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【手続補正書】
【提出日】平成19年12月28日(2007.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  印加された磁場により配向する磁性粒子の配向分布を解析する装置であって、
磁性粒子の配向分布を仮定した仮定配向分布を設定する設定手段と、
前記設定手段で設定された前記仮定配向分布に基づいて磁界計算を行い磁界分布を算出する磁界分布算出手段と、
前記磁界分布算出手段で得られた磁界分布に基づいて前記磁性粒子の配向分布を計算し、算出配向分布を得る配向分布算出手段と、
前記配向分布算出手段で得られた算出配向分布に基づいて前記仮定配向分布を修正する修正手段と、
前記設定手段で設定された仮定配向分布と前記配向分布算出手段で算出された算出配向分布とが一致したとみなされるまで、前記磁界分布計算手段、配向分布計算手段及び前記修正手段を繰り返す制御手段とを備えることを特徴とする磁性粒子の配向分布解析装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】  印加された磁場により配向する磁性粒子の配向分布を解析する方法であって、
磁性粒子の配向分布を仮定した仮定配向分布を設定する設定工程と、
前記設定工程で設定された前記仮定配向分布に基づいて磁界計算を行い磁界分布を算出する磁界分布算出工程と、
前記磁界分布算出工程で得られた磁界分布に基づいて前記磁性粒子の配向分布を計算し、算出配向分布を得る配向分布算出工程と、
前記配向分布算出工程で得られた算出配向分布に基づいて前記仮定配向分布を修正する修正工程と、
前記設定工程で設定された仮定配向分布と前記配向分布算出工程で算出された算出配向分布とが一致したとみなされるまで、前記磁界分布計算工程、配向分布計算工程及び前記修正工程を繰り返す制御工程とを備えることを特徴とする磁性粒子の配向分布解析方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】  コンピュータに印加された磁場により配向する磁性粒子の配向分布を解析させるための制御プログラムを格納する記憶媒体であって、該制御プログラムが、コンピュータに、
磁性粒子の配向分布を仮定した仮定配向分布を設定する設定工程と、
前記設定工程で設定された前記仮定配向分布に基づいて磁界計算を行い磁界分布を算出する磁界分布算出工程と、
前記磁界分布算出工程で得られた磁界分布に基づいて前記磁性粒子の配向分布を計算し、算出配向分布を得る配向分布算出工程と、
前記配向分布算出工程で得られた算出配向分布に基づいて前記仮定配向分布を修正する修正工程と、
前記設定工程で設定された仮定配向分布と前記配向分布算出工程で算出された算出配向分布とが一致したとみなされるまで、前記磁界分布計算工程、配向分布計算工程及び前記修正工程を繰り返す制御工程とを実行させることを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明による磁性粒子の配向解析装置は例えば以下の構成を備える。すなわち、
印加された磁場により配向する磁性粒子の配向分布を解析する装置であって、
磁性粒子の配向分布を仮定した仮定配向分布を設定する設定手段と、
前記設定手段で設定された前記仮定配向分布に基づいて磁界計算を行い磁界分布を算出する磁界分布算出手段と、
前記磁界分布算出手段で得られた磁界分布に基づいて前記磁性粒子の配向分布を計算し、算出配向分布を得る配向分布算出手段と、
前記配向分布算出手段で得られた算出配向分布に基づいて前記仮定配向分布を修正する修正手段と、
前記設定手段で設定された仮定配向分布と前記配向分布算出手段で算出された算出配向分布とが一致したとみなされるまで、前記磁界分布計算手段、配向分布計算手段及び前記修正手段を繰り返す制御手段とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月27日(2008.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
あるいは、分解反応に起因するフッ化水素を捕捉するために、アルカリ金属フッ素化物の存在下でフッ素化反応を行うことも考えられるが、くり返し単位-CH2CF2CF2-当り2分子のフッ化水素が副生するため、フッ化水素を完全に捕捉するためには、原料出発物質に対して多量のアルカリ金属フッ化物を必要とする。しかるに、フッ化水素と当量のアルカリ金属フッ化物を加えた場合でさえ、攪拌し難く、反応が円滑に進行しないばかりではなく、アルカリ金属フッ化物の除去のためのろ過等による収率の低下も免れない。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月18日(2008.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
緊張下の定長熱処理を温水中で、無緊張下の熱処理を熱風中で行うことを特徴とする、請求項１１〜１４のいずれか１項記載の熱接着性複合繊維の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、熱接着性複合繊維の１２０℃乾熱収縮率は−１０〜１％の範囲となるようにする。熱接着時の収縮が少ないために繊維交点での接着点のズレが少なく、接着点が強固になる。更に収縮率が負となり、いわゆる自己伸長の状態になると熱接着前に不織布中の繊維密度が低下し、嵩高に仕上がることによって柔く風合いの良い不織布ができる。収縮率が１％を超えると、熱接着時に接着交点がずれ、接着強度が低下する方向であり、目標とする接着強力の向上に寄与しない。一方、収縮率が−１０％を下回り自己伸長になると、やはり接着点のずれが生じ、不織布強度は低下する方向に移行する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月5日(2008.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の式（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）又は（ｆ）：
【化１】
2007204642.tif 000001
｛式中、R1〜R7＝H又はCH3、R8＝H、CH3又はC6H5である。｝のいずれかで表されるモノマー単位を含むことを特徴とするエポキシ基含有重合体。
【請求項２】
重合体のエポキシ当量が１８０ｇ／ｅｑ．〜２０００ｇ／ｅｑ．である、請求項１記載のエポキシ基含有重合体。
【請求項３】
以下の式（ａ）：
【化２】
2007204642.tif 000002
｛式中、R3〜R8＝Hである。｝で表されるモノマー単位を含むことを特徴とするエポキシ基含有重合体。
【請求項４】
以下の式（ａ）：
【化３】
2007204642.tif 000003
｛式中、R3〜R7＝H、R8＝CH3である。｝で表されるモノマー単位を含むことを特徴とするエポキシ基含有重合体。
【請求項５】
以下の式（ａ）：
【化４】
2007204642.tif 000004
