【手続補正書】
【提出日】平成20年2月20日(2008.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１の容量素子と、第２の容量素子と、整流性素子とを有し、
前記第１のトランジスタの一方の電極は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１の容量素子の第１の電極は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの一方の電極は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２の容量素子の第１の電極は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第２の容量素子の第２の電極は、前記第１のトランジスタの他方の電極と電気的に接続され、
前記整流性素子は、前記第１のトランジスタの他方の電極と電気的に接続され、
電位を昇圧または降圧する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１の容量素子と、第２の容量素子と、整流性素子とを有し、
前記第１のトランジスタの一方の電極は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１の容量素子の第１の電極は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの一方の電極は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２の容量素子の第１の電極は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第２の容量素子の第２の電極は、前記第１のトランジスタの他方の電極と電気的に接続され、
前記整流性素子の第１の電極は、前記第１のトランジスタの他方の電極と電気的に接続され、
前記整流性素子の第２の電極は、前記第２のトランジスタの他方の電極と電気的に接続され、
電位を昇圧または降圧する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１の容量素子と、第２の容量素子と、整流性素子とを有し、
前記第１のトランジスタの一方の電極は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１の容量素子の第１の電極は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの一方の電極は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの他方の電極は、前記第１のトランジスタの他方の電極と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２の容量素子の第１の電極は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第２の容量素子の第２の電極は、前記第１のトランジスタの他方の電極と電気的に接続され、
前記整流性素子は、前記第１のトランジスタの他方の電極と電気的に接続され、
電位を昇圧または降圧する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第１の容量素子と、第２の容量素子とを有し、
前記第１のトランジスタの一方の電極は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１の容量素子の第１の電極は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの一方の電極は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２の容量素子の第１の電極は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第２の容量素子の第２の電極は、前記第１のトランジスタの他方の電極と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタの一方の電極は、前記第１のトランジスタの他方の電極と電気的に接続され、
電位を昇圧または降圧する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第１の容量素子と、第２の容量素子とを有し、
前記第１のトランジスタの一方の電極は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１の容量素子の第１の電極は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの一方の電極は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２の容量素子の第１の電極は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第２の容量素子の第２の電極は、前記第１のトランジスタの他方の電極と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタの一方の電極は、前記第１のトランジスタの他方の電極と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタの他方の電極は、前記第２のトランジスタの他方の電極と電気的に接続され、
電位を昇圧または降圧する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第１の容量素子と、第２の容量素子とを有し、
前記第１のトランジスタの一方の電極は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１の容量素子の第１の電極は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの一方の電極は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの他方の電極は、前記第１のトランジスタの他方の電極と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、第２の配線と電気的に接続され、
前記第２の容量素子の第１の電極は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第２の容量素子の第２の電極は、前記第１のトランジスタの他方の電極と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタの一方の電極は、前記第１のトランジスタの他方の電極と電気的に接続され、
電位を昇圧または降圧する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタの極性はＮ型であり、前記第１の配線には、高電位側電源電位が供給されることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタの極性はＰ型であり、前記第１の配線には、低電位側電源電位が供給されることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１の容量素子と、第２の容量素子と、整流性素子とを有し、
前記整流性素子の第１の電極は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの一方の電極は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記整流性素子の第２の電極と電気的に接続され、
前記第１の容量素子の第１の電極は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの一方の電極は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第２の容量素子の第１の電極と電気的に接続され、
前記第１の容量素子の第２の電極は、第２の配線と電気的に接続され、
電位を昇圧または降圧する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１の容量素子と、第２の容量素子と、整流性素子とを有し、
前記整流性素子の第１の電極は、第１の配線と電気的に接続され、
前記整流性素子の第２の電極は、前記第１のトランジスタの一方の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの一方の電極は、前記第１の容量素子の第１の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、第２の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの他方の電極は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１の容量素子の第１の電極は、前記第２のトランジスタの一方の電極と電気的に接続され、
