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【手続補正書】
【提出日】平成20年1月8日(2008.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基地局からの受信電波のページングチャネルをサーチすることによって自己を着信先とする着信があるか否かを監視する電話の待受処理と撮像手段が撮像した画像を処理する画像処理とを並行して、同一の制御手段で行うことが可能に構成され、前記制御手段は、前記待受処理を行っているときに、撮像専用に切替えるためのキーが操作された場合、前記撮像手段が撮像動作を行っているときは待受処理を禁止するとともに、前記撮影動作の停止させるためのキーが操作された場合、自動的に前記待受処理の禁止を解除することを特徴とする携帯端末。
【請求項２】
報知動作を行う報知手段を備え、前記制御手段は、待受処理を禁止したときに、前記報知手段に報知動作を行わせることを特徴とする請求項１記載の携帯端末。
【請求項３】
前記制御手段は、前記待受処理の禁止を解除したときに、前記報知手段に他の報知動作を行わせることを特徴とする請求項２記載の携帯端末。
【請求項４】
基地局からの受信電波のページングチャネルをサーチすることによって自己を着信先とする着信があるか否かを監視する電話の待受処理と撮像手段が撮像した画像を処理する画像処理とを並行して、同一の制御手段で行うことが可能に構成された携帯端末の制御手段に、  前記待受処理を行っているときに、撮像専用に切替えるためのキーが操作された場合、前記撮像手段が撮像動作を行っているときは待受処理を禁止するとともに、前記撮影動作の停止させるためのキーが操作された場合、自動的に前記待受処理の禁止を解除する手順を実行させることを特徴とするプログラム。
【請求項５】
前記報知動作とは、アンテナバーの表示を消去することを特徴とする請求項２記載の携帯端末。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項１記載の携帯端末では、基地局からの受信電波のページングチャネルをサーチすることによって自己を着信先とする着信があるか否かを監視する電話の待受処理と撮像手段が撮像した画像を処理する画像処理とを並行して、同一の制御手段で行うことが可能に構成され、前記制御手段は、前記待受処理を行っているときに、撮像専用に切替えるためのキーが操作された場合、前記撮像手段が撮像動作を行っているときは待受処理を禁止するとともに、前記撮影動作の停止させるためのキーが操作された場合、自動的に前記待受処理の禁止を解除することを特徴とした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項２記載の携帯端末では、制御手段は、待受処理を禁止すると、報知手段に報知動作を行わせるように構成した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項３記載の携帯端末では、制御手段は、待受処理を禁止しているときに、他の所定条件が成立すると、待受処理の禁止を解除するように構成した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項４記載のプログラムでは、基地局からの受信電波のページングチャネルをサーチすることによって自己を着信先とする着信があるか否かを監視する電話の待受処理と撮像手段が撮像した画像を処理する画像処理とを並行して、同一の制御手段で行うことが可能に構成された携帯端末の制御手段に、  前記待受処理を行っているときに、撮像専用に切替えるためのキーが操作された場合、前記撮像手段が撮像動作を行っているときは待受処理を禁止するとともに、前記撮影動作の停止させるためのキーが操作された場合、自動的に前記待受処理の禁止を解除する手順を実行させることを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項１、４記載の発明によれば、撮像手段が撮像した画像を処理するに際して、待受処理による悪影響が及ぼされることを未然に回避することができ、これによって、撮像手段が撮像した画像を良好に処理することができ、使い勝手を高めることができる。また、撮影動作の停止させるためのキーが操作された場合、自動的に待受処理の禁止を解除することができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項２によれば、報知動作を行わせることによって、待受処理を禁止したことを、携帯端末を使用する人に報知することができる。これによって、携帯端末を使用する人は、報知動作が行われたことを認識することによって、待受処理が禁止されたことを認識することができ、着信が不可能な状態になったことを認識することができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項３によれば、他の報知動作を行わせることによって、待受処理の禁止を解除したことを、携帯端末を使用する人に報知することができる。これによって、携帯端末を使用する人は、他の報知動作が行われたことを認識することによって、待受処理の禁止が解除されたことを認識することができ、着信が不可能な状態から着信が可能な状態に復帰したことを認識することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月20日(2007.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インターネットを介して、ユーザに情報を提供する情報提供装置であって、
前記インターネットを介して、第２のユーザとの通信を要求する通信要求を第１のユーザから受信する受信部と、
前記受信部が前記通信要求を受け取った場合に、公衆電話回線網を介して前記第１のユーザが所有する第１の電話との接続を確立する第１の電話回線接続部と、
前記受信部が前記通信要求を受け取った場合に、公衆電話回線網を介して前記第２のユーザが所有する第２の電話との接続を確立する第２の電話回線接続部と、
前記第１の電話回線接続部が確立した前記第１の電話との接続及び前記第２の電話回線接続部が確立した前記第２の電話との接続を介して、前記第１の電話と前記第２の電話との通信を確立する通信確立部と
を備えることを特徴とする情報提供装置。
【請求項２】
