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【手続補正書】
【提出日】平成20年10月28日(2008.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電体を露出するためのエッチング方法であって、前記方法が、
オクタフルオロシクロブタン（Ｃ４Ｆ８）を含む化学処理剤を用いて二酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含む第１の誘電体層を通してエッチングするステップと、
テトラフルオロメタン（ＣＦ４）を含む化学処理剤を用いて窒化チタン（ＴｉＮ）を含むキャップ層を通してエッチングして、前記導電体を露出するステップと
を含む前記方法において、前記第１の誘電体層をエッチングするステップは、以下の諸条件、即ち、９０−１１０ｍＴｏｒｒ（ｍＴ）の圧力と、２７ＭＨｚ及び２ＭＨｚにおける９５０−１０５０ワット（Ｗ）のＲＦエネルギーと、３７５−４２５の標準立法センチメートル（ｓｃｃｍ）のアルゴン（Ａｒ）、１３−１７ｓｃｃｍのオクタフルオロシクロブタン（Ｃ４Ｆ８）及び５−７ｓｃｃｍの酸素（Ｏ２）からなる気体流と、の条件を用いることを含む前記方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記キャップ層をエッチングするステップは、以下の諸条件、即ち、２５５−２８５ｍＴの圧力と、２７ＭＨｚにおける１３５０−１４５０Ｗ及び２ＭＨｚにおける６５０−７５０ＷのＲＦエネルギーと、１３５−１６５ｓｃｃｍのテトラフルオロメタン（ＣＦ４）及び９０−１１０ｓｃｃｍの窒素（Ｎ２）からなる気体流と、の条件を用いることを含む前記方法。
【請求項３】
前記エッチング・ステップの各々は反応性イオン・エッチング装置内で実行される、請求項１に記載の前記方法。
【請求項４】
前記エッチング・ステップの各々は、ヘリウム（Ｈｅ）による１８−２２Ｔｏｒｒのウェハ保持チャックの圧力、及び、１８−２２℃のチャック温度の条件を用いることを含む、請求項１に記載の前記方法。
【請求項５】
前記第１のエッチング・ステップの前に、デスカム処理を実行するステップを更に含む、請求項１に記載の前記方法。
【請求項６】
前記デスカム処理を実行するステップは、窒素（Ｎ２）及び水素（Ｈ２）を含む気体流を用いることを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、前記第１の誘電体層をエッチングする前に、前記第１の誘電体層の上に位置し、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）を含む第２の誘電体層を通してエッチングするステップを更に含む前記方法。
【請求項８】
前記キャップ層をエッチングするステップの後に、灰化を実行するステップを更に含む、請求項１に記載の前記方法。
【請求項９】
導電体を露出するためのエッチング方法であって、前記方法が、
窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）を含む第１の誘電体層を通してエッチングするステップと、
１３−１７標準立法センチメートル（ｓｃｃｍ）のオクタフルオロシクロブタン（Ｃ４Ｆ８）の気体流を含む化学処理剤を用いて二酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含む第２の誘電体層を通してエッチングするステップと、
１３５−１６５ｓｃｃｍのテトラフルオロメタン（ＣＦ４）の気体流を含む化学処理剤を用いて窒化チタン（ＴｉＮ）を含むキャップ層を通してエッチングして、導電体を露出するステップと
を含む前記方法において、前記第２の誘電体層をエッチングするステップは、以下の諸条件、即ち、９０−１１０ｍＴｏｒｒ（ｍＴ）の圧力と、２７ＭＨｚ及び２ＭＨｚにおける９５０−１０５０ワット（Ｗ）のＲＦエネルギーと、３７５−４２５ｓｃｃｍのアルゴン（Ａｒ）及び５−７ｓｃｃｍの酸素（Ｏ２）をさらに含む前記気体流と、の条件を用いることを含む前記方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の前記方法において、前記キャップ層をエッチングするステップは、２５５−２８５ｍＴの圧力と、２７ＭＨｚにおける１３５０−１４５０Ｗ及び２ＭＨｚにおける６５０−７５０ＷのＲＦエネルギーと、９０−１１０ｓｃｃｍの窒素（Ｎ２）を更に含む前記気体流と、の条件を用いることを含む前記方法。
【請求項１１】
前記エッチング・ステップの各々が、反応性イオン・エッチング装置内で実行される、請求項９に記載の前記方法。
【請求項１２】
請求項９に記載の方法において、前記エッチング・ステップの各々は、ヘリウム（Ｈｅ）による１８−２２Ｔｏｒｒのウェハ保持チャック圧力、及び、１８−２２℃のチャック温度の条件を用いることを含む前記方法。
【請求項１３】
請求項９に記載の方法であって、前記第１のエッチング・ステップの前に、前記デスカム処理実行ステップは窒素（Ｎ２）及び水素（Ｈ２）の気体流を用いてデスカム処理を実行するステップを更に含む、前記方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、前記デスカム処理を実行するステップは、ヘリウム（Ｈｅ）による１８−２２Ｔｏｒｒのウェハ保持チャック圧力、及び、１８−２２℃のチャック温度の付加的条件を用いることを含む前記方法。
【請求項１５】
前記キャップ層のエッチング・ステップの後に、灰化を実行するステップを更に含む、請求項９に記載の前記方法。
【請求項１６】
窒化チタン（ＴｉＮ）キャップ層と、その上の二酸化シリコン（ＳｉＯ２）層と、その上の窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）層と、その上のパターン付けされたフォトレジストとを含む積層の下にある導電体を露出する方法であって、前記方法が、
窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）層を通してエッチングするステップと、
９０−１１０ｍＴｏｒｒ（ｍＴ）の圧力と、２７ＭＨｚ及び２ＭＨｚにおける９５０−１０５０ワット（Ｗ）のＲＦエネルギーと、３７５−４２５ｓｃｃｍのアルゴン（Ａｒ）、１３−１７ｓｃｃｍのオクタフルオロシクロブタン（Ｃ４Ｆ８）及び５−７ｓｃｃｍの酸素（Ｏ２）からなる気体流と、の条件を用いて、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）層を通してエッチングするステップと、
２５５−２８５ｍＴの圧力と、２７ＭＨｚにおける１３５０−１４５０Ｗ及び２ＭＨｚにおける６５０−７５０ＷのＲＦエネルギーと、１３５−１６５ｓｃｃｍのテトラフルオロメタン（ＣＦ４）及び９０−１１０ｓｃｃｍの窒素（Ｎ２）からなる気体流と、の条件を用いて、窒化チタン（ＴｉＮ）層を通してエッチングするステップと
を含む前記方法。
【請求項１７】
前記エッチング・ステップの前にデスカム処理ステップが実行され、前記エッチング・ステップの後に灰化ステップが実行される、請求項１６に記載の前記方法。
