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【手続補正書】
【提出日】平成20年7月16日(2008.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 支持体上にバルク音響共振器を加工する方法であって、ここで前記共振器は、共振器膜を備え、そして前記共振器は、前記共振器の下の前記支持体中にエッチングされた空洞により前記支持体から分離されており、前記方法は、選択的エッチングと共にエッチング区切り障壁を用いて、前記共振器膜における少なくとも１つのバイアを通じて前記空洞をエッチングする工程を包含する、方法。
【請求項２】 前記選択的エッチング工程が選択的ドライエッチングである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】 請求項２に記載の方法であって、前記共振器がまた、前記膜のいずれかの側面上に第１の電極および第２の反対の電極を備え、前記膜は、前記支持体の少なくとも一部の上に前記電極を越えて伸長する圧電性層であり、そして前記方法は、さらに、前記選択的エッチングを用いて前記空洞を形成する工程の前に、前記電極に隣接する前記圧電性膜において複数のバイアを形成する工程、および前記選択的エッチングを用いて前記第１の電極の下の前記支持体において前記空洞を形成する工程を包含する、方法。
【請求項４】 ウェーハ上のバルク共振器構造を加工する方法であって、以下の工程：（Ａ）前記ウェーハの上部表面上に分離層を形成する工程、（Ｂ）前記ウェーハおよび前記分離層内に少なくとも１つのエッチング区切り障壁を形成する工程、（Ｃ）前記分離層の上に第１の導電性層を蒸着し、前記第１の導電性層をパターン化して第１の電極を形成する工程、（Ｄ）前記分離層および第１の電極上に圧電性層を蒸着する工程、（Ｅ）前記圧電性層の上であって、かつ前記第１の電極の上に第２の電極を形成する工程、（Ｆ）前記第１の電極の少なくとも１つの側面に沿って、かつそこから間隔を空けて、前記圧電性層を通じて少なくとも１つのバイアを開口する工程；ならびに（Ｇ）前記バイアを通じて選択的腐食液を導入することにより、前記第１の電極および圧電性層の隣接する部分の下の前記分離層の少なくとも１部をエッチングすることによって、前記第１の電極および隣接する圧電性層の下に空洞を形成する工程、を包含する、方法。
【請求項５】 前記分離層が高抵抗性層である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】 前記工程（Ｇ）における前記エッチングプロセスがドライエッチングプロセスであり、前記空洞が前記分離層から前記ウェーハの一部内に伸長し、前記工程（Ｆ）が、複数のバイアを開口する工程を包含し、前記複数のバイアが前記第１の電極を囲む、請求項４に記載の方法。
【請求項７】 前記ウェーハがシリコンウェーハであり、前記分離層がシリコンであり、そして前記エッチング区切り障壁が低温酸化物であり、前記第１の電極を形成する工程が、アルミニウムを用いる工程を包含し、前記圧電性層を形成する工程が、ＡｌＮを用いる工程を包含する、請求項４に記載の方法。
【請求項８】 前記第２の電極に連結された少なくとも１つの導電性経路を形成する工程をさらに包含し、前記導電性経路が、前記圧電性層の上に形成され、そして前記第２の電極をワイヤ結合パッドに接続する、請求項４に記載の方法。
【請求項９】 バルク音響共振器であって、以下：（ａ）表面を有する支持体；
（ｂ）前記支持体の表面から前記支持体中に伸びる空洞；
（ｃ）前記支持体および空洞の上に伸長する圧電性膜であって、前記空洞の上の領域を有し、前記膜は前記支持体表面に面する下側面および前記下側表面の反対に上側を有する、圧電性膜；
（ｄ）前記空洞の上の前記領域の一部の下側に前記圧電性膜に固定された第１の電極；
（ｅ）前記第１の電極の上であって、かつ前記第１の電極と実質的に同延である圧電性膜の前記上側の第２の電極；
（ｆ）前記第１および第２の電極に隣接する前記圧電性膜における少なくとも１つのバイア、を備える、バルク音響共振器。
【請求項１０】 前記支持体が、前記圧電性膜の前記下側に接触するウェーハおよび分離層を備え、前記圧電性膜が、前記第１の電極の周りに複数のバイアを有し、前記ウェーハおよび分離層が、前記空洞の周囲の長さを定義する少なくとも１つのエッチング区切り障壁を有し、前記ウェーハが、前記圧電性膜下の前記支持体における、前記ウェーハの表面に実質的に平行に伸長するエッチング障壁層を備え、および前記圧電性膜の上の前記第２の電極から前記空洞の上の前記膜領域の外側のワイヤ結合パッドまで伸長する少なくとも１つの導電性経路をさらに備える、請求項９に記載の共振器。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月26日(2008.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電極が内蔵されたソケット又はプラグ等の照明取付部材と、該照明取付部材に対し着脱自在の電極部と、
該電極部より給電されるアダプタと、
該アダプタに配設された人感知センサと、
人が外出中か在宅中かを操作する操作手段と、
該操作手段による操作により外出中が選択され、かつ前記人感知センサによる検出信号の変動があったとき不法侵入と判断する不法侵入判断手段とを備えたことを特徴とする制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月4日(2008.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】成膜方法および成膜装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室内を大気圧以上の圧力とした状態において、印刷によりＥＬ層を形成することを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
処理室内を大気圧以上の圧力、かつ、溶媒雰囲気とした状態において、印刷によりＥＬ層を形成することを特徴とする成膜方法。
【請求項３】
処理室内を大気圧以上の圧力、かつ、不活性気体で充填した状態において、印刷によりＥＬ層を形成することを特徴とする成膜方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記印刷は、凸版印刷、凹版印刷またはスクリーン印刷であることを特徴とする成膜方法。
【請求項５】
印刷によりＥＬ層が形成される処理室と、
前記処理室内を大気圧以上の圧力とする圧力調節機構と、を有することを特徴とする成膜装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記処理室に、溶媒トレーを有することを特徴とする成膜装置。
【請求項７】
請求項５において、
前記圧力調節機構は、処理室内に不活性気体を導入する圧縮機を有することを特徴とする成膜装置。
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のいずれか一項において、
