【手続補正書】
【提出日】平成20年2月18日(2008.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に形成された半導体層と、前記半導体層に接するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に接する第１のゲート電極と、前記第１のゲート電極に接する第２のゲート電極と、ＥＬ素子とを有する半導体表示装置であって、
前記第１のゲート電極および前記第２のゲート電極は、材料が異なり、端部における断面の形状がテーパーであり、
前記半導体層は、チャネル形成領域と、前記チャネル形成領域に接するＬＤＤ領域と、前記ＬＤＤ領域に接するソース領域及びドレイン領域とを有しており、
チャネル長の方向における前記第１のゲート電極の幅は、チャネル長の方向における前記第２のゲート電極の幅より広く、
前記ＬＤＤ領域は前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記第１のゲート電極と重なっており、
前記チャネル形成領域は前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記第２のゲート電極と重なっており、
前記ＥＬ素子は陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に設けられたＥＬ層とを有しており、
前記ドレイン領域は、前記陽極もしくは前記陰極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項２】
請求項１において、前記ＬＤＤ領域は前記第２のゲート電極をマスクとして前記半導体層に前記不純物を添加することにより、自己整合的に形成されていることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記ＬＤＤ領域における不純物濃度は、少なくとも１×１０１７〜１×１０１８／ｃｍ３の範囲で濃度勾配を有する領域を含んでおり、チャネル形成領域からの距離が増大するとともに不純物濃度が増加していることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
絶縁表面上に形成された半導体層と、前記半導体層に接するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に接する第１のゲート電極と、前記第１のゲート電極に接する第２のゲート電極とをそれぞれ含むスイッチング用ＴＦＴ、駆動回路用ＴＦＴ、および電流制御用ＴＦＴを有する半導体表示装置であって、
チャネル長の方向における前記第１のゲート電極の幅は、チャネル長の方向における前記第２のゲート電極の幅より広く、
前記第１のゲート電極および第２のゲート電極は、端部における断面の形状がテーパーであり、
前記スイッチング用ＴＦＴの半導体層は、前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記第２のゲート電極と重なるチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域に接し、かつ前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記第１のゲート電極と重なる第１のＬＤＤ領域と、前記第１のＬＤＤ領域に接する第２のＬＤＤ領域と、前記第２のＬＤＤ領域に接するソース領域及びドレイン領域とを有しており、
前記駆動回路用ＴＦＴの半導体層は、前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記第２のゲート電極と重なるチャネル形成領域と、該チャネル形成領域と接し、かつ前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記第１のゲート電極と重なる第３のＬＤＤ領域と、該第３のＬＤＤ領域と接するソース領域またはドレイン領域とを含み、
前記電流制御用ＴＦＴの半導体層は、前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記第２のゲート電極と重なるチャネル形成領域と、該チャネル形成領域と接し、かつ前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記第１のゲート電極と重なる第４のＬＤＤ領域と、該第４のＬＤＤ領域と接するソース領域またはドレイン領域とを含むことを特徴とする半導体表示装置。
【請求項５】
請求項４において、前記第１のＬＤＤ領域における不純物濃度は、少なくとも１×１０１７〜１×１０１８／ｃｍ３の範囲で濃度勾配を有する領域を含んでおり、前記チャネル形成領域からの距離が増大するとともに不純物濃度が増加することを特徴とする半導体表示装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、前記第３のＬＤＤ領域における不純物濃度は、少なくとも１×１０１７〜１×１０１８／ｃｍ３の範囲で濃度勾配を有する領域を含んでおり、前記チャネル形成領域からの距離が増大するとともに不純物濃度が増加することを特徴とする半導体表示装置。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６のいずれか一項において、前記第１のＬＤＤ領域、前記第３のＬＤＤ領域、および第４のＬＤＤ領域は、前記第２のゲート電極をマスクとして前記半導体層に前記不純物を添加することにより、自己整合的に形成されていることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項８】
