【手続補正書】
【提出日】平成19年10月29日(2007.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
情報処理装置に着脱自在に装着される半導体メモリ装置であって、
保護すべきプログラムを含むデータを記憶し、アドレス入力部とデータ出力部とを含むメモリコア部と、
前記情報処理装置から命令コードとアドレスデータとを含むコマンドが与えられるコマンド入力端子と、前記メモリコア部から読み出されたデータを前記情報処理装置に与えるためのデータ出力端子とを含む入出力端子部と、
前記メモリコア部と前記入出力端子部との間に接続されるメモリ制御手段と、
を備え、
前記メモリ制御手段は、
前記コマンド入力端子に与えられるコマンドをデスクランブルし、またはコマンドをそのまま出力するように選択的に動作するデスクランブル手段と、
前記コマンド入力端子に与えられるコマンドを復号し、またはコマンドをそのまま出力するように選択的に動作するコマンド復号手段と、
前記情報処理装置から与えられたコマンドが、第１の動作モードへの遷移を指定する第１のコマンドであるか、または第２の動作モードへの遷移を指定する第２のコマンドであるかを判定するコマンド判定手段と、
前記コマンド判定手段によって第１のコマンドであると判定されたことに応じて、前記コマンド復号手段によるコマンドの復号機能を有効にする第１の動作モードを選択し、前記コマンド判定手段によって第２のコマンドであると判定されたことに応じて、前記デスクランブル手段によるデスクランブル機能を有効にする第２の動作モードを選択する動作モード制御手段と、
を含むことを特徴とする半導体メモリ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
情報処理装置に着脱自在に装着される半導体メモリ装置であって、
保護すべきプログラムを含むデータを記憶し、アドレス入力部とデータ出力部とを含むメモリコア部と、
前記情報処理装置から命令コードとアドレスデータとを含むコマンドが与えられるコマンド入力端子と、前記メモリコア部から読み出されたデータを前記情報処理装置に与えるためのデータ出力端子とを含む入出力端子部と、
前記メモリコア部と前記入出力端子部との間に接続されるメモリ制御手段と、
を備え、
前記メモリ制御手段は、
前記コマンド入力端子に与えられるコマンドをデスクランブルし、またはコマンドをそのまま出力するように選択的に動作するデスクランブル手段と、
前記コマンド入力端子に与えられるコマンドを復号し、またはコマンドをそのまま出力するように選択的に動作するコマンド復号手段と、
前記メモリコア部から読み出されたデータをスクランブルし、またはデータをそのまま出力するように選択的に動作するスクランブル手段と、
前記情報処理装置から与えられたコマンドが、第１の動作モードへの遷移を指定する第１のコマンドであるか、または第２の動作モードへの遷移を指定する第２のコマンドであるかを判定するコマンド判定手段と、
前記コマンド判定手段によって第１のコマンドであると判定されたことに応じて、前記デスクランブル手段のデスクランブル機能を無効にし、かつ、前記コマンド復号手段によるコマンドの復号機能を有効にする第１の動作モードを選択し、前記コマンド判定手段によって第２のコマンドであると判定されたことに応じて、前記デスクランブル手段および前記スクランブル手段のうちいずれか一方の機能を有効にする第２の動作モードを選択する動作モード制御手段と、
を含むことを特徴とする半導体メモリ装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
請求項１ないし請求項１２のいずれかに記載の半導体メモリ装置において、
前記情報処理装置により与えられるコマンドにより、前記第１動作モードによる動作期間よりも前記第２動作モードによる動作期間が長くなるように制御されることを特徴とする半導体メモリ装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項４記載の発明は、情報処理装置に着脱自在に装着される半導体メモリ装置であって、保護すべきプログラムを含むデータを記憶し、アドレス入力部とデータ出力部とを含むメモリコア部と、前記情報処理装置から命令コードとアドレスデータとを含むコマンドが与えられるコマンド入力端子と、前記メモリコア部から読み出されたデータを前記情報処理装置に与えるためのデータ出力端子とを含む入出力端子部と、前記メモリコア部と前記入出力端子部との間に接続されるメモリ制御手段と、を備え、前記メモリ制御手段は、前記コマンド入力端子に与えられるコマンドをデスクランブルし、またはコマンドをそのまま出力するように選択的に動作するデスクランブル手段と、前記コマンド入力端子に与えられるコマンドを復号し、またはコマンドをそのまま出力するように選択的に動作するコマンド復号手段と、前記情報処理装置から与えられたコマンドが、第１の動作モードへの遷移を指定する第１のコマンドであるか、または第２の動作モードへの遷移を指定する第２のコマンドであるかを判定するコマンド判定手段と、前記コマンド判定手段によって第１のコマンドであると判定されたことに応じて、前記コマンド復号手段によるコマンドの復号機能を有効にする第１の動作モードを選択し、前記コマンド判定手段によって第２のコマンドであると判定されたことに応じて、前記デスクランブル手段によるデスクランブル機能を有効にする第２の動作モードを選択する動作モード制御手段と、を含むことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項７記載の発明は、情報処理装置に着脱自在に装着される半導体メモリ装置であって、保護すべきプログラムを含むデータを記憶し、アドレス入力部とデータ出力部とを含むメモリコア部と、前記情報処理装置から命令コードとアドレスデータとを含むコマンドが与えられるコマンド入力端子と、前記メモリコア部から読み出されたデータを前記情報処理装置に与えるためのデータ出力端子とを含む入出力端子部と、前記メモリコア部と前記入出力端子部との間に接続されるメモリ制御手段とを備え、前記メモリ制御手段は、前記コマンド入力端子に与えられるコマンドをデスクランブルし、またはコマンドをそのまま出力するように選択的に動作するデスクランブル手段と、前記コマンド入力端子に与えられるコマンドを復号し、またはコマンドをそのまま出力するように選択的に動作するコマンド復号手段と、前記メモリコア部から読み出されたデータをスクランブルし、またはデータをそのまま出力するように選択的に動作するスクランブル手段と、前記情報処理装置から与えられたコマンドが、第１の動作モードへの遷移を指定する第１のコマンドであるか、または第２の動作モードへの遷移を指定する第２のコマンドであるかを判定するコマンド判定手段と、前記コマンド判定手段によって第１のコマンドであると判定されたことに応じて、前記デスクランブル手段のデスクランブル機能を無効にし、かつ、前記コマンド復号手段によるコマンドの復号機能を有効にする第１の動作モードを選択し、前記コマンド判定手段によって第２のコマンドであると判定されたことに応じて、前記デスクランブル手段および前記スクランブル手段のうちいずれか一方の機能を有効にする第２の動作モードを選択する動作モード制御手段と、を含むことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項１３記載の発明は、請求項１ないし請求項１２のいずれかに記載の半導体メモリ装置において、前記情報処理装置により与えられるコマンドにより、前記第１動作モードによる動作期間よりも前記第２動作モードによる動作期間が長くなるように制御されることを特徴とする。