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【手続補正書】
【提出日】平成20年10月10日(2008.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホストシステムが健全性証明書を獲得する方法であって、
他のシステムが前記ホストシステムにアクセスすることができないように、前記ホストシステムのファイヤウォールを構成すること、
少なくとも１つの健全性ステートメントを健全性証明書サーバに送ること、
前記健全性証明書サーバから少なくとも１つの健全性ステートメント応答を受け取ること、
前記少なくとも１つの健全性ステートメントが前記健全性証明書サーバによって有効と確認される場合、前記ホストシステムの健全性ステートメントを定義するホスト健全性証明書を受け取ること、および
前記ホスト健全性証明書を受け取ることに応答して、前記ホストシステムへのクライアントのアクセスを許可する前に前記クライアントからクライアント健全性証明書を受け取る場合は前記クライアントによる前記ホストシステムへのアクセスを許可するファイヤウォールを再構成すること
を備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つの健全性ステートメントが有効と確認されない場合、前記少なくとも１つの健全性ステートメント応答は、前記ホストシステムがネットワークセキュリティポリシーに適合していないことを示すことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ホスト健全性証明書はＸ５０９証明書であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ホスト健全性証明書はＫｅｒｂｅｒｏｓチケットであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ホスト健全性証明書はＷＳ−Ｓｅｃｕｒｉｔｙトークンであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
第一のクライアントデバイスにおいて動作する第一のアプリケーションから、前記ホストシステムへの第一のアクセス要求を前記ホストシステムにおいて受け取ること、
前記第一のクライアントデバイスからの第一のクライアント健全性証明書を要求すること、
前記第一のクライアントデバイスからの有効なクライアント健全性証明書の受け取ることができないこと、
前記第一のアクセス要求を拒否すること、
前記第一のアプリケーションとは異なる、前記第一のクライアントデバイスにおいて動作する第二のアプリケーションから、前記ホストシステムへの第二のアクセス要求を受け取ること、および
前記第二のアプリケーションの識別に基づいて、有効なクライアント健全性証明書を要求することなく前記第二のアクセス要求を前記ホストシステムによって許可すること
をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ホスト健全性証明書を使用してピアシステムを認証するように試みること
をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
少なくとも１つの処理ユニットとコンピュータ実行可能な命令を格納しているメモリとを備えた、ホスト健全性証明書を獲得するホストシステムであって、
前記コンピュータ実行可能な命令は、前記少なくとも１つの処理ユニットによって実行されるときに、前記ホストシステムに、
他のシステムが前記ホストシステムにアクセスすることができないように、前記ホストシステムのファイヤウォールを構成すること、
少なくとも１つの健全性ステートメントを健全性証明書サーバに送ること、
前記健全性証明書サーバから少なくとも１つの健全性ステートメント応答を受け取ること、
前記少なくとも１つの健全性ステートメントが前記健全性証明書サーバによって有効と確認される場合、前記ホストシステムの健全性ステートメントを定義するホスト健全性証明書を受け取ること、
前記ホスト健全性証明書を受け取ることに応答して、前記ホストシステムへのクライアントのアクセスを許可する前に前記クライアントからのクライアント健全性証明書を受け取る場合は前記クライアントによる前記ホストシステムへのアクセスを許可するファイヤウォールを再構成すること、
第一のクライアントデバイスにおいて動作する第一のアプリケーションから、前記ホストシステムへの第一のアクセス要求を前記ホストシステムにおいて受け取ること、
前記第一のクライアントデバイスからの第一のクライアント健全性証明書を要求すること、
前記第一のクライアントデバイスからの有効なクライアント健全性証明書の受け取ることができないこと、
前記第一のアクセス要求を拒否すること、
前記第一のアプリケーションとは異なる、前記第一のクライアントデバイスにおいて動作する第二のアプリケーションから、前記ホストシステムへの第二のアクセス要求を受け取ること、および
前記第二のアプリケーションの識別に基づいて、有効なクライアント健全性証明書を要求することなく前記第二のアクセス要求を前記ホストシステムによって許可すること
を含む方法を実行させることを特徴とするホストシステム。
【請求項９】
前記少なくとも１つの健全性ステートメントが有効と確認されない場合、前記少なくとも１つの健全性ステートメント応答は、前記ホストシステムがネットワークセキュリティポリシーに適合していないことを示すことを特徴とする請求項８に記載のホストシステム。
【請求項１０】
前記方法は、
前記ホスト健全性証明書を使用してピアシステムを認証するように試みること
をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載のホストシステム。
【請求項１１】
前記ホスト健全性証明書はＸ５０９証明書であることを特徴とする請求項８に記載のホストシステム。
【請求項１２】
前記ホスト健全性証明書はＫｅｒｂｅｒｏｓチケットであることを特徴とする請求項８に記載のホストシステム。
【請求項１３】
前記ホスト健全性証明書はＷＳ−Ｓｅｃｕｒｉｔｙトークンであることを特徴とする請求項８に記載のホストシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月20日(2008.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体部分と、
該本体部分から延びて、高分子材料を含む先端部分と、
該先端部分を実質的に選択的に被覆する疎水性コーティングとを有することを特徴とする質量分析システムのためのエレクトロスプレー装置。
【請求項２】
前記先端部分が、前記本体部分と一体化して形成されることを特徴とする、請求項１に記載のエレクトロスプレー装置。
【請求項３】
