Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月22日(2008.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力画像データに基づいて異なる色の像を重ねて主走査及び副走査により画像を形成する画像形成装置であって、位置ずれ量に対応する補正パラメータを、前記入力画像データの副走査方向の解像度のｎ（ｎは正の整数）倍の分解能で記憶する補正パラメータ記憶手段と、
前記入力画像データを一時的に格納する補正ラインバッファメモリと、
前記補正ラインバッファメモリに格納された入力画像データを対象として、副走査方向の解像度を前記ｎ倍に補間するとともに、前記補正パラメータに基づいて前記入力画像データに対するラインの副走査方向のアドレスを制御するアドレス制御手段と、
を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記アドレス制御手段が行う補間の解像度、形成される画像の解像度、及び画像の形成の動作モードによって、前記アドレス制御手段に解像度の補間を実施させるか否かを判定する判定する判定手段と、
前記判定手段の判定に基づき前記アドレス制御手段に解像度の補間を実施させる実施手段と、
を更に備えることを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記位置ずれ量は、傾き、及び歪みの少なくとも何れか１つに起因するものであることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記潜像を形成するＬＥＤチップで構成されるＬＥＤアレイを更に備え、
前記位置ずれ量は、傾き、歪み、及び前記ＬＥＤチップの実装の位置誤差の少なくとも何れか１つに起因するものであることを特徴とする１又は請求項２記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記補正パラメータの示す補正単位を、前記ＬＥＤチップの画素数の整数倍とすることを特徴とする請求項４記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記アドレス制御手段は、前記補正ラインバッファメモリに格納された前記入力画像データを対象として、副走査方向の解像度を前記ｎ倍に補間する際に、同じアドレスをｎ回読み出すことにより、前記入力画像データに対する副走査方向の解像度を前記ｎ倍に補間することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記主走査方向における副走査方向の位置ずれ量を検出する位置ずれ量検出手段を更に備え、前記補正パラメータ記憶手段は、前記位置ずれ量検出手段により検出された位置ずれ量に対応する補正パラメータを記憶することを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、入力画像データに基づいて異なる色の像を重ねて主走査及び副走査により画像を形成する画像形成装置であって、位置ずれ量に対応する補正パラメータを、前記入力画像データの副走査方向の解像度のｎ（ｎは正の整数）倍の解像度で記憶する補正パラメータ記憶手段と、前記入力画像データを一時的に格納する補正ラインバッファメモリと、前記補正ラインバッファメモリに格納された入力画像データを対象として、副走査方向の解像度を前記ｎ倍に補間するとともに、前記補正パラメータに基づいて前記入力画像データに対するラインの副走査方向のアドレスを制御するアドレス制御手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明によれば、入力画像データに基づいて複数回の主走査及び副走査によって潜像を形成し、該潜像を顕像化して、画像を形成する際に、補正パラメータ記憶手段が、位置ずれ量に対応する補正パラメータを、前記入力画像データの副走査方向の解像度のｎ（ｎは正の整数）倍の分解能で記憶する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
さらに、本発明においては、前記位置ずれ量は、傾き、及び歪みの少なくとも何れか１つに起因するものであってもよいし、前記潜像を形成するＬＥＤチップで構成されるＬＥＤアレイを更に備え、前記傾き、歪み、に加え、前記ＬＥＤチップの実装の位置誤差の少なくとも何れか１つに起因するものであってもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
即ち、傾きによる位置ずれ、歪みよる位置ずれ、更にＬＥＤチップを実装している場合には該ＬＥＤチップの実装位置誤差の位置ずれを含む、位置ずれ検知手段が検出する全ての位置ずれのリニアリティ補正を行なうことができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
これにより、補正パラメータの補正単位は、ＬＥＤチップの画素数の整数倍とする事で、ＬＥＤチップをまたがることなく補正することは可能となる。そして、当該補正単位は、例えば数画素単位、数十画素単位等、画像形成装置に要求される補正分解性能によって選択することができる。また、本発明においては、前記アドレス制御手段は、前記補正ラインバッファメモリに格納された前記入力画像データを対象として、副走査方向の解像度を前記ｎ倍に補間する際に、同じアドレスをｎ回読み出すことにより、前記入力画像データに対する副走査方向の解像度を前記ｎ倍に補間することを特徴とする。さらにまた、本発明においては、前記主走査方向における副走査方向の位置ずれ量を検出する位置ずれ量検出手段を更に備え、前記補正パラメータ記憶手段は、前記位置ずれ量検出手段により検出された位置ずれ量に対応する補正パラメータを記憶することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月20日(2008.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノイズフィルタ回路において、
入力信号を入力される第一入力端子と、
前記入力信号を第一遅延時間後に入力される第二入力端子と、
前記入力信号よりも前記第一遅延時間分短い信号幅になって前記入力信号と同じ立ち下がりの位相になる出力信号を出力する出力端子と、を有する論理回路と、
さらに、
前記出力信号を入力される第一入力端子と、
クロック信号を前記第一遅延時間を考慮されている第二遅延時間後に入力される第二入力端子と、を有するフリップフロップと、
を備えることを特徴とするノイズフィルタ回路。
【請求項２】
前記第二遅延時間は、前記第一遅延時間の半分であることを特徴とする請求項１記載のノイズフィルタ回路。
【請求項３】