｛式中、R3〜R6＝H 、R7＝CH3、Ｒ8＝Hである。｝で表されるモノマー単位を含むことを特徴とするエポキシ基含有重合体。
【請求項６】
以下の式（ｂ）：
【化５】
2007204642.tif 000005
｛式中、R1〜R8＝Hである。｝で表されるモノマー単位を含むことを特徴とするエポキシ基含有重合体。
【請求項７】
以下の式（ｂ）：
【化６】
2007204642.tif 000006
｛式中、R1〜R7＝H 、R8＝CH3である。｝で表されるモノマー単位を含むことを特徴とするエポキシ基含有重合体。
【請求項８】
以下の式（ｂ）：
【化７】
2007204642.tif 000007
｛式中、R1〜R6＝H 、R7＝CH3、Ｒ8＝Hである。｝で表されるモノマー単位を含むことを特徴とするエポキシ基含有重合体。
【請求項９】
エポキシ基含有重合体の製造方法であって、以下のステップ：
以下の式（ｇ）又は式（ｈ）：
【化８】
2007204642.tif 000008
｛式中、R1〜R7＝H又はCH3、R8＝H、CH3又C6H5、R9＝
【化９】
2007204642.tif 000009
のいずれかである。｝のいずれかで表される化合物のエチレン性不飽和結合部分を重合させることを含む前記方法。
【請求項１０】
エポキシ基含有重合体の製造方法であって、以下のステップ：
以下の式（ｇ）又は式（ｈ）：
【化１０】
2007204642.tif 000010
｛式中、R1〜R7＝H又はCH3、R8＝H、CH3又C6H5、R9＝
【化１１】
2007204642.tif 000011
のいずれかである。｝のいずれかで表される化合物及び他の１種以上のエチレン性不飽和結合を持つ化合物とを共重合させることを含む前記方法。
【請求項１１】
前記さらに他の１種以上のエチレン性不飽和結合を持つ化合物が、炭素数２０以下であり、かつ、CH2=CHCH2OC(O)−、CH2=CHOC(O)−、−CH=CH2−C(O)−、−CH=CHCH3−C(O)−のいずれかの基を有する、請求項１０記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月26日(2008.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱硬化性樹脂、レドックス活性有機コバルト化合物、有機カリウム化合物、及び、無機充填剤を含んでなる成形材料であって、
該成形材料は、熱硬化性樹脂１００質量部に対して、
レドックス活性有機コバルト化合物を金属コバルトとして０．０００３〜０．０１質量部と、
有機カリウム化合物を金属カリウムとして０．００１〜０．１質量部と、
屈折率が１．５０〜１．６０の無機充填剤を５０〜４００質量部とを含んでなり、
該熱硬化性樹脂は、ラジカル重合性オリゴマーとラジカル重合性単量体とからなるものであり、ラジカル重合性オリゴマーの６５質量％以上がビニルエステルである
ことを特徴とする成形材料。
【請求項２】
請求項１に記載の成形材料を硬化して得られることを特徴とする人造大理石。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月15日(2008.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板の作製方法及び表示装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜をＣＭＰにより研磨することを特徴とする基板の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記ガラス基板と前記絶縁膜との屈折率との差は、０．０５以下であることを特徴とする基板の作製方法。
【請求項３】
請求項１において、前記絶縁膜は、酸化珪素膜または酸化窒化珪素膜であることを特徴とする基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記研磨の際に前記ガラス基板にかける圧力を２００ｇｆ／ｃｍ２以上４００ｇｆ／ｃｍ２以下とすることを特徴とする基板の作製方法。
【請求項５】
ガラス基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜をＣＭＰにより研磨し、
前記研磨された絶縁膜上にトランジスタを形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、前記ガラス基板と前記絶縁膜との屈折率との差は、０．０５以下であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項７】
請求項５において、前記絶縁膜は、酸化珪素膜または酸化窒化珪素膜であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項８】
請求項５乃至７のいずれか一において、前記研磨の際に前記ガラス基板にかける圧力を２００ｇｆ／ｃｍ２以上４００ｇｆ／ｃｍ２以下とすることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項９】
ガラス基板上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜をＣＭＰにより研磨し、
前記研磨された第１の絶縁膜上に、半導体膜、ゲート絶縁膜、及びゲート電極を有するトランジスタを形成し、
前記ゲート電極上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜をＣＭＰにより研磨することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項９において、前記ガラス基板と前記第１の絶縁膜との屈折率との差は、０．０５以下であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項９において、前記第１の絶縁膜は、酸化珪素膜または酸化窒化珪素膜であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項９乃至１１のいずれか一において、前記第１の絶縁膜の研磨の際に前記ガラス基板にかける圧力を２００ｇｆ／ｃｍ２以上４００ｇｆ／ｃｍ２以下とすることを特徴とする表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月15日(2008.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板の搬送方法及び半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端が複数に分岐したロボットアームを用いて矩形状の基板を搬送し、
前記基板の４角と、中央もしくはその周辺領域とを保持するカセットに基板を収納し、
前記カセットは、前記基板の４角を保持する突起物と、前記基板の中央もしくはその周辺領域を保持する保持部とを有し、
