【手続補正書】
【提出日】平成20年3月13日(2008.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化ガリウム系材料の製造方法であって、
ＨＶＰＥ（Ｈｙｄｒｉｄｅ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｉａｌ  Ｇｒｏｗｔｈ）法によって窒化ガリウム系材料を成長させる成長工程を含み、
前記成長工程では、
Ｈ２ガスを含むキャリアガスと、ＧａＣｌガスと、ＮＨ３ガスとを反応室に供給し、
成長温度を９００（℃）以上かつ１２００（℃）以下とし、
成長圧力を８．０８×１０４（Ｐａ）以上かつ１．２１×１０５（Ｐａ）以下とし、
ＧａＣｌガスの分圧を１．０×１０２（Ｐａ）以上かつ１．０×１０４（Ｐａ）以下とし、
ＮＨ３ガスの分圧を９．１×１０２（Ｐａ）以上かつ２．０×１０４（Ｐａ）以下とし、
前記反応室には、下地基板を支持する支持部が配置され、前記成長工程では、前記下地基板に窒化ガリウム系材料を成長させ、
前記反応室には、前記反応室に連通するように配置された導入室から前記キャリアガス、前記ＧａＣｌガス及び前記ＮＨ３ガスが導入され、
前記導入室の平均断面積が前記反応室の平均断面積よりも小さい、
ことを特徴とする窒化ガリウム系材料の製造方法。
【請求項２】
前記導入室の平均断面積が前記反応室の平均断面積の２／３以下であることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系材料の製造方法。
【請求項３】
前記導入室における前記キャリアガスの流速が０．３（ｍ／ｍｉｎ）以上かつ２．５（ｍ／ｍｉｎ）以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化ガリウム系材料の製造方法。
【請求項４】
前記導入室における前記キャリアガスの流速が０．５（ｍ／ｍｉｎ）以上かつ１．７（ｍ／ｍｉｎ）以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化ガリウム系材料の製造方法。
【請求項５】
窒化ガリウム系材料の製造方法であって、
ＨＶＰＥ（Ｈｙｄｒｉｄｅ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｉａｌ  Ｇｒｏｗｔｈ）法によって窒化ガリウム系材料を成長させる成長工程を含み、
前記成長工程では、
Ｈ２ガスを含むキャリアガスと、ＧａＣｌガスと、ＮＨ３ガスとを反応室に供給し、
成長温度を９００（℃）以上かつ１２００（℃）以下とし、
成長圧力を８．０８×１０４（Ｐａ）以上かつ１．２１×１０５（Ｐａ）以下とし、
ＧａＣｌガスの分圧を１．０×１０２（Ｐａ）以上かつ１．０×１０４（Ｐａ）以下とし、
ＮＨ３ガスの分圧を９．１×１０２（Ｐａ）以上かつ２．０×１０４（Ｐａ）以下とし、
前記反応室には、下地基板を支持面上に支持する支持部が配置され、前記成長工程では、前記下地基板に窒化ガリウム系材料を成長させ、
前記反応室には、前記反応室に連通するように配置された導入室から前記キャリアガス、前記ＧａＣｌガス及び前記ＮＨ３ガスが導入され、
前記導入室の平均断面積が前記反応室の前記支持面を含む断面における断面積よりも小さい、
ことを特徴とする窒化ガリウム系材料の製造方法。
【請求項６】
前記導入室の平均断面積が前記反応室の前記支持面を含む断面における断面積の２／３以下であることを特徴とする請求項５に記載の窒化ガリウム系材料の製造方法。
【請求項７】
前記導入室における前記キャリアガスの流速が０．３（ｍ／ｍｉｎ）以上かつ２．５（ｍ／ｍｉｎ）以下であることを特徴とする請求項５又は６に記載の窒化ガリウム系材料の製造方法。
【請求項８】
前記導入室における前記キャリアガスの流速が０．５（ｍ／ｍｉｎ）以上かつ１．７（ｍ／ｍｉｎ）以下であることを特徴とする請求項５又は６に記載の窒化ガリウム系材料の製造方法。
【請求項９】
窒化ガリウム系材料の製造方法であって、
ＨＶＰＥ（Ｈｙｄｒｉｄｅ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｉａｌ  Ｇｒｏｗｔｈ）法によって窒化ガリウム系材料を成長させる成長工程を含み、
前記成長工程では、
Ｈ２ガスおよびＮ２ガスを含むキャリアガスと、ＧａＣｌガスと、ＮＨ３ガスとを反応室に供給し、
成長温度を９００（℃）以上かつ１２００（℃）以下とし、
成長圧力を８．０８×１０４（Ｐａ）以上かつ１．２１×１０５（Ｐａ）以下とし、
ＧａＣｌガスの分圧を１．０×１０２（Ｐａ）以上かつ１．０×１０４（Ｐａ）以下とし、
ＮＨ３ガスの分圧を９．１×１０２（Ｐａ）以上かつ２．０×１０４（Ｐａ）以下とし、
（Ｈ２ガスの分圧）／（（Ｈ２ガスの分圧）＋（Ｎ２ガスの分圧））が０．１以上かつ１未満の範囲となるように前記キャリアガスの供給を調整し、
前記反応室には、下地基板を支持する支持部が配置され、前記成長工程では、前記下地基板に窒化ガリウム系材料を成長させ、
前記反応室には、前記反応室に連通するように配置された導入室から前記キャリアガス、前記ＧａＣｌガス及び前記ＮＨ３ガスが導入され、
