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【手続補正書】
【提出日】平成20年8月20日(2008.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体の流れを受容するための貫通する複数の通路を有し、また70%以上で85%未満の開口前面積を有しており、セラミック形成材料とこのセラミック形成材料全体にわたって分散された活性炭とを有し、前記セラミック形成材料がマトリックスを形成していて、活性炭がこのマトリックによって保持されているハニカム形状の吸着性モノリス。
【請求項２】
前記活性炭が重量で約20〜約70部の量で存在し、前記セラミック形成材料が重量で約20〜約60部の量で存在する請求項１記載のモノリス。
【請求項３】
当該モノリスが約500〜約1600psiの軸方向破砕強度を有している請求項１記載のモノリス。
【請求項４】
前記活性炭が、れき青炭、リグナイト、ピート、合成ポリマ、石油ピッチ、石油コークス、コルタールピッチ、リグノセルロース材料から成るグループから選択された材料から由来するものである請求項１記載のモノリス。
【請求項５】
前記活性炭が、木、木屑、木紛、おが屑、ココナッツ殻、果実種、ナッツ殻及び果実石から成るグループから選択されたリグノセルロース材料から由来するものである請求項１記載のモノリス。
【請求項６】
前記活性炭が、約600〜約2000m2/gの窒素B.E.T.表面積を有している請求項１記載のモノリス。
【請求項７】
前記活性炭が、約800〜約1800m2/gの窒素B.E.T.表面積を有している請求項１記載のモノリス。
【請求項８】
前記活性炭が、約1000〜約1600m2/gの窒素B.E.T.表面積を有している請求項１記載のモノリス。
【請求項９】
前記活性炭が、活性炭の重量で40%以上が３２５メッシュスクリーンを通るような粒子サイズを有している請求項１記載のモノリス。
【請求項１０】
前記活性炭が、活性炭の重量で65%以上が３２５メッシュスクリーンを通るような粒子サイズを有している請求項１記載のモノリス。
【請求項１１】
前記セラミック形成材料が、ボールクレイ、か焼カオリンクレイ、プラスチックカオリン、スメクタイトクレイ鉱物、ベントナイト及びそれらの組み合わせからなるグループから選択される請求項１記載のモノリス。
【請求項１２】
前記セラミック形成材料が、収縮を低減するフィラー材料を含んでいる請求項１記載のモノリス。
【請求項１３】
流体流から揮発性有機化合物あるいはオゾンを除去する方法であって、流体流を複数の貫通流路を有する吸着性モノリスに通す段階を有し、
前記モノリスは、70%以上で85%未満の開口前面積を有しており、また前記モノリスは、セラミック形成材料とこのセラミック形成材料全体にわたって分散された活性炭とを有し、前記セラミック形成材料がマトリックスを形成していて、活性炭がこのマトリックによって保持されている方法。
【請求項１４】
前記活性炭が重量で約20〜約70部の量で存在し、前記セラミック形成材料が重量で約20〜約60部の量で存在する請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
当該モノリスが約500〜約1600psiの軸方向破砕強度を有している請求項１３記載の方法。
【請求項１６】
前記活性炭が、れき青炭、リグナイト、ピート、合成ポリマ、石油ピッチ、石油コークス、コルタールピッチ、リグノセルロース材料から成るグループから選択された材料から由来するものである請求項１３記載の方法。
【請求項１７】
前記活性炭が、木、木屑、木紛、おが屑、ココナッツ殻、果実種、ナッツ殻及び果実石から成るグループから選択されたリグノセルロース材料から由来するものである請求項１３記載の方法。
【請求項１８】
前記活性炭が、約600〜約2000m2/gの窒素B.E.T.表面積を有している請求項１３記載の方法。
【請求項１９】
前記活性炭が、約800〜約1800m2/gの窒素B.E.T.表面積を有している請求項１３記載の方法。
【請求項２０】
前記活性炭が、約1000〜約1600m2/gの窒素B.E.T.表面積を有している請求項１３記載の方法。
【請求項２１】
前記活性炭が、活性炭の重量で40%以上が３２５メッシュスクリーンを通るような粒子サイズを有している請求項１３記載の方法。
【請求項２２】
前記活性炭が、活性炭の重量で65%以上が３２５メッシュスクリーンを通るような粒子サイズを有している請求項１３記載の方法。
【請求項２３】
前記セラミック形成材料が、ボールクレイ、か焼カオリンクレイ、プラスチックカオリン、スメクタイトクレイ鉱物、ベントナイト及びそれらの組み合わせからなるグループから選択される請求項１３記載の方法。
【請求項２４】
前記セラミック形成材料が、収縮を低減するフィラー材料を含んでいる請求項１３記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月11日(2008.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に半導体領域を形成し、
前記半導体領域上に第１絶縁膜を形成し、
金属元素及び前記金属元素に対する固溶限界を超えるシリコンを有する固溶体をターゲットとしてスパッタリングして、前記第１絶縁膜上に金属層及びシリコン粒子を形成し、
前記金属層を除去して前記シリコン粒子を露出させた後、前記第１絶縁膜及び前記シリコン粒子上に第２絶縁膜を形成し、
前記第２絶縁膜上にゲート電極を形成した後、前記第２絶縁膜の露出部をエッチングして前記シリコン粒子の一部を露出させ、
前記露出されたシリコン粒子をエッチングして、シリコン粒子からなるフローティングゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に半導体領域を形成し、
前記半導体領域上に第１絶縁膜を形成し、
金属元素及び前記金属元素に対する固溶限界を超えるシリコンを有する固溶体をターゲットとしてスパッタリングして、前記第１絶縁膜上に金属層及びシリコン粒子を形成し、
前記金属層を酸化して第２絶縁膜を形成し、
前記第２絶縁膜上にゲート電極を形成した後、前記第２絶縁膜の露出部をエッチングして前記シリコン粒子の一部を露出させ、
前記露出されたシリコン粒子をエッチングして、シリコン粒子からなるフローティングゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に半導体領域を形成し、
前記半導体領域上に第１絶縁膜を形成し、
金属元素及び前記金属元素に対する固溶限界を超えるシリコンを有する固溶体をターゲットとしてスパッタリングして、前記第１絶縁膜上に金属層及びシリコン粒子を形成し、
前記金属層を除去して前記シリコン粒子を露出させた後、前記シリコン粒子上にマスクパターンを形成し、
