Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月17日(2008.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製造ラインに配置された複数の検査・製造装置と、
前記各検査・製造装置に個別又は群毎に接続され、前記各検査・製造装置に対応する動作条件に従って前記各検査・製造装置を動作制御する機能を備えた検査・製造装置用コンピュータと、
前記検査・製造装置用コンピュータに接続された管理用コンピュータとを具備し、
前記管理用コンピュータは、
前記各検査・製造装置に設定された動作条件の各情報を前記検査・製造装置用コンピュータとの間で授受する通信機能と、
前記各検査・製造装置に設定されている前記動作条件を一括集中管理し、前記各検査・製造装置に設定されている全ての動作条件を一括して変更したり、又は所望の前記検査・製造装置の動作条件のみを一括して変更する変更機能と、
を具備したことを特徴とする一括管理装置。
【請求項２】
前記管理用コンピュータは、モニタ装置に前記各検査・製造装置の動作条件の各情報と製造工場に設置されている前記各検査・製造装置の配置を図面化した装置マップとを表示する表示機能を有することを特徴とする請求項１記載の一括管理装置。
【請求項３】
前記管理用コンピュータは、前記表示機能として、管理対象となる前記検査・製造装置及びその動作条件を一覧表示し、管理対象となる前記検査・製造装置と管理対象外の装置とを前記配置マップ図上で異なる形態で表示させる機能を更に有することを特徴とする請求項３記載の一括管理装置。
【請求項４】
前記管理用コンピュータは、前記表示機能として、更に前記検査・製造装置の種類又は配置場所により色分けして表示する機能を有することを特徴とする請求項２又は３のいずれかに記載の一括管理装置。
【請求項５】
前記各検査装置は、それぞれ複数の種類の検査機能を有し、
前記管理用コンピュータの変更機能は、所望の前記検査装置における所望の検査機能を設定し、設定された前記検査機能のみの検査装置の動作条件を一括して変更することを特徴とする請求項１記載の一括管理装置。
【請求項６】
前記管理用コンピュータは、前記各検査・製造装置に設定されている動作条件を装置毎、装置カテゴリ毎、装置の所属する検査・製造ライン毎に対応させて分類し、分類された各検査・製造装置に設定されている動作条件をモニタ装置の表示欄に表示し、この表示欄を操作して分類された各検査・製造装置の動作条件を一括して変更することを特徴とする請求項１記載の一括管理装置。
【請求項７】
前記管理用コンピュータは、ソートセレクト機能を用いて前記各検査・製造装置に対応する動作条件をモニタ装置に表示させる機能を有し、前記変更機能が、前記ソートセレクト機能により分類された前記各検査・製造装置の動作条件に対応する装置毎、装置カテゴリ毎、装置の所属する検査・製造ライン毎に動作条件を一括して変更することを特徴とする請求項１記載の一括管理装置。
【請求項８】
前記管理用コンピュータは、ソートセレクト機能を用いて所望の検査・製造装置における所望の検査の種類のみの動作条件を設定又は変更することを特徴とする請求項１記載の一括管理装置。
【請求項９】
前記管理用コンピュータは、指定された前記各検査・製造装置に対して一括変更された動作条件を有効にする時期を設定する機能を更に有することを特徴とする請求項１記載の一括管理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、  半導体製造ラインに配置された複数の検査・製造装置と、前記各検査・製造装置に個別又は群毎に接続され、前記各検査・製造装置に対応する動作条件に従って前記各検査・製造装置を動作制御する機能を備えた検査・製造装置用コンピュータと、前記検査・製造装置用コンピュータに接続された管理用コンピュータとを具備し、前記管理用コンピュータは、前記各検査・製造装置に設定された動作条件の各情報を前記検査・製造装置用コンピュータとの間で授受する通信機能と、
前記各検査・製造装置に設定されている前記動作条件を一括集中管理し、前記各検査・製造装置に設定されている全ての動作条件を一括して変更したり、又は所望の前記検査・製造装置の動作条件のみを一括して変更する変更機能とを具備したことを特徴とする一括管理装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月16日(2008.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷処理を行うための複数のパラメータを決定するため、当該複数のパラメータに対応する複数の設定項目が配置されたユーザインタフェースを表示し、操作者による前記設定項目への操作結果に基づいて前記パラメータを決定する、プリンタドライバのユーザーインタフェース制御装置であって、
前記複数の設定項目のうちの１つに対する操作が行われたとき、前記複数の設定項目の依存関係に従って、各設定項目の操作可又は不可を示す状態を設定する設定手段と、
該設定手段の設定結果に応じて、前記ユーザインタフェースにおける前記設定項目に対応する表示形態を更新する表示更新手段と
を備えることを特徴とするユーザインタフェース制御装置。
【請求項２】
前記設定手段は、操作者の入力によるイベントをトリガにして動作することを特徴とする請求項第１項に記載のユーザインタフェース制御装置。
【請求項３】
前記複数の設定項目の依存関係は、対象となる設定項目の状態と、当該対象となる設定項目の状態を変更する原因となる他の設定項目の状態の因果関係を記述したコンフリクトルールとなっていることを特徴とする請求項第１項に記載のユーザインタフェース制御装置。
【請求項４】
前記設定項目の状態を変更する原因となる他の設定項目は複数存在することを特徴とする請求項第１項に記載のユーザインタフェース制御装置。
【請求項５】
表示更新手段は、操作不可となる設定項目についてグレイアウトすることを特徴とする請求項第１項に記載のユーザインタフェース制御装置。
【請求項６】
更に、対象となる設定項目の状態及び当該対象となる設定項目の状態を変更する原因となる他のコントロールの状態の因果関係と、前記対象となる設定項目に対するメッセージを記憶する記憶手段と、
操作不可となった設定項目が操作された場合、当該操作された設定項目に対応するメッセージを前記記憶手段より抽出し、表示する表示手段と
を備えることを特徴とする請求項第１項に記載のユーザインタフェース制御装置。
【請求項７】
前記ユーザインタフェースは、プリンタドライバの一部による印刷環境設定のウインドウとすることを特徴とする請求項第１項乃至第６項のいずれか１つに記載のユーザインタフェース制御装置。
【請求項８】
印刷処理を行うための複数のパラメータを決定するため、当該複数のパラメータに対応する複数の設定項目が配置されたユーザインタフェースを表示し、操作者による前記設定項目への操作結果に基づいて前記パラメータを決定する、プリンタドライバのユーザーインタフェース制御装置の制御方法であって、
