(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第一の電極が並列に配置され且つ該第一の電極間に隔壁が配置された第一面を有する第一の基板と、該第一の電極と交差するように配置された複数の第二の電極が並列に配置された第二面を有する第二の基板とが、該第二の電極が該第一の電極と夫々交差するように該第二面を該第一面に向き合わせて貼り合わせ成るガス放電型表示装置の製造方法であって、
前記第一基板の前記第一面に誘電体層を成膜する誘電体層成膜工程、
前記誘電体層上に前記第一の電極のパターンを形成する電極パターン形成工程、及び
前記誘電体層を軟化させて前記第一の電極の上面にぬれ広がらせ、該第一の電極を該誘電体層内に沈み込ませる誘電体層軟化工程をこの順に行い、
前記誘電体層軟化工程により、前記第一の電極を前記第一基板の前記第一面から該誘電体層で隔てながら、前記第一の電極の前記上面を該誘電体層で薄く覆うことを特徴とするガス放電型表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記誘電体層成膜工程において、前記誘電体層としてガラス層を前記第一基板の前記第一面に成膜した後、該成膜されたガラス層を焼成することを特徴とする請求項１記載のガス放電型表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記第一の電極のパターンをＡｇ，Ｎｉ，Ｃｕ，及びＡｌのいずれかの金属で形成し、且つ前記誘電体層を該金属からなる該第一の電極の焼成温度よりも低い軟化点温度を有する材料で形成することにより、
前記誘電体層軟化工程において、前記第一の電極の焼成により前記誘電体層を軟化させて該第一の電極を該誘電体層内に沈み込ませることを特徴とする請求項１または２記載のガス放電型表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記電極パターン形成工程において、前記第一の電極のパターンをＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ、Ｃｒ／Ａｌ／Ｃｒ、Ｃｒ／Ｃｕ、及びＣｒ／Ａｌのいずれかの積層構造で形成し、
前記誘電体層軟化工程において、加温により前記誘電体層を軟化させることを特徴とする請求項１または２記載のガス放電型表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記誘電体層軟化工程の後に前記誘電体層上に前記隔壁を形成する工程と、該隔壁を焼成する工程とをこの順に行い、
前記誘電体層を前記隔壁の焼成温度以上の軟化点温度を有する材料で形成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のガス放電型表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記第一の電極の上面を覆う前記誘電体層は、１μｍ以下の厚さであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のガス放電型表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ガス放電型表示装置に係り、特に３電極面放電構造のＡＣ型ガス放電型表示装置の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
プラズマディスプレイなどのガス放電型表示装置は自己発光により表示を行うため、視野角が広く、表示が見やすい。また、薄型のものが作製できることや大画面を実現できるなどの特徴を持っており、情報端末機器の表示装置や高品位テレビジョン受像機への応用が始まっている。プラズマディスプレイは直流駆動型と交流駆動型に大別される。このうち交流駆動型のプラズマディスプレイは、電極を覆っている誘電体層のメモリー作用によって輝度が高く、保護層の形成などにより実用に耐える寿命が得られるようになった。この結果、プラズマディスプレイは多用途のビデオ・モニタとして実用化されている。
【０００３】
図４は実用化されたプラズマディスプレイパネルの構造を示す斜視図である。この図では、見易くするため、前面基板１００を背面基板２００と放電空間領域３００より離して図示した。
【０００４】
