(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
芳香族ヒドロキシ化合物、一酸化炭素及び酸素から、酸化的カルボニル化反応によリオリゴカーボネートを生成し、該オリゴカーボネートをエステル交換反応により高分子量化することを特徴とするポリカーボネートの製造方法。
【請求項２】
前記オリゴカーボネートを結晶化し、膨潤又は固相状態でエステル交換反応を行い高分子量化することを特徴とする請求項１に記載のポリカーボネートの製造方法。
【請求項３】
溶融状態でエステル交換反応を行い高分子量化することを特徴とする請求項１に記載のポリカーボネートの製造方法。
【請求項４】
酸化的カルボニル化反応触媒が、（ａ）パラジウム化合物と（ｂ）レドックス化合物とからなる触媒であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のポリカーボネートの製造方法。
【請求項５】
前記芳香族ヒドロキシ化合物が、二価ヒドロキシ化合物、又は二価ヒドロキシ化合物と一価フェノールとの混合物であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のポリカーボネートの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、エステル交換反応によるポリカーボネートの製造方法に関し、詳しくは、芳香族ヒドロキシ化合物、一酸化炭素及び酸素から、酸化的カルボニル化反応によリオリゴカーボネートを製造し、エステル交換反応により高分子量化することにより、少ない工程数で優れた品質のポリカーボネートの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ポリカーボネートは、透明性，耐熱性の他耐衝撃性にも優れ、いわゆるエンジニアリングプラスチックとして、現在、電気、電子、自動車、光学部品等の分野で広く使用されている。
一般に、ポリカーボネートの主要な製造方法としては、大きく分けて２種類の方法が知られており、そのひとつはビスフェノールＡなどの芳香族ジヒドロキシ化合物とホスゲンとを直接反応させる方法（界面法）であり、他はビスフェノールＡなどの芳香族ジヒドロキシ化合物とジフェニルカーボネートなどの炭酸ジエステルとを溶融状態、固相状態又は膨潤固相状態でエステル交換反応させる方法（溶融法、固相法又は膨潤固相法）であり、製造方法上の差は勿論、得られた重合体の諸物性にも差があることが知られ、各種条件、重合体の使用目的に合わせて上記製造方法は使い分けられている。
【０００３】
しかし、界面法は有毒なホスゲンを用いなければならないこと、副生する含塩素化合物（塩化水素、塩化ナトリウム等）による製造装置腐蝕に対する防止策が必要であること、重合体の物性に悪影響を及ぼす不純物（水酸化ナトリウム等）の分離が困難であることなど、問題点が多い。
また、エステル交換法は複雑な工程で原料の炭酸ジエステルを製造しなければならず、原料製造工程や副生物のリサイクル工程等を含めると製造工程全体として工程数が多く、経済的ではなかった。このため、簡便なポリカーボネートの製造方法の開発が求められていた。
【０００４】
この問題を解決しようとする例として、例えば特開昭５５−９２７３１号公報には、塩基及びセレン化合物の存在下で、芳香族ヒドロキシ化合物と一酸化炭素とを反応させるポリカーボネートの製造方法が開示されている。しかし、セレンは猛毒であることやこの反応が量論反応であることから大量のセレンが必要となり経済的ではないなどの問題があった。
また、特開昭５３−６８７４４号公報には、パラジウム／レドックス剤／ハロゲン化オニウム塩の触媒系を用いる方法が開示されている。しかし、この方法では重合度の低いオリゴマーしか得られないという問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は前記の課題を解決するためになされたもので、製造工程が少なく、経済的で、重合度が高く高分子量で、品質の優れたポリカーボネートの製造方法を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者は上記課題を解決するため、鋭意研究をした結果、酸化的カルボニル化反応によリ生成したオリゴマーを、エステル交換反応で高分子量化することにより前記課題を解決することを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は芳香族ヒドロキシ化合物、一酸化炭素及び酸素から、酸化的カルボニル化反応によリオリゴカーボネートを生成し、該オリゴカーボネートをエステル交換反応により高分子量化することを特徴とするポリカーボネートの製造方法を提供するものである。
【０００７】
この製造方法においては、前記オリゴカーボネートを結晶化し、膨潤又は固相状態でエステル交換反応を行い高分子量化することを特徴とすることが好ましい。また、溶融状態でエステル交換反応を行い高分子量化してもよい。
前記酸化的カルボニル化反応触媒は、（ａ）パラジウム化合物と（ｂ）レドックス化合物とからなる触媒であることが好ましい。
前記芳香族ヒドロキシ化合物は、二価ヒドロキシ化合物、又は二価ヒドロキシ化合物と一価フェノールとの混合物であることが好ましい。
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明のポリカーボネートの製造方法は、１．酸化的カルボニル化反応によるオリゴマー（オリゴカーボネート）の生成工程と、２．オリゴカーボネートの重合によるポリカーボネートの製造工程とからなり、各工程を以下に説明する。
【０００９】
１．オリゴマー（オリゴカーボネート）の生成工程
（１）原料
上記芳香族ヒドロキシ化合物の具体例として、以下に示す二価ヒドロキシ化合物、及び一価フェノールが挙げられる。
（Ａ）二価ヒドロキシ化合物
二価ヒドロキシ化合物としては、下記一般式（Ｉ）
【００１０】
【化１】
0004195145.tif 000002
【００１１】
で表される化合物を挙げることができる。
上記一般式（Ｉ）において、Ｒ3 及びＲ4 は、それぞれフッ素, 塩素, 臭素, ヨウ素のハロゲン原子又は炭素数１〜８のアルキル基、例えばメチル基, エチル基、ｎ−プロピル基, イソプロピル基, ｎ−ブチル基, イソブチル基，ｓｅｃ−ブチル基、t −ブチル基, ペンチル基、ヘキシル基, シクロヘキシル基，ヘプチル基, オクチル基などを示す。Ｒ3 及びＲ4 はたがいに同一であっても異なっていてもよい。またＲ3 が複数ある場合は複数のＲ3 は同一でも異なっていてもよく、Ｒ4 が複数ある場合は複数のＲ4 は同一でも異なっていてもよい。ｍ及びｎは、それぞれ０〜４の整数である。Ｚは単結合, 炭素数１〜８のアルキレン基，炭素数２〜８のアルキリデン基，炭素数５〜１５のシクロアルキレン基, 炭素数５〜１５のシクロアルキリデン基, 又は−Ｓ−, −ＳＯ−、−ＳＯ2 −, −Ｏ−、−ＣＯ−結合もしくは式（II），（II')
【００１２】
【化２】
0004195145.tif 000003
【００１３】
で示される結合を示す。炭素数１〜８のアルキレン基, 炭素数２〜８のアルキリデン基としては、例えばメチレン基，エチレン基，プロピレン基，ブチレン基, ペンチレン基, ヘキシレン基, エチリデン基, イソプロピリデン基などが挙げられ、炭素数５〜１５のシクロアルキレン基，炭素数５〜１５のシクロアルキリデン基としては、例えばシクロペンチレン基, シクロヘキシレン基, シクロペンチリデン基, シクロヘキシリデン基などが挙げられる。
【００１４】
上記一般式（Ｉ）で表される芳香族ジヒドロキシ化合物としては、例えばビス（４−ヒドロキシフェニル) メタン；ビス（３−メチル−４−ヒドロキジフェニル) メタン；ビス（３−クロロ−４−ヒドロキジフェニル) メタン；ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル) メタン；１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル) エタン；１，１−ビス（２−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル) エタン；１，１−ビス（２−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル) エタン；１−フェニル−１，１−ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル) エタン；２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル) プロパン（通称ビスフェノールＡ）；２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル) プロパン；２，２−ビス（２−メチル−４−ヒドロキシフェニル) プロパン；２，２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル) プロパン；１，１−ビス（２−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル) プロパン；２，２−ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル) プロパン；２，２−ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル) プロパン；２，２−ビス（３−ブロモ−４−ヒドロキシフェニル) プロパン；２，２−ビス（３，５−ジフルオロ−４−ヒドロキシフェニル) プロパン；２，２−ビス（３，５−ジクロロ−4 −ヒドロキシフェニル) プロパン；２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル) プロパン；２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル) ブタン；２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル) オクタン；２，２−ビス（4 −ヒドロキシフェニル) フェニルメタン；２，２−ビス（４−ヒドロキシ−１−メチルフェニル) プロパン；２，２−ビス（４−ヒドロキシ−ｔ−ブチルフェニル) プロパン；２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−ブロモフェニル) プロパン；２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル) プロパン；２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−クロロフェニル) プロパン；２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジクロロフェニル) プロパン；２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジブロモフェニル) プロパン；２，２−ビス（３−ブロモ−４−ヒドロキシ−５−クロロフェニル) プロパン；２，２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル) プロパン；２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル) ブタン；２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル) ブタン；１，１−ビス（２−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル) ブタン；１，１−ビス（２−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル) ブタン；１，１−ビス（２−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル) イソブタン；１，１−ビス（２−ｔ−アミル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル) ブタン；２，２−ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル) ブタン；２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル) ブタン；４，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル) ヘプタン；１，１−ビス（２−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル) ヘプタン；２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル) オクタン；１，１−（４−ヒドロキシフェニル) エタンなどのビス（ヒドロキシアリール) アルカン類；���，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル) シクロペンタン；１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル) シクロヘキサン；１，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル) シクロヘキサン；１，１−ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル) シクロヘキサン；１，１−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル) シクロヘキサン；１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル) −３, ５, ５−トリメチルシクロヘキサンなどのビス（ヒドロキシアリール) シクロアルカン類；ビス（４−ヒドロキシフェニル) エーテル；ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル) エーテルなどのビス（ヒドロキシアリール) エーテル類；ビス（４−ヒドロキシフェニル) スルフィド；ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル) スルフィドなどのビス（ヒドロキシアリール) スルフィド類；ビス（４−ヒドロキシフェニル) スルホキシド；ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル) スルホキシド；ビス（３−フェニルー４−ヒドロキシフェニル) スルホキシドなどのビス（ヒドロキシアリール) スルホキシド類；ビス（４−ヒドロキシフェニル) スルホン；ビス（３−メチル−４−ヒドロキジフェニル) スルホシ；ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル) スルホンなどのビス（ヒドロキシアリール) スルホン類、４，４’−ジヒドロキシビフェニル；４，４’−ジヒドロキシ−２，２’−ジメチルビフェニル；４，４’−ジヒドロキシ−３, ３' −ジメチルビフェニル；４，４’−ジヒドロキシ−３, ３' −ジシクロヘキシルヒフェニル；３，３’−ジフルオロ−４，４’−ジヒドロキシビフェニルなどのジヒドロキシビフェニル類などが挙げられる。
【００１５】
上記一般式（Ｉ）以外の芳香族ジヒドロキシ化合物としては、ジヒドロキシベンゼン類、ハロゲン及びアルキル置換ジヒドロキシベンゼン類などがある。例えば、レゾルシン；３−メチルレゾルシン；３−エチルレゾルシン；３−プロピルレゾルシン；３−ブチルレゾルシン；３−ｔ−ブチルレゾルシン；３−フェニルレゾルシン；３−クミルレゾルシン；２，３，４，６−テトラフルオロレゾルシン；２，３，４，６−テトラブロモレゾルシン；カテコール；ハイドロキノン；３−メチルハイドロキノン；３−エチルハイドロキノン, ３−プロピルハイドロキノン；３−ブチルハイドロキノン；３−ｔ−ブチルハイドロキノン；３−フェニルハイドロキノン；３−クミルハイドロキノン；２，５−ジクロロハイドロキノン；２，３，５，６−テトラメチルハイドロキノン；２，３，４，６−テトラ−ｔ−ブチルハイドロキノン；２，３，５，６−テトラフルオロハイドロキノン；２，３，５，６−テトラブロモハイドロキノンなどが挙げられる。
【００１６】
（Ｂ）一価フェノール
一価フェノールとしては、フェノール；ｏ−クレゾール；ｍ−クレゾール；ｐ−クレゾール；ｏ−エチルフェノール；ｍ−エチルフェノール；ｐ−エチルフェノール；ｏ−ｎ−プロピルフェノール；ｍ−ｎ−プロピルフェノール；ｐ−ｎ−プロピルフェノール；ｏ−イソプロピルフェノール；ｍ−イソプロピルフェノール；ｐ−イソプロピルフェノール；ｏ−ｎ−ブチルフェノール；ｍ−ｎ−ブチルフェノール；ｐ−ｎ−ブチルフェノール；ｏ−イソブチルフェノール；ｍ−イソブチルフェノール；ｐ−イソブチルフェノール；ｏ−ｔ−ブチルフェノール；ｍ−ｔ−ブチルフェノール；ｐ−t −ブチルフェノール；ｏ−ｎ−ペンチルフェノール；ｍ−ｎ−ペンチルフェノール；ｐ−ｎ−ペンチルフェノール；ｏ−ｎ−ヘキシルフェノール；ｍ−ｎ−ヘキシルフェノール；ｐ−ｎ−ヘキシルフェノール；ｏ−シクロヘキシルフェノール；ｍ−シクロヘキシルフェノール；ｐ−シクロヘキシルフェノール；ｏ−フェニルフェノール；ｍ−フェニルフェノール；ｐ−フェニルフェノール；ｏ−ｎ−ノニルフェノール；ｍ−ｎ−ノニルフェノール；ｐ−ｎ−ノニルフェノール；ｏ−クミルフェノール；ｍ−クミルフェノール；ｐ−クミルフェノール；ｏ−ナフチルフェノール；ｍ−ナフチルフェノール；ｐ−ナフチルフェノール；２，６−ジ−ｔ−ブチルフェノール；２，５−ジ−ｔ−ブチルフェノール；２，４−ジ−ｔ−ブチルフェノール；３，５−ジ−ｔ−ブチルフェノール；２，５−ジクミルフェノール；３，５−ジクミルフェノール；ｐ−tert−ブチルフェノール；ｐ−クミルフェノール；ｐ−フェニルフェノール；ｏ, ｍ，ｐ−ｔ−オクチルフェノール；ｏ，ｍ，ｐ−ｎ−オクチルフェノール等の一価フェノールが挙げられる。これらの一種又は二種以上を組み合わせて用いることができる。なお、これらの中にあって、特に２，６−ジ−ｔ−ブチルフェノール；２，５−ジ−ｔ−ブチルフェノール；２，４−ジ−ｔ−ブチルフェノール；３，５−ジ−ｔ−ブチルフェノール；２，５−ジクミルフェノール；３，５−ジクミルフェノール；ｐ−tert−ブチルフェノール；ｐ−クミルフェノール；ｐ−ｔ−オクチルフェノール；ｐ−フェニルフェノールが好ましい。
【００１７】
上記芳香族ヒドロキシ化合物と反応させる一酸化炭素は、単体であってもよいが、不活性ガスで希釈されていても、水素との混合ガスであってもよい。また、上記芳香族ヒドロキシ化合物と反応させる酸素は、純酸素であってもよいが、一般には不活性ガスで希釈されたもの、例えば空気等の酸素含有ガスであってもよい。
【００１８】
（２）触媒
本発明の製造方法において用いられる触媒は、前述したように（ａ）成分及び（ｂ）成分から構成されている。
【００１９】
（ａ）パラジウム化合物
（ａ）成分のパラジウム化合物として、一つの多核金属化合物中にパラジウム原子を複数個有する多核金属錯体化合物が挙げられる。このような多核金属錯体化合物として具体的には、ジフルオロビス［メチレンビス（ジフェニルホスフィン）］ジパラジウム、ジクロロビス［メチレンビス（ジフェニルホスフィン）］ジパラジウム、ジブロモビス［メチレンビス（ジフェニルホスフィン）］ジパラジウム、ジヨードビス［メチレンビス（ジフェニルホスフィン）］ジパラジウム、ジナイトライトビス［メチレンビス（ジフェニルホスフィン）］ジパラジウム、ジアジドビス［メチレンビス（ジフェニルホスフィン）］ジパラジウム、ジイソチオシアナトビス［メチレンビス（ジフェニルホスフィン）］ジパラジウム、ジチオシアナトビス［メチレンビス（ジフェニルホスフィン）］ジパラジウム、ジシアナトビス［メチレンビス（ジフェニルホスフィン）］ジパラジウム、ジクロロビス［メチレンビス（ジフェニルアルシン）］ジパラジウム、ジブロモビス［メチレンビス（ジフェニルアルシン）］ジパラジウム、ジヨードビス［メチレンビス（ジフェニルアルシン）］ジパラジウム、ジナイトライトビス［メチレンビス（ジフェニルアルシン）］ジパラジウム、ジアジドビス［メチレンビス（ジフェニルアルシン）］ジパラジウム、ジイソチオシアナトビス［メチレンビス（ジフェニルアルシン）］ジパラジウム、ジチオシアナトビス［メチレンビス（ジフェニルアルシン）］ジパラジウム、ジシアナトビス［メチレンビス（ジフェニルアルシン）］ジパラジウム、ジクロロビス［メチレンビス（ジフェニルホスフィン）］（μ−ＣＯ）ジパラジウム、ジナイトライトビス［メチレンビス（ジフェニルホスフィン）］（μ−ＣＯ）ジパラジウム、ジアジドビス［メチレンビス（ジフェニルホスフィン）］（μ−ＣＯ）ジパラジウム、ジチオシアナトビス［メチレンビス（ジフェニルホスフィン）］（μ−ＣＯ）ジパラジウム、ジシアナトビス［メチレンビス（ジフェニルホスフィン）］（μ−ＣＯ）ジパラジウム、ジクロロビス［メチレンビス（ジフェニルホスフィン）］（μ−メチルイソシアニド）ジパラジウム、ジナイトライトビス［メチレンビス（ジフェニルホスフィン）］（μ−メチルイソシアニド）ジパラジウム、ジアジドビス［メチレンビス（ジフェニルホスフィン）］（μ−メチルイソシアニド）ジパラジウム、ジチオシアナトビス［メチレンビス（ジフェニルホスフィン）］（μ−メチルイソシアニド）ジパラジウム、ジシアナトビス［メチレンビス（ジフェニルホスフィン）］（μ−メチルイソシアニド）ジパラジウム、ジクロロビス［メチレンビス（ジフェニルホスフィン）］（μ−フェニルイソシアニド）ジパラジウム、ジナイトライトビス［メチレンビス（ジフェニルホスフィン）］（μ−フェニルイソシアニド）ジパラジウム、ジアジドビス［メチレンビス（ジフェニルホスフィン）］（μ−フェニルイソシアニド）ジパラジウム、ジチオシアナトビス［メチレンビス（ジフェニルホスフィン）］（μ−フェニルイソシアニド）ジパラジウム、ジシアナトビス［メチレンビス（ジフェニルホスフィン）］（μ−フェニルイソシアニド）ジパラジウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）トリパラジウムビス（テトラフルオロボレート）、ビス（トリフェニルホスフィン）ヘキサ（メチルイソシアニド）トリパラジウムビス（ヘキサフルオロホスフェート）等が挙げられる。
【００２０】
上記（ａ）成分の多核金属錯体化合物は一種で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。また、これらの錯体化合物の前駆体となり得る、複数個又は一個のパラジウム原子を有する化合物と（ａ）成分の多核金属錯体化合物をそれぞれ単独に用いても、また物理的に混合した形のものであってもよい。また、これらの多核金属錯体化合物には、反応に支障のない限り、適宜アルキルホスフィンあるいは芳香族ホスフィン、亜リン酸エステル、リン酸エステル等の配位子やアセトニトリル等のニトリル配位子を組み合わせてもよい。
【００２１】
また、（ａ）成分であるパラジウム化合物としては、少なくとも窒素原子を２つ以上有する有機化合物を配位子として有するパラジウム錯体化合物でもよく、好ましいパラジウム錯体化合物としてはジイミン系化合物を配位子として有するパラジウム錯体化合物，ピピリジル系化合物を配位子として有するパラジウム錯体化合物及びジアミン系化合物を配位子として有するパラジウム錯体化合物から選ばれる少なくとも一種のパラジウム錯体化合物が挙げられる。
ジイミン系化合物を配位子として有するパラジウム錯体化合物としては、具体的には、一般式(III)
【００２２】
【化３】
0004195145.tif 000004
【００２３】
（Ｒ1 およびＲ4 は、それぞれ独立に炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基または環上に炭化水素基を有する全炭素数７〜２０の芳香族基を示し、Ｒ2 およびＲ3 は、それぞれ独立に水素原子または炭素数１〜２０の炭化水素基を示し、Ｒ2 とＲ3 は互いに結合して環を形成していてもよい。また、ＡおよびＢは、それぞれ独立にハロゲン原子または炭素数１〜２０の炭化水素基を示す。）
で表される錯体化合物を挙げることができる。
【００２４】
前記一般式(III) において、Ｒ1 およびＲ4 の各々で表される炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基としては、炭素数１〜２０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基または炭素数３〜２０のシクロアルキル基などが挙げられ、具体的にはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基などが挙げられる。なお、シクロアルキル基の環上には低級アルキル基などの適当な置換基が導入されていてもよい。
また、環上に炭化水素基を有する全炭素数７〜２０の芳香族基としては、例えばフェニル基、ナフチル基などの芳香族基や、フェニル基やナフチル基などの芳香族環上に、炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基が一個以上導入された基などが挙げられる。Ｒ1 およびＲ4 としては、上記環上に炭化水素基を有する芳香族基が好ましく、特に２，６−ジイソプロピル基が好適である。ここで、Ｒ1 およびＲ4 は、互いに同一であってもよく、また異なっていてもよい。
