Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月11日(2008.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シャッターボタンの半押し時にオートフォーカス調整を行い、シャッターボタンの全押し後に撮影を行う撮影手段と、
この撮影手段のぶれ量を検出するぶれ量検出手段と、
前記シャッターボタンの半押し操作毎に、前記ぶれ量検出手段により前記シャッターボタンの半押し操作前後のぶれ量を比較し、この比較結果に基づいて撮影者の手ぶれ傾向が収束する傾向か否かを判定してその手ぶれ傾向を示す情報を蓄積し、蓄積した情報に基づいて撮影者の手ぶれ傾向を特定し、前記シャッターボタンが全押しされた場合、前記特定した手ぶれ傾向に従った撮影処理を実行させる撮影制御手段と
を備えることを特徴とする撮影装置。
【請求項２】
前記撮影制御手段は、前記シャッターボタン半押し後の平均手ぶれ量を半押し前の平均手ぶれ量で除算した値を求め、この除算した値が所定の値以上なら、平均手ぶれ量がシャッターボタン操作前の平均手ぶれ量以下の値になった場合に撮影を実行し、前記除算した値が前記所定の値より小さいなら、ぶれ量から求めたぶれの影響を低減可能な撮影条件を求め、この撮影条件と自動設定された撮影条件のうち、ぶれの少ない画像を撮影可能な方の撮影条件で撮影を行うことを特徴とする請求項１に記載の撮影装置。
【請求項３】
シャッターボタンの半押し操作毎に、前記シャッターボタンの半押し操作前後のぶれ量を比較し、この比較結果に基づいて撮影者の手ぶれ傾向が収束する傾向か否かを判定してその手ぶれ傾向を示す情報を蓄積し、蓄積した情報に基づいて撮影者の手ぶれ傾向を特定し、前記シャッターボタンが全押しされた場合、前記特定した手ぶれ傾向に従った撮影処理を実行することを特徴とする撮影装置の制御方法。
【請求項４】
シャッターボタンの半押し時にオートフォーカス調整を行い、シャッターボタンの全押し後に撮影を行う撮影部を有するコンピュータを、
前記撮影部のぶれ量を検出するぶれ量検出手段と、
前記シャッターボタンの半押し操作毎に、前記ぶれ量検出手段により前記シャッターボタンの半押し操作前後のぶれ量を比較し、この比較結果に基づいて撮影者の手ぶれ傾向が収束する傾向か否かを判定してその手ぶれ傾向を示す情報を蓄積し、蓄積した情報に基づいて撮影者の手ぶれ傾向を特定し、前記シャッターボタンが全押しされた場合、前記特定した手ぶれ傾向に従った撮影処理を実行させる撮影制御手段として機能させるための制御プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮影装置、その制御方法及び制御プログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ぶれの少ない撮影が可能な撮影装置、その制御方法及び制御プログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記課題を解決するため、本発明は、撮影装置において、シャッターボタンの半押し時にオートフォーカス調整を行い、シャッターボタンの全押し後に撮影を行う撮影手段と、この撮影手段のぶれ量を検出するぶれ量検出手段と、前記シャッターボタンの半押し操作毎に、前記ぶれ量検出手段により前記シャッターボタンの半押し操作前後のぶれ量を比較し、この比較結果に基づいて撮影者の手ぶれ傾向が収束する傾向か否かを判定してその手ぶれ傾向を示す情報を蓄積し、蓄積した情報に基づいて撮影者の手ぶれ傾向を特定し、前記シャッターボタンが全押しされた場合、前記特定した手ぶれ傾向に従った撮影処理を実行させる撮影制御手段とを備えることを特徴とする。
この発明によれば、撮影者の手ぶれ傾向を簡易に特定でき、かつ、特定した手ぶれ傾向に従った撮影処理を実行するので、ぶれを低減した画像を撮影することが可能になる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記発明において、前記撮影制御手段が、前記シャッターボタンの半押し操作前後のぶれ量を比較し、この比較結果に基づいて撮影者の手ぶれ傾向が収束する傾向か否かを判定するので、手ぶれ傾向を予測する予測演算等する場合に比して撮影者の手ぶれ傾向を簡易に特定することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、上記発明において、前記撮影制御手段は、前記シャッターボタンの半押し操作毎に、撮影者の手ぶれ傾向を判定してその手ぶれ傾向を示す情報を蓄積し、蓄積した情報に基づいて撮影者の手ぶれ傾向を特定するので、一般にシャッターボタンの全押し操作よりも頻繁に行われる半押し操作毎に、撮影者の手ぶれ傾向を示す情報を蓄積するので、サンプリング数を多くでき、多数サンプリングされた情報に基づいて撮影者の手ぶれ傾向を特定するので、判定精度が向上する。
この場合、前記撮影制御手段は、前記シャッターボタン半押し後の平均手ぶれ量を半押し前の平均手ぶれ量で除算した値を求め、この除算した値が所定の値以上なら、平均手ぶれ量がシャッターボタン操作前の平均手ぶれ量以下の値になった場合に撮影を実行し、前記除算した値が前記所定の値より小さいなら、ぶれ量から求めたぶれの影響を低減可能な撮影条件を求め、この撮影条件と自動設定された撮影条件のうち、ぶれの少ない画像を撮影可能な方の撮影条件で撮影を行うようにしてもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明は、撮影装置の制御方法において、シャッターボタンの半押し操作毎に、前記シャッターボタンの半押し操作前後のぶれ量を比較し、この比較結果に基づいて撮影者の手ぶれ傾向が収束する傾向か否かを判定してその手ぶれ傾向を示す情報を蓄積し、蓄積した情報に基づいて撮影者の手ぶれ傾向を特定し、前記シャッターボタンが全押しされた場合、前記特定した手ぶれ傾向に従った撮影処理を実行することを特徴とする。この発明によれば、撮影者の手ぶれ傾向を簡易に特定でき、かつ、特定した手ぶれ傾向に従った撮影処理を実行するので、ぶれを低減した画像を撮影することが可能になる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明によれば、撮影者の手ぶれ傾向を簡易に特定でき、かつ、特定した手ぶれ傾向に従った撮影処理を実行するので、ぶれを低減した画像を撮影することが可能になる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月18日(2008.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光出射部にコート膜が形成されている窒化物半導体発光素子であって、前記光出射部は窒化物半導体からなり、前記光出射部に接するコート膜が前記光出射部側の酸窒化物膜と前記酸窒化物膜上の酸化物膜とからなることを特徴とする、窒化物半導体発光素子。
