(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の両側にコア導体層を形成してなるベース層の両側に層間絶縁樹脂層を介して非コア導体層を１層以上形成した多層基板において、
前記絶縁基板に前記コア導体層の厚さの２倍以下の直径のスルーホールが形成され、該スルーホールが前記コア導体層と同じ金属で埋まっており、
前記コア導体層及びその両側の前記非コア導体層に渡りヘリカル構造の高周波コイルが１個以上形成されており、かつ前記ベース層の一方の側の非コア導体層の層数と、他方の側の非コア導体層の層数との差が１を越えないことを特徴とする多層基板。
【請求項２】
前記コア導体層の厚さが１０μｍ以上で３００μｍ以下、前記スルーホール直径が２０μｍ以上で６００μｍ以下である請求項１記載の多層基板。
【請求項３】
前記絶縁基板の厚さが０.２mm以下である請求項１又は２記載の多層基板。
【請求項４】
周波数１ＧＨｚにおいて、前記層間絶縁樹脂層のＱが２００以上で、比誘電率が３以下である請求項１，２又は３記載の多層基板。
【請求項５】
前記絶縁基板がビニルベンジルである請求項１，２，３又は４記載の多層基板。
【請求項６】
前記層間絶縁樹脂層がビニルベンジルである請求項１，２，３，４又は５記載の多層基板。
【請求項７】
前記コア導体層及び非コア導体層における導体パターンのアスペクト比が０.５以上で、導体間のアスペクト比が２以下である請求項１，２，３，４，５又は６記載の多層基板。
【請求項８】
絶縁基板の両側にコア導体層を形成してベース層を形成し、該ベース層の両側に層間絶縁樹脂層を介して非コア導体層を１層以上形成する多層基板の製造方法において、
前記コア導体層を作製する工程が、前記絶縁基板にレーザー加工によるスルーホールを形成する穴開け工程と、
前記絶縁基板両面及び前記スルーホール内面に、めっき用下地導体層を形成する下地導体層形成工程と、
前記下地導体層上にレジストを設け、導体パターンに対応させて前記下地導体層を露出させた後、電気めっきにより電気めっき導体層を形成しかつ当該電気めっき導体層で前記スルーホールを埋める電気めっき工程と、
前記レジストを除去後、前記めっき用下地導体層の不要部分を除去する下地導体層除去工程とを備え、
前記コア導体層を作製する工程の後で、前記ベース層の一方の側の非コア導体層の層数と、他方の側の非コア導体層の層数との差が１を越えないように前記非コア導体層を作成する工程を行い、
前記コア導体層及びその両側の前記非コア導体層に渡りヘリカル構造の高周波コイルを１個以上形成することを特徴とする多層基板の製造方法。
【請求項９】
前記非コア導体層を作製する工程が、前記層間絶縁樹脂層に次の下地導体層を形成する工程と、前記次の下地導体層上にレジストを設け、導体パターンに対応させて前記次の下地導体層を露出させた後、電気めっきにより次の電気めっき導体層を形成する工程と、前記レジストを除去後、前記次の下地導体層の不要部分を除去する工程とを備えている請求項８記載の多層基板の製造方法。
【請求項１０】
前記層間絶縁樹脂層にビアホールが形成されており、該ビアホールが前記次の電気めっき導体層により埋められている請求項９記載の多層基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波回路に用いる多層基板に係り、とくにコイル等の電子部品素子を内蔵可能な薄型で高密度化に適した多層基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、高密度多層基板は所謂ビルドアップ工法によって作られていた（この詳細については、例えば「ビルドアップ配線板入門」（塚田  裕著、日刊工業社）を参照）。
【０００３】
