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【手続補正書】
【提出日】平成20年7月3日(2008.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＲＦＩＤタグ用のＩＣチップとアンテナとからなるＲＦＩＤタグであって、
該ＩＣチップはバンプ電極を有し、
アンテナは樹脂材料もしくは紙材料上に形成配置され、該アンテナは導電性粒子を含有する導電性ペーストにより構成され、該ＩＣチップのバンプ電極と該アンテナはアンテナを構成する導電性ペースト材料に含有される熱可塑性樹脂により接着され、該ＩＣチップの下面と該アンテナの上面とは熱硬化性樹脂によって覆われているという構成を有することを特徴とするＲＦＩＤタグ。
【請求項２】
請求項１記載のＲＦＩＤタグにおいて、
導電性ペーストとして、銀フレークを含有し、熱可塑性のポリエステル樹脂をバインダ材料としている銀ペーストを使用したことを特徴とするＲＦＩＤタグ。
【請求項３】
請求項１記載のＲＦＩＤタグにおいて、
導電性ペーストとして、銀フレークを含有し、熱可塑性のポリオレフィン樹脂をバインダ材料としている銀ペーストを使用したことを特徴とするＲＦＩＤタグ。
【請求項４】
請求項１記載のＲＦＩＤタグの表面をラミネートしたことを特徴とするＲＦＩＤタグ。
【請求項５】
請求項１記載のＲＦＩＤタグの表面および裏面を局部的に厚いシート材料にてラミネートし、該シート材料の局所的に厚い部分がＩＣチップと位置あわせされていることを特徴とするＲＦＩＤタグ。
【請求項６】
請求項１記載のＲＦＩＤタグの表面および裏面をシリコンゴムにて覆ったことを特徴とするＲＦＩＤタグ。
【請求項７】
基材、前記基材の主面に形成され且つ導電性粒子を含む樹脂材料からなるアンテナ層、及び電極が形成された面を有し且つ該面が前記基材主面の一部に対向されて該電極により前記アンテナに接続されるＩＣチップを備え、
前記アンテナは前記ＩＣチップの前記面に対向する第１部分と前記基材主面の該ＩＣチップに覆われた領域の外側に延在する第２部分とを有し、
前記アンテナを成す前記樹脂材料は該アンテナの前記第１部分に前記ＩＣチップの前記電極を接着し、且つ
前記アンテナの前記第１部分に残留する溶媒又は前記樹脂材料の前駆体の濃度は前記第２部分に残留するそれより低いことを特徴とするＲＦＩＤタグ。
【請求項８】
前記基材主面の前記一部と前記ＩＣチップの前記面との間には、前記アンテナの前記第１部分と該ＩＣチップの前記電極との接続を封止する絶縁樹脂が形成され、
前記絶縁樹脂には前記樹脂材料よりガラス転移温度の高い熱硬化性樹脂が用いられることを特徴とする請求項７に記載のＲＦＩＤタグ。
【請求項９】
前記樹脂材料は５０℃以上且つ１５０℃未満の範囲にある所定の温度で加熱されることにより硬化された状態から軟化することを特徴とする請求項８に記載のＲＦＩＤタグ。
【請求項１０】
前記ＩＣチップの前記電極は、前記基材主面に対向する底面のみで前記アンテナの前記第１部分に接続し、且つ該アンテナは該電極の該底面に隣接する側面のいずれにも接触しないことを特徴とする請求項７に記載のＲＦＩＤタグ。
【請求項１１】
前記アンテナの前記第１部分は、その前記電極の前記底面に接する領域が該アンテナの前記第２部分より薄いことを特徴とする請求項１０に記載のＲＦＩＤタグ。
【請求項１２】
前記ＩＣチップの前記電極は、前記基材主面に対向する底面と該底面に隣接する側面の少なくとも一部において前記アンテナの前記第１部分に接触し、且つ該第１部分の該電極の底面に接する領域は、該アンテナの前記第２部分より薄くないことを特徴とする請求項７に記載のＲＦＩＤタグ。
【請求項１３】
熱可塑性樹脂と導電性粒子とからなる導電性ペーストを樹脂材料もしくは紙材料に対してパターン印刷することでアンテナを形成し、
該アンテナのＩＣチップ搭載予定位置に対してＲＦＩＤ用のＩＣチップのバンプ電極を位置あわせし、
該ＩＣチップと該アンテナとを熱圧着し、
該ＩＣチップと該アンテナとの接続部に対して熱硬化性樹脂を供給し、
加熱により該熱硬化性樹脂を硬化させることを特徴とするＲＦＩＤタグの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月5日(2008.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリリークが発生したか否かを検出するメモリリーク検出装置であって、
コンピュータプログラムを複数回実行した場合のメモリの内容を読み出して出力するメモリ内容出力手段と、
前記メモリ内容出力手段により出力されたメモリの内容に基づいてメモリリークが発生したか否かを検出するメモリリーク検出手段と、
を備えたことを特徴とするメモリリーク検出装置。
【請求項２】
前記メモリ内容出力手段は、コンピュータプログラムをｐ1回実行した場合のメモリの内容と、コンピュータプログラムをｐ2回実行した場合のメモリの内容とを読み出して出力することを特徴とする請求項１に記載のメモリリーク検出装置。
【請求項３】
前記メモリリーク検出手段は、コンピュータプログラムをｐ1回実行した場合のメモリの内容から同一のパターンの出現回数ａ1を計測し、また、コンピュータプログラムをｐ2回実行した場合のメモリの内容から同一のパターンの出現回数ａ2を計測し、当該同一のパターンの出現回数ａ1およびａ2に基づいてメモリリークが発生したか否かを検出することを特徴とする請求項２に記載のメモリリーク検出装置。
【請求項４】
前記メモリリーク検出手段は、前記同一のパターンの出現回数ａ1およびａ2の差が、コンピュータプログラムの実行回数ｐ1およびｐ2の差の整数倍である場合に、メモリリークが発生したことを検出することを特徴とする請求項３に記載のメモリリーク検出装置。
【請求項５】
前記メモリリーク検出手段によりメモリリークの発生が検出された場合に、前記パターンに基づいてメモリリークの原因に係る情報を抽出し、抽出した情報を出力するメモリリーク原因情報出力手段をさらに備えたことを特徴とする請求項３または４に記載のメモリリーク検出装置。
【請求項６】
前記パターンは、コンピュータプログラムにおける関数の引数を表すパターンであることを特徴とする請求項３、４または５に記載のメモリリーク検出装置。
【請求項７】
メモリリークが発生したか否かを検出するメモリリーク検出プログラムであって、
コンピュータプログラムを複数回実行した場合のメモリの内容を読み出して出力するメモリ内容出力手順と、
前記メモリ内容出力手順により出力されたメモリの内容に基づいてメモリリークが発生したか否かを検出するメモリリーク検出手順と、
をコンピュータに実行させることを特徴とするメモリリーク検出プログラム。
【請求項８】
メモリリークが発生したか否かを検出するメモリリーク検出方法であって、
コンピュータプログラムを複数回実行した場合のメモリの内容を読み出して出力するメモリ内容出力工程と、
