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【手続補正書】
【提出日】平成20年1月29日(2008.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属元素を含み、結晶構造を有する第１の半導体膜の表面にバリア層を形成し、
前記バリア層上に第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜上に希ガス元素を含む第３の半導体膜を形成し、
前記第３の半導体膜に前記金属元素をゲッタリングして、前記結晶構造を有する第１の半導体膜中の前記金属元素を低減し、
前記バリア層をエッチングストッパーとして用いて、前記第２の半導体膜及び前記第３の半導体膜を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
非晶質構造を有する第１の半導体膜に金属元素を添加し、
前記第１の半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する第１の半導体膜を形成し、
前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面にバリア層を形成し、
前記バリア層上に第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜上に希ガス元素を含む第３の半導体膜を形成し、
前記第３の半導体膜に前記金属元素をゲッタリングして、前記結晶構造を有する第１の半導体膜中の前記金属元素を低減し、
前記バリア層をエッチングストッパーとして用いて、前記第２の半導体膜及び前記第３の半導体膜を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第３の半導体膜に、前記希ガス元素を１×１０１９〜１×１０２２／ｃｍ３の濃度で添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記第３の半導体膜に、さらに希ガス元素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
非晶質構造を有する第１の半導体膜に金属元素を添加し、
前記第１の半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する第１の半導体膜を形成し、
前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面にバリア層を形成し、
前記バリア層上に第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜上に第３の半導体膜を形成し、
前記第３の半導体膜に希ガス元素を添加し、
前記第３の半導体膜に前記金属元素をゲッタリングして、前記結晶構造を有する第１の半導体膜中の前記金属元素を低減し、
前記バリア層をエッチングストッパーとして用いて、前記第２の半導体膜及び前記第３の半導体膜を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第３の半導体膜に、さらにＯ、Ｏ２、Ｐ、Ｈ、Ｈ２から選ばれた一種または複数種を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
金属元素を含み、結晶構造を有する第１の半導体膜の表面にバリア層を形成し、
前記バリア層上に第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜の上層に希ガス元素を添加し、
前記第２の半導体膜の上層に前記金属元素をゲッタリングして、前記結晶構造を有する第１の半導体膜中の前記金属元素を低減し、
前記バリア層をエッチングストッパーとして用いて、前記第２の半導体膜を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
非晶質構造を有する第１の半導体膜に金属元素を添加し、
前記第１の半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する第１の半導体膜を形成し、
前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面にバリア層を形成し、
前記バリア層上に第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜の上層に希ガス元素を添加し、
前記第２の半導体膜の上層に前記金属元素をゲッタリングして、前記結晶構造を有する第１の半導体膜中の前記金属元素を低減し、
前記バリア層をエッチングストッパーとして用いて、前記第２の半導体膜を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項７または請求項８において、
前記第２の半導体膜の上層に、前記希ガス元素を１×１０１９〜１×１０２２／ｃｍ３の濃度で添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項７乃至請求項９のいずれか一項において、
前記第２の半導体膜の上層に、さらにＯ、Ｏ２、Ｐ、Ｈ、Ｈ２から選ばれた一種または複数種を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項２、請求項５、請求項８のいずれか一項において、
加熱処理、強光を照射する処理、またはレーザー光を照射する処理の内、いずれか一の処理、もしくはこれらを組み合わせた処理によって、前記第１の半導体膜を結晶化させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
加熱処理または強光を照射する処理によって、前記金属元素をゲッタリングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１１または請求項１２において、
前記強光は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、または高圧水銀ランプから射出された光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記金属元素は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記バリア層を、オゾンを含む溶液で前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面を酸化することによって形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記バリア層を、紫外線の照射で前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面を酸化することによって形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１６のいずれか一項において、
前記希ガス元素は、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月29日(2008.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属元素を含み、結晶構造を有する第１の半導体膜の表面にバリア層を形成し、
