(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空シール用であって、架橋可能な含フッ素エラストマーとしての、フッ化ビニリデンとテトラフルオロエチレンとパーフルオロアルキルビニルエーテルとの３元共重合体と、当該含フッ素エラストマーを架橋させるための架橋剤としての、多価アリル化合物および有機過酸化物とを含有し、かつ補強材としてポリイミド系樹脂粉末を分散させた組成物を成形するとともに架橋反応させて形成した封止材基体の表面の少なくとも一部を、膜厚が０．１〜１μｍのダイヤモンドライクカーボン膜によって被覆したことを特徴とする封止材。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体デバイスなどの製造装置において、Ｏリングや周辺シール材などの真空シール用として使用される封止材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術と発明が解決しようとする課題】
例えば半導体デバイスなどの製造装置のうち真空装置において、チャンバ内の真空度を維持したり、あるいは真空装置やその他の装置においてチャンバ内の雰囲気を外部から遮断したりする真空シール用として、Ｏリングや周辺シール材などの封止材が使用される。
かかる封止材としては、装置の使用温度が高温になる場合や、あるいは低温プラズマやエッチングガスなどの、装置内の特殊な雰囲気にさらされる場合などを想定して、例えばニトリルゴム、シリコーンゴム、フッ素ゴムなどの、耐熱性や上記の特殊な雰囲気に対する耐性などにある程度、すぐれていると考えられているゴムにて形成したものが使用される。
【０００３】
しかし、これらのゴムからなる封止材では、より高度でかつ過酷な環境に対する耐性が求められる傾向にある半導体デバイスなどの製造装置の封止材として、性能的に満足できなくなりつつあるのが現状である。
例えば従来のゴムからなる封止材は、とくに２００℃以上の高温に長時間にわたってさらされることで表面が粘着性を生じて、
(A)  例えばチャンバなどの封止では、チャンバを開く際に、自身の粘着力によって封止材が所定の位置から外れるなどして作業性が低下したり、あるいはチャンバを開いて封止材を露出させた際に、当該封止材に微小な塵芥などが付着するとそれを取り除くのが困難になったりする、
(B)  摺動部分の封止などでは、封止を維持した状態での摺動が容易でなくなる、
といった問題を生じるおそれがある。
【０００４】
また上記の封止材は、例えば酸素プラズマなどの分解性の雰囲気に対する耐性が不十分であり、かかる過酷な雰囲気に長時間にわたってさらされると分解反応して、重量が著しく減少するおそれもある。
このため、とくに上記のような過酷な条件下では封止材の耐用寿命が短くなってしまい、確実な封止を維持するためには封止材を頻繁に交換しなければならないという問題を生じる。
【０００５】
本発明の目的は、その表面が非粘着性に優れるとともに、これまでよりもさらに過酷な雰囲気に対する耐性にも優れており、耐用寿命の長い新規な封止材を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記課題を解決するため、発明者は、
(1)  前記従来のゴムの中でも耐熱性や特殊な雰囲気に対する耐性に優れる上、半導体を汚染する原因となる金属や、あるいは導体回路を変質させるおそれのある硫黄などを含まないため半導体デバイスなどの製造装置の封止用として好適と考えられるフッ素ゴム、すなわち架橋性を有する含フッ素エラストマーにて、通常の、未被覆の封止材に相当する封止材基体を形成するとともに、
(2)  当該封止材基体の表面の一部または全面を、耐熱性や特殊な雰囲気に対する耐性に優れるとともに、表面エネルギーが小さいため非粘着性に優れ、しかも金属等の不純物の少ない被膜で被覆することを検討した。
【０００７】
そして種々の被膜の中から、上記の特性に優れるとともに、下地である封止材基体との密着性に優れ、しかも封止材基体が柔軟なゴムであるためこれに柔軟に追従して、簡単に剥落したりせずに上記の特性を維持しうる被膜を得るべくさらに検討した。その結果、炭素原子がダイヤモンド構造をとり、炭素−炭素間がｓｐ3混成軌道によって結合されたダイヤモンドライクカーボンの構造によれば、これら全ての特性を満足しうる被膜を形成できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００８】
