(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定幅以上のゼロボルト期間を有する加熱パルスを生成する加熱パルス発生部と、
この加熱パルスに基づいて基準パルスを生成する基準パルス発生部と、
前記基準パルスに同期して温度制御動作を実行する制御部と、
前記加熱パルスを受けて半田ティップを加熱するとともに半田ティップの温度に対応したセンサ信号を出力する加熱部と、
前記加熱パルス発生部と前記加熱部の間に配置され、前記制御部からの制御信号に基づいてON／OFF動作するスイッチング部と、
前記加熱部からのセンサ信号を定常的に受けるとともに、前記スイッチング部がON動作中は前記加熱パルスも受けて、前記制御部に伝える増幅部とを備え、
前記温度制御動作として、前記制御部は、前記基準パルスの周期の複数倍であるM倍を温度制御サイクルTとし、この温度制御サイクルTにおいて、前記加熱部に対して可変個数Nの加熱パルスを供給することによって半田ティップの温度を制御しており、
前記温度制御動作として、前記制御部は、前記増幅部からのセンサ信号を前記ゼロボルト期間のみに取り込み、このセンサ信号に基づいて前記可変個数Nの値を決定し、決定された個数Nに対応して前記スイッチング部のON動作時間を決定するようにしている温度制御装置。
【請求項２】
前記加熱パルス発生部は、全波整流回路と、全波整流回路に直列接続される付加ダイオードとによって構成されている請求項１に記載の温度制御装置。
【請求項３】
前記制御部は、CPUとA／Dコンバータとを備えており、前記基準パルスは割り込み信号として前記CPUに供給され、この割り込み信号に起因して開始される一連の割り込み処理プログラムにおいて、前記可変個数Nの決定処理を分散的に処理している請求項１に記載の温度制御装置。
【請求項４】
前記制御部は、CPUとA／Dコンバータとを備えており、前記A／Dコンバータによって前記加熱部からのセンサ信号を計測温度データに変換し、この計測温度データと設定温度の温度差に基づいて、非線形な関係で前記可変個数Nを決定するようにした請求項１に記載の温度制御装置。
【請求項５】
前記制御部は、計測温度データと設定温度の温度差の二乗値に基づいて、前記可変個数Nを決定している請求項４に記載の温度制御装置。
【請求項６】
前記可変個数Nが連続して所定値以下である場合には、半田ごてが非使用状態であると判断して、動作モードを通常モードから休止モードに切り換え、前記可変個数Nの値を強制的にゼロに設定するようにした請求項１〜５のいずれか１項に記載の温度制御装置。
【請求項７】
前記制御部は、キー入力部を監視しており、何らかのキー操作があった場合には、休止モードから通常モードに復旧させるようにしている請求項６に記載の温度制御装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半田ティップの温度を制御する温度制御装置に関し、より詳細には、簡単な回路構成でありながら、優れた温度制御性能を実現する温度制御装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半田ごてのこて先、つまり半田ティップの温度を制御する方法としては、例えば、米国特許第５０４３５６０号の発明が知られている。この発明は、交流電圧の半サイクル内で、半田ごての通電期間を０−１００％の範囲で変化させるものであり、パルス幅制御方式と呼ばれる技術を採用している。この発明は、各半サイクル（Ｈ≒８．３ｍS）ごとに温度制御をするために追従性には優れていると一応は考えられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、本発明者が検討したところによると、半田ティップの熱応答性能に合わせた制御で充分であり、数ｍSごとに温度制御しても、数１０ｍSごとに温度制御するのと性能的にあまり差異が生じないことが明らかになった。
【０００４】
しかも、上記の発明のようにパルス制御方式を採る場合には、半田ティップの温度に応じて図６のような形状の波形が生成されるので、ヒータへの供給電圧は、OFF状態から一挙にON状態に立ち上がることになり、高周波ノイズが発生してしまうことになる。この高周波ノイズは、通電期間（Ｈ−Ｔ）がＨ／２に近いほど顕著であり、仮に、ヒータに直流電圧を供給したとしてもパルス幅制御方式を採用する限り改善されることはない。
