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【手続補正書】
【提出日】平成20年6月3日(2008.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも支持体と、感光性有機成分と無機粉末とを含有する感光性セラミックスシートを積層した支持体付シートに、パターンを形成するパターン加工工程と、該支持体から該感光性セラミックスシートを剥離する剥離工程とを有する感光性セラミックスシートの加工方法であって、該剥離工程に先立って、支持体面側もしくは両面からの活性光線照射および／または加熱処理することを特徴とする感光性セラミックスシートの加工方法。
【請求項２】
活性光線が紫外線であることを特徴とする請求項１記載の感光セラミックスシートの加工方法。
【請求項３】
加熱処理の温度が５０〜１５０℃であることを特徴とする請求項１記載の感光性セラミックスシートの加工方法。
【請求項４】
剥離工程に先立って支持体面側より照射する活性光線量が、パターン加工工程で照射する活性光線量の０．５倍以上であることを特徴とする請求項１記載の感光性セラミックスシートの加工方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
すなわち本発明は、少なくとも支持体と、感光性有機成分と無機粉末とを含有する感光性セラミックスシートを積層した支持体付シートに、パターンを形成するパターン加工工程と、該支持体から該感光性セラミックスシートを剥離する剥離工程とを有する感光性セラミックスシートの加工方法であって、該剥離工程で、支持体面側もしくは両面からの活性光線照射および／または加熱処理することを特徴とする感光性セラミックスシートの加工方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月20日(2008.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タンニンと、タンニンの自己硬化を促進する触媒とからなることを特徴とする接着剤組成物。
【請求項２】
タンニンの自己硬化を促進する触媒が、アルカリ及び/又はルイス酸であることを特徴とする請求項１記載の接着剤組成物。
【請求項３】
アルカリが、水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムであることを特徴とする請求項２記載の接着剤組成物。
【請求項４】
ルイス酸が、シリカであることを特徴とする請求項２記載の接着剤組成物。
【請求項５】
木質系成形材料と、請求項１〜４いずれか1項に記載の接着剤組成物とを混和して混和物とし、この混和物を積層して木質積層マットを形成し、木質積層マット内に高温水蒸気を浸透させて加熱及び加圧して結合剤を硬化させることにより、木質系成形材料が硬化した結合剤で結合された木質系複合材料を得ることを特徴とする木質系複合材料の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】接着剤組成物及びそれを用いた木質系複合材料の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、接着剤組成物及びそれを用いた木質系複合材料の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、従来のタンニン系接着剤を用いた木質系複合材料及びその製造方法の問題点を鑑み、タンニン系接着剤を用いてしかも有害な揮発性物質を発生させることがない接着剤組成物及びそれを用いた生産性に優れた木質系複合材料の製造方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項１記載の接着剤組成物は、タンニンと、タンニンの自己硬化を促進する触媒とからなることを特徴とする。
請求項２記載の接着剤組成物は、請求項１記載の接着剤組成物において、タンニンの自己硬化を促進する触媒が、アルカリ及び/又はルイス酸であることを特徴とする。
請求項３記載の接着剤組成物は、請求項２記載の接着剤組成物において、アルカリが、水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムであることを特徴とする。
請求項４記載の接着剤組成物は、請求項２記載の接着剤組成物において、ルイス酸が、シリカであることを特徴とする。
請求項５記載の木質系複合材料の製造方法は、木質系成形材料と、請求項１〜４いずれか1項に記載の接着剤組成物とを混和して混和物とし、この混和物を積層して木質積層マットを形成し、木質積層マット内に高温水蒸気を浸透させて加熱及び加圧して結合剤を硬化させることにより、木質系成形材料が硬化した結合剤で結合された木質系複合材料を得ることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月20日(2008.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タンニンと、ヘキサメチレンテトラミンからなることを特徴とする接着剤組成物。
【請求項２】
ｐＨが７〜１３であることを特徴とする請求項１記載の接着剤組成物。
【請求項３】
木質系成形材料と、請求項1又は２に記載の接着剤組成物とを混和して混和物とし、この混和物を積層して木質積層マットを形成し、木質積層マット内に高温水蒸気を浸透させて加熱及び加圧して結合剤を硬化させることにより、木質系成形材料が硬化した結合剤で結合された木質複合材料を得ることを特徴とする木質複合材料の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】接着剤組成物及びそれを用いた木質複合材料の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、接着剤組成物及びそれを用いた木質複合材料の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、従来のタンニン系接着剤を用いた木質系複合材料及びその製造方法の問題点を鑑み、タンニン系接着剤を用いてしかも有害な揮発性物質を発生させることがない接着剤組成物及びそれを用いた、実用強度に優れた木質系複合材料の製造方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項１記載の接着剤組成物は、タンニンと、ヘキサメチレンテトラミンを含むことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項２記載の接着剤組成物は、請求項１記載の接着剤組成物において、ｐＨが７〜１３であることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項３記載の木質複合材料の製造方法は、木質系成形材料と、請求項1又は２に記載の接着剤組成物とを混和して混和物とし、この混和物を積層して木質積層マットを形成し、木質積層マット内に高温水蒸気を浸透させて加熱及び加圧して結合剤を硬化させることにより、有害な揮発性物質の発生がない木質複合材料を得るものである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
