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【手続補正書】
【提出日】平成20年8月28日(2008.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固有の端末識別子を持つ複数の通信端末からなり、前記複数の通信端末のうちのいずれかが管理端末として動作し、前記管理端末以外の通信端末が一般端末として動作するネットワークの構成管理方法であって、
前記一般端末が前記一般端末と前記ネットワークに参加する他の一般端末との間の通信状態を第１の通信状態として前記管理端末に対して送信する通信状態送信ステップと、
前記管理端末が前記通信状態送信ステップにおいて送信される前記第１の通信状態を受信する通信状態受信ステップと、
前記管理端末が前記通信状態受信ステップにおいて受信される前記第１の通信状態に基づいて、前記ネットワークに参加する複数の通信端末の中から、管理端末候補を選択する管理端末候補選択ステップと、
前記管理端末が前記管理端末候補選択ステップにおける管理端末候補の選択結果を、前記管理端末候補として選択された通信端末に対して通知する管理端末候補通知ステップと、
前記管理端末候補として選択された通信端末が、前記管理端末が前記ネットワークから不在になった場合に、一般端末から管理端末としての動作に切り替わる切替ステップとを有することを特徴とするネットワークの構成管理方法。
【請求項２】
前記通信状態送信ステップは、前記一般端末が、前記一般端末と前記ネットワークに参加する他の一般端末との間の通信状態を、定期的に前記管理端末に対して送信することを特徴とする請求項１に記載のネットワークの構成管理方法。
【請求項３】
前記管理端末が、前記管理端末の通信状態である第２の通信状態を取得するステップを更に備え、
前記管理端末候補選択ステップは、前記管理端末が前記通信状態受信ステップにおいて受信される前記第１の通信状態と前記第２の通信状態とに基づいて、前記ネットワークに参加する複数の通信端末の中から、管理端末候補を選択するものであることを特徴とする請求項１または２に記載のネットワークの構成管理方法。
【請求項４】
前記管理端末候補として選択された通信端末は、前記管理端末から所定の情報が受信できなくなったことを検出し、その検出結果に基づいて、一般端末から管理端末としての動作に切り替わることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のネットワークの構成管理方法。
【請求項５】
前記管理端末候補として選択された通信端末は、前記管理端末との通信が不可能になったときに新たな管理端末としての動作に切り替わることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のネットワークの構成管理方法。
【請求項６】
固有の端末識別子を持つ複数の通信端末からなり、前記複数の通信端末のうちのいずれかが管理端末として動作し、前記管理端末以外の通信端末が一般端末として動作するネットワークの構成管理方法であって、
前記ネットワークに参加する第１の一般端末が、前記ネットワークに参加する第２および第３の一般端末間の通信状態を前記第２の一般端末から受信する通信状態受信ステップと、
前記第１の一般端末が、前記通信状態送信ステップにおいて受信される前記通信状態に基づいて、自端末が管理端末候補となり得るか否かを判断する管理端末候補可否判断ステップと、
前記第１の一般端末が、前記管理端末候補可否判断ステップにおける判断結果を前記管理端末に対して通知する一般端末判断結果通知ステップと、
前記管理端末が、前記一般端末判断結果通知ステップにおいて受信される前記判断結果に基づいて、管理端末候補を選択する管理端末候補選択ステップとを有することを特徴とするネットワークの構成管理方法。
【請求項７】
前記管理端末候補選択ステップは、前記管理端末が複数の一般端末から、前記管理端末候補可否判断ステップにおける判断結果を受信し、前記管理端末はそれら複数の一般端末における当該判断結果に基づいて、管理端末候補を選択するものであることを特徴とする請求項６に記載のネットワークの構成管理方法。
【請求項８】
前記通信状態は、各通信端末間の通信エラー率であることを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれかに記載のネットワークの構成管理方法。
【請求項９】
前記通信状態は、各通信端末間の電波の受信信号強度であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のネットワークの構成管理方法。
【請求項１０】
固有の端末識別子を持つ複数の通信端末からなり、前記複数の通信端末のうちのいずれかが管理端末として動作し、前記管理端末以外の通信端末が一般端末として動作するネットワークに参加可能な通信端末であって、
自端末と前記ネットワークに参加する他の一般端末との間の通信状態を前記管理端末に対して送信する送信部と、
前記管理端末が前記送信部から送信した前記通信状態に基づいて自端末を管理端末候補として選択した場合に、その選択結果を受信する受信部と、
前記管理端末が前記ネットワークから不在になった場合に、自端末の動作を一般端末から管理端末としての動作に切り替える切替制御部とを備えたことを特徴とする通信端末。
【請求項１１】
固有の端末識別子を持つ複数の通信端末からなり、前記複数の通信端末のうちのいずれかが管理端末として動作し、前記管理端末以外の通信端末が一般端末として動作するネットワークに参加可能な通信端末であって、
前記ネットワークに参加する自端末とは異なる第１および第２の一般端末間の通信状態を前記第１の一般端末から受信する受信部と、
受信された前記通信状態に基づいて、自端末が管理端末候補となり得るか否かを判断する判断部と、
その判断結果を前記管理端末に対して送信する送信部とを備えたことを特徴とする通信端末。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月4日(2008.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に非晶質構造を有する半導体層を形成し、
前記非晶質構造を有する半導体層に結晶化を助長する金属元素を添加し、
第１の加熱処理により前記非晶質構造を有する半導体層を結晶化することによって結晶構造を有する半導体層を形成し、
前記結晶構造を有する半導体層上に材料層を形成し、
前記結晶構造を有する半導体層及び前記材料層にＢＦ３をドーピングガスとして不純物元素を添加し、
第２の加熱処理により前記結晶構造を有する半導体層に含まれる前記金属元素を前記材料層に移動させ、
前記材料層を除去する半導体装置の作製方法であり、
