【手続補正書】
【提出日】平成20年1月24日(2008.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】    【請求項１】  真空領域を構成する真空容器と、この真空容器の外部に在る被照射体を通過させる為の被照射体通路と、前記の真空容器の内部で電子を放出する陰極と、この陰極から放出された電子を加速する電子加速手段と、この電子加速手段によって加速された電子を前記の真空容器の外部に透過させる電子透過窓と、この電子透過窓に前記の被照射体が接触するのを防止する被照射体接触防止手段とを有して構成されていることを特徴とする電子線照射装置。    【請求項２】  前記の電子透過窓を透過した電子の進行方向と前記の被照射体通路との成す角度を大きくする様に作用する電子集中手段を有して構成されていることを特徴とする請求項１に記載した電子線照射装置。    【請求項３】  前記の電子透過窓は、前記の被照射体通路を取り囲んで設けられており、前記の被照射体通路と角度を有して構成されていることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれか１項に記載した電子線照射装置。    【請求項４】  前記の被照射体接触防止手段は、前記の電子透過窓と前記の被照射体通路との間に設けられた、前記の被照射体の幅よりも狭い開口の穴又はスリットを有する構造体を含んで構成されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載した電子線照射装置。    【請求項５】  前記の被照射体接触防止手段は、前記の電子透過窓と前記の被照射体通路との間に、開口部分を有する回転体を設けて構成されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載した電子線照射装置。    【請求項６】  前記の被照射体接触防止手段は、前記の被照射体を前記の被照射体通路に押し戻す方向に流体を流す機構を含んでいることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載した電子線照射装置。    【請求項７】  前記の被照射体通路は筒状に構成されており、前記の被照射体は前記の被照射体通路の外周に近接して移動し、前記の加速された電子が前記の被照射体通路の周囲から前記の被照射体に向かって照射されることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載した電子線照射装置。    【請求項８】  前記の被照射体通路内に於いて、前記の被照射体を自転させる被照射体回転手段を設けたことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載した電子線照射装置。    【請求項９】  前記の被照射体通路内に於いて、前記の被照射体を螺旋状に移動させる手段を設けたことを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載した電子線照射装置。    【請求項１０】  前記の被照射体通路を構成する表面の内の少なくとも１個の表面が機械的に振動又は回転又は移動する様に構成されていることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載した電子線照射装置。    【請求項１１】  前記の被照射体通路を構成する表面の内の少なくとも１個の表面から流体を前記の被照射体に吹き付けて前記の被照射体を回転させるるように構成されていることを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載した電子線照射装置。    【請求項１２】  前記の電子透過窓は前記の被照射体通路と実質的に直交して構成されたことを特徴とする請求項３に記載した電子線照射装置。    【請求項１３】  前記の電子透過窓に入射する電子の軌道は前記の被照射体が移動する方向と鋭角を成していることを特徴とする請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載した電子線照射装置。【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】    【従来の技術】  従来の電子線照射装置は、公開特許公報、特開平１１−１９１９０号に記載されているように、固定されたドラム管状の真空容器の中に直線状の金属フィラメントを取付け、これを通電加熱することによって放出される熱電子を５００ｋＶ以下の電圧で加速し、薄い金属箔で出来た平板状の電子透過窓を透過させて、大気中にある被照射体に電子線を照射するようになっている。