Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月6日(2008.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】自発光装置、電気器具
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極ホールを有する画素電極と、
前記電極ホールに設けられた保護部と、
前記画素電極上及び前記保護部上に設けられたＥＬ層と、を有することを特徴とする自発光装置。
【請求項２】
スイッチング素子と、
前記スイッチング素子に電気的に接続され、電極ホールを有する画素電極と、
前記電極ホールに設けられた保護部と、
前記画素電極上及び前記保護部上に設けられたＥＬ層と、有することを特徴とする自発光装置。
【請求項３】
スイッチング素子上に設けられ、コンタクトホールを有する絶縁膜と、
前記コンタクトホール上及び前記絶縁膜上に設けられ、前記スイッチング素子に電気的に接続された画素電極と、
前記コンタクトホール上に前記画素電極を設けることにより生じた電極ホールに設けられた保護部と、
前記画素電極上及び前記保護部上に設けられたＥＬ層と、を有することを特徴とする自発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記保護部の外径は、前記電極ホールの内径よりも大きいことを特徴とする自発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記電極ホール内に設けられた前記保護部は、前記電極ホールの内部のみに残存するように埋め込まれていることを特徴とする自発光装置。
【請求項６】
電極ホールを有する画素電極と、
前記電極ホール内に設けられた第１の保護部と、
前記画素電極上及び前記第１の保護部上に設けられたＥＬ層と、が設けられた画素を複数有し、
隣接する前記画素電極の隙間には第２の保護部が設けられていることを特徴とする自発光装置。
【請求項７】
スイッチング素子と、
前記スイッチング素子に電気的に接続され、電極ホールを有する画素電極と、
前記電極ホール内に設けられた第１の保護部と、
前記画素電極上及び前記第１の保護部上に設けられたＥＬ層と、が設けられた画素を複数有し、
隣接する前記画素電極の隙間には第２の保護部が設けられていることを特徴とする自発光装置。
【請求項８】
スイッチング素子上に設けられ、コンタクトホールを有する絶縁膜と、
前記コンタクトホール上及び前記絶縁膜上に設けられ、前記スイッチング素子に電気的に接続された画素電極と、
前記コンタクトホール上に前記画素電極を設けることにより生じた電極ホール内に設けられた第１の保護部と、
前記画素電極上及び前記第１の保護部上に設けられたＥＬ層と、が設けられた画素を複数有し、
隣接する前記画素電極の隙間には第２の保護部が設けられていることを特徴とする自発光装置。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第１の保護部の外径は、前記電極ホールの内径よりも大きいことを特徴とする自発光装置。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項８のいずれか一項において、
前記電極ホールに設けられた前記第１の保護部は、前記電極ホールの内部のみに残存するように埋め込まれていることを特徴とする自発光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、前記電気器具はビデオカメラ、頭部取り付け型のＥＬディスプレイ、画像再生装置、携帯型コンピュータ、パーソナルコンピュータ、携帯電話、および音響再生装置を含むことを特徴とする電気器具。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月4日(2007.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像表示装置の駆動回路、画像表示装置及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｋ本（ｋは２以上の整数）の信号線を駆動する画像表示装置の駆動回路において、
ｍビット（ｍは自然数）のデジタル映像信号が入力されるｍ個またはｍの倍数個のシフトレジスタと、
前記シフトレジスタの出力信号を記憶するｎ分のｍ×ｋ個（ｎは２以上の整数）の記憶回路と、
前記記憶回路の出力信号をアナログ信号に変換する複数のＤ／Ａ変換回路と、
前記Ｄ／Ａ変換回路の出力信号を前記信号線へ送出するｎ分のｋ個の信号線選択回路と、を有し、
前記ｎ分のｋ個の信号線選択回路は、それぞれ、前記ｋ本の信号線から選択されたｎ本の信号線に電気的に接続され、前記ｎ本の信号線から選択された１本の信号線に前記Ｄ／Ａ変換回路の出力信号を送出することを特徴とする画像表示装置の駆動回路。
【請求項２】
請求項１において、
前記ｋ本の信号線は、光の３原色である赤、緑、青に対応した３本の信号線を単位に３の倍数本であることを特徴とする画像表示装置の駆動回路。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記複数のＤ／Ａ変換回路の数は、ｎ分のｋ個であることを特徴とする画像表示装置の駆動回路。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
前記複数のＤ／Ａ変換回路は、それぞれランプ型Ｄ／Ａ変換回路であることを特徴とする画像表示装置の駆動回路。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４において、
前記ｎ分のｍ×ｋ個の記憶回路のそれぞれに前記デジタル映像信号が記憶される動作は、１水平走査期間内にｎ回行われることを特徴とする画像表示装置の駆動回路。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記ｎ分のｍ×ｋ個の記憶回路は、それぞれ、ラッチ回路であることを特徴とする画像表示装置の駆動回路。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
前記ｎ分のｍ×ｋ個の記憶回路は、それぞれアナログスイッチ、保持容量、クロックドインバータ及びインバータから選択された１つまたは複数を有することを特徴とする画像表示装置の駆動回路。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項において、
前記駆動回路は、ポリシリコン層を含む薄膜トランジスタで形成されていることを特徴とする画像表示装置の駆動回路。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項において、