前記バリア層上に第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜上に一導電型の不純物元素を含む第３の半導体膜を形成し、
前記第３の半導体膜に前記金属元素をゲッタリングして、前記結晶構造を有する第１の半導体膜中の前記金属元素を低減し、
前記バリア層をエッチングストッパーとして用いて、前記第２の半導体膜及び前記第３の半導体膜を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
非晶質構造を有する第１の半導体膜に金属元素を添加し、
前記第１の半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する第１の半導体膜を形成し、
前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面にバリア層を形成し、
前記バリア層上に第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜上に一導電型の不純物元素を含む第３の半導体膜を形成し、
前記第３の半導体膜に前記金属元素をゲッタリングして、前記結晶構造を有する第１の半導体膜中の前記金属元素を低減し、
前記バリア層をエッチングストッパーとして用いて、前記第２の半導体膜及び前記第３の半導体膜を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
非晶質構造を有する第１の半導体膜に金属元素を添加し、
前記第１の半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する第１の半導体膜を形成し、
前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面にバリア層を形成し、
前記バリア層上に第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜上に半導体膜を成膜した後、該半導体膜に一導電型の不純物元素を添加することによって、一導電型の不純物元素を含む第３の半導体膜を形成し、
前記第３の半導体膜に前記金属元素をゲッタリングして、前記結晶構造を有する第１の半導体膜中の前記金属元素を低減し、
前記バリア層をエッチングストッパーとして用いて、前記第２の半導体膜及び前記第３の半導体膜を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記一導電型の不純物元素を含む前記第３の半導体膜を形成した後、前記一導電型の不純物元素と同じ導電型の不純物元素を前記第３の半導体膜にさらに添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記一導電型の不純物元素を含む前記第３の半導体膜を形成した後、前記一導電型の不純物元素と同じ導電型の不純物元素、及び希ガス元素、Ｏ、Ｏ２、Ｈ、Ｈ２から選ばれた一種または複数種を前記第３の半導体膜にさらに添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記一導電型の不純物元素を含む前記第３の半導体膜を形成した後、希ガス元素を前記第３の半導体膜にさらに添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
金属元素を含み、結晶構造を有する第１の半導体膜の表面にバリア層を形成し、
前記バリア層上に第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜の上層に一導電型の不純物元素を添加し、
前記第２の半導体膜の上層に前記金属元素をゲッタリングして、前記結晶構造を有する第１の半導体膜中の前記金属元素を低減し、
前記バリア層をエッチングストッパーとして用いて、前記第２の半導体膜を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
非晶質構造を有する第１の半導体膜に金属元素を添加し、
前記第１の半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する第１の半導体膜を形成し、
前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面にバリア層を形成し、
前記バリア層上に第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜の上層に一導電型の不純物元素を添加し、
前記第２の半導体膜の上層に前記金属元素をゲッタリングして、前記結晶構造を有する第１の半導体膜中の前記金属元素を低減し、
前記バリア層をエッチングストッパーとして用いて、前記第２の半導体膜を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項２、３、または８において、加熱処理、強光を照射する処理、またはレーザー光を照射する処理の内、いずれか一の処理、またはこれらを組み合わせた処理によって、前記第１の半導体膜を結晶化させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、加熱処理または強光を照射する処理によって、前記金属元素をゲッタリングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項９または１０において、前記強光は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、または高圧水銀ランプから射出された光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、前記バリア層を、オゾンを含む溶液で前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面を酸化することによって形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１１のいずれか一において、前記バリア層を、酸素を含む雰囲気下での紫外線の照射により前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面を酸化することによって形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一において、前記一導電型の不純物元素は周期表１５族元素または周期表１３族元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか一において、前記金属元素はＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月19日(2008.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】露光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光源装置からの照明光で感光基板を露光する露光装置において、
前記光源装置は、前記照明光の光源としての放電ランプと、前記放電ランプからの照明光が入射するオプティカル・インテグレータと、を有し、
前記オプティカル・インテグレータは、複数の単レンズで構成され、
前記オプティカル・インテグレータにまたはその近傍に、電磁ノイズをシールドするシールド・フレームが設けられており、
そのシールド・フレームは、前記単レンズの配置と同一ピッチの網目状に整形されていることを特徴とする露光装置。
【請求項２】  前記シールド・フレームは、前記オプティカル・インテグレータの内部に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】  前記シールド・フレームは、前記オプティカル・インテグレータの入射面側または出射面側に設けられ、前記単レンズの継ぎ目部分に対応する位置に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項４】  前記シールド・フレームは、導電材料を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項５】  前記オプティカル・インテグレータは、フライアイ・レンズであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の露光装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、上記各問題点に鑑みてなされたものであり、構造および制御の複雑化や駆動機構による環境の汚染を防止するとともに排気効率の不連続性を防止し、放電ランプを点灯する際に発生する電磁ノイズを、透光性のオプティカル・インテグレータによって光源装置の内部から放出されることを防止する露光装置を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の露光装置は、光源装置からの照明光で感光基板を露光する露光装置において、前記光源装置は、前記照明光の光源としての放電ランプと、前記放電ランプからの照明光が入射するオプティカル・インテグレータと、を有し、前記オプティカル・インテグレータは、複数の単レンズで構成され、前記オプティカル・インテグレータにまたはその近傍に、電磁ノイズをシールドするシールド・フレームが設けられており、そのシールド・フレームは、前記単レンズの配置と同一ピッチの網目状に整形されていることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
次に、集光ミラー２によって当該ミラーの第２焦点位置に集光された照明光に対して、その集光点近傍には、シャッタ羽根駆動用のモータ５によって開閉されるシャッタ羽根４が照明光の光軸に対して概ね４５度の角度で挿入され、照明光の通過を制御する。シャッタ羽根４が開放状態にある場合は、照明光は光路変更ミラー３により光路変更がなされ、コリメータ・レンズ６を介することにより概ね平行な光束に変換される。その後、バンドパスフィルタ４８によって露光に使用される波長のみを透過して、さらに視野絞り７を通過し、オプティカル・インテグレータであるフライアイ・レンズ１４に入射する。このオプティカル・インテグレータは、例えば図２に示すように複数の矩形柱ないしは六形柱形状の単レンズ８４を組み合わせて使用したものや、あるいは図３に示すようにシリンドリカル・レンズ８５または８６を縦又は横に複数個組み合わせて配置したもの等がある。本実施例では、説明を簡略化するために、矩形柱の単レンズ８４を組み合わせて使用したものとする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の露光装置によれば、駆動系や制御系を追加することによる装置構造および制御の複雑化や駆動機構による環境の汚染を防止するとともに光源装置の内部の排気効率の不連続性を防止し、放電ランプを点灯する際に発生する電磁ノイズが光源装置の内部から放出されることを防止することが可能となる。また、本発明のオプティカル・インテグレータによれば、電磁ノイズを封じ込めるためのシールド材を透光性の光学素子によって実現するため、電磁ノイズをシールドすることが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月26日(2007.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【作用】
本発明は上述の如く構成したものであるから、メンテナンス時等に、電流導入端子の端子先端チップと相手電極チップとが癒着し、分離しにくい状態であり、この分離のために大きな力が作用したり、端子先端チップと相手電極チップとの間に位置ズレを生じても、通電材とバネ材とのクラッド化によって、通電材がバネ材と連動することにより、通電材が局部的に大きな変形を生じることが無い。位置ズレ等はコイル状のクラッドバネ材全体で、一様な応力変形として吸収することが可能となり、通電材の無理な局部的な変形を防止することが可能となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【実施例】
以下本発明の一実施例を図面に於いて説明すれば、(２０)は相手電極チップで、シリコンウエハーをセットするテーブルに装着され銅材により形成されている。この相手電極チップ(２０)の下面は弧状凹部(２３)とし、電流導入端子(２４)の端子先端チップ(２５)に接続している。この端子先端チップ(２５)は、ステンレス材により形成し、電流導入端子(２４)を構成する筒状部品(２６)に、クラッドバネ材(２７)を介して接続している。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月15日(2008.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
ところで、従来のリチウムイオン二次電池では、γ−ブチロラクトンを非水電解液中に含有する場合、負極活物質として炭素粒子を用いると、充放電反応を繰り返すに伴い、非水電解液が継続的に分解され、可逆リチウム量の低下や電極剥離等により、電池特性が急激に劣化していた。また、プロピレンカーボネートを非水電解液中に含有する場合、負極活物質として炭素粒子を用いると、初回充電時における非水電解液の分解が激しいため、初充電時に容量ロスが生じてしまい、その容量ロス分だけ電池容量が低下していた。さらに、充放電反応を繰り返すと非水電解液が継続的に分解され、電池性能が低下していた。さらにまた、プロピレンカーボネートやγ−ブチロラクトンは、誘電率が高く、ポリマーの溶解性が高いことから、初充電時やその後の充放電サイクル中に負極２で形成される表面被膜を溶解させている可能性もあった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
ついで、負極合剤層を乾燥させ、さらにプレスすることにより、負極２を得る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
また、炭素粒子の真密度が２．０ｇ／ｃｃであるサンプル１−１，１−３のセルは、炭素粒子の真密度が２．０ｇ／ｃｃ未満であるサンプル１−５，１−７のセルと比較すると、初期電池効率の改善幅がより大きい。したがって、結晶性の高い炭素粒子の表面を水溶性ポリマーで被覆してなる負極活物質を用いることにより、初期電池効率に非常に優れる非水電解質電池を実現できることがわかる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月7日(2008.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】  請求項２記載の半導体装置であって、
