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【手続補正書】
【提出日】平成20年7月7日(2008.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  入力ラインおよび第１および第２の出力ラインを有する第１の電力ディバイダと、
前記第１の電力ディバイダの前記第１の出力ラインに接続された入力ラインおよび少なくとも２つの出力ラインを有する第２の電力ディバイダと、
前記第１の電力ディバイダの前記第２の出力ラインに接続された入力ラインおよび少なくとも２つの出力ラインを有する第３の電力ディバイダと、
各々が、前記第２および第３の電力ディバイダの前記出力ラインの１つに接続された４個のアレイフィードとを有し、前記アレイフィードの各々が、
アレイフィードラインと、
前記アレイフィードラインに接続された少なくとも２つの放射エレメントフィードラインとを有し、
前記放射エレメントフィードラインの各々が、放射エレメントに給電する
ことを特徴とするアンテナのためのフィード。
【請求項２】  前記第２の電力ディバイダの前記出力ラインの１つにおける信号の位相をシフトするための位相シフタと、
前記第３の電力ディバイダの出力ラインの１つにおける信号の位相をシフトするための位相シフタとをさらに有する
ことを特徴とする請求項１記載のアンテナのためのフィード。
【請求項３】  前記第２の電力ディバイダの前記出力ラインのうちの１つにおける信号の位相をシフトするための位相シフタが、信号の位相をｎΔφだけシフとし、ｎは、アレイフィード中の放射エレメントフィードラインの数であり、Δφは、位相シフト角である
ことを特徴とする請求項２記載のアンテナのためのフィード。
【請求項４】  前記第３の電力ディバイダの出力ラインのうちの１つにおける信号の位相をシフトするための位相シフタが、信号の位相をｎΔφだけシフトする
ことを特徴とする請求項３記載のアンテナのためのフィード。
【請求項５】  ｎが少なくとも３である
ことを特徴とする請求項４記載のアンテナのためのフィード。
【請求項６】  各アレイフィードが、前記アレイフィードライン中に配置された２つのアレイ位相シフタを含み、第１のアレイ位相シフタは、前記３個の放射エレメントフィードラインのうちの第１と第２のものの間に配置されており、第２のアレイ位相シフタは、前記第２と第３の放射エレメントフィードラインの間に配置されている
ことを特徴とする請求項５記載のアンテナのためのフィード。
【請求項７】  各アレイ位相シフタが、信号の位相をΔφだけシフトする
ことを特徴とする請求項６記載のアンテナのためのフィード。
【請求項８】  ｎが少なくとも３である
ことを特徴とする請求項３記載のアンテナのためのフィード。
【請求項９】  各アレイフィードは、前記アレイフィードライン中に配置された２つのアレイ位相シフタを含み、第１のアレイ位相シフタが、前記３個の放射エレメントフィードラインの第１と第２のものの間に配置されており、第２のアレイ位相シフタが、前記第２と第３の放射エレメントフィードライン間に配置されている
ことを特徴とする請求項８記載のアンテナのためのフィード。
【請求項１０】  各アレイ位相シフタが、信号の位相をΔφだけシフトする
ことを特徴とする請求項９記載のアンテナのためのフィード。
【請求項１１】  各アレイフィードは、
少なくとも３個の放射エレメントフィードラインと、
前記アレイフィードライン中に配置された少なくとも２つのアレイ位相シフタとを含み、第１のアレイ位相シフタは、前記３個の放射エレメントフィードラインのうちの第１と第２のものの間に配置されており、第２のアレイ位相シフタは、前記第２と第３の放射エレメントフィードライン間に配置されている
ことを特徴とする請求項１記載のアンテナのためのフィード。
【請求項１２】  前記放射エレメントフィードラインのうちの少なくとも１つが、ディレイを含む
ことを特徴とする請求項１記載のアンテナのためのフィード。
【請求項１３】  各々が入力ラインおよび少なくとも２つの出力ラインを有する複数のフィードモジュールと、
各々が前記フィードモジュールのうちの１つの出力ラインのうちの１つに接続されている複数のアレイモジュールとを有し、各アレイモジュールは、
アレイフィードラインと、
前記アレイフィードラインに接続された複数の放射エレメントフィードラインとを含む
ことを特徴とするアンテナのためのモジュラーフィード。
【請求項１４】  各フィードモジュールは、前記出力ライン中の信号の位相をシフトするために、その出力ラインの１つ中に位相シフタを含む
ことを特徴とする請求項１３記載のモジュラーフィード。
【請求項１５】  前記位相シフタは、信号の位相をｎΔφだけシフトし、ｎは、アレイモジュール中の放射エレメントフィードラインの数であり、Δφは位相シフト角である
ことを特徴とする請求項１４記載のモジュラーフィード。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月31日(2008.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(a) ウエハを処理するために挿入可能で、頂部壁（17）を有する壁（38）によって部分的に形成されるウエハ処理用の内部室（20）と、
(b) 内部に活性したガスを分散するために前記内部室（20）に隣接して配置され、平坦な下部バッフル板（16）、およびこの板の上方に固定して配置される平坦な上部バッフル板（14）を含むバッフル板アセンブリ（12）と、を有しており、
前記上部バッフル板（14）は、前記頂部壁（17）と前記下部バッフル板（16）の間にプレナムを形成するように前記下部バッフル板（16）よりも小さく、かつ、ガスが前記下部バッフル板（16）へ向けて通過できるように形成された複数の開口（28）によって取り囲まれた開口のない中央部分（62）を有し、
前記プレナムは、プラズマ処理室（10）の作動中、前記内部室（20）よりも高い圧力下で作動し、
前記下部バッフル板（16）は、ガスが前記プレナムを通過して前記内部室内に供給可能となるように形成された開口（30）のパターンを有することを特徴とする、半導体ウエハを処理するためのプラズマ処理室。
【請求項２】
前記上部バッフル板（14）と前記下部バッフル板（16）は、互いにかつ内部室（20）で処理されるウエハに対してほぼ平行であることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理室。
【請求項３】
前記下部バッフル板（16）は、低合金アルマイト処理されたアルミニウムからなることを特徴とする請求項２記載のプラズマ処理室。
【請求項４】
前記上部バッフル板（14）は、石英からなることを特徴とする請求項３記載のプラズマ処理室。
【請求項５】
石英製の前記上部バッフル板（14）は、サファイアで被膜されていることを特徴とする請求項４記載のプラズマ処理室。
【請求項６】
プラズマ処理室（10）は、ほぼ３００ｍｍの直径を有するウエハを受け入れるように構成されていることを特徴とする請求項２記載のプラズマ処理室。