補正の機会を得るための請求項。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年2月18日(2008.2.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
還元剤及びポリエレクトロライトを含有する単一の酸水溶液で基板を処理する工程、並びに処理された表面を、炭素質粒子で全ての表面を分散させて覆い、かつ電解金属メッキ溶液で電解メッキできるようにするために、炭素質粒子の分散水溶液に接触させる工程からなる、金属と非金属の領域を有する基板であって、当該基板を貫通する少なくとも１つの孔を有する基板に金属を沈着させる方法。
【請求項２】
酸水溶液のｐＨが、０〜２．５である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ｐＨが、０．５〜１．５である請求項２に記載の方法。
【請求項４】
還元剤が、ヒドロキシアンモニウム化合物である請求項１に記載の方法。
【請求項５】
ヒドロキシアンモニウム化合物が、硝酸ヒドロキシアンモニウムである請求項４に記載の方法。
【請求項６】
ポリエレクトロライトが、ポリ四級アミンである請求項１に記載の方法。
【請求項７】
溶液が、さらに硫酸を含有するものである請求項６に記載の方法。
【請求項８】
溶液が、界面活性剤を含有するものである請求項６に記載の方法。
【請求項９】
炭素質粒子が、グラファイト及びカーボンブラックからなる群から選択されたものである請求項２に記載の方法。
【請求項１０】
炭素質粒子が、カーボンブラックである請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
炭素質粒子が、グラファイトから製造されたものである請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
基板の金属領域が、銅である請求項２に記載の方法。
【請求項１３】
ヒドロキシアンモニウム還元剤及びアミンポリエレクトロライトを含有する単一の酸水溶液でプリント回路基板表面を処理する工程、並びに処理された表面を、炭素質粒子で全ての表面を分散させて覆い、かつ電解金属メッキ溶液で電解メッキできるようにするために、炭素質粒子の分散水溶液に接触させる工程からなる、金属と非金属の領域を有するプリント回路基板表面の中の孔の壁を金属化する方法。
【請求項１４】
酸水溶液のｐＨが、０〜２．５である請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
ｐＨが、０．５〜１．５である請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
ヒドロキシアンモニウム化合物が、硝酸ヒドロキシアンモニウムである請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
ポリエレクトロライトが、ポリ四級アミンである請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
溶液が、硫酸を含有するものである請求項１３に記載の方法。
【請求項１９】
溶液が、界面活性剤を含有するものである請求項１３に記載の方法。
【請求項２０】
炭素質粒子が、グラファイトから製造されたものである請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月18日(2008.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネジ部と頭部とから構成され、上記頭部にはその頭部を構成する蓋部材が嵌合されるための凹部となる中空部が形成されているボルトと、
無線通信可能なＩＣタグを有し、上記頭部の上記凹部に、外部から認識可能となるように配置され、上記蓋部材を構成すると共に上記中空部を塞ぐタグ保有体と、
を有することを特徴とするタグ付きボルト。
【請求項２】
前記蓋部材は、一端側に断面円形状の開口部を有し、他端側が塞がれた円筒体となっており、前記蓋部材の内部空間内に、前記ＩＣタグが嵌合する形で取り付けられることを特徴とする請求項１記載のタグ付きボルト。
【請求項３】
前記凹部の底に前記タグ保有体の一方が配置される小空間部が設けられていることを特徴とする請求項１または２記載のタグ付きボルト。
【請求項４】
前記ボルトは金属製とされ、前記ＩＣタグの前記ネジ部側の平面部に沿うようにノイズ抑制用の電磁シールド部材が配置されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項記載のタグ付きボルト。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明は、ネジ部と頭部とから構成され、頭部にはその頭部を構成する蓋部材が嵌合されるための凹部となる中空部が形成されているボルトと、無線通信可能なＩＣタグを有し、頭部の凹部に、外部から認識可能となるように配置され、蓋部材を構成すると共に中空部を塞ぐタグ保有体と、を有するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
さらに、他の発明は、上述の発明に加えて更に、凹部の底にタグ保有体の一方が配置される小空間部が設けられているものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
このように構成した場合には、ＩＣタグの先端部が小空間部の内部に配置される。したがって、蓋部材がボルトの頭部と嵌合することによりボルト内にＩＣタグがしっかりと固定されることとなる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月12日(2008.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
上記透明プラスチックフィルム表面上への、導電性酸化物微粒子とバインダーマトリックスを主成分とする透明導電層の形成は、透明プラスチックフィルム上に、導電性酸化物微粒子をバインダー成分を含む溶媒に分散させた透明導電層形成用塗布液を用いて、塗布・乾燥後した後、透明プラスチックフィルムごと圧縮処理を行い、次いで、バインダー成分を硬化させることにより得られる。