【請求項１８】
請求項１６に記載の方法において、前記エッチング・ステップの各々は、ヘリウム（Ｈｅ）による１８−２２Ｔｏｒｒのウェハ保持チャック圧力、及び、１８−２２℃のチャック温度の条件を用いることを含む前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月14日(2008.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１誘導板と、
前記第１誘導板に位置固定された第２誘導板であって、その所定の部位に漸近するほどに前記第１誘導板に漸近するものと、
前記第１誘導板および前記第２誘導板によって画成される内部空間であって、前記内部空間は外方に通じる開口を有するものとを具備し、
前記第１誘導板または前記第２誘導板の少なくとも一部が光透過性を有し、前記所定の部位の近傍に飛翔虫が誘導されることを特徴とする飛翔虫誘導機構。
【請求項２】
請求項１記載の飛翔虫誘導機構と、
前記飛翔虫誘導機構の前記所定の部位の近傍に取り付けられる飛翔虫の捕獲部とを具備し、
前記捕獲部は着脱機構により着脱自在であることを特徴とする飛翔虫捕獲器。
【請求項３】
前記第２誘導板はその一部において前記第１誘導板に最も漸近し、
前記第１誘導板と前記第２誘導板は前記第２誘導板の一部において前記飛翔虫が飛翔通過できる程度の間隙を有することを特徴とする請求項１記載の飛翔虫誘導機構。
【請求項４】
前記第２誘導板は分離した２枚の誘導板を有し前記２枚の誘導板のそれぞれの内方端部は相互に漸近することを特徴とする請求項１または３記載の飛翔虫誘導機構。
【請求項５】
指向性を有する光源であって、照射光が前記所定の部位に照射されるものを具備することを特徴とする請求項１または３記載の飛翔虫誘導機構。
【請求項６】
内部空間を画成する本体を有する飛翔虫誘導機構であって、
前記内部空間と外部空間との間に配置される開口部と、
前記内部空間から前記開口部を介して外方に延在する可動誘導板であって第１面および第２面を規定するものとを具備し、
前記本体および前記可動誘導板の少なくとも一部が光透過性を有し、
前記可動誘導板の外方端部が内方端部に先行して前記第２面が向く方向に移動し、前記飛翔虫が前記第１面または第２面において飛翔反射可能な状態で接触しうるように前記可動誘導板の移動が制御されることを特徴とする飛翔虫誘導機構。
【請求項７】
請求項６記載の飛翔虫誘導機構と、
前記飛翔虫誘導機構の前記内部空間の一部に配置される捕獲部とを具備し、
前記捕獲部は着脱機構により着脱自在であることを特徴とする飛翔虫捕獲器。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月16日(2008.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
大豆を塩分５％以下又は無塩の状態で発酵分解処理され、アグリコン型イソフラボンの全イソフラボン中の割合が５０％以上になるように調整され、かつ水分値を２０％以下に調整されたことを特徴とする大豆発酵物。
【請求項２】
米又は麦を基質にして増殖された真菌により、水とともに加熱処理された大豆を塩分５％以下又は無塩の状態で発酵分解処理を行ない、アグリコン型イソフラボンの全イソフラボン中の割合が５０％以上になるように調整し、さらに水分値を２０％以下に調整することを特徴とする大豆発酵物の製造方法。
【請求項３】
前記発酵分解処理は、４〜８０℃で１２時間〜１年間行なうことを特徴とする請求項２記載の大豆発酵物の製造方法。
【請求項４】
前記真菌に酵母及び乳酸菌のいずれか１以上を加えた状態で発酵分解処理を行なうことを特徴とする請求項２又は３記載の大豆発酵物の製造方法。
【請求項５】
原料大豆の重量に対して０．３倍以上の重量の前記真菌によって該原料大豆を発酵することを特徴とする請求項２乃至４いずれか記載の大豆発酵物の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月10日(2008.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３層の絶縁層を有し、表層から数えて２層目に形成された２層目絶縁層には、それを貫通する電気的接続が導電性ペーストであるペースト接続層となっており、表層から数えて２層目に形成され、前記ペースト接続層に埋設された２層目配線と、表層から数えて３層目に形成され、前記ペースト接続層に埋設された３層目配線と、を少なくとも備えていることを特徴とする多層プリント配線基板であって、前記ペースト接続層は、フィルムとその両面に形成された仮硬化状態の熱硬化性樹脂よりなるフィルムプリプレグと、前記フィルムプリプレグに形成された貫通孔に充填された導電性ペーストと、からなる多層プリント配線基板。
【請求項２】
４層以上の絶縁層を有し、少なくとも一方の表層から数えて、２層目の２層目絶縁層には、それを貫通する電気的接続が導電性ペーストであるペースト接続層となっており、少なくとも一方の表層から数えて２層目に形成された２層目配線層を貫通する電気的接続が導電性ペーストであるペースト接続層を有し、少なくとも一方の表層から数えて２層目に形成された２層目配線と、表層から数えて３層目に形成された３層目配線とが、前記導電性ペースト接続層に埋設されていることを特徴とする多層プリント配線基板であって、前記ペースト接続層は、フィルムとその両面に形成された仮硬化状態の熱硬化性樹脂よりなるフィルムプリプレグと、前記フィルムプリプレグに形成された貫通孔に充填された導電性ペーストと、からなる多層プリント配線基板。
【請求項３】
樹脂フィルムからなる表層から数えて１層目の１層目絶縁層と、前記１層目絶縁層表面に接着剤を介することなく形成された配線と、を有する請求項１もしくは２のいずれか一つに記載の多層プリント配線基板。
【請求項４】
絶縁基材に貫通孔を加工する孔加工工程と、
前記貫通孔に導電性ペーストを充填してペースト接続層を形成するペースト接続層形成工程と、
両面基板を作製する両面基板作製工程と、
前記ペースト接続層の表裏面に前記両面基板を積層する積層工程と、
前記積層体を熱プレス加工する熱プレス工程と、
を少なくとも備えた多層プリント配線基板の製造方法。
【請求項５】
絶縁基材に貫通孔を加工する孔加工工程と、
前記貫通孔に導電性ペーストを充填してペースト接続層を形成するペースト接続層形成工程と、
２層以上の層数を有する多層プリント配線基板を作製する多層プリント配線基板作製工程と、
前記ペースト接続層の表裏面に前記両面基板を積層する積層工程と、
前記積層体を熱プレス加工する熱プレス工程と、
を少なくとも備えた多層プリント配線基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月4日(2008.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一方の面に所定の大きさの溝を形成し、
前記溝が設けられた領域内に素子が配置されるように、前記溝が形成された基板の一方の面上に素子層を形成し、
前記素子層の一方の面が露出されるまで前記基板を薄型化して、前記素子を有する被転置層を形成し、
