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【手続補正書】
【提出日】平成20年10月10日(2008.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
従って、本発明のスパイラル型膜エレメントは、図５に示すように、分離膜１、供給側流路材２、および透過側流路材３が積層状態で、有孔の中心管５の周囲にスパイラル状に巻回された円筒状巻回体Ｒを備えると共に、供給側流体と透過側流体の混合を防ぐための封止部が設けられている。封止部には、例えば、両端封止部１１と外周側封止部１２が含まれ、また、中心管５の周囲の封止を行うために封止部１３を形成してもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
次に、図６（ｂ）に示すように、この分離膜ユニットＵの複数を積層し、有孔の中心管５の周囲にスパイラル状に巻回した後、接着剤を硬化させるなどして、封止部１１，１２，１３を形成する。その際、粘着テープをコイル状に巻き付けて、円筒状巻回体Ｒの形状を保持してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
例えばデザインラベルのように、プラスチック層２４に表示等を設ける場合、その外周面に繊維布補強樹脂層２５が設けられると、繊維布の開口度が小さいと繊維布裏側のデザインラベル界面まで樹脂が到達せず、空気層が生じ密着性が低くなるために、デザインラベルの視認性が低下する。このような場合、視認性を満足させるためにはデザインラベル上（繊維布下）において、樹脂層を設けることで密着性を上げることができる。また、開口度が大きいガラスクロス等を使用することで、樹脂が繊維布裏側のデザインラベル界面まで侵入して、密着性を上げることが可能となる。また、繊維布の開口度が大きい場合、樹脂の含浸性が良好になるため、繊維布に樹脂を塗布しなくても、繊維補強樹脂層２６を構成する樹脂を移行させて、繊維布に樹脂を含浸させることも可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月22日(2008.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】アルミニウムろう付用ペースト状組成物、それが塗布されたアルミニウム含有部材、および、それを用いたアルミニウム含有部材のろう付方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
また、特開平１０−３２３７９２号公報（特許文献２）には、Ｓｉ：１３〜４５％、Ｚｎ：６〜３５％を含み、残りがＡｌと不可避不純物からなる組成を有する平均粒径が５〜１００μｍのＡｌ−Ｓｉ−Ｚｎ三元系過共晶合金粉末と平均粒径が１〜５０μｍのＳｉ粉末とからなる混合粉末で構成されるアルミニウム合金粉末ろう材が記載されている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月17日(2008.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口した上端部を有して水溶液を収容する容器本体と、前記上端部を密閉する上蓋とを備えるピッチャーであって、
前記上蓋中に前記水溶液を注ぎ出すための開口部と、
前記開口部を開閉する開閉部分と、前記開閉部分の周囲を覆い前記容器本体を前記開閉部分で気密にするパッキン部とを有し、前記開口部で前記パッキン部を密着して前記開口部を密閉する第１状態と、前記容器本体の内部と外部とを前記開口部を介して連通する第２状態とにするピッチャー開閉手段と、を有し、
前記パッキン部は前記容器本体を気密に保持する材料で形成されており、
前記ピッチャー開閉手段は、
第１方向からの力を受ける第１受力部を有し、前記第１受力部が力を受けると前記開口部を前記第１状態から前記第２状態に変化するように前記開閉部分を回転移動する移動方向変更部と、
前記第１方向と異なる第２方向からの力を受ける第２受力部を有し、前記第２受力部が力を受けると前記開口部を前記第１状態から前記第２状態に変化するように前記開閉部分を回転移動する連結部と、
前記開閉部分と結合するバネ部であって、前記第２方向の反対方向から前記開閉部分に力を印加し前記パッキン部を前記開口部に押しつけて前記開口部を密閉するバネ部と、
を有することを特徴とするピッチャー。
【請求項２】
前記材料は耐蝕性材料であることを特徴とする請求項１に記載のピッチャー。
【請求項３】
前記耐蝕性材料は、三元フッ素ゴムを含むフッ素樹脂であることを特徴とする請求項２に記載のピッチャー。
【請求項４】
前記水溶液は次亜塩素酸を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のピッチャー。
【請求項５】
開口した上端部を有し、請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のピッチャーを前記開口部が前記ピッチャーの下方向に位置する状態で保持する電解槽と、
前記電解槽の下方向に配置され、前記開口部が前記ピッチャーの上方向に位置する状態で前記ピッチャーを収容する収容部と、
を有することを特徴とする電解水生成装置。
【請求項６】
前記電解槽は、陽極部および陰極部と、前記陽極部および陰極部の各底部に配置された電解水取出口と、を有し、
前記電解水取出口に配置された開閉弁と、
前記開閉弁に接続される第１端部と前記第１端部と反対側の第２端部とを有し、前記第１端部と第２端部間の長さが変更可能な多段中空パイプと、
前記第１端部に接続された第１シャフトと前記第２端部に接続された第２シャフトとを有し、前記第１シャフトと前記第２シャフトとの距離を変えることにより前記多段中空パイプの前記長さを変更する駆動制御手段と、
を更に有し、
前記電解水取出口の垂直下方に前記ピッチャー開閉手段が配置され、
前記駆動制御部により前記多段中空パイプの前記長さが伸ばされると、前記開閉弁が前記電解水取出口の上方向に移動して前記電解水取出口を開くとともに前記多段中空パイプの第２端部が垂直下方に移動して前記ピッチャー開閉手段を開くことを特徴とする請求項５に記載の電解水生成装置。
【請求項７】