前記印刷は、凸版印刷、凹版印刷またはスクリーン印刷であることを特徴とする成膜装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月20日(2008.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体から形成されたソース領域、ドレイン領域、及び前記ソース領域と前記ドレイン領域に挟まれた領域を有するメモリトランジスタを備えた不揮発性メモリであって、
前記ソース領域と前記ドレイン領域に挟まれた領域は、チャネル長方向にストライプ状に形成された複数の不純物領域と、当該複数の不純物領域に挟まれた複数のチャネル形成領域によって形成され、
前記複数の不純物領域は前記ソース領域、前記ドレイン領域に添加された不純物とは逆の導電型を有する不純物が添加されており、
前記メモリトランジスタは多値のデータを記憶することを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項２】
単結晶半導体から形成されたソース領域、ドレイン領域、及び前記ソース領域と前記ドレイン領域に挟まれた領域と、
前記ソース領域、前記ドレイン領域に挟まれた領域上に形成された第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜上に形成された複数のフローティングゲート電極と、
前記複数のフローティングゲート電極上に形成された第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜上に形成されたコントロールゲート電極と、
を有するメモリトランジスタを備えた不揮発性メモリであって、
前記ソース領域と前記ドレイン領域に挟まれた領域は、チャネル長方向にストライプ状に形成された複数の不純物領域と、当該複数の不純物領域に挟まれた複数のチャネル形成領域によって形成され、
前記複数の不純物領域は前記ソース領域、前記ドレイン領域に添加された不純物とは逆の導電型を有する不純物が添加されており、
前記複数のフローティングゲート電極は、前記複数のチャネル形成領域上にそれぞれ一つずつ、前記第１のゲート絶縁膜を介して形成され、
前記メモリトランジスタは多値のデータを記憶することを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項３】
単結晶半導体から形成されたソース領域、ドレイン領域、及び前記ソース領域と前記ドレイン領域に挟まれた領域と、
前記ソース領域と前記ドレイン領域に挟まれた領域上に形成された第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜上に形成された複数のフローティングゲート電極と、
前記複数のフローティングゲート電極上に形成された第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜上に形成されたコントロールゲート電極と、
を有するメモリトランジスタを備えた不揮発性メモリであって、
前記ソース領域と前記ドレイン領域に挟まれた領域は、チャネル長方向にストライプ状に形成された複数の不純物領域と、当該複数の不純物領域に挟まれた複数のチャネル形成領域によって形成され、
前記複数の不純物領域は前記ソース領域、前記ドレイン領域に添加された不純物とは逆の導電型を有する不純物が添加されており、
前記複数のフローティングゲート電極は、前記複数のチャネル形成領域上にそれぞれ一つずつ、前記第１のゲート絶縁膜を介して形成され、
前記複数の不純物領域はそれぞれ独立に電位を制御でき、
前記メモリトランジスタは多値のデータを記憶することを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項４】
請求項２または請求項３において、前記複数のフローティングゲート電極はそれぞれ、前記第１のゲート絶縁膜を介して前記複数の不純物領域の一つと、一部重なっていることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記ソース領域と前記ドレイン領域に挟まれた領域に形成された前記複数の不純物領域は、前記ソース領域と前記ドレイン領域の一方または両方においても連続して形成されていることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記複数の不純物領域の不純物は１３族又は１５族から選ばれることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、前記複数の不純物領域の不純物は１３族又は１５族から選ばれ、当該複数の不純物領域によって前記ドレイン領域から前記ソース領域に向かって広がる空乏層が抑止されることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記複数の不純物領域の不純物の濃度は１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上５×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記メモリトランジスタのチャネル長は、０．０１μｍ以上１μｍ以下であることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、前記複数の不純物領域の幅は、０．０１μｍ以上１μｍ以下であることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、前記複数のチャネル形成領域の幅は、０．０１μｍ以上１μｍ以下であることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、前記不揮発性メモリを記録媒体として利用することを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１２において、前記半導体装置とは、マイクロプロセッサであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１２において、前記半導体装置とは、ディスプレイ、ビデオカメラ、ヘッドマウントディスプレイ、ＤＶＤプレーヤー、ゴーグル型ディスプレイ、パーソナルコンピュータ、携帯電話、カーオーディオであることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月21日(2008.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１パッドを有する第１基板と、
この第１パッドに接続された電子部品と、
この電子部品を挟んで上記第１基板に対向した第２基板と、
上記第１および第２基板間で上記電子部品を積層する樹脂層と、
を有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
上記第１基板の外面から上記第１パッドにつながる導通孔をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
上記導通孔を介して上記第１パッドに接続するように上記第１基板の外面に形成された第１配線をさらに有することを特徴とする請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
上記電子部品の電極と上記第１パッドを導電性接着剤を介して接続したことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項５】