前記ＢＦ３をドーピングガスとして添加する際、前記結晶構造を有する半導体層にはフッ素よりもボロンを多く添加し、前記材料層にはボロンよりもフッ素を多く添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記結晶構造を有する半導体層の形成と、前記材料層の形成の間に、前記結晶構造を有する半導体層上に酸化膜または窒化膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記材料層は、非晶質構造または結晶構造を有する半導体層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面を有する基板上に非晶質構造を有する半導体層を形成し、
前記非晶質構造を有する半導体層に結晶化を助長する金属元素を添加し、
第１の加熱処理により前記非晶質構造を有する半導体層を結晶化することによって結晶構造を有する半導体層を形成し、
前記結晶構造を有する半導体層上に絶縁層を形成し、
前記結晶構造を有する半導体層にＢＦ３をドーピングガスとして不純物元素を選択的に添加した領域を形成し、
第２の加熱処理により前記結晶構造を有する半導体層に含まれる前記金属元素を前記不純物元素を選択的に添加した領域に移動させる半導体装置の作製方法であり、
前記不純物元素を選択的に添加した領域は、前記金属元素、ボロン及びフッ素を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記金属元素はＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
次いで、図２（Ｂ）に示すように、半導体膜１０２上に材料膜１０３を形成する。材料膜１０３の材料は特に限定されないが、材料膜１０３は、後の工程で除去するため、除去する際のエッチング条件において半導体膜１０２と選択比が大きい材料を選択することが好ましい。また、材料膜１０３の材料として半導体膜１０２と同じ材料を用いる場合には、半導体膜１０２と材料膜１０３との間にエッチングストッパーとなる膜を形成すればよい。また、材料膜１０３の膜厚は、後に行われるＢＦ３ガスを用いたドーピング条件を基に決定すればよい。材料膜１０３の膜厚を調節し、半導体膜に添加されたＢの濃度が１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の濃度範囲に入るようにする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2007081327.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月16日(2008.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも酸素原子を含むガスのプラズマを用いて、被処理基板上に形成されたレジストを除去するレジスト除去方法において、
少なくとも酸素原子を含む第１のガスが用いられ、所定時点まで処理が行われる第１の工程と、
少なくとも炭素原子と酸素原子を含み、水素原子を含まない第２のガスが用いられ、前記所定時点に前記第１の工程から切り替えられて処理される第２の工程とを、有することを特徴とするレジスト除去方法。
【請求項２】
前記被処理基板上に形成されたレジストをイオン照射によって除去することを特徴とする請求項１記載のレジスト除去方法。
【請求項３】
前記第１のガスのプラズマ発光強度の経時変化を、少なくとも前記レジストから発生した水素原子の発光波長にてモニターすることにより前記所定時点を求め、前記第１の工程から前記第２の工程へ切り替える請求項１記載のレジスト除去方法。
【請求項４】
前記プラズマ発光強度が急激に増大した時点を前記所定時点として求め、前記第１の工程から前記第２の工程へ切り替える請求項３記載のレジスト除去方法。
【請求項５】
前記第２の工程の処理時間は、前記第１の工程の処理時間の２倍以下である請求項１から４のいずれかに記載のレジスト除去方法。
【請求項６】
前記第１の工程及び前記第２の工程は３Ｐａ以上７０Ｐａ以下の圧力にて行う請求項１から５のいずれかに記載のレジスト除去方法。
【請求項７】
前記第２のガスは前記第１の工程でも使用され、前記第１の工程におけるガスの濃度が前記第２の工程におけるガスの濃度より小となる請求項１から６のいずれかに記載のレジスト除去方法。
【請求項８】
少なくとも前記炭素原子を含む前記第２のガスは、一酸化炭素あるいは二酸化炭素の少なくとも一つを含む請求項１から７のいずれかに記載のレジスト除去方法。
【請求項９】
前記レジストは不純物注入によって表面に硬化層が形成される請求項１から８のいずれかに記載のレジスト除去方法。
【請求項１０】
前記第１の工程の前に前記レジストの一部が除去される請求項１から９のいずれかに記載のレジスト除去方法。
【請求項１１】
前記レジストの除去を行う処理チャンバは、前記被処理基板を載置し、所定の温度に維持するための温調機能を備えた基板戴置台と、
前記基板戴置台と前記被処理基板との距離を調節可能な基板リフト機構と、を備え、
前記第１の工程では、前記被処理基板を前記基板戴置台より所定の距離離して断熱状態にすることにより前記被処理基板の温度を前記基板戴置台よりも高い温度まで昇温し、
前記第２の工程では、前記被処理基板を前記基板戴置台に密着させて前記被処理基板から前記基板戴置台へ熱を逃がすことにより前記被処理基板の温度を前記第１の工程よりも低い温度に冷却する請求項１から１０のいずれかに記載のレジスト除去方法。
【請求項１２】
前記処理チャンバ中の雰囲気に酸素活性種を捕捉する材質が露出される請求項１から１１のいずれかに記載のレジスト除去方法。
【請求項１３】
前記処理チャンバ中の雰囲気に炭素を含むガスを放出する材質が露出される請求項１から１２のいずれかに記載のレジスト除去方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、少なくとも酸素原子を含むガスのプラズマを用いて、被処理基板上に形成されたレジストを除去するレジスト除去方法に関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
そこで、本発明は、少なくとも酸素原子を含むガスのプラズマを用いて、被処理基板上のレジストを除去し、露出した下地である酸化膜の成長を抑制するレジスト除去方法を提供すること目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の目的を達成するために本発明のレジスト除去方法は、少なくとも酸素原子を含むガスのプラズマを用いて、被処理基板上に形成されたレジストを除去するレジスト除去方法に適用されるものである。
さらに、少なくとも酸素原子を含む第１のガスが用いられ、所定時点まで処理が行われる第１の工程を有する。
さらに、少なくとも炭素原子と酸素原子を含み、水素原子を含まない第２のガスが用いられ、前記所定時点に前記第１の工程から切り換えられて処理される第２の工程とを、有することを特徴とする。
さらに、本発明のレジスト除去方法は、前記被処理基板上に形成されたレジストをイオン照射によって除去する。
