Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月8日(2008.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アロファネート基を含有する放射線硬化性バインダーの製造方法であって、
(Ａ)ウレトジオン基を含有する１またはそれ以上の化合物を、
(Ｂ)化学線への暴露時に重合を伴ってエチレン性不飽和化合物と反応する基を含有する１またはそれ以上のＯＨ官能性化合物、
(Ｃ)任意に、(Ｂ)以外のＮＣＯ反応性の化合物と、
(Ｄ)少なくとも１つの亜鉛化合物を含んで成る触媒の存在下に、
≦１３０℃の温度で反応させて、ウレトジオン環の開環によってアロファネート基を形成させることを含んで成る方法。
【請求項２】
成分(Ｄ)が、アセチルアセトン酸亜鉛および／またはエチルヘキサン酸亜鉛を含んで成る請求項１に記載の方法。
【請求項３】
アロファネート基を含有する放射線硬化性バインダーであって、
(Ａ)ウレトジオン基を含有する１またはそれ以上の化合物を、
(Ｂ)化学線への暴露時に重合を伴ってエチレン性不飽和化合物と反応する基を含有する１またはそれ以上のＯＨ官能性化合物、
(Ｃ)任意に、(Ｂ)以外のＮＣＯ反応性の化合物と、
(Ｄ)少なくとも１つの亜鉛化合物を含んで成る触媒の存在下に、
≦１３０℃の温度で反応させて、ウレトジオン環の開環によってアロファネート基を形成させることを含んで成る方法によって製造される放射線硬化性バインダー。
【請求項４】
下記の成分を含んで成る被覆組成物：
(ａ)請求項３に記載のアロファネート基を含有する１またはそれ以上の放射線硬化性バインダー；
(ｂ)任意に、遊離またはブロック化イソシアネート基を含有する１またはそれ以上のポリイソシアネートであって、化学線への暴露時に重合を伴ってエチレン性不飽和化合物と反応する基を含有しないポリイソシアネート；
(ｃ)任意に、(ａ)以外の化合物であって、化学線への暴露時に重合を伴ってエチレン性不飽和化合物と反応する基を含有し、遊離またはブロック化ＮＣＯ基を任意に含有する化合物；
(ｄ)任意に、１またはそれ以上のイソシアネート反応性の化合物；
(ｅ)１またはそれ以上の開始剤；および
(ｆ)任意に溶媒。
【請求項５】
請求項３に記載のアロファネート基を含有する放射線硬化性バインダーから得られる被覆剤で被覆された支持体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
本発明を例示の目的で上に詳しく説明したが、この説明は、該目的のためだけのものであり、特許請求の範囲によって限定される以外は、本発明の思想および範囲から逸脱することなく、当業者によってそれに変更を加えうることを理解すべきである。
本発明の対象およびその好ましい態様を列挙すれば、以下の通りである：
１．アロファネート基を含有する放射線硬化性バインダーの製造方法であって、
(Ａ)ウレトジオン基を含有する１またはそれ以上の化合物を、
(Ｂ)化学線への暴露時に重合を伴ってエチレン性不飽和化合物と反応する基を含有する１またはそれ以上のＯＨ官能性化合物、
(Ｃ)任意に、(Ｂ)以外のＮＣＯ反応性の化合物と、
(Ｄ)少なくとも１つの亜鉛化合物を含んで成る触媒の存在下に、
≦１３０℃の温度で反応させて、ウレトジオン環の開環によってアロファネート基を形成させることを含んで成る方法；
２．ウレトジオン基を含有する化合物を、ヘキサメチレンジイソシアネートから製造する上記１に記載の方法；
３．成分(Ｂ)が、２-ヒドロキシエチルアクリレートおよび／または４-ヒドロキシブチルアクリレートを含んで成る上記１に記載の方法；
４．成分(Ｂ)が、２-ヒドロキシエチルアクリレートおよび／または４-ヒドロキシブチルアクリレートを含んで成る上記２に記載の方法；
５．成分(Ｄ)が、実質的に、亜鉛化合物から成る上記１に記載の方法；
６．成分(Ｄ)が、アセチルアセトン酸亜鉛および／またはエチルヘキサン酸亜鉛を含んで成る上記１に記載の方法；
７．成分(Ｄ)が、アセチルアセトン酸亜鉛および／またはエチルヘキサン酸亜鉛を含んで成る上記２に記載の方法；
８．成分(Ｄ)が、アセチルアセトン酸亜鉛および／またはエチルヘキサン酸亜鉛を含んで成る上記３に記載の方法；
９．成分(Ｄ)が、アセチルアセトン酸亜鉛および／またはエチルヘキサン酸亜鉛を含んで成る上記４に記載の方法；
１０．反応を４０〜１００℃の温度で行なう上記１に記載の方法；
１１．アロファネート基を含有する放射線硬化性バインダーであって、
(Ａ)ウレトジオン基を含有する１またはそれ以上の化合物を、
(Ｂ)化学線への暴露時に重合を伴ってエチレン性不飽和化合物と反応する基を含有する１またはそれ以上のＯＨ官能性化合物、
(Ｃ)任意に、(Ｂ)以外のＮＣＯ反応性の化合物と、
(Ｄ)少なくとも１つの亜鉛化合物を含んで成る触媒の存在下に、
≦１３０℃の温度で反応させて、ウレトジオン環の開環によってアロファネート基を形成させることを含んで成る方法によって製造される放射線硬化性バインダー；
１２．ウレトジオン基を含有する化合物を、ヘキサメチレンジイソシアネートから製造する上記１１に記載の放射線硬化性バインダー；
１３．成分(Ｂ)が、２-ヒドロキシエチルアクリレートおよび／または４-ヒドロキシブチルアクリレートを含んで成る上記１１に記載の放射線硬化性バインダー；
１４．成分(Ｂ)が、２-ヒドロキシエチルアクリレートおよび／または４-ヒドロキシブチルアクリレートを含んで成る上記１２に記載の放射線硬化性バインダー；
１５．成分(Ｄ)が、アセチルアセトン酸亜鉛および／またはエチルヘキサン酸亜鉛を含んで成る上記１１に記載の放射線硬化性バインダー；
１６．成分(Ｄ)が、アセチルアセトン酸亜鉛および／またはエチルヘキサン酸亜鉛を含んで成る上記１２に記載の放射線硬化性バインダー；
１７．成分(Ｄ)が、アセチルアセトン酸亜鉛および／またはエチルヘキサン酸亜鉛を含んで成る上記１３に記載の放射線硬化性バインダー；
１８．成分(Ｄ)が、アセチルアセトン酸亜鉛および／またはエチルヘキサン酸亜鉛を含んで成る上記１４に記載の放射線硬化性バインダー；
１９．下記の成分を含んで成る被覆組成物：
(ａ)上記１１に記載のアロファネート基を含有する１またはそれ以上の放射線硬化性バインダー；
(ｂ)任意に、遊離またはブロック化イソシアネート基を含有する１またはそれ以上のポリイソシアネートであって、化学線への暴露時に重合を伴ってエチレン性不飽和化合物と反応する基を含有しないポリイソシアネート；
(ｃ)任意に、(ａ)以外の化合物であって、化学線への暴露時に重合を伴ってエチレン性不飽和化合物と反応する基を含有し、遊離またはブロック化ＮＣＯ基を任意に含有する化合物；
(ｄ)任意に、１またはそれ以上のイソシアネート反応性の化合物；
(ｅ)１またはそれ以上の開始剤；および
(ｆ)任意に溶媒；
