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【手続補正書】
【提出日】平成19年12月20日(2007.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  情報部分および前記情報部分を識別するための識別情報がストアされている記録媒体の再生中の情報部分に対応した識別情報をメモリにストアし、前記メモリに記録された識別情報に対応する情報部分を再生しないようにランダムに再生するランダム再生モードを備えた記録媒体の再生装置であって、
前記メモリにストアされた識別情報の数が記録媒体の情報部分の総数に達したとき、メモリにストアされている最後にストアされた識別情報以外をメモリからを消去することを特徴とする記録媒体の再生装置。
【請求項２】  前記情報部分が楽曲であることを特徴とする請求項１記載の再生装置。
【請求項３】  楽曲が記録された記録媒体を再生する再生手段と、
前記再生手段で再生された楽曲に関する情報を記憶するメモリと、
前記メモリに記憶された情報に対する楽曲以外の楽曲が再生されるように前記再生手段を制御する制御手段と、を有し、
記憶された楽曲に関する情報の数と、予め定められた数とが一致した場合に、前記メモリには、最後に再生された楽曲に関する情報のみが記憶されることを特徴とする記録媒体の再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、情報部分および前記情報部分を識別するための識別情報がストアされている記録媒体の再生中の情報部分に対応した識別情報をメモリにストアし、前記メモリに記録された識別情報に対応する情報部分を再生しないようにランダムに再生するランダム再生モードを備えた記録媒体の再生装置であって、
前記メモリにストアされた識別情報の数が記録媒体の情報部分の総数に達したとき、メモリにストアされている最後にストアされた識別情報以外をメモリからを消去することを特徴とする記録媒体の再生装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明に従えば、情報部分が再生中であるときは、再生中の情報部分に対応する識別情報をメモリにストアする。メモリにストアされた識別情報の数が、情報部分の総数に到達したとき、メモリにストアされている識別情報が消去されても、最後にストアされた識別情報は、メモリにストアされたままとなる。記録媒体にストアされた複数の情報部分をすべて再生した後、さらに同一の記録媒体にストアされている複数の情報部分の再生順序をランダムに選択して再生するとき、メモリには、前回最後の順位で再生した情報部分に対応する識別情報が存在し、この識別情報は、ランダム選択の対象から除外されるので、前回最後の順位で選択した識別情報を選択することがない。したがって、記録媒体にストアされている複数の情報部分をすべて再生した後、さらに続けて同一の記録媒体にストアされている複数の情報部分を再生するとき、同一の情報部分が連続再生されることを、防止することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また本発明は、前記情報部分が、楽曲であることを特徴とする。
本発明に従えば、情報部分が楽曲である。したがって、同一の記録媒体にストアされている複数の楽曲の再生順序をランダムに選択して再生するとき、続けて同一の楽曲が再生されることがないので、聴取者を飽きさせることがない。
また本発明は、楽曲が記録された記録媒体を再生する再生手段と、
前記再生手段で再生された楽曲に関する情報を記憶するメモリと、
前記メモリに記憶された情報に対する楽曲以外の楽曲が再生されるように前記再生手段を制御する制御手段と、を有し、
記憶された楽曲に関する情報の数と、予め定められた数とが一致した場合に、前記メモリには、最後に再生された楽曲に関する情報のみが記憶されることを特徴とする記録媒体の再生装置である。
本発明に従えば、メモリには再生された楽曲に関する情報がストアされる。記憶された楽曲に関する情報の数が、予め定められた数に到達すると、メモリには、最後に再生された楽曲に関する情報のみが記憶される。記録媒体にストアされた複数の情報部分をすべて再生した後、さらに同一の記録媒体に記録されている楽曲を再生するとき、メモリには、前回最後の順位で再生した楽曲に関する情報が存在するので、最後に再生した楽曲は、再生手段による再生がされない。したがって、記録媒体に記録されている楽曲をすべて再生した後、さらに続けて同一の記録媒体に記録されている楽曲を再生するとき、同一の楽曲が連続再生されることを防止することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
【発明の効果】
本発明によれば、、情報部分が再生中であるときは、再生中の情報部分に対応する識別情報をメモリにストアする。メモリにストアされた識別情報の数が、情報部分の総数に到達したとき、メモリにストアされている識別情報が消去されても、最後にストアされた識別情報は、メモリにストアされたままとなる。記録媒体にストアされた複数の情報部分をすべて再生した後、さらに同一の記録媒体にストアされている複数の情報部分の再生順序をランダムに選択して再生するとき、メモリには、前回最後の順位で再生した情報部分に対応する識別情報が存在し、この識別情報は、ランダム選択の対象から除外されるので、前回最後の順位で選択した識別情報を選択することがない。したがって、記録媒体にストアされている複数の情報部分をすべて再生した後、さらに続けて同一の記録媒体にストアされている複数の情報部分を再生するとき、同一の情報部分が連続再生されることを、防止することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
また本発明によれば、情報部分が楽曲である。したがって、同一の記録媒体にストアされている複数の楽曲の再生順序をランダムに選択して再生するとき、続けて同一の楽曲が再生されることがないので、聴取者を飽きさせることがない。
また本発明によれば、メモリには再生された楽曲に関する情報がストアされる。記憶された楽曲に関する情報の数が、予め定められた数に到達すると、メモリには、最後に再生された楽曲に関する情報のみが記憶される。記録媒体にストアされた複数の情報部分をすべて再生した後、さらに同一の記録媒体に記録されている楽曲を再生するとき、メモリには、前回最後の順位で再生した楽曲に関する情報が存在するので、最後に再生した楽曲は、再生手段による再生がされない。したがって、記録媒体に記録されている楽曲をすべて再生した後、さらに続けて同一の記録媒体に記録されている楽曲を再生するとき、同一の楽曲が連続再生されることを防止することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月21日(2007.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多値画像を２値化するための閾値を複数決定する決定手段と、
前記決定手段で決定された複数の閾値それぞれを用いて前記多値画像を２値化することにより、複数の２値画像を取得する取得手段と、