【請求項２】
前記窒化物半導体発光素子は窒化物半導体レーザ素子であって、前記光出射部は共振器端面であることを特徴とする、請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項３】
前記酸窒化物膜は、アルミニウムの酸窒化物膜またはシリコンの酸窒化物膜であることを特徴とする、請求項１または２に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項４】
前記酸化物膜は、酸化アルミニウム膜、酸化シリコン膜、酸化チタン膜、酸化ハフニウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ニオブ膜、酸化タンタル膜または酸化イットリウム膜であることを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項５】
前記酸窒化物膜中の酸素の含有量が１原子％以上５０原子％以下であることを特徴とする、請求項１から４のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項６】
前記酸窒化物膜中の酸素の含有量が２原子％以上３５原子％以下であることを特徴とする、請求項１から５のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項７】
前記酸窒化物膜中の酸素の含有量が２原子％以上１５原子％以下であることを特徴とする、請求項１から６のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項８】
前記酸窒化物膜中の酸素の含有量が３原子％以上１１原子％以下であることを特徴とする、請求項１から７のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項９】
光出射部にコート膜が形成されている窒化物半導体発光素子を製造する方法であって、前記光出射部に前記光出射部側の酸窒化物膜と前記酸窒化物膜上の酸化物膜とからなるコート膜を形成する工程を含む、窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１０】
前記光出射部が共振器端面であって、前記窒化物半導体発光素子が窒化物半導体レーザ素子であることを特徴とする請求項９に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１１】
前記酸窒化物膜は、ターゲットに酸化アルミニウムを用いて作製されたことを特徴とする請求項９または１０に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１２】
前記コート膜は、成膜炉内の少なくとも一部が酸化された状態で形成されることを特徴とする請求項９または１０に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１３】
前記酸窒化物膜は、ターゲットにアルミニウムを用い、成膜炉内に少なくとも窒素ガスと酸素ガスとを導入することによって形成されることを特徴とする請求項９または１０に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１４】
前記酸窒化物膜は、ターゲットに酸窒化アルミニウムおよび酸化アルミニウムの少なくとも一方を用い、成膜炉内に酸素ガスを導入せずに形成されることを特徴とする請求項９または１０に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１５】
前記酸窒化物膜は、成膜炉内の少なくとも一部を酸化させて前記成膜炉内に酸素ガスを導入せずに形成されることを特徴とする請求項９または１０に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
そこで、本発明の目的は、信頼性を向上することができる、窒化物半導体発光素子と、窒化物半導体発光素子の製造方法と、を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明の窒化物半導体発光素子において、酸化物膜としては、酸化アルミニウム膜、酸化シリコン膜、酸化チタン膜、酸化ハフニウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ニオブ膜、酸化タンタル膜または酸化イットリウム膜を用いることができる。また、本発明の窒化物半導体発光素子において、酸窒化物膜中の酸素の含有量が１原子％以上５０原子％以下であることが好ましい。また、本発明の窒化物半導体発光素子において、酸窒化物膜中の酸素の含有量が２原子％以上３５原子％以下であることが好ましい。また、本発明の窒化物半導体発光素子において、酸窒化物膜中の酸素の含有量が２原子％以上１５原子％以下であることが好ましい。また、本発明の窒化物半導体発光素子において、酸窒化物膜中の酸素の含有量が３原子％以上１１原子％以下であることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
さらに、本発明は、光出射部にコート膜が形成されている窒化物半導体発光素子を製造する方法であって、光出射部に光出射部側の酸窒化物膜と酸窒化物膜上の酸化物膜とからなるコート膜を形成する工程を含む窒化物半導体発光素子の製造方法である。ここで、本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法においては、光出射部が共振器端面であって、窒化物半導体発光素子が窒化物半導体レーザ素子であってもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法において、酸窒化物膜は、ターゲットに酸化アルミニウムを用いて作製することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法において、コート膜は、成膜炉内の少なくとも一部が酸化された状態で形成することができる。また、本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法において、酸窒化物膜は、ターゲットにアルミニウムを用い、成膜炉内に少なくとも窒素ガスと酸素ガスとを導入することによって形成されてもよい。