Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月4日(2008.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】有機半導体膜の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原料供給源を加熱して昇華させた有機半導体および第１のガスを処理器内に導入し、前記処理器内において、被処理物に前記有機半導体を堆積させた後、前記処理器から前記被処理物を取り出し、
前記処理器内が前記有機半導体の昇華温度よりも高い温度となるように前記処理器を加熱すると共に、第２のガスを前記処理器内に導入することによって、前記処理器内に残存する前記有機半導体を排出することを特徴とする有機半導体膜の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記排出された有機半導体を冷却して凝集し、回収することを特徴とする有機半導体膜の製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記処理器内において、前記被処理物は前記原料供給源の上方、かつ、前記被処理物の成膜面の法線方向と重力方向とが平行になるように設けられていることを特徴とする有機半導体膜の製造方法。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記処理器内において、前記被処理物は前記原料供給源の上方、かつ、前記被処理物の成膜面と重力方向とが平行になるように設けられていることを特徴とする有機半導体膜の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記原料供給源と前記被処理物との間にシャッターが設けられ、
前記シャッターを開けることによって、前記被処理物に前記有機半導体を堆積させることを特徴とする有機半導体膜の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月20日(2008.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層に触媒元素を添加し加熱した後、前記第１の半導体層上にリン、窒素、ヒ素、アンチモン、及びビスマスのいずれかを有する第２の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層を加熱した後、前記第２の半導体層に接する第１の導電層を液滴吐出法により形成し、
前記第１の導電層及び前記第２の半導体層の一部をエッチングして、第２の導電層及びソース領域及びドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層に触媒元素を添加し加熱した後、前記第１の半導体層上にリン、窒素、ヒ素、アンチモン、及びビスマスのいずれかを有する第２の半導体層を形成し、
前記第２の半導体層に、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンから選ばれた一種または複数種を添加し、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層を加熱した後、前記第２の半導体層に接する第１の導電層を液滴吐出法により形成し、
前記第１の導電層及び前記第２の半導体層の一部をエッチングして、第２の導電層及びソース領域及びドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層に触媒元素を添加し加熱した後、前記第１の半導体層上にヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンのいずれかを有する第２の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層を加熱した後、前記第２の半導体層を除去し、
前記第１の半導体層に接してリン、窒素、ヒ素、アンチモン、及びビスマスのいずれかを有する第３の半導体層を形成し、
前記第３の半導体層に接する第１の導電層を液滴吐出法により形成し、前記第１の導電層及び前記第３の半導体層の一部をエッチングして、第２の導電層及びソース領域及びドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層に触媒元素を添加し加熱した後、前記第１の半導体層上にヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンのいずれかを有する第２の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層を加熱した後、前記第２の半導体層を除去し、
前記第１の半導体層にリン、窒素、ヒ素、アンチモン、及びビスマスのいずれかを添加してソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域に接する第１の導電層を液滴吐出法により形成し、
前記第１の導電層の一部をエッチングして、第２の導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記ゲート電極は、前記絶縁表面上に導電膜を形成し、
前記導電膜上に感光性樹脂を吐出又は塗布し、
前記感光性樹脂の一部にレーザ光を照射してマスクを形成した後、前記マスクを用いて前記導電膜をエッチングして形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記ゲート電極は、耐熱性を有する導電層で形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記ゲート電極は、タングステン、モリブデン、ジルコニウム、ハフニウム、ビスマス、ニオブ、タンタル、クロム、コバルト、ニッケル、白金、リンを含有する結晶性珪素膜、酸化インジウムスズ、酸化亜鉛、酸化インジウム亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛、又は酸化珪素を含む酸化インジウムスズで形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記触媒元素は、タングステン、モリブデン、ジルコニウム、ハフニウム、ビスマス、ニオブ、タンタル、クロム、コバルト、ニッケル、及び白金から選ばれる一つ又は複数であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月10日(2008.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  集積回路であって、
出力ボンディングパッドと基準電位との間に連結された回路を具備し、
該回路は、
前記出力ボンディングパッドに連結された第１の電極と前記基準電位に連結された第２の電極とを有するトランジスタと、
