【手続補正書】
【提出日】平成20年7月2日(2008.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成された第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜の第１配線溝内および第３配線溝内にそれぞれ形成され、かつ、第１方向に延在する第１配線および第３配線と、
前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に形成された第３絶縁膜と、
前記第３絶縁膜の第２配線溝内に形成され、且つ、前記第１方向と交差する第２方向に延在する第２配線と、
前記第２絶縁膜の第１孔内および第２孔内に形成され、且つ、前記第１配線と前記第２配線とを接続する第１プラグおよび前記第３配線と前記第２配線とを接続する第２プラグと、
を有する半導体集積回路装置であって、
前記第１配線、前記第２配線、前記第３配線、前記第１プラグおよび前記第２プラグは、銅を主成分とする膜を含んで形成されており、
前記第２方向において、前記第１配線は前記第３配線に近い一方の端部と、前記第３配線から遠い他方の端部とを有し、
前記第２方向において、前記第１プラグは、前記第１プラグの中心から前記第１配線の一方の端部までの距離と、前記第１プラグの中心から前記第１配線の他方の端部までの距離とが異なるように配置されており、
前記第２方向において、前記第３配線は前記第１配線に近い一方の端部と、前記第１配線から遠い他方の端部とを有し、
前記第２方向において、前記第２プラグは、前記第２プラグの中心から前記第３配線の一方の端部までの距離と、前記第２プラグの中心から前記第３配線の他方の端部までの距離とが異なるように配置されており、
前記第２方向において、前記第１プラグは前記第１配線の一方の端部側に配置されており、
前記第２方向において、前記第２プラグは前記第３配線の一方の端部側に配置されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体集積回路装置であって、
前記第１配線、前記第２配線、前記第３配線、前記第１プラグおよび前記第２プラグは、前記銅を主成分とする膜と、バリアメタル膜との積層膜で形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体集積回路装置であって、
前記バリアメタル膜は、ＴｉＮ膜、ＷＮ膜、ＴａＮ膜、ＴｉＳｉＮ膜またはＴａ膜のいずれかで形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項４】
半導体基板上に形成された第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜に形成され、且つ、第１方向に延在する第１配線溝および第３配線溝と、
前記第１配線溝の内部および第３配線溝の内部に、第１導体膜が埋め込まれて形成された第１配線および第３配線と、
前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に形成された第３絶縁膜と、
前記第３絶縁膜に形成され、且つ、前記第１方向と交差する第２方向に延在する第２配線溝と、
前記第２絶縁膜に形成され、且つ、前記第１配線と前記第２配線溝とを接続する第１孔および前記第３配線と前記第２配線溝とを接続する第２孔と、
前記第２配線溝の内部、前記第１孔の内部および前記第２孔の内部に、第２導体膜が埋め込まれて形成された第２配線、第１プラグおよび第２プラグと、
を有する半導体集積回路装置であって、
前記第１導体膜および前記第２導体膜は、銅を主成分とする膜を含んで形成されており、
前記第２方向において、前記第１配線は前記第３配線に近い一方の端部と、前記第３配線から遠い他方の端部とを有し、
前記第２方向において、前記第１プラグは、前記第１プラグの中心から前記第１配線の一方の端部までの距離と、前記第１プラグの中心から前記第１配線の他方の端部までの距離とが異なるように配置されており、
前記第２方向において、前記第３配線は前記第１配線に近い一方の端部と、前記第１配線から遠い他方の端部とを有し、
前記第２方向において、前記第２プラグは、前記第２プラグの中心から前記第３配線の一方の端部までの距離と、前記第２プラグの中心から前記第３配線の他方の端部までの距離とが異なるように配置されており、
前記第２方向において、前記第１プラグは前記第１配線の一方の端部側に配置されており、
前記第２方向において、前記第２プラグは前記第３配線の一方の端部側に配置されており、
前記第１配線の前記第２方向における幅は、前記第２配線の前記第１方向における幅よりも大きいことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項５】
半導体基板上に形成された第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜に形成され、且つ、第１方向に延在する第１配線溝および第３配線溝と、
前記第１配線溝の内部および第３配線溝の内部に、第１導体膜が埋め込まれて形成された第１配線および第３配線と、
前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に形成された第３絶縁膜と、
前記第３絶縁膜に形成され、且つ、前記第１方向と交差する第２方向に延在する第２配線溝と、
前記第２絶縁膜に形成され、且つ、前記第１配線と前記第２配線溝とを接続する複数の第１孔および前記第３配線と前記第２配線溝とを接続する第２孔と、
