(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、下部保護層と、下部界面層と、記録層と、上部界面層と、上部保護層と、応力調整層と、反射層とが順に積層された情報記録媒体であって、
前記基板は、０．３ミクロン以上０．７ミクロン以下の溝からなる記録トラックを有し、アドレス情報を表すピット列をトラックセンターからずれた位置に有し、
前記応力調整層は、その膜の膜断面の８０％以上において柱状構造を有し、Ｃｒを３０原子％以上８５原子％以下含有していることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項２】
請求項１記載の情報記録媒体において、前記応力調整層は、Ｃｒを７０原子％以上有し、膜厚が３０ｎｍ以上であることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項３】
請求項１記載の情報記録媒体において、前記記録層は、相変化により記録が行われる膜であることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項４】
請求項１記載の情報記録媒体において、前記応力調整層は、Ａｒガス流量１２０ｓｃｃｍ以上で形成されたものであることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項５】
請求項１記載の情報記録媒体において、前記上部界面層は、酸化物又は窒化物で構成されていることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項６】
請求項１記載の情報記録媒体において、前記下部界面層は、Ｃｒの酸化物で構成されていることを特徴とする情報記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ディスクに用いられる情報記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
レーザ光を照射して薄膜（記録膜）に情報を記録する原理は種々知られているが、そのうちで膜材料の相変化（相転移、相変態とも呼ばれる）など、レーザ光の照射による原子配列変化を利用するものは薄膜の変形をほとんど伴わないため、２枚のディスク部材を直接貼り合わせて両面ディスク構造の情報記録媒体が得られるという長所を持つ。通常、これら情報記録媒体は基板上に保護層、ＧｅＳｂＴｅ系等の記録膜、保護層、反射層という構成からなる。
【０００３】
なお、本明細書では、結晶一非晶質間の相変化ばかりでなく、融解（液相への変化）と再結晶化、結晶状態一結晶状態間の相変化も含むものとして「相変化」という用語を使用する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ＤＶＤ−ＲＡＭなどの書換え可能光ディスクでは、記録トラックはアドレスピットなどを設けたプリフォーマット部とトラッキング用の溝（グルーブ）を持ち、記録を行うユーザデータ部とよりなり、アドレスを確認し，クロックや同期の信号を検出してから情報の記録や読出しを行う。
【０００５】
しかし、積層膜と基板との間に働く応力によって生ずる変形が、プリフォーマット部とユーザデータ部で異なるため、記録トラックがプリフォーマット部に対して曲がった状態になり、λ／ＮＡで表される光スポット径が１．１ミクロン（μｍ）の時，記録トラック幅が０．８ミクロン以下の高い記録トラック密度とすると、トラッキング用のグルーブに対してプッシュプルトラッキングした場合はプリフォーマット部のアドレスデータが読めず、プリフォーマット部に対して正常な位置になるようにトラッキングオフセットを補正すると，記録領域でオフセットして隣接トラックのデータを一部消去してしまったりする問題点が生ずる。変形が、アドレスピットなどを設けたプリフォーマット部と記録を行うユーザデータ部とで異なるのは、ユーザーデータ部はトラッキング用の溝（グルーブ）を有するため，溝の傾斜部が力を受けて変形しやすいためと考えられる。
【０００６】
さらに、積層膜と基板との間に働く応力によって生ずる別の問題点として，多数トラックを多数回、オーバーライトによる記録書換えした時，記録時の熱で基板表面が膨張して変形しやすくなり，積層膜が基板に及ぼす応力によって、トラッキング用の溝（グルーブ）が、力を受けた方向に曲がる問題点が生ずる。この曲がりは多数回記録領域の中央付近ほど大きく曲がる問題点が生ずる。
【０００７】
そこで、この発明の目的は、これら問題点を解決し、高密度の記録・再生においてオーバーライトを行っても良好で信頼性の高い記録・再生特性を保持する情報記録用媒体を提供することに有る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の問題点を解決するために本発明の情報の記録用部材では，次の二つの基本的な解決策を用いる。すなわち，積層膜と基板との間に働く応力をできるだけ小さくすることと，基板表面温度ができるだけ上がらないようにすることである。積層膜と基板との間に働く応力をできるだけ小さくすることは、応力調整層を用いて行うが，製膜中に基板表面温度が上昇し、膨張した状態で膜が付き，冷却されると基板から膜に対する応力は圧縮応力が増す方向に変化し、その程度は基板の温度上昇によって異なるので，記録媒体の製造開始時と連続製造中とで異なる可能性が有る。そのような場合，応力調整層の膜厚によって，基板表面温度の変化の影響を吸収するようにする。
【０００９】
具体的には，
（１）レーザー光によって記録再生する情報の記録媒体において、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏよりなる群より選ばれた少なくとも１元素を７０原子％以上含む膜を有し、膜厚が３０ｎｍ以上であり，その膜の膜断面の８０％以上において、膜の下面から上面まで連続した柱状構造を有することを特徴とする情報記録媒体とする。
（２）光入射側から見て記録膜より奥に金属を６０原子％以上含有する層を少なくとも２層有し、その内の１層が原子番号２２以上４７以下の金属元素を６０原子％以上含有し、膜厚が３０ｎｍ以上であることを特徴とする情報の記録媒体とする。
（３）上記金属を６０原子％以上含有する層は、原子番号２２以上２８以下の金属元素を６０原子％以上含有し、膜厚が３０ｎｍ以上であることを特徴とする情報の記録媒体とする。
（４）上記金属元素を６０原子％する以上含有する層を３層有することを特徴とする（１）または（２）に記載の情報の記録媒体とする。
（５）上記原子番号２２以上４７以下の金属元素がＴｉ，Ｃｒのうちの少なくとも一者であることを特徴とする（２）に記載の情報の記録媒体とする。
（６）上記の金属元素を６０原子％以上含有する少なくとも２層のうち、最も光入射側の層がＣｒまたはＭｏを主成分とすることを特徴とする（２）に記載の情報の記録媒体とする。
（７）上記、原子番号２２以上４７以下の金属元素を６０原子％以上含有し、膜厚が３０ｎｍ以上である金属元素を主成分とする層が、金属元素を主成分とする他の層より光入射側から見て手前にあることを特徴とする（２）に記載の情報の記録媒体とする。
（８）上記、原子番号２２以上４７以下の金属元素を６０原子％以上含有し、膜厚が３０ｎｍ以上である金属元素を主成分とする層が、金属元素を主成分とする他の層より光入射側から見て奥にあることを特徴とする（２）に記載の情報の記録媒体とする。
（９）上記、原子番号２２以上４７以下の金属元素を６０原子％以上含有し、膜厚が３０ｎｍ以上である金属元素を主成分とする層以外の、金属元素を主成分とする他の層が、ＡｌまたはＡｇを７０原子％以上含有することを特徴とする（７）または（８）に記載の情報の記録媒体とする。
（１０）上記少なくとも２層の金属層と記録膜との間の層が、少なくとも１層の誘電体層であり、当該誘電体層の全体の膜厚が１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることを特徴とする（２）に記載の情報の記録媒体とする。
（１１）上記原子番号２２以上４７以下の金属元素を６０原子％以上含有する層の、膜厚が３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることを特徴とする（２）に記載の情報の記録媒体とする。
（１２）基板上に、少なくとも厚さ１００ｎｍ以上から１４０ｎｍ以下の誘電体層、厚さ５ｎｍ以上２０ｎｍ以下の記録膜、厚さ１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の誘電体層、厚さ２０ｎｍ以上７０ｎｍ以下の金属元素を主成分とする層、原子番号２２以上４７以下の金属元素を６０原子％以上含有し、膜厚が５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である層、厚さ２０以上２００ｎｍ以下の金属元素を主成分とする層が、この順に積層されていることを特徴とする情報の記録媒体とする。
（１３）基板上に、少なくとも厚さ１００ｎｍ以上１４０ｎｍ以下の誘電体層、厚さ５ｎｍ以上２０ｎｍ以下の記録膜、厚さ１０ｎｍ以上から５０ｎｍ以下の誘電体層、厚さ２０ｎｍ以上７０ｎｍ以下の金属元素を主成分とする層、厚さ２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の金属元素を主成分とする層、原子番号２２以上４７以下の金属元素を６０原子％以上含有し、膜厚が７０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の層が、この順に積層されていることを特徴とする情報の記録媒体とする。
（１４）上記の金属元素を主成分とする少なくとも２層のうち、最も光入射側の層がＣｒまたはＭｏを主成分とすることを特徴とする（１２）または（１３）に記載の情報の記録媒体とする。
（１５）上記、厚さ２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の金属元素を主成分とする層が、ＡｌまたはＡｇを７０原子％以上含有することを特徴とする（１２）または（１３）に記載の情報の記録媒体とする。
（１６）上記記録膜が相変化によって記録を行う記録膜であることを特徴とする（１）または（２）または（１２）または（１３）に記載の情報の記録媒体とする。
（１７）上記の記録媒体の基板が、記録トラックピッチ０．３ミクロン以上０．７ミクロン以下であり、トラックセンターからずれた位置にアドレス情報などを表すピット列を有することを特徴とする（１）または（２）に記載の情報記録媒体とする。
（１８）上記金属元素を主成分とする他の層が、Ａｇを主成分とし、記録積層膜の層数が６層であることを特徴とする（１２）または（１３）に記載の情報の記録媒体とする。
（１９）レーザー光によって記録再生する情報の記録媒体において、原子番号２２以上４７以下の金属元素を６０原子％以上含有する膜を有し、この膜がＡｒ流量１２０ＳＣＣＭ以上で形成された膜であることを特徴とする情報の記録媒体とする。
（２０）レーザー光によって記録再生する情報の記録媒体を製造する方法において、原子番号２２以上４７以下の金属元素を６０原子％以上含有する膜を、Ａｒ流量１２０ＳＣＣＭ以上で形成することを特徴とする情報の記録媒体の製造方法とする。
（２１）光入射側から見て記録膜より奥に金属元素を６０原子％以上含有する層を１層し、その層が原子番号２２以上４７以下の金属元素を６０原子％以上含有し、膜厚が３０ｎｍ以上であることを特徴とする情報の記録媒体。
（２２）上記原子番号２２以上４７以下の金属元素を６０原子％以上含有する膜が、Ｃｒを３０原子％以上８５原子％以下、ＴｉまたはＶを１５原子％以上７０原子％以下含有するＴｉ−ＣｒまたはＶ−Ｃｒ合金であることを特徴とする（２１）に記載の情報の記録媒体。
【００１０】
前記金属元素を主成分とする他の層の材料としては、Ａｌ−Ｃｒ，Ａｌ−Ｔｉ，Ａｌ−Ａｇ，Ａｌ−Ｃｕ等Ａｌ合金を主成分とするものが、ターゲットが安価でありかつ熱伝導率が高いため吸収率調整層や記録膜から熱を放出しやすいのでディスクが急冷されやすく書き換え特性が良好である。純Ａｌも使用可能である。次いで，反射層の材料としては、Ａｇ−Ｐｄ，Ａｇ−Ｃｒ，Ａｇ−Ｔｉ，Ａｇ−Ｐｔ，Ａｇ−Ｃｕ，Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ等Ａｇ合金を主成分とするもの、次いでＡｕ−Ｃｒ，Ａｕ−Ｔｉ，Ａｕ−Ａｇ，Ａｕ−Ｃｕ，Ａｕ−Ｎｄ等Ａｕ合金を主成分とするものが好ましい。Ａｇ，Ａｕ等は熱伝導率がＡｌより高いため膜中に発生した熱をすみやかに放出する機能がさらに優れている。また、Ａｇ合金、Ｃｕ合金、Ａｕ合金のように反射率がきいものは、変調度が大きくなり、再生特性が良好である。ただしＡｇ，Ａｕは貴金属のため高価であり、膜厚によってはＡｌに比ベコストが上がる場合がある。Ａｇ，Ａｕ単体でも使用できる。Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇ等以外の元素の含有量は、０．５原子％以上４原子％以下の範囲にすると、多数回書き換え時の特性およびビットエラーレートが良くなり、１原子％以上２原子％以下の範囲ではより良くなった。
【００１１】
前記Ｃｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏよりなる群より選ばれた少なくとも１元素を７０原子％以上含む膜の手前の吸収率調整層が少なくともＭｏ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｇｅ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｗの窒化物または酸化物、またはこれらの化合物との混合組成であることも好ましい。
【００１２】
前記吸収率調整層がＣｒ−（Ｃｒ２Ｏ３）の場合、全成分（ＣｒとＣｒ２Ｏ３の和に対するＣｒの比率は４２ｍｏｌ％以上が好ましい。また６１ｍｏｌ％以上、９０ｍｏｌ％以下であればより好ましい。前記吸収率調整層に用いたＣｒ−（Ｃｒ２Ｏ３）膜中のＣｒに代わる材料としては，Ａｌ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔを用いると同様の結果が得られた。この中で、Ｍｏ，Ｃｒ，Ｗは融点も高い点で好ましかった。また、Ｐｄ，Ｐｔは他の層との反応性が低く、書き換え可能回数がさらに大きくなり好ましかった。Ｎｉ，Ｃｏ，Ｔｉを用いると、他に比べ安価なターゲットを使用できるため、全体の製作費用を下げることができる。Ｔｉは耐食性が強く、寿命試験の結果が他に比べて良好で、特に好ましかった。前記吸収率調整層に用いたＣｒ−（Ｃｒ２Ｏ３）膜中のＣｒ２Ｏ３に代わる材料としては，各種光透過性化合物、例えば酸化物，窒化物が使用可能である。Ｃｒ−（Ｃｒ２Ｏ３）膜中のＣｒ２Ｏ３に代わる材料としては，ＳｉＯ，Ａ１２Ｏ３，ＢｅＯ，Ｂｉ２Ｏ３，ＣｏＯ，ＣａＯ，Ｃｒ２Ｏ３，ＣｅＯ２，Ｃｕ２Ｏ，ＣｕＯ，ＣｄＯ，Ｄｙ２Ｏ３，ＦｅＯ，Ｆｅ２Ｏ３，Ｆｅ３Ｏ４，ＧｅＯ，ＧｅＯ２，ＨｆＯ２，Ｉｎ２Ｏ３，Ｌａ２Ｏ３，ＭｇＯ，ＭｎＯ，ＭｏＯ２，ＭｏＯ３，ＮｂＯ，ＮｂＯ２，ＮｉＯ，ＰｂＯ，ＰｄＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ２，Ｓｃ２Ｏ３，ＳｒＯ，ＴｈＯ２，ＴｉＯ２，Ｔｉ２Ｏ３，ＴｉＯ，Ｔａ２Ｏ，ＴｅＯ２，ＶＯ，Ｖ２Ｏ３，ＶＯ２，ＷＯ２，ＷＯ３，Ｙ２Ｏ３，ＺｒＯ２，などの酸化物，Ａｌ−Ｎ，Ｂ−Ｎ，Ｃｒ−Ｎ，Ｃｒ２Ｎ，Ｇｅ−Ｎ，Ｈｆ−Ｎ，Ｓｉ３Ｎ４，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ２）、Ｓｉ−Ｎ系材料，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料，Ｔａ−Ｎ，Ｔｉ−Ｎ，Ｚｒ−Ｎ，などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ２Ｓ３，ＣｄＳ，Ｉｎ２Ｓ３，Ｇａ２Ｓ３，ＧｅＳ，ＳｎＳ２，ＰｂＳ，Ｂｉ２Ｓ３，ＳｒＳ，ＭｇＳ，ＣｒＳ，ＣｅＳ，ＴａＳ４，などの硫化物、ＳｎＳｅ２，Ｓｂ２Ｓｅ３，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ２Ｓｅ３，Ｇａ２Ｓｅ３，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ２，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ２Ｓｅ３などのセレン化物、ＣｅＦ３，ＭｇＦ２，ＣａＦ２，ＴｉＦ３，ＮｉＦ３，ＦｅＦ２，ＦｅＦ３などの弗化物、あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ２，Ｂ４Ｃ，Ｂ，ＣｒＢ，ＨｆＢ２，ＴｉＢ２，ＷＢ，などのホウ素化物，Ｃ，Ｃｒ３Ｃ２，Ｃｒ２３Ｃ６，Ｃｒ７Ｃ３，Ｆｅ３Ｃ，Ｍｏ２Ｃ，ＷＣ，Ｗ２Ｃ，ＨｆＣ，ＴａＣ，ＣａＣ２，などの炭化物または、上記の材料に近い組成のものを用いてもよい。また、これらの混合材料でもよい。この他に、Ｉｎ−Ｓｂ，Ｇａ−Ａｓ，Ｉｎ−Ｐ，Ｇａ−Ｓｂ，Ｉｎ−Ａｓ等も使用できた。
【００１３】
これらの中では、ＳｉＯ２，Ｔａ２Ｏ５，Ｙ２Ｏ３，ＺｒＯ２，等酸化物を用いると他に比べ安価なターゲットを使用できるため、全体の製作費用を下げることができる。酸化物の中でも、ＳｉＯ２，Ｔａ２Ｏ５，Ｙ２Ｏ３−ＺｒＯ２は反応性が低く、書き換え可能回数がさらに大きくなり、好ましかった。ＢｅＯ，Ｃｒ２Ｏ３，は融点が高く好ましい。Ａｌ２Ｏ３は熱伝導率が高いため、反射層がない、あるいは薄い構造のディスクにした場合、他に比べて書き換え特性の劣化が少ない。Ｇｅの酸化物窒化物をまたは吸収率調整層に用いた場合、Ｇｅはスパッタレートが高いために量産時のタクトタイムが短縮でき好ましい。
