Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月17日(2008.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生理学的に許容される媒体中に、少なくとも１の着色剤、ならびに
組成物の合計重量に対して5〜90重量％の、４０未満の炭素原子を含む少なくとも1の炭化水素エステル、及び
組成物の合計重量に対して5〜20重量％の、一般式（Ｉ）の少なくとも１のシリコーンポリマーを含むことを特徴とする無水化粧料組成物、
Ｒ１ａＲ２ｂＲ３ｃＳｉＯ（４−ａ−ｂ−ｃ）／２            （Ｉ）
ここで、
ａ、ｂおよびｃは、ａが１〜２．５であり、そしてｂおよびｃが互いに独立に０．００１〜１．５であるようなものであり、
Ｒ１は、各出現において同一でも異なっていてもよく、以下の基：
必要に応じて１以上のフッ素原子、アミノ基および／またはカルボキシル基で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ３０アルキル基；
アリール、及びアラルキル基；
一般式（ＩＩ）の基：
−ＣｄＨ２ｄ−Ｏ−（Ｃ２Ｈ４Ｏ）ｅ（Ｃ３Ｈ６Ｏ）ｆＲ４      （ＩＩ）
（ここで、Ｒ４はＣ１〜Ｃ３０炭化水素基、またはＲ５−（ＣＯ）−であり、ここでＲ５はＣ１〜Ｃ３０炭化水素基であり、そして、
ｄ、ｅおよびｆは、ｄが０〜１５であり、そしてｅおよびｆが互いに独立に０〜５０であるような整数である）；および
これらの組み合わせ、
から選ばれ、
Ｒ２は一般式（ＩＩＩ）：
−Ｑ−Ｏ−Ｘ      （ＩＩＩ）
（ここで、Ｑは、少なくとも１のエーテル結合および／または少なくとも１のエステル結合を含むことができる、２価のＣ２〜Ｃ２０炭化水素基であり、そして、
Ｘはグリセリル誘導体から選択されたポリヒドロキシ炭化水素基である）
により表される基であり、
ただしＲ２が一般式（ＩＩＩＡ）：
−Ｃ３Ｈ６−Ｏ［ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ］ｎＨ      （ＩＩＩＡ）
（ここで、ｎは１〜５である整数である）
の基であるときには、Ｒ１はＣ１２アルキル基以外である、
Ｒ３は一般式（ＩＶ）：
2006028180.tif 000001
（ここで、
Ｒ基の夫々は互いに独立に、必要に応じて１以上のフッ素原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ３０アルキル基；およびアリール基およびアラルキル基から選ばれた基を表し、
ｇおよびｈは、ｇが１〜５であり、そしてｈが０〜５００であるような整数であり、上記ポリマーは、他の物質と一緒にされ、またはその上に吸着された形態で使用されるのではない）
の有機シロキサン基である。
【請求項２】
８〜１６の炭素原子を有する炭化水素油、特にＣ８〜Ｃ１６の分岐状アルカン例えばイソドデカン、イソデカン、及びイソヘキサデカン、
直鎖又は環状シリコーン油、特に８センチストークス（８×１０−６ｍ２／秒）以下の粘度を持つもの、特にオクタメチルシクロテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、ドデカメチルシクロヘキサシロキサン、ヘプタメチルヘキシルトリシロキサン、ヘプタメチルオクチルトリシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、デカメチルテトラシロキサン、及びドデカメチルペンタシロキサン、及び
フッ素化された溶媒、例えばノナフルオロメトキシブタン又はパーフルオロメチルシクロペンタン、及び
それらの混合物
から選択された少なくとも１の揮発性油をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
上記揮発性油が組成物の合計重量に対して１５重量％未満で存在することを特徴とする、請求項2に記載の組成物。
【請求項４】
４０未満の炭素原子を含む少なくとも2のエステルを含むことを特徴とする、請求項1〜3のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項５】
シリコーンポリマーが、
ａは、１〜１．４の範囲であり、そしてｂおよびｃが互いに独立に０．０２〜０．０４の範囲であり、
Ｒ１は、Ｃ１〜Ｃ１０、特にＣ１〜Ｃ６アルキル基、より特にＣ１〜Ｃ４アルキル基であり、
Ｒ２は、一般式（ＩＩＩＡ）：
−Ｃ３Ｈ６Ｏ［ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２Ｏ］ｎＨ      （ＩＩＩＡ）
（ここで、ｎは１〜５である整数である）
により表され、
Ｒ３は一般式（ＩＶＡ）：
−Ｃ２Ｈ４（ＣＨ３）２ＳｉＯ［（ＣＨ３）２ＳｉＯ］ｍＳｉ（ＣＨ３）３  （ＩＶＡ）
（ここでｍは３〜９である）
により表される、
一般式（Ｉ）の化合物であることを特徴とする、請求項1〜2のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項６】
シリコーンポリマーが、一般式（Ｉ）の化合物であることを特徴とする、請求項5に記載の組成物、
Ｒ１ａＲ２ｂＲ３ｃＳｉＯ（４−ａ−ｂ−ｃ）／２            （Ｉ）
ここで、
ａは、１〜１．４の範囲であり、そしてｂおよびｃが互いに独立に０．０２〜０．０４の範囲であり、
Ｒ１は、メチル基であり、
Ｒ２は、ｎが１〜５の範囲である一般式（ＩＩＩＡ）により表され、
Ｒ３は、ｍが３〜９の範囲である一般式（ＩＶＡ）により表される。
【請求項７】
上記炭化水素エステルが、式ＲＣＯＯＲ’に相当するモノエステルであり、ここでＲＣＯＯは、２〜２８の炭素原子を含む脂肪酸残基を表し、Ｒ’は、１〜２８の炭素原子を含む炭化水素鎖を表し、ただし上記モノエステルは少なくとも１０の炭素原子を含むことを特徴とする、請求項１、２又は５のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項８】
上記炭化水素エステルが、合成エステル、特に脂肪酸エステル、例えばプルセリン油、イソプロピルミリステート、エチルパルミテート、及びオクチルステアレート；ヒドロキシル化エステル、例えばイソステアリルラクテート、オクチルヒドロキシステアレート、ジイソプロピルアジペート、脂肪族アルコールヘプタノエート、オクタノエート、及びデカノエート、ネオペンタン酸のエステル、例えばイソデシルネオペンタノエート、イソトリデシルネオペンタノエート、イソステアリルネオペンタノエート、オクチルドデシルネオペンタノエート、イソノナン酸のエステル、例えばイソノニルイソノナノエート、オクチルイソノナノエート、イソデシルイソノナノエート、イソトリデシルイソノナノエート、及びイソステアリルイソノナノエート、イソプロピルアルコールのエステル、例えばイソプロピルミリステート、イソプロピルパルミテート、イソプロピルステアレート若しくはイソステアレート、セチルオクタノエート、トリデシルオクタノエート、２−エチルヘキシル４−ジヘプタノエート及びパルミテート、アルキルベンゾエート、ポリエチレングリコールジヘプタノエート、プロピレングリコールジ−２−エチルヘキサノエート、及びそれらの混合物から選択されることを特徴とする、請求項１、２又は５のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項９】
