(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表される化合物。
【化１】
0004156858.tif 000014
（上式中、Ｇ１はＯ又はＣＯＯを表し、Ｒ１とＲ２は独立して水素原子又はメトキシ基を表すが、いずれも水素原子であることはなく、Ｒ１とＲ２は結合して環を形成してもよく、Ｒ３は炭化水素基の側鎖を有してもよいｍ個のメチレン基を表し、ここでｍは３以上の整数であり、Ｘ1はトリメトキシシリル基又はトリエトキシシリル基を表す。）
【請求項２】
請求項１に記載の化合物とヒドロキシル基を有する材料を反応させ、光照射することを特徴する材料表面にヒドロキシアルキル基又はカルボキシアルキル基を有する材料の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の化合物をヒドロキシル基含有ポリマーと反応させ、光照射することを特徴するヒドロキシアルキル基又はカルボキシアルキル基を有するポリマーの製造方法。
【請求項４】
下記一般式（１）及び下記一般式（２）で表される化合物をヒドロキシル基含有ポリマーと反応させ、光照射することを特徴するヒドロキシアルキル基又はカルボキシアルキル基を有するポリマーの製造方法。
【化２】
0004156858.tif 000015
（上式中、Ｇ１はＯ又はＣＯＯを表し、Ｒ１とＲ２は独立して水素原子又はメトキシ基を表すが、いずれも水素原子であることはなく、Ｒ１とＲ２は結合して環を形成してもよく、Ｒ３は炭化水素基の側鎖を有してもよいｍ個のメチレン基を表し、ここでｍは３以上の整数であり、Ｘ１はトリメトキシシリル基又はエトキシシリル基を表し、Ｇ２はＯ又はＣＯＯを表し、Ｒ４は水素原子又は直鎖状又は分岐状のアルキル基を表し、Ｒ５は炭化水素基の側鎖を有してもよいｎ個のメチレン基を表し、ここでｎは３以上の整数であり、Ｘ２はトリメトキシシリル基とトリエトキシシリル基とクロロジメチルシリル基とジクロロメチルシリル基とトリクロロシリル基からなる一群から選ばれる。）
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、末端にトリアルコキシシリル基、クロロジメチルシリル基、ジクロロメチルシリル基、トリクロロシリル基を有し、他の末端にｏ−ニトロベンジルオキシ基（ベンゼン環がメトキシ基で置換されていてもよい。）又はメチレンの一つの水素が置換されたｏ−ニトロベンジルオキシ基を有するエーテル化合物又はエステル化合物であって、シランカップリング剤等として利用できる化合物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
カルボキシル基やヒドロキシル基を有するシランカップリング剤は、ケイ素に結合する塩素基やメトキシ基がカルボキシル基やヒドロキシル基に反応するため、知られていなかった。最近、山口らは、シランカップリング剤として、トリメトキシシリル基を有するｏ−ニトロベンジルエステル誘導体である下記式で表される化合物等（山口ら、Chem. Lett., 228-229, (2000)）、及びトリメトキシシリル基を有するｏ−ニトロベンジルエーテルである下記式で表される化合物等（山口ら、Polym. Prep. Jpn., 48, 2247-2248, (1999)）を合成し発表した。
【化３】
0004156858.tif 000002
（上式中、ＧがＣＯＯのときｋ＝４であり、ＧがＯのときｋ＝３である。）
この化合物は、トリメトキシシリル基がシリカゲル等の表面に存するヒドロキシル基と反応し、表面上に付着する。その後、光を照射するとｏ−ニトロベンジルアルコール誘導体とのエステル結合が切れて当該表面にカルボキシル基を残し、あるいはエーテル結合が切れて当該表面にヒドロキシル基を残す。結果として、シリカゲル等の表面にカルボキシル基やヒドロキシル基を導入することができる。
【０００３】
また、山口らは、トリメトキシシリル基に代えて、トリクロロシリル基やクロロジメチルシリル基を用いると反応性を高めることを下記の化合物について見出し報告した（山口ら、Polym. Prep. Jpn., 49, 709, (2000）)。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
光酸発生剤を必要せず、複雑な合成法も必要としないポジ型の画像形成等に応用できる、シランカップリング剤を反応させて得られる材料を提供する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
下記一般式（１）で表される化合物、又は下記一般式（１）及び下記一般式（２）で表される化合物をヒドロキシル基含有ポリマー等のヒドロキシル基を有する材料と反応させ、光照射することを特徴するヒドロキシアルキル基又はカルボキシアルキル基を有するポリマー等の材料の製造方法を提供する。参考例として、下記一般式（２）で表される化合物をヒドロキシル基含有ポリマー等のヒドロキシル基を有する材料と反応させ、光照射することを特徴するヒドロキシアルキル基又はカルボキシアルキル基を有するポリマー等の材料の製造方法を提供する。
【化４】
0004156858.tif 000003
（上式中、Ｇ1はＯ又はＣＯＯを表し、Ｒ1とＲ2は独立して水素原子又はメトキシ基を表すが、いずれも水素原子であることはなく、Ｒ1とＲ2は結合して環を形成してもよく、Ｒ3は炭化水素基の側鎖を有してもよいｍ個のメチレン基を表し、ここでｍは３以上の整数であり、Ｘ1はトリメトキシシリル基又はトリエトキシシリル基を表す。Ｇ2はＯ又はＣＯＯを表し、Ｒ4は水素原子又は直鎖状又は分岐状のアルキル基を表し、Ｒ5は炭化水素基の側鎖を有してもよいｎ個のメチレン基を表し、ここでｎは３以上の整数であり、Ｘ2はトリメトキシシリル基とトリエトキシシリル基とクロロジメチルシリル基とジクロロメチルシリル基とトリクロロシリル基からなる一群から選ばれる。）
なお、一般式（１）の化合物は新規な化合物である。
【０００６】
【発明の実施の形態】
一般式（１）と（２）の化合物は、好ましくは、下記一般式（３ET）、（３ES）、（４ET）及び（４ES）で表される化合物である。
【化５】
0004156858.tif 000004
（上式中、ｍとｎは独立して３以上の整数を表す。）
なお、ｍ個のメチレン基又はｎ個のメチレン基は、一以上の炭化水素基の側鎖を有していてもよく、側鎖の位置は、合成的にはＸ1又はＸ2に結合する炭素原子からメチレン鎖上を二つ離れた炭素原子以降が好ましい。炭化水素基の大きさは、好ましくは、３〜１５であり、より好ましくは３〜１０の整数である。
【０００７】
一般式（３ET）と一般式（３ES）の化合物において、Ｒ1とＲ2は、独立して水素原子又はメトキシ基を表すが、いずれも水素原子であることはなく、Ｒ1とＲ2は結合して環を形成してもよい。ｍ個のメチレンは、一以上の炭化水素基の側鎖を有していてもよい。ｍは、３以上の整数を表し、好ましくは３〜１５であり、より好ましくは３〜１０の整数である。一般式（１）の化合物のようにベンゼン環に置換基を有する場合、沸点が高くなるため蒸留方法を用いて分離することが困難である。カラムクロマトグラフィーを用いて分離する方法も、一般式（１）の化合物は加水分解しやすい性質を有すため適用困難である。本発明者らは、トリメトキシシリル基含有化合物をトリクロロアセチルクロリドと反応させトリクロロシリル基含有化合物を得る反応について報告するY. BarnessらLangmuir, 16, 247 (2000)の文献に着目した。Barnessらは、トリクロロシリル基含有化合物の純度を高めるため、数段の合成により得られたトリメトキシシリル基含有化合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーを用いて分離しているが、その溶出液として０．５〜１．０重量％のテトラメトキシシランを加えたものを使用している。本発明者らは、鋭意検討した結果、テトラメトキシシランを加えた溶出液を用いるシリカゲルカラムクロマトグラフィー法が、一般式（１）の化合物の分離に適用できることを見出した。Ｘ1はトリメトキシシリル基又はトリエトキシシリル基を表す。
【０００８】
一般式（３ET）の化合物としては、好ましくは、２−ニトロベンジル ３−（トリメトキシシリル）プロピルエーテル、２−ニトロベンジル ６−（トリメトキシシリル）ヘキシルエーテル、２−ニトロベンジル １０−（トリメトキシシリル）デシルエーテル、４−メトキシ−２−ニトロベンジル ３−（トリメトキシシリル）プロピルエーテル、４−メトキシ−２−ニトロベンジル ６−（トリメトキシシリル）ヘキシルエーテル、４−メトキシ−２−ニトロベンジル １０−（トリメトキシシリル）デシルエーテル、５−メトキシ−２−ニトロベンジル３−（トリメトキシシリル）プロピルエーテル、５−メトキシ−２−ニトロベンジル ６−（トリメトキシシリル）ヘキシルエーテル、５−メトキシ−２−ニトロベンジル １０−（トリメトキシシリル）デシルエーテル、４，５−ジメトキシ−２−ニトロベンジル ３−（トリメトキシシリル）プロピルエーテル、４，５−ジメトキシ−２−ニトロベンジル ６−（トリメトキシシリル）ヘキシルエーテル、４，５−ジメトキシ−２−ニトロベンジル １０−（トリメトキシシリル）デシルエーテル、４，５−メチレンジオキシ−２−ニトロベンジル ３−（トリメトキシシリル）プロピルエーテル、４，５−メチレンジオキシ−２−ニトロベンジル ６−（トリメトキシシリル）ヘキシルエーテル、４，５−メチレンジオキシ−２−ニトロベンジル １０−（トリメトキシシリル）デシルエーテルが挙げられる。より好ましくは、４，５−ジメトキシ−２−ニトロベンジル ３−（トリメトキシシリル）プロピルエーテル、４，５−ジメトキシ−２−ニトロベンジル ６−（トリメトキシシリル）ヘキシルエーテル、４，５−ジメトキシ−２−ニトロベンジル １０−（トリメトキシシリル）デシルエーテル、４，５−メチレンジオキシ−２−ニトロベンジル ３−（トリメトキシシリル）プロピルエーテル、４，５−メチレンジオキシ−２−ニトロベンジル ６−（トリメトキシシリル）ヘキシルエーテル、４，５−メチレンジオキシ−２−ニトロベンジル １０−（トリメトキシシリル）デシルエーテルが挙げられる。
