【手続補正書】
【提出日】平成20年5月30日(2008.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁基板上に第１切除パターンを有する画素電極が形成されている第１基板と、
前記第１絶縁基板と対向している第２絶縁基板上に第２切除パターンを有する共通電極が形成され、前記第２切除パターンは前記第１切除パターンと互いに平行で、交互に配置されている第２基板と、
前記第１基板と第２基板との間に注入されている液晶物質と、
前記第２切除パターンの端部に位置し、前記第１基板と前記第２基板との間隔を維持するスペーサとを含む液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１切除パターンは前記画素電極の上部領域で第１方向に形成されている第１切除部と、前記画素電極の下部領域で前記第１方向と直角をなす第２方向に形成されている第２切除部とを含み、
前記第２切除パターンは前記画素電極の上部領域と対応する位置に前記第１方向に形成されている第１幹切除部と、前記画素電極の下部領域と対応する位置に前記第２方向に形成されている第２幹切除部とを含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１方向は前記画素電極の辺に対して斜線方向であることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第２切除パターンは前記画素電極の上下辺と重複する第１枝切除部と、前記画素電極の左右辺と重複する第２枝切除部とを含み、
前記第１切除パターンは前記画素電極の上下中央に位置し前記画素電極の上下辺と平行な第３切除部を含み、
前記第１切除パターン及び前記第２切除パターンは前記画素電極を多数の閉鎖された多角形に分割していることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第２枝切除部は前記幹切除部より幅が広いことを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１方向は、前記画素電極の辺のうちのいずれかの一つと平行な方向であることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
第１絶縁基板上に第１切除パターンを有する画素電極が形成され、前記第１切除パターンは前記画素電極の第１辺から横方向に形成されている第１切除部と、斜線方向に形成されており前記第１切除部に対して互いに対称をなしており前記第１辺から前記第１辺と対向する第２辺に接近するほど互いに間隔が狭くなる第２及び第３切除部とからなる第１基板と、
前記第１絶縁基板と対向している第２絶縁基板上に前記第１切除パターンと交互に配置されている第２切除パターンを有する共通電極が形成され、前記第２切除パターンは横方向に形成されている幹部、前記幹部からそれぞれ斜線方向に形成されており前記幹部から離れるほど互いに離れる第１及び第２枝部、及び前記第１及び第２枝部から縦方向に形成されており互いに反対方向にのびている第１及び第２枝端部を含む第４切除部と、前記第１枝部と平行な第１中央部及び前記第１中央部の両端からそれぞれ横方向及び縦方向に形成されている第１及び第２屈折部を含む第５切除部と、前記第４切除部に対して前記第５切除部と対称をなす第６切除部とからなる第２基板と、
前記第１基板と第２基板との間に注入されている液晶物質と、
前記第１基板と前記第２基板との間隔を維持し、前記第２切除パターンの端部に位置するスペーサとを含む液晶表示装置。
【請求項８】
第１絶縁基板上に第１切除パターンを有する画素電極が形成され、前記第１切除パターンは前記画素電極の上面を縦に分割する第１切除部と、前記第１切除部の下に位置しており前記画素電極を横に分割する第２切除部とを含む第１基板と、
前記第１絶縁基板と対向している第２絶縁基板上に第２切除パターンを有する共通電極が形成され、前記第２切除パターンは縦方向に形成されている第３切除部と、前記第３切除部の下に横方向に形成されている第４切除部とを含み、前記第３切除部は前記第１切除部と交互に位置し前記画素電極の上面を縦に多数の領域に分割し、前記第４切除部は前記第２切除部と交互に位置し前記画素電極の下面を横に多数の領域に分割する第２基板と、
前記第１基板と第２基板との間に注入されている液晶物質と、
前記第１基板と前記第２基板との間隔を維持するスペーサとを含む液晶表示装置。
【請求項９】
絶縁基板と、
前記基板上に形成されているブラックマトリックスと、
前記ブラックマトリックス上に形成されている色フィルターと、
前記基板の全面に形成されている共通電極と、
前記共通電極上に形成されており、第１厚さを有する第１突起と第１厚さより厚い第２厚さを有する第２突起と
を含む液晶表示装置用色フィルター基板。
