【手続補正書】
【提出日】平成20年10月31日(2008.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層の露出した表面上のポアをブロッキングすること、
ポアのブロッキング後、自己制御式反応で第１反応物種の約１以下の単層を形成すること、
及び該単層を第２反応物種と反応させることを包含する、
集積回路中の多孔質絶縁層上に薄膜を形成するための方法。
【請求項２】
薄膜がバリア層である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
バリア層が、多孔質絶縁層を通って形成されたコンタクトビアの表面をライニングする、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
さらに、ブロッキング前に多孔質絶縁層中の所望の配線パターンにトレンチを形成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
さらに、ブロッキング前に下にある導電素子の少なくとも一部を露出するためにトレンチのフロアから下方へ拡がるコンタクトビアを形成することを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記絶縁層の露出した表面がトレンチを部分的に定義する(defining)側壁である、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
形成することが、第２反応物種を除く第１成分(first chemistry)を供給することを包含し、反応させることが第１反応物種を除く第２成分(second chemistry)を供給することを包含する請求項１に記載の方法。
【請求項８】
さらに、第１成分を供給すること及び第２成分を供給することを、約２０Å〜２００Åの厚さを有する層が形成されるまで交互に繰り返すことを包含する請求項７に記載の方法。
【請求項９】
第１成分を供給すること及び第２成分を供給することを交互に繰り返す間にキャリアガスを供給することをさらに包含する請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
キャリアガスが、第１成分を供給することと第２成分を供給することの間に、反応物をパージする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
第１成分の供給を停止し、第２成分を供給する前に反応チャンバをチャンバ容積の約２倍超のパージガスでパージする、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
自己制御式反応で形成された第１反応物種の約１以下の単層がハロゲン終結されている、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
第１反応物種が金属アルキルアミンを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
第１反応物種が揮発性金属有機化合物であり、形成することが有機表面終結を含む金属含有フィルムを形成することを包含する請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
ブロッキングが非−ＡＬＤ蒸着プロセスを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
ブロッキングがＣＶＤプロセスを含む請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
ブロッキングがＰＶＤプロセスを含む請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
ブロッキングが導電性シーリング層を形成することを含む請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
ブロッキングが連続的ブロッキング材料を多孔性絶縁層に約３ポア深さ以下で浸透させることを含む請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
絶縁層の多孔度が５０％より大きい請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
絶縁層が、約２．５未満の誘電率を有する請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
絶縁層の露出した表面上にシーリング層を蒸着すること；シーリング層の蒸着後、自己制御式反応で金属含有種の約１以下の単層を形成すること；及び窒素含有種を該単層と反応することを包含する、集積回路中の多孔質絶縁層上の金属窒化物バリア層の形成方法。
【請求項２３】
金属窒化物層が多孔質絶縁層を通って形成されたコンタクトビアで形成される、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
シーリング層がコンタクトビア側壁上に蒸着されている、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
自己制御式反応が、ハロゲン末端化金属フィルムを形成することを包含する請求項２２に記載の方法。
【請求項２６】
窒素含有種を反応することが、フィルム上にアンモニアを吸着することを包含する請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
窒素含有種を反応する前にハロゲン終結金属フィルムからハロゲン終結を除去することをさらに含む請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
ブロッキングが交互に反応物を供給することを包含する請求項１に記載の方法。
【請求項２９】
第１のガス状反応物種を絶縁層のポアに導入すること、第１反応物の流れを停止すること及び次に第２のガス状反応物をポアに導入することを包含する請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
第２反応物種は絶縁層のポア内で第１のガス状反応物種の残余量と反応する請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
ブロッキングが、絶縁層のポアをシールするために導電性材料を蒸着することを包含する請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
ブロッキングが、導電性シーリング層を形成することを包含する請求項２８に記載の方法。
【請求項３３】
その表面に複数の開口部を有する基板を提供すること、
一連の少なくとも２つの異なった相互に反応性の反応物を時間的に離れて提供し、反応物パルスを交互すること、