前記ピッチャーを前記電解槽の陽極部で生成した次亜塩素酸を含む強電解水の収容容器として使用することを特徴とする請求項６に記載の電解水生成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するための本発明のピッチャーは、以下の構成を有する。すなわち、開口した上端部を有して水溶液を収容する容器本体と、前記上端部を密閉する上蓋とを備えるピッチャーであって、前記上蓋中に前記水溶液を注ぎ出すための開口部と、前記開口部を開閉する開閉部分と、前記開閉部分の周囲を覆い前記容器本体を前記開閉部分で気密にするパッキン部とを有し、前記開口部で前記パッキン部を密着して前記開口部を密閉する第１状態と、前記容器本体の内部と外部とを前記開口部を介して連通する第２状態とにするピッチャー開閉手段と、を有し、前記パッキン部は前記容器本体を気密に保持する材料で形成されており、前記ピッチャー開閉手段は、第１方向からの力を受ける第１受力部を有し、前記第１受力部が力を受けると前記開口部を前記第１状態から前記第２状態に変化するように前記開閉部分を回転移動する移動方向変更部と、前記第１方向と異なる第２方向からの力を受ける第２受力部を有し、前記第２受力部が力を受けると前記開口部を前記第１状態から前記第２状態に変化するように前記開閉部分を回転移動する連結部と、前記開閉部分と結合するバネ部であって、前記第２方向の反対方向から前記開閉部分に力を印加し前記パッキン部を前記開口部に押しつけて前記開口部を密閉するバネ部と、を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月7日(2008.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置、電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素、複数のスイッチ及び駆動回路を有し、
前記複数の画素はそれぞれ、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、画素電極及び検査容量を有し、
前記第１のトランジスタは、ゲートはゲート線に、ソース又はドレインの一方はソース線に、ソース又はドレインの他方は前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第２のトランジスタは、ソース又はドレインの一方は前記画素電極に、ソース又はドレインの他方は電源供給線に電気的に接続され、
前記検査容量は、一端は前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に、他方は配線に電気的に接続され、
前記電源供給線は、前記複数のスイッチのいずれか一つを介して、前記駆動回路に電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
複数の画素、複数のスイッチ及び駆動回路を有し、
前記複数の画素はそれぞれ、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、画素電極及び検査容量を有し、
前記第１のトランジスタは、ゲートはゲート線に、ソース又はドレインの一方はソース線に、ソース又はドレインの他方は前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第２のトランジスタは、ソース又はドレインの一方は前記画素電極に、ソース又はドレインの他方は電源供給線に電気的に接続され、
前記検査容量は、一端は前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に、他方は配線に電気的に接続され、
前記電源供給線は、前記複数のスイッチのいずれか一つを介して、前記駆動回路に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタをオンにし、前記電源供給線の第１の電位を前記検査容量の一端に伝達することにより、前記検査容量を充電し、
前記第２のトランジスタをオフにし、前記電源供給線の電位を前記第１の電位とは異なる第２の電位にし、
前記第２のトランジスタをオンにし、前記電源供給線の電位を検査することにより、前記第２のトランジスタを検査することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記画素は保持容量を有し、
前記保持容量は、一端が前記第２のトランジスタのゲートに、他端が前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記画素はＥＬ素子を有し、
前記ＥＬ素子は、前記画素電極、ＥＬ層及び対向電極を有することを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記配線は前記ゲート線であることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記検査容量の容量値は、０．０５ｐＦ〜１ｐＦであることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記複数の画素、前記複数のスイッチ及び前記駆動回路は、同一の基板上に設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の前記表示装置を用いた電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月20日(2008.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オーディオ信号を符号化する方法において、
（ａ）オーディオ信号を複数の周波数帯域信号に分割するステップを含み、１又はそれ以上の前記周波数帯域信号は、与えられたしきい値周波数より低い周波数成分を含む低周波数帯域信号であり、そして１又はそれ以上の前記周波数帯域信号は、該与えられたしきい値周波数より高い周波数成分を含む高周波数帯域信号であり、さらに、
（ｂ）前記低周波数帯域信号を表す波形に含まれる位相情報の少なくとも一部を保存するように前記低周波数帯域信号の少なくとも１つを符号化するステップと、
（ｃ）前記高周波数帯域信号の少なくとも１つに対して、対応する臨界帯域エンベロープ信号を生成するステップとを有し、対応する臨界帯域エンベロープ信号は、対応する前記高周波数帯域信号を表す波形のエンベロープの少なくとも一部を表すが前記対応する高周波数帯域信号を表す波形に関連する位相情報を実質的に含まないものであり、さらに、
（ｄ）対応する臨界帯域エンベロープ信号を符号化することによって前記高周波数帯域信号の少なくとも一部を符号化するステップとを有することを特徴とする、オーディオ信号を符号化する方法。
【請求項２】
前記分割するステップは、ガンマトーンフィルタを用いて実行されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
臨界帯域エンベロープ信号の各々をローパスフィルタリングするステップをさらに有し、
前記高周波数帯域信号の少なくとも一部を符号化するステップは、対応するフィルタリングされた臨界帯域エンベロープ信号を符号化することを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