【００１４】
また、窒化物を用いると吸収率調整層に接した層との接着力が増し、外部衝撃に対して強くなる。硫化物，Ｓｅ化物を用いるとスパッタレートが大きくでき、製膜時間が短縮できる。炭化物を用いると、吸収率調整層の硬度が増し、多数回書き換え時の記録膜流動を抑制する働きも持つ。
【００１５】
各種酸化物、Ｇｅ−Ｃｒ，Ｓｉ−Ｔｉ，Ａｌ−Ｎ，Ｂ−Ｎ，Ｃｒ−Ｎ，Ｇｅ−Ｎ，Ｈｆ−Ｎ，Ｓｉ−Ｎ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ２），Ｓｉ−Ｎ，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ，Ｔａ−Ｎ，Ｔｉ−Ｎ，Ｚｒ−Ｎ系材料などの窒化物、または、上記の材料に近い組成のものを用いても良い。また、これらの混合材料でも良い。これらの中では、ＳｉＯ２，Ｔａ２Ｏ５，Ｙ２Ｏ３，ＺｒＯ２を用いると他に比べて安価なターゲットを使用できるため、全体の費用を下げることができる。また、ＧｅＮ，Ｇｅ−Ｃｒ，ＧｅＯなどのＧｅ含有組成は製膜時のスパッタレートが他に比べて早い為、製造時のタクトタイムを短縮することができ、好ましい。
【００１６】
前記吸収率調整層が少なくともＭｏ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｇｅ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｗの窒化物または酸化物、またはＣｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏなどとの化合物または合金、例えばＧｅ−Ｃｒ，Ｇｅ−ＴｉあるいはＳｉ−Ｔｉ，またはＳｉ−Ｃｒまたはこれらの化合物の混合組成である情報記録媒体も好ましい。
【００１７】
吸収率調整層の融点は６００℃以上であることが好ましい。６００℃より融点が低い材料を吸収率調整層として用いた場合、記録時に記録層で発生した熱及び吸収率調整層自体による発熱により劣化し、光学特性が変化してＳ／Ｎが低下する場合がある。前記各層の膜厚，材料についてはそれぞれ単独の好ましい範囲をとるだけでも記録・再生特性等が向上するが，それぞれの好ましい範囲を組み合わせることにより，さらに効果が上がる。
【００１８】
記録膜に接している層（界面層）の材料としては，Ｃｒ２Ｏ３，Ｃｒ−Ｎ，Ｇｅ−Ｎ，Ｇｅ−Ｏ，ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３またはこれらの材料の混合物、が好ましい。特にＣｒとＧｅの酸化物あるいは窒化物が６０ｍｏｌ％以上含まれていると保存寿命が向上し、高温高湿の環境におかれても高性能の記録媒体を維持できる。また、ＧｅＮ，ＧｅＯなどのＧｅ含有組成は製膜時のスパッタレートが他に比べ速いため、製造時のタクトタイムを短縮することができ、好ましい。次いで、Ｔａ２Ｏ５，Ｔａ２Ｏ５とＣｒ２Ｏ３またはＣｒ−Ｎ，Ｇｅ−Ｎ，Ｇｅ−Ｏの混合物，その次にＺｒＯ２−Ｙ２Ｏ３，Ｃｒ２Ｏ３またはＣｒ−Ｎ，Ｇｅ−Ｎ，Ｔａ２Ｏ、との混合物が好ましい。この中で、Ｃｒ２Ｏ３は多数回書き換え時の反射率レベルの変動を５％以下に押さえられ、ジッターを減少でき、より好ましい。ＣｏＯ，Ｃｒ２Ｏ，ＮｉＯは初期結晶化時の結晶粒径が均一になり、書き換え初期のジッター上昇が小さくより好ましい。また，ＡｌＮ，ＢＮ，ＣｒＮ，Ｃｒ２Ｎ，ＧｅＮ，ＨｆＮ，Ｓｉ３Ｎ４，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ２）、Ｓｉ−Ｎ系材料，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料，ＴａＮ，ＴｉＮ，ＺｒＮ，などの窒化物も接着カが大きくなり、外部衝撃による情報記録媒体の劣化が小さく、より好ましい。前記記録膜と接している熱拡散調整層の材料は，各界面層全原子数の９０％以上であることが好ましい。上記材料以外の不純物が１０原子％以上になると，書き換え回数が２割以上減る等，書き換え特性の劣化が見られた。
【００１９】
最内周から５ｍｍ外周寄りの場所と最外周から５ｍｍ内周寄りの場所の記録膜膜厚を比較すると後者の方が膜厚が１から５ｎｍ厚いように、内周から外周に向かって膜厚が増してゆくように記録膜を形成するのが良い。これにより、同じ記録膜膜厚では内周のほうが多数回記録書き換えによる記録膜流動などでエラーレートが上昇するのを防止できる。この方法は、本発明と積層構造が異なる記録媒体であっても、同様な光スポット径と記録密度との関係を持つ光ディスクであれば、多数回記録書き換えを達成するのに有効である。応力によるグルーブ変形の測定方法は下記のとおりである。以下、応力グルーブ変形量を測定する方法を説明する。ここでは例としてグルーブにおける応力グルーブ変形量を測定する場合についてのみ詳細に説明する。
【００２０】
まず、測定するディスクを評価機にセットし、回転させる。そして、応力グルーブ変形量を測定するトラック付近へ光ヘッドを移動させる。その場所でオートフォーカスをかけ、トラッキングエラー信号（差信号）をオシロスコープでモニターする。そしてグルーブにおけるトラッキングエラー信号が最大になるようにオートフォーカスのゲインを調整する（ＡＦオフセット調整）。次に、オートフォーカスをかけた状態でグルーブにトラッキングをかける。そして、ランダム信号でレーザパワーを変えて記録を行い、３Ｔ（最短）マークとスペースに対応する信号のほうらく線の中心線の、長マークとスペースに対応する信号のほうらく線の中心線からのズレ（アシンメトリー）が＋５％となる記録パワーを求め、最適記録パワーとする。次に、ラジアル（半径方向）−Ｔｉｌｔとオーバーライト１０回後（最適パワー）のジッター値との関係をタイムインターバルアナライザー（ＴＩＡ）で測定し、ジッターが最小となるラジアル−Ｔｉｌｔを求める。すなわち、ラジアル−Ｔｉｌｔを変えながらその時のジッターを測定し、このジッターが最小となるラジアル−Ｔｉｌｔをもとめ、これを最適ラジアル−Ｔｉｌｔとする。次に、トラッキングオフセット調整を行う。まず、グルーブの両側に最適パワーでオーバーライトを１０回行う。その後、グルーブにおけるランドからのクロストークをスペクトラムアナライザーで測定する。このクロストークが最小となるようにトラッキングゲインを調整する。この後、もう一度最適ラジアル−Ｔｉｌｔを求め、更にトラッキングオフセット調整を行えばさらに好ましい。
【００２１】
最終的に、グルーブでのＡＦオフセット調整、トラッキングオフセット調整、ラジアル−Ｔｉｌｔ調整が終わった後、応力グルーブ変形量を測定するトラックにビームを移動させる。そのトラックでのトラックの左右に１／２トラックずつズレて配置されたＩＤ部（ピットでアドレス情報等を表した部分）の再生信号（和信号）をモニターし、ＩＤ１とＩＤ３のそれぞれの電圧振幅Ｖ１及び電圧振幅Ｖ３を測定する。この値を基に、応力グルーブ変形量を表す、｜（Ｖ１−Ｖ３）／（Ｖ１＋Ｖ３）｜を計算する。同じようにして、ランドにおける応力グルーブ変形量を測定する。
【００２２】
本発明は２．６ＧＢＤＶＤ−ＲＡＭの規格以上記録密度（トラックピッチ、ビットピッチ）の場合に効果を発揮し，４．７ＧＢＤＶＤ−ＲＡＭの規格以上の記録密度の場合に特に効果を発揮する。光源の波長が６６０ｎｍ付近でない場合や、集光レンズの開口数（ＮＡ）が０．６でない場合は、これらから半径方向，円周方向ともに波長比、ＮＡ比で換算した記録密度で効果を発揮する。
【００２３】
本発明の相変化記録媒体を用いる記録装置（光ディスクドライブ）の基本的な技術は下記のとおりである。１ビームオーバーライト相変化記録媒体は、オーバーライト（あらかじめ消去することなく重ね書きによって情報の書換えを行うこと）により書換えを行うのが普通である。図１にその原理を示した。高いレーザーパワーで記録膜を融解させれば照射後急冷されて前の状態が結晶でも非晶質でも非晶質状態の記録マークになり、中間のレーザーパワーで融点以下の結晶化速度の速い温度まで加熱すれば、前に非晶質状態だったところは結晶状態になる。元々結晶状態だったところはそのまま結晶状態に留まる。ＤＶＤ−ＲＡＭでは動画像を記録することが多いと考えられるので、１度に長い情報を記録することになる。この場合、予め全部消去してから記録するのでは２倍時間がかかり、また、膨大なバッファーメモリーが必要になる可能性もある。従ってオーバーライト可能なことは必須の条件である。マークエッジ記録ＤＶＤ−ＲＡＭおよびＤＶＤ−ＲＷには高密度記録が実現できるマークエッジ記録方式が採用されている。マークエッジ記録とは、記録膜に形成する記録マークの両端の位置をディジタルデータの１に対応させるもので、これにより、最短記録マークの長さを基準クロック１個でなく２〜３個分に対応させて高密度化することもできる。ＤＶＤ−ＲＡＭでは８−１６変調方式を採用しており、基準クロック３個分に対応させている。図２に比較を示したように、円形記録マークの中心位置をディジタルデータの１に対応させるマークポジション記録に比べると、記録マークを極端に小さくしなくても高密度記録できるという長所がある。ただし、記録マークの形状歪みが極めて小さいことが記録媒体に要求される。
（フォーマット）  図３に各セクターの始めのヘッダー部の配置を示したように、ＤＶＤ−ＲＡＭは１周を２４のセクターに分割したフォーマットであるため、ランダムアクセス記録が可能である。これらにより、パソコン内蔵の記憶装置から、ＤＶＤビデオカメラ、ＤＶＤビデオレコーダーまで、広い用途に用いることができる。
（ランド・グルーブ記録）  ＤＶＤ−ＲＡＭでは図４に示したようにトラッキング用の溝内と溝と溝の間の凸部の両方に記録するランド・グルーブ記録によってクロストークを小さくしている。ランド・グルーブ記録では、明暗（濃淡）の記録マークに対して溝深さをλ／６ｎ（λはレーザ波長、ｎは基板の屈折率）付近にした時、ランドでもグルーブでも隣接トラックの記録マークが見えにくくなる現象を利用しているので、４．７ＧＢＤＶＤ−ＲＡＭの例ではトラックピッチを０．６１５μｍと狭くできている。記録マークとそれ以外の部分の位相差、すなわち再生信号の位相差成分はクロストークが発生しやすくなる方向に働き，十分に小さくなるように設計することが求められる。再生信号の位相差成分はランドとグルーブの濃淡再生信号に逆位相で足し合わされるので，ランドとグルーブの再生信号レベルのアンバランスの原因ともなる。
（ＺＣＬＶ記録方式）  相変化記録媒体では、記録波形を変えない場合、良好な記録再生特性を得るのに結晶化速度に対応した最適線速度で記録するのが望ましい。しかし、ディスク上の半径の異なる記録トラック間をアクセスする時、線速度を同じにするために回転数を変えるのには時間がかかる。そこでＤＶＤ−ＲＡＭでは、図５に示したように、アクセス速度が小さくならないようにディスクの半径方向を２４のゾーンに分け、ゾーン内では一定回転数とし、別のゾーンにアクセスしなければならない時だけ回転数を変えるＺＣＬＶ（Ｚｏｎｅｄ  Ｃｏｎｓｔａｎｔ  Ｌｉｎｅａｒ  Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）方式を採用している。この方式では、ゾーン内の１番内周のトラックと一番外周のトラックで線速度が少し異なるので記録密度も少し異なるが、ディスク全域にわたってほぼ最大の密度で記録することができる。本発明の応力調整層以外の層の役割は下記のとおりである。
（吸収率調整層）  ４．７ＧＢ／面 媒体のような高線速度（８．２ｍ／ｓ）媒体ではＤＶＤ−ＲＡＭの２．６ＧＢ／面（６ｍ／ｓ）のような低線速度媒体では期待できる先行消去（光スポット照射により記録膜が融解する領域より前方の３００℃〜５５０℃の温度範囲の帯状領域で記録マークが予め消去される現象）がＤＶＤ−ＲＡＭ十分には期待できないため、記録マーク内外の光吸収率比Ａｃ／Ａａを１以上に保つことが必須である。吸収率調整には反射層を薄くして低反射率の記録マーク部分で記録膜の光吸収が多くならないように透過させてしまう方法も有る（山田昇、赤平信夫、西内健一、古川恵昭：高速オーバーライト相変化光ディスク：電子情報通信学会 技術研究報告 ＭＲ９２−７１，ＣＰＭ９２−１４８（１９９２）３７）。反射層には透過率が高いＡｕを用いるが、それでも膜厚を１０ｎｍ程度まで薄くする必要が有り、金属層による熱拡散が不足する。熱拡散の不足は、融解後の再結晶化による記録マーク形状歪みや多数回書換えによる熱劣化をひき起こす。図６にその原理を示したように光を吸収する別の層である吸収率調整層（例えばＣｒを主成分とする層）を設ける方法では、この層の光吸収により、反射率の低い記録マーク部分で記録膜を透過した光が反射層で反射されて再び記録膜に吸収され、温度が上がり過ぎないようにし、Ａｃ／Ａａを１以上にすることができる（寺尾元康：書換え型ＤＶＤ用高密度記録媒体：テレビジョン学会年次大会予稿集Ｓ１−３（１９９６）５２６−５２９）。また、結晶状態と非晶質状態の吸収率差によって起こるオーバーライトされた記録マークの形状歪を防ぐことができる。さらにこの層の熱伝導率はかなり自由に選ぶことができる。従って、この層の上の金属反射層の熱伝導率と下の上部保護層の熱伝導率の中間の値にすると、金属反射層だけの場合に比べて温度勾配が極小となる方向、すなわち熱拡散ベクトルの方向が上向きとなり、熱が縦方向に拡散する。上記により，吸収率調整層は熱緩衝層とも呼ばれる。高密度相変化光ディスクではトラックピッチが狭いことにより、隣接トラックにすでに書かれている記録マークの一部が消去されるクロスイレーズと呼ばれる現象に対する配慮が必要になるが、このクロスイレーズを防止するには、上記の熱の縦方向拡散が重要である。縦方向拡散により熱が隣接トラック方向に行きにくくなることが１つの理由である。Ａｃ／Ａａが１より大きければ隣接トラックの記録マーク部分の温度上昇が少なくなり、クロスイレーズ防止の面でも良い方向に働く。
【００２４】
クロスイレーズを防止するには再結晶化の防止も重要である。図７に示したように、記録時の記録膜融解後の周辺部からの再結晶化で非晶質記録マークとして残る部分が狭まる場合は所定の大きさの記録マークを形成するのにより広い領域を融解させる必要が有り、隣接トラックの温度が上昇しやすくなるからである。熱が縦方向に拡散すれば再結晶化も防止できる。記録マーク形成時に中央部の熱が横方向に拡散して融解領域周辺部の冷却が遅くなり、結晶化しやすくなるのを防げるからである。
【００２５】
（反射率向上（コントラスト強調）層）  吸収率調整層を用いると、反射層の高反射率が抑制されるので、全体として反射率が低くなる傾向がある。そこで、通常下部保護層に用いられる（ＺｎＳ）８０・（ＳｉＯ２）２０の層だけでなく、コントラスト強調層として屈折率の異なる別の層を設けると、他の部分の設計が容易となる。また、この層の熱伝導率が保護層より高いことから、記録膜から上下方向への熱拡散の対称性が増すのでランドとグルーブの特性の対称性が増し、特にグルーブで起きやすいクロスイレーズを防止する効果も有する。この層は、（ＺｎＳ）８０・（ＳｉＯ２）２０保護層の記録膜側が記録書換え時に熱膨張し、融解した記録膜を押して記録膜流動がおこり、書換え可能回数が制限されるのを防止する効果もある。
【００２６】
（界面層）  ４．７ＧＢＤＶＤ−ＲＡＭでは記録膜の両側に酸化物や窒化物の界面層を設けている（宮内靖、寺尾元康、広常朱美、宮本真、徳宿伸弘：酸化物界面層による相変化光ディスクの保護層・記録層間相互拡散の防止：応用物理学会講演予稿集  第３分冊、２９ｐ−ＺＫ−１２、（１９９８春）１１２７）。（ＺｎＳ）８０・（ＳｉＯ２）２０保護層が両側にある場合に比べて結晶核形成速度も結晶成長速度も増大し、これにより結晶化速度が速くなる。４．７ＧＢＤＶＤ−ＲＡＭの例では消去パワーレベルよりパワーを下げない記録波形を用いていることと、高密度化により前後に隣接する記録パルスの記録トラック上での位置の差が小さくなっていることにより、１つの記録パルスの照射後固化しないうちに次の記録パルスが来ることから、記録膜の物質移動（流動）が起こりやすい状況にある。この点を改善するには記録膜を薄くして、両側の層への付着力の影響を相対的に強めるのが有効であるが、そうすると結晶核生成速度、結晶成長速度ともに低下して、非晶質記録マークの部分的消え残りが生じるおそれがある。しかし、例えば酸化物の両界面層を用いることにより、消え残り発生のおそれが無くなる。窒化物も使用可能である（音羽真由美、山田昇、太田啓之、河原克巳：記録膜の両側に窒化物層を有する相変化光ディスク：応用物理学会講演予稿集第３分冊、２９ｐ−ＺＫ−１３（１９９８春）１１２８、およびＮ．Ｙａｍａｄａ，Ｍ．Ｏｔｏｂａ，Ｋ．Ｋａｗａｈａｒａ，Ｎ．Ｍｙａｇａｗａ，Ｈ．Ｏｈｔａ，Ｎ．Ａｋａｈｉｒａ  ａｎｄ  Ｔ．Ｍａｔｓｕｎａｇａ：Ｐｈａｓｅ−ｃｈａｎｇｅ  ｏｐｔｉｃａｌ  ｄｉｓｋ  ｈａｖｉｎｇ  ａ  ｎｉｔｒｉｄｅ  ｉｎｔｅｒｆａｃｅ  ｌａｙｅｒ：Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．  Ｐａｒｔ  １，３７（１９９８）２１０４）。記録膜を薄くすると反射率も低下するが、反射率向上層によって救うことができる。しかしさらに薄くすると結晶―非晶質の反射率差、従って再生信号強度自体が小さくなるため、それ以上薄くすることはできない。
【００２７】
多数回書換えを実現するためには、上下のＺｎＳ・ＳｉＯ２保護層からのＺｎ，Ｓなどの記録膜中への拡散を防止しなければならない。これにも界面層が効果がある。記録媒体は、最初の書換えで記録マークのエッジ位置のゆらぎであるジッターが約１％上昇し、１０万回書き換えまで少しずつジッターが上がったり下がったりするが、データエラーに全く問題が無い。加速寿命試験の結果、記録されたデータの保存寿命は少なく見積もっても１０年以上であることがわかった。
