【手続補正書】
【提出日】平成20年5月23日(2008.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】無線チップの作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上に非晶質半導体層を形成し、
前記非晶質半導体層を結晶化して結晶質半導体層を形成し、
前記結晶質半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極として機能する第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層をマスクとして、前記結晶質半導体層に不純物元素を添加して、第１のＮ型不純物領域とＰ型不純物領域を形成し、
前記第１の導電層の側面に接し、前記第１のＮ型不純物領域の一部と重なるサイドウォール絶縁層を形成し、
前記サイドウォール絶縁層をマスクとして、前記第１のＮ型不純物領域に不純物元素を添加して、第２のＮ型不純物領域と第３のＮ型不純物領域を形成し、
前記第１の導電層上に第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層に接し、ソース配線又はドレイン配線として機能する第２の導電層を形成し、
前記第２の導電層を覆うように第３の絶縁層を形成し、
前記第３の絶縁層に接し、アンテナとして機能する第３の導電層を形成し、
前記剥離層が露出されるように、前記第１の絶縁層と、前記ゲート絶縁層と、前記第２の絶縁層と、前記第３の絶縁層とをエッチングして開口部を形成し、
前記第３の導電層を覆うように第４の絶縁層を形成し、
前記開口部にエッチング剤を導入して、前記剥離層を除去し、
前記基板から、少なくとも前記結晶質半導体層、前記ゲート絶縁層及び前記第１の導電層を含む薄膜集積回路を剥離することを特徴とする無線チップの作製方法。
【請求項２】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上に非晶質半導体層を形成し、
前記非晶質半導体層を結晶化して結晶質半導体層を形成し、
前記結晶質半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極として機能する第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層をマスクとして、前記結晶質半導体層に不純物元素を添加して、第１のＮ型不純物領域とＰ型不純物領域を形成し、
前記第１の導電層の側面に接し、前記第１のＮ型不純物領域の一部と重なるサイドウォール絶縁層を形成し、
前記サイドウォール絶縁層をマスクとして、前記第１のＮ型不純物領域に不純物元素を添加して、第２のＮ型不純物領域と第３のＮ型不純物領域を形成し、
前記第１の導電層上に第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層に接し、ソース配線又はドレイン配線として機能する第２の導電層を形成し、
前記第２の導電層を覆うように第３の絶縁層を形成し、
前記第３の絶縁層に接し、アンテナとして機能する第３の導電層を形成し、
前記第３の導電層を覆うように第４の絶縁層を形成し、
前記剥離層が露出されるように、前記第１の絶縁層と、前記ゲート絶縁層と、前記第２の絶縁層と、前記第３の絶縁層と、前記第４の絶縁層をエッチングして開口部を形成し、
前記開口部にエッチング剤を導入して、前記剥離層を除去し、
前記基板から、少なくとも前記結晶質半導体層、前記ゲート絶縁層及び前記第１の導電層を含む薄膜集積回路を剥離することを特徴とする無線チップの作製方法。
【請求項３】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上に非晶質半導体層を形成し、
前記非晶質半導体層を結晶化して結晶質半導体層を形成し、
前記結晶質半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極として機能する第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層をマスクとして、前記結晶質半導体層に不純物元素を添加して、第１のＮ型不純物領域とＰ型不純物領域を形成し、
前記第１の導電層の側面に接し、前記第１のＮ型不純物領域の一部と重なるサイドウォール絶縁層を形成し、
前記サイドウォール絶縁層をマスクとして、前記第１のＮ型不純物領域に不純物元素を添加して、第２のＮ型不純物領域と第３のＮ型不純物領域を形成し、前記第１の導電層上に第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層に接し、ソース配線又はドレイン配線として機能する第２の導電層を形成し、
前記第２の導電層を覆うように第３の絶縁層を形成し、
前記第３の絶縁層に接し、アンテナとして機能する第３の導電層を形成し、
前記剥離層が露出されるように、前記第１の絶縁層と、前記ゲート絶縁層と、前記第２の絶縁層と、前記第３の絶縁層とをエッチングして開口部を形成し、
前記第３の導電層を覆うように第４の絶縁層を形成し、
前記開口部にエッチング剤を導入して、前記剥離層を選択的に除去し、
物理的手段により、前記基板から、少なくとも前記結晶質半導体層、前記ゲート絶縁層及び前記第１の導電層を含む薄膜集積回路を剥離することを特徴とする無線チップの作製方法。
【請求項４】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上に非晶質半導体層を形成し、
前記非晶質半導体層を結晶化して結晶質半導体層を形成し、
前記結晶質半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極として機能する第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層をマスクとして、前記結晶質半導体層に不純物元素を添加して、第１のＮ型不純物領域とＰ型不純物領域を形成し、
前記第１の導電層の側面に接し、前記第１のＮ型不純物領域の一部と重なるサイドウォール絶縁層を形成し、
前記サイドウォール絶縁層をマスクとして、前記第１のＮ型不純物領域に不純物元素を添加して、第２のＮ型不純物領域と第３のＮ型不純物領域を形成し、
前記第１の導電層上に第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層に接し、ソース配線又はドレイン配線として機能する第２の導電層を形成し、
前記第２の導電層を覆うように第３の絶縁層を形成し、
前記第３の絶縁層に接し、アンテナとして機能する第３の導電層を形成し、
前記第３の導電層を覆うように第４の絶縁層を形成し、
前記剥離層が露出されるように、前記第１の絶縁層と、前記ゲート絶縁層と、前記第２の絶縁層と、前記第３の絶縁層と、前記第４の絶縁層をエッチングして開口部を形成し、
前記開口部にエッチング剤を導入して、前記剥離層を選択的に除去し、
物理的手段により、前記基板から、少なくとも前記結晶質半導体層、前記ゲート絶縁層及び前記第１の導電層を含む薄膜集積回路を剥離することを特徴とする無線チップの作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記基板はガラス基板であることを特徴とする無線チップの作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記基板は石英基板であることを特徴とする無線チップの作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記剥離層として、タングステン又はモリブデンを含む層を形成することを特徴とする無線チップの作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記剥離層として、酸素雰囲気下で、スパッタリング法により、タングステン又はモリブデンの酸化物を含む層を形成することを特徴とする無線チップの作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記剥離層として、酸素雰囲気下で、スパッタリング法により、タングステンの酸化物（ＷＯｘ、ｘは０＜ｘ＜３を満たす）を含む層を形成することを特徴とする無線チップの作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記剥離層として、タングステン又はモリブデンを含む層を形成し、前記第１の絶縁層として、珪素の酸化物を含む層を形成することを特徴とする無線チップの作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記剥離層として、珪素を含む層を形成することを特徴とする無線チップの作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記エッチング剤は、フッ化ハロゲンを含む気体又は液体であることを特徴とする無線チップの作製方法。