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【手続補正書】
【提出日】平成20年1月21日(2008.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性層を含む窒化物系半導体素子層上に形成された光透過性オーミック電極と、
該光透過性オーミック電極上に形成された誘電体層と、
該誘電体層上に形成された光反射金属層と、
該光反射金属層上に貼り付けられた支持基板と
を備えることを特徴とする窒化物系半導体発光ダイオード。
【請求項２】
前記誘電体層は部分的に開孔し、前記光透過性オーミック電極と前記光反射金属層とは、当該開孔した部分で接触することを特徴とする請求項１に記載の窒化物系半導体発光ダイオード。
【請求項３】
前記光透過性オーミック電極及び前記誘電体層は、取り出す光の波長に応じた所定の膜厚を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化物系半導体発光ダイオード。
【請求項４】
成長用基板上に活性層を含む窒化物系半導体素子層を形成する工程と、
該窒化物系半導体素子層上に光透過性オーミック電極を形成する工程と、
該光透過性オーミック電極上に誘電体層を形成する工程と、
該誘電体層上に光反射金属層を形成する工程と、
該光反射金属層上に支持基板を貼り付ける工程と、
該成長用基板を該窒化物系半導体素子層から除去する工程と
を備えることを特徴とする窒化物系半導体発光ダイオードの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】窒化物系半導体発光ダイオード及びその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、窒化物系半導体発光ダイオード及びその製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
図９に示す構造によると、活性層５０３で発光し、光透過性ｐ型オーミック電極５０６を透過した光が、光反射金属層５０９で反射して、主にｎ型ＧａＮ基板５０２側から外部へ取り出す紫外発光ダイオードとなる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
次に、図１０（ｂ）に示すように、例えば、Ｃｕ：５０重量％、Ｃｕ2Ｏ：５０重量％の含有率を有する複合材料からなる支持基板５１８を準備し、図１０（ｃ）に示すように、ｐ型パッド電極５１１と、支持基板５１８とを、Ａｕ−ＳｎやＰｄ−Ｓｎ、Ｉｎ−Ｐｄなどからなる半田、あるいはＡｇからなる導電性ペーストを介して、熱圧着する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月21日(2008.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
さらに、フェーズ３（３３３）では、１種類のウエハタイプのウエハが所定枚試作され、このウエハタイプの試験に必要な試験プログラム、設定データが用意され、それらによる試験結果が蓄積される。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月13日(2007.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられ共通電極となる導電層と、
前記導電層と電気的にコンタクトを取るコンタクト層を有する半導体薄膜であって、該半導体薄膜毎に能動領域を１個有する半導体薄膜と、
前記半導体薄膜上に設けられ、前記能動領域と電気的にコンタクトを取る薄膜からなる個別電極配線層と
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板と、
前記基板上に設けられ共通電極となる導電層と、
前記共通電極と電気的にコンタクトを取るコンタクト層を有し、一の部分に能動領域を有する半導体薄膜と、
前記半導体薄膜上に設けられ、前記能動領域と電気的にコンタクトを取る薄膜からなる個別電極配線層と、
前記半導体薄膜上の前記一の部分と異なる他の部分と電気的にコンタクトを取ると共に前記導電層と接続された薄膜からなる共通電極配線層と
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
基板と、
前記基板上に設けられ共通電極となる導電層と、
前記導電層と電気的にコンタクトを取るコンタクト層を有する半導体薄膜であって、該半導体薄膜毎の一の領域に能動領域を１個有する半導体薄膜と、
前記半導体薄膜上に設けられ、前記能動領域と電気的にコンタクトを取る薄膜からなる個別電極配線層と、
前記半導体薄膜上の前記一の部分と異なる他の部分と電気的にコンタクトを取ると共に前記導電層と接続された薄膜からなる共通側電極配線層と
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記半導体薄膜は半導体素子を含むことを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体素子が発光素子であることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体薄膜が、ＧａＡｓコンタクト層、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓクラッド層、及びＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ活性層を含むことを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
前記半導体薄膜が活性層を備え、該活性層を含む発光領域面積が、前記半導体薄膜のボンディング面積よりも小さいことを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項８】
前記発光素子の発光領域が、第１導電型の半導体層内に選択的に設けられた第２導電型の不純物領域によって形成されていることを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項９】
前記半導体素子が直線状に配列されていることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体薄膜が直線状に複数配列され、前記半導体薄膜の、配列方向の幅よりも、配列方向と垂直な方向の幅の方が大きいことを特徴とする請求項１又は３記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記半導体薄膜はエピタキシャル層であり、前記半導体素子がエピタキシャル層で形成されたｐｎ接合を含むことを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記発光素子はＬＥＤであることを特徴とする請求項５乃至８の何れかに記載の半導体装置。
