【手続補正書】
【提出日】平成20年8月13日(2008.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】  明細書
【発明の名称】  半導体集積回路チップの封止方法、半導体集積回路チップ装置および半導体集積回路カード
【特許請求の範囲】
【請求項１】  回路パターンが形成され半導体集積回路チップを搭載したフィルム基板に対して、下面側に配設する第１の補強板上に封止用樹脂を所定量塗布し、前記半導体集積回路チップ上にも封止用樹脂を所定量塗布し、上面側に第２の補強板を載置し、上下から前記第１および第２の補強板を加圧することにより封止用樹脂を流動させて半導体集積回路チップの周面に流れ込ませる封止方法であって、
前記第１および第２の補強板を、前記半導体集積回路チップを被覆する凹部と、フランジ部からなる帽子型に形成してあること
を特徴とする半導体集積回路チップの封止方法。
【請求項２】  回路パターンが形成され半導体集積回路チップを搭載したフィルム基板に対して、下面側に配設する第１の補強板上に封止用樹脂を所定量塗布し、前記半導体集積回路チップ上にも封止用樹脂を所定量塗布し、上面側に第２の補強板を載置し、上下から前記第１および第２の補強板を加圧することにより封止用樹脂を流動させて半導体集積回路チップの周面に流れ込ませる封止方法であって、
前記第１および第２の補強板は、一方が閉じ、もう一方に開口部を有する円筒部と、前記開口部の周縁部に配設される略円形のフランジ部とからなること
を特徴とする半導体集積回路チップの封止方法。
【請求項３】  回路パターンが形成され半導体集積回路チップを搭載したフィルム基板に対して、下面側に配設する第１の補強板上に封止用樹脂を所定量塗布し、前記半導体集積回路チップ上にも封止用樹脂を所定量塗布し、上面側に第２の補強板を載置し、上下から前記第１および第２の補強板を加圧することにより封止用樹脂を流動させて半導体集積回路チップの周面に流れ込ませる封止方法であって、
前記第１および第２の補強板は、一方が閉じ、もう一方に開口部を有する四角筒部と、前記開口部の周縁部に配設される略正方形のフランジ部とからなること
を特徴とする半導体集積回路チップの封止方法。
【請求項４】  前記補強板は、少なくとも封止樹脂と接触する面を粗面加工してあること
を特徴とする請求項１、２又は３に記載の半導体集積回路チップの封止方法。
【請求項５】  回路パターンが形成された基板と、
該基板上の回路パターンに搭載された半導体集積回路チップと、
これら基板の下面および半導体集積回路チップの上面に封止樹脂を介して一体的に配設された第１および第２の補強板とからなり、  
前記第１および第２の補強板を、前記半導体集積回路チップを被覆する凹部と、フランジ部からなる帽子型に形成したこと
を特徴とする半導体集積回路チップ装置。
【請求項６】  回路パターンが形成された基板と、
該基板上の回路パターンに搭載された半導体集積回路チップと、
これら基板の下面および半導体集積回路チップの上面に封止樹脂を介して一体的に配設された第１および第２の補強板とからなり、  
前記第１および第２の補強板は、一方が閉じ、もう一方に開口部を有する円筒部と、前記開口部の周縁部に配設される略円形のフランジ部とからなること
を特徴とする半導体集積回路チップ装置。
【請求項７】  回路パターンが形成された基板と、
該基板上の回路パターンに搭載された半導体集積回路チップと、
これら基板の下面および半導体集積回路チップの上面に封止樹脂を介して一体的に配設された第１および第２の補強板とからなり、
前記第１および第２の補強板は、一方が閉じ、もう一方に開口部を有する四角筒部と、前記開口部の周縁部に配設される略正方形のフランジ部とからなること
を特徴とする半導体集積回路チップ装置。
【請求項８】  前記補強板は、
少なくとも封止樹脂と接触する面を粗面加工したこと
を特徴とする請求項５、６又は７に記載の半導体集積回路チップ装置。
【請求項９】  回路パターンが形成された基板と、
該基板上の回路パターンに搭載された半導体集積回路チップと、
これら基板の下面および半導体集積回路チップの上面に封止樹脂を介して一体的に配設された第１および第２の補強板とからなり、  