符号化された高周波数帯域信号の第１の真部分集合からなる第１符号化ビットストリームと、符号化された高周波数帯域信号の第２の真部分集合からなる第２符号化ビットストリームとを生成するステップをさらに有し、
前記第１と第２の真部分集合は、互いに素であり、そしてともに前記高周波数帯域信号のすべてを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記高周波数帯域信号を周波数増大順に並べた場合、前記第１および第２の真部分集合は、１つおきの高周波数帯域信号を含むことを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項６】
（ａ）オーディオ信号を複数の周波数帯域信号とに分割するステップであって、１又はそれ以上の前記周波数帯域信号が、与えられたしきい値周波数より低い周波数成分を含む低周波数帯域信号であり、そして１又はそれ以上の前記周波数帯域信号が、与えられたしきい値周波数より高い周波数成分を含む高周波数帯域信号である、前記分割するステップと、（ｂ）前記低周波数帯域信号を表す波形に含まれる位相情報の少なくとも一部を保存するように前記低周波数帯域信号の少なくとも１つを符号化するステップと、（ｃ）前記高周波数帯域信号の少なくとも１つに対して、対応する臨界帯域エンベロープ信号を生成するステップであって、対応する臨界帯域エンベロープ信号は、対応する前記高周波数帯域信号を表す波形のエンベロープの少なくとも一部を表すが前記対応する高周波数帯域信号を表す波形に関連する位相情報を実質的に含まない、前記生成するステップと、（ｄ）対応する臨界帯域エンベロープ信号を符号化することによって前記高周波数帯域信号の少なくとも一部を符号化するステップ、
を実行することによって符号化されたオーディオ信号を復号する方法であって、
（ｉ）前記符号化された低周波数帯域信号の各々を復号して、対応する前記低周波数帯域信号を表す再構成波形を生成するステップと、
（ｉｉ）前記符号化された高周波数帯域信号の各々を復号して、対応する前記高周波数帯域信号に対応する再構成臨界帯域エンベロープ信号を生成するステップと、
（ｉｉｉ）前記再構成臨界帯域エンベロープ信号の各々を、対応するキャリア波形と結合して、対応する高周波数帯域信号を表す再構成波形を生成するステップと、
（ｉｖ）前記対応する低周波数帯域信号を表す再構成波形の各々と前記対応する高周波数帯域信号を表す再構成波形の各々とを結合して、符号化されたオーディオ信号を表す再構成波形を生成するステップとを有することを特徴とする、オーディオ信号を復号する方法。
【請求項７】
前記オーディオ信号の符号化は、符号化された高周波数帯域信号の第１の真部分集合からなる第１符号化ビットストリームと、符号化された高周波数帯域信号の第２の真部分集合からなる第２符号化ビットストリームとを生成するステップを実行することをさらに含み、
前記第１と第２の真部分集合は、互いに素であり、そしてともに前記高周波数帯域信号のすべてを含み、
前記復号する方法は、前記第１符号化ビットストリームと前記第２符号化ビットストリームのそれぞれに対して独立に実行されることにより、第１再構成波形および第２再構成波形を生成し、それぞれの再構成波形は、符号化されたオーディオ信号を表すことを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記高周波数帯域信号を表す再構成波形を生成するステップは、それぞれのキャリア波形を、対応する再構成臨界帯域エンベロープ信号で変調することを含むことを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項９】
それぞれのキャリア波形は、対応する固定周波数の余弦波系を有することを特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１０】
高周波数帯域信号を表すそれぞれの再構成波形を、対応するノイズ信号と結合するステップをさらに有することを特徴とする請求項６記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月21日(2008.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】    【請求項１】  ２以上の一連の選択器基材の１セットを備え、  前記選択器基材のそれぞれは、唯一のキャラクターアイコンと前記キャラクターアイコンに関連した名前の中にある文字または文字列とを表す印をそれぞれ含む３以上のキャラクター領域を有し、前記キャラクターアイコンと文字または文字列とは、前記キャラクターの名前に用いられている前記文字または文字列の発音の一つを表し且つ前記文字または文字列の他の可能な発音を表していないグラフィカルユニットを形成し、  前記２以上の一連の選択器基材の１セットの内の第１の選択器基材は、前記第１の選択器基材にある前記キャラクターアイコンの前記キャラクターの名前のそれぞれを綴るために必要なすべての文字または文字列を含み、前記第１の選択器基材にある前記キャラクターアイコンと文字または文字列とによって形成された前記グラフィカルユニットは、前記第１の選択器基材にある前記キャラクターアイコンの前記キャラクターの名前のそれぞれを正しく発音するために必要なすべての発音を示し、  前記２以上の一連の選択器基材の１セットの内の第１の選択器基材を、前記２以上の一連の選択器基材の１セットの内の他の選択器基材と順次組み合わせることにより、前記順次組み合わせられた選択器基材が、前記順次組み合わせられた選択器基材にある前記キャラクターアイコンの前記キャラクターの名前のそれぞれを綴るために必要なすべての文字または文字列を含むようにすることが可能であり、前記順次組み合わせられた選択器基材にある前記キャラクターアイコンと文字または文字列とによって形成された前記グラフィカルユニットは、前記順次組み合わせられた選択器基材にある前記キャラクターアイコンの前記キャラクターの名前のそれぞれを正しく発音するために必要なすべての発音を示している、  言語学習システム。    【請求項２】  可能な発音が一つのみである文字または文字列のそれぞれは、唯一のキャラクターアイコンの一つと一組にされるために、前記選択器基材にある一つのキャラクター領域内の印として表され、  可能な発音が一つより多い文字または文字列のそれぞれは、前記選択器基材にある複数のキャラクター領域内の印として現れ、各キャラクター領域内において、当該文字または文字列のそれぞれは、それぞれの発音のための異なるキャラクターアイコンと一組にされており、  これにより、唯一のキャラクターアイコンと一組にされた文字または文字列のそれぞれが、当該文字または文字列の唯一の発音を表すグラフィカルユニットを形成する、  請求項１に記載の言語学習システム。    