【手続補正書】
【提出日】平成20年6月11日(2008.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１以上の感応素子（１０；２０；３０）を含む電気回路を有するタイプの、物理量特に磁場検出用の薄膜装置であって、
検出される物理量の関数である当該薄膜装置自体の電気抵抗（Ｒ）が変更可能に設計されており、
上記１以上の感応素子（１０；２０；３０）は、少なくとも１つのナノコンストリクション（１０；２０；３０）を備え、
上記ナノコンストリクション（１０；２０；３０）は、ナノチャンネル（１１；２１；２１’；２１”）を介して接続された少なくとも２つのパッド（１２、１３；２２、２３）を含み、その２つのパッドはそれぞれ、実質的に反対方向に配向された磁化（１６、１７；Ｍ１、Ｍ２）を有する磁性材料からなっており、
上記ナノチャンネル（１１；２１；２１’；２１”）は、当該装置に形成されたドメイン壁（１５；２５）の大きさ（ＬＤＷ、ＷＤＷ）の関数である上記ナノコンストリクション（１０；２０；３０）の電気抵抗（Ｒ）を決定するドメイン壁（１５；２５）を形成することができ、
上記ナノチャンネル（２１；２１’；２１”）の少なくとも１つの断面についての大きさ（ＬＮＣ；ＴＮＣ）が、検出される様々な値の物理量の関数として、１以上の軸（ｘ）に沿って変化するように構成されていることを特徴とする薄膜装置。
【請求項２】
上記ナノチャンネル（２１）が、積層物により構成され、当該積層物が可変断面（ＴＮＣ；ＬＮＣ）を有することを特徴とする請求項１記載の物理量を検出するための薄膜装置。
【請求項３】
上記可変断面（ＬＮＣ；ＴＮＣ）が、ナノチャンネル（２１；２１’；２１”）の両端で最大値をとり、上記ナノチャンネル（２１；２１’；２１”）の両端間の実質的に中間点で最小値をとることを特徴とする請求項２記載の薄膜装置。
【請求項４】
上記ナノコンストリクション（３０）が、上記ナノチャンネルの軸（ｘ）に対して垂直な成分を少なくとも含むピニング電流（ｉ１、ｉ２）を流す電流ライン（３１、３２）を備えることを特徴とする請求項２又は３に記載の薄膜装置。
【請求項５】
上記パッド（２２、２３）は、永久磁石材料により得られることを特徴とする請求項３又は４に記載の薄膜装置。
【請求項６】
上記パッド（２２、２３）に測定電流（Ｉｓ）が流れるように構成され、上記パッド（２２、２３）に、電圧降下を測定するための手段（１９）が接続されたことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の薄膜装置。
【請求項７】
上記第１磁性パッド（２２）及び上記第２磁性パッド（２３）及び／又は上記ナノチャンネル（２１；２１’；２１”）が、傾斜及び／又は曲率及び／又は保磁力及び／又は飽和磁化及び／又は残留磁場を含むヒステリシスサイクルのパラメータをさらに制御するために幾何学的に配置されることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の薄膜装置。
【請求項８】
上記第１磁性パッド（２２）及び／又は上記第２磁性パッド（２３）は、大きさ及び／又は互いの距離の値が、上記ナノチャンネル（２１；２１’；２１”）に存在する磁性双極子モーメントの所望の移動度の関数として計算されるように構成されることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の薄膜装置。
【請求項９】
スイッチング磁場（ＨＳＷＩＴＣＨ）の値を変更することができるように、ピニング電流（ｉ１、ｉ２）の強度（Ｉ、Ｉ／２）を調整するように構成されていることを特徴とする請求項４〜８のいずれかに記載の薄膜装置。
【請求項１０】
ドメイン壁（２５）を発生させるため、反強磁性の構成において、ナノコンストリクション（２０、３０）のパッド（２２、２３）を磁化する電流を、上記ピニングライン（３１、３２）中に流すように構成されていることを特徴とする請求項４〜９のいずれかに記載の薄膜装置。
【請求項１１】
温度の変化及び／又はエアーギャップの変化を補償するため、動作中、ピニング電流（ｉ１、ｉ２）を調整するよう構成されていることを特徴とする請求項４〜１０のいずれかに記載の薄膜装置。
【請求項１２】
