【手続補正書】
【提出日】平成20年9月18日(2008.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３．７又はそれ未満の誘電率、
１５ＧＰａ又はそれよりも大きい標準化壁体弾性率（Ｅｏ′）、及び
５００ｐｐｍ又はそれ未満の金属不純物レベル、
を有し、且つ前記標準化壁体弾性率（Ｅｏ′）が下記の式で表される、シリカ含有低誘電率材料：
【数１】
2006229201.tif 000001
（Ｅ＝測定される弾性率、ν＝０．２５、ｑｃ＝０．９０６９、ｍ＝１．５、ｑＩ＝１／３、θ＝−１．８３、α＝−０．２５１、且つ
【数２】
2006229201.tif 000002
（ｋＳｉＯ２＝４．２、ｋ＝測定される誘電率））。
【請求項２】
１．９５未満の誘電率、及び
２６ＧＰａを超える標準化壁体弾性率（Ｅｏ′）、
を有し、且つ前記標準化壁体弾性率（Ｅｏ′）が下記の式で表される、シリカ含有低誘電率材料：
【数３】
2006229201.tif 000003
（Ｅ＝測定される弾性率、ν＝０．２５、ｑｃ＝０．９０６９、ｍ＝１．５、ｑＩ＝１／３、θ＝−１．８３、α＝−０．２５１、且つ
【数４】
2006229201.tif 000004
（ｋＳｉＯ２＝４．２、ｋ＝測定される誘電率））。
【請求項３】
２．０又はそれ未満の誘電率、
５ＧＰａ〜１５ＧＰａの範囲の標準化壁体弾性率（Ｅｏ′）、及び
５００ｐｐｍ又はそれ未満の金属不純物レベル、
を有し、且つ前記標準化壁体弾性率（Ｅｏ′）が下記の式で表される、シリカ含有低誘電率材料：
【数５】
2006229201.tif 000005
（Ｅ＝測定される弾性率、ν＝０．２５、ｑｃ＝０．９０６９、ｍ＝１．５、ｑＩ＝１／３、θ＝−１．８３、α＝−０．２５１、且つ
【数６】
2006229201.tif 000006
（ｋＳｉＯ２＝４．２、ｋ＝測定される誘電率））。
【請求項４】
前記誘電率が２．７又はそれ未満である、請求項１に記載の材料。
【請求項５】
前記誘電率が２．４又はそれ未満である、請求項４に記載の材料。
【請求項６】
前記誘電率が２．１又はそれ未満である、請求項５に記載の材料。
【請求項７】
前記誘電率が１．９又はそれ未満である、請求項２、３又は６に記載の材料。
【請求項８】
前記誘電率が１．７又はそれ未満である、請求項７に記載の材料。
【請求項９】
前記標準化壁体弾性率が１０ＧＰａ〜１５ＧＰａである、請求項３に記載の材料。
【請求項１０】
前記標準化壁体弾性率が１７ＧＰａ又はそれよりも大きい、請求項１に記載の材料。
【請求項１１】
前記標準化壁体弾性率が２０ＧＰａ又はそれよりも大きい、請求項１０に記載の材料。
【請求項１２】
前記材料が少なくとも１種類のシリカを含む、請求項１、２又は３に記載の材料。
【請求項１３】
前記材料の回折パターンが、１０Åを超えるｄ−間隔での回折ピークを示さない、請求項１２に記載の材料。
【請求項１４】
前記材料の回折パターンが、回折ピークを示す、請求項１２に記載の材料。
【請求項１５】
前記材料が複数のＳｉ−Ｃ結合を含む、請求項１２に記載の材料。
【請求項１６】
Ｓｉ原子の総数に対するＳｉ−Ｃ結合の総数の比が、２０〜８０モル％である、請求項１５に記載の材料。
【請求項１７】
Ｓｉ原子の総数に対するＳｉ−Ｃ結合の総数の比が、４０〜６０モル％である、請求項１６に記載の材料。
【請求項１８】
前記材料が多孔性である、請求項１、２又は３に記載の材料。
【請求項１９】
前記材料がメソ多孔性である、請求項１８に記載の材料。
【請求項２０】