従来の電子線照射装置の概略の横断面図を図９に示している。図９において、１００１は真空容器であり、１００３は電子銃構造体であり、１００２は電子銃構造体１００３等を支持するターミナルであり、１００４は陰極フィラメントであり、１００５はグリッドであり、１００６は電子を透過させる電子透過窓である。陰極フィラメント１００４から放出された電子がグリッド１００５に印加された電位差で加速され、更に電子透過窓１００６との間に印加された５００ｋＶ以下の電位差で加速されて電子透過窓１００６を透過する。透過した電子線Ｂ０１は照射室内において矢印１００９の方向から矢印１０１０の方向に落下する被照射体１０１１に照射される。この装置は大型であり、電子線の照射方向が一定となっているのでシート状の被照射体に電子線を照射する場合には適するが、粒状の形状をした物体に電子線を照射するのには適さない。このような場合には、例えば、特開平１０−２６８１００号公開特許公報に記載されているように被照射体１０１１を傾斜面上で転がしながら電子線を照射する方法や、図９に示すように粒状の被照射体を鉛直下方に落下させながら横方から電子線を照射する方法が採用されている。このような場合に、粒状の被照射体の全表面に於いて均一に電子線を照射できないだけでなく、粒状の被照射体が電子線透過窓に衝突して電子線透過窓が破損する事故が頻発する問題があった。更に、電子線の吸収によって加熱された電子線透過窓の熱が被照射体を過熱して被照射体を変質させる不都合があった。【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】  特に、被照射体が例えば殻付きの穀物等の表面を殺菌する場合などでは、穀物をシート状に広げた状態で自然落下させながら横方向から、長さ１ｍ程度に渡って広く分布する電子線を照射する方法が取られている。この場合、穀物への電子線の進入を防止する為に電子線のエネルギーを１００ｋｅＶ程度に低くしており、殻内で電子線が吸収されるようになっている。従って、電子線を一方向から照射したのでは、反対方向の穀物の表面は殺菌されないことになるので、せっかく電子線による殺菌を行っても細菌の含有率を大きく低下させることが出来ない。又、前記の広がって分布する電子線を、シート状に広がって自然落下する穀物の両側から対向して照射する方法が考えられるが、この場合には、上述の場合よりも細菌の含有率を低下させることができるが、まだ完全ではない。更に、殺菌したい穀物を傾斜面上で滑り落とす方法でも穀物が完全な球形でないだけでなく、転がる軸が一定になりがちであるので穀物の表面に万遍無く電子線を照射するのは困難であり、完全な殺菌ができない問題がある。【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】  本発明の請求項１に係わる電子線照射装置は、真空領域を構成する真空容器と、この真空容器の外部に在る被照射体を通過させる為の被照射体通路と、前記の真空容器の内部で電子を放出する陰極と、この陰極から放出された電子を加速する電子加速手段と、この電子加速手段によって加速された電子を前記の真空容器の外部に透過させる電子透過窓と、この電子透過窓に前記の被照射体が接触するのを防止する被照射体接触防止手段とを有して構成されていることを特徴とする装置である。被照射体接触防止手段によって、前記の粒状の被照射体が飛び跳ねた場合にも粒状の被照射体が前記の電子透過窓と接触することが防止されているので、電子透過窓が損傷を受けることがないだけでなく、被照射体が高温度の電子透過窓によって過熱されることもないようになっている。この発明を採用することによって、多数の粒状の被照射体に信頼性良く電子線が照射できる電子線照射装置を実現できた。【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】  本発明の請求項２に係わる電子線照射装置は、請求項１に記載した装置において、前記の電子透過窓を透過した電子の進行方向と前記の被照射体通路との成す角度を大きくする様に作用する電子集中手段を有して構成されていることを特徴とする装置である。この発明を採用することによって、電子透過窓を透過した電子が被照射体通路に対して垂直に近づいた状態で被照射体に向かって進行するので被照射体への照射効率を高めることができるとともに、電子透過窓から輻射される熱が被照射体に到達する割合を減少することができるようになった。