又、請求項２記載の接着剤組成物を用いると、タンニン系接着剤をアルカリ性とすることで木質チップ中のヘミセルロースを加水分解して軟化させ、木質積層マットが適度に圧密されて強度のバラツキがなく、人体に安全で、かつ充分な実用強度を有する木質複合材料を得ることができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
請求項1記載の接着剤組成物を用いた請求項３記載の木質複合材料の製造方法においては、木質系成形材料と、タンニン及びヘキサメチレンテトラミンからなるタンニン系接着剤よりなる結合剤とを混和して混和物とし、この混和物を積層して木質積層マットを形成し、木質積層マットの内部に高温水蒸気を浸透させて加熱及び加圧して結合剤を硬化させることにより、木質系成形材料が硬化した結合剤で結合された木質複合材料を得る構成としていることから、再生可能な天然資源を原料とする天然資源型からなる木質複合材料を得ることができ、しかも得られた木質複合材料は有害な触媒などを使用しないので、有害な揮発性物質が発生しない。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
請求項２記載の接着剤組成物を用いた請求項３記載の木質複合材料の製造方法においては、タンニン水溶液をアルカリ性とすることで、上記ヘミセルロースを加水分解して軟化させることが出来るので、得られる木質複合材料は、適度に圧密されて強度のバラツキがなく、かつ充分な実用強度と耐水性とを有する木質複合材料となるのである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月12日(2008.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体を搬送する振動性螺旋コンベアであって、
前記物体を支持する搬送面を規定し、複数のデッキ層セグメントを含む無孔の螺旋デッキと、
該螺旋デッキに沿って前記物体を進める起振力を生じるために前記螺旋デッキに結合された振動発生器を含む起振機質量アセンブリと、
前記螺旋デッキを囲むように構成され、その内部がコンベア室を規定するハウジングと、
前記コンベア室と気流連通する入口空気プレナムと、
前記入口空気プレナムに結合された空気源と
排気出口と、
前記コンベア室に配置され、複数のデッキ層セグメントのうち少なくとも２つの隣接するデッキ層セグメントを、前記隣接するデッキ層セグメント同士、及び前記少なくとも２つの隣接するデッキ層セグメントと排気出口とを気流連通するように接続する軸方向空気流路と、
を備え、
前記入口空気プレナムからの空気は、前記コンベア室内へ流れ、複数のデッキ層セグメントに亘って流れるように前記軸方向空気流路を通過するコンベア。
【請求項２】
前記ハウジングは、内壁および外壁を具備し、前記螺旋デッキは、ギャップを規定するために前記内壁及び外壁のうちいずれか一方から離隔された縁を具備し、前記空気流路は、前記ギャップを含んでいる請求項１記載のコンベア。
【請求項３】
前記内壁は、無孔である請求項２記載のコンベア。
【請求項４】
コンベア室に配置され、複数のデッキ層セグメントのうちの互いに隣接するデッキ層セグメントを相互に気流連通するように接続する複数の軸方向空気流路を更に具備する請求項１に記載のコンベア。
【請求項５】
前記ハウジングは、内壁および外壁を具備し、前記螺旋デッキは、内側ギャップを規定するように前記ハウジング内壁から離隔されたデッキ内縁と、外側ギャップを規定するように前記ハウジング外壁から離隔されたデッキ外縁とを具備し、前記複数の空気流路は、前記内部および外側ギャップを含んでいる請求項４記載のコンベア。
【請求項６】
前記内壁は、無孔である請求項５記載のコンベア。
【請求項７】
前記デッキ内縁近傍で前記螺旋デッキに結合された内側ガイドレールアセンブリと、前記デッキ外縁近傍で前記螺旋デッキに結合された外側ガイドレールアセンブリとをさらに備える請求項５記載のコンベア。
【請求項８】
前記入口空気プレナムと気流連通する複数の空気分配室をさらに備え、各空気分配室は、前記ハウジング内壁と前記ハウジング外壁との間において、前記入口空気プレナムから外方に向って放射状に延び、前記螺旋デッキに空気を導く複数の開孔を有している請求項１乃至７の何れか１つに記載のコンベア。
【請求項９】
前記螺旋デッキは、支持用に前記空気分配室に結合される請求項８記載のコンベア。
【請求項１０】
前記コンベア室から空気を排出するように前記軸方向空気流路に気流連通する出口空気プレナムをさらに備える請求項１乃至９の何れかに１つに記載のコンベア。
【請求項１１】
物体を搬送する振動性螺旋コンベアであって、
前記物体を支持する搬送面を規定し、複数の層セグメントを含む第１の螺旋デッキと、
該第１の螺旋デッキに機能的に結合され、前記物体を支持する搬送面を規定し、複数の層セグメントを含む第２の螺旋デッキと、
前記第１および第２の螺旋デッキに沿って前記物体を進める起振力を生じる前記第１および第２の螺旋デッキに結合された振動発生器を具備する起振機質量アセンブリと
を備えるコンベア。
【請求項１２】
前記第１および第２の螺旋デッキは、同心であり、前記第１の螺旋デッキは、第１の半径内に配置され、前記第２の螺旋デッキは、第２の半径内に配置される請求項１１記載のコンベア。
【請求項１３】
前記第２の半径は、前記第１の螺旋デッキが前記第２の螺旋デッキ内に入れ子となるように、前記第１の半径よりも大きい請求項１２記載のコンベア。
【請求項１４】
前記起振機質量アセンブリの前記起振力は、前記物体を垂直方向下方に前記第１の螺旋デッキに沿って搬送し、且つ、前記物体を垂直方向上方に前記第２の螺旋デッキに沿って搬送するように構成されている請求項１１記載のコンベア。
【請求項１５】
前記第１および第２の螺旋デッキがコンベア室を規定するように配置されたハウジングをさらに備える請求項１１乃至１４のいずれかに記載のコンベア。
【請求項１６】
前記コンベア室と気流連通する入口空気プレナムと、
前記コンベア室に配置され、前記第１および第２の螺旋デッキの隣接するデッキ層セグメント間を直接的に気流連通するように接続する軸方向空気流路と、
前記入口空気プレナムに結合された空気源と
をさらに備え、
前記入口空気プレナムからの空気は、前記コンベア室に流れ、複数のデッキ層セグメントに亘って流れるように前記軸方向空気流路を通過する請求項１５記載のコンベア。
【請求項１７】
前記ハウジングは、前記第１の螺旋デッキに配置される内壁および外壁を有する第１のハウジング室と、前記第２の螺旋デッキに配置される内壁および外壁を有する第２のハウジング室とを具備する請求項１６記載のコンベア。
【請求項１８】
前記第１の螺旋デッキは、第１のデッキ内側ギャップを規定するように前記第１のハウジング室内壁から離隔されたデッキ内縁と、第１のデッキ外側ギャップを規定するように前記第１のハウジング室外壁から離隔されたデッキ外縁とを具備し、
前記第２の螺旋デッキは、第２のデッキ内側ギャップを規定するように前記第２のハウジング室内壁から離隔されたデッキ内縁と、第２のデッキ外側ギャップを規定するように前記第２のハウジング室外壁から離隔されたデッキ外縁とを具備し、
