(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
オーム測定抵抗（１１）として構成された温度センサを有し、該温度センサは集積構成素子に対するものである形式の過負荷保護装置において、
前記オーム測定抵抗は、金属テープ（２）からなり、
前記オーム測定抵抗は、ＭＯＳ電力トランジスタ（１）のゲート層（３４）上に中間酸化層（３５）を介して配置されており、かつ前記ゲート層（３４）から前記中間酸化層（３５）によって絶縁されており、
前記オーム測定抵抗（１１）は、前記ＭＯＳ電力トランジスタ（１）のトランジスタセル（３）の列を中心にメアンダ状に配置されている、ことを特徴とする過負荷保護装置。
【請求項２】
前記オーム測定抵抗（１１）は、熱的に負荷される半導体領域（３０）に対して間隔を有しており、該間隔は５μｍ以下である、請求項１記載の過負荷保護装置。
【請求項３】
前記オーム測定抵抗（１１）は、前記ゲート層（３４）と、すべてのソース領域（４）に対して共通のソース端子となる金属層との間に配置されている、請求項１記載の過負荷保護装置。
【請求項４】
前記オーム測定抵抗（１１）における電圧降下は前記集積構成素子の熱的負荷に相関しており、該電圧降下は評価回路で基準電圧と比較され、
該基準電圧に達するとき、遮断トランジスタ（１９）を介して熱発生電流が前記集積構成素子により遮断可能であり、
前記評価回路は基準抵抗（１２）を有し、該基準抵抗は複数の評価回路の共通の構成部材として使用され、
前記複数の評価回路はそれぞれ１つの前記集積構成素子に配属されており、
前記基準抵抗は前記オーム測定抵抗（１１）と同じ製造公差を有する、請求項１から３までのいずれか１項記載の過負荷保護装置。
【請求項５】
前記評価回路は、トランジスタダイオードとして駆動される基準トランジスタ（１４）と制御トランジスタ（１５）を有し、
当該２つのトランジスタはトランジスタダイオード電流源（１６）としてカレントミラーを構成し、
前記トランジスタダイオード電流源と前記トランジスタダイオードに対して基準電流源（１３）が並列に接続されており、
前記トランジスタダイオードのエミッタは前記基準抵抗（１２）を介してアースと接続されており、
前記制御トランジスタ（１５）のコレクタは制御電流源（１７）を介して、電圧源のプラス極（２１）と接続されており、
前記制御電流源と前記制御トランジスタに対して測定電流源（１８）が並列に接続されており、
前記制御トランジスタのエミッタは前記オーム測定抵抗（１１）を介して前記アースと接続されており、
前記制御トランジスタ（１５）のコレクタは、ｎチャネルＭＯＳＦＥＴトランジスタとして構成された前記遮断トランジスタ（１９）のゲートと接続されており、
前記遮断トランジスタ（１９）のソース端子は前記アースに接続されており、ドレーン端子は前記集積構成素子の制御入力側（２２）と接続されており、
該集積構成素子は制御部（２０）を介して前記電圧源のプラス端子（２１）と接続されている、請求項４記載の過負荷保護装置。
【請求項６】
前記評価回路は、ＩＴＫＯ回路部分（４０）、バンク入力側（７０）と少なくとの１つのバンク出力側（７１）を有するカレントミラーバンク（４１）と、コンパレータ（４３）とを有し、
前記カレントミラーバンク（４１）の前記バンク入力側（７０）には、ほぼ温度には依存せず、前記基準抵抗に対して反比例する電流が前記ＩＴＫＯ回路部分（４０）から供給され、
前記少なくとも１つのバンク出力側（７１）を介して前記温度に依存しない電流が電流経路でミラーリングされ、
該電流経路には前記オーム測定抵抗（１１）が接続されており、
該オーム測定抵抗（１１）で降下する電圧が前記コンパレータ（４３）の第１入力側に印加され、該コンパレータの第２入力側には前記基準電圧が印加され、
前記コンパレータの出力信号（４４）によって前記遮断トランジスタ（１９）が制御される、請求項４記載の過負荷保護装置。
【請求項７】
前記ＩＴＫＯ回路部分（４０）はリング電流源（５０）を有し、
該リング電流源の出力電流経路（４９）では、前記基準抵抗（１２）と補償抵抗（５１）が直列に接続されている、請求項６記載の過負荷保護装置。
【請求項８】
前記コンパレータ（４３）は、カレントミラー回路として接続された２つのトランジスタ（５８，５９）を有し、
