【手続補正書】
【提出日】平成19年12月25日(2007.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザーダイオードチップが集積されたウエハに、該ウエハを構成する半導体のバンドギャップよりも小さいエネルギーを有し該ウエハの内部を透過するレーザー光を走査しながら照射する照射工程と、
該照射により前記ウエハの結晶欠陥に発生する熱起電力を、前記ウエハの上面と下面との間に現れる電圧または電流の変化により検出して表示する表示工程とを有する、
半導体レーザーダイオードチップウエハの検査方法。
【請求項２】
前記電圧または電流の変化を検出する際に、前記ウエハの上面と下面との間に順バイアスまたは逆バイアスを印加する、請求項１に記載の検査方法。
【請求項３】
前記電圧または電流の変化を検出する際に、前記電流の発生が略極大化する温度に前記ウエハの温度を制御する、請求項１または２に記載の検査方法。
【請求項４】
半導体デバイスのチップが集積されたウエハの上面と下面との間に一定の電流を流す工程と、
該ウエハに、該ウエハの内部を透過し、かつ励起による起電力を発生させない波長を有するレーザー光を走査しながら照射する工程と、
前記ウエハの結晶欠陥への該照射により発生する前記電流の変化を検出して表示する工程とを有する、
半導体レーザーダイオードチップの検査方法。
【請求項５】
前記表示は、前記レーザー光の照射位置と、該照射位置に対応する前記電圧または電流の変化との関係を画像に表示することにより行う、請求項１から４のいずれか１項に記載の検査方法。
【請求項６】
前記ウエハの上面または下面のいずれか一つの面のみに、各レーザーダイオードチップのチップ単体用電極をあらかじめ設ける工程をさらに有し、前記チップ単体用電極の設けられていない面から前記照射を行う、請求項１から５のいずれか１項に記載の検査方法。
【請求項７】
前記ウエハの上面または下面の少なくとも一つの面に、各レーザーダイオードチップの前記発振器に沿って開口を有するチップ単体用電極をあらかじめ設ける工程をさらに有し、前記開口から前記照射を行う、請求項１から５のいずれか１項に記載の検査方法。
【請求項８】
半導体レーザーダイオードチップが集積されたウエハに、該ウエハの内部を透過し、かつ励起による起電力を発生させない波長を有するレーザー光を走査しながら照射する照射手段と、
該照射により前記ウエハの結晶欠陥に発生する熱起電力を、前記ウエハの上面と下面との間に現れる電圧または電流の変化により検出して表示する表示手段とを有する、
半導体レーザーダイオードチップの検査装置。
【請求項９】
前記電圧または電流の変化を検出する際に、前記ウエハの上面と下面との間に順バイアスまたは逆バイアスを印加する手段をさらに有する、請求項８に記載の検査装置。
【請求項１０】
前記電圧または電流の変化を検出する際に、前記電流の発生効率がもっとも高くなる温度に前記ウエハの温度を制御する手段をさらに有する、請求項８または９に記載の検査装置。
【請求項１１】
半導体デバイスのチップが集積されたウエハに、該ウエハの上面と下面との間に一定の電流を流しながら、該ウエハの結晶内部を透過し、かつ励起による起電力を発生させない波長を有するレーザー光を走査しながら照射する照射手段と、
該照射により前記ウエハの結晶欠陥に発生する前記電流の変化を検出して表示する表示手段とを有する、
半導体レーザーダイオードチップの検査装置。
【請求項１２】
前記表示手段は、前記レーザー光の照射位置と、該照射位置に対応する前記電圧または電流の変化をモニターに表示する手段である、請求項８から１１のいずれか１項に記載の検査装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体レーザーダイオードチップの検査方法および検査装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明のレーザーダイオードチップウエハの検査方法は、半導体レーザーダイオードチップが集積されたウエハに、ウエハを構成する半導体のバンドギャップよりも小さいエネルギーを有しウエハの内部を透過するレーザー光を走査しながら照射する工程と、照射によりウエハの結晶欠陥に発生する熱起電力を、ウエハの上面と下面との間に現れる電圧または電流の変化により検出して表示する工程とを有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明のレーザーダイオードチップの検査装置は、半導体レーザーダイオードチップが集積されたウエハに、ウエハの内部を透過し、かつ励起による起電力を発生させない波長を有するレーザー光を走査しながら照射する照射手段と、照射によりウエハの結晶欠陥に発生する熱起電力を、ウエハの上面と下面との間に現れる電圧または電流の変化により検出して表示する表示手段とを有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
レーザー光が半導体レーザーダイオードの欠陥箇所に照射され欠陥（異常）個所が加熱されると、ゼーベック効果による熱起電力が生じ、ウエハ内に過渡的に電流が流れる。この電流の強度を検出することで、半導体レーザーダイオード内の発振器及び周辺領域に存在する欠陥を容易かつ高い信頼性で検出することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
電圧または電流の変化を検出する際に、ウエハの上面と下面との間に順バイアスまたは逆バイアスを印加することができる。これにより、異常部の検出感度を上げることができ、検査の信頼性が向上する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
レーザー光の照射位置と、照射位置に対応する電圧または電流の変化をモニターに表示することにより検査結果を可視化することができる。これにより、欠陥の位置を視覚的に直接把握することが可能となり、検査の容易性、信頼性が向上する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明は、また半導体レーザーダイオードのウエハの上面または下面のいずれか一つの面のみに、各レーザーダイオードチップのチップ単体用電極をあらかじめ設け、チップ単体用電極の設けられていない面から照射し、あるいは、ウエハの上面または下面の少なくとも一つの面に、各レーザーダイオードチップの発振器に沿って開口を有するチップ単体用電極をあらかじめ設け、開口から照射を行うことができる。これによって、半導体レーザーダイオードにおいて最終的に必要となるチップ単体用電極をあらかじめ装着することが可能となり、製造工程の簡素化に寄与する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
次に、レーザー光発生／走査部１１が、ウエハ２上を走査しながら、レーザー光１３をレーザーダイオードチップ１に順次照射する（ステップ５５）。この際、レーザー光１３はレーザーダイオードチップ１の内部の発振器（図示せず）の長手方向に対して垂直に照射するように走査する。照射するレーザー光１３は、光励起電流であるＯＢＩＣ（Optical Beam Induced Current）電流の発生を極力抑えるために、被観測対象物であるウエハ２を構成する半導体のバンドギャップよりも低いエネルギー（波長が長い）を有し、かつウエハ２内を十分透過するエネルギー（波長が短い）を有している。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
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【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
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