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【手続補正書】
【提出日】平成20年1月22日(2008.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
FeCoがFexCo1-x(60≦x≦75wt%)で示される組成を有し、結晶構造がbcc構造で、(110)面に結晶配向している電解めっき膜から成ることを特徴とする軟磁性薄膜。
【請求項２】
非磁性導電性材料を下地層として、該下地層上にめっき膜が形成されていることを特徴とする請求項1記載の軟磁性薄膜。
【請求項３】
Fe、Co、Niのうち2元素以上を含む合金から成る磁性導電性薄膜を下地層として、該下
地層上にめっき膜が形成されていることを特徴とする請求項1項記載の軟磁性薄膜。
【請求項４】
下地層がシート抵抗5.3Ω/cm2以下となるような膜厚で形成されていることを特徴とす
る請求項2または3記載の軟磁性薄膜。
【請求項５】
下地層の下層への密着層としてTa、Ti、Cr、Nbのうちの1元素からなる単層膜が形成さ
れていることを特徴とする請求項2または3項記載の軟磁性薄膜。
【請求項６】
下部磁極と上部磁極が絶縁層を介して積層され、媒体面に対向する先端に磁気ギャップが形成された薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記上部磁極の磁気ギャップに近接した層に、FeCoがFexCo1-x(60≦x≦75wt%)で示される組成を有し、結晶構造がbcc構造で、(110)面に結晶配向している電解めっき膜からなる軟磁性薄膜が形成されていることを特徴とする磁気記録ヘッド。
【請求項７】
前記磁気ギャップが非磁性導電性材料層により形成され、該非磁性導電性材料層を下地層として、該下地層上に軟磁性薄膜が形成されていることを特徴とする請求項６記載の磁気記録ヘッド。
【請求項８】
主磁極とリターンヨークが絶縁層を介して積層され、媒体面に対向する先端側の主磁極の両側に非磁性導電性材料層が形成され、媒体面に対向するリターンヨークの先端側にトレーリングシールドが形成された垂直磁気記録単磁極ヘッドにおいて、
前記主磁極およびトレーリングシールドの少なくとも一方が、前記非磁性導電性材料層を下地層として形成された、FeCoがFexCo1-x(60≦x≦75wt%)で示される組成を有し、結晶構造がbcc構造で、(110)面に結晶配向している電解めっき膜から成る軟磁性薄膜であることを特徴とする垂直磁気記録単磁極ヘッド。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、下部磁極と上部磁極が絶縁層を介して積層され、媒体面に対向する先端に磁気ギャップが形成された薄膜磁気ヘッドにおいて、前記上部磁極の磁気ギャップに近接した層に、FeCoがFexCo1-x(60≦x≦75wt%)で示される組成を有し、結晶構造がbcc構造で、(110)面に結晶配向している電解めっき膜からなる軟磁性薄膜が形成されていることを特徴とする。
また、前記磁気ギャップが非磁性導電性材料層により形成され、該非磁性導電性材料層を下地層として、該下地層上に軟磁性薄膜が形成されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、主磁極とリターンヨークが絶縁層を介して積層され、媒体面に対向する先端側の主磁極の両側に非磁性導電性材料層が形成され、媒体面に対向するリターンヨークの先端側にトレーリングシールドが形成された垂直磁気記録単磁極ヘッドにおいて、前記主磁極およびトレーリングシールドの少なくとも一方が、前記非磁性導電性材料層を下地層として形成された、FeCoがFexCo1-x(60≦x≦75wt%)で示される組成を有し、結晶構造がbcc構造で、(110)面に結晶配向している電解めっき膜から成る軟磁性薄膜であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月29日(2008.2.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像を記録するための記録装置を備えた映像記録機器において、
記録用の映像データを一時的に蓄積するための記録用メモリ、
再生用の映像データを一時的に蓄積するための再生用メモリ、ならびに
記録装置の応答が遅くなったときに、再生用メモリを記録用の映像データに蓄積するためのメモリとして使用できる状態にさせる手段、
を備えていることを特徴とする映像記録装置。
【請求項２】
映像を記録するための記録装置を備えた映像記録機器において、
記録用の映像データを一時的に蓄積するための記録用メモリ、
再生用の映像データを一時的に蓄積するための再生用メモリ、ならびに
記録と再生とが同時に行われている場合に、記録装置の応答が遅くなったときには、再生動作を停止させるとともに、再生用メモリを記録用の映像データを蓄積するためのメモリとして使用できる状態にさせる手段、
を備えていることを特徴とする映像記録機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項１に記載の発明は、映像を記録するための記録装置を備えた映像記録機器において、記録用の映像データを一時的に蓄積するための記録用メモリ、再生用の映像データを一時的に蓄積するための再生用メモリ、ならびに記録装置の応答が遅くなったときに、再生用メモリを記録用の映像データに蓄積するためのメモリとして使用できる状態にさせる手段、を備えていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項２に記載の発明は、映像を記録するための記録装置を備えた映像記録機器において、記録用の映像データを一時的に蓄積するための記録用メモリ、再生用の映像データを一時的に蓄積するための再生用メモリ、ならびに記録と再生とが同時に行われている場合に、記録装置の応答が遅くなったときには、再生動作を停止させるとともに、再生用メモリを記録用の映像データを蓄積するためのメモリとして使用できる状態にさせる手段、を備えていることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この発明によれば、記録動作中において記録装置に異常等が発生した場合にも、記録すべき画像が欠落しにくくなる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月10日(2008.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電気二重層キャパシタセルを積層配列されたセル群と、このセル群の各電気二重層キャパシタセルに電気的に接続される回路基板と、を含む電気二重層キャパシタ装置であって、
前記各電気二重層キャパシタセルの端部から突出形成され、電気二重層キャパシタセルの電極に接続された電極板と、
前記電極板に固定された板材と、
