(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
端子電極部を有する半導体装置を、その端子電極部形成面を被実装面に当接させて実装する半導体装置の実装方法であって、
前記被実装面に設けられた接続電極部と、前記端子電極部とのうちの一方に、他方より柔らかい導電材料からなり先端が封止樹脂の液状材料中に分散させた絶縁粒子を押し除けながら前記液状材料を貫通する程度に尖鋭な接続補助体を形成する工程と、
前記絶縁粒子を分散させた封止樹脂の液状材料を前記半導体装置と前記被実装面との間に介在させた状態で、前記端子電極部と前記接続電極部とを位置合わせして、前記半導体装置を前記被実装面に当接配置する工程と、
前記半導体装置を前記被実装面に対して密着する方向に相対加圧する工程と、
前記液状材料を硬化させて樹脂化させる工程と、
を含み、
前記接続補助体の形成工程は、
金属ワイヤの一端側を前記接続電極部もしくは前記端子電極部に熱圧接する工程と、
熱圧接させた前記金属ワイヤの他端側を熱圧接位置から上昇移動させたのち再度熱圧接位置まで下降移動させて熱圧接位置に再度熱圧接する工程と、
熱圧接位置から金属ワイヤの他端側を分離することで熱圧接位置に残存する金属ワイヤの環状体からなる接続補助体を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の実装方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の実装方法であって、
前記接続補助体の先端を、微視的にある曲率半径を持った球にすることを特徴とする半導体装置の実装方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フェースダウンで実装される半導体装置の実装方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、裸の半導体装置を回路基板等の被実装体に直付けすることによって、実装面積の小型化と効率的使用を図ろうとする構造が考え出されている。すなわち、半導体装置に設けた金属バンプ、もしくは金属バンプ上に転写形成された導電性接着剤層からなる端子電極部を、被実装体に設けた電極パッドからなる接続電極部にフェースダウンにして当接させて接続する方法である。
【０００３】
このようなフェースダウン接続構造では、半導体装置と被実装体との間に間隙が形成されるのが避けられないので、この間隙を樹脂封止することで、実装構造の機械的強度を高めている。樹脂封止を行う方法として、従来から、半導体装置を実装する前にあらかじめ被実装体の被実装面に封止樹脂材料を塗布しておく方法がある。
【０００４】
以下、図７に示すように、半導体装置を回路基板に実装する構成を例にして、上述した従来の半導体装置の実装方法を説明する。すなわち、図７（ａ）に示すように、まず、回路基板４の被実装面４ａに光硬化性樹脂材料９を塗布する。そして、半導体装置１をその端子電極部形成面１ａをフェースダウンにして、回路基板４の被実装面４ａに実装する。このとき、端子電極部形成面１ａ上に設けられた端子電極部６（端子電極２と、この端子電極２上に設けられたバンプ３とから構成されている）を、被実装面４ａ上に設けられた接続電極部５に当接するように、半導体装置１を回路基板４に対して相対的に位置合わせする。
【０００５】
この状態で、図７（ｂ）に示すように、半導体装置１の背面より、加圧ツール８にて加圧することにより、光硬化性樹脂材料９を半導体装置１と回路基板４との間の間隙から周囲に押し出すことで、端子電極部６と接続電極部５とを直接当接させて、両者の間に金属間の接触による電気的導通が得られるようにする。
【０００６】