前記駆動回路は、単結晶を含むトランジスタで形成されていることを特徴とする画像表示装置の駆動回路。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の前記駆動回路を有する画像表示装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の前記駆動回路と、
液晶材料またはエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）材料と、を有することを特徴とする画像表示装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の前記駆動回路と、
複数の走査線と、前記信号線と前記走査線が交差する領域に設けられた複数の画素電極と、前記複数の画素電極を駆動するための複数のスイッチング素子と、を有する画素アレイ部と、
前記複数の走査線を駆動する走査線駆動回路と、を有することを特徴とする画像表示装置。
【請求項１３】
請求項１０乃至請求項１２のいずれか１項に記載の前記画像表示装置を用いた電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月21日(2008.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ハイパーメディアリンクのアソシエーション・ストレングスを決定する方法であって、
複数の内容項目を含んでいる複数のドキュメントのハイパーメディアリンクを識別することと、
前記ドキュメント内の前記内容項目の分布を決定することと、
情報ニーズ項目を前記内容項目と比較することと、
前記比較に従って、前記ハイパーメディアリンクにアソシエーション・ストレングスを割り当てることと、
から成ることを特徴とする方法。
【請求項２】  ハイパーメディアリンクのアソシエーション・ストレングスを決定する方法であって、
複数の内容項目を含んでいる複数のドキュメントのハイパーメディアリンクを識別することと、
前記ドキュメント内の前記内容項目の出現頻度を決定することと、
情報ニーズ項目を前記内容項目と比較することと、
前記ドキュメント内の内容項目の前記出現頻度と前記情報ニーズとに基づいて、各ドキュメントごとに関連性値を決定することと、
前記関連性値に従って、前記ドキュメントに対応づけられたハイパーメディアリンクのアソシエーション・ストレングスを決定することと、
から成ることを特徴とする方法。
【請求項３】  ユーザトラフィックフローを予測する方法であって、
複数の内容項目を含んでいる複数のドキュメントのハイパーメディアリンクを識別することと、
ドキュメント内の内容項目の分布を決定することと、
情報ニーズ項目を前記内容項目と比較することと、
前記比較に従って、ハイパーメディアリンクにアソシエーション・ストレングスを割り当てることと、
少なくとも１つのドキュメントを含んでいる初期条件を選択することと、
前記初期条件にアソシエーション・ストレングスを適用して、ユーザトラフィックフローを予測することと、
から成ることを特徴とする方法。
【請求項４】  ハイパーメディアリンクでリンクされた複数のドキュメント内のユーザトラフィックフローをシミュレートする方法であって、
情報ニーズを表す複数のアソシエーション・ストレングスを受け取ることと、
前記複数のドキュメント内の開始状態を表す初期条件を選択することと、
トラフィックフローをシミュレートするために前記アソシエーション・ストレングスを使用するネットワークフローモデルを、前記初期条件に適用することと、
から成ることを特徴とする方法。
【請求項５】  ハイパーメディアリンクのアソシエーション・ストレングスを決定する装置であって、
複数の内容項目を含んでいる複数のドキュメントのハイパーメディアリンクを識別する識別構成要素と、
前記ドキュメント内の前記内容項目の分布を決定する配布構成要素と、
情報ニーズ項目を前記内容項目と比較する比較構成要素と、
前記比較構成要素に応答して、ハイパーメディアリンクにアソシエーション・ストレングスを割り当てるアソシエーション・ストレングス構成要素と、
を備えていることを特徴とする装置。
【請求項６】  ハイパーメディアリンクのアソシエーション・ストレングスを決定する装置であって、
複数の内容項目を含んでいる複数のドキュメントのハイパーメディアリンクを識別する識別構成要素と、
前記ドキュメント内の前記内容項目の出現頻度を決定する頻度構成要素と、
情報ニーズ項目を前記内容項目と比較する比較構成要素と、
前記ドキュメント内の内容項目の前記出現頻度と前記情報ニーズとに基づいて、各ドキュメントごとに関連性値を決定する関連性構成要素と、
前記関連性値に従って前記ドキュメントに対応づけられたハイパーメディアリンクのアソシエーション・ストレングスを決定するアソシエーション・ストレングス構成要素と、
を備えていることを特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月26日(2008.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
媒体の回転によって誘起される高調波外乱を有する取り外し可能な媒体ディスクドライブ装置であって、
前記回転している媒体から信号を読み取るための読取り手段と、
前記読取り手段に接続されて、前記媒体上の信号から基準信号を回復する位相同期ループと、
前記位相同期ループに対する前記高調波外乱の影響を低減するために高調波補正器とを含む、装置。
【請求項２】
前記位相同期ループにおける位相誤差がミキサによって検出される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記位相同期ループにおける位相誤差が位相検出器によって検出される、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記位相同期ループが高調波ロッキングループである、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記位相同期ループがコスタスループである、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記高調波補正器が、前記位相同期ループに連続的に適用される、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記高調波補正器が、ループ条件の所定のセットが満たされると前記位相同期ループに適用される、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記高調波補正器が、前記位相同期ループから前記高調波外乱を除去する、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記高調波補正器が、前記位相同期ループに前記高調波外乱を追跡させる、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記高調波補正器が、前記読取り手段と前記位相同期ループとの間に接続されたフィルタであり、前記位相同期ループに渡される前記高調波外乱を低減する、請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
