Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月29日(2008.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
巻線が巻設された胴部を備えたコイルボビンの外周に端子台が形成され、前記端子台の一壁面から一対以上の端子ピンが突出され、前記端子ピンの各々に前記巻線の両端の各一方が絡げられているモータにおいて、
前記端子台の一壁面には該一壁面と直交する前記端子台の他壁面に開放する溝部が形成され、前記巻線の両端は前記他壁面側から前記溝部を経由して前記端子ピンに絡げられていることを特徴とするモータ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
複数本の極歯の周りに巻線が巻設又は嵌合されたステータコアの外周側に端子台が形成され、前記端子台の一壁面から一対以上の端子ピンが突出され、前記端子ピンの各々に前記巻線の両端の各一方が絡げられているモータにおいて、
前記端子台の一壁面には前記端子台の他壁面に開放する溝部が形成され、前記巻線の両端は前記他壁面側から前記溝部を経由して前記端子ピンに絡げられていることを特徴とするモータ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記巻線の両端は前記端子台の内側から絡げられていることを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れかに記載のモータ。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記端子台の他壁面には前記巻線の両端のうちの一方を前記溝部に導くように前記溝部と連続するガイド溝が形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項６の何れかに記載のモータ。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明のモータは、巻線が巻設された胴部を備えたコイルボビンの外周に端子台が形成され、前記端子台の一壁面から一対以上の端子ピンが突出され、前記端子ピンの各々に前記巻線の両端の各一方が絡げられているモータにおいて、前記端子台の一壁面には該一壁面と直交する前記端子台の他壁面に開放する溝部が形成され、前記巻線の両端は前記他壁面側から前記溝部を経由して前記端子ピンに絡げられていることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明のモータは、複数本の極歯の周りに巻線が巻設又は嵌合されたステータコアの外周側に端子台が設けられ、前記端子台の一壁面から一対以上の端子ピンが突出され、前記端子ピンの各々に前記巻線の両端の各一方が絡げられているモータにおいて、前記端子台の一壁面には前記端子台の他壁面に開放する溝部が形成され、前記巻線の両端は前記他壁面側から前記溝部を経由して前記端子ピンに絡げられていることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明のモータは、前記端子台の他壁面には前記巻線の両端のうちの一方を前記溝部に導くように前記溝部と連続するガイド溝が形成されていることが好ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
溝部２３ｃは、端子ピン１４，１５の間、即ち、端子ピン１４，１５の共通のスペースに位置している。また、溝部２３ｃは、端子台２３の一壁面２３ａの奥行き方向（図７の紙面上下方向）の全幅に跨って形成されており、もう一方のコイルボビン１０'に形成された溝部２３ｅと連通している。尚、この実施の形態では端部１１ａ，１１ｂの何れも溝部２３ｃを使用していないが、他のモータ用として使用することができ、モータの種類を問わず部品の共通化を図ることできる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
溝部２３ｅは、端子ピン１５よりも外側に位置しており、
もう一方のコイルボビン１０'に形成された溝部２３ｃと連通している。また、溝部２３ｅには、図１０に示すように、一壁面２３ａと他壁面２３ｂとでなす角部付近に胴部１２側に下降した傾斜した（又は曲面でも良い）した面取り２３ｈが形成されている。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
（本形態２の主な効果）
このように、本発明のモータにあっては、端子台２３の一壁面２３ａに溝部２３ｃ，２３ｄ，２３ｅを設けたことにより、図示を略するフレキシブルプリント配線基板を端子台２３に取り付けた場合であっても、一壁面２３ａと他壁面２３ｂとで形成される角部分に位置する端部１１ａ，１１ｂがフレキシブルプリント配線基板に接触しないため、フレキシブルプリント配線基板からの圧接力による端部１１ａ，１１ｂの切断や損傷を防止することができる。また、フレキシブルプリント配線基板を端子台２３一壁面２３ａから浮かせるための突起等を不要としているために、端子ピン１４，１５の根元から巻線１１の端部１１ａ，１１ｂを絡めることができるので、フレキシブルプリント配線基板を端子ピン１４，１５に取付ける際の圧接力による端部１１ａ、１１ｂの断線や損傷をより効果的に防止することができるとともに、フレキシブルプリント配線基板を端子台２３の一壁面２３ａの近くで端子ピン１４、１５に固定することができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
図１１及び図１２に示すように、この実施の形態における端子台２３には、胴部１２への引き込み側、即ち、巻き始め側の端部１１ｂが端子ピン１５から溝部２３ｅを経由した際、他壁面２３ｂの壁面よりも内側に位置したまま胴部１２へと引き込まれるように、溝部２３ｅと連通して胴部１２の中心側へと延びるガイド溝２３ｉが他壁面２３ｂに形成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月9日(2008.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
永久磁石による界磁を複数個有する第１ロータ及び第２ロータを、回転軸の周囲に配置した永久磁石界磁型の回転電動機の作動を、該第１ロータと該第２ロータとの位相差であるロータ位相差を変更することによる界磁制御を行って制御する電動機の制御装置であって、
直流電源から供給される直流電力を前記電動機の電機子に供給する多相交流電力に変換するインバータ回路と、
前記電動機の各相の電機子の端子間電圧の合成ベクトルの大きさが、前記直流電源の出力電圧以下に設定された所定電圧よりも小さいときに、前記電動機の界磁の磁束が増加する方向に前記ロータ位相差の指令値を決定するロータ位相差指令値決定手段と、