さらに、本発明のレジスト除去方法は、前記第１のガスのプラズマ発光強度の経時変化を、少なくとも前記レジストから発生した水素原子の発光波長にてモニターすることにより前記所定時点を求める。これにより、前記第１の工程から前記第２の工程へ切り替える。
さらに、本発明のレジスト除去方法は、前記プラズマ発光強度が急激に増大した時点を前記所定時点として求め、前記第１の工程から前記第２の工程へ切り替える。
さらに、本発明のレジスト除去方法は、前記第２の工程の処理時間は、前記第１の工程の処理時間の２倍以下である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月9日(2008.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁体表面と、
前記第１絶縁体表面に隣接する第２絶縁体表面と、
前記第１絶縁体表面に結合された球状の半導体構造体と、
を有し、前記半導体構造体が前記第２絶縁体表面上には形成されない、半導体構造体。
【請求項２】
前記半導体構造体がシリコン・ゲルマニウムまたはゲルマニウムからなる、請求項１に記載の構造体。
【請求項３】
前記半導体構造体と前記第１絶縁体表面との間の界面に自然酸化物が存在しない、請求項１に記載の構造体。
【請求項４】
前記半導体構造体の両側面が前記第２絶縁体表面を覆って広がる、請求項１に記載の構造体。
【請求項５】
窒化物側壁スペーサと、
前記窒化物側壁スペーサに隣接し、前記窒化物側壁スペーサに対して或る角度をなすように配置された酸化物表面と、
前記窒化物側壁スペーサに結合され、前記酸化物表面上には形成されていない球状のゲルマニウム構造体と、
を有するゲルマニウム構造体。
【請求項６】
前記ゲルマニウム構造体がシリコン・ゲルマニウムまたはゲルマニウムからなる、請求項５に記載の構造体。
【請求項７】
前記球状のゲルマニウム構造体と前記窒化物側壁スペーサとの間の界面に自然酸化物が存在しない、請求項５に記載の構造体。
【請求項８】
前記ゲルマニウム構造体の側面が前記酸化物表面の上まで広がる、請求項５に記載の構造体。
【請求項９】
半導体構造体を選択的に形成する方法であって、
第２絶縁体表面に隣接する第１絶縁体表面を準備するステップと、
前記第１絶縁体表面から自然酸化物を除去するステップと、
前記第１絶縁体表面及び前記第２絶縁体表面を加熱するステップと、
前記第１絶縁体表面及び前記第２絶縁体表面を半導体含有ガスに曝すステップと、
を含む方法。
【請求項１０】
前記曝すステップの間に、半導体が前記第１絶縁体表面上にのみ形成され、前記第２絶縁体表面上には形成されない、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記半導体含有ガスがゲルマン（ＧｅＨ４）又はジクロロゲルマン（ＧｅＨ２Ｃｌ２）を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記曝すステップが、前記半導体含有ガスを約５００℃から９００℃の間のウェハ温度において１０Ｔｏｒｒから３００Ｔｏｒｒの間の圧力で供給することを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記自然酸化物を前記除去するステップが、化学的酸化物除去プロセスまたは前記自然酸化物をＨＦ及びＮＨ３ガスに曝すものであることを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記ＨＦが前記ＮＨ３の２倍の流速で供給される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
ゲルマニウム構造体を選択的に形成する方法であって、
酸化物表面に隣接する窒化物表面を準備するステップと、
前記窒化物表面から自然酸化物を無水の化学的酸化物除去プロセス中で除去するステップと、
前記窒化物表面と前記酸化物表面を加熱するステップと、
前記酸化物表面と前記窒化物表面をゲルマニウム含有ガスに曝すステップと、
を含む方法。
【請求項１６】
前記曝すステップの間に、ゲルマニウムが前記窒化物表面上にのみ形成され、前記酸化物表面上には形成されない、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
トランジスタ構造体を選択的に形成する方法であって、
第１絶縁体表面を基板上に形成するステップと、
ゲート導体構造体を前記第１絶縁体表面上にパターニングするステップと、
ソース／ドレインのエクステンション注入を前記ゲート導体構造体に隣接する前記基板の領域に行うステップと、
第２絶縁体スペーサを前記ゲート導体構造体に隣接して形成するステップと、
自然酸化物を前記第２絶縁体スペーサから除去するステップと、
前記トランジスタ構造体を加熱するステップと、
前記トランジスタ構造体を半導体含有ガスに曝して、前記第２絶縁体スペーサ上に選択的に半導体構造体を形成するステップと、
ソース及びドレインの注入を前記基板と前記ゲート導体構造体の中に行うステップと、
前記半導体構造体を除去するステップと、
を含む方法。
【請求項１８】
前記曝すステップの間に、前記半導体構造体が前記第２絶縁体スペーサ上にだけ形成され、前記第１絶縁体表面上には形成されない、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
トランジスタ構造体を選択的に形成する方法であって、
基板上に酸化物表面を形成するステップと、
前記酸化物表面の上にゲート導体構造体をパターニングするステップと、
ソース／ドレインのエクステンション注入を、前記ゲート導体構造体に隣接する前記基板の領域に行うステップと、
前記ゲート導体構造体に隣接する窒化物スペーサを形成するステップと、
前記窒化物スペーサから自然酸化物を除去するステップと、
前記トランジスタ構造体を加熱するステップと、
前記トランジスタ構造体をゲルマニウム含有ガスに曝して、前記窒化物スペーサ上にゲルマニウム構造体を選択的に形成するステップと、
ソース及びドレインの注入を前記基板及び前記ゲート導体構造体に行うステップと、
前記ゲルマニウム構造体を除去するステップと、
を含む方法。
【請求項２０】
前記曝すステップの間に、前記ゲルマニウム構造体が前記窒化物スペーサ上にだけ形成され、前記酸化物表面上には形成されない、請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月22日(2007.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板に堆積された堆積膜により形成され、高インピーダンス部と低インピーダンス部とからなる圧電体を有するトランスにおいて、
前記低インピーダンス部の一つの電極表面積が前記高インピーダンス部の一つの電極表面積よりも大きく形成されていることを特徴とする圧電薄膜積層トランス。
【請求項２】
前記低インピーダンス部の一つの電極の表面が凸凹構造により表面積を大きくするように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の圧電薄膜積層トランス。