一般的なビルドアップ工法の概略を図７に示す。すなわち、図７（Ａ）のように、厚いガラス・エポキシ基板（例えばＦＲ４基板）３０の両面に導体（銅箔）３１を形成したものにドリル加工によってスルーホール３２を形成し、同図（Ｂ）のようにスルーホールめっき工程にてスルーホール３２内面を含む導体層３３をめっきで施し、その後同図（Ｃ）のようにレジストパターン形成工程にて所定のレジストパターン３４を形成する。それから、図７（Ｄ）のエッチング工程にてレジストパターンで覆われていない導体（銅箔）３１及び導体層３３を除去し、さらにレジストを除去することで所定パターンのコア導体層３３ａとする。その後、図７（Ｅ）のスルーホール穴埋め工程にてスルーホール３２を樹脂３５で埋め、さらに同図（Ｆ）の研磨工程でスルーホール３２からはみ出した樹脂３５を研磨で取り除き、これをベースにして両面にビルドアップ層を形成してゆく。すなわち、図７（Ｇ）の絶縁層形成工程にて層間絶縁層３６を形成し、その上に導体層を形成する工程を必要な層数だけ繰り返す。
【０００４】
なお、ＦＲ４基板では通常肉厚は０.３mm程度であり、ドリルによる穴開けは０.３mm以上の径となり、従って、図７（Ｄ）で形成されたスルーホール３２周辺のランド径は０.５mm以上となる。また、サブトラクティブ法で形成されるコア導体層３３ａの高さは２０μｍ以下となるのが普通である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、図７の一般的なビルドアップ工法では、下記のような不具合がある。
【０００６】
（１）ＦＲ４基板が厚く、これに伴い多層基板全体が厚くなる。また前記基板を薄くするとスルーホールのアスペクト比が落ちて樹脂の注入が困難になり（アスペクト比が低くなると樹脂垂れの問題が発生するため）、また研磨工程が難しくなる。すなわち、研磨では基板に大きな力がかかるが、基板が薄いと機械的強度が不十分で歩留まりの低下を招く。
【０００７】
（２）ＦＲ４基板が厚く、スルーホールの穴開けは機械的ドリルで行われるが、通常直径が０.３mmを越え、配線の高密度化の妨げになる。
【０００８】
（３）ドリルでの穴開けはレーザーに比べて量産性に劣る
【０００９】
（４）スルーホールの穴埋め工程が煩雑であり、量産性が低下する。
【００１０】
（５）ベース層（図７（Ｆ）の構造体）での配線、つまりコア導体層はサブトラクティブ法で形成されるので、配線密度が低い。銅箔を薄くすると配線の密度は上がるが配線抵抗が増える。通常ベース層は電源層に利用される場合が多く、この場合配線を流れる電流値が大きいので損失が増大し好ましくない。
【００１１】
本発明は、上記の点に鑑み、全体を薄くでき、全ての導体層を高密度に形成でき、量産性に優れた多層基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
本発明のその他の目的や新規な特徴は後述の実施の形態において明らかにする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本願請求項１の発明に係る多層基板は、絶縁基板の両側にコア導体層を形成してなるベース層の両側に層間絶縁樹脂層を介して非コア導体層を１層以上形成した構成において、
前記絶縁基板に前記コア導体層の厚さの２倍以下の直径のスルーホールが形成され、該スルーホールが前記コア導体層と同じ金属で埋まっており、
前記コア導体層及びその両側の前記非コア導体層に渡りヘリカル構造の高周波コイルが１個以上形成されており、かつ前記ベース層の一方の側の非コア導体層の層数と、他方の側の非コア導体層の層数との差が１を越えないことを特徴としている。
【００１４】
本願請求項２の発明に係る多層基板は、請求項１において、前記コア導体層の厚さが１０μｍ以上で３００μｍ以下、前記スルーホール直径が２０μｍ以上で６００μｍ以下であることを特徴としている。
【００１５】
本願請求項３の発明に係る多層基板は、請求項１又は２において、前記絶縁基板の厚さが０.２mm以下であることを特徴としている。
