Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月16日(2008.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧縮符号化された状態でランダムアクセス可能な記録媒体に記録されている動画像データを読み出す動画像データ読み出し手段と、
前記動画像データ読み出し手段により読み出された動画像データを伸長復号化する伸長復号化手段と、
前記記録媒体に記録されている動画像データにおける所定の管理単位である動画シーンのそれぞれにおいて、前記動画シーン中の所定の画像を縮小してサムネイル画像を生成するサムネイル画像生成手段と、
前記サムネイル画像生成手段により生成されたサムネイル画像を一覧形式でインデックス画面表示する画像表示制御手段と、
装置本体が動作している電源の種類を検出する電源種類検出手段とを有し、
前記画像表示制御手段は、前記電源種類検出手段の検出結果に応じて前記サムネイル画像の表示方法を異ならせることを特徴とする携帯型画像再生装置。
【請求項２】
前記画像表示制御手段は、前記電源種類検出手段によって検出される電源の種類が装置本体の外部から供給される電源であった場合、前記インデックス画面における前記動画シーンのサムネイル画像を、前記サムネイル画像の大きさの動画像で表示し、前記電源種類検出手段によって検出される電源の種類が本体に取り付けられる一次電池または二次電池であった場合、前記インデックス画面における前記動画シーンのサムネイル画像を、前記サムネイル画像の大きさの静止画で表示することを特徴とする請求項１に記載の携帯型画像再生装置。
【請求項３】
前記サムネイル画像生成手段は、
前記インデックス画面表示が行われることに従って、前記伸長復号化手段によって伸長復号化された動画像データから前記サムネイル画像に対応する縮小動画像を生成する縮小動画像生成手段と、
生成された前記縮小動画像をバッファメモリに一時的に蓄積する縮小動画像蓄積手段とを有し、
前記電源種類検出手段によって検出される電源の種類が一次電池または二次電池であった場合、前記画像表示制御手段は、前記インデックス画面において前記サムネイル画像として前記縮小動画像を表示するようにし、かつ前記インデックス画面において前記縮小動画像が２回目以降再生されるときは、前記バッファメモリに保存されている前記縮小動画像を再生表示することを特徴とする請求項１に記載の携帯型画像再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】携帯型画像再生装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は携帯型画像再生装置に関し、特に、光ディスクやハードディスクドライブ、フラッシュメモリカード等のように、ランダムアクセス可能な記録媒体を用いて、画像の記録再生を行い、電灯線電源や充電式電池を電源とする携帯型画像再生装置に用いて好適な技術に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の携帯型画像再生装置は、圧縮符号化された状態でランダムアクセス可能な記録媒体に記録されている動画像データを読み出す動画像データ読み出し手段と、前記動画像データ読み出し手段により読み出された動画像データを伸長復号化する伸長復号化手段と、前記記録媒体に記録されている動画像データにおける所定の管理単位である動画シーンのそれぞれにおいて、前記動画シーン中の所定の画像を縮小してサムネイル画像を生成するサムネイル画像生成手段と、前記サムネイル画像生成手段により生成されたサムネイル画像を一覧形式でインデックス画面表示する画像表示制御手段と、装置本体が動作している電源の種類を検出する電源種類検出手段とを有し、前記画像表示制御手段は、前記電源種類検出手段の検出結果に応じて前記サムネイル画像の表示方法を異ならせることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明によれば、ＡＣアダプタ等による外部電源使用時は、インデックス画面のサムネイル表示においてユーザが選択しているコンテンツの再生画像を動画によって表示し、装置本体に取り付けられた一次電池または充電式電池による電源供給時にはインデックス画面のサムネイル表示を静止画像として表示するようにして、電源が電池から供給されている場合には、動画デコーダの復号化動作を停止させることができる。これにより、充電式電池で動作時にサムネイル画像をインデックス画面表示することによって消費される電力をできる限り低減することができる。
また、本発明の他の特徴によれば、サムネイル画像に対応する縮小動画像を生成してバッファメモリに一時的に蓄積しておくようにしたので、ＡＣアダプタ等による外部電源使用時は、インデックス画面のサムネイル表示においてユーザが選択している動画コンテンツの再生画像を表示することができる。また、一次電池または充電式電池による電源供給時は、インデックス画面において前記サムネイル画像として前記縮小動画像を表示するようにし、かつ前記インデックス画面において前記縮小動画像が２回目以降再生されるときは、前記バッファメモリに保存されている前記縮小動画像を再生表示するようにしたので、電源が一次電池または充電式電池の場合には動画デコーダを非動作とすることができ、電池寿命を縮めることなく記録動画コンテンツの識別選択を容易に行えるようにすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月16日(2008.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部装置から製本面付け処理が行なわれた文書データを入力して、製本出力する第１の製本出力手段と、
前記外部装置から文書データを入力し、製本面付け処理を施して製本出力する第２の製本出力手段と、
前記第１又は第２の製本出力手段によって、製本面付け処理が行なわれる前又は後の文書データに対して、出力する部毎に異なる部数画像を合成する部数合成手段と、
を有する画像形成装置であって、
前記部数合成手段は、前記部数画像を合成する対象となる文書データが製本面付け処理前か製本面付け処理後かに基づいて、前記部数画像を合成するレイアウトを決定することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記第１の製本出力手段は、前記外部装置で動作する文書アプリケーションで作成したユーザ原稿データを製本面順になるよう各ページの順番を入れ替えて連結した見開き画像を生成し、前記見開き画像で構成される文書データを前記外部装置から入力して製本出力することを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記第２の製本出力手段は、前記外部装置から入力したユーザ原稿データで構成される前記文書データを、製本面順になるよう各ページの順番を入れ替えて連結して見開き画像を生成して記録紙に出力することを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記部数画像のフォントまたはフォントサイズを設定するための設定手段を更に有し、