前記マスクパターンを用いて前記シリコン粒子の一部をエッチングして、シリコン粒子からなるフローティングゲート電極を形成し、
前記第１絶縁膜及び前記フローティングゲート電極上に第２絶縁膜を形成し、
前記第２絶縁膜上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に半導体領域を形成し、
前記半導体領域上に第１絶縁膜を形成し、
金属元素及び前記金属元素に対する固溶限界を超えるシリコンを有する固溶体をターゲットとしてスパッタリングして、前記第１絶縁膜上に金属層及びシリコン粒子を形成し、
前記金属層を酸化して第２絶縁膜を形成した後、前記第２絶縁膜上にマスクパターンを形成し、
前記マスクパターンを用いて前記第２絶縁膜及び前記シリコン粒子の一部をエッチングして、シリコン粒子からなるフローティングゲート電極を形成し、
前記第１絶縁膜及び前記フローティングゲート電極上に第３絶縁膜を形成し、
前記第３絶縁膜上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２において、前記第２絶縁膜と前記ゲート電極との間に第３絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記基板と前記半導体領域との間に絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記基板を加熱しながら前記金属層及び前記シリコン粒子を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、前記基板を加熱する際の基板温度を１００度以上３００度以下とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記フローティングゲート電極の幅は、前記ゲート電極の幅よりも小さいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、前記金属元素は、ベリリウム、アルミニウム、亜鉛、ガリウム、ゲルマニウム、銀、カドミウム、インジウム、スズ、アンチモン、金、鉛、ビスマスの何れか一つ又は複数であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、前記固溶限界は、前記金属層の成膜温度における固溶限界であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月10日(2008.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属粒子が溶解又は分散された有機樹脂からなる組成物を吐出することによって、第１の線状パターンを形成し、
前記第１の線状パターンに選択的にレーザー光を照射することによって、前記金属粒子の凝集体からなる配線と、前記配線の側面に残存した前記組成物と、からなる第２の線状パターンを形成し、
前記配線の一部をゲート電極として用いたトランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
金属粒子が溶解又は分散された有機樹脂からなる組成物を吐出することによって、第１の線状パターンを形成し、
前記第１の線状パターンに選択的にレーザー光を照射することによって、前記金属粒子の凝集体からなる配線と、前記配線の側面に残存した前記組成物と、からなる第２の線状パターンを形成し、
前記第２の線状パターンを覆うゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
半導体層と、前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、金属粒子が溶解又は分散された有機樹脂からなる組成物を吐出することによって、第１の線状パターンを形成し、
前記第１の線状パターンに選択的にレーザー光を照射することによって、前記金属粒子の凝集体からなる配線と、前記配線の側面に残存した前記組成物と、からなる第２の線状パターンを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記第２の線状パターンを形成した後、前記第２の線状パターンをマスクとして、自己整合的に前記半導体層に一導電型を有する不純物を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記不純物を添加した後、前記第２の線状パターンを覆う層間絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記レーザー光を照射することによって、前記配線を複数本形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月22日(2008.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ発振器と、ビーム強度可変手段と、凸レンズまたは回折光学素子を有し、レーザ光を照射面に対して斜め方向に入射するように設定されたレーザ照射装置であり、前記レーザ光は前記照射面に対し往路と復路で照射領域を移動して相対的に走査するとともに、前記ビーム強度可変手段は往路と復路でビーム強度を可変することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項２】
請求項１において、前記凸レンズまたは前記回折光学素子を通過して前記照射面に照射される前記レーザ光のビーム形状は矩形状、線状、または楕円状であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記ビーム強度可変手段は、偏光板またはＮＤフィルターであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項４】
請求項３において、前記偏光板は、複数個であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記レーザ発振器からのレーザは、連続発振またはパルス発振の固体レーザまたは気体レーザまたは金属レーザであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項６】
請求項５において、前記レーザ発振器からのレーザは、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、ＹＬＦ、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４、または多結晶のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザから選ばれた一種であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項７】
