【手続補正書】
【提出日】平成20年9月11日(2008.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨された主面を有し、前記主面における平均濃度が１×１０17ｃｍ-3以上である第１不純物を含有する窒化物半導体基板を用意する工程（Ａ）と、
ＡｌuＧａvＩｎwＮ結晶層（０≦ｕ、ｖ、ｗ≦１：ｕ＋ｖ＋ｗ＝１）を前記窒化物半導
体基板の主面上に成長させる工程（Ｂ）と、
前記ＡｌuＧａvＩｎwＮ結晶層の上面における複数のストライプ状領域の各々に対して
選択的にＡｌxＧａyＩｎzＮ結晶（０≦ｘ、ｙ、ｚ≦１：ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を成長させる
工程（Ｃ）と、
を含む窒化物半導体の製造方法であって、
前記ＡｌuＧａvＩｎwＮ結晶層は、前記窒化物半導体基板に含まれる第１不純物とは異
なる第２不純物を含有しており、
前記ＡｌuＧａvＩｎwＮ結晶層における前記第２不純物の平均濃度は、前記窒化物半導
体基板の主面における前記第１不純物の平均濃度よりも低い窒化物半導体の製造方法。
【請求項２】
前記第１不純物濃度は酸素である請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記窒化物半導体基板の前記主面における前記不純物の濃度の最大値をｎmax、最小値
をｎminとするとき、ｎmax／ｎminは１０以上である請求項１または２に記載の製造方法
。
【請求項４】
前記ＡｌxＧａyＩｎzＮ結晶の成長温度における前記第１不純物の蒸気圧は、前記成長
温度における前記第２不純物の蒸気圧よりも高い請求項１に記載の製造方法。
【請求項５】
前記第１不純物は酸素であり、前記第２不純物は、シリコン、ゲルマニウム、セレン、および硫黄からなる群から選択された少なくとも１種である請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
前記第１不純物は、酸素、シリコン、ゲルマニウム、セレン、および硫黄からなる群から選択された少なくとも１種である請求項１に記載の製造方法。
【請求項７】
前記ＡｌuＧａvＩｎwＮ結晶層の成長温度よりも前記ＡｌxＧａyＩｎzＮ結晶層の成長温度が高い請求項１に記載の製造方法。
【請求項８】
前記工程（Ａ）は、
前記主面に対して傾斜した複数のファセットを上面に形成するように窒化物半導体を成長させる工程（ａ１）と、
前記窒化物半導体の上面を研磨して平坦化することにより、前記主面を形成する工程（ａ２）と
を含む、請求項１から７のいずれかに記載の製造方法。
【請求項９】
前記工程（ａ１）は、前記複数のファセットの配列周期に応じた濃度分布を有するように不純物を前記窒化物半導体にドープする工程を含む請求項８に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記工程（ａ１）は、ハイドライドＶＰＥ法によって前記窒化物半導体を成長させる工程を含み、
前記工程（Ｂ）は、ＭＯＶＰＥ法によって前記ＡｌuＧａvＩｎwＮ結晶層を成長させる
工程を含む請求項１から９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記ＡｌuＧａvＩｎwＮ結晶はアンドープ半導体層である請求項１から３のいずれかに
記載の製造方法。
【請求項１２】
前記ＡｌuＧａvＩｎwＮ結晶層における前記第２不純物の平均濃度は、１ｘ１０19ｃｍ-3以下である請求項１から１０のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１３】
前記工程（Ｃ）の前に、前記窒化物半導体基板の主面に平行な上面を有する複数のストライプ状リッジを前記ＡｌuＧａvＩｎwＮ結晶層に形成する工程を含み、
前記工程（Ｃ）は、前記ＡｌxＧａyＩｎzＮ結晶を前記複数のストライプ状リッジの上
面に選択的に成長させる工程を含む、請求項１から１２のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１４】
前記工程（Ｃ）を行なう前において、前記ＡｌuＧａvＩｎwＮ結晶層または前記窒化物