上記組成物が、シリコーン油、シリコーンガム、シリコーン樹脂、及びシリコーンエラストマーから選択される少なくとも１のシリコーン化合物をさらに含むことを特徴とする、請求項１、２又は５のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１０】
水素化ポリイソブテン、ジペンタエリスリトールテトラヒドロキシステアレート／テトライソステアレート、２−オクチルドデカノール、ジイソステアリルマレート、及びそれらの混合物から選択された少なくとも１の非揮発性の油をさらに含むことを特徴とする、請求項１、２又は５のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１１】
組成物が、リップスティックであることを特徴とする、請求項１、２又は５のいずれか１項に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月17日(2008.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生理学的に許容される媒体中に、少なくとも１の着色材料および一般式（1）：
2006028186.tif 000001
｛ここで、
−  ａ、ｂおよびｃは、ａが１〜２．５であり、そしてｂおよびｃが互いに独立に０．００１〜１．５であるようなものであり、
−  R１は、同一でも異なってもよくて、以下の：
−  Ｃ１〜Ｃ３０アルキル基であって、１以上のフッ素原子、アミノ基および／またはカルボキシル基で置換されていてもよい、
−  アリールまたはアラルキル基、
−  一般式（2）の基：
2006028186.tif 000002
（ここで、
−  R４はＣ１〜Ｃ３０炭化水素基、またはＲ５−（ＣＯ）−であり、ここでＲ５はＣ１〜Ｃ３０炭化水素基である、そして、
−  ｄ、ｅおよびｆは、ｄが０〜１５であり、そしてｅおよびｆが互いに独立に０〜５０であるような整数である）、および、
−  これらの組み合わせ、
から選ばれ、
−  R２は一般式（3）：
2006028186.tif 000003
（ここで、
−  Ｑは、少なくとも１のエーテル結合および／または少なくとも１のエステル結合を含むことができる、２価のＣ２〜Ｃ２０炭化水素基であり、そして、
−  Ｘはグリセリル誘導体から選ばれたポリヒドロキシル化炭化水素基である）
によって表される基であり、ただし、R２が一般式（3Ａ）：
2006028186.tif 000004
（ここで、ｎは１〜５である整数である）
の基である場合には、R１はＣ１２アルキル基以外のものであり、
−  R３は一般式（4）：
2006028186.tif 000005
（ここで、
−  Ｒ基の夫々は、１以上のフッ素原子で置換されていてもよいＣ１〜Ｃ３０アルキル基、およびアリール基およびアラルキル基から選ばれた基を、互いに独立に表し、
−  ｇおよびｈは、ｇが１〜５であり、そしてｈが０〜５００であるような整数である）
の有機シロキサン基である｝
の少なくとも１のシリコーン重合体を含み、一般式（１）のシリコーン重合体が、他の物質と一緒にされまたはその上に吸着された形態で使用されるのではないことを特徴とする、無水の化粧料組成物。
【請求項２】
少なくとも１のシリコーン油を含むことを特徴とする、請求項１に従う組成物。
【請求項３】
シリコーン重合体が一般式（1）の化合物であり、ここで、
−  ａが１〜１．４であり、そしてｂおよびｃが互いに独立に０．０２〜０．０４であり、
−  R１がＣ１〜Ｃ１０アルキル基、特にＣ１〜Ｃ６アルキル基、そして特にＣ１〜Ｃ４アルキル基であり、
−  R２が式（3Ａ）：
2006028186.tif 000006
（ここで、ｎは１〜５である）で表され、そして、
−  R３が式（4Ａ）：
2006028186.tif 000007
（ここで、ｍは３〜９である）で表される、
ことを特徴とする、請求項１または２に従う組成物。
【請求項４】
シリコーン重合体が一般式（1）：
2006028186.tif 000008
の化合物であり、
ここで、
−  ａが１〜１．４であり、そしてｂおよびｃが互いに独立に０．０２〜０．０４であり、
−  R１がメチル基であり、
−  R２が式（3Ａ）（ここで、ｎは１〜５である）で表され、そして、
−  R３が式（4Ａ）（ここで、ｍは３〜９である）で表される、
ことを特徴とする、請求項３に従う組成物。
【請求項５】
シリコーン油が、
−  線状または環状のシリコーン油、特に８センチストークス（８×１０-６ｍ２／  秒）以下の粘度を持つもの、そしてとりわけジメチコン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、ドデカメチルシクロヘキサシロキサン、ヘプタメチルヘキシルトリシロキサン、ヘプタメチルオクチルトリシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、デカメチルテトラシロキサンまたはドデカメチルペンタシロキサン、および、
−  シリコーン油、たとえば非揮発性のポリジメチルシロキサン（PDMS）、吊り下がりのアルキルまたはアルコキシ基および／またはシリコーン鎖の末端にアルキルまたはアルコキシ基を含むポリジメチルシロキサンであって、これらの基が夫々２〜２４炭素原子を持つもの、フェニル化シリコーン、たとえばフェニルトリメチコン、フェニルジメチコン、フェニル（トリメチルシロキシ）ジフェニルシロキサン、ジフェニルジメチコン、ジフェニル（メチルジフェニル）トリシロキサンまたは（２−フェニルエチル）トリメチルシロキシシリケート、およびこれらの混合物、
から選ばれることを特徴とする、請求項２に従う組成物。
【請求項６】
グリセロール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、ペンチレングリ コール、ヘキシレングリコール、ジプロピレングリコール、ジエチレングリコール、ソルビトール、ヒドロキシプロピルソルビトール、１，２，６−ヘキサントリオール、（特に３〜１６炭素原子を持つ）グリコールエーテル、たとえばモノ−、ジ−若しくはトリプロピレングリコール（Ｃ１〜Ｃ４）アルキルエーテルまたはモノ−、ジ−若しくはトリエチレングリコール（Ｃ１〜Ｃ４）アルキルエーテル、およびこれらの混合物から選ばれた、少なくとも１のポリオールをさらに含むことを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に従う組成物。
【請求項７】
