Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月19日(2008.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）導電層であって、前記導電層はバスとして電気的に接続されていること；
（ｂ）式：ＭｎＸｍを有する、少なくとも１種の供給源を含む層；及び
（ｃ）少なくとも１種の導電性金属種を含む導電性金属層、
を含み、
前記式中、Ｍは、各使用時毎に独立してアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、、ランタニド金属イオン又はこれらの組み合わせであり、及びＸは、水酸化物、硫化物、セレン化物、テルル化物、亜硫酸塩、亜硫酸水素塩、硫酸塩、硫酸水素塩、亜リン酸塩、亜燐酸水素塩、リン酸塩、リン酸水素塩、硝酸塩、亜硝酸塩、過塩素酸塩、パークロライト（ｐｅｒｃｈｌｏｒｉｔｅ）、ＢＦ４-、ＰＦ６-、ホスホン酸塩、スルホン酸塩、ホウ酸、炭酸塩、炭酸水素塩、及び有機カルボン酸塩から成る群から選ばれるアニオンであり、並びにｎ及びｍは、独立して１〜約２０の整数であることを特徴とする多層カソード。
【請求項２】
前記導電層（ａ）が、インジウム−スズ酸化物、金、銀、アルミニウム、白金、クロム、パラジウム、又はそれの混合物のうちの少なくとも１種を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の多層カソード。
【請求項３】
前記導電性金属層（ｃ）が、アルミニウム、カルシウム、マグネシウム、パラジウム、白金、銀、金、水銀、コバルト、銅、ニッケル、ガリウム、炭素、又はそれの組み合わせ物のうちの少なくとも１種を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の多層カソード。
【請求項４】
前記層（ｂ）が、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、又はランタニドイオンのうちの少なくとも１種の供給源を含み、更に、少なくとも１種の導電性金属を含み、前記導電性金属は層（ｃ）の導電性金属種と同じか又は異なることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の多層カソード。
【請求項５】
アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、又はランタニドイオンのうちの少なくとも１種の供給源を含む層（ｂ）；
少なくとも１種の導電性金属種を含む導電性金属層（ｃ）；
少なくとも１種の供給源、及び少なくとも１種の導電性金属を含む層（ｂ’）であって、前記導電性金属は層（ｃ）の導電性金属種と同じか又は異なること、
を含み、
前記供給源が式：
ＭｎＸｍ
（式中、Ｍは、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、ランタニド金属イオン又はこれらの組み合わせであり、及びＸは、水酸化物、酸化物、硫化物、セレン化物、テルル化物、亜硫酸塩、亜硫酸水素塩、硫酸塩、硫酸水素塩、亜リン酸塩、亜燐酸水素塩、リン酸塩、リン酸水素塩、硝酸塩、亜硝酸塩、過塩素酸塩、パークロライト（ｐｅｒｃｈｌｏｒｉｔｅ）、ＢＦ４-、ＰＦ６-、ホスホン酸塩、スルホン酸塩、ホウ酸、炭酸塩、炭酸水素塩、及び有機カルボン酸塩から成る群から選ばれるアニオンであり、並びにｎ及びｍは、独立して１〜約２０の整数である）
を有することを特徴とする多層カソード。
【請求項６】
前記導電性金属層（ｃ）が、アルミニウム、カルシウム、マグネシウム、パラジウム、白金、銀、金、水銀、コバルト、銅、ニッケル、ガリウム、炭素、又はそれの組み合わせ物のうちの少なくとも１種を含むことを特徴とする特許請求の範囲第６項に記載の多層カソード。
【請求項７】
（ｉ）多層カソードであって；前記カソードが：
（ａ）導電層であって、前記導電層はバスとして電気的に接続されていること；
（ｂ）式：ＭｎＸｍを有する、少なくとも１種の供給源を含む層；及び
（ｃ）少なくとも１種の導電性金属種を含む導電性金属層、
を含むこと；
（ｉｉ）少なくとも１種の電気活性有機層；並びに
（ｉｉｉ）アノードであって、前記アノードは前記導電性金属層に電気的に接続されていること、
を含み、
前記式中、Ｍは、各使用時毎に独立してアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、、ランタニド金属イオン又はこれらの組み合わせであり、及びＸは、水酸化物、硫化物、セレン化物、テルル化物、亜硫酸塩、亜硫酸水素塩、硫酸塩、硫酸水素塩、亜リン酸塩、亜燐酸水素塩、リン酸塩、リン酸水素塩、硝酸塩、亜硝酸塩、過塩素酸塩、パークロライト（ｐｅｒｃｈｌｏｒｉｔｅ）、ＢＦ４-、ＰＦ６-、ホスホン酸塩、スルホン酸塩、ホウ酸、炭酸塩、炭酸水素塩、及び有機カルボン酸塩から成る群から選ばれるアニオンであり、並びにｎ及びｍは、独立して１〜約２０の整数であることを特徴とする有機電子デバイス。
【請求項８】
（ｉ）多層カソードであって；前記カソードが：
（ａ）アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、又はランタニドイオンのうちの少なくとも１種の供給源を含む層；
（ｂ）少なくとも１種の導電性金属種を含む導電性金属層；及び
（ｂ’）アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、又はランタニドイオンのうちの少なくとも１種の供給源、及び少なくとも１種の導電性金属を含む層であって、前記導電性金属は層（ｃ）の導電性金属種と同じか又は異なること；
（ｉｉ）少なくとも１種の電気活性有機層；並びに
（ｉｉｉ）アノードであって、前記アノードは前記導電性金属層に電気的に接続されていること、
を含み、
前記供給源が式：
ＭｎＸｍ
（式中、Ｍは、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、ランタニド金属イオン又はこれらの組み合わせであり、及びＸは、水酸化物、酸化物、硫化物、セレン化物、テルル化物、亜硫酸塩、亜硫酸水素塩、硫酸塩、硫酸水素塩、亜リン酸塩、亜燐酸水素塩、リン酸塩、リン酸水素塩、硝酸塩、亜硝酸塩、過塩素酸塩、パークロライト（ｐｅｒｃｈｌｏｒｉｔｅ）、ＢＦ４-、ＰＦ６-、ホスホン酸塩、スルホン酸塩、ホウ酸、炭酸塩、炭酸水素塩、及び有機カルボン酸塩から成る群から選ばれるアニオンであり、並びにｎ及びｍは、独立して１〜約２０の整数である）