【請求項１３】
請求項１２記載の半導体装置と、
前記発光素子から出射した光を導く光学系と
を有することを特徴とするＬＥＤヘッド。
【請求項１４】
像担持体と、
前記像担持体の表面を帯電する帯電手段と、
帯電された前記表面に選択的に光を照射して静電潜像を形成する露光手段と、
前記静電潜像を現像する現像手段と
を有し、
前記露光手段として、請求項１３記載のＬＥＤヘッドを用いたことを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明による半導体装置は、
基板と、前記基板上に設けられ共通電極となる導電層と、前記導電層と電気的にコンタクトを取るコンタクト層を有する半導体薄膜であって、該半導体薄膜毎に能動領域を１個有する半導体薄膜と、前記半導体薄膜上に設けられ、前記能動領域と電気的にコンタクトを取る薄膜からなる個別電極配線層とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明による別の半導体装置は、
基板と、前記基板上に設けられ共通電極となる導電層と、前記共通電極と電気的にコンタクトを取るコンタクト層を有し、一の部分に能動領域を有する半導体薄膜と、前記半導体薄膜上に設けられ、前記能動領域と電気的にコンタクトを取る薄膜からなる個別電極配線層と、前記半導体薄膜上の前記一の部分と異なる他の部分と電気的にコンタクトを取ると共に前記導電層と接続された薄膜からなる共通電極配線層とを有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明による更に別の半導体装置は、
基板と、前記基板上に設けられ共通電極となる導電層と、前記導電層と電気的にコンタクトを取るコンタクト層を有する半導体薄膜であって、該半導体薄膜毎の一の領域に能動領域を１個有する半導体薄膜と、前記半導体薄膜上に設けられ、前記能動領域と電気的にコンタクトを取る薄膜からなる個別電極配線層と、前記半導体薄膜上の前記一の部分と異なる他の部分と電気的にコンタクトを取ると共に前記導電層と接続された薄膜からなる共通側電極配線層とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月19日(2008.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
真空チャンバ１１１の天井の上部には、渦巻き状に曲折されたリング状をなす高周波アンテナ１１６が当該真空チャンバ１１１と同軸をなすようにして複数配設されている。高周波アンテナ１１６には、整合器１１７ａを介して高周波電源１１７が接続している。前記支持台１１３の内部には、円板状をなすバイアス電極板１１８が配設されている。バイアス電極板１１８には、整合器１１９ａを介して高周波バイアス電源（ＬＦ電源）１１９が接続している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2006237479.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2006237479.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2006237479.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月25日(2008.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光の干渉によって生じる干渉縞の解析方法であって、
２つの光の干渉によって生じる第１の干渉縞の情報を取得する工程と、
前記２つの光の少なくとも一方の位相を、ｎを整数とすると、（２ｎ＋１）πラジアン変化させて生成される第２の干渉縞の情報を取得する工程と、
前記取得された第１と第２の干渉縞の情報に基づき、フーリエ変換を利用して前記第１と第２の干渉縞の位相情報を平均した情報を求める工程とを有することを特徴とする干渉縞の解析方法。
【請求項２】
前記平均した情報を求める工程は、前記第１の干渉縞の情報からフーリエ変換を利用して該干渉縞の位相情報を求める工程と、前記第２の干渉縞の情報からフーリエ変換を利用して該干渉縞の位相情報を求める工程と、前記干渉縞の２つの位相情報を平均する工程とを含むことを特徴とする請求項１記載の解析方法。
【請求項３】
前記平均した情報を求める工程は、前記第１と第２の干渉縞の情報を平均する工程と、
前記平均された干渉縞の情報からフーリエ変換を利用して該平均された干渉縞の位相情報を求める工程とを含むことを特徴とする請求項１記載の解析方法。
【請求項４】
前記第１と第２の干渉縞は、点回折干渉又はシアリング干渉を利用して生成されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の解析方法。
【請求項５】
前記シアリング干渉は、直交する２つの方向に周期を有する直交回折格子を用いた２次元シアリング干渉であることを特徴とする請求項４記載の解析方法。
【請求項６】
前記直交回折格子を、前記２つの周期方向のいずれに対しても４５度異なる方向に前記直交回折格子を移動することにより前記干渉する２つの光の少なくとも一方の位相を変化させることを特徴とする請求項５記載の解析方法。
【請求項７】
干渉縞を解析する解析装置であって、２つの光の干渉によって生じる第１の干渉縞の情報と、前記２つの光の少なくとも一方の位相を、ｎを整数とすると、（２ｎ＋１）πラジアン変化させて生成される第２の干渉縞の情報とを検出する検出手段と、
前記検出手段により検出された前記第１と第２の干渉縞の情報に基づき、フーリエ変換を利用して前記第１と第２の干渉縞の位相情報を平均した情報を求める演算手段と、を有することを特徴とする解析装置。
【請求項８】
被検光学系の波面収差を測定する測定装置において、前記被検光学系を透過した２つの光の干渉によって生じる第１の干渉縞と、前記２つの光の少なくとも一方の位相を、ｎを整数とすると、（２ｎ＋１）πラジアン変化させて生成される第２の干渉縞とを測定する測定手段と、
前記測定手段により測定された前記第１と第２の干渉縞の情報に基づき、フーリエ変換を利用して前記第１と第２の干渉縞の位相情報を平均した情報を求めて前記被検光学系の波面収差を求める演算手段と、を有することを特徴とする測定装置。
【請求項９】
光源からの光束を用いてマスクを照明し、投影光学系を介して前記マスクのパターンの像を基板に投影する露光装置において、
