【手続補正書】
【提出日】平成20年3月11日(2008.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられている薄膜トランジスタであって、
前記基板上に形成されているとともに第１の広幅部分と少なくとも１つの核生成領域が規定されているチャネル層と、
前記基板上に形成されているとともに前記チャネル層を取り囲んでいる少なくとも１つの温度勾配誘導体と、
前記基板上に形成されているとともに前記チャネル層を覆っているゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に形成されているゲート電極と、
前記ゲート絶縁層上に形成されているとともに前記ゲート電極を覆っている中間絶縁層と、
前記中間絶縁層上に形成されているとともに前記ゲート絶縁層と前記中間絶縁層を貫通して前記チャネル層に電気的に接続しているソース電極およびドレイン電極と、
を備える薄膜トランジスタ。
【請求項２】
前記チャネル層と前記温度勾配誘導体の間には、間隙が形成されていることを特徴とする請求項１の薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記チャネル層は、多結晶シリコンおよび／又は単結晶シリコンから形成されていることを特徴とする請求項１の薄膜トランジスタ。
【請求項４】
前記チャネル層は、水滴の形状、三角形状、扇形状、台形形状、王冠形状のいずれかであることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項の薄膜トランジスタ。
【請求項５】
前記温度勾配誘導体は、広幅部分と狭幅部分を備えており、
前記広幅部分は前記結晶端領域に隣接しており、前記狭幅部分は前記核生成領域に隣接していることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項の薄膜トランジスタ。
【請求項６】
前記温度勾配誘導体と前記チャネル層との間には距離が不定の間隙が形成されており、
前記広幅部分における前記距離の距離は、前記狭幅部分における前記間隙の距離よりも、短くなっていることを特徴とする請求項５の薄膜トランジスタ。
【請求項７】
前記温度勾配誘導体の前記狭幅部分に、鋸歯状の縁部が形成されていることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項の薄膜トランジスタ。
【請求項８】
前記チャネル層では、前記核生成領域が第１の横幅を有しているとともに前記結晶端領域が第２の横幅を有しており、
前記第１の横幅は、前記第２の横幅よりも狭いことを特徴とする請求項１から７のいずれか一項の薄膜トランジスタ。
【請求項９】
前記第１の中間絶縁層上に形成されており、前記ゲート絶縁層および前記第１の中間絶縁層を貫通して前記チャネル層と電気的に接続しているソース電極およびドレイン電極と、
前記第１の中間絶縁層上に配設されており、前記ソース電極と前記ドレイン電極を覆っており、コンタクトホールが形成されている第２の中間絶縁層と、
前記第２の中間絶縁層上に形成されており、前記コンタクトホールに蒸着されている画素電極と、
が付加されている請求項１から８のいずれか一項の薄膜トランジスタ。
【請求項１０】
薄膜トランジスタを製造する方法であって、
基板上に初期チャネル層を形成する工程と、
前記初期チャネル層にパターン形成を行うことによって、有形チャネル層と少なくとも１つの温度勾配誘導体を形成する工程と、
前記有形チャネル層と前記温度勾配誘導体をアニールする工程と、
前記基板上に、前記有形チャネル層と前記温度勾配誘導体を覆うゲート絶縁層を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成する工程と、
前記有形チャネル層に、Ｐ型イオン（Ｐ−）および／又はＮ型イオン（Ｎ＋）をイオン注入することによって、ソース領域と中間領域とドレイン領域を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層上に、前記ゲート電極をほぼ覆う中間絶縁層を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層と前記中間絶縁層を貫通する２つのコンタクトホールを形成することによって、前記ソース領域と前記ドレイン領域を露出させる工程と、
前記中間絶縁層上に、
前記２つのコンタクトホールの少なくとも一部を充填するソース電極とドレイン電極を形成する工程とを備え、
前記有形チャネル層には、結晶端領域と核生成領域が規定されており、