前記メモリ内容出力工程により出力されたメモリの内容に基づいてメモリリークが発生したか否かを検出するメモリリーク検出工程と、
を含んだことを特徴とするメモリリーク検出方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月2日(2008.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光機能素子が封止構造体の内部空間に封止され、該封止構造体の外側に該光機能素子と接続されるための接続部が形成された半導体装置であって、
前記封止構造体は、一面が開口した素子収納容器と、前記素子収納容器の開口部分に接合された光透過性の蓋部とを有し、
前記光機能素子は前記蓋部の側に設置され、前記蓋部と、該蓋部に対向する前記素子収納容器の底部の間には、前記光機能素子と前記接続部を電気的に接続するための柱状の立体配線が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記底部を貫通する、前記立体配線と前記接続部を接続するビアプラグがさらに形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記光機能素子は、該光機能素子のデバイス面が前記蓋部に面するように設置されていることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記蓋部には、前記光機能素子と前記立体配線を接続するパターン配線が形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のうち、いずれか１項記載の半導体装置。
【請求項５】
前記素子収納容器はシリコンよりなることを特徴とする請求項１乃至４のうち、いずれか１項記載の半導体装置。
【請求項６】
前記立体配線は、柱状のシリコン表面に導電性膜が形成された構造であることを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
光機能素子が封止構造体の内部空間に封止され、該封止構造体の外側に該光機能素子と接続されるための接続部が形成された構造を有し、該封止構造体は、一面が開口した素子収納容器と該素子収納容器の開口側に接合される光透過性の蓋部とを含む半導体装置の製造方法であって、
前記素子収納容器の底部より起立するように、柱状の立体配線を形成する立体線形成工程と、
前記蓋部に前記光機能素子が接続されるパターン配線を形成し、該パターン配線に接続されるように前記光機能素子を設置する光機能素子設置工程と、
当該蓋部と当該素子収納容器を接合すると共に、前記立体配線と前記パターン配線とを接続する接合工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記底部を貫通する、前記立体配線と前記接続部を接続するビアプラグを形成するビアプラグ形成工程をさらに有することを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記素子収納容器はシリコンよりなることを特徴とする請求項７または８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記立体配線形成工程は、
シリコンをエッチングしてパターニングすることで柱状のシリコンポストを形成する工程と、
前記シリコンポストの表面に導電性膜を形成して前記立体配線を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
一面が開口した素子収納容器と、
前記素子収納容器の底部から起立するよう形成された柱状のポストと、前記ポストの表面形成された導電性膜とを具備した立体配線と
を有する素子収納容器構造体。
【請求項１２】
前記素子収納容器はシリコンよりなることを特徴とする請求項１１記載の素子収納容器構造体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置および半導体装置の製造方法及び素子収納容器構造体
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体素子が封止された構造を有する半導体装置と、当該半導体装置の製造方法、及び素子収納容器構造体に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
そこで、本発明では、上記の問題を解決した、新規で有用な半導体装置と、当該半導体装置の製造方法と、素子収納容器構造体を提供することを目的としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の具体的な課題は、光機能素子が封止された構造を有する半導体装置であって、封止された光機能素子と接続する構造の抵抗値が小さく、小型化が可能な半導体装置と、当該半導体装置の製造方法と、素子収納容器構造体を提供することである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明によれば、光機能素子が封止された構造を有する半導体装置であって、封止された光機能素子と接続する構造の抵抗値が小さく、小型化が可能な半導体装置と、当該半導体装置の製造方法を提供することが可能となる。
また、本発明の第３の観点では、一面が開口した素子収納容器と、前記素子収納容器の底部から起立するよう形成された柱状のポストと、前記ポストの表面形成された導電性膜とを具備した立体配線とを有する素子収納容器構造体により、解決する。
また、上記構成において、前記素子収納容器をシリコンにより形成することが望ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
このようにして、素子収納容器１０１、立体配線１０２（ポスト１０２Ａ、導電性膜１０２Ｂ）、パターン配線１０３、１０５、ビアプラグ１０４、およびソルダーレジスト層１０６よりなる、素子収納容器構造体１００が形成される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
次に、上記の素子収納容器構造体１００に接合される蓋部２０１に、光機能素子２０４を設置する方法について説明する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
次に、図４に示す工程において、上記の素子収納容器構造体１００と、蓋部構造２００を接合して光機能素子２０４を封止する構造を形成する。この場合、蓋部２０１の光機能素子２０４が設置された側と素子収納容器の開口部が面するように接合される。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
３００  半導体装置
１００  素子収納容器構造体
２００  蓋部構造
１０１  素子収納容器
１０２  立体配線
１０２Ａ  ポスト
１０２Ｂ  導電性膜
１０３  パターン配線
１０４  ビアプラグ
１０５  パターン配線