前記被転置層の一方の面にフィルムを接着させることにより、前記被転置層を前記フィルムに転置することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板の一方の面に所定の大きさの溝を形成し、
前記溝が設けられた領域内に素子が配置されるように、前記溝が形成された基板の一方の面上に素子層を形成し、
前記素子層の一方の面が露出されるまで前記基板の他方の面を研削及び研磨して、前記素子を有する被転置層を形成し、
前記被転置層の一方の面にフィルムを接着させることにより、前記被転置層を前記フィルムに転置することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板の一方の面に所定の大きさの溝を形成し、
前記溝が設けられた領域内に素子が配置されるように、前記溝が形成された基板の一方の面上に素子層を形成し、
前記素子層の一方の面が露出されるまで前記基板の他方の面を研削及び研磨して、前記素子を有する被転置層を形成し、
前記被転置層の一方の面に第１のフィルムを接着させることにより、前記被転置層を前記第１のフィルムに転置し、
前記被転置層の他方の面に第２のフィルムを接着し、
前記被転置層が分断されるように前記第１のフィルム及び第２のフィルムを切断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板の一方の面に所定の大きさの溝を形成し、
前記溝が設けられた領域内に素子が配置されるように、前記溝が形成された基板の一方の面上に素子層を形成し、
前記素子層の上に基板固定治具を用いて第１のフィルムを貼り付けた後、前記基板固定治具を吸着治具に設置し、
前記素子層の一方の面が露出されるまで前記基板の他方の面を研削及び研磨して、前記素子を有する被転置層を形成し、
前記第１のフィルムのうち、前記被転置層が形成された領域に対して選択的に粘着力を低下させ、
前記被転置層の一方の面に第２のフィルムを接着させることにより、前記被転置層を前記第２のフィルムに転置し、
前記被転置層の他方の面に第３のフィルムを接着し、
前記被転置層が分断されるように前記第２のフィルム及び第３のフィルムを切断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板の一方の面に所定の大きさの溝を形成し、
前記溝が設けられた領域内に素子が配置されるように、前記溝が形成された基板の一方の面上に素子層を形成し、
前記素子層の上に基板固定治具を用いてフィルムを貼り付けた後、前記基板固定治具を吸着治具に設置し、
前記素子層の一方の面が露出されるまで前記基板の他方の面を研削及び研磨して、前記素子を有する被転置層を形成し、
前記被転置層が分断されるように前記フィルムを切断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記被転置層はアンテナを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
基板の一方の面に所定の大きさの溝を形成し、
前記溝が設けられた領域内に素子が配置されるように、前記溝が形成された基板の一方の面上に素子層を形成し、
前記素子層の一方の面が露出されるまで前記基板の他方の面を研削及び研磨して、前記素子を有する被転置層を形成し、
前記被転置層の一方の面に第１のフィルムを接着させることにより、前記被転置層を前記フィルムに転置し、
前記被転置層が分断されるように前記第１のフィルムを切断し、
前記分断された被転置層と、アンテナが設けられた基材とを、前記被転置層の内部に含まれる素子と前記アンテナとが電気的に接続されるように貼り合わせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記溝の深さは２μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記溝の開口部は正方形の形状であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項９において、前記正方形の一辺の長さは、０．５ｍｍ以上２５ｍｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、前記基板として、ガラス基板またはシリコン基板を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、前記研磨は、物理的研磨であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一において、前記素子は、薄膜トランジスタ、ダイオード、または抵抗であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月30日(2008.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
スイッチ回路ＳＷＡｉは、入出力部ＰｉからモジュールＭｉへ伝送される信号をオンオフするスイッチ、及び／又は、モジュールＭｉから入出力部Ｐｉへ伝送される信号をオンオフするスイッチを少なくとも１つ有している。
同様に、スイッチ回路ＳＷＢｉは、入出力部ＰｉからモジュールＭ（ｉ＋１）へ伝送される信号をオンオフするスイッチ、及び／又は、モジュールＭ（ｉ＋１）から入出力部Ｐｉへ伝送される信号をオンオフするスイッチを少なくとも１つ有している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
図９は、モジュールＭ５に欠陥が生じている場合の各パッドの接続状態を示す図である。
この場合、ＩＣチップ２のモジュール選択部５０では、モジュールＭ５が全ての入出力部から切り離され、モジュールＭ１〜Ｍ４と入出力部Ｐ１〜Ｐ４、モジュールＭ６，Ｍ７と入出力部Ｐ５，Ｐ６とが接続される。そのため、導体線Ｗ１〜Ｗ７は、モジュールＭ１〜Ｍ４に電源電圧ＶＤＤ１〜ＶＤＤ４、モジュールＭ６，Ｍ７に電源電圧ＶＤＤ５，ＶＤＤ６がそれぞれ供給され、モジュールＭ５の電源電圧がゼロ（基準電位ＧＮＤ）になるように、各パッドを接続する。
すなわち、導体線Ｗ１は、モジュールＭ１に電源を供給するパッドＰＡ１と端子Ｔ１から電源電圧ＶＤＤ１を入力するパッドＰＢ１＿１とを接続する。
導体線Ｗ２は、モジュールＭ２に電源を供給するパッドＰＡ２と端子Ｔ２から電源電圧ＶＤＤ２を入力するパッドＰＢ２＿１とを接続する。
導体線Ｗ３は、モジュールＭ３に電源を供給するパッドＰＡ３と端子Ｔ３から電源電圧ＶＤＤ３を入力するパッドＰＢ３＿１とを接続する。
導体線Ｗ４は、モジュールＭ４に電源を供給するパッドＰＡ４と端子Ｔ４から電源電圧ＶＤＤ４を入力するパッドＰＢ４＿１とを接続する。
導体線Ｗ５は、モジュールＭ５に電源を供給するパッドＰＡ５と基準電位を有するパッドＰＧ５とを接続する。
導体線Ｗ６は、モジュールＭ６に電源を供給するパッドＰＡ６と端子Ｔ５から電源電圧ＶＤＤ５を入力するパッドＰＢ５＿２とを接続する。
導体線Ｗ７は、モジュールＭ７に電源を供給するパッドＰＡ７と端子Ｔ６から電源電圧ＶＤＤ６を入力するパッドＰＢ６＿２とを接続する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１７】