請求項８に記載の測定装置を有し、
前記測定装置は前記投影光学系の波面収差を測定することを特徴とする露光装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
該露光された基板を現像するステップとを有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】干渉縞の解析方法及び装置、測定装置、露光装置及びデバイス製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明の別の形態は、干渉縞を解析する解析装置であって、２つの光の干渉によって生じる第１の干渉縞の情報と、前記２つの光の少なくとも一方の位相を、ｎを整数とすると、（２ｎ＋１）πラジアン変化させて生成される第２の干渉縞の情報とを検出する検出手段と、前記検出手段により検出された前記第１と第２の干渉縞の情報に基づき、フーリエ変換を利用して前記第１と第２の干渉縞の位相情報を平均した情報を求める演算手段と、を有することを特徴としている。また、本発明の別の形態は、被検光学系の波面収差を測定する測定装置において、前記被検光学系を透過した２つの光の干渉によって生じる第１の干渉縞と、前記２つの光の少なくとも一方の位相を、ｎを整数とすると、（２ｎ＋１）πラジアン変化させて生成される第２の干渉縞とを測定する測定手段と、前記測定手段により測定された前記第１と第２の干渉縞の情報に基づき、フーリエ変換を利用して前記第１と第２の干渉縞の位相情報を平均した情報を求めて前記被検光学系の波面収差を求める演算手段と、を有することを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明により、被検光学系の光学特性を高精度に測定することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月10日(2008.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤ実装部近傍に貫通孔が形成されたフレキシブル・フラットケーブルと、
前記フレキシブル・フラットケーブルに実装されるＬＥＤ及び該ＬＥＤ保護用素子と、
前記フレキシブル・フラットケーブルの前記ＬＥＤ実装部に取り付けられるケースであって、前記貫通孔を利用して前記フレキシブル・フラットケーブルが固定されるとともに、前記ＬＥＤの光出射位置に光透過孔を有するケースと、を備え、
前記ケースの内側に一対のガイド溝が形成されており、該ガイド溝にその側部が沿った状態で前記フレキシブル・フラットケーブルが前記ケースに収納される、発光装置。
【請求項２】
前記ケースが、発光装置の使用目的にあわせて部分的に屈曲ないし湾曲した形状を有し、該形状に対応して、前記フラットケーブルが部分的に屈曲ないし湾曲した状態で前記ケース内に収納される、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記ケースの光透過孔が光拡散剤含有の光透過性材料からなる、請求項１又は２のいずれか一項に記載の発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月21日(2008.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に薄膜回路部を形成し、
前記薄膜回路部上に、フッ化炭素基を有する物質を含む層を形成し、
前記フッ化炭素基を有する物質を含む層上に、流動性を有する導電性材料を含む組成物を液滴吐出法により付着させ、前記薄膜回路部と電気的に接続する導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に薄膜回路部を形成し、
前記基板から前記薄膜回路部を剥離し、可撓性を有する基板上に接着し、
前記可撓性を有する基板に接着された前記薄膜回路部上に、フッ化炭素基を有する物質を含む層を形成し、
前記フッ化炭素基を有する物質を含む層上に、流動性を有する導電性材料を含む組成物を液滴吐出法により付着させ、前記薄膜回路部と電気的に接続する導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に、剥離層を形成し、
前記剥離層上に、薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成され前記剥離層に達するコンタクトホールが設けられた絶縁層と、前記絶縁層上に形成され前記コンタクトホールにおいて前記剥離層に達し且つ前記薄膜トランジスタと電気的に接続される配線層と、を有する薄膜回路部を形成した後、
前記剥離層を除去して前記基板から前記薄膜回路部を剥離することにより、前記配線層を露出させ、
前記薄膜回路部の前記配線層が露出した領域に、フッ化炭素基を有する物質を含む層を形成し、
前記フッ化炭素基を有する物質を含む層上に、流動性を有する導電性材料を含む組成物を液滴吐出法により付着させ、前記薄膜トランジスタと電気的に接続する導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記導電性材料はＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｗ、Ａｌであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記導電性材料はＣｄまたはＺｎの金属硫化物、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｚｒ、またはＢａの酸化物、ハロゲン化銀の微粒子、または分散性ナノ粒子であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月29日(2008.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置、及びその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に形成された不純物領域を有する半導体膜と、
前記不純物領域上に第１及び第２の開口部が設けられた絶縁膜と、
前記第１及び第２の開口部に設けられ、前記不純物領域と電気的に接続されたソース電極又はドレイン電極の一方及び第１の電極として機能する導電膜と、
前記第１の開口部における前記導電膜上に設けられた絶縁物と、
前記第１の開口部における前記絶縁物上に設けられた第２の電極と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面上に形成された不純物領域を有する半導体膜と、
前記不純物領域上に第１及び第２の開口部が設けられた絶縁膜と、