該カレントミラー回路は前記カレントミラーバンク（４１）の２つの別のバンク出力側（７２，７３）と接続されている、請求項６または７記載の過負荷保護装置。
【請求項９】
前記基準電圧は線形分圧器（６０）によって設定される、請求項６から８までのいずれか１項記載の過負荷保護装置。
【請求項１０】
前記評価回路は前記集積構成素子に集積されている、請求項４から９までのいずれか１項記載の過負荷保護装置。
【請求項１１】
前記集積構成素子はＤＭＯＳ電力トランジスタである、請求項１から１０までのいずれか１項記載の過負荷保護装置。
【請求項１２】
前記オーム測定抵抗（１１）はアルミニウムからなる、請求項１から１１までのいずれか１項記載の過負荷保護装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、オーム測定抵抗として構成された温度センサを有し、該温度センサは集積構成素子に対するものである形式の過負荷保護装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
刊行物“Schutz von Leistunghalbleitern bei der Ansteuerung externer Lasten”,F.P.Azntis著、Elektor,4/93,pp41-48,からすでに、温度センサとしてのオーム抵抗を有する過負荷保護装置が公知である。しかしこの装置では、温度装置と保護すべき電力トランジスタとの密な結合が単に、両者が共通の冷却体に取り付けられていることによってだけ行われる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、例えば電力トランジスタをさらに高い信頼性を以て熱破壊から保護することができるように構成することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記課題は本発明により、定抵抗は集積構成素子に電気的に絶縁されて集積されているように構成して解決される。
【０００５】
【発明の実施の形態】
異常な温度上昇が改善された感度で記録され、同時に温度センサは保護される構成素子から電気的に絶縁されている。保護すべき構成素子はまた同時に例えば負の基板電圧からも保護されていている。
【０００６】
従属請求項に記載された手段によって、請求項１に記載された本発明の集積過負荷保護装置の有利な構成が得られる。
【０００７】
測定抵抗を金属テープとして構成する場合には、温度センサを有する保護すべき集積構成素子を有利には大きな面積で横方向に覆うことができる。
【０００８】
とりわけ測定抵抗を、熱的に負荷される半導体領域から５μｍ以下の間隔で配置すれば、短時間で発生する非常に大きな損失電力（μｓ領域での局所的な加熱につながる）を確実に検出し、相応して構成素子破壊を阻止することとができる。
【０００９】
トランジスタセル列を中心にメアンダ状に配置された測定抵抗はとりわけ適切に、局所的にトリガされる異常温度上昇を検出する。
【００１０】
測定抵抗を、ＭＯＳ電力トランジスタのゲート層とその上の金属層（共通のソース端子として用いる）との間に配置することにより、大面積の接続端子を介したそれぞれの熱放出手段の反対側で、測定抵抗と熱的に負荷される半導体領域との内部熱接触が得られる。
【００１１】
測定抵抗と同じ製造公差を有する基準抵抗を備えた所属の評価回路によって、遮断閾値を設定する際の製造公差の影響を低減することができる。
【００１２】
さらに非常に簡単な回路装置によって、相対的温度変化、例えば短時間の大きな損失電力を、ほとんど製造公差に依存しないで検出することができる。
【００１３】
改善された評価回路によって、短時間で発生する相対的温度変化を簡単に確実に検出できるだけでなく、温度を簡単に絶対的に測定することができる。評価回路のこの改善によって必要なチップ補正の必要性がなくなり、例えば通常は必要な電流源の補正が回避される。製造公差に依存しないで絶対温度検出が可能である。すなわち、構成素子全体またはチップ全体の静的加熱に対しても本発明の保護装置による遮断を行うことができるからである。
【００１４】
この改善された評価回路は、温度に依存せず、基準抵抗に依存して電流を送出する回路部分を有する。有利にはこの回路部分はリング電流源として構成される。リング電流源の利点は、基準抵抗および測定抵抗に対して使用される金属抵抗の値が小さくて数１００オームであり、電圧が非常に小さくて１００ｍＶ以下であるときに適切な電流値を得ることができ、この電流値はリング電流源によって簡単に出力トランジスタのエミッタ数を介して調整することができる。