したがって本発明の封止材は、真空シール用であって、架橋可能な含フッ素エラストマーとしての、フッ化ビニリデンとテトラフルオロエチレンとパーフルオロアルキルビニルエーテルとの３元共重合体と、当該含フッ素エラストマーを架橋させるための架橋剤としての、多価アリル化合物および有機過酸化物とを含有し、かつ補強材としてポリイミド系樹脂粉末を分散させた組成物を成形するとともに架橋反応させて形成した封止材基体の表面の少なくとも一部を、膜厚が０．１〜１μｍのダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜によって被覆したことを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明を説明する。
本発明の封止材は、上記のように含フッ素エラストマーからなる封止材基体の表面の一部または全面を、ＤＬＣ膜によって被覆したものである。
かかる本発明の封止材は、前述したように半導体デバイスの製造装置などにおいて、真空シール用として用いられるものであって、その封止性能を規定するリークレートが１０−６Ｐａ・ｍ３／ｓ以下であるのが好ましい。リークレートが１０−６Ｐａ・ｍ３／ｓを超えるものは、とくに高真空ないし超高真空の真空装置に使用することができない。リークレートを上記の範囲に調整するには、以下に述べるようにＤＬＣ膜の膜厚などを調整すればよい。
【００１０】
〔ＤＬＣ膜〕
ＤＬＣ膜は、封止材の形状や構造、あるいは封止材を組み込む装置における封止の状態等に応じて、封止材基体のうち、例えば封止時に前記の雰囲気にさらされる部分や、あるいは粘着を生じては問題となる部分など、その表面の一部に選択的に形成してもよいし、封止材基体の表面の全面に形成してもよい。
ＤＬＣ膜は、プラズマＣＶＤ法、イオンプレーティング法などの、従来公知の種々の気相成長法によって成膜することができる。
【００１１】
その際、前述したように下地である封止材基体との密着性に優れ、しかも封止材基体が柔軟なゴムであるためこれに柔軟に追従して、簡単に剥落したりせずに、非粘着性や過酷な環境に対する耐性を維持しうるＤＬＣ膜を形成するためには、例えば下記いずれかの対策の１種または２種以上を施すことが好ましい。
(1)  封止材基体の表面をフッ素含有ガス、水素含有ガス、および酸素含有ガスのうちの少なくとも１種のガスの低温プラズマにさらしたのち、ＤＬＣ膜を気相成長させる。
【００１２】
(2)  封止材基体の表面に紫外線および／または電子線を照射して表面に未結合炭素原子を生成したのち、ＤＬＣ膜を気相成長させる。
(3)  紫外線および／または電子線を照射した後の表面をフッ素含有ガス、水素含有ガス、および酸素含有ガスのうちの少なくとも１種のガスの低温プラズマにさらしたのち、ＤＬＣ膜を気相成長させる。
(4)  とくにプラズマＣＶＤ法において使用する成膜ガスとして、Ｃ6Ｈ6などの、より炭素数の大きい炭化水素化合物のガスを用いる。
【００１３】
(5)  封止材基体を冷却して温度上昇を抑えながら、ＤＬＣ膜を気相成長させる。
これらの対策を施すことにより、前述したように下地である封止材基体との密着性に優れ、しかも封止材基体に柔軟に追従して、簡単に剥落したりせずに、非粘着性や過酷な環境に対する耐性を維持しうるＤＬＣ膜が形成される。
その理由は明らかでないが、発明者は、
(a)  上記(4)のように成膜材料を選択し、かつ(5)のように封止材基体の表面温度を、均一な膜成長に適した温度より低めに抑えることで、ＤＬＣ膜を、剛直な１枚ものの膜でなく、例えば膜の微小片が多数、タイル状に敷き詰められたり、あるいはうろこ状に折り重なったりした柔軟な構造に形成できること、
(b)  前記(1)〜(3)の前処理を行い、かつ(5)のように封止材基体を熱から保護することで、封止材基体と、ＤＬＣ膜を形成する上記微小片とを強固に結合できること、
などを考えている〔特開平９−９５７８４号公報、特開平１０−５３８７０号公報等参照〕。
【００１４】
ＤＬＣ膜の膜厚は、封止材を真空装置の真空シール用として使用した際に、リークレートを前記の範囲内に抑えるために、１μｍ以下である必要がある。
