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【手続補正書】
【提出日】平成20年5月26日(2008.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板保持台と、前記基板保持台に載置された基板表面に磁界を与えるため前記基板保持台の周囲に配置された磁石と、基板保持台回転機構と、磁石回転機構と、からなる、基板上に薄膜成長を行う基板処理装置であって、
前記磁石回転機構および前記基板保持台回転機構は、互いに独立に回転するように配置され、前記基板保持台回転機構は、前記磁石回転機構と独立に制御されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】  基板保持台の周囲に配置した磁石により、該基板保持台に載置された基板に対しその表面内の所定方向に磁界を印加しつつ、該基板保持台を回転しながら基板上に薄膜成長を行う基板処理装置において、
前記磁石の回転機構と前記基板保持台の回転機構とを独立して設け、
さらに、前記磁界の方向を検出する手段と、前記基板の所定方向を検出する手段と、該２つの検出手段の出力により前記基板の所定方向と前記磁界の方向とを所定角度以内に一致させて回転させる機構を設けたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】  前記磁界の方向及び前記基板の所定方向を、前記磁石の回転機構及び前記基板保持台の回転機構に設けられたエンコーダにより検出し、前記磁石及び前記基板保持台の回転部を互いに接触させることにより、前記基板の所定方向と前記磁界の方向とを所定角度以内に一致させることを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】  前記磁石の回転により発生する誘導磁界によって前記基板保持台を回転させる構成としたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】  前記基板保持台の外周側面部に、基板表面と垂直なコイルを少なくとも一つ配設したことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】  磁界を形成するため基板保持台の周囲の磁石を連続的に回転し、
前記基板保持台が静止し、磁石が回転している間に前記基板保持台に基板を載置し、
前記磁石と同じ回転率に前記基板保持台を回転し、
前記基板保持台と磁石の方向とを位置合わせし、
前記基板保持台と前記磁石とを一体で回転させるため、前記基板保持台と磁石とを互いに接触し、
前記基板保持台と前記基板とが一体で回転している間に、前記基板上に薄膜を形成し、
前記基板保持台と前記磁石とを互いに分離し、
前記磁石が回転し続けている間に基板保持台の回転を停止し、
前記基板保持台から前記基板を取り除く、
ことを特徴とする基板処理方法。
【請求項７】  基板保持台の周囲に配置した磁石により、基板保持台に載置した基板に対しその表面内の所定方向に磁界を印加しつつ、前記磁石及び前記基板保持台の回転機構により前記磁石及び前記基板保持台を回転させながら複数の基板に連続して薄膜成長を行う基板処理方法であって、
前記磁石は常に回転状態を維持し続け、基板の交換時は前記基板保持台だけ回転を停止して基板の交換を行い、再び前記基板保持台を回転させて前記磁界の方向と前記基板の所定方向が所定の角度以内になった時点で、前記磁石及び前記基板保持台の回転部を互いに接触させて前記磁石及び基板保持台を一体に回転させ、その後に薄膜の成長を行うことを特徴とする基板処理方法。
【請求項８】  前記磁石の回転により発生する誘導磁界によって、前記基板保持台を回転させることを特徴とする請求項６または７に記載の基板処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の基板処理装置は、基板保持台と、前記基板保持台に載置された基板表面に磁界を与えるため前記基板保持台の周囲に配置された磁石と、基板保持台回転機構と、磁石回転機構と、からなる、基板上に薄膜成長を行う基板処理装置であって、
前記磁石回転機構および前記基板保持台回転機構は、互いに独立に回転するように配置され、前記基板保持台回転機構は、前記磁石回転機構と独立に制御されることを特徴とする。
また、本発明の基板処理装置は、基板保持台の周囲に配置した磁石により、該基板保持台に載置された基板に対しその表面内の所定方向に磁界を印加しつつ、該基板保持台を回転しながら基板上に薄膜成長を行う基板処理装置において、前記磁石の回転機構と前記基板保持台の回転機構とを独立して設け、さらに、前記磁界の方向を検出する手段と、前記基板の所定方向を検出する手段と、該２つの検出手段の出力により前記基板の所定方向と前記磁界の方向とを所定の角度以内に一致させ回転させる機構を設けたことを特徴とする。
より具体的には、前記磁界の方向を検出する手段及び前記基板の所定方向を検出する手段として、前記磁石の回転機構及び前記基板保持台の回転機構に設けられたエンコーダを用い、前記基板の所定方向と前記磁界の方向とを所定の角度以内に一致させて回転させる機構としては、前記磁石及び前記基板保持台の回転部を近づけて互いに接触させる機構や該回転部に取り付けられた少なくとも一対の突出部材を回転方向に接触させる機構等が例示される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明の基板処理方法は、磁界を形成するため基板保持台の周囲の磁石を連続的に回転し、
前記基板保持台が静止し、磁石が回転している間に前記基板保持台に基板を載置し、
前記磁石と同じ回転率に前記基板保持台を回転し、
前記基板保持台と磁石の方向とを位置合わせし、
前記基板保持台と前記磁石とを一体で回転させるため、前記基板保持台と磁石とを互いに接触し、
前記基板保持台と前記基板とが一体で回転している間に、前記基板上に薄膜を形成し、
前記基板保持台と前記磁石とを互いに分離し、
前記磁石が回転し続けている間に基板保持台の回転を停止し、
前記基板保持台から前記基板を取り除く、
ことを特徴とする。
また、本発明の基板処理方法は、基板保持台の周囲に配置した磁石により、基板保持台に載置した基板に対しその表面内の所定方向に磁界を印加しつつ、前記磁石及び前記基板保持台の回転機構により前記磁石及び前記基板保持台を回転させながら複数の基板に連続して薄膜成長を行う基板処理方法であって、前記磁石は常に回転状態を維持し続け、基板の交換時は前記基板保持台だけ回転を停止して基板の交換を行い、再び前記基板保持台を回転させて前記磁界の方向と前記基板の所定方向が所定の角度以内になった時点で、前記磁石及び前記基板保持台の回転部を互いに接触させて前記磁石及び基板保持台を一体に回転させ、その後に薄膜の成長を行うことを特徴とする。