【０００５】
さらにまた、米国特許第５０４３５６０号の発明は、この発明を実現するうえで回路構成が複雑にならざるを得ず、しかも、画一的な制御性能しか発揮できないために、特に作業開始時や作業休止時の制御性能に不満があった。
本発明は、上記の問題点に着目してなされたものであって、きわめてシンプルな回路構成であるにも係わらず、優れた制御性能を実現する半田ごての温度制御装置を提供することを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本発明に係る温度制御装置は、所定幅以上のゼロボルト期間を有する加熱パルスを生成する加熱パルス発生部と、この加熱パルスに基づいて基準パルスを生成する基準パルス発生部と、前記基準パルスに同期して温度制御動作を実行する制御部と、前記加熱パルスを受けて半田ティップを加熱するとともに半田ティップの温度に対応したセンサ信号を出力する加熱部と、前記加熱パルス発生部と前記加熱部の間に配置され、前記制御部からの制御信号に基づいてON／OFF動作するスイッチング部と、前記加熱部からのセンサ信号を定常的に受けるとともに、前記スイッチング部がON動作中は前記加熱パルスも受けて、前記制御部に伝える増幅部とを備えて構成されている。そして、前記温度制御動作として、前記制御部は、前記基準パルスの周期の複数倍であるM倍を温度制御サイクルTとし、この温度制御サイクルTにおいて、前記加熱部に対して可変個数Nの加熱パルスを供給することによって半田ティップの温度を制御しており、前記温度制御動作として、前記制御部は、前記増幅部からのセンサ信号を前記ゼロボルト期間のみに取り込み、このセンサ信号に基づいて前記可変個数Nの値を決定し、決定された個数Nに対応して前記スイッチング部のON動作時間を決定するようにしている。
【０００７】
本発明に係る加熱パルス発生部では、所定幅以上のゼロボルト期間を有する加熱パルスを生成しているので、制御部は、このゼロボルト期間を利用して増幅部からのセンサ信号を取り込むことができる。したがって、従来の装置のように、センサ信号の取り込み時に加熱パルスを遮断する必要がなくなり、増幅部は加熱部からのセンサ信号を定常的に受けることができ、回路構成や制御内容を簡略化することができる。
【０００８】
また、本発明に係る制御部は、基準パルスの周期のM倍を温度制御サイクルTとし、この温度制御サイクルTにおいて、加熱部に対して可変個数Nの加熱パルスを供給することによって半田ティップの温度を制御しているので、半田ティップの熱応答性に対応した最適な頻度での温度制御が可能となる。また、この制御部は、センサ信号に基づいて前記可変個数Nの値を決定し、決定された個数Nに対応してスイッチング部のON動作時間を決定しているので、OFF状態から一挙にON状態に立ち上がる加熱電圧が存在せず高周波パルスの発生の恐れがない。
【０００９】
本発明はまた、前記構成に加えて、前記可変個数Nが連続して所定値以下である場合には、半田ごてが非使用状態であると判断して、動作モードを通常モードから休止モードに切り換え、前記可変個数Nの値を強制的にゼロに設定するようにしている。
この発明によれば、半田付け作業の休止状態を確実に検出できるとともに、作業休止時には半田ティップの温度を低下させるので、無駄な電力消費を無くすとともに半田ティップの寿命を延ばしている。しかも、本発明では、休止時には半田ティップの温度が室温まで降下しているので、誤って半田ティップに触れたとしても火傷などをする恐れがない。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例について図面を参照しつつ具体的に説明する。図１は、本実施例に係る温度制御装置の概略構成を示すブロック図であり、図２は図１の各部の波形を図示したタイムチャートである。
【００１１】
図１に示す通り、この温度制御装置は、商用交流電源に基づいて脈流パルスを生成する電源回路１と、脈流パルスに基づいてゼロクロスパルスを発生させるゼロクロス検出部２と、ゼロクロスパルスを割込み端子INTに受けると共に各部の動作を制御するマイコンユニット３と、半田ティップTipを加熱すると共にその温度を検出するヒータセンサ複合体４と、マイコンユニット３からの制御信号に基づいてON／OFF動作をするスイッチング部５と、ヒータセンサ複合体４からのセンサ電圧を増幅する増幅部６と、センサ電圧を高分解能で検出するために動作する電圧調整部７と、半田ティップTipの温度を設定するために操作されるキー入力部８と、半田ティップTipの温度を表示する表示部９とで構成されている。