前記ロータ位相差の指令値に応じて、前記ロータ位相差を変更するロータ位相差変更手段とを備えたことを特徴とする電動機の制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、永久磁石界磁型の回転電動機の界磁弱め制御を、回転軸の周囲に配置された二つのロータ間の位相差を変更することによって行う電動機の制御装置に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は上記背景を鑑みてなされたものであり、回転軸の周囲に配置された二つのロータを有する電動機を所定条件で作動させる際に、必要となる通電量を減少させることができる電動機の制御装置を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は上記目的を達成するためになされたものであり、永久磁石による界磁を複数個有する第１ロータ及び第２ロータを、回転軸の周囲に配置した永久磁石界磁型の回転電動機の作動を、該第１ロータと該第２ロータとの位相差であるロータ位相差を変更することによる界磁制御を行って制御する電動機の制御装置に関する。なお、前記界磁制御には、前記電動機の界磁の磁束を減少させる界磁弱め制御と、前記電動機の界磁の磁束を増大させる界磁強め制御とが含まれる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図２（ｂ）において、ステータ１０に固定された第２プラネタリキャリアＣ２の速度はゼロである。そのため、第２リングギアＲ２及び内側ロータ１１は、例えば逆転方向（Ｖr＜０）に回動するサンギアＳに対して、第２リングギアＲ２に対するサンギアＳのギア比ｇ２に応じた速度で正転方向（Ｖr＞０）に回転することになる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
また、通電制御部５０は、ｄ軸電流の指令値Ｉd_cに補正値ΔＩd_volを加算する加算器５１、該補正値ΔＩd_volが加算されたｄ軸電流の指令値Ｉd_caとｄ軸電流の検出値Ｉd_sとの偏差ΔＩdを算出する減算器５２、該偏差ΔＩdを生じさせるためのｄ軸偏差電圧ΔＶdを算出するｄ軸電流制御部５３、ｄ軸電流の指令値Ｉd_cとｑ軸電流の指令値Ｉq_cとに基づいて、ｄ軸とｑ軸間で干渉し合う速度起電力の影響を打ち消すための成分（非干渉成分）を算出する非干渉制御部５６、ｄ軸偏差電圧ΔＶdから非干渉制御部５６により算出された非干渉成分を減じる減算器５４、ｑ軸電流の指令値Ｉq_cと検出値Ｉq_sとの偏差ΔＩqを算出する減算器５５、該偏差ΔＩqを生じさせるためのｑ軸偏差電圧ΔＶqを算出するｑ軸電流制御部５７、及びｑ軸偏差電圧ΔＶqに非干渉成分を加える加算器５８を備えている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月9日(2008.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
永久磁石による界磁を複数個有する第１ロータ及び第２ロータを、回転軸の周囲に配置した永久磁石界磁型の回転電動機の作動を、該第１ロータと該第２ロータとの位相差であるロータ位相差を変更することによる界磁制御を行って制御する電動機の制御装置であって、
前記第１ロータの位置を検出するロータ位置検出手段と、
前記第１ロータの位置に基づいて、前記電動機を界磁の磁束方向であるｄ軸と該ｄ軸と直交するｑ軸からなる２相直流の回転座標系による等価回路に変換し、ｄ軸側の電機子の通電量とｑ軸側の電機子の通電量を制御することで、前記電動機の通電制御を行う通電制御手段と、
所定の界磁弱めの効果を得るために必要なｄ軸側の電機子の通電量である界磁弱め電流指令値を決定する界磁弱め電流指令値決定手段と、
前記界磁弱め電流指令値に応じて、前記ロータ位相差の指令値を決定するロータ位相差指令値決定手段と、
前記ロータ位相差の指令値に応じて、前記ロータ位相差を変更するロータ位相差変更手段とを備えたことを特徴とする電動機の制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、永久磁石界磁型の回転電動機の界磁弱め制御を、回転軸の周囲に配置された二つのロータ間の位相差を変更することによって行う電動機の制御装置に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
従来より、永久磁石界磁型の回転電動機の回転軸の周囲に同心円状に設けた第１ロータ及び第２ロータを備え、回転速度に応じて第１ロータと第２ロータの位相差を変更することで、界磁弱め制御を行うようにした電動機が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
図１２に示したように、界磁弱めが必要となる領域Ｙは電動機の回転数Ｎと出力トルクＴrにより決定されるため、従来の回転数のみによる界磁弱め制御では、界磁弱めの制御量が過大又は過小となるという不都合がある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は上記背景を鑑みてなされたものであり、簡易な構成により、電動機の回転数に依らずに、回転軸の周囲に配置された二つのロータ間の位相差を変更して界磁弱め制御を行うことができる電動機の制御装置を提供することを目的とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は上記目的を達成するためになされたものであり、永久磁石による界磁を複数個有する第１ロータ及び第２ロータを、回転軸の周囲に配置した永久磁石界磁型の回転電動機の作動を、該第１ロータと該第２ロータとの位相差であるロータ位相差を変更することによる界磁制御を行って制御する電動機の制御装置に関する。なお、前記界磁制御には、前記電動機の界磁の磁束を減少させる界磁弱め制御と、前記電動機の界磁の磁束を増大させる界磁強め制御とが含まれる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図２（ｂ）において、ステータ１０に固定された第２プラネタリキャリアＣ２の速度はゼロである。そのため、第２リングギアＲ２及び内側ロータ１１は、例えば逆転方向（Ｖr＜０）に回動するサンギアＳに対して、第２リングギアＲ２に対するサンギアＳのギア比ｇ２に応じた速度で正転方向（Ｖr＞０）に回転することになる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