前記導入室の断面積が前記反応室の断面積よりも小さく、
前記導入室における前記キャリアガスの流速が０．３（ｍ／ｍｉｎ）以上かつ２．５（ｍ／ｍｉｎ）以下である、
ことを特徴とする窒化ガリウム系材料の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】窒化ガリウム系材料の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、窒化ガリウム系材料の製造方法に係り、特に、ＨＶＰＥ（Ｈｙｄｒｉｄｅ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｉａｌ  Ｇｒｏｗｔｈ）法を適用した窒化ガリウム系材料の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
明細書に記載された発明の１つの側面は、窒化ガリウム系材料或いは窒化ガリウム材料に係り、前記材料は、２５（℃）における熱伝導率が２．８×１０２（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
明細書に記載された発明の１つの側面は、窒化ガリウム系材料或いは窒化ガリウム材料に係り、前記材料は、２５（℃）における熱伝導率が３．０×１０２（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
明細書に記載された発明の１つの側面は、窒化ガリウム系材料或いは窒化ガリウム材料に係り、前記材料は、２５（℃）における熱伝導率が３．０×１０２（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上かつ３．８×１０２（Ｗ／ｍ・Ｋ）以下である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
明細書に記載された発明の１つの側面は、窒化ガリウム系材料或いは窒化ガリウム材料に係り、前記材料は、２５（℃）における熱伝導率が３．３×１０２（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上かつ３．８×１０２（Ｗ／ｍ・Ｋ）以下である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
明細書に記載された発明の１つの側面は、窒化ガリウム系材料或いは窒化ガリウム材料に係り、前記材料は、２５（℃）における熱伝導率が３．５×１０２（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上かつ３．８×１０２（Ｗ／ｍ・Ｋ）以下である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
明細書に記載された発明の１つの側面は、窒化ガリウム系材料或いは窒化ガリウム材料に係り、前記材料は、（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅が３００（ａｒｃｓｅｃ）以下である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
明細書に記載された発明の１つの側面は、窒化ガリウム系材料或いは窒化ガリウム材料に係り、前記材料は、（１０２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅が５００（ａｒｃｓｅｃ）以下である。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
明細書に記載された発明の１つの側面は、窒化ガリウム系材料或いは窒化ガリウム材料に係り、前記材料は、酸素濃度が５×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）未満である。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
明細書に記載された発明の１つの側面は、窒化ガリウム系材料或いは窒化ガリウム材料に係り、前記材料は、炭素濃度が１×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）未満である。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
明細書に記載された発明の１つの側面は、窒化ガリウム系材料或いは窒化ガリウム材料に係り、前記材料は、水素濃度が１×１０１８（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）未満である。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
明細書に記載された発明の１つの側面は、基板、サブマウント、ヒートシンク、その他の部材（熱伝達用部材など）に係り、前記部材は、前記窒化ガリウム系材料或いは窒化ガリウム材料を含む。