上記樹脂層は、樹脂材料にシリカ粒子を混ぜて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項６】
上記シリカ粒子は、上記樹脂層と電子部品の熱膨張率が略同じになる比率で上記樹脂材料に混合されていることを特徴とする請求項５に記載の配線基板。
【請求項７】
上記第２基板の内面に第２パッドを形成し、この第２パッドに別の電子部品を接続したことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項８】
上記第２基板の外面から上記第２パッドにつながる導通孔を形成し、この導通孔を介して上記第２パッドにつながる第２配線を上記第２基板の外面に形成したことを特徴とする請求項７に記載の配線基板。
【請求項９】
両面に金属層を有する第１基板の内面に形成されている金属層をパターニングして該内面に第１パッドを形成する工程と、
この第１パッドに電子部品を接続して上記内面に該電子部品を実装する実装工程と、
樹脂層を介して上記第１基板の内面に第２基板を対向させて上記樹脂層を溶融させて積層する工程と、
上記第１基板の外面から上記第１パッドにつながる導通孔を形成する孔形成工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】配線基板、およびこの配線基板の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
この発明は、電子部品を内蔵した配線基板、およびこの配線基板の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
この発明の目的は、内蔵した電子部品に損傷を与えることがなく製品歩留まりを高めることができ、配線基板の小型化を実現できる配線基板、およびこの配線基板の製造方法を提供することにある。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月21日(2008.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を実装しているとともに同じ側に位置決め用のフィディシャルマークを有する第１基板と、
上記電子部品を挟んで上記第１基板に対向した第２基板と、
上記第１および第２基板間で上記電子部品を積層する樹脂層と、
を有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
上記フィディシャルマークは、上記電子部品を接続する第１配線と同時にパターニングされることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
上記フィディシャルマークは、上記第１配線上に上記電子部品を接続するためのペーストを塗布するためのマスク部材を位置決めするときに用いられることを特徴とする請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
上記フィディシャルマークは、上記電子部品を位置決めするときに用いられることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項５】
上記第１基板は、その外側から上記フィディシャルマークを検出可能な程度に光を透過する材料により形成されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項６】
上記第２基板および樹脂層も、該第２基板の外側から上記フィディシャルマークを検出可能な程度に光を透過する材料により形成されていることを特徴とする請求項５に記載の配線基板。
【請求項７】
上記フィディシャルマークは、光を反射する材料により形成されていることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の配線基板。
【請求項８】
上記第１基板の外側および上記第２基板の外側のうち少なくとも一方に他の電子部品を実装していることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項９】
上記フィディシャルマークを利用して上記第１基板の外側から位置決めして穿設された孔と、
上記第１基板の外側に形成され、上記孔を介して上記電子部品に接続した第２配線と、
をさらに有することを特徴とする請求項５に記載の配線基板。
【請求項１０】
一側に位置決め用のフィディシャルマークを有し、このフィディシャルマークを他側から検出可能な程度に光を透過する材料により形成された第１基板と、
この第１基板の一側に対向した第２基板と、
上記第１および第２基板間の樹脂層と、
を有することを特徴とする配線基板。
【請求項１１】
上記第１基板が上記第２基板に対向する一側には、上記フィディシャルマークを用いて位置決めされる電子部品が実装されていることを特徴とする請求項１０に記載の配線基板。
【請求項１２】
上記第２基板および樹脂層も、上記フィディシャルマークを該第２基板の外側から検出可能な程度に光を透過する材料により形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の配線基板。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載の配線基板、およびこの配線基板を内蔵した筐体を有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月3日(2008.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板保持装置に保持された回路基板を、加工時に当該回路基板の下面に一端を当接させた単数または複数のサポートピンにより下側から支持する基板支持方法において、
弾性体、プラスチック、またはこの双方のいずれかにより形成された板状のホルダプレートを、前記サポートピンを昇降させるサポートテーブルの表面に固定し、
前記サポートピンの他端を、前記ホルダプレートを貫通するピン固定孔に差し込むことにより前記サポートテーブルの表面に当接させ、
前記ホルダプレートの弾性力により前記サポートピンを前記サポートテーブルの表面に略垂直に保持して前記回路基板を支持することを特徴とする基板支持方法。
【請求項２】
回路基板の機種変更の際に、前記弾性力で保持されたサポートピンを前記ホルダプレートと共に交換する、請求項１に記載の基板支持方法。
【請求項３】
部品供給部から供給された部品を規制保持された回路基板の実装位置に実装する部品実装方法において、
前記実装時に回路基板を所定位置に保持するに際し、請求項１または請求項２に記載の基板支持方法を利用することを特徴とする部品実装方法。
【請求項４】
昇降可能なサポートテーブルの表面に一端を当接させ、基板保持装置に保持された回路基板に他端を当接させて前記回路基板を下側から支持する単数または複数のサポートピンを、前記サポートテーブルの表面に対して略垂直に保持するためのホルダプレートであって、一定の厚さを有する弾性板状部材から形成され、前記板状部材の両主要平面間を貫通する前記サポートピンを保持するための複数のピン固定穴を有することを特徴とするホルダプレート。
【請求項５】
前記両主要面に、前記サポートピンに対応した位置に貫通穴を有する非収縮性の板材からなる表面層が貼り付けられていることを特徴とする、請求項４に記載のホルダプレート。