前記複数の設定項目のうちの１つに対する操作が行われたとき、前記複数の設定項目の依存関係に従って、各設定項目の操作可又は不可を示す状態を設定する設定工程と、
該設定工程による設定結果に応じて、前記ユーザインタフェースにおける前記設定項目に対応する表示形態を更新する表示更新工程と
を備えることを特徴とするユーザインタフェース制御装置の制御方法。
【請求項９】
前記設定工程は、操作者の入力によるイベントをトリガにして動作することを特徴とする請求項第８項に記載のユーザインタフェース制御装置の制御方法。
【請求項１０】
前記複数の設定項目の依存関係は、対象となる設定項目の状態と、当該対象となる設定項目の状態を変更する原因となる他の設定項目の状態の因果関係を記述したコンフリクトルールとなっていることを特徴とする請求項第８項に記載のユーザインタフェース制御装置の制御方法。
【請求項１１】
前記設定項目の状態を変更する原因となる他の設定項目は複数存在することを特徴とする請求項第８項に記載のユーザインタフェース制御装置の制御方法。
【請求項１２】
表示更新工程は、操作不可となる設定項目についてグレイアウトすることを特徴とする請求項第８項に記載のユーザインタフェース制御装置の制御方法。
【請求項１３】
更に、対象となる設定項目の状態及び当該対象となる設定項目の状態を変更する原因となる他のコントロールの状態の因果関係と、前記対象となる設定項目に対するメッセージを記憶手段に格納する格納工程と、
操作不可となった設定項目が操作された場合、当該操作された設定項目に対応するメッセージを前記記憶手段より抽出し、表示する表示工程と
を備えることを特徴とする請求項第８項に記載のユーザインタフェース制御装置の制御方法。
【請求項１４】
前記ユーザインタフェースは、プリンタドライバの一部による印刷環境設定のウインドウとすることを特徴とする請求項第８項乃至第１３項のいずれか１つに記載のユーザインタフェース制御装置の制御方法。
【請求項１５】
コンピュータに読込ませ実行させることで、前記コンピュータを、印刷処理を行うための複数のパラメータを決定するため、当該複数のパラメータに対応する複数の設定項目が配置されたユーザインタフェースを表示し、操作者による前記設定項目への操作結果に基づいて前記パラメータを決定する、プリンタドライバのユーザーインタフェース制御装置として機能させるコンピュータプログラムであって、
前記コンピュータを、
前記複数の設定項目のうちの１つに対する操作が行われたとき、前記複数の設定項目の依存関係に従って、各設定項目の操作可又は不可を示す状態を設定する設定手段、
該設定手段の設定結果に応じて、前記ユーザインタフェースにおける前記設定項目に対応する表示形態を更新する表示更新手段
として機能させることを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項１６】
請求項第１５項に記載のコンピュータプログラムを格納したことを特徴とする記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この課題を解決するため、例えば本発明のユーザインタフェース制御装置は以下の構成を備える。すなわち、
印刷処理を行うための複数のパラメータを決定するため、当該複数のパラメータに対応する複数の設定項目が配置されたユーザインタフェースを表示し、操作者による前記設定項目への操作結果に基づいて前記パラメータを決定する、プリンタドライバのユーザーインタフェース制御装置であって、
前記複数の設定項目のうちの１つに対する操作が行われたとき、前記複数の設定項目の依存関係に従って、各設定項目の操作可又は不可を示す状態を設定する設定手段と、
該設定手段の設定結果に応じて、前記ユーザインタフェースにおける前記設定項目に対応する表示形態を更新する表示更新手段とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月26日(2008.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
下方の支軸３１には、受光器シャーシ２７を介して受光器９のレンズホルダ３７の水平角を調整するダイヤル３２が固定されている。また、受光器シャーシ２７の下部前面に形成した取付フランジ３８には調整ねじ３９が回動自在に結合され、その調整ねじ３９は、レンズホルダ３７の下端から突出して取付フランジ３８の後方に位置する突部４０にねじ込まれている。したがって、ダイヤル３２を回転操作すれば、受光器シャーシ２７を介して受光器９の水平角を調整でき、かつ、調整ねじ３９を回転操作すれば、レンズホルダ３７を介して受光器９の上下角を調整することができる。なお、２つの受光器９から共に検知信号が出力されたときに警報回路１３から警報信号を出力するようになっている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
図４は本発明の第３の実施形態に係る防犯センサ装置を示す要部のブロック構成図であり、同図において、図１と同一若しくは同等のものには同一の符号を付して、その詳しい説明を省略する。この防犯センサ装置では、受光部８に、開放検出スイッチ１８から入力された開放検出信号を投光部１に向け送出する送信回路５０が設けられ、投光部１に、送信回路５０から送出された開放検出信号を受信して投光抑制回路４に対し入力する受信回路５１が設けられている。受光部８には、図１の受光レベル抑制回路１９は設けられていない。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月10日(2008.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  所定の文法的情報による分類を単位とし、その単位間の接続に対する重みである接続コスト情報を用いて形態素解析を行う自然言語処理装置であって、
前記接続コスト情報を記憶する第１の記憶手段と、
所定の文に対する形態素解析の正解を記憶する第２の記憶手段と、
前記所定の文それぞれに対して形態素解析を行う形態素解析手段と、
前記形態素解析手段による形態素解析結果の、前記正解に対する誤り部分を検出する検出手段と、
検出された前記誤り部分に対応する、前記第１の記憶手段における形態素間の接続コスト情報を訂正する訂正手段と、
を備えることを特徴とする自然言語処理装置。
【請求項２】  前記検出手段での検出結果に基づき、前記形態素解析手段、前記検出手段、および、前記訂正手段による各処理を反復して行わせるように制御する学習制御手段を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の自然言語処理装置。
【請求項３】  前記学習制御手段は、
前記検出手段で検出された前記誤り部分の数から誤り率を計算する計算手段と、