【０００９】
一般式（３ET）の化合物において、Ｒ1とＲ2が環を形成する例としては、アルキレンジオキシ基が挙げられ、好ましい例として、下記に示す４，５−メチレンジオキシ−２−ニトロベンジル ３−（トリメトキシシリル）プロピルエーテル、４，５−メチレンジオキシ−２−ニトロベンジル ３−（トリエトキシシリル）プロピルエーテル、４，５−メチレンジオキシ−２−ニトロベンジル 6−（トリメトキシシリル）ヘキシルエーテル、４，５−メチレンジオキシ−２−ニトロベンジル 6−（トリエトキシシリル）ヘキシルエーテル、４，５−メチレンジオキシ−２−ニトロベンジル 10−（トリメトキシシリル）デシルエーテル、４，５−メチレンジオキシ−２−ニトロベンジル 10−（トリエトキシシリル）プロピルエーテル等が挙げられる。
【化６】
0004156858.tif 000005
【００１０】
一般式（４ET）の化合物としては、特に好ましくは、３−（クロロジメチルシリル）プロピル１−（２−ニトロフェニル）エチルエーテル、３−（ジクロロメチルシリル）プロピル１−（２−ニトロフェニル）エチルエーテル、３−（トリクロロシリル）プロピル１−（２−ニトロフェニル）エチルエーテル、６−（クロロジメチルシリル）ヘキシル１−（２−ニトロフェニル）エチルエーテル、６−（ジクロロメチルシリル）ヘキシル１−（２−ニトロフェニル）エチルエーテル、６−（トリクロロシリル）ヘキシル１−（２−ニトロフェニル）エチルエーテル、３−（クロロジメチルシリル）プロピルｏ−ニトロベンジルエーテル、３−（ジクロロメチルシリル）プロピルｏ−ニトロベンジルエーテル、３−（トリクロロシリル）プロピルｏ−ニトロベンジルエーテル、６−（クロロジメチルシリル）ヘキシルｏ−ニトロベンジルエーテル、６−（ジクロロメチルシリル）ヘキシルｏ−ニトロベンジルエーテル、６−（トリクロロシリル）ヘキシルｏ−ニトロベンジルエーテル、３−（トリメトキシシリル）プロピル１−（２−ニトロフェニル）エチルエーテル、３−（トリエトキシシリル）プロピル１−（２−ニトロフェニル）エチルエーテル、６−（トリメトキシシリル）ヘキシル１−（２−ニトロフェニル）エチルエーテル、６−（トリエトキシシリル）ヘキシル１−（２−ニトロフェニル）エチルエーテル、３−（トリメトキシ）プロピルｏ−ニトロベンジルエーテル、３−（トリエトキシシリル）プロピルｏ−ニトロベンジルエーテル、６−（トリメトキシシリル）ヘキシルｏ−ニトロベンジルエーテル、６−（トリエトキシシリル）ヘキシルｏ−ニトロベンジルエーテル、が挙げられる。
【００１１】
一般式（３ET）と一般式（４ET）の化合物の製造方法の一例を以下に示す。
【化７】
0004156858.tif 000006
【００１２】
一般式（３ET）の化合物は、例えば、４位と５位にＲ1とＲ2を有する２−ニトロベンズアルデヒド（５）をヒドラジンと反応させ、二酸化マンガンで酸化してジアゾ化合物（７）とし、過塩素酸の存在下、二重結合を有するアルコール（８）と反応させてエーテル（９）を得た後、エーテル（９）の二重結合を塩化白金(IV)酸六水和物(H2PtCl6・6H2O）を触媒として、トリメトキシシラン又はトリエトキシシランと反応させることにより得られる。一般式（４ET）の化合物も同様にして得られ、クロロジメチルシリル基とジクロロメチルシリル基とトリクロロシリル基の導入には、各々対応するクロロジメチルシランとジクロロメチルシランとトリクロロシランを使用することができる。
一般式（３ET）と一般式（４ET）の化合物の製造方法は、これに限らず、後述する一般式（４ET）のエーテル化合物の製造方法を利用したり、他の公知の方法を利用できる。また、ｍ個のメチレン基が炭化水素基の側鎖を有する一般式（１）のエーテル化合物（１ET）と一般式（２）エーテル化合物（２ET）は、対応するアルコールを用いて合成することができる。
【００１３】
一般式（４ET）と一般式（４ES）の化合物において、Ｒ4は、水素原子または直鎖状又は分岐状のアルキル基を表し、好ましくは水素原子、メチル基であり、特に好ましくはエステル化合物（４ES）では光分解速度の点からメチル基でありエーテル化合物（４ET）では合成面から水素原子である。Ｒ4は特に限定されないが、炭素数が多くなると減圧蒸留が困難となり、その他の分離方法を用いる必要が生ずる。この場合、一般式（４ET）と一般式（４ES）の化合物は加水分解しやすい性質を有すため、加水分解を避けるための工夫が必要となる。また、Ｒ4が大きいと材料表面にカップリングした場合、分子間の立体的な反撥が大きくなることに留意する必要がある。
Ｘ2は、トリメトキシシリル基、トリエトキシシリル基、クロロジメチルシリル基、ジクロロメチルシリル基及びトリクロロシリル基からなる一群から選ばれる。
ｎ個のメチレンは、一以上の炭化水素基の側鎖を有していてもよい。ｎは、３以上の整数を表し、好ましくは３〜１５であり、より好ましくは３〜１０の整数である。ｎは特に限定されないが、ｎが大きくなるとＲ3の場合と同様に減圧蒸留が困難となる等の問題が生ずる。
【００１４】
一般式（３ES）の化合物としては、特に好ましくは、５−（トリメトキシシリル）−ペンタン酸 １−（４,５−ジメトキシ−２−ニトロフェニル）メチル、５−（トリエトキシシリル）−ペンタン酸 １−（４,５−ジメトキシ−２−ニトロフェニル）メチル、５−（トリメトキシシリル）−ウンデカン酸 １−（４,５−ジメトキシ−２−ニトロフェニル）メチル、５−（トリエトキシシリル）−ウンデカン酸 １−（４,５−ジメトキシ−２−ニトロフェニル）メチルが挙げられる。
【００１５】
一般式（４ES）の化合物としては、特に好ましくは、５−（クロロジメチルシリル）ペンタン酸１−（２−ニトロフェニル）エチル、５−（ジクロロメチルシリル）ペンタン酸１−（２−ニトロフェニル）エチル、５−（トリクロロシリル）ペンタン酸１−（２−ニトロフェニル）エチル、１１−（クロロジメチルシリル）ウンデカン酸１−（２−ニトロフェニル）エチル、１１−（ジクロロメチルシリル）ウンデカン酸１−（２−ニトロフェニル）エチル、１１−（トリクロロシリル）ウンデカン酸１−（２−ニトロフェニル）エチル、５−（クロロジメチルシリル）ペンタン酸ｏ−ニトロベンジル、５−（ジクロロメチルシリル）ペンタン酸ｏ−ニトロベンジル、５−（トリクロロシリル）ペンタン酸ｏ−ニトロベンジル、１１−（クロロジメチルシリル）ウンデカン酸ｏ−ニトロベンジル、１１−（ジクロロメチルシリル）ウンデカン酸ｏ−ニトロベンジル、１１−（トリクロロシリル）ウンデカン酸ｏ−ニトロベンジル、５−（トリメトキシシリル）ペンタン酸１−（２−ニトロフェニル）エチル、５−（トリエトキシシリル）ペンタン酸１−（２−ニトロフェニル）エチル、１１−（トリメトキシシリル）ウンデカン酸１−（２−ニトロフェニル）エチル、１１−（トリエトキシシリル）ウンデカン酸１−（２−ニトロフェニル）エチル、５−（トリメトキシシリル）ペンタン酸ｏ−ニトロベンジル、５−（トリエトキシシリル）ペンタン酸ｏ−ニトロベンジル、１１−（トリメトキシシリル）ウンデカン酸ｏ−ニトロベンジル、１１−（トリエトキシシリル）ウンデカン酸ｏ−ニトロベンジルが挙げられる。
【００１６】
一般式（３ES）の製造方法の一例を以下に示す。
【化８】
0004156858.tif 000007
【００１７】
一般式（３ES）の化合物は、例えば、二重結合を有するカルボン酸（１０）と、ｏ−ニトロベンジルアルコール誘導体（１１）を反応させエステル（１２）を生成し、該二重結合を塩化白金(IV)酸六水和物(H2PtCl6・6H2O)を触媒として、トリメトキシシランとクロロジメチルシランとジクロロメチルシランとトリクロロシランから選ばれる化合物と反応させることにより得られる。エステルの生成は、例えば、ＷＳＣ・ＨＣｌ［ＷＳＣは水溶性カルボジイミドの略であり、ＷＳＣ・ＨＣｌとしては１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）−カルボジイミドハイドロクロライドが挙げられる。］と、ＤＭＡＰ（４−ジメチルアミノピリジン）の存在下で行われる。また、エステル（１２）は、二重結合を有するカルボン酸（１０）を塩化チオニル（ＳＯＣｌ2）等を用いる公知の方法で酸塩化物とし、ｏ−ニトロベンジルアルコール誘導体（１１）とＤＭＡＰのような第三級アミンの存在下反応させることによって得ることもできる。
一般式（１１）の化合物は、例えば、市販されている４位と５位にアルコキシ基を有する２−ニトロベンズアルデヒドのカルボニル基を水素化ホウ素ナトリウムで還元する等の公知の方法で合成できる。
一般式（４ES）の化合物も同様な方法で合成でき、クロロジメチルシリル基とジクロロメチルシリル基とトリクロロシリル基の導入には、各々対応するクロロジメチルシランとジクロロメチルシランとトリクロロシランを使用することができる。
一般式（３ES）と一般式（４ES）のエステル化合物の製造方法は、これに限らず、公知の方法が利用できる。また、ｎ個のメチレン基が炭化水素基の側鎖を有する一般式（１）のエステル化合物（１ES）と一般式（２）のエステル化合物（２ES）は、対応するアルコールを用いて合成することができる。
【００１８】
一般式（４ET）の化合物の他の製造方法の一例を以下に示す。
【化９】
0004156858.tif 000008
【００１９】
一般式（４ET）の化合物は、例えばウィリアムソンのエーテル合成法を用いて、二重結合を有するアルコール（１３）と、置換又は非置換ｏ−ニトロベンジルハライド（例えばブロミド）（１４）を反応させエーテル（１５）を生成し、該二重結合を塩化白金(IV)酸六水和物(H2PtCl6・6H2O）を触媒として、トリメトキシシランとクロロジメチルシランとジクロロメチルシランとトリクロロシランと反応させることにより得られる。非置換ｏ−ニトロベンジルハライドは市販されており、置換ｏ−ニトロベンジルハライドは、例えば、対応するアルコールから公知のハロゲン化（例えばブロモ化）で合成できる。
【００２０】
