Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月20日(2008.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜集積回路の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上に剥離膜を形成し、
前記剥離膜上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に薄膜トランジスタを形成し、
熱処理により、前記薄膜トランジスタの少なくともソース領域またはドレイン領域のいずれかにシリサイド層を形成し、
レーザー照射により、前記シリサイド層を低抵抗化し、
前記絶縁膜の膜内、または前記剥離膜と前記絶縁膜の界面において、前記ガラス基板と前記剥離膜を前記薄膜トランジスタから剥離することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項２】
ガラス基板上に剥離膜を形成し、
前記剥離膜上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に薄膜トランジスタを形成し、
熱処理により、前記薄膜トランジスタの少なくともソース領域またはドレイン領域のいずれかにシリサイド層を形成し、
レーザー照射により、前記シリサイド層を低抵抗化し、
前記薄膜トランジスタ上に層間絶縁膜を形成し、
接着層を用いて支持体を前記層間絶縁膜上に貼り合わせ、
前記絶縁膜の膜内、または前記剥離膜と前記絶縁膜の界面において、前記ガラス基板と前記剥離膜を前記薄膜トランジスタから剥離することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記支持体は可撓性を有することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項４】
請求項２又は請求項３において、
前記支持体として樹脂基板を用いることを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項５】
請求項２乃至請求項４のいずれか一項において、
前記接着層は、エポキシ樹脂を用いて形成されることを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項６】
ガラス基板上に剥離膜を形成し、
前記剥離膜上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に薄膜トランジスタを形成し、
熱処理により、前記薄膜トランジスタの少なくともソース領域またはドレイン領域のいずれかにシリサイド層を形成し、
レーザー照射により、前記シリサイド層を低抵抗化し、
前記絶縁膜の膜内、または前記剥離膜と前記絶縁膜の界面において、前記ガラス基板と前記剥離膜を前記薄膜トランジスタから剥離し、
接着層を用いて転写体を前記薄膜トランジスタに貼り付けることを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記転写体は可撓性を有することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項８】
請求項６または請求項７において、
前記転写体としてプラスチック基板を用いることを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記シリサイド層を、前記薄膜トランジスタ上に金属膜を形成した後に熱処理を行うことにより形成することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項１０】
ガラス基板上に剥離膜を形成し、
前記剥離膜上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタのソース領域またはドレイン領域の上に、金属膜を選択的に形成し、
レーザー照射により、前記ソース領域または前記ドレイン領域にシリサイド層を形成し、
前記絶縁膜の膜内、または前記剥離膜と前記絶縁膜の界面において、前記ガラス基板と前記剥離膜を前記薄膜トランジスタから剥離することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記熱処理を、前記ガラス基板のガラス転移点以下の温度で行うことを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記剥離膜を、Ｔｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔから選ばれた一種または複数種の元素、または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料を用いて形成することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記金属膜を、Ｔｉ、Ｎｉ、またはＣｏを用いて形成することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記レーザーとして、エキシマレーザーまたは固体レーザーを用いることを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記薄膜トランジスタは、半導体膜と、ゲート電極と、前記半導体膜と前記ゲート電極に挟まれたゲート絶縁膜と、を有し、
前記薄膜トランジスタを形成する工程において、前記ゲート電極の側面にサイドウォールを形成することを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一項に記載の作製方法にて作製された薄膜集積回路を含むＣＰＵまたはメモリ。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一項に記載の作製方法にて作製された薄膜集積回路を含む電子カード。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一項に記載の作製方法にて作製された薄膜集積回路を含む電子機器。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
次いで、第１アニールをガラス基板のガラス転移点以下の温度で行う。本実施の形態ではＲＴＡ等を用い、基板のシュリンクが問題とならない程度の温度（６８０℃以下、好ましくは６５０℃以下）で第１アニールを行い、高抵抗なＴｉＳｉ２層１１６を形成する。アニール温度が高すぎると、シリサイド化反応が進み過ぎてシリサイドがサイドウォールを乗り越えてゲート電極とソース及びドレイン領域がショートしてしまう可能性があるので注意が必要である（図１Ｃ）。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月28日(2008.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層を形成し、
前記半導体層上に液滴吐出法にて第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて、前記半導体層をエッチングして島状の半導体層にし、
