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【手続補正書】
【提出日】平成20年11月4日(2008.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント基板のはんだ付けを行なう前に、噴流ノズルから溶融はんだを噴流させて酸化物の除去を行った後、溶融はんだの噴流をノズル位置まで下げておく、プリント基板を搬送して噴流ノズル上で噴流ノズルとプリント基板とを０．１mm〜１mmの間隙を設けて停止させ、噴流ノズルからの溶融はんだの噴流高さを高くしてはんだ付け部へのはんだの付着を行った後、プリント基板を上昇させて溶融はんだがプリント基板から離れる直前でプリント基板の上昇を停止し、その後、噴流ノズルから噴流している溶融はんだを下げてプリント基板のはんだ付け部から離脱させることを特徴とするプリント基板の部分はんだ付け方法。
【請求項２】
プリント基板のはんだ付け部が集合して形成された多数のはんだ付け群にフラックスを塗布する工程；
はんだ付け群に塗布されたフラックスを乾燥する工程；噴流ノズルから溶融はんだを噴流して噴流ノズル内の清浄を行なうとともに、噴流ノズルを加熱する工程；
噴流ノズルとプリント基板のはんだ付け群とを一致させるとともに、噴流ノズルから噴流させた溶融はんだが０．１mm〜１mmであるプリント基板と噴流ノズル間から表面張力で流出しない程度の間隔をあけてプリント基板を噴流ノズルの上方で停止する工程；
噴流ノズルから溶融はんだをプリント基板に十分接するまで噴流させてはんだ付け群のはんだ付け部に溶融はんだを付着させる工程；
噴流ノズルから溶融はんだを噴流させたままプリント基板を上昇させ、溶融はんだがプリント基板から離れる直前でプリント基板の上昇を停止する工程；
噴流ノズルから噴流している溶融はんだを所定の位置まで下げて、溶融はんだをプリント基板のはんだ付け部から離脱させる工程；噴流ノズル内の溶融はんだをはんだ槽内の溶融はんだの液面まで下げた後、プリント基板を噴流ノズルの位置から移動する工程；からなることを特徴とするプリント基板の部分はんだ付け方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月25日(2008.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
受信信号の伝送品質をシンボル毎に検出する伝送品質検出部と、
前記伝送品質検出部から出力されたシンボル毎の伝送品質に基づき、シンボル毎に最適な変調多値数を検出する変調多値数検出部と、
前記変調多値数検出部から出力されたシンボル毎の前記変調多値数から最大伝送シンボル数を決定する最大伝送シンボル数決定部と、
前記変調多値数検出部で検出したシンボル毎の前記変調多値数の情報と、前記最大伝送シンボル数決定部で決定した前記最大伝送シンボル数の情報とを含む送信信号を生成する送信信号生成部と、
受信した信号データに含まれる、通信相手が検出したシンボル毎に最適な前記変調多値数の情報に基づいて前記送信信号の変調多値数をシンボル毎に制御を行うマップ部と、
受信した信号データに含まれる、通信相手が検出した前記最大伝送シンボル数の情報に基づいて前記送信信号の伝送シンボル数の制御を行うシンボルデータ生成部とを備える通信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
受信信号の伝送品質をシンボル毎に検出する伝送品質検出部と、
前記伝送品質検出部から出力されたシンボル毎の伝送品質に基づき、シンボル毎に最適な変調多値数を検出する変調多値数検出部と、
前記変調多値数検出部から出力されたシンボル毎の前記変調多値数から最大伝送シンボル数を決定する最大伝送シンボル数決定部と、
前記変調多値数検出部で検出したシンボル毎の前記変調多値数と、前記最大伝送シンボル数決定部で決定した前記最大伝送シンボル数とに基づいて、全シンボル共通の前記変調多値数を検出する全シンボル共通変調多値数決定部と、
前記全シンボル共通変調多値数決定部で検出した全シンボル共通の前記変調多値数の情報と、前記最大伝送シンボル数決定部で決定した前記最大伝送シンボル数の情報とを含む送信信号を生成する送信信号生成部と、
受信した信号データに含まれる、通信相手が検出した全シンボル共通の前記変調多値数の情報に基づいて前記送信信号の変調多値数を全シンボル共通に制御を行うマップ部と、
受信した信号データに含まれる、通信相手が検出した前記最大伝送シンボル数の情報に基づいて前記送信信号の伝送シンボル数の制御を行うシンボルデータ生成部とを備える通信装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る解決手段は、受信信号の伝送品質をシンボル毎に検出する伝送品質検出部と、伝送品質検出部から出力されたシンボル毎の伝送品質に基づき、シンボル毎に最適な変調多値数を検出する変調多値数検出部と、変調多値数検出部から出力されたシンボル毎の変調多値数から最大伝送シンボル数を決定する最大伝送シンボル数決定部と、変調多値数検出部で検出したシンボル毎の変調多値数の情報と、最大伝送シンボル数決定部で決定した最大伝送シンボル数の情報とを含む送信信号を生成する送信信号生成部と、受信した信号データに含まれる、通信相手が検出したシンボル毎に最適な変調多値数の情報に基づいて送信信号の変調多値数をシンボル毎に制御を行うマップ部と、受信した信号データに含まれる、通信相手が検出した最大伝送シンボル数の情報に基づいて送信信号の伝送シンボル数の制御を行うシンボルデータ生成部とを備える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、最大伝送シンボル数更新部１９２は、シンボル毎ビット数算出部１９１から出力されたシンボル毎の伝送ビット数と、受信信号に含まれる制御シンボル数とに基づいて、データシンボルＳ２の最大伝送シンボル数を更新するか否かを判定する構成でも良い。つまり、最大伝送シンボル数更新部１９２は、伝送ビット数の少ないシンボルを多数送信するよりも、伝送ビット数の多いシンボルを少数送信するように最大伝送シンボル数を決定している。これにより、上記構成の最大伝送シンボル数更新部１９２を含む通信装置は、効率の良い通信が可能となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
例えば、最大伝送シンボル数更新部１９２は、シンボル毎ビット数算出部１９１の出力結果であるシンボル毎の伝送ビット数を全て記憶している。そして、最大伝送シンボル数更新部１９２は、制御シンボル数をＫ、データシンボルＳ２の数をＮとしてＫ＋Ｎシンボルの通信を行う場合に、最大伝送シンボル数をＭ（Ｍ＜Ｎ−Ｋ）シンボルとして複数回に分けてデータシンボルＳ２を伝送する際に送信可能となるデータシンボル数Ｐｍを算出する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月9日(2008.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