式（４ET）の合成に用いるエーテル（１５）は、ｏ−ニトロベンズアルデヒド又はアルキルｏ−ニトロフェニルケトン（１６）をヒドラジンと反応させ、二酸化マンガンで酸化してジアゾ化合物（１８）とし、過塩素酸の存在下二重結合を有するアルコール（１３）と反応させることによっても得られる。
【００２１】
【化１０】
0004156858.tif 000009
【００２２】
ヒドロキシル基を有する材料は、反応できるヒドロキシル基が存在すれば特に限定されないが、ガラス、シリカ（ＳｉＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、タルク、クレー、アルミニウム、鉄、マイカ、アスベスト、酸化チタン、酸化鉄等が挙げられ、好ましくは、ガラス、シリカ、アルミナ、タルク、クレー、アルミニウム、鉄、マイカ、特に好ましくは、ガラス、シリカ、アルミナである。詳しくは、エヌ・ティー・エヌ社「表面処理技術ハンドブック」等を参照されたい。これらの材料の形状は、特に限定されず、シリカ粉等の粉状物、シリコンウェハ等の板状物であってもよい。
【００２３】
ヒドロキシル基を有する材料としてシリコンウェハを例にとれば、一般式（１）と（２）の化合物は、以下に示すように、シリコンウェハ表面のヒドロキシル基と反応して付着し、ＵＶ照射によりカルボン酸又はアルコールに変換される。
【００２４】
【化１１】
0004156858.tif 000010
【００２５】
【化１２】
0004156858.tif 000011
【００２６】
一般式（１）と（２）のシランカップリング剤を材料表面に付着させる手段は、特に限定されず、通常のシランカップリング剤による表面処理と同様である。例えば、材料が粉体の場合には、一般式（１）及び／又は一般式（２）の化合物をベンゼン等の溶媒に溶解し、撹拌された粉状のシリカ表面等に噴射したり、溶液中にシリカ等を入れ処理する方法が用いられる。材料がシリコンウェハ等の一定の形状を有する場合には、一般式（１）及び／又は一般式（２）の化合物をベンゼン等の溶媒に溶解した溶液にシリコンウェハ等を投入し、還流又は室温での振動撹拌を行ったり、又は溶液を材料表面に薄く塗布することにより表面修飾を行うことができる。
【００２７】
材料表面に付着した一般式（１）及び／又は一般式（２）の化合物は、ＵＶ照射により、そのエステル結合が切れて材料表面にカルボキシル基を存在させたり、又はそのエーテル結合が切れて材料表面にヒドロキシル基を存在させることとなる。これは、エタノール等の溶媒中に分散させた粉体にＵＶ照射したり、又はシリコンウェハ表面に直接ＵＶ照射すること等により行うことができる。材料表面での反応（表面修飾）と光照射を同時に行うと、光照射により生じたカルボキシル基やヒドロキシル基がシリル基と反応することとなり不都合である。
ＵＶ照射は、通常の方法が用いられるが、一例を挙げれば、超高圧水銀ランプ（ＵＳＨ−５００等）を光源とし、３００ｎｍ以下の波長はパイレックス製ガラスフィルターでカットして５〜１０秒照射する。
なお、ＵＶ照射による材料表面から置換又は非置換ｏ−ニトロベンジル基の消失は、ＦＴ−ＩＲやＸＰＳ等を用い、トリメトキシシリル基を有するｏ−ニトロベンジルエステル誘導体やｏ−ニトロベンジルエーテル誘導体を光照射した場合と同一の結果が得られることより確認される。詳しくは、前述の山口らの著である Chem. Lett., 228-229, (2000)  及び Polym. Prep. Jpn., 48, 2247-2248, (1999)）を参照されたい。
【００２８】
本発明によれば、一般式（１）及び／又は一般式（２）で表される化合物をヒドロキシル基含有ポリマーと反応させ、光照射することによりヒドロキシアルキル基又はカルボキシアルキル基をポリマーに導入することができる。これを用いると、従来のような光酸発生剤を必要とせず、複雑な合成法も必要としないポジ型の画像を形成できる。また、酸素阻害も受けず、この感光性組成物が有機−無機複合体を形成していることから高い耐熱性も期待される。
【００２９】
一般式（１）の化合物は、ベンゼン環上の置換基を選択することにより、ベンゼン環上に置換基を有しない化合物と比較して光の吸収ピークを長波長側にシフトさせることができる。例えば、ベンゼン環上に置換基を有しない化合物の吸収ピークが２４３ｎｍであるとき、ベンゼン環上に二つのメトキシ基を有する化合物の吸収ピークが３４５ｎｍとなる場合が挙げられる。この結果として、一般式（１）の化合物は、ベンゼン環上に置換基を有しない化合物より短時間の光照射により反応を完了するができる。
【００３０】
一般式（１）及び／又は一般式（２）の化合物を付加できるポリマーとしては、ヒドロキシル基を有するポリマーが挙げられる。ヒドロキシル基の存在位置は、特に限定されず、側鎖の一部であってもよい。具体的には、ｍ−クレゾールホルムアルデヒド樹脂、ｐ− クレゾールホルムアルデヒド樹脂、ｏ−クレゾールホルムアルデヒド樹脂、ｍ−とｐ−の混合クレゾールホルムアルデヒド樹脂、フェノール/クレゾール（ｍ−、ｐ−、ｏ−、ｍ−とｐ−の混合、又はｍ−とo −の混合のいずれでもよい。）混合ホルムアルデヒド樹脂などのクレゾールホルムアルデヒド樹脂などが挙げられる。その他、レゾール型フェノール樹脂類、ポリビニルフェノール、ｔ−ブチル置換ポリビニルフェノール樹脂、ＨＥＭＡ ( ２−ヒドロキシエチルメタクリレート )と他のモノマーとの共重合体、ヒドロキシル基を有するポリウレタン樹脂、ポリビニルアルコール等である。
【００３１】
一般式（１）及び／又は一般式（２）で表される化合物をヒドロキシル基含有ポリマーと反応させ、光照射することによりヒドロキシアルキル基又はカルボキシアルキル基をポリマーに導入する反応スキームを以下に示す。なお、ｐとｑは、モル分率を示す。
【００３２】
【化１３】
0004156858.tif 000012
【００３３】
【化１４】
0004156858.tif 000013
【００３４】
【実施例】
以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
［合成例１］
４，５−ジメトキシ−２−ニトロベンズアルデヒドのヒドラゾンの合成
５０ｍｌナスフラスコに、３，４−ジメトキシ−６−ニトロベンズアルデヒド０．９３ｇ（４．４ｍｍｏｌ）、ヒドラジン一水和物０．５２ｇ（１０．４ｍｍｏｌ）、エタノール３０ｍｌ、回転子を加え３時間還流した。５０℃程で結晶が析出し回転子が回らなくなるが、温度上昇するにつれ一部溶けた。反応溶液を室温に戻し、析出結晶を自然ろ過した。得られた黄色結晶をエタノールで軽く洗い、真空乾燥すると目的物０．８９ｇ（４．０ｍｍｏｌ）を得た。収量０．８９ｇ、収率９１％。Ｒf値（クロロホルム）０．３。
1ＨＮＭＲ (400MHz, CDCl3/TMS): δ8.44 (s, 1H, -CH), 7.57 (s, 1H, Ar), 7.49 (s, 1H, Ar), 5.84 (br, 2H, -NH2), 4.00 (s, 3H, -OCH3), 3.95 (s, 3H, -OCH3)。  ＦＴ−ＩＲ (KBr disk): 3413-3227 cm-1 (NH2), 1513 (NO2), 1328 (NO2), 1268 (C-O-C)。
【００３５】
アリル ４，５−ジメトキシ−２−ニトロベンジルエーテルの合成
３００ｍｌナスフラスコに４，５−ジメトキシ−２−ニトロベンズアルデヒドのヒドラゾン１．１ｇ（５ｍｍｏｌ）、回転子、ドライ塩化メチレン７０ｍｌを加え撹拌した。均一溶液になったら、二酸化マンガン３．５２ｇ（４０．５ｍｍｏｌ）を少しずつ加えた。室温で１０分程撹拌した後二酸化マンガンをろ過により除去した。０．１Ｍ炭酸水素ナトリウム水溶液（５０ｍｌｘ２）で洗浄し、有機相を無水硫酸マグネシウムで乾燥した（溶液Ａ）。
一方、氷浴上で３００ｍｌナスフラスコにアリルアルコール０．３７ｇ（６．４ｍｍｏｌ）、回転子を加えＨＣｌＯ4（７０％）３滴を加えた。溶液Ａをろ過して無水硫酸マグネシウムを除去した。２００ｍｌ滴下ロートに溶液Ａを加え、３００ｍｌナスフラスコに４５分で滴下した。氷浴を除去し、室温で一晩撹拌した。飽和炭酸水素ナトリウム水溶液２０ｍｌ、蒸留水３０ｍｌを加え洗浄した。水相を塩化メチレンで抽出し（１００ｍｌｘ２）、有機相を合わせ無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過後濃縮し、粗生成物を得た。粗生成物を溶出液クロロホルムでシリカゲルカラムクロマトグラフィーを行い、目的物（橙色結晶）０．４３ｇ（１．６９ｍｍｏｌ）を得た。収量０．４３ｇ、収率３４％。Ｒf値（クロロホルム）０．５７。
1ＨＮＭＲ (400MHz, CDCl3/TMS): δ7.72 (s, 1H, Ar), 7,33 (s, 1H, Ar), 6.0 (m, 1H, -CH=CH2), 5.37 (m, 1H, Jtrans=16Hz, -CH=CH2), 5.25 (m, 1H, Jcis=12Hz, -CH=CH2), 4.92 (s, 2H, Ar-CH2-O-), 4.16 (dt, J=1.4Hz, 5.5Hz, 2H, CH2-CH=CH2), 4.00 (s, 3H, -OCH3) 3.95 (s, 3H, -OCH3)。  ＦＴ−ＩＲ (KBr disk): 2938 cm-1 (C-H), 2850 (C-H), 1515 (NO2), 1325 (NO2), 1277 (C-O-C)。
【００３６】
５−ヘキセニル ４，５−ジメトキシ−２−ニトロベンジルエーテルの合成
２００ｍｌナスフラスコに４，５−ジメトキシ−２−ニトロベンズアルデヒドのヒドラゾン０．８８ｇ（３．９ｍｍｏｌ）、回転子、ドライ塩化メチレン６０ｍｌを加え撹拌した。均一溶液になったら、二酸化マンガン２．８ｇ（３２ｍｍｏｌ）を少しずつ加えた。室温で１０分程撹拌した後、二酸化マンガンをろ過により除去した。０．１Ｍ炭酸水素ナトリウム水溶液（５０ｍｌｘ２）で洗浄し、有機相を無水硫酸マグネシウムで乾燥した（溶液Ａ）。
