【手続補正書】
【提出日】平成20年6月6日(2008.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層上にゲート絶縁層を有し、
前記半導体層は、チャネル形成領域と、ソース領域と、ドレイン領域と、前記チャネル形成領域及び前記ソース領域の間に不純物領域とを有し、
前記チャネル形成領域と前記ドレイン領域とは接して設けられ、
前記ゲート絶縁層を介して、前記チャネル形成領域及び前記不純物領域上にゲート電極層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記不純物領域はｐ型を付与する不純物元素を有し、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域はｎ型を付与する不純物元素を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、前記不純物領域はｎ型を付与する不純物元素を有し、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域はｐ型を付与する不純物元素を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
半導体層上にゲート絶縁層を有し、
前記半導体層は、チャネル形成領域と、ソース領域と、ドレイン領域と、前記チャネル形成領域と前記ソース領域の間に第１の不純物領域と、前記ソース領域及び前記第１の不純物領域の間に第２の不純物領域と、前記ドレイン領域及び前記チャネル形成領域の間に第３の不純物領域とを有し、
前記チャネル形成領域と前記第３の不純物領域とは接して設けられ、
前記ゲート絶縁層を介して、前記チャネル形成領域及び前記第１の不純物領域上にゲート電極層を有し、
前記第２の不純物領域、前記第３の不純物領域、前記ソース領域及び前記ドレイン領域は一導電型を付与する不純物元素を有し、
前記第２の不純物領域及び前記第３の不純物領域における前記一導電型を付与する元素の濃度は、前記ソース領域及び前記ドレイン領域における前記一導電型を付与する不純物元素濃度より低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
半導体層上にゲート絶縁層を有し、
前記半導体層は、チャネル形成領域と、ソース領域と、ドレイン領域と、前記チャネル形成領域と前記ドレイン領域の間に第１の不純物領域と、前記ソース領域及び前記チャネル形成領域の間に第２の不純物領域と、前記ドレイン領域及び前記第１の不純物領域の間に第３の不純物領域とを有し、
前記チャネル形成領域と前記第２の不純物領域とは接して設けられ、
前記ゲート絶縁層を介して、前記チャネル形成領域及び前記第１の不純物領域上にゲート電極層を有し、
前記第２の不純物領域、前記第３の不純物領域、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の一導電型を付与する不純物元素を有し、
前記第２の不純物領域及び前記第３の不純物領域における前記一導電型を付与する元素の濃度は、前記ソース領域及び前記ドレイン領域における前記一導電型を付与する不純物元素の濃度より低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、前記第１の不純物領域はｐ型を付与する不純物元素を有し、
前記第２の不純物領域、前記第３の不純物領域、前記ソース領域及び前記ドレイン領域はｎ型を付与する不純物元素を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項４または請求項５において、前記第１の不純物領域はｎ型を付与する不純物元素を有し、
前記第２の不純物領域、前記第３の不純物領域、前記ソース領域及び前記ドレイン領域はｐ型を付与する不純物元素を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、前記ゲート電極層の側面に絶縁層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、前記ゲート絶縁層及び前記ゲート電極層上に、層間絶縁層を有し、
前記層間絶縁層及び前記ゲート絶縁層に前記ソース領域及び前記ドレイン領域に達する開口部を有し、
前記開口部に、前記ソース領域及び前記ドレイン領域に接するソース電極層及びドレイン電極層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
第１の半導体層及び第２の半導体層上にゲート絶縁層を有し、
前記第１の半導体層は、第１のチャネル形成領域と、第１のソース領域と、第１のドレイン領域と、前記第１のチャネル形成領域及び前記第１のソース領域の間に第１の不純物領域とを有し、
前記第２の半導体層は、第２のチャネル形成領域と、第２のソース領域と、第２のドレイン領域と、前記第２のチャネル形成領域及び前記第２のドレイン領域の間に第２の不純物領域とを有し、
前記第１のチャネル形成領域と前記第１のドレイン領域とは接して設けられ、
前記第２のチャネル形成領域と前記第２のソース領域とは接して設けられ、
前記ゲート絶縁層を介して、前記第１のチャネル形成領域及び前記第１の不純物領域上に第１のゲート電極層を有し、
前記ゲート絶縁層を介して、前記第２のチャネル形成領域及び前記第２の不純物領域上に第２のゲート電極層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０において、前記第１のソース領域、前記第２のソース領域、前記第１のソース領域及び前記第２のドレイン領域はｎ型を付与する不純物元素を有し、