【請求項７】
前記下部バッフル板（16）の前記開口（30）は、これらの各開口が隣接する開口から等距離にあるパターンとして配置されていることを特徴とする請求項６記載のプラズマ処理室。
【請求項８】
前記上部バッフル板（14）の開口（28）は、前記下部バッフル板（16）の開口（30）よりも大きな開口であることを特徴とする請求項６記載のプラズマ処理室。
【請求項９】
前記上部バッフル板の開口（28）は、同心状の多数の円形パターンで形成されていることを特徴とする請求項８記載のプラズマ処理室。
【請求項１０】
プラズマ処理室（10）は、ほぼ２００ｍｍの直径を有するウエハを受け入れるように構成されていることを特徴とする請求項２記載のプラズマ処理室。
【請求項１１】
前記下部バッフル板（16）の前記開口（30）は、同心状の多数の円形パターンで形成されていることを特徴とする請求項１０記載のプラズマ処理室。
【請求項１２】
処理すべき半導体ウエハを含む隣接の処理室にガスを分散させるためのバッフル板アセンブリ（12）であって、
所定の開口（30）のパターンを有する平坦な下部バッフル板（16）と、この下部バッフル板の上方に固定して配置される平坦な上部バッフル板（14）とを有し、前記上部及び下部のバッフル板（14,16）は、その間に領域（66）を形成しており、
前記上部バッフル板（14）は、前記下部バッフル板（16）よりも小さく、かつ、ガスが前記下部バッフル板（16）へ向けて通過できるように形成された複数の開口（28）によって取り囲まれた、開口のない中央部分（62）を有し、
前記下部バッフル板（16）は、ガスがウエハの処理室内を通過できるように前記所定の開口（30）のパターンを有することを特徴とするバッフル板アセンブリ。
【請求項１３】
前記上部バッフル板（14）と前記下部バッフル板（16）は、互いにほぼ平行に配置されていることを特徴とする請求項１２記載のバッフル板アセンブリ。
【請求項１４】
前記下部バッフル板（16）は、低合金アルマイト処理されたアルミニウムからなることを特徴とする請求項１３記載のバッフル板アセンブリ。
【請求項１５】
前記上部バッフル板（14）は、石英からなることを特徴とする請求項１４記載のバッフル板アセンブリ。
【請求項１６】
前記前記石英製の上部バッフル板（14）は、サファイアで被膜されていることを特徴とする請求項１５記載のバッフル板アセンブリ。
【請求項１７】
前記下部バッフル板（16）の前記開口（30）は、これらの開口がそれぞれ隣接する開口から等距離にあるパターンで配置されていることを特徴とする請求項１３記載のバッフル板アセンブリ。
【請求項１８】
前記上部バッフル板（14）は、前記下部バッフル板（16）の開口（30）よりも大きな開口であることを特徴とする請求項１３記載のバッフル板アセンブリ。
【請求項１９】
前記上部バッフル板（14）の開口（28）は、同心状の多数の円形パターンで形成されていることを特徴とする請求項１８記載のバッフル板アセンブリ。
【請求項２０】
前記下部バッフル板（16）の開口（30）は、同心状の多数の円形パターンで形成されていることを特徴とする請求項１３記載のバッフル板アセンブリ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は各請求項に記載の構成を有する。本発明は、処理すべき半導体ウエハを含む隣接の処理室にガスを分散させるために、バッフル板アセンブリが設けられている。このバッフル板アセンブリは、所定の開口のパターンを有するほぼ平坦な下部バッフル板と、この下部バッフル板の上方に固定して配置されるほぼ平坦な上部バッフル板とを有する。また、前記上部及び下部のバッフル板は、その間に領域を形成しており、前記上部バッフル板は、前記下部バッフル板よりも小さく、かつ、ガスが前記下部バッフル板（16）へ向けて通過できるように形成された複数の開口によって取り囲まれた、開口のない中央部分を有する。さらに、前記下部バッフル板は、ガスがウエハの処理室内を通過できるように前記所定の開口のパターンを有することを特徴とする。
また、本発明のプラズマ処理室は、頂部壁を有する壁によって部分的に形成されるウエハ処理用の内部室と、内部に活性したガスを分散するために前記内部室に隣接して配置され、平坦な下部バッフル板、およびこの板の上方に固定して配置される平坦な上部バッフル板を含むバッフル板アセンブリとを有している。
また、前記上部バッフル板は、前記頂部壁と前記下部バッフル板の間にプレナムを形成するように前記下部バッフル板よりも小さく、かつ、ガスが前記下部バッフル板へ向けて通過できるように形成された複数の開口によって取り囲まれた開口のない中央部分を有し、
前記プレナムは、プラズマ処理室の作動中、前記内部室よりも高い圧力下で作動し、前記下部バッフル板は、ガスが前記プレナムを通過して前記内部室内に供給可能となるように形成された開口のパターンを有することを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月19日(2008.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に半導体層を形成する第１の工程と、
前記半導体層上に絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記絶縁膜上に、第１の導電層と、第２の導電層との積層からなる第１の電極を形成する第３の工程と、
前記第２の導電層をエッチングして、前記第３の工程における前記第２の導電層の幅より狭い前記第２の導電層を形成する第４の工程と、
前記第１の導電層および前記第２の導電層をマスクとして、前記半導体層に不純物元素を添加して高濃度不純物領域を形成する第５の工程と、
前記第２の導電層をマスクとして、前記第１の導電層を通過させて前記半導体層に不純物元素を添加して低濃度不純物領域を形成する第６の工程と、
前記第１の導電層をエッチングして、前記第３の工程における前記第１の導電層の幅より狭い前記第１の導電層を形成する第７の工程と、
を有する半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上に半導体層を形成する第１の工程と、
前記半導体層上に絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記絶縁膜上に、第１の導電層と、第２の導電層との積層からなる第１の電極を形成する第３の工程と、
前記第２の導電層をエッチングして、前記第３の工程における前記第２の導電層の幅より狭い前記第２の導電層を形成する第４の工程と、
前記第２の導電層および前記第１の導電層をマスクとして、前記半導体層に不純物元素を添加して高濃度不純物領域及び低濃度不純物領域を形成する第５の工程と、
前記第１の導電層をエッチングして、前記第３の工程における前記第１の導電層の幅より狭い前記第１の導電層を形成する第６の工程と、
を有する半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または２において、前記不純物元素は、半導体にｎ型またはｐ型を付与する不純物元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記第３の工程は、
