【手続補正書】
【提出日】平成20年5月26日(2008.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、下部電極、｛１００｝配向性誘電層及び上部電極を有する誘電体において、
前記下部電極及び前記上部電極の少なくとも一方が、少なくとも２層のペロブスカイト型酸化物導電層を有し、かつ｛１００｝配向であることを特徴とする誘電体。
【請求項２】
前記ペロブスカイト型酸化物導電層がABO3型酸化物である請求項１に記載の誘電体。
【請求項３】
前記｛１００｝配向性誘電体層がABO3型ペロブスカイト酸化物である請求項１または２に記載の誘電体。
【請求項４】
基板上に、下部電極、｛１００｝配向性誘電層及び上部電極を有する誘電体において、
前記下部電極と前記基板との間に蛍石型酸化物の層を有し、該下部電極が少なくとも２層のペロブスカイト型｛１００｝酸化物導電層を有することを特徴とする誘電体。
【請求項５】
前記蛍石型酸化物が、CeO2及び/またはZrO2で（１００）配向である事を特徴とする請求項４に記載の誘電体。
【請求項６】
前記｛１００｝配向性誘電層が（００１）配向である請求項４または５に記載の誘電体。
【請求項７】
基板上に、下部電極、｛１００｝配向性誘電層及び上部電極を有する誘電体において、
前記下部電極及び前記上部電極の少なくとも一方の電極が、金属自然配向膜と、少なくとも２層のペロブスカイト型酸化物導電層との積層であることを特徴とする誘電体。
【請求項８】
前記金属自然配向膜の金属が面心立方晶であり、（１１１）配向である請求項７に記載の誘電体。
【請求項９】
前記｛１００｝配向性誘電層が、（００１）結晶配向度が５０％以上である請求項１〜８のいずれかに記載の誘電体。
【請求項１０】
前記｛１００｝配向性誘電層が、（００１）結晶配向度が８０％以上である請求項９に記載の誘電体。
【請求項１１】
前記少なくとも２層のペロブスカイト型酸化物導電層に、（Srx,Cay,Baz）RuO3（但しx+y+z=1）系酸化物の層が含まれている請求項１〜１０のいずれかに記載の誘電体。
【請求項１２】
前記少なくとも２層のペロブスカイト型酸化物導電層に、Ni元素を有する酸化物の層が含まれている請求項１〜１１のいずれかに記載の誘電体。
【請求項１３】
前記Ni元素を有する酸化物が、CNiO3系酸化物であり、CはLa、Pr、Nd、Sm及びEuから選ばれる少なくとも１種の元素である、請求項１２に記載の誘電体。
【請求項１４】
前記少なくとも２層のペロブスカイト型酸化物導電層に、菱面体晶構造を有する層が含まれている請求項１〜１０、１２及び１３のいずれかに記載の誘電体。
【請求項１５】
前記少なくとも２層のペロブスカイト型酸化物導電層に、LaがAサイトに入った化合物の層が含まれている請求項１〜１４のいずれかに記載の誘電体。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれかに記載の誘電体を有することを特徴とする圧電体。
【請求項１７】
請求項１６に記載の圧電体を有することを特徴とするインクジェットヘッド。
【請求項１８】
請求項１７に記載のインクジェットヘッドを有することを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項１９】
基板上に、第一のペロブスカイト型酸化物電極層を｛１００｝配向性で形成する工程と、
第二のペロブスカイト型酸化物電極層を｛１００｝配向性で形成する工程と、
｛１００｝配向性誘電層を形成する工程と、
をこの順に有することを特徴とする誘電体の製造方法。
【請求項２０】
前記第一の酸化物電極層を形成する時の基板温度をＴ１、前記第二の酸化物電極層を形成する時の基板温度をＴ２、前記｛１００｝配向性誘電層を形成する時の基板温度をＴ３とした時、下記の式（１）を満足することを特徴とする請求項１９に記載の誘電体の製造方法。
Ｔ２≧Ｔ３≧Ｔ１・・・・・・・・・・（１）
【請求項２１】
基板上に、１層以上の蛍石型酸化物層を形成する工程と、
金属酸化物を主成分とする第一の｛１００｝配向導電性電極層を形成する工程と、
第二の｛１００｝配向性導電層を形成する工程と、
（００１）配向性誘電層を形成する工程と、
上部電極を形成する工程と、
をこの順に有することを特徴とする誘電体の製造方法。
【請求項２２】
基板上に、１層以上の金属自然配向膜を形成する工程と、
金属酸化物を主成分とする第一の｛１００｝配向導電性電極層を形成する工程と、
第二の｛１００｝配向性導電層を形成する工程と、
｛１００｝配向性誘電層を形成する工程と、
上部電極を形成する工程と、