また、前記磁石の回転により発生する誘導磁界によって、前記基板保持台を回転させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月6日(2008.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板の表面から１層以上の皮膜を選択的に除去する方法であって、（ａ）アルミナイド材料を含む拡散皮膜と（ｂ）ＭＣｒＡｌ（Ｘ）（式中、ＭはＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅ及びこれらの組合せよりなる群から選択される元素であり、ＸはＹ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｂ、Ｃ及びこれらの組合せよりなる群から選択される元素である）を含むオーバーレイ皮膜の少なくともいずれかを含む皮膜を、式ＨｘＡＦ６（式中、ＡはＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ及びＧａよりなる群から選択され、ｘは１〜６である）で表わされる酸及びこの酸の前駆物質の１種以上を含有する水性組成物に皮膜を接触させる工程を含む、方法。
【請求項２】  ｘが１〜３である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記酸が０．０５Ｍ〜５Ｍの濃度で存在する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】  酸が０．２Ｍ〜３．５Ｍの濃度で存在する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】  前記前駆物質が前記酸の塩である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】  前記水性組成物が化合物Ｈ２ＳｉＦ６又はＨ２ＺｒＦ６を含有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】  前記Ｈ２ＳｉＦ６化合物が、この化合物の対応する塩の解離により、又はケイ素含有化合物とフッ素含有化合物との反応により、水性組成物中にその場で形成される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】  ケイ素含有化合物がＳｉＯ２であり、フッ素含有化合物がＨＦである、請求項７に記載の方法。
【請求項９】  水性組成物がさらに追加の酸又はその前駆物質を１種以上含有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】  追加の酸が純水中でｐＨ７以下である、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】  追加の酸が純水中でｐＨ３．５以下である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】  追加の酸が無機酸である、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】  追加の酸がリン酸、硝酸、硫酸、塩酸、フッ化水素酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、酢酸、過塩素酸、亜リン酸、ホスフィン酸、アルキルスルホン酸及びこれらのいずれかの混合物よりなる群から選択される、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】  追加の酸が組成物中に０．１Ｍ〜２０Ｍの濃度で存在する、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】  追加の酸がリン酸である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】  リン酸が０．５Ｍ〜５Ｍの濃度で存在する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】  基板を前記水性組成物の浴に浸漬する、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】  室温〜１００℃の温度に保持した浴に基板を浸漬する、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】  浴を４５℃〜９０℃の温度に保持する、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】  浸漬時間が１０分〜７２時間である、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】  浸漬時間が６０分〜２０時間である、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】  浴がさらに反応抑制剤、分散剤、界面活性剤、キレート化剤、湿潤剤、解膠剤、安定剤、沈降防止剤及び消泡剤よりなる群から選択される１種以上の添加剤を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２３】  前記アルミナイド材料がアルミナイド、貴金属アルミナイド、ニッケルアルミナイド、貴金属ニッケルアルミナイド及びこれらの混合物よりなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項２４】  前記基板が金属材料又はポリマー材料である、請求項１に記載の方法。
【請求項２５】  前記ポリマー材料がポリオレフィン類、ポリテトラフルオロエチレン類、エポキシ樹脂、ポリスチレン類、ポリフェニレンエーテル類、これらのいずれかを含む混合物及びこれらのいずれかを含むコポリマーよりなる群から選択される、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】  前記金属材料が鉄、コバルト、ニッケル、アルミニウム、クロム、チタン及びこれらのいずれかを含む混合物よりなる群から選択される１種以上の元素を含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】  前記金属材料が超合金を含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】  前記超合金がニッケル基又はコバルト基である、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】  前記超合金がタービンエンジンの部品である、請求項２７に記載の方法。
【請求項３０】  前記部品がエーロフォイルである、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】  金属基板の表面から１層以上の皮膜材料を選択的に除去する方法であって、アルミナイド材料及びＭＣｒＡｌＹ（式中、ＭはＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅ及びこれらの組合せよりなる群から選択される元素である）から選択される材料を含む皮膜を、式ＨｘＡＦ６（式中、ＡはＳｉ、Ｔｉ及びＺｒよりなる群から選択され、ｘは１〜３である）で表わされる酸及びこの酸の前駆物質の１種以上を含有する水性組成物に皮膜を接触させる工程を含む、方法。