前記部数合成手段は前記設定手段による設定に応じて部数画像を合成することを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記部数合成手段は、更に、記録紙１面分に相当する見開き画像に前記文書データのＮページ分を収めるか、を表わす面付け情報に基づいて、前記部数画像を合成することを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記部数合成手段は、前記第１の製本出力手段との組み合わせにおいては、前記面付け情報に基づいて前記見開き画像をＮ分割し、分割した各領域に対して部数画像を合成することを特徴とする請求項５記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記部数合成手段は、前記第２の製本出力手段との組み合わせにおいては、製本面付け前の各画像データに対して部数画像を合成することを特徴とする請求項５記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記部数合成手段は、前記第２の製本出力手段との組み合わせにおいては、前記見開き画像をＮ分割し、分割した各領域に対して部数画像を合成することを特徴とする請求項５記載の画像形成装置。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れかに記載の画像形成装置と、
文書データに対して製本面付け処理を行なうことの可能なプリンタドライバを備えた外部装置と、を含むことを特徴とする画像形成システム。
【請求項１０】
前記プリンタドライバは、各ページの順番を入れ替えて連結して見開き画像データを生成してから画像形成装置に送信し、前記画像形成装置の第１の製本出力手段は、前記見開き画像データを受信して記録紙に出力することを特徴とする請求項９記載の画像形成システム。
【請求項１１】
外部装置から製本面付け処理が行なわれた文書データを入力して、製本出力する第１の製本出力工程と、前記外部装置から文書データを入力し、製本面付け処理を施して製本出力する第２の製本出力工程と、前記第１又は第２の製本出力工程によって、製本面付け処理が行なわれる前又は後の文書データに対して、出力する部毎に異なる部数画像を合成する部数合成工程と、を有する画像形成方法であって、
前記部数合成工程では、前記部数画像を合成する対象となる文書データが製本面付け処理前か製本面付け処理後かに基づいて、前記部数画像を合成するレイアウトを決定することを特徴とする画像形成方法。
【請求項１２】
画像形成装置に、外部装置から製本面付け処理が行なわれた文書データを入力して、製本出力する第１の製本出力工程と、前記外部装置から文書データを入力し、製本面付け処理を施して製本出力する第２の製本出力工程と、前記第１又は第２の製本出力工程によって、製本面付け処理が行なわれる前又は後の文書データに対して、出力する部毎に異なる部数画像を合成する部数合成工程と、を実行させる画像形成プログラムであって、
前記部数合成工程では、前記部数画像を合成する対象となる文書データが製本面付け処理前か製本面付け処理後かに基づいて、前記部数画像を合成するレイアウトを決定することを特徴とする画像形成プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月23日(2008.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
細胞中の特定のタンパク質を構成するアミノ酸配列を規定する遺伝子に蛍光タンパク質を融合させる工程１と、
前記工程１で得た細胞を培養し、前記蛍光タンパク質の発現の周期１を測定する工程２と、
前記工程１で得た細胞を被評価生理活性物質の存在下で培養し、前記蛍光タンパク質の発現の周期２を測定する工程３と、
前記周期１と前記周期２を比較する工程４を含む生理活性物質の評価方法。
【請求項２】
細胞中の特定のタンパク質を構成するアミノ酸配列を規定する遺伝子に蛍光タンパク質を融合させる工程１と、前記工程１で得た細胞を基準となる生理活性物質の存在下で培養し、前記蛍光タンパク質の発現の周期１を測定する工程２と、前記工程１で得た細胞を被評価生理活性物質の存在下で培養し、前記蛍光タンパク質の発現の周期２を測定する工程３と、前記周期１と前記周期２を比較する工程４を含む生理活性物質の評価方法。
【請求項３】
前記遺伝子はＫＩＡＡ０２９０遺伝子である請求項１または２の何れかの請求項に記載された生理活性物質の評価方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月27日(2008.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光手段及びこの発光手段に給電する電源部をケーシング内に収容した集魚装置であって、
前記発光手段は、複数の発光部と、この複数の発光部を順次点滅させる制御部を備え、
前記ケーシングは、底部に錘を備えていることを特徴とする集魚装置。
【請求項２】
前記複数の発光部は、前記ケーシングの水平方向周胴部に所定間隔をあけて配されていることを特徴とする請求項１に記載の集魚装置。
【請求項３】
前記発光手段は、前記ケーシングの表面に所定間隔をあけて露出して配した二つの電極間が通電することにより動作するものであることを特徴とする請求項１または２に記載の集魚装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の請求項１に係る集魚装置は、発光手段及びこの発光手段に給電する電源部をケーシング内に収容した集魚装置であって、前記発光手段は、複数の発光部と、この複数の発光部を順次点滅させる制御部を備え、前記ケーシングは、底部に錘を備えていることを特徴とする。
このように、複数の発光部と、この複数の発光部を順次点滅させる制御部とを備えることにより、単に発光部を点滅させるのと比べて、発光部の発光に連続した動きが付与されるものとなる。したがって、魚の好奇心を煽り、集魚効果を高めることが出来る。
複数の発光部が配されたケーシングの底部に錘を備えることにより、通常使用する錘内に集魚装置が内蔵された構造となり、仕掛けの邪魔にならずに集魚装置を取り付けることが出来る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の請求項３に係る集魚装置は、請求項１または２において、前記発光手段は、前記ケーシングの表面に所定間隔をあけて露出して配した二つの電極が通電することにより動作するものであることを特徴とする。