を有することを特徴とする有機電子デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月23日(2008.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビームを集束する方法であって、（ａ）時間と共に変化する第１の焦点パターンに従って荷電粒子ビームの焦点を変更し、同時にサンプルの第１の区域を走査すると共に検出信号の第１のセットを収集するステップと、（ｂ）時間と共に変化する第２の焦点パターンに従って前記荷電粒子ビームの焦点を変更し、同時に前記第１の区域と同等の第２の区域を走査すると共に検出信号の第２のセットを収集するステップと、（ｃ）検出信号の前記第１のセットおよび前記第２のセットを処理して焦点特性を決定するステップとを含み、前記第１の焦点パターンと前記第２の焦点パターンとが最適焦点のロケーションによって継続して異なっている、方法。
【請求項２】
前記第１の焦点パターンが不足焦点の点および過焦点の点を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
更に、前記第１の区域と同等の第３の区域から検出信号の第３のセットを収集するように前記ステップ（ａ）および前記ステップ（ｂ）を反復するステップを含み、前記第１のセットおよび前記第２のセットを処理するステップが更に検出信号の前記第３のセットを処理する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
更に、前記第１の区域と同等の参照区域を走査し、同時にほぼ一定の焦点を維持して検出信号の参照セットを収集するステップを含み、前記第１のセットおよび前記第２のセットを処理するステップが更に検出信号の前記参照セットを処理する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１のセットおよび前記第２のセットを処理するステップが、第１の軸に沿って焦点変化を推定し、かつ第２の横軸に沿って焦点変化を推定する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記焦点特性が、前記第１の軸に沿った焦点変化に応答して、また前記第２の軸に沿った焦点変化に応答して決定される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第１のセットおよび前記第２のセットを処理するステップが、前記第１の区域のグラディエント像および前記第２の区域のグラディエント像を生成する工程を包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記変更するステップが、機械的平行移動を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記変更するステップが、荷電粒子ビームが伝搬する照明路の特性の変更を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記変更するステップが、荷電ビームデバイスの少なくとも１つの要素と前記サンプルの表面との間の推定空間関係に応答する、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
更に、前記サンプルの上面をマッピングする予備ステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の区域が多数の非継続セグメントを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の区域が多数のセグメントを含み、単一のセグメントを走査する間、焦点が前記サンプルの表面に対してほぼ一定に維持される、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１のセットおよび前記第２のセットを処理するステップが、前記第１の区域の第１軸グラディエント像を生成する工程と、前記第１の区域の第２軸グラディエント像を生成する工程と、前記第１の区域の第１軸グラディエント像のフォーカスグレードを計算する工程と、前記第１の区域の第２軸グラディエント像のフォーカスグレードを計算する工程とを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１のセットおよび前記第２のセットを処理するステップが、前記第２の区域の第１軸グラディエント像を生成する工程と、前記第２の区域の第２軸グラディエント像を生成する工程と、前記第２の区域の第１軸グラディエント像のフォーカスグレードを計算する工程と、前記第２の区域の第２軸グラディエント像のフォーカスグレードを計算する工程と、前記第１の区域の第１軸グラディエント像のフォーカスグレードと前記第２の区域の第１軸グラディエント像のフォーカスグレードとを比較する工程と、および前記第１の区域の第２軸グラディエント像のフォーカスグレードと前記第２の区域の第２軸グラディエント像のフォーカスグレードとを比較する工程と、を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１の焦点パターンが傾斜を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記第１の焦点パターンが限定焦点変化を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記ステップ（ａ）および前記ステップ（ｂ）が前記サンプルの検査セッションの間に実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記第１の焦点パターンが前記サンプルの検査セッション中に適用される、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１の焦点パターンが前記サンプルの検査セッションの間の焦点補正セッション中に適用される、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
前記第１の区域が第１のサブエリアグループを含み、前記第２の区域が第２のサブエリアグループを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
前記第１のセットおよび前記第２のセットを処理するステップが、各々のサブエリアからの検出信号を処理してサブエリアのグレードを提供する工程、および各々のサブエリアのグレードに応答して前記焦点特性を決定する工程を含む、請求項２１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月24日(2008.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極を備える第１光起電力セルと、
前記第１光起電力セルの前記電極に接続した湾曲端部を有する電極を備える第２光起電力セルとを備える、モジュール。
【請求項２】
前記湾曲端部は前記第１光起電力セルの前記電極に電気的に接続される、請求項１に記載のモジュール。
