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【手続補正書】
【提出日】平成19年12月18日(2007.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともポリイミド成分とポリアニリン成分のポリマー混合物を含む導電性ポリイミドベース基板であって、前記ポリアニリン成分は、
ａ）基板全体の５、１０、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、および６０の任意の２つの値を含むその２つの値の間の範囲の重量パーセントで存在し、
ｂ）０．５、０．６、０．７、０．８、０．９、１．０、２．０、３．０、４．０、および５ミクロンまでで、５を含まない任意の２つの値を含むその２つの値の間の範囲の平均粒子サイズを有するドープされた、またはドープされていないポリアニリン粒子の液体分散体から誘導され、
ｉ）平方あたり１０，０００、１０５、１０６、１０７、１０８、１０９、１０１０、１０１１、１０１２、１０１３、および１０１４オームの任意の２つの値を含むその２つの値の間の範囲の表面電気抵抗率と、
ｉｉ）７０、７５、８０、８５、９０、９５、１００、１０５、１１０、１１５、１２０の任意の２つの値を含むその２つの値の間の範囲の表面光沢度と、
ｉｉｉ）０．０５、０．０６、０．０７、０．０８、０．０９、０．１０、０．１１、０．１２、０．１３、０．１４、および０．１５の任意の２つの値を含むその間の表面粗さＲａ値（ミクロン）と、
を有する、少なくとも１つの基板表面を提供することを特徴とする導電性ポリイミドベース基板。
【請求項２】
前記基板の厚さは、５および１２５ミクロンの値を含み、これらの値の間の範囲の厚さであることを特徴とする請求項１に記載の基板。
【請求項３】
前記ポリイミド成分は、１種または複数の二無水物成分を１種または複数のジアミン成分と接触させることによって少なくとも部分的に作製されるポリアミック酸前駆体から誘導され、前記二無水物は、ピロメリト酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン二無水物（６ＦＤＡ）、２，２’−ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物およびその組合せからなる群から選択され、
前記ジアミン成分は、１，４−ジアミノベンゼン（ＰＰＤ）、１，３−ジアミノベンゼン（ＭＰＤ）、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（４，４’−ＯＤＡ）、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル（３，４’−ＯＤＡ）、１，３−ビス−（４−アミノフェノキシ）ベンゼン（ＡＰＢ−１３４またはＲＯＤＡ）、１，３−ビス−（３−アミノフェノキシ）ベンゼン（ＡＰＢ−１３３）、２，２−ビス−［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン（ＢＡＰＰ）、ビス−（４−（４−アミノフェノキシ）フェニルスルホン（ＢＡＰＳ）、４，４‘’−ビス（３−アミノフェノキシ）ジフェニルスルホン（ｍ−ＢＡＰＳ）、４，４’−ビス−（アミノフェノキシ）ビフェニル（ＢＡＰＢ）、ビス（４−［４−アミノフェノキシ］フェニル）エーテル（ＢＡＰＥ）、１，６−ヘキサメチレンジアミン（ＨＭＤ）、２，２’−ビス−（４−アミノフェニル）１，１，１，３，３−ヘキサフルオロプロパン（６Ｆジアミン）、およびその組合せからなる群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の基板。
【請求項４】
前記ポリアニリン成分は、エメラルジンべースポリアニリン、エメラルジン塩ポリアニリン、ロイコエメラルジンポリアニリン、ニグラニリンポリアニリン、ペルニグラニリンポリアニリン、アニリンの誘導体、アルキルアニリンの誘導体、およびアルコキシアニリンの誘導体からなる群から選択されるアニリン成分からされることを特徴とする請求項１に記載の基板。
【請求項５】
前記ポリアニリン成分は、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ−メチルピロリジノン（ＮＭＰ）、ガンマ−ブチロラクトン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、テトラメチル尿素（ＴＭＵ）、Ｎ，Ｎ’−ジアルキルカルボキシルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−シクロヘキシル−２−ピロリドン、ジメチルスルホン、ヘキサメチルホスホルアミド、テトラメチレンスルホン、ジグリム、およびピリジンからなる群から選択される極性溶媒中に分散されていることを特徴とする請求項１に記載の基板。
【請求項６】
前記ポリアニリン成分は、第１溶媒と第２溶媒の混合物中に分散され、第１溶媒は表面張力が３４ｍＮ／ｍであり、第２溶媒は表面張力が２０から３３．５ｍＮ／ｍを含みその間、または４２から５００ｍＮ／ｍを含みその間のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の基板。
【請求項７】
前記ポリアニリン成分は、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、次リン酸、ホスホン酸、ホウフッ化水素酸、リンフッ化水素酸、塩酸、脂肪酸、芳香族酸、脂環式酸、多塩基酸および酸解離定数（ｐＫａ）が４．８に等しいかそれ未満のプロトン性酸からなる群から選択される酸でドープされていることを特徴とする請求項１に記載の基板。
【請求項８】
前記基板は、多層フレキシブル回路基板の部品、固定回路基板の部品、静電防止ブランケットの部品、回路パッケージの部品、高速カラー複写機の像転写ベルトの全てまたは一部の部品、パッケージ構成物の部品であり、前記パッケージ構成物は、チップオンリード（「ＣＯＬ」）パッケージ、チップオンフレック（「ＣＯＦ」）スパッケージ、リードオンチップ（「ＬＯＣ」）パッケージ、マルチチップモジュール（「ＭＣＭ」）パッケージ、光電子パッケージ、フラットワイア用途、ボールグリッドアレイ（「ＢＧＡ」または「μ−ＢＧＡ」）パッケージ、チップスケールパッケージ（「ＣＳＰ」）、または自動テープボンディング（「ＴＡＢ」）パッケージ、および、導電路を含む集積回路パッケージ基板の部品であり、前記導電路は、ワイアボンド、導電性金属、はんだバンプの群の１種または複数の部材を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板。
【請求項９】
充填剤をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の単層基板。
【請求項１０】
前記基板は、熱、圧力、またはその組合せを用いる自己接着性フィルムであり、