前記ボディ領域ソース・ドレイン隣接部は、前記ボディ領域主要部の一端側に形成される第１のボディ領域ソース・ドレイン隣接部と、前記ボディ領域主要部の他端側に形成される第２のボディ領域ソース・ドレイン隣接部とを含み、
前記ゲート延設領域は、前記第１のボディ領域ソース・ドレイン隣接部近傍上に形成される第１のゲート延設領域と、前記第２のボディ領域ソース・ドレイン隣接部近傍上に形成される第１のゲート延設領域とを含む、
半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】  請求項２記載の半導体装置であって、
前記ボディ領域ソース・ドレイン隣接部は一のボディ領域ソース・ドレイン隣接部を含み、
前記ゲート延設領域は前記一のボディ領域ソース・ドレイン隣接部近傍上に形成される一のゲート延設領域を含む、
半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】  請求項２ないし請求項４のうち、いずれか１項に記載の半導体装置であって、
前記ゲート延在領域は、第２の導電型の不純物濃度が５×１０18cm-3以下のゲート延在領域を含む、
半導体装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項３の発明は請求項２記載の半導体装置であって、前記ボディ領域ソース・ドレイン隣接部は、前記ボディ領域主要部の一端側に形成される第１のボディ領域ソース・ドレイン隣接部と、前記ボディ領域主要部の他端側に形成される第２のボディ領域ソース・ドレイン隣接部とを含み、前記ゲート延設領域は、前記第１のボディ領域ソース・ドレイン隣接部近傍上に形成される第１のゲート延設領域と、前記第２のボディ領域ソース・ドレイン隣接部近傍上に形成される第１のゲート延設領域とを含む。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項４の発明は、請求項２記載の半導体装置であって、前記ボディ領域ソース・ドレイン隣接部は一のボディ領域ソース・ドレイン隣接部を含み、前記ゲート延設領域は前記一のボディ領域ソース・ドレイン隣接部近傍上に形成される一のゲート延設領域を含む。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項６の発明は、請求項２ないし請求項４のうち、いずれか１項に記載の半導体装置であって、前記ゲート延在領域は、第２の導電型の不純物濃度が５×１０18cm-3以下のゲート延在領域を含む。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
＜実施の形態１＞
（従来のＰＤＳＯＩ−ＭＯＳＦＥＴ）
図１は従来のＭＯＳトランジスタの一つであるＰＤ（Partially-Depleted）ＳＯＩ−ＭＯＳＦＥＴの一例を示す断面図であり、図２は従来のＰＤＳＯＩ−ＭＯＳＦＥＴの一例を示す平面図である。図２のＡ１−Ａ１断面が図１に相当する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
したがって、実施の形態１の半導体装置は、Ｈゲート電極構造にしてＰＤＳＯＩ−ＭＯＳＦＥＴの形成領域内にボディー領域１３，１３を設けることにより、図１及び図２で示した従来のＰＤＳＯＩ−ＭＯＳＦＥＴよりもボディ抵抗の低下を行うことができ安定性の良いボディ電位固定が可能となる。以下、この点を詳述する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
図１及び図２で示した従来のＰＤＳＯＩ−ＭＯＳＦＥＴでは、ボディ端子２５とチャネル領域とは部分分離直下の薄いｐウェル領域１１を介して電気的に接続されていたために、比較的ボディ抵抗が高く、ボディ端子２５からの距離でトランジスタ特性がバラツキ易い。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２４３】
請求項６記載の半導体装置において、ゲート延在領域は、第２の導電型の不純物濃度が５×１０18cm-3以下に抑えられているため、ＭＯＳトランジスタの閾値電圧のバラツキを抑制することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月19日(2007.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
このような番組を映像記録再生装置に記録しておいて再生した場合、同じシーンを２度見るのを避けるためには、視聴者が２度目の同じシーンを早送りしなければならない。この際、一度も見ていないシーンまで早送りをしてしまった場合には、巻き戻しをしなければならない。
なお、従来からＣＭ区間を精度よく検出する方法（特許文献１参照）や、再生時に単にコマーシャル部分をスキップさせる方法（特許文献２，３参照）は既に開発されている。
【特許文献１】特開２００３−４７０３１号公報
【特許文献２】特開２００３−３０９８１３号公報
【特許文献３】特開２００３−３１９３１４号公報
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月16日(2008.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
そのＰ型拡散領域５に隣接するように、ボディーとなるＮ型拡散領域７が形成されている。そのＮ型拡散領域７の表面にソースとなるＰ＋拡散領域１２が形成されている。そのＰ＋拡散領域１２とＰ型拡散領域５によって挟まれたＮ型拡散領域７の部分上に絶縁膜９を介在させて、ゲートとなる導電膜８が形成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
素子形成領域を覆うように絶縁膜１５が形成されている。その絶縁膜１５上にＰ＋拡散領域５に電気的に接続される電極２０が形成されている。また、Ｐ＋拡散領域１２に電気的に接続される電極２１が形成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
このようにして、Ｎ−層３からなる素子形成領域には、Ｐ＋拡散領域（ソース）１２、Ｐ＋拡散領域（ドレイン）５、導電膜（ゲート）８およびＮ型拡散領域（ボディ）７を含むｐチャネル型のＭＯＳトランジスタが形成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2006041476.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月29日(2008.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、及び有機物を含有する半導体を備えた電界効果トランジスタであって、
前記半導体は、第１の導電率を有する第１の層と、第２の導電率を有する第２の層とを含み、
前記第１の層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極から選ばれる少なくとも一方の電極と電気的に接触しており、