前記板材に対し、一端が固定され、他端が電極板から突出する線状の接続片と、
を含み、
前記接続片は、前記一端側に板状の接続部材が巻き付けられて接続部材に固定されるとともに、この接続部材が前記板材に固定されており、前記接続片の他端側が前記回路基板に接続され、
前記接続片および接続部材は前記板材の一端側に固定され、前記板材はその他端側が前記電極板に固定されることで、前記板材の前記接続片および接続部材が取り付けられている一端側が前記電極板に対し移動可能である電気二重層キャパシタ装置。
【請求項２】
複数の電気二重層キャパシタセルを積層配列されたセル群と、このセル群の各電気二重層キャパシタセルに電気的に接続される回路基板と、を含む電気二重層キャパシタ装置であって、
前記各電気二重層キャパシタセルの端部から突出形成され、電気二重層キャパシタセルの電極に接続される電極板と、
前記電極板に固定された板材と、
前記板材に対し、一端が固定され、他端が電極板から突出する線状の接続片と、
を含み、
前記接続片は、前記一端側に板状の接続部材が巻き付けられて接続部材に固定されるとともに、この接続部材が前記板材に固定されており、
前記接続片は、Ｌ字型に折り曲げられてから前記回路基板に接続される電気二重層キャパシタ装置。
【請求項３】
請求項２に記載の電気二重層キャパシタ装置において、
前記板材は、電極板の全幅に渡って形成されており、
前記接続部材は、板材より幅が狭く、板材の一部に固定される電気二重層キャパシタ装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載の電気二重層キャパシタ装置において、
前記接続部材は、前記接続片の一端に対し巻き付けられた状態で、前記板材に重なるように固定される電気二重層キャパシタ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、複数の電気二重層キャパシタセルを積層配列されたセル群と、このセル群の各電気二重層キャパシタセルに電気的に接続される回路基板と、を含む電気二重層キャパシタ装置であって、前記各電気二重層キャパシタセルの端部から突出形成され、電気二重層キャパシタセルの電極に接続された電極板と、前記電極板に固定された板材と、前記板材に対し、一端が固定され、他端が電極板から突出する線状の接続片と、を含み、前記接続片は、前記一端側に板状の接続部材が巻き付けられて接続部材に固定されるとともに、この接続部材が前記板材に固定されており、前記接続片の他端側が前記回路基板に接続され、前記接続片および接続部材は前記板材の一端側に固定され、前記板材はその他端側が前記電極板に固定されることで、前記板材の前記接続片および接続部材が取り付けられている一端側が前記電極板に対し移動可能であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明は、複数の電気二重層キャパシタセルを積層配列されたセル群と、このセル群の各電気二重層キャパシタセルに電気的に接続される回路基板と、を含む電気二重層キャパシタ装置であって、前記各電気二重層キャパシタセルの端部から突出形成され、電気二重層キャパシタセルの電極に接続される電極板と、前記電極板に固定された板材と、前記板材に対し、一端が固定され、他端が電極板から突出する線状の接続片と、を含み、前記接続片は、前記一端側に板状の接続部材が巻き付けられて接続部材に固定されるとともに、この接続部材が前記板材に固定されており、前記接続片は、Ｌ字型に折り曲げられてから前記回路基板に接続されることが好適である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、前記板材は、電極板の全幅に渡って形成されており、前記接続部材は、板材より幅が狭く、板材の一部に固定されることが好適である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、前記接続部材は、前記接続片の一端に対し巻き付けられた状態で、前記板材に重なるように固定されることが好適である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月28日(2007.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の配線により形成された配線パターンを有する下部基板と、
前記下部基板の上方に位置し、前記配線と電気的に接続された半導体チップと、
前記半導体チップを柱状、かつ実質的に封止する中間部材と、
前記中間部材の上面の全てを実質的に覆う上部板とを備え、
前記上部板の熱膨張率は、前記下部基板の熱膨張率とほぼ同じであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記下部基板と前記上部板の材料は、同じであることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記下部基板と前記上部板の厚さは、ほぼ同じであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか一項において、
前記半導体チップは、複数であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか一項において、
前記半導体チップは、前記配線にフリップチップ方式で電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれか一項において、
前記下部基板はシリコンからなり、前記中間部材は樹脂からなり、前記上部板は４２アロイまたはコバールからなることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
複数の配線により形成された配線パターンを有する下部基板の上方に半導体チップを搭載して該半導体チップを前記配線と電気的に接続する工程と、
前記下部基板を第１の金型に搭載する工程と、
第２の金型に、上部板を搭載する工程と、
前記第１の金型と前記第２の金型とを組合せる工程と、
組合せた前記第１の金型と前記第２の金型との内部に中間部材を注入する工程とを、
備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
複数の配線により形成された配線パターンを複数有する下部基板の上方に半導体チップを搭載して該半導体チップを前記配線パターンの配線と電気的に接続する工程と、
前記下部基板を、第１の金型に搭載する工程と、
第２の金型に、上部板を搭載する工程と、
前記第１の金型と前記第２の金型とを組合せる工程と、
組合せた前記第１の金型と前記第２の金型との内部に中間部材を注入する工程と、
前記上部板と、前記中間部材と、前記下部基板とを前記配線パターンを一つ含むように切断することにより個片化する工程とを、
備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７または請求項８において、