【請求項６】
昇降可能なサポートテーブルの表面に一端を当接させ、基板保持装置に保持された回路基板に他端を当接させて前記回路基板を下側から支持する単数または複数のサポートピンを、前記サポートテーブルの表面に対して略垂直に保持するためのホルダプレートであって、一定の厚さを有し、前記厚さ方向の一方が開放されたプラスチック製の箱状部材により形成され、開放されていない側の表面部を貫通して当該表面部から前記開放された一方の側に向けて延びる、前記サポートピンを保持するための複数の筒状のホルダ部を有することを特徴とするホルダプレート。
【請求項７】
前記ホルダ部の長手方向の少なくとも一部に沿って延びるスリットまたは筒状内部のリブのいずれか一方、または双方が設けられていることを特徴とする、請求項６に記載のホルダプレート。
【請求項８】
昇降可能なサポートテーブルの表面に一端を当接させ、基板保持装置に保持された回路基板に他端を当接させて前記回路基板を下側から支持する単数または複数のサポートピンを、前記サポートテーブルの表面に対して略垂直に保持するためのホルダプレートであって、当該ホルダプレートが、
一定の厚さを有し、前記厚さ方向の一方が開放されたプラスチック製の箱状部材により形成された一対のハーフプレートと
前記一対のハーフプレートの間に挟持される弾性部材と、から構成され、
前記ハーフプレートが、開放されていない側の表面部を貫通して当該表面部から前記開放された一方の側に向けて延びる、前記サポートピンを保持するための複数の筒状のホルダ部を有し、
前記弾性部材が、
前記両ハーフプレートの対向する各ホルダ部間で挟持されるホルダリング、または前記対向する各ホルダ部に対応して開口したホルダ穴を有している弾性プレートのいずれかであること、を特徴とするホルダプレート。
【請求項９】
基板保持装置に保持された回路基板を加工する際の振動、衝撃に対抗して回路基板を下方から支持する基板支持機構において、
回路基板の下面に当接して支持するサポートピンと、
前記サポートピンの高さ基準面を形成し、前記サポートピンを昇降可能に支持するサポートテーブルと、
前記サポートテーブルに固定されて前記サポートピンを前記サポートテーブルの表面に当接させて略垂直に保持するホルダプレートとから構成され、
前記ホルダプレートが、請求項４から請求項８のいずれか一に記載のホルダプレートであることを特徴とする基板支持機構。
【請求項１０】
部品を供給する部品供給部と、部品の取り出しと実装を行う実装ヘッドと、前記実装ヘッドを搬送するロボットと、回路基板を搬入して位置決めする基板保持装置とから構成され、前記実装ヘッドにより前記部品供給部から部品を取り出して前記回路基板の実装位置に当該部品を実装する部品実装装置において、
前記基板保持装置に保持された回路基板を下から支持するための基板支持機構が、請求項９に記載の基板支持機構であることを特徴とする部品実装装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月21日(2008.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｘ軸を回転軸とした結晶Ｚ軸の回転角度とし、結晶＋Ｚ軸から結晶＋Ｙ軸側へ回転させる方向を前記カット角θが負となる回転方向として、−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定した水晶基板と、該水晶基板上に形成されたＡｌ又はＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴとを備え、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対して９０°±５°とし、励振される弾性表面波を前記水晶基板の表面付近を伝搬するＳＨ波とし、前記弾性表面波の波長λで基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２に設定した縦結合多重モードＳＡＷフィルタ部を２段縦続接続にて形成し、各々の前記縦結合多重モードＳＡＷフィルタ部のＩＤＴピッチＬｔと反射器ピッチＬｒの比Ｌｔ／Ｌｒを異ならせたことを特徴とする縦結合多重モードＳＡＷフィルタ。
【請求項２】
回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｘ軸を回転軸とした結晶Ｚ軸の回転角度とし、結晶＋Ｚ軸から結晶＋Ｙ軸側へ回転させる方向を前記カット角θが負となる回転方向として、−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定した水晶基板と、該水晶基板上に形成されたＡｌ又はＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴとを備え、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対して９０°±５°とし、励振される弾性表面波を前記水晶基板の表面付近を伝搬するＳＨ波とし、前記弾性表面波の波長λで基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２に設定した縦結合多重モードＳＡＷフィルタ部を並列接続にて形成し、各々の前記縦結合多重モードＳＡＷフィルタ部のＩＤＴピッチＬｔと反射器ピッチＬｒの比Ｌｔ／Ｌｒを異ならせたことを特徴とする縦結合多重モードＳＡＷフィルタ。
【請求項３】
前記回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｘ軸を回転軸とした結晶Ｚ軸の回転角度とし、結晶＋Ｚ軸から結晶＋Ｙ軸側へ回転させる方向を前記カット角θが負となる回転方向として、−６１．４°＜θ＜−５１．１°の範囲に設定したことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の縦結合多重モードＳＡＷフィルタ。
【請求項４】
前記電極膜厚Ｈ／λを０．０５＜Ｈ／λ＜０．１０に設定したことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の縦結合多重モードＳＡＷフィルタ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の縦結合多重モードＳＡＷフィルタを用いたことを特徴とするモジュール装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するために、請求項１の発明は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｘ軸を回転軸とした結晶Ｚ軸の回転角度とし、結晶＋Ｚ軸から結晶＋Ｙ軸側へ回転させる方向を前記カット角θが負となる回転方向として、−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定した水晶基板と、該水晶基板上に形成されたＡｌ又はＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴとを備え、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対して９０°±５°とし、励振される弾性表面波を前記水晶基板の表面付近を伝搬するＳＨ波とし、前記弾性表面波の波長λで基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２に設定した縦結合多重モードＳＡＷフィルタ部を２段縦続接続にて形成し、各々の前記縦結合多重モードＳＡＷフィルタ部のＩＤＴピッチＬｔと反射器ピッチＬｒの比Ｌｔ／Ｌｒを異ならせたことを特徴とする縦結合多重モードＳＡＷフィルタであることを特徴とする。