一方、氷浴上で３００ｍｌナスフラスコに５−ヘキセン−１−オール０．５ｇ（５．０ｍｍｏｌ）、回転子を加えＨＣｌＯ4（７０％）２滴を加えた。溶液Ａをろ過して無水硫酸マグネシウムを除去した。１００ｍｌ滴下ロートに溶液Ａを加え、３００ｍｌナスフラスコに３０分で滴下した。氷浴を除去し、室温で一晩撹拌した。飽和炭酸水素ナトリウム水溶液２０ｍｌ、蒸留水３０ｍｌを加え洗浄した。水相を塩化メチレンで抽出し（１００ｍｌｘ２）、有機相を合わせ無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過後濃縮し、粗生成物を１．４ｇ得た。粗生成物を溶出液クロロホルムでシリカゲルカラムクロマトグラフィーを行い、目的物（橙色結晶）０．４８ｇ（１．６ｍｍｏｌ）を得た。収量０．４８ｇ、収率４１％。Ｒf値（クロロホルム）０．５。
1ＨＮＭＲ (400MHz, CDCl3/TMS): δ7.71 (s, 1H, Ar), 7,31 (s, 1H, Ar), 5.77-5.87 (m, 1H, -CH=CH2), 5.00-5.04 (s, 1H, Jtrans=16Hz, -CH=CH2), 4.95-4.98 (s, 1H, Jcis=8Hz, -CH=CH2), 4.89 (s, 1H, Ar-CH2-O-), 3.99 (s, 3H, -OCH3) 3.95 (s, 3H, -OCH3), 3.60-3.63 (t, 2H, -O-CH2-CH2), 2.09-2.15 (m, 2H, -CH2-CH=CH2), 1.68-1.75 (m, 2H, -O-CH2-CH2-), 1.50-1.58 (m, 2H, -CH2-CH2-CH2-CH=CH2)。  ＦＴ−ＩＲ (KBr disk): 2934 cm-1 (C-H), 2858 (C-H), 1514 (NO2), 1322 (NO2), 1267 (C-O-C)。
【００３７】
９−デセニル ４，５−ジメトキシ−２−ニトロベンジルエーテルの合成
５００ｍｌナスフラスコに４，５−ジメトキシ−２−ニトロベンズアルデヒドのヒドラゾン４．３３ｇ（１９．２ｍｍｏｌ）、回転子、ドライ塩化メチレン３００ｍｌを加え撹拌した。均一溶液になったら、二酸化マンガン１３．９ｇ（１５８．７ｍｍｏｌ）を少しずつ加えた。室温で１０分程撹拌した後、二酸化マンガンをろ過により除去した。０．１Ｍ炭酸水素ナトリウム水溶液（５０ｍｌｘ２）で洗浄し、有機相を無水硫酸マグネシウムで乾燥した（溶液Ａ）。
一方、氷浴上で５００ｍｌナスフラスコに９−デセン−１−オール３．８ｇ（２４．６ｍｍｏｌ）、回転子を加えＨＣｌＯ4（７０％）１０滴を加えた。溶液Ａをろ過して無水硫酸マグネシウムを除去した。２００ｍｌ滴下ロートに溶液Ａを加え、５００ｍｌナスフラスコに４５分で滴下した。氷浴を除去し、室温で一晩撹拌した。飽和炭酸水素ナトリウム水溶液２０ｍｌ、蒸留水３０ｍｌを加え洗浄した。水相を塩化メチレンで抽出し（１００ｍｌｘ２）、有機相を合わせ無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過後濃縮し、粗生成物を得た。粗生成物を溶出液クロロホルムでシリカゲルカラムクロマトグラフィーを行い、目的物（橙色結晶）２．８５ｇ（８．１ｍｍｏｌ）を得た。収量２．８５ｇ、収率４２％。Ｒf値（クロロホルム）０．３。
1ＨＮＭＲ (400MHz, CDCl3/TMS): δ7.71 (s, 1H, Ar), 7,32 (s, 1H, Ar), 5.78-5.84 (m, 1H, -CH=CH2), 4.98-5.00 (s, 1H, Jtrans=8Hz, -CH=CH2), 4.92-4.94 (s, 1H, Jcis=8Hz, -CH=CH2), 4.89 (s, 2H, Ar-CH2-O-), 4.00 (s, 3H, -OCH3) 3.95 (s, 3H, -OCH3), 3.58-3.61 (t, 2H, -O-CH2-CH2), 2.01-2.06 (m, 2H, -CH2-CH=CH2), 1.66-1.69 (m, 2H, -O-CH2-CH2-), 1.31-1.38 (m, 10H, -CH2-(CH2)5-CH2-CH=CH2)。  ＦＴ−ＩＲ (KBr disk): 2925 cm-1 (C-H), 2850 (C-H), 1518 (NO2), 1323 (NO2), 1272 (C-O-C)。
【００３８】
４，５−ジメトキシ−２−ニトロベンジル ３−（トリメトキシシリル）プロピルエーテルの合成
３０ｍｌナスフラスコを窒素置換し、アリル４，５−ジメトキシ−２−ニトロベンジルエーテル１．５ｇ（５．９ｍｍｏｌ）、トリメトキシシラン０．８６５ｇ（７．１ｍｍｏｌ）、ハイドロゲンヘキサクロロプラチナート（ＩＶ）六水和物（H2PtCl6・6H2O）を極少量加え、３７℃で３０分間撹拌し、その後１００℃までバス温を上げ、２時間で反応を終了した。中圧カラムを用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を行った。溶出液としてヘキサン：酢酸エチル：テトラメトキシシラン＝１００：２０：１(体積比)を用い、目的物を０．９５ｇ（２．５３ｍｍｏｌ）得た。収量０．９５ｇ、収率４３％。Ｒf値（上記溶出液）０．１９。
1ＨＮＭＲ (400MHz, CDCl3/TMS): δ7.71 (s, 1H, Ar), 7,33 (s, 1H, Ar),4.90 (s, 2H, Ar-CH2-O-), 3.95-4.00 (s, 6H, Ar-OCH3), 3.58-3.63 (s, 2H, -O-CH2-CH2-), 3.57 (s, 9H, -Si-(OCH3)3), 1.6-1.8 (m, 2H, -CH2-CH2-CH2-), 0.72-0.76 (m, 2H, -CH2-Si-)。  ＦＴ−ＩＲ (NaCl): 2941 cm-1 (C-H), 2843 (C-H), 1520 (NO2), 1328 (NO2), 1275 (C-O-C)。
【００３９】
４，５−ジメトキシ−２−ニトロベンジル ６−（トリメトキシシリル）ヘキシルエーテルの合成
２０ｍｌナスフラスコを窒素置換し、５−ヘキセニル４，５−ジメトキシ−２−ニトロベンジルエーテル ２．９５ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）、トリメトキシシラン１．４７ｇ（１２ｍｍｏｌ）、ハイドロゲンヘキサクロロプラチナート（ＩＶ）六水和物H2PtCl6・6H2Oを極少量加え、３７℃で３０分間撹拌し、その後１００℃までバス温を上げ、２時間で反応を終了した。中圧カラムを用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を行った。溶出液としてヘキサン：酢酸エチル：テトラメトキシシラン＝１００：２０：１(体積比)を用い、目的物を１．４ｇ（３．３５ｍｍｏｌ）得た。収量１．４ｇ、収率３４％。Ｒf値（上記溶出液）０．１。
1ＨＮＭＲ (400MHz, CDCl3/TMS): δ7.71 (s, 1H, Ar), 7,31 (s, 1H, Ar), 4.89 (s, 2H, Ar-CH2-O-), 3.96-3.99 (s, 6H, Ar-OCH3) 3.58-3.61 (s, 2H, -O-CH2-CH2-), 3.57 (s, 9H, -Si(OCH3)3), 1.4-1.7 (m, 8H, -CH2-(CH2)4-CH2-), 0.63-0.67 (m, 2H, -CH2-Si-)。  ＦＴ−ＩＲ (NaCl): 2936 cm-1 (C-H), 2843 (C-H), 1520 (NO2), 1328 (NO2), 1276 (C-O-C)。
【００４０】
４，５−ジメトキシ−２−ニトロベンジル １０−（トリメトキシシリル）デシルエーテルの合成
３０ｍｌナスフラスコを窒素置換し、アリル４，５−ジメトキシ−２−ニトロベンジルエーテル２．０ｇ（５．７ｍｍｏｌ）、トリメトキシシラン０．８４ｇ（６．９ｍｍｏｌ）、ハイドロゲンヘキサクロロプラチナート（ＩＶ）六水和物H2PtCl6・6H2Oを極少量加え、３７℃で３０分間撹拌し、その後１００℃までバス温を上げ、２時間で反応を終了した。中圧カラムを用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を行った。溶出液としてヘキサン：酢酸エチル：テトラメトキシシラン＝１００：２０：１(体積比)を用い、目的物を１．５ｇ（３．２ｍｍｏｌ）得た。収量１．５ｇ、収率５６％。Ｒf値（上記溶出液）０．２９。
1ＨＮＭＲ (400MHz, CDCl3/TMS): δ7.71 (s, 1H, Ar), 7,32 (s, 1H, Ar), 4.90 (s, 2H, Ar-CH2-O-), 3.95-4.00 (s, 6H, Ar-OCH3) 3.58-3.61 (s, 2H, -O-CH2-CH2-), 3.57 (s, 9H, -Si-(OCH3)3), 1.65-1.72 (m, 2H, -CH2-CH2-CH2-), 0.62-0.66 (m, 2H, -CH2-Si-)。  ＦＴ−ＩＲ (NaCl): 2928 cm-1 (C-H), 2849 (C-H), 1518 (NO2), 1329 (NO2), 1274 (C-O-C)。
【００４１】
［合成例２］
３，４−メチレンジオキシ−６−ニトロベンズアルデヒドのヒドラゾンの合成
１００ｍｌナスフラスコに、３，４−メチレンジオキシ−６−ニトロベンズアルデヒド０．９８ｇ（５．０ｍｍｏｌ）、ヒドラジン一水和物０．６１ｇ（１２．２ｍｍｏｌ）、エタノール４０ｍｌ、回転子を加え３時間還流した。５０℃程で結晶が析出し回転子が回らなくなるが、温度上昇するにつれ一部溶けた。反応溶液を室温に戻し、析出結晶を自然ろ過した。得られた黄色結晶をエタノールで軽く洗い、真空乾燥すると目的物０．９２ｇ（４．４ｍｍｏｌ）を得た。収量０．９２ｇ、収率８８％。Ｒf値（クロロホルム）０．３。
1ＨＮＭＲ (400MHz, CDCl3/TMS): δ8.32 (s, 1H, -CH), 7.48 (s, 1H, Ar), 7.45 (s, 1H, Ar), 6.11 (s, 2H, -CH2-), 5.81 (br, 2H, -NH2)。
