【手続補正書】
【提出日】平成20年9月22日(2008.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセスチャンバ壁と、前記プロセスチャンバ壁によって囲まれた基板支持体との間に高周波電流リターンパスを与えるための装置であって、
第１の位置と弟２の位置との間で移動可能な基板支持体と、
高周波リターンアセンブリと
を備え、前記高周波リターンアセンブリが、
前記基板支持体から離れた第３の位置と前記基板支持体に接触する第４の位置との間を移動可能な１つ以上の要素と、
第１の端部および第２の端部を有し、前記第１の端部と前記第２の端部との間に少なくとも１つのベンドを有する複数の可撓性ストラップとを備え、前記第１の端部が、前記プロセスチャンバ壁に取り付けられて電気的に接続されるように構成され、前記第２の端部が、前記１つ以上の要素に接触して電気的に接続される、装置。
【請求項２】
前記可撓性ストラップが、アルミニウム、チタン、ステンレス鋼、伝導性金属コーティングでコーティングされた可撓性材料、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された材料から作られる、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記可撓性ストラップが、アルミニウムから作られ、約０．００８インチ〜約０．０１６インチの厚みである、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
各可撓性ストラップが、約１／４インチ〜約３／４インチの幅であり、約４インチ〜約６インチの長さである、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記基板支持体が多角形であり、前記多角形の基板支持体の各縁部に、少なくとも１つの可撓性ストラップがある、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記反応種が、前記可撓性ストラップ間を通過する、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
各前記可撓性ストラップと前記プロセスチャンバ壁との間に結合された１つ以上の取り付けブロックを更に備える、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記１つ以上の取り付けブロックが、アルミニウム、チタン、ステンレス鋼、伝導性金属コーティングでコーティングされた固定材料、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された材料から作られる、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
各前記可撓性ストラップの前記第１の端部が、溶接、はんだ付け、ろう付けによって、または取り付けデバイスによって、前記１つ以上の取り付けブロックに結合される、請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
各前記可撓性ストラップの前記第２の端部が、溶接、はんだ付け、ろう付けによって、または取り付けデバイスによって、前記１つ以上の要素に結合される、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記１つ以上の要素が、シャドウフレームを構成する、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記１つ以上の要素が、前記第３の位置にあるときに、１つ以上の静止部によって支持される、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
前記基板支持体が多角形であり、複数の前記要素が、前記基板支持本体の実質的に全周囲を取り巻くように互いに隣接した位置にあり、少なくとも１つの要素が、前記多角形の基板支持体の各縁部に接触する、請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
前記１つ以上の要素が、アルミニウム、チタン、ステンレス鋼、伝導性金属コーティングでコーティングされた固体材料、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された材料から作られる、請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
前記１つ以上の要素の断面が、約１／４インチ〜約３／４インチ×約１／４インチ〜約３／４インチである、請求項１に記載の装置。
【請求項１６】
プロセスチャンバ壁と、前記プロセスチャンバ壁によって囲まれた基板支持体との間に高周波電流リターンパスを与えるためのプラズマ強化化学気相成長装置であって、
ガス分配シャワーヘッドと、
基板搬送ポートを有するプロセスチャンバ壁と、
前記プロセスチャンバ壁によって囲まれ、第１の位置と第２の位置との間を移動可能な基板支持体と、
前記チャンバ壁に据え付けられ、前記基板移送ポートの上方の位置にある高周波リターンアセンブリと、
前記基板支持体から離れた第３の位置と前記基板支持体に接触する第４の位置との間を移動可能な１つ以上の要素と、
第１の端部および第２の端部を有し、前記第１の端部と前記第２の端部との間に少なくとも１つのベンドを有する複数の可撓性ストラップとを備え、前記第１の端部が、前記プロセスチャンバ壁に取り付けられて電気的に接続され、前記第２の端部が、前記１つ以上の要素に接触して電気的に接続される、装置。
【請求項１７】
プロセスチャンバ壁と、前記プロセスチャンバ壁によって囲まれた基板支持体との間に高周波電流リターンパスを与えるためのプラズマ強化化学気相成長装置であって、
ガス分配シャワーヘッドと、
基板搬送ポートを有するプロセスチャンバ壁と、
前記プロセスチャンバ壁によって囲まれ、第１の位置と第２の位置との間を移動可能な基板支持体と、
前記プロセスチャンバ壁に据え付けられ、前記基板移送ポートの上方の位置にある高周波リターンアセンブリと、
を備え、
前記高周波リターンアセンブリが、前記基板支持体から離れた第３の位置で前記基板支持体の上方に、かつ前記第１の位置と前記第２の位置との間に配置された１つ以上の要素であって、該１つ以上の要素が前記基板支持体に接触するときは、前記第３の位置の上方で前記基板支持体に接触する第４の位置へ移動可能な、該１つ以上の要素と、
第１の端部および第２の端部を有し、前記第１の端部と前記第２の端部との間に少なくとも１つのベンドを有する複数の可撓性ストラップと、を備え、前記第１の端部が、前記プロセスチャンバ壁に取り付けられて電気的に接続され、前記第２の端部が、前記１つ以上の要素に接触して接続される、装置
【請求項１８】
前記可撓性ストラップが、アルミニウム、チタン、ステンレス鋼、伝導性金属コーティングでコーティングされた可撓性材料、およびそれらの組み合わせとからなる群から選択された材料から作られる、請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
各前記可撓性ストラップの前記第２の端部が、溶接、はんだ付け、ろう付けによって、または取り付けデバイスによって、前記１つ以上の要素に結合される、請求項１７に記載の装置。
【請求項２０】
前記１つ以上の要素が、シャドウフレームを構成する、請求項１７に記載の装置。
【請求項２１】
前記１つ以上の要素が、前記第３の位置にあるときに、１つ以上の静止部によって支持される、請求項１７に記載の装置。
【請求項２２】
前記基板支持体が多角形であり、複数の前記要素が、前記基板支持体の実質的に全周囲の周りを延伸するように互いに隣接した位置にあり、少なくとも１つの要素が、前記多角形の基板支持体の各縁部に接触する、請求項１７に記載の装置。
【請求項２３】
各前記可撓性ストラップと前記プロセスチャンバ壁との間に結合された１つ以上の取り付けブロックを更に備える、請求項１７に記載の装置。
【請求項２４】
前記１つ以上の取り付けブロックが、アルミニウム、チタン、ステンレス鋼、伝導性金属コーティングでコーティングされた固定材料、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された材料から作られる、請求項２３に記載の装置。
【請求項２５】
各前記可撓性ストラップの前記第１の端部が、溶接、はんだ付け、ろう付けによって、または取り付けデバイスによって、前記１つ以上の取り付けブロックに結合される、請求項２３に記載の高周波接地アセンブリ。
【請求項２６】
前記ガス分配シャワーヘッドに結合された高周波電源を更に備える、請求項１７に記載の装置。
【請求項２７】
前記１つ以上の要素および前記複数の可撓性ストラップが、前記ガス分配シャワーヘッドと前記基板支持体との間に配置されている、請求項１７に記載の装置。
【請求項２８】
前記基板支持体が多角形であり、前記多角形の基板支持体の各縁部に、少なくとも１つの可撓性ストラップがある、請求項１７に記載の装置。
【請求項２９】
プラズマ強化化学気相成長装置である請求項１７に記載の装置であって、
前記ガス分配シャワーヘッドに結合された高周波電源を更に備える、請求項１７に記載の装置。
【請求項３０】
前記１つ以上の要素および前記複数の可撓性ストラップが、前記ガス分配シャワーヘッドと前記基板支持体との間に配置される、請求項２９に記載の装置。