Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月25日(2008.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンテンツデータと上記コンテンツデータの属性を関連付けて記憶する記憶手段と、
上記コンテンツデータに対応する選択項目を表示する表示手段と、
上記表示手段が表示する上記選択項目に対応するコンテンツデータに関連付けられる属性に基づき、上記選択項目のうちのいずれか一つの選択項目に対応する位置にカーソル表示を表示させる制御手段と
を備える情報処理装置。
【請求項２】
外部サーバと接続する接続手段を更に備え、
上記記憶手段は、上記コンテンツデータを識別するコンテンツ識別情報をコンテンツデータと関連付けて記憶し、
上記接続手段は、上記コンテンツ識別情報を上記外部サーバに送信し、送信した上記コンテンツ識別情報に基づいて上記外部サーバから上記コンテンツ識別情報に関連する属性情報を受信する請求項１記載の情報処理装置。
【請求項３】
上記コンテンツデータを再生する再生手段を更に備え、
上記再生手段は、上記制御手段が一つの選択項目に対応する位置にカーソル表示を所定時間表示させたとき、上記カーソル表示の位置に対応する選択項目に応じたコンテンツデータを再生させる請求項２記載の情報処理装置。
【請求項４】
上記再生手段は、上記制御手段が一つの選択項目に対応する位置にカーソル表示を所定時間表示させたとき、上記カーソル表示の位置に対応する選択項目に応じたコンテンツデータのうち所定の部分を再生させる請求項３記載の情報処理装置。
【請求項５】
上記属性は、時間情報である請求項１記載の情報処理装置。
【請求項６】
上記属性は、上記複数の選択項目に対する選択結果の履歴に基づく情報である請求項１記載の情報処理装置。
【請求項７】
ユーザ操作に応じた制御信号を出力する操作手段をさらに有し、
上記制御部は、
上記操作手段に対する操作に応じて上記表示手段の表示が切り換えられたら、上記カーソル表示を自動的に表示する請求項１記載の情報処理装置。
【請求項８】
上記表示手段は、上記複数の選択項目を所定の順序で表示し、
上記制御部は、
上記所定の順序を変更せずに上記カーソル表示を表示させる請求項１記載の情報処理装置。
【請求項９】
記憶手段がコンテンツデータと上記コンテンツデータの属性を関連付けて記憶するステップと、
表示手段が上記コンテンツデータに対応する選択項目を表示するステップと、
上記表示手段が表示する上記選択項目に対応するコンテンツデータに関連付けられる属性に基づき、上記選択項目のうちのいずれか一つの選択項目に対応する位置にカーソル表示を表示するステップと
を備える情報処理方法。
【請求項１０】
コンテンツデータと上記コンテンツデータの属性を関連付けて記憶手段に記憶させる処理と、
上記コンテンツデータに対応する選択項目を表示手段に表示させる処理と、
上記表示手段が表示する上記選択項目に対応するコンテンツデータに関連付けられる属性に基づき、上記選択項目のうちのいずれか一つの選択項目に対応する位置にカーソル表示を表示手段に表示させる処理と
を備える情報処理プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理装置、情報処理方法および情報処理プログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
この発明は、記録媒体に記録されたコンテンツから１のコンテンツを選択するようにした情報処理装置、情報処理方法および情報処理プログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
したがって、この発明の目的は、ユーザがコンテンツを選択する際の負担を軽減できるような情報処理装置、情報処理方法および情報処理プログラムを提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
この発明は、上述した課題を解決するために、コンテンツデータとコンテンツデータの属性を関連付けて記憶する記憶手段と、コンテンツデータに対応する選択項目を表示する表示手段と、表示手段が表示する選択項目に対応するコンテンツデータに関連付けられる属性に基づき、選択項目のうちのいずれか一つの選択項目に対応する位置にカーソル表示を表示させる制御手段とを備える情報処理装置である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、この発明は、記憶手段がコンテンツデータとコンテンツデータの属性を関連付けて記憶するステップと、表示手段がコンテンツデータに対応する選択項目を表示するステップと、表示手段が表示する選択項目に対応するコンテンツデータに関連付けられる属性に基づき、選択項目のうちのいずれか一つの選択項目に対応する位置にカーソル表示を表示するステップとを備える情報処理方法である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、この発明は、コンテンツデータとコンテンツデータの属性を関連付けて記憶手段に記憶させる処理と、コンテンツデータに対応する選択項目を表示手段に表示させる処理と、表示手段が表示する選択項目に対応するコンテンツデータに関連付けられる属性に基づき、選択項目のうちのいずれか一つの選択項目に対応する位置にカーソル表示を表示手段に表示させる処理とを備える情報処理プログラムである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月9日(2008.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体記憶装置であって、
カウント値を計数してアクセスの対象となる対象アドレスを指定すると共に、データの読み出し時と書き込み時とで最大カウント値が異なるアドレスカウンタと、
前記アドレスカウンタによって指定された対象アドレスに至るまでシーケンシャルにアクセスされる不揮発性のメモリアレイと、
前記メモリアレイの前記対象アドレスから所定のアドレス単位にて書き込みデータを書き込むデータ書き込み手段と、
前記メモリアレイの対象アドレスからデータを読み出すデータ読み出し手段とを備える半導体記憶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体記憶装置において、
前記アドレスカウンタは、前記最大カウント値のいずれかまでカウント値を計数した後、前記メモリアレイの先頭アドレスを指定する半導体記憶装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体記憶装置において、
