(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
エレクトレットコンデンサマイクロホンであって、
コンデンサを構成する振動膜及び背極と、
上記振動膜及び上記背極が収容された筒状ケースと、
上記筒状ケースの開口部側に収容され、上記筒状ケースの開口端を内側に曲げたかしめ部をかしめることによって上記開口部に固定され、当該開口部を塞ぐ回路基板と、
上記回路基板の外面に固着された基板と、
を含み、
上記回路基板の外面に、端子電極パターンが形成され、
上記基板の上記回路基板側の面と反対の面に、第１基板電極パターンが形成され、
上記端子電極パターンと上記第１基板電極パターンとが、上記基板に設けられたスルーホールを介して電気的に接続され、
上記基板における上記第１基板電極パターンの形成面が、リフロー半田付け面とされている。
【請求項２】
請求項１に記載のエレクトレットコンデンサマイクロホンであって、
上記基板の厚さが、上記回路基板の外面に対する上記かしめ部の高さ以上である。
【請求項３】
請求項１或いは２の何れかに記載のエレクトレットコンデンサマイクロホンであって、
上記基板が、
上記回路基板、上記基板及びそれらの間に形成された電極パターンによって囲まれた空間と、外部空間と、をつなぐ貫通孔を有する。
【請求項４】
請求項１或いは２の何れかに記載のエレクトレットコンデンサマイクロホンであって、
上記基板の一部が上記筒状ケースの側面よりも外側に位置し、この側面よりも外側に位置する部分に向きを示すマーキングが設けられている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  この発明は、エレクトレットコンデンサマイクロホンに関し、特に、相手方実装基板への実装において、リフロー半田付けを良好に行うことができるエレクトレットコンデンサマイクロホンに関する。
【背景技術】
【０００２】  図１は、特許文献１に記載されたリフロー半田付け対応のエレクトレットコンデンサマイクロホン（以下、ＥＣＭと言う。）１０の従来構成例を示した断面図である。この図に示すように、この例のＥＣＭ１０は、導電性を有する筒状ケース１１内に、コンデンサを構成する振動膜１２と背極１３とが内蔵され、筒状ケース１１の開口部側に回路基板１４が収容され、この回路基板１４によってこの開口部を蓋した構成となっている。
この例の振動膜１２は、エレクトレット誘電体膜の一面に金属膜が蒸着されたものである。この金属膜は導電性を有するリング１５に固定され、エレクトレット誘電体面は絶縁スペーサ１６に固定されている。また、この例の背極１３は、導電性を有し、ホルダ１７の内側段差部分に嵌合固定されている。さらに、このホルダ１７の内側には、導電性を有するリング１８が挿入され、リング１８は回路基板１４と背極１３とに接している。【０００３】  回路基板１４のＥＣＭ１０本体への固定は、筒状ケース１１の開口部を内側に折り曲げてかしめることによって行われる。すなわち、この例の回路基板１４は、折り曲げられたかしめ部（周縁部）１１ａによってリング１８に向かって押圧固定されている。また、回路基板１４の内面にはＦＥＴ（電界効果トランジスタ）などの回路素子１９が搭載され、外面には外部接続電極として複数の半田バンプ電極２１ａ，２１ｂが形成されている。
背極１３と回路基板１４上の電極パターンとの電気的な接続はリング１８を介して行われる。一方、振動膜１２の金属膜は、リング１５、筒状ケース１１及びそのかしめ部１１ａを介して回路基板１４上の電極パターンと電気的に接続されている。【０００４】  回路基板１４の外面には、円形パターンとその円形パターンを囲む環状パターンとが電極パターンとして形成されている。この円形パターン上には半田バンプ電極２１ａが形成され、これが信号電極（出力端子）となっている。また、この環状パターン上には半田バンプ電極２１ｂが形成され、これがグランド電極（アース端子）となっている。さらに、筒状ケース１１のかしめ部１１ａは、環状パターンに圧接されて接続されている。なお、図１では、回路基板１４の内外面に形成されている電極パターンの図示を省略してある。
この例のＥＣＭ１０の実装基板上への実装は、ＥＣＭ１０の半田バンプ電極２１ａ，２１ｂを、実装基板の配線パターン上に形成された半田層の上に配置し、リフロー装置等で加熱してこれらの半田を溶融すること（リフロー半田付け）により行われる。
【特許文献１】特開２００３−１５３３９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】  ところで、上記のようにＥＣＭ１０の回路基板１４の外面縁部分には、筒状ケース１１のかしめ部１１ａが配置される。この場合、かしめ部１１ａの外面と電極パターンが形成される回路基板１４の外面との間には、かしめ部１１ａの厚みに応じた段差が生じる。すなわち、回路基板１４の外面に対し、かしめ部１１ａが突出する。従って、このＥＣＭ１０を実装基板面に配置した場合、かしめ部１１ａが実装基板面にあたることにより、電極パターンが形成された回路基板１４の外面は実装基板面に接触しない。ＥＣＭ１０を実装基板に実装した状態での回路基板１４外面の電極パターンと実装基板との電気的な接続は、回路基板１４外面と実装基板面との隙間に配された半田（半田バンプ電極２１ａ，２１ｂがリフロー半田付けによって溶融し凝固したもの）を通じて行われる。【０００６】  しかし、一般に半田付け不良率は、半田付けを行う電極間の距離が離れるほど大きくなる。すなわち、ＥＣＭ１０の回路基板１４外面と実装基板面との間の隙間が大きくなると、これらの間で半田離れが生じる可能性が高まり、その半田付け不良率が高くなる。