【請求項３】  前記選択器基材は目標物の名前を綴るために調整可能である、請求項１に記載の言語学習システム。    【請求項４】  前記キャラクターアイコンと前記文字または文字列とは本体と取り外し可能に取り付けられている、請求項１に記載の言語学習システム。    【請求項５】  前記キャラクター領域は、前記文字または文字列から離れており、当該文字または文字列の発音を示す発音記号を表す印を含んでいる、請求項１に記載の言語学習システム。    【請求項６】  前記選択器基材には、当該選択器基材の選択されたキャラクター、選択された発音記号、及び選択された文���または文字列の少なくとも一つをユーザに対して表示できるように構成されている選択枠が連結されている、請求項１に記載の言語学習システム。    【請求項７】  前記選択器基材は本体に取り付けられている、請求項１に記載の言語学習システム。    【請求項８】  前記選択器基材は目標物の名前を綴るために調整可能である、請求項７に記載の言語学習システム。    【請求項９】  前記本体は、目標物を表示するように構成された目標窓を備えている、請求項７に記載の言語学習システム。    【請求項１０】  前記本体は、前記選択器基材の選択されたキャラクター、選択された発音記号、及び選択された文字または文字列の少なくとも一つをユーザに対して表示できるように構成された選択枠を備えている、請求項７に記載の言語学習システム。    【請求項１１】  前記選択器基材は前記目標物の名前を綴るために前記本体から取り外すことが可能である、請求項７に記載の言語学習システム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月1日(2008.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  スパッタにて基板上に成膜する際、スパッタ面を成膜される基板に対面しない位置に配置して行なう薄膜作成法において、
前記ターゲットはリング状であって、プラズマ中の荷電粒子の軌道を軌道制御手段によって制御することにより、前記基板に入射する荷電粒子のそれぞれの量及びエネルギーを制御して成膜することを特徴とする、薄膜作成方法。
【請求項２】  前記軌道制御手段は、正または負の電場もしくは、アース電位をかけることができる導体または半導体からなる電極である、請求項１記載の薄膜作成方法。
【請求項３】  前記軌道制御手段は、磁場を用いた機構である、請求項１記載の薄膜作成方法。
【請求項４】  成膜される膜は、弗化物を主原料とするものである、請求項１から３のいずれか１項記載の薄膜作成方法。
【請求項５】  前記弗化物は、弗化マグネシウム（ＭｇＦ2）である、請求項４記載の薄膜作成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の薄膜作成法は、スパッタにて基板上に成膜する際、スパッタ面を成膜される基板に対面しない位置に配置して行なう薄膜作成法において、ターゲットはリング状であって、プラズマ中の荷電粒子の軌道を軌道制御手段によって制御することにより、基板に入射する荷電粒子のそれぞれの量及びエネルギーを制御して成膜することを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月22日(2008.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】スパッタリングターゲットとその製造方法、およびそれを用いたＴｉ−Ａｌ−Ｎ膜と電子部品
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  Ａｌを5〜50原子％の範囲で含有するＴｉ−Ａｌ合金からなるスパッタリングターゲットであって、
前記ターゲットの酸素含有量が500ppm以下、窒素含有量が50ppm以下、および炭素含有量が100ppm以下であり、かつターゲット全体としての前記酸素含有量、窒素含有量および炭素含有量のばらつきがそれぞれ20％以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】 請求項１記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記Ｔｉ−Ａｌ合金の平均結晶粒径が10mm以下であり、かつターゲット全体としての前記平均結晶粒径のばらつきが20％以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項３】  請求項１または請求項２記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットのＭｇ含有量が50ppm以下、Ｍｎ含有量が50ppm以下、およびＳｉ含有量が100ppm以下であり、かつターゲット全体としての前記Ｍｇ含有量、Ｍｎ含有量およびＳｉ含有量のばらつきがそれぞれ20％以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項４】  請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットは前記Ｔｉ−Ａｌ合金の焼結材を具備することを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項５】  Ａｌを5〜50原子％の範囲で含有するＴｉ−Ａｌ合金からなるスパッタリングターゲットであって、
前記ターゲットのＺｒ含有量およびＨｆ含有量がそれぞれ100ppb以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項６】  請求項５記載のスパッタリングターゲットにおいて、
ターゲット全体としての前記Ｚｒ含有量およびＨｆ含有量のばらつきがそれぞれ20％以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項７】  Ａｌを5〜50原子％の範囲で含有するＴｉ−Ａｌ合金からなるスパッタリングターゲットであって、
前記ターゲットのＣｕ含有量が10ppm以下、およびＡｇ含有量が1ppm以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項８】  請求項７記載のスパッタリングターゲットにおいて、