請求項５において、前記レーザ発振器からのレーザは、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、ＣＯ２レーザから選ばれた一種であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項８】
請求項５において、前記レーザ発振器からのレーザは、１０ＭＨｚ以上の周波数でパルス発振を行うレーザであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項９】
請求項８において、前記レーザ発振器からのレーザは、単結晶のＧｄＶＯ４、ＹＶＯ４、ＹＡＧ、または多結晶のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、前記レーザ発振器からのレーザは、非線形光学素子により高調波に変換されていることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１１】
レーザ発振器より第１のレーザ光を発振し、前記第１のレーザ光を、往路と復路でビーム強度を変えるビーム強度可変手段を通して第２のレーザ光とし、前記第２のレーザ光を凸レンズまたは回折光学素子を通して第３のレーザ光とし、前記第３のレーザ光を照射面に対して斜めから入射するとともに前記照射面に対して往路と復路で照射領域を移動して相対的に走査することを特徴とするレーザ照射方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月22日(2008.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
断面が線状または長方形のイオン流を発生する手段と、
前記イオン流を照射する手段と、
被処理基板を傾斜姿勢としたまま、前記イオン流の断面形状の長尺方向と直交する方向に移動させる基板位置制御手段と、を有し、
移動している傾斜姿勢の被処理基板に対して前記イオン流を照射することを特徴とするドーピング装置。
【請求項２】
基板搬入室と、ドーピング室と、基板搬出室とが直列に配置されたドーピング装置であり、
前記ドーピング室には、断面が線状または長方形のイオン流を発生する手段と、被処理基板を傾斜姿勢としたまま、前記イオン流の断面形状の長尺方向と直交する方向に移動させる基板位置制御手段とを有し、
基板搬入室からドーピング室を通過して基板搬出室まで一方向に移動する被処理基板に対して前記イオン流が照射されることを特徴とするドーピング装置。
【請求項３】
基板搬入室と、ドーピング室と、基板搬出室とが直列に配置されたドーピング装置であり、
前記ドーピング室には、断面が線状または長方形の第１のイオン流を発生する第１の手段と、断面が線状または長方形の第２のイオン流を発生する第２の手段と、被処理基板を傾斜姿勢としたまま、イオン流の断面形状の長尺方向と直交する方向に移動させる基板位置制御手段とを有し、
基板搬入室からドーピング室を通過して基板搬出室まで一方向に移動する被処理基板に対して前記第１及び第２のイオン流が照射されることを特徴とするドーピング装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、さらに基板を加熱する手段を有することを特徴とするドーピング装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記イオン流を発生する手段は、高周波エネルギー、またはマイクロ波および磁場を含むことを特徴とするドーピング装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月26日(2008.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置は、集積回路とアンテナとを有し、
前記集積回路は、プラスチック基板上に固定されたトランジスタを有し、
前記トランジスタは、金属酸化物を介してガラス基板上に形成され、前記金属酸化物の層内、又は前記金属酸化物の両面の境界で剥離された後に、前記プラスチック基板上に固定されており、
前記トランジスタのチャネル形成領域は、島状に分離され、厚さが１０ｎｍ乃至２００ｎｍである多結晶半導体膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体装置は、集積回路と受光素子とを有し、
前記集積回路はプラスチック基板上に固定されたトランジスタを有し、
前記トランジスタは、金属酸化物を介してガラス基板上に形成され、前記金属酸化物の層内、又は前記金属酸化物の両面の境界で剥離された後に、前記プラスチック基板上に固定されており、
前記トランジスタのチャネル形成領域は、島状に分離され、厚さが１０ｎｍ乃至２００ｎｍである多結晶半導体膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
半導体装置は、集積回路とアンテナとを有し、
前記集積回路は、プラスチック基板上に固定されたトランジスタを有し、
前記トランジスタは、剥離層を介してガラス基板上に形成され、前記剥離層をエッチング除去することにより剥離された後に、前記プラスチック基板上に固定されており、
前記トランジスタのチャネル形成領域は、島状に分離され、厚さが１０ｎｍ乃至２００ｎｍである多結晶半導体膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
半導体装置は、集積回路と受光素子とを有し、
前記集積回路はプラスチック基板上に固定されたトランジスタを有し、
前記トランジスタは、剥離層を介してガラス基板上に形成され、前記剥離層をエッチング除去することにより剥離された後に、前記プラスチック基板上に固定されており、
前記トランジスタのチャネル形成領域は、島状に分離され、厚さが１０ｎｍ乃至２００ｎｍである多結晶半導体膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記集積回路は、演算処理手段を有し、
前記演算処理手段は、整数演算ユニット、ロードストアユニット、分岐予測ユニット、浮動小数点演算ユニット、汎用レジスタ、１次データキャッシュ、データキャッシュコントローラ、命令キャッシュコントローラ、１次命令キャッシュ、バスインターフェース、及び２次キャッシュを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記集積回路は、演算処理手段を有し、
前記演算処理手段は整数演算を行う整数演算ユニットと、浮動小数点演算を行う浮動小数点演算ユニットと、前記整数演算の結果及び前記浮動小数点演算の結果が格納される汎用レジスタと、外部メモリからの命令フェッチ、デコード、および１次命令キャッシュの制御を行う命令コントローラと、分岐予測を行う分岐予測ユニットと、外部バスと、１次データキャッシュと、ロードストアユニットと間のデータの流れを制御するデータキャッシュコントローラとを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