前記フィルムはカラー複写機の像転写ベルトとして使用されることを特徴とする請求項１に記載の基板。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月21日(2007.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸基含有不飽和単量体を主成分とする単量体成分を重合して得られる架橋構造を有する吸水性樹脂を主成分とする吸水剤であって、
該吸水剤は表面処理が施されており、
且つ、該吸水剤は、
（１）保温指標１（５０℃の０．９０重量％塩化ナトリウム水溶液で１０倍膨潤後、５〜１０分での１分あたりの最大温度低下）が０〜３．０℃／分、
（２）０．９０重量％塩化ナトリウム水溶液に対する無加圧下吸収倍率（３０分値）が３４ｇ／ｇ以下、
（３）０．９０重量％塩化ナトリウム水溶液に対する２．０ｋＰａでの加圧下吸収倍率（６０分値）が３０ｇ／ｇ未満、
（４）０．６９重量％塩化ナトリウム水溶液の流れ誘導性（ＳＦＣ）値が２０×１０−７ｃｍ３ｓｅｃ／ｇ未満、
の（１）〜（４）の全ての要件を満たすことを特徴とする吸水剤。
【請求項２】
酸基含有不飽和単量体はアクリル酸（塩）であり、前記単量体成分中の、その他の単量体がアクリル酸（塩）に対して、０〜３０モル％であることを特徴とする請求項１に記載の吸水剤。
【請求項３】
前記吸水剤が、粒子であるとともに、ふるい分級で規定される粒子径６００〜３００μｍの粒子が６０重量％以上、１５０μｍ未満の粒子が３重量％以下（下限０重量％）で構成され、粒度分布の対数標準偏差（σζ）が０．２５０〜０．４００を満たすことを特徴とする請求項１または２に記載の吸水剤。
【請求項４】
吸水性樹脂以外にさらに、水不溶性無機微粒子を含むことを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の吸水剤。
【請求項５】
保温指標２（５０℃の０．９０重量％塩化ナトリウム水溶液で１０倍膨潤後、１０分後のゲル表面温度）が２０℃以上であることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の吸水剤。
【請求項６】
保温指標３（５０℃の０．９０重量％塩化ナトリウム水溶液で１０倍膨潤後、ゲル表面温度が３７℃に達する時間）が１２０秒以上であることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の吸水剤。
【請求項７】
質量平均粒子径（ふるい分級で規定）が４００〜６００μｍであることを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の吸水剤。
【請求項８】
吸水性樹脂以外にさらに、ポリオールを含むことを特徴とする請求項１〜７の何れかに記載の吸水剤。
【請求項９】
請求項１〜８の何れかに記載の吸水剤と、親水性繊維とを備えていることを特徴とする成形された吸収体。
【請求項１０】
請求項９に記載の吸収体であって、請求項１〜８の何れかに記載の吸水剤と、親水性繊維との合計重量に対する当該吸水剤の含有量が２０重量％以上であることを特徴とする吸収体。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載の吸収体と、液透過性を有する表面シートと、液不透過性を有する背面シートとを備えていることを特徴とする吸収性物品。
【請求項１２】
酸基含有不飽和単量体を主成分とする単量体成分を重合して得られる架橋構造を有する吸水性樹脂を主成分とする吸水剤の製造方法であって、
酸基含有不飽和単量体を主成分とする単量体成分を重合して吸水性樹脂を得る重合工程と、
前記重合工程によって得られた吸水性樹脂を表面架橋処理（表面処理）する表面架橋工程（表面処理工程）とを含み、
前記重合工程では、
前記吸水性樹脂が、粒子であるとともに、該吸水性樹脂は０．９０重量％塩化ナトリウムに対する無加圧下吸収倍率（３０分値）が３５ｇ／ｇ以上であり、さらに、
（１）前記粒子は、ふるい分級で規定される粒子径６００〜３００μｍの粒子が６０重量％以上、１５０μｍ未満の粒子が３重量％以下、
（２）粒度分布の対数標準偏差（σζ）が０．２５０〜０．４００、
の各特定粒度を満たすように重合し、
前記表面架橋工程では、
前記重合工程にて各特定粒度を満たした該吸水性樹脂を、表面架橋処理することによって、表面架橋することを特徴とする吸水剤の製造方法。
【請求項１３】
前記表面架橋工程では、
前記重合工程にて各特定粒度を満たした該吸水性樹脂を、
０．９０重量％塩化ナトリウム水溶液に対する無加圧下吸収倍率（３０分値）が３４ｇ／ｇ以下、かつ、
０．９０重量％塩化ナトリウム水溶液に対する２．０ｋＰａでの加圧下吸収倍率（６０分値）が３０ｇ／ｇ未満、
となるまで表面架橋処理することを特徴とする請求項１２に記載の吸水剤の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月12日(2007.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スチレン系ブロック共重合体を含む凝集性成分と、塩基性成分とを含んでなる粘着剤組成物。
【請求項２】
前記塩基性成分が、少なくとも１種類の窒素含有（メタ）アクリル系共重合体を含む、請求項１に記載の粘着剤組成物。
【請求項３】
前記窒素含有（メタ）アクリル系共重合体が、（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はその誘導体と窒素含有ビニルモノマーの共重合体である、請求項２に記載の粘着剤組成物。
【請求項４】
前記（メタ）アクリル酸アルキルエステルが、（メタ）アクリル酸イソオクチルエステル及び（メタ）アクリル酸ブチルエステルを含む、請求項３に記載の粘着剤組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】粘着剤組成物
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月26日(2008.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
逆に、印加電圧Ｂ点では、陽極ターゲット14で７０％の発熱量になるため、４８／０．７＝６８．５７であり、約６８．６ｋＷ−３０秒まで見かけ上入力できることになるが、このとき、反跳電子捕獲構造体31は３０％の発熱量となるため、約２０．６ｋＷの発熱量となる。これでは反跳電子捕獲構造体31の最大許容発熱量１６ｋＷをオーバーしてしまうので使用できない。そのため、１６ｋＷ＝３０％となる総入力１６／０．３=５３．３であり、約５３ｋＷが最大ということになってしまい、印加電圧Ｂ点では５３ｋＷ−３０秒が最大入力仕様値となる。これが、反跳電子捕獲構造体31の入力限界制限である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2007066579.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月26日(2008.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
