Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月21日(2008.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の面と、前記第一の面と反対の第二の面を有する第一の基材と、
前記第一の面に形成された第一回路パターンと、
前記第一回路パターンに設けられた第１接続面と、
前記第二の面に形成された第二回路パターンと、
前記第二回路パターンにはんだ付けされた電子部品と、を備える第１回路基板と、
第三の面を有する第二の基材と、
前記第三の面に形成された第三回路パターンと、
前記第三第回路パターンに設けられた第２接続面と、を備える第２回路基板と、
前記第１接続面と前記第２接続面とを接続する異方性導電性接着剤と、
を備える回路基板であって、
前記第一回路パターンと前記第二回路パターンとが重なり合う回路基板。
【請求項２】
請求項１記載の回路基板であって、
更に、前記第二の基材にあって前記第三の面と反対の第四の面と、
前記第四の面に形成された第四回路パターンと、を備え、
前記第一回路パターンと前記第二回路パターンと前記第三回路パターンと前記第四回路パターンとが重なり合う回路基板。
【請求項３】
前記異方性導電性接着剤が熱硬化型高耐熱性樹脂である請求項１又は請求項２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記第１接続面における、前記第一回路パターンと前記第二回路パターンと重なり合う面積が前記第一回路パターンの面積の半分以上である請求項１から請求項３のいずれかに記載の回路基板。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の回路基板を備える電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の回路基板は、第一の面と、前記第一の面と反対の第二の面を有する第一の基材と、前記第一の面に形成された第一回路パターンと、前記第一回路パターンに設けられた第１接続面と、前記第二の面に形成された第二回路パターンと、前記第二回路パターンにはんだ付けされた電子部品と、を備える第１回路基板と、第三の面を有する第二の基材と、前記第三の面に形成された第三回路パターンと、前記第三第回路パターンに設けられた第２接続面と、を備える第２回路基板と、前記第１接続面と前記第２接続面とを接続する異方性導電性接着剤と、を備える回路基板であって、前記第一回路パターンと前記第二回路パターンとが重なり合う回路基板である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明の回路基板は、更に、前記第二の基材にあって前記第三の面と反対の第四の面と、前記第四の面に形成された第四回路パターンと、を備え、前記第一回路パターンと前記第二回路パターンと前記第三回路パターンと前記第四回路パターンとが重なり合う回路基板である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明の回路基板は、前記異方性導電性接着剤が熱硬化型高耐熱性樹脂である回路基板である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
異方性導電性接着剤として、鉛フリーのはんだ付け可能な熱硬化型高耐熱性樹脂をベースとしたものを用いることで、後工程で、電子部品の実装や、回路基板を接続する際に、異方性導電性接着剤に熱履歴が加わっても高い接続信頼性を保持できる。
これにより、異方性導電性接着剤を高い接続信頼性を保持した状態で、裏面回路パターンに電子部品をはんだ付け工程（リフロー法等）で実装できる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明の回路基板は、前記第１接続面における、前記第一回路パターンと前記第二回路パターンと重なり合う面積が前記第一回路パターンの面積の半分以上である回路基板である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
第一回路パターンおよび第二回路パターンの重なり合う面積を、第一回路パターンの面積の半分以上とすることで、第１回路基板および第２回路基板を厚み方向に沿って相互加圧する際に、第二回路パターンによる第一回路パターンの補強効果を増大できる。
これにより、第１回路基板および第２回路基板を厚み方向に沿ってより一層効率よく加圧できる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明の電子機器は、前記本発明の回路基板を備える電子機器である。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の回路基板はコンパクト化されている。このコンパクト化された回路基板を電子機器に用いることで、電子機器の小型化・薄型化・軽量化が図れる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月8日(2008.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板；
前記シリコン基板を覆う接触パッド；
前記シリコン基板を覆うポリマー層、ここで、前記ポリマー層中の開口が前記接触パッドの上方にある；および
前記接触パッド上及び前記ポリマー層上の金属バンプを含む集積回路素子であって、
前記金属バンプが、前記開口を通して前記接触パッドと接続され、かつ前記金属バンプが、
前記接触パッド上及び前記ポリマー層上の金属層、
前記金属層上でありかつ前記接触パッドを覆う銅ピラー、ここで、前記銅ピラーは１０マイクロメートル〜１００マイクロメートルの厚さを有する、
前記銅ピラーの直上でありかつ前記接触パッドを覆うニッケル含有層、ここで、前記ニッケル含有層は前記銅ピラーの前記厚さより小さい厚さを有する、および
前記ニッケル含有層上でありかつ前記接触パッドを覆うはんだ、ここで、前記はんだは前記ニッケル含有層の頂面を完全に被覆している、
を含む、前記集積回路素子。
【請求項２】
前記ニッケル含有層の前記厚さが１マイクロメートル〜１０マイクロメートルの厚さである、請求項１記載の集積回路素子。
【請求項３】
前記金属層が前記接触パッド上及び前記ポリマー層上のチタン含有層を含む、請求項１記載の集積回路素子。
【請求項４】
前記金属層が前記接触パッド上及び前記ポリマー層上の窒化チタン層を含む、請求項１記載の集積回路素子。
【請求項５】
前記銅ピラーが前記ニッケル含有層の第二の側壁から凹所を設けられた第一の側壁を有し、ここで、前記第一の側壁と前記第二の側壁との間の水平距離が０．２μｍより大きい、請求項１記載の集積回路素子。
【請求項６】
シリコン基板；
前記シリコン基板を覆う接触パッド；
前記シリコン基板を覆うポリマー層、ここで、前記ポリマー層中の開口が前記接触パッドの上方にある；および