また、本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法において、酸窒化物膜は、ターゲットに酸窒化アルミニウムおよび酸化アルミニウムの少なくとも一方を用い、成膜炉内に酸素ガスを導入せずに形成されてもよい。また、本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法において、酸窒化物膜は、成膜炉内の少なくとも一部を酸化させて成膜炉内に酸素ガスを導入せずに形成されてもよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明によれば、信頼性を向上することができる、窒化物半導体発光素子と、窒化物半導体発光素子の製造方法と、を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月18日(2008.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
青色および／または紫外範囲で発光するＬＥＤ素子と、
前記ＬＥＤ素子の発光の一部を吸収し、別のスペクトル範囲で発光する少なくとも１つの蛍光体と、を含む白色を発生する光源において、
前記蛍光体は、
（２−ｘ−ｙ）ＳｒＯ・ｘ（Ｂａｕ，Ｃａｖ）Ｏ・（１−ａ−ｂ−ｃ−ｄ）ＳｉＯ２・ａＰ２Ｏ５ ｂＡｌ２Ｏ３ ｃＢ２Ｏ３ ｄＧｅＯ２：ｙＥｕ２＋
（但し、０＜ｘ＜１．６
０．００５＜ｙ＜０．５
ｘ＋ｙ≦１．６
０≦ａ、ｂ、ｃ、ｄ＜０．５
ｕ＋ｖ＝１である）
および／または組成：
（２−ｘ−ｙ）ＢａＯ・ｘ（Ｓｒｕ，Ｃａｖ）Ｏ・（１−ａ−ｂ−ｃ−ｄ）ＳｉＯ２・ａＰ２Ｏ５ ｂＡｌ２Ｏ３ ｃＢ２Ｏ３ ｄＧｅＯ２：ｙＥｕ２＋
（但し、０．０１＜ｘ＜１．６
０．００５＜ｙ＜０．５
０≦ａ、ｂ、ｃ、ｄ＜０．５
ｕ＋ｖ＝１
ｘ×ｕ≧０．４である）
で示される２価のユウロピウムで活性化されたアルカリ土類金属オルト珪酸塩であり、ｘ、ｙ、ｕ、ｖ、ａ、ｂ、ｃ及びｄの各パラメータに依存して黄緑色、黄色又はオレンジ色の範囲で発光し、
発生される白色の色温度及び演色評価数が、黄緑色、黄色又はオレンジ色の範囲における前記各パラメータの選択により調整されることを特徴とする光源。
【請求項２】
前記蛍光体の前記組成において、ａ、ｂ、ｃ、ｄの値のうちの少なくとも１つが０．０１より大きいことを特徴とする請求項１に記載の光源。
【請求項３】
前記蛍光体において珪素の一部がガリウムによって置換されていることを特徴とする請求項１または２に記載の光源。
【請求項４】
光源が、２価のユウロピウムおよび／またはマンガンで活性化されたアルカリ土類金属アルミン酸塩の群から成る付加的な蛍光体、および／または、Ｙ（Ｖ，Ｐ，Ｓｉ）Ｏ４：Ｅｕ，Ｂｉ、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ，Ｂｉまたは式Ｍｅ（３−ｘ−ｙ）ＭｇＳｉ２Ｏ８：ｘＥｕ，ｙＭｎ（但し、０．００５＜ｘ＜０．５、０．００５＜ｙ＜０．５、ＭｅはＢａ、Ｓｒ、Ｃａの少なくとも１つから成る）で示されるアルカリ土類金属−マグネシウム−二珪酸塩：Ｅｕ２＋，Ｍｎ２＋の群から成り赤色光を発する付加的な他の蛍光体を含んでいることを特徴とする請求項１又は２記載の光源。
【請求項５】
１価のイオンが蛍光体格子の中に組み込まれていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の光源。
【請求項６】
前記１価のイオンは、ハロゲン化物および／またはアルカリ金属であることを特徴とする請求項５に記載の光源。
【請求項７】
前記ＬＥＤ素子は３００〜５００ｎｍのスペクトル範囲で発光し、
前記蛍光体は４３０ｎｍ〜６５０ｎｍのスペクトル範囲で発光し、
光源がＲａ値＞７０を有する白色光を放射することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の光源。
【請求項８】
１つまたは複数のＬＥＤチップ（１）が反射鏡（４）内のプリント板（２）上に配置され、蛍光体（６）が、反射鏡（４）上に配置されている透光板（５）内に分散されていることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の光源。
【請求項９】
１つまたは複数のＬＥＤチップ（１）が反射鏡（４）内のプリント板（２）上に配置され、蛍光体（６）が反射鏡（４）に被着されていることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の光源。
【請求項１０】
ＬＥＤチップ（１）がドーム状の形状を有する透明な注型材料（３，３´）で注型されていることを特徴とする請求項８または９に記載の光源。
【請求項１１】
蛍光体が注型材料（３）中に分散され、この注型材料（３）によって、ガスが閉込められることなしに、プリント板（２）上に配置されたＬＥＤチップ（１）とポリマーレンズ（７）とが結合され、ポリマーレンズ（７）と注型材料（３）とが最大で０．１だけ異なる屈折率を有することを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の光源。
【請求項１２】
ポリマーレンズ（７）が球形もしくは楕円形の窪みを有し、この窪みが注型材料（３）を充填されて、ＬＥＤアレイ（１´）がポリマーレンズ（７）から僅かな距離で固定されていることを特徴とする請求項１１に記載の光源。
【請求項１３】
蛍光体が特に無機のマトリックス中に懸濁されていることを特徴とする請求項１から１２のいずれか１項に記載の光源。
【請求項１４】
少なくとも２つの蛍光体が個々にマトリックス中に分散され、これらのマトリックスが光の伝搬方向に相前後して配置されていることを特徴とする請求項４又は１３に記載の光源。
【請求項１５】
体積分布の平均粒度ｄ５０が２μｍ〜２０μｍであることを特徴とする請求項１から１４のいずれか１項に記載の光源。
【請求項１６】
蛍光体の材料であって、
前記蛍光体は、青色および／または紫外範囲の第１発光を吸収して、黄緑色、黄色又はオレンジ色領域の第２発光を発し、
前記蛍光体は、２価のユーロピウムで活性化されたアルカリ土類金属オルト珪酸塩であり、
前記蛍光体は、格子の少なくとも一部を構成し、