前記空気流路は、前記第１および第２のデッキの前記内側および外側ギャップを含んでいる請求項１７記載のコンベア。
【請求項１９】
前記入口空気プレナムは、前記第１および第２のハウジング室間に配置され、該第１および第２のハウジング室によって少なくとも部分的に規定される請求項１７記載のコンベア。
【請求項２０】
前記第１のデッキ内縁近傍で前記第１の螺旋デッキに結合された第１の内側ガイドレールアセンブリと、前記第１のデッキ外縁近傍で前記第１の螺旋デッキに結合された第１の外側ガイドレールアセンブリと、前記第２のデッキ内縁近傍で前記第２の螺旋デッキに結合された第２の内側ガイドレールアセンブリと、前記第２のデッキ外縁近傍で前記第２の螺旋デッキに結合された第２の外側ガイドレールアセンブリとをさらに備える請求項１８記載のコンベア。
【請求項２１】
前記入口空気プレナムと気流連通する複数の空気分配室をさらに備え、各空気分配室は、前記第１および第２のハウジング室の内壁と外壁との間に入り口空気プレナムから放射状に配置され、前記第１および第２の螺旋デッキに空気を導く複数の開孔を有している請求項１７乃至２０の何れか１つに記載のコンベア。
【請求項２２】
前記第１および第２の螺旋デッキは、支持用に前記空気分配室に結合される請求項２１記載のコンベア。
【請求項２３】
前記コンベア室から空気を排出するように前記軸方向空気流路に気流連通する出口空気プレナムをさらに含む請求項１６乃至２２の何れか１つに記載のコンベア。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月18日(2008.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料が収容される燃料タンク内に設置された燃料ポンプによって前記燃料タンク内の燃料をエンジンに供給するエンジンの燃料供給装置において、
前記燃料ポンプが多重の容器状構造体で覆われており、
前記多重の容器状構造体の各々に形成された燃料通路が外周方向においてずらされて配置され、
前記多重の容器状構造体のうち最内層のものに形成された前記燃料通路と前記燃料入口とが、直線的に配置されている
ことを特徴とするエンジンの燃料供給装置。
【請求項２】
燃料が収容される燃料タンク内に設置された燃料ポンプによって前記燃料タンク内の燃料をエンジンに供給するエンジンの燃料供給装置において、
前記燃料ポンプが多重の容器状構造体で覆われており、
前記多重の容器状構造体の各々に形成された燃料通路が外周方向においてずらされて配置され、
前記多重の容器状構造体のそれぞれの上部に、ベーパ抜き孔が形成されている
ことを特徴とするエンジンの燃料供給装置。
【請求項３】
燃料が収容される金属製のボンベ形状の燃料タンク内に設置された燃料ポンプによって前記燃料タンク内の燃料をエンジンに供給するエンジンの燃料供給装置において、
前記燃料ポンプが多重の容器状構造体で覆われており、
前記多重の容器状構造体の各々に形成された燃料通路が外周方向においてずらされて配置され、
前記多重の容器状構造体のうち最内層のものに形成された前記燃料通路と前記吸い込み口とが、直線的に配置されており、
前記多重の容器状構造体のそれぞれの上部に、ベーパ抜き孔が形成されている
ことを特徴とするエンジンの燃料供給装置。
【請求項４】
請求項２又は請求項３に記載するエンジンの燃料供給装置において、
前記各ベーパ抜き孔が互い違いに配置されていることを特徴とするエンジンの燃料供給装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４に記載するいずれか１つのエンジンの燃料供給装置において、
前記多重の容器状構造体のうち最外層のものは、前記燃料タンクに固定されていることを特徴とするエンジンの燃料供給装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５に記載するいずれか１つのエンジンの燃料供給装置において、
前記多重の容器状構造体のうち最外層のものに形成された前記燃料通路は、その他の層のものに形成された前記燃料通路よりも高い位置に形成されていることを特徴とするエンジンの燃料供給装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６に記載するいずれか１つのエンジンの燃料供給装置において、
前記多重の容器状構造体の間に、燃料を通過させる防音部材が配設されていることを特徴とするエンジンの燃料供給装置。
【請求項８】
請求項７に記載するエンジンの燃料供給装置において、
前記防音部材は、表面形状が凹凸または波形に形成されていることを特徴とするエンジンの燃料供給装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８に記載するいずれか１つのエンジンの燃料供給装置において、
前記多重の容器状構造体のうち最外層のものに形成された前記燃料通路の外側、あるいは前記燃料ポンプの燃料入口の外側の少なくとも一方に遮音板が配置されていることを特徴とするエンジンの燃料供給装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月9日(2008.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高結晶性芯材炭素材料を被覆炭素材料で被覆した後焼成させて製造される２次電池用陰極材において、
上記２次電池用陰極材の全体気孔の比体積が０.００２ｃｃ／ｇ以下であり、直径が４０ｎｍ未満の気孔（マイクロ気孔)の体積が全体気孔の体積の１０％以上であり、直径が４０ないし１８０ｎｍの気孔（マクロ気孔)の体積が全体気孔の体積の９０％以下であることを特徴とする２次電池用陰極材。
【請求項２】
上記芯材炭素材料を被覆させるために用いられた被覆炭素材料は、焼成前５重量％以上であることを特徴とする請求項１に記載の２次電池用陰極材。
【請求項３】
上記２次電池用陰極材は、そのタップ密度が１.０ｇ／cm3以上であることを特徴とする請求項１に記載の２次電池用陰極材。
【請求項４】
上記２次電池用陰極材は、そのＢＥＴ比表面積が４m2／ｇ以下であることを特徴とする請求項１に記載の２次電池用陰極材。
【請求項５】
上記高結晶性芯材炭素材料は、天然黒鉛であることを特徴とする請求項１に記載の２次電池用陰極材。
【請求項６】
上記天然黒鉛は、球状化された天然黒鉛であり、そのタップ密度が０.８ｇ／cm3以上であることを特徴とする請求項５に記載の２次電池用陰極材。
【請求項７】
上記被覆炭素材料は、軟化点が１００℃以上であることを特徴とする請求項１に記載の２次電池用陰極材。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のうち選択された何れか一項による２次電池用陰極材を電池の陰極として用いて製造された２次電池。
【請求項９】
上記２次電池の陰極材の放電容量が３４０ｍＡｈ／ｇ以上であり、その充放電効率が９０％以上であることを特徴とする請求項８に記載の２次電池。
【請求項１０】
２次電池用陰極材の製造方法において、
