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【手続補正書】
【提出日】平成20年6月17日(2008.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プレス加工が施されたリードフレームの連続体に残留する残留歪を、前記連続体を加熱冷却して除去する際に、
該連続体を加熱冷却処理する加熱処理装置として、第１駆動ローラと第１従動ローラとから成る一対のローラ間に無端状に巻き付けられ、所定張力で引っ張られて回転している第１金属ベルトと、第２駆動ローラと第２従動ローラとから成る一対のローラ間に無端状に巻き付けられ、所定張力で引っ張られて回転している第２金属ベルトとが、前記第１金属ベルト及び第２金属ベルトの駆動ローラ方向に走行する部分が所定の接圧力で重ね合わされており、前記重ね合わされた二枚の金属ベルトが加熱領域と冷却領域とを貫通して走行する加熱冷却処理装置を用い、
前記二枚の金属ベルトの間に、前記連続体の全体を挟み込んで拘束しつつ加熱処理した後、冷却処理してから前記拘束を解除することを特徴とするリードフレームの連続体の製造方法。
【請求項２】
リードフレームの連続体を、張力を加えつつ単独で予備加熱し、引き続いて加熱領域に供給する請求項１記載のリードフレームの連続体の製造方法。
【請求項３】
重ね合わされた二枚の金属ベルトに沿って一対のバックアップローラから成る複数個の把持手段を配設し、前記把持手段を構成する一対のバックアップローラの間に重ね合わせた二枚の金属ベルトを挟み込んで所定の接圧力を付与する請求項１又は請求項２記載のリードフレームの連続体の製造方法。
【請求項４】
第１従動ローラとして用いた第１加熱ローラと第２従動ローラとして用いた第２加熱ローラとを含む領域及びその近傍を加熱領域とする請求項１〜３のいずれか一項記載のリードフレームの連続体の製造方法。
【請求項５】
連続体として、重ね合わされている二枚の金属ベルトの走行方向と異なる方向に走行する連続体を用い、前記連続体を二枚の金属ベルトの間に供給できるように、前記連続体の一面側を金属ベルトの一方が摺接して走行する第１従動ローラ又は第２従動ローラに摺接させて前記連続体の走行方向を変更する請求項１〜４のいずれか一項記載のリードフレームの連続体の製造方法。
【請求項６】
第１従動ローラとして用いた第１加熱ローラと、第２従動ローラとして用いた第２加熱ローラとの他に第３加熱ローラを設け、
連続体として、重ね合わされている二枚の金属ベルトの走行方向と異なる方向に走行する連続体を用い、前記連続体の一面側を第３加熱ローラの表面に接触して走行させた後、前記連続体を二枚の金属ベルトの間に供給できるように、前記連続体の他面側を金属ベルトの一方が摺接して走行する第１従動ローラ又は第２従動ローラに摺接させて前記連続体の走行方向を変更する請求項１〜４のいずれか一項記載のリードフレームの連続体の製造方法。
【請求項７】
プレス加工が施されたリードフレームの連続体に残留する残留歪を、前記連続体を加熱冷却して除去する加熱冷却処理装置であって、
第１駆動ローラと第１従動ローラとから成る一対のローラ間に無端状に巻き付けられ、所定張力で引っ張られて回転している第１金属ベルトと、
第２駆動ローラと第２従動ローラとから成る一対のローラ間に無端状に巻き付けられ、所定張力で引っ張られて回転している第２金属ベルトとが設けられ、
前記第１金属ベルトの第１駆動ローラ方向に走行する部分と、前記第２金属ベルトの第２駆動ローラ方向に走行する部分とが所定の接圧力で重ね合わされており、
前記重ね合わされた二枚の金属ベルトの間に供給された前記連続体の全体を拘束して加熱冷却できるように、前記二枚の金属ベルトが加熱領域と冷却領域とを貫通して走行可能に設けられていることを特徴とするリードフレームの連続体の加熱冷却処理装置。
【請求項８】
加熱領域に供給される連続体に単独で予備加熱を施す予熱部が、前記加熱領域の直前に設けられており、前記予熱部を通過する連続体に張力を付与する張力付加ローラが設けられている請求項７記載のリードフレームの連続体の加熱冷却処理装置。
【請求項９】
重ね合わされている二枚の金属ベルトに沿って一対のバックアップローラから成る複数個の把持手段が配設され、前記把持手段を構成する一対のバックアップローラの間に、二枚の金属ベルトが所定の接圧力で重ね合わせられるように、前記二枚の金属ベルトが挟み込まれている請求項７又は請求項８記載のリードフレームの連続体の加熱冷却処理装置。
【請求項１０】
第１従動ローラとして用いた第１加熱ローラと第２従動ローラとして用いた第２加熱ローラとを含む領域及びその近傍が加熱領域である請求項７〜９のいずれか一項記載のリードフレームの連続体の加熱冷却処理装置。
【請求項１１】
第１従動ローラ又は第２従動ローラが、重ね合わされている二枚の金属ベルトの走行方向と異なる方向に走行する連続体の一面側を、前記第１従動ローラ又は第２従動ローラの表面に沿って走行させて、前記連続体の走行方向を二枚の金属ベルトの間に供給できる方向に変更するガイドローラでもある請求項７〜１０のいずれか一項記載のリードフレームの連続体の加熱冷却処理装置。
【請求項１２】
第１従動ローラとして用いた第１加熱ローラと、第２従動ローラとして用いた第２加熱ローラとの他に第３加熱ローラが設けられ、
前記第３加熱ローラの表面に一面側を接触して走行した連続体の他面側を、前記第１従動ローラ又は第２従動ローラの表面に沿って走行させ、重ね合わされている二枚の金属ベルトの走行方向と異なる方向に走行する連続体を、その走行方向を変更して前記二枚の金属ベルトの間に供給できるように、前記第１加熱ローラ、第２加熱ローラ及び第３加熱ローラが配設されている請求項７〜１１のいずれか一項記載のリードフレームの連続体の加熱冷却処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
かかるバックアップローラ１６ａ，１６ｂを図２に示す。下部のバックアップローラ１６ｂは、図２に示す様に、基台３０ａ，３０ｂ上に回転自在に支承されている。この下部のバックアップローラ１６ｂに対し、支持部材３２によって支持されている上部のバックアップローラ１６ａが所定の力で押し付けられている。かかる押付力は支持部材３２に加えられている。この押付力によって、所定の接圧力で第１金属ベルト１２ａ及び第２金属ベルト１２ｂを挟み込むことができる。
この支持部材３２には、図３に示す様に、二本のバックアップローラ１６ａが支持されている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月7日(2008.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
なお、請求項２に示すように、更に、前記第4の半導体領域と前記半導体基板の前記他方の主面との間に配置され且つ第2導電型を有している第５の半導体領域を備え、且つ前記第2の主電極は前記第5の半導体領域に電気的に接続されていることが望ましい。
また、請求項３に示すように、更に、前記第4の半導体領域と前記第5の半導体領域との間に配置され且つ第1導電型を有し且つ前記第4の半導体領域よりも高い不純物濃度を有している第6の半導体領域を備えていることが望ましい。
