【手続補正書】
【提出日】平成20年5月27日(2008.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
金属製の反射層と、
前記金属製の反射層上に形成された密着層と、
前記密着層上に形成された透明性導電層と、
前記透明性導電層上に形成されたＬＥＤスタックと、
前記基板と前記金属製の反射層との間に形成された粘着層と、
を含む全方向性リフレクタを有する発光ダイオード。
【請求項２】
前記基板と前記粘着層との間又は前記粘着層と前記金属製の反射層との間に形成された反応層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項３】
前記反応層は、ＳｉＮｘ、Ｔｉ及びＣｒで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項２に記載の発光ダイオード。
【請求項４】
前記基板と前記粘着層との間に形成された第一反応層と、
前記粘着層と前記金属製の反射層との間に形成された第二反応層と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項５】
前記第一又は第二反応層は、ＳｉＮｘ、Ｔｉ及びＣｒで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項４に記載の発光ダイオード。
【請求項６】
前記ＬＥＤスタック上に形成された透明性導電層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項７】
前記透明性導電層は、酸化インジウムスズ、酸化カドミウムスズ、酸化アンチモンスズ、酸化亜鉛及び酸化亜鉛スズで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項６に記載の発光ダイオード。
【請求項８】
前記透明性導電層は、酸化インジウムスズ、酸化カドミウムスズ、酸化アンチモンスズ、酸化亜鉛及び酸化亜鉛スズで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項９】
前記密着層は、ＳｉＮｘ、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、及び同様の物質で構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項１０】
前記金属製の反射層は、Ａｌ及びＡｇで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項１１】
前記基板は、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＧａＰ、Ｓｉ、ＳｉＣ、金属、サファイア、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＺｎＯ、ガラス及び同様の物質で構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項１２】
前記粘着層は、ＰＩ、ＢＣＢ、ＰＦＣＢ及び同様の物質で構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項１３】
前記ＬＥＤスタックは、
第一接触層と、
前記第一接触層上に形成された第一クラッディング層と、
前記第一クラッディング層上に形成された発光層と、
前記発光層上に形成された第二クラッディング層と、
前記第二クラッディング層上に形成された第二接触層と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項１４】
前記第一接触層は、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、及びＡｌＧａＮで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項１３に記載の発光ダイオード。
【請求項１５】
前記第一クラッディング層は、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＩｎＮで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項１３に記載の発光ダイオード。
【請求項１６】
前記発光層は、ＡｌＧａＩｎＰ、ＩｎＧａＰ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＩｎＮで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項１３に記載の発光ダイオード。
【請求項１７】
前記第二クラッディング層は、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＩｎＮで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項１３に記載の発光ダイオード。
【請求項１８】
前記第二接触層は、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＮで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項１３に記載の発光ダイオード。
【請求項１９】
任意で粘着層を含む透明性基板と、
前記透明性基板の下に形成されたＬＥＤスタックと、
前記ＬＥＤスタックの下に形成された透明性導電層と、
分配したパターンを有し、前記透明性導電層の下に形成された密着層と、
前記密着層の下に形成された金属製の反射層と、
を含み、全方向性リフレクタを有するフリップチップ発光ダイオード。
【請求項２０】
前記透明性導電層は、酸化インジウムスズ、酸化カドミウムスズ、酸化アンチモンスズ、酸化亜鉛及び酸化亜鉛スズで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項１９に記載の発光ダイオード。
【請求項２１】
前記密着層は、ＳｉＮｘ、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、及び同様の物質で構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項１９に記載の発光ダイオード。
【請求項２２】
前記金属製の反射層は、Ａｌ及びＡｇで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項１９に記載の発光ダイオード。
【請求項２３】
前記透明性基板は、ＧａＰ、ＳｉＣ、サファイア、ＧａＮ、ＺｎＯ、ＭｇＯ及び同様の物質で構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項１９に記載の発光ダイオード。
【請求項２４】
前記粘着層は、ＰＩ、ＢＣＢ、ＰＦＣＢ及び同様の物質で構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項１９に記載の発光ダイオード。
【請求項２５】
前記ＬＥＤスタックは、
第一接触層と、
前記第一接触層上に形成された第一クラッディング層と、
前記第一クラッディング層上に形成された発光層と、
前記発光層上に形成された第二クラッディング層と、
前記第二クラッディング層上に形成された第二接触層と、
を含むことを特徴とする請求項１９に記載の発光ダイオード。
【請求項２６】
前記第一接触層は、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、及びＡｌＧａＮで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項２５に記載の発光ダイオード。
【請求項２７】
前記第一クラッディング層は、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＩｎＮで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項２５に記載の発光ダイオード。
【請求項２８】
前記発光層は、ＡｌＧａＩｎＰ、ＩｎＧａＰ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＩｎＮで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項２５に記載の発光ダイオード。
【請求項２９】
前記第二クラッディング層は、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＩｎＮで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項２５に記載の発光ダイオード。
【請求項３０】
前記第二接触層は、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＧａＮで構成する群から選択される少なくとも一つの物質で成ることを特徴とする請求項２５に記載の発光ダイオード。