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【手続補正書】
【提出日】平成20年7月22日(2008.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記第１のメディエータの酸化還元電位が、前記第２のメディエータより正の電位側であり、カソードとして用いられる請求項１に記載の酵素電極。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明に係る酵素電極は、導電性部材と、酵素と、第１及び第２のメディエータと、を有する酵素電極であって、第１のメディエータと第２のメディエータとが担体によって、導電性部材に固定化されており、且つ第１のメディエータと第２のメディエータとは、互いに酸化還元電位が異なることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月20日(2008.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、
前記第１の電極を覆って配置された誘電体と、
前記誘電体上で、前記誘電体に隣接して形成された抵抗要素と、
導電性トレースと、
前記誘電体を覆って配置された、前記抵抗要素と電気接触する第２の電極とを備えた容量性／抵抗性デバイスであって、前記誘電体が、前記第１の電極と前記第２の電極の間に配置されることを特徴とするデバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
さらに、上述の諸実施形態は、本発明を実施することについて知られている最良の形態について述べること、また、そのような、または他の実施形態で、また特定の応用例または本発明の使用によって必要とされる様々な修正と共に、当業者が本発明を利用することを可能にすることが意図されている。したがって、本説明は、本発明を本明細書で開示されている形態に限定しないものとする。また、添付の特許請求の範囲は、詳細な説明において明示的に定義されていない代替の諸実施形態を含むように解釈するべきであるものとする。
［１］第１の電極と、前記第１の電極を覆って配置された誘電体と、前記誘電体上で、前記誘電体に隣接して形成された抵抗要素と、導電性トレースと、前記誘電体を覆って配置された、前記抵抗要素と電気接触する第２の電極とを備えた容量性／抵抗性デバイスであって、前記誘電体が、前記第１の電極と前記第２の電極の間に配置されることを特徴とするデバイス。
［２］前記抵抗要素は、前記第２の電極と前記導電性トレースとの間に、それらを部分的に覆って延びることを特徴とする［１］に記載の容量性／抵抗性デバイス。
［３］前記抵抗要素は、前記第２の電極と前記導電性トレースとの間に間隙を跨いで延び、前記誘電体と当接することを特徴とする［２］に記載の容量性／抵抗性デバイス。
［４］前記誘電体は、フィラーなしのポリマーを含むことを特徴とする［１］に記載の容量性／抵抗性デバイス。
［５］前記誘電体は、誘電機能相で充填されたポリマーを含むことを特徴とする［１］に記載の容量性／抵抗性デバイス。
［６］少なくとも２つの有機誘電ラミネート層内に埋め込まれ、前記ラミネート層および前記容量性／抵抗性デバイスは、ラミネート構造を形成することを特徴とする［１］に記載の容量性／抵抗性デバイス。
［７］少なくとも１つの［６］に記載のラミネート構造と、プリント配線板の上面に配置された少なくとも１つのＩＣデバイスであって、前記容量性／抵抗性デバイスに電気的に結合されるＩＣデバイスとを備えたことを特徴とするプリント配線板。
［８］第１の金属箔および第２の金属箔を設けるステップと、前記第１と第２の金属箔との間で誘電体を形成するステップと、前記第１の金属箔から第１の電極を形成するステップと、前記第２の金属箔から第２の電極および導電性トレースを形成するステップと、前記誘電体に隣接する、かつ前記第２の電極および前記導電性トレースと電気接触する抵抗要素を形成するステップとを備えたことを特徴とする容量性／抵抗性デバイスを作製する方法。
［９］第１の金属箔および第２の金属箔を設けるステップと、前記第１の金属箔および前記第２の金属箔をエッチングし、前記第１および第２の電極を形成するステップとをさらに備えたことを特徴とする［８］に記載の方法。
［１０］前記抵抗要素を形成するステップは、前記誘電体を覆って、前記第２の電極に当接して抵抗材料を堆積するステップを含むことを特徴とする［９］に記載の方法。
［１１］前記誘電体を形成するステップは、フィラー入り、またはフィラーなしのポリマー溶液のうち少なくとも１つで、前記第１または第２の金属箔のうち少なくとも１つを覆ってキャスティングするステップを含むことを特徴とする［１０］に記載の方法。
［１２］前記誘電体を形成するステップは、フィラー入り、またはフィラーなしのポリマーの別個の膜を形成するステップと、前記膜を前記第１および第２の金属箔に積層するステップとを含むことを特徴とする［１１］に記載の方法。
［１３］［８］に記載の方法によって形成された少なくとも１つの容量性／抵抗性デバイスを、少なくとも２つの有機誘電ラミネート層間に埋め込むステップを備えたことを特徴とするラミネート構造を作製する方法。
［１４］少なくとも１つの［１３］に記載のラミネート構造を設けるステップと、プリント配線板の上面に配置された、前記容量性／抵抗性デバイスに電気的に結合される少なくとも１つのＩＣデバイスを設けるステップとを備えたことを特徴とするプリント配線板を作製する方法。
［１５］第１の金属箔および第２の金属箔を設けるステップと、前記第１の金属箔を覆ってポリイミド誘電体を形成するステップと、前記第１の金属箔から第１の電極を形成するステップと、第１の誘電層を前記第１の電極の側部に積層するステップと、前記第２の金属箔から第２の電極および導電性トレースを形成するステップであって、前記第２の電極および前記導電性トレースが、前記誘電体を覆って配置されるステップと、前記ポリイミド誘電体を覆って、前記第２の電極と電気接触する抵抗要素をプリントするステップであって、前記誘電体が、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置されるステップと、第２の誘電層を前記第２の電極および前記抵抗要素に積層するステップとを備えたことを特徴とするラミネート構造を作製する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月20日(2008.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の金属箔と、
前記第１の金属箔を覆って配置された誘電体と、
第２の金属箔と、
２つの対向する表面を有し、前記第２の金属箔を覆って配置された抵抗層であって、前記抵抗層の一方の表面は誘電体層である抵抗層と、
前記第１の金属箔をエッチングすることにより形成された第１の電極と、
前記第２の金属箔をエッチングすることにより離間して形成された、第２の電極及び導電性トレースと、
を備え、
前記第１の電極、前記誘電体層、及び前記第２の電極がキャパシタを形成し、
前記抵抗層の対向する表面の少なくとも一部が前記第２の電極及び前記導電性トレースとの両方と接触することにより、抵抗要素が形成され、
前記抵抗要素が前記誘電体層と接触し、
前記誘電体層が高誘電率粉体相で充填されたポリマーを含み、
