Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月16日(2007.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  第１の情報を情報圧縮して生成された第２の情報を記憶する第１の記憶手段と、
前記第１の記憶手段から前記第２の情報を構成する複数の情報要素を順次読み出し、読み出された情報要素のうち所定の条件を満たす情報要素のみを復号化して出力する復号化手段と、
前記復号化手段から出力された情報要素を記憶する第２の記憶手段と、
前記第２の記憶手段に記憶された前記情報要素を読み出すとともに、前記第１の記憶手段から読み出された情報要素のうち所定の条件を満たさなかったために前記第２の記憶手段には出力されなかった情報要素については前記第２の記憶手段に記憶された所定の情報要素を読み出す読出手段と、
前記読出手段により読み出された一連の情報要素を出力する出力装置と、
を含むことを特徴とする情報処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】  第１の情報を情報圧縮して生成された第２の情報を記憶する第１の記憶手段と、
前記第１の記憶手段から前記第２の情報を構成する複数の情報要素を順次読み出し、読み出された情報要素のうち所定の条件を満たす情報要素のみを復号化して出力する復号化手段と、
前記復号化手段から出力された情報要素を記憶する第２の記憶手段と、
前記第２の記憶手段から読み出された情報要素を一時的に保持する保持手段と、
前記第２の記憶手段に記憶されている情報要素については、前記第２の記憶手段から該情報要素を読み出して前記保持手段に一旦保持させたのち、該保持手段から該情報要素を読出し、前記第２の記憶手段に記憶されていない情報要素については、前記保持手段に現在保持されている情報要素を読み出す読出手段と、
前記読出手段により読み出された一連の情報要素を出力する出力装置と、
を含むことを特徴とする情報処理装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】  第１の記憶手段が、第１の情報を情報圧縮して生成された第２の情報を記憶するステップと、
復号化手段が、前記第２の情報を構成する複数の情報要素を順次読み出し、読み出された情報要素のうち所定の条件を満たす情報要素のみを復号化するステップと、
第２の記憶手段が、復号化された情報要素を記憶するステップと、
読出手段が、復号化されたのち記憶された前記情報要素を読み出すとともに、前記記憶されなかった情報要素については代わりに前記記憶された所定の情報要素を読み出すステップと、
出力手段が、前記読み出された一連の情報要素を出力するステップと、
を含むことを特徴とする情報処理方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】  前記復号化のステップは、判定手段が、前記第２の情報を構成する複数の情報要素が相互に共通あるいは類似するものであるか否かを判定するステップと、
複数の情報要素が共通あるいは類似すると判定されると、前記復号化手段が、該複数の情報要素のうち少なくとも一つの情報要素を復号化して出力するステップとを含むことを特徴とする請求項１８に記載の情報処理方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２０】  前記復号化のステップは、前記復号化手段が、前記復号化されなかった情報要素について、前記情報要素の出力が省略された旨の情報を出力するステップを含み、
前記読出のステップは、前記読出手段が、出力の省略された情報要素については代わりに、前記出力を省略された旨の情報に基づいて、該情報要素と共通または類似する情報要素を読み出すステップであることを特徴とする請求項１９に記載の情報処理方法。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２１】  前記復号化のステップは、作成手段が、前記情報要素のそれぞれについて前記復号されたか否かの管理情報を作成するステップをさらに備え、
前記読出のステップには、決定手段が、処理対象の情報要素の読出しに先行して前記作成のステップにより作成された管理情報を参照して、前記処理対象の情報要素を読み出すか必要があるか否かを決定するステップを含むことを特徴とする請求項２０に記載の情報処理方法。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
このように、ＪＢＩＧの理論は十分に確立され、標準化もなされているが、実際に復号器や伸長器を製品化する際には、実に多様なハードウエア構成が考えられるため、現在、どのような構成が適しているか様々な検討がなされている。
た第２の情報を記憶する第１の記憶手段と、前記第１の記憶手段から前記第２の情報を構成する複数の情報要素を順次読み出し、読み出された情報要素のうち所定の条件を満たす情報要素のみを復号化して出力する復号化手段と、前記復号化手段から出力された情報要素を記憶する第２の記憶手段と、前記第２の記憶手段に記憶された前記情報要素を読み出すとともに、前記第１の記憶手段から読み出された情報要素のうち所定の条件を満たさなかったために前記第２の記憶手段には出力されなかった情報要素については前記第２の記憶手段に記憶された所定の情報要素を読み出す読出手段と、前記読出手段により読み出された一連の情報要素を出力する出力装置とを含むことを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、上記課題を解決すべく本願発明は、第１の情報を情報圧縮して生成された第２の情報を記憶する第１の記憶手段と、前記第１の記憶手段から前記第２の情報を構成する複数の情報要素を順次読み出し、読み出された情報要素のうち所定の条件を満たす情報要素のみを復号化して出力する復号化手段と、前記復号化手段から出力された情報要素を記憶する第２の記憶手段と、前記第２の記憶手段から読み出された情報要素を一時的に保持する保持手段と、前記第２の記憶手段に記憶されている情報要素については、前記第２の記憶手段から該情報要素を読み出して前記保持手段に一旦保持させたのち、該保持手段から該情報要素を読出し、前記第２の記憶手段に記憶されていない情報要素については、前記保持手段に現在保持されている情報要素を読み出す読出手段と、前記読出手段により読み出された一連の情報要素を出力する出力装置とを含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月20日(2007.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 厚みが５ｍｍ以下の円盤状に形成されているとともに少なくともその盤面の周方向に沿ってｎ個の磁極（ｎ＝４〜４８）が形成されてなるシート磁石であって、それら磁極の周方向に沿う表面磁束密度（縦軸）−角度（横軸）曲線を描き、得られた表面磁束密度波形の１磁極分と横軸とが囲む面積をＡとし、前記１磁極分の表面磁束密度波形の最大値及び周期に対応する理想正弦波と横軸とが囲む面積をＢとし、理想正弦波からのずれ率を［（Ａ−Ｂ）／Ｂ］×１００（％） で定義したとき、ずれ率の絶対値が１０％以下であることを特徴とするシート磁石。