【００１５】
【実施例】
図１は、多数のトランジスタセル３を有するＭＯＳトランジスタ１の平面図である。トランジスタセルにはそれぞれ所属のソース領域４が示されている。個々のソース領域の接触接続と、ＭＯＳトランジスタのその他の接触接続は図では省略されている。アルミニウムストライプ２が、トランジスタセルのそれぞれの列を中心にメアンダ状に迂曲している。断面ライン５は図２での出力トランジスタの横断面を示す。図２では、図１と同じようにドレーン領域並びに所属の接続端子は簡単にするために図示されていない。例えば上側金属層は図示されていない。この上側金属層はアルミニウムテープ２から電気絶縁されて被着されており、ソース領域を接触接続するために用いる。アルミニウムテープのメアンダ形状は、個々のトランジスタセルに対する内部熱接触を保証し、従って局所的な異常温度上昇に迅速に応答することを保証する。
【００１６】
図２は、図１に平面図で示された、集積アルミニウムテープを有する電力トランジスタの斜視断面図である。ｎドープされた半導体領域３０にはｐドープされたウェル３１が埋め込まされている。このウェルにもそれぞれ所属のソース領域４が埋め込まれている。ここでソース領域４は強くｎドープされた領域３２により取り囲まれている。半導体領域３９の表面にはゲート酸化層３３が被着されている。このゲート酸化層にもポリ珪素ゲート層３４が析出されている。ここのトランジスタセル３のソース領域はゲート酸化層３３によっても、ポリ珪素層３４によっても覆われていない。ポリ珪素層３４の上にはアルミニウムテープ２があり、このアルミニウムテープはメアンダ状にトランジスタセル３の個々の列を中心にして迂曲している。ここでアルミニウムテープ２はポリ珪素層３４から中間酸化層３５によって絶縁されている。中間酸化層は典型的には約１μｍの厚さを有する。アルミニウムテープとして構成された測定抵抗と半導体領域３０の表面近傍熱負荷部分との間隔は５μｍ以下である。これにより理想的な熱結合が得られる。アルミニウムテープの上側にはこれから電気絶縁された上側金属層が配置されている。この上側金属層は共通のソース端子として電力トランジスタのすべてのトランジスタセルに対して用いられる。この上側金属層は図２には示されていない。上側金属層に対する個々のソール領域４の接触接続は局所的に制限された金属化部によって行われる。この金属化部は接触接続を介して電気的に上側金属層と接続されている。個々のソース領域の接触接続の正確な構成は詳細において異なることができる。重要なことは単に、アルミニウムテープ２が熱的に負荷される半導体領域３０のできるだけ近傍に存在することである。このことは、すべてのトランジスタセルの共通のソース端子が半導体領域３０から見て、アルミニウムテープの反対側に存在すれば得られる。
【００１７】
図３は、測定抵抗１１として使用されるアルミニウムテープ２に所属する評価回路を示す。基準電流源１３が基準抵抗１２に電流を供給する。トランジスタダイオードとして接続された基準トランジスタ１４と制御トランジスタ１５はトランジスタダイオード電流源１６と共にカレンとミラーとして接続されている。制御トランジスタ１５のコレクタは制御電流源１７を介して電圧供給部のプラス極２１と接続されている。同じように基準電流源１３とトランジスタダイオード電流源１６は電圧供給部のプラス極に接続されている。基準トランジスタ１４のエミッタは、基準電流源１３と基準抵抗１２との間の接続点２３に接続されており、これにより基準抵抗１２で降下する電圧が基準トランジスタ１４のエミッタの電位を設定する。制御電流源１７および制御トランジスタ１５のコレクタ−エミッタ区間に対し並列に測定電流源１８が接続されている。制御トランジスタ１５のエミッタは測定抵抗１１を介してアース端子と接続されている。測定抵抗１１は熱的に負荷される半導体領域３０のごく近傍に存在する。同じように基準トランジスタ１４のエミッタも基準抵抗１２を介してアースと接続されている。遮断トランジスタ１９が制御トランジスタ１５のコレクタ電位によって制御される。遮断トランジスタ１９は一方ではアースに、他方では保護すべき電力トランジスタ、例えばＤＭＯＳトランジスタ１０の制御入力側（ゲート）と接続されている。トランジスタ１０の使用によって得られる同じ制御は電流源２０によって象徴的に表されている。この電流源２０は電圧供給部のプラス極２１に接続されている。トランジスタ１０の別の端子２４と２５を介したさらなる配線はそれぞれの適用によって定められる。