前記取得手段で取得した複数の２値画像それぞれに含まれる連結成分に基づいて、異なる下地を有すると判断した領域の位置と大きさを表す領域情報を生成する生成手段と、
前記領域情報で示される領域ごとに前記多値画像を２値化することにより第２の２値画像を得る２値化手段と、
前記２値化手段で得られた第２の２値画像と前記生成手段で生成された領域情報とに基づいて前記多値画像の領域分割を行う分割処理手段と
を備えることを特徴とする文書処理装置。
【請求項２】
前記生成手段は、前記複数の２値画像それぞれに含まれる黒画素の連結成分の領域が所定サイズより大きい領域を、前記異なる下地を有する領域と判断して、当該領域の位置と大きさを表す領域情報を生成する
ことを特徴とする請求項１に記載の文書処理装置。
【請求項３】
前記２値化手段は、
前記領域情報で示される各領域の多値画像に基づいて、各領域を２値化するための閾値を設定する設定手段と、
前記設定手段で設定されたそれぞれの閾値で前記多値画像の各領域を２値化して２値部分画像を取得する２値部分画像取得手段と、
前記２値部分画像取得手段で取得した各領域の２値部分画像を合成して前記第２の２値画像を生成する合成手段とを備える
ことを特徴とする請求項１または２に記載の文書処理装置。
【請求項４】
前記２値化手段は、
前記領域情報で示される各領域について白黒の反転を行うか否かを決定する決定手段と、
反転を行うと決定された領域の、前記２値部分画像取得手段で取得した２値部分画像の白黒を反転する反転手段を更に備え、
前記合成手段は、前記取得手段で取得した２値部分画像と前記反転手段で取得した２値部分画像を用いて、前記第２の２値画像を生成する
ことを特徴とする請求項３に記載の文書処理装置。
【請求項５】
前記分割処理手段は、
前記２値化手段で得られた第２の２値画像から文書要素を抽出して木構造を形成する形成手段と、
前記木構造の中に、前記領域情報が示す領域に含まれる文書要素を、該領域を示す親に接続される子とした部分木構造を形成することにより、前記木構造を変更する変更手段とを備え、
前記形成手段と変更手段とによって得られた木構造に基づいて領域分割を行う
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の文書処理装置。
【請求項６】
前記分割処理手段は、前記領域情報で示される領域を枠領域として、前記領域分割を行うことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の文書処理装置。
【請求項７】
カラー画像を輝度画像に変換する変換手段を更に備え、前記多値画像は前記変換手段で変換された輝度画像であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の文書処理装置。
【請求項８】
前記決定手段は、前記多値画像のヒストグラムをとり、当該ヒストグラムから前記複数の閾値を決定することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の文書処理装置。
【請求項９】
決定手段が、多値画像を２値化するための閾値を複数決定する決定工程と、
取得手段が、前記決定工程で決定された複数の閾値それぞれを用いて前記多値画像を２値化することにより、複数の２値画像を取得する取得工程と、
生成手段が、前記取得工程で取得した複数の２値画像それぞれに含まれる連結成分に基づいて、異なる下地を有すると判断した領域の位置と大きさを表す領域情報を生成する生成工程と、
２値化手段が、前記領域情報で示される領域ごとに前記多値画像を２値化することにより第２の２値画像を得る２値化工程と、
分割処理手段が、前記２値化工程で得られた第２の２値画像と前記生成工程で生成された領域情報とに基づいて前記多値画像の領域分割を行う分割処理工程と
を備えることを特徴とする文書処理方法。
【請求項１０】
コンピュータを、
多値画像を２値化するための閾値を複数決定する決定手段、
前記決定手段で決定された複数の閾値それぞれを用いて前記多値画像を２値化することにより、複数の２値画像を取得する取得手段と
前記取得手段で取得した複数の２値画像それぞれに含まれる連結成分に基づいて、異なる下地を有すると判断した領域の位置と大きさを表す領域情報を生成する生成手段、
前記領域情報で示される領域ごとに前記多値画像を２値化することにより第２の２値画像を得る２値化手段、
前記２値化手段で得られた第２の２値画像と前記生成手段で生成された領域情報とに基づいて前記多値画像の領域分割を行う分割処理手段、
として機能させるためのプログラムを格納した、コンピュータ読取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
多値画像を２値化するための閾値を複数決定する決定手段と、
前記決定手段で決定された複数の閾値それぞれを用いて前記多値画像を２値化することにより、複数の２値画像を取得する取得手段と、
前記取得手段で取得した複数の２値画像それぞれに含まれる連結成分に基づいて、異なる下地を有すると判断した領域の位置と大きさを表す領域情報を生成する生成手段と、
前記領域情報で示される領域ごとに前記多値画像を２値化することにより第２の２値画像を得る２値化手段と、
前記２値化手段で得られた第２の２値画像と前記生成手段で生成された領域情報とに基づいて前記多値画像の領域分割を行う分割処理手段とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、上記の目的を達成するための本発明の文書処理方法は以下の工程を備える。すなわち、
決定手段が、多値画像を２値化するための閾値を複数決定する決定工程と、
取得手段が、前記決定工程で決定された複数の閾値それぞれを用いて前記多値画像を２値化することにより、複数の２値画像を取得する取得工程と、
生成手段が、前記取得工程で取得した複数の２値画像それぞれに含まれる連結成分に基づいて、異なる下地を有すると判断した領域の位置と大きさを表す領域情報を生成する生成工程と、
２値化手段が、前記領域情報で示される領域ごとに前記多値画像を２値化することにより第２の２値画像を得る２値化工程と、
分割処理手段が、前記２値化工程で得られた第２の２値画像と前記生成工程で生成された領域情報とに基づいて前記多値画像の領域分割を行う分割処理工程とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月19日(2008.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】携帯電話
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  光学特性可変光学素子を有する撮像系と前記光学特性可変光学素子を制御する制御系とを有する携帯電話。
【請求項２】  前記制御系に昇圧回路を含むことを特徴とする請求項１に記載の携帯電話。
【請求項３】  前記制御系にトランスを用いた昇圧回路を含むことを特徴とする請求項１に記載の携帯電話。
【請求項４】  前記トランスがコイルを用いたトランスであることを特徴とする請求項３に記載の携帯電話。