また、通電制御部５０は、ｄ軸電流の指令値Ｉd_cと検出値Ｉd_sとの偏差ΔＩdを算出する減算器５２、該偏差ΔＩdを生じさせるためのｄ軸偏差電圧ΔＶdを算出するｄ軸電流制御部５３、ｄ軸電流の指令値Ｉd_cとｑ軸電流の指令値Ｉq_cとに基づいて、ｄ軸とｑ軸間で干渉し合う速度起電力の影響を打ち消すための成分（非干渉成分）を算出する非干渉制御部５６、ｄ軸偏差電圧ΔＶdから非干渉制御部５６により算出された非干渉成分を減じる減算器５４、ｑ軸電流の指令値Ｉq_cと検出値Ｉq_sとの偏差ΔＩqを算出する減算器５５、該偏差ΔＩqを生じさせるためのｑ軸偏差電圧ΔＶqを算出するｑ軸電流制御部５７、及びｑ軸偏差電圧ΔＶqに非干渉成分を加える加算器５８を備えている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
このように、ロータ位相差θdの設定が変更されたときに、それに応じてｄ軸電流の指令値Ｉd_cとｑ軸電流の指令値Ｉq_cを決定することで、界磁の状態に応じた適切なＩd_cとＩq_qを決定することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月1日(2008.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
半導体基板に複数の受光部を行列状に形成する工程と、
前記半導体基板の上に第１のプリズム形成膜を形成した後、形成した第１のプリズム形成膜をパターニングして、前記複数の受光部のうち行方向に１行おきに且つ列方向に１列おきに形成された受光部の上に、傾斜面を有する第１のプリズム形状をそれぞれ形成する工程と、
前記各第１のプリズム形状の傾斜面に第１の誘電体膜を形成することにより、光の３原色のうちの第１の色の光のみを透過する下部色分離素子を形成する工程と
前記半導体基板の上に前記下部色分離素子を覆う層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜の上に第２のプリズム形成膜を形成した後、形成した第２のプリズム形成膜をパターニングして、前記各受光部の上に傾斜面を有する第２のプリズム形状をそれぞれ形成する工程と、
前記複数の第２のプリズム形状のうち、前記下部色分離素子の上で且つ奇数行及び偶数行の一方に形成された第２のプリズム形状の傾斜面に第２の誘電体膜を形成することにより、光の３原色のうちの第１の色の光及び第２の色の光を透過し且つ第３の色の光を列方向に隣接する第２のプリズム形状に入射する方向に反射する第１の上部色分離素子を形成する工程と、
前記複数の第２のプリズム形状のうち、前記下部色分離素子の上で且つ奇数行及び偶数行の他方に形成された第２のプリズム形状の傾斜面に第３の誘電体膜を形成することにより、光の３原色の第１の色の光及び第３の色の光を透過し且つ第２の色の光を列方向に隣接する第２のプリズム形状入射する方向に反射する第２の上部色分離素子を形成する工程と、
前記複数の第２のプリズム形状のうち、前記下部色分離素子の上に形成された第２のプリズム形状以外の第２のプリズム形状の傾斜面に第４の誘電体膜を形成することにより、前記第１の上部色分離素子又は前記第２の上部色分離素子において反射された光を前記基板と交差する方向に反射するミラー素子を形成する工程とを備えていることを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月14日(2008.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
システム制御部12は、カメラ全体の動作を制御するコントローラである。システム制御部12には、中央演算装置(CPU)が含まれている。システム制御部12は、撮影モードスイッチ130からの入力信号によりどのモードが選択されたかの判断を行う。また、システム制御部12は、上述したようにキースイッチ130からの選択情報により、画像信号に対する処理等の制御を行う。このように供給された情報に基づいてシステム制御部12は、この判断結果を基に駆動信号生成部の動作を制御する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2007259237.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月1日(2008.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及び無線チップ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体基板の一部を用いて形成された電界効果トランジスタと、
前記電界効果トランジスタの上方に設けられた記憶回路とを有し、
前記記憶回路は、第１の導電層と、有機化合物層と、第２の導電層とが順に積層された記憶素子を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
単結晶半導体基板の一部を用いて形成された電界効果トランジスタと、
前記電界効果トランジスタの上方に設けられた記憶回路と、
アンテナとして機能する導電層とを有し、
前記記憶回路は、第１の導電層と、有機化合物層と、第２の導電層とが順に積層された記憶素子を有し、
前記アンテナとして機能する導電層と前記第１の導電層とが同じ層上に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
単結晶半導体基板の一部を用いて形成された電界効果トランジスタと、
前記電界効果トランジスタの上方に設けられた記憶回路と、
前記記憶回路の上方に設けられたアンテナとして機能する導電層とを有し、
前記記憶回路は、第１の導電層と、有機化合物層と、第２の導電層とが順に積層された記憶素子を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
単結晶半導体基板の一部を用いて形成された電界効果トランジスタと、
前記電界効果トランジスタの上方に設けられた記憶回路とを有し、
前記記憶回路は、前記電界効果トランジスタと電気的に接続された第１の導電層と、前記第１の導電層の端部を覆うように設けられた絶縁層と、前記第１の導電層および前記絶縁層上に設けられた有機化合物層と、前記有機化合物層上に設けられた第２の導電層とを有する記憶素子を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
単結晶半導体基板の一部を用いて形成された第１の電界効果トランジスタ及び第２の電界効果トランジスタと、
前記第１の電界効果トランジスタ及び前記第２の電界効果トランジスタの上方に設けられた記憶回路と、
アンテナとして機能する導電層とを有し、
前記記憶回路は、前記第１の電界効果トランジスタと電気的に接続された第１の導電層と、前記第１の導電層の端部を覆うように設けられた絶縁層と、前記第１の導電層および前記絶縁層上に設けられた有機化合物層と、前記有機化合物層上に設けられた第２の導電層とを有する記憶素子を有し、