前記第１及び第２の開口部に設けられ、前記不純物領域と電気的に接続されたソース電極又はドレイン電極の一方及び第１の電極として機能する導電膜と、
前記第１の開口部のみにおける前記導電膜上に設けられた絶縁物と、
前記第１の開口部では前記絶縁物上に設けられ、且つ前記第２の開口部では前記導電膜に接して設けられた第２の電極と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１の開口部は、前記第２の開口部より径が大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１の開口部は、前記不純物領域一つに対して複数設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
絶縁表面上に形成された不純物領域を有する半導体膜と、
前記不純物領域上に第１及び第２の開口部が設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１及び第２の開口部に設けられ、前記不純物領域と電気的に接続されたソース電極又はドレイン電極の一方として機能する第１の導電膜と、
前記第１の導電膜の端部を覆い、且つ前記第１の開口部内に第３の開口部が設けられた第２の絶縁膜と、
前記第１の開口部及び前記第３の開口部における前記第１の導電膜上に設けられた絶縁物と、
前記絶縁物上に設けられた第２の電極と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記絶縁物は、光学的作用又は熱的作用により性質が変化し、前記第１の電極と、前記第２の電極とが短絡することができる材料でなることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記絶縁物は、ジュール熱による溶融、又は絶縁破壊により性質が変化し、前記第１の電極と、前記第２の電極とが短絡することができる材料でなることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記絶縁物は、光を吸収することによって酸を発生する化合物をドープした共役高分子でなることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
絶縁表面上に形成された半導体膜に選択的に不純物領域を形成し、
前記半導体膜上に絶縁膜を形成し、
前記不純物領域が露出するように、前記絶縁膜に第１及び第２の開口部を形成し、
前記第１及び第２の開口部のそれぞれに、前記不純物領域と電気的に接続するソース電極又はドレイン電極の一方及び第１の電極として機能する導電膜を形成し、
前記導電膜及び前記絶縁膜に対して表面改質を行った後に、前記第１の開口部の前記導電膜上に絶縁物を形成し、
前記第１の開口部の前記絶縁物上に第２の電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
絶縁表面上に形成された半導体膜に選択的に不純物領域を形成し、
前記半導体膜上に絶縁膜を形成し、
前記不純物領域が露出するように、前記絶縁膜に第１及び第２の開口部を形成し、
前記第１及び第２の開口部のそれぞれに、前記不純物領域と電気的に接続するソース電極又はドレイン電極の一方及び第１の電極として機能する導電膜を形成し、
前記第１の開口部の前記導電膜上に絶縁物を形成し、
前記第１の開口部の前記絶縁物上に第２の電極を形成し、
前記第２の電極に対してスパッタリング法により表面改質を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
絶縁表面上に形成された半導体膜に選択的に不純物領域を形成し、
前記半導体膜上に絶縁膜を形成し、
前記不純物領域が露出するように、前記絶縁膜に第１及び第２の開口部を形成し、
前記第１及び第２の開口部のそれぞれに、前記不純物領域と電気的に接続するソース電極又はドレイン電極の一方及び第１の電極として機能する導電膜を形成し、
前記第１の開口部の周囲及び前記導電膜の上面に表面改質を行い、
液滴吐出法により、前記第１の開口部の前記導電膜上に絶縁物を滴下し、
前記第１の開口部の前記絶縁物上に第２の電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月14日(2008.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動局となる車両に搭載される移動局端末装置であって、
車内の状況を把握するための車内情報を入手する車内情報入手手段と、
前記車両の賃走状態に異常があったか否かを判断する賃走状態判断手段と、
該賃走状態判断手段により前記車両の賃走状態に異常がなかったと判断された場合、前
記車内情報入手手段で入手した車内情報を消去する車内情報消去手段と、
前記賃走状態判断手段により前記車両の賃走状態に異常があったと判断された場合、前
記車内情報入手手段で入手した車内情報を保存する車内情報保存手段と、
前記車内情報入手手段で入手した車内情報を前記移動局を管理するセンターへ送信する
車内情報送信手段と、
前記賃走状態判断手段により前記車両の賃走状態に異常がなかったと判断された場合、
前記センターに送信された前記車内情報の消去を要求する信号を前記センターへ送信する
消去要求信号送信手段と、
前記賃走状態判断手段により前記車両の賃走状態に異常があったと判断された場合、前
記センターに送信された前記車内情報の保存を要求する信号を前記センターへ送信する保
存要求信号送信手段とを備えていることを特徴とする移動局端末装置。
【請求項２】
移動局となる車両に搭載される移動局端末装置であって、
車内の状況を把握するための車内情報を入手する車内情報入手手段と、
前記車両の賃走状態に異常があったか否かを判断する賃走状態判断手段と、
該賃走状態判断手段により前記車両の賃走状態に異常がなかったと判断された場合、前
記車内情報入手手段で入手した車内情報を消去する車内情報消去手段と、
前記賃走状態判断手段により前記車両の賃走状態に異常があったと判断された場合、前
記車内情報入手手段で入手した車内情報を保存する車内情報保存手段と、
前記賃走状態判断手段により前記車両の賃走状態に異常があったと判断された場合、前
記車内情報入手手段で入手した前記車内情報を前記移動局を管理するセンターへ送信する
車内情報送信手段とを備えていることを特徴とする移動局端末装置。
【請求項３】
前記車両に利用客が乗車したことを検出する乗車検出手段を備え、
前記車内情報入手手段が、前記乗車検出手段により前記利用客の乗車が検出された場合
に前記車内情報を入手するものであることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の移動