前記第２の電極と前記基準電位との間に連結された縮退装置と、
前記出力ボンディングパッドと前記基準電位との間に連結されたダイオードであって、該ダイオードのアノードが前記出力ボンディングパッドに連結され、前記ダイオードのカソードが前記基準電位に連結され、前記回路の正常動作中は順バイアスされ非導通状態であり、前記出力ボンディングパッドにおける電圧が前記基準電位の電圧を１つのダイオードの電圧降下分より大きく超える静電放電事象中は、順バイアスされ導通状態である、ダイオードと、
を備えている集積回路。
【請求項２】  前記トランジスタは、バイポーラトランジスタからなる請求項１記載の集積回路。
【請求項３】  前記トランジスタは、共通エミッタ構成である請求項２記載の集積回路。
【請求項４】  前記ダイオードは、ダイオードとして構成されるトランジスタである請求項１記載の集積回路。
【請求項５】  前記ダイオードは、ダイオードとして構成されるバイポーラトランジスタである請求項４記載の集積回路。
【請求項６】  前記ダイオードは、ダイオードとして構成される金属酸化膜半導体トランジスタである請求項４記載の集積回路。
【請求項７】  前記ダイオードは、少なくとも２つの直列接続ダイオードから構成され、該少なくとも２つの直列ダイオードは、前記回路の正常動作中は順バイアスされ非導通状態であり、前記出力ボンディングパッドにおける電圧が、接地ボンディングパッドの電圧レベルにより、前記少なくとも２つの直列接続ダイオードの各ダイオードの１つのダイオードの電圧降下分より大きい電圧レベルになる静電放電事象中は、順バイアスされ導通状態になる請求項１記載の集積回路。
【請求項８】  電源ボンディングパッドと前記接地ボンディングパッドとの間にツェナーダイオードを更に具備し、該ツェナーダイオードは、前記電源ボンディングパッドに連結されたカソードと前記接地ボンドパッドに連結されたアノードとを有する請求項１記載の集積回路。
【請求項９】  前記ボンディングパッドに連結されたリードが延在しているハウジングに密閉される請求項１記載の集積回路。
【請求項１０】  集積回路であって、
出力ボンディングパッドと基準電位との間に連結された回路を具備し、
該回路は、
前記出力ボンディングパッドに連結された第１の電極と前記基準電位に連結された第２の電極とを有するトランジスタと、
前記第２の電極と前記基準電位との間に連結された縮退装置と、
前記出力ボンディングパッドと前記基準電位との間に連結された少なくとも２つの直列接続ダイオードであり、それらのうちの１つのアノードが前記出力ボンディングパッドに連結され、それらのうちの１つのカソードが前記基準電位に連結され、前記回路の正常動作中は順バイアスされ非導通状態であり、前記出力ボンディングパッドにおける電圧が、前記基準電位の電圧レベルに対し、前記少なくとも２つの直列接続ダイオードの各ダイオードの１つのダイオードの電圧降下分より大きい電圧レベルになる静電放電事象中は、順バイアスされ導通状態である、少なくとも２つの直列接続ダイオードと、
を備えている集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月4日(2008.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、
前記第１の電極上の絶縁膜と、
前記絶縁膜に形成された前記第１の電極に達する開口部と、
前記絶縁膜上に形成され、前記開口部を介して前記第１の電極と接続するゲート配線と、
前記絶縁膜上に形成された第２の電極と、
前記第２の電極の上方に形成された液晶層とを有し、
前記第２の電極は前記第１の電極と重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体膜と、
前記半導体膜上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記半導体膜と重なる第１の電極と、
前記第１の電極上の絶縁膜と、
前記絶縁膜に形成された前記第１の電極に達する開口部と、
前記絶縁膜上に形成され、前記開口部を介して前記第１の電極と接続するゲート配線と、
前記絶縁膜上に形成された第２の電極と、
前記第２の電極の上方に形成された液晶層とを有し、
前記第２の電極は前記第１の電極と重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１の半導体膜と、
第２の半導体膜と、
前記第１の半導体膜及び前記第２の半導体膜上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記第１の半導体膜と交差して、かつ、前記第２の半導体膜と重なる第１の電極と、
前記第１の電極上の絶縁膜と、
前記絶縁膜に形成された前記第１の電極に達する開口部と、
前記絶縁膜上に形成され、前記開口部を介して前記第１の電極と接続するゲート配線と、
前記絶縁膜上に形成された第２の電極と、
前記第２の電極の上方に形成された液晶層とを有し、
前記第２の電極は前記第１の電極と重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一について、前記第２の電極は前記第１の電極の電界を前記液晶層から遮蔽していることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
第１の電極と、
前記第１の電極上の絶縁膜と、
前記絶縁膜に形成された前記第１の電極に達する開口部と、
前記絶縁膜上に形成され、前記開口部を介して前記第１の電極と接続するゲート配線と、
前記絶縁膜上に形成された第２の電極とを有し、
前記第１の電極の面積の７０％以上が前記第２の電極と重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
半導体膜と、
前記半導体膜上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記半導体膜と重なる第１の電極と、
前記第１の電極上の絶縁膜と、
前記絶縁膜に形成された前記第１の電極に達する開口部と、
前記絶縁膜上に形成され、前記開口部を介して前記第１の電極と接続するゲート配線と、
前記絶縁膜上に形成された第２の電極とを有し、
前記第１の電極と、前記ゲート絶縁膜と、前記半導体膜とから保持容量が形成され、前記保持容量の面積の９０％以上が前記第２の電極と重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
第１の半導体膜と、
第２の半導体膜と、
前記第１の半導体膜及び前記第２の半導体膜上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記第１の半導体膜と交差して、かつ、前記第２の半導体膜と重なる第１の電極と、
前記第１の電極上の絶縁膜と、
前記絶縁膜に形成された前記第１の電極に達する開口部と、
前記絶縁膜上に形成され、前記開口部を介して前記第１の電極と接続するゲート配線と、
