Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月3日(2008.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  情報信号を再生する再生手段と、
前記再生手段により再生された情報信号の周波数特性と群遅延とを制御する等化手段と、
前記等化手段から出力された情報信号からデジタル信号を検出する信号検出手段と、
前記等化手段から出力された情報信号中のエラーを検出するエラー検出手段と、
前記検出手段に入力される情報信号と前記信号検出手段により検出されたデジタル信号とに基づいて前記等化手段の群遅延特性を制御すると共に、前記エラー検出手段の検出結果に基づいて前記等化手段の周波数特性を制御する制御手段とを備える再生装置。
【請求項２】  前記検出手段は前記情報信号と所定の閾値との比較結果に応じて前記デジタル信号を検出し、前記制御手段は、前記信号検出手段に入力される情報信号と前記検出手段により検出されたデジタル信号とを乗算する乗算手段と前記乗算手段の乗算結果を積分する積分手段とを有し、前記積分手段の出力に応じて前記等化手段の群遅延特性を制御することを特徴とする請求項１記載の再生装置。
【請求項３】  前記等化手段の出力をサンプリングし、１サンプル複数ビットのデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換器を備え、前記検出手段は前記Ａ／Ｄ変換器から出力された信号を３値検出するデコーダを有することを特徴とする請求項１または２記載の再生装置。
【請求項４】  前記制御手段は前記エラー検出手段により検出されたエラー数をカウントするカウント手段を有し、前記カウント手段によるカウント値に基づいて前記周波数特性を制御することを特徴とする請求項１から３の何れか１項記載の再生装置。
【請求項５】  前記制御手段は前記カウント手段によるカウント値が所定の閾値を超えたことに応じて前記周波数特性を制御するための制御信号の値を変更することを特徴とする請求項４記載の再生装置。
【請求項６】  前記再生手段は前記情報信号が記録された記録媒体をトレースする複数の回転ヘッドを有し、前記カウント手段は前記複数の回転ヘッドにより再生された信号中より前記エラー検出手段により検出されたエラー数を前記複数のヘッド毎に独立にカウントし、前記制御手段は前記複数のヘッド毎のカウント値に基づいて前記複数のヘッド毎に独立に前記制御信号の値を設定することを特徴とする請求項４記載の再生装置。
【請求項７】  前記制御手段は、前記複数の回転ヘッドについて１トラックの前記エラー数をカウントする度にこのカウント値と所定の閾値とを比較し、前記カウント値が前記閾値を超えたことに応じて前記制御信号の値を変更することを特徴とする請求項６記載の再生装置。
【請求項８】  再生された情報信号をイコライザにより波形等化する方法であって、
前記再生情報信号からデジタル信号を検出し、
前記再生手段により再生された情報信号中のエラーを検出し、
前記検出結果と前記検出される前の再生情報信号とに基づいて前記イコライザの群遅延特性を制御すると共に、前記エラー検出結果に基づいて前記イコライザの周波数特性を制御することを特徴とする再生方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
前述の如き問題を解決し、前記目的を達成するため、本発明は、情報信号を再生する再生手段と、前記再生手段により再生された情報信号の周波数特性と群遅延とを制御する等化手段と、前記等化手段から出力された情報信号からデジタル信号を検出する信号検出手段と、前記等化手段から出力された情報信号中のエラーを検出するエラー検出手段と、前記検出手段に入力される情報信号と前記信号検出手段により検出されたデジタル信号とに基づいて前記等化手段の群遅延特性を制御すると共に、前記エラー検出手段の検出結果に基づいて前記等化手段の周波数特性を制御する制御手段とを備える構成とした。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月24日(2008.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  外部電極と内部電極配線とを有する基板にＩＣチップを搭載しＩＣチップの電極と基板内の電極配線の領域をワイヤで接続し、内部が中空のマスクを用いてＩＣチップとワイヤを被い前記マスクで被われていない領域に印刷法を用い絶縁性ペーストを塗布する工程と前記マスクをはずし板状のふたを前記絶縁ペーストに接着する工程と前記絶縁ペーストの中間地点で切断する工程とからなることを特徴とする気密封止ＩＣパッケージの製造方法。
【請求項２】  熱処理を行い前記マスクで被われた領域以外の絶縁ペーストを固化する工程を付加することを特徴とする請求項１記載のＩＣパッケージの製造方法。
【請求項３】  前記外部電極と前記内部電極配線とを有する前記基板はガラスエポキシ材料であることを特徴とする請求項１記載のＩＣパッケージの製造方法。
【請求項４】  前記外部電極と前記内部電極配線とを有する前記基板はセラミック材料であることを特徴とする請求項１記載のＩＣパッケージの製造方法。
【請求項５】  前記板状のふたは、ガラス板であることを特徴とする請求項１記載のＩＣパッケージの製造方法。
【請求項６】  前記板状のふたは、セラミック板であることを特徴とする請求項１記載のＩＣパッケージの製造方法。
【請求項７】  前記絶縁ペーストの硬化後の厚みはワイヤの最高点より大きいことを特徴とする請求項１記載のＩＣパッケージの製造方法。
【請求項８】  前記板状のふたは、テープ状のシートであることを特徴とする請求項１記載のＩＣパッケージの製造方法。
【請求項９】  前記基板を切断する前に、基板全体を用いて前記ＩＣパッケージの電気特性を測定する工程を含むことを特徴とする請求項１記載のＩＣパッケージの製造方法
【請求項１０】  プローブカード状の治具を用いて電気特性を測定することを特徴とする請求項９記載のＩＣパッケージの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月12日(2008.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