少なくとも１の充填剤をさらに含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に従う組成物。
【請求項８】
水素化ポリイソブテン、ヘプタン酸イソステアリル、イソノナン酸イソノニル、テトラヒドロキシステアリン酸／テトライソステアリン酸ジペンタエリスリトール、２−オクチルドデカノール、イソノナン酸イソトリデシル、リンゴ酸ジイソステアリルおよびこれらの混合物から選ばれた少なくとも１の油をさらに含むことを特徴とする、請求項１〜５のいずれか1項に従う組成物。
【請求項９】
ワックス、ペースト状脂肪物質およびこれらの混合物から選ばれた少なくとも１の化合物をさらに含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に従う組成物。
【請求項１０】
リップスティックであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に従う組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月23日(2008.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  表示状態が変化可能な複数の表示領域を有する可変表示部を含み、変動開始の条件の成立に応じて前記表示領域に表示される図柄の変動を開始し、前記可変表示部に導出表示される図柄の表示結果があらかじめ定められた特定表示態様となったことを条件として遊技者に有利な遊技状態に制御可能な遊技機であって、
遊技の進行を制御する遊技制御手段と、前記可変表示部の表示制御を行う表示制御手段とを備え、
前記遊技制御手段は、
前記表示結果を特定表示態様とするか否かを決定する特定表示態様決定手段と、少なくとも前記図柄の変動を開始してから表示結果を最終的に導出表示するまでの変動期間を決定する表示内容決定手段と、少なくとも前記変動期間を特定するための情報と前記表示結果を特定するための情報とを出力可能なコマンド出力手段とを含み、
前記図柄の変動の態様には、前記特定表示態様を導出表示する場合に前記表示結果として最終的に導出表示される最終特定表示態様の図柄とは別の特定表示態様の図柄を一旦導出表示させ、その後に前記最終特定表示態様の図柄を表示結果として導出表示する再抽選動作態様が含まれ、
前記表示制御手段は、
前記遊技制御手段からの前記変動期間を特定するための情報に応じて、変動期間が同一であって前記再抽選動作態様の期間が異なる複数の変動パターンのうちからいずれか１つの変動パターンを選択して表示制御を行うことが可能である
ことを特徴とする遊技機。
【請求項２】  変動期間が同一であって再抽選動作態様の期間が異なる複数の変動パターンは、変動パターンを構成する各動作パターンの出現の仕方が同じである
請求項１記載の遊技機。
【請求項３】  変動期間が同一であって再抽選動作態様の期間が異なる複数の変動パターンは、変動パターンを構成する各動作パターンの出現の仕方が異なっているものを含む
請求項１記載の遊技機。
【請求項４】  再抽選動作態様は、図柄の変動以外にキャラクタや背景画像を変化させる表示演出を含む態様である
請求項１から請求項３のうちのいずれかに記載の遊技機。
【請求項５】  表示制御手段は、再抽選動作を行っているときには図柄の大きさを小さくする
請求項４記載の遊技機。
【請求項６】  表示制御手段は、再抽選動作を行っているときには図柄を可変表示部における端部に表示する
請求項４または請求項５記載の遊技機。
【請求項７】  表示制御手段は、再抽選動作態様における最終特定表示態様の図柄の導出表示直前の変動パターンを高速一定速変動とする
請求項１から請求項６のうちのいずれかに記載の遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明による遊技機は、表示状態が変化可能な複数の表示領域を有する可変表示部を含み、変動開始の条件の成立に応じて表示領域に表示される図柄の変動を開始し、可変表示部に導出表示される図柄の表示結果があらかじめ定められた特定表示態様となったことを条件として遊技者に有利な遊技状態に制御可能な遊技機であって、遊技の進行を制御する遊技制御手段と、可変表示部の表示制御を行う表示制御手段とを備え、遊技制御手段は、表示結果を特定表示態様とするか否かを決定する特定表示態様決定手段と、少なくとも図柄の変動を開始してから表示結果を最終的に導出表示するまでの変動期間を決定する表示内容決定手段と、少なくとも変動期間を特定するための情報と表示結果を特定するための情報とを出力可能なコマンド出力手段とを含み、図柄の変動の態様には、特定表示態様を導出表示する場合に表示結果として最終的に導出表示される最終特定表示態様の図柄とは別の特定表示態様の図柄を一旦導出表示させ、その後に最終特定表示態様の図柄を表示結果として導出表示する再抽選動作態様が含まれ、表示制御手段は、遊技制御手段からの変動期間を特定するための情報に応じて、変動期間が同一であって再抽選動作態様の期間が異なる複数の変動パターンのうちからいずれか１つの変動パターンを選択して表示制御を行うことが可能であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
表示制御手段は、再抽選動作態様における最終特定表示態様の図柄の導出表示直前の変動パターンを高速一定速変動とするように構成されていてもよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８２】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、遊技機を、表示制御手段が、遊技制御手段からの変動期間を特定するための情報に応じて、変動期間が同一であって再抽選動作態様の期間が異なる複数の変動パターンのうちからいずれか１つの変動パターンを選択して表示制御を行うことが可能であるように構成したので、表示制御手段に送出されるコマンド数を増やすことなく図柄変動の種類を増加することができ、その結果、図柄変動の種類を増加しても遊技制御手段の図柄表示に関する制御の負担を軽くすることができる効果がある。また、特定表示態様を導出表示する場合に表示結果として最終的に導出表示される最終特定表示態様の図柄とは別の特定表示態様の図柄を一旦導出表示させ、その後に最終特定表示態様の図柄を表示結果として導出表示するので、有利な状態を生じさせる特定表示態様を遊技者に対して一旦提示することによって、遊技者の期待感をより向上させることができ、その結果、遊技の興趣をさらに増進させることができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９３】
