【手続補正書】
【提出日】平成19年11月30日(2007.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  はんだ材料を用いて電子部品を基板に接合するフローはんだ付け方法であって、
（ａ）予熱された基板を、加熱手段を用いて、基板の上面である第１面側から少なくとも部分的に更に加熱する工程、および
（ｂ）溶融したはんだ材料を噴流の形態で、基板の下面である第２面側から基板に供給する工程であって、工程（ａ）により加熱手段を用いて基板を更に加熱し始めてから所定の時間内にはんだ材料を基板に接触させて供給する工程
を含む方法。
【請求項２】  工程（ａ）が、工程（ｂ）によりはんだ材料を基板に接触させている間に、基板の第１面側の温度がはんだ材料の融点以上に達するように実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  はんだ材料が鉛フリーはんだ材料である、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】  はんだ材料を用いて電子部品を基板に接合するフローはんだ付け装置であって、
予熱雰囲気を通過する搬送ラインに沿って基板を搬送する搬送部と、
搬送ラインの上方に位置し、予熱雰囲気に曝されて予熱された基板を少なくとも部分的に更に加熱する加熱手段と、
搬送ラインの下方に位置し、溶融したはんだ材料を噴流の形態で基板に供給するはんだ材料供給部と
を備え、該はんだ材料供給部が、該加熱手段により基板を更に加熱し始める位置から、基板を搬送する方向において下流に所定の距離内で、はんだ材料を基板に接触させるように配置される装置。
【請求項５】  はんだ材料供給部が、はんだ材料を１次噴流および２次噴流の形態で基板に供給し、前記加熱手段により基板を更に加熱し始める位置から、前記搬送する方向において下流に所定の距離内で、１次噴流を基板に接触させるように配置される、請求項４に記載の装置。
【請求項６】  はんだ材料供給部が、はんだ材料を１次噴流および２次噴流の形態で基板に供給し、前記加熱手段により基板を更に加熱し始める位置から、前記搬送する方向において下流に第１の所定の距離内で、１次噴流を基板に接触させるように配置され、該加熱手段とは別の更なる加熱手段により基板を更に加熱し始める位置から、該搬送する方向において下流に第２の所定の距離内で、２次噴流を基板に接触させるように配置される、請求項４に記載の装置。
【請求項７】  加熱手段が、基板の幅に亘って延在する排出口から熱風を排出する手段を備える、請求項４〜６のいずれかに記載の装置。
【請求項８】  加熱手段が、熱風の流れの向きを調節する整流板を排出口に備える、請求項７に記載の装置。
【請求項９】  排出口が、該排出口から搬送ラインに向かう方向よりも上流側に傾いた開口面を形成する、請求項７に記載の装置。
【請求項１０】  加熱手段が赤外線ヒーターを備える、請求項４〜６のいずれかに記載の装置。
【請求項１１】  はんだ材料が鉛フリーはんだ材料である、請求項４〜１０のいずれかに記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
しかし、単に従来のＳｎ−Ｐｂ系はんだ材料の代わりに、例えばＳｎ−Ｃｕ系またはＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系材料などの鉛フリーのはんだ材料を用いて、上述のような従来の方法および装置によりフローはんだ付けを行うと、図１４に示すように、スルーホール７２とリード７４との間の環状空間をはんだ材料６４が十分に濡れ上がらない状態で凝固するという現象が起こる。このような現象は電子回路基板の信頼性の低下を招くため好ましくない。この濡れ上がり不足の問題は、ランド７５の面積や、基板７１の材質および電子部品７３のサイズ等にも依存するが、概してＳｎ−Ｐｂ系はんだ材料を用いる場合よりも鉛フリーはんだ材料を用いる場合に顕著に起こる。このため、鉛フリーはんだ材料を用いる場合に従来のフローはんだ付け方法および装置をそのまま利用することは適当でない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
