(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導体部と第２導体部とを電気的に接続させるスイッチ部を備えるスイッチであって、
前記第１導体部と、前記第２導体部と、前記第１導体部及び前記第２導体部の間に設けられて前記スイッチ部を固定する支持部とを上面に有する第２基板と、
前記第２基板の上面に貼り合わされた第１基板と
を備え、
前記第１基板は、
前記第１導体部に接合される接合部、並びに、温度に応じて形状を変化させて前記第２導体部に接触することにより前記第１導体部及び前記第２導体部を電気的に接続させる接点部を含む前記スイッチ部と、
前記接合部と前記接点部との間において前記スイッチ部を前記第１基板に対して固定し、前記第１基板および前記第２基板が貼り合わされることにより前記支持部に固定される被支持部と
を有することを特徴とするスイッチ。
【請求項２】
前記接合部は、前記スイッチ部を前記第１導体部に向かう方向に曲げることによって、前記第１導体部に接合される
ことを特徴とする請求項１記載のスイッチ。
【請求項３】
前記スイッチ部が、熱膨張率の異なる複数の部材を有する
ことを特徴とする請求項１記載のスイッチ。
【請求項４】
前記スイッチ部が、前記熱膨張率の異なる複数の部材を加熱するヒータを有する
ことを特徴とする請求項３記載のスイッチ。
【請求項５】
単一基板上に、第１導体部と第２導体部とを電気的に接続するスイッチ部を備えるスイッチが、複数設けられた集積化回路装置であって、
前記スイッチが、
前記第１導体部と、前記第２導体部と、前記第１導体部及び前記第２導体部の間に設けらて前記スイッチ部を固定する支持部とを上面に有する第２基板と、
前記第２基板の上面に貼り合わされた第１基板と
を備え、
前記第１基板は、
前記第１導体部に接合される接合部、並びに、温度に応じて形状を変化させて前記第２導体部に接触することにより前記第１導体部及び前記第２導体部を電気的に接続させる接点部を含む前記スイッチ部と、
前記接合部と前記接点部との間において前記スイッチ部を前記第１基板に対して固定し、前記第１基板および前記第２基板が貼り合わされることにより前記支持部に固定される被支持部と
を有することを特徴とする集積化回路装置。
【請求項６】
請求項１のスイッチを製造する製造方法であって、
前記接合部と前記第１導体部のどちらか一方または双方に、前記接合部と前記第１導体部とを接合するための導電性接合部材を形成する導電性接合部材形成工程と、
前記接合部が前記第１導体部に向かう方向に曲がるように、前記接合部を加熱する加熱工程と、
前記接合部と前記第１導体部とを接合する接合工程と
を有することを特徴とする製造方法。
【請求項７】
前記接合部に、熱膨張率の異なる複数の部材を形成する工程を
更に有することを特徴とする請求項６記載の製造方法。
【請求項８】
前記導電性接合部材形成工程が、
前記接合部と前記第１導体部とを接合するための半田を形成する半田形成工程を含み、
前記半田を溶融する半田溶融工程をさらに有し、
前記接合工程が、
溶融した前記半田を冷却することにより、前記接合部と前記第１導体部とを接合する工程を含む
ことを特徴とする請求項６記載の製造方法。
【請求項９】
前記半田溶融工程における前記半田の溶融温度が、前記加熱工程において前記接合部が曲がる温度より高い
ことを特徴とする請求項８記載の製造方法。
【請求項１０】
前記加熱工程および前記半田溶融工程が、恒温槽で処理される
ことを特徴とする請求項８記載の製造方法。
【請求項１１】
第１導体部と第２導体部とを電気的に接続するスイッチの製造方法であって、
第１基板に、前記第１導体部に接合される接合部、並びに、温度に応じて形状を変化させて前記第２導体部に接触することにより前記第１導体部及び前記第２導体部を電気的に接続させる接点部を含むスイッチ部と、前記接合部と前記接点部の間において前記スイッチ部を前記第１基板に対して固定し、前記第１基板および第２基板が貼り合わされることにより第２基板上の支持部に固定される被支持部とを形成するスイッチ部形成工程と、
前記第２基板の上面に、前記第１導体部と、前記第２導体部と、前記第１導体部及び前記第２導体部の間に設けられて前記スイッチ部を固定する前記支持部を形成する形成工程と、
前記スイッチ部の端部と前記第１導体部のどちらか一方または双方に、前記スイッチ部と前記第１導体部とを接合するための導電性接合部材を形成する導電性接合部材形成工程と、
前記スイッチ部を、前記第１導体部および前記第２導体部に対して所定の位置に、前記支持部が固定するように、前記第１基板を前記第２基板の上面に貼り合わせる貼り合せ工程と、
前記スイッチ部の端部が、前記第１導体部に向かう方向に曲がるように、前記スイッチ部の端部を加熱する加熱工程と、
前記スイッチ部と前記第１導体部とを接合する接合工程とを有する
ことを特徴とするスイッチの製造方法。
【請求項１２】
前記スイッチ部形成工程が、前記スイッチ部に、熱膨張率の異なる複数の部材を形成する工程を有する
ことを特徴とする請求項１１記載のスイッチの製造方法。
【請求項１３】
前記導電性接合部材形成工程が、前記スイッチ部と前記第１導体部とを接合するための半田を形成する工程を含み、
前記半田を溶融する半田溶融工程をさらに有し、
前記接合工程が、溶融した前記半田を冷却することにより、前記スイッチ部と前記第１導体部とを電気的に接合する工程を含む
ことを特徴とする請求項１１記載のスイッチの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、スイッチ、集積化回路装置、製造方法、スイッチの製造方法に関する。特に本発明は、温度変化に応じて形状を変化させることにより、複数の導体部を電気的に接続させるスイッチに関する。
【０００２】
【従来の技術】
１点接点構造を有するスイッチは、接触抵抗が低く、信頼性が高いため測定器などに広く利用されている。１点接点構造を有する従来のスイッチとして、静電力を利用してスイッチング動作を行う、静電スイッチがある。静電スイッチは、スイッチング動作を行う、スイッチ板と導体板との間に電位差を生じさせ、スイッチ板と導体板との間に働く静電引力を利用し、スイッチ板と導体板とを接触させることによりスイッチング動作を行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