またＤＬＣ膜を形成したことによる、前述した効果を十分に発揮させるために、ＤＬＣ膜の膜厚は、０．１μｍ以上である必要がある。
〔封止材基体〕
封止材基体は、架橋可能な含フッ素エラストマーを含む組成物を所定の形状に成形するとともに、加熱して架橋反応させることで形成される。架橋反応は１段階の加熱で行うこともできるし、異なった温度で２段階以上の多段階に分けて行うこともできる。
【００１５】
（含フッ素エラストマー）
封止材基体のもとになる含フッ素エラストマーとしては、第１群として、エラストマーの主鎖を構成するためのテトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）、およびフッ化ビニリデン（ＶＤＦ）と、第２群として、上記主鎖に架橋点を導入するためのパーフルオロアルキルビニルエーテル（ＰＦＶＥ、具体例としてはパーフルオロメチルビニルエーテルなど）とを共重合させた３元共重合体が用いられる。
【００１６】
前記ＶＤＦとＴＦＥとＰＦＶＥとの３元共重合体は、金属や硫黄などを含まない、多価アリル化合物と有機過酸化物との併用系の架橋剤によって架橋することが可能である上、後述する補強剤としての樹脂粉末などの混合、分散性にすぐれ、かつ安価で、しかも低温特性にもすぐれている。
【００１７】
なお上記の３元共重合体は、前記例示の第１群および第２群のモノマーを実際に共重合させて形成してもよいし、あらかじめ形成した主鎖に、後処理によって側鎖などを導入することで、実質的に上記３元共重合体に相当する構造を形成してもよい。
【００１８】
（架橋剤）
上記含フッ素エラストマーを架橋させるための架橋剤としては、前記のように多価アリル化合物と有機過酸化物とが併用される。かかる併用系の架橋剤は、先に述べたように金属や硫黄などを含まないという利点がある上、より硬い封止材を形成できるという利点もある。
上記のうち多価アリル化合物としては、例えばトリアリルイソシアヌレート、トリアリルシアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジアリルフタレートなどがあげられ、とくにトリアリルイソシアヌレートが好適に使用される。
【００１９】
また有機過酸化物としては、例えば
ベンゾイルパーオキサイド、ｐ−クロロベンゾイルパーオキサイド、ビス（２，４−ジクロロベンゾイル）パーオキサイドなどのジアシルパーオキサイド類；ジ−α−クミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−３−ヘキシン、１，３−ビス−〔（ｔ−ブチルジオキシ）イソプロピルベンゼン〕、１，４−ビス−〔（ｔ−ブチルジオキシ）イソプロピルベンゼン〕、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ｔ−ブチル−α−クミルパーオキサイドなどのジアルキルパーオキサイド類；
２，５−ジメチル−２，５−ビス（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエートなどのアルキルパーエステル類；
１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−３，５，５−トリメチルシクロヘキサンなどのパーオキシケタール類；
ＯＯ−ｔ−ブチル−Ｏ−イソプロピルパーオキシカーボネートなどのパーオキシカーボネート類；
などがあげられ、とくにジアルキルパーオキサイド類、およびアルキルパーエステル類が好適に使用される。
【００２０】
架橋剤のうち多価アリル化合物の配合割合は、含フッ素エラストマー１００重量部に対して２〜１０重量部であるのが好ましく、３〜７重量部であるのがさらに好ましい。また有機過酸化物の配合割合は、含フッ素エラストマー１００重量部に対して０．５〜５重量部であるのが好ましく、１〜３重量部であるのがさらに好ましい。
（補強剤）
封止材基体は、組成物中に分散させた補強剤によって補強される。
【００２１】
補強剤としてはポリイミド系樹脂粉末が用いられる。
【００２２】
ポリイミド系樹脂粉末は、
(a)  その耐熱温度が２００℃以上という高い耐熱性を有する上、低温プラズマやエッチングガスなどの、半導体デバイスの製造装置内で起こりうる種々の特殊な雰囲気に対する耐性にすぐれており、しかも金属や硫黄などを含まないこと、