請求項２に記載の発明は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｘ軸を回転軸とした結晶Ｚ軸の回転角度とし、結晶＋Ｚ軸から結晶＋Ｙ軸側へ回転させる方向を前記カット角θが負となる回転方向として、−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定した水晶基板と、該水晶基板上に形成されたＡｌ又はＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴとを備え、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対して９０°±５°とし、励振される弾性表面波を前記水晶基板の表面付近を伝搬するＳＨ波とし、前記弾性表面波の波長λで基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２に設定した縦結合多重モードＳＡＷフィルタ部を並列接続にて形成し、各々の前記縦結合多重モードＳＡＷフィルタ部のＩＤＴピッチＬｔと反射器ピッチＬｒの比Ｌｔ／Ｌｒを異ならせたことを特徴とする縦結合多重モードＳＡＷフィルタであることを特徴とする。
請求項３に記載の発明は、前記回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｘ軸を回転軸とした結晶Ｚ軸の回転角度とし、結晶＋Ｚ軸から結晶＋Ｙ軸側へ回転させる方向を前記カット角θが負となる回転方向として、−６１．４°＜θ＜−５１．１°の範囲に設定したことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の縦結合多重モードＳＡＷフィルタであることを特徴とする。
請求項４に記載の発明は、前記電極膜厚Ｈ／λを０．０５＜Ｈ／λ＜０．１０に設定した請求項１乃至３のいずれかに記載の縦結合多重モードＳＡＷフィルタを特徴とする。
請求項５に記載の発明は、請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の縦結合多重モードＳＡＷフィルタを用いたモジュール装置であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月8日(2008.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像処理の機能に関するユーザ設定項目を対象画像処理装置に複製することが可能な画像処理装置であって、
前記対象画像処理装置と通信するための通信手段と、
前記通信手段を用いて前記対象画像処理装置の属性情報を取得する属性情報取得手段と、
前記属性情報取得手段によって取得した前記属性情報に基づいて、前記対象画像処理装置に複製すべき前記ユーザ設定項目を決定する決定手段と、
を備え、
前記通信手段は、前記決定手段によって決定された前記ユーザ設定項目を前記対象画像処理装置に送信する
ことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
さらに、前記ユーザ設定項目を前記対象画像処理装置へ複製する指示を入力するための操作手段を備え、
前記通信手段は、前記操作手段によって入力された前記複製の指示に応じて、前記対象画像処理装置との通信を開始し、
前記属性情報取得手段は、前記通信手段を介して、前記対象画像処理装置に対して前記属性情報を要求する
ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記通信手段は、前記対象画像処理装置から、前記ユーザ設定項目を前記対象画像処理装置へ複製する指示の要求を受信し、この指示要求に応じて、前記対象画像処理装置に対して前記属性情報の送信を要求し、
前記属性情報取得手段は、前記属性情報送信要求に応じて前記対象画像処理装置によって送信された前記属性情報を取得する、
ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記対象画像処理装置は複数台存在し、
前記属性情報取得手段は、前記通信手段を介して前記複数の対象画像処理装置からそれぞれの対象画像処理装置に対応した複数の属性情報を取得し、
前記決定手段は、前記複数の対象画像処理装置にそれぞれ対応した複数の属性情報に基づいて、前記対象画像処理装置に適合する前記ユーザ設定項目を前記複数の対象画像処理装置のそれぞれについて決定し、
前記通信手段は、前記決定手段によって決定されたそれぞれの前記ユーザ設定項目を、対応する前記対象画像処理装置に送信する、
ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項５】
さらに、前記ユーザ設定項目を前記複数の対象画像処理装置へ複製する指示を入力するための操作手段を備え、
前記通信手段は、前記操作手段によって入力された前記複製の指示に応じて、前記複数の対象画像処理装置との通信を開始し、
前記属性情報取得手段は、前記通信手段を介して、前記対象画像処理装置に対して前記属性情報を要求する
ことを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
さらに、前記通信手段による前記ユーザ設定項目の前記複数の対象画像処理装置への送信が成功したか否かを判断する判断手段と、
前記判断手段の判断結果が不成功を示す場合に、前記設定項目の前記複数の対象画像処理装置への送信を再度実行するように前記通信手段を制御する制御手段と、
を備える
ことを特徴とする請求項４又は５に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記属性情報は、自装置の機種情報を含み、
前記決定手段は、前記対象画像処理装置の機種情報により、前記対象画像処理装置の機種が前記自装置と同じか否かによって送信すべき前記ユーザ設定項目を決定する、
ことを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記通信手段は、無線で前記対象画像処理装置と通信する、
ことを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項９】
画像処理の機能に関するユーザ設定項目を対象画像処理装置に複製することが可能な画像処理装置の制御方法であって、
前記対象画像処理装置と所定の通信手段を用いて通信を確立する通信確立工程と、
前記通信手段を介して前記対象画像処理装置の属性情報を取得する属性情報取得工程と、
前記属性情報取得工程で取得した前記属性情報に基づいて、前記対象画像処理  装置に複製すべき前記ユーザ設定項目を決定する決定工程と、
前記決定工程で決定された前記ユーザ設定項目を前記対象画像処理装置に前記通信手段を介して送信する設定項目送信工程と、
を備える
ことを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