【請求項３２】  前記酸が０．０５Ｍ〜５Ｍの濃度で存在する、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】  前記水性組成物がさらに、リン酸、硝酸、硫酸、塩酸、フッ化水素酸及びこれらの混合物よりなる群から選択される追加の酸又はその前駆物質を１種以上含有する、請求項３１に記載の方法。
【請求項３４】  前記追加の酸が組成物中に０．１Ｍ〜２０Ｍの濃度で存在する、請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】  前記皮膜が拡散アルミナイド化されたＭＣｒＡｌＹ層を含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３６】  前記金属基板がニッケル基又はコバルト基超合金を含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３７】  金属基板がタービンエンジン・エーロフォイルである、請求項３６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月30日(2008.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ＳｉＣ粉末の昇華再結晶法により、基板上にα−ＳｉＣ結晶を成長させる方法において、ＣＶＤ法により作製したβ−ＳｉＣ結晶を基板として、この基板とＳｉＣ粉末原料とが内部に近接して配置された坩堝を１ユニットとし、このユニットの複数を上下に多段積層して当該積層ユニット高さより高い寸法の輻射チューブ内に配置し、当該輻射チューブを誘導加熱コイルにより加熱してチューブ内の積層ユニットを均一に加熱処理することにより複数枚の基板上にα−ＳｉＣ相を製品厚み近傍まで成長させた後、前記基板の一部または全てを除去することによりα−ＳｉＣのウェハを製造することを特徴とするα−ＳｉＣウェハの製造方法。
【請求項２】  ＳｉＣ粉末の昇華再結晶法により、基板上にα−ＳｉＣ結晶を成長させる方法において、ＣＶＤ法により作製したβ−ＳｉＣ結晶を基板として、この基板とＳｉＣ粉末原料とが内部に近接して配置された坩堝を１ユニットとし、このユニットの複数を多段積層して外装坩堝内に配置し、当該外装坩堝の全周を断熱材で囲繞し、前記多段積層された複数ユニットを囲繞する前記外装坩堝を誘導加熱コイルにより加熱し、外装坩堝内の積層ユニットを均一に加熱処理することにより複数枚の基板上にα−ＳｉＣ相を製品厚み近傍まで成長させた後、前記基板の一部または全てを除去することによりα−ＳｉＣのウェハを製造することを特徴とするα−ＳｉＣウェハの製造方法。
【請求項３】  ＳｉＣ粉末の昇華再結晶法により、基板上にα−ＳｉＣ結晶を成長させる方法において、ＣＶＤ法により作製したβ−ＳｉＣ結晶を基板として、この基板とＳｉＣ粉末原料とが内部に近接して配置された坩堝を１ユニットとし、多段積層された複数ユニットの上下周辺部に磁気シールドリングを挿入し、誘導加熱コイルによる磁束が複数ユニットの上下周辺部に集中しないようにして積層ユニットを均一に加熱処理することにより複数枚の基板上にα−ＳｉＣ相を製品厚み近傍まで成長させた後、前記基板の一部または全てを除去することによりα−ＳｉＣのウェハを製造することを特徴とするα−ＳｉＣウェハの製造方法。
【請求項４】  請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のα−ＳｉＣウェハの製造方法において、
前記基板上にウェハ最終厚みより若干厚くα−ＳｉＣ相を成長させた後、前記基板の一部または全てを除去して成長させたバルク層を切断することなくα−ＳｉＣ相のウェハを製造することを特徴とするα−ＳｉＣウェハの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月2日(2008.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  約７ｐｃｆ未満の密度を有するエネルギー吸収フォームの製造方法であって、
（ａ）ポリマージフェニルメタンジイソシアネート、ポリマージフェニルメタンジイソシアネートとジフェニルメタンジイソシアネートとの混合物およびポリマージフェニルメタンジイソシアネートとアロファネート変性ジフェニルメタンジイソシアネートおよび／またはウレタン変性ジフェニルメタンジイソシアネートとの混合物からなる群から選ばれる成分を含むポリイソシアネート成分と、
（ｂ）
（１）３００未満の分子量を有するジオール約１２〜約４５質量部、
（２）２を超える官能価および約９２〜約１０００の範囲の分子量を有する架橋剤成分（ポリオール成分中、架橋剤のＯＨ当量につきジオールのＯＨ当量が約１〜約１０である。）、
（３）約１．５〜約４の官能価および約２０００〜約１２,０００の分子量を有するポリエーテル成分約４０〜約７５質量部、
（４）連続気泡化用界面活性剤約０．１〜約３．０質量部、
（５）ポリオール成分１００質量部（ポリオール成分中、成分（１）、（２）、（３）および（４）の量の総計が１００質量部である。）を基準に約１〜約３質量部の水、
（６）第３級アミン触媒約０．２〜約３．０質量部
を含むポリオール成分とを
反応させる工程を含む方法。
【請求項２】  エネルギー吸収フォームであって、
（ａ）ポリマージフェニルメタンジイソシアネート、ポリマージフェニルメタンジイソシアネートとジフェニルメタンジイソシアネートとの混合物およびポリマージフェニルメタンジイソシアネートとアロファネート変性ジフェニルメタンジイソシアネートおよび／またはウレタン変性ジフェニルメタンジイソシアネートとの混合物からなる群から選ばれる成分を含むポリイソシアネート成分と、
（ｂ）
（１）３００未満の分子量を有するジオール約１２〜約４５質量部、
（２）２を超える官能価および約９２〜約１０００の範囲の分子量を有する架橋剤成分（ポリオール成分中、架橋剤のＯＨ当量につきジオールのＯＨ当量が約１〜約１０である。）、
（３）約１．５〜約３．５の官能価および約２０００〜約１２,０００の分子量を有するポリエーテル成分約４０〜約７５質量部、
（４）連続気泡化用界面活性剤約０．１〜約３．０質量部、
（５）ポリオール成分１００質量部（ポリオール成分中、成分（１）、（２）、（３）および（４）の量の総計が１００質量部である。）を基準に約１〜約３質量部の水、
（６）第３級アミン触媒約０．２〜約３．０質量部
を含むポリオール成分との
反応生成物を含むフォーム。
【請求項３】  請求項２に記載のエネルギー吸収フォームを含む自動車用バンパー。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月19日(2008.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(Ａ)少なくとも１つのエチレン不飽和を含む１以上のフッ素化モノマーから由来するモノマー単位；及び
