【手続補正書】
【提出日】平成20年10月10日(2008.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のメモリセルを含む揮発性メモリ装置のリフレッシュ方法であって、
オートリフレッシュモード活性化命令に応答して前記揮発性メモリ装置のオートリフレッシュモードを活性化させる段階と、
オートリフレッシュ命令に応答して前記複数のメモリセルのオートリフレッシュ動作を実行する段階と、を含むことを特徴とするリフレッシュ方法。
【請求項２】
前記オートリフレッシュモードが設定されている場合に前記オートリフレッシュ命令の入力時にのみ前記オートリフレッシュ命令に応答して前記オートリフレッシュ動作が実行されることを特徴とする請求項１に記載のリフレッシュ方法。
【請求項３】
前記オートリフレッシュモード活性化命令と前記オートリフレッシュ命令は、第２のメモリ装置から入力されることを特徴とする請求項２に記載のリフレッシュ方法。
【請求項４】
前記第２のメモリ装置からホスト装置へバス占有要請を送る段階と、
前記第２のメモリ装置内で前記オートリフレッシュモード活性化命令と前記オートリフレッシュ命令を生成する段階と、
前記第２のメモリ装置から前記揮発性メモリ装置へ前記バスを通じて前記オートリフレッシュモード活性化命令と前記オートリフレッシュ命令とを伝送する段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載のリフレッシュ方法。
【請求項５】
前記ホストから前記バス占有要請が承認されるとき、前記オートリフレッシュモード活性化命令は、前記第２のメモリ装置から前記揮発性メモリ装置へ伝送されることを特徴とする請求項４に記載のリフレッシュ方法。
【請求項６】
前記オートリフレッシュ命令は、前記第２のメモリ装置から前記揮発性メモリ装置へ前記オートリフレッシュモード活性化命令が伝送された後、前記第２のメモリ装置から前記揮発性メモリ装置へ伝送されることを特徴とする請求項４に記載のリフレッシュ方法。
【請求項７】
前記オートリフレッシュ動作の終了に応答して前記揮発性メモリ装置の前記オートリフレッシュモードを非活性化させることを特徴とする請求項１に記載のリフレッシュ方法。
【請求項８】
メモリセルアレイと前記メモリセルアレイのメモリセルの上でオートリフレッシュ動作を初期化する第１の回路を備える第１のメモリ装置と、
前記第１のメモリ装置にオートリフレッシュモード活性化命令を生成して提供するオートリフレッシュ制御回路と、を含むことを特徴とするメモリシステム。
【請求項９】
前記第１のメモリ装置は、
前記オートリフレッシュモード活性化命令に応答して前記第１のメモリ装置のオートリフレッシュモードを設定するモード検出部と、
前記オートリフレッシュモードが設定された場合、オートリフレッシュ命令に応答して前記オートリフレッシュ動作を初期化する第１の回路内に構成された命令デコーダと、をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載のメモリシステム。
【請求項１０】
前記オートリフレッシュ制御回路を含む第２のメモリ装置は、
前記オートリフレッシュ制御回路に提供される前記オートリフレッシュ動作と関連した情報を貯蔵する不揮発性メモリアレイと、
前記オートリフレッシュ制御回路にタイミング信号を提供するタイミング信号発生部と、をさらに含むことを特徴とする請求項９に記載のメモリシステム。
【請求項１１】
前記オートリフレッシュ制御回路は、前記オートリフレッシュ命令を生成することを特徴とする請求項１０に記載のメモリシステム。
【請求項１２】
前記モード検出部は、前記オートリフレッシュモード活性化命令に応答して第１の制御信号を活性化して前記オートリフレッシュモードを設定することを特徴とする請求項９に記載のメモリシステム。
【請求項１３】
前記第１のメモリ装置は、ダイナミックランダムアクセスメモリであり、前記オートリフレッシュ制御回路は、不揮発性メモリセルのアレイから構成される第２のメモリ装置の一部であることを特徴とする請求項８に記載のメモリシステム。
【請求項１４】
前記第２のメモリ装置は、前記不揮発性メモリアレイから前記オートリフレッシュ動作と関連した情報が入力される貯蔵ブロックと、発振部から構成された前記タイミング信号発生部と、を含むことを特徴とする請求項１０に記載のメモリシステム。
【請求項１５】
