【手続補正書】
【提出日】平成19年11月15日(2007.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して形成された半導体膜と、
前記半導体膜上に形成されたソース領域およびドレイン領域と、
前記ソース領域上に形成されたソース電極と、
前記ドレイン領域上に形成されたドレイン電極と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極の少なくとも一部の端面を覆うように選択的に形成されたバリア層と、
前記ドレイン電極および前記バリア層を覆うように形成された画素電極と、を有し、
前記ソース領域の端面の少なくとも一部は、前記半導体膜の端面および前記ソース電極の端面と概略一致し、
前記ドレイン領域の端面の少なくとも一部は、前記半導体膜の端面および前記ドレイン電極の端面と概略一致することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
絶縁表面上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して形成された半導体膜と、
前記半導体膜上に形成されたソース領域およびドレイン領域と、
前記ソース領域上に形成されたソース電極と、
前記ドレイン領域上に形成されたドレイン電極と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極の少なくとも一部の端面を覆うように選択的に形成されたバリア層と、
前記ソース電極および前記バリア層を覆うように形成された透明導電膜と、
前記ドレイン電極および前記バリア層を覆うように形成された画素電極と、を有し、
前記ソース領域の端面の少なくとも一部は、前記半導体膜の端面および前記ソース電極の端面と概略一致し、
前記ドレイン領域の端面の少なくとも一部は、前記半導体膜の端面および前記ドレイン電極の端面と概略一致することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１または２において、前記画素電極は、透明導電膜からなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１または２において、前記画素電極は、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミニウム）を主成分とする導電膜またはそれらの積層膜からなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記半導体膜は、微結晶半導体であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記半導体膜は、水素とハロゲン元素を含む微結晶半導体であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記バリア層は、導電性材料からなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記バリア層は、樹脂材料からなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
絶縁表面上に組成物を選択的に吐出して、ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極を覆うようにゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上にｎ型またはｐ型を付与する不純物元素を含む第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜上に第１の導電膜を形成し、
第１のマスクを用いて前記第１の半導体膜、前記第２の半導体膜および前記第１の導電膜を選択的に除去して、前記第１の半導体膜、前記第２の半導体膜および前記第１の導電膜からなる積層膜のパターンを形成し、
前記積層膜の端面に組成物を選択的に吐出して、バリア層を形成し、
前記積層膜および前記バリア層を覆うように第２の導電膜を形成し、
第２のマスクを用いて前記第１の半導体膜の一部、前記第２の半導体膜、前記第１の導電膜および前記第２の導電膜を選択的に除去して、前記第２の半導体膜からなるソース領域およびドレイン領域と、第１の導電膜からなるソース電極およびドレイン電極と、第２の導電膜からなる画素電極とを形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１０】
絶縁表面上に組成物を選択的に吐出して、ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極を覆うようにゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上にｎ型またはｐ型を付与する不純物元素を含む第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜上に第１の導電膜を形成し、
第１のマスクを用いて前記第１の半導体膜、前記第２の半導体膜および前記第１の導電膜を選択的に除去して、前記第１の半導体膜、前記第２の半導体膜および前記第１の導電膜からなる積層膜のパターンを形成し、
前記積層膜の端面に組成物を選択的に吐出して、バリア層を形成し、
前記積層膜および前記バリア層を覆うように第２の導電膜を形成し、
第２のマスクを用いて前記第１の半導体膜の一部、前記第２の半導体膜、前記第１の導電膜および前記第２の導電膜を選択的に除去して、前記第２の半導体膜からなるソース領域およびドレイン領域と、第１の導電膜からなるソース電極およびドレイン電極と、第２の導電膜からなり、前記ソース電極および前記バリア層を覆うように形成された透明導電膜、並びに前記ドレイン電極および前記バリア層を覆うように形成された画素電極とを形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１１】
絶縁表面上に組成物を選択的に吐出して、ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極を覆うようにゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上にｎ型またはｐ型を付与する不純物元素を含む第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜上に組成物を選択的に吐出して第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜をマスクとして、前記第１の半導体膜および前記第２の半導体膜を選択的に除去して、前記第１の半導体膜、前記第２の半導体膜および前記第１の導電膜からなる積層膜のパターンを形成し、
前記積層膜の端面に組成物を選択的に吐出して、バリア層を形成し、
前記積層膜および前記バリア層を覆うように第２の導電膜を形成し、
マスクを用いて前記第１の半導体膜の一部、前記第２の半導体膜、前記第１の導電膜および前記第２の導電膜を選択的に除去して、前記第２の半導体膜からなるソース領域およびドレイン領域と、前記第１の導電膜からなるソース電極およびドレイン電極と、前記第２の導電膜からなる画素電極とを形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項９または１０において、前記第１のマスクおよび前記第２のマスクを、組成物を選択的に吐出して形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項９乃至１２のいずれか一において、前記ゲート電極を形成する組成物を吐出した後、乾燥または焼成し、その後めっきすることにより、前記ゲート電極を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項９乃至１３のいずれか一において、前記ゲート絶縁膜、前記第１の半導体膜、前記第２の半導体膜および前記第１の導電膜を形成する工程を、大気に曝すことなく連続的に形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項９乃至１４のいずれか一において、前記第２の導電膜を、組成物を選択的に吐出して形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項９乃至１５のいずれか一において、前記第１の半導体膜として、微結晶半導体を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項９乃至１５のいずれか一において、前記第１の半導体膜として、水素とハロゲン元素を含む微結晶半導体を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項９乃至１７のいずれか一において、前記バリア層を形成する組成物として、導電性材料を用いることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項９乃至１７のいずれか一において、前記バリア層を形成する組成物として、樹脂材料を用いることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。