【手続補正書】
【提出日】平成20年6月19日(2008.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非晶質半導体膜に結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜中に選択的に第１の元素を導入して第１の領域を形成し、
第１の加熱処理を行って前記第１の領域に前記金属元素をゲッタリングし、
前記金属元素がゲッタリングされた前記第１の領域に第２の元素を導入して第２の領域を形成し、
前記第１の加熱処理の温度より低温で第２の加熱処理を行って前記第２の領域に前記金属元素をゲッタリングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
非晶質半導体膜に結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体を部分的にエッチングして島状半導体層を形成し、
前記島状半導体層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記島状半導体膜中に選択的に第１の元素を導入して、ソース領域およびドレイン領域を形成し、前記ゲート電極の下方にチャネル形成領域を形成し、
第１の加熱処理を行って前記ソース領域および前記ドレイン領域に前記金属元素をゲッタリングし、
前記金属元素がゲッタリングされた前記ソース領域および前記ドレイン領域に第２の元素を導入し、
前記第１の加熱処理の温度より低温で第２の加熱処理を行って前記ソース領域および前記ドレイン領域に前記金属元素をゲッタリングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
非晶質半導体膜に結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜中に選択的に第１の元素を導入して第１の領域を形成し、
第１の加熱処理を行って前記第１の領域に前記金属元素をゲッタリングし、
前記第１の領域をエッチングして島状半導体層を形成し、
前記絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記島状半導体膜中に選択的に第２の元素を導入してソース領域およびドレイン領域を形成し、前記ゲート電極の下方にチャネル形成領域を形成し、
前記第１の加熱処理の温度より低温で第２の加熱処理を行って前記ソース領域および前記ドレイン領域に前記金属元素をゲッタリングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
非晶質半導体膜に結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜中に選択的に第１の元素を導入して第１の領域を形成し、
第１の加熱処理を行って前記第１の領域に前記金属元素をゲッタリングし、
前記金属元素がゲッタリングされた前記第１の領域に第２の元素および第３の元素を導入して第２の領域を形成し、
前記第１の加熱処理の温度より低温で第２の加熱処理を行って前記第２の領域に前記金属元素をゲッタリングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
非晶質半導体膜に結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体を部分的にエッチングして島状半導体層を形成し、
前記島状半導体層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記島状半導体膜中に選択的に第１の元素を導入してソース領域およびドレイン領域を形成し、前記ゲート電極の下方にチャネル形成領域を形成し、
第１の加熱処理を行って前記ソース領域および前記ドレイン領域に前記金属元素をゲッタリングし、
前記金属元素がゲッタリングされた前記ソース領域および前記ドレイン領域に第２の元素および第３の元素を導入し、
前記第１の加熱処理の温度より低温で第２の加熱処理を行って前記ソース領域および前記ドレイン領域に前記金属元素をゲッタリングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
非晶質半導体膜に結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜中に選択的に第１の元素を導入して第１の領域を形成し、
第１の加熱処理を行って前記第１の領域に前記金属元素をゲッタリングし、
前記第１の領域をエッチングして島状半導体層を形成し、
前記絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記島状半導体膜中に選択的に第２の元素および第３の元素を導入してソース領域およびドレイン領域を形成し、前記ゲート電極の下方にチャネル形成領域を形成し、
前記第１の加熱処理の温度より低温で第２の加熱処理を行って前記ソース領域および前記ドレイン領域に前記金属元素をゲッタリングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
非晶質半導体膜に結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜中に選択的に第１の元素および第２の元素を導入して第１の領域を形成し、
第１の加熱処理を行って前記第１の領域に前記金属元素をゲッタリングし、
前記金属元素がゲッタリングされた前記第１の領域に第３の元素を導入して第２の領域を形成し、
前記第１の加熱処理の温度より低温で第２の加熱処理を行って前記第２の領域に前記金属元素をゲッタリングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
非晶質半導体膜に結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体を部分的にエッチングして島状半導体層を形成し、