前記第二遅延時間は、前記第一遅延時間の半分と、寄生抵抗及び寄生容量による遅延時間と、の合計であることを特徴とする請求項１記載のノイズフィルタ回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明では、ノイズフィルタ回路において、入力信号を入力される第一入力端子と、前記入力信号を第一遅延時間後に入力される第二入力端子と、前記入力信号よりも前記第一遅延時間分短い信号幅になって前記入力信号と同じ立ち下がりの位相になる出力信号を出力する出力端子と、を有する論理回路と、さらに、前記出力信号を入力される第一入力端子と、クロック信号を前記第一遅延時間を考慮されている第二遅延時間後に入力される第二入力端子と、を有するフリップフロップと、を備えることを特徴とするノイズフィルタ回路を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明では、第一遅延時間以上の信号幅のノイズが論理回路に入力されることにより、ノイズを論理回路が完全に除去できなかった場合、そのノイズがフリップフロップでのクロック信号の立ち上がり及び立ち下がりに同期しなければ、そのノイズをフリップフロップが除去できる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月22日(2008.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可変データの入力によってそのサイズないし形状が変動可能な第１領域における画像に地紋画像を含めた印刷を行うためのデータを生成する画像処理装置であって、
前記可変データの入力に応じた第１領域のサイズないし形状の変動に連動して、地紋画像を付与する第２領域を設定する領域設定手段と、
前記領域設定手段によって設定された前記第２領域における地紋画像と、前記サイズないし形状が変動した第１領域における画像に基づく印刷を行うためのデータを生成する生成手段と、
を具えたことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記領域設定手段は、前記第１領域を基に、該第１領域を少なくとも含む第２領域として地紋画像の付与領域を設定することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記生成手段は、地紋画像の潜像について段階的に変化する複数の濃度のグラデーション地紋画像を付与することを特徴とする請求項１または２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記領域設定手段は、前記第１領域に対してマージンを設定することによって、前記第２領域をその変動が可能に設定し、また、前記マージンが前記第１領域と前記第２領域の間隔として維持されることを特徴とする請求項１ないし３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記第１領域は、可変データの入力によってサイズないし形状が変動する所定領域を含み、前記生成手段は、前記所定領域に可変データが入力された後、可変データの入力によって変動した前記所定領域の変動に連動させて前記第２領域のサイズを計算し、求めたサイズの地紋画像を生成して印刷データに含めることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記第２領域のサイズの計算は、前記第１領域において地紋画像に関連付けられている複数の前記所定領域の和を取り、さらに、前記マージンに基づき拡大することを特徴とする請求項５に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記生成手段は、求めたサイズの潜像を生成し、設定されているグラデーション地紋画像の解像度から分割数を求め、その分割数で地紋画像に対応する前記第２領域を分割し、分割領域ごとにマスクを作成し、作成したマスクで潜像のマスク処理を行い、地紋濃度計算し、求めた濃度でマスク済み潜像を用いた地紋画像を生成し、それまで生成した地紋画像の合成を行うことを特徴とする請求項３ないし６のいずれかに記載の画像処理装置。
【請求項８】
可変データの入力によってそのサイズないし形状が変動可能な第１領域における画像に地紋画像を含めた印刷を行うためのデータを生成する画像処理装置であって、
前記可変データの入力に応じた第１領域のサイズないし形状の変動に連動した領域における地紋画像と、前記サイズないし形状が変動した第１領域における画像に基づいて、印刷を行うためのデータを生成する生成手段を具えたことを特徴とする画像処理装置。
【請求項９】
可変データの入力によってそのサイズないし形状が変動可能な第１領域における画像に地紋画像を含めた印刷を行うためのデータを生成する画像処理方法であって、
前記可変データの入力に応じた第１領域のサイズないし形状の変動に連動して、地紋画像を付与する第２領域を設定する領域設定工程と、
前記領域設定工程によって設定された前記第２領域における地紋画像と、前記サイズないし形状が変動した第１領域における画像に基づく印刷を行うためのデータを生成する生成工程と、
を有したことを特徴とする画像処理方法。
【請求項１０】
前記領域設定工程では、前記第１領域を基に、該第１領域を少なくとも含む第２領域として地紋画像の付与領域を設定することを特徴とする請求項９に記載の画像処理方法。
【請求項１１】
前記生成工程では、地紋画像の潜像について段階的に変化する複数の濃度のグラデーション地紋画像を付与することを特徴とする請求項９または１０に記載の画像処理方法。
【請求項１２】
前記領域設定工程では、前記第１領域に対してマージンを設定することによって、前記第２領域をその変動が可能に設定し、また、前記マージンが前記第１領域と前記第２領域の間隔として維持されることを特徴とする請求項９ないし１１のいずれかに記載の画像処理方法。
【請求項１３】
前記第１領域は、可変データの入力によってサイズないし形状が変動する所定領域を含み、前記生成工程は、前記所定領域に可変データが入力された後、可変データの入力によって変動した前記所定領域の変動に連動させて前記第２領域のサイズを計算する工程と、該計算によって求めたサイズの地紋画像を生成して印刷データに含める工程を有することを特徴とする請求項９ないし１２のいずれかに記載の画像処理方法。
【請求項１４】
前記第２領域のサイズの計算は、前記第１領域において地紋画像に関連付けられている複数の前記所定領域の和を取り、さらに、前記マージンに基づき拡大することを特徴とする請求項１３に記載の画像処理方法。
【請求項１５】
前記生成工程は、求めたサイズの潜像を生成する工程と、設定されているグラデーション地紋画像の解像度から分割数を求める工程と、該求めた分割数で地紋画像に対応する前記第２領域を分割する工程と、該分割領域ごとにマスクを作成する工程と、該作成したマスクで潜像のマスク処理を行い、地紋濃度を計算する工程と、該求めた濃度でマスク済み潜像を用いた地紋画像を生成する工程と、それまで生成した地紋画像の合成を行う工程を有したことを特徴とする請求項１１ないし１４のいずれかに記載の画像処理方法。
【請求項１６】
可変データの入力によってそのサイズないし形状が変動可能な第１領域における画像に地紋画像を含めた印刷を行うためのデータを生成するための画像処理方法であって、