前記第１の導電率は、前記第２の導電率より高く、
前記第１の層及び前記第２の層は、第１のイオン性物質を含み、前記第２の層は、さらに第２のイオン性物質を含み、前記第１のイオン性物質の極性と、前記第２のイオン性物質の極性とは異なることを特徴とする電界効果トランジスタ。
【請求項２】
前記半導体はｐ型半導体であり、前記第１のイオン性物質はアニオン性物質であり、前記第２のイオン性物質はカチオン性物質である請求項１に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項３】
前記半導体はｎ型半導体であり、前記第１のイオン性物質はカチオン性物質であり、前記第２のイオン性物質はアニオン性物質である請求項１に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項４】
ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、及び有機物を含有する半導体を備えた電界効果トランジスタの製造方法であって、
第１のイオン性物質を含む半導体に、前記第１のイオン性物質の極性とは異なる極性を有する第２のイオン性物質を接触させることにより、前記半導体の一部に前記第２のイオン性物質を導入し、前記半導体に、前記第１のイオン性物質を含み且つソース電極及びドレイン電極から選ばれる少なくとも一方の電極に電気的に接触する第１の層と、前記第１のイオン性物質及び前記第２のイオン性物質を含む第２の層とを形成し、
前記第１の層の導電率を前記第２の層の導電率より高くすることを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項５】
前記半導体はｐ型半導体であり、前記第１のイオン性物質はアニオン性物質であり、前記第２のイオン性物質はカチオン性物質である請求項４に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項６】
前記半導体はｎ型半導体であり、前記第１のイオン性物質はカチオン性物質であり、前記第２のイオン性物質はアニオン性物質である請求項４に記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項７】
ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、及び有機物を含有する半導体を備えた電界効果トランジスタであって、
前記ソース電極およびドレイン電極は、第１のイオン性物質を含み、
前記半導体は、第１のイオン性物質および第２のイオン性物質を含み、
さらに、前記第１のイオン性物質の極性と、前記第２のイオン性物質の極性とは異なることを特徴とする電界効果トランジスタ。
【請求項８】
前記半導体はｐ型半導体であり、前記第１のイオン性物質はアニオン性物質であり、前記第２のイオン性物質はカチオン性物質である請求項７に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項９】
前記半導体はｎ型半導体であり、前記第１のイオン性物質はカチオン性物質であり、前記第２のイオン性物質はアニオン性物質である請求項７に記載の電界効果トランジスタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の電界効果トランジスタは、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、及び有機物を含有する半導体を備えた電界効果トランジスタであって、前記半導体は、第１の導電率を有する第１の層と、第２の導電率を有する第２の層とを含み、前記第１の層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極から選ばれる少なくとも一方の電極と電気的に接触しており、前記第１の導電率は、前記第２の導電率より高く、前記第１の層及び前記第２の層は、第１のイオン性物質を含み、前記第２の層は、さらに第２のイオン性物質を含み、前記第１のイオン性物質の極性と、前記第２のイオン性物質の極性とは異なることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月2日(2008.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】素子の転写方法及び素子の転写装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、転写元基板上に複数配列された素子を選択的に他の基板に転写する素子の転写方法及び素子の転写装置に関するものであり、特に基板上に形成された微細素子を、レーザービームを使用して高精度、高速度で転写できる素子の転写方法及び素子の転写装置に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
そこで本発明は、レーザーアブレーション技術を用いて基板上に配列された素子を選択的に剥離する際に、効率良くエネルギーを伝達して高精度且つ高速に素子の転写を行うことが可能な素子の転写方法及び素子の転写装置を提供することを目的とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月17日(2007.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理液により処理する液処理部と、
前記液処理部の上側に設けられ、前記基板を乾燥させる乾燥処理部と、
前記液処理部と前記乾燥処理部との間で基板を搬送する基板搬送装置と、
前記液処理部と前記乾燥処理部との間を開閉することができるように水平方向に移動自在であり、排液口が形成されたシャッタと、
前記排液口に接続された吸引機構と、
前記排液口の開口上に設けられ、前記吸引機構を動作させた際に、前記シャッタの上面に沿って流れて前記排液口に流入する流体流れを生じさせる吸引制御部材と、
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記排液口は、前記シャッタの略中心に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記吸引制御部材は略円錐形状であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記略円錐形状の吸引制御部材の外周端と前記シャッタの上面との間に形成される隙間は０．５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記排液口の開口径は、前記略円錐形状の吸引制御部材の外径よりも短いことを特徴とする請求項３または請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記シャッタの上面は略円錐状の凹面であり、前記排液口は前記凹面の最深部に設けられていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記吸引機構はアスピレータであることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記乾燥処理部に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、