(Ｂ)当量380〜1,300g/eqを生じるような量で、スルホニル基-SO2Fを含むフッ素化モノマー単位
からなる、
当量380〜1,300g/eqを有し、架橋に-SO2F基を伴わない架橋スルホンフッ素化イオノマー。
【請求項２】
(Ａ)型のフッ素化モノマーが、
− フッ化ビニリデン(VDF);
− C2-C8ペルフルオロオレフィン；
− C2-C8のクロロ-及び/又はブロモ-及び/又はヨード-フルオロオレフィン；
− CF2=CFORf (ペル)フルオロアルキルビニルエーテル(PAVE)[Rfは、C1-C6の(ペル)フルオロアルキル]；及び
− CF2=CFOXのペルフルオロ-オキシアルキルビニルエーテル[Ｘは１以上のエーテル基を有するC1-C12ペルフルオロ-オキシアルキル]
から選択される請求項１によるフッ素化イオノマー。
【請求項３】
(Ｂ)型のフッ素化モノマーが、
− F2C=CF-O-CF2-CF2-SO2F；
− F2C=CF-O-[CF2-CXF-O]n-CF2-CF2-SO2F [Ｘ=Cl、Ｆ又はCF3；ｎ=１〜10]
− F2C=CF-O-CF2-CF2-CF2-SO2F 及び
− F2C=CF-Ar-SO2F [Arはアリール環である]
の１以上から選択される請求項１又は２によるフッ素化イオノマー。
【請求項４】
次式のビス-オレフィン
R1R2C=CH-(CF2)m-CH=CR5R6          (Ｉ)
[式中、m=２〜10、R1、R2、R5、R6は、互いに同じか又は異なって、Ｈもしくはアルキル基C1-C5]に由来するモノマー単位を、0.01〜0.4モル％更に含む請求項１〜３のいずれか１項によるフッ素化イオノマー。
【請求項５】
架橋前のイオノマーが、鎖及び/又は末端部位に、ヨウ素及び/又は臭素原子を含む請求項１〜４のいずれか１項によるフッ素化イオノマー。
【請求項６】
架橋前のイオノマーが、
− TFEに由来するモノマー単位；
− F2C=CF-O-CF2-CF2-SO2Fに由来するモノマー単位；
− 式(Ｉ)のビス-オレフィンに由来するモノマー単位；
− 末端部位のヨウ素原子
からなる請求項５によるフッ素化イオノマー。
【請求項７】
架橋がラジカル経路によるもので、ポリマーに対して0.1〜５重量％の範囲の量で過酸化物の存在下で100〜200℃の範囲の温度で生じる請求項１〜６のいずれか１項によるフッ素化イオノマー。
【請求項８】
架橋前に、以下の化合物：
(ａ)ポリマーに対して0.5〜10重量％の範囲の量の架橋助剤；
(ｂ)二価の金属の酸化物又は水酸化物から選択される、ポリマーに対して１〜15重量％の範囲の量の金属化合物；
(ｃ)粘稠剤、顔料、抗酸化剤、安定剤から選択される添加剤；
(ｄ)無機又はポリマーの補強充填剤
が加えられる請求項１〜７のいずれか１項によるフッ素化イオノマー。
【請求項９】
架橋前に、イオノマーを、フッ素化イオノマーと同時に硬化しうるフルオロエラストマーと混合する請求項１〜８のいずれか１項によるフッ素化イオノマー。
【請求項１０】
フルオロエラストマーが、ヨウ素及び/又は臭素原子を含む請求項９によるフッ素化イオノマー。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項によるフッ素化イオノマーから得られる膜。
【請求項１２】
自立しているか、又は支持体に支持されている請求項１１による膜。
【請求項１３】
架橋膜が、活性化処理に付され、スルホニル基-SO2Fをスルホン基-SO3Hに変換する請求項１１又は１２による膜。
【請求項１４】
燃料電池に適用するための請求項１３による膜。
【請求項１５】
架橋助剤(ａ)が、ポリマーに対して１〜７重量％の範囲の量であり、トリアリル-シアヌレート；トリアリル-イソシアヌレート(TAIC)；トリス(ジアリルアミン)-s-トリアジン；トリアリルホスファイト；N,N-ジアリル-アクリルアミド；N,N,N',N'-テトラアリル-マロンアミド；トリビニル-イソシアヌレート；2,4,6-トリビニル-メチルトリシロキサン；N,N'ビスアリルビシクロ-オクト-7-エン-ジスクシンイミド(BOSA)；式(Ｉ)のビスオレフィン、トリアジンからなる群より選択される請求項８によるフッ素化イオノマー。
【請求項１６】
金属化合物(ｂ)が２〜10重量％の範囲の量である請求項８によるフッ素化イオノマー。
【請求項１７】
金属化合物(ｂ)が弱酸塩と組合わされている請求項８によるフッ素化イオノマー。
【請求項１８】
ポリマー補強充填剤(ｄ)がフィブリル性のPTFEである請求項８によるフッ素化イオノマー。
【請求項１９】
ポリマー補強充填剤(ｄ)が10〜100nmの大きさである請求項８によるフッ素化イオノマー。
【請求項２０】
フルオロエラストマーがペルフルオロエラストマーである請求項９によるフッ素化イオノマー。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月2日(2008.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】再生装置、再生方法、および再生プログラム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のプログラムと上記プログラム毎の再生頻度回数とを記録する記録媒体を再生する再生装置において、
乱数を発生する乱数発生手段と、
上記再生頻度回数に基づいてプログラム毎の番号を割り当て、上記乱数発生手段が発生した乱数に対応するプログラムを、再生手段に再生させる再生制御手段と
を備える再生装置。
【請求項２】
上記記録媒体は、上記複数のプログラムをグループとして管理するグループ情報と、上記グループの再生頻度回数とを記録し、
上記再生装置は更に、
第１の再生モードと第２の再生モードとを選択する操作手段と
を備え、
上記再生制御手段は、上記第１の再生モードが選択されたときに、上記グループ毎の再生頻度回数に基づいてグループ毎の番号を割り当て、上記乱数発生手段が発生した乱数に対応するグループに属するプログラムを、上記第２のランダム再生モードが選択されたときに、プログラム毎の再生頻度回数に基づいて所定グループに属するプログラム毎の番号を割り当て、上記乱数発生手段が発生した乱数に対応するプログラムを上記再生手段に再生させる請求項１記載の再生装置。
【請求項３】
上記第１のランダム再生モードが選択されたときには、上記乱数発生手段は更に乱数を発生し、
上記再生制御手段は、上記発生した乱数に対応するグループに属するプログラム毎の再生頻度回数に基づいてプログラム毎の番号を割り当て、上記乱数発生手段が更に発生した乱数に対応するプログラムを再生手段に再生させる請求項２記載の再生装置。
【請求項４】
上記再生制御手段は、再生頻度回数が所定値以上のグループを抽出し、上記抽出したグループ毎の番号を割り当て、上記抽出されたグループのうち上記乱数に対応するグループに属するプログラムを、上記再生手段に再生させる請求項２記載の再生装置。
【請求項５】
上記再生制御手段は、再生頻度回数が所定値以上のプログラムを抽出し、上記抽出したプログラム毎の番号を割り当て、上記抽出されたプログラムのうち上記乱数に対応するプログラムを、上記再生手段に再生させる請求項２記載の再生装置。