前記アンテナとして機能する導電層は、前記第２の電界効果トランジスタと電気的に接続され、
前記アンテナとして機能する導電層と前記第１の導電層とが同じ層に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
単結晶半導体基板の一部を用いて形成された第１の電界効果トランジスタ及び第２の電界効果トランジスタと、
前記第１の電界効果トランジスタ及び前記第２の電界効果トランジスタの上方に設けられた記憶回路と、
前記記憶回路の上方に設けられたアンテナとして機能する導電層とを有し、
前記記憶回路は、前記第１の電界効果トランジスタと電気的に接続された第１の導電層と、前記第１の導電層の端部を覆うように設けられた絶縁層と、前記第１の導電層および前記絶縁層上に設けられた有機化合物層と、前記有機化合物層上に設けられた第２の導電層とを有する記憶素子を有し、
前記アンテナとして機能する導電層は、前記第２の電界効果トランジスタと電気的に接続するように貼り合わされて設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記アンテナとして機能する導電層と前記第２の電界効果トランジスタとの電気的な接続は、導電性粒子を介して行われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記第１の導電層または前記第２の導電層のうち少なくとも一方は、透光性を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記記憶素子は、電圧を加える書き込み処理により不可逆的に抵抗が変化することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記記憶素子は、電圧を加える書き込み処理により前記第１の導電層と前記第２の導電層間の距離が変化することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、
前記有機化合物層は、電子輸送材料またはホール輸送材料を用いて形成された層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１０のいずれか一において、
前記有機化合物層は、酸を発生する化合物がドープされた共役高分子材料を用いて形成された層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記酸を発生する化合物は、アリールスルホニウム塩、アリールヨードニウム塩、ｏ−ニトロベンジルトシレート、アリールスルホン酸、ｐ−ニトロベンジルエステル、スルホニルアセトフェノン類、またはＦｅ−アレン錯体ＰＦ６塩であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１０のいずれか一において、
前記有機化合物層は、光の照射前後で電気抵抗が変化する材料を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記有機化合物層は、前記光の照射前後で導電性が変化することを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか一に記載の半導体装置と、電源回路、クロック発生回路、データ復調／変調回路、及びインターフェイス回路から選択された１つまたは複数とを有することを特徴とする無線チップ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月30日(2008.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザの繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上のレーザ発振器から射出した基本波であるレーザビームを有し、
前記レーザビームは、パルス幅が１フェムト秒〜１０ピコ秒で発振され、
前記レーザビームの尖頭出力の範囲は、１ＧＷ／ｃｍ２以上１ＴＷ／ｃｍ２以下にされており、
前記レーザビームをシリコンを主成分とする半導体膜の表面にて線状ビームに加工する工程と、
前記線状ビームに対して前記半導体膜の表面を相対的に移動しながら照射して、前記半導体膜の結晶化を行う工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
レーザの繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上のレーザ発振器から射出した基本波であるレーザビームを有し、
前記レーザビームは、パルス幅が１フェムト秒〜１０ピコ秒で発振され、
前記レーザビームの尖頭出力の範囲は、１ＧＷ／ｃｍ２以上１ＴＷ／ｃｍ２以下にされており、
シリコンを主成分とする半導体膜に不純物領域を形成する工程と、
前記レーザビームを前記半導体膜の表面にて線状ビームに加工する工程と、
前記線状ビームに対して前記半導体膜の表面を相対的に移動しながら照射して、前記半導体膜に形成された不純物領域の活性化を行う工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
レーザの繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上のレーザ発振器から射出した基本波であるレーザビームを有し、
前記レーザビームは、パルス幅が１フェムト秒〜１０ピコ秒で発振され、
前記レーザビームの尖頭出力の範囲は、１ＧＷ／ｃｍ２以上１ＴＷ／ｃｍ２以下にされており、
ガラス基板上に導電層を形成する工程と、
前記導電層を覆う絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上にシリコンを主成分とする半導体膜を形成する工程と、
前記レーザビームを前記半導体膜の表面にて線状ビームに加工する工程と、
前記線状ビームに対して前記半導体膜の表面を相対的に移動しながら照射する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記半導体膜は、２５ｎｍ以上１００ｎｍ以下の膜厚を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記照射により前記半導体膜が多光子吸収を起こすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記基本波は、赤から近赤外の光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記基本波であるレーザビームは、Ｓａｐｐｈｉｒｅ、ＹＡＧ、セラミックスＹＡＧ、セラミックスＹ２Ｏ３、ＫＧＷ、ＫＹＷ、Ｍｇ２ＳｉＯ４、ＹＬＦ、ＹＶＯ４、またはＧｄＶＯ４の結晶に、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒのドーパントをいずれか１つまたは複数添加したレーザから選ばれる１種のレーザ発振器から射出されるレーザビームであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月12日(2007.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のトランジスタと、