前記絶縁膜上に第１の導電膜と、前記第１の導電膜上に第２の導電膜を積層形成した後、
前記第２の導電膜に第１のエッチング処理を行って前記第２の導電層を形成し、
前記第１の導電膜に第２のエッチング処理を行って前記第１の導電層を形成して、前記第１の導電層と、前記第２の導電層との積層からなる第１の電極を形成したことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面上に半導体層を形成する第１の工程と、
前記半導体層上に絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記絶縁膜上に第１の導電膜と、前記第１の導電膜上に第２の導電膜を積層形成する第３の工程と、
前記第２の導電膜をエッチングして第２の導電層を形成する第４の工程と、
前記第２の導電層をマスクとして、前記半導体層に不純物元素を添加して高濃度不純物領域を形成する第５の工程と、
前記第１の導電膜をエッチングして、前記第１の導電層を形成する第６の工程と、
前記第２の導電層をエッチングして、前記第４の工程における前記第２の導電層の幅より狭い前記第２の導電層を形成する第７の工程と、
前記第２の導電層をマスクとして、前記第１の導電層を通過させて前記半導体層に不純物元素を添加して低濃度不純物領域を形成する第８の工程と、
前記第１の導電層をエッチングして、前記第６の工程における前記第１の導電層の幅より狭い前記第１の導電層を形成する第９の工程と、
を有する半導体装置の作製方法。
【請求項６】
絶縁表面上に半導体層を形成する第１の工程と、
前記半導体層上に絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記絶縁膜上に第１の導電膜と、前記第１の導電膜上に第２の導電膜を積層形成する第３の工程と、
前記第１の導電膜および前記第２の導電膜をエッチングして、第１の導電層と、第２の導電層を形成する第４の工程と、
前記第２の導電層をエッチングして、前記第４の工程における前記第２の導電層の幅より狭い前記第２の導電層を形成する第５の工程と、
前記第２の導電層をマスクとして、前記第１の導電層を通過させて前記半導体層に不純物元素を添加して低濃度不純物領域を形成する第６の工程と、
前記第２の導電層および前記第１の導電層をマスクとして、前記半導体層に不純物元素を添加して高濃度不純物領域を形成する第７の工程と、
前記第１の導電層をエッチングして、前記第４の工程における前記第１の導電層の幅より狭い前記第１の導電層を形成する第８の工程と、
を有する半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一に記載された工程の後に、
前記第２の導電層上に第１の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記半導体層中の不純物元素を活性化する第１の熱処理を行う工程と、
前記第１の層間絶縁膜を覆う第２の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の層間絶縁膜を形成した後、前記第１の熱処理より低い温度の第２の熱処理を行う工程と、
を有する半導体装置の作製方法。
【請求項８】
絶縁表面上に半導体層を形成する第１の工程と、
前記半導体層上に絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記絶縁膜上に第１の導電膜と、前記第１の導電膜上に第２の導電膜を積層形成する第３の工程と、
前記第２の導電膜をエッチングして第２の導電層を形成する第４の工程と、
前記第２の導電層をマスクとして、前記半導体層に不純物元素を添加して高濃度不純物領域を形成する第５の工程と、
前記第２の導電層をエッチングして、前記第４の工程における前記第２の導電層の幅より狭い前記第２の導電層を形成する第６の工程と、
前記第２の導電層をマスクとして、前記第１の導電膜を通過させて前記半導体層に不純物元素を添加して低濃度不純物領域を形成する第７の工程と、
前記第１の導電膜をエッチングして、第１の導電層を形成する第８の工程と、
を有する半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項８に記載された前記第８工程の後に、
前記第２の導電層上に第１の層間絶縁膜を形成する第９工程と、
前記半導体層中の不純物元素を活性化する第１の熱処理を行う第１０工程と、
前記第１の層間絶縁膜を覆う第２の層間絶縁膜を形成する第１１工程と、
前記第１の熱処理より低い温度の第２の熱処理を行う第１２工程と、
を有する半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一に記載された半導体装置とは、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、携帯型情報端末、デジタルビデオディスクプレーヤー、または電子遊技機器であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月23日(2008.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に第１の半導体膜を形成する工程と、
前記第１の半導体膜上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜をエッチングして、上面形状が多角形であり、かつ前記多角形の少なくとも１つの頂点の角度を６０度未満とする工程と、
前記第１の半導体膜及び前記第１の絶縁膜を覆って第２の半導体膜を形成する工程と、
前記第２の半導体膜と重なりかつ前記第１の絶縁膜と重ならない第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の半導体膜および前記第２の半導体膜にレーザビームを照射して結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上に第１の半導体膜を形成する工程と、
前記第１の半導体膜上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜をエッチングして、上面形状が多角形であり、かつ前記多角形の少なくとも１つの頂点の角度を６０度未満とする工程と、
前記第１の半導体膜及び前記第１の絶縁膜を覆って第２の半導体膜を形成する工程と、
前記第２の半導体膜と重なりかつ前記第１の絶縁膜と重ならない第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の半導体膜および前記第２の半導体膜にレーザビームを照射して結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜をチャネル形成領域として用いて薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に下地絶縁膜を形成する工程と、