２０．上記１１に記載のアロファネート基を含有する放射線硬化性バインダーから得られる被覆剤で被覆された支持体。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月5日(2008.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａ）０．１〜２０質量％のブロックトイソシアネート基含有量（NCOとして計算）を有し、
ｉ）５〜６０質量％の遊離イソシアネート基含有量を有する芳香族、脂肪族、芳香脂肪族及び／又は脂環式ジイソシアネート少なくとも１種、
ii）少なくとも１つのポリエステルポリオール及び／又は少なくとも１つのポリエーテルポリオール及び／又は少なくとも１つのポリカーボネートポリオールを含むポリオール成分、
iii）ブロック剤としての、式（Ｉ）：
【化１】
2006097018.tif 000001
［式中、Ｘは電子吸引性基であり、
Ｒ１およびＲ２は、相互に独立に、水素、Ｃ１−Ｃ２０（シクロ）アルキル、Ｃ６−Ｃ２４アリール、Ｃ１−Ｃ２０（シクロ）アルキルエステル又はアミド、Ｃ６−Ｃ２４アリールエステル又はアミド、４〜８員環の部分であってもよい１〜２４個の炭素原子を有する混合脂肪族／芳香族基であり、
ｎは０〜５の整数である。］
で示されるＣＨ酸性環式ケトン
から生成された、１種以上のブロックトポリウレタンプレポリマー、及び
Ｂ）ＯＨ成分がβ−位アミン成分により活性化を受ける、１種以上のＯＨ官能性化合物
を含んでなる反応性組成物。
【請求項２】
成分ｉ）が、１，６−ジイソシアナトヘキサン（ＨＤＩ）、１−イソシアナト−３，３，５−トリメチル−５−イソシアナトメチルシクロヘキサン（イソホロンジイソシアネート、ＩＰＤＩ），４，４’−ジイソシアナトジシクロヘキシルメタン、２，４−及び／又は２，６−ジイソシアナトトルエン（ＴＤＩ）、若しくは２，２’−、２，４’−及び／又は４，４’−ジイソシアナトジフェニルメタン（ＭＤＩ）を含む請求項１に記載の反応性組成物。
【請求項３】
成分iii）が、シクロペンタノン−２−カルボキシメチルエステル、シクロペンタノン−２−カルボキシエチルエステル、シクロペンタノン−２−カルボン酸ニトリル、シクロヘキサノン−２−カルボキシメチルエステル、シクロヘキサノン−２−カルボキシエチルエステル又はシクロペンタノン−２−カルボニルメチルを含む請求項１または２に記載の反応性組成物。
【請求項４】
ポリウレタンプレポリマーＡ）が、０．１〜１５．６質量％のブロックトイソシアネート基含有量を有する請求項１に記載の反応性組成物。
【請求項５】
成分Ｂ）が、エタノールアミン、メチルエタノールアミン、ジメチルエタノールアミン、ジエタノールアミン、メチルジエタノールアミン又は多官能性アミノエタノールである請求項１〜４のいずれかに記載の反応性組成物。
【請求項６】
成分Ｂ）が、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）エチレンジアミン及び／又はＮ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）アミンである請求項１〜４のいずれかに記載の反応性組成物。
【請求項７】
各ブロックトイソシアネート基及び任意の遊離イソシアネート基につき０．６〜１．４個のイソシアネート反応性基が存在するような量で、ブロックトポリウレタンプレポリマーＡ）をＯＨ官能性化合物Ｂ）と反応させることを含んでなる、請求項１に記載の反応性組成物の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれかに記載の反応性組成物により結合された２つの被着材を含んでなる複合システム。
【請求項９】
被着材が、金属、プラスチック、ガラス、木、皮革又は繊維製品である請求項８に記載の複合システム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月18日(2008.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
繊維径が５〜５００ｎｍ、平均繊維径が７０〜１４０ｎｍ、かさ密度が０．０４〜０．１ｇ／ｃｍ3である気相法炭素繊維を溶融マトリックス樹脂に溶融混合してなることを特徴とする導電性樹脂組成物。
【請求項２】
気相法炭素繊維が、繊維径が５〜５００ｎｍの気相法炭素繊維生成物を圧縮成形し、不活性ガス雰囲気下、１０００℃以上の温度で熱処理した後、かさ密度が０．０４〜０．１ｇ／ｃｍ3となるように解砕してなるものである請求項１に記載の導電性樹脂組成物。
【請求項３】
気相法炭素繊維のアスペクト比が５０〜１０００である請求項１または２に記載の導電性樹脂組成物。
【請求項４】
気相法炭素繊維の含有量が３〜７０質量％である請求項１〜３のいずれかに記載の導電性樹脂組成物。
【請求項５】
マトリックス樹脂が、熱可塑性合成樹脂及び熱硬化性合成樹脂の少なくとも１種である請求項１〜４のいずれかに記載の導電性樹脂組成物。
【請求項６】
溶融混合による気相法炭素繊維の破断が２０％以下である請求項１〜５のいずれかに記載の導電性樹脂組成物。
【請求項７】
気相法炭素繊維の含有量が５質量％以下であって、体積固有抵抗値が１×１０7Ωｃｍ以下である請求項１〜６のいずれかに記載の導電性樹脂組成物。
【請求項８】
マトリックス樹脂に気相法炭素繊維を溶融混合する請求項１〜７のいずれかに記載の導電性樹脂組成物の製造方法であって、溶融混合時における前記気相法炭素繊維の破断を２０％以下に抑えることを特徴とする導電性樹脂組成物の製造方法。
【請求項９】
溶融混合が、同方向２軸押出機または加圧ニーダーにより行われる請求項８に記載の導電性樹脂組成物の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜７のいずれかに記載の導電性樹脂組成物を用いた合成樹脂成形体。
【請求項１１】
請求項１〜７のいずれかに記載の導電性樹脂組成物を用いた電気・電子部品用容器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明で用いる気相法炭素繊維は、繊維径が５〜５００ｎｍ、好ましくは５〜２００ｎｍであり、かさ密度が０．０４〜０．１ｇ／ｃｍ3、好ましくは０．０４〜０．０８ｇ／ｃｍ3の範囲に調整されたものである。かさ密度が０．０４ｇ／ｃｍ3未満だと、樹脂複合材としたときの導電性が十分に向上せず、０．１ｇ／ｃｍ3を超えると凝集塊を粉砕するために高せん断力が必要となり、その結果、繊維を破断してしまい、むしろ導電性が低下する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月8日(2008.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する第１基板と第２基板との間に液晶が挟持され、該液晶の前記第１基板側に設けられた第１の偏光層と、前記液晶の第２基板側に設けられた反射偏光層とを備えた液晶パネルと、前記液晶パネルの外面側に設けられた照明装置とを備え、透過モードと反射モードの切替により表示を行う半透過反射型の液晶表示装置であって、