１０６  ソルダーレジスト層
１０７  はんだボール
２０１  蓋部
２０２  パターン配線
２０３  接続部
２０４  光機能素子
２０４Ａ  光機能部
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月1日(2008.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
シリコン（Ｓｉ）単結晶基板上に設けられた二酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる弾性膜の上側に、下電極と、該下電極上に設けられたランタンニッケルオキサイドからなる面方位（１００）のバッファ層と、該バッファ層上にエピタキシャル成長により形成されたチタン酸ジルコン酸鉛からなる面方位（１００）の圧電体層と、該圧電体層上に設けられた上電極とからなる圧電素子を有し、前記圧電体層は前記バッファ層との境界部分に設けられて組成を層ごとに段階的に変化させた複数層からなる階段状層とこの階段状層上に積層された圧電体層本体とを有することを特徴とするアクチュエータ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決する本発明の第１の態様は、シリコン（Ｓｉ）単結晶基板上に設けられた二酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる弾性膜の上側に、下電極と、該下電極上に設けられたランタンニッケルオキサイドからなる面方位（１００）のバッファ層と、該バッファ層上にエピタキシャル成長により形成されたチタン酸ジルコン酸鉛からなる面方位（１００）の圧電体層と、該圧電体層上に設けられた上電極とからなる圧電素子を有し、前記圧電体層は前記バッファ層との境界部分に設けられて組成を層ごとに段階的に変化させた複数層からなる階段状層とこの階段状層上に積層された圧電体層本体とを有することを特徴とするアクチュエータ装置にある。
かかる第１の態様では、圧電体層がバッファ層との境界部分に組成を層ごとに段階的に変化させた階段状層を有するので、下地と圧電体層との格子不整合による応力の発生が抑制される。したがって、圧電体層を構成するチタン酸ジルコン酸鉛の結晶が歪みを生じないため、良好な変位を生ずるアクチュエータ装置となる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月17日(2008.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のキャパシタと、
前記キャパシタの胴部を挟持するホルダーと、
同一基板上に、前記キャパシタに充放電を行う充放電回路、および前記キャパシタの状態を検出するためのキャパシタ状態検出回路を設けるとともに、前記キャパシタを電気的に直列、または、並列、または、直並列に接続実装する回路基板と、
前記回路基板を収納するケースからなり、
前記キャパシタのリード線は曲げ加工部を有し、
前記曲げ加工部の先端が前記回路基板と電気的に接続されるとともに、
前記ホルダーにスナップフィット突起部を設け、
前記スナップフィット突起部に対応する位置の前記回路基板にスナップフィット穴を設け、
前記スナップフィット突起部を前記スナップフィット穴に挿入することによって、前記ホルダーが前記回路基板に固定され、
前記回路基板は、前記回路基板に設けた基板穴、ワッシャを介してネジを前記ケースに設けたネジ受け部に締めるとともに前記ホルダーに設けたホルダー穴を介してネジを前記ネジ受け部に締めることで前記ケースに取り付けられ、
前記基板穴の直径は前記ワッシャの内径より大きく、かつ、外径より小さくしたキャパシタユニット。
【請求項２】
ネジ受け部にはネジ山の外径より僅かに大きく、かつ、前記回路基板の厚さより僅かに低いネジ受け突起部を設けた請求項１に記載のキャパシタユニット。
【請求項３】
ホルダーで挟持されたキャパシタを回路基板の一辺側に実装し、前記キャパシタから最も遠い前記回路基板の一辺の両端近傍に基板穴を設けた請求項１に記載のキャパシタユニット。
【請求項４】
ホルダーの回路基板側には複数の突起を設けた請求項１に記載のキャパシタユニット。
【請求項５】
回路基板のキャパシタ実装部と、その他の回路部品実装部の間に少なくとも一列に並んだ複数の穴を設けた請求項１に記載のキャパシタユニット。
【請求項６】
回路基板は回路部品のうち発熱部品を取り付けるヒートシンクを有し、
前記ヒートシンクには複数の溝が設けられ、
前記溝にタップネジを締めることで前記回路基板および前記発熱部品をそれぞれ取り付ける請求項１に記載のキャパシタユニット。
【請求項７】
ヒートシンクはアルミニウムからなり、前記ヒートシンクには押し出し成型により複数の溝が同時に形成される請求項６に記載のキャパシタユニット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
前記従来の課題を解決するために、本発明のキャパシタユニットはキャパシタに充放電を行う充放電回路、およびキャパシタ状態検出回路を有する回路基板に前記キャパシタを電気的に直列、または、並列、または、直並列に接続実装する。前記キャパシタのリード線は曲げ加工部を有し、前記曲げ加工部の先端が前記回路基板と電気的に接続される。前記キャパシタの胴部を挟持するホルダーにスナップフィット突起部を設け、前記スナップフィット突起部に対応する位置の前記回路基板にスナップフィット穴を設け、前記スナップフィット突起部を前記スナップフィット穴に挿入することによって、前記ホルダーが前記回路基板に固定される。前記回路基板は、前記回路基板に設けた基板穴、ワッシャを介してネジをケースに設けたネジ受け部に締めるとともに前記ホルダーに設けたホルダー穴を介してネジを前記ネジ受け部に締めることでケースに取り付けられ、前記基板穴の直径は前記ワッシャの内径より大きく、かつ、外径より小さくしたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本構成によってキャパシタユニットは回路基板が１枚になるとともに、スナップフィット突起部とスナップフィット穴の隙間、およびキャパシタの曲げ加工部で、さらに基板穴とワッシャの部分で熱応力を吸収できる上、シールドケースが不要となり、極めてシンプルな構造となる。その結果、前記目的を達成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月27日(2008.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内に被処理体を載置する工程と、
前記処理容器内にシリコンを含む成膜ガスと、酸化性ガスと、還元性ガスとを導入すると共に、この処理容器内を減圧雰囲気に設定する工程と、