【請求項１０】
前記第１及び第２突起は、感光性有機絶縁膜、感光膜及びケイ素を含む絶縁膜のうちのいずれかの一つ以上を含む請求項９に記載の液晶表示装置用色フィルター基板。
【請求項１１】
前記共通電極はＩＴＯ及びＩＺＯのうちのいずれかの一つからなる請求項９に記載の液晶表示装置用色フィルター基板。
【請求項１２】
絶縁基板上にブラックマトリックスを形成する段階と、
前記ブラックマトリックス上に色フィルターを形成する段階と、
前記基板の全面に共通電極を形成する段階と、
前記共通電極の上部に絶縁膜を塗布する段階と、
前記絶縁膜をパターニングして第１厚さを有する第１突起及び前記第１厚さより厚い第２厚さを有する第２突起を形成する段階と
を含む液晶表示装置用色フィルター基板の製造方法。
【請求項１３】
前記絶縁膜は、感光性有機絶縁膜、感光膜及びケイ素を含む絶縁膜のうちのいずれかの一つ以上を含む請求項１２に記載の液晶表示装置用色フィルター基板の製造方法。
【請求項１４】
前記共通電極はＩＴＯ及びＩＺＯのうちのいずれかの一つからなる請求項１２に記載の液晶表示装置用色フィルター基板の製造方法。
【請求項１５】
前記第１及び第２突起は、前記第１突起に対応するスリットパターン及び前記第２突起に対応する透明パターンを含むマスクを用いて形成する請求項１２に記載の液晶表示装置用色フィルター基板の製造方法。
【請求項１６】
前記絶縁膜は陰性感光性を有する有機絶縁膜である請求項１５に記載の液晶表示装置用色フィルター基板の製造方法。
【請求項１７】
前記第１及び第２突起は、前記第１突起に対応する反透過膜パターン及び前記第２突起に対応する不透明パターンを含むマスクを用いて形成する請求項１２に記載の液晶表示装置用色フィルター基板の製造方法。
【請求項１８】
前記絶縁膜は陽性感光性を有する有機絶縁膜である請求項１７に記載の液晶表示装置用色フィルター基板の製造方法。
【請求項１９】
前記絶縁膜上に一回の写真工程で位置によって厚さの異なる感光膜パターンを形成する段階をさらに含む請求項１２に記載の液晶表示装置用色フィルター基板の製造方法。
【請求項２０】
配線パターン、スイッチング素子及び切除パターンを有する画素電極を含む薄膜トランジスタ基板を製造する段階と、
共通電極、カラーフィルター、高分子柱及び突起パターンを含む色フィルター基板を製造する段階と、
前記薄膜トランジスタ基板及び前記色フィルター基板を接合する段階と、
前記２枚の基板の間に液晶物質を注入する段階と
を含む液晶表示装置の製造方法。
【請求項２１】
透明基板上にブラックマトリックス及び色フィルターを順次に形成する段階と、
前記色フィルターの上部にオーバーコート膜を形成する段階と、
前記オーバーコート膜の上部に透明導電物質からなる共通電極を形成する段階と、
前記共通電極の上部に感光樹脂を塗布する段階と、
露光器の解像度より狭い幅を有するパターン及び露光器の解像度より広い幅を有するパターンが形成されたマスクで前記感光樹脂を露光し現像して高さの異なる突起及び高分子柱を同時に形成する段階と
を含む液晶表示装置用色フィルター基板の製造方法。
【請求項２２】
前記突起の幅は４μｍ〜１４μｍであり、前記高分子柱の幅は１５μｍ〜４５μｍである請求項２１に記載の液晶表示装置用色フィルター基板の製造方法。
【請求項２３】
前記突起の高さは１．０μｍ〜１．２μｍであり、高分子柱の高さは３．０μｍ〜４．５μｍである請求項２１に記載の液晶表示装置用色フィルター基板の製造方法。
【請求項２４】
前記突起及び高分子柱が一定の強度を有するようにするハードベーク段階をさらに含み、このハードベーク段階での温度調節によって突起及び高分子柱の高さを調節する請求項２１に記載の液晶表示装置用色フィルター基板の製造方法。
【請求項２５】
前記ハードベークの温度は２００〜２４０℃である請求項２４に記載の液晶表示装置用色フィルター基板の製造方法。
【請求項２６】
ゲート電極及びゲート線を含むゲート配線と、
前記ゲート配線に絶縁されるように交差するデータ線、ソース電極及びドレーン電極を含むデータ配線と、
前記ソース電極及びドレーン電極に接触しており、前記ゲート電極、前記ソース電極及び前記ドレーン電極と共に薄膜トランジスタを構成する半導体パターンと、
前記データ配線及び半導体パターン上に第１厚さを有する突出パターン及び前記ドレーン電極を露出させる接触孔が形成されており、前記突出パターン及び前記接触孔以外の他の部分は第２厚さを有する有機絶縁膜パターンと、
前記有機絶縁膜パターン上に形成され前記接触孔を通じて前記ドレーン電極に連結される画素電極と
を含む薄膜トランジスタ基板。
【請求項２７】
前記半導体パターンは水素化非晶質ケイ素で形成される請求項２６に記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項２８】