尚、上記透明導電層形成用塗布液を塗布・乾燥して得られる、圧縮処理前の膜は、導電性微粒子とバインダーマトリックスの間に多数の微細な空隙（マイクロボイド）が形成された状態である。上記空隙が生じるのは、本発明の透明導電層形成用塗布液において、バインダー成分の配合量が少ないためであり（例えば、導電性微粒子/バインダー成分
＝９０／１０の場合）、透明導電層形成用塗布液を単に塗布・乾燥するだけでは、導電性微粒子の細密充填は困難で、導電性微粒子の間にかなりの空隙が形成されるが、それをバインダー成分が完全に埋めきれないことに起因している。
ここで、圧縮処理としては、例えば、透明導電層が塗布・乾燥された透明プラスチックフィルムをスチールロールにより圧延すればよい。本発明では、最終的には、極めて薄い透明プラスチックフィルム表面上に圧延処理された透明導電層を有する構造の分散型ＥＬ素子を得ることになるが、上記圧延処理工程では、比較的高い圧延圧力を適用することが可能である。この場合のスチールロールの圧延圧力は線圧：２９．４〜７８４Ｎ／ｍｍ（３０〜８００ｋｇｆ／ｃｍ）が良く、９８〜４９０Ｎ／ｍｍ（１００〜５００ｋｇｆ／ｃｍ）がより好ましく、１９６〜２９４Ｎ／ｍｍ（２００〜３００ｋｇｆ／ｃｍ）が更に好ましい。線圧：２９．４Ｎ／ｍｍ（３０ｋｇｆ／ｃｍ）未満では、圧延処理による透明導電層の抵抗値改善の効果が不十分で、線圧：７８４Ｎ／ｍｍ（８００ｋｇｆ／ｃｍ）を超えると、圧延設備が大型化すると同時に、透明プラスチックフィルムが歪んでしまう場合があるからである。圧延設備の価格、圧延処理による透明導電層の特性（透過率、ヘイズ、抵抗値）のバランスを考慮して、９８〜４９０Ｎ／ｍｍ（１００〜５００ｋｇｆ／ｃｍ）の範囲内に適宜設定することが望ましい。
上記スチールロールの圧延処理における圧延圧力（Ｎ／ｍｍ２）は、線圧をニップ幅（スチールロールでつぶされる幅）割った値である。前記ニップ幅は、スチールロールの径と線圧にもよるが、１５０ｍｍ程度の直径であれば、０．７〜２ｍｍ程度である。
圧延処理により、圧延処理を行わない場合に比べて透明導電膜層中にある導電性微粒子の充填密度は、線圧にもよるが、例えば４５ｖｏｌ％以下の低い値から、５０〜８０ｖｏｌ％（好ましくは５５〜８０％）程度まで高めることができる。８０ｖｏｌ％を超える充填密度は、透明導電層形成用塗布液に含まれるバインダー成分の存在、及び導電性微粒子の物理的な充填構造から考えると、達成困難と思われる。
このような圧延処理を行うと、膜中に存在する上記空隙がつぶれて消失し、透明導電層中の導電性微粒子の充填密度が上昇するため、光の散乱を低下させて膜の光学特性を向上させるだけでなく、導電性を大幅に高めることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月14日(2008.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記ベースフィルムと前記透明コーティング層の間に、更に第２の透明導電層が形成され、前記第２の透明導電層は導電性酸化物粒子とバインダーマトリックスを主成分とする透明導電層形成用塗布液を該ベースフィルム表面上に塗布して形成された第２の塗布膜、或いは、該第２の塗布膜に対し圧縮処理を施したものであることを特徴とする請求項１に記載の分散型エレクトロルミネッセンス素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、このような従来の事情に鑑みてなされたものであり、従来のスパッタリングＩＴＯフィルムを用いた分散型ＥＬ素子よりもフレキシビリティに優れる分散型ＥＬ素子、具体的には薄い、又は柔軟な透明コーティング層に形成された分散型ＥＬ素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明者等は、上記目的を達成するため、様々の検討を重ねた結果、ベースフィルム表面上に順次形成された少なくとも透明コーティング層、透明導電層、蛍光体層、誘電体層、背面電極層からなる分散型エレクトロルミネッセンス素子のうち、透明コーティング層をベースフィルムから剥離可能なものとし、また、透明導電層を従来の物理的成膜法ではなく、透明導電層形成用塗布液を用いて該透明コーティング層上に塗布して形成される塗布膜を用いることによって、該塗布膜が導電性酸化物微粒子とバインダーマトリックスを主成分としていることから、ＩＴＯフィルムのハンドリング中にＩＴＯ膜に容易にクラックが生じ該膜の導電性を著しく損ねることを抑え、しかも該塗布膜を圧縮処理することにより、透明導電層中の導電性微粒子の充填密度を上昇させ、光の散乱を低下させて膜の光学特性を向上させるだけでなく、導電性をも大幅に高めて、従来のスパッタリングＩＴＯフィルムを用いた分散型ＥＬ素子よりも導電性、フレキシビリティに優れる分散型ＥＬ素子を安価に提供することができること、また、該分散型ＥＬ素子を携帯電話等のキーパッドに適用した場合は、キーパッドに特殊な構造や工夫を行わなくても良好なキー操作のクリック感を得ることが可能となることを見出し、本発明に至った。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
すなわち、本発明に係る分散型エレクトロルミネッセンス素子はベースフィルム表面上に順次形成された、少なくとも透明コーティング層と、透明導電層と、蛍光体層と、誘電体層と、背面電極層とからなる分散型エレクトロルミネッセンス素子であって、前記透明コーティング層は透明樹脂を主成分とする透明コーティング層形成用塗布液を用いベースフィルム表面上に形成されたものであって且つベースフィルム表面から剥離可能であり、前記透明導電層は導電性酸化物粒子とバインダーマトリックスを主成分とする透明導電層形成用塗布液を該透明コーティング層の表面上に塗布して形成された塗布膜に対し圧縮処理を施したものであることを特徴とするものである。