【００１２】
電源回路１は、具体的には、電源トランス１０と全波整流回路１１とで構成されている。電源トランス１０は、一次電圧が１００ｖ（または１２０ｖ）である入力交流電源を、１５ｖの二次電圧にまで降圧するものである。全波整流回路１１は、二次交流電圧（１５ｖ）を整流して脈流パルスを生成する回路であり、いわゆるブリッジ回路を形成するダイオードＤ１〜Ｄ４と、ダイオードＤ１〜Ｄ４に直列に接続される付加ダイオードＤ５とで構成されている。
【００１３】
このように、本実施例では、全波整流回路１１がダイオード５個で構成されているので、整流された電流の通路は、Ｄ１→負荷→Ｄ５→Ｄ４か、またはＤ２→負荷→Ｄ５→Ｄ３のいずれかとなり、電源トランス１０の二次電圧が３×ＶF以上でない場合には整流電流が流れないことになる。使用するダイオードＤ１〜Ｄ５の順方向電圧降下ＶFは、全てほぼ０．９Ｖ程度であるので、全波整流回路１１の出力には、各脈流パルスの間に少なくとも０．６ｍＳ程度のゼロボルト期間τが形成されることになる（図２（ａ）参照）。なお、ゼロボルト期間τは、ＳＱＲ（２）×１５×ＳＩN（θ）≒０．９×３より算出される。
【００１４】
ゼロクロス検出部２は、具体的には飽和型の増幅器で構成されており、図２（ａ）に示す脈流パルスを反転増幅することによってゼロクロスパルスを生成している。そして、このゼロクロスパルスは、マイコンユニット３の割込み端子INTに供給されている。なお、マイコンユニット３は、この割込みパルスに基づいて割込み処理プログラムを実行するが、本実施例では、割込みパルス（＝ゼロクロスパルス）１０個分を制御サイクルTとしており、この制御サイクルTの間に、温度データの取得や、次回の制御サイクルにおけるスイッチング部５の動作時間の決定などを行っている。なお、制御サイクルTは、電源周波数をｆとすると５／ｆであるから、ｆ＝６０Hzの場合には８３．３ｍＳ、ｆ＝５０Hzの場合には１００ｍＳである。
【００１５】
マイコンユニット３は、Ａ／Ｄコンバータを内蔵したワンチップマイコンCPUで構成されており、ワンチップマイコンCPUは、ROMに記憶されているプログラムに基づいて装置各部の動作を制御している。このワンチップマイコンCPUには、出力ポートPORT1，PORT2が設けられており、出力ポートPORT1の出力データによって、スイッチング部５のON／OFF動作を制御し、出力ポートPORT2の出力データによって、電圧調整回路７の動作内容を変えるようにしている。
【００１６】
また、ワンチップマイコンCPUには、内蔵するＡ／Ｄコンバータにつながるアナログ入力端子ADINが設けられ、このアナログ入力端子ADINには、電圧調整回路７の出力電圧が入力されるようになっている。なお、ワンチップマイコンCPUの割り込み端子INTには、ゼロクロス検出部２からのゼロクロスパルスが加えられるのは前述した通りである。
【００１７】
図３（ａ）に示すように、ヒータ・センサ複合体４は、コイル状に巻かれた加熱線材１２の先端部１２ａと、直線状の非加熱線材１３の先端部１３ａとがアルゴン溶接によって接続されて構成されている。そして、加熱線材１２の基端部１２ｂは、直線状の非加熱線材１４に接続されている。加熱線材１２の材料は、鉄クロム合金であり、その成分を示すと表１の通りである。このような鉄クロム合金として、本実施例では、カンタルＤ（カンタル社のカンタル線）を用いており、その主要な成分比率は、Ｃｒ＝２２．０，Ａｌ＝４．８である。なお、Ｃｒ＝２２．０，Ａｌ＝５．８や、Ｃｒ＝２２．０，Ａｌ＝５．３や、Ｃｒ＝２０．０，Ａｌ＝４．０の成分比率ものを使用するのも好適である。
【００１８】
【表１】
0004156756.tif 000002
【００１９】
非加熱線材１３は、具体的にはニッケル線で構成されており、非加熱線材１４と加熱線材１２とは、同じカンタル線で構成されている。但し、非加熱線材１４による発熱を防ぐため、非加熱線材１４の線径は、加熱線材１２の線径の２．５倍程度に設定されている。このように構成されたヒータ・センサ複合体４に通電すると、加熱線材１２が発熱することによって図３（ｂ）のような温度分布になると考えられる。すなわち、非加熱線材１３，１４の基端部１３ｂ，１４ｂは、ほぼ同一の温度T0であるのに対して、アルゴン溶接点１３ａ，１２ａは、温度T1  であり、加熱線材１２は、その中央部が高温になると解される。
