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【手続補正書】
【提出日】平成20年2月7日(2008.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外気の吸込み口と吹出し口を有する筐体内に設けられ冷媒配管により順次接続された圧縮機、凝縮器、減圧器、蒸発器及び前記圧縮機と蒸発器の間に接続された電磁弁からなる冷凍サイクル手段と、前記吸込み口から吸引した外気を前記蒸発器を通過させて吹出し口から吹出し、また、前記吸込み口から吸引した外気を前記凝縮器を通過させて吹出し口から吹出す送風手段と、前記冷凍サイクル手段、送風手段を制御する制御手段とを備え、
該制御手段に、被乾燥物を乾燥し脱臭する除湿運転又は温風運転−加湿運転−除湿運転又は温風運転の運転モードを設けたことを特徴とする除湿機。
【請求項２】
前記冷凍サイクル手段の蒸発器と凝縮器を筐体内の上下方向に設置したことを特徴とする請求項１記載の除湿機。
【請求項３】
前記冷凍サイクルの蒸発器と凝縮器を筐体の前後方向に設置したことを特徴とする請求項１記載の除湿機。
【請求項４】
前記制御手段に、冷凍サイクル手段の蒸発器を加熱する蒸発器加熱運転モードを設けたことを特徴とする請求項１記載の除湿機。
【請求項５】
前記冷凍サイクル手段に、蒸発器を加熱する蒸発器加熱手段を設けたことを特徴とする請求項１記載の除湿機。
【請求項６】
前記送風手段から吹出し口に至る周路内に温風加熱手段を設けたことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の除湿機。
【請求項７】
前記冷凍サイクル手段の蒸発器又はその近傍に温度検知手段を設けたことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の除湿機。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかの除湿機により被乾燥物を乾燥するにあたり、
除湿運転により被乾燥物を乾燥する第１の除湿工程と、蒸発器加熱運転又は蒸発器加熱手段により蒸発器に付着した水分を加熱する蒸発器加熱工程と、加湿運転により前記蒸発器に付着した水分を被乾燥物に付着させて該被乾燥物に付着した臭い成分を吸着させる加湿工程と、除湿運転により前記被乾燥物を乾燥すると共に該被乾燥物に付着した臭い成分を吸着した水分を該乾燥物から分離させる第２の除湿工程を順次行うことを特徴とする除湿機の制御方法。
【請求項９】
一定時間以上除湿運転を行っていた場合は、前記第１の除湿工程を省略することを特徴とする請求項８記載の除湿機の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る除湿機は、外気の吸込み口と吹出し口を有する筐体内に設けられ、冷媒配管により順次接続された圧縮機、凝縮器、減圧器、蒸発器及び前記圧縮機と蒸発器の間に接続された電磁弁からなる冷凍サイクル手段と、前記吸込み口から吸引した外気を前記蒸発器を通過させて吹出し、また、前記吸込み口から吸引した外気を前記凝縮器を通過させて吹出し口から吹出す送風手段と、前記冷凍サイクル手段、送風手段を制御する制御手段とを備え、該制御手段に、被乾燥物を乾燥し脱臭する除湿運転又は温風運転−加湿運転−除湿運転又は温風運転の運転モードを設けたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月9日(2008.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
輝度変調素子と色変調素子とを有する表示装置の制御を行う画像表示制御装置であって、
入力される映像信号におけるＲＧＢ成分各々の信号値からの最大値を抽出して、最大信号値として出力する最大値選択部と、
輝度変調素子の制御を行う輝度制御値を該最大信号値から生成する輝度制御値生成部と、
該輝度制御値に対応させて、ＲＧＢ成分各々の信号値を補正し、補正信号値として出力する色補正部と、
該補正信号値からＲＧＢ各々の色変調素子の色制御値を生成する色制御値生成部と
を有することを特徴とする画像表示制御装置。
【請求項２】
前記色補正部が、ＲＧＢ成分各々の信号値を線形変換した結果と、前記輝度制御値から求めた補正値とを乗算し、該乗算結果を前記補正信号値として出力することを特徴とする請求項１記載の画像表示制御装置。
【請求項３】
前記色補正部が、前記乗算を浮動小数点演算にて行い、演算結果を整数値として出力することを特徴とする請求項２記載の画像表示制御装置。
【請求項４】
前記輝度制御値生成部が、前記最大信号値と輝度変調素子の制御値との対応を示す輝度値テーブルを有しており、最大値選択部の出力する最大信号値に対応した輝度変調素子の制御値を読み出し、輝度制御値として出力し、
前記色制御値生成部が、前記補正信号値と色変調素子の制御値との対応を示す色テーブルを有しており、色補正部の出力する補正信号値に対応した色変調素子の制御値を読み出し、色制御値として出力することを特徴とする請求項１記載の画像表示制御装置。
【請求項５】
前記色テーブルにおいて、前記最大信号値に対し、透過率特性を、色変調素子毎の個別の特性からγ２．２乗に補正する制御値が設定されていることを特徴とする請求項４記載の画像表示制御装置。
【請求項６】
前記輝度テーブルにおいて、前記補正信号値に対し、透過率特性を、輝度変調素子毎の個別の特性からγ１．０乗以下に補正する制御値が設定されていることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の画像表示制御装置。
【請求項７】
前記色補正部が、前記乗算結果を整数値として出力する際、乗算結果がオーバーフローした場合、予め設定した上限値にてクリッピング処理を行うことを特徴とする請求項３から請求項６のいずれかに記載の画像表示制御装置。
【請求項８】
前記請求項１から請求項７のいずれかに記載の画像表示制御装置を有するプロジェクタ。
【請求項９】
輝度変調素子と色変調素子とを有する表示装置の制御を行う画像表示制御装置の制御方法であって、
最大値選択部が入力される映像信号におけるＲＧＢ成分各々の信号値からの最大値を抽出して、最大信号値として出力する最大値選択過程と、
輝度制御値生成部が輝度変調素子の制御を行う輝度制御値を該最大信号値から生成する輝度制御値生成過程と、
色補正部が該輝度制御値に対応させて、ＲＧＢ成分各々の信号値を補正し、補正信号値として出力する色補正過程と、
色制御値生成部が該補正信号値からＲＧＢ各々の色変調素子の色制御値を生成する色制御値生成過程と
を有することを特徴とする画像表示制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月10日(2008.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