【請求項２】 等方性磁石からなる請求項１に記載のシート磁石。
【請求項３】 異方性磁石からなる請求項１に記載のシート磁石。
【請求項４】 厚みが５ｍｍ以下の円盤状に形成されているとともに少なくともその盤面の周方向に沿ってｎ個の磁極（ｎ＝４〜４８）が形成されてなるシート磁石の着磁方法であって、前記シート磁石の外径をＲ（ｍｍ）及び内径をｒ（ｍｍ）としたとき、コイル幅がＹ（ｍｍ）の着磁ヨークを用い、π×（Ｒ＋ｒ）／６ｎ≦Ｙ≦ｒ×ｓｉｎ（１８０／ｎ） の関係を満足する条件で着磁を行うことを特徴とするシート磁石の着磁方法。
【請求項５】 厚みが５ｍｍ以下の円盤状に形成されているとともに少なくともその盤面の周方向に沿ってｎ個の磁極（ｎ＝４〜４８）が形成されてなるシート磁石の着磁方法であって、断面略扇状のコイルが配置され、前記コイルの磁極角度がＺ（度）である着磁ヨークを用い、１２０／ｎ≦Ｚ≦２４０／ｎの関係を満足する条件で着磁を行うことを特徴とするシート磁石の着磁方法。
【請求項６】 シート磁石のみを着磁ヨークに配置して着磁するか、あるいはシート磁石の背面に非磁性プレートを固定した状態のものを着磁ヨークに配置して着磁する請求項４又は５に記載のシート磁石の着磁方法。
【請求項７】 シート磁石と着磁ヨークとのギャップを０．１〜０．５ｍｍとして着磁を行う請求項４乃至６のいずれかに記載のシート磁石の着磁方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
（実施例３、比較例３）実施例１で作製したシート状成形体からリング状に打ち抜く寸法を変えた以外は実施例１と同様にして表２のＮｏ．１５３の扁平リング状等方性ボンド磁石（外径（Ｒ）：１０ｍｍ，内径（ｒ）：５ｍｍ，厚み：１．０ｍｍ）を作製した。次に図１０に示すように、この扁平リング磁石４１の裏面に非磁性プレート４２（ＳＵＳ３０４製）を固着した。また断面略扇状のコイル４５を配置し、コイル４５の磁極角度（Ｚ）を２２．５度にした着磁ヨーク４０を作製した。次に、非磁性プレート４２を固着した扁平リング磁石４１の盤面を着磁ヨーク４０の中心に対向させてギャップ０．３ｍｍでリング磁石４１の盤面の周方向に８極着磁を施した。着磁後のものの盤面の周方向に沿って表面磁束密度波形を測定し、理想正弦波からのずれ率の絶対値を実施例１と同様にして求めた結果を表２に示す。実施例１で作製したシート状成形体からリング状に打ち抜く寸法を変えた以外はＮｏ.１５３と同様にして表２のＮｏ．１５１，１５２，１５４〜２２６の各扁平リング状等方性ボンド磁石（外径：Ｒｍｍ，内径：ｒｍｍ，厚み：１．０ｍｍ）を作製した。次に得られた各扁平リング磁石の裏面にそれぞれ非磁性プレート（ＳＵＳ３０４製）を固着した。また断面略扇状であるとともに表２の磁極角度（Ｚ）を有するコイルを配置した着磁ヨーク（ｎ：着磁磁極数）を作製した。次に、非磁性プレートを固着した各扁平リング磁石の盤面をそれぞれ各着磁ヨークの中心に対向して配置し、ギャップ０．３ｍｍで扁平リング磁石の盤面の周方向に沿ってｎ極着磁（ｎ＝４〜４８極）を施した。着磁後の各扁平リング磁石の盤面の周方向に沿って表面磁束密度波形を測定し、実施例１と同様にして求めたずれ率の絶対値を表２に示す。なお、表２の実施例３では１２０／ｎ≦Ｚ≦２４０／ｎの関係を満足する条件で着磁を行い、表２の比較例３では１２０／ｎ≦Ｚ≦２４０／ｎの関係から外れた条件で着磁を行った。表２より、１２０／ｎ≦Ｚ≦２４０／ｎの関係を満足する条件で着磁を行うと理想正弦波に非常に近い表面磁束密度波形を得られることがわかる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月21日(2007.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウムを吸蔵・放出することが可能な負極及び正極と、溶質及び有機系溶媒を含む非水系電解液とを少なくとも備えた非水系電解液二次電池に用いる非水系電解液であって、有機系溶媒中に下記構造式（Ｉ）又は（II）で示されるホスフィン化合物が含有されてなる
ことを特徴とする非水系電解液二次電池用非水系電解液。
【化１】
2002198090.tif 000001
（式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は、それぞれ独立して、芳香環を有していてもよく、且つハロゲンで置換されていてもよい炭化水素基を表す）
【化２】
2002198090.tif 000002
（式中、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6は、それぞれ独立して、芳香環を有していてもよく、且つハロゲンで置換されていてもよい炭化水素基を表す）
【請求項２】
式（Ｉ）のホスフィン化合物又は式（II）のホスフィン化合物の含有量がこれらの化合物と有機系溶媒との合計量に対して０．００１〜２０重量％である
ことを特徴とする請求項１に記載の非水系電解液。
【請求項３】
溶質がＬｉＰＦ6又はＬｉＢＦ4である
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の非水系電解液。
【請求項４】
非水系電解液中の溶質濃度が０．５〜２．０モル／リットルである
ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の非水系電解液。
【請求項５】
リチウムを吸蔵・放出することが可能な負極及び正極と、溶質及び有機系溶媒を含む非水系電解液とを少なくとも備えた非水系電解液二次電池であって、非水系電解液が請求項１ないし４のいずれかに記載の非水系電解液である
ことを特徴とする非水系電解液二次電池。
【請求項６】
リチウムを吸蔵・放出することが可能な正極がリチウムを吸蔵・放出することが可能なリチウム遷移金属複合酸化物を含有する
ことを特徴とする請求項５に記載の二次電池。
【請求項７】
リチウムを吸蔵・放出することが可能な負極がリチウムを吸蔵・放出することが可能な炭素質物、金属化合物及びリチウム合金から選ばれる少なくとも一種である
ことを特徴とする請求項５又は６に記載の二次電池。
【請求項８】
リチウムを吸蔵・放出することが可能な負極が、Ｘ線回折における格子面（００２面）のｄ値が０．３３５〜０．３４ｎｍの炭素材料からなる