前記第１および第２の補強板を、前記半導体集積回路チップを被覆する凹部と、フランジ部からなる帽子型に形成した構成の半導体集積回路チップ装置をカード基板内に装填したこと
を特徴とする半導体集積回路カード。
【請求項１０】  回路パターンが形成された基板と、
該基板上の回路パターンに搭載された半導体集積回路チップと、
これら基板の下面および半導体集積回路チップの上面に封止樹脂を介して一体的に配設された第１および第２の補強板とからなり、  
前記第１および第２の補強板を、一方が閉じ、もう一方に開口部を有する円筒部と、前記開口部の周縁部に配設された略円形のフランジ部とから形成した構成の半導体集積回路チップ装置をカード基板内に装填したこと
を特徴とする半導体集積回路カード。
【請求項１１】  回路パターンが形成された基板と、
該基板上の回路パターンに搭載された半導体集積回路チップと、
これら基板の下面および半導体集積回路チップの上面に封止樹脂を介して一体的に配設された第１および第２の補強板とからなり、
前記第１および第２の補強板を、一方が閉じ、もう一方に開口部を有する四角筒部と、前記開口部の周縁部に配設される略正方形のフランジ部とから形成した構成の半導体集積回路チップ装置をカード基板内に装填したこと
を特徴とする半導体集積回路カード。
【請求項１２】前記補強板は、
少なくとも封止樹脂と接触する面を粗面加工したこと
を特徴とする請求項９、１０又は１１に記載の半導体集積回路カード。
【請求項１３】  回路パターンが形成された基板と、
該基板上の回路パターンに搭載された半導体集積回路チップと、
これら基板の下面および半導体集積回路チップの上面に封止樹脂を介して一体的に配設された第１および第２の補強板とからなり、  
前記第１および第２の補強板を、封止樹脂と接触する面と、充填接着層と接する面の粗度が異なるように粗面加工した構成の半導体集積回路チップ装置を、前記充填接着層を介してカード基板内に装填したこと
を特徴とする半導体集積回路カード。
【請求項１４】  前記第１および第２の補強板を、一方が閉じ、もう一方に開口部を有する円筒部と、前記開口部の周縁部に配設された略円形のフランジ部とから形成したこと
を特徴とする請求項１３に記載の半導体集積回路カード。
【請求項１５】  前記第１および第２の補強板を、一方が閉じ、もう一方に開口部を有する四角筒部と、前記開口部の周縁部に配設される略正方形のフランジ部とから形成したこと
を特徴とする請求項１３に記載の半導体集積回路カード。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、セキュリティー用または通行用等の各種ＩＣカード等に使用される半導体集積回路チップの封止方法と、半導体集積回路チップ装置および半導体集積回路カードに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
この種の半導体集積回路チップの封止方法、半導体集積回路チップ装置および半導体集積回路カードとしては、例えば、同一出願人に係る特開２０００−２２２５４９号公開公報に開示された構成のものが公知になっている。
【０００３】
この公知の半導体集積回路チップの封止方法においては、回路パターンが形成されたフィルム基板上に半導体チップを搭載し、これらの上下に所要量の封止用樹脂を介して第１の補強板と第２の補強板とを配設し、これら補強板を押圧し封止用樹脂を押し広げることにより半導体チップ全体を包み込むようにし、且つ補強板を封止用樹脂で一体的に接着させて硬化させた構成を有するものである。
【０００４】
そして、使用されている補強板は、金属板で全体をフラットに形成したものであって、金属板表面は接着のための加工処理を行っていないものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、最近の半導体チップは薄型化が進み、半導体チップ自体の強度が低いことと、接着のための加工が施されていない金属製の補強板は、全体がフラットであって封止樹脂との接着面の粗度がそれ程粗面でないことから、接着強度に多少の不安があって、通常の使用ではほとんど問題が生じることはないが、例えば、外圧によって強い曲げ力が付与されたときに、補強板が剥がれて半導体チップが破損したり、回路パターンとの接続が外れたりするのではないかという懸念がある。