以上説明したように、本実施形態に係る回路装置によると、第１電源入力部Ａｎ（１≦ｎ≦７）においては、モジュールＭｎに供給される電源が入力され、第２電源入力部Ｂｉ（１≦ｉ≦６）においては、機能Ｆｉを有するモジュールに供給される電源電圧ＶＤＤｉが入力される。機能割り当て部３では、入力される制御信号に応じて、機能Ｆ１〜Ｆ７とモジュールＭ１〜Ｍ７との１対１の関係が設定され、モジュールＭ１〜Ｍ７の各々に当該１対１の関係で対応付けられた機能が割り当てられる。接続部４では、機能Ｆｉを割り当てられたモジュールに電源電圧ＶＤＤｉが供給されるように、第１電源入力部Ａ１〜Ａ７の一部と第２電源入力部Ｂ１〜Ｂ６とがワイヤボンディング等によって接続される。
これにより、特殊な製造工程を追加したり複雑な回路を設けたりすることなく、モジュールＭ１〜Ｍ７に供給される電源電圧を各モジュールに割り当てられる機能に応じて適切に制御することが可能になる。
すなわち、機能Ｆｉを割り当てられたモジュールには、機能割り当て部３における機能の割り当て状態に依存することなく、常に第２電源入力部Ｂｉを通じて電源を供給できるため、例えば欠陥救済の実施によってモジュールに対する機能の割り当てがＩＣチップごとに異なっても、回路装置の外部から第２電源入力部に入力する電源を変更する必要がない。これにより、第２電源入力部に入力する電源を変更するための専用のハードウェアを回路装置の外部に設けたり、電源の入力先を回路装置ごとに変更するための余分な製造工程を設けたりする必要がない。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月30日(2008.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
以下本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１および図２は、本発明の回転電機における第１実施の形態を示し、そのうち図１は、本発明の回転電機を断面して示す断面正面図、図２は図１の回転電機に使用されている鉄心押え板を示す正面図である。図１および図２において、本実施の形態の回転電機においては、回転子鉄心４の積層方向両側に設けられる鉄心押え板２３を、環状部２３ａおよびこの環状部２３ａから放射方向に延びてスロット間を押える複数個の突出部２３ｂにより構成し、しかもこの鉄心押え板２３の環状部２３ａおよび突出部２３ｂを一体成形により構成したところに特徴を有する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
【図１】本発明の回転電機における第１実施の形態を示す断面正面図である。
【図２】図１の回転電機に使用されている鉄心押え板を示す正面図である。
【図３】本発明の回転電機における第２実施の形態を示す断面正面図である。
【図４】図３の回転電機に使用されている鉄心押え板を示す拡大断面図である。
【図５】本発明の回転電機における第３実施の形態で使用される鉄心押え板を示す拡大断面図である。
【図６】従来の回転電機の構造を示す断面正面図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2007129865.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2007129865.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2007129865.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月2日(2008.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント基板にLEDチップを実装し、該プリント基板の上面にケースを貼付したLED発光装置において、熱伝導率の高い部材よりなる基台の上に、上面に所定の導電パターンを形成し、且つLEDチップをダイボンドする領域を有する開口部を備えたプリント基板を貼り合わせ、該プリント基板の開口部に位置する基台の上にLEDチップをダイボンドすると共に、前記LEDチップの上面電極とプリント基板上に形成した導電パターンとを金線でワイヤーボンディングし、前記プリント基板の外周上面に、前記LEDチップを覆うように外周部に封止樹脂注入孔を有するケースを貼付し、前記ケースに設けた封止樹脂注入孔より封止樹脂を注入してLEDチップを封止したことを特徴とするLED発光装置。
【請求項２】
ケースはレンズ付ケースとしたことを特徴とする請求項１に記載のLED発光装置。
【請求項３】
前記熱伝導率の高い部材よりなる基台は、アルミ板にアルマイト処理が施されていることを特徴とする請求項１または２に記載のLED発光装置。
【請求項４】
前記熱伝導率の高い部材よりなる基台は、銅板にアルミメッキ処理が施されていることを特徴とする請求項１または２に記載のLED発光装置。
【請求項５】
前記プリント基板の開口部が位置する基台の上に、透明ペースト（シリコーンダイボンドペースト）でLEDチップをダイボンド接着したことを特徴とする請求項１または２に記載のLED発光装置。
【請求項６】
前記プリント基板の開口部が位置する基台の上に、酸化チタンを入れた白色ペーストでLEDチップをダイボンド接着したことを特徴とする請求項１または２に記載のLED発光装置。
【請求項７】
前記ケースは、シリコーン樹脂を使用したことを特徴とする請求項１または２に記載のLED発光装置。
【請求項８】
前記封止樹脂は、ゴム/ゲル系シリコーン樹脂であることを特徴とする請求項１または２に記載のLED発光装置。
【請求項９】
前記封止樹脂は、白色の場合は、ゴム/ゲル系シリコーン樹脂の中に蛍光体・拡散材を含有することを特徴とする請求項１または２に記載のLED発光装置。
【請求項１０】
前記プリント基板の外周部上面のケースの貼付け代に、レジスト印刷でレジスト膜を形成したことを特徴とする請求項１または２に記載のLED発光装置。
【請求項１１】
前記LEDチップを実装する基台の実装部分に、すり鉢状に凹んだ反射カップを形成したことを特徴とする請求項３または４に記載のLED発光装置。
【請求項１２】
前記アルマイト処理が施されている基台の上面に、多層コーティング膜を形成したことを特徴とする請求項３または１０に記載のLED発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明におけるLED発光装置は、プリント基板にLEDチップを実装し、該プリント基板の上面にケースを貼付したLED発光装置において、熱伝導率の高い部材よりなる基台の上に、上面に所定の導電パターンを形成し、且つLEDチップをダイボンドする領域を有する開口部を備えたプリント基板を貼り合わせ、該プリント基板の開口部に位置する基台の上にLEDチップをダイボンドすると共に、前記LEDチップの上面電極とプリント基板上に形成した導電パターンとを金線でワイヤーボンディングし、前記プリント基板の外周上面に、前記LEDチップを覆うように外周部に封止樹脂注入孔を有するケースを貼付し、前記ケースに設けた封止樹脂注入孔より封止樹脂を注入してLEDチップを封止したことを特徴とするものである。
