【手続補正書】
【提出日】平成20年5月21日(2008.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力電圧及び出力電圧それぞれがゲートに供給される第１導電型の差動トランジスタ対と、前記第１導電型の差動トランジスタ対に電気的に接続された第１導電型の電流源トランジスタとを有し、前記入力電圧及び前記出力電圧の差分を増幅する差動増幅器と、
第１の電源側に設けられ、前記差動増幅器の出力ノードの電圧に基づいてゲート制御され、そのドレイン電圧を前記出力電圧として生成する第２導電型の駆動トランジスタとを含み、
前記電流源トランジスタは、
そのチャネル領域が形成される不純物層の電位が、他のトランジスタのチャネル領域が形成される不純物層の電位とは独立に設定されるトランジスタであり、
前記電流源トランジスタのゲート電圧が固定された状態で、前記不純物層の電位及び該電流源トランジスタのソース領域の電位の少なくとも１つが変更されることで、その電流駆動能力が制御されることを特徴とする演算増幅器。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１導電型がＮ型であり、
前記第２導電型がＰ型であり、
前記不純物層の電位が変更される場合には、
前記出力電圧の立ち上がり期間において設定される電位が、前記出力電圧の立ち下がり期間において設定される電位より高電位となるように変更されることを特徴とする演算増幅器。
【請求項３】
請求項１において、
前記第１導電型がＮ型であり、
前記第２導電型がＰ型であり、
前記ソース領域の電位が変更される場合には、
前記出力電圧の立ち上がり期間において設定される電位が、前記出力電圧の立ち下がり期間において設定される電位より低電位となるように変更されることを特徴とする演算増幅器。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記第１導電型がＮ型であり、
前記第２導電型がＰ型であり、
前記不純物層及び前記ソース領域の電位が、接地電源の電位より低電位に設定されることを特徴とする演算増幅器。
【請求項５】
請求項４において、
前記出力電圧の立ち上がり期間において、
前記不純物層及び前記ソース領域が、接地電源の電位より、前記電流源トランジスタの閾値電圧以上、低い電位に設定されることを特徴とする演算増幅器。
【請求項６】
入力電圧及び出力電圧それぞれがゲートに供給される第１導電型の第１の差動トランジスタ対と、前記第１導電型の第１の差動トランジスタ対に電気的に接続された第１導電型の第１の電流源トランジスタとを有し、前記入力電圧及び前記出力電圧の差分を増幅する第１の差動増幅器と、
前記入力電圧及び前記出力電圧それぞれがゲートに供給される第２導電型の第２の差動トランジスタ対と、前記第２導電型の第２の差動トランジスタ対に電気的に接続された第２導電型の第２の電流源トランジスタとを有し、前記入力電圧及び前記出力電圧の差分を増幅する第２の差動増幅器と、
第１の電源側に設けられ、前記第１の差動増幅器の出力ノードの電圧に基づいてゲート制御され、そのドレイン電圧を前記出力電圧として生成する第２導電型の第１の駆動トランジスタと、
第２の電源側に設けられ、前記第２の差動増幅器の出力ノードの電圧に基づいてゲート制御され、そのドレイン電圧を前記出力電圧として生成する第１の導電型の第２の駆動トランジスタとを含み、
前記第１及び第２の電流源トランジスタのうち少なくとも１つが、
そのチャネル領域が形成される不純物層の電位が、他のトランジスタのチャネル領域が形成される不純物層の電位とは独立に設定されるトランジスタであり、
前記第１及び第２の電流源トランジスタのうち少なくとも１つのゲート電圧が固定された状態で、前記不純物層の電位及び当該トランジスタのソース領域の電位の少なくとも１つが変更されることで、その電流駆動能力が制御されることを特徴とする演算増幅器。
【請求項７】
請求項６において、
前記第１導電型がＮ型であり、
前記第２導電型がＰ型であり、
前記不純物層及び前記ソース領域の少なくとも１つは、
前記出力電圧の立ち上がり期間において、前記第１の駆動トランジスタの電流駆動能力が前記第２の駆動トランジスタの電流駆動能力より高くなるように変更されることを特徴とする演算増幅器。
【請求項８】
請求項６又は７において、
前記第１導電型がＮ型であり、
前記第２導電型がＰ型であり、
前記不純物層及び前記ソース領域の少なくとも１つは、
前記出力電圧の立ち下がり期間において、前記第１の駆動トランジスタの電流駆動能力が前記第２の駆動トランジスタの電流駆動能力より低くなるように変更されることを特徴とする演算増幅器。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれかにおいて、
前記不純物層及び前記ソース領域の少なくとも１つは、
前記出力電圧が一定となる出力一定期間において、前記第１の駆動トランジスタの電流駆動能力が前記第２の駆動トランジスタの電流駆動能力と等しくなるように設定されることを特徴とする演算増幅器。
【請求項１０】
請求項６乃至９のいずれかにおいて、
前記第１導電型がＮ型であり、
前記第２導電型がＰ型であり、
前記第１及び第２の電流源トランジスタのうち前記第１の電流源トランジスタのチャネル領域が形成される不純物層及び該第１の電流源トランジスタのソース領域が、接地電源の電位より低電位に設定されることを特徴とする演算増幅器。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記第１の電流源トランジスタの前記不純物層及び前記ソース領域が、接地電源の電位より、該チャネル領域が形成されるトランジスタの閾値電圧以上、低い電位に設定されることを特徴とする演算増幅器。
【請求項１２】
入力電圧が入力され、出力電圧を出力する演算増幅器であって、
前記入力電圧と前記出力電圧が供給される差動トランジスタ対と、
前記差動トランジスタ対に電気的に接続された電流源トランジスタと、
ゲートが前記差動トランジスタ対に電気的に接続された駆動トランジスタと、
を含み、
前記電流源トランジスタは、チャネル領域に供給する電位及びソース領域に供給する電位のうち、少なくとも１つを変更することにより制御されることを特徴とする演算増幅器。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれかにおいて、
そのチャネル領域が形成される不純物層の電位が、他のトランジスタのチャネル領域が形成される不純物層の電位とは独立に設定されるトランジスタは、
トリプルウェル構造のトランジスタであることを特徴とする演算増幅器。
【請求項１４】
請求項１乃至１２のいずれかにおいて、
そのチャネル領域が形成される不純物層の電位が、他のトランジスタのチャネル領域が形成される不純物層の電位とは独立に設定されるトランジスタは、
エピウェーハ構造のトランジスタであることを特徴とする演算増幅器。
【請求項１５】
請求項１乃至１２のいずれかにおいて、
そのチャネル領域が形成される不純物層の電位が、他のトランジスタのチャネル領域が形成される不純物層の電位とは独立に制御されるトランジスタは、
ＳＯＩ（Silicon On Insulator）構造のトランジスタであることを特徴とする演算増幅器。
【請求項１６】
複数の走査線と複数のデータ線と走査線及びデータ線により特定される画素電極とを有する電気光学装置を駆動するための駆動回路であって、
データ線毎にデータ電圧を生成するデータ電圧生成回路と、
各データ線毎に設けられ、前記データ電圧生成回路によって生成されるデータ電圧に基づいて各データ線を駆動する請求項１乃至１５のいずれかの演算増幅器とを含むことを特徴とする駆動回路。
【請求項１７】
複数の走査線と、
複数のデータ線と、
複数の画素電極と、
前記複数の走査線を走査する走査線駆動回路と、
前記複数のデータ線を駆動する請求項１６記載の駆動回路とを含むことを特徴とする電気光学装置。