前記基板を前記カセットに収納する際に、前記ロボットアームの一端が前記保持部と干渉しないことを特徴とする基板の搬送方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記ロボットアームの形状はフォーク状であることを特徴とする基板の搬送方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記ロボットアームを用いて搬送する際に、前記基板を表裏逆にすることを特徴とする基板の搬送方法。
【請求項４】
一端が複数に分岐したロボットアームを用いて矩形状の基板を搬送し、
前記基板の４角と、中央もしくはその周辺領域とを保持するカセットに基板を収納し、
前記基板のうち、前記ロボットアームの一端が触れない領域を用いて半導体素子を形成し、
前記カセットは、前記基板の４角を保持する突起物と、前記基板の中央もしくはその周辺領域を保持する保持部とを有し、
前記ロボットアームの一端は、前記基板を前記カセットに収納する際に前記保持部と干渉しないことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
一端が複数に分岐したロボットアームを用いて矩形状の基板を搬送し、
前記基板の４角と、中央もしくはその周辺領域とを保持するカセットに基板を収納し、
前記基板のうち、前記ロボットアームの一端が触れた領域において基板を分断し、
前記カセットは、前記基板の４角を保持する突起物と、前記基板の中央もしくはその周辺領域を保持する保持部とを有し、
前記ロボットアームの一端は、前記基板を前記カセットに収納する際に前記保持部と干渉しないことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
一端が複数に分岐したロボットアームを用いて、半導体膜が形成された矩形状の基板を搬送し、
前記基板の４角と、中央もしくはその周辺領域とを保持するカセットに基板を収納し、
前記半導体膜に熱処理を行い、
前記カセットは、前記基板の４角を保持する突起物と、前記基板の中央もしくはその周辺領域を保持する保持部とを有し、
前記ロボットアームの一端は、前記基板を前記カセットに収納する際に前記保持部と干渉しないことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記熱処理によって、前記半導体膜を結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項６において、
前記熱処理によって、前記半導体膜中の不純物をゲッタリングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか一項において、
前記熱処理は減圧下で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項８のいずれか一項において、
前記熱処理は圧力１０〜１００００Ｐａの減圧下で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項６乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記半導体装置は、液晶表示装置または発光装置であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項６乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記半導体装置は、携帯電話、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクタ、ゴーグル型ディスプレイ、パーソナルコンピュータ、ＤＶＤプレイヤー、電子書籍、または携帯型情報端末であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項４乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記ロボットアームの形状はフォーク状であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項４乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記ロボットアームを用いて搬送する際に、前記基板を表裏逆にすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明は基板が多面取りであるときには、ある程度基板の傷を気にしないで適用出来る。もし大面積基板を３分割するのであれば、大面積基板２０７を中央の２カ所に設けた基板保持部２０９で支える構成をとってもよい。この場合を、図２（ｂ）に示す。図２は側面図である。基板を搬送するロボットアーム２１０は、３本の突起部をもつ構成にするとより基板の反りが抑制できるので好ましい。図２において、ロボットアーム２１０が３箇所に示してあるのは、ロボットアームを成すフォークの３本を示す。カセット２１２にある突起物２１１と、保持部２０９により基板が保持される。このため基板の反りが抑えられる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月16日(2008.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】縦型バッチ処理装置及び半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鉛直方向に複数の基板が収納されるカセットと、前記基板を搬送するロボットアームとを有し、
前記カセットは、前記基板の中央、または、前記基板の中央周辺にて前記基板を保持する保持部を有し、
前記ロボットアームは、フォーク状であり、回転することによって向きが変わることを特徴とする縦型バッチ処理装置。
【請求項２】（旧請求項７：請求項１に合わせて補正）
鉛直方向に複数の基板が収納されるカセットと、前記基板を搬送するロボットアームと減圧手段を有し、
前記カセットは、前記基板の中央、または、前記基板の中央周辺にて前記基板を保持する保持部を有し、
前記ロボットアームは、フォーク状であり、回転することによって向きが変わることを特徴とする縦型バッチ処理装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記減圧手段は１０〜１００００Ｐａの圧力範囲で制御可能であることを特徴とする縦型バッチ処理装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記保持部には点状もしくは線状の突起物が設けられていることを特徴とする縦型バッチ処理装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記基板の面積は１２００００ｍｍ２以上であり、前記基板の厚さは０．３〜１．１ｍｍであることを特徴とする縦型バッチ処理装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記基板の面積は１２００００ｍｍ２以上であり、前記基板の厚さは０．４〜０．８ｍｍであることを特徴とする縦型バッチ処理装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記縦型バッチ処理装置は、熱処理装置であることを特徴とする縦型バッチ処理装置。