前記接触パッド上及び前記ポリマー層上の金属バンプを含む集積回路素子であって、
前記金属バンプが、前記開口を通して前記接触パッドと接続され、かつ前記金属バンプが、
前記接触パッド上及び前記ポリマー層上の金属層、
前記金属層上でありかつ前記接触パッドを覆う金属ピラー、ここで、前記金属ピラーは、前記金属層上でありかつ前記接触パッドを覆い、１０マイクロメートル〜１００マイクロメートルの厚さを有する銅ピラーを含む、および
前記金属ピラー上でありかつ前記接触パッドを覆うはんだ、ここで、前記はんだは前記金属ピラーの頂面を完全に被覆している、
を含む、前記集積回路素子。
【請求項７】
前記金属層が前記接触パッド上及び前記ポリマー層上のチタン含有層を含む、請求項６記載の集積回路素子。
【請求項８】
前記金属層が前記接触パッド上及び前記ポリマー層上の窒化チタン層を含む、請求項６記載の集積回路素子。
【請求項９】
シリコン基板、前記シリコン基板を覆う接触パッド、及び前記シリコン基板を覆うポリマー層、ここで、前記ポリマー層中の開口が前記接触パッドの上方にある、を供給する工程；
前記ポリマー層上及び前記接触パッド上に金属層を形成する工程；
前記金属層を形成する前記工程の後、前記金属層上にフォトレジスト層を形成する工程、ここで、前記フォトレジスト層中の開口が前記金属層の上方にある；
前記フォトレジスト層を形成する前記工程の後、前記金属層の上で前記フォトレジスト層中の前記開口の下に、１０〜１００マイクロメートルの厚さを有する銅ピラーを電気めっきする工程；
前記銅ピラーを電気めっきする前記工程の後、前記フォトレジスト層中の前記開口中の前記銅ピラー上にニッケル層を形成する工程；
前記ニッケル層を形成する前記工程の後、前記ニッケル層上に、はんだを形成する工程；
前記はんだを形成する前記工程の後、前記フォトレジスト層を取り除く工程；および
前記フォトレジスト層を取り除く前記工程の後、前記銅ピラーの下にない前記金属層を取り除く工程：
を含む集積回路素子の形成方法。
【請求項１０】
前記ニッケル層を形成する前記工程は、電気めっき方法を含む、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記はんだを形成する前記工程は、電気めっき方法を含む、請求項９記載の方法。
【請求項１２】
前記金属層を形成する前記工程は、前記ポリマー層上及び前記接触パッド上にチタン含有層を形成する工程を含む、請求項９記載の方法。
【請求項１３】
前記金属層を形成する前記工程は、前記ポリマー層上及び前記接触パッド上に窒化チタン層を形成する工程を含む、請求項９記載の方法。
【請求項１４】
前記ニッケル層を形成する前記工程は、１〜１０マイクロメートルの厚さを有する前記ニッケル層を形成する前記工程を含む、請求項９記載の方法。
【請求項１５】
シリコン基板、前記シリコン基板を覆う接触パッド、及び前記シリコン基板を覆うポリマー層、ここで、前記ポリマー層中の開口が前記接触パッドの上方にある、を供給する工程；
前記ポリマー層上及び前記接触パッド上に金属層を形成する工程；
前記金属層を形成する前記工程の後、前記金属層上にフォトレジスト層を形成する工程、ここで、前記フォトレジスト層中の開口が前記金属層の上方にある；
前記フォトレジスト層を形成する前記工程の後、前記金属層の上で前記フォトレジスト層中の前記開口の下に、１０〜１００マイクロメートルの厚さを有する銅ピラーを電気めっきする工程；
前記銅ピラーを電気めっきする前記工程の後、前記フォトレジスト層中の前記開口中の前記銅ピラー上にはんだを形成する工程；
前記はんだを形成する前記工程の後、前記フォトレジスト層を取り除く工程；および
前記フォトレジスト層を取り除く前記工程の後、前記銅ピラーの下にない前記金属層を取り除く工程：
を含む集積回路素子の形成方法。
【請求項１６】
前記はんだを形成する前記工程は、電気めっき方法を含む、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
前記金属層を形成する前記工程は、前記ポリマー層上及び前記接触パッド上にチタン含有層を形成する工程を含む、請求項１５記載の方法。
【請求項１８】
前記金属層を形成する前記工程は、前記ポリマー層上及び前記接触パッド上に窒化チタン層を形成する工程を含む、請求項１５記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月13日(2008.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた複数の回路素子と、
前記複数の回路素子上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられた前記複数の回路素子同士を接続する複数の配線と、を有し、
前記絶縁膜は、開口部を有し、
前記絶縁膜が有する開口部において、前記配線は分断され、
前記基板を曲げたとき、前記分断された配線同士が接触することによって、前記複数の回路素子のうち少なくとも２つの前記回路素子が電気的に接続する接続部が形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上に設けられた複数の回路素子と、
前記複数の回路素子上に設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられた前記複数の回路素子同士を接続する複数の配線と、
前記配線上に設けられた第２の絶縁膜と、を有し、
前記第１の絶縁膜は、開口部を有し、
前記第１の絶縁膜が有する開口部において、前記配線は分断され、
前記基板を曲げたとき、前記分断された配線同士が接触することによって、前記複数の回路素子のうち少なくとも２つの回路素子が電気的に接続する接続部が形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
基板上に設けられた複数の回路素子と、
前記複数の回路素子上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられた前記複数の回路素子同士を接続する複数の配線と、を有し、
前記絶縁膜は、開口部を有し、
前記第１の絶縁膜が有する開口部において、前記配線は分断され、
前記配線の一部は、前記開口部の側面に接するように形成され、
前記基板を曲げたとき、前記分断された配線同士が接触することによって、前記複数の回路素子のうち少なくとも２つの回路素子が電気的に接続する接続部が形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記複数の回路素子は、薄膜トランジスタ、容量素子、ダイオード、及び抵抗素子のいずれか一種又は複数種であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
基板上に複数の回路素子を形成し、
前記複数の回路素子上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に配線を形成し、
