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【手続補正書】
【提出日】平成20年1月10日(2008.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素の各々に画素構成要素を備えた電気光学装置の製造方法において、
第１液状物の液滴を複数の画素の各々に吐出する工程と、
前記第１液状物の液滴を吐出した後、前記第１液状物とは異なる第２液状物の液滴を、前記複数の画素の各々に吐出し、前記第１液状物と前記第２液状物を混合させる工程と、
前記複数の画素の各々において、前記第１及び第２液状物を乾燥させる工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１液状物は、前記第２液状物よりも蒸発速度が遅いことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
複数の画素の各々に発光層を備えた有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
ホスト材料が配合された第１液状物の液滴を複数の画素の各々に吐出する工程と、
ゲスト材料が配合された第２液状物の液滴を、前記複数の画素の各々に吐出し、前記第１液状物と前記第２液状物を混合させる工程と、
前記複数の画素の各々において、前記第１及び第２液状物を乾燥させる工程と、
を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項４】
液状物を貯留しておく液状物貯留部と、該液状物貯留部に連通する圧力発生室と、前記圧力発生室に設けられたノズル開口と、前記圧力発生室を膨張、収縮させる圧力発生素子とを有する液滴吐出装置において、
前記液状物貯留部、前記圧力発生室、前記ノズル開口および前記圧力発生素子として、組成が相違する有機溶剤系の液状物を液滴として吐出する複数系列の液状物貯留部、圧力発生室、ノズル開口および圧力発生素子を備え、
前記複数系列のノズル開口から媒体上に液滴をドット状に吐出し、当該媒体上で液滴同士を混合させることを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項５】
請求項４において、前記複数系列の液状物貯留部は各々、前記液状物として、溶媒の蒸発速度が相違する液状物を貯留しており、
前記複数系列のノズル開口は、前記組成物を蒸発速度の遅いものから順に前記媒体上の同一箇所に吐出していくことを特徴とする液滴吐出装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電気光学装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法、及び液滴吐出装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記の課題を解決するために、本発明の電気光学装置の製造方法は、複数の画素の各々に画素構成要素を備えた電気光学装置の製造方法において、第１液状物の液滴を複数の画素の各々に吐出する工程と、前記第１液状物の液滴を吐出した後、前記第１液状物とは異なる第２液状物の液滴を、前記複数の画素の各々に吐出し、前記第１液状物と前記第２液状物を混合させる工程と、前記複数の画素の各々において、前記第１及び第２液状物を乾燥させる工程と、を有することを特徴とする。
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、上記の電気光学装置の製造方法であって、前記第１液状物は、前記第２液状物よりも蒸発速度が遅いことを特徴とする。
上記の課題を解決するために、本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、複数の画素の各々に発光層を備えた有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、ホスト材料が配合された第１液状物の液滴を複数の画素の各々に吐出する工程と、ゲスト材料が配合された第２液状物の液滴を、前記複数の画素の各々に吐出し、前記第１液状物と前記第２液状物を混合させる工程と、前記複数の画素の各々において、前記第１及び第２液状物を乾燥させる工程と、を有することを特徴とする。
上記の課題を解決するために、本発明では、液状物を貯留しておく液状物貯留部と、該液状物貯留部に連通する圧力発生室と、前記圧力発生室に設けられたノズル開口と、前記圧力発生室を膨張、収縮させる圧力発生素子とを有する液滴吐出装置において、前記液状物貯留部、前記圧力発生室、前記ノズル開口および前記圧力発生素子として、組成が相違する有機溶剤系の液状物を液滴として吐出する複数系列の液状物貯留部、圧力発生室、ノズル開口および圧力発生素子を備え、前記複数系列のノズル開口から媒体上に液滴をドット状に吐出し、当該媒体上で液滴同士を混合させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月16日(2007.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  画角調節手段を備えた撮像光学系により結像された像を光電変換する光電変換手段を有する撮像装置であって、
前記撮像光学系の複数の画角に対応した、前記撮像光学系と前記光電変換手段との相対位置に関する情報を記憶するための記憶手段と、
前記記憶手段から読み出した前記情報を用いて、前記相対位置を前記撮像光学系の画角に応じて調節する相対位置の調節手段とを有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】  前記記憶手段は、基準値に対する前記撮像光学系の相対位置に関する情報を記憶する第１の記憶手段と、基準値に対する前記光電変換手段の相対位置に関する情報を記憶する第２の記憶手段とから成ることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】  前記撮像光学系を有するレンズ部と、
前記光電変換手段を有するカメラ部とを有して構成され、
前記レンズ部が前記第１の記憶手段を含み、前記カメラ部が前記第２の記憶手段を含むことを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】  前記第１及び第２の記憶手段に記憶された情報を用いて、前記相対位置の調節手段による前記調節を行うことを特徴とする請求項２又は３に記載の撮像装置。
【請求項５】  前記記憶手段は、前記撮像光学系の複数の画角に対応した、前記撮像光学系と前記光電変換手段との相対位置に関する情報を、複数の温度毎に記憶していることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】  画角調節手段を備えた撮像光学系を有するレンズ部と、
