【手続補正書】
【提出日】平成20年9月29日(2008.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極および前記ドレイン電極と導通可能に設けられた有機半導体と、該有機半導体に対して絶縁され且つ電場を印加することが可能なゲート電極とを少なくとも含む有機半導体トランジスタ素子において、
前記有機半導体が、少なくとも１種以上の下記一般式（Ｉ−１）および（Ｉ−２）で示される構造から選択された少なくとも１種を部分構造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリエステルを１種以上含有し、
前記電荷輸送性ポリエステルが、下記一般式（ＩＩＩ−１）または（ＩＩＩ−２）で示される電荷輸送性ポリエステルであることを特徴とする有機半導体トランジスタ素子。
【化１】
2007115989.tif 000001
〔式中、Ａｒは置換もしくは未置換の１価のベンゼン基、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の多核芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香族炭化水素、または、置換もしくは未置換の１価の複素環を表し、Ｔは炭素数１〜６の２価の直鎖状炭化水素基または炭素数２〜１０の２価の分枝鎖状炭化水素基を表し、ｉ、ｊは０または１を表す。また、Ｘは、下記一般式（ＩＩ）で表される置換基を表す。〕
【化２】
2007115989.tif 000002
〔一般式（ＩＩ）中、Ａｒ１は、置換もしくは未置換の２価のベンゼン環、置換もしくは未置換の芳香族数２〜１０の２価の多核芳香族炭化水素、炭素数１〜５の２価のアルキル基、置換もしくは未置換の２価のシクロヘキサン、置換もしくは未置換の芳香族数２〜１０の２価の縮合多環芳香族炭化水素、または、置換もしくは未置換の２価の複素環を表し、
Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、水素原子、アルキル基、シアノ基、ハロゲン基、置換アミノ基、置換もしくは未置換のアリール基、または、置換もしくは未置換のアラルキル基を有し、それぞれ相違あるいは少なくとも二種以上が同一であってもよい。
また、ｑは１〜１０の整数を表し、ｒは０〜１０の整数を表し、ｕは０または１を表し、ｕとｒとの和は少なくとも１以上であり、ｒが０の場合は、Ａｒ１は置換または未置換のチエニレン基である。〕
【化３】
2007115989.tif 000003
〔一般式（ＩＩＩ−１）および（ＩＩＩ−２）において、Ａ１は前記一般式（Ｉ−１）および（Ｉ−２）で示される構造から選択された少なくとも１種以上を表し、Ｙ１は２価のアルコール残基を表し、Ｚ１は２価のカルボン酸残基を表し、ｍは１〜５の整数を表し、ｐは５〜５０００の整数を表す。〕
【請求項２】
請求項１に記載の有機半導体トランジスタ素子を、溶媒中に溶解させた前記電荷輸送性ポリエステルを少なくとも１種以上含む溶液を用いて製造する有機半導体トランジスタ素子の製造方法であって、
前記有機半導体が、前記溶液に外部刺激を付与して、前記溶液をノズルから液滴状に吐出させる方法を利用して形成されることを特徴とする有機半導体トランジスタ素子の製造方法。
【請求項３】
前記外部刺激が圧力であることを特徴とする請求項２に記載の有機半導体トランジスタ素子の製造方法。
【請求項４】
溶媒中に溶解させた前記電荷輸送性ポリエステルを少なくとも１種以上含む溶液を用い、前記溶媒を含んだ状態の塗膜を形成する塗膜形成工程と、前記塗膜を乾燥させる乾燥工程とを少なくとも経ることにより請求項１に記載の有機半導体トランジスタ素子を製造する有機半導体トランジスタ素子の製造方法であって、前記乾燥工程が、酸素濃度が１００ｐｐｍ以下、且つ、水分濃度が１００ｐｐｍ以下の環境下で実施されることを特徴とする有機半導体トランジスタ素子の製造方法。
【請求項５】
基板と、該基板上に設けられた１個以上の請求項１に記載の有機半導体トランジスタ素子とを含む半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題は以下の本発明により達成される。すなわち、本発明は、
＜１＞
ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極および前記ドレイン電極と導通可能に設けられた有機半導体と、該有機半導体に対して絶縁され且つ電場を印加することが可能なゲート電極とを少なくとも含む有機半導体トランジスタ素子において、
前記有機半導体が、少なくとも１種以上の下記一般式（Ｉ−１）および（Ｉ−２）で示される構造から選択された少なくとも１種を部分構造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリエステルを１種以上含有し、
前記電荷輸送性ポリエステルが、下記一般式（ＩＩＩ−１）または（ＩＩＩ−２）で示される電荷輸送性ポリエステルであることを特徴とする有機半導体トランジスタ素子である。
【化１】
2007115989.tif 000004
〔式中、Ａｒは置換もしくは未置換の１価のベンゼン基、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の多核芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香族炭化水素、または、置換もしくは未置換の１価の複素環を表し、Ｔは炭素数１〜６の２価の直鎖状炭化水素基または炭素数２〜１０の２価の分枝鎖状炭化水素基を表し、ｉ、ｊは０または１を表す。また、Ｘは、下記一般式（ＩＩ）で表される置換基を表す。〕
【化２】
2007115989.tif 000005
〔一般式（ＩＩ）中、Ａｒ１は、置換もしくは未置換の２価のベンゼン環、置換もしくは未置換の芳香族数２〜１０の２価の多核芳香族炭化水素、炭素数１〜５の２価のアルキル基、置換もしくは未置換の２価のシクロヘキサン、置換もしくは未置換の芳香族数２〜１０の２価の縮合多環芳香族炭化水素、または、置換もしくは未置換の２価の複素環を表し、
Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、水素原子、アルキル基、シアノ基、ハロゲン基、置換アミノ基、置換もしくは未置換のアリール基、または、置換もしくは未置換のアラルキル基を有し、それぞれ相違あるいは少なくとも二種以上が同一であってもよい。
また、ｑは１〜１０の整数を表し、ｒは０〜１０の整数を表し、ｕは０または１を表し、ｕとｒとの和は少なくとも１以上であり、ｒが０の場合は、Ａｒ１は置換または未置換のチエニレン基である。〕
【化３】
2007115989.tif 000006
〔一般式（ＩＩＩ−１）および（ＩＩＩ−２）において、Ａ１は前記一般式（Ｉ−１）および（Ｉ−２）で示される構造から選択された少なくとも１種以上を表し、Ｙ１は２価のアルコール残基を表し、Ｚ１は２価のカルボン酸残基を表し、ｍは１〜５の整数を表し、ｐは５〜５０００の整数を表す。〕
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
＜２＞
＜１＞に記載の有機半導体トランジスタ素子を、溶媒中に溶解させた前記電荷輸送性ポリエステルを少なくとも１種以上含む溶液を用いて製造する有機半導体トランジスタ素子の製造方法であって、
前記有機半導体が、前記溶液に外部刺激を付与して、前記溶液をノズルから液滴状に吐出させる方法を利用して形成されることを特徴とする有機半導体トランジスタ素子の製造方法である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
＜３＞
前記外部刺激が圧力であることを特徴とする＜２＞に記載の有機半導体トランジスタ素子の製造方法である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
＜４＞
溶媒中に溶解させた前記電荷輸送性ポリエステルを少なくとも１種以上含む溶液を用い、前記溶媒を含んだ状態の塗膜を形成する塗膜形成工程と、前記塗膜を乾燥させる乾燥工程とを少なくとも経ることにより＜１＞に記載の有機半導体トランジスタ素子を製造する有機半導体トランジスタ素子の製造方法であって、前記乾燥工程が、酸素濃度が１００ｐｐｍ以下、且つ、水分濃度が１００ｐｐｍ以下の環境下で実施されることを特徴とする有機半導体トランジスタ素子の製造方法である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
＜５＞
基板と、該基板上に設けられた１個以上の＜１＞に記載の有機半導体トランジスタ素子とを含む半導体装置である。