局端末装置。
【請求項４】
前記乗車検出手段が、少なくとも実車、支払、空車を含む利用状態を設定するための利
用状態設定手段で設定された前記利用状態に基づいて前記利用客の乗車を検出するもので
あることを特徴とする請求項３記載の移動局端末装置。
【請求項５】
前記賃走状態判断手段が、少なくとも実車、支払、空車を含む利用状態を設定するため
の利用状態設定手段で前記利用状態が実車から空車へ設定されるまでに、前記車両の賃走
状態に異常が発生したことを入力するための異常入力手段の入力が検出された場合に、前
記車両の賃走状態に異常があったと判断するものであることを特徴とする請求項１〜４の
いずれかの項に記載の移動局端末装置。
【請求項６】
前記車内情報入手手段には、車内の状況を撮影する撮像手段が含まれていることを特徴
とする請求項１〜５のいずれかの項に記載の移動局端末装置。
【請求項７】
請求項１記載の移動局端末装置と、複数の移動局を管理するセンターとを含んで構成さ
れる移動局管理システムであって、
前記センターが、                                                              
各移動局から送信されてくる車内情報を記録する車内情報記憶手段と、
前記消去要求信号を送信してきた移動局を判別する消去要求移動局判別手段と、
該消去要求移動局判別手段により判別された移動局に対応する車内情報を消去する車内
情報消去手段と、
前記保存要求信号を送信してきた移動局を判別する保存要求移動局判別手段と、
該保存要求移動局判別手段により判別された移動局に対応する車内情報を保存する車内
情報保存手段とを備えていることを特徴とする移動局管理システム。
【請求項８】
請求項２記載の移動局端末装置と、複数の移動局を管理するセンターとを含んで構成さ
れる移動局管理システムであって、
前記センターが、各移動局から送信されてくる車内情報を保存する車内情報保存手段を
備えていることを特徴とする移動局管理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月20日(2007.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多チャンネル再生モードと２チャンネルステレオ再生モードとを選択的に切換可能なＡＶアンプに用いるパラレル駆動バイアンプ切換回路であって、
ＰＷＭ方式の第１の増幅器と、
ＰＷＭ方式の第２の増幅器と、
前記第１の増幅器に接続する第１のスピーカと、
前記第２の増幅器に接続する第２のスピーカと、
遅延回路とを備え、
多チャンネル再生の時は第１の信号源の信号を前記第１の増幅器で増幅して前記第１のスピーカの端子に出力し前記第２の信号源の信号を前記第２の増幅器で増幅して前記第２のスピーカの端子に出力し、
２チャンネルステレオ再生の時は第１の信号源の信号を前記遅延回路を介して前記第１の増幅器で増幅して前記第１のスピーカの端子に出力すると共に前記第１の信号源の信号を前記第２の増幅器で増幅して前記第１のスピーカの同一端子に同一入力信号のタイミングを一致させることなく出力するように構成した事を特徴とするパラレル駆動バイアンプ切換回路。
【請求項２】
多チャンネル再生モードと２チャンネルステレオ再生モードとを選択的に切換可能なＡＶアンプに用いるパラレル駆動バイアンプ切換回路であって、
入力端子を第１の信号源にスイッチを介して接続し出力端子を第１のスピーカの端子に接続するＰＷＭ方式の第１の増幅器と、
入力端子を第２の信号源にスイッチを介して接続し出力をスイッチを介して前記第１のスピーカの端子に接続するかまたはスイッチを介して第２のスピーカの端子に接続するＰＷＭ方式の第２の増幅器と、
前記第１の信号源と前記第１の増幅器の入力との間にスイッチを介して接続された遅延回路と、
前記第１の信号源と前記第２の増幅器の入力との間にスイッチを介して接続された信号経路とを備え、
前記各部に配置された複数のスイッチの切換によって、
多チャンネル再生の時は第１の信号源の信号を前記第１の増幅器で増幅して前記第１のスピーカの端子に出力し前記第２の信号源の信号を前記第２の増幅器で増幅して前記第２のスピーカの端子に出力し、
２チャンネルステレオ再生の時は第１の信号源の信号を前記遅延回路を介して前記第１の増幅器で増幅して前記第１のスピーカの端子に出力すると共に前記第１の信号源の信号を前記第２の増幅器で増幅して前記第１のスピーカの同一出力端子に同一入力信号のタイミングを一致させることなく出力するように構成した事を特徴とするパラレル駆動バイアンプ切換回路。
【請求項３】
増幅器は３個以上であり、遅延回路の数は増幅器の数より１個少ないものである請求項１記載のパラレル駆動バイアンプ切換回路。
【請求項４】
前記信号源となるデコーダと、
前記複数のスイッチのオン、オフを制御するコンピュータ装置と、
前記コンピュータ装置に指示を与えるモード選択部とをさらに備えた請求項１から３のいずれかに記載のパラレル駆動バイアンプ切換回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
このドルビーサラウンド方式は、フロント３チャンネル、リア１チャンネルの構成であり、サラウンドプロセッサ回路２１は、入力する左右２チャンネルのステレオ再生信号Ｌ，Ｒを基に、内部ロジックによりフロント用の左右出力ＦL、ＦR（ステレオ）、リア用の左右出力ＲL、ＲR（モノラル）、センター出力Ｃの計５つの出力を生成して出力する。上記５つの出力信号は、それぞれの出力回路毎に設けたパワーアンプ２２1〜２２5により増幅された後、スピーカーターミナル２３を通じて各スピーカ２４L、２４R、２５L、２５R、２６Ｃに送られ、それぞれのスピーカーをならす事により所定のドルビーサラウンド再生を行うものである。
【特許文献１】実公平６−２３１１９号公報
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