ことを特徴とする請求項５ないし７のいずれかに記載の二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明の要旨は、リチウムを吸蔵・放出することが可能な負極及び正極と、溶質及び有機系溶媒を含む非水系電解液とを少なくとも備えた非水系電解液二次電池に用いる非水系電解液であって、有機系溶媒中に下記構造式（Ｉ）又は（II）で示されるホスフィン化合物が含有されてなることを特徴とする非水系電解液二次電池用非水系電解液、並びにそれを用いた非水系電解液二次電池にある。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月21日(2008.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 ガラス外囲器（１２）と、放電を発生させる手段（１８）と、前記外囲器の内部に密封された水銀及び不活性ガスから成る放電維持充填物質（２２）と、前記ガラス外囲器の内面を被覆する蛍光体含有層（１４）とを具備し、前記蛍光体含有層（１４）における蛍光体の配合物は、６１０nmから６４０nmの最大放出帯域を有し且つ１０nmから１００nmの半値幅を有する第１の蛍光体を４０から８０重量％、６２０nmから６６０nmの最大放出帯域を有し且つ１nmから３０nmの半値幅を有する第２の蛍光体を０から２０重量％、４６０nmから５１５nmの最大放出帯域を有し且つ５０nmから１２０nmの半値幅を有する第３の蛍光体を８から５０重量％、５３０nmから５６０nmの最大放出帯域を有し且つ２nmから１３０nmの半値幅を有する第４の蛍光体を０から１０重量％含む水銀蒸気放電ランプ（１０）。
【請求項２】 前記第１の蛍光体は(Gd,Ce)MgB5O10:Mn2+及び(Sr,Mg,Ca)3(PO4)2:Sn2+から成る群から選択される請求項１記載の水銀蒸気放電ランプ（１０）。
【請求項３】 前記第２の蛍光体はY2O3S:Eu3+、YVO4:Eu3+及び3(MgO).(GeO2).(MgF2):Mn2+から成る群から選択される請求項１記載の水銀蒸気放電ランプ。
【請求項４】 前記第３の蛍光体はCa5(PO4)3F:Sb3+及び(Ba,Ca)5(PO4)3Cl:Eu2+から成る群から選択される請求項１記載の水銀蒸気放電ランプ（１０）。
【請求項５】 前記第４の蛍光体はZn2SiO4:Mn2+、LaPO4:Ce3+,Tb3+、(Gd,Ce)MgB5O10:Tb3+及びY3Al5O12:Ce3+から成る群から選択される請求項１記載の水銀蒸気放電ランプ（１０）。
【請求項６】 前記水銀蒸気放電ランプは、４００〜４５０nmの範囲で発生される放射線の１から６０％を除去する効果を有する手段を更に具備する請求項１記載の水銀蒸気放電ランプ（１０）。
【請求項７】 前記除去する手段は前記蛍光体含有層（１４）に加えられる（蛍光体の総重量に基づいて）０.２から３重量パーセントの顔料であり、前記顔料は４００nmから４５０nmの波長を有する放射線を吸収することができる請求項６記載の水銀蒸気放電ランプ（１０）。
【請求項８】 前記除去する手段は、チタン酸ニッケル及びジルコン酸プラセオジムからなる顔料群から選択された顔料を利用する請求項６又は７記載の水銀蒸気放電ランプ（１０）。
【請求項９】 前記第１の蛍光体は５０から８０重量％の量で存在し且つ(Sr,Mg,Ca)3(PO4)2:Sn2+であり、前記第２の蛍光体は２から８重量％の量で存在し且つ3(MgO).(GeO2).(MgF2):Mn2+であり、前記第３の蛍光体は８から２３重量％の量で存在し且つ(Ba,Ca)5(PO4)3Cl:Eu2+である請求項１記載の水銀蒸気放電ランプ（１０）。
【請求項１０】 前記水銀蒸気放電ランプ（１０）は９６を超えるRa値と、２７００Kから６６００Kの色温度を有する請求項１記載の水銀蒸気放電ランプ（１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月3日(2008.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性を有する基板上に非透光性を有する第１の導電層を形成し、
前記基板及び前記第１の導電層上に絶縁層を形成し、
前記第１の導電層と重なる前記絶縁層上に、選択的にマスク層を形成し、
前記絶縁層及び前記マスク層上に、光反応性物質を形成し、
前記基板を通過させて前記光反応性物質に光を照射して、第１の領域及び第２の領域を形成し、
前記マスク層及び前記マスク層上に形成された前記光反応性物質を除去して第３の領域を形成し、
前記第２の領域及び前記第３の領域に導電性材料を含む組成物を用いて第２の導電層を形成し、
前記第２の領域は前記第１の領域より前記導電性材料を含む組成物に対するぬれ性が高く、
前記第３の領域は前記第１の領域より前記導電性材料を含む組成物に対するぬれ性が高いことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２】
透光性を有する基板上にゲート電極領域とゲート配線領域を含み非透光性を有する第１の導電層を形成し、
前記基板及び前記第１の導電層上に絶縁層を形成し、
前記ゲート電極領域と重なる前記絶縁層上に、半導体層を形成し、
前記ゲート配線領域と重なる前記絶縁層上に、選択的にマスク層を形成し、
前記半導体層及び前記マスク層上に、光反応性物質を形成し、
前記基板を通過させて前記光反応性物質に光を照射して、第１の領域及び第２の領域を形成し、
前記マスク層及び前記マスク層上に形成された前記光反応性物質を除去して第３の領域を形成し、
前記第２の領域及び前記第３の領域に導電性材料を含む組成物を用いて第２の導電層を形成し、
前記第２の領域は前記第１の領域より前記導電性材料を含む組成物に対するぬれ性が高く、
前記第３の領域は前記第１の領域より前記導電性材料を含む組成物に対するぬれ性が高いことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項３】
透光性を有する基板上にゲート電極領域を含み非透光性を有する第１の導電層を形成し、
前記基板及び前記第１の導電層上に絶縁層を形成し、
前記ゲート電極領域と重なる前記絶縁層上に、半導体層を形成し、
前記半導体層上に、光反応性物質を形成し、
前記基板を通過させて前記光反応性物質に光を照射して、第１の領域及び第２の領域を形成し、
前記第２の領域に導電性材料を含む組成物を用いて第２の導電層を形成し、
前記第２の領域は前記第１の領域より前記導電性材料を含む組成物に対するぬれ性が高いことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記光反応性物質としてトリフェニルメタン誘導体を含む物質、アゾベンゼン誘導体を含む物質、又はスピロピラン誘導体を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項５】
透光性を有する基板上に非透光性を有する第１の導電層を形成し、
前記基板及び前記第１の導電層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に光触媒物質を形成し、
前記第１の導電層と重なる前記絶縁層及び前記光触媒物質上に、選択的にマスク層を形成し、
前記光触媒物質及び前記マスク層上にフッ化炭素鎖を含む物質を形成し、
前記基板を通過させて前記光触媒物質に光を照射して、第１の領域及び第２の領域を形成し、
前記マスク層及び前記マスク層上に形成された前記フッ化炭素鎖を含む物質を除去して第３の領域を形成し、
前記第２の領域及び前記第３の領域に導電性材料を含む組成物を用いて第２の導電層を形成し、
前記第２の領域は前記第１の領域より前記導電性材料を含む組成物に対するぬれ性が高く、
