(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器の内部に配置された基板の表面に成膜用原料ガスを導入して薄膜を堆積するとき、前記基板の周縁部全周にパージガスを吹き出して前記原料ガスの進入を阻止しかつシャドウ形成リングを配置して非成膜領域を形成するようにした成膜処理装置において、
基板配置部の周囲にカバー部材を設け、前記基板配置部と前記カバー部材の間に前記パージガスが流れる通路が形成され、全体が上下動自在となるように設けられた基板支持機構を備え、
前記基板配置部と前記カバー部材の間の空間にシールド用衝立部材を設け、この衝立部材と前記基板配置部および前記カバー部材との間で前記パージガスが流れる通路を形成し、
前記基板支持機構を上下動させる駆動機構を設け、
前記シャドウ形成リングは前記基板支持機構の上方に配置され、前記基板支持機構が上動するときに前記基板の周囲に配置され、
前記シャドウ形成リングを配置するリング状支持機構と、このリング状支持機構における前記シャドウ形成リングと接触するリング部材の温度を制御する温度制御機構とを設けたことを特徴とする成膜処理装置。
【請求項２】
前記リング部材の温度は、前記シャドウ形成リングの温度が成膜中の前記基板の温度以下になるように制御されることを特徴とする請求項１記載の成膜処理装置。
【請求項３】
前記リング状支持機構を設ける代わりに、前記シャドウ形成リングは支持機構に固定され、この支持機構は駆動機構によって上下動するように設けられ、前記シャドウ形成リングの温度を制御する温度制御機構とを設けたことを特徴とする請求項１記載の成膜処理装置。
【請求項４】
前記シャドウ形成リングの温度は、前記シャドウ形成リングの温度が成膜中の前記基板の温度以下になるように制御されることを特徴とする請求項３記載の成膜処理装置。
【請求項５】
前記カバー部材の温度を制御する温度制御機構を設けたことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の成膜処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は成膜処理装置に関し、特に、成膜の際に基板の周囲に配置されるシャドウ形成用リングの温度を良好に保つ成膜処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板が配置された真空容器中に原料ガスを導入してＣＶＤ成膜に基づき基板に各種成膜処理を行って半導体高集積回路デバイスを製作する際、基板に配線用金属膜を堆積する成膜処理の後工程において、基板の外周縁に沿ってその端部から中心に向かって平均的に３〜５ｍｍ程度の非成膜領域を形成することが必要となる。非成膜領域は、後工程であるＣＭＰ（化学機械的研磨）で終点検出を行うため、あるいは表面前方より到来するプロセスガスが基板の周縁および裏面に回り込むのを阻止することにより基板自身が汚染されるのを防止するために形成される。従来では、かかる非成膜領域を形成するため、成膜時に基板の外周縁を覆うシャドウ形成機構が利用されている。シャドウ形成機構は代表的にシャドウ形成リングである。このシャドウ形成リングは熱伝導性の良い金属部材で作られており、基板の直径よりも小さい内径を有するリング部材である。シャドウ形成リングは基板の上側であってその外周近傍に配置され、その結果、基板の周縁部に上記非成膜領域に対応する影の領域が形成される。その上、成膜時に、基板とシャドウ形成リングの間に形成された隙間に外部からアルゴンガス等のパージガスを供給し、当該隙間からパージガスを吹き出させることにより、原料ガスの進入を阻止して上記非成膜領域を形成するようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