前記絶縁膜上に形成された第２の電極とを有し、
前記第１の電極と、前記ゲート絶縁膜と、前記第２の半導体膜とから保持容量が形成され、前記保持容量の面積の９０％以上が前記第２の電極と重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項５乃至７のいずれか一において、前記第２の電極の上方に液晶層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記絶縁膜上に画素電極が形成され、前記第２の電極は前記画素電極と接することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記第２の電極は画素電極であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、前記半導体装置は、反射型の電気光学装置であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１０のいずれか一において、前記半導体装置は、投影型の電気光学装置であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月11日(2008.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
碁盤目状に配列された複数の矩形状の検出器と検出信号を読み出す放射線計測回路を有し、
複数の矩形状の貫通穴が碁盤目状に配列され、前記貫通穴と貫通穴はセプタで仕切られたコリメータとを有し、
前記検出器ごとに放射線の入射位置情報を得る放射線撮像装置と、
前記検出器からの検出信号を得て平面像を生成するデータ処理装置を有するガンマカメラ（核医学診断装置を除く）であって、
前記コリメータを平面視した状態で、前記貫通穴の配列が、前記検出器の配列に対して所定の角度で交差するように配置し、
前記所定の角度が、２０度から７０度であり、
前記コリメータのコリメータ穴ピッチが、前記検出器の碁盤目状に配列された検出器ピッチに対する比で、√２以上２未満であり、
前記データ処理装置は、前記検出器からの検出信号を得て画像情報を生成する際に、３×３マトリクスの平滑化フィルター処理を行うことを特徴とするガンマカメラ。
【請求項２】
前記所定の角度が４５度であること、を特徴とする請求項１に記載のガンマカメラ。
【請求項３】
前記所定の角度が３０度から６０度であること、を特徴とする請求項１に記載のガンマカメラ。
【請求項４】
前記コリメータのコリメータ穴ピッチが、前記検出器の碁盤目状に配列された検出器ピッチに対する比で、√２〜１.８倍であることを特徴とする請求項１に記載のガンマカメラ。
【請求項５】
碁盤目状に配列されたピクセルに対応して入射した放射線の位置情報を取得するピクセル型の検出器と、
前記検出器からの検出信号を読み出す放射線計測回路と、
複数の矩形状の貫通穴が碁盤目状に配列され、前記貫通穴と貫通穴はセプタで仕切られたコリメータとを有する放射線撮像装置と、
前記検出器からの検出信号を得て平面像を生成するデータ処理装置を有するガンマカメラ（核医学診断装置を除く）であって、
前記コリメータを平面視した状態で、前記貫通穴の配列が、前記検出器のピクセルに対応する配列に対して所定の角度で交差するように配置し、
前記所定の角度が、２０度から７０度であり、
前記コリメータのコリメータ穴ピッチが、前記検出器のピクセルに対応する碁盤目状に配列された検出器ピッチに対する比で、√２以上２未満であり、
前記データ処理装置は、前記検出器からの検出信号を得て画像情報を生成する際に、３×３マトリクスの平滑化フィルター処理を行うことを特徴とするガンマカメラ。
【請求項６】
前記所定の角度が４５度であること、を特徴とする請求項５に記載のガンマカメラ。
【請求項７】
前記所定の角度が３０度から６０度であること、を特徴とする請求項５に記載のガンマカメラ。
【請求項８】
請求項５に記載のガンマカメラにおいて、前記放射線撮像装置を支持するガントリと、前記画像情報を表示する表示装置を有することを特徴とするガンマカメラ。
【請求項９】
前記コリメータのコリメータ穴ピッチが、前記検出器のピクセルに対応する碁盤目状に配列された検出器ピッチに対する比で、√２〜１.８倍であることを特徴とする請求項５に記載のガンマカメラ。
【請求項１０】
前記検出器の碁盤目状に配列された検出器ピッチが１mm以上２mm未満であることを特徴とする請求項９に記載のガンマカメラ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月24日(2008.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】  請求項１に記載の発明は、電子機器本体とリストバンドとの間に振動発生器の筐体を設け、該電子機器の少なくとも一方片側に前記筐体を配置したもので、恰も振動発生器を内蔵した電子機器本体に接続部を設けて折り曲げた形のもので、該振動発生器の筐体を手首のラインに沿った湾曲部分に配置できる為、該電子機器本体の２の体積を、相当分小型化でき、又は他に有効利用できる事を特徴する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】  請求項２に記載の発明は、振動発生器５１，５２で発生する振動が抑圧されるのをできるだけ軽減する為、該振動発生器の筐体２１ａ、２１ｂと重量が比較的重い該電子機器２との間に、接続部（ヒンジを２個使いのもので、以下つなぎＡと呼ぶ）１１ａ、１１ｂを設け、振動発生器の負荷を小さくし、電力消費を少なくしている事を特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】  請求項３に記載の発明は、振動発生器５１，５２で発生する振動が抑圧されるのをできるだけ軽減する為、該振動発生器の筐体２１ａ、２１ｂとリストバンド４１ａ、４１ｂとの間に、接続部（ヒンジを２個使いのもので、以下つなぎＢと呼ぶ）１１ａ、１１ｂを設け、振動発生器の負荷を小さくし、電力消費を少なくしている事を特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】  請求項４に記載の発明は、振動発生器５１，５２の駆動に要する電流は比較的大きい為、容量の大きなバッテリーを必要とするので、電源は、容易に着脱できる充電式バッテリー５とする事を特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】  又、該充電式バッテリー５の着脱を容易にする為、該電子機器本体２の底部に収納し、裏蓋８を設けビス９ａ、９ｂ、９ｃ及び９ｄにて固定するものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】  内装部７には時刻やデーターの表示部及びデーターの演算や入出力を行う電子部品、及びそれらの内臓品を固定するための基盤が含まれ、さらに、電源として、充電式バッテリー５が該電子機器本体２の底部に配置され、裏蓋８を四本のビス９ａ、９ｂ、９ｃ及び９ｄで固定している。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月8日(2008.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