前記アドレスカウンタは、前記半導体記憶装置の外部から入力される外部クロック信号に同期して前記外部クロック信号数を計数する半導体記憶装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体記憶装置において、
前記メモリアレイは、第１の最終アドレスを有する第１の格納領域と、第２の最終アドレスを有すると共に前記第１の格納領域に続く第２の格納領域とを備え、
前記書き込み時の最大カウント値は、前記第１の最終アドレスに対応するカウント値であり、
前記読み出し時の最大カウント値は、前記第２の最終アドレスに対応するカウント値に所定値を加えた値である半導体記憶装置。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体記憶装置において、
前記アドレスカウンタは、各前記最大カウント値まで計数した後、前記メモリアレイにおける前記第１の格納領域の先頭アドレスを指定する半導体記憶装置。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体記憶装置において、
前記第１の格納領域はデータの書き込みが可能な格納領域であり、
前記第２の格納領域はデータの読み出しのみが可能な格納領域である半導体記憶装置。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体記憶装置において、
前記第１の格納領域は１２８ビットのデータを格納可能な格納領域であり、
前記第２の格納領域は６４ビットのデータを格納可能な格納領域であり、
前記アドレスカウンタは８ビットのアドレスカウンタであり、書き込み時には最上位ビットである８ビット目の値が１を取った後に、前記第１の格納領域の先頭アドレスを指定し、読み出し時には８ビットの値が全て１を取った後に、前記第１の格納領域の先頭アドレスを指定する半導体記憶装置。
【請求項８】
外部クロックに同期して計数するアドレスカウンタによって指定された対象アドレスに至るまでシーケンシャルにアクセスされる不揮発性のメモリアレイを備える半導体記憶装置におけるアドレス管理方法であって、
前記メモリアレイに対するアクセスの要求が、書き込み要求または読み出し要求のいずれであるか判断し、
前記アクセスの要求が書き込みの要求であり、前記外部クロックを第１の最大カウント値まで計数した場合には、前記メモリアレイの先頭アドレスを指定し、
前記アクセスの要求が読み出しの要求であり、前記外部クロックを前記第１の最大カウント値よりも大きな第２の最大カウント値まで計数した場合には、前記メモリアレイの先頭アドレスを指定する、方法。
【請求項９】
シーケンシャルアクセスされるメモリアレイと、
クロック信号のパルスをカウントして前記メモリアレイのアクセスすべきアドレスを指定するとともに、前記メモリアレイに対するデータの読み出し時と書き込み時とで、カウントすべき前記クロック信号のパルス数の最大値が異なるアドレスカウンタと、
前記メモリアレイのアクセスされたアドレスにデータを書き込む手段と、
前記メモリアレイのアクセスされたアドレスからデータを読み出す手段と、
を備える半導体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の第１の態様に係る半導体記憶装置において、前記アドレスカウンタは、前記最大カウント値のいずれかまでカウント値を計数した後、前記メモリアレイの先頭アドレスを指定しても良い。この場合には、カウント値が最大カウント値に到達した後に、メモリアレイの先頭アドレスに戻ることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
ＩＤコンパレータ１３０は、クロック信号端子ＳＣＫＴ、データ信号端子ＳＤＡＴ、リセット信号端子ＲＳＴＴと接続されており、データ信号端子ＳＤＡＴを介して入力された入力データ列に含まれる識別データとメモリアレイ１００（ＥＥＰＲＯＭアレイ１０１）に格納されている識別データとが一致するか否かを判定する。詳述すると、ＩＤコンパレータ１３０は、リセット信号ＲＳＴが入力された後に入力されるオペレーションコードの先頭３ビットのデータ、すなわち識別データを取得する。ＩＤコンパレータ１３０は、入力データ列に含まれる識別データを格納する３ビットレジスタ（図示しない）、ＩＮ／ＯＵＴコントローラ１２０を介してメモリアレイ１００から取得した最上位３ビットの識別データを格納する３ビットレジスタ（図示しない）を有しており、両レジスタの値が一致するか否かによって識別データが一致するか否かを判定する。ＩＤコンパレータ１３０は、両識別データが一致する場合には、アクセス許可信号ＥＮをライト／リードコントローラ１４０に送出する。ＩＤコンパレータ１３０は、リセット信号ＲＳＴが入力（ＲＳＴ＝０またはＬｏｗ）されるとレジスタの値をクリアする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月23日(2008.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極と負極とがプロトン伝導体を介して対向した構造を有し、上記正極および上記負極のうちの少なくとも一方が酵素固定化電極であり、
上記酵素固定化電極が、
多孔体材料からなる骨格と、
上記骨格の少なくとも一部の表面を被覆する、カーボン系材料を主成分とする材料とを含む多孔体導電材料からなる電極に酵素が固定化されたものである燃料電池。
【請求項２】
上記多孔体材料が導電性を有する請求項１記載の燃料電池。
【請求項３】
上記多孔体材料が金属、合金またはカーボン系材料である請求項１記載の燃料電池。
【請求項４】
上記多孔体材料が発泡金属または発泡合金である請求項１記載の燃料電池。
【請求項５】
正極と負極とがプロトン伝導体を介して対向した構造を有し、上記正極および上記負極のうちの少なくとも一方が酵素固定化電極である燃料電池を製造する場合に、
多孔体材料からなる骨格の少なくとも一部の表面に、カーボン系材料を主成分とする材料をコーティングすることにより多孔体導電材料を形成する工程と、
上記多孔体導電材料を用いて電極を形成する工程と、
上記電極に酵素を固定化することにより上記酵素固定化電極を形成する工程と
を含む燃料電池の製造方法。
【請求項６】
燃料電池を用い、
上記燃料電池は、
正極と負極とがプロトン伝導体を介して対向した構造を有し、上記正極および上記負極のうちの少なくとも一方が酵素固定化電極であり、
上記酵素固定化電極が、
多孔体材料からなる骨格と、