画素電極を有する第１の基板と対向電極を有する第２の基板の間に液晶材料を挟持した液晶表示パネルを有し、前記第１の基板は前記対向電極と前記画素電極の間の前記液晶材料の層の厚さを２通りにする段差形成層および前記段差形成層と重畳する領域に配置された反射層を有する液晶表示装置であって、
前記第１の基板は、導体膜を成膜した後、前記導体膜上に絶縁膜を成膜し、前記絶縁膜をパターニングしてなる前記段差形成層と、
前記段差形成層をマスクにして前記導体膜をパターニングしてなる遮光層とを有することを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】
前記遮光層は、前記段差形成層と重畳する領域の外側まで延在していることを特徴とする請求項１６に記載の液晶表示装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
（１６）画素電極を有する第１の基板と対向電極を有する第２の基板の間に液晶材料を挟持した液晶表示パネルを有し、前記第１の基板は前記対向電極と前記画素電極の間の前記液晶材料の層の厚さを２通りにする段差形成層および前記段差形成層と重畳する領域に配置された反射層を有する液晶表示装置であって、前記第１の基板は、導体膜を成膜した後、前記導体膜上に絶縁膜を成膜し、前記絶縁膜をパターニングしてなる前記段差形成層と、前記段差形成層をマスクにして前記導体膜をパターニングしてなる遮光層とを有する液晶表示装置である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
（１７）前記（１６）において、前記遮光層は、前記段差形成層と重畳する領域の外側まで延在している液晶表示装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月30日(2008.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記アゾ顔料が下記式（２）で表される化合物であることを特徴とする、請求項２に記載の電子写真感光体。 
【化２】
2007212511.tif 000001
（式（２）中、Ｒ４は環にアルキル基を有していてもよい炭素数４〜２０のシクロアルキルアルキル基を表し、Ｚは 
【化３】
2007212511.tif 000002
の混合物を表す。なお環Ｘは置換基を有していてもよい。）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態につき詳細に説明するが、以下に記載する構成要件の説明は本発明の実施形態の代表例であって、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において適宜変形して実施することができる。 
本発明は、特定のポリカーボネート樹脂を含有する、波長３８０〜５００ｎｍの光で露光用の電子写真感光体にある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
また、金属酸化物粒子の粒径としては種々のものが利用できるが、中でも電気特性および下引き層形成用の塗布液の安定性の面から、平均一次粒径として通常１ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、また、通常１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下のものが望ましい。
下引き層は、金属酸化物粒子をバインダー樹脂に分散した形で形成するのが望ましい。下引き層に用いられるバインダー樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、塩化ビニリデン樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルアルコール樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアクリル酸樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、水溶性ポリエステル樹脂、ニトロセルロース等のセルロースエステル樹脂、セルロースエーテル樹脂、カゼイン、ゼラチン、ポリグルタミン酸、澱粉、スターチアセテート、アミノ澱粉、ジルコニウムキレート化合物、ジルコニウムアルコキシド化合物等の有機ジルコニウム化合物、チタニルキレート化合物、チタニルアルコキシド化合物等の有機チタニル化合物、シランカップリング剤などの公知のバインダー樹脂があげられる。これらは単独で用いても良く、或いは２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。また、硬化剤とともに硬化した形で使用してもよい。中でも、アルコール可溶性の共重合ポリアミド、変性ポリアミド等は、良好な分散性、塗布性を示すことから好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
【化７】
2007212511.tif 000003
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
式（２）中、Ｒ４は環にアルキル基を有していてもよい炭素数４〜２０のシクロアルキルアルキル基を表し、Ｚは
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
式（２）において、−ＯＲ４基の結合位置は任意であるが、−ＣＯＮＨ−基の結合する炭素原子に対して、メタ位に結合するのが好ましい。Ｒ４が表すシクロアルキル基を有するアルキル基としては、アルキル基部分の炭素数が５以下、より好ましくは１〜３のものである。また、シクロアルキル基部分の炭素数が、８以下であって、より好ましくは４〜６のものである。Ｒ４は、より具体的には第１表に示すものが挙げられるが、なかでもシクロアルキル基部分がシクロヘキシル基であるものが好ましく、特に好ましいのはシクロヘキシルメチル基である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
【表１】
2007212511.tif 000004
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
【表２】
2007212511.tif 000005
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
