Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月4日(2007.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実質的に球形状若しくは円柱形状の複数個のペレットを、互いに６箇所以上の点若しくは線で接触する状態でプレート上に配設し、各ペレット間の隙間を、上記ペレットよりも硬度の低い充填材で埋めた構造を有し、上記ペレットの表面に凸部を設け、上記ペレット同士は、当該凸部同士あるいは当該凸部と当該凸部以外の部位で接触するように配設されていることを特徴とする複合防護板。
【請求項２】
実質的に球形状若しくは円柱形状の複数個のペレットを、各ペレットより小さい小ペレットを介して６箇所以上の点若しくは線で接触する状態でプレート上に配設し、上記各ペレットおよび上記小ペレット間の隙間を、上記ペレットおよび上記小ペレットよりも硬度の低い充填材で埋めた構造を有し、上記ペレットの表面に凸部を設け、上記ペレット同士は、当該凸部同士あるいは当該凸部と当該凸部以外の部位で接触するように配設されていることを特徴とする複合防護板。
【請求項３】
前記ペレットは、実質的に円柱形状であって、当該ペレットの２つの底面の内、少なくともいずれか１つの底面は、外方向に凸形状であることを特徴とする請求項１または２に記載の複合防護板。
【請求項４】
前記ペレットをセラミックス焼結体とし、前記プレートを金属製の板とし、前記ペレットにおける前記プレートと接する面を平面に、当該平面と反対側の面を凸形状の面にしていることを特徴とする請求項３に記載の複合防護板。
【請求項５】
前記ペレットをセラミックス焼結体とし、前記プレートを樹脂製の板とし、前記ペレットにおける前記プレートと接する面を凸形状に、当該凸形状の面と反対側の面も凸形状の面にしていることを特徴とする請求項３に記載の複合防護板。
【請求項６】
前記ペレットは、前記プレートから高さ方向に複数段重ねて配設されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の複合防護板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明は、実質的に球形状若しくは円柱形状の複数個のペレットを、互いに６箇所以上の点若しくは線で接触する状態でプレート上に配設し、各ペレット間の隙間を、ペレットよりも硬度の低い充填材で埋めた構造を有し、ペレットの表面に凸部を設け、ペレット同士を、当該凸部同士あるいは当該凸部と当該凸部以外の部位で接触するように配設した複合防護板としているこのため、ペレットに飛散物が衝突した際に、その衝撃の一部は充填材の変形に消費され、その衝撃の一部は、周囲のペレットに向かって多くの方向に分散されて伝播する。この結果、ペレットの破壊領域の拡大を抑えることができる。また、ペレットに与えられた衝撃は、凸部を介して周囲のペレットに伝播される。凸部を設けることにより、ペレット同士の接触を確実にすることができるので、より効果的に、ペレットの破壊領域の拡大を抑えることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、別の本発明は、実質的に球形状若しくは円柱形状の複数個のペレットを、各ペレットより小さい小ペレットを介して６箇所以上の点若しくは線で接触する状態でプレート上に配設し、各ペレットおよび小ペレット間の隙間を、ペレットおよび小ペレットよりも硬度の低い充填材で埋めた構造を有し、ペレットの表面に凸部を設け、ペレット同士は、当該凸部同士あるいは当該凸部と当該凸部以外の部位で接触するように配設した複合防護板としている。このため、ペレットに加えられた衝撃の一部は、小ペレットを介して周囲のペレットに伝播される。この結果、ペレットの破壊領域の拡大を抑えることができる。また、ペレットに与えられた衝撃は、凸部を介して周囲のペレットに伝播される。凸部を設けることにより、ペレット同士の接触を確実にすることができるので、より効果的に、ペレットの破壊領域の拡大を抑えることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月10日(2008.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されたＧａＮ系半導体層と、
該ＧａＮ系半導体層の表面に形成された、珪素の組成比が窒素に対し０．８５〜３．０の窒化珪素、珪素の組成比が酸素に対し０．６〜３．０の酸化珪素、並びに珪素の組成比が窒素および酸素に対し０．６〜３．０の酸化窒化珪素、のいずれか1つからなる絶縁膜と、
前記ＧａＮ系半導体層上に形成されたゲート電極と、
該ゲート電極を挟んで形成されたソース電極およびドレイン電極と、を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上に形成されたＧａＮ系半導体層と、
該ＧａＮ系半導体層の表面に形成された、アルミニウムの組成比が窒素に対し１．２〜２．０の窒化アルミニウム、並びにアルミニウムの組成比が酸素に対し０．７〜２．０の酸化アルミニウムのいずれか1つからなる絶縁膜と、
前記ＧａＮ系半導体層上に形成されたゲート電極と、
該ゲート電極を挟んで形成されたソース電極およびドレイン電極と、を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記基板は、ＳｉＣ、Ｓｉ、サファイアおよびＧａＮ系半導体のいずれかからなることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体装置はＨＥＭＴまたはＭＥＳＦＥＴであることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ＧａＮ系半導体層はＧａＮ層またはＡｌＧａＮ層であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項６】
基板上にＧａＮ系半導体層を形成する工程と、
前記ＧａＮ系半導体層の表面にプラズマＣＶＤ法によって、珪素の組成比が窒素に対し０．８５〜３．０の窒化珪素、珪素の組成比が酸素に対し０．６〜３．０の酸化珪素、並びに珪素の組成比が窒素および酸素に対し０．６〜３．０の酸化窒化珪素、のいずれか1つからなる絶縁膜を形成する工程と、
前記ＧａＮ系半導体層上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を挟んでソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
基板上にＧａＮ系半導体層を形成する工程と、
ＧａＮ系半導体層の表面に、アルミニウムの組成比が窒素に対し１．２〜２．０の窒化アルミニウム、並びにアルミニウムの組成比が酸素に対し０．７〜２．０の酸化アルミニウムのいずれか1つからなる絶縁膜を形成する工程と、