前記高分子材料が、ポリイミド及びポリケトンから構成されるグループから選択されることを特徴とする、請求項１に記載のエレクトロスプレー装置。
【請求項４】
前記疎水性コーティングが、非導電性であることを特徴とする、請求項１に記載のエレクトロスプレー装置。
【請求項５】
前記疎水性コーティングが、疎水性表面が提供し、該疎水性表面が、２０ｍＮ／ｍ未満の表面エネルギを有することを特徴とする、請求項１に記載のエレクトロスプレー装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月31日(2008.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活物質の粒子を含む活物質層を備えた非水電解液二次電池用負極において、
前記活物質層には、電解めっきによって析出したリチウム化合物の形成能の低い金属材料が粒子間に浸透していることを特徴とする非水電解液二次電池用負極。
【請求項２】
前記負極の少なくとも一方の面において開孔し且つ前記活物質層の厚み方向に延びる縦孔を多数有する請求項１記載の非水電解液二次電池用負極。
【請求項３】
電解液と接する集電層を更に備え、該集電層よりも内側に前記活物質層が配されており、
前記縦孔が、前記集電層及び前記活物質層の厚み方向に延びている請求項１又は２記載の非水電解液二次電池用負極。
【請求項４】
一対の前記集電層と、該集電層間に介在配置された前記活物質層とを備えている請求項３記載の非水電解液二次電池用負極。
【請求項５】
一対の前記集電層の少なくとも一方の厚みが０．３〜１０μｍである請求項４記載の非水電解液二次電池用負極。
【請求項６】
一対の前記集電層の厚みがそれぞれ０．３〜１０μｍである請求項５記載の非水電解液二次電池用負極。
【請求項７】
一対の前記集電層と、該集電層間に介在配置された前記活物質層及び金属リチウム層とを更に備えている請求項４記載の非水電解液二次電池用負極。
【請求項８】
一対の前記活物質層を備え、該活物質層間に前記金属リチウム層が介在配置されている請求項７記載の非水電解液二次電池用負極。
【請求項９】
一対の前記金属リチウム層を備え、該金属リチウム層間に導電性箔が介在配置されている請求項８記載の非水電解液二次電池用負極。
【請求項１０】
負極の表面において開孔している前記縦孔の開孔率が０．３〜３０％である請求項１ないし９の何れかに記載の非水電解液二次電池用負極。
【請求項１１】
負極の表面において開孔している前記縦孔の開孔径が５〜５００μｍである請求項１ないし１０の何れかに記載の非水電解液二次電池用負極。
【請求項１２】
前記縦孔が負極の厚み方向に貫通している請求項１ないし１１の何れかに記載の非水電解液二次電池用負極。
【請求項１３】
縦孔がレーザー加工により形成されている請求項１ないし１２の何れかに記載の非水電解液二次電池用負極。
【請求項１４】
縦孔が機械的な穿孔により形成されている請求項１ないし１２の何れかに記載の非水電解液二次電池用負極。
【請求項１５】
請求項１記載の負極を負極前駆体として用い、該負極前駆体が複数枚積層されてなることを特徴とする非水電解液二次電池用負極。
【請求項１６】
隣り合う前記負極前駆体間に導電性箔が介在配置されている請求項１５記載の非水電解液二次電池用負極。
【請求項１７】
請求項１ないし１６の何れかに記載の負極を備えていることを特徴とする非水電解液二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、活物質の粒子を含む活物質層を備えた非水電解液二次電池用負極において、
前記活物質層には、電解めっきによって析出したリチウム化合物の形成能の低い金属材料が粒子間に浸透していることを特徴とする非水電解液二次電池用負極を提供することにより前記目的を達成したものである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月1日(2008.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チタン酸バリウム系無機フィラーと樹脂を含む誘電体組成物であって、無機フィラーの平均粒子サイズ０．０１μｍ以上１μｍ以下であり、無機フィラーの表面積が、同一体積の真球に対し１．０５倍以上１．３倍以下である無機フィラーを含有することを特徴とする誘電体組成物。
【請求項２】
無機フィラーの粒子形状が六面体の立方体状であることを特徴とする請求項１記載の誘電体組成物。
【請求項３】
無機フィラーの平均粒子サイズが０．０１μｍ以上０．５μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の誘電体組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
すなわち本発明は、チタン酸バリウム系無機フィラーと樹脂を含む誘電体組成物であって、無機フィラーの平均粒子サイズ０．０１μｍ以上１μｍ以下であり、無機フィラーの表面積が、同一体積の真球に対し１．０５倍以上１．３倍以下である無機フィラーを含有することを特徴とする誘電体組成物である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
実施例１２
コーティング条件を調節して、膜厚を３０μｍとした以外は、実施例２と全く同じようにして誘電体組成物を作製し、評価した。結果を表２に示した。１ＭＨｚにおいて比誘電率が１２５、空隙率が２体積％であった。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
実施例１３
チタン酸バリウム（戸田工業（株）製、Ｔ−ＢＴＯ−０２０ＲＦ、平均粒子サイズ：０．０３μｍ）５３２重量部、γ−ブチロラクトン９５重量部、分散剤（ビックケミー（株）製、ＢＹＫ−Ｗ９０１０）５．３重量部をホモジナイザーを用いて氷冷下で２時間混合分散し、分散液Ａ−９を得た。チタン酸バリウムＴ−ＢＴＯ−０２０ＲＦを電子顕微鏡観察すると、六面体のサイコロ状のものと略球状のものが観察された。また、無機フィラーが真球と仮定した時の粒子サイズは、透過型電子顕微鏡観察で得られた写真を画像解析ソフト（Ｓｃｉｏｎ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製、  Ｓｃｉｏｎ  Ｉｍａｇｅ）を用いて解析し、計算により求めた。Ｔ−ＢＴＯ−０２０ＲＦの平均粒子サイズは、画像解析ソフトを用いて計算により得られた粒子サイズ０．０３μｍとした。エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製、エピコート（商品名）ＹＸ８０００）１２．６重量部、硬化剤（大日本インキ化学工業（株）製、フェノライト（商品名）ＶＨ４１５０）７．４重量部、硬化促進剤（北興化学工業（株）製、トリフェニルホスフィン）０．２重量部、γ−ブチロラクトン３２重量部を混合し、エポキシ樹脂溶液Ｂ−４を得た。１００重量部の分散液Ａ−９と９重量部のエポキシ樹脂溶液Ｂ−４をボールミルを用いて混合し、ペースト組成物を作製した。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