出力されるレーザ光を短パルス化する手段と、エネルギーピーク値を示す発振スペクトルの発振を抑制する手段とを有する短パルス・マルチライン発振ＣＯ２レーザ発振器と、
前記短パルス・マルチライン発振ＣＯ２レーザ発振器から出力された短パルス化されたレーザ光を入力し、該レーザ光を増幅して出力する少なくとも１つの増幅器と、
を具備する極端紫外光源装置用ドライバーレーザ。
【請求項２】
請求項１記載の極端紫外光源装置用ドライバーレーザと、
ターゲット物質供給手段と、
前記極端紫外光源装置用ドライバーレーザから出力されたレーザ光が、前記ターゲット物質供給手段から供給されるターゲット物質を照射するように、前記レーザ光を導光する光学系と、
を具備するＬＰＰ型極端紫外光源装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
特許文献１の図５を参照すると、このレーザ装置は、マルチパス導波管レーザ発振器（Multipass Waveguide Laser Oscillator）４００とマルチパス導波管レーザ増幅器（Maltipass Waveguide Laser Amplifier）４００ａとを含んでいる。発振器４００の共振器は全反射ミラー４０８及び４０６によって構成されている。これらのミラー間に、Ｑスイッチ、ＲＦ放電部、及び、偏光薄膜（Thin Film Polarizer：ＴＦＰ）が設けてある。Ｑスイッチがオフの時には、レーザ光がミラー４０８とミラー４０６との間を往復し、その際の誘導放出によって光強度が増加する。この光強度が十分に増加したところでＱスイッチをオンにすると、ピークの立った短パルスがＴＦＰ４０４において反射され、ミラー４０９及びλ／２波長板を経由して、図５の下部に示されているマルチパス導波管レーザ増幅器（Maltipass Waveguide Laser Amplifier）４００ａに導入される。そして、導入された光が増幅器（Amplifier）において増幅され、レーザ光が外部に出射する。このような構成を有するレーザは、Ｑスイッチ・キャビティダンプ・レーザ（Q-switched cavity-dumped laser）と呼ばれている。
また、非特許文献１〜５にも、関連する技術が記載されている。
【特許文献１】米国特許６,６９７,４０８（図５）
【非特許文献１】神成文彦、「高気圧ＣＯ２レーザー媒質によるピコ秒パルスの増幅に関する計算機シミュレーション」、レーザー研究、１９８８年８月、第17号、第2号、ｐ．４５
【非特許文献２】遠藤（A. Endoh）他、「ＴＥＡ  ＣＯ２レーザのマルチライン発振における温度制御（Temperature control of multilane oscillation of a TEA CO2 laser）」、ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス（Journal of Applied Physics）５０（８）、１９７９年８月、ｐ．５１７６
【非特許文献３】ポゴレルスキー（I. V. Pogorelsky）他、「サブナノ秒・マルチ−ギガワットＣＯ２レーザ（Subnanosecond Multi-Gigawatt CO2 laser）、ＩＥＥＥ  ジャーナル・オブ・カンタム・エレクトロニクス（IEEE Journal of quantum electronics）、１９９５年３月、第３１巻、第３号、ｐ．５５６
【非特許文献４】ロタームンド（F. Rotermund）他、「ＨｇＧａ２Ｓ４及びＡｇＧａＳ２を用いた中赤外（４−１２μｍ）における極フェムト秒パルスの差周波生成（Difference-frequency generation of intense femtosecond pulses in the mid-IR (4-12μm) using HgGa2S4 and AgGaS2）、オプティクス・コミュニケーションズ（Optics Communications）１８５、２０００年、ｐ．１７７−１８３
【非特許文献５】ペトロフ（V. Petrov）他、「光学結晶における秒オーダーの非線形処理による３〜１２μｍの中赤外スペクトル域における１ｋＨｚの高出力フェムト秒光パルスの発生（Generation of high-power femtosecond light pulses at 1 kHz in the mid-infrared spectral range between 3 and 12 μm by second-order nonlinear processes in optical crystals）」、ジャーナル・オブ・オプティクスＡ：純粋光学及び応用光学３（Journal of Optics A: Pure and Applied Optics. 3）、２００１年、Ｒ１−Ｒ１９
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記課題を解決するため、本発明に係る極端紫外光源装置用ドライバーレーザは、出力されるレーザ光を短パルス化する手段とエネルギーピーク値を示す発振スペクトルの発振を抑制する手段とを有する短パルス・マルチライン発振ＣＯ２レーザ発振器と、該短パルス・マルチライン発振ＣＯ２レーザ発振器から出力された短パルス化されたレーザ光を入力し、該レーザ光を増幅して出力する少なくとも１つの増幅器とを具備する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月25日(2007.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
両耳に音声を出力するヘッドホーンであって、片耳ごとに音声の停止又は音声出力を下げる機能を有することを特徴とするヘッドホーン。
【請求項２】
請求項１に記載のヘッドホーンであって、頭部に装着した場合の左右の中心点の両側に、それぞれ操作スイッチを有し、当該操作スイッチが操作されたとき、音声の停止又は音声出力を下げる機能を有することを特徴とするヘッドホーン。
【請求項３】
両耳に音声を出力するヘッドホーンに接続される音声出力装置であって、前記ヘッドホーンの片耳ごとに音声の停止又は音声出力を下げる機能を有することを特徴とする音声出力装置。
【請求項４】
請求項３に記載の音声出力装置であって、前記ヘッドホーンが頭部に装着した場合の左右の中心点の両側に、それぞれ操作スイッチを有し、当該操作スイッチが操作されたとき、音声の停止又は音声出力を下げる機能を有することを特徴とする音声出力装置。
【請求項５】
頭部に装着され、片眼に映像を投影することにより映像を表示する映像表示装置であって、両耳に音声を出力するヘッドホーンと当該ヘッドホーンに音声を出力する音声出力装置を有し、前記ヘッドホーンが請求項１又は請求項２に記載のヘッドホーンであるか、あるいは、前記音声出力装置が請求項３又は請求項４に記載の音声出力装置であることを特徴とする映像表示装置。
【請求項６】