前記乾燥処理部へ処理ガスの供給を開始し、所定時間が経過した後に前記排液口からの排液を開始し、その後所定時間経過後に前記処理ガスの供給を停止し、その後前記排液口からの排液を停止するように、前記処理ガス供給機構と前記吸引機構とを制御する制御装置と、
をさらに具備することを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記乾燥処理部に不活性ガスを供給する不活性ガス供給機構をさらに具備し、
前記制御装置は、前記乾燥処理部への処理ガスの供給開始と実質的に同時に前記乾燥処理部へ不活性ガスの供給を開始し、前記排液口からの排液を停止した後に前記不活性ガスの前記乾燥処理部への供給を停止するように、前記不活性ガス供給機構を制御し、
前記液処理部では基板の薬液処理および水洗処理が行われ、前記乾燥処理部では前記水洗処理後の基板の乾燥処理が前記処理ガスとしてイソプロピルアルコール蒸気を用いて行われることを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
基板を所定の処理液で処理する液処理部において基板を液処理する工程と、
前記液処理が終了した基板を前記液処理部の上方に設けられた乾燥処理部に引き上げる工程と、
前記液処理部と前記乾燥処理部との間をシャッタにより隔離する工程と、
前記乾燥処理部において前記基板を乾燥させる工程と、を有し、
前記基板の乾燥工程は、
前記乾燥処理部へ処理ガスの供給を開始する工程と、
前記処理ガスの供給を開始してから一定時間経過後に、前記シャッタに設けられた排液口を通して前記シャッタに落下した液体の吸引排液を開始する工程と、
前記排液口からの排液を開始してから所定時間経過後に前記処理ガスの供給を停止する工程と、
前記処理ガスの供給を停止してから所定時間経過後に前記排液口からの吸引排液を停止する工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１１】
前記基板の液処理には純水による水洗処理が含まれ、
前記乾燥工程においては、前記処理ガスとしてイソプロピルアルコール蒸気を用い、前記乾燥処理部へのイソプロピルアルコール蒸気の供給開始と実質的に同時に前記乾燥処理部への不活性ガスの供給をさらに開始し、前記排液口からの吸引排液を停止した後に、前記乾燥処理部への不活性ガスの供給を停止することを特徴とする請求項１０に記載の基板処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明によれば、基板を処理液により処理する液処理部と、
前記液処理部の上側に設けられ、前記基板を乾燥させる乾燥処理部と、
前記液処理部と前記乾燥処理部との間で基板を搬送する基板搬送装置と、
前記液処理部と前記乾燥処理部との間を開閉することができるように水平方向に移動自在であり、排液口が形成されたシャッタと、
前記排液口に接続された吸引機構と、
前記排液口の開口上に設けられ、前記吸引機構を動作させた際に、前記シャッタの上面に沿って流れて前記排液口に流入する流体流れを生じさせる吸引制御部材と、
を具備することを特徴とする基板処理装置、が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この基板処理装置において、前記排液口は、前記シャッタの略中心に形成されていることが好ましい。また、基板から吸引制御部材上に落下する液体が吸引制御部材上に残らないように、吸引制御部材としては略円錐形状のものが好適に用いられる。この略円錐形状の吸引制御部材の外周端とシャッタの上面との間に形成される隙間（つまり、開口の高さ）は０．５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下とすることが好ましい。また排液口の開口径は略円錐形状の吸引制御部材の外径よりも短いことが好ましい。シャッタの上面を略円錐状の凹面とし、排液口をその凹面の最深部に設けると、シャッタ上の液残りをさらに少なくすることができる。吸引機構としてはアスピレータが好適に用いられる。これにより一定の吸引が可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月7日(2008.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デュアル反応チャンバプラズマ処理装置であって、
真空排気可能な第１反応チャンバと、
第１高周波(RF)電源と、
第１反応チャンバにガスを導入するための第１シャワープレートであって、前記第１RF電源に接続されているところの第１シャワープレートと、
前記第１反応チャンバに存在するガスを通過させるための中間シャワープレートであって、前記第１シャワープレートから絶縁されているところの中間シャワープレートと、
筐体内の第１RFマッチング回路であって、前記第１シャワープレートに接続されており、前記筐体は前記中間シャワープレートに結合されており、前記第１RFマッチング回路を介して前記第１RF電源から前記第１シャワープレートへ印加されたRF電力は、中間シャワープレート及び前記第１RFマッチング回路用の筐体を介して前記第１RF電源に戻る、ところの第１RFマッチング回路と、
排気可能な第２反応チャンバと、
第２RF電源と、
被処理体を支持するための支持体であって、前記第２RF電源に第２マッチング回路を介して接続され、前記第２反応チャンバ内にガスを導入するように構成された前記中間シャワープレートとは絶縁されているところの支持体と、
筐体内の第２RFマッチング回路であって、前記支持体に接続されており、前記筐体は前記中間シャワープレートに結合されており、前記第２RFマッチング回路を介して前記第２RF電源から前記支持体へ印加されたRF電力は、前記中間シャワープレート及び第２RFマッチング回路用の筐体を介して第２RF電源に戻る、ところの第２RFマッチング回路と、
から成る装置。
【請求項２】
デュアル反応チャンバプラズマ処理装置であって、
排気可能な第１反応チャンバと、
第１高周波(RF)電源と、
第１反応チャンバ内にガスを導入するための第１シャワープレートであって、前記第１RF電源に接続されているところの第１シャワープレートと、
前記第１反応チャンバ内に存在するガスを通過させるための中間シャワープレートであって、前記第１シャワープレートから絶縁されているところの中間シャワープレートと、
筐体内の前記第１シャワープレートに接続された第１RFマッチング回路であって、前記筐体は前記中間シャワープレートに結合されており、前記第１RFマッチング回路を介して前記第１RF電源から前記第１シャワープレートへ印加されたRF電力は、中間シャワープレート、及び前記第１RFマッチング回路用の筐体を介して前記第１RF電源に戻る、ところの第１RFマッチング回路と、
排気可能な第２反応チャンバと、
第２RF電源と、
被処理体を支持するための支持体であって、前記第２RF電源に接続された支持体と、
第２ガスを導入しかつ第１反応チャンバ内に存在するガスを第２反応チャンバへ通過させるための中間シャワープレートであって、前記支持体から絶縁されているところの中間シャワープレートと、
筐体内の前記支持体に接続された第２RFマッチング回路であって、前記筐体は前記中間シャワープレートに結合されており、前記２RFマッチング回路を介して前記第２RF電源から前記支持体へ印加されたRF電力は、前記中間シャワープレート及び第２RFマッチング回路用の筐体を介して第２RF電源に戻る、ところの第２RFマッチング回路と、