【請求項８】
鉛直方向に複数の基板が収納されるカセットと、前記基板を搬送するロボットアームとを有し、
前記カセットは、前記基板の中央、または、前記基板の中央周辺にて前記基板を保持する保持部を有し、
前記ロボットアームは、フォーク状であり、回転することによって向きが変わる縦型バッチ処理装置を用いて前記基板上に半導体素子を作製する半導体装置の作製方法であって、
前記基板の中央には前記半導体素子が作製されないことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
鉛直方向に複数の基板が収納されるカセットと、前記基板を搬送するロボットアームとを有し、
前記カセットは、前記基板の中央、または、前記基板の中央周辺にて前記基板を保持する保持部を有し、
前記ロボットアームは、フォーク状であり、回転することによって向きが変わる縦型バッチ処理装置を用いて前記基板上に半導体素子を作製する半導体装置の作製方法であって、
前記基板において、前記保持部と触れる箇所には前記半導体素子が作製されないことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項８または請求項９において、
前記保持部には点状もしくは線状の突起物が設けられていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項８乃至請求項１０のいずれか一において、
前記基板の面積は１２００００ｍｍ２以上であり、前記基板の厚さは０．３〜１．１ｍｍであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項８乃至請求項１０のいずれか一において、
前記基板の面積は１２００００ｍｍ２以上であり、前記基板の厚さは０．４〜０．８ｍｍであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項８乃至請求項１２のいずれか一において、
前記縦型バッチ処理装置は、熱処理装置であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月8日(2008.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】三重モード圧電フィルタおよびその製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  一方の主面上に凹陥部を形成した圧電基板の平坦面側に３つの電極を配置すると共に、凹陥面側に全面電極を施した三重モード圧電フィルタの周波数を調整する工程において、前記３つの電極の一方の端の電極と前記全面電極とを駆動電極とし、他の電極を全面電極と短絡した１端子対共振子が呈する共振特性に応じて前記中央の電極には少なく、前記端の電極には多くの質量を同時に付加して周波数調整することを特徴とする三重モード圧電フィルタの製造方法。
【請求項２】  請求項１に記載の三重モード圧電フィルタの製造方法において、前記周波数を調整する工程は、孔が開いたマスクを前記平坦面側に被せて、前記中央および前記端の電極に質量を負荷する工程を有し、前記孔は、前記中央の電極を露出する領域よりも前記端の電極を露出する領域の方が広いことを特徴とする三重モード圧電フィルタの製造方法。
【請求項３】  請求項１または請求項２に記載の三重モード圧電フィルタの製造方法を用いて製造したことを特徴とする三重モード圧電フィルタ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明に係る三重モード圧電フィルタの製造方法は、一方の主面上に凹陥部を形成した圧電基板の平坦面側に３つの電極を配置すると共に、凹陥面側に全面電極を施した三重モード圧電フィルタの周波数を調整する工程において、前記３つの電極の一方の端の電極と前記全面電極とを駆動電極とし、他の電極を全面電極と短絡した１端子対共振子が呈する共振特性に応じて前記中央の電極には少なく、前記端の電極には多くの質量を同時に付加して周波数調整することを特徴とする。また、三重モード圧電フィルタの製造方法において、さらに、前記周波数を調整する工程は、孔が開いたマスクを前記平坦面側に被せて、前記中央および前記端の電極に質量を負荷する工程を有し、前記孔は、前記中央の電極を露出する領域よりも前記端の電極を露出する領域の方が広いことを特徴とする。そして、上記の周波数を調整する工程を含む製造方法によって、三重モード圧電フィルタは製造される。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月15日(2008.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】照明装置及びこれに用いる投影露光装置並びにデバイスの製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光源からの光束を集光する集光光学系と、
該集光光学系からの光束を混合して出射する光束混合手段と、
多光束発生手段と、
前記光束混合手段の出射面からの光束を前記多光束発生手段の入射面に結像する結像光学系と、
前記多光束発生手段からの光束を重ね合わせた状態で被照射面を照射する照射手段とを有する照明装置において、
前記光束混合手段の出射面又は前記出射面近傍に配置された遮光手段を有することを特徴とする照明装置。
【請求項２】  前記光束混合手段は、入射光の少なくとも一部を内面で反射して出射面又は前記出射面の近傍に面光源を形成する内面反射型のオプティカルインテグレータであることを特徴とする請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】  前記多光束発生手段は、入射光の波面を分割して出射面又は前記出射面の近傍に複数の光源を形成する波面分割型のオプティカルインテグレータであることを特徴とする請求項１又は２に記載の照明装置。
【請求項４】  前記遮光手段は、機械的な開口絞りであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の照明装置。
【請求項５】  前記遮光手段は前記光束混合手段の出射端に遮光性の物質を塗布したものであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の照明装置。
【請求項６】  前記遮光手段は前記光束混合手段の出射端に遮光性の多層膜を蒸着したものであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の照明装置。
【請求項７】  前記遮光手段は前記光束混合手段の出射端にクロムの膜を蒸着したものであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の照明装置。
【請求項８】  前記結像光学系はズーム光学系であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の照明装置。
【請求項９】  前記遮光手段は、前記結像光学系における光束断面形状が略円状となるように設けられていることを特徴とする請求項８に記載の照明装置。