前記配線を分断するように前記配線及び前記絶縁膜に開口部を形成し、
前記開口部は、前記基板を曲げたとき、前記分断された配線同士が接触することによって、前記複数の回路素子のうち少なくとも２つの回路素子が電気的に接続するように形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
基板上に複数の回路素子を形成し、
前記複数の回路素子上に絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に配線を形成し、
前記配線上に第２の絶縁膜を形成し、
前記配線を分断するように前記配線、第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜に開口部を形成し、
前記開口部は、前記基板を曲げたとき、前記分断された配線同士が接触することによって、前記複数の回路素子のうち少なくとも２つの回路素子が電気的に接続するように形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
基板上に複数の回路素子を形成し、
前記複数の回路素子上に開口部を有する絶縁膜を形成し
前記絶縁膜上及び前記開口部の側面に接するように、前記回路素子同士を接続する複数の配線を形成し、
前記開口部の側面に形成した配線を残存させ、かつ前記開口部内の配線を分断するように前記配線及び前記基板を分断し、
前記開口部は、前記基板を曲げたとき、前記分断された配線同士が接触することによって、前記複数の回路素子のうち少なくとも２つの回路素子が電気的に接続するように形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のいずれか一において、
前記複数の回路素子は、薄膜トランジスタ、容量素子、ダイオード、及び抵抗素子のいずれか一種又は複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
次に、回路形成部７９１の一方の面を、第２の基板７７６に接着させて、第１の基板７０１から完全に剥離する（図１６（Ｂ）参照）。第２の基板７７６は、ポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、塩化ビニルなどからなるフィルム、繊維質な材料からなる紙、基材フィルム（ポリエステル、ポリアミド、無機蒸着フィルム、紙類等）と接着性合成樹脂フィルム（アクリル系合成樹脂、エポキシ系合成樹脂等）との積層フィルムなどに相当する。フィルムは、熱圧着により、被処理体と加熱処理と加圧処理が行われるものである。加熱処理と加圧処理を行う際には、フィルムの最表面に設けられた接着層か、又は最外層に設けられた層（接着層ではない）を加熱処理によって溶かし、加圧により接着する。また、第２の基板７７６と表面には接着層が設けられていてもよいし、接着層が設けられていなくてもよい。接着層は、熱硬化樹脂、紫外線硬化樹脂、酢酸ビニル樹脂系接着剤、ビニル共重合樹脂系接着剤、エポキシ樹脂系接着剤、ウレタン樹脂系接着剤、ゴム系接着剤、アクリル樹脂系接着剤等の接着剤を含む層に相当する。第２の基板７７６がプラスチックからなる場合、薄型、軽量で、曲げることが可能であるためデザイン性に優れ、フレキシブルな形状への加工が容易である。また、耐衝撃性に優れ、様々な物品に貼り付けたり、埋め込んだりすることが容易であり、多種多様な分野で活用することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月17日(2008.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を化学的機械的研磨するための研磨パッドであって、
研磨パッドの表面に同心円状に形成されている第１グルーブパターンと、
前記第１グルーブパターンと重なるように、前記研磨パッドの表面において前記同心円状の中央部から外側に向けて螺旋状に形成されている第２グルーブパターンと、
を有することを特徴とする研磨パッド。
【請求項２】
前記第１グルーブパターン及び第２グルーブパターンと重なるように、前記研磨パッドの表面において前記同心円状の中央部から四方に向けて放射状に延びる第３グルーブパターンをさらに有することを特徴とする請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項３】
前記第１ないし第３グルーブパターンは、研磨パッドの中心軸を基準にして正の傾度を有することを特徴とする請求項２に記載の研磨パッド。
【請求項４】
前記正の傾度は、１５〜２５゜であることを特徴とする請求項３に記載の研磨パッド。
【請求項５】
前記第１グルーブパターンの深さは、０．０３６〜０．０４１ｃｍであることを特徴とする請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項６】
前記第１グルーブパターンの幅は、０．０２３〜０．０２８ｃｍであることを特徴とする請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項７】
第１グルーブパターンのピッチは、０．１３〜０．１８ｃｍであることを特徴とする請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項８】
第２及び第３グルーブパターンは、第１グルーブパターンの２倍以上の幅と深さで形成されていることを特徴とする請求項２に記載の研磨パッド。
【請求項９】
回転自在に設けられるプラテンと、
前記プラテン上に置かれる、請求項１乃至８のいずれか１項による研磨パッドと、
前記研磨パッドを含むプラテン上にウエハを押圧して保持する研磨ヘッドと、
前記研磨パッドにスラリーを供給するスラリー供給機構と、
を備える化学的機械的研磨装置。
【請求項１０】
前記研磨パッドの表面に形成されている第２及び第３グルーブパターンの進行方向は、前記プラテンの回転方向と反対方向であることを特徴とする請求項９に記載の化学的機械的研磨装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
好ましくは、前記第１グルーブパターンの深さは、０．０３６〜０．０４１ｃｍで、前記第１グルーブパターンの幅は、０．０２３〜０．０２８ｃｍで、第１グルーブパターンのピッチは、０．１３〜０．１８ｃｍであると良い。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
また、第１グルーブパターンの深さＤは、０．０３６〜０．０４１ｃｍに形成し、第１グルーブパターンの幅Ｗは、０．０２３〜０．０２８ｃｍに形成する。また、第１グルーブパターンのピッチＰは、０．１３〜０．１８ｃｍに形成することが好ましい。そして、第２及び第３グルーブパターンは、幅と深さを第１グルーブパターンの２倍以上にすることによって、新しいスラリーの供給及び研磨副産物の除去効率を向上させる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月8日(2008.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁化方向が変化する記録層を備えた磁気記憶素子において、
