【手続補正書】
【提出日】平成20年5月21日(2008.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極がマトリクス状に配列された第１の絶縁基板、及び第２の絶縁基板と、少なくとも一方が透明である前記第１及び第２の絶縁基板の間に挟持される液晶層と、前記第１及び第２の絶縁基板が前記液晶層に接する表面に設けられた配向膜とを備え、前記第１の絶縁基板の周縁部に位置合わせマークもしくは検査用端子の少なくとも一方からなる不透明パターンを備えた液晶表示装置において、
前記第１の絶縁基板上にあって、前記不透明パターンの個所の表面と、該個所に前記端縁に沿った方向から隣接する個所の表面とが、実質上、同一平面上にあることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
画素電極がマトリクス状に配列され、端縁に沿った個所に位置合わせマークもしくは検査用端子の少なくとも一方からなる不透明パターンを備える第１の絶縁基板を作製する工程と、前記第１の絶縁基板、及び第２の絶縁基板の主表面にて樹脂膜の形成及びラビング処理により配向膜を形成する工程と、少なくとも一方が透明である前記第１及び第２の絶縁基板を貼り合わせるとともに、液晶層を前記第１及び第２の絶縁基板の間に配置する工程とを含み、前記第１の絶縁基板上でのラビング処理が前記端縁に対して略垂直の方向に沿って行われる液晶表示装置の製造方法において、
前記不透明パターンの個所の表面と、該個所に前記端縁に沿った方向から隣接する個所の表面とが、実質上、同一平面上に位置するようにしたことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記不透明パターンが、透明樹脂膜により覆われていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１及び第２の絶縁基板が、複数の液晶表示装置を切り出すための原基板であり、前記不透明パターンが、前記第１及び第２の絶縁基板の貼り合わせの後に切断除去される周縁部に設けられたことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記液晶層がホモジニアス型液晶をなすものであることを特徴とする請求項２の液晶表示装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の液晶表示装置は画素電極がマトリクス状に配列された第１の絶縁基板、及び第２の絶縁基板と、少なくとも一方が透明である前記第１及び第２の絶縁基板の間に挟持される液晶層と、前記第１及び第２の絶縁基板が前記液晶層に接する表面に設けられた配向膜とを備え、前記第１の絶縁基板の周縁部に位置合わせマークもしくは検査用端子の少なくとも一方からなる不透明パターンを備えた液晶表示装置において、前記第１の絶縁基板上にあって、前記不透明パターンの個所の表面と、該個所に前記端縁に沿った方向から隣接する個所の表面とが、実質上、同一平面上にあることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の液晶表示装置の製造方法は、画素電極がマトリクス状に配列され、端縁に沿った個所に位置合わせマークもしくは検査用端子の少なくとも一方からなる不透明パターンを備える第１の絶縁基板を作製する工程と、前記第１の絶縁基板、及び第２の絶縁基板の主表面にて樹脂膜の形成及びラビング処理により配向膜を形成する工程と、少なくとも一方が透明である前記第１及び第２の絶縁基板を貼り合わせるとともに、液晶層を前記第１及び第２の絶縁基板の間に配置する工程とを含み、前記第１の絶縁基板上でのラビング処理が前記端縁に対して略垂直の方向に沿って行われる液晶表示装置の製造方法において、前記不透明パターンの個所の表面と、該個所に前記端縁に沿った方向から隣接する個所の表面とが、実質上、同一平面上に位置するようにしたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の実施の形態について、図１〜２を用いて説明する。本発明の実施の形態となる液晶表示装置は、アモルファス型ＴＦＴを画素ドットごとのスイッチング素子とするホモジニアスモードの半透過型液晶表示装置であり、画像表示領域８５の対角寸法が７インチである。図１は、スクライブ切断及び液晶材料注入の前の液晶パネル１（大判の空セル）について模式的に示す積層断面斜視図である。また、図２は、多面取り及びラビング処理について説明するためのアレイ基板（原基板）の平面図である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
位置合わせマーク１２の個所を構成する各層の厚み及び材質の具体例を挙げるならば次のとおりである。位置合わせマーク１２のパターンが厚み２３０ｎｍモリブデン／タングステン（Mo/W）合金層、ゲート絶縁膜１５が厚み３５０ｎｍの酸化シリコン層（SiOx）、層間絶縁膜４が厚み４５０ｎｍの窒化シリコン層（SiNx）、透明樹脂膜４５が厚み２μｍ（２０００ｎｍ）のアクリル系樹脂層からなる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
図２に示す例では、アレイ基板１０及び対向基板２０は、１２枚の液晶表示装置の基板１０Ｂ，２０Ｂを切り出すための原基板（大判）である。アレイ基板１０及び対向基板２０の電極形成面にポリイミド等の樹脂膜が形成された後、ラビングロールを用いたラビング処理が行われる。特に、図２中に示すように、ラビング処理は、液晶層をホモジニアスモードに配向させることと関連して、ほぼ、原基板の端縁に沿った方向にて行われる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
以下に、アレイ基板１０及び対向基板２０の詳細な構成や製造方法について、より具体的な例により説明する
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
アレイ基板１０を作製するためには、ガラス等の透明絶縁基板１８上に、走査線１１を含む第１の配線層パターン、信号線３１を含む第２の配線層パターン、透明画素電極５３のパターン、及び、反射画素電極５１を含む金属パターンが、この順で逐次形成される。また、第１及び第２の配線層パターンの間を絶縁するゲート絶縁膜１５、及び、第２の配線層パターンと透明画素電極のパターンとの間を絶縁する層間絶縁膜４及び透明樹脂膜（有機平坦化膜）４５が形成される。さらに、これら絶縁膜を所定の個所で貫くコンタクトホールが形成される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図１に示す具体例において、画素領域８５内では、信号線３１と走査線１１との交点の近傍ごとに、走査線１１をゲート電極とし、信号線３１からの枝状延在部３２をドレイン電極とし、島状金属パターン３３をソース電極とするＴＦＴ３５が形成されて、画素ドットごとのスイッチング素子をなしている。また、これら配線層のパターンの全体を覆うように、無機材料からなる層間絶縁膜４と、厚さが１μｍ以上の透明樹脂膜４５とが設けられており、該透明樹脂膜４５の上には、画素ドットごとに矩形リング状の反射画素電極５１がアルミニウム等の金属層により設けられている。この反射画素電極５１は、層間絶縁膜４及び透明樹脂膜４５を貫くコンタクトホール４３を通じて、ソース電極３３に導通している。図には示さないが、反射画素電極５１の配置個所で、透明樹脂膜４５の表面に凹凸パターンが設けられ、グレアリングを防止する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
なお、図１中に示すように、信号線３１の終端と、アレイ基板外周部の接続パッド１４Ａとを結ぶ引き出し配線１３が、信号線３１から延在される配線部分３４と、走査線１１と同時に形成される配線部分１４とからなる。これら配線部分１４，３４は、２対のコンタクトホール４１，４２、及び、これらの個所を覆う導電層５２により電気的に接続されている。一方、アレイ基板１０の周縁部には、引き出し配線１３の先端のパッド部１４Ａを露出させるように、ゲート絶縁膜１５，層間絶縁膜４及び透明樹脂膜４５を省いたパッド用抜き部４４が設けられている。