前記上部板の熱膨張率を、前記下部基板の熱膨張率とほぼ同じにすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項７または請求項８において、
前記下部基板と前記上部板の材料を、同じにすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項７ないし請求項１０のいずれか一項において、
前記下部基板と前記上部板の厚さを、ほぼ同じにすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項７ないし請求項１１のいずれか一項において、
前記半導体チップは、複数であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項７ないし請求項１２のいずれか一項において、
前記半導体チップは、前記配線にフリップチップ方式で電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項７ないし請求項１３のいずれか一項において、
前記下部基板はシリコンを用い、前記中間部材は樹脂を用い、前記上部板は４２アロイまたはコバールを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
【図１】実施例１の半導体装置の断面を示す説明図
【図２】実施例１のシリコン基板の上面を示す説明図
【図３】実施例１の半導体装置の製造方法を示す説明図
【図４】実施例１の半導体装置の製造方法を示す説明図
【図５】実施例２の半導体装置の断面を示す説明図
【図６】実施例２の金属板体の上面を示す説明図
【図７】実施例２の半導体装置の製造方法を示す説明図
【図８】実施例２の半導体装置の製造方法を示す説明図
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月21日(2008.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、複数のゾーンに分割して配置された複数の加熱体によって前記処理室内を加熱する加熱手段と、前記複数のゾーンの各ゾーンに対向するように配置された複数の温度検出手段と、前記複数のゾーンのうち第１のゾーンに含まれる加熱体に対して、あらかじめ設定した目標温度となるように、前記第１のゾーンに対向する第１の温度検出手段の検出値に基づいて演算を行って第１の操作量を求め、該第１の操作量に応じて前記第１のゾーンに含まれる加熱体の加熱制御を行う第１の制御手段と、前記複数のゾーンのうち第２のゾーンに対向する第２の温度検出手段の検出値に基づいて演算を行って操作比率を求め、前記第１の操作量に前記操作比率を乗算することにより第２の操作量を算出し、該第２の操作量に応じて前記第２のゾーンに含まれる加熱体の加熱制御を行う第２の制御手段とを備えてなることを特徴とする基板処理装置。  
【請求項２】
基板を処理する処理室と、処理室に処理ガスを供給するガス供給手段と、処理室内を排気する排気手段と、複数のゾーンに区分けされ配置された複数の加熱体によって処理室内を加熱する加熱手段と、複数のゾーンのそれぞれのゾーンに対向するよう配置された複数の温度検出手段とを備えた基板処理装置を用いて基板を処理する半導体装置の製造方法において、複数のゾーンのうちの所定のゾーンに含まれる加熱体に対して、あらかじめ設定した目標温度となるように所定のゾーンに対向する第１の温度検出手段の検出値に基づいて演算して第１の操作量を求め、第１の操作量に応じて電力量の制御を行う工程と、複数のゾーンのうちのその他の各ゾーンそれぞれに対向する第２の温度検出手段の検出値に基づいて演算して操作比率を求める工程と、第１の操作量に操作比率を乗算することによりその他の各ゾーンそれぞれの第２の操作量を求め、第２の操作量に応じて電力量の制御する工程と、処理室にガスを供給しつつ排気して基板を処理する工程とを含む半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月25日(2008.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層上に無機絶縁物と有機化合物との島状の混合層と、前記無機絶縁物と有機化合物との島状の混合層上に絶縁層と、前記絶縁層上に第２の導電層とを有することを特徴とする記憶装置。
【請求項２】
第１の導電層上に第１の無機絶縁物と有機化合物との島状の混合層と、前記第１の無機絶縁物と有機化合物との島状の混合層上に絶縁層と、前記絶縁層上に第２の無機絶縁物と有機化合物との島状の混合層と、前記第２の無機絶縁物と有機化合物との島状の混合層上に第２の導電層とを有することを特徴とする記憶装置。
【請求項３】
第１の導電層上に無機絶縁物と有機化合物との混合層と、前記無機絶縁物と有機化合物との混合層上に絶縁層と、前記絶縁層上に第２の導電層とを有し、
前記無機絶縁物と有機化合物との混合層の膜厚は４ｎｍ以下であることを特徴とする記憶装置。
【請求項４】
第１の導電層上に第１の無機絶縁物と有機化合物との混合層と、前記第１の無機絶縁物と有機化合物との混合層上に絶縁層と、前記絶縁層上に第２の無機絶縁物と有機化合物との混合層と、前記第２の無機絶縁物と有機化合物との混合層上に第２の導電層とを有し、
前記第１の無機絶縁物と有機化合物との混合層及び前記第２の無機絶縁物と有機化合物との混合層の膜厚は４ｎｍ以下であることを特徴とする記憶装置。
【請求項５】
第１の導電層上に無機絶縁物と有機化合物との混合層と、前記無機絶縁物と有機化合物との混合層上に絶縁層と、前記絶縁層上に第２の導電層とを有し、
前記無機絶縁物と有機化合物との混合層の膜厚はトンネル電流が流れる厚さであることを特徴とする記憶装置。
【請求項６】
第１の導電層上に第１の無機絶縁物と有機化合物との混合層と、前記第１の無機絶縁物と有機化合物との混合層上に絶縁層と、前記絶縁層上に第２の無機絶縁物と有機化合物との混合層と、前記第２の無機絶縁物と有機化合物との混合層上に第２の導電層とを有し、