【請求項６】
複数のプログラムと上記プログラム毎の再生頻度回数とを記録する記録媒体を再生する再生方法において、
乱数を発生するステップと、
上記再生頻度回数に基づいてプログラム毎の番号を割り当て、上記乱数発生のステップが発生した乱数に対応するプログラムを再生するステップと
を備える再生方法。
【請求項７】
乱数を発生するステップと、
複数のプログラムと上記プログラム毎の再生頻度回数とを記録する記録媒体の上記再生頻度回数に基づいてプログラム毎の番号を割り当て、上記乱数発生のステップが発生した乱数に対応するプログラムを再生するステップと
をコンピュータに実行させる再生プログラム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、再生装置、再生方法、および再生プログラムに関し、特に、プログラムをランダムな順番で再生する再生装置、再生方法、および再生プログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
したがって、この発明の目的は、再生頻度に応じたシャッフル再生が行える再生装置、再生方法、および再生プログラムを提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この発明は、上述した課題を解決するために、第１の発明は、
複数のプログラムとプログラム毎の再生頻度回数とを記録する記録媒体を再生する再生装置において、
乱数を発生する乱数発生手段と、
再生頻度回数に基づいてプログラム毎の番号を割り当て、乱数発生手段が発生した乱数に対応するプログラムを、再生手段に再生させる再生制御手段と
を備える再生装置である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
第２の発明は、
複数のプログラムとプログラム毎の再生頻度回数とを記録する記録媒体を再生する再生方法において、
乱数を発生するステップと、
再生頻度回数に基づいてプログラム毎の番号を割り当て、乱数発生のステップが発生した乱数に対応するプログラムを再生するステップと
を備える再生方法である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
第３の発明は、
乱数を発生するステップと、
複数のプログラムとプログラム毎の再生頻度回数とを記録する記録媒体の再生頻度回数に基づいてプログラム毎の番号を割り当て、乱数発生のステップが発生した乱数に対応するプログラムを再生するステップと
をコンピュータに実行させる再生プログラムである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月10日(2008.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
なお、この弾性部材１８５の素材としては、マイクロセルポリマーシートであって、ＰＯＲＯＮ（イノアックコーポレーションの商品名）が最適であり、この素材は、低反発性（低圧縮応力にて曲面や凹凸面への追従性に優れていること）、薄さ＋柔らかさ＋剛性感（薄く、柔らかな素材ながら、適度な剛性感を有し、加工性、作業性に優れていること）、高衝撃吸収性（衝撃や振動に対する吸収性に優れ、防振性も有していること）、圧縮残留歪（通常の発泡体のようなヘタリが殆んどないこと）、高いシール性（追従性により長期間に亘り、安定したシール性を維持すること）、寸法安定性（高応力、高歪条件に対しても更に寸法安定性に優れていること）、非汚染性（可塑剤を含んでいないことにより、他素材への汚染等が極めて小さいこと）等の優れた特性を有している。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月4日(2008.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記憶システム及び論理ユニットへのアクセス制御方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のホストコンピュータに接続される記憶システムであって、
前記各ホストコンピュータからのデータを記憶し、それぞれ記憶領域番号により識別される複数の記憶領域に分割される複数の記憶装置と、
前記各ホストコンピュータからのアクセスに応じて、前記各記憶装置へのデータの読み書きを制御するコントローラと、を備え、
前記コントローラは、前記各ホストコンピュータの中からユーザにより選択される一つまたは複数のホストコンピュータをグループ化してなるホストグループを特定するためのホストグループ識別子と、前記各ホストコンピュータのタイプに応じてグループ化される前記各ホストコンピュータをそれぞれ識別するためのホストコンピュータ識別子と、複数の論理ユニットをそれぞれ識別するための論理ユニット識別子であって、対応付けられる前記各記憶領域の前記各記憶領域番号を振り直すことにより形成される論理ユニット識別子と、を含むアクセス管理マップを備えており、さらに、
前記コントローラは、前記アクセス管理マップに基づいて、前記各ホストコンピュータからのinquiryコマンドへの応答を決定する、記憶システム。
【請求項２】
請求項１に記載の記憶システムにおいて、
前記ホストコンピュータ識別子は、ワールドワイドネーム（ＷＷＮ）である記憶システム。
【請求項３】
請求項１に記載の記憶システムであって、
前記コントローラは、それぞれ異なる前記ホストコンピュータのために、異なる論理番号を同一の前記論理ユニット識別子にマッピングする記憶システム。
【請求項４】
請求項１に記載の記憶システムであって、
第１のホストコンピュータによりアクセス可能な論理ユニットを示す第１の論理ユニット識別子と、第２のホストコンピュータによりアクセス可能な論理ユニットを示す第２の論理ユニット識別子とが同一の場合、前記第１の論理ユニット識別子に対応する前記記憶領域番号と、前記第２の論理ユニット識別子に対応する記憶領域番号とを違える記憶システム。
【請求項５】
請求項１に記載の記憶システムであって、
第１のホストコンピュータと第２のホストコンピュータとが同一の論理ユニットを共同で使用する場合、前記第１のホストコンピュータにより認識される論理ユニット識別子と、前記第２のホストコンピュータにより認識される論理ユニット識別子とは、互いに異なっている記憶システム。
【請求項６】
請求項１に記載の記憶システムであって、
一つの物理的ポートの下には、識別子０を有する複数の論理ユニット識別子が存在する記憶システム。
【請求項７】
請求項２に記載の記憶システムであって、
前記コントローラは、前記ワールドワイドネームを、前記各ホストコンピュータの送信ポートを識別するためのソース識別子（Ｓ＿ＩＤ）に変換するためのテーブルを備えている記憶システム。
【請求項８】
請求項１に記載の記憶システムであって、
前記ホストグループに対応するインターフェース情報を備える記憶システム。
【請求項９】
請求項８に記載の記憶システムであって、