【００１８】
トランジスタダイオード電流源１６，基準トランジスタ１４および制御トランジスタ１５からなるカレントミラーは制御電流源１７と共にコンパレータを形成する。コンパレータは、基準抵抗１２で降下する電圧を測定抵抗１１で降下する電圧と比較する。制御電流源１７およびトランジスタダイオード電流源１６から送出される電流は、基準電流源１３の電流と比較して小さく、かつ測定電流源１８の電流と比較して小さい。従って、基準抵抗１２または測定抵抗１１で降下する電圧は実質的に基準電流源１３の電流、または測定電流源１８の電流によって定められる。基準抵抗１２と測定抵抗１１の抵抗値を適切に選択し、電流源１３と１８を適切に選択することによって、通常の動作時に測定抵抗１１で降下する電圧が基準抵抗１２で降下する電圧よりも小さくなるように設定される。この状態では遮断トランジスタ１９のゲートは放電されており、遮断トランジスタ１９は非導通である。次にトンジスタ１０の温度が臨界値を越えて上昇すると、測定抵抗１１における電圧降下が抵抗１２における電圧降下を上回る。前記臨界値は抵抗値および使用される電流源の電流値の正確な選択によって設定されている。このことにより遮断トランジスタのゲートは正に充電される、これによって遮断トランジスタ１９は導通状態に切り替わり、電力トランジスタ１０の制御部をアースと短絡し、このようにして端子２４と端子２５を介して流れる負荷電流を遮断する。この負荷電流は不所望の過熱の原因となる。図１と図２に実施例として示された測定抵抗１１と関連したこの回路の利点は、急速かつ局所的な温度上昇の確実な検出である。この温度上昇は、短時間で５から１０Ａに達することもある電流によるものであり、わずか５〜１０μｓで３００Ｋの温度上昇が生じることもある。ここでアルミニウムテープの抵抗は典型的には２００Ωのオーダーの値を有する。トランジスタダイオード電流源１６並びに制御電流源１７は１０μＡのオーダーの電流を送出する。基準電流源１３によって定められる基準電流は、トランジスタダイオード電流源１６または制御電流源１７の電流より約１０倍大きい。基準抵抗１２と測定抵抗１１は両方とも同じ材料（アルミニウム）からなり、同じ製造ステップで被着される。従って両者は同じ製造公差を有する。基準抵抗に対して、測定抵抗に対するのと同じ抵抗値を選択するなら、測定電流源は基準電流源１３よりも小さな電流を送出しなければならない。これは上に述べた機能を保証するためである。
【００１９】
前記の評価回路によって、切換閾値に及ぼす製造公差の影響を低減することができる。しかしこの製造公差は完全には除去されない。なぜなら、基準抵抗と測定抵抗の抵抗値が正確に同じであり、かつ基準電流源１３と測定電流源１８の電流値が正確に同じときにのみ、基準抵抗と測定抵抗に同じ製造のばらつきがあっても基準抵抗と測定抵抗の製造公差が作用しないからである。例えば基準抵抗１２が測定抵抗１１とその抵抗値で相互に異なっていると、両方の抵抗に同じパーセントの製造ばらつきがあったにしても、温度上昇がそれぞれの抵抗における電圧降下に異なる大きさで作用する。これは、非常に短い時間内での相対的温度変化をいつ検出すべきかは興味がないということである。そのような場合には、基準抵抗１２がいつ加熱されたかは、たとえこれが熱的に負荷される半導体領域３０から離れて配置されていたとしても問題とならない。しかし保護装置が相対的かつ局所的温度変化に迅速に応答するだけでなく、半導体素子全体の静的な加熱に対しても応答すべき場合には、基準抵抗の値は測定抵抗の値と同じに選択しなければならない。基準電流源１３と測定電流源１８の電流値も同じ大きさでなければならない。逃げ道として接続点２３と、基準トランジスタ１４のエミッタとの間に前置抵抗が必要である。この前置抵抗により、通常動作で測定抵抗１１で降下する電圧が前置抵抗および基準抵抗で発生する電圧降下の和よりも小さいことが保証される。この評価回路の変形実施例では、この和が過熱の際に電力トランジスタを遮断するための切換閾値に対する重要な基準電圧である。遮断閾値についての製造公差が発生しないように、前置抵抗は基準抵抗および測定抵抗と同じ材料から作製しなければならない。図１および図２に有利な実施例として示されたようにアルミニウムの場合は、このことは非常に大きなスペースを必要とすることを意味する。このスペースの必要性は、図４から図６に示された改善された評価回路によって回避される。図３の回路の別の欠点は振動に弱いことである。しかしこの振動に弱いという欠点は多くの適用例で重要でないが、それが問題となる場合には当業者はその欠点を除去するために時間遅延素子を組み込むことができる。
