【手続補正書】
【提出日】平成20年6月25日(2008.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定物を挟むように配置され、所定の偏光状態を有する入射光束から前記所定の偏光状態を有する第１及び第２の分割光をそれぞれが生成する２つの光束分割部、前記２つの光束分割部のうちの一方の光束分割部によって分割される第１及び第２の分割光のうちの一方の光量を検出する第１の検出部、及び、前記２つの光束分割部のうちの他方の光束分割部によって分割される第１及び第２の分割光のうちの一方の光量を検出する第２の検出部を含む光量検出部と、
前記被測定物がある場合とない場合における前記光量検出部の前記第１及び第２の検出部の検出結果の比に基づいて前記被測定物の透過率を計算する処理部と、を有することを特徴とする透過率測定装置。
【請求項２】
光源より射出された光束から所定の偏光状態を有する第１の分割光束を生成する第１の光束分割部と、
前記光束から前記所定の偏光状態を有する第２の分割光束を生成する第２の光束分割部と、
前記第１の分割光束の光量を検出する第１の検出部と、
前記第２の分割光束の光量を検出する第２の検出部とを有し、
前記第１又は第２の分割光束上に被測定物がある場合とない場合の前記第１及び第２の検出部の検出結果の差に基づいて前記被測定物の透過率を測定する透過率測定装置。
【請求項３】  
光源より射出された光束を反射及び透過することによって反射光束及び透過光束を生成する第１の光学部材と、
前記反射光束を透過して所定の偏光状態を有する第１の分割光束を生成する第２の光学部材と、
前記透過光束を反射して前記所定の偏光状態を有する第２の分割光束を生成する第３の光学部材と、
前記第１の分割光束の光量を検出する第１の検出部と、
前記第２の分割光束の光量を検出する第２の検出部とを有し、
前記第２の分割光束上に被測定物がある場合とない場合の前記第１及び第２の検出部の検出結果の差に基づいて前記被測定物の透過率を測定する透過率測定装置。
【請求項４】
光源より射出された光束を反射及び透過することによって反射光束及び透過光束を生成し、当該反射光束を所定の偏光状態を有する第１の分割光束とする第１の光学部材と、
前記透過光束を透過及び反射することによって透過光束及び反射光束を生成する第２の光学部材と、
前記第２の光学部材によって生成される透過光束を反射して前記所定の偏光状態を有する第２の分割光束を生成する第３の光学部材と、
前記第１の分割光束の光量を検出する第１の検出部と、
前記第２の分割光束の光量を検出する第２の検出部とを有し、
前記第２の分割光束上に被測定物がある場合とない場合の前記第１及び第２の検出部の検出結果の差に基づいて前記被測定物の透過率を測定する透過率測定装置。
【請求項５】
光源より射出された光束を反射及び透過することによって反射光束及び透過光束を生成し、当該反射光束を所定の偏光状態を有する第１の分割光束とする第１の光学部材と、
前記透過光束を透過及び反射することによって透過光束及び反射光束を生成する第２の光学部材と、
前記第２の光学部材によって生成される反射光束を透過して前記所定の偏光状態を有する第２の分割光束を生成する第３の光学部材と、
前記第１の分割光束の光量を検出する第１の検出部と、
前記第２の分割光束の光量を検出する第２の検出部とを有し、
前記第２の分割光束上に被測定物がある場合とない場合の前記第１及び第２の検出部の検出結果の差に基づいて前記被測定物の透過率を測定する透過率測定装置。
【請求項６】
光源より射出された光束を反射及び透過することによって反射光束及び透過光束を生成し、当該透過光束を所定の偏光状態を有する第１の分割光束とする第１の光学部材と、
前記反射光束を透過及び反射することによって透過光束及び反射光束を生成する第２の光学部材と、
前記第２の光学部材によって生成される透過光束を反射して前記所定の偏光状態を有する第２の分割光束を生成する第３の光学部材と、
前記第１の分割光束の光量を検出する第１の検出部と、
前記第２の分割光束の光量を検出する第２の検出部とを有し、
前記第２の分割光束上に被測定物がある場合とない場合の前記第１及び第２の検出部の検出結果の差に基づいて前記被測定物の透過率を測定する透過率測定装置。
【請求項７】
光源より射出された光束を反射及び透過することによって反射光束及び透過光束を生成し、当該透過光束を所定の偏光状態を有する第１の分割光束とする第１の光学部材と、
前記反射光束を透過及び反射することによって透過光束及び反射光束を生成する第２の光学部材と、
前記第２の光学部材によって生成される反射光束を透過して前記所定の偏光状態を有する第２の分割光束を生成する第３の光学部材と、
