【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年11月28日(2007.11.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の露光を使用して放射線感光材料の層の目標部分に望ましいパターンを提供するリソグラフィ処理方法であって、前記パターンは、最も密度の高い形態がピッチＰで配置された複数の形態を備え、方法は、
−前記複数の形態を、第一および第二サブパターンを備える第一および第二サブセットの形態に分離することを含み、各サブパターンは、Ｐより大きいピッチで最も密度の高い形態を有しており、
方法は、
−前記第一および第二サブパターンの各形態を拡張することにより、前記望ましいパターンに対してオーバーサイズされている第一および第二適合サブパターンを提供することと、
−第一適合サブパターンに従ってパターン形成された放射線のビームで、前記目標部分の第一露光を実行することと、
−第二適合サブパターンに従ってパターン形成された放射線ビームで、前記目標部分の第二露光を実行することとを含み、前記第二露光が、前記第一露光と並置状態で位置合わせした状態で配置され、さらに、
−組み合わせた適合第一および第二サブパターンに従った形態を備える前記望ましいパターンに対してオーバーサイズされている中間パターンを提供するため、露光した放射線感光層をレジスト処理することと、
−中間パターンの形態を縮小させる補足的レジスト処理を適用して、縮小した形態のサイズを前記望ましいパターンの対応する形態のサイズと一致させることとを含むことを特徴とするリソグラフィ処理方法。
【請求項２】
前記第一および第二サブパターンの各形態を前記拡張することが、予め選択した膨脹距離にわたる拡張に従い配置される、請求項１に記載のリソグラフィ処理方法。
【請求項３】
前記予め選択した膨脹距離が、中間パターンの形態の前記縮小の方向的不均一性を補償するよう配置された方向的に不均一な膨脹である、請求項２に記載のリソグラフィ処理方法。
【請求項４】
前記最も密度の高い形態の前記ピッチＰが、限界寸法ＣＤの２倍にほぼ等しい、請求項１、２または３に記載のリソグラフィ処理方法。
【請求項５】
前記限界寸法ＣＤがぎりぎりのプロセス寛容度に関連する、請求項４に記載のリソグラフィ処理方法。
【請求項６】
前記ぎりぎりのプロセス寛容度が、８％の露光寛容度および３００ｎｍの焦点深度によって画定される、請求項５に記載のリソグラフィ処理方法。
【請求項７】
前記ぎりぎりのプロセス寛容度が、８％の露光寛容度および１１０ｎｍの焦点深度によって画定される、請求項５に記載のリソグラフィ処理方法。
【請求項８】
前記最も密度の高い形態の前記ピッチＰが、形態を縮小する補足的レジスト処理を含まないリソグラフィ処理方法のぎりぎりのプロセス寛容度に関連する限界寸法ＣＤの２倍より小さい、請求項１、２または３に記載のリソグラフィ処理方法。
【請求項９】
複数の露光を使用して放射線感光材料の層の目標部分に望ましいパターンを提供するリソグラフィ処理方法で、前記パターンは、形態を縮小する補足的レジスト処理を含まないリソグラフィ処理方法のぎりぎりのプロセス寛容度に関連する限界寸法ＣＤより小さい限界寸法ＣＤＳの複数の形態を備え、これによって最も密度の高い形態が、２ＣＤより小さいピッチで配置され、方法は、
−前記複数の形態を、第一および第二サブパターンを備える第一および第二サブセットの形態に分離することを含み、各サブパターンは、２ＣＤより大きいピッチで最も密度の高い形態を有し、
方法は、
−寸法ＣＤＳが寸法ＣＤまで拡張されて、前記ぎりぎりのプロセス寛容度で印刷可能であり、前記望ましいパターンに対してオーバーサイズされている第一および第二適合サブパターンを提供するよう、前記第一および第二サブパターンの各形態を拡張することと、
−第一適合サブパターンに従ってパターン形成された放射線のビームで、前記目標部分の第一露光を実行することと、
−第二適合サブパターンに従ってパターン形成された放射線ビームで、前記目標部分の第二露光を実行することとを含み、前記第二露光が、前記第一露光と並置状態で位置合わせした状態で配置され、さらに、
−組み合わせた適合第一および第二サブパターンに従った形態を備える前記望ましいパターンに対してオーバーサイズされている中間パターンを提供するため、露光した放射線感光層をレジスト処理することと、
−中間パターンの形態を縮小する補足的レジスト処理を適用して、縮小した形態のサイズを前記望ましいパターンの対応する形態のサイズと一致させることとを含むことを特徴とするリソグラフィ処理方法。
【請求項１０】
前記複数の目標形態を分離することが、前記第一および第二サブパターンを表すデータを提供するため、規則をベースにしたパターン設計処理およびパターン分割のコンピュータプログラムを使用することを含む、請求項１、２、３または９に記載のリソグラフィ処理方法。
【請求項１１】
前記複数の形態が複数のコンタクトホールである、請求項１、２、３または９に記載のリソグラフィ処理方法。
【請求項１２】
