【手続補正書】
【提出日】平成20年11月11日(2008.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機シリコンガスと不活性ガスからなる反応ガスを容量結合方式のＣＶＤ装置の反応器へ導入する工程、
前記有機シリコンガスから気相中に生成する微粒子のサイズを前記反応器内におけるプラズマ放電時間の関数として、nmオーダーに調整する工程、及び
生成した前記微粒子を前記反応器内に載置された基板上に堆積する工程、
を備えたことを特徴とする低誘電率の膜を形成する方法。
【請求項２】
前記有機シリコンガスの流量は前記不活性ガスの流量に対して１０％以下である、ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記有機シリコンガスの流量は前記不活性ガスの流量に対して５％以下である、ことを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記プラズマ放電は８W/cm2から１３W/cm2のRF電力を印加することにより生成される、ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
一回の前記プラズマ放電時間を１ミリ秒から１秒として前記微粒子を形成する、ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記微粒子を前記基板上に堆積させる間、前記プラズマ放電を中止する、ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記プラズマ放電を間欠的に行う、ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】
一回の前記プラズマ放電時間を１０ミリ秒から１秒として前記微粒子を形成し、一回の前記プラズマ放電後１００ミリ秒から２秒の間前記プラズマ放電を中止し、前記微粒子を前記基板上へ堆積させる工程を一サイクルとし、少なくとも２サイクル以上繰り返す、ことを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記反応ガスは前記反応器内に設けられたシャワープレートのガスノズルを通って導入され、前記プラズマ放電は上下電極間で行われ、前記基板は下部電極上に載置されている構造において、前記反応ガスの流量を次の関係式を満足するように調整する、ことを特徴とする請求項８記載の方法。
【数１】
2006148100.tif 000001
Q：ガス流量（sccm）
N：シャワープレートのガスノズルの個数
A：シャワープレートのガスノズルの断面積（cm2）
P：反応器内の圧力（Torr）
L：電極間隔（cm）
【請求項１０】
前記反応ガスの前記基板の表面に平行な流速を前記反応器内で２．５cm/秒以下となるように調整する、ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１１】
前記プラズマ放電中の前記反応器の圧力を０．１ Torr から１０ Torrとする、ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１２】
前記プラズマ放電は、13.56 MHz、27 MHzまたは60 MHzのRF電力を用いて生成される、ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１３】
前記有機シリコンガスはSiαOα−１R２α―β＋２(OCnH2n+1)βで表され、ここでαは、１〜３の整数、βは0,1,2,3または4, nは１〜３の整数、及びR は Siに結合するC1-6炭化水素である、ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１４】
前記有機シリコンガスは、SiR４−α(OCnH2n+1)αで表され、ここで、αは0, 1,2 ,3または4, nは１〜３の整数、及びRはSiに結合するC1-6炭化水素である、ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１５】
前記有機シリコンガスは、Si２OR６−α(OCnH2n+1)αで表され、ここでαは 0,1,2 ,3 または4, nは１〜３の整数、及びRはSiに結合するC1-6炭化水素である、ことを特徴とする請求項1記載の方法。
【請求項１６】
前記有機シリコンガスは、SiHβR４−α(OCnH2n+1)α−β で表され、ここでαは0,1,2 ,3 または4、βは0,1,2,3または4、 nは1または2、及びRはSiに結合するC1-6炭化水素である、ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１７】
前記有機シリコンガスとて、Si(CH3)4、Si(CH3)3(OCH3)、Si(CH3)2(OCH3)2、Si(CH3)(OCH3)3、Si(OCH3)4、Si(CH3)3(OC2H5)、Si(CH3)2(OC2H5)2、Si(CH3)(OC2H5)3、Si(OC2H5)4、SiH(CH3)３、SiH2(CH3)2、SiH3(CH3)の一つまたは、これらの複数の組み合わせを用いる、ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１８】
前記不活性ガスとしてArまたはHe、Ne、Kr、Xe、N2のひとつまたはその組み合わせを用いる、ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１９】
前記反応ガスが更に、形成される前記膜のカーボン濃度を調整するためのO2、CO, CO2, N2Oの少なくとも一つを含む酸化性ガスを含有する、ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２０】
前記プラズマ放電は、100 MHz以上のVHF帯の高周波電力を用いて生成される、ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２１】
前記VHF帯の高周波電力を、スポークアンテナ電極により印加する、ことを特徴とする請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記プラズマ放電はRF電力の印加により生成され、RF電力のインピーダンスを電子式ＲＦ整合器により調整する、ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２３】
成膜中の前記基板の温度を０℃から４５０℃の範囲とする、ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２４】
更に、成膜後、プラズマ処理、ＵＶ、またはＥＢのいずれか、またはその組み合わせによる熱処理によりキュアする工程を含み、前記膜の機械的強度を改善する、ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２５】
更に、成膜後、有機シリコンガス雰囲気に前記基板を放置し、有機シリコン分子を前記膜上に付着させる工程、および前記膜をキュアする工程を含み、膜強度を改善する、ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２６】
更に、成膜後、H2Oガス雰囲気に放置する工程と有機シリコンガス雰囲気に放置する工程を一回または複数回繰り返す工程を含み、膜強度を改善する、ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項２７】
有機シリコンガスと不活性ガスからなる反応ガスを反応器内に設けられたシャワープレートのガスノズルを通して前記反応器内に導入する工程、
前記反応ガスの流量を次の関係式を満足するように調整する工程、
【数２】
2006148100.tif 000002
Q：ガス流量（sccm）
N：シャワープレートのガスノズルの個数
A：シャワープレートのガスノズルの断面積（cm2）
P：反応器内の圧力（Torr）
L：電極間隔（cm）
前記有機シリコンガスから気相中に生成する微粒子のサイズを前記反応器内におけるプラズマ放電時間の関数として、１０nm以下に調整する工程、及び
プラズマ放電を中止し生成された前記微粒子を前記反応器内に載置された基板上に堆積する工程、
を備えたことを特徴とする低誘電率の膜を形成する方法。
【請求項２８】
（A）有機シリコンガスと不活性ガスからなる反応ガスを反応器へ導入する工程、
（B）プラズマ放電を生成し、前記有機シリコンガスから微粒子を形成する工程、及び
（C）前記微粒子が形成されている１００ミリ秒から２秒の間に前記微粒子を前記反応器内に載置された基板上へ堆積させる工程、
を備えたことを特徴とする低誘電率の膜を形成する方法。
【請求項２９】
（A）有機シリコンガスと不活性ガスからなる反応ガスを反応器へ導入し、前記有機シリコンガスからナノ粒子を形成するためプラズマ放電を生成する工程、及び
（B）前記有機シリコンガスからナノ粒子が形成される時間（T1）、形成された前記ナノ粒子が前記反応器内に載置された基板上まで輸送される時間（T2）、前記ナノ粒子同士が輸送中に凝集成長を起こす時間（T3）を、プラズマ放電時間と反応ガス流量の関数として制御し、前記ナノ粒子を前記基板上に堆積する工程、
を備えたことを特徴とする低誘電率の膜を形成する方法。