検体を保持するための検体保持部と、
テラヘルツ波を発信するためのアンテナ構造を有する発信部と、
テラヘルツ波を受信するためのアンテナ構造を有する受信部と、を有し、
前記検体保持部は前記基板の内部に集積され、
前記発信部と前記受信部とが前記基板に密着して配置されていることを特徴とする検査装置。
【請求項２】
前記発信部が発信したテラヘルツ波が、前記検体保持部を伝搬し、前記受信部により受信されるように構成することを特徴とする請求項１に記載の検査装置。
【請求項３】
前記検体保持部は、検体を保持する部分が周期的に配置され、共振構造を有していることを特徴とする請求項１あるいは２に記載の検査装置。
【請求項４】
前記発信部と前記受信部とのうち、少なくとも一つは、負性抵抗素子を有していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の検査装置。
【請求項５】
前記発信部と前記受信部とのうち、少なくとも一つは、前記テラヘルツ波を伝搬させる導波路を介して、高周波回路に接続されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の検査装置。
【請求項６】
前記発信部と前記受信部とは、共通の構造であり、前記テラヘルツ波を発信する機能とテラヘルツ波を受信する機能を兼ね備えていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の検査装置。
【請求項７】
前記発信部と前記受信部とが、前記基板の厚さ方向上に配置されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の検査装置。
【請求項８】
前記検体保持部に検体を挿入するための検体挿入手段を有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の検査装置。
【請求項９】
前記発信部と前記受信部とが前記基板を挟んで対向して配置されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の検査装置。
【請求項１０】
前記発信部よりテラヘルツ波を発生させるための発生手段と、前記受信部により前記基板内を伝搬して来たテラヘルツ波を検出させるための検出手段と、検体の物理的特性を予め保持しておくデータベースと、
前記検出手段によって検出されたテラヘルツ波の情報と前記データベースが保持する情報を比較して検体を検査する解析部を有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の検査装置。
【請求項１１】
前記発生手段が、レーザ光源であることを特徴とする請求項１０に記載の検査装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月3日(2008.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明の外観検査装置のうち、前記欠陥情報入力部と前記欠陥情報記憶部とを備える装置では、前記欠陥情報記憶部に記憶された欠陥情報と前記検査工程設定情報との関係を解析して表示する解析表示部を備える構成とすることが好ましい。
この場合、解析表示部により欠陥情報とその検査を行った検査工程設定情報との関係を解析して、その解析結果を表示することができるので、検査工程設定情報の有効性を容易に判断できる。すなわち、検査工程情報を設定するための支援機能を備えた装置とすることができる。
ここで、解析表示部の解析内容としては、例えば、検出された欠陥種類と検査条件設定値との統計処理や統計分析を挙げることができる。すなわち、特定の検査条件において検出された欠陥種類のヒストグラム、特定の欠陥種類を検出した検査条件種類のヒストグラム、および特定の欠陥を検出した特定の検査条件の検査条件設定値の平均値、標準偏差などを挙げることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明の外観検査装置のうち、前記欠陥情報入力部と前記欠陥情報記憶部とを備える装置、または前記欠陥情報入力部と前記欠陥情報記憶部と前記解析表示部とを備える装置では、前記欠陥情報記憶部に記憶された欠陥情報と前記検査工程設定情報との関係を解析して、その解析結果に応じて新たに前記検査工程設定情報を生成し前記記憶部に記憶できる構成とすることが好ましい。
この場合、欠陥情報記憶部に記憶された欠陥情報と検査工程設定情報との関係を解析して、その解析結果に応じて新たに前記検査工程設定情報を生成し記憶部に記憶できるので、例えば、検査条件設定値と特定の欠陥の検出率とが解析される場合、特定の欠陥の検出するための検査条件を、それまでの検査条件設定値のうちで最も検出率が高い条件に更新することができる。そのため、検査の学習機能を備えることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
ステップＳ１５〜Ｓ１８では、ステップＳ５〜Ｓ８と同様にして、揺動位置、スポット照明光の散乱状態、フィルタ種類、光量を変更し、欠陥が最もよく見える条件を順次検討する。最適な条件が見つかったらそれぞれ登録ボタン２７Ａを押してレシピを登録する。
他にウエハ１３の検査を行わない場合は、終了ボタン２７Ｂを押すことにより、レシピ作成モード終了処理を行う。すなわち、ウエハ１３の位置を初期状態に戻して、ウエハ１３を外観検査装置１から取り外し、検査待機状態に入る。モニタ部１０の画面は、不図示のメニュー画面に切り替えられる。
このようにして、マクロ検査に準じた工程を行いながら、照明種類、欠陥の種類毎に、それぞれの検査条件設定値を最適化した新規のレシピを作成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月7日(2008.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