【請求項５】  前記トランスが圧電トランスである請求項３に記載の携帯電話。
【請求項６】  前記光学特性可変光学素子が可変焦点レンズであることを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れか１項の携帯電話。
【請求項７】  前記光学特性可変光学素子が可変ミラーであることを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れか１項の携帯電話。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の携帯電話は、光学特性可変光学素子を有する撮像系と前記光学特性可変光学素子を制御する制御系とを有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
また、本発明の携帯電話は、前記制御系に昇圧回路を含むことを特徴とする。ここで、前記制御系にトランスを用いた昇圧回路を含む。また、前記トランスがコイルを用いたトランスである。あるいは、前記トランスが圧電トランスである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、本発明の携帯電話は、前記光学特性可変光学素子が可変焦点レンズである。あるいは、前記光学特性可変光学素子が可変ミラーである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月14日(2007.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 
行列状に配された、光電変換素子を含む画素と、
複数の前記画素からの信号が読み出される信号線と、
画素行ごとに、前記光電変換素子の信号をリセットするリセット動作と、前記光電変換素子の信号を前記出力線へ読み出す読み出し動作と、を選択して行う走査回路と、
前記リセット動作のためのリセットパルスを生成する第１生成手段と、
前記読み出し動作のための読み出しパルスを生成する第２生成手段と、を有し、
前記走査回路は、
シフトレジスタと、
前記第１，第２生成手段によって生成された各信号のいずれかを選択して出力する選択手段と、を備えた固体撮像装置において、
前記シフトレジスタにスタートパルスを供給する制御部を有し、
前記選択手段は、前記制御部から前記シフトレジスタに入力されるスタートパルスの入力数に応じて、同一画素行における、前記第１生成手段によって生成されたリセットパルスを出力してから、第２生成手段によって生成された読み出しパルスを出力するまでの時間を変化させることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記選択手段は、前記スタートパルスの入力数に応じて２値信号を出力するカウンタを備えることを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記カウンタから出力される２値信号に基づく信号と前記スタートパルスとの論理積を算出する第１論理積回路と、前記第１論理積回路の出力信号と第１，第２生成手段によって生成された各信号との論理積を算出する第２，第３論理積回路とを備えることを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置。
【請求項４】
さらに、前記画素は前記光電変換素子によって生成された光電荷が転送される転送領域を有し、前記光電変換素子の電荷を前記転送領域に転送する転送パルスを生成する第３生成手段を備え、
前記選択手段は、前記第１，第２，第３生成手段で生成された各パルスのいずれかを選択して出力することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記第１論理積回路の出力信号と第３生成手段によって生成されたパルスとの論理積を算出する第４論理積回路を備えることを特徴とする請求項４記載の固体撮像装置。
【請求項６】  
行列状に配された、光電変換素子を含む画素と、
複数の前記画素からの信号が読み出される信号線と、
画素行ごとに、前記光電変換素子の信号をリセットするリセット動作と、前記光電変換素子の信号を前記出力線へ読み出す読み出し動作と、を選択して行う走査回路と、
前記リセット動作のためのリセットパルスを生成する第１生成手段と、
前記読み出し動作のための読み出しパルスを生成する第２生成手段と、を有し、
前記走査回路は、
シフトレジスタと、
前記第１，第２生成手段によって生成された各信号のいずれかを選択して出力する選択手段と、を備えた固体撮像装置において、
前記シフトレジスタにスタートパルスを供給する制御部を有し、
前記選択手段は、第１スタートパルスが入力されてから第２スタートパルスが入力されるまでの時間に応じて、同一画素行における、前記第１生成手段によって生成されたリセットパルスを出力してから、第２生成手段によって生成された読み出しパルスを出力するまでの時間を変化させることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項７】
前記選択手段は、前記スタートパルスに応じて２値信号を出力するカウンタを備えることを特徴とする請求項６記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記カウンタから出力される２値信号に基づく信号と前記スタートパルスとの論理積を算出する第１論理積回路と、前記第１論理積回路の出力信号と第１，第２生成手段によって生成された各信号との論理積を算出する第２，第３論理積回路とを備えることを特徴とする請求項７記載の固体撮像装置。
【請求項９】
さらに、前記画素は前記光電変換素子によって生成された光電荷が転送される転送領域を有し、前記光電変換素子の電荷を前記転送領域に転送する転送パルスを生成する第３生成手段を備え、
前記選択手段は、前記第１，第２，第３生成手段で生成された各パルスのいずれかを選択して出力することを特徴とする請求項６から８のいずれか１項記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記第１論理積回路の出力信号と第３生成手段によって生成されたパルスとの論理積を算出する第４論理積回路を備えることを特徴とする請求項９記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記画素は、ＭＯＳ型撮像素子を備えていることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか１項記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置へ光を結像する光学系と、
