位固定部」は、例えば「半導体基板」よりも一導電型の不純物濃度が高い高濃度不純物拡散層からなる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
発明７の半導体装置によれば、電位固定部によって囲まれている所定領域と、その外側の他領域との間で基板ノイズを遮断することができる。例えば、電位固定部の外側から伝播してくる基板ノイズを電位固定部で遮断することができ、その内側にある所定領域に伝えないようにすることができる。
発明８の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板の所定領域上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた半導体層と、前記半導体層に設けられた素子と、前記半導体基板の前記所定領域周辺の他領域に設けられて前記所定領域を定電位に固定する電位固定部と、を備え、前記所定領域は前記電位固定部によって平面視で囲まれていることを特徴とするものである。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
発明８の半導体装置によれば、半導体基板の所定領域は電位固定部によって定電位（例えば、ＧＮＤ）に固定されるので、半導体基板にバイアスがかかった場合でも、その影響を所定領域上の半導体層に伝えないようにすることができる。これにより、半導体層に設けられた素子の特性変動を防止することができる。例えば、半導体層に形成された複数個のｎチャネルトランジスタと複数個のｐチャネルトランジスタの、それぞれの閾値特性の変動を防止することができ、それらのオン、オフ動作の安定化に寄与することができる。