【手続補正書】
【提出日】平成20年1月17日(2008.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  外半径を有する平坦で円形または円環状の基板であって、少なくとも２つの重さの異なる元素を含む材料の、厚さが実質的に一定であり、前記基板表面に沿った前記材料における軽い元素の量に対する重い元素の量の比率の分布が実質的に一定である層で被膜される基板を製造する方法であって、前記方法は、
ターゲット面からの前記少なくとも２つの元素を有する材料をマグネトロンスパッタリングするステップを含み、それにより前記ターゲット面において前記ターゲット面の中心のまわりの実質的に円環状の個所に沿って最大の深さを有し、溝半径を有する少なくとも１つの浸食溝を生成し、さらに第２の浸食溝を前記中心に生成し、さらに
被覆されるべき表面を有する前記基板を前記ターゲット面に対向してかつ実質的に平行にそこから距離をおいて前記中心を中心に配置するステップと、
前記少なくとも１つの浸食溝の前記浸食半径を前記基板の前記外半径よりも大きく選択するステップと、
前記材料を含む前記層を有する前記基板の前記表面を被膜するステップとを含む、方法。
【請求項２】  前記少なくとも２つの元素が金属である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記材料の層の前記材料は合金である、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】  前記中心のまわりの実質的に円環状の個所に沿って最大の深さを有する前記浸食溝を１つより多く生成するステップをさらに含む、請求項１から３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】  前記外半径（ｒ）に対して
１．２ｒ≦（ＲE）≦５ｒ
を満たすように前記溝半径（ＲE）を選択するステップを含む、請求項１から４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】  スパッタリングされない状態において前記基板を前記ターゲット面から距離ｄで配置するステップをさらに含み、前記外半径ｒに対して
ｒ／２≦ｄ≦３ｒ
を満たすように前記距離ｄを選択する、請求項１から５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】  新しい状態において前記基板をターゲット面から距離ｄで配置するス
テップをさらに含み、前記溝半径が前記外半径よりもΔＲEだけ大きいように選択し、それにより
０．３３ｄ≦ΔＲE
を適用する、請求項１から６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】  半径を有する前記ターゲット面の前記中心のまわりの実質的に円環状の個所に沿って最大の深さを有する前記浸食溝の少なくとも２つを生成するステップをさらに含み、前記個所に続く半径の差はΔρEであって、新しい状態において前記基板を前記ターゲット面から距離ｄでさらに配置し、
ΔρE≦２ｄ
を選択する、請求項１から７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】  磁場線が前記中心の両側でこれに偏心してそれぞれ前記ターゲット面から出たりそこへ貫通したりするトンネル状の磁場を与えることにより前記中心に前記浸食溝を生成するステップをさらに含み、さらに前記磁場を前記ターゲット面に沿って中心のまわりに回転させる、請求項１から８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】  前記ターゲット面の下に磁石配列を与えるステップをさらに含み、前記配列は、前記スパッタ面に直交して前記中心を通る中心軸を囲む磁石の第１のループと磁石の第２のループとを含み、前記第２のループは腎臓形であって前記軸およびさらに前記第１のループから径方向に前記軸に向かって前記第２のループの外側に配置される磁石を囲まず、前記ターゲット面に対して前記軸のまわりに前記磁石配列を相対的に回転させる、請求項１から９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】  前記少なくとも２つの元素は、Ｐｔ，Ｔｂ，Ｆｅ，Ｇｄ，Ｃｏから選択される、請求項１から１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】  ターゲット（６）と、ターゲット裏面に設けられていてターゲット未使用面に対して垂直な軸（Ａ）を中心に駆動される可動な磁石構造部とを備えたマグネトロン源において、磁石構造部が、軸を中心とする少なくとも１つの扇形を延びる少なくとも１つの冠状磁石（１４，１４″）を含むとともに、回転軸領域（Ａ）にこれに関して半径方向でオフセットされた磁石（Ｍ，１２″）を含むことを特徴とするマグネトロン源。
【請求項１３】  冠状磁石（１４）が回転軸（Ａ）を中心として腎臓形に延びており、これを含まないように、かつこの冠状磁石（１４）に関して半径方向で外側に位置するように少なくとも１つの別の冠状磁石（１２）が設けられており、この冠状磁石は回転軸（Ａ）を含んでおり、このとき磁石（Ｍ，１２″）は、別の冠状磁石（１２）から半径方向へ最初に挙げた冠状磁石（１４）の腎臓形の窪みに飛び込むスポーク状の磁石構造部（１６）の最後の磁石（Ｍ）によって構成される、請求項１２に記載のマグネトロン源。