半導体基板のうち、前記複数のストライプ状リッジが形成されていない領域を選択成長用マスクで覆う、請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記工程（Ｂ）は、前記ストライプ状リッジの上面の幅を１μｍ以上４００μｍ以下の範囲に設定し、かつ、前記ストライプ状リッジの配列ピッチを２μｍ以上５００μｍ以下の範囲に設定する工程を含む、請求項１３または１４に記載の製造方法。
【請求項１６】
研磨された主面を有する窒化物半導体基板を用意する工程（Ａ）と、
ＡｌuＧａvＩｎwＮ結晶層（０≦ｕ、ｖ、ｗ≦１：ｕ＋ｖ＋ｗ＝１）を前記窒化物半導
体基板の主面上に成長させる工程（Ｂ）と、
前記ＡｌuＧａvＩｎwＮ結晶層の上面における複数のストライプ状領域の各々に対して
選択的に第１窒化物半導体層を成長させる工程（Ｃ）と、
前記第１窒化物半導体層の上部に前記第１窒化物半導体層よりもバンドギャップが小さい第２窒化物半導体からなる活性層、および、前記活性層よりもバンドギャップが大きい第３窒化物半導体を含む積層体を成長する工程（Ｄ）と、
前記活性層にキャリアを選択的に注入する電流狭窄構造を前記積層体の上に形成する工程（Ｅ）と
を含む窒化物半導体素子の製造方法であって、
前記ＡｌuＧａvＩｎwＮ結晶層は、前記窒化物半導体基板に含まれる第１不純物とは異なる第２不純物を含有しており、
前記ＡｌuＧａvＩｎwＮ結晶層における前記第２不純物の平均濃度は、前記窒化物半導体基板の主面における前記第１不純物の平均濃度よりも低い窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項１７】
前記工程（Ｃ）の前に、前記窒化物半導体基板の主面に平行な上面を有する複数のストライプ状リッジを前記ＡｌｕＧａｖＩｎｗＮ結晶層に形成する工程を含み、
前記工程（Ｃ）は、前記第１窒化物半導体層を前記複数のストライプ状リッジの上面に選択的に成長させる工程を含む請求項１６に記載の製造方法。
【請求項１８】
前記工程（Ｃ）を行なう前において、前記ＡｌuＧａvＩｎwＮ結晶層または窒化物半導
体基板のうち、前記複数のストライプ状リッジが形成されていない領域を選択成長用マスクで覆う、請求項１６または１７に記載の製造方法。
【請求項１９】
前記工程（Ｃ）を行なう前において、前記ＡｌuＧａvＩｎwＮ結晶層または窒化物半導
体基板のうち、前記複数のストライプ状リッジが形成されていない領域および各ストライプ状リッジの側面を選択成長用マスクで覆う、請求項１６または１７に記載の製造方法。
【請求項２０】
キャリアが注入する領域は、前記隣接する２つのストライプ状リッジの間の上部に形成される請求項１６から１８のいずれかに記載の製造方法。
【請求項２１】
研磨された主面を有し、前記主面における平均濃度が１×１０17ｃｍ-3以上である第１不純物を含有する窒化物半導体基板と、
前記窒化物半導体基板の主面上に成長したＡｌuＧａvＩｎwＮ結晶層（０≦ｕ、ｖ、ｗ
≦１：ｕ＋ｖ＋ｗ＝１）と、
前記ＡｌuＧａvＩｎwＮ結晶層の上面に形成された複数のストライプ状領域の各々に対
して選択的に成長したＡｌxＧａyＩｎzＮ結晶（０≦ｘ、ｙ、ｚ≦１：ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）
とを含む窒化物半導体であって、
前記ＡｌuＧａvＩｎwＮ結晶層は、前記窒化物半導体基板に含まれる第１不純物とは異
なる第２不純物を含有しており、
前記ＡｌuＧａvＩｎwＮ結晶層における前記第２不純物の平均濃度は、前記窒化物半導
体基板の主面における前記第１不純物の平均濃度よりも低い窒化物半導体。
【請求項２２】
前記窒化物半導体基板の前記主面における前記第１不純物の濃度の最大値をｎmax、最小値をｎminとするとき、ｎmax／ｎminは１０以上である請求項１に記載の窒化物半導体。
【請求項２３】
前記ＡｌxＧａyＩｎzＮ結晶の成長温度における前記第１不純物の蒸気圧は、前記成長
温度における前記第２不純物の蒸気圧よりも高い請求項２１または２２に記載の窒化物半
【請求項２４】
請求項２１から２３のいずれかに記載の窒化物半導体と、
前記窒化物半導体上に設けられ、活性層を含む半導体積層構造と、
前記活性層の一部の領域にキャリアを選択的に注入する電流狭窄構造と、
を備えた窒化物半導体素子。