前記半導体パターンは前記データ配線の形状と同一に形成され、前記ソース電極及び前記ドレーン電極の間に位置するチャンネル領域をさらに含むように形成される請求項２６に記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項２９】
前記半導体パターンは前記ゲート電極の上部に島形で形成される請求項２６に記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項３０】
基板上にゲート線及びゲート電極を含むゲート配線を形成する段階と、
前記ゲート配線を覆うゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上に半導体パターンを形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜及び前記半導体パターン上にデータ線、ソース電極、ドレーン電極を含むデータ配線を形成する段階と、
前記半導体パターン上に第１厚さを有する突出パターン及び前記ドレーン電極を露出させる接触孔が形成されており、前記突出パターン及び前記接触孔以外の他の部分は第２厚さを有する有機絶縁膜パターンを形成する段階と、
前記有機絶縁膜パターン上に前記接触孔を通じて前記ドレーン電極に連結される画素電極を形成する段階と
を含む薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項３１】
前記有機絶縁膜パターンを形成する段階は、
前記データ配線を含む基板の露出された全面を覆う感光性有機絶縁膜を形成する段階と、
前記感光性有機絶縁膜を選択的に露光し、前記突出パターンが形成される第１部分は露光せず、前記接触孔が形成される第２部分は全面露光し、前記第１及び第２部分以外の第３部分は部分露光する段階と、
前記選択的に露光された有機絶縁膜を現像する段階と
を含む請求項３０に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項３２】
前記有機絶縁膜を選択的に露光する作業は、前記有機絶縁膜の第１部分に非露光領域が位置し、前記有機絶縁膜の第２部分に露光領域が位置し、第３部分に所定の透過率を有する選択透過領域が位置するマスクを用いて進行する請求項３１に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項３３】
前記マスクの選択透過領域は、スリットパターンまたは半透明パターンが形成されている請求項３２に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項３４】
前記有機絶縁膜を選択的に露光する作業は、前記有機絶縁膜の第２部分を露光する第１マスク及び前記有機絶縁膜の第３部分を所定の透過率で露光する第２マスクを用いて進行する請求項３１に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項３５】
前記半導体パターン及び前記データ配線は、部分的に厚さの異なる感光膜パターンを用いた写真エッチング工程で同時に形成する請求項３０に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項３６】
前記感光膜パターンは、前記データ配線の上部で第１厚さを有する第１部分及び、前記ソース電極と前記ドレーン電極との間の上部で第１厚さより薄い第２厚さを有する第２部分で形成される請求項３５に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項３７】
前記半導体パターン及び前記データ配線の形成は、
前記ゲート絶縁膜上に半導体層及び導電層を蒸着した後、前記感光膜パターンを形成する段階と、
前記感光膜パターンをマスクとして前記導電層をエッチングし前記半導体層の一部を露出させる段階と、
前記半導体層の露出された部分及び前記感光膜パターンの第２部分を除去して前記半導体パターンを完成し、前記ソース電極と前記ドレーン電極との間に前記導電層の一部を露出させる段階と、
前記導電層の露出された部分を除去して前記データ配線を完成する段階と、
前記感光膜パターンの第１部分を除去する段階と
を含む請求項３６に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項３８】
前記感光膜パターンは、第１領域、前記第１領域より低い透過率を有する第２領域、前記第１領域より高い透過率を有する第３領域を含む光マスクを用いて形成する請求項３５に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項３９】
第１基板及び第２基板と、
前記第１基板及び第２基板の間に注入されている液晶物質と、
前記第１基板上に形成されたゲート線及びデータ線と、