また、ケースはレンズ付としたことを特徴とするものである。

【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、前記ケースは、シリコーン樹脂を使用したことを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、前記プリント基板の外周部上面のケースの貼付け代に、レジスト印刷でレジスト膜を形成したことを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月4日(2008.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】放射線撮像装置および放射線撮像システム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光を電気信号に変換する光電変換素子と、
放射線を前記光電変換素子が検知可能な波長の光に変換する波長変換体と、
前記波長変換体と前記光電変換素子との間に設けられたファイバープレートと、
を有し、
前記光電変換素子は、基板上に搭載された複数の光電変換素子チップを含み、前記光電変換素子チップは複数の画素を有し、
前記ファイバープレートは、厚さの等しい複数の個別ファイバープレートが隣接配置され、前記複数の個別ファイバープレートはそれぞれ互いに平行な軸を有する光ファイバーの集合体であり、前記複数の個別ファイバープレートの側面同士がそれぞれの前記光ファイバーの軸が平行になるように接合されており、
前記ファイバープレートと複数の前記光電変換素子チップは透明接着材によって接着されている放射線撮像装置。
【請求項２】  請求項１に記載の放射線撮像装置において、
前記光ファイバーの軸が前記個別ファイバープレートの導光面の法線に平行或いは傾いていることを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項３】  請求項１に記載の放射線撮像装置において、
前記個別ファイバープレートの導光面又は側面のうち少なくともいずれか一方は研磨された面であることを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項４】  請求項１に記載の放射線撮像装置において、
接着材、又は金属のうち少なくともいずれか一方により、前記側面同士が接合されていることを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項５】  請求項１に記載の放射線撮像装置において、
前記複数の個別ファイバープレートの接合部は放射線遮蔽性接合部であることを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項６】  請求項１に記載の放射線撮像装置において、
前記個別ファイバープレートは、放射線遮蔽性を有し、前記側面は、前記個別ファイバープレートの導光面の法線に対して交差する面を含むことを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項７】  請求項１に記載の放射線撮像装置において、
隣接する前記個別ファイバープレート同士の間隙の幅は、前記光電変換素子の画素の幅より小さいことを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項８】  請求項１に記載の放射線撮像装置において、
前記光電変換素子は、互いに異なる受光面積を有する複数の画素を有しており、
隣接する前記個別ファイバープレート同士の間隙の幅は、前記光電変換素子の最小受光面積を有する画素の幅より小さいことを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項９】  請求項１に記載の放射線撮像装置において、
隣接する前記個別ファイバープレート同士の間隙が、隣接する複数の前記光電変換素子チップの間隙上に位置していることを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項１０】  請求項１に記載の放射線撮像装置において、
隣接する前記個別ファイバープレート同士の間隙が、前記光電変換素子チップの有効画素領域上に位置していることを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項１１】  請求項１に記載の放射線撮像装置において、
隣接する前記個別ファイバープレート同士の間隙が、複数の前記画素の間隙上に位置していることを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項１２】  請求項１に記載の放射線撮像装置において、
隣接する前記個別ファイバープレート同士の間隙で形成される繋ぎ目線が、隣接する前記光電変換素子チップの間隙で形成される繋ぎ目線と、０°より大きく９０°より小さい角度で交差していることを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項１３】  請求項１に記載の放射線撮像装置において、
前記ファイバープレートの導光面となる表面と裏面の面積が等しいことを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項１４】  請求項１に記載の放射線撮像装置において、
前記光電変換素子チップと、前記個別ファイバープレートと、がほぼ同じ大きさであることを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項１５】 請求項１から１４のいずれかに記載の放射線撮像装置と、前記放射線撮像装置からの信号を処理する信号処理手段と、前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段とを具備することを特徴とする放射線撮像システム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月5日(2008.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  画像支持表面上に像形成された複数の整合マークが画像支持表面上のそれぞれのカラー画像の位置に対応しており、前記整合マークが画像支持表面上の整合マークの位置を検出する整合マークセンサによって検出され、前記整合マークセンサは限定された誤整合許容範囲をもっており、前記複数の整合マークを使用して処理方向に移動中の画像支持表面の上に複数のカラー画像を整合するカラー整合システムを用いてカラー印刷を行う方法であって、
前記カラー整合システムは、複数の第１整合マークを画像支持表面の上に自動的に像形成する「初期総体的整合モード」を備えていること、
前記第１整合マークは、整合マークセンサに対し処理方向において広い誤整合許容範囲を与えるように形成されていること、
初期総体的整合が達成されるまで、画像支持表面の上に前記第１整合マークを像形成すること、