前記ＧａＮ系半導体層上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を挟んでソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記窒化珪素からなる絶縁膜は、ＳｉＨ４ガスの流量が４〜１５ｓｃｃｍ、ＮＨ３ガスの流量が０〜８ｓｃｃｍ、Ｎ２ガスの流量が２０〜２００ｓｃｃｍにより形成されることを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記窒化アルミニウムからなる絶縁膜は、窒化アルミニウムをターゲットに用い、Ａｒガスの流量が２０〜１００ｓｃｃｍのよりスパッタ法で形成されることを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記絶縁膜は１０ｎｍ以上で形成されることを特徴とする請求項６または７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記ＧａＮ系半導体層は、ＭＯＣＶＤ法で形成されることを特徴とする請求項６または７記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置およびその製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は半導体装置およびその製造方法、特に、窒化物半導体装置とその製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の目的は、高ドレイン電圧を印加したときに生じるコラプス現象を抑制し、高出力動作可能な半導体装置およびその製造方法を提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明によれば、半導体表面層上に形成された絶縁膜層が、半導体表面層内の絶縁膜層界面に形成されるIII族元素の酸化物を減らし、これにより、高ドレイン電圧を印加したときに生じるコラプス現象を抑制することができる。この結果、高出力動作可能な半導体装置およびその製造方法を提供することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月28日(2008.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に複数の斜面が並列して形成され、これら斜面に巨大磁気抵抗素子が設けられた磁気センサであって、
これら斜面の長手方向の先端側が平面視にて半円形状とされていることを特徴とする磁気センサ。
【請求項２】
前記基板の平坦面には、複数の巨大磁気抵抗素子が設けられ、これら巨大磁気抵抗素子は、基板の平坦面に平行なＸ軸方向に感知軸を有するＸ軸センサおよび基板の平坦面に平行なＹ軸方向に感知軸を有するＹ軸センサを構成し、前記基板の斜面に設けられた前記巨大磁気抵抗素子は、基板の平坦面に垂直なＺ軸方向の磁界の強さを感知し得るＺ軸センサを構成することを特徴とする請求項１に記載の磁気センサ。
【請求項３】
前記斜面が、基板上の厚膜に形成された溝の斜面であることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気センサ。
【請求項４】
前記斜面が、基板上に形成された略直線の稜線を有する突起部の斜面であることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気センサ。
【請求項５】
基板に複数の斜面が並列して形成され、これら斜面に巨大磁気抵抗素子が設けられた磁気センサの製造方法であって、
隣接して対向する斜面が、これらの長手方向先端で、平面視にて半円形状となる曲斜面を介して連続している溝を形成するように、基板の厚膜上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを加熱処理する工程と、
加熱処理後の前記レジストパターン及び厚膜をエッチングして、厚膜に前記溝を形成する工程と、
前記溝の斜面に巨大磁気抵抗素子を設ける工程と、
を有することを特徴とする磁気センサの製造方法。
【請求項６】
基板に複数の斜面が並列して形成され、これら斜面に巨大磁気抵抗素子が設けられた磁気センサの製造方法であって、
隣接して対向する斜面が、これらの長手方向先端で、平面視にて半円形状となる曲斜面を介して連続している溝を形成するように、基板の厚膜上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを加熱処理する工程と、
加熱処理後の前記レジストパターン及び厚膜をエッチングして、厚膜に前記溝を形成するとともに、該溝を形成する領域以外の領域に対しても、表面が平坦となるようにエッチングして厚膜を除去することで、略直線の稜線と斜面を有する突起部を形成する工程と、
前記突起部の斜面に巨大磁気抵抗素子を設ける工程と、
を有することを特徴とする磁気センサの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】磁気センサおよびその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
かかる課題を解決するため、
請求項１に記載の発明は、基板に複数の斜面が並列して形成され、これら斜面に巨大磁気抵抗素子が設けられた磁気センサであって、これら斜面の長手方向の先端側が平面視にて半円形状とされていることを特徴とする磁気センサである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項２に記載の発明は、前記基板の平坦面には、複数の巨大磁気抵抗素子が設けられ、これら巨大磁気抵抗素子は、基板の平坦面に平行なＸ軸方向に感知軸を有するＸ軸センサおよび基板の平坦面に平行なＹ軸方向に感知軸を有するＹ軸センサを構成し、前記基板の斜面に設けられた前記巨大磁気抵抗素子は、基板の平坦面に垂直なＺ軸方向の磁界の強さを感知し得るＺ軸センサを構成することを特徴とする請求項１に記載の磁気センサである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項３に記載の発明は、前記斜面が、基板上の厚膜に形成された溝の斜面であることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気センサである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項４に記載の発明は、前記斜面が、基板上に形成された略直線の稜線を有する突起部の斜面であることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気センサである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項５に記載の発明は、基板に複数の斜面が並列して形成され、これら斜面に巨大磁気抵抗素子が設けられた磁気センサの製造方法であって、隣接して対向する斜面が、これらの長手方向先端で、平面視にて半円形状となる曲斜面を介して連続している溝を形成するように、基板の厚膜上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを加熱処理する工程と、加熱処理後の前記レジストパターン及び厚膜をエッチングして、厚膜に前記溝を形成する工程と、前記溝の斜面に巨大磁気抵抗素子を設ける工程と、を有することを特徴とする磁気センサの製造方法である。