上記骨格の少なくとも一部の表面を被覆する、カーボン系材料を主成分とする材料とを含む多孔体導電材料からなる電極に酵素が固定化されたものである電子機器。
【請求項７】
燃料電池を用い、
上記燃料電池は、
正極と負極とがプロトン伝導体を介して対向した構造を有し、上記正極および上記負極のうちの少なくとも一方が酵素固定化電極であり、
上記酵素固定化電極が、
多孔体材料からなる骨格と、
上記骨格の少なくとも一部の表面を被覆する、カーボン系材料を主成分とする材料とを含む多孔体導電材料からなる電極に酵素が固定化されたものである移動体。
【請求項８】
燃料電池を用い、
上記燃料電池は、
正極と負極とがプロトン伝導体を介して対向した構造を有し、上記正極および上記負極のうちの少なくとも一方が酵素固定化電極であり、
上記酵素固定化電極が、
多孔体材料からなる骨格と、
上記骨格の少なくとも一部の表面を被覆する、カーボン系材料を主成分とする材料とを含む多孔体導電材料からなる電極に酵素が固定化されたものである発電システム。
【請求項９】
燃料電池を用い、
上記燃料電池は、
正極と負極とがプロトン伝導体を介して対向した構造を有し、上記正極および上記負極のうちの少なくとも一方が酵素固定化電極であり、
上記酵素固定化電極が、
多孔体材料からなる骨格と、
上記骨格の少なくとも一部の表面を被覆する、カーボン系材料を主成分とする材料とを含む多孔体導電材料からなる電極に酵素が固定化されたものであるコージェネレーションシステム。
【請求項１０】
少なくとも一つの酵素固定化電極を用い、
上記酵素固定化電極が、
多孔体材料からなる骨格と、
上記骨格の少なくとも一部の表面を被覆する、カーボン系材料を主成分とする材料とを含む多孔体導電材料からなる電極に酵素が固定化されたものである電極反応利用装置。
【請求項１１】
上記電極反応利用装置は燃料電池、バイオセンサーまたはバイオリアクターである請求項１０記載の電極反応利用装置。
【請求項１２】
多孔体材料からなる骨格と、
上記骨格の少なくとも一部の表面を被覆する、カーボン系材料を主成分とする材料と
を含む多孔体導電材料。
【請求項１３】
多孔体材料からなる骨格の少なくとも一部の表面に、カーボン系材料を主成分とする材料をコーティングする工程を含む多孔体導電材料の製造方法。
【請求項１４】
多孔体材料からなる骨格と、
上記骨格の少なくとも一部の表面を被覆する、カーボン系材料を主成分とする材料とを含む多孔体導電材料からなる電極。
【請求項１５】
多孔体材料からなる骨格の少なくとも一部の表面に、カーボン系材料を主成分とする材料をコーティングすることにより多孔体導電材料を形成する工程と、
上記多孔体導電材料を用いて電極を形成する工程と
を含む電極の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月2日(2008.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材微粒子と、前記基材微粒子の表面に形成された表面に突起を有する導電層とからなる導電性微粒子であって、
前記基材微粒子は、２０℃で測定した粒子直径が１０％変位したときの圧縮弾性率（１０％Ｋ値）が５００〜２５００Ｎ／ｍｍ２、圧縮変形回復率が１５〜１００％であり、突起は、芯物質を有する
ことを特徴とする導電性微粒子。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月2日(2008.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材微粒子と、前記基材微粒子の表面に形成されたニッケルからなる導電層とからなる導電性微粒子であって、前記導電層は、表面にパラジウム金属又はその金属酸化物を芯物質とする突起を有することを特徴とする導電性微粒子。
【請求項２】
芯物質の８０％以上が、基材微粒子に接触しているか又は前記基材微粒子との距離が５ｎｍ以内であることを特徴とする請求項１記載の導電性微粒子。
【請求項３】
基材微粒子は、樹脂微粒子であることを特徴とする請求項１又は２記載の導電性微粒子。
【請求項４】
突起の平均高さが、基材微粒子の平均粒子径の０．５〜２５％であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の導電性微粒子。
【請求項５】
更に、導電層の表面に金層が形成されていることを特徴とする請求項１、２、３又は４記載の導電性微粒子。
【請求項６】
請求項１、２、３、４又は５記載の導電性微粒子が樹脂バインダーに分散されてなることを特徴とする異方性導電材料。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月27日(2008.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相対峙する回路電極同士を、導電粒子と絶縁性接着剤を主成分とする異方導電性接着剤を用いて接続する回路接続方法において、接続電極間の導電粒子捕捉率が隣接電極間スペース部の導電粒子滞留率の３倍以上となる様に接続する回路接続方法。
【請求項２】
回路の一方がＩＣチップであり、異方導電性接着剤が、導電粒子が面方向に略均等に分散され、厚み方向には単層に配置された異方導電性接着フィルムであって、接続時における隣接電極間スペース部に存在する導電粒子の流動性が、接続電極間に存在する導電粒子の流動性よりも高くなる様に接続する請求項１記載の回路接続方法。
【請求項３】
接続時における隣接電極間スペース部の絶縁性接着剤の流動速度が、接続電極間の絶縁性接着剤の流動速度よりも速く、隣接電極間スペース部の絶縁性接着剤の流動速度に対しては、追従して導電粒子は流動するが、接続電極間の絶縁性接着剤の流動速度に対しては、それに抗して、導電粒子の流動性が抑制される様な固定強さで、導電粒子を固定用樹脂で固定した異方導電性接着剤を用いて接続する請求項１又は２に記載の回路接続方法。
【請求項４】
回路基板とＩＣチップを、異方導電性接着剤で接続した接続構造体であって、接続電極間の導電粒子密度ｑ個／ｍｍ２と、隣接電極間スペース部の導電粒子密度ｒ個／ｍｍ２との間に、ｑ＞ｒ×３の関係を有することを特徴とする接続構造体。
【請求項５】
異方導電性接着剤として、隣接電極間スペース部の絶縁性接着剤の流動速度に対しては、追従して導電粒子は流動するが、接続電極間の絶縁性接着剤の流動速度に対しては、それに抗して、導電粒子の流動性が抑制される様な固定強さで、導電粒子を固定用樹脂で固定した異方導電性接着剤を用いる請求項４記載の接続構造体。
【請求項６】
回路基板とＩＣチップを、異方導電性接着剤で接続した接続構造体であって、ＩＣチップの電極を有さない中心部の導電粒子密度ｐ個／ｍｍ２と隣接電極間スペース部の導電粒子密度ｒ個／ｍｍ２との間に、ｐ＞ｒ×３の関係を有することを特徴とする接続構造体。