また、本発明に係る他の分散型エレクトロルミネッセンス素子は、前記ベースフィルムと前記透明コーティング層の間に、更に第２の透明導電層が形成され、前記第２の透明導電層は導電性酸化物粒子とバインダーマトリックスを主成分とする透明導電層形成用塗布液を該ベースフィルム表面上に塗布して形成された第２の塗布膜、或いは、該第２の塗布膜に対し圧縮処理を施したものであることを特徴とし、前記透明コーティング層の厚さが５０μｍ以下であることを特徴とし、前記導電性酸化物微粒子は、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛のいずれか一つ以上を主成分として含有していることを特徴とし、前記酸化インジウムを主成分とする導電性酸化物微粒子は、インジウム錫酸化物微粒子であることを特徴とし、前記バインダーマトリックスは、架橋されており、有機溶剤耐性を有していることを特徴とし、前記圧縮処理が、金属ロールの圧延処理により行われることを特徴とし、前記ベースフィルムが前記透明コーティング層、又は、前記第２の透明導電層との界面で剥離除去されていることを特徴とし、上記記載の分散型エレクトロルミネッセンス素子が、デバイスのキー入力部品に組み込まれる発光素子として適用されたことを特徴とし、前記デバイスが携帯電話、リモートコントローラー、携帯情報端末であることを特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明によれば、ベースフィルム、及びそのベースフィルム上に順次形成された透明コーティング層、透明導電層、蛍光体層、誘電体層、背面電極層を少なくとも有する分散型エレクトロルミネッセンス素子であって、透明コーティング層はベースフィルムから剥離可能なものとし、また、透明導電層を、従来の物理的成膜法ではなく、透明導電層形成用塗布液を用いて該透明コーティング層上に塗布して形成される塗布膜を用いることによって、該塗布膜が導電性酸化物微粒子とバインダーマトリックスを主成分としていることから、ＩＴＯフィルムのハンドリング中にＩＴＯ膜に容易にクラックが生じ該膜の導電性を著しく損ねることを抑え、しかも該塗布膜を圧縮処理することにより、透明導電層中の導電性微粒子の充填密度を上昇させ、光の散乱を低下させて膜の光学特性を向上させるだけでなく、導電性をも大幅に高めて、従来のスパッタリングＩＴＯフィルムを用いた分散型ＥＬ素子よりも導電性、フレキシビリティに優れる分散型ＥＬ素子を安価に提供することができること、また、上記分散型ＥＬ素子を携帯電話等のキーパッドに適用した場合は、キーパッドに特殊な構造や工夫を行わなくても良好なキー操作のクリック感を得ることが可能となり、工業的に有用である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
『分散型ＥＬ素子の耐溶剤性評価』
各実施例で、透明コーティング層上に透明導電層を形成した後、アセトンを浸した綿棒で透明導電層面を１０往復擦って外観変化を観察したが、全く変化が見られなかった。また、この評価を行った透明導電層を用い分散型ＥＬ素子を作製し、電圧印加用リード線間に１００Ｖ、４００Ｈｚの電圧を印加して、素子の発光状態を観察したが、綿棒で擦った部分を含めて発光は均一であり、アセトンによる影響は見られなかった。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月8日(2008.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
実施例２（３）で作製した固体高分子型燃料電池単セルの発電特性として、電流密度に対する電圧の変化を測定した。結果を図１に示した。
セル温度６０℃の条件下、単セルの開放電圧は０．５３Ｖ、最高出力密度は２０ｍＷ／ｃｍ２であった。セル温度依存性については、高温ほど高出力が得られ、セル温度１００℃における最高出力密度は４３ｍＷ／ｃｍ２であった。
固体高分子型燃料電池単セルの発電特性の結果は、実施例２（３）で選られた固体高分子型燃料電池単セルが優れた発電特性を発揮することを示している。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月11日(2008.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光に対する屈折率が可変である第１のエタロンと、
前記第１のエタロンを透過した入射光を反射するミラーとを備え、
前記第１のエタロンは、前記ミラーに固定されていることを特徴とする波長選択ミラーユニット。
【請求項２】
前記第１のエタロンは、スペーサを介して前記ミラーに固定されていることを特徴とする請求項１記載の波長選択ミラーユニット。
【請求項３】
前記ミラーと前記第１のエタロンとは、非平行であることを特徴とする請求項２記載の波長選択ミラーユニット。
【請求項４】
前記ミラーは、所定の波長の光に対して相対的に高い反射強度を有し、前記第１のエタロンの周期的な透過波長ピークのうち一部の波長ピークに対して高い反射強度を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の波長選択ミラーユニット。
【請求項５】
前記ミラーは、所望の反射光の中心波長の実質的に１／４の厚さの誘電体が複数積層されていることを特徴とする請求項４記載の波長選択ミラーユニット。
【請求項６】
前記第１のエタロンの入射光に対する屈折率は、前記第１のエタロンの温度または前記第１のエタロンに印加される電圧に応じて変化することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の波長選択ミラーユニット。
【請求項７】
第２のエタロンをさらに備えることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の波長選択ミラーユニット。
【請求項８】
前記第２のエタロンの入射光に対する屈折率は一定であり、前記第２のエタロンの周期的な透過波長ピークの周期は、前記第１のエタロンの周期的な透過波長ピークの周期よりも小さいことを特徴とする請求項７記載の波長選択ミラーユニット。
【請求項９】
前記第２のエタロンは、入射光に対する屈折率が可変であるエタロンであることを特徴とする請求項７記載の波長選択ミラーユニット。
【請求項１０】
前記第２のエタロンは、スペーサを介して前記波長選択ミラーユニットに固定されていることを特徴とする請求項７記載の波長選択ミラーユニット。
【請求項１１】
前記ミラーと前記第２のエタロンとは、非平行であることを特徴とする請求項７記載の波長選択ミラーユニット。
【請求項１２】
入射される光のピーク波長の位相を調整する位相調整手段をさらに備え、
前記位相調整手段は、前記波長選択ミラーユニットに固定されていることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の波長選択ミラーユニット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月15日(2008.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に搭載されたＩＣチップと、前記ＩＣチップの外周を封止する樹脂と、前記ＩＣチップからの配線を外部に導きだすための導線と、からなるＩＣパッケージにおいて、