前記格子は、１価のハロゲンイオンおよび／またはアルカリ金属イオンを含む蛍光体の材料。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月1日(2008.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタ素子並びにこのトランジスタ素子のゲートにそれぞれ接続される第１の磁気抵抗素子および第２の磁気抵抗素子を有するメモリセルと、
前記第１の磁気抵抗素子及び前記第２の磁気抵抗素子を直列に接続するワード線と、
前記トランジスタ素子のソースおよびドレインに接続されるビット線と、
前記第１の磁気抵抗素子および前記第２の磁気抵抗素子に、それぞれ反対方向の磁界を印加する書き込み線とを具備することを特徴とする磁気記憶装置。
【請求項２】
前記メモリセルにおいて、前記ワード線に一定の電圧をかけた状態で、前記書き込み線に信号を入力し、前記第１の磁気抵抗素子および前記第２の磁気抵抗素子のそれぞれの抵抗を変動させることにより、前記トランジスタ素子の前記ゲートをＯＮ／ＯＦＦすることを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
【請求項３】
前記メモリセルにおいて、前記トランジスタ素子と、前記第１の磁気抵抗素子および前記第２の磁気抵抗素子は、マイクロバンプにより接続されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の磁気記憶装置。
【請求項４】
前記メモリセルにおいて、前記第１の磁気抵抗素子および前記第２の磁気抵抗素子の対は、複数対積層され、それぞれ前記トランジスタ素子と接続されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の磁気記憶装置。
【請求項５】
前記メモリセルは、ＸＹ方向にそれぞれ複数形成され、前記ＸＹ方向でそれぞれ制御されることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の磁気記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】磁気記憶装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は低消費電力で安定した特性を得ることが可能な磁気記憶装置を提供することを目的とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一態様によれば、トランジスタ素子並びにこのトランジスタ素子のゲートにそれぞれ接続される第１の磁気抵抗素子および第２の磁気抵抗素子を有するメモリセルと、第１の磁気抵抗素子及び第２の磁気抵抗素子を直列に接続するワード線と、トランジスタ素子のソースおよびドレインに接続されるビット線と、第１の磁気抵抗素子および第２の磁気抵抗素子に、それぞれ反対方向の磁界を印加する書き込み線とを具備することを特徴とする磁気記憶装置が提供される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月30日(2008.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
ところで、上述した従来のＧａＮ系化合物半導体から成る下地層の形成方法、ＧａＮ系半導体発光素子の製造方法にあっては、［工程−３０］において、下地層２１５をＥＬＯ成長させたとき、Ｃ面を表面とするサファイア基板２１０上での下地層２１５の結晶成長が困難であるが故に、下地層２１５のサファイア基板２１０の表面との間に隙間が生じる（図１０の（Ｃ）参照）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
その後、サファイア基板１０をＭＯＣＶＤ装置から搬出し、ニッケル（Ｎｉ）から成る帯状のマスク層１３を、リフトオフ法に基づきシード層形成層１２Ａ上に形成する。尚、マスク層１３は、シード層形成層１２Ａの＜１−１００＞方向と平行に延びている（図１の（Ｂ）参照）。次に、係るマスク層１３をエッチング用マスクとして、塩素系ガスを用いたＲＩＥ法によってシード層形成層１２Ａをエッチングした後（図１の（Ｃ）参照）、マスク層１３を除去する（図１の（Ｄ）参照）。こうして、＜１−１００＞方向に延びる帯状のシード層１２を得ることができる。尚、シード層１２の幅方向は、＜１１−２０＞方向と一致しており、アンドープのＧａＮから成るシード層１２の頂面はＣ面である。また、シード層１２の幅をＷS、シード層１２の厚さをＴ、シード層１２の形成ピッチをＷPとしたとき、
ＷS＝５μｍ
Ｔ ＝６μｍ
ＷP＝１５μｍ
であり（図２の（Ｂ）参照）、上述した式（１）あるいは式（１’）を満足している。これによって、サファイア基板１０の表面に下地層１５をエピタキシャル成長させたとき、下地層１５の係る部分に転位等の欠陥が発生することを抑制することができる。尚、従来の技術におけるシード層２１２は、上述した式（１）あるいは式（１’）を満足していない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
［工程−５００］
先ず、Ｒ面から構成されたサファイア基板１１０の表面に、ＧａＮ系化合物半導体から成り、頂面に結晶成長抑制物質１１３Ａ’が存在する帯状のシード層１１２を形成する。具体的には、Ｒ面を表面とするサファイア基板１１０をＭＯＣＶＤ装置に搬入し、水素から成るキャリアガス中、基板温度１０５０゜Ｃで１０分間の基板クリーニングを行った後、基板温度を１０２０゜Ｃに低下させる。そして、ＭＯＣＶＤ法に基づき、窒素原料であるアンモニアガスを供給しながら、ガリウム原料であるＴＭＧガスの供給を行い、サファイア基板１１０の表面（Ｒ面）に、厚さＴ＝６μｍのアンドープのＧａＮから成るシード層形成層１１２Ａを結晶成長させる（図５の（Ａ）参照）。尚、シード層形成層１１２Ａの厚さは、従来の技術におけるシード層形成層２１２Ａの厚さよりも十分に厚い。また、サファイア基板１１０のＲ面上に、バッファ層を形成すること無く、シード層形成層２１２Ａを形成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月17日(2008.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は上記の課題を解決するために、以下の手段を採用した。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月6日(2007.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露地上に原料木類を堆積し、
前記原料木類にキノコ菌培養体を接種し、水分を加え、攪拌し、