このように、ケーシングの表面に所定間隔をあけて露出して二つの電極を配し、この二つの電極が通電することにより発光手段が動作するようにしたことにより、集魚装置を海水等の電導性のある液体に投入することでスイッチが自動的に導通してオン状態となり、発光手段が発光する。また、集魚装置を海水等から引き上げることでスイッチがオフ状態になるため、スイッチを切り忘れてバッテリが激しく消耗することを防止することができ、バッテリを交換することなく長時間使用することが可能になる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月13日(2008.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前述した従来のトップリンク連結具を介して接続される作業機は、圃場を耕耘するロータリ作業機であり、残幹処理装置ではない。つまり、回動自在で且つ設定位置に固定可能なトップリンク連結具を介して残幹処理装置を走行機体の後部に装着する技術は存在せず、トップリンクに装着部が直接的に装着されているのが現状であった。従って、残幹処理機が圃場において登り下り方向に形成された傾斜面を有した畝上を登ったり降りたりする場合、走行機体に対して残幹処理機の姿勢を一定に保持したままで傾斜面等を進行すると、残幹処理機は傾斜面の変化に対応できないことがある。このため、従来の残幹処理装置では、畝が傾斜する場合には掘起ロータによる掘り起こし深さが一定にならないのを考慮して、畝の傾斜に応じてトップリンクの長さを予め調整する必要があり、作業者にとってこの調整作業は煩わしいという問題がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
この発明によれば、残幹処理機はゲージ輪の上下位置とトップリンク連結部の回動位置とを調整して所定の作業姿勢に設定可能にすることにより、ゲージ輪を残幹処理機に対して上側に移動させた状態で三点懸架機構のロアリンクを下方に揺動すると、残幹処理機が下方へ移動してゲージ輪が接地し、トップリンク連結部が前後方向に延びる方向に回動して、残幹処理機はゲージ輪の回転中心を回動支点として下方へ回動し、残幹処理機は後下がりの姿勢になる。その結果、残幹処理機の後部に取り付けられて残幹を収容する収容部の下面を容易に畝表面に置くことができ、収容部の取り外し作業を容易にすることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
切断装置４８は、掘起ロータ４７によって機体内に引き込まれた残幹を細断する切断ロータ４８ａを備える。切断ロータ４８ａは、前述した入力部５２に入力された駆動力を受けて回転するように構成されている。切断ロータ４８ａによって細断された残幹は、切断装置４８の後側上部に設けられたシュータ５８を通って収容部５０に搬送される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
【図１】本発明の一実施の形態に係わる残幹処理装置の側面図を示す。
【図２】残幹処理装置に設けられたトップリンク連結部の動作を説明するための残幹処理装置の側面図を示す。
【図３】残幹処理装置に設けられたトップリンク連結部の動作を説明するための残幹処理装置の側面図を示す。
【図４】残幹処理装置に設けられた誘導装置を示し、同図（ａ）は誘導装置の平面図であり、同図（ｂ）は誘導装置の側面図である。
【図５】残幹処理装置の他の実施の形態を示す側面図である。
【図６】この他の実施の形態の残幹処理装置の動作を説明するための側面図である。
【図７】残幹処理装置の他の実施の形態を示す側面図である。
【図８】残幹処理装置の他の実施の形態を示す側面図である。
【図９】従来の装着部に取り付けられたトップリンク連結部の側面図を示す。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月25日(2008.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光素子
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、第２の電極との間に、発光物質を含む第１の層、有機化合物および電子供与性を示す物質を含む第２の層、透明導電膜から構成される第３の層、ホール輸送媒体を含む第４の層とを有し、前記第１の電極上に、前記発光物質を含む第１の層、前記有機化合物および電子供与性を示す物質を含む第２の層、前記透明導電膜から構成される第３の層、前記ホール輸送媒体となる材料を含む第４の層、前記第２の電極が順に設けられており、前記第２の電極は金属を含む層を有し、前記透明導電膜は、錫酸化物、インジウム酸化物、亜鉛酸化物、ガリウムを含む亜鉛酸化物、及びモリブデン酸化物のいずれか一であることを特徴とする発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月12日(2008.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に、有機化合物と無機化合物とを含む複合層を狭持してなる発光素子であって、
前記複合層は、順次積層された第１の層、第２の層、および第３の層で構成され、
前記第１の層は、第１の有機化合物と前記第１の有機化合物に対して電子受容性を示す第１の無機化合物とを含み、
前記第２の層は、発光を示す第２の有機化合物と第２の無機化合物とを含み、
前記第３の層は、第３の有機化合物と前記第３の有機化合物に対して電子供与性を示す第３の無機化合物とを含むことを特徴とする発光素子。
【請求項２】
一対の電極間に、有機化合物と無機化合物とを含む複合層を狭持してなる発光素子であって、
前記複合層は、順次積層された第１の層、第２の層、第３の層、および第４の層で構成され、
前記第１の層は、第１の有機化合物と前記第１の有機化合物に対して電子受容性を示す第１の無機化合物とを含み、
前記第２の層は、発光を示す第２の有機化合物と第２の無機化合物とを含み、
前記第３の層は、第３の有機化合物と前記第３の有機化合物に対して電子供与性を示す第３の無機化合物とを含み、
前記第４の層は、第４の有機化合物と前記第４の有機化合物に対して電子受容性を示す第４の無機化合物とを含むことを特徴とする発光素子。
【請求項３】
請求項２において、
前記第４の有機化合物はホール輸送性の有機化合物であることを特徴とする発光素子。
【請求項４】
請求項２または３において、
前記第４の有機化合物は芳香族アミン骨格を有する有機化合物であることを特徴とする発光素子。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれか一において、
前記第４の無機化合物は金属酸化物であることを特徴とする発光素子。
【請求項６】
請求項５において、
前記金属酸化物は周期表第４族乃至第１２族のいずれかの遷移金属酸化物であることを特徴とする発光素子。
【請求項７】
請求項５または６において、
前記金属酸化物は酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化タングステン、および酸化レニウムからなる群より選ばれるいずれかの金属酸化物であることを特徴とする発光素子。
【請求項８】
請求項２乃至４のいずれか一において、
前記第４の無機化合物は金属窒化物であることを特徴とする発光素子。
【請求項９】
請求項１乃至８において、
前記第１の有機化合物はホール輸送性の有機化合物であることを特徴とする発光素子。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、