【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】  本発明の請求項３に係わる電子線照射装置は、請求項１又は請求項２に記載した装置において、前記の電子透過窓は、前記の被照射体通路を取り囲んで設けられており、前記の被照射体通路と角度を有して構成されていることを特徴とする装置である。本発明を採用することによって、被照射体通路を通過する被照射体に全周方向から均一に電子線を照射するとともに、電子透過窓と被照射体通路とが平行に対面しないので電子透過窓から輻射される熱が被照射体に到達し難くなって高品質の電子線処理を行えるようになった。【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】  本発明の請求項４に係わる電子線照射装置は、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載した装置において、前記の被照射体接触防止手段は、前記の電子透過窓と前記の被照射体通路との間に設けられた、前記の被照射体の幅よりも狭い開口の穴又はスリットを有する構造体を含んで構成されていることを特徴とする装置である。本発明を採用することによって、簡単な構造で、電子が被照射体通路内に到達するが前記の被照射体が前記の電子透過窓に到達するのを防ぐ被照射体接触防止手段を実現することができるとともに、この部分に電子が吸収されても構造体の熱伝導によって温度上昇を防止することができる。【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】  本発明の請求項５に係わる電子線照射装置は、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載した装置において、前記の被照射体接触防止手段は、前記の電子透過窓と前記の被照射体通路との間に、開口部分を有する回転体を設けて構成されていることを特徴とする装置である。本発明を採用することによって、簡単な構造で、電子が被照射体通路内に到達するが前記の被照射体が前記の電子透過窓に到達するのを防ぐ被照射体接触防止手段を実現することができるとともに、回転部分による流体の吹き付けの冷却効果によって構造体の温度上昇を防止することができる。特に、被照射体が流体である場合や、流体を含んだ粒状物体である場合には、この回転体によって圧力を生じさせることによってこれらの流体を前記の被照射体通路に押し戻すことができるようになっている。【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】  本発明の請求項６に係わる電子線照射装置は、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載した装置において、前記の被照射体接触防止手段は、前記の被照射体を前記の被照射体通路に押し戻す方向に流体を流す機構を含んでいることを特徴とする装置である。本発明を採用することによって、被照射体の中に微細な粉状の物体が混入している場合や、被照射体が流体を含んでいる場合にも、これらの物質が前記の電子透過窓に到達するのを防止でき、電子透過窓の信頼性を高めた電子線照射装置を実現させることができた。【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】  本発明の請求項７に係わる電子線照射装置は、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載した装置において、前記の被照射体通路は筒状に構成されており、前記の被照射体は前記の被照射体通路の外周に近接して移動し、前記の加速された電子が前記の被照射体通路の周囲から前記の被照射体に向かって照射されることを特徴とする装置である。本発明を採用することによって、装置全体をコンパクトに保ちながら、全周に広がって分布した多量の被照射体を短時間に照射することによって、狭い設置場所に於いて処理能力を高めることが出来るようになった。【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】  本発明の請求項８に係わる電子線照射装置は、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載した装置において、前記の被照射体通路内に於いて、前記の被照射体を自転させる被照射体回転手段を設けたことを特徴とする装置である。