１点接点構造を有するスイッチを利用する測定器やテスタなどは、その高性能化に伴い、１点接点構造を有する微小なスイッチが必要とされている。また、集積回路の回路部品にも、１点接点構造を有する微小なスイッチの組み込みが必要とされている。
【０００４】
しかしながら、従来使用されていた静電スイッチは、静電力を利用するため、スイッチ板に電荷を蓄積する必要がある。そのため、信頼性の高いスイッチング動作をさせるためには、スイッチ板に多くに電荷を蓄積させる必要があるため、必然的にスイッチ板の面積は大きくなる。そのため、静電力を利用した静電スイッチでは、微小なスイッチの作成が困難であり、また、高周波信号を伝送することが不向きであるという問題が生じていた。また、従来の静電スイッチは、動作電圧が一般的に高いため、電気回路に使用するときに、動作電圧を確保することが困難であるという問題が生じていた。
【０００５】
そこで本発明は、上記の課題を解決することのできるスイッチ、集積化回路装置、製造方法、スイッチの製造方法を提供することを目的とする。この目的は特許請求の範囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成される。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規定する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明の第１の形態によると、第１導体部と第２導体部とを電気的に接続させるスイッチ部を備えるスイッチであって、前記第１導体部と、前記第２導体部と、前記第１導体部及び前記第２導体部の間に設けられて前記スイッチ部を固定する支持部とを上面に有する第２基板と、前記第２基板の上面に貼り合わされた第１基板とを備え、前記第１基板は、前記第１導体部に接合される接合部、並びに、温度に応じて形状を変化させて前記第２導体部に接触することにより前記第１導体部及び前記第２導体部を電気的に接続させる接点部を含む前記スイッチ部と、前記接合部と前記接点部との間において前記スイッチ部を前記第１基板に対して固定し、前記第１基板および前記第２基板が貼り合わされることにより前記支持部に固定される被支持部とを有することを特徴とするスイッチを提供する。
【０００７】
さらに、接合部は、スイッチ部を第１導体部に向かう方向に曲げることによって、第１導体部に接合されることが好ましく、また、スイッチ部が、熱膨張率の異なる複数の部材を有することが好ましい。
【０００８】
また、スイッチ部が、熱膨張率の異なる複数の部材を加熱するヒータを有することが好ましい。
【０００９】
本発明の第２の形態によると、単一基板上に、第１導体部と第２導体部とを電気的に接続するスイッチ部を備えるスイッチが、複数設けられた集積化回路装置であって、前記スイッチが、前記第１導体部と、前記第２導体部と、前記第１導体部及び前記第２導体部の間に設けらて前記スイッチ部を固定する支持部とを上面に有する第２基板と、前記第２基板の上面に貼り合わされた第１基板とを備え、前記第１基板は、前記第１導体部に接合される接合部、並びに、温度に応じて形状を変化させて前記第２導体部に接触することにより前記第１導体部及び前記第２導体部を電気的に接続させる接点部を含む前記スイッチ部と、前記接合部と前記接点部との間において前記スイッチ部を前記第１基板に対して固定し、前記第１基板および前記第２基板が貼り合わされることにより前記支持部に固定される被支持部とを有することを特徴とする集積化回路装置を提供する。
【００１０】
本発明の第３の形態によると、請求項１のスイッチを製造する製造方法であって、接合部と第１導体部のどちらか一方または双方に、接合部と第１導体部とを接合するための導電性接合部材を形成する導電性接合部材形成工程と、接合部が第１導体部に向かう方向に曲がるように、接合部を加熱する加熱工程と、接合部と第１導体部とを接合する接合工程とを有することを特徴とする接合方法を提供する。
【００１１】
また、接合部に、熱膨張率の異なる複数の部材を形成する工程を更に有することが好ましい。
【００１２】
さらに、導電性接合部材形成工程が、接合部と第１導体部とを接合するための半田を形成する半田形成工程を含み、半田を溶融する半田溶融工程をさらに有し、接合工程が、溶融した半田を冷却することにより、接合部と第１導体部とを接合する工程を含んでもよい。
【００１３】
また、半田溶融工程における半田の溶融温度が、加熱工程において接合部が曲がる温度より高いことが好ましく、また、加熱工程および半田溶融工程が、恒温槽で処理されてもよい。
【００１４】
本発明の第４の形態によると、第１導体部と第２導体部とを電気的に接続するスイッチの製造方法であって、第１基板に、前記第１導体部に接合される接合部、並びに、温度に応じて形状を変化させて前記第２導体部に接触することにより前記第１導体部及び前記第２導体部を電気的に接続させる接点部を含むスイッチ部と、前記接合部と前記接点部の間において前記スイッチ部を前記第１基板に対して固定し、前記第１基板および第２基板が貼り合わされることにより第２基板上の支持部に固定される被支持部とを形成するスイッチ部形成工程と、前記第２基板の上面に、前記第１導体部と、前記第２導体部と、前記第１導体部及び前記第２導体部の間に設けられて前記スイッチ部を固定する前記支持部を形成する形成工程と、前記スイッチ部の端部と前記第１導体部のどちらか一方または双方に、前記スイッチ部と前記第１導体部とを接合するための導電性接合部材を形成する導電性接合部材形成工程と、前記スイッチ部を、前記第１導体部および前記第２導体部に対して所定の位置に、前記支持部が固定するように、前記第１基板を前記第２基板の上面に貼り合わせる貼り合せ工程と、前記スイッチ部の端部が、前記第１導体部に向かう方向に曲がるように、前記スイッチ部の端部を加熱する加熱工程と、前記スイッチ部と前記第１導体部とを接合する接合工程とを有することを特徴とするスイッチの製造方法を提供する。
【００１５】
さらに、スイッチ部形成工程が、スイッチ部に、熱膨張率の異なる複数の部材を形成する工程を有することが好ましい。
【００１６】
また、導電性接合部材形成工程が、スイッチ部と第１導体部とを接合するための半田を形成する工程を含み、半田を溶融する半田溶融工程をさらに備え、接合工程が、溶融した半田を冷却することにより、スイッチ部と第１導体部とを電気的に接合する工程を含んでもよい。
【００１７】