そして、図１（Ｅ）に示すように、金属片２０に設けた樹脂膜３０の上に例えば銅やアロイ等のリードフレーム４０を精度よく位置決めして載置する。次いで、図１（Ｆ）に示すように、金属片５０の樹脂膜を設けた面をリードフレーム４０に接着させる向きにして、各金属片２０、５０を精度よく位置決めし、各金属片２０、５０をそれぞれの樹脂膜の間にリードフレーム４０を挟み込むようにして重ね合わせる。そして、この状態で各金属片２０、５０の樹脂膜を加熱して硬化させる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月29日(2008.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークを位置決め支持するにあたりそのワークに形成されたロケート穴に挿入されるロケートピンを備えたロケート装置であって、
上記ロケートピンの根元部側にワーク着座面を有する着座フランジ部が形成されているとともに、
そのワーク着座面にはワークの着座を検知するワーク着座検知手段が設けられていて、
このワーク着座検知手段は、上記着座フランジ部を貫通した状態でワーク着座面から出没可能な検知ピンを備えていることを特徴とするロケート装置。
【請求項２】
上記ワーク着座検知手段は、ワークの着座，非着座に伴う検知ピンの出没動作に応じてワークの着座を検知するようになっていることを特徴とする請求項１に記載のロケート装置。
【請求項３】
上記ロケートピンの内部には、そのロケートピンによって位置決めされたワークをクランプするクランプ手段が設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載のロケート装置。
【請求項４】
自動車の車体の一部を構成することになる複数のパネル状のワーク同士を溶接接合するのに先立って、その複数のワーク同士の相対位置決めを行う装置であって、
ワークを位置決め支持するためのロケートピンを主体としたロケート装置を備えるとともにそのロケート装置の少なくとも二次元位置を自律動作により任意に変更可能な機能を有するロケータを各ワークごとに独立して設け、
各ロケータに対してワークがセットされることになるワークセット位置と各ワーク同士が最終的に相対位置決めされることになる相対位置決め完了位置との間で、各ロケータの自律動作によりロケート装置を個別に進退移動させて各ワーク同士の相対位置決めを行うように構成してなり、
上記ロケート装置として請求項１〜３のいずれかに記載のロケート装置を備えていることを特徴とする車体組立装置。
【請求項５】
上記各ロケータは直交３軸の動作自由度を有していて、該当するロケート装置の三次元位置を自律動作により任意に変更可能となっているものであることを特徴とする請求項４に記載の車体組立装置。
【請求項６】
各ワークごとに複数のロケータが設けられていて、その複数のロケータはワーク同士の相対位置決めに際して互いに同期してロケート装置を進退移動させるようになっていることを特徴とする請求項５に記載の車体組立装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項１に記載の発明は、ワークを位置決め支持するにあたりそのワークに形成されたロケート穴に挿入されるロケートピンを備えたロケート装置であって、上記ロケートピンの根元部側にワーク着座面を有する着座フランジ部が形成されているとともに、そのワーク着座面にはワークの着座を検知するワーク着座検知手段が設けられていて、このワーク着座検知手段は、上記着座フランジ部を貫通した状態でワーク着座面から出没可能な検知ピンを備えていることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
より具体的には、上記ワーク着座検知手段は、請求項２に記載のように、ワークの着座，非着座に伴う検知ピンの出没動作に応じてワークの着座を検知するようになっていることが望ましい。そして、例えば、ワーク着座面から出没する検知ピンの先端と反対側の端部をマイクロスイッチもしくは近接スイッチ等と対向させて、検知ピンの出没をワーク着座面から離れた位置で検知する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
したがって、請求項１に記載の発明では、ロケートピンが相手側となるワーク側のロケート穴に挿入されてそのワークがワーク着座面に着座すると、ロケートピンとロケート穴との相互嵌合をもってワークが位置決めされ、同時にワーク着座面に対するワークの着座，非着座がワーク着座検知手段によって検知される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、請求項２に記載の発明では、検知ピンの出没動作をもってワークの着座，非着座が機械的に検知されることから、その着座検知の信頼性が高くなる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の発明を前提とした上で、ロケートピンの内部には、そのロケートピンによって位置決めされたワークをクランプするクランプ手段が設けられていることを特徴としている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
したがって、この請求項３に記載の発明では、ロケートピンとロケート穴との相互嵌合をもってワークが確実に位置決めされるのを待って、ロケートピンに内蔵されているクランプ手段によりそのワークがクランプされる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
請求項２に記載の発明によれば、ワーク着座検知手段はワークの着座，非着座に伴う検知ピンの出没動作に応じてその着座状態を機械的に検知するようにしたため、請求項１に記載の発明と同様の効果に加えて、より確実な検知が可能となって着座検知の信頼性が高くなる利点がある。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また、請求項３に記載の発明によれば、ロケートピンの内部にワークをクランプするクランプ手段が設けられているため、上記ロケートピン機能とワーク着座検知機能とに加えてワーククランプ機能までもロケートピンを母体として集約化されることになり、請求項１または２に記載の発明と同様の効果に加えて、クランプ機能付きのロケートピンの一層の小型化と省スペース化を達成できる利点がある。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月1日(2008.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