前記固体撮像装置からの出力信号を処理する信号処理回路とを有することを特徴とする固体撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は、行列状に配された、光電変換素子を含む画素と、複数の前記画素からの信号が読み出される信号線と、画素行ごとに、前記光電変換素子の信号をリセットするリセット動作と、前記光電変換素子の信号を前記出力線へ読み出す読み出し動作と、を選択して行う走査回路と、前記リセット動作のためのリセットパルスを生成する第１生成手段と、前記読み出し動作のための読み出しパルスを生成する第２生成手段と、を有し、前記走査回路は、シフトレジスタと、前記第１，第２生成手段によって生成された各信号のいずれかを選択して出力する選択手段と、を備えた固体撮像装置において、前記シフトレジスタにスタートパルスを供給する制御部を有し、前記選択手段は、前記制御部から前記シフトレジスタに入力されるスタートパルスの入力数に応じて、同一画素行における、前記第１生成手段によって生成されたリセットパルスを出力してから、第２生成手段によって生成された読み出しパルスを出力するまでの時間を変化させることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明は、行列状に配された、光電変換素子を含む画素と、複数の前記画素からの信号が読み出される信号線と、画素行ごとに、前記光電変換素子の信号をリセットするリセット動作と、前記光電変換素子の信号を前記出力線へ読み出す読み出し動作と、を選択して行う走査回路と、前記リセット動作のためのリセットパルスを生成する第１生成手段と、前記読み出し動作のための読み出しパルスを生成する第２生成手段と、を有し、前記走査回路は、シフトレジスタと、前記第１，第２生成手段によって生成された各信号のいずれかを選択して出力する選択手段と、を備えた固体撮像装置において、前記シフトレジスタにスタートパルスを供給する制御部を有し、前記選択手段は、第１スタートパルスが入力されてから第２スタート信号が入力されるまでの時間に応じて、同一画素行における、前記第１生成手段によって生成されたリセットパルスを出力してから、第２生成手段によって生成された読み出しパルスを出力するまでの時間を変化させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月7日(2008.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体表示装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明絶縁性基板上に半導体層とゲート絶縁膜と第１層ゲート電極膜と第２層ゲート電極膜を前記透明絶縁性基板に近い方から順に積層形成する第１の工程と、
当該構造の基板上にゲート電極形成用のレジストパターンを形成する第２の工程と、
前記レジストパターンをマスクにドライエッチングし、第１層ゲート電極と第２層ゲート電極とから成る第１形状のゲート電極を形成する第３の工程と、
一導電型の不純物をイオン注入して、前記第１形状のゲート電極の外側に対応する半導体層に第１の不純物領域を形成する第４の工程と、
前記第１形状のゲート電極上に存在するレジストパターンをマスクに追加エッチングし、第１層ゲート電極が第２層ゲート電極よりチャネル方向の寸法の長い第２形状のゲート電極を形成する第５の工程と、
前記第２形状のゲート電極の前記第１層ゲート電極をマスクに裏面露光を行い、自己整合的にネガレジストパターンを形成する第６の工程と、
前記一導電型と同一導電型の不純物をイオン注入して、前記第２形状のゲート電極の前記第１層ゲート電極の露出領域に対応する半導体層に第２の不純物領域を形成する第７の工程と、
前記ネガレジストパターンを除去する第８の工程と、
前記一導電型と同一導電型の不純物をイオン注入して、前記第２形状のゲート電極の外側に対応する半導体層に第３の不純物領域を形成する第９の工程とを備えたことを特徴とする半導体表示装置の作製方法。
【請求項２】
透明絶縁性基板上に半導体層とゲート絶縁膜と第１層ゲート電極膜と第２層ゲート電極膜を前記透明絶縁性基板に近い方から順に形成する第１の工程と、
当該構造の基板上にゲート電極形成用のレジストパターンを形成する第２の工程と、
前記レジストパターンをマスクにドライエッチングし、第１層ゲート電極と第２層ゲート電極とから成る第１形状のゲート電極を形成する第３の工程と、
一導電型の不純物をイオン注入して、前記第１形状のゲート電極の外側に対応する半導体層に第１の不純物領域を形成する第４の工程と、
前記第１形状のゲート電極上に存在するレジストパターンをマスクに追加エッチングし、第１層ゲート電極が第２層ゲート電極よりチャネル方向の寸法の長い第２形状のゲート電極を形成する第５の工程と、
前記一導電型と同一導電型の不純物をイオン注入して、前記第２形状のゲート電極の外側に対応する半導体層に第２の不純物領域を形成する第６の工程と、
前記第２形状のゲート電極の前記第１層ゲート電極をマスクに裏面露光を行い、自己整合的にネガレジストパターンを形成する第７の工程と、
前記一導電型と同一導電型の不純物をイオン注入して、前記第２形状のゲート電極の前記第１層ゲート電極の露出領域に対応する半導体層に第３の不純物領域を形成する第８の工程とを備えたことを特徴とする半導体表示装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１に於いて、前記第２の不純物領域のドーズ量を前記第１の不純物領域のドーズ量より低く、前記第３の不純物領域のドーズ量より高くすることを特徴とする半導体表示装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２に於いて、前記第３の不純物領域のドーズ量を前記第１の不純物領域のドーズ量より低く、前記第２の不純物領域のドーズ量より高くすることを特徴とする半導体表示装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１又は請求項２に於いて、前記第２の不純物領域と前記第３の不純物領域の不純物濃度を各々独立に制御することを特徴とする半導体表示装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１又は請求項２に於いて、前記第１層ゲート電極膜と前記第２層ゲート電極膜に種類の異なる高融点金属又は高融点金属を含む化合物を適用することを特徴とする半導体表示装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１又は請求項２に於いて、前記第１層ゲート電極膜として高融点金属を含む化合物であるＴａＮ膜を適用し、第２層ゲート電極膜として高融点金属であるＷ膜を適用することを特徴とする半導体表示装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１又は請求項２に於いて、前記半導体層を多結晶シリコン膜で形成することを特徴とする半導体表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月28日(2008.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ドライエッチング装置及びエッチング方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧されたチャンバー内に反応ガスを供給し、上部電極と下部電極との間に発生するプラズマによって、前記下部電極上に配置された基板上の被エッチング材料膜をエッチングするドライエッチング装置であって、