実施例１４
チタン酸バリウム（戸田工業（株）製、Ｔ−ＢＴＯ−０３０Ｒ、平均粒子サイズ：０．０４μｍ）５３２重量部、γ−ブチロラクトン９５重量部、分散剤（ビックケミー（株）製、ＢＹＫ−Ｗ９０１０）５．３重量部をホモジナイザーを用いて氷冷下で２時間混合分散し、分散液Ａ−１０を得た。チタン酸バリウムＴ−ＢＴＯ−０３０Ｒを電子顕微鏡観察すると、六面体のサイコロ状のものと略球状のものが観察された。また、Ｔ−ＢＴＯ−０３０Ｒの平均粒子サイズは、実施例１４と同様にして求めた。Ｔ−ＢＴＯ−０３０Ｒの平均粒子サイズは０．０４μｍであった。１００重量部の分散液Ａ−１０と９重量部のエポキシ樹脂溶液Ｂ−４をボールミルを用いて混合し、ペースト組成物を作製した。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
実施例１５
チタン酸バリウム（東邦チタニウム（株）製、ＳＢ３Ａ、平均粒子サイズ：０．３μｍ）３９４重量部、チタン酸バリウム（戸田工業（株）製、Ｔ−ＢＴＯ−０２０ＲＦ、平均粒子サイズ：０．０３μｍ）１３８重量部、γ−ブチロラクトン９５重量部、分散剤（ビックケミー（株）製、ＢＹＫ−Ｗ９０１０）５．３重量部をホモジナイザーを用いて氷冷下で２時間混合分散し、分散液Ａ−１１を得た。１００重量部の分散液Ａ−１１と４．９重量部のエポキシ樹脂溶液Ｂ−４をボールミルを用いて混合し、ペースト組成物を作製した。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
実施例１６
チタン酸バリウム（東邦チタニウム（株）製、ＳＢ３Ａ、平均粒子サイズ：０．３μｍ）３９４重量部、チタン酸バリウム（戸田工業（株）製、Ｔ−ＢＴＯ−０３０Ｒ、平均粒子サイズ：０．０４μｍ）１３８重量部、γ−ブチロラクトン９５重量部、分散剤（ビックケミー（株）製、ＢＹＫ−Ｗ９０１０）５．３重量部をホモジナイザーを用いて氷冷下で２時間混合分散し、分散液Ａ−１２を得た。１００重量部の分散液Ａ−１２と４．９重量部のエポキシ樹脂溶液Ｂ−４をボールミルを用いて混合し、ペースト組成物を作製した。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
【表２】
2006134869.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月9日(2008.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスクドライブのスピンドルモータ起動時に発生する供給電源の電圧降下によるパワーオンリセットの少なくともリトライ回数を含む履歴情報を管理する過程；
及び前記リトライ回数に相応して，スピンドルモータの起動電流を決定するステップと；
を含むことを特徴とする，モータの起動電流の制御方法。
【請求項２】
前記モータの起動電流に関し，前記リトライ回数が０である場合における，前記モータの起動電流を正常な起動電流値とし，前記リトライ回数が増加するごとに，前記モータの起動電流を前記正常な起動電流値から所定の値だけ低下させることを特徴とする，請求項１に記載のモータの起動電流の制御方法。
【請求項３】
前記履歴情報は前記リトライ回数以外にもパワーオンリセットの有無を識別できるリトライ識別データを含むことを特徴とする，請求項１に記載のモータの起動電流の制御方法。
【請求項４】
前記モータが正常に起動したときの前記モータの起動電流値を記録するステップを含むことを特徴とする，請求項１〜３のいずれかに記載のモータの起動電流の制御方法。
【請求項５】
前記履歴情報を管理する過程は；
少なくとも前記記録媒体の初期化を行うパワーオン初期化モードで記録媒体の所定の領域を除く一部または全部の領域を初期化させるステップと；
前記記録媒体の所定の領域に記録されたデータが電源投入時に初期設定されたリトライ識別データと同じであるか否かを判定するステップと；
前記記録媒体の所定の領域に記録されたデータが前記初期設定されたリトライ識別データと一致しなければ，前記記録媒体の所定の領域に，前記リトライ識別データおよびリトライ０回を示すリトライ回数データを記録し，前記記録媒体の所定の領域に記録されたデータと前記初期設定されたリトライ識別データが同じであれば，１回分増加させた前記リトライ回数データを記録するステップと；
を含むことを特徴とする，請求項３に記載のモータの起動電流の制御方法。
【請求項６】
情報を保存するディスクと；
前記ディスクを回転させるモータと；
前記モータ起動時に発生する供給電源の電圧降下によるパワーオンリセットの少なくともリトライ回数を含む履歴情報を記録する記録媒体と；
供給電源の電圧をモニタリングして，前記ディスクドライブの動作が不安定となりうる臨界電圧以下の前記電圧が検出された場合に前記パワーオンリセットを発生させるパワーオンリセット制御信号を生成するリセット判断部と；
前記パワーオンリセット制御信号によってパワーオンリセットさせ，パワーオン初期化時に，前記記録媒体の初期化されていない所定の領域に保存された履歴情報を管理し，前記リトライ回数に応じて前記モータの起動電流値を決定するコントローラと；
前記コントローラで決定された前記モータの起動電流値に応じて，モータ起動電流を生成させて前記モータに印加するモータドライバと；
を備えるディスクドライブ。
【請求項７】
前記コントローラは，前記リトライ回数が０である場合に，前記モータの起動電流値を正常なモータ起動電流値とし，前記リトライ回数が増加するごとに，前記モータの起動電流値を前記正常なモータ起動電流値から所定の値だけ低下させることを特徴とする，請求項６に記載のディスクドライブ。
【請求項８】
前記コントローラは，前記記録媒体が揮発性メモリであり，かつ，前記モータが正常に起動したときに，モータ起動電流情報を前記記録媒体に保存することを特徴とする，請求項６に記載のディスクドライブ。
【請求項９】
前記コントローラは，
パワーオン初期化時に，前記記録媒体の所定の領域を除いた一部または全部の領域を初期化し，
前記記録媒体の所定の領域に記録されたデータが初期設定されたリトライ識別データと同じであるか否かを判定し，
前記記録媒体の所定の領域に記録されたデータが初期設定されたリトライ識別データと一致しない場合には，前記記録媒体の所定の領域に，前記リトライ識別データおよびリトライ０回を示すリトライ回数データを記録し，
前記記録媒体の所定の領域に保存されたデータが初期設定されたリトライ識別データと同じである場合には，１回分増加させた前記リトライ回数データを前記記録媒体に記録することを特徴とする，請求項７に記載のディスクドライブ。