オートリフレッシュモード活性化命令に応答してダイナミックランダムアクセスメモリ装置のオートリフレッシュモードを設定し、オートリフレッシュ命令に応答してオートリフレッシュイネーブル信号を活性化し、オートリフレッシュモードを設定するオートリフレッシュ制御手段と、
前記オートリフレッシュイネーブル信号に応答してオートリフレッシュ動作を実行するように構成されたメモリコアと、を含むことを特徴とするダイナミックランダムアクセスメモリ装置。
【請求項１６】
前記オートリフレッシュ制御手段は、
前記オートリフレッシュモード活性化命令に応答して第１の制御信号を活性化させるモード検出部と、
前記第１の制御信号が活性化時前記オートリフレッシュ命令に応答して前記オートリフレッシュイネーブル信号を発生する命令デコーダと、を含むことを特徴とする請求項１５に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ装置。
【請求項１７】
前記命令デコーダは、前記オートリフレッシュ動作が終了されるとき、第２の制御信号を活性化させることを特徴とする請求項１６に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ装置。
【請求項１８】
前記モード検出部は、前記オートリフレッシュモード活性化命令に応答して前記オートリフレッシュモードを示す情報を貯蔵し、前記貯蔵された情報は、前記第２の制御信号の活性化に応答して前記モード検出部によって再初期化されることを特徴とする請求項１７に記載のダイナミックランダムアクセスメモリ装置。
【請求項１９】
第１のメモリ装置、第２のメモリ装置、そしてホストを含むメモリシステムの動作方法であって、
前記第２のメモリ装置から前記第１のメモリ装置へオートリフレッシュモード活性化命令を伝送する段階と、
前記オートリフレッシュモード活性化命令に応答して前記第１のメモリ装置のオートリフレッシュモードを設定する段階と、
前記第２のメモリ装置から前記第１のメモリ装置へオートリフレッシュ命令を伝送する段階と、
前記第１のメモリ装置の前記オートリフレッシュモードの設定と前記オートリフレッシュ命令の組合に応答して前記第１のメモリ装置のメモリセル上でオートリフレッシュ動作を実行する段階と、を含むことを特徴とするメモリシステムの動作方法。
【請求項２０】
前記第２のメモリ装置から前記ホストへバス占有要請を送る段階をさらに含み、前記オートリフレッシュモード活性化命令は、前記バス占有要請が承認された後、前記第２のメモリ装置から前記第１のメモリ装置へ伝送されることを特徴とする請求項１９に記載のメモリシステムの動作方法。
【請求項２１】
前記オートリフレッシュモードが設定されない場合、前記第１のメモリ装置は、前記オートリフレッシュ命令に応答しないことを特徴とする請求項２０に記載のメモリシステムの動作方法。
【請求項２２】
第１のメモリ、第２のメモリ、そしてホストを含むメモリシステムの動作方法であって、
前記第１のメモリのオートリフレッシュ動作が要求されるとき、前記第２のメモリを決定する段階と、
前記第２のメモリから前記ホストへバス占有を要請する段階と、
前記バス占有要請が承認された後、前記第２のメモリから前記第１のメモリへモード設定値とモード設定命令とを伝送する段階と、
前記モード設定値と前記モード設定命令に応答して前記第１のメモリのオートリフレッシュモードを設定する段階と、
前記第２のメモリから前記第１のメモリへオートリフレッシュ命令を伝送する段階と、
前記第１のメモリから前記オートリフレッシュ命令を実行する段階と、を含むことを特徴とするメモリシステムの動作方法。
【請求項２３】
発振部と、
第２のメモリ装置上でオートリフレッシュ動作が実行された場合、前記発振部から発生された発振信号に基づいて決定するオートリフレッシュ制御部と、
前記オートリフレッシュ制御部からホストへバス占有要請を伝送し、前記ホストから前記オートリフレッシュ制御部へバス占有要請承認信号を伝送するインターフェース部と、を含み、
前記オートリフレッシュ制御部は、オートリフレッシュモード設定命令とオートリフレッシュ命令を発生することを特徴とするロジックエンベディッドメモリシステム。
【請求項２４】
前記第２のメモリ装置上で前記オートリフレッシュ動作が実行された場合、前記オートリフレッシュ制御部の決定によって、前記第２のメモリ装置の前記オートリフレッシュ動作に使用されるタイミングと関連された情報を貯蔵する不揮発性メモリをさらに含むことを特徴とするロジックエンベディッドメモリシステム。