【請求項１０】  前記遮光手段は、前記結像光学系における光束断面の径が少なくとも０度、４５度、９０度、１３５度の４方向で等しくなるように設けられていることを特徴とする請求項８に記載の照明装置。
【請求項１１】  前記光束混合手段の出射面の形状は多角形であることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の照明装置。
【請求項１２】  請求項１乃至１１のいずれかに記載された照明装置と、投影光学系とを有し、
前記照明装置で被照明面に配置されたマスクを照明し、
該マスク上のパターンを前記投影光学系でウエハに投影することを特徴とする投影露光装置。
【請求項１３】  請求項１２に記載の投影露光装置を用いてマスク上のパターンをウエハ面上に投影する工程と、
前記パターンが転写された前記ウエハを現像処理する工程とを含むデバイスの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するための本発明は、光源からの光束を集光する集光光学系と、該集光光学系からの光束を混合して出射する光束混合手段と、多光束発生手段と、前記光束混合手段の出射面からの光束を前記多光束発生手段の入射面に結像する結像光学系と、前記多光束発生手段からの光束を重ね合わせた状態で被照射面を照射する照射手段とを有する照明装置において、前記光束混合手段の出射面又は前記出射面近傍に配置された遮光手段を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月22日(2008.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜半導体素子の製造方法および薄膜半導体素子
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  対向する２面を有する半導体基板の一方の面に第１の多孔質半導体層を形成すると共に、前記半導体基板の他方の面に第２の多孔質半導体層を形成する工程と、
前記第１の多孔質半導体層上に半導体素子を形成する工程と、
前記半導体素子に転写用基板を接着させる工程と、
前記半導体素子を前記第１の多孔質半導体層部分において剥離させることによって前記転写用基板側に転写させる工程と
を含むことを特徴とする薄膜半導体素子の製造方法。
【請求項２】  前記半導体基板として、単結晶シリコンからなるものを用いる
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜半導体素子の製造方法。
【請求項３】  前記第１および第２の多孔質半導体層を、陽極化成法により陽極化成槽内で形成する
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜半導体素子の製造方法。
【請求項４】  前記第１の多孔質半導体層および第２の多孔質半導体層のうちいずれか一方の多孔質半導体層を形成した後、前記陽極化成槽の電極の極性を逆転させて他方の多孔質半導体層を形成する
ことを特徴とする請求項３記載の薄膜半導体素子の製造方法。
【請求項５】  前記転写用基板として、プラスチックフィルムを用いる
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜半導体素子の製造方法。
【請求項６】  前記第１の多孔質半導体層の厚み方向の中間部に局所的に強度の弱い剥離層を形成する
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜半導体素子の製造方法。
【請求項７】  更に、前記半導体基板から前記半導体素子を剥離した後に、前記半導体素子の剥離面側にプラスチックフィルムを接着する工程
を含むことを特徴とする請求項１記載の薄膜半導体素子の製造方法。
【請求項８】  前記プラスチックフィルムとして、光反射板を有するものを用いる
ことを特徴とする請求項７記載の薄膜半導体素子の製造方法。
【請求項９】  対向する２面を有する半導体基板の一方の面に形成された第１の多孔質半導体層と、
前記半導体基板の他方の面に形成された第２の多孔質半導体層と、
前記第１の多孔質半導体層上に形成された半導体素子と
を有する薄膜半導体素子であって、
前記半導体素子に転写用基板が接着され、
前記半導体素子が前記第１の多孔質半導体層部分において剥離されることによって前記転写用基板側に転写されている
ことを特徴とする薄膜半導体素子。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、太陽電池素子などの薄膜半導体素子の製造方法および薄膜半導体素子に係り、特に半導体基板上に剥離層を介して半導体素子を形成した後に半導体素子を他の基板に転写する工程を含む薄膜半導体素子の製造方法および薄膜半導体素子に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、太陽電池などの半導体素子の転写が容易であり、製造歩留まりを向上させることできる薄膜半導体素子の製造方法および薄膜半導体素子を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明による薄膜半導体素子の製造方法は、対向する２面を有する半導体基板の一方の面に剥離用の第１の多孔質半導体層を形成すると共に、半導体基板の他方の面に第２の多孔質半導体層を形成する工程と、第１の多孔質半導体層上に半導体素子を形成する工程と、半導体素子に転写用基板を接着させる工程と、半導体素子を第１の多孔質半導体層部分において剥離させることによって転写用基板側に転写させる工程とを有している。
また、本発明による薄膜半導体素子は、対向する２面を有する半導体基板の一方の面に形成された第１の多孔質半導体層と、半導体基板の他方の面に形成された第２の多孔質半導体層と、第１の多孔質半導体層上に形成された半導体素子とを有する薄膜半導体素子であって、半導体素子に転写用基板が接着され、半導体素子が第１の多孔質半導体層部分において剥離されることによって転写用基板側に転写されているものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明による薄膜半導体素子の製造方法では、第１の多孔質半導体層上に半導体素子を形成する前の工程において、半導体基板の反対面に第２の多孔質半導体層が形成されている。従って、半導体基板の両面の応力のバランスがとれ、半導体基板および半導体素子が形成される層に対する曲げモーメントの発生が抑制され、これにより半導体素子の半導体基板からの自然剥離を防止しつつ、半導体素子の転写用基板側への転写がなされる。また、このような方法により本発明による薄膜半導体素子が得られる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
