(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ラセミ体の３，４−シス−３−アミノ−４−ヒドロキシメチルピロリジンを、リパーゼＰＳおよびアセチルドナーの存在下に処理することを特徴とする（３Ｓ，４Ｓ）−３−アミノ−４−アセチルオキシメチルピロリジンの製造方法。
【請求項２】
１位のＮＨ部分および／または３位のアミノ基が、保護基で置換されているラセミ体の３，４−シス−３−アミノ−４−ヒドロキシメチルピロリジン（２個の保護基が存在するとき、これらは同一でも、異なっていてもいずれでもよい。）を、リパーゼＰＳおよびアセチルドナーの存在下に処理することを特徴とする、１位のＮＨ部分および／または３位のアミノ基が、保護基で置換されている（３Ｓ，４Ｓ）−３−アミノ−４−アセチルオキシメチルピロリジンの製造方法。
【請求項３】
保護基が、置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアシル基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、および置換シリル基からなる群の基から選ばれる保護基である請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
保護基が、第三級ブトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、アセチル基、メトキシアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、ホルミル基、ベンゾイル基、第三級ブチル基、ベンジル基、パラニトロベンジル基、パラメトキシベンジル基、トリフェニルメチル基、メトキシメチル基、第三級ブトキシメチル基、テトヒドロピラニル基、２，２，２−トリクロロエトキシメチル基、トリメチルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、第三級ブチルジメチルシリル基、トリベンジルシリル基、および第三級ブチルジフェニルシリル基からなる群の基から選ばれる保護基である請求項２、または３に記載の製造方法。
【請求項５】
アセチルドナーが、酢酸エステル、または無水酢酸である請求項１から４のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項６】
酢酸エステルが、酢酸ビニルまたは酢酸フェニルである請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
ラセミ体の３，４−シス−３−アミノ−４−ヒドロキシメチルピロリジンを、リパーゼＰＳおよびアシルドナーの存在下に処理することを特徴とする（３Ｓ，４Ｓ）−３−アミノ−４−アシルオキシメチルピロリジンの製造方法。
【請求項８】
１位のＮＨ部分および／または３位のアミノ基が、保護基で置換されているラセミ体の３，４−シス−３−アミノ−４−ヒドロキシメチルピロリジン（２個の保護基が存在するとき、これらは同一でも、異なっていてもいずれでもよい。）を、リパーゼＰＳおよびアシルドナーの存在下に処理することを特徴とする、１位のＮＨ部分および／または３位のアミノ基が保護基で置換されている（３Ｓ，４Ｓ）−３−アミノ−４−アシルオキシメチルピロリジンの製造方法。
【請求項９】
保護基が、置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアシル基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、および置換シリル基からなる群の基から選ばれる保護基である請求項８に記載の製造方法。
【請求項１０】
保護基が、第三級ブトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、アセチル基、メトキシアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、ホルミル基、ベンゾイル基、第三級ブチル基、ベンジル基、パラニトロベンジル基、パラメトキシベンジル基、トリフェニルメチル基、メトキシメチル基、第三級ブトキシメチル基、テトヒドロピラニル基、２，２，２−トリクロロエトキシメチル基、トリメチルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、第三級ブチルジメチルシリル基、トリベンジルシリル基、および第三級ブチルジフェニルシリル基からなる群の基から選ばれる保護基である請求項８、または９に記載の製造方法。
【請求項１１】
アシルドナーが、カルボン酸エステルまたはカルボン酸無水物である請求項７から１０のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１２】
カルボン酸エステルが、ビニルエステルまたはフェニルエステルである請求項１１に記載の製造方法。
【請求項１３】
カルボン酸エステルが酢酸エステルである請求項１２に記載の製造方法。
【請求項１４】
カルボン酸エステルが酢酸ビニルである請求項１２に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本願発明は、優れた医薬および農薬等として期待されるフルオロキノロンカルボン酸系抗菌薬の製造用中間原料およびその製法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
(3S,4S)-3-アミノ-4-フルオロメチルピロリジニル基を置換基として有するキノロン化合物は、強い抗菌活性と高い安全性を備えており優れた抗菌薬として期待されている。このため、3-アミノ-4-フルオロメチルピロリジンのうち、特定の立体配置である(3S,4S)-3-アミノ-4-フルオロメチルピロリジンは、抗菌薬、とりわけフルオロキノロンカルボン酸系抗菌薬の製造原料として重要である。この(3S,4S)-3-アミノ-4-フルオロメチルピロリジンの製造方法として、イタコン酸と1-(R)-フェニルエチルアミンから文献記載の方法（Journal of Medicinal Chemistry, 1987, 30,1711-1715）によって製造される、4-(S)-ヒドロキシメチル-N-[1-(R)-フェニルエチル]-2-ピロリドンを経由する次に示す方法がある。
【０００３】
【化３】
0004195521.tif 000002
（式中、BocおよびPhは、各々、第三級ブトキシカルボニル基、フェニル基を表す。また、DAST、TBAF、およびLDAは、各々、ジエチルアミノ硫黄トリフロリド、テトラ−第一級ブチルアンモニウムフロリド、およびリチウムジイソプロピルアミドを表す）
【０００４】
上記の製造方法において、4-(S)-ヒドロキシメチル-N-[1-(R)-フェニルエチル]-2-ピロリドンの製造には不要なジアステレオマーの分離を含め、４工程を要する。特に、ジアステレオマーを完全に分離するためにはシリカゲルカラムクロマトグラフィーを用いた非常に煩雑な精製を行う必要があった。
