【手続補正書】
【提出日】平成20年4月8日(2008.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びその作製方法、並びに電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に接して形成された、第１の半導体層、第２の半導体層、及び前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間に形成された光電変換層を有し、
前記光電変換層は、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層に接しており、
前記第１の半導体層は一導電型を有し、前記第２の半導体層は前記一導電型とは反対の導電型を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面上に接して形成された、第１の半導体層、第２の半導体層、及び前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間に形成された光電変換層を有し、
前記光電変換層は、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層の側面に接し、かつ、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層の上面と絶縁膜を介して重なっており、
前記第１の半導体層は一導電型を有し、前記第２の半導体層は前記一導電型とは反対の導電型を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
絶縁表面上に接して形成された、第１の半導体層及び第２の半導体層と、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層の側面に接し、かつ、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層の上面に絶縁膜を介して重なっている光電変換層と、
前記光電変換層上に形成された第３の半導体層と、を有し、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層は一導電型を有し、前記第３の半導体層は前記一導電型とは反対の導電型を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記絶縁表面上に、前記光電変換素子のスイッチング素子として機能するトランジスタ、前記光電変換素子の信号を増幅するトランジスタ、及び前記光電変換素子の信号を消去するトランジスタから選ばれた一つ又は複数のトランジスタが設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記絶縁表面上には、発光素子が設けられており、且つ、前記発光素子のスイッチング素子として機能するトランジスタ、前記発光素子に流れる電流を制御するトランジスタ、前記発光素子の信号を消去するトランジスタから選ばれた１つ又は複数のトランジスタが設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の半導体装置を用いて作製されたことを特徴とする電子機器。
【請求項７】
絶縁表面上に接して、一導電型を有する第１の半導体層及び前記一導電型とは反対の導電型を有する第２の半導体層を形成する工程と、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層を覆って絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に、前記第１の不純物領域及び前記第２の不純物領域に達するようにコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホールを介して、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層に接するように光電変換層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
絶縁表面上に接して、第１の半導体層、第２の半導体層、及び第３の半導体層を形成する工程と、
第１の半導体層、第２の半導体層、及び第３の半導体層、を覆って第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第３の半導体層上に導電層を形成する工程と、
前記第１の半導体層、前記第２の半導体層、及び前記第３の半導体層に一導電型を付与する不純物元素を添加して第１の不純物領域を形成する工程と、
前記第１の半導体層及び前記第３の半導体層をレジストマスクで覆う工程と、
前記第２の半導体層に前記一導電型と反対の導電型を付与する不純物元素を添加して第２の不純物領域を形成する工程と、
前記第１の半導体層、前記第２の半導体層、及び前記第３の半導体層を覆って第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜に、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層に達する１つのコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホールを介して、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層に接する光電変換層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
絶縁表面上に接して、第１の半導体層と第１の絶縁膜との積層及び第２の半導体層と第２の絶縁層との積層を形成する工程と、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層の側面に接し、かつ、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層の上面の一部と前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層を介して重なる光電変換層を形成する工程と、
前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層の前記光電変換層と重ならない部分をエッチングする工程と、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層の前記光電変換層と重ならない部分に一導電型を付与する不純物元素を添加して第１の不純物領域を形成する工程と、
マスクを用いて、前記第２の半導体層に前記一導電型とは反対の導電型を付与する不純物元素を添加して、前記第１の不純物領域とは反対の導電型を有する第２の不純物領域を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
絶縁表面上に接して、第１の半導体層と第１の絶縁層との積層、第２の半導体層と第２の絶縁層との積層、及び第３の半導体層と第３の絶縁層との積層を形成する工程と、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層の側面に接し、かつ、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層の上面の一部と前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層を介して重なる光電変換層を形成する工程と、
前記第３の絶縁層と、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層の前記光電変換層と重ならない部分と、をエッチングする工程と、
前記第１の半導体層、前記第２の半導体層、前記第３の半導体層、及び前記光電変換層を覆って絶縁膜を形成する工程と、
前記第３の半導体層及び前記光電変換層上に、前記絶縁膜を介してそれぞれ第１の導電層、及び第２の導電層を形成する工程と、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層をマスクとして、前記第１の半導体層、前記第２の半導体層、及び前記第３の半導体層に一導電型を付与する不純物元素を添加して第１の不純物領域を形成する工程と、
前記第２の半導体層及び前記第３の半導体層をレジストマスクで覆う工程と、
前記レジストマスクを用いて、前記第１の半導体層に前記一導電型とは反対の導電型を付与する不純物元素を添加して、前記第１の不純物領域とは反対の導電型を有する第２の不純物領域を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
絶縁表面上に接して、第１の半導体層と第１の絶縁膜との積層及び第２の半導体層と第２の絶縁層との積層を形成する工程と、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層の側面に接し、かつ、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層の上面の一部と前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層を介して重なる光電変換層と、前記光電変換層上に接する第３の半導体層と、を形成する工程と、
前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層の前記光電変換層と重ならない部分をエッチングする工程と、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層の前記光電変換層と重ならない部分と、第３の半導体層と、に一導電型を付与する不純物元素を添加して第１の不純物領域を形成する工程と、
マスクを用いて、前記第３の半導体層に前記一導電型とは反対の導電型を付与する不純物元素を添加して、前記第１の不純物領域とは反対の導電型を有する第２の不純物領域を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
絶縁表面上に接して、第１の半導体層と第１の絶縁層との積層、第２の半導体層と第２の絶縁層との積層、及び第３の半導体層と第３の絶縁層との積層を形成する工程と、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層の側面に接し、かつ、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層の上面の一部と前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層を介して重なる光電変換層と、前記光電変換層上に接する第４の半導体層と、を形成する工程と、
前記第３の絶縁層と、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層の前記光電変換層と重ならない部分と、をエッチングする工程と、
前記第１の半導体層、前記第２の半導体層、前記第３の半導体層、及び前記第４の半導体層を覆って絶縁膜を形成する工程と、
前記第３の半導体層上に、前記絶縁膜を介して導電層を形成する工程と、
前記導電層をマスクとして、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層の前記光電変換層と重ならない部分と、前記第３の半導体層と、前記第４の半導体層と、に一導電型を付与する不純物元素を添加して第１の不純物領域を形成する工程と、
マスクを用いて、前記第４の半導体層に前記一導電型とは反対の導電型を付与する不純物元素を添加して、前記第１の不純物領域とは反対の導電型を有する第２の不純物領域を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。