【請求項３】
前記高インピーダンス部がフラットに形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の圧電薄膜積層トランス。
【請求項４】
前記高インピーダンス部と前記低インピーダンス部とが隣接して形成されており、
前記高インピーダンス部の圧電体が基板に形成された溝部上において浮いていることを特徴とする請求項１から３までのいずれか１項に記載の圧電薄膜トランス。
【請求項５】
前記低インピーダンス部で厚み方向に、前記高インピーダンス部で長さ方向に圧電薄膜が分極されていることを特徴とする請求項１から４までのいずれか１項に記載の圧電薄膜トランス。
【請求項６】
前記低インピーダンス部が、前記基板に設けられた絶縁膜に支持されることにより前記高インピーダンス部が前記基板から浮いた状態を維持していることを特徴とする請求項４又は５に記載の圧電薄膜トランス。
【請求項７】
基板上に犠牲層を形成する工程と、
該犠牲層上に電極を形成する工程と、
該電極の低インピーダンス部が形成される領域に凸凹構造を形成する工程と、
前記凸凹構造を含む電極上に薄膜を堆積する工程と、
該薄膜を加工して圧電体を形成する工程と
を有することを特徴とする圧電薄膜積層トランスの製造方法。
【請求項８】
前記薄膜を堆積する形成する工程は、エピタキシャル成長法を利用する工程であることを特徴とする請求項７に記載の圧電薄膜積層トランスの製造方法。
【請求項９】
基板上に電極材料堆積膜を堆積するステップと、
該電極材料堆積膜の第１の領域の表面に凹凸を形成するとともに、前記第１の領域と凹凸を形成していない第２の領域との境界における前記電極材料堆積膜を除去してスペースを形成するステップと、
下地の効果を利用して堆積膜の配向制御を行なうステップと、
圧電材料堆積膜を必要な層数だけ堆積し、前記第１の領域において下地の前記電極材料堆積膜の凸凹形状を反映させることにより凸凹形状を形成するステップと、
前記電極材料堆積と前記圧電材料堆積膜とを前記第１の領域において前記凹凸形状を保持できる条件で順次堆積するステップと
を有することを特徴とする圧電薄膜積層トランスの製造方法。
【請求項１０】
前記圧電材料堆積膜を必要な層数だけ堆積した後に、前記スぺースを絶縁膜で埋めるステップを有することを特徴とする請求項９に記載の圧電薄膜積層トランスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月29日(2008.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒューズ配線を備えた半導体装置において、前記ヒューズ配線は、開口部を横切るように配置され、前記開口部の周縁に位置する部分からその端部をヒューズ配線層の直近の上層又は下層の配線層と電気的に接続する電気的接続部までの間に腐食原因物質の侵入を遅延させる侵入経路の延長 構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ヒューズ配線は、開口部の周縁に位置する部分からその端部における電気的接続部までの配線長を、半導体装置のレイアウト制限における最小寸法の複数倍の長さにしたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
ヒューズ配線は、端部における電気的接続部をヒューズ配線の長手方向及び／又はその直交方向に複数個設けたことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
複数個の電気的接続部のうちのいずれか又はその全てをヒューズ配線層の直近の上層又は下層の配線層よりさらに上層又は下層の配線層にも電気的に接続したことを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
ヒューズ配線は、開口部の周縁に位置する部分からその端部における電気的接続部までの配線を歪曲させて配線長を延長したことを特徴とする請求項１から請求項４のうちのいずれか１項記載の半導体装置。
【請求項６】
ヒューズ配線は、開口部の周縁に位置する部分からその端部における電気的接続部までの配線を渦巻き状にして配線長を延長したことを特徴とする請求項１から請求項４のうちのいずれか１項記載の半導体装置。
【請求項７】
ヒューズ配線は、開口部の周縁に位置する部分からその端部における電気的接続部までの配線を蛇行状にして配線長を延長したことを特徴とする請求項１から請求項４のうちのいずれか１項記載の半導体装置。
【請求項８】
ヒューズ配線部と、
上記ヒューズ配線部上のパッシベーション膜に設けられ、平面視において上記ヒューズ配線部が横切るように重なった開口部とを有する半導体装置であって、
上記ヒューズ配線部の両端にそれぞれコンタクトが複数設けられることにより上記ヒューズ配線部の電気経路が形成される半導体装置。
【請求項９】
上記複数のコンタクトは、上記ヒューズ配線部の両端それぞれに、上記ヒューズ配線部の長手方向に複数設けられている請求項８の半導体装置。
【請求項１０】
上記複数のコンタクトは、上記ヒューズ配線部の両端それぞれに、上記ヒューズ配線部の長手方向の垂直方向に複数設けられている請求項８の半導体装置。
【請求項１１】
上記複数のコンタクトは、上記ヒューズ配線部の上層の配線と接続されるものである請求項８の半導体装置。
【請求項１２】
上記複数のコンタクトは、上記ヒューズ配線部の下層の配線と接続されるものである請求項８の半導体装置。
【請求項１３】
上記パッシベーション膜は酸化膜と上記酸化膜上の窒化膜で構成されており、上記ヒューズ配線部上には絶縁膜が形成されており、
上記開口部によって上記絶縁膜の上面と上記酸化膜の側面と上記窒化膜の側面とが露出されており、
上記開口部の直下に上記絶縁膜を介して上記ヒューズ配線部が設けられてい
る請求項８の半導体装置。
【請求項１４】
上記ヒューズ配線部は、上記開口部の周縁に位置する部分からその端部における電気的接続部までの配線長を、半導体装置のレイアウト制限における最小寸法の複数倍の長さにしたことを特徴とする請求項８記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
この発明の一の局面にしたがう半導体装置は、ヒューズ配線が、開口部を横切るように配置され、この開口部の周縁に位置する部分からその端部をヒューズ配線層の直近の上層又は下層の配線層と電気的に接続する電気的接続部までの間に腐食原因物質の侵入を遅延させる侵入経路の延長構造を有するものである。
この発明の他の局面にしたがう半導体装置は、ヒューズ配線部と、開口部とを有する。開口部は、ヒューズ配線部上のパッシベーション膜に設けられ、平面視においてヒューズ配線部が横切るように重なる。ヒューズ配線部の両端にそれぞれコンタクトが複数設けられることによりヒューズ配線部の電気経路が形成される。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月18日(2008.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