さらにこの製法は、LDA塩基存在下に酸素ガスを反応させるヒドロキシル化工程を含むこと（工程Ｂ）、アジド化が立体選択的に進行しないことに由来する不要のジアステレオマーの副生とその分離の必要性（工程Ｃ）等の問題があり、したがって、上記の工程による(3S,4S)-3-アミノ-4-フルオロメチルピロリジンの製造は工業的製法としては煩雑で、満足のいく方法ではなかった。
【０００５】
一方、保護基を有することもある3,4-シス-3-アミノ-4-ヒドロキシメチルピロリジニル基を置換基として有するフルオロキノロン系抗菌薬が知られている（特開平2-124873号および特開平3-188074号公報）。しかしながら、特定の立体配置(3S,4S)を持った保護基を有することもある3-アミノ-4-ヒドロキシメチルピロリジン誘導体は知られていない。
同様に、保護基を有することもある3,4-シス-3-アミノ-4-アセトキシメチルピロリジン誘導体についても、特定の立体配置(3S,4S)によって特徴付けられる光学異性体の報告はない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本願発明の目的は、優れた抗菌活性、体内動態、および安全性を備えるフルオロキノロンカルボン酸系抗菌薬を製造するための製造原料として有用な、特定の立体配置である、(3S,4S)-3-アミノ-4-フルオロメチルピロリジンおよびその誘導体を効率的に製造する方法を提供することにある。より、具体的には、(3S,4S)-3-アミノ-4-ヒドロキシメチルピロリジンおよびその誘導体を提供することを目的としている。
【０００７】
【発明を解決するための手段】
本願発明者らは、3,4-シス-3-アミノ-4-ヒドロキシメチルピロリジン、もしくは3,4-シス-3-アミノ-4-アセトキシメチルピロリジン、またはこれらの保護された化合物が、光学活性な3,4-シス-3-アミノ-4-フルオロメチルピロリジン誘導体の製造原料になり得ると考えた。
そして、これらの化合物のうちの特定の立体配置の化合物を得るために、リパーゼ等の酵素を用いた不斉トランスエステル化、あるいは不斉加水分解による光学分割が有効ではないかと考えた。そしてこの考えのもとに本願発明者らが鋭意研究した結果、ラセミ体の3,4-シス-3-アミノ-4-ヒドロキシメチルピロリジン誘導体を、不斉トランスエステル化能を有する酵素、該酵素処理物、微生物の培養液、該微生物菌体、または該微生物菌体処理物、およびアセチルドナーの存在下で処理を行うことによって、ラセミ体の3,4-シス-3-アミノ-4-ヒドロキシメチルピロリジン誘導体の一方の立体異性体のみの水酸基部分が特異的にアセチル化されることを見出した。そしてこのアセチル化によって得られる(3S,4S)-3-アミノ-4-アセトキシメチルピロリジン誘導体が容易に分離でき、分離後にアセチル基を除去することで特定の立体配置の(3S,4S)-3-アミノ-4-ヒドロキシメチルピロリジン誘導体が極めて効率的、かつ高収率で製造できることを見出した。さらに、この(3S,4S)-3-アミノ-4-ヒドロキシメチルピロリジン誘導体が、(3S,4S)-3-アミノ-4-フルオロメチルピロリジン誘導体に効率的に変換できることも明らかにした。
また、本願発明者らは、ラセミ体の3,4-シス-3-アミノ-4-ヒドロキシメチルピロリジン誘導体から容易に合成されるラセミ体の3,4-シス-3-アミノ-4-アセトキシメチルピロリジン誘導体を、上記の不斉トランスエステル化能を有する酵素、該酵素処理物、微生物の培養液、該微生物菌体、または該微生物菌体処理物、で処理することで、ラセミ体の3,4-シス-3-アミノ-4-アセトキシメチルピロリジン誘導体の一方の立体異性体のアセトキシメチル基が特異的に加水分解され、この方法によっても(3S,4S)-3-アミノ-4-ヒドロキシメチルピロリジン誘導体が容易に得られることも見出した。
本願発明はこれらの知見を基にして完成されたものである。
【０００８】
すなわち本願発明は、(3S,4S)-3-アミノ-4-アセトキシメチルピロリジン（下記式）：
【０００９】
【化４】
0004195521.tif 000003
に関するものである。
【００１０】
さらに本願発明は以下の各々にも関するものである。すなわち、
(3S,4S)-3-アミノ-4-アシルオキシメチルピロリジン；
１位のNH部分および／または３位のアミノ基が、保護基で置換されている化合物（いずれもが置換されているとき、これらは同一でも、異なっていてもいずれでもよい。）である上記の化合物；
保護基が、置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアシル基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、および置換シリル基からなる群の基から選ばれる保護基であるである上記の化合物；
保護基が、第三級ブトキシカルボニル基、2,2,2-トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、アセチル基、メトキシアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、ホルミル基、ベンゾイル基、第三級ブチル基、ベンジル基、パラニトロベンジル基、パラメトキシベンジル基、トリフェニルメチル基、メトキシメチル基、第三級ブトキシメチル基、テトヒドロピラニル基、2,2,2-トリクロロエトキシメチル基、トリメチルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、第三級ブチルジメチルシリル基、トリベンジルシリル基、および第三級ブチルジフェニルシリル基からなる群の基から選ばれる保護基である上記の化合物；
上記の化合物の塩、水和物、および塩の水和物；
(3S,4S)-3-アミノ-4-ヒドロキシメチルピロリジン（下記式）：
【００１１】
【化５】
0004195521.tif 000004
；
１位のNH部分および／または３位のアミノ基が、保護基で置換されている化合物（いずれもが置換されているとき、これらは同一でも、異なっていてもいずれでもよい。）である上記の化合物；
保護基が、置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアシル基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、および置換シリル基からなる群の基から選ばれる保護基である上記の化合物；
保護基が、第三級ブトキシカルボニル基、2,2,2-トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、アセチル基、メトキシアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、ホルミル基、ベンゾイル基、第三級ブチル基、ベンジル基、パラニトロベンジル基、パラメトキシベンジル基、トリフェニルメチル基、メトキシメチル基、第三級ブトキシメチル基、テトヒドロピラニル基、2,2,2-トリクロロエトキシメチル基、トリメチルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、第三級ブチルジメチルシリル基、トリベンジルシリル基、および第三級ブチルジフェニルシリル基からなる群の基から選ばれる保護基である上記の化合物；