前記誤り率が所定のしきい値より大きいか否かを判定する第１の判定手段と、を備え、
前記誤り率が前記所定のしきい値より大きいときに、前記各処理を反復して行わせるように制御することを特徴とする請求項２に記載の自然言語処理装置。
【請求項４】  更に、
検出された前記誤り部分がその正解に対して所定のパターンで誤っているか否かを判定する第２の判定手段と、
当該誤り部分がその正解に対して前記所定のパターンで誤っているときは、前記訂正手段で当該誤り部分の訂正を行わないように制御する訂正制御手段と、
を備えることを特徴とする請求項１から３までのいずれか１項に記載の自然言語処理装置。
【請求項５】  前記第２の判定手段は、
前記所定のパターンとその正解とを対応づけて記憶する第４の記憶手段を備え、
検出された前記誤り部分が、前記第４の記憶手段に記憶された前記所定のパターンとその正解との対応関係のうちのいずれかに該当するものがあるときは、当該誤り部分がその正解に対して当該所定のパターンで誤っていると判定することを特徴とする請求項４に記載の自然言語処理装置。
【請求項６】  所定の文法的情報による分類を単位とし、その単位間の接続に対する重みである接続コスト情報を記憶する第１の記憶手段と、所定の文に対する形態素解析の正解を記憶する第２の記憶手段と、を備え、前記接続コスト情報を用いて形態素解析を行う自然言語処理装置の制御方法であって、
前記所定の文それぞれに対して形態素解析を行う形態素解析ステップと、
前記形態素解析ステップにおける形態素解析結果の、前記正解に対する誤り部分を検出する検出ステップと、
検出された前記誤り部分に対応する、前記第１の記憶手段における形態素間の接続コスト情報を訂正する訂正ステップと、
を有することを特徴とする自然言語処理装置の制御方法。
【請求項７】  前記検出ステップでの検出結果に基づき、前記形態素解析ステップ、前記検出ステップ、および、前記訂正ステップを再度実行するように制御する学習制御ステップを更に有することを特徴とする請求項６に記載の自然言語処理装置の制御方法。
【請求項８】  前記学習制御ステップは、
前記検出ステップで検出された前記誤り部分の数から誤り率を計算する計算ステップと、
前記誤り率が所定のしきい値より大きいか否かを判定する第１の判定ステップと、を有し、
前記誤り率が前記所定のしきい値より大きいときに、前記形態素解析ステップ、前記検出ステップ、および、前記訂正ステップを再度実行するように制御することを特徴とする請求項７に記載の自然言語処理装置の制御方法。
【請求項９】  更に、
検出された前記誤り部分がその正解に対して所定のパターンで誤っているか否かを判定する第２の判定ステップと、
当該誤り部分がその正解に対して前記所定のパターンで誤っているときは、前記訂正ステップで当該誤り部分の訂正を行わないように制御する訂正制御ステップと、
を有することを特徴とする請求項６から８までのいずれか１項に記載の自然言語処理装置の制御方法。
【請求項１０】  所定の文法的情報による分類を単位とし、その単位間の接続に対する重みである接続コスト情報を記憶する第１の記憶手段と、所定の文に対する形態素解析の正解を記憶する第２の記憶手段と、を備え、前記接続コスト情報を用いて形態素解析を行う自然言語処理装置の制御用のプログラムであって、前記自然言語処理装置に、
前記所定の文それぞれに対して形態素解析を行う形態素解析ステップと、
前記形態素解析ステップにおける形態素解析結果の、前記正解に対する誤り部分を検出する検出ステップと、
検出された前記誤り部分に対応する、前記第１の記憶手段における形態素間の接続コスト情報を訂正する訂正ステップと、
を実行させるプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月19日(2008.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
なお、ゲート電極１５，３５は例えばリンやボロンがドープされた多結晶シリコンで以て、又は、Ｗ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｃｏ，Ｔｉ，Ｐｔ等の金属で以て、又は、これらの金属のシリサイド若しくはナイトライドで以て形成されている。更には、これらの材料の積層によりゲート電極１５，３５を形成しても良い。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
次に、図２及び図３に第２絶縁膜１４２，３４２中の不純物金属イオンのドーピング濃度とＭＯＳＦＥＴ１０，３０のしきい値電圧との関係（実験結果）を説明するための図を示す。図２及び図３を得るにあたり、半導体装置１において、第１絶縁膜１４１，３４１として１．５ｎｍ厚のシリコン酸化膜を用いた。また、第２絶縁膜１４１，３４１として、安定な酸化状態が２価であるＳｒ（図２参照）又は安定な酸化状態が４価であるＺｒ（図３参照）がイオンインプランテーション法によりドーピングされた３ｎｍ厚のＡｌ2Ｏ3膜を用いた。なお、当該Ａｌ2Ｏ3膜をＣＶＤ法で堆積し、上述のイオンインプランテーションをし、酸素雰囲気中で酸化処理することにより、第２絶縁膜１４２，３４２を形成した。また、ゲート電極１５，３５として、リンが高濃度にドープされた１００ｎｍ厚の多結晶シリコンと２００ｎｍ厚のＣｏシリサイドとの積層を用いた。なお、ドーパント濃度はＳＩＭＳ（Secondary Ion Mass Spectroscopy）及びＸＲＦ（X-ray Fluorescence）で測定した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
逆に、第２絶縁膜１４２，３４２の双方にドーピングを行う場合、（ｉｉ）ｐＭＯＳＦＥＴ３０の第２絶縁膜３４２に対しては、ｎＭＯＳＦＥＴ１０の第２絶縁膜１４２中の濃度以上で以て、主材料の高誘電率膜に含有される金属イオンよりも価数が小さい不純物金属イオンをドーピングすることが好ましい。換言すれば、（ＩＩ）ｐＭＯＳＦＥＴ３０の第２絶縁膜３４２中には負の荷電欠陥をより多く形成し、当該第２絶縁膜３４２をより負に帯電させることによって、ｐＭＯＳＦＥＴ３０のしきい値（の絶対値）を低減することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
第１のｎＭＯＳＦＥＴ１０Ｃは図１のｎＭＯＳＦＥＴ１０と同様の構成を有する。また、第２のｎＭＯＳＦＥＴ３０Ｃは基本的には第１のｎＭＯＳＦＥＴ１０Ｃと同様の構成を有している。即ち、第１のｎＭＯＳＦＥＴ１０Ｃと同様に、第２のｎＭＯＳＦＥＴ３０Ｃはｐウェル３１Ｃの表面３１ＣＳ上にこの順序で積層された第１絶縁膜３４１Ｃ，第２絶縁膜３４２Ｃ及びゲート電極３５Ｃを備えている。第１絶縁膜３４１Ｃ及び第２絶縁膜３４２Ｃがゲート絶縁膜３４Ｃを成す。また、第２のｎＭＯＳＦＥＴ３０Ｃはｐウェル３１Ｃの表面３１ＣＳ内に形成された（ソース・ドレイン領域を成す）ｎ型の不純物層３２Ｃ，３３Ｃを更に備えている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