前記誘電体層が５〜４０の間の誘電率で厚さ８〜２５μｍであり、
前記誘電体層が前記ポリマー、溶媒、及び第１の金属箔、第２の金属箔又は第１及び第２の金属箔よりも高い高誘電率粉体相を含む誘電スラリーを鋳造することにより形成されており、
前記キャパシタ及び抵抗要素が少なくとも２つの有機誘電ラミネート層に積層され、有機誘電ラミネート層内に埋め込まれたことを特徴とするデバイス。
【請求項２】
前記抵抗要素が前記誘電体と前記第２の電極との間に配置されることを特徴とする請求項１に記載の容量性／抵抗性デバイス。
【請求項３】
前記誘電体は、ポリイミドポリマーを含むことを特徴とする請求項１に記載の容量性／抵抗性デバイス。
【請求項４】
前記高誘電率粉体相が、チタン酸バリウム、チタン酸バリウム・ストロンチウム、チタン酸ジルコン酸鉛、チタン酸ジルコン酸ランタン鉛、チタン酸マグネシウム鉛、チタン酸カルシウム銅、およびそれらの混合物から選択されることを特徴とする請求項１に記載の容量性／抵抗性デバイス。
【請求項５】
少なくとも１つの請求項１に記載のラミネート構造と、
プリント配線板の上面に配置された少なくとも１つのＩＣデバイスであって、前記容量性／抵抗性デバイスに電気的に結合されるＩＣデバイスと
を備えたことを特徴とするプリント配線板。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月27日(2008.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
堆積チャンバー内にサセプタを支持するように適応された複数の支持プレートを備え、上記複数の支持プレートの少なくとも４つが、上記堆積チャンバーの外部に延びる少なくとも２つの支持シャフトに結合するように適応されるサセプタ支持装置。
【請求項２】
上記複数の支持プレートの各々はセラミック材料で構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
上記サセプタは長方形であって、大面積基板を支持するように適応される、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
上記複数の支持プレートの少なくとも１つは円形の形状を有する、請求項２に記載の装置。
【請求項５】
上記複数の支持プレートの少なくとも１つは長方形の形状を有する、請求項２に記載の装置。
【請求項６】
上記複数の支持プレートの少なくとも４つのうちの少なくとも２つは、上記少なくとも２つの支持シャフトに結合され、それらの間に分岐プレートを伴うように適応される、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
堆積チャンバー内に大面積基板を支持するための装置において、
上記大面積基板を支持するように適応されたサセプタと、
上記サセプタの下に位置された複数のサセプタ支持プレートと、
上記複数の支持プレートの下に位置された１つ以上のアクチュエータに結合される複数の支持シャフトと、
を備え、上記複数の支持プレートの下に位置された上記複数の支持シャフトの少なくとも２つが上記堆積チャンバーの外部に延びるようにされた装置。
【請求項８】
上記複数の支持シャフトが１つのアクチュエータに結合され、上記装置は、更に、上記複数の支持プレートと上記アクチュエータとの間で上記複数の支持シャフトに結合された支持トラスを備えた、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
上記複数の支持シャフトが少なくとも２つのアクチュエータに結合される、請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
上記複数の支持シャフトが少なくとも２つのアクチュエータに結合され、上記装置は、更に、上記複数の支持プレートと上記複数の支持シャフトの少なくとも１つとの間に位置された少なくとも１つの分岐プレートを備えた、請求項７に記載の装置。
【請求項１１】
上記複数の支持プレートは、長方形の形状、円形の形状又はその組合せを含む、請求項７に記載の装置。
【請求項１２】
上記サセプタの中央領域を支持するように適応されたアクチュエータに結合された中央プレートを更に備えた、請求項７に記載の装置。
【請求項１３】
上記サセプタはアルミニウム材料で作られ、上記複数のサセプタ支持プレートによって支持されたときに平坦な水平プロフィールで配向される、請求項７に記載の装置。
【請求項１４】
大面積基板の平面性を調整するための装置において、
頂部、底部及び側壁を有するチャンバーと、
上記チャンバー内に配置されて、上記大面積基板を支持するように適応されたサセプタと、
上記チャンバーの外部に延びる少なくとも２つの支持シャフトであって、上記サセプタを支持するように適応された少なくとも２つの支持シャフトと、
を備えた装置。
【請求項１５】
上記少なくとも２つの支持シャフトは１つ以上の垂直アクチュエータと連通する、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
上記少なくとも２つの支持シャフトに結合された複数の支持プレートを更に備えた、請求項１４に記載の装置。
【請求項１７】
上記チャンバーは、真空ソース、ガス源及び高周波電源に結合される、請求項１４に記載の装置。
【請求項１８】
上記少なくとも２つの支持シャフトは垂直方向に移動するように適応され、その垂直移動は共通に制御される、請求項１４に記載の装置。
【請求項１９】
上記少なくとも２つの支持シャフトは垂直方向に移動するように適応され、その垂直移動は個々に制御される、請求項１４に記載の装置。
【請求項２０】
上記サセプタはアルミニウム材料で作られ、上記複数のサセプタ支持プレートにより支持されたときに平坦な水平プロフィールで配向される、請求項１４に記載の装置。
【請求項２１】
堆積チャンバー内に大面積サセプタを支持するための装置において、
上記堆積チャンバーの外部に置かれた少なくとも１つの支持トラスと、
上記少なくとも１つの支持トラスに結合されて、上記サセプタを支持するように適応された複数の支持シャフトと、
を備えた装置。
【請求項２２】
上記少なくとも１つの支持トラスに結合された少なくとも１つのアクチュエータを更に備えた、請求項２１に記載の装置。
【請求項２３】
上記複数の支持シャフトに結合された複数の支持プレートを更に備えた、請求項２１に記載の装置。
【請求項２４】
上記チャンバーの外部に位置され、上記サセプタの周囲を支持するように適応される複数のシャフトに結合された第１の支持トラスと、
上記チャンバーの外部に位置され、上記サセプタの中央領域を支持するように適応される少なくとも１つの支持シャフトに結合された第２の支持トラスと、
を備えた請求項２１に記載の装置。
【請求項２５】
プラズマエンハンスト化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）システム内で基板の平面性を調整するための装置において、
チャンバーと、
上記チャンバー内に配置されるサセプタと、
上記チャンバーの外部に延びる少なくとも２つの支持シャフトと、
１つ以上の垂直アクチュエータと、
を備え、各支持シャフトは、上記１つ以上の垂直アクチュエータ及び上記サセプタと連通するようにされた装置。
【請求項２６】
上記サセプタは、各支持シャフトと連通する１つ以上の支持プレートを備えた、請求項２５に記載の装置。
