(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形状セラミック基体の両端部に、厚膜下地導体層及び表面メッキ層からなり、表面及び内部にポーラス部分を有する外部端子電極を形成して成るチップ型電子部品において、
前記外部端子電極に、撥水性を有する部材を内部の前記ポーラス部分に含浸させ表面からは除去したことを特徴とするチップ型電子部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、積層セラミックコンデンサ、チップ抵抗器などのチップ型電子部品の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
プリント基板の表面に実装されるチップ型電子部品は、所定機能を有する誘電体積層基板や絶縁性セラミック基板の両端部に外部端子電極が夫々形成される。
【０００３】
このような外部端子電極は、導電性金属粉末とメッキ液に溶解することがない耐酸性の強いガラスフリットとを含む厚膜下地導体層用導電性ペーストを、ディップ法により基板の端部に塗布し、その後焼き付け処理を施していた。
【０００４】
その後、この下地導体層の表面に、半田食われが生じ難い材料などのＮｉメッキ層を形成していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述のように形成された外部端子電極は、表面及び内部がポーラス状態となっている。このため、湿度の高い場所に放置した場合、水分がメッキ層を介して、厚膜下地導体層に浸透している。さらに、この水分が厚膜下地導体層を介して、例えば、電子部品素体（容量内部電極層、抵抗体膜、各種導体）まで到達すると、その間での接続状態が変動してしまう。例えば、外部端子電極に電流が流れた際に、電池反応が起こり、この接続部分が腐食し、絶縁抵抗が低下するという問題があった。
【０００６】
本発明は上述の問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、外部端子電極と電子部品素体との接続信頼性の低下を防止できるチップ型電子部品を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、矩形状セラミック基体の両端部に、厚膜下地導体層及び表面メッキ層からなり、表面及び内部にポーラス部分を有する外部端子電極を形成して成るチップ型電子部品において、前記外部端子電極に、撥水性を有する部材を内部の前記ポーラス部分に含浸させ表面からは除去したことを特徴とするチップ型電子部品である。
【０００８】
【作用】
本発明のチップ型電子部品は、外部端子電極に撥水性を有する部材が含浸されているため、チップ型電子部品を湿度の高い場所に放置した場合も、外部端子電極のポーラス部分に、水分が浸入することはなく、逆に弾き返すことになる。即ち、水分が表面メッキ層、厚膜下地導体層を通って、電子部品素体に到達することがない。
【０００９】
従って、厚膜下地導体層と電子部品素体との接合部分に電流が流れても、腐食変質して絶縁抵抗が悪化することは一切ない。
【００１０】
また、撥水性を有する部材は、外部端子電極に含浸されいるだけであり、その外部端子電極の表面は、通常のチップ型電子部品と何ら変わりはなく、半田濡れ性が低下することもない。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明のチップ型電子部品を図面に基づいて詳説する。尚、説明では、誘電体積層基板の各誘電体層間に内部電極層を形成してなる積層セラミックコンデンサを用いて説明する。
【００１２】
図１はチップコンデンサの外観斜視図であり、図２は断面図であり、図３は、外部端子電極付近の拡大断面図である。
【００１３】
積層セラミックコンデンサは、複数の誘電体層１が積層して成る直方体状の積層体本体１０と、積層体本体１０の両端部に形成した外部端子電極２、３とから構成されている。
【００１４】
積層体本体１０の各誘電体層１の層間には、内部電極層１１、１２が配置されている。そして、内部電極層１１は積層体本体１の一方の端部に導出し、内部電極層１２は積層体本体１の他方の端部に導出している。
【００１５】