【００２０】
図４は評価回路の改善実施例の基本構成を示す。この評価回路はＩTKO回路部分４０を有し、この回路部分は基準抵抗１２を介してアースに接続されている。ＩTKO回路部分４０はカレントミラーバック４１のバンク入力側と接続されている。カレントミラーバック４１の少なくとも１つの出力側は測定抵抗１１を介してアースに接続されている。測定抵抗１１で降下する電圧はコンパレータ４３の入力側に導かれる。コンパレータ４３の第２入力側には、ＵV回路部分からの基準電圧が印加される。コンパレータの出力信号４４は遮断トランジスタの制御に使用される。
【００２１】
回路部分４０は温度に依存しない電流を形成する。この電流の大きさはアルミニウムから製造された基準抵抗１２のばらつきパーセント（±２０％）により変動し、基準抵抗の抵抗値に対して反比例する。温度に依存しない比較電圧は回路部分４２から送出される。回路部分４０により形成された電流はカレントミラーバンク４１を介して測定抵抗でミラーリングされる。この測定抵抗の値も基準抵抗の値と同じように変動する。従って測定抵抗１１における測定電圧は金属抵抗の絶対的ばらつきには依存しない。測定抵抗において降下する電圧は、回路部分４０から送出された温度に依存しない電流に比例する電流と、測定抵抗１１の温度に依存しない抵抗値との積である。言い替えれば、測定抵抗１１における電圧降下は、温度に依存しない測定抵抗と基準抵抗との商に比例する。測定抵抗と温度との間には線形関係がある。すなわち、測定電圧は温度に線形依存する。測定電圧はコンパレータ４３で基準電圧と比較される。この基準電圧も同じように回路部分４２から温度に依存しないで送出される。基準電圧の値を上回るときには、コンパレータの相応の出力信号４４により遮断トランジスタに必要な情報が送出され、過熱しつつある電力トランジスタの制御が遮断される。
【００２２】
図５は、図４の基本に基づいた評価回路の簡単な実現例を示す。トランジスタ５２，５３，５４および５５、並びに抵抗５６と基準抵抗１２、および補償抵抗５１はリング電流源５０として接続されている。エミッタ数ｎの出力トランジスタ５５はここでは補償抵抗５１と基準抵抗１２を介してアースされている。トランジスタ５４，トランジスタ５５並びに基準抵抗１２と補償抵抗５１はリング電流源５０の出力電流経路である。トランジスタダイオードとして接続されているトランジスタ５３は抵抗５６を介して電圧供給部のプラス極２１に接続されている。トランジスタ５４のコレクタはカレントミラーバンク４１のバンク入力側７０に接続されている。カレントミラーバンク４１も同じように電圧供給部のプラス極に接続されている。図示の実施例では、カレントミラーバンク４１が３つのバンク入力側７１，７２，７３を有する。出力側７１は測定抵抗１１を介してアースと接続されている。バンク出力側７２と７３は、カレントミラー５７として接続されたトランジスタ５８と５９に接続されている。トランジスタ５８のエミッタは、測定抵抗１１から電位を取り出す。トランジスタダイオードとして接続されているトランジスタ５９のエミッタは基準電位に接続されており、この基準電位は分圧抵抗６１と６２を有する線形分圧器６０によって定められる。トランジスタ５８のコレクタは遮断トランジスタ１９のゲートと接続されている。遮断トランジスタ出力側６３は図３に示されているように接続されている。
【００２３】