部品供給装置により間歇駆動されるリール本体部と、前記リール本体部に着脱自在に取り付けられるリールキャップと、前記リール本体部とリールキャップの間に保持される巻き取りリングとから構成され、部品実装装置に部品を供給するキャリアテープを覆って保護する被覆テープを使用後に前記巻き取りリングの外周面に巻き取って回収する部品供給装置の巻き取り部において、
前記巻き取りリングは、当該リングの１箇所が切り離された分離部を有し、前記分離部が前記リングの軸方向に沿って相互にずれる柔軟性を前記巻き取りリングが備えていることを特徴とする部品供給装置の巻き取り部。
【請求項２】
前記巻き取りリングが、前記リール本体部のボス部、又は前記リールキャップの巻胴のいずれかの外周に嵌装されることを特徴とする、請求項１に記載の巻き取り部。
【請求項３】
前記分離部が、前記リングの軸方向と略平行に切り離されていること、または前記リングの軸方向に対して角度を設けて切り離されていることを特徴とする、請求項１に記載の巻き取り部。
【請求項４】
前記巻き取りリングの前記分離部において対向するいずれか一方の分離面が、当該分離面に沿って延在するいずれか他方の分離面に突出する凸状部を有し、前記いずれか他方の分離面が、前記凸状部に対応した凹状部を有することを特徴とする、請求項１に記載の巻き取り部。
【請求項５】
部品供給装置により間歇駆動されるリール本体部と、前記リール本体部に着脱自在に取り付けられるリールキャップと、前記リール本体部とリールキャップの間に保持される巻き取りリングとから構成され、部品実装装置に部品を供給するキャリアテープを覆って保護する被覆テープを使用後に前記巻き取りリングの外周面に巻き取って回収する部品供給装置の巻き取り部において、
前記巻き取りリングが、
当該リングを形成する半円状の２つのリング半片と、
前記両リング半片を円周方向にある少なくとも一方の端部でつなぎ、いずれか一方のリング半片がいずれか他方のリング半片に対して揺動可能に保持するヒンジピンとから構成されていることを特徴とする巻き取り部。
【請求項６】
上記ヒンジピンが、前記両リング半片の円周方向にあるいずれか一方の端部にそれぞれ設けられた曲げ部をつなぐヒンジピンであることを特徴とする、請求項５に記載の巻き取り部。
【請求項７】
部品供給装置により間歇駆動されるリール本体部と、前記リール本体部に着脱自在に取り付けられるリールキャップと、前記リール本体部とリールキャップの間に保持される巻き取りリングとから構成され、部品実装装置に部品を供給するキャリアテープを覆って保護する被覆テープを使用後に前記巻き取りリングの外周面に巻き取って回収する部品供給装置の巻き取り部において、
前記巻き取りリングが、当該リングを形成する半円状の２つのリング半片から構成され、前記両リング半片の円周方向にある両端部に、両リング半片を組み合わせて巻き取りリングを形成する際に相互に吸引し合うよう配置されたマグネットがそれぞれ設けられていることを特徴とする巻き取り部。
【請求項８】
部品を収納したキャリアテープを搬送し、部品実装装置に部品を供給する部品供給装置において、
前記キャリアテープを覆って前記収納された部品を保護する被覆テープを使用後に回収するため、請求項１から請求項７のいずれか一に記載の巻き取り部を備えていることを特徴とする部品供給装置。
【請求項９】
部品実装装置に部品を供給するキャリアテープを覆った被覆テープを使用後に巻き取りリングの外周面に巻き取って回収する部品供給装置における被覆テープの回収方法において、
前記巻き取りリングに当該リングの１箇所を切り離した分離部を設け、当該分離部を前記リングの軸方向に相互にずらして前記被覆テープにより前記巻き取りリングに加わる圧縮力を解放し、前記被覆テープを回収することを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月25日(2008.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転するメディア上を浮上するスライダと、
前記スライダに配置されたヘッド素子部と、
前記ヘッド素子部をターゲット・トラックに向けてシークし、そのシークを異なる複数の制御モードにおいて実行するコントローラと、
前記スライダに配置され、前記シークの最終モードに入ってから前記ヘッド素子部がデータ領域へアクセスする前にＯＮ状態となり、そのヘッド素子部のデータ領域アクセスまで連続ＯＮ状態であり、そのヘッド素子部を熱膨張によって突出させて前記メディアとの間のクリアランスを調整するヒータと、を備えるデータ記憶装置、であって、
前記連続ＯＮ状態におけるヒータ電流値は、前記ヘッド素子部が前記データ領域からデータを読み出す間のヒータ電流値以上である、データ記憶装置。
【請求項２】
前記ヒータは、前記シークが前記最終モードに入ったことに応答してＯＮ状態となり、そのヘッド素子部のデータ領域アクセスまで連続ＯＮ状態である、請求項１に記載のデータ記憶装置。
【請求項３】
前記ヒータは、前記ヘッド素子部がターゲット・トラックに到着したことに応答してＯＮ状態となり、そのヘッド素子部のデータ領域アクセスまで連続ＯＮ状態である、請求項１に記載のデータ記憶装置。
【請求項４】
前記ヒータは、前記シークの完了に応答してＯＮ状態となり、そのヘッド素子部のデータ領域アクセスまで連続ＯＮ状態である、請求項１に記載のデータ記憶装置。
【請求項５】
前記コントローラは、前記シークにおいて、速度情報を使用した速度制御モードと、位置情報を使用した位置制御モードと、位置及び速度情報を使用した位置・速度制御モードとを備え、
前記最終モードは前記位置・速度制御モードである、請求項１に記載のデータ記憶装置。
【請求項６】
前記連続ＯＮ状態におけるヒータ電流値は、前記ヘッド素子部が前記データ領域からデータを読み出す間のヒータ電流値と同一である、請求項１に記載のデータ記憶装置。
【請求項７】
データ記憶装置における制御方法であって、
回転するメディア上を浮上するスライダを移動し、そのスライダに配置されたヘッド素子部をターゲット・トラックにシークし、そのシークを異なる複数の制御モードを順次切換えて実行し、
前記シークの最終モードに入ってから前記ヘッド素子部がデータ領域へアクセスする前にヒータをＯＮ状態に切換えそのヘッド素子部のデータ領域アクセスまでＯＮ状態を維持し、そのヘッド素子部を熱膨張によって突出させて前記メディアとの間のクリアランスを調整する方法、であって、
前記ヘッド素子部が前記データ領域からデータを読み出す間のヒータ電流値は、データを書き込む間のヒータ電流値よりも大きく、
前記連続ＯＮ状態におけるヒータ電流値は、前記ヘッド素子部が前記データ領域からデータを読み出す間のヒータ電流値以上である、方法。
【請求項８】