【００１７】
本願請求項４の発明に係る多層基板は、請求項１，２又は３において、周波数１ＧＨｚにおける前記層間絶縁樹脂層のＱが２００以上で、比誘電率が３以下であることを特徴としている。
【００１８】
本願請求項５の発明に係る多層基板は、請求項１，２，３又は４において、前記絶縁基板がビニルベンジルであることを特徴としている。
【００１９】
本願請求項６の発明に係る多層基板は、請求項１，２，３，４又は５において、前記層間絶縁樹脂層がビニルベンジルであることを特徴としている。
【００２１】
本願請求項７の発明に係る多層基板は、請求項１，２，３，４，５又は６において、前記コア導体層及び非コア導体層における導体パターンのアスペクト比が０.５以上で、導体間のアスペクト比が２以下であることを特徴としている。
【００２２】
本願請求項８の発明に係る多層基板の製造方法は、絶縁基板の両側にコア導体層を形成してベース層を形成し、該ベース層の両側に層間絶縁樹脂層を介して非コア導体層を１層以上形成する場合において、
前記コア導体層を作製する工程が、前記絶縁基板にレーザー加工によるスルーホールを形成する穴開け工程と、
前記絶縁基板両面及び前記スルーホール内面に、めっき用下地導体層を形成する下地導体層形成工程と、
前記下地導体層上にレジストを設け、導体パターンに対応させて前記下地導体層を露出させた後、電気めっきにより電気めっき導体層を形成しかつ当該電気めっき導体層で前記スルーホールを埋める電気めっき工程と、
前記レジストを除去後、前記めっき用下地導体層の不要部分を除去する下地導体層除去工程とを備え、
前記コア導体層を作製する工程の後で、前記ベース層の一方の側の非コア導体層の層数と、他方の側の非コア導体層の層数との差が１を越えないように前記非コア導体層を作成する工程を行い、
前記コア導体層及びその両側の前記非コア導体層に渡りヘリカル構造の高周波コイルを１個以上形成することを特徴としている。
【００２３】
本願請求項９の発明に係る多層基板の製造方法は、請求項８において、前記非コア導体層を作製する工程が、前記層間絶縁樹脂層に次の下地導体層を形成する工程と、前記次の下地導体層上にレジストを設け、導体パターンに対応させて前記次の下地導体層を露出させた後、電気めっきにより次の電気めっき導体層を形成する工程と、前記レジストを除去後、前記次の下地導体層の不要部分を除去する工程とを備えたことを特徴としている。
【００２４】
本願請求項１０の発明に係る多層基板の製造方法は、請求項９において、前記層間絶縁樹脂層にビアホールが形成されており、該ビアホールが前記次の電気めっき導体層により埋められていることを特徴としている。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る多層基板及びその製造方法の実施の形態を図面に従って説明する。
【００２６】
図１で本発明の実施の形態を説明する。この図１において、１は厚さ０.２mm以下で、さらに好ましくは１００μｍ以下の絶縁基板であり、これに図１（Ａ）の穴開け工程においてレーザー加工により１００μｍ以下のスルーホール２を形成する。なお、絶縁基板１の厚さを０.２mm以下とするのは、基板厚みが薄い方が後述のコア導体層形成時のスルーホールの穴埋め処理が容易となるからであり、厚さ０.２mmを超えるとスルーホールのアスペクト比が大きくなり穴埋め処理が難しくなるし、多層基板全体の厚みの増大を招くので好ましくない。
【００２７】
次に図１（Ｂ）の下地導体層形成工程で、絶縁基板１両面及びスルーホール２内面に、銅等の良導電性金属の無電解めっきにより、５μｍ以下のめっき用下地導体層３を形成する。
【００２８】