前記撮像光学系により結像された像を光電変換する光電変換手段とを有するカメラ部とから成るレンズ交換式の撮像システムであって、
前記撮像光学系の複数の画角に対応した、前記撮像光学系と前記光電変換手段との相対位置に関する情報を記憶するための記憶手段と、
前記記憶手段から読み出した前記情報を用いて、前記相対位置を前記撮像光学系の画角に応じて調節する相対位置の調節手段とを有し、
前記記憶手段は、基準値に対する前記撮像光学系の相対位置に関する情報を記憶する第１の記憶手段と、基準値に対する前記光電変換手段の相対位置に関する情報を記憶する第２の記憶手段とから構成され、
前記レンズ部が前記第１の記憶手段を含み、前記カメラ部が前記第２の記憶手段を含むことを特徴とする撮像システム。
【請求項７】  前記第１及び第２の記憶手段に記憶された情報を用いて、前記相対位置の調節手段による前記調節を行うことを特徴とする請求項６に記載の撮像システム。
【請求項８】  前記記憶手段は、前記撮像光学系の複数の画角に対応した、前記撮像光学系と前記光電変換手段との相対位置に関する情報を、複数の温度毎に記憶していることを特徴とする請求項６又は７に記載の撮像システム。
【請求項９】  画角調節手段を備えた撮像光学系と、
前記撮像光学系により結像された像を光電変換する光電変換手段との相対位置を調節して撮像を行う撮像方法であって、
前記撮像光学系の画角を検出する第１のステップと、
予め記憶した前記画角に応じて調整した値を読み出す第２のステップと、
前記調整した値に応じて前記撮像光学系と前記光電変換手段との相対位置を調節する第３のステップとを有することを特徴とする撮像方法。
【請求項１０】  前記第３のステップにおいて、前記撮像光学系との相対位置の調節を前記光電変換手段のＸ軸およびＹ軸のそれぞれの方向について行うことを特徴とする請求項９に記載の撮像方法。
【請求項１１】  前記第３のステップの後に前記撮像光学系の画角が変化した場合には、再び前記第１のステップに戻り、前記第１ないし第３のステップを行うことを特徴とする請求項９又は１０に記載の撮像方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の撮像装置は、画角調節手段を備えた撮像光学系により結像された像を光電変換する光電変換手段を有する撮像装置であって、前記撮像光学系の複数の画角に対応した、前記撮像光学系と前記光電変換手段との相対位置に関する情報を記憶するための記憶手段と、前記記憶手段から読み出した前記情報を用いて、前記相対位置を前記撮像光学系の画角に応じて調節する相対位置の調節手段とを有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の撮像システムは、画角調節手段を備えた撮像光学系を有するレンズ部と、前記撮像光学系により結像された像を光電変換する光電変換手段とを有するカメラ部とから成るレンズ交換式の撮像システムであって、前記撮像光学系の複数の画角に対応した、前記撮像光学系と前記光電変換手段との相対位置に関する情報を記憶するための記憶手段と、前記記憶手段から読み出した前記情報を用いて、前記相対位置を前記撮像光学系の画角に応じて調節する相対位置の調節手段とを有し、前記記憶手段は、基準値に対する前記撮像光学系の相対位置に関する情報を記憶する第１の記憶手段と、基準値に対する前記光電変換手段の相対位置に関する情報を記憶する第２の記憶手段とから構成され、前記レンズ部が前記第１の記憶手段を含み、前記カメラ部が前記第２の記憶手段を含む。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の撮像方法は、画角調節手段を備えた撮像光学系と、前記撮像光学系により結像された像を光電変換する光電変換手段との相対位置を調節して撮像を行う撮像方法であって、前記撮像光学系の画角を検出する第１のステップと、予め記憶した前記画角に応じて調整した値を読み出す第２のステップと、前記調整した値に応じて前記撮像光学系と前記光電変換手段との相対位置を調節する第３のステップとを有する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月21日(2008.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜形成装置及び発光装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電膜を真空蒸着法において第１のマスクを用いることにより第１のパターンに形成する第１の成膜室と、
第２の導電膜を真空蒸着法において第２のマスクを用いることにより第２のパターンに形成する第２の成膜室と、
有機膜を真空蒸着法において第３のマスクを用いることにより第３のパターンに形成する第３の成膜室と、
パッシベーション膜を真空蒸着法において第４のマスクを用いることにより第４のパターンに形成する第４の成膜室と、
透光性導電膜を形成する第５の成膜室とを有する薄膜形成装置であって、
前記第１の成膜室及び前記第２の成膜室は、ＣＣＤとＸ−Ｙ−θステージによる位置合わせ機能をそれぞれ有し、
前記第１乃至前記第５の成膜室は、搬送室とそれぞれ連結され、
前記搬送室は、基板を搬送する手段を有し、
前記第１の導電膜、前記第２の導電膜、前記有機膜、前記パッシベーション膜、及び前記透光性導電膜は、大気中に曝すことなく形成されることを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項２】
第１の導電膜を真空蒸着法において第１のマスクを用いることにより第１のパターンに形成する第１の成膜室と、
第２の導電膜を真空蒸着法において第２のマスクを用いることにより第２のパターンに形成する第２の成膜室と、
有機膜を真空蒸着法において第３のマスクを用いることにより第３のパターンに形成する第３の成膜室と、
パッシベーション膜を真空蒸着法において第４のマスクを用いることにより第４のパターンに形成する第４の成膜室と、
透光性導電膜をスパッタリング法により形成する第５の成膜室とを有する薄膜形成装置であって、
前記第１の成膜室及び前記第２の成膜室は、ＣＣＤとＸ−Ｙ−θステージによる位置合わせ機能をそれぞれ有し、
前記第１乃至前記第５の成膜室は、それぞれゲートで仕切られ、かつ一方向に連結され、