＜実施の形態４＞
実施の形態１〜３では半導体装置１，１Ｂ，１ＣのＭＯＳＦＥＴ１０，３０，１０Ｂ，３０Ｂ，１０Ｃ，３０Ｃが共に高誘電率膜を有したゲート絶縁膜１４，３４，１４Ｂ，３４Ｂ，１４，３４Ｃを備える場合を説明したが、上述のしきい値の制御方法は半導体装置が備える複数のＭＯＳＦＥＴのうちの１つについても適用可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月28日(2008.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
したがって、厚みの薄いセパレータを使用した電池が過充電状態に陥り、発熱により高温状態になった場合には、過充電状態を電気的に回避させる方法を採用するよりも、過充電状態を解消する方法を採用するのが効果的である。具体的には、前述した方法の中で、セパレータのシャットダウンや添加剤の過充電時に添加剤が重合することにより電池の内部抵抗を高くし、電池を過充電から保護する方法、及び過充電時にガスを発生し、所定内圧で作動する内部電気切断装置を確実に作動させる方法は、電池に印加される電流を制限、或いは遮断することで過充電状態が継続するのを回避している。これに対して、電池内部に短絡を発生させ自動放電する方法は電池内部で強制的に放電を行っており、電池内部の発電要素を過充電状態から脱却させる点から過充電状態を停止させる前述の方法に比べて好ましい。特に、角型電池などで所定内圧で作動する内部電気切断装置が設けられていない構成に過充電時にガス発生を生ずる添加剤を添加した場合には、電池容器の内圧上昇を招いてしまい、安全性の面で好ましくない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
過充電時に電池の電圧が最大動作電圧以上になると、過充電添加剤が正極の表面で重合・成長し、抵抗値の高いポリマー層を形成する。さらに電圧が上昇すると前記ポリマー層は導電性高分子となる。過充電状態が継続すると、この導電性高分子はセパレータ細孔内部で成長し、ついには、貫通して負極に達し、内部短絡が起こる。この結果、本発明に係るセパレータ及び過充電添加剤を用いた電池では、過充電過程の比較的早い段階から導電性高分子が形成され、正極と負極の充電深度が必要以上に過度な状態に到達しないことから、過充電時の危険性を抑制できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
従来、透気抵抗度及び空孔率に関して常温域において検討がなされており、様々提案がなされてきた。しかし、電池が過充電状態に陥った場合には電池自身の発熱により各構成要素は高温環境下に曝されるために常温域とは違った特性がセパレータに要求される。このような背景のもと、本発明者らは、高温環境下に想定される熱的及び物理的な条件を付加した状態での評価が必要であるとの知見を得、予め定められた条件に保持した直後において前述した特性を有するセパレータが本発明の電池に好適であるとの結論に至った。以下、セパレータに予め施す処理条件について説明する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
電池の過充電状態における昇温機構は複雑であり、極板群内のセパレータにかかる応力の状態を正確にシミュレーションするのは困難である。特に、セパレータは同じ高温環境温度でもその時のセパレータにかかる応力により熱収縮の状況が変化する点も考慮することが肝要である。そこで、本発明者らは、再現性の高い処理条件としてのセパレータの状態として、セパレータをＭＤに２５ｋｇ／ｃｍ２の引っ張り荷重を与えた状態が好ましいことを見出した。通常、渦巻き状に捲回された極板群を作製する場合に、セパレータはある程度の張力を加えられて巻き取られている。つまり、ＭＤに引っ張り荷重がかけられた状態で、捲回された極板群内に配置されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
一方、温度条件に関しては過充電時における電池の到達温度及び過充電状態に陥ってから導電性高分子によって過充電状態が解消するまでに要する時間を考慮する必要があり、本実施の形態では大気中１２０℃の温度で１５分間保持するのが好適であるとの知見を得た。ここで、１５分という時間は、セパレータがその温度での透気抵抗度及び空孔率の変化が無くなる、つまり飽和に達するのに十分な時間という意味であり、これ以上の時間でもかまわないし、透気抵抗度及び空孔率の変化が飽和に達していればこれ以下の時間でも良いが、再現性の高い保持時間としては１５分が好適である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
（実施例１〜３０）
セパレータＡを、１−（２−ビフェニルオキシ）−２−フェノキシエタンを５重量％添加した電解液３．８ｍｌとともに電池に組み立てた。この電池を実施例１の電池とする。さらに、前述の（表１）に示すセパレータＡからＭの１３種のセパレータを用い、これらに耐過充電添加剤およびその添加量を（表２）および（表３）のように組み合わせて、実施例２から３０の電池を組み立てた。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月29日(2008.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】遮光性物質の電気抵抗が、１０6Ωｍ以上であることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の半導体発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】遮光性物質の、半導体発光素子の発光光に対する透過率が、５０％以下であることを特徴とする請求項１〜１１の何れかに記載の半導体発光素子。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】個々のチップに分離するために形成する溝の幅が、５〜５００μｍの範囲内であることを特徴とする請求項１５に記載の半導体発光素子の製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】半導体発光素子を、粘着性を有するシートの上に隙間を開けて並べた後、該半導体発光素子の隙間部分に遮光性物質を注入することにより、半導体発光素子に遮光性物質を被覆することを特徴とする請求項１〜１４の何れか１項に記載の半導体発光素子の製造方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意努力検討した結果、ＬＥＤの周囲を導電性の低い遮光性を有する物質で被覆することにより発光光の指向性の高いＬＥＤを形成できることを見出し本発明に到達した。