第１配線と、
第２配線と、
デコーダと、
前記第１配線への充電を行うプリチャージ回路とを有し、
前記トランジスタのドレインは前記第１配線へ接続し、
前記トランジスタのソースは、前記第２配線ヘコンタクト穴を介して接続するものと、接続しないものがあり、
デコーダにより選択された前記トランジスタのソースが第２配線へ接続するものである場合には、前記第１配線へ充電された電荷が、選択されオン状態となった前記トランジスタを介し、前記前記第２配線へ抜け、
前記コンタクト穴またはスルーホールは、電子ビームにより描画された部分に形成されることを特微とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記コンタクト穴は、前記トランジスタのソースと前記第２配線との間を接続することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の半導体装置において、
前記トランジスタおよび前記コンタクト穴は、マトリクス状に配置されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１から３の何れかに記載の半導体装置において、
前記トランジスタのソースと前記第２配線との間の接続・非接続により、認識番号を記憶することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置において、
送信回路を有し、
前記送信回路は、前記認識番号を送信することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
複数のトランジスタと、
第１配線と、
第２配線と、
デコーダと、
前記第１配線への充電を行うプリチャージ回路とを有し、
前記トランジスタのドレインは前記第１配線へ接続し、
前記トランジスタのソースは、前記第２配線ヘスルーホールを介して接続するものと、接続しないものがあり、
前記デコーダにより選択されたトランジスタのソースが接続するものである場合には、前記第１配線へ充電された電荷が前記第２配線へ抜け、
前記スルーホールは、電子ビームにより描画された部分に形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置において、
前記スルーホールは、前記トランジスタのソースと前記第２配線との間を接続することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項６又は７記載の半導体装置において、
前記トランジスタおよび前記スルーホールは、マトリクス状に配置されることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項６から８の何れかに記載の半導体装置において、
前記トランジスタのソースと前記第２配線との間の接続・非接続により、認識番号を記憶することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置において、
送信回路を有し、
前記送信回路は、前記認識番号を送信することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月10日(2008.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層上に複数の電界効果トランジスタと、
前記複数の電界効果トランジスタ上に複数の記憶素子と、を有し、
前記複数の電界効果トランジスタはそれぞれ、単結晶半導体層を有し、
前記複数の記憶素子はそれぞれ、一対の導電層と、前記一対の導電層の間の有機化合物層とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁層と、
前記絶縁層上に複数の電界効果トランジスタと、
前記複数の電界効果トランジスタ上に複数の記憶素子と、を有し、
前記複数の電界効果トランジスタはそれぞれ、単結晶半導体層を有し、
前記複数の記憶素子はそれぞれ、一対の導電層と、前記一対の導電層の間の有機化合物層とを有し、
前記複数の記憶素子のそれぞれが含む前記一対の導電層の一方は、前記複数の電界効果トランジスタから選択された１つの前記電界効果トランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
絶縁層と、
前記絶縁層上に複数の電界効果トランジスタと、
前記複数の電界効果トランジスタ上に複数の記憶素子とアンテナとして機能する導電層と、を有し、
前記複数の電界効果トランジスタはそれぞれ、単結晶半導体層を有し、
前記複数の記憶素子はそれぞれ、一対の導電層と、前記一対の導電層の間の有機化合物層とを有し、
前記一対の導電層の一方と、前記アンテナとして機能する導電層は、同じ層に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
絶縁層と、
前記絶縁層上に複数の電界効果トランジスタと、
前記複数の電界効果トランジスタ上に複数の記憶素子とアンテナとして機能する導電層と、を有し、
前記複数の電界効果トランジスタはそれぞれ、単結晶半導体層を有し、
前記複数の記憶素子はそれぞれ、一対の導電層と、前記一対の導電層の間の有機化合物層とを有し、
前記複数の記憶素子のそれぞれが含む前記一対の導電層の一方は、前記複数の電界効果トランジスタから選択された１つの前記電界効果トランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記一対の導電層の一方と、前記アンテナとして機能する導電層は、同じ層に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
絶縁層と、
前記絶縁層上に複数の電界効果トランジスタと、
前記複数の電界効果トランジスタ上に複数の記憶素子と、
前記複数の記憶素子上にアンテナとして機能する導電層が設けられた基板と、を有し、
前記複数の電界効果トランジスタはそれぞれ、単結晶半導体層を有し、
前記複数の記憶素子はそれぞれ、一対の導電層と、前記一対の導電層の間の有機化合物層とを有し、