前記第１基板上に形成された複数の画素電極と、
前記画素電極の１辺に対して斜線方向に形成された本体部と、前記画素電極の１辺に沿って前記本体部から延長された枝部とを備え、前記第２基板上に配列される複数の突起と、
２つの隣接する突起の枝部の間の空間に隣接した位置であって前記第２基板に形成される第１スペーサと、
を備える液晶表示装置。
【請求項４０】
前記第１スペーサは２つの隣接する突起の枝部の間の空間に隣接する外側に形成されている、請求項３９に記載の液晶表示装置。
【請求項４１】
前記第１スペーサは、２つの隣接する突起の枝部の間の空間に形成されている、請求項３９に記載の液晶表示装置。
【請求項４２】
前記第１基板は、画素電極上に形成された複数の切除パターンを備えており、
前記切除パターンと前記突起の本体部とが交互に形成されている、請求項３９に記載の液晶表示装置。
【請求項４３】
前記第２基板上に配列され前記本体部の一つから延長された幹突起をさらに備え、前記幹突起と切除パターンの１つとは同一の直線上に形成されている、請求項４２に記載の液晶表示装置。
【請求項４４】
前記第１基板は画素電極の１辺または画素電極の中央部に配列された第１保持配線をさらに備えている、請求項４４に記載の液晶表示装置。
【請求項４５】
前記第１基板は前記第１保持配線から延長され前記画素電極の１辺に配列された第２保持配線を更に含む、請求項４４に記載の液晶表示装置。
【請求項４６】
前記第２基板上であって前記幹突起に隣接する位置に形成される第２スペーサをさらに備える、請求項４３に記載の液晶表示装置。
【請求項４７】
本体部の一部は直線形状であり、本体部の他の部分はシェブロン形状であり、本体部の一つからシェブロン形状で延長された幹突起をさらに備える、請求項３９に記載の液晶表示装置。
【請求項４８】
前記第１基板は、前記画素電極の１辺または前記画素電極の中央部に配列された第１保持配線をさらに備えている、請求項４７に記載の液晶表示装置。
【請求項４９】
前記第１基板は、前記第１保持配線から延長され、前記画素電極の１辺に配列された第２保持配線を更に含む、請求項４８に記載の液晶表示装置。
【請求項５０】
前記第２基板上であって前記幹突起に隣接する位置に形成される第２スペーサをさらに備える、請求項４７に記載の液晶表示装置。
【請求項５１】
第１基板及び第２基板と、
前記第１基板及び第２基板の間に注入されている液晶物質と、
前記第１基板上形成されたゲート線及びデータ線と、
前記第１基板上に形成された複数の画素電極と、
前記画素電極の１辺に対して斜線方向に形成された本体部と、前記画素電極の１辺に沿って前記本体部から延長された枝部とを備え、前記第２基板上に配列される複数の第１切除パターンと、
前記第１切除パターンの隣接する２つの枝部分の間の空間に隣接した位置であって前記第２基板に形成される第１スペーサと、
を備える液晶表示装置。
【請求項５２】
前記第１スペーサは、前記第１切除パターンの２つの隣接する枝部分の間の空間に隣接する外側に形成されている、請求項５１に記載の液晶表示装置。
【請求項５３】
前記第１スペーサは前記第１切除パターンの２つの隣接する枝部分の間の空間に形成される、請求項５１に記載の液晶表示装置。
【請求項５４】
前記第１基板は、前記画素電極上に形成された複数の第２切除パターンを含み、前記第２切除パターンの一つと前記本体部の一つとが交互に配置されている、請求項５１に記載の液晶表示装置。
【請求項５５】
前記第２基板上に配列され、前記本体部の一つから延長された幹切除部をさらに備え、前記幹切除部と前記第２切除パターンの一つとは同一の直線上に形成されている、請求項５４に記載の液晶表示装置。
【請求項５６】
前記第１基板は前記画素電極の１辺または画素電極の中央部に配列された第１保持配線をさらに備えている、請求項５１に記載の液晶表示装置。
【請求項５７】
前記第１基板は、前記第１保持配線から延長され、前記画素電極の１辺に配列された第２保持配線を更に含む、請求項５６に記載の液晶表示装置。
【請求項５８】
前記第２基板上であって前記幹切除部に隣接する位置に形成される第２スペーサをさらに備える、請求項５５に記載の液晶表示装置。
【請求項５９】
本体部の一部は直線形状であり、本体部の他の部分はシェブロン形状であり、本体部の１つからシェブロン形状で延長された幹切除部をさらに備える、請求項５１に記載の液晶表示装置。
【請求項６０】
前記第１基板は、前記画素電極の１辺または前記画素電極の中央部に配列された第１保持配線をさらに備えている、請求項５９に記載の液晶表示装置。
【請求項６１】
前記第１基板は、前記第１保持配線から延長され、前記画素電極の１辺に配列された第２保持配線を更に含む、請求項６０に記載の液晶表示装置。
【請求項６２】
前記第２基板上であって前記幹切除部に隣接する位置に形成される第２スペーサをさらに備える、請求項５９に記載の液晶表示装置。