前記記録層の磁化困難軸方向の長さと磁化容易軸方向の長さは略等しく、
前記記録層は、順次積層された第１の強磁性層、第１の非磁性層、第２の強磁性層、第２の非磁性層、および第３の強磁性層を含み、
前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層、および前記第２の強磁性層と前記第３の強磁性層はそれぞれ反平行結合していることを特徴とする、磁気記憶素子。
【請求項２】
前記記録層は、交差する２本の書込線の間に配置され、その磁化方向は前記２本の書込線に流される電流の方向に応じて変化することを特徴とする、請求項１に記載の磁気記憶素子。
【請求項３】
前記第１および第３の強磁性層の飽和磁化と厚さの積の和は、前記第２の強磁性層の飽和磁化と厚さの積と異なることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の磁気記憶素子。
【請求項４】
前記第１〜第３の強磁性層の主成分はＣｏ元素もしくはＦｅ元素であることを特徴とする、請求項１から請求項３までのいずれかに記載の磁気記憶素子。
【請求項５】
前記記録層の磁気異方性は、前記記録層の形成時および熱処理時に磁界を印加することにより付与されていることを特徴とする、請求項１から請求項４までのいずれかに記載の磁気記憶素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
この発明に係る磁気記憶素子は、磁化方向が変化する記録層を備えた磁気記憶素子において、記録層の磁化困難軸方向の長さと磁化容易軸方向の長さは略等しく、記録層は、順次積層された第１の強磁性層、第１の非磁性層、第２の強磁性層、第２の非磁性層、および第３の強磁性層を含み、第１の強磁性層と第２の強磁性層、および第２の強磁性層と第３の強磁性層はそれぞれ反平行結合していることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
固着層２０において磁化が予め磁界３３と反対方向に磁化されている場合、強磁性トンネル接合素子７の固着層２０と記録層２２の強磁性層２５との磁化方向は互いに反平行となる（図３（ｂ）の状態：“１”を記憶）。この場合には、強磁性トンネル接合素子７の厚さ方向についての抵抗値が大きくなる。かかる状態は、固着層２０において磁化が予め図中の磁界３３と同じ方向に磁化されており、かつ書込ビット線３に対して矢印３１と反対方向に電流を流す場合にも生じる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月14日(2008.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
図５より、２００Ｐａの高圧処理の場合、窒化膜厚が略１．５〜１．６ｎｍまでは、窒化膜中のＮ濃度が高く、膜質が良好であるが、窒化膜厚が１．６ｎｍ超では、Ｎ濃度が急激に減少する傾向が見られた。一方で、１２Ｐａの低圧処理の場合、Ｎ濃度は２．０ｎｍ程度まで略一定しているが、Ｎ濃度は高圧処理に比べて全体的に低い傾向があり、窒化膜厚が２．０ｍｍ超からはＮ濃度が急激に減少する傾向が示された。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月27日(2008.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ異なる調整抵抗値を割り当てた複数のユニットを直列に接続させて抵抗値を調整するためのトリミング回路であって、
前記複数のユニットの少なくとも１つは、
制御端子を備えたスイッチ素子と、
前記スイッチ素子に対して直列に接続した第１モジュールと、
前記スイッチ素子及び第１モジュールに対して並列に接続した第２モジュールとを有し、
前記第２モジュールの抵抗値と、前記第１モジュールと前記第２モジュールとの合成抵抗値との差分が前記調整抵抗値となるように、前記第１モジュール及び前記第２モジュールを構成したことを特徴とするトリミング回路。
【請求項２】
請求項１に記載のトリミング回路において、
前記第１モジュール及び第２モジュールは、同じ抵抗値を有する複数の抵抗器を接続することにより構成されていることを特徴とするトリミング回路。
【請求項３】
請求項２に記載のトリミング回路において、
前記第１モジュール及び第２モジュールは、前記抵抗器の数を少なくするように構成されていることを特徴とするトリミング回路。
【請求項４】
請求項２又は３に記載のトリミング回路において、
前記第１モジュール及び第２モジュールを構成する抵抗器の数が同じとなる構成が複数ある場合には、前記第１モジュールが前記第２モジュールよりも大きな抵抗値を有するように構成されていることを特徴とするトリミング回路。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１つに記載のトリミング回路において、
ユニットのうち前記調整抵抗値が最も大きいユニットの前記調整抵抗値に対して、これ以外のユニットの調整抵抗値が、１／２＾ｉ（ｉは整数）の調整抵抗値を生成することを特徴とするトリミング回路。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１つに記載のトリミング回路を用いた電子回路。
【請求項７】
抵抗値の調整を生成するためのトリミング回路であって、
ベース抵抗回路と、
前記ベース抵抗回路に接続され、第１トランジスタと第１及び第２の直列に接続された抵抗を含む第１ユニットであって、前記第１トランジスタは前記第１及びダイの抵抗と並列に接続されている、第１ユニットと、
前記第１ユニットに接続され、第２トランジスタと第３トランジスタとを含む第２ユニットであって、前記第３トランジスタは前記第２トランジスタに並列に接続されている、第２ユニットと、
前記第２ユニットに接続され、第３トランジスタと前記第３トランジスタに直列に接続される直列接続部と、前記直列接続部と前記第３トランジスタとに並列に接続される並列接続部とを含んでいる第３ユニットと
を備える、トリミング回路。
【請求項８】
請求項７に記載のトリミング回路において、前記第１及び第２の抵抗の各々は抵抗値Ｒを有し、前記第１トランジスタがオフのとき、前記第１ユニットの抵抗値は２Ｒであり、前記第１トランジスタがオンのとき、前記第１ユニットの抵抗値はほとんど０である、トリミング回路。
【請求項９】
請求項８に記載のトリミング回路において、前記第３抵抗は抵抗値Ｒを有し、前記第２トランジスタがオフのとき、前記第２ユニットの抵抗値はＲであり、前記第２トランジスタがオンのとき、前記第２ユニットの抵抗値はほとんど０である、トリミング回路。
【請求項１０】