前記可変データの入力に応じた第１領域のサイズないし形状の変動に連動した領域における地紋画像と、前記サイズないし形状が変動した第１領域における画像に基づいて、印刷を行うためのデータを生成する生成工程を有したことを特徴とする画像処理方法。
【請求項１７】
可変データの入力によってそのサイズないし形状が変動可能な領域における画像に地紋画像を含めた印刷を行うためのデータを生成する画像処理装置であって、
前記可変データの入力に応じた前記領域のサイズないし形状の変動に連動して、地紋画像を付与する領域を設定する領域設定手段と、
前記領域設定手段によって設定された前記領域における地紋画像と、前記サイズないし形状が変動した前記領域における画像に基づいて印刷を行うためのデータを生成する生成手段と、
を具えたことを特徴とする画像処理装置。
【請求項１８】
可変データの入力によってそのサイズないし形状が変動可能な領域における画像に地紋画像を含めた印刷を行うためのデータを生成する画像処理方法であって、
前記可変データの入力に応じた前記領域のサイズないし形状の変動に連動して、地紋画像を付与する領域を設定する領域設定工程と、
前記領域設定工程によって設定された前記領域における地紋画像と、前記サイズないし形状が変動した前記領域における画像に基づく印刷を行うためのデータを生成する生成工程と、
を有したことを特徴とする画像処理方法。
【請求項１９】
コンピュータに請求項１ないし８のいずれかまたは請求項１７に記載の画像処理装置として機能させることを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月20日(2007.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
請求項７又は８に記載の半導体装置であって、
前記第４のＭＩＳトランジスタは、Ｐチャネル型のＭＩＳトランジスタであり、
前記第４の応力は圧縮応力である、半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
請求項１５に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第４のＭＩＳトランジスタは、Ｐチャネル型のＭＩＳトランジスタであり、
前記第４の応力は圧縮応力である、半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月8日(2008.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子および複数の配線層を有する半導体装置の製造方法であって、
（ａ）半導体基板上に前記半導体素子を形成する工程と、
（ｂ）前記半導体素子上に第１層間絶縁膜を形成する工程と、
（ｃ）前記第１層間絶縁膜上に第２層間絶縁膜を形成する工程と、
（ｄ）前記第１層間絶縁膜および前記第２層間絶縁膜を貫通する溝を形成する工程と、
（ｅ）前記溝内を含む前記第２層間絶縁膜上に導体膜を形成する工程と、
（ｆ）前記溝以外に形成された前記導体膜を除去することにより、前記溝に埋め込まれた前記導体膜よりなる配線を形成する工程とを備え、
前記第１層間絶縁膜は、前記第２層間絶縁膜を構成する酸素原子およびシリコン原子を含む膜に比べて、酸素原子に対するシリコン原子の割合が大きい膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１層間絶縁膜および前記第２層間絶縁膜は、酸化シリコン膜であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１層間絶縁膜は、シランガスを原料として生成された酸化シリコン膜であり、前記第２層間絶縁膜は、ＴＥＯＳを原料として生成された酸化シリコン膜であることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１層間絶縁膜および前記第２層間絶縁膜は、高密度プラズマ化学気相成長法よりもイオン密度の低いプラズマ化学気相成長法により形成することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
さらに、
（ｇ）前記配線を埋め込んだ前記第２層間絶縁膜上に第３層間絶縁膜を形成する工程を備え、
前記第３層間絶縁膜は、前記第２層間絶縁膜を構成する酸素原子およびシリコン原子を含む膜に比べて、酸素原子に対するシリコン原子の割合が大きい膜であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月10日(2008.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、  
該処理室を加熱する加熱手段と、  
前記処理室外に配置され前記加熱手段の温度を測定する第１の温度センサと、  
該第１の温度センサよりも前記基板近傍に配置され前記処理室内の温度を測定する第２の温度センサと、  
前記第１及び第２の温度センサでそれぞれの測定する温度に基づき前記加熱手段を制御する制御手段とを備え、 
前記制御手段は、 
前記処理室内で設定温度にて基板を処理するよう前記加熱手段を制御している際に、前記第２の温度センサが正常に温度測定できなくなったとき、前記第２の温度センサが正常に温度測定できなくなる前に求めて記憶しておいた前記設定温度にて温度が安定した際の前記第１及び第２の温度センサで測定したそれぞれの温度の温度差を、前記第２の温度センサで測定する温度と前記設定温度との偏差に基づき第１の演算をすることに替えて、前記記憶された温度差により前記設定温度を補正し、該補正結果と前記第１の温度センサで測定する温度との偏差に基づき第２の演算を行い、該第２の演算結果に基づき前記加熱手段を制御することを特徴とする基板処理装置。  
【請求項２】
処理室内で設定温度にて基板を処理するよう、加熱手段の温度を測定する第１の温度センサの測定する温度と該第１の温度センサよりも前記基板近傍に配置され前記処理室内の温度を測定する第２の温度センサの測定する温度に基づき前記加熱手段を制御している際に、前記第２の温度センサが正常に温度測定できなくなったとき、該第２の温度センサが正常に温度測定できなくなる前に予め求めて記憶しておいた前記設定温度にて温度が安定した際の前記第１及び第２の温度センサで測定したそれぞれの温度の温度差を、前記第２の温度センサで測定する温度と前記設定温度との偏差に基づき第１の演算をすることに替えて、前記記憶された温度差により前記設定温度を補正し、該補正結果と前記第１の温度センサで測定する温度との偏差に基づき第２の演算を行い、該第２の演算結果に基づき前記加熱手段を制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月3日(2008.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