前記下部電極は、前記基板の中心部の下方に配置された第１の電極と、前記基板の角部の下方に各々独立して配置された複数の第２の電極とを有することを特徴とするドライエッチング装置。
【請求項２】
請求項１において、前記第１の電極の面積は、前記複数の第２の電極のそれぞれの面積より大きいことを特徴とするドライエッチング装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記第１の電極に第１の高周波電源が電気的に接続され、前記複数の第２の電極の各々に互いに異なる第２の高周波電源が電気的に接続されていることを特徴とするドライエッチング装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記第１の電極に印加される高周波電力と、前記複数の第２の電極に印加される高周波電力は異なることを特徴とするドライエッチング装置。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記第１の電極に印加される高周波電力の周波数と、前記複数の第２の電極に印加される高周波電力の周波数は同一であることを特徴とするドライエッチング装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記第１の電極及び前記複数の第２の電極の各々に互いに異なる測定装置が電気的に接続されていることを特徴とするドライエッチング装置。
【請求項７】
減圧されたチャンバー内に反応ガスを供給し、上部電極と下部電極との間に発生するプラズマによって、前記下部電極上に配置された基板上の被エッチング材料膜をエッチングするドライエッチング装置であって、
前記下部電極は、各々独立してマトリクス状に配置される複数の電極からなることを特徴とするドライエッチング装置。
【請求項８】
請求項７において、前記下部電極を構成する複数の電極は、互いに同形同寸であることを特徴とするドライエッチング装置。
【請求項９】
請求項７又は８において、前記下部電極を構成する複数の電極の各々に互いに異なる高周波電源が電気的に接続されていることを特徴とするドライエッチング装置。
【請求項１０】
請求項７乃至９のいずれか一において、前記下部電極を構成する複数の電極の各々に互いに異なる測定装置が電気的に接続されていることを特徴とするドライエッチング装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、前記上部電極に第３の高周波電源が電気的に接続されていることを特徴とするドライエッチング装置。
【請求項１２】
対向する上部電極と、第１の電極及び複数の第２の電極を有する下部電極とを備えたドライエッチング装置を使用するエッチング方法であって、
チャンバー内に設けられた前記下部電極のうち、前記第１の電極が基板の中心部と重なるように、かつ、各々独立して配置された前記複数の第２の電極が基板の角部にそれぞれ重なるように前記下部電極上に基板を配置し、
減圧されたチャンバー内に反応ガスを供給し、
前記下部電極に高周波電力を印加して、前記上部電極と前記下部電極との間に交流電界を印加することによりプラズマを発生させて、前記基板上の被エッチング材料膜をエッチングすることを特徴とするエッチング方法。
【請求項１３】
対向する上部電極と第１の電極及び複数の第２の電極を有する下部電極とを備えたドライエッチング装置を使用するエッチング方法であって、
チャンバー内に設けられた前記下部電極のうち、前記第１の電極が基板の中心部と重なるように、かつ、各々独立して配置された前記複数の第２の電極が基板の角部にそれぞれ重なるように前記下部電極上に基板を配置し、
減圧されたチャンバー内に反応ガスを供給し、
前記第１の電極に第１の高周波電力を印加し、かつ、前記複数の第２の電極に第２の高周波電力を印加して、前記上部電極と前記下部電極との間に交流電界を印加することによりプラズマを発生させて、前記基板上の被エッチング材料膜をエッチングすることを特徴とするエッチング方法。
【請求項１４】
請求項１２又は１３において、前記上部電極に第３の高周波電力を印加することを特徴とするエッチング方法。
【請求項１５】
対向するラジアルラインスロットアンテナと、第１の電極及び複数の第２の電極を有する下部電極とを備えたドライエッチング装置を使用するエッチング方法であって、
チャンバー内に設けられた前記下部電極のうち、前記第１の電極が基板の中心部と重なるように、かつ、各々独立して配置された前記複数の第２の電極が基板の角部にそれぞれ重なるように前記下部電極上に基板を配置し、
減圧されたチャンバー内に反応ガスを供給し、
前記下部電極に高周波電力を印加し、
前記アンテナからマイクロ波を供給して前記アンテナと前記下部電極との間にプラズマを発生させて、前記基板上の被エッチング材料膜をエッチングすることを特徴とするエッチング方法。
【請求項１６】
対向するラジアルラインスロットアンテナと、第１の電極及び複数の第２の電極を有する下部電極とを備えたドライエッチング装置を使用するエッチング方法であって、
チャンバー内に設けられた前記下部電極のうち、前記第１の電極が基板の中心部と重なるように、かつ、各々独立して配置された前記複数の第２の電極が基板の角部にそれぞれ重なるように前記下部電極上に基板を配置し、
減圧されたチャンバー内に反応ガスを供給し、
前記第１の電極に第１の高周波電力を印加し、前記複数の第２の電極に第２の高周波電力を印加し、
前記アンテナからマイクロ波を供給して前記アンテナと前記下部電極との間にプラズマを発生させて、前記基板上の被エッチング材料膜をエッチングすることを特徴とするエッチング方法。
【請求項１７】
請求項１３又は１６において、前記第１の高周波電力と前記第２の高周波電力は異なることを特徴とするエッチング方法。
【請求項１８】
請求項１３又は１６において、前記第１の高周波電力と前記第２の高周波電力の周波数は同一であることを特徴とするエッチング方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月12日(2008.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 複数の電源電圧で作動し、電源電圧における過渡電圧を抑制するためのソレノイド組立体（１８）を製造する方法であって、
モジュール（２２）を、ソレノイド（２０）の支持装置（２５）として使用するように、物理的に構成する段階と、
前記支持装置を使用して、前記ソレノイドをフレームに支持する段階と、
前記モジュールを所望のソレノイド性能に合わせて電気的に構成する段階と、
