(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被成膜基板を載置する基板載置台と、
前記基板載置台に対向して設けられた磁性体のターゲットと、
前記ターゲットの裏面に設けられた、前記ターゲットの中央部から周辺部に向かう方向に放射状に磁力線を発生させる磁場発生手段と、
前記ターゲット及び前記基板載置台の側方に設けられた、前記ターゲットからスパッタされた物質が前記側方周囲に飛散するのを防ぐシリコンが表面に露出している防着板と、
前記基板載置台と前記ターゲットの間に接続された、プラズマ生成の電力を供給する電源とを有するスパッタ装置。
【請求項２】
請求項1に記載のスパッタ装置を用いて前記基板載置台上の被成膜基板に磁性体膜を形成するスパッタによる成膜方法において、
前記防着板のシリコン膜の表面に磁性体膜が付着している場合に、前記スパッタによる成膜を始めるためにプラズマ生成の停止状態からプラズマ生成状態に移る前に、又は前記スパッタによる成膜を終えてプラズマ生成状態からプラズマ生成の停止状態に移った後に、前記防着板の表面のシリコンとその上の前記磁性体膜とを加熱により反応させてシリサイドを形成する工程を有することを特徴とするスパッタによる成膜方法。
【請求項３】
被成膜基板を載置する基板載置台と、前記基板載置台に対向して設けられた磁性体のターゲットと、前記ターゲットの裏面に設けられた、前記ターゲットの中央部から周辺部に向かう方向に放射状に磁力線を発生させる磁場発生手段と、前記ターゲット及び前記基板載置台の側方に設けられた、前記ターゲットからスパッタされた物質が前記側方周囲に飛散するのを防ぐ防着板と、前記基板載置台と前記ターゲットの間に接続された、プラズマ生成の電力を供給する電源とを有するスパッタ装置を用いて前記基板載置台上の被成膜基板に磁性体膜を形成するスパッタによる成膜方法において、
前記防着板の表面に磁性体膜が付着している場合に、前記スパッタによる成膜を始めるためにプラズマ生成の停止状態からプラズマ生成状態に移る前に、又は前記スパッタによる成膜を終えてプラズマ生成状態からプラズマ生成の停止状態に移った後に、窒素を含む雰囲気中、又は酸素を含む雰囲気中で加熱処理を行って前記防着板の表面の磁性体膜を窒化し、或いは酸化する工程を有することを特徴とするスパッタによる成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、スパッタ装置及び半導体装置の製造方法に関し、より詳しくは、電極や配線の材料として用いる磁性体金属膜をスパッタ法により形成するスパッタ装置及びスパッタによる成膜方法に関する。
近年、半導体集積回路装置においては、微細化に伴い、電極や配線として用いる導電膜の膜厚や幅が微細化してきている。このため、低抵抗の導電膜を形成することを要求されるようになっている。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電極や配線として金属シリサイド膜を用いているが、電極や配線が微細化されてくると、電極や配線の抵抗値はシリサイドの結晶状態により直接影響を受けるようになる。
電極や配線の材料がアルミニウムや高融点金属の場合、そのシリサイドの結晶状態があまり良くないため、電極や配線を微細化すると抵抗値が高くなる。一方、ＣｏやＮｉ等の磁性体金属を用いると、結晶性の良いシリサイドを形成することができるため、抵抗値が低く、そのため電極や配線の材料として用いられるようになっている。
【０００３】
図５（ａ），（ｂ）はそれぞれ、従来例に係る磁性体金属膜をスパッタ法により形成する方法に用いるマグネトロンスパッタ装置の上面図及び側面図である。図５（ａ），（ｂ）において、１は減圧可能な容器、２はスパッタに用いるガスを導入する、容器１に設けられたガス導入口、３は容器１に設けられた排気口、４はヒータが内蔵された基板載置台で、ガスをプラズマ化させるための直流電圧を供給する電源８の正側を接続するアノード電極としての機能を有する。
【０００４】
５は基板載置台４に対向させて置かれたスパッタすべき磁性体金属のターゲットで、ガスをプラズマ化させるための直流電圧を供給する電源８の負側を接続するカソード電極としての機能を有する。
