【手続補正書】
【提出日】平成20年7月17日(2008.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電導率型の半導体材料の回路基板と、
該基板に形成される、隔置された絶縁区域であって、実質的に互いに平行に第１方向に延びる、隣接絶縁区域の各対間に能動区域を有する絶縁区域とから成る電気的にプログラムされ得ると共に消去可能な一連のメモリ装置であって、
該能動区域の各々が第１方向に延びる複数のメモリセルを含み、該メモリセルの各々が、
第２電導率型の回路基板で形成される、隔置された第１及び第２ターミナルであって、その間の該基板に形成されるチャンネル区域を有する第１及び第２ターミナルと、
前記基板の上方に配置される第１絶縁層であって、前記チャンネル区域上部を含む第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上方に配置される、前記チャンネル区域の一部及び該第２ターミナルの一部分の上方に延びる電導浮動ゲートと、
該浮動ゲートの上方に隣接して配置される第２絶縁層であって、それを通過する電荷のファウラーノルドハイムのポテンシャル突き抜けを可能にする厚さを有する第２絶縁層と、
第１及び第２部分を有する電導制御ゲートであって、該第１部分が実質的に平坦な側壁部分を有すると共に該浮動ゲートから絶縁されてそれに隣接して配置されかつ該第２部分が該実質的に平坦な側壁部分に連結されると共に該浮動ゲートから絶縁されてその上方に配置される、実質的にスペーサである電導制御ゲートとを含む、プログラム・消去可能メモリ装置。
【請求項２】 該制御ゲートの各々が、実質的に該第１方向に垂直な第２方向で隣接絶縁区域を横切って延びると共に隣接能動区域の制御ゲートと電気的に結合される、請求項１の装置。
【請求項３】 該制御ゲートの各々につき該第１部分の形状が実質的に長方形である、請求項１の装置。
【請求項４】 該制御ゲートは、該第１部分及び第２部分間の連結部分でノッチを形成する、請求項１の装置。
【請求項５】 半導体回路基板に一連の半導体メモリの浮動ゲートメモリセルを形成する自己調整方法において、各メモリセルが浮動ゲート、第１ターミナル及び第２ターミナルであってその間にチャンネル区域を有する第１ターミナル及び第２ターミナルと、制御ゲートとを有する自己調整方法であって、
ａ） 実質的に互いに平行で第１方向に延びる該基板に複数の隔置された絶縁区域を形成し、隣接絶縁区域の各対間に能動区域を有し、該能動区域がそれぞれ該半導体基板上の第１層の絶縁材料と、第１層の絶縁材料上の第１層の電導材料とを含むようにされ、
ｂ） 実質的に互いに平行でかつ実質的に該第１方向に垂直な第２方向に延びる該能動区域及び分離区域を横切って隔置される複数の第１溝を形成し、該第１溝の各々が該能動区域の各々の該電導材料の第１層を露出するようにされ、
ｃ） 電導材料の該第１層の上方でそれに隣接して配置される該能動区域の各々に絶縁材料の第２層を形成し、
ｄ） 各々が実質的に平坦な側壁部分を有する第２電導材料のブロックを形成するために該第１溝の各々を該第２電導材料で満たし、該能動区域の各々につき該ブロックの各々が該絶縁材料の該第２層に隣接すると共に該基板から絶縁されるようにされ、
ｅ） 該第２方向に沿った実質的に平坦な側壁部分の各々に密接しかつそれに連続する電導材料の側壁スペーサを形成し、各能動区域につき各スペーサが絶縁材料の該第２層及び電導材料の該第１層上に配置されるようにされ、
ｆ） 該基板に複数の第１ターミナルを形成し、該能動区域の各々において該第１ターミナルの各々が該ブロックの１つに隣接するようにされ、
ｇ） 該基板に複数の第２ターミナルを形成し、該能動区域の各々において該第２ターミナルの各々が該第１ターミナルから隔置されると共に電導材料の該第１層の下方になるようにされることから成る浮動ゲートメモリセル形成自己調整方法。
【請求項６】 絶縁材料の第２層形成が各能動区域の電導材料の該第１層の頂部及び側部を酸化することを含む、請求項５の方法。
【請求項７】 前記方法は、