【００２０】
そして、カンタル線（１２，１４）とニッケル線（１３）とで熱電対が構成されているので、ニッケル線のゼーベック係数をα、カンタル線のゼーベック係数をβとすると、非加熱線材１３（ニッケル線）の基端部１３ｂと、非加熱線材１４（カンタル線）の基端部１４ｂとの間には、ほぼ、α（T1−T0）−β（T1−T0）の起電力が発生することになる。ここで、αとβとは異符号であるので、非加熱線材１３，１４の起電力は、互いに加算され、この起電力がセンサ電圧として半田ティップの温度測定に活用されることになる。なお、非加熱線材１３，１４の基端部１３ｂ，１４ｂの位置には、サーミスタTHが配置されており（図１参照）、このサーミスタTHによって、基端部１３ｂ，１４ｂの温度T0が計測されるようになっている。
【００２１】
図１に示すように、スイッチング部５は、具体的には電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）によって構成されており、このFETは、ワンチップマイコンCPUの出力ポートPORT1の出力に基づいてON／OFF動作している。スイッチング部５は、脈流パルス１０個分の期間である制御サイクル中、脈流パルスN個分の期間（＝N×T／１０）だけがON状態となり、この期間内のN個の脈流パルスをヒータセンサ複合体４に供給している（図２（ｂ），（ｃ）参照）。そのため、スイッチング部５のON状態が長いほど、ヒータセンサ複合体４に供給される脈流パルスの個数が多くなり、半田ティップはより高温に加熱されることになる。
【００２２】
増幅部６は、ヒータセンサ複合体４からのセンサ電圧を増幅する第１アンプ２０と、第１アンプ２０とサーミスタTHの出力を加算して増幅する第２アンプ２１とで構成されている。第１アンプ２０に加わる入力電圧は、スイッチング部５がON状態であるかOFF状態にあるかによって大きく相違し、ON状態であれば脈流パルスとセンサ電圧とが重畳された電圧であり、OFF状態であればセンサ電圧のみとなる。但し、各脈流パルスの間には、０．６ｍＳ程度のゼロボルト期間τが存在するので（図２（ａ）参照）、この期間τにおいては、第１アンプ２０にはセンサ電圧のみが加わることになる。
【００２３】
センサ電圧は、第２アンプ２１においてサーミスタTHの出力電圧と加算され、電圧調整回路７を経た後でワンチップマイコンCPUのアナログ入力端子ADINに供給される。そして、ワンチップマイコンCPUは、ゼロクロスパルスによって起動される割込み処理プログラムにおいてアナログ入力端子ADINの信号を読むので、この読み込み期間は前記ゼロボルト期間τに一致することになり、ワンチップマイコンCPUは、センサ電圧とサーミスタTHの出力電圧の加算値（つまり、T0＋T1に対応する電圧Vin）を正しく読むことができる。
【００２４】
電圧調整回路７は、必要に応じて第２アンプ２１の出力Vinに付加電圧δを加算して、加算後の電圧をワンチップマイコンCPUのアナログ入力端子ADINに供給する回路である。つまり、アナログ入力端子ADINには、VinまたはVin＋δの電圧が加わるようになっている。このような処理をするのは、Ａ／Ｄコンバータの分解能を２倍するためであるが、その原理を説明すると以下の通りである。
【００２５】
本実施例のＡ／Ｄコンバータは、入力アナログ電圧を０〜２５５のデジタルデータに変換する能力しかなく、このような分解能のＡ／Ｄコンバータを用いて入力アナログ電圧を０〜５１１のデータに変換する場合を想定する。
かかる場合には、例えば、１００．４のレベルの入力アナログ電圧Vinも、１００．５のレベルの入力アナログ電圧Vinも、Ａ／Ｄコンバータの分解能に基づき、ともにデジタルデータ１００としてしか認識できないことになる。
そこで、電圧調整回路７では、最初、０．５のレベルのアナログ電圧δを入力アナログ電圧Vinに加算するようにしている。すると、入力アナログ電圧Vinが１００．４の場合にはデジタルデータ１００として認識され、一方、入力アナログ電圧がVin１００．５の場合には、デジタルデータ１０１として認識されることになる（これを補正データａとする）。
【００２６】