【００２８】
記録波形と記録マーク形状との間には下記のような関係がある。例えば４．７ＧＢＤＶＤ−ＲＡＭでは最短マーク長が０．４２μｍで線速度が８．２ｍ／ｓであることにより、１つの記録マークを形成する記録パルスを複数に分割するが、正確に記録マークを形成するために、熱の蓄積防止よりも正確な加熱に重点を置き、図８および図９に示したように、消去パワーレベルから下がる部分が少ないか、全く無い記録波形としている。また、既に述べたように、記録マークを形成する最初のパルスと最後のパルスの幅の適応制御も必要である（適応制御：注目するスペースの長さと前のマークの長さに応じて、前のマークを形成する最後のパルスの終わる位置と後のマークを形成する最初のパルスの開始位置を調節する）。違いは特に最短マークである３Ｔマークに表れ、２．６ＧＢＤＶＤ−ＲＡＭの３Ｔマークは、図１０（ａ）に示したように終端部分が結晶化して矢羽根形のようになるが（Ｍ．Ｔｅｒａｏ，Ａ．Ｈｉｒｏｔｓｕｎｅ，Ｙ．Ｍｉｙａｕｃｈｉ，Ｍ．Ｍｉｙａｍｏｔｏ，Ｔ．Ｎｉｓｈｉｄａ，Ｋ．Ａｎｄｏｈ，Ｎ．Ｔｏｋｕｓｙｕｋｕ，Ｓ．Ｆｕｋｕｉ：ＨｉｇｈＰｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ  Ｐｈａｓｅ  Ｃｈａｎｇｅ  Ｍｅｄｉａ  ｆｏｒ  ＤＶＤ−ＲＡＭ：Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ  Ｖｏｌ．３１０９（１９９７）６０および宮本真、広常朱美、宮内靖、安藤圭吉、寺尾元康、徳宿伸弘、田村礼仁：ＤＶＤ−ＲＡＭ媒体における記録マーク形成過程の解析：電子情報通信学会技術研究報告  ＣＰＭ９７−９６（１９９７））、４．７ＧＢＤＶＤ−ＲＡＭの３Ｔマークは長・短径比が１に近い楕円形である。２．６ＧＢの場合の終端部の結晶化は、記録パルスの後、パワーを下げるクーリングパルスと呼ばれる部分の後、消去パワーレベルにパワーを上げることの影響で多数の結晶核形成、結晶粒成長が起こって生じる。上記の消え戻り領域は、有った方が融解領域の外側における前の記録マークの消え残りが生じにくく好ましいが、消え戻り領域が完全に結晶化しないことによる擬似消え残りが生じないようにしなければならない。この擬似消え残りは、記録膜の結晶化速度が速い方が起こりにくい傾向がある。２．６ＧＢＤＶＤ−ＲＡＭの記録密度と線速度で、かつ記録波形の適応制御を行わない状況では、クーリングパルスを無くすと図１０（ｂ）に示したように３Ｔマークの終端部の両側に再結晶化領域ができてマーク形状歪みを生じ、形状のゆらぎも起こりやすくなって再生信号ジッターが増大する。ここで、消え戻りとは、記録パルス列の後のクーリングパルス語のレーザパワーが消去パワーへ立ち上がるとき、その照射エネルギーの上昇の影響で、記録パルス列で融解させられた領域の最後の部分（後ろエッジ部分）が一旦非晶質化後再加熱され、結晶核形成を経て結晶化し、消去したのと同様な状態になることをいう。２．６ＧＢＤＶＤ−ＲＡＭの場合の記録レーザ光のパワー変調パターンでは、図８におよび９に点線で示したように、パルス間とパルス列の最後でもレーザーパワーを読出しレーザーパワー付近まで下げている。これは、前のパルスによって発生した熱が熱伝導によって光スポットの進行方向に伝わり、温度が上がり過ぎたり、冷却速度が遅くなるのを防ぐためである。冷却を速くするのは��記録膜を融解した領域内が冷却中に再び結晶状態に戻るのを防止することと、多数回の書換えによる記録膜の流動を抑制することに効果が有る。４．７ＧＢＤＶＤ−ＲＡＭではクーリングパルスが無いので消え戻りは起こらず、また、個々のパルスが短く、線速度が大きいのでクーリングパルスが無い場合の記録マーク終端部の両サイドからの再結晶化も起こりにくい。記録膜流動が起こりやすいことに対しては記録膜膜厚を薄めにして対処している。
【００２９】
高性能化技術をまとめると下記のようになる。
１.  狭トラックピッチ化に寄与する技術
ランド・グルーブ記録、吸収率調整層、反射率向上層（コントラスト強調層）
２.  狭ビットピッチ化に寄与する技術
マークエッジ記録、ＺＣＬＶ記録方式、吸収率調整層、界面層、反射率向上層、適応制御記録波形
３．  高速化に寄与する技術
１ビームオーバーライト、記録膜組成、吸収率調整層、界面層、反射率向上層上記のように１つの層が複数の役割を持ち、各層の機能が複雑にからみあっている。応力調整層もグルーブ変形を防いで狭トラックピッチ化に寄与すると同時に、熱拡散や吸収率の調整の役割も持っていて狭ビットピッチ化と高速化にも寄与している。従って、積層膜の組み合わせや膜厚を最適に選ぶことが高性能化のために極めて重要である。
【００３０】
【発明を実施する形態】
以下、この発明を実施例によって詳細に説明する。
（１）参考例１
（構成、製法）  図９は、参考例１のディスク状情報記録媒体の断面構造図を示す。この媒体は次のようにして製作された。まず、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面にトラックピッチが０．６ミクロンでランド・グルーブ記録用のトラッキング用の溝を有し、トラックセンターからずれた位置にアドレス情報などを表すピット列を有するポリカーボネイト基板１上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ２膜よりなる保護層２を膜厚１２０ｎｍ形成した。次に、Ａｌ２Ｏ３膜よりなる反射率向上層３を２０ｎｍ，Ｃｒ２Ｏ３膜よりなる下部界面層４を膜厚１ｎｍ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層５を平均膜厚９ｎｍ，Ｃｒ２Ｏ３膜よりなる上部界面層６を膜厚約５ｎｍ，ＺｎＳ−ＳｉＯ２膜よりなる熱拡散調整層７を膜厚２０ｎｍ，（Ｃｒ）７５（Ｃｒ２Ｏ３）２５膜からなる吸収率調整層８を膜厚３８ｎｍ，Ｃｒよりなる応力調整層９をＡｒガス流量１７０ｓｃｃｍで膜厚６０ｎｍ，Ａｌ９９Ｔｉ１膜からなる反射層１０を膜厚３０ｎｍに順次形成した。積層膜の形成はマグネトロン・スパッタリング装置により行った。こうして第１のディスク部材を得た。記録膜の平均膜厚は９ｎｍであったが、最内周から５ｍｍ外周寄りの場所と最外周から５ｍｍ内周寄りの場所の膜厚を比較すると後者の方が膜厚が２ｎｍ厚いように、内周から外周に向かって膜厚が増してゆくように形成した。これにより、同じ記録膜膜厚では内周のほうが多数回記録書き換えによる記録膜流動などでエラーレートが上昇するのを防止できた。すなわち、膜厚が一様で９ｎｍの場合、内周では５万回の記録書き換え後エラーレートが２かける１０のマイナス２乗まで上昇し、外周では５かける１０のマイナス４乗であったのに対して、上記のように膜厚差を設けることにより、どこでも１０のマイナス４乗台のエラーレートが得られた。基板の反りは製膜前と後でほとんど変化しておらず，応力調整がうまくいっている事を示した。一方、Ｃｒ膜をＡｒ流量５０ｓｃｃｍで形成した以外は上記と全く同じにして形成したディスクでは、基板の反りが、製膜した面を上にしたとき，基板外周部が下に下がる方向に変化しており，基板から膜に圧縮応力が働いていることを示していた。Ｃｒ層が全く無い場合は、基板外周部が下に下がる方向の変化はさらに大きかった。
【００３１】
他方、全く同様の方法により、第１のディスク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得た。その後，前記第１のディスク部材および第２のディスク部材の膜表面に紫外線硬化樹脂による保護コートを行い，それぞれの反射層同士を接着剤層１０を介して貼り合わせ、図９に示すディスク状情報記録媒体を得た。
【００３２】
本参考例の光ディスクの、ポリカーボネート基板に切れ目を入れ、２つに折って断面をＳＥＭで観察したところ，図１０に示したように，応力調整層であるＣｒ膜は，その面内の９０％以上において、そのすぐ下の粒状構造のＣｒ７５（Ｃｒ２Ｏ３）２５膜との界面から太さ約１５ｎｍの柱状構造となっており，Ｃｒ膜の形成過程で島状に膜が付き始め，柱状に成長して柱と柱が融合する時に引張り応力が発生していると推察された。スパッタリング時のＡｒガス圧力を５０ｓｃｃｍとしたものでは、断面を観察するとＣｒ膜は、面内の３０％以上ですぐ下のＣｒ７５（Ｃｒ２Ｏ３）２５膜との界面に近い部分１／４程度が粒状構造になっており、そのために引張り応力が必要なだけ出ていないと考えられる。Ａｒガス圧力を下げて行くと，柱状構造の根元に粒状構造の部分が増加して行くが，Ｃｒ層の膜厚Ｘｎｍと根元から柱状となっている部分の比率Ｙ％とが、下記の式を満たせば，グルーブ曲がり量０．０２μｍ以下を得て対処可能であった。膜厚が３０ｎｍ以下では，曲がり０．０２μｍ以下とすることはできず、根元から柱状となっている部分の比率が８０％以下では，曲がり０．０２μｍ以下とすることはできなかった。Ｃｒの含有量が７０原子％未満で、原子量が２２以上４７以下の範囲以外の元素の含有量が３０％以上では、Ａｒガス圧を振っても引張り応力を得るのは困難であった。
【００３３】
（初期結晶化）  前記のようにして製作したディスクの記録層に次のようにして初期結晶化を行った。ディスクを記録トラック上の点の線速度が５ｍ／ｓであるように回転させ、スポット形状が媒体の半径方向に長い長円形の半導体レーザ（波長約８１０ｎｍ）のレーザ光パワーを８００ｍＷにして基板１を通して記録層４に照射した。スポットの移動は、媒体の半径方向のスポット長の１／４ずつずらした。こうして、初期結晶化を行った。この初期結晶化は１回でもよいが２回繰り返すと初期結晶化によるノイズ上昇を少し低減できた。
（記録・消去・再生）  上記記録媒体に対して情報記録再生評価機により、情報の記録再生を行った。以下に本情報記録再生評価機の動作を説明する。なお、記録再生を行う際のモーター制御方法としては、記録再生を行うゾーン毎にディスクの回転数を変化させるＺＣＡＶ（Ｚｏｎｅｄ  Ｃｏｎｓｔａｎｔ  Ｌｉｎｅａｒ  Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）方式を採用している。ディスク線速度は約８．２ｍ／ｓである。記録装置外部からの情報は８ビットを１単位として、８−１６変調器に伝送される。ディスクに情報を記録する際には、情報８ビットを１６ビットに変換する記録方式、いわゆる８−１６変調方式を用い記録が行われた。この変調方式では媒体上に、８ビットの情報に対応させた３Ｔ〜１４Ｔのマーク長の情報の記録を行っている。なお、ここでＴとは情報記録時のクロックの周期を表しており、ここでは１７．１ｎｓとした。８−１６変調器により変換された３Ｔ〜１４Ｔのデジタル信号は記録波形発生回路に転送され、高パワーパルスの幅を約Ｔ／２とし、高パワーレベルのレーザーパルス間に幅が約Ｔ／２の低パワーレベルのレーザー照射を行い、上記一連の高パワーパルス列と次の高パワーパルス列との間に中間パワーレベルのレーザー照射が行われるマルチパルス記録波形が生成される。この際、記録マークを形成するための高パワーレベルを１１ｍＷ、記録マークの消去が可能な中間パワーレベルを４．２ｍＷ、中間パワーレベルより低い低パワーレベルを２．５ｍＷとした。また、上記記録波形発生回路内において、３Ｔ〜１４Ｔの信号を時系列的に交互に「０」と「１」に対応させるようにしている。この際、光ディスク上の中間パワーレベルレーザービームが照射された領域は結晶となり（スペース部）、高パワーレベルのパルス領域は非晶質（マーク部）に変化する。また、上記記録波形発生回路内は、マーク部を形成するための一連の高パワーパルス列を形成する際に、マーク部の前後のスペース部の長さに応じてマルチパルス波形の先頭パルス幅と最後尾のパルス幅を変化トさせる方式（適応型記録波形制御）に対応したマルチパルス波形テーブルを有しており、これによりマーク間に発生するマーク間熱干渉の影響を極力排除できるマルチパルス記録波形を発生している。また、この媒体の反射率は結晶状態の方が高く、記録され非晶質状態になった領域の反射率が低くなっている。記録波形発生回路により生成された記録波形は、レーザ駆動回路に転送され、レーザ駆動回路はこの波形をもとに、光ヘッド内の半導体レーザを発光させる。本記録装置に搭載された光ヘッドには、情報記録用のエネルギービームとして波長６６０ｎｍのレーザビームを照射することにより、情報の記録を行った。また、本記録装置はグルーブとランド（グルーブ間の領域）の両方に情報を記録する方式（いわゆるランドグルーブ（Ｌ／Ｇ）記録方式）に対応している。本記録装置ではＬ／Ｇサーボ回路により、ランドとグルーブに対するトラッキングを任意に選択することができる。記録された情報の再生も上記光ヘッドを用いて行った。レーザービームを記録されたマーク上に照射し、マークとマーク以外の部分からの反射光を検出することにより、再生信号を得る。この再生信号の振幅をプリアンプ回路により���大させ、８−１６復調器では１６ビット毎に８ビットの情報に変換する。以上の動作により、記録されたマークの再生が完了する。以上の条件でマークエッジ光端書記録を行った場合、最短マークである３Ｔマークのマーク長は約０．４２μｍ、最長マークである１４Ｔマークのマーク長は約１．９６μｍとなる。記録信号には、情報信号の始端部、終端部に４Ｔマークと４Ｔスペースの繰り返しのダミーデータが含まれている。始端部にはＶＦＯも含まれている。このような記録方法では、既に情報が記録されている部分に対して消去することなく、重ね書きによって新たな情報を記録すれば、新たな情報に書き換えられる。すなわち、単一のほぼ円形の光スポットによるオーバーライトが可能である。しかし、書き換え時の最初のディスク１回転または複数回転で、前記のパワー変調した記録用レーザ光の中間パワーレベルまたはそれに近いパワーの連続光を照射して、記録されている情報を一たん消去し、その後、次の１回転で低パワーレベル（１．５ｍＷ）と高パワーレベルの間で、または中間パワーレベルと高パワーレベルとの間で、情報信号に従ってパワー変調したレーザ光を照射して記録するようにしてもよい。このように、情報を消去してから記録するようにすれば、前に書かれていた情報の消え残りが少ない。従って、線速度を２倍以上に上げた場合の書き換えも、容易になる。これらの方法は、この発明の媒体に用いられる記録層ばかりでなく他の媒体の記録層にも有効である。
【００３４】
上記のディスクでは問題を生じなかったが，Ｃｒ膜をＡｒ流量５０ｓｃｃｍで形成した以外は上記と全く同じにして形成したディスクでは、プリフォーマット部のアドレス情報などを表すピットと、ユーザーデータ部に記録した記録マークとのディスク半径方向の位置関係が、正しい、１／２トラックピッチずれた関係になっておらず，各セクターの中央部約３／４の範囲では、半径方向のゾーンの内周寄りでは外周方向に，外周寄りでは内周方向にずれる。このずれ量の測定結果を図３に示した。このため、プリフォーマット部のピットの位置でトラッキングを補正すると，セクターの中央部ではグルーブで決まるトラック中心からずれて記録され，隣接トラックの記録マークの一部を消去するクロスイレーズが起こってしまう。また、１ゾーン（約１６００トラック）を繰り返し１０００回オーバーライトすると、ゾーンの中央寄りかつセクターの中央寄りの領域でトラックが外周方向に曲がる現象が生じ，やはり、クロスイレーズを引き起こした。
（応力調整層の組成）  応力調整層に用いることができる材料としては、引張り応力を生じやすいものであれば良いが，金属元素の場合，スパッタリングによる製膜時の、応力が圧縮から引張りに変わるＡｒガス流量、あるいは圧力が原子番号によってほぼ決まっていることが知られている。実用的なＡｒガス流量や圧力は範囲が限られているので，引張り応力を生じさせることができる材料は自ずから決まってくる。それらは、通常の陽子・中性子比で原子番号が２２から４７の範囲の元素である。それらのうちでもＣｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏよりなる群より選ばれた少なくとも１元素を７０原子％以上含む材料であった。さらに原子番号が２２から２８の範囲の元素では，Ａｒガス流量などの広い範囲で適当な引張り応力が得られる。
【００３５】
（反射率向上層）  反射率向上層の膜厚は２５ｎｍ以上４０ｎｍ以下で最適の反射率と、１０万回以上の多数回書き換えを達成できた。Ａｌ２Ｏ３に代わる材料としては、ＳｉＯ２や、Ａｌ２Ｏ３とＳｉＯ２との混合材料が使用可能であった。
【００３６】
（界面層）上部界面層、下部界面層のＣｒ２Ｏ３に代わる材料としては，Ａｌ２Ｏ３またはＡｌ２Ｏ３とＳｉＯ２の混合物もしくはＡｌ２Ｏ３とＣｒ２Ｏ３の混合物が好ましい。ＳｉＯ２またはＡｌ２Ｏ３が７０ｍｏｌ％以上含まれていると、結晶化速度が速くなり、界面層がない場合に比べて約２倍の速度である１８ｍ／ｓにおいても消去比が２５ｄＢ以上になる。また，Ａｌ−Ｎ，Ｂ−Ｎ，Ｃｒ−Ｎ，Ｃｒ２Ｎ，Ｇｅ−Ｎ，Ｈｆ−Ｎ，Ｓｉ３Ｎ４，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ２）、Ｓｉ−Ｎ系材料，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ系材料，Ｔａ−Ｎ，Ｔｉ−Ｎ，Ｚｒ−Ｎ，などの窒化物も接着力が大きくなり、外部衝撃による情報記録媒体の劣化が小さく、より好ましい。窒素が含まれた記録膜組成またはそれに近い組成の材料でも接着力が向上する。１００トラック以上の多数トラック、例えば１ゾーン全体を多数回オーバーライトした時のグルーブ変形に付いては，記録パワーレベルのレーザー光照射で温度上昇することにより基板表面の膨張と、それによる分子間隔の広がりが起こると考えられるので，熱が基板側に行かないように，記録膜と基板との間にＡｌ２Ｏ３，Ｓｉ−Ｎ，Ｇｅ−Ｎなどの読出し光の透過率が高く，記録膜および光入射側保護層に用いるＺｎＳ系材料より熱伝導率が高い材料の厚さ１０ｎｍ以上，より好ましくは２５ｎｍ以上４０ｎｍ以下の層を設けるのが効果がある。この層は，反射率向上層を兼ねていても良い。この層は記録膜と下部保護層の間に設ければさらに効果が高い。
