【手続補正書】
【提出日】平成20年10月9日(2008.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉ、Ｃ、ＯおよびＨ原子を含み、共有結合性３次元ランダム網目構造を有し、前記Ｃ原子の一部分がＳｉ−ＣＨ３官能基として結合されており、前記Ｃ原子の別の部分がＳｉ−Ｒ−Ｓｉとして結合されており、Ｒが、フェニル、−［ＣＨ２］ｎ−（ｎは１以上）、ＨＣ＝ＣＨ、Ｃ＝ＣＨ２、Ｃ≡Ｃまたは［Ｓ］ｎ結合（ｎは先に定義したとおり）である誘電体材料。
【請求項２】
Ｆ、ＮおよびＧｅのうちの少なくとも１つをさらに含む、請求項１に記載の誘電体材料。
【請求項３】
前記材料中の全炭素原子のうちＳｉ−Ｒ−Ｓｉとして結合されている炭素原子の割合が０．０１から０．９９である、請求項１に記載の誘電体材料。
【請求項４】
緻密（ｄｅｎｓｅ）または多孔質材料であり、乾燥した環境で６Ｊ／ｍ２超の皮膜引張強さを有し、３．２未満の誘電率を有する、請求項１に記載の誘電体材料。
【請求項５】
緻密または多孔質材料であり、水圧１５７０Ｐａ、２５℃で３Ｊ／ｍ２超の皮膜引張強さを有し、３．２未満の誘電率を有する、請求項１に記載の誘電体材料。
【請求項６】
基板上に位置し、少なくとも１つの誘電体材料を含む相互接続構造であって、前記少なくとも１つの誘電体材料が、少なくともＳｉ、Ｃ、Ｏ、Ｈ原子を含み、共有結合性３次元網目構造を有し、前記Ｃ原子の一部分がＳｉ−ＣＨ３官能基として結合されており、前記Ｃ原子の別の部分がＳｉ−Ｒ−Ｓｉとして結合されており、Ｒが、フェニル、−［ＣＨ２］ｎ−（ｎは１以上）、ＨＣ＝ＣＨ、Ｃ＝ＣＨ２、Ｃ≡Ｃまたは［Ｓ］ｎ結合（ｎは先に定義したとおり）である相互接続構造。
【請求項７】
前記誘電体材料が、Ｆ、ＮおよびＧｅのうちの少なくとも１つをさらに含む、請求項６に記載の相互接続構造。
【請求項８】
前記誘電体材料中の全炭素原子のうちＳｉ−Ｒ−Ｓｉとして結合されている炭素原子の割合が０．０１から０．９９である、請求項６に記載の相互接続構造。
【請求項９】
少なくとも２つの金属導体要素と絶縁誘電体とを含む電子構造であって、前記誘電体が、少なくとも原子Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、Ｈからなり、共有結合性３次元網目構造を有し、前記Ｃ原子の一部分がＳｉ−ＣＨ３官能基として結合されており、前記Ｃ原子の別の部分がＳｉ−Ｒ−Ｓｉとして結合されており、Ｒが、フェニル、−［ＣＨ２］ｎ−（ｎは１以上）、ＨＣ＝ＣＨ、Ｃ＝ＣＨ２、Ｃ≡Ｃまたは［Ｓ］ｎ結合（ｎは先に定義したとおり）である電子構造。
【請求項１０】
前記少なくとも２つの金属導体要素が、受動または能動回路要素の機能のために必要な形状にパターニングされている、請求項９に記載の電子構造。
【請求項１１】
前記受動または能動回路要素が、インダクタ、抵抗器、コンデンサおよび共振器のうちの１つを含む、請求項１０に記載の電子構造。
【請求項１２】
絶縁誘電体によって取り囲まれた電子センシング構造であって、前記誘電体が、少なくとも原子Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、Ｈからなり、共有結合性３次元網目構造を有し、前記Ｃ原子の一部分がＳｉ−ＣＨ３官能基として結合されており、前記Ｃ原子の別の部分がＳｉ−Ｒ−Ｓｉとして結合されており、Ｒが、フェニル、−［ＣＨ２］ｎ−（ｎは１以上）、ＨＣ＝ＣＨ、Ｃ＝ＣＨ２、Ｃ≡Ｃまたは［Ｓ］ｎ結合（ｎは先に定義したとおり）である電子センシング構造。
【請求項１３】
ＳｉＣＯＨ誘電体材料を製作する方法であって、
基板をリアクタの中に置くステップと、
Ｓｉ、Ｃ、ＯおよびＨ原子を含み、カルボシランまたはアルコキシカルボシラン分子を含む少なくとも１つの第１の前駆体を準備するステップと、
３．２以下の誘電率を有するＳｉＣＯＨ誘電体を形成するのに有効な条件を選択することによって、前記第１の前駆体に由来する誘電膜を前記基板上に付着させるステップと
を含み、
前記誘電膜が、少なくともＳｉ、Ｃ、Ｏ、Ｈ原子を含み、共有結合性３次元網目構造を有し、前記Ｃ原子の一部分がＳｉ−ＣＨ３官能基として結合されており、前記Ｃ原子の別の部分がＳｉ−Ｒ−Ｓｉとして結合されており、Ｒが、フェニル、−［ＣＨ２］ｎ−（ｎは１以上）、ＨＣ＝ＣＨ、Ｃ＝ＣＨ２、Ｃ≡Ｃまたは［Ｓ］ｎ結合（ｎは先に定義したとおり）である