露光装置３は、電子写真感光体１に露光を行なって電子写真感光体１の感光面に静電潜像を形成することができるものであれば、その種類に特に制限はない。具体例としては、ハロゲンランプ、蛍光灯、半導体レーザーやＨｅ−Ｎｅレーザー等のレーザー、ＬＥＤなどが挙げられる。また、感光体内部露光方式によって露光を行なうようにしてもよい。デジタル式電子写真方式としては、レーザー、ＬＥＤ、光シャッターアレイ等を用いることが好ましい。露光を行なう際の露光光は、波長３８０ｎｍ〜５００ｎｍであり、単色光であることが好ましく、より好ましくは、波長３８０ｎｍ〜４３０ｎｍの単色光で露光することである。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
次に、実施例の感光体Ａを、Ａ３印刷対応である市販のタンデム型カラープリンター（沖データ社製  Ｍｉｃｒｏｌｉｎｅ３０５０ｃ）のブラックドラムカートリッジに装着し、上記プリンターに装着した。このプリンターは近赤外ＬＥＤ露光であるが、感光層の剥離強度を評価する目的で、実写評価を行なった。黒色のみからなる５％印字テキスト文書を１０，０００枚印字した（実際には赤色露光に感度がないため印字されない）が、感光層の剥離などの問題はまったく起こらなかった。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月30日(2008.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
＜電荷発生層用分散液の作製＞
・電荷発生層用分散液β１
ＣｕＫα線によるＸ線回折において、ブラッグ角（２θ±０．２）２７．３゜に最大回折ピークを示すオキシチタニウムフタロシアニン１０重量部を、１，２−ジメトキシエタン１５０重量部に加え、サンドグラインドミルにて粉砕分散処理を行い、顔料分散液を作製した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
次にこの感光体を市販のカラーレーザープリンター  （エプソン社製  ＬＰ−２０００Ｃ、Ｂ／Ｗモード（モノクロモード）でＡ４紙２０枚／分、カラーモードでＡ４紙５枚／分、現像は非磁性一成分非接触現像方式）に装着して常温常湿環境下においてＢ／Ｗモードで２４０００枚のプリントを行った。
この際、プリントする前の感光層の膜厚、２４０００枚プリント後の膜厚を測定し、その差からプリント１００００枚当たりの膜減り量を計算した。結果を表１に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月27日(2008.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
またデジタルスチールカメラの光学デバイスである球状レンズは、例えば水晶等の結晶体により構成されており、この場合においても、モアレの発生を防止するために、光軸方向を精密に決定することが要求されている。これらの要求に対して特許文献１には、予め結晶軸の方向が特定された結晶体の板材に、レーザ光を照射して少なくとも１つの結晶軸の方向を示す刻印を形成する技術が記載されている。このような刻印を板材に複数組形成してから、それぞれの刻印を含む多面体を切り出し、そこに含まれる刻印を残しながら球状体に加工することで、球状体に含まれる刻印が光軸方向決定のための基準となり、光軸方向の決定が容易となる旨記載されている。しかしながら本技術によれば、結晶体に刻印を形成するために高価なレーザ装置を採用しているので、設備コストが嵩んでしまうという問題がある。
【特許文献１】特開２００５−１５０４９６号公報：請求項１、請求項５、００３１段落、図３及び図７
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月24日(2008.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を有する表示パネルと、
前記複数の画素の各画素を駆動する駆動回路とを備え、
前記駆動回路は、発振回路を有し、
前記発振回路は、ｎを１以上の整数とするとき、直列に接続された１番目から（２ｎ＋１）番目までの（２ｎ＋１）個のインバータと、
入力端子が前記（２ｎ＋１）番目のインバータの出力端子に接続され、出力端子が前記１番目のインバータの入力端子に接続される積分回路と、
前記１番目のインバータの前記入力端子と第１基準電位との間に直列に接続される第１および第２のＰ型トランジスタと、
前記１番目のインバータの前記入力端子と第２基準電位との間に直列に接続される第１および第２のＮ型トランジスタとを有し、
前記第１のＰ型トランジスタと前記第１のＮ型トランジスタの制御電極には、ｊ番目のインバータの出力電圧が印加され、
前記第２のＰ型トランジスタと前記第２のＮ型トランジスタの制御電極には、ｋ番目のインバータの出力電圧が印加され、
ｊは奇数、ｋは偶数で、かつ、ｊ＜ｋ≦２ｎを満足することを特徴する表示装置。
【請求項２】
前記積分回路は、前記１番目のインバータの前記入力端子と、前記（２ｎ＋１）番目のインバータの前記出力端子との間に接続される抵抗素子と、
前記１番目のインバータの前記入力端子と、前記第１基準電位、あるいは、前記第２基準電位との間に接続される容量素子とを有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記１番目のインバータの前記入力端子の電圧が、前記第１基準電位に固定される時間をｔｄｒ、
前記１番目のインバータの前記入力端子の電圧が、前記第２基準電位に固定される時間をｔｄｆ、
前記１番目のインバータの前記入力端子の前記電圧が、前記第１基準電位から前記１番目のインバータのしきい値電圧へ移行する時間をτｆ、
前記１番目のインバータの前記入力端子の前記電圧が、前記第２基準電位から前記１番目のインバータの前記しきい値電圧へ移行する時間をτｒとするとき、（ｔｄｒ＋ｔｄｆ）≪（τｆ＋τｒ）を満足することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記各画素は、アクティブ素子を有し、
前記アクティブ素子は、半導体層がポリシリコンで構成されている薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記各インバータは、半導体層がポリシリコンで構成される薄膜トランジスタで構成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記抵抗素子と前記容量素子は、前記表示パネルに内蔵されていることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項７】
前記抵抗素子と前記容量素子は、前記表示パネルに外付けされていることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月19日(2008.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  メモリ内に保存されている複数の参照ピクチャから選択した参照ピクチャを参照して符号化する画像符号化方法であって、