前記複数の形態が複数の短い溝である、請求項１、２、３または９に記載のリソグラフィ処理方法。
【請求項１３】
前記複数の短い溝の端点が第一格子と一致し、第一および第二サブパターンの対応するサブセットの短い溝の端点が第二格子と一致し、それによって第二格子への形態の描像が、第一格子の形態の描像ほど奇数光学収差から影響を受けない、請求項１２に記載のリソグラフィ処理方法。
【請求項１４】
第一格子がハニカム格子であり、第一および第二サブパターンの短い溝の端点が長方形格子と一致する、請求項１２に記載のリソグラフィ処理方法。
【請求項１５】
第一露光にて、第一適合サブパターンに従いパターン形成された前記放射線ビームが、対応してパターン形成された減衰位相シフトマスクを使用して獲得される、請求項１、２、３または９に記載のリソグラフィ処理方法。
【請求項１６】
第二露光にて、第二適合サブパターンに従いパターン形成された前記放射線ビームが、対応してパターン形成された減衰位相シフトマスクを使用して獲得される、請求項１、２、３または９に記載のリソグラフィ処理方法。
【請求項１７】
第二露光にて、第二適合サブパターンに従いパターン形成された前記放射線ビームが、対応してパターン形成された減衰位相シフトマスクを使用して獲得される、請求項１５に記載のリソグラフィ処理方法。
【請求項１８】
中間パターンの形態を縮小する前記補足的レジスト処理が、化学的処理または熱処理である、請求項１、２、３または９に記載のリソグラフィ処理方法。
【請求項１９】
前記熱処理が、レジスト熱リフロー（ｒｅｆｌｏｗ）プロセスの適用を含む、請求項１８に記載のリソグラフィ処理方法。
【請求項２０】
前記化学処理ステップが、オーバーコートプロセスおよびベーキングプロセスの適用を含む、請求項１８に記載のリソグラフィ処理方法。
【請求項２１】
前記第一適合サブパターンまたは前記第二適合サブパターンが、光学近接補正を提供する補助形態を備える、請求項１、２、３または９に記載のリソグラフィ処理方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
解像度の限界を改善するには、いわゆる「二重露光」プロセスも使用する。通常、パターニングデバイスとして交流ＰＳＭを使用するリソグラフィ処理方法は、２段階の露光を使用する。１８０°の位相シフトまたは０°の位相シフトのみがパターン形成のパラメータであるので、交流ＰＳＭは、望ましい位相シフトの遷移以外に、マスクの透明領域に１８０°から０°の位相シフトという望ましくない位相シフトの遷移も必然的に生じる。前記望ましくない位相シフトの遷移は、パターンの空中像に望ましくない輝度の傾斜を生成する。後者の輝度の傾斜は、（輝度の傾斜を同レベルにする）第二露光によって補償することができる。最適に選択した対応する（しかし概ね異なる）照明の設定で、２つの露光を実行することができる。しかし、このプロセスではプロセス寛容度が大幅に改善されない。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
各形態が拡張されている第一および第二サブパターンで投影ビームにパターンを形成し、その後に露光し、露光した放射線感光層をレジスト処理して、対応する目標形態より大きいレジスト処理済み形態を提供することによって、名目サイズ（つまり標的形態のサイズ）のレジスト処理済み形態を提供すべき場合に有効なパラメータの要件と比較して、最大ＮＡおよびσ−ｏｕｔｅｒの設定に対する要件を緩和することができる。このようなＮＡおよびσ−ｏｕｔｅｒの設定の緩和は、プロセス寛容度の大幅な増大をもたらす。本発明の一態様によると、前記要件の緩和の適用と、前記補足的レジスト処理の適用との組合せを活用して、同様の二重露光プロセスで達成可能なぎりぎりのプロセス寛容度を改善し、それによって前記形態の拡張および縮小を省略する。あるいは、ＮＡがこれより小さい低コストのリソグラフィ投影装置を、望ましい同じ目標パターンを印刷するために使用することができる。別の代替方法として、投影ビーム放射線の波長に対する要件を緩和することができる。波長の要件を緩和すると、プロセス寛容度も改善される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
（複数のレジスト処理済み形態を提供するために）露光した放射線感光材料をレジスト処理するステップは一般に、例えば露光後ベーク、レジスト現像、およびハードベークなどのプロセスを含む。本明細書および請求の範囲の文脈では、レジスト処理のステップは、上述したようなバイアス付与およびＯＰＣ技術の適用を含むことが出来る。例えば、形態にバイアス付与し、目標部分での像のサイドローブ強度（side lobe intensity）を抑制することが往々にして適用される。また、これは露光する前に予め選択した膨脹距離でサブパターンの形態を拡張することを含む。このような拡張ステップは、本発明の一部ではなく、実際にはこのステップは、レジスト処理後に、その結果生じたレジスト処理済み形態が対応する目標形態に対して拡張しないよう、露光量を減少させるステップと組み合わされる。このようなバイアス付与の欠点は、露光量の減少の結果、獲得可能なプロセス寛容度が低下してしまうことにある。それに対して、本発明によると、レジスト処理済み形態は対応する目標形態に対して拡張されている。即ち、オーバーサイズされている。第一および第二露光の前に予め選択した膨脹距離で前記第一および第二サブパターンの各形態を拡張することは、例えば、バイアス付与に関連する拡張に加えた拡張でもよい。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