上記センサ装置のダイナミックレンジ及び／又はスイッチング磁場及び／又は磁気曲線の傾斜を制御するため、ピニング電流（ｉ１、ｉ２）を調整するよう構成されていることを特徴とする請求項４〜１１のいずれかに記載の薄膜装置。
【請求項１３】
面内電流タイプ（ＣＩＰ）であり、ナノチャンネルが平面状であることを特徴とする請求項１記載の薄膜装置。
【請求項１４】
膜面垂直電流タイプ（ＣＰＰ）であり、ナノチャンネルが垂直であり多孔質マトリクス（２００）内に設けられ、その孔（２０５）が任意の形状及び大きさを有することを特徴とする請求項１記載の薄膜装置。
【請求項１５】
上記孔（２０５）が、ナノチャンネルの３次元調整を行うことができるよう、特に集束イオンビームにより形成された円錐状孔であることを特徴とする請求項１４に記載の薄膜装置。
【請求項１６】
上記ナノチャンネル（１１；２１；２１’；２１”）が、測定されるべき物理量をなす力を加えることにより変わる断面を有するよう構成されることを特徴とする請求項１記載の薄膜装置。
【請求項１７】
上記ナノチャンネル（１１；２１；２１’；２１”）が、圧縮応力に追随する伸張を受ける形状を有するよう構成されることを特徴とする請求項１６記載の薄膜装置。
【請求項１８】
上記ナノチャンネル（１１；２１；２１’；２１”）が、変形可能な基板、特に弾性変形可能な基板に接続されることにより伸張及び／又はねじれを受けるように構成されることを特徴とする請求項１６又は１７に記載の薄膜装置。
【請求項１９】
上記ナノチャンネル（１１；２１；２１’；２１”）が、磁気抵抗特性を示す磁性材料中に形成されることを特徴とする請求項１６〜１８のいずれかに記載の薄膜装置。
【請求項２０】
上記ナノコンストリクション（３０）が、上記ナノチャンネルの軸（ｘ）に対して垂直な成分を少なくとも含むピニング電流（ｉ１、ｉ２）を流す電流ライン（３１、３２）を備えることを特徴とする請求項１６〜１９のいずれかに記載の薄膜装置。
【請求項２１】
磁性材料からなる上記パッド（１２、１３；２２、２３）が、スプリング磁石の多層体により得られることを特徴とする請求項１〜２０のいずれかに記載の薄膜装置。
【請求項２２】
ピニング電流（ｉ１、ｉ２）を流す上記電流ライン（３１、３２）が、上記パッドの上面及び／又は下面に配置されることを特徴とする請求項１〜２１のいずれかに記載の薄膜装置。
【請求項２３】
ピニング電流（ｉ１、ｉ２）を流す上記電流ライン（３１、３２）が、誘電体、特に酸化シリコンにより分離されていることを特徴とする請求項１〜２１のいずれかに記載の薄膜装置。
【請求項２４】
磁性材料からなる少なくとも２つのパッド（１２、１３；２２、２３）を含むナノコンストリクション（１０；２０；３０）の形態の薄膜磁気抵抗素子を使用し、
上記２つのパッドを実質的に反対方向に磁化（１６、１７；Ｍ１、Ｍ２）し、上記パッド（１２、１３；２２、２３）を接続するナノチャンネル（１１；２１；２１’；２１”）において、ドメイン壁（１５；２５）の大きさ（ＬＤＷ、ＷＤＷ）の関数である上記ナノコンストリクション（１０；２０；３０）の電気抵抗（Ｒ）を決定する上記ドメイン壁（１５；２５）を形成して、
外部磁場（Ｈｅｘｔｘ）の関数である上記電気抵抗（Ｒ）を測定する磁場検出方法であって、
上記方法が、上記ナノチャンネル（２１；２１’；２１”）の軸（ｘ）に沿って変化する断面（ＬＮＣ；ＴＮＣ）を有する上記ナノチャンネル（２１；２１’；２１”）を備えるナノコンストリクション（２０；３０）を使用するオペレーションを含むことを特徴とする方法。
【請求項２５】
可変の断面（ＬＮＣ、ＴＮＣ）を有する上記ナノチャンネル（２１；２１’；２１”）が、上記ナノチャンネル（２１；２１’；２１”）の両端において最大値をとり、上記ナノチャンネル（２１；２１’；２１”）の実質的に中央部において最小値をとることを特徴とする請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
ナノチャンネル（２１；２１’；２１”）の軸（ｘ）に対して垂直な成分を少なくとも有するピニング電流（ｉ１、ｉ２）を流す電流ライン（３１、３２）が、上記ナノコンストリクション（３０）に接続されて設けられていることを特徴とする請求項２４記載の方法。
【請求項２７】
永久磁石材料を使用して、上記パッド（２２、２３）が設けられることを特徴とする請求項２４又は２５記載の方法。
【請求項２８】
