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【手続補正書】
【提出日】平成19年12月4日(2007.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エポキシ樹脂（Ａ）１００重量部に対して、脂肪族ポリアミン、脂環族ポリアミン又は芳香族ポリアミンから選ばれるアミン系硬化剤（Ｂ）を２５〜５０重量部、ジシアンジアミド（Ｃ）を１〜５重量部、融点が１５０℃以上の有機酸ジヒドラジド化合物（Ｄ）を１〜２０重量部の配合割合で含むエポキシ樹脂組成物であって、前記有機酸ジヒドラジド化合物（Ｄ）が粒子状に分散している繊維強化複合材料用エポキシ樹脂組成物。
【請求項２】
さらに、熱可塑性樹脂（Ｅ）を含む請求項１に記載の繊維強化複合材料用エポキシ樹脂組成物。
【請求項３】
前記有機酸ジヒドラジド化合物（Ｄ）が、下式（Ｉ）に示すカルボン酸ジヒドラジド化合物である請求項１又は２に記載の繊維強化複合材料用エポキシ樹脂組成物。
【化１】
2007291237.tif 000001
（式中、Ｘは、フェニル基又は炭素数２〜１８の脂肪族炭化水素基を表す。）
【請求項４】
前記有機酸ジヒドラジド化合物（Ｄ）が、下式（ＩＩ）に示すカルボン酸ジヒドラジド化合物である請求項１、２又は３に記載の繊維強化複合材料用エポキシ樹脂組成物。
【化２】
2007291237.tif 000002
【請求項５】
前記有機酸ジヒドラジド化合物（Ｄ）の平均粒子径が、１００μｍ以下である請求項１〜４のいずれかに記載の繊維強化複合材料用エポキシ樹脂組成物。
【請求項６】
前記アミン系硬化剤（Ｂ）が、３，３′ジアミノジフェニルスルホン及び／又は４，４′ジアミノジフェニルスルホンである請求項１〜５のいずれかに記載の繊維強化複合材料用エポキシ樹脂組成物。
【請求項７】
前記熱可塑性樹脂（Ｅ）が、ポリエーテルスルホン樹脂又はポリエーテルイミド樹脂である請求項２〜６のいずれかに記載の繊維強化複合材料用エポキシ樹脂組成物。
【請求項８】
前記エポキシ樹脂（Ａ）１００重量部に対して、前記熱可塑性樹脂（Ｅ）を２０〜６０重量部の配合割合で含む請求項２〜７のいずれかに記載の繊維強化複合材料用エポキシ樹脂組成物。
【請求項９】
前記エポキシ樹脂組成物の昇温速度２℃／分における動的粘弾性測定による最低粘度が１０〜１５０Ｐａ・ｓである請求項１〜８のいずれかに記載の繊維強化複合材料用エポキシ樹脂組成物。
【請求項１０】
前記エポキシ樹脂組成物の硬化後に、ＡＳＴＭ  Ｄ５０４５−９１に準拠して測定される破壊靭性値が、１．８ＭＰａ・√ｍ以上である請求項１〜９のいずれかに記載の繊維強化複合材料用エポキシ樹脂組成物。
【請求項１１】
請求項２〜１０のいずれかに記載の繊維強化複合材料用エポキシ樹脂組成物の製造方法であって、前記エポキシ樹脂（Ａ）に、前記熱可塑性樹脂（Ｅ）を９５〜１５０℃で溶解させ混合樹脂にした後、６０〜９０℃に冷却し、該混合樹脂中に前記アミン系硬化剤（Ｂ）、ジシアンジアミド（Ｃ）及び有機酸ジヒドラジド化合物（Ｄ）を添加する繊維強化複合材料用エポキシ樹脂組成物の製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜１０のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物をマトリックス樹脂として、強化繊維と複合させた繊維強化プリプレグ。
【請求項１３】
前記マトリックス樹脂の含有量が３０〜５０重量％である請求項１２に記載の繊維強化プリプレグ。
【請求項１４】
前記強化繊維が炭素繊維である請求項１２又は１３に記載の繊維強化プリプレグ。
【請求項１５】
請求項１２〜１４のいずれかに記載の繊維強化プリプレグとハニカムコアとを積層したハニカムサンドイッチパネル。
【請求項１６】
前記ハニカムコアが、アラミドハニカム、アルミハニカム、ペーパーハニカム、ガラスハニカムから選ばれるいずれかである請求項１５に記載のハニカムサンドイッチパネル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成する本発明の繊維強化複合材料用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂（Ａ）１００重量部に対して、脂肪族ポリアミン、脂環族ポリアミン又は芳香族ポリアミンから選ばれるアミン系硬化剤（Ｂ）を２５〜５０重量部、ジシアンジアミド（Ｃ）を１〜５重量部、融点が１５０℃以上の有機酸ジヒドラジド化合物（Ｄ）を１〜２０重量部の配合割合で含むエポキシ樹脂組成物であって、前記有機酸ジヒドラジド化合物（Ｄ）が粒子状に分散していることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂（Ａ）１００重量部に対して、アミン系硬化剤（Ｂ）を２５〜５０重量部、好ましくは３０〜４５重量部、ジシアンジアミド（Ｃ）を１〜５重量部、好ましくは１〜３重量部、有機酸ジヒドラジド化合物（Ｄ）を１〜２０重量部、好ましくは３〜１０重量部の配合割合で含む。アミン系硬化剤（Ｂ）の配合量を２５〜５０重量部の範囲内にすることにより、樹脂硬化物の機械的特性、特に強度、靭性、耐熱性などの物性を確保することが可能になる。ジシアンジアミド（Ｃ）の配合量を１重量部以上にすることにより樹脂硬化物の機械的特性の向上効果が十分に得られ、５重量部以下にすることにより熱硬化工程の前の硬化反応を起こり難くする。有機酸ジヒドラジド化合物（Ｄ）の配合量を１重量部以上にすることにより樹脂硬化物の機械的特性を向上する効果を十分に得られ、２０重量部以下にすることにより熱硬化の際にエポキシ樹脂に完全に溶解し、加熱硬化時の最低粘度を適正化することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月4日(2007.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
エポキシ樹脂（Ａ）１００重量部に対して、脂肪族ポリアミン、脂環族ポリアミン又は芳香族ポリアミンから選ばれるアミン系硬化剤（Ｂ）を２５〜５０重量部、融点が１５０℃以上の有機酸ジヒドラジド化合物（Ｃ）を１〜２０重量部配合すると共に、ジシアンジアミドを含まない繊維強化複合材料用エポキシ樹脂組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成する本発明の繊維強化複合材料用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂（Ａ）１００重量部に対して、脂肪族ポリアミン、脂環族ポリアミン又は芳香族ポリアミンから選ばれるアミン系硬化剤（Ｂ）を２５〜５０重量部、融点が１５０℃以上の有機酸ジヒドラジド化合物（Ｃ）を１〜２０重量部配合すると共に、ジシアンジアミドを含まないことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