（金属を主成分とする他の層（反射層））  また、記録膜に関して光入射と反対側の熱伝導率が高い金属層（反射層）は，ＡｌあるいはＡｌ合金の場合，Ｃｒ，Ｔｉなどの添加元素が４原子％以下の、Ａｇ合金の場合はＰｄ，Ｃｕなどの添加元素が８％以下の高熱伝導率材料であるのが，基板表面の温度上昇を防止する効果があって，好ましい。本参考例で反射層に用いたＡｌ−Ｔｉの代わりの反射層の材料としては、Ａｌ−Ｃｒ，Ａｌ−Ａｇ，Ａｌ−Ｃｕ等Ａｌ合金を主成分とするものが書き換え時のジッターを低くできるため好ましい。Ａｌ合金中のＡｌ以外の元素の含有量は２原子％以上３０原子％以下の範囲にすると、多数回書き換え時の特性が良好になることがわかった。また，上記以外のＡｌ合金でも同様の特性が得られた。次いで，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖの元素単体、またはＡｕ合金，Ａｇ合金，Ｃｕ合金，Ｐｄ合金，Ｐｔ合金，Ｓｂ−Ｂｉ，ＳＵＳ，Ｎｉ−Ｃｒ，などこれらを主成分とする合金、あるいはこれら同志の合金よりなる層を用いてもよい。このように、反射層は、金属元素、半金属元素、これらの合金、混合物、からなる。この中で、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ単体あるいはＣｕ合金、Ａｇ合金、Ａｕ合金等のように熱伝導率が大きいものは、記録マーク周辺に形成される再結晶化領域が狭くなり再生信号が大きくなる、クロスイレーズを抑制するなどの利点がある。Ａｇ単体あるいはＡｇ合金は反射率が大きいので変調度が大きくなり、再生特性が良好である。この場合の主成分以外の元素の含有量は２原子％以上３０原子％以下の範囲にすると、書き換え特性がより良好になる。本参考例では反射層を１層としたが、反射層を２層以上積層しても本参考例の効果は変わらない。具体的には、Ａｌ−ＴｉとＡｌ−Ｃｒ，Ａｌ−ＡｇとＡｇ，Ａｌ−ＣｕとＡｌ等であり、Ａｌも使用可能である。これより、Ａｌ合金中のＡｌ以外の元素の含有量は０．５原子％以上４原子％以下の範囲にすると、多数回書き換え時の特性およびビットエラーレートが良好になり、１原子％以上２原子％以下の範囲ではより良好になることがわかった。
（吸収率調整層）  本参考例で吸収率調整層に用いたＣｒ−（Ｃｒ２Ｏ３）膜に代わる材料としてはＧｅ−Ｃｒ，Ｇｅに金属元素を添加したもの，次いでＳｉに金属元素を添加したものが使用可能であった。添加量は５原子％以上，４５原子％以下が 良く，たとえばＧｅ９５Ｃｒ５，Ｇｅ９０Ｃｒ１０，Ｇｅ８０Ｃｒ２０，Ｇｅ５５Ｃｒ４５，Ｇｅ−Ｔｉ，Ｓｉ−Ｔｉ，Ｓｉ−Ｃｒなど，およびこれらを窒化したものであった。
（基板）  本参考例では、表面に直接、トラッキング用の溝を有するポリカーボネート基板１を用いているが、トラッキング用の溝を有する基板とは、基板表面全面または一部に、記録・再生波長をλとしたとき、λ／１０ｎ（ｎは基板材料の屈折率）以上の深さの溝を持つ基板である。溝は一周で連続的に形成されていても、途中分割されていてもよい。溝深さが約λ／６ｎの時、クロストークが小さくなり好ましいことがわかった。また、その溝幅は場所により異なっていてもよい。溝部とランド部の両方に記録・再生が行えるフォーマットを有する基板でも、どちらか一方に記録を行うフォーマットの基板でも良い。貼り合わせ前に前記第１および第２のディスク部材の反射層上に紫外線硬化樹脂を厚さ約１０μｍ塗布し，硬化後に貼り合わせを行うと，エラーレートがより低くできる。本参考例では、２つのディスク部材を作製し、接着剤層を介して、前記第１および第２のディスク部材の反射層８同士をはり合わせているが、貼り合わせを行わずに、前記第１のディスク部材の第２反射層８上に紫外線硬化樹脂を厚さ約１０μｍ以上塗布してもよい。反射層８がない構造のディスク部材の場合、最も上に積層された層の上に紫外線硬化樹脂を塗布してもよい。
【００３７】
吸収率調整層と応力調整層の積層順序を逆にしても、少し引張り応力が弱くなるが、応力調整層の膜厚を調整すれば応力バランスが可能であった。
（参考例２）  参考例１と同じ膜構成であるが，基板への積層順序を逆にし、製膜後、上部に厚さ０．１ｍｍのポリカーボネートシートを接着した記録媒体でも，上記シート側から光を入射させることにより，良好な特性を得ることができた。
（参考例３）  まず、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面にトラックピッチが０．６ミクロンでランド・グルーブ記録用のトラッキング用の溝を有し、トラックセンターからずれた位置にアドレス情報などを表すピット列を有するトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト基板上にＺｎＳ−ＳｉＯ２膜よりなる保護層を膜厚１００ｎｍ形成した。次に、Ｃｒ２Ｏ３膜よりなる下部界面層を膜厚２０ｎｍ、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ４記録層を膜厚１６ｎｍ，窒化ＺｎＳ−ＳｉＯ２膜よりなる上部保護層を膜厚１８ｎｍ，Ｃｒ膜からなる応力調整層を膜厚５５ｎｍ，Ａｌ−Ｔｉ膜からなる反射層を膜厚３５ｎｍに順次形成した。積層膜の形成はマグネトロン・スパッタリング装置により行った。こうして第１のディスク部材を得た。他方、全く同様の方法により、第１のディスク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得た。その後，前記第１のディスク部材および第２のディスク部材をそれぞれの反射層同士を接着剤層を介して貼り合わせディスク状情報記録媒体を得た。初期化および記録再生消去方法は参考例１と同様である。本参考例でも応力調整層により，トラック変形を実用上問題が無い小さな値にすることができた。
【００３８】
（参考例４）
（構成、製法）  図１２は、この発明の一参考例のディスク状情報記録媒体の断面構造図を示す。この媒体は次のようにして製作された。まず、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面にトラックピッチが０．６ミクロンでランド・グルーブ記録のトラッキング用の溝を有し、トラックセンターからずれた位置、すなわち、ほぼランドとグルーブの境界線の延長線上にアドレス情報などを表すピット列を有するポリカーボネイト基板１２上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ２膜よりなる下部保護層１３を膜厚１１０ｎｍ形成した。次に、Ａｌ２Ｏ３膜よりなる反射率向上層１４を２５ｎｍ，Ｃｒ２Ｏ３膜よりなる下部界面層１５を膜厚１ｎｍ、Ｇｅ７Ｓｂ４Ｔｅ１３記録層１６を平均膜厚９ｎｍ，Ｃｒ２Ｏ３膜よりなる上部界面層１７を膜厚約５ｎｍ，ＺｎＳ‐ＳｉＯ２膜よりなる上部保護（熱拡散制御）層１８を膜厚２０ｎｍ，（Ｃｒ）７５（Ｃｒ２Ｏ３）２５膜からなる吸収率調整層１９を膜厚３８ｎｍ，Ａｌ９９Ｔｉ１膜からなる反射層２０を膜厚３０ｎｍ，Ｔｉよりなる応力調整層２１をＡｒガス流量１７０ｓｃｃｍで膜厚１２０ｎｍ，に順次形成した。組成比はいずれも原子％（ａｔｏｍｉｃ％）である。膜の形成はマグネトロン・スパッタリング装置により行った。こうして第１のディスク部材を得た。上記９層構造の熱拡散を増し、縦方向にするＡｌ９９Ｔｉ１層を削除した８層構造ディスク、上記９層構造の下部保護層と下部界面層との間の反射率向上層であるＡｌ２Ｏ３層を削除した８層構造ディスク、上記９層構造の結晶化促進、記録膜中への不純物拡散防止作用を持つ下部界面層を削除した８層構造ディスク、上記９層構造の結晶化促進、記録膜中への不純物拡散防止作用を持つ上部界面層を削除した８層構造ディスク、上記９層構造の記録感度を上げ、熱拡散を縦方向にする上部保護層を削除した８層構造ディスク、も作製した。反射層以外のこれらの層の削除で光学的膜厚が薄くなる分は、他の層の膜厚を増して調整した。記録膜の平均膜厚は９ｎｍであったが、最内周から５ｍｍ外周寄りの場所と最外周から５ｍｍ内周寄りの場所の膜厚を比較すると後者の方が膜厚が２ｎｍ厚いように、内周から外周に向かって膜厚が増してゆくように形成した。これにより、同じ記録膜膜厚では内周のほうが多数回記録書き換えによる記録膜流動などでエラーレートが上昇するのを防止できた。すなわち、膜厚が一様で９ｎｍの場合、内周では５万回の記録書き換え後エラーレートが２かける１０のマイナス２乗まで上昇し、外周では５かける１０のマイナス４乗であったのに対して、上記のように膜厚差を設けることにより、どこでも１０のマイナス４乗台のエラーレートが得られた。基板の反りは上記９層の積層膜の製膜前後でほとんど変化しておらず，応力調整がうまくいっている事を示した。一方、Ｔｉ膜をＡｒ流量５０ｓｃｃｍで形成した以外は上記と全く同じにして形成したディスクでは、基板の反りが、製膜した面を上にしたとき，基板外周部が下に下がる方向に変化しており，基板から膜に圧縮応力が働いていることを示していた。Ｔｉ層が全く無い場合は、基板外周部が下に下がる方向の変化はさらに大きかった。
【００３９】
他方、全く同様の方法により、第１のディスク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得た。その後，前記第１のディスク部材および第２のディスク部材の膜表面に紫外線硬化樹脂による保護コート２２を行い，それぞれの紫外線硬化樹脂層同士を接着剤層を介して貼り合わせ、図１２に示すディスク状情報記録媒体を得た。
（初期結晶化方法）  前記のようにして製作したディスクの記録層に次のようにして初期結晶化を行った。ディスクを記録トラック上の点の線速度が５ｍ／ｓであるように回転させ、スポット形状が媒体の半径方向に長い長円形の半導体レーザ（波長約８１０ｎｍ）のレーザ光パワーを８００ｍＷにして基板１２を通して記録層１６に照射した。スポットの移動は、媒体の半径方向のスポット長の１／４ずつずらした。こうして、初期結晶化を行った。この初期結晶化は１回でもよいが２回繰り返すと初期結晶化によるノイズ上昇を少し低減できた。
（記録・消去・再生方法）  上記記録媒体に対して情報記録再生評価機により、情報の記録再生を行った。以下に本情報記録再生評価機の動作を説明する。なお、記録再生を行う際のモーター制御方法としては、記録再生を行うゾーン毎にディスクの回転数を変化させるＺＣＡＶ（Ｚｏｎｅｄ  Ｃｏｎｓｔａｎｔ  Ｌｉｎｅａｒ  Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）方式を採用している。ディスク線速度は約８．２ｍ／ｓである。ディスクに情報を記録する際には、情報８ビットを１６ビットに変換する記録方式、いわゆる８−１６変調方式を用い記録が行われた。記録装置外部からの情報は８ビットを１単位として、８−１６変調器に伝送される。この変調方式では媒体上に、８ビットの情報に対応させた３Ｔ〜１４Ｔの記録マーク長での情報の記録を行っている。なお、ここでＴとは情報記録時のクロックの周期を表しており、ここでは１７．１ｎｓとした。８−１６変調器により変換された３Ｔ〜１４Ｔのデジタル信号は記録波形発生回路に転送される。上記記録波形発生回路内において、３Ｔ〜１４Ｔの信号を時系列的に交互に「０」と「１」に対応させ、「０」の場合には中間パワーレベルのレーザパワーを照射し、「１」の場合には高パワーパルス、またはパルス列を照射するようにしている。高パワーパルスの幅を約３Ｔ／２〜Ｔ／２とし、４Ｔ以上の記録マークを形成する際は、複数の高パワーレベルのパルスより成るパルス列を用い、パルス列のパルス間では幅が約Ｔ／２の低パワーレベルのレーザー照射を行い、上記パルス列とパルス列の間の記録マークを形成しない部分では中間パワーレベルのレーザー照射が行われるマルチパルス記録波形が生成される。この際、記録マークを形成するための高パワーレベルを１１ｍＷ、記録マークの消去が可能な中間パワーレベルを４．２ｍＷ、中間パワーレベルより低い低パワーレベルを４ｍＷとした。低パワーレベルを中間パワーレベルと同じにしても良い。また、この際、光ディスク上の中間パワーレベルレーザービームが照射された領域は結晶となり（スペース部）、高パワーレベルのパルス列を照射された領域は非晶質の記録マークに変化する。また、上記記録波形発生回路内は、マーク部を形成するための一連の高パワーパルス列を形成する際に、マーク部の前後のスペース部の長さに応じてマルチパルス波形の先頭パルス幅と最後尾のパルス幅を変化する方式（適応型記録波形制御）に対応したマルチパルス波形テーブルを有しており、これによりマーク間に発生するマーク間熱干渉の影響を極力排除できるマルチパルス記録波形を発生している。また、この記録媒体の反射率は結晶状態の方が高く、記録され非晶質状態になった領域の反射率が低くなっているが、保護層と記録膜の膜厚を変えることにより逆の設計も可能である。記録波形発生回路により生成された記録波形は、レーザ駆動回路に転送され、レーザ駆動回路はこの波形をもとに、光ヘッド内の半導体レーザの出力パワーを変化させる。本記録装置に搭載された光ヘッドには、情報記録用のエネルギービームとして波長６６０ｎｍのレーザビームを照射することにより、情報の記録を行った。以上の条件でマークエッジ記録を行った場合、最短マークである３Ｔマークのマーク長は約０．４２μｍ、最長マー��である１４Ｔマークのマーク長は約１．９６μｍとなる。記録信号には、情報信号の始端部、終端部に４Ｔマークと４Ｔスペースの繰り返しのダミーデータが含まれている。始端部にはＶＦＯも含まれている。このような記録方法では、既に情報が記録されている部分に対して消去することなく、重ね書きによって新たな情報を記録すれば、新たな情報に書き換えられる。すなわち、単一のほぼ円形の光スポットによるオーバーライトが可能である。
【００４０】
また、本記録装置はグルーブとランド（グルーブ間の領域）の両方に情報を記録する方式（いわゆるランドグルーブ（Ｌ／Ｇ）記録方式）に対応している。本記録装置ではＬ／Ｇサーボ回路により、ランドとグルーブに対するトラッキングを任意に選択することができる。記録された情報の再生も上記光ヘッドを用いて行った。１ｍＷのレーザービームを記録トラック上に照射し、マークとマーク以外の部分からの反射光を検出することにより、再生信号を得る。この再生信号の振幅をプリアンプ回路により増大させ、８−１６復調器で１６ビット毎に８ビットの情報に変換する。以上の動作により、記録された情報の再生が完了する。
（応力調整層の製膜条件）  上記のディスクでは問題を生じなかったが，Ｔｉ膜をＡｒ流量５０ｓｃｃｍで形成した以外は上記と全く同じにして形成したディスクでは、プリフォーマット部のアドレス情報などを表すピットと、ユーザーデータ部に記録した記録マークとのディスク半径方向の位置関係が、正しい、１／２トラックピッチずれた関係になっておらず，各セクターの中央部約３／４の範囲では、半径方向のゾーンの内周寄りでは外周方向に，外周寄りでは内周方向にずれる。このずれ量の測定結果を図３に示した。このため、プリフォーマット部のピットの位置でトラッキングを補正すると，セクターの中央部ではグルーブで決まるトラック中心からずれて記録され，隣接トラックの記録マークの一部を消去するクロスイレーズが起こってしまう。また、１ゾーン（約１６００トラック）を繰り返し１０００回オーバーライトすると、ゾーンの中央寄りかつセクターの中央寄りの領域でトラックが外周方向に曲がる現象が生じ，やはり、クロスイレーズを引き起こした。
（応力調整層の組成）  本参考例で応力調整層に用いたＴｉに代わる材料としては、Ｃｒ−Ｔｉ合金やＭｎが好ましい。Ｃｒも使用可能であるが、製膜条件によっては膜にクラック（亀裂）が発生しやすい。
【００４１】
応力調整層に用いることができる材料としては、引張り応力を生じやすいものであれば良いが，金属元素の場合，スパッタリングによる製膜時の、応力が圧縮から引張りに変わるＡｒガスの流量あるいは圧力が原子量によってほぼ決まっていることが知られている。実用的なＡｒガス流量や圧力は範囲が限られているので，引張り応力を生じさせることができる材料は自ずから決まってくる。それらは、通常の陽子・中性子比で原子番号が２２から４７の範囲の元素である。それらの内でも特に遷移金属元素が好ましい。このことは、すなわち本参考例で応力調整層に用いたＴｉの一部または全部に代えてこれらの元素を用いて良いことを意味する。それらのうちでも特に好ましいのは、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏよりなる群より選ばれた少なくとも１元素を６０原子％以上含む材料であった。Ｔｉと、原子番号が２２から４７の範囲外の元素、例えばＡｌあるいはＳｉ、との合金や化合物や混合物を用いた場合、Ｔｉ含有量が６０原子％以上であれば応力調整効果が得られた。７０原子％以上であればさらに好ましい。さらに、原子番号が２２から２８の範囲の元素では，実用的なＡｒガス流量などの広い範囲で適当な引張り応力が得られた。原子番号が２２から２８の範囲の元素は、上記Ｔｉと同様な応力調整効果の含有量依存性を持つ。応力調整層の主成分がＣｒ、または原子番号が比較的大きい２９から４７の範囲の元素（ただしＺｎ，Ｇａ，Ａｓ，Ｓｅ，Ｂｒ，Ｋｒ，Ｒｂ，Ｓｒ，およびＴｃは気化温度や融点が低過ぎたり酸化しやすかったり、極めて高価だったりするために除く）の場合、十分な応力調整効果を得るためには含有量が７０原子％以上であるのが好ましい。Ｃｒの場合は、他の元素と混合した場合、容易に多くの化合物を生じ、結晶構造が変わる場合も有るので他の元素の含有量が少ないのが良い。製膜プロセスで、例えば少量の酸素や窒素を添加することによりこの構造変化を防止すればＣｒの含有量が６０原子％以上であればよい。原子番号が２２から４７の範囲の元素を６０原子％以上含む層の主成分がＴｉ−ＣｒあるいはＶ−Ｃｒ合金であって、合金のＣｒ含有量が３０原子％以上８５原子％以下、ＴｉあるいはＶの含有量が１５原子％以上７０原子％以下である場合、クラック（亀裂）が発生しにくく、広いＡｒガス流量範囲で応力調整層に引張り応力が生じた。ＣｒをＴｉと比較するとＣｒは膜厚が薄くても引張り応力を生じやすい長所がある。しかし、クラックを生じやすく、原子番号が２２以上２８以下の範囲外、特に２２以上４７以下の範囲外の元素と共存した時、応力調整効果が小さくなりやすい問題が有る。そこで、ＣｒとＴｉとの合金を用いるのが好ましい。これによって、薄い膜厚でも応力調整効果が得やすく、クラックを生じにくい。Ｎｉ−Ｃｒ，Ｃｏ−Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃｒ合金を主成分とする膜も広い組成比範囲で良好な応力調整効果を持つ。