【請求項２７】
上記１つ以上の支持プレートの各々はセラミック材料で構成される、請求項２６に記載の装置。
【請求項２８】
上記少なくとも２つの支持シャフトは支持トラスに配置される、請求項２５に記載の装置。
【請求項２９】
上記垂直アクチュエータは移動ブロックを備え、上記少なくとも２つの支持シャフトは上記移動ブロックに配置される、請求項２５に記載の装置。
【請求項３０】
各支持シャフトは、それに対応する垂直アクチュエータと直接連通する、請求項２５に記載の装置。
【請求項３１】
上記１つ以上の垂直アクチュエータは、電気、液圧、空気圧、又はその組合せのグループから選択されたモーターで構成される、請求項２５に記載の装置。
【請求項３２】
上記少なくとも２つの支持シャフトは冷却ブロックにより冷却される、請求項２５に記載の装置。
【請求項３３】
上記少なくとも２つの支持シャフトは上記チャンバー外部のシールにより取り巻かれる、請求項２５に記載の装置。
【請求項３４】
上記シールは冷却ブロックを含む、請求項３３に記載の装置。
【請求項３５】
上記複数の支持シャフトは共通に制御される、請求項２５に記載の装置。
【請求項３６】
上記複数の支持シャフトは個々に制御される、請求項２５に記載の装置。
【請求項３７】
上記支持シャフトは上記サセプタに接触する少なくとも１つのスペーサを含む、請求項２５に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月17日(2008.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に剥離層を選択的に形成し、
前記第１の基板及び前記剥離層に接するように第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上に第１の薄膜トランジスタ及び第２の薄膜トランジスタを形成し、
前記第１の薄膜トランジスタ及び前記第２の薄膜トランジスタ上に第２の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層に、前記第１の基板に達する第１の開口部を形成し、
前記第２の絶縁層に、前記第１の薄膜トランジスタに達する第２の開口部と、前記第２の薄膜トランジスタに達する第３の開口部と、を形成し、
前記第１の開口部及び前記第２の開口部に第１の導電層を形成し、
前記第３の開口部に第２の導電層を形成し、
前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層に、前記剥離層に達する第４の開口部を形成し、
前記第４の開口部にエッチング剤を導入して前記剥離層を除去し、
前記第２の導電層と、第２の基板上に設けられた第３の導電層とが電気的に接続するように、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせ、
前記第１の基板を剥離して、前記第２の基板に前記第１の薄膜トランジスタ及び前記第２の薄膜トランジスタを転置し、
前記第１の導電層と、第３の基板上に設けられた第４の導電層とが電気的に接続するように、前記第２の基板と前記第３の基板とを貼り合わせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記剥離層として、タングステン又はモリブデンを含む層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記エッチング剤はフッ化ハロゲンを含む気体又は液体であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
薄膜集積回路と、第１のアンテナ又はセンサを有する第１の基板と、第２のアンテナを有する第２の基板を有し、
前記薄膜集積回路は、前記第１の基板と前記第２の基板とに挟持されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記薄膜集積回路は、前記第１のアンテナ又は前記センサ、及び前記第２のアンテナと、導電性粒子によって電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
第１の基板上に設けられた第１の導電層と、前記第１の導電層を覆う第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上に設けられた第１の薄膜トランジスタ及び第２の薄膜トランジスタと、前記第１の薄膜トランジスタ及び前記第２の薄膜トランジスタを覆う第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上に設けられた第２の導電層及び第３の導電層と、第２の基板上に設けられた第４の導電層を有し、
前記第２の導電層は、前記第２の絶縁層に設けられた第１の開口部を介して前記第１の薄膜トランジスタに電気的に接続され、且つ前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層に設けられた第２の開口部を介して前記第１の導電層に電気的に接続され、
前記第３の導電層は、前記第２の絶縁層に設けられた第３の開口部を介して前記第２の薄膜トランジスタに電気的に接続され、且つ前記第４の導電層に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記第１の基板と前記第１の絶縁層との間には第１の樹脂層が設けられ、前記第１の樹脂層に含まれる導電性粒子によって前記第１の導電層と前記第２の導電層とが電気的に接続されており、
前記第２の基板と前記第２の絶縁層との間には第２の樹脂層が設けられ、前記第２の樹脂層に含まれる導電性粒子によって前記第３の導電層と前記第４の導電層とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月24日(2008.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法、剥離方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に分離層を形成し、
前記分離層上に半導体素子を含む被剥離層を形成し、
前記分離層のレーザー光によるアブレーション、前記分離層のエッチング、又は物理的手段のうち、少なくとも２種類の方法を用いて、前記基板と前記被剥離層とを分離する分離工程を行い、
フィルムに前記被剥離層を転置することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記分離工程は、前記分離層に選択的にレーザー光を照射して前記分離層をアブレーションさせることにより前記分離層に経路を形成した後、前記経路に前記分離層をエッチングできる気体又は液体を導入して前記分離層を除去することにより行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記分離工程は、前記分離層に前記分離層をエッチングできる気体または液体を用いて分離層の一部を残して除去した後、残された前記分離層の一部にレーザー光を照射して前記分離層をアブレーションさせることにより行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１において