次に、電圧調整回路７は、入力アナログ電圧VinをそのままのレベルでＡ／Ｄコンバータに供給するので、Ａ／Ｄコンバータは、１００．４のレベルの入力アナログ電圧も１００．５のレベルの入力アナログVinも、ともにデジタルデータ１００として認識することになる（これを生データｂとする）。このようにして得られた２種類のデータａ，ｂを加算すると、１００．４のレベルの入力アナログ電圧は、デジタルデータ２００（＝１００＋１００）に変換され、１００．５のレベルの入力アナログ電圧は、デジタルデータ２０１（＝１０１＋１００）に変換されることになる。
以上の処理によって、９９．５≦Ｄ１＜１００．５のデータは２００に変換され、１００．５≦Ｄ１＜１０１．５のデータは２０１に変換されることになり、結局、０〜２５５のデジタルデータに変換する能力しかないＡ／Ｄコンバータを用いて、入力アナログ電圧Vinを０〜５１１のデジタルデータに変換できるのである。
【００２７】
続いて、以上の構成からなる温度制御装置について動作内容を説明する。
前述したように、ワンチップマイコンCPUの割り込み端子INTには、周期１／（２×ｆ）のゼロクロスパルスが加わっており、ゼロクロスパルス１０個分を制御サイクルT（＝５／ｆ）として温度制御動作を実現している。つまり、本装置では、ゼロクロスパルス（割り込み信号）によって起動される割り込み処理プログラムにおいて、半田ティップTipの温度を制御することによって、半田ティップTipの温度をキー入力部８からの設定値に一致させるようにしている。
【００２８】
処理内容を具体的に説明すると、各制御サイクルTiにおいて第１回目から第４回目の割込み処理プログラムにおいては、ワンチップマイコンCPUは出力ポートPORT2にHレベルの電圧を出力し、アナログ入力端子ADINにVin＋δの電圧が加わるようにしている（補正データ群ａ1，ａ2，ａ3，ａ4とする）。
そして、ワンチップマイコンCPUは、第１回目から第３回目の割込み処理プログラムにおいてSUM←SUM＋ａiの計算をし、第４回目の割込み処理プログラムにおいて、SUM←SUM＋ａ4の計算をした後、ａ←SUM／４の計算をして補正データ群ａ1，ａ2，ａ3，ａ4を平均化している。
【００２９】
次に、第５回目から第８回目の割込み処理プログラムにおいては、ワンチップマイコンCPUは、出力ポートPORT2にLレベルの電圧を出力し、アナログ入力端子ADINにVinの電圧がそのまま加わるようにしている（生データ群ｂ1，ｂ2，ｂ3，ｂ4とする）。そして、ワンチップマイコンCPUは、第５回目から第７回目の割込み処理プログラムにおいてSUM←SUM＋ｂiの計算をし、第８回目の割込み処理プログラムにおいて、SUM←SUM＋ｂ4の計算をした後、ｂ←SUM／４の計算をして生データ群ｂ1，ｂ2，ｂ3，ｂ4を平均化している。
【００３０】
続いて、ワンチップマイコンCPUは、第９回目の割込み処理プログラムにおいてａ＋ｂ±OFFSETの演算をして、入力電圧Vinと入力電圧Vin＋δの加算処理をしている。この加算処理によって、分解能２５６のＡ／Ｄコンバータを用いているにも係わらず、入力アナログ電圧Vinを５１２の分解能でデジタルデータTempに変換することができる。なお、OFFSETの値は、こて先部分の熱容量に基づいて予め決定されており、センサ部の温度とこて先部分の作業面との温度差を補正するためのものである。
【００３１】
最後に、ワンチップマイコンCPUは、第１０回目の割込み処理プログラムにおいて、Ａ／Ｄコンバータから得られたデジタルデータTempを、ユーザーによってキー入力部から設定されている設定温度Refと比較し、Ref≦Tempであった場合には数値Nをゼロに設定する（図４のST3参照）。第１０回目の割り込み処理プログラムにおいて設定される数値Nは、次回の制御サイクルTi+1における脈流パルスの供給個数である。そのため、ワンチップマイコンCPUは、次回の制御サイクルTi+1において、デジタル出力ポートPORT1にずっとLレベルの信号を出力し、スイッチング部５がずっとOFF状態であるためにヒータセンサ複合体４に脈流パルスが供給されることはなく、半田ティップTipの温度は低下することになる。
【００３２】
一方、比較処理の結果、Ref＞Tempであった場合には、図４のＳT２の処理に移行し、P×（（Temp−Ref）／１０）2の処理をして、算出結果に基づいて該当する整数値Nを設定する。この整数値Nは、次回の制御サイクルTi+1における脈流パルスの供給個数であるから、ワンチップマイコンCPUは、次回の制御サイクルTi+1において、Nパルス分、ワンチップマイコンCPUのデジタル出力PORT1をHレベルにすることになる。