その後、水分の補給と攪拌を複数回繰り返し、前記原料木類を土壌に変換することを特徴とするキノコ菌による土壌の製造方法。
【請求項２】
原料木類にキノコ菌培養体を接種し、水分を加え、攪拌し、
キノコ菌が増殖した時点で、土壌への変換途中の原料木類からキノコ菌培養体を取り出し、
前記キノコ菌培養体を温水に浸し、酵素を抽出することを特徴とする植物活性酵素の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月12日(2008.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明においてベースとなる微生物固定化用粒状多孔質キトサンは、架橋構造が導入されている、あるいは、汎用の溶剤に不溶化されていなければならない。架橋化時の架橋剤や改質剤は特に限定されないが、例えば、ジイソシアネート化合物、ビスエポキシド化合物、および、酸無水物などが挙げられる。特に、ヘキサメチレンジイソシアネート、４，４´−ジフェニルメタンジイソシアネート、および、それらの変性体、３−クロロ−２−ヒドロキシプロピルトリメチルアンモニウムクロリド、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル化合物（エチレングリコール部の鎖長は１以上で任意）、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル化合物（プロピレングリコール部の鎖長は１以上で任意）、そして、無水酢酸や無水コハク酸などが好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
〔実施例１〕
粒状多孔質架橋キトサンとして、富士紡ホールディングス社製商品名キトパールＨＰ−５０２０（粒径８００〜１，２００μｍ、比表面積２０〜３０ｍ2／ｇ）２５ｍｌをプラスチック製の密閉容器に秤取り、２０μｍのシーブを先端に付けたスポイトで水分を軽く除去した。ここに、あらかじめ調製しておいた塩化第一鉄・四水和物１．６２５ｇ、および、塩化第二鉄・六水和物２．５ｇを４５ｇのＲＯ水に溶解させた溶液を全量投入し、良く混合した。次いで、反応系を振盪恒温水槽を用いて６０℃に昇温し、１３０ストローク／分で２時間、振盪混合した。所定時間経過後、空気をバブリングしながら、反応系に２８％アンモニア水（和光純薬製）３．７５ｇを２１．２５ｇのＲＯ水で希釈した溶液を添加し、良く混合した。なお、この時点で系は褐色化した。その後、再び、振盪恒温水槽を用いて反応系を６０℃に昇温し、１３０ストローク／分で１時間振盪、混合した。所定時間経過後、濾別、水洗して目的物を得た。保管はＲＯ水中、５℃で行った。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月31日(2008.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半径方向に突出する複数の極歯が間にスロットを挟んで等角度間隔に配置されたステータコア、および前記極歯に巻回されたコイルを備えたステータと、前記極歯の先端面に所定の空隙を介して対向する周面にＳ極およびＮ極が周方向で交互に配置された永久磁石を備えたロータとを有する永久磁石型同期モータにおいて、前記ステータコアは、前記極歯を備えた複数の分割コアが周方向に配置されてなり、前記極歯の先端面には、当該先端面を周方向に等角度に分割する補助溝が形成されていることを特徴とする永久磁石型同期モータ。
【請求項２】
請求項１において、前記永久磁石は、周方向に配置された複数の分割永久磁石からなることを特徴とする永久磁石型同期モータ。
【請求項３】
請求項２において、前記複数の分割永久磁石は、周方向で隣り合う分割永久磁石同士が離れた状態に配置されていることを特徴とする永久磁石型同期モータ。
【請求項４】
請求項２において、前記複数の分割永久磁石は、周方向で隣り合う分割永久磁石同士が接する状態に配置されていることを特徴とする永久磁石型同期モータ。
【請求項５】
請求項２ないし３のいずれかにおいて、前記分割永久磁石は、前記極歯の先端面と対向する面が、前記空隙の寸法が周方向の中央で狭く、周方向の両側で広くなる曲率の円弧面からなることを特徴とする永久磁石型同期モータ。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかにおいて、前記複数の極歯は、先端側で周方向に広がる先端部を備え、前記複数の極歯において隣り合う極歯の先端部の間に形成された隙間の開口面積と、前記補助溝の開口面積とが略等しいことを特徴とする永久磁石型同期モータ。
【請求項７】
請求項１ないし５のいずれかにおいて、前記複数の極歯は、先端側で周方向に広がる先端部を備え、前記複数の極歯において隣り合う極歯の先端部の間に形成された隙間の奥行き寸法と、前記補助溝の奥行き寸法とが略等しいことを特徴とする永久磁石型同期モータ。
【請求項８】
請求項１ないし５のいずれかにおいて、前記複数の極歯は、先端側で周方向に広がる先端部を備え、前記複数の極歯において隣り合う極歯の先端部の間に形成された隙間の内容積と、前記補助溝の内容積とが略等しいことを特徴とする永久磁石型同期モータ。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかにおいて、前記ロータは、前記ステータの内側に配置されていることを特徴とする永久磁石型同期モータ。
【請求項１０】
請求項１において、前記複数の極歯は、先端側で周方向に広がる先端部を備え、前記複数の極歯において隣り合う極歯の先端部の間に形成された隙間の開口幅と、前記補助溝の開口幅とが略等しいことを特徴とする永久磁石型同期モータ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明は、前記ロータが前記ステータの内側に配置されたインナーロータ型のモータに適用できる。なお、本発明は、前記ロータが前記ステータの外側に配置されたアウターロータ型のモータに適用してもよい。また、本発明において、前記複数の極歯は、先端側で周方向に広がる先端部を備え、前記複数の極歯において隣り合う極歯の先端部の間に形成された隙間の開口幅と、前記補助溝の開口幅とが略等しいことが好ましい。このように構成すると、隣り合う極歯の先端部同士の隙間で発生するコギングトルクと、補助溝で発生するコギングトルクとを略同等にすることができるので、モータ全体でのコギングトルクを低減できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