【請求項３】
前記第１光起電力セルの前記電極と前記第２光起電力セルの前記電極との間に別個の相互接続がない、請求項１に記載のモジュール。
【請求項４】
前記第１光起電力セルの前記電極および前記第２光起電力セルの前記電極と接触する接着材料をさらに備える、請求項１に記載のモジュール。
【請求項５】
前記接着剤は導電性接着剤を含む、請求項４に記載のモジュール。
【請求項６】
前記接着剤は電気絶縁性接着剤を含む、請求項４に記載のモジュール。
【請求項７】
前記第１光起電力セルの前記電極はカソードであり、前記第２光起電力セルの前記電極はアノードである、請求項１に記載のモジュール。
【請求項８】
前記第１光起電力セルの前記電極はアノードであり、前記第２光起電力セルの前記電極はカソードである、請求項１に記載のモジュール。
【請求項９】
前記第１光起電力セルの前記電極はカソードであり、前記第２光起電力セルの前記電極はカソードである、請求項１に記載のモジュール。
【請求項１０】
前記第１光起電力セルの前記電極はアノードであり、前記第２光起電力セルの前記電極はアノードである、請求項１に記載のモジュール。
【請求項１１】
前記第１および第２の光起電力セルは少なくとも１つの共通基板を共有する、請求項１に記載のモジュール。
【請求項１２】
前記第２光起電力セルの前記電極に接続した湾曲端部を有する電極を備える第３光起電力セルをさらに備える、請求項１に記載のモジュール。
【請求項１３】
第１および第２の端部を有し、該第１および第２の端部はシールされる、請求項１に記載のモジュール。
【請求項１４】
前記第１光起電力セルの前記電極の一部分は前記第２光起電力セルの前記電極の一部分と重なる、請求項１に記載のモジュール。
【請求項１５】
電極を備える第１光起電力セルと、
前記第１光起電力セルの前記電極に接続した成形部を有する電極を備える第２光起電力セルとを備える、モジュール。
【請求項１６】
前記成形部は前記第１光起電力セルの前記電極に電気的に接続される、請求項１５に記載のモジュール。
【請求項１７】
前記第１光起電力セルの前記電極と前記第２光起電力セルの前記電極との間に別個の相互接続がない、請求項１５に記載のモジュール。
【請求項１８】
前記第１光起電力セルの前記電極と前記第２光起電力セルの前記電極の間に配設された部材をさらに備える、請求項１５に記載のモジュール。
【請求項１９】
前記部材はコンプライアントである、請求項１８に記載のモジュール。
【請求項２０】
前記部材は導電性である、請求項１８に記載のモジュール。
【請求項２１】
前記第１光起電力セルの前記電極および前記第２光起電力セルの前記電極と接触する接着材料をさらに備える、請求項１５に記載のモジュール。
【請求項２２】
前記接着材料は少なくとも２つの部材の形態である、請求項２１に記載のモジュール。
【請求項２３】
前記少なくとも２つの部材は、前記第１光起電力セルの前記電極と前記第２光起電力セルの前記電極との間の接続部の両側上にシールを形成する、請求項２２に記載のモジュール。
【請求項２４】
前記接着材料は少なくとも１つの構造材料をさらに含む、請求項２２に記載のモジュール。
【請求項２５】
前記構造材料は非導電性である、請求項２４に記載のモジュール。
【請求項２６】
前記接着剤は導電性接着剤を含む、請求項２１に記載のモジュール。
【請求項２７】
前記接着剤は電気絶縁性接着剤を含む、請求項２１に記載のモジュール。
【請求項２８】
前記第１光起電力セルの前記電極はカソードであり、前記第２光起電力セルの前記電極はアノードである、請求項１５に記載のモジュール。
【請求項２９】
前記第１光起電力セルの前記電極はアノードであり、前記第２光起電力セルの前記電極はカソードである、請求項１５に記載のモジュール。
【請求項３０】
前記第１光起電力セルの前記電極はカソードであり、前記第２光起電力セルの前記電極はカソードである、請求項１５に記載のモジュール。
【請求項３１】
前記第１光起電力セルの前記電極はアノードであり、前記第２光起電力セルの前記電極はアノードである、請求項１５に記載のモジュール。
【請求項３２】
前記第１および第２の光起電力セルは少なくとも１つの共通基板を共有する、請求項１５に記載のモジュール。
【請求項３３】
前記第２光起電力セルの前記電極に電気的に接続した成形部を有する電極を備える第３光起電力セルをさらに備える、請求項１５に記載のモジュール。
【請求項３４】
第１および第２の端部を有し、該第１および第２の端部はシールされる、請求項１５に記載のモジュール。
【請求項３５】
前記第１光起電力セルの前記電極の一部分は前記第２光起電力セルの前記電極の一部分と重なる、請求項１５に記載のモジュール。
【請求項３６】
連続的なプロセスによってモジュールを作製することを含む方法であって、該モジュールは、
電極を備える第１光起電力セルと、
前記第１光起電力セルの前記電極に接続した湾曲端部を有する電極を備える第２光起電力セルとを備える、方法。
【請求項３７】
前記湾曲端部は前記第１光起電力セルの前記電極に電気的に接続される、請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
ロール・ツー・ロール法によってモジュールを作製することを含む方法であって、該モジュールは、
電極を備える第１光起電力セルと、
前記第１光起電力セルの前記電極に接続された湾曲端部を有する電極を備える第２光起
電力セルとを備える、方法。
【請求項３９】
前記湾曲端部は前記第１光起電力セルの前記電極に電気的に接続される、請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】
連続的なプロセスによってモジュールを作製することを含む方法であって、該モジュールは、
電極を備える第１光起電力セルと、
前記第１光起電力セルの前記電極に接続した成形部を有する電極を備える第２光起電力セルとを備える、方法。
【請求項４１】
前記湾曲端部は前記第１光起電力セルの前記電極に電気的に接続される、請求項４０に記載の方法。
【請求項４２】
ロール・ツー・ロール法によってモジュールを作製することを含む方法であって、該モジュールは、
電極を備える第１光起電力セルと、
前記第１光起電力セルの前記電極に接続された成形部を有する電極を備える第２光起電力セルとを備える、方法。
【請求項４３】
前記湾曲端部は前記第１光起電力セルの前記電極に電気的に接続される、請求項４２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月17日(2008.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１輝度均一性を有する第１光を発生する光源を含む光源アセンブリーと、
前記光源アセンブリーの上部に配置され、前記光源と向い合う第１面及び前記第１面の反対側に位置する第２面を有し、前記第１光を受光して第２輝度均一性を有する第２光を出射する基板と、