【００３３】
図４のＳT２の処理における係数Ｐは、半田ティップの熱容量に基づいて決定されるが、本装置では、脈流パルスの供給個数Nが設定温度との温度差（Temp−Ref）の二乗に比例するので（図５の曲線Aを参照）、温度差（Temp−Ref）に比例した脈流パルスを供給する場合（図５の直線Bを参照）に比べて、制御性能を向上させることができる。すなわち、図５に示す曲線Aと直線Bとを比較すると明らかなように、本実施例の場合、温度差が小さい場合には供給パルス数Nが少ないのに対して、温度差が大きい場合には供給パルス数Nが急激に大きくなる。そのため、例えば、半田付け作業に入った当初などは半田ティップの温度を一気に上昇させることができ、一方、所定温度域まで半田ティップの温度を上昇させた後は、供給パルス数Nが少ない分だけ温度の増減幅を緩やかにすることができる。
【００３４】
以上の通り、本装置では、制御サイクルT中に、何個の脈流パルスを供給するかによって半田ティップの温度を制御しており、従来装置のように電圧が急激に立ち上がる瞬間がないので、高周波ノイズの発生を心配する必要がない。しかも、ヒータセンサ複合体に供給される脈流の個数Nは、設定温度との温度差（Temp−Ref）の二乗に比例するので、制御性能を向上させることができる。
【００３５】
また、本装置では、半田作業が長時間にわたって中断されているような場合には、ヒータセンサ複合体４への通電を自動的に遮断するようにしており、無駄な電力消費を無くすとともに半田ティップの寿命を延ばしている。すなわち、ワンチップマイコンCPUは、各制御サイクルのおける脈流パルスの供給個数Nが所定値N1（例えば５）以上の場合には、半田ごて使用中と判断するが、供給個数が所定値N1未満の場合には、半田ごてが使用されていない（アイドリング中）と判断するようにしている。
【００３６】
そして、供給個数が所定値N1未満のアイドリング状態となると、自動的にその継続時間を計測し、アイドリング状態が一定時間（例えば３０分）持続すると警告音を発声した後、休止動作に突入するようにしている。
休止動作中は、出力ポートPORT1の出力をLレベルにしてヒータセンサ複合体４への通電を完全に停止するが、一方、割り込み処理プログラムにおける温度計測処理は持続しており、ワンチップマイコンCPUは、常時、半田ティップTipの温度を監視している。また、ワンチップマイコンCPUは、キー入力部８が操作されるか否かも、常時、監視している。
【００３７】
そして、何らかのキー入力があった場合には、休止動作を中止して通常の温度制御動作を再開する。一方、キー入力がないために半田ティップTipの温度が低下しつづけ所定温度Te（例えば、１００℃）となった場合には、キー入力部の操作を無視することにし、キー入力部の操作に係わらず休止動作を持続させる。なお、電源スイッチをOFFにした後、改めて電源スイッチをONにすれば、休止動作から通常の制御動作に移行させることができる。
【００３８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、きわめてシンプルな回路構成であるのも係わらず、優れた制御性能を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す回路ブロック図である。
【図２】図１の各部（A，B，C，D）の波形を示すタイムチャートである。
【図３】ヒータセンサ複合体の概略構成（ａ）と、ヒータ部の温度分布（ｂ）とを図示したものである。
【図４】計測温度と設定温度の差に基づいて、脈流パルスの供給個数Nを決定する場合のアルゴリズムを説明するフローチャートである。
【図５】図４に示すアルゴリズムで制御した場合の、温度差と供給個数Nの関係を図示したものである。
【図６】従来技術を説明するための波形図である。
【符号の説明】
１   加熱パルス発生部（電源回路）
２   基準パルス発生部（ゼロクロス検出部）
３   制御部（マイコンユニット）
４   加熱部（ヒータセンサ複合体）
５   スイッチング部
６   増幅部
【図１】
0004156756.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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