前記反射偏光層が、透過軸と該透過軸に直交する反射軸を有し、入射する光の前記反射軸に平行な成分の一部を反射し、一部を透過する半透過反射型の反射偏光層とされ、
前記反射偏光層の前記液晶とは反対側に、第２の偏光層が設けられており、
前記第２の偏光層の外側に、反射偏光板を備えたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記反射偏光層の、反射軸に平行な光の透過率が、２０％以上７０％以下とされたことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記反射偏光層の、反射軸に平行な光の透過率が、３０％以上５０％以下とされたことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記反射偏光層の透過軸と、前記第２の偏光層の透過軸との成す角度が、６０度以上１２０度以下とされたことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第２の偏光層の透過軸と前記反射偏光板の透過軸との成す角度が、−３０度以上３０度以下の範囲であることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記反射偏光層が、プリズム形状を成す誘電体干渉膜を積層した構造とされたことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記反射偏光層の光透過率が、前記誘電体干渉膜の積層数により制御可能とされたことを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記反射偏光層が、金属反射膜に微細なスリット状の開口部を設けた構成とされたことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記反射偏光層の光透過率が、前記金属反射膜の膜厚により制御可能とされたことを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の液晶表示装置 
を備えたことを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記の目的を達成するために、本発明の液晶表示装置は、互いに対向する第１基板と第２基板との間に液晶が挟持され、該液晶の前記第１基板側に設けられた第１の偏光層と、前記液晶の第２基板側に設けられた反射偏光層とを備えた液晶パネルと、前記液晶パネルの外面側に設けられた照明装置とを備え、透過モードと反射モードの切替により表示を行う半透過反射型の液晶表示装置であって、前記反射偏光層が、透過軸と該透過軸に直交する反射軸を有し、入射する光の前記反射軸に平行な成分の一部を反射し、一部を透過する半透過反射型の反射偏光層とされ、前記反射偏光層の前記液晶とは反対側に、第２の偏光層が設けられており、前記第２の偏光層の外側に、反射偏光板を備えたことを特徴とする。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年2月29日(2008.2.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースコート組成物および第二コーティング組成物を含む、放射線硬化可能かつ除去可能である、多層コーティング組成物であって、
当該ベースコート組成物は多段エマルジョンポリマーを含み、および当該ベースコート組成物は、１以上の化学ストリッピング剤と反応して、基体からのコーティングの除去を行う化学的に反応性の官能基をコーティング中に含み、
当該多段エマルジョンポリマーのシェルは、重合単位としてカルボン酸官能基を有する１以上のコモノマーを含むカルボン酸含有エマルジョンポリマーを含み、および
当該多段エマルジョンポリマーは、酸基の当量を基準にして、５〜８０％の多価金属イオンをさらに含み、および
当該第二コーティング組成物は、重合単位として１以上のモノエチレン性不飽和モノエポキシドを含むアクリルベースのポリマー生成物を含む、放射線硬化可能な組成物である、
多層コーティング組成物。
【請求項２】
ＵＶ硬化可能、除去可能な組成物が、基体上に施用された１以上の層中に含まれる請求項１記載のコーティング組成物。
【請求項３】
基体が、その上にコーティングが施用される垂直、水平または傾斜した任意の表面であり、床、壁、天井、タイル材、ビニル製フロアタイル、シーラーまたはプライマーでコートされたタイル、セラミックタイル、木材、金属、コンクリート、大理石、スレートおよび模造天然石から選択される請求項２記載のコーティング組成物。
【請求項４】
ＵＶ硬化し、高度に架橋したコーティングを基体に施用し、ここで、当該コーティングが請求項１のコーティング組成物を含み、および続いて全てのコーティング層を基体から除去する方法であって：
（ａ）前記ベースコート組成物の１以上の層を施用し、および次いで前記第二コーティング組成物の１以上の層を施用し；
（ｂ）組成物を紫外線に暴露することにより組成物を硬化させて、高度に架橋したコーティングを基体上に形成し；並びに
（ｃ）コーティングを１以上の化学ストリッピング剤に暴露することによりすべてのコーティング層を基体から除去する工程を含む方法。
【請求項５】
基体が、その上にコーティングが施用される垂直、水平または傾斜した任意の表面であり、床、壁、天井、タイル材、ビニル製フロアタイル、シーラーまたはプライマーでコートされたタイル、セラミックタイル、木材、金属、コンクリート、大理石、スレートおよび模造天然石からなる群から選択される請求項４記載の方法。
【請求項６】
カルボン酸官能基を有する前記コノモマーが、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、フマル酸、シトラコン酸およびこれらの混合物からなる群から選択される請求項１記載のコーティング組成物。
【請求項７】
カルボン酸官能基を有する前記コモノマーが、アクリル酸、メタクリル酸、およびこれらの混合物からなる群から選択される請求項６記載のコーティング組成物。
【請求項８】
前記多段エマルジョンポリマーが高度に架橋したコアをさらに含み、および前記シェルが多官能性モノマーと反応されて、残存するエチレン性不飽和基を有する後官能化されたシェルを提供する、請求項１に記載のコーティング組成物。
【請求項９】
前記多官能性モノマーがグリシジルメタクリレートである、請求項８記載のコーティング組成物。
【請求項１０】
前記多価金属イオンが、亜鉛、カルシウム、マグネシウムおよびジルコニウムからなる群から選択される１以上の多価金属イオンである、請求項１のコーティング組成物。
【請求項１１】