【請求項７】
異方導電性接着剤として、隣接電極間スペース部の絶縁性接着剤の流動速度に対しては、追従して導電粒子は流動するが、電極を有さないＩＣチップ中心部の流動速度に対しては、それに抗して、導電粒子の流動性が抑制される様な固定強さで、導電粒子を固定用樹脂で固定した異方導電性接着剤を用いる請求項６記載の接続構造体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
即ち、本発明は、下記の通りである。
１）相対峙する回路電極同士を、導電粒子と絶縁性接着剤を主成分とする異方導電性接着剤を用いて接続する回路接続方法において、接続電極間の導電粒子捕捉率が隣接電極間スペース部の導電粒子滞留率の３倍以上となる様に接続する回路接続方法。
２）回路の一方がＩＣチップであり、異方導電性接着剤が、導電粒子が面方向に略均等に分散され、厚み方向には単層に配置された異方導電性接着フィルムであって、接続時における隣接電極間スペース部に存在する導電粒子の流動性が、接続電極間に存在する導電粒子の流動性よりも高くなる様に接続する上記１）記載の回路接続方法。
３）接続時における隣接電極間スペース部の絶縁性接着剤の流動速度が、接続電極間の絶縁性接着剤の流動速度よりも速く、隣接電極間スペース部の絶縁性接着剤の流動速度に対しては、追従して導電粒子は流動するが、接続電極間の絶縁性接着剤の流動速度に対しては、それに抗して、導電粒子の流動性が抑制される様な固定強さで、導電粒子を固定用樹脂で固定した異方導電性接着剤を用いて接続する上記１）または２）に記載の回路接続方法。
４）回路基板とＩＣチップを、異方導電性接着剤で接続した接続構造体であって、接続電極間の導電粒子密度ｑ個／ｍｍ２と、隣接電極間スペース部の導電粒子密度ｒ個／ｍｍ２との間に、ｑ＞ｒ×３の関係を有することを特徴とする接続構造体。
５）異方導電性接着剤として、隣接電極間スペース部の絶縁性接着剤の流動速度に対しては、追従して導電粒子は流動するが、接続電極間の絶縁性接着剤の流動速度に対しては、それに抗して、導電粒子の流動性が抑制される様な固定強さで、導電粒子を固定用樹脂で固定した異方導電性接着剤を用いる上記４）記載の接続構造体。
６）回路基板とＩＣチップを、異方導電性接着剤で接続した接続構造体であって、ＩＣチップの電極を有さない中心部の導電粒子密度ｐ個／ｍｍ２と隣接電極間スペース部の導電粒子密度ｒ個／ｍｍ２との間に、ｐ＞ｒ×３の関係を有することを特徴とする接続構造体。
７）異方導電性接着剤として、隣接電極間スペース部の絶縁性接着剤の流動速度に対しては、追従して導電粒子は流動するが、電極を有さないＩＣチップ中心部の流動速度に対しては、それに抗して、導電粒子の流動性が抑制される様な固定強さで、導電粒子を固定用樹脂で固定した異方導電性接着剤を用いる上記６）記載の接続構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月24日(2008.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分布帰還型半導体レーザであって、
第１クラッド層と、
前記第１クラッド層の上に設けられた第１光閉じ込め層と、
前記第１光閉じ込め層の上に設けられた活性層と、
前記活性層の上に設けられ、ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体からなる第２光閉じ込め層と、
前記第２光閉じ込め層の上に成長されたＩｎＰ半導体層と、
前記ＩｎＰ半導体層の上に成長されたＩｎＧｓＡｓＰ半導体層と、
前記ＩｎＧｓＡｓＰ半導体層の上に設けられ、ＩｎＰ半導体からなる第２クラッド層と、
を備え、
回折格子が、前記ＩｎＧｓＡｓＰ半導体層と第２クラッド層とによって構成される、分布帰還型半導体レーザ。
【請求項２】
前記第２光閉じ込め層と前記ＩｎＰ半導体層との間に設けられ、ＡｌＩｎＡｓ半導体からなるキャリアストップ層を更に備え、
前記第１クラッド層がｎ型ＩｎＰ半導体からなり、
前記第２クラッド層がｐ型ＩｎＰ半導体からなる、請求項１に記載の分布帰還型半導体レーザ。
【請求項３】
前記第１クラッド層と前記第１光閉じ込め層との間に設けられ、ＡｌＩｎＡｓ半導体からなるキャリアストップ層を更に備え、
前記第１クラッド層がｐ型ＩｎＰ半導体からなり、
前記第２クラッド層がｎ型ＩｎＰ半導体からなる、請求項１に記載の分布帰還型半導体レーザ。
【請求項４】
前記ＩｎＰ半導体層の厚みが、１０ｎｍ以下である、請求項１〜３のいずれかに記載の分布帰還型半導体レーザ。
【請求項５】
分布帰還型半導体レーザを作製する方法であって、
ＡｌＧａＩｎＡｓ活性層およびＡｌＧａＩｎＡｓ光閉じ込め層を順に形成する工程と、
Ｖ族材料ガスとしてＰ系ガスを供給すると共にIII族材料を供給して、前記ＡｌＧａＩｎＡｓ光閉じ込め層の上にＩｎＰ半導体層を成長する工程と、
前記III族材料の供給を停止して前記ＩｎＰ半導体層の成長を停止すると共に、前記Ｐ系ガスを供給し続ける工程と、
前記Ｐ系ガスを供給し続けると共に、Ｖ族材料としてＡｓ系ガスの供給を開始することによって、前記ＩｎＰ半導体層の上にＩｎＧａＡｓＰ回折格子層を成長する工程と、
を備える方法。
【請求項６】
前記ＩｎＧａＡｓＰ回折格子層の成長では、前記Ａｓ系ガスの流量は前記Ｐ系ガスの流量より小さい、請求項５に記載された方法。
【請求項７】
前記ＩｎＧａＡｓＰ回折格子層の成長では、前記Ｐ系ガスと前記Ａｓ系ガスの比率（Ａｓ／Ｐ）は１／５０程度である、請求項６に記載された方法。
【請求項８】
前記ＩｎＰ半導体層の成長の前に、Ａｌ及びＩｎを含むIII族材料ガスとＡｓを含むＶ族材料ガスを供給することによって、ＡｌＩｎＡｓキャリアストップ層を前記ＡｌＧａＩｎＡｓ光閉じ込め層の上に成長する工程を更に備え、
前記ＩｎＰ半導体層の成長の際に、前記Ａｓを含むＶ族材料ガスを停止すると共に前記Ｐ系ガスの供給を開始する、請求項５〜７のいずれかに記載された方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】分布帰還型半導体レーザ、及び分布帰還型半導体レーザを作製する方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、分布帰還型半導体レーザ、及び分布帰還型半導体レーザを作製する方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