半導体基板の表面の開口部に蒸着されたフィルムのコンフォマリテイーをコントロールするために反応物パルスの時間的分離を選択すること（ここで該分離は、基板の上部表面上への蒸着が開口部内の該基板の下部表面上への蒸着を超えない原子層堆積プロセスに比べて減少したコンフォマリテイーを達成するように選択される）；及び
フィルムを蒸着するために、選択された時間的分離を伴う一連の反応物パルスに半導体基板を暴露すること
を含む、半導体基板上に蒸着されたフィルムのコンフォマリティーをコントロールするための方法。
【請求項３４】
分離が、基板表面上及び基板表面上の開口部壁面上の自己制御及び自己飽和モードで作動する原子層堆積プロセスに比べて減少したコンフォマリテイーを達成するように選択される、請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
分離が、基板の上部表面上への蒸着が開口部内の該基板の下部表面上への蒸着を超えない原子層堆積プロセスと比べてより短くするように選択される、請求項３３に記載の方法。
【請求項３６】
分離が、開口部から、前の反応物パルスの全ての反応物を除くのに不十分である、請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
開口部内の残留反応物がＣＶＤ（chemical vapor deposition）モード反応で蒸着する、請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
開口部が絶縁層内にトレンチを備える、請求項３３に記載の方法。
【請求項３９】
開口部がさらにトレンチの底から伸張したビアを備える、請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】
開口部がさらに絶縁層内にポアを備える、請求項３８に記載の方法。
【請求項４１】
フィルムがトレンチの表面全体の被覆を達成しない、請求項３８に記載の方法。
【請求項４２】
フィルムが絶縁フィルムである、請求項３８に記載の方法。
【請求項４３】
半導体基板が、第１反応物パルスが開口部から完全に除かれる前に第２反応物のパルスに暴露される、請求項３３に記載の方法。
【請求項４４】
フィルムのコンフォマリティーが、半導体基板の表面に隣接する開口部の一部が表面から離れた開口部の一部より厚いフィルムコーティングを受けるようコントロールされる、請求項３３に記載の方法。
【請求項４５】
表面から離れた開口部の一部が蒸着の間フィルムコーティングを受けない、請求項４４に記載の方法。
【請求項４６】
少なくとも一つの反応物のパルス持続が、反応物が少なくとも部分的に開口部内へ広がることを可能にするために選択される、請求項３３に記載の方法。
【請求項４７】
さらに反応物パルスの分離の間のパージングを含む、請求項４６に記載の方法。
【請求項４８】
パージングが、開口部から前の反応物パルスの全ての反応物を除くのに不十分である、請求項４７に記載の方法。
【請求項４９】
フィルムが絶縁フィルムである、請求項３３に記載の方法。
【請求項５０】
基板の上部表面上の蒸着が開口部の底部表面上の蒸着を超えない原子層堆積（atomic layer deposition：ＡＬＤ）プロセスを選択すること（該原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスは各サイクルに特定の反応物パルス持続及び特定のパルス分離持続を含む）；及び
選択された原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスに関連する減少したコンフォマリティーを伴う交互の蒸着プロセスを生じるため、少なくとも１つの反応物パルス持続及び１つのパルス分離持続を調整することによって、選択した原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスを修正すること
を含む、開口部を有する半導体基板上の蒸着層のためのプロセスをデザインする方法。
【請求項５１】
修正することが、各サイクル内の少なくとも１つのパルス分離持続が短くされることを含む、請求項５０に記載の方法。
【請求項５２】
交互の蒸着プロセスが、各パルス分離の間パージガスを基板に供給することを含む、請求項５１に記載の方法。
【請求項５３】
交互の蒸着プロセスが開口部内で化学的気相成長（ＣＶＤ）モードで作動する、請求項５０に記載の方法。
【請求項５４】
修正することが、各サイクル間での少なくとも１つの反応物パルス持続を延ばすことを含む、請求項５０に記載に方法。
【請求項５５】
開口部が、絶縁材料内のトレンチを含む、請求項５０に記載の方法。
【請求項５６】
開口部がさらにトレンチから下方に伸張したビアを備える、請求項５５に記載の方法。
【請求項５７】
開口部がさらに絶縁材料内にポアを備え、該絶縁材料は酸化ケイ素のものより低い誘電率によって特徴付けられる、請求項５５に記載の方法。
【請求項５８】
基板が、開口部を有するlow k材料を含み、該開口部はトレンチを備える、請求項５０に記載の方法。
【請求項５９】
複数の開口部を備える基板上に層を蒸着させる方法で、該方法は複数の交互蒸着サイクルを含み、各サイクルは順に
第１パルス期間の間第１反応物パルスを基板に供給すること；
第１パルス分離期間の間第１反応物をパージすること；
第２パルス期間の間第２反応物パルスを基板に供給すること；及び
第２パルス分離期間の間第２反応物をパージすること；を含み、
ここで該パルス期間及びパルス分離期間は、第１及び第２反応物を利用した原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスに比べて減少した開口部内のコンフォマリティーを達成するように選択され、該原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスは基板の上部表面及び開口部内部表面上で自己制御及び自己終結モードで作動する、
方法。
【請求項６０】
交互蒸着プロセスが開口部内で逓減効果（depletion effect）を得る、請求項５９に記載の方法。
【請求項６１】
交互蒸着プロセスが、開口部内で少なくとも部分的にＣＶＤ（chemical vapor deposition）モードにより、及び、上部表面で原子層堆積（ＡＬＤ）モードにより作動する、請求項５９に記載の方法。
【請求項６２】
開口部が絶縁体内にトレンチを備える、請求項５９に記載の方法。
【請求項６３】
開口部がさらに絶縁体内にポアを備える、請求項６２に記載の方法。
【請求項６４】
交互蒸着プロセスがポアをブロックし、さらに交互蒸着プロセスの後にさらなる原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスを含む、請求項６３に記載の方法。
【請求項６５】
交互蒸着プロセスが基板上に絶縁層を形成する、請求項５９に記載の方法。