【手続補正書】
【提出日】平成19年12月21日(2007.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にＲｕまたはＲｕ合金からなる第１下地層と、
前記第１下地層上に形成された記録層とを備え、
前記記録層は、基板面に対して略垂直方向に磁化容易軸を有する複数の磁性粒子と、該磁性粒子を互いに離隔する非磁性の非固溶相からなり、
前記第１下地層が、基板面に対して垂直方向に成長し、互いに離隔されてなる結晶粒子からなることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
前記基板と第１下地層の間に、
前記基板上に形成された軟磁性裏打ち層と、
前記軟磁性裏打ち層上に形成された非晶質材料からなるシード層と、
を有する請求項１記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
前記第１下地層は、空隙部が当該第１下地層の底面から記録層の界面まで形成されてなることを特徴とする請求項１又は２記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
前記結晶粒子の間隙は、１ｎｍ乃至２ｎｍの範囲に設定されることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか一項記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
前記結晶粒子の平均粒径は、２ｎｍ乃至１０ｎｍの範囲に設定されることを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか一項記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項６】
前記第１下地層は、その膜厚が２ｎｍ乃至１６ｎｍの範囲に設定されることを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか一項記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項７】
前記シード層と第１下地層との間に第２下地層をさらに備え、
前記第２下地層は、ＲｕまたはＲｕ合金からなる他の結晶粒子と該他の結晶粒子同士が結晶粒界部を介して結合した多結晶膜からなることを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか一項記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項８】
前記Ｒｕ合金はｈｃｐ結晶構造を有し、Ｒｕを主成分とするＲｕ−Ｘ合金であり、ＸがＣｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、およびＭｎからなる群のうち少なくとも１種であることを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか一項記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項９】
前記シード層の表面に形成された島状の粒成長核からなる粒成長核層をさらに備え、
前記第２下地層は、他の結晶粒子が粒成長核を覆うように形成されてなることを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれか一項記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１０】
粒成長核層は、Ｐｔ、Ｗ、Ａｇ、Ａｕおよびこれらの元素を含む合金からなる群のうちいずれか１種からなることを特徴とする請求項９記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１１】
粒成長核層は、Ｒｕ、Ｒｕ合金、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｏ、およびＣｏＰｔからなる群のうちいずれか１種からなることを特徴とする請求項９記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１２】
前記Ｒｕ合金はＲｕ−Ｘ合金であり、ＸがＣｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、およびＭｎからなる群のうち少なくとも１種であることを特徴とする請求項９記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１３】