即ち、図２に示す様に、正のアキシアル荷重Ｆｙが作用している状態では、このアキシアル荷重Ｆｙによる公転速度ｎc の変化が、このアキシアル荷重Ｆｙを負荷しないインナー側の列では小さい（アキシアル荷重Ｆｙによる公転速度ｎc の誤差が小さい）。これに対して、負のアキシアル荷重Ｆｙが作用している状態では、このアキシアル荷重Ｆｙによる公転速度ｎc の変化が、このアキシアル荷重Ｆｙを支承しないアウター側の列では小さい（アキシアル荷重Ｆｙによる公転速度ｎc の誤差が小さい）。この為、アキシアル荷重Ｆｙを負荷せずに接触角αが小さく、公転速度ｎc が遅い列の公転速度ｎc を利用して（ｎc ／ｎi ）、上記予圧Ｆ0 を求められる。逆に、正のアキシアル荷重Ｆｙが作用する状態でのアウター側の列、及び、負のアキシアル荷重Ｆｙが作用する状態でのインナー側の列（或いは、公転速度ｎc の速い列）では、このアキシアル荷重Ｆｙの変化に対する公転速度ｎc の変化量が大きい為、このアキシアル荷重Ｆｙの測定値に誤差がある（予圧Ｆ0 が不明の場合、必然的に誤差が大きくなる）と、上記予圧Ｆ0 の測定に関しても誤差が生じる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
尚、上記各周波数ｚｆc 、ｆc を検出する場合に、これら各周波数ｚｆc 、ｆc 成分をより顕著に検出可能にする為、上記各転動体３、３に相互差を与える（何れか１個の転動体３の直径を、他の転動体３、３の直径よりも僅かに大きくする）事も有効である。
又、インナー列とアウター列との区別を容易にする為に、両列の周波数ｚｆc （ｆc ）成分を互いに異ならせる事もできる。このうちの周波数ｚｆc 成分を変えるには、上記両列同士の間で接触角、転動体の直径、各転動体のピッチ円直径、転動体の数等のうちから選択される１乃至複数の要素を、上記両列同士の間で互い異ならせる（但し、周波数ｆc の場合は、転動体の数を除く）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
図１に示した構造は、磁性金属板製のエンコーダ４ｄの外周面のうちで軸方向に離隔した２個所位置に、それぞれ１対のセンサ１９ｃ、１９ｄの検出部を対向させた構造に就いて示している。但し、本発明は、この様な構造に限らずに実施できる。例えば、前述の図５〜８に示した先発明の第１例の構造の様に、永久磁石製のエンコーダを使用する構造に就いて、本発明を実施する事も可能である。
又、外輪１とハブ２とのアキシアル方向の変動に伴って変化する、１個のエンコーダの出力信号のデューティ比に応じて、この変動の方向及び量を求める構造に、本発明を適用する事もできる。この場合には、例えば図１４に示す様なエンコーダ４ｂを使用する。
この様な構造でも、予圧が変動すると、上記アキシアル方向の変動の方向及び量に基づいて荷重を正確には求められなくなる。これに対して、本発明により予圧に関する補正を行なえば、この予圧の変動が、上記アキシアル方向の変動の方向及び量に基づく荷重の測定精度を悪化させる事を防止できる。
尚、永久磁石製のエンコーダ本体の外周面の着磁領域を台形とした（円周方向に隣り合うＳ極とＮ極との境界を軸方向に対し傾斜させた）エンコーダと１個のセンサとを組み合わせた場合も、同様にして、予圧の変動がアキシアル方向の変動の方向及び量に基づく荷重の測定精度を悪化させる事を防止できる。
又、エンコーダとセンサとの組み合わせは、磁気検知式のものに限るものではない。例えば、渦電流式のセンサや光学式のセンサを使用する事もできる。
更には、転がり軸受ユニットの構造に就いても、図示の様な玉軸受ユニットに限らず、複列円すいころ軸受ユニットとする事もできる。
又、センサを、１対の外輪軌道同士の間部分の他、外輪の内端部に配置する事もできる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月26日(2008.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
そして、図４に示す様に、上記ステアリングシャフト２３の先端部を上記両抑え板部２９ａ、２９ｂ同士の間に挿入した状態で、上記通孔３２を挿通した上記抑えボルト２５の雄ねじ部３５を上記ナット２６に螺合している。更に、この抑えボルト２５の緊締に基づいて上記両抑え板部２９ａ、２９ｂ同士の間隔を縮める事により、これら両抑え板部２９ａ、２９ｂの抑え面３１、３１を上記両外側平面２７、２７に押し付け、これら各面３１、２７同士の摩擦係合により、上記ステアリングシャフト２３と上記ヨーク２４とを結合固定している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
尚、図示の例では、上記抑えボルト２５と上記ナット２６とを緊締する以前の状態で、前記両抑え面３１、３１と前記両外側平面２７、２７との間に存在する隙間の厚さを、これら各面３１、２７の幅方向（図４〜５の上下方向）に関してほぼ一定（上記両抑え面３１、３１と上記両外側平面２７、２７とを互いに平行）としている。これに対して、上記緊締する以前の状態で、上記両抑え面３１、３１同士の間隔を、上記基端部２８の開口部に向う程（図４〜５の上方程）広くなる様に、前記両抑え板部２９ａ、２９ｂ同士を僅かに傾斜させても良い。この様な構成を採用すれば、上記抑えボルト２５と上記ナット２６との緊締に伴って、上記両抑え面３１、３１と上記両外側平面２７、２７との当接圧を向上させると共に当接圧を均一にして、上記ステアリングシャフト２３と上記ヨーク２４との結合強度の向上を図れる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
１  自在継手
２、３  ヨーク
４  十字軸
５  軸受カップ
６、７  シャフト
８  基端部
９ａ、９ｂ  抑え板部
１０  抑え面
１１  ナット
１２  ねじ孔
１３  通孔
１４  外側平面
１５  凹部
１６  アウターシャフト
１７  インナーシャフト
１８  スプライン係合部
１９  中間シャフト
２０  自在継手
２１  自在継手
２２  ステアリングシャフト
２３  ステアリングシャフト
２４、２４ａ  ヨーク
２５  抑えボルト
２６  ナット
２７  外側平面
２８、２８ａ  基端部
２９ａ、２９ｂ  抑え板部
３０  連結部
３１  抑え面
３２  通孔
３３  杆部
３４  頭部
３５  雄ねじ部
３６  鍔部
３７  取付孔
３８  カバー
３９  主部
４０  内向鍔部
４１ａ、４１ｂ、４１ｃ  外向鍔部
４２  脚片
４３  凹孔
４４  圧縮コイルばね
４５  透孔
４６  直線縁
４７  平坦面
４８  係合段差面
４９  傾斜面
５０、５０ａ  第一の凹部
５１、５１ａ  第二の凹部
５２、５２ａ  連続凹部
５３  カム部
５４  平坦面
５５  雌ねじ
５６  雄ねじ
５７  かしめ部
５８ａ、５８ｂ  シャフト
５９  シャフト
６０  シャフト
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月15日(2008.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