ＦＴ−ＩＲ (KBr disk): 3421 cm-1 (NH2), 1514 (NO2), 1336 (NO2), 1268 (C-O-C)。
【００４２】
アリル ３，４−メチレンジオキシ−６−ニトロベンジルエーテルの合成
１００ｍｌナスフラスコに、アリル ３，４−メチレンジオキシ−６−ニトロベンズアルデヒドのヒドラゾン １．０４ｇ（５．０ｍｍｏｌ）、ドライ塩化メチレン ７０ｍｌを加え、１０分ほど室温攪拌を行った。次に、二酸化マンガン３．５２ｇ（４０．５ｍｍol）を加え同様に攪拌した。ろ過後、０．１Ｍ炭酸水素ナトリウム水溶液（５０ｍｌ×２）で洗浄し、有機相を無水硫酸マグネシウムで乾燥した（溶液Ａ）。一方、氷浴上で３００ｍｌナスフラスコにアリルアルコール０．３７ｇ（６．４ｍｍol）、回転子を加えＨＣｌＯ4（７０％）３滴を加えた。溶液Ａをろ過して無水硫酸マグネシウムを除去した。２００ｍｌ滴下ロートに溶液Ａを加え、３００ｍｌナスフラスコに４５分間で滴下した。氷浴を除去し、室温で一晩攪拌した。飽和炭酸水素ナトリウム水溶液２０ｍｌ、蒸留水３０ｍｌを加え洗浄した。水相を塩化メチレンで抽出し（１００ｍｌ×２）、有機相を合わせ無水硫酸マグネシウムで乾燥した。ろ過後濃縮し、粗生成物を得た。粗生成物を溶出液クロロホルムでシリカゲルカラムクロマトグラフィーを行い、目的物（黄白色）０．４ｇ（１．６９ｍｍoｌ）を得た。収量０．４ｇ、収率３４％。Ｒf値（クロロホルム）０．５。
1ＨＮＭＲ (400MHz, CDCl3/TMS): δ7.62 (s, 1H, Ar), 7.30 (s, 1H, Ar), 6.12 (s, 2H, -O-CH2-O-), 5.92-6.02 (m, 1H,-CH=CH2-), 5.33 (m, 1H, Jtrans=18Hz,-CH=CH2), 5.35 (m, 1H, Jcis=10Hz, -CH=CH2), 4.86 (s, 2H, Ar-CH2-O-), 4.13 (dt, J=1.2Hz, 4Hz, 2H, CH2-CH=CH2)。
ＦＴ−ＩＲ (KBr disk): 2917 cm-1 (C-H), 2870 (C-H), 1512 (NO2), 1316 (NO2), 1258 (C-O-C)。
【００４３】
４，５−メチレンジオキシ−２−ニトロベンジル ３−（トリメトキシシリル）プロピルエーテルの合成
１０ｍｌナスフラスコを窒素置換し、アリル ３，４−メチレンジオキシ−６−ニトロベンジルエーテル １．０ｇ（４．２ｍｍｏｌ）、トリメトキシシラン０．６１６ｇ（５ｍｍｏｌ）、ハイドロゲンヘキサクロロプラチナート（ＩＶ）六水和物（H2PtCl6・6H2O）を極少量加え、３７℃で３０分間撹拌し、その後１００℃までバス温を上げ、２時間で反応を終了した。中圧カラムを用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を行った。溶出液としてヘキサン：酢酸エチル：テトラメトキシシラン＝１００：２０：１(体積比)を用い、目的物を０．８０ｇ（２．２ｍｍｏｌ）得た。収量０．８０ｇ、収率５２％。Ｒf値（上記溶出液）０．１。
1ＨＮＭＲ (400MHz, CDCl3/TMS): δ7.61 (s, 1H, Ar), 7.29 (s, 1H, Ar), 6.14 (s, 2H, −O-CH2-O-), 4.83 (s, 2H, Ar-CH2-O-), 3.51-3.65 (m, 2H, -O-CH2-CH2-), 3.58 (s, 9H, Si-(OCH3)3), 1.75-1.83 (m, 2H, -CH2-CH2-CH2-), 0.70-0.77 (m, 2H, -CH2-Si-)。
ＦＴ−ＩＲ (NaCl): 2941 cm-1 (C-H), 2842 (C-H), 1522 (NO2), 1324 (NO2), 1260 (C-O-C)。
【００４４】
４，５−メチレンジオキシ−２−ニトロベンジル ３−（トリエトキシシリル）プロピルエーテルの合成
１０ｍｌナスフラスコを窒素置換し、アリル ３，４−メチレンジオキシ−６−ニトロベンジルエーテル１．０ｇ（４．２ｍｍｏｌ）、トリエトキシシラン０．８２８ｇ（５ｍｍｏｌ）、ハイドロゲンヘキサクロロプラチナート（ＩＶ）六水和物（H2PtCl6・6H2O）を極少量加え、３７℃で３０分間撹拌し、その後１００℃までバス温を上げ、２時間で反応を終了した。中圧カラムを用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を行った。溶出液としてヘキサン：酢酸エチル：テトラメトキシシラン＝１００：１０：１.１(体積比)を用い、目的物を０．４２ｇ（０．８７ｍｍｏｌ）得た。収量０．４２ｇ、収率２１％。Ｒf値（上記溶出液）０．１。
1ＨＮＭＲ (400MHz, CDCl3/TMS): δ7.62 (s, 1H, Ar), 7.29 (s, 1H, Ar), 6.11 (s, 2H, −O-CH2-O-), 4.83 (s, 2H, Ar-CH2-O-), 3.84 (q, 6H, Si-(O-CH2CH3)3), 3.56 (t, 2H, -O-CH2-CH2-), 1.77-1.83 (m, 2H, -CH2-CH2-CH2-), 1.24 (t, 9H, Si-(O-CH2CH3)3), 0.68-0.73 (m, 2H, -CH2-Si-)。
ＦＴ−ＩＲ (NaCl): 2975 cm-1 (C-H), 2886 (C-H), 1523 (NO2), 1324 (NO2), 1260 (C-O-C)。
【００４５】
［合成例３］
４，５−ジメトキシ−２−ニトロベンジル ３−（トリエトキシシリル）プロピルエーテルの合成
１０ｍｌナスフラスコを窒素置換し、アリル ４，５−ジメトキシ−２−ニトロベンジルエーテル１．０６ｇ（４．２ｍｍｏｌ）、トリエトキシシラン０．８２８ｇ（５ｍｍｏｌ）、ハイドロゲンヘキサクロロプラチナート（ＩＶ）六水和物（H2PtCl6・6H2O）を極少量加え、３７℃で３０分間撹拌し、その後１００℃までバス温を上げ、２時間で反応を終了した。中圧カラムを用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を行った。溶出液としてヘキサン：酢酸エチル：テトラメトキシシラン＝１００：１０：１.１(体積比)を用い、目的物を０．８４ｇ（２．０ｍｍｏｌ）得た。収量０．８４ｇ、収率５０％。Ｒf値（上記溶出液）０．１。
1ＨＮＭＲ (400MHz, CDCl3/TMS): δ7.71 (s, 1H, Ar), 7.33 (s, 1H, Ar), 4.90 (s, 2H, Ar-CH2-O-), 3.99 (s, 3H, Ar-OCH3),3.95 (s, 3H, Ar-OCH3), 3.83 (q, 6H, Si-(O-CH2CH3)3), 3.56 (t, 2H, -O-CH2-CH2-), 1.77-1.85 (m, 2H, -CH2-CH2-CH2-), 1.23 (t, 9H, Si-(O-CH2CH3)3), 0.69-0.74 (m, 2H, -CH2-Si-)。
ＦＴ−ＩＲ (NaCl): 2974 cm-1 (C-H), 2930 (C-H), 1521 (NO2), 1328 (NO2), 1276 (C-O-C)。
【００４６】
［合成例４］
４，５−ジメトキシ−２−ニトロベンジルアルコールの合成
３００ｍｌナスフラスコに、アリル ４，５−ジメトキシ−２−ニトロベンズアルデヒド２．４８ｇ（１１．７ｍｍｏｌ）、メタノール１５０ｍｌを加え溶解させた。これに、氷浴上でＮａＢＨ4１．３７ｇ（３６．２ｍｍoｌ）を少しずつ加えた後、室温で２．５時間攪拌した。濃縮後、水７５ｍｌを加え、縣濁液を室温で３０分間攪拌した。クロロホルムで抽出し、有機相を無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、濃縮した。これに、エタノール５０ｍｌを加え超音波で溶かし吸引ろ過した（数回）。真空乾燥し、黄色結晶２．３２ｇ（１０．９ｍｍol）を得た。収量２．３２ｇ、収率９３％。Ｒf値（ヘキサン：酢酸エチル＝２：１）０．７。
1ＨＮＭＲ (９０MHz, CDCl3/TMS): δ7.7 (s, 1H, Ar), 7.2 (s, 1H, Ar), 4.90 (s, 2H, Ar-CH2-O-), 4.0 (s, 3H, Ar-OCH3),3.96 (s, 3H, Ar-OCH3), 2.4-2.6 (m, 1H, OH)。
ＦＴ−ＩＲ (KBr): 3497 (OH) cm-1 1515 (NO2) cm-1。
【００４７】
４−ペンテン酸１−（４，５−ジメトキシ−２−ニトロフェニル）メチルの合成１００ｍｌナスフラスコに、ＷＳＣ・ＨＣｌ ３．０６ｇ（１６．０ｍｍoｌ）、ドライＴＨＦ２０ｍｌを入れ、滴下ロートに４，５−ジメトキシ−２−ニトロベンジルアルコール２．１３ｇ（９．９９ｍｍｏｌ）、４−ペンテン酸１．２２ｇ（１２．２ｍｍoｌ）、ＤＭＡＰ１．５０ｇ（１２．３ｍｍoｌ）、ドライＴＨＦ１０ｍｌを加え、窒素雰囲気下、氷浴上で滴下し、一晩攪拌し濃縮した。これに、水５０ｍｌ、２Ｍ ＨＣｌ６ｍｌを入れ、３０分程攪拌した。クロロホルムで抽出し、濃縮した。その後、水２５ｍｌ、５％炭酸水素ナトリウム水溶液２０ｍｌを入れ、３０分程攪拌した。酢酸エチルで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過し、濃縮した。真空乾燥し、黄色結晶２．８０ｇ（９．４８ｍｍol）を得た。収量２．８０ｇ、収率９５％。Ｒf値（クロロホルム）０．６。
1ＨＮＭＲ (４００MHz, CDCl3/TMS): δ7.72 (s, 1H, Ar), 6.99 (s, 1H, Ar), 5.81-5.88 (m, 1H, -CH=CH2), 5.52 (s, 2H, Ar-CH2-O-), 5.01-5.10 (m, 2H, -CH=CH2), 3.98 (s, 3H, Ar-OCH3),3.96 (s, 3H, Ar-OCH3), 2.42-2.55 (m, 4H, -CH2-CH2-)。
【００４８】