請求項６に記載の発明は、基板に複数の斜面が並列して形成され、これら斜面に巨大磁気抵抗素子が設けられた磁気センサの製造方法であって、隣接して対向する斜面が、これらの長手方向先端で、平面視にて半円形状となる曲斜面を介して連続している溝を形成するように、基板の厚膜上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを加熱処理する工程と、加熱処理後の前記レジストパターン及び厚膜をエッチングして、厚膜に前記溝を形成するとともに、該溝を形成する領域以外の領域に対しても、表面が平坦となるようにエッチングして厚膜を除去することで、略直線の稜線と斜面を有する突起部を形成する工程と、前記突起部の斜面に巨大磁気抵抗素子を設ける工程と、を有することを特徴とする磁気センサの製造方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月22日(2008.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路のクロックネットと非クロックネットとの双方を配線する配線方法において、
配線どうしの間のスペーシングを規定する条件を、配線どうしの間に他の配線が可能なスペースを空けるという第１の条件の下でクロックネットを配線し、
次に、前記第１の条件よりも、配線どうしの間のスペーシングを狭めて前記第１の条件の下で配線した配線どうしの間を配線領域として開放した第２の条件の下で非クロックネットを配線することを特徴とする配線方法。
【請求項２】
前記非クロックネットが信号を伝送するための配線構造であることを特徴とする請求項１記載の配線方法。
【請求項３】
前記第１の条件として、配線どうしの間に複数本の配線が可能なスペースを空けるという条件を採用してクロックネットを配線することを特徴とする請求項１または２記載の配線方法。
【請求項４】
前記第１の条件として、配線どうしの間に一本の配線が可能なスペースを空けるという条件を採用してクロックネットを配線することを特徴とする請求項１または２記載の配線方法。
【請求項５】
クロックネットと非クロックネットとの双方が配線された半導体集積回路において、
前記クロックネットが、配線どうしの間に他の配線が可能なスペースを空けるという第１の条件の下で配線され、
前記非クロックネットが、前記クロックネットの配線どうしの間に配線されていることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項６】
前記非クロックネットが信号を伝送するための配線構造であることを特徴とする請求項５記載の半導体集積回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体集積回路の配線方法および半導体集積回路
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月19日(2008.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
処理槽内の複数の薬液の混合液からなる処理液で被処理体を処理する液処理装置であって、
上記各薬液を上記処理槽内に貯留された処理液に補充する薬液補充手段と、
上記各薬液補充手段をそれぞれ構成する補充管路に介設される開閉手段と、
上記各補充管路に介設されて所定量の薬液を供給する薬液供給手段と、
上記各薬液の処理槽への補充タイミングを記憶し、この記憶された情報に基づいて上記各開閉手段及び各薬液供給手段に動作信号を伝達する制御コンピュータと、を具備してなり、
上記制御コンピュータを、上記処理液の排液後に、上記処理槽内に複数の薬液を供給して上記処理液を作成する処理液交換工程後の経過時間毎に、各薬液毎に補充のタイミングを可変設定可能にするために制御コンピュータに処理レシピを作成するための処理レシピ入力画面を表示するように形成してなる、ことを特徴とする液処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、請求項２記載の発明は、処理槽内の複数の薬液の混合液からなる処理液で被処理体を処理する液処理装置であって、  上記各薬液を上記処理槽内に貯留された処理液に補充する薬液補充手段と、  上記各薬液補充手段をそれぞれ構成する補充管路に介設される開閉手段と、  上記各補充管路に介設されて所定量の薬液を供給する薬液供給手段と、  上記各薬液の処理槽への補充タイミングを記憶し、この記憶された情報に基づいて上記各開閉手段及び各薬液供給手段に動作信号を伝達する制御コンピュータと、を具備してなり、  上記制御コンピュータを、上記処理液の排液後に、上記処理槽内に複数の薬液を供給して上記処理液を作成する処理液交換工程後の経過時間毎に、各薬液毎に補充のタイミングを可変設定可能にするために制御コンピュータに処理レシピを作成するための処理レシピ入力画面を表示するように形成してなる、ことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記のように構成することにより、例えば、処理時間の経過に伴って処理液を形成する１つの薬液の組成が大きく変化する薬液に関し最初の数時間は、当該薬液の補充量を少なくして処理液に補充して処理を安定化させることができる。組成変化の生じた薬液は、組成が安定した後に劣化が生じるため、補充タイミングを短くするか、あるいは、補充量を多くすることにより、処理液の安定化が図れる。上記処理が安定化した後、他の薬液の補充タイミングを長くするか、あるいは、補充量を少なくすることにより、処理の安定を持続することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月28日(2007.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