前記インターフェース情報は、受信されるＩ／Ｏ、受信キューの深さ、または、inquiryコマンドへの応答内容のいずれかである記憶システム。
【請求項１０】
複数のホストコンピュータに接続される記憶システムが備える論理ユニットへのアクセスを制御するための方法であって、
前記記憶システムは、前記各ホストコンピュータからのデータを記憶し、それぞれ記憶領域番号により識別される複数の記憶領域に分割される複数の記憶装置を備えており、
前記各ホストコンピュータの中からユーザにより選択される一つまたは複数のホストコンピュータをグループ化してなるホストグループを特定するためのホストグループ識別子と、前記各ホストコンピュータのタイプに応じてグループ化される前記各ホストコンピュータをそれぞれ識別するためのホストコンピュータ識別子と、複数の論理ユニットをそれぞれ識別するための論理ユニット識別子であって、対応付けられる前記各記憶領域の前記各記憶領域番号を振り直すことにより形成される論理ユニット識別子と、を含むアクセス管理マップを作成して保持するマップ作成ステップと、
前記アクセス管理マップに基づいて、前記各ホストコンピュータからのinquiryコマンドへの応答を決定する応答内容決定ステップと、
を含む、論理ユニットへのアクセス制御方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の論理ユニットへのアクセス制御方法であって、
前記マップ作成ステップでは、それぞれ異なる前記ホストコンピュータのために、異なる論理番号を同一の前記論理ユニット識別子にマッピングする、論理ユニットへのアクセス制御方法。
【請求項１２】
請求項１０に記載の論理ユニットへのアクセス制御方法であって、
前記マップ作成ステップでは、第１のホストコンピュータによりアクセス可能な論理ユニットを示す第１の論理ユニット識別子と第２のホストコンピュータによりアクセス可能な論理ユニットを示す第２の論理ユニット識別子とが同一の場合、前記第１の論理ユニット識別子に対応する前記記憶領域番号と前記第２の論理ユニット識別子に対応する記憶領域番号とを違える、論理ユニットへのアクセス制御方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ホストコンピュータ（以下、コンピュータとも呼ぶ）からアクセスされる記憶システム（以下、記憶サブシステムとも呼ぶ）、及び、記憶システム内の論理ユニットへのアクセスを制御する方法に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月27日(2008.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検索条件を入力する入力部と、前記入力部により入力された検索条件に基づいて処理を行う処理部と、前記処理部による処理結果を表示する表示部と、細胞の画像を該細胞の形態学的特徴と関連づけて記憶した画像データベースと、を備え、前記検索条件は細胞の形態学的特徴であり、前記処理部は検索条件として入力された細胞の形態学的特徴に基づいて前記画像データベースを検索する、画像検索システム。
【請求項２】
細胞の形態学的特徴に対応するイラストを記憶したイラストデータベースをさらに備え、前記処理部は、検索条件として入力された細胞の形態学的特徴に対応するイラストを前記イラストデータベースから呼び出し、前記表示部は、前記処理部によって呼び出されたイラストを表示する、請求項１に記載の画像検索システム。
【請求項３】 
前記処理部に検索条件として細胞の形態学的特徴が複数入力された場合、前記処理部は前記形態学的特徴に対応する複数のイラストを前記イラストデータベースから呼び出し、呼び出した複数のイラストを組み合わせてひとつの細胞のイラストを構成し、前記ひとつの細胞のイラストを前記表示部が表示することを特徴とする、請求項２に記載の画像検索システム。
【請求項４】
前記細胞とは、血液細胞であることを特徴とする、請求項１に記載の画像検索システム。
【請求項５】
検索条件として細胞の形態学的特徴を入力部によって処理部に入力するステップ、入力された検索条件に基づき、細胞の画像を記憶した画像データベースを処理部が検索するステップ、入力された検索条件に適合する細胞の画像を検索結果として表示部が表示するステップ、からなる画像検索方法。
【請求項６】
入力された細胞の形態学的特徴に対応したイラストを処理部がイラストデータベースから呼び出すステップと、処理部が呼び出したイラストを表示部が表示するステップと、をさらに備える請求項５に記載の画像検索方法。
【請求項７】
細胞の画像を記憶した画像データベースの検索をコンピュータによって行うプログラムを記録した記録媒体であって、検索条件として細胞の形態学的特徴を入力部によって処理部に入力する入力ステップ、検索条件として入力された前記細胞の形態学的特徴に基づき、細胞の画像を記憶した画像データベースを検索する検索ステップ、前記検索ステップによる検索の結果として細胞の画像を表示部に表示させる画像表示ステップ、を実行するプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項８】
前記プログラムは、前記入力ステップで入力された細胞の形態学的特徴に対応したイラストを、細胞の形態学的特徴に対応するイラストを記憶したイラストデータベースから呼び出す呼び出しステップ、前記呼び出しステップにより呼び出されたイラストを表示部に表示させるイラスト表示ステップ、をさらに実行する請求項７に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項９】
細胞の画像を記憶した画像データベースの検索をコンピュータによって行うプログラムであって、検索条件として細胞の形態学的特徴を入力部によって処理部に入力する入力手段、検索条件として入力された前記細胞の形態学的特徴に基づき、細胞の画像を記憶した画像データベースを検索する検索手段、前記検索ステップによる検索の結果として細胞の画像を表示部に表示させる画像表示手段、として前記コンピュータを機能させるプログラム。
【請求項１０】
前記入力ステップで入力された細胞の形態学的特徴に対応したイラストを、細胞の形態学的特徴に対応するイラストを記憶したイラストデータベースから呼び出す呼び出し手段、前記呼び出し手段により呼び出されたイラストを表示部に表示させるイラスト表示手段、として前記コンピュータをさらに機能させる請求項９に記載のプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月11日(2008.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  水廻り機器への配管経路内に少なくとも１つの給水流入部と２つの給水流出部をを有する分岐継手部を設けてなり、
給水流入部と接続される配管と一方の給水流出部と接続される配管とを壁裏もしくは天井裏もしくは床下に敷設し、かつ、室内側が開放されたケーシングを挿通してなり、
前記配管と前記分岐継手部とは前記ケーシング内にて接続され、かつ、他方の給水流出部を室内側に向けて分岐してなることを特徴とするヘッダ工法による配管システム。
