【手続補正書】
【提出日】平成19年12月6日(2007.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
ウェハステージＷＳの駆動範囲としては、ウェハＷの全面に対応する範囲に加えて、ウェハステージ基準マーク台ＷＫをモールドＭと対向させるのに十分な広さが必要である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
なお、実際にはモールドＭと基板としてのウェハＷとの間には、被転写物としての光硬化性樹脂ＬＰが配置されるので、モールドＭとウェハＷとは直接接触しない。しかし、モールドＭが光硬化性樹脂ＬＰを介してウェハＷに押し付けられることを、本実施例では、「モールドＭがウェハＷに押し付けられる」という場合がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
立体パターンＰＴＲには、次回以降の転写時に必要となるアライメントマークをウェハＷ上の光硬化性樹脂ＬＰに転写するためのパターンが含まれている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
ＡＣ１０とＡＣ１１は圧電素子からなる補助アクチュエータである。ＡＣ１０とＡＣ１１は、モールドＭをウェハＷに押し付けた状態で、モールドステージＭＳを駆動してモールドＭをＸＹ方向に駆動する際に、その駆動力がモールドＭとウェハＷとの間の摩擦力に打ち勝つよう駆動力を補う働きをする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
まず、モールドＭを装置上の所定位置に位置決めする基準アライメント操作において、アライメントスコープＡＳからのアライメント計測光ＡＬ１は、モールドＭの中を進み、モールド基準位置マークＭＢを通過する。そして、上記所定位置に形成されたマーク（図示せず）によって反射され、再びモールド基準位置マークＭＢを通過してアライメントスコープＡＳに戻る。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
同様に、ウェハライメントマークＡＭ１２とモールドアライメントマークＭＫとのアライメントにおいては、アライメントスコープＡＳからのアライメント計測光ＡＬ１は、モールドＭの中を進み、モールドアライメントマークＭＫを通過する。そして、ウェハライメントマークＡＭ１２により反射され、再びモールドアライメントマークＭＫを通過してアライメントスコープＡＳに戻る。なお、アライメントスコープＡＳは必要に応じて位置が変更される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
このようにして、ウェハライメントマークＡＭ１２とモールドアライメントマークＭＫとをアライメントスコープＡＳによって観測する。そして、これら２つのマークが重なった状態で干渉計ＩＦ１を動作させ、干渉計測光Ｌ１を反射鏡ＭＲ１に反射させて反射鏡ＭＲ１までの距離を計測する。さらに、図示していない他の干渉計およびモールドＭ上の他の反射鏡を用いた同様の計測の結果を併せ用いて、モールドＭの位置（位置および傾き）を求め、コントローラＣＴＲ内のメモリＭＲＹ（図１参照）に記憶する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
なお、前述したように、ウェハライメントマークＡＭ１２とモールドアライメントマークＭＫとの位置合わせに先だって光硬化性樹脂ＬＰをウェハＷ上（今回のショット位置）に滴下しておいてもよい。但し、この場合は、ウェハライメントマークＡＭ１２とモールドアライメントマークＭＫとの間は空気ではなく光硬化性樹脂ＬＰで満たされている。したがって、光硬化性樹脂ＬＰの屈折率を考慮して両アライメントマークおよびアライメントスコープＡＳを設計する必要がある。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
なお、本実施例においては、モールドＭをウェハＷに押し付けた後にモールドＭの位置補正を行う場合について説明した。しかし、押し付け動作中、すなわち第１の距離ｈ１の位置から第２の距離ｈ２の位置への移動中に、干渉計ＩＦ１等による計測を連続して行い、該押し付け動作を行いながらモールドＭの位置補正を行ってもよい。これは、モールドＭをウェハＷに押し付けた後に位置補正を行う場合、押し付けに伴うモールドＭの位置ずれが大きいと、モールドアライメントマークＭＫとウェハライメントマークＡＭ１２とが互いに遠く離れてしまうからである。そのような場合、位置補正動作が十分に行えない可能性がある。しかし、押し付け動作を行いながら位置補正を行うことで、このような不具合を防ぐことができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
一方、ステップ２３においては、モールドＭが、上述したように干渉計ＩＦ１等により計測したモールドＭの現在の位置と押し付け前において計測してメモリＭＲＹに記憶した位置とを比較する。そして、モールドＭが所定位置、すなわち押し付け前の位置にあるか否かを判断する。所定位置にあれば処理を終了し、ステップ２５に進み、所定位置になければステップ２４に進む。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
次に、図４Ｂ（ｅ）に示すように、モールドＭをウェハＷ（硬化した光硬化性樹脂ＬＰＳ）から引き離し、モールド固有データＭＤＡＴ中におけるモールドＭの使用回数の値に１を加え、その転写ショット位置ＳＨ１でのパターン転写動作を終了する。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
なお、図４Ｂ（ｅ）においてモールドＭが引き離されたウェハＷ上には、硬化した光硬化性樹脂ＬＰＳのうち不要な層が残存している。すべての転写ショットへのパターン転写終了後、ウェハＷの全面に対してエッチング処理を施すことにより、この残存した不要な光硬化性樹脂の層を取り除く。そのことにより、図４Ｂ（ｆ）に示すように、必要な部分のみを持つ光硬化性樹脂のパターンＬＰＳ１を得ることができる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０８】
こうして推定されたそれぞれの転写ショットの位置へ直接的に移動する。また、それぞれの転写ショット位置において、先に説明したように、反射鏡ＭＲ１と干渉計ＩＦ１による干渉計測、光硬化性樹脂ＬＰの導入および硬化用紫外線ＵＶの照射などの処理を行う。そうすれば、高いスループットで立体パターンＰＴＲを転写することができる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０９】