（ステータコアの構成）
このように構成したモータ１において、ステータコア３１は、極歯３１１を備えた複数の分割コア３１０が周方向において等角度間隔に円環状に配置された構成を備えている。本形態において、ステータ３は９極であり、９個の分割コア３１０が４０°間隔に配置されている。これらの複数の分割コア３１０において、各々の極歯３１１は先端側で周方向の両側に延びた先端部３１２を備えており、隣り合う極歯３１１の先端部３１２同士の間には隙間３８が形成されている。但し、本形態では、ステータコア３１に分割コア３１０を用いたため、分割コア３１０にコイル３２を巻回した後、分割コア３１０を周方向に配置してステータ３を構成することができるので、コイル３２を巻回するためのノズルを極歯３１１の先端部３１２同士の隙間３８に通す必要がない。それ故、先端部３１２同士の隙間３８の開口幅を狭くできる。例えば、本形態において、先端部３１２同士が形成する隙間３８の開口幅ｄ１は、０．８ｍｍであり、奥行き寸法ｄ２が０．５ｍｍである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
ここで、補助溝３９の周方向の開口幅は、隣り合う極歯３１１の先端部３１２の間に形成された隙間３８の周方向の開口幅ｄ１と等しいことが好ましい。また、補助溝３９の径方向の奥行き寸法は、隣り合う極歯３１１の先端部３１２の間に形成された隙間３８の径方向の奥行き寸法ｄ２と等しいことが好ましい。また、補助溝３９の１つ当たりの開口面積は、隣り合う極歯３１１の先端部３１２の間に形成された隙間３８の開口面積と等しいことが好ましく、さらに、補助溝３９の１つ当たりの内容積は、隣り合う極歯３１１の先端部３１２の間に形成された隙間３８の内容積と等しいことが好ましい。このように構成すると、極歯３１１の先端部３１２同士の隙間３８で発生するコギングトルクと、補助溝３９で発生するコギングトルクとを同等にすることができるので、モータ全体でのコギングトルクを低減できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
また、上記形態においては、隙間３８の幅寸法ｄ１が０．８ｍｍ、奥行き寸法ｄ２が０．５ｍｍであったが、隙間３８の幅寸法ｄ１は、例えば０．４〜１．６ｍｍに設定され、隙間３８の奥行き寸法ｄ２は、例えば０．３〜１．２ｍｍに設定されるので、補助溝３９のサイズについては、隙間３８と開口面積あるいは奥行き寸法が等しくなるように、さらに好ましくは内容積が等しく構成すればよい。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月30日(2008.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像音声のデジタルデータストリームであるＴＳに含まれるＴＳヘッダを解析し、前記ＴＳから映像データ及び音声データを含むＴＳパケットを検出して分離する検出分離部と、
前記検出分離部で分離されたＴＳパケットからＰＳパックを生成するＰＳ変換部と、
前記ＰＳパックに含まれるシステムクロックリファレンスの値を設定するＳＣＲ設定部と
を有するストリーム変換装置において、
前記ＳＣＲ設定部は、前記ＰＳ変換部で生成されるＰＳパックから構成されるＰＳファイルのサイズと前記ＰＳファイルに含まれる映像データのフレーム数とに基づいてシステムクロックリファレンスの値を計算し、前記ＰＳファイルのシステムクロックリファレンスを、前記計算によって取得された前記値に設定することを特徴とするストリーム変換装置。
【請求項２】
前記ＳＣＲ設定部は、ｐ番目（ｐは正の整数）のＰＳファイルのパックヘッダのシステムクロックリファレンスの値をＳＣＲｐとし、ＰＳファイルのフレーム数をＦとし、ＰＳファイルのバイト数をＬとしたとき、下記の式
ＳＣＲＰ＝｛９００９００Ｆ×（２０４８×ｐ＋９）｝／Ｌ
に基づいて前記システムクロックリファレンスを計算することを特徴とする請求項１に記載のストリーム変換装置。
【請求項３】
複数の記憶領域を有するバッファ手段を有し、
前記ＰＳ変換部による前記バッファ手段への書き込みは、前記ＴＳのＴＳペイロードに含まれるＰＥＳヘッダとＰＥＳペイロードを、前記バッファ手段の異なる前記記憶領域のそれぞれに書き込む処理であることを特徴とする請求項１又は２に記載のストリーム変換装置。
【請求項４】
前記ＰＳ変換部は、前記ＴＳパケット内にＰＥＳヘッダが無い場合に、プレゼンテーションタイムスタンプ及びデコードタイムスタンプを含まないＰＥＳヘッダを生成することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のストリーム変換装置。
【請求項５】
前記ＰＳ変換部は、ＰＥＳヘッダを含むＴＳパケットのＰＥＳヘッダをコピーし、このコピーされたＰＥＳヘッダからプレゼンテーションタイムスタンプ及びデコードタイムスタンプを取り除くことにより、プレゼンテーションタイムスタンプ及びデコードタイムスタンプを含まないＰＥＳヘッダを生成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のストリーム変換装置。
【請求項６】
前記ＰＳ変換部が生成するＰＳパックは、映像のＰＳのＰＳパックと音声のＰＳのＰＳパックを同一のＰＳファイルに出力することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のストリーム変換装置。
【請求項７】
複数の記憶領域を有するバッファ手段を有し、
前記ＰＳ変換部は、ＴＳに含まれる番組の数に応じた数の前記記憶領域を用いる
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のストリーム変換装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載のストリーム変換装置と、
前記ストリーム変換装置から出力されるＰＳファイルを格納する記録部と、
前記ストリーム変換装置から出力されるＰＳファイルを前記記録部に格納する動作を制御する制御部と
を有することを特徴とする情報記録装置。
【請求項９】
映像音声のデジタルデータストリームであるＴＳに含まれるＴＳヘッダを解析し、前記ＴＳから映像データ及び音声データを含むＴＳパケットを検出して分離する検出ステップと、
前記検出ステップで分離されたＴＳパケットからＰＳパックを生成するＰＳ変換ステップと、
前記ＰＳパックに含まれるシステムクロックリファレンスの値を設定するＳＣＲ設定ステップと
を有するストリーム変換方法であって、