６はプラズマを均一に発生させ、かつその分布を均一化する磁場を発生させる、ターゲット５の裏面に設けられたマグネットで、図のようなドーナツ状の平板形状を有する。磁場は、ドーナツ状の平板の中央部から放射状に、かつ弧を描くように平板の周辺部に向かう。
【０００５】
７ａ，７ｂはスパッタにより飛散するターゲット５の材料が容器１の内壁に付着するのを防止するため、ターゲット５の側方と基板載置台４の側方にそれぞれ設けられた防着板である。
次に、上記スパッタ装置により、ウエハ等の被成膜基板上に磁性体金属膜を形成する従来例に係る方法について示す断面図である。
【０００６】
被成膜基板１０１上に磁性体金属膜を堆積させる場合、まず、基板載置台４上に被成膜基板１０１を置く。続いて、被成膜基板１０１を加熱するとともに、Ａｒガスを容器１内に導入する。
次いで、ターゲット５と基板載置台４の間に直流電圧を印加してＡｒガスをプラズマ化する。所定の時間保持すると、被成膜基板１０１上に所定の膜厚の磁性体金属膜が形成される。
【０００７】
一つの被成膜基板１０１への成膜が終了したのち、一旦プラズマを停止し、次の被成膜基板を基板載置台４に載せて再びプラズマを発生させて被成膜基板上に成膜する。
この様にして、順次被成膜基板上に所定の膜厚の磁性体金属膜を形成し、複数枚の被成膜基板から構成される一ロットの成膜を完了する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、最初の一ロットの成膜を終えたとき、防着板７ａ，７ｂにはかなり厚い膜厚の磁性体金属膜８が付着している。
従って、次のロットの一番最初の被成膜基板を基板載置台４に載せて成膜を始める場合、図５（ｂ）に示すように、磁力線は防着板７ａ，７ｂの方に向かう。即ち、磁力線の分布が広がってしまう。特に、ターゲット５がまだ温まっていない成膜初期の段階で生じやすい。
【０００９】
これは、以下の理由によると考えられる。即ち、スパッタによる成膜を始めるためにプラズマ生成の停止状態からプラズマ生成状態に移った直後の成膜初期の段階では、ターゲット５及び防着板７ａ，７ｂは温度が低いため、ターゲット５である磁性体金属と、防着板７ａ，７ｂの表面の磁性体金属膜８の透磁率が高い。この状態でプラズマを発生させると、プラズマのエネルギによりまずターゲット５が温められて昇温し、続いて防着板７ａ，７ｂが温められて昇温する。従って、ターゲット５が昇温してその透磁率が低下しても、防着板７ａ，７ｂはまだ十分に温度が高くなっていないため、その表面の磁性体金属膜８の透磁率は高い。これにより、ターゲット５の中央部からでた磁力線は防着板７ａ，７ｂの方に広がるものと考えられる。
【００１０】
このように磁力線の分布が広がると、Ａｒガスが均一にプラズマ化されなくなり、たとえプラズマが発生してもプラズマの分布が不均一になる。このため、被成膜基板１０１上には所定の膜厚の磁性体金属膜が均一に形成されないという問題がある。
本発明は、上記の従来例の問題点に鑑みて創作されたものであり、プラズマの発生や分布の均一化を図る磁場を発生する磁場発生手段と防着板とを有するスパッタ装置を用いて磁性体金属膜を形成する場合に、特にスパッタを始める初期の段階でプラズマの発生や分布を均一にすることができるスパッタ装置及びスパッタによる成膜方法を提供するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題は、第１の発明である、被成膜基板を載置する基板載置台と、前記基板載置台に対向して設けられた磁性体のターゲットと、前記ターゲットの裏面に設けられた、前記ターゲットの中央部から周辺部に向かう方向に放射状に磁力線を発生させる磁場発生手段と、前記ターゲット及び前記基板載置台の側方に設けられた、前記ターゲットからスパッタされた物質が前記側方周囲に飛散するのを防ぐシリコンが表面に露出している防着板と、前記基板載置台と前記ターゲットの間に接続された、プラズマ生成の電力を供給する電源とを有するスパッタ装置によって解決され、
第２の発明である、第1の発明に記載のスパッタ装置を用いて前記基板載置台上の被成膜基板に磁性体膜を形成するスパッタによる成膜方法において、前記防着板のシリコン膜の表面に磁性体膜が付着している場合に、前記スパッタによる成膜を始めるためにプラズマ生成の停止状態からプラズマ生成状態に移る前に、又は前記スパッタによる成膜を終えてプラズマ生成状態からプラズマ生成の停止状態に移った後に、前記防着板の表面のシリコンとその上の前記磁性体膜とを加熱により反応させてシリサイドを形成する工程を有することを特徴とするスパッタによる成膜方法によって解決され、