前記第１の不純物領域及び前記第２の不純物領域はｐ型を付与する不純物元素を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１０において、前記第１のソース領域、前記第２のソース領域、前記第１のソース領域及び前記第２のドレイン領域はｐ型を付与する不純物元素を有し、
前記第１の不純物領域及び前記第２の不純物領域はｎ型を付与する不純物元素を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
絶縁表面上に、非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にレーザ光を照射して結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜をパターニングして半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層をマスクとして、前記半導体層に、前記半導体層表面に対して斜めに第１の一導電型を付与する不純物元素を一方向から添加し、
前記ゲート電極層をマスクとして、前記半導体層に、前記半導体層表面に対して垂直に第２の一導電型を付与する不純物元素を添加して不純物領域、ソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を形成し、
前記不純物領域は、前記チャネル形成領域と前記ソース領域の間の、前記ゲート電極層で覆われた前記半導体層に形成し、
前記ドレイン領域は、前記チャネル形成領域と接して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１３において、前記第１の一導電型を付与する不純物元素として、ｐ型を付与する不純物元素を添加し、前記第２の一導電型を付与する不純物元素として、ｎ型を付与する不純物元素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１３において、前記第１の一導電型を付与する不純物元素として、ｎ型を付与する不純物元素を添加し、前記第２の一導電型を付与する不純物元素として、ｐ型を付与する不純物元素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１３乃至１５のいずれか一項において、前記半導体層に、前記半導体層表面に対して角度θ１で第１の一導電型を付与する不純物元素を一方向から添加し、
前記半導体層に、前記半導体層表面に対して角度θ２で第２の一導電型を付与する不純物元素を添加し、
前記角度θ１と前記角度θ２との差を５度以上にすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
絶縁表面上に、非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にレーザ光を照射して結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜をパターニングして半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層をマスクとして、前記半導体層に、前記半導体層表面に対して斜めに第１の一導電型を付与する不純物元素を一方向から添加して第１の不純物領域を形成し、前記第１の不純物領域の一部は前記ゲート電極層に覆われており、
前記ゲート電極層をマスクとして、前記半導体層に、前記半導体層表面に対して垂直に第２の一導電型を付与する不純物元素を添加して第３の不純物領域及び第４の不純物領域を形成し、前記第３の不純物領域及び前記第４の不純物領域の間にチャネル形成領域及び第２の不純物領域を形成し、前記第２の不純物領域は前記ゲート電極層に覆われた前記第１の不純物領域の一部であり、
前記ゲート電極層の側面に絶縁層を形成し、
前記ゲート電極層及び前記絶縁層をマスクとして、前記半導体層の前記第３の不純物領域及び前記第４の不純物領域中に、前記半導体層表面に対して垂直に第３の一導電型を付与する不純物元素を添加してソース領域及びドレイン領域を形成し、前記第３の不純物領域及び前記第４の不純物領域中に前記ソース領域に接する第５の不純物領域及び前記ドレイン領域に接する第６の不純物領域を形成し、前記第５の不純物領域及び前記第６の不純物領域は前記絶縁層に覆われており、
前記第５の不純物領域及び前記第６の不純物領域における前記第２の一導電型を有する不純物元素及び前記第３の一導電型を付与する不純物元素の濃度は、前記ソース領域及び前記ドレイン領域における前記第２の一導電型を有する不純物元素及び前記第３の一導電型を付与する不純物元素の濃度より低く、
前記第２の不純物領域は、前記チャネル形成領域と前記第５の不純物領域の間の、前記ゲート電極層で覆われた前記半導体層に形成し、
前記第６の不純物領域は、前記チャネル形成領域と接して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
絶縁表面上に、非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にレーザ光を照射して結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜をパターニングして半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層をマスクとして、前記半導体層に、前記半導体層表面に対して斜めに第１の一導電型を付与する不純物元素を一方向から添加して第１の不純物領域を形成し、前記第１の不純物領域の一部は前記ゲート電極層に覆われており、