【請求項１０】
モータのパワーオンリセットリトライ情報を管理するステップと、
前記パワーオンリセットリトライ情報に基づいて前記モータの起動電流を決定するステップと、
を含むディスクドライブのモータ制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月21日(2008.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ディスクにレーザ光を照射する光学装置と、
前記光ディスクを回転させる回転駆動手段と、
前記光学装置と前記回転駆動手段とを保持するピックアップフレームと、
前記ピックアップフレームを前記光ディスクの装着面側から覆うピックアップカバーとを備え、
前記ピックアップカバーは主平面部に凸部を有し、
前記凸部の上面は前記ピックアップカバーの主平面部と平行な細長形状であり、かつ前記細長形状の短軸方向は装着される光ディスクの径方向と略平行であることを特徴とする光ディスク装置。
【請求項２】
前記ピックアップカバーの凸部は、コの字型であり中空部分を有することを特徴とする請求項１記載の光ディスク装置。
【請求項３】
前記ピックアップカバーの中空部分に別部材を埋め込むことを特徴とする請求項２記載の光ディスク装置。
【請求項４】
前記ピックアップカバーの凸部は、前記回転駆動手段の近傍に位置することを特徴とする請求項２記載の光ディスク装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、光ディスクにレーザ光を照射する光学装置と、光ディスクを回転させる回転駆動手段と、光学装置と回転駆動手段とを保持するピックアップフレームと、ピックアップフレームを光ディスクの装着面側から覆うピックアップカバーとを備え、ピックアップカバーが主平面部に凸部を有し、凸部の上面がピックアップカバーの主平面部と平行な細長形状であり、かつ細長形状の短軸方向が装着される光ディスクの径方向と略平行であることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明は上記構成により、ピックアップカバーが主平面部に凸部を有することにより、ピックアップカバー主平面部の剛性を高めることができ、光ディスク回転時の負圧などの影響によるピックアップカバーの主平面部に発生するたわみを低減することができる。これにより、構成材料を薄くする、もしくは構成材料に軽量材料を用いる場合であっても、ピックアップカバーの主平面部に発生するたわみを低減することができる。その結果、構成材料を薄くする、もしくは構成材料に軽量材料を用いることができるので、軽量化が可能な光ディスク装置を実現できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、凸部の上面がピックアップカバーの主平面部と平行な細長形状であり、かつ細長形状の短軸方向が装着される光ディスクの径方向と略平行であることにより、ピックアップカバーの主平面部の強度を増したい方向に凸部を高密度に配置できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項１記載の発明は、光ディスクにレーザ光を照射する光学装置と、光ディスクを回転させる回転駆動手段と、光学装置と回転駆動手段とを保持するピックアップフレームと、ピックアップフレームを光ディスクの装着面側から覆うピックアップカバーとを備え、ピックアップカバーが主平面部に凸部を有し、凸部の上面がピックアップカバーの主平面部と平行な細長形状であり、かつ細長形状の短軸方向が装着される光ディスクの径方向と略平行であることを特徴とするものである。これにより、構成材料を薄くする、もしくは構成材料に軽量材料を用いる場合であっても、ピックアップカバーの主平面部に発生するたわみを低減することができる。その結果、構成材料を薄くする、もしくは構成材料に軽量材料を用いることができるので、軽量化が可能な光ディスク装置を実現できる。また、凸部の上面がピックアップカバーの主平面部と平行な細長形状であり、かつ細長形状の短軸方向が装着される光ディスクの径方向と略平行であることにより、ピックアップカバーの主平面部の強度を増したい方向に凸部を高密度に配置でき、さらに光ディスクの回転時に発生する風をスムーズに整えることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項２記載の発明は、ピックアップカバーの凸部が、コの字型であり中空部分を有することを特徴とするものである。これにより、ピックアップカバーとキャリッジ間の距離の裕度を小さくすることなく、ピックアップカバーの主平面部に発生するたわみを低減することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
請求項３記載の発明は、ピックアップカバーの凸部が、コの字型であり中空部分を有することを特徴とする。これにより、さらにピックアップカバーの強度を上げることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
請求項４記載の発明は、ピックアップカバーの凸部が、回転駆動手段の近傍に位置することを特徴とするものである。これにより、光ディスクのそりに対するピックアップカバーの主平面部に設けられた凸部と光ディスクの距離裕度を十分確保することができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月23日(2008.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉ’の化合物またはその薬学的に受容可能な誘導体またはプロドラッグであって：
【化１】
2008189687.tif 000001
ここで：
ＲｘおよびＲｙは、Ｔ−Ｒ３またはＬ−Ｚ−Ｒ３から独立して選択されるか、またはＲｘおよびＲｙは、これらの介在原子と一緒になって、酸素、硫黄、または窒素から選択される、０〜３個の環ヘテロ原子を有する、縮合した、不飽和または部分的に不飽和の５〜７員環を形成し、ここで、ＲｘおよびＲｙによって形成される該縮合環の、各置換可能な環炭素は、オキソ、Ｔ−Ｒ３、またはＬ−Ｚ−Ｒ３によって独立して置換されて、そしてＲｘおよびＲｙによって形成される該環の、各置換可能な環窒素は、Ｒ４によって独立して置換されており；
Ｍは、−Ｃｌまたは−Ｓ(Ｏ)２ＣＨ３から選択され；
Ｔは、原子価結合またはＣ１〜４アルキリデン鎖であり、ここでＱが、−ＣＨ（Ｒ６）−である場合、該Ｃ１〜４アルキリデン鎖のメチレン単位が、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ４）−、−ＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−ＳＯ２−、−ＳＯ２ＮＨ−、−ＮＨＳＯ２−、−ＣＯ２−、−ＯＣ（Ｏ）−、−ＯＣ（Ｏ）ＮＨ−、または−ＮＨＣＯ２−により必要に応じて置き換えられ；