前面基板１００は、前面ガラス基板４００上にITO(Indium Tin Oxide)や酸化スズ(SnO2)などの透明電極材料からなる表示電極６００と低抵抗材料からなるバス電極７００、透明な絶縁材料からなる誘電体層８００、酸化マグネシウム(MgO)などの材料からなる保護層９００が形成された構造となっている。
【０００５】
背面基板２００は、背面ガラス基板５００上にアドレス電極１０００と隔壁１１００、蛍光体層１２００が形成された構造となっている。
【０００６】
そして、前面基板１００と背面基板２００を表示電極６００とアドレス電極１０００がほぼ直交するように張り合わせることにより、放電空間領域３００が前面基板１００と背面基板２００の間に形成されている。
【０００７】
このガス放電型表示装置では、前面基板１００に設けた１対の表示電極６００の間に交流電圧を印加し、背面基板２００に設けたアドレス電極１０００と表示電極６００の間に電圧を印加することによってアドレス放電を発生させ、所定の放電セルに主放電を発生させる。この主放電で発生する紫外線により各々の放電セルに塗り分けられた赤、緑及び青の蛍光体１２００を発光させ、表示を行っている。
【０００８】
このようなガス放電型表示装置の従来例は、たとえば、フラットパネルディスプレイ１９９６（日経マイクロデバイス編、１９９５年）の第２０８頁から２１５頁に記載されている。
【０００９】
なお、隔壁１１００は、隔壁材を所定の高さまで印刷、焼成した後、サンドブラストなどを用いて所望の形状に形成するため、図５に示すようにアドレス電極１０００上に誘電体層１３００（図示せず）を形成するのが一般的である。すなわち、この誘電体層１３００によりサンドブラスト時のアドレス電極１０００の保護をするのが一般的である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、この誘電体層１３００を形成すると、アドレス電極１０００と表示電極６００との間の放電現象の中で、リセットしきれないアンバランスな電荷がアドレス電極１０００上の誘電体層１３００表面に蓄積しやすくなり、その後の放電現象においてラッチアップや偶発的な異常放電を引き起こすといった問題が生ずる。このラッチアップや偶発的な異常放電は、放電セル空間が比較的大きい場合は起こりにくいが、駆動条件や各構成要件の寸法を適正化したとしても完全に防止することは極めて困難であり、特に、２５インチのＸＧＡやＳＸＧＡなどの高精細パネルではセル空間が狭いので、この現象は大きな問題となる。
【００１１】
このため、特開平１０−６４４３４号公報では、誘電体層１３００内に１０μｍ以下の微粒の金属やその酸化物をごく微量均一に入れて蓄積電荷を逃がすように構成している。
【００１２】
ところが、この金属微粒子は粒径を揃えかつ微細にしたものを誘電体層１３００内に分散させることが難しい。例えば、金属粒子をあまり微細にしすぎると、それぞれの金属粒子が凝集して巨大粒子となり、隣接するアドレス電極１０００間をショートする原因となる。また、金属の種類によっては、大気中でも燃焼してしまうほど反応性が高いため、不活性雰囲気で管理する必要があり、コスト増となってしまう。
【００１３】
また、前述の蓄積電荷を逃がすだけならば、誘電体層１３００をスパッタ法や蒸着法などにより成膜して誘電体層１３００を薄く形成すればよいが、ガラス基板５００に対するアドレス電極１０００の段差があるために、薄くすればするほどアドレス電極１０００に対する誘電体層１３００のカバレジ性が悪くなり、誘電体層により覆われない部分が存在してしまう。
【００１４】
本発明の目的は、アドレス電極上の誘電体層を蓄積電荷を逃がす程度の薄さとし、かつ少なくとも表示領域に配置されるアドレス電極の全表面を誘電体層で覆うようにしたガス放電型表示装置を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、複数の第一の電極と該第一の電極間に配置された隔壁とを有する第一の基板と、 該第一の電極と交差するように配置された複数の第二の電極を有する第二の基板とを備えたガス放電型表示装置であって、該第一の電極を沈み込ませて誘電体層内に配置したものである。
【００１６】