上述の誘電体層１は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）を主成分とする誘電体材料からなり、内部電極層１１、１２は、ＮｉやＡｇ−Ｐｄ、Ｃｕなどを主成分とした導体材料から成っている。
【００１６】
また、外部端子電極２、３は、厚膜下地導体層３１と、表面メッキ層３２とからなっている。厚膜下地導体層３１は、ＡｇやＣｕを主成分とする厚膜下地導体層用導電性ペーストをディップ法などにより塗布し、焼き付けすることにより形成される。具体的には、厚膜下地導体層用導電性ペーストは、上述の導電性金属粉末、メッキ液に溶解することがない耐酸性の強いガラスフリット、有機ビヒクルから成る。また、導電性金属材料にＣｕを用いた場合には、還元雰囲気で焼き付ける。また、表面メッキ層３２は、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｓｎを主成分とする半田食われが生じ難い材料から成っている。
【００１７】
本発明の積層セラミックコンデンサでは、前記外部端子電極２、３の内部ポーラス部分に撥水性を有する部材４が含浸されている。この撥水性を有する部材４とは、グリースなどの鉱物油を主成分として、炭化水素系有機溶剤で溶かしたものや低粘度のグリースなどが例示できる。即ち、外部端子電極２、３を構成する導電性金属粉末が粒成長などによって、金属粉末の界面間に発生するポーラス部分を充填するように配置されている。そして、外部端子電極２、３の表面には存在していない。
【００１８】
このような構造により、湿度の高い場所に放置した場合でも、水分が外部端子電極２、３に浸入することが一切ないため、外部端子電極２、３と内部電極層１１、１２との接合部分が腐食などによって変質しない。従って、実際にプリント配線基板上に積層セラミックコンデンサを実装し、この接続部分に電流が流れても、電池反応により、絶縁抵抗が悪化するということが一切なくなる。
【００１９】
また、プリント配線基板上に積層セラミックコンデンサを半田接合を行う際に、半田濡れ性が低下して、実装が不可能となるということが一切ない。
【００２０】
このような外部端子電極２、３に撥水性を有する部材４が含浸された積層セラミックコンデンサは、通常の積層セラミックコンデンサの製造方法に、最終含浸処理を行うことによって達成できる。
【００２１】
まず、通常の製造方法で得られた積層セラミックコンデンサを形成する。また、撥水性を有するグリースなどの鉱物油を炭化水素系有機溶剤で希釈して、粘度を低下させた液状体を用意する。
【００２２】
次に、容器に多数の積層セラミックコンデンサを入れ、続いて、撥水性を有するグリースなどの液状体を投入する。この時、多数の積層セラミックコンデンサが液状体で満たされるようにする。
【００２３】
次に、容器をデシケーターに入れ、真空にて１Ｈｒ放置した。この処理により、積層セラミックコンデンサの外部端子電極のポーラス部分に存在している空気が追い出されることになる。これより、空気の代わりに撥水性を有するグリースなどの液状体が浸入し、ポーラス部分は液状体で満たされる。
【００２４】
次に、くるみ粉などの充填したポリポットに、積層セラミックコンデンサを投入し、乾式除去を行うことにより、積層セラミックコンデンサの表面、即ち、外部端子電極２、３及び該外部端子電極２、３から露出する積層体本体１に付着する撥水性を有する部材を物理的にそぎ落とした。
【００２５】
ここで、湿式除去では外部端子電極２、３のポーラス部分に再度洗浄液が入り込み、その結果、撥水性を有する部材が外部端子電極２、３から染み出してくる恐れがある。これを防止するために乾式除去を行っている。
【００２６】
本発明は、含浸処理前の積層セラミックコンデンサ７５００個について、温度６５℃、湿度９０〜９５％、定格電圧印加という条件下で１２５時間放置するという高温高湿負荷試験を行った。その結果、絶縁抵抗が規格から外れた絶縁抵抗不良の個数が６４個（発生率０．８％）発生した。
【００２７】
次に、上述と同一製造ロットの積層セラミックコンデンサについて、上述の含浸処理を行い、外部端子電極２、３に撥水性を有する部材４を含浸させた。その結果、７５００個すべてが絶縁抵抗不良の発生はなかった。
【００２８】