前記アンテナとして機能する導電層は、前記複数の電界効果トランジスタから選択された一つの前記電界効果トランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
絶縁層と、
前記絶縁層上に複数の電界効果トランジスタと、
前記複数の電界効果トランジスタ上に複数の記憶素子と、
前記複数の記憶素子上にアンテナとして機能する導電層が設けられた基板と、を有し、
前記複数の電界効果トランジスタはそれぞれ、単結晶半導体層を有し、
前記複数の記憶素子はそれぞれ、一対の導電層と、前記一対の導電層の間の有機化合物層とを有し、
前記複数の記憶素子のそれぞれが含む前記一対の導電層の一方は、前記複数の電界効果トランジスタから選択された１つの電界効果トランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記アンテナとして機能する導電層は、前記複数の電界効果トランジスタから選択された一つの前記電界効果トランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１、請求項３、または請求項５のいずれか一項において、
前記複数の記憶素子のそれぞれが含む一対の導電層のうちの一方は、互いに電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記絶縁層は、酸化珪素層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記複数の記憶素子はそれぞれ、光学的作用により導電性が変化する素子であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記複数の記憶素子はそれぞれ、光学的作用により抵抗値が変化する素子であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記複数の記憶素子はそれぞれ、電気的作用により抵抗値が変化する素子であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記複数の記憶素子はそれぞれ、電気的作用により前記一対の導電層の距離が変化する素子であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記有機化合物層は、キャリア輸送性材料、光酸発生剤がドーピングされた共役高分子材料、電子輸送材料、またはホール輸送材料を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記有機化合物層の厚さは、５ｎｍ〜６０ｎｍであることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月3日(2008.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に形成された少なくとも２個のトランジスタと、
前記少なくとも２個のトランジスタのうち、選択されたトランジスタの動作によって前記選択されたトランジスタと隣接するトランジスタのしきい電圧上昇を防止するための電荷捕獲用構造物と、を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記電荷捕獲用構造物は、
前記選択されたトランジスタと隣接トランジスタとの間に具備される素子分離膜と、
前記素子分離膜上に具備された電荷捕獲用パターンと、を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記電荷捕獲用パターンは、前記トランジスタのゲートと同じ物質で形成されることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記電荷捕獲用パターンと接続して前記捕獲された電荷をドレインさせるための電圧を印加する配線ラインを更に含むことを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項５】
基板上にアクセストランジスタ及び前記アクセストランジスタと離隔されて前記アクセストランジスタのゲートに電圧を印加するためのコントロールゲート電極用ウェルが具備される単位セルと、
前記単位セルのうち、選択されたセルのプログラミング動作によって隣接するセルのアクセストランジスタのしきい電圧上昇を防止するための電荷捕獲用構造物と、を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
前記各単位セルにおけるアクセストランジスタのゲート電極は、前記コントロールゲート電極用ウェルの上部まで延長されたことを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
前記電荷捕獲用構造物は、
前記隣接する単位セル間に位置して素子分離膜によって画定されるアクティブ領域と、
前記アクティブ領域の基板に不純物がドーピングされた形態を有する電荷捕獲用ウェルと、で構成されることを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項８】
前記電荷捕獲用ウェルと接続して前記捕獲された電荷をドレインさせるために動作電圧又はグラウンド電圧を印加する第１配線ラインを更に含むことを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
前記電荷捕獲用ウェルは、前記各単位セルを取り囲む形状を有することを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記電荷捕獲用構造物は、
前記隣接する単位セル間に位置して素子分離膜によって画定されるアクティブ領域と、
前記アクティブ領域の基板に不純物がドーピングされた形態を有する電荷捕獲用ウェルと、
前記素子分離膜上に具備された電荷捕獲用パターンと、を含むことを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記電荷捕獲用ウェルと接続して前記捕獲された電荷をドレインさせるために動作電圧又はグラウンド電圧を印加する第１配線ラインを更に含むことを特徴とする請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記電荷捕獲用パターンは、前記アクセストランジスタのゲートと同じ物質で形成されることを特徴とする請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記電荷捕獲用パターンと接続して前記捕獲された電荷をドレインさせるための電圧を印加する第２配線ラインを更に含むことを特徴とする請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記電荷捕獲用構造物は、
