【手続補正書】
【提出日】平成20年2月26日(2008.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
４０ｎｍ〜１７０ｎｍの膜厚を有する半導体膜を備えた薄膜集積回路を複数有し、少なくとも１つの薄膜集積回路と、その他薄膜集積回路とは、形態、周波数、通信手段、及び通信法則のいずれかが異なることを特徴とする薄型半導体装置。
【請求項２】
４０ｎｍ〜１７０ｎｍの膜厚を有する半導体膜及びアンテナを備えた薄膜集積回路を複数有し、少なくとも１つの薄膜集積回路と、その他の薄膜集積回路とは、形態、周波数、通信手段、及び通信法則のいずれかが異なることを特徴とする薄型半導体装置。
【請求項３】
４０ｎｍ〜１７０ｎｍの膜厚を有する半導体膜、アンテナ、及びメモリを備えた薄膜集積回路を複数有し、少なくとも１つの薄膜集積回路と、その他の薄膜集積回路とは、形態、周波数、通信手段、及び通信法則のいずれかが異なることを特徴とする薄型半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、前記複数の薄膜集積回路は前記メモリを共有することを特徴とする薄型半導体装置。
【請求項５】
請求項３又は４において、前記メモリは、不揮発性メモリ、ＲＯＭ、マスクＲＯＭ、フラッシュメモリ、ＦＲＡＭ、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、ＤＲＡＭ、及びＳＲＡＭのいずれかであることを特徴とする薄型半導体装置。
【請求項６】
請求項２乃至５のいずれか一において、前記アンテナの長さは、前記複数の薄膜集積回路毎に異なることを特徴とする薄型半導体装置。
【請求項７】
請求項２乃至６のいずれか一において、前記アンテナは、前記半導体膜上に一体形成されていることを特徴とする薄型半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記薄膜集積回路の形態は、前記薄膜集積回路が有する中央演算装置、メモリ、アンテナのレイアウトのいずれかを含むことを特徴とする薄型半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記周波数は、サブミリ波である３００ＧＨｚ〜３ＴＨｚ、ミリ波である３０ＧＨｚ〜３００ＧＨｚ、マイクロ波である３ＧＨｚ〜３０ＧＨｚ、極超短波である３００ＭＨｚ〜３ＧＨｚ、超短波である３０ＭＨｚ〜３００ＭＨｚ、短波である３ＭＨｚ〜３０ＭＨｚ、中波である３００ＫＨｚ〜３ＭＨｚ、長波である３０ＫＨｚ〜３００ＫＨｚ、及び超長波である３ＫＨｚ〜３０ＫＨｚのいずれかであることを特徴とする薄型半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、前記通信手段は、デジタル変調方式であって、振幅変調、周波数変調、及び位相変調のいずれかであることを特徴とする薄型半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至９のいずれか一において、前記通信手段は、アナログ変調方式であって、振幅変調、周波数変調、及び位相変調のいずれかであることを特徴とする薄型半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、前記通信手段は、単方向通信、又は双方向通信であって、空間分割多重化方式、偏波面分割多重方式、周波数分割多重化方式、時分割多重化方式、符号分割多重化方式、及び直交周波数分割多重化方式のいずれかであることを特徴とする薄型半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれかに記載の前記薄型半導体装置は、カードであることを特徴とする薄型半導体装置。
【請求項１４】
４０ｎｍ〜１７０ｎｍの膜厚を有する半導体膜を備えた複数の薄膜集積回路を有する薄型半導体装置は、リーダ／ライタ装置が有する通信手段により発信された信号により、前記複数の薄膜集積回路のうち少なくとも１つの薄膜集積回路が信号を受信するアンテナと、前記受信された信号により情報が書き込まれるメモリと、前記複数の薄膜集積回路のいずれかと通信するかの情報が入力された電子鍵と、を有することを特徴とする薄型半導体装置。
【請求項１５】
４０ｎｍ〜１７０ｎｍの膜厚を有する半導体膜を備えた複数の薄膜集積回路を有する薄型半導体装置は、リーダ／ライタ装置が有する通信手段により発信された信号により、前記複数の薄膜集積回路のうち少なくとも１つの薄膜集積回路が信号を受信するアンテナと、前記受信された信号により情報が書き込まれるメモリと、前記複数の薄膜集積回路のいずれかと通信するかの情報が入力された電子鍵と、前記複数の薄膜集積回路のいずれかと通信するかを制御する制御回路と、を有することを特徴とする薄型半導体装置。