なお上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群のサブコンビネーションも又発明となりうる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態はクレームにかかる発明を限定するものではなく、又実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【００１９】
図１は、本発明の実施形態であるスイッチ１０の断面を示す。図１（ａ）に示すように、スイッチ１０は、基板５２と、基板５２に対して固定される被支持部２６と、被支持部２６に結合された、温度に応じて形状を変化させるスイッチ部２０とを有する。被支持部２６は、基板５２に形成された支持部５０により固定される。別の例においては、スイッチ部２０が、支持部５０により直接固定されてもよい。
【００２０】
スイッチ部２０は、第１導体部５４に接合部材５８を用いて接合される接合部３０と、第２導体部５６に接触することにより、第１導体部５４と第２導体部５６とを電気的に接続させる接点部４０とを有する。被支持部２６は、スイッチ部２０が形成された基板を加工することにより形成されてもよい。
【００２１】
支持部５０は、被支持部２６と接合されることにより、被支持部２６およびスイッチ部２０を固定する。本実施例において、支持部５０、第１導体部５４および第２導体部５６は、基板５２に形成される。支持部５０は、基板５２が突起部を有するように加工されることにより形成されてもよい。また、支持部５０は、接合部３０と接点部４０との間に設けられることにより、被支持部２６およびスイッチ部２０を固定することが好ましい。
【００２２】
接合部材５８は、導電性接着部材であって、半田により形成されるのが好ましい。本実施例において、接合部材５８は、例えば金と錫の合金、金とゲルマニウムの合金、鉛と錫の合金、インジウムなどを含む半田により形成される。接合部材５８は、例えば銀エポキシ樹脂などの導電性樹脂により形成されてもよい。また、接合部材５８は、金などのバンプを形成することにより設けられてもよい。
【００２３】
次に、図１（ａ）に示すスイッチ部２０の構成について説明する。スイッチ部２０は、第１導体部５４に接合される接合部３０と、第２導体部５６に接触することにより、第１導体部５４と第２導体部５６とを電気的に接続させる接点部４０とを有し、温度に応じて形状を変化させて、接点部４０と第２導体部５６とを電気的に接続させる。
【００２４】
スイッチ部２０は、熱膨張率の異なる複数の部材を有することが好ましい。本実施例において、スイッチ部２０は、第１構成部材２２および第２構成部材２４を有する。このとき、第１構成部材２２は、第２構成部材２４を形成する材料よりも大きい熱膨張率を有する材料で形成されることが望ましい。スイッチ部２０は、熱膨張率の異なる材料で形成された複数の部材を層状に有することにより、各々の部材を加熱したときに、各々の部材を形成する材料の熱膨張率の差を利用し、温度に応じて形状を変化させることが可能となる。また、第１構成部材は、アモルファス合金を含む金属ガラスなどのバネ性を有する材料により形成されてもよい。第２構成部材２４は、導電性を有する材料を用いて形成されることにより、第１導体部５４と第２導体部５６とを電気的に接続する導通部としての機能も有してもよい。
【００２５】
第１構成部材２２および第２構成部材２４は、異なる熱膨張率を有する金属で形成されてもよい。スイッチ部２０は、第１構成部材２２および第２構成部材２４によりバイメタルを形成し、温度に応じて形状を変化させてもよい。このとき、第１構成部材２２および第２構成部材２４は、第１導体部５４と第２導体部５６とを電気的に接続する導通部としての機能も有することが好ましい。また、スイッチ部２０の温度に応じた形状の変化量を調整するために、第１構成部材２２と第２構成部材２４との間に、第１構成部材２２および第２構成部材２４を形成する材料と異なる熱膨張率を有する材料により形成された部材を更に有してもよい。
【００２６】
第１構成部材２２は、例えばチタンとニッケルの合金などを含む、温度に応じて形状を変化させる形状記憶合金により形成されてもよい。このとき、第２構成部材２４は、第１導体部５４と第２導体部５６とを電気的に接続する導通部としての機能を有し、且つ第１構成部材２２の形状変化に影響を与えにくい機能を有することが好ましい。そのため、第２構成部材２４は、例えば白金や金などの高い導電率を有する金属により形成されるのが好ましい。
【００２７】
図１（ｂ）に示すように、スイッチ部２０は、第３導体部２８を更に有してもよい。第３導体部２８は、第１導体部５４と第２導体部５６とを電気的に接続する導通部としての機能を有し、且つ第１構成部材２２の形状変化に影響を与えにくい機能を有することが好ましい。本実施例において、第３導体部２８は、例えば白金や金などの高い導電率を有する金属により形成される。また、第３導体部２８と第２構成部材２４との間に、第３導体部２８と第２構成部材２４との密着性を向上させるために、例えばチタンなどの密着層を設けてもよい。
【００２８】
第１構成部材２２は、例えばアルミニウム、ニッケル、ニッケル鉄、パラジウム銅シリコン、樹脂などの大きな熱膨張率を有する材料で形成されることが好ましく、また、第２構成部材２４は、例えば酸化シリコン、シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの小さい熱膨張率を有する材料で形成されることが好ましい。また、第２構成部材２４が導電性を有する材料により形成される場合には、第２構成部材２４と第３導体部２８との間に、例えば酸化シリコンなど絶縁層を有することが好ましい。
【００２９】
第１構成部材２２および第２構成部材２４は、異なる熱膨張率を有する金属で形成されてもよい。スイッチ部２０が、第１構成部材２２および第２構成部材２４により形成されたバイメタル構造を有することにより、温度に応じてスイッチ部２０の形状を変化させる。このとき、第２構成部材２４と第３導体部２８とを絶縁するために、第２構成部材２４と第３導体部材２８との間に、例えば酸化シリコンなどの絶縁層を有することが好ましい。
【００３０】
図１（ｃ）に示すように、スイッチ部２０は、熱膨張率の異なる複数の部材を加熱するためのヒータ６０を更に有してもよい。本実施例において、ヒータ６０は、第１構成部材２２および第２構成部材２４を加熱する。ヒータ６０は、接続部３０と接点部４０との間から、接点部４０との間に、スイッチ部２０の可動する部位に含まれる第１構成部材２２および第２構成部材２４を加熱するように設けられるのが好ましい。