前記隣接する単位セル間に具備される素子分離膜と、
前記素子分離膜上に具備された電荷捕獲用パターンと、を含むことを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記電荷捕獲用パターンは、前記アクセストランジスタのゲートと同じ物質で形成されることを特徴とする請求項１４記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記電荷捕獲用パターンと接続して前記捕獲された電荷をドレインさせるための電圧を印加する配線ラインを更に含むことを特徴とする請求項１４記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月4日(2008.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の導電層の間に設けられた有機化合物層を有するメモリ素子を有し、
前記一対の導電層の間に電圧を印加することで、前記一対の導電層の間の距離が変化して電気抵抗が不可逆的に変化することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
一対の導電層の間に設けられた有機化合物層を有するメモリ素子を有し、
前記有機化合物層は、光を照射することで電気抵抗が不可逆的に変化することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
一対の導電層の間に設けられた有機化合物層を有するメモリ素子を有し、
前記有機化合物層には、光酸発生剤が含まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
ビット線と、ワード線と、メモリ素子とを有し、
前記メモリ素子は、前記ビット線を構成する第１の導電層と、有機化合物層と、前記ワード線を構成する第２の導電層との積層構造を有し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に電圧を印加することで、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間の電気抵抗が不可逆的に変化することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
ビット線と、ワード線と、メモリ素子とを有し、
前記メモリ素子は、前記ビット線を構成する第１の導電層と、有機化合物層と、前記ワード線を構成する第２の導電層との積層構造を有し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に電圧を印加することで、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間の距離が変化して電気抵抗が不可逆的に変化することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
ビット線と、ワード線と、メモリ素子とを有し、
前記メモリ素子は、前記ビット線を構成する第１の導電層と、有機化合物層と、前記ワード線を構成する第２の導電層との積層構造を有し、
前記有機化合物層は、光を照射することで電気抵抗が不可逆的に変化することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
ビット線と、ワード線と、メモリ素子とを有し、
前記メモリ素子は、前記ビット線を構成する第１の導電層と、有機化合物層と、前記ワード線を構成する第２の導電層との積層構造を有し、
前記有機化合物層には、光酸発生剤が含まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
ビット線と、ワード線と、メモリ素子と、トランジスタとを有し、
前記メモリ素子は、第１の導電層と、有機化合物層と、第２の導電層との積層構造を有し、
前記トランジスタのゲートは、前記ワード線に電気的に接続されており、
前記トランジスタのソース又はドレインの一方は、前記ビット線に電気的に接続されており、
前記トランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の導電層に電気的に接続されており、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に電圧を印加することで、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間の距離が変化して電気抵抗が不可逆的に変化することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
ビット線と、ワード線と、メモリ素子と、トランジスタとを有し、
前記メモリ素子は、第１の導電層と、有機化合物層と、第２の導電層との積層構造を有し、
前記トランジスタのゲートは、前記ワード線に電気的に接続されており、
前記トランジスタのソース又はドレインの一方は、前記ビット線に電気的に接続されており、
前記トランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の導電層に電気的に接続されており、
前記有機化合物層は、光を照射することで電気抵抗が不可逆的に変化することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
ビット線と、ワード線と、メモリ素子と、トランジスタとを有し、
前記メモリ素子は、第１の導電層と、有機化合物層と、第２の導電層との積層構造を有し、
前記トランジスタのゲートは、前記ワード線に電気的に接続されており、
前記トランジスタのソース又はドレインの一方は、前記ビット線に電気的に接続されており、
前記トランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の導電層に電気的に接続されており、
前記有機化合物層には、光酸発生剤が含まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
アンテナとして機能する導電層を有し、
前記アンテナとして機能する導電層は、前記ワード線又は前記ビット線と同一の層に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月21日(2007.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスク記録媒体の動画再生を行う際に、動画と同一時刻に撮影された静止画が存在する場合には、画面の一部に所定時間、当該静止画を表示することを特徴とする画像音声蓄積装置。