第３の発明である、被成膜基板を載置する基板載置台と、前記基板載置台に対向して設けられた磁性体のターゲットと、前記ターゲットの裏面に設けられた、前記ターゲットの中央部から周辺部に向かう方向に放射状に磁力線を発生させる磁場発生手段と、前記ターゲット及び前記基板載置台の側方に設けられた、前記ターゲットからスパッタされた物質が前記側方周囲に飛散するのを防ぐ防着板と、前記基板載置台と前記ターゲットの間に接続された、プラズマ生成の電力を供給する電源とを有するスパッタ装置を用いて前記基板載置台上の被成膜基板に磁性体膜を形成するスパッタによる成膜方法において、前記防着板の表面に磁性体膜が付着している場合に、前記スパッタによる成膜を始めるためにプラズマ生成の停止状態からプラズマ生成状態に移る前に、又は前記スパッタによる成膜を終えてプラズマ生成状態からプラズマ生成の停止状態に移った後に、窒素を含む雰囲気中、又は酸素を含む雰囲気中で加熱処理を行って前記防着板の表面の磁性体膜を窒化し、或いは酸化する工程を有することを特徴とするスパッタによる成膜方法によって解決される。
【００１２】
本発明においては、防着板の表面にシリコン膜を予め形成している。
そして、防着板のシリコン膜の表面に磁性体膜が付着している場合に、スパッタによる成膜を始めるためにプラズマ生成の停止状態からプラズマ生成状態に移る前に、又はスパッタによる成膜を終えてプラズマ生成状態からプラズマ生成の停止状態に移った後に、防着板の表面のシリコンとその上の磁性体膜とを加熱により反応させてシリサイドを形成している。
【００１３】
磁性体のシリサイドは透磁率が小さいため、防着板は磁性体膜が付着していないのと等価な状態にある。このため、防着板が温まっていない成膜初期の段階でもターゲット裏面の磁場発生手段から発生した磁力線は広がらないで、ターゲットの中央部から放射状に、弧を描いてターゲットの周辺部に向かう。これにより、プラズマの発生や分布は磁場により均一化される。
【００１４】
仮に、防着板の表面に磁性体膜が付着したまま、磁場を発生させてスパッタによる成膜を行うためプラズマを生成しようとすると、プラズマエネルギにより加熱され、透磁率の低下したターゲットを通り抜け、放射状に弧を描いて、昇温が遅く、透磁率が高い防着板の方に広がる。このため、プラズマの発生が不安定で、その分布も不均一になる。
【００１５】
また、スパッタによる成膜を始めるためにプラズマ生成の停止状態からプラズマ生成状態に移る前に、又は前記スパッタによる成膜を終えてプラズマ生成状態からプラズマ生成の停止状態に移った後に、窒素を含む雰囲気中、又は酸素を含む雰囲気中で加熱処理を行って防着板の表面の磁性体膜を窒化し、或いは酸化している。
【００１６】
磁性体の窒化物や酸化物は透磁率が小さいため、防着板は磁性体膜が付着していないのと等価な状態にある。このため、防着板が温まっていない成膜初期の段階でもターゲット裏面の磁場発生手段から発生した磁力線は広がらないで、ターゲットの中央部から放射状に、弧を描いてターゲットの周辺部に向かう。これにより、プラズマの発生や分布は磁場により均一化される。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
（１）第１の実施の形態
図１（ａ），（ｂ）はそれぞれ、本発明の第１の実施の形態に係るスパッタによる成膜方法に用いるスパッタ装置について示す上面図及び側面図である。
【００１９】
図１（ａ），（ｂ）において、１１は減圧可能なチャンバ（容器）、１２はチャンバ１１に設けられたガス導入口で、スパッタに用いるＡｒガスを導入し、又は防着板に付着した磁性体膜を窒化する窒素ガスやそれを酸化する酸素ガスを導入する。１３はチャンバ１１に設けられた排気口で、チャンバ１１内を減圧するとともに、不要なガスを排気する。
【００２０】
１４はヒータが内蔵された基板載置台で、被成膜基板１１１を載置する。基板載置台１４は、スパッタに用いるガスをプラズマ化するための直流電圧を供給する電源１８の正側を接続するアノード電極としての機能を有する。