頭部に装着され、片眼に映像を投影することにより映像を表示する映像表示装置であって、両耳に音声を出力するヘッドホーンと当該ヘッドホーンに音声を出力する音声出力装置を有し、かつ、左右どちらの眼に映像を投影しているかを検出する検出機構を有し、当該検出機構の検出結果に基づいて、前記ヘッドホーンの音声停止をする側又は音声出力を下げる側を選択する機能を有することを特徴とする映像表示装置。
【請求項７】
請求項５又は請求項６に記載の映像表示装置であって、前記検出機構の検出結果に基づいて、映像が投影されていない側のみのヘッドホーンの音声を停止させるか音声出力を下げる機能を有することを特徴とする映像表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
前記課題を解決するための第７の手段は、前記第５の手段又は第６の手段であって、前記検出機構の検出結果に基づいて、映像が投影されていない側のみのヘッドホーンの音声を停止させるか音声出力を下げる機能を有することを特徴とするもの（請求項７）である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月7日(2008.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のアクセス・ポイントからなる分散ネットワークにおける無線通信の方法であって、
休止状態の呼セッションが活動化することを示す情報を受信する工程と、
前記休止状態の呼セッションを示す識別子を提供する工程とを含み、前記識別子はそこに記憶された呼セッションの状態を示す情報を有するアクセス・ポイントを示す情報を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記休止状態の呼セッションが活動化することを示す情報を受信する工程が、前記休止状態の呼セッションが活動化することを示すユーザ入力、前記休止状態の呼セッションに関連する移動体ユニットに送信するデータが利用可能であるという表示、及びページング・メッセージ、のうちの少なくとも１つを受信する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記呼セッションの状態を示す情報にアクセスする工程と、前記呼セッションの状態を示す情報をアクセス・ポイントに提供する工程と、移動体ユニットと前記アクセス・ポイントとの間にトラヒック・チャネルを形成する工程とを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
休止状態に先立って、少なくとも１つのアクセス・ポイントに呼セッション状態情報を移行させる工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
複数のアクセス・ポイントからなる分散ネットワーク内での無線通信の方法であって、
休止状態の呼セッションが活動化することを示す情報を受信する工程と、
前記休止状態の呼セッションを示す識別子を受信する工程と、
前記識別子に基づいて複数のアクセス・ポイントの少なくとも１つを識別する工程とを含み、前記少なくとも１つの識別されたアクセス・ポイントはそこに記憶された呼セッションの状態を示す情報を有し、前記アクセスポイントは、前記分散ネットワークへのアクセスを提供するよう構成され、そして前記アクセスポイントは、無線ネットワーク制御装置の機能及びパケット・データ・サービング・ノードの機能のうちの少なくとも１つを実行することを特徴とする方法。
【請求項６】
前記休止状態の呼セッションが活動化することを示す情報を受信する工程が、前記休止状態の呼セッションが活動化するということを示すユーザ入力、前記休止状態の呼セッションに関連する移動体ユニットに宛てたデータ、のうちの少なくとも１つを受信する工程を含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記休止状態の呼セッションに関連する前記移動体ユニットに宛てたデータの受信に応動して第１のページング・メッセージを提供する工程と、前記第１のページング・メッセージの受信に応動して移動体ユニットに第２のページング・メッセージを提供する工程とを含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項８】
複数のアクセス・ポイントからなる分散ネットワーク内での無線通信の方法であって、
第１のアクセス・ポイントを示す情報にアクセスする工程を含み、前記第１のアクセス・ポイントは、前記分散ネットワークへのアクセスを提供するよう構成され、そして前記第１のアクセスポイントは、無線ネットワーク制御装置の機能及びパケット・データ・サービング・ノードの機能のうちの少なくとも１つを実行するものであり、前記方法はさらに、
活動状態セットにある複数の第２のアクセス・ポイントの各々を示す情報にアクセスする工程を含み、前記活動状態セットにある前記複数の第２のアクセス・ポイントは移動ユニットと通信し、前記複数の第２のアクセス・ポイントは、前記分散ネットワークへのアクセスを提供するよう構成され、そして前記第２のアクセスポイントは、無線ネットワーク制御装置の機能及びパケット・データ・サービング・ノードの機能のうちの少なくとも１つを実行するものであり、前記方法はさらに、
前記第１のアクセス・ポイントを示す情報と活動状態セットとを比較する工程と、
前記第１のアクセス・ポイントを示す情報の所定の部分が、前記活動状態セットの複数の第２のアクセス・ポイントの少なくとも１つを示す情報の所定の部分とは異なるときには、呼セッション識別子を要求する工程とを含むことを特徴とする方法。
【請求項９】
前記活動状態セットの複数の第２のアクセス・ポイントの各々を示す情報にアクセスする工程は、前記活動状態セットの前記複数の第２のアクセス・ポイントの各々に関連するカラー・コードにアクセスする工程を含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１のアクセス・ポイントを示す情報の所定の部分が前記活動状態セットの複数の第２のアクセス・ポイントの少なくとも１つを示す情報の所定の部分とは異なるときには呼セッション識別子を要求する前記工程は、前記第１のアクセス・ポイントに関連するカラー・コードが前記活動状態セットの複数の第２のアクセス・ポイントの少なくとも１つに関連するカラー・コードと異なるときには、呼セッション識別子を要求する工程を含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月22日(2008.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モバイル通信装置（１１６）に関連したデータセッションリトライ機能をカスタマイズするための方法であって、
原因コード（４０４）が、該モバイル通信装置（１１６）と動作可能である無線パケットデータサービスネットワーク（１１２）に配置されているノード（２０６、２０８）によって、戻されたことを検出することと、