次に、整合マークセンサに対し処理方向において縮小した誤整合許容範囲をもち、整合マークセンサと協力して高い整合精度を与える複数の異なる第２整合マークを画像支持表面の上に自動的に像形成する「第２整合モード」へ前記カラー整合システムを自動的に切り換えること、及び
前記第２整合モードでは前記第１整合マークより処理方向において狭い間隔で一緒に配置された前記第２整合マークを画像支持表面の上に形成すること、
から成ることを特徴とするカラー印刷方法。
【請求項２】  前記第２整合マークは、全体的に山形のパターンから成ること、そして前記第１整合マークは前記第２整合マークに対し処理方向に拡張されていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】  カラー整合システムがそれぞれのカラー画像の位置に対応する複数の整合マークを画像支持表面の上に像形成し、更に前記画像支持表面上の整合マークの位置を検出する少なくとも１個の整合マークセンサを備えており、画像支持表面の上に像形成された複数の整合マークを使用して処理方向に移動可能な画像支持表面の上に複数のカラー画像を整合するカラー整合システムを備えたカラー複製装置であって、
前記カラー整合システムは、最初に、初期総体的整合が達成されるまで、整合マークセンサに対し処理方向に広い誤整合許容範囲を与える第１総体的整合マークを画像支持表面の上に生成し、像形成しており、
前記カラー整合システムは、初期総体的整合が達成された後、自動的に切り換わって、画像支持表面の上により狭い間隔で離して配置された精密整合マークを生成し、像形成しており、
前記精密整合マークは、整合マークセンサに対し処理方向において縮小した誤整合許容範囲を有し、より高いカラー整合精度を与えている、
ことを特徴とするカラー複製装置。
【請求項４】  前記精密整合マークは、狭い間隔を置いて配置された全体的に山形の整合マークのセットから成ることを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項５】  前記画像支持表面はゼログラフ印刷装置の感光体ベルトであること、
前記総体的整合マークは、前記初期総体的整合のための第１動作モードにおいて、前記感光体ベルトに沿って繰返して像形成されること、および
前記精密整合マークは、前記精密整合のための第２動作モードにおいて、前記複数のカラー画像に隣接して前記感光体ベルトに沿って像形成されること、
を特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項６】  前記総体的整合マークは、前記初期総体的整合のための第１動作モードにおいて、感光体ベルトに沿って、繰返してセットで像形成された山形マークから成ること、および少なくとも１つの前記セットは、２つの異なるカラーの２つの脚をもつ少なくとも１個の山形マークを含んでおり、一方の脚は基準カラーであり、他方の脚は整合される別のカラーである、ことを特徴とする請求項３に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月28日(2008.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
図５は、ＭＰＵ８が、波長の異なる光源、例えばハロゲンランプ、メタルハライドランプ、水銀の各光源毎に、入射角iを変化させた場合の正反射光量Ｖを測定して、光源と入射角とを決定する制御フローを示す。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月24日(2008.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 
導電性構成要素（１０）に傷（１４）が存在するか否かを判定するために導電性構成要素（１０）のあらかじめ選択された領域（１６）を検査する方法において、
前記導電性構成要素（１０）のあらかじめ選択された領域（１６）を覆うように一次渦電流素子（２２）を永久的に装着する工程と、
前記渦電流素子（２２）を作動させて前記導電性構成要素（１０）に近接して交番磁界を発生することにより、前記導電性構成要素（１０）中に渦電流を誘導する工程と、
前記素子により誘導された渦電流により前記導電性構成要素（１０）に近接して形成される２次磁界によって発生する電気信号を前記渦電流素子（２２）の複数のコイルの各々によって検出する工程と、
複数の離間したコイルを備える基準電流素子（２６）を、前記構成要素の傷のない部分に装着し、前記１次渦電流素子の複数のコイル（２４）により検出された電気信号を基準信号と比較して、検出された信号が基準信号と異なるか否かを判定することにより、前記導電性構成要素における傷の有無を示す工程と、
前記導電性構成要素（１０）に導管（３４）を取り付ける工程と、
前記渦電流素子（２２）を遠隔場所にある渦電流検査機器（４０）に選択的に接続するために、前記渦電流素子（２２）にリード線（３２）を取り付ける工程と、
前記リード線（３２）を前記導管（３４）に通す工程と
から成る方法。
【請求項２】 
前記導管（３４）を受け入れるために前記導電性構成要素（１０）に開口を形成する工程と、
前記導管（３４）を前記開口内に位置決めする工程と
を更に含む請求項１記載の方法。
【請求項３】 
前記導管（３４）を汚染物質が通過するのを防止するために前記導管（３４）を密封する工程を更に含む請求項１記載の方法。
【請求項４】 
検査すべく選択された領域（１６）を有する導電性構成要素（１０）と、前記導電性構成要素（１０）の前記選択された領域（１６）における傷（１４）を検出する装置（１２）との組み合わせにおいて、
前記装置（１２）が、
前記導電性構成要素（１０）の前記検査すべく選択された領域（１６）を覆うように装着される基板（２０）と、
前記選択された領域（１６）における傷（１４）を検出するために、前記基板（２０）上の、前記選択された領域（１６）の少なくとも一部を覆うように装着される１次渦電流素子（２２）とを具備し、
前記１次渦電流素子は、あらかじめ選択されたパターンに配置された複数の渦電流コイル（２４）を備え、
基準渦電流素子は、
構成要素の傷のない部分に対応する基準信号を得るために、前記構成要素の傷のない部分に装着された複数の離間したコイル（２６、２８）と、
導管（３４）内に設けられたリード線（３２）の束と
を含み、
前記リード線（３２）は、前記渦電流素子（２２）のコイルを遠隔場所にある渦電流検査機器（４０）に選択的に接続するために前記１次渦電流コイル及び基準渦電流コイルに接続されている、
組み合わせ。
【請求項５】
前記１次渦電流素子の（２２）及び基準渦電流素子（２６）の両方が、前記構成要素からほぼ等しい一定の距離だけ離間している、請求項４に記載の組み合わせ。
【請求項６】
前記基盤（２０）は、検査のために選択された領域に接着によって前記構成要素に取り付けられている、請求項４に記載の組み合わせ。
【請求項７】
前記１次渦電流素子を遠隔場所にある渦電流検査機器に選択的に接続するために、前記構成要素に装着された電気コネクタ（３６）を更に備える、請求項４に記載の組み合わせ。
【請求項８】
