Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月8日(2008.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置、及びその駆動方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像信号に基づき表示を行う画素部と、
前記映像信号が入力される駆動回路部と、を有し、
前記駆動回路部は、前記画素部の表示に応じて一画面中の最高階調の輝度をより高めるように階調制御を行うための手段を有する
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
映像信号に基づき表示を行う、発光素子を有する画素部と、
前記映像信号が入力される駆動回路部と、を有し、
前記駆動回路部は、前記画素部の表示に応じて一画面中の最高階調の輝度をより高めるように前記映像信号の階調制御を行うための回路を有する
ことを特徴とする発光装置。
【請求項３】
映像信号に基づき表示を行う画素部と、
前記画素部に光を供給する照明手段と、
前記映像信号が入力され、前記照明手段を制御する駆動回路部と、を有し、
前記駆動回路部は、前記画素部の表示に応じて一画面中の最高階調の輝度をより高めるように前記照明手段の発光強度を制御するための回路を有する
ことを特徴とする発光装置。
【請求項４】
映像信号に基づき表示を行う、発光素子を有する画素部と、
前記映像信号が入力される駆動回路部と、を有し、
前記駆動回路部は、前記画素部の表示に応じて一画面中の最高階調の輝度をより高めるように前記映像信号の階調制御を行うための制御回路を有する
ことを特徴とする発光装置。
【請求項５】
映像信号に基づき表示を行う画素部と、
前記画素部に光を供給する照明手段と、
前記映像信号が入力され、前記照明手段を制御する駆動回路部と、を有し、
前記駆動回路部は、前記画素部の表示に応じて一画面中の最高階調の輝度をより高めるように前記照明手段の発光強度を制御するための制御回路を有する
ことを特徴とする発光装置。
【請求項６】
映像信号に基づき表示を行う、発光素子を有する画素部と、
前記映像信号が入力される駆動回路部と、を有し、
前記駆動回路部は、前記画素部の第１の領域の表示に応じて前記発光素子の発光強度を制御し、且つ第２の領域における前記発光素子の発光強度を制御するための制御回路を有し、一画面中の前記第１の領域の最高階調の輝度をより高める
ことを特徴とする発光装置。
【請求項７】
映像信号に基づき表示を行う画素部と、
前記画素部に光を供給する照明手段と、
前記映像信号が入力され、前記照明手段を制御する駆動回路部と、を有し、
前記駆動回路部は、前記画素部の第１の領域の表示に応じて前記照明手段の発光強度を制御し、且つ第２の領域おける前記液晶の配向を制御するための制御回路を有し、
一画面中の前記第１の領域の最高階調の輝度をより高める
ことを特徴とする発光装置。
【請求項８】
映像信号に基づき表示を行う画素部と、
前記映像信号が入力される駆動回路部と、
前記駆動回路部は、前記画素部の表示に応じて階調制御を行うための制御回路と、を有し、
前記映像信号は、前記制御回路が有するフレームメモリへ入力され、当該フレームメモリに１フレーム分の映像信号を保存し、
前記制御回路が有する判定回路によって、当該映像信号に基づき高階調領域と低階調領域との割合を判定する処理を行い、
前記制御回路が有する変換回路によって、前記判定処理の結果に基づき、最高階調領域をより高輝度で表示する加算処理を行うことを特徴とする発光装置の駆動方法。
【請求項９】
映像信号に基づき表示を行う画素部と、
前記映像信号が入力される駆動回路部と、
前記駆動回路部は、前記画素部の表示に応じて階調制御を行うための制御回路と、を有し、
前記映像信号は、前記制御回路が有するフレームメモリへ入力され、当該フレームメモリに１フレーム分の映像信号を保存し、
前記制御回路が有する判定回路によって、当該映像信号に基づき高階調領域と低階調領域との割合を判定する処理を行い、
前記制御回路が有する変換回路によって、前記判定処理の結果に基づき、画面全体の輝度を落とす減算処理を行うことを特徴とする発光装置の駆動方法。
【請求項１０】
映像信号に基づき表示を行う画素部と、
前記映像信号が入力される駆動回路部と、
前記駆動回路部は、前記画素部の表示に応じて階調制御を行うための制御回路と、を有し、
前記映像信号は、前記制御回路が有するフレームメモリへ入力され、当該フレームメモリに１フレーム分の映像信号を保存し、
前記制御回路が有する判定回路によって、当該映像信号に基づき高階調領域と低階調領域との割合を判定する処理を行い、
前記制御回路が有する変換回路によって、前記判定処理の結果に基づき、前記低階調領域の輝度を落とす減算処理を行うことを特徴とする発光装置の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月28日(2008.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録材上の画像を加熱する加熱回転体と、
この加熱回転体との間で記録材を挟持搬送するベルトと、
記録材搬送方向に沿って順に並設されベルトを加熱回転体に向けて加圧することによりニップ部を形成する第１の加圧部材とこれよりも高硬度の第２の加圧部材と、
を有する画像加熱装置において、
ベルトを加圧するとき第２の加圧部材が第１の加圧部材よりも先に当接するよう構成したことを特徴とする画像加熱装置。
【請求項２】
前記ベルトへの加圧を解除した状態において、前記第２の加圧部材の加圧面が前記第１の加圧部材の加圧面よりも前記加熱回転体側に突出していることを特徴とする請求項１に記載の画像加熱装置。
【請求項３】
前記第１の加圧部材と前記第２の加圧部材とを支持する支持部材と、前記第１の加圧部材と前記第２の加圧部材とを前記ベルトに向けてそれぞれ付勢する第１の付勢部材と第２の付勢部材と、を有し、
前記ベルトを加圧するとき、前記第１の加圧部材は前記支持部材を介して前記第１の付勢部材により付勢され、前記第２の加圧部材は前記支持部材により付勢されることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像加熱装置。
【請求項４】
前記第１の加圧部材はゴムにて構成され、前記第２の加圧部材は金属もしくは樹脂にて構成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の画像加熱装置。
【請求項５】
