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【手続補正書】
【提出日】平成19年12月7日(2007.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶成長側の面に凹凸加工を施した基板を用いて、結晶欠陥の増加した発光層を含むIII族窒化物系化合物半導体の積層を形成したことを特徴とする通信用発光素子。
【請求項２】
前記凹凸加工は、結晶成長側の面に凸部が平方ミリメートルあたり４万個以上点在するように形成したことを特徴とする請求項１に記載の通信用発光素子。
【請求項３】
前記発光層は単一量子井戸構造であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の通信用発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の通信用発光素子をＰＯＦに接続したことを特徴とする光通信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項１に係る発明は、結晶成長側の面に凹凸加工を施した基板を用いて、発光層を含む結晶欠陥の増加したIII族窒化物系化合物半導体の積層を形成したことを特徴とする通信用発光素子である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月25日(2008.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被露光体の表面と、当該被露光体の表面に最も近い投影光学系の最終面との隙間を液体で満たし、前記投影光学系及び前記液体を介して前記被露光体を露光する露光装置であって、
前記隙間の第１の間隔よりも小さい第２の間隔を前記被露光体又は前記被露光体に隣接した部材との間に形成して前記液体の移動を制限する移動規制部と、
当該移動規制部を前記第２の間隔が大きくなるように移動する移動手段とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記露光装置は、前記液体を前記隙間に閉じ込めるために前記液体に気体を吹き付ける吹付手段を更に有し、
前記移動手段は前記気体の圧力を利用することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記移動手段は、
前記気体の圧力又は流量を計測する計測手段と、
前記計測手段の計測結果に基づいて前記移動規制部の移動を制御する制御部とを有することを特徴とする請求項２記載の露光装置。
【請求項４】
前記移動手段は、
前記移動規制部と前記被露光体又は部材との距離を計測する計測手段と、
前記計測手段の計測結果に基づいて前記移動規制部の移動を制御する制御部とを有することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項５】
前記移動手段は、前記移動規制部の前記被露光体又は部材に向かう移動を制限する規制手段を有することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項６】
前記露光装置は、
前記投影光学系を収納する第１の筐体と、
前記液体を前記隙間に閉じ込めるために前記液体に気体を吹き付ける吹付手段と、
前記気体を回収する回収手段と、
前記吹付手段及び前記回収手段の少なくとも一方を収納し、前記第１の筐体とは離間した第２の筐体とを更に有することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項７】
前記投影光学系を収納する第１の筐体と、
前記液体を回収する回収手段と、
前記回収手段を収納し、前記第１の筐体とは離間した第２の筐体とを更に有することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項８】
前記移動規制部に設けられ、前記液体又は気体を回収する回収手段を更に有することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項９】
前記隙間を前記投影光学系の外部の圧力と同一にする手段を更に有することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のうちいずれか一項記載の露光装置を用いて被露光体を露光するステップと、
当該露光された被露光体を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一側面としての露光装置は、被露光体の表面と、当該被露光体の表面に最も近い投影光学系の最終面との隙間を液体で満たし、前記投影光学系及び前記液体を介して前記被露光体を露光する露光装置であって、前記隙間の第１の間隔よりも小さい第２の間隔を前記被露光体又は前記被露光体に隣接した部材との間に形成して前記液体の移動を制限する移動規制部と、当該移動規制部を前記第２の間隔が大きくなるように移動する移動手段とを有することを特徴とする。本発明の別の側面としてのデバイス製造方法は、上述の露光装置を用いて被露光体を露光するステップと、当該露光された被露光体を現像するステップとを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
凸部（移動規制部）１００ａは、投影光学系３０の最終面よりもウェハ方向に突出し、投影光学系３０とウェハ４０との間隔（第１の間隔）よりも小さい間隔（第２の間隔）を形成する。これによって、凸部１００ａは、液体ＬＷの移動を制限することによってエアカーテンによる液体ＬＷの閉じ込め効果の実効を図っている。投影光学系３０の最終面とウェハ４０との隙間は１ｍｍ程度であるが、凸部１００ａとそれに対応するウェハ４０又は同面板（ウェハ４０に隣接する部材）４４との距離ｈは０．４ｍｍ程度である。エアカーテンの吹き付け力が大き過ぎると隙間内の液体ＬＷが飛散する可能性があるために、拭き付け力の上限は制限される。しかし、かかる上限では１ｍｍの隙間に液体ＬＷを留めておくには不十分であるので凸部１００ａによって距離ｈを１ｍｍよりも小さくして気体ＰＧの吹き付け力の低下を防止している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