（名目サイズの）目標形態を提供するため、前記レジスト処理済み形態（本発明によるとオーバーサイズされている）を、予め選択した縮小距離だけ縮小させ、前記オーバーサイズを補償する。縮小は、前記レジスト処理済み形態に補足的レジスト処理を加えることによって提供される。前記補足的レジスト処理には、既知のレジストプロセス縮小技術を使用することができる。例えば、形態を縮小させる化学および熱レジスト処理は、それぞれJ. Shihの「Low-pitch dependence of RELACS process of ArF lithography for 65-nm generation」(SPIE Proceedings 5039, 2003)およびP.K. Montgomeryその他の「Photoresist reflow for 193-nm low k1 lithography contacts」(SPIE Proceedings 5039, 2003)で見ることができる。これらの技術は、形態のサイズを最大５０ｎｍの縮小まで制御された方法で補正できることが判っている。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
本発明による方法は、印刷されるデバイスのパターンが、限界寸法ＣＤの複数の透過性高密度形態を備え、これがＣＤのオーダーの距離で相互に隔置されている（つまり形態がＣＤの２倍のオーダーのピッチで配置されている）場合に、特に有利である。単一露光プロセスでは、サイドローブの印刷を抑制するバイアス付与を適用することができるが、その結果、プロセス寛容度が低下してしまう。さらに、許容可能な最大膨脹に制限がある。つまり、バイアスより大きい拡張を適用することはできない。その結果として生じる２つの形態間の不透明区域が、ＣＤより小さくなり、したがって制御された方法で印刷できなくなるからである。デバイスパターンを２つのサブパターンに分割することにより、この限界を回避することができる。例えば、１９３ｎｍの波長の投影装置では、１８０ｎｍから８００ｎｍの範囲のピッチにある９０ｎｍのコンタクトホールは、焦点深度が（１１０ｎｍのオーダーに）宣言されているので、８％の露光寛容度という典型的な単一露光プロセス寛容度では容易に印刷することができない。本発明による方法では、各サブパターンのコンタクトホールの最小ピッチは、この例では３６０ｎｍであり、３０ｎｍのオーダーの拡張および縮小を適用することができる。その結果、４６０ｎｍの焦点深度で８％の露光寛容度というプロセス寛容度が獲得される。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
複数の形態を備えるデバイスパターンは、設計規則チェックアルゴリズムを使用して２つのサブパターンに分解することができる。このようなアルゴリズムは、例えば光学近接補正など、設計の評価および修正に使用する電子設計自動化ソフトウェアで使用可能である。このような分解アルゴリズムは、デバイスパターンの隣り合う２つの形態間の相互距離が少なくとも限界寸法ＣＤであり、分解後に獲得される第一および第二サブパターンの隣り合う任意の２つの形態間の相互距離が、少なくとも前記限界寸法ＣＤの２倍である場合に、本発明で有用である。このような相互距離の増加により、２つの透過性サブパターン形態間の最小吸収材幅に対する限界を侵害せずに、バイアス付与および／またはＯＰＣに関してサイズ変更に加えてサブパターン形態の拡張も可能になる。この最小幅は、マスク製造技術によって決定される。現在のところ、（基板レベルで）１００ｎｍのオーダーの幅が実現可能である。あるいは、さらなる光学近接補正を提供するよう補助形態（つまり散乱バーなどを印刷しない形態）を配置するため、前記相互距離の増加を活用することができるが、このような配置は、隣り合う形態間にスペースがないので、望ましいパターンでは可能でなかった。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
実施形態１