このように第一の電極を誘電体層内に沈み込ませて形成することで、ガラス基板に対する第一の電極の段差の影響を受けにくくなり第一の電極に対する誘電体層のカバレジ性を向上させることができる。また、第一の電極を誘電体層内に沈み込ませて形成すれば、アドレス電極上の誘電体層を蓄積電荷を逃がす程度の薄さに形成しやすいので、アドレス電極の放電面を蓄積電荷を逃がす程度の薄さとし、かつ少なくとも表示領域に配置される電極全体を誘電体層で覆うことができる。
【００１７】
また、第一の電極の表面を誘電体層により被覆することにより、サンドブラスト時のダメージを抑制できかつ蓄積電荷を逃がすことができるので、断線や異常放電を抑制したガス放電型表示装置を提供することが可能となる。また、従来のように誘電体層内に金属粉を混入させて蓄積電荷を逃がすことはないので、隣接する電極間のショート等の問題もない。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【００１９】
図１は、本発明を適用したガス放電型表示装置の断面図である。
【００２０】
図において、１は背面ガラス基板、２はアドレス電極、３は隔壁、４は蛍光体層、５はＭｇＯ等の保護層、６は誘電体層（前面）、７は低抵抗化のためのＡｇやＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒなどの不透明電極であるバス電極、８はＩＴＯなどの表示電極、９は前面ガラス基板、１０は誘電体層（背面）である。なお、バス電極７と表示電極８とで構成する電極はほぼ並列に複数個配置されており（図示せず）、隣接する２本の電極（Ｘ電極、Ｙ電極）を対とし、かつそれらと交差するアドレス電極２とで１つの放電セルを形成する。この放電セルは縦横方向に複数個配置されており、マトリクス状に配置されている。
【００２１】
ところで、本実施の形態では、図から分かるように、アドレス電極２が誘電体層（背面）１０内に配置されており、アドレス電極２の表面を誘電体層１０により薄くコートされたような状態となっている。
【００２２】
隔壁３を形成するときのサンドブラストのダメージを抑制し、かつ誘電体層10表面に蓄積する蓄積電荷をアドレス電極２へ逃がすようにするために、このアドレス電極２の表面を覆う誘電体層１０の厚さは１０ナ以上、１μｍ以下としている。
【００２３】
これによって、隔壁を形成するときのサンドブラストのダメージを抑制してアドレス電極の断線を抑制することができる。また、誘電体層１０表面に蓄積する蓄積電荷はアドレス電極２へリークしやすくなるので、余分な蓄積電荷が原因で生ずる異常放電を抑制することもできる。
【００２４】
次に、図７は隔壁３を形成する前のアドレス電極２の有する外部接続端子と誘電体層３との関係を示している。なお外部接続端子とは、外部回路との接続部分である。
【００２５】
図から分かるように、誘電体層１０は、表示領域だけでなく外部接続端子を覆うような範囲にまで形成する。従って、外部接続端子を含むアドレス電極２の全ての表面が誘電体層１０により覆われることとなり、アドレス電極２における酸化反応が抑制され信頼性が向上する。また、この場合の外部回路との接続は、図８に示すように導電粒子２１と熱可塑性樹脂２２とからなる導電性シート２３などを用いて接続すればよい。すなわち、アドレス電極２の外部接続端子表面を覆った誘電体層１０を導電性シート２３に含まれる導電粒子により破るようにして外部回路２０の端子との電気的接続をとればよい。
【００２６】
以下、ガラス層(誘電体層１０)、電極パターン、隔壁材料等の形成を印刷方法を用いた製造プロセスで説明しているが、各材料をコーターで塗布、またはドライフィルムをラミネータで貼着する方法を用いて形成し、その後、必要があればフォトリソ法を用いて各パターンを形成する製造プロセスでも良い。
【００２７】
次に図６は図１に示す構造の製造プロセスを示す。なお、図６は、アドレス電極を薄膜電極と厚膜電極との両方で形成した場合をそれぞれ示している。また、誘電体層上に隔壁を形成するまでを示している。
【００２８】
まず誘電体層（背面）１０として、例えば軟化点が６００℃以下のガラス層を印刷、焼成して形成する（ステップ１）。次に、その焼成したガラス層（誘電体層１０）の上にアドレス電極２としてＡｇ電極を所望の電極パターンに印刷して形成する（ステップ２）。
【００２９】