【請求項１４】  スパッタリング成膜チャンバであって、円盤状または円環状の平坦なターゲット（６）をもつマグネトロン源と、ターゲット（６）に対して同軸（Ａ）かつこれに関して間隔をおいている円環状または円盤状の基板（７）を受容するための基板保持部とを備えており、このときマグネトロン源は少なくとも１つの同軸な、軸を中心に周回するマグネトロンフィールド（Ｈ9）を生成する形式のものにおいて、ターゲット未使用面に平行な最大の磁界強度（Ｈmax）の実質的に円形の場所と、基板半径ｒとの半径方向の間隔ＲHについて次式が成り立つことを特徴とするスパッタリング成膜チャンバ：
１．２ｒ≦ＲH≦５ｒ
好ましくは  １．２ｒ≦ＲH≦２ｒ
【請求項１５】  実質的に同軸の浸食溝（９）の最大の浸食深さ（Ｅmax）の場所の半径ＲE、および基板の半径ｒについて次式が成立する、請求項１４の上位概念に基づくスパッタリング成膜チャンバ：
１．２ｒ≦ＲE≦５ｒ
好ましくは  １．２ｒ≦ＲE≦２ｒ
【請求項１６】  基板半径ｒ、および被覆されるべき基板面とターゲット未使用面との間の間隔ｄに関して次式が成立する、請求項１４または１５に記載のスパッタリング成
膜チャンバ：
ｒ／２≦ｄ≦３ｒ
好ましくは  ｒ／２≦ｄ≦２ｒ
【請求項１７】  ターゲットでの最大の浸食深さ（Ｅmax）の軸（Ａ）を中心として同軸に周回する場所の、基板半径ｒを越える半径ＲEのオーバーハングΔＲEについて、および被覆されるべき基板面とターゲット未使用面との間の間隔ｄに関して次式が成立する、請求項１３から１６までのいずれかに記載のスパッタリング成膜チャンバ：
０．３３ｄ≦ΔＲE≦４ｄ
好ましくは０．３３ｄ≦ΔＲE≦２ｄ
【請求項１８】  ターゲット未使用面に平行な最大の磁場強度（Ｈmax）の軸（Ａ）を中心として同軸に周回する場所の、基板半径ｒを越える半径ＲHのオーバーハングΔＲHについて、および被覆されるべき基板面とターゲット未使用面との間の間隔ｄに関して次式が成立する、請求項１３から１７までのいずれかに記載のスパッタリング成膜チャンバ：
０．３３ｄ≦ΔＲH≦４ｄ
好ましくは  ０．３３ｄ≦ΔＲH≦２ｄ
【請求項１９】  軸に対して同軸にターゲットに少なくとも２つの浸食ゾーン（９，９ａ，９′）が設けられており、各々の最大の浸食（Ｅmax）の場所の半径方向の間隔ΔρEについて、および被覆されるべき基板面とターゲット未使用面との間の間隔ｄに関して次式が成立する、請求項１３から１８までのいずれかに記載のスパッタリング成膜チャンバ：
ΔρE≦２ｄ、好ましくは
ｄ≦ΔρE≦２ｄ
【請求項２０】  マグネトロン源がターゲット上で少なくとも２つの同軸な、半径方向で間隔をおいたトンネルフィールドを生成し、ターゲット未使用面に対して平行な各々の最大の磁界強度の場所について、および被覆されるべき基板面とターゲット未使用面との間の間隔ｄに関して次式が成立する、請求項１３から１９までのいずれかに記載のスパッタリング成膜チャンバ：
ΔρH≦２ｄ、好ましくは
ｄ≦ΔρH≦２ｄ
【請求項２１】  請求項１２または１３に記載のマグネトロン源を備えている、請求項１３から２０までのいずれかに記載のスパッタリング成膜チャンバ。
【請求項２２】  請求項１から１０までのいずれかに記載の方法、および／または請求項１１に記載の方法、および／または請求項１２または１３に記載のマグネトロン源、および／または請求項１４から２１までのいずれかに記載のスパッタリング成膜チャンバの利用法において、磁気光学的な蓄積基板に少なくとも１つの蓄積層を付着させるための利用法。
【請求項２３】  ＰｔＣｏ，ＴｂＦｅＣｏ，またはＧｄＦｅＣｏを少なくとも含む合金層で基板被覆するための、請求項２２の上位概念に基づく利用法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
このとき的確なやり方としては、好ましくは金属である重い元素と軽い元素との上述の比率を基板で局所的に増大ないし低減させる方策が提案される。好ましくは、増大と低減という上述した両方の方策によって所望の分布を得る。このとき同時に、調節の自由度が得られることによって、基板での層厚分布も同時に的確に調整でき、特に均一化できることが達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明による方法の有利な実施形態はいくつかの請求項に記載されている。
ここでは特に、上述したように未使用状態では平坦で同軸で円盤状または円環状のターゲットから平坦で円盤状または円環状の基板に成膜する特定の場合において、ターゲット浸食ゾーンをターゲットの中心に設けるのが本発明ではきわめて好ましいことが示されており、それによって本発明のこの有利なケースについては円環状のターゲットが省略される。ある請求項の記載に基づく方法は、基本的にどのようにターゲットに中心浸食ゾーンが生成されるかが定義されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項１２と１３にはさらに本発明によるマグネトロン源が定義されており、そのマグネトロン配置はターゲットで中心の浸食プロフィルを実現するために設計されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項１４ないし１５では、円盤状または円環状、同軸で未使用状態では平坦なターゲットからの、円盤状または円環状、平坦な基板のためのスパッタリング成膜チャンバであって、同形性に関して改善された、基板における上述した比率の分布を得るための幾何学的な比率が定義されている。このスパッタリング成膜チャンバの有利な実施例は従属請求項１６から２１に定義されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
製造方法、スパッタリング方法、マグネトロン源、およびスパッタリング成膜チャンバというすべての観点から本発明は、特に請求項２２の記載によれば、磁気的または磁気光学的な蓄積基板に蓄積層を付着させるのに適するとともに、ＰｔＣｏ，ＴｂＦｅＣｏまたはＧｄＦｅＣｏを少なくとも含む合金層で基板被覆するのに適している。