融点が１８０℃以上の結晶性ポリエステルとオレフィン系ポリマーよりなる樹脂層を金属板の片面又は両面に被覆された樹脂被覆金属板の製造方法であって、
樹脂層はポリエステルとオレフィン系ポリマーの比率が７０：３０〜９９：１（重量％）のポリマーであり、
Ｔダイを用いて両端部にオレフィン系ポリマーが合流された状態で層状に押出した溶融樹脂膜を冷却固化して得た樹脂膜を縦方向に１軸延伸し、次いで熱固定処理し、次いで両端部を切断除去して１５０℃での縦方向の熱収縮率が４〜３０（％）であるポリエステル系フィルムを得る工程と、
該ポリエステル系フィルムを別工程で加熱された金属板にラミネートする工程よりなることを特徴とするポリエステル系フィルム被覆金属板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載されたポリエステル系フィルム被覆金属板の製造方法であって、前記樹脂膜の両端部と中央部で使用するオレフィン系ポリマーが同一であることを特徴とするポリエステル系フィルム被覆金属板の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載されたポリエステル系フィルム被覆金属板の製造方法であって、前記オレフィン系ポリマーがポリエチレン及び／又はエチレン系共重合体であることを特徴とするポリエステル系フィルム被覆金属板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月1日(2008.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】３１０
【請求項１】
金属板の片面に融点１８０℃以上の結晶性ポリエステルを主体とするフィルム（Ａ）を被覆しもう一方の面に融点１８０℃以上の結晶性ポリエステルよりなるフィルム（Ｂ）を被覆された樹脂被覆金属板の製造方法であって、
ポリエステル系フィルム（Ａ）は（Ｉ）層／（ＩＩ）層の複合構成であり、（Ｉ）層がポリエチレンテレフタレートとポリブチレンフタレートが６０：４０〜３０：７０（重量％）よりなり、（ＩＩ）層が全酸成分の５０モル％以上がテレフタル酸残基かつ５〜５０モル％が炭素数１０以上の脂肪族ジカルボン酸残基であるポリエステルとオレフィン系ポリマーが７０：３０〜１００：０（重量％）よりなるものであり、
ポリエステル系フィルム（Ｂ）はポリエチレンテレフタレートとポリブチレンテレフタレートが６０：４０〜３０：７０（重量％）のポリエステルよりなるものであり、
Ｔダイを用いて両端部にオレフィン系ポリマーが合流された状態で層状に押出した溶融樹脂膜を冷却固化して得た樹脂膜（Ａ）及び（Ｂ）を縦方向に１軸延伸し、次いで熱固定処理し、次いで両端部を切断除去して１５０℃での縦方向の熱収縮率が４〜３０％であるポリエステル系フィルム（Ａ）及び（Ｂ）を得る工程と、
該ポリエステル系フィルム（Ａ）及び（Ｂ）を別工程で加熱された金属板にラミネートする工程よりなることを特徴とするポリエステル系フィルム被覆金属板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載されたポリエステル系フィルム被覆金属板の製造方法であって、前記樹脂膜（Ａ）の両端部と（ＩＩ）層のオレフィン系ポリマー及び樹脂膜（Ｂ）の両端部のオレフィン系ポリマーが同一であることを特徴とするポリエステル系フィルム被覆金属板の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載されたポリエステル系フィルム被覆金属板の製造方法であって、前記オレフィン系ポリマーがポリエチレン及び／又はエチレン系共重合体であることを特徴とするポリエステル系フィルム被覆金属板の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載されたポリエステル系フィルム被覆金属板の製造方法であって、樹脂膜（Ａ）の（Ｉ）層と樹脂膜（Ｂ）のポリエステルのポリエチレンテレフタレートとポリブチレンテレフタレートの比率が同一であることを特徴とするポリエステル系フィルム被覆金属板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月1日(2008.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属板の片面に融点１８０℃以上の結晶性ポリエステルを主体とするフィルム（Ａ）を被覆しもう一方の面に融点１８０℃以上の結晶性ポリエステルよりなるフィルム（Ｂ）を被覆された樹脂被覆金属板の製造方法であって、
ポリエステル系フィルム（Ａ）は（Ｉ）層／（ＩＩ）層の複合構成であり、（Ｉ）層がポリエチレンテレフタレートとポリブチレンフタレートが６０：４０〜３０：７０（重量％）よりなり、（ＩＩ）層が結晶性ポリエステルとポリエステルエラストマーが９５：５〜７０：３０（重量％）よりなるポリエステルとオレフィン系ポリマーが７０：３０〜１００：０重量％よりなるポリマーであり、
かつポリエステル系フィルム（Ｂ）はポリエチレンテレフタレートとポリブチレンテレフタレートが６０：４０〜３０：７０（重量％）のポリエステルよりなるものであり、
Ｔダイを用いて両端部にオレフィン系ポリマーが合流された状態で層状に押出した溶融樹脂膜を冷却固化して得た樹脂膜（Ａ）及び（Ｂ）を縦方向に１軸延伸し、次いで熱固定処理し、次いで両端部を切断除去して１５０℃での縦方向の熱収縮率が４〜３０％である
ポリエステル系フィルム（Ａ）及び（Ｂ）を得る工程と、