そこで、本発明は、従来に比して、更に、回折格子形成層の格子欠陥を低減することができる分布帰還型半導体レーザ、及び分布帰還型半導体レーザを作製する方法を提供することを目的としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明の分布帰還型半導体レーザのＩｎＰ半導体層の厚みは、１０ｎｍ以下であることが好ましい。この構成によれば、ＩｎＰ半導体層の厚みが１０ｎｍ以下であるので、ＩｎＰ半導体層と回折格子形成層とのヘテロ界面に生じるホール障壁による抵抗の増加が抑制される。
本発明に係る分布帰還型半導体レーザを作製する方法は、ＡｌＧａＩｎＡｓ活性層およびＡｌＧａＩｎＡｓ光閉じ込め層を順に形成する工程と、Ｖ族材料ガスとしてＰ系ガスを供給すると共にIII族材料を供給して、前記ＡｌＧａＩｎＡｓ光閉じ込め層の上にＩｎＰ半導体層を成長する工程と、前記III族材料の供給を停止して前記ＩｎＰ半導体層の成長を停止すると共に、前記Ｐ系ガスを供給し続ける工程と、前記Ｐ系ガスを供給し続けると共に、Ｖ族材料としてＡｓ系ガスの供給を開始することによって、前記ＩｎＰ半導体層の上にＩｎＧａＡｓＰ回折格子層を成長する工程と、を備える。
本発明に係る方法においては、前記ＩｎＧａＡｓＰ回折格子層の成長では、前記Ａｓ系ガスの流量は前記Ｐ系ガスの流量より小さいことができる。また、本発明に係る方法においては、前記ＩｎＧａＡｓＰ回折格子層の成長では、前記Ｐ系ガスと前記Ａｓ系ガスの比率（Ａｓ／Ｐ）は１／５０程度であることができる。さらに、本発明に係る方法は、前記ＩｎＰ半導体層の成長の前に、Ａｌ及びＩｎを含むIII族材料ガスとＡｓを含むＶ族材料ガスを供給することによって、ＡｌＩｎＡｓキャリアストップ層を前記ＡｌＧａＩｎＡｓ光閉じ込め層の上に成長する工程を更に備えることができる。前記ＩｎＰ半導体層の成長の際に、Ａｓを含むＶ族材料ガスを停止すると共に前記Ｐ系ガスの供給を開始する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明によれば、従来に比して更に、回折格子形成層の格子欠陥を少ない分布帰還型半導体レーザ、及び分布帰還型半導体レーザを作製する方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月14日(2008.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体の上に活物質およびバインダーを含む電極を有する電気化学素子用電極の製造方法であって、該方法は、
前記活物質、バインダーおよびバインダー溶媒を含む電極形成用の塗料を準備する塗料準備工程と、
前記塗料を支持体の上に塗布して電極用の塗膜を形成する塗布工程と、
前記塗布工程により形成された塗膜中に含有されるバインダー溶媒量を１０〜３５ｗｔ％の範囲内に調整するための第１の塗膜乾燥工程と、
前記第１の塗膜乾燥工程によりバインダー溶媒量が調整された塗膜を、圧延処理する圧延処理工程と、
前記圧延処理工程の後に、塗膜中に残存するバインダー溶媒を除去するための溶媒抽出処理工程と、
前記溶媒抽出処理後に塗膜の乾燥をさせる第２の乾燥工程とを、有してなることを特徴とする電気化学素子用電極の製造方法。
【請求項２】
前記溶媒抽出処理工程で使用される抽出用の溶媒は、前記バインダー溶媒と相溶性があり、バインダー溶媒よりも低沸点の溶媒である請求項１に記載の電気化学素子用電極の製造方法。
【請求項３】
前記第２の乾燥工程後の電極に残留するバインダー溶媒量は、１ｗｔ％以下である請求項１または請求項２に記載の電気化学素子用電極の製造方法。
【請求項４】
前記圧延処理工程後の塗膜の密度が０．５５〜０．７５ｇ／ｃｍ3の範囲内とされる請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電気化学素子用電極の製造方法。
【請求項５】
前記第２の乾燥処理は、真空乾燥処理である請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の電気化学素子用電極の製造方法。
【請求項６】
前記電気化学素子用電極が、電気二重層キャパシタ用電極またはハイブリッドキャパシタ用電極である請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の電気化学素子用電極の製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の電気化学素子用電極の製造方法により電極を製造し、しかる後、少なくとも当該製造した電極、セパレータ、電解質、外装体を用いて電気化学素子を組み立ててなる電気化学素子の製造方法。
【請求項８】
前記電気化学素子が、電気二重層キャパシタまたはハイブリッドキャパシタである請求項７に記載の電気化学素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月24日(2008.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の第１面上に配置された第１の電極、該第１の電極上に配置された第２の電極、及び前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置された半導体層を備えた、電磁波を電気信号に変換する変換素子と、
該変換素子に接続されたスイッチ素子と、を有する画素が複数設けられた電磁波検出装置であって、
前記第１の電極は前記絶縁基板の前記第１面と対向する第２面側に配置された光源から発せられた光を透過する光透過性導電材料によって構成され、且つ、前記スイッチ素子は前記光源からの前記光が前記スイッチ素子へ入射することを防ぐ遮光部材を有する電磁波検出装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電磁波検出装置において、前記スイッチ素子は、前記絶縁基板上に配置された薄膜トランジスタであり、前記遮光部材は前記薄膜トランジスタのゲート電極であることを特徴とする電磁波検出装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電磁波検出装置において、前記遮光部材は、前記スイッチ素子のチャネル領域よりも大きい面積を有し、前記チャネル領域と前記絶縁基板との間に配置されていることを特徴とする電磁波検出装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の電磁波検出装置において、前記変換素子は前記スイッチ素子上に配置され、前記第１の電極と前記スイッチ素子との間に光透過性の層間絶縁層を有することを特徴とする電磁波検出装置。
【請求項５】
請求項４に記載の電磁波検出装置において、前記第１の電極は前記層間絶縁層と接して配置されている電磁波検出装置。