前記第１のレジストマスクを除去し、
前記島状の半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に液滴吐出法にて第１のゲート電極層を形成し、
前記第１のゲート電極層上に接して、液滴吐出法にて、前記第１のゲート電極層よりも幅の狭い第２のゲート電極層を形成し、
前記島状の半導体層中に不純物をドーピングして、前記島状の半導体層中にソース領域、２つのＬＤＤ領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を形成し、
前記第１のゲート電極層、前記第２のゲート電極層及び前記ゲート絶縁膜を覆って窒化珪素膜又は酸化珪素膜を形成し、
前記窒化珪素膜又は前記酸化珪素膜上に層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜上に第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて、前記層間絶縁膜をエッチングして、前記ソース領域及び前記ドレイン領域とのコンタクトホールを形成し、
前記第２のレジストマスクを除去し、
前記コンタクトホールに液滴吐出法にてソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記２つのＬＤＤ領域のうち、一方は前記チャネル形成領域と前記ソース領域との間に接して形成され、他方は前記チャネル形成領域と前記ドレイン領域との間に接して形成され、
前記２つのＬＤＤ領域は、前記第２のゲート電極と重なっておらず、前記第１のゲート電極層と重なっていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
半導体層を形成し、
前記半導体層上に液滴吐出法にて第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて、前記半導体層をエッチングして島状の半導体層にし、
前記第１のレジストマスクを除去し、
前記島状の半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に液滴吐出法にてゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上の中央部に、液滴吐出法にて第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて、前記ゲート電極の側部をエッチングして、テーパー状の側面を有するゲート電極層を形成し、
前記島状の半導体層に不純物を導入することにより、前記島状の半導体層中にソース領域、２つのＬＤＤ領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を形成し、
前記第２のレジストマスクを除去し、
前記ゲート電極層及び前記ゲート絶縁膜を覆って窒化珪素膜又は酸化珪素膜を形成し、
前記窒化珪素膜又は前記酸化珪素膜上に層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜上に第３のレジストマスクを形成し、
前記第３のレジストマスクを用いて、前記層間絶縁膜をエッチングして、前記ソース領域及び前記ドレイン領域とのコンタクトホールを形成し、
前記第３のレジストマスクを除去し、
前記コンタクトホールに液滴吐出法にてソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記２つのＬＤＤ領域のうち、一方は前記チャネル形成領域と前記ソース領域との間に接して形成され、他方は前記チャネル形成領域と前記ドレイン領域との間に接して形成され、
前記２つのＬＤＤ領域は、前記ゲート電極と、前記テーパー状の領域のみにおいて重なっていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
半導体層を形成し、
前記半導体層上に液滴吐出法にて第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて、前記半導体層をエッチングして島状の半導体層にし、
前記第１のレジストマスクを除去し、
前記島状の半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に液滴吐出法にてゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上の中央部に液滴吐出法にて耐熱性を有する絶縁物を形成し、
前記ゲート電極層を酸素及び窒素を含む雰囲気中で加熱することにより、前記絶縁物が形成されていない部分のゲート電極層の膜厚を薄くし、異なる膜厚を有するゲート電極層とし、
前記島状の半導体層中に不純物をドーピングして、前記島状の半導体層中にソース領域、２つのＬＤＤ領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を形成し、
前記絶縁物を除去し、
前記ゲート電極層及び前記ゲート絶縁膜を覆って窒化珪素膜又は酸化珪素膜を形成し、
前記窒化珪素膜又は前記酸化珪素膜上に層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜上に第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて、前記層間絶縁膜をエッチングして、前記ソース領域及び前記ドレイン領域とのコンタクトホールを形成し、
前記第２のレジストマスクを除去し、
前記コンタクトホールに液滴吐出法にてソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記２つのＬＤＤ領域のうち、一方は前記チャネル形成領域と前記ソース領域との間に接して形成され、他方は前記チャネル形成領域と前記ドレイン領域との間に接して形成され、
前記２つのＬＤＤ領域は、前記ゲート電極層と、前記膜厚の薄い部分のみにおいて重なっていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
半導体層を形成し、
前記半導体層上に液滴吐出法にて第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて、前記半導体層をエッチングして島状の半導体層にし、
前記第１のレジストマスクを除去し、
前記島状の半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に液滴吐出法にてゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層をマスクとして、前記島状の半導体層に不純物を導入することにより、一対の不純物領域を形成し、
前記ゲート電極層を酸素及び窒素を含む雰囲気中で加熱することにより、前記ゲート電極層の膜厚及び幅を減少させ、
前記膜厚及び幅が減少したゲート電極層をマスクとして、前記島状の半導体層に低濃度の不純物を導入することにより、前記島状の半導体層中にソース領域、２つのＬＤＤ領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を形成し、
前記ゲート電極層及び前記ゲート絶縁膜を覆って窒化珪素膜又は酸化珪素膜を形成し、