前記基板に放射線遮蔽部が備えられたことを特徴とするＩＣパッケージ。
【請求項２】
前記導線に接続されたボールグリッドアレイを前記基板の表面に備えた請求項１に記載のＩＣパッケージ。
【請求項３】
前記基板自体が放射線遮蔽材料からなることを特徴とする請求項１または２に記載のＩＣパッケージ。
【請求項４】
前記樹脂に放射線遮蔽部が備えられたことを特徴とする請求項１乃至３に記載のＩＣパッケージ。
【請求項５】
Ｘ線ＣＴ装置のＸ線検出器に搭載されるＸ線計測回路用ＩＣへ請求項１乃至４のいずれかに記載のＩＣパッケージを用いたことを特徴とするＸ線ＣＴ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によれば、基板と、前記基板上に搭載されたICチップと、前記ICチップの外周を封止する樹脂と、前記ICチップからの配線を外部に導きだすための導線と、からなるICパッケージにおいて、前記基板に放射線遮蔽部が備えられたものを提供する。
また、前記ICパッケージは、前記導線に接続されたボールグリッドアレイを前記基板の表面に備えたことを特徴とする。
また、前記ICパッケージは、前記基板自体が放射線遮蔽材料からなることを特徴とする。
また、前記ICパッケージは、前記樹脂に放射線遮蔽部が備えられたことを特徴とする。
さらに、X線CT装置のX線検出器に搭載されるX線計測回路用ICへ上記ICパッケージを用いたことを特徴とするX線CT装置を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月15日(2008.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンテンツに係る情報を基にして当該コンテンツに係る属性を評価する属性評価装置であって、
前記コンテンツに係る属性の各候補に対応付けられた互いに直交するベクトルを基底とし、かつ、前記コンテンツに係る情報のベクトル空間内での位置を表すベクトルに係る情報を生成するベクトル情報生成手段と、
前記ベクトル情報生成手段により生成された情報に基づいて前記コンテンツに係る属性を評価する属性評価手段と、
を備えたことを特徴とする属性評価装置。
【請求項２】
コンテンツに係る情報とコンテンツに係る属性の候補の情報とを対応付けて記憶したデータベースをさらに備え、前記ベクトル情報生成手段は、前記コンテンツに係る情報を検索キーとしてコンテンツに係る属性の候補の情報を前記データベースから検索し、検索の結果得られた前記コンテンツに係る属性の候補の情報を基にして、前記ベクトルに係る情報を生成することを特徴とする請求項１に記載の属性評価装置。
【請求項３】
前記データベースは、コンテンツに係る情報とコンテンツに係る属性の候補との間の異なる組み合わせを複数記憶し、前記ベクトル情報生成手段は、複数の組み合わせのうち指定された組み合わせにおけるコンテンツに係る属性の候補の情報を検索し、検索の結果得られた前記コンテンツに係る属性の候補の情報を基にして、前記ベクトルに係る情報を生成することを特徴とする請求項２に記載の属性評価装置。
【請求項４】
前記データベースは、コンテンツに係る属性の各候補の重みに係る情報をさらに記憶し、前記ベクトル情報生成手段は、前記コンテンツに係る属性の候補の情報および前記重みに係る情報を前記データベースから読み出し、読み出した情報に基づいて前記ベクトルに係る情報を生成することを特徴とする請求項２または３に記載の属性評価装置。
【請求項５】
前記属性評価手段は、所定のコンテンツに対してコンテンツに係る複数の属性と、各属性の優先度とを評価することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の属性評価装置。
【請求項６】
前記属性評価手段は、前記コンテンツに係る情報の出現頻度に基づいて、前記ベクトルに係る情報の重みを設定し、設定した重みに基づいて前記コンテンツに係る属性を評価することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の属性評価装置。
【請求項７】
前記ベクトル情報生成手段は、コンテンツに係る属性の候補の数が増加した場合に、当該候補の数の増加に応じて次元が増加したベクトル空間における前記ベクトルに係る情報を生成することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の属性評価装置。
【請求項８】
前記コンテンツに係る情報は、コンテンツの内容に係る情報を含んだメタデータまたは当該コンテンツから抽出された情報であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の属性評価装置。
【請求項９】
前記ベクトル情報生成手段は、属性を評価する第１のコンテンツに対してハイパーリンクまたはトラックバックにより関連付けられている第２のコンテンツに係る属性の各候補に対応付けられた互いに直交するベクトルを基底とし、かつ、前記第２のコンテンツに係る情報のベクトル空間内での位置を表すベクトルに係る情報を生成し、前記属性評価手段は、前記ベクトル情報生成手段により生成された情報に基づいて前記第１のコンテンツに係る属性を評価することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１つに記載の属性評価装置。
【請求項１０】
前記コンテンツに係る情報は、前記コンテンツの検索に用いられた検索語、または、ハイパーリンクが設定された語であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１つに記載の属性評価装置。
【請求項１１】
コンテンツに係る情報を基にして当該コンテンツに係る属性を評価する属性評価方法であって、
前記コンテンツに係る属性の各候補に対応付けられた互いに直交するベクトルを基底とし、かつ、前記コンテンツに係る情報のベクトル空間内での位置を表すベクトルに係る情報を生成するベクトル情報生成工程と、
前記ベクトル情報生成工程により生成された情報に基づいて前記コンテンツに係る属性を評価する属性評価工程と、
を含んだことを特徴とする属性評価方法。
【請求項１２】