前記第１の加圧部材は硬度が１５〜４０ＨＳのゴムにて構成され、前記第２の加圧部材は硬度が６０ＨＢ以上の金属にて構成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の画像加熱装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月27日(2008.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）一端から入射された光を他端に向けて伝送可能な光透過性樹脂からなるコア材、及び、（ii）前記コア材の周囲を被覆している、前記コア材よりも屈折率が低いクラッド材であって、前記クラッド材は光透過性樹脂と該光透過性樹脂中に分散された酸化亜鉛粒子とを含む、クラッド材、
を含む、側面発光型光ファイバー。
【請求項２】
請求項１記載の側面発光型光ファイバーと、
前記光ファイバーの少なくとも一端から光を入射させるための光源と、
を含む、発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月16日(2008.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に液晶層を挟持してなり、
画素電極と、該画素電極に対応して設けられたスイッチング素子とを備えた複数のドット領域がマトリクス状に配置された液晶装置であって、
前記液晶層は、誘電率異方性が負の液晶分子からなり、
該液晶分子は、非選択電圧印加時に、前記基板の垂直方向に対して０度から１０度の範囲のプレチルト角を有する垂直配向モードとなるものであり、
前記画素電極は、一、又は二以上の切り欠き部を有し、
該切り欠き部が形成された画素電極を線対称形状とする中心線上に、該画素電極と前記スイッチング素子とを電気的に接続するコンタクトホールが配置されている
ことを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
一対の基板間に液晶層を挟持してなり、
画素電極と、該画素電極に対応して設けられたスイッチング素子とを備えた複数のドット領域がマトリクス状に配置された液晶装置であって、
前記液晶層は、誘電率異方性が負の液晶分子からなり、
該液晶分子は、非選択電圧印加時に、前記基板の垂直方向に対して０度から１０度の範囲のプレチルト角を有する垂直配向モードとなるものであり、
前記複数のドット領域の画素ピッチは、３０μｍ以下であり、
前記画素電極は、一、又は二以上の切り欠き部を有し、
該切り欠き部が形成された画素電極を線対称形状とする中心線上に、該画素電極と前記スイッチング素子とを電気的に接続するコンタクトホールが配置されている
ことを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
前記コンタクトホールは、
平面形状における縦又は横方向の大きさが前記画素ピッチの１／３０以上である
ことを特徴とする請求項１又は２のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記コンタクトホールの平面形状は、
円形、楕円形、多角形のいずれかである
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記コンタクトホールの平面形状は、
楕円形又は線対称形状の多角形であり、
該コンタクトホールの平面形状における線対称形状の中心線は、
前記画素電極の形状の中心線と一致又は平行している
ことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の液晶装置において、
前記基板は、
該基板の垂直方向に対して０度から１０度の範囲のプレチルト角を有する垂直配向モードを構成する配向膜であって、有機ポリイミドからなる配向手段と比較して、方位角もしくは極角方向のアンカリングが相対的に弱い配向膜を有している
ことを特徴とする液晶装置。
【請求項７】
前記配向膜は、
被蒸着面に対して無機物を斜め方向から蒸着する斜方蒸着法、又は無機物を基板に対して、斜め方向からスパッタリングすることによって成膜される
ことを特徴とする請求項６に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記配向膜は、
有機薄膜に偏光を照射して形成されたもの、又は有機物からなる表面処理による薄膜および薄層からなる
ことを特徴とする請求項６又は７に記載の液晶装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載の液晶装置において、
前記画素電極は、
前記一対の基板における一方にのみ配置されている
ことを特徴とする液晶装置。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載の液晶装置において、
前記誘電率異方性が負の液晶分子は、
カイラル剤を含有してなる
ことを特徴とする液晶装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の液晶装置において、
前記画素電極を線対称形状とする中心線の方向が、
選択電圧印加時に誘電率異方性が負である液晶分子が水平配向した際に、
液晶層内の液晶分子のダイレクタの配向方向以外である
ことを特徴とする液晶装置。
【請求項１２】
前記コンタクトホールが存在する部分の液晶層の厚みｄ１と、
該コンタクトホールが存在しない部分の液晶層の厚みｄ２とは、異なっている
ことを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の液晶装置において、
前記コンタクトホールが存在する部分の液晶層の厚みｄ１が、
該コンタクトホールが存在しない部分の液晶層の厚みｄ２よりも大きく、
該コンタクトホールに樹脂材料が充填されているとき、
前記樹脂材料の誘電率ε１と、前記液晶層の誘電率ε２とは、異なる
ことを特徴とする液晶装置。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明の液晶装置は、一対の基板間に液晶層を挟持してなり、画素電極と、該画素電極に対応して設けられたスイッチング素子とを備えた複数のドット領域がマトリクス状に配置された液晶装置であって、前記液晶層は、誘電率異方性が負の液晶分子からなり、該液晶分子は、非選択電圧印加時に、前記基板の垂直方向に対して０度から１０度の範囲のプレチルト角を有する垂直配向モードとなるものであり、前記画素電極は、一、又は二以上の切り欠き部を有し、該切り欠き部が形成された画素電極を線対称形状とする中心線上に、該画素電極と前記スイッチング素子とを電気的に接続するコンタクトホールが配置されていることを特徴とする。