前記窒化珪素膜又は前記酸化珪素膜上に層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜上に第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて、前記層間絶縁膜をエッチングして、前記ソース領域及び前記ドレイン領域とのコンタクトホールを形成し、
前記第２のレジストマスクを除去し、
前記コンタクトホールに液滴吐出法にてソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記２つのＬＤＤ領域のうち、一方は前記チャネル形成領域と前記ソース領域との間に接して形成され、他方は前記チャネル形成領域と前記ドレイン領域との間に接して形成され、
前記２つのＬＤＤ領域は、前記ゲート電極層と重なっていないことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月30日(2007.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント回路基板であって、
基材と、
前記基材上に配置された複数のパッドとからなり、各パッドが、前記基材に固定され、前記基材の表面から突出する銀エポキシで形成されたほぼ中央にあるバンプを有し、前記銀エポキシにニッケル層と金層が順番に被覆されていることを特徴とするプリント回路基板。
【請求項２】
基材が、複数のパッドに対応する複数の孔を含み、また、各パッドの銀エポキシが、基材のそれぞれの孔内に延在することを特徴とする請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項３】
バンプが、ほぼドーム形状を有することを特徴とする請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項４】
ニッケル層が無電解ニッケルめっきであることを特徴とする請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項５】
無電解ニッケルめっきの厚さが、０．００１インチ（約０．０２５ミリメートル）であることを特徴とする請求項４に記載のプリント回路基板。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月2日(2008.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
非圧縮フレームと圧縮フレームを送信する符号分割多元接続システムにおける移動通信システムに対して適用され、前記圧縮フレームは無伝送時間を有するスペクトル拡散通信方法であって、
基地局が、送信電力の増加または減少を指示する送信電力制御情報、および、前記無伝送時間を含む下り圧縮フレームを移動局に送信する第１の送信ステップと、
前記移動局が、前記基地局から送信電力制御情報、および前記無伝送時間を含む下り圧縮フレームを受信する受信ステップと、
前記移動局が、前記送信電力制御情報に基づいて、上り非圧縮フレームについては１つの送信電力制御単位で、上り圧縮フレームについては複数の送信電力制御単位で、送信電力を増加または減少させることにより、前記上り非圧縮フレームおよび前記上り圧縮フレームの送信電力を調整する制御ステップと、
前記移動局が、前記上り非圧縮フレームおよび前記上り圧縮フレームを調整後の送信電力で送信する第２の送信ステップと、
を含み、
前記移動局が基地局から受信する下り圧縮フレームに含まれる無伝送時間は、他の周波数キャリアを観測するために使用されることを特徴とするスペクトル拡散通信方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
非圧縮フレームと圧縮フレームを送信する符号分割多元接続システムにおける移動通信システムに対して適用され、前記圧縮フレームは無伝送時間を有するスペクトル拡散通信方法であって、
移動局が、送信電力の増加または減少を指示する送信電力制御情報を基地局に送信する第１の送信ステップと、
前記基地局が、前記移動局から送信電力制御情報を受信する受信ステップと、
前記基地局が、前記送信電力制御情報に基づいて、前記非圧縮フレームについては１つの送信電力制御単位で、前記圧縮フレームについては複数の送信電力制御単位で、送信電力を増加または減少させることにより、前記下り非圧縮フレームおよび前記下り圧縮フレームの送信電力を調整する制御ステップと、
前記基地局が、前記非圧縮フレームおよび前記圧縮フレームを調整後の送信電力で送信する第２の送信ステップと、
を含み、
前記基地局が送信する圧縮フレームに含まれる無伝送時間は、他の周波数キャリアを観測するために使用されることを特徴とするスペクトル拡散通信方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
非圧縮フレームと圧縮フレームを送信する符号分割多元接続システムにおける基地局に対して適用され、前記圧縮フレームは無伝送時間を有するスペクトル拡散通信方法であって、
移動局から送信電力の増加または減少を指示する送信電力制御情報を受信する受信ステップと、
前記送信電力制御情報に基づいて、前記非圧縮フレームについては１つの送信電力制御単位で、前記圧縮フレームについては複数の送信電力制御単位で、送信電力を増加または減少させることにより、前記非圧縮フレームおよび前記圧縮フレームの送信電力を調整する制御ステップと、
前記非圧縮フレームおよび前記圧縮フレームを調整後の送信電力で送信する送信ステップと、
を含み、
前記圧縮フレームに含まれる無伝送時間は、他の周波数キャリアを観測するために使用されることを特徴とするスペクトル拡散通信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月1日(2008.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通常モードでは連続的に非圧縮フレームを送信し、圧縮モードでは間欠的に圧縮フレームを送信する符号分割多元接続システムにおける移動局に対して適用されるスペクトル拡散通信方法であって、
基地局から送信電力の増加または減少を指示する送信電力制御情報を受信する受信ステップと、
前記通常モードおよび前記圧縮モードにおいてフレームに対してビット単位のインタリーブを行う並べ替えステップと、
圧縮モードの際に前記並べ替えステップ実行後のフレームを圧縮して圧縮フレームを作成する圧縮ステップと、
圧縮モードの際に前記圧縮フレームを、フレームタイミングの先端を含む前方部分と、前記フレームタイミングの後端を含む後方部分と、に分けて配置するフレーム生成ステップと、
前記送信電力制御情報に基づいて、前記並べ替えステップ実行後の通常モードの非圧縮フレームについては１つの送信電力制御単位で、前記フレーム生成ステップ実行後の圧縮モードの圧縮フレームについては複数の送信電力制御単位で、送信電力を増加または減少させることにより、前記非圧縮フレームおよび前記圧縮フレームの送信電力を調整する制御ステップと、
を含むことを特徴とするスペクトル拡散通信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月2日(2008.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