粒成長核層は、粒成長核の集合体と同一の体積を有する連続膜として換算した厚さで、０．２ｎｍ乃至１．０ｎｍの範囲に設定されることを特徴とする請求項８乃至１０のうちいずれか一項記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１４】
前記シード層は、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｈｆ、Ｍｇ、Ｐｔおよびこれらの合金からなる群のうち少なくとも１種、あるいはＮｉＰからなることを特徴とする請求項１乃至１３のうちいずれか一項記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１５】
前記シード層は単層膜であり、膜厚が１．０ｎｍ乃至１０ｎｍの範囲に設定されることを特徴とする請求項１４記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１６】
前記記録層は、磁性粒子が、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ系合金、Ｆｅ系合金、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔ−Ｍを含むＣｏ系合金からなる群のうちいずれか１種の材料からなることを特徴とする請求項１乃至１５のうちいずれか一項記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１７】
前記記録層は、非固溶相が、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｙ、およびＭｇからなる群のうちいずれか１種の元素と、Ｏ、Ｃ、およびＮからなる群のうち少なくともいずれか１種の元素との化合物であることを特徴とする請求項１乃至１６のうちいずれか一項記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１８】
基板と、
前記基板上に形成された軟磁性裏打ち層と、
前記軟磁性裏打ち層上に形成された非晶質材料からなるシード層と、
前記シード層上に形成されたＲｕまたはＲｕ合金からなる第２下地層と、
前記第２下地層上に形成されたＲｕまたはＲｕ合金からなる第１下地層と、
前記第１下地層上に形成された記録層とを備え、
前記記録層は、基板面に対して略垂直方向に磁化容易軸を有する複数の磁性粒子と、該磁性粒子を互いに離隔する非磁性の非固溶相からなり、
前記第２下地層は、他の結晶粒子と、該他の結晶粒子同士が結晶粒界部を介して結合した多結晶膜からなり、
前記第１下地層が、前記他の結晶粒子上に基板面に対して垂直方向に成長し、互いに離隔されてなる結晶粒子からなることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項１９】
基板と、
前記基板上に形成された軟磁性裏打ち層と、
前記軟磁性裏打ち層上に形成された非晶質材料からなるシード層と、
前記シード層の表面に形成された島状の粒成長核からなる粒成長核層と、
前記粒成長核層上に形成されたＲｕまたはＲｕ合金からなる第２下地層と、
前記第２下地層上に形成されたＲｕまたはＲｕ合金からなる第１下地層と、
前記第１下地層上に形成された記録層とを備え、
前記記録層は、基板面に対して略垂直方向に磁化容易軸を有する複数の磁性粒子と、該磁性粒子を互いに離隔する非磁性の非固溶相からなり、
前記第２下地層は、前記粒成長核を覆うように形成された他の結晶粒子と、該結晶粒子同士が結晶粒界部を介して結合した多結晶膜からなり、
前記第１下地層が、前記他の結晶粒子上に基板面に対して垂直方向に成長し、互いに離隔されてなる結晶粒子からなることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２０】
基板上に軟磁性裏打ち層と、シード層と、第１下地層と、前記基板面に対して略垂直方向に磁化容易軸を有する複数の磁性粒子と、該磁性粒子を互いに離隔する非磁性の非固溶相からなる記録層とが順次積層された垂直磁気記録媒体の製造方法であって、
前記軟磁性裏打ち層上に非晶質材料からなるシード層を形成する工程と、
前記シード層上にＲｕあるいはＲｕ合金からなる第１下地層を形成する工程と、
前記第１下地層上に記録層を形成する工程とを含み、
前記第１下地層を形成する工程が、スパッタ法を用いて、堆積速度を０．１ｎｍ／秒以上かつ２ｎｍ／秒以下の範囲で、かつ、雰囲気ガス圧を２．６６Ｐａ以上かつ２６．６Ｐａ以下の範囲に設定することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２１】
前記シード層を形成する工程と、前記第１下地層を形成する工程との間に、他の下地層を形成する工程をさらに含み、