その後、図１（Ｃ）の電気めっき工程において、基板１両側の下地導体層３の上に感光性レジストとしての光硬化性ドライフィルム４をラミネーターで貼り付け、ドライフィルム４に対してフォトリソグラフィーの手法を用いて平行露光機で露光、現像し、コア導体層の導体パターンを溝部として作製し、ドライフィルム４の溝部に電気めっきとしての硫酸銅めっきで厚さ１００μｍ程度の電気めっき導体層５を形成する。なお、レジスト露光に際して平行露光機とするのは、これが平行光線をドライフィルム４に垂直に照射でき、散乱光による場合に比べ細幅で側面が垂直に近い溝をパターニングできるからである。また、前記電気めっき導体層５はドライフィルム４の溝部の深さよりも肉厚が多少大きくなるようにめっき処理してもよい。光硬化性ドライフィルムとしては、東京応化社製Ｐ８０１０を用いることができる。
【００２９】
図１（Ｄ）のめっき下地層除去工程では、ドライフィルム４を剥離、除去し、下地導体層３を露出させた後、全体をウェットエッチングでエッチング処理して下地導体層３の不要部分を除去し、絶縁基板１の両面に所定パターンで高さ１００μｍ程度のコア導体層６（下地導体層３の上に電気めっき導体層５が積層されたもの）を作製する。ウェットエッチング液としては、例えば過硫酸ソーダを用いることができる。
【００３０】
なお、スルーホール２の内部は図１（Ｃ）の電気めっき工程において電気めっき導体層５で同時に埋めて塞ぐが、スルーホール２を埋める条件として、スルーホール２の直径が前記コア導体層６の厚さの２倍以下であることが必要である。例えば、図５（Ａ）のように貫通した穴が残っている場合は不良であり、図５（Ｂ）〜（Ｄ）のようにコア導体層６で穴が埋まっていれば（貫通部分が無くなれば）良いものとする。図５（Ｃ）のように、少なくとも基板１の厚さ部分は導体で埋まっており、表面が滑らかに接続していることが好ましく、さらに図５（Ｄ）の完全に導体で埋まって平坦になっていることが最も好ましい。
【００３１】
また、図１（Ｄ）で形成されたスルーホール２周辺のランド径は０.１mmをわずかに越える値以下（好ましくは０.１５mm以下）に小さくできる。
【００３２】
図１（Ｄ）の絶縁基板１の両側にコア導体層６を作製した構造体がベース層となり、このベース層の両側に層間絶縁層並びに導体層（非コア導体層）を必要層数だけ積層形成していく。すなわち、図１（Ｅ）のように層間絶縁層７をコア導体層６上に数１０μｍ形成後、点線のようにビアホール８をレーザー加工で開け、その後めっき用下地導体層を前記層間絶縁層７上に形成してから図１（Ｃ）〜（Ｄ）と同様に電気めっき工程及びめっき下地層除去工程により点線で示す非コア導体層９（下地導体層＋電気めっき導体層）を形成し、以後、必要ならば同様の工程を繰り返せばよい。
【００３３】
なお、この場合、ビアホール８の穴埋めを非コア導体層９の電気めっきによる形成と同時に行うことができる。このとき、図６（Ａ）のように非コア導体層９の中央部の窪み部の厚みＡが層間絶縁層７の厚みＢよりも厚いことが好ましい。さらに、図６（Ｂ）のように非コア導体層９の上面が完全に平坦であることが最も好ましい。
【００３４】
以上の工程により、絶縁基板１の両側にコア導体層６を形成してなるベース層の両側に層間絶縁層を介して非コア導体層９を１層以上形成した構造を持ち、かつ前記絶縁基板１に前記コア導体層６の厚さの２倍以下のスルーホール２が形成され、このスルーホール２が前記コア導体層６と同じ金属で埋まって塞がれた多層基板が得られる。この場合、図１に示したパターンめっき工法をとることで、コア導体層及びその外側の非コア導体層共にハイアスペクト導体層とすることができ、具体的には各導体層のアスペクト比（導体高さ／導体幅）を０.５以上とすることができる。なお、各導体層における導体間のアスペクト比（導体高さ／導体間隔）は線間の浮遊容量を抑えるために２以下が望ましい。換言すれば、導体間隔が導体高さの半分以上離れていることが好ましい。例えば、導体高さ及び導体幅が１００μｍ、隣り合う導体同士の間隔が２００μｍであれは、導体層のアスペクト比は１、導体間のアスペクト比は１／２となる。
【００３５】