１５は基板載置台１４の被成膜基板１１１を載置する面に対向して置かれたスパッタすべき磁性体金属のターゲットで、磁性体金属の材料としてＣｏやＮｉ等が用いられる。ターゲット１５はガスをプラズマ化させるための直流電圧を供給する電源１８の負側を接続するカソード電極としての機能を有する。
【００２１】
１６はプラズマの発生や分布を均一にする磁場を発生させる、ターゲット１５の裏面に設けられたマグネットで、図１（ａ）のようなドーナツ状の平板形状を有する。
マグネット１６が発生した磁場は、ドーナツ状の平板の中央部から放射状に、かつ弧を描くように平板の周辺部に向かう。
【００２２】
なお、プラズマ生成の停止状態からプラズマ生成状態に移った成膜初期の段階ではターゲット１５の温度は低いため、ターゲット１５の透磁率の高く、従って、磁力線は主に透磁率の高いターゲット１５の内部を通って周辺部に向かう。プラズマのエネルギによりターゲット１５が温まってくると、ターゲット１５の透磁率が低くなるため、ドーナツ状の平板の中央部から放射状に、かつ弧を描くように平板の周辺部に向かうようになる。
【００２３】
これを避けるため、必要であれば成膜前からターゲット１５を予め温めておけば、成膜初期から放射状に、かつ弧を描くような磁力線が得られる。
１７ａ，１７ｂはスパッタにより飛散するターゲット１５の材料がチャンバ１１の内壁に付着するのを防止するため、ターゲット１５の側方と基板載置台１４の側方にそれぞれ設けられた防着板である。防着板１７ａ，１７ｂの材料として電気的に絶縁性を有するセラミックが用いられる。
【００２４】
次に、本発明の第１の実施の形態に係る、上記スパッタ装置により被成膜基板上に磁性体金属膜を形成する方法について示す断面図である。
なお、最初の成膜前には防着板１７ａ，１７ｂの表面には磁性体金属膜が付着していないとする。
まず、チャンバ１１内を減圧し、基板載置台１４上に被成膜基板１１１を置く。続いて、被成膜基板１１１を加熱して温度１５０℃に保持するとともに、ガス導入口１２からチャンバ１１内にＡｒガスを導入する。チャンバ１１内の圧力を所定の圧力３ｍＴｏｒｒに保持する。
【００２５】
次いで、ターゲット１５と基板載置台１４の間に直流電源１８を接続し、直流電圧を印加する。これにより、Ａｒガスはプラズマ化しはじめる。このとき、する。
所定の時間この状態を保持すると、被成膜基板１１１上に所定の膜厚の磁性体金属膜が形成される。
【００２６】
一つの被成膜基板１１１への成膜が終了したのち、一旦プラズマを停止し、次の被成膜基板を基板載置台１４に載せて再びプラズマを発生させて被成膜基板上に成膜する。このとき、短時間で被成膜基板の載置が行われるため、ターゲット１５及び防着板１７ａ，１７ｂはほぼ直前の成膜時の温度が維持されている。
この様にして、順次被成膜基板上に所定の膜厚の磁性体金属膜を形成し、複数の被成膜基板から構成される一ロットの成膜を完了する。このとき、図２（ａ）に示すように、防着板１７ａ，１７ｂの表面に形成された磁性体金属膜２１ａの膜厚は相当厚くなっているとする。
【００２７】
次に、時間を置いて、複数の被成膜基板から構成される次のロットの成膜を開始するが、前のロットの成膜から相当の時間が経過しているため、ターゲット１５及び防着板１７ａ，１７ｂの温度はほぼ室温になっている。しかも、防着板１７ａ，１７ｂには厚い磁性体金属膜が付着している。
仮に、この状態で、磁場を発生させてスパッタによる成膜を行うためプラズマを生成しようとすると、磁力線は放射状にターゲット１５内を通ってターゲットの周辺部に抜けるか、又は加熱され、透磁率の低下したターゲット１５を通り抜け、放射状に弧を描いて、昇温が遅く、透磁率が高い防着板１７ａ，１７ｂの方に広がる。このため、プラズマの発生が不安定で、その分布も不均一になる。
【００２８】
これを避けるため、防着板１７ａ，１７ｂの表面に付着した磁性体金属膜２１ａを窒化する。窒化する前の防着板１７ａ，１７ｂの状態を図２（ａ）に示す。まず、チャンバ１１内を減圧し、かつ基板載置台１４に内蔵のヒータにより加熱して、防着板１７ａ，１７ｂの温度をほぼ４００℃に保つ。続いて、ガス導入口１２から窒素ガスを導入する。これにより、図２（ｂ）に示すように、防着板１７ａ，１７ｂの表面の磁性体金属膜２１ａは熱により窒化されて磁性体金属膜の窒化物２２が形成される。磁性体金属膜の窒化物２２は透磁率が低いため、防着板１７ａ，１７ｂは磁性体金属膜が付着していないのと等価な状態に戻る。