前記材料が１０〜９０％の気孔率を有する、請求項１８に記載の材料。
【請求項２１】
前記材料が４０〜８５％の気孔率を有する、請求項１８に記載の材料。
【請求項２２】
前記材料の金属不純物レベルが５００ｐｐｍ又はそれ未満である、請求項２に記載の材料。
【請求項２３】
前記金属不純物レベルが１００ｐｐｂ又はそれ未満である、請求項１、２又は３に記載の材料。
【請求項２４】
前記金属不純物レベルが１０ｐｐｂ又はそれ未満である、請求項２３に記載の材料。
【請求項２５】
請求項１、２又は３に記載の材料を含む低誘電率膜。
【請求項２６】
厚さが０．０５〜２．０μｍである、請求項２５に記載の膜。
【請求項２７】
３．７又はそれ未満の誘電率、及び１５ＧＰａ又はそれよりも大きい標準化壁体弾性率（Ｅｏ′）を有するシリカ含有低誘電率膜を形成する方法であって、
少なくとも１種類のシリカ源の加水分解及び縮合で得られる生成物と少なくとも１種類の気孔源とを含む混合物であって、金属不純物が５００ｐｐｍ又はそれ未満である混合物を提供する工程、
前記混合物を基材上に適用して、コーティングされた基材を形成する工程、及び
前記コーティングされた基材を、誘電膜を形成するのに十分な時間にわたって１又は複数の温度にして、硬化させる工程、
を含み、且つ前記標準化壁体弾性率（Ｅｏ′）が下記の式で表される、シリカ含有低誘電率膜を形成する方法：
【数７】
2006229201.tif 000007
（Ｅ＝測定される弾性率、ν＝０．２５、ｑｃ＝０．９０６９、ｍ＝１．５、ｑＩ＝１／３、θ＝−１．８３、α＝−０．２５１、且つ
【数８】
2006229201.tif 000008
（ｋＳｉＯ２＝４．２、ｋ＝測定される誘電率））。
【請求項２８】
３．７又はそれ未満の誘電率、及び１５ＧＰａ又はそれよりも大きい標準化壁体弾性率（Ｅｏ′）を有するシリカ含有低誘電率膜を形成する方法であって、
少なくとも１種類のシリカ源の加水分解及び縮合で得られる生成物と少なくとも１種類の気孔源とを含む混合物を提供する工程、
前記混合物を基材上に適用して、コーティングされた基材を形成する工程、及び
前記コーティングされた基材を、誘電膜を形成するのに十分な時間にわたって、４５０℃以下の１又は複数の温度にして硬化させる工程、
を含み、且つ前記標準化壁体弾性率（Ｅｏ′）が下記の式で表される、シリカ含有低誘電率膜を形成する方法：
【数９】
2006229201.tif 000009
（Ｅ＝測定される弾性率、ν＝０．２５、ｑｃ＝０．９０６９、ｍ＝１．５、ｑＩ＝１／３、θ＝−１．８３、α＝−０．２５１、且つ
【数１０】
2006229201.tif 000010
（ｋＳｉＯ２＝４．２、ｋ＝測定される誘電率））。
【請求項２９】
２．０又はそれ未満の誘電率、及び５ＧＰａ〜１５ＧＰａの範囲の標準化壁体弾性率（Ｅｏ′）を有するシリカ含有低誘電率膜を形成する方法であって、
少なくとも１種類のシリカ源の加水分解及び縮合で得られる生成物と少なくとも１種類の気孔源とを含む混合物を提供する工程、
前記混合物を基材上に適用して、コーティングされた基材を形成する工程、及び
前記コーティングされた基材を、誘電膜を形成するのに十分な時間にわたって１又は複数の温度にして硬化させる工程、
を含み、且つ前記標準化壁体弾性率（Ｅｏ′）が下記の式で表される、シリカ含有低誘電率膜を形成する方法：
【数１１】
2006229201.tif 000011
（Ｅ＝測定される弾性率、ν＝０．２５、ｑｃ＝０．９０６９、ｍ＝１．５、ｑＩ＝１／３、θ＝−１．８３、α＝−０．２５１、且つ