方法。
【請求項１４】
前記第１の前駆体が環状カルボシラン分子であり、前記分子の環状部分を形成する結合が、Ｓｉ−ＣＨ２−Ｓｉ結合と少なくとも１つのＳｉ結合を両方ともに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の前駆体が、ジシラシクロオクタン、テトラシラシクロオクタン、ジシラシクロヘキサンまたはシラシクロヘキサンの誘導体である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１の前駆体が、オクタメチル−１，５−ジシロキサン−３，７−ジシラシクロオクタン、１，３，５，７−テトラメチル−１，５−ジシロキサン−３，７−ジシラシクロオクタン、１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラシラシクロオクタン、１，３，５−トリメチル−１，３，５−トリシラシクロヘキサン、１，３，５−トリメチル−１，３−ジシロキサン−５−シラシクロヘキサンおよび１，３，５−トリメチル−１−シロキサン−３，５−ジシラシクロヘキサンのうちの１つを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記第１の前駆体にポーロゲン前駆体を加えるステップをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記付着させた誘電膜を、熱エネルギー源、ＵＶ光、電子ビーム、化学物質、マイクロ波またはプラズマを含む、少なくとも１つのエネルギー源で処理するステップをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１９】
前記少なくとも１つのエネルギー源が、パルス光でもまたは連続光でもよいＵＶ光であり、前記処理ステップが、３００〜４５０℃の基板温度で、１５０〜３７０ｎｍの少なくとも１つのＵＶ波長を含む光を用いて実行される、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
不活性気体と酸化剤のうちの少なくとも一方を前記第１の前駆体に加えるステップをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項２１】
前記第１の前駆体が、オクタメチル−１，５−ジシロキサン−３，７−ジシラシクロオクタン、１，３，５，７−テトラメチル−１，５−ジシロキサン−３，７−ジシラシクロオクタン、１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラシラシクロオクタン、１，３，５−トリメチル−１，３，５−トリシラシクロヘキサン、１，３，５−トリメチル−１，３−ジシロキサン−５−シラシクロヘキサン、１，３，５−トリメチル−１−シロキサン−３，５−ジシラシクロヘキサン、１，１，３，３−テトラヒドリド−１，３−ジシラシクロブタン、１，１，３，３−テトラメトキシ（エトキシ）−１，３−ジシラシクロブタン、１，３−ジメチル−１，３−ジメトキシ−１，３−ジシラシクロブタン、１，３−ジシラシクロブタン、１，３−ジメチル−１，３−ジヒドリド−１，３−ジシリルシクロブタン、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ジシラシクロブタン、１，１，３，３，５，５−ヘキサメトキシ−１，３，５−トリシラン、１，１，３，３，５，５−ヘキサヒドリド−１，３，５−トリシラン、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチル−１，３，５−トリシラン、１，１，１，３，３，３−ヘキサメトキシ（エトキシ）−１，３−ジシラプロパン、１，１，３，３−テトラメトキシ−１−メチル−１，３−ジシラブタン、１，１，３，３−テトラメトキシ−１，３−ジシラプロパン、１，１，１，３，３，３−ヘキサヒドリド−１，３−ジシラプロパン、３−（１，１−ジメトキシ−１−シラエチル）−１，４，４−トリメトキシ−１−メチル−１，４−ジシルペンタン、メトキシメタン、２−（ジメトキシシラメチル）−１，１，４−トリメトキシ−１，４−ジシラブタン、メトキシメタン、１，１，４−トリメトキシ−１，４−ジシラ−２−（トリメトキシシリルメチル）ブタン、ジメトキシメタン、メトキシメタン、１，１，１，５，５，５−ヘキサメトキシ−１，５−ジシラペンタン、１，１，５，５−テトラメトキシ−１，５−ジシラヘキサン、１，１，５，５−テトラメトキシ−１，５−ジシラペンタン、１，１，１，４，４，４−ヘキサメトキシ（エトキシ）−１，４−ジシリルブタン、１，１，１，４，４，４−ヘキサヒドリド−１，４−ジシラブタン、１，１，４，４−テトラメトキシ（エトキシ）−１，４−ジメチル−１，４−ジシラブタン、１，４−ビス−トリメトキシ（エトキシ）シリルベンゼン、１，４−ビス−ジメトキシメチルシリルベンゼン、１，４−ビス−トリヒドロシリルベンゼン，１，１，１，４，４，４−ヘキサメトキシ（エトキシ）−１，４−ジシラブト−２−エン、１，１，１，４，４，４−ヘキサメトキシ（エトキシ）−１，４−ジシラブト−２−イン、１，１，３，３−テトラメトキシ（エトキシ）−１，３−ジシロラン、１，３−ジシロラン、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ジシロラン、１，３，３−テトラメトキシ（エトキシ）−１，３−ジシラン、１，３−ジメトキシ（エトキシ）−１，３−ジメチル−１，３−ジシラン、１，３−ジシラン、１，３−ジメトキシ−１，３−ジシラン、１，１−ジメトキシ（エトキシ）−３，３−ジメチル−１−プロピル−３−シラブタンおよび２−シラプロパンからなるグループから選択される、請求項１３に記載の方法。
【請求項２２】
前記第１の前駆体が、１，１，３，３−テトラヒドリド−１，３−ジシラシクロブタン、１，１，３，３−テトラメトキシ（エトキシ）−１，３−ジシラシクロブタン、１，３−ジメチル−１，３−ジメトキシ−１，３−ジシラシクロブタン、１，３−ジシラシクロブタン、１，３−ジメチル−１，３−ジヒドリド−１，３−ジシリルシクロブタン、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ジシラシクロブタン、１，１，３，３，５，５−ヘキサメトキシ−１，３，５−トリシラン、１，１，３，３，５，５−ヘキサヒドリド−１，３，５−トリシラン、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチル−１，３，５−トリシラン、１，１，１，３，３，３−ヘキサメトキシ（エトキシ）−１，３−ジシラプロパン、１，１，３，３−テトラメトキシ−１−メチル−１，３−ジシラブタン、１，１，３，３−テトラメトキシ−１，３−ジシラプロパン、１，１，１，３，３，３−ヘキサヒドリド−１，３−ジシラプロパン、３−（１，１−ジメトキシ−１−シラエチル）−１，４，４−トリメトキシ−１−メチル−１，４−ジシルペンタン、メトキシメタン、２−（ジメトキシシラメチル）−１，１，４−トリメトキシ−１，４−ジシラブタン、メトキシメタン、１，１，４−トリメトキシ−１，４−ジシラ−２−（トリメトキシシリルメチル）ブタン、ジメトキシメタン、メトキシメタン、１，１，１，５，５，５−ヘキサメトキシ−１，５−ジシラペンタン、１，１，５，５−テトラメトキシ−１，５−ジシラヘキサン、１，１，５，５−テトラメトキシ−１，５−ジシラペンタン、１，１，１，４，４，４−ヘキサメトキシ（エトキシ）−１，４−ジシリルブタン、１，１，１，４，４，４−ヘキサヒドリド−１，４−ジシラブタン、１，１，４，４−テトラメトキシ（エトキシ）−１，４−ジメチル−１，４−ジシラブタン、１，４−ビス−トリメトキシ（エトキシ）シリルベンゼン、１，４−ビス−ジメトキシメチルシリルベンゼン、１，４−ビス−トリヒドロシリルベンゼン，１，１，１，４，４，４−ヘキサメトキシ（エトキシ）−１，４−ジシラブト−２−エン、１，１，１，４，４，４−ヘキサメトキシ（エトキシ）−１，４−ジシラブト−２−イン、１，１，３，３−テトラメトキシ（エトキシ）−１，３−ジシロラン、１，３−ジシロラン、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ジシロラン、１，３，３−テトラメトキシ（エトキシ）−１，３−ジシラン、１，３−ジメトキシ（エトキシ）−１，３−ジメチル−１，３−ジシラン、１，３−ジシラン、１，３−ジメトキシ−１，３−ジシラン、１，１−ジメトキシ（エトキシ）−３，３−ジメチル−１−プロピル−３−シラブタンおよび２−シラプロパンからなるグループから選択される、請求項１３に記載の方法。