前記ゲート電極層をマスクとして、前記半導体層に、前記半導体層表面に対して垂直に第２の一導電型を付与する不純物元素を添加して第３の不純物領域及び第４の不純物領域を形成し、前記第３の不純物領域及び前記第４の不純物領域の間にチャネル形成領域及び第２の不純物領域を形成し、前記第２の不純物領域は前記ゲート電極層に覆われた前記第１の不純物領域の一部であり、
前記ゲート電極層の側面に絶縁層を形成し、
前記ゲート電極層及び前記絶縁層をマスクとして、前記半導体層の前記第３の不純物領域及び前記第４の不純物領域中に、前記半導体層表面に対して垂直に第３の一導電型を付与する不純物元素を添加してソース領域及びドレイン領域を形成し、前記第３の不純物領域及び前記第４の不純物領域中に前記ソース領域に接する第５の不純物領域及び前記ドレイン領域に接する第６の不純物領域を形成し、前記第５の不純物領域及び前記第６の不純物領域は前記絶縁層に覆われており、
前記第５の不純物領域及び前記第６の不純物領域における前記第２の一導電型を有する不純物元素及び前記第３の一導電型を付与する不純物元素の濃度は、前記ソース領域及び前記ドレイン領域における前記第２の一導電型を有する不純物元素及び前記第３の一導電型を付与する不純物元素の濃度より低く、
前記第２の不純物領域は、前記チャネル形成領域と前記第６の不純物領域の間の、前記ゲート電極層で覆われた前記半導体層に形成し、
前記第５の不純物領域は、前記チャネル形成領域と接して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１７または請求項１８において、前記第１の一導電型を付与する不純物元素として、ｐ型を付与する不純物元素を添加し、
前記第２の一導電型を付与する不純物元素及び前記第３の一導電型を付与する不純物元素として、ｎ型を付与する不純物元素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１７または請求項１８において、前記第１の一導電型を付与する不純物元素として、ｎ型を付与する不純物元素を添加し、
前記第２の一導電型を付与する不純物元素及び前記第３の一導電型を付与する不純物元素として、ｐ型を付与する不純物元素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１３乃至２０のいずれか一項において、前記半導体層、前記ゲート絶縁層及び前記ゲート電極層上に、層間絶縁層を形成し、
前記層間絶縁層及び前記ゲート絶縁層に前記ソース領域及び前記ドレイン領域に達する開口部を形成し、
前記開口部に、前記ソース領域及び前記ドレイン領域に接するソース電極層及びドレイン電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
絶縁表面上に、非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にレーザ光を照射して結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜をパターニングして第１の半導体層及び第２の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に第１のゲート電極層及び第２のゲート電極層を形成し、
前記第１のゲート電極層及び前記第２のゲート電極層をマスクとして、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層表面に対して斜めに第１の一導電型を付与する不純物元素を一方向から添加し、
前記第１のゲート電極層及び前記第２のゲート電極層をマスクとして、前記第１の半導体層表面及び第２の半導体層表面に対して垂直に第２の一導電型を付与する不純物元素を添加して前記第１の半導体層に第１の不純物領域、第１のソース領域、第１のドレイン領域及び第１のチャネル形成領域を形成し、前記第２の半導体層に第２の不純物領域、第２のソース領域、第２のドレイン領域及び第２のチャネル形成領域を形成し、
前記第１の不純物領域は、前記第１のチャネル形成領域と前記第１のソース領域の間の、前記第１のゲート電極層で覆われた前記第１の半導体層に形成し、
前記第２の不純物領域は、前記第２のチャネル形成領域と前記第２のドレイン領域の間の、前記第２のゲート電極層で覆われた前記第２の半導体層に形成し、
前記第１のドレイン領域は、前記第１のチャネル形成領域と接して形成し、
前記第２のソース領域は、前記第２のチャネル形成領域と接して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
請求項２２において、前記第１の一導電型を付与する不純物元素として、ｐ型を付与する不純物元素を添加し、
前記第２の一導電型を付与する不純物元素として、ｎ型を付与する不純物元素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２４】
請求項２２において、前記第１の一導電型を付与する不純物元素として、ｎ型を付与する不純物元素を添加し、
前記第２の一導電型を付与する不純物元素として、ｐ型を付与する不純物元素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２５】
請求項１３乃至２４のいずれか一項において、前記レーザ光は、連続発振のレーザ光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２６】
請求項１３乃至２４のいずれか一項において、前記レーザ光は、パルス発振のレーザ光であり、前記パルス発振の周波数は０．５ＭＨｚ以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。