【請求項２】  前記分岐継手部は、前記配管に継手部を接続し、この継手部と分岐継手部とは嵌合接続し、かつ、水圧がかかって嵌合方向に分岐継手部から配管が抜けないように嵌合部に抜け防止金具を取付けたことを特徴とする請求項１に記載のヘッダ工法による配管システム。
【請求項３】  前記配管は、可撓性の樹脂管であり、かつ、鞘管内に敷設されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のヘッダ工法による配管システム。
【請求項４】  前記分岐継手部の分岐部に止水栓を設けたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載のヘッダ工法による配管システム。
【請求項５】  前記分岐継手部の分岐部は、内部に止水弁を備え、かつ、水廻り機器の分岐接続部を分岐継手部に取付けることにより止水弁を開き、水廻り機器の分岐接続部を分岐継手部から取り外すことにより止水弁を閉じる開閉手段を備えたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載のヘッダ工法による配管システム。
【請求項６】  前記分岐継手部の室内側に向けて分岐された分岐部に、逆止弁を設けていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１つに記載のヘッダ工法による配管システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段および作用・効果】
以上の問題点を解決すべく、本発明の請求項１は、水廻り機器への配管経路内に少なくとも１つの給水流入部と２つの給水流出部をを有する分岐継手部を設けてなり、給水流入部と接続される配管と一方の給水流出部と接続される配管とを壁裏もしくは天井裏もしくは床下に敷設し、かつ、室内側が開放されたケーシングを挿通してなり、前記配管と前記分岐継手部とは前記ケーシング内にて接続され、かつ、他方の給水流出部を室内側に向けて分岐してなることを特徴とするヘッダ工法による配管システムとしたことである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
これにより、大掛かりな工事を不要として、また、分岐継手部と配管との接続から漏水が発生したとしても、接続部分がケーシング内にあるため、容易に点検、補修することができ、さらに、いままでのヘッダ工法の利点を得つつ、配管の途中分岐を行なって、使用する配管長を抑えることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の請求項２は、前記分岐継手部は、前記配管に継手部を接続し、この継手部と分岐継手部とは嵌合接続し、かつ、水圧がかかって嵌合方向に分岐継手部から配管が抜けないように嵌合部に抜け防止金具を取付けたことを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の請求項３は、前記配管は、可撓性の樹脂管であり、かつ、鞘管内に敷設されていることを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の請求項４は、前記分岐継手部の分岐部に止水栓を設けたことを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の請求項５は、前記分岐継手部の分岐部は、内部に止水弁を備え、かつ、水廻り機器の分岐接続部を分岐継手部に取付けることにより止水弁を開き、水廻り機器の分岐接続部を分岐継手部から取り外すことにより止水弁を閉じる開閉手段を備えたことを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の請求項６は、前記分岐継手部の室内側に向けて分岐された分岐部に、逆止弁を設けていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月19日(2007.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
フッ素系撥水剤が、フッ素系撥水剤を構成するモノマーとして、Ｎ−メチロール基を含有しないモノマーのみからなる、請求項１記載の撥水撥油性布帛。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月26日(2007.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスクを挟みディスクパス部を介して対向配置された一対の押圧手段を有するキャリパ本体を備え、ディスクを挟んで両側に配置される一対のブレーキパッドを、ディスク軸線方向に延ばして前記キャリパ本体に橋架された一つのパッドピンに摺動可能に挿通させて支持させ、前記パッドピンよりもディスク径方向内方に位置して該パッドピンに係合され前記一対のブレーキパッドそれぞれのディスク円周方向両側を押圧部により押圧するカバースプリングを装着したディスクブレーキにおいて、
前記パッドピンの位置が前記ブレーキパッドのディスク円周方向における中央位置に対しオフセットされ、前記押圧部のうち前記ディスク回出側の第１押圧部と前記パッドピンとの間の距離が前記押圧部のうち前記ディスク回入側の第２押圧部と前記パッドピンとの間の距離よりも長くなっていることを特徴とするディスクブレーキ。  
【請求項２】
前記ブレーキパッドには、ディスク円周方向における中央位置に対し両側それぞれに前記パッドピンを挿通可能なパッドピン穴が形成されていることを特徴とする請求項１記載のディスクブレーキ。
【請求項３】
前記ブレーキパッドの前記パッドピンを挿通可能なパッドピン穴のディスク半径方向における外端位置と前記ブレーキパッドの前記カバースプリングとの当接位置とがディスク半径方向の略同位置とされていることを特徴とする請求項１または２記載のディスクブレーキ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ディスクブレーキ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、車両等の制動用に用いられるディスクブレーキに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