非圧縮フレームと圧縮フレームを送信する符号分割多元接続システムにおける移動局に対して適用され、前記圧縮フレームは無伝送時間を有するスペクトル拡散通信方法であって、
基地局から送信電力の増加または減少を指示する送信電力制御情報、および前記無伝送時間を含む下り圧縮フレームを受信する受信ステップと、
前記送信電力制御情報に基づいて、上り非圧縮フレームについては１つの送信電力制御単位で、上り圧縮フレームについては複数の送信電力制御単位で、送信電力を増加または減少させることにより、前記上り非圧縮フレームおよび前記上り圧縮フレームの送信電力を調整する制御ステップと、
前記上り非圧縮フレームおよび前記上り圧縮フレームを調整後の送信電力で送信する送信ステップと、
を含み、
前記基地局から受信する下り圧縮フレームに含まれる無伝送時間は、他の周波数キャリアを観測するために使用されることを特徴とするスペクトル拡散通信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月8日(2008.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ラジアルブロックコポリマー（ＰＳ‐ＰＩ‐ＰＢ）ｎＸ、そこではＰＳがポリスチレンであり、ＰＩがポリイソプレンであり、ＰＢがポリブタジエンであり、Ｘが該ラジアルブロックコポリマーの形成に使用された多官能性カップリング剤の残基であり、ｎが３以上であってＸに付されたＰＳ‐ＰＩ‐ＰＢの腕の数を表し、そして該ラジアルブロックコポリマーのスチレン含有量が２５重量％〜５０重量％である、
線状ブロックコポリマー、
粘着付与樹脂、
液状可塑剤、並びに
任意にワックス
を含むホットメルト接着剤であり、そこでは、該接着剤の重量基準で、前記ラジアルブロックコポリマーが１５重量％未満の量で存在し、該線状ポリマーが２０重量％以下の量で存在し、該粘着付与樹脂が３０〜７０重量％の量で存在し、該可塑剤が２０重量％未満の量で存在し、そして該ワックスが０重量％〜５重量％の量で存在する、ホットメルト接着剤。
【請求項２】
液状可塑剤とワックスの両方を含む、請求項１に記載の接着剤。
【請求項３】
前記ラジアルブロックコポリマーの各腕の数平均分子量が３０，０００〜９５，０００である、請求項１または２に記載の接着剤。
【請求項４】
該ラジアルブロックコポリマーが２５％未満のジ‐ブロック百分率を有する、請求項１〜３いずれか一項に記載の接着剤。
【請求項５】
該ラジアルブロックコポリマーが２０％未満のジ‐ブロック百分率を有する、請求項４に記載の接着剤。
【請求項６】
前記線状ブロックコポリマーが、スチレン‐イソプレン‐スチレン、スチレン‐ブタジエン‐スチレン、スチレン‐イソブチレン‐スチレン、スチレン‐ｂ‐エチレン／ブチレン‐b‐スチレン、及び／又はスチレン‐ｂ‐エチレン／プロピレン‐b‐スチレンである、請求項１〜５いずれか一項に記載の接着剤。
【請求項７】
ｎが３〜６である、請求項１〜６いずれか一項に記載の接着剤。
【請求項８】
請求項１〜７いずれか一項に記載の接着剤を含む製品。
【請求項９】
弾性糸を含む、請求項８に記載の製品。
【請求項１０】
使い捨て可能な吸収体製品である、請求項８に記載の製品。
【請求項１１】
使い捨て可能な弾性製品である、請求項１０に記載の製品。
【請求項１２】
おむつである、請求項１１に記載の製品。
【請求項１３】
請求項１に記載の接着剤を少なくとも第１の基材に適用する工程、並びに該第１の基材上に存在する該接着剤に少なくとも第２の基材を接触させ、そのことによって前記第１及び第２の基材が一緒に結合される工程を含む、第１の基材を第２の基材に結合するための方法。
【請求項１４】
少なくとも一つの基材が弾性ポリウレタン糸である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
少なくとも一つの基材が不織布である、請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月18日(2008.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
少なくとも希土類元素とマグネシウムとニッケルとアルミニウムとを含む水素吸蔵合金として、一般式Ln1-xMgxNiy-aAla（式中、LnはLa,Pr,Ndから選択される希土類元素で構成されており、上記希土類元素全体中におけるランタンの量が50原子％を越えるとともに、0.05≦x＜0.20、2.8≦y≦3.9、0.10≦a≦0.25の条件を満たす。）で表されるものを用いたことを特徴とするアルカリ蓄電池用水素吸蔵合金。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
請求項１に記載したアルカリ蓄電池用水素吸蔵合金において、ジルコニウムを含むと共に、上記のマグネシウムとニッケルとアルミニウムとの他にコバルトを含有していることを特徴とするアルカリ蓄電池用水素吸蔵合金。

【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
正極と、水素吸蔵合金を用いた負極と、アルカリ電解液とを備えたアルカリ蓄電池において、上記の負極における水素吸蔵合金に、請求項１又は請求項２に記載したアルカリ蓄電池用水素吸蔵合金を用いたことを特徴とするアルカリ蓄電池。

【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
正極と、水素吸蔵合金を用いた負極と、アルカリ電解液とを備えたアルカリ蓄電池において、上記の負極における水素吸蔵合金に、請求項１又は請求項２に記載したアルカリ蓄電池用水素吸蔵合金を用いると共に、上記アルカリ電解液の量を電池の理論容量に対して1.2g/Ah以下にしたことを特徴とするアルカリ蓄電池。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この発明におけるアルカリ蓄電池用水素吸蔵合金においては、上記のような課題を解決するため、少なくとも希土類元素とマグネシウムとニッケルとアルミニウムとを含む水素吸蔵合金として、一般式Ln1-xMgxNiy-aAla（式中、LnはLa,Pr,Ndから選択される希土類元素で構成されており、上記希土類元素全体中におけるランタンの量が50原子％を越えるとともに、0.05≦x＜0.20、2.8≦y≦3.9、0.10≦a≦0.25の条件を満たす。）で表されるものを用いた。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