前記モジュールを遠隔地点から送信されるコマンドに応答するように構成する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】 ブリッジ全波整流回路（４２）は、複数のシリコン制御整流素子（８２、８４）及びダイオード（６２、６４）を含み、またコントローラは前記複数のシリコン制御整流素子に電気的に接続されており、前記モジュール（２２）を電気的に構成する前記段階は、前記複数のシリコン制御整流素子（８２、８４）を制御することによって前記ブリッジ全波整流回路を「入り」又は「切り」に切り替える段階を含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】 前記モジュール（２２）を遠隔地点から送信されるコマンドに応答するように構成する前記段階は、
前記モジュールを前記ソレノイドのプランジャ（５８）の位置をメモリ（９８）に記憶するように構成する段階と、
前記モジュールを前記ソレノイド（２０）の作動状態をメモリ（９８）に記憶するように構成する段階と、
インターネット（９２）、イントラネット、ＴＬ線、専用電話網、ＤＳＬ線、ＩＳＤＮ線、通信ケーブル、衛星技術、及び無線技術のうちの少なくとも１つを使用して送信するために、メモリ（９８）に記憶されている必要情報を、通信装置（９０）へ送信する段階と、
を含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】 支持面（２５）を含むモジュール（２２）と、
複数の端子（３０、３２）と、
複数の取り付け具（２４）と、
を含み、
前記支持面がソレノイド（２０）に機械的に接続されるための環状形を有し、前記複数の端子が前記ソレノイドの長手方向の軸線に沿って延び、前記複数の取り付け具が前記ソレノイドから放射方向に延びている、
ことを特徴とする装置。
【請求項５】 前記ソレノイド（２０）は巻き線を含み、前記モジュール（２２）は前記ソレノイド巻き線に電気的に接続されていることを特徴とする、請求項４に記載の装置。
【請求項６】 前記モジュール（２２）は前記モジュール内に収納された電気回路（４０）を更に含み、前記電気回路は
複数のダイオード（６２、６２、６４、６６）を含み、交流電圧源に接続されたブリッジ全波整流回路（４２）、及び
複数のシリコン制御整流素子（８２、８４）及び複数のダイオード（６２、６４）のうちの少なくとも１つを含み、交流電源に接続され、かつ前記シリコン制御整流素子（ＳＣＲ）のゲート（８６、８８）が外部コントローラに接続されており、前記ＳＣＲがブリッジ全波整流回路（４２）を「入り」又は「切り」に切り替えるように構成されているブリッジ全波整流回路（４２）、
のうちの少なくとも１つを含む、
ことを特徴とする、請求項４に記載の装置。
【請求項７】 自動切替えスイッチ（１０）を作動させるように構成されたソレノイド組立体（１８）であって、
巻き線を含むソレノイド（２０）と、
該ソレノイドに電気的に接続され、ブリッジ全波整流回路（４２）、過渡電圧保護回路（４４）、抵抗器モジュール（５０）、ホール効果装置（５４）、及び通信装置（９０）を含むモジュール（２２）と、
を含むことを特徴とする、ソレノイド組立体（１８）。
【請求項８】 前記抵抗器モジュール（５０）は、マイクロプロセッサ（９４）、メモリ（９８）、及びプログラム（９６）を更に含むことを特徴とする、請求項７に記載のソレノイド組立体（１８）。
【請求項９】 前記ブリッジ全波整流回路（４２）は、少なくとも複数のシリコン制御整流素子（８２、８４）及び複数のダイオード（６２、６４）を含み、前記シリコン制御整流素子（ＳＣＲ）のゲート（８６、８８）は外部コントローラに電気的に接続されており、前記ＳＣＲが前記ブリッジ全波整流回路（４２）を「入り」又は「切り」に切り替えるように構成されていることを特徴とする、請求項７に記載のソレノイド組立体（１８）。
【請求項１０】 前記抵抗器モジュール（５０）はプラグイン抵抗器（７４）を含み、前記抵抗器は、前記ソレノイド（２０）に電気的に直列に接続され、電位差計になるように構成されており、前記過渡電圧保護回路（４４）は、１方向ダイオード、コモンモードチョーク、及び酸化金属バリスタのうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする、請求項７に記載のソレノイド組立体（１８）。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月20日(2008.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザー照射装置及び半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照射面またはその近傍において均一なエネルギー分布を有するレーザビームを形成するレーザ照射装置であって、
前記レーザビームの進行方向に直角である第１の方向において前記レーザビームを互いに異なる偏光方向を有する２つのレーザビームにする分割手段と、
前記２つのレーザビームを前記照射面またはその近傍で一つにする合成手段と、
前記レーザビームの進行方向に直角であり、かつ、前記第１の方向に直角な第２の方向において前記レーザビームを互いに異なる光路長を有する複数のレーザビームにする分割手段と、
前記複数のレーザビームを前記照射面またはその近傍で１つにする合成手段と、を有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項２】
照射面またはその近傍において均一なエネルギー分布を有する線状ビームを形成するレーザ照射装置であって、
前記レーザビームの進行方向に直角である第１の方向において前記レーザビームを互いに異なる偏光方向を有する２つのレーザビームにする分割手段と、
前記２つのレーザビームを前記照射面またはその近傍で一つにして、前記線状ビームの短尺方向のエネルギー分布を均一化する合成手段と、
前記レーザビームの進行方向に直角であり、かつ、前記第１の方向に直角な第２の方向において前記レーザビームを互いに異なる光路長を有する複数のレーザビームにする分割手段と、
前記複数のレーザビームを前記照射面またはその近傍で１つにして、前記線状ビームの長尺方向のエネルギー分布を均一化する合成手段と、を有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項３】
請求項１において、前記複数のレーザビームを前記照射面またはその近傍で１つにする合成手段は、Ｆ値が２０以上のシリンドリカルレンズを含むことを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項４】
