Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月20日(2007.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
したがって、ウェーハテスト後において特性規格値を満足しなかったＩＣの特性値を調整（トリミング）して特性規格値の許容範囲内となる製品を作成することが今後はさらに重要で必要な技術となっている。そこで、各種の「トリミング技術」が提案されている。代表的な「トリミング技術」としては、レーザー光線で一部の配線を切断する「レーザートリミング」、ツェナーダイオードを強制的にアバランシェ破壊させフィラメントを形成して配線する「ツェナーザッピング（Zener Zapping）」、メモリ素子にディジタルデータを書き込むことにより回路特性を調節する「デジタルトリミング」、新しく電気回路配線を形成する「配線形成トリミング」等の技術がある。
【特許文献１】特開平５−２９１２５８号公報
【特許文献２】特開２００４−２７３６７９号公報
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
本発明に係る実施の形態２の半導体製造装置における回路描画システムでは、印刷ヘッド２１１は３つのノズル２１１Ａ，２１１Ｂ，２１１Ｃと第１のセンサー２１２が一体的に形成されている構成で説明したが、描画パターンを形成すべき凸部１Ｐまたは凹部１Ｈの被描画パターン形成領域に配置される印刷ヘッド２１１には、少なくとも第１のノズル２１１Ａと第３のノズル２１１Ｃと共に第１のセンサー２１２が一体的に構成されていてもよい。このように構成された回路描画システムにおいて、第１のセンサー２１２は超音波またはレーザー光等を用いて印刷ヘッド２１１と下地ウェーハ１の印刷面との距離を測定できる機能を有しており、第１のセンサー２１２が測定した距離情報は、制御部（図１の制御部１１３を参照）にフォードバックされ、下地ウェーハ１と印刷面との距離が一定に保持され、下地ウェーハ１の形状によらず安定した射出制御を行うことが可能となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
以上のように、本発明に係る実施の形態３の半導体製造装置における回路描画システムでは、下地ウェーハ１上における被描画パターン形成領域である凸部１Ｐまたは凹部１Ｈをスキャン動作する印刷ヘッド３１１は、少なくとも第１のノズル３１１Ａ、第２のノズル３１１Ｂ、第３のノズル３１１Ｃの３つのノズルと共に第１のセンサー３１２および第２のセンサー３１３が一体的に構成されている。第１のセンサー３１２は超音波やレーザー光等を用いることにより、印刷ヘッド３１１と下地ウェーハ１の被描画パターン形成領域と間の距離を計測する機能を有している。計測された距離情報（Ａ）は制御部にフォードバックされて、印刷ヘッド３１１と下地ウェーハ１との距離を一定に保持するよう制御され、下地ウェーハ１における被描画パターン形成領域の形状によらず安定した射出制御を行うことができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
実施の形態４の半導体製造装置における回路描画システムにおいては、上記のように描画パターンにおいて溝部８内に厚膜で形成した導電性配線３の場合においてもクラックが発生することが防止されているが、導電性溶剤１１４に添加されている導電性素材の膨張率を考慮して、下地ウェーハ１に形成される溝部８の側壁が上部に向かってより開口するように傾斜するよう形成されている。
図１０に示すように、溝部８はその両側の側壁面８Ａが上方に向かってより開口するように傾斜している。この測壁面８Ａの傾斜角度については、発明者が５度以上１０度以下の範囲内が好ましいことを確認した。傾斜角度が５度未満の場合には導電性溶剤１１４に添加された導電性素材の膨張による緩和領域としては不十分であり、下地ウェーハ１に形成される溝部８による描画パターンとしては可能な限り微細であることが好ましいため、緩和領域として十分となる１０度以下の傾斜角度が好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０９】
なお、図４２において、（ａ）は図４０のＡ−Ａ’線による断面図であり、（ｂ）は図４０のＢ−Ｂ’線による断面図であり、（ｃ）は図４１のＣ−Ｃ’線による断面図であり、および（ｄ）は図４１のＤ−Ｄ’線による断面図である。図４２において、図１７から図１８で示したものと同じ機能を有する膜体には同じ符号を付す。
また、本発明の半導体装置においては、回路描画システムにより導電性配線を形成した後、ポリイミドなどの絶縁性物質で表面を保護する構成としても良い。
また、チップ情報、例えば、仕様、品質、ウェーハ内のチップ位置などの各種情報を本発明の半導体製造装置に用いた回路描画システムにより印字することも可能である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2007059785.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３８】
2007059785.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月1日(2008.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学的記録媒体であって、
ａ）少なくとも一つの主表面において第一のデータピットパターンを有する第一の層；
ｂ）第一の層の近傍にある、第一の合金を含む半反射性の第一のコーティング；
ｃ）少なくとも一つの主表面において第二のデータピットパターンを有する第二の層；
ｄ）第二の層の近傍にある、合金を含む第二のコーティング；
を含み、ここで、前記第一の合金は銀および亜鉛を含み、銀と亜鉛の量の間の関係はＡｇxＺｎyによって定義され、ここで０.８５＜ｘ＜０.９９９９および０.０００１＜ｙ＜０.１５である、前記光学的記録媒体。
【請求項２】
光学的記録媒体であって、
ａ）少なくとも一つの主表面において第一のデータピットパターンを有する第一の層；
ｂ）第一の層の近傍にある、第一の合金を含む半反射性の第一のコーティング；
ｃ）少なくとも一つの主表面において第二のデータピットパターンを有する第二の層；
ｄ）第二の層の近傍にある、合金を含む第二のコーティング；
を含み、ここで、前記第一の合金は銀およびアルミニウムを含み、銀とアルミニウムの量の間の関係はＡｇxＡｌｚによって定義され、ここで０.９５＜ｘ＜０.９９９９および０.０００１＜ｚ＜０.０５である、前記光学的記録媒体。
【請求項３】
光学的記録媒体であって、
ａ）少なくとも一つの主表面において第一のデータピットパターンを有する第一の層；