（応力調整層の構造および最適膜厚）  本参考例の光ディスクの、ポリカーボネート基板に切れ目を入れ、２つに折って断面をＳＥＭで観察したところ，応力調整層であるＴｉ膜は，その面内の９０％以上において、そのすぐ下の粒状構造のＡｌ９９Ｔｉ１膜との界面から太さ約１５ｎｍの柱状構造となっており，Ｔｉ膜の形成過程で島状に膜が付き始め，柱状に成長して柱と柱が融合する時に引張り応力が発生していると推察された。スパッタリング時のＡｒガス流量を５０ｓｃｃｍとしたものでは、断面を観察するとＴｉ膜は、面内の３０％以上ですぐ下のＡｌ９９Ｔｉ１膜との界面に近い部分１／４程度が粒状構造になっており、そのために引張り応力が必要なだけ出ていないと考えられる。Ａｒガス圧力を下げて行くと，柱状構造の根元に粒状構造の部分が増加して行くが，Ｔｉ層の膜厚Ｘｎｍと根元から柱状となっている部分の比率Ｙ％とが、下記の式を満たせば，グルーブ曲がり量０．０２μｍ以下を得て対処可能であった。
【００４２】
ＸＹ／１００≧５０ｎｍ
膜厚が５０ｎｍ未満では，曲がり０．０２μｍ以下とすることはできず、根元から柱状となっている部分の比率が８０％以下では，曲がり０．０２μｍ以下とすることはできなかった。Ｔｉ膜に原子番号が２２以上４７以下の範囲以外の元素を４０原子％を越えて加えた場合は、Ａｒガス圧を振っても引張り応力を得るのは困難であった。膜厚が１５０ｎｍを越えると、高温、高湿度寿命試験で膜にクラックが入る問題が生じる。スパッタリング時間が長くなることも問題である。
Ｃｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏよりなる群より選ばれた少なくとも１元素を７０原子％以上含む膜を有し、膜厚が３０ｎｍ以上であり，その膜の膜断面の８０％以上において、膜の下面から上面まで連続した柱状構造を有する記録媒体が特に好ましかった。Ｃｒ−Ｔｉ合金では膜厚８０ｎｍでも十分な引張り応力が得られた。応力調整層は多数トラックを多数回書き換えた時に生ずる問題に対しても効果を発揮した。これは、多数トラックをオーバーライトによる記録書換えした時，記録時の熱で基板表面が膨張して変形しやすくなり，この膨張が元に戻るには時間がかかるため、多数トラックのオーバーライトを多数回繰り返すと膨張がどんどん蓄積され、積層膜が基板に及ぼす応力によって、トラッキング用の溝（グルーブ）が、力を受けた方向にプリフォーマット部のアドレスデータが読めなくなるほどに曲がる問題である。この曲がりは多数回記録領域の中央付近ほど大きく曲がる。応力調整によってこの問題点も解消された。
（記録膜の組成と膜厚）  本参考例の記録膜の代わりに、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５，Ｇｅ７Ｓｂ４Ｔｅ１３，Ｇｅ４Ｓｂ２Ｔｅ７，Ｇｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８，などのＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３の混合組成、Ｇｅ２０Ｓｂ２４Ｔｅ５６などの、上記混合組成に近い組成の記録膜、Ｓｎ１．３Ｇｅ２．７Ｓｂ２Ｔｅ７などの、上記混合組成に添加元素を加えた記録膜、Ｇｅ１０Ｓｂ７０Ｔｅ２０、Ａｇ４Ｉｎ８Ｓｂ７０Ｔｅ１８などの共晶組成およびそれに近い組成の記録膜を用いても同様の特性が得られる。記録膜のいずれかの構成元素の含有量が上記の組成から５％以上ズレた場合、結晶化速度が速過ぎて記録時の記録膜融解後の冷却中に再結晶化が起こり、記録マーク形状が歪む、あるいは結晶化速度が遅過ぎて消え残りが生ずるなどの問題点が起こった。
【００４３】
記録膜の膜厚は５ｎｍ以上２０ｎｍ以下が好ましく、１１％以下の再生信号ジッターが得られ、６ｎｍ以上９ｎｍ以下が特に好ましく、８％以下の再生信号ジッターが得られた。膜厚が薄過ぎると消去時の結晶核形成が不足し、また再生信号強度も低下するので再生信号ジッターが許容範囲を越えてしまう。厚過ぎると多数回書換えによる記録膜流動により、１０００回未満のオーバーライトでジッターが１２％を越えてしまう。
（反射率向上層の組成と膜厚）  反射率向上層の膜厚は２５ｎｍ以上４０ｎｍ以下で最適の反射率と、１０万回以上の多数回書き換えを達成できた。Ａｌ２Ｏ３に代わる材料としては、ＳｉＯ２や、Ａｌ２Ｏ３とＳｉＯ２との混合材料、Ａｌ２Ｏ３とＣｒ２Ｏ３との混合材料，ＳｉＯ２とＣｒ２Ｏ３との混合材料が使用可能であった。
（反射率向上層の省略）  本参考例でＡｌ２Ｏ３よりなる反射率向上層を省略すると、その分ＺｎＳ・ＳｉＯ２層を厚くしても反射率が低下するが、低ノイズ基板を用いてＳ／Ｎを保つようにすれば使用可能であった。その他の層を削除した７層構造ディスクでも削除した層の効果が無くなる分、再生信号のジッターが１％程度上昇したり、記録感度が低下したりしたが、用途を選べば実用可能であった。
【００４４】
（界面層の組成と膜厚）  上部界面層、下部界面層のＣｒ２Ｏ３は、ＺｎＳの記録膜中への拡散の防止、結晶化速度の向上という効果がある。また、Ａｒのみの雰囲気ガスで製膜できること、他の層との接着性が優れていること、などの長所が有る。Ｃｒ２Ｏ３に代えて，あるいはＣｒ２Ｏ３層との２層にしてＧｅ５０Ｃｒ１０Ｎ４０などの組成の、ＧｅまたはＳｉを３０原子％以上６０原子％以下、Ｃｒを５原子％以上２０原子％以下含むＧｅ−Ｃｒ−Ｎ系材料、あるいはＳｉ−Ｃｒ−Ｎ系材料、あるいはＧｅ−Ｓｉ−Ｃｒ−Ｎ系材料、Ｔｉ６０Ｎ４０などのＴｉ−Ｎ系材料，Ｔａ５５Ｎ４５などのＴａ−Ｎ系材料，Ｓｎ７０Ｎ３０などのＳｎ−Ｎ系材料などの窒化物を用いると、結晶化速度向上効果が大きいが、書換え可能回数は１０〜２０％少なくなる。界面層は、膜厚１ｎｍ以上でオーバーライト１０万回までＺｎＳが記録膜中へ拡散する悪影響が現れるのを避ける効果が有る。結晶化速度向上効果を十分に得るには、膜厚３ｎｍ以上であるのが望ましい。ただし、光入射側界面層の場合、膜厚が２ｎｍを越えると、この層の光吸収のために反射率が低下するなどの問題点が生じる。光入射側と反対側の界面層の場合、Ｃｒ２Ｏ３では光吸収のために５ｎｍ以下が望ましいが、例えばＧｅ−Ｃｒ−Ｎのように吸収率がＣｒ２Ｏ３より低い界面層では、もっと厚い膜厚としても問題無かった。この他、上部界面層、下部界面層のＣｒ２Ｏ３に代わる材料としては，Ｔｉおよびその酸化物も好ましい。１００トラック以上の多数トラック、例えば１ゾーン全体を多数回オーバーライトした時のグルーブ変形については，記録パワーレベルのレーザー光照射で温度上昇することにより基板表面の膨張と分子間隔の広がりが起こると考えられるので，熱が基板側に行かないように，記録膜と基板との間にＳｉ３Ｎ４などのＳｉ−Ｎ系材料，Ｇｅ４５Ｎ５５などのＧｅ−Ｎ系材料、Ｇｅ−Ｃｒ−Ｎ系材料など、読出し光の透過率が高く，記録膜および光入射側保護層に用いるＺｎＳ系材料より熱伝導率が高い材料の厚さ１０ｎｍ以上，より好ましくは２５ｎｍ以上４０ｎｍ以下の層を設けるのが効果がある。この層は反射率向上層を兼ねていても良い。この層は記録膜と下部保護層の間に設ければさらに効果が高い。
【００４５】
上部界面層材料の膜によって上部界面層と上部保護層を兼ねさせることもできる。Ｇｅ５０Ｃｒ１０Ｎ４０などの組成の、ＧｅまたはＳｉを３０原子％以上６０原子％以下、Ｃｒを５原子％以上２０原子％以下含むＧｅ−Ｃｒ−Ｎ系材料、あるいはＳｉ−Ｃｒ−Ｎ系材料、あるいはＧｅ−Ｓｉ−Ｃｒ−Ｎ系材料では熱拡散率が低くできるので、記録感度の低下も少ない。
（金属を主成分とする他の層（反射層）の組成および膜厚）  また、記録膜に関して光入射と反対側の熱伝導率が高い金属層（反射層）は，ＡｌあるいはＡｌ合金の場合，Ｃｒ，Ｔｉなどの添加元素が４原子％以下の、Ａｇ合金の場合はＰｄ，Ｃｕなどの添加元素が８％以下の高熱伝導率材料であれば，基板表面の温度上昇を防止する効果があって，好ましい。本参考例で反射層２０に用いたＡｌ−Ｔｉの代わりの反射層の材料としては、Ａｌ−Ｃｒ，Ａｌ−Ａｇ，Ａｌ−Ｃｕ等Ａｌ合金を主成分とするものが書き換え時のジッターを低くできるため好ましい。Ａｌ合金、およびＡｇ合金中のＡｌまたはＡｇ以外の元素の含有量は２原子％以上３０原子％以下の範囲にすると、多数回書き換え時の特性が良好になることがわかった。また，上記以外のＡｌ合金でもジッターは多少高くなるが、同様の特性が得られた。
【００４６】
Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ単体あるいはＡｌ合金、Ｃｕ合金、Ａｇ合金、Ａｕ合金等のように熱伝導率が大きいものは、記録膜との間に厚い誘電体層を設ければ、記録マーク周辺に形成される再結晶化領域が狭くなり再生信号が大きくなる、クロスイレーズを抑制するなどの利点がある。Ａｇ単体あるいはＡｇ合金は反射率が大きいので変調度が大きくなり、再生特性が良好である。この場合の主成分以外の元素の含有量は２原子％以上３０原子％以下の範囲にすると、書き換え特性がより良好になる。Ａｇ−Ｔｉ，Ａｇ−Ｍｎ，Ａｇ−Ｎｄ、Ａｇ−Ｓｉなどの合金も好ましい。Ａｇ−ＮｄだけでなくＡｇ−Ｓｃなど、ＡｇあるいはＡｕとＩＩＩａ族元素（ランタニド、アクチニドを含む）とを主成分とするものも、Ａｇ−Ｎｄと同様、光透過率が高いために結晶状態の光吸収率を、非晶質状態の光吸収率より大きくするのに有利である。これらは金属間化合物を形成するので、応力調整層のＴｉなどの材料の代わりに使うこともできる。他のＡｇ合金、Ａｕ合金も吸収率調整効果を有する。ＡｇおよびＡｕ合金は膜の平坦性が良く、再生信号のノイズが低い長所も有る。本参考例では反射層を１層としたが、反射層を２層以上積層しても本発明の効果は変わらない。具体的には、Ａｌ‐ＴｉとＡｌ‐Ｃｒ、Ａｌ‐ＡｇとＡｇ、Ａｌ‐ＣｕとＡｌ等であり、Ａｌ−Ｔｉの代わりの反射層２０の材料としては、Ａｌ−Ａｇ，Ａｌ−Ｃｕ，Ａｌ−Ｃｒ等Ａｌ合金を主成分とするものが好ましい。Ａｌも使用可能である。次いで，Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｄｙ、Ｃｄ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｖの元素単体、または，Ｐｄ合金，Ｐｔ合金，などこれらを主成分とする合金、あるいはこれら同志の合金よりなる層を用いてもよい。このように、反射層は、金属元素、半金属元素、これらの合金、混合物、からなる。
【００４７】
反射層は高反射率を得るために金属元素を６０原子％以上含むのが好ましかった。
【００４８】
反射層の膜厚は、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましい。膜厚が薄過ぎると反射や熱拡散の効果が十分に得られず、厚すぎるとクラック発生などのおそれが有る。２０ｎｍ以上が特に好ましい。
（吸収率調整層の組成および膜厚）  吸収率調整層が少なくともＭｏ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｇｅ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｗの窒化物または酸化物、またはこれらの化合物と金属元素との混合組成であることも好ましい。
【００４９】
前記吸収率調整層がＣｒ−（Ｃｒ２Ｏ３）の場合、全成分（ＣｒとＣｒ２Ｏ３との和）に対するＣｒの比率は４２ｍｏｌ％以上が好ましい。また６１ｍｏｌ％以上、９０ｍｏｌ％以下であればより好ましい。前記吸収率調整層に用いたＣｒ−（Ｃｒ２Ｏ３）膜中のＣｒに代わる材料としてはＡｌ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉを用いると同様の結果が得られた。この中で、Ｍｏ，Ｗは融点が高い点で好ましかった。Ｎｉ，Ｃｏ，Ｔｉのうちの１元素を用いると、他に比べ安価なターゲットを使用できるため、全体の製作費用を下げることができる。Ｃｒ，Ｔｉは耐食性が強く、寿命試験の結果が他に比べて良好で、特に好ましかった。
【００５０】
前記吸収率調整層に用いたＣｒ−（Ｃｒ２Ｏ３）膜中のＣｒ２Ｏ３に代わる材料としては，ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３をテストしたが、含有量が多くないこともあり、他の酸化物や窒化物などの光透過性化合物も当然使用可能である。
【００５１】
本参考例で吸収率調整層に用いたＣｒ−（Ｃｒ２Ｏ３）膜に代わる材料としてはＧｅ−Ｃｒ，Ｇｅに金属元素を添加したもの，次いでＳｉに金属元素を添加したものが使用可能であった。添加量は３原子％以上８５原子％以下が好ましく、５原子％以上，７０原子％以下が特に好ましい。たとえばＧｅ９５Ｃｒ５，Ｇｅ９０Ｃｒ１０，Ｇｅ８０Ｃｒ２０，Ｇｅ５５Ｃｒ４５，Ｇｅ３０Ｃｒ７０，Ｇｅ−Ｔｉ，例えばＧｅ４０Ｔｉ６０，Ｓｉ−Ｔｉ，例えばＳｉ８０Ｔｉ２０，Ｓｉ−Ｃｒ，例えばＳｉ３０Ｃｒ７０など，およびこれらを窒化したものであった。
【００５２】
前記吸収率調整層が少なくともＭｏ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｇｅ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｗの窒化物または酸化物、またはＣｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏなどとの化合物または合金、またはＳｉ−Ｃｒまたはこれらの化合物または合金の混合組成である情報記録媒体も好ましい。吸収率調整層も良好な光学定数（ｎ，ｋ）を得るために金属元素を６０原子％以上含むのが好ましい。７０原子％以上がさらに好ましい。
【００５３】
吸収率調整層の融点は６００℃以上であることが好ましい。６００℃より融点が低い材料を吸収率調整層として用いた場合、記録時に記録層で発生した熱及び吸収率調整層自体による発熱により劣化し、光学特性が変化してＳ／Ｎが低下する場合がある。前記各層の膜厚，材料についてはそれぞれ単独の好ましい範囲をとるだけでも記録・再生特性等が向上するが，それぞれの好ましい範囲を組み合わせることにより，さらに効果が上がる。
【００５４】
吸収率調整層の膜厚は２０ｎｍ以上、７０ｎｍ以下の範囲で効果が得られた。厚過ぎても薄過ぎても十分な吸収率調整（補償）効果が得られず、クロスイレーズや、多数回読出しによるジッター上昇が許容値を上回った。
（保護層の組成および膜厚）  保護層には、ＺｎＳ・ＳｉＯ２、ＺｎＯ，ＺｎＯ・ＺｎＳ，あるいはＺｎＳ・ＳｉＯ２のＳｉＯ２を他の酸化物（Ｔａ２Ｏ５など）、窒化物で置き換えたものが使用可能であった。また、Ｇｅ５０Ｃｒ１０Ｎ４０などのＧｅ−Ｃｒ−Ｎ系材料や、Ｓｉ５０Ｃｒ１０Ｎ４０などのＳｉ−Ｃｒ−Ｎ系材料を光入射側と反対側の保護層、または保護層兼界面層として用いることもできる。
【００５５】
光入射側保護層の好ましい膜厚は、光の干渉による記録感度向上や結晶状態と非晶質状態とのコントラスト比を十分に得るために８５ｎｍ以上１３０ｎｍ以下の範囲であり、光入射側と反対側の保護層の好ましい膜厚は、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲であった。光学的には波長の整数倍厚いところでも同じ条件になるが、膜の応力による基板の変形やクラックが発生するようになり、製膜時間も長くなるので不利である。
（基板）  本参考例では、表面に直接、トラッキング用の溝を有するポリカーボネート基板１２を用いている。また、トラッキング用の溝を有する基板とは、基板表面全面または一部に、記録・再生波長をλとしたとき、λ／１０ｎ｀（ｎ｀は基板材料の屈折率）以上の深さの溝を持つ基板である。溝は一周で連続的に形成されていても、途中分割されていてもよい。溝深さが約λ／６ｎ｀の時、クロストークが小さくなり好ましいことが分かった。また、その溝幅は場所により異なっていてもよい。内周ほど狭いと、多数回書換えで問題が起きにくい。溝部とランド部の両方に記録・再生が行えるフォーマットを有する基板でも、どちらか一方に記録を行うフォーマットの基板でも良い。貼り合わせ前に前記第１および第２のディスク部材の反射層上に紫外線硬化樹脂を厚さ約１０μｍ塗布し，硬化後に貼り合わせを行うと，エラーレートがより低くできる。本参考例では、２つのディスク部材を作製し、接着剤層を介して、前記第１および第２のディスク部材の反射層２０同士をはり合わせている
。