前記ヘッド素子部が前記最終モードに入ったことに応答して前記ヒータをＯＮ状態に切換える、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ヘッド素子部がターゲット・トラックに到着したことに応答して前記ヒータをＯＮ状態に切換える、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記ヘッド素子部がターゲット・トラックに到着し、データ領域へのアクセスが許可されたことに応答して前記ヒータをＯＮ状態に切換える、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記シークの制御モードとして、ターゲット・トラックからの距離に対応したシーク・モード、セトリング・モードとフォローイング・モードとを備え、前記最終モードはそのフォローイング・モードである、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
回転する磁気ディスク上を浮上するヘッドと、
前記ヘッドをターゲット・トラックに向けてシークするコントローラと、
前記シークを開始した後に前記ヘッドに配置され、前記ヘッドが前記ターゲット・トラックから予め定められたトラック数離れたトラックに到着したことに応答してＯＮ状態となりそのヘッドがデータ領域にアクセスするまでＯＮ状態を維持し、そのヘッドを熱膨張によって突出させて前記磁気ディスクとの間のクリアランスを調整するヒータと、
前記ヒータに供給する電流量を調整する調整回路と、を備えるデータ記憶装置であって、
前記コントローラは、前記シークを制御しながら前記調節回路にヒータ電流の供給についての指示を行い、
前記連続ＯＮ状態におけるヒータ電流値は、前記ヘッド素子部が前記データ領域からデータを読み出す間のヒータ電流値以上である、データ記憶装置。
【請求項１３】
前記コントローラは、前記ターゲット・トラックから予め定められたトラック数離れたトラックに到着したことに応答して前記シークの制御モードを切換える、請求項１２に記載のデータ記憶装置。
【請求項１４】
前記シークの制御モードとして、ターゲット・トラックからの距離に対応したシーク・モード、セトリング・モードとフォローイング・モードとを備える、請求項１３に記載のデータ記憶装置。
【請求項１５】
前記コントローラは、前記ターゲット・トラックから予め定められたトラック数離れたトラックに到着したことに応答して前記シーク・モードから前記セトリング・モードに切換える、請求項１４に記載のデータ記憶装置。
【請求項１６】
前記コントローラは、前記ターゲット・トラックから予め定められたトラック数離れたトラックに到着したことに応答して前記セトリング・モードから前記フォローイング・モードに切換える、請求項１４に記載のデータ記憶装置。
【請求項１７】
前記ヒータに供給される電流量は環境温度に基づいて調整される、請求項１２に記載のデータ記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月25日(2008.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転するメディア上を浮上するスライダと、
前記スライダに配置されたヘッド素子部と、
前記ヘッド素子部をターゲット・トラックに向けてシークするコントローラと、
前記スライダに配置され、前記シークの開始から前記ヘッド素子部が前記メディアのデータ領域へアクセスする前の所定タイミングまでＯＦＦ状態であり、その所定タイミングからそのヘッド素子部がデータ領域アクセスするまでＯＮ状態でありそのヘッド素子部を熱膨張によって突出させて前記メディアとの間のクリアランスを調整するヒータと、を備えるデータ記憶装置であって、
前記所定タイミングから前記ＯＮ状態のヒータ電流値は、前記ヘッド素子部が前記データ領域からデータを読み出している間のヒータ電流値以上である、データ記憶装置。
【請求項２】
前記コントローラは、複数の制御モードを使用して前記シークを実行し、
前記ヒータは前記シークの最終モードに入ってから前記ヘッド素子部のデータ領域へアクセスまでの間にＯＮ状態となる、請求項１に記載のデータ記憶装置。
【請求項３】
前記ヒータは前記シークが前記最終モードに入ったことに応答してＯＮ状態となる、請求項２に記載のデータ記憶装置。
【請求項４】
前記ヒータは前記ヘッド素子部がターゲット・トラックに到着したことに応答してＯＮ状態となる、請求項１に記載のデータ記憶装置。
【請求項５】
前記ヒータは前記シークの完了に応答してＯＮ状態となる、請求項１に記載のデータ記憶装置。
【請求項６】
前記ヒータは前記ヘッドが前記ターゲット・トラックから予め定められたトラック数離れたトラックに到着したことに応答してＯＮ状態となる、請求項１に記載のデータ記憶装置。
【請求項７】
前記コントローラは、前記ターゲット・トラックから予め定められたトラック数離れたトラックに到着したことに応答して前記シークの制御モードを切換える、請求項６に記載のデータ記憶装置。
【請求項８】
前記シークの制御モードとして、ターゲット・トラックからの距離に対応したシーク・モード、セトリング・モードとフォローイング・モードとを備える、請求項７に記載のデータ記憶装置。
【請求項９】
前記連続ＯＮ状態におけるヒータ電流値は、前記ヘッド素子部が前記データ領域からデータを読み出す間のヒータ電流値と同一である、請求項１に記載のデータ記憶装置。
【請求項１０】
データ記憶装置における制御方法であって、
回転するメディア上を浮上するスライダを移動し、そのスライダに配置されたヘッド素子部をターゲット・トラックにシークし、
前記シークの開始から前記ヘッド素子部が前記メディアのデータ領域へアクセスする前の所定タイミングまで前記スライダに配置されたヒータをＯＦＦ状態とし、その所定タイミングからそのヘッド素子部がデータ領域アクセスするまでそのヒータをＯＮ状態としてそのヘッド素子部を熱膨張によって突出させて前記メディアとの間のクリアランスを調整する、方法であって、
前記所定タイミングから前記ＯＮ状態のヒータ電流値は、前記ヘッド素子部が前記データ領域からデータを読み出している間のヒータ電流値以上である、方法。
【請求項１１】
前記シークを異なる複数の制御モードを順次切換えて実行し、そのシークの最終モードに入ってから前記ヘッド素子部がデータ領域へアクセスする前にヒータをＯＮ状態に切換える、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記ヘッド素子部がそのシークの最終モードに入ったことに応答して前記ヒータをＯＮ状態に切換える、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ヘッド素子部がターゲット・トラックに到着したことに応答して前記ヒータをＯＮ状態に切換える、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記ヘッド素子部がターゲット・トラックに到着しデータ領域へのアクセスが許可されたことに応答して前記ヒータをＯＮ状態に切換える、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記シークの制御モードとして、ターゲット・トラックからの距離に対応したシーク・モード、セトリング・モードとフォローイング・モードとを備え、前記最終モードはそのフォローイング・モードである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