選択した参照ピクチャを参照して、符号化対象ピクチャを符号化し、
メモリに保存されている参照ピクチャを管理するための第１のメモリ管理情報を、前記符号化された符号化対象ピクチャに付随させて符号化し、
前記第１のメモリ管理情報を再度、第２のメモリ管理情報として前記符号化対象ピクチャとは別のピクチャに付随させて符号化する
ことを特徴とする画像符号化方法。
【請求項２】  メモリ内に保存されている複数の参照ピクチャから選択した参照ピクチャを参照して符号化する画像符号化装置であって、
前記選択した参照ピクチャを参照して、符号化対象ピクチャを符号化し、
メモリに保存されている参照ピクチャを管理するための第１のメモリ管理情報を、前記符号化された符号化対象ピクチャに付随させて符号化し、
前記第１のメモリ管理情報を再度、第２のメモリ管理情報として前記符号化対象ピクチャとは別のピクチャに付随させて符号化する管理情報符号化手段を備える
ことを特徴とする画像符号化装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月4日(2008.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】多光軸光電スイッチ、多光軸光電スイッチの基本ユニット、及び多光軸光電スイッチの増設ユニット
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、多光軸光電スイッチ、多光軸光電スイッチの基本ユニット、及び多光軸光電スイッチの増設ユニットに関する
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月22日(2008.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップがフリップチップ実装され、当該半導体チップとの間にアンダーフィルが浸透される実装基板であって、
第１の絶縁層に形成される、前記半導体チップと接続される接続パッドと、
前記第１の絶縁層上に形成される、前記接続パッドが露出される開口部を有する第２の絶縁層と、を有し、
前記接続パッドは、前記半導体チップの周縁部に対応して略四角形に配列される第１の接続パッドと、前記第１の接続パッドに囲まれるように設置される第２の接続パッドとを含み、
前記第２の接続パッドが露出する前記開口部は、前記アンダーフィルが導入されるためのアンダーフィル導入部を有することを特徴とする実装基板。
【請求項２】
前記第２の絶縁層はソルダーレジスト層よりなることを特徴とする請求項１記載の実装基板。
【請求項３】
前記アンダーフィル導入部は、前記アンダーフィルを前記開口部に導入する場合の当該アンダーフィルの表面積の増大を制御する構造を有することを特徴とする請求項１または２記載の実装基板。
【請求項４】
前記アンダーフィル導入部は、平面視した場合に実質的に鋭角となる部分を有することを特徴とする請求項１乃至３のうち、いずれか１項記載の実装基板。
【請求項５】
前記アンダーフィル導入部は、前記第２の絶縁層の表面側から該第２の絶縁層の前記第１の絶縁層に面する側にかけて、該第２の絶縁層が斜めに開口された構造を含むことを特徴とする請求項１乃至４のうち、いずれか１項記載の実装基板。
【請求項６】
前記第２の接続パッドは、前記半導体チップの電源ラインまたは接地ラインに接続されることを特徴とする請求項１乃至５のうち、いずれか１項記載の実装基板。
【請求項７】
半導体チップが実装基板にフリップチップ実装され、当該半導体チップと当該実装基板との間にアンダーフィルが浸透されてなる半導体装置であって、
前記実装基板は、
第１の絶縁層に形成される、前記半導体チップと接続される接続パッドと、
前記第１の絶縁層上に形成される、前記接続パッドが露出される開口部を有する第２の絶縁層と、を有し、
前記接続パッドは、前記半導体チップの周縁部に対応して略四角形に配列される第１の接続パッドと、前記第１の接続パッドに囲まれるように設置される第２の接続パッドとを含み、
前記第２の接続パッドが露出する前記開口部は、前記アンダーフィルが導入されるためのアンダーフィル導入部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
前記アンダーフィル導入部は、前記アンダーフィルを前記開口部に導入する場合の当該アンダーフィルの表面積の増大を制御する構造を有することを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
前記アンダーフィル導入部は、平面視した場合に実質的に鋭角となる部分を有することを特徴とする請求項７または８記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記アンダーフィル導入部は、前記第２の絶縁層の表面側から該第２の絶縁層の前記第１の絶縁層に面する側にかけて、該第２の絶縁層が斜めに開口された構造を含むことを特徴とする請求項７乃至９のうち、いずれか１項記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の第１の観点では、上記の課題を、半導体チップがフリップチップ実装され、当該半導体チップとの間にアンダーフィルが浸透される実装基板であって、第１の絶縁層に形成される、前記半導体チップと接続される接続パッドと、前記第１の絶縁層上に形成される、前記接続パッドが露出される開口部を有する第２の絶縁層と、を有し、前記接続パッドは、前記半導体チップの周縁部に対応して略四角形に配列される第１の接続パッドと、前記第１の接続パッドに囲まれるように設置される第２の接続パッドとを含み、前記第２の接続パッドが露出する前記開口部は、前記アンダーフィルが導入されるためのアンダーフィル導入部を有することを特徴とする実装基板により、解決する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月31日(2008.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記第１のラインを連続して設定する第１のモード、及び前記間引きラインに対応するライン数分を間引きながら前記第１のラインを設定する第２のモードを、外部からの入力により切り換えて設定するモード切換部を更に有し、前記走査制御部は、前記モード切換部により設定されたモードに応じ、前記ライン走査回路及び前記電子シャッタ走査回路を制御することを特徴とする請求項１又は２に係る固体撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項３に係る発明は、請求項１に係る固体撮像装置において、前記第１のラインを連続して設定する第１のモード、及び前記間引きラインに対応するライン数分を間引きながら前記第１のラインを設定する第２のモードを、外部からの入力により切り換えて設定するモード切換部を更に有し、前記走査制御部は、前記モード切換部により設定されたモードに応じ、前記ライン走査回路及び前記電子シャッタ走査回路を制御することを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