上記の化合物の塩、水和物、および塩の水和物；
ラセミ体の3,4-シス-3-アミノ-4-ヒドロキシメチルピロリジンを、
不斉トランスエステル化能を有する酵素、該酵素処理物、微生物の培養液、該微生物菌体、または該微生物菌体処理物、およびアセチルドナーの存在下に処理することを特徴とする(3S,4S)-3-アミノ-4-アセチルオキシメチルピロリジンの製造方法；
１位のNH部分および／または３位のアミノ基が、保護基で置換されているラセミ体の3,4-シス-3-アミノ-4-ヒドロキシメチルピロリジン（２個の保護基が存在するとき、これらは同一でも、異なっていてもいずれでもよい。）を、不斉トランスエステル化能を有する酵素または該酵素処理物、微生物の培養液、該微生物菌体または該微生物菌体処理物、およびアセチルドナーの存在下に処理することを特徴とする、１位のNH部分および／または３位のアミノ基が、保護基で置換されている(3S,4S)-3-アミノ-4-アセチルオキシメチルピロリジンの製造方法；
保護基が、置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアシル基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、および置換シリル基からなる群の基から選ばれる保護基である上記の製造方法；
保護基が、第三級ブトキシカルボニル基、2,2,2-トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、アセチル基、メトキシアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、ホルミル基、ベンゾイル基、第三級ブチル基、ベンジル基、パラニトロベンジル基、パラメトキシベンジル基、トリフェニルメチル基、メトキシメチル基、第三級ブトキシメチル基、テトヒドロピラニル基、2,2,2-トリクロロエトキシメチル基、トリメチルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、第三級ブチルジメチルシリル基、トリベンジルシリル基、および第三級ブチルジフェニルシリル基からなる群の基から選ばれる保護基である上記の製造方法；
アセチルドナーが、酢酸エステルまたは無水酢酸である上記の製造方法；
酢酸エステルが、酢酸ビニルまたは酢酸フェニルである上記の製造方法；
ラセミ体の3,4-シス-3-アミノ-4-ヒドロキシメチルピロリジンを、不斉トランスエステル化能を有する酵素、該酵素処理物、微生物の培養液、該微生物菌体、または該微生物菌体処理物、およびアシルドナーの存在下に処理することを特徴とする(3S,4S)-3-アミノ-4-アシルオキシメチルピロリジンの製造方法；
１位のNH部分および／または３位のアミノ基が、保護基で置換されているラセミ体の3,4-シス-3-アミノ-4-ヒドロキシメチルピロリジン（２個の保護基が存在するとき、これらは同一でも、異なっていてもいずれでもよい。）を、不斉トランスエステル化能を有する酵素または該酵素処理物、微生物の培養液、該微生物菌体または該微生物菌体処理物、およびアシルドナーの存在下に処理することを特徴とする、１位のNH部分および／または３位のアミノ基が保護基で置換されている(3S,4S)-3-アミノ-4-アシルオキシメチルピロリジンの製造方法；
保護基が、置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシカルボニル基、置換基を有していてもよいアシル基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、および置換シリル基からなる群の基から選ばれる保護基である上記の製造方法；
保護基が、第三級ブトキシカルボニル基、2,2,2-トリクロロエトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基、アセチル基、メトキシアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、ホルミル基、ベンゾイル基、第三級ブチル基、ベンジル基、パラニトロベンジル基、パラメトキシベンジル基、トリフェニルメチル基、メトキシメチル基、第三級ブトキシメチル基、テトヒドロピラニル基、2,2,2-トリクロロエトキシメチル基、トリメチルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、第三級ブチルジメチルシリル基、トリベンジルシリル基、および第三級ブチルジフェニルシリル基からなる群の基から選ばれる保護基である上記の製造方法；
アシルドナーが、カルボン酸エステルまたはカルボン酸無水物である上記の製造方法；
カルボン酸エステルが、ビニルエステルまたはフェニルエステルである上記の製造方法；
カルボン酸が酢酸である上記の製造方法；
カルボン酸エステルが酢酸ビニルである上記の製造方法；
(3S,4S)-3-アミノ-4-アセトキシメチルピロリジンを脱アセチル化することを特徴とする(3S,4S)-3-アミノ-4-ヒドロキシメチルピロリジンの製造方法；
脱アセチル化が、塩存在下の加水分解反応で実施される工程である上記の製造方法；
(3S,4S)-3-アミノ-4-アシルオキシメチルピロリジンを脱アシル化することを特徴とする(3S,4S)-3-アミノ-4-ヒドロキシメチルピロリジンの製造方法；
脱アシル化が、塩存在下の加水分解反応で実施される工程である上記の製造方法；
等に関するものである。
【００１２】
【発明の実施の態様】
本願発明の方法によって提供される、１位のNH部分および／または３位のアミノ基が保護されていてもよい(3S,4S)-3-アミノ-4-アセトキシメチルピロリジン誘導体、および１位のNH部分および／または３位のアミノ基が保護されていてもよい(3S,4S)-3-アミノ-4-ヒドロキシメチルピロリジン誘導体は、ピロリジン環の３位および４位の炭素原子が特定の立体配置を有することにより特徴付けられる化合物である。すなわち、３位と４位の置換基の配置はシス配置であり、さらに、その絶対配置が(3S,4S)であることを特徴としている。これらの化合物は、フルオロキノロンカルボン酸系抗菌薬等の医薬および農薬を製造に有用な特定の立体配置(3S,4S)の光学活性な3-アミノ-4-フルオロメチルピロリジン誘導体を製造するために有用である。
本願発明の化合物は、遊離または酸付加塩のいずれの形態でも存在しうる。酸付加塩の例としては、塩酸塩、硫酸塩、硝酸塩、臭化水素酸塩、ヨウ化水素酸塩、リン酸塩等の無機酸塩類、あるいは酢酸塩、クエン酸塩、マレイン酸塩、フマル酸塩、乳酸塩等（カルボン酸塩類）、メタンスルホン酸塩、ベンゼンスルホン酸塩、トルエンスルホン酸塩等（スルホン酸塩類）、の有機酸塩類を挙げることができる。また、遊離形態、または上記の塩の形態の化合物の任意の水和物および溶媒和物も本願発明の範囲に包含される。さらに、本願発明の化合物には、実質的に光学的に純粋な上記化合物、および実質的に他の立体異性体を含有しない上記化合物も包含される。
【００１３】