前記第３の領域は前記第１の領域より前記導電性材料を含む組成物に対するぬれ性が高いことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項６】
透光性を有する基板上にゲート電極領域とゲート配線領域を含み非透光性を有する第１の導電層を形成し、
前記基板及び前記第１の導電層上に絶縁層を形成し、
前記ゲート電極領域と重なる前記絶縁層上に、半導体層を形成し、
前記絶縁層及び前記半導体層上に光触媒物質を形成し、
前記ゲート配線領域と重なる前記光触媒物質上に、選択的にマスク層を形成し、
前記光触媒物質及び前記マスク層上に、フッ化炭素鎖を含む物質を形成し、
前記基板を通過させて前記光触媒物質に光を照射して、第１の領域及び第２の領域を形成し、
前記マスク層及び前記マスク層上に形成された前記フッ化炭素鎖を含む物質を除去して第３の領域を形成し、
前記第２の領域及び前記第３の領域に導電性材料を含む組成物を用いて第２の導電層を形成し、
前記第２の領域は前記第１の領域より前記導電性材料を含む組成物に対するぬれ性が高く、
前記第３の領域は前記第１の領域より前記導電性材料を含む組成物に対するぬれ性が高いことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項７】
請求項５または請求項６において、前記光触媒物質として酸化チタン膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項８】
透光性を有する基板上に非透光性を有する第１の導電層を形成し、
前記基板及び前記第１の導電層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に光触媒物質を形成し、
前記第１の導電層と重なる前記絶縁層及び前記光触媒物質上に、選択的にマスク層を形成し、
前記光触媒物質及び前記マスク層上にシランカップリング剤を含む物質を形成し、
前記基板を通過させて前記光触媒物質に光を照射して、第１の領域及び第２の領域を形成し、
前記マスク層及び前記マスク層上に形成された前記シランカップリング剤を含む物質を除去して第３の領域を形成し、
前記第２の領域及び前記第３の領域に導電性材料を含む組成物を用いて、第２の導電層を形成し、
前記第２の領域は前記第１の領域より前記導電性材料を含む組成物に対するぬれ性が高く、
前記第３の領域は前記第１の領域より前記導電性材料を含む組成物に対するぬれ性が高いことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項９】
透光性を有する基板上にゲート電極領域とゲート配線領域を含み非透光性を有する第１の導電層を形成し、
前記基板及び前記第１の導電層上に絶縁層を形成し、
前記ゲート電極領域と重なる前記絶縁層上に、半導体層を形成し、
前記絶縁層及び前記半導体層上に光触媒物質を形成し、
前記ゲート配線領域と重なる前記光触媒物質上に、選択的にマスク層を形成し、
前記光触媒物質及び前記マスク層上に、シランカップリング剤を含む物質を形成し、
前記基板を通過させて前記光触媒物質に光を照射して、第１の領域及び第２の領域を形成し、
前記マスク層及び前記マスク層上に形成された前記シランカップリング剤を含む物質を除去して第３の領域を形成し、
前記第２の領域及び前記第３の領域に導電性材料を含む組成物を用いて第２の導電層を形成し、
前記第２の領域は前記第１の領域より前記導電性材料を含む組成物に対するぬれ性が高く、
前記第３の領域は前記第１の領域より前記導電性材料を含む組成物に対するぬれ性が高いことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項８または請求項９において、前記シランカップリング剤はアルキル基を有することを特徴とする表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月14日(2008.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周期的に発光色が変化する発光源と、ソース信号線駆動回路と、第１のゲート信号線駆動回路と、第２のゲート信号線駆動回路と、複数の画素とを有し、
前記第１のゲート信号線駆動回路の走査方向と、前記第２のゲート信号線駆動回路の走査方向とが直交することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
周期的に発光色が変化する発光源と、ソース信号線駆動回路と、第１のゲート信号線駆動回路と、第２のゲート信号線駆動回路と、複数の画素とを有し、
前記複数の画素は、ソース信号線と、第１のゲート信号線と、前記第１のゲート信号線に直交する第２のゲート信号線と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、液晶素子とを有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１のゲート信号線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記ソース信号線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第２のゲート信号線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記液晶素子と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記ソース信号線駆動回路、前記第１のゲート信号線駆動回路、及び前記第２のゲート信号線駆動回路の少なくとも１つと、前記複数の画素は同一基板上に形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
周期的に発光色が変化する発光源と、第１のソース信号線駆動回路と、第２のソース信号線駆動回路と、第１のゲート信号線駆動回路と、第２のゲート信号線駆動回路と、複数の画素とを有し、
前記第１のゲート信号線駆動回路の走査方向と、前記第２のゲート信号線駆動回路の走査方向とが直交することを特徴とする表示装置。
【請求項５】
周期的に発光色が変化する発光源と、第１のソース信号線駆動回路と、第２のソース信号線駆動回路と、第１のゲート信号線駆動回路と、第２のゲート信号線駆動回路と、複数の画素とを有し、
