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【手続補正書】
【提出日】平成20年6月10日(2008.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  質量分析方法であって、
（ａ）イオンを生成するためのイオン源を提供する工程と、
（ｂ）前記イオンを、衝突セルを備えるフラグメント化手段に送る工程と、
（ｃ）前記フラグメント化手段を、前記イオンの少なくとも一部分がフラグメント化されて娘イオンを生じる第１のモードで動作させる工程と、
（ｄ）前記第１のモードで動作する前記フラグメント化手段から放出されるイオンの質量スペクトルを、高フラグメント化質量スペクトルとして記録する工程と、
（ｅ）前記フラグメント化手段を、フラグメント化されるイオンが実質的に少ない第２のモードで動作するよう切り換える工程と、
（ｆ）前記第２のモードで動作する前記フラグメント化手段から放出されるイオンの質量スペクトルを、低フラグメント化質量スペクトルとして記録する工程と、
（ｇ）工程（ｃ）〜（ｆ）を複数回繰り返す工程と、
を含む、方法。
【請求項２】  請求項１記載の質量分析方法であって、更に、
実質的に同じ時間に取得された高フラグメント化質量スペクトルと低フラグメント化質量スペクトルを比較する工程と、
前記高フラグメント化質量スペクトルよりも前記低フラグメント化質量スペクトルでの強度が高いイオンを、親イオンとして認識する工程と、
によって、親イオンを認識する工程を備える、方法。
【請求項３】  請求項１又は２記載の質量分析方法であって、更に、
実質的に同じ時間に取得された高フラグメント化質量スペクトルと低フラグメント化質量スペクトルを比較する工程と、
前記低フラグメント化質量スペクトルよりも前記高フラグメント化質量スペクトルでの強度が高いイオンを、娘イオンとして認識する工程と、
によって、娘イオンを認識する工程を含む、方法。
【請求項４】  請求項２に従属する請求項３に記載の質量分析方法であって、更に、
すべての親イオンの中から、可能性のある候補親イオンのサブグループを選択する工程を含み、
可能性のある候補親イオンは、所定の娘イオンとの関係に基づいて、又は、所定の質量消失を生じることに基づいて選択される、方法。
【請求項５】  請求項２に従属する請求項３に記載の方法であって、更に、
認識された親イオン各々の親イオン質量クロマトグラムを生成する工程と、
前記親イオン質量クロマトグラムの各ピークの中心を決定する工程と、
対応する隣接親イオンの溶離時間を決定する工程と、
認識された娘イオン各々について娘イオン質量クロマトグラムを生成する工程と、
前記娘イオン質量クロマトグラムの各ピークの中心を決定する工程と、
対応する娘イオンの溶離時間を決定する工程と、
を含む、方法。
【請求項６】  請求項５記載の方法であって、更に、
それぞれの溶離時間の適合度に従って、娘イオンを親イオンに割り当てる工程を含む、方法。
【請求項７】  請求項１ないし６のいずれかに記載の方法であって、
前記イオン源によって生成されたイオンは、前記フラグメント化手段に送られる前に、好ましくは四重極質量フィルタである質量フィルタを通され、前記質量フィルタは、一定範囲内の質量／電荷比を持つイオンを実質的に通過させ、前記範囲外の質量／電荷比を持つイオンの通過を実質的に減らす、方法。
【請求項８】  請求項３に従属する請求項７に記載の方法であって、
イオンが高フラグメント化質量スペクトルに存在して前記範囲外の質量／電荷比を有する場合に、娘イオンとして認識される、方法。
【請求項９】  質量分析計であって、
イオン源と、
前記イオンの少なくとも一部分をフラグメント化して娘イオンを生成する第１のモードおよびフラグメント化されるイオンが実質的に少ない第２のモードで動作可能な衝突セルと、
質量分析器と、
を備え、
前記質量分析計は、更に、
使用中に前記衝突セルを前記第１および前記第２のモード間で繰り返し切り換える制御システムを備えることを特徴とする、質量分析計。
【請求項１０】  請求項９記載の質量分析計であって、
前記イオン源は、（ｉ）エレクトロスプレイイオン源、（ｉｉ）大気圧化学イオン化によるイオン源、および（ｉｉｉ）マトリクス支援レーザ脱離イオン源、のグループから選択されるか、
又は、
前記イオン源に対して、液体クロマトグラフィまたはキャピラリ電気泳動法により混合物から分離された溶離物が、ある時間に渡って供給される、質量分析計。
【請求項１１】  請求項９記載の質量分析計であって、
前記イオン源は、（ｉ）電気衝撃イオン源、（ｉｉ）化学イオン化によるイオン源、および（ｉｉｉ）フィールドイオン化によるイオン源、のグループから選択されるか、
又は、
前記イオン源に対して、ガスクロマトグラフィにより混合物から分離された溶離物が、ある時間に渡って供給される、質量分析計。
【請求項１２】  請求項９ないし１１のいずれかに記載の質量分析計であって、更に、
好ましくは四重極質量フィルタである質量フィルタを、前記衝突セルの上流に備え、
前記質量フィルタは、ハイパスフィルタ、ローパスフィルタ、又は、バンドパスフィルタの特性を持つ、質量分析計。
【請求項１３】  請求項９ないし１２のいずれかに記載の質量分析計であって、
更に、（ｉ）六重極、（ｉｉ）四重極、（ｉｉｉ）八重極、（ｉｖ）実質的に均一の内径を有する複数のリング電極、および（ｖ）実質的に先細りになっている内径を有する複数のリング電極、のグループから選択されるイオンガイドを、前記衝突セルの上流に備える、質量分析計。
【請求項１４】  請求項９ないし１３のいずれかに記載の質量分析計であって、
前記質量分析器は、（ｉ）四重極質量フィルタ、（ｉｉ）飛行時間型質量分析器、（ｉｉｉ）イオントラップ、（ｉｖ）磁場型質量分析器、（ｖ）フーリエ変換イオンサイクロトロン共鳴（「ＦＴＩＣＲ」）質量分析器、のグループから選択される、質量分析計。
【請求項１５】  請求項９ないし１４のいずれかに記載の質量分析計であって、
前記衝突セルは、（ｉ）四重極ロッドセット、（ｉｉ）六重極ロッドセット、（ｉｉｉ）八重極ロッドセット、のグループから選択される、質量分析計。
【請求項１６】  請求項１ないし８のいずれかに記載の方法であって、更に、
（ａ）好ましくはタンパク質のペプチドのフラグメントである１つまたはそれ以上の親イオンの質量／電荷比を決定することにより、前記タンパク質を同定する工程、
及び／又は、
（ｂ）好ましくはタンパク質のペプチドのフラグメントである１つまたはそれ以上の娘イオンの質量／電荷比を決定することにより、前記タンパク質を同定する工程、
を含む、方法。
【請求項１７】  請求項１６記載の方法であって、