【００２５】
また、Ｒ2 およびＲ3 の各々で表される炭素数１〜２０の炭化水素基としては、例えば炭素数１〜２０の直鎖状もしくは分岐状アルキル基、炭素数３〜２０のシクロアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基等が挙げられる。ここで炭素数１〜２０の直鎖状もしくは分岐状アルキル基、炭素数３〜２０のシクロアルキル基としては、前述Ｒ1 およびＲ4 の各々で表される炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基について例示したものと同じものを挙げることができる。また、炭素数６〜２０のアリール基としては、例えばフェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、メチルナフチル基等が挙げられ、炭素数７〜２０のアラルキル基としては、例えばベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。このＲ2 とＲ3 は、互いに同一であってもよく、また異なっていてもよい。また、互いに結合して環を形成していてもよい。
【００２６】
一方、ＡおよびＢの各々で表されるハロゲン原子としては、塩素、臭素又は沃素等が挙げられ、また、炭素数１〜２０の炭化水素基は、上記Ｒ2 およびＲ3 の各々で表される炭素数１〜２０の炭化水素基について説明したものと同一のものである。ＡまたはＢとしては、特に塩素原子および臭素原子が好ましい。また、ＡとＢは、互いに同一であってもよく異なっていてもよい。
前記一般式(III) で表される錯体化合物の例としては、下記の式［１］、［２］、［３］及び［４］の各々で表される化合物等を挙げることができる。
【００２７】
【化４】
0004195145.tif 000005
成分のビピリジル系化合物を配位子として有するパラジウム錯体化合物としては、具体的には、一般式(IV)
【００２８】
【化５】
0004195145.tif 000006
【００２９】
（式中、Ｒ5 〜Ｒ12は、それぞれ独立に炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、環上に炭化水素基を有する炭素数７〜２０の芳香族基、または水素原子を示し、Ｒ5 とＲ6 、Ｒ6 とＲ7 、Ｒ7 とＲ8 、Ｒ8 とＲ9 、Ｒ9 とＲ10、Ｒ10とＲ11、Ｒ11とＲ12、のように互いに隣接した置換基はそれぞれ結合して芳香族環、または不飽和脂肪族環を形成していてもよい。ＣおよびＤは、それぞれ独立にハロゲン原子または炭素数１〜２０の炭化水素基を示す。）
で表される錯体化合物を挙げることができる。
【００３０】
前記一般式(IV)において、Ｒ5 〜Ｒ12の各々で表される炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基としては、炭素数１〜２０の直鎖状もしくは分岐状アルキル基または炭素数３〜２０のシクロアルキル基等が挙げられ、具体的にはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基などが挙げられる。なお、シクロアルキル基の環上には低級アルキル基などの適当な置換基が導入されていてもよい。また、環上に炭化水素基を有する全炭素数７〜２０の芳香族基としては、例えばフェニル基やナフチル基などの芳香族基や、フェニル基やナフチル基などの芳香族環上に、炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基が一個以上導入された基などが挙げられる。
【００３１】
また、このＲ5 〜Ｒ12は互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。Ｒ5 〜Ｒ12の中で互いに隣接する置換基は、それぞれに結合して芳香族環、または不飽和脂肪族環を形成していてもよい。一方、ＣおよびＤの各々で表されるハロゲン原子としては、塩素、臭素、沃素等が挙げられ、また、炭素数１〜２０の炭化水素基としては、上記Ｒ5 〜Ｒ12の各々で表される炭素数１〜２０の炭化水素基について説明したとおりである。ＣおよびＤとしては特に塩素原子又は臭素原子が好ましい。また、ＣとＤは互いに同一であってもよく異なっていてもよい。
【００３２】
前記一般式(IV)で表される錯体化合物の例としては、（２，２’−ビキノリル）パラジウムジクロリド、（２，２’−ビピリジル）パラジウムジクロリド、（１，１０−フェナントロリル）パラジウムジクロリド、（２，２’−ビキノリル）パラジウムジブロミド、（２，２’−ビピリジル）パラジウムジブロミド、（１，１０−フェナントロリル）パラジウムジブロミド、（２，２’−ビキノリル）パラジウムジヨーダイド、（２，２’−ビピリジル）パラジウムジヨーダイド、（１，１０−フェナントロリル）パラジウムジヨーダイドなどが挙げられる。ビピリジル系化合物を配位子として有するパラジウム錯体化合物のうち特に好ましいものとしては、（２，２’−ビキノリル）パラジウムジクロリド、（２，２’−ビキノリル）パラジウムジブロミドが挙げられる。
【００３３】
ジアミン系化合物を配位子として有するパラジウム錯体化合物としては、具体的には、一般式（Ｖ）
【化６】
0004195145.tif 000007
【００３４】
（式中、ｎ’は１〜１０の整数を示す。Ｒ13〜Ｒ16は、それぞれ独立に炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、環上に炭化水素基を有する全炭素数７〜２０の芳香族基または水素原子を示し、Ｒ13とＲ14、Ｒ15とＲ16のように同一の窒素上の置換基はそれぞれ結合して飽和脂肪族環または不飽和脂肪族環を形成していてもよい。Ｒ’及びＲ”は、それぞれ独立に炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、環上に炭化水素基を有する全炭素数７〜２０の芳香族基または水素原子を示し、それぞれ結合して飽和脂肪族環または不飽和脂肪族環を形成していてもよく、Ｒ’、Ｒ”がそれぞれ複数存在する場合は複数のＲ’又は複数のＲ”はそれぞれ異なる置換基であってもよい。ＥおよびＦは、それぞれ独立にハロゲン原子または炭素数１〜２０も炭化水素基を示す。）
で表される錯体化合物を挙げることができる。
【００３５】
前記一般式（Ｖ）において、Ｒ13〜Ｒ16の各々で表される炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基としては、炭素数１〜２０の直鎖状もしくは分岐状アルキル基、炭素数３〜２０のシクロアルキル基等が挙げられ、具体的にはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基などが挙げられる。なお、シクロアルキル基の環上には低級アルキル基などの適当な置換基が導入されていてもよい。また、環上に炭化水素基を有する全炭素数７〜２０の芳香族基としては、例えばフェニル基やナフチル基などの芳香族基や、フェニル基やナフチル基などの芳香族環上に、炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基が一個以上導入された基などが挙げられる。
【００３６】
また、このＲ13〜Ｒ16は互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。Ｒ13〜Ｒ16の中で同一の窒素上の置換基は、それぞれ結合して飽和脂肪族環または不飽和脂肪族環を形成していてもよい。
さらに、Ｒ’、Ｒ”は、それぞれ独立に炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基または環上に炭化水素基を有する全炭素数７〜２０の芳香族基または水素原子を示し、それぞれ結合して飽和脂肪族環または不飽和脂肪族環を形成していてもよく、Ｒ’、Ｒ”がそれぞれ複数存在する場合は複数のＲ’又は複数のＲ”はそれぞれ異なる置換基であってもよい。炭素数１〜２０の炭化水素基および環上に炭化水素基を有する全炭素数７〜２０の芳香族基の具体例としては、上記Ｒ13〜Ｒ16において説明したものと同様のものが挙げられる。
【００３７】
一方、ＥおよびＦの各々で表されるハロゲン原子としては、塩素、臭素、沃素等が挙げられ、また、炭素数１〜２０の炭化水素基については、上記Ｒ13〜Ｒ16の各々で表される炭素数１〜２０の炭化水素基について説明したと同様のものが挙げられ、特に塩素原子および臭素原子が好ましい。また、ＥとＦは、互いに同一であってもよく異なっていてもよい。
前記一般式（Ｖ）で表される錯体化合物の例としては、（Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン）パラジウムジクロリド、（エチレンジアミン）パラジウムジクロリド、（Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルメチレンジアミン）パラジウムジクロリド、（メチレンジアミン）パラジウムジクロリド、（Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン）パラジウムジブロミド、（エチレンジアミン）パラジウムジブロミド、（Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルメチレンジアミン）パラジウムジブロミド、（メチレンジアミン）パラジウムジブロミド等が挙げられる。ビピリジル系化合物を配位子として有するパラジウム錯体化合物のうち特に好ましいものとしては、（エチレンジアミン）パラジウムジクロリド、（Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン）パラジウムジクロリド、（Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルメチレンジアミン）パラジウムジクロリド等が挙げられる。
【００３８】
本発明において、上記（ａ）成分のパラジウム錯体化合物は一種で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。また、これらの錯体化合物の前駆体となり得るパラジウム化合物と、少なくとも窒素原子を２つ以上有する有機化合物を配位子として有するパラジウム錯体化合物、好ましくはジイミン系化合物、ビピリジル系化合物またはジアミン系化合物とをそれぞれ単独に用い、物理的に混合した形のものであってもよい。また、これらのパラジウム化合物には、反応に支障のない限り、適宜アルキルホスフィンあるいは芳香族ホスフィン、亜リン酸エステル、リン酸エステル等の配位子やアセトニトリル等のニトリル配位子を組み合わせてもよい。
【００３９】
（ｂ）レドックス化合物
（ｂ）成分のレドックス触媒としては、ランタノイド化合物、周期律表第Ｖ族遷移金属化合物、第ＶＩ族遷移金属化合物、第ＶＩＩ族遷移金属化合物、鉄化合物、コバルト化合物、ニッケル化合物及び銅化合物の中から選ばれる少なくとも一種を用い、有機錯体、有機塩及び無機塩のいずれであってもよい。具体的にはセリウム化合物、バナジウム化合物、クロム化合物、マンガン化合物、鉄化合物、コバルト化合物、銅化合物等が挙げられ、好ましくはセリウム化合物、マンガン化合物である。
【００４０】
特に好ましいレドックス触媒としては、Ｃｅ（ＴＭＨＤ）4 、Ｍｎ（ＴＭＨＤ）3 、Ｃｅ（Ｔｒｏｐ）4 、Ｍｎ（Ｔｒｏｐ）3 ［ここでは、ＴＭＨＤは２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナートイオン、Ｔｒｏｐはトロポロナートイオンを示す。］等が挙げられる。
【００４１】
本発明の製造方法においては、触媒の使用量については特に制限はなく、通常の触媒量でよいが、例えば、（ａ）成分については、その使用量は原料である芳香族ヒドロキシ化合物１モルに対して、パラジウムとして１×１０-8〜０．５モル、好ましくは１×１０-6〜１×１０-2モルである。上記使用量が１×１０-8未満では、反応速度が遅く実用的でない場合がある。一方、０．５モルを越えても、それに相当する効果が認められず経済的に不利である。
また、（ｂ）成分の使用量は、（ａ）成分のパラジウム１モルに対して通常０．１〜１００モル、好ましくは０．５〜５０モルである。上記使用量が0.１モル未満では、反応速度が遅い場合があり実用的でなく、１００モルを越えると生成した芳香族炭酸エステルの（ｂ）成分による酸化分解反応が進行し経済的に不利である。
【００４２】
（３）助触媒
本発明の方法に用いられる触媒においては、上記（ａ）及び（ｂ）成分の他に、さらに必要に応じてハロゲン化オニウム化合物などの助触媒を適当量添加することができる。ハロゲン化オニウム化合物の例としては次の式（VI）で表される化合物が挙げられる。
Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｒ4 ＺＡ        ・・・（VI）
（式中、Ｚは窒素原子またはリン原子、Ａはフッ素、塩素、臭素、沃素等のハロゲン原子を示す。Ｒ1 〜Ｒ4 は、それぞれ炭素数１〜８のアルキル基または炭素数６〜１２のアリール基であり、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基などが挙げられる。Ｒ1 〜Ｒ4 は各々同一でも、異なっていてもよい。また、Ｒ1 およびＲ2 、Ｒ3 およびＲ4 はそれぞれ一緒になって−（ＣＨ2 ）n −で表される２価の基であって、ｎが２〜７の整数であるものを形成してもよい。）
【００４３】
さらに、上記ハロゲン化オニウム化合物としては上記式（VI）で表される化合物以外のビス（トリフェニルホスホラニリデン）アンモニウムハライド類も使用できる。その具体例としてはテトラ−ｎ−ブチルアンモニウムブロミド、テトラフェニルホスホニウムブロミド、ビス（トリフェニルホスホラニリデン）アンモニウムブロミド等が挙げられる。
【００４４】
（４）溶媒
本発明の製造方法においては、反応は無溶媒下でも、溶媒中でも進行する。一般に無溶媒下で本発明の方法を行なう方が経済的に有利ではあるが、芳香族炭酸エステルの製造プロセス上の都合等で必要な場合は、溶媒中で行なってもよい。ここで、使用できる溶媒としては、例えば脂肪族炭化水素、環状脂肪族炭化水素、ハロゲン化炭化水素、エーテル、エステル、含窒素溶媒、含硫黄溶媒等が挙げられ、本発明の製造方法に用いる触媒の種類、組み合わせにより、適宜選択することができる。
【００４５】
（５）オリゴマー（オリゴカーボネート）生成工程
オリゴカーボネートの生成工程においては、反応温度は特に制限はないが、通常は５０〜２００℃で、好ましくは７０〜１５０℃の範囲である。上記範囲より高温では、分解反応等の副反応が多くなり、また上記範囲より低温では、反応速度が低下して実用的でない。また、反応圧力は、一酸化炭素や酸素等のガス状の原料を用いるため、加圧状態に設定することが一般的であり、一酸化炭素分圧は１×１０-2〜２０ＭＰａ、好ましくは１×１０-2〜１０ＭＰａの範囲内で、酸素分圧は１×１０-2〜１０ＭＰａ、好ましくは１×１０-2〜５ＭＰａの範囲内であればよい。特に、酸素分圧は、反応系内のガス組成が爆発範囲を外れるように調節することが望ましく、上記反応圧力があまり低圧では反応速度が低下し、また高圧過ぎると反応装置が大型となり、建設費用が高く、経済的に不利である。不活性ガスや水素等を用いる際には、その分圧は特に規定されないが、適宜実用的な圧力範囲で用いればよい。
【００４６】
反応方式は、回分、半連続、連続のいずれでも可能である。ここで反応系の状態は、液相状態の場合と、液相と気相の混合状態の場合と、液相と気相と固相の混合状態の場合のいずれかである。また、触媒の反応系における状態は、均一系であっても不均一であってもよく、触媒を適宜選択することにより選ぶことができる。上記原料成分及び触媒は、必要に応じて希釈してもよく、希釈剤としては、液相では飽和炭化水素等の不活性溶媒が用いられ、気相では窒素、アルゴン、エタン、プロパン等の不活性ガスが用いられる。
【００４７】
２．オリゴカーボネートの重合によるポリカーボネートの製造工程
本発明のポリカーボネートを製造方法では、オリゴカーボネートを調製した後、直接溶融状態又は薄膜溶融状態で重合するか、もしくはオリゴカーボネートを結晶化し、重合触媒として四級ホスホニウム塩を用いて、オリゴカーボネートを膨潤状態又は固相状態で重合させる。
（１）コモノマー
前記１の工程で生成されたオリゴカーボネートに、コモノマーとして二価ヒドロキシ化合物、一価フェノール、炭酸ジエステル、脂肪酸ジオール、ジカルボン酸、シロキサン又は分岐剤を添加しても良い。
【００４８】
二価ヒドロキシ化合物としては、例えばビス（４−ヒドロキシフェニル) メタン；ビス（３−メチル−４−ヒドロキジフェニル) メタン；ビス（３−クロロ−４−ヒドロキジフェニル) メタン；ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル) メタン；１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル) エタン；１，１−ビス（２−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル) エタン；１，１−ビス（２−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル) エタン；１−フェニル−１，１−ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル) エタン；２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル) プロパン（通称ビスフェノールＡ）；２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル) プロパン；２，２−ビス（２−メチル−４−ヒドロキシフェニル) プロパン；２，２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル) プロパン；１，１−ビス（２−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル) プロパン；２，２−ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル) プロパン；２，２−ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル) プロパン；２，２−ビス（３−ブロモ−４−ヒドロキシフェニル) プロパン；２，２−ビス（３，５−ジフルオロ−４−ヒドロキシフェニル) プロパン；２，２−ビス（３，５−ジクロロ−4 −ヒドロキシフェニル) プロパン；２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル) プロパン；２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル) ブタン；２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル) オクタン；２，２−ビス（4 −ヒドロキシフェニル) フェニルメタン；２，２−ビス（４−ヒドロキシ−１−メチルフェニル) プロパン；２，２−ビス（４−ヒドロキシ−ｔ−ブチルフェニル) プロパン；２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−ブロモフェニル) プロパン；２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル) プロパン；２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−クロロフェニル) プロパン；２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジクロロフェニル) プロパン；２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジブロモフェニル) プロパン；２，２−ビス（３−ブロモ−４−ヒドロキシ−５−クロロフェニル) プロパン；２，２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル) プロパン；２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル) ブタン；２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル) ブタン；１，１−ビス（２−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル) ブタン；１，１−ビス（２−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル) ブタン；１，１−ビス（２−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル) イソブタン；１，１−ビス（２−ｔ−アミル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル) ブタン；２，２−ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル) ブタン；２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル) ブタン；４，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル) ヘプタン；１，１−ビス（２−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル) ヘプタン；２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル) オクタン；１，１−（４−ヒドロキシフェニル) エタンなどのビス（ヒドロキシアリール) アルカン類；１，１−ビス（４−ヒドロキシフ���ニル) シクロペンタン；１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル) シクロヘキサン；１，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル) シクロヘキサン；１，１−ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル) シクロヘキサン；１，１−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル) シクロヘキサン；１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル) −３, ５, ５−トリメチルシクロヘキサンなどのビス（ヒドロキシアリール) シクロアルカン類；ビス（４−ヒドロキシフェニル) エーテル；ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル) エーテルなどのビス（ヒドロキシアリール) エーテル類；ビス（４−ヒドロキシフェニル) スルフィド；ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル) スルフィドなどのビス（ヒドロキシアリール) スルフィド類；ビス（４−ヒドロキシフェニル) スルホキシド；ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル) スルホキシド；ビス（３−フェニルー４−ヒドロキシフェニル) スルホキシドなどのビス（ヒドロキシアリール) スルホキシド類；ビス（４−ヒドロキシフェニル) スルホン；ビス（３−メチル−４−ヒドロキジフェニル) スルホシ；ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル) スルホンなどのビス（ヒドロキシアリール) スルホン類、４，４’−ジヒドロキシビフェニル；４，４’−ジヒドロキシ−２，２’−ジメチルビフェニル；４，４’−ジヒドロキシ−３, ３' −ジメチルビフェニル；４，４’−ジヒドロキシ−３, ３' −ジシクロヘキシルヒフェニル；３，３’−ジフルオロ−４，４’−ジヒドロキシビフェニルなどのジヒドロキシビフェニル類；レゾルシン；３−メチルレゾルシン；３−エチルレゾルシン；３−プロピルレゾルシン；３−ブチルレゾルシン；３−ｔ−ブチルレゾルシン；３−フェニルレゾルシン；３−クミルレゾルシン；２，３，４，６−テトラフルオロレゾルシン；２，３，４，６−テトラブロモレゾルシン；カテコール；ハイドロキノン；３−メチルハイドロキノン；３−エチルハイドロキノン, ３−プロピルハイドロキノン；３−ブチルハイドロキノン；３−ｔ−ブチルハイドロキノン；３−フェニルハイドロキノン；３−クミルハイドロキノン；２，５−ジクロロハイドロキノン；２，３，５，６−テトラメチルハイドロキノン；２，３，４，６−テトラ−ｔ−ブチルハイドロキノン；２，３，５，６−テトラフルオロハイドロキノン；２，３，５，６−テトラブロモハイドロキノンなどのジヒドロキシベンゼン類、ハロゲン及びアルキル置換ジヒドロキシベンゼン類などが挙げられる。
【００４９】