ターゲット全体としての前記Ｃｕ含有量およびＡｇ含有量のばらつきがそれぞれ30％以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項９】  請求項５ないし請求項８のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットは前記Ｔｉ−Ａｌ合金の溶解材を具備することを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項１０】  請求項１ないし請求項９のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲットはバッキングプレートと接合されていることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項１１】  Ｔｉ材とＡｌ材を真空溶解法により溶解してＴｉ−Ａｌ母合金を作製する工程と、
前記Ｔｉ−Ａｌ母合金を回転電極法により粉体化する工程と、
前記Ｔｉ−Ａｌ合金粉末を焼結してターゲット素材を作製する工程と、
前記ターゲット素材を所望のターゲット形状に加工する工程と
を具備することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項１２】  請求項１ないし請求項１０のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴とするＴｉ−Ａｌ−Ｎ膜。
【請求項１３】  請求項１２記載のＴｉ−Ａｌ−Ｎ膜において、
拡散防止層であることを特徴とするＴｉ−Ａｌ−Ｎ膜。
【請求項１４】  請求項１２または請求項１３記載のＴｉ−Ａｌ−Ｎ膜を具備することを特徴とする電子部品。
【請求項１５】  請求項１４記載の電子部品において、
半導体メモリであることを特徴とする電子部品。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板などに対する拡散防止層の形成に好適なスパッタリングターゲットとその製造方法、およびそれを用いたＴｉ−Ａｌ−Ｎ膜と電子部品に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月18日(2008.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
実施例１
（ポリアミドイミドの合成）
温度計、攪拌機、コンデンサー、原料投入口、および窒素ガス導入口を備えた３００ｍｌの四つ口フラスコに、５．００１ｇのＤＰＭ、６．８２８ｇの４ＣＢ１Ｂ、および１００．０ｇの脱水ＮＭＰを入れ、乾燥窒素気流下に攪拌して溶解した。溶液を５℃に冷却し、ＴＭＡを８．１７１ｇ添加して２５℃で４時間反応させた。その後、ピリジン１５．３４ｇを加えて、さらに２５℃で１５時間反応させ、粘調なポリアミドアミド酸溶液を合成した。これに６４．６６ｇの脱水ＮＭＰと２７．７４ｇの無水酢酸を順次加え、５０℃で３時間反応させた。そして、得られた反応容液を多量のメタノ−ル中に投入し、析出したポリマーを濾別した。得られたポリマーを再度ＮＭＰに溶解した後、純水から再沈殿させて濾別し、減圧乾燥して１６．５ｇのポリアミドイミドを得た。このポリアミドイミドをＰＡＩ−１とする。
カルボン酸類およびジアミノ化合物の種類と組成を変えた以外は同様の条件で操作して、ＰＡＩ−２〜ＰＡＩ−８のポリアミドイミドを合成した。得られたポリアミドイミドの原料組成を表２２に示した。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月6日(2007.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、上述の如き課題を解決しようとするものであって、治具をワークとともに加熱炉内に挿入した場合に、治具に熱歪みによる変形を生じさせる事がないか、少なくする事によって、治具の使用期間を従来品に比較して著しく長期化しようとするものである。また、治具の構成肉厚等を薄くし重量を軽く形成する事によって、作業者の作業性を向上するばかりでなく、炉内に於ける熱吸収量を少なくして、効率的なワークの熱処理を可能にすると共に熱処理装置の小型化に伴うイニシャルコストの低下とランニングコストの低下を、同時に可能にしようとするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月12日(2007.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】両親媒性または水溶性のポリマーと、ヘムオキシゲナーゼ阻害活性を有する金属プロトポルフィリン誘導体が、アミド結合を介して結合されている金属ポルフィリン誘導体を有効成分とする抗腫瘍剤。
【請求項２】金属プロトポルフィリン誘導体が下記式(A)で示される金属ポルフィリン誘導体であることを特徴とする抗腫瘍剤。
【化１】
2003073273.tif 000001
（式中Ｒは両親媒性または水溶性のポリマー残基、Ｍｅは金属を表す。）
【請求項３】  両親媒性または水溶性のポリマーがポリエチレングリコールまたはスチレン・マレイン酸共重合体（ＳＭＡ）であることを特徴とする請求項１または２に記載の抗腫瘍剤
【請求項４】  金属が亜鉛であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の抗腫瘍剤。
【請求項５】  下記式(A)で示される両親媒性または水溶性のポリマーに結合したヘムオキシゲナーゼ阻害活性を有する金属ポルフィリン誘導体。
【化２】
2003073273.tif 000002
（式中Ｒは両親媒性または水溶性のポリマー残基、Ｍｅは金属を表す。）
【請求項６】  プロトポルフィリンIXにエチレンジアミンを付加させ、次いで活性化ポリエチレングリコールを加えてポルフィリンにポリエチレングリコール鎖を導入した後、金属塩を加えてポルフィリン環に金属を導入することを特徴とする請求項５記載の金属ポルフィリン誘導体の製造方法。
【請求項７】  下記(a)〜(d)の工程からなる請求項６記載の金属ポルフィリン誘導体の製造方法。
(a)：式(1)のプロトポルフィリンをエチルクロロフォーメイトで活性化し、式(2)の活性化プロトポルフィリンを得る。
(b)：式(2)の化合物にエチレンジアミンを加え、式(3)のプロトポルフィリンを得る。
(c)：式(3)のプロトポルフィリンに活性化ポリエチレングリコールを加えて式(4)の化合物を得る。
(d)：式(4)の化合物に酢酸亜鉛を加えて式(5)の化合物を得る。
【化３】
2003073273.tif 000003
【化４】
2003073273.tif 000004
【化５】
2003073273.tif 000005
【化６】
2003073273.tif 000006
【化７】
2003073273.tif 000007
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