前記１つまたはそれ以上の親イオン、および／または、前記１つまたはそれ以上の娘イオンの質量／電荷比は、既知のタンパク質を含むことが好ましいデータベースと照合される、方法。
【請求項１８】  請求項１〜８又は１６〜１７のいずれかに記載の方法であって、更に、
ヘリウム、アルゴン、窒素、又は、メタンを含む衝突ガスを前記衝突セルに導入する工程を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月8日(2008.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
断面円形状である少なくとも１つの回転体と、前記回転体に支持される車体と、前記回転体を駆動する駆動部とを備える倒立振子型移動体の制御方法であって、
前記移動体に対する速度目標値及び前記車体に対する傾斜角速度目標値を、前記速度目標値は時間についての２階微分が連続であり、前記傾斜角速度目標値は時間について連続であるように生成し、
前記車体の重心又は前記車体及び前記車体上に支持される対象を合計した総質量の重心が前記回転体の回転中心位置より上方に位置する状態を維持しながら、前記移動体が前記速度目標値に従って走行できるように、前記速度目標値及び前記傾斜角速度目標値を制御目標として前記駆動部に対する制御指令値を算出する制御ループを実行する、制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の第２の態様にかかる移動体の制御方法は、断面円形状である少なくとも１つの回転体と、前記回転体に支持される車体と、前記回転体を駆動する駆動部とを備える倒立振子型移動体の制御方法である。具体的には、まず、前記移動体に対する速度目標値及び前記車体に対する傾斜角速度目標値を、前記速度目標値は時間についての２階微分が連続であり、前記傾斜角速度目標値は時間について連続であるように生成する。次に、前記車体の重心又は前記車体及び前記車体上に支持される対象を合計した総質量の重心が前記回転体の回転中心位置より上方に位置する状態を維持しながら、前記移動体が前記速度目標値に従って走行できるように、前記速度目標値及び前記傾斜角速度目標値を制御目標として前記駆動部に対する制御指令値を算出する制御ループを実行する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
１  移動体
１０ａ、１０ｂ  車輪
１１  車体
１２  座席
１３  操縦桿
１４  コンピュータ
１５ａ、１５ｂ  モータ
１６ａ、１６ｂ  モータドライバ
１７ａ、１７ｂ  エンコーダ
１８  レートジャイロ
１９  バッテリ
２０  ケース
１００  目標値生成部
１０１  ジャーク値生成部
１０２  ２階積分器
１０３  乗算器
１０４  制御量算出部
１０５、１０６  加算器
１０７  安定化・走行コントローラ
３０１  車軸
３０２  リンク
２０２  加算器
２０３、２０４  積分器
２０１、２０５、２０６  乗算器
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月14日(2008.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
図５は第３実施形態を示し、この場合、読み取り手段１５にて読み取った記憶媒体１４のデータを通信子局１６を介して、配電自動化中央装置１７に入力するようにしている。ここで、配電自動化中央装置１７とは、高圧配電線の停電の有無の監視や同線路に設置されている自動開閉器の入切の制御を行うものである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月24日(2008.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
（化１）
ＬｉpＮｉ(1-q-r)ＭｎqＭ１rＯ(2-y)Ｘz
（Ｍ１は、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）を除く２族〜１５族から選ばれる元素のうち少なくとも一種を示す。Ｘは、酸素（Ｏ）以外の１６族元素および１７族元素のうち少なくとも１種を示す。ｐ、ｑ、ｒ、ｙ、ｚは、０≦ｐ≦１．５、０≦ｑ≦１．０、０≦ｒ≦１．０、−０．１０≦ｙ≦０．２０、０≦ｚ≦０．２の範囲内の値である。）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
［負極］
図３に示すように、負極２３は、導電性基材である帯状の負極集電体２３Ａと、この負極集電体２３Ａの両面に形成された負極活物質層２３Ｂとからなる。そして、負極活物質層２３Ｂは、負極集電体２３Ａの上に設けられた第１の層２３ａと、第１の層２３ａ上に設けられた第２の層２３ｂとからなる２層構造で構成される。なお、負極集電体２３Ａの片面のみに負極活物質層２３Ｂが設けられた領域を有するようにしてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
人造黒鉛を生成するに際して出発原料となる有機材料としては、例えば石炭やピッチ等が代表的である。ピッチとしては、コールタール、エチレンボトム油、原油等の高温熱分解で得られるタール類、アスファルトなどから蒸留（真空蒸留、常圧蒸留、スチーム蒸留）、熱重縮合、抽出、化学重縮合等の操作によって得られるもの、その他木材乾留時に生成するピッチ等が挙げられる。さらにピッチを生成する出発原料として、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート、ポリビニルブチラート、３,５−ジメチルフェノール樹脂等の高分子化合物を用いることも可能である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
その他、例えばナフタレン、フェナントレン、アントラセン、トリフェニレン、ピレン、ペリレン、ペンタフェン、ペンタセン等の縮合多環炭化水素化合物、その誘導体(例えばこれらのカルボン酸、カルボン酸無水物、カルボン酸イミド等)、あるいは混合物、アセナフチレン、インドール、イソインドール、キノリン、イソキノリン、キノキサリン、フタラジン、カルバゾール、アクリジン、フェナジン、フェナントリジン等の縮合複素環化合物、さらにはその誘導体も出発原料として使用可能である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