アミン系硬化剤（Ｂ）は、脂肪族ポリアミン、脂環族ポリアミン又は芳香族ポリアミンから選ばれるものであり、好ましくは芳香族ポリアミンがよい。本発明において、アミン系硬化剤（Ｂ）には、ジシアンジアミンは含まないものとする。芳香族ポリアミンとしては、ジアミノジフェニルスルホン、ジアミノジフェニルメタン、メタキシレンジアミン、メタフェニレンジアミン等が好ましく、とりわけジアミノジフェニルスルホンが硬化物の耐熱性を高める点から好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月4日(2007.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
常温で液状のエポキシ樹脂（Ａ）、該エポキシ樹脂（Ａ）に温度９０℃以上で溶解する熱可塑性樹脂（Ｂ）、前記エポキシ樹脂（Ａ）に温度９０℃未満で完全に溶解せず、かつ軟化点が１２０℃以上の熱硬化性樹脂の粒子（Ｃ）及び硬化剤（Ｄ）を含むエポキシ樹脂組成物であって、そのエポキシ樹脂組成物の昇温速度２℃／分における動的粘弾性測定による最低粘度が１０〜１５０Ｐａ・ｓである繊維強化複合材料用エポキシ樹脂組成物。
【請求項２】
前記熱可塑性樹脂（Ｂ）が、ポリエーテルスルホン樹脂の粒子及び／又はポリエーテルイミド樹脂の粒子であり、その粒子径が２００μｍ以下である請求項１に記載の繊維強化複合材料用エポキシ樹脂組成物。
【請求項３】
前記熱硬化性樹脂の粒子（Ｃ）が、常温で固形のエポキシ系樹脂、マレイミド系樹脂、又はシアネート系樹脂からなる請求項１又は２に記載の繊維強化複合材料用エポキシ樹脂組成物。
【請求項４】
前記熱硬化性樹脂の粒子（Ｃ）の粒子径が、１００μｍ以下である請求項１〜３のいずれかに記載の繊維強化複合材料用エポキシ樹脂組成物。
【請求項５】
前記硬化剤（Ｄ）が、３，３′ジアミノジフェニルスルホン及び／又は４，４′ジアミノジフェニルスルホン請求項１〜４のいずれかに記載の繊維強化複合材料用エポキシ樹脂組成物。
【請求項６】
前記硬化剤（Ｄ）を、潜在性硬化剤と共に使用する請求項１〜５のいずれかに記載の繊維強化複合材料用エポキシ樹脂組成物。
【請求項７】
前記エポキシ樹脂組成物が、前記エポキシ樹脂（Ａ）１００重量部に対して、前記熱可塑性樹脂（Ｂ）を２０〜６０重量部、前記熱硬化性樹脂の粒子（Ｃ）を２〜２０重量部配合する請求項１〜６のいずれかに記載の繊維強化複合材料用エポキシ樹脂組成物。
【請求項８】
前記エポキシ樹脂組成物の硬化後に、ＡＳＴＭ  Ｄ５０４５−９１に準拠して測定される破壊靭性値が、１．８ＭＰａ・√ｍ以上である請求項１〜７のいずれかに記載の繊維強化複合材料用エポキシ樹脂組成物。
【請求項９】
前記エポキシ樹脂（Ａ）に、前記熱可塑性樹脂（Ｂ）を温度９５〜１５０℃で溶解させ、温度６０〜９０℃に冷却後、前記熱硬化性樹脂の粒子（Ｃ）及び硬化剤（Ｄ）を配合する請求項１〜８のいずれかに記載の繊維強化複合材料用エポキシ樹脂組成物の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物をマトリックス樹脂として、強化繊維と複合させた繊維強化プリプレグ。
【請求項１１】
前記マトリックス樹脂の含有量が３０〜５０重量％である請求項１０に記載の繊維強化プリプレグ。
【請求項１２】
前記強化繊維が炭素繊維である請求項１０又は１１に記載の繊維強化プリプレグ。
【請求項１３】
請求項１０〜１２のいずれかに記載の繊維強化プリプレグとハニカムコアとを積層したハニカムサンドイッチパネル。
【請求項１４】
前記ハニカムコアが、アラミドハニカム、アルミハニカム、ペーパーハニカム、ガラスハニカムから選ばれるいずれかである請求項１３に記載のハニカムサンドイッチパネル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成する本発明の繊維強化複合材料用エポキシ樹脂組成物は、常温で液状のエポキシ樹脂（Ａ）、該エポキシ樹脂（Ａ）に温度９０℃以上で溶解する熱可塑性樹脂（Ｂ）、前記エポキシ樹脂（Ａ）に温度９０℃未満で完全に溶解せず、かつ軟化点が１２０℃以上の熱硬化性樹脂の粒子（Ｃ）及び硬化剤（Ｄ）を含むエポキシ樹脂組成物であって、そのエポキシ樹脂組成物の昇温速度２℃／分における動的粘弾性測定による最低粘度が１０〜１５０Ｐａ・ｓであることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の繊維強化複合材料用エポキシ樹脂組成物は、常温で液状のエポキシ樹脂（Ａ）及びこのエポキシ樹脂（Ａ）に温度９０℃以上で溶解する熱可塑性樹脂（Ｂ）を主成分とすることから、熱可塑性樹脂（Ｂ）がエポキシ樹脂（Ａ）に容易に均一に溶解されるので、プリプレグの強化繊維への含浸性を向上することができる。さらに、この主成分に、エポキシ樹脂（Ａ）に温度９０℃未満で完全に溶解せず、かつ軟化点が１２０℃以上である熱硬化性樹脂の粒子（Ｃ）を添加するので、加熱硬化工程において、樹脂温度が高温になるまで熱硬化性樹脂の粒子（Ｃ）がエポキシ樹脂（Ａ）に溶解しないようにしている。このため、プリプレグをハニカムコアに積層して加熱硬化させる加熱硬化工程において、樹脂組成物の昇温に伴う粘度の挙動を適正化し、そのエポキシ樹脂組成物の昇温速度２℃／分における動的粘弾性測定による最低粘度を１０〜１５０Ｐａ・ｓにするので、樹脂組成物が、過度にフィレットに流れて表面のポロシティが増加するのを防止することができる。また、加熱硬化工程前には、タック性及びドレープ性を向上させ優れた作業性を得ることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、昇温速度２℃／分における動的粘弾性測定による最低粘度が、１０〜１５０Ｐａ・ｓであり、好ましくは２０〜１００Ｐａ・ｓであるとよい。動的粘弾性測定の最低粘度を上記の範囲内にすることは、プリプレグの生産性及び自己接着性を発現する上で有効であり、良好なフィレットを形成して自己接着性を向上すると共に、プリプレグ製造時に強化繊維に樹脂組成物を含浸させる生産性を向上することができる。なお、本発明において動的粘弾性測定による最低粘度は、エポキシ樹脂組成物を試料にして、温度２５℃から２００℃までの間で、昇温速度２℃／秒、周波数１０ｒａｄ／秒、ひずみ１％の動的粘弾性測定における複素粘性率の最低値をいうものとする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月30日(2008.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属質又はガラス質基材が少なくとも表面に構成される、記録媒体用基板、フォトマスク用基板、又はフラットパネルディスプレイ用基板の洗浄に用いる洗浄剤組成物であって、以下の（i）〜（iii）を少なくとも満たす共重合化合物、