データ構造（４００）に問合せすることにより、該原因コード（４０４）が該モバイル通信装置のデータセッションリトライ機能に関連するフラグ（４０６）へマップされているかどうかを決定することと、
該構造（４００）において、該原因コード（４０４）がクリティカルな原因コードとしてマップされていると決定されたことに応答して該モバイル通信装置のデータセッションリトライ機能を無効にすること
とを包含する、方法。
【請求項２】
前記無線パケットデータサービスネットワーク（１１２）が、Ｇｅｎｅｒａｌ  Ｐａｃｋｅｔ  Ｒａｄｉｏ  Ｓｅｒｖｉｃｅ（ＧＰＲＳ）ネットワークと、Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｄａｔａ  Ｒａｔｅｓ  ｆｏｒ  Ｇｌｏｂａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ  ｆｏｒ  Ｍｏｂｉｌｅ  Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ（ＧＳＭ）Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ（ＥＤＧＥ）ネットワークと、第三世代（３Ｇ）ネットワークと、Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｎｅｔｗｏｒｋ（ＩＤＥＮ）と、Ｃｏｄｅ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅ  Ａｃｃｅｓｓ（ＣＤＭＡ）ネットワークとのうちの１つを含む、請求項１に記載のモバイル通信装置（１１６）に関連したデータセッションリトライ機能をカスタマイズするための方法。
【請求項３】
前記原因コード（４０４）が、前記無線パケットデータサービスネットワーク（１１２）における信号伝達負荷状態と、前記モバイル通信装置（１１６）に関する無効なＡｃｃｅｓｓ  Ｐｏｉｎｔ  Ｎａｍｅ（ＡＰＮ）と、該モバイル通信装置（１１６）に関する無効なパケットデータプロトコル（ＰＤＰ）アドレスと、該モバイル通信装置に関するユーザ認証失敗と、該無線パケットデータサービスネットワーク（１１２）による始動の拒否とからなる群より選択された状態を示す、請求項１または２に記載のモバイル通信装置（１１６）に関連したデータセッションリトライ機能をカスタマイズするための方法。
【請求項４】
前記構造（４００）が、複数の原因コードのための、設定可能なマッピングデータベースを有するファームウェアブロックとして提供される、請求項１、２、または３に記載のモバイル通信装置（１１６）に関連したデータセッションリトライ機能をカスタマイズするための方法。
【請求項５】
前記設定可能なマッピングデータベースが、キャリアごとの基準で設定される、請求項４に記載のモバイル通信装置（１１６）に関連したデータセッションリトライ機能をカスタマイズするための方法。
【請求項６】
前記設定可能なマッピングデータベースが、モバイル通信装置ごとの基準で設定される、請求項４に記載のモバイル通信装置（１１６）に関連したデータセッションリトライ機能をカスタマイズするための方法。
【請求項７】
公衆パケット交換ネットワーク（１０８）を用いてデータセッションを確立するためにモバイル通信装置（１１６）を利用するように動作可能なサービングノード（２０６）と、
該サービングノード（２０６）と該公衆パケット交換ネットワーク（１０８）との間に配置されたゲートウェイノード（２０８）と、
該モバイル通信装置のデータセッションリトライ機能に関連するフラグ（４０６）へ、無線パケットデータサービスネットワーク（１１２）内のノード（２０６、２０８）によって生成された原因コード（４０４）をマッピングするためのデータベースを有するデータ構造（４００）であって、該フラグ（４０６）は、該モバイル通信装置のデータセッションリトライ機能の無効をトリガするように動作可能なクリティカルな原因コードとして、該原因コード（４０４）を識別するためのフラグである、データ構造（４００）と
を備える、無線パケットデータサービスネットワーク（１１２）。
【請求項８】
前記原因コード（４０４）が、前記無線パケットデータサービスネットワーク（１１２）における信号伝達負荷状態と、前記モバイル通信装置（１１６）に関する無効なＡｃｃｅｓｓ  Ｐｏｉｎｔ  Ｎａｍｅ（ＡＰＮ）と、該モバイル通信装置（１１６）に関する無効なＰａｃｋｅｔ  Ｄａｔａ  Ｐｒｏｔｏｃｏｌ（ＰＤＰ）アドレスと、該モバイル通信装置に関するユーザ認証失敗と、該無線パケットデータサービスネットワーク（１１２）の該無線パケットデータサービスネットワークにおける信号伝達負荷状態による始動の拒否とからなる群より選択された状態を示す、請求項７に記載の無線パケットデータサービスネットワーク（１１２）。
【請求項９】
前記構造（４００）が、複数の原因コードのための、設定可能なマッピングデータベースを有するファームウェアブロックとして提供される、請求項７または８に記載の無線パケットデータサービスネットワーク（１１２）。
【請求項１０】
前記設定可能なマッピングデータベースが、キャリアごとの基準で設定される、請求項９に記載の無線パケットデータサービスネットワーク（１１２）。
【請求項１１】
前記設定可能なマッピングデータベースが、モバイル通信装置ごとの基準で設定される、請求項９に記載の無線パケットデータサービスネットワーク（１１２）。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月2日(2008.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法、及び半導体装置の検査方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、剥離層を形成し、
前記剥離層上に窒素を有する酸化珪素膜を形成し、
前記窒素を有する酸化珪素膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜の一部を開口し、
前記開口された領域に、前記剥離層に接するように導電膜を形成し、
前記剥離層に対して加熱処理を行い、物理的手段を用いて前記基板を剥離することにより、前記導電膜を露出させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に、剥離層を形成し、
前記剥離層上に窒素を有する酸化珪素膜を形成し、
前記窒素を有する酸化珪素膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜の一部を開口し、
前記開口された領域に、前記剥離層に接するように、前記半導体膜の不純物領域に電気的に接続される導電膜を形成し、
前記剥離層に対して加熱処理を行い、物理的手段を用いて前記基板を剥離することにより、前記導電膜を露出させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記剥離層は、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒから選ばれた元素または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
