【手続補正書】
【提出日】平成19年11月21日(2007.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン系材料からなる基板（１）のドライエッチング方法であって、
ドライエッチングにより加工中の前記基板の被エッチング面の画像を取得し、
前記画像に基づいてブラックシリコンの発生又はその兆候を監視する、ドライエッチング方法。
【請求項２】
前記取得した画像に基づいて、前記基板の被エッチング面のうち予め定められた測定箇所（６８Ａ，６８Ｂ）の明度である測定明度（Ｂdet）を算出し、
前記測定明度に基づいて、ブラックシリコンの発生又はその兆候を監視する請求項１に記載のドライエッチング方法。
【請求項３】
前記測定明度と、ブラックシリコンが発生しない場合のドライエッチング開始からの時間経過に対応する前記測定箇所の明度である基準明度（Ｂs(t)）とを比較し、
前記比較の結果に基づいてブラックシリコンの発生又はその兆候の有無を判断する、請求項２に記載のドライエッチング方法。
【請求項４】
前記測定明度が前記基準明度に対して予め定められた第１の割合（ＢＲthsy）以下となると、ブラックシリコン発生の兆候が生じていると判断する、請求項３に記載のドライエッチング方法。
【請求項５】
前記測定明度が前記基準明度よりも予め定められた第１の明度差（ΔＢＲthsy）以下となると、ブラックシリコン発生の兆候が生じていると判断する、請求項３に記載のドライエッチング方法。
【請求項６】
前記ブラックシリコン発生の兆候が検出されると、前記ドライエッチングの条件を変更することを特徴とする、請求項４又は請求項５に記載のドライエッチング方法。
【請求項７】
前記ブラックシリコン発生の兆候が検出されると、前記基板が載置されている下部電極に印加するバイアス電圧を上昇させることを特徴とする、請求項６に記載のドライエッチング方法。
【請求項８】
前記ブラックシリコン発生の兆候が検出されると、前記基板が収容されている真空容器内の圧力を低下させることを特徴とする、請求項６に記載のドライエッチング方法。
【請求項９】
少なくともSF6、O2、及びHeを含むエッチングガスを使用し、
前記ブラックシリコン発生の兆候が検出されると、前記エッチングガス中のO2の含有率を低下させることを特徴とする、請求項６に記載のドライエッチング方法。
【請求項１０】
前記ブラックシリコン発生の兆候が検出されると、それを報知することを特徴とする請求項６に記載のドライエッチング方法。
【請求項１１】
前記測定明度が前記基準明度に対して予め定められた第２の割合（ＢＲthｇ）以下となると、ブラックシリコンが発生していると判断する、請求項３に記載のドライエッチング方法。
【請求項１２】
前記測定明度が、前記基準明度よりも予め定められた第２の明度差（ΔＢＲthsg）以下となると、ブラックシリコンが発生していると判断する、請求項３に記載のドライエッチング方法。
【請求項１３】
前記ブラックシリコン発生が検出されると、ドライエッチングを停止することを特徴とする請求項１１又は請求項１２に記載のドライエッチング方法。
【請求項１４】
前記ブラックシリコン発生が検出されると、それを報知することを特徴とする請求項１１又は請求項１２に記載のドライエッチング方法。
【請求項１５】
前記測定明度と、ブラックシリコンが発生している場合のドライエッチング開始からの時間経過に対応する前記測定箇所の明度である判定明度（Ｂｄg(t)）とを比較し、
前記比較の結果に基づいてブラックシリコン発生の有無を判断する、請求項２に記載のドライエッチング方法。
【請求項１６】
前記測定明度が、前記判定明度以下となると、ブラックシリコンが発生していると判断する、請求項１５に記載のドライエッチング方法。
【請求項１７】
前記ブラックシリコン発生が検出されると、ドライエッチングを停止することを特徴とする請求項１５又は請求項１６に記載のドライエッチング方法。
【請求項１８】
前記ブラックシリコン発生が検出されると、それを報知することを特徴とする請求項１５又は請求項１６に記載のドライエッチング方法。
【請求項１９】
シリコン系材料からなる基板（１）が内部に配置される真空容器（１２）と、
前記真空容器内にプラズマを発生させるプラズマ源（３６）と、
前記プラズマ源により前記真空容器内にプラズマが発生してドライエッチングにより加工中である前記基板の被エッチング面の画像を取得する撮影装置（４５）と、
前記撮影装置が取得した画像に基づいて、ブラックシリコンの発生又はその兆候を監視する監視部（５７）と
を備えることを特徴する、ドライエッチング装置。
【請求項２０】
前記監視部は、
前記撮影装置が取得した画像に基づいて、前記基板の被エッチング面のうち予め定められた測定箇所（６８Ａ，６８Ｂ）の明度である測定明度（Ｂdet）を算出する明度検出部（６１）を備え、前記測定明度に基づいて、ブラックシリコンの発生又はその兆候を監視する請求項１９に記載のドライエッチング装置。
【請求項２１】
前記監視部は、
ブラックシリコンが発生しない場合のドライエッチング開始からの時間経過に対応する前記測定箇所の明度である基準明度（Ｂs(t)）を記憶した基準明度記憶部（６２）と、
前記明度検出部が算出した測定明度と、前記基準明度記憶部に記憶された基準明度とを比較する第１の比較部（６３Ａ）と、
前記第１の比較部の比較結果に基づいてブラックシリコン発生の兆候の有無を判定する第１の判定部（６４Ａ）と
をさらに備える、請求項２０に記載のドライエッチング装置。
【請求項２２】
前記判定部が前記ブラックシリコン発生の兆候が生じていると判断すると、ドライエッチングの条件を変更する装置制御部（５４）をさらに備える、請求項２１に記載のドライエッチング装置。
【請求項２３】
前記監視部は、
ブラックシリコンが発生しない場合のドライエッチング開始からの時間経過に対応する前記測定箇所の明度である基準明度（Ｂs(t)）を記憶した基準明度記憶部（６２）と、
前記明度検出部が算出した測定明度と、前記基準明度記憶部に記憶された基準明度とを比較する第１の比較部（６３Ａ）と、
前記第１の比較部の比較結果に基づいてブラックシリコン発生の有無を判定する第２の判定部（６４Ｂ）と
をさらに備える、請求項２０に記載のドライエッチング装置。
【請求項２４】
前記監視部は、
ブラックシリコンが発生している場合のドライエッチング開始からの時間経過に対応する前記測定箇所の明度である判定明度（Ｂｄg(t)）を記憶したブラックシリコン判定明度記憶部（８０）と、
前記明度検出部が算出した測定明度と、前記ブラックシリコン判定明度記憶部に記憶された判定明度とを比較する第２の比較部（６３Ｂ）と、
前記第２の比較部の比較結果に基づいてブラックシリコン発生の有無を判定する第３の判定部（６４Ｃ）と
をさらに備える、請求項２０に記載のドライエッチング装置。
【請求項２５】
前記真空容器の外側の上方に配置され、かつ平面視で隙間（３９Ａ）が形成されるように配置された導体（３７）を備えるプラズマ発生用のコイル（３６）をさらに備え、
前記真空容器の頂壁は平面視で前記コイルの導体間の隙間と対応する位置に透明部（３０）を備え、
前記撮影装置は前記コイルの上方に配置され、前記コイルの導体間の隙間と前記頂壁の透明部とを介して前記基板の被エッチング面の少なくとも一部を視野に収めることを特徴とする、請求項１９から請求項２４のいずれか１項に記載のドライエッチング装置。