前記第１の無機絶縁物と有機化合物との混合層及び前記第２の無機絶縁物と有機化合物との混合層の膜厚はトンネル電流が流れる厚さであることを特徴とする記憶装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記記憶装置の書きこみ後、前記第１の導電層と前記第２の導電層とは一部接することを特徴とする記憶装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、前記記憶装置の書きこみ後、前記絶縁層の膜厚が変化することを特徴とする記憶装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、前記無機絶縁物は、フッ化物、塩化物、臭化物、またはヨウ化物であることを特徴とする記憶装置。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれか一項において、前記無機絶縁物は、ＣａＦ２であり、前記有機化合物は４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニルであることを特徴とする記憶装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項において、前記絶縁層は有機材料を含んでいることを特徴とする記憶装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１０のいずれか一項において、前記絶縁層は、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素であることを特徴とする記憶装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１０のいずれか一項において、前記絶縁層は、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、またはエポキシであることを特徴とする記憶装置。
【請求項１４】
第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に無機絶縁物と有機化合物との島状の混合層を形成し、
前記無機絶縁物と有機化合物との島状の混合層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に第２の導電層を形成することを特徴とする記憶装置の作製方法。
【請求項１５】
第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に無機絶縁物と有機化合物との島状の混合層を形成し、
前記無機絶縁物と有機化合物との島状の混合層上に第２の導電層を形成することを特徴とする記憶装置の作製方法。
【請求項１６】
第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に第１の無機絶縁物と有機化合物との島状の混合層を形成し、
前記第１の無機絶縁物と有機化合物との島状の混合層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に第２の無機絶縁物と有機化合物との島状の混合層を形成し、
前記第２の無機絶縁物と有機化合物との島状の混合層上に第２の導電層を形成することを特徴とする記憶装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１４乃至１６のいずれか一項において、前記混合層は、蒸着法、スピンコート法、ゾル−ゲル法、液滴吐出法、または印刷法により形成されることを特徴とする記憶装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１４乃至１７のいずれか一項において、前記絶縁層は有機材料を含んで形成することを特徴とする記憶装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月23日(2008.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （化１）の化合物であり、
【化１】
2003335752.tif 000001
ここにおいて、＊は炭素原子を意味し、キラルな炭素原子の場合にはＲ立体配置またはＳ立体配置をとり、Ｒ１およびＲ３のうちの一方が水素原子で、他方が（化２）の基であり、
【化２】
2003335752.tif 000002
Ｒ２は水素原子、直鎖または分岐のＣ１〜Ｃ６アルキル基、アリール基、ヘテロサイクリック基、シクロアルキル基、（ＣＨ２）ｎ−アリール基、（ＣＨ２）ｎ−ヘテロサイクリック基、（ＣＨ２）ｎ−シクロアルキル基、メチルスルホニル基、フェニルスルホニル基、Ｃ（Ｏ）Ｒ８基、または（化３）から（化８）のうちの一つに属する基であり、
【化３】
2003335752.tif 000003
【化４】
2003335752.tif 000004
【化５】
2003335752.tif 000005
【化６】
2003335752.tif 000006
【化７】
2003335752.tif 000007
【化８】
2003335752.tif 000008
Ｒ４は水素原子または直鎖または分岐のＣ１〜Ｃ４−アルキル基であり、Ｒ５は水素原子、直鎖または分岐のＣ１〜Ｃ４アルキル基、（ＣＨ２）ｎ−アリール基、（ＣＨ２）ｎ−ヘテロサイクリック基、（ＣＨ２）ｎ−シクロアルキル基またはアミノ基であり、Ｒ６およびＲ７はそれぞれ互いに独立した水素原子または直鎖または分岐のＣ１〜Ｃ４−アルキル基であり、Ｒ８は直鎖または分岐のＣ１〜Ｃ６−アルキル基であり、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５およびＲ１６はそれぞれ互いに独立した水素原子または直鎖または分岐のＣ１〜Ｃ４−アルキル基であり、ｍは０、１または２であり、ｎは１または２である。
【請求項２】  Ｒ２は水素であり、Ｒ３は（化２）の基であり、ｍは０である、請求項１に記載された化合物。
【請求項３】  直鎖または分岐のＣ１〜Ｃ４アルキル基はメチルであり、直鎖または分岐のＣ１〜Ｃ６アルキル基はメチル、エチルまたはｉ−ブチルであり、アリールはフェニルまたはナフチルであり、シクロアルキルはシクロヘキシルであり、そして、ヘテロサイクリック基は４−ピペリジニルまたは３−ピロリル基である、請求項２に記載された化合物。
【請求項４】  Ｒ５はＮＨＣＨ２ＣＨ３である、請求項１に記載された化合物。
【請求項５】  （化９）の化学構造を有する化合物。
【化９】
2003335752.tif 000009
【請求項６】  （化１０）の化学構造を有する化合物。
【化１０】
2003335752.tif 000010
【請求項７】  Ｈ−Ａｉｂ−（Ｄ）−Ｔｒｐ−（Ｄ）−ｇＴｒｐ−Ｃ（Ｏ）ＮＨＣＨ２ＣＨ３の化合物であり、
ここにおいて、Ａｉｂはα−アミノイソブチリル、Ｄは右旋性鏡像異性体、Ｔｒｐはトリプトファン、ｇＴｒｐは
2003335752.tif 000011
の基であり、＊は炭素原子を意味し、キラルな炭素原子の場合にはＲ立体配置またはＳ立体配置をとる炭素原子を意味する、化合物。
【請求項８】  Ｎ−Ｍｅ−Ａｉｂ−（Ｄ）−Ｔｒｐ−（Ｄ）−ｇＴｒｐ−Ｃ（Ｏ）ＮＨＣＨ２ＣＨ３の化合物であり、
ここにおいて、Ｎ−ＭｅはＮ−メチル、Ａｉｂはα−アミノイソブチリル、Ｄは右旋性鏡像異性体、Ｔｒｐはトリプトファン、ｇＴｒｐは
2003335752.tif 000012
の基であり、＊は炭素原子を意味し、キラルな炭素原子の場合にはＲ立体配置またはＳ立体配置をとる炭素原子を意味する、化合物。
【請求項９】  請求項１の化合物を有する、薬物組成物。
【請求項１０】  薬物の受容キャリアーと組み合わせた、請求項９記載の組成物。
【請求項１１】  追加の成長ホルモン分泌促進薬と組み合わせた、請求項９記載の組成物。