前記スルーホール直径は２０μｍ以上で６００μｍ以下の範囲内の値であれば良い。前記スルーホール直径を２０μｍ未満とすることは加工が難しく、６００μｍより大きくすると導体で埋めることが難しくなるため、好ましくない。前記２０μｍ以上で６００μｍ以下のスルーホールを埋めることができるように前記コア導体層の厚さは１０μｍ以上で３００μｍ以下とすればよい。３００μｍを超えるコア導体層の形成は時間がかかる問題もある。
【００３６】
なお、薄い基板の片面にビルドアップ層を形成しても機能的には同じものが出来るが、基板の反りが問題になり量産性が低下する。また、リードタイムが長くなり好ましくない。基板の反りやリードタイムの点に配慮すると、ベース層の一方の側の非コア導体層の層数と、他方の側の非コア導体層の層数との差が１を越えないことが望ましい。
【００３７】
前記絶縁基板１及び層間絶縁層７の材質はレーザー加工に適した絶縁体、とくに有機絶縁体が好ましい。それら絶縁体の材質には浮遊容量を減少させるために誘電率の小さいものが好ましい。また誘電損失を減らす為にＱの大きいものが好ましい。具体的には、周波数１ＧＨｚにおいて、絶縁基板１及び層間絶縁層７の比誘電率がそれぞれ３以下で、Ｑはそれぞれ２００以上あることがとくに望ましい。絶縁基板１及び層間絶縁層７の材料は使用周波数、目標のＱ値、コストを考慮して例えば以下の表１より選択すればよい。この中でも、有機絶縁体、つまり絶縁樹脂としてビニルベンジルは誘電率、Ｑ、コストのバランスが良く、好ましい材料である。
【００３８】
0004052434.tif 000002
【００３９】
前記絶縁基板１及び層間絶縁層７を有機絶縁体とする場合、機械的強度の向上の為に芯材を用いることが出来る。芯材には以下の表２のようにＤガラスクロス、Ｅガラスクロス、ケプラークロス等を用いることが出来る。一般的に誘電率の低く、低損失の材料ほど高価であるが、コストの許す限り、誘電率の低い材料を使用することが好ましい。
【００４０】
0004052434.tif 000003
【００４１】
前記層間絶縁層７には、可撓性のある樹脂を用いることがいっそう好ましい。導体と絶縁基板、層間絶縁層との熱膨張率は大きく異なっており、可撓性の乏しい樹脂を用いるとヒートサイクル等の信頼性試験によりクラックが生じる等の不具合が発生する。とくに、ベース層を薄く形成した場合、反りの問題を解消するために層間絶縁層７が可撓性を持つことが重要となる。具体的に可撓性の尺度を挙げると、樹脂の伸び率が３％以上、エリクセン値が３mm以上等が挙げられる。絶縁基板１に有機絶縁体を用いることは、誘電率が小さくかつ割れに強い材料が比較的容易に得られるので好ましい。
【００４２】
ベース層の両側に設けるビルドアップ層の導体パターン形成方法は、サブトラクティブ法でも良いが、パターンめっき法（図１（Ｃ）のようにレジストを除去した下地導体層の露出パターン部分に電気めっきを行う工法）で形成して導体層の厚さを増すと、配線のパターン密度を高めたままで導体損失を減じることが出来る。ビルドアップ層における導体のアスペクト比も０.５以上であることが好ましく、また導体間隔は導体高さの半分以上離れていることが好ましい。これは線間の浮遊容量の増大を抑える為である。
【００４３】
ベース層における絶縁基板１の穴開けにはレーザーを用いるのが好ましい。これにより、直径１００μｍ以下の小径のスルーホール２を量産性を損なわずに開けることが出来る。機械的ドリルの場合は穴径が２００μｍを切るとドリルの寿命が極端に短くなり、また絶縁基板の重ね枚数も少なくなるのでコストが飛躍的に増大する。コストの一例を挙げると０.１mm厚のＦＲ４基板の場合、ドリルで穴径０.３mm以上の場合１０銭／穴、穴径０.２mmの場合２０銭／穴、レーザー加工の場合穴径０.１mmで２銭／穴である。
【００４４】
レーザーの場合、ガラスクロスのある場合は炭酸ガスレーザーを用いる。また基板の厚さが０.３mm以上に厚くなると、加工スピードが落ちて好ましくない。レーザー加工では絶縁基板の厚さは０.２mm以下が好ましい。