難黒鉛化性炭素材料を生成するに際して出発原料となる有機材料としては、例えば、フルフリルアルコール樹脂、フルフラール樹脂、フラン樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ハロゲン化ビニル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアセチレン、ポリ（Ｐ−フェニレン）等の共役系樹脂、セルロースおよびその誘導体等の有機高分子系化合物を使用することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
また、特定のＨ／Ｃ原子比を有する石油ピッチに酸素を含む官能基を導入（いわゆる酸素架橋）したものも、上記フラン樹脂と同様に、炭素化の過程（４００℃以上）で溶融することなく、固相炭素化して難黒鉛化性炭素材料となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
上記石油ピッチは、エチレンボトム油、原油等の高温熱分解で得られるタール類、アスファルト等から蒸留（真空蒸留、常圧蒸留、スチーム蒸留）、熱重縮合、抽出、化学重縮合等の操作によって得られる。このとき、石油ピッチのＨ／Ｃ原子比が重要で、難黒鉛化性炭素材料を得るためにはこのＨ／Ｃ原子比を０．６〜０．８とする必要がある。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
以上の有機材料を出発原料として難黒鉛化性炭素材料を得る場合、例えば上記有機材料を窒素等の不活性ガス気流中にて３００℃〜７００℃で炭化した後、１〜１００℃／分の速度で９００℃〜１５００℃まで昇温して、到達温度にて０〜３０時間保持することによって得られる。勿論、場合によっては炭化操作を省略してもよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
次に、ラミネートフィルムからなる外装材７を深絞り加工することで電池素子収容部６を形成し、電池素子１０をこの電池素子収容部６に挿入し、外装材７の未加工部分を電池素子収容部６の上部に折り返し、電池素子収容部６の外周部分を熱溶着し密封する。以上により、この発明の一実施形態による非水電解質二次電池が作製される。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
［正極］
コバルト酸リチウム（ＬｉＣｏＯ2）粉末９０質量％と、導電剤としてカーボンブラック４質量％と、結着剤としてポリフッ化ビニリデン（ＰＶｄＦ）６質量％とを混合して正極合剤を調製した。次に、この正極合剤を溶剤であるＮ−メチル−２−ピロリドンに分散させて正極合剤スラリーとし、厚み１４μｍの帯状アルミニウム箔よりなる正極集電体の両面に均一に塗布した。次に、乾燥工程を経てロールプレス機で圧縮成型して正極活物質層を形成した後、４２．５ｍｍ×４５５ｍｍとなるように切り出した。その後、正極集電体の一端部には、アルミニウム製の正極リードを接続した。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１７】
次に、黒鉛材料と難黒鉛化性炭素材料とを混合した負極活物質を用いて、黒鉛材料と難黒鉛化性炭素材料との配合比率を変化させた１層構造からなる負極を用いた電池についてそれぞれ検討した。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１８】
＜比較例３−１＞
実施例１−１で用いた難黒鉛化性炭素材料であるハードカーボン５質量％と、実施例１−１で用いた人造黒鉛粉末９５質量％とを均一に混合した負極活物質９０質量％と、結着剤としてポリフッ化ビニリデン（ＰＶｄＦ）１０質量％とを混合し、溶剤であるＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）に分散させたのち、厚み１０μｍの帯状銅箔よりなる負極集電体３Ａの両面に、塗膜厚１００μｍで塗布して乾燥させ、１層構造からなる負極活物質層を形成した。その他は実施例１−１と同様にして、比較例３−１の負極を作製した。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月19日(2008.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性層、前記活性層の下層側に形成された下側反射層、および前記活性層の上層側に形成された上側反射層を有して積層構造をなすとともに、前記積層構造の全部又は一部が柱形状の柱部を構成している積層構造部と、
前記活性層の直上又は直下に平面形状がドーナツ形状に形成されている絶縁性材料からなる電流狭窄層と、
前記活性層又は前記電流狭窄層の直上又は直下に平面形状がドーナツ形状に形成されている絶縁性領域を有する層であって、該層の外周が前記柱部の側壁に達しており、該層の厚みが前記電流狭窄層の厚みよりも大きい絶縁層と、を有することを特徴とする光半導体。
【請求項２】
前記積層構造部は、面発光レーザの共振器を構成していることを特徴とする請求項１に記載の光半導体。
【請求項３】
前記積層構造部は、受光素子を構成していることを特徴とする請求項１に記載の光半導体。
【請求項４】
前記絶縁層における絶縁性領域以外の領域は、光学的な膜厚が前記面発光レーザの波長の１／４の奇数倍に設定されていることを特徴とする請求項２に記載の光半導体。
【請求項５】
前記積層構造部は、アルミニウムと半導体材料とを要素に含んでなる層が積層されたものであって、アルミニウム低組成層と前記アルミニウム低組成層に比べてアルミニウムの含有比率の高いアルミニウム高組成層とを１組としたものが複数組積層された構造を有し、
前記絶縁層は、アルミニウムと半導体材料とを要素に含んでなる層について酸化処理して形成されたものであることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の光半導体。
【請求項６】
前記電流狭窄層は、前記活性層の直上に形成されており、
前記絶縁層の一部をなすものであって前記活性層の直下に形成された第１絶縁層と、
前記絶縁層の一部をなすものであって前記電流狭窄層の直上に形成された第２絶縁層と、を有することを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の光半導体。
【請求項７】
前記電流狭窄層は、前記活性層の直下に形成されており、
前記絶縁層の一部をなすものであって前記活性層の直上に形成された第１絶縁層と、
前記絶縁層の一部をなすものであって前記電流狭窄層の直下に形成された第２絶縁層と、を有することを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の光半導体。
【請求項８】