そこで、本発明者は、この曲げモーメントを低減するために、図３に示したように、単結晶シリコン基板５の一方の面に多孔質シリコン膜３を形成するだけでなく、他方の面にも多孔質シリコン層６を形成するようにした。これは、形成した多孔質シリコン層３，６の圧縮応力が単結晶シリコン基板５の両面に加わるようにすれば、単結晶シリコン基板５および後の工程で形成されるエピタキシャル膜４に対する曲げモーメントをほぼなくすことができると考えたからである。以下、このような考え方に基づいた、薄膜半導体素子の一例である太陽電池素子の製造方法について説明する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の薄膜半導体素子の製造方法によれば、対向する２面を有する半導体基板の一方の面に剥離用の第１の多孔質半導体層を形成すると共に、半導体基板の他方の面に第２の多孔質半導体層を形成し、第１の多孔質半導体層上に半導体素子を形成し、この半導体素子に転写用基板を接着させた後に、半導体素子を第１の多孔質半導体層部分において剥離させることによって転写用基板側に転写させるようにしたので、製造工程中に半導体素子が半導体基板から自然に剥離するのを極力抑えることができ、その歩留まりを向上させることができる。
また、本発明の薄膜半導体素子によれば、半導体素子が半導体基板から自然に剥離するのを極力抑えた薄膜半導体素子（太陽電池素子）を実現することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月21日(2008.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 ガスタービンエンジン（１０）の圧縮機抽気組立体（４０）において、
回転可能な軸から延びる１列の円周方向に間隔を置いて配置された圧縮機翼を取り囲み、且つ前記翼により圧縮された圧縮機空気流を受入れるための流路（３７）を構成する圧縮機ケーシングであって、少なくとも1列の前記翼の下流に配置されて、抽気空気流として前記圧縮空気の１部分を受入れる抽気ポート（４１）を含む圧縮機ケーシングと、
前記抽気ポート（４１）から遠ざかる方向に延びる抽気ダクト（５２）であって、前記ポート下流の第１スロート部（１３４）と前記第１スロート部（１３４）下流の第２スロート部（１３６）とを有する抽気ダクト（５２）と、
第１抽気回路（６２）に通じ、前記抽気空気流の第１部分を受入れ、また前記第１及び第２スロート部（１３４及び１３６）の間に配置される、前記ダクトの第１ダクト出口（１３２）と、
第２抽気回路（６０）に通じ、前記抽気空気流の第２部分を受入れ、また前記第２スロート部（１３６）の下流に配置される、前記ダクトの第２ダクト出口（１４０）と、
を含むことを特徴とする組立体。
【請求項２】 前記第２スロート部（１３６）は、前記第１スロート部（１３４）より小さい請求項１に記載の組立体。
【請求項３】 前記第１スロート部（１３４）は、前記第１及び前記第２抽気回路（６２及び６０）への最大の圧縮機抽気流（３５）の時、前記第１スロート部（１３４）における第１マッハ数（Ｍ１）が、前記ポートのすぐ上流の翼形部（１１６）の翼後縁（ＴＥ）における平均軸方向マッハ数（ＭＡ）とほぼ等しくなるような寸法に作られた第１スロート面積（１４２）を有する請求項１に記載の組立体。
【請求項４】 前記抽気ダクト（５２）は、後部表面（１７４）及び前部表面（１７６）をさらに含み、前記第２スロート部（１３６）は、カストマ抽気流部分（６８）の最大量が抽出される運転時に、前記後部表面に沿った剥離が全くないような寸法に作られた第２スロート面積（１４８）を有する請求項３に記載の組立体。
【請求項５】 前記抽気ダクトは、環状スロット（５２）である請求項１に記載の組立体。
【請求項６】 前記第１抽気回路（６２）はカストマ抽気回路であり、前記第２抽気回路（６０）は前記ガスタービンエンジン（１０）のドメスチック抽気回路である請求項１に記載の組立体。
【請求項７】 前記第１スロート部（１３４）下流の前記カストマ抽気回路（６２）中に配置される弁（７６）をさらに含む請求項６に記載の組立体。
【請求項８】 前記第１スロート部（１３４）は、前記第１及び前記第２抽気回路（６２及び６０）への最大の圧縮機抽気流（３５）の時、前記第１スロート部（１３４）における第１マッハ数（Ｍ１）が、前記ポートのすぐ上流の翼形部（１１６）の翼後縁（ＴＥ）における平均軸方向マッハ数（ＭＡ）とほぼ等しくなるような寸法に作られた第１スロート面積（１４２）を有する請求項７に記載の組立体。
【請求項９】 前記環状スロット（５２）は、後部表面（１７４）及び前部表面（１７６）をさらに含み、前記第２スロート部（１３６）は、カストマ抽気流部分（６８）の最大量が抽出される運転時に、前記後部表面に沿った剥離が全くないような寸法に作られた第２スロート面積（１４８）を有する請求項８に記載の組立体。
【請求項１０】 前記抽気ダクトは、環状スロット（５２）である請求項９に記載の組立体。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月5日(2008.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  物体の容量を計測するための光学式センサであって、
該物体の側面及び上面を照らすように適合された光源と、
該物体の該側面及び該上面から反射した光の量を計測するように適合された光センサと、
該物体の該側面及び該上面から反射した光を該光センサに向けるための手段であって、該物体の該側面及び該上面から反射した光の量が該物体の高さ及び横方向寸法に相関する手段と、
情報伝送のために該光センサに結合されたプロセッサであって、該物体の高さ測定と該物体の横方向寸法測定とから、物体の容量を決定するプロセッサと、
を含む光学式センサ。
【請求項２】  該光が約７５０nmを超える波長を有する、請求項１記載の光学式センサ。
【請求項３】  該光を向けるための手段が、該物体の該側面から反射した光を該光センサに向けるように適合されたミラーを含む、請求項１記載の光学式センサ。
【請求項４】  該光を向けるための手段が、該物体の該上面から反射した光を該光センサに向けるように適合された第二のレンズを含む、請求項１記載の光学式センサ。
【請求項５】  側面及び上面を有する物体の容量を計測するための光学式センサであって、
該物体の該側面及び該上面を照らすように適合された光源と、
該物体の該側面及び該上面から反射した光の量を測定するように適合された光センサと、
該光源からの該光の一部を反射するように適合された第一の光学装置と、
該第一の光学装置から反射した光を該物体の該側面に向け、該物体の該側面から反射した光を該光センサに向けるように適合された第二の光学装置であって、該物体の該側面から反射し、該光センサに向けられた該光が該物体の該高さに相関する第二の光学装置と、
該第一の光学装置から反射した光を該物体の該上面に向け、該物体の該上面から反射した光を該光センサに向けるように適合された第三の光学装置であって、該物体の該上面から反射し、該光センサに向けられた光の量が該物体の直径に相関する第三の光学装置と、を含む光学式センサ。
【請求項６】  該第一の光学装置がミラーであり、該第二及び該第三の光学装置がレンズである、請求項５記載の光学式センサ。
【請求項７】  上面及び側面を有する物体の容量を測定する方法であって、
該物体の該側面及び該上面を光源からの光で照らす工程と、
該物体の該側面及び該上面から反射した光を光センサに向ける工程と、