本発明を採用することによって、高速度で移動する粒状の被照射体を、より高速に自転させて被照射体の全周囲を均一に照射処理できる電子線照射装置を実現できた。【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】  本発明の請求項９に係わる電子線照射装置は、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載した装置において、前記の被照射体通路内に於いて、前記の被照射体を螺旋状に移動させる手段を設けたことを特徴とする装置である。本発明を採用することによって、簡単な構造で、粒状の被照射体を前記の被照射体通路の電子線照射位置の周辺に沿って長い距離を移動させることが出来、高速度に且つ均一に電子線照射処理を行う事ができる電子線照射装置を実現できた。【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】  本発明の請求項１０に係わる電子線照射装置は、請求項１から請求項９のいずれか１項に記載した装置において、前記の被照射体通路を構成する表面の内の少なくとも１個の表面が機械的に振動又は回転又は移動する様に構成されていることを特徴とする装置である。本発明を採用することによって、簡単な構造で粒状の被照射体を被照射体通路の周囲に沿って移動させるとともに粒状の被照射体を自転させて高速度に且つ均一に電子線照射処理を行う事ができる電子線照射装置を実現できた。【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】  本発明の請求項１１に係わる電子線照射装置は、請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載した装置において、前記の被照射体通路を構成する表面の内の少なくとも１個の表面から流体を前記の被照射体に吹き付けて前記の被照射体を回転させるるように構成されていることを特徴とする装置である。本発明を採用することによって、被照射体通路壁の穴から高圧ガスを吹き付けて粒状の被照射体を前記の被照射体通路の周囲で高速度で自転させることが出来、被照射体の全周囲にわたって均一に電子線照射処理を行う事ができる電子線照射装置を実現できた。【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】  本発明の請求項１２に係わる電子線照射装置は、請求項３に記載した装置において、前記の電子透過窓は前記の被照射体通路と実質的に直交して構成されたことを特徴とする装置である。本発明を採用することによって、電子線照射窓を簡単に製造することが出来、電子線透過窓から放射される熱が被照射体に到達する割合を最も減少させた電子線照射装置を実現できた。【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】  本発明の請求項１３に係わる電子線照射装置は、請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載した装置において、前記の電子透過窓に入射する電子の軌道は前記の被照射体が移動する方向と鋭角を成していることを特徴とする装置である。本発明を採用することによって、電子透過窓に至るまでの電子軌道が前記の電子集中手段としての磁石の影響を受け難いだけでなく、前記の陰極を小型に出来、全体がコンパクトでありながら、被照射体に全周方向から電子線を照射できる電子線照射装置を実現できた。【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】  図１において、１は真空容器であり、排気管１６に接続された図示しない真空ポンプによって排気されて常時１０−６〜１０−８Ｔｏｒｒ程度の真空度に保たれた真空空間１０１を形成している。真空空間１０１内において真空容器１の壁に絶縁筒１３が取り付けられており、絶縁筒１３の他端には環状の電子銃取付台１４が固定されている。電子銃取付台１４には環状の取付金具１７を介して環状の陰極２と環状の集束電極３が同軸状に取り付けられている。環状の陰極２はバリウム含浸型カソードであり、内部に取り付けられたヒーターによって加熱されて熱電子を放出する。環状の陰極２及び図示しないヒーターには高電圧リード線１５から−１００ｋＶ程度の負の高電圧が印加される。高電圧リード線１５は図示しない高電圧端子を介して外部の図示しない高電圧電源に接続されている。集束電極３は陰極２に対して正のバイアス電圧が印加でき、このバイアス電圧は前記の高電圧電源によって可変でき、電子の分布状態を制御できるるようになっている。