前記ヘッドが前記ターゲット・トラックから予め定められたトラック数離れたトラックに到着したことに応答して前記ヒータをＯＮ状態に切換える、請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
前記ヒータは前記シークの完了に応答してＯＮ状態となる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１８】
前記連続ＯＮ状態におけるヒータ電流値は、前記ヘッド素子部が前記データ領域からデータを読み出す間のヒータ電流値と同一である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１９】
前記ヒータ電流値は環境温度に基づいて調整される、請求項１０に記載の方法。
【請求項２０】
前記ヒータ電流値は、データを書き込むための前記ヘッド素子部のライト電流に基づいて調整される、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月14日(2008.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
しかし従来提案されているセルフブースト書き込み方式では、未だ非選択セルでの書き込みディスターブ（誤書き込み）の危険性が残されている。
【特許文献１】特開平１０−２８３７８８号公報
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月4日(2008.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
供給軸から送り出された磁気テープに対して、カーバチャを与えるカーバチャ付与工程と、
前記カーバチャ付与工程により磁気テープに付与されたカーバチャ量を検出するカーバチャ量検出工程と、
カーバチャ量検出工程を経た磁気テープを巻き取り軸で巻き取る工程とを含み、
前記カーバチャ量検出工程による検出結果に基づいて、前記カーバチャ付与工程において磁気テープに与えられるカーバチャ量をフィードバック制御するようにしてあることを特徴とする磁気テープの巻き取り方法。
【請求項２】
供給軸から巻き取り軸に至るテープ走行系を有し、前記供給軸から送り出された磁気テープを前記巻き取り軸で巻き取る磁気テープの巻き取り装置であって、
前記テープ走行系の中途部には、磁気テープに対してカーバチャを与えるカーバチャ付与手段と、該カーバチャ付与手段よりもテープ走行系の下流側に配されて、該カーバチャ付与手段により磁気テープに付与されたカーバチャ量を検出するカーバチャ量検出手段とが設けられており、
前記カーバチャ量検出手段による検出結果に基づいて、前記カーバチャ付与手段が磁気テープに与えるカーバチャ量をフィードバック制御するようにしてあることを特徴とする磁気テープの巻き取り装置。
【請求項３】
請求項１記載の巻き取り方法により巻き取られたことを特徴とする磁気テープカートリッジ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】磁気テープの巻き取り方法、磁気テープの巻き取り装置、および磁気テープカートリッジ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、磁気テープの巻き取り方法、磁気テープの巻き取り装置、および磁気テープカートリッジに係り、整巻き性の向上を図る技術に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また本発明は、図１に示すごとく、供給軸２から巻き取り軸３に至るテープ走行系を有し、供給軸２から送り出された磁気テープ１を巻き取り軸３で巻き取る磁気テープの巻き取り装置を対象とする。テープ走行系の中途部には、磁気テープ１に対してカーバチャを与えるカーバチャ付与手段６と、該カーバチャ付与手段６よりもテープ走行系の下流側に配されて、該カーバチャ付与手段６により磁気テープ１に付与されたカーバチャ量を検出するカーバチャ量検出手段９とが設けられている。そして、カーバチャ量検出手段９による検出結果に基づいて、前記カーバチャ付与手段６が磁気テープ１に与えるカーバチャ量をフィードバック制御するようにしてあることを特徴とする。
また本発明は、前記巻き取り方法により巻き取られたことを特徴とする磁気テープカートリッジである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月18日(2008.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内面に蛍光体が塗布されたガラスバルブと、前記ガラスバルブの両端を封止する一対のステムと、前記各ステムに突設された各一対の導入線と、それぞれの前記一対の導入線間に架設された一対のフィラメントコイルと、前記各フィラメントコイルに保持された電子放出物質とを含み、ＪＩＳ  Ｃ  ７６１７−２またはＪＩＳ  Ｃ  ７６１８−２で規定された蛍光ランプであって、
前記ガラスバルブ内には、希ガス及び水銀が封入されており、
前記各フィラメントコイルは、主線と前記主線を巻回する副線とを含み、かつ前記主線を巻回させた一次巻コイルと、前記一次巻コイルを巻回させた二次巻コイルと、前記副線により形成されたコイルとからなるトリプルコイルであり、
前記二次巻コイルの巻回ピッチをＰ（μｍ）とし、前記二次巻コイルによって形成される円筒空洞の直径をＤ（μｍ）としたときに、Ｐ＞２４００００／（Ｄ−１９５）＋９２０の関係を満たすことを特徴とする蛍光ランプ。
【請求項２】
前記主線の直径が、５０〜５５μｍである請求項１に記載の蛍光ランプ。
【請求項３】
前記二次巻コイルの巻回数が、５〜６回である請求項１に記載の蛍光ランプ。
【請求項４】
前記希ガスのガス圧が、２８０Ｐａを超え３９０Ｐａ以下である請求項１に記載の蛍光ランプ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の蛍光ランプは、内面に蛍光体が塗布されたガラスバルブと、前記ガラスバルブの両端を封止する一対のステムと、前記各ステムに突設された各一対の導入線と、それぞれの前記一対の導入線間に架設された一対のフィラメントコイルと、前記各フィラメントコイルに保持された電子放出物質とを含み、ＪＩＳ  Ｃ  ７６１７−２またはＪＩＳ  Ｃ  ７６１８−２で規定された蛍光ランプであって、
前記ガラスバルブ内には、希ガス及び水銀が封入されており、