前記第２下地層を形成する工程は、スパッタ法を用いて、堆積速度を２ｎｍ／秒よりも大きくかつ８ｎｍ／秒以下の範囲、あるいは、雰囲気ガス圧を０．２６Ｐａ以上かつ２．６６Ｐａ未満の範囲に設定して、ＲｕあるいはＲｕ合金を堆積することを特徴とする請求項２０記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２２】
前記第２下地層を形成する工程は、予めシード層の表面を活性ガスに暴露することを特徴とする請求項２０または２１記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２３】
前記シード層を形成する工程と、前記第２下地層を形成する工程との間に、粒成長核層を形成する工程をさらに含み、
前記第２下地層を形成する工程は、スパッタ法を用いて、雰囲気ガス圧を２．６６Ｐａ以上かつ２６．６Ｐａ以下の範囲に設定して、金属材料を島状に形成することを特徴とする請求項２１記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２４】
前記記録層を形成する工程は、スパッタ法を用いて雰囲気ガス圧を２．００Ｐａ以上かつ８．００Ｐａ以下の範囲に設定することを特徴とする請求項２０乃至２３のうちいずれか一項記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２５】
前記シード層を形成する工程から前記記録層を形成する工程において、基板温度を１５０℃以下の範囲に設定することを特徴とする請求項２０乃至２４のうちいずれか一項記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２６】
磁気ヘッドを有する記録再生手段と垂直磁気記録媒体とを備える磁気記憶装置であって、
前記垂直磁気記録媒体が、
基板と、
前記基板上に形成された軟磁性裏打ち層と、
前記軟磁性裏打ち層上に形成された非晶質材料からなるシード層と、
前記シード層上に形成されたＲｕまたはＲｕ合金からなる第１下地層と、
前記第１下地層上に形成された記録層とを備え、
前記記録層は、基板面に対して略垂直方向に磁化容易軸を有する複数の磁性粒子と、該磁性粒子を互いに離隔する非磁性の非固溶相からなり、
前記第１下地層が、基板面に対して垂直方向に成長し、互いに離隔されてなる結晶粒子からなることを特徴とする磁気記憶装置。
【請求項２７】
前記第１下地層は、空隙部が当該第１下地層の底面から記録層の界面まで形成されてなることを特徴とする請求項２６記載の磁気記憶装置。
【請求項２８】
前記結晶粒子の間隙は、１ｎｍ乃至２ｎｍの範囲に設定されることを特徴とする請求項２６または２７記載の磁気記憶装置。
【請求項２９】
前記結晶粒子の平均粒径は、２ｎｍ乃至１０ｎｍの範囲に設定されることを特徴とする請求項２６乃至２８のうちいずれか一項記載の磁気記憶装置。
【請求項３０】
前記第１下地層は、その膜厚が２ｎｍ乃至１６ｎｍの範囲に設定されることを特徴とする請求項２６乃至２９のうちいずれか一項記載の磁気記憶装置。
【請求項３１】
前記シード層と第１下地層との間に第２下地層をさらに備え、
前記第２下地層は、ＲｕまたはＲｕ合金からなる他の結晶粒子と該他の結晶粒子同士が
結晶粒界部を介して結合した多結晶膜からなることを特徴とする請求項２６乃至３０のうちいずれか一項記載の磁気記憶装置。
【請求項３２】
前記Ｒｕ合金はｈｃｐ結晶構造を有し、Ｒｕを主成分とするＲｕ−Ｘ合金であり、ＸがＣｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、およびＭｎからなる群のうち少なくとも１種であることを特徴とする請求項２６乃至３１のうちいずれか一項記載の磁気記憶装置。
【請求項３３】
前記シード層の表面に形成された島状の粒成長核からなる粒成長核層をさらに備え、
前記第２下地層は、他の結晶粒子が粒成長核を覆うように形成されてなることを特徴とする請求項２６乃至３２のうちいずれか一項記載の磁気記憶装置。
【請求項３４】
粒成長核層は、Ｐｔ、Ｗ、Ａｇ、Ａｕおよびこれらの元素を含む合金からなる群のうちいずれか１種からなることを特徴とする請求項３３記載の磁気記憶装置。
【請求項３５】
粒成長核層は、Ｒｕ、Ｒｕ合金、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｏ、およびＣｏＰｔからなる群のうちいずれか１種からなることを特徴とする請求項３３記載の磁気記憶装置。
【請求項３６】
前記Ｒｕ合金はＲｕ−Ｘ合金であり、ＸがＣｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、およびＭｎからなる群のうち少なくとも１種であることを特徴とする請求項３３記載の磁気記憶装置。