また、請求項４に示すように、前記第2の主電極を、前記第4の半導体領域にシヨトッキー接触している金属電極とすることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
P+型コレクタ領域７と第２のN型ベース領域３２との間に配置されたN+型バッファ領域６は、P+型コレクタ領域７上に周知のエピタキシャル成長法によって形成されたものであり、その上に形成されている第１及び第２のN型ベース領域３１、３２よりも高い不純物濃度を有する。このN+型バッファ領域６は、P+型コレクタ領域７から第２のN型ベース領域３２に注入される正孔注入量を抑制し、ラッチアップ等を起こり難くする機能を有する。なお、N+型バッファ領域６は、エピタキシャル成長で形成する代わりに、P+型コレクタ領域７を構成するP型半導体基板にN型不純物を拡散して形成しても良い。また、N+型バッファ領域６をN型ベース領域５の一部と考えることもできる。また、N+型バッファ領域６を省くこともできる。この場合には第２のN型ベース領域３２をP+型コレクタ領域７に直接に隣接させる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
P-型リサーフ領域８は、半導体基板１の一方の主面２１における電荷バランスを均一化するためのものであって、P型ベース領域４の外周端に隣接配置され、P型ベース領域４よりも低い不純物濃度を有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図６の４個の内側トレンチ２ａ1と１２個の外側トレンチ２ｂ1は、互いに分離され且つ網目状に規則正しく配置されている。図示の都合上、内側トレンチ２ａ1が４個のみ示されているが、実際には更に多い数（例えば３６個）の内側トレンチ２ａ1を有し、また、更に多い数（例えば２８個）の外側トレンチ２ｂ1を有する。また、実際には、内側トレンチ２ａ1の合計が外側トレンチ２ｂ1の合計よりも多い。Ｎ+型エミッタ領域３ａは、四角型の内側トレンチ２ａ1及び外側トレンチ２ｂ1を環状に囲むパターンを有する。Ｐ型ベース領域４ａは内側トレンチ２ａ1、外側トレンチ２ｂ1、及びエミッタ領域３ａを囲む格子状パターンを有する。点線で示す第１のＮ型ベース領域３１ｂは、平面的に見て内側トレンチ２ａ1を囲むように形成されている。Ｎ-型の第２のＮ型ベース領域３２ｂは、Ｐ-型のリサーフ領域８ａとＮ+型のチャネルストッパ領域９ａとの間において一方の主面１０に環状に露出している。なお、図６の半導体基板１ｃの内側トレンチ２ａ1及び外側トレンチ２ｂ1を横切る縦断面の形状は図２と本質的に同一である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月24日(2008.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に触媒層を有し反応ガスの供給を受けて発電する燃料電池と、この燃料電池に冷媒を供給して該燃料電池の温度を制御する冷媒系と、を備えた燃料電池システムであって、
前記冷媒系は、次回システム始動時における前記燃料電池の温度又は該燃料電池の温度と相関を有する温度が所定温度以下であると推定される場合には、システム停止時に前記冷媒の供給を停止し、前記燃料電池への反応ガス供給を遮断した状態で当該燃料電池に発電させつつ所定時間経過後に該冷媒の供給を再開するものであり、かつ、前記燃料電池と該燃料電池に供給される冷媒との温度差が所定値以下となるように、前記燃料電池への冷媒供給を制御する燃料電池システム。
【請求項２】
前記冷媒系は、前記燃料電池への冷媒供給を間欠的に行う請求項１に記載の燃料電池シ
ステム。
【請求項３】
前記燃料電池から排出される冷媒の温度に基づいて、前記冷媒系の異常を判定する異常
判定部を備えた請求項１または請求項２のいずれかに記載の燃料電池システム。
【請求項４】
内部に触媒層を有し反応ガスの供給を受けて発電する燃料電池と、この燃料電池に冷媒を供給して該燃料電池の温度を制御する冷媒系と、を備えた燃料電池システムの運転停止方法であって、
次回システム始動時における前記燃料電池の温度又は該燃料電池の温度と相関を有する温度が所定温度以下であると推定される場合には、システム停止時に前記冷媒の供給を停止し、前記燃料電池への反応ガス供給を遮断した状態で当該燃料電池に発電させつつ所定時間経過後に該冷媒の供給を再開し、かつ、前記燃料電池と該燃料電池に供給される冷媒との温度差が所定値以下となるように、前記燃料電池への冷媒供給を制御する燃料電池システムの運転停止方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月3日(2008.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鉄筋コンクリート構造物におけるアルカリ骨材反応で劣化したＡＳＲ劣化躯体の外側に鉄筋コンクリート構造の補修体を設けるＡＳＲ対策工法であって、
ＡＳＲ劣化躯体の既設コンクリート量と既設鉄筋量を確認し、既設コンクリート断面積と補修コンクリート断面積の合計コンクリート断面積に対する既設鉄筋断面積と補修鉄筋断面積の合計鉄筋断面積の合計鉄筋比を、主鉄筋方向で０．８５％以上、かつ、補助鉄筋方向で０．３４％以上と夫々成る様に、補修コンクリート断面積と補修鉄筋断面積を算定し、
ＡＳＲ劣化躯体の外側に算定量の補修鉄筋を配筋した後、算定量の補修コンクリート材料を打設する様にした
ことを特徴とするＡＳＲ対策工法。
【請求項２】
鉄筋コンクリート構造物またはＡＳＲ劣化躯体の天端表層を削成し、天端表面に勾配を有する様に、補修体の補修コンクリート打設時に削成した天端表層箇所にコンクリート打設する様にしたことを特徴とする請求項１記載のＡＳＲ対策工法。
【請求項３】
請求項１又は２記載のＡＳＲ対策工法で打設する補修コンクリート材料は、セメント、骨材、低添加型膨張材および収縮低減剤を含み、補修コンクリート材料における低添加型膨張材の単位量は２０〜３０ｋｇ／ｍ3 と成すと共に、収縮低減剤の重量をセメントと低添加型膨張材の結合材の重量の２〜６％と成す様に、セメント、骨材、低添加型膨張材、収縮低減剤および水の量を調製する様にしたことを特徴とするＡＳＲ対策工法。
【請求項４】
鉄筋コンクリート構造物におけるアルカリ骨材反応で劣化したＡＳＲ劣化躯体の外側に鉄筋コンクリート構造の補修体を設けるＡＳＲ対策工法であって、
ＡＳＲ劣化躯体の外側に配筋した後に打設する補修コンクリート材料は、セメント、骨材、低添加型膨張材および収縮低減剤を含み、補修コンクリート材料における低添加型膨張材の単位量は２０〜３０ｋｇ／ｍ3 と成すと共に、収縮低減剤の重量をセメントと低添加型膨張材の結合材の重量の２〜６％と成す様に、セメント、骨材、低添加型膨張材、収縮低減剤および水の量を調製する様にした