次に、その印刷形成したＡｇ電極（アドレス電極２）を焼成することで（ステップ３）、同時に下地ガラス層（誘電体層１０）にＡｇ電極（アドレス電極２）を沈み込ませる（ステップ４）。このように下地ガラス層（誘電体層１０）にＡｇ電極（アドレス電極２）が沈み込む理由は、印刷形成したＡｇ電極（アドレス電極２）の電極表面や内部は一般的に粗な状態であり、その粗な部分に軟化した下地ガラス層（誘電体層１０）が吸収されることで実現したものと考えられる。従って、アドレス電極はＡｇに限らず、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌなどであっても同様の構造にすることも可能である。
【００３０】
Ａｇ電極（アドレス電極２）表面を十分に下地ガラス層（誘電体層１０）により覆い、下地ガラス層（誘電体層１０）内に電極形成が終了すると（ステップ５）、次に隔壁材料を所定の高さに印刷し（ステップ６）、焼成した後（ステップ７）、サンドブラストなどにより所望の形状に加工する（ステップ８）。この際、 Ａｇ電極（アドレス電極２）表面はガラス層（誘電体層１０）により覆われているので、サンドブラストにより Ａｇ電極が受けるダメージを抑制することができる。
【００３１】
なお、このプロセスでは、下地ガラス層（誘電体層１０）にＡｇ電極（アドレス電極２）を沈み込ませるために、その焼成温度はガラス層（誘電体層１０）の軟化点温度よりも高い温度とし、下地ガラス層（誘電体層１０）が軟化した状態となるようにしている。従って、誘電体層１０は、アドレス電極を構成する金属の焼成開始温度以上であって焼成完了温度以下の軟化点温度の範囲である必要がある。また、この誘電体層１０上に形成する隔壁３も焼成して形成するので、隔壁３の焼成時に軟化しないような隔壁３の焼成温度以上の軟化点を有する誘電体層１０である必要がある。
【００３２】
次にアドレス電極２をＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ、Ｃｒ／Ａｌ／Ｃｒ、Ｃｒ／Ｃｕ、Ｃｒ／Ａｌなどの薄膜電極で形成した場合は以下の通りであり、まず誘電体層（背面）１０として、例えば軟化点が６００℃以下のガラス層を印刷、焼成して形成し（ステップ１）、その焼成したガラス層（誘電体層１０）の上にアドレス電極２となる材料としてＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒを積層するように順に成膜する（ステップ９）。次に、所望の電極パターンを形成するためのマスク等を形成し、そのマスクを用いたエッチングにより所望の電極パターンを形成する（ステップ１０）。
【００３３】
次に、形成したＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ電極の表面や内部は前述の厚膜電極に比べて粗な状態ではないが、所望の薄膜電極を形成した後に加温することで（ステップ１１）、軟化した誘電体層１０が電極表面をぬれ広がっていき（ステップ１２）、結果としてアドレス電極２の表面に薄い誘電体層１０が形成され、図に示すような構造となる（ステップ１３）。以後、隔壁材料を所定の高さに印刷し（ステップ１４）、焼成した後（ステップ１５）、サンドブラストなどにより所望の形状に加工する（ステップ１６）。この際も、 Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ電極（アドレス電極２）表面はガラス層（誘電体層１０）により覆われているので、サンドブラストにより Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ電極が受けるダメージを抑制することができる。
【００３４】
その他、 Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ電極パターンを形成した後（ステップ１０）、隔壁材料を所定の高さに印刷し（ステップ１７）、焼成することで（ステップ１８）、軟化した誘電体層１０により電極表面をぬれ広がらせても良い（ステップ１９）。アドレス電極２の表面に薄い誘電体層１０が形成されたら（ステップ２０）、サンドブラストなどにより所望の形状に加工する（ステップ２１）。この際も、 Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ電極（アドレス電極２）表面はガラス層（誘電体層１０）により覆われているので、サンドブラストにより Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ電極が受けるダメージを抑制することができる。