以下、図４及び図５を参照して、鏡筒１００及び移動機構１１０の別の実施例である鏡筒（第１の筐体）１００Ａ及び移動機構１１０Ａを説明する。ここで、図４は、鏡筒１００Ａ及び移動機構１１０Ａの断面図である。図５は、鏡筒１００Ａ及び移動機構１１０Ａの部分拡大断面図である。鏡筒１００Ａは、投影光学系３０を保持する機能を有する。本実施例の露光装置は、図４及び図５に示すように、液体供給口１０１と、気体供給口１０２Ａと、液体回収口１０３と、回収口１０５及び１０６と、凸部１２０を有する。気体供給口１０２Ａの機能は気体供給口１０２と実質的に同様である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
凸部（第２の筐体）１２０は、液体ＬＷを投影光学系３０とウェハ４０との隙間に閉じ込める機能を有し、鏡筒１００Ａと別体に（離間して）設けられ、気体供給口（吹付手段）１０２Ａ、回収口１０５及び１０６が形成されている。また、凸部１２０は、移動機構１１０Ａによって移動可能に保持されている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月3日(2008.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受信品質情報に基づいて送信制御を実行する送信装置との間で無線通信を行う無線通信装置において、
前記無線通信についての通信品質又は前記送信装置が受信するデータのトラフィックに応じて、前記送信装置に送信する前記受信品質情報の形式を変更する変更部と、
変更された受信品質情報の形式に従って前記受信品質情報を送信する送信部と、
を備えたことを特徴とする無線通信装置。
【請求項２】
前記変更部による前記受信品質情報の形式の変更によって、送信される前記受信品質情報のデータ量が変更される、
ことを特徴とする請求項１記載の無線通信装置。
【請求項３】
前記変更部は、複数の周波数又は複数の送信アンテナについての受信品質をまとめて得られる受信品質情報に変更することで前記受信品質情報の形式を変更する、
ことを特徴とする請求項１記載の無線通信装置。
【請求項４】
前記変更部が、前記無線通信についての通信品質に応じて、前記送信装置に送信する前記受信品質情報の形式を変更する場合に、該変更部は、前記通信品質の劣化に応じて、送信される前記受信品質情報のデータ量を増大させる変更を行う、
ことを特徴とする請求項１記載の無線通信装置。
【請求項５】
前記変更部が、前記無線通信についての通信品質に応じて、前記送信装置に送信する前記受信品質情報の形式を変更する場合に、該変更部は、前記通信品質が良好な際の受信品質情報の形式に対して、前記通信品質が劣化した際の受信品質情報の形式がより詳細な情報となる変更を行う、
ことを特徴とする請求項１記載の無線通信装置。
【請求項６】
前記変更部が、前記送信装置が受信するデータのトラフィックに応じて、前記送信装置に送信する前記受信品質情報の形式を変更する場合に、該変更部は、前記送信装置が受信するデータのトラフィックの増大に応じて、送信される前記受信品質情報のデータ量を減少させる変更を行う、
ことを特徴とする請求項１記載の無線通信装置。
【請求項７】
前記変更部が、前記送信装置が受信するデータのトラフィックに応じて、前記送信装置に送信する前記受信品質情報の形式を変更する場合に、該変更部は、前記トラフィックが多い際の受信品質情報の形式に対して、前記トラフィックが少ない際の受信品質情報の形式がより詳細な情報となる変更を行う、
ことを特徴とする請求項１記載の無線通信装置。
【請求項８】
前記通信品質として、エラーレイト、ＳＩＲ、再送回数、ＡＣＫ／ＮＡＣＫのいずれかが用いられる、
ことを特徴とする請求項１記載の無線通信装置。
【請求項９】
受信品質情報に基づいて送信制御を実行する送信装置との間で無線通信を行う無線通信装置において受信品質情報の送信を行う送信方法において、
前記無線通信についての通信品質又は前記送信装置が受信するデータのトラフィックに応じて、前記送信装置に送信する前記受信品質情報の形式を変更し、
変更された受信品質情報の形式に従って前記受信品質情報を送信する、
ことを特徴とする無線通信装置における送信方法。
【請求項１０】
通信装置から受信した受信品質情報に基づいて送信制御を実行する送信装置において、
通信品質又は該送信装置が受信するデータのトラフィックに応じて、通信装置が形式を変更した受信品質情報を受信する受信部と、
受信した変更後の該受信品質情報に基づいて、送信制御を行う制御部と、
を備えたことを特徴とする送信装置。
【請求項１１】
データチャネルを備えるパケットの送受信を行うデータ伝送システムにおいて、
前記パケットの伝搬路の品質に対応して与えられるＣＱＩに基づいて前記パケットの通信品質が最大になる制御を行う制御部と、
前記パケットを生成するパケット生成部と、
前記パケットを送信する第１の送信部と、を有する送信局と、
前記パケットを受信する受信部と、
前記受信したパケットの通信品質に応じて前記ＣＱＩのフォーマットを変更するフォーマット変更部と、
前記ＣＱＩのフォーマットに基づいて前記ＣＱＩを測定する測定部と、
前記測定されたＣＱＩを前記送信局に送信する第２の送信部と、を有する受信局と、
を備えることを特徴とするデータ伝送システム。
【請求項１２】
データチャネルを備えるパケットの送受信を行うデータ伝送方法において、
送信局が、前記パケットの伝搬路の品質に対応して与えられるＣＱＩに基づいて、前記パケットの通信品質が最大になる制御を行い、
前記パケットを生成し、
前記パケットを送信し、
受信局が、前記パケットを受信し、
前記受信したパケットの通信品質に応じて前記ＣＱＩのフォーマットを変更し、
前記ＣＱＩのフォーマットに基づいて前記ＣＱＩを測定し、
前記測定されたＣＱＩを前記送信局に送信する、
ことを特徴とするデータ伝送方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】無線通信装置、送信方法、送信装置、データ伝送システムおよびデータ伝送方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
通信品質はＢＥＲ（ビットエラーレート）、ＢＬＥＲ（ブロックエラーレート）等いくつかの指標を用いて測定する。本実施の形態では、ＢＬＥＲを用いている。