未溶接部の長さは1ｍｍ〜２ｍｍ程度が好ましく、あまり短いと溶接ダレやバリの発生を抑制することが出来ず、また、長い未溶接部の形成は溶接面積の縮小となり電気抵抗を増やすと共に端部が折れ曲がる等好ましくないものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月17日(2007.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体インゴットを準備する工程と、
前記半導体インゴットを切断し半導体ブロックとする工程と、
前記半導体ブロックの切断面を化学エッチングにより平滑化する工程と、
前記半導体ブロックの平滑化された前記切断面から、前記半導体ブロックのスライスを開始する工程と、を有することを特徴とする半導体ウェハの製造方法。
【請求項２】
前記半導体ブロックの切断面を酸性の溶液に接触させ平滑化することを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェハの製造方法。
【請求項３】
前記半導体ブロックを酸性の溶液に浸し平滑化することを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェハの製造方法。
【請求項４】
前記酸性の溶液は、３０℃〜５０℃の温度を有することを特徴とする請求項２または３に記載の半導体ウェハの製造方法。
【請求項５】
前記半導体ブロックの切断面をアルカリ性の溶液に接触させ平滑化することを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェハの製造方法。
【請求項６】
前記半導体ブロックをアルカリ性の溶液に浸し平滑化することを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェハの製造方法。
【請求項７】
前記アルカリ性の溶液は、４０℃〜９０℃の温度を有することを特徴とする請求項５または６に記載の半導体ウェハの製造方法。
【請求項８】
前記切断面が平滑化された前記半導体ブロックを水で洗浄することを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の半導体ウェハの製造方法。
【請求項９】
前記半導体ブロックをワイヤーソーにより切断することを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の半導体ウェハの製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の製造方法により製造され、平滑化された側面を有する半導体ウェハ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体ウェハの製造方法、半導体ウェハ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の半導体ウェハの製造方法は、半導体インゴットを準備する工程と、前記半導体インゴットを切断し半導体ブロックとする工程と、前記半導体ブロックの切断面を化学エッチングにより平滑化する工程と、前記半導体ブロックの平滑化された前記切断面から、前記半導体ブロックのスライスを開始する工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月29日(2008.2.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一次ボビンに一次電線が巻回された一次コイルおよび二次ボビンに二次電線が巻回された二次コイルと、
前記一次コイルおよび二次コイルを磁気的に結合させる鉄心と、
前記コイルおよび鉄心等を収納する底部を有する収納部と前記底部に連設された筒状に突出した高圧端子を収納する高圧端子収納部とが一体に成形されているコイル組立体収納ケースと、
を少なくとも有する内燃機関用点火コイルにおいて、
前記コイル組立体収納ケースの内形は、前記二次ボビンの外形に沿い、かつ、前記二次ボビンの外形よりやや大きめに成形されていることを特徴とする内燃機関用点火コイル。
【請求項２】
前記底部の外周には、補強用リブが一体成形されていることを特徴とする請求項１に記載された内燃機関用点火コイル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
（第１発明）
第１発明の内燃機関用点火コイルは、一次ボビンに一次電線が巻回された一次コイルおよび二次ボビンに二次電線が巻回された二次コイルと、前記一次コイルおよび二次コイルを磁気的に結合させる鉄心と、前記コイルおよび鉄心等を収納する底部を有する収納部と前記底部に連設された筒状に突出した高圧端子を収納する高圧端子収納部とが一体に成形されているコイル組立体収納ケースと、を少なくとも有しており、前記コイル組立体収納ケースの内形は、前記二次ボビンの外形に沿い、かつ、前記二次ボビンの外形よりやや大きめに成形されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明によれば、コイル組立体収納ケースの内形を前記二次ボビンの外形に沿い、かつ、前記二次ボビンの外形よりやや大きめに成形することにより、内燃機関用点火コイルの軽量化を図ることができた。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明によれば、前記コイル組立体収納ケースの内形における厚さを薄くした際の補強にリブを設けることにより、軽量で、かつ、丈夫にすることができた。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（第１発明）
第１発明の内燃機関用点火コイルは、一次ボビンに一次電線が巻回された一次コイルと、二次ボビンに二次電線が巻回された二次コイルと、前記一次コイルおよび二次コイルを磁気的に結合させる鉄心と、前記コイルおよび鉄心等を収納するコイル組立体収納ケース等を少なくとも備えている。前記コイル組立体収納ケースは、全体が一様な厚さで成形されており、前記コイル、鉄心、リード線、および高圧端子等を収納した後、内部に絶縁樹脂が充填される。前記コイル組立体収納ケースの底部における内形は、前記二次ボビンの外形にほぼ沿い、かつ、前記二次ボビンの外形よりやや大きめに成形されているとともに、下部に高圧端子収納部が連設されている。前記絶縁樹脂は、前記コイル組立体の内形と二次ボビンの間に、一様な厚さで充填されるため、無駄な絶縁樹脂を充填することなく、軽量な内燃機関用点火コイルとすることができる。前記コイル組立体収納ケースは、たとえば、射出成形により一体に成形されている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月15日(2008.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