【０００６】
従って、従来例においては、補強板の接着強度を更に向上させることに解決課題を有する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決する具体的手段としての第１の本発明は、回路パターンが形成され半導体集積回路チップを搭載したフィルム基板に対して、下面側に配設する第１の補強板上に封止用樹脂を所定量塗布し、前記半導体集積回路チップ上にも封止用樹脂を所定量塗布し、上面側に第２の補強板を載置し、上下から前記第１および第２の補強板を加圧することにより封止用樹脂を流動させて半導体集積回路チップの周面に流れ込ませる封止方法であって、前記第１および第２の補強板を、前記半導体集積回路チップを被覆する凹部と、フランジ部からなる帽子型に形成してあることを特徴とする半導体集積回路チップの封止方法を提供するものである。
【０００８】
また、第２と第３の本発明は、回路パターンが形成され半導体集積回路チップを搭載したフィルム基板に対して、下面側に配設する第１の補強板上に封止用樹脂を所定量塗布し、前記半導体集積回路チップ上にも封止用樹脂を所定量塗布し、上面側に第２の補強板を載置し、上下から前記第１および第２の補強板を加圧することにより封止用樹脂を流動させて半導体集積回路チップの周面に流れ込ませる封止方法であって、前記第１および第２の補強板は、一方が閉じ、もう一方に開口部を有する円筒部又は四角筒部と、前記開口部の周縁部に配設される略円形又は略正方形のフランジ部とからなることを特徴とする半導体集積回路チップの封止方法を提供するものである。
【０００９】
前記第１乃至第３の発明において、前記補強板は、少なくとも封止樹脂と接触する面を粗面加工してあることを付加的な要件として含むものである。
【００１０】
更に、第４の発明として、回路パターンが形成された基板と、該基板上の回路パターンに搭載された半導体集積回路チップと、これら基板の下面および半導体集積回路チップの上面に封止樹脂を介して一体的に配設された第１および第２の補強板とからなり、前記第１および第２の補強板を、前記半導体集積回路チップを被覆する凹部と、フランジ部からなる帽子型に形成した構成の半導体集積回路チップ装置をカード基板内に装填したことを特徴とする半導体集積回路チップ装置を提供するものである。
【００１１】
更にまた、第５と第６の発明として、回路パターンが形成された基板と、該基板上の回路パターンに搭載された半導体集積回路チップと、これら基板の下面および半導体集積回路チップの上面に封止樹脂を介して一体的に配設された第１および第２の補強板とからなり、前記第１および第２の補強板は、一方が閉じ、もう一方に開口部を有する円筒部又は四角筒部と、前記開口部の周縁部に配設される略円形又は略正方形のフランジ部とからなることを特徴とする半導体集積回路チップ装置を提供するものである。
【００１２】
そして、前記第４乃至第６の発明において、前記補強板は、少なくとも封止樹脂と接触する面を粗面加工したことを付加的な要件として含むものである。
【００１３】
更に、第７の発明として、回路パターンが形成された基板と、該基板上の回路パターンに搭載された半導体集積回路チップと、これら基板の下面および半導体集積回路チップの上面に封止樹脂を介して一体的に配設された第１および第２の補強板とからなり、前記第１および第２の補強板を、前記半導体集積回路チップを被覆する凹部と、フランジ部からなる帽子型に形成した構成の半導体集積回路チップ装置をカード基板内に装填したことを特徴とする半導体集積回路カードを提供するものである。
【００１４】
また更に、第８と第９の発明として、回路パターンが形成された基板と、該基板上の回路パターンに搭載された半導体集積回路チップと、これら基板の下面および半導体集積回路チップの上面に封止樹脂を介して一体的に配設された第１および第２の補強板とからなり、前記第１および第２の補強板を、一方が閉じ、もう一方に開口部を有する円筒部又は四角筒部と、前記開口部の周縁部に配設される略円形又は略正方形のフランジ部とから形成した構成の半導体集積回路チップ装置をカード基板内に装填したことを特徴とする半導体集積回路カードを提供するものである。