前記第２光の一部は反射し、一部は透過させ、前記第１輝度均一性及び第２輝度均一性より高い第３輝度均一性を有する光を出射する光反射−透過部を含むことを特徴とするバックライトアセンブリー。
【請求項２】
前記光源アセンブリーは、前記光源の下部に配置される電源印加基板を更に含むことを特徴とする請求項１記載のバックライトアセンブリー。
【請求項３】
前記光源アセンブリーは、少なくとも一部が前記光源の上部配置され、前記基板の第１面と前記光源とのなす角度の範囲内に前記第１光を導く光ガイドレンズを更に含むことを特徴とする請求項１記載のバックライトアセンブリー。
【請求項４】
前記光源の上部に配置される光遮断部を更に含むことを特徴とする請求項１記載のバックライトアセンブリー。
【請求項５】
前記光源は、発光ダイオードであることを特徴とする請求項１記載のバックライトアセンブリー。
【請求項６】
前記基板は、光反射−透過部と光源アセンブリーとの間に配置されたことを特徴とする請求項１記載のバックライトアセンブリー。
【請求項７】
前記光源と前記基板との間に配置される第２光反射−透過部をさらに含むことを特徴とする請求項１記載のバックライトアセンブリー。
【請求項８】
前記光反射−透過部は、前記第２光の一部を反射するための光反射層及び前記第２光の一部を透過させるための光透過層を含むことを特徴とする請求項１記載のバックライトアセンブリー。
【請求項９】
前記透過した光の光量および反射された光の光量は、相補的関係を有することを特徴とする請求項８記載のバックライトアセンブリー。
【請求項１０】
前記光のうち、前記光反射−透過部に向う全体の光のうち、反射された光量は７０％〜９０％の範囲であり、前記透過した光量は１０％〜３０％の範囲であることを特徴とする請求項９記載のバックライトアセンブリー。
【請求項１１】
前記光反射−透過部は、前記基板の第２面上に配置されることを特徴とする請求項１記載のバックライトアセンブリー。
【請求項１２】
前記光反射−透過部は、前記基板内に位置するビード（bead）を含むことを特徴とする請求項１記載のバックライトアセンブリー。
【請求項１３】
前記光源間のギャップの間に配置された反射部材を更に含むことを特徴とする請求項１記載のバックライトアセンブリー。
【請求項１４】
光学部材を更に含むことを特徴とする請求項１記載のバックライトアセンブリー。
【請求項１５】
前記光学部材は、拡散板、プリズムシーと、及び輝度向上フィルムのうち、少なくとも一つであることを特徴とする請求項１４記載のバックライトアセンブリー。
【請求項１６】
前記光学部材と前記光源との間隔は４０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１４に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項１７】
第１輝度均一性を有する第１光を発生する光源アセンブリーと、
前記光源アセンブリーの上部に配置され、前記光源アセンブリーと向い合う第１面および前記第１面の反対側に位置する第２面を有し、前記第１光を受光して第２輝度均一性を有する第２光を出射する基板と、
前記基板の第２面の上部に配置され、前記第２光の７０％〜９０％を反射し、前記第２光の３０％〜１０％を透過させる光反射−透過部と、
前記光源と前記基板との間に配置される光遮断部と、
前記光反射−透過部の上部に配置され、拡散板、プリズムシート、及び輝度向上フィルムのうち、少なくとも一つである光学部材と、を含むことを特徴とするバックライトアセンブリ。
【請求項１８】
第１輝度均一性を有する第１光を発生する光源アセンブリー、第１光を受光して前記第１輝度均一性より高い第２輝度均一性を有する第２光を出射する基板及び前記第２光の一部は反射し、一部は透過させ、前記第２輝度均一性より高い第３輝度均一性を有する光を出射する光反射−透過部を含むバックライトアセンブリーと、
前記光反射−透過部からの第３光受信して画像を表示し、前記光反射−透過部の上部に配置される表示パネルと、を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項１９】
前記光反射−透過部は、前記光源アセンブリーと向い合う前記基板の第１面に配置されていることを特徴とする請求項１８記載の表示装置。
【請求項２０】
前記基板は、前記光反射−透過部と前記光源アセンブリーとの間に配置されていることを特徴とする請求項１８記載の表示装置。
【請求項２１】
前記光反射−透過部の光の反射率は７０％〜９０％であり、前記光反射−透過部の光透過率は１０％〜３０％であることを特徴とする請求項１８記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月30日(2007.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一部が、支持部と一体に形成されて成る
ことを特徴とするソリッドイマージョンレンズ。
【請求項２】
上記支持部は、上記ソリッドイマージョンレンズの球状部と対向する側面が、上記ソリッドイマージョンレンズに入射される入射光に略沿う傾斜面とされた
ことを特徴とする請求項１記載のソリッドイマージョンレンズ。
【請求項３】
上記ソリッドイマージョンレンズの対物側に、凸状部が設けられて成る
ことを特徴とする請求項１記載のソリッドイマージョンレンズ。
【請求項４】
ソリッドイマージョンレンズと、該ソリッドイマージョンレンズと光軸を合致させ、対物側とは反対側に配置された光学レンズとより構成された集光レンズにおいて、
上記ソリッドイマージョンレンズは、その少なくとも一部が、支持部と一体に形成されて成る
ことを特徴とする集光レンズ。
【請求項５】
ソリッドイマージョンレンズと、該ソリッドイマージョンレンズと光軸を合致させて対物側とは反対側に配置された光学レンズと、光源とが少なくとも設けられ、上記ソリッドイマージョンレンズ及び光学レンズから成る集光レンズによって上記光源からの出射光を収束させて光スポットを形成する光学ピックアップ装置において、
上記ソリッドイマージョンレンズは、その少なくとも一部が、支持部と一体に形成されて成る
ことを特徴とする光学ピックアップ装置。
【請求項６】
ソリッドイマージョンレンズと、該ソリッドイマージョンレンズと光軸を合致させて対物側とは反対側に配置された光学レンズと、光源とが少なくとも設けられ、上記ソリッドイマージョンレンズ及び光学レンズから成る集光レンズによって上記光源からの出射光を収束させて光スポットを形成する光学ピックアップ装置を有し、上記集光レンズを光記録媒体のフォーカシング方向及び／又はトラッキング方向に制御駆動する制御駆動手段が設けられて成る光記録再生装置において、
上記ソリッドイマージョンレンズは、その少なくとも一部が、支持部と一体に形成されて成る