即ち、［１］ｐｎ接合部を有する半導体発光素子において、素子の一部が遮光性を有する物質（以後、遮光性物質とする。）で被覆されていることを特徴とする半導体発光素子、［２］遮光性物質が、金属または顔料から選ばれた少なくとも１種以上を含むことを特徴とする［１］に記載の半導体発光素子、［３］金属が、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｒから選ばれた少なくとも１種を含むことを特徴とする［２］に記載の半導体発光素子、［４］顔料が、体質顔料、白色顔料、黒色顔料、黄色顔料、褐色顔料、赤色顔料、紫色顔料、青色顔料、緑色顔料、蛍光顔料、金属粉顔料の有機、無機顔料の中から選ばれた少なくとも１種を含むことを特徴とする［２］または［３］に記載の半導体発光素子、［５］遮光性物質の電気抵抗が、１０6Ωｍ以上であることを特徴とする［１］〜［４］の何れか１項に記載の半導体発光素子、［６］遮光性物質が粉体を含み、該粉体の表面には電気絶縁層が形成されていることを特徴とする［２］〜［５］の何れか１項に記載の半導体発光素子、［７］遮光性物質が粉体を含み、該粉体の表面は樹脂により覆われ、被覆した樹脂の厚さが０．０１〜３０μｍの範囲内であることを特徴とする［２］〜［６］の何れか１項に記載の半導体発光素子、［８］粉体の粒径が０．０１〜１００μｍの範囲内であることを特徴とする［２］〜［７］の何れか１項に記載の半導体発光素子、［９］粉体が、厚さが０．００１μｍ〜１０μｍの範囲内で、長さが０．０１μｍ〜１００μｍの範囲内の板状であることを特徴とする［２］〜［８］の何れか１項に記載の半導体発光素子、［１０］遮光性物質が、全反射率が５０％以上の物質を５０質量％以上含むことを特徴とする［１］〜［９］の何れか１項に記載の半導体発光素子、［１１］半導体発光素子の発光光の波長が、３５０〜１８００ｎｍの範囲内であることを特徴とする［１］〜［１０］の何れか１項に記載の半導体発光素子、［１２］遮光性物質の、半導体発光素子の発光光に対する透過率が、５０％以下であることを特徴とする［１］〜［１１］の何れかに記載の半導体発光素子、［１３］遮光性物質を被覆する素子部分の表面に、凹凸を有することを特徴とする［１］〜［１２］の何れかに記載の半導体発光素子、［１４］凹凸の深さが、０．１〜５０μｍの範囲内であることを特徴とする［１３］に記載の半導体発光素子、［１５］半導体発光素子を作製するためのエピタキシャルウェーハの、遮光性物質を被覆する部分に溝を形成した後、該溝部に遮光性物質を被覆し、その後エピタキシャルウェーハを切断して個々の半導体発光素子とすることを特徴とする［１］〜［１４］の何れか１項に記載の半導体発光素子の製造方法、［１６］個々のチップに分離するために形成する溝の幅が、５〜５００μｍの範囲内であることを特徴とする［１５］に記載の半導体発光素子の製造方法、［１７］半導体発光素子を、粘着性を有するシートの上に隙間��開けて並べた後、該半導体発光素子の隙間部分に遮光性物質を注入することにより、半導体発光素子に遮光性物質を被覆することを特徴とする［１］〜［１４］の何れか１項に記載の半導体発光素子の製造方法、［１８］半導体発光素子を並べた隙間の間隔が、５〜３０００μｍの範囲内であることを特徴とする［１７］に記載の製造方法、［１９］半導体発光素子の光取り出し部分をマスキングする工程の後に、半導体発光素子を遮光性物質で被覆する工程、および、マスキングした物質を除去する工程とを含むことを特徴とする［１］〜［１４］の何れかの１項に記載の半導体発光素子の製造方法、［２０］［１５］〜［１９］の何れか１項に記載の製造方法で作製された半導体発光素子、［２１］［１］〜［１４］または［２０］の何れか１項に記載の半導体発光素子を用いて作製した樹脂封止型発光素子、［２２］封止に用いる樹脂が、半導体発光素子から放射させる光に対し透明である、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコーン樹脂から選ばれた何れか１種を含むことを特徴とする［２１］に記載の樹脂封止型発光素子、［２３］［１］〜［１４］または［２０］の何れか１項に記載の半導体発光素子または［２１］または［２２］に記載の樹脂封止型発光素子を用いて作製した光学方式センサ、［２４］［１］〜［１４］または［２０］の何れか１項に記載の半導体発光素子または［２１］または［２２］に記載の樹脂封止型発光素子を用いて作製した光通信装置または表示装置、［２５］［２３］に記載の光学方式センサを搭載した電子装置、［２６］［２４］に記載の光通信装置または表示装置を搭載した電子装置に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月18日(2008.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】無線通信装置制御方法およびプログラム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  無線によってデータ通信を行う無線通信装置において、
ＡＣアダプタ、又はバッテリーのどちらから電源の供給を受けているかを検出する検出手段と；
上記検出手段が検出した結果に応じて、マスターモード、又はスレーブモードのいずれかの動作モードで動作するかを選択する選択手段と；
上記選択手段により選択した動作モードによって、上記無線通信装置が動作するように制御する制御手段と；
を有することを特徴とする無線通信装置。
【請求項２】  請求項１において、
上記選択手段は、上記検出手段が、上記ＡＣアダプタから電源の供給を受けていることを検出した場合にマスターモードを選択し、一方、上記バッテリーから電源の供給を受けていることを検出した場合にスレーブモードを選択する手段であることを特徴とする無線通信装置。
【請求項３】  請求項１または２において、
上記制御手段は、上記選択手段による選択に応じて、動作モードをマスターモードからスレーブモード、又はスレーブモードからマスターモードへ切り替える手段であることを特徴とする無線通信装置。
【請求項４】  請求項３において、
上記制御手段により動作モードの切り替えを行う場合には、通信相手の無線通信装置に対して、役割の交換を要求することを特徴とする無線通信装置。
【請求項５】  請求項３または４において、
上記制御手段によって、上記無線通信装置がマスターモードからスレーブモードへ切り替える場合には、所定の一定時間、パケットデータの送受信を中断することを特徴とする無線通信装置。
【請求項６】  請求項1から４のいずれか１項において、
上記制御手段により上記無線通信装置がマスターモードで動作している場合であって、スレーブモードで動作している他の無線通信装置との間で送受信するデータがない場合には、上記他の無線通信装置に対して低消費電力モードへの移行を要求することを特徴とする無線通信装置。
【請求項７】  請求項３において、