（Ｓ１)タップ密度が０.８ｇ／ｃｍ３以上でありその含量が９５重量％以下である芯材炭素材料と、５重量％以上であり軟化点が１００℃以上である被覆炭素材料とを用意する段階；
（Ｓ２）上記材料を、湿式撹拌を通じて混合して上記芯材炭素材料に上記被覆炭素材料が被覆された混合物を得る段階；及び
（Ｓ３)上記混合物を焼成して上記芯材炭素材料に上記被覆炭素材料が被覆された陰極材を得る段階；を含み、
上記２次電池用陰極材の内部に含まれた全体気孔の比体積が０.００２ｃｃ／ｇ以下であり、直径が４０ｎｍ未満の気孔（マイクロ気孔)の体積が全体気孔の体積の１０％以上であり、直径が４０ないし１８０ｎｍの気孔（マクロ気孔)の体積が全体気孔の体積の９０％以下であることを特徴とする２次電池用陰極材の製造方法。
【請求項１１】
上記（Ｓ１)段階の芯材炭素材料は、天然黒鉛であることを特徴とする請求項１０に記載の２次電池用陰極材の製造方法。
【請求項１２】
上記（Ｓ３)段階で行う焼成は、１,０００ないし２,５００℃の温度で行うことを特徴とする請求項１０に記載の２次電池用陰極材の製造方法。
【請求項１３】
上記（Ｓ３)段階で行う焼成は、互いに異なる温度条件下で順次行うことを特徴とする請求項１０に記載の２次電池用陰極材の製造方法。
【請求項１４】
上記互いに異なる温度条件下で順次行う焼成段階は、前段階の焼成温度より後段階の焼成温度を相対的に高くすることを特徴とする請求項１３に記載の２次電池用陰極材の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月9日(2008.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定部と、該固定部に対して開閉可能な可動部とを備えた筐体を備えた携帯電話機であって、
前記筐体は、電力供給時に表示させた画像を電力供給停止後においても保持可能な不揮発性表示媒体を、前記可動部の外面部分に、該可動部の閉状態に当該携帯電話装置の外観として視認可能に備え、
画像の情報に応じて、各画素状態を制御することにより前記不揮発性表示媒体に画像を表示させる駆動回路と、
を備えたことを特徴とする携帯電話機。
【請求項２】
入力部を操作させることによって、ユーザが作成した画像や予め用意された画像の中から希望の画像を選択させる選択部をさらに備え、
前記駆動回路は、前記選択部によって選択された画像を前記不揮発性表示媒体に表示させることを特徴とする請求項１に記載の携帯電話機。
【請求項３】
電子ペンを操作させることによって、前記不揮発性表示媒体に対して書き込まれる任意の画像を検知する検知部をさらに備え、
前記駆動回路は、前記検知部によって検知された書き込み画像を前記不揮発性表示媒体に表示させることを特徴とする請求項１に記載の携帯電話機。
【請求項４】
任意の画像を外部装置から受信する受信部をさらに備え、
前記駆動回路は、前記受信部によって受信した画像を前記不揮発性表示媒体に表示させることを特徴とする請求項１に記載の携帯電話機。
【請求項５】
前記駆動回路は、文字情報を前記不揮発性表示媒体に表示させることを特徴とする請求項１に記載の携帯電話機。
【請求項６】
前記不揮発性表示媒体の各画素状態を制御することにより当該不揮発性表示媒体に画像を表示させる外部の駆動回路と接続する接続部をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の携帯電話機。
【請求項７】
撮像素子をさらに備え、
前記駆動回路は、前記撮像素子で撮像した画像の情報に応じて、各画素状態を制御することにより前記不揮発性表示媒体に画像を表示させることを特徴とする請求項１に記載の携帯電話機。
【請求項８】
前記撮像素子で撮像した画像の情報を画像メモリに展開することにより、前記不揮発性表示媒体に表示させる画像を生成する画像生成部をさらに備え、
前記駆動回路は、前記画像生成部によって生成された画像を前記不揮発性表示媒体に表示させることを特徴とする請求項７に記載の携帯電話機。
【請求項９】
前記駆動回路は、前記撮像素子で撮像された被写体の画像を前記不揮発性表示媒体に表示させることを特徴とする請求項７または８に記載の携帯電話機。
【請求項１０】
前記駆動回路は、前記撮像素子で撮像された被写体の色調や模様に応じた画像を前記不揮発性表示媒体に表示させることを特徴とする請求項７または８に記載の携帯電話機。
【請求項１１】
電力供給時に表示させた画像を電力供給停止後においても保持可能な不揮発性表示媒体を、固定部に対して開閉可能な可動部の外面部分に、該可動部の閉状態に当該携帯電話装置の外観として視認可能に備えた筐体を備えた携帯電話機において、該携帯電話機の外観を変更させるプログラムであって、
駆動回路により前記不揮発性表示媒体の各画素状態を制御して、該不揮発性表示媒体に画像を表示させる処理をコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】携帯電話機およびプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、外観を自由に変更できるようにした携帯電話機に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月30日(2008.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体構造物を作る方法であって、
半導体ウエハを得る工程と、
前記半導体ウエハの上に層間誘電体（ＩＬＤ）層を形成する工程と、
前記ＩＬＤの上に導電性のメッキ促進層（ＰＥＬ）を形成する工程と、
前記ＩＬＤおよびＰＥＬにパターンを形成し、前期ＰＥＬ及び少なくとも一部の前期ＩＬＤの所定の部分を除去する工程と、
前記ＩＬＤおよびＰＥＬによって形成される前記パターン中にシード層を堆積する工程と、
前記シード層の上に銅をメッキする工程と、
を含む方法。
【請求項２】
半導体構造物を作る方法であって、
半導体ウエハを得る工程と、
前記半導体ウエハの上に層間誘電体（ＩＬＤ）層を形成する工程と、
前記ＩＬＤの上に導電性のメッキ促進層（ＰＥＬ）をブランケット堆積する工程と、
前記ＩＬＤとＰＥＬとにパターンを形成し、前期ＰＥＬ及び少なくとも一部の前期ＩＬＤの所定の部分を除去して、前記ＩＬＤとＰＥＬとの中に構成要素を
形成する工程と、
前記ＰＥＬの上、ならびに前記ＩＬＤとＰＥＬとの中に形成された前記構成要素の中にシード層をブランケット堆積する工程と、
前記シード層の上に銅をメッキする工程と、
を含む方法。
【請求項３】
前記ＰＥＬは光学的に透明である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記ＰＥＬは透明導電性酸化物を含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】
前記透明導電性酸化物は、酸化インジウムすず、酸化インジウム、酸化スズ、スズ酸カドミウム、酸化亜鉛およびそれらの組み合わせからなる群から選ばれる、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記透明導電性酸化物は、ドーピングされた酸化インジウムすず、ドーピングされた酸化インジウム、ドーピングされた酸化スズ、ドーピングされたスズ酸カドミウム、ドーピングされた酸化亜鉛およびそれらの組み合わせからなる群から選ばれる、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