(b)  含フッ素エラストマーとの親和性にすぐれる上、含フッ素エラストマーを補強する効果にすぐれているため、他の樹脂粉末よりも少量の添加で、所定の硬度を有する封止材を形成できること、
(c)  したがって、所定の硬度を有する封止材を形成するために必要な量のポリイミド系樹脂粉末を、封止材用組成物中に均一に分散させるのが容易であり、封止材を、１つの封止材内、あるいは２つ以上の封止材間での物性のばらつきを生じることなしに形成できること、
(d)  ポリイミド系樹脂粉末の量を少なくできる分、同じ硬度での圧縮永久ひずみ率を小さくして、使用時の圧縮によって永久変形しにくく耐用寿命の長い補強材を形成できること、
といった利点を有している。
【００２３】
ポリイミド系樹脂粉末としては、分子内に繰り返し構造単位としてイミド基を含み、ポリイミド系樹脂と総称される種々の樹脂の粉末が、何れも使用可能である。
すなわちイミド基以外の部分の構造や、それによってもたらされる特性の違いによって分類される、全芳香族ポリイミド樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、熱硬化性ビスマレイミド型ポリイミド樹脂、および熱硬化性芳香族ポリイミド樹脂のうちの少なくとも１種からなる粉末が、ポリイミド系樹脂粉末として使用可能である。
【００２４】
中でもとくに、粉末の製造のしやすさや入手のしやすさなどを考慮すると、熱可塑性ポリイミド樹脂の粉末が好適に使用される。
ポリイミド系樹脂粉末の粒径は、より少量の添加でより高い補強効果を得ることと、圧縮永久ひずみ率が大きくなって、使用時の圧縮によって永久変形しやすくなるのを防止することとを考慮すると、平均粒径で表して１００μｍ以下であるのが好ましく、１０μｍ以下であるのがさらに好ましい。但し、平均粒径があまりに小さいものは製造が困難である上、凝集しやすくなって、封止材用組成物中に均一に分散させるのが容易でなくなるおそれがある。したがって、ポリイミド系樹脂粉末の平均粒径は１μｍ以上であるのが好ましく、３μｍ以上であるのがさらに好ましい。
【００２５】
またポリイミド系樹脂粉末の充てん率（架橋剤などを含めた組成物の全量に占める重量％）は、１〜３５重量％であるのが好ましい。
充てん率が１重量％未満では、当該ポリイミド系樹脂粉末を添加したことによる補強効果が十分に得られないため、必要な硬度を有する封止材を形成できないおそれがある。また逆に、充てん率が３５重量％を超えた場合には、封止材の硬度が高くなりすぎる上、圧縮永久ひずみ率が大きくなりすぎて、使用時の圧縮によって永久変形しやすくなる。
【００２６】
なお、封止材としてより適切な硬度を有し、しかも使用時の圧縮によってさらに永久変形しにくい封止材を形成することを考慮すると、ポリイミド系樹脂粉末の充てん率は、上記の範囲内でもとくに１０〜３５重量％であるのが好ましい。
またポリイミド系樹脂粉末とともに、他の樹脂粉末を併用してもよい。
併用してもよい他の樹脂粉末としては、耐熱性や前記特殊な特殊な雰囲気に対する耐性にすぐれ、かつ金属や硫黄を含まない封止材を形成することを考慮すると、フッ素系樹脂粉末があげられる。フッ素系樹脂粉末としては、例えばポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、エチレン−クロロトリフルオロエチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）等のフッ素系樹脂からなる粉末があげられる。
【００２７】
（その他の成分）
封止材基体を形成するための組成物には、上記の各成分に加えて、さらに必要に応じて、軟化剤、可塑剤、粘着付与剤などの加工助剤を配合することもできる。
加工助剤としては、とくに耐熱性や前記特殊な特殊な雰囲気に対する耐性にすぐれ、かつ金属や硫黄を含まない封止材を形成することを考慮すると、液状フッ素ゴムが好ましい。液状フッ素ゴムとしては、前記と同様の２元あるいは３元共重合体からなり、なおかつ１００℃での粘度が５００〜３０００ｃｐｓ程度の液状のフッ素ゴムがあげられる。
【００２８】
〔封止材〕
封止材基体の表面の一部または全面をＤＬＣ膜で被覆した本発明の封止材の具体例としては、Ｏリング、角リング、異径リング、シールパッキンなどがあげられる。