しかしながら、この改善案であっても、記録媒体を介在させるため、設定可能なデータの複製を複数台行う場合は一台ずつ複製作業を行う必要がある。つまり、リムーバブルな記録媒体を介在させて、カメラ内部の設定を複製すると最初に複製元のカメラのユーザーが設定可能な設定項目を前記記録媒体に保存し、記録媒体をカメラ本体から抜き取り、その後複製先のカメラに前記記録媒体を入れて記録媒体内の情報をカメラ本体に反映させるという操作を必要とし、操作が煩雑になるのである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月26日(2008.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明によるレベルコントローラを用いたシステムの他の態様は、異なるチャンネルの複数のデジタルテレビジョン放送信号を受信するアンテナを有している。これら複数のデジタルテレビジョン放送信号には、隣接する２波のデジタルテレビジョン放送信号が含まれており、その一方の受信レベルが他方よりも低い。これら複数のデジタルテレビジョン放送信号のうち前記他方のレベルの低いチャンネルのデジタルテレビジョン放送信号のみが増幅手段によって増幅される。前記増幅手段の出力信号のうち、前記一方のデジタルテレビジョン放送信号をノッチフィルタが減衰させる。このノッチフィルタの出力信号が上述したいずれかのレベルコントローラに供給される。ただし、このレベルコントローラでは、それが備えているリアクタンストラップ手段のトラップ周波数が、前記複数のデジタルテレビジョン放送信号に対応している。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月14日(2007.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
３つではなく２つのアンテナを用いて、マルチバンド・マルチモ−ド無線通信を実現する、無線通信装置であって、
該無線通信装置は、
１つの周波数分割多重化通信方式に対応した第１の受信回路と、
前記周波数分割多重化通信方式に対応した第２の受信回路と、
前記周波数分割多重化通信方式とは異なる無線通信方式に対応した第３の受信回路とを有する
ことを特徴とする無線通信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
請求項７において、
前記無線通信装置は、少なくとも１つの送信周波数帯域および１つの受信周波数帯域が互いに異なる、第１の周波数帯域と第２の周波数帯域とを使用し、
利得可変増幅器および変調回路を含む複数の受信回路ブロックの１つが、Ｗ−ＣＤＭＡおよびＧＳＭの両方式に対応し、該Ｗ−ＣＤＭＡは前記周波数分割多重化通信方式に対応した前記第２の周波数帯域を使用し、前記ＧＳＭは前記第２の周波数帯域を使用しかつ前記周波数分割多重化通信方式とは異なる無線通信方式に対応しており、
前記複数の受信回路ブロックとは異なる、利得可変増幅器および変調回路を含む他の受信回路ブロックが、前記第１の受信周波数帯域を使用するＷ−ＣＤＭＡおよび前記第２の受信周波数帯域を使用するＷ−ＣＤＭＡに各々対応している、
ことを特徴とする無線通信装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
１００ａは、主にフィルタ８０ｂおよびフィルタ８５ａから構成されるデュプレクサである。２００ａは、主に利得可変増幅器４０ａ〜４０ａ’、ミキサ５０ａ〜５０ａ’から構成される変調回路である。２１０ａは、主にミキサ５５ａ〜５５ａ’、利得可変増幅器４５ｂ〜４５ｂ’から構成される復調回路である。２１０ｂは、主にミキサ５５ｂ〜５５ｂ’、利得可変増幅器４５ｄ〜４５ｄ’から構成される復調回路である。２２０ａは、主に発振器６０ａおよび移相器７０ａから構成される局部発振回路であり、２２０ｂは、主に発振器６０ａおよび移相器７０ｂから構成される局部発振回路である。半導体素子３００ａは、主に利得可変増幅器４５ａ〜４５ｃ、復調回路２１０ａ〜２１０ｂ、局部発振回路２２０ｂを含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
ベースバンド信号処理装置１０から出力される送信ディジタルＩ/Ｑ信号のうち、Ｉ信号はＤ/Ａ変換器２０ａにおいて送信アナログＩ信号へ変換され、更に利得可変増幅器４０ａにおいて増幅され、ミキサ５０ａに入力される。ベースバンド信号処理装置１０から出力される送信ディジタルＩ/Ｑ信号のうちＱ信号も同様に、Ｄ/Ａ変換器２０ａ’において送信アナログＱ信号へ変換され、更に利得可変増幅器４０ａ’において増幅され、ミキサ５０ａ’に入力される。ミキサ５０ａおよび５０ａ’に接続された発振器６０ａは、送信周波数を発振する発振器であり、ミキサ５０ａとミキサ５０ａ’とではＩ/Ｑ信号の位相を９０度異なるようにするため、ミキサ５０ａ’と発振器６０ａとの間には移相器７０ａが挿入される。ミキサ５０ａにおいて送信周波数に周波数変換された送信アナログＩ信号とミキサ５０ａ’において送信周波数に周波数変換された送信アナログＱ信号は合成された後、送信信号として可変利得増幅器４０ｂに入力され、更にフィルタ８０ａを介して電力増幅器９０ａに入力され、電力増幅器９０ａにおいて送信電力値まで増幅され、デュプレクサ１００ａを介して第１のアンテナ１１０ａから送信される。なお、上記変調方式は一般的にダイレクトアップコンバージョンと呼ばれる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月22日(2007.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板に堆積された堆積膜により形成され、前記基板に設けられた駆動部と発電部とからなる圧電体であって、前記発電部が前記基板から浮いた状態になっていることを特徴とする圧電薄膜トランス。
【請求項２】
基板と、
該基板に堆積された堆積膜により形成され、前記基板に設けられた溝部にブリッジされた駆動部と発電部とからなる圧電体と
を有することを特徴とする圧電薄膜トランス。
【請求項３】
前記駆動部の下方に、前記駆動部の圧電体をある方向に配向させる性質を有する材料から入力側電極が形成されてなることを特徴とする請求項２に記載の圧電薄膜トランス。
【請求項４】
前記駆動部の上方及び下方にそれぞれ形成された入力側電極及び入力側電極と前記駆動部の上面及び下面とをそれぞれ電気的に接続する第１及び第２のビアが前記圧電体の機械共振の節に設けられることを特徴とする請求項１に記載の圧電薄膜トランス。
【請求項５】
前記発電部の側端部にそれぞれ形成された出力側電極とビアを介して電気的に接続された出力側配線が、前記圧電体を上方から物理的に吊り下げる構造を有することを特徴とする請求項１から４までのいずれか１項に記載の圧電薄膜トランス。
【請求項６】
前記基板に、圧電体を駆動する駆動回路又は駆動の制御を行う制御回路の少なくとも一方を含む周辺回路が形成されていることを特徴とする請求項１から５までのいずれか１項に記載の圧電薄膜トランス。
【請求項７】
基板に入力側下部電極構造を形成する工程と、
該入力側下部電極上に薄膜を堆積し、該薄膜を加工して圧電体を形成する工程と、
該圧電体に入力側上部電極配線構造、出力側左部及び右部電極配線構造を形成する工程と、
該圧電体の下方を除去してブリッジ構造を形成する工程と