Ｚは、Ｃ１〜４アルキリデン鎖であり；
Ｌは、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−、−Ｎ（Ｒ６）ＳＯ２−、−ＳＯ２Ｎ（Ｒ６）−、−Ｎ（Ｒ６）−、−ＣＯ−、−ＣＯ２−、−Ｎ（Ｒ６）ＣＯ−、−Ｎ（Ｒ６）Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｎ（Ｒ６）ＣＯＮ（Ｒ６）−、−Ｎ（Ｒ６）ＳＯ２Ｎ（Ｒ６）−、−Ｎ（Ｒ６）Ｎ（Ｒ６）−、−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ６）−、−ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ６）−、−Ｃ（Ｒ６）２Ｏ−、−Ｃ（Ｒ６）２Ｓ−、−Ｃ（Ｒ６）２ＳＯ−、−Ｃ（Ｒ６）２ＳＯ２−、−Ｃ（Ｒ６）２ＳＯ２Ｎ（Ｒ６）−、−Ｃ（Ｒ６）２Ｎ（Ｒ６）−、−Ｃ（Ｒ６）２Ｎ（Ｒ６）Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｒ６）２Ｎ（Ｒ６）Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（Ｒ６）＝ＮＮ（Ｒ６）−、−Ｃ（Ｒ６）＝Ｎ−Ｏ−、−Ｃ（Ｒ６）２Ｎ（Ｒ６）Ｎ（Ｒ６）−、−Ｃ（Ｒ６）２Ｎ（Ｒ６）ＳＯ２Ｎ（Ｒ６）−、または−Ｃ（Ｒ６）２Ｎ（Ｒ６）ＣＯＮ（Ｒ６）−であり；
Ｒ２およびＲ２’は、−Ｒ、−Ｔ−Ｗ−Ｒ６から独立して選択されるか、あるいはＲ２およびＲ２’は、それらの介在原子と一緒になって、縮合した５〜８員の不飽和または部分的不飽和の、窒素、酸素、または硫黄から選択される０〜３の環ヘテロ原子を有する環を形成し、ここで、Ｒ２およびＲ２’によって形成された該縮合環の各置換可能な環炭素は、ハロ、オキソ、−ＣＮ、−ＮＯ２、−Ｒ７または−Ｖ−Ｒ６により独立して置換され、そしてＲ２およびＲ２’により形成される該環の各置換可能な環窒素は、Ｒ４により独立して置換され；
Ｒ３は、−Ｒ、−ハロ、−ＯＲ、−Ｃ（＝Ｏ）Ｒ、−ＣＯ２Ｒ、−ＣＯＣＯＲ、−ＣＯＣＨ２ＣＯＲ、−ＮＯ２、−ＣＮ、−Ｓ（Ｏ）Ｒ、−Ｓ（Ｏ）２Ｒ、−ＳＲ、−Ｎ（Ｒ４）２、−ＣＯＮ（Ｒ７）２、−ＳＯ２Ｎ（Ｒ７）２、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ、−Ｎ（Ｒ７）ＣＯＲ、−Ｎ（Ｒ７）ＣＯ２（Ｃ１〜６脂肪族）、−Ｎ（Ｒ４）Ｎ（Ｒ４）２、−Ｃ＝ＮＮ（Ｒ４）２、−Ｃ＝Ｎ−ＯＲ、−Ｎ（Ｒ７）ＣＯＮ（Ｒ７）２、−Ｎ（Ｒ７）ＳＯ２Ｎ（Ｒ７）２、−Ｎ（Ｒ４）ＳＯ２Ｒ、または−ＯＣ（＝Ｏ）Ｎ（Ｒ７）２から選択され；
各Ｒは、水素またはＣ１〜６脂肪族、Ｃ６〜１０アリール、５〜１０個の環原子を有するヘテロアリール環、もしくは５〜１０個の環原子を有するヘテロシクリル環から選択される、必要に応じて置換された基から独立して選択され；
各Ｒ４は、−Ｒ７、−ＣＯＲ７、−ＣＯ２（必要に応じて置換されたＣ１〜６脂肪族）、−ＣＯＮ（Ｒ７）２または−ＳＯ２Ｒ７から独立して選択され；
Ｖは、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−、−Ｎ（Ｒ６）ＳＯ２−、−ＳＯ２Ｎ（Ｒ６）−、−Ｎ（Ｒ６）−、−ＣＯ−、−ＣＯ２−、−Ｎ（Ｒ６）ＣＯ−、−Ｎ（Ｒ６）Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｎ（Ｒ６）ＣＯＮ（Ｒ６）−、−Ｎ（Ｒ６）ＳＯ２Ｎ（Ｒ６）−、−Ｎ（Ｒ６）Ｎ（Ｒ６）−、−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ６）−、−ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ６）−、−Ｃ（Ｒ６）２Ｏ−、−Ｃ（Ｒ６）２Ｓ−、−Ｃ（Ｒ６）２ＳＯ−、−Ｃ（Ｒ６）２ＳＯ２−、−Ｃ（Ｒ６）２ＳＯ２Ｎ（Ｒ６）−、−Ｃ（Ｒ６）２Ｎ（Ｒ６）−、−Ｃ（Ｒ６）２Ｎ（Ｒ６）Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｒ６）２Ｎ（Ｒ６）Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（Ｒ６）＝ＮＮ（Ｒ６）−、−Ｃ（Ｒ６）＝Ｎ−Ｏ−、−Ｃ（Ｒ６）２Ｎ（Ｒ６）Ｎ（Ｒ６）−、−Ｃ（Ｒ６）２Ｎ（Ｒ６）ＳＯ２Ｎ（Ｒ６）−、または−Ｃ（Ｒ６）２Ｎ（Ｒ６）ＣＯＮ（Ｒ６）−であり；
Ｗは、−Ｃ（Ｒ６）２Ｏ−、−Ｃ（Ｒ６）２Ｓ−、−Ｃ（Ｒ６）２ＳＯ−、−Ｃ（Ｒ６）２ＳＯ２−、−Ｃ（Ｒ６）２ＳＯ２Ｎ（Ｒ６）−、−Ｃ（Ｒ６）２Ｎ（Ｒ６）−、−ＣＯ−、−ＣＯ２−、−Ｃ（Ｒ６）ＯＣ（Ｏ）−、−Ｃ（Ｒ６）ＯＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ６）−、−Ｃ（Ｒ６）２Ｎ（Ｒ６）ＣＯ−、−Ｃ（Ｒ６）２Ｎ（Ｒ６）Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（Ｒ６）＝ＮＮ（Ｒ６）−、−Ｃ（Ｒ６）＝Ｎ−Ｏ−、−Ｃ（Ｒ６）２Ｎ（Ｒ６）Ｎ（Ｒ６）−、−Ｃ（Ｒ６）２Ｎ（Ｒ６）ＳＯ２Ｎ（Ｒ６）−、−Ｃ（Ｒ６）２Ｎ（Ｒ６）ＣＯＮ（Ｒ６）−、または−ＣＯＮ（Ｒ６）−であり；
各Ｒ６は、水素、または必要に応じて置換されたＣ１〜４脂肪族基から独立して選択されるか、あるいは同一の窒素原子上の２つのＲ６基は、該窒素原子と一緒になって、５〜６員のヘテロシクリル環もしくはヘテロアリール環を形成し；そして
各Ｒ７は、水素または必要に応じて置換されたＣ１〜６脂肪族基から独立して選択されるか、あるいは同一の窒素上の２つのＲ７基は、該窒素と一緒になって、５〜８員のヘテロシクリル環またはヘテロアリール環を形成する、
化合物またはその薬学的に受容可能な誘導体またはプロドラッグ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月20日(2007.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 フレキシブル基板（１００）上のバイアマスク層（１０２）にダイ（１０８）を位置合せする（３０２）ことによって少なくとも１個の電子チップパッケージ（１）を製造するための方法において、前記フレキシブル基板（１００）の下面上に設けられた前記バイアマスク層（１０２）のパターニングによってバイア形成用のマスクを作成する（１２）工程と、前記バイアマスク層（１０２）の少なくとも１つの局所基準点（１１４）に対して少なくとも１個の前記ダイ（１０８）の少なくとも１個のボンドパッド（１０６）を適応可能に位置合せする（３０２）工程とを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】 前記局所基準点（１１４）がバイアドロップ開口から成る請求項１記載の方法。