レーザ照射によって、前記絶縁膜の一部を開口することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記物理的手段を用いるとは、ローラの回転を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
基板上に、剥離層を形成し、
前記剥離層上に窒素を有する酸化珪素膜を形成し、
前記窒素を有する酸化珪素膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜の一部を開口し、
前記開口された領域に、前記剥離層に接するように導電膜を形成し、
前記剥離層に対して加熱処理を行い、物理的手段を用いて前記基板を剥離することにより、前記導電膜を露出させ、
前記露出された導電膜にプローブ針を接触させて検査を行うことを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項７】
基板上に、剥離層を形成し、
前記剥離層上に窒素を有する酸化珪素膜を形成し、
前記窒素を有する酸化珪素膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜の一部を開口し、
前記開口された領域に、前記剥離層に接するように、前記半導体膜の不純物領域に電気的に接続される導電膜を形成し、
前記剥離層に対して加熱処理を行い、物理的手段を用いて前記基板を剥離することにより、前記導電膜を露出させ、
前記露出された導電膜にプローブ針を接触させて検査を行い、貼り合わせ加工を施すことを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項８】
請求項６又は７において、
前記剥離層は、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒから選ばれた元素または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなることを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれか一において、
レーザ照射によって、前記絶縁膜の一部を開口することを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項１０】
請求項６乃至９のいずれか一において、
前記物理的手段を用いるとは、ローラの回転を用いることを特徴とする半導体装置の検査方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月17日(2008.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光導波路の入射口に偏向体を有し、
前記光導波路は、レーザビームの光軸に対して平行に配置され、
前記偏向体は、レーザビームの光軸に対して傾斜を有する２つの反射面を有することを特徴とするビームホモジナイザ。
【請求項２】
シリンドリカルレンズアレイと、光導波路と、偏向体とを有し、
前記光導波路は、レーザビームの光軸に対して平行に配置され、
前記偏向体は、前記光導波路の入射口に備えられており、
前記偏向体は、レーザビームの光軸に対して傾斜を有する２つの反射面を有することを特徴とするビームホモジナイザ。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記光導波路は、向い合う２つの反射面を有することを特徴とするビームホモジナイザ。
【請求項４】
ライトパイプの入射口に偏向体を有し、
前記ライトパイプは、レーザビームの光軸に対して平行に配置され、
前記偏向体は、レーザビームの光軸に対して傾斜を有する２つの反射面を有することを特徴とするビームホモジナイザ。
【請求項５】
シリンドリカルレンズアレイと、ライトパイプと、偏向体とを有し、
前記ライトパイプは、レーザビームの光軸に対して平行に配置され、
前記偏向体は、前記ライトパイプの入射口に備えられており、
前記偏向体は、レーザビームの光軸に対して傾斜を有する２つの反射面を有することを特徴とするビームホモジナイザ。
【請求項６】
請求項４または５において、
前記ライトパイプは、向い合う２つの反射面を有することを特徴とするビームホモジナイザ。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記偏向体の反射面の傾斜角度θは、レーザビームの収束角をαとした場合、α＜θ＜（９０°＋α）／２とすることを特徴とするビームホモジナイザ。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記偏向体は、前記反射面の傾斜角度を調整する角度調整機構を有することを特徴とするビームホモジナイザ。
【請求項９】
請求項８において、
前記角度調整機構は、ゴニオメータまたはマニピュレータであることを特徴とするビームホモジナイザ。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、
前記ビームホモジナイザから被照射面に照射されるビームスポットのアスペクト比が１００以上であることを特徴とするビームホモジナイザ。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一に記載のビームホモジナイザを有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１２】
基板上に非単結晶半導体膜を形成し、
光源から発せられたレーザビームの被照射面におけるエネルギー分布をシリンドリカルレンズアレイ、偏向体、及び光導波路により均一にし、
前記非単結晶半導体膜が形成された前記基板をステージに備え、
前記非単結晶半導体膜の表面を前記被照射面に一致させ、
前記レーザビームを照射しながら前記ステージを前記レーザビームに対して相対的に走査させ、
前記非単結晶半導体膜を熱処理する半導体装置の作製方法であって、
前記光導波路は前記レーザビームの光軸に対して平行に配置され、
前記偏向体は前記光導波路の入射口に備えられ、
前記偏向体が有する２つの反射面はレーザビームの光軸に対して傾斜を有するものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記レーザビームを、前記被照射面においてエネルギー分布の均一な長方形状のビームスポットに成形し、
前記シリンドリカルレンズアレイは前記長方形状のビームスポットの長辺方向のエネルギー分布を均一化し、かつ前記光導波路は前記長方形状のビームスポットの短辺方向のエネルギー分布を均一化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１２または１３において、