ここで、上記の少なくとも希土類元素とマグネシウムとニッケルとアルミニウムとを含む水素吸蔵合金としては、一般式Ln1-xMgxNiy-aAla（式中、LnはLa,Pr,Ndから選択される希土類元素で構成されており、上記希土類元素全体中におけるランタンの量が50原子％を越えるとともに、0.05≦x＜0.20、2.8≦y≦3.9、0.10≦a≦0.25の条件を満たす。）で表されるものを用いることが好ましい。ここで、0.05≦x＜0.20の条件を満たすようにしたのは、xが0.05未満になると、水素吸蔵合金における水素吸蔵能力が低下する一方、xが0.20以上になると、酸化されやすいMgが増加して、水素吸蔵合金が酸化されやすくなるためである。また、2.8≦y≦3.9の条件を満たすようにしたのは、yが2.8未満になると、水素吸蔵合金において目的の合金相と異なる合金相が増大し、水素吸蔵放出に伴う残留水素が増加して、水素放出量が著しく低下する一方、yが3.9を超えると、水素吸蔵量が著しく低下するためである。また、0.10≦a≦0.25の条件を満たすようにしたのは、aが0.10未満になると、水素吸蔵合金が酸化されやすくなる一方、aが0.25を超えると、水素吸蔵合金における水素吸蔵能力が低下するためである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、上記の水素吸蔵合金において、上記Ln中にジルコニウムを含有させると共に、上記のマグネシウムとニッケルとアルミニウムとの他にコバルトを含有させると、水素吸蔵合金がアルカリ電解液によって酸化されるのが一層防止されるようになる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
ここで、実施例１のアルカリ蓄電池を作製するにあたっては、図１に示すように、負極１と正極２との間にセパレータ３を介在させ、これらをスパイラル状に巻いて電池缶４内に収容させると共に、この電池缶４内に上記のアルカリ電解液を２．０ｇ注液させた。なお、このアルカリ蓄電池の理論容量に対するアルカリ電解液の量は１．３３ｇ／Ａｈである。そして、上記の正極２を正極リード５を介して正極蓋６に接続させると共に、負極１を負極リード７を介して電池缶４に接続させ、電池缶４の周囲に絶縁パッキン８を介して正極蓋６を取り付け、電池缶４の開口部を封口すると共に、上記の絶縁パッキン８により電池缶４と正極蓋６とを電気的に分離させた。また、上記の正極蓋６に正極外部端子９を設け、この正極蓋６に正極外部端子９との間にコイルスプリング１０を配し、電池の内圧が異常に上昇した場合には、このコイルスプリング１０が圧縮されて電池内部のガスが大気中に放出されるようにした。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
ここで、負極に用いる水素吸蔵合金として、実施例２においては、組成が(La0.501Pr0.233Nd0.249Zr0.004Y0.013)0.83Mg0.17Ni3.13Al0.17Co0.1になった水素吸蔵合金を、比較例１においては、組成が(La0.288Pr0.347Nd0.361Zr0.004)0.83Mg0.17Ni3.13Al0.17Co0.1になった水素吸蔵合金を、比較例２においては、組成が(La0.188Pr0.397Nd0.411Zr0.004)0.83
Mg0.17Ni3.03 Al0.17Co0.1になった水素吸蔵合金を用いた。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
１  負極
２  正極
３  セパレータ
４  電池缶
５  正極リード
６  正極蓋
７  負極リード
８  絶縁パッキン
９  正極外部端子
１０  コイルスプリング
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月11日(2008.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
芯材と、該芯材の両面に配される強化繊維にマトリックス樹脂が含浸された繊維強化樹脂を含む表皮材とから構成されるサンドイッチパネルにおいて、前記表皮材中の強化繊維が引張弾性率が２００〜８５０ＧＰａの範囲内の強化繊維を含み、該表皮材中の強化繊維含有率が４０〜８０重量％の範囲内であり、前記芯材に表皮材より見かけ密度が小さい樹脂を使用するとともに、サンドイッチパネルの全体厚みが０．５〜５ｍｍの範囲内であることを特徴とする繊維強化樹脂製サンドイッチパネル。
【請求項２】
前記表皮材が、１層の層構造または複数層の積層構造を有した繊維強化樹脂であり、該繊維強化樹脂中の少なくとも１層は連続した強化繊維を含む繊維強化樹脂層であることを特徴とする請求項１に記載の繊維強化樹脂製サンドイッチパネル。
【請求項３】
前記連続した強化繊維を含む繊維強化樹脂層が一方向に引き揃えられた強化繊維を含むことを特徴とする請求項２に記載の繊維強化樹脂製サンドイッチパネル。
【請求項４】
前記表皮材中の繊維強化樹脂層がサンドイッチパネルの中立面に対し対称に配され、かつ連続した強化繊維を含む繊維強化樹脂層は、該中立面に対し対称の位置にある繊維強化樹脂層中の連続した強化繊維の配向方向のなす角が±３°以内であることを特徴とする請求項３に記載の繊維強化樹脂製サンドイッチパネル。
【請求項５】
前記芯材の見かけ密度が０．０３〜１．４ｇ／ｃｍ３の範囲内であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の繊維強化樹脂製サンドイッチパネル。
【請求項６】
前記表皮材の厚みが０．０２〜１．２５ｍｍの範囲内で、かつ芯材の両面に配される表皮材の合計厚みがサンドイッチパネルの全体厚みの０．４〜５０％の範囲内であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の繊維強化樹脂製サンドイッチパネル。
【請求項７】
Ｘ線照射電圧６０ｋＶにおけるサンドイッチパネルのＡｌ等量（ｍｍＡｌ）とサンドイッチパネルの全体厚み（ｍｍ）の比（Ａｌ当量（ｍｍＡｌ）／全体厚み（ｍｍ））が０．００３〜０．１４ｍｍＡｌ／ｍｍの範囲内であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の繊維強化樹脂製サンドイッチパネル。
【請求項８】
前記サンドイッチパネルの見かけ密度が０．１〜１．４ ｇ／ｃｍ３の範囲内であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の繊維強化樹脂製サンドイッチパネル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、かかる課題を解決するために、次の手段を採用するものである。すなわち、
（１）芯材と、該芯材の両面に配される強化繊維にマトリックス樹脂が含浸された繊維強化樹脂を含む表皮材とから構成されるサンドイッチパネルにおいて、前記表皮材中の強化繊維が引張弾性率が２００〜８５０ＧＰａの範囲内の強化繊維を含み、該表皮材中の強化繊維含有率が４０〜８０重量％の範囲内であり、前記芯材に表皮材より見かけ密度が小さい樹脂を使用するとともに、サンドイッチパネルの全体厚みが０．５〜５ｍｍの範囲内であることを特徴とする繊維強化樹脂製サンドイッチパネル。
（２）前記表皮材が、１層の層構造または複数層の積層構造を有した繊維強化樹脂であり、該繊維強化樹脂中の少なくとも１層は連続した強化繊維を含む繊維強化樹脂層であることを特徴とする前記（１）に記載の繊維強化樹脂製サンドイッチパネル。
（３）前記連続した強化繊維を含む繊維強化樹脂層が一方向に引き揃えられた強化繊維を含むことを特徴とする前記（２）に記載の繊維強化樹脂製サンドイッチパネル。
（４）前記表皮材中の繊維強化樹脂層がサンドイッチパネルの中立面に対し対称に配され、かつ連続した強化繊維を含む繊維強化樹脂層は、該中立面に対し対称の位置にある繊維強化樹脂層中の連続した強化繊維の配向方向のなす角が±３°以内であることを特徴とする前記（３）に記載の繊維強化樹脂製サンドイッチパネル。