【００２９】
次いで、窒素ガスの導入を停止し、かつチャンバ１１内の減圧状態を維持する。続いて、基板載置台１４上に第２ロットの被成膜基板を載せて、加熱し、温度１５０℃に保持する。
次に、磁場を発生させた後、ガス導入口１２からチャンバ１１内にＡｒガスを導入し、チャンバ１１内の圧力を所定の圧力に保持する。続いて、直流電源１８から直流電圧を供給し、ターゲット１５と基板載置台１４の間に印加する。これにより、Ａｒガスにエネルギが供給されるため、プラズマ化しはじめる。このとき、防着板１７ａ，１７ｂは磁性体金属膜が付着していないのと等価な状態にあるため、磁力線は広がらないで、ターゲット１５の中央部から放射状に、弧を描いてターゲット１５の周辺部に向かう。従って、プラズマの発生や分布は磁場により均一化される。
【００３０】
この状態を所定の時間保持すると、被成膜基板上に所定の膜厚の磁性体金属膜が形成される。
なお、上記第１の実施の形態では、防着板１７ａ，１７ｂに付着した磁性体金属膜２１ａを窒化しているが、チャンバ１１内に酸素を導入して防着板１７ａ，１７ｂに付着した磁性体金属膜２１ａを酸化してもよい。
【００３１】
（２）第２の実施の形態
図３（ａ），（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態に係るスパッタによる成膜方法について示すスパッタ装置の防着板の断面図である。
この場合、第１の実施の形態と異なるところは、防着板１７ａ，１７ｂの表面に付着した磁性体金属膜２１ｂを窒化する代わりに、防着板１７ａ，１７ｂの表面に付着した磁性体金属膜２１ｂをシリサイド化していることである。
【００３２】
この場合のスパッタによる成膜方法を以下に説明する。
即ち、第１ロットの被成膜基板上への成膜前に、防着板１７ａ，１７ｂの表面に予めシリコン膜２３を形成しておく。そして、第１ロットの被成膜基板上への成膜が終了後、図３（ａ）に示すように、防着板１７ａ，１７ｂの表面のシリコン膜２３の上に磁性体金属膜２１ｂが付着したとする。
【００３３】
この場合、第２ロットの被成膜基板上に成膜する前に、即ち、プラズマ生成の停止状態からプラズマ生成状態に移行する前に、防着板１７ａ，１７ｂを約４００℃の温度に保持して防着板１７ａ，１７ｂの表面のシリコン膜２３とその上の磁性体金属膜２１ｂとを反応させる。これにより、磁性体金属膜２１ｂがシリサイド化し、磁性体金属のシリサイド膜２４が形成される。磁性体金属のシリサイド膜２４は透磁率が低いため、防着板１７ａ，１７ｂは磁性体金属膜が付着していないのと等価な状態に戻る。
【００３４】
次いで、第２ロットの被成膜基板上に成膜すると、第１の実施の形態の場合と同じように、成膜開始直後でもプラズマの発生や分布を均一化することができる。このため、最初の被成膜基板上に、所定の膜厚の磁性体金属膜を被成膜基板全面にわたって均一に形成することができる。
なお、第１及び第２の実施の形態では、基板載置台１４に内蔵されたヒータにより窒化したり、シリサイド化したりしているが、防着板１７ａ，１７ｃの裏面にヒータを別に設け、これを用いて加熱してもよい。
【００３５】
（３）第３の実施の形態
図４（ａ），（ｂ）は、それぞれ本発明の第３の実施の形態に係るスパッタによる成膜方法に用いるスパッタ装置について示す上面図及び側面図である。
第３の実施の形態において、第１の実施の形態と異なるところは、防着板１７ｃは、ターゲット１５の側方及び基板載置台１４の横にあるそれらに近い部分がターゲット１５と基板載置台１４の間の領域に出ないように、かつその部分の防着板１７ｃ相互の対向面の面積が小さくなるように設けられていることである。
【００３６】
即ち、図４（ａ）に示すように、ターゲット１５の端と繋がる防着板１７ｃは、ターゲット１５の横からターゲット１５の表面に平行な部分を殆ど有することなく、直ちに、チャンバ１１の上部内壁の方に延びる。そしてチャンバ１１の上部内壁に沿ってチャンバ１１の側方の内壁の方に延び、さらにチャンバ１１の側方の内壁に沿って下のほうに延びている。
【００３７】