半導体装置が集積回路とアンテナとを有し、
前記アンテナを用いてリーダ／ライターより電力又は信号を受け取る通信システムであって、
前記集積回路はプラスチック基板上に固定されたトランジスタを有し、
前記トランジスタは、金属酸化物を介してガラス基板上に形成され、前記金属酸化物の層内、又は前記金属酸化物の両面の境界で剥離された後に、前記プラスチック基板上に固定されており、
前記トランジスタのチャネル形成領域は、島状に分離され、厚さが１０ｎｍ乃至２００ｎｍである多結晶半導体膜を有することを特徴とする通信システム。
【請求項８】
半導体装置が集積回路と受光素子とを有し、
前記受光素子を用いてリーダ／ライターより電力又は信号を受け取る通信システムであって、
前記集積回路はプラスチック基板上に固定されたトランジスタを有し、
前記トランジスタは、金属酸化物を介してガラス基板上に形成され、前記金属酸化物の層内、又は前記金属酸化物の両面の境界で剥離された後に、前記プラスチック基板上に固定されており、
前記トランジスタのチャネル形成領域は、島状に分離され、厚さが１０ｎｍ乃至２００ｎｍである多結晶半導体膜を有することを特徴とする通信システム。
【請求項９】
半導体装置が集積回路とアンテナとを有し、
前記アンテナを用いてリーダ／ライターより電力又は信号を受け取る通信システムであって、
前記集積回路はプラスチック基板上に固定されたトランジスタを有し、
前記トランジスタは、剥離層を介してガラス基板上に形成され、前記剥離層をエッチング除去することにより剥離された後に、前記プラスチック基板上に固定されており、
前記トランジスタのチャネル形成領域は、島状に分離され、厚さが１０ｎｍ乃至２００ｎｍである多結晶半導体膜を有することを特徴とする通信システム。
【請求項１０】
半導体装置が集積回路と受光素子とを有し、
前記受光素子を用いてリーダ／ライターより電力又は信号を受け取る通信システムであって、
前記集積回路はプラスチック基板上に固定されたトランジスタを有し、
前記トランジスタは、剥離層を介してガラス基板上に形成され、前記剥離層をエッチング除去することにより剥離された後に、前記プラスチック基板上に固定されており、
前記トランジスタのチャネル形成領域は、島状に分離され、厚さが１０ｎｍ乃至２００ｎｍである多結晶半導体膜を有することを特徴とする通信システム。
【請求項１１】
請求項７乃至１０のいずれか一において、
前記リーダ／ライターに設けられた表示手段に、前記半導体装置の情報を表示することを特徴とする通信システム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月14日(2008.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマを用いて基板を処理するための装置であって、
第１の電極と、
第２の電極と、
該第１の電極に直接接触し、該第１の電極と該第２の電極との間に延在する側壁を形成する該第２の電極に直接接触する管状分離部材であって、該管状分離部材は、該第１の電極と該第２の電極とで真空容器を画定し、該管状分離部材は、該第１の電極と該第２の電極とを電気的に絶縁可能な誘電材と、大気から該真空容器の内部を絶縁しながら該大気に暴露される第１表面とを備える該管状分離部材と、
該真空容器へ処理用ガスを導入するための処理用ガスポートと、
該真空容器内の処理用ガスからプラズマを発生させるのに適した圧力にすべく、該プロセス領域を排気するための真空ポートと、
を備えていることを特徴とする装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、前記装置はさらに、
該真空ポートに結合された真空マニホールドであって、該第１の電極および該第２の電極に対して電気的に絶縁されているような真空マニホールドを備えていることを特徴とする。
【請求項３】
請求項２に記載の装置であって、該真空マニホールドは、
前記装置において、前記真空マニホールドは、前記真空ポートの近接した閉じた容積を含み、
この装置はさらに、
電気絶縁材料から作られ、該閉じた容積内に配置されるインサートであって、前記真空マニホールドを前記真空ポートに結合させる複数の第１の流路を含んでいるような前記インサートを備えていることを特徴とする装置。
【請求項４】
請求項３に記載の装置であって、
該真空ポートは、前記第１の電極を通って延在する複数の第２の流路により画定され、前記複数の第１の流路に位置合わせされていることを特徴とする装置。
【請求項５】
請求項１に記載の装置であって、
前記装置はさらに、該管状分離部材と該第１の電極と該第２の電極とを囲む導電性容器を備え、該第１の電極と該第２の電極とはそれぞれ空気ギャップにより該導電性容器から分離されていることを特徴とする装置。
【請求項６】
請求項５に記載の装置であって、
該導電性容器はさらに、ベースと、該真空容器にアクセスするために開閉位置間を可動な蓋とを備え、該蓋は該ベースに対して該第１の電極を移動することを特徴とする装置。
【請求項７】
請求項５に記載の装置であって、
前記装置はさらに、該第１の電極と第２の電極とを冷やすための該空気ギャップに冷媒の供給を行うように該蓋に配置される冷媒ポートを備えていることを特徴とする装置。
【請求項８】
請求項１に記載の装置であって、
該第１の電極は真空ポートを有し、該第２の電極はプロセスガスポートを有することを特徴とする装置。
【請求項９】
請求項１に記載の装置であって、
該第２の電極は、該真空容器を閉じる第１位置と該真空容器にまたは該真空容器へ基材を移送するための該第２位置との間を該第１の電極に対して可動であって、
該管状分離部材は、該第１の電極が該第１の位置にあるときに、前記第１の電極と該第２の電極との間に真空シールを形成することを特徴とする装置。
【請求項１０】
複数の基板をプラズマ処理するための装置であって、
第１の電極と、
該第１の電極に対して離して配置された第２の電極と、
該第１の電極と該第２の電極との間に配置された、第３の電極と、
前記第１の電極と該第３の電極との間に真空気密シールを形成し、該第１の電極と該第３の電極との間に排気可能な第１のプロセス領域を形成する第１の分離リングであって、該第１の電極は、プラズマ処理のために基板を該第１のプロセス領域内に支持し、該第１の電極と該第３の電極とを電気的に絶縁する第１の分離リングと、
該第２の電極と該第３の電極との間に真空気密シールを形成し、該第２の電極と該第３の電極との間に排気可能な第２のプロセス領域を形成する第２の分離リングであって、該第３の電極は、プラズマ処理のために基板を前記第２のプロセス領域内に支持し、該第２の電極と該第３の電極とを電気的に絶縁する第２の分離リングと、
