【手続補正書】
【提出日】平成20年3月4日(2008.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】    【請求項１】  表面に凹部と凸部を有する加工基板と、 該加工基板上に結晶成長させられた窒化物半導体多層膜構造とを備え、 該窒化物半導体多層膜構造は、前記凹部の上方において発光部を有するとともに、 前記凸部の上方において結晶成長により完全に埋まらない窪みが表面に形成されたことを特徴とする窒化物半導体発光素子。    【請求項２】 前記窒化物半導体多層膜構造は、前記凹部の上方において、前記発光部に電流を注入させる構造を備えることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。    【請求項３】  前記加工基板が窒化物半導体からなることを特徴とする請求項１または２に記載の窒化物半導体発光素子。    【請求項４】  前記凹部はストライプ状の溝であり、前記凸部はストライプ状の丘であることを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の窒化物半導体発光素子。    【請求項５】  前記加工基板の凹凸表面は窒化物半導体からなり、前記溝の長手方向と前記丘の長手方向は窒化物半導体結晶の＜１−１００＞方向または＜１１−２０＞方向に平行であることを特徴とする請求項４に記載の窒化物半導体発光素子。    【請求項６】  前記溝の幅中央の上方には前記窪みが存在せず、前記溝の幅中央からその幅方向に１μｍ以上離れかつ前記溝の幅内の領域の上方に前記発光部が含まれていることを特徴とする請求項４に記載の窒化物半導体発光素子。    【請求項７】  前記溝の幅は４〜３０μｍの範囲内にあることを特徴とする請求項６に記載の窒化物半導体発光素子。    【請求項８】  前記溝の深さは１〜９μｍの範囲内にあることを特徴とする請求項６に記載の窒化物半導体発光素子。    【請求項９】 前記窒化物半導体多層膜構造は前記加工基板上に成長させられた窒化物半導体下地層を含み、前記窒化物半導体下地層がＧａＮであって、Ｓｉ、Ｏ、Ｃｌ、Ｓ、Ｃ、Ｇｅ、Ｚｎ、Ｃｄ、ＭｇおよびＢｅの不純物群のうちで少なくとも１種類以上の不純物を前記ＧａＮ中に含み、かつその添加量が１×１０17／ｃｍ3以上で５×１０18／ｃｍ3以下であることを特徴とする請求項１から８の何れかに記載の窒化物半導体発光素子。    【請求項１０】 前記窒化物半導体多層膜構造は前記加工基板上に成長させられた窒化物半導体下地層を含み、前記窒化物半導体下地層がＡｌxＧａ1-xＮ（０．０１≦ｘ≦０．１５）であって、Ｓｉ、Ｏ、Ｃｌ、Ｓ、Ｃ、Ｇｅ、Ｚｎ、Ｃｄ、ＭｇおよびＢｅの不純物群のうちで少なくとも１種類以上の不純物を前記ＡｌxＧａ1-xＮ中に含み、かつその添加量が３×１０17／ｃｍ3以上で５×１０18／ｃｍ3以下であることを特徴とする請求項１から８の何れかに記載の窒化物半導体発光素子。    【請求項１１】 前記窒化物半導体多層膜構造は前記加工基板上に成長させられた窒化物半導体下地層を含み、前記窒化物半導体下地層がＩｎxＧａ1-xＮ（０．０１≦ｘ≦０．１５）であって、Ｓｉ、Ｏ、Ｃｌ、Ｓ、Ｃ、Ｇｅ、Ｚｎ、Ｃｄ、ＭｇおよびＢｅの不純物群のうちで少なくとも１種類以上の不純物を前記ＩｎxＧａ1-xＮ中に含み、かつその添加量が１×１０17／ｃｍ3以上で４×１０18／ｃｍ3以下であることを特徴とする請求項１から８の何れかに記載の窒化物半導体発光素子。    【請求項１２】  前記窪みを２つ以上含む領域上に電極が形成されていることを特徴とする請求項１から１１の何れかに記載の窒化物半導体発光素子。    【請求項１３】  前記窪みを２つ以上含む領域上に誘電体膜が形成されていることを特徴とする請求項１から１１の何れかに記載の窒化物半導体発光素子。    【請求項１４】  ワイヤボンドと前記窒化物半導体発光素子との間の接合領域に前記窪みが１つ以上含まれていることを特徴とする請求項１から１１の何れかに記載の窒化物半導体発光素子。    【請求項１５】 前記窒化物半導体多層膜構造は量子井戸層を含み、前記量子井戸層はＡｓ、Ｐ、およびＳｂのうちの少なくとも１種の元素を含んでいることを特徴とする請求項１から１４の何れかに記載の窒化物半導体発光素子。    