前記１次渦電流素子の複数の前記渦電流コイル（２４）は前記選択された領域のほぼ全体を覆って前記基盤（２０）に装着されている、請求項４に記載の組み合わせ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月2日(2008.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 段階的燃焼用ガスタービンエンジン燃焼器のための燃料ノズル組立体（５６）であって、
１次燃焼領域（１２０）における改良された燃料と空気の混合のために、噴射される燃料噴霧の周りの流入１次燃焼空気に燃料噴霧を囲む１次同軸旋回領域を形成させる、周方向に配置された複数の旋回羽根（１３４）を含む包囲型環状通路（１３２）を有する１次燃料噴射装置（１２２）と、
前記１次同軸旋回領域の半径方向外方に、旋回する流入２次燃焼空気の２次同軸旋回領域を形成するための、周方向に間隔をもった、細長い、軸方向に延びる複数の開口部（１９４）を備えており、前記１次燃料噴射装置（１２２）に対し同軸で、該１次燃料噴射装置から半径方向外方に間隔をもって配置されて２次燃焼領域（１２４）を形成する環状のリング（１２８）と、
円形に配置された複数の２次燃料噴射装置（１２６）を囲み、下流方向に面した端壁（１８０）と前記２次燃料噴射装置（１２６）から前記２次旋回領域へ燃料を流出させるための、複数の半径方向開口部（１７４）を有する環状の外壁（１７０）とを備えており、前記環状のリング（１２８）と前記１次燃料噴射装置（１２２）の間に配置された環状のハウジング（１６８）と、
を備え、
前記ハウジング（１６８）は、前記外壁（１７０）の内側に間隔を隔てた同軸の環状の内壁（１５０）を備え、前記内壁（１５０）は、外方に拡がって前記１次燃料噴射装置（１２２）下流側に外側ディフューザ領域を形成し、前記端壁（１８０）の軸方向下流側に間隔を隔てて位置する半径方向外方に延びるフランジ（１５８）で終わって端壁との間に間隙（２０２）を形成しており、前記端壁（１８０）には、外方に延びる前記フランジ（１５８）を冷却するための冷却空気を通す、円形に配置され互いに間隔を隔てた複数の冷却空気穴（１９８、２００）が形成されている、
ことを特徴とするノズル組立体。
【請求項２】 前記１次燃料噴射装置（１２２）が、燃料を軸方向に噴射するように向けられていることを特徴とする請求項１に記載の燃料ノズル組立体（５６）。
【請求項３】 前記２次燃料噴射装置（１２６）が、燃料をほぼ半径方向に噴射するように向けられていることを特徴とする請求項１に記載の燃料ノズル組立体（５６）。
【請求項４】 前記端壁（１８０）が、冷却空気孔の単一円形配置列（１９８）を備えていることを特徴とする請求項１に記載の燃料ノズル組立体（５６）。
【請求項５】 前記端壁（１８０）が、冷却空気孔の外方円形配置列（２００）と、冷却空気孔の内方円形配置列（１９８）とを備えていることを特徴とする請求項１に記載の燃料ノズル組立体（５６）。
【請求項６】 前記燃料ノズル組立体の軸（１０３）に対して下流方向及び外方向に傾斜して流れる空気噴流を生じさせるように配置された冷却空気孔の最外方円形列（２０４）を備えていることを特徴とする請求項１に記載の燃料ノズル組立体（５６）。
【請求項７】 
前記１次燃料噴射装置（１２２）は、中心軸（１０３）を備え、前記１次燃焼領域（１２０）に１次燃料噴霧を噴射するように配置され、
前記２次燃料噴射装置（１２６）は、前記１次空気流（１４２）の半径方向外方にあって前記１次空気流（１４２）を囲む２次空燃焼領域（１２４）に２次燃料噴霧を噴射するように前記１次燃料噴射装置（１２２）の半径方向外方に配置され、
前記燃料ノズル組立体（５６）は更に、前記１次燃料噴射装置（１２２）と前記２次燃料噴射装置（１２６）との間に配置された１次空気吹出口（２０４）を備え、
前記１次空気吹出口（２０４）が、前記１次空気流（１４２）に対して傾斜した下流方向に向けるように、前記１次燃料噴射装置の中心軸（１０３）に対して第１傾斜角度で傾いている、
ことを特徴とする請求項１に記載の燃料ノズル組立体。
【請求項８】 前記少なくとも１つの空気吹出口（２０２）が、前記１次燃料噴射装置（１２２）の周りで下流方向に向けてほぼ一様に分布されている、円形に配置された複数の空気吹出口によって構成されていることを特徴とする請求項６に記載の燃料ノズル組立体（５６）。
【請求項９】 前記１次燃料噴射装置の中心軸（１０３）に対して第２傾斜角度で前記２次空気流（１２４）の方向へ流出させる２次空気吹出口（１９８）を備えており、前記第２傾斜角度は前記第１傾斜角度よりも大きいことを特徴とする請求項６に記載の燃料ノズル組立体（５６）。
【請求項１０】 前記１次空気流（１４２）及び２次空気流（１２４）の各々が、前記１次空気流（１４２）及び２次空気流（１２４）を旋回させる接線方向の速度成分を含むことを特徴とする請求項６に記載の燃料ノズル組立体（５６）。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月2日(2008.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 画像表示素子に表示された電子画像を観察するために射出瞳を形成する全体として正の屈折力を有する観察光学系において、  
該観察光学系が正の屈折力を有する第１群と第２群とで構成され、前記第１群が少なくとも１つの正の屈折力を有するプリズム部材を有し、前記第２群が回折によりレンズ作用を有する回折素子で構成され、
前記第１群が前記電子画像のリレー像を形成する作用を有し、
前記第２群が前記リレー像を観察者に導くために前記射出瞳を形成する作用を有し、
前記プリズム部材が、前記画像表示素子から射出された光束を前記プリズム内に入射させる入射面と、前記入射した光束を前記プリズム内で反射させる少なくとも１つの反射面と、前記反射した光束を前記プリズム外へ射出させる射出面とを有し、
前記プリズム部材の反射面及び射出面のうちの少なくとも１つの面が、光束にパワーを与える曲面形状を有し、
前記曲面形状が偏心によって発生する収差を補正する回転非対称な面形状にて構成されていることを特徴とする観察光学系。
【請求項２】 前記第２群の回折素子が、反射型であることを特徴とする請求項１に記載の観察光学系。
【請求項３】 前記第１群が、前記第２群の回折素子とは別の回折素子を備えていることを特徴とする請求項１または２に記載の観察光学系。
【請求項４】 前記射出瞳の中心から前記画像表示素子の中心に到る光線を軸上主光線としたとき、前記プリズム部材から前記第２群に向かう軸上主光線の向きが、前記射出瞳に入射しない向きとなるように、前記第１群と前記第２群が構成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の観察光学系。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