本願発明の(3S,4S)-3-アミノ-4-アシルオキシメチルピロリジン誘導体、およびアシル基の除去後に得られる(3S,4S)-3-アミノ-4-ヒドロキシメチルピロリジン誘導体の１位のNH部分および３位のアミノ基は保護基により保護されていてもよい。保護基の種類は、本願発明の化合物を原料化合物として用いて他の化合物に変換する反応においてNH部分およびアミノ基を保護し、その後に必要に応じて、適当な手段により上記化合物の立体を損なうことなく除去できるものであれば特に限定されるものではない。
NH部分およびアミノ基の保護基としては、この分野で通常使用されている保護基であればよく、例えば、第三級ブトキシカルボニル基、2,2,2-トリクロロエトキシカルボニル基等の（置換）アルコキシカルボニル基；ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基等の（置換）アラルキルオキシカルボニル基；アセチル基、メトキシアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、ホルミル基、ベンゾイル基等の（置換）アシル基；第三級ブチル基、ベンジル基、パラニトロベンジル基、パラメトキシベンジル基、トリフェニルメチル基等の（置換）アルキル基、または（置換）アラルキル基；メトキシメチル基、第三級ブトキシメチル基、テトヒドロピラニル基、2,2,2-トリクロロエトキシメチル基等のエーテル類；トリメチルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、第三級ブチルジメチルシリル基、トリベンジルシリル基、第三級ブチルジフェニルシリル基等の（アルキル置換、フェニル置換、またはアラルキル置換である）置換シリル基；を挙げることができる（本願明細書において『（置換）』とは、『置換基を有していてもよい』との意味である。）。［ここでのこの様な置換基の例としては、アルキル基、またはアルキレン基上の置換基として、フッ素原子、および塩素原子等のハロゲン原子；フェニル基に代表されるアリール基上の置換基として、炭素数１から６のアルキル基、炭素数１から６のアルコキシル基、ハロゲン原子、ニトロ基、またはアミノ基を挙げることができる。これらはいずれの場合も、１種または１種以上が、１個または１個以上置換していてもよい。］。保護基は、これらに限定されることはなく、当業者が反応や目的化合物の種類に応じて適宜選択することが可能である。
本願発明化合物において、ピロリジン環の１位のNH部分および３位のアミノ基のいずれもが保護されている場合、双方の保護基は同一、または異なるものであってもいずれでもよい。また、ピロリジン環の１位のNH部分または３位のアミノ基のいずれか一方に保護基が導入されていてもよい。これらの化合物のうち、ピロリジン環の１位のNH部分にベンジルオキシカルボニル基、そして３位のアミノ基に第三級ブトキシカルボニル基が導入された化合物；１位のNH部分および３位のアミノ基にベンジルオキシカルボニル基が導入された化合物；１位のNH部分および３位のアミノ基に第三級ブトキシカルボニル基が導入された化合物；は好ましい化合物である。
【００１４】
本願発明の不斉トランスエステル化反応に用いるラセミ体の3,4-シス-3-アミノ-4-ヒドロキシメチルピロリジン誘導体は、その一例として以下の方法により合成される。すなわち、グリシン誘導体とアクリル酸エステルとのMichael付加反応と引き続くDieckmann縮合によりβ-ケトエステル体を得、この化合物のケトン部分をイミノエーテル化し、次いでエステルおよびイミノエーテル部分を還元する方法である。本願発明により製造される(3S,4S)-3-アミノ-4-アセトキシメチルピロリジン誘導体、(3S,4S)-3-アミノ-4-ヒドロキシメチルピロリジン誘導体の製造方法の一例、およびこれらの化合物から(3S,4S)-3-アミノ-4-フルオロメチルピロリジン誘導体の製造方法の一例を、化６に示す。スキーム中、（III)、（V）、（VI）、（VII）および（VIII）で示される化合物は本願発明に含まれる化合物である。
【００１５】
【化６】
0004195521.tif 000005
［スキーム中、R1、R31およびR32は、各々独立に、水素原子、またはアミノ基の保護基を表し、
R2は、フェニル基、アセトキシメチル基、ピバロイルオキシメチル基、エトキシカルボニル基、コリン基、ジメチルアミノエチル基、5-インダニル基、フタリジニル基、5-アルキル-2-オキソ-1,3-オキソール-4-イルメチル基、3-アセトキシ-2-オキソブチル基、炭素数１から６のアルキル基、炭素数２から７のアルコキシメチル基、または炭素数１から６のアルキレン基とフェニル基とから構成されるフェニルアルキル基を表し、
R3は、水素原子、または炭素数１から６のアルキル基を表す。
アミノ基の保護基としては、（置換）アルコキシカルボニル基、（置換）アラルキルオキシカルボニル基、（置換）アシル基、（置換）アルキル基、（置換）アラルキル基および置換シリル基からなる群から選ばれるものでよい。
化合物（V）、（VII）、（VIII）、および（IX）のピロリジン環の３位および４位に存在する２個の不斉炭素の立体配置は、(3S,4S)配置である。
R31あるいはR32の一方がアミノ基の保護基であり、且つ、R1がアミノ基の保護基である場合、これらは同一でも異なっていてもよいが、各々が異なる反応条件によって除去され、選択的に除去される方が本願発明の化合物を製造するためには好都合である。
アミノ基の保護基であるR31、R32（いずれか一方）およびR1としては、以下のものを挙げることができる。すなわち、（置換）アルコキシカルボニル基、（置換）アラルキルオキシカルボニル基、（置換）アシル基、（置換）アルキル基、（置換）アラルキル基および置換シリル基である。
具体的には、第三級ブトキシカルボニル基、2,2,2-トリクロロエトキシカルボニル基等の（置換）アルコキシカルボニル基；ベンジルオキシカルボニル基、パラメトキシベンジルオキシカルボニル基、パラニトロベンジルオキシカルボニル基等の（置換）アラルキルオキシカルボニル基；アセチル基、メトキシアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ピバロイル基、ホルミル基、ベンゾイル基等の（置換）アシル基；第三級ブチル基、ベンジル基、パラニトロベンジル基、パラメトキシベンジル基、トリフェニルメチル基等の（置換）アルキル基、または（置換）アラルキル基；メトキシメチル基、第三級ブトキシメチル基、テトヒドロピラニル基、2,2,2-トリクロロエトキシメチル基等のエーテル類；トリメチルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、第三級ブチルジメチルシリル基、トリベンジルシリル基、第三級ブチルジフェニルシリル基等の（アルキル置換、フェニル置換、またはアラルキル置換である）置換シリル基である。
これらのうち、アミノ基の保護基であるR31、R32（いずれか一方）およびR1としては、（置換）アルコキシカルボニル基が好ましく、この場合、第三級ブトキシカルボニル基およびベンジルオキシカルボニル基が特に好ましい。また、アミノ基の保護基であるR31、R32（いずれか一方）およびR1が異なる場合、その組み合わせとしては、アミノ基の保護基であるR31、R32（いずれか一方）は第三級ブトキシカルボニル基で、R1がベンジルオキシカルボニル基であることが特に好ましい。