【請求項３７】
粒成長核層は、粒成長核の集合体と同一の体積を有する連続膜として換算した厚さで、０．２ｎｍ乃至１．０ｎｍの範囲に設定されることを特徴とする請求項３２乃至３４のうちいずれか一項記載の磁気記憶装置。
【請求項３８】
前記シード層は、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｈｆ、Ｍｇ、Ｐｔおよびこれらの合金からなる群のうち少なくとも１種、あるいはＮｉＰからなることを特徴とする請求項２６乃至３７のうちいずれか一項記載の磁気記憶装置。
【請求項３９】
前記シード層は単層膜であり、膜厚が１．０ｎｍ乃至１０ｎｍの範囲に設定されることを特徴とする請求項３８記載の磁気記憶装置。
【請求項４０】
前記記録層は、磁性粒子が、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ系合金、Ｆｅ系合金、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔ−Ｍを含むＣｏ系合金からなる群のうちいずれか１種の材料からなることを特徴とする請求項２６乃至３９のうちいずれか一項記載の磁気記憶装置。
【請求項４１】
前記記録層は、非固溶相が、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｙ、およびＭｇからなる群のうちいずれか１種の元素と、Ｏ、Ｃ、およびＮからなる群のうち少なくともいずれか１種の元素との化合物であることを特徴とする請求項２６乃至４０のうちいずれか一項記載の磁気記憶装置。
【請求項４２】
磁気ヘッドを有する記録再生手段と垂直磁気記録媒体とを備える磁気記憶装置であって、
前記垂直磁気記録媒体が、
基板と、
前記基板上に形成された軟磁性裏打ち層と、
前記軟磁性裏打ち層上に形成された非晶質材料からなるシード層と、
前記シード層上に形成されたＲｕまたはＲｕ合金からなる第２下地層と、
前記第２下地層上に形成されたＲｕまたはＲｕ合金からなる第１下地層と、
前記第１下地層上に形成された記録層とを備え、
前記記録層は、基板面に対して略垂直方向に磁化容易軸を有する複数の磁性粒子と、該磁性粒子を互いに離隔する非磁性の非固溶相からなり、
前記第２下地層は、他の結晶粒子と、該他の結晶粒子同士が結晶粒界部を介して結合した多結晶膜からなり、
前記第１下地層が、前記他の結晶粒子上に基板面に対して垂直方向に成長し、互いに離隔されてなる結晶粒子からなることを特徴とする磁気記憶装置。
【請求項４３】
磁気ヘッドを有する記録再生手段と垂直磁気記録媒体とを備える磁気記憶装置であって、
前記垂直磁気記録媒体が、
基板と、
前記基板上に形成された軟磁性裏打ち層と、
前記軟磁性裏打ち層上に形成された非晶質材料からなるシード層と、
前記シード層の表面に形成された島状の粒成長核からなる粒成長核層と、
前記粒成長核層上に形成されたＲｕまたはＲｕ合金からなる第２下地層と、
前記第２下地層上に形成されたＲｕまたはＲｕ合金からなる第１下地層と、
前記第１下地層上に形成された記録層とを備え、
前記記録層は、基板面に対して略垂直方向に磁化容易軸を有する複数の磁性粒子と、該磁性粒子を互いに離隔する非磁性の非固溶相からなり、
前記第２下地層は、前記粒成長核を覆うように形成された他の結晶粒子と、該結晶粒子同士が結晶粒界部を介して結合した多結晶膜からなり、
前記第１下地層が、前記他の結晶粒子上に基板面に対して垂直方向に成長し、互いに離隔されてなる結晶粒子からなることを特徴とする磁気記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の一観点によれば、基板上にＲｕまたはＲｕ合金からなる第１下地層と、前記第１下地層上に形成された記録層とを備え、前記記録層は、基板面に対して略垂直方向に磁化容易軸を有する複数の磁性粒子と、該磁性粒子を互いに離隔する非磁性の非固溶相からなり、前記第１下地層が、基板面に対して垂直方向に成長し、互いに離隔されてなる結晶粒子からなることを特徴とする垂直磁気記録媒体が提供される。
本発明のその他の観点によれば、基板と、前記基板上に形成された軟磁性裏打ち層と、前記軟磁性裏打ち層上に形成された非晶質材料からなるシード層と、前記シード層上に形成されたＲｕまたはＲｕ合金からなる第２下地層と、前記第２下地層上に形成されたＲｕまたはＲｕ合金からなる第１下地層と、前記第１下地層上に形成された記録層とを備え、前記記録層は、基板面に対して略垂直方向に磁化容易軸を有する複数の磁性粒子と、該磁性粒子を互いに離隔する非磁性の非固溶相からなり、前記第２下地層は、他の結晶粒子と、該他の結晶粒子同士が結晶粒界部を介して結合した多結晶膜からなり、前記第１下地層が、前記他の結晶粒子上に基板面に対して垂直方向に成長し、互いに離隔されてなる結晶粒子からなることを特徴とする垂直磁気記録媒体が提供される。