真空容器内に配置された被処理基板は、適切に温度制御された基板支持機構の上に配置されており、成膜に適した温度に加熱された状態に保持されている。一方、基板の外周近傍に配置された上記シャドウ形成リングは、非常に小さい隙間を介して基板の周縁部に接近させて配置されている。シャドウ形成リングは金属リングであって温度制御は行われていない。シャドウ形成リングと基板の周縁部の間にはパージガスが高速で流れており、そのため、シャドウ形成リングの温度はパージガスの温度に近くなっている。パージガスで冷却されたシャドウ形成リングは、自身が冷却されるだけではない、近くに位置する基板周縁部の熱を奪い、当該部分の温度を低下させる。例えばＣＶＤ成膜では基板の面内温度分布は±１℃でなければならないのに、上記シャドウ形成リングの影響で熱が逃げ５〜７℃の温度差が生じる。このようになると、基板表面の温度分布不良によって、基板温度に敏感な成膜速度に悪い影響が生じる。例えば、基板面内の成膜速度の均一性が悪化したり、膜質や段差被覆性が悪化するという問題が生じる。
【０００４】
本発明の目的は、上記問題を解決することにあり、シャドウ形成リングの温度を適切に制御して基板温度分布を良好に保ち、良質の薄膜を堆積できる成膜処理装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段および作用】
本発明に係る成膜処理装置は、上記目的を達成するため、次のように構成される。
本発明に係る成膜処理装置（請求項１に対応）は、前提として、真空容器の内部に配置された基板の表面に成膜用原料ガスを導入して薄膜を堆積するとき、基板の周縁部全周にパージガスを吹き出して原料ガスの進入を阻止しかつシャドウ形成リングを配置して非成膜領域を形成するようにした構成を有する。さらに、基板配置部の周囲にカバー部材を設け、基板配置部とカバー部材の間にパージガスが流れる通路が形成された基板支持機構を備える。基板支持機構はその全体が上下動自在となるように設けられている。基板配置部とカバー部材の間の空間にはシールド用衝立部材が設けられ、この衝立部材と基板配置部およびカバー部材との間ではパージガスが流れる通路を形成される。基板支持機構は駆動機構によって上下動させられる。シャドウ形成リングは基板支持機構の上方に配置され、基板支持機構が上動するときに基板の周囲に配置される。このシャドウ形成リングはリング状支持機構上に配置される。このリング支持機構におけるシャドウ形成用リングと接触するリング部材の温度は温度制御機構によって制御されるように構成される。
上記成膜処理装置では、シャドウ形成リングを支持するリング状支持機構のリング部材の温度が、温度制御機構によって所望の温度に制御される。このため、当該シャドウ形成リングが基板の外周に配置されたとき、リング部材の温度が適切な温度に保持されているので、基板の表面温度の分布が良好に保持され、良好な成膜速度が実現される。
上記構成において、好ましくは、リング部材の温度は、シャドウ形成リングの温度が成膜中の基板の温度以下になるように制御される。これにより基板の面内温度分布は良好になる。
上記構成において、上記リング状支持機構を設ける代わりに、シャドウ形成リングは支持機構に固定されるようにし、この支持機構は駆動機構によって上下動するように設けられ、シャドウ形成リングの温度を制御する温度制御機構とを設けるように構成することもできる。シャドウ形成リングの温度制御を行うと共に、シャドウ形成リング自体を単独で上下動させることにより、成膜処理の各種態様に対応させることができる。
上記構成において、好ましくは、シャドウ形成リングの温度はシャドウ形成リングの温度が成膜中の基板の温度以下になるように制御される。
上記構成において、さらにカバー部材の温度を制御する温度制御機構を設けるように構成することもできる。カバー部材の温度を基板温度と実質的に等しくすることにより、基板への影響を最小限することができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の好適な実施形態を添付図面に基づいて説明する。
【０００７】
本発明の第１実施形態が図１〜５を参照して説明する。図１は成膜処理装置の全体構成を示す一部断面構成図、図２は要部の拡大部分縦断面図、図３〜５は成膜処理室に基板を搬入した段階から基板を成膜開始状態にセットした段階までの経過図をそれぞれ示している。
【０００８】