そして、垂直走査回路12，電子シャッタ走査回路13，マルチプレクサ14及び水平走査回路16は、図１に示されている走査制御部３に接続され、走査制御部３に接続されているモード切換部４からの信号に従い、走査制御部３で生成される制御信号によって制御されるようになっている。
ここで走査制御部３は、モード切換部４により設定可能なモードとして第１のモード及び第２のモードを有している。第１のモードは、画素部11の読み出しに係る行のライン（第１のライン）を連続して設定するモードであり、第２のモードは、画素部11の読み出しに係る行のライン（第１のライン）を所定行数間引きながら設定するモードである。以下の説明において、間引き読み出し時の動作を説明している箇所では、第２のモードが設定されるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月31日(2008.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記読み出し走査回路は、第１のシフトレジスタユニットが多段に縦列接続されてなり、前記第１のシフトレジスタユニットは、前段の前記第１のシフトレジスタユニットからの出力信号を次段の前記第１のシフトレジスタユニットに伝達すると共に、前記前段の第１のシフトレジスタユニットからの出力信号に基づいて前記第１のライン選択信号を出力する第１のサブユニットと、この第１のサブユニットの出力信号を記憶すると共に、前記第１のサブユニットに出力する第１の記憶部とを有し、前記電子シャッタ走査回路は、第２のシフトレジスタユニットが多段に縦列接続されてなり、前記第２のシフトレジスタユニットは、前段の前記第２のシフトレジスタユニットからの出力信号を次段の前記第２のシフトレジスタユニットに伝達すると共に、前記前段の第２のシフトレジスタユニットからの出力信号に基づいて前記第２のライン選択信号を出力する第２のサブユニットと、この第２のサブユニットの出力信号を記憶すると共に、前記第２のサブユニットに出力する第２の記憶部とを有し、前記走査制御部は、前記第１の制御において、前記読出し領域の開始ラインに対応する前記第１のサブユニットの出力信号を前記第１の記憶部に記憶させ、読み出し開始時に、記憶されている前記出力信号を前記第１のサブユニットに設定すると共に、前記読み出し領域の終了ラインに対応する前記第１のサブユニットから次段の前記第１のサブユニットへの出力信号の伝達を停止させ、一方、前記第２の制御において、前記非読み出し領域の開始ラインに対応する前記第２のサブユニットの出力信号を前記第２の記憶部に記憶させ、前記露光時間に応じ、記憶されている前記出力信号を前記第２のサブユニットに設定することを特徴とする請求項１に係る固体撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項２に係る発明は、請求項１に係る固体撮像装置において、前記読み出し走査回路は、第１のシフトレジスタユニットが多段に縦列接続されてなり、前記第１のシフトレジスタユニットは、前段の前記第１のシフトレジスタユニットからの出力信号を次段の前記第１のシフトレジスタユニットに伝達すると共に、前記前段の第１のシフトレジスタユニットからの出力信号に基づいて前記第１のライン選択信号を出力する第１のサブユニットと、この第１のサブユニットの出力信号を記憶すると共に、前記第１のサブユニットに出力する第１の記憶部とを有し、前記電子シャッタ走査回路は、第２のシフトレジスタユニットが多段に縦列接続されてなり、前記第２のシフトレジスタユニットは、前段の前記第２のシフトレジスタユニットからの出力信号を次段の前記第２のシフトレジスタユニットに伝達すると共に、前記前段の第２のシフトレジスタユニットからの出力信号に基づいて前記第２のライン選択信号を出力する第２のサブユニットと、この第２のサブユニットの出力信号を記憶すると共に、前記第２のサブユニットに出力する第２の記憶部とを有し、前記走査制御部は、前記第１の制御において、前記読出し領域の開始ラインに対応する前記第１のサブユニットの出力信号を前記第１の記憶部に記憶させ、読み出し開始時に、記憶されている前記出力信号を前記第１のサブユニットに設定すると共に、前記読み出し領域の終了ラインに対応する前記第１のサブユニットから次段の前記第１のサブユニットへの出力信号の伝達を停止させ、一方、前記第２の制御において、前記非読み出し領域の開始ラインに対応する前記第２のサブユニットの出力信号を前記第２の記憶部に記憶させ、前記露光時間に応じ、記憶されている前記出力信号を前記第２のサブユニットに設定することを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
以上のように、電子シャッタ走査回路13は１フレーム期間毎に第１のリセット領域72，読み出し領域71及び第２のリセット領域73を走査するため、電子シャッタ動作と非読み出し画素行のリセット動作を合わせて行うことが可能となる。したがって、読み出し領域71に隣接する非読み出し画素行（第１及び第２のリセット領域72，73）のリセット動作が１フレーム期間毎に行われるため、非読み出し画素セルのフォトダイオードに蓄積される電荷が飽和に達するのを抑制することが可能となり、読み出し画素セルに対する偽信号の発生を防止できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
以上のように、電子シャッタ走査回路13は１フレーム期間毎に第１のリセット領域72，読み出し領域71及び第２のリセット領域73を走査するため、電子シャッタ動作と非読み出し画素行のリセット動作を合わせて行うことが可能となる。したがって、読み出し領域71に隣接する非読み出し画素行（第１及び第２のリセット領域72，73）のリセット動作が１フレーム期間毎に行われるため、非読み出し画素セルのフォトダイオードに蓄積される電荷が飽和に達するのを抑制することが可能となり、読み出し画素セルに対する偽信号の発生を防止できる。上記実施例においては、第１及び第２のリセット領域72及び73のリセット動作を同時に行うことができるため、前記実施例１で示した手法より１フレーム期間を短くすることができ、高速な任意領域読み出しが可能となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