請求項２において、前記複数のレーザビームを前記照射面またはその近傍で１つにして、前記線状ビームの長尺方向のエネルギー分布を均一化する合成手段は、Ｆ値が２０以上のシリンドリカルレンズを有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記レーザビームを互いに異なる偏光方向を有する２つのレーザビームにする分割手段は、λ／２板を有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記互いに異なる偏光方向を有する２つのレーザビームは、互いに直角である偏光方向を有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記分割手段により分割されたレーザビームは直線偏光または円偏光のレーザビームであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記レーザビームを互いに異なる光路長を有する複数のレーザビームにする分割手段は、Ｆ値が２０以上のシリンドリカルレンズを有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、前記レーザビームは、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、およびＹＬＦレーザから選ばれた一種または複数種から発振されたレーザビームであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１０】
基板上にＴＦＴを設けた半導体装置の作製方法において、
レーザビームの進行方向に直角である第１の方向において、前記レーザビームを互いに異なる偏光方向を有する２つのレーザビームに分割し、
前記２つのレーザビームを照射面またはその近傍において１つに合成し、
前記レーザビームの進行方向に直角であり、かつ、前記第１の方向に直角な第２の方向において前記レーザビームを互いに異なる光路長を有する複数のレーザビームに分割し、
前記複数のレーザビームを前記照射面またはその近傍で１つに合成して、前記第２の方向に平行な方向が長尺方向となる線状ビームを形成し、
非単結晶半導体膜に対し前記線状ビームを相対的に移動させながら照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１０において、前記レーザビームを互いに異なる偏光方向を有する２つのレーザビームに分割するために、少なくともλ／２板を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１０または請求項１１において、前記レーザビームを互いに異なる光路長を有する複数のレーザビームに分割するために、少なくともＦ値が２０以上のシリンドリカルレンズを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１０乃至請求項１２のいずれか一において、前記複数のレーザビームを前記照射面またはその近傍で１つに合成して、前記第２の方向に平行な方向が長尺方向となる線状ビームを形成するために、少なくともＦ値が２０以上のシリンドリカルレンズを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１０乃至請求項１３のいずれか一において、前記レーザビームとして、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、およびＹＬＦレーザから選ばれた一種または複数種から発振されたレーザビームを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月28日(2007.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
柱の立設位置に縦穴を掘削し、前記縦穴内に柱を設置するステップと、
前記柱の周囲に所定の強度を有する接続部材を巻付けるステップと、
前記縦穴の内部において柱の周囲にコンクリートを打設することにより、前記柱と前記接続部材とコンクリートとを一体化するステップとを含む、柱の基礎の施工方法。
【請求項２】
前記接続部材は前記柱に近接する第１の部分と、前記柱から離れた位置に延在する、前記第１の部分と異なる第２の部分とを含む、請求項１に記載の柱の基礎の施工方法。
【請求項３】
前記第１の部分と前記第２の部分とは、相互に対向した位置に延在する、請求項２に記載の柱の基礎の施工方法。
【請求項４】
前記接続部材は、ジオグリッド、ベルト、ロープ、金属板、鉄筋、スパイラル筋、かんざし筋のいずれかを含む、請求項１から３のいずれかに記載の柱の基礎の施工方法。
【請求項５】
前記ジオグリッドの原織物、ベルト、ロープは、高強度繊維である、請求項４に記載の柱の基礎の施工方法。
【請求項６】
前記柱は断面が矩形状であり、
前記柱は敷地境界の近傍に設けられ、
前記柱の敷地境界とは反対側の辺に、柱の幅方向寸法よりも大きい幅寸法を有する矩形状の板を柱と一体化して接続部材で取付けるステップとを含む、請求項１に記載の柱の基礎の施工方法。
【請求項７】
前記矩形状の板を柱と一体化して接続部材で取付けるステップは、前記矩形状の板と柱とをボルトで接続するステップを含む、請求項６に記載の柱の基礎の施工方法。
【請求項８】
前記接続部材はＵ字状のボルトである、請求項６または７に記載の柱の基礎の施工方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月10日(2008.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エーロフォイル（１２）と、翼根部（１４）と、エーロフォイルと翼根部の接続部分に位置するプラットフォーム（１６）とを有する動翼（１０）であって、前記エーロフォイルが、冷却媒体を受け入れて該冷却媒体をエーロフォイルに沿って流してエーロフォイルを冷却するほぼ径方向に延びる複数の通路（２０、２２、２４、２６、２８、３０、３２、３４）を含む冷却回路（１８）を有し、前記プラットフォームが、その内部に位置する、またはその下面に沿って位置する空洞（４０、５４、６２）を含む冷却回路（３８、５２、６０）を有し、
前記空洞が、前記通路の１つ（２０、２２）と連絡した、前記１つの通路から冷却媒体の少なくとも一部を引き込み、引き込んだ冷却媒体をプラットフォーム冷却回路内の空洞に対流させてプラットフォームを冷却するための吸入口（４２、５６、６４、８２）を有し、
前記空洞が、エーロフォイルの別の冷却通路（３４、２４）と連絡した吐出口（５０、５８、６６）を有し、
前記プラットフォーム冷却回路が、前記空洞内に全体的に蛇行した形状の流路（４４、７２）を含む、動翼（１０）。
【請求項２】
前記別の通路（３４）が、後端の冷却通路の一部を構成する、請求項１記載の動翼。
【請求項３】
前記エーロフォイル冷却回路の前記複数の通路が、冷却媒体をエーロフォイルに沿ってほぼ径方向外向きに流す前記１つの通路（２０）および冷却媒体をほぼ径方向内向きに流す別の通路（３４）とともに全体的に蛇行した形状のエーロフォイル冷却回路を構成し、前記空洞の前記吸入口（４２）が前記１つの通路（２０）と連絡した、請求項１記載の動翼。
【請求項４】
前記空洞からの前記吐出口（５０）が前記別の通路（３４）と連絡している、請求項３記載の動翼。
【請求項５】
前記空洞（４０）が、プラットフォームの低圧側に沿って位置し、前記空洞（５４、６２）が、前記プラットフォームの高圧側に沿って位置する、請求項１記載の動翼。
【請求項６】
前記プラットフォームが、その内部に位置する、またはその下面に沿って位置する第２の空洞（６２）を含み、前記第２の空洞が、前記通路のうちの第２の通路（３０）と連絡して、前記第２の通路から冷却媒体の少なくとも一部を引き込み、引き込んだ冷却媒体をプラットフォーム冷却回路の第２の空洞内に流してプラットフォームを対流冷却するための吸入口（６４）を有し、前記第２の空洞が、エーロフォイル冷却通路の別の通路（３４）と連絡した吐出口（６６）を有する、請求項１記載の動翼。