次に、回路基板４の裏面より紫外線１０を照射することで、光硬化性樹脂材料９を硬化させて封止樹脂１１とすることで、図７（ｃ）に示す半導体装置の実装構造が完成する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来の半導体装置の実装構造には、次のような課題がある。すなわち、半導体装置１の熱膨張係数と回路基板４の熱膨張係数とが相違するのは避けられない。さらには、一般に、封止樹脂１１を構成する樹脂材料の熱膨張係数は、半導体装置１や回路基板４に比して高い値を有している。このような理由により、高温で半導体装置を使用すると、半導体装置１と封止樹脂１１との熱膨張係数の差によって生ずる熱応力と、回路基板４と封止樹脂１１との間の熱膨張による応力とが、端子電極部６（特にバンプ３）に加わった状態となる。これらの応力は端子電極部６と接続電極部５とを分離させる力として働くため、これらの応力が継続して付加されると、半導体装置１と回路基板４との間の接続を不完全にして信頼性を低下させる要因になる。
【０００８】
このような応力の発生を防止するために、従来から、封止樹脂１１に絶縁粒子を含有させてその熱膨張係数を小さくすることで、端子電極部６（特にバンプ３）に加わっる応力を低減させて接続の安定性を向上させることが考えられている。
【０００９】
しかしながら、封止樹脂１１に含まれる絶縁粒子の量を多くすると、製造時において、絶縁粒子が、バンプ３と接続電極５との間に挟持された状態になりやすくなる。そうすると、バンプ３と接続電極５とが直接当接しなくなって両者の間に接続不良が生じ、その結果、生産性を著しく悪化させる原因となる。
【００１０】
そこで、本発明では、製造時に接続不良を生じさせることなく、接続の信頼性を向上させることを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するために、端子電極部を有する半導体装置を、その端子電極部形成面を被実装面に当接させて実装する半導体装置の実装方法であって、前記被実装面に設けられた接続電極部と、前記端子電極部とのうちの一方に、他方より柔らかい導電材料からなり先端が封止樹脂の液状材料中に分散させた絶縁粒子を押し除けながら前記液状材料を貫通する程度に尖鋭な接続補助体を形成する工程と、前記絶縁粒子を分散させた封止樹脂の液状材料を前記半導体装置と前記被実装面との間に介在させた状態で、前記端子電極部と前記接続電極部とを位置合わせして、前記半導体装置を前記被実装面に当接配置する工程と、前記半導体装置を前記被実装面に対して密着する方向に相対加圧する工程と、前記液状材料を硬化させて樹脂化させる工程とを含み、前記接続補助体の形成工程は、金属ワイヤの一端側を前記接続電極部もしくは前記端子電極部に熱圧接する工程と、熱圧接させた前記金属ワイヤの他端側を熱圧接位置から上昇移動させたのち再度熱圧接位置まで下降移動させて熱圧接位置に再度熱圧接する工程と、熱圧接位置から金属ワイヤの他端側を分離することで熱圧接位置に残存する金属ワイヤの環状体からなる接続補助体を形成する工程とを含むことに特徴を有している。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１記載の発明は、端子電極部を有する半導体装置を、その端子電極部形成面を被実装面に当接させて実装する半導体装置の実装方法であって、前記被実装面に設けられた接続電極部と、前記端子電極部とのうちの一方に、他方より柔らかい導電材料からなり先端が封止樹脂の液状材料中に分散させた絶縁粒子を押し除けながら前記液状材料を貫通する程度に尖鋭な接続補助体を形成する工程と、前記絶縁粒子を分散させた封止樹脂の液状材料を前記半導体装置と前記被実装面との間に介在させた状態で、前記端子電極部と前記接続電極部とを位置合わせして、前記半導体装置を前記被実装面に当接配置する工程と、前記半導体装置を前記被実装面に対して密着する方向に相対加圧する工程と、前記液状材料を硬化させて樹脂化させる工程とを含み、前記接続補助体の形成工程は、金属ワイヤの一端側を前記接続電極部もしくは前記端子電極部に熱圧接する工程と、熱圧接させた前記金属ワイヤの他端側を熱圧接位置から上昇移動させたのち再度熱圧接位置まで下降移動させて熱圧接位置に再度熱圧接する工程と、熱圧接位置から金属ワイヤの他端側を分離することで熱圧接位置に残存する金属ワイヤの環状体からなる接続補助体を形成する工程とを含むことに特徴を有しており、これにより次のような作用を有する。