前記第１の導電膜、前記第２の導電膜、前記有機膜、前記パッシベーション膜、及び前記透光性導電膜は、大気中に曝すことなく形成されることを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第３の成膜室は、複数設けられており、複数の前記第３の成膜室は、それぞれ異なる有機膜を形成することを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２の導電膜を周期表の第１族または第２族の元素により形成することを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記マスクはメタルマスクであることを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項６】
第１の導電膜を真空蒸着法により形成し、
前記第１の導電膜上に第２の導電膜を真空蒸着法により形成し、
前記第２の導電膜上に有機膜を真空蒸着法により形成し、
前記有機膜上にパッシベーション膜を真空蒸着法により形成し、
前記パッシベーション膜上に透光性導電膜をスパッタリング法により形成する発光装置の作製方法であって、
前記第１の導電膜、前記第２の導電膜及び前記有機膜は、マスクを用いてそれぞれ所定のパターンに形成され、
前記第１の導電膜、前記第２の導電膜、前記有機膜、前記パッシベーション膜、及び前記透光性導電膜は、大気中に曝すことなく形成されることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記マスクとしてメタルマスクを用いたことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項８】
第１の導電膜を真空蒸着法により形成し、
前記第１の導電膜上に第２の導電膜を真空蒸着法により形成し、
前記第２の導電膜上に有機膜を真空蒸着法により形成し、
前記有機膜上にパッシベーション膜を真空蒸着法により形成し、
前記パッシベーション膜上に透光性導電膜をスパッタリング法により形成する発光装置の作製方法であって、
前記第１の導電膜、前記第２の導電膜、前記有機膜、前記パッシベーション膜、及び前記透光性導電膜の形成は、減圧下で連続して処理され、
前記第１の導電膜、前記第２の導電膜、前記有機膜、前記パッシベーション膜、及び前記透光性導電膜は、大気中に曝すことなく形成されることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか一において、
前記第２の導電膜は、周期表の第１族または第２族の元素を用いて形成されることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項９のいずれか一において、
前記パッシベーション膜は、透過率が７０％以上であり、かつ仕事関数が４．５〜５．５である金属元素を用いて形成されることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項６乃至請求項１０のいずれか一において、
前記透光性導電膜は、シート抵抗が５０Ω／□以下であり、かつ透過率が７０％以上である金属材料を用いて形成されることを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月11日(2008.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＬ素子が形成された基板と、
前記ＥＬ素子と対向する封止材と、
前記基板と前記封止材との間に設けられた接着剤Ａ及び接着剤Ｂと、を有し、
前記ＥＬ素子は前記接着剤Ａに囲まれており、
前記接着剤Ａは前記接着剤Ｂに囲まれており、
前記接着剤Ａ、前記接着剤Ｂ、前記基板、及び前記封止剤とに囲まれた空間に、吸湿性物質が設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記基板には、前記接着剤Ａと前記接着剤Ｂとの間の領域と重なる位置に形成された溝部が設けられており、
前記吸湿性物質が前記溝部に充填されていることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記封止材には、前記接着剤Ａと前記接着剤Ｂとの間の領域と重なる位置に形成された溝部が設けられており、
前記吸湿性物質が前記溝部に充填されていることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１において、
前記基板及び前記封止材には、前記接着剤Ａと前記接着剤Ｂとの間の領域と重なる位置に形成された溝部がそれぞれ設けられており、
前記吸湿性物質が前記溝部に充填されていることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記吸湿性物質は粉状であることを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月6日(2008.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各局が送信機と受信機を有し、共有チャネルに接続されたネットワークの局において、局を動作させる方法であって、
複数の送信機のうちの何れかと複数の受信機のうちの何れかとの間の複数の異なる接続上でデータを伝送する段階と、
複数の搬送波を用いて、送信機と受信機との間の接続上でデータを伝送する段階と、
特定の送信機と受信機との対の間の接続を、特定の送信機と受信機との対を接続するための前記チャネルの各搬送波の特性に基づき前記チャネルの各搬送波に対するデータ率を確立するように適合させる段階とを含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記適合する段階は、
前記チャネル上で前記送信機からフレームでチャネル推定要求を受信する段階と、
前記フレームから、前記接続に対する前記チャネルの特性を決定する段階と、また決定されたチャネル特性からチャネル情報を生成する段階と、
前記接続に対する前記受信機への伝送において、前記送信機が前記チャネル情報を用いることができるように、前記送信機へのチャネル推定応答において、前記チャネル情報を返す段階と、を含む方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記受信機との後続の通信の送出を最適化するためのチャネル情報を得るために、チャネル推定要求を前記受信機に送る段階と、
前記受信機からのチャネル推定応答において前記チャネル情報を受信する段階と、を含む方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、前記接続は既存の接続であり、また、前記適合する段階が所定のタイムアウトの後繰り返される方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、前記適合する段階は、フレーム伝送復元中に行われる方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、前記接続は既存の接続であり、また、前記適合する段