ことを特徴とする光記録再生装置。
【請求項７】
ソリッドイマージョンレンズの形成方法において、
レンズ材料体を薄くスライスして薄板を形成する工程と、
上記薄板に凹部を形成する工程と、
上記凹部に上記ソリッドイマージョンレンズの球状部を形成する工程とを少なくとも有する
ことを特徴とするソリッドイマージョンレンズの形成方法。
【請求項８】
上記凹部の上記ソリッドイマージョンレンズの球状部と対向する側面を、上記ソリッドイマージョンレンズに入射される入射光に略沿う傾斜面として形成する
ことを特徴とする請求項７記載のソリッドイマージョンレンズの形成方法。
【請求項９】
上記ソリッドイマージョンレンズの周囲の凹部をフォーカスイオンビーム加工方法により加工する
ことを特徴とする請求項７記載のソリッドイマージョンレンズの形成方法。
【請求項１０】
上記ソリッドイマージョンレンズの対物側に、凸状部を形成する工程を有する
ことを特徴とする請求項７記載のソリッドイマージョンレンズの形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
ＣＤ（Compact Disc、登録商標）、ＭＤ（Mini Disc、登録商標）、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc、登録商標）に代表される光記録媒体（光磁気記録媒体を含む）は、音楽情報、映像情報、データ、プログラム等の格納媒体として広く利用されている。しかしながら、更なる音楽情報、映像情報、データ、プログラム等の高音質化、高画質化、長時間化、大容量化のために、さらに大容量の光記録媒体及びこれを記録再生する光記録再生装置（光磁気記録再生装置を含む）が望まれている。
そこで、これらに対応するため、光記録再生装置では、その光源の例えば半導体レーザの短波長化や、集光レンズの開口数の増大化が図られ、集光レンズを介して収束する光スポットの小径化が図られている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月8日(2008.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フリップフロップ回路と、第１スイッチと、第２スイッチと、第１の配線と、第２の配線とを有する回路を複数段電気的に接続したシフトレジスタを有し、
前記第１の配線は、前記第１スイッチを介して前記フリップフロップ回路の第１の端子に電気的に接続され、
前記第２の配線は、前記第２スイッチを介して前記フリップフロップ回路の第２の端子に電気的に接続され、
前記第１スイッチの制御端子には、前記フリップフロップ回路の出力端子から出力される信号が入力され、
前記第２スイッチの制御端子には、前記フリップフロップ回路の入力端子に入力される信号が入力されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
フリップフロップ回路と、第１スイッチと、第２スイッチと、第１の配線と、第２の配線と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタとを有する回路を複数段電気的に接続したシフトレジスタを有し、
前記第１の配線は、前記第１スイッチを介して前記フリップフロップ回路の第１の端子に電気的に接続され、
前記第２の配線は、前記第２スイッチを介して前記フリップフロップ回路の第２の端子に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３の配線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の端子に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第４の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の端子に電気的に接続され、
前記第１スイッチの制御端子及び前記第１のトランジスタのゲートには、前記フリップフロップ回路の出力端子から出力される信号が入力され、
前記第２スイッチの制御端子及び前記第２のトランジスタのゲートには、前記フリップフロップ回路の入力端子に入力される信号が入力されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１のトランジスタがオンのとき前記第１スイッチはオフし、前記第１のトランジスタがオフのとき前記第１スイッチはオンし、
前記第２のトランジスタがオンのとき前記第２スイッチはオフし、前記第２のトランジスタがオフのとき前記第２スイッチはオンすることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
フリップフロップ回路と、第１スイッチと、第２スイッチと、第１の配線と、第２の配線と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタとを有する回路を複数段電気的に接続したシフトレジスタを有し、
前記第１の配線は、前記第１スイッチを介して前記フリップフロップ回路の第１の端子に電気的に接続され、
前記第２の配線は、前記第２スイッチを介して前記フリップフロップ回路の第２の端子に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第３の配線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の端子に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第４の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２の端子に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第４の配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのゲートは、前記第３の配線に電気的に接続され、
前記第１スイッチの制御端子には、前記フリップフロップ回路の出力端子から出力される信号が入力され、
前記第２スイッチの制御端子には、前記フリップフロップ回路の入力端子に入力される信号が入力されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
フリップフロップ回路と、第１スイッチと、第２スイッチと、第１の配線と、第２の配線と、第１の抵抗と、第２の抵抗とを有する回路を複数段電気的に接続したシフトレジスタを有し、
前記第１の配線は、前記第１スイッチを介して前記フリップフロップ回路の第１の端子に電気的に接続され、
前記第２の配線は、前記第２スイッチを介して前記フリップフロップ回路の第２の端子に電気的に接続され、