一価フェノールとしては、ｏ−ｎ−ブチルフェノール；ｍ−ｎ−ブチルフェノール；ｐ−ｎ−ブチルフェノール；ｏ−イソブチルフェノール；ｍ−イソブチルフェノール；ｐ−イソブチルフェノール；ｏ−ｔ−ブチルフェノール；ｍ−ｔ−ブチルフェノール；ｐ−t −ブチルフェノール；ｏ−ｎ−ペンチルフェノール；ｍ−ｎ−ペンチルフェノール；ｐ−ｎ−ペンチルフェノール；ｏ−ｎ−ヘキシルフェノール；ｍ−ｎ−ヘキシルフェノール；ｐ−ｎ−ヘキシルフェノール；ｏ−シクロヘキシルフェノール；ｍ−シクロヘキシルフェノール；ｐ−シクロヘキシルフェノール；ｏ−フェニルフェノール；ｍ−フェニルフェノール；ｐ−フェニルフェノール；ｏ−ｎ−ノニルフェノール；ｍ−ｎ−ノニルフェノール；ｐ−ｎ−ノニルフェノール；ｏ−クミルフェノール；ｍ−クミルフェノール；ｐ−クミルフェノール；ｏ−ナフチルフェノール；ｍ−ナフチルフェノール；ｐ−ナフチルフェノール；２，６−ジ−ｔ−ブチルフェノール；２，５−ジ−ｔ−ブチルフェノール；２，４−ジ−ｔ−ブチルフェノール；３，５−ジ−ｔ−ブチルフェノール；２，５−ジクミルフェノール；３，５−ジクミルフェノール；ｐ−tert−ブチルフェノール；ｐ−クミルフェノール；ｐ−フェニルフェノール；ｏ, ｍ，ｐ−ｔ−オクチルフェノール；ｏ，ｍ，ｐ−ｎ−オクチルフェノール等の一価フェノールなどが挙げられる。これらの一種又は二種以上を組み合わせて用いることができる。なお、これらの中にあって、特に２，６−ジ−ｔ−ブチルフェノール；２，５−ジ−ｔ−ブチルフェノール；２，４−ジ−ｔ−ブチルフェノール；３，５−ジ−ｔ−ブチルフェノール；２，５−ジクミルフェノール；３，５−ジクミルフェノール；ｐ−tert−ブチルフェノール；ｐ−クミルフェノール；ｐ−ｔ−オクチルフェノール；ｐ−フェニルフェノールが好ましい。
【００５０】
炭酸ジエステルとしては、ジフェニルカーボネート；ジトリルカーボネート；ビス（クロロフェニル）カーボネート；ｍ−クレジルカーボネート；ジナフチルカーボネート；ビス（ジフェニル）カーボネート；ビスフェノールＡビスフェニルカーボネート；ジブチルカーボネート；ジシクロヘキシルカーボネート；メチルフェニルカーボネート；ジ−tert−ブチルカーボネート；ジ−tert−ブチルフェニルカーボネート；ジクミルカーボネート；ジ−tert−オクチルカーボネート；ビスフェノールＡビスメチルカーボネートなどが挙げられる。特に、ジフェニルカーボネート；ジ−tert−ブチルカーボネート；ジクミルカーボネートが好ましい。
【００５１】
脂肪族ジヒドロキシ化合物としては、ブタン−１，４−ジオール；２，２−ジメチルプロパン−１，３−ジオール；ヘキサン−１，６−ジオール；ジエチレングリコール；トリエチレングリコール；テトラエチレングリコール；オクタエチレングリコール；ジプロピレングリコール；Ｎ，Ｎ−メチルジエタノールアミン；シクロヘキサシ−１，３−ジオール；シクロヘキサン−１，４−ジオール；１，４−ジメチロールシクロヘキサン；ｐ−キシリレングリコール；２，２−ビス−（４−ヒドロキシシクロヘキシル) −プロパン及び二価アルコール又はフェノールのエトキシ化またはプロボキシ化生成物、例えばビスーオキシエチル−ビスフェノールＡ；ビス−オキシエチル−テトラクロロビスフェノールＡ又はビス−オキシエチル−テトラクロロヒドロキノンなどが挙げられる。
【００５２】
ジカルボン酸としては、テレフタル酸、イソフタル酸、セバシン酸、デカン二酸、ドデカン二酸、テレフタル酸ジフェニル、イソフタル酸ジフェニル、セバシン酸ジフェニル、デカン二酸ジフェニル、ドデカン二酸ジフェニルなどが挙げられる。
【００５３】
ポリオルガノシロキサンとしては、ポリシロキサン骨格に両末端が水酸基（下記式(VII) ）又は片末端がアルキルカーボネート基もしくはアリールアルキルカーボネート基（下記式(VIII)）で封止されたポリオルガノシロキサンが用いられる。
【化７】
0004195145.tif 000008
【００５４】
〔Ｒ1 〜Ｒ4 は炭素数１〜８のアルキル基（例えばメチル基, エチル基、プロピル基, ｎ−ブチル基, イソブチル基，アミル基，イソアミル基，ヘキシル基など）又は炭素数６〜２０、好ましくは６〜１８のアリール基（例えばフェニル基，トリル基，キシリル基，ナフチル基など）を示し、それぞれ同一でも異なっていても良い。Ａは脂肪族又は芳香族を含む二価の有機残基（例えばメチレン基，エチレン基，プロピレン基，ブチレン基，ペンテリン基，ヘキシレン基，エチリデン基，イソプロピリデン基，シクロペンチレン基，シクロヘキシレン基，シクロペンチリデン基，シクロヘキシリデン基などやｏ−アリルフェノール残基，ｐ−ビニルフェノール残基，オイゲノール残基，ビスフェノールＡ残基など）、ｎは１〜５００である。〕
【００５５】
【化８】
0004195145.tif 000009
（Ｒ1 〜Ｒ4 、Ａ及びｎは上記式(VII) と同じであり、Ｄは単結合又は−Ｏ−結合を示す。Ｒ7 は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数７〜２０のアリールアルキル基で表される基を示す。)
ポリシロキサン基としては、具体的にはポリジメチルシロキサン、ボリジエチルシロキサン、ボリジフェニルシロキサン、ポリメチルフェニルシロキサン等である。
このポリオルガノシロキサンは、一種または二種以上を適宜選択して用いることができ、ポリカーボネートの難燃性、流動性を向上させる点で有効である。
【００５６】
分岐剤としては、三個以上の官能基を有する多官能性有機化合物が用いられる。具体的には、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、イミノ基、ホルミル基、酸ハライド基、ハロホーメート基などの官能基を一化合物中に三個以上有するもので、例えばフロログルシン；メリット酸；トリメリット酸；トリメリット酸クロリド；無水トリメリット酸；没食子酸；没食子酸ｎ−プロピル；プロトカテク酸；ピロメリット酸；ピロメリット酸第二無水物；α−レゾルシン酸；β−レゾルシン酸；レゾルシンアルデヒド；トリメチルクロリド；トリメチルトリクロリド；４−クロロホルミルフタル酸無水物；ベンゾフェノンテトラカルボン酸；２，４，４’−トリヒドロキシベンゾフェノン；２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン；２，４，４’−トリヒドロキシフェニルエーテル；２，２’，４，４’−テトラヒドロキシフェニルエーテル；２，４，４’−トリヒドロキシジフェニル−２−プロパン；２，２’ビス−（２，４−ジヒドロキシ) プロパン；２，２’，４，４’−テトラヒドロキシジフェニルメタン；２，４，４’−トリヒドロキシジフェニルメタン；１−［α−メチル−α−（４’−ヒドロキシフェニル) エチル］−４−［α',α' −ビス（４''−ヒドロキシフェニル) エチル］ベンゼン；α, α',α''−トリス（４−ヒドロキシフェニル) −１，３，５−トリイソプロピルベンゼン；２，６−ビス（２’−ヒドロキシ−５' −メチルベンジル) −４−メチルフェノール；４，６−ジメチル−２，４，６−トリス（４’−ヒドロキシフェニル) −ヘプテン−２；４，６−ジメチル−２，４，６−ジメチル−トリス（４−ヒドロキシフェニル) −ヘプタン−２；１，３，５−トリス（４−ヒドロキシフェニル) −ベンゼン；１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル) エタン；１，１，１−トリス（４’−ヒドロキシフェニル) エタン；１，１，１−トリス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル) エタン；１，１，１−トリス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル) エタン；１，１，１−トリス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル) エタン；１，１，１−トリス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル) エタン；１，１，１−トリス（３−ブロモ−４−ヒドロキシフェニル) エタン；１，１，１−トリス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル) エタン；２，２−ビス［４，４−ビス（４’−ヒドロキシフェニル) シクロヘキシル］−プロパン；２，６−ビス（２’−ヒドロキシ−５’−イソプロピルベンジル) −４−イソプロピルフェノール；ビス［２−ヒドロキシ−３−（２’−ヒドロキシ−５’−メチルベンジル) −５−メチルフェニル］メタン；ビス［２−ヒドロキシ−３−（２’−ヒドロキシ−５’−イソプロピルベンジル) −５−メチルフェニル］メタン；テトラキス（４−ヒドロキシフェニル) メタン；トリス（４−ヒドロキシフェニル) メタン；トリス（４−ヒドロキシフェニル) フェニルメタン；トリス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル) メタン；トリス（４−ヒドロキシフェニル−３，５−ジメチルフェニル) メタン；トリス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル) メタン；トリス（３−ブロモ−４−ヒドロキシフェニル) メタン；トリス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシ���ェニル) メタン；２’，４，７−トリヒドロキシフラバン；２，４，４−トリメチル−２’，４’−ジヒドロキシフェニルイソプロピル) ベンゼン；トリス（４’−ヒドロキシアリール) −アミル−ｓ−トリアジン；１−［α−メチル−α−（４’−ヒドロキシフェニル) エチル］−３−［α',α' −ビス（４''−ヒドロキシフェニル) エチル］ベンゼン；イサチンビス（ｏ−クレゾール）；α，α, α',α’−テトラキス（４−ヒドロキシフェニル) −ｐ−キシレン；α, α, α',α’−テトラキス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル) −ｐ−キシレン；α, α, α',α’−テトラキス（２−メチル−４−ヒドロキシフェニル) −ｐ−キシレン；α, α, α',α' −テトラキス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル) −ｐ−キシレン；α，α, α',α' −テトラキス（２，６−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル) −ｐ−キシレン；α, α' −ジメチル−α, α, α',α’−テトラキス（４−ヒドロキシフェニル) −ｐ−キシレン等が挙げられる。これらの分岐剤は、それぞれ単独でも二種以上組み合わせて用いてもよい。
【００５７】
これらの中でも特に１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル) エタン；１，１，１−トリス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル) エタン；１，１，１−トリス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル) エタン；１，１，１−トリス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル) エタン；１，１，１−トリス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル) エタン；１，１，１−トリス（３−ブロモ−４−ヒドロキシフェニル) エタン；１，１，１−トリス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル) エタン；トリス（４−ヒドロキシフェニル) メタン；トリス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル) メタン；トリス（４−ヒドロキシフェニル−３，５−ジメチルフェニル) メタン；トリス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル) メタン；トリス（３−ブロモ−４−ヒドロキシフェニル) メタン；トリス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル) メタン；α, α' −ジメチル−α, α, α',α’−テトラキス（４−ヒドロキシフェニル) −ｐ−キシレン等が好ましい。
【００５８】
（２）酸化防止剤
前記１の工程で生成されたオリゴカーボネートに、必要に応じ酸化防止剤を添加しても良い。また、重合後に得られたポリカーボネートに添加しても良い。
酸化防止剤としては、リン系酸化防止剤が好ましく、例えばトリアルキルホスファイト、トリシクロアルキルホスファイト、トリアリールホスファイト、モノアルキルジアリールホスファイト、トリアルキルホスフェート、トリシクロアルキルホスフェート、トリアリールホスフェートなどが挙げられる。