即ち本発明は、両親媒性または水溶性のポリマーにアミド結合を介して結合したヘムオキシゲナーゼ阻害活性を有する金属プロトポルフィリン誘導体、特にＺｎ−プロトポルフィリン（ZnPP）を有効成分とする抗腫瘍剤である。また本発明は、両親媒性または水溶性のポリマーとヘムオキシゲナーゼ阻害活性を有する金属ポルフィリン誘導体がアミド結合を介して結合した、抗腫瘍剤の成分として有用な新規化合物、及びその製造方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
両親媒性または水溶性のポリマーと金属ポルフィリン誘導体との結合は、ポリマーとの結合を容易にするため、アミド結合を介して間接的に結合させる。金属ポルフィリン誘導体としてZnPPを例にとると、プロトポルフィリンは２個のカルボキシル基を有しているが、プロトポルフィリン分子中のカルボキシル基は反応性が弱いので、直接結合によるポリマー付加は有利な方法ではない。発明者らはこの点について検討した結果、式(A)に示すジアミン構造を介してＰＥＧが付加したZnPP（式(5)）を合成することに成功した。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月29日(2008.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
【表３−１】
2003073988.tif 000001
※  １：ポリプロピレン（グランドポリマー製  Ｊ７０７）
※  ２：生分解性樹脂（三井化学製  レイシアH-100PL）
※  ３：マレイン酸変性ＰＰ（三洋化成製  ユーメックス１０１０）
※  ４：イルガノックス１０１０（チバガイギー製）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
【表３−２】
2003073988.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月16日(2008.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクリルエマルジョンであるＡ液と、水分散性ポリイソシアネートを必須とするＢ液との組み合わせからなり、
前記Ａ液は、水酸基を有する重合性不飽和単量体を５〜３０重量％、シクロアルキル基を有する重合性不飽和単量体を５〜９０重量部それぞれ含むとともに、グリシジル基を有する重合性不飽和単量体、イソシアネート基を有する重合性不飽和単量体および下記一般式（１）で表されるアルコキシシリル基を有する重合性不飽和単量体からなる群より選ばれる少なくとも１つをさらに含む単量体混合物を重合してなる共重合体をその樹脂成分として含有し、かつ、
前記Ａ液とＢ液の配合割合が、前記水酸基を有する重合性不飽和単量体の水酸基に対する前記水分散性ポリイソシアネートのイソシアネート基の当量比が０．５〜２．５となる配合割合である、
水系コーティング組成物。
（Ｒ１）ｎ−Ｓｉ−（Ｒ２）４−ｎ      （１）
（ただし、式（１）中、Ｒ１はラジカル重合性基を表し、Ｒ２は水素原子ハロゲン原子、アルコキシ基、アシロキシ基、フェノキシ基、アリールオキシ基、メルカプト基、アミノ基、アミド基、アミノオキシ基、イミノオキシ基およびアルケニルオキシ基からなる群より選ばれる少なくとも１つを表し、ｎは１から３までの整数であるとする。）
【請求項２】
前記単量体混合物が、グリシジル基を有する重合性不飽和単量体を含む混合物である、請求項１に記載の水系コーティング組成物。
【請求項３】
前記単量体混合物が、紫外線安定性の重合性不飽和単量体および／または紫外線吸収性の重合性不飽和単量体をさらに含む混合物である、請求項１または２に記載の水系コーティング組成物。
【請求項４】
前記Ａ液はアンモニアおよび／または３級アミン化合物によりｐＨが５〜１０に中和されている、請求項１から３までのいずれかに記載の水系コーティング組成物。
【請求項５】
塗料組成物である、請求項１から４までのいずれかに記載の水系コーティング組成物。
【請求項６】
建築外装塗替え用塗料組成物である、請求項５に記載の水系コーティング塗料組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
すなわち、本発明にかかる水系コーティング組成物は、アクリルエマルジョンであるＡ液と、水分散性ポリイソシアネートを必須とするＢ液との組み合わせからなり、前記Ａ液は、水酸基を有する重合性不飽和単量体を５〜３０重量％、シクロアルキル基を有する重合性不飽和単量体を５〜９０重量部それぞれ含むとともに、グリシジル基を有する重合性不飽和単量体、イソシアネート基を有する重合性不飽和単量体および下記一般式（１）で表されるアルコキシシリル基を有する重合性不飽和単量体からなる群より選ばれる少なくとも１つをさらに含む単量体混合物を重合してなる共重合体をその樹脂成分として含有し、かつ、前記Ａ液とＢ液の配合割合が、前記水酸基を有する重合性不飽和単量体の水酸基に対する前記水分散性ポリイソシアネートのイソシアネート基の当量比が０．５〜２．５となる配合割合である。
（Ｒ１）ｎ−Ｓｉ−（Ｒ２）４−ｎ      （１）
（ただし、式（１）中、Ｒ１はラジカル重合性基を表し、Ｒ２は水素原子ハロゲン原子、アルコキシ基、アシロキシ基、フェノキシ基、アリールオキシ基、メルカプト基、アミノ基、アミド基、アミノオキシ基、イミノオキシ基およびアルケニルオキシ基からなる群より選ばれる少なくとも１つを表し、ｎは１から３までの整数であるとする。）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【発明の実施形態】
本発明の水系コーティング組成物は、アクリルエマルジョンであるＡ液と、水分散性ポリイソシアネートを必須に含むＢ液とを組み合わせてなるものであるので、以下では、これらＡ液とＢ液についての詳細をまず具体的に説明し、そののち、これらの組み合わせなどについても詳細に説明する。
〔アクリルエマルジョンであるＡ液〕
Ａ液は、水酸基を有する重合性不飽和単量体とシクロアルキル基を有する重合性不飽和単量体とを含むとともに、グリシジル基を有する重合性不飽和単量体、イソシアネート基を有する重合性不飽和単量体およびアルコキシシリル基を有する重合性不飽和単量体からなる群より選ばれる少なくとも１つさらに含む単量体混合物を重合してなる共重合体を樹脂成分とする、水系エマルジョンである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
シクロアルキル基を有する重合性不飽和単量体は、Ａ液の樹脂成分である共重合体を生成させる単量体混合物中に、その全体に対して５〜９０重量％含むことが必要であり、好ましくは１０〜７０重量％、より好ましくは３０〜６０重量％含むことである。上記含有量が５重量％未満の場合は、エマルジョンの低粘度化が不十分となり、９０重量％を超える場合は、重合安定性が低下しエマルジョンの貯蔵安定性が不良となる。