ｂ）第一の層の近傍にある、第一の合金を含む半反射性の第一のコーティング；
ｃ）少なくとも一つの主表面において第二のデータピットパターンを有する第二の層；
ｄ）第二の層の近傍にある、合金を含む第二のコーティング；
を含み、ここで、前記第一の合金は銀、亜鉛およびアルミニウムを含み、銀、亜鉛およびアルミニウムの量の間の関係はＡｇxＺｎyＡｌｚによって定義され、ここで０.８０＜ｘ＜０.９９８および０.００１＜ｙ＜０.１５、および０．００１＜ｚ＜０．０５である、前記光学的記録媒体。
【請求項４】
光学的記録媒体であって、
ａ）少なくとも一つの主表面において第一のデータピットパターンを有する第一の層；
ｂ）第一の層の近傍にある、第一の合金を含む半反射性の第一のコーティング；
ｃ）少なくとも一つの主表面において第二のデータピットパターンを有する第二の層；
ｄ）第二の層の近傍にある、合金を含む第二のコーティング；
を含み、ここで、前記第一の合金は銀およびマンガンを含み、銀およびマンガンの量の間の関係はＡｇxＭｎｔによって定義され、ここで０.９２５＜ｘ＜０.９９９９および０.０００１＜ｔ＜０.０７５である、前記光学的記録媒体。
【請求項５】
光学的記録媒体であって、
ａ）少なくとも一つの主表面において第一のデータピットパターンを有する第一の層；
ｂ）第一の層の近傍にある、第一の合金を含む半反射性の第一のコーティング；
ｃ）少なくとも一つの主表面において第二のデータピットパターンを有する第二の層；
ｄ）第二の層の近傍にある、合金を含む第二のコーティング；
を含み、ここで、前記第一の合金は銀およびゲルマニウムを含み、銀およびゲルマニウムの量の間の関係はＡｇxＧｅｑによって定義され、ここで０.９７＜ｘ＜０.９９９９および０.０００１＜ｑ＜０.０３である、前記光学的記録媒体。
【請求項６】
光学的記録媒体であって、
ａ）少なくとも一つの主表面において第一のデータピットパターンを有する第一の層；
ｂ）第一の層の近傍にある、第一の合金を含む半反射性の第一のコーティング；
ｃ）少なくとも一つの主表面において第二のデータピットパターンを有する第二の層；
ｄ）第二の層の近傍にある、合金を含む第二のコーティング；
を含み、ここで、前記第一の合金は銀、銅およびマンガンを含み、銀、銅およびマンガンの量の間の関係はＡｇxＣｕｐＭｎｔによって定義され、ここで０.８２５＜ｘ＜０.９９９８、０.０００１＜ｐ＜０.１０および０．０００１＜ｔ＜０．０７５である、前記光学的記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月21日(2007.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、本発明の第２の局面に係る固体撮像装置によれば、素子分離部がＬＯＣＯＳ法で形成されているときに、行方向に隣り合う活性領域の間の領域と、列方向に隣り合う活性領域の間の領域とのうち、間隔が狭い方における不純物埋め込み層の層数が、間隔が広い方における前記不純物埋め込み層の層数よりも少なくなっている。このように、不純物埋め込み層の層数を一部で少なくした場合でも、全く形成しない場合と比較すれば半導体基板の抵抗を低減することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
次に、ＰＤ９、ＦＤ１３および第１の素子分離領域ＩＲ１をレジストパターン４５で覆う。ここで、ＰＤ９およびＦＤ１３を囲む四角形状の領域に列方向で挟まれた領域を第１の素子分離領域ＩＲ１といい、行方向に挟まれた領域を第２の素子分離領域ＩＲ２という。第１の素子分離領域ＩＲ１の幅は、０．４５μｍ程度と狭く、第２の素子分離領域ＩＲ２の幅は０．８０μｍ以上であるとする。この場合には、第１の素子分離領域ＩＲ１には、所望の開口を有するレジストパターンを形成出来ないので、第２の素子分離領域ＩＲ２にのみ開口を有するレジストパターン４５を用いる。そして、加速電圧３００ｋｅＶ、注入量１×１０13ｃｍ-2の条件で、回転注入法等を用いてＢ+イオンなどのｐ型不純物イオンを注入し、第２の素子分離領域ＩＲ２にウェル４２を形成する。続いて、加速電圧１６０ｋｅＶ、注入量６×１０12ｃｍ-2の条件で、回転注入法等を用いてＢ+イオンを注入し、ウェル４２の上方にチャネルストップ層４１を形成する（図２（ｆ））。その後、レジストパターン４５を除去する。ウェル４２およびチャネルストップ層４１のピーク濃度は、いずれも１×１０17ｃｍ-3以上であることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
（第２の実施形態）
図３は、本発明の第２の実施形態に係る固体撮像装置の画素領域の一部断面図であって、図７のＡ−Ｂ−Ｃ線断面に相当する線における断面図である。この固体撮像装置は、素子分離部５１がＬＯＣＯＳで形成されている。そして、第１の素子分離領域ＩＲ１の下方には、チャネルストップ層５２のみを形成し、また第２の素子分離領域ＩＲ２の下方には、チャネルストップ層５２とウェル５３とを形成している。つまり、ＰＤ９とＦＤ１３とを囲んでなる活性領域が行方向に隣り合う間の領域と、列方向に隣り合う間の間とのうち、間隔が狭い方における不純物埋め込み層の層数が、間隔が広い方における不純物埋め込み層の層数よりも少なくなっている。このように、不純物埋め込み層の層数を一部で少なくした場合でも、全く形成しない場合と比較すれば半導体基板２の抵抗を低減することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
次にＰＤ９およびＦＤ１３を形成する領域をレジストパターン５７で覆う。続いて、加速電圧１６０ｋｅＶ、注入量６×１０12ｃｍ-2の条件でＢ+イオンを注入し、チャネルストップ層５２を形成する（図４（ｄ））。その後、レジストパターン５７を除去する。そして、リン等のｎ型不純物イオンを注入して、ＰＤ９、ＦＤ１３、トランジスタのソース−ドレイン領域などの活性層を形成し、さらに、ゲート絶縁膜やゲート電極、配線等を形成する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月24日(2008.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの電界効果型トランジスタ（以下、「ＦＥＴ」という。）がカスコード接続されたカスコード接続回路であって、
ソースが接地された第１のＦＥＴと、
ソースが前記第１のＦＥＴのドレインに接続された第２のＦＥＴと、
アノードが前記第１のＦＥＴのソースに接続され、カソードが前記第２のＦＥＴのゲートに接続されたショットキーバリアダイオードとを備えていることを特徴とするカスコード接続回路。
【請求項２】
ｎ（３以上の正の整数）個のＦＥＴがカスコード接続されたカスコード接続回路であって、