該ポリエステル系フィルム（Ａ）及び（Ｂ）を別工程で加熱された金属板にラミネートする工程よりなることを特徴とする樹脂被覆金属板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載された樹脂被覆金属板の製造方法であって、前記ポリエステルエラストマーのハードセグメントがテレフタル酸残基とエチレングリコール残基及び／又はブタンジオール残基を主成分とするポリエステルであり、ソフトセグメントがポリテトラメチレンオキサイドであることを特徴とする樹脂被覆金属板の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載された樹脂被覆金属板の製造方法であって、前記樹脂膜（Ａ）の両端部と（ＩＩ）層のオレフィン系ポリマー及び樹脂膜（Ｂ）の両端部のオレフィン系ポリマーが同一であることを特徴とするポリエステル系フィルム被覆金属板の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載された樹脂被覆金属板の製造方法であって、オレフィン系ポリマーがポリエチレン及び／又はエチレン系共重合体であることを特徴とするポリエステル系フィルム被覆金属板の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載された樹脂被覆金属板の製造方法であって、前記樹脂膜（Ａ）の（Ｉ）層と樹脂膜（Ｂ）のポリエステルのポリエチレンテレフタレートとポリブチレンテレフタレートの比率が同一であることを特徴とするポリエステル系フィルム被覆金属板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月31日(2008.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非水溶媒中に溶質を溶解させた電解液中に、炭素質正電極及び炭素質負電極が浸されてなる電気二重層キャパシタに用いる、電気二重層キャパシタ用炭素質正電極であって、
該炭素質正電極は、該電気二重層キャパシタを定電流充電によって初回に充電する際には、時間に対する電圧変化を示す曲線において、充電の初期は時定数に基づく電圧変化率よりも電圧の変化率が大きく、電圧の上昇によって時定数に基づく電圧の変化率よりも変化率が小さくなる屈曲点を形成し、第２回目以降の充電の際にも、同様の挙動を示す屈曲点を形成する黒鉛を含んでなるものである、電気二重層キャパシタ用炭素質正電極。
【請求項２】
非水溶媒中に溶質を溶解させた電解液（ただしリチウムイオンを含有するものを除く）中に、炭素質正電極及び炭素質負電極が浸されてなる電気二重層キャパシタに用いる、電気二重層キャパシタ用炭素質正電極であって、
該炭素質正電極は、該電気二重層キャパシタを定電流充電によって初回に充電する際には、時間に対する電圧変化を示す曲線において、充電の初期は時定数に基づく電圧変化率よりも電圧の変化率が大きく、電圧の上昇によって時定数に基づく電圧の変化率よりも変化率が小さくなる屈曲点を形成し、第２回目以降の充電の際にも、同様の挙動を示す屈曲点を形成する黒鉛を含んでなるものである、電気二重層キャパシタ用炭素質正電極。
【請求項３】
前記黒鉛は、ラマン分光法によるＩ（１３６０）／Ｉ（１５８０）の比が０．１１から０．３０、かつＸ線回折法による六方晶に対する菱面体晶のピーク強度比（Ｉｂ／Ｉａ）が０．３以上のものである、請求項１又は２記載の電気二重層キャパシタ用炭素質正電極。
【請求項４】
前記黒鉛は、ラマン分光法によるＩ（１３６０）／Ｉ（１５８０）の比が０．１１から０．２６、かつＸ線回折法による六方晶に対する菱面体晶のピーク強度比（Ｉｂ／Ｉａ）が０．３１〜０．５６のものである、請求項１又は２記載の電気二重層キャパシタ用炭素質正電極。
【請求項５】
前記黒鉛は、ＢＥＴ表面積１０〜３００ｍ２／ｇのものである、請求項１〜４のいずれか記載の電気二重層キャパシタ用炭素質正電極。
【請求項６】
非水溶媒中に溶質を溶解させた電解液中に、請求項１〜５のいずれかに記載の炭素質正電極、及び炭素質負電極が浸されてなる電気二重層キャパシタであって、
該炭素質負電極は活性炭、非多孔性炭素、又は該電気二重層キャパシタを定電流充電によって初回に充電する際には、時間に対する電圧変化を示す曲線において、充電の初期は時定数に基づく電圧変化率よりも電圧の変化率が大きく、電圧の上昇によって時定数に基づく電圧の変化率よりも変化率が小さくなる屈曲点を形成し、第２回目以降の充電の際にも、同様の挙動を示す屈曲点を形成する黒鉛を含んでなるものであり、
該電解液は、４級アンモニウムまたはその誘導体である陽イオン、及び陰イオンを含有する電気二重層キャパシタ。
【請求項７】
前記電解液に含まれる陰イオンが四フッ化ホウ酸アニオン又は六フッ化リン酸アニオンである請求項６記載の電気二重層キャパシタ。
【請求項８】
リチウムの酸化還元電位を基準として、＋０．５Ｖから＋６Ｖの電位の範囲で作動する請求項６又は７記載の電気二重層キャパシタ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月7日(2008.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
このようなものでは、ＩＣチップ１１における温度補償機構の温度センサによって周囲
温度を検出する。そして、周囲温度に応じた補償電圧を発振閉ループ内の電圧可変容量素
子に印加する。これにより、インダクタ成分としての水晶振動子から見た回路側の負荷容
量を変化させ、温度によって変化する発振周波数を基準周波数（公称周波数）に戻す。
【特許文献１】特開２００６−３０４１１０号公報（段落０００８）
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月6日(2007.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ転送のイニシエータとして動作する複数のイニシエータ装置と、該複数のイニシエータ装置が転送するデータのターゲットとなる複数のターゲット装置とが、共有バスである第１のバスに接続されるデータ処理装置において、
前記複数のイニシエータ装置間を前記第１のバスとは異なる第２のバスで接続するバッファメモリ、
を備え、
前記イニシエータ装置間のデータ転送時には、データの転送元のイニシエータ装置は前記第２のバスを用いて前記バッファメモリに転送すべきデータを格納し、データの転送先となるイニシエータ装置は、前記第２のバスを用いて前記バッファメモリに格納されているデータを読み出し、前記イニシエータ装置と前記ターゲット装置とのデータ転送には前記第１のバスを用いること、
を特徴とするデータ処理装置。
【請求項２】
前記バッファメモリには同時に２つのアクセスが可能なメモリを用い、２つのイニシエータ装置に接続され、