（５）前記芯材の見かけ密度が０．０３〜１．４ｇ／ｃｍ３の範囲内であることを特徴とする前記（１）〜（４）のいずれかに記載の繊維強化樹脂製サンドイッチパネル。
（６）前記表皮材の厚みが０．０２〜１．２５ｍｍの範囲内で、かつ芯材の両面に配される表皮材の合計厚みがサンドイッチパネルの全体厚みの０．４〜５０％の範囲内であることを特徴とする前記（１）〜（５）のいずれかに記載の繊維強化樹脂製サンドイッチパネル。
（７）Ｘ線照射電圧６０ｋＶにおけるサンドイッチパネルのＡｌ等量（ｍｍＡｌ）とサンドイッチパネルの全体厚み（ｍｍ）の比（Ａｌ当量（ｍｍＡｌ）／全体厚み（ｍｍ））が０．００３〜０．１４ｍｍＡｌ／ｍｍの範囲内であることを特徴とする前記（１）〜（６）のいずれかに記載の繊維強化樹脂製サンドイッチパネル。
（８）前記サンドイッチパネルの見かけ密度が０．１〜１．４ ｇ／ｃｍ３の範囲内であることを特徴とする前記（１）〜（７）のいずれかに記載の繊維強化樹脂製サンドイッチパネル。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月24日(2008.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定方向に配列された複数の記録素子を有する記録ヘッドを用いて記録媒体に対して記録を行う記録装置であって、
給紙位置まで前記記録媒体を給紙する給紙手段と、
接続されたホスト機器から受信した制御コマンド及び予め定められた複数のラスタを単位とした画像データを格納する受信バッファと、
前記制御コマンドに含まれる画像データのサイズに関する情報及び記録媒体のサイズに関する情報に基づいて、前記記録媒体の全面に記録を行うフチ無し印刷を行うか否かを判定する判定手段と、
前記フチ無し印刷を行うときに、予め定められた複数のラスタの数と、前記画像データの搬送方向における長さと、予め定められている記録目標範囲の搬送方向における長さと、に基づいて、記録に用いられない画像データの量を算出する算出手段と、
前記算出手段にて算出された記録に用いられない画像データの量に基づき前記画像データを読み捨てる読み捨て手段と、
前記記録媒体の搬送方向における長さと、前記記録目標範囲の搬送方向における長さと、前記算出手段により算出された記録に用いられない画像データの量と、に基づき、前記給紙位置を調整する調整手段と、を備えることを特徴とする記録装置。
【請求項２】
前記画像データのサイズが、前記記録装置で記録目標範囲よりも大きい場合、前記算出手段は、前記記録媒体の搬送方向における長さと前記記録目標範囲の前記搬送方向における長さとに基づいて、記録に用いられない画像データの量を算出することを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項３】
前記算出手段は、画像データのラスタ数と記録目標範囲のラスタ数との差分を前記予め定められた複数のラスタの数で除算することで、前記記録に用いられない画像データのラスタ数を算出することを特徴とする請求項１又は２に記載の記録装置。
【請求項４】
前記記録装置は、更に、画像データの縦横変換処理を行う変換手段を備えることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の記録装置。
【請求項５】
前記記録装置は、前記記録ヘッドを記録媒体に対して走査させて記録を行うことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の記録装置。
【請求項６】
所定方向に配列された複数の記録素子を有する記録ヘッドを用いて記録媒体に対して記録を行う記録装置の制御方法であって、
給紙位置まで前記記録媒体を給紙する給紙工程と、
接続されたホスト機器から受信した制御コマンド及び予め定められた複数のラスタを単位とした画像データを受信バッファに格納する受信工程と、
前記制御コマンドに含まれる画像データのサイズに関する情報及び記録媒体のサイズに関する情報に基づいて、前記記録媒体の全面に記録を行うフチ無し印刷を行うか否かを判定する判定工程と、
前記フチ無し印刷を行うときに、予め定められた複数のラスタの数と、前記画像データの搬送方向における長さと、予め定められている記録目標範囲の搬送方向における長さと、に基づいて、記録に用いられない画像データの量を算出する算出工程と、
前記算出工程にて算出された記録に用いられない画像データの量に基づき前記画像データを読み捨てる読み捨て工程と、
前記記録媒体の搬送方向における長さと、前記記録目標範囲の搬送方向における長さと、前記算出工程により算出された記録に用いられない画像データの量と、に基づき、前記給紙位置を調整する調整工程と、を備えることを特徴とする記録装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記録装置、記録装置の制御方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記目的を達成する本発明の一態様としての記録位置は、所定方向に配列された複数の記録素子を有する記録ヘッドを用いて記録媒体に対して記録を行う記録装置であって、
給紙位置まで前記記録媒体を給紙する給紙手段と、
接続されたホスト機器から受信した制御コマンド及び予め定められた複数のラスタを単位とした画像データを格納する受信バッファと、
前記制御コマンドに含まれる画像データのサイズに関する情報及び記録媒体のサイズに関する情報に基づいて、前記記録媒体の全面に記録を行うフチ無し印刷を行うか否かを判定する判定手段と、
前記フチ無し印刷を行うときに、予め定められた複数のラスタの数と、前記画像データの搬送方向における長さと、予め定められている記録目標範囲の搬送方向における長さと、に基づいて、記録に用いられない画像データの量を算出する算出手段と、
前記算出手段にて算出された記録に用いられない画像データの量に基づき前記画像データを読み捨てる読み捨て手段と、
前記記録媒体の搬送方向における長さと、前記記録目標範囲の搬送方向における長さと、前記算出手段により算出された記録に用いられない画像データの量と、に基づき、前記給紙位置を調整する調整手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月28日(2008.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体材料ディスペンサであって、
複数のマニホルドセグメントであって、前記複数のマニホルドセグメントのそれぞれは、液体材料を通すように構成された第一通路と、処理空気を通すように構成された第二通路とを含む複数のマニホルドセグメントと、
複数の液体吐出モジュールであって、前記複数の液体吐出モジュールのそれぞれは、それぞれ対応する一つの前記マニホルドセグメントの前記第一通路に流体連通するように連結された液体排出口を有し、また、前記液体吐出モジュールのそれぞれは、それぞれ対応する一つの前記マニホルドセグメントの前記第二通路に流体連通するように連結された空気排出口を有する複数の液体吐出モジュールと、
複数のポンプであって、前記複数のポンプのそれぞれは、それぞれ対応する一つの前記マニホルドセグメントに連結されて、それぞれ対応する一つの前記マニホルドセグメントの前記第一通路への液体材料の圧力を独立して制御する複数のポンプと、