（i）アクリル酸由来の構成単位Ａ１が、全構成単位中の２０モル％以上である、
（ii）アクリル酸由来の構成単位Ａ１と２-アクリルアミド-２-メチルプロパンスルホン酸由来の構成単位Ａ２の合計含有量が、全構成単位中の９０モル％以上である、
（iii）全構成単位中の構成単位Ａ１と構成単位Ａ２との含有量比[構成単位Ａ１（モル％）／構成単位Ａ２（モル％）]が、９１／９〜９５／５である、
を含有する洗浄剤組成物。
【請求項２】
請求項１記載の共重合化合物の含有量が、洗浄剤組成物中０．００１〜３０重量％である請求項１記載の洗浄剤組成物。
【請求項３】
金属質又はガラス質基材が少なくとも表面に構成される、記録媒体用基板、フォトマスク用基板、又はフラットパネルディスプレイ用基板の洗浄に用いる洗浄剤組成物であって、以下の（i）〜（iii）を少なくとも満たす共重合化合物、
（i）アクリル酸由来の構成単位Ａ１が、全構成単位中の２０モル％以上である、
（ii）アクリル酸由来の構成単位Ａ１と２-アクリルアミド-２-メチルプロパンスルホン酸由来の構成単位Ａ２の合計含有量が、全構成単位中の９０モル％以上である、
（iii）全構成単位中の構成単位Ａ１と構成単位Ａ２との含有量比[構成単位Ａ１（モル％）／構成単位Ａ２（モル％）]が、９１／９〜９５／５である、
を配合してなる洗浄剤組成物。
【請求項４】
ｐＨが９〜１４である、請求項１〜３いずれか記載の洗浄剤組成物。
【請求項５】
請求項１〜４いずれか記載の洗浄剤組成物を用いた、金属質又はガラス質基材が少なくとも表面に構成される、記録媒体用基板、フォトマスク用基板、又はフラットパネルディスプレイ用基板の洗浄方法であって、以下の（ａ）又は（ｂ）の工程：
（ａ）該記録媒体用基板、該フォトマスク用基板、又は該フラットパネルディスプレイ用基板を該洗浄剤組成物に浸漬する工程、
（ｂ）該洗浄剤組成物を射出して、該記録媒体用基板、該フォトマスク用基板、又は該フラットパネルディスプレイ用基板の表面に接触させながら洗浄する工程、を含む洗浄方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月7日(2008.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリエポキシド、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニルまたはポリビニルブチラールである重合体を４．９〜９５．９重量％、
ｂ）３３〜１００％の無機縮合率、および０〜９５％の有機変換率を有し、アクリロシラン、エポキシシラン、アクリロアルコキシシラン、アクリロエポキシシラン、エポキシアルコキシシラン、アルコキシシランおよびアルキルアルコキシシラン群からの、部分的にまたは完全に縮合したシランを４〜９５重量％、
ｃ）アクリレートを０〜６０重量％、
ｄ）酸化物、硫化物、セレン化物、テルル化物、ハロゲン化物、炭化物、ヒ化物、アンチモン化物、窒化物、リン化物、炭酸塩、カルボキシラート、リン酸塩、硫酸塩、ケイ酸塩、チタン酸塩、ジルコニウム酸塩、アルミン酸塩、スズ酸塩、鉛酸塩およびこれらの混合物の群からの、（メタ）アクリル、アリル、ビニルまたはエポキシ基を有する表面基を有するように表面を改質したナノ規模粒子を、０．１〜５０重量％、
ｅ）柔軟剤を０〜５０重量％、
ｆ）熱もしくは光化学架橋開始剤、増感剤、湿潤剤、接着促進剤、レオロジー性添加剤、抗酸化剤、安定剤、着色剤、光互変性および熱変色性物質、またはこれらの組合せを０〜５重量％、
それぞれの場合ナノ複合材料の合計重量（乾燥重量）に対して表わして含み、シランｂ）を最初に成分ａ）及び成分ｄ）、場合によって成分ｃ）、ｅ）、ｆ）の１つまたは複数と混合し、次いで縮合させ、場合によっては重合させ、次に有機溶媒を場合によっては除去することを特徴とするナノ複合材料の製造方法。
【請求項２】
シランｂ）が、メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、アクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、３−グリシジルオキシ−プロピルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、メチルトリエトキシシランまたはこれらの組合せであることを特徴とする請求項１記載のナノ複合材料の製造方法。
【請求項３】
アクリレートｃ）が、メタクリル酸メチルまたはジオールジアクリレートもしくはジオールジメタクリレートであることを特徴とする請求項１または２に記載のナノ複合材料の製造方法。
【請求項４】
ナノ規模粒子ｄ）が、（メタ）アクリル、アリル、ビニル、エポキシ、ヒドロキシル、カルボキシルまたはアミノ基、あるいはこれらの組合せを含む化合物で表面が改質されることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のナノ複合材料の製造方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の製造方法により製造されたナノ複合材料をコーティングした、基本的に１つまたは２つの透明なプラスチックフィルムからなる、電位差、電子照射、ホログラフィー、リソグラフィを適用することにより、または局所的照明により屈折率勾配が作られた、該フィルム。
【請求項６】
請求項１から４のいずれか一項に記載の製造方法により製造されたナノ複合材料を透明なプラスチックフィルムに塗布し、有機溶媒を蒸発させ、ナノ複合材層を透明なカバーフィルムで場合によっては積層し、屈折率勾配が、電位差、電子照射、ホログラフィー、リソグラフィを適用することにより、または局所的照明によりナノ複合材層中に作製され、次いでナノ複合材料の熱および／または光により誘導される完全な架橋結合により固定されることを特徴とする請求項５に記載の屈折率勾配を有するフィルムを製造する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月1日(2008.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電離放射線硬化性樹脂と熱可塑性樹脂を７５：２５〜２５：７５の比率（質量比）で含む樹脂組成物であって、該樹脂組成物の以下の測定条件で測定した１４０℃における貯蔵弾性率が１×１０5〜１×１０8の範囲であることを特徴とする加飾シートの表面保護層形成用樹脂組成物。
貯蔵弾性率の測定条件：ＪＩＳ  Ｋ７２４４−１及び７２４４−４に準拠し、樹脂組成物を架橋硬化して製膜した幅１０ｍｍ、厚さ１５μｍのシートをクランプ間距離１０ｍｍ、開始温度３０℃、終了温度１８０℃、昇温速度５℃／分、測定周波数１Ｈｚにて測定する。
【請求項２】
１４０℃における貯蔵弾性率が１×１０6〜１×１０7の範囲である請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項３】
