【手続補正書】
【提出日】平成20年11月12日(2008.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第３のＮ型薄膜トランジスタと第１乃至第３のＰ型薄膜トランジスタを含む電圧制御発振器を有し、
前記第１のＮ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のＰ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第１のＮ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のＮ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第１のＰ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のＰ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第３のＮ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のＰ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第２のＮ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの他方と前記第３のＮ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの他方は、低電位電源に電気的に接続され、
前記第２のＰ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの他方と前記第３のＰ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの他方は、高電位電源に電気的に接続され、
前記第２及び前記第３のＮ型薄膜トランジスタそれぞれのしきい値電圧は、前記第１のＮ型薄膜トランジスタのしきい値電圧よりも低く、
前記第２のＮ型薄膜トランジスタのゲートと前記第３のＮ型薄膜トランジスタのゲートに第１の信号が入力され、
前記第１のＮ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの一方と前記第１のＰ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの一方から第２の信号を出力することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１及び第２のＮ型薄膜トランジスタとＰ型薄膜トランジスタを含む電圧制御発振器を有し、
前記第１のＮ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの一方は、前記Ｐ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第１のＮ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のＮ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第２のＮ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの他方は、低電位電源に電気的に接続され、
前記Ｐ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの他方は、高電位電源に電気的に接続され、
前記第２のＮ型薄膜トランジスタのしきい値電圧は、前記第１のＮ型薄膜トランジスタのしきい値電圧よりも低く、
前記第２のＮ型薄膜トランジスタのゲートに第１の信号が入力され、
前記第１のＮ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの一方と前記Ｐ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの一方から第２の信号を出力することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１乃至第３のＮ型薄膜トランジスタと第１乃至第３のＰ型薄膜トランジスタを含む電圧制御発振器を有し、
前記第１のＮ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のＰ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第１のＮ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のＮ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第１のＰ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のＰ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第３のＮ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のＰ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第２のＮ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの他方と前記第３のＮ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの他方は、低電位電源に電気的に接続され、
前記第２のＰ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの他方と前記第３のＰ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの他方は、高電位電源に電気的に接続され、
前記第２及び前記第３のＰ型薄膜トランジスタそれぞれのしきい値電圧は、前記第１のＰ型薄膜トランジスタのしきい値電圧よりも高く、
前記第２のＰ型薄膜トランジスタのゲートと前記第３のＰ型薄膜トランジスタのゲートに第１の信号が入力され、
前記第１のＮ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの一方と前記第１のＰ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの一方から第２の信号を出力することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
Ｎ型薄膜トランジスタと第１及び第２のＰ型薄膜トランジスタを含む電圧制御発振器を有し、
前記第１のＰ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの一方は、前記Ｎ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第１のＰ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のＰ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記Ｎ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの他方は、低電位電源に電気的に接続され、
前記第２のＰ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの他方は、高電位電源に電気的に接続され、
前記第２のＰ型薄膜トランジスタのしきい値電圧は、前記第１のＰ型薄膜トランジスタのしきい値電圧よりも高く、
前記第２のＰ型薄膜トランジスタのゲートに第１の信号が入力され、
前記Ｎ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの一方と前記第１のＰ型薄膜トランジスタのソース又はドレインの一方から第２の信号を出力することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１において、
前記第２及び前記第３のＮ型薄膜トランジスタそれぞれが含む半導体層のチャネル長は、前記第１のＮ型薄膜トランジスタが含む半導体層のチャネル長よりも短いことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１において、
前記第２及び前記第３のＮ型薄膜トランジスタそれぞれのチャネル形成領域が含むＮ型不純物元素の濃度は、前記第１のＮ型薄膜トランジスタのチャネル形成領域が含むＮ型不純物元素の濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１において、
前記第２及び前記第３のＮ型薄膜トランジスタそれぞれのチャネル形成領域が含むＰ型不純物元素の濃度は、前記第１のＮ型薄膜トランジスタのチャネル形成領域が含むＰ型不純物元素の濃度よりも低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項２において、
前記第２のＮ型薄膜トランジスタが含む半導体層のチャネル長は、前記第１のＮ型薄膜トランジスタが含む半導体層のチャネル長よりも短いことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項２において、
前記第２のＮ型薄膜トランジスタのチャネル形成領域が含むＮ型不純物元素の濃度は、前記第１のＮ型薄膜トランジスタのチャネル形成領域が含むＮ型不純物元素の濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項２において、
前記第２のＮ型薄膜トランジスタのチャネル形成領域が含むＰ型不純物元素の濃度は、前記第１のＮ型薄膜トランジスタのチャネル形成領域が含むＰ型不純物元素の濃度よりも低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項３において、
前記第２及び前記第３のＰ型薄膜トランジスタそれぞれが含む半導体層のチャネル長は、前記第１のＰ型薄膜トランジスタが含む半導体層のチャネル長よりも短いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項３において、
前記第２及び前記第３のＰ型薄膜トランジスタそれぞれのチャネル形成領域が含むＰ型不純物元素の濃度は、前記第１のＰ型薄膜トランジスタのチャネル形成領域が含むＰ型不純物元素の濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項３において、
前記第２及び前記第３のＰ型薄膜トランジスタそれぞれのチャネル形成領域が含むＮ型不純物元素の濃度は、前記第１のＰ型薄膜トランジスタのチャネル形成領域が含むＮ型不純物元素の濃度よりも低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項４において、
前記第２のＰ型薄膜トランジスタが含む半導体層のチャネル長は、前記第１のＰ型薄膜トランジスタが含む半導体層のチャネル長よりも短いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項４において、
前記第２のＰ型薄膜トランジスタのチャネル形成領域が含むＰ型不純物元素の濃度は、前記第１のＰ型薄膜トランジスタのチャネル形成領域が含むＰ型不純物元素の濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項４において、
前記第２のＰ型薄膜トランジスタのチャネル形成領域が含むＮ型不純物元素の濃度は、前記第１のＰ型薄膜トランジスタのチャネル形成領域が含むＮ型不純物元素の濃度よりも低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１６のいずれか１項において、
前記第１の信号はループフィルタから供給される信号であり、前記第２の信号は分周器に供給されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１７のいずれか一項に記載の前記半導体装置を用いた電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
なお、電圧制御発振器１３が含むトランジスタは、高電位電源（ＶＤＤ）と低電位電源（ＶＳＳ）に接続されている。高電位電源と低電位電源は、電圧制御発振器１３が設けられた基板と同じ基板上に設けられたものでもよいし、また、異なる基板上に設けられたものでもよい。なお、第１のＮチャネル型薄膜トランジスタのしきい値電圧が、第２のＮチャネル型薄膜トランジスタのしきい値電圧よりも低いとは、第１のＮチャネル型薄膜トランジスタのしきい値電圧の絶対値が、第２のＮチャネル型薄膜トランジスタのしきい値電圧の絶対値よりも小さいことを指す。また、第１のＰチャネル型薄膜トランジスタのしきい値電圧が、第２のＰチャネル型薄膜トランジスタのしきい値電圧よりも低いとは、第１のＰチャネル型薄膜トランジスタのしきい値電圧の絶対値が、第２のＰチャネル型薄膜トランジスタのしきい値電圧の絶対値よりも大きいことを指す。