そして、プリズムＰは、ＬＣＤ３６から射出した光が第２プリズムＰ２の第３面４３で屈折してプリズム内に入射し、第１面４１に備わる第１の反射面で反射し、第２面４２で反射した後、第１面４１で屈折してプリズム外に射出し、さらに、第１プリズムＰ１の第４面３５で屈折してプリズム内に入射し、第３面３４で反射した後、第１面３２に備わる第２の反射面で反射し、第２面３３で反射した後、第１面３２に備わる射出面で屈折してプリズム外に射出し、結像面３１に結像するように構成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月26日(2008.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】デジタルマイクロミラーデバイス
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロミラーと、
前記マイクロミラーの傾きを制御する一対のアドレス電極と、
前記一対のアドレス電極の一方に電気的に接続された入力端子と、前記一対のアドレス電極の他方に電気的に接続された出力端子とを有するＳＲＡＭと、
ソース又はドレインの一方が前記入力端子に電気的に接続された第１のスイッチング素子と、
ソース又はドレインの一方が前記出力端子に電気的に接続された第２のスイッチング素子と、を有する画素が複数備えられていることを特徴とするデジタルマイクロミラーデバイス。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２のスイッチング素子をオン状態にすることによって、前記画素を黒表示の状態にすることを特徴とするデジタルマイクロミラーデバイス。
【請求項３】
請求項１において、
前記画素のそれぞれにおいて、前記第１のスイッチング素子のオン状態又はオフ状態を順次選択することによって、第１の書き込み期間を開始し、
前記第１の書き込み期間が終了する前に、前記画素のそれぞれにおいて、前記第２のスイッチング素子を順次オン状態にすることによって、消去期間を開始し、
前記消去期間が終了した後に、前記画素のそれぞれにおいて、前記第１のスイッチング素子のオン状態又はオフ状態を順次選択することによって、第２の書き込み期間を開始することを特徴とするデジタルマイクロミラーデバイス。
【請求項４】
請求項１において、
前記画素のそれぞれにおいて、前記第１のスイッチング素子のオン状態又はオフ状態を順次選択することによって、第１の書き込み期間を開始し、
前記第１の書き込み期間が終了する前に、前記画素のそれぞれにおいて、前記第２のスイッチング素子を順次オン状態にすることによって、消去期間を開始し、
前記消去期間が終了する前に、前記第２のスイッチング素子がオン状態になった前記画素から順に、前記第１のスイッチング素子のオン状態又はオフ状態を順次選択することによって、第２の書き込み期間を開始することを特徴とするデジタルマイクロミラーデバイス。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記ＳＲＡＭは、第１及び第２の第１導電型トランジスタと、前記第１及び第２の第１導電型トランジスタと逆極性である第１及び第２の第２導電型トランジスタと、を有し、
前記入力端子に、前記第１の第１導電型トランジスタのソース又はドレインの一方と、前記第１の第２導電型トランジスタのソース又はドレインの一方と、第２の第１導電型トランジスタのゲートと、第２の第２導電型トランジスタのゲートと、が電気的に接続されており、
前記出力端子に、前記第２の第１導電型トランジスタのソース又はドレインの一方と、前記第２の第２導電型トランジスタのソース又はドレインの一方と、第１の第１導電型トランジスタのゲートと、第１の第２導電型トランジスタのゲートと、が電気的に接続されていることを特徴とするデジタルマイクロミラーデバイス。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記ＳＲＡＭは、第１及び第２の第１導電型トランジスタと、第１及び第２の抵抗と、を有し、
前記入力端子に、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と、前記第１の抵抗の一方の端子と、第２のトランジスタのゲートと、が電気的に接続されており、
前記出力端子に、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と、前記第２の抵抗の一方の端子と、第１のトランジスタのゲートと、が電気的に接続されていることを特徴とするデジタルマイクロミラーデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月26日(2007.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
衝撃荷重入力方向に対して略直交する方向に延びるように配置される樹脂製の板状リブと、
該板状リブの両端にそれぞれの一端が連結されるとともにそれぞれの該一端から前記板状リブと直角方向へ遠ざかるに連れて互いに接近するように傾斜して配置され、衝撃荷重入力時に前記板状リブを引張変形させる一対の板状保持部と、
を備えていることを特徴とする自動車用衝撃吸収部材。
【請求項２】
略平行に配置された二つの前記板状リブと、一方の前記板状リブの両端にそれぞれの一端が連結される一対の第１板状保持部と他方の前記板状リブの両端にそれぞれの一端が連結される一対の第２板状保持部とを有する筒状部材と、から構成されている請求項１に記載の自動車用衝撃吸収部材。
【請求項３】
前記筒状部材は、周方向において隣り合う各前記板状保持部の端部どうしを連結する四つの板状連結部を有する請求項２に記載の自動車用衝撃吸収部材。
【請求項４】
一つの前記板状リブと、前記板状リブの両端にそれぞれの一端が連結されて前記板状リブの一面側に配置される一対の第１板状保持部と前記板状リブの両端にそれぞれの一端が連結されて前記板状リブの他面側に配置される一対の第２板状保持部とを有する筒状部材と、から構成されている請求項１に記載の自動車用衝撃吸収部材。
【請求項５】
前記筒状部材は、一対の前記第１板状保持部の他端どうし及び一対の前記第２板状保持部の他端どうしを連結する二つの板状連結部を有する請求項４に記載の自動車用衝撃吸収部材。
【請求項６】
前記筒状部材は、一対の前記第１板状保持部の他端どうしの間又は一対の前記第２板状保持部の他端どうしの間に形成された軸方向に延びるスリットを有し、該スリットの両側にはそれぞれ取付固定部が設けられている請求項２〜５に記載の自動車用衝撃吸収部材。
【請求項７】
前記板状保持部は、曲げ弾性率が０．８Ｇｐａ以上の樹脂材料で形成されている請求項１〜６に記載の自動車用衝撃吸収部材。
【請求項８】
前記板状保持部の肉厚は、前記板状リブの肉厚よりも厚くされている請求項７に記載の自動車用衝撃吸収部材。
【請求項９】
前記筒状部材の肉厚は、前記板状リブの肉厚よりも厚くされている請求項８に記載の自動車用衝撃吸収部材。
【請求項１０】
前記板状保持部の肉厚は、中央部が両端部よりも厚くされている請求項７〜９に記載の自動車用衝撃吸収部材。
【請求項１１】
前記板状保持部は、曲げ弾性率が３０Ｇｐａ以上の金属材料で形成されている請求項１〜６に記載の自動車用衝撃吸収部材。
【請求項１２】
歩行者保護用としてバンパビームの前面又は後面に取付けられている請求項１〜１１に記載の自動車用衝撃吸収部材。
【請求項１３】
乗員保護用としてルーフサイド又はピラーに取付けられている請求項１〜１１に記載の自動車用衝撃吸収部材。