上記実施例１では、第２の計測手段として、モールドＭに備えられた反射鏡を用いる干渉計を使用するナノインプリントリソグラフィ装置について説明した。本実施例では、第２の計測手段として段として干渉計以外のものを用いるナノインプリントリソグラフィ装置について、図５を用いて説明する。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
図７（ａ）には、本実施例におけるモールドアライメントマークＭＫとウェハライメントマークＡＭ１２との組み合わせによるアライメント計測誤差と、両アライメントマークのＺ方向（垂直方向）での距離との関係を示す。ここで、両アライメントマークＭＫ，ＡＭ１２がとり得る距離の全域において、アライメント計測誤差の値は、予め定められた所定の許容誤差ＴＥ以下でなければならない。ここで、第２の距離ｈ２は図５（ｃ）に示すように、モールドＭとウェハＷとがほぼ密着したときの両アライメントマークＭＫ，ＡＭ１２間の距離である。また、第１の距離ｈ１は図５（ａ）に示すように、モールドＭをウェハＷに押し付ける前にアライメントを行う際の両アライメントマークＭＫ，ＡＭ１２間の距離である。図７（ａ）に示すように、両アライメントマークＭＫ，ＡＭ１２間の距離が第２の距離ｈ２であるときに、アライメント計測誤差の値は最小となる。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１３】
まず、図５（ａ）に示すように、モールドＭをウェハＷから第１の距離ｈ１の位置に保った状態で、モールドアライメントマークＭＫとウェハライメントマークＡＭ１２に対し、アライメントスコープＡＳからアライメント計測光ＡＬ１を照射する。そして、アライメント状態の観測（計測）を行う。その後、モールドアライメントマークＭＫとウェハライメントマークＡＭ１２が重なり合致するようにモールドステージＭＳ又はウェハステージＷＳを駆動する。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１６】
さらに、アライメントスコープＡＳからアライメント計測光ＡＬ１を照射しながらモールドアライメントマークＭＫとウェハライメントマークＡＭ１２とが合致するようにアライメント状態を計測する。そして、モールドステージＭＳ又はウェハステージＷＳを駆動して（必要であれば補助アクチュエータＡＣ１０，ＡＣ１１も駆動して）、モールドＭをウェハＷ上の所定位置に合わせる。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１７】
このように、本実施例では、両アライメントマークＭＫ，ＡＭ１２はほぼ密着しているときに最も精度よく計測が行えるよう設計されている。そのため、図５（ａ）の状態でのアライメント計測よりも、図５（ｃ）の状態でのアライメント計測の方が精度が高く、所望のアライメント精度が得られる。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２６】
なお、モールドアライメントマークＭＫ１とウェハライメントマークＡＭ１３の組み合わせおよびモールドアライメントマークＭＫ２とウェハライメントマークＡＭ１４の組み合わせによる計測精度に関しては、図５で説明した実施例２とは異なる。これは、それぞれが用いられるアライメントマーク間の距離の近傍においてのみ高い精度が得られればよい（言い換えれば、他の距離では許容誤差の範囲でなくてもよい）からである。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２７】
まず、図６（ａ）に示すように、モールドＭをウェハＷから第１の距離ｈ１の位置に保った状態で、モールドアライメントマークＭＫ１とウェハライメントマークＡＭ１３に対し、アライメントスコープＡＳからアライメント計測光ＡＬ１を照射する。そして、アライメント状態の計測を行う。その後、モールドアライメントマークＭＫ１とウェハライメントマークＡＭ１２とが重なり合致するようにモールドステージＭＳ又はウェハステージＷＳを駆動する。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３０】
そして、アライメントスコープＡＳをモールドアライメントマークＭＫ２の側に移動させ、アライメント計測光ＡＬ１を照射する。それにより、モールドアライメントマークＭＫ２とウェハライメントマークＡＭ１４とが重なり合致するようにアライメント状態を計測することができる。そして、モールドステージＭＳ又はウェハステージＷＳを駆動して（必要であれば補助アクチュエータＡＣ１０，ＡＣ１１も駆動して）、モールドＭをウェハＷ上の所定位置に合わせる。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３６】
また、上記実施例１において説明したナノインプリントリソグラフィ装置においては、モールド固有データＭＤＡＴをデータベースＤＢ中に保持していた。しかし、本発明はこれに限らず、他の記憶手段を用いても、実施例１と同様なナノインプリントリソグラフィ装置を構成できる。例えばモールドＭに取り付けられた無線タグにモールド固有データを保持し、非接触にて無線タグ上のデータを読み書きする送受信機をコントローラＣＴＲにより制御するようなナノインプリントリソグラフィ装置である。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４５】
上記ステップ１０４のウェハプロセスでは、以下のステップのいずれかを有する。すなわち、ウェハの表面を酸化させる酸化ステップ。または、ウェハ表面に絶縁膜を成膜するＣＶＤステップ。または、ウェハ上に電極を蒸着によって形成する電極形成ステップ。または、ウェハにイオンを打ち込むイオン打ち込みステップ。または、ウェハに光硬化性樹脂を塗布するレジスト処理ステップ。または、上記ナノインプリントリソグラフィ装置によってレジスト処理ステップ後のウェハに回路パターンを転写する転写ステップ。または、転写ステップで処理したウェハから転写パターン以外の部分の光硬化性樹脂を除くエッチングステップ。または、不要となった光硬化性樹脂を除くレジスト剥離ステップのうちいずれかである。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウェハ上に多重に回路パターンを形成する。