ｈ） 実質的に互いに平行に第２方向に延びる該能動区域及び絶縁区域を横切って複数の隔置された第２溝を形成し、該第２溝の各々が選ばれた該ブロックの対間に形成されると共に該第２ターミナルを露出するために電導材料の該第１層及び絶縁材料の該第１層を通して延びるようにされ、
ｉ） 該第２溝側壁に沿って絶縁材料の第３層を形成し、
ｊ） 絶縁材料の該第３層によって該第１電導層から絶縁される電導材料で該第２溝の各々を満たすことをさらに含む、請求項５の方法。
【請求項８】 絶縁材料の該第３層の形成は、該第２溝に面する電導材料の該第１層の端部分を酸化することを含む、請求項７の方法。
【請求項９】 絶縁材料の該第３層の形成は、該第２溝の各々の側壁に沿って一対の絶縁材料の内部側壁スペーサを形成することを含む、請求項７の方法。
【請求項１０】 絶縁材料の該第３層の形成が、該第２溝に面する電導材料の該第１層の端部を酸化し、該第２溝の各側壁に沿って絶縁材料の内部側壁スペーサの対を形成することを含む、請求項７の方法。
【請求項１１】 該ブロックの各々及びそれと連続して形成される対応するスペーサは、該ブロック及びスペーサ間の結合部にノッチを有する制御ゲートを形成する、請求項５の方法。
【請求項１２】 第２電導材料の該ブロックの各々に金属被覆された珪素の層を形成する、請求項５の方法。
【請求項１３】 該第１溝の形成は、
電導材料の該第１層上に少なくとも１つの材料層を形成し、
該第１溝の頂部を形成するために該少なくとも１つの材料層を通して選択的にエッチングし、
該第１溝の各側壁に一対の側壁スペーサを形成し、
該第１溝の底部を形成するために電導材料の該第１層を通して該第１溝の各々の該側壁スペーサの各対間をエッチングすることを含み、
該第１溝の該底部が、該第１溝の該頂部分より小さい幅を持つようにされる、請求項５の方法。
【請求項１４】 絶縁材料の該第２層の少なくとも一部が、該第１溝の全側壁に沿って一層の絶縁材料を形成することによって形成される、請求項５の方法。
【請求項１５】 絶縁材料の該第２層の少なくとも一部が、電導材料の該第１層の上面に一層の絶縁材料を形成することによって形成される、請求項５の方法。
【請求項１６】 前記方法において、
該第１溝の形成は、該能動区域及び絶縁区域を横切る該第１溝の選択された対間に中間溝を形成することを含み、該中間溝が実質的に互いに平行でかつ該第２方向に伸び、
該第１溝を満たすことは、該中間溝に該第２電導材料のブロックを形成するために該第２電導材料で該中間溝を満たすことを含む、請求項５の方法。
【請求項１７】 第２電導材料の該ブロックの各々に一層の金属被覆された珪素を形成することをさらに含む、請求項１６の方法。
【請求項１８】 前記方法は、
ｈ） 実質的に互いに平行でかつ該第２方向に延びる該能動区域及び絶縁区域を横切って隔置される複数の第２溝を形成し、該中間溝の該第２電導材料を除去すると共に該第２ターミナルを露出するために電導材料の該第１層及び絶縁材料の該第１層を通して該中間溝を延ばすことによって該第２溝が形成されるようにされ、
ｉ） 該第２溝の側壁に沿って絶縁材料の第３層を形成し、
ｊ） 絶縁材料の該第３層によって該第１電導層から絶縁される電導材料で該第２溝の各々を満たすことをさらに含む、請求項１６の方法。
【請求項１９】 前記方法は、
電導材料の該ブロックの各側壁に沿って絶縁材料の第２側壁スペーサを形成し、
該第２側壁スペーサの一つに密接する該第１ターミナルの各々に金属被覆された珪素の層を形成し、金属被覆された珪素の該層の各々が該第２側壁スペーサの該１つに自己調整されるようにされることをさらに含む、請求項５の方法。
【請求項２０】 前記方法は、
第２電導材料の該ブロックの各々に金属被覆された珪素の層を形成し、該第１溝の側壁は、該第１溝の各々につき第２電導材料の該ブロックの縁に対して該金属被覆された珪素の縁を調整するようにさせることをさらに含む、請求項５の方法。
【請求項２１】 前記方法は、
金属被覆された珪素の該層の上に絶縁材料の第３層を形成し、該第１溝の側壁は、該第１溝の各々につき第２電導材料の該ブロックの縁に対して絶縁材料の該第３縁を調整するようにさせることをさらに含む、請求項５の方法。
【請求項２２】 前記方法は、
