【手続補正書】
【提出日】平成20年11月10日(2008.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光装置であって、
第１及び第２の電極と、該第１の電極と該第２の電極との間に介在する発光層と、を有する発光素子と、
該発光素子を駆動するための電界効果型トランジスタとを備え、
該電界効果型トランジスタの活性層は、電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満の非晶質酸化物であり、
該電界効果型トランジスタはゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記非晶質酸化物が、Ｉｎ、Ｚｎ、及びＳｎの少なくとも一つを含む酸化物であることを特徴する請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記非晶質酸化物が、ＩｎとＺｎとＳｎを含む酸化物、ＩｎとＺｎを含む酸化物、ＩｎとＳｎを含む酸化物、及びＩｎを含む酸化物のうちのいずれかである請求項１記載の発光装置。
【請求項４】
前記非晶質酸化物が、Ｉｎ、Ｚｎ、及びＧａを含む酸化物であることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項５】
光透過性の基板上に、前記発光層及び、前記電界効果型トランジスタが設けられており、
前記発光層から出力される光が、前記基板を介して出力されることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
光透過性の基板上に、前記発光層及び、前記電界効果型トランジスタが設けられており、
前記発光層から出力される光が、前記基板及び前記非晶質酸化物を介して出力されることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記基板と前記発光層との間に前記電界効果型トランジスタが設けられていることを特徴とする請求項６記載の発光装置。
【請求項８】
前記電界効果型トランジスタのドレイン電極または前記第２の電極の少なくとも一方が、光透過性の導電性酸化物であることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載の発光層がエレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項１０】
発光装置であって、
第１及び第２の電極と、該第１の電極と該第２の電極との間に介在する発光層と、を有する発光素子と、
前記発光素子を駆動するための電界効果型トランジスタとを備え、
該電界効果型トランジスタの活性層は、Zn,In及びSnのうち、少なくとも１種類の元素を含み、電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示す非晶質酸化物であることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
前記発光素子が複数あり、それらが少なくともライン状に配列している請求項１から１０のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１２】
前記発光素子が前記電界効果型トランジスタの上に設けられていることを特徴とする請求項１１に記載の発光装置。
【請求項１３】
電子写真装置において、
感光体と、
前記感光体を帯電させるための帯電器と、
前記感光体に潜像を形成するために前記感光体を露光するための露光光源と、
前記潜像を現像するための現像器と、を有し、
前記露光光源が請求項１１又は１２に記載の発光装置を有することを特徴とする電子写真装置。
【請求項１４】
発光装置であって、
第１及び第２の電極と、該第１の電極と該第２の電極との間に介在する発光層と、を有する発光素子と、
前記発光素子を駆動するための電界効果型トランジスタとを備え、
該電界効果型トランジスタの活性層は、透明な非晶質酸化物半導体を有し、
該電界効果型トランジスタはゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であることを特徴とする発光装置。
【請求項１５】
前記透明な非晶質酸化物半導体は、１０１８／ｃｍ３未満の電子キャリア濃度を有する請求項１４に記載の発光装置。
【請求項１６】
アクティブマトリックス表示装置であって、
第１及び第２の電極と、該第１の電極と該第２の電極との間に介在する発光層とを有する発光素子と、
前記発光素子を駆動するための電界効果型トランジスタと、
を備えた画素がマトリックス状に配置され、
各画素の該電界効果型トランジスタの活性層は、透明な非晶質酸化物半導体を有し、
該電界効果型トランジスタはゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であることを特徴とするアクティブマトリックス表示装置。
【請求項１７】
前記透明な非晶質酸化物半導体は、１０１８／ｃｍ３未満の電子キャリア濃度を有する請求項１６に記載のアクティブマトリックス表示装置。
【請求項１８】
表示装置であって、
第１及び第２の電極と、該第１の電極と第２の電極との間に介在する発光層と、を有する発光素子と、
該発光素子を駆動するための電界効果型トランジスタとを備え、
該電界効果型トランジスタの活性層は、非晶質酸化物であることを特徴とする表示装置。
【請求項１９】
前記非晶質酸化物が、ＩｎとＺｎとＳｎを含む酸化物、ＩｎとＺｎを含む酸化物、ＩｎとＳｎを含む酸化物、及びＩｎを含む酸化物のうちのいずれかである請求項１８記載の表示装置。
【請求項２０】
前記電界効果型トランジスタはゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満である請求項１８又は１９に記載の表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の第１の骨子は、発光装置であって、
第１及び第２の電極と、該第１の電極と該第２の電極との間に介在する発光層と、を有する発光素子と、
該発光素子を駆動するための電界効果型トランジスタとを備え、
該電界効果型トランジスタの活性層は、電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満の非晶質酸化物であり、
該電界効果型トランジスタはゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の第２の骨子は、発光装置であって、
第１及び第２の電極と、該第１の電極と該第２の電極との間に介在する発光層と、を有する発光素子と、
前記発光素子を駆動するための電界効果型トランジスタとを備え、
該電界効果型トランジスタの活性層は、Zn,In及びSnのうち、少なくとも１種類の元素を含み、電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示す非晶質酸化物であることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の第３の骨子は、発光装置であって、
第１及び第２の電極と、該第１の電極と該第２の電極との間に介在する発光層と、を有する発光素子と、
前記発光素子を駆動するための電界効果型トランジスタとを備え、
該電界効果型トランジスタの活性層は、透明な非晶質酸化物半導体を有し、
該電界効果型トランジスタはゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明の第４の骨子は、アクティブマトリックス表示装置であって、
第１及び第２の電極と、該第１の電極と該第２の電極との間に介在する発光層とを有する発光素子と、
前記発光素子を駆動するための電界効果型トランジスタと、
を備えた画素がマトリックス状に配置され、
各画素の該電界効果型トランジスタの活性層は、透明な非晶質酸化物半導体を有し、
該電界効果型トランジスタはゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明の第５の骨子は、表示装置であって、
第１及び第２の電極と、該第１の電極と第２の電極との間に介在する発光層と、を有する発光素子と、
該発光素子を駆動するための電界効果型トランジスタとを備え、
該電界効果型トランジスタの活性層は、非晶質酸化物であることを特徴とする。