この発明は以上の点に鑑みてなされたものであり、実装基板面との間での半田離れを防ぎ、半田付け不良率を低減させることができるＥＣＭを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】  本発明では、上記の課題を解決するために、コンデンサを構成する振動膜及び背極と、振動膜及び背極が収容された筒状ケースと、筒状ケースの開口部側に収容され、筒状ケースの開口端を内側に曲げたかしめ部をかしめることによって開口部に固定され、当該開口部を塞ぐ回路基板と、回路基板の外面に固着された基板と、を含み、回路基板の外面に、端子電極パターンが形成され、基板の回路基板側の面と反対の面に、第１基板電極パターンが形成され、端子電極パターンと第１基板電極パターンとが、基板に設けられたスルーホールを介して電気的に接続され、基板における第１基板電極パターンの形成面が、リフロー半田付け面とされているＥＣＭが提供される。【０００８】  このように、本発明では、かしめ部によってかしめられる回路基板上に別の基板を固着させ、固着された基板の第１基板電極パターンの形成面をリフロー半田付け面とする。これにより、リフロー半田付け面と実装基板面との距離を短縮する。その結果、これらの間での半田離れを抑制でき、半田付け良品率を向上させることができる。また本発明の構成は、一般的な形状の基板を回路基板に固着させて実現できる。例えば、従来の構成のＥＣＭに所定の基板を固着するだけで本発明の構成を実現できる。これは、新たな設備投資や設計変更等を殆ど行うことなく本発明を導入できることを意味する。【０００９】  また、本発明において好ましくは、基板の厚さが、回路基板の外面に対するかしめ部の高さ以上である。この場合、基板のリフロー半田付け面をかしめ部以上に突出させることができる。その結果、かしめ部の実装基板への接触に起因し、基板のリフロー半田付け面と実装基板との間に隙間が生じることがなくなる。これにより、ＥＣＭの半田付け不良率をより低減させることができる。
また、本発明において好ましくは、基板が、回路基板、基板及びそれらの間に形成された電極パターンによって囲まれた空間と、外部空間とをつなぐ貫通孔を有する。これにより、回路基板と基板とそれらの間に形成された電極パターンとによって囲まれた空間に密閉された空気がリフロー時の熱によって膨張し、半田付け不良や回路基板の変形等を発生させてしまうことを防止できる。【００１０】  また、本発明において好ましくは、基板の一部が筒状ケースの側面よりも外側に位置する。そして、この側面よりも外側に位置する部分にＥＣＭの向きを示すマーキングが設けられている。これにより、ＥＣＭを実装する際、その向きを容易に確認できる。
【発明の効果】
【００１１】  以上のように、本発明では、ＥＣＭの半田付け工程における良品率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】［図１］図１は、リフロー半田付け対応のエレクトレットコンデンサマイクロホンの従来構成例を示した断面図である。
［図２］図２Ａは、図２Ｂにおける２Ａ−２Ａ断面図である。図２Ｂは、ＥＣＭの底面図である。
［図３］図３Ａは、ＥＣＭの下面斜め方向からみた斜視図である。図３Ｂは、このＥＣＭにおいて基板を分解した状態を示した分解図である。
［図４］図４Ａは、ＥＣＭから基板を取り外した状態におけるケース側の底面図である。図４Ｂは、この状態における基板の上面図である。
［図５］図５は、ＥＣＭが実装基板にリフロー半田付けで実装された状態を示した断面図である。
［図６］図６Ａは、図６Ｂの６Ａ−６Ａ断面図である。図６Ｂは、ＥＣＭの底面図である。図６Ｃは、ＥＣＭの上面図である。
［図７］図７Ａは、ＥＣＭの斜め上面方向からみた斜視図である。図７Ｂは、ＥＣＭの斜め下面方向からみた斜視図である。図７Ｃは、ＥＣＭにおいて基板を分解した状態を示した分解図である。
［図８］図８は、ＥＣＭから基板を取り外した状態における基板の上面図である。
［図９］図９Ａは、ＥＣＭの斜め上面方向からみた斜視図である。図９Ｂは、ＥＣＭの斜め下面方向からみた斜視図である。図９Ｃは、ＥＣＭにおいて基板を分解した状態を示した分解図である。
［図１０］図１０Ａは、ＥＣＭの斜め上面方向からみた斜視図である。図１０Ｂは、ＥＣＭの斜め下面方向からみた斜視図である。図１０Ｃは、ＥＣＭにおいて基板を分解した状態を示した分解図である。
［図１１］図１１Ａは、図１１Ｂの１１Ａ−１１Ａ断面図である。図１１Ｂは、ＥＣＭの基板部分のみの上面図である。
［図１２］図１２は、ＥＣＭの構成を示した断面図である。
［図１３］図１３Ａは図１３Ｂの１３Ａ−１３Ａ断面図である。図１３Ｂは、ＥＣＭの底面図である。
［図１４］図１４Ａから１４Ｅは、端子電極パターンの突出面形成手順を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００１３】１０，３０，７０，９０，１３０，１６０  ＥＣＭ（エレクトレットコンデンサマイクロホン）
１１，３１  筒状ケース
１１ａ，３１ｂ  かしめ部
１２  振動膜
１３  背極
１４  回路基板
１５，１８，３４，４１  リング
１７，４２  ホルダ
１６，３６  絶縁スペーサ
１９  回路素子
２１ａ，２１ｂ，４７ａ，４７ｂ  半田バンプ電極
３１ａ  端面
３１ｃ  開口部
３２  貫通孔
３３  振動膜
３５  背極
３７  エレクトレット誘電体膜
３８  貫通孔
３９，２３９  回路基板
４２ａ  段部
４４，５２，５５，８５，１０５，１２２，１６４，２４４  円形パターン
４５，５３，５６，８６，１０６，１２３，１６５，２４５  環状パターン
５１，８１，１０１，１２１，１４１，１４２，１４３  基板
５４ａ，５４ｂ，８４ａ，８４ｂ，１４４ａ，１４４ｂ，２５０  スルーホール
５７，８７，１４７  貫通孔
８２  アース端子パターン
８３，１０３  出力端子パターン
８４ａａ，８４ｂａ  電極
８９，１０４  マーキング
１６４ａ，１６５ａ  突出面
１６６  スリット
２４４ａ，２４５ａ  突出面
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】  以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
〔第１の実施の形態〕
まず、本発明における第１の実施の形態について説明する。なお本形態では、バックエレクトレットタイプのＥＣＭを例にとって説明する。
図２から図４は本形態におけるＥＣＭ３０の構成を例示した図である。ここで図２Ａは、図２Ｂにおける２Ａ−２Ａ断面図であり、図２Ｂは、ＥＣＭ３０の底面図である。また、図３Ａは、ＥＣＭ３０の下面斜め方向からみた斜視図であり、図３Ｂは、ＥＣＭ３０において基板５１を分解した状態を示した分解図である。また、図４Ａは、ＥＣＭ３０から基板５１を取り外した状態における筒状ケース３１側の底面図であり、図４Ｂは、この状態における基板５１の上面図である。【００１５】  図２から図４に例示するように、本形態のＥＣＭ３０は、筒状ケース３１、振動膜３３、リング３４、背極（ｂａｃｋ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）３５、絶縁スペーサ３６、エレクトレット誘電体膜３７、回路基板３９、リング４１、ホルダ４２、ＦＥＴ（電界効果トランジスタ：Ｆｉｅｌｄ−ｅｆｆｅｃｔ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）４３、半田バンプ電極４７ａ，４７ｂ及び基板５１を有している。