【００１３】
すなわち、接続補助体は、その先端が尖鋭なために、絶縁粒子を押し除けながら液状材料を貫通して接続電極部と端子電極部とのうちの他方（接続補助体が設けられていない方）に達する。さらには、前記他方に達した接続補助体の先端は前記他方に当接する際、ほとんど点接触の状態となって当接する。このような理由により、接続補助体と前記他方との間に絶縁粒子が挟み込まれることはなく、両者は確実に介在物（絶縁粒子）なしに当接し合って良好な電気的接続が実現されることになる。さらには、接続補助体は前記他方との当接により、押し潰されて前記他方の表面で平坦化するため、接続補助体と前記他方との間の当接面積は点から面に拡大して両者の電気的接続はさらに良好なものになる。さらに、接続補助体を比較的簡単に作製することができるようになる。
【００１８】
本発明の請求項２に記載の発明は、請求項１に係る半導体装置の実装方法であって、前記接続補助体の先端を、微視的にある曲率半径を持った球にすることに特徴を有しており、これにより次のような作用を有する。
【００１９】
すなわち、接続補助体の先端が微視的にある曲率半径を持った球状をしているので、接続補助体が接続電極部と端子電極部とのうちの他方（接続補助体が設けられていない方）に当接する際には、接続補助体は前記他方に対して確実に点接触することになる。そのため、前記両者が当接する際に、絶縁粒子は確実に左右に押し除けられて、両者の間に絶縁粒子が介在することがなくなり、電気的接続はさらに良好なものになる。
【００２８】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【００２９】
実施の形態１
図１は本発明の実施の形態１に関わる半導体装置の実装構造を示す断面図であり、図２は、その製造方法の各工程を示す図である。
【００３０】
この半導体装置の実装構造は半導体装置１と、回路基板４と、封止樹脂１１とを備えている。半導体装置１の図中下側に位置する面（以下、端子電極部形成面という）１ａには、この半導体装置１を外部に接続するための端子電極２が設けられている。端子電極２の上には本発明の特徴である接続補助体を構成する尖鋭バンプ２０が設けられており、端子電極２と尖鋭バンプ２０とから半導体装置１の端子電極部２１が構成されている。回路基板４の被実装面４ａには、接続電極部５が設けられており、尖鋭バンプ２０が接続電極部５に当接することで、端子電極部２１は接続電極部５に電気的に接続されている。封止樹脂１１は、熱または光硬化性樹脂１２に球状の絶縁粒子１３（例えば、平均粒経１０μｍの球状シリカから構成されている）を分散混合することで構成されており、半導体装置１と回路基板４との間の間隙２２に充填配置されている。
【００３１】
次に本実施の形態の特徴となる構成を説明する。この実装構造では、半導体装置１に設けられた尖鋭バンプ２０は、先端になる程尖鋭となった形状を有しており、さらには、尖鋭バンプ２０の先端の幅は絶縁粒子１３の平均粒経（上述した例では１０μｍ）より小さくなっている。
【００３２】
また、尖鋭バンプ２０は、回路基板４の接続電極部５を構成する導電材料より柔らかな導電材料によって構成されている。例えば、接続電極部５の表面部位がニッケルから構成されている場合には、ニッケルより柔らかい金といった導電材料から尖鋭バンプ２０は構成されている。