第一の実施例では、以下の手順によりスキューが調整される。まず、被測定物３００に代えて抵抗性負荷を接続し、スイッチ１６０をａ２側に投じ、スイッチ１８０をオンする。そして、基準信号発生器１４０でパルス信号を送出し、測定部１２０で送出および反射パルスを観測する。その観測した波形に基づいて、点Ｍと定義面Ｊとの間の信号伝送路Ｆの伝搬遅延量を演算部１３０で求める。次に、被測定物３０１に代えて抵抗性負荷を接続し、スイッチ１６１をｃ２側に投じ、スイッチ１８０をオフし、スイッチ１８１をオンする。そして、基準信号発生器１４０でパルス信号を送出し、測定部１２１で送出および反射パルスを観測する。その観測した波形に基づいて、点Ｎと定義面Ｊとの間の信号伝送路Ｆの伝搬遅延量を演算部１３０で求める。以上の手順で求められた、２つの伝搬遅延量の差が信号伝送路間のスキューとなる。このスキューの補正は、例えば、信号伝送路に遅延成分を付加するか、測定後の処理により仮想的に遅延成分を付加することにより実施される。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月1日(2008.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有段または無段の変速機構と、前記変速機構と駆動源との間に設けられたロックアップクラッチを備えたトルクコンバータとから構成される自動変速機の制御装置であって、
前記ロックアップクラッチがスリップ領域で使用される場合には、前記スリップ領域において学習された学習値を用いて、スリップ量が目標スリップ量になるように制御され、
前記制御装置は、
前記スリップ領域における学習頻度を増加させるように、前記スリップ領域を拡大するための領域拡大手段と、
前記スリップ領域において、操作量に対するスリップ量を学習して、前記学習値を取得するための学習制御手段とを含み、
前記領域拡大手段は、スリップ量が微小な領域を拡大するための手段を含む、自動変速機の制御装置。
【請求項２】
前記自動変速機の制御装置は、前記駆動源からの出力を検知するための手段をさらに含み、
前記領域拡大手段は、前記出力の増加に応じて、前記スリップ領域を拡大するための手段を含む、請求項１に記載の自動変速機の制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月10日(2008.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
ところで、上述した移送装置の場合、上記主空間７の内側には、上記ボールナット１５及び上記移送用部材３及び１対のスライダ２１、２１が、上記主空間７の横断面（長さ方向と直交する方向の断面）の過半部分を塞ぐ状態で設けられている。この為、上記各部材１５、３、２１は、上記主空間７の内側でピストンの働きをする。即ち、この主空間７の内側で上記各部材１５、３、２１が、この主空間７の長さ方向に移動すると、この主空間７内の圧力が、これら各部材１５、３、２１の移動方向前方で上昇し、移動方向後方で低下する傾向となる。この様な圧力差が生じる結果、例えば図８→図１２（図１３→図１４）に示す様に、上記各部材１５、３、２１が上記主空間７の右方向（左方向）に移動する場合には、図８（図１３）に矢印で示す様に、上記主空間７のうち上記各部材１５、３、２１の右側（左側）に存在する空気が、前記仕切り板部１０の右端（左端）寄り部分に形成した連通孔１１を通じて、上記副空間８内に排出される。又、これと共に、この副空間８内の空気が、上記仕切り板部１０の左端（右端）寄り部分に形成した連通孔１１を通じて、上記主空間７のうち上記各部材１５、３の左側（右側）の空間内に引き込まれる。この様に、上述した移送装置の場合には、使用時に上記主空間７と上記副空間８との間で上記各連通孔１１、１１を通じて空気のやり取りを行なう事により、上記主空間７のうち上記各部材１５、３、２１の移動方向前方に存在する空間内の圧力が過度に上昇する事を防止している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2006300126.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月18日(2008.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上ベースと、
下ベースと、
球状体とを具備し、
前記上ベースの下面側には前記球状体の曲率半径ｒ１よりも大きな曲率半径ｒ２（但し、０．０１≦ｒ１／ｒ２≦０．４）のドーム状凹部が設けられると共に、前記上ベースのドーム状凹部に対応して前記下ベースの上面側には前記球状体の曲率半径ｒ１よりも大きな曲率半径ｒ３（但し、０．０１≦ｒ１／ｒ３≦０．４）のドーム状凹部が設けられてなり、
前記上ベースのドーム状凹部と前記下ベースのドーム状凹部との間に前記球状体が配されてなり、
前記上ベースには前記下ベース側向けて弾性凸部が設けられてなる
ことを特徴とする免振装置。
【請求項２】
上ベースは硬質材で構成されると共に、球状体が弾性材で構成されてなる
ことを特徴とする請求項１の免振装置。
【請求項３】
下ベースには上ベース側向けて弾性凸部が設けられてなることを特徴とする請求項１又は請求項２の免振装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
前記の課題は、
上ベース１１１と、
下ベース１２１と、
球状体１３１とを具備し、
前記上ベースの下面側には前記球状体の曲率半径ｒ１よりも大きな曲率半径ｒ２（但し、０．０１≦ｒ１／ｒ２≦０．４）のドーム状凹部が設けられると共に、前記上ベースのドーム状凹部に対応して前記下ベースの上面側には前記球状体の曲率半径ｒ１よりも大きな曲率半径ｒ３（但し、０．０１≦ｒ１／ｒ３≦０．４）のドーム状凹部が設けられてなり、
前記上ベース１１１のドーム状凹部と前記下ベース１２１のドーム状凹部との間に前記球状体１３１が配されてなり、
前記上ベース１１１には前記下ベース１２１側向けて弾性凸部１１３が設けられてなる
ことを特徴とする免振装置によって解決される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月15日(2008.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
循環路を介して連通される送液ポンプ、受熱部、放熱部およびリザーブタンクとを備えた冷却モジュールに対して冷媒液を注入する冷媒液注入装置において、
前記冷却モジュールの前記循環路に接続される第１の接続口体および前記リザーブタンクに接続される第２の接続口体と、
前記第１の接続口体と第２の接続口体にそれぞれ切換え手段を介して連通され、前記切換え手段の切換え方向に応じて前記第１、第２の接続口体のいずれか一方へ冷媒液を供給する冷媒液供給手段および他方からエアー抜きをなすとともに冷媒液回収を行う排出手段と、
前記冷却モジュールを支持するとともに、前記切換え手段の切換えタイミングに応じて冷却モジュールの支持姿勢を変換する支持手段と
を具備することを特徴とする冷媒液注入装置。
【請求項２】
送液ポンプと、受熱部と、放熱部およびリザーブタンクを循環路を介して連通し、冷却モジュールを組立てる冷却モジュール組立工程と、