から成る装置。
【請求項３】
デュアル反応チャンバプラズマ処理装置であって、
ガスが導入されるところの排気可能な第１反応チャンバと、
前記第１反応チャンバ内に配置され、前記第１反応チャンバから絶縁された第１シャワープレートと、
第１RFマッチングボックスを介して第１シャワープレートにRF電力を印加するための第１外部高周波(RF)電源及び第１RFマッチングボックスと、
ガスが導入されるところの排気可能な第２反応チャンバと、
被処理体を支持するために第２反応チャンバ内に設置された支持体と、
マッチングボックスを介して支持体へRF電力を印加するための第２外部RF電源及び第２RFマッチングボックスと、
から成り、
第１RF電源から第１シャワープレートへ印加されたRF電力及び第２RF電源から支持体へ印加されたRF電力は、それぞれ、第１反応チャンバの内壁表面及び第１RFマッチングボックスの内壁表面を経由して、及び第２反応チャンバの内壁表面及び第２RFマッチングボックスの内壁表面を経由して、第１及び第２RF電源へ戻る、ところの装置。
【請求項４】
デュアル反応チャンバプラズマ処理装置であって、
上部電極から印加されるRF波により生成されたプラズマ用の第１反応チャンバであって、ガス供給システムが結合されているところの第１反応チャンバと、
下部電極から印加されるRF波により生成されたプラズマ用の第２反応チャンバであって、被処理体が第２反応チャンバ内に配置され、ガス供給システム及びガス放電システムが第２反応チャンバへ結合されているところの第２反応チャンバと、
第１反応チャンバと第２反応チャンバとを分割するための導電体プレートであって、第１反応チャンバから第２反応チャンバへガスを通過させることができ、上部電極へ印加されたRF波及び下部電極へ印加されたRF波は独立に制御され、かつ導電体プレート、第１及び第２反応チャンバの導電体側壁を介してそれぞれ第１及び第２RF電源に戻るところの導電体プレートと、
から成る装置。
【請求項５】
デュアル反応チャンバプラズマ処理装置であって、
排気可能な第１反応チャンバと、
ガスを第１反応チャンバ内へ導入するための第１シャワープレートであって、第１シャワープレートから絶縁された第１導電シャーシにより密閉されているところの第１シャワープレートと、
第１反応チャンバ内に存在するガスを通過させるための中間シャワープレートであって、第１シャワープレートから絶縁されかつ第１導電シャーシへ接続されているところの中間シャワープレートと、
第１導電シャーシに結合されている筐体内の第１RFマッチング回路であって、第１シャワープレートに接続されている、ところの第１RFマッチング回路と、
排気可能な第２反応チャンバと、
被処理体を支持するための支持体であって、中間シャワープレートから絶縁されかつ支持体から絶縁された第２導電シャーシにより密閉されているところの支持体と、
第２導電シャーシに結合されている筐体内の第２RFマッチング回路であって、支持体に接続されているところの第２RFマッチング回路と、
から成る装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月31日(2008.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上の第１の領域と第２の領域に剥離層を形成し、
前記第２の領域の前記剥離層を除去し、
前記第１の領域の前記剥離層上と前記第２の領域の前記基板上に、絶縁膜を形成し、
前記第１の領域の前記絶縁膜上に、複数の素子と導電層を形成し、
前記第１の領域の前記絶縁膜に、前記剥離層が露出される開口部を形成し、
前記第１の領域の前記開口部にエッチング剤を導入して、前記剥離層を除去することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上の第１の領域と第２の領域に剥離層を形成し、
前記第１の領域の前記剥離層を選択的に除去し、
前記第２の領域の前記剥離層を除去し、
前記第１の領域と前記第２の領域の前記剥離層上に、絶縁膜を形成し、
前記第１の領域の前記絶縁膜上に、複数の素子と導電層を形成し、
前記第１の領域の前記絶縁膜に、前記剥離層が露出される開口部を形成し、
前記第１の領域の前記開口部にエッチング剤を導入して、前記剥離層を除去し、
前記第１の領域の前記剥離層を選択的に除去する工程では、前記第１の領域に含まれ前記複数の素子と前記導電層が設けられた第３の領域の前記剥離層は除去せず、前記第１の領域に含まれ前記開口部が設けられた第４の領域の前記剥離層は除去せず、前記第１の領域に含まれ前記第３の領域と前記第４の領域を除く第５の領域の前記剥離層を除去することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面を有する基板上の第１の領域と第２の領域に剥離層を形成し、
前記第１の領域の前記剥離層を選択的に除去し、
前記第２の領域の前記剥離層を除去し、
前記第１の領域と前記第２の領域の前記剥離層上に、絶縁膜を形成し、
前記第１の領域の前記絶縁膜上に、複数の素子と導電層を形成し、
前記第１の領域の前記絶縁膜に、前記剥離層が露出される開口部を形成し、
前記第１の領域の前記開口部にエッチング剤を導入して、前記剥離層を除去し、
前記第１の領域の前記剥離層を選択的に除去する工程では、前記第１の領域に含まれ前記複数の素子と前記導電層が設けられた第３の領域の前記剥離層は除去せず、前記第１の領域に含まれ前記開口部が設けられた第４の領域の前記剥離層は除去せず、前記第１の領域に含まれ前記第３の領域と前記第４の領域を除く第５の領域の前記剥離層を選択的に除去することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面を有する基板上の第１の領域と第２の領域に剥離層を形成し、
前記第１の領域の前記剥離層を選択的に除去し、
前記第２の領域の前記剥離層を除去し、
前記第１の領域と前記第２の領域の前記剥離層上に、絶縁膜を形成し、
前記第１の領域の前記絶縁膜上に、複数の素子と導電層を形成し、
前記第１の領域の前記絶縁膜に、前記剥離層が露出される開口部を形成し、
前記第１の領域の前記開口部にエッチング剤を導入して、前記剥離層を除去し、
前記第１の領域の前記剥離層を選択的に除去する工程では、前記第１の領域に含まれ前記複数の素子と前記導電層が設けられた第３の領域の前記剥離層を選択的に除去し、前記第１の領域に含まれ前記開口部が設けられた第４の領域の前記剥離層を除去しないことを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第２の領域の前記剥離層を選択的に除去することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項６】
請求項１において、
前記絶縁膜は、前記第１の領域の前記剥離層と前記第２の領域の前記基板に接するように、形成されることを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項７】
請求項２乃至請求項４のいずれか一項において、