前記複数の画素は、第１のソース信号線と、第２のソース信号線と、第１のゲート信号線と、前記第１のゲート信号線に直交する第２のゲート信号線と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、液晶素子とを有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１のゲート信号線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は前記第１のソース信号線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記液晶素子と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第２のゲート信号線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方は前記第２のソース信号線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記液晶素子と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記第１のソース信号線駆動回路、前記第２のソース信号線駆動回路、前記第１のゲート信号線駆動回路、及び前記第２のゲート信号線駆動回路の少なくとも１つと、前記複数の画素は同一基板上に形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の表示装置を用いることを特徴とする電子機器。
【請求項８】
ソース信号線駆動回路と、第１のゲート信号線駆動回路と、第２のゲート信号線駆動回路と、複数の画素とを有し、
前記第１のゲート信号線駆動回路の走査方向と、前記第２のゲート信号線駆動回路の走査方向とが直交し、
前記複数の画素はフィールドシーケンシャル駆動されることを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項９】
請求項８において、
第１の表示を行う際には、前記ソース信号線駆動回路の駆動周波数は、前記第１のゲート信号線駆動回路の駆動周波数よりも高く、
第２の表示を行う際には、前記ソース信号線駆動回路の駆動周波数は、前記第１のゲート信号線駆動回路の駆動周波数よりも低いことを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項１０】
第１のソース信号線駆動回路と、第２のソース信号線駆動回路と、第１のゲート信号線駆動回路と、第２のゲート信号線駆動回路と、複数の画素とを有し、
前記第１のゲート信号線駆動回路の走査方向と、前記第２のゲート信号線駆動回路の走査方向とが直交し、
前記複数の画素はフィールドシーケンシャル駆動されることを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項１１】
請求項８乃至請求項１０のいずれか一において、
第１の表示を行う際には、映像の上下は前記第１のゲート信号線駆動回路の走査方向に従った向きで表示され、
第２の表示を行う際には、映像の上下は前記第２のゲート信号線駆動回路の走査方向に従った向きで表示されることを特徴とする表示装置の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月31日(2008.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のインクをキュアするための方法であり、
インク・キュアリング・チャンバの支持ステージ上に基板を載置し、
前記基板上のインクをキュアするように、前記インク・キュアリング・チャンバ内の基板の表面を電子ビームにより走査することを含む方法。
【請求項２】
前記基板の前記表面を前記電子ビームにより走査することは、前記基板の前記表面上で電子ビーム送出器を動かすことを含む請求項１の方法。
【請求項３】
前記基板の前記表面を前記電子ビームにより走査することは、前記基板の前記表面上で複数の電子ビーム送出器を動かすことを含む請求項１の方法。
【請求項４】
前記電子ビーム送出器を動かすことは、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の少なくとも１つの方向において、前記電子ビーム送出器を動かすことを含む請求項２の方法。
【請求項５】
前記インク・キュアリング・チャンバ内の酸素のレベルを検出することを更に含む請求項１の方法。
【請求項６】
前記酸素のレベルが所定のレベルを超えるか否かを判定し、もし超えるならば、前記インク・キュアリング・チャンバのパージ及び前記電子ビームの停止の少なくとも一方を行うことを更に含む請求項５の方法。
【請求項７】
前記電子ビームを停止することは、前記電子ビームをターンオフすることを含む請求項６の方法。
【請求項８】
前記電子ビームを停止することは、前記電子ビームの起動を妨げることを含む請求項６の方法。
【請求項９】
前記インク・キュアリング・チャンバ内のオゾンのレベルを検出することを更に含む請求項１の方法。
【請求項１０】
前記オゾンのレベルが所定のレベルを超えるか否かを判定し、もし超えるならば、前記インク・キュアリング・チャンバのパージ及び前記電子ビームのターンオフの少なくとも一方を行うことを更に含む請求項９の方法。
【請求項１１】
前記インク・キュアリング・チャンバからのＸ線の漏れのレベルを検出することを更に含む請求項１の方法。
【請求項１２】
前記Ｘ線の漏れのレベルが所定のレベルを超えるか否かを判定し、もし超えるならば、前記電子ビームをターンオフすることを更に含む請求項１１の方法。
【請求項１３】
前記インク・キュアリング・チャンバのドアの開閉若しくはロックされていない状態を検出することを更に含む請求項１記載の方法。
【請求項１４】
前記基板を走査している間に、不活性ガスにより前記インク・キュアリング・チャンバをパージすることを更に含む請求項１の方法。
【請求項１５】
インクをキュアするための装置であり、
前記装置がチャンバを備え、
前記チャンバが、
電子ビームを送出するようになっている電子ビーム送出器と、
電子ビーム送出器の位置決め装置を有し、
前記電子ビーム送出器の位置決め装置は、インクが載った基板の表面上の所定の距離のところで前記電子ビーム送出器を支持し、前記電子ビーム送出器を動かすことで前記基板の前記表面を電子ビームで走査して、前記基板上のインクをキュアしており、
前記チャンバが更に、
前記電子ビーム送出器の位置決め装置を制御する、前記装置の動作を制御するコントローラと、
前記基板の前記表面を電子ビームでそれぞれが走査するようになっている複数の電子ビーム送出器と、
前記インク・キュアリング・チャンバ内の酸素のレベルを検出する酸素検出器と、
前記酸素検出器に接続され、前記酸素のレベルが所定のレベルを超えるか否かを判定し、もし超えるならば、前記インク・キュアリング・チャンバのパージ及び前記電子ビームの停止の少なくとも一方を開始する第２のコントローラと、
前記インク・キュアリング・チャンバ内のオゾンのレベルを検出するオゾン検出器ととを有し、
前記電子ビーム送出器の位置決め装置は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の少なくとも１つの方向において前記電子ビーム送出器を動かす装置。
【請求項１６】
インクをキュアするための装置であり、
前記装置がチャンバを備え、
前記チャンバが、
電子ビームを送出する電子ビーム送出器と、
電子ビーム送出器の位置決め装置を有し、
前記電子ビーム送出器の位置決め装置は、インクの載った基板の表面上の所定の距離のところで前記電子ビーム送出器を支持し、前記電子ビーム送出器を動かすことで前記基板の前記表面を電子ビームで走査して、前記基板上のインクをキュアしており、
前記チャンバが更に、