前記第１の抵抗の一方の端子は、第３の配線に電気的に接続され、
前記第１の抵抗の他方の端子は、前記第１の端子に電気的に接続され、
前記第２の抵抗の一方の端子は、第４の配線に電気的に接続され、
前記第２の抵抗の他方の端子は、前記第２の端子に電気的に接続され、
前記第１スイッチの制御端子には、前記フリップフロップ回路の出力端子から出力される信号が入力され、
前記第２スイッチの制御端子には、前記フリップフロップ回路の入力端子に入力される信号が入力されることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第１スイッチと前記第２スイッチのうち少なくとも１つは、トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第１スイッチと前記第２スイッチのうち少なくとも１つは、相補型のトランスファーゲートで構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記第１の配線は、インバータを介して前記第２の配線と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記第１スイッチと前記第２スイッチはそれぞれ個別にオンオフが制御されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、前記第１の配線に、第１クロック信号が入力され、
前記第２の配線に、前記第１クロック信号の反転信号である第２クロック信号が入力されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一に記載の前記半導体装置と、表示部とを備えていることを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の前記表示装置と、操作キー又はスピーカーとを備えていることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月4日(2008.1.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に絶縁膜を介してゲート電極が積層されてなる第１ゲートを有する第１の絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、
前記第１の絶縁ゲート型電界効果トランジスタに隣接する前記半導体基板の領域上に形成された電荷蓄積膜を含む第２ゲートを有する第２の絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、
前記第１の絶縁ゲート型電界効果トランジスタの下方の前記半導体基板内に形成された第１のチャンネルと、
前記第２の絶縁ゲート型電界効果トランジスタの下方の前記半導体基板内に、前記第１のチャンネルと電気的に接続されるように隣接して形成された第２のチャンネルと、
前記第１のチャンネルと前記第２のチャンネルとが形成された前記半導体基板の領域を挟み込むように前記第１のチャンネルの一端側と前記第２のチャンネルの他端側にそれぞれ形成された第１の拡散層電極および第２の拡散層電極とを有し、
前記第２ゲートに電圧を印加し、前記第２のチャネル領域から前記電荷蓄積膜へ電子およびホールを注入させることにより書き込みおよび消去を行う集積半導体不揮発性メモリであって、
前記書き込みおよび消去は、前記第２ゲートに複数回のパルス印加を行い、前記パルス電圧の各々は、予め用意された参照表に従って決定されることを特徴とする集積半導体不揮発性メモリ。
【請求項２】
前記参照表にパルス幅が規定されていることを特徴とする請求項１に記載の集積半導体不揮発性メモリ。
【請求項３】
少なくとも２回の書き込みパルスの印加を行った後、ベリファイを行うことを特徴とする請求項１に記載の集積半導体不揮発性メモリ。
【請求項４】
少なくとも２回の消去パルスの印加を行った後、ベリファイを行うことを特徴とする請求項１記載の集積半導体不揮発性メモリ。
【請求項５】
少なくとも２回の書き込みパルスの印加を行った後、ベリファイを行い、少なくとも２回の消去パルスの印加を行った後、ベリファイを行うことを特徴とする請求項１に記載の集積半導体不揮発性メモリ。
【請求項６】
半導体基板上に絶縁膜を介してゲート電極が積層されてなる第１ゲートを有する第１の絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、
前記第１の絶縁ゲート型電界効果トランジスタに隣接する前記半導体基板の領域上に形成された電荷蓄積膜を含む第２ゲートを有する第２の絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、
前記第１の絶縁ゲート型電界効果トランジスタの下方の前記半導体基板内に形成された第１のチャンネルと、
前記第２の絶縁ゲート型電界効果トランジスタの下方の前記半導体基板内に、前記第１のチャンネルと電気的に接続されるように隣接して形成された第２のチャンネルと、
前記第１のチャンネルと前記第２のチャンネルとが形成された前記半導体基板の領域を挟み込むように前記第１のチャンネルの一端側と前記第２のチャンネルの他端側にそれぞれ形成された第１の拡散層電極および第２の拡散層電極とを有し、
前記第２ゲートに電圧を印加し、前記第２のチャネル領域から前記電荷蓄積膜へ電子およびホールを注入させることにより書き込みを行う集積半導体不揮発性メモリであって、
前記書き込みは、前記第２ゲートに複数回のパルス印加を行い、前記パルス電圧の各々は、予め用意された参照表に従って決定されることを特徴とする集積半導体不揮発性メモリ。
【請求項７】
前記参照表が回路素子構成により記憶されていることを特徴とする請求項６記載の集積半導体不揮発性メモリ。
【請求項８】
半導体基板上に絶縁膜を介してゲート電極が積層されてなる第１ゲートを有する第１の絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、
前記第１の絶縁ゲート型電界効果トランジスタに隣接する前記半導体基板の領域上に形成された電荷蓄積膜を含む第２ゲートを有する第２の絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、
前記第１の絶縁ゲート型電界効果トランジスタの下方の前記半導体基板内に形成された第１のチャンネルと、
前記第２の絶縁ゲート型電界効果トランジスタの下方の前記半導体基板内に、前記第１のチャンネルと電気的に接続されるように隣接して形成された第２のチャンネルと、
前記第１のチャンネルと前記第２のチャンネルとが形成された前記半導体基板の領域を挟み込むように前記第１のチャンネルの一端側と前記第２のチャンネルの他端側にそれぞれ形成された第１の拡散層電極および第２の拡散層電極とを有し、