前記多価金属イオンの量が、前記多段エマルジョンポリマーにおける酸基の当量を基準にして、２０〜７５％である、請求項１記載のコーティング組成物。
【請求項１２】
前記化学ストリッピング剤がアンモニアまたはアミンを含む、請求項１記載のコーティング組成物。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
本発明のポリマーは、米国特許第５，３０６，７４４号および第５，４０９，９７１号に記載されているような少なくとも２つの互いに不相溶性のコポリマーから構成される多段ラテックス粒子である。結果として得られるポリマーは多官能性である。多官能性ポリマーとは、複数のエチレン性不飽和基と複数の化学的に反応性の基を有するポリマーを意味する。本明細書において用いられる「ラテックス」とは、たとえば乳化重合などの従来の重合技術により調製することができる水不溶性ポリマーの分散液を意味する。これらの相互に不相溶性のコポリマーは次のような形態構造において存在し得る：たとえば、コア／シェル、シェル段がコアを不完全に封入するコア／シェル粒子、複数のコアを有するコア／シェル粒子、複数のシェルを有するコア／シェル粒子、相互侵入綱目粒子など。これらの場合すべてにおいて、粒子の表面積の大部分は少なくとも１つの外段（ｏｕｔｅｒ  ｓｔａｇｅ）により占められ、粒子の内部は少なくとも１つの内段（ｉｎｎｅｒ  ｓｔａｇｅ）により占められる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
除去可能な放射線硬化可能なコーティングは、好ましくは高度に架橋したコアまたは第一段およびアルカリ可溶性ポリマーシェルまたは残存するエチレン性不飽和基を有する第二段を含む多段エマルジョンポリマーを含む。別の態様において、除去可能な放射線硬化可能なコーティングは、高度に架橋したコアまたは第一段および多官能性モノマーとその後反応して、残存するエチレン性不飽和基を有する後官能化されたシェルを提供するアルカリ可溶性ポリマーシェルを含む多段エマルジョンポリマーを含む。
【手続補正書】
【提出日】平成19年6月25日(2007.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ．  Ｂｅを含んだII - VI族半導体からなるｎ型の導電型を有する第１のクラッド層と、
ｂ．  第１のクラッド層の上に重なるII - VI族半導体からなる第１のガイド層と、
ｃ． 第１のガイド層の上に重なるII - VI族半導体からなる活性層と、
ｄ．  活性層の上に重なるII - VI族半導体からなる第２のガイド層と、
ｅ．  第２のガイド層の上に重なるＢｅを含んだII - VI族半導体からなるｐ型の導電型を有する第２のクラッド層と、
ｆ．  第２のクラッド層に電気的に結合している、Ｂｅを含んだｐ型オーミックコンタクトとを含み、かつ
活性層が、ガイド層のバンドギャップエネルギーよりも少なくとも２００ｍｅＶは小さい光学遷移エネルギーを有し、そして
クラッド層が、クラッド層とガイド層との間で光の閉じ込めを行うのに適当な屈折率の差を提供するのに十分なガイド層のバンドギャップエネルギーよりも少なくとも５０ｍｅＶは大きいバンドギャップエネルギーを有しているII - VI族化合物半導体レーザダイオード。
【請求項２】
ｐ型オーミックコンタクトがディジタル的にグレーディングされた層を含む請求項１に記載のII - VI族化合物半導体レーザダイオード。
【請求項３】
第１のクラッド層が、Ｂｅx Ｍｇy Ｚｎ1-x-y Ｓｅからなり、ここで、０＜ｘ≦１、かつ、０≦ｙ≦１であり、そして第２のクラッド層が、Ｂｅx Ｍｇy Ｚｎ1-x-y Ｓｅからなり、ここで、０＜ｘ≦１、かつ、０≦ｙ≦１である請求項１に記載のII - VI族化合物半導体レーザダイオード。
【請求項４】
第１のガイド層がＢｅx Ｚｎ1-x Ｓｅ（０＜ｘ≦１）からなり、かつ第２のガイド層がＢｅx Ｚｎ1-x Ｓｅ（０＜ｘ≦１）からなる請求項１〜３のいずれか１項に記載のII - VI族化合物半導体レーザダイオード。
【請求項５】
活性層が、ＣｄＺｎＳｅからなる請求項１に記載のII - VI族化合物半導体レーザダイオード。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2007324607.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月28日(2008.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
図１において、リングネットワーク１００は４台のスイッチ１０とスイッチ間を接続するリンク（回線）３０とで構成されている。リングネットワーク１００のマスターノードであるスイッチ１０−１は、定期的にポート４０−１２からヘルスチェックフレーム（図中ＨＣと表示）を送出する。リングを形成するスイッチ１０はこのヘルスチェックフレームを隣接する他のスイッチ１０に時計回りに転送し、最終的にはスイッチ１０−１のポート４０−１４で受信する。ここで、スイッチ１０−１のポート４０−１４は、ループの発生を防ぐためにＢＬＫ（Block）状態にあり、ヘルスチェックフレームのみ受信可能である。ＢＬＫ状態のポート４０−１４は、ヘルスチェックフレームの受信を除いて送受信不可状態（図中●で示す）である。なお、スイッチ１０−１のポート４０−１２は、ＦＷＤ（Forward）状態にあり、送受信許可状態（図中○で示す）である。また、マスターノード以外のスイッチ１０−２〜１０−４をトランジットノードと呼ぶ。トランジットノードのリングを形成する２つの図示しないポートは何れもＦＷＤ状態である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
図７において、ネットワーク２００は、サーバ５０とルータ６０とスイッチ１０−１１とがこの順序で直線状に配置されている。また、スイッチ１０−１１のポート４０−１には端末２０−１１が、スイッチ１０−１１のポート４０−２には端末２０−１２が、接続されている。ルータ６０が、グループ参加問合せメッセージ（Query Frame、図中ＱＲＹ１と表示）を下流へと送信する。スイッチ１０−１１は、この時点でのＦＤＢ７０（図６）が空白なので、フラッディングして、ＱＲＹ１を端末２０−１１および端末２０−１２に転送する。ここでは、端末２０−１２のみがＱＲＹ１に対するグループ参加メッセージ（Report、図中ＲＰ１と表示）をルータ６０宛に送信する。スイッチ１０−１１は、ＲＰ１を受信する。スイッチ１０−１１は、受信したＲＰ１に格納されているマルチキャストグループのＭＡＣアドレス（ＭＡＣ＿ＭＧ１とする）をＦＤＢ７０の宛先ＭＡＣアドレス７１に書き込み、出力ポート７２にはＲＰ１を受信したポート番号（４０−２とする）を書き込む。図８が、スヌーピング後のＦＤＢ７０である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