前記インク・キュアリング・チャンバ内のオゾンのレベルを検出するオゾン検出器と、
前記オゾン検出器に接続され、前記オゾン検出器からの信号を受信し、前記オゾンのレベルが所定のレベルを超えるか否かを判定し、もし超えるならば、前記インク・キュアリング・チャンバのパージ及び前記電子ビームのターンオフの少なくともいずれか一方を起動するコントローラと、
前記コントローラに接続され、前記インク・キュアリング・チャンバからのＸ線漏れのレベルを検出するＸ線検出器を有し、
前記コントローラは前記Ｘ線検出器からの信号を受信し、前記Ｘ線の漏れのレベルが所定のレベルを超えるか否かを判定し、もし超えるならば、前記電子ビームのターンオフが開始され、
前記チャンバが更に、
前記コントローラに接続され、前記インク・キュアリング・チャンバのドアの開閉若しくはアンロック状態を検出するインターロック・システムを有し、
前記コントローラは前記インク・キュアリング・チャンバの前記ドアが開いているか又はアンロック状態であるかどうかを示す信号を受信し、もしそうであれば、前記電子ビームのターンオフが開始され、
前記チャンバが更に、
前記コントローラに接続され、前記コントローラからの起動信号に応じて、不活性ガスにより前記インク・キュアリング・チャンバをパージするパージング・システムを有し、
前記電子ビーム送出器の位置決め装置は基板の搬入・搬出動作の間、一定のＺ軸の位置に留まっており、
前記装置が前記基板を支持するステージを更に含み、
前記ステージは前記ステージを介して固定のリフトピンが突出することを許容し、前記基板を支持し、前記ステージが降下するときに前記基板の上及び下のクリアランスをもたらすように低くなる装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月6日(2008.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、
前記透明基板上に形成され、照射される所定波長帯の光を全部透過させる光透過部と、照射される所定波長帯の光を全部遮断させる光遮断部とを有する光遮断層と、
照射される所定波長帯の光の一部のみを透過させる半透過部と、
を備えることを特徴とするハーフトーンマスク。
【請求項２】
前記半透過部が、CrxOy、CrxCoy、CrxCoyNz、SixNy、MoxSiyのうちいずれか一つで形成され、照射される光の一部のみを透過させることを特徴とする請求項１に記載のハーフトーンマスク。
【請求項３】
請求項１によるハーフトーンマスクを用いて製造される平板ディスプレイ。
【請求項４】
透明基板上に光遮断層と第１フォトレジストを順に形成し、露光・現像・エッチング工程を順に行って光の透過する光透過部と光を遮断する光遮断部とを前記光遮断層に形成する段階と、
前記第１フォトレジストを除去する段階と、
前記光遮断部と光透過部上に第２フォトレジストを形成し、前記光透過部のうち必要部位が外部に露出されるように前記第２フォトレジストを露光及び現像する段階と、
前記第２フォトレジスト及び外部に露出された前記透明基板上に、照射される所定波長帯の光の一部のみを透過させる半透過層を形成する段階と、
前記第２フォトレジスト及び前記第２フォトレジスト上に形成された前記半透過層を除去する段階と、
を備えてなることを特徴とするハーフトーンマスクの製造方法。
【請求項５】
透明基板上に光遮断層と第１フォトレジストを順に形成し、露光・現像・エッチング工程を順に行って光の透過する光透過部と光を遮断する光遮断部とを前記光遮断層に形成する段階と、
前記第１フォトレジストを除去する段階と、
前記光遮断部と光透過部上に照射される所定波長帯の光の一部のみを透過させる半透過層を形成する段階と、
前記半透過層上に第２フォトレジストを形成し、前記半透過層のうち必要部位が外部に露出されるように前記第２フォトレジストを露光及び現像する段階と、
前記露出された半透過層をエッチングした後、前記第２フォトレジストを除去する段階と、
を備えてなることを特徴とするハーフトーンマスクの製造方法。
【請求項６】
透明基板上に光遮断層と第１フォトレジストを順に形成し、露光・現像・エッチング工程を順に行って光の透過する光透過部と光を遮断する光遮断部とを前記光遮断層に形成する段階と、
前記第１フォトレジストと光透過部上に、照射される所定波長帯の光の一部のみを透過させる半透過層を形成する段階と、
前記第１フォトレジストと前記第１フォトレジスト上に形成された半透過層を除去して前記光遮断部を露出させる段階と、
前記光遮断部と前記残っている半透過層上に第２フォトレジストを形成し、前記半透過層のうち必要部位が外部に露出されるように前記第２フォトレジストを露光及び現像する段階と、
前記露出された半透過層をエッチングした後、前記第２フォトレジストを除去する段階と、
を備えてなることを特徴とするハーフトーンマスクの製造方法。
【請求項７】
前記第２フォトレジストを露光及び現像する前に、前記光遮断層の隅部分に形成された整列マークの位置を把握してレーザービームの照射位置を補正する段階をさらに備えることを特徴とする請求項４乃至６のいずれか一項に記載のハーフトーンマスクの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の第３実施形態に係るハーフトーンマスクの製造方法は、透明基板上に光遮断層と第１フォトレジストを順に形成し、露光・現像・エッチング工程を順に行って光の透過する光透過部と光を遮断する光遮断部とを前記光遮断層に形成する段階と、前記第１フォトレジストと光透過部上に、照射される所定波長帯の光の一部のみを透過させる半透過層を形成する段階と、前記第１フォトレジストと前記第１フォトレジスト上に形成された半透過層を除去して前記光遮断部を露出させる段階と、前記光遮断部と前記残っている半透過層上に第２フォトレジストを形成し、前記半透過層のうち必要部位が外部に露出されるように前記第２フォトレジストを露光及び現像する段階と、前記露出された半透過層をエッチングした後、前記第２フォトレジストを除去する段階とを備えてなることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
続いて、段階Ｓ８０では、外部に露出された半透過層１６０を湿式エッチングして透明基板１１０の所定部分が外部に露出されるようにし、段階Ｓ９０では、残っている半透過層１６０上に存在する第２フォトレジスト１４５を除去する。これにより、半透過層１６０は、光遮断層１２０のうち光遮断部１２５と、透明基板１１０の上面一部のみに残るようになる。この透明基板１１０の上面一部に残っている光透過層１６０が、半透過部１３０となる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月4日(2008.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素、前記画素に接続されている複数のデータ線、複数の感知部及び前記感知部に接続されている複数の感知信号線を備えた表示装置を駆動する装置であって、
映像信号をデータ電圧に変換して前記データ線に印加するデータ駆動部と、