前記絶縁層のアルミニウム含有比率は、前記下側反射層及び上側反射層のアルミニウム含有比率よりも高いことを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の光半導体。
【請求項９】
前記絶縁層は、アルミニウムと半導体材料とを要素に含んでなる層が積層されたものであって、アルミニウム低組成層と前記アルミニウム低組成層に比べてアルミニウムの含有比率の高いアルミニウム高組成層とを１組としたものが複数組積層された構造を有することを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の光半導体。
【請求項１０】
前記絶縁層、下側反射層及び上側反射層は、それぞれ、アルミニウム低組成層と前記アルミニウム低組成層に比べてアルミニウムの含有比率の高いアルミニウム高組成層とを１組としたものが複数組積層された構造を有し、
前記絶縁層のアルミニウム低組成層は、前記下側反射層及び上側反射層のアルミニウム低組成層よりアルミ含有率が高く、
前記絶縁層のアルミニウム高組成層は、前記下側反射層及び上側反射層のアルミニウム高組成層よりアルミ含有率が高いことを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の光半導体。
【請求項１１】
前記柱部の側壁近傍部位の全ては、酸化されて絶縁性領域となっていることを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載の光半導体。
【請求項１２】
表面、裏面、及び端面を有する活性領域と、
前記活性領域を挟むように配置され、前記表面及び前記裏面の少なくとも一方からの光を反射する第１の反射領域及び第２の反射領域と、
を含む構造の少なくとも一部が柱状に形成される柱状部と、
前記活性領域に流れる電流の経路を制限する第１の絶縁領域と、
前記活性領域又は前記第１の絶縁領域から前記第１の反射領域または前記第２の反射領域へ向かう方向に配置された第２の絶縁領域と、
を含み、
前記柱状部は表面と端部を有し、
前記第１の絶縁領域は第１の表面、第１の裏面、第１の内端部、及び第１の外端部を有し、
前記第２の絶縁領域は第２の表面、第２の裏面、第２の内端部、及び第２の外端部を有し、
前記第２の外端部は前記柱状部の端部に含まれ、
前記第２の外端部における前記第２の表面と前記第２の裏面の間隔は、前記第１の外端部における前記第１の表面と前記第１の裏面の間隔よりも大きいことを特徴とする光半導体。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか一項に記載の光半導体を有して構成されていることを特徴とする光伝送モジュール。
【請求項１４】
請求項１から１２のいずれか一項に記載の光半導体を含むことを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光半導体および光伝送モジュール、電子機器
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月30日(2008.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発電要素を覆う外装体と、前記外装体の一側面から突出する正極端子と、前記一側面と反対側に突出する負極端子と、を備え、前記正極端子と前記負極端子はそれぞれ平板形状を有し、かつ各端子の幅方向が外装体の厚さ方向に略平行となるように前記発電要素に取り付けられており、前記正極端子と前記負極端子はそれぞれ前記外装体の幅方向にずれて突出していることを特徴とする電池。
【請求項２】
前記請求項１に記載の電池を複数備え、各電池を幅方向にずらして厚さ方向に複数段となるように交互に積層し、一の電池の一方の端子と前記厚さ方向に隣り合う電池の端子、及び前記一の電池の他方の端子と前記厚さ方向に隣り合う電池と逆隣の電池の端子とを接続したことを特徴とする組電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明の電池においては、正極端子と負極端子が、互いに外装体の幅方向中心から等間隔に逆方向にずれて突出していることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
正極端子と負極端子を互いに幅方向中心から等間隔ずれて配置するとともに、逆方向に突出させることにより、隣接する電池を互いに略半分ずつ重ね合わせることで、それぞれの電池の正極端子と負極端子または正極端子同士及び負極端子同士を互いに重ね合わせることが可能になる。
これにより、複数の電池を略隙間のない状態で配列することが可能になり、複数の電池をより一層コンパクトに纏めることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明の組電池においては、前記一の電池の一方の端子と厚さ方向に隣り合う電池の端子、及び前記一の電池の他方の端子と前記厚さ方向に隣り合う電池と逆隣の電池の端子は、それぞれ厚さ方向に一直線上に配置されるように積層されていることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の組電池において、隣接する電池の端子同士を、それぞれ厚さ方向に一直線上に配置することにより、端子同士の重合わせ代を大きく確保でき、エネルギー密度や入出力エネルギー密度が低下することが抑えられる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月9日(2008.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、ワイヤ状の触媒と、該触媒の表面に存在する導電性膜と、からなることを特徴とする触媒層。
【請求項２】
前記導電性膜が、金、銀、銅、チタンまたは白金からなることを特徴とする請求項１に記載の触媒層。
【請求項３】
前記導電性膜の膜厚が５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の触媒層。
【請求項４】
２つの触媒層と、該２つの触媒層に挟まれて存在する高分子電解質膜と、からなる膜電極接合体であって、前記２つの触媒層が請求項１乃至３のいずれかに記載の触媒層であることを特徴とする膜電極接合体。
【請求項５】
請求項４に記載の膜電極接合体を有することを特徴とする燃料電池。
【請求項６】
基板上に、気相成長法もしくは液相成長法により導電性膜を形成する工程と、前記導電性膜の表面にワイヤ状の触媒を付与する工程と、を有することを特徴とする触媒層の製造方法。
【請求項７】