ＣＱＩパターンテーブル１８には、通信品質情報に応じたＣＱＩフォーマットが予めテーブル化されて格納されており、ＣＱＩパターンテーブル１８では、通信品質情報に応じたＣＱＩのフォーマットの選択（変更）を行う。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月21日(2008.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電振動子を有する圧電発振回路と、該圧電発振回路の発振ループ回路と電源電圧ラインとを接続する為のスイッチ回路と、該スイッチ回路のＯＮ／ＯＦＦ動作を制御する為のＯＮ/ＯＦＦ動作制御回路とを備え、前記スイッチ回路がＯＮ動作するに伴い、前記スイッチ回路を介して前記圧電振動子または前記発振ループ回路に電源電圧に基づく起動促進用電圧を印加するものであり、前記起動促進用電圧を印加する時が前記圧電振動子の励振信号の振幅レベルが極大値の時を基準にして該励振信号が±０.１λの範囲内の時であることを特徴とする圧電発振器。
【請求項２】
前記起動促進用電圧を印加する時が前記圧電振動子の励振信号の振幅レベルが極大値の時であることを特徴とする請求項１に記載の圧電発振器。
【請求項３】
圧電振動子を有する圧電発振回路と、該圧電発振回路の発振ループ回路と電源電圧ラインとを接続する為のスイッチ回路と、該スイッチ回路のＯＮ／ＯＦＦ動作を制御する為のＯＮ/ＯＦＦ動作制御回路とを備え、前記スイッチ回路がＯＮ動作するに伴い、前記スイッチ回路を介して前記圧電振動子または前記発振ループ回路に電源電圧に基づく起動促進用電圧を印加するものであり、前記起動促進用電圧を印加する時が前記電源電圧印加した時を起点にして前記圧電振動子の励振信号が（２×λ）／５〜（３×λ）／５の範囲に達した時であることを特徴とする圧電発振器。
【請求項４】
圧電振動子を有する圧電発振回路と、該圧電発振回路の発振ループ回路と電源電圧ラインとを接続する為のスイッチ回路と、該スイッチ回路のＯＮ／ＯＦＦ動作を制御する為のＯＮ/ＯＦＦ動作制御回路とを備え、前記スイッチ回路がＯＮ動作するに伴い、前記スイッチ回路を介して前記圧電振動子または前記発振ループ回路に電源電圧に基づく起動促進用電圧を印加するものであり、前記起動促進用電圧を印加する時が前記電源電圧印加した時を起点に前記圧電振動子の励振信号がλ／２に達した時であることを特徴とする圧電発振器。
【請求項５】
前記スイッチ回路が、トランジスタを有し、前記ＯＮ/ＯＦＦ動作制御回路が前記トランジスタのベースと前記電源電圧ラインとの間に接続された容量であり、前記スイッチ回路は、前記容量のチャージ電流によって前記トランジスタにベース電流が供給されＯＮ動作するものであり、前記ＯＮ動作するタイミングを前記容量の時定数によって設定したものであることを特徴とする請求項１乃至請求項４記載の圧電発振器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本願発明は、圧電振動子を有する圧電発振回路と、該圧電発振回路の発振ループ回路と電源電圧ラインとを接続する為のスイッチ回路と、該スイッチ回路のＯＮ／ＯＦＦ動作を制御する為のＯＮ/ＯＦＦ動作制御回路とを備え、前記スイッチ回路がＯＮ動作するに伴い、前記スイッチ回路を介して前記圧電振動子または前記発振ループ回路に電源電圧に基づく起動促進用電圧を印加するものであり、前記起動促進用電圧を印加する時が前記圧電振動子の励振信号の振幅レベルが極大値の時を基準にして該励振信号が±０.１λの範囲内の時であることを特徴とする。
更に本願発明は、上記特徴に加えて前記起動促進用電圧を印加する時が前記圧電振動子の励振信号の振幅レベルが極大値の時であることを特徴とする。
また本願発明は、圧電振動子を有する圧電発振回路と、該圧電発振回路の発振ループ回路と電源電圧ラインとを接続する為のスイッチ回路と、該スイッチ回路のＯＮ／ＯＦＦ動作を制御する為のＯＮ/ＯＦＦ動作制御回路とを備え、前記スイッチ回路がＯＮ動作するに伴い、前記スイッチ回路を介して前記圧電振動子または前記発振ループ回路に電源電圧に基づく起動促進用電圧を印加するものであり、前記起動促進用電圧を印加する時が前記電源電圧印加した時を起点にして前記圧電振動子の励振信号が（２×λ）／５〜（３×λ）／５の範囲に達した時であることを特徴とする。
本願発明は圧電振動子を有する圧電発振回路と、該圧電発振回路の発振ループ回路と電源電圧ラインとを接続する為のスイッチ回路と、該スイッチ回路のＯＮ／ＯＦＦ動作を制御する為のＯＮ/ＯＦＦ動作制御回路とを備え、前記スイッチ回路がＯＮ動作するに伴い、前記スイッチ回路を介して前記圧電振動子または前記発振ループ回路に電源電圧に基づく起動促進用電圧を印加するものであり、前記起動促進用電圧を印加する時が前記電源電圧印加した時を起点に前記圧電振動子の励振信号がλ／２に達した時であることを特徴とする。
上記特徴に加えて、本願発明は前記スイッチ回路が、トランジスタを有し、前記ＯＮ/ＯＦＦ動作制御回路が前記トランジスタのベースと前記電源電圧ラインとの間に接続された容量であり、前記スイッチ回路は、前記容量のチャージ電流によって前記トランジスタにベース電流が供給されＯＮ動作するものであり、前記ＯＮ動作するタイミングを前記容量の時定数によって設定したものであることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月11日(2008.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信装置のドライバの出力端子とレシーバの入力端子とを接続する第１ループバック回路と、
上記通信装置のドライバの出力端子およびレシーバの入力端子と上記第１ループバック回路との接続と、
上記ドライバの出力端子と上記通信装置の送信端子との間および上記レシーバの入力端子と上記通信装置の受信端子との間の接続とを切り替える第１切り替え手段とを備え、
上記第１ループバック回路は、上記ドライバからの送信信号を所定の減衰率で減衰させる減衰回路を有していることを特徴とする通信装置。
【請求項２】
上記ドライバの出力端子と上記レシーバの入力端子とを接続する第２ループバック回路と、
上記ドライバの出力端子および上記レシーバの入力端子と上記第１ループバック回路または上記第２ループバック回路との接続を切り替える第２切り替え手段とをさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】
上記減衰率は、上記ドライバの仕様値を満たすドライバの中で最も送信能力の低いドライバが送信可能な信号の信号レベルの最小値である第１最小値と上記レシーバの仕様値を満たすレシーバの中で最も受信感度が低いレシーバが受信可能な信号の信号レベルの最小値である第２最小値との差を、上記第１最小値で除した値であることを特徴とする請求項１または２に記載の通信装置。
