【手続補正書】
【提出日】平成20年3月13日(2008.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する基板処理装置の処理チャンバ内に、カルボキシル基を有する化合物を含むクリーニングガスを供給して、前記処理チャンバ内に付着した絶縁性物質を直接錯体化する錯体形成工程と、
前記処理チャンバ内を排気して、前記絶縁性物質の錯体を前記処理チャンバ外へ排出する錯体排出工程と、
を具備することを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。
【請求項２】
請求項１記載の基板処理装置のクリーニング方法であって、
前記錯体形成工程は、前記錯体排出工程前に行われることを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。
【請求項３】
請求項２記載の基板処理装置のクリーニング方法であって、
前記錯体形成工程と前記錯体排出工程とは、繰り返し交互に行なわれることを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。
【請求項４】
基板を処理する基板処理装置の処理チャンバ内に、カルボキシル基を有する化合物を含むクリーニングガスを供給して、前記処理チャンバ内に付着した金属を含む絶縁性物質を錯体化する錯体形成工程と、
前記処理チャンバ内を排気して、前記絶縁性物質の錯体を前記処理チャンバ外へ排出する錯体排出工程と、
を具備することを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。
【請求項５】
請求項４記載の基板処理装置のクリーニング方法であって、
前記絶縁性物質は、フッ化物での蒸気圧が６００℃で１．３３×１０3ａ以下の物質であることを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。
【請求項６】
請求項４又は５記載の基板処理装置のクリーニング方法であって、
前記絶縁性物質が、Ｐｂ，Ｚｒ，及びＴｉを含む物質、或いはＢａ，Ｓｒ，及びＴｉを含む物質であることを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。
【請求項７】
請求項４〜６のいずれか1項に記載の基板処理装置のクリーニング方法であって、
前記カルボキシル基を有する化合物は、前記カルボキシル基に直接結合した、ハロゲン原子を有するアルキル基を備えていることを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。
【請求項８】
請求項７記載の基板処理装置のクリーニング方法であって、
前記カルボキシル基を有する化合物は、トリフルオロ酢酸であることを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。
【請求項９】
請求項１〜８記載の基板処理装置のクリーニング方法であって、
前記基板処理装置が、成膜装置であることを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。
【請求項１０】
処理チャンバと、
前記処理チャンバ内に配設された、基板を載置するサセプタと、
前記基板上に絶縁性物質の膜を形成させる処理ガスを、前記処理チャンバ内に供給する処理ガス供給系と、
前記処理チャンバ内を真空排気する真空排気系と、前記処理チャンバ内のクリーニングを行うカルボキシル基を含む化合物を有するクリーニングガスを、前記処理チャンバ内に供給するクリーニングガス供給系と、
を具備し、請求項１〜８いずれか１項記載の基板処理装置のクリーニング方法を実行可能に構成されたことを特徴とする基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の基板処理装置のクリーニング方法は、基板を処理する基板処理装置の処理チャンバ内に、カルボキシル基を有する化合物を含むクリーニングガスを供給して、前記処理チャンバ内に付着した絶縁性物質を直接錯体化する錯体形成工程と、前記処理チャンバ内を排気して、前記絶縁性物質の錯体を前記処理チャンバ外へ排出する錯体排出工程と、を具備することを特徴とする。請求項１記載の基板処理装置のクリーニング方法では、低温で前記絶縁性物質を錯化することができ、前記処理チャンバ内に付着した絶縁性物質をフッ素系のクリーニングガスを用いるよりも低温で取り除くことができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項２の基板処理装置のクリーニング方法は、請求項１記載の基板処理装置のクリーニング方法であって、前記錯体形成工程は、前記錯体排出工程前に行われることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項３の基板処理装置のクリーニング方法は、請求項２記載の基板処理装置のクリーニング方法であって、前記錯体形成工程と前記錯体排出工程とは、繰り返し交互に行なわれることを特徴とする。請求項３の処理装置のクリーニング方法では、錯化と排出とが完全に行われ、効率良く前記処理チャンバ内に付着した絶縁性物質を取り除くことができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項４の基板処理装置のクリーニング方法は、基板を処理する基板処理装置の処理チャンバ内に、カルボキシル基を有する化合物を含むクリーニングガスを供給して、前記処理チャンバ内に付着した金属を含む絶縁性物質を錯体化する錯体形成工程と、前記処理チャンバ内を排気して、前記絶縁性物質の錯体を前記処理チャンバ外へ排出する錯体排出工程と、を具備することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項５の基板処理装置のクリーニング方法は、請求項４記載の基板処理装置のクリーニング方法であって、前記絶縁性物質は、フッ化物での蒸気圧が６００℃で１．３３×１０3ａ以下の物質であることを特徴とする。請求項５の基板処理装置のクリーニング方法では、前記絶縁性物質が、６００℃で１．３３×１０３Ｐａ以下のフッ化物の蒸気圧を有する物質であっても確実に前記処理チャンバ内から取り除くことができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項６の基板処理装置のクリーニング方法は、請求項４又は５記載の基板処理装置のクリーニング方法であって、前記絶縁性物質が、Ｐｂ，Ｚｒ，及びＴｉを含む物質、或いはＢａ，Ｓｒ，及びＴｉを含む物質であることを特徴とする。請求項６の基板処理装置のクリーニング方法では、前記絶縁性物質が、Ｐｂ，Ｚｒ，及びＴｉを含む物質或いはＢａ，Ｓｒ，及びＴｉを含む物質であっても確実に前記処理チャンバ内から取り除くことができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項７の基板処理装置のクリーニング方法は、請求項４〜６のいずれか1項に記載の基板処理装置のクリーニング方法であって、前記カルボキシル基を有する化合物は、前記カルボキシル基に直接結合した、ハロゲン原子を有するアルキル基を備えていることを特徴とする。請求項７の基板処理装置のクリーニング方法では、前記カルボキシル基を有する化合物が、前記カルボキシル基に結合した、ハロゲン原子を有するアルキル基を備えているので、前記絶縁性物質との反応性を高めることができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項８の基板処理装置のクリーニング方法は、請求項７記載の基板処理装置のクリーニング方法であって、前記カルボキシル基を有する化合物は、トリフルオロ酢酸であることを特徴とする。請求項８の基板処理装置のクリーニング方法では、前記カルボキシル基を有する化合物は、トリフルオロ酢酸であるので、より確実に前記処理チャンバ内から前記絶縁性物質を取り除くことができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項１０の基板処理装置は、処理チャンバと、前記処理チャンバ内に配設された、基板を載置するサセプタと、前記基板上に絶縁性物質の膜を形成させる処理ガスを、前記処理チャンバ内に供給する処理ガス供給系と、前記処理チャンバ内を真空排気する真空排気系と、前記処理チャンバ内のクリーニングを行うカルボキシル基を含む化合物を有するクリーニングガスを、前記処理チャンバ内に供給するクリーニングガス供給系と、を具備し、請求項１〜８いずれか１項記載の基板処理装置のクリーニング方法を実行可能に構成されたことを特徴とする。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】