前記第１の有機化合物は芳香族アミン骨格を有する有機化合物であることを特徴とする発光素子。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、
前記第３の有機化合物は電子輸送性の有機化合物であることを特徴とする発光素子。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、
前記第３の有機化合物は芳香環を含むキレート配位子を有するキレート金属錯体、フェナントロリン骨格を有する有機化合物、またはオキサジアゾール骨格を有する有機化合物であることを特徴とする発光素子。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一において、
前記第１の無機化合物は金属酸化物であることを特徴とする発光素子。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記金属酸化物は周期表第４族乃至第１２族のいずれかの遷移金属酸化物であることを特徴とする発光素子。
【請求項１５】
請求項１３または１４において、
前記金属酸化物は酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化タングステン、および酸化レニウムからなる群より選ばれるいずれか金属酸化物であることを特徴とする発光素子。
【請求項１６】
請求項１乃至１２のいずれか一において、
前記第１の無機化合物は金属窒化物であることを特徴とする発光素子。
【請求項１７】
請求項１乃至１６のいずれか一において、
前記第２の無機化合物は金属酸化物であることを特徴とする発光素子。
【請求項１８】
請求項１７において、
前記金属酸化物は周期表第１３族または第１４族のいずれかの金属酸化物であることを特徴とする発光素子。
【請求項１９】
請求項１７または１８において、
前記金属酸化物は酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化ケイ素、および酸化ゲルマニウムからなる群より選ばれるいずれかの金属酸化物であることを特徴とする発光素子。
【請求項２０】
請求項１乃至１６のいずれか一において、
前記第２の無機化合物は金属窒化物であることを特徴とする発光素子。
【請求項２１】
請求項１乃至２０のいずれか一において、
前記第３の無機化合物は金属酸化物であることを特徴とする発光素子。
【請求項２２】
請求項２１において、
前記金属酸化物はアルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、または希土類金属酸化物であることを特徴とする発光素子。
【請求項２３】
請求項２１または２２において、
前記金属酸化物は酸化リチウムまたは酸化バリウムであることを特徴とする発光素子。
【請求項２４】
請求項１乃至２０のいずれか一において、
前記第３の無機化合物は金属窒化物であることを特徴とする発光素子。
【請求項２５】
請求項２４において、
前記金属窒化物はアルカリ金属窒化物、アルカリ土類金属窒化物、または希土類金属窒化物であることを特徴とする発光素子。
【請求項２６】
請求項２４または２５において、
前記金属窒化物は窒化リチウム、窒化マグネシウム、および窒化カルシウムからなる群より選ばれるいずれかの金属窒化物であることを特徴とする発光素子。
【請求項２７】
請求項１乃至２６のいずれか一に記載の発光素子を有することを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月16日(2008.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に、薄膜トランジスタと、発光素子と、を有し、
前記発光素子は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極および前記第２の電極の間に挟まれた発光積層体と、を有し、
前記第１の電極は、前記薄膜トランジスタ上に形成された無機絶縁膜上に形成され、
前記第１の電極と前記無機絶縁膜との間に挟まれ、かつ、前記第１の電極と重畳する領域に平坦化膜が形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
絶縁表面上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に無機絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜および前記無機絶縁膜をエッチングして、前記半導体膜に達するコンタクトホールを形成し、
前記無機絶縁膜上に、前記コンタクトホールを介して前記半導体膜に電気的に接続する導電膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜および前記無機絶縁膜を覆って平坦化膜を形成し、
前記平坦化膜をエッチングして、前記導電膜の少なくとも一部を露出させ、
前記平坦化膜および前記導電膜上に、前記導電膜と電気的に接続する第１の電極を形成し、
前記第１の電極をマスクとして、前記第１の電極と重畳しない領域の前記平坦化膜をエッチングにより除去し、
前記第１の電極上に、発光積層体を形成し、
前記発光積層体上に、第２の電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に無機絶縁膜を形成し、
前記無機絶縁膜上に平坦化膜を形成し、
前記平坦化膜上に第１の電極を形成し、
前記第１の電極をマスクとして、前記第１の電極と重畳しない領域の前記平坦化膜をエッチングにより除去し、
前記無機絶縁膜および前記ゲート絶縁膜をエッチングして、前記半導体膜に達するコンタクトホールを形成し、
前記無機絶縁膜上に、前記コンタクトホールを介して前記半導体膜および前記第１の電極に電気的に接続する導電膜を形成し、
前記第１の電極上に、発光積層体を形成し、
前記発光積層体上に、第２の電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に第１の無機絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜および前記第１の無機絶縁膜をエッチングして、前記半導体膜に達する第１のコンタクトホールを形成し、
前記第１の無機絶縁膜上に、前記第１のコンタクトホールを介して前記半導体膜に電気的に接続する第１の導電膜を形成し、
前記第１の無機絶縁膜および前記第１の導電膜上に第２の無機絶縁膜を形成し、
前記第２の無機絶縁膜をエッチングして、前記第１の導電膜に達する第２のコンタクトホールを形成し、
前記第２の無機絶縁膜上に、前記第２のコンタクトホールを介して前記第１の導電膜に電気的に接続する第２の導電膜を形成し、
前記第２の無機絶縁膜および前記第２の導電膜上に平坦化膜を形成し、
前記平坦化膜をエッチングして前記第２の導電膜の少なくとも一部を露出させ、
前記第２の導電膜および前記平坦化膜上に第３の導電膜を形成し、