本発明に利用可能な基板には、例えば、紙フェノール系材料、ガラスエポキシ系材料、ポリイミドフィルム系材料、およびセラミック系材料などからなる基板が用いられ得る。また、基板に接合される電子部品は、挿入部品（例えば半導体、コンデンサ、抵抗、コイル、コネクタなど）および／または基板の裏面に配置される表面実装部品（例えば半導体、コンデンサ、抵抗、コイルなど）であってよい。しかし、これらは単なる例示にすぎず、本発明はこれに限定されるものではない。
本発明は以下の態様を含み得る。
（態様１）  はんだ材料を用いて電子部品を基板に接合するフローはんだ付け方法であって、
（ａ）予熱された基板を、加熱手段を用いて、基板の上面である第１面側から少なくとも部分的に更に加熱する工程、および
（ｂ）溶融したはんだ材料を噴流の形態で、基板の下面である第２面側から基板に供給する工程であって、工程（ａ）により加熱手段を用いて基板を更に加熱し始めてから所定の時間内にはんだ材料を基板に接触させて供給する工程
を含む方法。
（態様２）  はんだ材料を用いて電子部品を基板にはんだ付けする方法であって、
（ａ）加熱手段を用いて基板の第１面側から少なくとも部分的に基板を加熱する工程、および
（ｂ）溶融したはんだ材料を基板の第１面と反対にある第２面側から基板に供給する工程であって、工程（ａ）により加熱手段を用いて基板を加熱し始めてから所定の時間内にはんだ材料を基板に接触させて供給する工程
を含む方法。
（態様３）  工程（ａ）が、工程（ｂ）によりはんだ材料を基板に接触させている間に、基板の第１面側の温度がはんだ材料の融点以上に達するように実施される、態様１または２に記載の方法。
（態様４）  加熱手段が熱風または赤外線を用いる、態様１〜３のいずれかに記載の方法。
（態様５）  加熱手段が基板の上面全体を加熱する、態様１〜４のいずれかに記載の方法。
（態様６）  加熱手段が基板の上面の所定の領域のみを部分的に加熱する、態様１〜４のいずれかに記載の方法。
（態様７）  はんだ材料が鉛フリーはんだ材料である、態様１〜６のいずれかに記載の方法。
（態様８）  はんだ材料を用いて電子部品を基板に接合するフローはんだ付け装置であって、
予熱雰囲気を通過する搬送ラインに沿って基板を搬送する搬送部と、
搬送ラインの上方に位置し、予熱雰囲気に曝されて予熱された基板を少なくとも部分的に更に加熱する加熱手段と、
搬送ラインの下方に位置し、溶融したはんだ材料を噴流の形態で基板に供給するはんだ材料供給部と
を備え、該はんだ材料供給部が、該加熱手段により基板を更に加熱し始める位置から、基板を搬送する方向において下流に所定の距離内で、はんだ材料を基板に接触させるように配置される装置。
（態様９）  はんだ材料供給部が、はんだ材料を１次噴流および２次噴流の形態で基板に供給し、前記加熱手段により基板を更に加熱し始める位置から、前記搬送する方向において下流に所定の距離内で、１次噴流を基板に接触させるように配置される、態様８に記載の装置。
（態様１０）  はんだ材料供給部が、はんだ材料を１次噴流および２次噴流の形態で基板に供給し、前記加熱手段により基板を更に加熱し始める位置から、前記搬送する方向において下流に第１の所定の距離内で、１次噴流を基板に接触させるように配置され、該加熱手段とは別の更なる加熱手段により基板を更に加熱し始める位置から、該搬送する方向において下流に第２の所定の距離内で、２次噴流を基板に接触させるように配置される、態様８に記載の装置。
（態様１１）  加熱手段が、基板の幅に亘って延在する排出口から熱風を排出する手段を備える、態様８〜１０のいずれかに記載の装置。
（態様１２）  加熱手段が、熱風の流れの向きを調節する整流板を排出口に備える、態様１１に記載の装置。
（態様１３）  排出口が、該排出口から搬送ラインに向かう方向よりも上流側に傾いた開口面を形成する、態様１１に記載の装置。
（態様１４）  加熱手段が赤外線ヒーターを備える、態様８〜１０のいずれかに記載の装置。
（態様１５）  はんだ材料が鉛フリーはんだ材料である、態様８〜１４のいずれかに記載の装置。