【手続補正書】
【提出日】平成20年6月2日(2008.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に歪み材料および緩和材料のパターンを形成するステップと、
前記歪み材料中に歪みデバイスを形成するステップと、
前記緩和材料中に非歪みデバイスを形成するステップと
を備えた
方法。
【請求項２】
基板上に歪み材料および緩和材料のパターンを形成する前記ステップが、さらに、
前記基板に凹部を形成するステップであって、前記凹部は側壁を備えている、ステップと、
前記基板と格子定数／格子構造が一致しない緩衝層を前記凹部に形成するステップと、
前記緩衝層上に緩和層を形成するステップと、
前記緩和層上に前記歪み材料を形成し、前記基板上に前記緩和材料を形成するステップ
であって、前記緩和材料は前記歪み材料と格子定数／格子構造が一致していない、ステップとを備えた、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記緩和層および前記緩衝層の各々を、
シリコン（Ｓｉ）、シリコン・カーボン（ＳｉＣ）、シリコン・ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、ＡｌX1ＧａX2ＩｎX3ＡｓY1ＰY2ＮY3ＳｂY4（ただし、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、およびＹ４は相対比率を表し、各々は「０」以上であり、Ｘ１＋Ｘ２＋Ｘ３＋Ｙ１＋Ｙ２＋Ｙ３＋Ｙ４＝１（「１」は合計相対モル量）である）、および、ＺｎA1ＣｄA2ＳｅB1ＴｅB2（ただし、Ａ１、Ａ２、Ｂ１、およびＢ２は相対比率を表し、各々は「０」以上であり、Ａ１＋Ａ２＋Ｂ１＋Ｂ２＝１（「１」は合計相対モル量）である）から成る群から選択する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
基板上に歪み材料および緩和材料のパターンを形成する前記ステップが、さらに、
前記基板上に緩衝層を形成するステップであって、前記緩衝層は前記基板と格子定数／格子構造が一致していない、ステップと、
前記緩衝上に緩和層を形成するステップと、
前記緩和層および前記緩衝層を貫通して凹部を形成するステップであって、前記凹部は側壁を備えている、ステップと、
前記凹部に前記緩和材料を形成するステップと、
前記凹部の境界の外部において前記緩和層上に前記歪み材料を形成するステップであって、前記歪み材料は前記緩和層と格子定数／格子構造が一致していない、ステップとを備えた、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
さらに、
前記緩和層を形成するステップの前に、前記側壁に絶縁層を形成するステップを備えた、請求項２または４に記載の方法。
【請求項６】
前記緩和層および前記緩衝層を、
シリコン・カーボン（ＳｉＣ）、シリコン・ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、ＡｌX1ＧａX2ＩｎX3ＡｓY1ＰY2ＮY3ＳｂY4（ただし、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、およびＹ４は相対比率を表し、各々は「０」以上であり、Ｘ１＋Ｘ２＋Ｘ３＋Ｙ１＋Ｙ２＋Ｙ３＋Ｙ４＝１（「１」は合計相対モル量）である）、および、ＺｎA1ＣｄA2ＳｅB1ＴｅB2（ただし、Ａ１、Ａ２、Ｂ１、およびＢ２は相対比率を表し、各々は「０」以上であり、Ａ１＋Ａ２＋Ｂ１＋Ｂ２＝１（「１」は合計相対モル量）である）から成る群から選択する、
請求項２または４に記載の方法。
【請求項７】
前記緩衝層を形成する前記ステップが、さらに、
前記緩衝層を形成する材料から成る複数の層を、前記緩衝層を形成する材料の濃度が前記基板の近傍のベース濃度と前記緩和層の近傍のより高いベンチマーク濃度とを有するようにエピタキシャル成長させるステップを備えた、請求項２または４に記載の方法。
【請求項８】
前記緩和層を形成する前記ステップが、さらに、
前記緩和層を形成する材料から成る複数の層を、前記緩和層を形成する前記材料が前記緩衝層の近傍において前記緩衝層の材料のベンチマーク濃度にほぼ等しい第２のベース濃度を有するように、エピタキシャル成長させるステップを備えた、
請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記歪み材料が、炭素をドープしたシリコン、または、ゲルマニウムをドープしたシリコンから成る、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
電気デバイスを形成する方法であって、
基板の一部分と接触させて緩衝層を形成するステップであって、前記緩衝層は前記基板と格子定数／格子構造が一致していない、ステップと、
前記緩衝層上に緩和層を形成するステップと、
前記緩和層の上表面に歪み材料を、前記緩和層によって前記歪み材料が引っ張り状態および圧縮状態のうちの一方の状態になるように、形成するステップと、
前記歪み材料の近傍に非歪み材料をパターン形成するステップと
を備えた方法。
【請求項１１】
さらに、
前記歪み材料中に歪みデバイスを形成するステップと、
前記非歪み材料中に非歪みデバイスを形成するステップとを備えた、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記緩和層は前記歪み材料と格子定数／格子構造が一致しない材料から成っている、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記緩衝層および前記緩和層を、