前記島状半導体層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記島状半導体膜中に選択的に第１の元素および第２の元素を導入してソース領域およびドレイン領域を形成し、前記ゲート電極の下方にチャネル形成領域を形成し、
第１の加熱処理を行って前記ソース領域および前記ドレイン領域に前記金属元素をゲッタリングし、
前記金属元素がゲッタリングされた前記ソース領域および前記ドレイン領域に第３の元素を導入し、
前記第１の加熱処理の温度より低温で第２の加熱処理を行って前記ソース領域および前記ドレイン領域に前記金属元素をゲッタリングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
非晶質半導体膜に結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜中に選択的に第１の元素および第２の元素を導入して第１の領域を形成し、
第１の加熱処理を行って前記第１の領域に前記金属元素をゲッタリングし、
前記第１の領域をエッチングして島状半導体層を形成し、
前記絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記島状半導体膜中に選択的に第３の元素を導入してソース領域およびドレイン領域を形成し、前記ゲート電極の下方にチャネル形成領域を形成し、
前記第１の加熱処理の温度より低温で第２の加熱処理を行って前記ソース領域および前記ドレイン領域に前記金属元素をゲッタリングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
非晶質半導体膜に結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜中に選択的に第１の元素および第２の元素を導入して第１の領域を形成し、
第１の加熱処理を行って前記第１の領域に前記金属元素をゲッタリングし、
前記金属元素がゲッタリングされた前記第１の領域に第３の元素および第４の元素を導入して第２の領域を形成し、
前記第１の加熱処理の温度より低温で第２の加熱処理を行って前記第２の領域に前記金属元素をゲッタリングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
非晶質半導体膜に結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体を部分的にエッチングして島状半導体層を形成し、
前記島状半導体層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記島状半導体膜中に選択的に第１の元素および第２の元素を導入してソース領域およびドレイン領域を形成し、前記ゲート電極の下方にチャネル形成領域を形成し、
第１の加熱処理を行って前記ソース領域および前記ドレイン領域に前記金属元素をゲッタリングし、
前記金属元素がゲッタリングされた前記ソース領域および前記ドレイン領域に第３の元素および第４の元素を導入し、
前記第１の加熱処理の温度より低温で第２の加熱処理を行って前記ソース領域および前記ドレイン領域に前記金属元素をゲッタリングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
非晶質半導体膜に結晶化を助長する金属元素を導入し、
前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜中に選択的に第１の元素および第２の元素を導入して第１の領域を形成し、
第１の加熱処理を行って前記第１の領域に前記金属元素をゲッタリングし、
前記第１の領域をエッチングして島状半導体層を形成し、
前記絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記島状半導体膜中に選択的に第３の元素および第４の元素を導入してソース領域およびドレイン領域を形成し、前記ゲート電極の下方にチャネル形成領域を形成し、
前記第１の加熱処理の温度より低温で第２の加熱処理を行って前記ソース領域および前記ドレイン領域に前記金属元素をゲッタリングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項において、
前記第１の元素として、１５族に属する元素のうち少なくとも１つの元素を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記第２の元素として、１５族に属する元素のうち少なくとも１つの元素、１３族に属する元素のうち少なくとも１つの元素、または前記結晶質半導体膜の主成分である元素を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項４乃至６のいずれか一項において、前記第２の元素または前記第３の元素として、１５族に属する元素のうち少なくとも１つの元素、１３族に属する元素のうち少なくとも１つの元素、または前記結晶質半導体膜の主成分である元素を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項７乃至１２のいずれか一項において、前記第２の元素として、１３族に属する元素のうち少なくとも１つの元素を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項７乃至９のいずれか一項において、前記第３の元素として、１５族に属する元素のうち少なくとも１つの元素、１３族に属する元素のうち少なくとも１つの元素、または前記結晶質半導体膜の主成分である元素を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１０乃至１２のいずれか一項において、前記第３の元素または前記第４の元素として、１５族に属する元素のうち少なくとも１つの元素、１３族に属する元素のうち少なくとも１つの元素、または前記結晶質半導体膜の主成分である元素を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。