前記光導波路は、向い合う２つの反射面を有するものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
基板上に非単結晶半導体膜を形成し、
光源から発せられたレーザビームの被照射面におけるエネルギー分布をシリンドリカルレンズアレイ、偏向体、及びライトパイプにより均一にし、
前記非単結晶半導体膜が形成された前記基板をステージに備え、
前記非単結晶半導体膜の表面を前記被照射面に一致させ、
前記レーザビームを照射しながら前記ステージを前記レーザビームに対して相対的に走査させ、
前記非単結晶半導体膜を熱処理する半導体装置の作製方法であって、
前記ライトパイプは前記レーザビームの光軸に対して平行に配置され、
前記偏向体は前記ライトパイプの入射口に備えられ、
前記偏向体が有する２つの反射面はレーザビームの光軸に対して傾斜を有するものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１５において、
前記レーザビームを、前記被照射面においてエネルギー分布の均一な長方形状のビームスポットに成形し、
前記シリンドリカルレンズアレイは前記長方形状のビームスポットの長辺方向のエネルギー分布を均一化し、かつ前記ライトパイプは前記長方形状のビームスポットの短辺方向のエネルギー分布を均一化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１５または１６において、
前記ライトパイプは、向い合う２つの反射面を有するものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１２乃至１７のいずれか一において、
前記偏向体の反射面の傾斜角度θは、レーザビームの収束角をαとした場合、α＜θ＜（９０°＋α）／２とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１２乃至１８のいずれか一において、
前記偏向体は、前記反射面の傾斜角度を調整する角度調整機構を有するものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１９において、
前記角度調整機構は、ゴニオメータ、またはマニピュレータであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１２乃至２０のいずれか一において、
前記レーザビームの発振器は、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ、ガラスレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、Ａｒレーザのいずれかを備えたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項１２乃至２１のいずれか一において、
前記光源から被照射面に照射されるビームスポットのアスペクト比は、１００以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月15日(2008.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
極微小な塵埃を捕集するメインフィルターと、前記メインフィルターの前面に設けられ、比較的粗大な塵埃を捕集するプレフィルターとを備え、前記メインフィルターのメンテナンス周期及び前記プレフィルターのメンテナンス周期に合わせて、前記メインフィルター及び前記プレフィルターをそれぞれ異なる周期で洗浄又は交換するようにした洗浄再生用フィルター装置において、
前記メインフィルターは、箱型の外枠の内側壁面に接着剤等で一体的に固定され、前記プレフィルターは、前記メインフィルターの前面側でかつ前記外枠の内側壁面に接着されたスペーサーを間に介して前記外枠の前面開口部側から嵌め込み式により着脱自在に装着された構造であり、更に、前記プレフィルターを不織布の１層構造からなり、表面面積を増大させてプレフィルター自身の連続使用期間を長期化し、前記メインフィルターのメンテナンス周期に合わせることにより、前記メインフィルター及び前記プレフィルターを同一のメンテナンス周期で洗浄又は交換できるようにしたことを特徴とする洗浄再生用フィルター装置。
【請求項２】
不織布の２層以上の構造からなり極微小な塵埃を捕集するメインフィルターと、前記メインフィルターの前面に設けられ、不織布の１層構造からなり比較的粗大な塵埃を捕集するプレフィルターとを備え、前記メインフィルターのメンテナンス周期及び前記プレフィルターのメンテナンス周期に合わせて、前記メインフィルター及び前記プレフィルターをそれぞれ異なる周期で洗浄又は交換するようにした洗浄再生用フィルター装置において、
前記メインフィルターは、箱型の外枠の内側壁面に接着剤等で一体的に固定され、前記プレフィルターは、前記メインフィルターの前面側でかつ前記外枠の内側壁面に接着されたスペーサーを間に介して前記外枠の前面開口部側から嵌め込み式により着脱自在に装着された構造であり、更に、前記プレフィルターを不織布の１層構造のミニプリーツ式でかつ山高を大きくすることで表面面積を増大させてプレフィルター自身の連続使用期間を長期化し、前記メインフィルターのメンテナンス周期に合わせることにより、前記メインフィルター及び前記プレフィルターを同一のメンテナンス周期で洗浄又は交換できるようにしたことを特徴とする洗浄再生用フィルター装置。
【請求項３】
プレフィルターは、固定具無しで嵌め込み式により外枠に着脱自在に装着され、プレフィルターとメインフィルターは、外枠を間に介して一体型構造となることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の洗浄再生用フィルター装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
この発明に係る洗浄再生用フィルター装置においては、極微小な塵埃を捕集するメインフィルターと、メインフィルターの前面に設けられ、比較的粗大な塵埃を捕集するプレフィルターとを備え、メインフィルターのメンテナンス周期及びプレフィルターのメンテナンス周期に合わせて、メインフィルター及びプレフィルターをそれぞれ異なる周期で洗浄又は交換するようにしたものにおいて、  メインフィルターは、箱型の外枠の内側壁面に接着剤等で一体的に固定され、プレフィルターは、メインフィルターの前面側でかつ外枠の内側壁面に接着されたスペーサーを間に介して外枠の前面開口部側から嵌め込み式により着脱自在に装着された構造であり、更に、プレフィルターを不織布の１層構造からなり、表面面積を増大させてプレフィルター自身の連続使用期間を長期化し、メインフィルターのメンテナンス周期に合わせることにより、メインフィルター及びプレフィルターを同一のメンテナンス周期で洗浄又は交換できるようにしたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、不織布の２層以上の構造からなり極微小な塵埃を捕集するメインフィルターと、メインフィルターの前面に設けられ、不織布の１層構造からなり比較的粗大な塵埃を捕集するプレフィルターとを備え、メインフィルターのメンテナンス周期及びプレフィルターのメンテナンス周期に合わせて、メインフィルター及びプレフィルターをそれぞれ異なる周期で洗浄又は交換するようにしたものにおいて、メインフィルターは、箱型の外枠の内側壁面に接着剤等で一体的に固定され、プレフィルターは、メインフィルターの前面側でかつ外枠の内側壁面に接着されたスペーサーを間に介して外枠の前面開口部側から嵌め込み式により着脱自在に装着された構造であり、更に、プレフィルターを不織布の１層構造のミニプリーツ式でかつ山高を大きくすることで表面面積を増大させてプレフィルター自身の連続使用期間を長期化し、メインフィルターのメンテナンス周期に合わせることにより、メインフィルター及びプレフィルターを同一のメンテナンス周期で洗浄又は交換できるようにしたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月2日(2008.