コンテンツに係る情報を基にして当該コンテンツに係る属性を評価する属性評価プログラムであって、
前記コンテンツに係る属性の各候補に対応付けられた互いに直交するベクトルを基底とし、かつ、前記コンテンツに係る情報のベクトル空間内での位置を表すベクトルに係る情報を生成するベクトル情報生成手順と、
前記ベクトル情報生成手順により生成された情報に基づいて前記コンテンツに係る属性を評価する属性評価手順と、
をコンピュータに実行させることを特徴とする属性評価プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月30日(2007.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
ところで、回路形成用または配線層間用の導電性ペーストとして、ナノサイズの金属粒子（金属ナノ粒子とも言う）を液体中で分散させたものが知られている。金属ナノ粒子は、粒径のより大きな金属粒子に比べて活性が高く、常温で容易に凝集するため、保存安定性に関して問題がある。これを解決するため、金属ナノ粒子に配位結合する分散剤を添加して金属ナノ粒子を保護および安定化し、その後、分散剤を加熱により金属ナノ粒子から除去して酸無水物等の捕捉物質で捕捉することが提案されている（特許文献４を参照のこと）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１１】
しかしながら、比較例１の導電性ペーストの保存安定性は２時間しか持続せず、非常に短かった。これは、ニッケル粒子を用いているために、有機化合物のチオール末端基がニッケル粒子表面に配位せずにフリーで存在し、その結果、保存の間にエポキシ樹脂と反応し、硬化が起こったためであると考えられる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月7日(2008.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部との無線交信によりデータを読み書き可能なアンテナを含む無線機能付メモリモジュールであって、
書き込まれたデータを読み出せる読出可能期間を記憶する可能期間記憶手段と、
現在が読出可能期間内であるかを判断する判断手段と、
判断手段の判断に応じ、書き込まれた各データを記憶するそれぞれのデータメモリについて、少なくとも一部を不可逆的に破壊する破壊手段と、
を有し、読出可能期間を経過するときは書き込まれたデータの内容を出力しないことを特徴とする無線機能付メモリモジュール。
【請求項２】
請求項１に記載の無線機能付メモリモジュールにおいて、
判断手段は、外部との無線交信により読み出しアクセスがあったときを現在として、その時刻が読出可能期間内であるかを判断することを特徴とする無線機能付メモリモジュール。
【請求項３】
請求項１に記載の無線機能付メモリモジュールにおいて、
可能期間記憶手段は、データが書き込まれた時刻に関する情報を記憶することを特徴とする無線機能付メモリモジュール。
【請求項４】
請求項１に記載の無線機能付メモリモジュールにおいて、
各データメモリは、破壊手段によって不可逆的に破壊することができるヒューズ部分を含んで構成されることを特徴とする無線機能付メモリモジュール。
【請求項５】
請求項４に記載の無線機能付メモリモジュールにおいて、
破壊手段は、判断手段が読出可能期間内であるとは判断しないときに、全部のデータメモリのヒューズ部分をそれぞれ破壊することを特徴とする無線機能付メモリモジュール。
【請求項６】
請求項４に記載の無線機能付メモリモジュールにおいて、
各データメモリは、データを記憶するビットメモリ部の出力端子にヒューズ部分の一方端が接続され、ヒューズ部分の他方端からデータが読み出されることを特徴とする無線機能付メモリモジュール。
【請求項７】
請求項６に記載の無線機能付メモリモジュールにおいて、
各データメモリは、ビットメモリ部の出力端子とヒューズ部の一方端との接続部に一方端が接続されるスイッチをそれぞれ有し、
さらに各スイッチを制御する制御部を備えることを特徴とする無線機能付メモリモジュール。
【請求項８】
請求項７に記載の無線機能付メモリモジュールにおいて、
制御部は、
データをデータメモリに書き込むときは、当該データメモリのスイッチをオンして、スイッチの他方端からデータを入力し、
データをデータメモリから読み出すときは、当該データメモリのスイッチをオフして、当該データメモリのヒューズ部の他方端からデータを読み出し、
判断部が読出可能期間内にあると判断しないときは、全部のデータメモリのスイッチをオンし、全部のスイッチの他方端と、全部のデータメモリにおけるヒューズ部の他方端との間に、破壊手段よりの破壊信号を印加し、全部のヒューズ部を破壊し、
全部のヒューズ部が破壊された後の緊急データ読み出しの必要があるときは、当該データメモリのスイッチをオンして、当該データメモリのスイッチの他方端からデータを読み出すことを特徴とする無線機能付メモリモジュール。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれか１に記載の無線機能付メモリモジュールにおいて、
各データメモリのデータを記憶するビットメモリ部は、ヒューズメモリであることを特徴とする無線機能付メモリモジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、制御部は、データをデータメモリに書き込むときは、当該データメモリのスイッチをオンして、スイッチの他方端からデータを入力し、データをデータメモリから読み出すときは、当該データメモリのスイッチをオフして、当該データメモリのヒューズ部の他方端からデータを読み出し、判断部が読出可能期間内にあると判断しないときは、全部のデータメモリのスイッチをオンし、全部のスイッチの他方端と、全部のデータメモリにおけるヒューズ部の他方端との間に、破壊手段よりの破壊信号を印加し、全部のヒューズ部を破壊し、全部のヒューズ部が破壊された後の緊急データ読み出しの必要があるときは、当該データメモリのスイッチをオンして、当該データメモリのスイッチの他方端からデータを読み出すことが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