特許文献１によれば、ＣＣＤカメラによる画像情報と、車速センサ、加速度センサ等の各センサ情報とをランダムアクセスメモリに逐次更新しつつ記録し、自車が受ける衝撃センサの作動によりメモリの記録情報をフラッシュメモリに転送し、エンコーダを介して出力端子から取出して再生可能にする車両用ドライブレコーダが開示され、事故直前の画像及びセンサ情報を記録して事故発生状況を把握可能にしている。特許文献２によれば、自動車の走行開始前の検査結果を記録する初期状態記録手段と、その走行状況を更新しつつ記録する走行状況記録手段と、衝撃センサにより事故の発生を検出する事故検出手段と、自動車の事故状況を記録する事故状況記録手段とを備えた状況記録装置が開示され、自動車自体の異常の有無、ＧＰＳ情報、マイクによる集音情報も記録して事故の発生原因を把握可能にしている。特許文献３によれば、自動車の運転中に、車外及び車内の映像を撮影し、マイクで車内の音声を集音し、これらの映像及び音声をネットワークを介して記録サーバに転送する事故状況記録システムが開示され、衝撃センサにより事故が検知されると、運転状況の如何に拘らず記録を継続させるようにしている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
人体センサ３ｆ，３ｒは、人体の侵入による赤外線の入射により結晶に温度変化が生じたときに表面電荷が変化する焦電効果を利用した住宅用等に広く用いられている広い指向性のセンサであり、その内蔵回路により例えば１．５ｍ範囲の人体を検知するように感度が設定されている。この人体センサには、前述のように、停止信号時に横断する歩行者の検知を回避させる中断制御手段２７が付属し、その中断制御は数秒の遅延始動を伴うことにより、停車後の所定時間内の人体検知は許容される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2007088541.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月21日(2008.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電池を着脱可能に収納できる電池収納部と、
該電池収納部に収納された前記電池から電源供給を受ける電源端子と、
前記電池収納部に設けられたテスト用端子と、
前記電池を外して前記電池収納部に、前記テスト用端子を露出させた状態で、テスト用治具を前記電池収納部に固定するための係止部と、
を設けたことを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記電池収納部には前記テスト用端子を覆う内蓋部材を備え、該内蓋部材を取り外すことで前記テスト用端子を露出させることを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記電源端子は、前記テスト用治具の電源供給用端子と接触するようにしたことを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項４】
電池を収納する電池収納部と、テスト用端子とが露出する構成の電子機器に適用可能なテスト用治具であって、
前記電池収納部に装着可能で、複数のテスト用探針を保持する本体部と、
該本体部に設けられ、前記電池収納部の内壁に形成された係止部に係止される係合部と、
を具備したことを特徴とするテスト用治具。
【請求項５】
電池収納部の底板を外すことにより、回路基板上に設けられたテスト用端子が露出する構成の電子機器に適用可能としたことを特徴とする請求項4に記載のテスト用治具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
以上の課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、電池を着脱可能に収納できる電池収納部と、該電池収納部に収納された前記電池から電源供給を受ける電源端子と、前記電池収納部に設けられたテスト用端子と、前記電池を外して前記電池収納部に、前記テスト用端子を露出させた状態で、テスト用治具を前記電池収納部に固定するための係止部とを設けたことを特徴とする。 
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項４に記載の発明は、電池を収納する電池収納部と、テスト用端子とが露出する構成の電子機器に適用可能なテスト用治具であって、前記電池収納部に装着可能で、複数のテスト用探針を保持する本体部と、該本体部に設けられ、前記電池収納部の内壁に形成された係止部に係止される係合部とを具備したことを特徴とする。 
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば、テストの準備作業は、電池を外して電子機器の電池収納部にテスト用治具を装着するだけでよく、テストの準備作業を効率的に行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月17日(2008.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水、重量平均分子量が２０万を超えるポリビニルピロリドン、酸化剤、水不溶性金属化合物を形成する第一の金属化合物形成剤と水溶性金属化合物を形成する第二の金属化合物形成剤とを含む保護膜形成剤および砥粒を含有する化学機械研磨用水系分散体であって、
前記ポリビニルピロリドンの含有率が、０．００１重量％以上０．５重量％以下であり、
前記第一の金属化合物形成剤が、キナルジン酸および／またはキノリン酸を含むことを特徴とする化学機械研磨用水系分散体。
【請求項２】
前記水不溶性金属化合物が水不溶性錯体であることを特徴とする請求項１に記載の化学機械研磨用水系分散体。
【請求項３】
前記水溶性金属化合物が水溶性錯体であることを特徴とする請求項１または２に記載の化学機械研磨用水系分散体。
【請求項４】
粘度が、２ｍＰａ・ｓ未満であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の化学機械研磨用水系分散体。
【請求項５】
前記ポリビニルピロリドンの、フィケンチャー（Ｆｉｋｅｎｔｓｃｈｅｒ）法により求めたＫ値が、５７を超えて１０６以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の化学機械研磨用水系分散体。
【請求項６】
前記酸化剤が、過硫酸アンモニウムを含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の化学機械研磨用水系分散体。
【請求項７】
前記第二の金属化合物形成剤が、アミノ酸および／または塩基性塩を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の化学機械研磨用水系分散体。
【請求項８】
ターンテーブル上に貼付された研磨布に、金属膜を有する半導体基板を当接させる工程
、および
前記研磨布上に、請求項１〜７のいずれかに記載の化学機械研磨用水系分散体を滴下しながら前記金属膜の表面を研磨する工程を具備することを特徴とする化学機械研磨方法。
【請求項９】
半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に凹部を形成する工程と、