【００４５】
本実施の形態で説明した多層基板を用いてコイル、コモンモードチョークフィルター、トランス等の単機能部品及びこれらを組み合わせたトラップ、フィルター等の複合モジュールを構成することができる。この場合、例えばコイルを例にとって説明すると基板に多数個のコイルを縦横に等間隔に多数個作成し、完成した時点でダイサー等を用いて単品に切り分ける。
【００４６】
コイルを構成する場合は、ヘリカル巻きかあるいはダブル又はトリプルヘリカル巻き（ヘリカル巻きが２重又は３重に形成されて並列に接続されたもの）にすることが好ましい。
【００４７】
この実施の形態によれば、次の通りの効果を得ることができる。
【００４８】
(1)  絶縁基板１にコア導体層６の厚さの２倍以下のスルーホール２を形成し、該スルーホール２をコア導体層６の形成と同時に埋めて塞ぐベース層の構造であり、スルーホールを樹脂で穴埋めして研磨する工程が不要であり、量産性が良好である。さらに、ベース層の両側のビルドアップ層においても層間絶縁層７に開けられたビアホールを非コア導体層の形成時に埋めることができ、この点でも量産性が良い。
【００４９】
(2)  厚さが０.２mm以下の絶縁基板１にスルーホール２をレーザー加工で形成することで、小径のスルーホール２を形成でき、配線パターンの微細化、つまり高密度化を図ることが容易である。また、加工コストも安価である。また、ベース層の薄型化、ひいては多層基板全体の薄型化を図り得る。
【００５０】
(3)  ベース層の一方の側の非コア導体層の層数と、他方の側の非コア導体層の層数との差が１を越えないようにすることで、基板１の反りを少なくし、かつ製造を効率的に実行可能にして、リードタイムの短縮が図れる。
【００５１】
(4)  周波数１ＧＨｚにおいて、絶縁基板１や層間絶縁層７のＱを２００以上、比誘電率を３以下とすることで、高周波での損失を減らしかつ自己共振周波数の低下を避けることができる。この条件を満たす有機絶縁材料としてビニルベンジルが挙げられる。
【００５２】
(5)  コア導体層及び非コア導体層を図１に示したようなパターンめっき工法で作製することで、それら導体パターンのアスペクト比を０.５以上とすることができ、直流抵抗の低減による低損失化、電流容量の増大を図ることができる。さらに、導体間のアスペクト比を２以下とすることで、浮遊容量の増加を回避できる。
【００５３】
【実施例】
以下、本発明の実施例として６層のヘリカルコイルを多層基板で作製した場合について述べる。
【００５４】
（実施例１）
絶縁基板１としての厚さ０.１mmのガラスクロス入りビニルベンジル基板の所定の位置に炭酸ガスレーザーで穴径８０μｍのスルーホール１０を開けた。その後に厚さ１μｍの下地めっき層を無電解銅めっきで形成し、次に前記基板の両面に厚さ８０μｍのドライフィルムで図２のベース層のパターン（スルーホール囲むランド及び上部及び下部第１導体パターン層を形成するためのパターン）を形成した。その後、硫酸銅めっきで高さ８０μｍの導体パターンを形成した後、ドライフィルムを剥離し、その後にクイックエッチング（短時間でのエッチング）で不用の下地銅層を取り除いた。これで基板１の両面に、スルーホールを埋めて塞いだコア導体層からなる上部及び下部第１導体パターン層１１ａ，１１ｂがベース層として得られる。
【００５５】
さらに、前記ベース層形成後の基板両面に可撓性を有するビニルベンジルで図２の上部及び下部第１絶縁層１２ａ，１２ｂを形成した。絶縁層の厚さは銅の導体パターン層１１ａ，１１ｂ上で３０μｍである。そして、上部及び下部第１絶縁層１２ａ，１２ｂの所定の位置にレーザーで８０μｍの穴（ビアホール）１３を開ける。
【００５６】
