【手続補正書】
【提出日】平成19年12月21日(2007.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置及び表示装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜を介して前記半導体膜上にゲート配線を形成し、
前記ゲート配線をマスクとして前記半導体膜に不純物元素を添加することによって前記半導体膜にチャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記半導体膜上及び前記ゲート配線上に層間絶縁膜を形成し、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域に達するスルーホールを前記層間絶縁膜に形成し、
前記スルーホールを介して前記ソース領域または前記ドレイン領域と接続する配線を形成し、
前記層間絶縁膜及び前記配線上にパッシベーション膜を形成し、
前記パッシベーション膜上に接して第１の平坦化膜を０．１μｍ以上１．５μｍ未満の膜厚で形成し、
前記第１の平坦化膜上に第２の平坦化膜を０．１μｍ以上２．９μｍ以下の膜厚で、且つ第１の平坦化膜の膜厚よりも厚く形成し、
前記第２の平坦化膜上に画素電極を形成し、
前記第１の平坦化膜と前記第２の平坦化膜の膜厚の合計は０．２μｍ以上３．０μｍ以下であり、
前記第１の平坦化膜と前記第２の平坦化膜を連続して形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜を介して前記半導体膜上にゲート配線を形成し、
前記ゲート配線をマスクとして前記半導体膜に不純物元素を添加することによって前記半導体膜にチャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記半導体膜上及び前記ゲート配線上に層間絶縁膜を形成し、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域に達するスルーホールを前記層間絶縁膜に形成し、
前記スルーホールを介して前記ソース領域または前記ドレイン領域と接続する配線を形成し、
前記層間絶縁膜及び前記配線上にパッシベーション膜を形成し、
前記パッシベーション膜上に接して第１の平坦化膜を０．１μｍ以上１．５μｍ未満の膜厚で形成し、
前記第１の平坦化膜上に第２の平坦化膜を０．１μｍ以上２．９μｍ以下の膜厚で、且つ第１の平坦化膜の膜厚よりも厚く形成し、
前記第２の平坦化膜上に画素電極を形成し、
前記画素電極及び前記第２の平坦化膜上に前記画素電極の一部を露出する開口部を有する絶縁膜を形成し、
前記画素電極及び前記絶縁膜上にＥＬ層を形成し、
前記第１の平坦化膜と前記第２の平坦化膜の膜厚の合計は０．２μｍ以上３．０μｍ以下であり、
前記第１の平坦化膜と前記第２の平坦化膜を連続して形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の前記第１の平坦化膜として、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン構造を含む樹脂、または無機ＳＯＧ材料を用いることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の前記第２の平坦化膜として、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン構造を含む樹脂、または無機ＳＯＧ材料を用いることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の前記パッシベーション膜は、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、または窒化酸化シリコン膜であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の前記パッシベーション膜は、膜厚が５０〜５００ｎｍであることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の前記パッシベーション膜は、膜厚が２００〜３００ｎｍであることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一に記載の前記配線は、少なくともアルミニウム膜を含む膜で形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか一に記載の前記配線は、第１のチタン膜、アルミニウム膜、第２のチタン膜からなる３層構造の積層膜で形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の前記画素電極は、酸化物導電膜であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１１】
基板上に設けられ、チャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を有する半導体膜と、
前記半導体膜上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記半導体膜上に設けられたゲート配線と、
前記半導体膜上及び前記ゲート配線上に設けられ、前記ソース領域及び前記ドレイン領域に達するスルーホールを有する層間絶縁膜と、
前記スルーホールを介して前記ソース領域または前記ドレイン領域と接続した配線と、
前記層間絶縁膜及び前記配線上に設けられたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜上に接して設けられ、膜厚が０．１μｍ以上１．５μｍ未満である第１の平坦化膜と、
前記第１の平坦化膜上に設けられ、膜厚が０．１μｍ以上２．９μｍ以下であり、且つ第１の平坦化膜の膜厚よりも厚い第２の平坦化膜と、
前記第２の平坦化膜上に設けられた画素電極と、を有し、
前記第１の平坦化膜と前記第２の平坦化膜の膜厚の合計は０．２μｍ以上３．０μｍ以下であり、
前記第１の平坦化膜と前記第２の平坦化膜を連続して形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
基板上に設けられ、チャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を有する半導体膜と、
前記半導体膜上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記半導体膜上に設けられたゲート配線と、
前記半導体膜上及び前記ゲート配線上に設けられ、前記ソース領域及び前記ドレイン領域に達するスルーホールを有する層間絶縁膜と、
前記スルーホールを介して前記ソース領域または前記ドレイン領域と接続した配線と、
前記層間絶縁膜及び前記配線上に設けられたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜上に接して設けられ、膜厚が０．１μｍ以上１．５μｍ未満である第１の平坦化膜と、
前記第１の平坦化膜上に設けられ、膜厚が０．１μｍ以上２．９μｍ以下であり、且つ第１の平坦化膜の膜厚よりも厚い第２の平坦化膜と、
前記第２の平坦化膜上に設けられた画素電極と、
前記画素電極及び前記第２の平坦化膜上に設けられ、前記画素電極の一部を露出した開口部を有する絶縁膜と、
前記画素電極及び前記絶縁膜上に設けられたＥＬ層と、を有し、
前記第１の平坦化膜と前記第２の平坦化膜の膜厚の合計は０．２μｍ以上３．０μｍ以下であり、
前記第１の平坦化膜と前記第２の平坦化膜を連続して形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
請求項１１又は請求項１２に記載の前記第１の平坦化膜は、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン構造を含む樹脂、または無機ＳＯＧ材料を用いることを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
請求項１１乃至請求項１３のいずれか一に記載の前記第２の平坦化膜は、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン構造を含む樹脂、または無機ＳＯＧ材料を用いることを特徴とする表示装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一に記載の前記パッシベーション膜は、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、または窒化酸化シリコン膜であることを特徴とする表示装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一に記載の前記パッシベーション膜は、膜厚が５０〜５００ｎｍであることを特徴とする表示装置。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一に記載の前記パッシベーション膜は、膜厚が２００〜３００ｎｍであることを特徴とする表示装置。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１７のいずれか一に記載の前記配線は、少なくともアルミニウム膜を含む膜であることを特徴とする表示装置。
【請求項１９】
請求項１１乃至請求項１７のいずれか一に記載の前記配線は、第１のチタン膜、アルミニウム膜、第２のチタン膜からなる３層構造の積層膜であることを特徴とする表示装置。
【請求項２０】
請求項１１乃至請求項１９のいずれか一に記載の前記画素電極は、酸化物導電膜であることを特徴とする表示装置。