前記第３の導電膜上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記第３の導電膜をエッチングし、前記第２の導電膜と電気的に接続する第１の電極を形成し、
前記マスクおよび前記第１の電極をマスクとして、前記第１の電極に重畳しない領域の前記平坦化膜をエッチングにより除去し、
前記第１の電極上に、発光積層体を形成し、
前記発光積層体上に、第２の電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月23日(2008.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料を保持する試料ステージと、
該試料ステージに保持される試料に対してイオンビームを照射する照射光学系とを備え、
該照射光学系は、前記イオンビームのビームスポット形状を非軸対称形状に整形する手段を備え、前記試料ステージに保持される試料の加工時に、該試料の加工断面と前記ビームスポット形状の長軸とを平行に揃える制御手段とを備えたことを特徴とするイオンビーム加工装置。
【請求項２】
請求項１に記載のイオンビーム加工装置において、非軸対称形状が楕円状であること特徴とするイオンビーム加工装置。
【請求項３】
請求項２に記載のイオンビーム加工装置において、
前記楕円状に整形する手段として、楕円形状または長方形状の開口を有するアパーチャを備えたことを特徴とするイオンビーム加工装置。
【請求項４】
請求項３に記載のイオンビーム加工装置において、
該アパーチャがイオンビーム照射軸を中心として回転する機構を備え、
前記制御手段は、該アパーチャの回転機構の回転を、前記試料の加工断面と前記ビームスポット形状の長径方向とが平行に揃うように制御することを特徴とするイオンビーム加工装置。
【請求項５】
請求項１に記載のイオンビーム加工装置において、
前記試料ステージを回転する回転機構を備え、
前記制御手段は、該試料ステージの回転を、前記試料の加工断面と前記ビームスポット形状の長径方向とが平行に揃うように制御することを特徴とするイオンビーム加工装置。
【請求項６】
請求項１に記載のイオンビーム加工装置において、
前記イオンビーム照射により、試料から二次的に発生する荷電粒子線を捕捉する検出器と、
当該検出器の検出信号を基に前記試料の画像を生成する手段と、
当該生成された画像を表示するディスプレイとを備え、
前記制御手段に対して必要な情報の入力を行なう入力手段とを備えたことを特徴とするイオンビーム加工装置。
【請求項７】
請求項６に記載のイオンビーム加工装置において、
前記制御手段は、該入力手段を介して入力される加工領域端点の座標情報と、前記検出器での検出信号とから、前記アパーチャの回転角を計算し、前記回転機構に対し該回転角の情報を送信することを特徴とするイオンビーム加工装置。
【請求項８】
請求項６に記載のイオンビーム加工装置において、
前記制御手段は、該入力手段を介して入力される加工領域端点の位置情報と、前記検出器での検出信号とから、前記試料ステージの回転角を計算し、前記試料ステージの回転機構に対し該回転角の情報を送信することを特徴とするイオンビーム加工装置。
【請求項９】
試料を保持する試料ステージと、
イオンビームを発生させるイオン源と、
該試料ステージに保持される試料に対してイオンビームを照射する照射光学系と、
該イオンビームによって加工した断面を観察するための荷電ビーム照射光学系を備え、
前記イオン源からイオンビームを引き出す軸と、イオンビームを試料に照射する軸が傾斜関係にある構造であり、
その傾斜方向を前記ステージの試料載置面に投影した線分が、前記観察用の荷電粒子ビームの照射軸を前記ステージの試料載置面に投影した線分と少なくとも直交関係とすることが可能な構造であることを特徴とするイオンビーム加工装置。
【請求項１０】
試料を保持する試料ステージと、
イオンビームを発生させるイオン源と、
該イオン源から引き出したイオンビームを所望の形状の開口を有するマスクを通して試料に照射する投射イオンビーム照射系と、
試料上に投射した角型のイオンビームの強度プロファイルの裾の幅について、観察するべき試料断面の垂直方向の幅を、イオンビーム照射軸に垂直で加工断面に平行方向に比べて小なるように制御する制御手段を備え、
前記イオン源から引き出したイオンビームを質量分離する機構を備え、
該質量分離の質量分散方向を前記ステージの試料載置面に投影した線分が、観察すべき加工断面と少なくとも平行関係であることを特徴とするイオンビーム加工装置。
【請求項１１】
請求項９に記載のイオンビーム加工装置において、
前記イオンビーム照射系が投射イオンビーム照射系であることを特徴とするイオンビーム加工装置。
【請求項１２】
請求項９に記載のイオンビーム加工装置において、
前記イオンビーム照射により、試料から二次的に発生する荷電粒子線を捕捉する検出器と、
当該検出器の検出信号を基に前記試料の画像を生成する手段と、
当該生成された画像を表示するディスプレイを備え、
前記制御手段に対して必要な情報の入力を行なう入力手段とを備えたことを特徴とするイオンビーム加工装置。
【請求項１３】
請求項１０に記載のイオンビーム加工装置において、
試料上に投射した角型のイオンビームの強度プロファイルの裾の幅について、観察するべき試料断面の垂直方向の幅を、イオンビーム照射軸に垂直で加工断面に平行方向に比べて小なるように制御する制御手段が、観察するべき試料断面の垂直方向のレンズ倍率が、イオンビーム照射軸に垂直で加工断面に平行方向に比べて小さくなるように制御する制御手段を含むことを特徴とするイオンビーム加工装置。
【請求項１４】
請求項１０に記載のイオンビーム加工装置において、
前記投射イオンビーム照射系が、イオンビーム経路途中に所望の開口を持つマスクを２つ以上備え、少なくとも一つのマスク形状を試料上に投射する投射イオン光学系であり、少なくとも一つのマスクが非軸対称な形状を持ち、その長軸方向を試料断面に平行方向にすることにより、試料上に投射したイオンビームの強度プロファイルの裾の幅について、観察するべき試料断面の垂直方向の幅を、イオンビーム照射軸に垂直で加工断面に平行方向に比べて小なるようにすることを特徴とするイオンビーム加工装置。
【請求項１５】
請求項９から１４のいずれか１項に記載のイオンビーム加工装置において、
イオンビームにより加工された試料片を該試料から分離するときに用いるプローブを備えることを特徴とするイオンビーム加工装置。
【請求項１６】
請求項９から１５のいずれか１項に記載のイオンビーム加工装置において、
前記イオン源で生成されるイオンビームは、元素種として不活性ガス種、酸素または窒素のいずれかを含むことを特徴とするイオンビーム加工装置。
【請求項１７】
試料を保持する試料ステージと、
イオンビームを発生させるイオン源と、
前記試料ステージに保持される試料に対してイオンビームを照射する照射光学系と、
該イオンビームによって加工した断面を観察するための荷電ビーム照射光学系とを備えることを特徴とするイオンビーム加工装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月7日(2008.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２６】
