【手続補正書】
【提出日】平成20年1月21日(2008.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電子ビームの照射を個別に制御する複数のブランキング電極と、前記ブランキング電極を駆動するための駆動
信号を伝送する伝送線路とを備えた電子光学系を用いて、露光ビームを試料の上に収束させ所定のパターンを露光する電子線露光装置において、
前記伝送線路は、光伝送路と、前記光伝送路の始点側で前記駆動信号を電気信号から光信号に変換する第１の光電変換部と、前記光伝送路の終点側で前記第１の光電変換部で変換された光信号を電気信号に変換する第２の光電変換部とを有し、前記第２の光電変換部で変換された電気信号を前記ブランキング電極に入力することを特徴とする電子線露光装置。
【請求項２】
前記光伝送路は基板に形成された光導波路を有する、ことを特徴とする請求項１に記載の電子線露光装置。
【請求項３】
前記ブランキング電極が形成された第１の基板を有し、前記光伝送路はその終点に載置された前記第２の光電変換部と共に前記第１の基板上に形成されてなる、ことを特徴とする請求項２に記載の電子線露光装置。
【請求項４】
前記ブランキング電極が形成された第１の基板と、前記第１の基板上に形成された前記ブランキング電極へ駆動信号を中継するための第２の基板とを有し、前記光伝送路はその終点に載置された前記第２の光電変換部と共に前記第２の基板上に形成されてなる、ことを特徴とする請求項２に記載の電子線露光装置。
【請求項５】
前記第２の光電変換部は発電素子である、ことを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の電子線露光装置。
【請求項６】
前記第１の光電変換部にて変換された光信号を伝送する光ファイバと、前記光導波路の始点に載置され前記光ファイバと結合するための光結合器とを有し、前記駆動信号は前記光ファイバを通り前記光結合器を経由して前記光導波路に導入され、前記ブランキング電極を駆動する、ことを特徴とする請求項２乃至５の何れか一項に記載の電子線露光装置。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか一項に記載の電子線露光装置を用いて、前記試料に露光を行う工程と、露光された前記試料を現像する工程と、を具備することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記の目的を達成するために、本発明は、複数の電子ビームの照射を個別に制御する複数のブランキング電極と、前記ブランキング電極を駆動するための駆動信号を伝送する伝送線路とを備えた電子光学系を用いて、露光ビームを試料の上に収束させ所定のパターンを露光する電子線露光装置において、前記伝送線路は、光伝送路と、前記光伝送路の始点側で前記駆動信号を電気信号から光信号に変換する第１の光電変換部と、前記光伝送路の終点側で前記第１の光電変換部で変換された光信号を電気信号に変換する第２の光電変換部とを有し、前記第２の光電変換部で変換された電気信号を前記ブランキング電極に入力することを特徴とする。本発明では、電子を放出する電子銃と該電子銃から放出された電子ビームを所望の特性を有する露光ビームに加工するための成形系と、前記ブランカーアレイを通過した露光ビームの位置を制御するための偏向系と、前記露光ビームを試料上に収束させ所望のパターンを描画するための投影系とを備えていてもよい。  
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明は、例えば前記ブランキング電極が形成された第１の基板を有し、前記光伝送路はその終点に載置された前記第２の光電変換部と共に前記第１の基板上に形成することで、光信号から電気信号に再変換した後の電気信号伝送線路の長さを極限まで短くすることが可能となり、その結果電気信号に対する負荷を小さくすることができるようになり発熱問題と周波数特性の更なる向上が期待できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明は、例えば前記ブランキング電極が形成された第１の基板と、前記第１の基板上に形成された前記ブランキング電極へ駆動信号を中継するための第２の基板とを有し、前記光伝送路はその終点に載置された前記第２の光電変換部と共に前記第２の基板上に形成するように構成してもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