前記処理容器内を成膜ガスの分解温度よりも低い温度で加熱することにより、酸化性ガス及び還元性ガスにより発生した水酸基活性種及び酸素活性種を用いて、前記被処理体にシリコン酸化膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする成膜方法。  
【請求項２】
前記シリコンを含む成膜ガスは有機系シリコンソースの蒸気であることを特徴とする請求項１記載の成膜方法。
【請求項３】
被処理体が載置された処理容器内を減圧雰囲気及び加熱雰囲気にして、有機系シリコンソースの蒸気を用いて被処理体にシリコン酸化膜を形成する方法において、
前記処理容器内を前記有機系シリコンソースの蒸気の分解温度よりも低くかつ酸化性ガス及び還元性ガスにより水酸基活性種及び酸素活性種が発生する温度に加熱し、
前記処理容器内に供給された前記有機系シリコンソースを、前記処理容器内に供給された酸化性ガス及び還元性ガスにより発生した水酸基活性種及び酸素活性種により分解して、前記被処理体にシリコン酸化膜を形成することを特徴とする成膜方法。
【請求項４】
有機系シリコンソースは、テトラエチルオルソシリケート及びビスターシャルアミノシランから選択されるものであることを特徴とする請求項２または３記載の成膜方法。
【請求項５】
前記シリコンを含む成膜ガスは、モノシランガス、クロロシランガス及びヘキサクロロジシランガスから選択されるガスであることを特徴とする請求項１記載の成膜方法。
【請求項６】
酸化性ガスは、酸素ガス、Ｎ2Ｏガス、ＮＯガス及びＮＯ2ガスから選択されるガスであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一つに記載の成膜方法。
【請求項７】
還元性ガスは、水素ガス、ＮＨ３ガス、ＣＨ４ガス及びＨＣｌガスから選択されるガスであることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一つに記載の成膜方法。
【請求項８】
前記被処理体は、複数のゲート電極が形成されたものであり、請求項１のシリコン酸化膜は、これらゲート電極間を埋め込むように、ゲート電極の上に形成される層間絶縁膜であることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一つに記載の成膜方法。
【請求項９】
内部に被処理体が載置される処理容器と、
前記処理容器内を減圧雰囲気に設定する圧力調整手段と、
前記処理容器内を加熱するための加熱手段と、
前記処理容器内にシリコンを含む成膜ガスを供給するための成膜ガス供給路と、
前記処理容器内に酸化性ガスを供給するための酸化性ガス供給路と、
前記処理容器内に還元性ガスを供給するための還元性ガス供給路と、
前記成膜ガス供給路と、酸化性ガス供給路と、還元性ガス供給路とに夫々設けられ、夫々成膜ガスと酸化性ガスと還元性ガスとの流量を調整するための流量調整手段と、
前記圧力調整手段と加熱手段と流量調整手段とを制御するための制御部と、を備え、
前記制御部は、前記処理容器内を減圧雰囲気に設定すると共に、成膜ガスの分解温度よりも低い温度で加熱することにより、酸化性ガス及び還元性ガスにより発生した水酸基活性種及び酸素活性種を用いて、前記被処理体の上にシリコン酸化膜を形成するように、前記圧力調整手段と加熱手段と流量調整手段とを制御することを特徴とする成膜装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
このため本発明の成膜方法は、処理容器内に被処理体を載置する工程と、
前記処理容器内にシリコンを含む成膜ガスと、酸化性ガスと、還元性ガスとを導入すると共に、この処理容器内を減圧雰囲気に設定する工程と、
前記処理容器内を成膜ガスの分解温度よりも低い温度で加熱することにより、酸化性ガス及び還元性ガスにより発生した水酸基活性種及び酸素活性種を用いて、前記被処理体にシリコン酸化膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
ここで前記シリコンを含む成膜ガスとしては有機系シリコンソースの蒸気を用いることができる。
また他の発明の成膜方法は、被処理体が載置された処理容器内を減圧雰囲気及び加熱雰囲気にして、有機系シリコンソースの蒸気を用いて被処理体にシリコン酸化膜を形成する方法において、
前記処理容器内を前記有機系シリコンソースの蒸気の分解温度よりも低くかつ酸化性ガス及び還元性ガスにより水酸基活性種及び酸素活性種が発生する温度に加熱し、
前記処理容器内に供給された前記有機系シリコンソースを、前記処理容器内に供給された酸化性ガス及び還元性ガスにより発生した水酸基活性種及び酸素活性種により分解して、前記被処理体にシリコン酸化膜を形成することを特徴とする。
有機系シリコンソースは、例えばテトラエチルオルソシリケートガス及びビスターシャルアミノシランガスから選択されるものである。またシリコンを含む成膜ガスは、例えばモノシランガス、クロロシランガス及びヘキサクロロジシランガスから選択されるガスである。酸化性ガスは、例えば酸素ガス、Ｎ2Ｏガス、ＮＯガス及びＮＯ2  ガスから選択されるガスであり、還元性ガスは、例えば水素ガス、ＮＨ３  ガス、ＣＨ４  ガス及びＨＣｌガスから選択されるガスである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月8日(2008.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ上に形成された複数の半導体チップ（ダイ）の電気的な検査を行うためにダイの電極をテスタに接続するプローバ及びプロービングテスト方法に関し、特にウエハを保持するウエハチャックの表面を加熱及び冷却して高温及び低温環境で検査が行えるウエハプローバ及びプロービングテスト方法に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月27日(2007.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テーブル上に載置された基板の電極部に、ペーストを印刷するためテーブル上部に前記基板の電極部位置に開口を備えたマスクと、前記マスクの開口にペーストを押し込むスキージを備えたスキージヘッドと、前記スキージヘッドをマスク面に沿って移動させるヘッド駆動機構と前記スキージをマスク面側に移動させるスキージ駆動機構を備えたスクリーン印刷装置において、
前記ペーストを前記マスクの開口部に押し込んだ後、前記開口のペースト表面を乾燥させる表面乾燥手段を前記スキージヘッドに設けたことを特徴とするスクリーン印刷装置。
【請求項２】
請求項1に記載のスクリーン印刷装置において、
前記表面乾燥手段は、温風発生器であり、前記スキージを取り付けた、スキージヘッド部に取り付けてあること特徴とするスクリーン印刷装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のスクリーン印刷装置において、