前記バッファメモリに接続される一方のイニシエータ装置は、他方のイニシエータ装置と非同期に前記バッファメモリにアクセスすること、
を特徴とする請求項１に記載のデータ処理装置。
【請求項３】
前記バッファメモリは２つ以上のバンクを有し、
前記イニシエータ装置は、
前記バッファメモリに転送すべきデータを格納した後、または前記バッファメモリからデータを読み出した後に、前記バッファメモリのバンクを切り替えること、
を特徴とする請求項１または２に記載のデータ処理装置。
【請求項４】
前記イニシエータ装置は、
前記バッファメモリに転送すべきデータを格納する場合、または前記バッファメモリからデータを読み出す場合、予め定められた順番に前記バンクを切り替えること、
を特徴とする請求項３に記載のデータ処理装置。
【請求項５】
前記複数のイニシエータ装置にはＣＰＵおよびダイレクト・メモリ・アクセス（ＤＭＡ）コントローラを用い、前記複数のターゲット装置には記憶装置および／または入出力装置を用い、前記第１のバスを用いたデータ転送時には、前記ＣＰＵおよび前記ＤＭＡコントローラはバスマスタとして動作し、前記記憶装置および前記入出力装置はバススレーブとして動作すること、
を特徴とする請求項１〜４の何れか一つに記載のデータ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】データ処理装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、マシニングセンタや旋盤等の工作機械に搭載されるデータ処理装置に関するものであり、特に、装置内部のデータ処理に関するものある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、複数のイニシエータによってデータ転送を行なう際に、各イニシエータのウエイト状態の時間を低減して効率よくデータ転送を行なうデータ処理装置を得ることを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、データ転送のイニシエータとして動作する複数のイニシエータ装置と、該複数のイニシエータ装置が転送するデータのターゲットとなる複数のターゲット装置とが、共有バスである第１のバスに接続されるデータ処理装置において、前記複数のイニシエータ装置間を前記第１のバスとは異なる第２のバスで接続するバッファメモリ、を備え、前記イニシエータ装置間のデータ転送時には、データの転送元のイニシエータ装置は前記第２のバスを用いて前記バッファメモリに転送すべきデータを格納し、データの転送先となるイニシエータ装置は、前記第２のバスを用いて前記バッファメモリに格納されているデータを読み出し、前記イニシエータ装置と前記ターゲット装置とのデータ転送には前記第１のバスを用いるように構成されたものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
この発明によれば、共通バスである第１のバスによって、データ転送のイニシエータとして動作する複数のイニシエータ装置と、これら複数のイニシエータ装置が転送するデータのターゲットとなる複数のターゲット装置とを接続するとともに、複数のイニシエータとバッファメモリとを第１のバスとは異なる第２のバスで接続し、イニシエータ装置間のデータ転送時には、データの転送元のイニシエータ装置は、第２のバスを用いてバッファメモリに転送すべきデータを格納し、データの転送先となるイニシエータ装置は、第２のバスを用いてバッファメモリに格納されているデータを読み出すようにしているため、第１のバスへのアクセス競合（各イニシエータのウエイト状態の時間）を低減することができ、また、上記イニシエータ間のデータ転送において、上記第１のバスに接続されたターゲット装置を介さず上記バッファメモリを介して転送できるので、上記第１のバスへのアクセス競合が発生せず、効率よくデータ転送を行なうデータ処理装置を得ることができるという効果を奏する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
以下に、本発明にかかるデータ処理装置の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
以上のように、本発明にかかるデータ処理装置は、マシニングセンタや旋盤等の工作機械に有用であり、特に、装置内のデータ転送のスループットが装置の性能の重要なファクタとなるデータ処理装置に適している。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月18日(2008.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リーダライタ装置と、前記リーダライタ装置にアンテナ切替器を介して順次接続される複数のループアンテナと、前記複数のループアンテナにそれぞれ装着され、前記リーダライタ装置から対応するループアンテナを介して送信される信号に応答する識別用ＩＣタグと、前記複数のループアンテナの各通信可能領域内において前記リーダライタ装置から前記ループアンテナを介して送信される信号に応答する物品管理用ＩＣタグと、前記リーダライタ装置が受信した前記物品管理用ＩＣタグ及び識別用ＩＣタグの応答信号を処理する制御装置とを具備することを特徴とする非接触型リーダライタシステム。
【請求項２】
請求項１に記載の非接触型リーダライタシステムであって、
前記識別用ＩＣタグの識別用データと共にループアンテナの設置場所を示す位置情報を対応付けて記憶することを特徴とする非接触型リーダライタシステム。
【請求項３】
請求項１乃至請求項２の何れかに記載の非接触型リーダライタシステムであって、
前記識別用ＩＣタグのアンテナインダクタンスをループアンテナのアンテナインダクタンスよりも小さい値に設定することを特徴とする非接触型リーダライタシステム。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３の何れかに記載の非接触型リーダライタシステムであって、
前記識別用ＩＣタグの設定データは、対応するループアンテナからは読み取ることができるが、他のループアンテナからは読み取ることができないことを特徴とする非接触型リーダライタシステム。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４の何れかに記載の非接触型リーダライタシステムであって、
