【手続補正書】
【提出日】平成20年7月8日(2008.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｇａ２Ｏ３基板をＭＯＣＶＤ装置内にセットする基板セットステップと、
前記ＭＯＣＶＤ装置内をＨ２雰囲気とし、雰囲気温度を３５０℃から５５０℃にするバッファ層成長条件を設定する条件設定ステップと、
前記バッファ層成長条件において原料ガスとしてＴＭＧ及びＴＭＡの少なくとも一方と、ＮＨ３とを前記Ｇａ２Ｏ３基板上に供給して前記Ｇａ２Ｏ３基板上にＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）である低温成長ＡｌＧａＮバッファ層を形成するバッファ層形成ステップとを有する低温成長バッファ層の形成方法。
【請求項２】
前記基板セットステップの前に、Ｇａ２Ｏ３基板を酸洗浄する基板洗浄ステップを有する請求項１に記載の低温成長バッファ層の形成方法。
【請求項３】
前記基板洗浄ステップの後、かつ、前記基板セットステップの前に、Ｇａ２Ｏ３基板を窒化処理する基板窒化ステップを有する請求項２に記載の低温成長バッファ層の形成方法。
【請求項４】
前記窒化処理ステップは、前記Ｇａ２Ｏ３基板を７５０℃から８５０℃の温度範囲で窒化処理する請求項３に記載の低温成長バッファ層の形成方法。
【請求項５】
前記基板セットステップの前に、Ｇａ２Ｏ３基板を窒化処理する基板窒化ステップを有する請求項１に記載の低温成長バッファ層の形成方法。
【請求項６】
前記窒化処理ステップは、前記Ｇａ２Ｏ３基板を７５０℃から８５０℃の温度範囲で窒化処理する請求項５に記載の低温成長バッファ層の形成方法。
【請求項７】
Ｇａ２Ｏ３基板を酸洗浄する基板洗浄ステップと、
前記酸洗浄された前記Ｇａ２Ｏ３基板を窒化処理する基板窒化ステップと、
前記窒化処理を施された前記Ｇａ２Ｏ３基板をＭＯＣＶＤ装置内にセットする基板セットステップと、
前記ＭＯＣＶＤ装置内をＨ２雰囲気とし、雰囲気温度を３５０℃から５５０℃にするバッファ層成長条件を設定する条件設定ステップと、
前記バッファ層成長条件において原料ガスとしてＴＭＧ及びＴＭＡの少なくとも一方と、ＮＨ３とを前記Ｇａ２Ｏ３基板上に供給して前記Ｇａ２Ｏ３基板上にＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）である低温成長ＡｌＧａＮバッファ層を形成するバッファ層形成ステップと、
前記ＭＯＣＶＤ装置内をＮ２雰囲気とし、前記低温成長ＡｌＧａＮバッファ層上に第１のＧａＮ層を形成する第１ＧａＮ層形成ステップと、
前記ＭＯＣＶＤ装置内をＨ２雰囲気とし、前記第１のＧａＮ層上に第２のＧａＮ層を形成する第２ＧａＮ層形成ステップとを有する発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記窒化処理ステップは、前記Ｇａ２Ｏ３基板を７５０℃から８５０℃の温度範囲で窒化処理する請求項７に記載の発光素子の製造方法。
【請求項９】
酸化ガリウム系からなる導電性の第１の層と、
前記第１の層を熱分解しない成膜条件で形成されたＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）からなる第２の層と、
前記第２の層の表面に結晶成長させたＧａＮ系半導体からなる第３の層とを有する発光素子。
【請求項１０】
前記第２の層は、前記成膜条件としてＨ２雰囲気中で３５０℃から５５０℃の温度範囲で前記第１の層の表面に形成される請求項９に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記第３の層は、第１の導電型を有する第１の半導体層と、
前記第１の導電型と異なる第２の導電型を有する第２の半導体層と、
前記第１の半導体層および前記第２の半導体層を介して注入される電流に基づいて発光する発光層とを有する請求項９に記載の発光素子。
【請求項１２】
酸化ガリウム系からなる第１の層の表面に前記第１の層を熱分解しない成膜条件で形成されたＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）からなる第２の層を介して結晶成長させたＧａＮ系半導体からなる第３の層を有する発光素子と、
前記発光素子を搭載する素子搭載部と、
前記発光素子とともに前記素子搭載部を封止する封止部とを有する発光装置。
【請求項１３】
前記素子搭載部は、無機材料からなる基板である請求項１２に記載の発光装置。
【請求項１４】