前記第２配線溝の内部、前記複数の第１孔の内部および前記第２孔の内部に、第２導体膜が埋め込まれて形成された第２配線、複数の第１プラグおよび第２プラグと、
を有する半導体集積回路装置であって、
前記第１導体膜および前記第２導体膜は、銅を主成分とする膜を含んで形成されており、
前記第２方向において、前記第１配線は前記第３配線に近い一方の端部と、前記第３配線から遠い他方の端部とを有し、
前記第２方向において、前記複数の第１プラグのうちの１つは、前記第１プラグの中心から前記第１配線の一方の端部までの距離と、前記第１プラグの中心から前記第１配線の他方の端部までの距離とが異なるように配置されており、
前記第２方向において、前記第３配線は前記第１配線に近い一方の端部と、前記第１配線から遠い他方の端部とを有し、
前記第２方向において、前記第２プラグは、前記第２プラグの中心から前記第３配線の一方の端部までの距離と、前記第２プラグの中心から前記第３配線の他方の端部までの距離とが異なるように配置されており、
前記第２方向において、前記第１プラグは前記第１配線の一方の端部側に配置されており、
前記第２方向において、前記第２プラグは前記第３配線の一方の端部側に配置されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項６】
半導体基板上に形成された第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜に形成され、且つ、第１方向に延在する第１配線溝および第３配線溝と、
前記第１配線溝の内部および第３配線溝の内部に、第１導体膜が埋め込まれて形成された第１配線および第３配線と、
前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に形成された第３絶縁膜と、
前記第３絶縁膜に形成され、且つ、前記第１方向と交差する第２方向に延在する第２配線溝と、
前記第２絶縁膜に形成され、且つ、前記第１配線と前記第２配線溝とを接続する複数の第１孔および前記第３配線と前記第２配線溝とを接続する第２孔と、
前記第２配線溝の内部、前記複数の第１孔の内部および前記第２孔の内部に、第２導体膜が埋め込まれて形成された第２配線、複数の第１プラグおよび第２プラグと、
を有する半導体集積回路装置であって、
前記第１導体膜および前記第２導体膜は、銅を主成分とする膜を含んで形成されており、
前記第２方向において、前記第１配線は前記第３配線に近い一方の端部と、前記第３配線から遠い他方の端部とを有し、
前記第２方向において、前記複数の第１プラグのうちの１つは、前記第１プラグの中心から前記第１配線の一方の端部までの距離と、前記第１プラグの中心から前記第１配線の他方の端部までの距離とが異なるように配置されており、
前記第２方向において、前記第３配線は前記第１配線に近い一方の端部と、前記第１配線から遠い他方の端部とを有し、
前記第２方向において、前記第２プラグは、前記第２プラグの中心から前記第３配線の一方の端部までの距離と、前記第２プラグの中心から前記第３配線の他方の端部までの距離とが異なるように配置されており、
前記第２方向において、前記第１プラグは前記第１配線の一方の端部側に配置されており、
前記第２方向において、前記第２プラグは前記第３配線の一方の端部側に配置されており、
前記第１配線の前記第２方向における幅は、前記第２配線の前記第１方向における幅よりも大きいことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項７】
請求項４〜６のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置であって、
前記第１導電膜および前記第２導電膜は、前記銅を主成分とする膜と、バリアメタル膜との積層膜で形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体集積回路装置であって、
前記バリアメタル膜は、ＴｉＮ膜、ＷＮ膜、ＴａＮ膜、ＴｉＳｉＮ膜またはＴａ膜のいずれかで形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置であって、
前記第２方向において、前記第１プラグの端部は、前記第１配線の一方の端部と同位置に配置されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置であって、
前記第１方向において、前記第１プラグの径は前記第２配線の幅と等しいことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置であって、
前記第２方向において、前記第１プラグの径は前記第２プラグの径より大きいことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置であって、
前記第２方向における前記第１プラグの径は、前記第１方向における前記第１プラグの径より２倍以上大きいことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置であって、
前記第１配線は電源配線であることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置であって、
前記第１絶縁膜、前記第２絶縁膜および前記第３絶縁膜は、酸化シリコンよりも誘電率の低い膜であることを特徴とする半導体集積回路装置。