５−（トリメトキシシリル）−ペンタン酸 １−（４，５−ジメトキシ−２−ニトロフェニル）メチルの合成
２０ｍｌナスフラスコを窒素置換し、４−ペンテン酸１−（４，５−ジメトキシ−２−ニトロフェニル）メチル ２．０ｇ（６．７ｍｍｏｌ）、トリメトキシシラン５．５４ｇ（４５．３ｍｍｏｌ）、ハイドロゲンヘキサクロロプラチナート（ＩＶ）六水和物（H2PtCl6・6H2O）を極少量加え、３７℃で３０分間撹拌し、その後１００℃までバス温を上げ、２時間で反応を終了した。中圧カラムを用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を行った。溶出液としてヘキサン：酢酸エチル：テトラメトキシシラン＝２００：１００：３(体積比)を用い、目的物を０．９３ｇ（２．２３ｍｍｏｌ）得た。収量０．９３ｇ、収率３３％。Ｒf値（上記溶出液）０．２。
1ＨＮＭＲ (400MHz, CDCl3/TMS): δ7.72 (s, 1H, Ar), 7.00 (s, 1H, Ar), 5.51 (s, 2H, Ar-CH2-O-), 3.99 (s, 3H, Ar-OCH3), 3.96 (s, 3H, Ar-OCH3), 3.57 (s, 9H, Si-(OCH3)3), 2.41-2.45 (t, 2H, J=15Hz, -CO-CH2-), 1.69-1.76 (m, 2H, -CO-CH2-CH2-), 1.44-1.52 (m, 2H, -CH2-CH2-CH2-), 0.64-0.68 (m, 2H, -CH2-Si-)。
ＦＴ−ＩＲ (NaCl): 1523 (NO2), 1278 (NO2), 1740 cm-1 (C=O)
【００４９】
［参考合成例５］
１−（２−ニトロフェニル）エタノールの合成
５００ｍｌナスフラスコに２−ニトロアセトフェノン１５．０ｇ（９１．０mmol）、メタノール２５０ｍｌを入れ氷浴中で撹拌しながら、水素化ホウ素ナトリウム１０．４ｇ（２７４mmol）を少しずつ加えた。そのまま氷浴中で３０分間撹拌し、室温で２時間撹拌した。これをエバポレーターで濃縮し、水２００ｍｌを加え３０分撹拌した後、クロロホルム（２００ｍｌ×５）で抽出し、クロロホルム相を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、エバポレーターで濃縮し、減圧蒸留（９０℃／０．５mmHg）により黄色粘性液体１３．９ｇ（８３．２mmol）を得た。収率９１％。
1ＨＮＭＲ (90 MHz, CDCl3/TMS): δ7.3-7.9 (m, 4H, Ar), 5.4 (m, 1H, メチン), 2.4(d, 1H, ヒドロキシル), 1.6 (d, 3H, メチル)。 ＩＲ (NaCl): 3375cm-1 (OH), 1524 (NO2), 1349 (NO2)。
【００５０】
４−ペンテン酸 １−（２−ニトロフェニル）エチルの合成
窒素置換した１００ｍｌナスフラスコに１−（２−ニトロフェニル）エタノール１１．８ｇ（７０．４mmol）、４−ペンテン酸７．７４ｇ（７７．３mmol）、ＤＭＡＰ９．４０ｇ（７６．９mmol）、無水ＴＨＦ１０ｍｌを入れ、これをＷＳＣ・ＨＣｌ１４．８ｇ（７６．９mmol）、無水ＴＨＦ１００ｍｌの混合溶液に窒素気流下、氷浴中で滴下した。薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）で反応を確認しながら、室温で２日撹拌した。これをエバポレーターで濃縮し、水１００ｍｌと２Ｎ塩酸２０ｍｌを入れ撹拌し、ヘキサン（２００ｍｌ×５）で抽出し、ヘキサン相をエバポレーターで濃縮した。これに水１００ｍｌ、５％炭酸水素ナトリウム１００ｍｌを入れ撹拌し、酢酸エチル（２００ｍｌ×３）で抽出し、酢酸エチル相を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。これをエバポレーターで濃縮し、湯せん（〜５０℃）しながら真空乾燥を２時間行い、黄色の油状液体１６．４ｇ（６５．９mmol）を得た。収率９４％。
1ＨＮＭＲ (90 MHz, CDCl3/TMS): δ7.3-8.0 (m,4H, Ar), 6.3 (q, 1H, メチン)、5.7-5.9 (m, 1H, メチン)、4.9-5.1 (dd, 2H, メチレン)、2.4(s, 4H, メチレン), 1.6 (d, 3H, メチル)。  ＩＲ (NaCl): 1737 cm-1 (C=O), 1527 (NO2), 1351 (NO2)。  ＥＡ（元素分析）： C16H25N1Ｏ7に対する理論値 C 62.24, H 6.07, N 5.62; 実測値 C 62.60, H 6.15, N 5.42。
【００５１】
１０−ウンデセン酸 １−（２−ニトロフェニル）エチルの合成
窒素置換した１００ｍｌナスフラスコに１０−ウンデセン酸クロライド１０．０ｇ（４９．４mmol）、無水ＴＨＦ２０ｍｌを入れ、これに１−（２−ニトロフェニル）エタノール８．０１ｇ（４７．９mmol）、ＤＭＡＰ６．０５ｇ（４９．５mmol）、無水ＴＨＦ４０ｍｌの混合溶液を窒素気流下、氷浴中で滴下した。氷浴中で１時間、室温で２１時間撹拌しＴＬＣで１−（２−ニトロフェニル）エタノールのスポットがなくなったことを確認した。これをエバポレーターで濃縮し、水９０ｍｌと２Ｎ塩酸１０ｍｌを入れ撹拌し、ヘキサン（１００ｍｌ×３）で抽出し、ヘキサン相をエバポレーターで濃縮した。これに水５０ｍｌ、５％炭酸水素ナトリウム５０ｍｌを入れ撹拌し、ヘキサン（１００ｍｌ×３）で抽出した。無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、エバポレーターで濃縮し、湯せん（〜５０℃）しながら真空乾燥を２時間行い、黄色の油状液体１５．５ｇ（４６．５mmol）を得た。収率９７％。
1ＨＮＭＲ (90 MHz, CDCl3/TMS): δ7.3-8.0 (m, 4H, Ar), 6.3 (q, 1H, メチン), 5.6-6.0 (m, 1H, メチン), 4.9-5.1 (dd, 2H, メチレン), 2.3 (t, 2H, メチレン), 2.0 (m, 2H, メチレン), 1.6 (d, 3H, メチル), 1.6 (m,2H, メチレン), 1.4 (m, 2H, メチレン), 1.3 (s, 8H, メチレン)。  ＩＲ (NaCl): 1739 cm-1 (C=O), 1528 (NO2), 1351 (NO2)。
【００５２】
５−（クロロジメチルシリル）ペンタン酸 １−（２−ニトロフェニル）エチルの合成
窒素置換した１０ｍｌナスフラスコに４−ペンテン酸１−（２−ニトロフェニル）エチル２．０３ｇ（８．１４mmol）とクロロジメチルシラン１．２４ｇ（１３．１mmol）と極少量のＨ2PtCl6・6H2Oを入れ、窒素気流下で２時間撹拌した。その後、減圧蒸留を行い精製した。沸点１５６〜１７０℃／０．２５mmHg、収量２．２２ｇ（６．４６mmol）、収率７９％。
1ＨＮＭＲ (90 MHz, CDCl3/TMS): δ7.4-8.0 (m,4H, Ar), 6.3 (q, 1H, メチン), 2.3(t, 2H, メチレン), 1.6 (d, 3H, メチル), 1.2-1.5 (m, 4H, メチレン), 0.9 (t, 2H, メチレン), 0.4 (s, 6H, メチル)。  ＩＲ (NaCl): 1738 cm-1 (C=O), 1528 (NO2), 1350 (NO2)。  ＥＡ： C15H22N1Ｏ4に対する理論値 C 52.39, H 6.45, N 4.07; 実測値 C 52.09, H 6.43, N 3.94。
【００５３】
５−（トリクロロシリル）ペンタン酸 １−（２−ニトロフェニル）エチルの合成
窒素置換した１０ｍｌナスフラスコに４−ペンテン酸１−（２−ニトロフェニル）エチル２．６０ｇ（１０．４mmol）とトリクロロシラン１．７１ｇ（１２．６mmol）と極少量のＨ2PtCl6・6H2Oを入れ、窒素気流下で１時間撹拌した。その後、減圧蒸留を行い精製した。沸点１４０〜１６５℃／０．３mmHg、収量３．４１ｇ（８．２７mmol）、収率７９％。
1ＨＮＭＲ (90 MHz, CDCl3/TMS): δ7.4-8.0 (m, 4H, Ar), 6.3 (q, 1H, メチン), 2.4(t, 2H, メチレン), 1.6 (d, 3H, メチル), 1.5-1.8 (m, 4H, メチレン), 1.4 (t, 2H, メチレン)。  ＩＲ (NaCl): 1738 cm-1 (C=O), 1528 (NO2), 1351 (NO2)。  ＥＡ： C13H16N1Ｏ4に対する理論値 C 40.59, H 4.19, N 3.64; 実測値 C 40.17, H 4.01, N 3.49。
【００５４】
４−ペンテン酸クロリドの合成
１００ｍｌナスフラスコに、４−ペンテン酸３．７６ｇ（３７．６mmol）、塩化チオニル４．００ｍｌ（５５．６mmol）を入れ、窒素気流下で３．５時間還流した。蒸留（b.p.１１８℃）により精製し、無色の液体３．４２ｇ（２８．９mmol）を得た。収率７７％。
1ＨＮＭＲ (90 MHz, CDCl3/TMS): δ5.6-6.0 (m, 1H, メチン), 5.1 (dd, 2H,メチレン), 3.0 (t, 2H, メチレン), 2.5 (q, 2H, メチレン)。
【００５５】
４−ペンテン酸 １−（２−ニトロフェニル）エチルの合成（酸化クロリド経由）
窒素置換した１００ｍｌナスフラスコに１−（２−ニトロフェニル）エタノール３．３０ｇ（１９．７mmol）、無水ＴＨＦ１０ｍｌ、ＤＭＡＰ２．４７ｇ（２０．２mmol）を入れた。これに４−ペンテン酸クロリド２．０３ｇ（２０．３mmol）、無水ＴＨＦ１５ｍｌを氷浴中で滴下した。薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）で反応を確認しながら室温で７日間撹拌した。これをエバポレーターで濃縮し、水１００ｍｌを加え３０分間撹拌し、酢酸エチル（１００ｍｌ×５回）で抽出し、酢酸エチル相をエバポレーターで濃縮した。５％炭酸水素ナトリウム１００ｍｌで洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ濃縮し、シリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝６：１）で精製し黄色液体３．１４ｇ（１２．６mmol）を得た。Ｒf＝０．４５、収率６４％。