前記導電性膜の表面にワイヤ状の触媒を形成する工程が、前記導電性膜の表面に孔を有する鋳型を形成する段階と、前記孔にワイヤ状の触媒を付与する段階と、前記鋳型を除去する段階と、からなることを特徴とする請求項６に記載の触媒層の製造方法。
【請求項８】
前記鋳型が、アルミナナノホール、シリコンナノホール、またはシリカナノホールからなることを特徴とする請求項７に記載の触媒層の製造方法。
【請求項９】
基板上に、気相成長法もしくは液相成長法により導電性膜を形成する工程と、前記導電性膜の表面にワイヤ状の触媒を付与する工程と、前記ワイヤ状の触媒と固体高分子電解質膜とを接合する工程と、前記基板を除去する工程と、を有することを特徴とする膜電極接合体の製造方法。
【請求項１０】
前記導電性膜の表面にワイヤ状の触媒を付与する工程が、前記導電性膜の表面に孔を有する鋳型を形成する段階と、前記孔にワイヤ状の触媒を付与する段階と、前記鋳型を除去する段階と、からなることを特徴とする請求項９に記載の膜電極接合体の製造方法。
【請求項１１】
前記鋳型が、アルミナナノホール、シリコンナノホール、またはシリカナノホールからなることを特徴とする請求項１０に記載の膜電極接合体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】触媒層、膜電極接合体、それらの製造方法および燃料電池
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、触媒層、膜電極接合体、それらの製造方法および前記膜電極接合体を用いた燃料電池に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
すなわち、上記の課題を解決する触媒層は、少なくとも、ワイヤ状の触媒と、該触媒の表面に存在する導電性膜と、からなることを特徴とする。
前記導電性膜が、金、銀、銅、チタンまたは白金からなることが好ましい。
前記導電性膜の膜厚が５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。
また、上記の課題を解決する膜電極接合体は、２つの触媒層と、該２つの触媒層に挟まれて存在する高分子電解質膜と、からなる膜電極接合体であって、前記２つの触媒層が上記の触媒層であることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、上記の課題を解決する触媒層の製造方法は、基板上に、気相成長法もしくは液相成長法により導電性膜を形成する工程と、前記導電性膜の表面にワイヤ状の触媒を付与する工程と、を有することを特徴とする。
前記導電性膜の表面にワイヤ状の触媒を形成する工程が、前記導電性膜の表面に孔を有する鋳型を形成する段階と、前記孔にワイヤ状の触媒を付与する段階と、前記鋳型を除去する段階と、からなることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、上記の課題を解決する膜電極接合体の製造方法は、基板上に、気相成長法もしくは液相成長法により導電性膜を形成する工程と、前記導電性膜の表面にワイヤ状の触媒を付与する工程と、前記ワイヤ状の触媒と固体高分子電解質膜とを接合する工程と、前記基板を除去する工程と、を有することを特徴とする。
前記導電性膜の表面にワイヤ状の触媒を付与する工程が、前記導電性膜の表面に孔を有する鋳型を形成する段階と、前記孔にワイヤ状の触媒を付与する段階と、前記鋳型を除去する段階と、からなることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月26日(2008.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、アルミニウム合金膜を形成し、当該アルミニウム合金膜をエッチングして配線回路を形成する工程を備え、前記アルミニウム合金膜により形成される配線回路が透明電極層および／または半導体層と直接接合される部分を有する素子の製造方法において、
アルミニウム合金膜を形成後、
自然酸化被膜を備えた所定厚みのアルミニウム合金膜を、アルミニウム合金用エッチング液にて全厚みをエッチングした際に算出される厚さ方向のエッチング速度に対して、８０％以上のエッチング速度が確保できるように酸化被膜を、アルミニウム合金膜表面に形成するようにしたことを特徴とする素子の製造方法。
【請求項２】
前記アルミニウム合金用エッチング液は、容量比でリン酸：蓚酸：酢酸：水＝１６：１：２：１の組成であり、エッチング時の液温が３２℃である請求項１に記載の素子の製造方法。
【請求項３】
前記アルミニウム合金膜は、ニッケル及びボロンの元素を含有し、残部がアルミニウムである請求項１または請求項２に記載の素子の製造方法。
【請求項４】
前記酸化処理は、アニール処理または酸素ガスによるアッシング処理である請求項１〜請求項３いずれかに記載の素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月11日(2007.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子の光取出側に配設され、光透過性材料からなる基部材と、
前記基部材の光取出側に配設され、前記発光素子から発せられる光を受けて励起されることにより波長変換光を発する蛍光体層と、
前記基部材の素子側に配設され、前記発光素子からの光を透過し、かつ前記波長変換光を反射するダイクロイックミラーと、を備えたことを特徴とする蛍光体板。
【請求項２】
前記蛍光体層の光取出側面は凹凸面で形成されている請求項１に記載の蛍光体板。
【請求項３】
前記基部材の光取出側面は凹凸面で形成され、
前記蛍光体層の素子側面は、前記凹凸面に適合する凹凸面で形成されている請求項１に記載の蛍光体板。
【請求項４】
前記発光素子は発光ダイオード素子からなる請求項１から３のいずれか１項に記載の蛍光体板。
【請求項５】
前記蛍光体層は、その光出射面から白色光を出射するための蛍光体層である請求項１から４のいずれか１項に記載の蛍光体板。
【請求項６】
蛍光体層の厚さは均一な寸法に設定されている請求項１から５のいずれか１項に記載の蛍光体板。
【請求項７】
光取出側に開口するケースと、
前記ケースの光取出側に配設された請求項１から６のいずれか１項に記載の蛍光体板と、
前記蛍光体板の光反取出側に配設され、かつ前記ケース内に収容された発光素子とを備えたことを特徴とする発光装置。
【請求項８】
前記ケース内には、前記蛍光体板の素子側で前記発光素子を封止する光透過性部材からなる封止部材が充填されている請求項７に記載の発光装置。
【請求項９】