分離層に選択的にレーザー光を照射して前記半導体素子の周辺の前記分離層をアブレーションさせた後、物理的手段を用いることにより行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板の表面上に分離層を形成し、
前記分離層上に半導体素子と前記半導体素子の上方に形成されたアンテナとを含む被剥離層を形成し、
前記分離層に前記分離層と反応する気体または液体を曝して少なくとも分離層の一部を残して除去することにより、前記被剥離層を前記アンテナを内側にして反らせ、
前記基板の表面を下に向け、前記基板の裏面側から、残された前記分離層の一部にレーザー光を照射して前記分離層をアブレーションさせることにより前記第１の基板と前記被剥離層とを分離させて落下させ、
落下した前記被剥離層をフィルムに転置することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記半導体素子のチャネル長方向が、前記被剥離層が反る方向と異なるように配置されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記アンテナの前記チャネル長方向と平行方向の太さは、前記アンテナの前記チャネル長方向と垂直方向の太さよりも太いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
基板上に分離層を形成し、
前記分離層上に半導体素子を含む被剥離層を形成し、
前記分離層のレーザー光によるアブレーション、前記分離層のエッチング、又は物理的手段のうち、少なくとも２種類の方法を用いて、前記基板と前記被剥離層とを分離する分離工程を行うことを特徴とする剥離方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記分離工程は、前記分離層に選択的にレーザー光を照射して前記分離層をアブレーションさせることにより前記分離層に経路を形成した後、前記経路に前記分離層をエッチングできる気体又は液体を導入して前記分離層を除去することにより行うことを特徴とする剥離方法。
【請求項１０】
請求項８において、
前記分離工程は、前記分離層に前記分離層をエッチングできる気体または液体を用いて分離層の一部を残して除去した後、残された前記分離層の一部にレーザー光を照射して前記分離層をアブレーションさせることにより行うことを特徴とする剥離方法。
【請求項１１】
請求項８において
分離層に選択的にレーザー光を照射して前記半導体素子の周辺の前記分離層をアブレーションさせた後、物理的手段を用いることにより行うことを特徴とする剥離方法。
【請求項１２】
基板の表面上に分離層を形成し、
前記分離層上に半導体素子と前記半導体素子の上方に形成されたアンテナとを含む被剥離層を形成し、
前記分離層に前記分離層と反応する気体または液体を曝して少なくとも分離層の一部を残して除去することにより、前記被剥離層を前記アンテナを内側にして反らせ、
前記基板の表面を下に向け、前記基板の裏面側から、残された前記分離層の一部にレーザー光を照射して前記分離層をアブレーションさせることにより前記第１の基板と前記被剥離層とを分離させて落下させることを特徴とする剥離方法。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記半導体素子のチャネル長方向が、前記被剥離層が反る方向と異なるように配置されていることを特徴とする剥離方法。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記アンテナの前記チャネル長方向と平行方向の太さは、前記アンテナの前記チャネル長方向と垂直方向の太さよりも太いことを特徴とする剥離方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月14日(2008.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１枚以上のフラットパネルディスプレイ基板を処理するためのプラズマ増強型化学気相堆積システムであって、
ガスを含有するように構成された真空堆積プロセスチャンバと、
該真空堆積プロセスチャンバ内の該ガスを分析するとともにフィードバックをするように構成された残留ガス分析器であって、該ガスの分析は、該真空堆積プロセスチャンバ内で窒素、酸素、アルゴンより選ばれた２種以上の大気ガスをモニタすることを含んでいる、残留ガス分析器と、
該残留ガス分析器からデータを受け、該２種以上の大気ガスの濃度の同時変化を検出し、大気ガスが該真空堆積プロセスチャンバにリークしていることをオペレータに警告するように構成されたコントローラと、
を備えている、前記システム。
【請求項２】
該コントローラが該チャンバへのガスフローを制御する、請求項１記載のシステム。
【請求項３】
該コントローラが該チャンバからのガスの排気を制御する、請求項１記載のシステム。
【請求項４】
該ガス分析器が質量分析計である、請求項１記載のシステム。
【請求項５】
該質量分析計が四重極質量分析計である、請求項４記載のシステム。
【請求項６】
該コントローラがプロセスデータを記録する、請求項３記載のシステム。
【請求項７】
該少なくとも２種のガスが窒素と酸素である、請求項１記載のシステム。
【請求項８】
フラットパネルディスプレイ基板を処理するように構成されたプラズマ増強型化学気相
成長システム内のプロセス不調を確認する方法であって、
時間の関数として分圧のラインのヒストリカルな勾配を求めるステップと、
残留ガスアナライザによって分圧測定に基づいたラインの新規な勾配を計算するステッ
プと、
該ヒストリカルな勾配と新規な勾配を比較するステップと、
オペレータに信号を送るステップと、
を含む、前記方法。
【請求項９】
該ヒストリカルな勾配が、
複数の分圧測定をモニタする工程と、
従来の統計分析を行って平均と偏差を求める工程と、
によって求められる、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
少なくとも２種のガスがモニタされ分析される、請求項８記載の方法。
【請求項１１】
該少なくとも２種のガスの時間の関数として該分圧測定の該ヒストリカルな勾配と新規
な勾配が記録される、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
少なくとも２種のガスの該勾配の変化が相互に比較され、該少なくとも２種のガスの、該ヒストリカルな勾配と比較した該新規な勾配の変化が同様である場合に、該オペレータに知らせる、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
真空チャンバ内でリークをモニタする検出器であって、
真空チャンバ内で窒素、酸素、アルゴンより選ばれた２種以上の大気ガスをモニタする
ように構成されたガス分析器と、
該ガス分析器からのデータを受け取って、該真空チャンバ内における該２種以上の大気ガスの濃度の同時変化を検出することにより、該２種以上の大気ガスが該真空チャンバにリークしているか否かを決定するように適合されたコントローラと、
を備えている、前記検出器。
【請求項１４】
該ガス分析器が質量分析計である、請求項１３記載の検出器。
【請求項１５】
該少なくとも２種のガスが窒素と酸素である、請求項１３記載の検出器。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月7日(2008.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