本発明のその他の観点によれば、基板と、前記基板上に形成された軟磁性裏打ち層と、前記軟磁性裏打ち層上に形成された非晶質材料からなるシード層と、前記シード層の表面に形成された島状の粒成長核からなる粒成長核層と、前記粒成長核層上に形成されたＲｕまたはＲｕ合金からなる第２下地層と、前記第２下地層上に形成されたＲｕまたはＲｕ合金からなる第１下地層と、前記第１下地層上に形成された記録層とを備え、前記記録層は、基板面に対して略垂直方向に磁化容易軸を有する複数の磁性粒子と、該磁性粒子を互いに離隔する非磁性の非固溶相からなり、前記第２下地層は、前記粒成長核を覆うように形成された他の結晶粒子と、該結晶粒子同士が結晶粒界部を介して結合した多結晶膜からなり、前記第１下地層が、前記他の結晶粒子上に基板面に対して垂直方向に成長し、互いに離隔されてなる結晶粒子からなることを特徴とする垂直磁気記録媒体が提供される。
本発明のその他の観点によれば、基板上に軟磁性裏打ち層と、シード層と、第１下地層と、前記基板面に対して略垂直方向に磁化容易軸を有する複数の磁性粒子と、該磁性粒子を互いに離隔する非磁性の非固溶相からなる記録層とが順次積層された垂直磁気記録媒体の製造方法であって、前記軟磁性裏打ち層上に非晶質材料からなるシード層を形成する工程と、前記シード層上にＲｕあるいはＲｕ合金からなる第１下地層を形成する工程と、前記第１下地層上に記録層を形成する工程とを含み、前記第１下地層を形成する工程が、スパッタ法を用いて、堆積速度を０．１ｎｍ／秒以上かつ２ｎｍ／秒以下の範囲で、かつ、雰囲気ガス圧を２．６６Ｐａ以上かつ２６．６Ｐａ以下の範囲に設定することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法が提供される。
本発明のその他の観点によれば、磁気ヘッドを有する記録再生手段と垂直磁気記録媒体とを備える磁気記憶装置であって、前記垂直磁気記録媒体が、基板と、前記基板上に形成された軟磁性裏打ち層と、前記軟磁性裏打ち層上に形成された非晶質材料からなるシード層と、前記シード層上に形成されたＲｕまたはＲｕ合金からなる第１下地層と、前記第１下地層上に形成された記録層とを備え、前記記録層は、基板面に対して略垂直方向に磁化容易軸を有する複数の磁性粒子と、該磁性粒子を互いに離隔する非磁性の非固溶相からなり、前記第１下地層が、基板面に対して垂直方向に成長し、互いに離隔されてなる結晶粒子からなることを特徴とする磁気記憶装置が提供される。
本発明のその他の観点によれば、磁気ヘッドを有する記録再生手段と垂直磁気記録媒体とを備える磁気記憶装置であって、前記垂直磁気記録媒体が、基板と、前記基板上に形成された軟磁性裏打ち層と、前記軟磁性裏打ち層上に形成された非晶質材料からなるシード層と、前記シード層上に形成されたＲｕまたはＲｕ合金からなる第２下地層と、前記第２下地層上に形成されたＲｕまたはＲｕ合金からなる第１下地層と、前記第１下地層上に形成された記録層とを備え、前記記録層は、基板面に対して略垂直方向に磁化容易軸を有する複数の磁性粒子と、該磁性粒子を互いに離隔する非磁性の非固溶相からなり、前記第２下地層は、他の結晶粒子と、該他の結晶粒子同士が結晶粒界部を介して結合した多結晶膜からなり、前記第１下地層が、前記他の結晶粒子上に基板面に対して垂直方向に成長し、互いに離隔されてなる結晶粒子からなることを特徴とする磁気記憶装置が提供される。
本発明のその他の観点によれば、磁気ヘッドを有する記録再生手段と垂直磁気記録媒体とを備える磁気記憶装置であって、前記垂直磁気記録媒体が、基板と、前記基板上に形成された軟磁性裏打ち層と、前記軟磁性裏打ち層上に形成された非晶質材料からなるシード層と、前記シード層の表面に形成された島状の粒成長核からなる粒成長核層と、前記粒成長核層上に形成されたＲｕまたはＲｕ合金からなる第２下地層と、前記第２下地層上に形成されたＲｕまたはＲｕ合金からなる第１下地層と、前記第１下地層上に形成された記録層とを備え、前記記録層は、基板面に対して略垂直方向に磁化容易軸を有する複数の磁性粒子と、該磁性粒子を互いに離隔する非磁性の非固溶相からなり、前記第２下地層は、前記粒成長核を覆うように形成された他の結晶粒子と、該結晶粒子同士が結晶粒界部を介して結合した多結晶膜からなり、前記第１下地層が、前記他の結晶粒子上に基板面に対して垂直方向に成長し、互いに離隔されてなる結晶粒子からなることを特徴とする磁気記憶装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】