【手続補正書】
【提出日】平成20年10月28日(2008.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デプレッション型半導体スイッチを用いたハーフブリッジのための駆動回路であって、
ハイサイドデプレッション型半導体スイッチを制御するよう動作可能なハイサイド駆動部であって、前記ハイサイドデプレッション型半導体スイッチに負バイアス電圧を供給して前記ハイサイドデプレッション型半導体スイッチをＯＦＦにするハイサイド駆動部と、
ローサイドデプレッション型半導体スイッチを制御するよう動作可能なローサイド駆動部と、
負端子が前記ハイサイド駆動部に接続された外部電圧源と、
前記電圧源の前記負端子と前記ハイサイド駆動部との間に配置され、前記ローサイド駆動部が前記ローサイドデプレッション型半導体スイッチをＯＮにする時に、前記ハイサイド駆動部を前記電圧源の前記負端子に接続するよう動作可能なハイサイド駆動スイッチと、を備える、駆動回路。
【請求項２】
請求項１に記載の駆動回路であって、
前記ハイサイド駆動部は、ハイサイド入力制御信号によって制御される、駆動回路。
【請求項３】
請求項１に記載の駆動回路であって、
前記ローサイド駆動部は、ローサイド入力制御信号によって制御される、駆動回路。
【請求項４】
請求項３に記載の駆動回路であって、
前記ローサイド駆動部は、さらに、
プッシュプル構成として配置されていると共に、前記ローサイド入力制御信号に基づいてＯＮおよびＯＦＦに切り替えられる第１のトランジスタおよび第２のトランジスタと、
前記ローサイドデプレッション型半導体スイッチと直列に配置された電力ＭＯＳＦＥＴと、
前記第１および第２のトランジスタの間に配置され、前記電力ＭＯＳＦＥＴのゲートに接続された出力ノードと、を備え、
前記出力ノードの電圧値が前記電力ＭＯＳＦＥＴをＯＮにする時には、前記ローサイドデプレッション型半導体スイッチがＯＮであり、前記出力ノードの電圧値が前記電力ＭＯＳＦＥＴをＯＦＦにする時には、前記ローサイドデプレッション型半導体スイッチがＯＦＦである、駆動回路。
【請求項５】
請求項４に記載の駆動回路であって、
前記ローサイド駆動部は、さらに、前記電力ＭＯＳＦＥＴに接続された飽和防止制御素子を備えることで、前記電力ＭＯＳＦＥが飽和状態で動作しないことを保証する、駆動回路。
【請求項６】
請求項３に記載の駆動回路であって、
前記ローサイド入力制御信号は、さらに、前記ローサイドデプレッション型半導体スイッチがＯＮにされた時に前記電圧源の前記負端子が前記ハイサイド駆動部に接続されるように、前記ハイサイド駆動スイッチを制御し、
前記負端子の負電圧は、前記ハイサイドデプレッション型半導体スイッチをＯＦＦにするために用いられる、駆動回路。
【請求項７】
デプレッション型半導体スイッチを用いたハーフブリッジのための駆動回路であって、
ハイサイドデプレッション型半導体スイッチを制御するよう動作可能なハイサイド駆動部であって、前記ハイサイド駆動部を前記ハーフブリッジの下位レールに選択的に接続する線形レギュレータ制御装置を含むハイサイド駆動部と、
ローサイドデプレッション型半導体スイッチを制御するよう動作可能なローサイド駆動部と、を備える、駆動回路。
【請求項８】
請求項７に記載の駆動回路であって、
前記線形レギュレータ制御装置は、前記ハイサイドデプレッション型スイッチがＯＮであり、かつ、前記ハイサイド駆動部を横切るコンデンサの電圧が閾値電圧よりも高くなった時に、前記ハイサイド駆動部を前記ハーフブリッジの前記下位レールに接続し、それにより、前記ハイサイド駆動部は、前記ハイサイドデプレッション型半導体素子のゲートに負バイアス電圧を印可して、前記ハイサイドデプレッション型半導体素子をＯＦＦにする、駆動回路。
【請求項９】
請求項８に記載の駆動回路であって、
前記線形レギュレータ制御装置は、前記コンデンサの前記電圧が前記閾値よりも低くなった時に、前記ハイサイド駆動部を前記ハーフブリッジの前記下位レールに接続する、駆動回路。
【請求項１０】
請求項７に記載の駆動回路であって、
前記ローサイド駆動部は、さらに、
プッシュプル構成として配置されていると共に、前記ローサイド入力制御信号に基づいてＯＮおよびＯＦＦに切り替えられる第１のトランジスタおよび第２のトランジスタと、