以下本発明の実施の形態について、実施例を用いて図面を参照しながら説明する。なお、同じ構成要素は同じ参照番号を振り、説明は繰り返さない。
まず、リングを形成するスイッチにＩＧＭＰ/ＭＬＤスヌーピング適用する際の課題に付いて、図１０ないし図１４を用いて説明する。ここで、図１０は正常時のＩＧＭＰ/ＭＬＤスヌーピングを適用されたリングネットワークを説明するブロック図である。図１１はスヌーピング済みの各スイッチのＦＤＢを説明する図である。図１２は障害発生直後のＩＧＭＰ/ＭＬＤスヌーピングを適用されたリングネットワークを説明するブロック図である。図１３はフラッシュされた各スイッチのＦＤＢを説明する図である。図１４は各端末の受信期間を説明するタイミングチャートである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
マスターノードであるスイッチ１０−１は、自身が送出したヘルスチェックフレームを受信することで、リングネットワーク１００が健全であることを把握する。逆に、予め定めた時間内にヘルスチェックフレームを受信しないことで、リングネットワーク３００に障害があることを把握する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
図１９を用いて、ネットワーク３００を構成する機器と端末の動作を再度説明する。図１９において、マスタノードであるスイッチがＨＣの受信が遅れたことからリングの障害を検出する（Ｓ１１）。マスターノードのスイッチは、リングポートの送受信状態を変更し（Ｓ１２）、双方向にＦＤＢフラッシュフレームを送信する（Ｓ１３）。ＦＤＢフラッシュフレームを受信した各スイッチは、ＦＤＢをフラッシュする（Ｓ１４）。マスタノードのスイッチも、ＦＤＢをフラッシュする（Ｓ１５）。ＦＤＢフラッシュフレームを受信したマルチキャスト配信上流スイッチは、受信者探索メッセージ（ＱＲＹ１）を下流に送信する（Ｓ１６）。ＱＲＹ１を受信した参加希望の端末２０はＲＰ１をマルチキャスト配信上流スイッチに送信する（Ｓ１７）。ＲＰ１の送信経路のスイッチ１０は、ＩＧＭＰ／ＭＬＤスヌーピングにより、ＦＤＢにエントリを生成する（Ｓ１８）。ステップ１５で参加希望が無かった場合、ルータ６０が配信を停止する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
【図１】正常時のリングネットワークを説明するブロック図である。
【図２】障害発生直後のリングネットワークを説明するブロック図である。
【図３】障害が継続、通信再開時のリングネットワークを説明するブロック図である。
【図４】障害復旧直後のリングネットワークを説明するブロック図である。
【図５】リンクの切戻しを説明するリングネットワークブロック図である。
【図６】スヌーピング前のＦＤＢを説明する図である。
【図７】ＩＧＭＰ/ＭＬＤスヌーピングを説明するネットワークのブロック図である。
【図８】スヌーピング後のＦＤＢを説明する図である。
【図９】ＩＧＭＰ/ＭＬＤスヌーピングを説明するネットワークのブロック図である。
【図１０】正常時のＩＧＭＰ/ＭＬＤスヌーピング適用されたリングネットワークを説明するブロック図である。
【図１１】スヌーピング済みの各スイッチのＦＤＢを説明する図である。
【図１２】障害発生直後のＩＧＭＰ/ＭＬＤスヌーピング適用されたリングネットワークを説明するブロック図である。
【図１３】フラッシュされた各スイッチのＦＤＢを説明する図である。
【図１４】各端末の受信期間を説明するタイミングチャートである。
【図１５】マスターノードが障害発生を検出した後の動作を説明するネットワークのブロック図である。
【図１６】ルータを接続されたスイッチの動作を説明するネットワークのブロック図である。
【図１７】各スイッチのＩＧＭＰ／ＭＬＤスヌーピングを実行後のＦＤＢである。
【図１８】ＤＦＭＧ１の配信を説明するネットワークのブロック図である。
【図１９】ネットワークの各スイッチの動作を説明するフローチャートである。
【図２０】各端末の受信期間を説明するタイミングチャートである。
【図２１】スイッチの機能ブロック図である。
【図２２】ルータが接続されたスイッチの動作を説明するフローチャートである。
【図２３】スイッチの動作を説明するフローチャートである。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月21日(2007.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材微粒子の表面に、導電性物質を用いて構成されている粒子状の芯物質を有し、前記基材微粒子及び前記芯物質がメッキ被膜により被覆されており、前記芯物質が被覆されていることによって、前記メッキ被膜の表面が隆起した複数の突起を有することを特徴とする、導電性微粒子。
【請求項２】
前記基材微粒子の表面に存在する前記芯物質の少なくとも８０％以上が、前記基材微粒子に接触又は前記基材微粒子から５ｎｍ以内の距離に存在することを特徴とする、請求項１記載の導電性微粒子。
【請求項３】
前記メッキ被膜の最外側表面が金層であることを特徴とする、請求項１または２に記載の導電性微粒子。
【請求項４】
前記芯物質は、少なくとも１種以上の金属を用いて構成されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電性微粒子。
【請求項５】
前記基材微粒子は、樹脂微粒子であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電性微粒子。
【請求項６】
前記隆起した突起部分の平均高さが、導電性微粒子の平均粒子径の０．５％以上であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電性微粒子。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の導電性微粒子が樹脂バインダーに分散されていることを特徴とする、異方性導電材料。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月21日(2008.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器と、前記真空容器内に配置され被処理体を載置する電極と、前記真空容器内にガスを導入しながら排気するガス導排気手段と、前記電極に高周波電力を印加する高周波電源と、前記真空処理装置内かつ前記電極の側方に配置されるインナチャンバと、前記真空処理装置内かつ前記インナチャンバの上方に配置されるスペーサチャンバとで構成されるプラズマ処理装置であって、