前記ケースの内面部には、前記発光素子から発せられる光を光取出側に反射するための傾斜面が設けられている請求項７又は８に記載の発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（１）本発明は、上記目的を達成するために、発光素子の光取出側に配設され、光透過性材料からなる基部材と、前記基部材の光取出側に配設され、前記発光素子から発せられる光を受けて励起されることにより波長変換光を発する蛍光体層と、前記基部材の素子側に配設され、前記発光素子からの光を透過し、かつ前記波長変換光を反射するダイクロイックミラーと、を備えたことを特徴とする蛍光体板を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
（２）本発明は、上記目的を達成するために、光取出側に開口するケースと、前記ケースの光取出側に配設された上記（１）に記載の蛍光体板と、前記蛍光体板の光反取出側に配設され、かつ前記ケース内に収容された発光素子とを備えたことを特徴とする発光装置を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月11日(2007.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光取出側に開口する内部空間を有するケースと、
前記ケースの光取出側に配設された蛍光体板と、
前記蛍光体板の光反取出側に配設され、かつ前記ケース内に収容された発光素子とを備えた発光装置において、
前記蛍光体板は、前記発光素子から発せられる光を受けて励起されることにより波長変換光を発する蛍光体を含有する波長変換用の板部材であって、
前記板部材の光取出側の面は凹凸面で形成され、発光素子側の面は平面で形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記発光素子は発光ダイオード素子からなる請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記蛍光体は、前記板部材の光出射面から白色光を出射するための蛍光体である請求項１又は２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記ケース内には、前記蛍光体板の発光素子側で前記発光素子を封止する光透過性部材からなる封止部材が充填されている請求項１から３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記ケースの内面部には、前記発光素子から発せられる光を光取出側に反射するための傾斜面が設けられている請求項１から４のいずれか１項に記載の発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、発光素子から発せられる光を受けて励起されることにより波長変換光を発する蛍光体板を備えた発光装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
従って、本発明の目的は、蛍光体含有の板部材内に入射したＬＥＤ素子からの光をその光出射面から出射し易くし、もって光取出効率を高めることができる蛍光体板を備えた発光装置を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、上記目的を達成するために、光取出側に開口する内部空間を有するケースと、前記ケースの光取出側に配設された蛍光体板と、前記蛍光体板の光反取出側に配設され、かつ前記ケース内に収容された発光素子とを備えた発光装置において、前記蛍光体板は、前記発光素子から発せられる光を受けて励起されることにより波長変換光を発する蛍光体を含有する波長変換用の板部材であって、前記板部材の光取出側の面は凹凸面で形成され、発光素子側の面は平面で形成されていることを特徴とする発光装置を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月31日(2008.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体処理手段と、
表示画面を備え画像を表示する表示手段と、
前記半導体処理手段に対する指示を入力するための指示入力画面及び／又は半導体処理手段による処理状況を表示する処理状況表示画面とを前記表示手段に表示させる表示制御手段と、
オペレータが保持する記憶装置に記憶された識別情報を非接触で読み取る識別情報読取手段と、
オペレータに与えられた権限を規定する権限規定情報を記憶する権限記憶手段と、を備え、
前記表示制御手段は、前記識別情報読取手段で読み取った識別情報で特定されるオペレータに与えられた権限を前記権限記憶手段に記憶された権限規定情報から判別する権限判別手段と、該権限判別手段で判別した権限の範囲内で、オペレータが前記半導体処理手段に対する指示を入力可能とし及び／又は前記半導体処理手段による処理状況を参照可能とする操作画面を生成して前記表示手段に表示させる表示制限手段と、
を備えることを特徴とする半導体処理装置。
【請求項２】
前記表示制御手段は、操作画面を隠蔽するスクリーンセーバを表示する手段と、前記権限判別手段が権限を有すると判別したときに、前記スクリーンセーバを解除する手段とを備える、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体処理装置。
【請求項３】
前記識別情報読取手段は、オペレータが所持する非接触ＩＣタグに記憶された識別情報を読み取るＩＣタグ読取装置から構成される、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体処理装置。
【請求項４】
前記半導体処理手段は、基体に処理を施す処理手段と、前記処理手段で処理された後の基体を検査する検査手段との少なくとも一方を備える、
ことを特徴とする請求項１、２又は３に記載の半導体処理装置。
【請求項５】
前記権限記憶手段は、
所定のグループ別に権限を記憶する手段と、
各オペレータに関して、どのグループに属すかを示す所属情報を記憶する所属情報記憶手段と、
を備える、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体処理装置。
【請求項６】
人事情報ファイルを参照して、該人事情報ファイル上の変更を検出し、検出した変更内容を示す変更情報を生成する変更検出手段と、
前記変更検出手段により生成された変更情報に基づいて、前記所属情報記憶手段に記憶されている所属情報を更新する手段と、
を更に備える、
ことを特徴とする請求項５に記載の半導体処理装置。
【請求項７】
半導体処理ステップと、
画像を表示する表示ステップと、
前記半導体処理ステップに対する指示を入力するための指示入力画面及び／又は前記半導体処理手段による処理状況を表示する処理状況表示画面を前記表示ステップで表示させる表示制御ステップと、
