【手続補正書】
【提出日】平成20年5月19日(2008.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に非晶質構造を有する第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜に金属元素を添加し、
前記金属元素が添加された第１の半導体膜を加熱処理した後、第１のレーザー光を照射して、結晶構造を有する第１の半導体膜と、前記結晶構造を有する第１の半導体膜に接する第１の酸化膜とを形成し、
前記金属元素をゲッタリングして、前記結晶構造を有する第１の半導体膜中の前記金属元素を除去または低減し、
前記第１の酸化膜を除去し、
不活性気体雰囲気または真空中で第２のレーザー光を照射して、前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面を平坦化し、
前記平坦化された第１の半導体膜に接して、非晶質構造を有する第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜に金属元素を添加し、
前記金属元素が添加された第２の半導体膜を加熱処理した後、第３のレーザー光を照射して、結晶構造を有する第２の半導体膜と、前記結晶構造を有する第２の半導体膜に接する第２の酸化膜とを形成し、
前記金属元素をゲッタリングして、前記結晶構造を有する第２の半導体膜中の前記金属元素を除去または低減し、
前記第２の酸化膜を除去し、
不活性気体雰囲気または真空中で第４のレーザー光を照射して、前記結晶構造を有する第２の半導体膜の表面を平坦化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上に非晶質構造を有する第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜に金属元素を添加し、
前記金属元素が添加された第１の半導体膜を加熱処理した後、第１のレーザー光を照射して、結晶構造を有する第１の半導体膜と、前記結晶構造を有する第１の半導体膜に接する第１の酸化膜とを形成し、
前記第１の酸化膜を除去し、
不活性気体雰囲気または真空中で第２のレーザー光を照射して、前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面を平坦化し、
前記金属元素をゲッタリングして、前記結晶構造を有する第１の半導体膜中の前記金属元素を除去または低減し、
前記金属元素が除去または低減された第１の半導体膜に接して、非晶質構造を有する第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜に前記金属元素を添加し、
前記金属元素が添加された第２の半導体膜を加熱処理した後、第３のレーザー光を照射して、結晶構造を有する第２の半導体膜と、前記結晶構造を有する第２の半導体膜に接する第２の酸化膜とを形成し、
前記第２の酸化膜を除去し、
不活性気体雰囲気または真空中で第４のレーザー光を照射して、前記結晶構造を有する第２の半導体膜の表面を平坦化し、
前記金属元素をゲッタリングして、前記結晶構造を有する第２の半導体膜中の前記金属元素を除去または低減することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面上に非晶質構造を有する第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜に金属元素を添加し、
前記金属元素が添加された第１の半導体膜を加熱処理した後、第１のレーザー光を照射して、結晶構造を有する第１の半導体膜と、前記結晶構造を有する第１の半導体膜に接する第１の酸化膜とを形成し、
前記結晶構造を有する第１の半導体膜及び前記第１の酸化膜に接して第１のバリア層を形成し、
前記第１のバリア層に接して、希ガス元素を含む第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜に前記金属元素をゲッタリングして、前記結晶構造を有する第１の半導体膜中の前記金属元素を除去または低減し、
前記第２の半導体膜を除去し、
前記第１のバリア層を除去し、
不活性気体雰囲気または真空中で第２のレーザー光を照射し、前記金属元素が除去または低減された第１の半導体膜の表面を平坦化し、
前記平坦化された第１の半導体膜に接して、非晶質構造を有する第３の半導体膜を形成し、
前記第３の半導体膜に前記金属元素を添加し、
前記金属元素が添加された第３の半導体膜を加熱処理した後、第３のレーザー光を照射して、結晶構造を有する第３の半導体膜と、前記結晶構造を有する第３の半導体膜に接する第３の酸化膜とを形成し、
前記結晶構造を有する第３の半導体膜及び前記第３の酸化膜に接して第２のバリア層を形成し、
前記第２のバリア層に接して、希ガス元素を含む第４の半導体膜を形成し、
前記第４の半導体膜に前記金属元素をゲッタリングして、前記結晶構造を有する第３の半導体膜中の前記金属元素を除去または低減し、
前記第４の半導体膜を除去し、
前記第２のバリア層を除去し、
不活性気体雰囲気または真空中で第４のレーザー光を照射し、前記金属元素が除去または低減された第３の半導体膜の表面を平坦化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面上に非晶質構造を有する第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜に金属元素を添加し、
前記金属元素が添加された第１の半導体膜を加熱処理した後、第１のレーザー光を照射し、結晶構造を有する第１の半導体膜と、前記結晶構造を有する第１の半導体膜に接する第１の酸化膜とを形成し、
前記第１の酸化膜を除去し、
不活性気体雰囲気または真空中で第２のレーザー光を照射して、前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面を平坦化し、
前記平坦化された第１の半導体膜に接して第１のバリア層を形成し、
前記第１のバリア層に接して希ガス元素を含む第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜に前記金属元素をゲッタリングして、平坦化された第１の半導体膜中の前記金属元素を除去または低減し、
前記第２の半導体膜を除去し、
前記第１のバリア層を除去し、
前記金属元素が除去または低減された第１の半導体膜に接して、非晶質構造を有する第３の半導体膜を形成し、
前記第３の半導体膜に前記金属元素を添加し、
前記金属元素が添加された第３の半導体膜を加熱処理した後、第３のレーザー光を照射し、結晶構造を有する第３の半導体膜と、前記結晶構造を有する第３の半導体膜に接する第２の酸化膜とを形成し、
前記第２の酸化膜を除去し、
不活性気体雰囲気または真空中で第４のレーザー光を照射して、前記結晶構造を有する第３の半導体膜の表面を平坦化し、
前記平坦化された第３の半導体膜に接して第２のバリア層を形成し、
前記第２のバリア層に接して希ガス元素を含む第４の半導体膜を形成し、
前記第４の半導体膜に前記金属元素をゲッタリングして、平坦化された第３の半導体膜中の前記金属元素を除去または低減し、
前記第４の半導体膜を除去し、
前記第２のバリア層を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記金属元素はＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項３または４において、前記第１のバリア層は、オゾンを含む溶液または紫外線の照射によって前記第１の半導体膜の一部を酸化することで形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項３または４において、前記第２のバリア層は、オゾンを含む溶液または紫外線の照射によって前記第３の半導体膜の一部を酸化することで形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記不活性気体雰囲気は、窒素雰囲気であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記第２のレーザー光のエネルギー密度は、前記第１のレーザー光のエネルギー密度より高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、前記第４のレーザー光のエネルギー密度は、前記第３のレーザー光のエネルギー密度より高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。