1ＨＮＭＲ (90 MHz, CDCl3/TMS): δ7.3-8.0 (m, 4H, Ar), 6.3  (q, 1H, メチン), 5.7-5.8 (m, 1H, メチン), 5.0 (dd, 2H, メチレン), 2.4-2.6 (m, 4H, メチレン), 1.6 (d, 3H, メチル)。
【００５６】
［参考合成例６］
アリル  ２−ニトロベンジルエーテルの合成
窒素置換したナスフラスコ中で６０％水素化ナトリウム（５０．０mmol）を無水ヘキサンで洗浄し油分を取り除いた。氷浴中、窒素気流下でアリルアルコールを滴下し、さらにアリルアルコールに溶解した２−ニトロベンジルブロミド（３２．４mmol）の溶液を滴下し、室温で一晩撹拌した。アリルアルコールは合計で１８６０mmol用いた。エバポレーターで濃縮し、２規定の塩酸で洗浄し、クロロホルムで抽出し、クロロホルム相を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濃縮した。減圧蒸留により精製を行った。沸点７２℃／０．２mmHg、収量２１．２mmol、収率６６％。
1ＨＮＭＲ (400 MHz, CDCl3/TMS): δ7.4-8.1 (m, 4H, Ar), 5.9-6.0 (m, 1H,メチン), 5.2-5.4 (dd, 2H, メチレン), 4.9 (s, 2H, メチレン), 4.1 (d, 2H,メチレン)。 ＩＲ (NaCl): 1526 cm-1 (NO2), 1344 (NO2)。ＥＡ： C10H11N1Ｏ3に対する理論値 C 62.17, H 5.74, N 7.25; 実測値 C 61.63, H 5.63, N 7.27。
【００５７】
５−ヘキセニル ２−ニトロベンジルエーテルの合成
５−ヘキセン−１−オール（１３８mmol）、２−ニトロベンジルブロミド（５．０mmol）、６０％水素化ナトリウム（７．７mmol）を使用し、アリル２−ニトロベンジルエーテルの合成と同様の方法で、５−ヘキセニル２−ニトロベンジルエーテルを合成した。なお、過剰なアルコールを減圧留去により取り除きシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝１０：１）による精製を行った。Ｒf値０．４６、収量３．２mmol、収率６４％。
1ＨＮＭＲ (400 MHz, CDCl3/TMS): δ7.4-8.1 (m, 4H, Ar), 5.8-5.9 (m, 1H,メチン), 5.0-5.1 (dd, 2H, メチレン), 4.9 (s, 2H, メチレン), 3.6 (t, 2H,メチレン), 2.1 (m, 2H, メチレン), 1.7 (m, 2H, メチレン), 1.5 (m, 2H, メチレン)。  ＩＲ (NaCl): 1526 cm-1 (NO2), 1344 (NO2), 1112 (COC)。
【００５８】
９−デセニル ２−ニトロベンジルエーテルの合成
９−デセン−１−オール（８６１mmol）、２−ニトロベンジルブロミド（３２．４mmol）、６０％水素化ナトリウム（５０．０mmol）を使用し、アリル２−ニトロベンジルエーテルの合成と同様の方法で、９−デセニル２−ニトロベンジルエーテルを合成した。なお、過剰なアルコールを減圧留去により取り除きシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝８：２）による精製を行った。Ｒf値０．４２、収量１１．２mmol、収率３４％。
1ＨＮＭＲ (90 MHz, CDCl3/TMS): δ7.4-8.1 (m, 4H, Ar), 5.7-5.9 (m, 1H, メチン), 5.0-5.1 (dd, 2H, メチレン), 4.9 (s, 2H, メチレン), 3.6 (t, 2H, メチレン), 1.5-2.1 (m, 14H, メチレン)。
【００５９】
２−ニトロアセトフェノンのヒドラゾンの合成
J.W. Walkerらの方法に従って合成した。
２００ｍｌナスフラスコに２−ニトロアセトフェノン５．０ｇ（３０mmol）、ヒドラジン一水和物３．４ｇ（６９mmol）、氷酢酸２．０ｍｌ（３５mmol)、エタノール６０ｍｌをいれ、３時間還流した。エバポレーターで濃縮し、水３０ｍｌを加えた後、クロロホルム（３０ｍｌ×４）で抽出し、水（３０ｍｌ×３）で洗浄した。クロロホルム相を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、エバポレーターで濃縮し、減圧蒸留により黄色油状の２−ニトロアセトフェノンのヒドラゾン４．３ｇ（２４mmol）を得た。収率７８％。
1ＨＮＭＲ (400 MHz, CDCl3/TMS): δ7.3-8.2 (m, 4H, Ar), 5.4及び4.8 (3.3:1, br, 2H, アミン), 2.2及び2.1（3.3:1, s, 3H, メチル）。ＩＲ (NaCl): 1525 cm-1 (NO2), 1349 (NO2)。
【００６０】
１−（２−ニトロフェニル）ジアゾメタンの合成
J.W. Walkerらの方法に従って合成した。
１００ｍｌナスフラスコに２−ニトロアセトフェノンのヒドラゾン０．７３ｇ（３．１mmol）、クロロホルム４０ｍｌをいれた。ドラフト内で二酸化マンガン２．２ｇ（２４mmol）をいれ、室温で１５分間撹拌した。濾過し二酸化マンガンを取り除いた後、０．１Ｍ炭酸水素ナトリウム１００ｍｌで洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥して、０．０８Ｍクロロホルム溶液として１−（２−ニトロフェニル）ジアゾメタン約４０ｍｌ（３．１mmol）を得た。濃度は、反応が１００％進行していると仮定して計算した。単利はせず、溶液のまま次の反応に用いた。
【００６１】
５−ヘキセニル １−（２−ニトロフェニル）エチルエーテルの合成
氷浴中で５００ｍｌナスフラスコに５−ヘキセン−１−オール４．００ｇ（４０．０mmol）と７０％過塩素酸を触媒量（１０滴）加え撹拌した。１−（２−ニトロフェニル）ジアゾメタン（３０．３mmol）の０．２Ｍクロロホルム溶液１５０ｍｌを滴下し、室温で一晩撹拌した。エバポレーターで濃縮した後、シリカゲルカラム（ヘキサン：酢酸エチル＝８：１）により精製し、真空乾燥して５−ヘキセニル１−（２−ニトロフェニル）エチルエーテルを得た。収量３．５１ｇ（１４．１mmol）、収率４７％。
1ＨＮＭＲ (90 MHz, CDCl3/TMS): δ7.6-7.9 (m, 4H, Ar), 5.6-5.8  (m, 1H,メチン), 4.9 (dd, 2H, メチレン) , 4.9 (q, 1H, メチン), 3.3 (t, 2H, メチレン), 2.0 (q, 2H, メチレン), 1.5 (d, 3H, メチル), 1.2-1.7 (m, 4H, メチレン)。
【００６２】
２−ニトロベンジル ３−（トリクロロシリル）プロピルエーテルの合成
窒素置換した１０ｍｌナスフラスコにアリル２−ニトロベンジルエーテル（８．９mmol）を入れ、トリクロロシラン（９．８mmol）、極少量のＨ2PtCl6・6H2Oを入れた。窒素気流下、室温で１５〜３０分間撹拌し、その後８０〜１００℃で加熱撹拌した。減圧蒸留を行い精製した。沸点１０８℃／０．１５mmHg、収量４．３mmol、収率４９％。
1ＨＮＭＲ (400 MHz, CDCl3/TMS): δ7.4-8.1 (m, 4H, Ar), 4.9  (s, 2H, メチレン), 3.6 (t, 2H, メチレン) , 2.0 (m, 2H, メチレン) , 1.6 (t, 2H, メチレン)。  ＩＲ (NaCl): 1527 cm-1 (NO2), 1343 (NO2)。 ＥＡ：C10H12N1Ｏ3Si1Cl1に対する理論値 C 36.55, H 3.68, N 4.26; 実測値 C 36.15, H 3.81, N 3.84。
【００６３】
２−ニトロベンジル ６−（トリクロロシリル）ヘキシルエーテルの合成
５−ヘキセニル２−ニトロベンジルエーテル（５．９mmol）とトリクロロシラン（７．１mmol）を使用して、２−ニトロベンジル３−（トリクロロシリル）プロピルエーテルの合成と同様の方法により２−ニトロベンジル６−（トリクロロシリル）ヘキシルエーテルを合成した。沸点１４５〜１５０℃／０．２mmHg、収量３．６mmol、収率６５％。
1ＨＮＭＲ (400 MHz, CDCl3/TMS): δ7.4-8.1 (m, 4H, Ar), 4.9  (s, 2H, メチレン), 3.6 (t, 2H, メチレン), 1.4-1.7 (m, 10H, メチレン)。  ＩＲ (NaCl): 1526 cm-1 (NO2), 1344 (NO2)。 ＥＡ： C13H18N1Ｏ3Si1Cl3に対する理論値 C 42.12, H 5.65, N 3.75; 実測値 C 42.82, H 5.65, N 3.75。
【００６４】
２−ニトロベンズアルデヒドのヒドラゾンの合成
J.W.Walker, G.P.Reid, J.A.McCray and D.R.Trentham, J. Am. Chem. Soc., 110, 7170 (1988)に報告された方法、及び  J.F.Wooton and D.R.Trentham, "Photochemical Probes in Biochemistry", ed. P.E.Nielsen, Kluwer Academic Publishers, p.277 (1989)に報告された方法を参考にして合成した。３００ｍｌナスフラスコに２−ニトロベンズアルデヒド１２．１ｇ（８０．１mmol）、ヒドラジン一水和物８ｍｌ（１５６mmol）、エタノール１６０ｍｌを入れ３時間還流した。エバポレーターで濃縮し、水１００ｍｌを加えた後、クロロホルム（１００ml×４）で抽出し、クロロホルム相を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、エバポレーターで濃縮し、クロロホルム−ヘキサンから再結晶して黄色結晶の２−ニトロベンズアルデヒドのヒドラゾン１０．５ｇ（６３．６mmol）を得た。収率７９％。