前記複数のマニホルドセグメントの少なくとも二つの前記第二通路へ供給される処理空気の圧力を独立して調節する制御部と
を備えた液体材料ディスペンサ。
【請求項２】
前記制御部は、複数の圧力調節器を有する請求項１に記載の液体材料ディスペンサ。
【請求項３】
前記制御部は、独立した加圧空気供給源を有する請求項１に記載の液体材料ディスペンサ。
【請求項４】
前記複数の液体吐出モジュールは、少なくとも２つの異なるタイプの液体吐出モジュールを有し、前記２つの異なるタイプの液体吐出モジュールのそれぞれは、独立して調節された処理空気を受けて液体材料を異なったパターンで吐出するように構成されている請求項１に記載の液体材料ディスペンサ。
【請求項５】
液体材料および処理空気を吐出する方法であって、
液体材料を複数のマニホルドセグメントへ供給することと、
処理空気を同じ複数のマニホルドセグメントへ供給することと、
該複数のマニホルドセグメントのそれぞれの液体材料の圧力を複数のポンプにより独立して制御することと、
該複数のマニホルドセグメントの少なくとも二つへ供給される処理空気の圧力を独立して調節することと、
複数の吐出モジュールから液体材料及び処理空気を排出して、それぞれの吐出モジュールから排出された処理空気を同じ吐出モジュールから排出された液体材料に当てることと
を含む液体材料および処理空気を吐出する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月20日(2007.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
トリガ１８は、回動軸１８１によって台座１３に回動自在に軸支されるとともに、回動軸１８１を挟んで一方側（上側）に設けられて台座１３から突出可能な検知部１８２と、他方側に設けられて二重ロック部材１９の第１被係止部１９７を係止可能な係止部（規制部）１８３と、二重ロック部材１９の案内部１９６に案内される被案内部１８４とを有して形成されている。そして、トリガ１８は、台座１３との間に設けられたコイルばね１８５によって、検知部１８２が台座１３から室外側に突出する方向（図中、右回転方向）に付勢されるとともに、第１位置側にある二重ロック部材１９の案内部１９６によって被案内部１８４の下端部が下方に押圧されることで、台座１３内に没入するようになっている。このようなトリガ１８は、二重ロック部材１９のスライド部１９２が上方にスライドし、案内部１９６による被案内部１８４の下方への押圧が解除されることで、コイルばね１８５の付勢力によって回動し、検知部１８２が室外側に突出するようになっている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月11日(2008.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
このようなことから、水に濡れてもケース強度に支障を来さず、中身の見える透明のプラスチックでカートリッジを集積包装する例えば図８に示すケース１が非特許文献１に開示され、市場に提供されるようになった。
【非特許文献１】ＬＴＯ−Ｕｌｔｒｉｕｍ Ｌ−ｐａｃｋ、［online］、ＴＤＫ株式会社、[平成１７年１１月１４日検索]、インターネット＜URL:http://www.tdk.com/professional/lto/ltolpack.html＞
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月4日(2008.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、陽極酸化によってハニカム状に整列した微細な空孔を有するアルミナ薄膜を製造させる方法、またこの方法で製造された薄膜を鋳型にしてピラー構造を形成させる方法も報告されている。しかし、陽極酸化に長時間が必要となる、あるいは鋳型を溶解させる反応を強アルカリ中で行う必要があるなど、改善すべき点も多い。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
さらに、サイズの均一な微粒子を集積させてコロイド結晶とし、これを鋳型として周期構造を作製する方法（非特許文献４）、これを鋳型にすることでインバースドオパール構造を作製する方法（非特許文献５）が報告されているが、いずれも、単一粒径の微粒子を調製しなくてはならない、コロイド集積に長時間を要する、また、型を取った後に鋳型を分解しなくてはならないなど、様々なプロセス上の問題がある他、得られる薄膜の大面積化が困難であること、薄膜が力学的にもろい等の問題がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【特許文献１】特開平５−７６５８８
【非特許文献１】ゲルジンゲら、ＩＥＥＥスペクトラム（ＩＥＥＥ  Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）１９８９年、第８９巻、第４３頁。
【非特許文献２】ノダら、ネイチャー（Ｎａｔｕｒｅ）、２０００年、第４０７巻、第６０８頁。
【非特許文献３】ホワイトサイドら、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．  Ｅｄ．，１９９８年、第３７巻、第５５０−５７５頁。
【非特許文献４】グら、ラングミュア（Ｌａｎｇｍｕｉｒ）、第１７巻
【非特許文献５】カルソら、  ラングミュア（Ｌａｎｇｍｕｉｒ）、１９９９年、第１５巻、第８２７６−８２８１頁。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月21日(2008.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式［Ｉ］
【化１】
2007197683.tif 000001
〔式（Ｉ）中、Ｒ１は脂肪族環式構造を含んでいてもよいアルキレン鎖、２価フェノール類の残基、又はポリオキシアルキレン鎖であり、Ｒ２及びＲ３は、互いに独立して脂肪族環式構造を含んでいてもよいアルキル基であり、Ｒ４は水素原子又は４級化反応により導入された４級化剤の残基であり、Ｘ−はアニオン性の対イオンである。〕
で示される構造単位を含有するカチオン性ポリウレタン樹脂（Ａ）の水性分散体と、金属アルコキシド又はその縮合物（Ｂ）と、酸触媒（Ｃ）とを含有することを特徴とする水性塗料組成物。
【請求項２】
前記カチオン性ポリウレタン樹脂（Ａ）が、脂環式ポリイソシアネート及び／又は脂肪族ポリイソシアネートに由来する構造単位を有する樹脂である請求項１記載の水性塗料組成物。
【請求項３】
前記カチオン性ポリウレタン樹脂（Ａ）が、更に下記一般式（ＩＩ）
【化２】
2007197683.tif 000002
〔式（ＩＩ）中、Ｒ５は水素原子、アルキル基、アリール基又はアラルキル基であり、Ｒ６はハロゲン原子、アルコキシ基、アシルオキシ基、フェノキシ基、イミノオキシ基又はアルケニルオキシ基であり、ｎは０、１又は２である。〕
で表される構造単位を含有する請求項１記載の水性塗料組成物。
【請求項４】
前記カチオン性ポリウレタン樹脂（Ａ）が、下記一般式［ＩＩＩ］
【化３】
2007197683.tif 000003