該物体の該側面及び該上面から反射した光の量を該光センサによって計測する工程であて、該物体の該側面から反射した光の量が該物体の高さに相関し、該物体の該上面から反射した光の量が該物体の直径に相関する工程と、
該物体の容量を該物体の高さ測定及び該物体の直径測定とから計算する工程とを含む方法。
【請求項８】  該物体が血液滴であり、該方法が、
該血液滴をランスで抜き取る工程と、
該血液滴中のグルコース濃度レベルを測定する工程とをさらに含む、請求項７記載の方法。
【請求項９】  上面及び側面を有する物体の度量を測定する方法であって、該物体の該側面及び該上面を光源からの光で照らす工程を含み、
該光源をビームスプリッタから反射させて同時に第一のレンズ及び第二のレンズに向ける工程と、
該光を該第一のレンズに通してミラーに向ける工程と、
該ミラーによって該光を該物体の該側面に向ける工程と、
該光を該第二のレンズに通してくさびレンズに向ける工程と、
該光を該物体の該上面に向ける工程と、
該物体の該側面及び該上面から反射した光を光センサに向ける工程と、
該物体の該側面及び該上面から反射した光の量を測定する工程であって、該物体の該側面から反射した光の量が該物体の高さと相関し、該物体の該上面から反射した光の量が該物体の直径と相関するものである工程と、
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月27日(2008.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像画像を表示する表示手段と、
当該撮像装置の傾きを検出する傾き検出手段と、
撮像画面のアスペクト比を切り換えるアスペクト切換手段と、
前記傾き検出手段により検出された傾きに応じたガイド表示を前記表示手段に表示するよう制御する表示制御手段と、
前記ガイド表示の表示及び非表示を切り換える表示切換手段と、
撮像画面のアスペクト比の横の長さの比率が大きい場合と小さい場合とでは、大きい場合の方が前記ガイド表示が表示されやすいように、前記表示切換手段を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記表示切換手段は、前記傾き検出手段により検出された傾きが所定値以上の場合に前記ガイド表示を表示するよう切り換え、前記傾きが所定値未満の場合に前記ガイド表示を非表示にするよう切り換えることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記アスペクト切換手段によって設定されたアスペクト比の横の長さの比率が、大きい場合と小さい場合とでは、大きい場合の方が前記所定値が小さくなるように該所定値を設定することを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記ガイド表示を表示する場合、前記表示制御手段は、前記アスペクト切換手段によって設定されたアスペクト比の横の長さの比率が大きい場合と小さい場合とでは、大きい場合の方が前記傾き検出手段にて検出された傾きに対する前記ガイド表示の表示角度を大きく表示するよう制御することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
撮像画像を表示する表示手段と、
当該撮像装置の傾きを検出する傾き検出手段と、
撮像画面のアスペクト比を切り換えるアスペクト切換手段と、
前記傾き検出手段により検出された傾きが所定値以上の場合に、該傾き検出手段により検出された傾きに応じたガイド表示を前記表示手段に表示するよう制御する表示制御手段とを有し、
前記ガイド表示を表示する場合、前記表示制御手段は、前記アスペクト切換手段によって設定されたアスペクト比の横の長さの比率が大きい場合と小さい場合とでは、大きい場合の方が前記傾き検出手段にて検出された傾きに対する前記ガイド表示の表示角度を大きく表示するよう制御することを特徴とする撮像装置。
【請求項６】
撮像画像を表示する表示手段と、
当該撮像装置の傾きを検出する傾き検出手段と、
撮像画面のアスペクト比を切り換えるアスペクト切換手段と、
前記傾き検出手段により検出された傾きが所定値以上の場合に、該傾き検出手段により検出された傾きに応じたガイド表示を前記表示手段に表示するよう制御する表示制御手段と、
前記アスペクト切換手段によって設定されたアスペクト比の横の長さの比率が大きい場合と小さい場合とでは、大きい場合の方が前記傾き検出手段の感度が高くなるように該感度を設定する感度設定手段とを備えることを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明は、撮像画像を表示する表示手段と、当該撮像装置の傾きを検出する傾き検出手段と、 撮像画面のアスペクト比を切り換えるアスペクト切換手段と、前記傾き検出手段により検出された傾きに応じたガイド表示を前記表示手段に表示するよう制御する表示制御手段と、前記ガイド表示の表示及び非表示を切り換える表示切換手段と、撮像画面のアスペクト比の横の長さの比率が大きい場合と小さい場合とでは、大きい場合の方が前記ガイド表示が表示されやすいように、前記表示切換手段を制御する制御手段とを備えた撮像装置とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明は、撮像画像を表示する表示手段と、当該撮像装置の傾きを検出する傾き検出手段と、撮像画面のアスペクト比を切り換えるアスペクト切換手段と、前記傾き検出手段により検出された傾きが所定値以上の場合に、該傾き検出手段により検出された傾きに応じたガイド表示を前記表示手段に表示するよう制御する表示制御手段とを有し、前記ガイド表示を表示する場合、前記表示制御手段が、前記アスペクト切換手段によって設定されたアスペクト比の横の長さの比率が大きい場合と小さい場合とでは、大きい場合の方が前記傾き検出手段にて検出された傾きに対する前記ガイド表示の表示角度を大きく表示するよう制御する撮像装置とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
同じく上記目的を達成するために、本発明は、撮像画像を表示する表示手段と、当該撮像装置の傾きを検出する傾き検出手段と、撮像画面のアスペクト比を切り換えるアスペクト切換手段と、前記傾き検出手段により検出された傾きが所定値以上の場合に、該傾き検出手段により検出された傾きに応じたガイド表示を前記表示手段に表示するよう制御する表示制御手段と、前記アスペクト切換手段によって設定されたアスペクト比の横の長さの比率が大きい場合と小さい場合とでは、大きい場合の方が前記傾き検出手段の感度が高くなるように該感度を設定する感度設定手段とを備える撮像装置とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月23日(2008.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データを表示する表示装置であって、
前記表示装置の認証情報および暗号キーを送信する第１送信部と、
前記携帯情報端末から無線にて送信された、前記携帯情報端末にて表示される第１表示データを前記暗号キーにて暗号化した第２表示データを受信する受信部と、
前記受信部にて受信された第２表示データを復号する復号部と、