（応力グルーブ変形量の測定方法）  以下、応力グルーブ変形量を測定する方法を説明する。ここでは例としてグルーブにおける応力グルーブ変形量を測定する場合についてのみ詳細に説明する。まず、測定するディスクを評価機にセットし、回転させる。そして、応力グルーブ変形量を測定するトラック付近へ光ヘッドを移動させる。その場所でオートフォーカスをかけ、トラッキングエラー信号（差信号）をオシロスコープでモニターする。そしてグルーブにおけるトラッキングエラー信号が最大になるようにオートフォーカスのゲインを調整する（ＡＦオフセット調整）。次に、オートフォーカスをかけた状態でグルーブにトラッキングをかける。そして、ランダム信号でレーザパワーを変えて記録を行い、３Ｔ（最短）マークとスペースに対応する信号のほうらく線の中心線の、長マークとスペースに対応する信号のほうらく線の中心線からのズレ（アシンメトリー）が＋５％（非晶質レベル側に５％）となる記録パワーを求め、最適記録パワーとする。次に、ラジアル（半径方向）−Ｔｉｌｔとオーバーライト１０回後（最適パワー）のジッター値との関係をタイムインターバルアナライザー（ＴＩＡ）で測定し、ジッターが最小となるラジアル−Ｔｉｌｔを求める。すなわち、ラジアル−Ｔｉｌｔを変えながらその時のジッターを測定し、このジッターが最小となるラジアル−Ｔｉｌｔをもとめ、これを最適ラジアル−Ｔｉｌｔとする。次に、トラッキングオフセット調整を行う。まず、グルーブの両側に最適パワーでオーバーライトを１０回行う。その後、グルーブにおけるランドからのクロストークをスペクトラムアナライザーで測定する。このクロストークが最小となるようにトラッキングゲインを調整する。この後、もう一度最適ラジアル−Ｔｉｌｔを求め、更にトラッキングオフセット調整を行えばさらに好ましい。
【００５６】
最終的に、グルーブでのＡＦオフセット調整、トラッキングオフセット調整、ラジアル−Ｔｉｌｔ調整が終わった後、応力グルーブ変形量を測定するトラックにビームを移動させる。そのトラックでのトラックの左右に１／２トラックずつズレて配置されたＩＤ部（ピットでアドレス情報等を表した部分）の再生信号（和信号）をモニターし、ＩＤ１とＩＤ３のそれぞれの電圧振幅Ｖ１及び電圧振幅Ｖ３を測定する。この値を基に、応力グルーブ変形量を表す、
｜（Ｖ１−Ｖ３）／（Ｖ１＋Ｖ３）｜
を計算する。
【００５７】
同じようにして、ランドにおける応力グルーブ変形量を測定する。
（応力調整したディスクの特徴）  上記のように応力調整層による最適化を行ったディスクには、上記の測定方法で、下記の３つの特長のうち、少なくとも１つが存在する。その１つは、（Ｖ１−Ｖ３）／（Ｖ１＋Ｖ３）の曲線が図１１に示したように水平に近くなり、ゾーンの両端１０％ずつのトラックを除く中央の８０％のトラックにおいて０．１の範囲内に収まり、両端の１０％のトラックにおいてのみ急激な変化を見せることである。応力調整層を付けない比較ディスクでは、図１１の比較例１および２に示したようにゾーン中央部のトラックでも、内周側から外周側に向かって（Ｖ１−Ｖ３）／（Ｖ１＋Ｖ３）の値が変化し、ランド・グルーブ記録用ディスクではランドとグルーブで逆方向に変化して行く。第２の特徴は、ランド、またはグルーブのいずれかの（Ｖ１−Ｖ３）／（Ｖ１＋Ｖ３）のカーブが、内周から外周に向かって単調増加や単調減少でなく、図１１に示したように増加した後減少、あるいは減少した後増加、という部分を有することである。両端の急激な変化部分や単調増加や単調減少でない部分も無いように応力調整することも不可能ではないが、膜の一部に無理がかかってディスク温度が大きく変化した時にクラック（亀裂）が発生しやすくなる。
【００５８】
応力調整層による応力調整を行った記録媒体の特徴の３つ目は、少なくとも応力調整層と記録膜との間の保護用誘電体層を一層残して基板を残さず、実質的に無機材料膜だけの状態に剥離した場合、膜が応力調整層側にカールする、すなわち、記録膜側、あるいは記録膜が有った側を下に、応力調整層側を上にした場合、積層膜の中央部に対して両端部が上方に持ち上がるように変形し、条件によってはクルッと巻き上がって筒状になることである。これは、応力調整層が引っ張り応力方向の力を生じていることを示す。応力調整層の上に厚い金属反射層があり、下には５０ｎｍ以下の厚さの誘電体層しか無い場合、逆方向に変形することも有るが、記録膜、および記録膜より光入射側の誘電体層（保護層）も応力調整層と一緒に剥離すれば、応力調整層側にカールする。
実施例１
（構成、製法）  図１３は、この発明の一実施例のディスク状情報記録媒体の断面構造図を示す。この媒体は次のようにして製作された。まず、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面にトラックピッチが０．６ミクロンでランド・グルーブ記録用のトラッキング用の溝を有し、トラックセンターからずれた位置にアドレス情報などを表すピット列を有するポリカーボネイト基板２３上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ２膜よりなる保護層２４を膜厚１１０ｎｍ形成した。次に、Ａｌ２Ｏ３膜よりなる反射率向上層２５を２５ｎｍ，Ｃｒ２Ｏ３膜よりなる下部界面層２６を膜厚１ｎｍ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層２７を平均膜厚９ｎｍ，Ｃｒ２Ｏ３膜よりなる上部界面層２８を膜厚約５ｎｍ，ＺｎＳ−ＳｉＯ２膜よりなる上部保護（熱拡散制御）層２９を膜厚２０ｎｍ，Ｃｒ７５（Ｃｒ２Ｏ３）２５の吸収率調整層３０を４０ｎｍ，Ｔｉ膜からなる応力調整層３１をＡｒガス流量１７０ｓｃｃｍで膜厚１２０ｎｍ，Ａｌ９９Ｔｉ１膜からなる反射層３２を膜厚３０ｎｍ，に順次形成した。応力調整の点ではＴｉに次いでＭｎが良いが、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉも使用可能である。積層膜の形成はマグネトロン・スパッタリング装置により行った。こうして第１のディスク部材を得た。
【００５９】
上記９層構造の、記録膜が非晶質の時と、結晶の時の光吸収率を調整し、また、熱拡散を縦方向にして記録マーク形成後の冷却中の再結晶化を防止するＣｒ７５（Ｃｒ２Ｏ３）２５層を削除した８層構造ディスク、上記９層構造の熱拡散を増し、縦方向にするＡｌ９９Ｔｉ１層を削除した８層構造ディスク、上記９層構造の下部保護層と下部界面層との間の反射率向上層であるＡｌ２Ｏ３層を削除した８層構造ディスク、上記９層構造の結晶化促進、記録膜中への不純物拡散防止作用を持つ下部界面層を削除した８層構造ディスク、上記９層構造の結晶化促進、記録膜中への不純物拡散防止作用を持つ上部界面層を削除した８層構造ディスク、上記９層構造の記録感度を上げ、熱拡散を縦方向にする上部保護層を削除した８層構造ディスク、も作製した。反射層以外のこれらの層の削除で光学的膜厚が薄くなる分は、他の層の膜厚を増して調整した。
【００６０】
基板の反りは製膜前と後でほとんど変化しておらず，応力調整がうまくいっている事を示した。一方、Ｔｉ膜をＡｒ流量５０ｓｃｃｍで形成した以外は上記と全く同じにして形成したディスクでは、基板の反りが、製膜した面を上にしたとき，基板外周部が下に下がる方向に変化しており，基板から膜に圧縮応力が働いていることを示していた。Ｔｉ層が全く無い場合は、基板外周部が下に下がる方向の変化はさらに大きかった。
【００６１】
他方、全く同様の方法により、第１のディスク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得た。その後，前記第１のディスク部材および第２のディスク部材の膜表面に紫外線硬化樹脂による保護コート３３を行い，それぞれの反射層同士を接着剤層を介して貼り合わせ、図１３に示すディスク状情報記録媒体を得た。
【００６２】
本実施例の光ディスクの、ポリカーボネート基板に切れ目を入れ、２つに折って断面をＳＥＭで観察したところ，応力調整層であるＴｉ膜は，その面内の９０％以上において、そのすぐ下のＣｒ７５（Ｃｒ２Ｏ３）２５膜との界面から太さ約１０ｎｍの柱状構造となっており，Ｔｉ膜の形成過程で島状に膜が付き始め，柱状に成長して柱と柱が融合する時に引張り応力が発生していると推察された。スパッタリング時のＡｒガス圧力を５０ｓｃｃｍとしたものでは、断面を観察するとＴｉ膜は、面内の３０％以上ですぐ下のＣｒ７５（Ｃｒ２Ｏ３）２５膜との界面に近い部分１／４程度が粒状構造になっており。そのために引張り応力が必要なだけ出ていないと考えられる。Ａｒガス圧力を下げて行くと，柱状構造の根元に粒状構造の部分が増加して行くが，Ｔｉ層の膜厚Ｘｎｍと根元から柱状となっている部分の比率Ｙ％とが、下記の式を満たせば，グルーブ曲がり量０．０２μｍ以下を得て対処可能であった。
【００６３】
ＸＹ／１００≧５０ｎｍ
膜厚が５０ｎｍ未満では，曲がり０．０２μｍ以下とすることはできず、根元から柱状となっている部分の比率が８０％以下では，まがり０．０２μｍ以下とすることはできなかった。例えばＴｉ−Ｓｉ膜のような場合、Ｔｉに、原子番号が２２以上４７以下の範囲以外の元素（すなわちＴｉ−Ｓｉの場合Ｓｉ）を４０原子％を越えて加えると、Ａｒガス圧を振っても引張り応力を得るのは困難であった。
【００６４】
反射層３２がない構造のディスク部材の場合、最も上に積層された層の上に紫外線硬化樹脂を塗布してもよい。
【００６５】
吸収率調整層と応力調整層の積層順序を逆にしても、少し引張り応力が弱くなるが、応力調整層の膜厚を調整すれば応力バランスが可能であった。ただ、吸収率調整層がＣｒ−（Ｃｒ−Ｏ）層の場合は、その次にすぐ応力調整層を設けたほうが引っ張り応力の出やすさの面でも，接着性の面でも良好であった。
（初期結晶化方法）
（記録・消去・再生方法）
（応力調整層の組成）
（応力調整層の構造および最適膜厚）
（記録膜組成および膜厚）
（反射率向上層の組成および膜厚）
（反射率向上層の省略）
（界面層の組成および膜厚）
（金属を主成分とする他の層（反射層）の組成および膜厚）
（吸収率調整層の組成および膜厚）
（保護層の組成および膜厚）
（基板）
（応力グルーブ変形量の測定方法）
（応力調整したディスクの特徴）
は、参考例４と同様である。
（実施例２）
（構成、製法）  図１４は、この発明の一実施例のディスク状情報記録媒体の断面構造図を示す。この媒体は次のようにして製作された。まず、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面にトラックピッチが０．６ミクロンでランド・グルーブ記録用のトラッキング用の溝を有し、トラックセンターからずれた位置にアドレス情報などを表すピット列を有するポリカーボネイト基板３４上に、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０膜よりなる保護層３５を膜厚１１０ｎｍ形成した、次にＡｌ２Ｏ３よりなる反射率向上層３６を２５ｎｍ，Ｃｒ２Ｏ３膜よりなる下部界面層３７を膜厚約５ｎｍ，次に、Ｇｅ７Ｓｂ４Ｔｅ１３記録層３８を平均膜厚９ｎｍ，Ｃｒ２Ｏ３膜よりなる上部界面層３９を膜厚約５ｎｍ，（ＺｎＯ）８０（ＺｎＳ）２０膜よりなる上部保護（熱拡散制御）層４０を膜厚２０ｎｍ，Ｔｉ膜からなる吸収率調整層兼応力調整層４１をＡｒガス流量１５０ｓｃｃｍで膜厚６０ｎｍ，Ａｌ９９Ｔｉ１膜からなる反射層４２を膜厚３０ｎｍ，に順次形成した。積層膜の形成はマグネトロン・スパッタリング装置により行った。こうして第１のディスク部材を得た。図１６に示したように、上記８層構造の熱拡散を増し、縦方向にするＡｌ９９Ｔｉ１層を削除した７層構造ディスク、図１７に示したように、上記８層構造の下部保護層と下部界面層との間の反射率向上層であるＡｌ２Ｏ３層を削除した７層構造ディスク、上記８層構造の結晶化促進、記録膜中への不純物拡散防止作用を持つ下部界面層を削除した７層構造ディスク、上記８層構造の結晶化促進、記録膜中への不純物拡散防止作用を持つ上部界面層を削除した７層構造ディスク、図１８に示したように、上記８層構造の記録感度を上げ、熱拡散を縦方向にする上部保護層を削除した７層構造ディスク、も作製した。反射層以外のこれらの層の削除で光学的膜厚が薄くなる分は、他の層の膜厚を増して調整した。基板の反りは製膜前と後でほとんど変化しておらず，応力調整がうまくいっている事を示した。一方、Ｔｉ膜をＡｒ流量５０ｓｃｃｍで形成した以外は上記と全く同じにして形成したディスクでは、基板の反りが、製膜した面を上にしたとき，基板外周部が下に下がる方向に変化しており，基板から膜に圧縮応力が働いていることを示していた。Ｔｉ層が全く無い場合は、基板外周部が下に下がる方向の変化はさらに大きかった。
【００６６】
本実施例の光ディスクの、ポリカーボネート基板に切れ目を入れ、２つに折って断面をＳＥＭで観察したところ，図１５に示したように、応力調整層であるＴｉ膜は，その面内の９０％以上において、そのすぐ下の（ＺｎＯ）８０（ＺｎＳ）２０膜との界面から太さ約１０ｎｍの柱状構造となっており，Ｔｉ膜の形成過程で島状に膜が付き始め，柱状に成長して柱と柱が融合する時に引張り応力が発生していると推察された。スパッタリング時のＡｒガス圧力を５０ｓｃｃｍとしたものでは、断面を観察するとＴｉ膜は、面内の３０％以上ですぐ下の（ＺｎＯ）８０（ＺｎＳ）２０膜との界面に近い部分１／４程度が粒状構造になっており。そのために引張り応力が必要なだけ出ていないと考えられる。Ａｒガス圧力を下げて行くと，柱状構造の根元に粒状構造の部分が増加して行くが，Ｔｉ層の膜厚Ｘｎｍと根元から柱状となっている部分の比率Ｙ％とが、下記の式を満たせば，グルーブ曲がり量０．０２μｍ以下を得て対処可能であった。
【００６７】
ＸＹ／１００≧５０ｎｍ
膜厚が５０ｎｍ未満では，曲がり０．０２μｍ以下とすることはできず、根元から柱状となっている部分の比率が８０％以下では，まがり０．０２μｍ以下とすることはできなかった。例えばＴｉ−Ｓｉ膜のような場合、Ｔｉに添加する原子番号が２２以上４７以下の範囲以外の元素（すなわちＴｉ−Ｓｉの場合Ｓｉ）の含有量が４０％を越えると、Ａｒガス圧を振っても引張り応力を得るのは困難であった。
【００６８】
他方、全く同様の方法により、第１のディスク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得た。その後，前記第１のディスク部材および第２のディスク部材の膜表面に紫外線硬化樹脂による保護コート４３を行い，それぞれの反射層同士を接着剤層を介して貼り合わせ、図１４に示すディスク状情報記録媒体を得た。
【００６９】
本実施例では応力調整層が吸収率調整層を兼ねているので、参考例４において吸収率調整層に好ましいと述べた組成の膜もスパッタリング時のＡｒガス圧力を選んで引張り応力が生じやすいようにすれば応力調整層兼吸収率調整層に用いることができる。しかし、応力調整効果を十分に得る必要が有る場合は、参考例４で応力調整層として好ましいと述べた組成とオーバーラップしている組成範囲が、より好ましい。本実施例のＴｉ３０Ｃｒ７０膜からなる吸収率調整層兼応力調整層とＡｌ９９Ｔｉ１膜からなる反射層の積層順序を逆にすると吸収率調整効果は低下するのでトラックピッチが狭い場合はクロスイレーズが生じやすくなるが、応力調整効果はほぼ同様に得られた。
【００７０】
本実施例でＡｌ２Ｏ３よりなる反射率向上層を省略すると、その分ＺｎＳ・ＳｉＯ２層を厚くしても反射率が低下するが、低ノイズ基板を用いてＳ／Ｎを保つようにすれば使用可能であった。その他の層を削除した７層構造ディスクでも削除した層の効果が無くなる分、再生信号のジッターが１％程度上昇したり、記録感度が低下したりしたが、用途を選べば実用可能であった。
（初期結晶化方法）
（記録・消去・再生方法）
（応力調整層の構造および最適膜厚）
（記録膜組成および最適膜厚）
（反射率向上層の組成および最適膜厚）
（反射率向上層の省略）
（界面層の組成および最適膜厚）
（金属を主成分とする他の層（反射層）の組成および最適膜厚）
（保護層の組成および最適膜厚）
（基板）
（応力グルーブ変形量の測定方法）
（応力調整したディスクの特徴）
は、参考例４と同様である。
（実施例３）
（構成、製法）  図１９は、この発明の一実施例のディスク状情報記録媒体の断面構造図を示す。この媒体は次のようにして製作された。まず、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面にトラックピッチが０．６ミクロンでランド・グルーブ記録用のトラッキング用の溝を有し、トラックセンターからずれた位置にアドレス情報などを表すピット列を有するポリカーボネイト基板７１上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ２膜よりなる保護層７２を膜厚１１０ｎｍ形成した。次に、Ａｌ２Ｏ３膜よりなる反射率向上層７３を２５ｎｍ，Ｃｒ２Ｏ３膜よりなる下部界面層７４を膜厚１ｎｍ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層７５を平均膜厚９ｎｍ，Ｇｅ４０Ｃｒ１０Ｎ４０膜よりなる上部保護（熱拡散制御）層７６を膜厚２０ｎｍ，Ｃｒ７５（Ｃｒ２Ｏ３）２５の吸収率調整層７７を４０ｎｍ，Ｔｉ膜からなる応力調整層７８をＡｒガス流量１７０ｓｃｃｍで膜厚１２０ｎｍ，Ａｌ９９Ｔｉ１膜からなる反射層７９を膜厚３０ｎｍ，に順次形成した。応力調整の点ではＴｉに次いでＭｎが良いが、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉも使用可能である。積層膜の形成はマグネトロン・スパッタリング装置により行った。こうして第１のディスク部材を得た。
【００７１】
上記の他、図２０に示したように、記録膜の上方界面に厚さ５ｎｍのＣｒ２Ｏ３界面層を設け、下部保護層と下部界面層との間の反射率向上層であるＡｌ２Ｏ３層を削除した８層構造ディスクも作製した。Ａｌ２Ｏ３層の削除で光学的膜厚が薄くなる分は、他の層の膜厚を増して調整した。
【００７２】
基板の反りは製膜前と後でほとんど変化しておらず，応力調整がうまくいっている事を示した。一方、Ｔｉ膜をＡｒ流量５０ｓｃｃｍで形成した以外は上記と全く同じにして形成したディスクでは、基板の反りが、製膜した面を上にしたとき，基板外周部が下に下がる方向に変化しており，基板から膜に圧縮応力が働いていることを示していた。Ｃｒ層が全く無い場合は、基板外周部が下に下がる方向の変化はさらに大きかった。