前記第１の容量素子の第２の電極は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２の容量素子の第１の電極は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
電位を昇圧または降圧する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１の容量素子と、第２の容量素子と、整流性素子とを有し、
前記整流性素子の第１の電極は、第１の配線と電気的に接続され、
前記整流性素子の第２の電極は、前記第２のトランジスタの一方の電極と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの一方の電極は、前記第１の容量素子の第１の電極と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタの一方の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの一方の電極は、前記第２の容量素子の第１の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの他方の電極は、前記第２のトランジスタの他方の電極と電気的に接続され、
前記第１の容量素子の第２の電極は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１の容量素子の第２の電極は、第２の配線と電気的に接続され、
電位を昇圧または降圧する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第１の容量素子と、第２の容量素子とを有し、
前記第３のトランジスタの一方の電極は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの一方の電極は、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタの他方の電極と電気的に接続され、
前記第１の容量素子の第１の電極は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの一方の電極は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第２の容量素子の第１の電極と電気的に接続され、
前記第１の容量素子の第２の電極は、第２の配線と電気的に接続され、
電位を昇圧または降圧する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第１の容量素子と、第２の容量素子とを有し、
前記第３のトランジスタの一方の電極は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタの他方の電極は、前記第１のトランジスタの一方の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの一方の電極は、前記第１の容量素子の第１の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、第２の配線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの他方の電極は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１の容量素子の第１の電極は、前記第２のトランジスタの一方の電極と電気的に接続され、
前記第１の容量素子の第２の電極は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２の容量素子の第１の電極は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
電位を昇圧または降圧する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第１の容量素子と、第２の容量素子とを有し、
前記第３のトランジスタの一方の電極は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタの他方の電極は、前記第２のトランジスタの一方の電極と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの一方の電極は、前記第１の容量素子の第１の電極と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタの一方の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの一方の電極は、前記第２の容量素子の第１の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの他方の電極は、前記第２のトランジスタの他方の電極と電気的に接続され、
前記第１の容量素子の第２の電極は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１の容量素子の第２の電極は、第２の配線と電気的に接続され、
電位を昇圧または降圧する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項９乃至１４のいずれか一において、
前記第１のトランジスタの極性はＮ型であり、
前記第２のトランジスタの極性はＰ型であり、
前記第１の配線には、高電位側電源電位が供給されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項９乃至１４のいずれか一において、
前記第１のトランジスタの極性はＰ型であり、
前記第２のトランジスタの極性はＮ型であり、
前記第１の配線には、低電位側電源電位が供給されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、容量素子と、整流性素子とを有し、
前記整流性素子の第１の電極は、第１の配線と電気的に接続され、
前記整流性素子の第２の電極は、第２のトランジスタの一方の電極と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの一方の電極は、前記容量素子の第１の電極と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタの一方の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタの一方の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの一方の電極は、前記第２のトランジスタの他方の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの他方の電極は、前記第３のトランジスタの一方の電極と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、第２の配線と電気的に接続され、
電位を昇圧または降圧する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、容量素子とを有し、
前記第４のトランジスタの一方の電極は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタの他方の電極は、第２のトランジスタの一方の電極と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの一方の電極は、前記容量素子の第１の電極と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタの一方の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタの一方の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの一方の電極は、前記第２のトランジスタの他方の電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの他方の電極は、前記第３のトランジスタの一方の電極と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、第２の配線と電気的に接続され、
電位を昇圧または降圧する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
請求項１７又は１８において、
前記第３のトランジスタのゲートにクロック信号が入力されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
請求項１乃至１９のいずれか一において、
前記トランジスタは、薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２１】
請求項１乃至３、９乃至１１のいずれか一において、
前記整流性素子は、ダイオードを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２２】
請求項１乃至３、９乃至１１のいずれか一において、
前記整流性素子は、ダイオード接続されたトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。