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電池モジュールを複数組み合わせて構成される二次電池の温度制御装置であって、
加熱部と、
前記二次電池の温度を検出する温度測定部と、
前記温度測定部で検出された温度が下限温度より低い場合に前記加熱部を動作させるとともに、前記加熱部による加熱後の温度の前記二次電池内のバラツキが許容値を超える場合に前記バラツキを抑制する均一化処理を行う制御部と、
を有することを特徴とする二次電池の温度制御装置。
【請求項２】
電池モジュールを複数組み合わせて構成される二次電池の温度制御装置であって、
加熱部と、
前記二次電池の温度を検出する温度測定部と、
前記二次電池の開回路電圧を検出する電圧測定部と、
前記温度測定部で検出された温度が下限温度より低い場合に前記加熱部を動作させるとともに、前記加熱部による加熱後の前記電圧測定部で検出された開回路電圧の前記二次電池内のバラツキが許容値を超える場合に前記バラツキを抑制する均一化処理を行う制御部と、
を有することを特徴とする二次電池の温度制御装置。
【請求項３】
電池モジュールを複数組み合わせて構成される二次電池の温度制御装置であって、
加熱部と、
前記二次電池の温度を検出する温度測定部と、
前記二次電池の開回路電圧を検出する電圧測定部と、
前記温度測定部で検出された温度が下限温度より低い場合に前記加熱部を動作させるとともに、前記加熱部による加熱後の前記温度測定部で検出された温度の前記二次電池内のバラツキ、あるいは前記電圧測定部で検出された開回路電圧の前記二次電池内のバラツキの少なくともいずれかが許容値を超える場合に前記バラツキを抑制する均一化処理を行う制御部と、
を有することを特徴とする二次電池の温度制御装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の装置において、
前記均一化処理は、前記加熱部による加熱熱量を減少させる処理であることを特徴とする二次電池の温度制御装置。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれかに記載の装置において、
前記均一化処理は、前記加熱部による加熱を停止させる処理であることを特徴とする二次電池の温度制御装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の装置において、
前記均一化処理は、ファンを駆動させて強制対流させる処理であることを特徴とする二次電池の温度制御装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の装置において、
前記均一化処理は、所定時間内において前記バラツキが前記許容値以下となるまで繰り返し実行されることを特徴とする二次電池の温度制御装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載の温度制御装置を備える車両用電池パック。
【請求項９】
請求項８記載の車両用電池パックにおいて、
前記制御部は、車両起動時における前記二次電池の温度が前記下限温度より低い場合に、前記下限温度以上となるまで前記加熱部を動作させることを特徴とする車両用電池パック。
【請求項１０】
電池モジュールを複数組み合わせて構成される二次電池の温度を制御するプログラムであって、前記プログラムはコンピュータにインストールされ、前記コンピュータに対して、
温度測定部から出力された前記二次電池の温度、あるいは電圧測定部から出力された前記二次電池の開回路電圧を入力させ、
メモリに記憶された所定の下限温度と前記温度とを大小比較させ、
前記温度が前記下限温度より低いと判定された場合に加熱部に対して加熱指令を出力させ、
前記加熱部による加熱後の前記温度測定部で検出された温度の前記二次電池内のバラツキ、あるいは前記電圧測定部で検出された開回路電圧の前記二次電池内のバラツキを演算装置に演算させ、
前記メモリに記憶された所定の許容しきい値と前記温度のバラツキ、あるいは前記開回路電圧のバラツキの少なくともいずれかとを大小比較させ、
前記温度のバラツキ、あるいは前記開回路電圧のバラツキの少なくともいずれかが前記所定の許容しきい値を超えたと判定された場合に前記バラツキを抑制する所定の均一化処理を実行させる
ことを特徴とする二次電池の温度制御プログラム。
【請求項１１】
請求項１０記載のプログラムにおいて、
前記均一化処理は、前記加熱部による加熱熱量を減少させるように前記加熱部に対して指令する処理であることを特徴とする二次電池の温度制御プログラム。
【請求項１２】
請求項１０記載のプログラムにおいて、
前記均一化処理は、前記加熱部による加熱を停止させるように前記加熱部に対して指令する処理であることを特徴とする二次電池の温度制御プログラム。
【請求項１３】
請求項１０乃至１２のいずれかに記載の温度制御プログラムにおいて、
前記均一化処理は、ファンを駆動させるように指令する処理であることを特徴とする二次電池の温度制御プログラム。
【請求項１４】
請求項１０乃至１３のいずれかに記載の温度制御プログラムにおいて、
前記プログラムは、前記コンピュータに対して、前記均一化処理を、所定時間内において前記バラツキが前記許容しきい値以下となるまで繰り返し実行させることを特徴とする二次電池の温度制御プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
制御部２６は、記憶部２８に格納された温度データを参照して、温度測定部２４で検出された温度が下限温度より低い場合に加熱装置３６を動作させるとともに、加熱装置３６による加熱後の温度の二次電池３０内のバラツキが許容値を超える場合にバラツキを抑制する均一化処理を行う。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