階が前記受信機からの表示に応答して繰り返される方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、前記表示は、前記送信機によって、前記受信機によって検出され、前記送信機から前記受信機への伝送において発生するビット誤り数の変化に対して然るべく前記適合する段階を実行するための勧告として解釈される方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、前記データ率は最大データ率である方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、
前記局の送信機と他局の受信機間のチャネル上での接続に対して、前記接続に対するチャネルの特性に基づき、前記受信機によって提供され、また対応するチャネルマップインデックスを有するチャネルマップを維持する段階と、
前記受信機への前記チャネル上での伝送用フレームにおいて、前記送信機が、フレームデータを暗号化及び変調するために前記チャネルマップを用いる段階と、
前記受信機に対して、前記送信機によって用いられるチャネルマップを特定するために、前記フレームにおいて、前記対応するチャネルマップインデックスを前記送信機が送信する段階と、を含む方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、前記フレームは、前記ネットワークのほぼ全ての局によって観察可能なフレーム制御フィールドを含み、また、前記フレーム制御フィールドは、前記対応するチャネルマップインデックスを含む方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の方法であって、
前記チャネルマップインデックスは、他の受信機によって用いられるものと同じであることが可能である方法。
【請求項１２】
請求項９に記載の方法であって、前記チャネルは電力回線である方法。
【請求項１３】
請求項９に記載の方法であって、前記用いる段階は、前記フレームをＯＦＤＭ記号に変調する段階を含む方法。
【請求項１４】
ネットワークの局を動作させるためのコンピュータコード手段を有するコンピュータ可読媒体を備え、前記コンピュータコード手段はコンピュータに請求項１乃至１３のうちのいずれか一項に記載の方法を実行させるように構成される、コンピュータプログラム製品。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月25日(2008.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 
トランシーバ・ユニットを有するワイヤレス・データ・ブリッジ装置であって、
電力導体およびデータ導体を内部に配置した少なくとも一つのコネクタ・ポートであって、前記コネクタ・ポートはローカル・エリア・ネットワークに接続可能である、少なくとも一つのコネクタ・ポートと、
前記コネクタ・ポートと通信し、メモリ要素およびマイクロコントローラ要素を含む、少なくとも一つのコントローラと、
前記コントローラと通信し、送信機回路および受信機回路を含む無線回路と、
前記無線回路と通信するアンテナ・アセンブリと
を含み、前記ブリッジ装置は、前記ローカル・エリア・ネットワークの一方のセグメントから、前記ローカル・エリア・ネットワークの別のセグメントに、ワイヤレス境界を介して双方向データを伝送することを特徴とするワイヤレス・データ・ブリッジ装置。
【請求項２】 
前記装置は、ＩＥＥＥ１３９４規格に準拠することを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項３】 
前記送信機回路および受信機回路は、２．４ＧＨｚ周波数バンドを利用して通信することを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項４】 
前記送信機回路および受信機回路は、５．０ＧＨｚ周波数バンドを利用して通信することを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項５】 
前記コントローラは、ローカル環境を走査して、未使用周波数を選択でき、また前記コントローラは、前記送信機回路および前記受信機回路に、前記未使用周波数を利用して互いに通信させるように構成されることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項６】 
前記トランシーバ・ユニットは、あらかじめ設定された整合周波数を利用して互いに通信することを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項７】 
前記トランシーバ・ユニットの少なくとも一方に電気的に接続される外部電源ケーブルをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項８】 
少なくとも２つのトランシーバ・ユニットを有する、ＩＥＥＥ１３９４規格に準拠するワイヤレス・データ・ブリッジ装置であって、各トランシーバ・ユニットは、
電力導体およびデータ導体を内部に配置した少なくとも一つのコネクタ・ポートであって、前記コネクタ・ポートはローカル・エリアネットワークに接続可能である、少なくとも一つのコネクタ・ポートと、
前記コネクタ・ポートに接続され、機能的に内蔵されたメモリ要素およびマイクロコントローラ要素を有する、少なくとも一つのコントローラと、
送信機回路および受信機回路を含む少なくとも一つの無線回路であって、前記送信機回路および前記受信機回路は、前記コントローラと電気的に通信し、前記送信機回路および受信機回路は、約１ワット未満の電力レベルを利用して２．４ＧＨｚ周波数バンドで動作する、少なくとも一つの無線回路と、
前記送信機回路および前記受信機回路と通信するアンテナ・アセンブリと
を含み、前記ブリッジ装置は、前記ローカル・エリア・ネットワークの一方のセグメントから、前記ローカル・エリア・ネットワークの別のセグメントに、ワイヤレス境界を介して双方向ブロードバンドの混成した等時／非同期電子データを伝送することを特徴とするワイヤレス・データ・ブリッジ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月21日(2008.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  フィールドプレート抵抗を有する集積回路であって、該フィールドプレート抵抗は、
ａ、半導体基板中に形成され、第１および第２の接触領域を有する抵抗基体と、
ｂ、該抵抗基体上の第１の絶縁性層であって、該抵抗基体とほぼ同延する頂部表面および底部表面を有する第１の絶縁性層と、