前記インナチャンバはアルミニウムで形成されており、前記インナチャンバと前記スペーサチャンバの内壁面は５０μｍ以上１００μｍ以下の厚みのアルミナ溶射膜が形成され、かつ、前記インナチャンバと前記スペーサチャンバの内壁面のうち前記真空容器内のほかの部材と近接している箇所には更にアルマイト処理が施されていること
を特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記インナチャンバのうちアルマイト処理が施された箇所の厚みは、０．１ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記インナチャンバは被処理体の取出口を具備しており、前記取出口の寸法は、前記被処理体を移載する経路よりも小さいことを特徴とする請求項１または２にプラズマ処理装置。
【請求項４】
真空容器内にガスを導入しながら排気し、前記真空容器内に配設され、かつ、貴金属膜が形成された被処理体を載置する電極に高周波電力を印加することで、前記真空容器内にプラズマを発生させ前記被処理体を処理するプラズマ処理方法であって、
前記真空処理装置内かつ前記電極の側方にアルミニウムで形成されたインナチャンバが配設されると共に、前記真空処理装置内かつ前記インナチャンバの上方にスペーサチャンバが配置され、かつ、前記インナチャンバと前記スペーサチャンバの内壁面は５０μｍ以上１００μｍ以下のアルミナ溶射膜が形成され、前記インナチャンバと前記スペーサチャンバの内壁面のうち前記真空容器内のほかの部材と近接している箇所には更にアルマイト処理が施された状態で、アルミナ溶射膜に貴金属を付着させた後、前記被処理体を処理すること
を特徴とするプラズマ処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するために、本願発明のプラズマ処理装置は、真空容器と、前記真空容器内に配置され被処理体を載置する電極と、前記真空容器内にガスを導入しながら排気するガス導排気手段と、前記電極に高周波電力を印加する高周波電源と、前記真空処理装置内かつ前記電極の側方に配置されるインナチャンバと、前記真空処理装置内かつ前記インナチャンバの上方に配置されるスペーサチャンバとで構成されるプラズマ処理装置であって、前記インナチャンバはアルミニウムで形成されており、前記インナチャンバと前記スペーサチャンバの内壁面は５０μｍ以上１００μｍ以下の厚みのアルミナ溶射膜が形成され、かつ、前記インナチャンバと前記スペーサチャンバの内壁面のうち前記真空容器内のほかの部材と近接している箇所には更にアルマイト処理が施されていることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本願発明のプラズマ処理方法は、真空容器内にガスを導入しながら排気し、前記真空容器内に配設され、かつ、貴金属膜が形成された被処理体を載置する電極に高周波電力を印加することで、前記真空容器内にプラズマを発生させ前記被処理体を処理するプラズマ処理方法であって、前記真空処理装置内かつ前記電極の側方にアルミニウムで形成されたインナチャンバが配設されると共に、前記真空処理装置内かつ前記インナチャンバの上方にスペーサチャンバが配置され、かつ、前記インナチャンバと前記スペーサチャンバの内壁面は５０μｍ以上１００μｍ以下のアルミナ溶射膜が形成され、前記インナチャンバと前記スペーサチャンバの内壁面のうち前記真空容器内のほかの部材と近接している箇所には更にアルマイト処理が施された状態で、アルミナ溶射膜に貴金属を付着させた後、前記被処理体を処理することを特徴とする。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年2月27日(2008.2.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ニッケル／クロムの重量比が０．０８と０．２５の間にあることを特徴とするフッ化アルミニウムまたはフッ化アルミニウムとアルミナとの混合物からなる担体に担持された一種または複数のニッケルとクロムの酸化物、ハロゲン化物および／またはオキシハロゲン化物を含有する混合フッ素化触媒。
【請求項２】  ニッケル／クロムの重量比が０．１と０．２の間にあることを特徴とする請求項１に記載の触媒。
【請求項３】  重量で０．１〜６％のニッケル塩と１〜２０％のクロム塩とを含有することを特徴とする請求項１と２のどちらかに記載の触媒。
【請求項４】  重量で０．３５〜４．５％のニッケル塩と３〜１６％のクロム塩とを含有することを特徴とする請求項３に記載の触媒。
【請求項５】  重量で１〜２％のニッケル塩と６〜１２％のクロム塩とを含有することを特徴とする請求項３に記載の触媒。
【請求項６】  請求項１から５のいずれか一項に記載の触媒を使用してフッ化水素酸により気相でハロゲン化炭化水素をフッ素化する方法。
【請求項７】  上記ハロゲン化炭化水素がＣＨＣｌ３、ＣＣｌ２＝ＣＨＣｌ、ＣＨＣｌ２−ＣＣｌＦ２、ＣＨ２Ｃｌ−ＣＦ３、ＣＨ３−ＣＣｌ２−ＣＨ３、ＣＣｌ３−ＣＦ２−ＣＨ３、ＣＣｌ３−ＣＦ２−ＣＨＣｌ２、ＣＣｌ３−ＣＦ２−ＣＨ２Ｃｌ、ＣＨＣｌ２−ＣＨＣｌ−ＣＨ３、ＣＨ２Ｃｌ−ＣＨＣｌ−ＣＨ３、ＣＣｌ２＝ＣＣｌ２、ＣＦ３−ＣＨ＝ＣＨＦ、ＣＨ２Ｃｌ２、ＣＨ２ＣｌＦ、ＣＣｌ２＝ＣＨ−ＣＣｌ２Ｈ、ＣＣｌ３−ＣＨ＝ＣＨＣｌ、ＣＨＣｌ２−ＣＣｌ２Ｆ、ＣＨＣｌ２−ＣＦ３、ＣＨＦＣｌ−ＣＦ３、ＣＨ２Ｃｌ２、ＣＨ２ＣｌＦ、ＣＨＦ２ＣｌまたはＣＨＦＣｌ２から選択されることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】  １，１，１，２−テトラフルオロエタン（Ｆ１３４ａ）が１−クロロ−２，２，２−トリフルオロエタン（Ｆ１３３ａ）から調製されることを特徴とする請求項６と７のどちらかに記載の方法。
【請求項９】  温度が５０℃と５００℃の間にあることを特徴とする請求項６から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】  温度が３００℃と５００℃の間にあることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】  接触時間が３秒と１００秒の間にあることを特徴とする請求項６から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】  接触時間が５秒と３０秒の間にあることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】  「ＨＦ／原料ハロゲン化炭化水素」モル比が１と２０の間にあることを特徴とする請求項６から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】  「ＨＦ／原料ハロゲン化炭化水素」モル比が２と１０の間にあることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】  運転圧力が１絶対バールと２０絶対バールの間にあることを特徴とする請求項６から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】  運転圧力が５バールと１６バールの間にあることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】  上記フッ素化反応が、酸素の存在下、「Ｏ２／原料ハロゲン化炭化水素」比が０．００１モル％と１０モル％の間で行われることを特徴とする請求項６から１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】  「Ｏ２／原料ハロゲン化炭化水素」比が０．５モル％と５モル％の間であることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