前記絶縁膜は、前記第１の領域の前記基板及び前記剥離層と、前記第２の領域の前記基板に接するように、形成されることを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記エッチング剤は、フッ化ハロゲンを含む気体又は液体であることを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記導電層は、アンテナとして機能することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月3日(2008.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の結晶配向を有する下部半導体基板層を含む基板を設ける工程であって、前記下部半導体基板層が、第１の絶縁層によって第２の結晶配向を持つ上部半導体層から分離され、前記第１の結晶配向が前記第２の結晶配向とは異なる工程と、  前記下部半導体基板層の表面を露出させる少なくとも１つの開口を前記基板に形成する工程と、  前記少なくとも１つの開口の前記下部半導体基板層の前記露出表面上にエピタキシャル成長半導体材料を充填する工程であって、前記エピタキシャル成長半導体材料が前記第１の結晶配向と同じ結晶配向を有する工程と、  注入およびアニーリングにより、（ｉ）前記エピタキシャル成長半導体材料に第２の絶縁層を形成し、（ｉｉ）前記上部半導体層の下にある前記第１の絶縁層を厚くする工程と、  を含む集積半導体構造の形成方法。
【請求項２】
前記注入およびアニーリングした半導体材料を平坦化して、前記第１の結晶配向を有する前記エピタキシャル成長半導体材料が、実質的に共平面であり、前記上部半導体層の厚みと同一厚みである構造を設ける工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第１の結晶配向を有する下部半導体基板層を含む基板を設ける工程であって、前記下部半導体基板層が、第１の絶縁層によって第２の結晶配向を持つ上部半導体層から分離され、前記第１の結晶配向が前記第２の結晶配向とは異なる工程と、  前記下部半導体基板層の表面を露出させる少なくとも１つの開口を前記基板に形成する工程と、  前記少なくとも１つの開口の前記下部半導体基板層の前記露出表面上にエピタキシャル成長半導体材料を充填する工程であって、前記エピタキシャル成長半導体材料が前記第１の結晶配向と同じ結晶配向を有する工程と、  注入およびアニーリングにより、（ｉ）前記エピタキシャル成長半導体材料に第２の絶縁層を形成し、（ｉｉ）前記上部半導体層の下にある前記第１の絶縁層を厚くする工程と、  前記注入およびアニーリングした半導体材料を平坦化して、前記第１の結晶配向を有する前記残存エピタキシャル成長半導体材料が、実質的に共平面であり、前記上部半導体層の厚みと同一厚みである構造を設ける工程と、  を含む集積半導体構造の形成方法。
【請求項４】
前記下部半導体基板層をバルク半導体基板上に配置する、請求項１または３に記載の方法。
【請求項５】
前記下部半導体基板層を、副埋め込み絶縁体層上に配置し、前記注入およびアニーリングを用いて、前記副埋め込み絶縁体を、（ｉ）エピタキシャル成長半導体材料内に、かつ（ｉｉ）前記上部半導体層の下にある前記第１の絶縁層まで、上方に延在させる、請求項１または３に記載の方法。
【請求項６】
前記下部半導体基板層と前記上部半導体層を分離する前記第１の絶縁層を省いて、前記下部および上部半導体を半導体−半導体界面で直接接触させ、前記注入およびアニーリングを用いて、その上面が前記半導体−半導体界面またはこれより上にある埋め込み絶縁体を形成する、請求項１または３に記載の方法。
【請求項７】
前記下部半導体基板層を副埋め込み絶縁体層上に配置し、前記下部半導体基板層と前記上部半導体層を分離する前記第１の絶縁層を省いて、前記下部および上部半導体層を半導体−半導体界面で直接接触させ、前記注入およびアニーリングを用いて、前記副埋め込み絶縁体を、（ｉ）エピタキシャル成長半導体材料内に、かつ（ｉｉ）少なくとも前記半導体−半導体界面まで、上方に延在させる、請求項１または３に記載の方法。
【請求項８】
前記注入工程が酸素または窒素イオンを注入する工程を含む、請求項１または３に記載の方法。
【請求項９】
前記注入工程が第１のまたはベース・イオン注入工程を含む、請求項１または３に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１のまたはベース・イオン注入工程の後に第２のイオン注入工程をさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記アニーリングを、酸化性雰囲気中、約７００°〜約１４００℃の温度で行う、請求項１または３に記載の方法。
【請求項１２】
前記酸化性雰囲気が、必要に応じ不活性ガスで希釈できる酸素含有ガスを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記注入およびアニーリング工程が、前記注入工程の後に前記エピタキシャル成長半導体材料および前記上部半導体層の上にバリヤー層を堆積する工程と、前記アニーリングの後に前記バリヤー層を除去する工程とをさらに含む、請求項１または３に記載の方法。
【請求項１４】
前記バリヤー層が、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、およびシリコンからなる群から選択される材料の、１つまたは複数の層を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記バリヤー層の厚みが３０〜３００ｎｍの範囲である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記平坦化工程が、前記アニーリング中に形成された酸化物を選択的に除去する少なくとも１つのエッチング工程を含む、請求項１または３に記載の方法。
【請求項１７】
前記上部半導体層および前記エピタキシャル成長半導体層の上に、少なくとも１つのｐＦＥＴおよび少なくとも１つのｎＦＥＴを形成する工程をさらに含む、請求項１または３に記載の方法。
【請求項１８】
前記少なくとも１つのｐＦＥＴを（１１０）結晶面上に設置し、一方前記少なくとも１つのｎＦＥＴを（１００）結晶面上に設置する、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記上部半導体層が（１１０）面配向を有し、前記半導体材料が（１００）面配向を有する、請求項１または３に記載の方法。
【請求項２０】
前記（１１０）面上に少なくとも１つのｐＦＥＴを形成し、前記（１００）面上に少なくとも１つのｎＦＥＴを形成する工程をさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月30日(2008.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
図２（Ｃ）に示すように、図２（Ｂ）に示す一つのセクタ２１０は、第１の方向Ａにて８個のラージブロック２１２に分割されている。この各ラージブロック２１２は、図２（Ｄ）に示すように、第１の方向Ａにて８個のスモールブロック２１５に分割されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
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