【００１５】
前記第７乃至第９の発明において、前記補強板は、少なくとも封止樹脂と接触する面を粗面加工したことを付加的な要件として含むものである。
【００１６】
また、第１０の発明として、回路パターンが形成された基板と、該基板上の回路パターンに搭載された半導体集積回路チップと、これら基板の下面および半導体集積回路チップの上面に封止樹脂を介して一体的に配設された第１および第２の補強板とからなり、前記第１および第２の補強板を、封止樹脂と接触する面と、充填接着層と接する面の粗度が異なるように粗面加工した構成の半導体集積回路チップ装置を、前記充填接着層を介してカード基板内に装填したことを特徴とする半導体集積回路カードを提供するものである。
【００１７】
前記第１０の発明において、前記第１および第２の補強板を、一方が閉じ、もう一方に開口部を有する円筒部又は四角筒部と、前記開口部の周縁部に配設された略円形又は略正方形のフランジ部とから形成したこと、を付加的な要件として含むものである。
【００１８】
前記いずれの本発明においても、補強板の構成を特定なものとすることによって、封止樹脂との接着強度が大幅にアップし、半導体集積回路チップ装置としての強度アップが図れると共に、ＩＣカードとして使用した場合に、外圧により曲げられたり落下衝撃を受けても、ＩＣチップが破損する現象が著しく減少し、品質を向上させることができるのである。
【００１９】
【発明の実施の形態】
次に、本発明を図示の好ましい幾つかの実施の形態により更に詳しく説明すると、図１〜図８は第１の実施の形態を示すものであって、従来例と同様に、フィルム基板１に多数の回路パターン２が形成されており、これら各回路パターン２に対してそれぞれ半導体集積回路チップ（以下ＩＣチップと略称する）３を搭載させ、各ＩＣチップ３の搭載位置の上下から粗面加工した金属製の補強板４、５を封止用樹脂を介して一体的に取り付けるものである。
【００２０】
まず、図１は同実施の形態における多数の回路パターンの内の一つの回路パターン２について、ＩＣチップの封止方法を略示的に示した説明図であって、該説明図に基づいて説明すると、図１Ａにおいては、フィルム基板１における回路パターン２が設定した位置にあるか否かの検出を行って位置決めし、図１Ｂにおいて回路パターン２の指定位置に少量の接着剤（封止用樹脂）６を塗布または滴下する。この場合には、ディスペンサを用いて一定量の接着剤を供給するものである。
【００２１】
接着剤６が塗布された回路パターン２に対して、図１Ｃおよび図２に示したように、ＩＣチップ３を搭載させ、加圧状態において加熱することにより、バンプまたはＢＧＡ等を介して回路パターン２とＩＣチップ３とを電気的に接続させ、フィルム基板１に対してＩＣチップ３を定着固定させる。
【００２２】
次に、図１Ｄ〜Ｆおよび図３に示したように、第１の補強板４に粗度の粗い側に所要量の封止樹脂７を塗布または滴下すると共に、ＩＣチップ３の上部にも所要量の封止樹脂８を塗布または滴下し、第１の補強板４をフィルム基板１の下側に位置させ、第２の補強板５を粗度の粗い側を下向きにして上部に位置させ、上下からＩＣチップ３をサンドイッチ状に挟み付けて水平に加圧することにより、図４に示したように、封止樹脂７、８を押し延ばして各補強板４、５の周囲にまで流出またははみ出させる。
【００２３】
封止樹脂７、８の塗布または滴下は、ディスペンサを用いてそれぞれ適切な量を供給するものであり、各補強板４、５を上下から水平に加圧したときに、封止樹脂７、８が均等に流動し、各補強板４、５の周囲に略均等に流出またははみ出すようにするものであり、それによって、ＩＣチップ３の周囲が封止樹脂８によって完全に包み込まれ、その状態を維持して封止樹脂７、８を硬化させ、フィルム基板１、ＩＣチップ３、第１および第２の補強板４、５を一体化させるものである。特に、粗面加工した粗度の粗い側がそれぞれ封止樹脂７、８と接しているので接着強度が高いものとなる。
【００２４】