【００３３】
なお、図１では、尖鋭バンプ２０を錐形状としているが、これは、その構造的特徴を明確にするためにその形状の一例として錐形状を例示しているだけであって、尖鋭バンプ２０の形状はこれに限るものでないのはいうまでもない。
【００３４】
そして、半導体装置１と回路基板４との間に封止樹脂１１を介在させ、かつ尖鋭バンプ２０を接続電極部５に当接させた状態で、半導体装置１と回路基板４とを互いに圧接させ、さらにこの状態で封止樹脂１１を固化させることにより半導体装置１と回路基板４とを一体的に固定することで、本実施の形態の実装構造が構成されている。
【００３５】
このような本実施の形態の半導体装置の実装構造においては、尖鋭バンプ２０の先端を尖鋭としたために、接続電極部５との接続に際して、接続電極部５と尖鋭バンプ２０との間に絶縁粒子１３を挟み込むことはなく、両者の電気的接続は強固なものとなっている。さらには、尖鋭バンプ２０の先端の幅を絶縁粒子１３の平均粒経より小さくしているので、絶縁粒子１３をさらに確実に左右に押し除けることができ、両者の間の電気的接続はさらに良好なものになっている。
【００３６】
ところで、本実施の形態では、図１に示すように、尖鋭バンプ２０の先端は多少、平坦化しているが、これは、次のような理由によっている。すなわち、この実装構造を構成するには、尖鋭バンプ２０を接続電極部５に当接させた状態で、半導体装置１を回路基板４の圧接させることで、端子電極部２１と接続電極部５との電気的導通を図っている。ここで、本実施の形態では、接続電極部５を構成する導電材料より柔らかな導電材料から尖鋭バンプ２０を構成している。そのため、接続電極部５に圧接した尖鋭バンプ２０は、接続電極部５により押し潰されて先端が平坦化している。これにより、尖鋭バンプ２０と接続電極部５との当接面積が増大して両者の電気的接続はさらに良好なものとなっている。
【００３７】
なお、尖鋭バンプ２０が平坦化することで、尖鋭バンプ２０と接続電極部５との間に封止樹脂１１中の絶縁粒子１３が挟み込まれることが危惧される。しかしながら、絶縁粒子１３が挟み込まれるのは、尖鋭バンプ２０と接続電極部５とが当接する時点であって、この時点においては、尖鋭バンプ２０の先端は押し潰されることなく尖鋭状態を維持している。そのため、尖鋭バンプ２０は接続電極部５に対してほとんど点接触したのち、接続電極部５との当接により押し潰されて平坦化することになって、尖鋭バンプ２０と接続電極部５との間に絶縁粒子８が挟み込まれることはなく、両者は確実に介在物（絶縁粒子）なしに当接し合って良好な電気的接続が実現されることになる。
【００３８】
以下、このような構成を有する半導体装置の実装構造の製造方法（実装方法）について、図２を参照しながら説明する。
【００３９】
まず、図２（ａ）に示すように、半導体装置１の端子電極２に、回路基板４の接続電極部５より柔らかい導電材料から構成された尖鋭バンプ２０を形成する。このとき、尖鋭バンプ２０の先端の幅が絶縁粒子１３の平均粒経（上述した球状シリカからなる絶縁粒子１３で１０μｍ）より小さくなるように尖鋭化する。
【００４０】
このような尖鋭バンプ２０は例えば、次のように形成することができる。すなわち、図３（ａ）に示すように、金ワイヤ等の金属ワイヤ３０の一端３０ａを端子電極２に熱圧接したのち、図３（ｂ）に示すように、金属ワイヤ３０の他端３０ｂを熱圧接位置３１から上昇移動させて引きちぎることで熱圧接位置３１に残存する金属ワイヤ片を、端子電極部２１の上方に突出させる。このような金属ワイヤ３０の引きちぎりにより、引きちぎり先端の幅を、絶縁粒子１３の平均粒経以下といった極めて狭いものにすることができる。以上のようにして残存させた金属ワイヤ片が尖鋭バンプ２０となる。
【００４１】