これにより、切り欠き部およびコンタクトホールが存在する事によって発生する画素電極内の電界強度分布により、所望の同一方向に、液晶分子が配向するような電気力線を発生することとなる。
したがって、本発明によれば、超高精細な液晶装置としながら、画素内の液晶分子の配向制御能を高め、ディスクリネ―ションを発生することなく配向制御を行うことができ、応答速度及び表示画像品質を向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月26日(2008.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、
該光源から出射された光を試料に対して集束させる対物レンズと、
集束された光を試料面に沿って相対的に走査する走査機構と、
試料からの反射光、透過光または蛍光の強度を検出する光検出器とを備え、
前記対物レンズの視野円を内包する四角形を走査範囲としたとき、視野円の内部だけに前記光源からの出射光を出射させる制御手段を備える走査型顕微鏡。
【請求項２】
光源と、
該光源から出射された光を試料に対して集束させる対物レンズと、
集束された光を試料面に沿って相対的に走査する走査機構と、
試料からの反射光、透過光または蛍光の強度を検出する光検出器と、
前記対物レンズの視野円を内包する四角形からなる走査範囲全域にわたり視野円内外において異なる画素値を有する２値画像を保存する２値画像保存手段と、
該２値画像保存手段に保存されている２値画像と光検出器により取得された検出画像とを論理積演算する演算手段とを備える走査型顕微鏡。
【請求項３】
前記演算手段が、論理積演算をリアルタイムに行う請求項２に記載の走査型顕微鏡。
【請求項４】
前記光源からの出射光を前記対物レンズの視野円外だけで反射させて前記光検出器により取得した検出画像を２値化して前記２値画像を取得する２値画像取得手段を備える請求項２または請求項３に記載の走査型顕微鏡。
【請求項５】
前記対物レンズの視野円内に試料を配置することなく前記光源からの出射光を対物レンズの視野円内だけを透過させて前記光検出器２より取得した検出画像を２値化して前記２値画像を取得する２値画像取得手段を備える請求項２または請求項３に記載の走査型顕微鏡。
【請求項６】
光源と、
該光源から出射された光を試料に対して集束させる対物レンズと、
集束された光を試料面に沿って相対的に走査する走査機構と、
試料からの反射光、透過光または蛍光の強度を検出する光検出器と、
前記対物レンズの視野円を内包する四角形からなる走査範囲全域にわたり視野円内外において異なる画素値を有する２値画像を保存する２値画像保存手段と、
前記対物レンズの視野円を内包する四角形を走査範囲としたとき、該２値画像保存手段に保存されている２値画像の視野円内だけに前記光源からの出射光を出射させる制御手段とを備える走査型顕微鏡。
【請求項７】
前記光源からの出射光を前記対物レンズの視野円外だけで反射させて前記光検出器により取得した検出画像を２値化して前記２値画像を取得する２値画像取得手段を備える請求項６に記載の走査型顕微鏡。
【請求項８】
前記対物レンズの視野円内に試料を配置することなく前記光源からの出射光を対物レンズの視野円内だけを透過させて前記光検出器２より取得した検出画像を２値化して前記２値画像を取得する２値画像取得手段を備える請求項６に記載の走査型顕微鏡。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、上記発明においては、前記対物レンズの視野円内に試料を配置することなく前記光源からの出射光を対物レンズの視野円内だけを透過させて前記光検出器により取得した画像を２値化して前記２値画像を取得する２値画像取得手段を備えることとしてもよい。
このようにすることで、２値化画像取得手段の作動により、視野円内だけを透過した透過光に基づいて、視野円内外で画素値の異なる２値化画像を容易に取得することができる。
また、本発明は、光源と、該光源から出射された光を試料に対して集束させる対物レンズと、集束された光を試料面に沿って相対的に走査する走査機構と、試料からの反射光、透過光または蛍光の強度を検出する光検出器と、前記対物レンズの視野円を内包する四角形からなる走査範囲全域にわたり視野円内外において異なる画素値を有する２値画像を保存する２値画像保存手段と、前記対物レンズの視野円を内包する四角形を走査範囲としたとき、該２値画像保存手段に保存されている２値画像の視野円内だけに前記光源からの出射光を出射させる制御手段とを備える走査型顕微鏡を提供する。
上記発明においては、前記光源からの出射光を前記対物レンズの視野円外だけで反射させて前記光検出器により取得した検出画像を２値化して前記２値画像を取得する２値画像取得手段を備えていてもよい。
また、上記発明においては、前記対物レンズの視野円内に試料を配置することなく前記光源からの出射光を対物レンズの視野円内だけを透過させて前記光検出器２より取得した検出画像を２値化して前記２値画像を取得する２値画像取得手段を備えていてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月21日(2008.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
（Ａ）ヨードニウム塩化合物及びスルホニウム塩化合物から選ばれる少なくとも１種の、一硫化アンモニウム（（ＮＨ４）２Ｓ）を用いて製造されるオニウム塩化合物を含み、前記一硫化アンモニウム（（ＮＨ４）２Ｓ）の量が、前記オニウム塩化合物に対して１０００ｐｐｍ以下である感放射線性酸発生剤；
（Ｂ）酸解離性基を有するアルカリ不溶性又は難溶性樹脂；
（Ｃ）溶剤；および
（Ｄ）酸拡散抑制剤
を含有する感放射線性樹脂組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
［１］  （Ａ）ヨードニウム塩化合物およびスルホニウム塩化合物から選ばれる少なくとも１種の、一硫化アンモニウム（（ＮＨ４）２Ｓ）を用いて製造されるオニウム塩化合物を含み、前記一硫化アンモニウム（（ＮＨ４）２Ｓ）の量が、前記オニウム塩化合物に対して１０００ｐｐｍ以下である感放射線性酸発生剤；
（Ｂ）酸解離性基を有するアルカリ不溶性又は難溶性樹脂；
（Ｃ）溶剤；および
（Ｄ）酸拡散抑制剤
を含有する感放射線性樹脂組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月10日(2008.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体の動き方に応じた撮影条件ごとに、焦点調節時の被写体追尾力が対応づけて設定された複数の撮影モードのうちから特定の撮影モードを選択するモード設定部と、