前記熱可塑性樹脂が少なくとも（メタ）アクリル酸エステルを含有する単量体を重合してなる請求項１又は２に記載の樹脂組成物。
【請求項４】
前記熱可塑性樹脂が２種以上の異なる（メタ）アクリル酸エステルモノマーの共重合体である請求項１又は２に記載の樹脂組成物。
【請求項５】
前記熱可塑性樹脂がメタクリル酸メチルと他の（メタ）アクリル酸エステルモノマーの共重合体である請求項４に記載の樹脂組成物。
【請求項６】
前記熱可塑性樹脂中のメタクリル酸メチルに由来する構成単位１００モルに対して、他の（メタ）アクリル酸エステルモノマーに由来する構成単位が０．１〜２００モルの範囲である請求項５に記載の樹脂組成物。
【請求項７】
前記熱可塑性樹脂がメタクリル酸メチルの単独重合体である請求項１又は２に記載の樹脂組成物。
【請求項８】
前記熱可塑性樹脂が（メタ）アクリル酸エステルと、スチレン及び／又は（無水）マレイン酸との共重合体である請求項３に記載の樹脂組成物。
【請求項９】
前記熱可塑性樹脂中の（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位１００モルに対して、スチレン及び／又は（無水）マレイン酸に由来する構成単位が０．１〜２００モルの範囲である請求項８に記載の樹脂組成物。
【請求項１０】
前記熱可塑性樹脂のゲルパーミエションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定したポリスチレン換算重量平均分子量が９万〜１２万の範囲である請求項３〜９のいずれかに記載の樹脂組成物。
【請求項１１】
前記熱可塑性樹脂の多分散度が１．１〜３．０の範囲である請求項３〜１０のいずれかに記載の樹脂組成物。
【請求項１２】
電離放射線硬化性樹脂が電子線硬化性樹脂である請求項１〜１１のいずれかに記載の樹脂組成物。
【請求項１３】
基材上に少なくとも表面保護層を有する加飾シートであって、表面保護層が請求項１〜１２のいずれかに記載する樹脂組成物を架橋硬化したものである加飾シート。
【請求項１４】
ＪＩＳ  Ｋ  ７１２７に準拠した以下の測定条件で測定した引張試験における引張伸度が５０％以上である請求項１３に記載の加飾シート。
測定条件；幅２５ｍｍ、長さ１２０ｍｍの試験片を用い、引張速度１０００ｍｍ／分、チャック間距離８０ｍｍ、標線間距離５０ｍｍ、温度１６０℃の条件で、表面保護層にクラックが入るまでの引張伸度を測定する。
【請求項１５】
請求項１３又は１４に記載の加飾シートを真空成形型により予め立体形状に成形する真空成形工程、余分な部分をトリミングして成形シートを得る工程、該成形シートを射出成形型に挿入し、射出成形型を閉じ、流動状態の樹脂を型内に射出して樹脂と成形シートを一体化する工程を有する加飾樹脂成形品の製造方法。
【請求項１６】
請求項１３又は１４に記載の加飾シートを、所定形状の成形面を有する可動金型の該成形面に対し、前記加飾シートの基材が対面するように設置した後、該加飾シートを加熱、軟化させると共に、前記可動金型側から真空吸引して、軟化した加飾シートを該可動金型の成形面に沿って密着させることにより、加飾シートを予備成形する工程、成形面に沿って密着された加飾シートを有する可動金型と固定金型とを型締めした後、両金型で形成されるキャビティ内に、流動状態の樹脂成形材料を射出、充填して固化させることにより、形成された樹脂成形体と加飾シートを積層一体化させる射出成形工程、及び、可動金型を固定金型から離間させて、加飾シート全層が積層されてなる樹脂成形体を取り出す工程を順次施す加飾樹脂成形品の製造方法。
【請求項１７】
請求項１５又は１６に記載の製造方法により製造した加飾樹脂成形品。
【請求項１８】
樹脂成形物に請求項１３又は１４に記載の加飾シートを一体化させてなる加飾樹脂成形品。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月15日(2008.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ラジカル重合性の水溶性単量体（Ａ）と、ラジカル重合性の非水溶性単量体（Ｂ）とを、該非水溶性単量体（Ｂ）と該水溶性単量体（Ａ）とのモル比（Ｂ）／（Ａ）が３．５〜１２で含有する単量体群（Ｉ）を重合して得られる共重合体を主構成成分とする、厚みの平均値が５ｎｍ〜８０ｎｍの殻壁からなり、且つ分散安定剤を含有しないことを特徴とする中空ポリマー粒子。
【請求項２】
更に５ｎｍ〜１００ｎｍの温度応答性の層を有する請求項１記載の中空ポリマー粒子。
【請求項３】
平均粒子径が５０ｎｍ〜１μｍであり、粒径分布が単分散性である請求項１又は２記載の中空ポリマー粒子。
【請求項４】
平均粒子径が５０ｎｍ以上３００ｎｍ未満であり、殻壁の厚みが５ｎｍ〜３０ｎｍである請求項１又は２記載の中空ポリマー粒子。
【請求項５】
平均粒子径が３００ｎｍ以上１μｍ以下であり、殻壁の厚みが５ｎｍ〜８０ｎｍである請求項１又は２記載の中空ポリマー粒子。
【請求項６】
ラジカル重合性の水溶性単量体（Ａ）が、その構造中にアミド基、アミノ基、カルボキシ基及びその塩並びにスルホン酸基及びその塩からなる群から選ばれる少なくとも一種の官能基を有する単量体である請求項１〜５の何れか１項記載の中空ポリマー粒子。
【請求項７】
ラジカル重合性の水溶性単量体（Ａ）が、Ｎ−置換アクリルアミド及びＮ，Ｎ−ジ置換アクリルアミドからなる群から選ばれる少なくとも一種である請求項６記載の中空ポリマー粒子。
【請求項８】
ラジカル重合性の水溶性単量体（Ａ）がＮ−イソプロピルアクリルアミドである請求項７記載の中空ポリマー粒子。
【請求項９】
ラジカル重合性の非水溶性単量体（Ｂ）が、アクリレート及びメタクリレートからなる群から選ばれる少なくとも一種である請求項１〜８の何れか１項記載の中空ポリマー粒子。
【請求項１０】
単量体群（Ｉ）を水性媒体中でラジカル重合させた請求項１〜９の何れか１項記載の中空ポリマー粒子。
【請求項１１】
ラジカル重合性の水溶性単量体（Ａ）と、ラジカル重合性の非水溶性単量体（Ｂ）とを含有する単量体群（Ｉ）を水溶性重合開始剤を用いて水性媒体中でラジカル重合することにより、重合反応と同時に分子の自己組織化力を駆動させて、自発的なポリマー会合体形成を伴いながら、粒子の中央が空洞の中空ポリマー粒子を得ることを特徴とする中空ポリマー粒子の製造方法。
【請求項１２】
水溶性重合開始剤が、過硫酸塩又はアミノ基含有アゾ化合物である請求項１１記載の中空ポリマー粒子の製造方法。
【請求項１３】
ラジカル重合時の水性媒体中での単量体群（Ｉ）の濃度が１〜１０質量％である請求項１１又は１２記載の中空ポリマー粒子の製造方法。
【請求項１４】
ラジカル重合性の非水溶性単量体（Ｂ）とラジカル重合性の水溶性単量体（Ａ）とのモル比（Ｂ）／（Ａ）が３．５〜１２である請求項１１〜１３の何れか１項記載の中空ポリマー粒子の製造方法。
【請求項１５】