前記感知部からの感知信号を前記感知信号線を介して受信し、所定の信号処理を行ってデジタル感知信号を生成する信号読取部と、
外部装置から前記映像信号を受け、前記データ駆動部及び前記信号読取部を制御する信号制御部とを備え、
前記データ駆動部、前記信号読取部及び前記信号制御部は、一つのＩＣチップ内に集積されている表示装置用駆動装置。
【請求項２】
複数の画素、複数の感知部、前記画素及び前記感知部に接続されている複数のデータ線を備えた表示装置を駆動する装置であって、
映像信号をデータ電圧に変換して前記データ線に印加するデータ駆動部と、
前記感知部からの感知信号を前記データ線を介して受信し、所定の信号処理を行って、デジタル感知信号を生成する信号読取部と、
外部装置から前記映像信号を受け、前記データ駆動部及び前記信号読取部を制御する信号制御部とを備え、
前記データ駆動部、前記信号読取部及び前記信号制御部は、一つのＩＣチップ内に集積されている表示装置用駆動装置。
【請求項３】
前記データ線に接続されており、スイッチング信号により前記データ線を前記データ駆動部または前記信号読取部のいずれか一つに接続するスイッチング部をさらに有する、請求項１又は２に記載の表示装置用駆動装置。
【請求項４】
前記信号読取部は、
前記感知信号を受信して増幅する増幅部と、
前記増幅部からの前記増幅された感知信号をフィルタリングし、標本維持動作を行って、前記増幅された感知信号を処理する感知信号処理部と、
前記感知信号処理部から前記処理された感知信号を受けて、デジタル感知信号を生成するアナログ-デジタル変換器とを有する、請求項３に記載の表示装置用駆動装置。
【請求項５】
前記感知信号処理部は、前記処理された感知信号を直列感知信号に変換する並列-直列変換器を有する、請求項４に記載の表示装置用駆動装置。
【請求項６】
前記ＩＣチップに集積されており、前記表示装置に映像走査信号を送出する映像走査部をさらに有する、請求項１又は２に記載の表示装置用駆動装置。
【請求項７】
前記ＩＣチップに集積されており、前記表示装置に感知走査信号を送出する感知走査部をさらに有する、請求項１又は２に記載の表示装置用駆動装置。
【請求項８】
前記データ駆動部は、前記データ電圧を送出する出力バッファーを有する、請求項１から７のいずれか１つに記載の表示装置用駆動装置。
【請求項９】
前記増幅部は、前記ＩＣチップの入力端子に接続されており、前記出力バッファーは、前記ＩＣチップの出力端子に接続されており、前記入力端子は、所定数の前記出力端子束の間に配設されている、請求項８に記載の表示装置用駆動装置。
【請求項１０】
複数の画素と、
前記画素に接続されている複数のデータ線と、
複数の感知部と、
前記感知部に接続されている複数の感知信号線と、
映像信号をデータ電圧に変換して前記データ線に印加するデータ駆動部と、
前記感知部からの感知信号を前記感知信号線を介して受信し、所定の信号処理を行ってデジタル感知信号を生成する信号読取部と、
外部装置から前記映像信号を受け、前記データ駆動部及び前記信号読取部を制御する信号制御部とを備え、
前記データ駆動部、前記信号読取部及び前記信号制御部は、一つのＩＣチップ内に集積されている表示装置。
【請求項１１】
複数の画素と、
複数の感知部と、
前記画素及び前記感知部に接続されている複数のデータ線と、
映像信号をデータ電圧に変換して前記データ線に印加するデータ駆動部と、
前記感知部からの感知信号を前記データ線を介して受信し、所定の信号処理を行ってデジタル感知信号を生成する信号読取部と、
外部装置から前記映像信号を受け、前記データ駆動部及び前記信号読取部を制御する信号制御部とを備え、
前記データ駆動部、前記信号読取部及び前記信号制御部は、一つのＩＣチップ内に集積されている表示装置。
【請求項１２】
前記データ線に接続されており、スイッチング信号により前記データ線を前記データ駆動部または前記信号読取部のいずれか一つに接続するスイッチング部をさらに有する、請求項１０又は１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記スイッチング部は、前記ＩＣチップに集積されている、請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記信号読取部は、
前記感知信号を受信して増幅する増幅部と、
前記増幅部からの前記増幅された感知信号をフィルタリングし、標本維持動作を行って前記増幅された感知信号を処理する感知信号処理部と、
前記感知信号処理部から前記処理された感知信号を受けてデジタル感知信号を生成するアナログ-デジタル変換器とを有する、請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記感知信号処理部は、前記処理された感知信号を直列感知信号に変換する並列-直列変換器を有する、請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記画素に映像走査信号を送出する映像走査部をさらに有する、請求項１０から１５のいずれか１つに記載の表示装置。
【請求項１７】
前記感知部に感知走査信号を送出する感知走査部をさらに有する、請求項１０から１６のいずれか１つに記載の表示装置。
【請求項１８】
前記データ駆動部は、前記データ電圧を送出する出力バッファーを有する、請求項１０から１７のいずれか１つに記載の表示装置。
【請求項１９】
前記増幅部は、前記ＩＣチップの入力端子に接続されており、前記出力バッファーは、前記ＩＣチップの出力端子に接続されており、前記入力端子は、所定数の前記出力端子束の間に配設されている、請求項１８に記載の表示装置。
【請求項２０】
前記感知信号線間の距離が０．１ｍｍ〜５．０ｍｍである、請求項１０から１９のいずれか１つに記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月29日(2008.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
打撃強度と打撃位置を検出して打撃情報を出力する打撃認識部、
楽音情報を記憶している楽音情報記憶部、
打撃情報の入力に応じて楽音情報記憶部から楽音情報を読み出して楽音を発音する楽音出力部、
打撃認識部の打撃強度と打撃位置の検出範囲を分割して複数のグループを形成し、各グループの同時に楽音を発音する最大数の設定をそれぞれのグループと対応付けて予め記憶しておくグループ設定テーブル、
およびそれらを制御する制御部からなる電子楽器であって、
前記制御部は、打撃認識部が打撃を検出したときにその打撃情報が属するグループを決定し、
決定されたグループ内の現在の同時に発音している数が最大数に達していない場合は、打撃情報に応じて楽音出力部が読み出すべき楽音情報を選択して楽音出力部に指示する処理、
決定されたグループ内の現在の同時に発音している数が最大数に達している場合は、そのグループ内の最も音量の小さいまたは最も再生時期の古い楽音の発音の停止を楽音出力部に指示した後、打撃情報に応じて楽音出力部が読み出すべき新たな楽音情報を選択して楽音出力部に指示する処理、
を実行することを特徴とする電子楽器。
【請求項２】