前記凹部の内部および前記絶縁膜の上に金属を堆積して金属膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に堆積された前記金属膜の少なくとも一部を除去する工程とを具備し、かつ
前記金属の除去を、請求項１〜７のいずれかに記載の化学機械研磨用水系分散体を用いた化学機械研磨により行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
液（Ｉ）および液（ＩＩ）からなり、これらの液を混合して請求項１〜７のいずれかに記載の化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキットであって、
前記液（Ｉ）が、水、前記ポリビニルピロリドン、前記保護膜形成剤および前記砥粒を含む水系分散体であり、
前記液（ＩＩ）が、水および前記酸化剤を含む
ことを特徴とする化学機械研磨用水系分散体調製用キット。
【請求項１１】
液（ＩＩＩ）および液（ＩＶ）からなり、これらの液を混合して、請求項１〜７のいずれかに記載の化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキットであって、
前記液（ＩＩＩ）が、水および前記砥粒を含む水系分散体であり、
前記液（ＩＶ）が、水および前記保護膜形成剤を含み、
前記ポリビニルピロリドンが、前記液（ＩＩＩ）および／または前記液（ＩＶ）に含まれ、
前記酸化剤が、前記液（ＩＩＩ）および／または前記液（ＩＶ）に含まれる
ことを特徴とする化学機械研磨用水系分散体調製用キット。
【請求項１２】
液（Ｖ）、液（ＶＩ）および液（ＶＩＩ）からなり、これらの液を混合して、請求項１〜７のいずれかに記載の化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキットであって、
前記液（Ｖ）が、水および前記砥粒を含む水系分散体であり、
前記液（ＶＩ）が、水および前記保護膜形成剤を含み、
前記液（ＶＩＩ）が、水および前記酸化剤を含み、
前記ポリビニルピロリドンが、前記液（Ｖ）、（ＶＩ）および（ＶＩＩ）から選ばれる少なくとも１つに含まれる
ことを特徴とする化学機械研磨用水系分散体調製用キット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明に係る化学機械研磨用水系分散体は、水、重量平均分子量が２０万を超えるポリビニルピロリドン、酸化剤、水不溶性金属化合物を形成する第一の金属化合物形成剤と水溶性金属化合物を形成する第二の金属化合物形成剤とを含む保護膜形成剤および砥粒を含有し、前記ポリビニルピロリドンの含有率が、０．００１重量％以上０．５重量％以下であり、前記第一の金属化合物形成剤が、キナルジン酸および／またはキノリン酸を含むことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
前記水不溶性金属化合物は水不溶性錯体であることが好ましく、前記水溶性金属化合物は水溶性錯体であることが好ましい。
上記化学機械研磨用水系分散体の粘度は、２ｍＰａ・ｓ未満であることが好ましい。
前記ポリビニルピロリドンの、フィケンチャー（Ｆｉｋｅｎｔｓｃｈｅｒ）法により求めたＫ値は、５７を超えて１０６以下であることが好ましい。
前記酸化剤は、過硫酸アンモニウムを含むことが好ましい。
前記第二の金属化合物形成剤は、アミノ酸および／または塩基性塩を含むことが好ましい。
本発明に係る化学機械研磨方法は、ターンテーブル上に貼付された研磨布に、金属膜を有する半導体基板を当接させる工程、および前記研磨布上に、上記化学機械研磨用水系分散体を滴下しながら前記金属膜の表面を研磨する工程を具備することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月15日(2008.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
ところで、次世代の移動体通信システムにおいて、一つのユーザに対し複数のサービスであるマルチサービス（マルチコールとも云う）が導入された場合、異なるサービスプライオリティのサービスが混在することが考えられる。例えば、音声データをＩＰパケットに変換して送受信するＶｏＩＰ（Voice Over IP）（例えば、最もサービスプライオリテ
ィの高いサービス）と電子メール（e-mail）（例えば、最もサービスプライオリティの低いサービス）が混在するなどの場合が考えられる。
特許文献１には、移動通信ネットワークと加入者ターミナルとの間で多数の独立した同時コールを管理する方法が示されている。
【特許文献１】特表２００２−５２５９３４号公報
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月2日(2008.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）半導体基板の主面に第１絶縁膜を形成する工程；
（ｂ）前記（ａ）工程後、前記第１絶縁膜に溝と前記溝の底面に接続される孔を形成する工程；
（ｃ）前記（ｂ）工程後、前記溝内および前記孔内を含む前記第１絶縁膜の表面にアンモニアプラズマ処理を施す工程；
（ｄ）前記（ｃ）工程後、前記溝内および前記孔内を含む前記第１絶縁膜の上部にバリアメタルを形成する工程；
（ｅ）前記（ｄ）工程後、前記バリアメタルの上部に純度が９９．９９９％以上のＣｕターゲットを用いてスパッタリングでＣｕシード層を形成する工程；
（ｆ）前記（ｅ）工程後、前記溝および前記孔を埋めるように前記Ｃｕシード層上にＣｕを主成分とするＣｕ膜を電界メッキにより形成する工程；
（ｇ）前記（ｆ）工程後、ＣＭＰ法によって、前記溝の外部および前記孔の外部の前記バリアメタル、前記Ｃｕシード層、および前記Ｃｕ膜を除去して前記第１絶縁膜を露出するようにして前記溝内および前記孔内に前記バリアメタル、前記Ｃｕシード層、および前記Ｃｕ膜を埋め込むことでＣｕ配線を形成する工程；
（ｈ）前記（ｇ）工程後、露出した前記第１絶縁膜上および前記Ｃｕ配線上面にアンモニアプラズマ処理を施す工程；
（ｉ）前記（ｈ）工程後、露出した前記第１絶縁膜上および前記Ｃｕ配線上面にプラズマＣＶＤでバリア絶縁膜を形成する工程；
を有し、
前記バリアメタルの最も薄い部分の膜厚は１０ｎｍ未満であり、
前記（ｉ）工程を終了した時点での前記Ｃｕ配線におけるＣｕ以外の成分の濃度が０．８Ａｔ．％以下であり、
前記（ｃ）工程によって、前記溝内および前記孔内を含む前記第１絶縁膜は、その表面から１０ｎｍ未満の領域が窒化されることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記Ｃｕターゲットの純度は９９．９９９９％以上であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記Ｃｕ以外の成分の濃度は０．０５Ａｔ．％以下であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項４】