次に時刻ｔ7 になると、垂直走査回路12により読み出し用行選択ラインφＶ３が“Ｈ”レベルとなり、続く時刻ｔ8 でマルチプレクサ14により画素転送パルスラインφＴＲ３が“Ｈ”レベルとなると、３行目の画素セルの電荷読み出し動作が行われる。以降、垂直走査回路12とマルチプレクサ14の動作に従い、読み出し領域71である３〜６行目の画素の読み出し動作が行われると同時に、時刻ｔ9 になると、再び電子シャッタ走査回路13により、読み出し領域71の電子シャッタ動作とリセット領域72，73のリセット動作が行われる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
以上のように、電子シャッタ走査回路13は１フレーム期間毎に第１のリセット領域72，読み出し領域71及び第２のリセット領域73を走査するため、電子シャッタ動作と非読み出し画素行のリセット動作を合わせて行うことが可能となる。したがって、読み出し領域71に隣接する非読み出し画素行のリセット動作が１フレーム期間毎に行われるため、非読み出し画素セルのフォトダイオードに蓄積される電荷が飽和に達するのを抑制することが可能となり、読み出し画素セルに対する偽信号の発生を防止できる。本実施例３においては、リセット領域72及び73のリセット動作を電子シャッタ動作と同時に行うことができるため、前記実施例１及び２で示した方法より１フレーム期間を短くすることができ、高速な任意領域読み出しが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月26日(2008.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性の酸化物層と、酸化物が絶縁物となる金属層とを少なくとも一方の電極層の構成として有する半導体素子であって、
前記酸化物層と前記金属層とを直接接触させないよう、それらの間に、孔部を有する誘電体層と、前記酸化物層と前記金属層とを電気的に接続する当該孔部に充填された接続部を有し、
発光領域又は受光領域を挟んで、正及び負電極が当該発光領域又は受光領域の上方及び下方に形成されていることを特徴とする半導体素子。
【請求項２】
III族窒化物系化合物半導体光素子であることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項３】
前記酸化物層及び前記誘電体層は、いずれも透光性であり、前記金属層は光反射性であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体素子。
【請求項４】
前記酸化物層は酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）から成ることを特徴とする請求項３に記載の半導体素子。
【請求項５】
前記金属層はアルミニウム（Ａｌ）から成ることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の半導体素子。
【請求項６】
前記接続部は、前記酸化物層と接触することでは酸化されないか、少なくとも酸化物が絶縁体でない金属から形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の半導体素子。
【請求項７】
前記接続部は、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）のいずれか、又はそれらの合金、或いはそれらの多重層から成ることを特徴とする請求項６に記載の半導体素子。
【請求項８】
前記接続部は、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、マンガン（Ｍｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、スズ（Ｓｎ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）のいずれか、又はそれらの合金、或いはそれらの多重層から成ることを特徴とする請求項６に記載の半導体素子。
【請求項９】
前記接続部は、導電性の金属窒化物又は金属炭化物から形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の半導体素子。
【請求項１０】
前記接続部は、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）又はジルコニウム（Ｚｒ）の窒化物若しくは炭化物から形成されていることを特徴とする請求項９に記載の半導体素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項１に係る発明は、導電性の酸化物層と、酸化物が絶縁物となる金属層とを少なくとも一方の電極層の構成として有する半導体素子であって、酸化物層と金属層とを直接接触させないよう、それらの間に、孔部を有する誘電体層と、酸化物層と金属層とを電気的に接続する当該孔部に充填された接続部を有し、発光領域又は受光領域を挟んで、正及び負電極が当該発光領域又は受光領域の上方及び下方に形成されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項２に係る発明は、III族窒化物系化合物半導体光素子であることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項３に係る発明は、酸化物層及び誘電体層は、いずれも透光性であり、金属層は光反射性であることを特徴とする。請求項４に係る発明は、酸化物層は酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）から成ることを特徴とする。請求項５に係る発明は、金属層はアルミニウム（Ａｌ）から成ることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項６に係る発明は、接続部は、酸化物層と接触することでは酸化されないか、少なくとも酸化物が絶縁体でない金属から形成されていることを特徴とする。請求項７に係る発明は、接続部は、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）のいずれか、又はそれらの合金、或いはそれらの多重層から成ることを特徴とする。請求項８に係る発明は、接続部は、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、マンガン（Ｍｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、スズ（Ｓｎ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）のいずれか、又はそれらの合金、或いはそれらの多重層から成ることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項９に係る発明は、接続部は、導電性の金属窒化物又は金属炭化物から形成されていることを特徴とする。請求項１０に係る発明は、接続部は、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）又はジルコニウム（Ｚｒ）の窒化物若しくは炭化物から形成されていることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