前記制御部は前記打撃認識部の最外周部に打撃を検出したとき、ドラム楽器のリムを打撃した楽音を発音することを特徴とする請求項１に記載の電子楽器。
【請求項３】
前記楽音情報記憶部は同じ打撃強度と打撃位置について、複数の楽音情報を記憶し、
前記制御部は、同じ打撃強度と打撃位置の打撃を連続して検出したとき、前記楽音情報記憶部から発音中の楽音と異なった楽音情報を読み出すことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子楽器。
【請求項４】
前記制御部は、全体の発音状況に応じて前記グループ設定テーブルに記憶している各グループの同時に楽音を発音する最大数の設定を変更することを特徴とする請求項１、請求項２または請求項３に記載の電子楽器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項１に記載の発明は、打撃強度と打撃位置を検出して打撃情報を出力する打撃認識部、楽音情報を記憶している楽音情報記憶部、打撃情報の入力に応じて楽音情報記憶部から楽音情報を読み出して楽音を発音する楽音出力部、打撃認識部の打撃強度と打撃位置の検出範囲を分割して複数のグループを形成し、各グループの同時に楽音を発音する最大数の設定をそれぞれのグループと対応付けて予め記憶しておくグループ設定テーブル、およびそれらを制御する制御部からなる電子楽器であって、前記制御部は、打撃認識部が打撃を検出したときにその打撃情報が属するグループを決定し、決定されたグループ内の現在の同時に発音している数が最大数に達していない場合は、打撃情報に応じて楽音出力部が読み出すべき楽音情報を選択して楽音出力部に指示する処理、決定されたグループ内の現在の同時に発音している数が最大数に達している場合は、そのグループ内の最も音量の小さいまたは最も再生時期の古い楽音の発音の停止を楽音出力部に指示した後、打撃情報に応じて楽音出力部が読み出すべき新たな楽音情報を選択して楽音出力部に指示する処理、を実行することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月29日(2008.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
打撃を検出して打撃情報を出力する打撃認識部、踏み込み操作を検出して踏み込み操作情報を出力する操作認識部、楽音情報を記憶している楽音情報記憶部、前記楽音情報記憶部から楽音情報を読み出して楽音を発音する楽音出力部、およびそれらを制御する制御部からなる電子打楽器であって、
前記制御部は、打撃認識部が打撃を検出したときに打撃情報に応じて楽音出力部が読み出すべき楽音情報を選択して楽音出力部に指示する処理、
操作認識部が踏み込み操作を検出したときに、楽音出力部が楽音を発音していない場合は踏み込み操作情報に応じて楽音出力部が読み出すべき楽音情報を選択して楽音出力部に指示する処理、
楽音出力部が楽音を発音している場合はこの楽音の発音を停止した後、消音した楽音の音量を含む情報と踏み込み操作情報に応じて楽音出力部が読み出すべき新たな楽音情報を選択して楽音出力部に指示する処理、
を実行することを特徴とする電子打楽器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項１に記載の発明は、打撃を検出して打撃情報を出力する打撃認識部、踏み込み操作を検出して踏み込み操作情報を出力する操作認識部、楽音情報を記憶している楽音情報記憶部、前記楽音情報記憶部から楽音情報を読み出して楽音を発音する楽音出力部、およびそれらを制御する制御部からなる電子打楽器であって、前記制御部は、打撃認識部が打撃を検出したときに打撃情報に応じて楽音出力部が読み出すべき楽音情報を選択して楽音出力部に指示する処理、操作認識部が踏み込み操作を検出したときに、楽音出力部が楽音を発音していない場合は踏み込み操作情報に応じて楽音出力部が読み出すべき楽音情報を選択して楽音出力部に指示する処理、楽音出力部が楽音を発音している場合はこの楽音の発音を停止した後、消音した楽音の音量を含む情報と踏み込み操作情報に応じて楽音出力部が読み出すべき新たな楽音情報を選択して楽音出力部に指示する処理、を実行することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月14日(2008.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記内側レールは、前記ベースプレートの前記前側面に隣接する位置から前記ベースプレートの前記後側面に隣接する位置まで延びる概略垂直な垂直面を有し、前記関節面コンポーネントは、前記ベースプレートの前記内縁部に向かう該関節面コンポーネントの運動の極限位置において前記内側レールの前記垂直面に当接する、請求項１に記載のモバイルベアリング型単顆脛骨人工膝関節。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
前記外側停止部は、前記ベースプレートの前記前側面と前記後側面との略中間において基本的に前記ベースプレートの中央部分の隣接部で前記関節面コンポーネントの外方移動を制限するように、前後方向に比較的に短い距離にわたって延びている、請求項１１に記載のモバイルベアリング型単顆脛骨人工膝関節。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
前記内側レールは前側部分及び後側部分において前記外縁部に向けて湾曲しており、該湾曲した前側部分及び後側部分は、前記ベースプレート上における前記関節面コンポーネントの前側位置及び後側位置で、前記ベースプレートの前記内縁部から離れる方向に外方に向けて前記関節面コンポーネントを摺動させて、前記外側停止部及び前記内側レールが前記ベースプレートの前記外縁部に隣接する後側位置から、前記ベースプレートの前記外縁部から離れた中間位置を通り、再び前記ベースプレートの前記外縁部に隣接する前側位置に至るまでの概略円弧状の運動に前記関節面コンポーネントを拘束するようにさせる、請求項１３に記載のモバイルベアリング型単顆脛骨人工膝関節。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】
前記ベースプレート上における前記関節面コンポーネントの前記側方への運動は、該ベースプレートの前記前側面及び前記後側面の隣接部では拘束が大きく、該ベースプレートの前後方向の中央の隣接部では拘束が少なくなっている、請求項１６に記載のモバイルベアリング型単顆脛骨人工膝関節。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２４】
前記ベースプレートは、該ベースプレートの前記内縁部と前記外縁部との間に該ベースプレートの前記上側表面から上方に突出するリブをさらに備え、前記リブは前記ベースプレートの前記前側面に隣接する位置から前記後側面に隣接する位置まで延びており、前記関節面コンポーネントは、該関節面コンポーネントの前記下側表面に形成された対応する溝を含む、請求項１に記載のモバイルベアリング型単顆脛骨人工膝関節。