シード層を堆積する前記工程の前に、前記ＩＬＤおよびＰＥＬによって形成される前記パターン中にライナ層を堆積する工程をさらに含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項８】
前記ライナ層は、窒化タンタル、タンタル、チタン、窒化チタン、タングステンおよびそれらの組み合わせからなる群から選ばれる材料を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記銅を前記ＰＥＬの深さまで平坦化する平坦化工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記銅を前記ＩＬＤの深さまで平坦化する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記平坦化工程は、化学機械研磨法を含む、請求項９又は１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記ＰＥＬの厚さは５０から５０００Åである、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項１３】
前記ＰＥＬの厚さは２００から１５００Åである、請求項１又は２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月6日(2008.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層配置された基板を収納する反応室を形成する反応管と、
第１のガス導入部及び第２のガス導入部と、
前記反応管の内部に設けられ、ガス供給口を有するバッファ室と、
前記バッファ室の内部に処理ガスを活性化させるプラズマ発生用の電極と、を備えた基板処理装置であって、
前記第１のガス導入部は、前記処理ガスを前記バッファ室内に導入し、
前記バッファ室は、該バッファ室の内部に前記電極により発生されるプラズマにより前記処理ガスを活性化させる空間を形成し、前記第１のガス導入部から導入される前記処理ガスを前記ガス供給口から前記反応室内に供給し、
前記第２のガス導入部は、活性化させる前記処理ガスと異なる処理ガスを活性化させないで前記反応室内に供給することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
複数の基板を収容する反応室を形成する処理管と、
ガス導入部と、
前記反応管の内部に設けられたバッファ室と、を備えた基板処理装置であって、
前記ガス導入部は、処理ガスを前記バッファ室内に導入するガス導入口を有し、
前記バッファ室は、前記ガス導入部から導入される前記処理ガスを前記反応室内に供給するガス供給口を有し、
前記バッファ室内に、前記処理ガスを活性化させるための紫外線ランプを設けたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記紫外線ランプから照射される紫外線が前記バッファ室の外に照射されることを防ぐための反射板をバッファ室内に設けることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
複数の基板を収容する反応室を形成する処理管と、
ガス導入部と、
前記反応管の内部に設けられたバッファ室と、を備えた基板処理装置であって、
前記ガス導入部は、処理ガスを前記バッファ室内に導入するガス導入口を有し、
前記バッファ室は、前記ガス導入部から導入される前記処理ガスを前記反応室内に供給するガス供給口を有し、
前記バッファ室内に発熱線と、電源を設け、前記電源により前記発熱線を加熱し、前記発熱線に接触した前記処理ガスを前記処理ガスを活性化することを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置であって、
前記電源により前記発熱線を1600℃以上に加熱することを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項４又は５に記載の基板処理装置であって、
前記発熱線はタングステンからなることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
複数の基板を収容する反応室を形成する処理管と、
ガス導入部と、
前記反応管の内部に設けられたバッファ室と、を備えた基板処理装置であって、
前記ガス導入部は、処理ガスを前記バッファ室内に導入するガス導入口を有し、
前記バッファ室は、前記ガス導入部から導入される前記処理ガスを前記反応室内に供給するガス供給口を有し、
前記ガス導入部にリモートプラズマユニットを設け、前記リモートプラズマユニットを通過する処理ガスを活性化し、前記活性化した処理ガスを前記ガス供給口から前記反応室に供給することを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項７に記載の基板処理装置であって、前記リモートプラズマユニットっはICPコイルを用いることを特徴とする基板処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月14日(2008.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示部及び受話部を有する第一の筐体と操作部及び送話部を有する第二の筐体とを互いに開閉動作させる際に中心となる開閉軸と、前記第一の筐体と前記第二の筐体とを開いた状態で前記第一の筐体を前記第二の筐体に対して回動動作させる際に中心となる回動軸と、を備えた折り畳み式携帯通信機において、
前記第一の筐体と前記第二の筐体とを折り畳んだ際に互いに対向する面のうち、一方の対向面の前記開閉軸の近傍に、他方の対向面に向けて突出する第一の凸部が形成され、前記第一の凸部の近傍にマイク孔が形成されていることを特徴とする折り畳み式携帯通信機。
【請求項２】
前記第一の筐体と前記第二の筐体とを折り畳んだ際に互いに対向する面のうち、一方の対向面の前記開閉軸と反対側の端部側に、他方の対向面に向けて突出する第二の凸部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の折り畳み式携帯通信機。
【請求項３】
前記第一、第二の凸部は弾性体で形成されていることを特徴とする請求項２に記載の折り畳み式携帯通信機。
【請求項４】
前記マイク孔を設けた筐体と異なる他方の筐体であって、前記開閉軸と離れた位置にスピカーを設けたことを特徴とする請求項１に記載の折り畳み式携帯通信機。
【請求項５】
前記第一の凸部とマイク孔とは筐体のコーナに設けたことを特徴とする請求項１に記載の折り畳み式携帯通信機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項２の発明によれば、折り畳んだ際の互いに対向する面のうち、一方の対向面の開閉軸と反対側の端部側に第二の凸部が形成されているので、折り畳んだ際に、第二の凸部が他方の対向面に当接することにより各筐体が固定されて、ガタつきを確実に防止することができる。