端子ボックスが配置される上部領域に、ダミーセルを設けたことを特徴とする請求項１ないし３いずれかに記載の太陽電池モジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
端子ボックスが配置される上部領域に位置する前記表面部材上に、印刷による遮蔽部を設けたことを特徴とする請求項１ないし４いずれかに記載の太陽電池モジュール。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記裏面部材は透光性部材で構成され、前記太陽電池パネルは両面受光型の太陽電池パネルであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の太陽電池モジュール。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、端子ボックスが配置される上部領域に、ダミーセルを設ければよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、端子ボックスが配置される上部領域に位置する前記表面部材上に、印刷による遮蔽部を設けることもできる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、端子ボックスの立ち上がり部と裏面部材の端部との間から接続線を案内して、端子ボックス内に接続線が挿入されている。従って、接続線の取り扱いが簡単になると共に、外枠との間に立ち上り部が介在するので絶縁性も向上する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
この実施形態における太陽電池モジュール１は、図３に示すように、太陽電池パネル１０の裏面側の透光性基板１３端縁近傍に端子ボックス３０が取り付けられる。端子ボックス３０の立ち上がり部分３８が外枠に近接又は当接した状態で嵌合部２２ａに太陽電池パネル１０の透光性基板１２を嵌め込み、太陽電池パネル１０の他の３辺を嵌合部２２にそれぞれ嵌め込み、シール材により固定されている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
【図１】この発明の第１の実施形態を示す太陽電池モジュールの平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線断面図である。
【図３】この発明の第１の実施形態を示す太陽電池モジュールの要部断面図である。
【図４】この発明に用いられる太陽電池パネルの接続リード部分を示す平面図である。
【図５】この発明の第１の実施形態に用いられる端子ボックスを示す分解斜視図である。
【図６】この発明の第１実施形態に用いられる端子ボックスを示す斜視図である。
【図７】太陽電池パネルに端子ボックスを取り付けられた状態を示す平面図である。
【図８】この発明の第２の実施形態を示す太陽電池モジュールの平面図である。
【図９】従来の太陽電池モジュールの要部断面図である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月8日(2008.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動画の各垂直期間に、１垂直期間よりも短い露光時間で複数の画像を撮影する撮影手段と、
前記撮影手段によって前記各垂直期間で行われる、前記複数の画像の内の少なくともいずれか１つの画像の撮影に応じて、レンズを駆動して合焦制御を行う焦点調節手段と、
前記複数の画像の内の複数の画像を、撮像装置の揺れを相殺するように互いにずらしながら重ね合わせることで、各垂直期間に１つの画像を合成する合成手段と
を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記焦点調節手段は、前記垂直期間で行われる、前記複数の画像の内の複数の画像の撮影に応じて、前記合焦制御を行うことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記焦点調節手段は、前記複数の画像それぞれの撮影が行われる度に、前記合焦制御を行うことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記焦点調節手段は、前記撮影手段により新たに撮影された画像と、前記新たに撮影された画像より先に撮影された画像との尖鋭度に基づいて、尖鋭度が高くなるように前記合焦制御を行うことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記焦点調節手段は、前記新たに撮影された画像の尖鋭度と、その直前に撮影された画像の尖鋭度とに基づいて前記合焦調節を行うことを特徴とする請求項４に記載の撮像装置。
【請求項６】
動画の各垂直期間に、１垂直期間よりも短い露光時間で複数の画像を撮影する撮影ステップと、
前記撮影ステップで前記各垂直期間で行われる前記複数の画像の内、少なくともいずれか１つの画像の撮影に応じて、レンズを駆動して合焦制御を行う焦点調節ステップと、
前記複数の画像の内の複数の画像を、撮像装置の揺れを相殺するように互いにずらしながら重ね合わせることで、各垂直期間に１つの画像を合成する合成ステップと
を有することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記目的を達成するために、本発明の撮像装置は、動画の各垂直期間に、１垂直期間よりも短い露光時間で複数の画像を撮影する撮影手段と、前記撮影手段によって前記各垂直期間で行われる、前記複数の画像の内の少なくともいずれか１つの画像の撮影に応じて、レンズを駆動して合焦制御を行う焦点調節手段と、前記複数の画像の内の複数の画像を、撮像装置の揺れを相殺するように互いにずらしながら重ね合わせることで、各垂直期間に１つの画像を合成する合成手段とを有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明の撮像装置の制御方法は、動画の各垂直期間に、１垂直期間よりも短い露光時間で複数の画像を撮影する撮影ステップと、前記撮影ステップで前記各垂直期間で行われる前記複数の画像の内、少なくともいずれか１つの画像の撮影に応じて、レンズを駆動して合焦制御を行う焦点調節ステップと、前記複数の画像の内の複数の画像を、撮像装置の揺れを相殺するように互いにずらしながら重ね合わせることで、各垂直期間に１つの画像を合成する合成ステップとを有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