【請求項３】 前記フレキシブル基板（１００）の上面に前記少なくとも１個のボンドパッド（１０６）を結合する（１３、１４、１０４）工程を更に含む請求項１記載の方法。
【請求項４】 前記局所基準点（１１４）に対して前記ボンドパッド（１０６）を適応可能に位置合せする（３０２）前記工程が、第１のカメラ（５００）を用いて前記局所基準点（１１４）の位置を探知し、第２のカメラ（６００）を用いて前記ボンドパッド（１０６）の位置を探知し、そして制御装置（５０２）及びアクチュエータ（５０８、６０８）を使用しながら前記第１のカメラ（５００）によって探知された前記局所基準点（１１４）の位置及び前記第２のカメラ（６００）によって探知された前記ボンドパッド（１０６）の位置に基づいて前記ボンドパッド（１０６）及び前記局所基準点（１１４）を互いに適応可能に位置合せする（３０２）ことから成る請求項１記載の方法。
【請求項５】 フレキシブル基板（１００）上のバイアマスク層（１０２）にダイ（１０８）を位置合せする（３０２）ための方法であって、前記フレキシブル基板（１００）の下面上に設けられた前記バイアマスク層（１０２）のパターニングによってバイア形成用のマスクを作成する（１２）工程と、前記バイアマスク層（１０２）の少なくとも１つの局所基準点（１１４）に対して少なくとも１個の前記ダイ（１０８）の少なくとも１個のボンドパッド（１０６）を適応可能に位置合せする（３０２）工程とを含む方法によって製造されることを特徴とする電子チップパッケージ（１）。
【請求項６】 前記局所基準点（１１４）がバイアドロップ開口から成る請求項５記載の電子チップパッケージ。
【請求項７】 電子チップパッケージを製造するための前記方法が、前記フレキシブル基板（１００）の上面に前記少なくとも１個のボンドパッド（１０６）を結合する（１３、１４、１０４）工程を更に含む請求項５記載の電子チップパッケージ。
【請求項８】 フレキシブル基板（１００）の下面上のバイアマスク層（１０２）にダイ（１０８）を位置合せする（３０２）ことによって少なくとも１個の電子チップ（１）を製造するための装置において、前記バイアマスク層（１０２）の局所基準点（１１４）の位置を探知するための第１のカメラ（５００）と、前記ダイ（１０８）のボンドパッド（１０６）の位置を探知するための第２のカメラ（６００）と、前記第１のカメラ（５００）によって探知された前記局所基準点（１１４）の位置及び前記第２のカメラ（６００）によって探知された前記ボンドパッド（１０６）の位置に基づいて前記ボンドパッド（１０６）及び前記局所基準点（１１４）を互いに適応可能に位置合せする（３０２）ための制御装置（５０２）及びアクチュエータ（５０８、６０８）とを含むことを特徴とする装置。
【請求項９】 前記局所基準点（１１４）がバイアドロップ開口から成る請求項８記載の装置。
【請求項１０】 前記制御装置（５０２）及び前記アクチュエータ（５０８、６０８）が前記フレキシブル基板（１００）の上面に前記少なくとも１個のボンドパッド（１０６）を結合する（１３、１４、１０４）ためにも役立つ請求項８記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月18日(2008.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  水銀を含む充填ガスと第１蛍光体コーティングとを含む密封透明ランプエンベロープを具えると共に２つの電極を具え、前記第１蛍光体コーティングがペリレン顔料を含むことを特徴とするガス放電ランプ。
【請求項２】  請求項１に記載のガス放電ランプにおいて、前記第１蛍光体コーティングが、トリリン酸塩混合物を追加で含むことを特徴とするガス放電ランプ。
【請求項３】  請求項１に記載のガス放電ランプにおいて、トリリン酸塩混合物を含む第２蛍光体コーティングを具えることを特徴とするガス放電ランプ。
【請求項４】  請求項１に記載のガス放電ランプにおいて、前記第２蛍光体コーティングが、ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ、ＬａＰＯ4：ＣｅＴｂ及びＹ2Ｏ3：Ｅｕを含むことを特徴とするガス放電ランプ。
【請求項５】  請求項１に記載のガス放電ランプにおいて、前記第１蛍光体コーティングが、ペリレン顔料及び有機ポリマを含むことを特徴とするガス放電ランプ。
【請求項６】  請求項１に記載のガス放電ランプにおいて、前記第１蛍光体コーティングが、Ｎ，Ｎ’−ｂｉｓ（２，６−ジイソプロピルフェニル）ペリレン−３，４、：９，１０テトラカルボン酸ジイミドを含むことを特徴とするガス放電ランプ。
【請求項７】  請求項１に記載のガス放電ランプにおいて、前記第１蛍光体コーティングが、２つのペリレン顔料を含むことを特徴とするガス放電ランプ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
前記第１蛍光体コーティングがＮ，Ｎ’−ｂｉｓ（２，６−ジイソプロピルフェニル）ペリレン−３，４、：９，１０テトラカルボン酸ジイミドを含むことが特に好適である。１ｍｍの層厚において、このペリレン顔料は、４３６ｎｍにおけるＨｇ輻射の９９％と、４０５ｎｍにおけるＨｇ輻射の５０％とを吸収する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月16日(2008.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体装置を形成するためのプロセスであって、
半導体基板（１０）の上に絶縁層（１４）を形成する段階、
前記絶縁層（１４）の上にアモルファス金属含有層（２２）を形成する段階であって、前記アモルファス金属含有層（２２）はさらに、
六フッ化タングステンを含むタングステン含有ガス、および
シランを含む半導体含有ガスであって、六フッ化タングステンに対するシランのガス流量比は３：１より小さいもの、
を使用して形成されるタングステン含有層として特徴付けられる、段階、および
前記アモルファス金属含有層（２２）の上に結晶金属含有層（４２）を形成する段階、
を具備することを特徴とする半導体装置を形成するためのプロセス。
【請求項２】  前記絶縁層（１４）はさらにゲート誘電体層（１４）として特徴付けられ、かつ
前記アモルファス金属含有層（２２）および前記結晶金属含有層（４２）の組み合わせはゲート電極層の一部を形成することを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】  さらに、前記絶縁層（１４）を形成した後かつ前記アモルファス金属含有層（２２）を形成する前に、高融点金属窒化物層およびシリコン層からなるグループから選択された中間層を形成することを特徴とする請求項２に記載のプロセス。