しかしながら上記の様な従来のＡＶアンプの場合、２チャンネルステレオを再生する時を考えると図４のようになり、増幅回路がＬチャンネル用の増幅器４Ａ、Ｒチャンネル用の増幅器４Ｃの各１つしかない為、２チャンネル時に使用しないマルチチャンネル再生用アンプ４Ｂ、４Ｄが余っていても何ら２チャンネル再生時の音質向上に寄与出来ないという問題点を有していた。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決する為に本発明のパラレル駆動バイアンプ切換回路は、多チャンネル再生モードと２チャンネルステレオ再生モードとを選択的に切換可能なＡＶアンプに用いるパラレル駆動バイアンプ切換回路であって、入力端子を第１の信号源にスイッチを介して接続し出力端子を第１のスピーカの端子に接続するＰＷＭ方式の第１の増幅器と、出力端子を第２の信号源にスイッチを介して接続し出力をスイッチを介して前記第１のスピーカの端子に接続するかまたはスイッチを介して第２のスピーカの端子に接続するＰＷＭ方式の第２の増幅器と、前記第１の信号源と前記第１の増幅器の間に挿入されスイッチを介して接断される遅延回路と、前記第１の信号源と前記第２の増幅器の入力との間にスイッチを介して接続された信号経路とを備え、前記各部に配置された複数のスイッチの切換によって、多チャンネル再生の時は第１の信号源の信号を前記第１の増幅器で増幅して前記第１のスピーカの端子に出力し前記第２の信号源の信号を前記第２の増幅器で増幅して前記第２のスピーカの端子に出力し、２チャンネルステレオ再生の時は第１の信号源の信号を前記遅延回路を介して前記第１の増幅器で増幅して前記第１のスピーカの端子に出力すると共に前記第１の信号源の信号を前記第２の増幅器で増幅して前記第１のスピーカの同一端子に同一入力信号のタイミングを一致させることなく出力するように構成した事を特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また本発明のパラレル駆動バイアンプ切換回路は、増幅器は３個以上であり、遅延回路の数は増幅器の数より１個少ないものであることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また本発明のパラレル駆動バイアンプ切換回路成は、前記信号源となるデコーダと、前記複数のスイッチのオン、オフを制御するコンピュータ装置と、前記コンピュータ装置に指示を与えるモード選択部とを備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月14日(2008.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
半導体ウェハーに形成された複数の撮像用半導体素子の各受光部に保護膜を形成する工程と、
前記半導体ウエハーを撮像用半導体素子毎に分割する工程と、
前記分割された撮像用半導体素子を大判の回路基板へ実装する工程と、
前記各撮像用半導体素子と前記大判の回路基板の配線とをワイヤにてボンディングする工程と、
前記保護膜、前記ワイヤ及び前記複数の撮像用半導体素子全体を覆うように樹脂で封止する工程と、
前記保護膜の表面が露出するまで前記樹脂を研摩する工程と、
前記保護膜を除去する工程と、
前記撮像用半導体素子、前記研摩された樹脂上にカバーを貼り付ける工程と、
前記大判の回路基板を切断して個別の撮像用半導体装置に分割する工程と、
前記カバーを剥離する工程と
を有することを特徴とする撮像用半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月11日(2008.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  
第１ワークと、第２ワークとよりなる被溶接物を挟み込んで両側のそれぞれに配置される電極において、
前記各電極の前記被溶接物を押圧する接触面が、前記被溶接物の溶接に伴う発熱部に対向する中心位置とは、それぞれ異なる位置に設けられてなることを特徴とする抵抗溶接電極。
【請求項２】
第１ワークと、第２ワークとよりなる被溶接物を挟み込んで両側のそれぞれに配置される電極において、
前記各電極の前記被溶接物を押圧する接触面の前記被溶接物の溶接に伴う発熱部に対向する中心位置に、窪みが形成されてなることを特徴とする抵抗溶接電極。
【請求項３】
第１ワークと、第２ワークとよりなる被溶接物を挟み込んで両側のそれぞれに配置される電極において、
前記各電極の前記被溶接物を押圧する接触面の前記被溶接物の溶接に伴う発熱部に対向する中心位置に、少なくとも該電極よりも導電性の低い物材が形成されてなることを特徴とする抵抗溶接電極。
【請求項４】  
第１ワークと、第２ワークとよりなる被溶接物を挟み込んで両側のそれぞれに配置される電極において、
前記各電極の前記被溶接物を押圧する接触面の前記被溶接物の溶接に伴う発熱部に対向する中心位置に、少なくとも該電極よりも熱伝導性の低い物材が形成されてなることを特徴とする抵抗溶接電極。
【請求項５】  
前記導電性の低い物材又は前記熱伝導性の低い物材には、前記被溶接物に対して隙間が形成されてなることを特徴とする請求項３又は４記載の抵抗溶接電極。
【請求項６】
前記導電性の低い物材又は前記熱伝導性の低い物材が弾性体を介して可動自在に装着されてなることを特徴とする請求項３又は４記載の抵抗溶接電極。
【請求項７】  
第１ワークと、第２ワークとよりなる被溶接物を挟み込んで両側のそれぞれに配置される電極において、
前記各電極の前記被溶接物を押圧する接触面の前記被溶接物の溶接に伴う発熱部に対向する中心位置に、貫通穴が形成されてなることを特徴とする抵抗溶接電極。
【請求項８】  
前記貫通穴には、高圧エアーが流入されてなることを特徴とする請求項７記載の抵抗溶接電極。
【請求項９】  
前記貫通穴には、冷却水が流入されてなることを特徴とする請求項７記載の抵抗溶接電極。
【請求項１０】
前記貫通穴には、ネジ加工が施されてなり、該貫通穴に、前記導電性の低い物材又は前記熱伝導性の低い物材からなるネジ部が、可動自在にねじ込み装着されてなることを特徴とする請求項７記載の抵抗溶接電極。
【請求項１１】  
前記貫通穴には、前記導電性の低い物材又は前記熱伝導性の低い物材が、上下駆動するシリンダを介して可動自在に挿入装着されてなることを特徴とする請求項７記載の抵抗溶接電極。
【請求項１２】  
第１ワークと、第２ワークとよりなる被溶接物を挟み込んで両側のそれぞれに配置される電極を用いて抵抗溶接される被溶接物において、
前記第１ワーク又は第２ワークには、前記被溶接物の溶接に伴う発熱部に対向する中心位置とは異なる位置にプロジェクション溶接用突起が形成されてなることを特徴とする抵抗溶接される被溶接物。
【請求項１３】  
第１ワークと、第２ワークとよりなる被溶接物を挟み込んで両側のそれぞれに配置される電極を用いて抵抗溶接を行う方法において、
前記被溶接物の溶接に併う発熱部に対向する中心位置とは異なる位置に、前記各電極を押圧接触させて抵抗溶接を行うことを特徴とする抵抗溶接方法。
【請求項１４】
第１ワークと、第２ワークとよりなる被溶接物を挟み込んで両側のそれぞれに配置される電極を用いた抵抗溶接機において、