ソースが接地された第１のＦＥＴと、
ｍが２乃至ｎの正の整数であり、ソースが第ｍ−１のＦＥＴのドレインに接続された第ｍのＦＥＴと、
アノードが前記第１のＦＥＴのソースに接続され、カソードが前記第ｍのＦＥＴのゲートに接続された第ｍ−１のショットキーバリアダイオードとを備えていることを特徴とするカスコード接続回路。
【請求項３】
前記ショットキーバリアダイオードは、能動層上にショットキー接合されたアノード電極と、前記能動層上にオーミック接合されたカソード電極とを有することを特徴とする請求項１に記載のカスコード接続回路。
【請求項４】
前記アノード電極と前記カソード電極の間で前記能動層の幅が狭くなっていることを特徴とする請求項３に記載のカスコード接続回路。
【請求項５】
前記ショットキーバリアダイオードは、能動層上にショットキー接合されたアノード電極と、前記能動層上にショットキー接合されたカソード電極とを有することを特徴とする請求項１に記載のカスコード接続回路。
【請求項６】
前記アノード電極は、前記第１のＦＥＴ及び前記第２のＦＥＴのソース・ドレイン電極を構成する物質よりも抵抗値が高い物質からなる膜を少なくとも一部に有することを特徴とする請求項３に記載のカスコード接続回路。
【請求項７】
前記アノード電極は、前記第１のＦＥＴ及び前記第２のＦＥＴのゲート電極と同工程で、前記能動層上にショットキー接合された高抵抗金属膜と、前記高抵抗金属膜上に前記高抵抗金属膜よりも抵抗が低い低抵抗金属膜とを形成した後、前記低抵抗金属膜の全部又は一部を除去することにより形成されることを特徴とする請求項３に記載のカスコード接続回路。
【請求項８】
前記第２のＦＥＴのドレインと前記第２のＦＥＴのゲートとの間に接続された第１の抵抗と、前記第１のＦＥＴのソースと前記第２のＦＥＴのゲートとの間に前記ショットキーバリアダイオードとは並列に接続された第２の抵抗とを更に有し、
前記第１の抵抗及び前記第２の抵抗は、チャネル上に形成された前記チャネルよりも高濃度の不純物を含む高濃度ドープ半導体層の一部を除去することにより形成されることを特徴とする請求項１に記載のカスコード接続回路。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月28日(2008.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
複数のコンタクト１５の夫々は、図２におけるIIIA−IIIA断面をあらわす図３のＡに示されるように、弾性を有した導電性材料で形成された、全体が「Ｈ」字状を成す板状部材とされている。斯かるコンタクト１５における、連結部１７によって相互連結された一対のビーム部１８及び１９のうち、ビーム部１８が固定部とされ、ビーム部１９が変位可能な作動部とされている。そして、固定部を成すビーム部１８は、その一端部１８ａが、コネクタ装置１０が固着された主基板２０に設けられた印刷配線部（図示が省略されている）に接続されている。ビーム部１８が、その一端部１８ａを絶縁ハウジング１１に設けられた配線板部材差込み部１２の位置に置いているのに対して、作動部を成すビーム部１９は、その配線板部材差込み部１２側の一端部１９ａを、配線板部材差込み部１２から離隔した絶縁ハウジング１１内の位置に置いている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
また、複数のコンタクト１６の夫々も、図２におけるIVA −IVA 断面をあらわす図４のＡに示されるように、弾性を有した導電性材料で形成された、全体が「Ｈ」字状を成す板状部材とされている。斯かるコンタクト１６における、連結部２１によって相互連結された一対のビーム部２２及び２３のうち、ビーム部２２が固定部とされ、ビーム部２３が変位可能な作動部とされる。そして、固定部を成すビーム部２２は、その一端部２２ａが、コネクタ装置１０が固着された主基板２０に設けられた印刷配線部（図示が省略されている）に接続されている。ビーム部２２は、その一端部２２ａとは反対側の他端部２２ｂを、絶縁ハウジング１１に設けられた配線板部材差込み部１２に臨む位置に置いており、また、作動部を成すビーム部２３は、その配線板部材差込み部１２側の一端部２３ａを、配線板部材差込み部１２に臨む位置に置いている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
そして、回動操作されたアクチュエータ２５が第２の静止位置をとるものとされると、後述される図１０におけるIIIC−IIIC断面をあらわす図３のＣに示されるように、カム部２７が、ビーム部１９の一端部１９ａに、接続端子部１４に当接して、その接続端子部１４が設けられたフレキシブル印刷配線基板１３の一端部をビーム部１８とによって挟持する状態を維持させる。それにより、ビーム部１９がフレキシブル印刷配線基板１３の一端部に設けられた複数の接続端子部１４のうちの対応するものに対する押圧接触状態を維持するものとされる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
また、複数のカム部２８の夫々は、図４のＢに示されるように、アクチュエータ２５の回動に伴って極大寸法部の方向を変化させつつ、複数のコンタクト１６のうちの対応するもののビーム部２２及びビーム部２３に係合し、ビーム部２３を変位させる。そして、後述される図１０におけるIVC −IVC 断面をあらわす図４のＣに示されるように、カム部２８がビーム部２３に極大寸法部をもって作用するとき、そのビーム部２３に、フレキシブル印刷配線基板１３の一端部に設けられた複数の接続端子部１４のうちの対応するものに対する押圧接触状態をとらせる。斯かるビーム部２３の対応する接続端子部１４に対する押圧接触状態は、ビーム部２３の一端部２３ａが接続端子部１４に当接せしめられ、接続端子部１４が設けられたフレキシブル印刷配線基板１３の一端部が、ビーム部２３の一端部２３ａとビーム部２２とにより挟持されることによりとられる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月15日(2007.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に少なくとも１層のハロゲン化銀乳剤層を含有する銀塩感光材料を導電性材料前駆体として使用する導電性材料の製造方法において、該銀塩感光材料を露光後、硬化現像することを特徴とする導電性材料の製造方法。
【請求項２】
支持体上に少なくとも１層のハロゲン化銀乳剤層を含有する銀塩感光材料を導電性材料前駆体として使用する導電性材料の製造方法において、該銀塩感光材料を露光後、硬化現像し、その後めっき処理することを特徴とする導電性材料の製造方法。
【請求項３】