通信相手の無線通信装置に対して接続を要求する手段と；
上記接続要求に対する応答がない場合に、上記通信相手の無線通信装置を検出するための問い合わせ要求信号を送信する手段と；
を有し、
上記制御手段は、上記問い合わせ要求信号に対する応答信号の受信に応じて、動作モードを切り替えることを特徴とする無線通信装置。
【請求項８】  請求項１または２において、
マスターモードで動作している他の無線通信装置がゲートウェイとしての機能を有しているか否かを判別する判別手段を有し、
上記制御手段によりスレーブモードで動作している場合であって、上記判別手段により上記他の無線通信装置がゲートウェイとしての機能を有していると判別した場合に、上記他の無線通信装置を介して、スレーブモードで動作している別の他の通信装置との間でデータの送受信を行うことを特徴とする無線通信装置。
【請求項９】  請求項１から８のいずれか１項において、
上記マスターモードは、通信相手の無線通信装置との間で同期をとるために、上記通信相手に対してコマンドのメッセージを送信してからデータの送受信を開始する動作モードであり、
上記スレーブモードは、マスターモードで動作している通信相手の無線通信装置から上記コマンドのメッセージを受信してからデータの送受信を開始する動作モードであることを特徴とする無線通信装置。
【請求項１０】  無線によってデータ通信を行う無線通信装置の制御方法であって、
ＡＣアダプタ、又はバッテリーのどちらから電源供給を受けているかを検出する検出手順と；
上記検出手順で検出した結果に応じて、マスターモード、又はスレーブモードのいずれかの動作モードで動作するかを選択する選択手順と；
上記選択手順で選択した動作モードによって、上記無線通信装置が動作するように制御する動作制御手順と；
を有することを特徴とする制御方法。
【請求項１１】  請求項１０記載の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、無線によってデータ通信を行う無線通信装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、マスターモード、スレーブモードのうちのいずれかのモードで動作する無線通信装置において、消費電力を低減することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、無線によってデータ通信を行う無線通信装置において、ＡＣアダプタ、又はバッテリーのどちらから電源の供給を受けているかを検出する検出手段と、上記検出手段が検出した結果に応じて、マスターモード、又はスレーブモードのいずれかの動作モードで動作するかを選択する選択手段と、上記選択手段により選択した動作モードによって、上記無線通信装置が動作するように制御する制御手段とを有することを特徴とする無線通信装置である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
【発明の効果】
本発明によれば、ＡＣアダプタまたはバッテリーのどちらから電源の供給を受けているかに応じて、マスターモード、又はスレーブモードのうちのいずれかのモードで動作するかを選択するので、無線通信装置の消費電力を低減することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月5日(2008.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
なお、プラズマの遮断密度Ｎｃは、Ｎｃ＝（４π２ε０ｍｅ／ｅ２）ｆ２
となる。ただし、ε０は真空の誘電率、ｆは周波数である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月5日(2008.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
すなわち、各結合孔４２ａ、４２ｂ、４２ｃからプラズマ発生室４１内に放射されるマイクロ波電力（進行波電力と反射波電力）は、
結合孔４２ａ：Ｐｏ・Ｋ１［１＋（１−Ｋ１）（１−Ｋ２）２（１−Ｋ３）２］
・・・・・・・・（１）
結合孔４２ｂ：Ｐｏ・Ｋ２（１−Ｋ１）［１＋（１−Ｋ２）（１−Ｋ３）２］
・・・・・・・・（２）
結合孔４２ｃ：Ｐｏ・Ｋ３（１−Ｋ１）（１−Ｋ２）［１＋（１−Ｋ３）］
・・・・・・・・（３）
となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、短絡板ＹＹで反射される反射波は、進行波との間に１８０°の位相となるので、各結合孔では進行波と反射波とが同相となり、これら両波の電力が加わって結合孔からプラズマ発生室４１内に放射される。
反射波は、Ｐｏ（１−Ｋ１）２（１−Ｋ２）２（１−Ｋ３）２
・・・・・・・・（４）
となる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月18日(2008.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に形成された第１の電極と、
前記第１の電極の端部を覆いテーパー状の縁を有する絶縁層と、
前記第１の電極及び前記絶縁層上に形成された１〜１０ｎｍの厚さのＤＬＣ膜と、
前記ＤＬＣ膜上に形成された有機化合物層と、
前記有機化合物層上に形成された第２の電極と、を有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記絶縁表面はポリイミド又はアクリルで形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記絶縁表面は窒化シリコン又は酸窒化シリコンで形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記絶縁層は、ポリイミド又はアクリルで形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の電極はＺｎＯ又はＺｎＯとＩＴＯとの化合物で形成されていることを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月25日(2008.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電池収容室を有する電子機器において、
前記電気機器本体に対して回動可能であって、前記電池収容室に収容される電池の端子と接触可能な端子板と、
前記端子板に対してスライド可能に支持されるとともに、前記電気機器本体と係合する爪部が形成され、前記端子板に対してスライドすることで前記爪部が前記電気機器本体に係合する位置と前記爪部と前記電気機器本体との係合が解除される第２の位置に移動可能な蓋部材と、
第１の位置では前記蓋部材の前記端子板に対するスライド動作を規制し、第２の位置では前記蓋部材の前記端子板に対するスライド動作を許可する操作部材と、