前記高調波補正器が、前記高調波外乱における前記位相同期ループのループゲインを増加させる共振フィルタである、請求項９に記載の装置。
【請求項１２】
前記高調波補正器が、前記位相同期ループに追加された積分極である、請求項９に記載の装置。
【請求項１３】
前記高調波補正器がフィードフォワード補正器である、請求項９に記載の装置。
【請求項１４】
前記高調波補正器が反復コントローラである、請求項９に記載の装置。
【請求項１５】
前記フィードフォワード補正器が、前記高調波外乱をキャンセルするような位相および周波数で正弦波を生成するための手段を含む、請求項１３に記載の装置。
【請求項１６】
前記フィードフォワード補正器は、
前記媒体の一回またはそれ以上の回転における前記高調波外乱から残留誤差を収集するための手段と、
前記残留誤差をフィルタリングするための手段と、
前記フィルタリングされた残留誤差をフィードフォワードするための手段とを含む、請求項１４に記載の装置。
【請求項１７】
媒体の回転によって誘起される高調波外乱を有する取り外し可能な媒体ディスクドライブ装置において、前記回転している媒体から信号を読み取るための読取り手段と、前記読取り手段に接続されて前記媒体上の信号から基準信号を回復する位相同期ループとを備えており、前記位相同期ループに対する前記高調波外乱の影響を低減する方法であって、
高調波補正を前記位相同期ループに適用するステップを含む、方法。
【請求項１８】
前記高調波補正が、前記位相同期ループに連続的に適用される、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記高調波補正が、前記位相同期ループに入ったり出たり切り換えられる、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記高調波補正を前記位相同期ループに適用するステップが、前記読取り手段と前記位相同期ループとの間の信号をフィルタリングして、前記位相同期ループに渡される前記高調波外乱を低減するステップを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
前記高調波補正を前記位相同期ループに適用するステップが、前記高調波外乱における前記位相同期ループのループゲインを増加させる共振フィルタを前記位相同期ループに追加するステップを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２２】
前記高調波補正を前記位相同期ループに適用するステップは、
前記高調波外乱と同じ位相および周波数で正弦波を生成するステップと、及び
前記高調波外乱をキャンセルするように、前記生成された正弦波をフィードフォワードするステップとを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２３】
前記高調波補正を前記位相同期ループに適用するステップは、
前記媒体の一回またはそれ以上の回転にわたって前記高調波外乱から残留誤差を収集するステップと、
前記残留誤差をフィルタリングするステップと、及び
前記フィルタリングされた残留誤差をフィードフォワードするステップとを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２４】
前記ループが高調波ロッキングループである、請求項１７に記載の方法。
【請求項２５】
前記ループがコスタスループである、請求項１７に記載の方法。
【請求項２６】
前記位相同期ループにおける位相誤差がミキサによって検出される、請求項１７に記載の方法。
【請求項２７】
前記位相同期ループにおける位相誤差が位相検出器によって検出される、請求項１７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月6日(2008.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子情報を有するリモート情報源と通信するよう適合し、該リモート情報源から前記電子情報を獲得するデータ獲得ユニットと、
前記リモート情報源から受信された前記電子情報を記憶するデータ記憶ユニットと、
利用者からの入力に基づいて選択信号を生成するユーザ・インタフェースと、
前記選択信号に基づいて支払いを受け取り、支払いを照合する取引ユニットと、
前記選択信号に基づいて前記データ記憶ユニットから前記電子情報を受け取り、前記取引ユニットにおける支払いが照合する場合に、前記電子情報をプリンタに印刷させるプリンタコントローラと、
を含むコンピュータ。
【請求項２】
電子情報とプリンタドライバを含むリモート情報源及びコンピュータを有するコンピュータシステムであって、
前記コンピュータは、
前記リモート情報源と通信するよう適合し、該リモート情報源から前記電子情報から前記プリンタドライバに基づいて作成されたプリンタジョブ言語コマンドを含む電子情報を獲得するデータ獲得ユニットと、
利用者からの入力に基づいて選択信号を生成するユーザ・インタフェースと、
前記選択信号に基づいて支払いを受け取り、支払いを照合する取引ユニットと、
前記データ獲得ユニットが獲得した前記電子情報と前記プリンタジョブ言語コマンドを記憶するデータ記憶ユニットと、
前記選択信号に基づいて前記データ記憶ユニットから、前記取引ユニットにおける支払いが照合する場合に、前記電子情報を受け取りプリンタに印刷させるプリンタコントローラと、
を含む、コンピュータシステム。
【請求項３】
前記プリンタドライバは、印刷設定用情報を前記電子情報に付与する、請求項２記載のコンピュータシステム。
【請求項４】
前記プリンタドライバは、前記電子情報に対し、前記ユーザ・インタフェース上の表示項目に対応したファイル名を生成する、請求項２記載のコンピュータシステム。
【請求項５】
電子情報とプリンタドライバを含むリモート情報源から、該プリンタドライバに基づいて変換されたプリンタジョブ言語コマンドを含む電子情報を獲得するステップと、
前記リモート情報源から受信された前記電子情報をデータ記憶ユニットに記憶するステップと、
利用者からの入力に基づいて選択信号を生成するステップと、