導電性の酸化物層を半導体層に直接形成すると、密着性やオーミック性の良いコンタクト電極となる。ここに孔部を有する誘電体層と、当該孔部に充填された接続部により酸化物層と金属層とを電気的に接続するので、酸化物層と金属層とを各々電極領域全体に形成しつつ、それらを電気的に接続しながら分離することが可能となる。これにより、金属層の構成元素が、酸化物層と接触しないので、金属層として酸化物が絶縁物となるものも使用することが可能となり、特に発光領域又は受光領域を挟んで、正及び負電極が当該発光領域又は受光領域の上方及び下方に形成されているものに有効である（請求項１）。この構成は、III族窒化物系化合物半導体光素子に適している（請求項２）。即ち、金属層として、酸化物が絶縁物となるが、高反射性の金属、例えばアルミニウムを用いることができるからである。これにより、他方の電極側について、当該電極を窓枠状とすることで光取り出し領域や光取込み領域を確保することが可能となる（請求項３乃至５）。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
接続部を形成する導電性の材料は、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）のような酸化物層と接触することでは酸化されない金属、或いはコバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、マンガン（Ｍｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、スズ（Ｓｎ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）のような、酸化されたとしても当該酸化物が絶縁物ではない金属を用いることができる。この際、当該金属の合金や多重層を用いても良く、多重層の場合は酸化物層と接触する層がそのような金属であれば良い（請求項６乃至８）。或いは、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）又はジルコニウム（Ｚｒ）の窒化物若しくは炭化物のような、酸化されない導電性材料を用いても良い（請求項９及び１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月1日(2008.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法であって、
第１の基板上にIII族窒化物系化合物半導体から成る複数の層をエピタキシャル成長させる工程と、
当該III族窒化物系化合物半導体層の最上層に、はんだ中のスズの拡散を防ぐニッケルから成る層を少なくとも含む多重層から成る電極を形成する工程と、
半導体素子を載置するための第２の基板にはんだ中のスズの拡散を防ぐニッケルから成る層を少なくとも含む多重層を形成する工程と、
前記第１の基板の前記電極を形成した面と、前記第２の基板の前記多重層を形成した面とを少なくともスズを含有するはんだにより接合する工程と、
前記第１の基板を除く工程とを有することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記第１の基板を除く工程は、前記第１の基板を透過し、且つIII族窒化物系化合物半導体から成る層において吸収される波長のレーザ照射によりIII族窒化物系化合物半導体の薄膜部分を分解する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記スズの拡散を防ぐ層よりも前記III族窒化物系化合物半導体層の最上層側に、高反射性金属層を有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
【請求項４】
前記スズの拡散を防ぐ層と高反射性金属層との間にチタンから成る層を有することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
【請求項５】
前記第２の基板は導電性シリコン基板であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
【請求項６】
前記第２の基板に表面に形成する層はアルミニウム又は窒化チタンから成ることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
【請求項７】
前記第２の基板に表面に形成する多重層の、アルミニウム又は窒化チタンから成る層と前記スズの拡散を防ぐ層との間にチタンから成る層を有することを特徴とする請求項６に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項１に係る発明は、III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法であって、第１の基板上にIII族窒化物系化合物半導体から成る複数の層をエピタキシャル成長させる工程と、当該III族窒化物系化合物半導体層の最上層に、はんだ中のスズの拡散を防ぐニッケルから成る層を少なくとも含む多重層から成る電極を形成する工程と、半導体素子を載置するための第２の基板にはんだ中のスズの拡散を防ぐニッケルから成る層を少なくとも含む多重層を形成する工程と、第１の基板の電極を形成した面と、第２の基板の多重層を形成した面とを少なくともスズを含有するはんだにより接合する工程と、第１の基板を除く工程とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項３に係る発明は、スズの拡散を防ぐ層よりもIII族窒化物系化合物半導体層の最上層側に、高反射性金属層を有することを特徴とする。また、請求項４に係る発明は、スズの拡散を防ぐ層と高反射性金属層との間にチタンから成る層を有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項５に係る発明は、第２の基板は導電性シリコン基板であることを特徴とする。また、請求項６に係る発明は、第２の基板に表面に形成する層はアルミニウム又は窒化チタンから成ることを特徴とする。また、請求項７に係る発明は、第２の基板に表面に形成する多重層の、アルミニウム又は窒化チタンから成る層とスズの拡散を防ぐ層との間にチタンから成る層を有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