前記各フィラメントコイルは、主線と前記主線を巻回する副線とを含み、かつ前記主線を巻回させた一次巻コイルと、前記一次巻コイルを巻回させた二次巻コイルと、前記副線により形成されたコイルとからなるトリプルコイルであり、
前記二次巻コイルの巻回ピッチをＰ（μｍ）とし、前記二次巻コイルによって形成される円筒空洞の直径をＤ（μｍ）としたときに、Ｐ＞２４００００／（Ｄ−１９５）＋９２０の関係を満たすことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月1日(2008.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
波長λ１のレーザビームを出射する第１のレーザと、波長λ１よりも長い波長λ２のレーザビームを出射する第２のレーザの間の距離が固定されたレーザユニットを光源とする光ヘッドにおいて用いられ、前記第１のレーザから出射されたレーザビームを第１の開口数により第１の光ディスクに集光させ、前記第２のレーザから出射されたレーザビームを前記第１の開口数よりも小さい第２の開口数により第２の光ディスクに集光させる対物レンズであって、
前記第１の光ディスクに関する設計上の波面収差よりも前記第２の光ディスクに関する設計上の波面収差の方が大きい対物レンズ。
【請求項２】
波長λ１のレーザビームを出射する第１のレーザと、波長λ１よりも長い波長λ２のレーザビームを出射する第２のレーザの間の距離が固定されたレーザユニットを光源とする光ヘッドにおいて用いられ、前記第１のレーザから出射されたレーザビームを第１の開口数により第１の光ディスクに集光させ、前記第２のレーザから出射されたレーザビームを前記第１の開口数よりも小さい第２の開口数により第２の光ディスクに集光させる対物レンズであって、
前記第１の光ディスクに関する設計上のコマ収差Ｃ１及び非点収差成分ＡＳ１の合成収差（Ｃ１２＋ＡＳ１２）１／２よりも前記第２の光ディスクに関する設計上のコマ収差Ｃ２及び非点収差成分ＡＳ２の合成収差（Ｃ２２＋ＡＳ２２）１／２の方が大きい対物レンズ。
【請求項３】
０．２５<（Ｃ１２＋ＡＳ１２）１／２／（Ｃ２２＋ＡＳ２２）１／２<０．８を満足することを特徴とする請求項２記載の対物レンズ。
【請求項４】
さらに、次式を満足することを特徴とする請求項２又は３記載の対物レンズ。
０．１２<（Ｃ１／Ｃ２）<０．７０
【請求項５】
光軸から前記第１のレーザまでの距離ｔ１と、前記第１のレーザと前記第２のレーザ間の距離（ｔ１＋ｔ２）の比ｔ１／(ｔ１＋ｔ２）は、０．８よりも小さいことを特徴とする請求項１〜４いずれかに記載の対物レンズ。
【請求項６】
請求項１〜５いずれかに記載の対物レンズを備えた光ヘッド。
【請求項７】
請求項６記載の光ヘッドを用いた光学系。
【請求項８】
波長λ１のレーザビームを出射する第１のレーザと、波長λ１よりも長い波長λ２のレーザビームを出射する第２のレーザの間の距離が固定されたレーザユニットを光源とする光ヘッドにおいて用いられ、前記第１のレーザから出射されたレーザビームを第１の開口数により第１の光ディスクに集光させ、前記第２のレーザから出射されたレーザビームを前記第１の開口数よりも小さい第２の開口数により第２の光ディスクに集光させる対物レンズの設計方法であって、
前記第１の光ディスクに関する設計上の波面収差よりも前記第２の光ディスクに関する設計上の波面収差の方が大きく設定する対物レンズの設計方法。
【請求項９】
前記第１の光ディスクに関する設計上のコマ収差をＣ１、非点収差成分をＡＳ１とし、前記第２の光ディスクに関する設計上のコマ収差をＣ２、非点収差成分をＡＳ２としたとき、０．２５<（Ｃ１２＋ＡＳ１２）１／２／（Ｃ２２＋ＡＳ２２）１／２<０．８を満足するように、当該Ｃ１、ＡＳ１、Ｃ２、ＡＳ２を設定することを特徴とする請求項８記載の対物レンズの設計方法。
【請求項１０】
光軸から前記第１のレーザまでの距離ｔ１と、前記第１のレーザと前記第２のレーザ間の距離（ｔ１＋ｔ２）の比ｔ１／(ｔ１＋ｔ２）が０．８よりも小さくなるように設計することを特徴とする請求項８又は９記載の対物レンズの設計方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明にかかる対物レンズは、波長λ１のレーザビームを出射する第１のレーザと、波長λ１よりも長い波長λ２のレーザビームを出射する第２のレーザの間の距離が固定されたレーザユニットを光源とする光ヘッドにおいて用いられ、前記第１のレーザから出射されたレーザビームを第１の開口数により第１の光ディスクに集光させ、前記第２のレーザから出射されたレーザビームを前記第１の開口数よりも小さい第２の開口数により第２の光ディスクに集光させる対物レンズであって、前記第１の光ディスクに関する設計上の波面収差よりも前記第２の光ディスクに関する設計上の波面収差の方が大きいものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明にかかる他の対物レンズは、波長λ１のレーザビームを出射する第１のレーザと、波長λ１よりも長い波長λ２のレーザビームを出射する第２のレーザの間の距離が固定されたレーザユニットを光源とする光ヘッドにおいて用いられ、前記第１のレーザから出射されたレーザビームを第１の開口数により第１の光ディスクに集光させ、前記第２のレーザから出射されたレーザビームを前記第１の開口数よりも小さい第２の開口数により第２の光ディスクに集光させる対物レンズであって、前記第１の光ディスクに関する設計上のコマ収差Ｃ１及び非点収差成分ＡＳ１の合成収差（Ｃ１２＋ＡＳ１２）１／２よりも前記第２の光ディスクに関する設計上のコマ収差Ｃ２及び非点収差成分ＡＳ２の合成収差（Ｃ２２＋ＡＳ２２）１／２の方が大きいものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明にかかる対物レンズの設計方法は、波長λ１のレーザビームを出射する第１のレーザと、波長λ１よりも長い波長λ２のレーザビームを出射する第２のレーザの間の距離が固定されたレーザユニットを光源とする光ヘッドにおいて用いられ、前記第１のレーザから出射されたレーザビームを第１の開口数により第１の光ディスクに集光させ、前記第２のレーザから出射されたレーザビームを前記第１の開口数よりも小さい第２の開口数により第２の光ディスクに集光させる対物レンズの設計方法であって、前記第１の光ディスクに関する設計上の波面収差よりも前記第２の光ディスクに関する設計上の波面収差の方が大きく設定するものである。
ここで、前記第１の光ディスクに関する設計上のコマ収差をＣ１、非点収差成分をＡＳ１とし、前記第２の光ディスクに関する設計上のコマ収差をＣ２、非点収差成分をＡＳ２としたとき、０．２５<（Ｃ１２＋ＡＳ１２）１／２／（Ｃ２２＋ＡＳ２２）１／２<０．８を満足するように、当該Ｃ１、ＡＳ１、Ｃ２、ＡＳ２を設定することが望ましい。光軸から前記第１のレーザまでの距離ｔ１と、前記第１のレーザと前記第２のレーザ間の距離（ｔ１＋ｔ２）の比ｔ１／(ｔ１＋ｔ２）が０．８よりも小さくなるように設計するとよい。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月22日(2008.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部端子、外部入出力バッファ回路、電源検出回路、パワーオンリセット回路、及び内部回路を有する半導体集積回路であって、