R2は、フェニル基、アセトキシメチル基、ピバロイルオキシメチル基、エトキシカルボニル基、コリン基、ジメチルアミノエチル基、5-インダニル基、フタリジニル基、5-アルキル-2-オキソ-1,3-オキソール-4-イルメチル基、3-アセトキシ-2-オキソブチル基、炭素数１から６のアルキル基、炭素数２から７のアルコキシメチル基、または炭素数１から６のアルキレン基とフェニル基とから構成されるフェニルアルキル基を表すが、これらのうち、炭素数１から６のアルキル基、炭素数２から７のアルコキシメチル基、または炭素数１から６のアルキレン基とフェニル基とから構成されるフェニルアルキル基が好ましく、炭素数１から６のアルキル基が、特に好ましい。
炭素数１から６のアルキル基としては、直鎖状、または分枝鎖状のものでよく、好ましくは、メチル基、エチル基、ノルマルプロピル基、およびイソプロピル基である。
R3は、水素原子、または炭素数１から６のアルキル基を表すが、炭素数１から６のアルキル基としては、直鎖状、または分枝鎖状のものでよく、好ましくは、メチル基、エチル基、ノルマルプロピル基、およびイソプロピル基である。］
【００１６】
以下、化６のスキームに従って各反応を詳細に説明するが、本願発明の化合物の製造方法はこの製造方法に限定されるものではなく、また、本願発明の化合物の用途も化６のスキームに限定されることはない。
【００１７】
工程１は、化合物（I）に溶媒中で、塩基の存在下、アクリル酸エステルを反応させてMichael付加反応を行ない、引き続いてDieckmann縮合を行なって化合物（II）を製造する工程である。
アクリル酸エステルのエステル部分を構成する基としては、化６のスキームにおいて定義したものと同じでよい。塩基としては、例えば、水素化ナトリウム等を好適に用いることができ、溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；アセトニトリル、N,N-ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン系溶媒；あるいは、これらの混合物等を好適に用いることができる。反応は氷冷下から使用する溶媒の沸点の範囲内で行えばよい。
【００１８】
工程２は、化合物（II）に対し、溶媒中で塩基存在下にヒドロキシルアミン塩類、またはアルコキシルアミン塩類を作用させてカルボニル基のイミノ化を行い、化合物（III）を得る工程である。
塩基としては、例えば、トリエチルアミン、N,N-ジイソプロピルエチルアミン等のアルキルアミン類；1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン、ピリジン等の含窒素複素環化合物類；等の有機塩基、または、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属の炭酸塩類、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等のアルカリ金属の炭酸水素塩類等の無機塩基；を用いることができる。
溶媒は反応を阻害しない限り限定されず、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；アセトニトリル、N,N-ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン系溶媒；塩化メチレン、クロロホルム、1,2-ジクロロエタン等のハロゲン含有炭化水素系溶媒；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン等のエーテル系溶媒等；を好適に用いることができる。また、塩基がピリジン等の、反応温度において液体である場合、溶媒を兼ねさせることができる。
反応は、氷冷下から溶媒の沸点の範囲で行うことができるが、好ましくは、氷冷下から室温の範囲である。アルコキシルアミン塩類のアルキル基は、化６のスキームにおいて定義したものと同じでよい。
【００１９】
工程３は、化合物（III）に溶媒中、ボラン−テトラヒドロフラン錯体を作用させてイミノ基とエステル基を還元した後、生成したアミノ基を保護して化合物（IV）を製造する工程である。
溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン等のエーテル系溶媒等；を好適に用いることができる。
反応は、氷冷下から溶媒の還流温度の範囲で行うことができる。
アミノ基の保護基としては、化６のスキームにおいて定義したものと同じである。化合物（IV）はラセミ体であり、ピロリジン環状の３位および４位の置換基はシス配置である。すなわち、(3S,4S)体および(3R,4R)体の混合物である。なお、ボラン錯体はこれに限定されるものではなく、他のエーテルとの錯体であってよい。さらにはジボランを発生させて使用してもよい。
【００２０】
工程４は、ラセミ体の化合物（IV）を溶媒中もしくは無溶媒にて、一方の立体異性体の水酸基部分を特異的にアセチル化する不斉トランスエステル化能を有する酵素、該酵素処理物、微生物の培養液、該微生物菌体、または該微生物菌体処理物の存在下、アシルドナーを作用させて本願発明の化合物（V）を製造する工程である。
溶媒としては、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、1,2-ジメトキシエタン等のエーテル系溶媒；塩化メチレン、1,2-ジクロロエタン等のハロゲン含有炭化水素系溶媒；ノルマルヘキサンまたはノルマルヘキサンと上記溶媒との混合溶媒；を好適に用いることができるが、エステル化のアシルドナーを溶媒を兼ねさせて好適に用いることができる。
不斉トランスエステル化能を有する酵素、該酵素処理物、微生物の培養液、該微生物菌体または該微生物菌体処理物としては、リパーゼおよびエステラーゼ等の生体酵素触媒が好ましく、このうち、リパーゼが特に好ましい。リパーゼとしては、例えば文献（阿知波ら、有機合成化学協会誌，1991, 49，1127-1141）記載のものを使用することができるが、好ましくは市販にて入手可能なリパーゼＰＳ（天野製薬）である。
本工程では化合物（IV）の水酸基部分にアシル基が導入されるのであるが、このアシル基は反応処理液中に存在させたアシル基を含む試剤から供給される。そして、この役割を果たす試剤をアシルドナーと称する。反応系内に存在する酵素等は、アシルドナーのアシル基を化合物（IV）に移動させる役割を果たす。なお、アシルドナーのうちアセチル基の供給源となるものをアセチルドナーと称するのは、当業者であれば容易に理解されることである。
エステル化のアシルドナーとしては、カルボン酸エステル類、カルボン酸無水物を使用することができる。カルボン酸部分およびエステル部分は、脂肪族、不飽和の脂肪族、あるいは芳香族のいずれであってもよい。これらのうちでは脂肪族カルボン酸誘導体が好ましく、特に酢酸エステル類、無水酢酸が好適に使用できる。反応を完結させる為には、より活性なアシルドナーを使用する方がよく、これらのうちではより活性なエステルである酢酸ビニル、酢酸フェニルが適しており、最も好ましいのは酢酸ビニルである。