前記選択信号に基づいて支払いを照合するステップと、
前記支払いが照合する場合に、前記電子情報を受け取ってプリンタに前記電子情報を印刷させるステップを、
を含む、情報提供方法。
【請求項６】
電子情報及びプリンタドライバを含むリモート情報源と通信するよう適合し、該リモート情報源から前記プリンタドライバに基づいて変換されたプリンタジョブ言語コマンドを含む電子情報を獲得するデータ獲得ユニットと、
利用者からの入力に基づいて選択信号を生成するユーザ・インタフェースと、
前記データ獲得ユニットが獲得した前記電子情報を記憶するデータ記憶ユニットと、
前記選択信号に基づいて前記データ記憶ユニットから前記電子情報を受け取り、前記電子情報をプリンタに印刷させるプリンタコントローラと、
を含む、コンピュータ。
【請求項７】
電子情報及びプリンタドライバを含むリモート情報源から、該リモート情報源に含まれるプリンタドライバに基づいて変換されたプリンタジョブ言語コマンドを含む電子情報を獲得するステップと、
前記リモート情報源から獲得した前記電子情報をデータ記憶ユニットに記憶するステップと、
利用者からの入力に基づいて選択信号を生成するステップと、
前記選択信号に基づいて前記データ記憶ユニットから前記電子情報を受け取るステップと、
前記データ記憶ユニットから受け取った前記電子情報をプリンタに印刷させるステップと、
を含む、情報提供方法。
【請求項８】
電子情報を有するリモート情報源と通信するよう適合し、所定のタイミングで該リモート情報源から前記電子情報を獲得するデータ獲得ユニットと、
前記リモート情報源から受信された前記電子情報を記憶するデータ記憶ユニットと、
利用者からの入力に基づいて選択信号を生成するユーザ・インタフェースと、
前記選択信号に基づいて支払いを受け取り、支払いを照合する取引ユニットと、
前記選択信号に基づいて前記データ記憶ユニットから前記電子情報を受け取り、前記取引ユニットにおける支払いが照合する場合に、前記電子情報をプリンタに印刷させるプリンタコントローラと、
を含むコンピュータ。
【請求項９】
電子情報とプリンタドライバを含むリモート情報源及びコンピュータを有するコンピュータシステムであって、
前記コンピュータは、
前記リモート情報源と通信するよう適合し、所定のタイミングで該リモート情報源から前記電子情報から前記プリンタドライバに基づいて作成されたプリンタジョブ言語コマンドを含む電子情報を獲得するデータ獲得ユニットと、
利用者からの入力に基づいて選択信号を生成するユーザ・インタフェースと、
前記選択信号に基づいて支払いを受け取り、支払いを照合する取引ユニットと、
前記データ獲得ユニットが獲得した前記電子情報を記憶するデータ記憶ユニットと、
前記選択信号に基づいて前記データ記憶ユニットから、前記取引ユニットにおける支払いが照合する場合に、前記電子情報を受け取りプリンタに印刷させるプリンタコントローラと、
を含む、コンピュータシステム。
【請求項１０】
電子情報とプリンタドライバを含むリモート情報源から、所定のタイミングで該プリンタドライバに基づいて変換されたプリンタジョブ言語コマンドを含む電子情報を獲得するステップと、
前記リモート情報源から受信された前記電子情報をデータ記憶ユニットに記憶するステップと、
利用者からの入力に基づいて選択信号を生成するステップと、
前記選択信号に基づいて支払いを照合するステップと、
前記支払いが照合する場合に、前記電子情報を受け取ってプリンタに前記電子情報を印刷させるステップを、
を含む、情報提供方法。
【請求項１１】
電子情報及びプリンタドライバを含むリモート情報源と通信するよう適合し、所定のタイミングで該リモート情報源から前記プリンタドライバに基づいて変換されたプリンタジョブ言語コマンドを含む電子情報を獲得するデータ獲得ユニットと、
利用者からの入力に基づいて選択信号を生成するユーザ・インタフェースと、
前記データ獲得ユニットが獲得した前記電子情報を記憶するデータ記憶ユニットと、
前記選択信号に基づいて前記データ記憶ユニットから前記電子情報を受け取り、前記電子情報をプリンタに印刷させるプリンタコントローラと、
を含む、コンピュータ。
【請求項１２】
電子情報及びプリンタドライバを含むリモート情報源から、所定のタイミングで該リモート情報源に含まれるプリンタドライバに基づいて変換されたプリンタジョブ言語コマンドを含む電子情報を獲得するステップと、
前記リモート情報源から獲得した前記電子情報をデータ記憶ユニットに記憶するステップと、
利用者からの入力に基づいて選択信号を生成するステップと、
前記選択信号に基づいて前記データ記憶ユニットから前記電子情報を受け取るステップと、
前記データ記憶ユニットから受け取った前記電子情報をプリンタに印刷させるステップと、
を含む、情報提供方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月5日(2007.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  各部分における格子エレメントの質量中心のアライメントをとることによって格子画像の重畳された部分の複合画像を形成するステップと、
前記複合画像内の格子エレメントの質量中心を介したラインフィットによって格子軸を決定するステップと、
を備える、格子画像パターンの向きの角度を決定する方法。
【請求項２】  埋め込みデータを基体上に具現化した基体の画像をキャプチャするように構成された画像キャプチャデバイスと、
キャプチャした画像から前記埋め込みデータを復号化するデコーダと、
前記復号化された埋め込みデータに基づいて前記基体とオーバーレイされた情報をディスプレイするディスプレイと、
を備える、埋め込みデータを用いて位置合わせされた情報をディスプレイする装置。
【請求項３】  前記基体と相対して位置づけられた光学デバイスであって、該光学デバイスを通してユーザが前記基体上の第１の画像を見ることができる光学デバイスを更に備える、請求項２に記載の装置。
【請求項４】  前記ディスプレイは、前記第１の画像内の情報に第２の画像情報をオーバーレイするために、前記光学デバイスに第２の画像を表示するように構成された、請求項３に記載の装置。
【請求項５】前記デコーダは、前記埋め込みデータを、Ｘ、Ｙロケーション及び向き情報を複合化することで複合化する、請求項２に記載の装置。
【請求項６】  各部分における格子エレメントの質量中心のアライメントをとることによって格子画像の重畳された部分の複合画像を形成するように構成された画像モジュールと、
前記複合画像内の格子エレメントの質量中心を介したラインフィットによって格子軸を決定するように構成された軸モジュールと、