表示制御手段が、再抽選動作態様における最終特定表示態様の図柄の導出表示直前の変動パターンを高速一定速変動とするように構成されている場合には、再抽選動作における図柄再変動制御を容易にすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月27日(2007.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳＯＩの表面シリコン層に形成される素子分離領域及び埋め込み酸化膜に希ガス元素を注入し、第１の加熱処理により前記素子分離領域に金属元素を移動させ、第２の加熱処理により前記素子分離領域にフィールド酸化膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
ＳＯＩの表面シリコン層に形成される素子分離領域と、埋め込み酸化膜及びその下層の半導体とに希ガス元素を注入し、第１の加熱処理により前記素子分離領域に金属元素を移動させ、第２の加熱処理により前記素子分離領域にフィールド酸化膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記第１の加熱処理温度は４００〜８００℃であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１又は請求項２において、前記ＳＯＩはＳＩＭＯＸ法で形成されたことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１又は請求項２において、前記ＳＯＩは貼り合わせ法で形成されたことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１又は請求項２において、前記希ガス元素はヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１又は請求項２において、前記金属元素は鉄、ニッケル、銅、アルミニウム一種を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月1日(2008.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
望ましくは、短辺の長さＳは、設計ルールにもとづくプラグ幅（図２０に示した従来の半導体装置１５１のプラグ９６，９５の幅はこれに相当する）ないしその１．５倍の範囲に設定される。これにより、半導体装置１０１の製造工程において、プラグ７，９，１７，１９のもとになる導電材料を堆積する際に、導電材料がコンタクトホールへ十分に充填されることが保証される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2002231721.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2002231721.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月27日(2007.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非晶質構造を有する第１の半導体膜を形成し、
前記非晶質構造を有する半導体膜に結晶化を助長する触媒元素を添加して、第１の加熱処理により結晶構造を有する第１の半導体膜を形成し、
前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面にバリア層を形成し、
前記バリア層上に希ガス元素を含有する第２の半導体膜を形成し、
第２の加熱処理により、前記触媒元素を前記第２の半導体膜に移動させ、
前記第２の半導体膜を除去し、
前記バリア層を除去し、
前記結晶構造を有する第１の半導体膜上にｎ型結晶性珪素膜を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項２】
非晶質構造を有する第１の半導体膜を形成し、
前記非晶質構造を有する半導体膜に結晶化を助長する触媒元素を添加して、第１の加熱処理により結晶構造を有する第１の半導体膜を形成し、
前記結晶構造を有する第１の半導体膜に希ガス元素を添加し、
第２の加熱処理により、前記触媒元素を前記希ガス元素が添加された領域に移動させ、
前記希ガス元素が添加された領域を除去し、
前記結晶構造を有する第１の半導体膜上にｎ型結晶性珪素膜を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項３】
非晶質構造を有する第１の半導体膜を形成し、
前記非晶質構造を有する半導体膜に結晶化を助長する触媒元素を添加して、第１の加熱処理により結晶構造を有する第１の半導体膜を形成し、
前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面にバリア層を形成し、
前記バリア層上に第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜に希ガス元素を添加し、
第２の加熱処理により、前記触媒元素を前記第２の半導体膜に移動させ、
前記第２の半導体膜を除去し、
前記バリア層を除去し、
前記結晶構造を有する第１の半導体膜上にｎ型結晶性珪素膜を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１又は請求項３において、前記第２の半導体膜はスパッタ法又はプラズマＣＶＤ法により形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２又は請求項３において、前記希ガス元素はイオン注入法又はイオンドープ法で添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１又は請求項３において、前記バリア層はオゾン水処理により前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面に形成されたケミカルオキサイド膜であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１又は請求項３において、前記バリア層はプラズマ処理により前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面を酸化して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１又は請求項３において、前記バリア層は酸素を含む雰囲気中で紫外線を照射してオゾンを発生させ表面を酸化して形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、前記第１の加熱処理は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプから選ばれた一種または複数種からの輻射により行うことを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、前記第１の加熱処理は、電熱炉を用いたファーネスアニール法により行うことを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、前記第２の加熱処理は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプから選ばれた一種または複数種からの輻射により行うことを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、前記第２の加熱処理は、電熱炉を用いたファーネスアニール法により行うことを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、前記希ガス元素はＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一において、前記触媒元素はＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月31日(2008.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
