【手続補正書】
【提出日】平成20年2月29日(2008.2.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ発振器からレーザ光を射出し、
前記レーザ光をレンズで集光して被照射物の表面に垂直方向から入射させてビームスポットを形成し、
前記レーザ光に対して前記被照射物を前記ビームスポットに対し相対的に移動させて、前記被照射物に前記レーザ光の照射を行い、
前記被照射物を移動させる前に、オートフォーカス機構によって前記被照射物と前記レンズ間の距離を制御することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項２】
レーザ発振器からレーザ光を射出し、
前記レーザ光をレンズで集光して１方向に沿ってうねりが存在する被照射物の表面に垂直方向から入射させてビームスポットを形成し、
前記レーザ光に対して前記被照射物をうねりが存在する第１の方向および前記第１の方向と直交する第２の方向に相対的に移動させて、前記被照射物に前記レーザ光の照射を行い、
前記第２の方向に移動させる前に、オートフォーカス機構によって前記被照射物と前記レンズ間の距離を制御することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項３】
レーザ発振器からレーザ光を射出し、
前記レーザ光をレンズで集光して１方向に沿ってうねりが存在する被照射物の表面に垂直方向から入射させてビームスポットを形成し、
前記レーザ光に対して前記被照射物をうねりが存在する第１の方向および前記第１の方向と直交する第２の方向に相対的に移動させて、前記被照射物に前記レーザ光の照射を行い、
前記第１の方向への移動時に、オートフォーカス機構によって前記被照射物と前記レンズ間の距離を制御することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項４】
レーザ発振器からレーザ光を射出し、
前記レーザ光をレンズで集光して被照射物の表面に対して斜め方向から入射させてビームスポットを形成し、
前記レーザ光に対して前記被照射物を前記ビームスポットに対し相対的に移動させて、前記被照射物に前記レーザ光の照射を行い、
前記被照射物を移動させる前に、オートフォーカス機構によって前記被照射物と前記レンズ間の距離を制御することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項５】
レーザ発振器からレーザ光を射出し、
前記レーザ光をレンズで集光して１方向に沿ってうねりが存在する被照射物の表面に対して斜め方向から入射させてビームスポットを形成し、
前記レーザ光に対して前記被照射物をうねりが存在する第１の方向および前記第１の方向と直交する第２の方向に相対的に移動させて、前記被照射物に前記レーザ光の照射を行い、
前記第２の方向に移動させる前に、オートフォーカス機構によって前記被照射物と前記レンズ間の距離を制御することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項６】
レーザ発振器からレーザ光を射出し、
前記レーザ光をレンズで集光して１方向に沿ってうねりが存在する被照射物の表面に対して斜め方向から入射させて前記被照射物の表面にビームスポットを形成し、
前記レーザ光に対して前記被照射物をうねりが存在する第１の方向および前記第１の方向と直交する第２の方向に相対的に移動させて、前記被照射物に前記レーザ光の照射を行い、
前記第１の方向への移動時に、オートフォーカス機構によって前記被照射物と前記レンズ間の距離を制御することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記オートフォーカス機構として、接触式変位計を用いることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記オートフォーカス機構は、前記レーザ発振器とは異なるレーザ発振器から前記レーザ光と異なる他のレーザ光を射出し、
前記他のレーザ光を前記被照射物の表面に入射させ、前記被照射物の表面に反射された前記他のレーザ光を検出することによって、前記被照射物と前記レンズ間の距離を制御することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項９】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記オートフォーカス機構は、前記レーザ発振器とは異なるレーザ発振器から前記レーザ光と異なる他のレーザ光を射出し、
前記他のレーザ光を前記被照射物の表面に斜め方向から入射させ、前記被照射物の表面に反射された前記他のレーザ光を検出することによって、前記被照射物と前記レンズ間の距離を制御することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１０】
請求項８または９において、
前記被照射物の表面に反射された前記他のレーザ光の検出を、４分割検出器、ＣＣＤまたはＰＳＤを用いて行うことを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１１】
請求項２、３、５、６のいずれか一項において、
前記ビームスポットの形状を長辺方向および短辺方向を有する長方形、楕円または線状に整形し、
前記ビームスポットの前記長辺方向を前記第１の方向と平行になるように配置させることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１２】
請求項２、３、５、６のいずれか一項において、
前記被照射物と前記レンズ間の距離の制御は、前記第１の方向および第２の方向に対して垂直な第３の方向に、前記被照射物または前記レンズを移動することによって行われることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１３】
請求項２、３、５、６のいずれか一項において、
前記レーザ光に対する前記被照射物の第１の方向への移動を、前記第２の方向への移動より低速で行うことを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一項において、
前記レーザ発振器として、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＧｄＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、Ａｒレーザのいずれかを用いることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか一項において、
前記レーザ発振器として、数１０ｐｓ以下のパルス幅をもつパルスレーザを用いることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１６】
レーザ発振器からレーザ光を射出し、
前記レーザ光をレンズで集光して半導体膜の表面に垂直方向から入射させてビームスポットを形成し、