また、電圧のバラツキΔＶと温度のバラツキΔＴとの間に軽重あるいは優劣を設けてもよい。例えば、温度のバラツキよりも電圧のバラツキの方を優先させる場合には、電圧のバラツキの許容しきい値を温度のバラツキの許容しきい値よりも十分小さく設定する等である。また、温度のバラツキΔＴが許容しきい値を超える場合でも、電圧のバラツキΔＶが許容しきい値以下である場合には均一化処理を実行することなく加熱装置３６による加熱を維持し、早期に起動処理に移行することも可能である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
１０  車両ＥＣＵ、２０  電池ＥＣＵ、３０  二次電池、３６  加熱装置、４０  エンジンＥＣＵ、４２  動力分割機構、４４  減速機、４６  ドライブシャフト、５０  インバータ、５２  モータ、５４  発電機、６０  エンジン。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2007244050.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月30日(2008.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウォーターミストによるプール火災の消火方法において、燃焼面の上方の複数箇所から火炎基部より上方の火炎中心軸に向かってウォーターミストを放射することによって、ウォーターミストの下降流を発生させ、その下降流が火炎中で水蒸気になり、その水蒸気により火炎の内部の圧力が高まり、それにより火炎基部への酸素の流入が抑制される
消火方法。
【請求項２】
燃焼面の上方の水平面上で火炎中心軸を中心とする円状にウォーターミストを放射できるノズルを均等な間隔で複数箇所設け、それらのノズルを前記水平面より下方の同じ火炎中心軸のいずれかの位置に向けるが燃焼面及び火炎基部に直接向けないようにしてウォーターミストを放射する
請求項１に記載の消火方法。
【請求項３】
燃焼面の上方の水平面上に配置され、燃焼面及び火炎基部に直接向けないで火炎に対してウォーターミストを放射するとともに、前記ウォーターミストを火炎の中で互いに衝突させて下降流を生じさせる複数のノズルを備える
消火用ノズル。
【請求項４】
前記複数のノズルが、燃焼面の上方の水平面上に円状に配置される
請求項３に記載の消火用ノズル。
【請求項５】
前記複数のノズルが、燃焼面積より小さい円状に配置される
請求項４に記載の消火用ノズル。
【請求項６】
前記ウォーターミストの平均粒径が、５０μｍ以上５００μｍ以下である
請求項３に記載の消火用ノズル。
【請求項７】
前記ウォーターミストの放射流速が、火炎によって巻き上げられず、かつ火炎をあおらない速さである
請求項３に記載の消火用ノズル。
【請求項８】
前記ウォーターミストの放射流速が、１ｍ／ｓ以上３ｍ／ｓ以下である
請求項３に記載の消火用ノズル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プール火災の消火方法及び消火用ノズル
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、油等のプール火災の消火方法、及び消火用ノズルに関し、さらに詳しくは火炎中心軸（火炎基部の中心と火炎頂点を結ぶ軸）に向かって燃焼面の上方の複数箇所から放射されるウォーターミストによって形成される下降流によって、火炎の冷却、水蒸気の生成、火炎内部の圧力増加、及び空気流入の抑制を行なって消火する方法、及び消火用ノズルに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、かかる従来技術の問題を解消するために創案されたものであり、プール火災においてウォーターミストによる消火を効果的に行なうことができる方法及びノズルを提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
即ち、本発明の方法は、ウォーターミストによるプール火災の消火方法において、燃焼面の上方の複数箇所から火炎基部より上方の火炎中心軸に向かってウォーターミストを放射することによって、ウォーターミストの下降流を発生させ、その下降流が火炎中で水蒸気になり、その水蒸気により火炎の内部の圧力が高まり、それにより火炎基部への酸素の流入が抑制されて消火することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
燃焼面の上方の複数箇所から火炎中心軸に向かってウォーターミストを放射する方法としては、例えば燃焼面の上方に形成した水平面上にある火炎中心軸を中心とする円状にウォーターミストを放射できるノズルを均等な間隔で複数箇所設けることによって行なうことができる。但し、この場合、各ノズルはウォーターミストを前記水平面より下方の同じ火炎中心軸上のいずれかの位置に向けるが、火炎周囲の空気を巻き込むことを避ける理由のため、燃焼面及び火炎基部に直接向けないようにすることが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
以下に本発明の方法及びノズルの一例によってその効果を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の方法及びノズルによれば、プール火災の消火が火炎中心軸に向けて放射されたウォーターミストの下降流を形成することによって少ない水量で迅速かつ確実に行なうことができるので、プール火災が生じうる場所の消火に極めて有用である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月7日(2008.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
澱粉質原料にアスペルギルス属に属する麹菌を殖菌し、フェニルアラニン、チロシン、グルタミン酸、セリンおよびアラニンからなる群から選択される少なくとも１つのアミノ酸、並びにリンゴ酸の存在下で培養することを特徴とする、コエンザイムＱ１０富化麹の製造方法。
【請求項２】
上記麹菌を２５〜３５℃で培養することを特徴とする請求項１記載のコエンザイムＱ１０富化麹の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載する製造方法で得られるコエンザイムＱ１０富化麹。
【請求項４】
乾燥麹１ｇ中にコエンザイムＱ１０を５.５μｇ以上含有するコエンザイムＱ１０富化麹。
【請求項５】
請求項３または４に記載するコエンザイムＱ１０富化麹を用いて製造されるコエンザイムＱ１０富化食品。
【請求項６】
食品が、請求項３または４に記載するコエンザイムＱ１０富化麹を用いて製造される野菜若しくは魚介類の麹漬け、または請求項３または４に記載するコエンザイムＱ１０富化麹を添加した食品である、請求項５記載のコエンザイムＱ１０富化食品。
【請求項７】
食品が、請求項３または４に記載するコエンザイムＱ１０富化麹を含むか、または請求項３または４に記載するコエンザイムＱ１０富化麹から製造される醸造食品を含む菓子またはデザートである、請求項５記載のコエンザイムＱ１０富化食品。