この例の筒状ケース３１は、一端面が閉塞された円筒状の形状をなすものである。そして、その閉塞された端面３１ａには複数の貫通孔３２が形成されている。なお、この例の筒状ケース３１は、アルミニウム等の金属によって構成される。【００１６】  また、この筒状ケース３１の端面３１ａ側内面縁部分には、真ちゅうやステンレス等の金属によって構成されたリング３４が、その一端を端面３１ａの内面に密着させて配置される。そして、このリング３４の他端側には、ＰＰＳ（ｐｏｌｙ  ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｓｕｌｆｉｄｅ：ポリフェニレンサルファイド）等の高分子フィルムの一面に金属膜を蒸着させて導電層を形成した導電性膜である振動膜３３が配置される。なお、この例の振動膜３３は、その片面側（金属膜側）の周縁部をリング３４の一端に密着させ、貫通孔３２に面する位置に端面３１ａと略並行に配置される。この振動膜３３のリング３４側と反対の側には、リング状をなす絶縁スペーサ３６（例えば、ＰＩ（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ：ポリイミド）等の耐熱性高分子物質によって構成される）を介し、真ちゅうやステンレス等の金属によって構成された板である背極３５が配置される。なお、背極３５には貫通孔３８が形成されている。また、背極３５の振動膜３３側の面には、ＰＴＦＥ（Ｐｏｌｙｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ：四ふっ化エチレン）等の高分子材料からなるエレクトレット誘電体膜３７が形成されている。ここで、振動膜３３と背極３５とは略並行に配置され、これらを電極としたコンデンサが形成されている。【００１７】  一方、筒状ケース３１の（端面３１ａの他端側に位置する）開口部３１ｃ側には、円盤形状をなす回路基板３９が収容されている。なお、この回路基板３９は、ガラスエポキシ（Ｇｌａｓｓ  ｅｐｏｘｙ）等の絶縁基板の両面に銅めっき等によって所定の電極パターンが形成されたものである。この例の場合、回路基板３９の外面には、円形パターン４４及び環状パターン４５（本形態ではこれらを総称して「端子電極パターン」とする）が形成されている。ここで、円形パターン４４は、回路基板３９の外面の中心部分に形成された円形の電極パターンである。また、環状パターン４５は、円形パターン４４の外周側を一定の距離をおいて囲む環状の端子電極パターンである（図２Ａ，図４Ａ参照）。また、図示は行わないが、この例の回路基板３９の内面には、所定の回路を構成する電極パターンが銅めっき等によって形成されている。なお、円形パターン４４及び環状パターン４５は、それぞれスルーホール（図示せず）を介し、回路基板３９の内面の対応する電極パターンに導通されている。【００１８】  また、回路基板３９と背極３５との間には、真ちゅうやステンレス等の金属によって構成された円筒状のリング４１が介在している。そして、このリング４１を通じ、回路基板３９内面に形成された電極パターンと背極３５とが導通され、さらにリング４１と回路基板３９と背極３５とで囲まれた空間が形成されている。また、この空間側に位置する回路基板３９内面の電極パターン（図示せず）上には、インピーダンス変換用のＦＥＴ４３やその他の回路素子が実装される（図２Ａでは一部を省略している）。【００１９】  また、リン���４１の外周側には、ＰＰＡ（ｐｏｌｙｐｈｔｈａｌａｍｉｄｅ：ポリフタルアミド），ＬＣＰ（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｐｏｌｙｍｅｒ：液晶ポリマー）等の高分子物質によって構成された円筒状のホルダ４２が配置されている（すなわち、ホルダ４２の内部にリング４１が挿入されている）。ここでホルダ４２の回路基板３９側の一端は、回路基板３９の内面側縁部に接している。また、ホルダ４２の背極３５側の一端は、その内周に設けられた段部４２ａによって背極３５の外周の角部（回路基板３９側の角）を保持している。これにより、背極３５はホルダ４２に対して位置決めされて固定される。【００２０】  回路基板３９の筒状ケース３１への固定は、筒状ケース３１内に振動膜３３が固着されたリング３４、絶縁スペーサ３６、エレクトレット誘電体膜３７が形成された背極３５、ホルダ４２、リング４１及び回路基板３９が収納され、筒状ケース３１の開口端を内側に曲げたかしめ部３１ｂがかしめられることによって行われる。このかしめにより、回路基板３９の周縁部が筒状ケース３１の開放端先端部３１ｂａとホルダ４２との間に挟み込まれ、開放端先端部３１ｂａが環状パターン４５に圧接される。そして、これによって回路基板３９が開口部３１ｃ側に固定され、当該開口部３１ｃが塞がれる（図２Ａ参照）。【００２１】  また、回路基板３９の外面側には基板５１が貼り付けられている。
この例の基板５１はガラスエポキシ等の絶縁体で構成された円盤状の基板であり、そのサイズは回路基板３９の外面側においてかしめ部３１ｂによって囲まれる領域よりも小さい（小径である）（図２及び図３参照）。基板５１の回路基板３９側の面には、円形パターン５５及び環状パターン５６（本形態ではこれらを総称して「第２基板電極パターン」とする）が形成されている（図２Ａ，図３Ｂ，図４Ｂ参照）。ここで、円形パターン５５は、基板５１の回路基板３９側の面の中心部分に形成された円形の電極パターンである。また、環状パターン５６は、円形パターン５５の外周を一定の距離をおいて囲む環状の電極パターンである。【００２２】  また、基板５１の回路基板３９側の面と反対の面には、円形パターン５２及び環状パターン５３（本形態ではこれらを総称して「第１基板電極パターン」とする）が形成されている（図２，図３Ａ参照）。ここで、円形パターン５２は、基板５１の回路基板３９側とは反対の面の中心部分に形成された円形の電極パターンである。また、環状パターン５３は、円形パターン５２の外周を一定の距離をおいて囲む環状の電極パターンである。またこの例の場合、円形パターン５２と円形パターン５５、及び環状パターン５３と環状パターン５６は、それぞれ基板５１を介して互いに対向するように形成される。なお、基板５１の側面５１ａには電極パターンが形成されておらず、当該側面５１ａは絶縁体となっている。【００２３】  さらに基板５１には、円形パターン５５部分から円形パターン５２部分へ貫通するスルーホール５４ａと、環状パターン５６部分から環状パターン５３部分へ貫通するスルーホール５４ｂとが設けられている。また、スルーホール５４ａの内壁には内壁電極５４ａａが、スルーホール５４ｂの内壁には内壁電極５４ｂａが、それぞれ形成されている。このような構成により、円形パターン５５と円形パターン５２とがスルーホール５４ａ内壁の内壁電極５４ａａを介して電気的に接続され、環状パターン５６と環状パターン５３とがスルーホール５４ｂ内壁の内壁電極５４ｂａを介して電気的に接続されている（図２Ａ参照）。【００２４】  また、基板５１には、円形パターン５２と環状パターン５３との間の領域５１ｂから、円形パターン５５と環状パターン５６との間の領域５１ｃへ貫通する貫通孔５７が設けられている（図２から図４参照）。
