【手続補正書】
【提出日】平成20年2月19日(2008.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びそれを用いた電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
整流素子、トランジスタ、第１のスイッチ及び第２のスイッチを有し、
前記トランジスタのゲートは、前記第１のスイッチの第１の端子に電気的に接続され、
前記整流素子の一方の電極は、前記第１のスイッチの第１の端子に電気的に接続され、
前記トランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第２のスイッチの第１の端子に電気的に接続され、
前記トランジスタのソース及びドレインの他方は、第１の配線に電気的に接続され、
前記第１のスイッチの第２の端子は、前記第１の配線に電気的に接続され、
前記第２のスイッチの第２の端子は、第２の配線に電気的に接続され、
前記整流素子の他方の電極は、第３の配線に電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
整流素子、トランジスタ、第１のスイッチ及び第２のスイッチを有し、
前記トランジスタのゲートは、前記第１のスイッチの第１の端子に電気的に接続され、
前記整流素子の一方の電極は、前記第１のスイッチの第１の端子に電気的に接続され、
前記トランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第２のスイッチの第１の端子に電気的に接続され、
前記トランジスタのソース及びドレインの他方は、第１の配線に電気的に接続され、
前記第１のスイッチの第２の端子は、第２の配線に電気的に接続され、
前記第２のスイッチの第２の端子は、第３の配線に電気的に接続され、
前記整流素子の他方の電極は、第４の配線に電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
整流素子、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ及び第３のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続され、
前記整流素子の一方の電極は、前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方は、第１の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第１の配線に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース及びドレインの他方は、第２の配線に電気的に接続され、
前記整流素子の他方の電極は、第３の配線に電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
整流素子、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ及び第３のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続され、
前記整流素子の一方の電極は、前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方は、第１の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの他方は、第２の配線に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース及びドレインの他方は、第３の配線に電気的に接続され、
前記整流素子の他方の電極は、第４の配線に電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
第１の整流素子、第２の整流素子、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第１のスイッチ及び第２のスイッチを有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１のスイッチの第１の端子に電気的に接続され、
前記第１の整流素子の一方の電極は、前記第１のスイッチの第１の端子に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第２のスイッチの第１の端子に電気的に接続され、
前記第２の整流素子の一方の電極は、前記第２のスイッチの第１の端子に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第１の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第２の配線に電気的に接続され、
前記第１のスイッチの第２の端子は、前記第１の配線に電気的に接続され、
前記第２のスイッチの第２の端子は、前記第２の配線に電気的に接続され、
前記第１の整流素子の他方の電極は、第３の配線に電気的に接続され、
前記第２の整流素子の他方の電極は、第４の配線に電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
第１の整流素子、第２の整流素子、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第１のスイッチ及び第２のスイッチを有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第１のスイッチの第１の端子に電気的に接続され、
前記第１の整流素子の一方の電極は、前記第１のスイッチの第１の端子に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第２のスイッチの第１の端子に電気的に接続され、
前記第２の整流素子の一方の電極は、前記第２のスイッチの第１の端子に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第１の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第２の配線に電気的に接続され、
前記第１のスイッチの第２の端子は、第３の配線に電気的に接続され、
前記第２のスイッチの第２の端子は、第４の配線に電気的に接続され、
前記第１の整流素子の他方の電極は、第５の配線に電気的に接続され、
前記第２の整流素子の他方の電極は、第６の配線に電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
第１の整流素子、第２の整流素子、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ及び第４のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続され、
前記第１の整流素子の一方の電極は、前記第３のトランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続され、
前記第２の整流素子の一方の電極は、前記第４のトランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第１の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第２の配線に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第１の配線に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第２の配線に電気的に接続され、
前記第１の整流素子の他方の電極は、第３の配線に電気的に接続され、
前記第２の整流素子の他方の電極は、第４の配線に電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
第１の整流素子、第２の整流素子、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ及び第４のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続され、
前記第１の整流素子の一方の電極は、前記第３のトランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続され、
前記第２の整流素子の一方の電極は、前記第４のトランジスタのソース及びドレインの一方に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第１の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方は、第２の配線に電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース及びドレインの他方は、第３の配線に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース及びドレインの他方は、第４の配線に電気的に接続され、
前記第１の整流素子の他方の電極は、第５の配線に電気的に接続され、
前記第２の整流素子の他方の電極は、第６の配線に電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記整流素子は、ダイオードを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項５乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第１の整流素子と前記第２の整流素子はそれぞれ、ダイオードを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記整流素子は、ダイオード接続された第５のトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項５乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第１の整流素子は、ダイオード接続された第５のトランジスタを有し、
前記第２の整流素子は、ダイオード接続された第６のトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１又は請求項２において、
前記トランジスタは、薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項３又は請求項４において、
前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ及び前記第３のトランジスタはそれぞれ、薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項５又は請求項６において、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタはそれぞれ、薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項７又は請求項８において、
前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ、前記第３のトランジスタ及び前記第４のトランジスタはそれぞれ、薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項５乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタの極性は、同じであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１７のいずれか一項に記載の半導体装置を用いた電子機器。