［実施例５］
成膜時の高純度アルゴンガス流量を９０ｓｃｃｍとし、メインバルブの開度を調整して５．３Ｐａの雰囲気とした以外は、実施例１と同様にして活物質薄膜を成膜して薄膜負極を作製した。この時、堆積速度は約１．５ｎｍ／ｓｅｃで５０分間成膜した。
得られた薄膜負極の薄膜の断面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察から、成膜された薄膜の膜厚は５μｍであった。
薄膜の組成分析をしたところ、薄膜中に元素Ｃは２２原子％含有されており、ＳｉＣ中の元素Ｃ濃度に対するＣ濃度比Ｑ（Ｃ）は０．５７に相当した。原子濃度比でＳｉ／Ｃ／Ｏ＝１／０．４０／０．４２であった。
薄膜のラマン値を求めたところ、ＲＣ＝０．１１、ＲＳＣ＝０．１７、ＲＳ＝０．６８であった。
薄膜のＸ線回折測定を行ったところ、ＳｉＣの明確なピークは検出されずＸＩｓｚ＝０．７３であった。
ＥＰＭＡで薄膜中のＳｉの膜厚方向の重量濃度分布、及び、元素Ｃの分布を測定したところ、実施例１と同様にＳｉは実質的に集電体から連続に成膜されおり、且つ、Ｓｉ薄膜中に元素Ｃは１μｍ以下の大きさで均一に分布していた。
この薄膜負極を用いて実施例１と同様にしてコイン電池の作製及び評価を行い、結果を表２に示した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２４６】
［比較例６］
成膜時の高純度アルゴンガス中の酸素濃度を０．１５０％に変えた以外は、実施例１と同様にして活物質薄膜を成膜して薄膜負極を作製した。この時、堆積速度は約０．６ｎｍ／ｓｅｃで１４０分間成膜した。
得られた薄膜負極の薄膜の断面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察から、成膜された薄膜の膜厚は５μｍであった。
薄膜の組成分析をしたところ、薄膜中に元素Ｃは２７原子％含有されており、ＳｉＣ中の元素Ｃ濃度に対するＣ濃度比Ｑ（Ｃ）は０．８１に相当した。原子濃度比はＳｉ／Ｃ／Ｏ＝１．００／０．６８／０．８３であった。
薄膜のラマン値を求めたところ、ＲＣ＝２．６９、ＲＳＣ＝０．３５、ＲＳ＝０．８４であった。
薄膜のＸ線回折測定を行ったところ、ＸＩｓｚ＝０．７７であった。  
この薄膜負極を用いて実施例１と同様にしてコイン電池の作製及び評価を行い、結果を表２に示した。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月1日(2008.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極および陰極と該陽極および陰極間に狭持された有機発光層を有する発光素子において、該有機発光層がホスト材料と少なくとも一種のドーパントから構成され、該ドーパントの少なくとも一種がハロゲン原子を含む燐光発光性化合物であり、該ホスト材料が側方に芳香族の置換基を持たない線状芳香族化合物であることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記燐光発光性化合物がイリジウム錯体であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記イリジウム錯体が１−フェニルイソキノリン骨格に少なくとも一つのハロゲン原子が置換された配位子を一つ以上有するイリジウム錯体であることを特徴とする請求項２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記ホスト材料がフルオレン環を３つ以上有する線状芳香族化合物であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の発光素子。
【請求項５】
前記ホスト材料のガラス転移点（Ｔｇ）が１２０℃以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月1日(2008.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面を露出させる少なくとも一つの開口を有する絶縁パターンを前記基板の上部に形成する段階と、
ヴォイドを有する第１ポリシリコン層を前記基板の上部に形成して前記開口を埋め立てる段階と、
前記第１ポリシリコン層の上部を除去し、前記ヴォイドをリセスに拡張して前記リセスを露出させる段階と、
前記リセスを埋め立てるように第２ポリシリコン層を前記基板の上部に形成する段階と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１ポリシリコン層の上部を除去する段階では、前記リセスを形成する期間、前記ヴォイドの幅を５０〜３００Åから１００〜３００Åに拡張することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２ポリシリコン層を形成する段階にて、前記第１ポリシリコン層の厚さは前記リセスの幅の０．５倍以上であることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１ポリシリコン層の上部を除去する段階は、
前記第１ポリシリコン層を平坦化して前記ヴォイドを露出させる段階と、
前記ヴォイドを拡張して前記リセスを形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１ポリシリコン層を形成する前に、前記基板の露出した部分に第１誘電体膜を形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１ポリシリコン層を平坦化する段階と前記ヴォイドを拡張する段階との間に、前記絶縁パターンの上部を除去して前記第１ポリシリコン層の側壁を露出させる段階を更に含むことを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２ポリシリコン層の上部を除去する段階を更に含むことを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２ポリシリコン層の上部を除去する段階では、前記第２ポリシリコン層をエッチングし、前記リセスの内部に存在しない前記第２ポリシリコンの一部を完全に除去することを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記基板の上部に第２誘電体膜を形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
第２誘電体膜上にコントロールゲート層を形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月17日(2008.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路中に導電層を選択的に形成するための方法であって、
銅から成る第１表面、及び第２表面を与える工程と、
第１表面及び第２表面を貴金属の気相化合物と接触させる工程であって、それによって貴金属から成る導電層を第２表面と比較して第１表面上に選択的に形成するところの工程と、