膨潤抑制剤の存在下で硬化現像処理することを特徴とする請求項１または２に記載の導電性材料の製造方法。
【請求項４】
銀塩感光材料を露光後、硬化現像し、その後ハロゲン化銀溶剤を含有する現像液で現像することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の導電性材料の製造方法。
【請求項５】
銀塩感光材料が無電解めっき触媒を含有することを特徴とする請求項２から４のいずれかに記載の導電性材料の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
これら硬化現像薬は導電材料前駆体のどの層に含有されても良いが、ハロゲン化銀乳剤層もしくは下引き層に含有されることが好ましく、特にハロゲン化銀乳剤層に含有されていることが好ましい。含有する好ましい量はハロゲン化銀乳剤層の水溶性バインダーを耐水化できるだけの量であるため、使用する水溶性バインダーの量に応じて変化する。好ましい硬化現像薬の量は０．０１〜０．５ｍｍｏｌ／水溶性バインダー１ｇ、更に好ましくは０．１〜０．４ｍｍｏｌ／水溶性バインダー１ｇである。これら硬化現像薬は塗液に溶解させて各層に含有させても良いし、オイル分散液に溶解させて各層中に含有させることも可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月25日(2008.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ＬＥＤランプを光源とする複数の投光ユニットと、ハウジングとを備えたＬＥＤ光源前照灯において、
前記ハウジングは、レンズと取付孔を有し、
前記投光ユニットは、ハウジング取付孔に取付けられるベース板に取付けられ、ベース板とハウジングの間を閉塞するカバーにより隔てられたハウジング内に位置し、前記ベース板は、弾性部材を利用したカバーにより気密機能を有して着脱自在とされており、
前記ベース板上には前記ＬＥＤランプが交換可能な構成として取付けられており、ベース板の背面には放熱器が設けられていることを特徴とするＬＥＤ光源前照灯。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、上記した従来の課題を解決するための具体的手段として、ＬＥＤランプを光源とする複数の投光ユニットと、ハウジングとを備えたＬＥＤ光源前照灯において、前記ハウジングは、レンズと取付孔を有し、前記投光ユニットは、ハウジング取付孔に取付けられるベース板に取付けられ、ベース板とハウジングの間を閉塞するカバーにより隔てられたハウジング内に位置し、前記ベース板は、弾性部材を利用したカバーにより気密機能を有して着脱自在とされており、前記ベース板上には前記ＬＥＤランプが交換可能な構成として取付けられており、ベース板の背面には放熱器が設けられていることを特徴とするＬＥＤ光源前照灯とすることで、課題を解決するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月8日(2008.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像の表示が可能な電子機器であって、
画像の拡大および縮小の指示を行う指示手段と、
前記電子機器の設定を行う設定手段と、
前記設定手段による設定に関する情報を表示する表示手段とを備え、
前記設定手段により電子機器の設定を行う際に、前記指示手段による拡大、縮小の指示の状態に応じて、前記表示手段が表示する設定に関する情報を切り替えることを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記表示手段により表示される情報は電子機器の設定に関するガイダンス情報であり、前記指示手段による拡大、縮小の指示の状態に応じて、ガイダンス情報の画面の表示、非表示を切り替えることを特徴とする請求項１記載の電子機器。
【請求項３】
前記表示手段により表示される情報は複数の画面から構成される電子機器の設定に関するガイダンス情報であり、前記指示手段による拡大、縮小の状態に応じて、表示されるガイダンス情報の画面を切り替えることを特徴とする請求項１記載の電子機器。
【請求項４】
前記ガイダンス情報の切り替えは、前記指示手段の操作回数に応じて行われることを特徴とする請求項３記載の電子機器。
【請求項５】
前記ガイダンス情報の切り替えは、前記指示手段の操作時間に応じて行われることを特徴とする請求項３記載の電子機器。
【請求項６】
前記複数の画面から構成されるガイダンス情報は、詳細度の異なるガイダンス情報であり、前記指示手段の拡大、縮小の指示の状態に応じて、表示されるガイダンス情報の詳細度を切り替えることを特徴とする請求項３記載の電子機器。
【請求項７】
前記電子機器は撮像装置であり、前記指示手段は光学ズームを指示する手段あるいは電子ズームを指示する手段であることを特徴とする請求項１記載の電子機器。
【請求項８】
前記電子機器は映像再生装置であり、前記指示手段は電子ズームを指示する手段であることを特徴とする請求項１記載の電子機器。
【請求項９】
画像の拡大および縮小の指示を行う指示手段と、電子機器の設定を行う設定手段と、前記設定手段による設定に関する情報を表示する表示手段とを備える電子機器の設定方法であって、
前記設定手段により電子機器の設定を行う際に、前記指示手段による拡大、縮小の指示の状態に応じて、前記表示手段が表示する設定に関する情報を切り替えるステップを有することを特徴とする電子機器の設定方法。
【請求項１０】
画像の拡大および縮小の指示を行う指示手段と、電子機器の設定を行う設定手段と、前記設定手段による設定に関する情報を表示する表示手段とを備える電子機器の設定方法を実行するためのプログラムであって、
前記設定手段により電子機器の設定を行う際に、前記指示手段による拡大、縮小の指示の状態に応じて、前記表示手段が表示する設定に関する情報を切り替えるステップを有することを特徴とする電子機器の設定方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の電子機器は、画像の表示が可能な電子機器であって、画像の拡大および縮小の指示を行う指示手段と、前記電子機器の設定を行う設定手段と、前記設定手段による設定に関する情報を表示する表示手段とを備え、前記設定手段により電子機器の設定を行う際に、前記リサイズ指示手段による拡大、縮小の指示の状態に応じて、前記表示手段が表示する設定に関する情報を切り替えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明の電子機器の設定方法は、画像の拡大および縮小の指示を行う指示手段と、電子機器の設定を行う設定手段と、前記設定手段による設定に関する情報を表示する表示手段とを備える電子機器の設定方法であって、前記設定手段により電子機器の設定を行う際に、前記指示手段による拡大、縮小の指示の状態に応じて、前記表示手段が表示する設定に関する情報を切り替えるステップを有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明のプログラムは、画像の拡大および縮小の指示を行う指示手段と、電子機器の設定を行う設定手段と、前記設定手段による設定に関する情報を表示する表示手段とを備える電子機器の設定方法を実行するためのプログラムであって、前記設定手段により電子機器の設定を行う際に、前記指示手段による拡大、縮小の指示の状態に応じて、前記表示手段が表示する設定に関する情報を切り替えるステップを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月28日(2008.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不均一な線幅を有する配線を有し、