冷媒液を組立てられた冷却モジュールのリザーブタンクへ所定時間注入して、リザーブタンクの隅部に冷媒液を充満させるとともに循環路のエアー抜きをなし、
そのあと、冷却モジュールの姿勢を変更して、リザーブタンクから循環路へ冷却液を導くとともに循環路のエアー抜きをなし、
つぎに、冷媒液を循環路へ注入するとともにリザーブタンクからエアー抜きをなすよう切換えて冷却モジュールに冷媒液を注入する冷媒液注入工程と、
を具備することを特徴とする冷却モジュールの製造方法。
【請求項３】
送液ポンプと、受熱部と、放熱部およびリザーブタンクを循環路を介して連通し、冷却モジュールを組立てる冷却モジュール組立工程と、
組立てられた冷却モジュールのリザーブタンクと連通する孔部を側面上部とし、循環路と連通する孔部が側面下部となるよう冷却モジュールの姿勢を設定し、リザーブタンクへ冷媒液を注入するとともに循環路のエアー抜きをなす第１の工程、
所定時間の経過後に、互いの孔部が上面側となるよう冷却モジュールの姿勢を変更する第２の工程、
前記リザーブタンクと連通する孔部から冷媒液を注入するとともに、送液ポンプを駆動してリザーブタンクから循環路へ冷媒液を圧送し、循環路と連通する孔部からのエアー抜きを継続しつつ、この孔部から冷媒液が排出されるのを待機する第３の工程、
循環路と連通する孔部からの冷媒液排出量がリザーブタンクへの冷媒液注入量と略同一となった状態で冷媒液の供給を停止し、送液ポンプの駆動を停止する第４の工程、
前記送液ポンプの駆動と停止を所定時間づつ繰り返して、循環路からのエアー抜きをなす第５の工程、
循環路と連通する孔部から冷媒液を供給し、かつリザーブタンクの孔部からエアー抜きをなすよう切換え、リザーブタンクから冷媒液がオーバーフローする状態で注入完了とする第６の工程から、冷却モジュールに冷媒液を注入する冷媒液注入工程と、
を具備することを特徴とする冷却モジュールの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】冷媒液注入装置および冷却モジュールの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、冷媒液を用いてＣＰＵ等の電子部品を冷却する冷却モジュールに冷媒液を注入するための冷媒液注入装置および冷却モジュールの製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は前記事情に着目してなされたものであり、その目的とするところは、冷却モジュールの一方の孔部から冷媒液を注入し、同時に他方の孔部からエアーの排出を行い、さらに液冷媒注入とエアー排出の方向を逆転するとともに、冷却モジュールの姿勢を変更することで、エアー抜きの確実化を図って必要量の冷媒液を確保し、冷却モジュールとしての冷却性能の向上化を得られる冷媒液注入装置および冷却モジュールの製造方法を提供しようとするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記目的を達成するため本発明の冷却モジュールの製造方法は、送液ポンプと、受熱部と、放熱部およびリザーブタンクを循環路を介して連通し、冷却モジュールを組立てる冷却モジュール組立工程と、冷媒液を組立てられた冷却モジュールのリザーブタンクへ所定時間注入してリザーブタンクの隅部に冷媒液を充満させるとともに循環路のエアー抜きをなし、そのあと冷却モジュールの姿勢を変更してリザーブタンクから循環路へ冷却液を導くとともに循環路のエアー抜きをなし、つぎに冷媒液を循環路へ注入するとともにリザーブタンクからエアー抜きをなすよう切換える冷媒液注入工程と、を具備する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月25日(2008.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の端部を荷重点側端部、もう一方の端部を支点側端部とする両端部を有し、両端部の間に感歪部を有して成るロードセルと、前記ロードセルの荷重点側端部上面に固定するためのロードセル取付部を有する荷重伝達部材と、前記荷重伝達部材に支持され、被計量物を載置するカバー部材とを備え、前記カバー部材に掛かる荷重を荷重伝達部材を介してロードセルに伝達する荷重伝達機構において、
前記荷重伝達部材は、
前記ロードセル取付部をコの字型に囲むリブ及び外枠と、
ロードセル取付部をコの字型に囲むリブと外枠とを接続する、ロードセル取付部をコの字型に囲むリブから放射状に伸びる複数の接続用リブと、
前記荷重伝達部材上面の内、少なくともロードセル取付部直上面を前記カバー部材に非接触の状態に保つ、ロードセル取付部直上面と前記複数の接続用リブの一部とを含むｍ×ｎの寸法で示される範囲を凹形状に形成した凹面部と、
前記複数の接続用リブを繋ぐ補強リブとを備えて成り、
前記寸法ｍ及びｎは、荷重によるカバー部材の撓み量に従って設定されるものであり、カバーの撓み量が多ければｍ及びｎの寸法を小さく設定して凹面部の範囲を狭め、撓み量が少なければｍ及びｎの寸法を大きく設定して凹面部の範囲を広げるように設定されるものであることを特徴とする荷重伝達機構。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月10日(2008.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
【図１】本発明に係る代表的な表示素子の一例の構成を表す断面図
【図２】入射光が微細凹凸形状のモスアイ構造により吸収される様子を示す図
【図３】入射光が微細凹凸形状のモスアイ構造により反射される様子を示す図
【図４】本発明の表示素子の第１の例の動作を説明するための模式的な断面図
【図５】本発明の表示素子の第２の例の動作を説明するための模式的な断面図
【図６】微細凹凸形状加工を施したＮｉ電極板の第２の例を表す模式的な断面図
【図７】微細凹凸形状加工を施したＮｉ電極板の第３の例を表す模式的な断面図
【図８】微細凹凸形状加工を施したＮｉ電極板の第４の例を表す模式的な断面図
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月27日(2008.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホスト装置から転送されたデータを記憶するデータ記憶装置であって、
前記データが記録されるデータ領域と、該データを管理するための第１の管理情報と該管理情報と同様の内容を有する第２の管理情報とが記録される管理領域とを有する記憶デバイスと、
前記ホスト装置から所定の順序で転送される前記データと前記第１の管理情報と前記第２の管理情報とを個別に受信する受信手段と、
前記受信したデータを前記データ領域に記録するデータ記録手段と、
前記第１の管理情報および前記第２の管理情報のうち、一方の管理情報を前記ホスト装置から受信した場合に、他方の管理情報の受信を待つことなく、前記受信した管理情報を、前記第１の管理情報および前記第２の管理情報として前記管理領域に記録する管理情報記録手段と