該第１のプロセス領域と第２のプロセス領域とへ処理用ガスを導入するための少なくともひとつの処理用ガスポートと、
該第１のプロセス領域および該第２のプロセス領域の中を処理用ガスからプラズマを発生させるような圧力にするための該プロセス領域を排気するための真空ポートと、
を備えていることを特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月7日(2008.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所望のスペクトルパワー分布曲線に従って光を生成する方法であって、
複数の異なる光源（２１〜２６、１２１〜１２８）による光スペクトルを生成し、
前記複数の異なる光源（２１〜２６、１２１〜１２８）により生成された前記光スペクトルを、光学測定装置（２７、１２７）によって測定し、該光学測定装置（２７、１２７）は、前記複数の異なる光源（２１〜２６、１２１〜１２８）によって生成された全光スペクトル内における光を検出することが可能となっており、及び、
前記測定された光スペクトルをフィードバックとして使用して、前記所望のスペクトルパワー分布曲線に近似させるために、前記複数の異なる光源（２１〜２６、１２１〜１２８）によって生成された該光スペクトルを変化させる
ことを含む、方法。
【請求項２】
前記所望のスペクトルパワー分布曲線が、あるＣＩＥ標準光であることからなる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
様々な波長領域におけるスペクトル応答を有する複数の光学センサ（５１〜５７、６１〜６７）を、前記光学測定装置（２７、１２７）が備えることからなる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記所望のスペクトルパワー分布曲線は、黒体曲線付近に存在する色温度による白色を提供することからなる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
光源であって、
所望のスペクトルパワー分布曲線に従って光スペクトルを生成することが可能な複数の異なる光源（２１〜２６、１２１〜１２８）と、
前記複数の異なる光源（２１〜２６、１２１〜１２８）によって生成された前記光スペクトルを測定する光学測定装置（２７、１２７）と、
前記複数の異なる光源（２１〜２６、１２１〜１２８）に対するフィードバック制御装置（１２、１１２）であって、測定された前記光スペクトルに関する前記光学測定装置（２７、１２７）からの情報を使用して、前記所望のスペクトルパワー分布曲線に近似させるために、前記複数の異なる光源（２１〜２６、１２１〜１２８）によって生成される光スペクトルを変化させる、フィードバック制御装置
とを備える、光源。
【請求項６】
前記複数の異なる光源（２１〜２６、１２１〜１２８）が、赤色発光ダイオード（ＬＥＤ）（２１、１２１）、緑色ＬＥＤ（２２、１２２）、青色ＬＥＤ（２３、１２３）、琥珀色ＬＥＤ（２４、１２４）、シアン色ＬＥＤ（２５、１２５）、及び濃赤色ＬＥＤ（２６、１２６）を含む、請求項５に記載の光源。
【請求項７】
前記複数の異なる光源（２１〜２６、１２１〜１２８）が、赤色発光ダイオード（ＬＥＤ）（２１、１２１）、緑色ＬＥＤ（２２、１２２）、青色ＬＥＤ（２３、１２３）、琥珀色ＬＥＤ（２４、１２４）、シアン色ＬＥＤ（２５、１２５）、濃赤色ＬＥＤ（２６、１２６）、紫外線発光体（１２８）、及び赤外線発光体（１２９）を含む、請求項５に記載の光源。
【請求項８】
前記光学測定装置（２７、１２７）が分光計である、請求項５に記載の光源。
【請求項９】
様々な波長領域におけるスペクトル応答を有する複数の光学センサ（５１〜５７、６１〜６７）を、前記光学測定装置（２７、１２７）が備える、請求項５に記載の光源。
【請求項１０】
様々な波長領域におけるスペクトル応答を有する複数の光学センサ（５１〜５７、６１〜６７）を、前記光学測定装置（２７、１２７）が備えており、
前記光学センサ（５１〜５７、６１〜６７）の各々が、フィルタ（６１〜６７）と光センサ（５１〜５７）とを備えることからなる、請求項５に記載の光源。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月31日(2008.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記判定手段は、各ユーザの位置を示した地図情報の出力要求をおこなった第１のユーザと、第１のユーザと所定の関係を有する第２のユーザとがいる場合に、第１のユーザおよび第２のユーザの両方のユーザとの間で所定の関係を有する単数または複数の第３のユーザがいるか否かを判定し、前記出力手段は、前記判定手段により単数または複数の第３のユーザがいると判定された場合に、前記記憶手段に記憶された位置情報に基づいて、第１のユーザ、第２のユーザおよび単数または複数の第３のユーザの位置を示した地図情報を第１のユーザの端末装置に出力することを特徴とする請求項１、２または３に記載の地図情報出力装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記判定工程は、各ユーザの位置を示した地図情報の出力要求をおこなった第１のユーザと、第１のユーザと所定の関係を有する第２のユーザとがいる場合に、第１のユーザおよび第２のユーザの両方のユーザとの間で所定の関係を有する単数または複数の第３のユーザがいるか否かを判定し、前記出力工程は、前記判定工程により単数または複数の第３のユーザがいると判定された場合に、前記位置情報に基づいて、第１のユーザ、第２のユーザおよび単数または複数の第３のユーザの位置を示した地図情報を第１のユーザの端末装置に出力することを特徴とする請求項５、６または７に記載の地図情報出力方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