前記操作部材が前記第２の位置に操作された後、前記蓋部材が前記端子板に対してスライド動作することで、前記操作部材を前記第２の位置に保持する保持手段と、
前記操作部材が前記第２の位置に操作されるときに、所定信号を出力する信号出力手段とを有することを特徴とする電子機器。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電池収容室を有する電子機器に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであって、従来の蓋部材の開閉機構を採用しつつ、蓋部材が開状態の間、操作部材の位置を常に検出できるようにした電子機器を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、電池収容室を有する電子機器において、前記電気機器本体に対して回動可能であって、前記電池収容室に収容される電池の端子と接触可能な端子板と、前記端子板に対してスライド可能に支持されるとともに、前記電気機器本体と係合する爪部が形成され、前記端子板に対してスライドすることで前記爪部が前記電気機器本体に係合する位置と前記爪部と前記電気機器本体との係合が解除される第２の位置に移動可能な蓋部材と、第１の位置では前記蓋部材の前記端子板に対するスライド動作を規制し、第２の位置では前記蓋部材の前記端子板に対するスライド動作を許可する操作部材と、前記操作部材が前記第２の位置に操作された後、前記蓋部材が前記端子板に対してスライド動作することで、前記操作部材を前記第２の位置に保持する保持手段と、前記操作部材が前記第２の位置に操作されるときに、所定信号を出力する信号出力手段とを有することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
図１は、本発明に係る電子機器の一実施の形態を装着したデジタルカメラを前面側から見た斜視図であり、図２は、該デジタルカメラを背面側から見た斜視図である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、蓋部材が開状態の間、操作部材の位置を常に検出できる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明に係る電子機器の一実施の形態を装着したデジタルカメラを前面側から見た斜視図である。
【図２】
本発明に係る電子機器の一実施の形態を装着したデジタルカメラを背面側から見た斜視図である。
【図３】
図１に示すデジタルカメラのＡ−Ａ断面図である。
【図４】
電池を電気的に接続する構成を示す分解図である。
【図５】
図１に示すデジタルカメラのＢ−Ｂ断面図である。
【図６】
図１に示すデジタルカメラのＣ−Ｃ断面図である。
【図７】
図１に示すデジタルカメラのＦ−Ｆ断面図である。
【図８】
図７に示すデジタルカメラにおいて端子カバーの位置が異なっている場合を示す図である。
【図９】
端子カバーを示す図である。
【図１０】
電池蓋ユニットの構成を示す組み立て図である。
【図１１】
電池蓋が閉状態にあるときのデジタルカメラのｘ−ｚ平面図である。
【図１２】
図１１示す状態にあるデジタルカメラにおける図１０に示す電池蓋のＤ−Ｄ断面図である。
【図１３】
検出レバー及び検出スイッチを示すｘ−ｚ平面図である。
【図１４】
スライドボタンがコイルバネにより矢印Ｅの方向にスライドされるときのデジタルカメラのｘ−ｚ平面図である。
【図１５】
図１４示す状態にあるデジタルカメラにおける図１０に示す電池蓋のＤ−Ｄ断面図である。
【図１６】
電池蓋が回動状態にあるときのデジタルカメラのｙ−ｚ平面図である。
【図１７】
図２に示すデジタルカメラのＥ−Ｅ断面図であり、カードカバーが開状態に成る第１の経過状態を示している。
【図１８】
図２に示すデジタルカメラのＥ−Ｅ断面図であり、カードカバーが開状態に成る第２の経過状態を示している。
【図１９】
図２に示すデジタルカメラのＥ−Ｅ断面図であり、カードカバーが開状態に成る第３の経過状態を示している。
【図２０】
図２に示すデジタルカメラのＥ−Ｅ断面図であり、カードカバーが開状態に成る第４の経過状態を示している。
【図２１】
蓋部材の開閉状態を検出する検出機構をもたない従来の電子機器の一例のｘ−ｚ平面図である。
【図２２】
図２１に示す電子機器のｙ−ｚ断面図である。
【図２３】
蓋部材の開閉状態を検出する検出機構をもたない従来の電子機器の一例のｘ−ｚ平面図である。
【図２４】
図２３に示す電子機器のｙ−ｚ断面図である。
【図２５】
図２１及び図２３に示す電子機器において蓋部材が回転した場合のＸ−Ｚ断面図である。
【符号の説明】
１  フロントカバー（筐体）
１ａ  つめ
３  板金端子
３ｅ  カール曲げ
４  板金端子
３９  電池蓋（蓋部材）
３９ｅ  つめ
４０  スライドボタン（操作部材）
４１  コイルバネ
４２  電池ボックス
４３  リアーカバー
４４  検出スイッチ（信号出力手段）
４８  検出レバー
４９  軸
Ｂ  移動方向
Ｄ  移動方向
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月4日(2008.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  機器筐体に設けられる盗難防止装置の挿着される連結孔に前記盗難防止装置に代えて着脱されるホルダー部と、
このホルダー部に対して回動自在に設けられるハンドル部と
を具備することを特徴とする携帯ハンドル。
【請求項２】  前記ホルダー部には、前記機器筐体の連結孔に挿着された状態で、挿着位置でロックし、選択的にロック解除するロック手段が設けられることを特徴とする請求項１記載の携帯ハンドル。
【請求項３】  さらに前記ホルダー部のロック手段のロックの有無を示す連結表示が備えられることを特徴とする請求項１又は２記載の携帯ハンドル。
【請求項４】  前記連結孔は、前記機器筐体の両側面における後面側に設けられることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか記載の携帯ハンドル。
【請求項５】  周壁に所定の間隔を有して設けられ、盗難防止装置あるいは携帯ハンドルのいずれか一方が選択的に着脱される複数の連結孔が設けられた機器筐体を具備することを特徴とする携帯機器。
【請求項６】  前記携帯ハンドルは、前記機器筐体の連結孔に挿着されてホルダー部と、このホルダー部に回動自在に結合されるハンドル部とを有することを特徴とする請求項５記載の携帯機器。
【請求項７】  前記ホルダー部には、前記機器筐体の連結孔に挿着された状態で、挿着位置でロックし、選択的にロック解除するロック手段が設けられることを特徴とする請求項５又は６記載の携帯機器。
【請求項８】  前記携帯ハンドルには、さらに前記ホルダー部のロック手段のロックの有無を示す連結表示が備えられることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか記載の携帯機器。