ことを特徴とするＡＳＲ対策工法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４に記載のＡＳＲ対策工法で補修されたことを特徴とするＡＳＲ対策構造物。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月2日(2008.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、連通管は、外側膨出部にソケットを設けるとともに、内側膨出部側にブラケットを設けたものであっても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月2日(2008.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
以下、本発明のフューエルデリバリイパイプの実施例１を図１に於いて詳細に説明すれば、(１)は連通管で、内部に燃料通路(９)を設けた一体構造のパイプタイプの素管を、外面から押圧して平坦状の可撓性を有するアブソーブ面(２)を形成している。また、このアブソーブ面(２)は一体構造のパイプタイプの素管の製造時に予め形成したものを連通管(１)として採用するものであってもよい。このアブソーブ面(２)を幅方向からプレス加工により押圧して幅方向の成形凹部(３)を形成している。このアブソーブ面(２)を幅方向からプレス加工により押圧して形成した成形凹部(３)と垂直に交差する連通管(１)の側面に、ボルト挿通用のボルト孔(４)を設けたブラケット(５)をろう付け等により設置している。連通管(１)をブラケット(５)を介し、ボルト、ナット等を締結することによりエンジンに取り付ける際には、成形凹部(３)に工具(図示せず)を挿入配置可能なように連通管と工具の干渉を防止して、この工具取り扱いスペースを確保するものである。また、連通管(１)のブラケット(５)取り付け側の面には、インジェクター(図示せず)を取り付ける為のソケット(６)を複数個設置している。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月18日(2008.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
現在の洋式トイレは、便器本体の底部にトラップ水を溜める溜まり部が設けられ、トラップされたトラップ水内に排便すると共に、水溶性のトイレットペーパーと共に排泄物を、トラップ水と一緒に下水管側に排出するようにしている（例えば特許文献１）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
そのため、この粉砕手段４０は粉砕機構部４０Ａと、その駆動手段４０Ｂ（図３参照）とで構成される。粉砕機構部４０Ａは、図２に示すように複数のカッタ部材４１（４１Ａ，４１Ｂ，・・・）で構成される。図３および図４に示すようにカッタ部材４１はその回転軸４２の軸方向（長手方向）に対して複数のカッタ刃４３（４３Ａ、４３Ｂ、４３Ｃ、・・・）が所定の間隔ΔＬを保持して多数配列されて構成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
このように新たな分岐管８４を設け、ここに給水ホース１２を取り付けることによって簡易洋式トイレ１０に洗浄水を供給できる。なお、第１と第２の分岐口８６，８８との間に逆止弁９０を設置したのは、万が一ホース８９や給水ホース１２側からの水が逆流しても温水洗浄便座側に供給する水と混じり合わないようにするためである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
電源スイッチ５２は簡易洋式トイレ１０を設置するときにスイッチが投入される。これに対し、開閉スイッチ５５は便座２１の上部を閉蓋するための便蓋２３の開閉に関連してオンオフするスイッチである。したがって、図１に示すようにこの例では便蓋２３と対向するように便蓋２３の下面と対峙するように開閉スイッチ５５（開閉検知センサースイッチなど）が取り付けられる。図１の例ではさらに便器本体２０の上面後部側に水抜きスイッチ２４４が設けられている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
排便の用が済んだら便蓋２３を閉じる（図１３Ａ）。閉蓋と判断されると、期間Ｔａに亘って排泄物に対する粉砕処理（裁断および破砕処理）がなされる（図１３Ｂ）。便蓋２３を閉じる動作を検出する代わりに、手動操作によって開閉スイッチ５５に相当するような始動スイッチを作動させて粉砕処理の開始がなされるようにしてもよい。粉砕処理時間Ｔａは汚物やトイレットペーパー、ティッシュペーパーなどを充分粉砕できる時間に選定される。通常は２０秒以下、好ましくは５〜１０秒程度の時間に設定される。充分に裁断・破砕し、固形物などが残滓しないようにするためである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
本例では、ほぼストレート型のカッタ部材４１を２本（一対）使用して粉砕機構部４０Ａを構成した場合を示す。カッタ部材４１は図２の場合のほぼ半分以下の長さである。便器本体２０の外側に粉砕機構部４０Ａの駆動手段が配置されるのは図３の駆動手段４０Ｂの場合と同じである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
一方のガイド部材７０Ａは図２２に示すように、その長手方向（カッタ部材４１の回転軸方向）に複数のガイド板４８（４８ａ，４８ｂ，・・・）が所定の間隙（ピッチ）を保持して配列されて構成される。その相互固定は図２１に示す固定ガイド軸４５ａによって行っている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
一方のカッタ部材４１Ａの回転軸４２ａは、一方のガイド部材７０Ａにおける両端ガイド板４８ａ、４８ｎとによってその両端部が軸支される。そのため、両端ガイド板４８ａと４８ｎ内に存在する複数のガイド板の回転軸４２ａに対応した部分はこの例では回転軸４２ａの回転を阻害しない孔径となっている。回転軸４２ａの部分を切り欠いてもよい。カッタ部材４１Ａを構成する複数のカッタ刃４３はガイド板４８（４８ａ，４８ｂ，４８ｃ，・・・４８ｎ）の間隙内に少許の間隙を空けた状態で収まるようにその配置ピッチが規制される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１９】
洗浄用操作ボタン（操作ボタン）２８０が操作されると洗浄水が便器本体１０８の内周面１０８ａを周回しながら蓋本体２６２の上面を通って溜まり部１８０内に流れ込む。洗浄用操作ボタン２８０の操作状況は、制御部３０によって管理されているので、この洗浄処理が行われると、これと同時に粉砕手段４０が駆動され、粉砕手段４０に落下した排泄物や洗浄水と共に流れ込んだトイレットペーパーなどが粉砕（裁断・破砕）される。生理用品なども洗浄水と一緒に溜まり部１８０内に流れ込むから、洗浄処理に関連して粉砕手段４０を所定時間駆動するようにすれば、これらを裁断し、破砕して排出できる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２１】