前記配線は、第１の吐出工程により吐出された複数の第１の液滴と、第２の吐出工程により前記複数の第１の液滴の間に吐出された複数の第２の液滴とにより形成され、
前記複数の第１の液滴のそれぞれの中心は、第１の線上にあり、
前記複数の第２の液滴のそれぞれの中心は、前記第１の線と一定の間隔を有する第２の線上にあることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極層と、ゲート絶縁層と、半導体層と、ソース電極層と、ドレイン電極層とを有し、
前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層は、不均一な線幅を有する配線を有し、
前記配線は、第１の吐出工程により吐出された複数の第１の液滴と、第２の吐出工程により前記複数の第１の液滴の間に吐出された複数の第２の液滴とにより形成され、
前記複数の第１の液滴のそれぞれの中心は、第１の線上にあり、
前記複数の第２の液滴のそれぞれの中心は、前記第１の線と一定の間隔を有する第２の線上にあることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記配線の側端部は、蛇行していることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１又は請求項２において、
前記配線の側端部は、連続した波形形状を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
不均一な線幅を有する第１の配線、及び不均一な線幅を有する第２の配線を有し、
前記第１の配線は、第１の吐出工程により吐出された複数の第１の液滴と、第２の吐出工程により前記複数の第１の液滴の間に吐出された複数の第２の液滴とにより形成され、
前記第２の配線は、前記第１の吐出工程により吐出された複数の第３の液滴と、前記第２の吐出工程により前記複数の第３の液滴間に吐出された複数の第４の液滴とにより形成され、
前記複数の第１の液滴のそれぞれの中心は、第１の線上にあり、且つ前記複数の第２の液滴のそれぞれの中心は、前記第１の線と一定の間隔を有する第２の線上にあるため、前記第１の配線の側端部は凸部を有し、
前記複数の第３の液滴のそれぞれの中心は、前記第１の線と平行な第３の線上にあり、且つ前記複数の第４の液滴のそれぞれの中心は、前記第３の線と一定の間隔を有する第４の線上にあるため、前記第２の配線の側端部は凸部を有し、
前記第１の配線の前記凸部と、前記第２の配線の前記第１の配線側の側端部に設けられた前記凸部とはずれて配置されることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
ゲート電極層と、ゲート絶縁層と、半導体層と、ソース電極層と、ドレイン電極層とを有し、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層は、不均一な線幅を有する第１の配線、及び不均一な線幅を有する第２の配線のいずれかを有し、
前記第１の配線は、第１の吐出工程により吐出された複数の第１の液滴と、第２の吐出工程により前記複数の第１の液滴の間に吐出された複数の第２の液滴とにより形成され、
前記第２の配線は、前記第１の吐出工程により吐出された複数の第３の液滴と、前記第２の吐出工程により前記複数の第３の液滴間に吐出された複数の第４の液滴とにより形成され、
前記複数の第１の液滴のそれぞれの中心は、第１の線上にあり、且つ前記複数の第２の液滴のそれぞれの中心は、前記第１の線と一定の間隔を有する第２の線上にあるため、前記第１の配線の側端部は凸部を有し、
前記複数の第３の液滴のそれぞれの中心は、前記第１の線と平行な第３の線上にあり、且つ前記複数の第４の液滴のそれぞれの中心は、前記第３の線と一定の間隔を有する第４の線上にあるため、前記第２の配線の側端部は凸部を有し、
前記第１の配線の前記凸部と、前記第２の配線の前記第１の配線側の側端部に設けられた前記凸部とはずれて配置されることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項５又は請求項６において、
前記第１及び第２の配線のそれぞれの側端部は、蛇行していることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項５又は請求項６において、
前記第１及び第２の配線のそれぞれの側端部は、連続した波形形状を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年5月27日(2007.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】    【請求項１】  直腸内に挿入可能な大きさの楕円体型の頭部とその下端に取り付けられた脚部より構成される。頭部の長さは１０ｃｍ位であり、上端は丸みを持たせてあり先端から１／３程度のところから４５度以下の傾斜で下方へ先細りになったテーパー側面を構成している。このテーパー側面の長さは括約筋動作部の深さより長い。頭部の下端には脚部が接続されている。脚部は頭部の前立腺を刺激する前面方向に曲げられており、頭部軸から水平方向へ１２ｃｍ以内の脚部の頭部に対する垂直方向の最高部の位置は頭部下部から括約筋動作部の深さの半分の長さまで下がった点からの水平面より高い。以上のごとく構成された前立腺マッサージ器。    【請求項２】  直腸内に挿入可能な大きさの楕円体の頭部、頭部下端に接続された袴部及び脚部より構成されている。楕円体の長さは１０ｃｍ位であり、上端は丸みを持たせてあり途中から下方へ４５度以下の傾斜で先細りになったテーパー側面を構成している。このテーパ側面の長さは括約筋動作部の深さより長い。袴部は末広がりのテーパー側面を持ちこのテーパー角度は頭部のテーパー角度より小さく、長さは括約筋動作部の深さより短い。