前記ループアンテナは金属板の上に装着され、前記識別用ＩＣタグは、金属板とループアンテナとの間に設けられることを特徴とする非接触型リーダライタシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月30日(2008.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に格納された画像ファイルの一部領域に無効な値を書き込むことにより前記画像ファイルを破壊する画像ファイル破壊手段と、
前記画像ファイル破壊手段によって破壊された画像ファイルを削除する画像ファイル削除手段とを有することを特徴とする画像ファイル処理装置。
【請求項２】
前記画像ファイル破壊手段は、セクタ単位で無効な値を書き込むことにより前記画像ファイルを破壊することを特徴とする請求項１に記載の画像ファイル処理装置。
【請求項３】
前記画像ファイル破壊手段は、前記画像ファイルの属性情報格納部に無効な値を書き込むことにより前記画像ファイルを破壊することを特徴とする請求項１または２に記載の画像ファイル処理装置。
【請求項４】
前記画像ファイル破壊手段は、前記画像ファイルの属性情報格納部の一部のみに無効な値を書き込むことにより前記画像ファイルを破壊することを特徴とする請求項１または２に記載の画像ファイル処理装置。
【請求項５】
前記画像ファイルの属性情報格納部の一部は、画像ファイルの構造を記載した部分であることを特徴とする請求項４に記載の画像ファイル処理装置。
【請求項６】
前記画像ファイルの属性情報格納部の一部は、Ｅｘｉｆ画像ファイルのＳＯＩマーカー、ＡＰＰ１マーカー、ＩＦＤ０データ領域、及びＥｘｉｆ・ＩＦＤデータ領域のうち、少なくとも１つであることを特徴とする請求項４に記載の画像ファイル処理装置。
【請求項７】
前記画像ファイルは、属性情報格納部と、サムネイル情報格納部と、メイン情報格納部とを有し、
前記画像ファイル破壊手段は、前記属性情報格納部と、前記サムネイル情報格納部と、前記メイン情報格納部とに無効な値を書き込むことにより前記画像ファイルを破壊することを特徴とする請求項１または２に記載の画像ファイル処理装置。
【請求項８】
前記記録媒体に記録する電子画像ファイルを生成する画像ファイル生成手段と、
前記画像ファイル生成手段で生成された画像ファイルを記録媒体に格納する画像ファイル格納手段とを有することを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の画像ファイル処理装置。
【請求項９】
記録媒体に格納された画像ファイルの一部領域に無効な値を書き込むことにより前記画像ファイルを破壊する画像ファイル破壊工程と、
前記画像ファイル破壊工程によって破壊された画像ファイルを削除する画像ファイル削除工程とを有することを特徴とする画像ファイル処理方法。
【請求項１０】
記録媒体に格納された画像ファイルの一部領域に無効な値を書き込むことにより前記画像ファイルを破壊する画像ファイル破壊工程と、
前記画像ファイル破壊工程によって破壊された画像ファイルを削除する画像ファイル削除工程とをコンピュータに実行させることを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項１１】
請求項１０に記載のコンピュータプログラムを記録したことを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
有線で接続される外部接続型の記録媒体との通信インターフェースには、一般的に広く普及した規格であるＵＳＢ（Universal Serial Bus）、ＩＥＥＥ１３９４等が用いられている。また、無線で接続される外部接続型の記録媒体との通信インターフェースには、一般的に広く普及した規格であるＰＨＳ（Personal Handy phone System）を用いたＰＩＡＦＳ（PHS Internet Access Forum Standard）、Bluetooth（登録商標）、ＩＥＥＥ８０２等が広く用いられている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明のコンピュータプログラムは、記録媒体に格納された画像ファイルの一部領域に無効な値を書き込むことにより前記画像ファイルを破壊する画像ファイル破壊工程と、前記画像ファイル破壊工程によって破壊された画像ファイルを削除する画像ファイル削除工程とをコンピュータに実行させることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月15日(2008.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれが所定の取引に関する取引データを処理する複数の売買業務実施装置と、前記複数の売買業務実施装置で共有する共有リソースを有するリソース管理装置とから構成されるオンライン取引システムにおいて、前記複数の売買業務実施装置のそれぞれに対して使用可能な共有リソースの容量を割当てるリソース割当方法であって、
前記複数の売買業務実施装置のそれぞれは、
前記複数の売買業務実施装置のそれぞれに対して割当てられた共有リソースの容量で処理可能な取引の件数である現状割当数、予め設定された前記共有リソースの下限の容量で処理可能な取引の件数であるディフォルト割当数、および前回のオンライン処理で処理された取引の件数である処理件数を記憶し、
前記リソース管理装置は、
前記複数の売買業務実施装置のそれぞれについて、
前記処理件数に基づいて、次回のオンライン処理において処理可能な取引の件数である算出初期割当数を算出し、
算出された前記算出初期割当数と前記現状割当数とを比較し、
前記算出初期割当数が前記現状割当数よりも多い場合、当該算出初期割当数と前記現状割当数との差分の件数に応じた共有リソースの容量を前記売買業務実施装置に割当てられた共有リソースに追加することで、前記算出初期割当数に応じた共有リソースの容量である第１の共有リソース割当量を前記売買業務実施装置に対して割当て、
前記算出初期割当数が前記現状割当数よりも少ない場合、当該算出初期割当数と前記ディフォルト割当数とを比較し、