【請求項４】
通信装置のドライバの出力端子とレシーバの入力端子とを第１ループバック回路によって接続し、上記ドライバの送信信号を上記レシーバに受信させることにより、当該通信装置の通信機能を診断する通信機能診断方法であって、
上記第１ループバック回路において、上記ドライバからの送信信号を、上記ドライバの仕様値を満たすドライバの中で最も送信能力の低いドライバが送信可能な信号の信号レベルの最小値である第１最小値と上記レシーバの仕様値を満たすレシーバの中で最も受信感度が低いレシーバが受信可能な信号の信号レベルの最小値である第２最小値との差を、上記第１最小値で除した値である減衰率で減衰させることを特徴とする通信機能診断方法。
【請求項５】
通常の通信のために上記通信装置の送信端子と受信端子とにそれぞれ接続されていた上記ドライバの出力端子と上記レシーバの入力端子とを通信機能の診断時に上記第１ループバック回路に接続することを特徴とする請求項４に記載の通信機能診断方法。
【請求項６】
通信機能の診断時に、上記ドライバの出力端子と上記レシーバの入力端子とを、上記第１ループバック回路によって接続するか、上記ドライバの出力端子と上記レシーバの入力端子とを短絡する第２ループバック回路によって接続するかを切り替えることを特徴とする請求項５に記載の通信機能診断方法。
【請求項７】
第１通信装置のドライバの出力端子と第２通信装置のレシーバの入力端子とを第１回路によって接続し、上記第２通信装置のドライバの出力端子と上記第１通信装置のレシーバの入力端子とを第２回路によって接続し、第１通信装置と第２通信装置との通信によって両レシーバが接続先の両ドライバからの送信信号を受信させることにより、上記第１装置および上記第２通信装置の通信機能を診断する通信機能診断方法であって、
上記第１回路において、
上記第１通信装置のドライバの仕様値を満たすドライバの中で最も送信能力の低いドライバが送信可能な信号の信号レベルの最小値である第１最小値と上記第２通信装置のレシーバの仕様値を満たすレシーバの中で最も受信感度が低いレシーバが受信可能な信号の信号レベルの最小値である第２最小値との差を、上記第１最小値で除した値である減衰率で、上記第１通信装置のドライバからの送信信号を減衰させ、
上記第２回路において、
上記第２通信装置のドライバの仕様値を満たすドライバの中で最も送信能力の低いドライバが送信可能な信号の信号レベルの最小値である第３最小値と上記第１通信装置のレシーバの仕様値を満たすレシーバの中で最も受信感度が低いレシーバが受信可能な信号の信号レベルの最小値である第４最小値との差を、上記第３最小値で除した値である減衰率で、上記第２通信装置のドライバからの送信信号を減衰させることを特徴とする通信機能診断方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月30日(2008.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の裏面上に形成されたｎ側電極を放熱基台に取り付ける構造の窒化物系半導体素子であって、
前記基板は、酸素がドープされたｎ型の窒化物系半導体からなり、
前記基板の上面上に形成されたＳｉ、Ｓｅ及びＧｅのいずれかがドープされたｎ型の窒化物系半導体層と、
前記ｎ型の窒化物系半導体層上に形成された活性層と、
前記活性層上に形成されたｐ型の窒化物系半導体層と、
前記ｐ型の窒化物系半導体層上に形成されたｐ側電極とを備える、窒化物系半導体素子。
【請求項２】
前記基板は、ＨＶＰＥ法により形成されており、
前記窒化物系半導体層は、ＭＯＣＶＤ法により形成されている、請求項１に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項３】
前記ｐ型の窒化物系半導体層の上面には、リッジ部が形成されている、請求項１又は２に記載の窒化物系半導体素子。
【請求項４】
前記基板は、ウルツ鉱構造を有する窒化物系半導体からなる、請求項１〜３のいずれかに記載の窒化物系半導体素子。
【請求項５】
前記基板の裏面は、全て窒素面である、請求項１〜４のいずれかに記載の窒化物系半導体素子。
【請求項６】
前記基板は、裏面に少しＧａ面が存在するオフ基板である、請求項１〜４のいずれかに記載の窒化物系半導体素子。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月29日(2008.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板において光が入射される方向とは反対側に、凹凸表面層、非晶質シリコン光電変換素子、表面が凹凸化された中間層、ならびに結晶質シリコンまたはシリコン合金により形成された活性層を有する光電変換素子が、上記基板に近い側からこの順に設けられており、
上記中間層は、原子間力顕微鏡により上記中間層の凹凸を測定することによって得られる凹凸の高さの二乗平均値ＲＭＳ、原子間力顕微鏡により上記中間層の凹凸を測定することによって得られる凹凸面の表面形状波形曲線をフーリエ変換した際に得られる正弦型曲線の最頻出波長Ｗ、および原子間力顕微鏡により測定した上記中間層の凹凸の平均線と原子間力顕微鏡により測定した上記中間層の凹凸のうち平均的な凹凸の凹凸面とのなす角をΘとした場合のｔａｎΘは、以下の式：
ｔａｎΘ＝２ＲＭＳ／（Ｗ／２）＝４ＲＭＳ／Ｗ
に表されるものであり、
上記ＲＭＳが、２８ｎｍ〜４０ｎｍの範囲に設定されていると共に、上記ｔａｎΘが０．０８〜０．１３の範囲に設定されていることを特徴とする多接合型薄膜太陽電池。
【請求項２】
上記活性層がシリコン合金により形成されており、
当該シリコン合金は、シリコンに錫またはゲルマニウムが添加された材料であることを特徴とする請求項１に記載の多接合型薄膜太陽電池。
【請求項３】
上記中間層の凹凸形状は、上記凹凸表面層の凹凸形状を制御することによって、制御されたものであることを特徴とする請求項１または２に記載の多接合型薄膜太陽電池。
【請求項４】
上記中間層は、酸化亜鉛を主成分として含有し、５×１０２０〜５×１０２１ｃｍ−３のガルバリウムまたはアルミニウムをさらに含有していることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の多接合型薄膜太陽電池。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月23日(2008.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ＭＩＳＦＥＴを含み、互いに反対側に位置する第１及び第２の主面と、前記第１の主面に形成された前記ＭＩＳＦＥＴのドレイン電極と、前記第２の主面に形成された前記ＭＩＳＦＥＴのゲート電極およびソース電極を有する半導体チップと、