なお、スルーホール５４ａ、５４ｂ、貫通孔５７、円形パターン５２，５５、環状パターン５３，５６及び内壁電極５４ａａ，５４ｂａの形成は、例えば以下のように行う。まずドリル加工やレーザー加工等によって、ガラスエポキシ等の基板５１にスルーホール５４ａ、５４ｂが形成される。次に、フォトリソグラフィ（Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）等によって、円形パターン５２，５５及び環状パターン５３，５６が形成される部分を除く基板５１表面部分にマスクが形成される。そして、このマスクが形成された基板５１に銅めっき等が施され、円形パターン５２，５５、環状パターン５３，５６及び内壁電極５４ａａ，５４ｂａが形成される。そして、このマスクを除去した後、ドリル加工やレーザー加工等によって貫通孔５７を形成する。【００２５】  このように構成された基板５１は、例えば、半田、導電性接着剤等により、かしめ部３１ｂが位置する回路基板３９外面の外周側を除く回路基板３９外面部分に、かしめ部３１ｂから所定の距離をおいて固着される（図２Ａ及び図３Ａ参照）。これにより、基板５１の円形パターン５５が回路基板３９の円形パターン４４と電気的に接続され、基板５１の環状パターン５６が回路基板３９の環状パターン４５と電気的に接続される。また、基板５１に設けられた貫通孔５７により、回路基板３９、基板５１及びそれらの間に形成された電極パターン（即ち、円形パターン４４，５５及び環状パターン４５，５６）によって囲まれた空間５８と、ＥＣＭ３０の外部空間と、が連結される。なお、この例の基板５１、円形パターン５２，５５及び環状パターン５３，５６を含めた厚さＢは、回路基板３９外面のかしめ面４５ｂに対するかしめ部３１ｂの高さＡ以上となっている（図２Ａ参照）。【００２６】  以上の構成により、背極３５は、リング４１、回路基板３９内面に形成された電極パターン（図示せず）、ＦＥＴ４３のゲート端子やその他の回路素子と電気的に接続され、さらに回路基板３９のスルーホール（図示せず）、円形パターン４４、５５を通じて、出力端子をなす円形パターン５２と電気的に接続される。また、振動膜３３は、リング３４、筒状ケース３１、そのかしめ部３１ｂ、環状パターン４５、環状パターン５６及び内壁電極５４ｂａを通じてアース端子をなす環状パターン５３と電気的に接続される。そして、基板５１外面の円形パターン５２及び環状パターン５３の形成面がリフロー半田付け面となる。これにより、リフロー半田付け面である基板５１の外面側と、かしめ部３１ｂが圧接されている回路基板３９のかしめ面４５ｂとの間には段差が生じることになる。なお、円形パターン５２上の中心位置には、半田バンプ電極４７ａが１個形成される。また、環状パターン５３上には、半田バンプ電極４７ｂが１２０°間隔で３個形成される。ちなみに半田バンプ電極４７ａ，４７ｂは、例えば印刷により形成される。なお、半田バンプ電極４７ｂは３個に限らず、４個以上形成してもよい。但し、この例のように３個形成すれば、実装基板の配線パターン上にＥＣＭ３０を水平に安定して載置することができる。【００２７】  図５は、上述したＥＣＭ３０が相手方の実装基板６１にリフロー半田付けで実装された状態を示した断���図である。
この例の実装基板６１の配線パターン（図示せず）上には半田層が形成されている。そして、この半田層上に上述したＥＣＭ３０の半田バンプ電極４７ａ，４７ｂをそれぞれ配置し、リフロー炉に通して半田を加熱溶融することにより、リフロー半田付けが行われる。なお、必ずしも半田バンプ電極４７ａ，４７ｂを形成する必要はない。この例の構成では、リフロー半田付け面自体がかしめ部３１よりも突出しているからである。よって、例えば相手側の実装基板にメタルマスクで３ヶ所以上の半田ペーストを形成し、この半田ペーストによってＥＣＭ３０を実装基板６１に実装することとしてもよい。【００２８】  図５に示したように、この例では、回路基板３９の外面側に固着された基板５１に形成された外部接続用の出力端子をなす円形パターン５２及びアース端子をなす環状パターン５３がリフロー半田付け面とされている。つまり、リフロー半田付け面が筒状ケース３１のかしめ部３１ｂよりも突出している。そのため、かしめ部３１ｂが実装基板６１の板面に当たって半田接合面に浮きが生じるといった不具合を抑制できる。その結果、ＥＣＭ３０のリフロー半田付けを良好に行うことが可能となる。つまりリフローによる自動半田付けを低い不良率で行うことが可能となり、その点で生産性の向上を図ることができる。【００２９】  また、この例では回路基板３９の外面側に固着された基板５１の外面をリフロー半田付け面とするため、半田溶融熱のＥＣＭ３０内部への伝導を抑制することができる。その結果、半田溶融熱によるＥＣＭ３０の性能低下や破損を防止することができる。
さらに、リフロー時に円形パターン４４とそれを囲む環状パターン４５との間の空間５８が密閉されると、空気の熱膨張により半田付け不良や回路基板３９の変形等が生じるおそれがある。そして、例えば回路基板３９が変形すると、回路基板３９と電気接続用のリング４１との接触不良や、ＥＣＭ３０内に生じた歪みに起因する感度変化や感度不良（性能不良）の発生原因となる。しかし、この例では基板５１に上述の空間５８と基板５１外部とをつなぐ貫通孔５７が設けられている。そのため、この貫通孔５７が空間５８内の空気の逃げ道となり、空気の熱膨張による半田付け不良や回路基板３９の変形等を防止することができる。【００３０】  また、この例の場合、リフロー半田付け面である基板５１の外面側と、かしめ部３１ｂが圧接されている回路基板３９のかしめ面４５ｂとの間には段差が存在する。この鉛直方向の段差の存在及び段差によるリフロー半田付け面からかしめ部３１ｂまでの沿面距離の増大によって、リフロー半田付け面から流出した半田やフラックスがＥＣＭ３０内に流入するのを抑制することができる。その結果、半田やフラックスがＥＣＭ３０内に流入することによってＥＣＭ３０の性能が損なわれ、ＥＣＭ３０が正常に作動しなくなる事態を防止できる。【００３１】  また、この例の場合、リフロー半田付け面とかしめ面４５ｂとの間に存在する段差面は、絶縁体である基板５１の側面５１ａによって構成される。一般に絶縁体の半田濡れ性は低い。そのため、この例の場合、側面５１ａが障害となりリフロー半田付け面からＥＣＭ３０内への半田の流れ込みをより良好に阻止できる。