【請求項１２】  請求項１に記載された化合物を哺乳動物に治療に有効な量で投与することを含む、哺乳動物における成長ホルモンの血漿中濃度を上昇させる方法。
【請求項１３】  請求項１に記載された化合物を哺乳動物に治療に有効な量で投与することを含む、成長ホルモンの分泌欠乏症を治療するための方法。
【請求項１４】  請求項１に記載された化合物を患者に治療に有効な量で投与することを含む、小児における成長遅延を治療するための方法。
【請求項１５】  特に老齢の対象者において、請求項１に記載された化合物を患者に治療に有効な量で投与することを含む、成長ホルモン分泌欠乏症にともなう代謝障害を治療するための方法。
【請求項１６】  請求項１に記載された化合物を治療に有効な量で投与することを含む、創傷の治癒、外科手術からの回復、または衰弱症状からの回復を促進させる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月3日(2007.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】 一般式(1)：
【化1】
2003335680.tif 000001
〔式中、
AはNまたはC-R1を示す。
R1は水素原子、低級アルキル基、フェニル環上にハロゲン原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、シアノ基、ニトロ基およびフェニル基からなる群から選択される基の1-3個を有することのあるフェニル基、低級アルコキシオキサリル基、低級アルコキシカルボニル低級アルキル基、低級アルコキシカルボニル基、フェニルカルボニル低級アルキル基、フェニル低級アルキル基、ナフチル基、1,4-ベンゾジオキサニル基またはチエニル基を示す。
R2は水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、C1-12-アルキル基、低級アルコキシカルボニル基、置換基としてハロゲン原子または低級アルキル基を有することのあるフェニル基、フェニルカルボニル基、フェニルスルホニル基、フェニル環上にハロゲン原子を有するフェニル低級アルキル基、ハロゲン置換低級アルキル基、メルカプト基または低級アルキルチオ基を示す。
R3は水素原子、低級アルキル基またはフェニル基を示す。
R4およびR5は同一または異なって低級アルキル基またはフェニル低級アルキル基を示す。〕
で表されるホスホン酸ジエステル誘導体（但し、ジエチル  4-[(4-(4-クロロフェニル)-5-メチルチアゾール-2-イル)カルバモイル]ベンジルホスホナートを除く）を有効成分として含有することを特徴とするACAT-1阻害剤。
【請求項2】 AがC-R1である一般式(1)の化合物を有効成分とする請求項1に記載のACAT-1阻害剤。
【請求項3】 AがC-R1であり、R3が水素原子であり且つR4およびR5が低級アルキル基である一般式(1)の化合物を有効成分とする請求項1に記載のACAT-1阻害剤。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月13日(2008.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 
原子炉の炉心（２２）であって、
複数の個別の燃料バンドル（３６）と、
各々が中央部分から半径方向に延びかつ互いに直角に配列された４つの制御棒ブレード（８２）を含み、該ブレードが４つの燃料バンドル受入れチャンネルを形成する複数の大型制御棒（７６）と
を含み、
各前記燃料バンドルは、前記燃料組立体を炉心中に下げるためのハンドル（１０８）を備え、
各前記受入れチャンネル中に２以上の燃料バンドルを備え、前記制御棒ブレードが各前記４つの燃料バンドルの２つの側面と隣接する複数の千鳥配列（９６）に前記大型制御棒が配置される
ことを特徴とする原子炉の炉心。
【請求項２】 前記大型制御棒及び前記複数の燃料バンドルは、複数の燃料セル（９８）を形成し、各前記燃料セルは、前記大型制御棒の各前記受入れチャンネル中に１つの大型制御棒及び４つの燃料バンドルを含み、前記複数の燃料セルは、前記制御棒が前記燃料バンドルの各側面（９２）が前記制御棒ブレードに隣接しかつそれにほぼ平行になるような、千鳥配列パターン（９６）に配置されるよう配列されることを特徴とする請求項１に記載の炉心。
【請求項３】 各前記受入れチャンネルは４つの燃料バンドルを収納することを特徴とする請求項１に記載の炉心。
【請求項４】前記４つの制御棒ブレードは、４つの四分区画（１００、１０２、１０４、１０６）を形成することを特徴とする請求項１に記載の炉心。
【請求項５】 各前記燃料セル四分区画は、４つの燃料バンドルを含むことを特徴とする請求項４に記載の炉心。
【請求項６】 複数の開口を形成するように構成された複数の上部ガイドビームを有する上部ガイドをさらに含むことを特徴とする請求項１又は４に記載の炉心。
【請求項７】 前記上部ガイドから間隔を置いて配置された炉心板をさらに含み、前記燃料バンドルは前記上部ガイド及び前記炉心板の間に延びることを特徴とする請求項６に記載の炉心。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月2日(2008.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  コイルと、シャフトと、そのシャフトと一体化され、シャフトの回転により上記コイルと対向する面積が変化する金属体とを具備し、
上記対向面積の変化による上記コイルのインダクタンスの変化を電気信号として取り出すようにした無接点型変位検出装置であって、
上記コイルが上記シャフトと同軸心の円筒面上に配置されていることを特徴とする無接点型変位検出装置。
【請求項２】  請求項１記載の無接点型変位検出装置において、
上記シャフトと上記金属体とが一体形成されていることを特徴とする無接点型変位検出装置。
【請求項３】  請求項１記載の無接点型変位検出装置において、
上記金属体が上記シャフトに一体化された樹脂製フランジの周面に設けられた金属膜とされていることを特徴とする無接点型変位検出装置。
【請求項４】  請求項３記載の無接点型変位検出装置において、
上記シャフトと上記フランジとが一体形成されていることを特徴とする無接点型変位検出装置。
【請求項５】  請求項１記載の無接点型変位検出装置において、
上記シャフトが樹脂製とされ、
上記金属体が上記シャフトの周面に設けられた金属膜とされていることを特徴とする無接点型変位検出装置。
【請求項６】  請求項３乃至５記載のいずれかの無接点型変位検出装置において、
上記金属膜が無電解メッキ膜とされていることを特徴とする無接点型変位検出装置。
【請求項７】  請求項３乃至５記載のいずれかの無接点型変位検出装置において、
上記金属膜が金属箔とされて上記周面に貼り付けられていることを特徴とする無接点型変位検出装置。
【請求項８】  金属製シャフトと、
そのシャフトと同軸心の円筒面上に配置されたコイルとを具備し、