図６は、書き込み時の、各データメモリの電圧印加状態等を説明する図である。ここでは隣り合う２つのデータメモリについて、Ｍ1にデータ「１」、Ｍ2にデータ「０」が書き込まれる場合を示す。図３と同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。ここでは、スイッチ部Ｓ1，Ｓ2はともにオンにされ、ワード線は選択にされる。したがって選択トランジスタＴ1、Ｔ2はともにオンである。そして、ヒューズ部ｍ1，ｍ2の他方端Ｂ1，Ｂ2はともにｏｐｅｎとされる。スイッチ部データ「１」が書き込まれるＭ1側のスイッチ部の他方端Ａ1はｏｐｅｎに、データ「０」が書き込まれるＭ2側のスイッチ部の他方端Ａ2は低圧のＶLに設定される。この状態で、選択トランジスタＴ1、Ｔ2のドレイン端子に一律に高圧ＶHが印加される。なお、ＶHとＶLの印加方法は、これを逆にしてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
図８は、読み出し時の、各データメモリの電圧印加状態等を説明する図である。ここでは、図６においてＭ1にデータ「１」、Ｍ2にデータ「０」が書き込まれたものを読み出す場合を示す。図６と同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。ここでは、スイッチ部Ｓ1，Ｓ2はともにオフにされ、ワード線は選択にされる。したがって選択トランジスタＴ1、Ｔ2はともにオンである。そして、ヒューズ部ｍ1，ｍ2の他方端Ｂ1，Ｂ2はともにデータメモリブロックの読み出し回路、すなわちその端子の電位状態を検出する一般的なセンス回路に接続される。この状態で、選択トランジスタＴ1、Ｔ2のドレイン端子に一律に読み出し用の電圧Ｖoが印加される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
図１１は、非常読み出し時の、各データメモリの電圧印加状態等を説明する図である。ここでは、図９において、Ｍ1にデータ「１」、Ｍ2にデータ「０」が書き込まれたものについて全部のヒューズ部が溶断された後で、非常読み出しをする場合を示す。図９と同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。ここでは、スイッチ部Ｓ1，Ｓ2はともにオンにされ、ワード線は選択にされる。したがって選択トランジスタＴ1、Ｔ2はともにオンである。そして、スイッチ部Ｓ1，Ｓ2の他方端Ａ1，Ａ2はともにデータメモリブロックの読み出し回路、すなわちその端子の電位状態を検出する一般的なセンス回路に接続される。この状態で、選択トランジスタＴ1、Ｔ2のドレイン端子に一律に読み出し用の電圧Ｖoが印加される。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月17日(2008.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
認識対象を含む画像に対し圧縮処理を行なう画像圧縮方法において、
前記認識対象を含む画像を入力する画像入力ステップと、
この画像入力ステップにより入力された画像に対し平滑化処理を行なう平滑化ステップと、
この平滑化ステップにより平滑化された画像に対しその出現頻度に応じて可変長符号化を行なう符号化ステップと、
を具備したことを特徴とする画像圧縮方法。
【請求項２】
認識対象を含む画像に対し圧縮処理を行なう画像圧縮方法において、
前記認識対象を含む画像を入力する画像入力ステップと、
この画像入力ステップにより入力された画像に対し平滑化処理を行なう平滑化ステップと、
この平滑化ステップにより平滑化された画像に対し隣接する画素間の差分値を算出する差分値算出ステップと、
この差分値算出ステップにより算出された差分値に対しその出現頻度に応じて可変長符号化を行なう符号化ステップと、
を具備したことを特徴とする画像圧縮方法。
【請求項３】
認識対象を含む画像に対し圧縮処理を行なう画像圧縮方法において、
前記認識対象を含む画像を入力する画像入力ステップと、
この画像入力ステップにより入力された画像に対し認識対象の特徴を抽出する特徴抽出ステップと、
前記画像入力ステップにより入力された画像に対し前記特徴抽出ステップにより抽出された認識対象の特徴に応じて固定値を割り当てる階調変換を行なう階調変換ステップと、
この階調変換ステップにより階調変換された画像に対しその出現頻度に応じて可変長符号化を行なう符号化ステップと、
を具備したことを特徴とする画像圧縮方法。
【請求項４】
認識対象として顔画像を含む画像に対し圧縮処理を行なう画像圧縮方法において、
前記顔画像を含む画像を入力する画像入力ステップと、
この画像入力ステップにより入力された画像から顔領域を検出する顔領域検出ステップと、
この顔領域検出ステップにより検出された顔領域の輝度分布から一定値離れた外れ値を算出する外れ値算出ステップと、
前記画像入力ステップにより入力された画像に対し前記外れ値算出ステップにより算出された外れ値を基準に固定値を割り当てる階調変換を行なう階調変換ステップと、
この階調変換ステップにより階調変換された画像に対しその出現頻度に応じて可変長符号化を行なう符号化ステップと、
を具備したことを特徴とする画像圧縮方法。
【請求項５】
認識対象として顔画像を含む画像に対し圧縮処理を行なう画像圧縮方法において、
前記顔画像を含む画像を入力する画像入力ステップと、
この画像入力ステップにより入力された画像から顔領域を検出する顔領域検出ステップと、
この顔領域検出ステップにより検出された顔領域の前記画像入力ステップにより入力された画像全体に占める割合に基づき差分処理する対象を判別する差分対象判別ステップと、
この差分対象判別ステップにより判別された対象の画像に対し複数フレーム間で対応する画像の差分値を算出する差分値算出ステップと、
この差分値算出ステップにより算出された差分値画像に対しその出現頻度に応じて可変長符号化を行なう符号化ステップと、
を具備したことを特徴とする画像圧縮方法。
【請求項６】
認識対象を含む画像に対し圧縮処理を行なう画像圧縮装置において、
前記認識対象を含む画像を入力する画像入力手段と、
この画像入力手段により入力された画像に対し平滑化処理を行なう平滑化手段と、
この平滑化手段により平滑化された画像に対しその出現頻度に応じて可変長符号化を行なう符号化手段と、
を具備したことを特徴とする画像圧縮装置。
【請求項７】
認識対象を含む画像に対し圧縮処理を行なう画像圧縮装置において、
前記認識対象を含む画像を入力する画像入力手段と、
