【手続補正書】
【提出日】平成20年1月30日(2008.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層上に一導電型の不純物を含有する第２の半導体層を形成し、
前記一導電型の不純物を含有する第２の半導体層上に第１のマスクを形成し、
前記第１の半導体層及び前記一導電型の不純物を含有する第２の半導体層の前記第１のマスクに覆われていない部分をエッチングし、
前記第１のマスクを除去し、
前記一導電型の不純物を含有する第２の半導体層上に第２のマスクを形成し、
前記一導電型の不純物を含有する第２の半導体層の前記第２のマスクに覆われていない部分をエッチングし、
前記第２のマスク上面及び前記第１の半導体層上面に溶液を吐出又は塗布することによってぬれ性の低い領域を形成し、
前記ぬれ性の低い領域が形成された第２のマスクを除去することによって前記ぬれ性の低い領域よりもぬれ性の高い領域を形成し、
前記ぬれ性の高い領域に液滴吐出法によりソース配線及びドレイン配線を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層上にチャネル保護層を形成し、
前記第１の半導体層及び前記チャネル保護層上に一導電型の不純物を含有する第２の半導体層を形成し、
前記一導電型の不純物を含有する第２の半導体層上に第１のマスクを形成し、
前記第１の半導体層、及び前記一導電型の不純物を含有する第２の半導体層の前記第１のマスクに覆われていない部分をエッチングし、
前記第１のマスクを除去し、
一導電型の不純物を含有する第２の半導体層上に第２のマスクを形成し、
前記一導電型の不純物を含有する第２の半導体層の前記第２のマスクに覆われていない部分をエッチングし、
前記第２のマスク上面及び前記チャネル保護層上面に溶液を吐出又は塗布することによってぬれ性の低い領域を形成し、
前記ぬれ性の低い領域が形成された第２のマスクを除去することによって前記ぬれ性の低い領域よりもぬれ性の高い領域を形成し、
前記ぬれ性の高い領域に液滴吐出法によりソース配線及びドレイン配線を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項３】
透光性を有する基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層上に一導電型の不純物を含有する第２の半導体層を形成し、
前記一導電型の不純物を含有する第２の半導体層上に第１のマスクを形成し、
前記第１の半導体層、及び前記一導電型の不純物を含有する第２の半導体層の前記第１のマスクに覆われていない部分をエッチングし、
前記第１のマスクを除去し、
前記一導電型の不純物を含有する第２の半導体層上に第２のマスクを形成し、
前記一導電型の不純物を含有する第２の半導体層の前記第２のマスクに覆われていない部分をエッチングし、
前記第２のマスク上面及び前記第１の半導体層上面に溶液を吐出又は塗布することによってぬれ性の低い領域を形成し、
前記ぬれ性の低い領域が形成された第２のマスクを除去することによって前記ぬれ性の低い領域よりもぬれ性の高い領域を形成し、
前記ぬれ性の高い領域に液滴吐出法によりソース配線及びドレイン配線を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法であって、
前記一導電型の不純物を含有する第２の半導体層をエッチングするための前記第２のマスクは、ネガ型レジストを塗布し、前記ネガ型レジストを基板の裏面から露光して形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項４】
透光性を有する基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層上にチャネル保護層を形成し、
前記第１の半導体層及び前記チャネル保護層上に一導電型の不純物を含有する第２の半導体層を形成し、
前記一導電型の不純物を含有する第２の半導体層上に第１のマスクを形成し、
前記第１の半導体層、及び前記一導電型の不純物を含有する第２の半導体層の前記第１のマスクに覆われていない部分をエッチングし、前記第１のマスクを除去し、
一導電型の不純物を含有する第２の半導体層上に第２のマスクを形成し、
前記一導電型の不純物を含有する第２の半導体層の前記第２のマスクに覆われていない部分をエッチングし、
前記第２のマスク上面及び前記チャネル保護層上面に溶液を吐出又は塗布することによってぬれ性の低い領域を形成し、
前記ぬれ性の低い領域が形成された第２のマスクを除去することによって前記ぬれ性の低い領域よりもぬれ性の高い領域を形成し、
前記ぬれ性の高い領域に液滴吐出法によりソース配線及びドレイン配線を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法であって、
前記一導電型の不純物を含有する第２の半導体層をエッチングするための前記第２のマスクは、ネガ型レジストを塗布し、前記ネガ型レジストを基板の裏面から露光して形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項５】
請求項１又は請求項２において、前記一導電型の不純物を含有する第２の半導体層をエッチングするための第２のマスクは、平坦化膜を塗布し、前記平坦化膜をエッチバックして形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項６】
請求項１又は請求項２において、前記一導電型の不純物を含有する第２の半導体層をエッチングするための第２のマスクは、ポジ型レジストを塗布し、前記ポジ型レジストを基板の表面から露光して形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、前記ゲート電極を形成する際に、基板上に導電性の下地層を形成し、前記下地層上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極と重ならない下地層を酸化して絶縁化あるいはエッチングして除去することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項８】
絶縁表面を有する基板上にソース配線及びドレイン配線を形成し、
前記ソース配線及びドレイン配線上に一導電型の不純物を含有する第１の半導体層を形成し、
前記一導電型の不純物を含有する第１の半導体層及び前記基板上に第２の半導体層を形成し、
前記第２の半導体層上に第１のマスクを形成し、
前記第２の半導体層、及び前記一導電型の不純物を含有する第１の半導体層の前記第１のマスクに覆われていない部分をエッチングし、
前記第１のマスクを除去し、
前記基板、前記第２の半導体層、前記ソース配線及びドレイン配線上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にレジストを塗布し、
前記レジストを露光、現像して、所望の形状に加工し、
前記レジスト上面及び前記ゲート絶縁層上面に溶液を吐出又は塗布することによってぬれ性の低い領域を形成し、
前記ぬれ性の低い領域が形成された所望の形状を有するレジストを除去することによって前記ぬれ性の低い領域よりもぬれ性の高い領域を形成し、
前記ぬれ性の高い領域に液滴吐出法によりゲート電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項９】
請求項８において、第１の半導体層に一導電型の不純物をプラズマドーピング法により添加することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１０】
請求項８又は請求項９において、前記ソース配線及びドレイン配線を形成する際に、基板上に導電性の下地層を形成し、前記下地層上にソース配線及びドレイン配線を形成し、前記ソース配線及びドレイン配線と重ならない下地層を酸化して絶縁化する、あるいはエッチングして除去することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。