（式中、Ｒ５は水素原子、アルキル基、アリール基及びアラルキル基からなる群より選ばれる一価の有機残基を、Ｒ６はハロゲン原子、アルコキシル基、アシルオキシ基、フェノキシ基、イミノオキシ基又はアルケニルオキシ基であり、ｎは０、１又は２であり、Ｙは活性水素基を少なくとも１個以上含有する有機基である。）
で表される化合物とイソシアネート化合物とを反応させて得られる構造単位を有する樹脂である請求項３記載の水性塗料組成物。
【請求項５】
前記カチオン性ポリウレタン樹脂（Ａ）の水性分散体における該カチオン性ポリウレタン樹脂（Ａ）からなる粒子の平均粒子径が０．０１〜０．４μｍの範囲である請求項１記載の水性塗料組成物。
【請求項６】
前記金属アルコキシド又はその縮合物（Ｂ）が、珪素アルコキシド又はその縮合物である請求項１記載の水性塗料組成物。
【請求項７】
前記カチオン性ポリウレタン樹脂（Ａ）の質量と金属アルコキシド又はその縮合物（Ｂ）の加水分解縮合後の質量（Ｂ１）との比が、（Ａ）／（Ｂ１）で表される質量比で１０／９０〜７０／３０の範囲である請求項１〜６の何れか一項記載の水性塗料組成物。
【請求項８】
請求項１に記載の水性塗料組成物を用いて得られる有機無機複合塗膜であって、金属酸化物（Ｂ’）からなるマトリクス中に、下記一般式［Ｉ］
【化４】
2007197683.tif 000004
〔式（Ｉ）中、Ｒ１は脂肪族環式構造を含んでいてもよいアルキレン鎖、２価フェノール類の残基、又はポリオキシアルキレン鎖であり、Ｒ２及びＲ３は、互いに独立して脂肪族環式構造を含んでいてもよいアルキル基であり、Ｒ４は水素原子又は４級化反応により導入された４級化剤の残基であり、Ｘ−はアニオン性の対イオンである。〕
で示される構造単位を含有するカチオン性ポリウレタン樹脂（Ａ）からなる粒子が分散していることを特徴とする有機無機複合塗膜。
【請求項９】
下記一般式［Ｉ］
【化５】
2007197683.tif 000005
〔式（Ｉ）中、Ｒ１は脂肪族環式構造を含んでいてもよいアルキレン鎖、２価フェノール類の残基、又はポリオキシアルキレン鎖であり、Ｒ２及びＲ３は、互いに独立して脂肪族環式構造を含んでいてもよいアルキル基であり、Ｒ４は水素原子又は４級化反応により導入された４級化剤の残基であり、Ｘ−はアニオン性の対イオンである。〕
で示される構造単位を含有するカチオン性ポリウレタン樹脂（Ａ）の水性分散体に酸触媒（Ｃ）を添加した後、金属アルコキシド又はその縮合物（Ｂ）を加えて得られる水性塗料組成物を基板上に塗布し、乾燥することで、該カチオン性ポリウレタン樹脂（Ａ）からなる粒子が、金属酸化物（Ｂ’）からなるマトリクス中に分散している複合塗膜を作製することを特徴とする有機無機複合塗膜の製造方法。
【請求項１０】
下記一般式［Ｉ］
【化６】
2007197683.tif 000006
〔式（Ｉ）中、Ｒ１は脂肪族環式構造を含んでいてもよいアルキレン鎖、２価フェノール類の残基、又はポリオキシアルキレン鎖であり、Ｒ２及びＲ３は、互いに独立して脂肪族環式構造を含んでいてもよいアルキル基であり、Ｒ４は水素原子又は４級化反応により導入された４級化剤の残基であり、Ｘ−はアニオン性の対イオンである。〕
で示される構造単位を含有するカチオン性ポリウレタン樹脂（Ａ）の水性分散体と酸触媒（Ｃ）とを混合し均一化してｐＨを１．０〜３．０と調製した後、金属アルコキシド又はその縮合物（Ｂ）を混合することを特徴とする水性塗料組成物の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月29日(2008.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
［実施例４］
ドラム内径２４０ｍｍ、チャンバー高さ１５ｍｍ、チャンバー幅１００ｍｍ、スクリーン径８０μｍのロータリーフィーダー型装置（回転式フィルター）を設置した。ドラム回転数を７５ｒｐｈとした。このロータリーフィーダー型装置に実施例１で用いたのと同じパルプを１５ｋｇ／ｈｒの速度で投入し同時に４０℃の４９質量％水酸化ナトリウム水溶液を４５０Ｌ／ｈｒの速度で供給した。
ロータリーフィーダー型装置出口に連続遠心分離機として０．２mmスリットスクリーンを備えた押し出し板型遠心脱水機を設置し、遠心効果１，０００にてロータリーフィーダー型装置から排出されるチップ状パルプと苛性ソーダ液の接触混合物を連続的に脱液した。得られたアルカリセルロース中のアルカリ金属水酸化物／パルプ中の固体成分の質量比率を滴定法により求めたところ、１．２５だった。
得られたアルカリセルロースを用いて実施例１と同様にセルロースエーテルを製造した。２質量％水溶液の２０℃における粘度、２質量％水溶液の２０℃における透光度を表１に示す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
１    パルプ
２    アルカリ金属水酸化物溶液
３    アルカリセルロース
１０  接触装置
２０  遠心分離機
２１，３１  ポンプ
２５，３５  濃縮装置
３０  タンク
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月16日(2008.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
地震発生時に地震感知器が動作すると、地震時管制運転装置によって最寄階停止させる管制運転を行うようにしたエレベータにおいて、
最寄階までの間の異常を検出する異常検出手段及び点検運転指令手段を設けた異常検出装置を備え、
前記異常検出装置は、かご走行中に地震が発生し、最寄階停止の管制運転が選択されると同時に、前記地震時管制運転装置から信号が送られて、前記異常検出手段による異常検出運転が開始され、最寄階までの間の異常検出運転中に異常が検出されると、エレベータを緊急停止させ、かつ、最寄階停止までの間に何の異常も検出されなければ、最寄階停止後乗客を降ろし、地震の揺れが収束したら前記点検運転指令手段により点検運転を開始することを特徴とするエレベータの異常検出装置。
【請求項２】
最寄階までの間の異常検出運転中に異常が検出された場合、エレベータを緊急停止させ、かご内に乗客がいる場合には先の最寄階停止で向かった運転方向とは逆の方向に最寄階を設定し、最寄階停止させる管制運転を行うことを特徴とする請求項１記載のエレベータの異常検出装置。
【請求項３】
最寄階停止させる管制運転の上昇、下降両方向で異常が検出された場合は、保守センターに対して優先的な救出を通報することを特徴とする請求項２記載のエレベータの異常検出装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この発明に係るエレベータの異常検出装置においては、地震発生時に地震感知器が動作すると、地震時管制運転装置によって最寄階停止させる管制運転を行うようにしたものにおいて、最寄階までの間の異常を検出する異常検出手段及び点検運転指令手段を設けた異常検出装置を備え、異常検出装置は、かご走行中に地震が発生し、最寄階停止の管制運転が選択されると同時に、地震時管制運転装置から信号が送られて、異常検出手段による異常検出運転が開始され、最寄階までの間の異常検出運転中に異常が検出されると、エレベータを緊急停止させ、かつ、最寄階停止までの間に何の異常も検出されなければ、最寄階停止後乗客を降ろし、地震の揺れが収束したら点検運転指令手段により点検運転を開始するものである。