請求項１から８の何れかの加熱装置は、前記被加熱材が画像を担持した被記録材であり、該被記録材上の画像を加熱して定着する、或いは仮定着する、或いは表面性を改質する像加熱装置であることを特徴とする加熱装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
画像形成装置において、電子写真プロセス等の適宜の画像形成プロセス手段で被記録材（用紙）に間接（転写）あるいは直接に形成担持させた未定着トナー画像を被記録材面に固着画像として加熱定着させる定着装置（定着器）としては従来より熱ローラ方式の加熱装置が広く用いられている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
（９）前記（１）から（８）の何れかの加熱装置は、前記被加熱材が画像を担持した被記録材であり、該被記録材上の画像を加熱して定着する、或いは仮定着する、或いは表面性を改質する像加熱装置であることを特徴とする加熱装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
二次転写部Ｔ２を通過した転写材Ｐは中間転写ドラム１０５面から分離されて定着装置（像加熱装置）１００へ導入され、未定着トナー画像（被記録材上の未定着画像）の加熱定着処理を受けて、機外の不図示の排紙トレーに排出される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
転写材Ｐ上（被記録材上）の加熱定着トナー画像は定着ニップ部通過後、冷却して固着像となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１４】
また、発熱層１が１００μｍを超えると剛性が高くなりすぎ、また屈曲性が悪くなり回転体として使用するには現実的ではない。従って、発熱層１の厚みは１〜１００μｍ、機械的強度を考慮して、より好ましくは２０μｍ〜１００μｍの範囲で決定するのが好ましい。本例では、５０μｍの厚さのニッケル電鋳メッキ品を用いた。即ち、スリーブ１０は、厚さ２０μｍ〜１００μｍの可とう性を有する薄層金属を基材として用いたものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４４】
即ち、回転定着部材であるスリーブ１０の両端をフランジ２３ａ，２３ｂにより外周面上から保持するとともに、このフランジ２３ａ，２３ｂの内径ｂを、上記のようにスリーブ１０の外径ａよりも所定の大きさだけ大となる関係とする、つまり、加圧ローラ３０によりスリーブ１０を所定の圧力で加圧した際に、該フランジ２３ａ，２３ｂにて支持されるスリーブ端部の断面形状が、加圧ローラ３０の当接により形成されるニップ部におけるスリーブ断面形状に倣う方向に変形可能となるように、該スリーブの端部における外径ａ、該フランジの内径ｂの間に所定量のギャップΔｔ＝ｂ−ａを設けることで、回転時におけるニップ部近傍でのスリーブ１０の変形ストレスを軽減し、スリーブ１０の耐久性を大幅に向上することが可能となった。しかも、このとき同時にフランジ２３ａ，２３ｂにより、適度にスリーブ１０を保持することが出来、安定した定着性能を得ることが出来た。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５９】
これに対し、図１７に示すように、フランジ２３ｂ（２３ａも同様）に対し、端部ホルダー４２ｂ（図中、右フランジ２３ｂに対するホルダー４２ｂのみ記したが、左フランジ２３ａに対しても同様にホルダー４２ａを適用する）を嵌合させ、この端部ホルダー４２ｂを、加圧用剛性ステイ２２（ステイ２２は図１６のスリーブガイド部材１６ａ，１６ｂに対し、直接、または良熱伝導性部材４０を介して一体的に固定されている）に、ビス４３等で一体的に固定することにより、最終的にスリーブガイド部材１６ａ，１６ｂと端部ホルダー４２ａ，４２ｂが一体的に固定され、スリーブ１０はスリーブガイド部材１６ａ，１６ｂだけでなく、端部において、フランジ２３ａ，２３ｂを介して端部ホルダー４２ａ，４２ｂによっても位置を規制することが可能となる。即ち、端部ホルダー４２ａ，４２ｂは、スリーブ内側に有って、スリーブ１０の回転を導くためのガイド部材１６ａ，１６ｂに対し、一体的に固定支持されている。図１６ではスリーブガイド部材１６ａが、ニップ部の摺動面も兼ねる。このとき、端部ホルダー４２ｂは固定（４２ａも同様）、スリーブ１０とフランジ２３ｂ（２３ａも同様）は一体的に回転し、端部ホルダー４２ａ，４２ｂとフランジ２３ａ，２３ｂは、嵌合部で摺動することになるため、嵌合部におけるフランジ２３ａ，２３ｂの内径ｃと、端部ホルダー４２ａ，４２ｂの外径ｄの間には、適切なギャップｃ−ｄが必要である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月6日(2008.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁場発生手段と、前記磁場発生手段の磁界の作用で電磁誘導発熱する回転体と、前記回転体と相互圧接してニップ部を形成する加圧部材を有し、前記ニップ部で被加熱材を挟持搬送し前記回転体の発熱で被加熱材を加熱する加熱装置であり、前記回転体の発熱域に温度検知手段を配設し、前記回転体の発熱により、前記回転体を停止状態で予備加熱する加熱装置において、
多段階の予備加熱温度を有し、前記温度検知手段によって検知された温度情報に基づいて予熱状態を判断し、前記予備加熱温度を変更することを特徴とする加熱装置。
【請求項２】
前記温度検知手段によって検知された温度情報に基づいて、前記回転体を所定の温度で維持するために、ゼロではない最小電力から最大電力の間で可変制御を行う電力制御と、前記電力制御がＯＮの状態とＯＦＦの状態を繰り返す電力制御を有し、前記ＯＮとＯＦＦの状態の変化に基づいて、前記予備加熱温度を変更することを特徴とする請求項１に記載の加熱装置。
【請求項３】