【請求項６】
請求項４または５に記載の電磁波検出装置において、前記層間絶縁層は光透過性の有機絶縁材料によって構成されていることを特徴とする電磁波検出装置。
【請求項７】
請求項４から請求項６のいずれか１項に記載の電磁波検出装置において、層間絶縁層の厚さは２〜１０μｍである電磁波検出装置。
【請求項８】
請求項５から請求項７のいずれか１項に記載の電磁波検出装置において、前記第１の電極の屈折率が前記層間絶縁層との屈折率より大きく、前記第１の電極の屈折率と前記層間絶縁層の屈折率の差が０．２以下であることを特徴とする電磁波検出装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載の電磁波検出装置において、前記変換素子は、前記半導体層が非単結晶半導体によって構成されている光電変換素子であることを特徴とする電磁波検出装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の電磁波検出装置において、前記光電変換素子はＭＩＳ型センサである電磁波検出装置。
【請求項１１】
請求項９に記載の電磁波検出装置において、前記光電変換素子はＰＩＮ型センサである電磁波検出装置。
【請求項１２】
請求項９から請求項１１のいずれか１項に記載の電磁波検出装置を用いた放射線検出装置であって、前記光電変換素子上に、入射する放射線を前記光電変換素子が感知可能な波長帯域の光に変換する波長変換体を設けた放射線検出装置。
【請求項１３】
請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の電磁波検出装置を用いた放射線検出装置であって、前記変換素子は入射する放射線を電気信号に変換する半導体素子である放射線検出装置。
【請求項１４】
請求項１２又は請求項１３に記載の放射線検出装置と、
前記放射線検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、
放射線を発生させるための放射線源とを具備することを特徴とする放射線撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の電磁波検出装置は、絶縁基板の第１面上に配置された第１の電極、該第１の電極上に配置された第２の電極、及び前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置された半導体層を備えた、電磁波を電気信号に変換する変換素子と、
該変換素子に接続されたスイッチ素子と、を有する画素が複数設けられた電磁波検出装置であって、
前記第１の電極は前記絶縁基板の前記第１面と対向する第２面側に配置された光源から発せられた光を透過する光透過性導電材料によって構成され、且つ、前記スイッチ素子は前記光源からの前記光が前記スイッチ素子へ入射することを防ぐ遮光部材を有する電磁波検出装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月2日(2008.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
従来の電気駆動のダンプトラックにおいては、特許文献１に記載のように、アクセルペダルの操作量に応じて電動モータのトルク指令値を演算し、このトルク指令値に基づいてインバータを制御し、電動モータのトルク制御を行うのが一般的である。しかし、このように電動モータを制御した場合は、アクセルペダルの操作量が電動モータの出力馬力と直接連動しないため、アクセルペダルを踏み込んだときの操作感覚が良好でなかった。このような問題を解決するためには、アクセルペダルの操作量に応じた電動モータの目標出力馬力を演算し、この目標出力馬力をそのときの電動モータの回転数で除して電動モータの目標トルク（トルク指令値）を演算することが考えられる。しかし、このようにした場合は次のような問題がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
図１４において、関数Ｔｒｍａｘ１（ω）は、インバータ７３Ｒ，７３Ｌが各電動モータ１２Ｒ，１２Ｌに流せる最大電流値、インバータ７３Ｒ，７３Ｌ内のＩＧＢＴやＧＴＯなどの駆動素子の出力限界、各モータ軸の強度など、駆動システムを構成する機器の仕様に基づいて設定したものである。図１４に示すように、例えば、モータ回転速度ωＲ，ωＬがω１であるとき、モータ最大トルクＴｒｍａｘ１はＴｒｍａｘ１（ω１）となる。モータ最大トルクＴｒｍａｘ１の最大値はＴｒｍａｘである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
手順１０１〜１１８（図４のブロック２０１〜２１７）の処理、手順１２３の処理（図３のブロック２２５）、及び手順１２５の処理は全体制御装置３により行われる処理であり、手順１２１，１２２，１２４（図４のブロック２２１〜２２４、ブロック２２６，２２７）の処理はインバータ制御装置７のトルク指令演算部７１Ｒ，７１Ｌにより行われる処理である。
手順１２６では、インバータ制御装置７内のモータ制御演算部７２Ｒ，７２Ｌによって手順１２３で求めたモータトルク指令値ＴｒＲ，ＴｒＬをインバータ７３Ｒ，７３Ｌに指令し、各電動モータ１２Ｒ，１２Ｌのトルク制御がなされる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2007326411.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１８】
2007326411.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月7日(2008.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アームと、前記アームの先端に取り付けられて前記アームの長さ方向の第１軸回りに回転する胴体と、前記胴体の先端に取り付けられて前記第１軸に直交する第２軸回りに揺動する揺動体と、前記揺動体の先端に取り付けられて第３軸回りに回転する回転体と、前記回転体に取り付けられた溶接トーチと、前記アームの後端に設けられた溶接ワイヤ送給装置と、を備え、コンジットケーブルが、前記胴体に前記第１軸の軸心と同心となるように設けられた通過口から、前記胴体部分における前記第１軸周囲に設けられた第１の開放された空間部、前記遥動体部分における前記第３軸周囲に設けられた第２の開放された空間部を通って、前記溶接トーチへと接続された産業用ロボットであって、
前記第１の開放された空間部は、前記第１軸方向を長手方向として設けられており、