前記ＳＣＲ設定ステップにおいて、前記ＰＳ変換ステップで生成されるＰＳパックから構成されるＰＳファイルのサイズと前記ＰＳファイルに含まれる映像データのフレーム数とに基づいてシステムクロックリファレンスの値を計算し、前記ＰＳファイルのシステムクロックリファレンスを、前記計算によって取得された前記値に設定することを特徴とするストリーム変換方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月11日(2008.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影指示用の操作子の操作に基づいて撮影する撮影手段と、
この撮影手段のぶれを検出するぶれ検出手段と、
このぶれ検出手段により前記操作子の操作前後の少なくともいずれかのぶれを検出し、１０Ｈｚ近傍に予め定めた振幅以上のぶれが定常的に存在するか否かを判定し、この判定結果に基づいて撮影者の手ぶれ傾向が収束する傾向か否かを特定し、この特定した手ぶれ傾向に従った撮影処理を実行させる撮影制御手段とを備え、
前記撮影制御手段は、撮影者の手ぶれ傾向が収束する傾向であると特定した場合、前記操作子の操作後のぶれ量が前記操作子の操作前のぶれ量程度に至った際に、前記撮影手段による撮影を実行させ、撮影者の手ぶれ傾向が収束しない傾向であると特定した場合、自動或いは手動設定された撮影条件と、ぶれの影響を低減可能な撮影条件とを取得し、取得した撮影条件のうち、ぶれの少ない画像を撮影可能な方の撮影条件で前記撮影手段による撮影を実行させることを特徴とする撮影装置。
【請求項２】
撮影指示用の操作子の操作前後の少なくともいずれかにおける撮影部のぶれを検出し、
１０Ｈｚ近傍に予め定めた振幅以上のぶれが定常的に存在するか否かを判定し、この判定結果に基づいて撮影者の手ぶれ傾向が収束する傾向か否かを特定し、撮影者の手ぶれ傾向が収束する傾向であると特定した場合、前記操作子の操作後のぶれ量が前記操作子の操作前のぶれ量程度に至った際に、前記撮影手段による撮影を実行し、撮影者の手ぶれ傾向が収束しない傾向であると特定した場合、自動或いは手動設定された撮影条件と、ぶれの影響を低減可能な撮影条件とを取得し、取得した撮影条件のうち、ぶれの少ない画像を撮影可能な方の撮影条件で前記撮影手段による撮影を実行することを特徴とする撮影装置の制御方法。
【請求項３】
撮影指示用の操作子の操作に基づいて撮影する撮影部を有するコンピュータを、
前記撮影部のぶれを検出するぶれ検出手段と、
このぶれ検出手段により前記操作子の操作前後の少なくともいずれかのぶれを検出し、１０Ｈｚ近傍に予め定めた振幅以上のぶれが定常的に存在するか否かを判定し、この判定結果に基づいて撮影者の手ぶれ傾向が収束する傾向か否かを特定し、撮影者の手ぶれ傾向が収束する傾向であると特定した場合、前記操作子の操作後のぶれ量が前記操作子の操作前のぶれ量程度に至った際に、前記撮影部による撮影を実行させ、撮影者の手ぶれ傾向が収束しない傾向であると特定した場合、自動或いは手動設定された撮影条件と、ぶれの影響を低減可能な撮影条件とを取得し、取得した撮影条件のうち、ぶれの少ない画像を撮影可能な方の撮影条件で前記撮影部による撮影を実行させる撮影制御手段として機能させるための制御プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮影装置、その制御方法及び制御プログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ぶれの少ない撮影が可能な撮影装置、その制御方及び制御プログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記課題を解決するため、本発明は、撮影装置において、撮影指示用の操作子の操作に基づいて撮影する撮影手段と、この撮影手段のぶれを検出するぶれ検出手段と、このぶれ検出手段により前記操作子の操作前後の少なくともいずれかのぶれを検出し、１０Ｈｚ近傍に予め定めた振幅以上のぶれが定常的に存在するか否かを判定し、この判定結果に基づいて撮影者の手ぶれ傾向が収束する傾向か否かを特定し、この特定した手ぶれ傾向に従った撮影処理を実行させる撮影制御手段とを備え、前記撮影制御手段は、撮影者の手ぶれ傾向が収束する傾向であると特定した場合、前記操作子の操作後のぶれ量が前記操作子の操作前のぶれ量程度に至った際に、前記撮影手段による撮影を実行させ、撮影者の手ぶれ傾向が収束しない傾向であると特定した場合、自動或いは手動設定された撮影条件と、ぶれの影響を低減可能な撮影条件とを取得し、取得した撮影条件のうち、ぶれの少ない画像を撮影可能な方の撮影条件で前記撮影手段による撮影を実行させることを特徴とする。
この発明によれば、手ぶれ傾向を予測する予測演算等を行うことなく、撮影者の手ぶれ傾向を簡易かつ迅速に特定することができ、ぶれを低減した画像を撮影することが可能になる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記発明において、前記撮影制御手段が、１０Ｈｚ近傍に予め定めた振幅以上のぶれが定常的に存在するか否かを判定するので、撮影熟練者特有のぶれが定常的に存在するか否かを判定することができ、撮影者の手ぶれ傾向が撮影熟練者のものか撮影未熟練者のものかを事前に特定することができると共に、撮影者が撮影熟練者であるにも拘わらず、希に「撮影未熟練者特有のぶれ」と同様のぶれが生じたとしても、その発生頻度が低いため、撮影者を撮影未熟練者と誤判定する場合を回避することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、上記発明において、前記撮影制御手段が、撮影者の手ぶれ傾向が収束する傾向か否かを特定し、撮影者の手ぶれ傾向が収束する傾向であると特定した場合、前記操作子の操作後のぶれ量が前記操作子の操作前のぶれ量程度に至った際に、前記撮影手段による撮影を実行させるので、手ぶれ傾向が収束したタイミングですぐに撮影を行うことができ、タイムラグを抑制しつつ、適切な撮影条件でぶれ量が少ない画像を撮影することが可能になる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、上記発明において、前記撮影制御手段が、撮影者の手ぶれ傾向が収束する傾向か否かを特定し、撮影者の手ぶれ傾向が収束しない傾向であると特定した場合、自動或いは手動設定された撮影条件と、ぶれの影響を低減可能な撮影条件とを取得し、取得した撮影条件のうち、ぶれの少ない画像を撮影可能な方（厳しい方）の撮影条件で前記撮影手段による撮影を実行させるので、ぶれを回避可能な撮影条件ですぐに撮影を行うことができ、ぶれの少ない画像をタイムラグなく撮影することが可能になる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明によれば、手ぶれ傾向を予測する予測演算等を行うことなく、撮影者の手ぶれ傾向を簡易かつ迅速に特定することができ、ぶれを低減した画像を撮影することが可能になる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月31日(2008.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも３×１０5Pa（３バール）の圧力で流体を、固形状又はペースト状の形態にある少なくとも一つのケラチン繊維用の保護剤に浸透させることによって得られた組成物を、攻撃的な外部からの影響に対してケラチン繊維を保護するために使用することを含む方法。