オペレータが保持する記憶装置に記憶された識別情報を非接触で読み取る識別情報読取ステップと、
オペレータに与えられた権限を規定する権限規定情報を記憶する権限記憶ステップと、
前記識別情報読取ステップで読み取った識別情報によって特定されるオペレータに与えられた権限を前記権限記憶ステップで記憶された権限規定情報から判別する権限判別ステップと、
該権限判別ステップで判別した権限の範囲内で、オペレータが前記半導体処理ステップで指示を入力可能とし及び／又は前記半導体処理ステップの処理状況を参照可能とする操作画面を生成して前記表示ステップで表示させる表示制限ステップと、
を備えることを特徴とする、処理状況を表示させる方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体処理装置、および処理状況を表示させる方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点に係る半導体処理装置は、
半導体処理手段と、
表示画面を備え画像を表示する表示手段と、
前記半導体処理手段に対する指示を入力するための指示入力画面及び／又は半導体処理手段による処理状況を表示する処理状況表示画面とを前記表示手段に表示させる表示制御手段と、
オペレータが保持する記憶装置に記憶された識別情報を非接触で読み取る識別情報読取手段と、
オペレータに与えられた権限を規定する権限規定情報を記憶する権限記憶手段と、を備え、
前記表示制御手段は、前記識別情報読取手段で読み取った識別情報で特定されるオペレータに与えられた権限を前記権限記憶手段に記憶された権限規定情報から判別する権限判別手段と、該権限判別手段で判別した権限の範囲内で、オペレータが前記半導体処理手段に対する指示を入力可能とし及び／又は前記半導体処理手段による処理状況を参照可能とする操作画面を生成して前記表示手段に表示させる表示制限手段と、
を備えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
人事情報ファイルを参照して、該人事情報ファイル上の変更を検出し、検出した変更内容を示す変更情報を生成する変更検出手段と、前記変更検出手段により生成された変更情報に基づいて、前記所属情報記憶手段に記憶されている所属情報を更新する手段と、
を更に配置してもよい。
上記目的を達成するため、本発明の第２の観点に係る処理状況を表示させる方法は、
半導体処理ステップと、
画像を表示する表示ステップと、
前記半導体処理ステップに対する指示を入力するための指示入力画面及び／又は前記半導体処理手段による処理状況を表示する処理状況表示画面を前記表示ステップで表示させる表示制御ステップと、
オペレータが保持する記憶装置に記憶された識別情報を非接触で読み取る識別情報読取ステップと、
オペレータに与えられた権限を規定する権限規定情報を記憶する権限記憶ステップと、
前記識別情報読取ステップで読み取った識別情報によって特定されるオペレータに与えられた権限を前記権限記憶ステップで記憶された権限規定情報から判別する権限判別ステップと、
該権限判別ステップで判別した権限の範囲内で、オペレータが前記半導体処理ステップで指示を入力可能とし及び／又は前記半導体処理ステップの処理状況を参照可能とする操作画面を生成して前記表示ステップで表示させる表示制限ステップと、
を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月10日(2008.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体に収納または引き出し自在に設けられ光ディスクを載置するトレイと、
前記筐体と前記トレイとを移動自在に保持するレールと、
前記筐体に設けられ前記レールを外側から保持するレールガイドと、
前記トレイに設けられ前記レールを内側から保持するレール保持部と、を備え、
前記レールは前記レールガイドと対向する面に凸部を有し、
前記凸部が接触する前記レールガイドの底面と前記凸部との距離は、前記トレイを前記筐体から引き出す量に応じて変化することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項２】
前記凸部が接触する前記レールガイドの底面と前記凸部との距離は、前記トレイが前記筐体から最大に引き出された状態で最も短くなることを特徴とする請求項１記載の光ディスク装置。
【請求項３】
前記筐体は前記レールの移動を静止させる静止部を有し、
前記凸部は、前記静止部より前記トレイの収納方向側に位置することを特徴とする請求項１記載の光ディスク装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
請求項１記載の発明は、筐体に収納または引き出し自在に設けられ光ディスクを載置するトレイと、筐体とトレイとを移動自在に保持するレールと、筐体に設けられレールを外側から保持するレールガイドと、トレイに設けられレールを内側から保持するレール保持部と、を備え、レールがレールガイドと対向する面に凸部を有し、凸部が接触するレールガイドの底面と凸部との距離は、トレイを筐体から引き出す量に応じて変化することを特徴とするものである。これにより、トレイを筐体から引き出す際に、レール移動方向の鉛直方向におけるレールガイド内のレールの変位を最小限に抑えることが可能となり、レールに設けられた突起がレール保持部に設けられた突起を乗り越えて、トレイが一定の位置で静止できなくなることを防ぎ、トレイが筐体から脱落することを防止することができる。そのため、トレイを筐体から引き出す際に、トレイの引き出し条件に起因して発生する、筐体からのトレイの脱落を回避することが可能な光ディスク装置を実現することができる。また、筐体からトレイを収納または引き出しする際の操作感覚を維持することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
請求項２記載の発明は、凸部が接触するレールガイドの底面と凸部との距離を、トレイが筐体から最大に引き出された状態で最も短くすることを特徴とするものである。これにより、筐体からトレイを収納または引き出しする際の操作感覚を維持することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