【００３１】
ヒータ６０は、第３導体部材２８と絶縁させるのが望ましい。また、ヒータ６０は、第１構成部材２２が、例えばアルミニウム、ニッケル、ニッケルと鉄とを含む合金などの導電性を有する材料により形成される場合に、第１構成部材２２とも絶縁されるのが好ましい。本実施例において、第２構成部材２４は、例えば酸化シリコン、シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの絶縁性を有する部材２４ａおよび部材２４ｂにより形成される。そして、ヒータ６０は、部材２４ａと部材２４ｂとの間に設けられることにより、第３導体部材２８と絶縁される。また、スイッチ部２０の温度に応じた形状の変化量を調整するために、部材２４ａは、部材２４ｂより大きい熱膨張率を有する材料により形成されてもよい。
【００３２】
ヒータ６０は、電流を供給することにより発熱する材料により形成されることが望ましい。また、ヒータ６０は、部材２４ｂを形成する材料よりも大きく、第１構成部材２２を形成する材料よりも小さい熱膨張率を有する材料により形成されることが好ましい。本実施例において、ヒータ６０は、ニッケルとクロムとの合金や、クロムと白金とを積層した金属積層膜などの、金属抵抗体により形成される。
【００３３】
スイッチ部２０は、接点部４０と第２導体部５６とが接触したときの接触抵抗を低減するために、接触部材６２を更に有してもよい。このとき、接触部材６２は、接点部４０に含まれる。
【００３４】
また、スイッチ１０は、信号が伝送する伝送経路を形成するために、基板５２の、スイッチ部２０が設けられた面の裏面に、接地導体７０を有することにより、マイクロストリップ構造を形成してもよい。接地導体７０は、基板５２の、スイッチ部２０が設けられた面の裏面の全面に形成されるのが好ましい。
【００３５】
図２は、本発明の他の実施形態であるスイッチ１０の断面を示す。図２（ａ）に示すように、スイッチ部２０は、一方の端部である接合部３０、および接合部３０の近傍において、曲げられることにより第１導体部５４と接合され、他方の端部を含む部分においては、直線形状を有するように形成されてもよい。
【００３６】
図２（ｂ）に示すように、スイッチ部２０は、スイッチ部２０が、可動する部分に第１構成部材２２および第２構成部材２４を有してもよい。すなわち、第１構成部材２２および第２構成部材２４は、接合部３０が形成される端部と反対側の端部を含む部分に形成されてもよい。このとき、ヒータ６０は、スイッチ部２０において、第１構成部材２２および第２構成部材２４が形成される部分にだけ形成されてもよい。
【００３７】
図３は、本発明の実施形態に係るスイッチ１０の上面図を示す。図３（ａ）は、本発明の一実施形態である、コプレーナ構造により、伝送経路を形成するスイッチ１０の上面図を示す。スイッチ１０は、基板５２と、基板５２に対して固定される被支持部２６と、被支持部２６に結合された、温度に応じて形状を変化させるスイッチ部２０とを備える。基板５２は、スイッチ部２０が設けられた面に、第１導体部５４、第２導体部５６、接地導体７０およびヒータ電極７４を有する。他の実施の形態において、基板５２は、スイッチ部２０が設けられた面のみならず、その裏面にも接地導体７０を有してもよい。
【００３８】
本実施例において、スイッチ部２０は、スイッチ部２０の一方の端部が、第１導体部５４と電気的に接合され、スイッチ部２０の他方の端部が、第２導体部５６と接触することにより、第１導体部と第２導体部とを電気的に接続させる。第１導体部５４および第２導体部５６は、他の素子や回路などと接続される電極として使用されてもよい。また、図１を参照して、ヒータ６０は、ヒータ線７２と接続され、さらに、ヒータ線７２は、ヒータ電極７４に接続されてもよい。ヒータ電極７４は、他の素子や回路などと接続されることにより、ヒータ６０に電流を供給することが可能となる。
【００３９】
図３（ｂ）に示すように、ヒータ線７２は、スイッチ部２０の長手方向に対して、略垂直方向に形成されてもよい。このとき、ヒータ線７２およびヒータ電極７４によって分割された接地導体７０は、バイパス線７６を介して電気的に接続されることが好ましい。このとき、ヒータ線７２およびヒータ電極７４は、バイパス線７６と絶縁される。
【００４０】
図３（ｃ）に示すように、ヒータ線７２および接地導体７０は、ヒータ線７２と接地導体７０との間に、絶縁膜を有することにより、層状に形成されてもよい。
【００４１】
本発明に係るスイッチ１０は、マイクロマシン技術や半導体プロセスなどの微細加工技術を用いて作成することにより、接点部４０のわずかな動きによりオンオフが可能な、マイクロスイッチとしての機能を有することができる。さらに、スイッチ１０は、第２基板５２に設けられた、第１導体部５４および第２導体部５６を、同一基板上に設けられた、他のスイッチや電気回路、あるいは半導体回路などと接続させることにより集積化し、集積化スイッチとして使用してもよい。
【００４２】
スイッチ１０の動作について説明する。図１（ａ）において、第１導体部５４に供給された信号は、接合部材５８を介してスイッチ部２０に供給される。スイッチ部２０は、温度に応じて形状を変化させる特性を有するため、スイッチ部２０は、例えば赤外線などで加熱されることにより形状を変化させることができる。また、スイッチ１０を、温度制御可能な雰囲気に置くことにより、スイッチ１０を加熱または冷却することにより、スイッチ部２０の形状を変化させてもよい。そして、スイッチ部２０と第２導体部５６とが接点部４０において接触することにより、第１導体部５４と第２導体部５６とを電気的に接続することが可能となる。さらに、第１導体部５４に供給された信号は、スイッチ部２０を通過し、第２導体部５６に供給される。図1（ｃ）に示すように、スイッチ１０がヒータ６０を有する場合は、外部からヒータ６０に電流を供給し、スイッチ部２０の形状を変化させることにより、スイッチ部２０と第２導体部５６とを接点部４０において接触させ、第１導体部５４と第２導体部５６とを電気的に接続してもよい。
【００４３】