（ｂ）前記半導体チップを封止する樹脂封止体であって、上面、下面および前記上面、下面と交差する４つの側面を有し、前記上面が前記半導体チップの第１の主面側に位置し、前記下面が前記半導体チップの第２の主面側に位置する樹脂封止体と、
（ｃ）前記ドレイン電極と電気的に接続されたドレインリードと、
（ｄ）前記ゲート電極と電気的に接続されたゲートリードと、
（ｅ）前記ソース電極と電気的に接続されたソースリードを有し、
（ｆ）前記ドレインリードは第１の部分、第２の部分および第３の部分からなり、前記第１の部分は前記ドレイン電極上に位置し、前記第３の部分は前記樹脂封止体の第２の主面より下に位置し、前記第２の部分は前記第１の部分と第３の部分を接続し、前記第１の部分は前記樹脂封止体の上面から一部が露出し、前記第３の部分は前記樹脂封止体の下面および前記４つの側面の内の第１の側面から一部が露出し、
（ｇ）前記ゲートリードは前記ゲート電極の下に位置し、かつ前記樹脂封止体の下面から一部が露出し、
（ｈ）前記ソースリードはソース電極の下に位置し、かつ前記樹脂封止体の下面から一部が露出し、
（ｉ）前記樹脂封止体の下面から露出した、前記ドレインリードの第３の部分、前記ゲートリードおよび前記ソースリードは同一平面内にあることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置であって、前記ドレインリードは導電性接着材によって前記ドレイン電極に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置であって、前記ゲートリードおよびソースリードは突起状電極によってそれぞれゲート電極およびソース電極に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置であって、前記突起状電極は金からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置であって、前記ドレインリード、ゲートリードおよびソースリードは銅からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置であって、前記ドレインリードの第２の部分は前記樹脂封止体の内部に位置し、前記第１の側面から露出しないことを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３６】
2008160163.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３７】
2008160163.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月12日(2008.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
両主面が平坦な基板と、
前記基板の主面に形成され、第１の配線導体層と第１の絶縁層とを含む第１の多層配線部であって、キャビティが形成された前記第１の多層配線部と、
前記キャビティ内に配置されたコンデンサと、を有する配線基板。
【請求項２】
前記基板の厚みは、前記第１の多層配線部の厚みよりも大きい請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記第１の配線導体層は、前記キャビティの底面に存在しており、
前記コンデンサの下面は、前記第１の配線導体層に接続される接続部を有する請求項１または２記載の配線基板。
【請求項４】
半導体部品を実装するための電極端子であって、
前記コンデンサ上面に設けられた第１の電極端子と、
前記第１の多層配線部の上に設けられた実装電極端子と、を含む電極端子をさらに有する請求項１乃至３のいずれか記載の配線基板。
【請求項５】
前記接続部が前記コンデンサの下面に設けられた第２の電極端子である請求項３記載の配線基板。
【請求項６】
前記接続部が、前記コンデンサの下面と前記第１の配線導体層とを接着する接着層である請求項３記載の配線基板。
【請求項７】
両主面が平坦な基板と、
前記基板の主面に形成され、第１の配線導体層と第１の絶縁層とを含む第１の多層配線部であって、キャビティが形成された前記第１の多層配線部と、
前記キャビティ内に配置されたコンデンサと、
第２の配線導体層と第２の絶縁層とを含み、前記第１の多層配線部及び前記コンデンサの上面側に設けられ、前記コンデンサ及び前記第１の配線導体層と電気的に接続するための第２の多層配線部と、を有する配線基板。
【請求項８】
半導体部品を実装するための電極端子であって、
前記第２の多層配線部の上に設けられ、前記第２の配線導体層を介して前記コンデンサと電気的に接続された第２の実装電極端子をさらに有する請求項７記載の配線基板。
【請求項９】
両主面が平坦な基板と、
前記基板の主面に形成され、第１の配線導体層と第１の絶縁層とを含む第１の多層配線部であって、キャビティが形成された前記第１の多層配線部と、
前記キャビティ内に配置されたコンデンサと、を有する配線基板と、
前記配線基板の上に実装され、前記配線基板と電気的に接続された半導体部品と、を備える半導体装置。
【請求項１０】
両主面が平坦な基板と、
前記基板の主面に形成され、第１の配線導体層と第１の絶縁層とを含む第１の多層配線部であって、キャビティが形成された前記第１の多層配線部と、
前記キャビティ内に配置されたコンデンサと、
第２の配線導体層と第２の絶縁層とを含み、前記第１の多層配線部及び前記コンデンサの上面側に設けられ、前記コンデンサと前記第１の配線導体層と、電気的に接続するための第２の多層配線部と、を有する配線基板と、
該配線基板の上に実装され、前記配線基板と電気的に接続された半導体部品と、を備える半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月4日(2008.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を搭載するパッケージ構造であって、電子部品に高周波信号を入出力する伝送線路を設け、接地用電極線を前記伝送線路に隣接して設け、当該接地用電極線の先端を接地用導体に接続したことを特徴とするパッケージ構造。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月7日(2008.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基地局とグループ通信を行う無線通信システムの移動局において、