１垂直期間に得られた短秒時画像（ＩＭ１〜ＩＭ４）が画像メモリ３に揃うと、座標変換回路４は（ｇ）に示すタイミングで画像メモリ３に記憶された短秒時画像（ＩＭ１〜ＩＭ４）を読み出す。更に、揺れ補正量メモリ１０から揺れ補正量を取得して、短秒時画像（ＩＭ１〜ＩＭ４）間のずれを相殺するように二次元座標を変換する。そして、画像合成回路５において、座標変換された短秒時画像（ＩＭ１〜ＩＭ４）の所望領域を切り出して加算することで画像合成処理を行い、垂直期間画像を出力する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月8日(2008.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子署名の生成依頼をユーザ端末から受け付ける要求受付手段と、
前記ユーザ端末を認証する要求端末認証手段と、
前記ユーザ端末を介して前記生成依頼を行ったユーザを認証するユーザ認証手段と、
前記要求端末認証手段と前記ユーザ認証手段とにおける認証結果に基づき、前記生成依頼に対する回答を前記ユーザ端末に通知する通知手段と、
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記生成依頼に基づき、データベースに格納された秘密鍵を探索する探索手段と、
署名対象電子文書を前記ユーザ端末から受信する受信手段と、
前記秘密鍵を利用して前記署名対象電子文書の前記電子署名を生成する署名生成手段と、
前記電子署名を前記ユーザ端末に送信する送信手段と
を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記データベースは、前記秘密鍵と、該秘密鍵のユーザを識別する複数の識別子とを互いに関連づけて格納し、
前記探索手段は、前記生成依頼に含まれた前記複数の識別子のうちの第１の識別子と関連づけられた秘密鍵を探索し、前記ユーザ認証手段は、前記第１の識別子と関連づけられた秘密鍵が前記データベースに格納されている場合に、前記ユーザを正当なユーザと認証することを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記通知手段は、前記要求端末認証手段により前記ユーザ端末が正当な端末と認証され、かつ、前記ユーザ認証手段により前記ユーザが正当なユーザと認証された場合に、前記回答に前記複数の識別子のうち第２の識別子を含めて前記通知を行うことを特徴とする請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記通知手段は、前記要求端末認証手段により前記ユーザ端末が正当な端末と認証されない場合、或いは、前記ユーザ認証手段により前記ユーザが正当なユーザと認証されない場合に、前記回答には前記複数の識別子のいずれも含めることなく前記通知を行うことを特徴とする請求項３又は４に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記受信手段は、前記秘密鍵を指定するための情報を更に受信し、
前記署名生成手段は、該受信した情報が前記複数の識別子のうち第３の識別子に一致するか否かを判定し、該第３の識別子に一致すると判定された場合に、前記電子署名の生成を行うことを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記受信手段は、前記電子署名の生成依頼と併せて前記署名対象電子文書を受信し、
前記送信手段は、前記回答の通知と併せて前記電子署名を送信する場合に、前記電子署名を暗号化して送信することを特徴とする請求項２乃至６のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記通知手段は、前記回答を、前記生成依頼を受け付けた第１のユーザ端末とは異なる第２のユーザ端末に送信することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記第１乃至第３の識別子は同一の識別子であることを特徴とする請求項８に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
電子署名の生成依頼をユーザ端末から受け付ける要求受付工程と、
前記ユーザ端末を認証する要求端末認証工程と、
前記ユーザ端末を介して前記生成依頼を行ったユーザを認証するユーザ認証工程と、
前記要求端末認証工程と前記ユーザ認証工程とにおける認証結果に基づき、前記生成依頼に対する回答を前記ユーザ端末に通知する通知工程と、
を備えることを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項１１】
前記生成依頼に基づき、データベースに格納された秘密鍵を探索する探索工程と、
署名対象電子文書を前記ユーザ端末から受信する受信工程と、
前記秘密鍵を利用して前記署名対象電子文書の前記電子署名を生成する署名生成工程と、
前記電子署名を前記ユーザ端末に送信する送信工程と
を更に備えることを特徴とする請求項１０に記載の情報処理装置の制御方法。
【請求項１２】
前記データベースは、前記秘密鍵と、該秘密鍵のユーザを識別する複数の識別子とを互いに関連づけて格納し、
前記探索工程では、前記生成依頼に含まれた前記複数の識別子のうちの第１の識別子と関連づけられた秘密鍵を探索し、前記ユーザ認証工程では、前記第１の識別子と関連づけられた秘密鍵が前記データベースに格納されている場合に、前記ユーザを正当なユーザと認証することを特徴とする請求項１１に記載の情報処理装置の制御方法。
【請求項１３】
前記通知工程では、前記要求端末認証工程において前記ユーザ端末が正当な端末と認証され、かつ、前記ユーザ認証工程において前記ユーザが正当なユーザと認証された場合に、前記回答に前記複数の識別子のうち第２の識別子を含めて前記通知を行うことを特徴とする請求項１２に記載の情報処理装置の制御方法。
【請求項１４】
前記通知工程では、前記要求端末認証工程において前記ユーザ端末が正当な端末と認証されない場合、或いは、前記ユーザ認証工程において前記ユーザが正当なユーザと認証されない場合に、前記回答には前記複数の識別子のいずれも含めることなく前記通知を行うことを特徴とする請求項１２又は１３に記載の情報処理装置の制御方法。
【請求項１５】
前記受信工程では、前記秘密鍵を指定するための情報を更に受信し、
前記署名生成工程では、該受信した情報が前記複数の識別子のうち第３の識別子に一致するか否かが判定され、該第３の識別子に一致すると判定された場合に、前記電子署名の生成が行われることを特徴とする請求項１１乃至１４のいずれか１項に記載の情報処理装置の制御方法。
【請求項１６】
請求項１０乃至１５のいずれか１項に記載の方法をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラム。
【請求項１７】
請求項１６に記載のコンピュータプログラムを格納したコンピュータで読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月18日(2008.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