金属被覆された珪素の該層の各々の上にそれに対して自己調整される該第２側壁スペーサに直面する電導材料を形成することをさらに含む、請求項１９の方法。
【請求項２３】 該第２側壁スペーサの各々の該形成は、該第２側壁スペーサ及び電導材料の該ブロックの該側壁間に絶縁材料の層を形成することをさらに含む、請求項１９の方法。
【請求項２４】 前記方法は、
電導材料の該ブロックの各々の側壁に沿って絶縁材料の第２側壁スペーサを形成し、該第２側壁スペーサの対が互いに隣接して隔置されるが、該第１ターミナルの１つが実質的にその間に来るようにされ、
該１つの第１ターミナルに対応する一対の該第２側壁スペーサ間で該第１ターミナルの各１つに金属被覆された珪素層を形成し、金属被覆された珪素の該層が第２側壁スペーサの該相当する対によって該１つの第１ターミナルに自己調整されるようにされ、
該能動区域をおおって不動態化材料層を形成し、
該不動態化材料を通して接触開口を形成し、該接触開口の各々につき該接触開口は、該金属被覆された珪素層１つまで下方に延びかつそれを露出し、
該接触開口は、第２側壁スペーサの該対応する対によって境界づけられたより低い部分を有し、
該接触開口は、第２側壁スペーサの該対応する対間の空間より広い上方部分を有し、
該接触開口の各々を電導材料で満たすことをさらに含む、請求項５の方法。
【請求項２５】 該第１溝の各々及び該第２電導材料の該ブロックの各々が実質的に長方形である、請求項５の方法。
【請求項２６】 半導体回路基板に一連の半導体メモリの浮動ゲートメモリセルを形成する自己調整方法において、各メモリセルが浮動ゲート、第１ターミナル及び第２ターミナルであってその間にチャンネル区域を有する第１ターミナル及び第２ターミナルと、制御ゲートとを有する自己調整方法であって、
ａ） 実質的に互いに平行で第１方向に延びる該基板に複数の隔置された絶縁区域を形成し、隣接絶縁区域の各対間に能動区域を設けるようにさせ、
ｂ） 実質的に互いに平行でかつ実質的に該第１方向に垂直な第２方向に延びる該能動区域及び絶縁区域を横切って隔置される複数の第１溝を形成し、該第１溝に隣接すると共に絶縁材料の第１層をおおって配置される該能動区域の各々に電導材料の第１層を形成し、
ｃ） 電導材料の該第１層の上方でそれに隣接して配置される該能動区域の各々に絶縁材料の第２層を形成し、
ｄ） 各々が実質的に平坦な側壁部分を有する第２電導材料のブロックを形成するために該第１溝の各々を該第２電導材料で満たし、該能動区域の各々につき該ブロックの各々が該絶縁材料の該第２層に隣接すると共に該基板から絶縁されるようにされ、ｅ） 該第２方向に沿った実質的に平坦な側壁部分の各々に密接しかつそれに連続する電導材料の側壁スペーサを形成し、各能動区域につき各スペーサが絶縁材料の該第２層及び絶縁材料の該第１層の上方に配置されるようにされ、ｆ） 該基板に複数の第１ターミナルを形成し、該能動区域の各々において該第１ターミナルの各々が該ブロックの１つに隣接するようにされ、ｇ） 該基板に複数の第２ターミナルを形成し、該能動区域の各々において該第２ターミナルの各々が該第１ターミナルから隔置されると共に電導材料の該第１層の下方になるようにされることから成る浮動ゲートメモリセル形成自己調整方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
その後第２溝３５に面するポリマーブロック３２の表面に沿ってニトリドスペーサ３６が形成される。スペーサの形成は当業界では周知であり、構成体の外形をおおって材料を堆積させ、次いで異方性エッチング処理することを伴い、それによって構成体の水平面から当該材料が除去されると同時に構成体の垂直方向面上の同材料は主としてそのまま維持される。従って、ニトリドスペーサ３６の形成は、構成体の露出された表面にニトリドの薄い層を堆積し、次いで、ニトリド層がもはやFG poly層１４をおおわなくなるまで、業界では周知の反応性イオンエッチング（RIE）のような異方性エッチング処理を行うことによって達成される。同処理では酸化珪素２４頂部の窒化珪素２６も同様にエッチングされ、ニトリド２６の平面上に突出するブロック３２を残すようにされ得る。結果的に生じる構成体は図１０に示される。