前記レーザ光に対して前記半導体膜を前記ビームスポットに対し相対的に移動させて、前記半導体膜に前記レーザ光を照射して前記半導体膜のアニールを行い、
前記半導体膜を移動する前に、オートフォーカス機構によって前記半導体膜と前記レンズ間の距離を制御することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
レーザ発振器からレーザ光を射出し、
前記レーザ光をレンズで集光して１方向に沿ってうねりが存在する半導体膜の表面に垂直方向から入射させてビームスポットを形成し、
前記レーザ光に対して前記半導体膜をうねりが存在する第１の方向および前記第１の方向と直交する第２の方向に相対的に移動させて、前記半導体膜に前記レーザ光を照射して前記半導体膜のアニールを行い、
前記第２の方向に移動させる前に、オートフォーカス機構によって前記半導体膜と前記レンズ間の距離を制御することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
レーザ発振器からレーザ光を射出し、
前記レーザ光をレンズで集光して１方向に沿ってうねりが存在する半導体膜の表面に垂直方向から入射させてビームスポットを形成し、
前記レーザ光に対して前記半導体膜をうねりが存在する第１の方向および前記第１の方向と直交する第２の方向に相対的に移動させて、前記半導体膜に前記レーザ光を照射して前記半導体膜のアニールを行い、
前記第１の方向への移動時に、オートフォーカス機構によって前記半導体膜と前記レンズ間の距離を制御することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
レーザ発振器からレーザ光を射出し、
前記レーザ光をレンズで集光して半導体膜の表面に対して斜め方向から入射させてビームスポットを形成し、
前記レーザ光に対して前記半導体膜を前記ビームスポットに対し相対的に移動させて、前記半導体膜に前記レーザ光を照射して前記半導体膜のアニールを行い、
前記半導体膜を移動させる前に、オートフォーカス機構によって前記半導体膜と前記レンズ間の距離を制御することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
レーザ発振器からレーザ光を射出し、
前記レーザ光をレンズで集光して１方向に沿ってうねりが存在する半導体膜の表面に対して斜め方向から入射させてビームスポットを形成し、
前記レーザ光に対して前記半導体膜をうねりが存在する第１の方向および前記第１の方向と直交する第２の方向に相対的に移動させて、前記半導体膜に前記レーザ光を照射して前記半導体膜のアニールを行い、
前記第２の方向に移動させる前に、オートフォーカス機構によって前記半導体膜と前記レンズ間の距離を制御することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
レーザ発振器からレーザ光を射出し、
前記レーザ光をレンズで集光して１方向に沿ってうねりが存在する半導体膜の表面に対して斜め方向から入射させてビームスポットを形成し、
前記レーザ光に対して前記半導体膜をうねりが存在する第１の方向および前記第１の方向と直交する第２の方向に相対的に移動させて、前記半導体膜に前記レーザ光を照射して前記半導体膜のアニールを行い、
前記第１の方向への移動時に、オートフォーカス機構によって前記半導体膜と前記レンズ間の距離を制御することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項１６乃至２１のいずれか一項において、
前記半導体膜は、１方向にそってうねりが存在するガラス基板上に設けることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
請求項１６乃至２２のいずれか一項において、
前記オートフォーカス機構として、接触式変位計を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２４】
請求項１６乃至２２のいずれか一項において、
前記オートフォーカス機構は、前記レーザ発振器とは異なるレーザ発振器から前記レーザ光と異なる他のレーザ光を射出し、
前記他のレーザ光を前記半導体膜の表面に入射させ、前記半導体膜の表面に反射された前記他のレーザ光を検出することによって、前記半導体膜と前記レンズ間の距離を制御することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２５】
請求項１６乃至１８のいずれか一項において、
前記オートフォーカス機構は、前記レーザ発振器とは異なるレーザ発振器から前記レーザ光と異なる他のレーザ光を射出し、
前記他のレーザ光を前記半導体膜の表面に斜め方向から入射させ、前記半導体膜の表面に反射された前記他のレーザ光を検出することによって、前記半導体膜と前記レンズ間の距離を制御することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２６】
請求項２４または２５において、
前記半導体膜の表面に反射された前記他のレーザ光の検出を、４分割検出器、ＣＣＤまたはＰＳＤを用いて行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２７】
請求項１７、１８、２０、２１のいずれか一項において、
前記ビームスポットの形状を長辺および短辺を有する長方形、楕円または線状に整形し、
前記ビームスポットの前記長辺方向を前記第１の方向と平行になるように配置させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２８】
請求項１７、１８、２０、２１のいずれか一項において、
前記半導体膜と前記レンズ間の距離の制御は、前記第１の方向および第２の方向に対して垂直な第３の方向に、前記半導体膜または前記レンズを移動することによって行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２９】
請求項１７、１８、２０、２１のいずれか一項において、
前記レーザ光に対する前記半導体膜の第１の方向への移動を、前記第２の方向への移動より低速で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３０】
請求項１６乃至２９のいずれか一項において、
前記レーザ発振器として、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＧｄＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、Ａｒレーザのいずれかを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３１】
請求項１６乃至３０のいずれか一項において、
前記レーザ発振器として、数１０ｐｓ以下のパルス幅をもつパルスレーザを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。