袴部下端にはＬあるいはＵ型の脚部が接続されている。脚部は前立腺を刺激する前方側面方向に曲げられており、頭部軸から水平方向へ１２ｃｍ以内の脚部の頭部に対する垂直方向の最高部の位置は袴部下端からの水平面より高い。以上のごとく構成された前立腺マッサージ器。    【請求項３】  直腸内に挿入可能な大きさの楕円体の頭部、頭部の下端に取り付けられた袴部及び袴部底部に接続された進入制限部品３１にて構成される。楕円体の長さはおおむね１０ｃｍ以下であり、上端は丸みを持たせてあり、途中から４５度以下の傾斜で下細りになったテーパー側面を構成している。このテーパー側面の長さは括約筋動作部の深さより長い。袴部は末広がりのテーパー側面を持っている。袴部のテーパー角度は頭部のテーパー角度より小さく長さは括約筋動作部の深さの２／３位（約２−４ｃｍ位）である。進入を制限するため棒状或いは円盤、楕円盤状のベースが袴部底面に接続されている。以上のごとく構成された前立腺マッサージ器。    【請求項４】  請求項１〜３に記載の前立腺マッサージ器において、  前記頭部が先細りになるテーパー側面が始まる位置より前にその部分の直径より大きい環状の縁部を形成した頭部。    【請求項５】  丸みをおびた上端と下端に向かって先細りのテーパー形状をもつ下部とを有し当該上端から直腸に挿入される頭部と、  前記頭部の下部から末広がりに延びて下開きテーパ形状をなし、下部との間にくびれ部分を形成して且つその最大径が前記頭部の最大径よりも小さな袴部と、を備える前立腺マッサージ器具。    【請求項６】  請求項５に記載の前立腺マッサージ器具において、  前記袴部の下端から延びる脚部をさらに備える前立腺マッサージ器具。    【請求項７】  請求項５又は６に記載の前立腺マッサージ器具において、  前記頭部の最大径は前記袴部の最大径よりも大きいことを特徴とする前立腺マッサージ器具。    【請求項８】  請求項５〜７のいずれかに記載の前立腺マッサージ器具において、  前記くびれ部分の直径は１ｃｍ以下であることを��徴とする前立腺マッサージ器具。    【請求項９】  請求項５〜８のいずれかに記載の前立腺マッサージ器具において、  前記袴部の長さは約２〜４ｃｍであることを特徴とする前立腺マッサージ器具。    【請求項１０】  請求項５〜９のいずれか記載の前立腺マッサージ器具において、  前記くびれ部の逆側の前記袴部に端に、前記頭部の進入を制限するための円盤状又は棒状の移動制限部を含むことを特徴とする前立腺マッサージ器具。    【請求項１１】  請求項６に記載の前立腺マッサージ器具において、  前記脚部はL字型又はU字型に湾曲し、当該脚部の一部において会陰部へ接触する部分を形成することを特徴とする前立腺マッサージ器具。    【請求項１２】  請求項６に記載の前立腺マッサージ器具において、  前記脚部の会陰部へ接触する部分は、前記下部の下端よりも高い位置にあることを特徴とする前立腺マッサージ器具。    【請求項１３】  請求項１１又は１２に記載の前立腺マッサージ器具において、  前記脚部の会陰部へ接触する部分は、前記頭部の上端から下端に向かう軸から水平方向に１２ｃｍ以内であることを特徴とする前立腺マッサージ器具。    【請求項１４】  請求項５に記載の前立腺マッサージ器具において、  前記袴部の下開きテーパ形状のテーパ角度は、前記下部の下端に向かうテーパ形状のテーパ角度よりも小さいことを特徴とする前立腺マッサージ器具。    【請求項１５】  請求項５〜１４のいずれかに記載の前立腺マッサージ器具において、  前記下部の下端に向かうテーパ形状のテーパ角度は４５°以下であることを特徴とする前立腺マッサージ器具。    【請求項１６】  請求項５〜１５のいずれかに記載の前立腺マッサージ器具において、  前記テーパ形状をなす下部の長さは３〜６ｃｍであることを特徴とする前立腺マッサージ器具。    【請求項１７】  請求項５〜１６のいずれかに記載の前立腺マッサージ器具において、  前記頭部の下部から上端側に、環状の縁を備えることを特徴とする前立腺マッサージ器具。    【請求項１８】  請求項１７に記載の前立腺マッサージ器具において、  前記環状の縁の直径は、内肛門括約筋で保持されるほどの大きさ以上であることを特徴とする前立腺マッサージ器具。    【請求項１９】  丸みをおびた上端を有し、当該上端から直腸に挿入される頭部を含み、  前記頭部の下部において、括約筋の収縮による力を受け、前記頭部が直腸内に入るように作用するテーパー状の力受け部と、当該力受け部の作用を低減する逆テーパ状の袴部とを備える全立腺マッサージ器。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月8日(2008.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
永久磁石や電磁石の磁極から、さらには通電状態の電線やコイルなどから発生する磁力線の分布状況の把握は、磁気特性として重要なものであって、従来から、検出プローブなどを用いた測定が磁石や電磁コイルなどの性能検査の一環として適用されている（非特許文献１参照）。
また、定性的な磁束分布の可視化方法としては、鉄粉や磁性コロイド粉を磁石などの被試験体の表面に吸着させることが行われ、これら粉末を混濁させた液体等を平板間に挟むことによって、磁気カードなどの着磁パターンを観察できるようにした器具も市販されている（非特許文献２参照）。
【非特許文献１】塚田，「多様化する漏洩磁束探傷技術の現状」，金属，１９９９，第６９巻，第３号，ｐ．２８−３４
【非特許文献２】「マグネットビュアーＭＶ−９５」説明書，株式会社シグマハイケミカル
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月21日(2007.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】超音波振動子
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  被測定流体が流れる流路を有する流量測定部と、
上記流量測定部に設けられた超音波振動子を１対対向して上記流路を挟んで配置された超音波振動子と、
上記超音波振動子間で上記流路を通過する超音波の伝搬時間を計測する計測回路と、
上記計測回路で計測された結果情報を示す信号に基づいて上記被測定流体の流量を算出する流量演算手段とを備えた超音波流量計に使用される上記超音波振動子であって、
有底筒状ケースと、上記ケースの少なくとも１つの面に設けられた音響整合層とを備え、