前記判定手段は、各ユーザの位置を示した地図情報の出力要求をおこなった第１のユーザと、第１のユーザと所定の関係を有する第２のユーザとがいる場合に、第１のユーザおよび第２のユーザの両方のユーザとの間で所定の関係を有する単数または複数の第３のユーザがいるか否かを判定し、前記出力手段は、前記判定手段により単数または複数の第３のユーザがいると判定された場合に、前記記憶手段に記憶された位置情報に基づいて、第１のユーザ、第２のユーザおよび単数または複数の第３のユーザの位置を示した地図情報を第１のユーザの端末装置に出力することを特徴とする請求項９、１０または１１に記載の地図情報出力プログラム。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明は、上記発明において、前記判定手段は、各ユーザの位置を示した地図情報の出力要求をおこなった第１のユーザと、第１のユーザと所定の関係を有する第２のユーザとがいる場合に、第１のユーザおよび第２のユーザの両方のユーザとの間で所定の関係を有する単数または複数の第３のユーザがいるか否かを判定し、前記出力手段は、前記判定手段により単数または複数の第３のユーザがいると判定された場合に、前記記憶手段に記憶された位置情報に基づいて、第１のユーザ、第２のユーザおよび単数または複数の第３のユーザの位置を示した地図情報を第１のユーザの端末装置に出力することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明は、上記発明において、前記判定工程は、各ユーザの位置を示した地図情報の出力要求をおこなった第１のユーザと、第１のユーザと所定の関係を有する第２のユーザとがいる場合に、第１のユーザおよび第２のユーザの両方のユーザとの間で所定の関係を有する単数または複数の第３のユーザがいるか否かを判定し、前記出力工程は、前記判定工程により単数または複数の第３のユーザがいると判定された場合に、前記位置情報に基づいて、第１のユーザ、第２のユーザおよび単数または複数の第３のユーザの位置を示した地図情報を第１のユーザの端末装置に出力することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、本発明は、上記発明において、前記判定手段は、各ユーザの位置を示した地図情報の出力要求をおこなった第１のユーザと、第１のユーザと所定の関係を有する第２のユーザとがいる場合に、第１のユーザおよび第２のユーザの両方のユーザとの間で所定の関係を有する単数または複数の第３のユーザがいるか否かを判定し、前記出力手段は、前記判定手段により単数または複数の第３のユーザがいると判定された場合に、前記記憶手段に記憶された位置情報に基づいて、第１のユーザ、第２のユーザおよび単数または複数の第３のユーザの位置を示した地図情報を第１のユーザの端末装置に出力することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、本発明によれば、各ユーザの位置を示した地図情報の出力要求をおこなった第１のユーザと、第１のユーザと所定の関係を有する第２のユーザとがいる場合に、第１のユーザおよび第２のユーザの両方のユーザとの間で所定の関係を有する単数または複数の第３のユーザがいるか否かを判定し、単数または複数の第３のユーザがいると判定した場合に、記憶した位置情報に基づいて、第１のユーザ、第２のユーザおよび単数または複数の第３のユーザの位置を示した地図情報を第１のユーザの端末装置に出力することとしたので、所定の関係を有するユーザのそれぞれに所定の関係を有する共通のユーザがいる場合にのみ位置情報を出力することにより、地図上の位置の公開・非公開を効果的に設定し、ユーザのプライバシーを考慮した情報提供をおこなうことができるという効果を奏する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１１】
また、本実施例では、位置表示ユーザ判定サーバ８０が、各ユーザの位置を示した地図情報の出力要求をおこなった第１のユーザと、第１のユーザと友人関係を有する第２のユーザとがいる場合に、第１のユーザおよび第２のユーザの両方のユーザとの間で友人関係を有する単数または複数の第３のユーザがいるか否かを判定し、フロントエンドサーバ４０が、位置表示ユーザ判定サーバ８０により単数または複数の第３のユーザがいると判定された場合に、ユーザ管理サーバ５０により記憶された位置情報に基づいて、第１のユーザ、第２のユーザおよび単数または複数の第３のユーザの位置を示した地図１０２を第１のユーザのクライアント装置１０ａ〜１０ｃに出力することとしたので、互いに友人であるユーザ間に共通の友人であるユーザがいる場合にのみ位置情報を出力することにより、地図１０２上の位置の公開・非公開を効果的に設定し、ユーザのプライバシーを考慮した情報提供をおこなうことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月24日(2008.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記更新ジャーナルの適用は、前記記憶装置システムによって実行されることを特徴とする請求項１に記載のデータベース回復方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記更新ジャーナルの適用は、前記記憶装置システムによって実行されることを特徴とする請求項７に記載の計算機システム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月3日(2008.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
ホスト計算機に接続されるストレージ装置において、
前記ストレージ装置は、
他のストレージ装置とさらに接続され、
前記ホスト計算機によって書き込まれたデータを格納する第１ボリュームと、前記第１ボリューム内のブロックのデータが更新されるときに、更新対象の前記ブロックに格納されていたデータを格納する第２ボリュームと、前記ストレージ装置を制御する制御装置と、を備え、
前記他のストレージ装置は、前記第１ボリュームのデータがコピーされる第３ボリュームと、前記第３ボリューム内のブロックのデータが更新されるときに、更新対象の前記ブロックに格納されていたデータを格納する第４ボリュームと、を備え、
前記制御装置は、
前記第４ボリュームの容量が不足するか否かを予測し、
前記第４ボリュームの容量が不足すると予測した場合、前記ホスト計算機から前記第１ボリュームに対するデータの書き込み処理を所定の時間遅延させることを特徴とするストレージ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月17日(2008.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセルを積層方向に積層させた燃料電池に含まれるセルの電圧を検出するために用いられる電圧検出用のコネクタであって、
前記燃料電池に設けられた電極に接続可能な少なくとも１つの検出端子と、
前記検出端子を格納する電気的な絶縁性を有するコネクタケースと、を備え、
前記コネクタケースには、前記燃料電池にコネクタを装着する際に前記燃料電池に設けられた凸状のガイド部又は凹状の溝に嵌め合わせて摺動させるための凹状の溝又は凸状のガイド部が設けられており、
前記凹状の溝又は前記凸状のガイド部は、前記燃料電池に含まれるセルの積層ピッチと略等しいピッチで設けられていることを特徴とするコネクタ。
【請求項２】
請求項１に記載のコネクタであって、
前記コネクタケースに設けられた凹状の溝又は凸状のガイド部は、前記燃料電池にコネクタを装着する際の挿入方向に沿って延伸して設けられていることを特徴とするコネクタ。
【請求項３】