上記移動局は、送信部と、受信部および上記送信部および上記受信部を制御する制御部を有し、上記制御部は、記憶部を有し、上記記憶部に自分のIDと自分が所属するグループコードを記憶したテーブルを具え、上記グループコードによりグループ分けされた上記移動局は、上記基地局から送信されたグループの変更情報を受信すると、上記制御部は、上記グループの変更情報を解読し、上記解読したことにより判定された移動局IDと上記記憶部に記憶されたグループコードの自分のIDを比較して所定のグループコードに変更することを特徴とする無線通信システムの移動局。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月8日(2008.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
このような構成とすることで、少なくとも１つのレーザ光射出セットにおいて、第３のミラーを用いて偏向した反射変換光が波長変換素子において吸収されることを抑制することができ、反射変換光の利用効率の低下を抑制することができる。また、かかるレーザ光射出セットにおいて、波長変換素子は、第３のミラーを用いて偏向された反射変換光を入射しないので、反射変換光の熱等に起因する波長変換素子の劣化を抑制することができる。また、反射変換光が波長変換素子を透過しない光路を通るようにするために波長変換素子の厚みを小さくすることで、レーザ光射出セットを小型化することができ、外部共振型レーザ光源装置全体も小型化することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
ここで、外部共振型レーザ光源装置１０００における「外部共振型」とは、半導体レーザアレイ１１０ａから射出される光を、半導体レーザアレイ１１０ａの外部に設けた共振器によって共振させて増幅する方式であることを示す。すなわち、レーザ光射出セット１００ａは、レーザ素子１１１ａから射出される基本レーザ光を、出力ミラー１４０ａと共振用ミラー２１（図２）とで構成される外部共振器を用いて更に共振して増幅させ、より高い出力のレーザ光として射出する。具体的には、レーザ素子１１１ａから射出した基本レーザ光Ｗ１ａ（波長：１０６４ｎｍ）は、偏向ミラー１２０ａを透過して波長変換素子１３０ａに入射して、光Ｗ２ａとして波長変換素子１３０ａから射出される。波長変換素子１３０ａの変換効率は２０％であるので、光Ｗ１ａの２０％は波長が５３２ｎｍの光に変換される。また、光Ｗ１ａの残りの一部（１％程度）は波長変換素子１３０ａに吸収される。そして、光Ｗ１ａのうち、波長変換素子１３０ａにおいて、波長変換及び吸収がなされなかった残りの光（光Ｗ１ａの約７９％）は、透過することとなる。従って、光Ｗ２ａには、波長変換後の光（波長：５３２ｎｍ）と波長変換されなかった光（波長：１０６４ｎｍ）とが含まれている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
Ｃ．第３の実施例：
図５は、第３の実施例における外部共振型レーザ光源装置の概略構成を示す説明図である。この外部共振型レーザ光源装置１０００ｂは、プリズム２００を備えていない点、及びレーザ光射出セット１００ｂにおける偏向ミラー１２０ｂの位置がずれている点において、外部共振型レーザ光源装置１０００（図１）と異なり、他の構成については、第１の実施例と同じである。第１の実施例では、光Ｒ５ａ（Ｒ５ｂ）を、光Ｗ３ａ（Ｗ３ｂ）と同じ方向に偏向するのにプリズム２００を用いていたが、外部共振型レーザ光源装置１０００ｂでは、プリズム２００に代えて、対向するレーザ光射出セットが備える偏向ミラー１２０ｂ（１２０ａ）を利用する。すなわち、対向するレーザ光射出セットの偏向ミラーが第１の実施例におけるプリズム２００と同じ働きをする。なお、図５では、図示の便宜上、光Ｒ３ａ（Ｒ３ｂ），光Ｒ４ａ（Ｒ４ｂ）は省略している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
具体的には、レーザ光射出セット１００ａにおいて、外部共振の復路で波長変換された後の光Ｒ２ａは、偏向ミラー１２０ａで反射されて、光Ｒ５ａとして射出窓１６０ａから射出する。外部共振型レーザ光源装置１０００ｂは、第１の実施例と異なりプリズム２００を備えていないので、光Ｒ５ａは、射出窓１６０ｂを通ってレーザ光射出セット１００ｂに入射することとなる。レーザ光射出セット１００ｂに入射した光Ｒ５ａは、偏向ミラー１２０ｂで反射され、光Ｗ５ｂとして波長変換素子１３０ｂに入射する。光Ｗ５ｂは、波長が５３２ｎｍであるので、波長変換素子１３０ｂにおいて波長変換されずに透過する。この透過光Ｗ６ｂは、出力ミラー１４０ｂを透過して、光Ｗ７ｂとして外部に射出する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
以上のような構成とすることで、プリズム２００を備えた構成に比べて、レーザ光射出セット１００ａとレーザ光射出セット１００ｂとの間の距離を短くすることができる。従って、外部共振型レーザ光源装置１０００ｂから射出する光Ｗ３ａ，Ｗ３ｂ，Ｗ７ａ，Ｗ７ｂのビーム間隔を比較的狭くすることができ、光Ｗ３ａ，Ｗ３ｂ，Ｗ７ａ，Ｗ７ｂの下流における光学系（図示省略）を比較的小型化することができる。また、プリズム２００を備えた構成に比べて、部品点数を減らすことができ、外部共振型レーザ光源装置１０００ｂ全体のサイズを小型化することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
このような構成においても、外部共振の復路で波長変換された後の光Ｒ２ａ（Ｒ２ｂ）を、レーザ素子１１１ａ（１１１ｂ）内部で吸収することなく、外部共振型レーザ光源装置１０００ｄ外部への射出（照明）に利用することができる。また、レーザ光射出部１９０ａとレーザ光射出部１９０ｂとを１つの筐体内に格納することで、レーザ光射出部１９０ａとレーザ光射出部１９０ｂとの間の距離を比較的短くすることができる。従って、外部共振型レーザ光源装置１０００ｄから射出される光のビーム間隔を、外部共振型レーザ光源装置１０００（図１）に比べて狭くすることができる。それゆえ、外部共振型レーザ光源装置１０００ｄから射出される光の下流側の光学系（図示省略）を小型化することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