【００７３】
他方、全く同様の方法により、第１のディスク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得た。その後，前記第１のディスク部材および第２のディスク部材の膜表面に紫外線硬化樹脂による保護コートを行い，それぞれの反射層同士を接着剤層を介して貼り合わせ、図１９に示すディスク状情報記録媒体を得た。
【００７４】
本実施例の光ディスクの、ポリカーボネート基板に切れ目を入れ、２つに折って断面をＳＥＭで観察したところ，応力調整層であるＴｉ膜は，その面内の９０％以上において、そのすぐ下のＺｎＳ・ＳｉＯ２膜との界面から太さ約１５ｎｍの柱状構造となっており，Ｔｉ膜の形成過程で島状に膜が付き始め，柱状に成長して柱と柱が融合する時に引張り応力が発生していると推察された。スパッタリング時のＡｒガス圧力を５０ｓｃｃｍとしたものでは、断面を観察するとＴｉ膜は、面内の３０％以上ですぐ下のＣｒ７５（Ｃｒ２Ｏ３）２５膜との界面に近い部分１／４程度が粒状構造になっており。そのために引張り応力が必要なだけ出ていないと考えられる。Ａｒガス圧力を下げて行くと，柱状構造の根元に粒状構造の部分が増加して行くが，Ｔｉ層の膜厚Ｘｎｍと根元から柱状となっている部分の比率Ｙ％とが、下記の式を満たせば，グルーブ曲がり量０．０２μｍ以下を得て対処可能であった。
【００７５】
ＸＹ／１００≧５０ｎｍ
膜厚が５０ｎｍ以下では，曲がり０．０２μｍ以下とすることはできず、根元から柱状となっている部分の比率が８０％以下では，まがり０．０２μｍ以下とすることはできなかった。Ｔｉに添加する原子量が２２以上４７以下の範囲以外の元素の含有量が４０％を越えると、Ａｒガス圧を振っても引張り応力を得るのは困難であった。
【００７６】
反射層がない構造のディスク部材の場合、最も上に積層された層の上に紫外線硬化樹脂を塗布してもよい。
【００７７】
吸収率調整層と応力調整層の積層順序を逆にしても、少し引張り応力が弱くなるが、応力調整層の膜厚を調整すれば応力バランスが可能であった。ただ、吸収率調整層がＣｒ−Ｃｒ−Ｏ層の場合は、その次にすぐ応力調整層を設けたほうが引っ張り応力の出やすさの面でも，接着性の面でも良好であった。
（初期結晶化方法）
（記録・消去・再生方法）
（応力調整層の構造および最適膜厚）
（記録膜組成および最適膜厚）
（反射率向上層の組成および最適膜厚）
（反射率向上層の省略）
（界面層の組成および最適膜厚）
（吸収率調整層の組成および膜厚）
（金属を主成分とする他の層（反射層）の組成および最適膜厚）
（保護層の組成および最適膜厚）
（基板）
（応力グルーブ変形量の測定方法）
（応力調整したディスクの特徴）
は、参考例４と同様である。
（参考例５）
（構成、製法）  図２１は、参考例５のディスク状情報記録媒体の断面構造図を示す。この媒体は次のようにして製作された。まず、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面にトラックピッチが０．６ミクロンでランド・グルーブ記録用のトラッキング用の溝を有し、トラックセンターからずれた位置にアドレス情報などを表すピット列を有するポリカーボネイト基板９１上に、Ａｇ９４Ｐｄ４Ｃｕ２膜からなる反射層９２を膜厚３０ｎｍ，にＴｉ膜からなる応力調整層９３をＡｒガス流量１７０ｓｃｃｍで膜厚１２０ｎｍ，Ｃｒ７５（Ｃｒ２Ｏ３）２５の吸収率調整層９４を４０ｎｍ，ＺｎＳ−ＳｉＯ２膜よりなる反射層側保護（熱拡散制御）層９５を膜厚２０ｎｍ，Ｃｒ２Ｏ３膜よりなる下部界面層９６を膜厚約５ｎｍ，Ｇｅ７Ｓｂ４Ｔｅ１３記録層９７を平均膜厚９ｎｍ，Ｃｒ２Ｏ３膜よりなる上部界面層９８を膜厚１ｎｍ、次に、Ａｌ２Ｏ３膜よりなる反射率向上層９９を２５ｎｍ，ＺｎＳ−ＳｉＯ２膜よりなる保護層１００を膜厚１１０ｎｍ順次形成した。応力調整の点ではＴｉに次いでＭｎが良いが、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉも使用可能である。積層膜の形成はマグネトロン・スパッタリング装置により行った。こうして第１のディスク部材を得た。
【００７８】
基板の反りは製膜前と後でほとんど変化しておらず，応力調整がうまくいっている事を示した。一方、Ｔｉ膜をＡｒ流量５０ｓｃｃｍで形成した以外は上記と全く同じにして形成したディスクでは、基板の反りが、製膜した面を上にしたとき，基板外周部が下に下がる方向に変化しており，基板から膜に圧縮応力が働いていることを示していた。Ｔｉ層が全く無い場合は、基板外周部が下に下がる方向の変化はさらに大きかった。
【００７９】
他方、全く同様の方法により、第１のディスク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得た。その後，前記第１のディスク部材および第２のディスク部材の膜表面に紫外線硬化樹脂によって厚さ０．１ｍｍのポリカーボネートシートの接着を行い，それぞれの基板同士を接着剤層を介して貼り合わせ、ディスク状情報記録媒体を得た。
【００８０】
本参考例のＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ反射層の代わりに、Ｃｒ３０Ａｇ７０などのＣｒを１０から５０原子％含むＣｒ−Ａｇ系材料、Ａｕ３０Ａｇ６０Ｃｕ１０，Ａｇ８０（ＺｎＯ）２０，Ａｇ８０（ＳｉＯ２）２０，Ａｇ８０Ｓｉ２０をもちいると、熱伝導率が適度で記録マーク形成時の周辺部からの再結晶化と、記録時に隣接トラックの記録マークの一部が消えるクロスイレーズを防ぐことができ、好ましい。また、これらの材料のＡｇの少なくとも一部をＡｕで置き換えた材料は、高価になるが、耐食性が優れているという長所が有る。これらの反射層材料は、本発明のように応力調整層を持った光ディスク以外にも、応力調整層を除いた光ディスクに用いても、上記と同様の効果が有る。
（初期結晶化方法）
（記録・消去・再生方法）
（応力調整層の組成）
（応力調整層の構造および最適膜厚）
（記録膜組成および膜厚）
（反射率向上層の組成および膜厚）
（反射率向上層の省略）
（界面層の組成および膜厚）
（金属を主成分とする他の層（反射層）の組成および膜厚）
（吸収率調整層の組成および膜厚）
（保護層の組成および膜厚）
（基板）
（応力グルーブ変形量の測定方法）
（応力調整したディスクの特徴）
は、参考例４と同様である。
【００８１】
また、本発明の他の実施例と同様に、積層数を低減して４、５、６、７、８層の各構造としても、反射層が基板から遠い側に来る場合と同様、良好な記録・再生特性が得られた。
（参考例６）
（構成、製法）  図２２は、参考例６のディスク状情報記録媒体の断面構造図を示す。この媒体は次のようにして製作された。まず、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面にトラックピッチが０．６ミクロンでランド・グルーブ記録用のトラッキング用の溝を有し、トラックセンターからずれた位置にアドレス情報などを表すピット列を有するポリカーボネイト基板１０２上に、Ｔｉ６０Ｃｒ４０膜からなる応力調整層１０３をＡｒガス流量１７０ｓｃｃｍで膜厚１２０ｎｍ，Ａｇ９４Ｐｄ４Ｃｕ２膜からなる反射層１０４を膜厚３０ｎｍ，Ｃｒ７５（Ｃｒ２Ｏ３）２５の吸収率調整層１０５を４０ｎｍ，ＺｎＳ−ＳｉＯ２膜よりなる反射層側保護（熱拡散制御）層１０６を膜厚２０ｎｍ，Ｃｒ２Ｏ３膜よりなる下部界面層１０７を膜厚約５ｎｍ，Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層１０８を平均膜厚９ｎｍ，Ｃｒ２Ｏ３膜よりなる上部界面層１０９を膜厚１ｎｍ、次に、Ａｌ２Ｏ３膜よりなる反射率向上層１１０を２５ｎｍ，ＺｎＳ−ＳｉＯ２膜よりなる保護層１１１を膜厚１１０ｎｍ順次形成した。応力調整の点ではＴｉに次いでＭｎが良いが、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉも使用可能である。積層膜の形成はマグネトロン・スパッタリング装置により行った。こうして第１のディスク部材を得た。記録膜の平均膜厚は９ｎｍであったが、最内周から５ｍｍ外周寄りの場所と最外周から５ｍｍ内周寄りの場所の膜厚を比較すると後者の方が膜厚が２ｎｍ厚いように、内周から外周に向かって膜厚が増してゆくように形成した。これにより、同じ記録膜膜厚では内周のほうが多数回記録書き換えによる記録膜流動などでエラーレートが上昇するのを防止できた。すなわち、膜厚が一様で９ｎｍの場合、内周では５万回の記録書き換え後エラーレートが２かける１０のマイナス２乗まで上昇し、外周では５かける１０のマイナス４乗であったのに対して、上記のように膜厚差を設けることにより、どこでも１０のマイナス４乗台のエラーレートが得られた。基板の反りは製膜前と後でほとんど変化しておらず，応力調整がうまくいっている事を示した。一方、Ｔｉ膜をＡｒ流量５０ｓｃｃｍで形成した以外は上記と全く同じにして形成したディスクでは、基板の反りが、製膜した面を上にしたとき，基板外周部が下に下がる方向に変化しており，基板から膜に圧縮応力が働いていることを示していた。Ｔｉ層が全く無い場合は、基板外周部が下に下がる方向の変化はさらに大きかった。
【００８２】
他方、全く同様の方法により、第１のディスク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得た。その後，前記第１のディスク部材および第２のディスク部材の膜表面に紫外線硬化樹脂によって厚さ０．１ｍｍのポリカーボネートシートの接着を行い，それぞれの基板同士を接着剤層を介して貼り合わせ、ディスク状情報記録媒体を得た。
（初期結晶化方法）
（記録・消去・再生方法）
（応力調整層の組成）
（応力調整層の構造および最適膜厚）
（記録膜組成および膜厚）
（反射率向上層の組成および膜厚）
（反射率向上層の省略）
（界面層の組成および膜厚）
（金属を主成分とする他の層（反射層）の組成および膜厚）
（吸収率調整層の組成および膜厚）
（保護層の組成および膜厚）
（基板）
（応力グルーブ変形量の測定方法）
（応力調整したディスクの特徴）
は、参考例４と同様である。ただし、記録再生は０．１ｍｍのシートを通して行った。本参考例のＣｒ７５（Ｃｒ２Ｏ３）２５層は、Ａｇを主成分とする反射層とＺｎＳを主成分とする保護層との化学反応を防ぐ役割も持っており、本発明の他の実施例と同様に、積層数を低減して５、６、７、８層の各構造としても、反射層が基板から遠い側に来る場合と同様、良好な記録・再生特性が得られるが、Ｃｒ７５（Ｃｒ２Ｏ３）２５層を省略し、かつＺｎＳを主成分とする層も用いる場合は、他の酸化物や窒化物の層を間に形成する必要がある。例えば、Ｃｒ−ＯやＧｅ−Ｃｒ−Ｎの層が必要である。Ｇｅ−Ｃｒ−ＮのＣｒ含有量は２０原子％以上３０原子％以下が好ましかった。
（実施例４）
（構成、製法）  図２３は、この発明の一実施例のディスク状情報記録媒体の断面構造図を示す。この媒体は次のようにして製作された。まず、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面にトラックピッチが０．６ミクロンでランド・グルーブ記録用のトラッキング用の溝を有し、トラックセンターからずれた位置にアドレス情報などを表すピット列を有するポリカーボネイト基板１１３上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ２膜よりなる保護層１１４を膜厚１１０ｎｍ形成した。次に、Ａｌ２Ｏ３膜よりなる反射率向上層１１５を２５ｎｍ，Ｃｒ２Ｏ３よりなる接着層を１ｎｍ、Ｓｎ−Ｎ膜よりなる下部界面層１１６を膜厚１ｎｍ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層１１７を平均膜厚９ｎｍ，Ｃｒ２Ｏ３膜よりなる上部界面層６６を膜厚約５ｎｍ，ＺｎＳ−ＳｉＯ２膜よりなる上部保護（熱拡散制御）層１１８を膜厚２０ｎｍ，Ｔｉ３０Ｃｒ７０膜からなる吸収率調整層兼応力調整層１１９をＡｒガス流量１７０ｓｃｃｍで膜厚１２０ｎｍ，Ａｌ９９Ｔｉ１膜からなる反射層１２０を膜厚３０ｎｍ，に順次形成した。積層膜の形成はマグネトロン・スパッタリング装置により行った。こうして第１のディスク部材を得た。逆に、上部界面層１２１がＳｎ−ＮとＣｒ２Ｏ３との２層膜、下部界面層１２２がＣｒ２Ｏ３のみのディスクも作製した。Ｓｎ−Ｎ層と隣接するＣｒ２Ｏ３層を省略すると、Ｓｎ−Ｎ層の製膜条件によっては剥離しやすくなるが、通常の製膜条件や使用条件では問題は生じない。基板の反りは製膜前と後でほとんど変化しておらず，応力調整がうまくいっている事を示した。一方、Ｔｉ３０Ｃｒ７０膜をＡｒ流量５０ｓｃｃｍで形成した以外は上記と全く同じにして形成したディスクでは、基板の反りが、製膜した面を上にしたとき，基板外周部が下に下がる方向に変化しており，基板から膜に圧縮応力が働いていることを示していた。Ｔｉ３０Ｃｒ７０層が全く無い場合は、基板外周部が下に下がる方向の変化はさらに大きかった。
【００８３】
他方、全く同様の方法により、第１のディスク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得た。その後，前記第１のディスク部材および第２のディスク部材の膜表面に紫外線硬化樹脂による保護コート１２３を行い，それぞれの反射層同士を接着剤層を介して貼り合わせ、図２３に示すディスク状情報記録媒体を得た。
【００８４】
本実施例の光ディスクの、ポリカーボネート基板に切れ目を入れ、２つに折って断面をＳＥＭで観察したところ，断面形状はＣｒ１００％の膜の図１０に示した断面形状に近く、応力調整層であるＴｉ３０Ｃｒ７０膜は，その面内の９０％以上において、そのすぐ下の粒状構造のＺｎＳ・ＳｉＯ２膜との界面から太さ約１５ｎｍの柱状構造となっており，Ｔｉ３０Ｃｒ７０膜の形成過程で島状に膜が付き始め，柱状に成長して柱と柱が融合する時に引張り応力が発生していると推察された。スパッタリング時のＡｒガス圧力を５０ｓｃｃｍとしたものでは、断面を観察するとＴｉ３０Ｃｒ７０膜は、面内の３０％以上ですぐ下のＺｎＳ・ＳｉＯ２膜との界面に近い部分１／４程度が粒状構造になっており。そのために引張り応力が必要なだけ出ていないと考えられる。Ａｒガス圧力を下げて行くと，柱状構造の根元に粒状構造の部分が増加して行くが，Ｔｉ３０Ｃｒ７０層の膜厚Ｘｎｍと根元から柱状となっている部分の比率Ｙ％とが、下記の式を満たせば，グルーブ曲がり量０．０２μｍ以下を得て対処可能であった。
【００８５】
ＸＹ／１００≧５０ｎｍ
膜厚が５０ｎｍ以下では，曲がり０．０２μｍ以下とすることはできず、根元から柱状となっている部分の比率が８０％以下では，まがり０．０２μｍ以下とすることはできなかった。Ｃｒの含有量が６０原子％未満で、原子番号が２２以上４７以下の範囲以外の元素の含有量が４０％を越えると、Ａｒガス圧を振っても引張り応力を得るのは困難であった。
【００８６】
貼り合わせ前に前記第１および第２のディスク部材の反射層上に紫外線硬化樹脂を厚さ約１０μｍ塗布し，硬化後に貼り合わせを行うと，エラーレートがより低くできる。本実施例では、２つのディスク部材を作製し、接着剤層を介して、前記第１および第２のディスク部材の反射層同士をはり合わせているが、貼り合わせを行わずに、前記第１のディスク部材の第２反射層上に紫外線硬化樹脂を厚さ約１０μｍ以上塗布してもよい。反射層がない構造のディスク部材の場合、最も上に積層された層の上に紫外線硬化樹脂を塗布してもよい。
（初期結晶化方法）
（記録・消去・再生方法）
（応力調整層の組成）
（応力調整層の構造および最適膜厚）
（記録膜組成）
（反射率向上層の組成および最適膜厚）
（反射率向上層の省略）
（界面層の組成および最適膜厚）
（金属を主成分とする他の層（反射層）の組成および最適膜厚）
（保護層の組成および最適膜厚）
（基板）
（応力グルーブ変形量の測定方法）
（応力調整したディスクの特徴）
は、参考例４と同様である。本実施例の接着層Ｃｒ２Ｏ３を省略すると多数回記録書き換えによって剥離欠陥が生じやすい傾向が現れるが、書き換え回数が少ない用途では問題無い。
【００８７】
本実施例のＴｉ３０Ｃｒ７０膜からなる吸収率調整層兼応力調整層とＡｌ９９Ｔｉ１膜からなる反射層の積層順序を逆にしてもほぼ同様の結果が得られた。
（参考例７）
（構成、製法）  図２４は、参考例７のディスク状情報記録媒体の断面構造図を示す。この媒体は次のようにして製作された。まず、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面にトラックピッチが０．６ミクロンでランド・グルーブ記録用のトラッキング用の溝を有し、トラックセンターからずれた位置にアドレス情報などを表すピット列を有するポリカーボネイト基板１２４上に、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０よりなる下部保護層１２５を膜厚１１０ｎｍ形成した。次にＡｌ２Ｏ３膜よりなる反射率向上層１２６を膜厚２５ｎｍ形成した。次に、Ｃｒ２Ｏ３膜よりなる下部界面層１２７を５ｎｍ，Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層１２８を平均膜厚９ｎｍ，Ｃｒ１０（Ｃｒ２Ｏ３）９０膜よりなる上部保護（熱拡散制御）層１２９を膜厚２０ｎｍ，Ｔｉ３０Ｃｒ７０膜からなる吸収率調整層兼応力調整層兼反射層１３０Ａｒガス流量１７０ｓｃｃｍで膜厚５０ｎｍ，に順次形成した。積層膜の形成はマグネトロン・スパッタリング装置により行った。こうして第１のディスク部材を得た。図２５に示したように、上記６層構造の下部保護層と下部界面層との間の反射率向上層であるＡｌ２Ｏ３層を省略し、一方、記録膜の上部にもＣｒ２Ｏ３膜よりなる界面層を５ｎｍ形成した６層構造ディスク、図２６に示したように、図２４の６層構造の反射率向上層であるＡｌ２Ｏ３層を省略した５層構造ディスク、も作製した。Ｃｒ１０（Ｃｒ２Ｏ３）９０をＧｅ４０Ｃｒ２０Ｎ４０に変更してもほぼ同様な結果が得られた。基板の反りは製膜前と後でほとんど変化しておらず，応力調整がうまくいっている事を示した。一方、Ｔｉ−Ｃｒ膜をＡｒ流量５０ｓｃｃｍで形成した以外は上記と全く同じにして形成したディスクでは、基板の反りが、製膜した面を上にしたとき，基板外周部が下に下がる方向に変化しており，基板から膜に圧縮応力が働いていることを示していた。Ｔｉ−Ｃｒ層が全く無い場合は、基板外周部が下に下がる方向の変化はさらに大きかった。
