【手続補正書】
【提出日】平成20年4月21日(2008.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 基板上にｎ型窒化物半導体層、ｐ型窒化物半導体層が積層され、ｐ型窒化物半導体層上に、ｐ側電極を有する窒化物半導体素子において、前記ｐ側電極は、ｐ型窒化物半導体層表面の一部に接して該ｐ型窒化物半導体層とオーミック接触をなす透光性電極と、透光性電極から離れて形成されたｐ側ボンディングパッド電極と、該ｐ側ボンディングパッド電極から延伸して該透光性電極の少なくとも外周を覆って形成されたｐ側拡散電極とを有し、前記透光性電極のｐ型窒化物半導体層に対するオーミック特性が、前記ｐ側拡散電極のｐ型窒化物半導体層に対するオーミック特性に対して良くなるようにそれぞれの電極材料が選定されていることを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項２】 前記透光性電極はｐ型窒化物半導体層に対してオーミック接触で形成され、前記ｐ側拡散電極はｐ型窒化物半導体層に対してショットキー接触で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体素子。
【請求項３】 前記透光性電極とｐ側拡散電極との接触部において、該接触部の内周の形状は円形であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の窒化物半導体素子。
【請求項４】 前記透光性電極とｐ側拡散電極との接触部において、該接触部の内周および外周は同心円形状であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の窒化物半導体素子。
【請求項５】  前記ｐ型窒化物半導体層の一部がエッチングされてｎ型窒化物半導体層が露出されかつ、前記ｎ型窒化物半導体層の露出面にｎ側電極を有し、前記ｎ側電極は、ｎ側ボンディングパッド電極と、該ｎ側ボンディングパッド電極から延伸して前記透光性電極および該透光性電極と前記ｐ側拡散電極との接触部を囲むように形成されたｎ側拡散電極とを有することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の窒化物半導体素子。
【請求項６】 前記窒化物半導体素子の外形は四角形状であり、前記ｐ側ボンディングパッド電極とｎ側ボンディングパッド電極は素子を形成する一辺の両端にそれぞれが形成されていることを特徴とする請求項５に記載の窒化物半導体素子。
【請求項７】 前記窒化物半導体素子の外形は四角形状であり、前記ｐ側ボンディングパッド電極とｎ側ボンディングパッド電極は素子の対角線上の両端にそれぞれが形成されていることを特徴とする請求項５に記載の窒化物半導体素子。
【請求項８】 前記ｐ側ボンディングパッドとｎ側ボンディングパッド電極は同一の製造工程で形成された同一の材料からなることを特徴とする請求項５乃至請求項７のいずれかに記載の窒化物半導体素子。
【請求項９】 前記ボンディングパッド部を除くすべての電極および窒化物半導体層の全面が透光性を有する絶縁膜で覆われていることを特徴とする請求項５乃至請求項８のいずれかに記載の窒化物半導体素子。
【請求項１０】 前記透光性電極と透光性電極を覆って形成されたｐ側拡散電極とが接触する面積の透光性電極の面積に対する比が、０．１５以上０．５０以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の窒化物半導体素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】  本発明では、窒化物半導体素子の構造を以下の構成（１）〜（１０）とすることにより、本発明における課題を解決するに至った。
（１）  基板上にｎ型窒化物半導体層、ｐ型窒化物半導体層が積層され、ｐ型窒化物半導体層層上に、ｐ側電極を有する窒化物半導体素子において、
前記ｐ側電極は、ｐ型窒化物半導体層表面の一部に接して該ｐ型窒化物半導体層とオーミック接触をなす透光性電極と、透光性電極から離れて形成されたｐ側ボンディングパッド電極と、該ｐ側ボンディングパッド電極から延伸して該透光性電極の少なくとも外周を覆って形成されたｐ側拡散電極とを有し、
前記透光性電極のｐ型窒化物半導体層に対するオーミック特性が、前記ｐ側拡散電極のｐ型窒化物半導体層に対するオーミック特性に対して良くなるようにそれぞれの電極材料が選定されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（３）  前記透光性電極とｐ側拡散電極との接触部において、該接触部の内周の形状は円形であることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（４）  前記透光性電極とｐ側拡散電極との接触部において、該接触部の内周および外周は同心円形状であることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
（５）  前記ｐ型窒化物半導体層の一部がエッチングされてｎ型窒化物半導体層が露出されかつ、前記ｎ型窒化物半導体層の露出面にｎ側電極を有し、前記ｎ側電極は、ｎ側ボンディングパッド電極と、該ｎ側ボンディングパッド電極から延伸して前記透光性電極および該透光性電極と前記ｐ側拡散電極との接触部を囲むように形成されたｎ側拡散電極とを有することを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
（６）  前記窒化物半導体素子の外形は四角形状であり、前記ｐ側ボンディングパッド電極とｎ側ボンディングパッド電極は素子を形成する一辺の両端にそれぞれが形成されていることを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
（７）  前記窒化物半導体素子の外形は四角形状であり、前記ｐ側ボンディングパッド電極とｎ側ボンディングパッド電極は素子の対角線上の両端にそれぞれが形成されていることを特徴とする。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
（８）  前記ｐ側ボンディングパッドとｎ側ボンディングパッド電極は同一の製造工程で形成された同一の材料からなることを特徴とする。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
（９）  前記ボンディングパッド部を除くすべての電極および窒化物半導体層の全面が透光性を有する絶縁膜で覆われていることを特徴とする。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
（１０）  前記透光性電極と透光性電極を覆って形成されたｐ側拡散電極とが接触する面積の透光性電極の面積に対する比が、０．１５以上０．５０以下であることを特徴とする。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】