【手続補正書】
【提出日】平成20年2月15日(2008.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びそれを用いた電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタと、
一方の電極が前記トランジスタのゲートに電気的に接続された容量素子と、
一方の端子が前記トランジスタのゲートに電気的に接続され、他方の端子が前記トランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続された第１のスイッチと、
一方の端子が前記容量素子の他方の電極に電気的に接続され、他方の端子が第１の配線に電気的に接続された第２のスイッチと、
一方の端子が前記容量素子の他方の電極に電気的に接続され、他方の端子が前記トランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続された第３のスイッチと、
一方の端子が前記トランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、他方の端子が第２の配線に電気的に接続された第４のスイッチと、
一方の端子が前記トランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、他方の端子が第３の配線に電気的に接続された第５のスイッチと、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のトランジスタと、
一方の電極が前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続された容量素子と、
ソース又はドレインの一方が前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続された第２のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方が前記容量素子の他方の電極に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が第１の配線に電気的に接続された第３のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方が前記容量素子の他方の電極に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続された第４のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が第２の配線に電気的に接続された第５のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が第３の配線に電気的に接続された第６のトランジスタと、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
一方の電極が前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続された第１の容量素子と、
一方の電極が前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続された第２の容量素子と、
一方の端子が前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続され、他方の端子が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続された第１のスイッチと、
一方の端子が前記第１の容量素子の他方の電極に電気的に接続され、他方の端子が第１の配線に電気的に接続された第２のスイッチと、
一方の端子が前記第１の容量素子の他方の電極に電気的に接続され、他方の端子が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続された第３のスイッチと、
一方の端子が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、他方の端子が第２の配線に電気的に接続された第４のスイッチと、
一方の端子が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、他方の端子が前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続された第５のスイッチと、
一方の端子が前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、他方の端子が前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続された第６のスイッチと、
一方の端子が前記第２の容量素子の他方の電極に電気的に接続され、他方の端子が第３の配線に電気的に接続された第７のスイッチと、
一方の端子が前記第２の容量素子の他方の電極に電気的に接続され、他方の端子が前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続された第８のスイッチと、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
一方の電極が前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続された第１の容量素子と、
一方の電極が前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続された第２の容量素子と、
ソース又はドレインの一方が前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続された第３のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方が前記第１の容量素子の他方の電極に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が第１の配線に電気的に接続された第４のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方が前記第１の容量素子の他方の電極に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続された第５のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が第２の配線に電気的に接続された第６のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続された第７のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方が前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続された第８のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方が前記第２の容量素子の他方の電極に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が第３の配線に電気的に接続された第９のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方が前記第２の容量素子の他方の電極に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続された第１０のトランジスタと、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
一方の電極が前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続された第１の容量素子と、
一方の電極が前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続された第２の容量素子と、
光電変換素子と、
一方の端子が前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続され、他方の端子が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続された第１のスイッチと、
一方の端子が前記第１の容量素子の他方の電極に電気的に接続され、他方の端子が前記光電変換素子の一方の端子に電気的に接続された第２のスイッチと、
一方の端子が前記第１の容量素子の他方の電極に電気的に接続され、他方の端子が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続された第３のスイッチと、
一方の端子が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、他方の端子が前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続された第４のスイッチと、
一方の端子が前記光電変換素子の一方の端子に電気的に接続され、他方の端子が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続された第５のスイッチと、
一方の端子が前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、他方の端子が前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続された第６のスイッチと、
一方の端子が前記第２の容量素子の他方の電極に電気的に接続され、他方の端子が配線に電気的に接続された第７のスイッチと、
一方の端子が前記第２の容量素子の他方の電極に電気的に接続され、他方の端子が前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続された第８のスイッチと、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
一方の電極が前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続された第１の容量素子と、
一方の電極が前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続された第２の容量素子と、
光電変換素子と、
一方の端子が前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続され、他方の端子が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続された第３のトランジスタと、
一方の端子が前記第１の容量素子の他方の電極に電気的に接続され、他方の端子が前記光電変換素子の一方の端子に電気的に接続された第４のトランジスタと、
一方の端子が前記第１の容量素子の他方の電極に電気的に接続され、他方の端子が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続された第５のトランジスタと、
一方の端子が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、他方の端子が前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続された第６のトランジスタと、
一方の端子が前記光電変換素子の一方の端子に電気的に接続され、他方の端子が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続された第７のトランジスタと、
一方の端子が前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、他方の端子が前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続された第８のトランジスタと、
一方の端子が前記第２の容量素子の他方の電極に電気的に接続され、他方の端子が配線に電気的に接続された第９のトランジスタと、
一方の端子が前記第２の容量素子の他方の電極に電気的に接続され、他方の端子が前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続された第１０のトランジスタと、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
第３のトランジスタと、
一方の電極が前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続された第１の容量素子と、
一方の電極が前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続された第２の容量素子と、
一方の電極が前記第３のトランジスタのゲートに電気的に接続された第３の容量素子と、
一方の端子が前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続され、他方の端子が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続された第１のスイッチと、
一方の端子が前記第１の容量素子の他方の電極に電気的に接続され、他方の端子が第１の配線に電気的に接続された第２のスイッチと、
一方の端子が前記第１の容量素子の他方の電極に電気的に接続され、他方の端子が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続された第３のスイッチと、
一方の端子が前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、他方の端子が前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続された第４のスイッチと、
一方の端子が前記第２の容量素子の他方の電極に電気的に接続され、他方の端子が第２の配線に電気的に接続された第５のスイッチと、
一方の端子が前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、他方の端子が前記第２の容量素子の他方の電極に電気的に接続された第６のスイッチと、
一方の端子が前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、他方の端子が第３の配線に電気的に接続された第７のスイッチと、
一方の端子が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、他方の端子が前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続された第８のスイッチと、
一方の端子が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、他方の端子が前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続された第９のスイッチと、
一方の端子が前記第３のトランジスタのゲートに電気的に接続され、他方の端子が前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続された第１０のスイッチと、
一方の端子が前記第３の容量素子の他方の電極に電気的に接続され、他方の端子が第４の配線に電気的に接続された第１１のスイッチと、
一方の端子が前記第３の容量素子の他方の電極に電気的に接続され、他方の端子が前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続された第１２のスイッチと、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
第３のトランジスタと、
一方の電極が前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続された第１の容量素子と、
一方の電極が前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続された第２の容量素子と、
一方の電極が前記第３のトランジスタのゲートに電気的に接続された第３の容量素子と、
ソース又はドレインの一方が前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続された第４のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方が前記第１の容量素子の他方の電極に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が第１の配線に電気的に接続された第５のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方が前記第１の容量素子の他方の電極に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続された第６のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方が前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続された第７のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方が前記第２の容量素子の他方の電極に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が第２の配線に電気的に接続された第８のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方が前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第２の容量素子の他方の電極に電気的に接続された第９のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方が前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が第３の配線に電気的に接続された第１０のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続された第１１のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続された第１２のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方が前記第３のトランジスタのゲートに電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続された第１３のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方が前記第３の容量素子の他方の電極に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が第４の配線に電気的に接続された第１４のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方が前記第３の容量素子の他方の電極に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続された第１５のトランジスタと、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項３乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタは同じ導電型であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項７又は請求項８において、
前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ及び前記第３のトランジスタは同じ導電型であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項に記載の前記半導体装置を用いた電子機器。