【手続補正書】
【提出日】平成20年5月26日(2008.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上の第一の層と、
前記第一の層上の複数の第二の層と、
前記複数の第二の層上の第三の層と、
前記第三の層上の第四の層とを、
備え、
前記第一の層は、
第一の絶縁膜とゲート電極とを含み、
前記第二の層の各々は、
第二の絶縁膜と第一のダミー金属配線と複数の第一のダミー金属ビアパターンとを含み、
前記第二の絶縁膜は、
２．７未満の誘電率を有しており、
前記第一のダミー金属配線と前記複数の第一のダミー金属ビアパターンは、
前記第二の絶縁膜内に形成され、
前記第一のダミー金属ビアパターンの各々は、
前記第一のダミー金属配線の底面と接する上部を有しており、
前記第三の層は、
第三の絶縁膜と第一の金属配線と、複数の第一の金属ビアパターンとを含み、
前記第三の絶縁膜は、
２．７より大きな誘電率を有しており、
前記第一の金属配線と前記複数の第一の金属ビアパターンとは、
前記第三の絶縁膜内に形成されており、
前記第一の金属ビアパターンの各々は、
前記第一の金属配線の底面と接する上部を有しており、
前記第四の層は、
電極パッドとパッシベーション膜と開口部とを含み、
前記電極パッドは、
アルミニウム材料を含み、前記第一の金属配線と電気的に接続し、
前記パッシベーション膜は、
ＳｉＮを含み、前記パッド電極と前記第三の層との上方を覆い、
前記開口部は、
前記パッド電極の一部を露出するように前記パッシベーション膜に開口しており、
前記第一のダミー金属配線、前記複数の第一のダミー金属ビアパターン、前記第一の金属配線、および前記複数の第一の金属ビアパターンは、
断面視において、前記パッド電極の下方に形成されており、
前記複数の第一の金属ダミービアパターンの各々は、
平面視において、第一の方向に沿ってストライプ形状で形成されている、
半導体装置。
【請求項２】
前記第一のダミー金属配線と前記複数の第一のダミー金属ビアパターンとは、
前記第二の絶縁膜よりも大きな硬さを有する、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第一のダミー金属配線は、
少なくとも１つの配線のダミーパタンである、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第一のダミー金属配線は、
平面視において、メッシュ形状である、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第一のダミー金属配線は、
複数であり、平面視において、島状に点在して形成されている、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第一のダミー金属配線は、
複数であり、平面視において、複数の数で所定の方向に沿ってストライプ状に形成されている、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記複数の第二の層の各々内の前記複数の第一のダミー金属ビアパターンは、
前記複数の第二の層の各々に隣接する下方の前記第二の層内において、前記第一のダミー金属配線に接続している、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第二の層の各々は、
第二の金属配線と複数の第二の金属ビアパターンとを含み、
前記第二の金属配線と前記複数の第二の金属ビアパターンは、
前記第一金属配線と電気的に接続しており、
前記第二の金属配線と前記複数の第二の金属ビアパターンは、
前記第二の絶縁膜内に形成されており、
前記第二の金属ビアパターンの各々の上部は、
前記第二の金属配線の底面と接している、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第一のダミー金属ビアパターンのストライプ幅は、
前記複数の第二の金属ビアパターン間の最小直径を有する前記第二の金属ビアパターンの最小直径以上であり、前記最小直径の１０倍以下である、
請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第二の絶縁膜は、
ポーラスＳｉＯＣ、メチルシルセスキオキサンおよびポーラス有機ポリマー膜から構成されている集団から選択された一つの膜であり、
前記第三の絶縁膜は、
ＴＥＯＳ膜であり、
前記第一金属配線、前記第一金属ビアパターン、前記第一ダミー金属パターンおよび前記第一ダミー金属ビアパターンは、
銅材料から形成されている、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第一の金属配線は、
デバイスの要素として機能する、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１２】
複数の第一の構造を、さらに備えており、
前記第一の構造の各々は、
前記第一の層上に形成されており、
前記第一の構造の各々は、
平面視における前記パッド電極の領域内の、前記複数の第二の層、前記第三の層および前記第四の層を含み、
前記第一の構造の各々は、
平面視において、第二の方向に沿って配置されており、
前記第一の方向は、
前記第二の方向に垂直である、
請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記第一のダミー金属配線は、
デバイス要素として機能しない、
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１４】
半導体基板と、
前記半導体基板上の第一の層と、
前記第一の層上の複数の第二の層と、
前記複数の第二の層上の第三の層と、
前記第三の層上の第四の層とを、
備え、
前記第一の層は、
第一の絶縁膜とゲート電極とを含み、
前記第二の層の各々は、
第二の絶縁膜と第一のダミー金属配線と複数の第一のダミー金属ビアパターンとを含み、
前記第一のダミー金属配線と前記複数の第一のダミー金属ビアパターンは、
前記第二の絶縁膜内に形成され、
前記第一のダミー金属ビアパターンの各々は、
前記第一のダミー金属配線の底面と接する上部を有しており、
前記第三の層は、
第三の絶縁膜と第一の金属配線と、複数の第一の金属ビアパターンとを含み、
前記第三の絶縁膜は、
２．７より大きな誘電率を有しており、
前記第一の金属配線と前記複数の第一の金属ビアパターンとは、
前記第三の絶縁膜内に形成されており、
前記第一の金属ビアパターンの各々は、
前記第一の金属配線の底面と接する上部を有しており、
前記第四の層は、
電極パッドとパッシベーション膜と開口部とを含み、
前記電極パッドは、
アルミニウム材料を含み、前記第一の金属配線と電気的に接続し、
前記パッシベーション膜は、
ＳｉＮを含み、前記パッド電極と前記第三の層との上方を覆い、
前記開口部は、
前記パッド電極の一部を露出するように前記パッシベーション膜に開口しており、
前記第一のダミー金属配線、前記複数の第一のダミー金属ビアパターン、前記第一の金属配線、および前記複数の第一の金属ビアパターンは、
断面視において、前記パッド電極の下方に形成されており、
前記第二の絶縁膜は、
ＳｉＯＣ、メチルシルセスキオキサンおよびポーラス有機ポリマー膜から構成されている集団から選択された１の膜であり、
前記第三の絶縁膜は、
ＴＥＯＳ膜であり、
前記第一の金属配線、前記第一の金属ビアパターン、前記第一のダミー金属配線および前記第一のダミー金属ビアパターンは、
Ｃｕ材料から構成されており、
前記第一のダミー金属配線は、
平面視において、メッシュ状である、
半導体装置。
【請求項１５】
前記第一のダミー金属配線と前記複数の第一のダミー金属ビアパターンとは、
前記第二の絶縁膜よりも大きな硬さを有する、
請求項１４に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記複数の第二の層の各々内の前記複数の第一のダミー金属ビアパターンは、
前記複数の第二の層の各々に隣接する下方の前記第二の層内において、前記第一のダミー金属配線に接続している、
請求項１４に記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記第二の層の各々は、
第二の金属配線と複数の第二の金属ビアパターンとを含み、
前記第二の金属配線と前記複数の第二の金属ビアパターンは、
前記第一金属配線と電気的に接続しており、
前記第二の金属配線と前記複数の第二の金属ビアパターンは、
前記第二の絶縁膜内に形成されており、
前記第二の金属ビアパターンの各々の上部は、
前記第二の金属配線の底面と接している、
請求項１４に記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記第一のダミー金属ビアパターンのストライプ幅は、
前記複数の第二の金属ビアパターン間の最小直径を有する前記第二の金属ビアパターンの最小直径以上であり、前記最小直径の１０倍以下である、
請求項１７に記載の半導体装置。
【請求項１９】
前記第一の金属配線は、
デバイスの要素として機能する、
請求項１４に記載の半導体装置。
【請求項２０】
複数の第一の構造を、さらに備えており、
前記第一の構造の各々は、
前記第一の層上に形成されており、
前記第一の構造の各々は、
平面視における前記パッド電極の領域内の、前記複数の第二の層、前記第三の層および前記第四の層を含み、
前記第一のダミー金属ビアパターンの各々は、
平面視において、第一の方向で、ストライプ形状で形成されており、
前記第一の構造の各々は、
平面視において、第二の方向に沿って配置されており、
前記第一の方向は、
前記第二の方向に垂直である、
請求項１４に記載の半導体装置。
【請求項２１】
前記第一のダミー金属配線は、
デバイス要素として機能しない、
請求項１４に記載の半導体装置。
【請求項２２】
ダミー金属は、
平面視における前記電極パッドの領域内の前記第三の層内に形成されておらず、
前記第一のダミー金属配線は、
デバイス要素として機能しない、
請求項１４に記載の半導体装置。
【請求項２３】
前記第二の絶縁膜は、
２．７未満の誘電率を有している、
請求項１４に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係る１の実施の形態においては、半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上の第一の層と、第一の層上の複数の第二の層と、複数の第二の層上の第三の層と、第三の層上の第四の層とを、備えている。第一の層は、第一の絶縁膜とゲート電極とを含む。第二の層の各々は、第二の絶縁膜と第一のダミー金属配線と複数の第一のダミー金属ビアパターンとを含む。第二の絶縁膜は、２．７未満の誘電率を有している。第一のダミー金属配線と複数の第一のダミー金属ビアパターンは、第二の絶縁膜内に形成されている。第一のダミー金属ビアパターンの各々は、第一のダミー金属配線の底面と接する上部を有している。第三の層は、第三の絶縁膜と第一の金属配線と、複数の第一の金属ビアパターンとを含む。第三の絶縁膜は、２．７より大きな誘電率を有している。第一の金属配線と複数の第一の金属ビアパターンとは、第三の絶縁膜内に形成されている。第一の金属ビアパターンの各々は、第一の金属配線の底面と接する上部を有している。第四の層は、電極パッドとパッシベーション膜と開口部とを含む。電極パッドは、アルミニウム材料を含み、第一の金属配線と電気的に接続している。パッシベーション膜は、ＳｉＮを含み、パッド電極と第三の層との上方を覆う。開口部は、パッド電極の一部を露出するようにパッシベーション膜に開口している。第一のダミー金属配線、複数の第一のダミー金属ビアパターン、第一の金属配線、および複数の第一の金属ビアパターンは、断面視において、パッド電極の下方に形成されている。複数の第一の金属ダミービアパターンの各々は、平面視において、第一の方向に沿ってストライプ形状で形成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上述の形態によれば、パッド部に対してボンディング処理等を施したとしても、当該パッド部の下方に存する低誘電率膜において、クラックが発生する等の不具合を解消することができる。また、当該クラックの発生防止の観点等から、本当に必要な層間絶縁膜（低誘電率膜）にのみ他の部材を形成している。したがって、素子として機能する配線等の配設のために、層間絶縁膜内をより有効利用することができる。また、不要な部分には、当該高度の硬い材料を形成しないので、製造は簡素化され、製造コストの削減も可能となる。