この場合に、封止樹脂７、８の塗布または滴下量が少ないと、補強板４、５の周囲にまで樹脂が流動せず、特に、ＩＣチップ３の周囲を完全に封止できないという不都合が生じると共に、補強板４、５の周囲が保持されず強度的に弱くなる虞れがある。逆に、封止樹脂７、８の塗布または滴下量が多いと、補強板４、５の周囲における樹脂のはみ出し量が必要以上に多くなり、封止樹脂硬化後の次工程における各ＩＣチップ３毎に決められた大きさに、即ち、仮想線ａ、ｂに沿って切断して、半導体集積回路チップ装置９を形成する切断工程において支障を来すという不都合が生じる。なお、使用された補強板４、５の形状は、円形であるが、後述するように、種々の形状のものが使用できることは勿論である。
【００２５】
図５は、前記封止した各ＩＣチップ３毎に、切断工程によって切断して半導体集積回路チップ装置９を形成し、その半導体集積回路チップ装置９を用いてＩＣカード１０を形成した場合の要部のみを拡大して断面で示したものである。このＩＣカード１０においては、その厚みが０．８〜１．５ｍｍ程度であって、半導体集積回路チップ装置９を充填接着層１１内に埋め込み、外装シート１２、１３を上下に一体的に取り付けることによってＩＣカードが形成されるのである。この場合の外装シートは、硬質の樹脂シートが好ましい。
【００２６】
補強板４、５の粗面加工の一例については、図６および図７に示してある。即ち、２個の研磨砥石１４、１５を近接した状態で用い、補強板となる板状の素材１６を両者間に通過させることによって粗面加工を施す。  
【００２７】
この場合の粗面加工において、補強板４、５としての表側になる部分と封止樹脂と接触する裏側となる部分との粗度を変えることができる。例えば、研磨砥石１４は、裏面側の粗度加工を行わせるものであって、その砥石の粗度＃２００〜＃６００のものが使用され、研磨砥石１５は、表面側の粗度加工を行わせるもので、その粗度＃６００〜＃１２００のものが使用されるものである。
【００２８】
そして、粗面加工を施した板状の素材１６は、その後に適宜の大きさおよび形状に切断されて第１および第２の補強板４、５として使用されるものである。
【００２９】
この場合の粗面加工と切断形状については、図８に示してある。即ち、図８の（Ａ）〜（Ｄ）は、粗面加工を格子状に形成したものであって、（Ａ）図は、補強板４（５）として略正方形に形成したものであり、（Ｂ）図はその正方形のコーナー部を面取りした形状に形成し、（Ｃ）図は、補強板４（５）として俵形状または小判型に形成し、（Ｄ）図は、補強板４（５）として円形状に形成したものである。
【００３０】
また、図８の（Ｅ）〜（Ｈ）は、粗面加工をストライプ状に形成したものであって、上記と同様に（Ｅ）図は、補強板４（５）として略正方形に形成したものであり、（Ｆ）図はその正方形のコーナー部を面取りした形状に形成し、（Ｇ）図は、補強板４（５）として俵形状または小判型に形成し、（Ｈ）図は、補強板４（５）として円形状に形成したものである。なお、これらの形状については、適宜選択できるものであって、例えば、長方形、六角形または楕円形等、半導体集積回路チップ装置の使用態様によって適宜の形状が選択できる。いずれにしても、封止樹脂と接触する面に粗面加工を施して接着強度を向上させることが重要なのである。
【００３１】
本発明に係る第２の実施の形態を図９〜図１１に示してある。この第２の実施の形態における製造工程については、前記第１の実施の形態と同様に、多数の回路パターン２が形成されているフィルム基板１に対して、各回路パターン２のそれぞれに半導体集積回路チップ３を搭載させること、および各ＩＣチップ３の搭載位置の上下から封止用樹脂７、８を介して金属製の補強板を一体的に取り付けることについては、略同じ工程を経るものであり、その説明が重複するので省略する。
【００３２】
この第２の実施の形態において相違する部分は、使用される金属製の補強板の構成である。即ち、金属製の補強板２４、２５は、周縁部にフランジ部２４ａ、２５ａを有する帽子型のものが使用される。因みに、帽子型の頂部の広さは、ＩＣチップ３によって適宜に選択されるものであるが、その帽子型の凹みの段差ｃは、略３０μｍ程度である。
【００３３】
そして、図９に示したように、封止用樹脂７を第１の補強板２４の内側に塗布または滴下してフィルム基板１の下面側に位置させ、ＩＣチップ３に封止樹脂８を塗布または滴下して第２の補強板２５の内側を下向きにして位置させ、上下から水平に押圧力を加えることによって、封止用樹脂７、８が均等に流動して各補強板２４、２５の周囲にまで流出またははみ出させる。