本発明による方法を、図５に概略的に示す。例えばコンピュータで使用するデータキャリア上のデータセットに関して、パターンを第一および第二サブパターン６１に分離するため、ピットＰで最も密度の高い形態を有する望ましいパターンを画定するデータを、入力情報６０として使用する。パターンを前記サブパターンに分割するには、市販のマスクパターン設計チェック規則ツールを使用することができ、ここでサブパターンにて発生する最小ピッチはＰより大きい。次に、データ６１が適合され、サブパターンの形態のサイズが拡張されている、対応する適合サブパターンデータ６２を提供する。通常、拡張は、形態の縁の予め選択された膨脹距離に対応し、形態の名目サイズとはほぼ無関係である。したがって一般的に、拡張は、全形態が形状的に一致していない限り、形態に適用される１つの倍率として表すことができない。膨脹は一般的には方向が均一でない。補足的レジスト処理６６の詳細な特性、および適合サブパターンの形態の空間的分布に応じて、縮小の方向的不均一性を多少もたらす近接効果を考慮しなければならない。適合サブパターンを表すデータ６２を使用して、放射線ビームのパターン形成用レチクルとしてパターニングデバイスとともに使用するための対応するパターンを作成する。その後、第一および第二露光を実行する６３。これは言うまでもなく、この露光の実行にはぎりぎりのプロセス寛容度が使用可能であることを示唆する。レジスト処理６４後、レジストに中間パターン６５が獲得され、前記中間パターンは、第一および第二適合サブパターンの組合せに対応する（例えば投影システムの倍率を考慮に入れる）。形態は、サブパターンの適合時に適用した拡張から鑑みて、望ましいパターンの目標形態より大きい。最後に、例えば熱リフロ処理などの補足的レジスト処理６６を適用して、形態を縮小する。この方法の利点は、ＣＤサイズの形態を印刷するぎりぎりのプロセス寛容度より、このような形態を印刷するプロセス寛容度を向上させること６７と、処理できる最小限界寸法ＣＤＳおよびこのようなＣＤサイズの対応する最小ピッチを縮小すること６８とを混合できることである。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
本発明による拡張および縮小のステップを適用しない場合、前記設計チェック規則ツールが、９０ｎｍのサイズに加えて１５ｎｍのバイアス規定を提供し、その結果、コンタクトホールの辺は１２０ｎｍの長さになる。前記バイアス付与は、サブパターンの露光中にサイドローブの印刷を抑制するために適用される。９０ｎｍの辺長さという目標サイズに到達するため、露光量を低下させる。バイアス付与の量は、投影装置のＮＡ設定およびσ−ｏｕｔｅｒ設定によって決定される。この場合も、本発明による拡張および縮小のステップを適用しない場合、この実施形態の露光の最適設定は、ＮＡ＝０．８５およびシグマ＝０．６になる。対応するプロセス寛容度は、図３のグラフ４０の実線４１で図示されている。実線４１は、（名目ＣＤから１０％の）印刷されたＣＤからの任意の最大許容偏差について、露光寛度のパーセンテージとナノメートル単位の焦点深度との関係を示す。Ｘ１およびＹ１は、それぞれ１４０ｎｍの焦点深度および８％の露光寛容度を表す。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
実施形態２
（図５の要素６８で図示するような）限界寸法の減少を獲得するために方法を十分に活用し、このような限界寸法サイズの形態の配置構成の最小ピッチ（つまりコンタクトホールのこのような配置構成をレジスト層でパターン形成できる最小ピッチ）の減少と組み合わせて処理することができる本発明による実施形態を、図６および図７に示す。望ましいデバイスパターンは、ハニカムパターンで配置された密度の高いコンタクトホール７４を備え、そのうち２個のユニットセル７０のセットを図６に示す。デバイスパターンはさらに、図６で図示されていない分離コンタクトホールを備えることができる。望ましいコンタクトホール７４は、図６の矢印７５で表された最小ピッチＰで発生し、これは１つのコンタクトホール７４の直径の２倍である。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５２】
実施形態４
本発明の一実施形態によると、デバイスパターンの複数の目標形態は、図９で示すような複数の短い溝である。短い溝は、１：４の縦横比で細長くしたコンタクトホールである。短い溝の最小寸法は、概ね限界寸法ＣＤと等しく、したがってこのような形態の処理はプロセス寛容度に影響されやすい。図５に概略的に図示された本発明による方法は、実施形態１から３のいずれかと同様の方法で短い溝のこのような望ましいパターンに適用することができる。図９の望ましいパターン１００の短い溝の端点は、図９で図示されたようにハニカム格子１０１と一致する。このようなパターンの１回露光での投影は、使用しているリソグラフィ装置の投影システムの奇数光学収差に影響されやすい描像プロセスを伴う。このような奇数収差の例はコマおよび三波収差（three-wave aberration）であり、これが存在するのは、投影システムの光学的設計の本質的限界、または製造の残留エラーまたは投影システムへの環境からの残留影響のせいである。サブパターンの短い溝が端点が長方形格子１０３と一致するよう、望ましいパターンをサブパターン１０２に分割することにより、奇数収差の感度が低下し、これによってサブパターンの描像のプロセス寛容度がさらに向上する。