Ａ液たるアクリルエマルジョンの樹脂成分である共重合体を生成させる単量体混合物は、グリシジル基を有する重合性不飽和単量体、イソシアネート基を有する重合性不飽和単量体およびアルコキシシリル基を有する重合性不飽和単量体からなる群より選ばれる少なくとも１種の重合性不飽和単量体をさらに含む。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記イソシアネート基を有する重合性不飽和単量体としては、特に限定されるわけではないが、具体的には、例えば、２−メタクロイルオキシエチルイソシアネート（商品名カレンズＭＯＩ、昭和電工（株）製）、メタクロイルイソシアネート（商品名ＭＡＩ、日本ペイント（株）製）、ｍ−イソプロペニル−α、αジメチルベンジルイソシアネート（商品名ｍ−ＴＭＩ、武田薬品工業（株）製）などのイソシアネート基を有する重合性不飽和単量体類を挙げることができる。
上記アルコキシシリル基を有する重合性不飽和単量体は、下記一般式（１）：
（Ｒ１）ｎ−Ｓｉ−（Ｒ２）４−ｎ      （１）
（ただし、式（１）中、Ｒ１はラジカル重合性基を表し、Ｒ２は水素原子ハロゲン原子、アルコキシ基、アシロキシ基、フェノキシ基、アリールオキシ基、メルカプト基、アミノ基、アミド基、アミノオキシ基、イミノオキシ基およびアルケニルオキシ基からなる群より選ばれる少なくとも１つを表し、ｎは１から３までの整数であるとする。）
で表されるアルコキシシリル基を有する重合性不飽和単量体である。上記Ｒ１としてのラジカル重合性基としては、特に限定はされないが、例えば、アリル基、ビニル基、アクリロキシアルキル基、メタクリロキシアルキル基などから選ばれる少なくとも１つを挙げることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月3日(2008.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
従来のワイヤ繰出量算出装置11は、図６に示す如くワイヤロープ８を巻取ったウインチドラム６の回転変位を当該ウインチドラム６に取付けたロータリエンコーダ等の相対回転変位検出手段（図５参照）で検出し検出した回転変位信号をワイヤ繰出長さＳとして出力するワイヤ繰出長さ検出手段12と、初期ワイヤ繰出長さＳ0を記憶する揮発性の演算用記憶手段14（一般に、ＲＡＭが使用されている）、前記ワイヤ繰出長さ検出手段12で検出したワイヤ繰出長さＳと演算用記憶手段14に記憶した初期ワイヤ繰出長さＳ0を加算して実際のワイヤ繰出長さＳ＋Ｓ0を算出するワイヤ繰出量算出手段13とで構成されている。なお、実際のワイヤ繰出長さＳ＋Ｓ0の算出に際しワイヤ繰出長さ検出手段12で検出したワイヤ繰出長さＳに初期ワイヤ繰出長さＳ0を加算するのは、ワイヤ繰出長さ検出手段12がロータリエンコーダ等の相対回転変位検出手段で構成されており、検出信号が基準位置に対する相対的なパルス信号の積算値として出力されるため、基準位置としての初期パルス値を与えて相対値を絶対値に換算するための構成である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月28日(2008.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  画像が形成されたシートに対して処理を行うシート処理装置において、
処理を行う際、シートを積載する中間積載部と、
シート搬送方向と直交する幅方向に移動可能に設けられ、前記中間積載部に積載されたシートのシート搬送方向と直交する一側端を押圧し、シート搬送方向と直交する方向に移動させてシートを整合する整合手段と、
先行シートが既に整合されて積載されている前記中間積載部に後続シートが積載される際、先行シートを押える整合ズレ防止手段と、
を備え、
前記整合ズレ防止手段の幅方向におけるシート押え位置を、前記中間積載部にシートが積載される際のシート搬出経路より外側としたことを特徴とするシート処理装置。
【請求項２】  前記整合ズレ防止手段は、前記中間積載部に既に整合されて積載されているシートを上面より押圧する押圧部材と、前記押圧部材の押圧動作を解除する解除手段とを備え、前記中間積載部にシートが積載された後、前記解除手段を作動させることを特徴とする請求項１記載のシート処理装置。
【請求項３】  前記解除手段はソレノイドであることを特徴とする請求項２記載のシート処理装置。
【請求項４】  前記整合ズレ防止手段は、前記中間積載部のシート搬送方向上流側に位置することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のシート処理装置。
【請求項５】  前記中間積載部にシートの、シート搬送方向の整合を行う搬送方向整合手段を備えていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のシート処理装置。
【請求項６】  前記整合ズレ防止手段は前記搬送方向整合手段の整合動作と連動して押圧動作を行うことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のシート処理装置。
【請求項７】  前記搬送方向整合手段の駆動を前記整合ズレ防止手段に伝達する駆動伝達部を備えたことを特徴とする請求項６記載のシート処理装置。
【請求項８】  前記整合ズレ防止手段は前記整合手段の整合動作と連動して押圧動作を行うことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のシート処理装置。
【請求項９】  前記整合手段の駆動を前記整合ズレ防止手段に伝達する駆動伝達部を備えたことを特徴とする請求項８記載のシート処理装置。
【請求項１０】  前記中間積載部にシート処理手段を備えていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のシート処理装置。
【請求項１１】  画像形成部と、前記画像形成部により画像が形成されたシートに対して綴じ処理を行うシート処理装置を備えた画像形成装置において、