上記音響整合層が設けられた面の反対側の面に圧電体が設けられて、振動板を兼ねる上記ケースの天面の中心に対して、上記圧電体が上記ケースと接合される接合面の中心のずれ量をΔα、上記振動板の厚みをｔとしたとき、（Δα／ｔ）≦２を満たすように上記ケースの天面の中心と上記圧電体が上記ケースの天面と接合される接合面の中心を合わせるようにしたことを特徴とする超音波振動子。
【請求項２】  有底筒状ケース（３２）と、上記ケースの少なくとも１つの面に設けられた音響整合層（４）とを備え、
上記音響整合層が設けられた面の反対側の面に圧電体（６）が設けられた超音波振動子（１）であって、振動板を兼ねる上記ケースの天面の中心に対して、上記音響整合層が上記ケースと接合される接合面の中心のずれ量をΔβ、上記振動板の厚みをｔとしたとき、（Δβ／ｔ）≦３を満たすように上記ケースの天面の中心と上記音響整合層が上記ケースの天面と接合される接合面の中心を合わせるようにしたことを特徴とする超音波振動子。
【請求項３】  有底筒伏ケース（３２）と、上記ケースの少なくとも１つの面に設けられた音響整合層（４）を備え、上記音響整合層が設けられた面の反対側の面に圧電体（６）が設けられた超音波振動子（１）であって、上記圧電体の中心に対する上記音響整合層の中心のずれ量をΔγ、上記振動板の厚みをｔとしたとき、（Δγ／ｔ）≦（５／２）を満たすように上記圧電体が上記ケースの天面と接合される接合面の中心と上記音響整合層が上記ケースの天面と接合される接合面の中心とを合わせるようにしたことを特徴とする超音波振動子。
【請求項４】  有底筒状ケース（３２）と、上記ケースの少なくとも１つの面に設けられた音響整合層（４）を備え、
上記音響整合層が設けられた面の反対側の面に圧電体（６）が設けられた超音波振動子（１）であって、１対の超音波振動子で交互に超音波の送受信を繰り返して測定を行う超音波振動子において、振動板を兼ねる上記ケースの天面の中心に対して圧電体のずれ量Δα≦０．５ｍｍである超音波振動子ならば、各々超音波振動子に用いられる圧電体のずれ量をΔχ、上記振動板の厚みをｔとしたとき、（Δχ／ｔ）≦２を満たすように構成されたことを特徴とする超音波振動子。
【請求項５】  有底筒状ケース（３２）と、上記ケースの少なくとも１つの面に設けられた音響整合層（４）を備え、
上記音響整合層が設けられた面の反対側の面に圧電体（６）が設けられた超音波振動子（１）であって、１対の超音波振動子で交互に超音波の送受信を繰り返して測定を行う超音波振動子において、振動板を兼ねる上記ケースの天面の中心に対して音響整合層のずれ量Δβ≦０．５ｍｍである超音波振動子ならば、各々超音波振動子に用いられる音響整合層のずれ量をΔφ、上記振動板の厚みをｔとしたとき、（Δφ／ｔ）≦３を満たすように構成されたことを特徴とする超音波振動子。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、超音波により気体や液体の流量や流速の計測を行う超音波振動子に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の目的は、上記課題を解決するもので、異常共振モードの発生を抑制し、周波数的に良好とすることができる超音波振動子を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月11日(2008.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の主面に、電子部品がバンプを介して実装され、前記電子部品の周囲の少なくとも一部が樹脂により被覆される配線基板であって、
前記主面のうち、前記電子部品が実装される領域の周囲の少なくとも一部に設けられる突起部を有し、
前記突起部は、前記樹脂と接触する面に凹凸を有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
請求項１記載の配線基板であって、
前記突起部は、前記電子部品を囲繞する如く略矩形状に配設され、
当該突起部の略矩形状の四隅部は、前記電子部品の実装領域から最も離れた箇所に位置していることを特徴とする配線基板。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の配線基板であって、
前記突起部は、絶縁性樹脂を含むことを特徴とする配線基板。
【請求項４】
請求項１乃至３いずれか１項に記載の配線基板であって、
前記電子部品が実装される当該基板の面上には、前記突起部よりも外側に、外部接続端子が配設されていることを特徴とする配線基板。
【請求項５】
請求項４記載の配線基板であって、
前記突起部は、前記外部接続用端子の外形形状に対応した形状を有することを特徴とする配線基板。
【請求項６】
請求項４又は５記載の配線基板であって、
前記突起部は、互いに隣接して設けられた前記外部接続端子間に於いては、当該基板に於ける前記電子部品の実装領域から遠ざかる方向に向かう形状をもって配設されていることを特徴とする配線基板。
【請求項７】
基板と、
前記基板の主面に、バンプを介して実装される半導体素子と、
前記基板の主面のうち、前記半導体素子の周囲の少なくとも一部に設けられる突起部と、
前記突起部の内側に設けられ、前記半導体素子の周囲の一部を被覆する樹脂とを有し、
前記突起部は、前記樹脂と接触する面に凹凸を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置であって、
前記半導体素子が実装される当該基板の面上に於いて、前記突起部よりも外側に外部接続端子が配設され、
第２の半導体素子が、前記半導体素子上に積層配置されると共に、前記外部接続端子に接続されてなることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項７記載の半導体装置であって、
前記外部接続用端子に、受動素子部品が実装されてなることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
本発明の一の観点によれば、一方の主面に、電子部品がバンプを介して実装され、前記電子部品の周囲の少なくとも一部が樹脂により被覆される配線基板であって、前記主面のうち、前記電子部品が実装される領域の周囲の少なくとも一部に設けられる突起部を有し、前記突起部は、前記樹脂と接触する面に凹凸を有することを特徴とする配線基板が提供される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
前記突起部は、絶縁性樹脂を含んでもよい。また、前記電子部品が実装される当該基板の面上には、前記突起部よりも外側に、外部接続端子が配設されていてもよい。更に、前記突起部は、前記外部接続用端子の外形形状に対応した形状を有していてもよい。また、前記突起部は、互いに隣接して設けられた前記外部接続端子間に於いては、当該基板に於ける前記電子部品の実装領域から遠ざかる方向に向かう形状をもって配設されていてもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
