【手続補正書】
【提出日】平成19年11月19日(2007.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属酸化膜半導体電界効果トランジスタの製造において高誘電膜上に金属ゲートを蒸着するための方法であって、
熱アニーリングモジュール内で、上に高誘電膜が蒸着されている基板をアニールするアニーリングステップと、
金属ゲート蒸着モジュール内で、前記アニールされた基板上に金属ゲート材料を蒸着させる蒸着ステップと、
を含む方法において、
真空を破ることなく、前記アニーリングステップおよび前記蒸着ステップが連続的に行なわれることを特徴とする方法。
【請求項２】
金属酸化膜半導体電界効果トランジスタの製造において高誘電膜上に金属ゲートを蒸着するための方法であって、
熱アニーリングモジュール内で、上に高誘電膜が蒸着されている基板をアニールするアニーリングステップと、
冷却モジュール内で、前記アニールされた基板を冷却する冷却ステップと、
金属ゲート蒸着モジュール内で、前記冷却された基板上に金属ゲート材料を蒸着させる蒸着ステップと、
を含む方法において、
真空を破ることなく、前記アニーリングステップ、前記冷却ステップおよび前記蒸着ステップが連続的に行なわれることを特徴とする方法。
【請求項３】
金属酸化膜半導体電界効果トランジスタの製造において高誘電膜上に金属ゲートを蒸着するための方法であって、
高誘電体蒸着モジュール内で、基板上に高誘電膜を蒸着する第１の蒸着ステップと、
熱アニーリングモジュール内で、上に高誘電膜が蒸着されている前記基板をアニールするアニーリングステップと、
冷却モジュール内で、前記アニールされた基板を冷却する冷却ステップと、
金属ゲート蒸着モジュール内で、前記冷却された基板上に金属ゲート材料を蒸着させる第２の蒸着ステップと、
を含む方法において、
真空を破ることなく、前記第１の蒸着ステップ、前記アニーリングステップ、前記冷却ステップおよび前記第２の蒸着ステップが連続的に行なわれることを特徴とする方法。
【請求項４】
金属酸化膜半導体電界効果トランジスタの製造において高誘電膜上に金属ゲートを蒸着するための方法であって、
熱アニーリングモジュール内で、基板上に薄い熱ＳｉＯ２膜を蒸着させる第１の蒸着ステップと、
冷却モジュール内で、前記基板を冷却する第１の冷却ステップと、
高誘電体蒸着モジュール内で、前記基板上に高誘電膜を蒸着する第２の蒸着ステップと、
熱アニーリングモジュール内で、前記基板をアニールするアニーリングステップと、
冷却モジュール内で、前記アニールされた基板を冷却する第２の冷却ステップと、
金属ゲート蒸着モジュール内で、前記冷却された基板上に金属ゲート材料を蒸着させる第３の蒸着ステップと、
を含む方法において、
真空を破ることなく、前記第１の蒸着ステップ、前記第１の冷却ステップ、前記第２の蒸着ステップ、前記アニーリングステップ、前記第２の冷却ステップおよび前記第３の蒸着ステップが連続的に行なわれることを特徴とする方法。
【請求項５】
金属ゲート材料を蒸着する前記蒸着ステップにより形成される金属ゲートが複合膜積層体を備え、
前記金属ゲートが形成された後、真空を破ることなく前記熱アニーリングモジュール内で基板が更に連続的にアニールされる請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタの製造において高誘電膜上に金属ゲートを蒸着するための方法。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の方法にしたがって高誘電膜上に金属ゲートを蒸着させることにより金属酸化膜半導体電界効果トランジスタの製造において高誘電膜と金属ゲートとの間の界面を向上させる方法。
【請求項７】
基板を搬送するための搬送手段を有するウエハ処理台と、前記ウエハ処理台に接続された処理モジュールとを備える基板処理システムであって、
前記処理モジュールは、少なくとも熱アニーリングモジュールと、金属ゲート蒸着モジュールとを有し、
前記搬送手段は、真空を破ることなく前記ウエハ処理台と前記処理モジュールとの間で基板を搬送する基板処理システム。
【請求項８】
前記処理モジュールは、冷却モジュール及び／又は高誘電体蒸着モジュールを更に有している請求項７に記載の基板処理システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】高誘電膜上に金属ゲートを蒸着する方法及び、高誘電膜と金属ゲートとの界面を向上させる方法、並びに、基板処理システム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）の製造において高誘電膜上に金属ゲートを蒸着するための方法に関する。特に、本発明は、ＭＯＳＦＥＴの製造において高誘電膜と金属ゲートとの界面を向上させるための方法に関する。また、本発明は、前記方法での使用に適した基板処理システムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