前記モード設定部により選択した前記特定の撮影モードに対応づけられた前記被写体追尾力に基づいて、前記焦点調節を行う焦点調節部と
を備えたことを特徴とするカメラ。
【請求項２】
請求項１に記載のカメラにおいて、
前記モード設定部は、前記複数の撮影モードとして、前記カメラの前方において略一定の方向に移動する動き方をする前記被写体を撮影する一定方向移動撮影モードと、前記カメラの前方において略一定の方向に移動する動き方以外の動き方をする前記被写体を撮影する移動方向変化撮影モードとのうち何れかが選択可能であり、前記一定方向移動撮影モードに対応づけて、前記移動方向変化撮影モードよりも大きい前記被写体追尾力が設定されている
ことを特徴とするカメラ。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のカメラにおいて、
前記モード設定部は、前記複数の撮影モードとして、前記カメラの前方において略一定の方向に移動する動き方をする前記被写体を撮影する第１の撮影モードと、前記カメラの前方において周回する動き方をする前記被写体を撮影する第２の撮影モードと、前記カメラの前方においてランダムに移動する動き方をする前記被写体を撮影する第３の撮影モードとのうち、少なくとも２つの撮影モードが選択可能であり、前記第１の撮影モードに対応づけて、前記第２の撮影モードよりも大きい前記被写体追尾力が設定され、前記第２の撮影モードに対応づけて、前記第３の撮影モードよりも大きい前記被写体追尾力が設定されている
ことを特徴とするカメラ。
【請求項４】
請求項１から請求項３の何れか１項に記載のカメラにおいて、
前記焦点調節部は、所定の関数にしたがって前記被写体の像面の位置を予測して前記焦点調節を行うものであり、前記所定の関数のうち、前記像面の加速度の変化に関わる係数と前記像面の移動速度の変化に関わる係数との少なくとも一方を、前記被写体追尾力に基づいて変更して前記焦点調節を行う
ことを特徴とするカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明のカメラは、被写体の動き方に応じた撮影条件ごとに、焦点調節時の被写体追尾力が対応づけて設定された複数の撮影モードのうちから特定の撮影モードを選択するモード設定部と、前記モード設定部により選択した前記特定の撮影モードに対応づけられた前記被写体追尾力に基づいて、前記焦点調節を行う焦点調節部とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、好ましくは、前記モード設定部は、前記複数の撮影モードとして、前記カメラの前方において略一定の方向に移動する動き方をする前記被写体を撮影する一定方向移動撮影モードと、前記カメラの前方において略一定の方向に移動する動き方以外の動き方をする前記被写体を撮影する移動方向変化撮影モードとのうち何れかが選択可能であり、前記一定方向移動撮影モードに対応づけて、前記移動方向変化撮影モードよりも大きい前記被写体追尾力が設定されているようにしても良い。
また、好ましくは、前記モード設定部は、前記複数の撮影モードとして、前記カメラの前方において略一定の方向に移動する動き方をする前記被写体を撮影する第１の撮影モードと、前記カメラの前方において周回する動き方をする前記被写体を撮影する第２の撮影モードと、前記カメラの前方においてランダムに移動する動き方をする前記被写体を撮影する第３の撮影モードとのうち、少なくとも２つの撮影モードが選択可能であり、前記第１の撮影モードに対応づけて、前記第２の撮影モードよりも大きい前記被写体追尾力が設定され、前記第２の撮影モードに対応づけて、前記第３の撮影モードよりも大きい前記被写体追尾力が設定されているようにしても良い。
また、好ましくは、前記焦点調節部は、所定の関数にしたがって前記被写体の像面の位置を予測して前記焦点調節を行うものであり、前記所定の関数のうち、前記像面の加速度の変化に関わる係数と前記像面の移動速度の変化に関わる係数との少なくとも一方を、前記被写体追尾力に基づいて変更して前記焦点調節を行うようにしても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月4日(2008.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分析試料を注入する試料注入部と、
前記試料注入部により注入された前記分析試料を成分毎に分離する分離カラムと、
前記分離カラムにより分離された前記分析試料の成分を検出する検出器と、
前記分析試料の数を入力する入力部と、
前記入力部で指定された分析試料数の分析を行うように前記試料注入部、前記分離カラム、前記検出器、および入力部等の各ユニットを制御する制御部と、
分析により得られるクロマトグラムを記録する記録部とを備えた液体クロマトグラフを含むクロマトグラフ装置において、
前記成分の検知開始から終了までの検出時間範囲を記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶された検出時間範囲を基に複数の前記分析試料を前記試料注入部に注入する注入間隔を算出する処理手段と、
前記注入間隔を適用して前記複数の分析試料の分析が行われるように各ユニットを制御する制御手段を有することを特徴とするクロマトグラフ装置。
【請求項２】
請求項１記載のクロマトグラフ装置において、
前記検出器として質量分析計を用い、
前記質量分析計で分析検知された成分の質量電荷比と前記検出時間範囲とを前記記憶手段に記憶し、
前記処理手段は前記検出時間範囲のうち、最大の検出時間範囲幅以上の時間間隔を前記注入間隔とすることを特徴とするクロマトグラフ装置。
【請求項３】
請求項２記載のクロマトグラフ装置において、
同じ分析試料中に含まれる質量電荷比が同一または所定近似値以内にある複数成分について、前記複数成分の検知時間範囲を全て包含する複数成分検出時間範囲を新たに設定する機能を有することを特徴とするクロマトグラフ装置。
【請求項４】
請求項２記載のクロマトグラフ装置において、
前記分析試料に含まれる検出対象成分の中からユーザが選択する任意の複数成分に跨がるユーザ選択複数成分検出時間範囲を新たに設定し、このユーザ選択複数成分検出時間範囲、および前記検出時間範囲から最も長い検出時間範囲を前記注入時間間隔とすることを特徴とするクロマトグラフ装置。
【請求項５】
請求項２記載のクロマトグラフ装置において、
前記分析試料の注入時刻と、前記分析試料に含まれる検出対象成分の質量電荷比と、前記検出対象成分の検出時間範囲を基に、前記検出対象成分が前記検出器に到達する検出予定時刻を算出する機能を備えることを特徴とするクロマトグラフ装置。
【請求項６】
請求項５記載のクロマトグラフ装置において、