一般に変成器やチョ−クコイル等のインダクタンス素子では、直流磁界によって磁心が磁気飽和することでインダクタンス値が低下するのを避けるために、磁心に磁気ギャップを設けている。
一般に、前記磁気ギャップは空隙として形成されるが、磁気ギャップの間隔がインダクタンス素子の特性に影響を与える。そこで特許文献１のインダクタンス素子では、図４に示すようにＵ字型磁心６の両磁脚７，８に巻線９，１０を巻装し、前記磁脚７，８の開放端間にＩ字状磁心１１がギャップスペ−サ１３を介してギャップ１２を形成するように配置し、磁気ギャップ寸法のばらつき要因を少なくしている。
しかしながら、このようなインダクタンス素子では、磁気ギャップ１２を紙材などからなるギャップスペ−サ１３を用い接着剤１４で結合し、または接着剤１４だけで結合するため、組立時に、ギャップスペ−サ１３を配置する手間や、磁気ギャップ１２を埋める接着剤１４が乾燥硬化するまでに時間がかかる。また硬化までの間、Ｕ字状磁心６とＩ字状磁心１１とを保持することが必要であり生産性に劣るものであった。また、多くの接着剤を磁気ギャップに介在させると、膨潤等の経時変化により磁気ギャップ寸法に影響を及ぼしインダクタンス値が変化する問題もあった
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月27日(2008.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に複数の斜面が並列して形成され、これら斜面に巨大磁気抵抗素子が設けられた磁気センサであって、
これら斜面の列方向の両方の最外側にダミー斜面が形成され、このダミー斜面以外の斜面に巨大磁気抵抗素子が設けられたことを特徴とする磁気センサ。
【請求項２】
基板に複数の斜面が並列して形成され、これら斜面に巨大磁気抵抗素子が設けられた磁気センサであって、
これら斜面の個々の長手方向の両端部の外方にダミー斜面が形成され、このダミー斜面以外の斜面に巨大磁気抵抗素子が設けられたことを特徴とする磁気センサ。
【請求項３】
上記斜面が、基板上の厚膜に形成された溝の斜面であることを特徴とする請求項１または２記載の磁気センサ。
【請求項４】
上記斜面が、基板上に形成された堤状の突起部の斜面であることを特徴とする請求項１または２記載の磁気センサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項３にかかる発明は、上記斜面が、基板上の厚膜に形成された溝の斜面であることを特徴とする請求項１または２記載の磁気センサである。
請求項４にかかる発明は、上記斜面が、基板上に形成された堤状の突起部の斜面であることを特徴とする請求項１または２記載の磁気センサである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月26日(2008.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の複数のパッドを有する第１のチップと、第２の複数のパッドを有する第２のチップを準備する工程と、
キャピラリから排出したワイヤによって、前記第１の複数のパッドの何れかに、第１のバンプ電極を形成する工程と、
前記第１のバンプ電極を形成する工程の後に、前記キャピラリから排出したワイヤによって、前記第１のバンプ電極と、前記第２の複数のパッドの何れかとを電気的に接続する第１のワイヤを形成する工程と、
前記第１のワイヤを形成する工程の後に、前記キャピラリから排出したワイヤによって、前記第１の複数のパッドの別の何れかに、第２のバンプ電極を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１のワイヤを形成する工程は、前記キャピラリから排出したワイヤの先端に、金属ボールを形成する工程と、前記金属ボールを前記第２の複数のパッドの何れかにボンディングする工程と、前記金属ボールから伸びるワイヤを前記キャピラリから排出して、前記金属ボールから延びるワイヤの一部を前記第１のバンプ電極上にステッチボンディングする工程とを有する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１のバンプ電極を形成する工程は、前記キャピラリから排出したワイヤの先端に、金属ボールを形成する工程と、前記金属ボールを前記第１の複数のパッドの何れかにボンディングする工程と、前記金属ボールから伸びるワイヤを前記金属ボール上でカットする工程とを有する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２のバンプ電極を形成する工程の後に、前記キャピラリから排出したワイヤによって、前記第２のバンプ電極と、前記第２の複数の電極パッドの別の何れかとを電気的に接続する第２のワイヤを形成する工程を有する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
第１の複数のパッドと、前記第１の複数のパッドよりも間隔が狭い第２の複数のパッドとを有する第１のチップと、第３の複数のパッドを有する第２のチップを準備する工程と、
キャピラリから排出したワイヤによって、前記第１の複数のパッド上に、第１の複数のバンプ電極を形成し、前記第２の複数のパッド上に、第２の複数のバンプ電極を形成する工程と、
前記第１及び第２の複数のバンプ電極を形成する工程の後に、前記キャピラリから排出したワイヤによって、前記第１の複数のバンプ電極と、前記第３の複数のパッドの何れかとを電気的に接続する第１の複数のワイヤを形成する工程と、
前記第１の複数のワイヤを形成する工程の後に、前記キャピラリから排出したワイヤによって、前記第２の複数のバンプ電極と、前記第３の複数のパッドの別の何れかとを電気的に接続する第２の複数のワイヤを形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。
【請求項６】
キャピラリに通したワイヤによりパッド上にバンプ電極を形成する工程と、
前記バンプ電極を形成する工程の後に、少なくとも前記ワイヤと前記キャピラリの内壁との隙間以上の振幅で前記キャピラリを横方向に動作させる工程と、
前記キャピラリを横方向に動作させる工程の後に、クランパで前記ワイヤを挟んで上方向に引っ張ることで前記ワイヤをカットする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記キャピラリを横方向に動作させる前に、前記キャピラリを前記バンプ電極よりも上に退避させる工程を更に有することを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
キャピラリを用いてバンプ電極上にワイヤをステッチボンディングする工程と、