ラジカル重合性の水溶性単量体（Ａ）と、ラジカル重合性の非水溶性単量体（Ｂ）とを含有する単量体群（Ｉ）を重合して得られる共重合体（Ｘ）と、着色性化合物（Ｙ）とを主構成成分とする殻壁からなり、且つ分散安定剤を含有しないことを特徴とする着色中空ポリマー粒子。
【請求項１６】
前記共重合体（Ｘ）と前記着色性化合物（Ｙ）との結合が、物理的結合及び化学的結合からなる群から選ばれる少なくとも一種である請求項１５記載の着色中空ポリマー粒子。
【請求項１７】
前記着色中空ポリマー粒子の殻壁の厚みが５ｎｍ〜８０ｎｍである請求項１５又は１６記載の着色中空ポリマー粒子。
【請求項１８】
ラジカル重合性の水溶性単量体（Ａ）と、ラジカル重合性の非水溶性単量体（Ｂ）とを含有する単量体群（Ｉ）を水溶性重合開始剤を用いて、着色性化合物（Ｙ）の存在下でラジカル重合することにより、重合反応と同時に分子の自己組織化力を駆動させて、自発的なポリマー会合体形成を伴いながら、粒子の中央が空洞の着色性中空ポリマー粒子を得ることを特徴とする着色中空ポリマー粒子の製造方法。
【請求項１９】
ラジカル重合性の水溶性単量体（Ａ）及びラジカル重合性の非水溶性単量体（Ｂ）からなる群から選ばれる少なくとも一種と、着色性化合物（Ｙ）とを予め反応させて、ラジカル重合性の着色性化合物（Ｙ’）を得た後、該ラジカル重合性の着色性化合物（Ｙ’）と、ラジカル重合性の水溶性単量体（Ａ）と、ラジカル重合性の非水溶性単量体（Ｂ）と、を水溶性重合開始剤を用いて、ラジカル重合することにより、重合反応と同時に分子の自己組織化力を駆動させて、自発的なポリマー会合体形成を伴いながら、粒子の中央が空洞の着色性中空ポリマー粒子を得ることを特徴とする着色中空ポリマー粒子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月21日(2008.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２５】
前記ＳＩＢとは別個で、前記ＳＩＢに実質的に隣接している周波数帯域の信号を変調するようになっていて、そのように変調された信号を前記ワイヤリンクを介して前記信号分配部（２０７）に送信する信号変調ユニット（４０４）をさらに有する、請求項２３または２４に記載のセットトップボックス。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月14日(2008.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
放送された放送信号を受信する受信手段と、
前記受信手段により受信された放送信号のうち、ある期間に受信された放送信号である番組を記録媒体に記録する番組記録手段と、
前記記録媒体中に、前記番組が記録された領域へのリンク構造を有する番組関連情報を所定の規格に基づくデータ構造で記録し、当該番組関連情報内には前記規格で定められていない属性情報であって当該番組の属性を示す属性情報を、前記規格で定められていないデータ運用方式を示すデータ運用識別子と対にして当該データ運用方式に従ったデータ構造で記録する番組属性記録手段とを備える記録装置であって、
前記番組属性記録手段は、前記規格において、最後に記録媒体にアクセスした記録装置を再生装置が確認することができるようにするために、前記記録媒体にデータを記録した装置が装置情報を記録しなければならないと規定されている最終記録装置情報領域に、前記データ運用識別子を記録することを特徴とする記録装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月15日(2008.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マルチカラーのクラスタ化されたドット・オフ・ドットのハーフトーンセルを形成する方法であって、
第１の色のピクセルに対する濃度範囲値を定義して、これらの濃度値を、ピクセル成長曲線に沿った位置に指定することと、
第２の色のピクセルに対する濃度範囲値を定義して、これらの濃度値を、前記ピクセル成長曲線に沿った位置に指定することと、
複数の連続して充填されるピクセルが、前記曲線に沿ってクラスタを形成し、該曲線に沿って広く離れたピクセルが、ハーフトーンセル内でも広く離れるように前記ピクセル成長曲線を定義すること、
からなる方法。
【請求項２】
各々がピクセル濃度値を有する入力画像信号をバイナリ画像信号に変換する方法であって、
第１の色のピクセルに対する濃度範囲値を定義して、これらの濃度値を、ピクセル成長曲線に沿った位置に指定することと、
第２の色のピクセルに対する濃度範囲値を定義して、これらの濃度値を、前記ピクセル成長曲線に沿った位置に指定することと、
複数の連続して充填されたピクセルが、前記曲線に沿ってクラスタを形成し、該曲線に沿って広く離れたピクセルが、さらに、ハーフトーンセル内でも広く離れるように前記ピクセル成長曲線を定義すること、
によりマルチカラーのクラスタ化されたドット・オフ・ドットのハーフトーンセルを形成することと、
各々の入力画像信号を、各々が前記ハーフトーンセルにおける位置と関連された一組のしきい値を有する該ハーフトーンセルにおける相対位置と関連させることと、
前記ハーフトーンセルにおける各々のしきい値の相対位置に基づいて、しきい値を各々の入力画像信号に指定すること、
からなる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月25日(2007.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された半導体膜に、少なくとも１つのガルバノミラーとｆθレンズとを用いた光学系を用いてパルス発振のレーザビームを照射する半導体装置の作製方法であって、
前記基板の屈折率をｎ、前記基板の厚さをｄ（メートル）、真空中の光速をｃ（メートル／秒）とした場合に、前記レーザビームのパルス幅ｔ（秒）はｔ＜２ｎｄ／ｃを満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に形成された半導体膜に、少なくとも１つのガルバノミラーとｆθレンズとを用いた光学系を用いてパルス発振のレーザビームを照射する半導体装置の作製方法であって、
前記基板の屈折率をｎ、前記基板の厚さをｄ（メートル）、真空中の光速をｃ（メートル／秒）とした場合に、前記レーザビームのパルス幅ｔ（秒）はｔ＜４ｎｄ／ｃを満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に形成された半導体膜に、第１のガルバノミラーと第２のガルバノミラーとｆθレンズとを用いた光学系を用いてパルス発振のレーザビームを照射する半導体装置の作製方法であって、
前記基板の屈折率をｎ、前記基板の厚さをｄ（メートル）、真空中の光速をｃ（メートル／秒）とした場合に、前記レーザビームのパルス幅ｔ（秒）はｔ＜２ｎｄ／ｃを満たし、