前記検出予定時刻と、分析により得られる成分の検出時刻を基に、検出された検出成分を前記分析試料に帰属して記録する機能を備えることを特徴とするクロマトグラフ装置。
【請求項７】
請求項１記載のクロマトグラフ装置において、
前記検出器としてＤＡＤ検出器を用い、
前記記憶手段は前記分析試料に含まれる成分の吸収波長と検出時間範囲とを各々記憶し、
前記処理手段は前記分析試料に含まれる成分の検出時間範囲のうち、最大の時間幅以上の時間間隔を前記注入間隔とすることを特徴とするクロマトグラフ装置。
【請求項８】
分析試料を注入する試料注入部と、
前記試料注入部により注入された前記分析試料を成分毎に分離する分離カラムと、
前記分離カラムにより分離された前記分析試料の成分を検出する検出器を備えた分析方法において、
前記分析試料の各成分検出の開始から終了までにかかる検出時間範囲を基に複数の前記分析試料を前記試料注入部に注入する注入間隔を算出することを特徴とする分析方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、分析試料を注入する試料注入部と、前記試料注入部により注入された前記分析試料を成分毎に分離する分離カラムと、前記分離カラムにより分離された前記分析試料の成分を検出する検出器と、前記分析試料の数を入力する入力部と、前記入力部で指定された分析試料数の分析を行うように前記試料注入部、前記分離カラム、前記検出器、および入力部等の各ユニットを制御する制御部と、分析により得られるクロマトグラムを記録する記録部とを備えた液体クロマトグラフを含むクロマトグラフ装置において、前記成分の検知開始から終了までにかかる検出時間範囲を記憶する記憶手段と、前記記憶手段に記憶された検出時間範囲を基に複数の前記分析試料を前記試料注入部に注入する注入間隔を算出する処理手段と、前記注入間隔を適用して前記複数の分析試料の分析が行われるように各ユニットを制御する制御手段を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によれば、分析精度を低下させること無く分析時間を大幅に短縮することが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明では、分離条件を変更することなく、また、分析精度の低下も伴わずに、複数試料を並行して分析することが可能となり、複数試料の分析に要する時間を大幅に短縮することが可能となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
図１は、本発明を用いた液体クロマトグラフ装置／質量分析計（ＬＣ／ＭＳ）の分析機器装置の構成を示している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
いずれの場合も、定性条件が同一の成分の検出ピークが重なると、正確な定量が困難となり、定量精度低下の要因となるため、定性条件が同一の成分の検出時間範囲が重複しないことが試料注入間隔の算出条件となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
このとき、ユーザが設定した任意の複数成分検出時間範囲が重複しないように試料注入間隔を設定することも可能である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
なお、ユーザ選択複数成分検出時間範囲、複数成分検出時間範囲は、記憶部の記憶手段に記憶される。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月12日(2008.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と第２基板との間に液晶を狭持し、１つの画素内に透過表示を行う透過部と反射表示を行う反射部とを有し、第１電極と第２電極とを備えた前記第１基板と、前記画素を駆動する駆動回路と、を備える液晶表示装置であって、
前記第１基板と前記液晶を介して対向する前記第２基板に第３電極を備え、
前記第１電極は、前記第２電極とともに前記透過部に設けられている一方で、前記第３電極とともに前記反射部にも設けられ、
前記駆動回路は前記第２電極と前記第３電極とに独立に電位を印加可能に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶表示装置であって、
前記透過部において前記第１電極と前記第２電極との間にオフ電圧が印加された時に、前記反射部において前記第１電極と前記第３電極との間にオン電圧が印加されて、前記反射部の前記液晶を前記第３電極に略直交するように配向させ、前記透過部および前記反射部を同時に暗表示にすることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の液晶表示装置であって、
前記反射部において前記第１電極と前記第３電極との間にオフ電圧が印加された時に、前記第１電極と前記第２電極との間にオン電圧が印加されて、前記透過部の前記液晶を前記第２電極の法線回りのねじれた状態に配向させ、前記透過部および前記反射部を同時に明表示にすることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の液晶表示装置であって、
反射部の液晶層はオフ電圧が印加された状態で１／４波長板として作用するように設定されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の液晶表示装置であって、
反射部には１／４波長板として作用する位相差層が配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項５に記載の液晶表示装置であって、
前記位相差層によって、前記反射部のセルギャップが前記透過部のセルギャップよりも狭くされていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の液晶表示装置であって、
前記第１基板には前記第１電極、絶縁膜、前記第２電極がこの順番に積層され、前記第２電極には第１電極と対向する領域にスリットを有していることを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る液晶表示装置は、第１基板と第２基板との間に液晶を狭持し、１つの画素内に透過表示を行う透過部と反射表示を行う反射部とを有し、第１電極と第２電極とを備えた前記第１基板と、前記画素を駆動する駆動回路と、を備える液晶表示装置であって、前記第１基板と前記液晶を介して対向する前記第２基板に第３電極を備え、前記第１電極は、前記第２電極とともに前記透過部に設けられている一方で、前記第３電極とともに前記反射部にも設けられ、前記駆動回路は前記第２電極と前記第３電極とに独立に電位を印加可能に設けられていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、前記反射部において前記第１電極と前記第３電極との間にオフ電圧が印加された時に、前記第１電極と前記第２電極との間にオン電圧が印加されて、前記透過部の前記液晶を前記第２電極の法線回りのねじれた状態に配向させ、前記透過部および前記反射部を同時に明表示にすることが好ましい。