その後に厚さ１μｍの下地めっき層を無電解銅めっきで形成し、次に基板の両面に厚さ８０μｍのドライフィルムで図２の上部及び下部第２導体パターン層を形成するためのパターンを形成した。その後硫酸銅めっきで高さ８０μｍの導体パターンを形成した後、ドライフィルムを剥離し、その後にクイックエッチングで不用の下地銅層を取り除いて上部及び下部第２導体パターン層１４ａ，１４ｂを形成した。
【００５７】
さらに、この両面に可撓性を有するビニルベンジルで図２の上部及び下部第２絶縁層１５ａ，１５ｂを形成した。絶縁層の厚さは銅の導体パターン層１４ａ，１４ｂ上で３０μｍである。そして、上部及び下部第２絶縁層１５ａ，１５ｂの所定の位置にレーザーで８０μｍの穴（ビアホール）１６を開ける。
【００５８】
その後に厚さ１μｍの下地めっき層を無電解銅めっきで形成し、次に基板の両面に厚さ８０μｍのドライフィルムで図２の上部及び下部第３導体パターン層を形成するためのパターンを形成した。その後硫酸銅めっきで高さ８０μｍの導体パターンを形成した後、ドライフィルムを剥離し、その後にクイックエッチングで不用の下地銅層を取り除いて上部及び下部第３導体パターン層１７ａ，１７ｂを形成した。
【００５９】
最後に、両端部に切欠部１９を形成したビニルベンジルの下部第３絶縁層１８を介して端子電極２０を形成した。この端子電極２０は上部第１〜第３導体パターン層、下部第１〜第３導体パターン層の直列接続からなる６ターンのヘリカル巻きのコイルの両端に接続している。
【００６０】
このコイルの外形寸法は横１.６mm×縦０.８mm×厚さ０.８mmであり、図３のインダクタンス値の周波数特性及び図４のＱ値の周波数特性に示すように高周波領域（特に１００ＭＨｚ以上）で良好な電気的特性を示した。
【００６１】
以上本発明の実施の形態及び実施例について説明してきたが、本発明はこれに限定されることなく請求項の記載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当業者には自明であろう。例えば、実施例ではコイルを内蔵する多層基板を例示したが、各層の導体パターンは任意であり、コイル以外の各種電子部品素子を内蔵する構造とすることも勿論可能である。
【００６２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、多層基板全体の厚さの薄型化が可能で、ベース層の配線抵抗を増大させることなく高密度化出来、しかも製造容易で量産性に優れる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る多層基板及びその製造方法の実施の形態を示す説明図である。
【図２】本発明の実施例であって６層のコイルを内蔵する多層基板の例を示す説明図である。
【図３】実施例の場合のインダクタンスの周波数特性図である。
【図４】実施例の場合のＱ値の周波数特性図である。
【図５】前記実施の形態において、基板に形成されたスルーホールをコア導体層で埋める場合における、不良の例及び良好な例を示す説明図である。
【図６】前記実施の形態において、層間絶縁層のビアホールを電気めっき層で埋める場合の好ましい例及び最も好ましい例を示す説明図である。
【図７】一般的なビルドアップ工法の説明図である。
【符号の説明】
１  絶縁基板
２  スルーホール
３  下地導体層
４  ドライフィルム
５  電気めっき導体層
６  コア導体層
７  層間絶縁層
８  ビアホール
９  非コア導体層
１０  スルーホール
１１ａ，１１ｂ  第１導体パターン層
１２ａ，１２ｂ  第１絶縁層
１３，１６  穴
１４ａ，１４ｂ  第２導体パターン層
１５ａ，１５ｂ  第２絶縁層
１７ａ，１７ｂ  第３導体パターン層
１８  第３絶縁層
２０  端子電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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