請求項９に記載のトリミング回路において、前記トリミング回路は、各々所定の抵抗値２Ｒ，Ｒ，Ｒ／２，Ｒ／４，Ｒ／８及びＲ／１６を有する６つのユニットを含む、トリミング回路。
【請求項１１】
請求項７に記載のトリミング回路において、前記第３トランジスタはＮＭＯＳトランジスタである、トリミング回路。
【請求項１２】
請求項７に記載のトリミング回路において、前記ベース抵抗回路は、出力電流を基準電圧に変換する、トリミング回路。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月15日(2008.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
歪点７５０℃以下のガラス基板の少なくとも一部にＳｉを主成分とする結晶が横方向成長されたＣＷレーザが照射された半導体膜が形成されており、前記ガラス基板周辺のＣＷレーザが照射された領域のガラス基板表面の表面張力が、前記横方向成長されたＣＷレーザが照射された半導体膜の形成された領域のガラス基板表面の表面張力より小であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記ガラス基板上に前記半導体膜を用いた回路が形成されており、前記回路の少なくとも一部に結晶を横方向成長させたＳｉを主成分とするＣＷレーザが照射された半導体膜を含み、前記ガラス基板周辺のＣＷレーザが照射された領域のガラス基板表面の表面張力が、前記横方向成長させたＣＷレーザが照射された半導体膜を含む領域のガラス基板表面の表面張力より小であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
歪点７５０℃以下のガラス基板の少なくとも一部にＳｉを主成分とする結晶が横方向成長されたＣＷレーザが照射された半導体膜が形成されており、画像を表示し、前記半導体膜が形成された画像領域と前記画素領域の画素を駆動し、前記半導体膜が形成された回路を有し、前記回路の少なくとも一部に結晶を横方向成長させたＳｉを主成分とするＣＷレーザが照射された半導体膜を含み、前記横方向成長させたＣＷレーザが照射された半導体膜を含む領域のガラス基板表面の引張り応力と、画素領域の基板表面の引張り応力との差が２００Ｎ／ｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記回路の少なくとも一部に結晶を横方向成長させたＳｉを主成分とするＣＷレーザが照射された半導体膜を含み、前記半導体膜の形成されているガラス基板周辺のＣＷレーザが照射された領域の表面の引張り応力が、前記横方向成長されたＣＷレーザが照射された半導体膜の形成された領域の引張り応力より小であることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体膜はガラス基板上に形成された下地絶縁膜上に形成されており、前記ガラス基板周辺の少なくとも一部において前記ガラス基板の表面付近が前記下地絶縁膜とともに除去されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記横方向成長されたＣＷレーザが照射された半導体膜を含む領域のガラス基板表面の引張り応力と、ガラス基板周辺のＣＷレーザが照射された領域のガラス基板表面の引張り応力との差が２００Ｎ／ｍ以上である、前記請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
歪点７５０℃以下のガラス基板の少なくとも一部にＳｉを主成分とする結晶が横方向成長されたＣＷレーザが照射された半導体膜が形成されており、前記ガラス基板上に画像を表示し、前記半導体膜が形成された画像領域と、前記画素領域の画素を駆動し、前記半導体膜が形成された回路が形成され、前記回路の少なくとも一部に結晶を横方向成長させたＳｉを主成分とするＣＷレーザが照射された半導体膜を含み、前記横方向成長させたＣＷレーザが照射された半導体膜を含む領域のガラス基板表面の引張り応力と、前記画素領域のガラス基板表面の引張り応力との差が２００Ｎ／ｍ以上であり、前記基板周辺のＣＷレーザが照射された領域の少なくとも一部において厚さ０．５μｍ以上のシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜からなる絶縁膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
前記ガラス基板表面の表面張力が、前記横方向成長されたＣＷレーザが照射された半導体膜の形成された領域において、前記横方向成長されたＣＷレーザが照射された半導体膜の成長方向に平行な方向よりも垂直な方向に大である、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記ガラス基板表面の引張り応力が、前記横方向成長されたＣＷレーザが照射された半導体膜の形成された領域において、前記横方向成長されたＣＷレーザが照射された半導体膜の成長方向に平行な方向よりも垂直な方向に大である、請求項７記載の半導体装置。
【請求項１０】
歪点７５０℃以下のガラス基板の上に形成されたＳｉを主成分とする半導体の少なくとも一部にＣＷまたは擬似ＣＷレーザ光を照射してＳｉ結晶を横方向成長させるＣＷレーザを照射する工程を含む半導体装置の製造方法であって、
前記半導体装置の周辺部に設けた一部領域の半導体膜を除いて、前記ＣＷまたは擬似ＣＷレーザ光照射による横方向成長を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記ガラス基板上に複数の半導体装置を形成した後前記複数の半導体装置を個々に分割する工程と、前記切断した各半導体装置の切断領域の周辺部に設けた一部領域の半導体膜を除いて、前記ＣＷまたは擬似ＣＷレーザ光による横方向成長を行う工程とを含むことを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
歪点７５０℃以下のガラス基板の上に形成されたＳｉを主成分とする半導体の少なくとも一部にＣＷまたは擬似ＣＷレーザ光を照射してＳｉ結晶を横方向成長させる工程を含む半導体装置の製造方法であって、ＣＷまたは擬似ＣＷレーザ光照射によるガラス基板表面の引張り応力の増分が２００Ｎ／ｍ以下となるように制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
複数の半導体装置のＣＷまたは擬似ＣＷレーザ光の照射領域を基板上にほぼ直線上に配置し、各半導体装置に切断して分割する工程を含む、前記請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
複数の半導体装置のＣＷまたは擬似ＣＷレーザ光の照射領域を基板上にほぼ直線上に配置し、各半導体装置に切断して分割する工程を含む、前記請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