図１と図２を参照して成膜処理装置の構成を説明する。１１はＣＶＤ成膜が行われる処理チャンバであり、その側壁部に基板搬送口１２とガス排気口１３が形成されている。基板搬送口１２は基板を搬入した後の成膜時にはゲートバルブで閉じられるが、図示例では開いたままで示している。またガス排気口１３は排気管で外部に設けた排気機構（図示せず）に接続されている。矢印６１は排気状態を示している。処理チャンバ１１の上壁部には原料ガスを導入するガス導入部１４が設けられる。矢印６２は原料ガスの供給を示している。ガス導入部１４は、上蓋部材１４ａとガス導入口１４ｂとシャワーヘッド１４ｃと多数の孔が形成されたガス導入板１４ｄとから構成される。基板支持機構１５は処理チャンバ１１の底壁部に設けられている。基板支持機構１５の下側筒部１６は、底壁部の中央に形成された孔１７から外側に延出される。下側筒部１６は下端は、底壁部下側であって孔１７の周囲に固定されたフレキシブル管１８の下端フランジ１８ａに結合されている。フレキシブル管１８によって、基板支持機構１５の取付け支持が行われ、さらに孔１７の封止が行われる。これにより、後述するごとく基板支持機構１５の上下動自在な構造が可能となり、かつ処理チャンバ１１内の真空が保持される。フレキシブル管１８は、その軸方向に縮んだり伸びたりする特性を有している。
【０００９】
基板支持機構１５は、上記下側筒部１６の上に設けられたブロック１９と、さらにブロック１９の上に設けられた静電チャック２０を備えている。ブロック１９にはヒータ２１が内蔵されている。ヒータ２１には、ブロックヒータ用電源・コントローラ２２から制御された電流が給電される。また静電チャック２０の上面は基板が載置されるべき面となっている。静電チャック２０には、基板載置面に基板が置かれたとき、静電チャック用電源・コントローラ２３から静電チャック用の電流が給電され、これにより当該基板は基板載置面に固定される。静電チャック２０の周囲には、静電チャック２０を固定するためのリング部材２４が設けられている。さらに静電チャック２０の基板載置面の周囲にはカバー部材２５が配置されている。カバー部材２５は、基板載置面とほぼ同一面となる位置に配置されたリング板部２５ａと上記ブロック１９の外側周囲にあって隙間２６を形成するごとく配置された円筒部２５ｂとから形成される。リング板部２５ａと円筒部２５ｂは一体的であり、カバー部材２５を形成している。カバー部材２５のリング板部２５ａは、図２に示すように、上記リング部材２４の上面に固定されている。なおリング部材２４の上面には適宜な数の溝２４ａが適宜な間隔で径方向に形成されている。またリング板部２５ａの内径は静電チャック２０の基板載置部の直径よりも大きくなるように設計されており、そのため、静電チャック２０の段差のある外周側面における上側面とリング板部２５ａとの間には隙間２７が形成されている。上記の隙間２６、溝２４ａ、および隙間２７によって、後述するようにパージガス（図２で矢印２８で示される）の吹き出す通路が静電チャック２０の全周囲に形成される。
【００１０】
処理チャンバ１１の底壁部内側面には、少なくとも３本の基板支えピン２９と、シールド管３０が固定されている。３本の基板支えピン２９のいずれも、基板支持機構１５のブロック１９および静電チャック２０を貫通して形成された孔３１を通して配置される。基板支えピン２９の先部は、上下動自在に設けられた基板支持機構１５がその下限位置にあるとき（図１または図３に示された状態）、基板載置面の上側に突き出ている。３本の基板支えピン２９の先端は同じ高さであり、かつ３つの先端は好ましくは正三角形の頂点に位置するように設定されている。図１において、２本の破線３２で示されたスペースは、基板搬送口１２から基板が搬入されてきたとき、当該基板が移動するスペースを示している。このスペースを通って搬送されてきた基板は３本の基板支えピン２９で支持されるように配置される。また上記シールド管３０は、基板支持機構１５のブロック１９の外周面を囲む筒体形状を有し、その下端が処理チャンバ１１の底面に固定され、かつ基板支持機構１５が下限位置にあるとき上記隙間２６の中に収容されるように配置されている。シールド管３０は基板支持機構１５のブロック１９の周囲をシールドする衝立部材として機能する。シールド管３０とブロック１９の外周面との間の隙間等でパージガス通路が形成される。また基板支持機構１５が上限位置へ移動した場合にも、シールド管３０はブロック１９の外周面の下縁部と部分的に重なった状態となり、ブロック１９の下側空間を囲むようになるので、処理チャンバ１１の下側から底面部を経由して導入されたパージガスを基板載置面の方向に流すための空間が確保される。