反応は、5℃から80℃の範囲で行えばよいが、好ましくは、15℃から60℃の範囲である。ラセミ体の化合物（IV）の一方の立体異性体の水酸基部分を特異的にアセチル化することにより製造される化合物（V）とアセチル化されない不要の立体異性体である(3R,4R)-3-アミノ-4-ヒドロキシメチルピロリジン誘導体（VI）の分離は、シリカゲルカラムクロマト等のクロマトグラフィー、または再結晶等によって容易に行うことができる。
【００２１】
工程５は、化合物（V）のアシル基の除去を行うことによって化合物（VII）を製造する工程である。アシル基の除去には通常の加水分解の反応条件を適用すればよく、化合物（V）の立体を損うものでなければ特に制限はされない。例えば、アルコール中にて水酸化ナトリウム水溶液を使用する条件が好ましい。得られる本願発明の化合物（VIII）の光学純度は、一回の再結晶精製により光学的に純粋までに高めることができ、本願発明の方法が優れていることが示される。再結晶の溶媒は、例えば、クロロホルム−ジイソプロピルエーテル系または酢酸エチル−ジイソプロピルエーテル系等を好適に用いることができる。
【００２２】
工程６は、化合物（VII）の水酸基に適宜な脱離基を導入し、次いで適宜なフッ素化剤を作用させて化合物（VIII）を製造する工程である。
水酸基に適宜な脱離基を導入する際には塩基を存在させて行なってもよいが、塩基としては、例えば、トリエチルアミン、N,N-ジイソプロピルエチルアミン等のアルキルアミン類；1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]-7-ウンデセン、ピリジン等の含窒素複素環化合物類等；の有機塩基、または、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属の炭酸塩類、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等のアルカリ金属の炭酸水素塩類等の無機塩基；を用いることができる。
この反応は反応を阻害しない溶媒を使用して実施してもよく、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；アセトニトリル、N,N-ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン系溶媒；塩化メチレン、クロロホルム、1,2-ジクロロエタン等のハロゲン含有炭化水素系溶媒；酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル系溶媒；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン等のエーテル系溶媒；等を用いることができる。
脱離基としては、例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子；メタンスルホニル基、p-トルエンスルホニル基、トリフルオロメタンスルホニル基、ジフルオロメタンスルホニル基、フルオロメタンスルホニル基等の置換スルホニルオキシ基；を挙げることができる。脱離基の導入反応は、氷冷下から溶媒の還流温度の範囲で行えばよい。
次工程のフッ素化剤としては、例えば、フッ化カリウム、フッ化セシウム、フッ化銀等の金属フッ化物；テトラ−第一級ブチルアンモニウムフロリド（TBAF）等；のアンモニウム塩を好適に用いることができる。
溶媒としては、例えば、アセトニトリル、N,N-ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン系溶媒；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン等のエーテル系溶媒；等を好適に用いることができる。
また例えば、アセトニトリル、N,N-ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン系溶媒中において、フッ化カリウム、フッ化セシウム、フッ化銀等の金属フッ化物との反応は、18-クラウン-6（1,4,7,10,13,16-ヘキサオキサシクロオクタデカン）等の添加が効果的な場合がある。フッ素化反応は氷冷下から溶媒の沸点の範囲で行えばよい。
特定の立体配置である、(3S,4S)-3-アミノ-4-フルオロメチルピロリジン誘導体は、既に知られている反応によってキノロン化合物に変換することができる。
【００２３】
工程７は、保護基を脱離する工程であるが、この工程は使用した保護基に応じて、通常使用される条件下で実施すればよい。
【００２４】
【実施例】
次に本願発明を実施例によりさらに具体的に説明するが、本願発明はこれらの例に限定されるものではない。
【００２５】
［実施例１］  1-ベンジルオキシカルボニル-4-エトキシカルボニル-3-オキソピロリジン
N-ベンジルオキシカルボニルグリシン  エチルエステル（156.3g，600.0mmol）のトルエン（1200ml）溶液にアクリル酸エチル（65.01ml, 600.0mmol）を加えた後、氷冷下、水素化ナトリウム(60%油状；26.40g，660.0mmol）を加えた。同温で10分攪拌した後に氷浴を外し、室温にて20分間、次いで50℃にて3時間攪拌した。反応終了後、氷冷下、反応液に10%クエン酸水溶液を加えておよそpH3とし、ここに酢酸エチルを加えて振盪後分液した。有機層を分離して飽和食塩水で洗浄し、水層を更に酢酸エチルで抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後濾過し、減圧下溶媒を溜去して標記の化合物196.7g（600.0mmol，定量的）を得た。
1H-NMR(400MHz，CDCl3)δ:1.22-1.32(3H,m),3.93-4.05(1H,m),4.05-4.31(5H,m),5.13-5.23(2H,m),7.28-7.40(5H,m).
【００２６】
［実施例２］  1-ベンジルオキシカルボニル-4-エトキシカルボニル-3-メトキシイミノピロリジン
1-ベンジルオキシカルボニル-4-エトキシカルボニル-3-オキソピロリジン（196.7g，600.0mmol）をピリジン（700ml）に溶解し、氷冷下、O-メチルヒドロキシルアミン塩酸塩（76.55g，916.5mmol）を加え、同温で10分攪拌後、室温にて5時間攪拌した。ピリジンを減圧下溜去し、残留物に1N塩酸、および酢酸エチルを加え振盪後分液した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、水層を更に酢酸エチルで抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後濾過し、減圧下溶媒を溜去してシリカゲルカラムクロマトグラフィー（n-ヘキサン：酢酸エチル＝1：1）にて精製し、標記の化合物187.5g（589.1mmol，98.2%）を得た。
1H-NMR(400MHz,CDCl3)δ:1.15-1.32(3H,m),3.55-4.05(5H,m),4.05-4.25(4H,m),5.09-5.20(2H,m),7.28-7.40(5H,m).