【請求項１６】  請求項１から１５の何れかに記載された窒化物半導体発光素子を含むことを特徴とする光学装置。    【請求項１７】  請求項１から１５の何れかに記載された窒化物半導体発光素子を含むことを特徴とする半導体発光装置。    【請求項１８】  表面に凹部と凸部を有する加工基板を形成する工程と、 該加工基板上に、前記凹部の上方において発光部を有し、かつ表面において完全に埋まらない窪みを有する窒化物半導体多層膜構造を結晶成長させる工程と、 前記凹部の上方において前記発光部に電流を注入させる構造を形成する工程とを備えた窒化物半導体発光素子の製造方法であって、 前記窪みは、前記凸部の上方に結晶成長に伴って形成されたことを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】窒化物半導体発光素子、光学装置、および半導体発光装置とその製造方法【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】  本発明による窒化物半導体発光素子は、表面に凹部と凸部を有する加工基板と、該加工基板上に結晶成長させられた窒化物半導体多層膜構造とを備え、該窒化物半導体多層膜構造は、前記凹部の上方において発光部を有するとともに、前記凸部の上方において結晶成長により完全に埋まらない窪みが表面に形成されたことを特徴としている。なお、加工基板としては、窒化物半導体からなっているものが好ましい。 本発明の窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体多層膜構造は、前記凹部の上方において、前記発光部に電流を注入させる構造を備えることが好ましい。【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】 窒化物半導体多層膜構造は前記加工基板上に成長させられた窒化物半導体下地層を含み、前記窒化物半導体下地層はＧａＮであって、Ｓｉ、Ｏ、Ｃｌ、Ｓ、Ｃ、Ｇｅ、Ｚｎ、Ｃｄ、ＭｇおよびＢｅの不純物群のうちで少なくとも１種以上を含み、かつその添加量が１×１０17／ｃｍ3以上で５×１０18／ｃｍ3以下であることが好ましい。【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】 窒化物半導体多層膜構造は前記加工基板上に成長させられた窒化物半導体下地層を含み、前記窒化物半導体下地層はＡｌxＧａ1-xＮ（０．０１≦ｘ≦０．１５）であってもよく、Ｓｉ、Ｏ、Ｃｌ、Ｓ、Ｃ、Ｇｅ、Ｚｎ、Ｃｄ、ＭｇおよびＢｅの不純物群のうちで少なくとも１種を含み、かつその添加量が３×１０17／ｃｍ3以上で５×１０18／ｃｍ3以下であることが好ましい。【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】 窒化物半導体多層膜構造は前記加工基板上に成長させられた窒化物半導体下地層を含み、前記窒化物半導体下地層はＩｎxＧａ1-xＮ（０．０１≦ｘ≦０．１５）であってもよく、Ｓｉ、Ｏ、Ｃｌ、Ｓ、Ｃ、Ｇｅ、Ｚｎ、Ｃｄ、ＭｇおよびＢｅの不純物群のうちで少なくとも１種を含み、かつその添加量が１×１０17／ｃｍ3以上で４×１０18／ｃｍ3以下であることが好ましい。【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】 窒化物半導体多層膜構造は量子井戸層を含み、前記量子井戸層はＡｓ、Ｐ、およびＳｂのうちで１種以上の元素を含んでいることが好ましい。【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】  本発明による窒化物半導体発光素子の製造方法は、表面に凹部と凸部を有する加工基板を形成する工程と、該加工基板上に、前記凹部の上方において発光部を有し、かつ表面において完全に埋まらない窪みを有する窒化物半導体多層膜構造を結晶成長させる工程と、前記凹部の上方において前記発光部に電流を注入させる構造を形成する工程とを備えた窒化物半導体発光素子の製造方法であって、前記窪みは、前記凸部の上方に結晶成長に伴って形成されたことを特徴としている。