【手続補正書】
【提出日】平成20年4月2日(2008.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置及びその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに電気的に接続され且つ透光性を有する第１の電極と、前記第１の電極上に設けられた発光物質を含む層と、前記発光物質を含む層上に設けられた第２の電極と、を有する発光素子と、を有し、
前記第１の電極の下には、少なくとも、光学的に１層とみなせる第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の上に接し且つ光学的に１層とみなせる第２の絶縁膜と、を有する絶縁膜積層体が設けられており、
前記第１の絶縁膜の屈折率は、前記第２の絶縁膜の屈折率と異なり、
ｍを自然数とし、λを前記発光物質を含む層が発する光の中心波長とした場合、前記第１の絶縁膜の光学的厚さは概略ｍλ／２であることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに電気的に接続され且つ透光性を有する第１の電極と、前記第１の電極上に設けられた発光物質を含む層と、前記発光物質を含む層上に設けられた第２の電極と、を有する発光素子と、を有し、
前記第１の電極の下には、少なくとも、光学的に１層とみなせる第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の上に接し且つ光学的に１層とみなせる第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の上に接し且つ光学的に１層とみなせる第３の絶縁膜と、を有する絶縁膜積層体が設けられており、
前記第２の絶縁膜の屈折率は、前記第１の絶縁膜の屈折率及び第３の絶縁膜の屈折率よりも大きく又は小さく、
ｍを自然数、λを前記発光物質を含む層が発する光の中心波長、前記第２の絶縁膜の光学的厚さをＬ１、前記第１及び第３の絶縁膜の光学的厚さをそれぞれＬ２とした場合、Ｌ１＋Ｌ２＝（２ｍ−１）λ／４の式を概略満たす関係であることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
第１の下地絶縁膜と、
前記第１の下地絶縁膜上に設けられた第２の下地絶縁膜と、
前記第２の下地絶縁膜上に設けられた半導体層と、
前記半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜上及び前記ゲート電極上に設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられた第２の絶縁膜と、
前記半導体層と電気的に接続され、前記第２の絶縁膜上に設けられた透光性を有する第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた発光物質を含む層と、
前記発光物質を含む層上に設けられた第２の電極と、を有し、
前記第１の電極の下には、前記第１の下地絶縁膜、前記第２の下地絶縁膜、前記ゲート絶縁膜、前記第１の絶縁膜、及び前記第２の絶縁膜が順次積層された絶縁膜積層体が設けられており、
前記第１の下地絶縁膜及び前記第１の絶縁膜の屈折率は、前記第２の下地絶縁膜、前記ゲート絶縁膜、及び前記第２の絶縁膜のそれぞれの屈折率よりも大きい又は小さく、
ｍを自然数とし、λを前記発光物質を含む層が発する光の中心波長とした場合、前記第１の下地絶縁膜及び前記第１の絶縁膜の光学的厚さは概略ｍλ／２であることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
第１の下地絶縁膜と、
前記第１の下地絶縁膜上に設けられた第２の下地絶縁膜と、
前記第２の下地絶縁膜上に設けられた半導体層と、
前記半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜上及び前記ゲート電極上に設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられた第２の絶縁膜と、
前記半導体層と電気的に接続され、前記第２の絶縁膜上に設けられた透光性を有する第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた発光物質を含む層と、
前記発光物質を含む層上に設けられた第２の電極と、を有し、
前記第１の電極の下には、前記第１の下地絶縁膜、前記第２の下地絶縁膜、前記ゲート絶縁膜、前記第１の絶縁膜、及び前記第２の絶縁膜が順次積層された絶縁膜積層体が設けられており、
前記第１の下地絶縁膜及び前記第１の絶縁膜の屈折率は、前記第２の下地絶縁膜、前記ゲート絶縁膜、及び前記第２の絶縁膜のそれぞれの屈折率よりも大きい又は小さく、
ｍを自然数、λを前記発光物質を含む層が発する光の中心波長、前記第２の下地絶縁膜の光学的厚さと前記ゲート絶縁膜の光学的厚さとの和をＬ１、前記第１の下地絶縁膜及び第１の絶縁膜の光学的厚さをそれぞれＬ２とした場合、Ｌ１＋Ｌ２＝（２ｍ−１）λ／４の式を概略満たす関係であることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項３又は請求項４において、
前記第１の下地絶縁膜及び前記第１の絶縁膜は、酸素を含む窒化珪素膜であり、
前記第２の下地絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜は、窒素を含む酸化珪素膜であり、
前記第２の絶縁膜は、シロキサン膜であることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに電気的に接続され且つ透光性を有する第１の電極と、前記第１の電極上に設けられた発光物質を含む層と、前記発光物質を含む層上に設けられた第２の電極と、を有する発光素子と、を有し、