前記算出初期割当数が前記ディフォルト割当数よりも多い場合、当該算出初期割当数と前記現状割当数との差分の件数に応じた共有リソースの容量を前記売買業務実施装置に割当てられた共有リソースから解放することで、前記算出初期割当数に応じた共有リソースの容量である第２の共有リソース割当量を前記売買業務実施装置に対して割当て、
前記算出初期割当数が前記ディフォルト割当数よりも少ない場合、当該ディフォルト割当数と前記現状割当数との差分の件数に応じた共有リソースの容量を前記売買業務実施装置に割当てられた共有リソースから解放することで、前記ディフォルト割当数に応じた共有リソースの容量である第３の共有リソース割当量を前記売買業務実施装置に対して割当てることを特徴とするリソース割当方法。
【請求項２】
請求項１に記載のリソース割当て方法において、
前記複数の売買業務実施装置のそれぞれは、
指定された前記初期割当数である指定初期割当数を更に記憶し、
前記リソース管理装置は、
前記複数の売買業務実施装置のそれぞれについて、
前記指定初期割当数と前記第１乃至第２の共有リソース割当量のうち割当てられたものとを比較し、前記指定初期割当数の方が多い場合、当該指定初期割当数と前記第１乃至第２の共有リソース割当量のうち割当てられたものとの差分の件数に応じた共有リソースの容量を、前記売買業務実施装置に割当てられた共有リソースに追加することで、前記指定初期割当数に応じた共有リソースの容量である第４の共有リソース割当量を前記売買業務実施装置に対して割当てることを特徴とするリソース割当方法。
【請求項３】
請求項１または２のいずれかに記載のリソース割当方法において、
前記複数の売買業務実施装置のそれぞれは、
前記複数の売買業務実施装置のそれぞれについて、当該売買業務実施装置が処理する取引の上限の取引量である動的割当閾値および前記共有リソースの容量を追加で割当てる際の単位量である動的割当追加区画数を更に記憶し、
設定された間隔で、当該複数の売買業務実施装置のそれぞれで処理された取引に必要な共有リソースの容量を検知し、
前記共有リソースの容量と前記動的割当閾値とを比較し、
前記共有リソースの容量が前記動的割当閾値を超えた場合、当該動的割当閾値を超えたことを示す通知を前記リソース管理装置に送信し、
前記リソース管理装置は、
前記売買業務実施装置から送信された通知を受信した場合、前記動的割当追加区画数に基づいて算出された共有リソースの容量を前記売買業務実施装置に割当てられた共有リソースに追加することを特徴とするリソース割当方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月3日(2008.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
又、前記第１及び第２実施形態において、磁気記録媒体１０は、記録層１２の凸部の間の凹部に充填材２８が充填されているが、充分に良好な磁気ヘッドの浮上特性が得られれば、記録層１２の凸部の間の凹部を充填しない構成としてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月4日(2008.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
又、インプリント法により樹脂層を凹凸パターンに加工する場合も、凹部の幅が小さく抑制されることで、全領域において凹部の底部に残存する樹脂の厚さが均一に薄くなる。従って、インプリント後、樹脂層を一様にエッチングして凹部の底部の樹脂層を除去する際、凹部の幅の拡大を防止又は充分に抑制できる。これにより、樹脂層の下の被加工層も所望の変則的サーボ凹凸パターンに相当する凹凸パターンに高精度で容易に加工できる。従って、この場合も記録層を変則的サーボ凹凸パターンに高精度で容易に加工でき、生産効率が良い。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
本第１実施形態の変則的サーボ凹凸パターンは、凹部単位領域ＣＵのうち径方向Ｄｒに連続する凹部単位領域ＣＵの境界近傍に分割用凸部２２Ａが形成され、該連続する凹部単位領域ＣＵに径方向Ｄｒに分割された凹部が形成された凹凸パターンである。この変則的サーボ凹凸パターンを含む凹凸パターンで構成されるサーボ情報は、図３に示されるように、クロックの同期のためのプリアンブル部２６、サーボデータの開始を示すＳＡＭ（Ｓｅｒｖｏ  ＡｄＤｒｅｓｓ  Ｍａｒｋ）部２８、トラック番号を示すトラックアドレス信号部３０、セクタ番号を示すセクタアドレス信号部３２及びデータ領域ＤＡの各記録要素２４（トラック）における磁気ヘッドの位置を検出するためのバースト信号部３４で構成されている。図４〜図６は、トラックアドレス信号部３０の一部を拡大して示したものである。尚、図３は、サーボ領域ＳＡの記録層２２の凸部の形状を便宜上、径方向Ｄｒに平行な線形状で示しているが、図６に示されるように、記録層２２の凸部は周方向Ｄｃにも幅を有している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
次に、基板３６の上に反強磁性層４４、軟磁性層４６、配向層４８、（加工前の形態である連続した）記録層２２、第１のマスク層５８、第２のマスク層６０、樹脂層６２がこの順で形成された図１１に示されるような被加工体６４を用意し、インプリントによりスタンパ５０の転写面５０Ａの凹凸パターンを樹脂層６２に転写する（Ｓ１０６）。尚、第１のマスク層５８の材料としては例えばＣ（炭素）を、第２のマスク層６０の材料としては例えばＮｉを用いることができる。又、樹脂層６２の材料としてはレジスト材料等を用いることができる。樹脂層６２は、図１１に示されるように、記録層２２の凹凸パターンと凹凸位置関係が一致する凹凸パターンに加工される。変則的サーボ凹凸パターンは、基本的サーボ凹凸パターンの凹部を径方向に分割してなる凹凸パターンであり、これに対応するスタンパ５０の転写面５０Ａの凸部の幅が小さいので、凹部の底部に残存する樹脂層６２は全領域において厚さが均一で薄い。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