尚、積層セラミックコンデンサの品種は、３２２５形Ｆ特性２２μＦであるが、３２１６形Ｆ特性１０μＦであっても、当初の発生率が６０個であったが、含浸処理により絶縁抵抗不良が皆無となる。即ち、外部端子電極２、３に内部に撥水性を有する部材４を含有させることにより、絶縁抵抗不良を大幅に低下させることができた。
【００２９】
次に、外部端子電極内部に上記含浸処理を行った積層セラミックコンデンサに半濡れ性良否の試験を行った。クリーム半田にてプリント基板上に設けたランド上に固定した後、熱をかけ半田を溶融するリフロー半田付けを行った際に、濡れ不良が発生する個数をロット毎（１００個）に調べた。
【００３０】
その結果、異なる３つのロットについて調べたが、不良の発生率は無かった。即ち、上記含浸処理を行った後の不要な撥水性を有する部材は乾式除去を行うことにより、外部端子電極２，３の表面から取り除かれ、半田濡れ性に何ら問題はないことがわかった。
【００３１】
次に、上記含浸処理を行った後に、再度高温高湿負荷試験を行い、撥水性を有する液状体が外部端子電極２、３から染み出さないかを試験した。その高温高湿負荷試験の経過時間は１２５〜５００時間行ったが、外部端子電極２、３の表面に撥水性を有する部材４が染み出してくることはなく、外観上は通常の積層セラミックコンデンサと何ら変わらないことがわかった。
【００３２】
かくして本発明のチップ型電子部品によれば、外部端子電極２、３のポーラス部分に、撥水性を有する部材を含浸させることにより、湿度の高い場所に放置した場合も、外部端子電極と電子部品素体との接続部分の腐食・変質が一切発生しない。
【００３３】
しかも、撥水性を有する部材４を、外部端子電極２、３に含浸させても、外観上は通常のチップ型電子部品と何ら変わりはなく、また半田濡れ性が低下することもない。しかも、この撥水性を有する部材４を含浸する積層セラミックコンデンサを長期間放置しても、撥水性を有する部材４を外部端子電極２、３に安定保持できる。
【００３４】
また、上述の撥水性を有する部材４の含浸方法が、上述のように真空雰囲気にて放置して含浸させた後、乾式除去を行うという極めて簡単な方法で達成できるため、簡単且つ安価な方法で実施できる。
【００３５】
さらに、外部端子電極２、３の表面メッキ層３２を形成した後に処理するため、例えば高温高湿負荷試験で不良になった製品の救済措置としても利用でき、メッキまでの工程が全てムダになるという生産上の問題も解決できる。
【００３６】
なお、本発明は上記の実施例では積層セラミックコンデンサを用いて説明したが、本発明の要旨を逸脱しない範囲内での種々の変更や改良等は何ら差し支えない。例えば、積層バリスタ、積層サーミスタ、チップ抵抗器など、セラミックの単板状基板、積層基板の端部に厚膜下地導体膜を有する電子部品全般に用いることができる。
【００３７】
また、撥水性を有する部材として、グリースなどの鉱物油を用いたが、一般に潤滑剤、防錆剤のように、撥水作用を有する液体状部材を用いても構わない。
【００３８】
【発明の効果】
以上のように、本発明のチップ型電子部品によれば、外部端子電極の内部のポーラス部分に撥水性を有する部材が含浸しているため、このポーラス部分に水分が浸入することを抑えることができる。これにより、外部端子電極と電子部品素体との接続状態が変化することがなく、接続信頼性が安定する。
【００３９】
また、撥水性を有する部材を外部端子電極の表面からは除去しているため、撥水性を有する部材が外部端子電極の内部のポーラス部分に含浸していない電子部品と比べて、外観上及び半田濡れ性については全く遜色がないものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかるチップ型電子部品の外観斜視図である。
【図２】本発明にかかるチップ型電子部品の断面構造図である。
【図３】本発明にかかるチップ型電子部品の外部端子電極分の拡大断面図である。
【符号の説明】
１・・・・誘電体層
２、３・・外部端子電極
３１・・・厚膜下地導体層
３２・・・表面メッキ層
４・・・・撥水性を有する部材
【図１】
0004167360.tif 000002
【図２】
0004167360.tif 000003
【図３】
0004167360.tif 000004