前記下地絶縁膜上に第１の半導体膜を形成する工程と、
前記第１の半導体膜上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜をエッチングして、上面形状が多角形であり、かつ前記多角形の少なくとも１つの頂点の角度を６０度未満とする工程と、
前記第１の半導体膜及び前記第１の絶縁膜を覆って第２の半導体膜を形成する工程と、
前記第２の半導体膜と重なりかつ前記第１の絶縁膜と重ならない第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の半導体膜および前記第２の半導体膜にレーザビームを照射して結晶性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の絶縁膜の膜厚は、前記第２の絶縁膜の膜厚より薄いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１又は請求項４のいずれか一において、
前記頂点と前記第２の絶縁膜の端面とが一致していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記レーザビームを、前記第１の半導体膜及び前記第２の半導体膜の表面側から照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記レーザビームを、前記第１の半導体膜及び前記第２の半導体膜の表面側及び裏面側から照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記レーザビームは、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、またはＹＬＦレーザから射出されたレーザビームであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月22日(2008.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、ｎチャネル型薄膜トランジスタと、前記ｎチャネル型薄膜トランジスタを覆うように設けられた窒化珪素膜または窒化酸化珪素膜と、前記窒化珪素膜または窒化酸化珪素膜上に設けられた着色層と、前記着色層と重なるように形成された発光素子とを含む画素を有し、
前記ｎチャネル型薄膜トランジスタは、
チャネル形成領域、前記チャネル形成領域を間に挟んで配置された一対の第１のｎ型不純物領域、前記チャネル形成領域及び一対の前記第１のｎ型不純物領域を間に挟んで配置された一対の第２のｎ型不純物領域、前記チャネル形成領域、一対の前記第１の不純物領域、及び一対の前記第２のｎ型不純物領域を間に挟んで形成された第３のｎ型不純物領域を含む活性層と、
第１のゲート電極および前記第１のゲート電極よりもゲート長の小さい第２のゲート電極を含むゲート電極と、を有し、
前記第１のゲート電極は前記チャネル形成領域および一対の前記第１のｎ型不純物領域とゲート絶縁膜を挟んで重なり、前記第２のゲート電極は前記チャネル形成領域と前記ゲート絶縁膜を挟んで重なり、一対の前記第２の不純物領域及び一対の前記第３の不純物領域は前記第１のゲート電極と重ならず、
一対の前記第３の不純物領域におけるｎ型不純物元素の濃度は、一対の前記第１の不純物領域及び一対の前記第２の不純物領域におけるｎ型不純物元素の濃度よりも高く、
一対の前記第２の不純物領域におけるｎ型不純物元素の濃度は、一対の前記第１の不純物領域におけるｎ型不純物元素の濃度よりも高く、
前記発光素子において発光した光は前記着色層及び前記基板を透過して外部に放射されることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記着色層は、前記ｎチャネル型薄膜トランジスタの前記チャネル形成領域を覆うように設けられ、赤色着色層であることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１のゲート電極は窒化タンタルまたは窒化チタンからなり、前記第２のゲート電極はタングステンまたはアルミニウムを含むことを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記第１のゲート電極はタングステンからなり、前記第２のゲート電極はアルミニウムを含むことを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
一対の前記第３のｎ型不純物領域には１×１０２０〜１×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の濃度でｎ型不純物元素が含まれ、
一対の前記第２のｎ型不純物領域には１×１０１７〜１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の濃度でｎ型不純物元素が含まれ、
一対の前記第１のｎ型不純物領域には１×１０１６〜５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の濃度でｎ型不純物元素が含まれていることを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月24日(2008.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】   電気的に絶縁する表面層（１２，１４）を有し、少なくとも１つの扉（３）と、本体（２）と、これらの間に配置された電気伝導性で弾性のあるシール（５）とを含む、電気伝導性のある材料（１０，１３）でできたケーシング構成部品を備える、印刷機のための電装キャビネット（１）のケーシングにおいて、
それぞれ互いに付属するケーシング構成部品（２，３）が電気伝導性のある対応する接触部位（９，１６）を有しており、これらの接触部位（９，１６）が電気伝導性のある、特に柔軟なテープ材料（７，１１）を有しており、このテープ材料は前記ケーシング構成部品の伝導性材料（１０，１３）と接続されており、それぞれの前記接触部位（９，１６）は保護層で覆われており、この保護層は、前記ケーシング構成部品（２，３）の電気伝導的な接続のため、ならびに前記電装キャビネット（１）の組立時のシール（５）のために除去可能であることを特徴とする、印刷機のための電装キャビネットのケーシング。
【請求項２】   前記保護層が紙、プラスチック、金属、および／または複合材料を含んでいる、請求項１記載のケーシング。
【請求項３】   前記接触部位（９，１６）が、ケーシング構成部品の伝導性材料（１０，１３）に刻印または打印された隆起部を有している、請求項１または２記載のケーシング。
【請求項４】   前記接触部位（９，１６）が接触面を構成している、請求項１から３までのいずれか１項記載のケーシング。
【請求項５】   前記テープ材料（７，１１）が除去可能なフィルムで被覆されている、請求項１から４までのいずれか１項記載のケーシング。
