【手続補正書】
【提出日】平成20年10月29日(2008.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチング素子（４、５）と整流素子（６、７）とが素子間接続導体（３）を介して縦方向に積層され接合され絶縁性の樹脂により封止された半導体装置において、
前記スイッチング素子（４）のエミッタ電極形成面と前記スイッチング素子（４）に対して逆相である前記整流素子（７）のカソード電極形成面とが対面するように、もしくは、前記スイッチング素子（５）のコレクタ電極形成面と前記スイッチング素子（５）に対して逆相である前記整流素子（６）のアノード電極形成面とが対面するように、前記スイッチング素子と前記整流素子とが配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記スイッチング素子の各電極形成面のうち、前記素子間接続導体と電気的に接続されている面と反対側の面に放熱板としてのＮ側電極（２）が接続されており、前記整流素子の各電極形成面のうち、前記素子間接続導体と電気的に接続されている面と反対側の面に放熱板としてのＰ側電極（１）が接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記整流素子と前記素子間接続導体との間には第１の導体ブロック（９）が接合され、前記スイッチング素子と前記Ｎ側電極との間には第２の導体ブロック（１０）が接合されることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記素子間接続導体としての中点電極を備えており、前記中点電極の一方の面には前記スイッチング素子（４）及び前記整流素子（６）を介して放熱板としてのＰ側電極が接合され、前記中点電極の他方の面には前記スイッチング素子（５）及び前記整流素子（７）を介して放熱板としてのＮ側電極が接合されたものであって、
前記Ｐ側電極と前記中点電極の間である上相にて前記スイッチング素子（４）及び前記整流素子（６）が並列に接続されており、前記中点電極と前記Ｎ側電極の間である下相にて前記スイッチング素子（５）及び前記整流素子（７）が並列に接続されており、前記上相と前記下相の前記スイッチング素子は前記Ｐ側電極と前記Ｎ側電極との間にて前記中点電極を介して電気的に直列に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記スイッチング素子（４）及び前記整流素子（６）と前記中点電極との間には第１の導体ブロック（８、９）が接合され、前記スイッチング素子（５）及び前記整流素子（７）と前記Ｎ側電極との間には第２の導体ブロック（１０、１１）が接合されることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記Ｐ側電極及び前記Ｎ側電極において、前記スイッチング素子又は前記整流素子と接合されている面と反対側の面は前記樹脂から露出していることを特徴とする請求項２乃至５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記スイッチング素子の各電極形成面のうち、前記素子間接続導体と電気的に接続されている面と反対側の面に第１の放熱板が接続されており、前記整流素子の各電極形成面のうち、前記素子間接続導体と電気的に接続されている面と反対側の面に第２の放熱板が接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記スイッチング素子はＩＧＢＴ素子であり、前記整流素子はダイオード素子であることを特徴とする請求項１乃至７いずれか１つに記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この構造のＩＧＢＴモジュールでは、図７中の上相のＩＧＢＴ素子４およびダイオード素子６、下相のＩＧＢＴ素子５およびダイオード素子７のうち、ＩＧＢＴ素子４、５同士が素子間接続導体を介して対面し、ダイオード素子６、７同士も素子間接続導体を介して対面するように、それぞれ積層されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、スイッチング素子（４、５）と整流素子（６、７）とが素子間接続導体（３）を介して縦方向に積層され接合され絶縁性の樹脂により封止された半導体装置において、スイッチング素子（４）のエミッタ電極形成面とこのスイッチング素子（４）に対して逆相である整流素子（７）のカソード電極形成面とが対面するように、もしくは、スイッチング素子（５）のコレクタ電極形成面とこのスイッチング素子（５）に対して逆相である整流素子（６）のアノード電極形成面とが対面するように、スイッチング素子と整流素子とが配置されていることを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
請求項７に記載の発明では、スイッチング素子の各電極形成面のうち、素子間接続導体と電気的に接続されている面と反対側の面に第１の放熱板が接続されており、整流素子の各電極形成面のうち、素子間接続導体と電気的に接続されている面と反対側の面に第２の放熱板が接続されていることを特徴としている。
また、請求項２に記載の発明では、スイッチング素子の各電極形成面のうち、素子間接続導体と電気的に接続されている面と反対側の面に放熱板としてのＮ側電極が接続されており、整流素子の各電極形成面のうち、素子間接続導体と電気的に接続されている面と反対側の面に放熱板としてのＰ側電極が接続されていることを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
請求項７に記載の発明では、スイッチング素子と整流素子とを重ね合わせており、さらに、スイッチング素子および整流素子を二枚の放熱板の間に配置した構造としていることから、これら各素子に発生した熱を各放熱板から放出することができる。これにより、各素子の信頼性を向上させることができる。なお、請求項２に記載の発明においても、スイッチング素子及び整流素子を放熱板としてのＮ側電極及びＰ側電極の間に配置した構造としていることから、上記請求項７と同様の効果を奏することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
請求項３に記載の発明では、整流素子と素子間接続導体との間には第１の導体ブロック（９）が接合され、スイッチング素子とＮ側電極との間には第２の導体ブロック（１０）が接合されることを特徴としている。さらに、請求項６に記載の発明では、Ｐ側電極及びＮ側電極において、スイッチング素子又は整流素子と接合されている面と反対側の面は樹脂から露出していることを特徴としている。
それによれば、スイッチング素子や整流素子にて発生した熱を、導体ブロックを介してＰ側電極及びＮ側電極から放出することができる。
請求項４に記載の発明では、素子間接続導体としての中点電極を備えており、中点電極の一方の面にはスイッチング素子（４）及び整流素子（６）を介して放熱板としてのＰ側電極が接合され、中点電極の他方の面には前記スイッチング素子（５）及び整流素子（７）を介して放熱板としてのＮ側電極が接合されたものであって、Ｐ側電極と中点電極の間である上相にてスイッチング素子（４）及び整流素子（６）が並列に接続されており、中点電極とＮ側電極の間である下相にてスイッチング素子（５）及び整流素子（７）が並列に接続されており、上相と下相のスイッチング素子はＰ側電極とＮ側電極との間にて中点電極を介して電気的に直列に接続されていることを特徴としている。
それによれば、スイッチング素子と逆相の整流素子との間の距離を従来技術の欄に記載した各半導体装置と比較して、より顕著に短くすることができる。
請求項５に記載の発明では、スイッチング素子（４）及び整流素子（６）と中点電極との間には第１の導体ブロック（８、９）が接合され、スイッチング素子（５）及び整流素子（７）とＮ側電極との間には第２の導体ブロック（１０、１１）が接合されることを特徴としている。それによれば、上記請求項３と同様の効果を奏することができる。
具体的には、請求項８に示すように、スイッチング素子として例えばＩＧＢＴ素子を用い、整流素子として例えばダイオード素子を用いることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
本実施形態では、上記したように、上相のＩＧＢＴ素子４のエミッタ面Ｅと下相のダイオード素子７のカソード面Ｋとが中点電極３を介して対面するように、上相のＩＧＢＴ素子４および下相のダイオード７が配置されている。また、下相のＩＧＢＴ素子５のコレクタ面Ｃと上相のダイオード素子６のアノード面Ａとが中点電極３を介して対面するにように、下相のＩＧＢＴ素子５および上相のダイオード６が配置されている。