【請求項７】
前記プラットフォーム冷却回路が、前記第１および第２の空洞（４０、６２）内に、それぞれ全体的に蛇行した形状の流路（４４、７２）を含む、請求項６記載の動翼。
【請求項８】
前記プラットフォームが、その内部に位置する、またはその下面に沿って位置する第３の空洞（５４）を含み、前記第３の空洞が、前記通路のうちの第３の通路（２２）と連絡して、前記第３の通路から冷却媒体の少なくとも一部を引き込み、引き込んだ冷却媒体をプラットフォームの第３の空洞内に流してプラットフォームを対流冷却するための吸入口（５６）を有し、前記第３の空洞が、エーロフォイル冷却通路のさらに別の通路（２４）と連絡した吐出口（５８）を有する、請求項６記載の動翼。
【請求項９】
前記プラットフォーム冷却回路が、少なくとも第１の空洞（４０）および第３の空洞（６２）内に、それぞれ全体的に蛇行した形状の流路（４４、７２）を含み、前記第１の空洞（４０）、第２の空洞（６２）および第３の空洞（５４）が、それぞれ前記プラットフォームの低圧側、高圧側、高圧側に位置する、請求項８記載の動翼。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月11日(2008.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
さらに、可塑剤が用いられる場合には、ナノカーボンを混練配合した後に可塑剤が混練配合される。ナノカーボン以外の他の配合剤と共に可塑剤を混練配合した場合あるいはナノカーボンと共に混練配合した場合には、いずれも分散不良となり好ましくない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
比較例３〜５
実施例1〜3において、水素化ニトリルゴム組成物として、1cm角にカットした水素化ニトリルゴム100g、補強材系黒色カーボン(シースト)130g、亜鉛華5g、老化防止剤2.5gおよび有機過酸化物6gを3バッチ準備し、それぞれのバッチにカーボンナノチューブを5、10または20g加え、ヘンシェルミキサでゆっくり混合したものが用いられたところ、加硫後に皮膜表面に凝集塊が生じ、分散(目視評価)が良好な加硫ゴムは得られなかった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
比較例６〜８
実施例1〜3において、水素化ニトリルゴム組成物として、水素化ニトリルゴム100gとした3バッチに最初にカーボンナノチューブを5、10または20gロールにて混練配合し、次いで各バッチに補強材系黒色カーボン(シースト) 130g、亜鉛華5g、老化防止剤2.5gおよび有機過酸化物6gをロールにて混練配合したものが用いられたところ、加硫後に皮膜表面に凝集塊が生じ、分散(目視評価)が良好な加硫ゴムは得られなかった。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月2日(2008.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式Ｌｎ[Ｍ(ＣＮ)6]・ｎＨ2Ｏ（ただし、Ｌｎは希土類元素の少なくとも１種を示し、Ｍは３価の遷移金属元素の少なくとも１種を示す。ｎは０以上１０以下である。）で示されるヘキサシアノ多核錯体結晶体と、前記Ｍと異なる貴金属元素及びその化合物の少なくとも１種の第２成分とを含むことを特徴とする希土類−貴金属系複合材料。
【請求項２】
前記第２成分が、ヘキサシアノ多核錯体結晶体の少なくとも表面領域に存在する、請求項１に記載の希土類−貴金属系複合材料。
【請求項３】
前記第２成分の一部又は全部が、前記結晶体に化学結合している、請求項１又は２に記載の希土類−貴金属系複合材料。
【請求項４】
前記Ｌｎと第２成分とのモル比（Ｌｎ：第２成分）＝１：０．００１〜０．２である、請求項１〜３のいずれかに記載の希土類−貴金属系複合材料。
【請求項５】
一般式Ｌｎ[Ｍ(ＣＮ)6]・ｎＨ2Ｏ（ただし、Ｌｎは希土類元素の少なくとも１種を示し、Ｍは３価の遷移金属元素の少なくとも１種を示す。ｎは０以上１０以下である。）で示されるヘキサシアノ多核錯体結晶体に、貴金属元素のイオンを含む溶液を接触させることを特徴とする希土類−貴金属系複合材料の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれかに記載の複合材料を酸化性雰囲気中で熱処理することによって得られる希土類−貴金属系複合酸化物。
【請求項７】
熱処理を３００℃以上で行う、請求項６に記載の希土類−貴金属系複合酸化物。
【請求項８】
前記複合酸化物が、一般式ＬｎＭＯ3・ｍＭ’、ＬｎＭＭ’Ｏ3+m及びＬｎＭＯ3・ｍＭ’Ｏｘ（いずれの一般式においても、Ｌｎは希土類元素の少なくとも１種を示し、Ｍは３価の遷移金属元素の少なくとも１種を示し、Ｍ’は前記Ｍと異なる貴金属元素の少なくとも１種を示す。ｍは０．００１以上０．２以下である。ｘは、Ｍ’の価数をnとした場合、ｎ／２で表される値である。）で示される複合酸化物を少なくとも１種を含む、請求項６〜７のいずれかに記載の希土類−貴金属系複合酸化物。
【請求項９】
請求項６〜８のいずれかに記載の希土類−貴金属系複合酸化物を含む排ガス浄化用触媒。
【請求項１０】
請求項６〜８のいずれかに記載の希土類−貴金属系複合酸化物を含む脱水素触媒。
【請求項１１】
請求項６〜８のいずれかに記載の希土類−貴金属系複合酸化物を含む水素化分解触媒。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
７．  熱処理を３００℃以上で行う、前記項６に記載の希土類−貴金属系複合酸化物。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
８．  前記複合酸化物が、一般式ＬｎＭＯ3・ｍＭ’、ＬｎＭＭ’Ｏ3+m及びＬｎＭＯ3・ｍＭ’Ｏｘ（いずれの一般式においても、Ｌｎは希土類元素の少なくとも１種を示し、Ｍは３価の遷移金属元素の少なくとも１種を示し、Ｍ’は前記Ｍと異なる貴金属元素の少なくとも１種を示す。ｍは０．００１以上０．２以下である。ｘは、Ｍ’の価数をnとした場合、ｎ／２で表される値である。）で示される複合酸化物を少なくとも１種を含む、前記項６〜７のいずれかに記載の希土類−貴金属系複合酸化物。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
９．  前記項６〜８のいずれかに記載の希土類−貴金属系複合酸化物を含む排ガス浄化用触媒。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
１０．  前記項６〜８のいずれかに記載の希土類−貴金属系複合酸化物を含む脱水素触媒。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
１１．  前記項６〜８のいずれかに記載の希土類−貴金属系複合酸化物を含む水素化分解触媒。