前記各電極の前記被溶接物を押圧する接触面が、前記被溶接物の溶接に伴う発熱部に対向する中心位置とは、それぞれ異なる位置に設けられてなることを特徴とする抵抗溶接機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、第１ワークと、第２ワークとよりなる被溶接物を挟み込んで両側のそれぞれに配置される電極を用いて抵抗溶接される被溶接物において、前記第１ワーク又は第２ワークには、前記被溶接物の溶接に伴う発熱部に対向する中心位置とは異なる位置にプロジェクション溶接用突起が形成されてなることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、第１ワークと、第２ワークとよりなる被溶接物を挟み込んで両側のそれぞれに配置される電極を用いて抵抗溶接を行う方法において、前記被溶接物の溶接に併う発熱部に対向する中心位置とは異なる位置に、前記各電極を押圧接触させて抵抗溶接を行うことを特徴とするものである。
また、第１ワークと、第２ワークとよりなる被溶接物を挟み込んで両側のそれぞれに配置される電極を用いた抵抗溶接機において、前記各電極の前記被溶接物を押圧する接触面が、前記被溶接物の溶接に伴う発熱部に対向する中心位置とは、それぞれ異なる位置に設けられてなることを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月10日(2008.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】消臭方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
硫黄系臭気物質を含有する、廃水、汚泥、脱水ケーキまたは洗浄装置の洗浄水に、過酸化物の濃度が過酸化水素換算で１０重量％以上、５０重量％未満である過酸化物と硝酸イオンを含有する消臭剤と、防菌剤とを添加する消臭方法。
【請求項２】
消臭剤の過酸化物と硝酸イオンが（１）式で示される請求項１記載の消臭方法。
(１)硝酸イオン濃度(重量％)＝(１／ｋ)×過酸化物の過酸化水素換算濃度(重量％)
（ここでｋ＝０．５〜１０、且つ、過酸化物の過酸化水素換算濃度（重量％）と硝酸イオン濃度（重量％）との合計が１００未満である。）
【請求項３】
消臭剤が、キレート剤を含有する請求項１又は２記載の消臭方法。
【請求項４】
過酸化物が過酸化水素である請求項１又は２記載の消臭方法。
【請求項５】
硝酸イオンがアルカリ金属の硝酸塩である請求項１又は２記載の消臭方法。
【請求項６】
廃水、汚泥、脱水ケーキまたは洗浄装置の洗浄水の移送配管中に、消臭剤と防菌剤を添加する請求項１又は２記載の消臭方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月18日(2007.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  下記の要素を備えたサーマルプリンタ。
（ａ）情報処理装置のアプリケーション・プログラムからサーマルプリンタへの印刷要求を実行するプリンタドライバと、
（ｂ）前記プリンタドライバから印刷対象文書を印刷するための印刷データを受信するデータ受信部と、
（ｃ）前記データ受信部によって受信した印刷データに基づいて、用紙替えによって設定された感熱紙の種類を判定する用紙種別判定部と、
（ｄ）前記用紙種別判定部によって判定した前記感熱紙の種類を、次の用紙替え終了まで保持する用紙種別保持部。
【請求項２】  下記の手段を更に備えた、請求項１に記載のサーマルプリンタ。
（ａ）複数の種類のセンサの状態を示す複数個のステータスデータを検出するステータス検出部と、
（ｂ）前記ステータス検出部によって検出された前記ステータスデータおよび前記用紙種別判定部によって判定された結果を前記プリンタドライバへ送信するデータ送信部。
【請求項３】  前記用紙種別判定部が、前記印刷データにおける感熱紙の種類を決定する用紙設定モード、および、前記ステータス検出部によって検出された前記ステータスデータに基づいて、前記感熱紙の種類を判定することを特徴とする、請求項１または２に記載のサーマルプリンタ。
【請求項４】  下記の要素を更に備えた、請求項１に記載のプリンタドライバ。
（ａ）アプリケーション・プログラムから印刷対象文書の情報を含む印刷要求を受け付ける印刷要求受付部と、
（ｂ）前記印刷要求受付部によって受け付けた印刷要求に従って、サーマルプリンタの設定情報を選定し表示する設定情報表示制御部と、
（ｃ）印刷対象文書を印刷するための所要の情報の入力を制御する入力制御部と、
（ｄ）サーマルプリンタの前記設定情報と、前記印刷対象文書を印刷するための前記所要の情報とに基づいて、印刷データを生成する印刷データ生成部と、
（ｅ）前記印刷データと印刷出力指令をサーマルプリンタに送信するドライバ送信部。
【請求項５】  前記入力制御部において、「自動判定」によって感熱紙の種類を特定するか、「手動判定」によって感熱紙の種類を特定するかを指定することを特徴とする、請求項４に記載のプリンタドライバ。
【請求項６】  前記入力制御部において、複数個の感熱紙の種類から所望の感熱紙の種類を選択することを特徴とする、請求項４に記載のプリンタドライバ。
【請求項７】  複数個の前記感熱紙の種類が、単色用の感熱紙、２色発色用の滅色型感熱紙または２色発色用の加色型感熱紙であることを特徴とする、請求項１に記載のプリンタドライバ。
【請求項８】  下記のステップを備えた印刷制御方法。
（ａ）情報処理装置のアプリケーション・プログラムからサーマルプリンタへの印刷要求を実行する印刷要求中継ステップと、
（ｂ）前記印刷要求中継ステップから印刷対象文書を印刷するための印刷データを受信するデータ受信ステップと、
（ｃ）前記データ受信ステップによって受信した印刷データに基づいて、用紙替えによって設定された感熱紙の種類を判定する用紙種別判定ステップと、
（ｄ）前記用紙種別判定ステップによって判定した前記感熱紙の種類を、次の用紙替え終了まで保持する用紙種別保持ステップ。
【請求項９】  下記のステップを更に備えた、請求項８に記載の印刷制御方法。
（ａ）複数の種類のセンサの状態を示す複数個のステータスデータを検出するステータスデータ検出ステップと、
（ｂ）前記ステータスデータ検出ステップによって検出された前記ステータスデータおよび前記用紙種別判定ステップによって判定された結果を前記印刷要求中継ステップへ送信するデータ送信ステップ。
【請求項１０】  前記用紙種別判定ステップが、前記印刷データにおける感熱紙の種類を決定する用紙設定モード、および、前記ステータスデータ検出ステップによって検出された前記ステータスデータに基づいて、前記感熱紙の種類を判定することを特徴とする、請求項８または９に記載の印刷制御方法。
【請求項１１】  前記印刷要求中継ステップが、下記のステップを更に備えた、請求項８に記載の印刷制御方法。
（ａ）アプリケーション・プログラムから印刷対象文書の情報を含む印刷要求を受け付ける印刷要求受付ステップと、
（ｂ）前記印刷要求受付ステップによって受け付けた印刷要求に従って、サーマルプリンタの設定情報を選定し表示する設定情報表示制御ステップと、