【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】  図１に示すように、前記の平板部４０２の表面に電子透過窓構体６が取り付けられている。電子透過窓構体６の中央には貫通した穴があり、被照射体通路１０の一部を形成している。前記の平板部４０２と電子透過窓構体６との間はＯ―リングなどによって気密に接続されている。電子透過窓構体６には多数の窪み６０１と、これと連通した部分を有する環状の溝６０２が設けられている。これらの近傍に環状の冷却水路６０３が設けられており、強制冷却されるようになっている。個々の窪み６０１の間には図示しない隔壁があり、機械的強度を保つようになっている。図１に示すように、電子透過窓構体６の環状溝６０２の端部には環状の電子透過窓７が電子ビーム溶接等により気密に取り付けられており、真空容器１の一部を形成して真空空間１０１を高真空状態に保っている。電子透過窓７は、厚みが１０μｍ程度のチタニューム箔で出来ており、１００ｋｅＶのエネルギーを持って入射した電子のおよそ５０％を透過することができる。【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】  図５の点Ｐ１（ｒ１、θ１、ｚ１）とＺ軸を含む平面における断面図を図６−ａに、これと直角な方向の断面図を図６−ｂに示している。図６−ａの角度φ１はＲＺ平面内における電子の散乱角度を示しており、半径方向散乱角と呼ぶ。図６−ｂにおける角度φ２はＲＺ平面に垂直な面内における電子の散乱角度を示しており、横方向散乱角と呼ぶ。１００ｋｅＶの運動エネルギーを持って初速度ｖｉで角度φ０だけ傾斜して電子透過窓７に入射した電子は、２０ｋｅＶ程度のエネルギーを減少させて透過した電子の初速度が幾分減少する。これをｖ０とすると、透過電子のＲ，θ、Ｚ方向の速度成分ｖｒ、ｖθ、ｖｚは、それぞれ、ｖｒ＝ｖ０・ｓｉｎ（φ１−φ０）・ｃｏｓ（φ２）、ｖθ＝−ｖ０・ｃｏｓ（φ１−φ０）・ｓｉｎ（φ２）、ｖｚ＝ｖ０・ｃｏｓ（φ１−φ０）・ｃｏｓ（φ２）で表される。【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】  環状の電子透過窓７の外側には電子集中手段としての前記の電磁石８が、その中心軸がＺ軸に一致するように設けられており、電子透過窓７の内側の近傍及び外側では図４に示すように半径方向の磁束密度成分Ｂｒ，Ｚ軸方向の磁束密度成分Ｂｚをもった磁束８０５が存在するので、この領域に入った電子は概略ｅ・（ｖｚＢｒ−ｖｒＢｚ）の中心軸の回りの回転力を与えられることになる。ここで、ｖｚとｖｒは電子のＺ方向速度成分とＲ方向速度成分を、ｅは素電荷をそれぞれ表している。電子が電磁石８に近づくに従って強い回転力を与えるように磁束密度の各成分Ｂｒ，Ｂｚの空間分布を与えておくと、電子は電磁石８に近づくにつれて強い正方向回転力を受けてＺ軸の周りで正方向に回転しようとする。図７−ａには、Ｚ軸の回りで正方向回転している電子が磁束密度成分、Ｂｒ，Ｂｚによって受ける力の方向を模式的に示している。この場合には電子は正方向に回転しながらＺ軸方向に減速され、半径が縮小する方向に力を受けることになる。図７−ｂには、Ｚ軸の回りで負方向に回転している電子が磁束密度成分、Ｂｒ，Ｂｚによって受ける力を示している。この場合には電子はＺ軸の回りで負方向に回転しながらＺ軸方向に加速され、Ｒ軸の方向に発散されることになる。電子透過窓７を透過した直後の電子のθ方向速度ｖθが図６−ｂにおける負方向である場合には正方向回転が強調され、電子はＺ軸方向に向かう力を受けながらＺ軸に近づいてゆく。θ方向速度ｖθの影響でＺ軸から逸れた軌道となるが、この電子の軌道は、磁束密度成分、Ｂｒ，Ｂｚがゼロの場合に比べてＺ軸への最近接距離が小さくなっている。この様子を模式的に図２、図３に示している。【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】  図２は、−１００ｋＶの電圧が印加された環状の陰極２から放出されておよそ−１００ｋＶが印加された集束電極３によって均一な電子密度をもって集束されて、環状の電子通過孔４０１を形成して接地電位に設定された陽極構体４、陽極リング５から成る電子加速手段によって加速された電子ビーム７０１がコーン状の軌道で走行し、環状の電子透過窓７を透過して８０ｋｅＶの運動エネルギーをもって横方向散乱角φ２、半径方向散乱角φ１で散乱された電子の軌道をＲＺ平面に投影して模式的に表している。