【００１１】
処理チャンバ１１の底壁部外側には基板支持機構１５を上下移動させる駆動機構３３が設けられる。駆動機構３３では、底壁部外面に支持フレーム３４が固定され、支持板３４の下部にモータ３５が取り付けられ、モータ３５の出力軸に接続された回転送りネジ棒３６が回転自在な状態で上下方向に向けて配置されている。回転送りネジ棒３６にはネジ結合された移動体３７が取り付けられている。さらに移動体３７は上記フレキシブル管１８の下端フランジ１８ａに固定されている。モータ３５には駆動機構用電源・コントローラ３８が接続される。駆動機構用電源・コントローラ３８はモータ３５の回転動作を制御する。モータ３５によって回転する回転送りネジ棒３６の回転方向に応じて移動体３７が上下動する。下端フランジ１８ａを介して移動体３７に結合された基板支持機構１５は、移動体３７の上下動作に伴って同様に上下動する。基板支持機構１５は、駆動機構３３によって所定の上限位置と下限位置の間で昇降する。
【００１２】
処理チャンバ１１の底壁部にはさらにパージガス導入口３９が設けられる。パージガス導入口３９は、処理チャンバ１１の下側に設けられたパージガス供給機構に接続される。図１ではパージガス供給機構の図示は省略されている。矢印６３は供給されたパージガスを示している。パージガスとしてはアルゴンまたはヘリウム等の不活性ガスが使用される。
【００１３】
上記処理チャンバ１１内において、基板支持機構１５の周りに複数本の支柱４０が配置される。支柱４０の下部は処理チャンバ１１の底壁部に気密性を保持して固定されている。複数本の支柱４０は、その上部にリング部材４１を固定しており、このリング部材４１を支持している。リング部材４１の上にはシャドウ形成リング４２が配置されている。リング部材４１の内部にはヒータ４３が設けられ、このヒータ４３には、ヒータ用電源・コントローラ４４から支柱４０の内部に配線された給電線４５を経由して加熱電力が給電されている。リング部材４１および支柱４０に付設された加熱機構によって、シャドウ形成リング４２は適切な温度に保持される。シャドウ形成リング４２の温度は好ましくは成膜時の基板温度以下になるように制御される。
【００１４】
次に図３〜図５を参照して、上記処理チャンバ１１内における基板とシャドウ形成リング４２の取扱い動作について説明する。
【００１５】
図３に示された基板支持機構１５の位置は図１に示された位置と同じであり、下限位置に存在している。この状態で、基板搬送口１２が開き、そこから搬送ロボット（図示せず）によって基板５０が処理チャンバ１１内に搬入される。基板５０は前述の搬送スペース（破線３２で示される）を通って基板支持機構１５の上方位置まで送り込まれ、３本の基板支えピン２９の上に配置される。その状態が図３に示されている。図３では他の２本の基板支えピン２９の図示は省略されている。搬送ロボットは基板支えピン２９の上に基板５０を配置した後、処理チャンバ１１の外に出る。そのあと、基板搬送口１２は閉じられる。
【００１６】
図３に示された状態で、基板支持機構１５のブロック１９のヒータ２１にはブロックヒータ用電源・コントローラ２２が必要な電力を給電し、ブロック１９の温度は成膜に必要な所定温度に保持されている。また基板支持機構１５および基板５０の上方に配置されるシャドウ形成リング４２も、リング部材４１のヒータ４３に対してヒータ用電源・コントローラ４４から必要な電力が給電されることにより所定の温度に加熱されている。
【００１７】