また、この例の構成は、基板５１を回路基板３９に固着させることのみによって実現できる。例えば、従来の構成のＥＣＭに基板５１を固着するだけでこの例の構成を実現できる。これは、新たな設備投資や設計変更等を殆ど行うことなく本構成のＥＣＭ３０を導入できることを意味する。また、ＥＣＭ３０はこのようにシンプルな構成であるため、その製造コストは安い。【００３２】  〔第２の実施の形態〕
次に本発明における第２の実施の形態について説明する。
本形態は第１の実施の形態の変形例である。以下では第１の実施の形態との相違点を中心に説明し、共通する部分については説明を省略する。
図６から図８は、本形態におけるＥＣＭ７０の構成を示した図である。ここで、図６Ａは図６Ｂの６Ａ−６Ａ断面図であり、図６ＢはＥＣＭ７０の底面図であり、図６ＣはＥＣＭ７０の上面図である。また、図７Ａは、ＥＣＭ７０の斜め上面方向からみた斜視図であり、図７Ｂは、ＥＣＭ７０の斜め下面方向からみた斜視図であり、図７Ｃは、ＥＣＭ７０において基板８１を分解した状態を示した分解図である。また、図８は、ＥＣＭ７０から基板８１を取り外した状態における基板８１の上面図である。なお、これらの図において第１の実施の形態と共通する部分については第１の実施の形態と同じ符号を付している。【００３３】  図６から図８に例示するように、本形態のＥＣＭ７０は、筒状ケース３１、振動膜３３、リング３４、背極３５、絶縁スペーサ３６、エレクトレット誘電体膜３７、回路基板３９、リング４１、ホルダ４２、ＦＥＴ４３及び基板８１を有している。なお、ＥＣＭ７０の筒状ケース３１、振動膜３３、リング３４、背極３５、絶縁スペーサ３６、エレクトレット誘電体膜３７、回路基板３９、リング４１、ホルダ４２、ＦＥＴ４３については第１の実施の形態と同様であるため説明を省略する。
本形態のＥＣＭ７０も回路基板３９の外面側に基板８１が貼り付けられた構成となる。【００３４】  この例の基板８１はガラスエポキシ等の絶縁体で構成された角型の基板である。また、そのサイズは筒状ケース３１の端面３１ａの領域よりも大きい（図６から図８参照）。基板８１の回路基板３９側の面には、円形パターン８５及び環状パターン８６（本形態ではこれらを総称して「第２基板電極パターン」とする）が形成されている（図６Ａ，図７Ｃ，図８参照）。ここで、円形パターン８５は、基板８１の回路基板３９側の面の中心部分に形成された円形の電極パターンである。また、環状パターン８６は、円形パターン８５の外周を一定の距離をおいて囲む環状の電極パターンである。第１の実施の形態との相違点は、円形パターン８５及び環状パターン８６の厚みＤが、回路基板３９外面のかしめ面４５ｂに対するかしめ部３１ｂの高さＡ以上となっている点である（図６Ａ参照）。【００３５】  また、基板８１には、円形パターン８５形成部分及び環状パターン８６形成部分を一端として基板８１を貫通するスルーホール８４ａ，８４ｂが形成されている。そして、スルーホール８４ａ，８４ｂの内部には円形パターン８５、環状パターン８６にそれぞれに導通する電極８４ａａ，８４ｂａが充填されている。
また、基板８１の回路基板３９側の面と反対の面には、電極８４ｂａと導通するアース端子パターン８２、及び電極８４ａａと導通する出力端子パターン８３（本形態ではこれらを総称して「第１基板電極パターン」とする）が形成されている（図６Ｂ，図７Ｂ参照）。図６Ｂに示すように、アース端子パターン８２は、当該面側の一つの角部分に形成された四角形の電極８２ａ、当該面側の別の角部分に形成された四角形の電極８２ｂ、及びこれらとスルーホール８４ｂ部分とをつなぐ配線電極８２ｃによって形成されている。また出力端子パターン８３は、当該面側のさらに別の角部分に形成された四角形の電極８３ａ、当該面側のさらに別の角部分に形成された四角形の電極８３ｂ、及びこれらとスルーホール８４ａ部分とをつなぐ配線電極８３ｃによって形成されている。なお、図６Ｂ等に例示するように、電極８２ａ，８２ｂ，８３ａ，８３ｂは、基板８１のエッジ部分に接する位置に形成される。【００３６】  また、図６から図８に示すように、基板８１には、円形パターン８５と環状パターン８６との間の領域８１ｃ（図７Ｃ参照）から、その裏面のアース端子パターン８２及び出力端子パターン８３が形成されていない位置へ貫通する貫通孔８７が設けられている。
さらに、図６Ｃ，図７Ａ，図７Ｂ及び図８に示すように、基板８１の、円形パターン８５及び環状パターン８６の形成面側の一角にはマーキング８９が形成されている。このマーキング８９は、塗料等によって描くことによって形成してもよいし、基板８１表面を削るなどして形成してもよい。また、図６Ｃに例示するように、本形態のＥＣＭ７０の基板８１の一部は筒状ケース３１の側面よりも外側に位置する。マーキング８９はこの側面よりも外側に位置する部分に設けられ、これによりＥＣＭ７０の向き（図６Ｃに垂直な軸を中心とした回転方向の向き）が端面３１ａ側から識別可能なようになっている。【００３７】  なお、スルーホール８４ａ、８４ｂ、貫通孔８７、円形パターン８５、環状パターン８６、アース端子パターン８２、出力端子パターン８３、電極８４ａａ，８４ｂａの形成は、例えば以下のように行う。