前記ｆθレンズにより前記半導体膜上に結像されたレーザビームは、前記第１のガルバノミラーにより前記半導体膜上を第１の方向に走査され、且つ前記第２のガルバノミラーにより前記半導体膜上において前記第１の方向に直交する第２の方向に走査されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に形成された半導体膜に、第１のガルバノミラーと第２のガルバノミラーとｆθレンズとを用いた光学系を用いてパルス発振のレーザビームを照射する半導体装置の作製方法であって、
前記基板の屈折率をｎ、前記基板の厚さをｄ（メートル）、真空中の光速をｃ（メートル／秒）とした場合に、前記レーザビームのパルス幅ｔ（秒）はｔ＜４ｎｄ／ｃを満たし、
前記ｆθレンズにより前記半導体膜上に結像されたレーザビームは、前記第１のガルバノミラーにより前記半導体膜上を第１の方向に走査され、且つ前記第２のガルバノミラーにより前記半導体膜上において前記第１の方向に直交する第２の方向に走査されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記レーザビームがシャッターを通過することにより、前記半導体膜のうち、前記レーザビームの照射が必要な部分のみ選択的に前記レーザビームを照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、前記シャッターとして音響光学素子を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項５において、前記シャッターとして電気光学素子を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記レーザビームを前記半導体膜に対して垂直方向に入射しながら、前記半導体膜に前記レーザビームを照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記レーザビームの発振周波数は１０ＭＨｚ以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月30日(2007.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に下地層の形成または下地前処理し、
前記基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にマスクを形成し、
前記絶縁膜を選択的にエッチングして凹部を形成し、
前記凹部に液滴吐出法により埋め込み配線を形成し、
前記マスクを除去し、
ＣＭＰ処理により前記埋め込み配線及び前記絶縁膜を平坦化し、
前記絶縁膜及び前記埋め込み配線上にゲート絶縁膜し、
ゲート絶縁膜上に半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に下地層の形成または下地前処理し、
前記基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にマスクを形成し、
前記絶縁膜を選択的にエッチングして凹部を形成し、
前記凹部に液滴吐出法により埋め込み配線を形成し、
前記マスクを除去し、
ＣＭＰ処理により前記埋め込み配線及び前記絶縁膜を平坦化し、
前記絶縁膜及び前記埋め込み配線上にゲート絶縁膜し、
前記ゲート絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に液滴吐出法によりソース配線及びドレイン配線を形成し、
前記ソース配線及びドレイン配線上に液滴吐出法により選択的に複数の層間絶縁膜を形成し、
前記複数の層間絶縁膜の間に液滴吐出法により導電性部材からなる凸状部を形成し、
前記凸状部と電気的に接する電極を前記層間絶縁膜上に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または２において、前記下地層をエッチングストッパーとして前記絶縁膜を選択的にエッチングして凹部を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記埋め込み配線は、薄膜トランジスタのゲート電極またはゲート配線であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記絶縁膜上にマスクは、異なる材料を吐出できる複数のノズルを備えた装置で第１の溶剤に可溶な第１の材料層と、前記材料層を囲むように第２の溶剤に可溶な第２の材料層とを形成し、
第２の溶剤により前記第２の材料層のみを除去することによって第１の材料層からなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月21日(2007.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記温度調節対象の温度に基づいて，各基板処理部の循環路に対する前記冷凍機からの冷媒の供給を停止し、前記循環路内を循環する冷媒のみによって，前記温度調節対象の温度調節を行なうことを特徴とする，請求項２に記載の温度調節方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記温度調節対象の温度に基づいて，各基板処理部の循環路に対する前記冷凍機からの冷媒を供給しつつ、前記循環路内での冷媒の循環による前記温度調節対象の温度調節を行なうことを特徴とする，請求項２に記載の温度調節方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
さらに前記循環路内の冷媒の流速を制御することで，前記温度調節対象の温度調節を行なうことを特徴とする，請求項３又は４に記載の温度調節方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記温度調節対象の温度に基づいて，各基板処理部の循環路に対する前記冷凍機からの冷媒の供給を停止し、前記循環路内を循環する冷媒のみによって，前記温度調節対象の温度を調節するようにしてもよい。このように循環路内にある冷媒の循環だけで温度調節することによって，温度差のない冷媒により温度調節が行われ，安定した温度調節が実現できる。また，新たな冷媒を供給する必要がないので，例えば冷媒を供給するためのエネルギを削減できる。
前記温度調節対象の温度に基づいて，各基板処理部の循環路に対する前記冷凍機からの冷媒を供給しつつ、前記循環路内での冷媒の循環による前記温度調節対象の温度調節を行なうようにしてもよい。かかる場合，例えば温度調節対象の温度が所定の温度範囲を外れた場合に，所定の温度に管理された新たな冷媒が循環路内に導入されるので，循環路内で循環している冷媒の温度が変更され，当該冷媒によって温度調節対象の温度を所定の温度範囲に戻すことができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月31日(2008.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