上記の操作中、触媒前駆体（ニッケルとクロムのハロゲン化物、クロム酸塩、重クロム酸ニッケル、酸化クロム）は、対応するフッ化物および／またはオキシフッ化物に変わり、その結果、水および／または塩化水素酸が放出される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４４】
運転圧力は、１絶対バールと２０絶対バールの間（０．１〜２ＭＰａ）、好ましくは５バールと１６バールの間にある。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月29日(2007.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の端末と、第２の端末との間で互いに情報通信可能なネットワークを構成し、当該ネットワークを通じて行われる前記電子コンテンツの取引において、前記第１の端末に前記第１の端末の識別子を有する電子コンテンツを提供するサーバーであって、
前記第１の端末から前記第２の端末へ前記第１の端末の識別子を有する前記電子コンテンツが提供された旨の情報を、前記第１の端末又は前記第２の端末から前記ネットワークを介して受信する提供情報受信部と、
提供情報受信部によって受信された情報に含まれる前記第１の端末の識別子に基づいて、前記コンテンツを提供した第１の端末に対して該電子コンテンツの提供に対する課金情報を作成する課金情報作成部と、
前記第１の端末の識別子を有する前記電子コンテンツに前記第２の端末の識別子を付加して管理するコンテンツ管理部と、
を備えることを特徴とする電子コンテンツ提供サーバー。
【請求項２】
第１の端末と、第（ｎ−１）の端末（ｎは３以上の整数）と、第ｎの端末の間で互いに情報通信可能なネットワークを構成し、当該ネットワークを通じて行われる前記電子コンテンツの取引において、前記第１の端末に前記第１の端末の識別子を有する電子コンテンツを提供するサーバーであって、
前記第（ｎ−１）の端末から前記第ｎの端末へ前記電子コンテンツが提供された旨の情報を、前記第（ｎ−１）の端末又は前記第ｎの端末から前記ネットワークを介して受信する提供情報受信部と、
提供情報受信部によって受信された情報に含まれる当該コンテンツの提供履歴を示す前記第１から第(ｎ−１)の端末の識別子に基づいて、当該コンテンツを提供した第１から第(ｎ−１)までの端末に対して該電子コンテンツの提供に対する課金情報を作成する課金情報作成部と、
前記第１から第ｎ−１の端末の識別子を有する当該電子コンテンツに前記第ｎの端末の識別子を付加して管理するコンテンツ管理部と、
を備えることを特徴とする電子コンテンツ提供サーバー。
【請求項３】
前記サーバーはさらに、前記電子コンテンツを識別するためのコンテンツ識別子と前記電子コンテンツを購入した各端末の識別子を対応付けて記憶するコンテンツ管理データベースを備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子コンテンツ提供サーバー。
【請求項４】
前記コンテンツ管理データベースはさらに、１の端末から他の端末への前記電子コンテンツが提供された履歴に関する情報を前記コンテンツ識別子と対応づけて階層づけて記憶することを特徴とする請求項３に記載の電子コンテンツ提供サーバー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子コンテンツ提供サーバー
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月26日(2007.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
ウオッチドッグタイマ７１が異常状態を検出すると、平滑回路８には異常時に出力する信号が入力される。この信号は出力電流の定常範囲外の電流値になるように設定される。例えば、定常範囲が４〜２０ｍＡであると、４ｍＡ未満、または２０ｍＡよりも大きな値になるようにされる。このような技術に類似するものとしては、例えば、下記に示すような特許文献を挙げることができる。このようにすることにより、正常状態と異常状態を確実に区別することができる。
【特許文献１】特開平６−６０２８７号公報（第２−４頁、図１−３）
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月25日(2008.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
交流電流を整流して直流とする第１の整流回路と、前記第１の整流回路の出力側に接続されて前記第１の整流回路の出力を高周波交流に変換するインバータ回路と、前記インバータ回路の出力側に接続されて前記インバータ回路の出力を電圧変換して２個の２次側コイルから出力するトランスと、前記２次側第１コイルに接続されて前記トランスの出力を整流して直流とする第２の整流回路と、前記第２の整流回路の出力側と溶接トーチとの間に接続されて前記整流回路の出力を平滑して溶接トーチに与える第１のリアクトルとから構成されるアーク溶接主回路と、
前記２次側第２コイルと溶接トーチとの間に接続されて前記トランスの出力を前記第１のリアクトルのリアクタンスよりも大きいリアクタンスを有する第２のリアクトルを介して溶接トーチに与えるアーク溶接副回路と、
前記インバータ回路を制御する制御回路と、
を備えたアーク溶接機であって、
さらに、電流遮断機構を前記アーク溶接主回路中に備え、前記電流遮断機構は、前記制御回路が出力する指令により前記第１のリアクトルに流れる電流を遮断するものであることを特徴とするアーク溶接機。
【請求項２】
前記アーク溶接副回路は、前記２次側第２コイルに接続される電流制御回路と、前記電流制御回路の出力側に接続されて前記電流制御回路の出力を整流する第３の整流回路と、前記第３の整流回路に接続された前記第２のリアクトルとを備えることを特徴とする請求項１記載のアーク溶接機。
【請求項３】