をこの順に有することを特徴とする誘電体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】｛１００｝配向性誘電層を有する誘電体及びその製造方法、該誘電体を有する圧電体、並びに該圧電体を有するインクジェットヘッド及びインクジェット記録装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明にかかる誘電体の一態様は、基板上に、下部電極、｛１００｝配向性誘電層及び上部電極を有する誘電体において、前記下部電極及び前記上部電極の少なくとも一方が、少なくとも２層のペロブスカイト型酸化物導電層を有し、かつ｛１００｝配向であることを特徴とする誘電体である。
本発明にかかる誘電体の他の態様は、基板上に、下部電極、｛１００｝配向性誘電層及び上部電極を有する誘電体において、前記下部電極と前記基板との間に蛍石型酸化物の層を有し、該下部電極が少なくとも２層のペロブスカイト型｛１００｝酸化物導電層を有することを特徴とする誘電体である。
本発明かかる誘電体の他の態様として、基板上に少なくとも、第一の蛍石型酸化物層、第二の蛍石型酸化物層、第三のABO3ペロブスカイト型酸化物導電層、第四のABO3ペロブスカイト型酸化物導電層を有し、第四のABO3ペロブスカイト型酸化物導電層上に｛１００｝配向であるペロブスカイト型誘電層を有する事を特徴とする誘電体を挙げることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明にかかる誘電体の他の態様は、基板上に、下部電極、｛１００｝配向性誘電層及び上部電極を有する誘電体において、前記下部電極及び前記上部電極の少なくとも一方の電極が、金属自然配向膜と、少なくとも２層のペロブスカイト型酸化物導電層との積層であることを特徴とする誘電体である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、上記誘電層の配向性は、（００１）結晶配向度が５０％以上、好ましくは、８０％以上、より好ましくは９９％以上である。また、少なくとも２層のABO3型ペロブスカイト型酸化物導電層に、（Srx,Cay,Baz）RuO3（但しx+y+z=1）系酸化物の層が含まれていることが好ましい。また、少なくとも２層のABO3型ペロブスカイト型酸化物導電層に、少なくともNi元素を有する酸化物の層が含まれていることが好ましい。また、上記Ni元素を有する酸化物が、CNiO3系酸化物で、CはLa、Pr、Nd、Sm及びEuから選ばれる少なくとも１種の元素である誘電体であることが好ましい。また、少なくとも２層のABO3型ペロブスカイト型酸化物導電層に、少なくとも菱面体晶構造を有する層が含まれていることが好ましい。また、少なくとも２層のABO3型ペロブスカイト型酸化物導電層に、LaがAサイトに入った化合物の層が含まれていることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明にかかる誘電体の製造方法は、
基板上に、第一のペロブスカイト型酸化物電極層を｛１００｝配向性で形成する工程と、
第二のペロブスカイト型酸化物電極層を｛１００｝配向性で形成する工程と、
｛１００｝配向性誘電層を形成する工程と、
をこの順に有することを特徴とする誘電体の製造方法である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明にかかる誘電体の製造方法の他の態様は、上記の誘電体の製造方法において、第一の酸化物電極層を形成する時の基板温度をＴ１、第二の酸化物電極層を形成する時の基板温度をＴ２、前記｛１００｝配向性誘電層を形成する時の基板温度をＴ３とした時、下記の式（１）を満足する事を特徴とする誘電体の製造方法である。
Ｔ２≧Ｔ３≧Ｔ１・・・・・・・・・・（１）
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明にかかる誘電体の製造方法の他の態様は、
基板上に、１層以上の蛍石型酸化物層を形成する工程と、
金属酸化物を主成分とする第一の｛１００｝配向導電性電極層を形成する工程と、
第二の｛１００｝配向性導電層を形成する工程と、
（００１）配向性誘電層を形成する工程と、
上部電極を形成する工程と、
をこの順に有することを特徴とする誘電体の製造方法である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明にかかる誘電体の製造方法の他の態様は、
基板上に、１層以上の金属自然配向膜を形成する工程と、
金属酸化物を主成分とする第一の｛１００｝配向導電性電極層を形成する工程と、
第二の｛１００｝配向性導電層を形成する工程と、
｛１００｝配向性誘電層を形成する工程と、
上部電極を形成する工程と、
をこの順に有することを特徴とする誘電体の製造方法である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】