前記第２の開放された空間部は、前記第３軸方向を長手方向として設けられており、
前記第１の開放された空間部の先端部分と前記第２の開放された空間部の基端部分とが前記第２軸においてのみ交わる産業用ロボットにおいて、
前記胴体は、前記第１軸からオフセットして平行に延びる部材で構成され、
前記揺動体は、前記部材によって、片持ちで支持されることを特徴とする産業用ロボット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記の課題を解決するために、請求項１の発明は、アームと、前記アームの先端に取り付けられて前記アームの長さ方向の第１軸回りに回転する胴体と、前記胴体の先端に取り付けられて前記第１軸に直交する第２軸回りに揺動する揺動体と、前記揺動体の先端に取り付けられて第３軸回りに回転する回転体と、前記回転体に取り付けられた溶接トーチと、前記アームの後端に設けられた溶接ワイヤ送給装置と、を備え、コンジットケーブルが、前記胴体に前記第１軸の軸心と同心となるように設けられた通過口から、前記胴体部分における前記第１軸周囲に設けられた第１の開放された空間部、前記遥動体部分における前記第３軸周囲に設けられた第２の開放された空間部を通って、前記溶接トーチへと接続された産業用ロボットであって、前記第１の開放された空間部は、前記第１軸方向を長手方向として設けられており、前記第２の開放された空間部は、前記第３軸方向を長手方向として設けられており、前記第１の開放された空間部の先端部分と前記第２の開放された空間部の基端部分とが前記第２軸においてのみ交わる産業用ロボットにおいて、前記胴体は、前記第１軸からオフセットして平行に延びる部材で構成され、前記揺動体は、前記部材によって、片持ちで支持されることを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月25日(2008.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工材を収納する収納箱を有し、該収納箱を収納箱駆動用モーターによりクランク機構を介して往復移動させ、前記収納箱の往復移動の過程で加工刃物駆動用モーターで回転されている加工刃物により前記被加工材をスライスするスライサーであって、前記収納箱駆動用モーターの回転数を可変し、前記収納箱の往復速度を可変させる回転数変速手段と、該回転数変速手段に、前記収納箱駆動用モーターの回転数を任意に設定可能な回転数設定手段と、該回転数設定手段により設定される回転数に応じて異なる速度で前記収納箱駆動用モーターを制御する制御手段とを備え、該制御手段は、前記回転数設定手段により設定された回転数が所定値以下のときは、前記収納箱を前記回転数設定手段に設定されたモーター回転数に応じた速度で往復移動し、前記回転数設定手段に設定された回転数が所定値を超えたときは、前記収納箱の一往復移動の範囲において、前記収納箱駆動用モーターの回転数を可変とし、前記収納箱の速度を加減速するように制御することを特徴とするスライサー。
【請求項２】
請求項１において、前記加速は、少なくとも前記収納箱が前記加工刃物の反対側から前記加工刃物側に向かう所定の区間内で行なうことを特徴とするスライサー。
【請求項３】
請求項１において、前記減速は、少なくとも前記収納箱が前記加工刃物側から前記加工刃物の反対側に向かう所定の区間内で行なうことを特徴とするスライサー。
【請求項４】
被加工材を収納する収納箱と、該収納箱を駆動するためのモーターと、該モーターの回転動力を往復運動に変換し、前記収納箱を往復移動するクランク機構と、前記収納箱の往復移動の過程で前記被加工材をスライスする加工刃物と、該加工刃物を回転する加工刃物駆動用モーターと、前記収納箱駆動用モーターの回転数を可変し、前記収納箱の往復速度を可変させる回転数変速手段と、該回転数変速手段に前記収納箱駆動用モーターの回転数を任意に設定可能な回転数設定手段と、該回転数設定手段により設定される回転数に応じて、異なる速度で前記収納箱駆動用モーターを制御する制御手段を備えたスライサーの駆動方法において、前記回転数設定手段により設定された回転数が所定値を超えたか否かを判定するステップと、設定された回転数が所定値以下のときには前記収納箱駆動用モーターを前記回転数設定手段により設定された回転数に応じた速度で駆動するステップと、設定された回転数が所定値を超えたときは、前記収納箱の一往復移動の範囲において、前記収納箱駆動用モーターの回転数を可変とし、前記収納箱の速度を加減速するように制御するステップとを備えたことを特徴とするスライサーの駆動方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記の目的を達成するために本発明は、被加工材を収納する収納箱を有し、該収納箱を収納箱駆動用モーターによりクランク機構を介して往復移動させ、前記収納箱の往復移動の過程で加工刃物駆動用モーターで回転されている加工刃物により前記被加工材をスライスするスライサーであって、前記収納箱駆動用モーターの回転数を可変し、前記収納箱の往復速度を可変させる回転数変速手段と、該回転数変速手段に、前記収納箱駆動用モーターの回転数を任意に設定可能な回転数設定手段と、該回転数設定手段により設定される回転数に応じて異なる速度で前記収納箱駆動用モーターを制御する制御手段とを備え、該制御手段は、前記回転数設定手段により設定された回転数が所定値以下のときは、前記収納箱を前記回転数設定手段に設定されたモーター回転数に応じた速度で往復移動し、前記回転数設定手段に設定された回転数が所定値を超えたときは、前記収納箱の一往復移動の範囲において、前記収納箱駆動用モーターの回転数を可変とし、前記収納箱の速度を加減速するように制御することに一つの特徴を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月30日(2007.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
昇華インクジェット印刷により形成されたパターンを、被転写物の表面に転写する転写紙であって、
少なくとも前記転写紙の印刷される面に、色素のみを転写するように、色素を離れやすくするリリースまたは色素を浸透させすぎないようにするバリヤの層が設けられ、該層がＩＳＯ規格５６３６−３により決定される最高１００ｍｌ／ｍｉｎの多孔度を持つ、昇華インクジェット印刷用転写紙。
【請求項２】
前記リリースまたはバリヤの層がワイヤ面に形成される、請求項１に記載の転写紙。
【請求項３】
前記多孔度が最高７５ｍｌ／ｍｉｎである、請求項１または２に記載の転写紙。
【請求項４】