前記素子搭載部は、導電性金属からなるリードである請求項１２に記載の発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、上記目的を達成するため、Ｇａ２Ｏ３基板をＭＯＣＶＤ装置内にセットする基板セットステップと、前記ＭＯＣＶＤ装置内をＨ２雰囲気とし、雰囲気温度を３５０℃から５５０℃にするバッファ層成長条件を設定する条件設定ステップと、前記バッファ層成長条件において原料ガスとしてＴＭＧ及びＴＭＡの少なくとも一方と、ＮＨ３とを前記Ｇａ２Ｏ３基板上に供給して前記Ｇａ２Ｏ３基板上にＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）である低温成長ＡｌＧａＮバッファ層を形成するバッファ層形成ステップとを有する低温成長バッファ層の形成方法を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記低温成長バッファ層の形成方法において、前記基板セットステップの前に、Ｇａ２Ｏ３基板を酸洗浄する基板洗浄ステップを有することが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記低温成長バッファ層の形成方法において、前記基板セットステップの前に、Ｇａ２Ｏ３基板を窒化処理する基板窒化ステップを有することが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記低温成長バッファ層の形成方法において、前記基板洗浄ステップの後、かつ、前記基板セットステップの前に、Ｇａ２Ｏ３基板を窒化処理する基板窒化ステップを有することが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記低温成長バッファ層の形成方法において、前記窒化処理ステップは、前記Ｇａ２Ｏ３基板を７５０℃から８５０℃の温度範囲で窒化処理することが好ましい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、本発明は、前記目的を達成するため、Ｇａ２Ｏ３基板を酸洗浄する基板洗浄ステップと、前記酸洗浄された前記Ｇａ２Ｏ３基板を窒化処理する基板窒化ステップと、前記窒化処理を施された前記Ｇａ２Ｏ３基板をＭＯＣＶＤ装置内にセットする基板セットステップと、前記ＭＯＣＶＤ装置内をＨ２雰囲気とし、雰囲気温度を３５０℃から５５０℃にするバッファ層成長条件を設定する条件設定ステップと、前記バッファ層成長条件において原料ガスとしてＴＭＧ及びＴＭＡの少なくとも一方と、ＮＨ３とを前記Ｇａ２Ｏ３基板上に供給して前記Ｇａ２Ｏ３基板上にＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）である低温成長ＡｌＧａＮバッファ層を形成するバッファ層形成ステップと、前記ＭＯＣＶＤ装置内をＮ２雰囲気とし、前記低温成長ＡｌＧａＮバッファ層上に第１のＧａＮ層を形成する第１ＧａＮ層形成ステップと、前記ＭＯＣＶＤ装置内をＨ２雰囲気とし、前記第１のＧａＮ層上に第２のＧａＮ層を形成する第２ＧａＮ層形成ステップとを有する発光素子の製造方法を提供する。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
上記発光素子の製造方法において、前記窒化処理ステップは、前記Ｇａ２Ｏ３基板を７５０℃から８５０℃の温度範囲で窒化処理することが好ましい。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、本発明は、上記目的を達成するため、酸化ガリウム系からなる導電性の第１の層と、前記第１の層を熱分解しない成膜条件で形成されたＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）からなる第２の層と、前記第２の層の表面に結晶成長させたＧａＮ系半導体からなる第３の層とを有する発光素子を提供する。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
上記発光素子において、前記第２の層は、前記成膜条件としてＨ２雰囲気中で３５０℃から５５０℃の温度範囲で前記第１の層の表面に形成されることが好ましい。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
上記発光素子において、前記第３の層は、第１の導電型を有する第１の半導体層と、第１の導電型と異なる第２の導電型を有する第２の半導体層と、第１の半導体層および第２の半導体層を介して注入される電流に基づいて発光する発光層とを有する構成とすることができる。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、本発明は、上記目的を達成するため、酸化ガリウム系からなる第１の層の表面に前記第１の層を熱分解しない成膜条件で形成されたＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）からなる第２の層を介して結晶成長させたＧａＮ系半導体からなる第３の層を有する発光素子と、前記発光素子を搭載する素子搭載部と、前記発光素子とともに前記素子搭載部を封止する封止部とを有する発光装置を提供する。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
上記発光装置において、素子搭載部は、無機材料からなる基板で形成されていても良い。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
上記発光装置において、素子搭載部は、導電性金属からなるリードであっても良い。