なお、洗浄水用タンク５と便器本体１０８との間に設けられた送水管（図示しない）の経路中に、フラッシュバルブに代えて、制御部３００からの遠隔操作が可能なバルブ装置部材（電磁弁等）を配設し、操作ボタン２８０によって制御部３００を介して電気的にフラッシュ操作を行う場合も考えられる。この場合には、他の実施例の如く、粉砕手段４０の駆動開始時期と洗浄水の供給時期とを、適宜異ならせることができる。これにより、粉砕手段４０が所定時間作動して、粉砕処理が完了した後に洗浄水を供給することが可能となる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１８】
2006336429.tif 000001
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２１】
2006336429.tif 000002
【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２６】
2006336429.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月10日(2008.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハブスリーブとギアピースとの間にシンクロナイザリングを介在させる同期装置のハブスリーブに設けられるスリーブスプライン構造であって、
第一歯部から第三歯部を有し、
前記第一歯部は、前記シンクロナイザリングが前記ハブスリーブに対して第一の方向に回転するときに、シンクロナイザリングの歯部に面接触する第一長傾斜面と、前記第一長傾斜面よりも円周方向に沿った長さが短い第一短傾斜面とを含み、
前記第二歯部は、前記シンクロナイザリングが前記ハブスリーブに対して第二の方向に回転するときに前記シンクロナイザリングの歯部に面接触する第二長傾斜面と、前記第二長傾斜面よりも円周方向に沿った長さが短い第二短傾斜面とを含み、
前記第三歯部は、前記第一および第二歯部の先端よりも小さな角をなし、かつ、前記第一および第二歯部の先端よりもギアピースに近い先端を有する、同期装置のスリーブスプライン構造。
【請求項２】
前記第一および第二歯部は互いに隣接して配置される、請求項１に記載の同期装置のスリーブスプライン構造。
【請求項３】
前記第一および第二歯部は先端部を有し、前記第二歯部の先端部は前記第一歯部の先端部に対して対称形状を有する、請求項１に記載の同期装置のスリーブスプライン構造。
【請求項４】
前記第一から第三歯部の合計の数はシンクロナイザリングの歯部の数よりも多い、請求項１に記載の同期装置のスリーブスプライン構造。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月30日(2008.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内周に複列の軌道面を有する外方部材と、これら軌道面に対向する軌道面を有する内方部材と、対向する軌道面間に介在した複列の転動体とを備え、上記内方部材が、車輪取付用のハブフランジを外周に有するハブ輪と、このハブ輪のインボード側端の外周に嵌合した内輪とでなり、これらハブ輪および内輪に前記各列の軌道面を形成した駆動輪支持用の車輪用軸受装置において、
前記内輪の内周面に、この内輪のインボード側の端面まで続き、この端面の内周縁に相当する深さの段差部を設け、前記ハブ輪の加締加工により前記内輪の前記段差部の軸方向に向く面に係合する塑性変形部分を設け、この塑性変形部分は前記内輪の端面から突出しないものとし、前記内輪における前記段差部の軸方向を向く面と内径面との繋ぎ部を曲面としたことを特徴とする車輪用軸受装置。
【請求項２】
前記曲面からなる繋ぎ部の軸方向範囲を、転動体接触角を成す直線上にかからない範囲とした請求項１記載の車輪用軸受装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記ハブ輪の軌道面は焼入れ処理による表面硬化処理面とし、前記加締加工部は非熱処理部とし、前記内輪は表面から芯部までの全体を焼入れ処理により硬化させた車輪用軸受装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月30日(2008.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
１    自動調心ころ軸受
２    外輪
３    内輪
４    球面ころ
５    保持器
６    外輪軌道
７    内輪軌道
８    主部
９    ポケット
１０    外向フランジ部
１１    弾性舌片
１２    凹部
１３    内輪組立体
１４    押圧治具
１５    先端面
１６    傾斜面
１７    台座
１８    揺動腕
１９    球状凹部
２０    案内用球状凹面
２１    凹部
２２    ロータリアクチュエータ
２３    出力盤
２４    アクチュエータ
２５    出力ロッド
２６    通油孔
２７ａ、２７ｂ 光電スイッチ
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月30日(2008.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
又、上記保持部１８は、断面略Ｌ字型で全体を円環状に形成している。そして、この保持部１８内には、上記保持環１５を保持固定している。即ち、この保持環１５の円周方向複数個所に軸方向外方に向けて突設した係止凸部２１を、上記保持部１８の外周寄り部分の円周方向複数個所に設けた係止孔部２２にそれぞれ係止している。これにより、上記保持環１５が上記保持部１８内に保持固定される。この保持環１５内には、上記センサ７を包埋支持して、上記エンコーダ６の被検出部である内周面と径方向に対向させている。この為に、上記保持環１５の内側面に、軸方向外方に凹んだ凹部２３を、全周に亙り形成している。そして、この凹部２３内に上記エンコーダ６を進入させると共に、この凹部２３の内面の一部に上記センサ７の上面の一部を露出させ、上記エンコーダ６の内周面とこのセンサ７の上面の一部とを対向させている。従って、このセンサ７の上面の一部が、前述した検出部となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
１、１ａ、１ｂ、１ｃ  センサ付転がり軸受ユニット
２    外輪
３    内輪
４    転動体
５、５ａ  保持器
６    エンコーダ
７    センサ
８    外輪軌道
９    内輪軌道
１０    ホルダ
１１    円輪部
１２    円筒部
１３    センサハウジング
１４    カバー
１５    保持環
１６    突き当て板部
１７    嵌合筒部
１８    保持部
１９    小径部
２０    段差部
２１    係止凸部
２２    係止孔部
２３    凹部
２４    基板
２５    ハーネス
２６    磁性部材
２７    ポケット
２８    環状空間
２９    シールリング
３０    リム部
３１、３１ａ  密封板
３２    係止溝
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月23日(2008.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の無段変速装置は、従来から知られている無段変速装置と同様に、トロイダル型無段変速機と遊星歯車式変速機とを、クラッチ装置を介して組み合わせて成る。