まず、ガラスエポキシ等の基板８１にスルーホール８４ａ、８４ｂが形成される。次に、円形パターン８５、環状パターン８６、アース端子パターン８２及び出力端子パターン８３が形成される部分を除く基板８１の表面部分にマスクが形成される。そして、アース端子パターン８２及び出力端子パターン８３が所望の厚さで形成されるまで銅めっきを施す。これにより、基板８１に、アース端子パターン８２及び出力端子パターン８３が形成され、円形パターン８５、環状パターン８６及び電極８４ａａ，８４ｂａの一部が形成された。次に、先のマスクはそのままとして、新たにアース端子パターン８２及び出力端子パターン８３部分を覆うマスクを形成する。そして、円形パターン８５及び環状パターン８６が所望の厚さとなるまで銅めっきを施して円形パターン８５、環状パターン８６及び電極８４ａａ，８４ｂａを形成する。そして、マスクを除去した後、貫通孔８７を形成する。【００３８】  このように構成された基板８１は、例えば、半田、導電性接着剤等により、円形パターン８５及び環状パターン８６を介して回路基板３９外面に固着される（図６Ａ参照）。これにより、基板８１の円形パターン８５が回路基板３９の円形パターン４４と電気的・機械的に接続され、基板８１の環状パターン８６が回路基板３９の環状パターン４５と電気的・電気的に接続される。また、基板８１に設けられた貫通孔８７により、回路基板３９、基板８１及びそれらの間に形成された電極パターン（即ち、アース端子パターン８２、出力端子パターン８３、円形パターン４４及び環状パターン４５）によって囲まれた空間８８と、ＥＣＭ７０の外部空間とが連結される。以上の構成により、基板８１外面のアース端子パターン８２及び出力端子パターン８３の形成面がリフロー半田付け面となる。【００３９】  このような構成の場合、リフロー半田付け面が筒状ケース３１のかしめ部３１ｂの外部に位置することになる。その結果、かしめ部３１ｂが実装基板の板面に当たって半田接合面に浮きが生じるといった不具合を抑制できる。
また、この例の場合も、リフロー半田付け面である基板８１の外面側と、かしめ部３１ｂが圧接されている回路基板３９のかしめ面４５ｂとの間には段差が存在する。さらに、この例では、円形パターン８５及び環状パターン８６の厚みＤが、回路基板３９外面のかしめ面４５ｂに対するかしめ部３１ｂの高さＡ以上となっているため、基板８１のサイズをかしめ部３１ｂで縁取られる範囲よりも大きくできる。つまり、この例の構成では、筒状ケース３１の大きさが同じであっても基板８１のサイズを第１の実施の形態の基板５１よりも大きくできる。その結果、リフロー半田付け面からかしめ部３１ｂまでの沿面距離をより増大させることができ、リフロー半田付け面から流出した半田やフラックスがＥＣＭ７０内に流入することをより効果的に抑制できる。【００４０】  さらに、この例では基板８１を角型にしたためＥＣＭ７０の製造効率もよい。例えば、１枚のマザー基板に複数の基板８１を形成し、そのまま貫通孔８７や円形パターン８５等を形成して複数の筒状ケース３１部分を取り付けた後、このマザー基板をダイシング加工やトリミング加工し、各ＥＣＭ７０をとりだすといった製法をとることができる。これにより、生産工程の自動化等が容易となり生産効率が向上する。
また、この例のアース端子パターン８２及び出力端子パターン８３は、ともに基板８１の縁部分に接している。そのため、ＥＣＭ７０の実装後、アース端子パターン８２や出力端子パターン８３と実装基板との間が非接触の状態となっても、基板８１の側面から半田付けを行うことによりその修復を行うことができる。【００４１】  また、この例では、基板８１の一部が筒状ケース３１の側面よりも外側に位置し、この側面よりも外側に位置する部分に、向きを示すマーキング８９が設けられている。これにより、ＥＣＭ７０を実装する向きの確認が容易となる。
その他、第１の実施の形態と同様、本形態の構成により、ＥＣＭ７０内部への半田溶融熱の伝導の抑制、空気の熱膨張による半田付け不良や回路基板３９の変形等の防止、導入の容易性、コストの低減等の効果も奏する。【００４２】  なお、本形態の変形例として、基板８１の形状やマーキング８９を他の手法により構成したものを例示できる。例えば、図９は、基板１０１の一つの角を除去し、それをマーキング１０４としたＥＣＭ９０の例である。ここで図９Ａは、ＥＣＭ９０の斜め上面方向からみた斜視図であり、図９Ｂは、ＥＣＭ９０の斜め下面方向からみた斜視図であり、図９Ｃは、ＥＣＭ９０において基板１０１を分解した状態を示した分解図である。この例のＥＣＭ９０の構成は、基板１０１の角除去部分がマーキング１０４となり、出力端子パターン８３が出力端子パターン１０３に置き換わる以外は、上述のＥＣＭ７０と同様である。【００４３】  また、図１０は、基板８１の代わりに円盤状の基板１２１を用いたＥＣＭ１１０の例である。ここで図１０Ａは、ＥＣＭ１１０の斜め上面方向からみた斜視図であり、図１０Ｂは、ＥＣＭ１１０の斜め下面方向からみた斜視図であり、図１０Ｃは、ＥＣＭ１１０において基板１２１を分解した状態を示した分解図である。この例のＥＣＭ１１０の構成は、基板８１の代わりに筒状ケース３１の端面３１ａよりもサイズの大きな円盤状の基板１２１を用い、アース端子パターン８２の代わりに円形パターン１２２が形成され、出力端子パターン８３の代わりに環状パターン１２３が形成される点以外は、上述のＥＣＭ７０と同様である。【００４４】  〔第３の実施の形態〕
次に本発明における第３の実施の形態について説明する。
本形態は第１の実施の形態の変形例である。以下では第１の実施の形態との相違点を中心に説明し、共通する部分については説明を省略する。
図１１は、本形態におけるＥＣＭ１３０の構成を示した図である。ここで、図１１Ａは図１１Ｂの１１Ａ−１１Ａ断面図であり、図１１ＢはＥＣＭ１３０の基板１４３部分のみの上面図である。【００４５】  本形態のＥＣＭ１３０も回路基板３９の外面側に基板１４３が貼り付けられた構成となる。
この例の基板１４３は、ガラスエポキシ等の絶縁体で構成された角型の基板１４２に、小さな円盤状の絶縁体の基板１４１を貼り付けて構成される（図１１参照）。ここで、基板１４２のサイズは、かしめ部３１ｂで縁取られる範囲以上である。また、基板１４１のサイズは、かしめ部３１ｂで縁取られる範囲よりも小さい（図１１Ａ参照）。さらに、基板１４１の厚みＥは、かしめ面４５ｂに対するかしめ部３１ｂの高さＡ以上となっている。【００４６】  基板１４１の回路基板３９側の面には、第１の実施の形態の円形パターン８５及び環状パターン８６と同様な円形パターン１０５及び環状パターン１０６（本形態ではこれらを総称して「第２基板電極パターン」とする）が形成されている（図１１参照）。また、基板１４２の基板１４１と反対面側には、第２の実施の形態と同様なアース端子パターン８２や出力端子パターン８３（本形態ではこれらを総称して「第１基板電極パターン」とする）が形成されている。【００４７】  また、基板１４３には、基板１４１，１４２を円形パターン１０５から出力端子パターン８３へ貫通するスルーホール１４４ａと、基板１４１，１４２を環状パターン１０６からアース端子パターン８２へ貫通するスルーホール１４４ｂとが形成されている。また、スルーホール１４４ａ，１４４ｂの内壁には、それぞれ内壁電極１４４ａａ，１４４ｂａが形成されている。