前記ＯＦＦを挟んだ前後のＯＮ時間をＴｏｎ（前）、Ｔｏｎ（後）とすると、前記Ｔｏｎ（前）と前記Ｔｏｎ（後）のＯＮ時間を比較して、所定のＯＮ時間の関係を満足した場合に、前記予備加熱温度を変更することを特徴とする請求項２に記載の加熱装置。
【請求項４】
前記ＯＮ時間の比較において、
Ｔｏｎ（前）−Ｔｏｎ（後）≧Ｔｏ  （Ｔｏはゼロを含む正の値）
を満足した場合に、予備加熱温度を変更することを特徴とする請求項３に記載の加熱装置。
【請求項５】
前記予備加熱温度を低い温度に変更することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１つに記載の加熱装置。
【請求項６】
記録材に画像を形成する画像形成手段と、記録材上に形成した画像を加熱処理する加熱装置を備えた画像形成装置において、前記加熱装置が請求項１乃至５のいずれか１つに記載の加熱装置であることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（１）磁場発生手段と、前記磁場発生手段の磁界の作用で電磁誘導発熱する回転体と、前記回転体と相互圧接してニップ部を形成する加圧部材を有し、前記ニップ部で被加熱材を挟持搬送し前記回転体の発熱で被加熱材を加熱する加熱装置であり、前記回転体の発熱域に温度検知手段を配設し、前記回転体の発熱により、前記回転体を停止状態で予備加熱する加熱装置において、
多段階の予備加熱温度を有し、前記温度検知手段によって検知された温度情報に基づいて予熱状態を判断し、前記予備加熱温度を変更することを特徴とする加熱装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
（２）前記温度検知手段によって検知された温度情報に基づいて、前記回転体を所定の温度で維持するために、ゼロではない最小電力から最大電力の間で可変制御を行う電力制御と、前記電力制御がＯＮの状態とＯＦＦの状態を繰り返す電力制御を有し、前記ＯＮとＯＦＦの状態の変化に基づいて、前記予備加熱温度を変更することを特徴とする（１）に記載の加熱装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（３）前記ＯＦＦを挟んだ前後のＯＮ時間をＴｏｎ（前）、Ｔｏｎ（後）とすると、前記Ｔｏｎ（前）と前記Ｔｏｎ（後）のＯＮ時間を比較して、所定のＯＮ時間の関係を満足した場合に、前記予備加熱温度を変更することを特徴とする（２）に記載の加熱装置。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
（４）前記ＯＮ時間の比較において、
Ｔｏｎ（前）−Ｔｏｎ（後）≧Ｔｏ  （Ｔｏはゼロを含む正の値）
を満足した場合に、予備加熱温度を変更することを特徴とする（３）に記載の加熱装置。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
（５）前記予備加熱温度を低い温度に変更することを特徴とする（１）乃至（４）のいずれか１つに記載の加熱装置。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
（６）記録材に画像を形成する画像形成手段と、記録材上に形成した画像を加熱処理する加熱装置を備えた画像形成装置において、前記加熱装置が（１）乃至（５）のいずれか１つに記載の加熱装置であることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
本例では電圧共振タイプのスイッチングを行い、図１６に示すように、スイッチングのＯＮ幅を１〜２５［μｓｅｃ］（２５μｓｅｃを１００％とすると４〜１００％）の間で可変、ＯＦＦ幅を１５［μｓｅｃ］で固定とし、ＯＮ幅を制御することで電力の制御を行う。即ち、ゼロではない最小電力から最大電力の間で可変制御を行う電力制御を行う。周波数に換算すると６２．５〜２５［ｋＨｚ］＝１／（１＋１５）〜１／（２５＋１５）［μｓｅｃ−１］となる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
スタンバイ中の加熱ＯＮの時間をＴｏｎ、ＯＦＦの時間をＴｏｆｆとし、Ｔｏｆｆを挟んで、前後の加熱ＯＮ時間をＴｏｎ（前）、Ｔｏｎ（後）とする。このＴｏｎ（前）とＴｏｎ（後）の時間を比較することで、定着内部ユニットの熱的状態を判断する。定着内部ユニットが冷えている場合は、定着フィルムから定着内部ユニットへの熱流が発生し、Ｔｏｎ（前）−Ｔｏｎ（後）＜０という状態が続く。予備加熱により定着内部ユニットが温まると、定着フィルムから内部ユニットへの熱流が減少し、Ｔｏｎ（前）−Ｔｏｎ（後）≧０という状態になる。この条件（関係）を満足した場合に、制御回路ＣＰＵで一段低い第２予熱温度に変更する。第２予熱温度の制御方法は第１予熱温度と同様の制御を行うため説明は省略する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月5日(2008.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ＳＲＡＭ(Static Random Access Memory)を含む半導体装置であって、
半導体基板と、
分離領域により規定される活性領域上に形成されたアクセスＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）トランジスタと、
ドライバＭＯＳトランジスタとを備え、
前記活性領域表面が、全体にわたってラウンド形状を有し、前記分離領域に近づくにつれて下方に傾斜する、半導体装置。
【請求項２】  前記分離領域に分離絶縁膜を形成し、
前記分離絶縁膜は、前記活性領域上に延在するバーズビーク部を有し、
前記バーズビーク部で前記活性領域を覆う、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】  前記分離領域近傍に位置する前記バーズビーク部の厚みは、前記活性領域の中央部上に位置する前記バーズビーク部の厚みよりも大きい、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】  前記アクセスＭＯＳトランジスタのチャネルドープ深さを、前記ドライバＭＯＳトランジスタのチャネルドープ深さよりも浅くする、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】  前記アクセスＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜の厚みを、前記ドライバＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜の厚みよりも大きくする、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】  半導体基板の分離領域を露出し活性領域を覆うように前記半導体基板上にマスク膜を形成する工程と、
前記マスク膜を用いて前記半導体基板を選択的に酸化することにより、前記活性領域を覆うバーズビーク部を形成する工程と、