前記第１の電極の下には、少なくとも、光学的に１層とみなせる第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の上に接し且つ光学的に１層とみなせる第２の絶縁膜と、を有する絶縁膜積層体が設けられており、
前記第１の絶縁膜の屈折率が、前記第２の絶縁膜の屈折率と異なる表示装置の作製方法であって、
ｍを自然数とし、λを前記発光物質を含む層が発する光の中心波長とした場合、前記第１の絶縁膜の光学的厚さが概略ｍλ／２となるように、前記第１の絶縁膜の物理的厚さを調整して、前記第１の絶縁膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項７】
薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに電気的に接続され且つ透光性を有する第１の電極と、前記第１の電極上に設けられた発光物質を含む層と、前記発光物質を含む層上に設けられた第２の電極と、を有する発光素子と、を有し、
前記第１の電極の下には、少なくとも、光学的に１層とみなせる第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の上に接し且つ光学的に１層とみなせる第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の上に接し且つ光学的に１層とみなせる第３の絶縁膜と、を有する絶縁膜積層体が設けられており、
前記第２の絶縁膜の屈折率が、前記第１の絶縁膜の屈折率及び第３の絶縁膜の屈折率よりも大きい又は小さい表示装置の作製方法であって、
ｍを自然数、λを前記発光物質を含む層が発する光の中心波長、前記第２の絶縁膜の光学的厚さをＬ１、前記第１及び第３の絶縁膜の光学的厚さをそれぞれＬ２とした場合、Ｌ１＋Ｌ２＝（２ｍ−１）λ／４の式を概略満たす関係となるように、前記第１乃至第３の絶縁膜の物理的厚さを調整して、前記第１乃至第３の絶縁膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項８】
第１の酸素を含む窒化珪素膜上に設けられた第１の窒素を含む酸化珪素膜と、
前記第１の窒素を含む酸化珪素膜上に設けられた半導体層と、
前記半導体層上及び前記第１の窒素を含む酸化珪素膜上に設けられた、第２の窒素を含む酸化珪素膜と、
前記半導体層と重なる位置であって、前記第２の窒素を含む酸化珪素膜上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極上及び前記第２の窒素を含む酸化珪素膜上に設けられた第２の酸素を含む窒化珪素膜と、
前記第２の酸素を含む窒化珪素膜上に設けられたシロキサン膜と、
前記第１の酸素を含む窒化珪素膜、前記第１の窒素を含む酸化珪素膜、前記第２の酸素を含む窒化珪素膜、前記第２の窒素を含む酸化珪素膜、及び前記シロキサン膜からなる絶縁膜積層体上に設けられ、且つ前記半導体層と電気的に接続する透光性を有する第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた発光物質を含む層と、
前記発光物質を含む層上に設けられた第２の電極と、を有する表示装置の作製方法であって、
ｍを自然数、λを前記発光物質を含む層が発する光の中心波長とした場合に、前記第１及び前記第２の酸素を含む窒化珪素膜の光学的厚さが概略ｍλ／２となるように、前記第１及び前記第２の酸素を含む窒化珪素膜の物理的厚さを調整して、前記第１及び前記第２の酸素を含む窒化珪素膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項９】
第１の酸素を含む窒化珪素膜上に設けられた第１の窒素を含む酸化珪素膜と、
前記第１の窒素を含む酸化珪素膜上に設けられた半導体層と、
前記半導体層上及び前記第１の窒素を含む酸化珪素膜上に設けられた、第２の窒素を含む酸化珪素膜と、
前記半導体層と重なる位置であって、前記第２の窒素を含む酸化珪素膜上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極上及び前記第２の窒素を含む酸化珪素膜上に設けられた第２の酸素を含む窒化珪素膜と、
前記第２の酸素を含む窒化珪素膜上に設けられたシロキサン膜と、
前記第１の酸素を含む窒化珪素膜、前記第１の窒素を含む酸化珪素膜、前記第２の酸素を含む窒化珪素膜、前記第２の窒素を含む酸化珪素膜、及び前記シロキサン膜からなる絶縁膜積層体上に設けられ、且つ前記半導体層と電気的に接続する透光性を有する第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた発光物質を含む層と、
前記発光物質を含む層上に設けられた第２の電極と、を有する表示装置の作製方法であって、
ｍを自然数、λを前記発光物質を含む層が発する光の中心波長、前記第１の窒素を含む酸化珪素膜の光学的厚さと前記第２の窒素を含む酸化珪素膜の光学的厚さとの和をＬ１、前記第１及び第２の酸素を含む窒化珪素膜の光学的厚さをそれぞれＬ２とした場合に、Ｌ１＋Ｌ２＝（２ｍ−１）λ／４の式を概略満たす関係となるように、前記第１及び前記第２の酸素を含む窒化珪素膜、前記第１及び前記第２の窒素を含む酸化珪素膜、並びに前記シロキサン膜のそれぞれの物理的厚さを調整して、前記第１及び前記第２の酸素を含む窒化珪素膜、前記第１及び前記第２の窒素を含む酸化珪素膜、並びに前記シロキサン膜を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。