また、反射部の液晶層はオフ電圧が印加された状態で１／４波長板として作用するように設定されていることが好ましい。
また、反射部には１／４波長板として作用する位相差層が配置されていることが好ましい。
また、前記位相差層によって、前記反射部のセルギャップが前記透過部のセルギャップよりも狭くされていることが好ましい。
また、前記第１基板には前記第１電極、絶縁膜、前記第２電極がこの順番に積層され、前記第２電極には第１電極と対向する領域にスリットを有していることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月18日(2007.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板表面に行方向とこれに直交する列方向に正方格子状に配設された複数の光電変換素子を含む固体撮像素子であって、
前記光電変換素子は、相対的に高感度の光電変換を行う複数の高感度光電変換素子と、相対的に低感度の光電変換を行う複数の低感度光電変換素子とを含み、
前記複数の高感度光電変換素子及び前記複数の低感度光電変換素子は、それぞれ市松状に配列され、
同一の位置関係で隣接する前記高感度光電変換素子及び前記低感度光電変換素子は、感度比が一定で、同一の相対分光感度特性を有するものである固体撮像素子。
【請求項２】
請求項１記載の固体撮像素子であって、
前記光電変換素子は、３色又は４色の分光感度のいずれかを有するものであり、
それぞれ斜め４５度方向に正方格子状に配列される前記高感度光電変換素子及び低感度光電変換素子は、それぞれ２×２周期の色コーディング配列を有するものである固体撮像素子。
【請求項３】
請求項２記載の固体撮像素子であって、
前記２×２周期の色コーディング配列は、ベイヤー配列である固体撮像素子。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項記載の固体撮像素子を有する撮像装置であって、
前記固体撮像素子から出力される撮像信号に基づく信号処理を行う信号処理部を備え、
前記信号処理部が行う信号処理は、同一の位置関係で隣接する前記高感度光電変換素子及び前記低感度光電変換素子からの高感度撮像信号及び低感度撮像信号の合成信号を生成する合成処理と、前記合成処理で得られた市松配列位置の合成信号の同時化処理及び合成信号がない市松配列位置の補間処理を含む撮像装置。
【請求項５】
請求項１ないし３のいずれか１項記載の固体撮像素子を有する撮像装置であって、
前記固体撮像素子から出力される撮像信号に基づく信号処理を行う信号処理部を備え、
前記信号処理部が行う信号処理は、前記高感度光電変換素子からの高感度撮像信号に基づいて前記正方格子配列全ての格子位置の信号を含む高感度画像信号を生成する処理、前記低感度光電変換素子からの低感度撮像信号に基づいて前記正方格子配列全ての格子位置の信号を含む低感度画像信号を生成する処理、前記高感度画像信号と前記低感度画像信号を前記正方格子状配列の格子位置毎に合成する処理を含む撮像装置。
【請求項６】
請求項１ないし３のいずれか１項記載の固体撮像素子から出力される撮像信号に基づく信号処理を行う画像処理方法であって、
同一の位置関係で隣接する前記高感度光電変換素子及び前記低感度光電変換素子からの高感度撮像信号及び低感度光電変換信号の合成することによって合成撮像信号を生成する合成処理ステップと、
前記合成処理ステップで得られた市松状配列位置の合成撮像信号に基づいて、前記市松状配列の中間位置の画像信号を生成する補間処理ステップとを含む画像処理方法。
【請求項７】
請求項１ないし３のいずれか１項記載の固体撮像素子から出力される撮像信号に基づく信号処理を行う画像処理方法であって、
前記高感度光電変換素子からの高感度撮像信号に基づいて前記正方格子配列全ての格子位置の信号を含む高感度画像信号を生成する第１の画像生成処理ステップと、
前記低感度光電変換素子からの低感度撮像信号に基づいて前記正方格子配列全ての格子位置の信号を含む低感度画像信号を生成する第２の画像生成処理ステップと、
前記高感度画像信号と前記低感度画像信号を前記正方格子状配列の格子位置毎に合成する合成処理ステップとを含む画像処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の固体撮像素子は、半導体基板表面に行方向とこれに直交する列方向に正方格子状に配設された複数の光電変換素子を含む固体撮像素子であって、前記光電変換素子は、相対的に高感度の光電変換を行う複数の高感度光電変換素子と、相対的に低感度の光電変換を行う複数の低感度光電変換素子とを含み、前記複数の高感度光電変換素子及び前記複数の低感度光電変換素子は、それぞれ市松状に配列され、同一の位置関係で隣接する前記高感度光電変換素子及び前記低感度光電変換素子は、感度比が一定で、同一の相対分光感度特性を有するものである。このような固体撮像素子を利用すると、隣接する高感度光電変換素子と低感度光電変換素子による撮像信号を合成して得る場合、合成信号は２画素の重心に位置する単独画素とみなすことができ、仮想的に市松状配列の画像信号となる。したがって、縦方向及び横方向の解像度を実質的に低下させることなくダイナミックレンジを拡大させることができる。また、カラー画像の取得を簡単に行うことができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の撮像装置は、上記した固体撮像素子を有する撮像装置であって、前記固体撮像素子から出力される撮像信号に基づく信号処理を行う信号処理部を備え、前記信号処理部が行う信号処理は、同一の位置関係で隣接する前記高感度光電変換素子及び前記低感度光電変換素子からの高感度撮像信号及び低感度撮像信号の合成信号を生成する合成処理と、前記合成処理で得られた市松配列位置の合成信号の同時化処理及び合成信号がない市松配列位置の補間処理を含むものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の画像処理方法は、上記した固体撮像素子から出力される撮像信号に基づく信号処理を行う画像処理方法であって、同一の位置関係で隣接する前記高感度光電変換素子及び前記低感度光電変換素子からの高感度撮像信号及び低感度光電変換信号の合成することによって合成撮像信号を生成する合成処理ステップと、前記合成処理ステップで得られた市松状配列位置の合成撮像信号に基づいて、前記市松状配列の中間位置の画像信号を生成する補間処理ステップとを含むものである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月14日(2008.