【００５９】
（３）触媒
オリゴカーボネートを膨潤状態又は固相状態で重合させる際に使用する四級ホスホニウム塩としては、特に制限はなく、各種のものがあるが、例えば下記一般式（IX）又は（Ｘ）
（ＰＲ124)+ （Ｘ2)-     ・・・（IX）
（ＰＲ124)2 + （Ｙ1)2-  ・・・（Ｘ）
【００６０】
上記一般式（IX）又は（Ｘ）において、Ｒ12は有機基を示し、この有機基としては、例えばメチル基, エチル基, プロピル基, ブチル基, ペンチル基, ヘキシル基，オクチル基, シクロヘキシル基などのアルキル基やシクロアルキル基、フェニル基, トリル基, ナフチル基, ビフェニル基などのアリール基、ベンジル基などのアリールアルキル基などを挙げることができる。四つのＲ12はたがいに同一でも異なっていてもよく、また二つのＲ12が結合して環構造を形成していてもよい。Ｘ2 はハロゲン原子, 水酸基，アルキルオキシ基, アリールオキシ基，Ｒ’ＣＯＯ，ＨＣＯ3 ，（Ｒ’Ｏ）2 Ｐ（＝Ｏ）Ｏ又はＢＲ''4 などの１価のアニオン形成が可能な基を示す。ここで、Ｒ’はアルキル基やアリール基などの炭化水素基を示し、二つのＲ’Ｏはたがいに同一でも異なっていてもよい。またＲ''は水素原子又はアルキル基やアリール基などの炭化水素基を示し、四つのＲ''はたがいに同一でも異なっていてもよい。Ｙ1 はＣＯ3 などの２価のアニオン形成が可能な基を示す。
【００６１】
このような四級ホスホニウム塩の具体例としては、テトラフェニルホスホニウムヒドロキシド, テトラナフチルホスホニウムヒドロキシド, テトラ（クロロフェニル）ホスホニウムヒドロキシド, テトラ（ビフェニル) ホスホニウムヒドロキシド, テトラトリルホスホニウムヒドロキシド, テトラメチルホスホニウムヒドロキシド, テトラエチルホスホニウムヒドロキシド、テトラブチルホスホニウムヒドロキシドなどのテトラ（アリール又はアルキル) ホスホニウムヒドロキシド類、さらにはテトラメチルホスホニウムテトラフェニルボレート, テトラフェニルホスホニウムブロミド, テトラフェニルホスホニウムフェノラート, テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート，メチルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート, ベンジルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート, ビフェニルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート, テトラトリルホスホニウムテトラフェニルボレート, テトラフェニルホスホニウムフェノレート，テトラ（ｐ−ｔ−ブチルフェニル) ホスホニウムジフェニルホスフェート, トリフェニルブチルホスホニウムフェノレート, トリフェニルブチルホスホニウムテトラフェニルボレートなどが挙げられる。
【００６２】
これらの四級ホスホニウム塩の中で、触媒活性が高く、かつ熱分解が容易でポリマー中に残留しにくいなどの点から、アルキル基を有するホスホニウム塩、具体的には、テトラメチルホスホニウムメチルトリフェニルボレート, テトラエチルホスホニウムエチルトリフェニルボレート，テトラプロピルホスホニウムプロピルトリフェニルボレート, テトラブチルホスホニウムブチルトリフェニルボレート, テトラブチルホスホニウムテトラフェニルボレート，テトラエチルホスホニウムテトラフェニルボレート, トリメチルエチルホスホニウムトリメチルフェニルボレート，トリメチルベンジルホスホニウムベンジルトリフェニルボレート等が好適である。
【００６３】
また、テトラメチルホスホニウムヒドロキシド, テトラエチルホスホニウムヒドロキシド, テトラブチルホスホニウムヒドロキシドなどのテトラアルキルホスホニウム塩は、分解温度が比較的低いので、容易に分解し、製品ポリカーボネートに不純物として残る恐れが小さい。また、炭素数が少ないので、ポリカーボネートの製造における原単位を低減でき、コスト的に有利であるという点で好ましい。
【００６４】
また、上記一般式（IX）又は（Ｘ）で表される化合物以外に、例えば２，２−ビス（４−ヒドロキシフェ二ル) プロパンのビス−テトラフェニルホスホニウム塩、エチレンビス（トリフェニルホスホニウム) ジブロミド, トリメチレンビス（トリフェニルホスホニウム) −ビス（テトラフェニルボレート) なども挙げることができる。
【００６５】
さらに、アリール基及び−又は分岐状アルキル基を有する四級ホスホニウム塩も用いることができる。例えば、下記一般式(XI)又は(XII)
（Ｒ13n ＰＲ144-n ) +  (Ｘ2)-   ・・・(XI)
（Ｒ13n ＰＲ144-n )2  （Ｙ1)2-  ・・・(XII)
で表される化合物が用いられる。
上記一般式(XI)又は(XII) において、
ｎ  ：１〜４の整数である。
Ｒ13：アリール基又は分岐状アルキル基から選ばれた少なくとも一種類を示す。。分岐状アルキル基とは、Ｒ3 Ｃ−の構造を有し、ここでＲは、水素, アルキル基，置換基を有するアルキル基，アリール基及び置換基を有するアリール基から選ばれた少なくとも１つであり、３つのＲのうち少なくとも２つが結合して環構造を形成していてもよい。但し、同時に２個が水素である場合は除く。例えばシクロアルキル基，イソプロピル基，tert−ブチル基などの分岐状アルキル基やベンジル基などのアリールアルキル基などが挙げられる。また、ｎが２以上の場合、Ｒは同一でも異なっていてもよい。
Ｒ14：アルキル基、置換基を有するアルキル基、アリール基又は置換基を有するアリール基である。
Ｘ2 ：ハロゲン原子, 水酸基，アルキルオキシ基, アリールオキシ基，Ｒ’ＣＯＯ，ＨＣＯ3 ，（Ｒ’Ｏ）2 Ｐ（＝Ｏ）Ｏ又はＢＲ''4 などの１価のアニオン形成が可能な基を示す。ここで、Ｒ’はアルキル基やアリール基などの炭化水素基を示し、二つのＲ’Ｏはたがいに同一でも異なっていてもよい。またＲ''は水素原子又はアルキル基やアリール基などの炭化水素基を示し、四つのＲ''はたがいに同一でも異なっていてもよい。
Ｙ1 ：ＣＯ3 などの２価のアニオン形成が可能な基を示す。
【００６６】
このような四級ホスホニウム塩の具体例としては、テトラフェニルホスホニウムヒドロキシド, テトラナフチルホスホニウムヒドロキシド, テトラ（クロロフェニル）ホスホニウムヒドロキシド, テトラ（ビフェニル) ホスホニウムヒドロキシド, テトラトリルホスホニウムヒドロキシド, テトラヘキシルホスホニウムヒドロキシドなどのテトラ（アリール又はアルキル) ホスホニウムヒドロキシド類、
メチルトリフェニルホスホニウムヒドロキシド, エチルトリフェニルホスホニウムヒドロキシド, プロピルトリフェニルホスホニウムヒドロキシド, ブチルトリフェニルホスホニウムヒドロキシド, オクチルトリフエニルホスホニウムヒドロキシド，テトラデシルトリフェニルホスホニウムヒドロキシド, ベンジルトリフェニルホスホニウムヒドロキシド, エトキシベンジルトリフェニルホスホニウムヒドロキシド，メトキシメチルトリフェニルホスホニウムヒドロキシド, アセトキシメチルトリフェニルホスホニウムヒドロキシド, フェナシルトリフェニルホスホニウムヒドロキシド, クロロメチルトリフェニルホスホニウムヒドロキシド, ブロモメチルトリフェニルホスホニウムヒドロキシド, ビフェニルトリフェニルホスホニウムヒドロキシド, ナフチルトリフェニルホスホニウムヒドロキシド, クロロフェニルトリフェニルホスホニウムヒドロキシド, フェノキシフェニルトリフェニルホスホニウムヒドロキシド, メトキシフェニルトリフェニルホスホニウムヒドロキシド, アセトキシフェニルトリフェニルホスホニウムヒドロキシド, ナフチルフェニルトリフェニルホスホニウムヒドロキシドなどのモノ（アリール又はアルキル) トリフェニルホスホニウムヒドロキシド類、
フェニルトリメチルホスホニウムヒドロキシド, ビフェニルトリメチルホスホニウムヒドロキシド, フェニルトリヘキシルホスホニウムヒドロキシド, ビフェニルトリヘキシルホスホニウムヒドロキシドなどのモノ（アリール) トリアルキルホスホニウムヒドロキシド類、
ジメチルジフェニルホスホニウムヒドロキシド, ジエチルジフェニルホスホニウムヒドロキシド, ジ（ビフェニル) ジフェニルホスホニウムヒドロキシドなどのジアリールジアルキルホスホニウムヒドロキシド類、
テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート, テトラナフチルホスホニウムテトラフェニルボレート, テトラ（クロロフェニル) ホスホニウムテトラフェニルボレート, テトラ（ビフェニル) ホスホニウムテトラフェニルボレート, テトラトリルホスホニウムテトラフェニルボレートなどのテトラアリールホスホニウムテトラフェニルボレート類、
メチルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート, エチルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート, プロピルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート, ブチルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート, オクチルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート, テトラデシルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート. ベンジルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート, エトキシベンジルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート, メトキシメチルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、アセトキシメチルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート, フェナシルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート, クロロメチルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート, ブロモメチルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート，ビフェニルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート, ナフチルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート, クロロフェニルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート, フェノキシフェニルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート, アセトキシフェニルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート, ナフチルフェニルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートなどのモノ（アリール又はアルキル）トリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート類、
フェニルトリメチルホスホニウムテトラフェニルボレート, ビフェニルトリメチルホスホニウムテトラフェニルボレート, フェニルトリヘキシルホスホニウムテトラフェニルボレート，ビフェニルトリヘキシルホスホニウムテトラフェニルボレートなどのモノアリールトリアルキルホスホニウムテトラフェニルボレート類、
ジメチルジフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ジエチルジフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート, ジ（ビフェニル) ジフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートなどのジアリールジアルキルホスホニウムテトラフェニルボレート類が挙げられる。
【００６７】
さらに、対アニオンとして、上記のヒドロキシドやテトラフェニルボレート類の代わりに、フェノキシドなどのアリールオキシ基，メトキシド, エトキシドなどのアルキルオキシ基、アセテートなどのアルキルカルボニルオキシ基、ベンゾネートなどのアリールカルボニルオキシ基、クロライト, ブロマイドなどのハロゲン原子を用いた上記四級ホスホニウム塩が挙げられる。
