【手続補正書】
【提出日】平成20年3月11日(2008.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に設けられた半導体層と、
前記半導体層上に設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に、前記半導体層と重なるように設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられた第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に設けられた第１の遮光層と、
前記第１の遮光層上に設けられた第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上に設けられた第２の遮光層とを有し、
前記第２の遮光層から前記半導体層へ向かう方向に光が照射された際、前記第２の遮光層で回折する光を遮光するように前記第２の遮光層の周縁部よりも内側に前記第１の遮光層及び前記ゲート電極が配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面上に設けられた半導体層と、
前記半導体層上に設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に、前記半導体層と重なるように設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられた第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に設けられた第１の遮光層と、
前記第１の遮光層上に設けられた第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上に設けられた第２の遮光層とを有し、
前記第２の遮光層の周縁部よりも内側に前記第１の遮光層及び前記ゲート電極が配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
絶縁表面上に設けられた半導体層と、
前記半導体層上に設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に、前記半導体層と重なるように設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられた第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に設けられた第１の遮光層と、
前記第１の遮光層上に設けられた第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上に設けられた第２の遮光層とを有し、
前記第２の遮光層から前記半導体層へ向かう方向に光が照射された際、前記第２の遮光層で回折する光が前記半導体層にあたらないように前記第２の遮光層の周縁部よりも内側に前記第１の遮光層及び前記ゲート電極が配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記半導体層に設けられたソース領域及びドレイン領域とそれぞれ電気的に接続するソース電極及びドレイン電極を有し、
前記ソース電極及びドレイン電極は、前記第２の遮光層の周縁部より内側に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
絶縁表面上の画素部に設けられた半導体層と、
前記半導体層上に設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に、前記半導体層と重なるように設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられた第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に設けられた第１の遮光層と、
前記第１の遮光層上に設けられた第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上に設けられた第２の遮光層とを有し、
前記画素部における半導体層の全ての領域において、前記半導体層の上方では、前記第２の遮光層は前記ゲート電極又は前記第１の遮光層と重畳していることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
絶縁表面上に設けられた第１の遮光層と、
前記第１の遮光層上に設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられた半導体層と、
前記半導体層上に設けられた第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に設けられた配線、及び前記第１の遮光層と電気的に接続するゲート電極と、
前記配線及び前記ゲート電極上に設けられた第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜上に、前記第３の絶縁膜を間に挟んで前記半導体層と重なるように設けられた第２の遮光層と、
前記第２の遮光層上に設けられた第４の絶縁膜と、
前記第４の絶縁膜上に設けられた第３の遮光層とを有し、
前記第３の遮光層から半導体層に向かう方向に光が照射された際、前記第３の遮光層で回折する光を遮光するように、前記第２の遮光層及び前記ゲート電極を配置させたことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記第２の絶縁膜を介して前記半導体層と前記配線とが重なることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項６または７において、
前記第２の絶縁膜を介して前記配線と前記半導体層とが重なる領域には、前記第２の絶縁膜を誘電体とする保持容量が形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれか一において、
前記第２の絶縁膜を介して前記配線と重なる領域における前記半導体層は、導電型を付与する不純物元素が添加されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項６乃至９のいずれか一において、
前記第３の絶縁膜上に設けられた前記半導体層と電気的に接続する電極と、前記電極と電気的に接続する画素電極とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記半導体層と電気的に接続する電極は、前記第２の遮光層と同時に形成されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項６乃至１１のいずれか一において、