本発明の封止材は、前述した半導体デバイスなどの製造装置に好適に使用される。
【００２９】
かかる製造装置としては、例えば薄膜形成装置（スパッタリング装置、ＣＶＤ装置、真空蒸着装置、イオンプレーティング装置）、エピタキシャル成長装置、酸化装置（熱酸化装置、ブラズマ陽極酸化装置）、ドーピング装置（レーザドーピング装置、プラズマドービング装置、イオン注入装置、熱拡散装置）、アニール装置（レーザアニール装置、電子ビームアニール装置、赤外線アニール装置、電気炉アニール装置）、レジスト処理装置（塗布装置、現像装置、ベーキング装置、レジスト剥離装置）、露光装置（Ｘ線露光装置、光露光装置、ＳＲ露光装置、電子ビーム露光装置、両面露光装置）、エッチング装置（ウエットエッチング装置、ドライエッチング装置）、洗浄乾燥装置（湿式洗浄装置、乾式洗浄装置、乾燥装置）、検査装置（テスティング装置、ハンドリング装置、レーザリペア装置、エージング装置、信頼性検査装置）などがあげられる。
【００３０】
【実施例】
以下に本発明を、実施例、比較例に基づいて説明する。
実施例１〜３
（封止材基体の作製）
架橋可能な含フッ素エラストマーとしての、ＶＤＦとＴＦＥとＰＦＶＥとの３元共重合体〔ダイキン工業(株)製の商品名ダイエルＬＴ−３０２〕１００重量部、多価アリル化合物としてのトリアリルイソシアヌレート（ＴＡＩＣ）６重量部、有機過酸化物としてのジ−ｔ−ブチルパーオキサイド（ＤＢＰＯ）２．５重量部、および補強剤としての平均粒径６μｍのポリイミド系樹脂粉末〔三井化学(株)製の商品名オーラム〕２０重量部を配合し、ロールミルを用いてシート状の未架橋ゴムコンパウンドを作製した。未架橋ゴムコンパウンドにおける、ポリイミド系樹脂粉末の充てん率は１６重量％であった。
【００３１】
（成分）                    （重量部）
含フッ素エラストマー          １００
トリアリルイソシアヌレート        ６
ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド      ２．５
ポリイミド系樹脂粉末（６μｍ）  ２０
次にこの未加硫ゴムコンパウンドを、Ｏリング（型番Ｐ２０）の形状に対応した加硫型内に充てんし、熱プレスによって加圧下で加熱して架橋反応させ、さらにノーマルオーブン中で加熱して２次架橋させたのち、表面を研磨して、上記Ｏリング（型番Ｐ２０）の形状を有する封止材基体を作製した。熱プレスの条件は１６０℃、１０分間とした。また２次架橋の条件は２００℃、４時間とした。
【００３２】
（ＤＬＣ膜の形成）
上記封止材基体を、プラズマＣＶＤ装置の真空チャンバ内の保持具にセットして真空引きした。なお保持具には冷却装置を組み込んで、封止材基体の温度が常に８０℃以下となるように冷却した。そして１０-5Ｐａの到達真空度まで達した段階で、水素含有ガスを導入して低温プラズマを発生させて、封止材基体の表面をこの低温プラズマにさらす前処理を行った。
【００３３】
次に前処理用のガスの供給を停止して、再び１０-5Ｐａの到達真空度まで達した段階で、チャンバ内に、成膜ガスとしてベンゼン（Ｃ6Ｈ6）の導入を開始した。ベンゼンの導入によるチャンバ内の真空度は５Ｐａとした。
次にこの状態のチャンバ内に、１ｋＷの高周波電圧（周波数１３．５６ＭＨｚ）を導入して低温プラズマを発生させて、前処理された封止材基体の表面に、プラズマＣＶＤ法によって、ＤＬＣ膜を気相成長させた。この際のバイアスは、セルフバイアスで−１００Ｖとした。また封止材基体の温度は前記のように８０℃以下とした。
【００３４】
そして上記の気相成長により、封止材基体の表面に膜厚０．１μｍ（実施例１）、０．５μｍ（実施例２）および１μｍ（実施例３）のＤＬＣ膜を形成して、封止材を製造した。
比較例１〜３
プラズマＣＶＤ法によるＤＬＣ膜の形成条件のうち、封止材基体の温度を１５０℃とし、かつ成膜ガスとしてメタン（ＣＨ4）を用いたこと以外は実施例１〜３と同様にして封止材を製造した。
【００３５】
従来例１
ＤＬＣ膜を形成していない封止材基体を、従来例１の封止材とした。
上記各実施例、比較例、従来例で製造した封止材について、下記の各試験を行って、その特性を評価した。
リークレートの測定