そして、内壁電極１４４ａａを通じ、円形パターン１０５と出力端子パターン８３とが導通している。また、内壁電極１４４ｂａを通じ、環状パターン１０６とアース端子パターン８２とが導通している。また、図１１に示すように、基板１４３には、円形パターン１０５と環状パターン１０６との間の領域１４１ｃから基板１４３外部に貫通する貫通孔１４７が設けられている。【００４８】  このように構成された基板１４３の基板１４１は、例えば、半田、導電性接着剤等により、回路基板３９の外面に固着される（図１１Ａ参照）。これにより、基板１４１の円形パターン１０５が回路基板３９の円形パターン４４と電気的に接続され、基板１４１の環状パターン１０６が回路基板３９の環状パターン４５と電気的に接続される。また、基板１４３に設けられた貫通孔１４７により、回路基板３９、基板１４１及びそれらの間に形成された電極パターンによって囲まれた空間１４８と、ＥＣＭ１３０の外部空間と、が連結される。以上の構成により、基板１４２外面のアース端子パターン８２及び出力端子パターン８３の形成面がリフロー半田付け面となる。【００４９】  以上のような構成としても上述の第１の実施の形態と同等以上の効果を得ることができる。
また、この例の場合も、第２の実施の形態と同様に基板１４２のサイズをかしめ部３１ｂで縁取られる範囲よりも大きくできる。その結果、リフロー半田付け面から流出した半田やフラックスがＥＣＭ１３０内に流入することをより効果的に抑制できる。【００５０】  〔第４の実施の形態〕
次に本発明における第４の実施の形態について説明する。
本形態は第１の実施の形態の変形例である。以下では第１の実施の形態との相違点を中心に説明し、共通する部分については説明を省略する。
図１２は、本形態におけるＥＣＭ１５０の構成を示した断面図である。なお、この図において第１の実施の形態と共通する部分については同じ符号を付した。【００５１】  本形態のＥＣＭ１５０は、基板５１の回路基板３９側の面に円形パターン５５及び環状パターン５６が形成されない点で、第１の実施の形態のＥＣＭ３０と相違する。また、基板５１の回路基板３９への固着は、半田、導電性接着剤等を用いる。ただ、基板５１の回路基板３９側面に存在する電極は、スルーホール５４ａ，５４ｂの内壁電極５４ａ，５４ｂの断面部分のみである。よって、半田のみによって基板５１を回路基板３９に固着させるのではなく、半田の代わりに導電性接着剤を用い、内壁電極５４ａ，５４ｂと、円形パターン４４及び環状パターン４５との電気的・機械的接続を行ってもよい。【００５２】  〔第５の実施の形態〕
次に本発明における第５の実施の形態について説明する。
本形態は第１の実施の形態の変形例である。以下では第１の実施の形態との相違点を中心に説明し、共通する部分については説明を省略する。
図１３は、本形態におけるＥＣＭ１６０の構成を示した図である。ここで、図１３Ａは図１３Ｂの１３Ａ−１３Ａ断面図であり、図１３ＢはＥＣＭ１６０の底面図である。なお、これらの図において第１の実施の形態と共通する部分については第１の実施の形態と同じ符号を付している。【００５３】  図１３に例示するように、本形態のＥＣＭ１６０は、筒状ケース３１、振動膜３３、リング３４、背極３５、絶縁スペーサ３６、エレクトレット誘電体膜３７、回路基板３９、リング４１、ホルダ４２、ＦＥＴ４３、円形パターン１６４、環状パターン１６５及び半田バンプ電極４７ａ，４７ｂを有している。第１の実施の形態との主な相違点は、ＥＣＭ１６０が基板５１を有さず、代わりにかしめ部３１ｂよりも突出した円形パターン１６４及び環状パターン１６５をリフロー半田付け面とする点である。以下、この点を中心に説明する。【００５４】  図１３Ａに例示するように、回路基板３９の外面には端子電極パターンが形成されている。この例の端子電極パターンは、出力端子をなす円形パターン１６４と、その円形パターン１６４を一定の距離をおいて囲むアース端子をなす環状パターン１６５とよりなる。これら円形パターン１６４及び環状パターン１６５は、回路基板３９の外面に対する筒状ケース３１のかしめ部３１ｂの高さ（突出高さ）以上に形成された突出面１６４ａ，１６５ａを有する。そして、図１３Ａに例示するように、円形パターン１６４はその全面が突出面１６４ａとされ、環状パターン１６５はかしめ部３１ｂと離間した内周側に環状をなす突出面１６５ａを備える。【００５５】  この例の環状パターン１６５の突出面１６５ａには、スリット１６６が径方向に形成されている。そして、このスリット１６６によって環状パターン１６５の内周側と外周側とが連通されている。また、突出面１６５ａ上には半田バンプ電極４７ｂが１２０°間隔で３個形成されている。一方、円形パターン１６４の突出面１６４ａ上にはその中心に半田バンプ電極４７ａが１個形成されている（なお、前述したように、必ずしも半田バンプ電極４７ａ，４７ｂを形成する必要はない。）。筒状ケース３１のかしめ部３１ｂは、環状パターン１６５の高さの低い面、つまり厚さの薄い外周側のかしめ面１６５ｂに位置して環状パターン１６５と圧接されている。そして、振動膜３３は、リング３４、筒状ケース３１及びそのかしめ部３１ｂを介してアース端子をなす環状パターン１６５に電気的に接続されている。なお、環状パターン１６５及び円形パターン１６４はそれぞれスルーホール（図示せず）を介して内面側の対応する電極パターンと導通されている。【００５６】  上記のような構造において、円形パターン１６４及び環状パターン１６５は銅めっきによって形成され、そのめっき厚を大とすることにより突出面１６４ａ及び１６５ａが形成される。また、半田バンプ電極４７ａ，４７ｂは例えば印刷により形成される。