前記多孔度が０から２５ｍｌ／ｍｉｎである、請求項１から３のいずれか一つに記載の転写紙。
【請求項５】
前記リリースまたはバリヤの層がポリビニルアルコール、カルボキシメチルセルロース、アルギナート、ゼラチン、またはこれらの混合物をベースとする、請求項１から４のいずれか一つに記載の転写紙。
【請求項６】
前記リリースまたはバリヤの層がカルボキシメチルセルロースをベースとする、請求項５に記載の転写紙。
【請求項７】
前記リリースまたはバリヤの層または前記転写紙に転写不可能な色素が追加される、請求項１から６のいずれか一つに記載の転写紙。
【請求項８】
昇華可能な色素が分散された水性インクを用いてインクジェットプリンタにより前記転写紙の印刷を行う際に、該インクの流動が発生しない、請求項１から７のいずれか一つに記載の転写紙。
【請求項９】
前記転写紙が単数または複数のコーティングが施されたベースを持つ、請求項８に記載の転写紙。
【請求項１０】
最初に前記バリヤ材料が余分に塗布され、続いて拭き取りナイフ（ブレードナイフ）またはローラーナイフにより拭き取られるコーティングプロセスにより、印刷面にリリースまたはバリヤの層が形成され、該層がＩＳＯ規格５６３６−３により決定される最高１００ｍｌ／ｍｉｎの多孔度を得る、請求項１から９のいずれか一つに記載のインクジェット印刷用転写紙を製造するための方法。
【請求項１１】
前記層が、ポリビニルアルコール、カルボキシメチルセルロース、アルギナート、ゼラチン、またはこれらの混合物をベースとし、任意の充填剤を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記層がカルボキシメチルセルロースをベースとする、請求項１０または１１に記載の方法。
【請求項１３】
昇華可能インクの分散液を用いてインクジェットプリンタにより前記転写紙を印刷する際に、該インクの流動および／または不均一な吸収が発生しない、請求項１から９のいずれか一つに記載の転写紙を印刷するための方法。
【請求項１４】
被転写物の表面に転写する方法であって、
ＩＳＯ規格５６３６−３により決定される多孔度が最高１００ｍｌ／ｍｉｎの、色素のみを転写するように、色素を離れやすくするリリースまたは色素を浸透させすぎないようにするバリヤの層を備える、紙以外の支持材料に、インクジェットプリンタによりパターンが設けられ、該パターンが続いて転写により前記被転写物の表面に設けられる、被転写物の表面に転写する方法。
【請求項１５】
昇華インクジェット印刷により形成されたパターンを、被転写物の表面に転写する転写紙であって、
少なくとも前記転写紙の印刷される面に、色素のみを転写するように、色素を浸透させすぎないようにして色素を離れやすくする層が設けられ、該層が色素を浸透させすぎないようなＩＳＯ規格５６３６−３により決定される多孔度を持つ、
昇華インクジェット印刷用転写紙。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月27日(2008.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
与えられたソースコードプログラムを、それぞれが１つもしくは複数のＣＰＵコアを含む複数のＣＰＵチップで構成される並列計算機で並列実行可能なオブジェクトコードに変換する並列化コンパイル方法であって、
前記プログラム中の各ループを、ループ制御変数の要素で分割することにより前記複数のＣＰＵチップに対応した複数のループに分割し、
更に、該分割されたループの各々を、ループ内の命令列の並列化可能な複数のセクションに分割することにより、更に複数のループに分割し、
該複数ループの各々を異なるスレッドで並列実行させるオブジェクトコードを出力することを特徴とする並列化コンパイル処理方法。
【請求項２】
前項出力するオブジェクトコードは、複数のスレッドを起動した後、該複数スレッドの内ループ制御変数の同一要素を担当する各スレッドを、同一のCPUチップ上の１つもしくは複数のCPUコアで実行させる手段を持つオブジェクトコードであることを特徴とする請求項１に記載の並列化コンパイル処理方法。
【請求項３】
前項出力するオブジェクトコードが起動する複数のスレッドは、該複数スレッドの内ループ制御変数の同一要素を担当する複数のスレッドの各々が、ループ制御変数の同一要素を担当することを示す識別子を持つことを特徴とする請求項１に記載の並列化コンパイル処理方法。
【請求項４】
前項出力するオブジェクトコードは、前記CPUチップ内のCPUコアが、CPUコア内の資源を複数に分割し複数のスレッドを同時に実行可能であるマルチスレッディングの機能を持つ場合には、１CPUチップが、１CPUコアが同時に実行可能なスレッド数と１CPUチップ上の物理的なCPUコア数との乗数分のCPUコアを持つと見なして、起動した複数スレッドの内ループ制御変数の同一要素を担当する各スレッドを同一のCPUチップ上のCPUコアで実行させるオブジェクトコードである、請求項１に記載の並列化コンパイル処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月11日(2008.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生体識別情報が記録された診察カードを発行する診察カード処理装置と、
人間の生体識別情報を読み取る生体情報読取装置と、
医療指示情報が記録された医療指示カードを発行する医療指示カード処理装置と、
前記医療指示カードに記録された情報の読書きを行なう医療端末装置と、
からなる医療管理システムであって、
前記医療指示カード処理装置は、患者への医療行為の指示内容と前記診察カードに記録
された生体識別情報とを前記医療指示カードに書き込み、
前記医療端末装置は、前記医療指示カードに記録された生体識別情報と前記生体情報読
取装置にて取得した生体識別情報とを比較照合することを特徴とする医療管理システム。
【請求項２】
請求項１に記載の医療管理システムであって、
前記医療指示カード処理装置は、前記医療指示カードに医療行為の結果情報を記憶する
医療結果情報記憶手段を設けたことを特徴とする医療管理システム。
【請求項３】
請求項１から２のいずれかに記載の医療管理システムであって、
前記医療指示カードに記憶された医療指示情報と生体識別情報と医療結果情報とが、不
揮発性メモリに記憶されていることを特徴とする医療管理システム。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の医療管理システムであって、
前記医療指示カード処理装置は、前記医療指示カードに医療指示情報を印刷表示する手
段を設けたことを特徴とする医療管理システム。