前記表面乾燥手段でペースト表面を乾燥させた後にマスクと基板との版離れ同動作を実行するように制御する制御部を備えたことを特徴とするスクリーン印刷装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月5日(2008.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の式：
【化１】
2006143751.tif 000001
を有する、（Ｒ）−８−クロロ−１−メチル−２，３，４，５−テトラヒドロ−１Ｈ−３−ベンズアゼピン、ならびにその薬学的に受容可能な塩、溶媒和物、および水和物から選択される、化合物。
【請求項２】
治療によるヒトまたは動物身体の処置の方法における使用のための、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
哺乳動物の肥満の予防または処置の方法における使用のための、請求項１に記載の化合物。
【請求項４】
哺乳動物の食物摂取を減少させるための、請求項１に記載の化合物。
【請求項５】
哺乳動物における満腹を誘導するための、請求項１に記載の化合物。
【請求項６】
哺乳動物における体重増加をコントロールするための、請求項１に記載の化合物。
【請求項７】
前記哺乳動物がヒトである、請求項３〜６のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項８】
哺乳動物の肥満の予防または処置における使用のための医薬の製造のための、請求項１に記載の化合物の使用。
【請求項９】
哺乳動物の食物摂取を減少させる方法における使用のための医薬の製造のための、請求項１に記載の化合物の使用。
【請求項１０】
哺乳動物の満腹を誘導する方法における使用のための医薬の製造のための、請求項１に記載の化合物の使用。
【請求項１１】
哺乳動物の体重増加をコントロールする方法における使用のための医薬の製造のための、請求項１に記載の化合物の使用。
【請求項１２】
前記哺乳動物がヒトである、請求項８〜１１のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１３】
請求項１に記載の化合物と、薬学的に受容可能なキャリアまたは賦形剤とを含む、薬学的組成物。
【請求項１４】
請求項１に記載の化合物と、薬学的に受容可能なキャリアとを合わせる工程を包含する、薬学的組成物を調製する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月27日(2008.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
触媒添加物の作用が酸化反応に使用されるアルデヒドの構造に左右されることが従来技術で指摘されている。所望のカルボン酸を高収率で且つ高純度で得るために、例えばドイツ特許第９５０，００７号明細書から、α位で分岐されたアルデヒドの酸化はカルボン酸アルカリ塩を僅かな量しか必要としないことが判っている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
公開された特開昭５３−１０５４１３号公報の教示によると、全反応系を基準にして０．０１〜１０重量％の量で使用されるリチウム−またはアルカリ土類金属化合物の存在下に、α−分岐した脂肪族カルボン酸を製造するためにα- 分枝した脂肪族アルデヒドを酸素で酸化する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
従って、カルボニル炭素原子に隣接する炭素原子が分岐を有するα−分岐したアルデヒドを酸化する場合には、従来技術では選択率を向上させるために僅かな量のアルカリ金属カルボキシレートを添加する。しかしながらこの種の添加物はその抑制作用のために反応時間の増加に結びついている。α−分岐したアルデヒドの中には、多量に２−エチルヘキサン酸に再転化される２−エチルヘキサナルは特に経済的に重要である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
β位に、即ちカルボニル炭素原子の次にある１個の炭素原子に分岐を持つアルデヒドの酸化も同様に触媒の添加下に行うことができる。β−アルキル分岐した化合物を多量に含有する経済的に重要なアルデヒドは工業的に容易に入手し得るジイソブテン（２，４，４−トリメチルペンテン−１）のヒドロホルミル化によって得られる。ドイツ特許出願公開第２，６０４，５４５号明細書（Ａ１）に従うロジウム存在下での酸化反応は、多量に（しばしばイソノナン酸とも称する）３，５，５−トリメチルヘキサン酸を含有する異性体Ｃ９−脂肪酸の混合物をもたらす。アルカリ金属−またはアルカリ土類金属カルボキシレート類の存在下でのβ−アルキル分岐したアルデヒド、例えばイソバレルアルデヒドの酸化はドイツ特許出願公開第７３２，７２０号明細書（Ａ１）から公知である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
脂肪族の直鎖状アルデヒドおよびβ−アルキル分岐したアルデヒドを相応するカルボン酸に酸化するこれらの公知の接触的方法は、現代の工業的に利用される方法に求められる工業的および経済的要求を未だ十分には満足していない。遷移金属触媒を用いることが、選択率を低下させる不所望な副反応をしばしば生じさせ、結果として高い転化率にも係わらず所望のカルボン酸の収率が害される。しかしながらアルカリ金属−および／またはアルカリ土類金属カルボキシレートの添加は確かに選択性を改善するが、転化率にマイナスの影響を及ぼす。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
この新規の方法の本質的構成要件はアルカリ金属−またはアルカリ土類金属カルボキシレートまたはそれらの混合物および触媒作用金属が酸化混合物中に同時に存在することである。アルカリ金属またはアルカリ土類金属カルボキシレートおよび触媒作用金属が酸化混合物中に同時に存在する場合に直鎖状脂肪族アルデヒドの酸化反応での選択率が高い転化率のもとで更に改善することができ、その結果、直鎖状脂肪族アルデヒドの酸化をドイツ特許第１０,０１０,７７１号明細書（Ｃ１）に従い金属添加だけを行う方法に比較して全体としてより高い直鎖状脂肪族カルボン酸の収率が観察されることが驚くべきことに判った。β−アルキル分岐したアルデヒドの酸化の場合にもアルデヒド転化率および所望のカルボン酸への選択率がドイツ特許第１０,０１０,７７１号明細書（Ｃ１）の教示に比べて高められているので、本発明の方法はβ−アルキル分岐したアルデヒドの酸化の場合にも著しい収率増加をもたらす。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
