【手続補正書】
【提出日】平成19年11月29日(2007.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】膜パターン付基板の形成方法、及び半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
膜又は部材表面上に、塗れ性の低い材料を用いてマスクパターンを形成した後、前記膜又は部材表面上に、前記マスクパターンに接して塗れ性の高い材料を塗布又は吐出し、前記塗れ性の高い材料を乾燥及び焼成して膜パターンを形成することを特徴とする膜パターン付基板の形成方法。
【請求項２】
親液表面上に、撥液表面を形成する材料を用いてマスクパターンを形成した後、前記親液表面上に、前記マスクパターンに接して親液性を示す溶液を塗布又は吐出し、前記親液性を示す溶液を乾燥及び焼成して膜パターンを形成することを特徴とする膜パターン付基板の形成方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記マスクパターンは閉曲線状であり、前記膜パターンは、前記閉曲線の内側に形成することを特徴とする膜パターン付基板の形成方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記膜パターンを形成した後、前記マスクパターンを除去することを特徴とする膜パターン付基板の形成方法。
【請求項５】
膜又は部材表面上に、塗れ性の低い材料を用いて第１のマスクパターンを形成した後、前記膜又は部材表面上に、前記第１のマスクパターンに接して塗れ性の高い材料を塗布又は吐出し、
前記塗れ性の高い材料を乾燥及び焼成して第２のマスクパターンを形成し、
前記第１のマスクパターンを除去した後、前記第２のマスクパターンをマスクとして前記膜又は部材の一部を除去して膜パターンを形成することを特徴とする膜パターン付基板の形成方法。
【請求項６】
親液表面を有する膜上に、撥液表面を形成する溶液を用いて第１のマスクパターンを形成した後、前記親液表面を有する膜上に、前記第１のマスクパターンに接して親液性を示す溶液を塗布または吐出し、
前記親液性を示す溶液を乾燥及び焼成して第２のマスクパターンを形成し、
前記第１のマスクパターンを除去した後、前記第２のマスクパターンをマスクとして前記親液表面を有する膜の一部を除去して膜パターンを形成することを特徴とする膜パターン付基板の形成方法。
【請求項７】
請求項５または請求項６において、前記膜パターンを形成した後、前記第２のマスクパターンを除去することを特徴とする膜パターン付基板の形成方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記膜パターンは、導電性材料、絶縁性材料または半導体材料で形成されていることを特徴とする膜パターン付基板の形成方法。
【請求項９】
請求項８において、前記膜パターンは、配線、電極、又はアンテナであることを特徴とする膜パターン付基板の形成方法。
【請求項１０】
請求項８において、前記膜パターンは、ゲート絶縁膜、層間絶縁膜、又は保護膜であることを特徴とする膜パターン付基板の形成方法。
【請求項１１】
請求項８において、前記膜パターンは、チャネル形成領域、ソース領域又はドレイン領域であることを特徴とする膜パターン付基板の形成方法。
【請求項１２】
絶縁膜上に塗れ性の低い材料を用いて第１のマスクパターンを形成した後、前記絶縁膜上に、前記第１のマスクパターンに接して塗れ性の高い材料を塗布又は吐出し、
前記塗れ性の高い材料を乾燥及び焼成して第２のマスクパターンを形成し、
前記第１のマスクパターンを除去した後、前記第２のマスクパターンをマスクとして前記絶縁膜の一部を除去して前記絶縁膜にコンタクトホールを形成することを特徴とする膜パターン付基板の形成方法。
【請求項１３】
親液表面を有する絶縁膜上に、撥液表面を形成する溶液を用いて第１のマスクパターンを形成した後、前記絶縁膜上に、前記第１のマスクパターンに接して親液性を示す溶液を塗布又は吐出し、
前記親液性を示す溶液を乾燥及び焼成して第２のマスクパターンを形成し、
前記第１のマスクパターンを除去した後、前記第２のマスクパターンをマスクとして前記絶縁膜の一部を除去して前記絶縁膜にコンタクトホールを形成することを特徴とする膜パターン付基板の形成方法。
【請求項１４】
半導体膜、ゲート絶縁膜、ゲート電極、層間絶縁膜、ソース電極及びドレイン電極を有する半導体装置の作製方法であって、
前記ソース電極及びドレイン電極上に塗れ性の低い材料を用いて第１のマスクパターンを形成した後、前記ソース電極及びドレイン電極上に、前記第１のマスクパターンに接して塗れ性の高い材料を用いて層間絶縁膜を形成し、
前記第１のマスクパターンを除去した後、前記層間絶縁膜上に前記ソース電極及びドレイン電極に接続する導電膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
半導体膜、ゲート絶縁膜、ゲート電極、層間絶縁膜、ソース電極及びドレイン電極を有する半導体装置の作製方法であって、
前記ソース電極及びドレイン電極上に撥液表面を形成する溶液を用いて第１のマスクパターンを形成した後、前記ソース電極及びドレイン電極上に、前記第１のマスクパターンに接して親液性を示す溶液を用いて層間絶縁膜を形成し、
前記第１のマスクパターンを除去した後、前記層間絶縁膜上に前記ソース電極及びドレイン電極に接続する導電膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１４または請求項１５において、前記半導体装置は、薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ、又は有機半導体トランジスタを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１６において、前記薄膜トランジスタは、トップゲート構造またはボトムゲート構造の薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１６において、前記薄膜トランジスタは、コプレナー型またはスタガ型の薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