【００３５】
なお、アドレス電極２を薄膜電極とする場合、下地ガラス層（誘電体層１０）は、１００ｎｍ以下の平坦度と、アドレス電極２を酸化させないうちに表面にぬれ広がるだけの低い軟化点のガラス材であり、さらに隔壁３の焼成時にアドレス電極２と反応しないガラス材であることが望ましい。
【００３６】
次に、図９は、図６で示した製造プロセス以外の製造プロセスである。図６と同様にアドレス電極を薄膜電極と厚膜電極との両方で形成した場合を示し、誘電体層上に隔壁を形成するまでを示す。
【００３７】
初めにアドレス電極２を厚膜電極とした場合の製造プロセスについて説明する。
【００３８】
まず、誘電体層（背面）１０として、例えば軟化点が６００℃以下のガラス層を印刷、焼成して形成する（ステップ１０１）。
【００３９】
次に、その焼成したガラス層（誘電体層１０）の上にアドレス電極２としてＡｇ電極を所望の電極パターンに印刷して形成する（ステップ１０２）。
【００４０】
次に、その印刷形成したＡｇ電極（アドレス電極２）を焼成する（ステップ１０３）。
【００４１】
これと同時に下地ガラス層（誘電体層１０）にＡｇ電極（アドレス電極２）を沈み込ませる（ステップ１０４）。
【００４２】
このように下地ガラス層（誘電体層１０）にＡｇ電極（アドレス電極２）が沈み込む理由は、印刷形成したＡｇ電極（アドレス電極２）の電極表面や内部は一般的に粗な状態であり、その粗な部分に軟化した下地ガラス層（誘電体層１０）が吸収されることで実現したものと考えられる。従って、アドレス電極はＡｇに限らず、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌなどであっても同様の構造にすることも可能である。
【００４３】
Ａｇ電極（アドレス電極２）の電極表面を十分に下地ガラス層（誘電体層１０）により覆い、下地ガラス層（誘電体層１０）内に電極形成が終了する（ステップ１０５）。
【００４４】
次に隔壁材料を所定の高さに印刷する（ステップ１０６）。
【００４５】
そして乾燥させる（ステップ１０７）。
【００４６】
サンドブラストなどにより所望の形状に加工する（ステップ１０８）。
【００４７】
この際、 Ａｇ電極（アドレス電極２）の電極表面はガラス層（誘電体層１０）により覆われているので、サンドブラストにより Ａｇ電極が受けるダメージを抑制することができる。
【００４８】
この後、焼成する（ステップ１０９）。
【００４９】
このプロセスでは、下地ガラス層（誘電体層１０）にＡｇ電極（アドレス電極２）を沈み込ませるために、Ａｇ電極の焼成温度はガラス層（誘電体層１０）の軟化点温度よりも高い温度とし、下地ガラス層（誘電体層１０）が軟化した状態となるようにしている。従って、誘電体層１０の軟化点温度の範囲は、アドレス電極を構成する金属の焼成開始温度以上であって焼成完了温度以下である必要がある。
【００５０】
また、この誘電体層１０上に形成する隔壁３も焼成して形成するので、隔壁３の焼成時に軟化しないような隔壁３の焼成温度以上の軟化点を有する誘電体層１０である必要がある。
【００５１】
次にアドレス電極２を薄膜電極とした場合の製造プロセスについて説明する。
【００５２】
アドレス電極２をＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ、Ｃｒ／Ａｌ／Ｃｒ、Ｃｒ／Ｃｕ、Ｃｒ／Ａｌなどの薄膜電極で形成した場合は以下の通りである。
【００５３】
まず、誘電体層（背面）１０として、例えば軟化点が６００℃以下のガラス層を印刷、焼成して形成する（ステップ１０１）。
【００５４】
その焼成したガラス層（誘電体層１０）の上にアドレス電極２としてＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒを積層するように順次成膜する（ステップ１１０）。
【００５５】
次に、所望の電極パターンを形成するためのマスク等を形成し、そのマスクを用いたエッチングにより所望の電極パターンを形成する（ステップ１１０）。
【００５６】
次に、形成したＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ電極の表面や内部は前述の厚膜電極に比べて粗な状態ではないが、所望の薄膜電極を形成した後に加温する（ステップ１１２）。