を備える、格子画像パターンの向きの角度を決定する装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月5日(2007.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に導電層を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記ゲート絶縁膜は第１絶縁膜と前記第１絶縁膜上の第２絶縁膜との積層でなり、
前記第１絶縁膜は、スパッタ法により、Ｓｉ、酸素、窒素を主成分とし、水素を０．４〜１．６ａｔｏｍｉｃ％の濃度で含有するように作製し、
前記第２絶縁膜は、スパッタ法により、Ｓｉ、酸素を主成分とし、水素を０．２ａｔｏｍｉｃ％以下の濃度で含有するように作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の絶縁膜は、ターゲットにＳｉを用い、スパッタガスとして希ガスと水素とＮ２Ｏを用いることによって作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２絶縁膜は、ターゲットにＳｉＯ２を用い、スパッタガスとして希ガスと酸素とを用いることによって作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記第２絶縁膜は、ターゲットにＳｉを用い、スパッタガスとして希ガスと酸素とを用いることによって作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記ゲート絶縁膜を形成した後、前記半導体層を３５０℃以下で水素化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記絶縁表面は、プラスチック基板上に設けられた絶縁膜表面であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月13日(2008.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  波長λの電磁波に対して、λ／４の深さを有する複数の減衰溝を、λ／６以下の距離に配置した電磁波遮蔽装置。
【請求項２】  複数の減衰溝をλ／２４〜λ／８の距離に配置した請求項１記載の電磁波遮蔽装置。
【請求項３】  複数の減衰溝をλ／１２の距離に配置した請求項１または２記載の電磁波遮蔽装置。
【請求項４】  波長λの電磁波に対して、複数の減衰溝の深さＬと前記複数の減衰溝間の距離ｄは、Ｌ＝−０．７５ｄ＋λ／３の関係式を満たす構成とした電磁波遮蔽装置。
【請求項５】  減衰溝間の距離ｄをλ／１２、前記複数の減衰溝の深さＬをλ／３．７に構成した請求項４記載の電磁波遮蔽装置。
【請求項６】  減衰溝を構成する部材または前記減衰溝を接続する部材の少なくとも一部に、前記減衰溝の長手方向に対して一定ピッチのスリットを有する構成とした請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電磁波遮蔽装置。
【請求項７】  食品を出し入れできる開口部を有する加熱室と、前記開口部を開閉するドアと、前記加熱室内に電磁波を供給して前記食品を加熱する電磁波供給手段と、前記加熱室と前記ドアとの対向面上に請求項１ないし６のいずれか１項に記載の電磁波遮蔽装置を有する構成とした電子レンジ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項６に記載の発明は、特に、請求項１ないし５のいずれか１項に記載の電磁波遮蔽装置において、減衰溝を構成する部材または減衰溝を接続する部材の少なくとも一部に、減衰溝の長手方向に対して一定ピッチのスリットを有するので、周期構造により遅波回路を構成し、減衰溝の長手方向に対する電磁波の伝搬を遮断することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項７に記載の発明は、特に電子レンジにおいて、食品を出し入れできる開口部を有する加熱室と、前記開口部を開閉するドアと、前記加熱室内に電磁波を供給して前記食品を加熱する電磁波供給手段と、前記加熱室と前記ドアとの対向面上に請求項１ないし６のいずれか１項に記載の電磁波遮蔽装置を有する構成としたので、外部へ伝搬する電磁波の遮蔽性能を向上することができるので、簡単な構成で他の機器への電磁波干渉を防ぐことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月13日(2008.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  使用周波数が増加すると比誘電率が減少する誘電体を用いた伝送線路。
【請求項２】  周波数ｆ１での比誘電率をε１、周波数ｆ２での比誘電率をε２とするとき、ｆ２／ｆ１＝ｋとおくと、ε２／ε１≦１／ｋ2なる誘電体を用いた請求項１記載の伝送線路。
【請求項３】  電磁波の基本周波数をｆ１、高調波周波数をｆ２とした請求項２記載の伝送線路。
【請求項４】  請求項１ないし３のいずれか１項に記載の伝送線路を減衰溝とした用いた電磁波遮蔽装置。
【請求項５】  周波数ｆ１での比誘電率をε１、周波数ｆ２での比誘電率をε２とするとき、ｆ２／ｆ１＝ｋとおくと、ε２／ε１≒１／ｋ2となる誘電体を減衰溝内に満たした請求項４記載の電磁波遮蔽装置。
【請求項６】  周波数ｆ１での比誘電率をε１、周波数ｆ２での比誘電率をε２とするとき、ｆ２／ｆ１＝ｋとおくと、ε２／ε１＜１／ｋ2となる誘電体を減衰溝内の一部に配置した請求項５記載の電磁波遮蔽装置。
【請求項７】  食品を出し入れできる開口部を有する加熱室と、前記開口部を開閉するドアと、前記加熱室内に電磁波を供給して前記食品を加熱する電磁波供給手段と、前記加熱室と前記ドアとの対向面上に請求項４ないし６のいずれか１項に記載の電磁波遮蔽装置を有する構成とした電子レンジ。