図４は、本発明の一実施形態であるスイッチ１０の製造方法の途中工程である、温度に応じて形状を変化させ、第１導体部５４と第２導体部５６とを電気的に接続する、スイッチ部２０を形成するスイッチ部形成工程の途中工程を示す。本発明によるスイッチ１０の製造方法は、一般的に、温度に応じて形状を変化させる第１部材と、第２部材とを接合する接合方法に応用可能である。本実施例において、スイッチ部２０が、第１部材に対応し、第１導体部５４が、第２部材に対応する。図４（ａ）に示すように、まず、第１基板１００を用意する。第１基板１００は、単結晶基板であることが好ましく、後述する第１基板１００に溝部を形成する工程において、所望の形状を有する溝部を形成し易い結晶方位を有することがさらに好ましい。本実施例において、第１基板１００は、単結晶シリコン基板を用いる。
【００４４】
続いて、図４（ｂ）に示すように、第１基板１００に、シリコン酸化膜１０２を、第１基板１００の熱酸化により形成する。シリコン酸化膜１０２は、第１基板１００の両面に形成されるのが好ましい。
【００４５】
続いて、図４（ｃ）に示すように、後述する工程において、第１基板１００に溝部を形成するために、溝部を形成する領域のシリコン酸化膜１０２ａを除去する。本実施例において、シリコン酸化膜１０２ａは、フォトレジストなどを用いて、溝部に対応するパターンを形成し、弗化水素酸水溶液などを用いたウエットエッチングにより除去される。
【００４６】
続いて、図４（ｄ）に示すように、第１基板１００に溝部１０６を形成する。本実施例において、溝部１０６は、第１基板１００を、シリコン酸化膜１０２ａをマスクとして、ウエットエッチングにより形成される。
【００４７】
図５は、本発明の一実施形態であるスイッチ１０に含まれる、温度に応じて形状を変化させ、第１導体部５４と第２導体部５６とを電気的に接続する、スイッチ部２０を形成するスイッチ部形成工程の途中工程を示す。図５（ａ）に示すように、第１基板１００に、シリコン酸化膜１０８を形成する。シリコン酸化膜１０８は、弗化水素酸水溶液などを用いて、シリコン酸化膜１０２を除去した後、第１基板１００の熱酸化により形成されるのが好ましい。シリコン酸化膜１０８は、絶縁体としての機能を有する。
【００４８】
続いて、図５（ｂ）に示すように、第１構成部材２２を形成する。第１構成部材２２は、大きな熱膨張率を有する材料により形成されることが好ましい。具体的には、第２構成部材２４より大きな熱膨張率を有する材料により形成されることが望ましい。
【００４９】
本実施例において、第１構成部材２２は、次の工程により形成される。まず、第１構成部材２２を形成する材料である、アルミニウム、ニッケル、ニッケル鉄合金などの大きな熱膨張率を有する材料を、スパッタリング法などにより堆積する。続いて、堆積された材料にフォトレジストを塗布し、露光と現像により、パターンを形成する。続いて、パターンが形成されたフォトレジストをマスクとして、ウエットエッチングあるいはドライエッチングなどを用いて、露出している堆積された当該材料を除去する。さらに、フォトレジストを除去することにより、当該パターンが形成された領域である所望の領域だけに、第１構成部材２２が形成される。別の実施例において、第１構成部材２２は、次の工程により形成されてもよい。まず、フォトレジストを塗布し、第１構成部材２２を形成する領域に開口部を有するパターンを、露光と現像により形成する。次に、例えばアルミニウム、ニッケル、ニッケルと鉄との合金などの大きな熱膨張率を有する材料を、蒸着法あるいはスパッタリング法を用いて堆積させる。そして、フォトレジストを除去することにより、フォトレジスト上に堆積された材料だけを除去する工程であるリフトオフを行い、所望の領域だけに第１構成部材２２を形成する。
【００５０】
続いて、図５（ｃ）に示すように、第２構成部材２４（図１参照）に含まれる部材２４ａを形成する。部材２４ａは、小さな熱膨張率を有する材料で形成されるのが好ましい。部材２４ａは、具体的には、第１構成部材２２を形成する材料より小さく、後述する第２構成部材２４に含まれる部材２４ｂを形成する材料より大きな熱膨張率を有する材料により形成されるのが好ましい。部材２４ａは、部材２４ｂと略同じ熱膨張率を有する材料により形成されてもよい。
【００５１】
本実施例において、部材２４ａは、酸化シリコン、シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの絶縁性を有する材料を、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて堆積させる。次に、図１を参照して、後述する、第１基板１００を加工することにより形成される被支持部２６と、第２基板５２に含まれる支持部５０とを貼り合せる、貼り合せ工程において、支持部５０との貼り合せ面となる領域に含まれる、第１基板１００上のシリコン酸化膜１０２および部材２４ａを除去し、第１基板１００を露出させる（図示せず）。
【００５２】
続いて、図５（ｄ）に示すように、第１構成部材２２および第２構成部材２４を加熱するヒータ６０を形成する。ヒータ６０は、電流を供給することにより発熱する材料により形成されることが好ましい。また、ヒータ６０は、部材２４ｂを形成する材料よりも大きく、第１構成部材２２を形成する材料よりも小さい熱膨張率を有する材料により形成されることが好ましい。
【００５３】
本実施例において、ヒータ６０は、フォトレジストと、蒸着法あるいはスパッタリング法によるリフトオフを用いて、ニッケルとクロムとの合金や、クロムと白金とを積層した金属積層膜などの金属抵抗体により形成される。ヒータ６０を形成する材料は、貼り合せ工程において、支持部５０との貼り合せ面となる、第１基板１００上の領域の一部にも形成されるのが好ましい（図示せず）。貼り合せ工程において、支持部５０との貼り合せ面となる、第１基板１００上の領域の一部に形成されたヒータ６０を形成する材料は、貼り合せ工程において、第１導体部５４（図１参照）と電気的に接合されることにより、第１導体部５４とスイッチ部２０との接合抵抗を低減させる機能を有する。
【００５４】
図６は、本発明の一実施形態であるスイッチ１０に含まれる、温度に応じて形状を変化させ、第１導体部５４と第２導体部５６とを電気的に接続する、スイッチ部２０を形成するスイッチ部形成工程の途中工程を示す。図６（ａ）に示すように、第２構成部材２４に含まれる部材２４ｂを形成する。部材２４ｂは、小さな熱膨張率を有する材料で形成されるのが好ましい。具体的には、第１構成部材２２を形成する材料より、小さな熱膨張率を有する材料で形成されるのが好ましい。本実施例において、部材２４ｂは、酸化シリコン、シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの絶縁性を有する材料を、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて堆積させる。