外部共振型レーザ光源装置１０００から射出されたレーザ光は、集光レンズ３５０で集められ、ライトガイド４２１を伝って拡散板４２３により拡散されて被写体を照射する。そして、被写体からの反射光は、結像レンズ４２４に入射して、ライトガイド４２２を伝ってカメラ４１１に送られる。このようにして、レーザ光源装置１０００により射出したレーザ光によって被写体を照射したことで得られる反射光に基づく画像を、カメラ４１１で撮像することができる。なお、モニタ装置４００において、外部共振型レーザ光源装置１０００に代えて、上述した外部共振型レーザ光源装置１０００ａ〜１０００ｄのいずれかを備えるようにしてもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
各外部共振型レーザ光源装置１０００Ｒ，１０００Ｇ，１０００Ｂでは、外部共振の復路で波長変換された後の光を、各液晶ライトバルブ５０４Ｒ，５０４Ｇ，５０４Ｂの照射に利用する。従って、プロジェクタ５００全体として波長変換後の光を効率的に利用することができる。なお、プロジェクタ５００において、外部共振型レーザ光源装置１０００Ｒ，１０００Ｇ，１０００Ｂに代えて、上述した外部共振型レーザ光源装置１０００ａ〜１０００ｄのいずれかを適用するようにしてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月20日(2007.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】圧電発振器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ＩＣ搭載用の導通パッドを備えたパッケージ本体と、
前記導通パッドに導通接続されるＩＣチップと、
前記ＩＣチップの上面に搭載される圧電振動素子と、
前記パッケージ本体に封止部材により固定され、前記ＩＣチップ及び前記圧電振動素子を気密封止する蓋部材と、
を備え、
前記圧電振動素子は、振動部及び前記振動部と一体に形成され前記振動部の肉厚よりも厚い厚肉部を有する圧電基板と、前記振動部に形成された励振電極と、を備え、
前記圧電基板の前記厚肉部は、前記圧電基板の厚み方向に突出した突部を備え、
前記突部の端面に、前記励振電極と導通するパッド電極が形成され、
前記パッド電極は、前記ＩＣチップの前記上面に形成された上部電極と電気的機械的に接続されていることを特徴とする圧電発振器。
【請求項２】  前記圧電振動素子の重心が、平面視して前記ＩＣチップの外形の内側に位置していることを特徴とする請求項１に記載の圧電発振器。
【請求項３】  前記圧電振動素子の前記パッド電極は、前記ＩＣチップの前記上面の前記上部電極と、導電性接着剤、半田、又は導体バンプによって電気的機械的に接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の圧電発振器。
【請求項４】  前記圧電振動素子は、平面視して前記ＩＣチップの端縁からオーバーハングしたオーバーハング部を有し、
前記パッケージ本体上に、前記オーバーハング部の直下に張り出した段差を配置し、
前記段差の高さを前記ＩＣチップの高さよりも高くしたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の圧電発振器。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の請求項１は、ＩＣ搭載用の導通パッドを備えたパッケージ本体と、前記導通パッドに導通接続されるＩＣチップと、前記ＩＣチップの上面に搭載される圧電振動素子と、前記パッケージ本体に封止部材により固定され、前記ＩＣチップ及び前記圧電振動素子を気密封止する蓋部材と、を備え、前記圧電振動素子は、振動部及び前記振動部と一体に形成され前記振動部の肉厚よりも厚い厚肉部を有する圧電基板と、前記振動部に形成された励振電極と、を備え、前記圧電基板の前記厚肉部は、前記圧電基板の厚み方向に突出した突部を備え、前記突部の端面に、前記励振電極と導通するパッド電極が形成され、前記パッド電極は、前記ＩＣチップの前記上面に形成された上部電極と電気的機械的に接続されていることを特徴とする。
請求項２は、前記圧電振動素子の重心が、平面視して前記ＩＣチップの外形の内側に位置していることを特徴とする。
請求項３は、前記圧電振動素子の前記パッド電極は、前記ＩＣチップの前記上面の前記上部電極と、導電性接着剤、半田、又は導体バンプによって電気的機械的に接続されていることを特徴とする。
請求項４は、前記圧電振動素子は、平面視して前記ＩＣチップの端縁からオーバーハングしたオーバーハング部を有し、前記パッケージ本体上に、前記オーバーハング部の直下に張り出した段差を配置し、前記段差の高さを前記ＩＣチップの高さよりも高くしたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月22日(2008.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及び電子装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された第１の配線と、
前記第１の配線上に形成された第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に形成され、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を有する半導体膜と、
前記半導体膜上に形成された第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上に形成された第１の電極及び第２の配線と、
前記第１の電極及び前記第２の配線上に形成された第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層上に形成され、前記ソース領域または前記ドレイン領域の一方に電気的に接続された画素電極とを有し、
前記第１の配線は、前記第１の絶縁層を介して前記半導体膜と重なって設けられ、
前記第１の電極は、前記第２の絶縁層を介して前記半導体膜と重なって設けられ、
前記第１の配線と前記第１の電極とは電気的に接続され、