前記温度勾配誘導体は、前記有形チャネル層の周囲の少なくとも一部に隣接しているとともに、前記有形チャネル層の前記結晶端領域に対応して位置する広幅部分および前記核生成領域に対応して位置する狭幅部分を備えていることを特徴とする製造方法。
【請求項１１】
前記有形チャネル層の前記狭幅部分は尖部を備えており、
前記有形チャネル層における結晶粒子の成長は、前記核生成領域で開始し、前記核生成領域から前記結晶端領域に向けて進むことを特徴とする請求項１０の製造方法。
【請求項１２】
前記チャネル層では、前記核生成領域が第１の横幅を有しているとともに前記結晶端領域が第２の横幅を有しており、
前記第１の横幅は前記第２の横幅よりも狭いことを特徴とする請求項１０の製造方法。
【請求項１３】
前記第１の中間絶縁層上に、前記ソース電極と前記ドレイン電極を覆う第２の中間絶縁層を形成する工程と、
前記第２の中間絶縁層に、コンタクトホールを形成する工程と、
前記第２の中間絶縁層上および前記コンタクトホール内に画素電極を形成する工程と、
が付加されている請求項１０の製造方法。
【請求項１４】
薄膜トランジスタであって、
基板と、
前記基板上に形成されているとともに核生成領域と結晶端領域が規定されているチャネル層と、
前記基板上に形成されているとともに前記チャネル層の周囲に間隙を形成して隣接している温度勾配誘導体とを備え、
前記核生成領域は第１の横幅を有しているとともに前記結晶端領域は第２の横幅を有してしており、
前記第１の横幅は、前記第２の横幅よりも狭いことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１５】
前記チャネル層と前記温度勾配誘導体との間の間隙は、前記結晶端領域に隣接する位置において第１の距離を有しているとともに前記核生成領域に隣接する位置において第２の距離を有しており、
前記第１の距離は、前記第２の距離よりも短いことを特徴とする請求項１４の薄膜トランジスタ。
【請求項１６】
前記温度勾配誘導体は、狭幅部と広幅部分を備えており、
前記広幅部分は前記結晶端領域に隣接しており、前記狭幅部分は前記核生成領域に隣接していることを特徴とする請求項１４又は１５の薄膜トランジスタ。
【請求項１７】
前記核生成領域は尖部を備えており、
前記狭幅部分には、前記尖部に対応して位置している開口部が形成されていることを特徴とする請求項１６の薄膜トランジスタ。
【請求項１８】
液晶表示装置を製造する方法であって、
基板を準備する工程と、
前記基板上に初期チャネル層を形成する工程と、
前記初期チャネル層の少なくとも一部を、有形チャネル層と、有形チャネル層に隣接する温度勾配誘導体に成形する工程と、
前記有形チャネル層と前記温度勾配誘導体をアニールする工程とを備え、
前記有形チャネル層では、第１の横幅を有する核生成領域と第２の横幅を有する結晶領域が規定されており、前記第１の横幅は前記第２の横幅よりも狭いことを特徴とする製造方法。
【請求項１９】
前記温度勾配誘導体は、前記初期チャネル層の少なくとも一部を除去することによって、前記初期チャネル層から形成することを特徴とする請求項１８の製造方法。
【請求項２０】
前記温度勾配誘導体と前記有形チャネル層の間には間隙を形成し、
前記間隙は、前記核生成領域に隣接する位置において第１の距離であるとともに前記結晶端領域に隣接する位置において第２の距離であり、
前記第１の距離は前記第２の距離よりも長いことを特徴とする請求項１８又は１９の製造方法。
【請求項２１】
液晶表示装置であって、
第１の基板と、
第２の基板と、
第１の基板と第２の基板との間に挟持されている液晶層と、
前記第２の基板上に形成されているとともに核生成領域および結晶端領域を備えているチャネル層と、
前記第２の基板上に形成されているとともに前記チャネル層の周囲に間隙を形成して隣接している温度勾配誘導体とを備え、
前記核生成領域は第１の横幅を有しているとともに前記結晶端領域は第２の横幅を有しており、前記第１の横幅は前記第２の横幅よりも狭いことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２２】
前記チャネル層と前記温度勾配誘導体との間の間隙は、前記結晶端領域に隣接する位置において第１の距離を有しているとともに前記核生成領域に隣接する位置において第２の距離を有しており、前記第１の距離は前記第２の距離よりも短いことを特徴とする請求項２１の液晶表示装置。
【請求項２３】
前記温度勾配誘導体は、狭幅部と広幅部分を備えており、
前記狭幅部分は前記核生成領域に隣接しており、前記広幅部分は前記結晶端領域に隣接していることを特徴とする請求項２１又は２２の液晶表示装置。
【請求項２４】
前記核生成領域は尖部を備えており、
前記狭幅部分には、前記尖部に対応して位置する開口部が形成されていることを特徴とする請求項２３の液晶表示装置。