【請求項８】  電磁波供給手段は、解凍用の周波数ｆ１と再加熱用の周波数ｆ２にて電磁波を供給する構成とした請求項７記載の電子レンジ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項３に記載の発明の伝送線路は、電磁波の基本周波数をｆ１、高調波周波数をｆ２としたので、基本周波数と高調波周波数に対応できる伝送線路を実現することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項４に記載の発明の電磁波遮蔽装置は、特に、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の伝送線路を減衰溝として用いたので、簡単な一つの構成で複数の周波数を遮蔽することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項５に記載の発明の電磁波遮蔽装置は、特に、請求項４記載の電磁波遮蔽装置において、周波数ｆ１での比誘電率をε１、周波数ｆ２での比誘電率をε２とするとき、ｆ２／ｆ１＝ｋとおくと、ε２／ε１≒１／ｋ2となる誘電体を減衰溝内に満たしたので、容易に複数の周波数に対応できる電磁波遮蔽装置を実現することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項６に記載の発明の電磁波遮蔽装置は、特に、請求項４記載の電磁波遮蔽装置において、周波数ｆ１での比誘電率をε１、周波数ｆ２での比誘電率をε２とするとき、ｆ２／ｆ１＝ｋとおくと、ε２／ε１＜１／ｋ2となる誘電体を減衰溝内の一部に配置したので、容易に複数の周波数に対応できる電磁波遮蔽装置を実現することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項７に記載の発明の電子レンジは、食品を出し入れできる開口部を有する加熱室と、前記開口部を開閉するドアと、前記加熱室内に電磁波を供給して前記食品を加熱する電磁波供給手段と、前記加熱室と前記ドアとの対向面上に請求項４ないし６のいずれか１項に記載の電磁波遮蔽装置を有する構成としたので、周波数が変化したり、高調波の発生が懸念される場合でも、簡単な構成で外部へ伝搬する電磁波の遮蔽性能を向上することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項８に記載の発明の電子レンジは、電磁波供給手段が解凍用の周波数ｆ１と再加熱用の周波数ｆ２にて電磁波を供給する構成としたので、解凍用の周波数でも再加熱用の周波数でも同一の電磁波遮蔽装置で電磁波を遮蔽することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月8日(2008.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基体上に多結晶性又は単結晶性半導体薄膜を形成するに際し、
前記基体上に低級結晶性半導体薄膜を形成する第１工程と、
前記低級結晶性半導体薄膜に集光ランプアニールを施して、溶融又は半溶融又は非溶  融状態の加熱と冷却により前記低級結晶性半導体薄膜の結晶化を促進する第２工程と
を有する、半導体薄膜の形成方法。
【請求項２】  基体上に多結晶性又は単結晶性半導体薄膜を有する半導体装置を製造するに際し、
前記基体上に低級結晶性半導体薄膜を形成する第１工程と、
前記低級結晶性半導体薄膜に集光ランプアニールを施して、溶融又は半溶融又は非溶  融状態の加熱と冷却により前記低級結晶性半導体薄膜の結晶化を促進する第２工程と
を有する、半導体装置の製造方法。
【請求項３】  基体上に多結晶性又は単結晶性半導体薄膜を形成するための装置であって、
前記基体上に低級結晶性半導体薄膜を形成するための第１手段と、
前記低級結晶性半導体薄膜に集光ランプアニールを施して、溶融又は半溶融又は非溶  融状態の加熱と冷却により前記低級結晶性半導体薄膜の結晶化を促進する第２手段と
を有する、半導体薄膜の形成装置。
【請求項４】  基体上に多結晶性又は単結晶性半導体薄膜を有する半導体装置を製造するための装置であって、
前記基体上に低級結晶性半導体薄膜を形成するための第１手段と、
前記低級結晶性半導体薄膜に集光ランプアニールを施して、溶融又は半溶融又は非溶  融状態の加熱と冷却により前記低級結晶性半導体薄膜の結晶化を促進する第２手段と
を有する、半導体装置の製造装置。
【請求項５】  前記第１手段と前記第２手段とが繰り返し使用される、請求項３又は４に記載した装置。
【請求項６】  集光ランプ出射光を前記基体に対し相対的に走査して照射する帯精製法、又は複数の集光ランプ出射光を相前後して前記基体に対し相対的に走査する多重帯精製法によって前記集光ランプアニールが行われる、請求項３又は４に記載した装置。
【請求項７】  集光ランプの出射光が紫外光線と可視光線及び赤外光線とに分離され、これら可視光線及び赤外光線が前記紫外光線よりも前方位置に存在するように、前記基体に対し前記可視光線及び赤外光線と前記紫外光線とが順次照射される、請求項３又は４に記載した装置。
【請求項８】  前記集光ランプアニール時に前記基体の上又は下又は両方から熱風が吹き付けられる、請求項３又は４に記載した装置。
【請求項９】  前記低級結晶性半導体薄膜に触媒元素の少なくとも１種を適量含有させるための手段を有する、請求項３又は４に記載した装置。
【請求項１０】  前記第１手段と前記第２手段とが少なくともこれら両手段の一体化装置に組み込まれ、連続的に若しくは順次使用される、請求項３又は４に記載した装置。
【請求項１１】  前記集光ランプアニールが減圧水素中又は減圧水素含有ガス中又は真空中又は空気中又は大気圧窒素中で行われる、請求項３又は４に記載した装置。
【請求項１２】  前記集光ランプアニール時に前記基体がその歪点以下の温度に加熱される、請求項３又は４に記載した装置。
【請求項１３】  前記低級結晶性半導体薄膜上に保護用絶縁膜が形成され、この状態で空気中又は大気圧窒素中で前記集光ランプアニールが行われる、請求項３又は４に記載した装置。
【請求項１４】  前記基体上に形成された前記低級結晶性半導体薄膜に対し、又は保護用絶縁膜を被覆して、前記低級結晶性半導体薄膜のランプ光照射で前記集光ランプアニールを行うに際し、その上面から又は下面から又は上面と下面から同時に前記ランプ光照射（但し、上面以外の場合は、基体は透明（４００ｎｍ以下の波長の光も透過すること。））が行われる、請求項３又は４に記載した装置。
【請求項１５】  磁場及び／又は電場の作用下で前記集光ランプアニールが行われる、請求項３又は４に記載した装置。
【請求項１６】  前記低級結晶性半導体薄膜がアモルファスシリコン膜、微結晶シリコン含有アモルファスシリコン膜、微結晶シリコン（アモルファスシリコン含有微結晶シリコン）膜、アモルファスシリコン及び微結晶シリコン含有多結晶シリコン膜、アモルファスゲルマニウム膜、微結晶ゲルマニウム含有アモルファスゲルマニウム膜、微結晶ゲルマニウム（アモルファスゲルマニウム含有微結晶ゲルマニウム）膜、アモルファスゲルマニウム及び微結晶ゲルマニウム含有多結晶ゲルマニウム膜、ＳｉxＧｅ1-x（０＜ｘ＜１）で示されるアモルファスシリコンゲルマニウム膜、アモルファスカーボン膜、微結晶カーボン含有アモルファスカーボン膜、微結晶カーボン（アモルファスカーボン含有微結晶カーボン）膜、アモルファスカーボン及び微結晶カーボン含有多結晶カーボン膜、ＳｉxＣ1-x（０＜ｘ＜１）で示されるアモルファスシリコンカーボン膜、又はＧａxＡｓ1-x（０＜ｘ＜１）で示されるアモルファスガリウムヒ素膜からなる、請求項３又は４に記載した装置。