ｃ、該第１の絶縁性層中の低触窓であって、該第１の絶縁層の頂部表面から該第１の絶縁層を通して該抵抗基体まで延びる接触窓と、
ｄ、該第１の絶縁層上にあり、それとおよび該抵抗基体とほぼ同延するフィールドプレードであって、頂部表面および底部表面を有し、底部表面の一部分が該第１の絶縁層中の該接触窓を通して延び、該抵抗の該第１の接触領域と接触するようになっているフィールドプレートと、
ｅ、第２の絶縁層であって、その一部分が少なくとも該フィールドプレートを実質的に被覆する第２の絶縁性層と、
ｆ、該フィールドプレートの該頂部表面への電気的接触と、
ｇ、該抵抗の第２の接触領域への電気的接触であって、該フィールドプレートから電気的に絶縁されている電気的接触と、
ｈ、該第２の絶縁性層の第１の部分上に形成される複数の金属導電体と、から成る集積回路。
【請求項２】  請求項１に記載の集積回路において、
該フィールドプレートが、ポリシリコンから成る集積回路。
【請求項３】  請求項２に記載の集積回路において、
該第１および第２の絶縁性層がＳｉＯ２である集積回路。
【請求項４】  請求項２に記載の集積回路において、さらに、
該フィールドプレートのまわりに形成された絶縁性スペーサから成る集積回路。
【請求項５】  請求項２に記載の集積回路において、
該フィールドプレートの頂部表面への電気的接触が、障壁層から成る集積回路。
【請求項６】  請求項５に記載の集積回路において、
該抵抗の第２の接触領域への電気的接触が、障壁層から成る集積回路。
【請求項７】  請求項１に記載の集積回路において、
構成要素ｆ、ｇおよびｈが、単一の金属層から成る集積回路。
【請求項８】  請求項７に記載の集積回路において、
該フィールドプレートの頂部表面への電気的接触が、該第１の絶縁性層中の接触窓を通して延び、該抵抗の第１の接触領域と接触する該フィールドプレートの底部表面の該一部分の上にある集積回路。
【請求項９】  フィールド抵抗を有する集積回路を製作する方法であって、
ａ、第１および第２の接触領域を有する抵抗基体を、半導体基板中に形成する工程と、
ｂ、該抵抗基体と、ほぼ同延する第１の絶縁性層であって、頂部表面と底部表面を有する第１の絶縁性層を該抵抗基体上に形成する工程と、
ｃ、該第１の絶縁性層中に、該第１の絶縁性層の頂部表面から該第１の絶縁性層を通して該抵抗基体まで延びる接触窓を形成する工程と、
ｄ、該第１の絶縁性層上にあり、それとおよび該抵抗基体とほぼ同延するフィールドプレートであって、頂部表面および底部表面を有し、該底部表面の一部分が該第１の絶縁性層中の接触窓を通して該抵抗の該第１の接触領域と接触するフィールドプレートを形成する工程と、
ｅ、第２の絶縁性層を堆積する工程であって、該第２の絶縁性層の第１の部分が、少なくとも該フィールドプレートを実質的に被覆している工程と、
ｆ、金属層を堆積する工程と、
ｇ、（ｉ）該フィールドプレートの頂部表面に対する電気的接触と、
（ｉｉ）該抵抗の該第２の接触領域に対する電気的接触であって、該フィールドプレートから電気的に絶縁される電気的接触と、
（ｉｉｉ）該第２の絶縁性層の該第１の部分上に形成される複数の金属導電体と、を形成するために該金属層をパターン化する工程と、を含む方法。
【請求項１０】  請求項９に記載の方法において、
該フィールドプレートが、ポリシリコンから成る方法。
【請求項１１】  請求項１０に記載の方法において、
該第１および第２の絶縁性層が、ＳｉＯ２である方法。
【請求項１２】  請求項１１に記載の方法において、さらに
該フィールドプレートのまわりに形成される絶縁性スペーサを形成する工程を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月22日(2007.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像形成装置本体への組み付けにより、前記画像形成装置本体側に設けられた接点に対して接触する接点部材を有するプリント基板において、
前記画像形成装置本体側の接点と前記接点部材との接触状態を前記プリント基板に設けられた穴を通して確認可能であることを特徴とするプリント基板。
【請求項２】
前記接点部材は、平面部分を備えた接点板であり、前記平面部分には穴が形成されていることを特徴とする請求項１に記載のプリント基板。
【請求項３】
前記接点部材は、ジャンパ線であることを特徴とする請求項１に記載のプリント基板。
【請求項４】
前記穴は、スリット状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のプリント基板。
【請求項５】
前記穴は、基板上のパターン間の沿面距離を確保するために基板に形成されたスリットを含むことを特徴とする請求項１に記載のプリント基板。
【請求項６】
前記穴は複数形成されており、前記接点部材に対して前記画像形成装置本体側の接点が正しく接触している状態では、全ての前記複数の穴に前記画像形成装置本体側の接点が存在しないことを特徴とする請求項１に記載のプリント基板。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１つに記載のプリント基板を有し、静電記録方式を用いてトナー画像を形成することを特徴とする画像形成装置。
【請求項８】
前記画像形成装置本体側の接点は複数であり、これらの接点は、像担持体を一様に帯電するための帯電手段、前記像担持体上の潜像をトナーにより現像する現像手段および前記像担持体上のトナー画像を記録材に転写する転写手段にそれぞれ接続されていることを特徴とする請求項７に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
このように基板上に接点板３７３〜３７５を設けておけば、高圧電源基板３７１を画像形成装置本体に組み付けると同時に、高圧接点の接続も可能となり、組み立て性が向上する。また逆に、画像形成装置のリサイクル時に基板を取り外すことが容易となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、画像形成装置本体への組み付けにより、画像形成装置本体側に設けられた接点に対して接触する接点部材を有するプリント基板において、画像形成装置本体側の接点と前記接点部材との接触状態を前記プリント基板に設けられた穴を通して確認可能であることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