【００５７】
これにより軟化した誘電体層１０が電極表面をぬれ広がっていき、電極が誘電体層１０内に沈み込んだ形になっていく（ステップ１１３）。
【００５８】
結果としてアドレス電極２の表面に薄い誘電体層１０が形成され、図１に示すような構造となる。つまり、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ電極の電極表面を十分に下地ガラス層（誘電体層１０）により覆い、下地ガラス層（誘電体層１０）内に電極形成が終了する（ステップ１１４）。
【００５９】
次に隔壁材料を所定の高さに印刷する（ステップ１１５）。
【００６０】
そして乾燥させる（ステップ１１６）。
【００６１】
サンドブラストなどにより所望の形状に加工する（ステップ１１７）。
【００６２】
この際、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ電極（アドレス電極２）の電極表面はガラス層（誘電体層１０）により覆われているので、サンドブラストにより電極が受けるダメージを抑制することができる。
【００６３】
この後、焼成する（ステップ１１８）。
【００６４】
このプロセスでは、下地ガラス層（誘電体層１０）にCr/Cu/Cr電極（アドレス電極２）を沈む込ませるために、加える温度はガラス層（誘電体層１０）の軟化点温度よりも高い温度とし、下地ガラス層（誘電体層１０）が軟化した状態となるようにしている。
【００６５】
また、この誘電体層１０上に形成する隔壁３も焼成して形成するので、隔壁３の焼成時に軟化しないような隔壁３の焼成温度以上の軟化点を有する誘電体層１０である必要がある。
【００６６】
その他、下地ガラス層（誘電体層１０）にCr/Cu/Cr電極（アドレス電極２）を形成する（ステップ１１１）。
【００６７】
次に隔壁材料を所定の高さに印刷する（ステップ１１７）。
【００６８】
そして乾燥させる（ステップ１１８）。
【００６９】
サンドブラストなどにより所望の形状に加工する（ステップ１１９）。
【００７０】
この際、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ電極（アドレス電極２）の電極表面はガラス層（誘電体層１０）により覆われていないので、サンドブラストにより電極がダメージを受けないうちにサンドブラストを終了する。
【００７１】
この後、焼成する（ステップ１２０）。
【００７２】
このステップ１２０の隔壁の焼成により軟化した誘電体層１０が電極表面をぬれ広がっていき、電極が誘電体層１０内に沈み込んだ形になってゆく（ステップ１２１）。
【００７３】
結果としてアドレス電極２の表面に薄い誘電体層１０が形成され、図１に示すような構造となる。つまり、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ電極の電極表面を十分に下地ガラス層（誘電体層１０）により覆い、下地ガラス層（誘電体層１０）内に電極形成が終了する（ステップ１２２）。
【００７４】
なお、アドレス電極２を薄膜電極とする場合、下地ガラス層（誘電体層１０）は、１００ｎｍ以下の平坦度と、アドレス電極2を酸化させないうちに表面にぬれ広がるだけの低い軟化点のガラス材であり、さらに隔壁３の焼成時にアドレス電極２と反応しないガラス材であることが望ましい。
【００７５】
以上説明したプロセスであれば、アドレス電極２が薄膜電極、厚膜電極のいずれの場合であっても、アドレス電極２の表面を誘電体層１０により薄くコートしたような状態を作り込むことができ、ガラス基板１に対するアドレス電極２による段差の有無によらずアドレス電極２に対する誘電体層10のカバレジ性を向上させることができる。従って、アドレス電極２の表面全てを覆うこととなるので、アドレス電極２の酸化を抑制でき、信頼性が向上する。
【００７６】
次に、従来のガラス基板上に厚膜Ａｇ電極を形成した場合と、ガラス基板上に形成した誘電体層上に厚膜Ａｇ電極を形成した場合との相違をＳＥＭ写真により比較する。
【００７７】
図２は下地ガラス層（誘電体層１０）がない場合に感光性Ａｇペーストをフォトリソグラフィーでパターン形成し、５９０℃以上で焼成した厚膜Ａｇ焼結体（アドレス電極２）の表面を観察したＳＥＭ像を示す。ここでは、焼結金属特有の結晶粒皆界がみられる。また、この電極は、背面ガラス基板１との密着性も悪くすぐ剥離するうえ、隔壁３をサンドブラストにより形成するときもダメージを受け易く剥離断線を起こしやすかった。