（ａ）半導体基板の主面上に第１絶縁膜を形成する工程；
（ｂ）前記（ａ）工程後、前記第１絶縁膜に溝と前記溝の底面に接続される孔を形成する工程；
（ｃ）前記（ｂ）工程後、前記溝内および前記孔内を含む前記第１絶縁膜の表面にアンモニアプラズマ処理を施す工程；
（ｄ）前記（ｃ）工程後、前記溝内および前記孔内を含む前記第１絶縁膜上にバリアメタルを形成する工程；
（ｅ）前記（ｄ）工程後、前記バリアメタルの上部に純度が９９．９９９％以上のＣｕターゲットを用いたスパッタリング法によって、Ｃｕシード層を形成する工程；
（ｆ）前記（ｅ）工程後、前記Ｃｕシード層の上にＣｕを主成分とするＣｕ膜を電解メッキにより形成する工程；
（ｇ）前記（ｆ）工程後、ＣＭＰ法によって、前記溝の外部および前記孔の外部の前記バリアメタル、前記Ｃｕシード層および前記Ｃｕ膜を除去することで、前記溝内および前記孔内に前記バリアメタル、前記Ｃｕシード層および前記Ｃｕ膜を埋め込むことで、Ｃｕ配線を形成する工程；
（ｈ）前記（ｇ）工程後に、前記第１絶縁膜の表面および前記Ｃｕ配線の表面にアンモニアプラズマ処理を施す工程；
（ｉ）前記（ｈ）工程後、前記第１絶縁膜上および前記Ｃｕ配線上面にバリア絶縁膜を形成する工程；
を有し、
前記バリアメタルの最も薄い部分の膜厚は１０ｎｍ未満であり、
前記（ｃ）工程によって、前記溝内および前記孔内を含む前記第１絶縁膜は、その表面から１０ｎｍ未満の領域が窒化されることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記溝および前記孔内の側壁部において、前記バリアメタルの最も薄い部分の膜厚は５ｎｍ以下であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記溝および前記孔内の側壁部において、前記バリアメタルの最も薄い部分の膜厚は２ｎｍ以下であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記溝の幅は０．４μｍ以下であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記バリアメタルは、窒化チタン、タンタルまたは窒化タンタルからなることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記第１絶縁膜は、有機膜からなることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月4日(2008.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の端末が伝送路を介して接続され、所定のプロトコルに従って互いに通信を行う通信システムにおける、通信の異常を診断するために用いられる通信システム異常検出装置であって、
前記伝送路を流れる伝送信号の内容を前記プロトコルに従って解析する伝送信号解析手段と、
前記伝送信号解析手段による前記伝送信号の解析結果が、所定のトリガ信号出力条件を満たす場合に、前記通信システムに異常が発生したと判断し、トリガ信号を出力するトリガ信号出力手段と、
を備え、
前記トリガ信号出力手段によって前記トリガ信号が出力された場合に、そのトリガ信号出力条件を満たす前記伝送信号の解析結果と、前記伝送路を流れる前記伝送信号の波形データと、を関連付けて第１の記憶手段に記憶させ、
前記第１の記憶手段に記憶された波形データに基づいて、前記伝送路の異常発生原因を推定する原因推定手段、をさらに備えることを特徴とする通信システム異常検出装置。
【請求項２】
請求項１に記載の通信システム異常検出装置において、
前記トリガ信号出力手段によって前記トリガ信号が出力された場合に、さらに、そのトリガ信号出力条件を、前記伝送路を流れる前記伝送信号の波形データと関連付けて前記第１の記憶手段に記憶させることを特徴とする通信システム異常検出装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の通信システム異常検出装置において、
前記トリガ信号出力手段によって前記トリガ信号が出力された場合に、さらに、そのトリガ信号が出力された時刻を、前記伝送路を流れる前記伝送信号の波形データと関連付けて前記第１の記憶手段に記憶させることを特徴とする通信システム異常検出装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の通信システム異常検出装置において、
前記トリガ信号出力条件は、前記通信システムの特性に応じて設定可能であることを特徴とする通信システム異常検出装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の通信システム異常検出装置において、
前記伝送信号が前記端末からの異常発生通知信号である場合、及び、前記端末から送信されるべき信号が送信されていないことを前記伝送信号が示す場合、の少なくとも１つの場合に、前記トリガ信号出力条件が満たされることを特徴とする通信システム異常検出装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載の通信システム異常検出装置において、
前記伝送信号解析手段による前記伝送信号の解析結果を第２の記憶手段に記憶させ、
前記第２の記憶手段に記憶された、前記伝送信号解析手段による前記伝送信号の解析結果に基づいて、前記伝送路の異常発生原因を推定する原因推定手段をさらに備えることを特徴とする通信システム異常検出装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明に係る通信システム異常検出装置は、複数の端末が伝送路を介して接続され、所定のプロトコルに従って互いに通信を行う通信システムにおける、通信の異常を診断するために用いられる通信システム異常検出装置であって、前記伝送路を流れる伝送信号の内容を前記プロトコルに従って解析する伝送信号解析手段と、前記伝送信号解析手段による前記伝送信号の解析結果が、所定のトリガ信号出力条件を満たす場合に、前記通信システムに異常が発生したと判断し、トリガ信号を出力するトリガ信号出力手段と、を備え、前記トリガ信号出力手段によって前記トリガ信号が出力された場合に、そのトリガ信号出力条件を満たす前記伝送信号の解析結果と、前記伝送路を流れる前記伝送信号の波形データと、を関連付けて第１の記憶手段に記憶させ、前記第１の記憶手段に記憶された波形データに基づいて、前記伝送路の異常発生原因を推定する原因推定手段、をさらに備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明に係る通信システム異常検出装置において、前記トリガ信号出力手段によって前記トリガ信号が出力された場合に、さらに、そのトリガ信号出力条件を、前記伝送路を流れる前記伝送信号の波形データと関連付けて前記第１の記憶手段に記憶させることが好ましい。また、本発明に係る通信システム異常検出装置において、前記トリガ信号出力手段によって前記トリガ信号が出力された場合に、さらに、そのトリガ信号が出力された時刻を、前記伝送路を流れる前記伝送信号の波形データと関連付けて前記第１の記憶手段に記憶させることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明に係る通信システム異常検出装置において、前記伝送信号解析手段による前記伝送信号の解析結果を第２の記憶手段に記憶させ、前記第２の記憶手段に記憶された、前記伝送信号解析手段による前記伝送信号の解析結果に基づいて、前記伝送路の異常発生原因を推定する原因推定手段をさらに備えることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月29日(2007.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放送番組のコンテンツ及び当該コンテンツに関連するメタデータを受信し、受信した前記コンテンツの蓄積及び再生を行なう放送受信装置であって、