歪点７５０℃以下のガラス基板を用いた半導体装置を、基板上に下地絶縁膜を介して形成された、Ｓｉを主成分とする半導体膜にＣＷまたは擬似ＣＷレーザ光を照射して結晶を横方向成長させる工程を含み製造する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体装置の周辺の少なくとも一部において下地絶縁膜およびガラス基板の表面をエッチングする工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記基板上に複数の半導体装置を形成した後分割する工程と、分割された各半導体装置の基板切断位置付近の少なくとも一部において前記下地絶縁膜および前記ガラス基板の表面をエッチングする工程を含むことを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記ガラス基板のエッチング深さが０．０１μｍ以上1μｍ以下であることを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記ガラス基板のエッチング深さが０．０１μｍ以上1μｍ以下であることを特徴とする請求項１６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
歪点７５０℃以下のガラス基板を用いた半導体装置を、基板上に下地絶縁膜を介して形成された、Ｓｉを主成分とする半導体膜にＣＷまたは擬似ＣＷレーザ光を照射して結晶を横方向成長させる工程を含み製造する半導体装置の製造方法であって、前記半導体装置の周辺の少なくとも一部において厚さ０．５μｍ以上のシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜からなる絶縁膜を堆積する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月24日(2008.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の筐体と、
受話器が配設された面を有してなる第２の筐体と、
前記第１の筐体及び前記第２の筐体を開閉可能に連結する連結部と、
前記第１の筐体に配設されたアンテナ素子と、
両端が開放されてなり、かつ、前記両端のうちの一端は、前記第１の筐体及び前記第２の筐体が開かれたとき、前記アンテナ素子中の励振時に最も強い電界が分布する点の近傍にあるように、前記第２の筐体の受話器が配設された面の反対側に配設された無給電素子とを
備えたことを特徴とする携帯電話機。
【請求項２】
前記無給電素子は、使用周波数帯に属する周波数の２分の１波長に相当する電気長を有し、かつ、前記両端のうちの一端が前記第１の筐体及び前記第２の筐体が開かれたとき前記アンテナ素子中の励振時に最も強い電界が分布する点から前記使用周波数帯に属する周波数の８分の１波長以下の距離にあるように配設されたことを特徴とする請求項１に記載の携帯電話機。
【請求項３】
第１の筐体と、
受話器が配設された面を有してなる第２の筐体と、
前記第１の筐体及び前記第２の筐体を開閉可能に連結する連結部と、
前記第１の筐体に配設されたアンテナ素子と、
一端が開放されると共に他端が接地されてなり、かつ、前記開放された一端は、前記第１の筐体及び前記第２の筐体が開かれたとき、前記アンテナ素子中の励振時に最も強い電界が分布する点の近傍にあるように、前記第２の筐体の受話器が配設された面の反対側に配設された無給電素子とを
備えたことを特徴とする携帯電話機。
【請求項４】
前記無給電素子は、使用周波数帯に属する周波数の４分の１波長に相当する電気長を有し、かつ、前記開放された一端が前記第１の筐体及び前記第２の筐体が開かれたとき前記アンテナ素子中の励振時に最も強い電界が分布する点から前記使用周波数帯に属する周波数の８分の１波長以下の距離にあるように配設されたことを特徴とする請求項１に記載の携帯電話機。
【請求項５】
前記無給電素子は、前記第２の筐体の受話器が配設された面の反対側の外面に取り付けられたことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の携帯電話機。
【請求項６】
前記無給電素子は、前記第２の筐体の受話器が配設された面の反対側の内面に取り付けられたことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の携帯電話機。
【請求項７】
前記第２の筐体は基板を内蔵し、前記無給電素子は、前記第２の筐体の前記受話器が配設された面と反対側を向く前記基板の面に取り付けられたことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の携帯電話機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の携帯電話機は、第１の筐体と、受話器が配設された面を有してなる第２の筐体と、前記第１の筐体及び前記第２の筐体を開閉可能に連結する連結部と、前記第１の筐体に配設されたアンテナ素子と、両端が開放されてなり、かつ、前記両端のうちの一端は、前記第１の筐体及び前記第２の筐体が開かれたとき、前記アンテナ素子中の励振時に最も強い電界が分布する点の近傍にあるように、前記第２の筐体の受話器が配設された面の反対側に配設された無給電素子とを備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月21日(2008.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リーダライタに固有のアプリケーションに従って非接触でデータを送受信する無線通信媒体であって、
上記リーダライタからのコマンドを受信する受信回路と、
受信したコマンドに基づいて当該リーダライタのアプリケーションに適合しているか否かを判断し、適合している場合に当該リーダライタにレスポンスを返し、適合していない場合にレスポンスを返さない制御回路と、
を有することを特徴とする無線通信媒体。
【請求項２】
上記制御回路で当該リーダライタのアプリケーションに適合していないことを判断した場合に上記受信回路の共振周波数を変更する変更回路をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の無線通信媒体。
【請求項３】
上記制御回路で当該リーダライタのアプリケーションに適合していないことを判断した場合に上記受信回路の受信感度を低下させる感度低下回路をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の無線通信媒体。
【請求項４】
上記制御回路で当該リーダライタのアプリケーションに適合していないことを判断した場合に上記受信回路を一時的に切断する切断回路をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の無線通信媒体。
【請求項５】
リーダライタに固有のアプリケーションに従って非接触でデータを送受信する無線通信媒体であって、
媒体本体と、