前記第１の分割光束の光量を検出する第１の検出部と、
前記第２の分割光束の光量を検出する第２の検出部とを有し、
前記第２の分割光束上に被測定物がある場合とない場合の前記第１及び第２の検出部の検出結果の差に基づいて前記被測定物の透過率を測定する透過率測定装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の一側面としての透過率測定装置は、被測定物を挟むように配置され、所定の偏光状態を有する入射光束から前記所定の偏光状態を有する第１及び第２の分割光をそれぞれが生成する２つの光束分割部、前記２つの光束分割部のうちの一方の光束分割部によって分割される第１及び第２の分割光のうちの一方の光量を検出する第１の検出部、及び、前記２つの光束分割部のうちの他方の光束分割部によって分割される第１及び第２の分割光のうちの一方の光量を検出する第２の検出部を含む光量検出部と、前記被測定物がある場合とない場合における前記光量検出部の前記第１及び第２の検出部の検出結果の比に基づいて前記被測定物の透過率を計算する処理部と、を有することを特徴とする。
また、本発明の他の側面としての透過率測定装置は、光源より射出された光束から所定の偏光状態を有する第１の分割光束を生成する第１の光束分割部と、前記光束から前記所定の偏光状態を有する第２の分割光束を生成する第２の光束分割部と、前記第１の分割光束の光量を検出する第１の検出部と、前記第２の分割光束の光量を検出する第２の検出部とを有し、前記第１又は第２の分割光束上に被測定物がある場合とない場合の前記第１及び第２の検出部の検出結果の差に基づいて前記被測定物の透過率を測定する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の他の側面としての透過率測定装置は、光源より射出された光束を反射及び透過することによって反射光束及び透過光束を生成する第１の光学部材と、前記反射光束を透過して所定の偏光状態を有する第１の分割光束を生成する第２の光学部材と、前記透過光束を反射して前記所定の偏光状態を有する第２の分割光束を生成する第３の光学部材と、前記第１の分割光束の光量を検出する第１の検出部と、前記第２の分割光束の光量を検出する第２の検出部とを有し、前記第２の分割光束上に被測定物がある場合とない場合の前記第１及び第２の検出部の検出結果の差に基づいて前記被測定物の透過率を測定する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
更に、本発明の他の側面としての透過率測定装置は、光源より射出された光束を反射及び透過することによって反射光束及び透過光束を生成し、当該反射光束を所定の偏光状態を有する第１の分割光束とする第１の光学部材と、前記透過光束を透過及び反射することによって透過光束及び反射光束を生成する第２の光学部材と、前記第２の光学部材によって生成される透過光束を反射して前記所定の偏光状態を有する第２の分割光束を生成する第３の光学部材と、前記第１の分割光束の光量を検出する第１の検出部と、前記第２の分割光束の光量を検出する第２の検出部とを有し、前記第２の分割光束上に被測定物がある場合とない場合の前記第１及び第２の検出部の検出結果の差に基づいて前記被測定物の透過率を測定する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
更に、本発明の他の側面としての透過率測定装置は、光源より射出された光束を反射及び透過することによって反射光束及び透過光束を生成し、当該反射光束を所定の偏光状態を有する第１の分割光束とする第１の光学部材と、前記透過光束を透過及び反射することによって透過光束及び反射光束を生成する第２の光学部材と、前記第２の光学部材によって生成される反射光束を透過して前記所定の偏光状態を有する第２の分割光束を生成する第３の光学部材と、前記第１の分割光束の光量を検出する第１の検出部と、前記第２の分割光束の光量を検出する第２の検出部とを有し、前記第２の分割光束上に被測定物がある場合とない場合の前記第１及び第２の検出部の検出結果の差に基づいて前記被測定物の透過率を測定する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