請求項３の発明は、請求項２に記載の折り畳み式携帯通信機において、
前記第一、第二の凸部は弾性体で形成されていることを特徴とする。
請求項４の発明は、請求項１に記載の折り畳み式携帯通信機において、
前記マイク孔を設けた筐体と異なる他方の筐体であって、前記開閉軸と離れた位置にスピカーを設けたことを特徴とする。
請求項５の発明は、請求項１に記載の折り畳み式携帯通信機において、
前記第一の凸部とマイク孔とは筐体のコーナに設けたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月14日(2008.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体内に、無線信号の送信、受信又は送受信を行う無線回路部を内蔵してなる携帯型無線機において、
アンテナを収納自在にするため、前記筐体に設けられた収納凹部と、
前記無線回路部の近傍であって、且つ前記収納凹部内において前記筐体に形成された放熱孔と、
を備えたことを特徴とする携帯型無線機。
【請求項２】
テレビ受信部が前記筐体内に内蔵され、
前記放熱孔によって前記筐体内に対流が生じ、その対流によって前記テレビ受信部が冷却されることを特徴とする請求項1に記載の携帯型無線機。
【請求項３】
前記筐体が２つのケースを組み合わせてなり、前記２つのケースのうちの一方のケースの表側に凹部が形成され、締結部材が前記凹部内において前記一方のケースを通って他方のケースに締結し、前記凹部内に他の放熱孔を設けたことを特徴とする請求項１に記載の携帯型無線機。
【請求項４】
前記筐体の前面に、他の放熱孔を設けたことを特徴とする請求項１に記載の携帯型無線機。
【請求項５】
前記筐体の複数個所に、他の放熱孔を設けたことを特徴とする請求項１に記載の携帯型無線機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
以上の課題を解決するため、請求項１に記載の携帯型無線機は、筐体内に、無線信号の送信、受信又は送受信を行う無線回路部を内蔵してなる携帯型無線機において、アンテナを収納自在にするため、前記筐体に設けられた収納凹部と、前記無線回路部の近傍であって、且つ前記収納凹部内において前記筐体に形成された放熱孔と、を備えたことを特徴とする。
請求項２に記載の携帯型無線機は、請求項１において、テレビ受信部が前記筐体内に内蔵され、前記放熱孔によって前記筐体内に対流が生じ、その対流によって前記テレビ受信部が冷却されることを特徴とする。
請求項３に記載の携帯型無線機は、請求項１において、記筐体は２つのケースを組み合わせてなり、前記２つのケースのうちの一方のケースの表側に凹部が形成され、締結部材が前記凹部内において前記一方のケースを通って他方のケースに締結し、その凹部に他の放熱孔を設けたことを特徴とする。
請求項４に記載の携帯型無線機は、請求項１において、前記筐体の前面に、他の放熱孔を設けたことを特徴とする。
請求項５に記載の携帯型無線機は、請求項１において、前記筐体の複数個所に、他の放熱孔を設けたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
１  携帯電話機
３  第２の筐体
３８  テレビ受信用ＩＣチップ
３９  無線回路部
４２、４５、６７  放熱孔
４３  テレビアンテナ
４４  収納凹部
６８  凹部
６９  ネジ
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月17日(2008.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
ディジタルカメラ10は、図１に示すように、光学系12、撮像部14、前処理部16、信号処理部18、システム制御部20、操作部22、タイミング信号発生器24、ドライバ26、キズ座標メモリ28、モニタ30、メディアIF（InterFace）回路32、メディア34および温度センサ36を含む。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
CCD 40は、入射光の到来方向側にマイクロレンズと受光素子54との間に色フィルタセグメントを形成する。色フィルタセグメントは受光素子54と一対一に対応して形成されている。色フィルタセグメントは入射光を分光特性に応じて色分解する機能を有する。本実施例の色フィルタセグメントには３原色、赤（R）、青（B）および緑（G）が用いられる。色Gの色フィルタセグメントは、正方格子状に形成され、色RおよびBの色フィルタセグメントが形成する正方格子に着目すると、色RおよびBの色セグメントにより完全市松パターンが形成されている。この色フィルタパターンをG正方格子RB市松パターンと呼ぶ。色フィルタセグメントは、一つの受光素子54において主および副画素ともに同色を配している。色フィルタセグメントは、３原色系に限定されるものでなく、補色系を用いてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本実施例の特徴であるCCD 40は、受光素子54の内、OB領域46から離れた領域に形成された受光素子54の一部を遮光する。遮光には、図３に示すように、副画素領域58を用いる。遮光された副画素領域58を遮光副画素60とし、ハッチングで示す。遮光副画素60は、たとえば色Gの行に見て一列おきに設けてもよい。色Gの遮光副画素60に隣接する行において、色R/Bの色フィルタセグメントの遮光副画素は、色Gの遮光副画素60の10個おき程度に２個連続して形成する。また、遮光副画素60は、列方向に見ると、２行を単位とみなして、１単位おきに設ける。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図4(b)および図4(c)は、図4(a)の一点鎖線IVB-IVBおよびIVC-IVCに沿う断面を示す。受光素子54はｎ型半導体基板74の表面にはｐ型ウエル76が形成される。さらに、ｐ型ウエル76の表面に主画素領域56および副画素領域58に対応するｎ型領域が形成される。ｐ＋型領域は、主および副画素、垂直転送路70等の電気的に分離するチャネルストップ78である。図4(b)の断面においてチャネルストップ78の外側に垂直転送路70が形成される。そして、垂直転送路70の上には、転送電極62〜68が形成される。図4(c)に示す主画素と垂直転送路70の間、図示しない副画素と垂直転送路70との間のｐ型ウエル76は、読出しゲートに対応している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
遮光副画素キズ座標メモリ112は、遮光副画素においてキズを有する画素の座標データを保持する機能を有する。遮光副画素キズ座メモリ112は後発のキズの情報を記憶することもできる。遮光副画素補間処理部114は、遮光副画素におけるキズ画素または不適切なレベルの遮光副画素に対して周辺の遮光副画素を基に補間して該当する遮光副画素に対する遮光副画素の補間データを求める機能を有する。遮光副画素レベル判定部116は、取得した遮光副画素からの画素データが周辺の遮光副画素の画素データ、すなわち信号レベルと比較して、取得した画素データが適正か否かを判定する機能を有する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