Ｎ型導電クラッド層とＰ型導電クラッド層の間に形成される複数の多孔質発光層をさらに備え、該多孔質発光層は第１波長および第２波長とは異なる複数の発光波長を有する、請求項７に記載の発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月9日(2008.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記基板の上層部内に空間上分離されて設けられるソース領域とドレーン領域と、
前記ソース領域と前記ドレーン領域との間の前記基板上の電荷トラップ構造物、および
前記電荷トラップ構造物上のゲート電極
を含み、
前記ゲート電極及び前記ソース領域と前記ドレーン領域のうち少なくともいずれか一つの一部との間の前記電荷トラップ構造物内にリセスが存在することを特徴とする不揮発性メモリ素子。
【請求項２】
前記ソースとドレーン領域のうち少なくとも一つの内側エッジが前記電荷トラップ構造物の外側エッジと実質的に整列されることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性メモリ素子。
【請求項３】
前記リセスが前記電荷トラップ構造物のソース領域側面にあることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性メモリ素子。
【請求項４】
前記リセスが前記電荷トラップ構造物のソース領域側面及びドレーン領域側面の両側面にあることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性メモリ素子。
【請求項５】
前記リセス内に誘電物質をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の不揮発性メモリ素子。
【請求項６】
前記電荷トラップ構造物は、シリコン酸化物及びシリコン酸窒化物より成ったグループから選択された物質を含む第１の誘電膜と、
前記第１の誘電膜上に形成され、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物及び高誘電率物質より成ったグループから選択された物質を含む第２の誘電膜、および
前記第２の誘電膜上に形成され、シリコン酸化物を含む第３の誘電膜
を含むことを特徴とする請求項１に記載の不揮発性メモリ素子。
【請求項７】
前記リセスは、前記第２の誘電膜内に形成されたことを特徴とする請求項６に記載の不揮発性メモリ素子。
【請求項８】
前記電荷トラップ構造物が、シリコン酸化物及びシリコン酸窒化物より成ったグループから選択された物質を含む第１の誘電膜と、
前記第１の誘電膜上に形成され、ポリシリコン量子点及びシリコン窒化物量子点より成ったグループから選択されたタイプの量子点を含む量子点アレイ、及び前記量子点アレイ上にシリコン酸化物を含む第２の誘電膜と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の不揮発性メモリ素子。
【請求項９】
前記電荷トラップ構造物は、前記ソース領域から前記ソース領域及び前記ドレーン領域の間の中間領域へ延長され、
前記中間領域内の前記電荷トラップ構造物から前記ドレーン領域へ延長された前記基板上のゲート誘電膜をさらに含み、
前記ゲート電極が前記電荷トラップ構造物及び前記ゲート誘電膜上にあることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性メモリ素子。
【請求項１０】
前記電荷トラップ構造物は、第１の電荷トラップ構造物を含み、
前記ゲート電極は、第１の補助ゲート電極を含み、
前記ソース領域と前記ドレーン領域との間の前記基板上の主ゲート誘電膜と、
前記主ゲート誘電膜上にある主ゲート電極と、
前記ソース領域及び前記主ゲート電極の間の前記基板上にある前記第１の電荷トラップ構造物と、
前記第１の電荷トラップ構造物上にあり、前記第１の補助ゲート電極と前記ソース領域の一部との間にある前記第１の電荷トラップ構造物内に第１のリセスが存在する前記第１の補助ゲート電極と、
前記ドレーン領域と前記主ゲート電極との間にある前記基板上の第２の電荷トラップ構造物、および
前記第２の電荷トラップ構造物上にあり、前記第２の補助ゲート電極及び前記ドレーン領域の一部の間の前記第２の電荷トラップ構造物内に第２のリセスが存在する第２の補助ゲート電極、
をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の不揮発性メモリ素子。
【請求項１１】
半導体基板と、
前記基板の上層部内に空間上分離されて設けられるソース領域およびドレーン領域と、
前記ソース領域と前記ドレーン領域との間の前記基板上にある主ゲート誘電膜と、
前記主ゲート誘電膜上にある主ゲート電極と、
前記ソース領域と前記主ゲート電極との間の前記基板上の第１の電荷トラップ構造物と、
前記第１の電荷トラップ構造物上に存在する前記第１の補助ゲート電極であって、前記第１の補助ゲート電極と前記ソース領域の一部との間にある前記第１の電荷トラップ構造物内に第１のリセスが存在する前記第１の補助ゲート電極と、
前記ドレーン領域と前記主ゲート電極との間にある前記基板上の第２の電荷トラップ構造物、および
前記第２の電荷トラップ構造物上に存在する前記第２の補助ゲート電極であって、前記第２の補助ゲート電極と前記ドレーン領域の一部との間にある前記第２の電荷トラップ構造物内に第２のリセスが存在する前記第２の補助ゲート電極、
を含むことを特徴とする不揮発性メモリ素子。
【請求項１２】
前記第１及び第２の補助ゲート電極は、前記第１のゲート電極のドレーン側面とソース側面のそれぞれの前記第１の電荷トラップ構造物と前記第２の電荷トラップ構造物上に形成された伝導性の側壁スペーサを含むことを特徴とする請求項１１に記載の不揮発性メモリ素子。
【請求項１３】
前記第１及び第２の電荷トラップ構造物は、シリコン酸化物及びシリコン酸窒化物より成ったグループから選択された物質を含む第１の誘電膜と、
前記第１の誘電膜上に形成され、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物及び高誘電率物質より成ったグループから選択された物質を含む第２の誘電膜、および
前記第２の誘電膜上に形成され、シリコン酸化物を含む第３の誘電膜
を含むことを特徴とする請求項１１に記載の不揮発性メモリ素子。
【請求項１４】
前記第１及び第２のリセスがそれぞれ前記第１及び第２の電荷トラップ構造物の前記第２の誘電膜内に形成されることを特徴とする請求項１３に記載の不揮発性メモリ素子。
【請求項１５】
前記第１及び第２の電荷トラップ構造物は、シリコン酸化物及びシリコン酸窒化物より成ったグループから選択された物質を含む第１の誘電膜と、
前記第１の誘電膜上に形成され、ポリシリコン量子点及びシリコン窒化物量子点より成ったグループから選択されたタイプの量子点を含む量子点アレイ、及び前記量子点アレイ上に形成され、シリコン酸化物を含む第２の誘電膜
を含むことを特徴とする請求項１１に記載の不揮発性メモリ素子。
【請求項１６】