【請求項９】  前記設機器筐体には、前記連結孔が周壁のうち両側面における後面側に設けられることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか記載の携帯機器。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月18日(2008.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液処理装置及び液処理方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、液処理装置及び液処理方法に関するもので、更に詳細には、例えば半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板等の被処理体に異なる種類の処理液を供給・排液して処理を施す液処理装置及び液処理方法に関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この発明は上記事情に鑑みなされたもので、常時排液切換弁の開閉状況を監視して、排液管への異なる種類の排液の混入を未然に防止すると共に、例えば純水等の処理液の回収率を増大して再利用の向上を図り、また、処理液の供給ミスによる被処理体のダメージを抑制できるようにした液処理装置及び液処理方法を提供することを目的とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月14日(2008.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照射面において一方向に周期的なエネルギー分布を有するレーザ光を半導体膜に照射する工程を有し、
前記レーザ光は前記半導体膜に対して、前記一方向に相対的に移動しながら照射し、
前記レーザ光の１パルス毎の前記半導体膜に対する相対的な移動距離は、前記レーザ光の照射により形成される結晶粒の列の幅をｗ、前記周期的なエネルギー分布のピッチをｐとすると、ｍｐ±ｗ（ｍは自然数）であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
第１のレーザ光を複数の第２のレーザ光に分割する段階と、
前記複数の第２のレーザ光を合成して、照射面において一方向に周期的なエネルギー分布を有する第３のレーザ光を形成する段階と、
前記第３のレーザ光を半導体膜に照射する段階と、を有し、
前記第３のレーザ光は前記半導体膜に対して、前記一方向に相対的に移動しながら照射し、
前記第２のレーザ光の入射角θは、前記第２のレーザ光の波長をλ、前記第３のレーザ光の照射により形成される結晶粒の列の幅をｗ、前記周期的なエネルギー分布のピッチをｐとすると、ｓｉｎθ＝λ／ｐ（但し、ｐ＝２ｗ）を満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１のレーザ光を、スリットによって前記複数の第２のレーザ光に分割することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２又は請求項３において、
前記第１のレーザ光は、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、Ｎｄ：ＹＬＦレーザ、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザ、もしくはＮｄ：ＹＡｌＯ３レーザから選ばれた一種から発振されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
照射面において短軸方向に周期的なエネルギー分布を有する矩形状ビームを半導体膜に照射する工程を有し、
前記矩形状ビームは前記半導体膜に対して、前記短軸方向に相対的に移動しながら照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
照射面において短軸方向に周期的なエネルギー分布を有する矩形状ビームを半導体膜に照射する工程を有し、
前記矩形状ビームは前記半導体膜に対して、前記短軸方向に相対的に移動しながら照射し、
前記矩形状ビームの１パルス毎の前記半導体膜に対する相対的な移動距離は、前記矩形状ビームの照射により形成される結晶粒の列の幅をｗ、前記周期的なエネルギー分布のピッチをｐとすると、ｍｐ±ｗ（ｍは自然数）であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
第１のレーザ光を複数の第２のレーザ光に分割する段階と、
前記複数の第２のレーザ光を合成して、照射面において短軸方向に周期的なエネルギー分布を有する矩形状ビームを形成する段階と、
前記矩形状ビームを半導体膜に照射する段階と、を有し、
前記矩形状ビームは前記半導体膜に対して、前記短軸方向に相対的に移動しながら照射し、
前記矩形状ビームの入射角θは、前記第２のレーザ光の波長をλ、前記矩形状ビームの照射により形成される結晶粒の列の幅をｗ、前記周期的なエネルギー分布のピッチをｐとすると、ｓｉｎθ＝λ／ｐ（但し、ｐ＝２ｗ）を満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
照射面において長軸方向に周期的なエネルギー分布を有する矩形状ビームを半導体膜に照射する工程を有し、
前記矩形状ビームは前記半導体膜に対して、前記長軸方向に相対的に移動しながら照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
照射面において長軸方向に周期的なエネルギー分布を有する矩形状ビームを半導体膜に照射する工程を有し、
前記矩形状ビームは前記半導体膜に対して、前記長軸方向に相対的に移動しながら照射し、
前記矩形状ビームの１パルス毎の前記半導体膜に対する相対的な移動距離は、前記矩形状ビームの照射により形成される結晶粒の列の幅をｗ、前記周期的なエネルギー分布のピッチをｐとすると、ｍｐ±ｗ（ｍは自然数）であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
第１のレーザ光を複数の第２のレーザ光に分割する段階と、
前記複数の第２のレーザ光を合成して、照射面において長軸方向に周期的なエネルギー分布を有する矩形状ビームを形成する段階と、
前記矩形状ビームを半導体膜に照射する段階と、を有し、
前記矩形状ビームは前記半導体膜に対して、前記長軸方向に相対的に移動しながら照射し、
前記矩形状ビームの入射角θは、前記第２のレーザ光の波長をλ、前記矩形状ビームの照射により形成される結晶粒の列の幅をｗ、前記周期的なエネルギー分布のピッチをｐとすると、ｓｉｎθ＝λ／ｐ（但し、ｐ＝２ｗ）を満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。