（ｃ）印刷対象文書を印刷するための所要の情報の入力を制御する入力制御ステップと、
（ｄ）サーマルプリンタの前記設定情報と、前記印刷対象文書を印刷するための前記所要の情報とに基づいて、印刷データを生成する印刷データ生成ステップと、
（ｅ）前記印刷データと印刷出力指令をサーマルプリンタに送信するドライバ送信ステップ。
【請求項１２】  前記印刷要求中継ステップの前記入力制御ステップにおいて、「自動判定」によって感熱紙の種類を特定するか、「手動判定」によって感熱紙の種類を特定するかを指定することを特徴とする、請求項１１に記載の印刷制御方法。
【請求項１３】  前記印刷要求中継ステップの前記入力制御ステップにおいて、複数個の感熱紙の種類から所望の感熱紙の種類を選択することを特徴とする、請求項１１に記載の印刷制御方法。
【請求項１４】  前記印刷要求中継ステップの複数個の前記感熱紙の種類が、単色用の感熱紙、２色発色用の滅色型感熱紙または２色発色用の加色型感熱紙であることを特徴とする、請求項８に記載の印刷制御方法。
【請求項１５】  請求項８から１４のいずれか１項に記載の印刷制御方法のステップを有するプログラムを記録した情報記録媒体。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年3月11日(2008.3.11)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の金型部品と第２の金型部品とを含む少なくとも２つの金型部品を含んで成り、その中に眼科レンズを含む、少なくとも１つの金型の該部品を分離する装置であって、
ワークステーションに前記金型部品の一方または双方を保持することにより、前記眼科レンズを間に含む前記金型部品を位置決めする手段；
前記金型部品の少なくとも一方の材料が放射線を十分に吸収して前記材料を昇温するための強力な電磁放射線源；
前記放射線源からの放射線を指向させて前記金型部品の一方または双方の外表面に衝突させる手段であって、所定のパターンを前記表面にトレースして相異なる領域に対する放射線エネルギーの量を変えるスキャナ手段を備える放射線指向手段；および、
前記金型部品に前記強力な放射線が衝突する期間内に前記線源からの放射線が衝突した前記金型部分の表面領域の温度に調節された昇温を生じさせるために、前記トレースパターンに応答して前記放射線が衝突する期間を調節する手段、
を備えたことを特徴とする装置。
【請求項２】
第１の金型部品と第２の金型部品とを含んで成りその中に眼科レンズを含む少なくとも１つの金型の該部品を分離する方法であって、
取付具内に前記金型部品の少なくとも一方を保持することにより間に眼科レンズを収容している前記金型部品の少なくとも一方を保持し；
強力な電磁放射線源であって、前記金型部品の少なくとも一方の材料がその電磁放射線に対し十分な吸収性を有する強力な電磁放射線源を指向させて前記材料を昇温させ；
前記金型部品の一方または双方の外表面に前記電磁放射線を前記金型部品の種々の表面部分の上に延びている所定の走査パターンで衝突させ；
前記表面パターンを前記放射線で走査する間の前記放射線の衝突期間を調節して前記放射線衝突期間の間に前記電磁放射線が衝突する前記金型表面の温度を上昇させるが前記眼科レンズの温度は本質的に上昇させず；そして、
そのように衝突した後前記金型部品を分離することを特徴とする、
方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
また、これらの周波数における金型材料の吸収特性に起因して、レーザーエネルギーの大部分が数波長分以内の行程で金型材料中に吸収される。この点から、熱は表面からの伝熱のみによって移動する。この理由により、レーザービームに対する初期の暴露において、外側の暴露面とレンズに接触した金型部分の表面との間に巨大な熱勾配が生じる。更に、レーザービーム断面における不均一なエネルギー密度により、不均一な加熱も生じ得る。
放射線エネルギーや特にレーザの媒介により行われる上述の成型品の取り出しは一般に満足なものであるが、レンズの厚さと曲率が異なるせいで種々の成形部品または表面において不均一な加熱が行われるという若干の問題があった。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５１】
好適な実施の形態は下記の通りである。
（１）前記スキャナ手段はＸ−Ｙ方向に移動可能な複数の検流計駆動ミラーを備え、前記放射線指向手段は、前記電磁放射線源と前記ミラーとの間に挿入されて前記放射線を前記ミラーにより反射されて前記金型部品に向けられるビームに収束させて、レンズの薄い領域または前記少なくとも１つの金型またはレンズの材料によるエネルギー吸収が急峻な表面角度の存在に応答して変化する場所におけるエネルギーを低減する放射線パターンの形成を容易にする光学レンズ手段を有する、請求項１記載の装置。
（２）前記複数のミラーは前記ミラー２個を備え、第１の検流計が作動的に第１の前記ミラーに接続されて該ミラーを第１の方向に駆動するようにし、第２の検流計が作動的に第２の前記ミラーに接続され該ミラーを第２の方向に駆動するようにしてＸ−Ｙ走査パターンを与える実施の形態１記載の装置。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５３】
（８）前記強力な電磁放射線源はレーザである請求項１記載の装置。
（９）前記放射線の波長は約１μｍ〜約２０μｍである請求項１記載の装置。
（１０）前記レーザは小さなレーザスポットを用いて前記走査パターンをたどるのを容易にする実施の形態８記載の装置。
（１１）前記パターンは前記レーザスポットによりたどられる螺旋パターンを含む実施の形態１０記載の装置。
（１２）前記パターンは前記レーザスポットによりたどられる格子パターンを含む実施の形態１０記載の装置。
（１３）前記レーザスポットの直径は約０．８ｍｍである実施の形態１０記載の装置。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５４】
（１４）前記位置決め手段は前記第１の金型部品を保持し、それによって第２の金型部品とそれに取り付けられたレンズとを保持し、前記放射線源は前記第２の金型部品の外表面に突き当たるように指向される請求項１記載の装置。
（１５）前記走査パターンは、レンズの薄い領域または前記金型またはレンズの材料によるエネルギー吸収が急峻な表面角度の存在に応答して変化する場所におけるエネルギーを低減する放射線パターンの形成を容易にする請求項２記載の方法。
（１６）単一のパレット内に配置されている間に複数の前記レンズおよび金型の連続走査が容易にされる請求項２記載の方法。