一方、基板載置台１４の端と繋がる防着板１７ｃは、基板載置台１４の横から基板載置台１４の表面に平行な部分を殆ど有することなく、直ちにチャンバ１１の下部の内壁の方に延びる。そしてチャンバ１１の下部の内壁に沿ってチャンバ１１の側方の内壁の方に延び、さらにチャンバ１１の側方の内壁に沿って上方に延びて上部から延びてきた防着板１７ｃと繋がる。
【００３８】
このように、第３の実施の形態においては、ターゲット１５及び基板載置台１４の横にあるそれらに近い部分がターゲット１５と基板載置台１４の間の領域に出ないように、かつその部分の防着板１７ｃ相互の対向面の面積が小さくなるように設けられている。
従って、従来と比較してターゲット１５及び基板載置台の側方にある防着板１７ｃの表面は大部分がターゲット１５の表面から離れた遠いところにあることになる。このため、たとえ磁性体金属膜が防着板１７ｃの表面に付着したとしても、ターゲット１５の中央部から出た磁力線はターゲット１５及び基板載置台１４の端から遠くの磁性体金属膜の方には行きにくく、ターゲット１５の周辺部に向かうことになる。これにより、磁力線の分布が広がらないため、プラズマの発生や分布の均一化を図ることができる。
【００３９】
【発明の効果】
以上のように、本発明においては、防着板の表面にシリコン膜を予め形成している。
そして、防着板のシリコン膜の表面に磁性体膜が付着した場合に、スパッタによる成膜前に、防着板の表面のシリコンとその上の磁性体膜とを加熱により反応させてシリサイドを形成している。
【００４０】
また、スパッタによる成膜前に、窒素を含む雰囲気中、又は酸素を含む雰囲気中で加熱処理を行って防着板の表面の磁性体膜を窒化し、或いは酸化している。磁性体のシリサイドや磁性体の窒化物や酸化物は透磁率が小さいため、防着板が温まっていない成膜初期の段階でもターゲット裏面の磁場発生手段から発生した磁力線は広がらないで、ターゲットの中央部から放射状に、弧を描いてターゲットの周辺部に向かう。これにより、プラズマの発生や分布は磁場により均一化される。
【００４１】
防着板は、ターゲットの側方及び基板載置台の横にあるそれらに近い部分がターゲットと基板載置台の間の領域に出ないように、かつその部分の防着板相互の対向面の面積が小さくなるように設けられている。
従って、従来と比較してターゲットの側方及び基板載置台の側方にある防着板の表面は大部分がターゲットの表面から離れた遠いところにあるため、ターゲットの中央部から出た磁力線は防着板の表面の磁性体金属膜の方には行きにくく、ターゲットの周辺部に向かうことになる。これにより、磁力線の分布が広がらないため、プラズマの発生や分布の均一化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ），（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係るスパッタによる成膜方法に用いられるスパッタ装置について示す上面図及び側面図である。
【図２】図２（ａ），（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態に係るスパッタによる成膜方法について示す断面図である。
【図３】図３（ａ），（ｂ）は、本発明の第３の実施の形態に係るスパッタによる成膜方法について示す断面図である。
【図４】図４（ａ），（ｂ）は、本発明の第４の実施の形態に係るスパッタによる成膜方法に用いられるスパッタ装置について示す上面図及び側面図である。
【図５】図５（ａ），（ｂ）は、従来例に係るスパッタによる成膜方法に用いられるスパッタ装置について示す上面図及び側面図である。
【符号の説明】
１１  チャンバ（容器）、
１２  ガス導入口、
１３  排気口、
１４  基板載置台（ヒータ機能含む）、
１５  ターゲット、
１６  マグネット（磁場発生手段）、
１７ａ，１７ｂ，１７ｃ  防着板、
１８  直流電源、
２１ａ，２１ｂ  磁性体金属膜（磁性体膜）、
２２  磁性体金属膜の窒化物、
２３  シリコン膜、
２４  磁性体金属のシリサイド膜、
１１１  被成膜基板。
【図１】
0004104705.tif 000002
【図２】
0004104705.tif 000003
【図３】
0004104705.tif 000004
【図４】
0004104705.tif 000005
【図５】
0004104705.tif 000006