実施例、比較例、従来例の封止材のリークレートを、リークデテクタ〔アネルバ(株)製の商品名ＨＥＬＥＮ  Ａ−２１０Ｍ−ＬＤ〕を用いて測定した。具体的には、図１に示すようにリークデテクタＬのポート部Ｌ１を、試料としての封止材１０を挟んで蓋体Ｌ２で閉じ、クランプＬ３によって挟んで固定した状態で、排気系Ｌ４を動作させて、図中白矢印で示すように真空排気した際の、真空ゲージＬ５が表示した真空度をもとにして、リークレートを算出した。
【００３６】
結果を表１に示す。
【００３７】
【表１】
0004177984.tif 000002
【００３８】
表より、比較例１〜３の封止材はいずれも、実施例１〜３および従来例１に比べてリークレートが著しく大きく、このことから真空装置の封止用としては適さないことが確認された。
この理由としては、実施例１〜３におけるＤＬＣ膜が、前記のように封基材基体に対して強固に密着した柔軟な膜であるのに対し、比較例１〜３におけるＤＬＣ膜は剛直な１枚ものの膜であって、それがリークレート測定のために封止材を変形させた際に大きなクラックを生じたり剥落したりしたことが考えられた。そこで以下の試験は実施例、従来例についてのみ行った。
【００３９】
粘着力測定
実施例、従来例の封止材を、それぞれ長さ１０ｍｍにカットして試料を作製した。
次にこの試料１を、図２(a)に黒矢印で示すように、一対のステンレス鋼ＳＵＳ３０４製のブロック２、３のうち下側のブロック３に形成した凹部３１に嵌合したのち、同図中に白矢印で示すように上側のブロック２を閉じて、図２(b)に示すように両ブロック２、３を完全に密着させた状態とした。
【００４０】
なお凹部３１の幅および深さは、それぞれ図２(b)に示す状態において、試料１が径方向に２５％圧縮されるように設定した。
次に、上記図２(b)の状態の両ブロック２、３と試料１とを、２００℃に加熱したオーブン中で７０時間、加熱したのちオーブンから取り出して４時間、放冷させた。
そして図２(b)に白矢印で示すように、両ブロック２、３をその合わせ面と直交する方向に開く際に生じた抵抗力を、オートグラフを用いて測定して、試料に生じた粘着力とした。
【００４１】
抵抗力の測定は、両ブロック２、３の開き速度であるC.H.S.を５ｍｍ／ｍｉｎとして行った。
また試料の作製、加熱処理および測定は、各実施例、比較例および従来例について、それぞれ３回ずつ行い、測定結果の平均値を求めた。
そして従来例における測定結果の平均値を粘着力の基準値（＝１）として、各実施例における粘着力の比を求めた。
【００４２】
重量減少量の測定
各実施例、従来例で製造した封止材の重量を測定したのち、真空チャンバ内の保持具にセットして真空引きした。そして１０-5Ｐａの到達真空度まで達した段階で、チャンバ内に酸素の導入を開始した。酸素の導入流量は１６ｓｃｃｍ、チャンバ内の真空度は０．４Ｐａとした。
次にこの状態のチャンバ内に、２００Ｗの高周波電圧（周波数１３．５６ＭＨｚ）を導入して酸素の低温プラズマ（酸素プラズマ）を発生させて、封止材を、２時間にわたってこの低温プラズマにさらしたのち、チャンバ内から取り出して再び重量を測定した。
【００４３】
そして、低温プラズマにさらす前の重量から、低温プラズマにさらした後の重量を減算して重量の減少量を求め、従来例における減少量を基準値（＝１）として、各実施例における減少量の比を求めた。
以上の結果を表２にまとめた。
【００４４】
【表２】
0004177984.tif 000003
【００４５】
表より、各実施例の封止材は、ＤＬＣ膜を形成しなかった従来例１の封止材に比べて粘着力比、減少量比をともに小さくできることがわかった。
また各実施例を比較すると、ＤＬＣ膜の膜厚を０．１〜１μｍの範囲内、とくに０．５〜１μｍの範囲内とすることで、粘着力比、減少量比がさらに小さく、しかもリークレートも十分に小さい、真空装置用として適した封止材を形成できることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【図１】封止材としてのＯリングのリークレートを測定するための、装置の構成を説明する概略図である。
【図２】同図(a)(b)は、封止材としてのＯリングの粘着力を測定するために用いたブロックの正面図である。
【図１】
0004177984.tif 000004
【図２】
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