図１は高圧電源基板の一例で、高圧電源基板２７１上の部品面には、例えば、帯電バイアス出力用の接点部材である接点板２７３（273ａ〜273ｄ）、現像バイアス出力用の接点部材である接点板２７４（274ａ〜274ｄ）、転写バイアス出力用の接点部材である接点板２７５（275ａ〜275ｄ）が各画像形成部ごとに設けられ、これらの各接点板２７３〜２７５がほぼ直線上に並べられている。この接点板２７３〜２７５は、図２に示すように、接点板の平板上の接点板本体の両側に２つの足Ｌ１，Ｌ２を有しており、高圧基板２７１の部品実装面に実装できるような形状となっている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
このような構成にすることで、高圧基電源基板の組み付け後に、図１７のＡの向きから確認穴２７９をチェックし、確認穴２７９からバネ接点２７７の一部が見えていれば、正しく接続されていると判断し、確認穴２７９からバネ接点２７７が見えなければ、正しく接続されていないと判断できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
（第２の実施の形態）
図４、図６は本発明の第２の実施の形態を示す。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
本第２の実施の形態と第１の実施の形態との違いは、接点部材が接点板からジャンパ線に変更になっている点である。前記ジャンパ線は部品搭載時に自動実装可能であるため、人手による実装が必要な接点板金よりも部品費と実装費が安いというコストメリットがある。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
確認穴４７９は、バネ接点２７７が正しく接続されている時に、バネ接点２７７の一部が、確認穴４７９を介して見える位置に形成されている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
確認穴４７９の大きさは、大きければ大きいほど確認は容易になるものの、接点部の基板強度が弱くなることから適度な大きさとする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
本実施の形態の確認穴４８０は、バネ接点２７７が正しく接続されている時に、バネ接点２７７の一部が見える位置にスリット状に開けられており、バネ接点２７７の２箇所を確認することができる。確認穴４８０の面積は、大きければ大きいほど確認は容易になるものの、接点部の基板強度が弱くなることから適度な大きさとする。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
（第６の実施の形態）
図１０、１２は本発明の第６の実施の形態を示す。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月22日(2008.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  リモートサイトと双方向通信するためのデバイスにおいて通信障害の警告を提供する方法であって、
メモリから通信パラメータ値を取り出すステップと、
前記取り出されたパラメータを所定の閾値と比較して、起こり得る通信リンク障害を示す過度の通信パラメータ値を識別するステップと、
前記比較に応答して、システム調整が必要であることを示す、前記リモートサイトへのメッセージの送信をほぼ定期的に開始するステップと
を含む、通信障害の警告を提供することを特徴とする方法。
【請求項２】  前記メッセージは前記パラメータ値を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記パラメータは、前記デバイスから前記リモートサイトに通信するための送信上流側電力レベルを表すことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】  前記デバイスはケーブルモデムであり、前記送信は簡易ネットワーク管理プロトコル（ＳＮＭＰ）を使用し、
前記取り出されたパラメータを最小および最大の所定の閾値と比較するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】  前記所定の閾値を前記リモートサイトから受信するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】  前記リモートサイトから前記所定の閾値を受信する前記ステップの前に、デフォルトの所定の閾値を使用するステップを含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】  初期化動作中に前記受信した所定の閾値で前記デバイスを構成するステップを含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項８】  前記メッセージの送信をほぼ定期的に開始する前記ステップは、前記リモートサイトから受信した、（ａ）スケジュールと、（ｂ）反復頻度のうちの１つで、送信を開始することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】  前記リモートサイトから前記スケジュール値または反復頻度値を受信する前に、デフォルトのスケジュール値または反復頻度値を使用するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】  前記比較ステップにおいて前記取り出したパラメータがもはや前記所定の閾値を超えていないことを示す前記メッセージ送信を終了するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】  ユーザコマンドに応答して、（ａ）前記パラメータ、（ｂ）前記所定の閾値、および（ｃ）前記定期的な送信の反復頻度の少なくとも１つを表示するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】  （ａ）前記パラメータ、（ｂ）前記所定の閾値、および（ｃ）前記定期的な送信の反復頻度の少なくとも１つを前記表示するためのウェブページを生成するステップを含むことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】  リモートサイトと双方向通信するためのモデムデバイスにおいて、通信障害の警告を提供する方法であって、
メモリから送信電力レベル値を取り出すステップと、
前記取り出された送信電力レベル値を所定の閾値と比較して、起こり得る通信リンク障害を示す過度の送信電力レベル値を識別するステップと、
前記比較に応答して、システム調整が必要であることを示す、前記リモートサイトへの前記送信電力レベル値を含むメッセージの送信をほぼ定期的に開始するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１４】  前記比較ステップにおいて前記送信電力レベル値がもはや前記所定の値を超えていないことを示す前記メッセージの送信を終了するステップを含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】  リモートサイトと双方向通信するため及び通信障害の警告を提供するためのデバイスにおいて、