尖鋭バンプ２０を形成する一方、回路基板４上に、封止樹脂１１の液状材料３４を塗布する。液状材料３４は、未硬化状態の熱または光硬化性樹脂１２’に絶縁粒子１３を分散混合して構成されている。なお、液状材料３４の代わりに、絶縁粒子１３が分散されているシート状の封止材料を用いてもよい。
【００４２】
次いで、半導体装置１をフェースダウンにして端子電極部２１が回路基板４上の接続電極部５にくるよう位置合わせを行い、回路基板４の上に半導体装置１を搭載する。そして、半導体装置１の背面を加圧ツール８により加圧することにより、液状材料３４を押し広げさせて、半導体装置１と回路基板４との間隙に充填させる。このとき、尖鋭バンプ２０の先端が尖鋭（絶縁粒子１３の平均粒経以下）なため、尖鋭バンプ２０と接続電極部５との間には絶縁粒子１３が噛んでしまうことなく、搭載することができる。また尖鋭バンプ２０が接続電極部５に当接した際、接続電極部５により、尖鋭バンプ２０の先端を平坦化させることで、尖鋭バンプ２０と接続電極部５との接触面積を増大させ、両者の電気的接続を良好なものにして接続抵抗値を減少させる。
【００４３】
次に、突起電極部２１と接続電極部５との接続を保持した状態で、半導体装置１と回路基板４とを１５０℃程度の温度で加熱する、もしくは紫外線を照射することにより、液状材料３４を硬化させて封止樹脂１１とする。このとき、加圧ヘッド８に熱を加える機能を付加させておき、実装時において半導体装置１の背面から加圧するのと同時に加熱し、液状材料３４を硬化させてもよい。
【００４４】
参考例
図４は本発明の参考例に関わる半導体装置の実装構造を示す断面図であり、図５は、その製造方法の各工程を示す図である。
【００４５】
この半導体装置の実装構造は基本的には実施の形態１と同様の構成を備えている。そのため、同一ないし同様の部分には同一の符号を付しており、それらについての詳細な説明は省略する。
【００４６】
次に本参考例の特徴となる構成を説明する。この実装構造では、半導体装置１の端子電極部４１は、端子電極２と、尖鋭バンプ４０とにより構成されている。尖鋭バンプ４０は先端になる程尖鋭となった形状を有しており、さらには、尖鋭バンプ２０の先端の幅は絶縁粒子１３の平均粒経（本参考例では、実施の形態１と同様、１０μｍ）より小さくなっている。
【００４７】
また、尖鋭バンプ４０は回路基板４の接続電極部５を構成する導電材料より硬い導電材料によって構成されている。例えば、接続電極部５の表面部位が金から構成されている場合には、金より硬いニッケルといった導電材料から尖鋭バンプ４０は構成されている。
【００４８】
そして、半導体装置１と回路基板４との間に封止樹脂１１を介在させ、かつ尖鋭バンプ４０を接続電極部５に当接させた状態で、半導体装置１と回路基板４とを互いに圧接させ、さらにこの状態で封止樹脂１１を固化させることにより半導体装置１と回路基板４とを一体的に固定することで、実装構造が構成されている。
【００４９】
このような本参考例の半導体装置の実装構造においては、尖鋭バンプ４０の先端を尖鋭としたために、接続電極部５との接続に際して、接続電極部５と尖鋭バンプ４０との間に封止樹脂１１を挟み込むことはなく、両者の電気的接続は強固なものとなっている。さらには、尖鋭バンプ４０の先端の幅を絶縁粒子１３の平均粒経より小さくしているので、絶縁粒子１をさらに確実に左右に押し除けることができ、両者の間の電気的接続はさらに良好なものになっている。
【００５０】