【００５５】
続いて、図６（ｂ）に示すように、第２構成部材２４に含まれる、部材２４ａおよび部材２４ｂを除去することにより、第１基板１００の一部を露出させる。このとき、後述する第３導体部２８を形成する工程において形成される、ヒータ６０に電流を供給するヒータ線と、ヒータ６０とを接合するための開口部（図示せず）も形成することが望ましい。また、貼り合せ工程において、支持部５０との貼り合せ面となる、第１基板１００上の領域にある部材２４ｂも除去されることが望ましい。本実施例においては、まず、フォトレジストを塗布し、露光と現像により、所望のパターンを形成する。次に、弗化水素酸水溶液を用いて、シリコン酸化膜により形成される部材２４ａおよび／または部材２４ｂを除去することにより、第１基板１００を露出させ、さらに当該開口部を形成する。
【００５６】
続いて、図６（ｃ）に示すように、第３導体部２８および接点部材６２を形成する。まず、第３導体部２８を形成する工程について説明する。第３導体部２８は、第１導体部５４と第２導体部５６とを電気的に接続する導通部としての機能を有し、且つ第１構成部材２２の形状変化に影響を与えにくい機能を有することが好ましい。第３導体部２８は、高い導電率を有する金属で形成されることが好ましい。本実施例において、第３導体部２８は、フォトレジストと金属蒸着によるリフトオフ法を用いて、白金や金などにより形成される。また、第３導体部２８と第２構成部材２４との間に、第３導体部２８と第２構成部材２４との密着性を向上させるために、例えばチタンやクロム、あるいはチタンと白金の積層膜などを密着層として設けてもよい。
【００５７】
また、第３導体部２８は、貼り合せ工程において、支持部５０との貼り合せ面となる、第１基板１００上の領域の一部に形成されたヒータ６０を形成する材料上にも形成されることが好ましい（図示せず）。貼り合せ工程において、支持部５０との貼り合せ面となる、第１基板１００上の領域の一部に形成された第３導体部２８およびヒータ６０は、貼り合せ工程において、第１導体部５４（図１参照）と電気的に接合されることにより、第１導体部５４とスイッチ部２０との接合抵抗を低減させる機能を有する。
【００５８】
続いて、接点部材６２を形成する工程について説明する。本実施例において、接点部材６２は、フォトレジストを露光および現像することにより、所定のパターンを形成した後、めっきにより、白金や金などを形成することにより設けられる。また、接点部材６２は、フォトレジストとスパッタリング法によるリフトオフを用いて形成されてもよい。
【００５９】
図６（ｄ）は、スイッチ部２０と第１導体部５４とを接合するための導電性接合部材５８ａを形成する導電性接合部材形成工程を示す。接合部材５８は、スイッチ部２０の接点部材６２が形成されている端部と反対側の端部に形成されるのが好ましい。本実施例において、接合部材５８は、例えば金と錫の合金、金とゲルマニウムの合金、鉛と錫の合金などを含む半田を、リフトオフ法により形成する。また、接合部材５８は、例えば銀エポキシ樹脂などの導電性樹脂により形成されてもよく、また、金などのバンプにより形成されてもよい。
【００６０】
図７は、本発明の一実施形態であるスイッチ１０に含まれる、温度に応じて形状を変化させ、第１導体部５４と第２導体部５６とを電気的に接続する、スイッチ部２０を形成するスイッチ部形成工程の途中工程を示す。図７（ａ）に示すように、第１基板１００上のスイッチ部２０が形成されている面を、表面保護膜１１２を形成することにより保護する。本実施例において、表面保護膜１１０は、レジンをスピンコート法により塗布することにより形成される。
【００６１】
続いて、図７（ｂ）に示すように、第１基板１００に形成されたシリコン酸化膜１０２ｂを、被支持部２６（図１参照）の形状に対応するパターンを有するように除去する。本実施例においては、まず、フォトレジストを塗布し、露光および現像を行うことにより、被支持部２６を形成するパターンを形成する。次に、シリコン酸化膜１０８ｂを、フォトレジストをマスクとして、例えば弗化水素酸水溶液を用いた、ウエットエッチングにより除去する。後述する工程において、第１基板１００を加工することにより形成される複数の被支持部２６が、被支持部２６の形成後にも、基板として扱えるように、複数の被支持部２６を形成するパターンは、各々の被支持部２６が分離しないように形成されることが望ましい。
【００６２】
続いて、図７（ｃ）に示すように、被支持部２６を形成する。被支持部２６は、シリコン酸化膜１０８ｂをマスクとして、例えばドライエッチングを用いて、第１基板１００およびシリコン酸化膜１０８ａを除去することにより形成される。被支持部２６は、第１基板１００を貫通するように除去することにより形成されるのが好ましく、また、被支持部２６の形成後にも、基板として扱えるように、複数の被支持部２６は、各々の被支持部２６が分離しないように形成されることが望ましい。
【００６３】
図８は、第２基板５２に、スイッチ部２０を固定する支持部５０を形成する形成工程を示す。まず、第２基板５２を用意する。本実施例において、第２基板５２は、パイレックスガラス（登録商標）を用いる。
【００６４】
続いて、図８（ａ）に示すように、支持部５０を形成するマスクとなる支持部形成パターン１１２を、第２基板５２上に形成する。本実施例においては、フォトレジスト塗布し、露光および現像を行い、支持部形成パターン１１２を得る。支持部形成パターン１１２は、シリコン窒化膜や多結晶シリコンなどの無機材料により形成されてもよい。
【００６５】
続いて、図８（ｂ）に示すように、支持部５０を形成する。支持部５０は、支持部形成パターン１１２をマスクとして用いることにより、例えば、弗化水素酸水溶液を用いたウエットエッチングにより形成される。支持部５０は、截頭錐体に形成されるように、第２基板５２をエッチングするのが好ましい。
【００６６】
続いて、図８（ｃ）に示すように、金属層８４を形成する。本実施例において、金属層８４は、第２基板５２および支持部５０の一部の領域に形成される。具体的には、後述する貼り合わせ工程において、支持部５０が、スイッチ部２０と接触する領域から、第１導体部５４が形成される領域を接続するように形成されるのが好ましい。
【００６７】