上記ナノコンストリクション（２０、３０）に測定電流（Ｉｓ）を流し（１８、１９）、そして上記ナノコンストリクション（２０、３０）に亘って電圧降下を測定することを特徴とする請求項２４〜２７のいずれかに記載の方法。
【請求項２９】
外形的パラメータ及び／又は上記第１強磁性パッド（２２）及び上記第２強磁性パッド（２３）の材料に関連するパラメータを介して、傾斜及び／又は曲率及び／又は保磁力及び／又は飽和磁化及び／又は残留磁場を含むヒステリシスサイクルのパラメータをさらに制御する工程を備えることを特徴とする請求項２４〜２８のいずれかに記載の方法。
【請求項３０】
上記第１強磁性パッド（２２）及び／又は第２強磁性パッド（２３）の大きさ、及び／又はそれらの間のそれぞれの距離を変更し、それによりナノチャンネル（２１）に存在する磁気双極子モーメントの移動度を変更することを特徴とする請求項２４〜２９のいずれかに記載の方法。
【請求項３１】
上記ナノコンストリクションのパッド（２２、２３）におけるそれぞれ磁化（Ｍ１、Ｍ２）を誘発する磁場のループを発生させるため、ピニングライン（３１、３２）にそれぞれピニング電流（ｉ１、ｉ２）を流すことを特徴とする請求項２４〜３０のいずれかに記載の方法。
【請求項３２】
上記ピニング電流（ｉ１、ｉ２）の強度（Ｉ、Ｉ／２）を調整し、スイッチング磁場（ＨＳＷＩＴＣＨ）の値を変更することを特徴とする請求項２４〜３１のいずれかに記載の方法。
【請求項３３】
ドメイン壁２５の発生を促進する工程を具備し、当該工程は、反強磁性のナノコンストリクション（２０、３０）のパッド（２２、２３）を磁化するための電流を、上記ピニングライン（３１、３２）中に流すことを含むことを特徴とする請求項２４〜３２のいずれかに記載の方法。
【請求項３４】
動作中、ピニング電流（ｉ１、ｉ２）を調整し、温度の変化及び／又はエアーギャップの変化を補償する作業を含むことを特徴とする請求項２６〜３３のいずれかに記載された方法。
【請求項３５】
センサのダイナミックレンジ及び／又はスイッチング磁場及び／又は磁場曲線の傾斜を制御するため、ピニング電流（ｉ１、ｉ２）を調整することを含む請求項２６〜３４のいずれかに記載の方法。
【請求項３６】
動作中に、ピニング電流（ｉ１、ｉ２）を調整し、温度の変化及び／又はエアーギャップの変化を補償する作業が、ポジショニングシステムにおいて感度を変更するためピニング電流（ｉ１、ｉ２）の値を変更することを含むことを特徴とする請求項３４記載の方法。
【請求項３７】
磁場を検出するためのセンサ装置であって、ナノコンストリクション（１０；２０；３０）の形態の磁気抵抗素子（１０；２０；３０）を備え、
上記ナノコンストリクション（１０；２０；３０）は、ナノチャンネル（１１；２１；２１’；２１”）を介して接続された少なくとも２つのパッド（１２、１３；２２、２３）を含み、その２つのパッドはそれぞれ、実質的に反対方向に配向された磁化（１６、１７；Ｍ１、Ｍ２）を有する磁性材料からなっており、
上記ナノチャンネル（１１；２１；２１’；２１”）は、当該センサ装置に形成されたドメイン壁（１５；２５）の大きさ（ＬＤＷ、ＷＤＷ）の関数である上記ナノコンストリクション（１０；２０；３０）の電気抵抗（Ｒ）を決定するドメイン壁（１５；２５）を形成することができ、
当該センサ装置は、上記ナノチャンネル（２１；２１’；２１”）が、ナノチャンネルの軸（ｘ）に沿って変化する断面（ＬＮＣ；ＴＮＣ）を有することを特徴とするセンサ装置。
【請求項３８】
ナノコンストリクション（１０；２０；３０）の形態の磁気抵抗素子（１０；２０；３０）を備える力感知装置であって、
上記ナノコンストリクション（１０；２０；３０）は、ナノチャンネル（１１；２１；２１’；２１”）を介して接続された少なくとも２つのパッド（１２、１３；２２、２３）を含み、その２つのパッドはそれぞれ、実質的に反対方向に配向された磁化（１６、１７；Ｍ１、Ｍ２）を有する磁性材料からなっており、
上記ナノチャンネル（１１；２１；２１’；２１”）は、上記センサ装置に形成されたドメイン壁（１５；２５）の大きさ（ＬＤＷ、ＷＤＷ）の関数である上記ナノコンストリクション（１０；２０；３０）の電気抵抗（Ｒ）を決定するドメイン壁（１５；２５）を形成することができ、
上記ナノチャンネル（２１；２１’；２１”）が、力が加えられることに続いて、ナノチャンネルの軸（ｘ）に沿ってその断面（ＬＮＣ；ＴＮＣ）が変化するよう構成されていることを特徴とする力感知装置。