ところで、本参考例では、図４に示すように、尖鋭バンプ４０の先端は多少接続電極部５の内部に食い込んでいるが、これは、次のような理由によっている。すなわち、この実装構造を構成するには、尖鋭バンプ４０を接続電極部５に当接させた状態で、半導体装置１を回路基板４に圧接させることで、端子電極部４１と接続電極部５との電気的導通を図っている。ここで、本参考例では、接続電極部５を構成する導電材料より硬い導電材料から尖鋭バンプ４０を構成している。そのため、接続電極部５に圧接した尖鋭バンプ４０は、接続電極部５との当接により、接続電極部５の表面を押し潰して、その内部に食い込んでいる。これにより、尖鋭バンプ４０と接続電極部５とは、強固に機械的連結し合って、両者の電気的接続はさらに良好なものなっている。さらには、尖鋭バンプ４０が接続電極部５の表面を押し潰してその内部に食い込んでいるので、尖鋭バンプ４０と接続電極部５との間の機械的接続強度（特に平面方向に沿った応力や外力に対する機械的接続強度）は強固なものとなっている。そのため、高温において封止樹脂１１と半導体装置１および回路基板４との熱膨張係数のミスマッチによる応力が尖鋭バンプ４０と接続電極部５との間に加わったとしても、両者の機械的接続強度が維持される結果、電気的接続は良好な状態で保持される。
【００５１】
以下、このような構成を有する半導体装置の実装構造の製造方法（実装方法）について、図５を参照しながら説明する。
【００５２】
まず、図５（ａ）に示すように、半導体装置１の端子電極２に、回路基板４の接続電極部５より堅い導電材料（接続電極部５の表面部位が金から構成されている場合には、例えば、ニッケル）から構成された尖鋭バンプ４０を形成する。ここで、尖鋭バンプ４０を、その先端の幅が絶縁粒子１３の平均粒経（上述した球状シリカからなる絶縁粒子１３で１０μｍ）より小さくなるように尖鋭化する。このような尖鋭バンプ４０の構成は、図３を参照して実施の形態１で説明した尖鋭バンプ２０と同様の方法により作製できる。
【００５３】
尖鋭バンプ４０を形成したのち、回路基板４上に、封止樹脂１１の液状材料３４を塗布する。液状材料３４は、未硬化状態の熱または光硬化性樹脂１２’に絶縁粒子１３を分散混合して構成されている。なお、液状材料３４の代わりに、絶縁粒子１３が分散されているシート状の封止材料を用いてもよい。
【００５４】
次いで、図５（ｂ）に示すように、半導体装置１をフェースダウンにして端子電極部２１が回路基板４上の接続電極部５にくるよう位置合わせを行い、回路基板４の上に半導体装置１を搭載する。そして、半導体装置１の背面を加圧ツール８により加圧することにより、液状材料３４を押し広げさせて、半導体装置１と回路基板４との間隙に充填させる。このとき、尖鋭バンプ４０の先端が尖鋭（絶縁粒子１３の平均粒経以下）なため、尖鋭バンプ４０と接続電極部５との間には絶縁粒子１３が噛んでしまうことなく、搭載することができる。また尖鋭バンプ４０が接続電極部５に当接した際、尖鋭バンプ４０が接続電極部５の内部に食い込むことで、尖鋭バンプ４０と接続電極部５との機械的接続強度は強固なものとなり、両者の電気的接続は良好になって接続抵抗値は減少する。さらには、尖鋭バンプ４０と接続電極部５との機械的接続強度（特に平面方向に沿った応力や外力に対する機械的接続強度）が強固なものとなるため、高温において、封止樹脂１１と半導体装置１および回路基板４との熱膨張係数のミスマッチによる応力が尖鋭バンプ４０と接続電極部５との間に加わったとしても、両者の機械的接続強度が維持される結果、電気的接続は良好な状態で保持される。
【００５５】
次に、突起電極部４１と接続電極部５との接続を保持した状態で半導体装置１と回路基板４とを１５０℃程度の温度で加熱する、もしくは紫外線を照射することにより、液状材料３４を硬化させて封止樹脂１１とする。このとき、加圧ヘッド８に熱を加える機能を付加させておき、実装時において半導体装置１の背面から加圧するのと同時に加熱し、液状材料３４を硬化させてもよい。
【００５６】
また、上述した実施の形態１，参考例では、尖鋭バンプ２０，４０は、図３に示す方法により作製することで、先端にいく程尖鋭となる形状とした。しかしながら、尖鋭バンプの先端形状は、微視的にある曲率半径を持った球の一部と同様の形状にしても同様の効果（絶縁粒子１３の挟み込み防止効果）を得ることができる。このような尖鋭バンプ２０'、４０'は、次のように作製できる。