指の接触を検出する接触検出部と、マイクと、該マイクと接続されたミュート回路と、前記接触検出部が指の接触を検出したと判定すると、前記マイクから入力された音声にミュートをかけるように前記ミュート回路を制御する制御部と、を有することを特徴とする通信装置。
【請求項２】
指の接触を検出する接触検出部と、マイクと、該マイクと接続されたミュート回路と、前記接触検出部が指の接触の検出に基づいて、前記マイクから入力された音声にミュートをかける又は解除するように前記ミュート回路を制御する制御部と、を有することを特徴とする通信装置。
【請求項３】
指の接触を検出する接触検出部と、マイクと、該マイクと接続されたミュート回路と、前記接触検出部が指の接触を検出したと判定している間は、前記マイクから入力された音声にミュートをかけ、前記接触検出部が指の接触を検出しなくなると、音声のミュートを解除するように前記ミュート回路を制御する制御部と、を有することを特徴とする通信装置。
【請求項４】
キー操作部と、指の接触を検出する接触検出部と、マイクと、該マイクと接続されたミュート回路と、前記接触検出部が指の接触を検出したと判定すると、前記マイクから入力された音声にミュートをかけるように前記ミュート回路を制御し、音声のミュート中に前記キー操作部からの操作があると判定すると、音声のミュートを解除するように前記ミュート回路を制御する制御部と、を有することを特徴とする通信装置。
【請求項５】
請求項１〜４記載の通信装置であり、前記接触検出部は、複数の、指の接触を検出する部位から構成され、前記制御部は、前記複数の部位全てに指が接触したと判定すると、前記マイクから入力された音声にミュートをかけるように前記ミュート回路を制御することを特徴とする通信装置。
【請求項６】
請求項１〜５記載の通信装置であり、前記接触検出部は、ユーザが前記マイクに指で触れた際に、指が接触する位置に配置されていることを特徴とする通信装置。
【請求項７】
請求項６記載の通信装置であり、前記接触検出部は、前記マイクと一体形成されていることを特徴とする通信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】通信装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は通信装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明はこのような課題を解決するためのものであり、請求項１記載の通信装置は、指の接触を検出する接触検出部と、マイクと、該マイクと接続されたミュート回路と、前記接触検出部が指の接触を検出したと判定すると、前記マイクから入力された音声にミュートをかけるように前記ミュート回路を制御する制御部と、を有することを特徴とする。
請求項２に記載の通信装置は、指の接触を検出する接触検出部と、マイクと、該マイクと接続されたミュート回路と、前記接触検出部が指の接触の検出に基づいて、前記マイクから入力された音声にミュートをかける又は解除するように前記ミュート回路を制御する制御部と、を有することを特徴とする。
請求項３に記載の通信装置は、指の接触を検出する接触検出部と、マイクと、該マイクと接続されたミュート回路と、前記接触検出部が指の接触を検出したと判定している間は、前記マイクから入力された音声にミュートをかけ、前記接触検出部が指の接触を検出しなくなると、音声のミュートを解除するように前記ミュート回路を制御する制御部と、を有することを特徴とする
請求項４に記載の通信装置は、キー操作部と、指の接触を検出する接触検出部と、マイクと、該マイクと接続されたミュート回路と、前記接触検出部が指の接触を検出したと判定すると、前記マイクから入力された音声にミュートをかけるように前記ミュート回路を制御し、音声のミュート中に前記キー操作部からの操作があると判定すると、音声のミュートを解除するように前記ミュート回路を制御する制御部と、を有することを特徴とする。請求項５に記載の通信装置は、請求項１〜４記載の通信装置であり、前記接触検出部は、複数の、指の接触を検出する部位から構成され、前記制御部は、前記複数の部位全てに指が接触したと判定すると、前記マイクから入力された音声にミュートをかけるように前記ミュート回路を制御することを特徴とする。
請求項６に記載の通信装置は、請求項１〜５記載の通信装置であり、前記接触検出部は、ユーザが前記マイクに指で触れた際に、指が接触する位置に配置されていることを特徴とする。
請求項７に記載の通信装置は、請求項６記載の通信装置であり、前記接触検出部は、前記マイクと一体形成されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月19日(2008.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
しかし、受信側が返送するＡｃｋについてデータリンク層での欠落が発生すると、デー
タリンク層は、欠落となったＡｃｋ以降に届いたＡｃｋを一旦蓄積し、欠落となったＡｃ
ｋが再送されて届いた後に蓄積していたＡｃｋと共にＴＣＰ ｌａｙｅｒへＡｃｋを渡す。ＴＣＰ ｌａｙｅｒはＡｃｋの受信に同期してデータをネットワークへ送り出すが、複数のＡｃｋが短時間に到着するとデータユニットの送信速度をネットワークの速度に合わせるＡｃｋクロッキングが働かなくなり、ネットワークに過剰な速度でデータを送り出すことになる。この結果、ネットワーク中のルータのキューがあふれ、データユニットの損出の発生する確率が高くなる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月16日(2008.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体の特徴を示す第１の特徴量を記憶する記憶手段と、
撮影レンズによって結像される被写体像を光電変換して撮影画像を得る撮像手段と、
前記撮像手段により得られた撮影画像から、被写体の特徴量を抽出する抽出手段と、
前記抽出手段により、前記第１の特徴量の少なくとも１つが抽出された撮影画像から、或いは、前記第１の特徴量の少なくとも１つが抽出された撮影画像に関連付けられた他の情報から抽出された新たな第２の特徴量を、該抽出された第１の特徴量に関連付けて前記記憶手段に記憶させる付加手段と