このうちのクラッチ装置は、減速比を大きくする低速モードを実現する際に接続されて同じく小さくする高速モードを実現する際に接続を断たれる低速用クラッチと、この高速モードを実現する際に接続されて上記低速モードを実現する際に接続を断たれる高速用クラッチと、これら各クラッチの断接状態を切り換える制御器とから成る。
又、この制御器は、上記各クラッチの断接を制御する事により、変速状態を上記低速モードと上記高速モードとのうちの何れかのモードにするものである。
そして、上記制御器に、上記低速モードと上記高速モードとの間でのモード切換時に、上記低速用クラッチと上記高速用クラッチとのうちの一方のクラッチでそれまで接続されていなかったクラッチを接続してから、同じく他方のクラッチでそれまで接続されていたクラッチの接続を断つ機能を持たせる事により、これら両クラッチが同時に接続されている時間を設定している。
特に、本発明の無段変速装置に於いては、上記制御器に、上記両クラッチが同時に接続されている事を、上記トロイダル型無段変速機を通過するトルクの変化に基づいて判定する機能を持たせる。そして、上記モード切換時に、この機能に基づき上記両クラッチが同時に接続されていると判定された事を条件に、上記トロイダル型無段変速機の変速比を補正してから、それまで接続されていた上記他方のクラッチの接続を断つ。尚、上記変速比の補正量は、上記一方のクラッチが接続されてから上記他方のクラッチの接続が断たれるまでの間に、上記トロイダル型無段変速機を通過するトルクの変動に基づき上記変速比が変化（トルクシフト）する量に相当する量とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
一方、上記低速用クラッチ７の接続を断つと共に上記高速用クラッチ８を接続する場合（高速モードを実現する場合）には、上記低速クラッチ用、高速クラッチ用各電磁切換弁３１、３２を通電状態にし、これら各電磁切換弁３１、３２のスプールを、ばねの弾力に抗して、図２の左方（右枡の状態）に変位させる。この結果、上記低速用クラッチ７の油圧室が油溜２８に通じ、この低速用クラッチ７の接続が断たれると共に、上記高速用クラッチ８の油圧室に圧油が導入され、この高速用クラッチ８が接続される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
この様にトロイダル型無段変速機４の変速比を補正しつつ、低速用、高速用両クラッチ７、８の断接状態を制御する前記制御器１６が備える機能に就いて、図３のフローチャートを参照しつつ説明する。尚、このフローチャートに示した作業は、イグニッションスイッチがＯＮされてからＯＦＦされるまでの間、より好ましくは、トロイダル型無段変速機４の変速比がモード切換を行なう値（例えば最大減速比）近傍で運転されている間、繰り返し（自動的に）行なわれる。
先ず、上記制御器１６は、ステップ１で、モード切換を行なう条件が成立しているか否かを判定する。この判定は、例えばトロイダル型無段変速機４の変速比が所定の値（例えば最大減速比＝０．４６）であるか否かを、入力側、出力側両回転センサ３７、３６により検出される入力側、出力側各ディスク１０、１１の回転速度の比に基づいて、或いは、予め求めたステッピングモータ１７のステップ位置と変速比との相関関係に基づいて、判定する。この様なステップ１で、上記トロイダル型無段変速機４の変速比が所定の値ではないと判定された場合には、モード切換は行なわずに終了する（開始に戻る）。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
次いで、ステップ８に示す様に、上記トロイダル型無段変速機４の変速比が補正された（ステップ３で求めた補正量分補正された）か否かを判定する。この判定は、例えば上記変速比を、入力側、出力側両回転センサ３７、３６により検出される入力側、出力側各ディスク１０、１１の回転速度の比に基づいて、或いは、予め求めたステッピングモータ１７のステップ位置と変速比との相関関係に基づいて算出し、この算出された変速比が上記補正された値となったか否かにより判定する。この様なステップ８で、上記変速比が補正された値になっていなければ、上記ステップ７に戻り、この変速比が上記補正された値になるまで繰り返す。そして、上記ステップ８で、上記変速比が補正された値になったと判定されたならば、続くステップ９に示す様に、前記低速用クラッチ７の接続を断つべく、前記低速クラッチ用電磁切換弁３１を切り換える（通電状態をＯＮにする）。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
１    エンジン
２    ダンパ
３    入力軸
４    トロイダル型無段変速機
５    遊星歯車式変速機
６    クラッチ装置
７    低速用クラッチ
８    高速用クラッチ
９    出力軸
１０    入力側ディスク
１１    出力側ディスク
１２    パワーローラ
１３    アクチュエータ
１４    押圧装置
１５    変速比制御ユニット
１６    制御器
１７    ステッピングモータ
１８    ライン圧制御用電磁開閉弁
１９    電磁弁
２０    シフト用電磁弁
２１    制御弁装置
２２    変速比制御弁
２３    差圧シリンダ
２４ａ、２４ｂ  補正用制御弁
２５    高速クラッチ用切換弁
２６    低速クラッチ用切換弁
２７、２７ａ、２７ｂ  オイルポンプ
２８    油溜
２９ａ、２９ｂ  調圧弁
３０    手動油圧切換弁
３１    低速クラッチ用電磁切換弁
３２    高速クラッチ用電磁切換弁
３３ａ、３３ｂ  油圧室
３４、３４ａ、３４ｂ  油圧センサ
３５    スリーブ
３６    出力側回転センサ
３７    入力側回転センサ
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2006336677.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月26日(2008.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タンタルまたはニオブからなる原料粉を熱凝集して凝集粉を得る熱凝集工程と、
前記凝集粉を、差動ロールを備えた解砕機により解砕する解砕工程とを有することを特徴とする金属粉末の製造方法。
【請求項２】
解砕工程前に、凝集粉を予備粉砕する予備粉砕工程を有する請求項１に記載の金属粉末の製造方法。
【請求項３】
原料粉が、タンタル微粉末またはニオブ微粉末を圧縮成形し、差動ロールを備えた解砕機により解砕して得た解砕原料粉である請求項１または２に記載の金属粉末の製造方法。
【請求項４】
原料粉が、タンタル微粉末またはニオブの微粉末を、水をバインダとして造粒して得た造粒粉である請求項１または２に記載の金属粉末の製造方法。
【請求項５】
タンタルまたはニオブからなり、表面に平坦面が３カ所以上形成され、その平坦面の割合が全表面積の３０〜７０％である多面粒子であることを特徴とする金属粉末。
【請求項６】