メモリから通信パラメータの値を取り出す手段と、
前記取り出されたパラメータを所定の閾値と比較して、起こり得る通信リンク障害を示す過度の通信パラメータ値を識別する手段と、
前記比較に応答して、システム調整が必要であることを示す、前記リモートサイトへのメッセージの送信を定期的に開始する手段と
を備えたことを特徴とするデバイス。
【請求項１６】  前記リモートサイトはモデムデバイスから遠隔地に配置されたリモートヘッドエンドであり、
前記開始する手段は、非モデムデバイスベースのシステム調整が必要であることを示す、前記モデムデバイスから前記リモートヘッドエンドへの前記メッセージの定期的な送信を、前記比較に応答して開始する
ことを特徴とする請求項１５に記載のデバイス。
【請求項１７】  リモートサイトと双方向通信するため及び通信障害の警告を提供するためのデバイスにおいて、
メモリから通信パラメータの値を取り出す手段と、
前記取り出されたパラメータを所定の閾値と比較して、起こり得る通信リンク障害を示す過度の通信パラメータ値を識別する手段と、
前記比較に応答して、システム調整が必要であることを示す、前記リモートサイトへの前記通信パラメータの値を含むメッセージの送信を定期的に開始する手段と
を備えたことを特徴とするデバイス。
【請求項１８】  前記リモートサイトはモデムデバイスから遠隔地に配置されたリモートヘッドエンドであり、
前記開始する手段は、非モデムデバイスベースのシステム調整が必要であることを示す、前記モデムデバイスから前記リモートヘッドエンドへの前記メッセージの定期的な送信を、前記比較に応答して開始する
ことを特徴とする請求項１７に記載のデバイス。
【請求項１９】  前記リモートサイトはモデムデバイスから遠隔地に配置されたリモートヘッドエンドであり、
前記開始するステップは、非モデムデバイスベースのシステム調整が必要であることを示す、前記モデムデバイスから前記リモートヘッドエンドへの前記メッセージの定期的な送信を、前記比較に応答して開始する
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２０】  前記リモートサイトは前記モデムデバイスから遠隔地に配置されたリモートヘッドエンドであり、
前記開始するステップは、非モデムデバイスベースのシステム調整が必要であることを示す、前記モデムデバイスから前記リモートヘッドエンドへの前記メッセージの定期的な送信を、前記比較に応答して開始する
ことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月4日(2008.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも１個の光発生手段と、
前記光発生手段により発生された光の照度を均一化するための１個の照度均一化手段と、
前記照度均一化手段により照度が均一化された光を所定の位置に伝送するとともに、該光を出射して照明を行う発光部を有する少なくとも１個の伝送手段とを
具備することを特徴とする照明装置。
【請求項２】  各伝送手段が少なくとも１本の光ファイバからなることを特徴とする請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】  前記照度均一化手段が１個の透明体ロッド又は１本の光ファイバからなることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の照明装置。
【請求項４】  前記光発生手段を複数具備するとともに、該複数の光発生手段により発生された光を前記照度均一化手段に導くための複数の導光手段をさらに具備することを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載の照明装置。
【請求項５】  各導光手段が透明体ロッド又は光ファイバからなることを特徴とする請求項４に記載の照明装置。
【請求項６】  各光発生手段と各導光手段との間に、各光発生手段から発生された光を集光するための集光手段をさらに具備することを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の照明装置。
【請求項７】  前記光発生手段が発光ダイオードであることを特徴とする請求項１に記載の照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月17日(2008.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  微粒子をフィルムに形成された微細穴に配置する方法であって、少なくともフィルムの微細穴の数より多数の微粒子を並べた面に、微細穴が形成されたフィルムを押し付けることにより、フィルムの微細穴に微粒子を配置することを特徴とする微細穴への微粒子の配置方法。
【請求項２】  微細穴が形成されたフィルムを押し付けながら面に対して水平方向にフィルムを移動することにより、フィルムの微細穴に微粒子を配置することを特徴とする請求項１記載の微細穴への微粒子の配置方法。
【請求項３】  微粒子は、平均粒径が２〜１００μｍ、アスペクト比が１．１未満、ＣＶ値が５％以下であり、
微細穴は、平均穴径が微粒子の平均粒径の１／２〜３／２倍であることを特徴とする請求項１又は２記載の微細穴への微粒子の配置方法。
【請求項４】  微粒子をフィルムに形成された微細穴に配置する方法であって、微粒子を含んだ液体を微細穴に吸い込ませることにより、フィルムの微細穴に微粒子を配置することを特徴とする微細穴への微粒子の配置方法。
【請求項５】  微粒子は、平均粒径が２〜１００μｍ、アスペクト比が１．１未満、ＣＶ値が５％以下であり、
微細穴は、平均穴径が微粒子の平均粒径の１／２〜１倍であることを特徴とする請求項４記載の微細穴への微粒子の配置方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月20日(2007.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】有機エレクトロルミネッセンス素子及びその制御方法及びその素子を用いたディスプレイ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１電極と第２電極からなる一対の対向する電極間に有機層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
基板上に、前記第１電極、前記有機層、前記第２電極、弾性層、第３電極、そして剛体が順次配置され、
