【手続補正書】
【提出日】平成20年1月24日(2008.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタを用いた集積回路と、アンテナと、第１の封止膜と、第２の封止膜と、基板とを有し、
前記集積回路と前記アンテナは電気的に接続されており、
前記集積回路は、前記第１の封止膜と前記第２の封止膜との間に挟まれており、
前記第１の封止膜は、前記基板と前記集積回路との間に挟まれており、
前記第１の封止膜は、複数の第１の絶縁膜と、前記複数の第１の絶縁膜の間に挟まれた単数または複数の第２の絶縁膜とを有し、
前記第２の封止膜は、複数の第３の絶縁膜と、前記複数の第３の絶縁膜の間に挟まれた単数または複数の第４の絶縁膜とを有し、
前記第２の絶縁膜は前記第１の絶縁膜よりも応力が小さく、
前記第４の絶縁膜は前記第３の絶縁膜よりも応力が小さく、
前記第１の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜は無機絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
薄膜トランジスタを用いた集積回路と、アンテナと、第１の封止膜と、第２の封止膜と、基板と、カバー材とを有し、
前記集積回路と前記アンテナは電気的に接続されており、
前記集積回路は、前記第１の封止膜と前記第２の封止膜との間に挟まれており、
前記第１の封止膜及び前記第２の封止膜は、前記基板と前記カバー材との間に挟まれており、
前記第１の封止膜は、複数の第１の絶縁膜と、前記複数の第１の絶縁膜の間に挟まれた単数または複数の第２の絶縁膜とを有し、
前記第２の封止膜は、複数の第３の絶縁膜と、前記複数の第３の絶縁膜の間に挟まれた単数または複数の第４の絶縁膜とを有し、
前記第２の絶縁膜は前記第１の絶縁膜よりも応力が小さく、
前記第４の絶縁膜は前記第３の絶縁膜よりも応力が小さく、
前記第１の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜は無機絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
薄膜トランジスタを用いた集積回路と、アンテナと、第１の封止膜と、第２の封止膜と、基板と、カバー材とを有し、
前記集積回路と前記アンテナは電気的に接続されており、
前記集積回路及び前記アンテナは、前記第１の封止膜と前記第２の封止膜との間に挟まれており、
前記第１の封止膜及び前記第２の封止膜は、前記基板と前記カバー材との間に挟まれており、
前記第１の封止膜は、複数の第１の絶縁膜と、前記複数の第１の絶縁膜の間に挟まれた単数または複数の第２の絶縁膜とを有し、
前記第２の封止膜は、複数の第３の絶縁膜と、前記複数の第３の絶縁膜の間に挟まれた単数または複数の第４の絶縁膜とを有し、
前記第２の絶縁膜は前記第１の絶縁膜よりも応力が小さく、
前記第４の絶縁膜は前記第３の絶縁膜よりも応力が小さく、
前記第１の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜は無機絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２または請求項３において、
前記カバー材は可撓性を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
薄膜トランジスタを用いた集積回路と、保護層と、アンテナと、第１の封止膜と、第２の封止膜と、基板とを有し、
前記集積回路と前記アンテナは電気的に接続されており、
前記集積回路及び前記アンテナは、前記第１の封止膜と前記第２の封止膜との間に挟まれており、
前記保護層は、前記アンテナと前記第２の封止膜との間に挟まれており、
前記薄膜トランジスタを用いた集積回路と前記保護層と前記アンテナと前記第１の封止膜は、前記第２の封止膜と前記基板とによって覆われており、
前記第１の封止膜は、複数の第１の絶縁膜と、前記複数の第１の絶縁膜の間に挟まれた単数または複数の第２の絶縁膜とを有し、
前記第２の封止膜は、複数の第３の絶縁膜と、前記複数の第３の絶縁膜の間に挟まれた単数または複数の第４の絶縁膜とを有し、
前記第２の絶縁膜は前記第１の絶縁膜よりも応力が小さく、
前記第４の絶縁膜は前記第３の絶縁膜よりも応力が小さく、
前記第１の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜は無機絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記アンテナと、前記薄膜トランジスタが有するゲート電極とは、１つの導電膜をパターニングすることで形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記アンテナと、前記薄膜トランジスタに接続された配線とは、１つの導電膜をパターニングすることで形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
薄膜トランジスタを用いた集積回路と、アンテナと、第１の封止膜と、第２の封止膜と、基板と、カバー材とを有し、
前記集積回路は、前記第１の封止膜と前記第２の封止膜との間に挟まれており、
前記第１の封止膜及び前記第２の封止膜は、前記基板と前記カバー材との間に挟まれており、
前記カバー材は、前記アンテナと前記第２の封止膜の間に挟まれており、
前記集積回路と前記アンテナは、前記カバー材及び前記第２の封止膜に形成されたコンタクトホールを介して、電気的に接続されており、
前記第１の封止膜は、複数の第１の絶縁膜と、前記複数の第１の絶縁膜の間に挟まれた単数または複数の第２の絶縁膜とを有し、
前記第２の封止膜は、複数の第３の絶縁膜と、前記複数の第３の絶縁膜の間に挟まれた単数または複数の第４の絶縁膜とを有し、
前記第２の絶縁膜は前記第１の絶縁膜よりも応力が小さく、
前記第４の絶縁膜は前記第３の絶縁膜よりも応力が小さく、
前記第１の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜は無機絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記カバー材は可撓性を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
薄膜トランジスタを用いた集積回路と、第１の封止膜と、第２の封止膜と、基板とを有し、
前記集積回路は、前記第１の封止膜と前記第２の封止膜との間に挟まれており、
前記第１の封止膜は、前記基板と前記集積回路との間に挟まれており、
前記集積回路は接続端子を有し、
前記集積回路は、アンテナによって前記接続端子に入力された交流の信号から電源電圧を生成する整流回路と、前記交流の信号を復調して第１の信号を形成する復調回路と、前記第１の信号に従って演算処理を行ない、第２の信号を生成するマイクロプロセッサと、前記第２の信号を変調する変調回路と、前記変調された第２の信号に従って、前記アンテナにかかる負荷を変調するスイッチとを有し、
前記第１の封止膜は、複数の第１の絶縁膜と、前記複数の第１の絶縁膜の間に挟まれた単数または複数の第２の絶縁膜とを有し、
前記第２の封止膜は、複数の第３の絶縁膜と、前記複数の第３の絶縁膜の間に挟まれた単数または複数の第４の絶縁膜とを有し、
前記第２の絶縁膜は前記第１の絶縁膜よりも応力が小さく、
前記第４の絶縁膜は前記第３の絶縁膜よりも応力が小さく、
前記第１の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜は無機絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
前記基板は可撓性を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
前記第１の絶縁膜または前記第３の絶縁膜は、窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウムまたは窒化酸化珪化アルミニウムを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、
前記第２絶縁膜または前記第３絶縁膜は、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテンまたはエポキシ樹脂を有することを特徴とする半導体装置。