【手続補正書】
【提出日】平成20年9月4日(2008.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にアルミニウムを主成分とする第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に前記第１の導電層と異なる材料からなる第２の導電層を形成し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層をエッチングしてゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜に触媒元素を導入した後に加熱し、
前記第１の半導体膜上に１５族元素を含む第２の半導体膜を形成した後に前記第１の半導体膜及び前記第２の半導体膜を加熱し、
前記第１の半導体膜及び前記第２の半導体膜をエッチングして島状の第１の半導体領域及び島状の第２の半導体領域を形成し、
前記島状の第２の半導体領域上にソース電極及びドレイン電極を形成し
前記ソース電極及び前記ドレイン電極をマスクとして前記島状の第２の半導体領域をエッチングして、前記島状の第１の半導体領域の一部を露出させるとともにソース領域及びドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上にアルミニウムを主成分とする第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に前記第１の導電層と異なる材料からなる第２の導電層を形成し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層をエッチングした後、前記第１の導電層の側面を酸化してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜に触媒元素を導入した後に加熱し、
前記第１の半導体膜上に１５族元素を含む第２の半導体膜を形成した後に前記第１の半導体膜及び前記第２の半導体膜を加熱し、
前記第１の半導体膜及び前記第２の半導体膜をエッチングして島状の第１の半導体領域及び島状の第２の半導体領域を形成し、
前記島状の第２の半導体領域上にソース電極及びドレイン電極を形成し
前記ソース電極及び前記ドレイン電極をマスクとして前記島状の第２の半導体領域をエッチングして、前記島状の第１の半導体領域の一部を露出させるとともにソース領域及びドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上にアルミニウムを主成分とする第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に前記第１の導電層と異なる材料からなる第２の導電層を形成し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層をエッチングした後、当該エッチングされた前記第１の導電層及び前記第２の導電層を覆うように第３の導電層を形成してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜に触媒元素を導入した後に加熱し、
前記第１の半導体膜上に１５族元素を含む第２の半導体膜を形成した後に前記第１の半導体膜及び前記第２の半導体膜を加熱し、
前記第１の半導体膜及び前記第２の半導体膜をエッチングして島状の第１の半導体領域及び島状の第２の半導体領域を形成し、
前記島状の第２の半導体領域上にソース電極及びドレイン電極を形成し
前記ソース電極及び前記ドレイン電極をマスクとして前記島状の第２の半導体領域をエッチングして、前記島状の第１の半導体領域の一部を露出させるとともにソース領域及びドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上にアルミニウムを主成分とする第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に前記第１の導電層と異なる材料からなる第２の導電層を形成し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層をエッチングしてゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜に触媒元素を導入した後に加熱し、
前記第１の半導体膜上に希ガス元素を含む第２の半導体膜を形成した後に前記第１の半導体膜及び前記第２の半導体膜を加熱し、
前記第２の半導体膜を除去し、
前記第１の半導体膜上に導電性を有する第３の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜及び前記第３の半導体膜をエッチングして島状の第１の半導体領域及び島状の第２の半導体領域を形成し、
前記島状の第２の半導体領域上にソース電極及びドレイン電極を形成し
前記ソース電極及び前記ドレイン電極をマスクとして前記島状の第２の半導体領域をエッチングして、前記島状の第１の半導体領域の一部を露出させるとともにソース領域及びドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板上にアルミニウムを主成分とする第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に前記第１の導電層と異なる材料からなる第２の導電層を形成し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層をエッチングした後、前記第１の導電層の側面を酸化してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜に触媒元素を導入した後に加熱し、
前記第１の半導体膜上に希ガス元素を含む第２の半導体膜を形成した後に前記第１の半導体膜及び前記第２の半導体膜を加熱し、
前記第２の半導体膜を除去し、
前記第１の半導体膜上に導電性を有する第３の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜及び前記第３の半導体膜をエッチングして島状の第１の半導体領域及び島状の第２の半導体領域を形成し、
前記島状の第２の半導体領域上にソース電極及びドレイン電極を形成し
前記ソース電極及び前記ドレイン電極をマスクとして前記島状の第２の半導体領域をエッチングして、前記島状の第１の半導体領域の一部を露出させるとともにソース領域及びドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
基板上にアルミニウムを主成分とする第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に前記第１の導電層と異なる材料からなる第２の導電層を形成し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層をエッチングした後、当該エッチングされた前記第１の導電層及び前記第２の導電層を覆うように第３の導電層を形成してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜に触媒元素を導入した後に加熱し、
前記第１の半導体膜上に希ガス元素を含む第２の半導体膜を形成した後に前記第１の半導体膜及び前記第２の半導体膜を加熱し、
前記第２の半導体膜を除去し、
前記第１の半導体膜上に導電性を有する第３の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜及び前記第３の半導体膜をエッチングして島状の第１の半導体領域及び島状の第２の半導体領域を形成し、
前記島状の第２の半導体領域上にソース電極及びドレイン電極を形成し
前記ソース電極及び前記ドレイン電極をマスクとして前記島状の第２の半導体領域をエッチングして、前記島状の第１の半導体領域の一部を露出させるとともにソース領域及びドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記触媒元素は、タングステン、モリブデン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、コバルト、ニッケル、及び白金のいずれか一または複数であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記第１の導電層は、炭素と、クロム、タンタル、タングステン、モリブデン、チタン、シリコン、ニッケルのいずれか一又は複数を含有していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、前記炭素は、０．１〜１０原子％含まれていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、前記第２の導電層は、クロム、タンタル、タングステン、モリブデン、チタン、ニッケルまたはこれらの窒化物のいずれか一又は複数からなることを特徴とする半導体装置の作製方法。