前記第１の配線と前記第２の配線とは交差し、
前記第２の配線と、前記ソース領域または前記ドレイン領域の他方とは電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上に形成された第１の配線及び第３の配線と、
前記第１の配線及び前記第３の配線上に形成された第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に形成され、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を有する第１の半導体膜、並びに第２の半導体膜と、
前記第１の半導体膜及び前記第２の半導体膜上に形成された第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上に形成された第１の電極、第２の配線、及び第２の電極と、
前記第１の電極、前記第２の配線、及び前記第２の電極上に形成された第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層上に形成され、前記ソース領域または前記ドレイン領域の一方に電気的に接続された画素電極とを有し、
前記第１の配線は、前記第１の絶縁層を介して前記第１の半導体膜と重なって設けられ、
前記第１の電極は、前記第２の絶縁層を介して前記第１の半導体膜と重なって設けられ、
前記第１の配線と前記第１の電極とは電気的に接続され、
前記第１の配線と前記第２の配線とは交差し、
前記第２の配線と、前記ソース領域または前記ドレイン領域の他方とは電気的に接続され、
前記第３の配線と前記第２の電極とは電気的に接続され、
前記第２の絶縁層を介して前記第２の半導体膜と前記第２の電極とが重なって設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、前記ソース領域または前記ドレイン領域の一方と前記画素電極とを電気的に接続する第３の電極を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、前記画素電極は、透明導電膜からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記ソース領域または前記ドレイン領域の他方と前記第２の配線とを電気的に接続する第４の電極を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記第１の配線は走査線として機能し、前記第２の配線はデータ線として機能し、前記第１の電極はゲート電極として機能し、前記第２の絶縁層はゲート絶縁膜として機能することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記画素電極の端部は、前記第１の配線または前記第２の配線と重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記画素電極の端部は、前記第１の配線及び前記第２の配線と重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一に記載の半導体装置を表示部に用いた電子装置。
【請求項１０】
請求項９において、前記電子装置は、携帯情報端末、電子手帳、モバイルコンピュータ、携帯電話機、ビデオカメラ、スチルカメラ、パーソナルコンピュータ、テレビ受像器、プロジェクター、ナビゲーションシステム、冷蔵庫、洗濯機、電子レンジ、固定電話機、またはファクシミリであることを特徴とする電子装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月20日(2007.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 シリコン単結晶基板の上に積層された、一般式ＡｌａＧａｂＩｎ１‐ａ‐ｂＮｃＭ１‐ｃ（但し、０≦ａ，ｂ，ａ＋ｂ≦１、Ｍは窒素以外の第Ｖ族元素を表わし、０＜ｃ≦１）で表記されるＩＩＩ族窒化物層から構成されている、ｐｎ接合型のダブルヘテロ接合構造の発光部を備えたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子であって、前記シリコン単結晶基板と前記の発光部との間にリン化硼素結晶層と窒化リン化ガリウム結晶層とを交互に積層した多層積層構造の反射層を備えていることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光ダイオード。
【請求項２】 前記多層積層構造を構成するリン化硼素結晶層及び窒化リン化ガリウム結晶層のキャリア濃度が、１×１０１７原子ｃｍ‐３以上５×１０１９原子ｃｍ‐３以下であることを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光ダイオード。
【請求項３】 前記多層積層構造を構成する窒化リン化ガリウム結晶層のリン組成比が２原子％以上４原子％以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光ダイオード。
【請求項４】 前記多層積層構造の積層の周期数が２以上であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光ダイオード。
【請求項５】 前記多層積層構造の積層の周期数が７以上であることを特徴とする請求項４に記載のIII族窒化物半導体発光ダイオード。
【請求項６】 シリコン単結晶基板の表面が｛１１１｝結晶面であることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光ダイオード。
【請求項７】 シリコン単結晶基板と多層積層構造との間に、緩衝層を介在させたことを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光ダイオード。
【請求項８】 前記多層積層構造を有機金属化学気相堆積法で形成することを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体発光ダイオードの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
クラッド層の禁制帯幅を発光層の禁制帯幅よりも大きくし、発光層に注入された電子の閉じ込め効果を高めるようにする。また、発光層の厚さは通常５〜３０ｎｍとし、クラッド層の厚さはそれよりも厚い１００〜８００ｎｍに形成する。