【請求項６】   連結されるべきケーシング構成部品（２，３）に互いに対応する接触部位（９，１６）が穴として構成されており、この穴に、切削ねじ山（１９）をもつ、伝導性のあるタッピンねじ（１８）をねじ込み可能であり、ねじ込みの際に前記タッピンねじ（１８）が前記伝導性材料（１０，１３）に食い込んで前記穴を気密に密閉する、請求項１から５までのいずれか１項記載のケーシング。
【請求項７】   前記タッピンねじ（１８）が、内側のねじ頭（２０）に配置された少なくとも１つの切削部材（２１）、特に環状切れ刃を有しており、前記ねじ（１８）をねじ込む際にこの切削部材（２１）が絶縁をする表面被覆（１２，１４）を貫いて、当接するケーシング構成部品の伝導性材料（１０，１３）の内部まで食い込む、請求項６記載のケーシング。
【請求項８】   前記タッピンねじ（１８）が接触抵抗の少ない表面を有しており、特に亜鉛めっき、ニッケルめっき、クロムめっき、あるいはブルークロメート処理されている、請求項６および７記載のケーシング。
【請求項９】   前記シール（５）が接触面を介して電気伝導的に前記扉（３）および／または前記本体（２）に取り付けられており、前記扉（３）を閉じると、付属の対向面で対応する接触部位（１６）に当接して伝導的な接続を保証する、請求項１から８までのいずれか１項記載のケーシング。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月7日(2007.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＲＦ信号をタイヤの一部に放射して当該タイヤからの反射信号を受信するように配置され、出力に出力信号を発生するレーダートランシーバと、
前記レーダートランシーバの前記出力に接続された入力と、出力とを有する信号プロセッサと
を具備しており、前記信号プロセッサは、前記レーダートランシーバが受信した前記反射信号の内の選択した調波に基づいて信号解析を実行し、選択したタイヤ関連パラメータ又は異常を表す出力信号を前記出力に出力することを特徴とするタイヤ監視装置。
【請求項２】
前記信号プロセッサは、前記レーダートランシーバが受信した前記反射信号の内の選択した調波範囲の調波に基づいて信号解析を実行することを特徴とする請求項１に記載のタイヤ監視装置。
【請求項３】
前記信号プロセッサは、前記選択した調波範囲内の調波エネルギーの平均エネルギーに基づいて信号解析を実行することを特徴とする請求項２に記載のタイヤ監視装置。
【請求項４】
前記信号プロセッサは、前記選択した調波範囲内の調波分布の重心に基づいて信号解析を実行することを特徴とする請求項２に記載のタイヤ監視装置。
【請求項５】
前記信号プロセッサは、前記選択した調波範囲内の調波分布の重心に基づいて信号解析を実行することを特徴とする請求項３に記載のタイヤ監視装置。
【請求項６】
前記調波範囲は、選択したタイヤ関連パラメータ又は異常の基づいて選択されることを特徴とする請求項２に記載のタイヤ監視装置。
【請求項７】
前記タイヤ関連パラメータ又は異常は、バランス及びアライメントであり、前記選択した調波範囲は、第１調波から第２調波の範囲であることを特徴とする請求項６に記載のタイヤ監視装置。
【請求項８】
前記タイヤ関連パラメータ又は異常は、トレッドベルト剥離及び不均一トレッド摩耗であり、前記選択した調波範囲は、第３調波から第ｎ調波の範囲であり、ここでｎはトレッドパターンに関係する基本調波であることを特徴とする請求項６に記載のタイヤ監視装置。
【請求項９】
前記タイヤ関連パラメータ又は異常は、トレッド摩耗であり、前記選択した調波範囲は、第ｎ調波から第ｍ調波の範囲であり、ここでｎはトレッドパターンに関係する基本調波であり、ｍはトレッドパターンエネルギーの整数倍調波であることを特徴とする請求項６に記載のタイヤ監視装置。
【請求項１０】
前記レーダートランシーバはドップラーレーダートランシーバであることを特徴とする請求項１に記載のタイヤ監視装置。
【請求項１１】
前記レーダートランシーバはドップラー微小パワーインパルスレーダートランシーバであることを特徴とする請求項１０に記載のタイヤ監視装置。
【請求項１２】
ＲＦ信号をタイヤの一部に放射し、
放射を受けたタイヤからの反射信号を受信し、
解析のために前記反射信号の調波範囲を選択し、
選択した調波範囲の調波を解析して、選択したタイヤ関連パラメータを検出する
ことを特徴とする、タイヤ関連パラメータを検出する方法。
【請求項１３】
前記選択した調波範囲の調波の前記解析は、前記選択した調波範囲内の調波エネルギーの平均エネルギーを評価することを含むことを特徴とする、請求項１２に記載のタイヤ関連パラメータを検出する方法。
【請求項１４】
前記選択した調波範囲の調波の前記解析は、前記選択した調波範囲内の調波分布の重心を評価することを含むことを特徴とする、請求項１３に記載のタイヤ関連パラメータを検出する方法。
【請求項１５】
前記選択した調波範囲の調波の前記解析は、前記選択した調波範囲内の調波分布の重心を評価することを含むことを特徴とする、請求項１２に記載のタイヤ関連パラメータを検出する方法。
【請求項１６】
調波範囲の前記選択は、検出したいタイヤ関連パラメータに基づいて行うことを特徴とする、請求項１２に記載のタイヤ関連パラメータを検出する方法。
【請求項１７】
前記選択したタイヤ関連パラメータは、バランス及びアライメントであり、前記選択した調波範囲は、第１調波から第２調波の範囲であることを特徴とする、請求項１６に記載のタイヤ関連パラメータを検出する方法。
【請求項１８】
前記選択したタイヤ関連パラメータは、トレッドベルト剥離及び不均一トレッド摩耗であり、前記選択した調波範囲は、第３調波から第ｎ調波の範囲であり、ここでｎはトレッドパターンに関係する基本調波であることを特徴とする、請求項１６に記載のタイヤ関連パラメータを検出する方法。
【請求項１９】
前記選択したタイヤ関連パラメータは、トレッド摩耗であり、前記選択した調波範囲は、第ｎ調波から第ｍ調波の範囲であり、ここでｎはトレッドパターンに関係する基本調波であり、ｍはトレッドパターンエネルギーの整数倍調波であることを特徴とする、請求項１６に記載のタイヤ関連パラメータを検出する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月6日(2008.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子放出素子、画像形成装置及び電子放出素子の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  カソード電極と、該カソード電極に接続されたカーボンファイバーとを有する電子放出素子であって、
前記カソード電極と、前記カーボンファイバーとが、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｎｂの中から選択された少なくとも１種の窒化物を介して接続されてなることを特徴とする電子放出素子。
【請求項２】  カソード電極と、該カソード電極に接続されたカーボンファイバーとを有する電子放出素子であって、