したがって、本発明は、制動時にブレーキパッドの姿勢を十分に安定させることができ、ブレーキ鳴きの発生を十分に抑制することができるディスクブレーキの提供を目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するために、請求項１に係る発明は、ディスクを挟みディスクパス部を介して対向配置された一対の押圧手段を有するキャリパ本体を備え、ディスクを挟んで両側に配置される一対のブレーキパッドを、ディスク軸線方向に延ばして前記キャリパ本体に橋架された一つのパッドピンに摺動可能に挿通させて支持させ、前記パッドピンよりもディスク径方向内方に位置して該パッドピンに係合され前記一対のブレーキパッドそれぞれのディスク円周方向両側を押圧部により押圧するカバースプリングを装着したディスクブレーキにおいて、前記パッドピンの位置が前記ブレーキパッドのディスク円周方向における中央位置に対しオフセットされ、前記押圧部のうち前記ディスク回出側の第１押圧部と前記パッドピンとの間の距離が前記押圧部のうち前記ディスク回入側の第２押圧部と前記パッドピンとの間の距離よりも長くなっていることを特徴としている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項１に係る発明によれば、一対のブレーキパッドが一つのパッドピンに摺動可能に挿通されて支持される場合に、パッドピンの位置がこれらブレーキパッドのディスク円周方向における中央位置に対しオフセットされ、前記押圧部のうち前記ディスク回出側の第１押圧部と前記パッドピンとの間の距離が前記押圧部のうち前記ディスク回入側の第２押圧部と前記パッドピンとの間の距離よりも長くなっているため、パッドピンに係合されて一対のブレーキパッドそれぞれのディスク円周方向両側を押圧するカバースプリングのパッドピンによる支持位置に対しブレーキパッドへの当接位置までの作用距離を、ディスク回出側を長くディスク回入側を短くでき、大きな荷重を与える側であるディスク回出側のバネ定数を小さくできる。したがって、ブレーキパッドの挙動を抑えるために重要なディスク回出側の押圧荷重を安定させることができ、その結果、制動時にブレーキパッドの姿勢を十分に安定させることができて、ブレーキ鳴きの発生を十分に抑制することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の一実施形態のディスクブレーキを図面を参照して以下に説明する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月18日(2008.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両装置を制御する車両制御装置と、
車両状態をモニタするセンサを有する無線端末装置と、
上記無線端末装置のセンサでセンシングされた車両状態を無線により受信する無線通信中継装置とを備え、
上記無線通信中継装置は、そのメモリに上記車両状態を判定するプログラムを実装し、
上記車両制御装置は、上記無線通信中継装置へ起動信号を出力し、
上記無線通信中継装置は、上記車両制御装置からの上記起動信号を受けて、上記プログラムを実行し、上記車両状態の判定結果を出力する
ことを特徴とする車両制御システム。
【請求項２】
請求項１において、
上記車両制御装置は、上記車両状態の判定のために必要な制御を上記車両装置に対して実行することを特徴とする車両制御システム。
【請求項３】
請求項１において、
複数の車両制御装置が接続された車両統合制御装置を備え、
上記車両統合制御装置は、上記無線通信中継装置からの車両状態の判定結果を受けて所定の処理を実行する
ことを特徴とする車両制御システム。
【請求項４】
請求項３において、
上記複数の車両制御装置は、複数の車両装置に対応して設けられることを特徴とする車両制御システム。
【請求項５】
請求項１において、
上記車両装置はエンジンであり、上記車両状態は当該車両から放出される排気ガスの状態であることを特徴とする車両制御システム。
【請求項６】
請求項１において、
上記無線端末装置は、電池または発電装置を備え、上記電池または発電装置から供給される電源により動作することを特徴とする車両制御システム。
【請求項７】
請求項６において、
上記発電装置は、振動、光、熱の少なくともいずれか一つから電力を生成することを特徴とする車両制御システム。
【請求項８】
請求項１において、
上記無線通信中継装置は、車両外部に配置されるとともに、上記車両制御装置とは通信配線により接続されることを特徴とする車両制御システム。
【請求項９】
請求項８において、
上記無線通信中継装置は、電池または発電装置を備え、上記電池または発電装置から供給される電源により動作することを特徴とする車両制御システム。
【請求項１０】
請求項１において、
上記無線通信中継装置は、車両内部に配置されるとともに、車両に設けられた電波通過装置を通して上記無線端末装置と無線通信を行うことを特徴とする車両制御システム。
【請求項１１】
請求項１０において、
上記電波通過装置は、車両に設けられた電波透過性材料で形成された窓であることを特徴とする車両制御システム。
【請求項１２】
車両装置を制御する車両制御装置と、
車両部品の状態をモニタするセンサを有する無線端末装置と、
上記無線端末装置のセンサでセンシングされた車両部品の状態を無線により受信する第１無線通信中継装置と、
上記第１無線通信中継装置と接続される車両統合制御装置と
を備え、
上記第１無線通信中継装置は、そのメモリに上記車両部品の状態を判定するプログラムを実装し、
上記第１無線通信中継装置は、上記車両部品の状態をモニタする上記プログラムを実行し、上記車両部品の所定の変化を検知した場合には、上記車両部品の状態の判定結果を上記車両統合制御装置に出力し、
上記車両統合制御装置は受信された上記車両部品の所定の変化に応じた第１制御情報を上記車両制御装置に伝達する
ことを特徴とする車両制御システム。
【請求項１３】
請求項１２において、
上記無線端末装置のセンサは、スイッチの開閉、温度、湿度、加速度、歪の少なくともいずれか一つを検知するよう構成されたことを特徴とする車両制御システム。
【請求項１４】
請求項１２において、
車両外部から発信される外部情報を受信する第２無線通信中継装置を備え、
上記第１無線通信中継装置は、上記第２無線通信中継装置で受信された外部情報を伝達され、
上記第１無線通信中継装置は、そのメモリにさらに上記外部情報の内容を判定するプログラムを実装し、
上記第１無線通信中継装置は、上記外部情報の内容をモニタする上記プログラムを実行し、上記外部情報の内容の変化を検知した場合には、上記外部情報を上記車両統合制御装置に出力し、
上記車両統合制御装置は受信された上記外部情報に応じた第２制御情報を上記車両制御装置に伝達する
ことを特徴とする車両制御システム。
【請求項１５】
請求項１２において、
上記無線端末装置は、電池または発電装置を備え、上記電池または発電装置から供給される電源により動作することを特徴とする車両制御システム。
【請求項１６】
請求項１５において、
上記発電装置は、振動、光、熱の少なくともいずれか一つから電力を生成することを特徴とする車両制御システム。
【請求項１７】
請求項１２において、
上記第１無線通信中継装置は、車両内部に配置されるとともに、車両に設けられた電波通過装置を通して上記無線端末装置と無線通信を行うことを特徴とする車両制御システム。
【請求項１８】
請求項１７において、
上記電波通過装置は、車両に設けられた電波透過性材料で形成された窓であることを特徴とする車両制御システム。
【請求項１９】
請求項１４において、
上記車両統合制御装置は上記無線端末装置を通じて入手した上記車両部品の状態を当該車両の車載情報システムを経由して車両情報管理センタに通知することを特徴とする車両制御システム。