処理チャンバ１１の内部は、ガス排気口１３を介して外部の排気機構によって排気され、成膜処理に必要な所定の真空状態に保持されている。また基板搬送口１２はゲートバルブ５１で閉じられる。かかる状態で、図４に示すごとく、駆動機構３３が上昇動作を開始して移動体３７が上方へ移動する。移動体３７の上昇動作に伴ってフレキシブル管１８の下端フランジ１８ａが上方に移動し、基板支持機構１５を上方へ移動させる。基板支持機構１５は、その移動中に、上方に配置された基板５０を拾って静電チャック２０の基板載置面に載せる。静電チャック２０には静電チャック用電源・コントローラ２３から給電が行われており、基板５０は静電チャック２０の吸着作用によって基板載置面に固定される。基板５０を基板載置面に固定した状態で、基板支持機構１５は、駆動機構３３の上昇動作でさらに上昇する。
【００１８】
その後、基板支持機構１５は、上方に配置されていたシャドウ形成リング４２を、基板５０の周囲に配置されるようにしてリング部材２４の上に載せ、さらに上限位置まで上昇する。この状態を、図５に示す。基板支持機構１５が上限位置に至ると、駆動機構３３の動作は停止する。基板支持機構１５が上限位置にある時、基板５０は所定の間隔でガス導入部１４のガス導入板１４ｄに対向する。ガス導入板１４ｄから基板５０の上面に対して原料ガスが供給され、成膜が開始される。成膜が行われている間、パージガス導入口３９を通してチャンバ内部に供給されたパージガスは、ブロック１９の下側空間、ブロック１９の外周面とカバー部材２５の円筒部２５ｂとの間の隙間２６、上記の溝２４ａおよび隙間２７を通って基板５０の外周縁部からその中心部に向かって吹き出される。パージガスの吹き出しによって、基板上方から供給される原料ガスが基板の裏面へ回り込むのが阻止される。
【００１９】
上記の基板搬入から基板を成膜開始状態にセットするまでの間において、基板５０の周囲であって基板支持機構１５上に載置されるシャドウ形成リング４２は、基板支持機構１５の上動の際に拾われて載置される。この載置の前の段階で、シャドウ形成リング４２はリング部材４１に設けられたヒータ４９で予め基板温度以下の温度に加熱されているので、成膜処理の際に基板５０の面内温度の分布を良好に保つことができる。
【００２０】
図５の状態で成膜処理が行われ、その後成膜処理が終了すると、駆動機構３３の下降動作で基板支持機構１５は下方へ移動し、下限位置で停止する。この下降動作を行うときに、シャドウ形成リング４２はその途中でリング部材４１によって支持され、基板支持機構１５から取り除かれる。また基板５０も下降動作の途中で基板支えピン２９によって支持され、基板支持機構１５の基板載置面から取り除かれる。基板５０が基板支持機構１５から離れる直前には、静電チャック２０への給電は停止され、基板の固定状態は解消されている。
【００２１】
上記構成によれば、基板５０の表面にＣＶＤ成膜を行うとき、シャドウ形成リング４２の温度をその待機状態において成膜に適した温度に保持するように構成したため、成膜時に基板周囲に配置されたときシャドウ形成リング自体が最適温度に保持され、基板の周縁端部近傍を流れるパージガスによる基板冷却を防ぎ、基板の周縁端部の温度低下を防止し、基板の面内温度分布を望ましい状態に保持することができる。
【００２２】
次に図６を参照して本発明の第２実施形態を説明する。図６は前述の処理チャンバ１１における要部構成（基板支持機構の周辺部の左半分）を示す部分断面図である。前述した実施形態で説明した要素と実質的に同一の要素には同一の符号を付し、説明を省略する。図示されていない部分の構成は前述の実施形態の構成と同じである。以下、本実施形態の特徴的構成を説明する。
【００２３】
図６において、パージガス導入口３９は下端フランジ１８ａに設けられ、外部からパージガス導入口３９へ供給されたパージガス６３はフレキシブル管１８と下側筒部１６との間のスペースおよび孔１７を矢印２８に示されるごとく流れる。円板状静電チャック２０の周囲に配置されたリング部材２４に固定されたカバー部材２５の内部にはヒータ７１が設けられる。ヒータ７１への給電を行う配線７２は、リング部材２４、ブロック１９および処理チャンバ１１の底壁部１１ａに形成されたそれぞれの孔を通して設けられたパイプ部材７３の中に配置される。底壁部１１ａに形成された孔にはシールリング７４が設けられ、気密性が維持される。