【００２７】
［実施例３］  3,4-シス-1-ベンジルオキシカルボニル-3-第三級ブトキシカルボニルアミノ-4-ヒドロキシメチルピロリジン
1-ベンジルオキシカルボニル-4-エトキシカルボニル-3-メトキシイミノピロリジン（248.8g，550.0mmol）を無水テトラヒドロフラン（1000ml）に溶解し、-78℃にて攪拌下、1Mボラン−テトラヒドロフラン錯体のテトラヒドロフラン溶液（2.75l，2.75mol）を滴下し、同温にて1時間30分、氷冷下にて2時間、次いで室温にて12時間攪拌した。氷冷下、反応液に水をガスが発生しなくなるまで加えた後、炭酸カリウム（60.8g）を加え、室温下にて１時間攪拌した。次いで、氷冷下、反応液に二炭酸ジ第三級ブチル（144.0g，660.0mmol）を加えた後、室温にて16時間攪拌した。反応液に水と酢酸エチルを加え、振盪後有機層を分液した。有機層を飽和食塩水にて洗浄後、無水硫酸ナトリウムにて乾燥した。ろ過後、ろ液を減圧濃縮した。得られた残さは結晶化した。この析出した結晶の一部ををシリカゲルカラムクロマトグラフィ−（n-ヘキサン：酢酸エチル＝2：1）で精製して、未精製の結晶と合わせて標記の化合物121.99g（348.1mmol，63.3%）を得た。
1H-NMR(400MHz,CDCl3)δ:1.46(9H,s),2.52-2.56(1H,m),2.88-2.96(1H,m),3.44-3.92(6H,m),4.28(1H,br),4.76-4.81(1H,m),5.10(1H,d,J=13.0Hz),5.14(1H,d,J=13.0Hz),7.29-7.37(5H,m)．
【００２８】
［実施例４］  (3S,4S)-1-ベンジルオキシカルボニル-3-第三級ブトキシカルボニルアミノ-4-アセトキシメチルピロリジン：リパーゼ触媒による不斉トランスエステル化反応
カラム精製した3,4-シス-1-ベンジルオキシカルボニル-3-第三級ブトキシカルボニルアミノ-4-ヒドロキシメチルピロリジン（68.29g，194.88mmol）の酢酸ビニル（1400ml）溶液にリパーゼＰＳ（天野製薬；70g）を加え、外温47℃にて9時間攪拌した。不溶物をセライト濾過で除去後、濾液を濃縮した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（n-ヘキサン：酢酸エチル＝2：1）で精製して標記の化合物28.90g（73.64mmol，37.8%，73.5%ee）を得た。本成績体の光学純度は下記のキラルカラムを用いたHPLC分析で決定した。
【００２９】
また、未精製の3,4-シス-1-ベンジルオキシカルボニル-3-第三級ブトキシカルボニルアミノ-4-ヒドロキシメチルピロリジン（51.56g，147.14mmol）の酢酸ビニル（1000ml）溶液にリパーゼＰＳ（天野製薬；26g）を加え、外温47℃にて24時間攪拌した。さらにリパーゼＰＳ（52g）を加え、外温47℃にて24時間攪拌した後、再度リパーゼＰＳ（78g）を加え、外温47℃にて4時間攪拌した。不溶物をセライト濾過で除去後、濾液を濃縮した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（n-ヘキサン：酢酸エチル＝2：1）で精製して標記の化合物23.64g（60.24mmol，40.9%，73.1%ee）を得た。本成績体の光学純度は下記のキラルカラムを用いたHPLC分析で決定した。
1H-NMR(400MHz,CDCl3）δ:1.44(9H,s),2.04(3H,s),2.62-2.68(1H,m),3.22-3.41(2H,m),3.60-3.70(1H,m),3.97-4.05(1H,m),4.23-4.27(1H,m),4.35-4.41(1H,m),4.65-4.74(1H,m),5.13(2H,s),7.35-7.40(5H,m).
HPLC分析条件：
カラム；CHIRALPAK AD（ダイセル化学工業）；0.46×25cm
移動層；n-ヘキサン：2-プロパノール＝67：33
流量；1ml／min
検出；UV（254nm）
保持時間；(3S,4S)-体：7.80min；(3R,4R)-体：6.26min
【００３０】
［実施例５］  (3S,4S)-1-ベンジルオキシカルボニル-3-第三級ブトキシカルボニルアミノ-4-ヒドロキシメチルピロリジン
氷冷下、(3S,4S)-1-ベンジルオキシカルボニル-3-第三級ブトキシカルボニルアミノ-4-アセトキシメチルピロリジン（52.54g，133.88mmol，73%ee）のメタノール（500ml）溶液に1N水酸化ナトリウム水溶液（200ml）を加えた後、室温にて10分攪拌した。氷冷下、1N塩酸で中和した後、メタノールを留去した。残留物に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加えた後、酢酸エチルで抽出した。抽出液を無水硫酸マグネシウムで乾燥後溶媒を留去した。残留物をクロロホルム−ジイソプロピルエーテル系、または酢酸エチル−ジイソプロピルエーテル系溶媒にて再結晶して標記の化合物31.18g（88.98mmol，52.0%，97.5%ee）を得た。本成績体の光学純度は下記のキラルカラムを用いたHPLC分析で決定した。
1H-NMR(400MHz,CDCl3)δ:1.46(9H,s),2.52-2.56(1H,m),2.88-2.96(1H,m),3.44-3.92(6H,m),4.28(1H,br),4.76-4.81(1H,m),5.10(1H,d,J=13.0Hz),5.14(1H,d,J=13.0Hz),7.29-7.37(5H,m).
融点；138−141℃．
比旋光度：[α]D＝+65.64°（c＝0.665，クロロホルム）．
HPLC分析条件：
カラム；CHIRALPAK AD（ダイセル化学工業）；0.46×25cm
移動層；n-ヘキサン：2-プロパノール＝67：33
流量；1ml／min
検出；UV（254nm）
保持時間；(3S,4S)-体：5.63min；(3R,4R)-体：10.02min
【００３１】
［実施例６］  (3S,4S)-1-ベンジルオキシカルボニル-3-第三級ブトキシカルボニルアミノ-4-メタンスルホニルオキシメチルピロリジン
氷冷下、(3S,4S)-1-ベンジルオキシカルボニル-3-第三級ブトキシカルボニルアミノ-4-ヒドロキシメチルピロリジン（31.18g，88.98mmol）とトリエチルアミン（16.7ml，120mmol）のジクロロメタン（600ml）溶液にメタンスルホニルクロリド（8.2ml，106mmol）を滴下した。室温にて1時間攪拌した後、反応液を10%クエン酸水溶液に注いだ。有機層を分離して水、飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去し、標記の化合物40.52gを粗生成物として得た。
1H-NMR(400MHz,CDCl3)δ:1.44(9H,s),2.69-2.77(1H,m),3.00(3H,s),3.28-3.44(2H,m),3.64-3.73(2H,m),4.11-4.23(1H,m),4.37-4.40(2H,m),4.69-4.76(1H,m),5.13(2H,s),7.32-7.37(5H,m).