前記第２ゲートに電圧を印加し、前記第２のチャネル領域から前記電荷蓄積膜へ電子およびホールを注入させることにより書き込みを行う集積半導体不揮発性メモリであって、
前記書き込みは、前記第２ゲートに多段ステップの電圧印加を行い、前記多段ステップ電圧の各々は、予め用意された参照表に従って決定されることを特徴とする集積半導体不揮発性メモリ。
【請求項９】
前記参照表が回路素子構成により記憶されていることを特徴とする請求項８記載の集積半導体不揮発性メモリ。
【請求項１０】
半導体基板上に絶縁膜を介してゲート電極が積層されてなる第１ゲートを有する第１の絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、
前記第１の絶縁ゲート型電界効果トランジスタに隣接する前記半導体基板の領域上に形成された電荷蓄積膜を含む第２ゲートを有する第２の絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、
前記第１の絶縁ゲート型電界効果トランジスタの下方の前記半導体基板内に形成された第１のチャンネルと、
前記第２の絶縁ゲート型電界効果トランジスタの下方の前記半導体基板内に、前記第１のチャンネルと電気的に接続されるように隣接して形成された第２のチャンネルと、
前記第１のチャンネルと前記第２のチャンネルとが形成された前記半導体基板の領域を挟み込むように前記第１のチャンネルの一端側と前記第２のチャンネルの他端側にそれぞれ形成された第１の拡散層電極および第２の拡散層電極とを有し、
前記第２ゲートに電圧を印加し、前記第２のチャネル領域から前記電荷蓄積膜へ電子およびホールを注入させることにより書き込みおよび消去を行う集積半導体不揮発性メモリであって、
前記書き込みおよび消去は、前記第２ゲートに多段ステップの電圧印加を行い、前記多段ステップ電圧の各々は、予め用意された参照表に従って決定されることを特徴とする集積半導体不揮発性メモリ。
【請求項１１】
前記参照表が回路素子構成により記憶されていることを特徴とする請求項１０記載の集積半導体不揮発性メモリ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月3日(2008.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性支持体上に六方晶フェライトを結合剤中に分散してなる磁性層を設け、記録波長が０．１〜０．３μｍの信号を記録する磁気記録媒体において、磁化反転体積が３×１０-18〜１０×１０-18ｍｌであり、かつ、垂直方向にＤＣ磁化させ、６０℃環境下２４時間保管した後の下記式で表される垂直磁化減磁が３％以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
垂直磁化減磁（％）＝１００×｛１−（保管後残留磁束密度（Ｂｒ）／保管前残留磁束密度（Ｂｒ））｝
【請求項２】
前記非磁性支持体と磁性層との間に非磁性粉末を結合剤中に分散してなる非磁性層を設けたことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、以下のとおりである。
（１）非磁性支持体上に六方晶フェライトを結合剤中に分散してなる磁性層を設け、記録波長が０．１〜０．３μｍの信号を記録する磁気記録媒体において、磁化反転体積が３×１０-18〜１０×１０-18ｍｌであり、かつ、垂直方向にＤＣ磁化させ、６０℃環境下２４時間保管した後の下記式で表される垂直磁化減磁が３％以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
垂直磁化減磁（％）＝１００×｛１−（保管後残留磁束密度（Ｂｒ）／保管前残留磁束密度（Ｂｒ））｝
（２）前記非磁性支持体と磁性層との間に非磁性粉末を結合剤中に分散してなる非磁性層を設けたことを特徴とする前記（１）に記載の磁気記録媒体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
本発明の磁気記録媒体では、磁化反転体積が３×１０-18〜１０×１０-18 ｍｌであり、かつ、垂直方向にＤＣ磁化させ、６０℃環境下２４時間保管した後の下記式で表される垂直磁化減磁が３％以下であることを特徴としている。
垂直磁化減磁（％）＝１００×｛１−（保管後残留磁束密度（Ｂｒ）／保管前残留磁束密度（Ｂｒ））｝
一般に六方晶フェライトを用いた磁気記録媒体はノイズ改善のために微粒子磁性体を使用するが、記録波長０．３μｍ以下になると熱揺らぎによる記録磁化の減少が無視できなくなってきた。本発明者らは六方晶フェライトを用いた磁気記録媒体の熱揺らぎ減磁を検討した。その結果、記録波長０．１〜０．３μｍの信号を記録する磁気記録媒体において、磁化反転体積が３×１０-18〜１０×１０-18 ｍｌであり、かつ、垂直方向にＤＣ磁化させ、６０℃環境下２４時間保管した後の垂直磁化減磁が３％以下であることによって、熱揺らぎによる記録磁化の減少の問題が解決でき、記録の安定性が向上し、高密度化も達成できることを見出した。好ましい磁化反転体積は、３．０×１０-18〜９．０×１０-18ｍｌである。また好ましい垂直磁化減磁は、３．０％以下であり、さらに好ましい垂直磁化減磁は、１．０％以下である。
磁気記録媒体の磁化反転体積を上記の範囲に設定するには、六方晶フェライト粒子の粒子体積を調整することにより可能である。この場合、六方晶フェライト粒子の体積は大きい方が好ましく、一次粒子体積は、ＴＥＭ平均径計算として１．７×１０-18ｍｌ〜１４×１０-18ｍｌ、好ましくは２．５×１０-18ｍｌ〜９．０×１０-18ｍｌであるのがよい。このほか、六方晶フェライト粉末の分散状態、配向状態を調整したり、記録方向の角型比（ＳＱ）を制御すること等によっても磁化反転体積を制御することが可能である。例えば六方晶フェライト粉末の分散状態を制御するには、分散工程時間を長くしたり、ビーズ分散の場合は高比重ビーズの使用や分散部へのビーズ充填量を多くすること等の手段が挙げられる。
磁気記録媒体の垂直磁化減磁は、上記磁化反転体積、粒子体積、粒度分布、Ｈｃ、ＳＦＤ等を適宜組み合わせることが重要であり、上記の範囲に設定するには、抗磁力（Ｈｃ）を従来値以上に増加させることが挙げられ、この場合Ｈｃを３０００Ｏｅ（２４０ｋＡ／ｍ）以上、例えば３０００Ｏｅ〜４０００Ｏｅ（２４０〜３２０ｋＡ／ｍ）にするのがよい。Ｈｃを増加させるには、六方晶フェライトにおけるＨｃ調整用の置換元素を減量すること、テープ状磁気記録媒体の場合は記録方向のＳＱを増加させること等が挙げられる。この場合ＳＱは０．６以上が好ましい。
また、六方晶フェライトの粒度分布はシャープな方が熱揺らぎによる記録磁化の減少の問題を解決するに好ましく、ＴＥＭで無作為に粒子板径を５００個測定したときの標準偏差／平均板径は２５％以下、好ましくは２０％以下がよい。またＨｃ分布もシャープなほうが好ましく、ＳＦＤとして０．５以下がよい。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月9日(2008.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