前記カソード電極と、前記カーボンファイバーとが、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｎｂの中から選択された少なくとも１種の窒化物とＴｉ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｎｂの中から選択された少なくとも１種の酸化物との混合物を介して接続されてなることを特徴とする電子放出素子。
【請求項３】  前記カーボンファイバーは、触媒を用いて炭化水素ガスを熱分解することにより形成されたものであることを特徴とする請求項１または２に記載の電子放出素子。
【請求項４】  前記触媒は、Ｐｄ，Ｎｉ，ＦｅまたはＣｏを含むことを特徴とする請求項３に記載の電子放出素子。
【請求項５】  前記カーボンファイバーは、グラファイトナノファイバー，カーボンナノチューブ、アモルファスカーボン、ダイアモンドファイバー、またはこれらの混合物であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子放出素子。
【請求項６】  前記カソード電極は、ゲート電極と共に基板の表面に配置されており、前記基板の表面から前記ゲート電極の表面までの高さよりも、前記基板の表面から前記カーボンファイバーの先端までの高さの方が高いことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子放出素子。
【請求項７】  請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電子放出素子と、該電子放出素子と対向して設けた画像形成部材とを有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項８】  電極と該電極に接続されたカーボンファイバーを有する電子放出素子の製造方法であって、
電極上に、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｎｂの中から選択された少なくとも１種の窒化物、あるいは、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｎｂの中から選択された少なくとも１種の酸化物と前記窒化物との混合物を、設ける工程と、
触媒を用いて炭化水素ガスを熱分解することにより、前記窒化物あるいは前記窒化物と前記酸化物の混合物を介して前記電極と接続したカーボンファイバーを形成する工程と、を有することを特徴とする電子放出素子の製造方法。
【請求項９】  前記触媒は、Ｎｉ，ＦｅまたはＣｏの中から選択された金属とＰｄとを含み、前記触媒中に含まれる前記金属の比率が１０ａｔｍ％以上５０ａｔｍ％以下であることを特徴とする請求項８に記載の電子放出素子の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
即ち、本発明の電子放出素子の第一は、カソード電極と、該カソード電極に接続されたカーボンファイバーとを有する電子放出素子であって、前記カソード電極と、前記カーボンファイバーとが、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｎｂの中から選択された少なくとも１種の窒化物を介して接続されてなることを特徴とする。
また、本発明の電子放出素子の第二は、カソード電極と、該カソード電極に接続されたカーボンファイバーとを有する電子放出素子であって、前記カソード電極と、前記カーボンファイバーとが、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｎｂの中から選択された少なくとも１種の窒化物とＴｉ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｎｂの中から選択された少なくとも１種の酸化物との混合物を介して接続されてなることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の電子放出素子においては、前記カーボンファイバーは、触媒を用いて炭化水素ガスを熱分解することにより形成されたものであることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、前記触媒は、Ｐｄ，Ｎｉ，ＦｅまたはＣｏを含むことが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、前記カーボンファイバーは、グラファイトナノファイバー，カーボンナノチューブ、アモルファスカーボン、ダイアモンドファイバー、またはこれらの混合物であることが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、前記カソード電極は、ゲート電極と共に基板の表面に配置されており、前記基板の表面から前記ゲート電極の表面までの高さよりも、前記基板の表面から前記カーボンファイバーの先端までの高さの方が高いことが好ましい。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の画像形成装置は、前記電子放出素子と、該電子放出素子と対向して設けた画像形成部材とを有することを特徴とする。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明の電子放出素子の製造方法は、電極と該電極に接続されたカーボンファイバーを有する電子放出素子の製造方法であって、電極上に、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｎｂの中から選択された少なくとも１種の窒化物、あるいは、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｎｂの中から選択された少なくとも１種の酸化物と前記窒化物との混合物を、設ける工程と、触媒を用いて炭化水素ガスを熱分解することにより、前記窒化物あるいは前記窒化物と前記酸化物の混合物を介して前記電極と接続したカーボンファイバーを形成する工程と、を有することを特徴とし、前記触媒は、Ｎｉ，ＦｅまたはＣｏの中から選択された金属とＰｄとを含み、前記触媒中に含まれる前記金属の比率が１０ａｔｍ％以上５０ａｔｍ％以下であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月27日(2008.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置およびその作製方法、電気器具
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に形成され、チャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域、並びにＬＤＤ領域を有する半導体層と、
前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を有し、
前記ゲート電極は、第１の電極、第２の電極、及び第３の電極が順に積層された構造からなり、