【数１２】
2006229201.tif 000012
（ｋＳｉＯ２＝４．２、ｋ＝測定される誘電率））。
【請求項３０】
前記気孔源が、不安定な有機基、溶剤、熱分解性ポリマー、界面活性剤、デンドリマー、多分枝型ポリマー、ポリオキシアルキレン化合物、小さな分子、又はその組合せからなる群から選択される、請求項２７、２８又は２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記気孔源が、ポリオキシアルキレン非イオン性界面活性剤、ポリオキシアルキレンポリマー、ポリオキシアルキレンコポリマー、ポリオキシアルキレンオリゴマー、又はその組合せからなるポリオキシアルキレン化合物の群から選択される、請求項３１に記載の方法。
【請求項３２】
前記少なくとも１種類のシリカ源が、下記の（ｉ）〜（ｉｉｉ）のいずれか又はその組合せによって表される化合物の群から選択される、請求項２７、２８又は２９に記載の方法：
（ｉ）ＲａＳｉ（ＯＲ１）４−ａ
（Ｒが水素原子、フッ素原子、又は一価の有機基を表し、Ｒ１が一価の有機基を表し、ａが１又は２の整数である）、
（ｉｉ）Ｓｉ（ＯＲ２）４
（Ｒ２が一価の有機基を表す）、
（ｉｉｉ）Ｒ３ｂ（Ｒ４Ｏ）３−ｂＳｉ−（Ｒ７）ｄ−Ｓｉ（ＯＲ５）３−ｃＲ６ｃ
（Ｒ３〜Ｒ６が同じでも異なっていてもよく、それぞれが一価の有機基を表し、ｂ及びｃが同じでも異なっていてもよく、それぞれが０〜２の数であり、Ｒ７が酸素原子、フェニレン基、又は−（ＣＨ２）ｎ−（ここでｎは１〜６の整数）によって表される基であり、ｄが０又は１である）。
【請求項３３】
前記混合物が更に触媒を含む、請求項２７、２８又は２９に記載の方法。
【請求項３４】
前記混合物が更に界面活性剤を含む、請求項２７、２８又は２９に記載の方法。
【請求項３５】
前記混合物が更に溶剤を含む、請求項２７、２８又は２９に記載の方法。
【請求項３６】
前記硬化工程を４５０℃以下の温度で行う、請求項２７、２８又は２９に記載の方法。
【請求項３７】
前記硬化工程を４００℃以下の温度で行う、請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
前記硬化工程を３０分以下の時間にわたって行う、請求項２７、２８又は２９に記載の方法。
【請求項３９】
前記硬化工程を１５分以下の時間にわたって行う、請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】
前記硬化工程を６分以下の時間にわたって行う、請求項３９に記載の方法。
【請求項４１】
前記適用工程が非接触誘導展着力を伴う、請求項２７、２８又は２９に記載の方法。
【請求項４２】
前記適用工程がスピンコーティングを伴う、請求項４１に記載の方法。
【請求項４３】
前記適用工程が、振動による非接触誘導展着力、重力誘導展着力、湿潤誘導展着力、又はその組合せからなる群から選択される１又は複数の方法を伴う、請求項２７、２８又は２９に記載の方法。
【請求項４４】
前記混合物の金属不純物含有量が１００ｐｐｂ又はそれ未満である、請求項２７、２８又は２９に記載の方法。
【請求項４５】
前記混合物の金属不純物含有量が１０ｐｐｂ又はそれ未満である、請求項４４に記載の方法。
【請求項４６】
前記混合物が更にイオン性添加剤を含む、請求項２７、２８又は２９に記載の方法。
【請求項４７】
請求項２７、２８又は２９に記載の方法によって形成される膜。
【請求項４８】
前記膜の金属不純物含有量が５００ｐｐｍ又はそれ未満である、請求項４７に記載の方法。