ここで、円形パターン１６４及び環状パターン１６５のめっき厚を大とすることにより突出面１６４ａ及び１６５ａを形成するには、以下の通りにする。【００５７】  まず、円板状の回路基板３９を準備する。次に、この回路基板３９の外表面とされるべき側に、図１３に図示される通りの形状の円形パターン１６４及び環状パターン１６５が形成されるべき領域以外の領域、即ち、形成された暁の円形パターン１６４の外周縁と形成された暁の環状パターン１６５の内周縁との間の環状領域にマスクを形成する。そして、このような回路基板３９に対し、電極パターンである円形パターン１６４及び環状パターン１６５として必要な厚さの銅めっきが形成される迄めっきを施す。これで、電極パターンである円形パターン１６４及び環状パターン１６５が形成された。【００５８】  次いで、先のマスクはそのままとして、この環状パターン１６５の内の突出面１６５ａを形成すべき領域以外の領域、即ち、環状パターン１６５の形成されるべき領域の外周縁の外側の環状領域にマスクを形成する。そして、このような回路基板３９に対し、必要な厚さの段差１６５ｃが形成される迄銅めっきを施す。その後マスキングを除去することにより、所望の円形パターン１６４及び環状パターン１６５、段差１６５ｃ、各突出面１６４ａ、１６５ａが形成された回路基板３９が構成される。【００５９】  この例では外部接続用の出力端子をなす円形パターン１６４及びアース端子をなす環状パターン１６５の各突出面１６４ａ，１６５ａが、リフロー半田付け面とされている。よって、環状パターン１６５のケースかしめ部３１ｂが圧接しているかしめ面４５ｂとリフロー半田付け面（突出面１６５ａ）との間には段差１６５ｃが存在している。そして、この鉛直方向の段差１６５ｃの存在及び段差１６５ｃによるリフロー半田付け部からかしめ部３１ｂまでの沿面距離の増大によって、半田やフラックスがＥＣＭ１６０内に流入することを防止できる。さらに円形パターン１６４及び環状パターン１６５の厚みによって半田溶融熱のＥＣＭ１６０内への伝導を抑制できる。【００６０】  また、このような段差１６５ｃの存在によって、例えばかしめ部３１ｂが実装基板の板面に当たって半田接合面に浮きが生じるといった不具合も発生しない。よってこの例によればリフロー半田付けを良好に行うことができ、つまりリフローによる自動半田付けを行うことができ、その点で生産性の向上を図ることができる。
また、この例では環状パターン１６５の突出面１６５ａにスリット１６６が設けられている。そのため、このスリット１６６が空気の逃げ道となり、空気の熱膨張による半田付け不良や回路基板３９の変形等を防止できる。【００６１】  なお、上述した例では突出面１６５ａにスリット１６６を一箇所設けているが、複数箇所にスリット１６６を設けるようにしてもよい。また、突出面１６５ａ上に１２０°間隔で半田バンプ電極４７ｂを３個形成しているが、３個に限らず、４個以上形成してもよい。但し、この例のように３個形成すれば、実装基板の配線パターン上にＥＣＭ１６０を水平に安定して載置することができる。【００６２】  〔第６の実施の形態〕
端子電極パターンの突出面は、回路基板の外面に貼り付けられた金属箔の一部を表面からエッチング除去することにより形成することができる。以下、この第６の実施の形態を説明する。
図１４Ａから１４Ｅは、本形態の端子電極パターンの突出面形成手順を説明するための断面図である。
図１４Ａは銅箔貼り付け基板を示し、これを円板状に加工することにより、表面に銅箔２４０が貼り付けられた回路基板２３９が原材料の基板として形成される。この回路基板２３９は厚さ２００μｍ程度の合成樹脂より成り、その一方の表面に１７５μｍ程度の厚さの銅箔が貼り付けられている。
次に、図１４Ｂに示すように、回路基板２３９の必要なところにドリルにより上下に貫通するスルーホール２５０が穿設される。【００６３】  回路基板２３９にスルーホール２５０を穿設した後、図１４Ｃに示すように、回路基板２３９の両表面にめっき処理が施され、１８μｍ程度の厚さの銅めっき箔２４０′が形成される。なお、この銅箔は、全体として１９３μｍの厚さとなる。
次に、図１４Ｄに示すように、銅めっき箔２４０′の内の円形パターン２４４の突出面２４４ａ及び環状パターン２４５の突出面２４５ａを形成すべき領域にマスクが形成される。即ち、円形パターン２４４の突出面２４４ａを形成すべき領域の外周縁と環状パターン２４５の突出面２４５ａを形成すべき領域の内周縁との間の環状領域２４９及び環状パターン２４５の突出面２４５ａを形成すべき領域の外周縁の外側の環状領域２４８の双方の領域以外の領域にマスキングが形成される。その後、回路基板２３９の全体にエッチング処理が施される。このエッチング処理は、回路基板２３９の表面に残存する銅箔２４０の厚さの段差２４５ｃ（或いは高さ）が、必要な段差２４５ｃ（或いは高さ）に達するまで実施される。図１４Ｄは、回路基板２３９の表面に残存する銅箔２４０の厚さに銅めっき箔２４０′の厚さを加えた段差２４５ｃ（或いは高さ）が、円形パターン２４４の突出面２４４ａに必要な段差（或いは高さ）に達するまで、エッチング処理が実施されたところを示している。【００６４】  次いで、円形パターン２４４の突出面２４４ａを形成すべき領域の外周縁と環状パターン２４５の突出面２４５ａを形成すべき領域の内周縁との間の環状領域２４９に形成されたマスキングを除去する。そして、環状パターン２４５の突出面２４５ａを形成すべき領域の外周縁の外側の環状領域２４８に形成されたマスキングはそのまま残存した状態で、回路基板２３９の全体にエッチング処理を施す。このエッチング処理は、環状領域２４９に存在する銅箔２４０および回路基板２３９の他方の表面に残存する銅箔２４０′の双方がエッチング除去されたところで終止する。ここで、環状領域２４９に存在する銅箔２４０は除去されている。その後、環状領域２４８に形成されたマスキングを除去する。【００６５】  その後、図１４Ｅに示すように、環状領域２４９に存在する銅箔２４０および回路基板２３９の他方の表面に残存する銅箔２４０′の双方がエッチング除去される。以上により、所望の円形パターン２４４及び環状パターン２４５、段差２４５ｃ、各突出面２４４ａ、２４５ａが形成された回路基板２３９が構成される。なお、回路基板２３９の表面２３９′は露出している。
なお、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではない。例えば、上述の各実施の形態ではバックエレクトレットタイプのＥＣＭを例にとって説明したが、フロントエレクトレットタイプのＥＣＭに本発明を適用することとしてもよい。【００６６】  また、第１から第４の実施の形態において、回路基板に貼り付けられる基板の厚みを、回路基板外面のかしめ面に対するかしめ部の高さ以下としてもよい。さらに、基板等の形状は上述の実施の形態に限定されるものではない。また、第１から第４の実施の形態では空気の抜け道となる貫通孔を基板に形成することとしたが、これを形成しないこととしてもよい。また、この貫通孔を基板に形成する代わりに回路基板と基板との間に半田バンプ電極を形成し、この半田バンプ電極の隙間を空気の抜け道とする構成にしてもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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