前記第１の電極、前記第２の電極、及び前記第３の電極は、端部がテーパ形状であり、
前記ＬＤＤ領域は、前記チャネル形成領域と前記ソース領域及び前記ドレイン領域との間で、且つ、前記第１の電極の端部の下に位置する領域に形成されており、
前記ＬＤＤ領域には、一導電型の不純物元素が含まれることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面上に形成され、チャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域、並びにＬＤＤ領域を有する半導体層と、
前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を有し、
前記ゲート電極は、第１の電極、第２の電極、及び第３の電極が順に積層された構造からなり、
前記第１の電極、前記第２の電極、及び前記第３の電極は、端部がテーパ形状であり、
前記ＬＤＤ領域は、前記チャネル形成領域と前記ソース領域及び前記ドレイン領域との間で、且つ、前記第１の電極の端部の下に位置する領域に形成されており、
前記ＬＤＤ領域には、一導電型の不純物元素が１×１０１７〜１×１０２０／ｃｍ３の濃度で含まれており、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域には、前記一導電型の不純物元素が１×１０２０〜１×１０２１／ｃｍ３の濃度で含まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記ＬＤＤ領域中では、前記チャネル形成領域から前記ソース領域及び前記ドレイン領域に近づくにつれて前記一導電型の不純物元素の濃度が高くなることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の電極はタングステン、モリブデン、タンタル、またはそれらを主成分とする導電膜からなり、
前記第２の電極はアルミニウム、銅、またはそれらを主成分とする導電膜からなり、
前記第３の電極はチタンまたはチタンを主成分とする導電膜からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の半導体装置を用いて作製されたことを特徴とする電気器具。
【請求項６】
絶縁体上に半導体層を形成する第１の工程と、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記ゲート絶縁膜上に第１の導電膜、第２の導電膜、及び第３の導電膜を順に形成する第３の工程と、
前記第１の導電膜、前記第２の導電膜、及び前記第３の導電膜をエッチングして、それぞれの端部がテーパ形状である第１の電極、第２の電極、及び第３の電極の積層からなる導電層を形成する第４の工程と、
前記導電層をマスクとして前記半導体層に一導電型の不純物元素を添加して高濃度不純物領域を形成する第５の工程と、
前記第１の電極、前記第２の電極、及び前記第３の電極をエッチングして、それぞれの端部がテーパ形状である第４の電極、第５の電極、及び第６の電極の積層からなるゲート電極を形成する第６の工程と、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体層に前記一導電型の不純物元素を添加してＬＤＤ領域を形成するとともに、チャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を形成する第７の工程と、を含み、
前記第７の工程では、前記第４の電極の端部及び前記ゲート絶縁膜を通して前記不純物元素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
絶縁体上に半導体層を形成する第１の工程と、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記ゲート絶縁膜上に第１の導電膜、第２の導電膜、及び第３の導電膜を順に形成する第３の工程と、
前記第１の導電膜、前記第２の導電膜、及び前記第３の導電膜をエッチングして、それぞれの端部がテーパ形状である第１の電極、第２の電極、及び第３の電極の積層からなる導電層を形成する第４の工程と、
前記導電層をマスクとして前記半導体層に一導電型の不純物元素を添加して、前記不純物元素が１×１０２０〜１×１０２１／ｃｍ３の濃度で含まれる高濃度不純物領域を形成する第５の工程と、
前記第１の電極、前記第２の電極、及び前記第３の電極をエッチングして、それぞれの端部がテーパ形状である第４の電極、第５の電極、及び第６の電極の積層からなるゲート電極を形成する第６の工程と、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体層に前記一導電型の不純物元素を添加して、前記不純物元素が１×１０１７〜１×１０２０／ｃｍ３の濃度で含まれるＬＤＤ領域を形成するとともに、チャネル形成領域、ソース領域、及びドレイン領域を形成する第７の工程と、を含み、
前記第７の工程では、前記第４の電極の端部及び前記ゲート絶縁膜を通して前記不純物元素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項６又は請求項７において、
前記ＬＤＤ領域中では、前記チャネル形成領域から前記ソース領域及び前記ドレイン領域に近づくにつれて前記一導電型の不純物元素の濃度が高くなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか一において、
前記第１の導電膜はタングステン、モリブデン、タンタル、またはそれらを主成分とし、
前記第２の導電膜はアルミニウム、銅、またはそれらを主成分とし、
前記第３の導電膜はチタンまたはチタンを主成分とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項９のいずれか一において、
前記第４の工程及び前記第６の工程でのエッチングは、誘導結合型プラズマエッチング法を用いて行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月6日(2008.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  非晶質相及び／または微結晶相を含む半導体膜を処理する方法において、シアン化合物含有の溶液中に前記半導体膜を浸漬し、浸漬させた状態で前記半導体膜に電圧を印加することを特徴とする半導体膜の処理方法。
【請求項２】  前記半導体膜はシリコンを含んでいる請求項１記載の半導体膜の処理方法。
【請求項３】  前記半導体膜に印加する電圧は、０．１Ｖ以上１００Ｖ以下である請求項１または２記載の半導体膜の処理方法。
【請求項４】  基板上に、一導電型の第１導電層、非晶質相及び／または微結晶相を含む光起電力層、並びに、他導電型の第２導電層をこの順に有する光起電力素子を製造する方法において、前記光起電力層を形成した後の中間物をシアン化合物含有の溶液中に浸漬し、浸漬させた状態で前記光起電力層に電圧を印加することを特徴とする光起電力素子の製造方法。
