【手続補正書】
【提出日】平成20年6月30日(2008.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向するように設けられた一対の電極間に挟まれた複数の層を有し、
前記複数の層のうち少なくとも一層は発光物質を含む層からなり、
前記発光物質を含む層を挟んで、酸化物半導体または金属酸化物と電子よりも正孔の輸送性が高い物質とを含む層と、酸化物半導体または金属酸化物と正孔よりも電子の輸送性の高い物質とを含む層とが設けられていることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
対向するように設けられた一対の電極間に挟まれた複数の層を有し、
前記複数の層のうち少なくとも一層は発光物質を含む層からなり、
前記発光物質を含む層を挟んで、酸化物半導体または金属酸化物と電子よりも正孔の輸送性が高い物質とを含む層と、酸化物半導体または金属酸化物と正孔よりも電子の輸送性の高い物質と前記正孔よりも電子の輸送性の高い物質に電子を供与することができる物質とを含む層とが設けられていることを特徴とする発光素子。
【請求項３】
対向するように設けられた第１の電極と第２の電極との間に順に積層された第１の層と、第２の層と、第３の層とを有し、
前記第１の層は、酸化物半導体または金属酸化物と電子よりも正孔の輸送性が高い物質とを含み、
前記第２の層は、発光物質を含み、
前記第３の層は、酸化物半導体または金属酸化物と正孔よりも電子の輸送性の高い物質とを含んでいることを特徴とする発光素子。
【請求項４】
対向するように設けられた第１の電極と第２の電極との間に順に積層された第１の層と、第２の層と、第３の層とを有し、
前記第１の層は、酸化物半導体または金属酸化物と電子よりも正孔の輸送性が高い物質とを含み、
前記第２の層は、発光物質を含み、
前記第３の層は、酸化物半導体または金属酸化物と正孔よりも電子の輸送性の高い物質と前記正孔よりも電子の輸送性の高い物質に電子を供与することができる物質とを含んでいることを特徴とする発光素子。
【請求項５】
対向するように設けられた第１の電極と第２の電極との間に順に積層された第１の層と、第２の層と、第３の層と、第４の層とを有し、
前記第１の層は、酸化物半導体または金属酸化物と電子よりも正孔の輸送性が高い物質とを含み、
前記第２の層は、発光物質を含み、
前記第３の層は、酸化物半導体または金属酸化物と正孔よりも電子の輸送性の高い物質とを含み、
前記第４の層は、酸化物半導体または金属酸化物と正孔よりも電子の輸送性の高い物質と前記正孔よりも電子の輸送性の高い物質に電子を供与することができる物質とを含んでいることを特徴とする発光素子。
【請求項６】
対向するように設けられた第１の電極と第２の電極との間に順に積層された第１の層と、第２の層と、第３の層と、第４の層とを有し、
前記第１の層は、酸化物半導体または金属酸化物と電子よりも正孔の輸送性が高い物質とを含み、
前記第２の層は、発光物質を含み、
前記第３の層は、酸化物半導体または金属酸化物と正孔よりも電子の輸送性の高い物質とを含み、
前記第４の層は、正孔よりも電子の輸送性の高い物質と前記正孔よりも電子の輸送性の高い物質に電子を供与することができる物質とを含んでいることを特徴とする発光素子。
【請求項７】
対向するように設けられた第１の電極と第２の電極との間に順に積層された第１の層と、第２の層と、第３の層と、第４の層とを有し、
前記第１の層は、酸化物半導体または金属酸化物と電子よりも正孔の輸送性が高い物質とを含み、
前記第２の層は、発光物質を含み、
前記第３の層は、酸化物半導体または金属酸化物と正孔よりも電子の輸送性の高い物質とを含み、
前記第４の層は、酸化物半導体または金属酸化物と電子よりも正孔の輸送性が高い物質とを含んでいることを特徴とする発光素子。
【請求項８】
対向するように設けられた第１の電極と第２の電極との間に順に積層された第１の層と、第２の層と、第３の層と、第４の層とを有し、
前記第１の層は、酸化物半導体または金属酸化物と電子よりも正孔の輸送性が高い物質とを含み、
前記第２の層は、発光物質を含み、
前記第３の層は、酸化物半導体または金属酸化物と正孔よりも電子の輸送性の高い物質と前記正孔よりも電子の輸送性の高い物質に電子を供与することができる物質とを含み、
前記第４の層は、酸化物半導体または金属酸化物と電子よりも正孔の輸送性が高い物質とを含んでいることを特徴とする発光素子。
【請求項９】
請求項７において、
前記第１の層と前記第４の層は、同じ材料で形成されていることを特徴とする発光素子。
【請求項１０】
請求項８において、
前記第１の層と前記第４の層は、同じ材料で形成されていることを特徴とする発光素子。
【請求項１１】
対向するように設けられた第１の電極と第２の電極との間に順に積層された第１の層と、第２の層と、第３の層と、第４の層と、第５の層とを有し、
前記第１の層は、酸化物半導体または金属酸化物と電子よりも正孔の輸送性が高い物質とを含み、
前記第２の層は、発光物質を含み、
前記第３の層は、酸化物半導体または金属酸化物と正孔よりも電子の輸送性の高い物質とを含み、
前記第４の層は、酸化物半導体または金属酸化物と正孔よりも電子の輸送性の高い物質と前記正孔よりも電子の輸送性の高い物質に電子を供与することができる物質とを含み、
前記第５の層は、酸化物半導体または金属酸化物と電子よりも正孔の輸送性が高い物質とを含んでいることを特徴とする発光素子。
【請求項１２】
対向するように設けられた第１の電極と第２の電極との間に順に積層された第１の層と、第２の層と、第３の層と、第４の層と、第５の層とを有し、
前記第１の層は、酸化物半導体または金属酸化物と電子よりも正孔の輸送性が高い物質とを含み、
前記第２の層は、発光物質を含み、
前記第３の層は、酸化物半導体または金属酸化物と正孔よりも電子の輸送性の高い物質とを含み、
前記第４の層は、正孔よりも電子の輸送性の高い物質と前記正孔よりも電子の輸送性の高い物質に電子を供与することができる物質とを含み、
前記第５の層は、酸化物半導体または金属酸化物と電子よりも正孔の輸送性が高い物質とを含んでいることを特徴とする発光素子。
【請求項１３】
請求項１１または請求項１２において、
前記第１の層と前記第５の層は、同じ材料で形成されていることを特徴とする発光素子。
【請求項１４】
請求項２、請求項４乃至請求項６、請求項８、請求項１０乃至請求項１３のいずれか一において、
前記正孔よりも電子の輸送性の高い物質に電子を供与することができる物質は、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、エルビウム、イッテルビウム、これらの酸化物またはハロゲン化物のいずれかであることを特徴とする発光素子。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一において、
前記酸化物半導体または金属酸化物は、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、コバルト酸化物、ニッケル酸化物、銅酸化物、インジウム酸化物、亜鉛酸化物、リチウム酸化物、ナトリウム酸化物のいずれかであることを特徴とする発光素子。
【請求項１６】
請求項３乃至請求項１５のいずれか一において、
前記第１の層は、モリブデン酸化物と、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルとを有していることを特徴とする発光素子。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１６のいずれか一に記載の発光素子を画素部に含むことを特徴とする表示装置。