【手続補正書】
【提出日】平成20年8月6日(2008.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ＩｎおよびＧａを含む第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる障壁層とＩｎおよびＧａを含む第４の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる井戸層とが交互に積層された多重量子井戸構造の活性層と、
上記活性層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第１の厚さを有する障壁層とＧａを含む第２の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第２の厚さを有する井戸層とが交互に積層された超格子からなるキャップ層と、
上記キャップ層に接した、Ｇａを含む第５の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる光導波層と、
上記光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型クラッド層とを有する半導体発光素子。
【請求項２】  上記キャップ層の上記障壁層および上記井戸層の厚さは１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項３】  上記キャップ層の上記障壁層を構成する上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体はアンドープであり、上記キャップ層の上記井戸層を構成する上記第２の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体はｐ型不純物がドープされている請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項４】  上記キャップ層の上記障壁層を構成する上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体はＡｌz Ｇａ1-z Ｎ（ただし、０＜ｚ＜１）であり、上記キャップ層の上記井戸層を構成する上記第２の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体はＧａＮである請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項５】  上記活性層の上記障壁層を構成する上記第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体はＩｎx Ｇａ1-x Ｎ（ただし、０≦ｘ＜１）であり、上記活性層の上記井戸層を構成する上記第４の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体はＩｎy Ｇａ1-y Ｎ（ただし、０＜ｙ＜１かつｙ＞ｘ）である請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項６】  上記活性層の上記ｐ型クラッド層に最も近い上記井戸層に上記キャップ層の上記活性層に最も近い上記障壁層が接している請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項７】  上記ｐ型クラッド層はＡｌおよびＧａを含む第７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる障壁層とＧａを含む第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる井戸層とが交互に積層された超格子からなる請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項８】  上記ｐ型クラッド層の上記障壁層を構成する上記第７の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体はアンドープであり、上記ｐ型クラッド層の上記井戸層を構成する上記第８の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体はｐ型不純物がドープされている請求項７記載の半導体発光素子。
【請求項９】  上記キャップ層の平均バンドギャップエネルギーは上記ｐ型クラッド層の平均バンドギャップエネルギーより大きい請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項１０】  ＩｎおよびＧａを含む第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる障壁層とＩｎおよびＧａを含む第４の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる井戸層とが交互に積層された多重量子井戸構造の活性層と、
上記活性層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第１の厚さを有する障壁層とＧａを含む第２の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第２の厚さを有する井戸層とが交互に積層された超格子からなる第１のキャップ層と、
上記第１のキャップ層に接した、Ｇａを含む第５の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる光導波層と、
上記光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第９の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第３の厚さを有する障壁層とＧａを含む第１０の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第４の厚さを有する井戸層とが交互に積層された超格子からなる第２のキャップ層と、
上記第２のキャップ層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型クラッド層とを有する半導体発光素子。
【請求項１１】  ＩｎおよびＧａを含む第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる障壁層とＩｎおよびＧａを含む第４の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる井戸層とが交互に積層された多重量子井戸構造の活性層と、
上記活性層に接した、Ｇａを含む第１１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第１の光導波層と、
上記第１の光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第１の厚さを有する障壁層とＧａを含む第２の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第２の厚さを有する井戸層とが交互に積層された超格子からなるキャップ層と、
上記キャップ層に接した、Ｇａを含む第５の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第２の光導波層と、
上記第２の光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型クラッド層とを有する半導体発光素子。
【請求項１２】  上記第１の光導波層を構成する上記第１１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体はアンドープである請求項１１記載の半導体発光素子。
【請求項１３】  上記活性層の上記ｐ型クラッド層に最も近い上記井戸層と上記キャップ層の上記活性層に最も近い上記障壁層との間の距離が１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である請求項１１記載の半導体発光素子。
【請求項１４】  ＩｎおよびＧａを含む第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる障壁層とＩｎおよびＧａを含む第４の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる井戸層とが交互に積層された多重量子井戸構造の活性層と、
上記活性層に接した、Ｇａを含む第１１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第１の光導波層と、
上記第１の光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第１の厚さを有する障壁層とＧａを含む第２の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第２の厚さを有する井戸層とが交互に積層された超格子からなる第１のキャップ層と、
上記第１のキャップ層に接した、Ｇａを含む第５の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第２の光導波層と、
上記第２の光導波層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第９の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第３の厚さを有する障壁層とＧａを含む第１０の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第４の厚さを有する井戸層とが交互に積層された超格子からなる第２のキャップ層と、
上記第２のキャップ層に接した、ＡｌおよびＧａを含む第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｐ型クラッド層とを有する半導体発光素子。
【請求項１５】  上記第１の光導波層を構成する上記第１１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体はアンドープである請求項１４記載の半導体発光素子。
【請求項１６】  上記活性層の上記ｐ型クラッド層に最も近い上記井戸層と上記第１のキャップ層の上記活性層に最も近い上記障壁層との間の距離が１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である請求項１４記載の半導体発光素子。
【請求項１７】  ｎ型クラッド層とｐ型クラッド層との間に活性層がはさまれた構造を有し、
上記活性層と上記ｐ型クラッド層との間に、ＡｌおよびＧａを含む第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第１の厚さを有する障壁層とＧａを含む第２の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第２の厚さを有する井戸層とが交互に積層された超格子からなるキャップ層が、少なくとも一つ設けられている、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体発光素子。