請求項３記載の発明は、筐体がレールの移動を静止させる静止部を有し、凸部が、静止部よりトレイの収納方向側に位置することを特徴とするものである。これにより、トレイを筐体から引き出す際に、レール移動方向の鉛直方向におけるレールガイド内のレールの変位を効率良く最小限に抑えることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月14日(2008.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力された動画像データを、フレーム内符号化とフレーム間予測符号化とを用いて符号化単位毎に符号化する符号化手段と、
所望の記録レートを設定する設定手段と、
前記設定手段により設定された記録レートに従って、前記動画像データにおける前記符号化単位の最大符号量を設定する最大符号量設定手段と、
前記符号化単位の符号量が前記最大符号量を超えないように前記動画像データを符号化するよう前記符号化手段を制御する符号量制御手段と、
前記符号化手段により符号化された動画像データと前記最大符号量を示す付加情報とを記録媒体に記録する記録手段と
を備える
ことを特徴とする記録装置。
【請求項２】
前記記録手段は、ｎ番目の前記符号化単位の先頭の記録位置から前記最大符号量分ずれた位置から、次の符号化単位の動画像データを記録する
ことを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項３】
前記記録手段は、前記動画像データをファイルとして記録し、前記最大符号量を示す付加情報を前記ファイルのヘッダ情報の中に記録する
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の記録装置。
【請求項４】
前記記録手段は、各符号化単位の動画像データの符号量を示す情報を前記記録媒体に記録する
ことを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載の記録装置。
【請求項５】
前記符号化手段は、前記動画像データにおける所定数のフレームを前記符号化単位として前記動画像データを符号化する
ことを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載の記録装置。
【請求項６】
前記符号化手段は、前記符号化単位に含まれる１フレームをフレーム内符号化により符号化する
ことを特徴とする請求項５に記載の記録装置。
【請求項７】
前記符号化手段はＭＰＥＧ方式に従って前記動画像データを符号化し、前記符号化単位はＧＯＰである
ことを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載の記録装置。
【請求項８】
前記記録媒体に記録された動画像データと付加情報とを再生する再生手段と、
前記再生手段により再生された付加情報に示された最大符号量に基づいて前記動画像データを早送り再生するように前記再生手段を制御する再生制御手段と
をさらに備えた
ことを特徴とする請求項１乃至請求項７の何れか１項に記載の記録装置。
【請求項９】
入力された動画像データを、フレーム内符号化とフレーム間予測符号化とを用いて符号化単位毎に符号化する符号化工程と、
所望の記録レートを設定する設定工程と、
前記設定工程により設定された記録レートに従って、前記動画像データにおける前記符号化単位の最大符号量を設定する最大符号量設定工程と、
前記符号化単位の符号量が前記最大符号量を超えないように前記動画像データを符号化するよう前記符号化工程を制御する符号量制御工程と、
前記符号化工程により符号化された動画像データと前記最大符号量を示す付加情報とを記録媒体に記録する記録工程と
を備える
ことを特徴とする記録方法。
【請求項１０】
前記記録媒体に記録された動画像データと付加情報とを再生する再生工程と、
前記再生工程により再生された付加情報に示された最大符号量に基づいて前記動画像データを早送り再生するように前記再生工程を制御する再生制御工程と
をさらに備えた
ことを特徴とする請求項９に記載の記録方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記録装置および記録方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は記録装置および記録方法に関し、特にフレーム間符号化を用いたＭＰＥＧフォーマットの動画像データを記録及び、または再生する記録装置および記録方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の１実施形態においては、入力された動画像データを、フレーム内符号化とフレーム間予測符号化とを用いて符号化単位毎に符号化する符号化手段と、所望の記録レートを設定する設定手段と、設定手段により設定された記録レートに従って、動画像データにおける符号化単位の最大符号量を設定する最大符号量設定手段と、符号化単位の符号量が最大符号量を超えないように動画像データを符号化するよう符号化手段を制御する符号量制御手段と、符号化手段により符号化された動画像データと最大符号量を示す付加情報とを記録媒体に記録する記録手段とを備える記録装置を提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の他の実施形態においては、前記の本発明の実施形態において、記録媒体に記録された動画像データと付加情報とを再生する再生手段と、再生手段により再生された付加情報に示された最大符号化量に基づいて動画像データを早送り再生するように再生手段を制御する再生制御手段とをさらに備えた記録装置を提供する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明のさらに他の実施形態においては、入力された動画像データを、フレーム内符号化とフレーム間予測符号化とを用いて符号化単位毎に符号化する符号化工程と、所望の記録レートを設定する設定工程と、設定工程により設定された記録レートに従って、動画像データにおける符号化単位の最大符号量を設定する最大符号量設定工程と、符号化単位の符号量が最大符号量を超えないように動画像データを符号化するよう符号化工程を制御する符号量制御工程と、符号化工程により符号化された動画像データと最大符号量を示す付加情報とを記録媒体に記録する記録工程とを備える記録方法を提供する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明のさらに他の実施形態においては、前記の実施形態において、記録媒体に記録された動画像データと付加情報とを再生する再生工程と、再生工程により再生された付加情報に示された最大符号量に基づいて動画像データを早送り再生するように再生工程を制御する再生制御工程とをさらに備えた記録方法を提供する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】