前記マスク膜を除去した後に前記バーズビーク部上に第１絶縁膜を形成する工程と、
前記第１絶縁膜および前記バーズビーク部を通して前記活性領域に不純物を注入する工程と、
前記第１絶縁膜を除去した後に前記活性領域上に第２絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、
を備えた、半導体装置の製造方法。
【請求項７】  前記バーズビーク部の形成工程は、前記活性領域上で前記バーズビーク部を接続することにより前記活性領域表面が全体にわたってラウンド形状となるように前記バーズビーク部を形成する工程を含む、請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】  アクセスＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）トランジスタと、ドライバＭＯＳトランジスタとを有する半導体装置の製造方法であって、
半導体基板の分離領域を露出し、前記アクセスＭＯＳトランジスタが形成される第１活性領域と、前記ドライバＭＯＳトランジスタが形成される第２活性領域とを覆うように前記半導体基板上に第１と第２マスク膜を形成する工程と、
前記第１と第２マスク膜を用いて前記半導体基板を選択的に酸化することにより、前記第１活性領域全体を覆いかつ前記第２活性領域の周縁部のみを覆うバーズビーク部を形成する工程と、
前記第１と第２マスク膜を除去した後に前記第１と第２活性領域上に第１と第２絶縁膜をそれぞれ形成する工程と、
前記第１絶縁膜および前記バーズビーク部を通して前記第１活性領域に不純物を注入するとともに、前記第２絶縁膜を通して前記第２活性領域に不純物を注入する工程と、
前記第１と第２絶縁膜を除去した後に前記第１と第２活性領域上に第３と第４絶縁膜を介して第１と第２ゲート電極を形成する工程と、
を備えた、半導体装置の製造方法。
【請求項９】  前記バーズビーク部の形成工程は、前記第１活性領域上で前記バーズビーク部を接続することにより前記第１活性領域表面が全体にわたってラウンド形状となるように前記バーズビーク部を形成する工程を含む、請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】  前記第１と第２絶縁膜の除去工程は、前記第１活性領域上に前記バーズビーク部を残しながら前記第２活性領域の表面を露出させる工程を含む、請求項８または請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月19日(2008.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 （ａ）中心に形成された穴を有する電気絶縁材料からなる少なくとも１枚の板（１２ａ、１２ｂ）と、（ｂ）前記板（１２ａ、１２ｂ）の少なくとも片側に配置され且つ巻き部が互いに電気的に絶縁されている渦巻き状に巻かれた導線（１８ａ、１８ｂ）とを具備する変圧器の電気巻線。
【請求項２】 前記板（１２ａ、１２ｂ）は、前記導線（１８ａ、１８ｂ）が収容された渦巻き状の溝（１６ａ、１６ｂ）を有する請求項１記載の電気巻線。
【請求項３】 前記板（１２ａ、１２ｂ）は、高い熱伝導率を有する材料から成る請求項１又は２記載の電気巻線。
【請求項４】 各々が渦巻き状に巻かれた導線を持つ並置された複数の板を具備し、前記導線（１８ａ、１８ｂ）の渦巻き部は同じ回り方を示すが、１枚の板（１２ｂ）では外側（２０ｂ）から内側（２２ｂ）に向かって巻かれ、隣接する板（１２ａ）では内側（２２ａ）から外側（２０ａ）に向かって巻かれる請求項１、２、又は３記載の電気巻線。
【請求項５】 コイルの巻き付け動作において、前記導線（１８）を１枚の板から隣接する板に通すように、１枚の板（１２ａ）が渦巻き部（１８ａ）の外周部の点（２０ａ）に切欠き（６２ａ）を有する一方、隣接する板（１２ｂ）は、渦巻き部（１８ｂ）の内周部の点（２２ｂ）に切欠き（６６ｂ）を有する請求項４記載の電気巻線。
【請求項６】 前記導線（１８ａ、１８ｂ）は、断面が円形であり、
前記溝（１６ａ、１６ｂ）の底辺は、半円形の形状を有し、
前記溝の底辺は、平坦である請求項２から５のいずれか１項に記載の電気巻線。
【請求項７】 前記板（１２）は、周辺部が円形、楕円形又は、角に丸みのついた矩形となっている円板の形状を有する請求項１から６のいずれか１項に記載の電気巻線。
【請求項８】 前記板（１２）の穴は、前記板が載置された支持体の輪郭に適合した輪郭を有し、
各板（１２ａ、１２ｂ）の両側は、隣接する複数の円板を互いに組み立て、且つ前記複数の円板の間の高熱伝導率の電気絶縁体用の充填空間（２８）を維持するための手段を具備する請求項１から７のいずれか１項に記載の電気巻線。
【請求項９】 前記空間（２８）を充填する前記効熱伝導率の電気絶縁体は、使用温度で固体である請求項８に記載の電気巻線。
【請求項１０】 前記巻線は、高熱伝導率の電気絶縁流体で充填された密閉容器内に配置される請求項８に記載の電気巻線。
【請求項１１】 電気巻線を得るための方法において、（ａ）中心穴から板の周辺部に伸びる渦巻き状の溝（１６ｂ）と中心穴（５０ｂ）とを片側に各々有する複数の第１の板（Ｄ１、Ｄ３、Ｄ５）を作製する工程と、（ｂ）板の周辺部から中心穴に伸びる渦巻き状の溝（１６ａ）と中心穴（５０ａ）とを片側に各々有する複数の第２の板（Ｄ２、Ｄ４、Ｄ６）を作製する工程と、（ｃ）前記複数の第１の板（Ｄ１、Ｄ３、Ｄ５）の穴に導線（１８）を通す工程と、（ｄ）前記複数の第１の板の内、板（Ｄ１）をマンドレルに固定する工程と、（ｅ）前記中心穴を始点に前記導線（１８）を前記溝の位置に配設するために前記マンドレルを回転する工程と、（ｆ）前記導線（１８）が渦巻き部の外周部の端部に到達した時に前記マンドレルの回転を停止する工程と、（ｇ）前記複数の第２の板の内、板（Ｄ２）を前記マンドレルに固定する工程と、（ｈ）前記渦巻き部の外周部の端部を始点に前記導線（１８）を前記溝の位置に配設するために前記マンドレルを回転する工程と、（ｉ）前記導線（１８）が前記中心穴で終端した時に前記マンドレルの回転を停止する工程と、（ｊ）前記複数の第１及び第２の板上で巻線が得られるまで工程（ｄ）から工程（ｉ）を繰り返す工程とを具備する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月1日(2008.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の基板と、
前記基板の上方に形成され、光を吸収する第１導電型の第１層と、
前記第１層上に形成された第１導電型のウィンドウ層と、
前記ウィンドウ層と前記第１層中に設けられた、前記第１導電型とは逆の第２の導電型の領域とを備え、
前記第１層と少なくとも第１層内の前記第２導電型の領域は、動作電圧が装置に印加された時に空乏化されるものであることを特徴とする半導体受光素子。
【請求項２】
前記領域に隣接したｐｎ接合が傾斜型接合であり、