電子透過窓７上の点Ｐ１（ｒ１、θ１、ｚ１）において透過した電子が半径方向散乱角φ１で散乱された電子は、電子集中手段としての前記の電磁石８が無い場合には、大気中における散乱の影響を無視すると、破線７０２’で表すように直線的に進行して被照射体１００に到達しない。しかるに、前記の電磁石８がある場合には、上記の電子は磁束密度成分、Ｂｒ，Ｂｚによって偏向されて、実線で表した軌道７０２で示す様に、被照射体通路１０と成す角度が大きくなって走行するので、被照射体１００に到達する電子の割合が増加している。【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】  上述のように、電子集中手段の例である前記の電磁石８の電子集中効果により、電子透過窓７を透過した電子がＲＺ平面の方向にも、Ｒθ平面の方向にも被照射体１００に近づく様に偏向されるので、被照射体１００に照射される電子は合計でおよそ１０倍増加することが実験によって確かめられている。図３に示したように、被照射体通路１０の全周囲から同様に集中された電子が多数の被照射体１００に照射される。多数の粒状の被照射体１００は前述のように高速度で自転しながら螺旋状に被照射体通路１０の外周領域をＺ軸の方向に移動するので、個々の被照射体１００の全表面に均一に照射される。照射される電子の運動エネルギーは８０ｋｅＶ程度と低い為に被照射体１００の表面のみで吸収され、深部には到達しない。また、電子透過窓７の表面は被照射体通路１０の中心軸Ｚと直行しているので、電子透過窓７からの輻射熱は被照射体１００に到達し難くなっている。    【実施例】  次に本発明の電子線照射装置の作用及び効果について実施例を用いて更に説明する。被照射体通路の内径は１０ｃｍであり、電子透過窓７は、厚みが１０μｍ、外径が１６ｃｍで内径１２ｃｍのチタニュームの環状薄膜で構成されており、表面積は８８ｃｍ２であり、電子がこの表面に均一に広がって入射するの場合について述べる。このような薄膜に信頼性を保って許容される電子入射密度は２０Ｗ／ｃｍ２程度であるので、本実施例で許容される入力は１７６０Ｗである。入射電子のエネルギーが１００ｋｅＶである場合には、１７．６ｍＡの電流に相当する。入射した電子のおよそ５０％が電子透過窓７で吸収され、残りのおよそ５０％程度が運動エネルギー８０ｋｅＶをもって透過する。透過した電子のパワーは７０４Ｗである。被照射体１００が半径２．５ｍｍの球形であり、密度が１．２ｇ／ｃｍ３であるとすると、電子線が進入する深さはおよそ４０μｍであるので、電子線が照射される部分の１個当りの体積は０．００３１ｃｍ３であり、この部分の質量は０．００３７ｇである。前記の電子集中手段としての電磁石８を用いない場合において、透過した電子のパワーの８％が被照射体１００に命中するものとし、被照射体１個当りに２ｋＧｙの線量を照射する必要がある場合には、１分間に３５ｋｇの被照射体を処理できることになる。【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】  電子集中手段としての前記の電磁石８を取付けて最適の磁束密度を与えると、前述のように被照射体１００への命中率がおよそ１０倍改善されるので被照射体１００の処理速度は１分間に３５０ｋｇに改善される。この電子線照射装置１台の全長はおよそ５０ｃｍであるので直列に装置を接続して使用すると被照射体１００の照射線量はそれだけ増強できる。例えば、５台を直列に接続すると、装置の全長は２．５ｍになるが、被照射体１００の照射線量は２０ｋＧｙに増強され、十分な照射線量を得ることができる。更に処理能力を高める必要があれば、電子透過窓７の面積を大きくして電子透過窓７に入射する電子の分布を広げ、電子透過窓７における電子密度を小さく保った状態で電子透過窓７を透過させ、透過した電子を前記の電子集中手段で被写体に命中させることによって容易に達成できる。電子の分布を広げることは、例えば電子分散手段としての集束電極３のバイアス電圧を高めることによって容易に実現できる。【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】  本発明を実施形態及び実施例に関連して説明したが、本発明は、ここに例示した実施形態及び実施例の構造及び形態に限定されるものではなく、本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、いろいろな実施形態が可能であり、いろいろな変更及び改変を加えることができることを理解されたい。例えば、電子集中手段としての電磁石８は永久磁石に替えても良いことは勿論である。