実際の描画においては、パターンデータに基づいて、制御系２１内のビーム制御部２２からブランキングモジュール６に対して伝送路８を通して駆動信号を供給し、各ブランキング電極を作動させて複数の電子ビームをＯＮ／ＯＦＦさせながら、中間像７ａ，７ｂの像を磁界レンズ１２と磁界レンズ１６からなる縮小投影系によって試料１８の上に収束させ、磁界偏向器１３と静電偏向器１４を用いて試料１８上を走査し、且つXYZステージ１９を協動せしめて、所定の描画パターンを得ている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
同図において、４２は、描画データを各ビームのオンオフ信号パターンに変換し、所望の露光時間と露光タイミングを提供するデータ処理部である。４１は、前記データ処理部４２からのデータに従って、ブランキングモジュール６に載置され電子ビームを通過させるためのビーム開口３２を有するブランカーのブランキング電極３３に対して、駆動信号を送出するドライバである。４０は、前記ドライバ４１の信号をブランキング電極３３が載置されたブランカー基板３０（本実施例における第１の基板）の入力コネクタ３９へ前記駆動信号を接続するための駆動信号ケーブルである。３８は、駆動信号ケーブル４０を通して伝送されてきた駆動信号を、光伝送路の始点側で電気信号から光信号に変換する第１の光電変換部３７へ供給するための配線パターンである。３４は、第１の光電変換部３７で電気信号から光信号に変換された駆動信号を伝送する複数の光導波路である。３５は、各光導波路３４の終点である末端に光導波路と光学的に結合するように載置され、光伝送路の終点側で前記駆動信号を光信号から電気信号へ変換するための第２の光電変換部である。３６は複数のブランキング電極３３の片側を同電位にするための相互接続配線パターンであり、３１は鏡筒内部の真空を維持するための真空シールである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
本実施例は、実施例１と相違して、ブランキングモジュール６が、ブランカーデバイス基板５６（上述したように接合電極４９上に搭載されブランキング電極が形成される。本実施例において第１の基板となる）と第２の基板である信号中継基板４５とから構成されていることである。その主たる理由はブランキング電極やビーム開口の製造プロセスと、光導波路や光電変換デバイスの製造プロセスが異なっているためである。本実施例では、このような場合でも信号中継基板４５上の光導波路５１を接合電極４９の付近まで敷設しその終点である末端で光電変換を行い、電気信号として伝播する経路が最短になるように設計した。この結果、配線パターン及び接合電極４９の静電容量と直流抵抗は十分小さくなり、駆動系の実質的な周波数特性は対向するブランキング電極５８ａ、５８ｂ間の静電容量と第２の光電変換部５０のフォトダイオードに入れたシャント抵抗の値が支配的となりほぼ設計値通りの特性が得られている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
ブランカー基板６０の構成は光導波路６１の端部を除いて実施例１と同様なので説明を省略する。本実施例では、第１の光電変換部６４がドライバ６５に搭載されている。この段階でブランキング電極の駆動信号を電気信号から光信号に変換し、ほぼ全ての信号伝送経路を光伝送路で構成するという意図がある。第１の光電変換部６４は他の実施例と同様に、アレイ型のレーザーダイオードと変調器で構成し、高速かつ広帯域に対応できるようにしてある。ここでの発熱はドライバ６５が収納されている容器内で効率よく除去できるので、第１の光電変換部６４の光出力を最大値付近まで高めてある。光信号に変換されたブランキング電極の駆動信号は、光ファイバーケーブル６３を伝播する。光ファイバーケーブル６３は各ブランキング電極に対応した光ファイバーを複数束ねたものである。本実施例では光導波路６１の配列パターン、仕上がり外径及び可撓性、等を考慮して２５６本を一束とし、さらに二束を一組にしてケーブルを構成してある。光ファイバーケーブル６３を伝播してきた光信号は光導波路の始点に載置された光結合器である光カプラ−６２でブランカー基板６０上の光導波路６１と光結合される。この光結合の詳細を図６に示す。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いて試料であるウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記露光制御データが入力された露光装置とウエハを用い、リソグラフィ技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップ７でこれを出荷する。