続いて、図８（ｄ）に示すように、第１導体部５４および第２導体部５６を、第２基板５２に形成する。第１導体部５４および第２導体部５６は、例えば白金や金などの金属を、フォトレジストとスパッタリング法によるリフトオフを用いて形成する。また、第１導体部５４および第２導体部５６は、蒸着やスパッタリング法などを用いて金属を堆積した後に、フォトレジストを用いてパターンを形成し、当該金属をエッチングすることにより形成されてもよい。第１導体部５４および第２導体部５６は、第１導体部５４および第２導体部５６と第２基板５２との間に、例えばチタンやチタンと白金との積層膜などの密着層を設けてもよい。また、第１導体部５４および第２導体部５６は、複数層含まれるように形成されてもよい。
【００６８】
続いて、図８（ｅ）に示すように、導電性接合部材５８ｂを形成する。本実施例において、導電性接合部材５８ｂは、例えば金と錫の合金、金とゲルマニウムの合金、鉛と錫の合金などを含む半田を、リフトオフ法により形成する。導電性接合部材５８ｂは、導電性樹脂であってもよく、また、金などのバンプにより形成されてもよい。本実施例において、導電性接合部材５８は、スイッチ部２０および第１導電部５４の双方に形成される。別の実施例において、導電性接合部材５８は、スイッチ部２０および第１導電部５４のどちらか一方だけに形成されてもよい。
【００６９】
後述する加熱工程において、スイッチ部２０が曲がるときに、第１導体部５４に形成された導電性接合部材５８ｂと、スイッチ部２０に形成された導電性接合部材５８ａとが接触するように、後述する貼り合わせ工程において、スイッチ部２０と支持部５０とが貼り合わされることが好ましい。そのため、本発明によるスイッチ１０の製造方法は、第１基板１００に、第１基板１００の位置を確認するための第１基準マークを形成する工程と、第２基板５２に、第２基板５２の位置を確認するための第２基準マークを形成する工程をさらに備えてもよく、貼り合わせ工程において、第１基準マークと、第２基準マークとを基準として、第１基板１００と第２基板５２とを貼り合わせてもよい。
【００７０】
図９は、第１基板１００および第２基板５２に形成された部材の斜視図を示す。図９（ａ）は、第１基板１００上に形成されたスイッチ部２０の斜視図を示す。図４から図８において示した、スイッチ部形成工程の断面図は、ＡＡ’における断面図である。図５（ｄ）においてヒータ６０を形成する材料により、金属薄膜８２が形成されることが好ましい。図６（ｂ）において形成された開口部は、ヒータ６０とヒータ線７２とが接続される領域８０に形成される。
【００７１】
図９（ｂ）は、第２基板上に形成された支持部５０の斜視図を示す。図８（ｃ）において形成された金属薄膜８４は、第１導体部５４と接続するように形成されるのが好ましい。本実施例では、後述する、第１基板１００と第２基板５２とを貼り合せる、貼り合せ工程において、被支持部２６と支持部５０とが接合され、金属薄膜８２と金属薄膜８４とが接合される。また、ヒータ線７２とヒータ電極７４とは、接合部材５８を介して電気的に接続される。
【００７２】
図１０は、スイッチ１０の製造方法の途中工程である、第１基板１００と第２基板５２とを貼り合せる、貼り合せ工程を示す。図９（ａ）に示すように、まず、スイッチ部２０を、第１導体部５４および第２導体部５６に対して所定の位置に、支持部５０が固定するように、第１基板１００と第２基板５２との位置を合わせる。このとき、第１基板１００に形成された第１基準マークと、第２基板５２に形成された第２基準マークとを基準として、第１基板１００と第２基板５２とを貼り合わせてもよい。
【００７３】
続いて、図１０（ｂ）に示すように、スイッチ部２０を、第１導体部５４および第２導体部５６に対して所定の位置に、支持部５０が固定するように、第１基板１００と第２基板５２とを貼り合わせる。第１基板１００と第２基板５２は、被支持部２６と支持部５０とを接合することにより、貼り合せることが好ましい。具体的には、被支持部２６と支持部５０は、陽極接合により接合されるのが好ましい。本実施例においては、まず、被支持部２６と支持部５０とを接触させた後、被支持部２６および支持部５０を、例えば３００℃〜４００℃に加熱する。次に、被支持部２６および支持部５０を、当該温度に保ったまま、被支持部２６に、例えば５００Ｖ〜１０００Ｖの直流電圧を印加することにより、被支持部２６と支持部５０とを接合する。
【００７４】
別の実施例において、第１基板１００と第２基板５２は、被支持部２６と支持部５０とを熱圧着を用いて接合することにより、貼り合せてもよい。具体的には、被支持部２６と支持部５０は、例えば２００℃〜４００℃に加熱された状態で、被支持部２６および／または支持部５０に圧力を加えることにより接合される。
【００７５】
図１１は、スイッチ１０の製造方法の途中工程である、スイッチ部２０の端部を加熱する加熱工程を示す。図１１（ａ）は、被支持部２６および支持部５０が接合された状態を模式的に示す。続いて、図１１（ｂ）に示すように、スイッチ部２０の端部に設けられた、接合部４０が、第１導体部５４に向かう方向に曲がるように、スイッチ部２０の端部を、スイッチ部２０が、曲がる温度以上の温度に加熱する。そして、スイッチ部２０に設けられた導電性接合部材５８ａは、第１導体部５４に設けられた導電性接合部材５８ｂと接触する。スイッチ部２０は、例えば赤外線などを用いて、局所的に加熱されてもよいが、加熱用の炉やチャンバーを用いて、基板全体を加熱してもよい。
【００７６】
加熱工程において、スイッチ部２０の全体を加熱してもよい。このとき、接触部４０は、第２導体部５６に向かう方向に曲げられ、接触部４０に設けられた接触部材６２は、第２導体部５６と接触する。
【００７７】
図１２は、導電性接合部材５８である半田を溶融する半田溶融工程、および導電性接合部材５８である半田を冷却する接合工程を示す。図１２（ａ）は、半田を溶融する半田溶融工程を示す。本実施例においては、加熱工程において接触した、スイッチ部２０および第１導体部５４に設けられた導電性接合部材５８である半田を、溶融する温度以上に加熱することにより、導電性接合部材５８である半田を溶融する。導電性接合部材５８である半田は、例えば赤外線などを用いて、局所的に加熱されてもよいが、加熱用の炉やチャンバーを用いて、基板全体を加熱してもよい。
【００７８】