前記シート処理装置は前記請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のものであることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、画像が形成されたシートに対して処理を行うシート処理装置において、処理を行う際、シートを積載する中間積載部と、シート搬送方向と直交する幅方向に移動可能に設けられ、前記中間積載部に積載されたシートのシート搬送方向と直交する一側端を押圧し、シート搬送方向と直交する方向に移動させてシートを整合する整合手段と、先行シートが既に整合されて積載されている前記中間積載部に後続シートが積載される際、先行シートを押える整合ズレ防止手段と、を備え、前記整合ズレ防止手段の幅方向におけるシート押え位置を、前記中間積載部にシートが積載される際のシート搬出経路より外側としたことを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また本発明は、前記整合ズレ防止手段は、前記中間積載部のシート搬送方向上流側に位置することを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月26日(2008.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  水素を放出して芳香族化合物に変化する水素発生体と、上記水素と反応してその水素を貯蔵する上記芳香族化合物から成る水素貯蔵体との間における脱水素反応または水素付加反応を利用して水素の発生または貯蔵を行う水素発生・貯蔵装置であって、上記水素発生体または上記水素貯蔵体を上記脱水素反応または上記水素付加反応させるための触媒を複数の空洞内に配置した反応用部材となる蓮根状の円柱状部材を設け、上記水素発生体または上記水素貯蔵体を上記空洞内へ噴霧もしくは塗布することにより、上記脱水素反応または上記水素付加反応させることを特徴とする水素発生・貯蔵装置。
【請求項２】 前記反応用部材の外側に、前記脱水素反応または前記水素付加反応を起こさせるために前記触媒を所定の温度まで加熱する加熱装置を配置したことを特徴とする請求項１記載の水素発生・貯蔵装置。
【請求項３】  前記反応用部材の内周に、前記脱水素反応または前記水素付加反応を起こさせるために前記触媒を所定の温度まで加熱する加熱装置を配置し、前記反応用部材の外側および内側から前記触媒を加熱するように構成されたことを特徴とする請求項１または２記載の水素発生・貯蔵装置。
【請求項４】 水素を放出して芳香族化合物に変化する水素発生体と、上記水素と反応してその水素を貯蔵する上記芳香族化合物から成る水素貯蔵体との間における脱水素反応または水素付加反応を利用して水素の発生または貯蔵を行う水素発生・貯蔵装置であって、上記水素発生体または上記水素貯蔵体を上記脱水素反応または上記水素付加反応させるための触媒を複数の空洞内に配置した反応用部材となる蓮根状の円柱状部材と、この反応用部材を内部に備えた反応用容器と、水素反応前の上記水素発生体または上記水素貯蔵体を貯蔵する反応前物質用タンクと、この反応前タンクから上記水素発生体または上記水素貯蔵体を吸い上げ上記反応容器へ噴霧もしくは塗布する反応物質供給部と、上記反応用容器内の上記反応用部材で上記脱水素反応または上記水素付加反応した反応後の物質を冷却し液化する冷却器と、反応後の液化した物質を回収するための反応後物質回収用タンクとを有することを特徴とする水素発生・貯蔵装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明は、上述の水素発生・貯蔵装置において、空洞を複数有し前記反応用部材となる蓮根状の円柱状部材を備えたことを特徴としている。そのため、水素発生体または水素貯蔵体を円柱状部材の端面に噴霧等すれば、複数の空洞内に配置された触媒に触れて、脱水素反応または水素付加反応が起こるようになる。このため、触媒を備える部材を噴霧等が容易にできる簡単な構造とすることが出来、しかも反応の効率が高いものとなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、他の発明の水素発生・貯蔵装置は、水素を放出して芳香族化合物に変化する水素発生体と、水素と反応してその水素を貯蔵する芳香族化合物から成る水素貯蔵体との間における脱水素反応または水素付加反応を利用して水素の発生または貯蔵を行う水素発生・貯蔵装置であって、水素発生体または水素貯蔵体を脱水素反応または水素付加反応させるための触媒を複数の空洞内に配置した反応用部材となる蓮根状の円柱状部材と、この反応用部材を内部に備えた反応用容器と、水素反応前の水素発生体または水素貯蔵体を貯蔵する反応前物質用タンクと、この反応前タンクから水素発生体または水素貯蔵体を吸い上げ反応容器へ噴霧もしくは塗布する反応物質供給部と、反応用容器内の反応用部材で脱水素反応または水素付加反応した反応後の物質を冷却し液化する冷却器と、反応後の液化した物質を回収するための反応後物質回収用タンクとを有することを特徴としている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
水素発生・貯蔵装置１４は、反応用容器１４２内に水素発生体または水素貯蔵体を供給するための反応物質供給部１６と、触媒に触れて反応した後の物質を反応用容器１４２から回収するための反応後物質回収部１７を備えている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
触媒１４３は、図示しない加熱装置により加熱されることにより、脱水素反応または水素付加反応に適した所定の一定の温度に設定される。通常は、この温度は２５０℃から４００℃となっている。この加熱された触媒１４３に、噴霧された水素発生体または水素貯蔵体が接触すると、脱水素反応または水素付加反応が発生するようになっている。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
【表１】
2003073102.tif 000001
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
表１は、各種ケミカルハイドライドを用いた水素放出結果を示す表である。ケミカルハイドライドとしては、シクロヘキサンあるいはデカリンの他に、メチルシクロヘキサンも使用できる。また、その他の水素を含む化合物として、メタノール使用可能である。水素の発生量（＝同一重量の原料に対して発生する水素の重量）だけから判断すると、デカリン、シクロヘキサンが原料として優位性を持っている。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
しかし、水素放出後の原料の使いやすさの面からいうと、ナフタレンを生成するデカリンは、シクロヘキサンよりも劣る。ナフタレンは常温で固体となり、８０℃以上では液化せずに昇華してしまうからである。シクロヘキサンは、脱水素反応後にベンゼンとなる。ベンゼンは沸点８０．１℃であり、ほぼ同じ沸点を持つシクロヘキサンと同様に、使いやすい原料である。したがって、水素放出量と安全を含めた使用上の容易性の観点から、シクロヘキサンが最適の原料である。