【請求項１７】  前記多結晶性又は単結晶性半導体薄膜によって、薄膜絶縁ゲート型電界効果トランジスタのチャンネル、ソース及びドレイン領域、又はダイオード、配線、抵抗、容量又は電子放出体等が形成される、請求項３又は４に記載した装置。
【請求項１８】  シリコン半導体装置、シリコン半導体集積回路装置、シリコン−ゲルマニウム半導体装置、シリコン−ゲルマニウム半導体集積回路装置、化合物半導体装置、化合物半導体集積回路装置、炭化ケイ素半導体装置、炭化ケイ素半導体集積回路装置、多結晶性ダイヤモンド半導体装置、多結晶性ダイヤモンド半導体集積回路装置、液晶表示装置、有機又は無機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）表示装置、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）装置、発光ポリマー表示装置、発光ダイオード表示装置、ＣＣＤエリア／リニアセンサ装置、ＣＭＯＳセンサ装置、太陽電池装置用の薄膜を製造する、請求項３又は４に記載した装置。
【請求項１９】  各色用の有機又は無機エレクトロルミネセンス層の下層にそれぞれ、請求項１又は２に記載した多結晶性又は単結晶性半導体薄膜からなる薄膜絶縁ゲート型電界効果トランジスタのドレイン又はソースと接続された陰極又は陽極を有し、前記薄膜絶縁ゲート型電界効果トランジスタ及びダイオードを含む能動素子上も前記陰極が覆い、或いは前記各色用の有機又は無機エレクトロルミネセンス層の各層上及び各層間の全面に前記陰極又は陽極が被着されている電気光学装置。
【請求項２０】  前記各色用の前記有機又は無機エレクトロルミネセンス層間にブラックマスク層が形成されている、請求項１９に記載した電気光学装置。
【請求項２１】  フィールドエミッションディスプレイ装置のエミッタが、請求項１又は２に記載した多結晶性又は単結晶性半導体薄膜からなる薄膜絶縁ゲート型電界効果トランジスタのドレインに前記多結晶性又は単結晶性半導体薄膜を介して接続されると共に前記多結晶性又は単結晶性半導体薄膜上に成長されたｎ型多結晶性半導体膜又は多結晶性ダイヤモンド膜によって形成されている電気光学装置。
【請求項２２】  前記薄膜絶縁ゲート型電界効果トランジスタ及びダイオードを含む能動素子上に絶縁膜を介してアース電位の金属遮蔽膜が形成されている、請求項２１に記載した電気光学装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月20日(2008.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  反応管と、前記反応管内を高圧にする加圧手段と、前記反応管内に設置される被処理体を加熱するための光源と、前記光源を点灯および消灯させる手段とを有することを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】  反応管と、前記反応管内を高圧にする加圧手段と、前記反応管内に気体を供給すると共に当該気体を加熱または冷却する手段と、前記反応管内に設置される被処理体を加熱するための光源と、前記光源を点灯および消灯させる手段とを有することを特徴とする熱処理装置。
【請求項３】  反応管と、前記反応管内を高圧にする加圧手段と、前記反応管内に設置される被処理体を加熱するための光源と、前記光源を点灯および消灯させる手段とを有し、前記光源は前記反応管の外側に備えられ、前記反応管内を高圧に保持すると共に、前記光源を点灯して被処理体を加熱する機能を有することを特徴とする熱処理装置。
【請求項４】  反応管と、前記反応管内を高圧にする加圧手段と、前記反応管内に気体を供給すると共に当該気体を加熱または冷却する手段と、前記反応管内に設置される被処理体を加熱するための光源と、前記光源を点灯および消灯させる手段とを有し、前記光源は前記反応管の外側に備えられ、前記反応管内を高圧に保持すると共に、前記反応管内に加熱された気体を供給し、前記光源を点灯して被処理体を加熱する機能を有することを特徴とする熱処理装置。
【請求項５】  反応管と、前記反応管内を高圧にする加圧手段と、前記反応管内に気体を供給すると共に当該気体を加熱または冷却する手段と、前記反応管内に設置される被処理体を加熱するための光源と、前記光源を点灯および消灯させる手段とを有し、前記光源は前記反応管の外側に備えられ、前記反応管内を高圧に保持すると共に、前記反応管内に加熱された気体を供給し、前記光源を点灯して被処理体を加熱した後、前記反応管内に気体を供給して、前記被処理体を冷却する機能を有することを特徴とする熱処理装置。
【請求項６】  請求項１乃至５のいずれか一項において、前記高圧は、１．１×１０５〜２．５×１０５Ｐａの範囲であることを特徴とする熱処理装置。
【請求項７】  請求項１乃至６のいずれか一項において、前記光源は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、高圧ナトリウムランプ、キセノンランプから選ばれた一つであることを特徴とする熱処理装置。
【請求項８】  請求項１乃至７のいずれか一項において、前記気体は、窒素、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、キセノンから選ばれた一つであることを特徴とする熱処理装置。
【請求項９】  請求項１乃至８のいずれか一項において、前記光源を周期１秒以下でパルス状に点滅させて被処理体を加熱する第１の手段と、前記光源を周期１秒以上でパルス状に点滅させて被処理体を加熱する第２の手段とを有することを特徴とする熱処理装置。
【請求項１０】  反応管内を高圧に保持すると共に、前記反応管の外側に備えられた光源を点灯して、前記反応管内に置かれた被処理体を加熱することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】  反応管内を高圧に保持すると共に、前記反応管内に加熱された気体を供給し、且つ、前記反応管の外側に備えられた光源を点灯して、前記反応管内に置かれた被処理体を加熱することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】  反応管内を高圧に保持すると共に、前記反応管内に加熱された気体を供給し、且つ、前記反応管の外側に備えられた光源を点灯して、前記反応管内に置かれた被処理体を加熱した後、前記反応管内に気体を供給して、前記被処理体を冷却することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】  基板上に形成された半導体膜である被処理体を反応管内に設置し、前記反応管内を高圧に保持すると共に、前記反応管の外側に備えられた光源を点灯して、前記被処理体を加熱することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】  