1ＨＮＭＲ (90 MHz, CDCl3/TMS): δ8.3 (s, 1H, メチン), 7.4-8.1(m, 4H, Ar), 5.9 (br, 2H, アミン)。
【００６５】
（２−ニトロフェニル）ジアゾメタンの合成
J.W.Walker, G.P.Reid, J.A.McCray and D.R.Trentham, J. Am. Chem. Soc., 110, 7170 (1988)に報告された方法を参考にして合成した。５００ｍｌナスフラスコに２−ニトロベンズアルデヒドのヒドラゾン７．００ｇ（４２．４mmol）、無水塩化メチレンを２０５ｍｌを入れた。ドラフト内で二酸化マンガンを２７．８ｇ（２８１mmol）を入れ、室温で１０分間撹拌した。濾過し二酸化マンガンを除いた後、０．１Ｍ炭酸水素ナトリウム２００ｍｌで洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥して０．２Ｍ塩化メチレン溶液として（２−ニトロフェニル）ジアゾメタン約２０５ｍｌ（４２．４mmol）を得た。濃度は、反応が１００％進行していると仮定して計算した。単離はせず、溶液のまま次の反応に用いた。
【００６６】
（２−ニトロフェニル）ジアゾメタンを用いた５−ヘキセニル２−ニトロベンジルエーテルの合成
氷浴中で１０００ｍｌナスフラスコに５−ヘキセン−１−オール（５５．５mmol）と７０％過塩素酸を触媒量（１８滴）加え撹拌した。（２−ニトロフェニル）ジアゾメタン（４２．４mmol）の０．１〜０．２Ｍクロロホルム溶液を滴下し、室温で一晩撹拌した。炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄し、塩化メチレンで抽出し、塩化メチレン相を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、エバポレーターで濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝８：１）により精製し、真空乾燥して５−ヘキセニル２−ニトロベンジルエーテルを得た。Ｒf０．４２、収量１５．３ｍｍｏｌ、収率３６％。
1ＨＮＭＲ (400 MHz, CDCl3/TMS): δ7.4-8.1 (m, 4H, Ar), 5.8-5.9 (m, 1H,メチン), 5.0 (dd, 2H, メチレン), 4.9 (s, 2H, メチレン), 3.6 (t, 2H, メチレン), 2.1 (m, 2H, メチレン), 1.7 (m, 2H, メチレン), 1.5 (m, 2H, メチレン)。  ＩＲ (NaCl): 1526 cm-1 (NO2), 1344 (NO2), 1112 (COC)。  ＥＡ： C13H17N1Ｏ3に対する理論値 C 66.36, H 7.28, N 5.95; 実測値 C 66.16, H 7.35, N 5.78。
【００６７】
（２−ニトロフェニル）ジアゾメタンを用いた９−デセニル ２−ニトロベンジルエーテルの合成
９−デセン−１−オール（２４．６mmol）、７０％過塩素酸２滴、（２−ニトロフェニル）ジアゾメタン（１２．５mmol）を使用し、（２−ニトロフェニル）ジアゾメタンを用いた５−ヘキセニル２−ニトロベンジルエーテルの合成と同様な方法を行い、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン：酢酸エチル＝８：２）により精製し、真空乾燥して９−デセニル２−ニトロベンジルエーテルを合成した。Ｒf０．４２、収量１．８ｍｍｏｌ、収率１５％。
1ＨＮＭＲ (400 MHz, CDCl3/TMS): δ7.4-8.1 (m, 4H, Ar), 5.7-5.9 (m, 1H,メチン), 4.9-5.0 (dd, 2H, メチレン), 4.9 (s, 2H, メチレン), 3.6 (t, 2H,メチレン), 2.0-2.1 (m, 2H, メチレン), 1.6-1.7 (m, 2H, メチレン), 1.3-1.4 (m, 10H, メチレン)。  ＩＲ (NaCl): 1527 cm-1 (NO2), 1343 (NO2)。  ＥＡ： C17H25N1Ｏ3に対する理論値 C 70.07, H 8.65, N 4.81; 実測値 C 69.02, H 8.58, N 4.57。
【００６８】
［応用例１］
シランカップリング剤（一般式(2)）のアルカリ可溶性樹脂への導入
ビニルフェノールとスチレンの共重合体であるＣＳＴ−７０（丸善石油化学社製）（２．０ｇ）、ＣＳＴ−１５（丸善石油化学社製）（２．０ｇ）、シランカップリング剤として、４，５−ジメトキシ−２−ニトロベンジル ６−（トリメトキシシリル）ヘキシルエーテル（０．３５ｇ）、ベンゼン（２０ｍｌ）を７０℃で一時間加熱した。ベンゼン濃縮後、ＰＳＦ２８０３（群栄化学工業社製）（５．０ｇ）、ＰＳＦ２８０７（群栄化学工業社製）（３．０ｇ）、オイルブルー６１３（０．１ｇ）、ＭＥＫ（１６０ｍｌ）を加え、室温撹拌した。ろ過後、親水化処理したアルミ板に回転塗布し、その後７０℃で一時間乾燥機で乾燥させた。露光には超高圧水銀ランプ（５００Ｗ）を用いて、３６５ｎｍ、１００ｍＷ／ｃｍ2の条件で約５〜１０秒間程照射した。その後、アルカリ現像液にて現像をし、ポジ型の画像を得た。
【００６９】
これにより、従来のような光酸発生剤を必要とせず、複雑な合成法も必要としないポジ型の画像を形成できた。また、酸素阻害も受けず、この感光性組成物が有機−無機複合体を形成していることから高い耐熱性も期待される。
【００７０】
［応用例２及び参考応用例３］
４，５‐ジメトキシ−２−ニトロベンジル６−（トリメトキシシリル）へキシルエーテルと２−ニトロベンジル６−（トリメトキシシリル）へキシルエーテルを用いたシリコンウェハの表面修飾
得られた４，５−ジメトキシ−２−ニトロベンジル６−（トリメトキシシリル）へキシルエーテルの無水ベンゼン溶液に、シリコンウェハを投入し、窒素雰囲気下で還流（１時間）又は室温で振動撹拌（３０分間）して、表面修飾を行った。得られた修飾ウェハをクロロホルムで１０分間超音波洗浄し、超高圧水銀灯（５００Ｗ）を光源としてパイレックスガラス（「パイレックス」は登録商標）フィルターを通して光照射し表面をヒドロキシル基に変換した。接触角計（協和界面科学社製ＣＡ−Ａ）を用い、液滴法（静的接触角）、ＪＩＳ Ｒ３２５７：９９に基づき、それぞれのウェハの接触角を測定し、表面状態の変化を評価すると、光照射時間１０秒でヒドロキシル基への変換を終了したことがわかった。光照射の時間と接触角との関係を図１に示す。
２−ニトロベンジル３−（トリメトキシシリル）へキシルエーテルを用い、同様にしてシリコンウェハの表面修飾を行うと、この場合は、変換の終了まで２０分程度を要した。
【００７１】
［応用例４及び参考応用例５］
５−（トリメトキシシリル）ペンタン酸１−（４，５−ジメトキシ−２−ニトロフェニル）メチルと５−（トリメトキシシリル）ペンタン酸  １−（２−ニトロフェニル）エチルを用いたシリコンウェハの表面修飾
得られた５−（トリメトキシシリル）−ペンタン酸１−（４，５−ジメトキシ−２−ニトロフェニル）メチルの無水ベンゼン溶液に、シリコンウェハを投入し、窒素雰囲気下で還流（１時間）又は室温で振動撹拌（１時間）して、表面修飾を行った。得られた修飾ウェハをクロロホルムで１０分間超音波洗浄し、超高圧水銀灯（５００Ｗ）を光源としてパイレックスガラス（「パイレックス」は登録商標）フィルターを通して光照射し表面をカルボキシル基に変換した。接触角計（協和界面科学社製ＣＡ−Ａ）を用い、液滴法（静的接触角）、ＪＩＳ Ｒ３２５７：９９に基づき、それぞれのウェハの接触角を測定し、表面状態の変化を評価すると、３０秒で変換が終了したことがわかった。光照射の時間と接触角との関係を図２に示す。
５−（トリメトキシシリル）ペンタン酸  １−（２−ニトロフェニル）エチルを用い、同様にしてシリコンウェハの表面修飾を行うと、この場合は、変換の終了まで２０分程度を要した。
【００７２】
【発明の効果】
末端にトリメトキシシリル基等を有し、他の末端にベンゼン核が置換されていてもよいｏ−ニトロベンジルオキシ基を有する化合物であるシランカップリング剤は、ヒドロキシル基を有するポリマーに反応できることから、多様なポリマーへ容易に導入が可能である。光酸発生剤を使用しない事から、耐酸性ポリマーである必要もない。また、この化合物は光感光性であるため、マスクすることにより、特定部位への親水基（ヒドロキシル基、カルボキシル基）の導入を可能とする。例えば、ポジ型の画像を形成できるし、あるいはシリコンウェハのような平面上の基板には、マスクをかけて光照射すれば、特定の部位だけを親水化できる。さらに、酸素による影響や経時変化もない安定な化合物である。また、化合物が有機−無機複合体より有機ポリマーだけの物よりも高い耐熱性が充分に期待される。
クロロジメチルシリル基、ジクロロメチルシリル基、トリクロロシリル基とクロロ基の数の異なるカップリング剤を選択することにより、材料表面に付着できる面積をコントロールすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】４，５−ジメトキシ−２−ニトロベンジル６−（トリメトキシシリル）へキシルエーテルについて、照射時間と接触角の関係を示す。
【図２】５−（トリメトキシシリル）−ペンタン酸１−（４，５−ジメトキシ−２−ニトロフェニル）メチルについて、照射時間と接触角の関係を示す。
【図１】
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【図２】
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