【請求項４】  導電構造を形成するためのプロセスであって、
金属含有前駆物質ガスを流す段階、および
スカベンジャーガスを流す段階、
を具備し、
前記スカベンジャーガスは半導性元素、窒素および酸素からなるグループから選択された少なくとも１つのガス前駆物質を含み、
前記金属含有前駆物質ガスおよび前記スカベンジャーガスは少なくとも一時点の間に同時に流れ、かつ
アモルファス金属含有層（２２）が形成されかつ前記アモルファス金属含有層（２２）は前記スカベンジャーガス内のいずれかの元素をほぼ１０パーセントより少なく含む、
ことを特徴とする導電構造を形成するためのプロセス。
【請求項５】  前記金属含有前駆物質ガスは炭素原子を含み、かつ前記スカベンジャーガスは酸素原子を含むことを特徴とする請求項４に記載のプロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月29日(2008.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気ディスクと、前記磁気ディスクに対して信号を読み書きする磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドの特性データが記憶された不揮発性の記憶部とを有するディスクカートリッジと、
前記ディスクカートリッジが着脱可能であり、前記磁気ヘッドの再生信号を処理する信号処理回路を有し、前記不揮発性の記憶部から前記磁気ヘッドの特性データを読み込み、前記特性データに基づいて前記信号処理回路の特性を最適化する機能を有する回路を備えたカートリッジホルダーと
を具備する磁気ディスク装置。
【請求項２】
請求項１記載の磁気ディスク装置であって、
前記不揮発性の記憶部が、半導体メモリである磁気ディスク装置。
【請求項３】
請求項１記載の磁気ディスク装置であって、
前記不揮発性の記憶部が、前記磁気ディスクに設定された所定の記録領域である
磁気ディスク装置。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のうちいずれか１項に記載の磁気ディスク装置であって、
前記不揮発性の記憶部に記憶された特性データが、再生波形の線形ひずみの補正値である
磁気ディスク装置。
【請求項５】
請求項１〜請求項３のうちいずれか１項に記載の磁気ディスク装置であって、
前記不揮発性の記憶部に記憶された特性データが、波形等化フィルタの各チャンネルの係数である
磁気ディスク装置。
【請求項６】
請求項１〜請求項５のうちいずれか１項に記載の磁気ディスク装置であって、
前記不揮発性の記憶部が、前記ディスクカートリッジの個体認識用のデータを記憶する
磁気ディスク装置。
【請求項７】
磁気ヘッドの再生信号を処理する信号処理回路を含む回路を備えたカートリッジホルダーに対して着脱が可能なディスクカートリッジであって、
磁気ディスクと、
前記磁気ディスクに対して信号を読み書きする磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドの特性データが記憶され、前記カートリッジホルダーの前記回路によって前記データが読み出されることが可能な不揮発性の記憶部と
を具備するディスクカートリッジ。
【請求項８】
請求項７記載のディスクカートリッジであって、
前記不揮発性の記憶部が、半導体メモリである
ディスクカートリッジ。
【請求項９】
請求項７記載のディスクカートリッジであって、
前記不揮発性の記憶部が、前記磁気ディスクに設定された所定の記録領域である
ディスクカートリッジ。
【請求項１０】
請求項７〜請求項９のうちいずれか１項に記載のディスクカートリッジであって、
前記不揮発性の記憶部に記憶された特性データが、再生波形の線形ひずみの補正値である
ディスクカートリッジ。
【請求項１１】
請求項７〜請求項９のうちいずれか１項に記載のディスクカートリッジであって、
前記不揮発性の記憶部に記憶された特性データが、波形等化フィルタの各チャンネルの係数である
ディスクカートリッジ。
【請求項１２】
請求項７〜請求項１１のうちいずれか１項に記載のディスクカートリッジであって、
前記不揮発性の記憶部が、前記ディスクカートリッジの個体認識用のデータを記憶する
ディスクカートリッジ。
【請求項１３】
磁気ディスクと、前記磁気ディスクに対して信号を読み書きする磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドの特性データが記憶された不揮発性の記憶部とを有するディスクカートリッジが着脱可能なカートリッジホルダーであって、
前記磁気ヘッドの再生信号を処理する信号処理回路を有し、前記不揮発性の記憶部から前記磁気ヘッドの特性データを読み込み、前記特性データに基づいて前記信号処理回路の特性を最適化する機能を有する回路
を具備するカートリッジホルダー。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月4日(2008.1.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  眉、目、鼻、口、耳及び顔輪郭の各顔部品の特徴点と髪型の画像とから似顔絵を作成する似顔絵の作成装置であって、
両目じり、瞳上端及び瞳下端の各点を少なくとも含む４個ないし６個の特徴点を関数曲線によって補完して目を記述し、唇の両端、下唇の上側及び下側の稜線の中点、上唇の上側及び下側の稜線の中点、上唇の上側稜線の中点と唇端点を結ぶ線上側に設定される片側１点の各点を少なくとも含む８個ないし１０個の特徴点を関数曲線により補完して口を記述する顔部品記述手段と、
上記記述された曲線に従って上まぶたを描画するとともに、両目じりと瞳下端の３点を結ぶ曲線のうち、瞳下端に接する一部分のみを描画する一方、上記記述された曲線に従って口を描画する顔部品描画手段と、
髪型の画像を描画する髪型描画手段と、
を備えたことを特徴とする似顔絵の作成装置。
【請求項２】  上記顔部品記述手段が眉、鼻、耳及び顔輪郭の複数の特徴点を関数曲線によって補完して眉、鼻、耳及び顔輪郭を記述する一方、
上記顔部品描画手段が上記記述された曲線に従って眉、鼻、耳及び顔輪郭を描画するようになした請求項１記載の似顔絵の作成装置。
【請求項３】  上記顔部品記述手段がまぶたの上下幅を示す２点もしくは瞳幅を示す２点の特徴点によって瞳の形状を記述するようになした請求項１又は２記載の似顔絵の作成装置。
【請求項４】  上記顔部品描画手段が瞳の中心より斜めの方向に中心と円の外周を結ぶ直線の中点を中心とした半径１／２ｒ以下（ｒは瞳の半径）の白丸を描画し、中心から瞳半径より小さい円形領域のうち、上記白丸を除く部分を瞳色で描画し、上記白丸及び瞳色の部分を除く領域を中間色で塗りつぶすようになした請求項３記載の似顔絵の作成装置。