から成る方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、第２面は絶縁材料により画成される、ところの方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、貴金属は、Pt、Au、Ru、Rh、Ir及びPdの群から選択される、ところの方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、導電層を選択的に形成する工程は、第１表面の原子を貴金属で置換する工程から成る、ところの方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法であって、導電層を選択的に形成する工程は、さらに、原子層蒸着(ALD)または化学気相成長(CVD)により、付加的貴金属を、置換により形成された貴金属上に選択的に蒸着する工程を含む、ところの方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、選択的に形成する工程は、第１表面上に貴金属の原子を蒸着させる工程から成る、ところの方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、導電層は、貴金属の気相化合物とともに反応物質ガスを交互に供給することにより、原子層蒸着(ALD)により形成される、ところの方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、導電層は１５０℃と４００℃の間の温度で形成される、ところの方法。
【請求項９】
請求項７に記載の方法であって、気相貴金属化合物はメタロセン化合物から成る、ところの方法。
【請求項１０】
請求項６に記載の方法であって、気相貴金属化合物はベータジケトネート化合物及びアセトアミジネート化合物から成る、ところの方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法であって、さらに、導電層の上に絶縁層を形成する工程を含む、方法。
【請求項１２】
集積回路中に導電層を選択的に形成するための方法であって、
第１表面及び第２表面を与える工程であり、第１表面は集積回路の金属形体により画成され、金属形体は銅から成る、ところの工程と、
第１表面及び第２表面を貴金属の気相化合物と接触させる工程と、
金属形体の銅が貴金属の気相化合物から解離した貴金属と置換されるところの置換反応を実行する工程であって、それによって貴金属から成る導電層を第２表面と比較して第１表面上に選択的に蒸着するところの工程と、
から成る方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、第２表面は、導体が嵌合されるところの絶縁体により画成される、ところの方法。
【請求項１４】
請求項１２に記載の方法であって、第１表面はビアの底から成る、ところの方法。
【請求項１５】
請求項１２に記載の方法であって、金属形体は導線から成り、第１表面は導線の上面から成る、ところの方法。
【請求項１６】
請求項１２に記載の方法であって、貴金属は、Pt、Au、Ru、Rh、Ir、Pd及びAgの群から選択される、ところの方法。
【請求項１７】
相互接続内のメタライゼーション構造体であって、
絶縁体内部に陥凹した金属形体と、
金属形体の表面を覆う貴金属層であって、貴金属が少なくとも部分的に絶縁体内部に陥凹している、ところの貴金属層と、
から成るメタライゼーション構造体。
【請求項１８】
請求項１７に記載のメタライゼーション構造体であって、金属形体は銅から成る、ところのメタライゼーション構造体。
【請求項１９】
請求項１７に記載のメタライゼーション構造体であって、貴金属はPt、Au、Ru、Rh、Ir、及びPdの群から選択される、ところのメタライゼーション構造体。
【請求項２０】
集積回路であって、
絶縁体内部に陥凹した銅（Cu）形体と、
銅形体の表面を選択的に覆う貴金属層と、
から成る集積回路。
【請求項２１】
請求項２０に記載の集積回路であって、貴金属層が絶縁体の上に突出する、ところの集積回路。
【請求項２２】
請求項２０に記載の集積回路であって、貴金属層は少なくとも部分的に絶縁体内部に陥凹している、ところの集積回路。
【請求項２３】
請求項２０に記載の集積回路であって、貴金属はPt、Au、Ru、Rh、Ir、及びPdの群から選択される、ところの集積回路。
【請求項２４】
請求項２０に記載の集積回路であって、貴金属層は、貴金属層を有しない銅形体と比較して銅原子のマイグレーションを抑制するよう形成された信頼性強化層である、ところの集積回路。
【請求項２５】
請求項２０に記載の集積回路であって、さらに、貴金属層の上に形成された層間絶縁層(ILD)を含む、ところの集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月17日(2008.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の回路が形成されている回路層と；
前記回路層を支持するベース層と；
前記ベース層の少なくとも一側に配置される導電性金属層と；
前記ベース層と前記導電性金属層との間に配置される絶縁フィルムと；
を備え，
前記回路層及び前記ベース層にはホールが形成されており，前記絶縁フィルムは，前記ホールを覆うことを特徴とするフレキシブルプリント基板。
【請求項２】
前記絶縁フィルムは，ポリイミド材質からなることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルプリント基板。
【請求項３】
前記導電性金属層は，アルミニウムまたは鉄のうち，何れか１つの材質からなることを特徴とする請求項１または２に記載のフレキシブルプリント基板。
【請求項４】
前記導電性金属層は，アルミニウムと鉄との合金材質からなることを特徴とする請求項１または２に記載のフレキシブルプリント基板。
【請求項５】
読み込み／書き込みヘッドが設けられるアクチュエータと，前記アクチュエータを駆動させるためのフレキシブルプリント基板と，前記フレキシブルプリント基板が結合されるブラケットを備えるハードディスクドライブにおいて：
前記フレキシブルプリント基板は，
所定の回路が形成されている回路層と；
前記回路層を支持するベース層と；
前記ベース層の少なくとも一側に配置される導電性金属層と；
前記ベース層と前記導電性金属層との間に配置される絶縁フィルムと；
を備え，
前記回路層及び前記ベース層にはホールが形成されており，前記絶縁フィルムは，前記ホールを覆うことを特徴とするハードディスクドライブ。
【請求項６】
前記導電性金属層と前記ブラケットとが相互に接触されていることを特徴とする請求項５に記載のハードディスクドライブ。
【請求項７】
前記絶縁フィルムは，一側面が前記導電性金属層と接着され，他側面が前記ベース層と接着されることを特徴とする請求項５または６に記載のハードディスクドライブ。
【請求項８】
所定の回路が形成されている回路層と；
前記回路層を支持するベース層と；