カレントミラーバンク４１の構成は図６に示されている。カレントミラーバンクは、３つのバンク出力側７１，７２，７３を有する拡張されたカレントミラー回路である。バンク入力側７０は、トランジスタダイオードとして接続されたバンクトランジスタ７５のコレクタ端子によって構成されている。別のバンクトランジスタ７６，７７，７８のベース−エミッタ接合部は、バンクトランジスタ７５のベース−エミッタ接合部に並列に接続されている。ここでバンクトランジスタ７６はｍ個のエミッタを有し、ｍは典型的には１から１０の間である。ＭＯＳＦＥＴトランジスタによる択一的実施例では、相応の機能が次のようにして得られる。すなわち、トランジスタ７６のチャネル幅をカレントミラーバンク４１の他のトランジスタのチャネル幅に対して相対的に適切に選択することによって得られる。エミッタ数ｍが１＜ｍ≦１０であることにより、バンク出力側７１を流れる電流がバンク出力側７２と７３を流れる電流よりも格段に大きいことが保証される。
【００２４】
リング電流源５０は回路部分４０に相当し、この回路部分はカレントミラーバンク４１のバンク入力側７０に温度に依存しない電流を供給する。この電流は基準抵抗１２の値に反比例する。バンク出力側７１を介してこの温度に依存しない電流は測定抵抗１１にミラーリングされる。バンク出力側７２と７３に接続されたカレントミラー５７はコンパレータ４３として用い、測定抵抗１１で降下する電圧を基準電圧と比較する。この基準電圧はトランジスタ５９のエミッタに印加され、線形分圧器６０から送出される。線形分圧器６０によって保護装置の切換閾値が調整される。すなわち温度に依存しないで調整される。測定抵抗１１で降下する電圧が基準電圧を上回ると、遮断トランジスタ１９が図３と同じようにアクティブになる。すでに説明したようにこの評価回路によって、図３では場合により必要となる前置抵抗（大きな面積が必要である）が回避される。さらにチップ補正が必要なくなる。補償しなければならない電流源が存在しなくなる。バンク出力側７２と７３を流れる電流はバンク出力側７１からの電流と比較して小さい。従って基準抵抗１１および分圧器抵抗６２における電圧降下はバンク出力側７１を流れる電流によって、すなわち分圧器６０の分圧比によってのみ定められる。この回路によって、測定抵抗１１における、所定の温度に対する測定電圧が所定の一定値を有することが保証され、これはアルミニウム抵抗の製造公差に依存しない。このことにより絶対温度測定が可能である。測定抵抗および基準抵抗はアルミニウムからなる。バンクトランジスタ７６のエミッタ数を介して簡単に、分圧器６０の分圧比の選択に加えて保護装置の切換閾値を調整することができる。リング電流源５０の出力電流経路４９の電流は、出力トランジスタ５５のエミッタ数ｎの対数と、熱電圧を基準抵抗および補償抵抗で割った商との積として計算される。熱電圧はｋ・Ｔ／ｅに等しい。補償抵抗は基準抵抗と比較して小さく選択されており、基準抵抗よりも小さな温度係数を有する。従って補償抵抗に対する有利な材料選択はポリ珪素である。補償抵抗は、基準抵抗の温度依存性により熱電圧の温度依存性がやや過補償されるのを低減するために使用する。補償抵抗は基準抵抗よりも小さな温度係数を有することによって、補償抵抗は補償抵抗と基準抵抗の和の温度係数を、基準抵抗の温度係数と比較して低減する。このことにより、補償抵抗と基準抵抗の和抵抗の温度係数が熱電圧の温度係数に近付き、リング電流源５０の出力電流経路の電流が使用するのに十分な程度温度に依存しないようになる。
【００２５】
図５に示された保護装置は汎用的に使用される保護装置である。この保護装置は短時間で局所的に発生する高損出電力に対しても、保護すべき半導体構成素子の全体的過熱に対しても同じように応答する。そして保護すべき半導体構成素子を考え得るすべての過熱バリエーションから保護する。
【図面の簡単な説明】
【図１】アルミニウムからなる集積測定抵抗を有するＭＯＳ電力トランジスタの平面図である。
【図２】図１のＭＯＳ電力トランジスタの斜視図である。
【図３】所属の評価回路の回路図である。
【図４】改善された評価回路の基本回路図である。
【図５】図４の改善された評価回路の簡単な実施例である。
【図６】図５で使用されるカレントミラーバンクの回路図である。
【符号の説明】
１  ＭＯＳトランジスタ
２  アルミニウムテープ
３  トランジスタセル
４  ソース領域
【図１】
0004084867.tif 000002
【図２】
0004084867.tif 000003
【図３】
0004084867.tif 000004
【図４】
0004084867.tif 000005
【図５】
0004084867.tif 000006
【図６】
0004084867.tif 000007