更に、図１に示す本実施形態では電子透過窓７を円形の平板状に構成して作りやすくしているが、これをコーン状に構成しても良いことは当然である。前記の被照射体接触防止手段としての構造体は網状のものであっても良いことは当然である。前記の被照射体接触防止手段としての回転体は前記の電子透過窓に平行に設けても良いことは当然である。被照射体接触防止手段は同種又は異種のものを複数個採用しても良い。又、被照射体を水平方向に移動させるように構成しても良いことは当然である。    【発明の効果】  以上説明したように本発明の電子線照射装置を採用すると、粒状の形状を有する物体の表面に塗布した樹脂の硬化、改質等の処理や、その表面の殺菌などを全表面に渡って完全に行うことを目的としてこれらの被照射体に電子線を照射する場合に、これらの被照射体をシート状に広げることなく、狭い場所でこれらの処理が行えるとともに、被照射体に過大な熱を与えることなく粒状の被照射体の全表面を均一に電子線を照射して、被照射体の全表面を完全に電子線処理でき、コンパクトで信頼性が高い電子線照射装置を提供することができる。特に、殻付きの穀物の表面を、処理速度を大きくした状態で殻の部分だけに電子線を照射して穀物を変質することなく、完全に殺菌を行える電子線照射装置を提供することができる。これらの電子線照射の場合に、被照射体が電子線透過窓に近づかないので信頼性が確保できる。更に、電子透過窓が被照射体と角度を有して取り付けられているので、被照射体の蒸発などによって汚染され難く、信頼性が高いだけでなく、全長が短くコンパクトであり、シリーズに接続して更に処理能力を高めた電子線照射装置を提供することができる。また、有毒ガスの分解などにも使用できる。【図面の簡単な説明】    【図１】  本発明の一実施形態である電子線照射装置の縦断面図である。    【図２】  本発明の実施形態の縦断面図である図１の一部分を拡大した図面である。    【図３】  本発明の実施形態の縦断面図である図１のＡＡ’の矢印方向から見た横断面図である。    【図４】  本発明の主要構成要素である電子集中手段としての電磁石の構造と磁束の分布を表す断面図である。    【図５】  本発明の原理を説明するための原理図であり、電子透過窓における電子の散乱を模式的に示している。    【図６】  本発明の原理を説明するための原理図であり、電子透過窓における電子の散乱の角度関係を示している。    【図７】  本発明の原理を説明するための原理図であり、周回運動する電子に磁束密度が及ぼす効果を示している。    【図８】  本発明の変形した実施形態を表す横断面図である。    【図９】  従来の電子線照射装置の概略横断面図である。    【符号の説明】  １          真空容器  ２          陰極  ３          集束電極  ４          陽極構体  ５          陽極リング  ６          電子透過窓構体  ７          電子透過窓  ８          電磁石  ９          電子線のコーン状の電子軌道の延長線と被照射体通路１０の中心線との交点  １０        被照射体通路  １１        照射室壁  １２        遮蔽体  １３        絶縁筒  １４        電子銃取付台  １５        高電圧リード線  １６        排気管  １７        取付金具  １００      被照射体  １０１      真空空間  １１１      照射室空間  １１２      ガスの導入口  １１３      ガスの排出口  １５０      被照射体回転移送器  １５１      回転円筒  １５２      被照射体ガイド  １５３      ガス噴出口  １５４      被照射体通路内壁  １５５      螺旋状の空間  １５６      被照射体隔壁  １５７      スリット  １５８      羽根  ４０１      電子通過孔  ４０２      陽極構体４の一部である平板部   ４０５      放射状に設けられた多数の窪み  ４０６      電子通路  ６０１      放射状に設けられた多数の窪み  ６０２      環状の溝  ６０３      冷却水路  ７０１      電子軌道  ７０２      電子軌道  ７０２’    電子軌道  ８０１      環状の第２の磁極  ８０２      環状の第１の磁極  ８０３      コイル  ８０４      磁極  ８０５      等磁位曲線