前記第３電極と前記第３電極の上に設けられた剛体は一体であり、
前記第１電極と前記第２電極の間隔を前記第３電極により制御することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】  第１電極と第２電極からなる一対の対向する電極間に有機層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
基板上に、前記第１電極、前記有機層、前記第２電極、弾性層、第３電極、そして剛体が順次配置され、
前記第３電極と前記第３電極の上に設けられた剛体は一体であり、
前記基板と前記剛体間に支柱である前記剛体とは別の剛体を有し、
前記第１電極と前記第２電極の間隔を前記第３電極により制御することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】  前記間隔の制御は、前記第２電極から前記第１電極の方向にかかる力と前記第２電極から前記第３電極の方向にかかる力とのバランスの調整であることを特徴とする請求項１及び２のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】  前記弾性層が、絶縁層であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】  前記弾性層が、前記有機層とは別の有機層であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項６】  前記弾性層が、気体または真空であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項７】  互いにストライプ状に配置された複数の前記第２電極に対して、複数の前記第３電極は、交差するようにストライプ状に配置されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】  請求項１ないし７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を、像表示部分に設けたことを特徴とするディスプレイ。
【請求項９】  前記ディスプレイは、両面発光のディスプレイであることを特徴とする請求項８に記載のディスプレイ。
【請求項１０】  基板上に、第１電極、有機層、第２電極、弾性層、第３電極、そして剛体の順で配置され、前記第３電極と前記第３電極の上に設けられた剛体は一体である有機エレクトロルミネッセンス素子の前記第１電極と前記第２電極との間隔を制御する制御手段が、前記第３電極を介して制御することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の制御方法。
【請求項１１】  前記制御手段は、前記第２電極から前記第１電極の方向にかかる力と前記第２電極から前記第３電極の方向にかかる力とのバランスの調整であるこことを特徴とする請求項１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の制御方法。
【請求項１２】  前記バランスの調整は、前記第２電極から前記第１電極の方向にかかる電界強度と、前記第２電極から前記第３電極の方向にかかる電界強度に基づいて調整することを特徴とする請求項１１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の制御方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本発明は、第１電極と第２電極からなる一対の対向する電極間に有機層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子であって、基板上に、第１電極、有機層、第２電極、弾性層、第３電極、そして剛体が順次配置され、第３電極と第３電極の上に設けられた剛体は一体であり、第１電極と第２電極の間隔を第３電極により制御することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、第１電極と第２電極からなる一対の対向する電極間に有機層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子であって、基板上に、第１電極、有機層、第２電極、弾性層、第３電極、そして剛体が順次配置され、第３電極と第３電極の上に設けられた剛体は一体であり、基板と剛体間に支柱である第３電極上の剛体とは別の剛体を有し、第１電極と第２電極の間隔を第３電極により制御することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、基板上に、第１電極、有機層、第２電極、弾性層、第３電極、そして剛体の順で配置され、第３電極と第３電極の上に設けられた剛体は一体である有機エレクトロルミネッセンス素子の第１電極と第２電極との間隔を制御する制御手段が、第３電極を介して制御することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の制御方法を提供する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
（第３の実施形態）
図５は、第３の実施形態における有機ＥＬ素子１０を制御するシステムの模式図である。ネットワーク１１には、有機ＥＬ素子１０、コンピュータ１３、駆動源制御装置１２が繋がれており、第２電極４から第１電極２方向にかかる力に対する第２電極４から第３電極６方向にかかる力の制御は、コンピュータ１３によって計算され、駆動源制御装置１２によって制御される。例えば、コンピュータ１３を用いて、ストレス感知手段と計算手段とデータ送信手段を持たせ、ストレス感知手段を用いて、有機層３にかかるストレスを認識すると共に、計算手段を用いてそのストレスを打ち消すために必要な印加電圧または電流の値を計算し、データ送信手段を用いて駆動源制御装置１２に計算データを送信する。そのデータを受け取った駆動源制御装置１２は、必要な印加電圧または電流を発生させる。これによって、常に有機ＥＬ素子１０の発光輝度が一定になるように制御できる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
ここで、コンピュータ１３の機能と駆動源制御装置１２の機能とを別けたが、１つの装置で行なってもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１  基板
２  第１電極
３  有機層
４  第２電極
５  弾性層
６  第３電極
７  積層体
８  剛体
９  支柱状の剛体
１０  有機ＥＬ素子
１１  ネットワーク
１２  駆動源制御装置
１３  コンピュータ