上記シャフトの上記コイルと対向する部分に切欠きを設けて、上記コイルと上記シャフトの円周面との対向面積が上記シャフトの回転によって変化するようにし、
その変化による上記コイルのインダクタンスの変化を電気信号として取り出すようにしたことを特徴とする無接点型変位検出装置。
【請求項９】  コイルと、シャフトと、そのシャフトと一体化され、シャフトの回転により上記コイルと対向する面積が変化する金属体とを具備し、
上記対向面積の変化による上記コイルのインダクタンスの変化を電気信号として取り出すようにした無接点型変位検出装置であって、
上記金属体は、半円筒状板部とその一端側に取り付けられた平板部とよりなり、その平板部は上記シャフトに取り付け支持され、上記コイルの外側に対向して回転するようにしたことを特徴とする無接点型変位検出装置。
【請求項１０】  コイルと、シャフトと、そのシャフトと一体化され、シャフトの回転により上記コイルと対向する面積が変化する金属体とを具備し、
上記対向面積の変化による上記コイルのインダクタンスの変化を電気信号として取り出すようにした無接点型変位検出装置であって、
上記金属体は、半円筒状板部と半円柱部とそれぞれの一端側に取り付けられた共通の平板部とよりなり、その平板部は上記シャフトに取り付け支持され、上記半円筒状板部は上記コイルの外側に対向し、上記半円柱部は上記コイルの内側に対向し、上記コイルに対向して回転するようにしたことを特徴とする無接点型変位検出装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月24日(2008.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、液滴を吐出するノズルを構成する穴部を形成した第１の部材の液滴吐出方向と反対方向の面に、前記第１の部材の穴部に連通する穴部を形成した第２の部材を設けた液体吐出ヘッド用ノズル板において、
前記第１の部材と第２の部材の界面における前記第２の部材の穴部の直径が、第１の部材の穴部の吐出面側の直径よりも大きく、かつ、第１の部材の穴部の中心と第２の部材の穴部の中心とが同心に形成され、
前記第１の部材は、前記第２の部材をエッチングするときのエッチャントに対してエッチングレートが相対的に小さい部材である
ことを特徴とする液体吐出ヘッド用ノズル板。
【請求項２】
請求項１に記載の液体吐出ヘッド用ノズル板において、前記第１の部材は無機材であって、前記第２の部材は有機樹脂であることを特徴とする液体吐出ヘッド用ノズル板。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の液体吐出ヘッド用ノズル板において、前記第１の部材の吐出側表面は撥水性を有していることを特徴とする液体吐出ヘッド用ノズル板。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の液体吐出ヘッド用ノズル板を製造する製造方法であって、
前記第１の部材にエッチング穿孔して穴部を形成する工程と、
前記第１の部材をエッチングマスクとして第２の部材をエッチングにより穿孔して穴部を形成する工程を有する
ことを特徴とする液体吐出ヘッド用ノズル板の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の液体吐出ヘッド用ノズル板の製造方法において、前記第１の部材及び第２の部材に対するエッチングはドライエッチング法で行うことを特徴とする液体吐出ヘッド用ノズル板の製造方法。
【請求項６】
記録液の液滴を吐出する液体吐出ヘッドにおいて、前記請求項１ないし３のいずれかに記載の液体吐出ヘッド用ノズル板を備えていることを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項７】
記録液の液滴を吐出する液体吐出ヘッドを備えて画像を形成する画像形成装置において、前記液体吐出ヘッドが請求項６に記載の液体吐出ヘッドであることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記の課題を解決するため、本発明に係る液体吐出ヘッド用ノズル板は、
少なくとも、液滴を吐出するノズルを構成する穴部を形成した第１の部材の液滴吐出方向と反対方向の面に、前記第１の部材の穴部に連通する穴部を形成した第２の部材を設けた液体吐出ヘッド用ノズル板において、
前記第１の部材と第２の部材の界面における前記第２の部材の穴部の直径が、第１の部材の穴部の吐出面側の直径よりも大きく、かつ、第１の部材の穴部の中心と第２の部材の穴部の中心とが同心に形成され、
前記第１の部材は、前記第２の部材をエッチングするときのエッチャントに対してエッチングレートが相対的に小さい部材である
構成とした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
ここで、第１の部材は無機材であって、第２の部材は有機樹脂であることが好ましい。また、第１の部材の吐出側表面は撥水性を有していることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明に係る液体吐出ヘッド用ノズル板は、第１の部材と第２の部材の界面における第２の部材の穴部の直径が、第１の部材の穴部の吐出面側の直径よりも大きく、かつ、第１の部材の穴部の中心と第２の部材の穴部の中心とが同心に形成され、第１の部材は、第２の部材をエッチングするときのエッチャントに対してエッチングレートが相対的に小さい部材である構成としたので、圧力損失が小さくなって液滴吐出効率が向上し、滴吐出方向のバラツキを低減することができるとともに、第２の部材をエッチング穿孔加工するときに第１の部材をエッチングマスクとして用いることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月30日(2008.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに同一の撮像対象物を撮像する第１の撮像光学系および第２の撮像光学系を備え、撮像対象物を立体撮像する立体撮像手段と、
この立体撮像手段における前記第１の撮像光学系と第２の撮像光学系とを、互いの光軸が同軸になるように対向して収容保持する保持手段と、
この保持手段に収容保持される前記立体撮像手段によって撮像された像を立体表示する立体表示手段と
を具備したことを特徴とする立体観察装置。
【請求項２】
前記保持手段は、前記立体表示手段の背面部に取付けられることを特徴とする請求項１記載の立体観察装置。
【請求項３】
前記立体表示手段は、立体表示手段の位置および傾斜角度を調整自在な支持手段に支持されることを特徴とする請求項１記載の立体観察装置。
【請求項４】
前記第１の撮像光学系および第２の撮像光学系は、それぞれ光軸方向を変更する第１の光軸方向変更手段および第２の光軸方向変更手段を備えるとともに、これら第１の光軸方向変更手段および第２の光軸方向変更手段の位置もしくは反射角度を変更して撮像対象物に対する焦点距離を可変とする焦点距離変更手段を有することを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の立体観察装置。