なお、上記の工程に代えて、第１のマスクパターンの溶媒を乾燥した後、適宜塗れ性の高い材料を塗布してもよい。すなわち、図２４（Ａ）に示すように、第１の膜１０２上に塗れ性の低い材料を用いて第１のマスクパターン１０３を形成した後、図２４（Ｂ）に示すように、第１のマスクパターンを乾燥する。このとき、第１のマスクパターンの組成物は第１の膜１０２の表面に残存又は膜中に浸透する。図２４（Ｂ）において、１２２は、第１の膜にマスクパターンの組成物が浸透した領域である。次に、図２４（Ｃ）に示すように、第１のマスクパターンと比較して塗れ性の高い材料１２１を塗布する。この場合は、第１のマスクパターンが形成されていた領域には、第１のマスクパターンの組成物１２２が残存しているため、図２４（Ｃ）に示すように、第１のマスクパターンと比較して塗れ性の高い材料は弾かれ、選択的に塗布される。この後、第１のマスクパターンと比較して塗れ性の高い材料を、適宜乾燥又は焼成することで膜パターン１２１が形成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
次に、図３２（Ｃ）に示すように、第２の溶液１０１１を乾燥、焼成して膜パターン１０２１を形成する。なお、該工程において、マスクパターンの溶媒は蒸発し、組成物は第１の膜１００２の表面に残存又は膜中に浸透する。なお、第１の膜表面に残存した組成物は、酸素を用いたアッシング、ウエットエッチング、ドライエッチング等の公知のエッチング方法により除去することができる。図３２（Ｃ）においては、１０２２は、第１の膜中に浸透したマスクパターンの組成物を示す。この工程において、乾燥及び焼成は適宜第２の溶液の材料にあわせて行えばよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
なお、上記の工程に代えて、第１のマスクパターンの溶媒を乾燥した後、第２の溶液を塗布してもよい。すなわち、図３４（Ａ）に示すように、第１の膜１００２上に撥液表面を形成する溶液を用いて第１のマスクパターン１００３を形成した後、図３４（Ｂ）に示すように、第１のマスクパターンを乾燥する。このとき、マスクパターンの組成物は第１の膜１００２の表面に残存又は膜中に浸透する。図３４（Ｂ）において、１０２２は、第１の膜にマスクパターンの組成物が浸透した領域である。次に、図３４（Ｃ）に示すように、親液性の第２の溶液１０１１を塗布する。この場合は、マスクパターンが形成されていた領域には、第１のマスクパターンの組成物１０２２が残存しているため、図３４（Ｃ）に示すように、第２の溶液は、弾かれ選択的に塗布される。この後、第２の溶液１０１１を、適宜乾燥、焼成して第２の膜パターン１０２１を形成する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
次に、図２（Ｂ）に示すように、塗れ性の高い材料を塗布して、塗れ性の高い第２のマスクパターン２１２を形成する。塗れ性の高い材料は、塗れ性の低い材料と比較して塗れ性が高いため、第１のマスクパターン１０３と接触した部分が弾かれ、図２（Ｂ）に示すように、第１のマスクパターンが形成されていない領域に塗れ性の高い材料が塗布される。塗れ性の高い材料を塗布する方法としては、液滴吐出法、インクジェット法、スピンコート法、ロールコート法、スロットコート法等を適用することができる。この後、必要に応じて塗れ性の高い材料を乾燥し焼成する。この結果、エッチング用マスクパターンである第２のマスクパターン２１２を形成することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４１】
次に、図３（Ｄ）に示すように、酸素を用いたアッシングにより第２のマスクパターン３２２を除去し、ソース電極及びドレイン電極３１４を露出する。なお、ソース電極及びドレイン電極上にパッシベーション膜を成膜した場合は、該パッシベーション膜も除去する。次に、ソース電極及びドレイン電極それぞれに接続する導電膜３３１を形成する。ここでは、液滴吐出法により導電材料を溶媒に溶解又は分散したペーストを吐出し、焼成して導電膜を形成する。導電膜の導電材料としては、ソース電極及びドレイン電極と同様の材料を用いることができる。なお、導電膜３３１は、接続配線又は画素電極として機能する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６１】
図６（Ａ）に示すように、基板上１０１に第１の絶縁膜６０２を成膜する。第１の絶縁膜としては、基板１０１からの不純物が後に形成されるＴＦＴに侵入するのを防止するためのものであり、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜等の膜を、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法等の公知の手法により成膜する。なお、基板１０１から不純物がＴＦＴに侵入しない材料、代表的には石英等で形成されている場合には、第１の絶縁膜６０２を成膜する必要はない。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０４】
次に、第２の導電膜８６１を成膜した後、第７のマスクパターン８６２を形成する。第２の導電膜は、スパッタリング法により膜厚１１０ｎｍの酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を成膜し、後に画素電極を形成する領域にポリイミドを液滴吐出法により滴下し、２００度で３０分加熱する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２６０】
着色層１６０５は、カラー表示を行う場合に必要であり、ＲＧＢ方式の場合は、赤、緑、青の各色に対応した着色層が各画素に対応して設けられている。アクティブマトリクス基板１６０１と対向基板１６０２との外側には、偏光板１６０６、１６０７が配設されている。また、偏光板１６０６の表面には、保護膜１６１６が形成されており、外部からの衝撃を緩和している。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
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【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
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【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
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