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体集積回路装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）半導体基板表面に形成され、第１絶縁膜によって区画された素子形成領域であって、第１方向に延在する素子形成部を、前記第１の方向と垂直な第２の方向に３以上有し、前記３以上の素子形成部の端部を接続し、前記第２方向に延在する接続部とを有する素子形成領域と、
（ｂ）前記素子形成領域の主表面に形成された複数のメモリセルと、
（ｃ）前記複数のメモリセルからなるメモリセルアレイと、
（ｄ）前記メモリセルアレイの外周部に、少なくとも前記第１および第２方向に延在するように形成された第１導電性膜と、
を有する半導体集積回路装置であって、
前記第１絶縁膜は、前記半導体基板に形成された溝内に埋め込まれて形成されており、
前記接続部は、前記第２方向に延在する前記第１導電性膜の下に形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
（ａ）半導体基板表面に形成され、第１絶縁膜によって区画された素子形成領域であって、第１方向に延在する素子形成部を、前記第１の方向と垂直な第２の方向に３以上有し、前記３以上の素子形成部の端部を接続し、前記第２方向に延在する接続部とを有する素子形成領域と、
（ｂ）前記素子形成領域の主表面に形成された複数のメモリセルと、
（ｃ）前記複数のメモリセルからなるメモリセルアレイと、
（ｄ）前記メモリセルアレイの外周部に、少なくとも前記第１および第２方向に延在するように形成された第１導電性膜と、
を有する半導体集積回路装置であって、
前記３以上の素子形成領域のうち、最外の素子形成領域の前記第２方向の幅は、他の素子形成領域の幅より広く、
前記第１絶縁膜は、前記半導体基板に形成された溝内に埋め込まれて形成されており、
前記接続部は、前記第２方向に延在する前記第１導電性膜の下に形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項３】
（ａ）半導体基板表面に形成され、第１絶縁膜によって区画された素子形成領域であって、第１方向に延在する素子形成部を、前記第１の方向と垂直な第２の方向に３以上有し、前記３以上の素子形成部の端部を接続し、前記第２方向に延在する接続部とを有する素子形成領域と、
（ｂ）前記素子形成領域の主表面に形成された複数の不揮発性メモリセルと、
（ｃ）前記複数の不揮発性メモリセルからなるメモリセルアレイと、
（ｄ）前記メモリセルアレイの外周部に、少なくとも前記第１および第２方向に延在するように形成された第１導電性膜と、
を有する半導体集積回路装置であって、
前記複数の不揮発性メモリセルはそれぞれ、
（ｂ１）前記素子形成領域上に第２絶縁膜を介して形成された第２導電性膜と、
（ｂ２）前記第２導電性膜上に第３絶縁膜を介して形成され、前記第２方向に延在する第３導電性膜と、
を有し、
前記第１導電性膜は、前記第３導電性膜と同層の層を含んで形成されており、
前記第１絶縁膜は、前記半導体基板に形成された溝内に埋め込まれて形成されており、
前記接続部は、前記第２方向に延在する前記第１導電性膜の下に形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体集積回路装置において、
前記不揮発性メモリセルにおける前記第２導電性膜は、前記不揮発性メモリセルのフローティングゲートを構成し、
前記不揮発性メモリセルにおける前記第３導電性膜は、前記不揮発性メモリセルのコントロールゲートを構成していることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項５】
請求項１〜４に記載の半導体集積回路装置において、
前記３以上の素子形成領域のうち最外の素子形成領域上には、メモリセルとして機能するメモリセルを形成しないことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項６】
請求項１または２に記載の半導体集積回路装置において、
前記第１導電性膜は、前記複数のメモリセルとは接続しないダミー導電性膜であることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項７】
請求項３または４に記載の半導体集積回路装置において、
前記第１導電性膜は、前記複数の不揮発性メモリセルとは接続しないダミー導電性膜であることを特徴とする半導体集積回路装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月27日(2007.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
また最近の通信分野におけるＩＣでは、電圧制御発振器を内蔵することが多くなっている。インダクタを内蔵する場合、ほとんどはスパイラルインダクタで構成される。内蔵した電圧制御発振器の発振周波数帯域を広帯域にするために、スパイラルインダクタをスイッチで切り替えることも行われている。
このような電圧制御発振器の従来例として、図３６に特許文献２（特開２００４−２６６７１８号公報）の発振回路およびＬ負荷差動回路を示す。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月16日(2008.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア材、前記コア材の表面に形成された複数のボンディング電極、前記複数のボンディング電極のそれぞれを露出するように、前記コア材の前記表面上に形成されたソルダレジスト材、前記コア材の前記表面と反対側の裏面に形成された複数のランド、及び前記複数のボンディング電極と前記複数のランドとをそれぞれ電気的に接続するための配線経路である複数のスルーホールを有する基板と、
平面形状が四角形から成り、複数の電極が形成された主面を有し、前記コア材の前記表面上に形成された前記ソルダレジスト材上に、ペースト材を介して接着された半導体チップと、