前記第１及び第２のリセス内に誘電物質をさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載の不揮発性メモリ素子。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年10月29日(2008.10.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
D級可聴周波数増幅に合わせて調整されるパワー半導体ダイと、導電クリップとを含むパッケージを備えるパワーアッセンブリであって、
前記パワー半導体ダイの一方の表面上には第一パワー電極を有し、反対側の他方の表面上には第二パワー電極及び制御電極を有し、それぞれが対応の導電性パッドに対して直接的な電気的且つ機械的接続に対応するようになっており、
前記導電性クリップが、導電性接合剤により、前記第一パワー電極に電気的且つ機械的に取り付けられる内面と、導電性パッドに対する直接的な電気的、且つ機械的接続に対応するようになっている接続面とを有しており、
インダクタンス関連リンギング及びＥＭＩを低減するために、前記パッケージが１ｎＨ未満のインダクタンスを示す、パワーアッセンブリ。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
[0035]図５の（Ａ），（Ｂ）を参照すると、パッケージ５のインダクタンス関連リンギングが、同一のテスト条件(例えば３０Ａ，５００ｋＨｚ)のもとにあり、且つほぼ同じダイ(即ちほぼ同一の能動エリヤ、電圧及び発生)を用いた従来のＳＯ−８パッケージよりも少ないことが分かる。図６は、パッケージ５が１ｎＨ未満のインダクタンスを示すことができ、他の知られた従来パッケージより遥かに優れていることを示している。リンギングが低減するとＥＭＩが低減する。ＥＭＩの低減は、可聴周波数増幅器の用途、特にD級可聴周波数増幅器の用途にあって有利である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
[0042]ハーフ・ブリッジ構造におけるパッケージ５のEMI性能を、別の広く知られた従来のパッケージであるTO‐220パッケージとの間で、同一の半導体ダイとテスト条件を用い比較した。図１１の（Ａ）と（Ｂ）は、得られた結果を示す。要約すると、増幅器内部のパッケージ５は、約９ｄＢ低いピーク、準ピーク及び２ＭＨｚを超える領域での平均ノイズを示した。２ＭＨｚ以下では、背景ノイズが支配的であった。シールドを用いなかったが、同じ背景条件で二つのデバイスをテストしたことに注目すべきである。更に、テストによれば、増幅器内部のパッケージ５は増幅器内部のTO-220と比較し、鮮明度が高く、速度の大きな(約３倍の速さの)スイッチング波形を示した。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図６】
2006121067.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月3日(2008.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノードＢにおいて、無線ネットワークコントローラ（ＲＮＣ）に測定を報告するための方法であって、
高速パケットデータ伝送に関連する第１の電力レベルまたは非高速パケットデータ伝送に関連する第２の電力レベルを含む測定についてＲＮＣのための要求を受信することと、
前記高速パケットデータ伝送に関連する第１の電力レベルまたは前記非高速パケットデータ伝送に関連する第２の電力レベルを判定することと
を備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記第１の電力レベルは、ＵＳ−ＤＳＣＨに関連する電力を含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、前記測定は、単位時間当たりに成功伝送されたデータの量をさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であって、前記測定は、データのブロック数および伝送された実際のデータのサイズをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、前記測定は、成功した１回目の伝送の数を含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、前記測定は、成功した２回目の伝送の数をさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、前記測定は、成功した３回目の伝送の数をさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、前記測定は、不成功の伝送の数をさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、前記測定は、破棄された１回目の伝送の数をさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、前記測定は、破棄された２回目の伝送の数をさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法であって、前記測定は、破棄された３回目の伝送の数をさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法であって、前記測定は、総失敗数をさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１に記載の方法であって、前記測定は、各変調スキームの使用をさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１に記載の方法であって、前記測定は、通常の状況に対するソフトハンドオーバー状況の性能をさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１に記載の方法であって、前記測定は、肯定応答／否定応答受信品質エラーの数をさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項１に記載の方法であって、前記測定は、ＨＳＤＰＡ伝送とその他のすべてのサービスの電力使用の計算についての電力使用をさらに含むことを特徴とする方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年7月10日(2008.7.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７５】