帯電粒子のビームを発生させる帯電粒子源と、
複数のブランク開口部を有するマルチアパーチャ・プレートであって、それぞれのブランク開口部が、第１の状態と第２の状態との間で、ブランク信号によって制御可能な偏向電極を含み、前記第１の状態において、前記ブランク開口部を通って放射する前記帯電粒子のビームの粒子が、所定の経路に沿って進み、前記第２の状態において、前記ブランク開口部を通って放射する前記帯電粒子のビームの粒子が、前記所定の経路を外れて偏向される、マルチアパーチャ・プレートとを備えた帯電粒子ビーム露光装置であって、
前記ブランク開口部の複数のグループは、それぞれのグループが複数のブランク開口部を有するように形成され、それぞれのグループの前記ブランク開口部は、互いに電気的に接続され、共通のグループ・ブランク信号によって制御されることを特徴とする帯電粒子ビーム露光装置。
【請求項２】
異なる数のブランク開口部を有する少なくとも２つのグループのブランク開口部が形成されている請求項１に記載の帯電粒子ビーム露光装置。
【請求項３】
前記少なくとも２つのグループのそれぞれのブランク開口部の数が、２の累乗に共通の整数を乗じた数に対応している請求項２に記載の帯電粒子ビーム露光装置。
【請求項４】
一つのグループを除いて全グループのブランク開口部の数が、２の累乗に共通の整数を乗じた数に対応している請求項２に記載の帯電粒子ビーム露光装置。
【請求項５】
それぞれのグループの前記ブランク開口部が、互いに直接的に近接配置されている請求項１〜４のいずれかに記載の帯電粒子ビーム露光装置。
【請求項６】
それぞれのグループのブランク開口部の対が、電気遅延素子によって電気的に接続されている請求項１〜５のいずれかに記載の帯電粒子ビーム露光装置。
【請求項７】
前記電気遅延素子が、ブランク開口部の前記偏向電極を制御するための前記ブランク信号を生成するように構成されている請求項６に記載の帯電粒子ビーム露光装置。
【請求項８】
前記ブランク開口部を通って放射し、かつ、前記所定の経路を外れて偏向される前記帯電粒子のビームの粒子が入射するように配置された吸収面をさら備えた請求項１〜７のいずれかに記載の帯電粒子ビーム露光装置。
【請求項９】
ウェハを取り付けるためのウェハ・ステージと、前記ブランク開口部を通って放射し、前記ウェハ・ステージに取り付けられたウェハ上の所定の経路に沿って進む前記帯電粒子のビームの粒子を方向づけるように構成される帯電粒子光学系とをさらに備えた請求項１〜８のいずれかに記載の帯電粒子ビーム露光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月29日(2008.2.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非鉄配線金属の存在下で、絶縁材のエロージョンを抑制しながらバリヤ材料を優先的に除去するのに有用な研磨溶液であって、酸化剤０〜２０重量％、非鉄配線金属の除去速度を下げるためのインヒビター０．００１重量％以上を含み、
【化１】
2005328043.tif 000001
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は基であり、Ｒ1は、炭素原子２〜１５個の炭素鎖長を有する）
で形成された有機物含有アンモニウム塩１ppm〜４重量％と、錯化剤１０ppb〜４重量％と、コロイダルシリカ砥粒０．１〜５０重量％と、残余としての水とを含み、７未満のｐＨを有する研磨溶液。
【請求項２】
硝酸、硫酸、塩酸、フッ化水素酸及びリン酸から選択される無機酸ｐＨ調整剤を含む、請求項１記載の研磨溶液。
【請求項３】
前記アンモニウム塩が、テトラエチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、ベンジルトリブチルアンモニウム、ベンジルトリメチルアンモニウム、ベンジルトリエチルアンモニウム、ジアリルジメチルアンモニウム、ジエチルアミノエチルメタクリレート、ジメチルアミノエチルメタクリレート、メタクリロイルオキシエチルトリメチルアンモニウム、３−（メタクリルアミド）プロピルトリメチルアンモニウム、トリエチレンテトラミン、テトラメチルグアニジン、ヘキシルアミン及びそれらの混合物の少なくとも一種を含む化合物とで形成されている、請求項２記載の研磨溶液。
【請求項４】
ｐＨレベルが１．５〜５である、請求項１記載の研磨溶液。
【請求項５】
リン酸ｐＨ調整剤を含む、請求項４記載の研磨溶液。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月29日(2007.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査品に配属され、接触ピン配列を構成するピン状の接触部材を備えたコンタクトヘッドと、検査品の反対側にある接触部材の端部と接触する接触面を有する電気接続装置とを備えた特にウエハの検査のための電気検査装置において、すべり案内（２２）により半径方向熱膨張変位だけを許す、コンタクトヘッド（６）と接続装置（７）の相互の心合わせのための中心センタリング装置（２０）を特徴とする検査装置。
【請求項２】
中心センタリング装置（２０）がピン配列の外側に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の検査装置。
【請求項３】
中心センタリング装置（２０）が互いに角度をずらせて配置された少なくとも３個、特に４個のすべり案内（２２）を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の検査装置。
【請求項４】
すべり案内（２２）がそれぞれコンタクトヘッド（６）又は接続装置（７）の突起（２３）と、半径方向にすき間を置き、周方向にすき間なしに突起（２３）を受ける接続装置（７）及び／又はコンタクトヘッド（６）のくぼみ（２７）からなることを特徴とする請求項１から３のいずれか１つに記載の検査装置。
【請求項５】
突起（２３）が異形ピン（２４）であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１つに記載の検査装置。
【請求項６】
くぼみ（２７）が貫通孔（２８）であることを特徴とする請求項１から５のいずれか１つに記載の検査装置。
【請求項７】
くぼみ（２７）が細長い穴（２９）であることを特徴とする請求項１から６のいずれか１つに記載の検査装置。
【請求項８】
突起（２３）が接続装置（７）を貫通し、該接続装置（７）を受ける支持装置（８）の中にまで延びていることを特徴とする請求項１から７のいずれか１つに記載の検査装置。
【請求項９】