複数のセルを積層方向に積層させた燃料電池に含まれるセルの電圧を検出するために用いられる電圧検出用のコネクタであって、
第１の突出部を有する第１の側面と、前記第１の突出部より下段に前記第１の突出部とは反対方向に突出した第２の突出部を有する前記第１の側面と相対する第２の側面と、を有するコネクタケースと、
前記燃料電池に設けられた電極に接続可能であって、前記第１の突出部に設けられた検出端子と、を備え、
前記第１の突出部の下面に凸状のガイド部又は凹状の溝を有し、前記第１の突出部の下面に凸状のガイド部が設けられた場合には前記第２の突出部の上面に凹状の溝を有し、前記第１の突出部の下面に凹状の溝が設けられた場合には前記第２の突出部の上面に凸状のガイド部を有することを特徴とするコネクタ。
【請求項４】
請求項３に記載のコネクタであって、
前記コネクタケースに設けられた凹状の溝又は凸状のガイド部は、前記燃料電池にコネクタを装着する際の挿入方向に沿って延伸して設けられていることを特徴とするコネクタ。
【請求項５】
セルの電圧を検出するために用いられる電圧検出用のコネクタを装着可能であり、複数のセルを積層方向に積層させた燃料電池であって、
前記コネクタが装着される際に、前記コネクタに設けられた凸状のガイド部又は凹状の溝に嵌め合わせて摺動させるための凹状の溝又は凸状のガイド部が設けられており、
前記凹状の溝又は前記凸状のガイド部は、セルの積層ピッチと略等しいピッチで設けられていることを特徴とする燃料電池。
【請求項６】
請求項５に記載の燃料電池であって、
前記凹状の溝又は前記凸状のガイド部は、前記コネクタが装着される際の挿入方向に沿って延伸して設けられていることを特徴とする燃料電池。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月17日(2008.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
半導体製造プロセスには露光、エッチング、薄膜形成の工程があり、これらの工程が数回から十数回繰り返される。ここで重要になるのは、互いに重ねて形成された複数の配線パターンの下層部に形成された配線パターンと上層部に形成するパターンの位置の一致性（オーバーレイ）である。
従来は下層パターンと上層パターンの位置を合わせるための専用のマーク（オーバーレイマーク）を用い、光（光学顕微鏡等）を利用した位置合わせ等により行っていた（オーバーレイ検査）。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
次に、検査前のウエハＷをチャンバ１２内のステージ装置５に載せ、また検査後のウエハＷをステージ装置から取り出す動作について図２を参照して説明する。
試料表面検査装置１のチャンバ１２に隣接して配置された予備環境室６２は、半導体製造プロセスにおいて、ウエハが外部から搬入される時の環境からウエハ保持台５１を有するステージ装置５が配置されたチャンバ１２内の環境へと変化され、予備環境室６２内及びチャンバ１２内の環境が一致したとき、予備環境室６２からウエハ保持台に検査前のウエハを搬入することが出来るようになっている。
具体的には、公知の防振構造を備えた防振台及びその上に配置されかつウエハ保持台５１を有するステージ装置５が配置されたチャンバ１２を画定するハウジング１１と予備環境室６２を画定するハウジング６１との間にはゲート弁６３が設けられ、チャンバ１２と予備環境室６２とはゲート弁５３を介して選択的に連通或いは遮断可能になっている。更に、予備環境室６２とチャンバ内のウエハを予備環境室へ導入するための別のゲート弁若しくはフランジを有していても良い。ここで、ウエハが予備環境室６２とチャンバ１２との間でゲート弁６３を通して搬送されるとき、両者の環境はほぼ同一の環境（例えば、真空度１０−４Ｐａ〜１０−６Ｐａ程度の真空状態）に保たれている。 
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
半導体製造プロセスにおいて、次工程に搬送される前に検査を受けるウエハは次工程に搬送するための環境で保持されているので、先ず予備環境室はこの次工程に搬送するための環境になるように、いずれも公知の構造のガス供給装置（図示せず）及び、真空排気装置によって公知の方法で制御される。次工程に搬送するための環境と予備環境室の環境（真空状態）が同じになったら、ウエハを予備環境室へ導入するための別のゲート弁若しくはフランジを開放し若しくは開けて、ウエハを予備環境室６２内に導入し、先の真空排気系及びガス供給装置を制御し、ウエハ保持台５１のある環境すなわちチャンバ１２内の環境と同じ環境（真空状態）にする。
その後、チャンバ１２と予備環境室６２とを仕切っているゲート弁６３を開け検査前のウエハＷをウエハ保持台５１へと搬入する（これをロードと呼ぶ）。検査前のウエハの前記搬入が終了すると、ゲート弁６３を閉め、ウエハ保持台のある環境を検査に適した環境にし、検査を開始する。
検査が終了したウエハをウエハ保持台５１から搬出し（これをアンロードと呼ぶ）、ウエハを次工程に搬送する場合には、搬入時と逆の動作をさせればよい。ここで、真空排気装置は、図２に示されるように、ターボ分子ポンプ６６とドライルーツポンプ６７との組み合わせが好ましいが、ドライルーツポンプの替わりにオイルミストトラップ若しくはモレキュラーシーブ付きのロータリーポンプであっても良い。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図１２にレーザー光線照射とブランキング信号の関係を示す。複数回撮像する場合、全ての画像を積算することも可能であるが、それぞれの撮像で上層パターンと下層パターンを別個に撮像することも可能であり、下層パターンの撮像時のみレーザー光線の照射量、試料表面の電位上昇分をより細かく調整することが可能である。上層パターンの撮像時にレーザー光線の照射による試料表面の電位上昇分をより細かく調整してもよいし、常にレーザー光線を照射しても良い。また、撮像していない期間にレーザー光線を照射して、撮像時にはレーザー光線を止める若しくは遮蔽してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月7日(2008.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波を生成する高周波生成部と、前記高周波を取り出すアンテナと、このアンテナを囲む筒状金属容器と、前記金属容器内を基本モードで伝搬する高調波成分を抑制する第１のλ／４型チョーク構造とを具備したマグネトロンにおいて、前記金属容器内を高次モードで伝搬する前記高調波成分を抑制する第２のλ／４型チョーク構造を設けたことを特徴とするマグネトロン。
【請求項２】
