【手続補正書】
【提出日】平成20年9月1日(2008.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を含むＴＦＴを備え、
前記半導体層は、前記ゲート電極と重なるチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域に接して設けられた不純物領域と、を有し、
前記不純物領域は、前記チャネル形成領域からの距離が増大するとともに、一導電型を付与する不純物元素の濃度が増加する濃度分布を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を含むＴＦＴを備え、
前記半導体層は、前記ゲート電極と重なるチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域に接して設けられた不純物領域と、を有し、
前記不純物領域は、不純物濃度が前記チャネル形成領域からの距離が増大するとともに一導電型を付与する不純物元素の濃度が増加する濃度分布を有する領域と、一導電型を付与する不純物元素の濃度が一定である領域と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
絶縁表面上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられたゲート電極と、を含むＴＦＴを備え、
前記半導体層は、前記ゲート電極と重なるチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域に接して形成されたオフセット領域と、前記オフセット領域に接して設けられた不純物領域と、を有し、
前記不純物領域は、前記チャネル形成領域からの距離が増大するとともに、一導電型を付与する不純物元素の濃度が増加する濃度分布を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
絶縁表面上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられたゲート電極と、を含むＴＦＴを備え、
前記半導体層は、前記ゲート電極と重なるチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域に接して形成されたオフセット領域と、前記オフセット領域に接して設けられた不純物領域と、を有し、
前記不純物領域は、不純物濃度が前記チャネル形成領域からの距離が増大するとともに一導電型を付与する不純物元素の濃度が増加する濃度分布を有する領域と、一導電型を付与する不純物元素の濃度が一定である領域と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記不純物領域は、チャネル長方向に濃度分布の濃度勾配を有する領域を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記ＴＦＴはｎチャネル型ＴＦＴであることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
同一の絶縁表面上に画素電極に接続する画素ＴＦＴが設けられた画素部、及びｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴが設けられた駆動回路部を備え、
前記画素ＴＦＴは、チャネル形成領域及び不純物領域を含む半導体層と、前記半導体層上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられたゲート電極と、を有し、
前記不純物領域は、前記チャネル形成領域からの距離が増大するとともに、一導電型を付与する不純物元素の濃度が増加する濃度分布を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
同一の絶縁表面上に画素電極に接続する画素ＴＦＴが設けられた画素部、及びｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴが設けられた駆動回路部を備え、
前記画素ＴＦＴは、チャネル形成領域及び不純物領域を含む半導体層と、前記半導体層上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられたゲート電極と、を有し、
前記不純物領域は、不純物濃度が前記チャネル形成領域からの距離が増大するとともに一導電型を付与する不純物元素の濃度が増加する濃度分布を有する領域と、一導電型を付与する不純物元素の濃度が一定である領域と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項７または請求項８において、前記ｎチャネル型ＴＦＴのゲート電極はテーパ−部を有し、前記テーパ−部は前記不純物領域と絶縁膜を間に挟んで重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項７乃至請求項９のいずれか一において、前記画素部の前記チャネル形成領域と前記不純物領域との間にオフセット領域を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項７乃至請求項１０のいずれか一において、前記画素部の画素ＴＦＴのゲート電極は、前記不純物領域と絶縁膜を間に挟んで重なっていないことを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、前記ゲート電極は、第１の導電層を下層とし、第２の導電層を上層とする積層構造を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、前記不純物領域はソース領域またはドレイン領域を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一において、前記不純物領域の濃度分布は、指数分布、または正規分布であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一において、前記不純物領域における濃度分布は、傾きを有する直線を描くことを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一に記載された前記チャネル形成領域からの距離が増大するとともに不純物濃度が増加する不純物領域は、前記チャネル形成領域を挟んで両側に設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１６のいずれか一に記載された前記絶縁膜は、前記不純物領域における前記チャネル形成領域からの距離が最大の領域と、最小の領域と、で膜厚が異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項２、請求項４または請求項８のいずれか一に記載された前記不純物濃度が増加する濃度分布を有する領域は、チャネル長方向における長さが１μｍ以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一に記載された半導体装置とは、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、携帯型情報端末、デジタルビデオディスクプレーヤー、または電子遊技機器であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
絶縁表面上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にテーパ−部を有する導電層を形成し、
前記テーパ−部及び前記絶縁膜を通過させて前記半導体層に一導電型を付与する不純物元素を添加することによって、チャネル形成領域と、前記チャネル形成領域の端部から前記テーパ−部の端部に向かって不純物濃度が増加する不純物領域を形成し、
前記導電層のうち、テーパ−部のみを選択的に除去してゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
絶縁表面上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記絶縁膜をエッチングして前記半導体層上にテーパ−部を有する絶縁層及びテーパー部を有する導電層を形成し、
前記絶縁層及び導電層のテーパ−部を通過させて前記半導体層に一導電型を付与する不純物元素を添加することによって、チャネル形成領域と、前記チャネル形成領域の端部から前記テーパ−部の端部に向かって不純物濃度が増加する不純物領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。