動作電圧が印加される状態では前記第１層内の光吸収領域の電界強度は、第１層内の前記第２導電型の領域のすべての空乏化を引き起こす最小電圧と、キャリアのドリフト速度が飽和する最大電圧の間にあることを特徴とする請求項１に記載の半導体受光素子。
【請求項３】
前記第１層よりも大きなバンドギャップを備えた第２層をさらに備えた半導体受光素子。        
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明にかかる半導体受光素子は、第１導電型の基板と、前記基板の上方に形成され、光を吸収する第１導電型の第１層と、前記第１層上に形成された第１導電型のウィンドウ層と、前記ウィンドウ層と前記第１層中に設けられた、前記第１導電型とは逆の第２の導電型の領域とを備え、
前記第１層と少なくとも第１層内の前記第２導電型の領域は、動作電圧が装置に印加された時に空乏化されるものであることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記領域に隣接したｐｎ接合が傾斜型接合であり、動作電圧が印加される状態では前記第１層内の光吸収領域の電界強度は、第１層内の前記第２導電型の領域のすべての空乏化を引き起こす最小電圧と、キャリアのドリフト速度が飽和する最大電圧の間にあると良い。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前記第１層よりも大きなバンドギャップを備えた第２層をさらに備えることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月30日(2008.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非晶質構造を有する半導体膜に金属元素を添加し、加熱処理を行って前記非晶質構造を有する半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する半導体膜を形成し、
前記結晶構造を有する半導体膜をパターニングして半導体層を形成し、
前記半導体層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記導電膜をエッチングして、前記半導体層と重なりテーパー部を有する電極を形成し、
前記電極をマスクとして、前記半導体層に一導電型を付与する不純物元素と希ガス元素とを選択的に添加して、前記電極と重ならない第１の不純物領域を形成し、
前記電極のテーパー部を通過させて前記半導体層に一導電型を付与する不純物元素を選択的に添加して、前記電極のテーパー部と重なる第２の不純物領域を形成し、
加熱処理によって前記第１の不純物領域に前記金属元素をゲッタリングして、前記半導体層中の前記電極と重なる領域に含まれる前記金属元素を除去または低減することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
非晶質構造を有する半導体膜に金属元素を添加し、加熱処理を行って前記非晶質構造を有する半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する半導体膜を形成し、
前記結晶構造を有する半導体膜をパターニングして第１の半導体層及び第２の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜上に第１のマスクを形成し、
前記第１のマスクを用いて前記導電膜をエッチングして、前記第１の半導体層と重なりテーパー部を有する第１の電極と、前記第２の半導体層と重なりテーパー部を有する第２の電極とを形成し、
前記第１の電極及び前記第２の電極をマスクとして、前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層に一導電型を付与する不純物元素と希ガス元素とを選択的に添加して第１の不純物領域を形成し、
前記第１の電極及び前記第２の電極のテーパー部を通過させて前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層に一導電型を付与する不純物元素を選択的に添加して第２の不純物領域を形成し、
前記第１の半導体層を覆い且つ前記第２の半導体層を覆わないように第２のマスクを設けた後、前記第２の電極を介して前記第２の半導体層に前記一導電型と異なる導電型を付与する不純物元素を添加して、前記第２の電極と重ならない第３の不純物領域と、前記第２の電極のテーパー部と重なる第４の不純物領域とを形成し、
加熱処理によって前記第１の不純物領域及び前記第３の不純物領域に前記金属元素をゲッタリングして、前記第１の半導体層中の前記第１の電極と重なる領域及び前記第２の半導体層中の前記第２の電極と重なる領域に含まれる前記金属元素を除去または低減することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１の半導体層及び前記第１の電極を用いて画素部の薄膜トランジスタを形成し、
前記第２の半導体層及び前記第２の電極を用いて駆動回路部の薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記一導電型はＮチャネル型であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
希ガス元素はＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記金属元素はニッケルであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月24日(2008.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  背面と、板厚面とを有する導光板と、
前記板厚面から光を前記導光板内に入射させる白色ＬＥＤランプと、
前記導光板の背面に沿って配設される反射板と、
を有し、
前記導光板の前記背面には、白色反射処理が成され、かつ、
前記導光板の前記背面又は前記反射板の少なくとも一方には、着色反射処理が成されていること、
を特徴とする白色ＬＥＤ光源バックライト。
【請求項２】  更に、前記導光板の前記背面又は前記反射板の少なくともいずれか一方には、補正反射処理が混在していること、
を特徴とする請求項１に記載の白色ＬＥＤ光源バックライト。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記した従来の課題を解決するための具体的手段として、背面と、板厚面とを有する導光板と、前記板厚面から光を前記導光板内に入射させる白色ＬＥＤランプと、前記導光板の背面に沿って配設される反射板と、を有し、前記導光板の前記背面には、白色反射処理が成され、かつ、前記導光板の前記背面又は前記反射板の少なくとも一方には、着色反射処理が成されていること、を特徴とする白色ＬＥＤ光源バックライトを提供することで課題を解決するものである。