を備えるデータ記憶装置。
【請求項２】
請求項１に記載のデータ記憶装置であって、
前記管理情報記録手段は、前記他方の管理情報を受信した場合に、前記管理領域に対して該管理情報の記録を行うことなく、記録が完了した旨を前記ホスト装置に通知する手段を備える
データ記憶装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のデータ記憶装置であって、
前記管理情報記録手段は、前記第１の管理情報および前記第２の管理情報を、前記管理領域内の連続した位置に記録する
データ記憶装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載のデータ記憶装置であって、
該データ記憶装置は、前記記憶デバイスを複数備えており、
前記管理情報記録手段は、前記第１の管理情報を一の記憶デバイスに記録し、前記第２の管理情報を他の記憶デバイスに記録する
データ記憶装置。
【請求項５】
請求項４に記載のデータ記憶装置であって、
前記データ記録手段は、前記データを前記各記憶デバイスに分散させて記録する
データ記憶装置。
【請求項６】
請求項４に記載のデータ記憶装置であって、
前記データ記録手段は、前記データを一の記憶デバイスに記録し、該データを補正するための補正データを他の記憶デバイスに記録する
データ記憶装置。
【請求項７】
請求項６に記載のデータ記憶装置であって、
前記データ記録手段は、前記補正データとして、前記データをハミング符号化して得られたＥＣＣデータを記録する
データ記憶装置。
【請求項８】
請求項６に記載のデータ記憶装置であって、
前記データ記録手段は、前記補正データとして、前記データと同一内容のデータを記録する
データ記憶装置。
【請求項９】
請求項１ないし請求項８のいずれかに記載のデータ記憶装置であって、
前記管理情報とは、ＦＡＴファイルシステムにおけるファイルアロケーションテーブルに記録するデータである
データ記憶装置。
【請求項１０】
請求項１ないし請求項９のいずれかに記載のデータ記憶装置であって、
前記記憶デバイスは、不揮発性の半導体メモリである
データ記憶装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載のデータ記憶装置であって、
前記不揮発性の半導体メモリとは、フラッシュメモリである
データ記憶装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載のデータ記憶装置であって、
前記ホスト装置と当該データ記憶装置とはＵＳＢインタフェースによって接続される
データ記憶装置。
【請求項１３】
データ記憶装置が、ホスト装置から転送されたデータを記憶するデータ記憶方法であって、
前記データ記憶装置は、前記データが記録されるデータ領域と、該データを管理するための第１の管理情報と該管理情報と同様の内容を有する第２の管理情報とが記録される管理領域とを有する記憶デバイスを備えており、
前記ホスト装置から所定の順序で転送される前記データと前記第１の管理情報と前記第２の管理情報とを個別に受信し、
前記第１の管理情報および前記第２の管理情報のうち、一方の管理情報を前記ホスト装置から受信した場合に、他方の管理情報の受信を待つことなく、前記受信した管理情報を、前記第１の管理情報および前記第２の管理情報として前記管理領域に記録し、
前記受信したデータを前記データ記憶領域に記録する
データ記憶方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を踏まえ、本発明のデータ記憶装置を次のように構成した。すなわち、
ホスト装置から転送されたデータを記憶するデータ記憶装置であって、
前記データが記録されるデータ領域と、該データを管理するための第１の管理情報と該管理情報と同様の内容を有する第２の管理情報とが記録される管理領域とを有する記憶デバイスと、
前記ホスト装置から所定の順序で転送される前記データと前記第１の管理情報と前記第２の管理情報とを個別に受信する受信手段と、
前記受信したデータを前記データ領域に記録するデータ記録手段と、
前記第１の管理情報および前記第２の管理情報のうち、一方の管理情報を前記ホスト装置から受信した場合に、他方の管理情報の受信を待つことなく、前記受信した管理情報を、前記第１の管理情報および前記第２の管理情報として前記管理領域に記録する管理情報記録手段と
を備えることを要旨とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月3日(2008.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項５に記載の本発明の交流電動機は、請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の交流電動機において、前記回転子の表面に予め切削部を形成し、該切削部に前記永久磁石を装着するようにしたことを特徴としている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
図１乃至図３は、本発明による交流電動機Ｍの回転子Ｒの一実施形態を示し、図１は回転子Ｒの側面図、図２は図１のＡ−Ａ線断面図、図３は図１のＢ−Ｂ線断面図を示す。図１において、符号Ｒは回転子を示し、回転子Ｒの外周縁部には、軸方向に延びるかご形の回転子導体２が所定間隔をおいて複数本配設されている。前記回転子導体２は、回転子Ｒの回転角に伴うトルク変動の発生を防ぐために、スキューされて配設されている。なお、前記かご形の回転子導体２のかわりに巻線形の回転子導体を用いてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
またさらに、図１０乃至図１２に示すように、前記回転子Ｒの軸方向両端部分に前記永久磁石１が装着され、回転子Ｒの中央部分には、Ｌ５の長さで回転子導体２が露出するように構成してもよい。この場合、前記回転子Ｒの両端部分にそれぞれ装着された永久磁石１の軸方向長さは
、ともにＬ６と同じ長さになっている。なお、前記永久磁石１は、断面形状が前述した円弧状、円筒状及び三日月状のいずれであってもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
表４は、誘導起電力〈逆起電圧〉が商用電源の印加電圧に対して、７８％（表２）、８３％（商用電源に直入れ始動後の負荷試験結果から定格値の１．０５Ａについて比例計算して求めた各特性値を示す）、９７％（表３）と、１０４．３％（インバータ駆動時の負荷試験結果から定格値の１．０５Ａについて比例計算して求めた各特性値を示す）の場合の固定子電流（定格値）１．０５Ａについて比例計算して求めた各特性値とさらに力率（比例計算して求めた各特性値からの計算値）を含めた各特性の値が比較され示されている。また、表１の従来型誘導電動機の各特性値についても示している。