【００８８】
他方、全く同様の方法により、第１のディスク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得た。その後，前記第１のディスク部材および第２のディスク部材の膜表面に紫外線硬化樹脂による保護コート１３１を行い，それぞれの反射層同士を接着剤層を介して貼り合わせ、図２４から２６に示すディスク状情報記録媒体を得た。
（初期結晶化方法）
（記録・消去・再生方法）
（応力調整層の組成）
（応力調整層の構造および最適膜厚）
（記録膜組成および最適膜厚）
（反射率向上層の組成および最適膜厚）
（反射率向上層の省略）
（界面層の組成および最適膜厚）
（保護層の組成および最適膜厚）
（基板）
（応力グルーブ変形量の測定方法）
（応力調整したディスクの特徴）
は、参考例４と同様である。上記２種類の６層構造ディスクでは５層構造ディスクより、それぞれの追加した層の効果により、１％低い再生信号のジッターが得られた。
（参考例８）
（構成、製法）  図２７は、参考例８のディスク状情報記録媒体の断面構造図を示す。この媒体は次のようにして製作された。まず、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面にトラックピッチが０．６ミクロンでランド・グルーブ記録用のトラッキング用の溝を有し、トラックセンターからずれた位置にアドレス情報などを表すピット列を有するポリカーボネイト基板１４７上に、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０よりなる下部保護層１４８を膜厚１１０ｎｍ形成した。次にＣｒ２Ｏ３膜よりなる界面層１４９を膜厚５ｎｍ形成した。次に、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層１５０を平均膜厚９ｎｍ，Ｇｅ１０Ｃｒ１０Ｎ４０膜よりなる上部保護（熱拡散制御）層１５１を膜厚２０ｎｍ，Ｔｉ３０Ｃｒ７０膜からなる吸収率調整層兼応力調整層１５２をＡｒガス流量１７０ｓｃｃｍで膜厚５０ｎｍ，に順次形成した。さらに、Ａｌ９９Ｔｉ１膜よりなる反射層（熱拡散層）１５３を６０ｎｍの膜厚に形成した。積層膜の形成はマグネトロン・スパッタリング装置により行った。こうして第１のディスク部材を得た。図２８に示したように、上記６層構造の、記録膜の下部の界面層を省略したものも作製した。
【００８９】
基板の反りは製膜前と後でほとんど変化しておらず，応力調整がうまくいっている事を示した。一方、Ｔｉ−Ｃｒ膜をＡｒ流量５０ｓｃｃｍで形成した以外は上記と全く同じにして形成したディスクでは、基板の反りが、製膜した面を上にしたとき，基板外周部が下に下がる方向に変化しており，基板から膜に圧縮応力が働いていることを示していた。Ｔｉ−Ｃｒ層が全く無い場合は、基板外周部が下に下がる方向の変化はさらに大きかった。
【００９０】
他方、全く同様の方法により、第１のディスク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得た。その後，前記第１のディスク部材および第２のディスク部材の膜表面に紫外線硬化樹脂による保護コート１５４を行い，それぞれの反射層同士を接着剤層を介して貼り合わせ、図２７に示すディスク状情報記録媒体を得た。
（初期結晶化方法）
（記録・消去・再生方法）
（応力調整層の組成）
（応力調整層の構造および最適膜厚）
（記録膜組成および最適膜厚）
（界面層の組成および最適膜厚）
（金属を主成分とする他の層（反射層）の組成および最適膜厚）
（保護層の組成および最適膜厚）
（基板）
（応力グルーブ変形量の測定方法）
（応力調整したディスクの特徴）
は、参考例４と同様である。上記の５層構造ディスクでは参考例９の４層構造ディスクより０．５％低い再生信号のジッターが得られ、多数回書換え時の反射率の低下やジッター上昇も少なかった。
（参考例９）
（構成、製法）  図２９は、参考例９のディスク状情報記録媒体の断面構造図を示す。この媒体は次のようにして製作された。まず、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面にトラックピッチが０．６ミクロンでランド・グルーブ記録用のトラッキング用の溝を有し、トラックセンターからずれた位置にアドレス情報などを表すピット列を有するポリカーボネイト基板１６２上に、Ｚｎ５０Ｏ４０Ｎ１０膜よりなる保護層１６３を膜厚１１０ｎｍ形成した。次に、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層１６４を平均膜厚９ｎｍ，（ＺｎＯ）８０（ＺｎＳ）２０膜よりなる上部保護（熱拡散制御）層１６５を膜厚２０ｎｍ，Ｔｉ６０Ｃｒ４０膜からなる吸収率調整層兼応力調整層兼反射層１６６をＡｒガス流量１７０ｓｃｃｍで膜厚６０ｎｍ，積層膜の形成はマグネトロン・スパッタリング装置により行った。こうして第１のディスク部材を得た。
【００９１】
基板の反りは製膜前と後でほとんど変化しておらず，応力調整がうまくいっている事を示した。一方、Ｔｉ−Ｃｒ膜をＡｒ流量５０ｓｃｃｍで形成した以外は上記と全く同じにして形成したディスクでは、基板の反りが、製膜した面を上にしたとき，基板外周部が下に下がる方向に変化しており，基板から膜に圧縮応力が働いていることを示していた。Ｔｉ−Ｃｒ層が全く無い場合は、基板外周部が下に下がる方向の変化はさらに大きかった。
【００９２】
本参考例で積層数低減のために用いたＺｎ−Ｏ−Ｎ膜の組成比は、原子数比で酸素２０から６５％，窒素０から４０％の範囲で使用可能であり、窒素が１０から３０％含まれれば、さらに好ましいことがわかった。この材料は低熱伝導率で、スパッタリングが低いエネルギーで可能、反射層に使用する可能性が有るＡｇと反応しにくい、記録膜中に拡散しにくい、結晶化速度向上効果が有る、という特徴を持っており、本発明のように応力調整層を持つディスク以外に使用しても優れた特性を得る効果が有る。
【００９３】
上部保護層に用いた（ＺｎＯ）８０（ＳｉＯ２）２０の代わりに他の組成比のＺｎ−Ｓｉ−Ｏ膜やＺｎ−Ｏ−Ｎを用いても良いし、Ｇｅ５０Ｃｒ１０Ｎ４０などの組成のＧｅ−Ｃｒ−Ｎ膜を用いても良い。
【００９４】
他方、全く同様の方法により、第１のディスク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得た。その後，前記第１のディスク部材および第２のディスク部材の膜表面に紫外線硬化樹脂による保護コート１６７を行い，それぞれの反射層同士を接着剤層を介して貼り合わせ、図２９に示すディスク状情報記録媒体を得た。
【００９５】
本参考例の光ディスクの、ポリカーボネート基板に切れ目を入れ、２つに折って断面をＳＥＭで観察したところ応力調整層であるＴｉ−Ｃｒ膜は，その面内の９０％以上において、そのすぐ下の（ＺｎＯ）８０（ＺｎＳ）２０膜との界面から太さ約１５ｎｍの柱状構造となっており，Ｔｉ−Ｃｒ膜の形成過程で島状に膜が付き始め，柱状に成長して柱と柱が融合する時に引張り応力が発生していると推察された。スパッタリング時のＡｒガス圧力を５０ｓｃｃｍとしたものでは、断面を観察するとＴｉ膜は、面内の３０％以上ですぐ下の（ＺｎＯ）８０（ＺｎＳ）２０膜との界面に近い部分１／４程度が粒状構造になっており。そのために引張り応力が必要なだけ出ていないと考えられる。Ａｒガス圧力を下げて行くと，柱状構造の根元に粒状構造の部分が増加して行くが，Ｔｉ層の膜厚Ｘｎｍと根元から柱状となっている部分の比率Ｙ％とが、下記の式を満たせば，グルーブ曲がり量０．０２μｍ以下を得て対処可能であった。
【００９６】
ＸＹ／１００≧５０ｎｍ
膜厚が５０ｎｍ以下では，曲がり０．０２μｍ以下とすることはできず、根元から柱状となっている部分の比率が８０％以下では，まがり０．０２μｍ以下とすることはできなかった。Ｔｉにてんかする原子量が２２以上４７以下の範囲以外の元素の含有量が４０原子％を越えると、Ａｒガス圧を振っても引張り応力を得るのは困難であった。
【００９７】
溝部とランド部の両方に記録・再生が行えるフォーマットを有する。貼り合わせ前に前記第１および第２のディスク部材の反射層上に紫外線硬化樹脂を厚さ約１０μｍ塗布し，硬化後に貼り合わせを行うと，エラーレートがより低くできる。本参考例では、２つのディスク部材を作製し、接着剤層を介して、前記第１および第２のディスク部材の反射層同士をはり合わせているが、貼り合わせを行わずに、前記第１のディスク部材の第２反射層上に紫外線硬化樹脂を厚さ約１０μｍ以上塗布してもよい。反射層がない構造のディスク部材の場合、最も上に積層された層の上に紫外線硬化樹脂を塗布してもよい。
【００９８】
本参考例の記録媒体では多数回書き換えを行うと保護層のＺｎＳが記録膜中に拡散して反射率が低下し、結晶化速度が変化するが、約１００回の書き換えは可能であった。記録膜とＺｎＳ・ＳｉＯ２層との間にＣｒ２Ｏ３，Ｇｅ−Ｎあるいは類似の効果を持つＧｅ６０Ｃｒ５Ｎ３５膜の界面層を形成すれば書き換え可能回数は一万回以上に達する。さらに反射率向上層であるＡｌ２Ｏ３層をＺｎＳ・ＳｉＯ２層と界面層との間に入れれば、（ＺｎＯ）８０（ＺｎＳ）２０膜の代わりにＧｅ６０Ｃｒ５Ｎ３５付近の組成のＧｅ−Ｃｒ−Ｎ膜を形成しても、ほぼ同等の特性が得られた。
（初期結晶化方法）
（記録・消去・再生方法）
（応力調整層の組成）
（応力調整層の構造および最適膜厚）
（記録膜組成および膜厚）
（保護層の組成および膜厚）
（基板）
（応力グルーブ変形量の測定方法）
（応力調整したディスクの特徴）
は、参考例４と同様である。
（参考例１０）
（構成、製法）  図３０は、参考例１０のディスク状情報記録媒体の断面構造図を示す。この媒体は次のようにして製作された。まず、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで表面にトラックピッチが０．６ミクロンでランド・グルーブ記録用のトラッキング用の溝を有し、トラックセンターからずれた位置にアドレス情報などを表すピット列を有するポリカーボネイト基板１６８上に、まず厚さ８ｎｍのＡｕ８０Ｃｒ２０よりなる光入射側反射層１６９を形成し、次に（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０よりなる下部保護層１７０を膜厚１１０ｎｍ形成した。次に、Ｃｒ２Ｏ３膜よりなる下部界面層１７１を５ｎｍ，Ｇｅ７Ｓｂ４Ｔｅ１３記録層１７２を平均膜厚９ｎｍ，Ｇｅ５０Ｃｒ１０Ｎ４０膜よりなる上部保護（熱拡散制御）層１７３を膜厚２０ｎｍ，Ｔｉ３０Ｃｒ７０膜からなる吸収率調整層兼応力調整層兼反射層１７４をＡｒガス流量１７０ｓｃｃｍで膜厚５０ｎｍ，に順次形成した。積層膜の形成はマグネトロン・スパッタリング装置により行った。こうして第１のディスク部材を得た。
【００９９】
図３１に示したように、上記６層構造のＣｒ２Ｏ３６層下部界面層を省略した５構造ディスクも試作した。
【０１００】
基板の反りは製膜前と後で変化が小さく，応力調整がうまくいっている事を示した。
【０１０１】
他方、全く同様の方法により、第１のディスク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得た。その後，前記第１のディスク部材および第２のディスク部材の膜表面に紫外線硬化樹脂による保護コートを行い，それぞれの反射層同士を接着剤層を介して貼り合わせ、図３０に示すディスク状情報記録媒体を得た。
【０１０２】
基板側反射層の組成としては、反射層に使用できる金属元素、および合金、化合物、混合物のうち、ＡｕまたはＡｇを含むものが使用可能である。このうち５０原子％以上含むものが好ましかった。７０原子％以上９０原子％以下含めばさらに好ましい。含有量１００％では熱伝導率が高過ぎてクロスイレーズが起こりやすくなった。
（初期結晶化方法）
（記録・消去・再生方法）
（応力調整層の組成）
（応力調整層の構造および最適膜厚）
（記録膜組成および最適膜厚）
（保護層の組成および最適膜厚）
（基板）
（応力グルーブ変形量の測定方法）
（応力調整したディスクの特徴）
は、参考例４と同様である。
【０１０３】
【発明の効果】
上記詳細に説明したように、本発明の情報記録媒体では、積層膜の全体と基板との間の内部応力を小さくできることにより，ディスク表面の変形を小さく抑えることができ，アドレスの読出し誤りやクロストーク、隣接トラック消去が起こらない。また、応力調整層による高密度記録や多数回記録や信頼性への悪影響もほとんど無く，高密度記録可能で多数回書き換えが可能、かつ長寿命であり、極めて有用な情報の記録媒体が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  相変化光ディスクにおける１ビームオーバーライトの原理を示す図である。
【図２】  マークエッジ記録がマークポジション記録より高密度化に有利であることを示す図である。
【図３】  ウォブルランド・グルーブフォーマット基板の表面凹凸の形状を示す図である。
【図４】  ＤＶＤ−ＲＡＭディスクのヘッダー部のグルーブ部（ユーザーデータ部）に対する位置関係を示す図である。
【図５】  ＤＶＤ−ＲＡＭのゾーンＣＡＶ（ｃｏｎｓｔａｎｔ  ａｎｇｕｌａｒ  ｖｅｌｏｃｉｔｙ）フォーマットをＤＶＤ−ＲＯＭと比較して示した図である。
【図６】  吸収率調整層の働きを示す図である。
【図７】  再結晶化が起こりやすい記録媒体では隣接トラック消去（クロスイレーズ）が起こりやすいことを示す図である。
【図８】  ４．７ＧＢＤＶＤ−ＲＡＭ の記録波形を２．６ＧＢＤＶＤ−ＲＡＭの記録波形と比較して示した図である。
【図９】  参考例１のディスクの積層構造を示す図である。
【図１０】  参考例１の応力調整層であるＣｒ層の断面を製膜時のＡｒガス流量を変えてＳＥＭで観察した図である。
【図１１】  本発明の実施例と比較例においてユーザーデータ部のヘッダー部に対する半径方向の位置ずれを測定した図である。
【図１２】  本発明の参考例４の情報記録媒体の構造図である。
【図１３】  本発明の一実施例の情報記録媒体の構造図である。
【図１４】  本発明の他の一実施例の情報記録媒体の構造図である。
【図１５】  本発明の他の一実施例における情報記録媒体の応力調整層付近の断面ＳＥＭ写真である。
【図１６】  本発明の他の一実施例の情報記録媒体の構造図である。
【図１７】  本発明の他の一実施例の情報記録媒体の構造図である。
【図１８】  本発明の他の一実施例の情報記録媒体の構造図である。
【図１９】  本発明の他の一実施例の情報記録媒体の構造図である。
【図２０】  本発明の他の一実施例の情報記録媒体の構造図である。
【図２１】  他の一参考例の情報記録媒体の構造図である。
【図２２】  他の一参考例の情報記録媒体の構造図である。
【図２３】  本発明の他の一実施例の情報記録媒体の構造図である。
【図２４】  他の一参考例の情報記録媒体の構造図である。
【図２５】  他の一参考例の情報記録媒体の構造図である。
【図２６】  他の一参考例の情報記録媒体の構造図である。
【図２７】  他の一参考例の情報記録媒体の構造図である。
【図２８】  他の一参考例の情報記録媒体の構造図である。
【図２９】  他の一参考例の情報記録媒体の構造図である。
【図３０】  他の一参考例の情報記録媒体の構造図である。
【図３１】  他の一参考例の情報記録媒体の構造図である。
【符号の説明】
基板：１，１２，２３，３４，４４，５３，６２，７１，８１，９１，１０２，１０３，１２４，１３２，１４０，１４７，１５５，１６２，１６８，１７６
光入射側保護層：２，１３，２４，３５，４５，５４，６３，７２，８２，１００，１１１，１１４，１２５，１３３，１４１，１４８，１５６，１６３，１７０，１７８
反射率向上層：３，１４，２５，３６，４６，６４，７３，９９，１１０，１１５，１２６
光入射側界面層：４，１５，２６，３７，４７，５５，６５，７４，８３，９８，１０９，１１６，１２７，１３４，１４２，１４９，１７１
記録層：５，１６，２７，３８，４８，５６，６６，７５，８４，９７，１０８，１１８，１２８，１３５，１４３，１５０，１５７，１６４，１７２，１７９
応力調整層側界面層：６，１７，２８，３９，４９，５７，６７，７６，８５，９６，１０７，１１９，１２９，１３６，１４４，１５１，１５８，１６５，１７３，１８０
応力調整層側保護層：７，１８，２９，４０，５０，５８，８６，９５，１０６，１２０，１３７，
吸収率調整層：８，１９，３０，７７，８７，９４，１０５
反射層：１０，２０，３２，４２，６０，６９，７９，８９，９２，１０４，１２２，１５３，１６０
応力調整層：９，２１，３１，７８，８８，９２，１０４
応力調整層兼吸収率調整層：４１，５９，６８，１２１，１５２，１５９
応力調整層兼吸収率調整層兼反射層：５１，１３０，１３８，１４５，１６６，１７４，１８１
光入射側反射層：１６９，１７７
保護コート層：１１，２２，３３，４３，５２，６１，７０，８０，９０，１０１，１１２，１２３，１３１，１３９，１４６，１５４，１６１，１６７，１７５，１８２。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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