図１２（ｂ）は、溶融した導電性接合部材５８である半田を冷却する接合工程を示す。溶融した導電性接合部材５８である半田を冷却することにより固化し、接合部３０と第１導体部５４とを電気的に接合する。本実施例においては、導電性接合部材５８である半田が溶融する温度以下の温度に自然冷却し、導電性接合部材５８を固化させることにより、接合部３０と第１導体部５４とを電気的に接合する。接合部３０は、スイッチ部２０が、曲がる温度以下の温度に冷却されても、第１導体部５４と導電性接合部材５８である半田を介して接合されたままである。接点部４０は、スイッチ部２０が、曲がる温度以下の温度に冷却されると、スイッチ部２０が形成されたときの位置に戻ることにより、接点部４０と第２導体部５６とは、電気的に絶縁される。
【００７９】
図１０に示す、貼り合せ工程において、被支持部２６と支持部５０とを接合する際に、導電性接合部材５８である半田が溶融する温度以上の温度に加熱される場合は、図１１に示す加熱工程と、図１２に示す半田溶融工程および接合工程とが、貼り合せ工程に含まれてもよい。導電性接合部材５８が、例えば、金バンプなどの金属により形成される場合に、接合工程は、加熱工程において接触した導電性接合部材５８ａおよび導電性接合部材５８ｂを、熱圧着などにより接合する工程を含んでもよい。また、導電性接合部材５８が、導電性樹脂などにより形成される場合には、接合工程は、加熱工程において接触した導電性接合部材５８ａおよび導電性接合部材５８ｂを、乾燥することにより接合する工程を含んでもよい。
【００８０】
図１３は、第１基板１００および第２基板５２を切削することにより、スイッチ１０を得る、切削工程を示す。第１基板１００および第２基板５２に形成された複数のスイッチ１０を、第１基板１００および第２基板５２を切削することにより、各々のスイッチ１０を得ることが可能となる。ウエッとエッチングなどにより、第１基板１００を所望の形状に加工してもよく、また、他の不要な部材を除去してもよい。さらに、第１基板１００および第２基板５２の所望の位置に、予め溝部を形成し、当該溝部に沿って、スイッチ１０を各々分割してもよい。このとき、当該溝部に、折り曲げなどの圧力を加えることにより、スイッチ１０を各々分割してもよい。
【００８２】
切削工程において、第１基板１００および第２基板５２を、切削された基板が、複数のスイッチを含むように切削してもよい。このとき、複数のスイッチに設けられた複数の導体部を、例えばワイヤボンディングなどを用いて接続することにより、集積化回路装置を形成してもよい。また、複数のスイッチが、導体部を共有するように、基板に当該導体部を形成することにより、集積化回路装置を形成してもよい。さらに、単一基板上に、トランジスタ、抵抗器、コンデンサなどの素子と、少なくとも１つ以上の当該スイッチを設け、所望の回路を形成することにより、集積化回路装置を形成してもよい。
【００８３】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又は改良を加えることができる。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【００８４】
【発明の効果】
上記説明から明らかなように、本発明によれば、接触抵抗が低く、信頼性の高い、１点接点を有するスイッチを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態であるスイッチ１０の断面を示す。
【図２】本発明の他の実施形態であるスイッチ１０の断面を示す。
【図３】本発明の実施形態に係るスイッチ１０の上面図を示す。
【図４】本発明の一実施形態であるスイッチ１０の製造方法の途中工程である、温度に応じて形状を変化させ、第１導体部５４と第２導体部５６とを電気的に接続する、スイッチ部２０を形成するスイッチ部形成工程の途中工程を示す。
【図５】本発明の一実施形態であるスイッチ１０に含まれる、温度に応じて形状を変化させ、第１導体部５４と第２導体部５６とを電気的に接続する、スイッチ部２０を形成するスイッチ部形成工程の途中工程を示す。
【図６】本発明の一実施形態であるスイッチ１０に含まれる、温度に応じて形状を変化させ、第１導体部５４と第２導体部５６とを電気的に接続する、スイッチ部２０を形成するスイッチ部形成工程の途中工程を示す。
【図７】本発明の一実施形態であるスイッチ１０に含まれる、温度に応じて形状を変化させ、第１導体部５４と第２導体部５６とを電気的に接続する、スイッチ部２０を形成するスイッチ部形成工程の途中工程を示す。
【図８】第２基板５２に、スイッチ部２０を固定する支持部５０を形成する形成工程を示す。
【図９】第１基板１００および第２基板５２に形成された部材の斜視図を示す。
【図１０】スイッチ１０の製造方法の途中工程である、第１基板１００と第２基板５２とを貼り合せる、貼り合せ工程を示す。
【図１１】スイッチ１０の製造方法の途中工程である、スイッチ部２０の端部を加熱する加熱工程を示す。
【図１２】接合部材５８である半田を溶融する半田溶融工程、および接合部材５８である半田を冷却する接合工程を示す。
【図１３】第１基板１００および第２基板５２を切削することにより、スイッチ１０を得る、切削工程を示す。
【符号の説明】
１０・・スイッチ、２０・・スイッチ部、２２・・第１構成部材、２４・・第２構成部材、２６・・被支持部、２８・・第３導体部、３０・・接合部、４０・・接点部、５０・・支持部、５２・・第２基板、５４・・第１導体部、５６・・第２導体部、６０・・ヒータ、６２・・接点部材、７０・・接地導体、７２・・ヒータ線、７４・・ヒータ電極、７６・・バイパス線、８０・・領域、８２・・金属薄膜、８４・・金属薄膜、１００・・第１基板、１０２・・シリコン酸化膜、１０６・・溝部、１０８・・シリコン酸化膜、１１０・・・表面保護膜、１１２・・支持部形成パターン
【図１】
0004119075.tif 000002
【図２】
0004119075.tif 000003
【図３】
0004119075.tif 000004
【図４】
0004119075.tif 000005
【図５】
0004119075.tif 000006
【図６】
0004119075.tif 000007
【図７】
0004119075.tif 000008
【図８】
0004119075.tif 000009
【図９】
0004119075.tif 000010
【図１０】
0004119075.tif 000011
【図１１】
0004119075.tif 000012
【図１２】
0004119075.tif 000013
【図１３】
0004119075.tif 000014