【００６８】
また、上記一般式(XI)で表される化合物以外に、一般式(XII) で表される２価の対アニオンを有するもの、例えばビス（テトラフェニルホスホニウム) カーボネート, ビス（ビフェニルトリフェニルホスホニウム) カーボネートなどの四級ホスホニウム塩や、さらに、例えば２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル) プロパンのビス−テトラフェニルホスホニウム塩、エチレンビス（トリフェニルホスホニウム) ジブロミト、トリメチレンビス（トリフェニルホスホニウム) −ビス( テトラフェニルボレート) なども挙げることができる。
【００６９】
さらに、下記一般式(XIII)又は(XIV)
（（Ｒ15−Ｐｈ) n −ＰＰｈ(4-n) ) +  (Ｘ3)-   ・・・(XIII)
（（Ｒ15−Ｐｈ) n −ＰＰｈ(4-n) )2  （Ｙ2)2-  ・・・(XIV)
で表される化合物が用いられる。
上記一般式(XIII)又は(XIV) において、ｎは１〜４の整数、Ｒ15は有機基を示し、たがいに同一でも異なっていてもよく、Ｘ3 はハロゲン原子, 水酸基, アルキルオキシ基, アリールオキシ基、アルキルカルボニルオキシ基, アリールカルボニルオキシ基、ＨＣＯ3 又はＢＲ4 （Ｒは水素原子又は炭化水素基を示し、四つのＲはたがいに同一でも異なっていてもよい）を示し、Ｐｈはフェニル基を示し、Ｙ2 はＣＯ3 を示す。
【００７０】
このような四級ホスホニウム塩の具体例としては、テトラフェニルホスホニウムヒドロキシド, ビフェニルトリフェニルホスホニウムヒドロキシド, メトキシフェニルトリフェニルホスホニウムヒドロキシド, フェノキシフェニルトリフェニルホスホニウムヒドロキシド, ナフチルフェニルトリフェニルホスホニウムヒドロキシド，テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート, ビフェニルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート, メトキシフェニルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート, フェノキシフェニルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート, ナフチルフェニルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート, テトラフェニルホスホニウムフェノキシド、ビフェニルトリフェニルホスホニウムフェノキシド, メトキシフェニルトリフェニルホスホニウムフェノキシド，フェノキシフェニルトリフェニルホスホニウムフェノキシド，ナフチルフェニルトリフェニルホスホニウムフェノキシド, テトラフェニルホスホニウムクロライド, ビフェニルトリフェニルホスホニウムクロライド, メトキシフェニルトリフェニルホスホニウムクロライド, フェノキシフェニルトリフェニルホスホニウムクロライド又はナフチルフェニルトリフェニルホスホニウムクロライドなどが挙げられる。これらの四級ホスホニウム塩のうち、触媒効果と得られるポリカーボネートの品質とのバランスからテトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートが好ましく用いられる。
【００７１】
また、分岐状アルキル基を含む四級ホスホニウム塩の具体例としては、イソプロピルトリメチルホスホニウム；イソプロピルトリエチルホスホニウム；イソプロピルトリブチルホスホニウム；イソプロピルトリフェニルホスホニウム；テトライソプロピルホスホニウム；シクロヘキシルトリエチルホスホニウム；シクロヘキシルトリメチルホスホニウム；シクロヘキシルトリブチルホスホニウム；シクロヘキシルトリフェニルホスホニウム；テトラシクロヘキシルホスホニウム；１，１，１−トリフェニルメチルトリメチルホスホニウム；１，１，１−トリフェニルメチルトリエチルホスホニウム；１，１，１−トリフェニルメチルトリブチルホスホニウム；１，１，１−トリフェニルメチルトリフェニルホスホニウムなどを挙げることができる。
【００７２】
対アニオンに係るＸ3 の具体例としては、ヒドロキサイド；ボロハイドライド；テトラフェニルボレート；アセテート；プロピオネート；フルオライド；クロライド；ハイドロカーボネートなどを挙げることができる。
また、Ｙ2 の具体例としては、カーボネートなどを挙げることができる。
分岐状アルキル基を含む四級ホスホニウム（カチオン) とＸ3 またはＹ2 （アニオン) とからなる塩の具体例としては、上記各種具体例の組合せから種々のものを挙げることができ、イソプロピルトリメチルホスホニウムヒドロキサイド；シクロヘキシルトリフェニルホスホニウムクロライド；１，１，１−トリフェニルメチルトリエチルホスホニウムアセテート；ビス（イソプロピルトリエチルホスホニウム) カーボネート等が例示できる。
【００７３】
これら分岐状アルキル基を含む四級ホスホニウム塩のうち、特にシクロヘキシルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートやシクロペンチルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートが触媒効果と得られるポリカーボネートの品質とのバランスに優れる点で好ましく使用される。
さらに分岐状アルキル基を含む四級ホスホニウム塩として、テトラメチルホスホニウムアセテート, テトラエチルホスホニウムアセテート, テトラプロビルホスホニウムアセテート，テトラブチルホスホニウムアセテート, テトラベンチルホスホニウムアセテート, テトラヘキシルホスホニウムアセテート, テトラヘプチルホスホニウムアセテート, テトラオクチルホスホニウムアセテート，テトラデシルホスホニウムアセテート, テトラドデシルホスホニウムアセテート, テトラトリルホスホニウムアセテート, テトラフェニルホスホニウムアセテート, テトラメチルホスホニウムベンゾエート，テトラエチルホスホニウムベンゾエート, テトラプロピルホスホニウムベンゾエート、テトラフェニルホスホニウムベンゾエート, テトラメチルホスホニウムホルメート，テトラエチルホスホニウムホルメート, テトラプロピルホスホニウムホルメート, テトラフェニルホスホニウムホルメート, テトラメチルホスホニウムプロピオネート，テトラエチルホスホニウムプロピオネート, テトラプロピルホスホニウムプロピオネート, テトラメチルホスホニウムブチレート，テトラエチルホスホニウムブチレート, テトラプロピルホスホニウムブチレートなどのカルボン酸塩もあげることができる。
【００７４】
なお、これらの四級ホスホニウム塩は、金属不純物の合有量ができるだけ少ないものが好ましく、特にアルカリ金属及びアルカリ土類金属化合物の合有量が５０ｐｐｍ以下のものが好適である。
また、原料の二価ジヒドロキシ化合物１モルに対して、上記四級ホスホニウム塩を好ましくは１０-2〜１０-8モル用いるのが望ましい。四級ホスホニウム塩の使用量が１０-8モル未満では反応後期での触媒活性が不充分となり、また１０-2モルを超えるとコストアップに繋がり好ましくない。
【００７５】
（４）オリゴカーボネートの重合工程
▲１▼溶融状態での重合
本発明に係るエステル交換反応を行う際の条件として、反応温度は、通常１００℃〜３３０℃、好ましくは１３０℃〜３００℃の範囲である。反応温度が１００℃未満では反応速度が遅くなり、３３０℃を超えると副反応が生じたり、生成するポリカーボネートが着色するなどの問題が発生する場合がある。
また、反応圧力は使用するモノマーの蒸気圧や反応温度に応じて設定され、反応が効率良く行われるようにするため、反応初期においては、１〜５０ａｔｍ（７６０〜３８０００torr）の大気圧（常圧）又は加圧状態にしておき、反応後期においては、減圧状態、好ましくは最終的には０．０１〜１００torrで行われる。
さらに、反応時間は、目標の分子量となるまで行えばよく、通常０．２〜１０時間程度である。
【００７６】
なお、上記のエステル交換反応は、通常不活性溶剤の不存在下で行われ、必要に応じて、得られるポリカーボネートの製造方法の１〜１５０重量％の不活性溶剤の存在下で行ってもよい。不活性溶剤としては、例えばジフェニルエーテル，ハロゲン化ジフェニルエーテル，ベンゾフェノン，ポリフェニルエーテル，ジクロロベンゼン，メチルナフタレン等の芳香族化合物、二酸化炭素，−酸化二窒素，窒素などのガス、クロロフロロ炭化水素、エタン，プロパン等のアルカン、シクロヘキサン，トリシクロ（５．２．１０）デカン，シクロオクタン，シクロデカン等のシクロアルカン、エテン，プロペンのようなアルケン等が挙げられる。
【００７７】
・オリゴカーボネートの結晶化
前述したように、オリゴカーボネートを膨潤状態又は固相状態で重合させる場合には、重合前にオリゴカーボネートを結晶化しておく。
オリゴカーボネートを結晶化させる方法については、特に制限はないが、溶媒処理法及び加熱結晶化法が好ましく用いられる。前者の溶媒処理法は、クロロメタン, 塩化メチレン, クロロホルム等の溶煤を用いてオリゴカーボネートを結晶化させる方法である。用いられる溶媒の量は、種々条件によって異なるが、好ましくはオリゴカーボネートに対して重量基準で０．０５〜１００倍、好ましくは０．１〜５０倍の範囲で選ばれる。
後者の加熱結晶化法は、オリゴカーボネートを、目的とする芳香族ポリカーボネートのガラス転移温度以上、かつオリゴカーボネートの溶融開始温度未満の範囲の温度で加熱することによって、結晶化させる方法である。
【００７８】
フレーク化工程では、従来から知られている方法、例えば転動造粒法，押出し造粒法，圧縮造粒法, 熔融造粒法, 噴霧乾燥造粒法, 流動層造粒法, 破砕造粒法，擬絆造粒法，液相造粒法又は真空凍結造粒法などが、場合に応じて使用可能である。
フレークの形状としては、特に制限はないが、操作性からペレット, ビーズ状等が好ましい。また、次工程で便用する膨潤溶媒にオリゴカーボネートを一度溶解し、そこヘポリカーボネートに対する貧溶媒を混合しながらフレーク化する攪拌造粒法なども有効である。なお、重合に際しては、フレークの乾燥は特に必要とされない。
【００７９】
▲２▼固相状態での重合
結晶化した状態の固体のオリゴカーボネートについて、上記四級ホスホニウム塩を触媒として、重合反応を行わせる。この場合、反応によって副生する芳香族モノヒドロキシ化合物、ジアリールカーボネート又はその両方を系外に抜き出すことによって、その反応が促進される。そのためには、窒素，アルゴン, ヘリウム、二酸化炭素などの不活性ガスあるいは炭化水素ガスや貧溶媒蒸気などを導入し、これらのガスに同伴させて除去する方法、減圧下に反応を行う方法、又はこれらを併用した方法などが好ましく用いられる。また、同伴用のガスを導入する場合には、これらのガスを反応温度付近の温度に加熱しておくことが望ましい。
【００８０】
貧溶媒の条件としては、下記の反応条件で溶媒へのポリカーボネート溶解度が０．１重量％以下であり、反応に関与する可能性が少ない直鎖又は分岐鎖を有する炭素数４〜１８の飽和炭化水素化合物、又は炭素数４〜１８でかつ低度の不飽和炭化水素化合物が好ましい。沸点は、２５０℃を越えると残留溶剤の除去が困難となり、品質が低下する可能性があり好ましくない。
この固相重合反応を実施する場合の結晶化オリゴカーボネートの形状については、特に制限はないが、ペレット状, ビーズ状のものが好適である。
【００８１】
この固相重合での反応触媒としては、好ましくは四級ホスホニウム塩及び必要に応じて他の触媒も用いられるが、オリゴカーボネート生成工程で添加し、残存しているものをそのまま使用しても、又は前記触媒を再度粉末、液体又は気体状態で添加してもよい。
この固相重合反応を実施する際の反応温度Ｔｐ（℃）及び反応時間は、結晶化オリゴカーボネートの種類（化学構造，分子量等) や形状、結晶化オリゴカーボネート中の触媒の有無, 種類又は量、必要に応じて追加される触媒の種類又は量、結晶化オリゴマーの結晶化の度合や溶融温度Ｔｍ’（℃）の違い、目的とする芳香族ポリカーボネートの必要重合度、他の反応条件などによって異なるが、好ましくは目的とする芳香族ポリカーボネートのガラス転移湿度以上で、かつ固相重合中の結晶化オリゴマーが溶融しないで固相状態を保つ範囲の温度、より好ましくは下記式(XV)
Ｔｍ’−５０≦Ｔｐ＜Ｔｍ’    ・・・(XV)
で示される範囲の温度において、1 分〜１００時間、好ましくは０．１〜５０時間程度加熱することにより、固相重合反応を行う。
【００８２】
このような温度範囲としては、例えばビスフェノールＡのポリカーボネートを製造する場合には、約１５０〜２６０℃が好ましく、特に約１８０〜２４５℃が好ましい。