この画像入力手段により入力された画像に対し平滑化処理を行なう平滑化手段と、
この平滑化手段により平滑化された画像に対し隣接する画素間の差分値を算出する差分値算出手段と、
この差分値算出手段により算出された差分値に対しその出現頻度に応じて可変長符号化を行なう符号化手段と、
を具備したことを特徴とする画像圧縮装置。
【請求項８】
認識対象を含む画像に対し圧縮処理を行なう画像圧縮装置において、
前記認識対象を含む画像を入力する画像入力手段と、
この画像入力手段により入力された画像に対し認識対象の特徴を抽出する特徴抽出手段と、
前記画像入力手段により入力された画像に対し前記特徴抽出手段により抽出された認識対象の特徴に応じて固定値を割り当てる階調変換を行なう階調変換手段と、
この階調変換手段により階調変換された画像に対しその出現頻度に応じて可変長符号化を行なう符号化手段と、
を具備したことを特徴とする画像圧縮装置。
【請求項９】
認識対象として顔画像を含む画像に対し圧縮処理を行なう画像圧縮装置において、
前記顔画像を含む画像を入力する画像入力手段と、
この画像入力手段により入力された画像から顔領域を検出する顔領域検出手段と、
この顔領域検出手段により検出された顔領域の輝度分布から一定値離れた外れ値を算出する外れ値算出手段と、
前記画像入力手段により入力された画像に対し前記外れ値算出手段により算出された外れ値を基準に固定値を割り当てる階調変換を行なう階調変換手段と、
この階調変換手段により階調変換された画像に対しその出現頻度に応じて可変長符号化を行なう符号化手段と、
を具備したことを特徴とする画像圧縮装置。
【請求項１０】
認識対象として顔画像を含む画像に対し圧縮処理を行なう画像圧縮装置において、
前記顔画像を含む画像を入力する画像入力手段と、
この画像入力手段により入力された画像から顔領域を検出する顔領域検出手段と、
この顔領域検出手段により検出された顔領域の前記画像入力手段により入力された画像全体に占める割合に基づき差分処理する対象を判別する差分対象判別手段と、
この差分対象判別手段により判別された対象の画像に対し複数フレーム間で対応する画像の差分値を算出する差分値算出手段と、
この差分値算出手段により算出された差分値画像に対しその出現頻度に応じて可変長符号化を行なう符号化手段と、
を具備したことを特徴とする画像圧縮装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月26日(2007.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
以下、この発明に係る回路基板保持治具について、図面に示す具体的な実施例に基づいて詳細に説明するまえに、本発明の基本的な概念について述べる。上述のように、一般的に、フッ素系樹脂はシリコン樹脂に比べて粘着度が劣るものと認識されている。しかしながら、本発明においては、フッ素系樹脂製粘着層の表面荒さと、その粘着度の関係を求めるべく実験を行い、一般的な認識とは異なる新たな事実の認識を得た。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
図１４に、本発明に係る回路基板保持治具のより具体的な例を示す。図１５に、図１４におけるＸ−Ｘ断面を示す。なお、本例における回路基板保持治具１も、図１２および図１３に示した回路基板保持治具１と基本的に同様に構成される。但し、図１５に示すように、本例においては、ベースボード２並びに回路基板保持層３を貫通するようにして、ベースボード２に対して回路基板１１を位置決めするための位置決めピン挿入孔４が設けられている。さらに、回路基板保持層３の領域中に、ベースボード２並びに回路基板保持層３を貫通して、回路基板保持層３から回路基板１１を剥離する際、回路基板１１に外力を付与するため手段、例えば、押圧ピン（図示せず）の挿入を許容する貫通孔５が設けられている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
【図１】実験の結果得られた、フッ素系樹脂製粘着層およびシリコン樹脂製粘着層の表面荒さとその粘着度の関係を示す表
【図２】本発明の実施の形態に係る回路基板保持治具の回路基板保持層の形成に用いられるパーオキサイド架橋構造を有するフッ素系樹脂の化学構造の一例を示す図
【図３】本発明の実施の形態に係る回路基板保持治具の回路基板保持層の形成に用いられるパーオキサイド架橋構造を有するフッ素系樹脂の化学構造の図２とは異なる例を示す図
【図４】本発明の実施の形態に係る回路基板保持治具の回路基板保持層の形成に用いられるパーオキサイド架橋構造を有するフッ素系樹脂の種類とそのモノマ組成を示す図
【図５】図４に示したフッ素系樹脂の耐寒性および対メタノール性の関係を示す図
【図６】本発明の実施の形態に係る回路基板保持治具の回路基板保持層の形成に用いられるポリオール架橋構造を有するフッ素系樹脂の化学構造の一例を示す図
【図７】本発明の実施の形態に係る回路基板保持治具の回路基板保持層の形成に用いられるポリオール架橋構造を有するフッ素系樹脂の種類とそのモノマ組成を示す図
【図８】図６に示したフッ素系樹脂の耐寒性および対メタノール性の関係を示す図
【図９】本発明の実施の形態に係る回路基板保持治具の回路基板保持層の形成に用いられるジアミン架橋構造を有するフッ素系樹脂の化学構造の一例を示す図
【図１０】本発明の実施の形態に係る回路基板保持治具の回路基板保持層の形成に用いられるジアミン架橋構造を有するフッ素系樹脂の種類とそのモノマ組成を示す図
【図１１】図１０に示したフッ素系樹脂の耐寒性および対メタノール性の関係を示す図
【図１２】本発明の実施の形態に係る回路基板保持治具の基本的な構造を示す斜視図
【図１３】図１２に示した回路基板保持治具の要部を示す断面図
【図１４】本発明の実施の形態に係る回路基板保持治具のより具体的な構造を示す平面図
【図１５】図１４に於けるＸ−Ｘ断面図
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
2006202843.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
2006202843.tif 000002
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
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