【請求項５】  前記光起電力層は、複数の光起電力層を有しており、前記複数の光起電力層夫々を形成した後の各中間物をシアン化合物含有の溶液中に浸漬し、浸漬させた状態で前記複数の光起電力層夫々に電圧を印加する請求項４記載の光起電力素子の製造方法。
【請求項６】  前記光起電力層はシリコンを含んでいる請求項４または５記載の光起電力素子の製造方法。
【請求項７】  前記光起電力層に印加する電圧は、０．１Ｖ以上１００Ｖ以下である請求項４〜６の何れかに記載の光起電力素子の製造方法。
【請求項８】  光照射によって前記光起電力層に起電力を発生させ、発生させた起電力を用いて、前記光起電力層に前記電圧を印加する請求項４〜７の何れかに記載の光起電力素子の製造方法。
【請求項９】  基板上に、一導電型の第１導電層、非晶質相及び／または微結晶相を含む光起電力層、並びに、他導電型の第２導電層をこの順に有する光起電力素子において、前記光起電力層はＣＮを含んでおり、前記光起電力層におけるＣＮの含有量が、前記第１導電層または第２導電層との界面領域において他の領域よりも多くなっていることを特徴とする光起電力素子。
【請求項１０】  前記光起電力層はシリコンを含んでいる請求項９記載の光起電力素子。
【請求項１１】  前記光起電力層におけるＣＮの含有量が、光入射側である第１導電層または第２導電層との界面領域において他の領域よりも多くなっている請求項９または１０記載の光起電力素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
第１発明に係る半導体膜の処理方法は、非晶質相及び／または微結晶相を含む半導体膜を処理する方法において、シアン化合物含有の溶液中に前記半導体膜を浸漬し、浸漬させた状態で前記半導体膜に電圧を印加することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
第１発明にあっては、非晶質相及び／または微結晶相を含む半導体膜を、シアン化合物含有の溶液中に浸漬し、浸漬させた状態の半導体膜に電圧を印加して、半導体膜の非晶質相または微結晶相にＣＮ- イオンを取り込ませる。シアン化合物の正イオンは捕捉されて半導体膜と接触しないために、正イオンによる半導体膜の汚染を防止できる。更に、溶媒としてキシレンなどの有機物を用いるため、水溶液を用いたときとは異なり、ＣＮ- イオンは溶媒和されない。この結果、ＣＮ- イオンの取り込みが促進される。また、このときに電圧を印加することにより、ＣＮ- イオンが半導体膜の内部にまで浸入して取り込まれる。この結果、ダングリングボンドなどの欠陥準位がＣＮ- イオンにて解消されて、半導体膜の特性が向上する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
第４発明に係る光起電力素子の製造方法は、基板上に、一導電型の第１導電層、非晶質相及び／または微結晶相を含む光起電力層、並びに、他導電型の第２導電層をこの順に有する光起電力素子を製造する方法において、前記光起電力層を形成した後の中間物をシアン化合物含有の溶液中に浸漬し、浸漬させた状態で前記光起電力層に電圧を印加することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
第４発明にあっては、非晶質相及び／または微結晶相を含む光起電力層を形成した後の中間物を、シアン化合物含有の溶液中に浸漬し、浸漬させた状態の光起電力層に電圧を印加することにより、第１発明と同様に、光起電力層の非晶質相または微結晶相にＣＮ- イオンを取り込ませる。この結果、ダングリングボンドなどの欠陥準位がＣＮ- イオンにて解消されて、光起電力層の膜特性が向上し、光劣化は防止されて、光起電力素子の長期にわたる高い変換特性が達成される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
第５発明に係る光起電力素子の製造方法は、第４発明において、前記光起電力層は、複数の光起電力層を有しており、前記複数の光起電力層夫々を形成した後の各中間物をシアン化合物含有の溶液中に浸漬し、浸漬させた状態で前記複数の光起電力層夫々に電圧を印加することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
第５発明にあっては、複数の光起電力層夫々を形成した後に、シアン化合物含有の溶液中への浸漬及び浸漬させた状態での電圧印加の処理を繰り返して行う。よって、光起電力層へのＣＮ- イオンの取り込みが増加する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明では、非晶質相及び／または微結晶相を含む半導体膜にシアン化合物含有の溶液中に浸漬させた状態で電圧を印加するようにしたので、容易にＣＮ- イオンを効率良く非晶質相または微結晶相に取り込ませることができ、その膜性を大幅に向上することができる。このような処理手法を、光起電力素子の光起電力層に適用するようにしたので、光劣化の影響を受けない優れた特性を有する光起電力素子を製造することができる。この結果、光起電力層に非晶質シリコンを使用した製造コストが低い光起電力素子における光劣化の問題の解決を図ることができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
また、本発明では、印加電圧の大きさを０．１Ｖ以上１００Ｖ以下としたので、半導体膜（光起電力層）にダメージを与えることなくＣＮ- イオンの内部浸入を促進することができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
また、本発明では、光照射によって発生させた起電力を印加電圧に用いるようにしたので、特別な電圧印加機構を設けることなく、簡便にＣＮ- イオンの取り込みを行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月14日(2008.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  中央に位置するコア領域の周囲を取り巻いて帯状に延びる、第１の電位に保たれるＶＤＤ層と第２の電位に保たれるＶＳＳ層とを有し、これらＶＤＤ層とＶＳＳ層が、交互に積層された、いずれもが複数の層からなるものであり、
前記ＶＤＤ層と前記ＶＳＳ層が、これらＶＤＤ層とＶＳＳ層が帯状に延びる方向に交互に開口し、前記ＶＤＤ層は前記ＶＳＳ層の開口内で上下に接続されるとともに、前記ＶＳＳ層は前記ＶＤＤ層の開口内で上下に接続されてなることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  前記ＶＤＤ層の前記コア領域の１つの辺に沿って延びる部分から、前記コア領域に延びる複数の電源用接続線と、前記ＶＳＳ層の前記コア領城の前記１つの辺に隣り合う辺に沿って延びる部分から、前記コア領域に延びる複数のグランド用接続線とを備えることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。