前記目的を達成するため、本発明の第１の態様は、ＭＯＳＦＥＴの製造において高誘電膜上に金属ゲートを蒸着するための方法であって、熱アニーリングモジュール内で、上に高誘電膜が蒸着されている基板をアニールするアニーリングステップと、金属ゲート蒸着モジュール内で、前記アニールされた基板上に金属ゲート材料を蒸着させる蒸着ステップとを含み、真空を破ることなく、前記アニーリングステップおよび前記蒸着ステップが連続的に行なわれることを特徴とする方法を提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
本発明の第２の態様は、ＭＯＳＦＥＴの製造において高誘電膜上に金属ゲートを蒸着するための方法であって、熱アニーリングモジュール内で、上に高誘電膜が蒸着されている基板をアニールするアニーリングステップと、冷却モジュール内で、前記アニールされた基板を冷却する冷却ステップと、金属ゲート蒸着モジュール内で、前記冷却された基板上に金属ゲート材料を蒸着させる蒸着ステップとを含み、真空を破るこすことなく、前記アニーリングステップ、前記冷却ステップおよび前記蒸着ステップが連続的に行なわれることを特徴とする方法を提供する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
本発明の第３の態様は、ＭＯＳＦＥＴの製造において高誘電膜上に金属ゲートを蒸着するための方法であって、高誘電体蒸着モジュール内で、基板上に高誘電膜を蒸着する第１の蒸着ステップと、熱アニーリングモジュール内で、上に高誘電膜が蒸着されている前記基板をアニールするアニーリングステップと、冷却モジュール内で、前記アニールされた基板を冷却する冷却ステップと、金属ゲート蒸着モジュール内で、前記冷却された基板上に金属ゲート材料を蒸着させる第２の蒸着ステップとを含み、真空を破ることなく、前記第１の蒸着ステップ、前記アニーリングステップ、前記冷却ステップおよび前記第２の蒸着ステップが連続的に行なわれることを特徴とする方法を提供する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
本発明のこの方法は本発明の基板処理システムによって行なわれる。この基板処理システムは、基板を搬送するための搬送手段を有するウエハ処理台と、前記ウエハ処理台に接続された処理モジュールとを備え、前記処理モジュールは、少なくとも熱アニーリングモジュールと、冷却モジュールと、高誘電体蒸着モジュールと、金属ゲート蒸着モジュールとを有し、前記搬送手段は、真空を破ることなく前記ウエハ処理台と前記処理モジュールとの間で基板を搬送する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
本発明の第４の態様は、ＭＯＳＦＥＴの製造において高誘電膜上に金属ゲートを蒸着するための方法であって、熱アニーリングモジュール内で、基板上に薄い熱ＳｉＯ２膜を蒸着させる第１の蒸着ステップと、冷却モジュール内で、前記基板を冷却する第１の冷却ステップと、高誘電体蒸着モジュール内で、前記基板上に高誘電膜を蒸着する第２の蒸着ステップと、熱アニーリングモジュール内で、前記基板をアニールするアニーリングステップと、冷却モジュール内で、前記アニールされた基板を冷却する第２の冷却ステップと、金属ゲート蒸着モジュール内で、前記冷却された基板上に金属ゲート材料を蒸着させる第３の蒸着ステップとを含み、真空を破ることなく、前記第１の蒸着ステップ、前記第１の冷却ステップ、前記第２の蒸着ステップ、前記アニーリングステップ、前記第２の冷却ステップおよび前記第３の蒸着ステップが連続的に行なわれることを特徴とする方法を提供する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
本発明のこの方法は本発明の基板処理システムによって行なわれる。この基板処理システムは、基板を搬送するための搬送手段を有するウエハ処理台と、前記ウエハ処理台に接続された処理モジュールとを備え、前記処理モジュールは、少なくとも熱アニーリングモジュールと、冷却モジュールと、高誘電体蒸着モジュールと、金属ゲート蒸着モジュールとを有し、前記搬送手段は、真空を破ることなく前記ウエハ処理台と前記処理モジュールとの間で基板を搬送する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
本発明の第５の態様は、本発明の前述した第１ないし第４の態様のいずれかに係るＭＯＳＦＥＴの製造において高誘電膜上に金属ゲートを蒸着するための方法であって、金属ゲート材料を蒸着する前記蒸着ステップにより形成される金属ゲートが複合膜積層体を備え、前記金属ゲートが形成された後、真空を破ることなく前記熱アニーリングモジュール内で基板が更に連続的にアニールされる方法を提供する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
本発明の第６の態様は、本発明の前述した第１ないし第５の態様のいずれかの方法にしたがって高誘電膜上に金属ゲートを蒸着させることによりＭＯＳＦＥＴの製造において高誘電膜と金属ゲートとの間の界面を向上させる方法を提供する。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
本発明の第８の態様は、本発明の第７の態様に係る基板処理システムであって、前記処理モジュールが冷却モジュール及び／又は高誘電体蒸着モジュールを更に有している基板処理システムを提供する。