前記ステッチボンディングする工程の後に、少なくとも前記ワイヤと前記キャピラリの内壁との隙間以上の振幅で前記キャピラリを横方向に動作させる工程と、
前記キャピラリを横方向に動作させる工程の後に、クランパで前記ワイヤを挟んで上方向に引っ張ることで前記ワイヤをカットする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。  
【請求項９】
前記キャピラリを横方向に動作させる前に、前記キャピラリを、前記ステッチボンディングした位置から、前記ワイヤのループ進入方向に前記キャピラリの横方向動作の振幅の半分以上退避させる工程を更に有することを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
複数のパッドを有するチップを準備する第１の工程と、
キャピラリから排出したワイヤによって前記複数のパッドのうちの１つのパッドにバンプ電極を形成する第２の工程と、
前記第２の工程の後に、前記キャピラリによって前記バンプ電極にワイヤをステッチボンディングする第３の工程とを含み、
前記複数のパッドそれぞれにワイヤをステッチボンディングする際に前記第２の工程及び前記第３の工程を交互に繰り返すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
第１の複数のパッド及び第２の複数のパッドを有するチップを準備する第１の工程と、
キャピラリから排出したワイヤによって前記第１の複数のパッドにそれぞれバンプ電極を形成する第２の工程と、
前記第２の工程の後に、前記キャピラリによって、前記第１の複数のパッドにそれぞれ形成されたバンプ電極にワイヤをステッチボンディングする第３の工程と、
前記第３の工程の後に、前記キャピラリから排出したワイヤによって前記第２の複数のパッドにそれぞれバンプ電極を形成する第４の工程と
前記第４の工程の後に、前記キャピラリによって、前記第２の複数のパッドにそれぞれ形成されたバンプ電極にワイヤをステッチボンディングする第５の工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月28日(2008.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対のコイルボビンを備え、一対のコイルボビンの一方は、円筒状の胴部と、前記胴部の両端に形成された一対のツバと、前記胴部に巻回されたコイルと、前記一対のツバのうち前記一対のコイルボビンの他方に対向するツバに形成され、前記対向するツバに関して前記胴部と反対側に突出した２つの端子片と、前記２つの端子片に夫々設けられ、前記コイルボビンのツバの外側に突出すると共に、前記コイルの端部が巻回された２つの端子とを備え、前記一対のコイルボビンは、前記端子片が互いに組み合うように組立てられるコイルボビン装置において、前記端子片は、前記コイルの端部を保護すべく前記コイルボビンのツバの外側に突出した端子片突出部を備えることを特徴とするコイルボビン装置。
【請求項２】
前記端子片突出部は、前記一対のコイルボビンが組立てられたときに、前記一対のコイルボビンの他方における端子片に対向する側において、前記端子に隣接して設けられていることを特徴とする請求項１記載のコイルボビン装置。
【請求項３】
前記端子片突出部は、前記一対のコイルボビンの他方における端子片の反対側に設けられていることを特徴とする請求項２記載のコイルボビン装置。
【請求項４】
前記対向するツバに形成され、前記コイルボビンのツバの外側に突出すると共に、基板が当接する基板当接部を備え、前記基板当接部は、前記端子片突出部より前記コイルボビンのツバの外側に突出していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のコイルボビン装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するため、請求項１記載のコイルボビン装置は、一対のコイルボビンを備え、一対のコイルボビンの一方は、円筒状の胴部と、前記胴部の両端に形成された一対のツバと、前記胴部に巻回されたコイルと、前記一対のツバのうち前記一対のコイルボビンの他方に対向するツバに形成され、前記対向するツバに関して前記胴部と反対側に突出した２つの端子片と、前記２つの端子片に夫々設けられ、前記コイルボビンのツバの外側に突出すると共に、前記コイルの端部が巻回された２つの端子とを備え、前記一対のコイルボビンは、前記端子片が互いに組み合うように組立てられるコイルボビン装置において、前記端子片は、前記コイルの端部を保護すべく前記コイルボビンのツバの外側に突出した端子片突出部を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項４記載のコイルボビン装置は、請求項１乃至３のいずれか１項に記載のコイルボビン装置において、前記対向するツバに形成され、前記コイルボビンのツバの外側に突出すると共に、基板が当接する基板当接部を備え、前記基板当接部は、前記端子片突出部より前記コイルボビンのツバの外側に突出していることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項１記載のコイルボビン装置によれば、端子片に備えられた端子片突出部は、コイルの端部を保護すべくコイルボビンのツバの外側に突出ているので、端子片突出部は、コイルの引出し線を隣接する端子片から保護し、もって組立時の引出し線の断線を防止することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項４記載のコイルボビン装置によれば、対向するツバに形成され、コイルボビンのツバの外側に突出すると共に、基板が当接する基板当接部は、端子片突出部よりコイルボビンのツバの外側に突出しているので、端子片突出部に乗り上げたコイルの引出し線を端子片突出部と基板の間に挟むのを防止し、もって基板設置時の引出し線の断線を防止することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月31日(2008.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
ブラッグピークを広げるリッジフィルターを、可変レンジシフターとスキャニング電磁石との間に配置したことを特徴とする請求項２に記載の粒子線照射装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
荷電粒子線のエネルギーを低下させる固定レンジシフターを、４極電磁石と被照射体との間に配置したことを特徴とする請求項１に記載の粒子線照射装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
次に粒子線照射装置の動作について説明する。
ビーム輸送系２により粒子加速器１から可変レンジシフター４に導かれた荷電粒子線は、可変レンジシフター４でアクリル板を通過して、エネルギーを低下させられる。可変レンジシフター４は、例えば、厚さの異なる複数枚のアクリル板で構成して、これらのアクリル板の組合せを変えたり、くさび形のアクリル板で構成して荷電粒子線が通過する位置を変更したりすることで、荷電粒子線が通過するアクリル板の厚さを変更できるようになっており、これにより粒子線のエネルギーをどの程度低下させるかを調整できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、図２のように、ブラッグピークを広げるためリッジフィルター１２を追加して、可変レンジシフター４による拡大ブラッグピーク（ＳＯＢＰ：Ｓｐｒｅａｄ  Ｏｕｔ Ｂｒａｇｇ  Ｐｅａｋ）の形成を効率的に行えるようにすることがある。
本発明によれば、可変レンジシフター４と被照射体５の間に配置した４極電磁石６を用いて、可変レンジシフター４での散乱による荷電粒子線の発散を収束させることにより、図２のように、リッジフィルター１２をスキャニング電磁石８のビーム進行方向上流に配置することができる。
リッジフィルター１２をスキャニング電磁石８のビーム進行方向上流に配置することで、荷電粒子線がリッジフィルターの決まった領域を通過するようにできるので、リッジ構造によるブラッグピークの一様性低下を避けることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
そこで、４極電磁石６のビーム進行方向上流の可変レンジシフター４では荷電粒子のエネルギー低下の変動幅の調整を行うものの、その調整の幅は色収差の影響で４極電磁石６のビーム収束力が弱まる影響が出ない範囲とする一方で、４極電磁石６のビーム進行方向下流の固定レンジシフター１４で、さらに荷電粒子のエネルギーを所定の値まで低下させる。なお、一回の照射単位の間では荷電粒子のエネルギー低下の変動幅の調整は可変レンジシフター４で行うので、固定レンジシフター１４は照射中には厚さを変化させる必要はない。異なる照射単位において、荷電粒子のエネルギー低下の幅が大きく異なるような場合に、固定レンジシフター１４の厚さの変更が必要になる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月14日(2008.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
近年、例えばゲーム上の仮想的な空間内で鳥や魚などのオブジェクトの移動をシミュレートし、ユーザの操作するユーザオブジェクトから視認可能な鳥や魚などのオブジェクトの情報をユーザ側の装置に提供することで、あたかもユーザが仮想的な世界に入り込んだような仮想現実感を提供する装置が開発されている。
【特許文献１】米国特許出願公開第２００７／２３８５２３号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月4日(2008.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
電動機や空気モータなどの回転動力を発生するモータと、モータの回転運動を往復運動に変換する機構と、該モータと該往復運動変換機構を内包するハウジングあるいはギヤホルダと、ボルト、ねじ等の締結材により該ハウジングと結合され被切削材と接触するベースを有し、該往復運動機構により刃物が往復運動して切削を行う往復運動工具において、
該ハウジングあるいは該ギヤホルダと該ベースを結合する締結材の座金部材を、本体前方では非弾性材で形成し、本体後方では弾性を有する部材で形成したことを特徴とする往復運動工具。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月22日(2008.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性ガスを封入した密閉容器内に、遮断器や断路器を上記密閉容器から電気的に絶縁した状態で支持して構成したガス絶縁開閉装置において、上記遮断器として電流遮断時のアーク光を真空容器外に漏らさない遮光形の真空遮断器を使用し、この遮光形の真空遮断器を配置した上記密閉容器内に、ＣＦ３Ｉを容積比で４０％〜７０％とすると共に、このＣＦ３Ｉよりも液化温度が低く地球温暖化係数がＳＦ６よりも小さな絶縁性ガスを混入した混合ガスを封入し、この混合ガスのガス圧力を０．１〜０．３ＭＰａ・ａｂｓとしたことを特徴とするガス絶縁開閉装置。
【請求項２】
請求項１に記載のガス絶縁開閉装置において、上記混合ガスは、上記ＣＦ３Ｉを容積比で４０〜６０％混入したことを特徴とするガス絶縁開閉装置。
【請求項３】
請求項１に記載のガス絶縁開閉装置において、上記断路器として電流遮断時のアーク光を真空容器外に漏らさない遮光形の真空断路器を使用したことを特徴とするガス絶縁開閉装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は上記目的を達成するために、絶縁性ガスを封入した密閉容器内に、遮断器や断路器を上記密閉容器から電気的に絶縁した状態で支持して構成したガス絶縁開閉装置において、上記遮断器として電流遮断時のアーク光を真空容器外に漏らさない遮光形の真空遮断器を使用し、この遮光形の真空遮断器を配置した上記密閉容器内に、ＣＦ３Ｉを容積比で４０％〜７０％とすると共に、このＣＦ３Ｉよりも液化温度が低く地球温暖化係数がＳＦ６よりも小さな絶縁性ガスを混入した混合ガスを封入し、この混合ガスのガス圧力を０．１〜０．３ＭＰａ・ａｂｓとしたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
先に述べたようにＣＦ３ＩはＳＦ６ガスと比較してガス圧力０．１ＭＰａ・ａｂｓにおける絶縁耐力がＳＦ６ガスの約１．１〜１．３倍程度である。ＳＦ６ガスを用いたガス絶縁開閉装置の現状の定格ガス圧力は、一般的に約０．２ＭＰａ・ａｂｓ以上となっており、例えば０．１７ＭＰａ・ａｂｓのＳＦ６ガスを絶縁媒体として用いたガス絶縁開閉装置に対して、ＣＦ３Ｉを用いて同等の絶縁耐力とするためには、ＣＦ３Ｉの絶縁耐力をＳＦ６ガスの約１．１倍であると仮定すると、定格ガス圧力を０．１５ＭＰａ・ａｂｓ以上とする必要がある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