前記電源検出回路は外部から供給される電源電圧が所定の状態になったことを示す電源電圧検出信号を出力し、
前記パワーオンリセット回路は、前記電源電圧検出信号を入力し、所定のタイミングで前記内部回路の初期設定動作を指示し、前記内部回路の初期設定動作の完了に応答して、前記外部入出力バッファ回路をハイレベル出力、ローレベル出力、高インピーダンスの何れか所定の初期状態から入出力動作可能な状態にし、前記内部回路に初期設定動作を指示するまで、所定の回路ノードの初期状態を保障する信号を出力し、
前記外部入出力バッファ回路、前記電源検出回路及び前記パワーオンリセット回路には第１電源電圧が供給され、前記内部回路には第２電源電圧が供給され、
前記電源検出回路は、第１電源電圧が供給されるのを検出する第１回路と、第２電源電圧が供給されるのを検出する第２回路とを別々に持ち、前記第１回路による第１電源電圧の検出結果と前記第２回路による第２電源電圧の検出結果に応じて前記電源電圧検出信号を出力する半導体集積回路。
【請求項２】
前記電源検出回路は、前記第１電源電圧及び第２電源電圧が供給されるのを検出した後に、前記第２回路による第２電源電電圧の供給停止を検出すると、外部入出力バッファ回路を動作可能な状態からハイレベル出力、ローレベル出力、高インピーダンスの何れか所定の状態に変化させる請求項１記載の半導体集積回路。
【請求項３】
前記内部回路はシステムコントローラを有し、
前記システムコントローラは前記内部回路の初期設定動作の指示を受けて外部からクロック信号を入力し、入力したクロック信号に同期して内部回路の初期設定動作を制御し、初期設定動作を完了したとき初期化完了信号をパワーオンリセット回路に返す請求項２記載の半導体集積回路。
【請求項４】
前記内部回路は、前記電源端子に前記第２電源電圧が供給されている状態において、選択的に前記第２電源電圧の供給が停止可能にされる第１回路領域と、常時第２電源電圧が供給される第２回路領域とを有し、
前記システムコントローラは前記第２回路領域に形成される請求項３記載の半導体集積回路。
【請求項５】
前記第１回路領域に対する第２電源電圧の供給と供給停止を制御する内部電源スイッチコントローラを前記第２回路領域に有し、
前記システムコントローラは前記パワーオンリセット回路からの初期設定動作の指示に応答するとき、前記第１回路領域に第２電源電圧を供給するように前記内部電源スイッチコントローラを初期設定する請求項４記載の半導体集積回路。
【請求項６】
前記内部回路は中央処理装置とその周辺回路を有し、
前記システムコントローラは前記パワーオンリセット回路からの初期設定動作の指示に応答するとき、前記中央処理装置の内部状態を初期化すると共に周辺回路が有する所定のレジスタを初期値に設定する請求項５記載の半導体集積回路。
【請求項７】
外部端子、外部入出力バッファ回路、電源検出回路、パワーオンリセット回路、及び内部回路を有する半導体集積回路であって、
前記電源検出回路は外部から供給される電源電圧が所定の状態になったことを示す電源電圧検出信号を出力し、
前記パワーオンリセット回路は、前記電源電圧検出信号を入力し、所定のタイミングで前記内部回路の初期設定動作を指示し、前記初期設定動作を指示するまで、所定の回路ノードの初期状態を保障する信号を出力し、前記内部回路の初期設定動作の完了に応答して、前記外部入出力バッファ回路を入出力動作可能な状態にする半導体集積回路。
【請求項８】
前記外部入出力バッファ回路は、前記内部回路の初期設定動作の完了に応答して、ハイレベル出力、ローレベル出力、または高インピーダンス状態の何れか所定の初期状態から入出力動作可能な状態に制御される請求項７記載の半導体集積回路。
【請求項９】
外部端子と、
外部入出力バッファと、
電源検出回路と、
パワーオンリセット回路と、
複数の内部回路を有する第１回路とを有する半導体集積回路であって、
前記電源検出回路は、外部から供給される電源電圧レベルが所定の状態に達したことを示す供給電源検出信号を出力し、
前記パワーオンリセット回路は、前記供給電源検出信号を入力し、所定のタイミングで少なくとも前記内部回路の一つの初期設定動作を指示し、前記一つの内部回路の初期設定動作の完了に応じて、前記外部入出力バッファ回路のハイレベル出力、ローレベル出力、高インピーダンス出力の何れかの所定の初期状態から入出力動作可能な状態に設定し、
前記パワーオンリセット回路は、前記初期設定動作が少なくとも一つの内部回路に指示されるまで、所定の回路ノードの初期状態を保障するための信号を出力し、
前記外部入出力バッファ回路と、前記電源検出回路と、前記パワーオンリセット回路とは第１電源レベルが供給され、前記少なくとも一つの内部回路は第２電源レベルが供給され、
前記電源検出回路は、前記第１電源レベルの供給を検出するための第１回路と、前記第２電源レベルに達したことを検出する第２回路と、前記第１回路による前記第１電源レベルの検出結果と前記第２回路による前記第２電源レベルの検出結果とに応じて前記供給電源検出信号とする半導体集積回路。
【請求項１０】
前記電源検出回路は、前記第１電源レベル及び前記第２電源レベルの供給を検出した後に、前記第２回路による第２電源レベルの供給の停止を検出すると、前記外部入出力バッファ回路は、動作状態からハイレベル出力、ローレベル出力、高インピーダンスの何れかの所定の状態へ変更される請求項９記載の半導体集積回路。
【請求項１１】
さらに、システム制御回路を有する第２回路領域を有し、
前記システム制御回路は、少なくとも一つの内部回路の初期設定動作の指示を入力し、外部クロック信号を入力し、前記入力されたクロック信号に同期して前記少なくとも一つの内部回路の初期設定動作を制御し、前記初期設定動作が完了したとき初期設定完了信号を前記パワーオンリセット回路へ出力する請求項１０記載の半導体集積回路。
【請求項１２】
前記第１回路領域に対する第２電源レベルの供給は、前記第２電源レベルが前記電源供給端子に供給されている状態で、選択的に停止可能で、
前記第２回路領域への前記第２電源レベルの供給は常時供給され、
前記システム制御回路は前記第２回路領域に配置される請求項１１記載の半導体集積回路。
【請求項１３】
前記第２電源供給レベルが前記第１回路領域に供給するかを制御するための内部電源供給切り換え制御回路を有し、
前記システム制御回路は、前記パワーオンリセット回路からの前記初期設定動作の指示に応じて、前記第２電源レベルを前記第１回路領域へ供給するために前記内部電源供給切り換え制御回路を初期設定し、
前記少なくとも一つの内部回路は、中央処理装置と、周辺回路とを有し、