更に別の態様では、充填材を装填した灌水塔を反応器として使用する。充填材を介してアルカリ金属またはアルカリ土類金属カルボキシレート並びに触媒金属含有アルデヒドを滴り落とし、そしてこれと同時に並流でまたは向流で酸素または酸素含有ガス混合物を上記塔中に導入する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月15日(2008.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウイルスを含んでいる血液製品の中のウイルスの不活性化の方法であって、
前記血液製品を、少なくとも１分から１時間、０．００３から０．１５％のジ−またはトリ−アルキル・ホスフェートの溶媒、および、０．０１から０．５％の非イオン性の洗剤に接触させる工程を含む、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記ジ−またはトリ−アルキル・ホスフェートの溶媒が、トリ−ｎ−ブチル・ホスフェートであり、前記非イオン性の洗剤が、オキシエチル化アルキルフェノールである、方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の方法であって、
前記血液製品を、０．００３から０．１５％のジ−またはトリ−アルキル・ホスフェートの溶媒、および、０．０２から０．５％の非イオン性の洗剤に接触させる、方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であって、
前記血液製品を、０．０６％のジ−またはトリ−アルキル・ホスフェートの溶媒、および、０．２％の非イオン性の洗剤に接触させる、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法において、
前記血液製品が、不安定なタンパク質を含む、血液タンパク質、血漿濃縮物、血液成分、血漿含有製品、および、血漿フラクション含有製品を含有している、全血、血漿、または、これらのフラクション、濃縮物、もしくは、誘導体と、免疫グロブリンと、血漿の分別による沈降物と、血漿の分別による上澄み液と、血清と、低温沈殿物と、低温上澄み液と、細胞溶解産物と、モノクローナルな抗体と、ポリクローナルな抗体と、から成る群から選択される、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
Ｃ−１８のカラムの中における通過と、膜を通るダイアフィルトレーションと、クロマトグラフィの支持体への吸着と、アフィニティ・クロマトグラフィの支持体への吸着と、限外濾過と、濾過および吸着と、吸着剤の使用と、から選択される手段により、前記溶媒および洗剤を、前記血液製品のタンパク質から除去する工程を付加的に含む、方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、
前記吸着剤が、シリカ・ビーズの吸着材料である、方法。
【請求項８】
請求項５に記載の方法であって、
前記血液製品が、免疫グロブリンである、方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、
前記血液製品を前記溶媒および洗剤に接触させる前に、当該血液製品の精製の工程を付加的に含む、方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、
前記精製が、濾過、直接的サイズ排除濾過、タンジェンシャル・サイズ排除濾過、デプス・フィルトレーション、イオン交換クロマトグラフィ、沈殿アフィニティ・クロマトグラフィ、ナノフィルトレーション、タンジェンシャル・フロー・フィルトレーション、アフィニティ・クロマトグラフィ、電気泳動、もしくは、これらの組み合わせから成る群から選択される、方法。
【請求項１１】
請求項１０の方法であって、
前記精製が、ナノフィルトレーションである、方法。
【請求項１２】
ウイルスを含んでいる免疫グロブリンの中のウイルスの不活性化の方法であって、
前記免疫グロブリンに対してナノフィルトレーションを行う工程と、
前記免疫グロブリンを、０．００３から０．１５％のトリ−ｎ−ブチル・ホスフェート、および、０．２％のオキシエチル化アルキルフェノールに接触させる工程と、
前記免疫グロブリンから、前記トリ−ｎ−ブチル・ホスフェートおよびオキシエチル化アルキルフェノールを除去する工程と、
を含む方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、
前記トリ−ｎ−ブチル・ホスフェートおよびオキシエチル化アルキルフェノールが、シリカ・ビーズの吸着材料を用いて、前記免疫グロブリンから除去される、方法。
【請求項１４】
請求項６に記載の方法であって、
前記ジ−またはトリ−アルキル・ホスフェートの溶媒および前記非イオン性の洗剤が、前記血液製品をシリカ・ビーズの吸着材料と混合することによって、前記血液製品から除去される、方法。
【請求項１５】
請求項２に記載の方法であって、
前記ジ−またはトリ−アルキル・ホスフェートの溶媒が０．００６から０．１５％で存在し、前記非イオン性の洗剤が０．０１から０．２％で存在する、方法。
【請求項１６】
請求項２に記載の方法であって、
前記ジ−またはトリ−アルキル・ホスフェートの溶媒が０．０６％で存在し、前記非イオン性の洗剤が０．２％で存在する、方法。
【請求項１７】
請求項5に記載の方法であって、
（ａ）前記免疫グロブリンに、少なくとも１分から１時間、０．０６％のトリ−ｎ−ブチル・ホスフェート、および、０．２％のオキシエチル化アルキルフェノールを混合する工程と、
（ｂ）前記トリ−ｎ−ブチル・ホスフェートおよび前記オキシエチル化アルキルフェノールを除去するために、前記工程（ａ）の製品にシリカ・ビーズの吸着材料を混合する工程と、
（ｃ）前記製品から前記吸着材料を除去する工程と、
を含む、方法。
【請求項１８】
ウイルスを含んでいる血漿中のウイルスの不活性化の方法であって、
（ａ）前記血漿に、少なくとも１分から１時間、０．００３から０．１５％のトリ−ｎ−ブチル・ホスフェート、および、０．０１から０．５％のオチシエチル化アルキルフェノールを混合する工程と、
（ｂ）前記工程（ａ）の製品に対して血漿の分別を行う工程と、
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月7日(2008.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
図１はヒドロホルミル化法の概略的原理図を示している。冷却されそして攪拌される反応器（１）にオレフィン（２）および合成ガス（３）、水素と一酸化炭素との混合物が供給されている。別の供給ライン（４）は、必要とされる場合に更に触媒を供給するために利用される。ヒドロホルミル化の際に放出される熱は適当な冷却媒体（５ａおよび５ｂ）によって冷やされる。不活性物質の蓄積を制限するために、反応器（１）から排ガス流（６）を取り出す。未反応原料物質、触媒および反応生成物は反応器（１）から搬出されそして第一の後続段階（７）で分離され、そこから排出された触媒（８ａ）が取り出されそして反応器（１）に再循環される。必要な場合には、触媒の一部（８ｂ）は放出されそして後処理および／または再活性化処理段階に導かれる。別の後続段階（９）において、触媒分離後に得られる反応混合物から未反応オレフィンおよび合成ガス並びにオレフィンの水素化によって生じるアルカンが分離されそして反応器に残留ガス（１０）として再び戻され、その際に部分流（１１）は反応系中の不活性物質の蓄積を制限するために、排ガスとして廃棄しなければならない。反応生成物（１２）は後加工段階に供給される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