前記復号部にて復号された第２表示データの解像度を変換する解像度変換部と、
前記解像度変換部にて解像度を変換された第２表示データを表示する表示部と
を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記携帯情報端末の操作を行う操作部と、
前記操作に関する操作情報を無線にて送信する第２送信部とを有することを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
携帯情報端末から無線にて送信された、前記携帯情報端末にて表示される表示データを受信する受信部と、
前記受信部にて受信された表示データを転送する外部インターフェイス回路とを有することを特徴とする表示データ転送装置。
【請求項４】
第１筐体部と、
第２筐体部と、
前記第１筐体部と前記第２筐体部との位置関係を変えられるように前記第１筐体部と前記第２筐体部とを連結する連結部と、
前記第１筐体部または前記第２筐体部に搭載された外部無線通信用アンテナと、
前記第１筐体部に搭載され、前記外部無線通信用アンテナを介して行われる外部無線通信の制御を主として司る外部無線通信制御部と、
前記第２筐体部に搭載された表示部と、
前記第１筐体部に搭載された第１の内部無線通信用アンテナと、
前記第２筐体部に搭載された第２の内部無線通信用アンテナと、
前記第１筐体部に搭載され、前記第１の内部無線通信用アンテナを介して行われる内部無線通信の制御を行う第１の内部無線通信制御部と、
前記第２筐体部に搭載され、前記第２の内部無線通信用アンテナを介して行われる内部無線通信の制御を行う第２の内部無線通信制御部と、
外部表示モードの指定に基づいて前記第１の内部無線通信用アンテナを介して送信される表示データの解像度を変更する解像度変更部と、
外部表示装置の認証情報および暗号キーを受信する受信部と、
前記認証情報に基づいて前記外部表示装置の認証を行う認証部とを有し、
前記第１の内部無線通信制御部は、前記認証された外部表示装置に対して前記暗号キーにて暗号化された表示データを送信する
ことを特徴とする無線通信端末。
【請求項５】
前記第１の内部無線通信制御部は、
前記表示部に表示される第１表示データと外部表示装置に表示される第２表示データとを時分割で送信することを特徴とする請求項４記載の無線通信端末。
【請求項６】
前記第１表示データは通信に関する付帯情報を示すステータス情報であり、前記第２表示データは画像データであることを特徴とする請求項４または５記載の無線通信端末。
【請求項７】
情報を処理する情報処理装置であって、
前記情報処理装置の認証情報および暗号キーを送信する送信部と、
携帯情報端末から無線にて送信された、前記携帯情報端末にて表示される第１表示データを前記暗号キーにて暗号化した第２表示データを受信する受信部と、
前記受信部にて受信された第２表示データを復号する復号部と、
前記復号部にて復号された第２表示データの解像度を変換する解像度変換部と、
前記解像度変換部にて解像度を変換された第２表示データを表示する表示部と
を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項８】
データを表示する表示装置の制御方法であって、
前記表示装置の認証情報および暗号キーを送信する送信工程と、
携帯情報端末から無線にて送信された、前記携帯情報端末にて表示される表示データを前記暗号キーにて暗号化されたデータを受信するデータ受信工程と、
前記データ受信工程にて受信されたデータを復号する復号工程と、
前記復号工程にて復号されたデータの解像度を変換する解像度変換工程と、
前記解像度変換工程にて解像度を変換されたデータを、前記表示装置の表示部に表示する表示工程と
を有することを特徴とする表示装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置、表示データ転送装置、無線通信端末、情報処理装置および表示装置の制御方法
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月11日(2008.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像素子で撮影された現像処理前のＲＡＷデータのホワイトバランス補正を行う画像処理装置であって、
前記ＲＡＷデータと該ＲＡＷデータに添付され該ＲＡＷデータを現像処理した現像済みデータとを記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶された前記現像済みデータに基づいて前記ＲＡＷデータのホワイトバランス補正を行う補正手段と、
を備えた画像処理装置。
【請求項２】
前記補正手段は、前記現像済みデータにおける無彩色画素の位置を特定し、前記ＲＡＷデータのうち前記現像済みデータにおける無彩色画素の位置に対応する画素の色情報に基づいて前記ＲＡＷデータのホワイトバランス補正を行う、
請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記補正手段は、各色情報ごとに、前記ＲＡＷデータにおける階調数と出現頻度との関係を表すヒストグラムの形状・最大階調値・平均階調値の少なくともいずれかが前記現像済みデータにおける階調数と出現頻度との関係を表すヒストグラムの形状・最大階調値・平均階調値の少なくともいずれかとほぼ一致するよう前記ＲＡＷデータにおける階調数と出現頻度との関係を補正することにより、前記ＲＡＷデータのホワイトバランス補正を行う、
請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記補正手段は、各色情報ごとに、前記ＲＡＷデータにおける階調数と出現頻度との関係を補正する複数の補正処理を行い、補正処理実行後のＲＡＷデータのヒストグラムの形状・最大階調値・平均階調値の少なくともいずれかが現像済みデータのヒストグラムの形状・最大階調値・平均階調値の少なくともいずれかに最も近似する補正処理を採用する、
請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記現像済みデータは、サムネイルデータ又はスクリーンネイルデータである、
請求項１〜４のいずれかに記載の画像処理装置。
【請求項６】
撮像素子で撮影された現像処理前のＲＡＷデータのホワイトバランス補正を行う画像処理方法であって、
前記ＲＡＷデータと共に記憶手段に記憶されており該ＲＡＷデータを現像処理した現像済みデータに基づいて、前記ＲＡＷデータのホワイトバランス補正を行う、
画像処理方法。
【請求項７】
請求項６に記載の画像処理方法を、１又は２以上のコンピュータに実行させるための画像処理プログラム。
【請求項８】
撮像素子で撮影された現像処理前のＲＡＷデータの補正処理を行う画像処理装置であって、
前記ＲＡＷデータと予め該ＲＡＷデータに添付され該ＲＡＷデータを現像処理した現像済みデータとを取得する取得手段と、
前記取得手段によって取得された前記現像済みデータに基づいて前記ＲＡＷデータの補正のための補正情報を設定する設定手段と、
前記補正情報に基づいて前記ＲＡＷデータの補正を行う補正手段と、
を備えた画像処理装置。