前記第１の遮光層は、走査線であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項６乃至１２のいずれか一において、
前記配線は、容量配線であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項６乃至１３のいずれか一において、
前記第２の絶縁膜は、ゲート絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また、上記構成において、前記第３絶縁膜上に前記半導体層と接する電極と、該電極と接続する画素電極とを有することを特徴としている。また、前記第３絶縁膜上に前記半導体層と接する電極は、第２の遮光層であることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
また、上記構成において、前記第１遮光層は、走査線であり、前記第２配線は、容量配線であり、前記第２絶縁膜は、ゲート絶縁膜であることを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
次いで、ゲート電極及び容量配線を覆う絶縁膜を形成し、該絶縁膜上に半導体層と接続するソース配線（ソース電極含み、信号線ともいう）４１９と、半導体層と接続するドレイン電極４１８とを同時形成する。（図３（Ｃ））この段階で半導体層の全ての領域においてゲート電極、ソース配線、またはドレイン電極のいずれか一と重畳させる。なお、ソース配線の一部、またはドレイン電極の一部は第２遮光層として働く。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
また、本構成によれば、各画素のＴＦＴは、チャネル形成領域の上方及び下方に絶縁膜を介してゲート電極を備えたデュアルゲート構造とすることができ、走査線を覆う絶縁膜を適切な膜厚に設定することにより、走査線と他の配線とで形成される寄生容量を抑制しながらＴＦＴの特性を向上することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
以下、本実施例の半導体装置の作製工程を簡略に示す。なお、説明には画素部の一部の上面図および断面図を示した図４〜９を用いる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
次いで、水素化処理をおこなった後、アクリルからなる層間絶縁膜４２０を形成する。次いで、層間絶縁膜４２０上に遮光性を有する導電膜１００ｎｍを成膜し、遮光層４２１を形成する（図８（Ａ））。図８（Ｂ）において、点線Ｅ−Ｅ’で切断した断面図が図８（Ａ）に相当する。また、図８（Ｂ）は、実施の形態に示した図３（Ｄ）とも対応しており、同じ部分には同一の符号を用いた。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
次いで、層間絶縁膜４２２を形成する。次いで、ドレイン電極４１８に達するコンタクトホール形成する。次いで、１００ｎｍの透明導電膜（ここでは酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）膜）を形成した後、パターニングして画素電極４２３、４２４を形成する（図９（Ａ））。図９（Ｂ）において、点線Ｆ−Ｆ’で切断した断面図が図９（Ａ）に相当する。また、図９（Ｂ）は、実施の形態に示した図３（Ｅ）とも対応しており、同じ部分には同一の符号を用いた。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
また、こうして得られたＴＦＴのオフ電流は小さく、画素部のＴＦＴとして適している。また、ＴＦＴの特性の変動が小さい。図１３にそのＴＦＴの特性の変動を光強度とΔＶ（Ｖ−Ｔ曲線の変動値）との関係を示す。このΔＶは、Ｖ−Ｔ曲線を求め、光源からの光を１００％とし、Ｖ−Ｔ曲線の縦軸である透過率Ｔが５０％の値の時のＶ（電圧）の値が、画素部において最初に印加される画素のＶの値と、最後に印加される画素のＶの値とで異なっており、その差の絶対値を示している。このΔＶの値が小さければ小さいほど、ＴＦＴ特性の変動が小さいと言える。また、横軸の光強度（測定で使用した光源）に対する変化が小さければ小さいほど、光に対する劣化が小さいと言える。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
［実施例４］
本実施例は実施例１の画素構造に代えて図１２に示した画素構造とした例を示す。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
また、本実施例のＴＦＴ構造は、実施例１に示したＴＦＴのオン電流値（確率分布曲線の最大値を示すオン電流値＝３．０９×１０−５Ａ）よりも高いオン電流値（確率分布曲線の最大値を示すオン電流値＝４．２４×１０−５Ａ）を有し、非常に有効である。図１５にオン電流値の確率分布図を示す。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】    断面構造図を示す図。
【図２】    遮光層の端部で回折する光強度と、遮光層の端部からの距離との関係を示す図。
【図３】    画素部の一部を示す上面図。
【図４】    画素部の作製工程断面図および上面図。
【図５】    画素部の作製工程断面図および上面図。
【図６】    画素部の作製工程断面図および上面図。
【図７】    画素部の作製工程断面図および上面図。
【図８】    画素部の作製工程断面図および上面図。
【図９】    画素部の作製工程断面図および上面図。
【図１０】  画素部の上面図。（実施例２）
【図１１】  画素部の上面図。（実施例３）
【図１２】  画素部の上面図。（実施例４）
【図１３】  ΔＶと光強度の関係を示すグラフ（実施例１〜４）
【図１４】  画素部の作製工程断面図。（実施例５）
【図１５】  オン電流値の分布図。（実施例５）
【図１６】  オフ電流値の分布図。（実施例５）
【図１７】  電子機器の一例を示す図。
【図１８】  電子機器の一例を示す図。
【図１９】  電子機器の一例を示す図。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
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