この媒体本体に設けられ、上記リーダライタとの間でデータを送受信するためのアンテナを有し、このアンテナを介して上記リーダライタからのコマンドを受信する受信回路と、
上記媒体本体に設けられ、受信したコマンドに基づいて当該リーダライタのアプリケーションに適合しているか否かを判断し、適合している場合に当該リーダライタにレスポンスを返し、適合していない場合にレスポンスを返さない制御回路と、
を有することを特徴とする無線通信媒体。
【請求項６】
上記制御回路で当該リーダライタのアプリケーションに適合していないことを判断した場合に上記アンテナのインダクタンスを変更する変更回路をさらに有することを特徴とする請求項５に記載の無線通信媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月7日(2008.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
該発光素子から照射光軸に対して所定角度より小さい角度で発せられた光を射出する第１の射出面、前記発光素子から前記照射光軸に対して前記所定角度より大きい角度で発せられた光を反射する反射面、および前記第１の射出面の周囲に形成され、前記反射面で反射した光を射出する第２の射出面を有する光学部材とを有し、
前記第２の射出面は、前記照射光軸から最も離れた部分が、該照射光軸に最も近い部分よりも照射光軸方向における前記発光素子とは反対方向に突出した形状を有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記第２の射出面は、前記発光素子の中心から前記照射光軸に対して傾斜して延びる線を含む面形状を有することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記第２の射出面は、前記第１の射出面に接することを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記反射面で全反射する光よりも前記照射光軸に対して大きい角度で前記発光素子から射出された光を前記第２の射出面に向けて反射する反射部材を有することを特徴とする請求項１から３のいずれか１つに記載の発光装置。  
【請求項５】
前記光学部材の内部に前記発光素子が配置されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項６】
受光素子と、
入射光軸が通るように形成され、入射した光を前記受光素子に向かわせる第１の入射面、該第１の入射面の周囲に形成された第２の入射面、および前記第２の入射面から入射した光を前記受光素子に向けて反射する反射面を有する光学部材とを有し、
前記第２の入射面は、前記入射光軸から最も離れた部分が、該入射光軸に最も近い部分よりも入射光軸方向における前記受光素子とは反対方向に突出した形状を有することを特徴とする受光装置。
【請求項７】
前記第２の入射面は、前記受光素子の中心から前記入射光軸に対して傾斜して延びる線を含む面形状を有することを特徴とする請求項６に記載の受光装置。
【請求項８】
前記第２の入射面は、前記第１の入射面に接することを特徴とする請求項６又は７に記載の受光装置。
【請求項９】
前記第２の入射面からの光のうち前記反射面で全反射しない光を前記受光素子に向けて反射する反射部材を有することを特徴とする請求項６から８のいずれか１つに記載の受光装置。  
【請求項１０】
前記光学部材の内部に前記受光素子が配置されていることを特徴とする請求項６から９のいずれか１つに記載の受光装置。
【請求項１１】
請求項１から５のいずれか１つに記載の発光装置又は請求項６から１０のいずれか１つに記載の受光装置を備えたことを特徴とする機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
１７は該光学部材１９のうち発光素子１１からの光が直接入射し射出される直接射出領域、１８は直接射出領域１７の周囲に形成された面であり、直接射出領域側から、全反射領域と該全反射領域で全反射した後、反射部材１６で反射された光が射出する射出領域とを含む。直接射出領域１７は、球面レンズ形状、非球面レンズ形状、放物面形状などの凸レンズ形状に形成されている。また、直接射出領域１７は、図９に示した光の射出しない領域７０を覆う大きさに形成した。２０は直接射出領域１７のレンズ面外周よりも照射光軸ＡＸＬに近い位置まで形成した凹部である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月16日(2008.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
最終光学素子の下の液膜を介してウエハを露光する液浸露光装置において、
前記最終光学素子の周辺に配置されたノズルユニットを有し、
前記ノズルユニットには、気体を供給する気体供給口が設けられており、
前記最終光学素子の下の液膜の除去時、前記最終光学素子の下に前記気体供給口から高湿度の気体を供給することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記ノズルユニットに、前記気体供給口と前記最終光学素子の下とを含む空間を囲む壁が設けられていることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記ノズルユニットの前記壁よりも内側に、気体を回収する気体回収口が設けられており、
前記気体回収口は、前記最終光学素子の下の液膜の除去時、前記最終光学素子の下の高湿度の気体を回収することを特徴とする請求項２記載の露光装置。
【請求項４】
ウエハを保持し移動する２つのウエハステージを有し、
前記２つのウエハステージを前記最終光学素子の下で交換しながらウエハを露光し、
前記２つのウエハステージの少なくとも一方のウエハステージが前記最終光学素子の下に常に存在することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の露光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
図１に本発明の請求項３に相当する構成を示す。１は露光装置の最終光学素子、１０ａはウエハ、２５ａはウエハを保持する基板である。２はノズルユニットでノズルユニットには高湿度の供給気体５を供給する気体供給口４と、その気体を回収する気体回収口６を具備する。壁３は最終光学素子１、気体供給口４、気体回収口６を取り囲むように配置される。ここでは、最終光学素子１は円形とし、その円に対し、気体供給口４、気体回収口６、壁３は同心円状に配置されているものとする。露光時、レンズ下空間８には液体が保持される。この実施例では、液膜をレンズ下空間に供給するときは気体供給口４を利用することにする。またレンズ下面の液体を除去する場合には、気体回収口から液体を回収するものとする。もちろん液体の供給、回収のために他の液体供給口、回収口を別途設けることも可能である。レンズ下空間に液膜を保持し、露光を行い、例えばウエハ交換のため、液膜をレンズ下空間から除去する必要がある場合、本発明では、液膜を除去しながら、気体供給口４から高湿度の供給気体５をレンズ下空間８に送り込む。それと同時に、気体回収口６から回収気体７を回収し、レンズ下空間から高湿度の気体が装置へ流れ出し、錆びなどの原因になることを防止する。本実施例ではノズルユニット２と壁３、およびウエハ１０ａまたはウエハ基板２５ａによりレンズ下空間８はほとんど密閉状態になるため、装置側への高湿度の気体の漏れは微小に抑制することが可能である。このようにしてレンズ下空間を高湿度に保つことにより、レンズ下面に残った液膜の蒸発は少なく抑えることが可能になり、気化熱によるレンズ変形を小さく抑制することが可能になる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