また、重合工程では、重合中のポリマーにできるだけ均一に熱を与え、副生物の抜き出しを有利に進めるために、攪拌したり、反応器自身を回転させたり、又は加熱ガスによって流動させる方法などが好ましく用いられる。
【００８３】
一般に工業的に有用な芳香族ポリカーボネートの重量平均分子量は、６０００〜２０万程度であり、上記固相重合工程を実施することによって、このような重合度のポリカーボネートが容易に得られる。
結晶化オリゴカーボネートの固相重合によって得られた芳香族ポリカーボネートの結晶化度は、重合前のオリゴカーボネートの結晶化度より増大していることから、本発明の方法では、結晶性芳香族ポリカーボネート粉体が得られる。結晶性芳香族ポリカーボネート粉体は、冷却せず直接押出機に導入してペレット化することもでき、冷却せずに直接成形機に導入して成形することもできる。
重合に寄与する予備重合と固相重合との割合は、必要に応じて適宜変えてもよい。
【００８４】
▲３▼膨潤固相状態での重合
この重合方法は、上記方法で結晶化したオリゴカーボネートを、後述する膨潤ガスにより膨潤させた状態での固相重合によって、さらに重合を行わせる方法である。この方法は、エステル交換反応によりポリカーボネートを製造する方法において、副生するフェノールのような低分子化合物を脱気又は抽出除去する場合、膨潤ガスにより膨潤状態にある高分子（オリゴカーボネート) から、低分子化合物を脱気又は抽出除去する方が、高粘度溶融高分子や結晶化した固体からの脱気又は抽出除去よりも物質移動速度が速くなり、高効率で反応できることを利用したものである。
【００８５】
ここで使用する膨潤溶媒は、ポリカーボネートを以下に示す反応条件で膨潤可能な単一膨潤溶媒、それらの単一膨潤溶媒の混合物、又は単一膨潤溶媒もしくはそれらの混合物にポリカーボネートの貧溶媒を単一あるいは数種類混合したものを示す。本工程における膨潤状態とは、以下に示した反応条件の範囲において、反応原料であるオリゴカーボネートフレークを熱膨潤値以上に体積的又は重量的に増加した状態をいい、膨潤溶媒とは、下記反応条件の範囲において完全に気化する沸点を有するか、又は通常５０ｍｍＨｇ以上の蒸気圧を有する単一化合物又はそれらの混合物であり、同時に上記の膨潤状態を形成させることができるものをいう。
【００８６】
このような膨潤溶媒は、上記の膨潤条件を満たしていれば、特に制限はない。例えば、溶解度パラメーターが４〜２０（ｃａｌ／ｃｍ3 ）1/2 の範囲、好ましくは７〜１４（ｃａｌ／ｃｍ3 ）1/2 の範囲にある芳香族化合物や含酸素化合物が該当する。
膨潤溶媒としては、例えばベンゼン，トルエン, キシレン, エチルベンゼン, ジエチルベンゼン, プロピルベンゼン, ジプロピルベンゼン等の芳香族炭化水素；テトラヒドロフラン，ジオキサン等のエ一テル類；メチルエチルケトン, メチルイソブチルケトン等のケトン類などが挙げられる。これらの中でも、炭素数６〜２０の芳香族炭化水素の単一化合物又は混合物が好ましい。
【００８７】
また、膨潤溶媒と混合される貧溶媒の条件としては、下記の反応条件で溶媒へのポリカーボネート溶解度が０．１重量％以下であり、反応に関与する可能性が少ない直鎖又は分岐鎖を有する炭素数４〜１８の飽和炭化水素化合物、又は炭素数４〜１８でかつ低度の不飽和炭化水素化合物が好ましい。膨潤溶媒及び貧溶媒の沸点が、共に２５０℃を越えると残留溶剤の除去が困難となり、品質が低下する可能性があり好ましくない。
【００８８】
このような貧溶媒と膨潤溶媒とを混合して用いる場合には、その混合溶媒中に膨潤溶媒が１重量％以上合有されていれば良く、好ましくは５重量％以上の膨潤溶媒を混合溶媒中に存在させる。
この膨潤固相重合工程では、反応温度が好ましくは１００〜２４０℃であり、反応時の圧力が好ましくは１０Torr〜５ｋｇ／ｃｍ2 Ｇ、特に好ましくは大気圧下で実施する。反応温度が上記範囲より低いとエステル交換反応が進行せず、反応温度がオリゴマーの融点を超える高温条件では、固相状態を維持できず、粒子間で融着等の現象が生じ、運転操作性が著しく低下する。従って、反応温度は融点以下にする必要がある。
【００８９】
この膨潤固相重合での反応触媒としては、好ましくは四級ホスホニウム塩及び必要に応じて他の触媒も用いられるが、オリゴカーボネート生成工程で添加し、残存しているものをそのまま使用しても、又は前記触媒を再度粉末、液体又は気体状態で添加してもよい。
膨潤溶媒ガスの供給は、液体状態で反応器に供給し反応器内で気化させても、予め熱交換器などにより気化させた後、反応器に供給してもよい。ガス供給量としてはオリゴマー１ｇ当たり０．５リットル（標準状態) ／ｈｒ以上のガスを反応器に供給することが好ましい。膨潤溶媒ガスの流通量は反応速度と密接に関係し、フェノール除去効果と同時に熱媒体としての作用をもしているため、ガスの流通量の増加に伴い反応速度が向上する。このような膨潤固相重合に用いられる反応器に特に制限はない。
【００９０】
▲４▼薄膜溶融状態での重合
この重合方法は、前記したオリゴカーボネートを加熱・減圧・液膜形成手段を有する重合器に投入し、溶融状態にし、減圧手段を作動させつつ、薄い液膜を形成し、高分子量化する方法である。この方法は薄膜重合法と呼ばれ、高分子量化に必要なエステル交換反応を一段と進めるために、前記した四級ホスホニウム塩等触媒の存在下で、溶融状態にあるオリゴカーボネートを膜厚５ｍｍ以下、好ましくは３ｍｍ以下、より好ましくは１ｍｍ以下の薄膜状態にして、反応温度５０〜３２０℃、好ましくは１００〜３２０℃、より好ましくは１５０〜２８０℃で、反応圧力０．１Torr〜５ｋｇ／ｃｍ2 Ｇ、反応時間１分〜１００時間、好ましくは２〜２０時間の条件で行う。
【００９１】
また、薄い液膜を形成する手段として、特に制限はないが、例えば前記１．▲４▼に記載した溶媒を用いてオリゴカーボネートを溶解した液を広い面積を有する反応器の底面に広げ、溶媒を加熱して蒸散させて薄膜を形成する方法が挙げられる。
この薄膜重合法は、既に知られる溶融エステル交換法の中でも特殊な方法の部類に属し、その狙いは、フェノールの脱気を促進して反応を促進させることに加え、脱離したフェノールによるポリマーの切断反応を出来るだけ阻止することにより、残留モノマー等の不純物低減を達成しようとするものである。
【００９２】
【実施例】
以下、本発明を実施例及び比較例により、詳細に説明するが、本発明は下記の実施例により限定されるものではない。
実施例１
内容積３０ミリリットルの攪拌機付オートクレーブに、芳香族ヒドロキシ化合物原料の二価ヒドロキシ化合物としてビスフェノールＡ２２．８ｇ（０．１モル）、酸化的カルボニウム化反応触媒として塩化パラジウム２．２２ｍｇ（分子量１７７．３１：１２．５マイクロモル）、酢酸セリウム一水和物２３．８ｍｇ（分子量３１７．２６：７５マイクロモル）及びテトラブチルアンモニウムブロミド０．１２（分子量３２２．３８：３７５マイクロモル）を封入した。一酸化炭素で加圧及び脱圧することにより、オートクレーブ内を一酸化炭素で置換した。その後、２５℃換算で６．０ＭＰａとなるように一酸化炭素を加圧し、さらに全体の圧力が７．５ＭＰａとなるように空気を加圧してから、１００℃に加熱し、４８時間反応させた。
反応後、冷却、脱圧した後、塩化メチレン６０ミリリットルを添加し、オリゴマー（オリゴカーボネート）溶液を得た。得られたオリゴマー溶液に、固相重合用触媒としてシクロヘキシルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート０．００６６ｇ（１０マイクロモル）と末端封止剤としてジフェニルカーボネート０．８６ｇ（０．００４モル）を添加し、アセトンを曇り点まで加えて、濃縮乾固後、真空乾燥させてオリゴマーの粉体を得た。得られたオリゴマーの粘度平均分子量は５４００であった。この粉体２０ｇを直径５８ｍｍ、長さ１７０ｍｍのＳＵＳ管に入れ、流通ガスとして窒素ガスを１００ミリリットル／分の速度で流し、室温から２４０℃まで昇温し、２時間固相重合を行い、ポリカーボネートを製造した。得られたポリカーボネートの粘度平均分子量を表１に示す。
【００９３】
実施例２
実施例１において、固相重合の際に窒素ガスに変えてヘプタンガスを使用したこと以外は同様にしてポリカーボネートを製造した。固相重合前のオリゴマーと製造したポリカーボネートの粘度平均分子量を表１に示す。
実施例３
実施例１において、固相重合の際に窒素ガスに変えてパラキシレンガスを使用したこと以外は同様にしてポリカーボネートを製造した。固相重合前のオリゴマーと製造したポリカーボネートの粘度平均分子量を表１に示す。
【００９４】
実施例４〜５
実施例１において、芳香族ヒドロキシ化合物原料の一価フェノールとして表１に示すものを０．００４モル使用し、末端封止剤を使用しなかったこと以外は同様にしてポリカーボネートを製造した。固相重合前のオリゴマーと製造したポリカーボネートの粘度平均分子量を表１に示す。
実施例６
実施例１において、末端封止剤を使用しなかったこと以外は同様にしてポリカーボネートを製造した。固相重合前のオリゴマーと製造したポリカーボネートの粘度平均分子量を表１に示す。
【００９５】
実施例７
内容積３０ミリリットルの攪拌機付オートクレーブに、芳香族ヒドロキシ化合物原料の二価ヒドロキシ化合物としてビスフェノールＡ２２．８ｇ（０．１モル）、酸化的カルボニウム化反応触媒として塩化パラジウム２．２２ｍｇ（分子量１７７．３１：１２．５マイクロモル）、酢酸セリウム一水和物２３．８ｍｇ（分子量３１７．２６：７５マイクロモル）及びテトラブチルアンモニウムブロミド０．１２（分子量３２２．３８：３７５マイクロモル）を封入した。一酸化炭素で加圧及び脱圧することにより、オートクレーブ内を一酸化炭素で置換した。その後、２５℃換算で６．０ＭＰａとなるように一酸化炭素を加圧し、さらに全体の圧力が７．５ＭＰａとなるように空気を加圧してから、１００℃に加熱し、４８時間反応させた。
反応後、冷却、脱圧した後、内容物の固体を掻き出した。この固体に含まれるオリゴマー（オリゴカーボネート）の粘度平均分子量は５１００であった。内容積１００ミリリットルの攪拌機付ニッケル製セパラブルフラスコに、得られたオリゴマー約２５ｇ、末端封止剤としてジフェニルカーボネート０．８６ｇ（０．００４モル）及び溶融重合用触媒としてテトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート０．００６６ｇ（１０マイクロモル）を添加し、減圧及び流通ガスとして窒素ガスによる復圧を５回繰り返し、フラスコ内を窒素置換した。次いで、室温から２７０℃まで昇温し、併せて０．５ｔｏｒｒ以下に減圧した。昇温開始から２時間溶融重合を行い、ポリカーボネートを製造した。得られたポリカーボネートの粘度平均分子量を表１に示す。
【００９６】
実施例８
内容積３０ミリリットルの攪拌機付オートクレーブに、芳香族ヒドロキシ化合物原料の二価ヒドロキシ化合物としてビスフェノールＡ２２．８ｇ（０．１モル）、酸化的カルボニウム化反応触媒として塩化パラジウム２．２２ｍｇ（分子量１７７．３１：１２．５マイクロモル）、酢酸セリウム一水和物２３．８ｍｇ（分子量３１７．２６：７５マイクロモル）及びテトラブチルアンモニウムブロミド０．１２（分子量３２２．３８：３７５マイクロモル）を封入した。一酸化炭素で加圧及び脱圧することにより、オートクレーブ内を一酸化炭素で置換した。その後、２５℃換算で６．０ＭＰａとなるように一酸化炭素を加圧し、さらに全体の圧力が７．５ＭＰａとなるように空気を加圧してから、１００℃に加熱し、４８時間反応させた。
反応後、冷却、脱圧した後、内容物の固体を掻き出した。この固体に含まれるオリゴマー（オリゴカーボネート）の粘度平均分子量は５２００であった。得られたオリゴマー約８．０４ｇ、末端封止剤としてジフェニルカーボネート０．８６ｇ（０．００４モル）及び重合用触媒としてテトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート０．００２２ｇ（３．３マイクロモル）とを直径３２ｃｍのシャーレ上に置き、塩化メチレン１０ミリリットルを添加し、シャーレ上でオリゴマーと触媒を溶解、混合した。その後、塩化メチレンを蒸発させ、膜厚０．０１ｃｍの薄膜を調製し、１２０℃で一晩真空乾燥した。次に、ホットプレートを備えた減圧仕様のオーブン中で、２７０℃、０．５ｔｏｒｒ以下で２時間重合を行い、ポリカーボネートを製造した。得られたポリカーボネートの粘度平均分子量を表１に示す。
【００９７】
【表１】
0004195145.tif 000010
【００９８】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明の製造方法によれば、酸化的カルボニル化反応によリ生成したオリゴマーを、エステル交換反応で高分子量化することにより、少ない製造工程で、経済的で、重合度が高く高分子量で、品質の優れたポリカーボネートを製造することができる。