グラフカットによって、対応する複数のチャート間の境界を最適化するステップであって、前記グラフカットが、スペクトルクラスタリングによってチャートを第１の領域と第２の領域に分割するステップを含み、前記チャートの境界は、前記第１の領域で決定する埋め込みと前記第２の領域で決定する埋め込みとの間で隣接する三角形のＧＤＤがバランスをとるように選択され、前記チャートの境界は
【数１】
2006012147.tif 000001
の形をとる埋め込みの歪みを評価するＧＤＤバランスの基準を使用して選択される前記最適化するステップと、
前記最適化するステップによって最適化された結果を表示装置にレンダリングするステップと、
を有することを特徴とするテクスチャマップを作成させるコンピュータ読み取り可能な命令を有するコンピュータ読み取り可能な媒体。
【請求項２】
グラフカットによって、対応する複数のチャート間の境界を最適化するステップであって、前記グラフカットが、スペクトルクラスタリングによってチャートを第１の領域と第２の領域に分割するステップを含み、前記チャートの境界は、２面角の大きな複数のエッジによる滑らかなカットを含み、前記複数の滑らかなエッジは、
【数２】
2006012147.tif 000002
を利用して選択される前記最適化するステップと、
前記最適化するステップによって最適化された結果を表示装置にレンダリングするステップと、
を有することを特徴とするテクスチャマップを作成させるコンピュータ読み取り可能な命令を有するコンピュータ読み取り可能な媒体。
【請求項３】
グラフカットによって、対応する複数のチャート間の境界を最適化するステップであって、前記グラフカットが、スペクトルクラスタリングによってチャートを第１の領域と第２の領域に分割するステップを含み、前記チャートの境界は、第１の形
【数３】
2006012147.tif 000003
をとる第１項と第２の形
【数４】
2006012147.tif 000004
をとる第２項との重み付きの和によって選択される前記最適化するステップと、
前記最適化するステップによって最適化された結果を表示装置にレンダリングするステップと、
を有することを特徴とするテクスチャマップを作成させるコンピュータ読み取り可能な命令を有するコンピュータ読み取り可能な媒体。
【請求項４】
サーフェスのスペクトル分析から生成された複数の固有値λiと対応する複数の固有ベクトルを（λ1≧λ2≧．．．≧λN）となるようにランク付けするステップと、
λn／λn+1の値が最大になるような上位ｎ個の固有値の集合と固有ベクトルの集合とを選択するステップと、
複数のメッシュの各頂点ｉについてｎ次元の埋め込み座標の集合を計算するステップと、
前記ｎ個の埋め込み座標のそれぞれについて、最大の座標値をとる第１の頂点と最大の座標値をとる第２の頂点とを検出し、前記最大の座標値をとる第１の頂点と前記最大の座標値をとる第２の頂点とを第１の複数の２ｎ個の代表点として設定するステップと、
前記複数の代表点で互いに非常に近い点のそれぞれを削除し、ｍ≦２ｎであるｍ個の代表点からなる第２の集合を生成するステップと、
サーフェスのスペクトル分析で計算した前記測地的な距離を使用して前記代表点の周囲のチャートを同時に成長させ、前記メッシュをｍ個の要素に分割するステップと
チャート化の結果を表示装置にレンダリングするステップと、
を有することを特徴とするスペクトル分析によるチャート化を実行させるコンピュータ読み取り可能な命令を有するコンピュータ読み取り可能な媒体。
【請求項５】
色信号に関する演繹的知識に基づいてサーフェスを複数のチャートに分割するステップであって、前記複数の頂点間の前記複数のペアごとの信号距離は、測地的な距離と信号距離との組み合わせであり、前記測地的な距離と信号距離との組み合わせは
【数５】
2006012147.tif 000005
で表される前記複数のチャートに分割するステップと、
チャート化の結果を表示装置にレンダリングするステップと、
を有することを特徴とするチャート化させるコンピュータ読み取り可能な命令を有するコンピュータ読み取り可能な媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月5日(2007.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一つの磁気記憶装置のための一つの回路であって、
一つの第一高速インタフェースと、
前記高速インタフェースと通信する一つの記憶制御器と、
前記記憶制御器と通信する一つのバッファと
を含み、
前記磁気記憶装置は、記憶関連バッファ・データを動作中に生成し、
前記記憶制御器は、前記記憶関連バッファ・データを前記バッファ中に記憶することと、前記記憶関連バッファ・データを前記高速インタフェースを介して前記磁気記憶装置外部の他のバッファへ、およびそのバッファから送受信することとのうち少なくとも一つを選択的にする回路。
【請求項２】
前記第一高速インタフェースが一つのシリアル・アドバンスド・テクノロジ・アタッチメント（ＡＴＡ）インタフェースを含む、請求項１に記載の回路。
【請求項３】
前記記憶制御器と通信する一つのプロセッサと、
前記記憶制御器と通信する一つのスピンドル／ＶＣＭドライバと、
前記記憶制御器と通信するリード／ライト・チャンネル回路と
をさらに含む、請求項１に記載の回路。
【請求項４】
データを記憶する一つの記憶媒体と、
前記記憶媒体を回転させ、前記スピンドル／ＶＣＭドライバと通信する一つのスピンドル・モータと、
前記記憶媒体に対してデータを読み書きし、前記リード／ライト・チャンネル回路と通信する一つのリード／ライト・アームと
を含む記憶アセンブリをさらに含む、請求項３に記載の回路。
【請求項５】
請求項１に記載の回路を含み、
前記記憶関連バッファ・データを前記記憶装置と送受信する一つのホスト装置をさらに含む一つのシステム。
【請求項６】
前記ホスト装置は、
前記第一高速インタフェースと通信する一つの第二高速インタフェースと、
揮発性メモリと
を含み、
前記揮発性メモリの少なくとも一部分が前記記憶関連バッファ・データを前記記憶装置から記憶する、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
請求項１に記載の前記回路を含む一つのシステム・オン・チップ（ＳＯＣ）。
【請求項８】
請求項１に記載の前記回路を含む一つのマルチ・チップ・モジュール（ＭＣＭ）。
【請求項９】
請求項３に記載の前記回路を含む一つのシステム・オン・チップ（ＳＯＣ）。
【請求項１０】
請求項３に記載の前記回路を含む一つのマルチ・チップ・モジュール（ＭＣＭ）。