メディアI/F回路32は、たとえば扱う記録媒体に応じて画像データの記録/再生を制御するインタフェース制御機能を有する。メディアI/F回路32は、画像データ148を半導体記録媒体であるPC（Personal Computer）カードに対する書込み/読出し制御したりUSB（Universal Serial Bus）コントローラの内蔵にともないの書込み/読出し制御したりすることができる。メディア34には、各種の半導体カードの規格がある。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2007194911.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月3日(2008.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
チューナ４１は、後述するＤＣ−ＤＣコンバータ４４から供給される電力で動作し、テレビジョンＩＦ信号の周波数を選択することにより選局を行い、選局された信号を出力する。また、チューナ４１は、ＤＣ−ＤＣコンバータ４４から供給される電力をコンバータ１５に出力する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月1日(2008.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｇａを含む化合物半導体層上にプラズマＣＶＤ法により屈折率が１．８５以下の窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクに用いて前記化合物半導体層を選択処理する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記選択処理する工程は、エッチング工程であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記選択処理する工程は、不純物を導入する工程であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記選択処理する工程は、前記マスク以外の領域に露出した前記化合物半導体層をエッチングして半導体発光装置のリッジ部を形成する工程であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
Ｇａを含む化合物半導体層上にプラズマＣＶＤ法により屈折率が１．８５以下の窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜上に前記窒化シリコン膜よりも緻密な保護膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記保護膜の屈折率が２．０以上であることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記窒化シリコン膜のみまたは前記窒化シリコン膜と前記保護膜との積層体をマスクに、前記マスク以外の領域に露出した前記化合物半導体層をエッチングし半導体発光装置のリッジ部を形成する工程を有することを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記リッジ部上の前記マスクの少なくとも一部を除去し、コンタクト電極を形成する工程を有することを特徴とする請求項４または７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記窒化シリコン膜は、ＳｉＨ４：ＮＨ３：Ｎ２の流量比が３〜１０：５〜１０：１０００およびＲＦ周波数が２ＭＨｚ以上の条件により形成されることを特徴とする請求項１または５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記Ｇａを含む化合物半導体層は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＩｎＧａＰのいずれかであることを特徴とする請求項１または５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
基板上に形成されたＧａを含む化合物半導体層と、
前記化合物半導体層上に形成された屈折率が１．８５以下の窒化シリコン膜と、
前記窒化シリコン膜上に形成された前記窒化シリコン膜よりも緻密な保護膜とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
前記保護膜は、屈折率が２．０以上の膜であることを特徴とする請求項１１記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記Ｇａを含む化合物半導体層は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＩｎＧａＰのいずれかであることを特徴とする請求項１１記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記窒化シリコン膜または前記窒化シリコン膜と前記保護膜との積層体をマスクに、前記マスク以外の領域に露出した前記化合物半導体層をエッチングして形成された半導体発光装置のリッジ部を有することを特徴とする請求項１１記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記リッジ上の前記マスクの少なくとも一部を除去して形成されたコンタクト電極とを有することを特徴とする請求項１４記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記構成において、前記窒化シリコン膜は、ＳｉＨ４：ＮＨ３：Ｎ２の流量比が３〜１０：５〜１０：１０００およびＲＦ周波数が２ＭＨｚ以上の条件により形成される構成とすることができる。この構成によれば、屈折率が１．８５以下の窒化シリコン膜を形成することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図３（ｂ）を参照に、ｐ型コンタクト層１８上に接して窒化シリコン膜２２を、例えばプラズマＣＶＤ法を用い形成する。つまり、導電層であるｐ型コンタクト層１８に接するように窒化シリコン膜２２を形成する。このときの窒化シリコン膜２２の成膜条件は、ＳｉＨ４、ＮＨ３、Ｎ２の流量比が３：７：１０００、真空度が９００ｍＴｏｒｒ、ＲＦ周波数が１３．５６ＭＨｚ、ＲＦパワーが５０Ｗ、基板温度が３００℃である。なお、窒化シリコン膜の屈折率を低下させる方法としては、ＲＦパワーを高くする、ＮＨ３のガス流量比を上げる等がある。屈折率が１．８５以下の同様の窒化シリコン膜を形成するためには、例えば、ＳｉＨ４、ＮＨ３、Ｎ２の流量比を３〜１０：５〜１０：１０００、真空度を８００〜１０００ｍＴｏｒｒ、ＲＦパワーを５０〜１００Ｗ、基板温度を３００〜３５０℃とすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図５（ａ）を参照に、フォトレジスト４４を除去する。