【００３４】
封止樹脂７、８の塗布または滴下については、前記第１の実施の形態と同様にディスペンサを用いてそれぞれ適切な量を供給するものであり、各補強板２４、２５を上下から水平に加圧したときに、封止樹脂７、８が均等に流動し、各補強板２４、２５の周囲に略均等に流出またははみ出すようにするものであり、それによって、図１０に示したように、ＩＣチップ３の周囲が封止樹脂８によって完全に包み込まれるようになり、その状態を維持して封止樹脂７、８を硬化させ、フィルム基板１、ＩＣチップ３、第１および第２の補強板２４、２５を一体化させるものである。
【００３５】
特に、第１および第２の補強板２４、２５は、帽子型に変形させて形成してあることからして、それ自体の強度がアップすると共に、封止樹脂７、８との接触面が増えることから接着強度が向上し、更に、少なくとも接触面側を粗面加工した粗度の粗い面とすることにより、封止樹脂７、８との接着強度が更に高いものとなる。
【００３６】
つまり、第１および第２の補強板２４、２５は、いわゆるプレス加工によって帽子型に形成されるものであり、そのプレス加工の際に、少なくとも内側となる面を粗面に形成するか、または、先の第１の実施の形態で説明した素材１６を使用して形成すれば、封止樹脂７、８との接触面側を簡単に粗面に形成できるのである。
【００３７】
この第２の実施の形態においても、封止樹脂７、８が硬化硬化して、フィルム基板１、ＩＣチップ３、第１および第２の補強板２４、２５が一体化した後において、図１０に示した仮想線ａ、ｂの位置で切断して、半導体集積回路チップ装置２９を形成するものであるが、この切断工程においても、封止樹脂７、８が適量に供給されて必要以上にはみ出していないので、切断工程に支障を来すことがないのである。このように切断形成された形成された半導体集積回路チップ装置２９は、例えば、ＩＣカードとして使用できるのである。
【００３８】
図１１に、その半導体集積回路チップ装置２９を用いてＩＣカード２０を形成した場合の要部のみを拡大して断面で示してある。このＩＣカード２０においても、前記第１の実施の形態と同様に、その厚みが０．８〜１．５ｍｍ程度であって、半導体集積回路チップ装置２９を充填接着層１１内に埋め込み、外装シート１２、１３を上下に一体的に取り付けることによってＩＣカード２０が形成されるのである。この場合の外装シートは、硬質の樹脂シートが好ましい。
【００３９】
いずれにしても、本発明においては、封止樹脂７、８との接着強度をアップさせるために、補強板の構造に工夫を凝らしたものであり、その一例は、封止樹脂７、８との接着面を粗面に加工することであり、他の例は、補強板の形状を帽子型に形成して接着面を広くしたものである。
【００４０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の第１の発明に係る半導体集積回路チップの封止方法は、回路パターンが形成され半導体集積回路チップを搭載したフィルム基板に対して、下面側に配設する第１の補強板上に封止用樹脂を所定量塗布し、前記半導体集積回路チップ上にも封止用樹脂を所定量塗布し、上面側に第２の補強板を載置し、上下から前記第１および第２の補強板を加圧することにより封止用樹脂を流動させて半導体集積回路チップの周面に流れ込ませる封止方法であって、前記第１および第２の補強板を、前記半導体集積回路チップを被覆する凹部と、フランジ部からなる帽子型に形成した構成にすることによって、特に、半導体集積回路チップを保護する補強板と封止樹脂との接着強度が大幅にアップするという優れた効果を奏する。
【００４１】
また、第２と第３の本発明においても、回路パターンが形成され半導体集積回路チップを搭載したフィルム基板に対して、下面側に配設する第１の補強板上に封止用樹脂を所定量塗布し、前記半導体集積回路チップ上にも封止用樹脂を所定量塗布し、上面側に第２の補強板を載置し、上下から前記第１および第２の補強板を加圧することにより封止用樹脂を流動させて半導体集積回路チップの周面に流れ込ませる封止方法であって、前記第１および第２の補強板は、一方が閉じ、もう一方に開口部を有する円筒部又は四角筒部と、前記開口部の周縁部に配設される略円形又は略正方形のフランジ部とからなる構成にしたことにより、前記第１の発明と同一の効果を奏するものである。