基板上に形成された半導体膜である被処理体を反応管内に設置し、前記反応管内を高圧に保持すると共に、前記反応管内に加熱された気体を供給し、且つ、前記反応管の外側に備えられた光源を点灯して、前記被処理体を加熱することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】  基板上に形成された半導体膜である被処理体を反応管内に設置し、前記反応管内を高圧に保持すると共に、前記反応管内に加熱された気体を供給し、且つ、前記反応管の外側に備えられた光源を点灯して、前記被処理体を加熱した後、前記反応管内に気体を供給して、前記被処理体を冷却することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】  請求項１０乃至１５のいずれか一項において、前記光源を周期１秒以下でパルス状に点滅させて前記被処理体を加熱した後、前記光源を周期１秒以上でパルス状に点滅させて前記被処理体を加熱することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】  請求項１２または請求項１５において、前記被処理体を冷却する際に前記反応管内に供給する気体の温度は、室温又は室温以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】  請求項１３乃至１５のいずれか一項において、前記半導体膜には一導電型の不純物が添加された不純物領域が形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】  請求項１０乃至１８のいずれか一項において、前記高圧は１．１×１０５〜２．５×１０５Ｐａの範囲であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】  請求項１０乃至１９のいずれか一項において、前記光源はハロゲンランプ、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、高圧ナトリウムランプ、キセノンランプから選ばれた一つであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月13日(2008.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  被処理基板を収容する処理室と、
前記処理室内に設けられ、被処理基板が載置される載置台と、
前記処理室の外側に設けられ、前記処理室内に誘導電磁界を形成するアンテナと、
前記アンテナと前記処理室との間に設けられた誘電体壁と、
前記アンテナに高周波電力を印加して誘導電磁界を形成させる高周波電源と、
前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、
前記処理室外に設けられ、前記誘電体壁に熱線を照射するランプと、
前記誘電体壁の前記処理室側の面に設けられた熱線吸収性を有する熱線吸収層と
を具備することを特徴とする誘導結合プラズマ処理装置。
【請求項２】  前記熱線吸収層は、溶射膜であることを特徴とする請求項１に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
【請求項３】  前記熱線吸収層は、前記誘電体壁の前記処理室側の面を覆うカバー部材であることを特徴とする請求項１に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
【請求項４】  前記カバー部材の前記誘電体壁側の面には、熱線吸収性膜が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
【請求項５】  前記熱線吸収層は、セラミックスからなることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
【請求項６】  前記誘電体壁の上方に設けられ、前記アンテナを収容するアンテナ室をさらに具備し、前記ランプは前記アンテナ室の外方から熱線を照射することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
【請求項７】  前記アンテナ室を減圧する減圧手段をさらに具備することを特徴とする請求項６に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
【請求項８】  前記アンテナは、前記ランプからの熱線を反射する反射皮膜を有することを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
【請求項９】  前記誘電体壁は、熱線透過性を有することを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明は、被処理基板を収容する処理室と、前記処理室内に設けられ、被処理基板が載置される載置台と、前記処理室の外側に設けられ、前記処理室内に誘導電磁界を形成するアンテナと、前記アンテナと前記処理室との間に設けられた誘電体壁と、前記アンテナに高周波電力を印加して誘導電磁界を形成させる高周波電源と、前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記処理室外に設けられ、前記誘電体壁に熱線を照射するランプと、前記誘電体壁の前記処理室側の面に設けられた熱線吸収性を有する熱線吸収層とを具備することを特徴とする誘導結合プラズマ処理装置を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記構成によれば、前記アンテナと前記処理室との間に設けられた誘電体壁と、前記アンテナに高周波電力を印加して誘導電磁界を形成させる高周波電源と、前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記処理室外に設けられ、前記誘電体壁に熱線を照射するランプと、前記誘電体壁の前記処理室側の面に設けられた熱線吸収性を有する熱線吸収層とを具備するので、前記ランプからの熱線により前記熱線吸収層を発熱させることによって、前記誘電体壁の処理室側の全面を直接的に効率よく加熱して高温化することができ、前記誘電体壁への反応生成物の付着を有効に防止することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
さらにまた、前記アンテナは、前記ランプからの熱線を反射する反射皮膜を有することが好ましい。これにより前記ランプからの熱線により前記アンテナが加熱されることを防止することができる。さらにまた、前記誘電体壁は、熱線透過性を有することが好ましい。