シリコン・カーボン（ＳｉＣ）、シリコン・ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、ＡｌX1ＧａX2ＩｎX3ＡｓY1ＰY2ＮY3ＳｂY4（ただし、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、およびＹ４は相対比率を表し、各々は「０」以上であり、Ｘ１＋Ｘ２＋Ｘ３＋Ｙ１＋Ｙ２＋Ｙ３＋Ｙ４＝１（「１」は合計相対モル量）である）、および、ＺｎA1ＣｄA2ＳｅB1ＴｅB2（ただし、Ａ１、Ａ２、Ｂ１、およびＢ２は相対比率を表し、各々は「０」以上であり、Ａ１＋Ａ２＋Ｂ１＋Ｂ２＝１（「１」は合計相対モル量）である）から成る群から選択する、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記緩衝層を形成する前記ステップが、さらに、
前記緩衝層を形成する材料から成る複数の層を、前記緩衝層を形成する材料の濃度が前記基板の近傍のベース濃度と前記緩和層の近傍のより高いベンチマーク濃度とを有するようにエピタキシャル成長させるステップを備えた、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
基板上に形成された歪み材料および緩和材料のパターンと、
前記基板上に形成され、前記基板と格子定数／格子構造が一致していない緩衝層と、
前記緩衝層上に形成された緩和層であって、前記緩和層の上表面には引っ張り状態および圧縮状態のうちの一方の状態にある前記歪み材料が設けられている、緩和層とを備え、
前記緩和層は前記歪み材料と格子定数／格子構造が一致していない材料から成り、
前記緩衝層を形成する材料は濃度が前記基板の近傍におけるベース濃度から前記緩和層の近傍におけるベンチマーク濃度まで増大している
電気デバイス。
【請求項１６】
さらに、
前記基板中に形成されるとともに前記緩衝層を囲む凹部であって、前記凹部は側壁を備えている、凹部と、
前記側壁上に形成された絶縁層とを備えた、
請求項１５に記載の電気デバイス。
【請求項１７】
前記緩和層および前記緩衝層が、
シリコン・カーボン（ＳｉＣ）、シリコン・ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、ＡｌX1ＧａX2ＩｎX3ＡｓY1ＰY2ＮY3ＳｂY4（ただし、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、およびＹ４は相対比率を表し、各々は「０」以上であり、Ｘ１＋Ｘ２＋Ｘ３＋Ｙ１＋Ｙ２＋Ｙ３＋Ｙ４＝１（「１」は合計相対モル量）である）、および、ＺｎA1ＣｄA2ＳｅB1ＴｅB2（ただし、Ａ１、Ａ２、Ｂ１、およびＢ２は相対比率を表し、各々は「０」以上であり、Ａ１＋Ａ２＋Ｂ１＋Ｂ２＝１（「１」は合計相対モル量）である）から成る群から選択されている、請求項１５に記載の電気デバイス。
【請求項１８】
前記緩和層を形成する材料が、前記緩衝層の近傍において前記ベンチマーク濃度にほぼ等しい第２のベース濃度を有する、請求項１５に記載の電気デバイス。
【請求項１９】
前記絶縁層を形成する材料が酸化物および窒化物のうちの一方であり、
前記基板の一部分が、前記緩和材料を形成しているとともに、前記絶縁層から成る境界の外部に位置している、請求項１６に記載の電気デバイス。
【請求項２０】
さらに、
前記歪み材料中に形成された歪みデバイスと、
前記緩和材料中に形成された非歪みデバイスとを備えた、
請求項１５に記載の電気デバイス。
【請求項２１】
前記緩和材料は前記凹部において前記絶縁層から成る境界内に形成されている、
請求項１６に記載の電気デバイス。
【請求項２２】
基板上に形成された歪み材料および緩和材料のパターンと、
前記歪み材料中に形成された第１のデバイスと、
前記緩和材料中に形成された第２のデバイスと
を備えた
電気デバイス。
【請求項２３】
さらに、
前記基板の一部分と接触して形成された緩衝層であって、前記緩衝層は前記基板とは格子定数／格子構造が一致していない、緩衝層と、
前記緩衝層上に形成された緩和層と、
前記緩和層の上表面に形成された歪み材料であって、前記緩和層によって前記歪み材料は引っ張り状態および圧縮状態のうちの一方の状態になっている、歪み材料と、
前記歪み材料の近傍にパターン形成された非歪み材料とを備えた、
請求項２２に記載の電気デバイス。
【請求項２４】
前記歪み材料中に形成された前記第１のデバイスは論理デバイスであり、前記緩和材料中に形成された前記第２のデバイスは欠陥の影響を受けやすいデバイスであり、
前記緩和材料が、前記歪み材料と格子定数／格子構造が一致していない材料から成る、
請求項２２に記載の電気デバイス。
【請求項２５】
前記緩衝層を形成する材料の濃度が、前記基板の近傍のベース濃度から前記緩和層の近傍のベンチマーク濃度まで増大している、
請求項２３に記載の電気デバイス。
【請求項２６】
さらに、
前記歪み材料および前記緩和材料の近傍に形成された第２の歪み材料であって、それぞれ、前記歪み材料は引っ張り状態または圧縮状態にあり、前記第２の歪み材料は圧縮状態または引っ張り状態にある、第２の歪み材料を備えた、
請求項２２に記載の電気デバイス。
【請求項２７】
前記歪み材料が、炭素をドープした材料、または、ゲルマニウムをドープした材料である、請求項２２または２３に記載の電気デバイス。
【請求項２８】
さらに、
前記基板中に形成された凹部であって、前記凹部は側壁を備え、前記側壁から成る境界内には前記歪み材料が形成されており、前記歪み材料は炭素をドープした材料、または、ゲルマニウムをドープした材料である、凹部を備え、
前記側壁は絶縁層を備え、前記歪み材料は前記絶縁層から成る境界内に形成されている、請求項２２に記載の電気デバイス。