を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記付加手段は、前記抽出手段により、前記第１の特徴量の少なくとも１つが抽出されたときに、前記撮像手段により得られた撮影画像に前記第１の特徴量に応じた被写体に関する情報を付加することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記付加手段は、前記抽出手段により、前記記憶手段により記憶された第２の特徴量の少なくとも１つが抽出されたときに、前記第１の特徴量が抽出されなくとも、前記撮像手段により得られた撮影画像に前記第１の特徴量に応じた被写体に関する情報を付加することを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記付加手段は、前記抽出手段により、前記第２の特徴量のうち少なくとも１つが抽出された撮影画像から、或いは、前記第２の特徴量の少なくとも１つが抽出された撮影画像に関連付けられた他の情報から新たな第３の特徴量が抽出された場合に、前記第１の特徴量が抽出されなくとも、該第３の特徴量を該抽出された第１の特徴量に関連付けて前記記憶手段に記憶させることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記撮像手段により得られた画像から被写体の顔領域を検出する顔検出手段を備え、
前記抽出手段は、前記顔検出手段により検出された顔領域から被写体の特徴量を抽出することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記撮像手段により得られた画像から被写体の情報を示す文字パターンを検出する文字情報検出手段を備え、前記抽出手段は、前記顔検出手段により検出された文字パターンから被写体の特徴量を抽出することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記文字情報検出手段により検出された文字情報を、テキストデータに変換する変換手段を備え、
前記抽出手段は、前記変換手段により変換されたテキストデータを特徴量として抽出することを特徴とする請求項６に記載の撮像装置。
【請求項８】
音声を受信する音声受信手段を備え、
前記抽出手段は、前記音声受信手段により受信した音声から特徴量を抽出することを特徴とする請求項１乃至４記載の撮像装置。
【請求項９】
通信回線を通じて外部と通信する通信手段と、
被写体に関する情報を受信する被写体情報受信手段を備え、
前記第１の記憶手段は、前記被写体情報受信手段により受信した情報に基づき、特徴量を記憶することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記被写体情報受信手段により受信される情報は、テキストデータであることを特徴とする請求項９に記載の撮像装置。
【請求項１１】
撮像手段により得られた撮影画像から、被写体の特徴量を抽出する抽出工程と、
前記抽出工程により、被写体の特徴を示す第１の特徴量の少なくとも１つが抽出された撮影画像から、或いは、前記第１の特徴量の少なくとも１つが抽出された撮影画像に関連付けられた情報から抽出された新たな第２の特徴量を、該抽出された第１の特徴量に関連付けて記憶手段に記憶させる付加工程
を備えることを特徴とする撮像方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明は、被写体の特徴を示す第１の特徴量を記憶する記憶手段と、
撮影レンズによって結像される被写体像を光電変換して撮影画像を得る撮像手段と、
前記撮像手段により得られた撮影画像から、被写体の特徴量を抽出する抽出手段と、
前記抽出手段により、前記第１の特徴量の少なくとも１つが抽出された撮影画像から、或いは、前記第１の特徴量の少なくとも１つが抽出された撮影画像に関連付けられた他の情報から抽出された新たな第２の特徴量を、該抽出された第１の特徴量に関連付けて前記記憶手段に記憶させる付加手段と
を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月16日(2008.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カラーマッチング処理を行う画像処理装置であって、画像を複数の領域に分けてそれぞれの領域に応じた環境光情報を入力する入力手段と、入力された環境光情報に基づき、画像上の注目画素に対してカラーマッチングを行う処理手段とを有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記入力手段は、環境光情報を計測する計測手段を有することを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項３】
カラーマッチング処理を行う画像処理方法であって、画像を複数の領域に分けてそれぞれの領域に応じた環境光情報を入力する入力工程と、入力された環境光情報に基づき、画像上の注目画素に対してカラーマッチングを行う処理工程とを有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項４】
前記入力工程は、環境光情報を計測する計測手段によって計測された取得することを特徴とする請求項３記載の画像処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月4日(2008.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記対照表参照手段が一の画素値に対応する対照表を参照した後、前記一の画素値と同じ値の画素値の対照表への参照を禁止する参照禁止手段を備え、
前記参照結果保存手段は、前記一の画素値の参照の結果を、前記対照表への参照が禁止された画素値の参照の結果として保存することを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
このような発明によれば、位置データに対応する各画素の値を取得して保存することができる。また、保存されている画素値に対応する対照表を参照することから、位置データから間接的に対照表を参照することができる。このため、画素値と画素値に対応する値との関係を示す対照表にあっても対照表を参照することができる。
また、本発明の画像処理装置は、前記対照表参照手段が一の画素値に対応する対照表を参照した後、前記一の画素値と同じ値の画素値の対照表への参照を禁止する参照禁止手段を備え、前記参照結果保存手段は、前記一の画素値の参照の結果を、前記対照表への参照が禁止された画素値の参照の結果として保存することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
さらに、コプロセッサ２６は、条件判断部７０及び比較器７１を備えている。条件判断部７０は、画像処理の条件を判断してベクトルレジスタ６９のＬＵＴへのアクセスを制御するものであって、画像処理の条件とは、例えばループの有無や回数、画素ブロックに含まれる画素数をいう。
また、比較器７１は、ベクトルレジスタ６９がＬＵＴに対照（参照）される画素値を比較している。そして、連続して、あるいは比較的短期間のうちに同じ値の画素値がＬＵＴに対照される場合、同じ値の画素値が対照されることをベクトル命令制御部７２に通知する。ベクトル命令制御部７２は、この通知を受け、先にＬＵＴに参照された画素値と同じ値の画素値のＬＵＴへの参照を禁止する。また、ベクトル命令制御部７２は、先に参照された画素値の参照結果を、参照が禁止された画素値の参照の結果としてベクトルレジスタ６９ｃに保存するようにベクトルレジスタ６９を制御する。