前記ベース層の少なくとも一側に配置される導電性金属層と；
前記導電性金属層と前記回路層との短絡を防止するように前記ベース層と前記導電性金属層との間に配置される絶縁フィルムと；
を備えることを特徴とするフレキシブルプリント基板。
【請求項９】
前記回路層及び前記ベース層にはホールが形成されており，
前記絶縁フィルムの両側には接着層が形成され，
前記絶縁フィルムは，前記ホールが外部から遮断されるように前記接着層により前記ベース層と前記導電性金属層とに接着されることを特徴とする，請求項８に記載のフレキシブルプリント基板。
【請求項１０】
前記ホールは，前記導電性金属層と前記回路層との短絡を誘発させる残余回路が除去されるようにパンチング加工により形成されることを特徴とする請求項９に記載のフレキシブルプリント基板。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月16日(2008.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極および第２の電極と、第１の層乃至第４の層と、を有し、
前記第１の層は、前記第１の電極に接し、
前記第２の層は、前記第２の電極に接し、
前記第３の層は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に、前記第１の層および前記第２の層を介して挟まれ、
前記第４の層は、前記第３の層と前記第２の層との間に挟まれ、
前記第１の層および前記第２の層は、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（略称：α−ＮＰＤ）と、モリブデン酸化物と、を含み、
前記第３の層は、発光材料を含み、
前記第４の層は、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ３）と、リチウムと、を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項２】
第１の電極および第２の電極と、第１の層乃至第４の層と、を有し、
前記第１の層は、前記第１の電極に接し、
前記第２の層は、前記第２の電極に接し、
前記第３の層は、前記第１の電極と前記第２の電極との間に、前記第１の層および前記第２の層を介して挟まれ、
前記第４の層は、前記第３の層と前記第２の層との間に挟まれ、
前記第１の層および前記第２の層は、正孔輸送性の材料と、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、コバルト酸化物、ニッケル酸化物、銅酸化物、７，７，８，８，−テトラシアノキノジメタン（略称：ＴＣＮＱ）、２，３−ジシアノナフトキノン（略称：ＤＣＮＮＱ）および２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８，−テトラシアノキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）のいずれかを含み、
前記第３の層は、発光材料を含み、
前記第４の層は、電子輸送性の材料と、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム、亜鉛酸化物、亜鉛硫化物、亜鉛セレン化物およびチタン酸化物のいずれかを含むことを特徴とする発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月3日(2008.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成された金属層を露出するように基板裏面から開口部が形成され、この開口部を介して前記金属層に配線層が接続されて成る半導体装置において、
前記開口部の形成状態をモニターするためのモニター開口部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記モニター開口部が、スクライブライン上に形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記モニター開口部下には、金属層が配置されないことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記モニター開口部下には、前記金属層と同一層から成り、開口径を観察するためのモニターパターンが設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記モニターパターンが、矩形または丸形または十字形またはひし形から成るパターンであることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記配線層を被覆する保護層に形成された開口部を介して露出した前記配線層上に導電端子が形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記金属層を含む前記半導体基板上に支持体を有することを特徴とする請求項１乃至請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
半導体基板上に形成された金属層を露出するように基板裏面から開口部が形成され、この開口部を介して前記金属層に配線層が接続されて成る半導体装置の製造方法において、
前記開口部の形成状態をモニターするためのモニター開口部を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記モニター開口部が、スクライブライン上に形成されることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記モニター開口部下には、金属層が配置されないように金属層を形成することを特徴とする請求項８または請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記モニター開口部下には、前記金属層と同一層から成り、開口径を観察するためのモニターパターンを形成することを特徴とする請求項８または請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記モニターパターンが、矩形または丸形または十字形またはひし形から成るパターンであることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記配線層を被覆する保護層に形成された開口部を介して露出した前記配線層上に導電端子を形成することを特徴とする請求項８乃至請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記金属層を含む前記半導体基板上に支持体を接着する工程を有することを特徴とする請求項８乃至請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、前記配線層を被覆する保護層に形成された開口部を介して露出した前記配線層上に導電端子が形成されていることを特徴とするものである。
更に、前記金属層を含む前記半導体基板上に支持体を有することを特徴とするものである。