を含むことを特徴とする圧電薄膜トランスの製造方法。
【請求項８】
前記入力側下部電極上に圧電体となる薄膜を形成する工程が圧電トランジスタの駆動部と発電部とで異なる配向を有するように配向制御する工程を含むことを特徴とする請求項７に記載の圧電薄膜トランスの製造方法。
【請求項９】
前記配向制御は、前記駆動部の領域と前記発電部の領域とに異なる下地材料を設け、圧電薄膜の配向性の下地依存性を利用して行われることを特徴とする請求項８に記載の圧電薄膜トランスの製造方法。
【請求項１０】
前記入力側下部電極上に圧電体となる薄膜を形成する工程が、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法を用いることを特徴とする請求項７から９までのいずれか１項に記載の圧電薄膜トランスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月4日(2008.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電極基板を有する静電レンズ装置であって、
前記複数の電極基板は、光軸に対して垂直な面内に配置された開口と、前記開口の配置に応じた方向を規定するためのマークと、をそれぞれ具備し、
前記複数の電極基板は、前記マークで規定された方向に基づいて組み立てられることを特徴とする静電レンズ装置。
【請求項２】
複数の電極基板を有する静電レンズ装置であって、
前記複数の電極基板は、光軸に対して垂直な面内に配置された開口と、前記開口の配置に応じた方向を規定するためのマークと、をそれぞれ具備し、
前記複数の電極基板は、形状が実質的に一致しており、光軸に対して垂直な面内において、前記マークの方向が揃っていることを特徴とする静電レンズ装置。
【請求項３】
複数段の静電レンズがある場合に、光軸に対して垂直な面内において、複数段の段毎に前記マークの方向をそれぞれ略９０度回転させて光軸方向に並べたことを特徴とする請求項１または２に記載の静電レンズ装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の静電レンズ装置を有し、荷電粒子線を用いることを特徴とする露光装置。
【請求項５】
請求項４に記載の露光装置において、複数の荷電粒子線を用いることを特徴とする露光装置。
【請求項６】
請求項４または５に記載の露光装置を用いて露光対象に露光を行う工程と、露光された前記露光対象を現像する工程と、
を備えることを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の静電レンズ装置は、前記従来の問題点に鑑みてなされたものであり、複数の電極基板を有する静電レンズ装置であって、前記複数の電極基板は、光軸に対して垂直な面内に配置された開口と、前記開口の配置に応じた方向を規定するためのマークと、をそれぞれ具備し、前記複数の電極基板は、前記マークで規定された方向に基づいて組み立てられることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また本発明の静電レンズ装置は、複数の電極基板を有する静電レンズ装置であって、前記複数の電極基板は、光軸に対して垂直な面内に配置された開口と、前記開口の配置に応じた方向を規定するためのマークと、をそれぞれ具備し、前記複数の電極基板は、形状が実質的に一致しており、光軸に対して垂直な面内において、前記マークの方向が揃っていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月3日(2008.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線制御信号を伝送するための配線基板であって、中心部から周辺部まで多層配線で形成された第１の配線部と、前記第１の配線部における配線のそれぞれと電気的に接続された配線で形成される第２の配線部とを有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第１の配線部における配線の断面積よりも前記第２の配線部における配線の断面積が広いことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第１の配線部の誘電体層よりも前記第２の配線部の誘電体層が厚いことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記第１の配線部における配線は、略等長であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の配線基板。
【請求項５】
荷電粒子線制御信号を伝送するための配線基板の製造方法であって、
中心部から周辺部まで多層配線で第１の配線部を形成する第１工程と、前記第１の配線部における配線のそれぞれと電気的に接続された配線を備える第２の配線部を形成する第２工程とを、有し、
前記第１工程および前記第２工程は、並行して実行されることを特徴とする配線基板製造方法。
【請求項６】
複数の荷電粒子線を用いて露光対象にパターンを露光する露光装置であって、荷電粒子線制御信号を伝送するための配線基板を備え、前記配線基板には、中心部から周辺部まで多層配線で形成された第１の配線部と、前記第１の配線部における配線のそれぞれと電気的に接続された配線で形成される第２の配線部とを有することを特徴とする荷電粒子線露光装置。
【請求項７】
請求項６に記載の荷電粒子線露光装置を用いて露光対象に露光を行う工程と、露光された前記露光対象を現像する工程と、を具備することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明は、複数の荷電粒子線を用いて露光対象にパターンを露光する露光装置であって、荷電粒子線制御信号を伝送するための配線基板を備え、前記配線基板には、中心部から周辺部まで多層配線で形成された第１の配線部と、前記第１の配線部における配線のそれぞれと電気的に接続された配線で形成される第２の配線部とを有することを特徴としてもよい。また、複数の荷電粒子線で基板にパターンを描画する露光装置であって、前記のいずれか、もしくはその組み合せの形態の配線基板を備えることを特徴とすることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
＜電子ビーム露光装置の構成要素説明＞
図１は本発明に係る電子線（電子ビーム）露光装置の要部概略図である。図１において、電子銃（図示せず）で発生した電子線はクロスオーバ像を形成する（以下、このクロスオーバ像を電子源９と記す）。この電子源９から放射される電子ビームは、ビーム整形光学系１０を介して、電子源９の像１１を形成する。像１１からの電子ビームは、コリメータレンズ１２によって略平行の電子ビームとなる。略平行な電子ビームは複数の開口を有するアパチャ−アレイ１３を照明する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
アパーチャアレイ１３は、複数の開口を有し、電子ビームを複数の電子ビームに分割する。アパーチャアレイ１３で分割された複数の電子ビームは、静電レンズが複数形成された静電レンズアレイ１４により、像１１の中間像を形成する。中間像面には、静電型偏向器であるブランカーが複数形成されたブランカーアレイ１５が配置されている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月3日(2008.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