【請求項５】
第１の画像を形成可能な第１の投影光を照射する第１の投影光照射手段と、
第２の画像を形成可能な第２の投影光を照射する第２の投影光照射手段と、
前記第１、第２の投影光照射手段を支持する支持手段と、
前記支持手段で支持された前記第１、第２の投影光照射手段からの前記第１、第２の投影光に正極性のレンズ作用を付与して反射可能な反射手段とを備えた立体観察装置において、
前記第１、第２の投影光照射手段は、互いの投影光軸が同軸に、かつ向い合う位置に配置され、前記第１、第２の投影光照射手段の向い合う投影光の進行方向を前記反射手段方向へ変更する光軸方向変更手段を備え、
前記支持手段は、前記反射手段を３次元的に自由な位置に配置するための第１の支持手段と、前記反射手段と前記光軸方向変更手段を支持し、前記第１の支持手段に対して、前記第１、第２の投影光照射手段の投影光軸を中心として回動可能な第２の支持手段からなることを特徴とする立体観察装置。
【請求項６】
前記第１の投影光照射手段および第２の投影光照射手段は、前記第１の支持手段に支持され、
前記第１の投影光照射手段および第２の投影光照射手段と、前記光軸方向変更手段の間に、それぞれ前記第１、第２の投影光照射手段から投影される像を回転する像回転手段を介設したことを特徴とする請求項５記載の立体観察装置。
【請求項７】
前記第１の撮像光学系と前記第２の撮像光学系は、それぞれ対物光学系と結像光学系と撮像素子を含み、
前記第１の撮像光学系と前記第２の撮像光学系は、それぞれの対物光学系を通過する光軸が同軸になるように保持されることを特徴とする請求項１記載の立体観察装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
撮像部２内における左目用開口部９と対向する位置に、左目用ミラー（第１の光軸変更手段）１１が配置され、さらにこのミラー１１の反射側に所定間隔を存して、左目用対物レンズ（対物光学系）１２と、左目用変倍光学系１３と、左目用結像レンズ（結像光学系）１４および、左目用撮像素子１５が配置され、これらで第１の撮像光学系６Ａが構成される。  
また撮像部２内には、右目用開口部１０と対向する位置に、右目用ミラー（第２の光軸変更手段）１６が配置され、さらにこのミラー１６の反射側に所定間隔を存して、右目用対物レンズ（対物光学系）１７と、右目用変倍光学系１８と、右目用結像レンズ（結像光学系）１９および、右目用撮像素子２０が配置され、これらで第２の撮像光学系６Ｂが構成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
ここでは、左目用のミラー１１と左目用変倍光学系１３との間に、複数のレンズ群で構成され、各レンズ群の位置関係を変更することにより焦点距離を変更できる左目用対物光学系３２が設けられる。同様に、右目用のミラー１６と右目用変倍光学系１８との間には、複数のレンズ群で構成され、各レンズ群の位置関係を変更することにより焦点距離を変更できる右目用対物光学系３３が設けられている。  
前記撮像光学系６において、第１の撮像光学系６Ａの左目用ミラー１１には、光束の反射中心である中心Ｆの位置に紙面とは直交する方向に回転軸２１が設けられる。第２の撮像光学系６Ｂの右目用ミラー１６には、光束の反射中心である中心Ｇの位置に紙面とは直交する方向に回転軸２２が設けられる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
これと同期して、モータ３０が回転駆動され、歯車３１に噛合する歯車２８およびリードネジ２７が回転する。リードネジ２７に螺合する左目・右目用ナット部２５，２６は互いに逆ネジに形成されることから、ガイド溝２３に沿って互いに逆方向に移動する。  
したがって、左目用ミラー１１と、右目用ミラー１６と、左目用対物光学系３２および右目用対物光学系３３の位置関係は点線で示すように変更され、撮像部２から術部Ａまでの距離Ｊが最適な焦点距離に合わせられ、ピント位置に調整される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
図中４０は、円筒形状をなす投影部（第２の支持手段）であり、連結杆部４１を介して前記表示パネル１Ａに取付け固定される。投影部４０の円筒面一部には凹部４２ａ，４２ｂが設けられ、これら凹部４２ａ，４２ｂには投影部４０の円筒中心を中心として回転可能に円筒管（第１の支持手段）４３が嵌合される。前記円筒管４３は支持脚４に連結されていて、互いに一体化される。これら投影部４０と円筒管４３とで支持部（支持手段）Ｓが構成される。  
円筒管４３と凹部４２ａ，４２ｂとの相互間には、ある程度の摩擦力が存在するよう組立てられ、支持脚４と円筒管４３に対して、凹部４２ａ，４２ｂと投影部４０および連結杆部４１を介して表示パネル１Ａが自然的に回動することはない。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月12日(2008.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
術部を立体撮影するための立体撮影光学系と、
前記立体撮影光学系の被写界深度を変更可能な被写界深度変更手段と、
前記立体撮影光学系における観察視野の状態の変化を検出する観察状態検出手段と、
前記観察状態検出手段からの情報に基づき、前記立体撮影用光学系の被写界深度変更手段を動作させるべく制御する被写界深度制御手段を備えたことを特徴とする医療用撮影装置。
【請求項２】
前記観察視野の状態の変化は視野の移動であることを特徴とする請求項１に記載の医療用撮影装置。
【請求項３】
術部にピントを合わせるための焦準手段をさらに有し、前記観察視野の状態の変化は焦準状態の変化であることを特徴とする請求項１に記載の医療用撮影装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
（１）術部を立体撮影するための立体撮影光学系と、前記立体撮影光学系の被写界深度を変更可能な被写界深度変更手段と、前記立体撮影光学系における観察視野の状態の変化を検出する観察状態検出手段と、前記観察状態検出手段からの情報に基づき、前記立体撮影用光学系の被写界深度変更手段を動作させるべく制御する被写界深度制御手段を備えた。
観察視野を移動させる際に、被写界深度が深くなるため、前後方向（ピント方向）において視野を見失いにくくなり、視野移動が容易におこなえる。また、ピントを合わせる際に被写界深度が浅くなるため、合焦位置が認識できピントが合わせやすくなる。特に、ピントが遠近どちらにずれているのか容易にわかり、ピント合わせの時間が短縮できる。したがって、手術時間短縮、術者の疲労軽減につながる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月25日(2008.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、前記基材によって担持された、光触媒性材料を含む光触媒層とを有し、