次にＳＦ６ガスを用いた反応性イオンエッチングにより凹部底部の第１のマスク層５８を除去し（Ｓ１１０）、更にＡｒガスを用いたイオンビームエッチングにより凹部底部の記録層２２を除去し、記録層２２を凹凸パターンに加工する（Ｓ１１２）。記録層２２は、前記図６に示されるようなサーボ領域ＳＡの変則的サーボ凹凸パターンを含む凹凸パターンに高精度で加工される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
又、前記第１実施形態の図６、前記第２実施形態の図１４及び前記第３実施形態の図１５は、記録層２２、７０、８０におけるサーボ領域ＳＡのトラックアドレス信号部３０を拡大したものであるが、記録層を変則的サーボ凹凸パターンで形成する領域は、サーボ領域ＳＡ全体でもよく、トラックアドレス信号部３０のように、凹凸パターンが微細で複雑な領域に限定してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月20日(2008.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ書き換えが可能で且つ複数の記録層を有する光ディスク記録媒体の各記録層に対するデータ記録を行う記録手段と、
上記複数の記録層のうち、ユーザデータの記録が最後に行われるべき記録層から優先的にダミーデータの記録が行われるように上記記録手段を制御する記録制御手段と、
を備える記録装置。
【請求項２】
請求項１に記載の記録装置において、
上記記録制御手段は、
上記ユーザデータの記録が最後に行われるべき記録層における、ユーザデータの記録が最後に行われるべき領域から優先的にダミーデータの記録が行われるように上記記録手段を制御する。
【請求項３】
データ書き換えが可能で且つ複数の記録層を有する光ディスク記録媒体に対する記録を行う際に、
上記複数の記録層のうち、ユーザデータの記録が最後に行われるべき記録層から優先的にダミーデータの記録を行うようにした、
記録方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
そこで、本発明では以上のような問題点に鑑み、記録装置として以下のようにすることとした。
つまり、データ書き換えが可能で且つ複数の記録層を有する光ディスク記録媒体の各記録層に対するデータ記録を行う記録手段を備える。
その上で、上記複数の記録層のうち、ユーザデータの記録が最後に行われるべき記録層から優先的にダミーデータの記録が行われるように上記記録手段を制御する記録制御手段を備えるようにした。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月19日(2008.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に又は前記基板上に形成した下地膜上に相変化膜を形成する工程と、
前記相変化膜に結晶質の領域と非晶質の領域によるパターンを形成する工程と、
前記相変化膜の結晶質領域あるいは非晶質領域を選択的にエッチングして前記パターンに対応する凹凸パターンを形成する工程と、
前記結晶質領域あるいは非晶質領域を選択的にエッチングする前に前記相変化膜のエッチング特性を向上させるための前処理を行う工程と
を有することを特徴とする相変化膜を含む記録媒体の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の記録媒体の製造方法において、前記前処理は、水による処理であることを特徴とする記録媒体の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の記録媒体の製造方法において、前記前処理は、アルカリ溶液による処理であることを特徴とする記録媒体の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の記録媒体の製造方法において、前記前処理は、酸溶液による処理であることを特徴とする記録媒体の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の記録媒体の製造方法において、前記前処理は、界面活性剤を用いた処理であることを特徴とする記録媒体の製造方法。
【請求項６】
請求項１記載の記録媒体の製造方法において、前記前処理は、前記相変化膜の非晶質領域の表面に選択的にフッ化膜を形成する処理であることを特徴とする記録媒体の製造方法。
【請求項７】
請求項１記載の記録媒体の製造方法において、前記結晶質の領域と非晶質の領域によるパターンの形成はレーザ光照射によって行うことを特徴とする記録媒体の製造方法。
【請求項８】
請求項１記載の記録媒体の製造方法において、前記凹凸パターンの凹部表面及び凸部表面の最大面粗さ（Rmax）は３ｎｍ以下であることを特徴とする記録媒体の製造方法。
【請求項９】
請求項１記載の記録媒体の製造方法において、前記相変化膜はＧｅ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅの少なくとも１つを含むことを特徴とする記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
請求項１記載の記録媒体の製造方法において、前記前処理によって前記相変化膜の表面状態が変化することを特徴とする記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
請求項１記載の記録媒体の製造方法において、前記相変化膜はＧｅ5Ｓｂ70Ｔｅ25からなることを特徴とする記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
基板上に又は前記基板上に形成した下地膜上に相変化膜を形成する工程と、
前記相変化膜に結晶質の領域と非晶質の領域によるパターンを形成する工程と、
前記相変化膜の結晶質領域あるいは非晶質領域を選択的にエッチングして前記パターンに対応する凹凸パターンを形成する工程と、
前記結晶質領域あるいは非晶質領域を選択的にエッチングする前に前記相変化膜のエッチング特性を向上させるための前処理を前記相変化膜の結晶質領域あるいは非晶質領域の表面に行う工程とを有し、
前記前処理は、水、アルカリ溶液、酸溶液、又は界面活性剤の少なくとも１つを用いた処理であることを特徴とする相変化膜を含む記録媒体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】相変化膜を含む記録媒体の製造方法