受信した前記メタデータに含まれる、各番組に関する番組情報、及び番組を構成する各シーンに関するシーン情報を記憶する記憶手段と、
キーワードを入力するための入力手段と、
前記入力手段で入力されたキーワードに対応する番組情報及びシーン情報を前記記憶手段内から検索して、当該キーワードに対応する番組及びシーンを特定し、番組毎に特定されたシーンの時間情報を時間軸に沿って帯状に表示した表示画面を形成する表示制御手段と
を備えることを特徴とする放送受信装置。
【請求項２】
前記表示制御手段は、特定されたシーンの時間帯と、当該シーンに対応する番組の全時間長とを区別して表示させることを特徴とする請求項１に記載の放送受信装置。
【請求項３】
前記表示制御手段は、番組別に、特定された複数のシーンを連結して表示させることを特徴とする請求項１に記載の放送受信装置。
【請求項４】
前記表示制御手段は、特定された複数の番組を、各番組の放送日時順に配列して表示させることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の放送受信装置。
【請求項５】
前記表示制御手段は、特定された複数の番組を、各番組内の特定されたシーンの合計時間長が長い順に配列して表示させることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の放送受信装置。
【請求項６】
前記表示制御手段は、特定された複数の番組を、ジャンル別に表示させることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の放送受信装置。
【請求項７】
前記入力手段は、任意の複数のキーワードの入力を受け付け、
前記表示制御手段は、前記入力手段で入力された複数のキーワードに一致する割合に応じて、特定されたシーンを異なる表示形態で表示させることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の放送受信装置。
【請求項８】
更に、番組を構成する複数のシーンのうち、前記表示制御手段により特定されたシーンを選択的に再生するための再生手段を備えることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の放送受信装置。
【請求項９】
放送番組のコンテンツ及び当該コンテンツに関連するメタデータを受信し、受信した前記コンテンツの蓄積及び再生を行なう放送受信装置の制御方法であって、
受信した前記メタデータに含まれる、各番組に関する番組情報、及び番組を構成する各シーンに関するシーン情報を記憶手段に記憶する記憶工程と、
キーワードを入力するための入力工程と、
前記入力工程で入力されたキーワードに対応する番組情報及びシーン情報を前記記憶手段内から検索して、当該キーワードに対応する番組及びシーンを特定し、番組毎に特定されたシーンの時間情報を時間軸に沿って帯状に表示した表示画面を形成する表示制御工程と
を備えることを特徴とする放送受信装置の制御方法。
【請求項１０】
コンピュータが読込み実行することで、前記コンピュータを、放送番組のコンテンツ及び当該コンテンツに関連するメタデータを受信し、受信した前記コンテンツの蓄積及び再生を行なう放送受信装置として機能させるコンピュータプログラムであって、
受信した前記メタデータに含まれる、各番組に関する番組情報、及び番組を構成する各シーンに関するシーン情報を記憶手段に記憶する手段と、
キーワードを入力するための入力手段と、
前記入力手段で入力されたキーワードに対応する番組情報及びシーン情報を前記記憶手段内から検索して、当該キーワードに対応する番組及びシーンを特定し、番組毎に特定されたシーンの時間情報を時間軸に沿って帯状に表示した表示画面を形成する表示制御手段
として機能させることを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項１１】
請求項１０に記載のコンピュータプログラムを格納したことを特徴とするコンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月5日(2007.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）動画ファイルを構成する複数のフレームから、印刷対象となる複数の対象フレームを決定する対象フレーム決定部と、
（Ｂ）前記複数の対象フレームを、被写体に基づく種類に対応させて複数のグループに分けるグループ分け部と、
（Ｃ）或るグループに属する前記対象フレームの画像補正を、対応する種類に応じた条件で一律に行う画像補正部と、
を有する画像補正装置。
【請求項２】
請求項１に記載の画像補正装置であって、
前記グループ分け部は、
前記種類を特定せずに前記複数の対象フレームを前記複数のグループに分け、その後、前記グループ毎に前記種類を特定する、画像補正装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の画像補正装置であって、
前記被写体に基づく種類は、
少なくとも人物の種類を含む、画像補正装置。
【請求項４】
請求項３に記載の画像補正装置であって、
前記画像補正部は、
前記人物の種類に対応するグループに属する、前記対象フレームの画像補正を、人物の顔部分の画像に基づいて定めた条件で一律に行う、画像補正装置。
【請求項５】
請求項１又は２に記載の画像補正装置であって、
前記被写体に基づく種類は、
少なくとも風景の種類を含む、画像補正装置。
【請求項６】
請求項５に記載の画像補正装置であって、
前記画像補正部は、
前記風景の種類に対応するグループに属する、前記対象フレームの画像補正を、前記風景の構成色に基づいて定めた条件で一律に行う、画像補正装置。
【請求項７】
（Ａ）動画ファイルを構成する複数のフレームから、印刷対象となる複数の対象フレームを決定し、
（Ｂ）前記複数の対象フレームを、被写体に基づく種類に対応させて複数のグループに分け、
（Ｃ）或るグループに属する前記対象フレームの画像補正を、対応する種類に応じた条件で一律に行う、画像補正方法。
【請求項８】
（Ａ）画像補正装置を動作させるためのプログラムであって、