前記基材と前記光触媒層との間には、水溶性樹脂層が配置されていることを特徴とする光触媒層転写膜。
【請求項２】
請求項１に記載の光触媒層転写膜において、前記水溶性樹脂層は、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、水溶性ナイロン、アクリル酸誘導体、水溶性セルロース類、蛋白質、糖類、でんぷんのうち少なくとも一種類以上の高分子を含むことを特徴とする光触媒層転写膜。
【請求項３】
請求項１または２に記載の光触媒層転写膜において、前記光触媒層を対象物に接着するための接着層を有し、前記水溶性樹脂層と基材との接着力は、前記接着層の対象物に対する接着力よりも小さいことを特徴とする光触媒層転写膜。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の光触媒層転写膜において、前記光触媒層の上には、無機材料を主体としたアンカー層が配置されていることを特徴とする光触媒層転写膜。
【請求項５】
光触媒層と、その上を被覆する水溶性樹脂層とを表面に備えたことを特徴とする光触媒層を備えた物品。
【請求項６】
対象物上に光触媒層を形成する方法であって、
基材と、前記基材によって担持された光触媒層と、前記基材と前記光触媒層との間に配置された水溶性樹脂層とを有する光触媒層転写膜を用意し、該転写膜の前記光触媒層側を対象物に接着する工程と、
前記基材を前記光触媒層から剥離する工程とを含むことを特徴とする光触媒層形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
二酸化チタン等の光触媒性材料は、紫外線の照射を受けると活性化され、超親水性および有機物分解性を発揮することが知られている。この作用を利用して、製品の表面を光触媒性材料で被覆しておくことにより、セルフクリーニング効果、防汚効果、殺菌効果等の様々な効果を得る製品が実用化されている。光触媒性材料を含む被膜の形成方法としては、スパッタリング法等の気相成長法により対象物表面上に直接光触媒性材料層を成膜する方法の他、光触媒性材料を含有する塗料を対象物表面に塗布後乾燥させる方法や、表面に光触媒性材料含有層を予め形成した基材フィルムを対象物表面に貼り付ける方法等がある。光触媒性材料含有層を基材上に配置したフィルムは、例えば特許文献１、２に記載されている。
【特許文献１】特許第２７５６４７４号公報
【特許文献２】特許第３０３８５９９号公報
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
さらに本発明の別の態様によれば、対象物上に光触媒層を形成する方法であって、
基材と、基材によって担持された光触媒層と、基材と前記光触媒層との間に配置された水溶性樹脂層とを有する光触媒層転写膜を用意し、この転写膜の光触媒層側を対象物に接着する工程と、基材を光触媒層から剥離する工程とを含むことを特徴とする光触媒層形成方法が提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
基材１０１は、水溶性樹脂層１０２および光触媒層１０３を担持できる強度があり、水溶性樹脂層１０２からの剥離が可能な材質および膜厚のものであればどのようなものでもよい。例えばポリエステル、ポリプロピレン、アクリル等を用いることができる。ただし、水溶性樹脂層１０２を基材１０１上に形成する際に、水溶性樹脂層１０２とのなじみがよいものが望ましい。例えば、水溶性樹脂材料を塗布等により形成する際には、樹脂材料をはじかない性質のものが望ましい。なお、水溶性樹脂材料に水溶性を損なわない程度に界面活性剤を添加して、基材１０１への濡れ性を高めることも可能である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
基材１０１に、水溶性樹脂層１０２の材料であるポリビニルアルコール水溶液をメイヤーバー方式により均一に塗布し、１００℃、２分間の加熱処理することにより、水溶性樹脂層１０２を乾燥膜厚１μｍで形成する。つぎに、水溶性樹脂層１０２上に光触媒層１０３を形成する。ここでは、光触媒層１０３として、ＴｉＯ２粒子が結着剤である無機材料シリカ中に分散した層を形成する。例えば、無定型シリカの前駆体に結晶性チタニア（ＴｉＯ２）粒子を分散させた懸濁液を水溶性樹脂層１０２の表面に塗布した後加熱することにより、前駆体を加水分解させながら脱水縮重合させ、シリカによって結着された結晶性チタニア粒子の被膜を形成する方法を用いることができる。このような光触媒層１０３の形成方法は、例えば特許第２７５６４７４号公報等に詳しく記載されている公知の形成方法である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図２（ａ）のように対象物２０１の表面には、予め粘着剤や接着剤を塗布し、接着層２０２を形成しておく。つぎに、本実施の形態の光触媒層転写膜を光触媒層１０３（またはアンカー層１０４）を接着層２０２に接着する。これにより、図２（ｂ）のように対象物２０１の表面には、接着層２０２により光触媒層１０３（またはアンカー層１０４）が接着され、光触媒層１０３上に水溶性樹脂層１０２および基材１０１が搭載された構造となる。このとき、基材１０１と水溶性樹脂層１０２との接着力は、接着層２０２による対象物２０１と光触媒層１０３（またはアンカー層１０４）との接着力を小さくなるように設計されているため、図２（ｃ）のように基材１０１を剥離することができる。この剥離性は、光触媒層１０３が活性化され、水溶性樹脂層１０２の界面が光触媒層１０３の有機物分解性によって腐食された後であっても、良好に維持され、基材１０１を容易に剥がすことができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
比較例として、水溶性樹脂層１０２を配置せず、他の構成は上記実施の形態と同様にした比較例の光触媒層転写膜を製造した。これを図２（ａ）、（ｂ）のように対象物２０１上に接着したところ、基材１０１を剥がすことが困難であった。特に、有機物分解性の高い光触媒層１０３を使用した場合には、光触媒層１０３の有機物分解効果によって基材１０１が腐食され、基材１０１を剥離することがさらに難しかった。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月18日(2007.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、拡張チューブに代えて、筒状織布の内面に柔軟な内張りを施した拡開ホースを使用することもできる。かかる拡開ホースは筒状織布があるために強度が大きく、局部的に力が集中してもそれに耐えることができるので、前記プラスチックの拡張チューブのように拡開時に裂けるようなことはない。