本発明の他の観点によれば、基板と、前記基板の主面に、バンプを介して実装される半導体素子と、前記基板の主面のうち、前記半導体素子の周囲の少なくとも一部に設けられる突起部と、前記突起部の内側に設けられ、前記半導体素子の周囲の一部を被覆する樹脂とを有し、前記突起部は、前記樹脂と接触する面に凹凸を有することを特徴とする半導体装置が提供される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
前記半導体素子が実装される当該基板の面上に於いて、前記突起部よりも外側に外部接続端子が配設され、第２の半導体素子が、前記半導体素子上に積層配置されると共に、前記外部接続端子に接続されてなることとしてもよい。また、前記外部接続用端子に、受動素子部品が実装されてなることとしてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月5日(2008.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
挿入部の先端側に一端が固定される操作ワイヤーと、
この操作ワイヤーの他端が接続され、前記操作ワイヤーを牽引する動作操作指示部と、
前記操作ワイヤーの一部が巻回配置されるプーリーと、
このプーリーを回転させる駆動手段と、を備え、
前記プーリーが回転している際に、前記動作操作指示部の操作指示に応じて、前記操作ワイヤーと前記プーリーとが弛緩状態で配置される第1の状態と、前記操作ワイヤーが前記プーリーに密着して巻きつく第２の状態と、が形成され、
前記第1の状態より前記第２の状態の方が、前記動作操作指示部の操作力量が小さいことを特徴とする管状操作装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
前記目的を達成するため本発明による管状操作装置は、挿入部の先端側に一端が固定される操作ワイヤーと、この操作ワイヤーの他端が接続され、前記操作ワイヤーを牽引する動作操作指示部と、前記操作ワイヤーの一部が巻回配置されるプーリーと、このプーリーを回転させる駆動手段と、を備え、前記プーリーが回転している際に、前記動作操作指示部の操作指示に応じて、前記操作ワイヤーと前記プーリーとが弛緩状態で配置される第1の状態と、前記操作ワイヤーが前記プーリに密着して巻きつく第２の状態とが形成され、
前記第1の状態より前記第２の状態の方が、前記動作操作指示部の操作力量が小さいものである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月1日(2008.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技者が所定の遊技を行うことが可能な遊技機であって、
遊技の進行を制御する遊技制御手段と、
前記遊技制御手段からのコマンドにもとづいて、遊技に用いられる遊技媒体の払出制御を行う払出制御手段と、
遊技機で使用される所定電位電源を監視し検出条件が成立した場合に検出信号を出力する電源監視手段とを備え、
前記遊技制御手段および前記払出制御手段には、電力供給停止中でもバックアップ用電源によって電力供給停止直前の内容を少なくとも所定時間保持することが可能な記憶手段が設けられ、
前記遊技制御手段および前記払出制御手段は、前記電源監視手段からの検出信号にもとづいて、制御状態を復元するために必要な情報を前記記憶手段に記憶させるための電力供給停止時処理を行い、
前記遊技制御手段は、前記電力供給停止時処理にて該電力供給停止時処理の実行を示すフラグを前記記憶手段に設定し、
前記遊技制御手段および前記払出制御手段は、電力供給が復旧したときに前記記憶手段の記憶情報にもとづいて制御状態を復元するための復帰処理を実行し、
前記遊技制御手段は、前記フラグが前記記憶手段に保存されていたことを条件に前記復帰処理を実行し、
前記遊技制御手段は、前記電力供給停止時処理にてコマンド送信処理を行わず、
前記払出制御手段は、前記電力供給停止時処理にてコマンド受信処理を行わず、
前記遊技制御手段へ前記検出信号を出力することとなる検出条件と前記払出制御手段へ前記検出信号を出力することとなる検出条件とを同じ検出条件とすることにより、前記電源監視手段は、前記遊技制御手段および前記払出制御手段に対して、同じタイミングで検出信号を出力する
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明による遊技機は、遊技者が所定の遊技を行うことが可能な遊技機であって、遊技の進行を制御する遊技制御手段と、遊技制御手段からのコマンドにもとづいて、遊技に用いられる遊技媒体の払出制御を行う払出制御手段と、遊技機で使用される所定電位電源を監視し検出条件が成立した場合に検出信号を出力する電源監視手段とを備え、遊技制御手段および払出制御手段には、電力供給停止中でもバックアップ用電源によって電力供給停止直前の内容を少なくとも所定時間保持することが可能な記憶手段が設けられ、遊技制御手段および払出制御手段は、電源監視手段からの検出信号にもとづいて、制御状態を復元するために必要な情報を記憶手段に記憶させるための電力供給停止時処理を行い、遊技制御手段は、電力供給停止時処理にて該電力供給停止時処理の実行を示すフラグを記憶手段に設定し、遊技制御手段および払出制御手段は、電力供給が復旧したときに記憶手段の記憶情報にもとづいて制御状態を復元するための復帰処理を実行し、遊技制御手段は、フラグが記憶手段に保存されていたことを条件に復帰処理を実行し、遊技制御手段は、電力供給停止時処理にてコマンド送信処理を行わず、払出制御手段は、電力供給停止時処理にてコマンド受信処理を行わず、遊技制御手段へ検出信号を出力することとなる検出条件と払出制御手段へ検出信号を出力することとなる検出条件とを同じ検出条件とすることにより、電源監視手段は、遊技制御手段および払出制御手段に対して、同じタイミングで検出信号を出力することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明によれば、遊技機を、遊技制御手段は、電力供給停止時処理にてコマンド送信処理を行わず、払出制御手段は、電力供給停止時処理にてコマンド受信処理を行わず、遊技制御手段へ検出信号を出力することとなる検出条件と払出制御手段へ検出信号を出力することとなる検出条件とを同じ検出条件とすることにより、電源監視手段は、遊技制御手段および払出制御手段に対して、同じタイミングで検出信号を出力するように構成したので、電源断の直前に遊技制御手段が送出したコマンドが払出制御手段に受信されないといった不都合が生ずることはなく、払出制御手段が遊技制御手段からのコマンドを確実に受信することができる効果がある。