突起（２３）が支持装置（８）の固定くぼみ（５１）の中に、全周にすき間なく保持されることを特徴とする請求項１から８のいずれか１つに記載の検査装置。
【請求項１０】
突起（２３）が支持装置（８）に固定されていることを特徴とする請求項１から９のいずれか１つに記載の検査装置。
【請求項１１】
突起（２３）がコンタクトヘッド（６）に固定されていることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１つに記載の検査装置。
【請求項１２】
突起（２３）が分割して形成され、接続装置（７）の区域に継目（４１）を有することを特徴とする請求項１から１１のいずれか１つに記載の検査装置。
【請求項１３】
継目（４１）が検査平面と平行な平面にあることを特徴とする請求項１から１２のいずれか１つに記載の検査装置。
【請求項１４】
突起（２３）又は異形ピン（２４）が外周面（２５）に案内手段、特に検査装置（１）の半径方向と平行に延び、正反対の側で相対する２つの平行かつ平坦な案内面（２６）を有することを特徴とする請求項１から１３のいずれか１つに記載の検査装置。
【請求項１５】
くぼみ（２７）が平行なくぼみ壁面を有することを特徴とする請求項１から１４のいずれか１つに記載の検査装置。
【請求項１６】
くぼみ（２７）が平行な溝壁を有する溝又は平行な孔壁を有する貫通孔であることを特徴とする請求項１から１５のいずれか1つに記載の検査装置。
【請求項１７】
くぼみ（２７）即ち溝又は貫通孔が細長い穴として形成されていることを特徴とする請求項１から１６のいずれか1つに記載の検査装置。
【請求項１８】
くぼみ（２７）の壁面、即ち溝壁又は孔壁がそれぞれ検査装置（１）の半径方向と平行であることを特徴とする請求項１から１７のいずれか1つに記載の検査装置。
【請求項１９】
接続装置（７）がプリント配線板（１０）であることを特徴とする請求項１から１８のいずれか1つに記載の検査装置。
【請求項２０】
接触部材（９）が縦移動可能に支承されたたわみ線（１５）であることを特徴とする請求項１から１９のいずれか1つに記載の検査装置。
【請求項２１】
突起（２３）特に異形ピン（２４）が周縁側スロット（４８）を有し、スロット（４８）がコンタクトヘッド（６）及び／又は支持装置（８）の開口（５０）に移行し、突起（２３）の軸方向固定のための嵌合部材、特にはめ込み条片（３７）がスロット（４８）又は開口（５０）に差し込まれていることを特徴とする請求項１から２０のいずれか1つに記載の検査装置。
【請求項２２】
開口（５０）がくぼみ（２７）から横に出ていることを特徴とする請求項１から２１のいずれか1つに記載の検査装置。
【請求項２３】
スロット（４８）及び開口（５０）が半径方向に配向されていることを特徴とする請求項１から２２のいずれか1つに記載の検査装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月17日(2008.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】膜パターンの形成方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の膜を形成し、
前記第１の膜表面に透光性を有し且つ曲率を有する第２の膜パターンを液滴吐出法によって形成し、
前記第２の膜パターンに光を照射して前記光を集光し、
前記集光された光を前記第１の膜に照射し、
前記第１の膜の前記集光された光が照射された領域に発生した熱により前記第２の膜パターンを改質し、
前記第２の膜パターンにおいて改質されなかった領域を除去して第３の膜パターンを形成し、
前記第３の膜パターンを用いて前記第１の膜をエッチングして第４の膜パターンを形成することを特徴とする膜パターンの形成方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の膜パターンは熱硬化性材料で形成されることを特徴とする膜パターンの形成方法。
【請求項３】
基板上に第１の膜を形成し、
前記第１の膜表面に透光性を有し且つ曲率を有する第２の膜パターンを液滴吐出法によって形成し、
前記第２の膜パターンに光を照射して前記光を集光し、
前記集光された光を前記第１の膜に照射し、
前記第１の膜の前記集光された光が照射された領域に発生した熱により前記第２の膜パターンを改質し、
前記第２の膜パターンにおいて改質された領域を除去して第３の膜パターンを形成し、
前記第３の膜パターンを用いて前記第１の膜をエッチングして第４の膜パターンを形成することを特徴とする膜パターンの形成方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記第２の膜パターンは熱可塑性材料で形成されることを特徴とする膜パターンの形成方法。
【請求項５】
基板上に第１の膜を形成し、
前記第１の膜上に第２の膜を形成し、
前記第２の膜表面に透光性を有し且つ曲率を有する第３の膜パターンを液滴吐出法によって形成し、
前記第３の膜パターンに光を照射して前記光を集光し、
前記集光された光を前記第２の膜に照射して前記第２の膜の一部を露光し、
前記第３の膜パターンを除去し、
前記第２の膜の露光されなかった領域を除去して第４の膜パターンを形成し、
前記第４の膜パターンを用いて前記第１の膜をエッチングして第５の膜パターンを形成することを特徴とする膜パターンの形成方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記第２の膜はネガ型感光性材料で形成されることを特徴とする膜パターンの形成方法。
【請求項７】
基板上に第１の膜を形成し、
前記第１の膜上に第２の膜を形成し、
前記第２の膜表面に透光性を有し且つ曲率を有する第３の膜パターンを液滴吐出法によって形成し、
前記第３の膜パターンに光を照射して前記光を集光し、
前記集光された光を前記第２の膜に照射して前記第２の膜の一部を露光し、
前記第３の膜パターンを除去し、
前記第２の膜の露光された領域を除去して第４の膜パターンを形成し、
前記第４の膜パターンを用いて前記第１の膜をエッチングして第５の膜パターンを形成することを特徴とする膜パターンの形成方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記第２の膜はポジ型感光性材料で形成されることを特徴とする膜パターンの形成方法。
【請求項９】
請求項５乃至請求項８のいずれか一において、
前記第４の膜パターン又は前記第５の膜パターンの幅は、０．１μｍ乃至１０μｍであることを特徴とする膜パターンの形成方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記光は、ランプから射出される光であることを特徴とする膜パターンの形成方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記光は、レーザ発振器から射出される光であることを特徴とする膜パターンの形成方法。