（Ｂ）動画ファイルを構成する複数のフレームから、印刷対象となる複数の対象フレームを決定すること、
（Ｃ）前記複数の対象フレームを、被写体に基づく種類に対応させて複数のグループに分けること、
（Ｄ）或るグループに属する前記対象フレームの画像補正を、対応する種類に応じた条件で一律に行うこと、
を前記画像補正装置に行わせるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
前記目的を達成するための主たる発明は、
（Ａ）動画ファイルを構成する複数のフレームから、印刷対象となる複数の対象フレームを決定する対象フレーム決定部と、
（Ｂ）前記複数の対象フレームを、被写体に基づく種類に対応させて複数のグループに分けるグループ分け部と、
（Ｃ）或るグループに属する前記対象フレームの画像補正を、対応する種類に応じた条件で一律に行う画像補正部と、
を有する画像補正装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月3日(2008.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
負荷に電源を供給する負荷電源回路と、前記負荷電源回路に過電流が流れたとき、前記負荷への電源の供給を遮断する保護手段とを有し、
前記保護手段を異常発生時においても安定した動作をさせるために、前記保護手段に電源を供給する補助電源回路を設けたことを特徴とする電源装置。
【請求項２】
保護手段は、電源電圧の変化を検出する電圧検出手段と、前記電圧検出手段の検出結果に基づいて負荷への電源の供給を遮断するか否かを判断する供給判断手段と、前記供給判断手段の判断結果に基づいて負荷への電源を遮断する供給遮断手段とを備え、
前記供給判断手段に補助電源回路が接続されたことを特徴とする請求項１に記載の電源装置。
【請求項３】
補助電源回路は、異常発生時において回路内の電圧を維持する電圧維持手段を備えたことを特徴とする請求項１または２に記載の電源装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月8日(2008.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
しかしながら、上記従来例では、位置偏差が所定の範囲を越えた時に、モータがその発生し得る最大トルクにより加速されることになる。このため、位置指令に基づく位置（目標位置）に向かうロータの回転速度が速度指令に基づく速度（目標速度）を大きく超えて、次のような不具合を生じる場合があった。
例えば、外力によってロータシャフトが回された後に、該ロータシャフトが開放されると、最大トルクで元位置に向かってロータが復帰回転することになるが、そのさい、ロータの回転速度が異常なスピードに達するおそれがある。また、ロータが元位置の近傍に達するまでは減速されないので、ロータや負荷の慣性により該ロータが停止すべき位置を行き過ぎることがある。そして、上記慣性が大きい場合には、行き過ぎて戻る運転を繰り返して、停止できない状態になることもある。同じような現象は、運転時の加速トルクの不足、負荷変動等の要因でも起こりうる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
次に、ロータ位置θfbに基づいて電流指令の位相θiが計算される場合について説明する。
第１の判定器２７は、位置偏差δθの範囲が式（１）の範囲を超えたとき、すなわち、δθ＞＋Ｋ＋ＫV・ωfbもしくはδθ＜−Ｋ＋ＫV・ωfbのときにスイッチ素子３５を端子ｂ側に接続する。この場合、第２の判定器２８は、位置偏差δθと速度偏差δωの符号（正負）が一致した時のみスイッチ素子３６をオフするので、結局、以下の条件ａ〜ｄに応じた４つの電流指令位相θiが計算され（図３における領域Ａ〜Ｄ参照）、これらが該条件ａ〜ｂに応じてスイッチ素子３５から出力される。
条件ａ：δθ＞＋Ｋ＋ＫV・ωfb，δθ＞０，δω＞０（スイッチ素子３６オフ）
θi＝θfb＋Ｋ＋ＫV・ωfb    ・・・（３）
条件ｂ：δθ＞＋Ｋ＋ＫV・ωfb，δθ＞０，δω＜０（スイッチ素子３６オン）
θi＝θfb＋Ｋ＋ＫV・ωfb＋Ｋｄ0・δω    ・・・（４）
条件ｃ：δθ＜−Ｋ＋ＫV・ωfb，δθ＜０，δω＜０（スイッチ素子３６オフ）
θi＝θfb−Ｋ＋ＫV・ωfb    ・・・（５）
条件ｄ：δθ＜−Ｋ＋ＫV・ωfb，δθ＜０，δω＞０（スイッチ素子３６オン）
θi＝θfb−Ｋ＋ＫV・ωfb＋ＫｄO・δω    ・・・（６）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、上記実施形態では、進角補正値にロータ速度ωfbを使用しているが、ロータ速度ωfbに加えて位置偏差δθも使用することができる。図４は、進角補正値にロータ速度ωfbと位置偏差δθの双方を用いるように構成された演算部２０'を示す。
この演算部２０'は、速度・位置偏差補償器３７を設けた点と、固定値発生器２４の出力を第１の判定器２７に入力した点において前記第１の実施形態に係る演算部２０と構成が異なる。
この演算部２０'においては、位置偏差δθの範囲が下式（７）の関係を満たすときに第１の判定器２７がスイッチ素子３５を端子ａ側に接続させる。このとき、スイッチ素子３５からは、前記第１の実施形態の場合と同様に前記式（２）に示す電流指令位相θi＝θcom＋Ｋdi・δωがスイッチ素子３５を介して出力される。なお、本実施形態においても、上記電流指令位相θiをθi＝θcomにすることができる。
−Ｋ＜δθ＜＋Ｋ    ・・・（７）  
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
位置偏差δθの範囲が式（７）の範囲を超えたときには、スイッチ素子３５が端子ｂ側に接続されるので、ロータ位置θfbに基づいて電流指令位相θiが設定される。すなわち、速度・位置偏差補償器３７は、ロータ回転速度ωfbとロータ位置偏差δθとを入力して、これらと所定の係数Ｋｅとを掛け合わせる演算を実行し、その演算結果Ｋe・ωfb・δθを前記加算器３２に入力する。したがって、演算部２０'では、以下の条件ａ〜ｄに応じた４つの電流指令位相θiが計算され、これらが該条件ａ〜ｂに応じてスイッチ素子３５から出力される。
条件ａ：δθ＞Ｋ，δθ＞０，δω＞０（スイッチ素子３６オフ）
θi＝θfb＋Ｋ＋ＫV・ωfb＋Ｋe・ωfb・δθ    ・・・（８）
条件ｂ：δθ＞Ｋ，δθ＞０，δω＜０（スイッチ素子３６オン）
θi＝θfb＋Ｋ＋ＫV・ωfb＋Ｋe・ωfb・δθ＋ＫｄO・δω    ・・・（９）
条件ｃ：δθ＜−Ｋ，δθ＜０，δω＜０（スイッチ素子３６オフ）
θi＝θfb−Ｋ＋ＫV・ωfb＋Ｋe・ωfb・δθ    ・・・（１０）
条件ｄ：δθ＜−Ｋ＋ＫV・ωfb，δθ＜０，δω＞０（スイッチ素子３６オン）
θi＝θfb−Ｋ＋ＫV・ωfb＋Ｋe・ωfb・δθ＋ＫｄO・δω    ・・・（１１）
この演算部２０'を用いた場合の作用効果は、前記演算部２０を用いた場合の作用効果と同様であるので、その説明を省略する。