【請求項２】
前記ディスク記録媒体の動画再生を行う際に、動画と同一時刻で、且つ、同一場所で撮影された静止画が存在する場合には、画面の一部に所定時間、当該静止画を表示することを特徴とする請求項１に記載の画像音声蓄積装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上記目的を達成するため、ディスク記録媒体の動画再生を行う際に、動画と同一時刻に撮影された静止画が存在する場合には、画面の一部に所定時間、当該静止画を表示することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月16日(2007.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線制御局であって、
各無線接続のデータ内容に基づいて定められるアクセスカテゴリと、集中制御方式及び／又は分散制御方式で接続可能かを示す各無線接続の接続方式情報と、を管理する管理手段と、
予め定められた優先度より優先順位の低い所定のアクセスカテゴリの無線接続数を判定する判定手段と、
前記判定手段による判定と、前記管理手段による管理に基づいて、無線端末局の無線接続を、集中制御方式から分散制御方式に、もしくは、分散制御方式から集中制御方式に変更する変更手段と、
を有することを特徴とする無線制御局。
【請求項２】
前記変更手段は、前記所定のアクセスカテゴリの無線接続数が第１の閾値以下になった時に、集中制御方式で接続している無線端末局のうち、分散制御方式で接続可能な無線端末局の無線接続を分散制御方式に変更することを特徴とする請求項１に記載の無線制御局。
【請求項３】
前記変更手段は、前記所定のアクセスカテゴリの無線接続数が第２の閾値以上になった時に、分散制御方式で接続している無線端末局のうち、集中制御方式で接続可能な無線端末局の無線接続を集中制御方式に変更することを特徴とする請求項１又は２に記載の無線制御局。
【請求項４】
前記管理手段は、前記無線接続に必要とされるデータレートを表すデータレート情報を管理し、
更に前記管理手段は、前記アクセスカテゴリと、前記接続方式情報と、前記データレート情報と、に基づいて、前記無線接続の優先順位を決定して管理し、
前記変更手段は、前記優先順位に従って、前記無線接続の接続方式を変更することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の無線制御局。
【請求項５】
前記無線接続により通信したデータの衝突を検出する衝突検出手段と、
前記衝突検出手段により検出された衝突の回数を計数する計数手段と、を有し、
前記計数手段による計数結果が予め定めた閾値より大きいときには、前記第１の閾値を小さくし、前記計数手段による計数結果が予め定めた閾値より小さいときには、前記第１の閾値を大きくすることを特徴とする請求項２に記載の無線制御局。
【請求項６】
前記無線接続により通信したデータの衝突を検出する衝突検出手段と、
前記衝突検出手段により検出された衝突の回数を計数する計数手段と、を有し、
前記計数手段による計数結果が予め定めた閾値より大きいときには、前記第２の閾値を小さくし、前記計数手段による計数結果が予め定めた閾値より小さいときには、前記第２の閾値を大きくすることを特徴とする請求項３に記載の無線制御局。
【請求項７】
前記判定手段による前記所定のアクセスカテゴリの無線接続数の判定を、周期的に繰り返すことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の無線制御局。
【請求項８】
前記判定手段による前記所定のアクセスカテゴリの無線接続数の判定を、無線接続数の変化に応じて実行することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の無線制御局。
【請求項９】
無線制御方法であって、
各無線接続のデータ内容に基づいて定められるアクセスカテゴリと、集中制御方式及び／又は分散制御方式で接続可能かを示す各無線接続の接続方式情報と、を管理する管理工程と、
予め定められた優先度より低い優先度である所定のアクセスカテゴリの無線接続数を判定する判定工程と、
前記判定工程における判定と、前記管理工程における管理に基づいて、無線端末局の無線接続を、集中制御方式から分散制御方式に、もしくは、分散制御方式から集中制御方式に変更する変更手段と、
を有することを特徴とする無線制御方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の無線制御方法を行う各工程をコンピュータに実行させることを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項１１】
請求項１から８のいずれか１項に記載の無線制御局を有することを特徴とする無線通信システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明は前述の問題点にかんがみ、無線制御局と無線端末局との接続方向にかかわらずに分散制御方式と集中制御方式とを変更できるようにすることを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の無線制御局は、無線制御局であって、各無線接続のデータ内容に基づいて定められるアクセスカテゴリと、集中制御方式及び／又は分散制御方式で接続可能かを示す各無線接続の接続方式情報と、を管理する管理手段と、予め定められた優先度より優先順位の低い所定のアクセスカテゴリの無線接続数を判定する判定手段と、前記判定手段による判定と、前記管理手段による管理に基づいて、無線端末局の無線接続を、集中制御方式から分散制御方式に、もしくは、分散制御方式から集中制御方式に変更する変更手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の無線制御方法は、無線制御方法であって、各無線接続のデータ内容に基づいて定められるアクセスカテゴリと、集中制御方式及び／又は分散制御方式で接続可能かを示す各無線接続の接続方式情報と、を管理する管理工程と、予め定められた優先度より低い優先度である所定のアクセスカテゴリの無線接続数を判定する判定工程と、前記判定工程における判定と、前記管理工程における管理に基づいて、無線端末局の無線接続を、集中制御方式から分散制御方式に、もしくは、分散制御方式から集中制御方式に変更する変更手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明のコンピュータプログラムは、前記に記載の無線制御方法を行う各工程をコンピュータに実行させることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】