前記ローサイドデプレッション型半導体スイッチと直列に配置された電力ＭＯＳＦＥＴと、
前記第１および第２のトランジスタの間に配置され、前記電力ＭＯＳＦＥＴのゲートに接続された出力ノードと、を備え、
前記出力ノードの電圧値が前記電力ＭＯＳＦＥＴをＯＮにする時には、前記ローサイドデプレッション型半導体スイッチがＯＮであり、前記出力ノードの電圧値が前記電力ＭＯＳＦＥＴをＯＦＦにする時には、前記ローサイドデプレッション型半導体スイッチがＯＦＦである、駆動回路。
【請求項１１】
請求項１０に記載の駆動回路であって、
前記ローサイド駆動部は、さらに、前記電力ＭＯＳＦＥＴに接続された飽和防止制御素子を備えることで、前記電力ＭＯＳＦＥが飽和状態で動作しないことを保証する、駆動回路。
【請求項１２】
デプレッション型スイッチング回路であって、
ハイサイドデプレッション型半導体スイッチと、
前記ハイサイドデプレッション型半導体スイッチと直列に接続されたローサイドデプレッション型半導体スイッチと、
請求項７に記載の駆動回路と、を備える、デプレッション型スイッチング回路。
【請求項１３】
デプレッション型スイッチング回路であって、
ハイサイドデプレッション型半導体スイッチと、
前記ハイサイドデプレッション型半導体スイッチと直列に接続されたローサイドデプレッション型半導体スイッチと、
前記ハイサイドデプレッション型半導体スイッチを制御するよう動作可能なハイサイド駆動部であって、前記ハイサイドデプレッション型半導体スイッチに負バイアス電圧を供給して前記ハイサイドデプレッション型半導体スイッチをＯＦＦにするハイサイド駆動部と、
前記ローサイドデプレッション型半導体スイッチを制御するよう動作可能なローサイド駆動部と、
負端子が前記ハイサイド駆動部に接続された外部電圧源と、
前記電圧源の前記負端子と前記ハイサイド駆動部との間に配置され、前記ローサイド駆動部が前記ローサイドデプレッション型半導体スイッチをＯＮにする時に、前記ハイサイド駆動部を前記電圧源の前記負端子に接続するよう動作可能なハイサイド駆動スイッチと、を備える、デプレッション型スイッチング回路。
【請求項１４】
請求項１３に記載のデプレッション型スイッチング回路であって、
前記ハイサイド駆動部は、ハイサイド入力制御信号によって制御される、デプレッション型スイッチング回路。
【請求項１５】
請求項１３に記載のデプレッション型スイッチング回路であって、
前記ローサイド駆動部は、ローサイド入力制御信号によって制御される、デプレッション型スイッチング回路。
【請求項１６】
請求項１５に記載のデプレッション型スイッチング回路であって、
前記ローサイド駆動部は、さらに、
プッシュプル構成として配置されていると共に、前記ローサイド入力制御信号に基づいてＯＮおよびＯＦＦに切り替えられる第１のトランジスタおよび第２のトランジスタと、
前記ローサイドデプレッション型半導体スイッチと直列に配置された電力ＭＯＳＦＥＴと、
前記第１および第２のトランジスタの間に配置され、前記電力ＭＯＳＦＥＴのゲートに接続された出力ノードと、を備え、
前記出力ノードの電圧値が前記電力ＭＯＳＦＥＴをＯＮにする時には、前記ローサイドデプレッション型半導体スイッチがＯＮであり、前記出力ノードの電圧値が前記電力ＭＯＳＦＥＴをＯＦＦにする時には、前記ローサイドデプレッション型半導体スイッチがＯＦＦである、デプレッション型スイッチング回路。
【請求項１７】
請求項１６に記載のデプレッション型スイッチング回路であって、
前記ローサイド駆動部は、さらに、前記電力ＭＯＳＦＥＴに接続された飽和防止制御素子を備えることで、前記電力ＭＯＳＦＥが飽和状態で動作しないことを保証する、デプレッション型スイッチング回路。
【請求項１８】
請求項１７に記載のデプレッション型スイッチング素子であって、
前記ローサイド入力制御信号は、さらに、前記ローサイドデプレッション型半導体スイッチがＯＮにされた時に前記電圧源の前記負端子が前記ハイサイド駆動部に接続されるように、前記ハイサイド駆動スイッチを制御し、
前記負端子の負電圧は、前記ハイサイドデプレッション型半導体スイッチをＯＦＦにするために用いられる、デプレッション型スイッチング素子。