コンデンサのアノード電極材料に用いられる請求項５に記載の金属粉末。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月9日(2008.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アノードと、カソードと、次式のメタロセンを含む層とを含む光電子能動素子。
【化１】
2005340176.tif 000001
式中、Ｍはジルコニウム又はハフニウムであり、Ｘはハロゲンであり、Ｒ1〜Ｒ5は各々独立に水素、アリール、アルキル、ハロゲン又は−Ｓｉ（Ｒ6）3であるか、或いは１以上の環の２以上の隣接Ｒ置換基が結合して縮合環（非置換であっても、アリール、アルキル、ハロゲン若しくは−Ｓｉ（Ｒ6）3で置換されていてもよく、Ｒ6はアルキル基、置換アルキル基、アリール基又は置換アリール基である。）を形成しているか、或いは各環のＲ1置換基がアンサ架橋基を介して結合している。
【請求項２】
Ｘがフルオロ、クロロ又はブロモであり、Ｒ1〜Ｒ5が各々水素である、請求項１記載の光電子能動素子。
【請求項３】
Ｘがフルオロ、クロロ又はブロモであり、各環のＲ1置換基がアンサ架橋基を介して結合して環を連結しており、アンサ架橋基が−Ｅ（Ｒ6）2であり、Ｅが炭素、ケイ素又はゲルマニウムであり、Ｒ6がアルキル、置換アルキル、メチル、アリール及び置換アリールからなる群から選択される、請求項１記載の光電子能動素子。
【請求項４】
当該光電子能動素子がジルコノセンを含む、請求項１記載の光電子能動素子。
【請求項５】
当該光電子能動素子が、エレクトロルミネセント素子、ＬＥＤ、ＯＬＥＤ、光起電素子、光導電体、光検出器であるか、或いは化学又は生化学センサー中にある、請求項１記載の光電子能動素子。
【請求項６】
メタロセンが発光層中に存在していて当該素子が３００〜１２００ｎｍの波長範囲で発光するか、或いはメタロセンが光吸収層中に存在していて当該素子が３００〜１２００ｎｍの波長範囲の光を吸収するか、或いはメタロセンが正孔阻止層中に存在する、請求項１記載の光電子能動素子。
【請求項７】
メタロセンが、１種以上のメタロセンと１種以上のポリマー又は非ポリマー導電体とを含む複合体の形態で存在する、請求項１記載の光電子能動素子。
【請求項８】
ポリマー導電体がポリ（９−ビニルカルバゾール）又はポリ（フェニルシラン）の１種以上からなる、請求項７記載の光電子能動素子。
【請求項９】
非ポリマー導電体が、アリール置換オキサジアゾール、アリール置換フェナントロリン、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、アリール置換トリアゾール、又は３−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４″−ビフェニル）−１，２，４−トリアゾールの１種以上からなる、請求項７記載の光電子能動素子。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載の光電子能動素子の製造方法であって、メタロセンを真空蒸着によって又は溶液から付着させる工程を含んでなる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月14日(2008.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光素子およびその作製方法、並びに発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電界発光層と、
前記電界発光層上に電荷発生層と、
前記電界発光層と前記電荷発生層の間にベンゾオキサゾール誘導体を含む層と、を有することを特徴とする発光素子。
【請求項２】
電界発光層と、
前記電界発光層上に電荷発生層と、
前記電界発光層と前記電荷発生層の間にピリジン誘導体を含む層と、を有することを特徴とする発光素子。
【請求項３】
第１の電界発光層と、
前記第１の電界発光層上にベンゾオキサゾール誘導体を含む層と、
前記ベンゾオキサゾール誘導体を含む層上に電荷発生層と、
前記電荷発生層上に第２の電界発光層と、を有することを特徴とする発光素子。
【請求項４】
第１の電界発光層と、
前記第１の電界発光層上にピリジン誘導体を含む層と、
前記ピリジン誘導体を含む層上に電荷発生層と、
前記電荷発生層上に第２の電界発光層と、を有することを特徴とする発光素子。
【請求項５】
第１の電極上に第１の電界発光層と、
前記第１の電界発光層上にベンゾオキサゾール誘導体を含む第１の層と、
前記ベンゾオキサゾール誘導体を含む第１の層上に電荷発生層と、
前記電荷発生層上に第２の電界発光層と、
前記第２の電界発光層上にベンゾオキサゾール誘導体を含む第２の層と、
前記ベンゾオキサゾール誘導体を含む第２の層上に第２の電極と、を有することを特徴とする発光素子。
【請求項６】
第１の電極上に第１の電界発光層と、
前記第１の電界発光層上にピリジン誘導体を含む第１の層と、
前記ピリジン誘導体を含む第１の層上に電荷発生層と、
前記電荷発生層上に第２の電界発光層と、
前記第２の電界発光層上にピリジン誘導体を含む第２の層と、
前記ピリジン誘導体を含む第２の層上に第２の電極と、を有することを特徴とする発光素子。
【請求項７】
請求項５または請求項６において、
前記第２の電極はスパッタリング法で形成されていることを特徴とする発光素子。
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第２の電極は透明導電膜であることを特徴とする発光素子。
【請求項９】
複数の電界発光層と、
前記複数の電界発光層の間に電荷発生層と、
前記電荷発生層と接するベンゾオキサゾール誘導体を含む層と、を有することを特徴とする発光素子。
【請求項１０】
複数の電界発光層と、
前記複数の電界発光層の間に電荷発生層と、
前記電荷発生層と接するピリジン誘導体を含む層と、を有することを特徴とする発光素子。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記電荷発生層はスパッタリング法で形成されていることを特徴とする発光素子。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記電荷発生層は透明導電膜であることを特徴とする発光素子。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項に記載の発光素子を用いた発光装置。
【請求項１４】
第１の電界発光層上にベンゾオキサゾール誘導体を含む層を形成し、
前記ベンゾオキサゾール誘導体を含む層に接して電荷発生層を形成し、
前記電荷発生層上に第２の電界発光層を形成することを特徴とする発光素子の作製方法。
【請求項１５】
第１の電界発光層上にピリジン誘導体を含む層を形成し、
前記ピリジン誘導体を含む層に接して電荷発生層を形成し、
前記電荷発生層上に第２の電界発光層を形成することを特徴とする発光素子の作製方法。
【請求項１６】
第１の電極上に第１の電界発光層を形成し、
前記第１の電界発光層上に第１のベンゾオキサゾール誘導体を含む層を形成し、
前記第１のベンゾオキサゾール誘導体を含む層に接して電荷発生層を形成し、