【００３２】
［実施例７］  (3S,4S)-1-ベンジルオキシカルボニル-3-第三級ブトキシカルボニルアミノ-4-フルオロメチルピロリジン
氷冷下、(3S,4S)-1-ベンジルオキシカルボニル-3-第三級ブトキシカルボニルアミノ-4-メタンスルホニルオキシメチルピロリジン（40.52g）の無水テトラヒドロフラン（300ml）溶液にテトラ-n-ブチルアンモニウムフルオリドの1molテトラヒドロフラン溶液（270ml）を滴下した後、室温にて18時間攪拌した。反応液を水に注いだ後、酢酸エチルで抽出した。有機層を分離して、水、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去した。残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（n-ヘキサン：酢酸エチル＝1：1）で精製して標記の化合物18.50g（52.50mmol，59.8%，>99%ee）を得た。本成績体の光学純度は下記のキラルカラムを用いたHPLC分析で決定した。
1H-NMR(400MHz,CDCl3)δ:1.44(9H,s),2.59-2.60(1H,m),3.27-3.44(2H,m),3.65-3.74(2H,m),4.35-4.83(3H,m),5.13(2H,d,J=2.93Hz),7.32-7.40(5H,m).
HPLC分析条件：
カラム；CHIRALPAK AD（ダイセル化学工業）；0.46×25cm
移動層；エタノール
流量；1ml／min
検出；UV（254nm）
保持時間；(3S,4S)-体：6.88min；(3R,4R)-体：8.83min
【００３３】
［実施例８］  (3S,4S)-3-第三級ブトキシカルボニルアミノ-4-フルオロメチルピロリジン
(3S,4S)-1-ベンジルオキシカルボニル-3-第三級ブトキシカルボニルアミノ-4-フルオロメチルピロリジン（18.50g，52.50mmol）のメタノ−ル（400ml）溶液に10%パラジウム炭素触媒（18.5g）を加えた後、水素雰囲気下、室温にて30分激しく攪拌した。不溶物をセライト濾過で除去後、濾液を濃縮し、標記の化合物を粗生成物として得た。
1H-NMR(400MHz,CDCl3)δ:1.45(9H,s),2.43-2.54(1H,m),2.67-2.70(1H,m),2.92-3.00(1H,m),3.18-3.25(2H,m),4.28(1H,br.s),4.49(1H,ddd,J=23.93,9.28,4.40Hz),4.61(1H,ddd,J=23.93,9.77,4.40Hz),4.89(1H,br.s).融点：78.0−79.3℃．
元素分析値；C10H19FN2O2・0.25H2Oとして：
理論値；C,53.92; H,8.82; N,12.57
実測値；C,54.26; H,8.76; N,12.71
比旋光度：[α]D＝+28.65°（c＝1.005，クロロホルム）．
【００３４】
［実施例９］  3,4-シス-1-ベンジルオキシカルボニル-3-第三級ブトキシカルボニルアミノ-4-アセトキシメチルピロリジン
3,4-シス-1-ベンジルオキシカルボニル-3-第三級ブトキシカルボニルアミノ-4-ヒドロキシメチルピロリジン（55.0mg，0.180mmol）のジクロロメタン（2ml）溶液にトリエチルアミン（50.2μl，0.360mmol）および4-ジメチルアミノピリジン（触媒量）を加えた後、無水酢酸（25.5μl，0.270mmol）を加えて室温にて14時間攪拌した。反応液にジクロロメタン（10ml）を加え、5%クエン酸水溶液および飽和食塩水にて洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去して標記の化合物36.4mg（0.162mmol，90.0%）を得た。
1H-NMR(400MHz,CDCl3)δ:1.44(9H,s),2.04(3H,s),2.62-2.68(1H,m),3.22-3.41(2H,m),3.60-3.70(1H,m),3.97-4.05(1H,m),4.23-4.27(1H,m),4.35-4.41(1H,m),4.65-4.74(1H,m),5.13(2H,s),7.35-7.40(5H,m)．
【００３５】
［実施例１０］  (3S,4S)-1-ベンジルオキシカルボニル-3-第三級ブトキシカルボニルアミノ-4-ヒドロキシメチルピロリジン：リパーゼ触媒による不斉加水分解反応
3,4-シス-1-ベンジルオキシカルボニル-3-第三級ブトキシカルボニルアミノ-4-アセトキシメチルピロリジン（30mg，76.2μmol）のイソプロピルエーテル（6ml）溶液に水（1ml）及びリパ−ゼＰＳ（天野製薬；30mg）を加え、外温47℃にて29時間攪拌した。不溶物をセライト濾過で除去後、濾液を濃縮した。残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィ−（n-ヘキサン：酢酸エチル＝2：1）で精製して標記化合物7.98mg（22.8μmol，30%，68%ee）を得た。尚、本成績体の光学純度は下記のキラルカラムを用いたHPLC分析で決定した。また、得られた本成績体をクロロホルム−イソプロピルエーテル系溶媒にて再結晶し、光学純度97%eeの標記化合物4.21mgを得た。
1H-NMR(400MHz,CDCl3)δ:1.46(9H,s),2.52-2.56(1H,m),2.88-2.96(1H,m),3.44-3.92(6H,m),4.28(1H,br),4.76-4.81(1H,m),5.10(1H,d,J=13.0Hz),5.14(1H,d,J=13.0Hz),7.29-7.37(5H,m)．
HPLC分析条件：
カラム；CHIRALPAK AD（ダイセル化学工業）；0.46×25cm
移動層；n-ヘキサン：2-プロパノール＝67：33
流量；1ml／min
検出；UV（254nm）
保持時間；(3S,4S)-体：5.63min；(3R,4R)-体：10.02min
【００３６】
【発明の効果】
本願発明の方法により提供される、(3S,4S)-3-アミノ-4-アシルオキシメチルピロリジン誘導体のアシル基の除去によって製造される，(3S,4S)-3-アミノ-4-ヒドロキシメチルピロリジン誘導体を用いることにより、極めて効率的、かつ高収率で(3S,4S)-3-アミノ-4-フルオロメチルピロリジン誘導体を製造することができる。