スズの拡散を防ぐ層よりもIII族窒化物系化合物半導体層の最上層側に、高反射性金属層を有すると、例えば発光素子や受光素子その他の光素子において、第１の基板を除去した側を、光取り出し領域或いは光取込み領域とすることができる（請求項３）。スズの拡散を防ぐ層と高反射性金属層との間にチタンから成る層を有することで、チタンから成る層を有しない場合に密着性の悪い２つの金属層を密着性良く接合することができる（請求項４）。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
第２の基板は導電性シリコン基板を用いることが簡便であり（請求項５）、その場合、まずアルミニウム層又は窒化チタン（ＴｉＮ）層を形成すると、多層金属膜がシリコン基板と低コンタクト抵抗で接着できる（請求項６）。また、この場合、スズの拡散を防ぐ層との間にチタンから成る層を有することで、密着性良く接合することができる（請求項７）。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月1日(2008.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイシングブレードにより個々の素子に分離するIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法であって、
第１の基板にIII族窒化物系化合物半導体素子を形成し、
その最上層に電極を形成し、
前記III族窒化物系化合物半導体素子の一方の伝導型層側からエピタキシャル層の当該ダイシングブレードが通過すべき部分を、エッチングにより一部又は全部を除いて溝部を形成し、
当該溝部の底面部及び側面部に絶縁膜を形成し、
導電性の第２の基板と、導電性多層膜を介して、前記電極を形成した側から前記III族窒化物系化合物半導体素子を形成した前記第１の基板とを貼り合わせ、
その後に前記第１の基板を除き、
前記III族窒化物系化合物半導体素子の新たにあらわになった層に電極を形成したのちに、
前記III族窒化物系化合物半導体素子の他方の伝導型層側から、前記ダイシングブレードにて前記溝部の底面部を除去し、且つ側面部の絶縁膜を完全には除去しない様に操作してダイシング作業を行うものであり、
前記導電性多層膜は、スズを含むはんだと、当該スズを含むはんだの上下に設けられたスズの拡散を防止する層を少なくとも含み、
前記溝部の側面部に形成される前記絶縁膜は、III族窒化物系化合物半導体層のｐ層からｎ層に渡って形成して、ｐ層及びｎ層の短絡を防ぐように形成されることを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
【請求項２】
III族窒化物系化合物半導体素子であって、
導電性の基板と、
当該導電性の基板と、導電性多層膜を介して接合された第１の電極と、
当該第１の電極と接合された第１の伝導型の層と、それと異なる第２の伝導型の層とが少なくとも積層されたIII族窒化物系化合物半導体素子層と、
当該III族窒化物系化合物半導体素子層の第１の電極とは逆側である表面側に形成された第２の電極と、
素子外周部であって、前記III族窒化物系化合物半導体素子層の２つの伝導型の層の側面に渡って形成された絶縁膜とを有し、
前記導電性多層膜は、スズを含むはんだと、当該スズを含むはんだの上下に設けられたスズの拡散を防止する層を少なくとも含むことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項１に係る発明は、ダイシングブレードにより個々の素子に分離するIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法であって、第１の基板にIII族窒化物系化合物半導体素子を形成し、その最上層に電極を形成し、III族窒化物系化合物半導体素子の一方の伝導型層側からエピタキシャル層の当該ダイシングブレードが通過すべき部分を、エッチングにより一部又は全部を除いて溝部を形成し、当該溝部の底面部及び側面部に絶縁膜を形成し、導電性の第２の基板と、導電性多層膜を介して、電極を形成した側からIII族窒化物系化合物半導体素子を形成した第１の基板とを貼り合わせ、その後に第１の基板を除き、III族窒化物系化合物半導体素子の新たにあらわになった層に電極を形成したのちに、III族窒化物系化合物半導体素子の他方の伝導型層側から、ダイシングブレードにて溝部の底面部を除去し、且つ側面部の絶縁膜を完全には除去しない様に操作してダイシング作業を行うものであり、導電性多層膜は、スズを含むはんだと、当該スズを含むはんだの上下に設けられたスズの拡散を防止する層を少なくとも含み、溝部の側面部に形成される絶縁膜は、III族窒化物系化合物半導体層のｐ層からｎ層に渡って形成して、ｐ層及びｎ層の短絡を防ぐように形成されることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、請求項２に係る発明は、III族窒化物系化合物半導体素子であって、導電性の基板と、当該導電性の基板と、導電性多層膜を介して接合された第１の電極と、当該第１の電極と接合された第１の伝導型の層と、それと異なる第２の伝導型の層とが少なくとも積層されたIII族窒化物系化合物半導体素子層と、当該III族窒化物系化合物半導体素子層の第１の電極とは逆側である表面側に形成された第２の電極と、素子外周部であって、III族窒化物系化合物半導体素子層の２つの伝導型の層の側面に渡って形成された絶縁膜を有し、導電性多層膜は、スズを含むはんだと、当該スズを含むはんだの上下に設けられたスズの拡散を防止する層を少なくとも含むことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
ダイシングブレードによるハーフカットを行った際に露出する、素子周囲側面のｐ層及びｎ層を予め絶縁膜で覆う。覆う部分は、例えばｐ層側面の少なくとも一部と、ｐｎ接合界面又は発光層等の機能層側面と、ｎ層側面の少なくとも一部である。これにより、当該部分にダイシングによる導電性の切削くずが付着したとしても、ｐｎ短絡を防ぐことができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本願発明は、溝部を形成するエッチングの際の方向、即ちエッチングの際の最上層と、ダイシングの際の方向、即ちダイシングの際の最上層とが異なる場合に特に有効であり、エッチングの際はエピタキシャル成長基板に載置され、ダイシングの際は他の支持基板に載置された状態である製造方法に特に有効である。このような構成の素子は、ｐｎ短絡が防止され、チップ化時の歩留りを向上させることができるのみでなく、使用時のｐｎ短絡も防止される（請求項２）。