２１，２２，２３，２４は、磁界レンズアレイであって、３ｘ３に配列された同一形状の開口を有する磁性体円板ＭＤを間隔を置いて上下に配置し、共通のコイルＣＣによって励磁したものである。その結果、各開口部分が各磁界レンズＭＬの磁極となり、設計上レンズ磁界を発生させる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
１０３は、開口が２次元配列して形成されたアパーチャアレイであり、１０４は、同一の光学パワーを有する静電レンズが２次元配列して形成されたレンズアレイである。１０５，１０６は、個別に駆動可能な静電の８極偏向器が２次元配列して形成された偏向器アレイであり、１０７は、個別に駆動可能な静電のブランカーが２次元配列して形成されたブランカーアレイである。本発明によるマルチ荷電ビームレンズはレンズアレイ１０４を形成する。図５はウエハに照射される荷電ビームが通過する開口の周囲に一つずつ開口が形成されている例を示している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
この時、偏向器アレイ１０５，１０６は、ブランカーアレイ１０７上に形成される電子源の中間像の位置（光軸と直交する面内の位置）を個別に調整する。また、ブランカーアレイ１０７で偏向された電子ビームは、図４のブランキングアパーチャＡＰによって遮断されるため、ウエハ４には照射されない。一方、ブランカーアレイ１０７で偏向されない電子ビームは、図４のブランキングアパーチャＡＰによって遮断されないため、ウエハ４には照射される。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月25日(2008.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力パッド領域と、
前記入力パッド領域から入力される少なくとも一対の差動信号を受信する少なくとも一つの受信回路を備えたインターフェース回路と、
を有し、
前記入力パッド領域は、前記少なくとも一対の差動信号が入力される差動信号入力領域と第１及び第２の電源入力領域とを含み、
前記インターフェース回路の一辺に沿った方向にて、前記差動信号入力領域を挟んで前記第１及び第２の電源入力領域が配置されていることを特徴とする集積回路装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記集積回路装置は短辺と長辺とを有する矩形であり、
前記インターフェース回路の一辺に沿った方向は、前記集積回路装置の前記長辺と平行であることを特徴とする集積回路装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１及び第２の電源入力領域の各々に、第１電源電圧が入力される第１電源電圧入力パッドと、前記第１電源電圧よりも高い第２電源電圧が入力される第２電源電圧入力パッドとが設けられていることを特徴とする集積回路装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１及び第２の電源入力領域の各々では、前記第１電源電圧入力パッドが前記第２電源電圧入力パッドよりも前記差動信号入力領域に近づけて配置されていることを特徴とする集積回路装置。
【請求項５】
請求項３または４において、
前記差動信号入力領域には、前記少なくとも一対の差動信号の一方が入力される第１差動信号入力パッドと、前記少なくとも一対の差動信号の他方が入力される第２差動信号入力パッドと、を含むことを特徴とする集積回路装置。
【請求項６】
請求項１または２において、
前記入力パッド領域には、一対の差動信号が入力される第１及び第２差動信号入力パッドをそれぞれ備えた複数の差動信号領域が設けられ、
前記インターフェース回路の一辺に沿った方向にて、前記複数の差動信号領域の各一つを挟んで、前記第１の電源入力領域及び前記第２の電源入力領域が配置され、
前記インターフェース回路の一辺に沿った方向の両端部に位置する前記第１または第２の電源入力領域には、第１電源電圧が入力される第１電源入力パッドと、前記第１電源電圧よりも高い第２電源電圧が入力される第２電源入力パッドとが設けられ、２つの前記差動信号領域間に位置する前記第１または第２の電源入力領域には、少なくとも前記第１電源入力パッドが設けられていることを特徴とする集積回路装置。
【請求項７】
請求項５または６において、
前記第１差動信号入力パッド、前記第２差動信号入力パッド、前記第１電源電圧入力パッド及び前記第２電源電圧入力パッドの各々は、２本のプローブ針の各１本が接触される互いに導通された第１パッド及び第２パッドを有することを特徴とする集積回路装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記インターフェース回路は、前記前記第１差動信号入力パッド及び前記第２差動信号入力パッドに接続される終端抵抗を有することを特徴とする集積回路装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記終端抵抗は、
互いに並列接続された第１〜第Ｎ（Ｎは２以上の整数）の抵抗素子と、
各々が、前記第１〜第Ｎの抵抗素子のうちのｎ（１≦ｎ＜Ｎ）個の各々とそれぞれ直列接続された第１〜第ｎの切断素子と、
を含むことを特徴とする集積回路装置。
【請求項１０】
請求項８において、
前記インターフェース回路は、前記前記第１差動信号入力パッド及び前記第２差動信号入力パッドの一方に接続されるプルダウン抵抗を有することを特徴とする集積回路装置。
【請求項１１】
請求項８において、
前記インターフェース回路は、前記前記第１差動信号入力パッド及び前記第２差動信号入力パッドの一方に接続されるプルアップ抵抗を有することを特徴とする集積回路装置。
【請求項１２】
請求項７乃至１１のいずれかにおいて、
前記第１パッド及び前記第２パッドの各々には、バンプが形成されていることを特徴とする集積回路装置。
【請求項１３】
請求項５乃至１１のいずれかに記載の集積回路装置と、
前記集積回路装置が搭載される基板と、
を有し、
前記基板は、前記集積回路装置の前記入力パッド領域に配置された前記第１差動信号入力パッド、前記第２差動信号入力パッド、前記第１電源電圧入力パッド及び前記第２電源電圧入力パッドの配置順序と順番で配列された単層の信号パターンを有することを特徴とする電子機器。
【請求項１４】
請求項１２に記載の集積回路装置と、
前記集積回路装置が前記バンプを介して面実装される基板と、
を有し、
前記基板は、前記集積回路装置の前記入力パッド領域に配置された前記第１差動信号入力パッド、前記第２差動信号入力パッド、前記第１電源電圧入力パッド及び前記第２電源電圧入力パッドの配置順序と順番で配列された単層の信号パターンを有することを特徴とする電子機器。
【請求項１５】
請求項１３または１４において、
前記基板は、前記単層の信号パターンを有するガラス基板であることを特徴とする電子機器。
【請求項１６】
請求項１３乃至１５のいずれかにおいて、
前記基板は、前記単層の信号パターンに接続されるフレキシブル回路基板をさらに有することを特徴とする電子機器。