更に、本発明の他の側面としての透過率測定装置は、光源より射出された光束を反射及び透過することによって反射光束及び透過光束を生成し、当該透過光束を所定の偏光状態を有する第１の分割光束とする第１の光学部材と、前記反射光束を透過及び反射することによって透過光束及び反射光束を生成する第２の光学部材と、前記第２の光学部材によって生成される透過光束を反射して前記所定の偏光状態を有する第２の分割光束を生成する第３の光学部材と、前記第１の分割光束の光量を検出する第１の検出部と、前記第２の分割光束の光量を検出する第２の検出部とを有し、前記第２の分割光束上に被測定物がある場合とない場合の前記第１及び第２の検出部の検出結果の差に基づいて前記被測定物の透過率を測定する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
更に、本発明の他の側面としての透過率測定装置は、光源より射出された光束を反射及び透過することによって反射光束及び透過光束を生成し、当該透過光束を所定の偏光状態を有する第１の分割光束とする第１の光学部材と、前記反射光束を透過及び反射することによって透過光束及び反射光束を生成する第２の光学部材と、前記第２の光学部材によって生成される反射光束を透過して前記所定の偏光状態を有する第２の分割光束を生成する第３の光学部材と、前記第１の分割光束の光量を検出する第１の検出部と、前記第２の分割光束の光量を検出する第２の検出部とを有し、前記第２の分割光束上に被測定物がある場合とない場合の前記第１及び第２の検出部の検出結果の差に基づいて前記被測定物の透過率を測定する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
図８に良く示されるように、光束分割部１２０ｃは、例示的に、３枚の平行平板（第１の平行平板１２２、第２の平行平板１３０、及び第３の平行平板１３２）を有し、第２及び第３の平行平板１３０及び１３２は第１の平行平板１２２が反射した光束上に後述するような所定の限定を持って設けられる。光束分割部１２０では第１の平行平板１２２で透過した光束を被検光束としているのに対し、光束分割部１２０ｃでは第１の平行平板１２２で反射した光束を被検光束としている点が光束分割部１２０と異なっている。なお、同一の構成については同一の参照番号を引用し、特に断らない限りここでの説明は省略する。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
次に、本発明の透過率測定装置１００の動作について説明する。まず、光源１１０より光束Ｌ１が射出される。ここで、光源１１０は、例えば、エキシマレーザ等の紫外線パルスレーザである。光源１１０からの光束Ｌ１は第１の平行平板１２２によって反射及び透過され、２つの光束に分割される。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
従って、検出器１４０で検出される光量と検出器１５０で検出される光量との比Ｒは、次式で示される。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
次に、図１３及び図１４を参照して、上述の露光装置２００を利用したデバイスの製造方法の実施例を説明する。図１３は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ１（回路設計）ではデバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。ステップ３（ウェハ製造）ではシリコンなどの材料を用いてウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いてリソグラフィ技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
図１４は、ステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）ではウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）ではウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウェハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では、露光装置１によってマスクの回路パターンをウェハに露光する。ステップ１７（現像）では、露光したウェハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施例の製造方法によれば従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。このように、かかる露光装置２００を使用するデバイス製造方法、並びに結果物としてのデバイスも本発明の一側面として機能するものである。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2003014643.tif 000001