銅ウェハー、タンタルウェハー及び二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）ウェハーを、以下の成分を含む８つの異なる研磨系（系５Ａ〜５Ｇとする）でそれぞれ研磨した：５ｗｔ％のアルミナ（具体的にはＣａｂｏｔ社のＳｅｍｉ−Ｓｐｅｒｓｅ（商標）Ｗ−Ａ３５５製品）、２．５ｗｔ％の酸化剤（具体的にはＨ2Ｏ2）、様々な濃度の研磨添加剤（具体的には１．２５ｗｔ％の酒石酸、０．５ｗｔ％の１−ジ−ホスホン酸（すなわちＤｅｑｕｅｓｔ（商標）２０１０製品）、０．７５ｗｔ％のアミノトリ（メチレンホスホン酸）（すなわちＤｅｑｕｅｓｔ（商標）２０００製品））、０．８ｗｔ％のＤｅｑｕｅｓｔ（商標）２０１０製品、又は２．５ｗｔ％のＤｅｑｕｅｓｔ（商標）２０００製品）、及び様々な濃度の停止化合物（具体的には０．２５ｗｔ％の、２５％のエチレンイミンポリマーを含有するＬｕｐａｓｏｌ（商標）ＳＫＡ（すなわち０．０６ｗｔ％のポリエチレンイミン）、０．１ｗｔ％のジシアノイミダゾール、０．５ｗｔ％のＬｕｐａｓｏｌ（商標）ＳＫＡ（すなわち０．１２ｗｔ％のポリエチレンイミン）、０．５ｗｔ％のポリアシルアミド、又は０．５ｗｔ％の１，４−ビス（３−アミノプロピル）ピペラジン、又は０．５ｗｔ％の、セチルトリメチル塩化アンモニウムを含有しているＶａｒｉｓｏｆｔ（商標）３００）。ここで、それぞれの系は、ｐＨが５（系５Ｅ）、又はｐＨが７．７（系５Ａ〜５Ｄ、５Ｆ〜５Ｇ）であった。更に、系５Ｃは０．００５ｗｔ％の界面活性剤（具体的にはＴｒｉｔｏｎＤＦ−１６）を含有していた。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７８】
【表５】
2006121101.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月22日(2008.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信のレンダリングを容易にするシステムであって、
第１のデバイスから第１のフォーマットのメッセージを受信するコンポーネントと、
メッセージを解析し、前記メッセージのターゲットであるデバイスに対応する第２のフォーマットに前記メッセージを変換するユニファイドメッセージングコンポーネントと
を備えたことを特徴とするシステム。
【請求項２】
前記受信するメッセージは、ボイスメール通信であることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記変換されたメッセージは、電子メール通信であることを特徴とする請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記電子メール通信およびボイスメール通信のコンテンツは、日付および時刻に同期することを特徴とする請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記ユニファイドメッセージングコンポーネントは、電話を介して特定の人に電子カレンダのコンテンツを伝えることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記ユニファイドメッセージングコンポーネントは、電話を介して特定の人から音声の命令を受信し、前記命令を再フォーマットし、前記再フォーマットした命令をカレンダにポピュレートすることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記再フォーマットした命令のコンテンツは、前記音声の命令のコンテンツと同期することを特徴とする請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
請求項１に記載のシステムのコンポーネントを格納していることを特徴とするコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項９】
第１のデバイスから第１のフォーマットのメッセージを受信するステップと、
前記メッセージを解析し、そのメッセージのターゲットであるデバイスに対応するフォーマットに前記メッセージを変換するステップと、
前記第１のフォーマットのメッセージおよびそれと異なるフォーマットのメッセージを同期させるステップと
を備えることを特徴とする通信を変換する方法。
【請求項１０】
前記受信するメッセージは、ボイスメール通信であることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記変換されたメッセージは、電子メール通信であることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
電話を介して特定の人に電子カレンダのコンテンツを伝えるステップをさらに備えることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
電話を介して特定の人から音声の命令を受信するステップと、
該命令を再フォーマットするステップと、
前記再フォーマットした命令をカレンダにポピュレートするステップと
をさらに備えることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記再フォーマットした命令のコンテンツは、前記音声の命令のコンテンツと同期することを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
請求項９に記載の方法を実行するためのコンピュータ実行可能命令を格納していることを特徴とするコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１６】
異種のフォーマットのメッセージのマッチングを容易にするシステムであって、
第１のデバイスから第１のフォーマットのメッセージを受信する手段と、
前記メッセージを解析し、前記メッセージのターゲットであるデバイスに対応するフォーマットに、前記メッセージを変換する手段と
を備えたことを特徴とするシステム。
【請求項１７】
前記受信するメッセージは、ボイスメール通信であることを特徴とする請求項１６に記載のシステム。
【請求項１８】
前記再フォーマットされたメッセージは、電子メール通信であることを特徴とする請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
電話を介して特定の人に電子カレンダのコンテンツを伝える手段をさらに備えることを特徴とする請求項１７に記載のシステム。
【請求項２０】
電話を介して特定の人から音声の命令を受信する手段と、
前記命令を再フォーマットする手段と、
カレンダに再フォーマットした命令をポピュレートする手段と
をさらに備えることを特徴とする請求項１６に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月12日(2007.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原稿画像を読み取り画像データを出力する読取手段と、
前記読取手段によって原稿画像を読み取って得た画像データから、当該画像データに対応する電子データを特定するためのＩＤ及び該当ページを示すページ情報を含むストレージ情報を検出する検出手段と、
前記検出手段で検出されたストレージ情報に含まれるＩＤに基づき、自機またはネットワーク上のストレージから前記読取手段によって原稿画像を読み取って得た画像データに対応する電子データであって、複数ページで構成される電子データを検索する検索手段と、
前記検索手段で検索された電子データのうち、前記検出手段で検出されたストレージ情報に含まれるページ情報により特定されるページに応じた当該電子データの一部であって複数のページの電子データに基づき印刷する印刷手段と
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記検出手段は、前記読取手段で２ページ分の原稿画像が読み取られた場合、それぞれの原稿画像から得た画像データからページ情報を含むストレージ情報を検出し、前記印刷手段は、それぞれの原稿画像のページ情報で特定されるページの間の電子データを印刷することを特徴とする請求項１に記載された画像処理装置。