前記半導体チップの前記複数の電極と前記基板の前記複数のボンディング電極とをそれぞれ電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、
前記半導体チップ及び前記複数のボンディングワイヤを封止するように、前記基板の前記主面上に形成された封止樹脂と、
前記複数のランドにそれぞれ接続された複数のはんだボールと、
を含み、
前記複数のボンディング電極は、前記半導体チップの各辺に沿うように、前記基板の前記表面に形成されており、
前記複数のスルーホールは、前記半導体チップの各辺に沿うように、前記半導体チップと前記基板の前記複数のボンディング電極との間に形成されており、
前記ソルダレジスト材には、前記コア材の前記表面を露出する凹部が複数形成されており、
前記複数の凹部は、前記半導体チップの各辺に沿うように、前記半導体チップと前記基板の前記複数のボンディング電極との間で、かつ前記複数のスルーホールのうちの隣接するスルーホール間に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記複数の凹部は、前記複数のスルーホールのそれぞれと平面的に重ならないように、前記ソルダレジスト材に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置において、
前記複数のスルーホールのそれぞれは、前記ソルダレジスト材で覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置において、
前記複数のスルーホールのそれぞれを覆う前記ソルダレジスト材の一部は、盛り上がっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置において、
前記凹部の平面形状は矩形状から成り、
前記凹部のうちの前記スルーホール側に位置する端辺は、盛り上がるように形成された前記ソルダレジスト材のすそ野部に接するように、前記ソルダレジスト材に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置において、
前記コア材の前記裏面上には、前記複数のランドのそれぞれを露出するように、ソルダレジスト材が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月29日(2007.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
液晶パネルに対するＴＡＢ部品の供給及び仮圧着をインデックステーブル方式にて行う液晶パネルへのＴＡＢ部品圧着方法において、
前記インデックステーブルにＴＡＢ部品を吸着保持するボンディングヘッドを複数設け、これらのボンディングヘッドに少なくともＴＡＢ部品供給部、ＴＡＢ部品位置認識部、仮圧着部の各ポジションを配置し、ＴＡＢ部品位置認識部にてＴＡＢ部品の所定位置からのθ方向へのズレ量を画像処理手段により認識し、仮圧着部にて仮圧着前にボンディングヘッドを前記θ方向へのズレ量に応じてインデックステーブルに対して回転させて補正を行うようにしたことを特徴とする液晶パネルへのＴＡＢ部品圧着方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
液晶パネルに対するＴＡＢ部品の供給及び仮圧着をインデックステーブル上にて行う液晶パネルへのＴＡＢ部品圧着装置において、
前記インデックステーブルにＴＡＢ部品を吸着保持し、かつインデックステーブルに対して回転可能なボンディングヘッドを複数設け、これらのボンディングヘッドに少なくともＴＡＢ部品供給部、ＴＡＢ部品位置認識部、仮圧着部の各ポジションを配置し、ＴＡＢ部品位置認識部にはＴＡＢ部品の所定位置からのθ方向へのズレ量を認識する画像処理手段を有し、仮圧着部にはボンディングヘッドを前記θ方向へのズレ量に応じて回転させて補正を行うθ補正ユニットを設けたことを特徴とする液晶パネルへのＴＡＢ部品圧着装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記液晶パネル１の電極３にＴＡＢ部品２を接続する方法としては、導電性粒子を含み粘着性を有する異方性導電テープ９（以下ＡＣＦテープ９という）を用いる方法が一般的であり、その方法は、液晶パネル１側の外縁に沿って長尺のＡＣＦテープ９を電極部３上に貼り付け、次に、ＡＣＦテープ９上にＴＡＢ部品２の電極部５を圧着するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
上記のような課題を解決するため、請求項１の発明は、液晶パネルに対するＴＡＢ部品の供給及び仮圧着をインデックステーブル上にて行う液晶パネルへのＴＡＢ部品圧着方法において、前記インデックステーブルにＴＡＢ部品を吸着保持するボンディングヘッドを複数設け、これらのボンディングヘッドに少なくともＴＡＢ部品供給部、ＴＡＢ部品位置認識部、仮圧着部の各ポジションを配置し、ＴＡＢ部品位置認識部にてＴＡＢ部品の所定位置からのθ方向へのズレ量を画像処理手段により認識し、仮圧着部にて仮圧着前にボンディングヘッドを前記θ方向へのズレ量に応じてインデックステーブルに対して回転させて補正を行うようにしたことを特徴とする構成を採用したものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
次に、請求項４の発明は、液晶パネルに対するＴＡＢ部品の供給及び仮圧着をインデックステーブル上にて行う液晶パネルへのＴＡＢ部品圧着装置において、前記インデックステーブルにＴＡＢ部品を吸着保持し、かつインデックステーブルに対して回転可能なボンディングヘッドを複数設け、これらのボンディングヘッドに少なくともＴＡＢ部品供給部、ＴＡＢ部品位置認識部、仮圧着部の各ポジションを配置し、ＴＡＢ部品位置認識部にはＴＡＢ部品の所定位置からのθ方向へのズレ量を認識する画像処理手段を有し、仮圧着部にはボンディングヘッドを前記θ方向へのズレ量に応じて回転させて補正を行うθ補正ユニットを設けた構成を採用したものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
インデックステーブル１７上に配置された各ボンディングヘッド１８において、それぞれインデックステーブル１７の上下を貫通するボンディングヘッド軸１０が軸方向に昇降動自在となって設けられ、インデックステーブル１７の下側のボンディングヘッド軸１０の下端部にはＴＡＢ部品２を吸着する吸着ノズル１１が取り付けられており、また、インデックステーブル１７の上側では、ボンディングヘッド軸１０の上端部の径が拡大された加圧部３０となり、この加圧部３０にはボンディングヘッド軸１０の外周に配置されたスプリング３１によって上方向への力が付与されている。