図３は軟化点５９０℃未満の下地ガラス層（誘電体層１０）を印刷焼成して形成したのち同上の厚膜Ａｇ電極（アドレス電極２）を同上の方法でパターン形成し５９０℃以上で焼成した場合の表面を観察したＳＥＭ像を示す。厚膜Ａｇ電極（アドレス電極２）の焼成温度が５９０℃以上に対して下地ガラス層（誘電体層１０）の軟化点が５９０℃未満なので、厚膜Ａｇ電極（アドレス電極２）の焼成時に下地ガラス層（誘電体層１０）は軟化する。従って、アドレス電極２上には薄いガラス層（誘電体層１０）が観察され、また下層内にもガラス層（誘電体層１）が完全に沈み込んでいることが観察された。特に厚膜Ａｇ電極（アドレス電極２）表面と誘電体層１０との界面では厚膜Ａｇ電極（アドレス電極２）に含まれる金属イオンとの反応によるコロイド状態となっており、これにより誘電体層１０表面に蓄積される蓄積電荷はアドレス電極２へリークされ易い構造となっている。但し、そのコロイド状態はアドレス電極表面近傍に限られ、隣接するアドレス電極間には存在しなかったので、隣接するアドレス電極間のショートは確認されなかった。また、この図３の状態に隔壁をサンドブラストで形成してアドレス電極２表面はガラスコートされているのでアドレス電極２にはダメージはなかった。
【００７８】
以上説明したように電極パターン形成後の焼成等により、下地ガラス層に電極がわずかに沈み込み、もしくは電極表面にうすいガラス層がぬれ広がり形成されるので、アドレス電極がガラス層で完全に覆われる。これによってアドレス保護層なしでもアドレス電極のサンドブラストからの保護ができ、薄いガラス被膜が大きな容量のコンデンサの役目も果たすことでアドレス電圧も低く駆動でき、アドレス電極へトンネル効果により蓄積された余剰電荷も適度に流れるのでラッチアップや偶発的異常放電も防止できる。
【００７９】
また、８５％ＲＨの高湿度下で長時間ヒートランを行った場合、従来の電極構造では２００ｈ程度でマイグレーションによるショートが発生したのに対し、図１に示す構造では１０００ｈｒ以上でもマイグレーションは起こらず、マイグレーション寿命が大幅に向上することも確認された。すなわち、アドレス電極としてＡｇ焼結体を用いた場合でも電極がガラスで完全に覆われてしまうので今まで厚膜Ａｇ電極等の課題であったマイグレーション寿命が劇的に長くなり信頼性が大幅に向上した低コストな背面板を供給することができる。なお、このことは、薄膜のＣｒ／Ｃｕ／ＣｒやＣｒ／Ａｌ／Ｃｒなどの配線系でも下地誘電体を適切に選べば同様の効果があることも確認された。
【００８０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ガス放電型表示装置においてアドレス電極上の誘電体層を蓄積電荷を逃がす程度の薄さとし、かつ少なくとも表示領域に配置される電極全体を誘電体層で覆うことが可能となる。従って、ガス放電型表示装置においてサンドブラスト時のダメージと、ラッチアップや異常放電の発生とを抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態であるＡＣ型ガス放電型表示装置の断面図
【図２】下地ガラスがない場合の厚膜Ａｇ焼結体のＳＥＭ写真
【図３】下地ガラスがある場合の厚膜Ａｇ焼結体のＳＥＭ写真
【図４】従来のＡＣ型ガス放電型表示装置の斜視図
【図５】従来のＡＣ型ガス放電型表示装置の断面図
【図６】本発明の実施の形態であるＡＣ型ガス放電型表示装置の製造プロセスを示すフローチャート
【図７】本発明の実施の形態であるＡＣ型ガス放電型表示装置の外部接続端子周辺の構成を示した図
【図８】本発明の実施の形態であるＡＣ型ガス放電型表示装置の外部接続端子の接続を示した図
【図９】本発明の実施の形態であるＡＣ型ガス放電型表示装置の別の製造プロセスを示すフローチャート
【符号の説明】
１…ガラス基板（背面）、２…アドレス電極、３…隔壁、４…蛍光体、５…保護層（ＭｇＯ）、６…誘電体層（前面）、７…バス電極、８…表示電極（透明電極）、９…ガラス基板（前面）、１０…誘電体層（背面）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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