【請求項３】
さらに、前記検出手段で検出した２ページ分の原稿画像の画像データからのストレージ情報に含まれていたＩＤが異なる場合、その旨を表示する表示手段を有することを特徴とする請求項２に記載された画像処理装置。
【請求項４】
前記印刷手段は、前記検出手段で検出されたスキャン情報に含まれるページ情報で特定されるページ以降の電子データの印刷を行うことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載された画像処理装置。
【請求項５】
前記印刷手段は、印刷しようとする画像データに前記ストレージ情報を付加することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載された画像処理装置。
【請求項６】
原稿画像を読み取り、
前記原稿画像の画像データから、当該画像データに対応する電子データを特定するためのＩＤ及び該当ページを示すページ情報を含むストレージ情報を検出し、
前記ストレージ情報に含まれるＩＤに基づき、自機またはネットワーク上のストレージから前記原稿画像の電子データであって、複数ページで構成される電子データを検索し、
前記検索された電子データのうち、前記検出されたストレージ情報に含まれるページ情報により特定されるページに応じた当該電子データの一部であって複数のページの電子データに基づく印刷を行なうことを特徴とする画像処理方法。
【請求項７】
コンピュータに読込ませ、実行させることで、前記コンピュータを、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像処理装置として機能させることを特徴とするプログラム。
【請求項８】
請求項７に記載されたプログラムが記録されたことを特徴とするコンピュータ可読の記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明にかかる画像処理装置は、原稿画像を読み取り画像データを出力する読取手段と、前記読取手段によって原稿画像を読み取って得た画像データから、当該画像データに対応する電子データを特定するためのＩＤ及び該当ページを示すページ情報を含むストレージ情報を検出する検出手段と、前記検出手段で検出されたストレージ情報に含まれるＩＤに基づき、自機またはネットワーク上のストレージから前記読取手段によって原稿画像を読み取って得た画像データに対応する電子データであって、複数ページで構成される電子データを検索する検索手段と、前記検索手段で検索された電子データのうち、前記検出手段で検出されたストレージ情報に含まれるページ情報により特定されるページに応じた当該電子データの一部であって複数のページの電子データに基づき印刷する印刷手段とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明にかかる画像処理方法は、原稿画像を読み取り、前記原稿画像の画像データから、当該画像データに対応する電子データを特定するためのＩＤ及び該当ページを示すページ情報を含むストレージ情報を検出し、前記ストレージ情報に含まれるＩＤに基づき、自機またはネットワーク上のストレージから前記原稿画像の電子データであって、複数ページで構成される電子データを検索し、前記検索された電子データのうち、前記検出されたストレージ情報に含まれるページ情報により特定されるページに応じた当該電子データの一部であって複数のページの電子データに基づく印刷を行なうことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月13日(2008.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
複数のネットワークに接続可能な通信装置であって、
複数のネットワークの各々に参加する参加期間を設定する設定手段と、
いずれのネットワークにおいても通信を行わない通信停止期間を設けるよう前記参加期間を調整する調整手段と、
前記調整手段により調整された前記参加期間を前記複数のネットワークの各々に対して通知する通知手段とを備え、
前記調整手段は、前記複数のネットワークの各々の通信状態あるいは通信状況に応じて前記参加期間を調整することを特徴とする通信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記調整手段は、前記複数のネットワークの各々との間の通信データ量を前記通信状態として、前記参加期間を調整することを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
複数のネットワークに接続可能な通信装置の制御方法であって、
複数のネットワークの各々に参加する参加期間を設定する設定工程と、
いずれのネットワークにおいても通信を行わない通信停止期間を設けるよう前記参加期間を調整する調整工程と、
前記調整工程により調整された前記参加期間を前記複数のネットワークの各々に対して通知する通知工程とを備え、
前記調整工程は、前記複数のネットワークの各々の通信状態あるいは通信状況に応じて前記参加期間を調整することを特徴とする通信装置の制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月13日(2008.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
通信データ量の変化と、通信リンク数または通信チャネル数の変化とに関連づけて通信停止期間長を増減する長さが登録された通信状態テーブルをさらに備え、
前記設定手段は、前記通信状態テーブルに基づいて通信停止期間を設定することを特徴とする請求項４に記載の通信端末装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記通信停止期間は、通信停止期間を開始する時間を定める通信停止期間開始時間と、通信停止期間の周期を定める通信停止期間周期と、通信停止期間の長さを定める通信停止期間長とにより定められ、前記設定手段は、前記通信停止期間長が通信停止期間周期よりも小さく、かつ前記通信停止期間周期のいかなる時点においても、多くとも一つのネットワークを除いて通信停止期間に入っており、かつすべてのネットワークについての通信停止期間が重複する期間が、所定期間より長くなるよう各ネットワークに対する通信停止期間を設定することを特徴とする請求項１に記載の通信端末装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
複数のネットワークに接続可能な通信端末装置の制御方法であって、
ネットワークにおいて通信を行わない通信停止期間を、各ネットワークの通信状態に応じて調停して設定する設定工程と、
前記設定工程により設定された通信停止期間を前記複数のネットワークに対して通知する通知工程と、
前記通信停止期間の設定に基づいて、前記複数のネットワークにおける通信を停止する停止工程とを有し、
前記設定工程は、各ネットワークの通信停止期間を、前記複数のネットワークの通信停止期間の一部が重複し、かつ、前記複数のネットワークそれぞれに通信参加期間が重複しないよう、各ネットワークについての通信停止期間を設けることを特徴とする通信端末装置の制御方法。