前記電荷発生層上に第２の電界発光層を形成し、
前記第２の電界発光層上に第２のベンゾオキサゾール誘導体を含む層を形成し、
前記第２のベンゾオキサゾール誘導体を含む層に接して第２の電極を形成することを特徴とする発光素子の作製方法。
【請求項１７】
第１の電極上に第１の電界発光層を形成し、
第１の電界発光層上に第１のピリジン誘導体を含む層を形成し、
前記第１のピリジン誘導体を含む層に接して電荷発生層を形成し、
前記電荷発生層上に第２の電界発光層を形成し、
前記第２の電界発光層上に第２のピリジン誘導体を含む層を形成し、
前記第２のピリジン誘導体を含む層に接して第２の電極を形成することを特徴とする発光素子の作製方法。
【請求項１８】
請求項１６または請求項１７において、
前記第２の電極をスパッタリング法で形成することを特徴とする発光素子の作製方法。
【請求項１９】
請求項１４乃至請求項１８のいずれか一項において、
前記電荷発生層をスパッタリング法で形成することを特徴とする発光素子の作製方法。
【請求項２０】
一画素内に複数の発光素子を有し、
前記複数の発光素子はそれぞれ、複数の電界発光層と、前記複数の電界発光層の間に電荷発生層と、前記電荷発生層と接するベンゾオキサゾール誘導体を含む層と、を有し、
前記複数の電界発光層の積層順は、前記複数の発光素子ごとに異なることを特徴とする発光装置。
【請求項２１】
一画素内に複数の発光素子を有し、
前記複数の発光素子はそれぞれ、複数の電界発光層と、前記複数の電界発光層の間に電荷発生層と、前記電荷発生層と接するピリジン誘導体を含む層と、を有し、
前記複数の電界発光層の積層順は、前記複数の発光素子ごとに異なることを特徴とする発光装置。
【請求項２２】
請求項２０または請求項２１において、
前記複数の発光素子に流れる電流量をそれぞれ独立に制御するコントローラを有することを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月28日(2008.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多結晶Ｓｉを形成するための方法において、
表面を設けるステップであって、前記表面が少なくとも１つのＧｅ領域を有するステップと、
前記表面にＳｉ付着を施すステップであって、前記多結晶Ｓｉが前記少なくとも１つのＧｅ領域上に形成されるステップと、
を有する、方法。
【請求項２】
前記Ｓｉ付着が、Ｓｉ先駆物質を使用する化学的気相付着によって行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記Ｓｉ先駆物質が、ＳｉＨ4、ＳｉＨ2Ｃｌ2、およびそれらの混合物からなるグルー
プから選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記Ｓｉ先駆物質がガス混合物の一部であり、前記ガス混合物がＨＣｌをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記少なくとも１つのＧｅ領域上に多孔性酸化物層を付着させるステップをさらに有する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記多孔性酸化物層を付着させる前記ステップが、Ｓｉ先駆物質と酸素運搬ガスからなる化学的気相付着によって行われる、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記多孔性酸化物層を付着させる前記ステップが、前記Ｓｉ先駆物質および前記酸素運搬ガスにＨＣｌを加えるステップをさらに有する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記多孔性酸化物層が、０．１ｎｍ〜１ｎｍの間の厚さまで付着する、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記多結晶Ｓｉが、１．５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内の直径を備えた結晶を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記多結晶Ｓｉが、２ｎｍ〜１５ｎｍの間の厚さまで付着する、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
多結晶ＳｉＧｅ層を形成するための方法において、
表面を設けるステップであって、前記表面が少なくとも１つの第１の領域を有し、多結晶Ｓｉが前記少なくとも１つの第１の領域を占めるステップと、
前記表面にＧｅ付着を施すステップであって、
前記多結晶Ｓｉ上に多結晶Ｇｅ層が形成されて前記少なくとも１つの第１の領域上に
前記多結晶ＳｉＧｅ層を発生させるステップと、
を有する、方法。
【請求項１２】
前記Ｇｅ付着が、Ｇｅ先駆物質を使用する化学的気相付着によって行われる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記Ｇｅ先駆物質が、ＧｅＨ4、ＧｅＨ2Ｃｌ2、およびそれらの混合物からなるグルー
プから選択される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記Ｇｅ先駆物質がガス混合物の一部であり、前記ガス混合物がＨＣｌをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記多結晶Ｇｅが、１．５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内の直径を備えた結晶を有する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記多結晶Ｇｅが、２ｎｍ〜１５ｎｍの間の厚さまで付着する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
Ｓｉベースの単結晶の上に多結晶ＳｉＧｅ層を形成するための方法において、
第１の表面を設けるステップであって、前記第１の表面が少なくとも１つの第１の領域を有し、前記Ｓｉベースの単結晶が前記少なくとも１つの第１の領域を占めるステップと、
前記第１の表面にＧｅ付着を施すステップであって、前記Ｓｉベースの単結晶上に多結晶Ｇｅ層が形成されて第２の表面を発生させ、前記第２の表面が前記少なくとも１つの第１の領域を有し、前記多結晶Ｇｅが前記第１の領域を占めるステップと、
前記第２の表面にＳｉ付着を施すステップであって、前記多結晶Ｇｅ層上に多結晶Ｓｉ層が形成されて第３の表面を発生させ、前記第３の表面が前記少なくとも１つの第１の領域を有し、前記多結晶Ｓｉが前記第１の領域を占めて前記少なくとも１つの第１の領域の上に前記多結晶ＳｉＧｅ層を発生させるステップと、
を有する、方法。
【請求項１８】
前記Ｓｉベースの単結晶が、本質的にＳｉ単結晶になるように選択される、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記多結晶Ｇｅ層上に多孔性酸化物層を付着させるステップをさらに有する、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