【請求項５】  上記顔部品描画手段が瞳の中心より左上又は右上斜め４５度の方向に白丸を描画するようになした請求項４記載の似顔絵の作成装置。
【請求項６】  上記顔部品描画手段が３／８ｒの上記白丸を描画するようになした請求項４又は５記載の似顔絵の作成装置。
【請求項７】  上記顔部品描画手段が中心から１／３ｒの領域で瞳色で描画するようになした請求項４ないし６のいずれかに記載の似顔絵の作成装置。
【請求項８】  上記顔部品描画手段が上唇の中点と唇端点との間にある特徴点と、端点の間に、関数曲線上のコントロールポイントを設け、唇の盛り上がりをなくすようにした請求項１又は２記載の似顔絵の作成装置。
【請求項９】  顔画像から眉、目、鼻、口、耳及び顔輪郭の特徴点を抽出する特徴点抽出手段、及び顔画像から髪型の画像を抽出する髪型抽出手段を更に備えた請求項１ないし８のいずれかに記載の似顔絵の作成装置。
【請求項１０】  コンピュータに、眉、目、鼻、口、耳及び顔輪郭の各顔部品の特徴点と髪型の画像とから似顔絵を作成させるためのプログラムであって、
上記コンピュータを、
両目じり、瞳上端及び瞳下端の各点を少なくとも含む４個ないし６個の特徴点を関数曲線によって補完して目を記述し、唇の両端、下唇の上側及び下側の稜線の中点、上唇の上側及び下側の稜線の中点、上唇の上側稜線の中点と唇端点を結ぶ線上側に設定される片側１点の各点を少なくとも含む８個ないし１０個の特徴点を関数曲線により補完して口を記述する顔部品記述手段、
上記記述された曲線に従って上まぶたを描画するとともに、両目じりと瞳下端の３点を結ぶ曲線のうち、瞳下端に接する一部分のみを描画する一方、上記記述された曲線に従って口を描画する顔部品描画手段、及び
髪型の画像を描画する髪型描画手段として機能させるようになしたことを特徴とする似顔絵の作成プログラム。
【請求項１１】  眉、目、鼻、口、耳及び顔輪郭の各顔部品を示す特徴点と髪型の画像とから似顔絵を作成するにあたり、
眉、鼻、耳及び顔輪郭の複数の特徴点を関数曲線によって補完して眉、鼻、耳及び顔輪郭を記述する一方、両目じりと瞳上下両端の各点を少なくとも含む４個ないし６個の特徴点を関数曲線によって補完して目を記述し、両端、下唇の中心の上下２点、上唇の下側稜線の中点、上唇の上側稜線の中点及び該中点と端点を結ぶ線上に設定される片側１点の各点を少なくとも含む８個ないし１０個の特徴点を関数曲線により補完して口を記述し、
上記記述された曲線に従って眉、鼻、耳、顔輪郭及び口を描画する一方、上記記述された曲線に従って上まぶたを描画するとともに、両目じりと瞳下端の３点を結ぶ曲線のうち、瞳下端に接する一部分のみを描画し、
髪型の画像を描画するようにしたことを特徴とする似顔絵の作成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月11日(2008.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】  上記判別手段は、上記第１のピークの高さ及び幅に基いて、上記す抜けの有無の判別を行うことを特徴とする請求項２記載の画像処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】  上記判別手段は、上記第１のピークの高さと幅の比率に基いて、上記す抜けの有無の判別を行うことを特徴とする請求項２記載の画像処理装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】  上記判別ステップは、上記ヒストグラムの高画素値側の第１のピークの高さ及び幅を特徴として、上記す抜けの有無の判別を行うステップを含むことを特徴とする請求項１０記載の画像処理方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】  上記判別ステップは、上記ヒストグラムの高画素値側の第１のピークの高さと幅の比率が所定値以上である場合に、す抜け有りと判別するステップを含むことを特徴とする請求項１０記載の画像処理方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】  請求項１〜８の何れかに記載の画像処理装置の機能、又は請求項９記載の画像処理システムの機能をコンピュータに実現させるためのプログラムを記録したコンピュータ読取可能な記憶媒体。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
第３の発明は、上記第２の発明において、上記判別手段は、上記第１のピークの高さ及び幅に基いて、上記す抜けの有無の判別を行うことを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
第４の発明は、上記第２の発明において、上記判別手段は、上記第１のピークの高さと幅の比率に基いて、上記す抜けの有無の判別を行うことを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
第１３の発明は、上記第１０の発明において、上記判別ステップは、上記ヒストグラムの高画素値側の第１のピークの高さ及び幅を特徴として、上記す抜けの有無の判別を行うステップを含むことを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
第１４の発明は、上記第１０の発明において、上記判別ステップは、上記ヒストグラムの高画素値側の第１のピークの高さと幅の比率が所定値以上である場合に、す抜け有りと判別するステップを含むことを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
第１８の発明は、上記第１〜８の発明の何れかに記載の画像処理装置の機能、又は上記第９の発明記載の画像処理システムの機能をコンピュータに実現させるためのプログラムをコンピュータ読取可能な記憶媒体に記録したことを特徴とする。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
第１９の発明は、上記第１０〜１７の発明の何れかに記載の画像処理方法の処理ステップをコンピュータに実行させるためのプログラムをコンピュータ読取可能な記憶媒体に記録したことを特徴とする。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
第２０の発明は、上記第１〜８の発明の何れかに記載の画像処理装置の機能、又は上記第９の発明記載の画像処理システムの機能をコンピュータに実現させるためのプログラムであることを特徴とする。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
第２１の発明は、上記第１０〜１７の発明の何れかに記載の画像処理方法の処理ステップをコンピュータに実行させるためのプログラムであることを特徴とする。