高周波を生成する高周波生成部と、前記高周波を取り出すアンテナと、このアンテナを囲む筒状金属容器と、この金属容器内にλ／４型チョーク構造のチョーク溝を形成する筒状体とを具備したマグネトロンにおいて、前記チョーク溝の長さを、前記金属容器内を基本モードで伝搬する第１の高調波成分および前記第１の高調波成分と周波数が相違し前記金属容器内を高次モードで伝搬する第２の高調波成分の両方を抑制する大きさに設定したことを特徴とするマグネトロン。
【請求項３】
高次モードがＴＥ11モードで、基本モードで伝搬する第１の高調波成分の管内波長をλg、第２の高調波成分の自由空間波長をλn、金属容器内を伝搬するＴＥ11モードのカットオフ波長をλc、チョーク溝部分の筒状体外周面の半径をａ、チョーク溝部分の金属容器内周面の半径をｂ、チョーク溝の長さをλg／４とした場合に、
λc＝π（ａ＋ｂ）
【数１】
2007200790.tif 000001
の関係である請求項２記載のマグネトロン。
【請求項４】
第１の高調波成分の周波数が、基本波の整数倍の周波数をもって隣り合う大きさの周波数をもつ２つの高調波成分の間にある請求項２記載のマグネトロン。
【請求項５】
第１高調波成分の周波数が、基本波の整数倍の周波数をもって隣り合う大きさの周波数を有する２つの高調波成分の中央に位置する大きさである請求項２記載のマグネトロン。
【請求項６】
高周波を生成する高周波生成部と、前記高周波を取り出すアンテナと、このアンテナを囲む筒状金属容器と、この金属容器内にλ／４型チョーク構造のチョーク溝を形成する筒状体とを具備したマグネトロンにおいて、前記チョーク溝の長さを、前記金属容器内を基本モードで伝搬する第Ｎ／２次高調波成分（Ｎ≧３）およびＴＥ11モードで伝搬する第（Ｎ＋１）／２次高調波成分（Ｎ≧３）の両方を抑制する大きさに設定したことを特徴とするマグネトロン。
【請求項７】
基本モードで伝搬する第Ｎ／２次高調波成分（Ｎ≧３）の管内波長をλg、第（Ｎ＋１）／２次高調波成分（Ｎ≧３）の自由空間波長をλn、金属容器内を伝搬するＴＥ11モードのカットオフ波長をλc、チョーク溝部分の筒状体外周面の半径をａ、チョーク溝部分の金属容器内周面の半径をｂ、チョーク溝の長さをλg／４とした場合に、
λc＝π（ａ＋ｂ）
【数２】
2007200790.tif 000002
の関係である請求項６記載のマグネトロン。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記した構成において、高周波生成部３１で生成された高周波はアンテナ４３によって外部に取り出される。このとき、基本波成分と同時に生成する高調波成分、たとえば第３次高調波成分（７．３５ＧＨｚ）〜第５次高調波成分（１２．２５ＧＨｚ）は第１〜第３のλ／４型チョーク構造Ｃ１〜Ｃ３で抑制される。
【特許文献１】特許第９８１６１１号公報
【特許文献２】特許第２１２８８２７号公報
【特許文献３】特開昭６３−２６４８４８号公報
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
λc＝π（ａ＋ｂ）／ｎ…（１）
式（１）から、ＴＥ11モードの場合、π（ａ＋ｂ）の値がλcよりも大きくなると高次モードの伝搬が可能になる。たとえば、内導体の外径が２．５ｍｍの場合、外導体の内径が１３．０８ｍｍ以上になると、第５次高調波成分は高次モード（ＴＥ11モード）での伝搬が可能になる。したがって、製造性の悪化を防止するために、あるいは発振を安定化させるために、λ／４型チョーク構造の内径を大きくすると、ＴＥ11モードの伝搬が可能になる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月12日(2008.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の蓄電機構から電力の供給を受けて駆動することにより、電圧を変換する変換器を介して前記第１の蓄電機構に電力を供給するように前記第１の蓄電機構と接続された第２の蓄電機構を冷却する冷却風を発生する冷却ファンの制御装置であって、
前記冷却ファンの回転数を制御するための制御手段と、
前記第１の蓄電機構の電圧を検知するための検知手段と、
前記第１の蓄電機構の電圧に応じて、前記冷却ファンの回転数を変化させるための制御値を設定するための設定手段とを含む、冷却ファンの制御装置。
【請求項２】
前記第１の蓄電機構の電圧は、前記第２の蓄電機構の電圧よりも低い、請求項１に記載の冷却ファンの制御装置。
【請求項３】
前記設定手段は、前記第１の蓄電機構の電圧に応じた制御値を設定することに加えて、前記第２の蓄電機構の残存容量が高いほど、前記冷却ファンの回転数がより高くなるように、制御値を設定するための手段を含む、請求項１または２に記載の冷却ファンの制御装置。
【請求項４】
前記設定手段は、前記第１の蓄電機構の電圧に応じた制御値を設定することに加えて、前記第２の蓄電機構からの入出力電流が高いほど、前記冷却ファンの回転数がより高くなるように、制御値を設定するための手段を含む、請求項１または２に記載の冷却ファンの制御装置。
【請求項５】
前記設定手段は、前記第１の蓄電機構の電圧に応じた制御値を設定することに加えて、前記第２の蓄電機構の温度と前記冷却ファンにより送風される冷却風の温度との差が小さいほど、前記冷却ファンの回転数がより高くなるように、制御値を設定するための手段を含む、請求項１または２に記載の冷却ファンの制御装置。
【請求項６】
前記制御装置は、前記第１の蓄電機構の電圧に基づいて、制御値の制限値を設定するための手段をさらに含む、請求項１〜５のいずれかに記載の冷却ファンの制御装置。
【請求項７】
前記制御装置は、
前記冷却ファンが予め定められた運転状態になるように、前記冷却ファンの運転状態に基づいたフィードバック制御により、制御値を補正するための補正手段と、
前記補正手段により補正された制御値と前記設定手段により設定された制御値との差が予め定められた値より大きい場合、前記冷却ファンが異常であると判定するための判定手段とをさらに含む、請求項１〜６のいずれかに記載の冷却ファンの制御装置。
【請求項８】
前記制御装置は、
前記冷却ファンが予め定められた運転状態になるように、前記冷却ファンの運転状態に基づいたフィードバック制御により、制御値を補正するための補正手段と、
前記第１の蓄電機構に関する予め定められた条件が満たされた場合は、前記フィードバック制御による制御値の補正を禁止するための手段と、
前記予め定められた条件が満たされた場合は、前記設定手段により設定される制御値とは異なる制御値を設定するための手段とをさらに含む、請求項１〜６のいずれかに記載の冷却ファンの制御装置。
【請求項９】
前記予め定められた条件は、前記第１の蓄電機構への充電が開始される前であるという条件である、請求項８に記載の冷却ファンの制御装置。
【請求項１０】
前記制御装置は、前記補正手段により補正された制御値と前記設定手段により設定された制御値との差が予め定められた値より大きい場合、前記冷却ファンが異常であると判定するための判定手段をさらに含む、請求項８または９に記載の冷却ファンの制御装置。