【００５７】
すなわち、図６（ａ）に示すように、金ワイヤ等の金属ワイヤ３２の一端３２ａを端子電極２に熱圧接する。次に、金属ワイヤ３２の他端側３２ｂを熱圧接位置３３から上昇移動させたのち、再度熱圧接位置３３まで下降移動させる。次に、図６（ｂ）に示すように、下降移動させた金属ワイヤ３２の他端３２ｂを熱圧接位置３３に再度熱圧接する。次に、図６（ｃ）に示すように、熱圧接位置３３から金属ワイヤ３０の他端３２ｂを引きちぎることで熱圧接位置に残存する金属ワイヤ片の環状体からなる尖鋭バンプ２０’、４０’を形成する。このように作製した尖鋭バンプ２０’、４０’はその環状体形状の頂点αにおいて、微視的にある曲率半径を持った球の一部と同様の形状となる。
【００５８】
なお、上述した実施の形態１，参考例では、尖鋭バンプ２０，４０を、半導体装置１の端子電極部２１，４１側に設けていたが、尖鋭バンプ２０，４０を、回路基板４の接続電極部５側に設けても同様の効果が得られるのはいうまでもない。
【００５９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、半導体装置の端子電極部と被実装面の接続電極部とのうちのいずれか一方に、先端が尖鋭な接続補助体を設けたことにより、封止樹脂中の絶縁粒子を、端子電極部と接続電極部との間に噛んでしまうことなく半導体装置を実装することができるようになった。これにより、半導体装置の実装構造の接続不良を防止してその電気的特性を向上させることができるうえ、接続不良の発生に起因する生産性の悪化を抑制することができた。
【００６０】
さらには、このような絶縁粒子の噛み込み防止効果は、封止樹脂に含まれる絶縁粒子の含有量にほとんどかかわることなく得られるので、本発明を実施すれば、従来では接続不良の原因となるために行わなかった絶縁粒子の増量が可能となった。そのため、絶縁粒子を多量に含有することで、熱膨張率が大幅に小さくなった封止樹脂の使用が可能になった。これにより、封止樹脂の硬化時の応力に起因する電気的接続箇所の損傷を確実に防止することができて、半導体装置の実装構造の信頼性を増大させることができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１の半導体装置の実装構造を示す要部断面図である。
【図２】実施の形態１の半導体装置の実装構造を作製する方法の各工程を示す断面図である。
【図３】本発明の半導体装置の実装構造を構成する接続補助体である尖鋭バンプの製造方法の一例の各工程を示す断面図である。
【図４】本発明の参考例の半導体装置の実装構造を示す要部拡大図である。
【図５】参考例の半導体装置の実装構造を作製する方法の各工程を示す断面図である。
【図６】本発明の半導体装置の実装構造を構成する接続補助体である尖鋭バンプの他の例の構成およびその製造方法を示す要部拡大図である。
【図７】従来の半導体装置の実装構造を作製する方法の各工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１  半導体装置
１ａ  端子電極形成面
２  端子電極
４  回路基板
４ａ  被実装面
５  接続電極部
１１  封止樹脂
１２  光硬化性樹脂
１３  絶縁粒子
２０  尖鋭バンプ
２１  端子電極部
４０  尖鋭バンプ
４１  端子電極部
【図１】
0004106140.tif 000002
【図２】
0004106140.tif 000003
【図３】
0004106140.tif 000004
【図４】
0004106140.tif 000005
【図５】
0004106140.tif 000006
【図６】
0004106140.tif 000007
【図７】
0004106140.tif 000008