ただし、０．１５ＭＰａ・ａｂｓの圧力下においては、ＣＦ３Ｉの液化温度が、約−１０℃前後となることから、ガス絶縁開閉装置の一般的な周囲温度の仕様−２０℃では使用できず適用範囲が限られてしまう。そこで、−２０℃の仕様を解決するためには、ＳＦ６よりも地球温暖化係数が小さくＣＦ３Ｉよりも液化温度が低い絶縁性ガスを混合して使用することにより対応可能である。例えば、現状のＳＦ６ガス圧力と同程度の定格ガス圧力０．１７ＭＰａ・ａｂｓにおいて周囲温度−２０℃で液化しない混合比を検討すると、ＣＦ３Ｉと窒素ガスとの混合ガスの場合には、ＣＦ３Ｉを容積比で６５%、窒素ガスを３５％の混合比とすれば、液化温度が約−２０℃となり、ＳＦ６ガス使用の現状製品と比較して絶縁耐力が数％程度向上することになる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
上述した各実施の形態では、遮光形の真空遮断器２を配置した第一の密閉容器内に充填する絶縁性ガスとして、ＣＦ３Ｉを容積比で６５%、窒素ガスを３５％とした混合ガスで、そのガス圧力を０．１７ＭＰａ・ａｂｓとしたが、ＣＦ３Ｉに混合するガスは窒素ガスに限らず、同等の絶縁性能を有して地球温暖化係数がＳＦ６ガスよりも小さく液化温度がＣＦ３Ｉよりも低いＣＯ２などの他の絶縁性ガスを使用したり、または窒素ガスとそれらの混合ガスとすることもできるので、ＣＦ３Ｉを容積比で４０％〜７０%とした混合ガスで、そのガス圧力を０．１〜０．３ＭＰａ・ａｂｓとすれば、混合ガスを使用しない場合に比べてガス圧力を差ほど上げることなく、ほぼ同様の効果を達成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月2日(2008.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
被検者にＸ線を照射するＸ線発生部と、Ｘ線発生部を支持機構を介して支持する本体と、この本体を走行させる移動台車とを具備し、被検者を透過したＸ線を用いてＸ線画像を撮影する移動型Ｘ線装置であって、
撮影が予約されている予約被検者の本人識別情報をマスター情報として記憶する記憶手段と、
実際に撮影しようとする撮影被検者の本人識別情報を取得する取得手段と、
この取得した本人識別情報をマスター情報と照合し、撮影被検者が予約被検者と同一か否かを判定して、判定結果を出力する判定手段とを備えることを特徴とする移動型Ｘ線装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月28日(2007.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部に開口を有する有底筒状容器本体と、前記筒状容器本体に嵌入可能な筒状側壁と該筒状側壁の上部に設けた保持部と前記筒状側壁の下部を覆う底壁を備え、前記筒状側壁及び底壁の少なくとも一部にこし網を設けたこし器とからなるこし器付き容器において、
前記筒状側壁の下部を底壁に向かって縮径するテーパー面又は湾曲面に形成するとともに、前記テーパー面又は湾曲面に、前記筒状側壁を前記筒状容器本体の縁部にもたせた状態で前記こし器の前記開口を挟んだ反対側の縁部に係止可能な係止部を周方向に中心軸に対して放射状に複数個設けたことを特徴とするこし器付き容器。
【請求項２】
前記係止部の最外側となる部分を結ぶ包絡線で形成される円の直径が前記筒状容器本体の内径よりも小さくしたことを特徴とする請求項１記載のこし器付き容器。
【請求項３】
前記こし器の筒状側壁の前記筒状容器本体の縁部にもたせる位置に、凹部を形成したことを特徴とする請求項１または２記載のこし器付き容器。
【請求項４】
前記凹部が、前記筒状側壁をめぐる環状の凹部であることを特徴とする請求項３記載のこし器付き容器。
【請求項５】
前記筒状側壁には、窓部が形成され、該窓部を覆ってこし網が固設されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載のこし器付き容器。
【請求項６】
前記底壁には、窓部が形成され、該窓部を覆ってこし網が固設されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載のこし器付き容器。
【請求項７】
前記係止部は、前記こし器の周方向に回動可能とされていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項記載のこし器付き容器。
【請求項８】
上部に開口を有する有底筒状容器本体と、前記筒状容器本体に嵌入可能な筒状側壁と該筒状側壁の上部に設けた保持部と前記筒状側壁の下部を覆う底壁を備え、前記筒状側壁及び底壁の少なくとも一部にこし網を設けたこし器とからなるこし器付き容器において、前記底壁は前記筒状側壁の下部から斜め上方に向けて傾斜して形成され、前記底壁の上端側の前記筒状側壁に上底面と下底面とを有するように形成された切欠きと、前記底壁の下端側の前記筒状側壁に形成された係止部とを備えたことを特徴とするこし器付き容器。
【請求項９】
前記係止部が形成された上方の前記筒状側壁と、前記底壁と、前記下底面に窓部が形成され、該窓部を覆ってこし網が固設されていることを特徴とする請求項８記載のこし器付き容器。
【請求項１０】
前記こし器の筒状側壁の上部に設けた保持部は、前記筒状側壁の開口端に突設された鍔又は突条であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項記載のこし器付き容器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明のこし器付き容器は、上部に開口を有する有底筒状容器本体と、前記筒状容器本体に嵌入可能な筒状側壁と該筒状側壁の上部に設けた保持部と前記筒状側壁の下部を覆う底壁を備え、前記筒状側壁及び底壁の少なくとも一部にこし網を設けたこし器とからなるこし器付き容器において、
前記筒状側壁の下部を底壁に向かって縮径するテーパー面又は湾曲面に形成するとともに、前記テーパー面又は湾曲面に、前記筒状側壁を前記筒状容器本体の縁部にもたせた状態で前記こし器の前記開口を挟んだ反対側の縁部に係止可能な係止部を周方向に中心軸に対して放射状に複数個設けたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前記係止部の最外側となる部分を結ぶ包絡線で形成される円の直径が前記筒状容器本体の内径よりも小さくすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記こし器の筒状側壁の前記筒状容器本体の縁部にもたせる位置に、凹部を形成することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
前記筒状側壁には、窓部が形成され、該窓部を覆ってこし網を固設することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、前記底壁には、窓部が形成され、該窓部を覆ってこし網を固設することができる。