前記システム制御回路は、前記パワーオンリセット回路からの前記初期設定動作の指示に応じて、前記中央処理装置の内部状態を初期化し、前記周辺回路の所定のレジスタを初期値へ設定する請求項１２記載の半導体集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月26日(2008.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワーク通信手段を介してネットワークデバイスを検出し、当該検出したネットワークデバイスに対応するデバイスドライバを自動インストールする情報処理装置であって、
接続するネットワークを特定するネットワーク環境情報と当該ネットワーク環境情報で示されるネットワークに対して前記デバイスドライバの自動インストールの可否を設定し、当該設定内容を記憶保持する設定手段と、
前記ネットワーク通信手段により接続中のネットワークが前記設定手段で設定されたネットワーク環境情報のいずれに該当するかを判断する判断手段と、
前記判断手段で該当すると判断されたネットワーク環境情報に基づく設定内容を表示する表示手段と、
前記表示手段により表示された設定内容に従い、接続中のネットワークのネットワークデバイスに対応するデバイスドライバの自動インストールの可否を切り替えるよう制御する制御手段と
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記制御手段は、接続中のネットワーク上のネットワークデバイスから発行されたネットワーク参加メッセージの、前記情報処理装置が搭載しているＯＳへの通知、或いは、前記ＯＳからネットワークデバイス検索要求メッセージのネットワークへの送信について、遮断／通過のいずれかを実行することにより、接続中のネットワークのネットワークデバイスに対応するデバイスドライバの自動インストールの可否を切り替えるよう制御することを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記ネットワーク環境情報は、ＤＨＣＰを利用する／しない、自身のＩＰアドレス、サブネットマスク、デフォルトゲートウェイアドレス、ＤＮＳサーバアドレス、ＤＨＣＰサーバアドレスを含むことを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記ネットワーク環境情報は、前記ネットワーク接続手段の種類を含むことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
更に、前記ネットワーク接続手段によって接続中のネットワークが、前記設定手段で設定・保持されたネットワーク環境情報で示されるいずれのネットワークとも異なる新規接続ネットワークであるか否かを判別する判別手段と、
該判別手段で新規接続ネットワークであると判別した場合、前記設定手段を起動する起動手段と
を備えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項６】
更に、前記設定手段で設定された設定内容を編集する編集手段を備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項７】
ネットワークデバイスのデバイスドライバの自動インストールは、ネットワークプラグアンドプレイを利用し、前記ネットワーク参加メッセージはＨｅｌｌｏメッセージ、前記ネットワークデバイス検索要求メッセージはＰｒｏｂｅメッセージであることを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記設定手段は、前記Ｈｅｌｌｏメッセージに対する応答許可／不許可、前記Ｐｒｏｂｅメッセージのネットワークへの送信許可／不許可を個別に設定することを特徴とする請求項７に記載の情報処理装置。
【請求項９】
ネットワーク通信手段を介してネットワークデバイスを検出し、当該検出したネットワークデバイスに対応するデバイスドライバを自動インストールする情報処理装置の制御方法であって、
接続するネットワークを特定するネットワーク環境情報と当該ネットワーク環境情報で示されるネットワークに対して前記デバイスドライバの自動インストールの可否を設定し、設定内容を記憶保持する設定工程と、
前記ネットワーク通信手段により接続中のネットワークが前記設定工程で設定されたネットワーク環境情報のいずれに該当するかを判断する判断工程と、
前記判断工程で該当すると判断されたネットワーク環境情報に基づく設定内容を表示する表示工程と、
前記表示工程により表示された設定内容に従い、接続中のネットワークのネットワークデバイスに対応するデバイスドライバの自動インストールの可否を切り替えるよう制御する制御工程と
を備えることを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項１０】
ネットワーク通信手段を介してネットワークデバイスを検出し、当該検出したネットワークデバイスに対応するデバイスドライバを自動インストールするコンピュータである情報処理装置が実行するコンピュータプログラムであって、
前記コンピュータを、
接続するネットワークを特定するネットワーク環境情報と当該ネットワーク環境情報で示されるネットワークに対して前記デバイスドライバの自動インストールの可否を設定し、当該設定内容を記憶保持する設定手段と、
前記ネットワーク通信手段により接続中のネットワークが前記設定手段で設定されたネットワーク環境情報のいずれに該当するかを判断する判断手段と、
前記判断手段で該当すると判断されたネットワーク環境情報に基づく設定内容を表示する表示手段と、
前記表示手段により表示された設定内容に従い、接続中のネットワークのネットワークデバイスに対応するデバイスドライバの自動インストールの可否を切り替えるよう制御する制御手段
として機能させることを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項１１】
請求項１０に記載のコンピュータプログラムを格納したことを特徴とするコンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
この課題を解決するため、例えば本発明の情報処理装置は以下の構成を備える。すなわち、
ネットワーク通信手段を介してネットワークデバイスを検出し、当該検出したネットワークデバイスに対応するデバイスドライバを自動インストールする情報処理装置であって、
接続するネットワークを特定するネットワーク環境情報と当該ネットワーク環境情報で示されるネットワークに対して前記デバイスドライバの自動インストールの可否を設定し、当該設定内容を記憶保持する設定手段と、
前記ネットワーク通信手段により接続中のネットワークが前記設定手段で設定されたネットワーク環境情報のいずれに該当するかを判断する判断手段と、
前記判断手段で該当すると判断されたネットワーク環境情報に基づく設定内容を表示する表示手段と、
前記表示手段により表示された設定内容に従い、接続中のネットワークのネットワークデバイスに対応するデバイスドライバの自動インストールの可否を切り替えるよう制御する制御手段とを備える。