【手続補正書】
【提出日】平成20年4月4日(2008.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート絶縁膜を介して半導体基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極の両側において、前記半導体基板の表面領域に形成された１対の不純物拡散層と、
前記ゲート電極の側壁を覆い、前記ゲート電極の近傍の特定の範囲において前記半導体基板上まで連なるように形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜及び前記ゲート電極を含む前記半導体基板の上を覆い、エッチングストッパー膜として機能する第２の絶縁膜を備え、
前記第１の絶縁膜が略均一な膜厚で形成され、
前記ゲート電極の側壁における前記第２の絶縁膜の膜厚は、前記ゲート電極の上部における前記第２の絶縁膜の膜厚より小さく、
前記ゲート電極の側壁における前記第２の絶縁膜の膜厚は、前記半導体基板上における前記第２の絶縁膜の膜厚より小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１の絶縁膜の前記ゲート電極の横方向への長さは、第１の絶縁膜の膜厚の２倍以上であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
隣接するゲート電極の間に形成された層間絶縁膜を更に備え、
前記ゲート電極間の前記層間絶縁膜に空洞領域が形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ゲート電極の側面に形成された低抵抗膜を更に備えることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
隣接するゲート電極の間に形成された層間絶縁膜と、
少なくともシリコン酸化膜の比誘電率よりも低い比誘電率を持ち、前記層間絶縁膜と前記ゲート電極の上に形成された膜とを更に備えることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ゲート電極上において前記ゲート電極と接続され、前記不純物拡散層の１つと接続されたコンタクト電極を更に備えることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項７】
ゲート絶縁膜を介して半導体基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極の両側において、前記半導体基板の表面領域に形成された１対の不純物拡散層と、
前記ゲート電極の側壁を覆い、前記ゲート電極の近傍の特定の範囲において前記半導体基板上まで連なるように形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜及び前記ゲート電極を含む前記半導体基板の上を覆い、エッチングストッパー膜として機能する第２の絶縁膜を備え、
前記第１の絶縁膜が略均一な膜厚で形成され、
前記ゲート電極の上部における前記第２の絶縁膜の膜厚は、前記半導体基板上における前記第２の絶縁膜の膜厚より大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
ゲート絶縁膜を介して半導体基板上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極の両側において、前記半導体基板の表面領域に形成された１対の不純物拡散層と、
前記ゲート電極の側壁を覆い、前記ゲート電極の近傍の特定の範囲において前記半導体基板上まで連なるように形成された第１の絶縁膜とを備え、
前記第１の絶縁膜が略均一な膜厚で形成され、
前記第１の絶縁膜の膜厚と前記ゲート電極の側壁における前記第２の絶縁膜の膜厚との和は、前記第１の絶縁膜の前記ゲート電極の横方向への長さと略等しいことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
前記第１の絶縁膜は２層以上の積層膜で形成されていることを特徴とする請求項１，７，８の何れか１項に記載の半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【課題を解決するための手段】
第１の発明は、ゲート絶縁膜を介して半導体基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の両側において、前記半導体基板の表面領域に形成された１対の不純物拡散層と、前記ゲート電極の側壁を覆い、前記ゲート電極の近傍の特定の範囲において前記半導体基板上まで連なるように形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜及び前記ゲート電極を含む前記半導体基板の上を覆い、エッチングストッパー膜として機能する第２の絶縁膜を備え、前記第１の絶縁膜が略均一な膜厚で形成され、前記ゲート電極の側壁における前記第２の絶縁膜の膜厚は、前記ゲート電極の上部における前記第２の絶縁膜の膜厚より小さく、前記ゲート電極の側壁における前記第２の絶縁膜の膜厚は、前記半導体基板上における前記第２の絶縁膜の膜厚より小さいことを特徴とする半導体装置である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、前記第１の絶縁膜の前記ゲート電極の横方向への長さは、第１の絶縁膜の膜厚の２倍以上である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、隣接するゲート電極の間に形成された層間絶縁膜を更に備え、前記ゲート電極間の前記層間絶縁膜に空洞領域が形成されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、前記ゲート電極の側面に形成された低抵抗膜を更に備える。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、隣接するゲート電極の間に形成された層間絶縁膜と、少なくともシリコン酸化膜の比誘電率よりも低い比誘電率を持ち、前記層間絶縁膜と前記ゲート電極の上に形成された膜とを更に備える。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、前記ゲート電極上において前記ゲート電極と接続され、前記不純物拡散層の１つと接続されたコンタクト電極を更に備える。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
第２の発明は、ゲート絶縁膜を介して半導体基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の両側において、前記半導体基板の表面領域に形成された１対の不純物拡散層と、前記ゲート電極の側壁を覆い、前記ゲート電極の近傍の特定の範囲において前記半導体基板上まで連なるように形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜及び前記ゲート電極を含む前記半導体基板の上を覆い、エッチングストッパー膜として機能する第２の絶縁膜を備え、前記第１の絶縁膜が略均一な膜厚で形成され、前記ゲート電極の上部における前記第２の絶縁膜の膜厚は、前記半導体基板上における前記第２の絶縁膜の膜厚より大きいことを特徴とする半導体装置である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
第３の発明は、ゲート絶縁膜を介して半導体基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の両側において、前記半導体基板の表面領域に形成された１対の不純物拡散層と、前記ゲート電極の側壁を覆い、前記ゲート電極の近傍の特定の範囲において前記半導体基板上まで連なるように形成された第１の絶縁膜とを備え、前記第１の絶縁膜が略均一な膜厚で形成され、前記第１の絶縁膜の膜厚と前記ゲート電極の側壁における前記第２の絶縁膜の膜厚との和は、前記第１の絶縁膜の前記ゲート電極の横方向への長さと略等しいことを特徴とする半導体装置である。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、前記第１の絶縁膜は２層以上の積層膜で形成されている。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】削除
【補正の内容】