例えばヨーロッパ特許５８９，４６３号明細書（Ｂ１）は、オレフィン、水素および一酸化炭素（ＣＯ）の間でのヒドロホルミル化反応において生じるアルデヒドのｎ−／イソ−アルデヒド−比を反応系内のＣＯ−分圧の制御によって制御する方法に関する。特許請求の範囲に記載の方法によれば、ＣＯ−分圧の目標値を、系に供給される合成ガス（ＣＯおよび水素の混合物）の流速あるいは系を離れる排ガスの流速を制御することによって反応系において維持している。この公知の方法は最初にＣＯ−分圧の測定値を記録し、次いでＣＯ分圧の設定値と実際の値との差から得られる制御パラメータをもたらしそして最後にこの制御パラメータを流速へ影響させるために利用することを提案している。この場合、系に供給される合成ガスの流速も系を離れる排ガスの流速も再び影響される。この公知の方法によればインプットパラメータ、即ちＣＯ−分圧だけがアウトプットパラメータ、即ち生じるアルデヒドのｎ−／イソ−比と関係している。この場合、維持すべきＣＯ−分圧のレベルはユーザーによって独断で規定される。別の方法パラメータおよび目標パラメータは考慮されていない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
ソビエット特許第１，５２７，２３４号明細書の場合には、プロピレンヒドロホルミル化における合成ガスおよびプロピレンの使用量の制御を、必要量の合成ガスを低く維持する目的で行っている。供給ガスおよび排ガスのその都度の容量が互いにリンクする制御系が説明されている。別の方法パラメータおよび目標パラメータは考慮されていない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
更にＫＮＮの特殊性は、インプットパラメータを目標パラメータにリンクするために必要なアルゴリズムが公知であるべきでなく、ＫＮＮが上記のデータ自体から重要さを導き出すことができることでもある。従ってＫＮＮは、既に存在するデータまたは進行するプロセスの間に測定されそしてＫＮＮに供給されるデータに基づいて調整も、後調整もまたは連続的後調整もできる。従ってＫＮＮは、インプットパラメータまたは方法パラメータとアウトプットパラメータまたはヒドロホルミル化法の目標データとの間の複雑な関係を、該関係を定量的に表現するアルゴリズムに転換する能力を有する。一度得られたアルゴリズムは、インプットパラメータのための新しいデータセットから目標パラメータを予想することを可能とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
不均一２相法に従いプロピレンの連続ヒドロホルミル化を実施する。水に溶解するロジウム触媒のためのリガンドとしてトリス−（フェニル−ｍ−スルホン酸ナトリウム）−ホスフィン（ＴＰＰＴＳ）を役立てる。触媒水溶液中のロジウムの濃度は２５５ｐｐｍであり、リガンド／ロジウム−比は８７／１である。１５日間にわたって平均して以下の結果が得られる：
(1)  反応器温度  [℃]                                    129,2
(2)  循環触媒の温度  [℃]                                129,9
(3)  新鮮ガス＋循環ガスの反応器入口温度  [℃]             99,7
(4)  供給合成ガス(H2+ CO)  [Nm3 ／m3（触媒）・時]         96
(5)  供給プロピレン  [kg ／m3 （触媒）・時]              101,7
(6)  反応器中プロピレン分圧  [MPa]                         2,0
(7)  粗アルデヒドの生産量  [kg ／m3 （触媒）・時]        144,3 
[(3)において、新鮮ガスはヒドロホルミル化反応器に供給される合成ガスとプロピレンとの混合物であり、他方、循環ガスは方法から分離されそして反応器にもどされる、合成ガス、プロピレンおよびアルカンの混合物を意味する；図１）では(10) と番号がふられている;  (4)において Nm3 は標準立方メータである。即ち、標準温度 Tn= 273,15 K および標準圧 Pn= 101 325 Paにおける立方メータである。]
３０分毎に(1)〜(4)並びに(6)および(7)の位置で全部のデータを測定し、７２２の全てのデータをこの様にして集める。運転の中断または運転の不調もこのデータセットに含まれ、プロセスの代表的過程を記録する。７２２のデータセットをＫＮＮ(Neuromodel 2.0; Atlan-tec社、 D 47877 Willich-Munchheide) に供給し、その際に (1) 〜 (4) 並びに(6)の位置でインプットパラメータとして、 (7) の位置でアウトプットパラメータまたは目標パラメータとして規定される。７２２のデータセットによるＫＮＮの調整は、インプットパラメータから目標パラメータを該目標パラメータの値範囲から１．１％の平均誤差で計算することを可能とするアルゴリズムに供給する。図２は目標パラメータについての測定値と計算値との間で、特にプロセスの運転中断を含めて一致していることを実証している。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月3日(2008.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
媒体を給送する媒体給送手段と、
前記媒体給送手段により給送された前記媒体を当接させて分離する分離手段と、を備えた媒体給送装置であって、
前記分離手段における前記媒体給送手段と対向する当接部が、複数のリブで形成され、前記媒体給送手段と対向する前記リブが、他の前記リブより前記媒体給送手段側に配設されることを特徴とする媒体給送装置。
【請求項２】
前記分離手段の幅方向（給送直角方向）両端部の土手高さが、他の部分の土手高さより低いことを特徴とする請求項１に記載の媒体給送装置。
【請求項３】
前記媒体給送手段と対向する前記リブが、前記媒体の撓みを吸収する間隔を有して複数配設されることを特徴とする請求項１〜３に記載の媒体給送装置。
【請求項４】
前記媒体給送手段と対向する前記リブが、前記分離手段の幅方向（給送直角方向）略中央に配設されることを特徴とする請求項１〜４に記載の媒体給送装置。
【請求項５】
媒体に記録する記録装置であって、