以下に、２つのステージを用いた液浸露光装置のウエハ露光の処理手順を説明する。
（ステップ１）図２のステージ位置においてステージ２２ｂはウエハチェンジャー２９からウエハ２５ｂを受け取る。
（ステップ２）その後ステージ２２ｂを移動させながらアライメントスコープ３２はウエハ上のアライメントマーク及びウエハ基板２２ｂ上のアライメント用の基準マークを計測し、ウエハ基板に保持されたウエハのアライメント計測を行う。また、同時にフォーカススコープ３３はウエハの面形状及び光軸方向のフォーカス計測を行う。
（ステップ３）アライメント計測及びフォーカス計測が終了した後、ステージ２２ｂは鏡筒３６のレンズ下位置に移動する。図４参照。
（ステップ４）ステージ２２ｂが計測動作を実行している間、ステージ２２ａはレンズ下に液膜を保持した状態で、液浸露光を実行する。
（ステップ５）液浸露光を終了したステージ２２ａは、前記実施例１のように液体を回収し、レンズ下空間には高湿度の気体が供給されている。
（ステップ６）ステージ２２ａは（ステップ５）の状態、ステージ２２ｂは（ステップ３）の状態で、図４のレンズ下位置に待機している。その後２つのステージは同期して移動し、レンズ下位置にあるステージはステージ２２ａからステージ２２ｂに変わる。図５はこのときの移動途中のステージの側面図を表す。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月21日(2008.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
従来の昇圧回路の構成図を図８に示す。入力信号Ｖφが基準電位Ｖｓｓのとき、トランジスタＮ４とＮ５が導通することによって、コンデンサＣｂに電位差Ｖｄｄが印加され、コンデンサＣｂが充電される。その後、入力信号Ｖφが電源電圧Ｖｄｄになると、トランジスタＰ２が導通し、スイッチＮ０とＮ１のゲートにスイッチのターミナル信号電圧Ｖｉｎと電源電圧Ｖｄｄの和の電圧がかかり、トランジスタＮ０とＮ１が導通する。
【非特許文献１】IEEE Circuits and Systems, 1999. ISCAS '99. Proceedings of the 1999 IEEE International Symposium on , Volume:2, 30.May-2.June, 1999, Pages:29-32,vol.2, 「BOOTSTRAPPED LOW-VOLTAGE ANALOG SWITCHES」
【特許文献１】特開２００１−１１１３９７号公報
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月19日(2008.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体像を結像して、被写体像を形成する撮像レンズと、
前記形成された被写体像の光量分布を測定可能な撮像素子と、
前記形成された被写体像の前記撮像素子上の位置をずらすための画像ずらし手段と、
前記撮像レンズと被写体との間に配置可能なアダプタを装着可能な装着手段と、
前記画像ずらし手段を駆動させて被写体像を複数箇所にずらし、前記ずらした複数の被写体像のそれぞれについて前記撮像素子で光量分布を測定させ、前記測定した複数の光量分布を互いに比較することにより前記装着されたアダプタが正しく装着されたか否かを判断する制御手段と、
を備える撮像装置。
【請求項２】
前記撮像レンズの光軸と垂直な平面内を移動可能な補正レンズをさらに備え、
前記画像ずらし手段は、
前記補正レンズを駆動する駆動手段である、
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記撮像素子は、前記撮像レンズの光軸と垂直な平面内を移動可能であって、
前記画像ずらし手段は、
前記撮像素子を駆動する駆動手段である、
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記撮像レンズを光軸方向に駆動する撮像レンズ駆動制御手段をさらに備え、
前記制御手段は、前記アダプタの装着の正否を判断する前に予め、前記撮像レンズを略広角端に配置するよう前記撮像レンズ駆動制御手段を制御する
請求項１から請求項３のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項５】
前記制御手段による前記アダプタの装着の正否判断について出力する出力手段をさらに備える、
請求項１から請求項４のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記撮像素子により測定された光量分布のピーク値または積分値が閾値以下の時、光量不足であることを示す情報を前記出力手段に出力させるよう制御する、
請求項５に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記撮像レンズを分離可能である、
ことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載の撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月27日(2007.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽電子放出核種にて標識されたＢＦ−２２７（６−［２−（フルオロ）エトキシ］−２−［２−（２−ジメチルアミノチアゾール−５−イル）エテニル］ベンゾキサゾール）をプローブとして含む、ヒト対象におけるアミロイドβ蛋白が蓄積する疾患の画像診断用組成物であって、対象に静脈内投与され、ＰＥＴ装置および脳ＭＲＩ装置と併用され、ＤＶＲ計算値もしくは計算画像およびＳＵＶ画像が得られることを特徴とする、画像診断用組成物。
【請求項２】
Ｌｏｇａｎ  ＤＶＲ法を用いて脳領域のＤＶＲ計算画像が得られ、小脳皮質領域を基準として前頭葉、側頭葉および頭頂葉におけるＬｏｇａｎ  ＤＶＲの閾値を１．１とすることを特徴とする請求項１記載の画像診断用組成物。
【請求項３】
陽電子放出核種が１１Ｃである、請求項１または２のいずれか１項記載の画像診断用組成物。