【００４２】
更に、第４の発明に係る半導体集積回路チップ装置は、回路パターンが形成された基板と、該基板上の回路パターンに搭載された半導体集積回路チップと、これら基板の下面および半導体集積回路チップの上面に封止樹脂を介して一体的に配設された第１および第２の補強板とからなり、前記第１および第２の補強板を、前記半導体集積回路チップを被覆する凹部と、フランジ部からなる帽子型に形成した構成にすること、および、第５と第６の発明は、前記第１および第２の補強板を、一方が閉じ、もう一方に開口部を有する円筒部又は四角筒部と、前記開口部の周縁部に配設される略円形又は略正方形のフランジ部としことにより、いずれの構成においても、補強板と封止樹脂との接着強度が大幅にアップすることから、半導体集積回路チップ装置としての強度アップにつながり、これを利用する製品は信頼性に優れるという効果を奏する。
【００４３】
更にまた、第７乃至第１０の発明に係る半導体集積回路カードは、回路パターンが形成された基板と、該基板上の回路パターンに搭載された半導体集積回路チップと、これら基板の下面および半導体集積回路チップの上面に封止樹脂を介して一体的に配設された第１および第２の補強板とからなり、前記第１および第２の補強板の少なくとも封止樹脂と接触する面を粗面加工した構成の半導体集積回路チップ装置をカード基板内に装填した構成とし、第６の発明は、前記第１および第２の補強板を、前記半導体集積回路チップを被覆する凹部と、フランジ部からなる帽子型、又は、一方が閉じ、もう一方に開口部を有する円筒部又は四角筒部と、前記開口部の周縁部に配設される略円形又は略正方形のフランジ部に形成した構成の半導体集積回路チップ装置をカード基板内に装填した構成としたものであり、いずれの本発明においても、補強板と封止樹脂との接着強度が大幅にアップし、ＩＣカードとして使用した場合に、外圧により曲げられたり落下衝撃を受けても、補強板は剥がれたりＩＣチップが破損する現象が著しく減少し、品質を向上させることができるという優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明の第１の実施の形態に係る半導体集積回路チップの封止方法を工程順に略示的に示した説明図である。
【図２】
同半導体集積回路チップの封止方法における半導体集積回路チップの搭載状況を説明するため拡大して示した略示的側面図である。
【図３】
同半導体集積回路チップの封止方法における補強板の取付状況を説明するための略示的側面図である。
【図４】
同半導体集積回路チップの封止方法における補強板による封止樹脂の流動封止状況を説明するための略示的側面図である。
【図５】
同半導体集積回路チップの封止方法によって得られた半導体集積回路チップ装置を使用したＩＣカードの要部のみを拡大して示した断面面図である。
【図６】
同半導体集積回路チップの封止方法に使用される補強板の粗面加工状況を説明するための説明図である。
【図７】
同半導体集積回路チップの封止方法に使用される補強板の粗面加工途中を示す説明図である。
【図８】
（Ａ）〜（Ｈ）図は、同半導体集積回路チップの封止方法に使用される粗面加工した複数種の補強板を羅列して示した平面図である。
【図９】
本発明の第２の実施の形態に係る半導体集積回路チップの封止方法における補強板の取付状況を説明するための略示的側面図である。
【図１０】
同半導体集積回路チップの封止方法における補強板による封止樹脂の流動封止状況を説明するための略示的側面図である。
【図１１】
同半導体集積回路チップの封止方法によって得られた半導体集積回路チップ装置を使用したＩＣカードの要部のみを拡大して示した断面面図である。
【符号の説明】
１  フィルム基板、  ２  回路パターン、
３  半導体集積回路チップ（ＩＣチップ）、  ４、２４  第１の補強板、
５、２５  第２の補強板、  ６  接着剤（封止用樹脂）、
７、８  封止用樹脂、  ９、２９  半導体チップ装置、
１０、２０  ＩＣカード、  １１  充填接着層、  １２、１３  外装シート。