底壁部１１ａから下方へ延設されたパイプ部材７３は、その下端が支持部材７５に支持される。支持部材７５は上記下端フランジ１８ａに固定される。処理チャンバ１１の外側に引き出された配線７２は前述のヒータ用電源・コントローラ４４の出力端子に接続されている。パイプ部材７３を通すためブロック１９およびリング部材２４に形成された孔と当該パイプ部材７３の間の隙間はパージガス２８を流すための通路として使用される。またシールド管３０とブロック１９の間のスペースも前述の実施形態と同様にパージガス２８の流れる通路として使用される。なおリング部材４１内のヒータ４３へ通電を行う給電線４３ａは前述の通りヒータ用電源・コントローラ４４の出力端子に接続されている。
【００２４】
上記の実施形態によれば、カバー部材２５にも加熱機構を設け、カバー部材２５を所望の温度に保持するように構成したため、基板周縁部の温度低下を抑制し基板の面内温度分布を高めることができる。
【００２５】
次に図７を参照して本発明の第３実施形態を説明する。図７は図６と実質的に同じ図であり、処理チャンバ１１における要部構成（基板支持機構の周辺部の左半分）を示す部分断面図である。第３実施形態は、図６に従って説明した第２実施形態の変形例を示している。前述した各実施形態で説明した要素と実質的に同一の要素には同一の符号を付し、説明を省略する。図示されていない部分の構成は前述の実施形態の構成と同じである。以下、本実施形態の特徴的構成を説明する。
【００２６】
この実施形態では前述したリング部材４１が設けられず、代わりに移動拘束部材８１が設けられる。移動拘束部材８１は径方向に孔８１ａが形成された箱状の形態を有し、下部にストッパ部８１ｂが設けられる。シャドウ形成リング４２の周縁部における、移動拘束部材８１に対応する部分には孔を有する突片部４２ａが形成される。シャドウ形成リング４２の当該突片部４２ａは移動拘束部材８１の孔８１ａに挿通され、かつ突片部４２ａの孔が支柱４０の上端に挿通される。シャドウ形成リング８１は、突片部４２ａによって支柱４０の上端に固定された移動拘束部材８１で支持される。移動拘束部材８１は、コイルスプリング８２を内蔵し、このコイルスプリング８１で突片部４２ａを押え、シャドウ形成リング４２を下限位置に保持する。他の支柱４０の上端部と、シャドウ形成リング４２の対応部分についても、上記と同様な構造が設けられる。かかる構造によれば、基板支持機構１５が上方に移動してシャドウ形成リング４２を搭載し、シャドウ形成リング４２を上方に押し上げると、コイルスプリング８２の弾性に抗してシャドウ形成リング４２は移動し、基板支持機構１５の停止動作に伴って所定位置で停止する。
【００２７】
上記の実施形態によれば、シャドウ形成リング４２の水平方向の位置は一定位置に保持される。基板支持機構１５の静電チャック２０に固定された基板に対して常に望ましい位置にセットすることができる。またシャドウ形成リング４２が基板支持機構１５にセットされるとき、シャドウ形成リング４２はコイルスプリング８２でカバー部材２５に対して常に押付けられた状態になるので接触性が良好になるという利点を有する。
【００２８】
次に図８を参照して本発明の第４実施形態を説明する。図８は図６と実質的に同じ図であり、処理チャンバ１１における要部構成（基板支持機構の周辺部の左半分）を示す部分断面図である。第４実施形態は、図６に従って説明した第２実施形態の変形例を示している。前述した各実施形態で説明した要素と実質的に同一の要素には同一の符号を付し、説明を省略する。図示されていない部分の構成は前述の実施形態の構成と同じである。以下、本実施形態の特徴的構成を説明する。
【００２９】
この実施形態では、シャドウ形成リング４２を支柱４０の上端に固定した構造とし、さらに支柱４０自体を上下動できるように上下動駆動機構９１に付設した。上下動駆動機構９１は処理チャンバ１１の底壁部１１ａの下側に筒状連結部材９２を介して固定されている。底壁部１１ａの下方へ延設された支柱４０の下端は連結部材９２内に設けられたシールリング９３でシールされた状態で上下動駆動機構９１の上下移動部（図示せず）に固定される。他の支柱についても同様な構造が設けられる。
【００３０】