ＳｉＧｅ多結晶材料を含む少なくとも１つの接合
を有する、Ｓｉベースの材料内のＭＯＳＦＥＴデバイス。
【請求項２１】
ソース接合とドレイン接合の両方が前記ＳｉＧｅ多結晶材料を含む、請求項２０に記載のデバイス。
【請求項２２】
前記ＳｉＧｅ多結晶材料の少なくとも一部分が前記デバイスの表面の下に位置する、請求項２０に記載のデバイス。
【請求項２３】
前記Ｓｉベースの材料が本質的にＳｉである、請求項２０に記載のデバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】多結晶ＳｉＧｅ層を形成する方法
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月4日(2008.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層を形成し、
前記半導体層上に、シロキサンポリマーを含み、粘度１０ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下である組成物をスピン塗布し、加熱することによって絶縁層を形成し、
前記絶縁層に開口部を形成し、
前記開口部に、前記半導体層と接続する配線層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
半導体層を形成し、
前記半導体層上に、シロキサンポリマーを含み、粘度２０ｍＰａ・ｓ以上３５ｍＰａ・ｓ以下である組成物をスピン塗布し、加熱することによって絶縁層を形成し、
前記絶縁層に開口部を形成し、
前記開口部に、前記半導体層と接続する配線層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記絶縁層の膜厚を０．１μｍ以上１０μｍ以下にすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記組成物は、前記シロキサンポリマーの溶媒として、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、３−メトシキ−３メチル−１−ブタノールを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記半導体層は絶縁表面を有する基板上に形成され、前記半導体層はソース領域及びドレイン領域を有し、前記配線層は、前記ソース領域又は前記ドレイン領域と接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記絶縁表面を有する基板として、可撓性基板を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月28日(2008.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】配線及びその作製方法、半導体装置及びその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の傾斜面を有する下部テーパー部と、第２の傾斜面を有する上部テーパー部と、を有する側面を有し、
下面と前記第１の傾斜面のなす第１の角度は、前記下面と前記第２の傾斜面のなす第２の角度よりも大きいことを特徴とする配線。
【請求項２】
基板と、
前記基板上に形成された半導体素子と、
前記半導体素子上に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成された配線と、
前記配線上に形成された第２の絶縁膜と、を有し、
前記配線は、第１の傾斜面を有する下部テーパー部と、第２の傾斜面を有する上部テーパー部と、に有する側面を有し、
前記基板表面と前記第１の傾斜面のなす第１の角度は、前記基板表面と前記第２の傾斜面のなす第２の角度よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
導電層上にマスクパターンを形成し、
第１のエッチングを行うことによって、前記導電層及び前記マスクパターンに第１の加工を施し、
第２のエッチングを行うことによって、前記導電層及び前記マスクパターンに第２の加工を施し、
前記マスクパターンを除去し、
前記第２のエッチングは、前記第１のエッチングと比較して、前記導電層に対する前記マスクパターンの選択比が大きい条件で行うことを特徴とする配線の作製方法。
【請求項４】
導電層上にマスクパターンを形成し、
第１のエッチングを行うことによって、前記導電層及び前記マスクパターンに第１の加工を施し、
前記導電層の表面に、前記導電層の酸化物を形成し、
第２のエッチングを行うことによって、前記酸化物をエッチングするとともに、前記導電層及び前記マスクパターンに第２の加工を施し、
前記マスクパターンを除去し、
前記第２のエッチングは、前記第１のエッチングと比較して、前記導電層に対する前記マスクパターンの選択比が大きい条件で行うことを特徴とする配線の作製方法。
【請求項５】
請求項３又は請求項４において、
前記第１の加工によって、前記導電層の断面形状を凸型にすることを特徴とする配線の作製方法。
【請求項６】
半導体素子上に設けられた第１の絶縁膜上に、導電層を形成し、
導電層上にマスクパターンを形成し、
第１のエッチングを行うことによって、前記導電層及び前記マスクパターンに第１の加工を施し、
第２のエッチングを行うことによって、前記導電層及び前記マスクパターンに第２の加工を施し、
前記第１及び第２のエッチングによって、前記導電層は配線に加工され、
前記マスクパターンを除去し、
前記配線上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２のエッチングは、前記第１のエッチングと比較して、前記導電層に対する前記マスクパターンの選択比が大きい条件で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
半導体素子上に設けられた第１の絶縁膜上に、導電層を形成し、
導電層上にマスクパターンを形成し、
第１のエッチングを行うことによって、前記導電層及び前記マスクパターンに第１の加工を施し、
前記導電層の表面に、前記導電層の酸化物を形成し、
第２のエッチングを行うことによって、前記酸化物をエッチングするとともに、前記導電層及び前記マスクパターンに第２の加工を施し、
前記第１及び第２のエッチングによって、前記導電層は配線に加工され、
前記マスクパターンを除去し、
前記配線上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２のエッチングは、前記第１のエッチングと比較して、前記導電層に対する前記マスクパターンの選択比が大きい条件で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項６又は請求項７において、
前記配線を形成した後であって、前記第２の絶縁膜を形成する前に、前記配線を洗浄することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第１の加工によって、前記導電層の断面形状を凸型にすることを特徴とする半導体装置の作製方法。