絶縁表面上に形成された半導体層と、ゲート絶縁膜と、第１のゲート電極と、第２のゲート電極と、第１の配線と、第２の配線と、第１の層間絶縁膜と、第２の層間絶縁膜と、中間配線と、ＥＬ素子とを有する半導体表示装置であって、
前記ゲート絶縁膜は前記半導体層を覆って前記絶縁表面上に形成されており、
前記第１のゲート電極および前記第２のゲート電極は、材料が異なり、端部における断面の形状がテーパーであり、
前記第１のゲート電極及び前記第１の配線は前記ゲート絶縁膜に接して形成されており、
前記第２のゲート電極と前記第２の配線とは、それぞれ前記第１のゲート電極と前記第１の配線とに接して形成されており、
前記第１のゲート電極及び前記第１の配線は第１の導電膜から形成されており、
前記第２のゲート電極及び前記第２の配線は第２の導電膜から形成されており、
前記第１の層間絶縁膜は、前記第１及び第２のゲート電極と、前記第１及び第２の配線と、前記ゲート絶縁膜とを覆って形成されており、
前記第２の層間絶縁膜は、前記第１の層間絶縁膜上に形成されており、
前記中間配線は、前記第２の層間絶縁膜に設けられた第１のコンタクトホールを介して前記第１の層間絶縁膜に接するように、前記第２の層間絶縁膜を覆って形成されており、
前記中間配線は前記第１のコンタクトホールにおいて、前記第１の層間絶縁膜を間に介して前記第２の配線と重なっており、
前記半導体層は、チャネル形成領域と、前記チャネル形成領域に接するＬＤＤ領域と、前記ＬＤＤ領域に接するソース領域及びドレイン領域とを有しており、
前記ＬＤＤ領域は前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記第１のゲート電極と重なっており、
前記チャネル形成領域は前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記第２のゲート電極と重なっており、
前記中間配線は、前記ゲート絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜と、第２の層間絶縁膜とに設けられた第２のコンタクトホールを介して前記ソース領域に接続されており、
前記ＥＬ素子は陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に設けられたＥＬ層とを有しており、
前記ドレイン領域は、前記陽極もしくは前記陰極と電気的に接続されていることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項９】
請求項８において、前記半導体装置は遮蔽膜を有しており、
前記遮蔽膜は前記中間配線と同じ導電膜から形成されており、
前記遮蔽膜は前記チャネル形成領域と重なるように前記第２の層間絶縁膜上に形成されていることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項に記載の前記半導体表示装置をビデオカメラ、画像再生装置、ヘッドマウントディスプレイ、またはパーソナルコンピュータに用いることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項１１】
絶縁表面上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層に接するようにゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜に接するように第１の形状の第１の導電層と、第１の形状の第２の導電層とを形成する工程と、
前記第１の形状の第１の導電層、前記第１の形状の第２の導電層をエッチングして、テーパー部を有する第１のゲート電極と、第２のゲート電極を形成する工程と、
前記第１のゲート電極のテーパー部を通過させて前記半導体層に一導電型を付与する不純物元素を添加し、前記半導体層の端部に向かって不純物濃度が増加する第１のＬＤＤ領域を形成する工程と、
前記テーパー部を有する第１のゲート電極と第２のゲート電極をマスクとして一導電型を付与する不純物元素を添加してソース領域及びドレイン領域を形成する工程と、
を有する半導体表示装置の作製方法。
【請求項１２】
絶縁表面上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層に接するようにゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜に接するように第１の導電膜を形成する工程と、
前記第１の導電膜に接するように第２の導電膜を形成する工程と、
前記第２の導電膜をエッチングし、第１の形状の第２の導電層を形成する工程と、
前記第１の導電膜をエッチングし、第１の形状の第１の導電層を形成する工程と、
前記第１の形状の第１の導電層、前記第１の形状の第２の導電層をエッチングして、テーパー部を有する第１のゲート電極と、第２のゲート電極とを形成する工程と、
前記第１のゲート電極のテーパー部を通過させて前記半導体層に一導電型を付与する不純物元素を添加し、前記半導体層の端部に向かって不純物濃度が増加する第１のＬＤＤ領域を形成する工程と、
前記テーパー部を有する第１のゲート電極と第２のゲート電極をマスクとして一導電型を付与する不純物元素を添加してソース領域及びドレイン領域を形成する工程と、
を有する半導体表示装置の作製方法。