かかる構造によれば、上下動駆動機構９１の作用に基づいて支柱４０およびシャドウ形成リング４２を矢印９４に示すごとく上下動させることができる。従って、基板支持機構１５の上下動に対応してシャドウ形成リング４２を上下動させ、その位置を変えるができる。さらに基板支持機構１５を停止させた状態で、シャドウ形成リング４２の側を上下動させることによってシャドウ形成リング４２を所望の位置にセットすることもできる。
【００３１】
上記実施形態において基板支持機構を上下動するように構成したが、この構成に限定されるものではなく、任意の構成を採用できる。またシャドウ形成リングを支持する機構も、前記実施形態の構成に限定されるものではない。シャドウ形成リングの温度を適切な温度に制御する温度制御機構を有しているものであれば、任意の構成を採用できる。さらにガス導入部の構成をシャワー式装置の構成としたが、ガス整流部を有するホルン形状のガス導入部であってもよい。本発明に係る成膜処理装置は、前述の各実施形態を適宜に組合せて構成することができるのは勿論である。
【００３２】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、基板の表面にＣＶＤ成膜を行うとき、基板の周囲に配置されるシャドウ形成リングの温度を、その待機状態において、例えばシャドウ形成リングを支持するリング部材に設けられた温度制御機構によって成膜に適した温度に保持するようにしたため、成膜時に基板周囲に配置されたときシャドウ形成リング自体の温度が最適に保持されかつ基板の周縁端部近傍を流れるパージガスによる基板冷却を防ぎ、基板の周縁端部の温度低下を防止し、その結果基板の面内温度分布が望ましい状態に保持され、基板の成膜面全面で均一性の高い成膜速度を実現でき、さらに膜質や段差被覆性を向上することができる。さらにカバー部材にも温度制御機構を付設してカバー部材も適切な温度に維持するようにしたため、基板の面内温度分布をさらに良好にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る第１実施形態を示す成膜処理装置の全体構成図である。
【図２】図１における要部を拡大して示した縦断面図である。
【図３】成膜処理室に基板を搬入した状態を示す図である。
【図４】基板支持機構を上昇させ基板を載置した状態を示す図である。
【図５】基板支持機構を上昇させ基板の周囲にシャドウ形成リングを載置した状態を示す図である。
【図６】本発明に係る第２実施形態を示す成膜処理装置の要部断面図である。
【図７】本発明に係る第３実施形態を示す成膜処理装置の要部断面図である。
【図８】本発明に係る第４実施形態を示す成膜処理装置の要部断面図である。
【符号の説明】
１１                  処理チャンバ
１２                  基板搬送口
１３                  ガス排気口
１４                  ガス導入部
１５                  基板支持機構
１８                  フレキシブル管
１９                  ブロック
２０                  静電チャック
２１                  ヒータ
２４                  リング部材
２５                  カバー部材
２９                  基板支えピン
３０                  シールド管
３３                  駆動機構
３９                  パージガス導入口
４０                  支柱
４１                  リング部材
４２                  シャドウ形成リング
４３                  ヒータ
５０                  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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