【請求項２】
保護剤を、日焼け止め剤、抗酸化剤、抗汚染剤及びフリーラジカル捕捉剤から選択することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
日焼け止め剤を以下から選択することを特徴とする、請求項２に記載の方法：アントラニレート、ケイヒ酸誘導体、ジベンゾイルメタン誘導体、サリチル酸誘導体、カンファー誘導体、トリアジン誘導体、ベンゾフェノン誘導体、β，β−ジフェニルアクリレート誘導体、ベンゾトリアゾール誘導体、ベンザルマロネート誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、イミダゾリン、ビスベンゾアゾリル誘導体、ｐ−アミノ安息香酸誘導体、メチレンビス（ヒドロキシフェニルベンゾトリアゾール）誘導体、ベンゾキサゾール誘導体、遮蔽ポリマー及び遮蔽シリコーン、α−アルキルスチレンから誘導したダイマー、４，４−ジアリールブタジエン、及びこれらの混合物。
【請求項４】
抗汚染剤を以下から選択することを特徴とする、請求項２に記載の方法：ビタミンＣ及びその誘導体、非−着色性フェノール及びポリフェノール、エピガロカテキン及びそれを含む天然抽出物、オリーブの葉の抽出物、茶の抽出物、アントシアニン、ローズマリー抽出物、フェノール酸、スチルベン、硫黄含有アミノ酸誘導体、Ｎ−アセチルシステイン、キレート化剤、カロチノイド、及び非−着色性インドール誘導体。
【請求項５】
フリーラジカル捕捉剤又は抗酸化剤を以下から選択することを特徴とする、請求項２に記載の方法：ビタミンＥ及びその誘導体、フラボノイド、ビオフラボノイド、補酵素Ｑ１０又はユビキノン、カタラーゼ、スーパーオキシドジムスターゼ、ラクトペルオキシダーゼ、グルタチオンペルオキシダーゼ及びキノンレダクターゼ、グルタチオン、ベンジリデンカンファー、ベンジルシクラノン、置換ナフタレノン、ピドレート（pidolates）、フィタントリオール、γ−オリザノール、グアノシン、リグナン、メラトニン、エリソルビン酸、アスコルビン酸及びアスコルビルパルミテートを含むレダクトン及びその誘導体、及び亜硫酸ナトリウム。
【請求項６】
浸透工程が、３×１０5Pa（３バール）〜３０×１０5Pa（３０バール）、好ましくは１０×１０5〜３０×１０5Pa（１０〜３０バール）の圧力下の流体で行われることを特徴とする、先の請求項１ないし５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
流体が液状の水を伴ってもよい水蒸気であることを特徴とする、先の請求項１ないし６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
ケラチン繊維を化粧トリートメントするための化粧組成物の製造方法であって、該方法が少なくとも３×１０5Pa（３バール）の圧力で流体を、固形状又はペースト状の形態にある少なくとも一つの日焼け止め剤に浸透させる工程を含むことを特徴とする、方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法によって得られる組成物。
【請求項１０】
請求項９に記載の組成物をパッケージする装置であって、少なくとも３×１０5Pa（３バール）の圧力下で流体を少なくとも部分的に透過させる少なくとも一つの壁によって区切られている密閉ハウジングを含み、該組成物が固形状又はペースト状の形態にある少なくとも一つの日焼け止め剤を含む、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月16日(2008.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ＲＳ）−１−メチル−２−ニトロ−３−［（３−テトラヒドロフリル）メチル］グアニジン（一般名ジノテフラン）、（Ｅ）−１−（２−クロロ−１,３−チアゾール−５−イルメチル）−３−メチル−２−ニトログアニジン（一般名クロチアニジン）、及び３−（２−クロロチアゾール−５−イルメチル）−５−メチル−１,３,５−オキサジアジナン−４−イリデン−Ｎ−（ニトロ）アミン（一般名チアメトキサム）から選ばれる少なくとも１種類の化合物を含有する組成物を水稲の出穂３０日前から出穂２０日後の期間に該化合物を粒剤、ジャンボ剤、顆粒水和剤、顆粒水溶剤、又はこれらを水溶性フィルムでパックした剤型の形態で、水田の水面に直接施用することを特徴とする、カメムシ類による水稲斑点米の生成を抑制する方法。
【請求項２】
（ＲＳ）−１−メチル−２−ニトロ−３−［（３−テトラヒドロフリル）メチル］グアニジン（一般名ジノテフラン）、（Ｅ）−１−（２−クロロ−１,３−チアゾール−５−イルメチル）−３−メチル−２−ニトログアニジン（一般名クロチアニジン）、及び３−（２−クロロチアゾール−５−イルメチル）−５−メチル−１,３,５−オキサジアジナン−４−イリデン−Ｎ−（ニトロ）アミン（一般名チアメトキサム）から選ばれる少なくとも１種類の化合物を含有する組成物を水稲の出穂３０日前から出穂２０日後の期間に該化合物を粒剤、ジャンボ剤、顆粒水和剤、顆粒水溶剤、又はこれらを水溶性フィルムでパックした固体製剤の形態で、水田の水面に直接施用することを特徴とする、カメムシ類による水稲斑点米の生成を抑制する方法。
【請求項３】
１０アール当たり、化合物を１ｇ以上１００ｇ以下の量を水田の水面に施用することを特徴とする、請求項１又は２記載のカメムシ類による水稲斑点米の生成を抑制する方法。
【請求項４】
１０アール当たり、化合物を１０g以上７０g以下の量を水田の水面に施用することを特徴とする、請求項１又は２記載のカメムシ類による水稲斑点米の生成を抑制する方法。