請求項１〜４の何れか一項に記載の媒体給送装置を備えたことを特徴とする記録装置。
【請求項６】
被噴射媒体に液体を噴射する液体噴射装置であって、
請求項１〜５の何れか一項に記載の媒体給送装置を備えたことを特徴とする液体噴射装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月25日(2008.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入庫口と出庫口との間を循環移動する無端状搬送チェーン本体に、収納物が載置される多数個の載置ローラが前記搬送チェーン本体の長さ方向に並んで連結された無端状搬送チェーンを有し、且つ、入庫口から入庫された収納物が前記載置ローラ上に載置された状態で載置ローラ上を出庫口側に載置ローラに対して移動されることにより収納物を搬送するとともに、前記搬送チェーンを駆動させることにより前記載置ローラ上に載置された収納物を出庫口側に搬送するものとなされた左右一対の搬送装置と、
前記搬送装置の搬送チェーンを駆動させる駆動機構とを備えていることを特徴とする流動ラック。
【請求項２】
前記搬送チェーンの多数個の載置ローラのうち、少なくとも搬送チェーン本体の長さ方向に間欠的に配置された複数個の載置ローラは、収納物の移動方向に回転し逆方向へは回転しない一方向回転ローラからなる請求項１記載の流動ラック。
【請求項３】
前記駆動機構は、前記搬送チェーンに噛合した搬送スプロケットと、該搬送スプロケットを回転駆動させる駆動軸と、該駆動軸に一方向クラッチを介して取り付けられた駆動スプロケットを有する駆動装置と、を備えるとともに、前記駆動軸を前記駆動装置の駆動スプロケットの回転駆動力によって回転駆動させることにより、前記搬送スプロケットを回転させて前記搬送チェーンを駆動させるものとなされており、
前記駆動装置は、出庫口又はその近傍の位置を初期位置とし該初期位置と出庫口後方側の位置との間を往復移動可能に設けられ、押し操作部を有する移動体と、出庫口後方側に移動された前記移動体を初期位置側に付勢するバネと、を有するとともに、前記押し操作部が押されて移動体が初期位置から出庫口後方側の位置に移動するのに伴い前記駆動スプロケットが正回転駆動される一方、出庫口後方側の位置に移動された前記移動体が前記バネの付勢力によって初期位置に移動するのに伴い前記駆動スプロケットが逆回転駆動されるものとなされており、
前記一方向クラッチは、前記駆動スプロケットが正回転駆動する場合には、前記駆動スプロケットの回転駆動力を前記駆動軸に伝達するものとなされる一方、前記駆動スプロケットが逆回転駆動する場合には、前記駆動スプロケットの回転駆動力を前記駆動軸に伝達しないものとなされている請求項１又は２記載の流動ラック。
【請求項４】
前記駆動機構は、前記搬送チェーンに噛合した搬送スプロケットをモータによって回転駆動させることにより、前記搬送チェーンを駆動させるものとなされている請求項１又は２記載の流動ラック。
【請求項５】
前記搬送チェーンの多数個の載置ローラは、前記搬送チェーン本体に、搬送チェーン本体の左右両側において搬送チェーン本体の長さ方向に並んで回転軸を介して連結されており、
前記各回転軸の、前記左右両載置ローラの左右両側の部分には、載置ローラより小径の支持ローラが、載置ローラとは独立して回転自在に取り付けられ、
上方に開口した断面略コ字状のガイドレールが収納物の搬送方向に延設され、
前記ガイドレールの底面部の左右方向中間部には、上方に突出するとともに収納物の搬送方向に延びた中央レール部が設けられ、
前記ガイドレールの左右両側壁部からなる左右両サイドレール部間に、前記搬送チェーン本体と前記左右両載置ローラとが配置されるとともに、前記左右両支持ローラが前記左右両サイドレール部の上端面上に載置支持され、且つ前記搬送チェーン本体が前記中央レール部上に載置支持されるとともに、この支持状態において前記左右両載置ローラは前記ガイドレールの底面部に対して上方に離間しており、
前記搬送チェーンの駆動に伴い、前記左右両支持ローラが前記左右両サイドレール部の上端面上を収納物の搬送方向に走行するとともに、前記搬送チェーン本体が前記中央レール部上を収納物の搬送方向に摺動しながら移動するものとなされている請求項１〜４のいずれか１項記載の流動ラック。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月16日(2007.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
噴射用のエアゾールバルブがベーパータップを備えたものであるエアゾール容器に充填されてなる容器入りエアゾール型帯電防止剤であって、該容器入りエアゾール型帯電防止剤が、
２５〜４０質量％の水を含有するエタノール溶液と、ポリエチレングリコールとカチオン界面活性剤との混合物を含む帯電防止基剤とを含有する帯電防止剤組成物と、
噴射剤として（Ａ）ジメチルエーテルと（Ｂ）液化石油ガスとの混合ガスを質量比にして（Ａ）：（Ｂ）＝６５：３５〜１００：０の割合で含有し、
該帯電防止剤組成物と噴射剤とが、質量比にして７５：２５〜６０：４０の割合で含まれていることを特徴とする前記容器入りエアゾール型帯電防止剤。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月20日(2007.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イットリアで安定化されたジルコニアを含み、ナトリウムおよび／またはカリウム元素を酸化物に換算した量として１０〜１００ｐｐｍ含有し、水中にスラリー化したときのゼータ電位が＋２０ｍＶ以上であり、かつ等電点のｐＨが９〜１１となるジルコニア粉末。
【請求項２】
粉末Ｘ線測定によるジルコニアの結晶相が単斜晶相率２５％〜５０％であることを特徴とする請求項１記載のジルコニア粉末。
【請求項３】
アルミナを０．１重量％以上含むことを特徴とする請求項１または２記載のジルコニア粉末。
【請求項４】
ＢＥＴ値が５〜１５ｍ２／ｇであり、平均二次凝集径が０．１〜１．５μｍである請求項１〜３のいずれかに記載のジルコニア粉末。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載のジルコニア粉末を造粒してなる、平均粒子径が３０〜９０μｍでかつ粉末の軽装嵩密度が０．７〜１．３ｇ／ｃｍ３のジルコニア粉末顆粒。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明のジルコニア粉末は、イットリアで安定化されたジルコニアを含み、ナトリウムおよび／またはカリウム元素を酸化物に換算した量として１０〜１００ｐｐｍ含有し、水中にスラリー化したときのゼータ電位が＋２０ｍＶ以上であり、かつ等電点のｐＨが９〜１１となるジルコニア粉末である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】