窒化シリコン膜２４をマスクにｐ型クラッド層１６に達するようにｐ型コンタクト層１８およびｐ型クラッド層１６の一部を除去する。これにより、化合物半導体層２０に窪み部３７と、窪み部３７に挟まれたリッジ部３６が形成される。言い換えれば、窒化シリコン膜２４をマスクに、マスク以外の領域に露出した化合物半導体層２０の一部であるｐ型コンタクト層１８およびｐ型クラッド層１６の一部をエッチングし、リッジ部３６を形成している。なお、図５（ｂ）を参照に、ｐ型クラッド層１６の表面、リッジ部３６の側面およびｐ型コンタクト層１８の表面に接するように窒化シリコン膜２６を形成する。つまり、リッジ部３６の最上層の少なくとも一部に窒化シリコン膜を形成する。窒化シリコン膜２６は、窒化シリコン膜２２と同じ成膜条件で形成した下層と、保護膜との２層構造である。保護膜は窒化シリコン膜２６より緻密な膜であり、屈折率が２．０以上の窒化シリコン膜である。図５（ｃ）を参照に、窒化シリコン膜２６上にフォトレジスト４６を形成する。フォトレジスト４６のリッジ部３６の上面に開口部を設ける。フォトレジスト４６をマスクに窒化シリコン膜２６をエッチングする。フォトレジスト４６を除去し、蒸着法またはスパッタ法を用い電極３２（コンタクト電極）をＴｉ、Ｍｏ、Ａｕを順に形成する。言い換えれば、リッジ部３６上の窒化シリコン膜２６を除去し、電極３２を形成している。図５（ｂ）において、窒化シリコン膜２６の全部または一部を残し、電極３２を窒化シリコン膜２６の一部を除去し形成してもよい。以上により実施例１に係る半導体レーザが完成する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月1日(2008.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
前記工程（ａ）は、前記第１の凹凸領域と前記第２の凹凸領域とを異なるマスクを用いてエッチングすることにより、第１の凹部と第２の凹部とをそれぞれ形成する工程であり、
前記第２の凹部の深さは、前記第１の凹部の深さ以下であり且つ前記第１の凹凸領域と接する側において前記平坦領域と接する側と比べて浅くすることを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
前記工程（ａ）は、前記第１の凹凸領域と前記第２の凹凸領域とを異なるマスクを用いてエッチングすることにより、第１の凸部と第２の凸部とをそれぞれ形成する工程であり、
前記第２の凸部の高さは、前記第１の凸部の高さ以下であり且つ前記第１の凹凸領域と接する側において前記平坦領域と接する側と比べて低くすることを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
以下に、第１の実施形態の一変形例について図面を参照して説明する。図６は第１の実施形態の一変形例に係る、半導体装置の形成用基板であり、（ａ）は平面構成を示し、（ｂ）は（ａ）のVIｂ−VIｂ線における断面構成を示している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2007194450.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月8日(2008.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第１導電型クラッド層、活性層および第２導電型クラッド層が順次積層された化合物半導体層を形成する工程と、
前記化合物半導体層内の導波路から出力光が出射する端面となるべき領域の前記導波路に、前記導波路の他の領域に比べ等価屈折率が小さい低屈折率領域を形成する工程と、を有し、
前記低屈折率領域を形成する工程は、前記低屈折率領域の前記導波路の長手方向の幅をウエハ内の複数の半導体発光装置で異ならせて前記低屈折率領域を形成する工程を含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【請求項２】
基板上に、第１導電型クラッド層、活性層および第２導電型クラッド層が順次積層された化合物半導体層を形成する工程と、
前記化合物半導体層内の導波路から出力光が出射する端面となるべき領域の前記導波路に、前記導波路の他の領域に比べ等価屈折率が小さい低屈折率領域を形成する工程と、を有し、
前記低屈折率領域を形成する工程は、先行して製造した半導体発光装置の前記出力光の放射角度に基づき、前記低屈折率領域の前記導波路の長手方向の幅を変更し前記低屈折率領域を形成する工程を含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記低屈折率領域を形成する工程は、異なる寸法のフォトマスクを用い前記低屈折率領域の前記導波路の長手方向の幅が異なるように前記低屈折率領域を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記低屈折率領域を形成する工程は、フォトマスクの選択により前記低屈折率領域の前記導光路の長手方向の幅を決定する工程を含むことを特徴とする請求項２記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記低屈折率領域を形成する工程は、前記低屈折率領域となるべき領域に接するように酸化亜鉛と酸化シリコンを含有する膜を形成する工程と、前記酸化亜鉛の亜鉛を前記低屈折率領域となるべき領域の前記化合物半導体層に拡散する工程と、を含むことを特徴とする請求項１または２記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記低屈折率領域を形成する工程は、前記低屈折率領域となるべき領域に不純物をイオン注入する工程を含むことを特徴とする請求項１または２記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項７】
前記低屈折率領域を形成する工程は、前記化合物半導体層を形成する工程において、前記低屈折率領域の前記化合物半導体層の少なくとも一部の層の膜厚が前記導波路の他の領域に比べ薄くなるように前記化合物半導体層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１または２記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項８】
前記基板は、その表面が（１００）面から［１１１］方向または［１−１−１］方向に結晶面が傾斜しているオフ基板であることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項記載の半導体発光装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記構成において、前記低屈折率領域を形成する工程は、フォトマスクの選択により前記低屈折率領域の前記導光路の長手方向の幅を決定する工程を含む構成とすることができる。この構成によれば、フォトマスクを選択することにより、簡単に低屈折率領域の導光路の長手方向の幅を決定することができる。