【請求項２３】
前記少なくとも１つの第１の前駆体を供給する前に前記基板の温度を調整するステップをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項２４】
Ｃ、Ｈ原子を含み、任意選択でＯ、ＦまたはＮおよびＧｅのうちの少なくとも１つを含む第２の前駆体を提供するステップをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項２５】
付着の前にポーロゲン前駆体を前記第１の前駆体に加えるステップをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項２６】
前記付着させるステップの前に不活性気体と酸化剤のうちの少なくとも一方を前記第１の前駆体に加えるステップをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項２７】
Ｓｉ、Ｃ、ＯおよびＨ原子からなり、ジエトキシメチルシラン、ジメチルジメトキシシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、テトラメチルシクロテトラシロキサン、ビニルメチルジエトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルジメチルエトキシシラン、シクロヘキセニルエチルトリエトキシシラン、１，１−ジエトキシ−１−シラシクロペント−３−エン、ジビニルテトラメチルジシロキサン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、エポキシヘキシルトリエトキシシラン、ヘキサビニルジシロキサン、トリビニルメトキシシラン、トリビニルエトキシシラン、ビニルメチルエトキシシラン、ビニルメチルジエトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、ビニルペンタメチルジシロキサン、ビニルテトラメチルジシロキサン、ビニルトリエトキシシランおよびビニルトリメトキシシランからなるグループから選択された第２の前駆体を提供するステップをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項２８】
ＳｉＣＯＨ誘電体材料を製作する方法であって、
基板をリアクタの中に置くステップと、
Ｓｉ、Ｃ、ＯおよびＨ原子を含む少なくとも１つの第１の前駆体を準備するステップであって、前記第１の前駆体が環状カルボシラン分子を含み、前記環を形成する結合が、Ｓｉ-ＣＨ２−Ｓｉ結合と少なくとも１つのＳｉ結合を両方ともに含むステップと、
３．２以下の誘電率を有するＳｉＣＯＨ誘電体を準備するのに有効な条件を選択することによって、前記第１の前駆体に由来する誘電膜を前記基板上に付着させるステップと
を含み、
前記誘電膜が、少なくともＳｉ、Ｃ、Ｏ、Ｈ原子を含み、共有結合性３次元網目構造を有し、前記Ｃ原子の一部分がＳｉ−ＣＨ３官能基として結合されており、前記Ｃ原子の別の部分がＳｉ−Ｒ−Ｓｉとして結合されており、Ｒが、フェニル、−［ＣＨ２］ｎ−（ｎは１以上）、ＨＣ＝ＣＨ、Ｃ＝ＣＨ２、Ｃ≡Ｃまたは［Ｓ］ｎ結合（ｎは先に定義したとおり）である
方法。
【請求項２９】
前記第１の前駆体が、オクタメチル−１，５−ジシロキサン−３，７−ジシラシクロオクタン、１，３，５，７−テトラメチル−１，５−ジシロキサン−３，７−ジシラシクロオクタン、１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラシラシクロオクタン、１，３，５−トリメチル−１，３，５−トリシラシクロヘキサン、１，３，５−トリメチル−１，３−ジシロキサン−５−シラシクロヘキサンおよび１，３，５−トリメチル−１−シロキサン−３，５−ジシラシクロヘキサンのうちの１つを含む、請求項２８に記載の方法。