【請求項１６】
請求項１５において、前記制御回路は、前記電子鍵に基づき前記メモリへの書き込み、又は読み出しを制御することを特徴とする薄型半導体装置。
【請求項１７】
請求項１４乃至１６のいずれか一において、前記薄膜集積回路が受信する信号により、前記電子鍵は更新されることを特徴とする薄型半導体装置。
【請求項１８】
請求項１４乃至１７のいずれか一項において、前記発信する信号の周波数は、サブミリ波である３００ＧＨｚ〜３ＴＨｚ、ミリ波である３０ＧＨｚ〜３００ＧＨｚ、マイクロ波である３ＧＨｚ〜３０ＧＨｚ、極超短波である３００ＭＨｚ〜３ＧＨｚ、超短波である３０ＭＨｚ〜３００ＭＨｚ、短波である３ＭＨｚ〜３０ＭＨｚ、中波である３００ＫＨｚ〜３ＭＨｚ、長波である３０ＫＨｚ〜３００ＫＨｚ、及び超長波である３ＫＨｚ〜３０ＫＨｚのいずれかであることを特徴とする薄型半導体装置。
【請求項１９】
請求項１４乃至１８のいずれか一項において、前記通信手段は、デジタル変調方式であって、振幅変調、周波数変調、及び位相変調のいずれかであることを特徴とする薄型半導体装置。
【請求項２０】
請求項１４乃至１８のいずれか一項において、前記通信手段は、アナログ変調方式であって、振幅変調、周波数変調、及び位相変調のいずれかであることを特徴とする薄型半導体装置。
【請求項２１】
請求項１４乃至１８のいずれか一項において、前記通信手段は、単方向通信、又は双方向通信であって、空間分割多重化方式、偏波面分割多重方式、周波数分割多重化方式、時分割多重化方式、符号分割多重化方式、及び直交周波数分割多重化方式のいずれかであることを特徴とする薄型半導体装置。
【請求項２２】
４０ｎｍ〜１７０ｎｍの膜厚を有する半導体膜を備えた複数の薄膜集積回路を有する薄型半導体装置と、リーダ／ライタ装置とが通信手段により通信し、
前記複数の薄膜集積回路のうち少なくとも１つの薄膜集積回路が信号を受信することにより前記メモリに情報を書き込み、前記メモリに書き込まれた情報により前記複数の薄膜集積回路のいずれかと通信するかを決定することを特徴とする薄型半導体装置の使用方法。
【請求項２３】
４０ｎｍ〜１７０ｎｍの膜厚を有する半導体膜及びアンテナを備えた複数の薄膜集積回路を有する薄型半導体装置と、リーダ／ライタ装置とが通信手段により通信し、
前記複数の薄膜集積回路のうち少なくとも１つの薄膜集積回路が信号を受信することにより前記メモリに情報を書き込み、前記メモリに書き込まれた情報により前記複数の薄膜集積回路のいずれかと通信するかを決定することを特徴とする薄型半導体装置の使用方法。
【請求項２４】
４０ｎｍ〜１７０ｎｍの膜厚を有する半導体膜、アンテナ、及びメモリを備えた複数の薄膜集積回路を有する薄型半導体装置と、リーダ／ライタ装置とが通信手段により通信し、
前記複数の薄膜集積回路のうち少なくとも１つの薄膜集積回路が信号を受信することにより前記メモリに情報を書き込み、前記メモリに書き込まれた情報により前記複数の薄膜集積回路のいずれかと通信するかを決定することを特徴とする薄型半導体装置の使用方法。
【請求項２５】
請求項２２乃至２４のいずれか一項において、前記通信する信号の周波数は、サブミリ波である３００ＧＨｚ〜３ＴＨｚ、ミリ波である３０ＧＨｚ〜３００ＧＨｚ、マイクロ波である３ＧＨｚ〜３０ＧＨｚ、極超短波である３００ＭＨｚ〜３ＧＨｚ、超短波である３０ＭＨｚ〜３００ＭＨｚ、短波である３ＭＨｚ〜３０ＭＨｚ、中波である３００ＫＨｚ〜３ＭＨｚ、長波である３０ＫＨｚ〜３００ＫＨｚ、及び超長波である３ＫＨｚ〜３０ＫＨｚのいずれかであることを特徴とする薄型半導体装置の使用方法。
【請求項２６】
請求項２２乃至２５のいずれか一項において、前記通信手段は、デジタル変調方式であって、振幅変調、周波数変調、及び位相変調のいずれかであることを特徴とする薄型半導体装置の使用方法。
【請求項２７】
請求項２２乃至２５のいずれか一項において、前記通信手段は、アナログ変調方式であって、振幅変調、周波数変調、及び位相変調のいずれかであることを特徴とする薄型半導体装置の使用方法。
【請求項２８】
請求項２２乃至２５のいずれか一項において、前記リーダ／ライタ装置は空間分割多重化方式、偏波面分割多重方式、周波数分割多重化方式、時分割多重化方式、符号分割多重化方式、及び直交周波数分割多重化方式のいずれかの通信手段を採ることが可能であり、前記通信手段のいずれか一の通信を行うことにより、前記複数の薄膜集積回路のうち少なくとも１つの薄膜集積回路へ信号を発信することを特徴とする薄型半導体装置の使用方法。