前記電流制御回路は、半導体素子によって構成され、かつ前記制御回路からの信号で前記半導体素子のゲートをＯＮ／ＯＦＦすることにより電流を制御するものであることを特徴とする請求項２記載のアーク溶接機。
【請求項４】
前記電流制御回路は、コンデンサ又はコイルによって構成され、前記コンデンサ又は前記コイルの交流電流を制限する機能により電流を制御するものであることを特徴とする請求項２記載のアーク溶接機。
【請求項５】
前記電流遮断機構は、前記第１のリアクトルと前記溶接トーチとの間に配置されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載のアーク溶接機。
【請求項６】
前記制御回路は、アークオン時に前記電流遮断機構へ指令を出力して、前記第１のリアクトルに流れる電流を遮断することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載のアーク溶接機。
【請求項７】
前記制御回路は、アーク状態におけるアーク電圧が目標とする値から所定値だけ下がった際に前記電流遮断機構へ指令を出力して、前記第１のリアクトルに流れる電流を遮断することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載のアーク溶接機。
【請求項８】
前記制御回路は、パルス溶接を行う場合、パルス溶接のベース電流区間では前記電流遮断機構を動作させて前記アーク溶接副回路からベース電流を供給し、パルス溶接のピーク電流区間では前記電流遮断機構の動作を停止させることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載のアーク溶接機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記問題を解決するため、本発明は、次のように構成したのである。
請求項１記載の発明は、アーク溶接機に係り、交流電流を整流して直流とする第１の整流回路と、前記第１の整流回路の出力側に接続されて前記第１の整流回路の出力を高周波交流に変換するインバータ回路と、前記インバータ回路の出力側に接続されて前記インバータ回路の出力を電圧変換して２個の２次側コイルから出力するトランスと、前記２次側第１コイルに接続されて前記トランスの出力を整流して直流とする第２の整流回路と、前記第２の整流回路の出力側と溶接トーチとの間に接続されて前記整流回路の出力を平滑して溶接トーチに与える第１のリアクトルとから構成されるアーク溶接主回路と、
前記２次側第２コイルと溶接トーチとの間に接続されて前記トランスの出力を前記第１のリアクトルのリアクタンスよりも大きいリアクタンスを有する第２のリアクトルを介して溶接トーチに与えるアーク溶接副回路と、
前記インバータ回路を制御する制御回路と、
を備えたアーク溶接機であって、さらに、電流遮断機構を前記アーク溶接主回路中に備え、前記電流遮断機構は、前記制御回路が出力する指令により前記第１のリアクトルに流れる電流を遮断するものであることを特徴としている。
請求項２記載の発明は、請求項１記載のアーク溶接機において、前記アーク溶接副回路が、前記２次側第２コイルに接続される電流制御回路と、前記電流制御回路の出力側に接続されて前記電流制御回路の出力を整流する第３の整流回路と、前記第３の整流回路に接続された前記第２のリアクトルとを備えることを特徴としている。
請求項３記載の発明は、請求項２記載のアーク溶接機において、前記電流制御回路が、半導体素子によって構成され、かつ前記制御回路からの信号で前記半導体素子のゲートをＯＮ／ＯＦＦすることにより電流を制御するものであることを特徴としている。
請求項４記載の発明は、請求項２記載のアーク溶接機において、前記電流制御回路が、コンデンサ又はコイルによって構成され、前記コンデンサ又は前記コイルの交流電流を制限する機能により電流を制御するものであることを特徴としている。
請求項５記載の発明は、請求項１〜４のいずれか１項記載のアーク溶接機において、前記電流遮断機構が、前記第１のリアクトルと前記溶接トーチとの間に配置されていることを特徴としている。
請求項６記載の発明は、請求項１〜５のいずれか１項記載のアーク溶接機において、前記制御回路が、アークオン時に前記電流遮断機構へ指令を出力して、前記第１のリアクトルに流れる電流を遮断することを特徴としている。
請求項７記載の発明は、請求項１〜５のいずれか１項記載のアーク溶接機において、前記制御回路が、アーク状態におけるアーク電圧が目標とする値から所定値だけ下がった際に前記電流遮断機構へ指令を出力して、前記第１のリアクトルに流れる電流を遮断することを特徴としている。
請求項８記載の発明は、請求項１〜５のいずれか１項記載のアーク溶接機において、前記制御回路が、パルス溶接を行う場合、パルス溶接のベース電流区間では前記電流遮断機構を動作させて前記アーク溶接副回路からベース電流を供給し、パルス溶接のピーク電流区間では前記電流遮断機構の動作を停止させることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月25日(2008.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
架台上に設けられ一方向に往復動可能な門型フレームと、前記門型フレームの長手方向に移動可能な塗布ヘッドを複数設け、前記塗布ヘッドに設けてあるノズルの吐出口に対向するように設けられたテーブル上に基板を載置し、ペースト収納筒に充填したペーストを前記吐出口から前記基板上に吐出させながら前記基板と前記ノズルとの相対位置関係を変化させることにより、前記基板上に所望形状のペーストパタ−ンを塗布するペースト塗布機において、
前記門型フレームに２つの窓と２次巻き線が設けられた受電コアを取り付け、架台側に直線状に前記受電コアの窓部を貫通するように配置した給電線と、前記２次巻き線で受電した電力を門型フレーム上の電気品に給電し、移動する門型フレームと制御信号のやり取りを行うため前記門型フレーム側と架台側とにそれぞれ光通信手段を設けたことを特徴とするペースト塗布機。
【請求項２】
請求項１に記載のペースト塗布機において、
前記門型フレームに設けた複数の塗布ヘッドそれぞれに受電コアを設け、前記門型フレームに設けた受電コアの２次巻き線から前記門型フレームの長手方向に直線状に前記塗布ヘッドに設けた受電コアの窓部を貫通して給電線を配置して、各塗布ヘッドに電力を非接触給電で供給する構成とすると共に、前記門型フレームと塗布ヘッド間で信号のやり取りを行う光通信手段を設けたことを特徴とするペースト塗布機。
【請求項３】
架台上に設けられ一方向に往復動可能な門型フレームと、前記門型フレームの長手方向に移動可能な塗布ヘッドを複数設け、前記塗布ヘッドの設けてあるノズルの吐出口に対向するように設けられたテーブル上に基板を載置し、ペースト収納筒に充填したペーストを前記吐出口から前記基板上に吐出させながら前記基板と前記ノズルとの相対位置関係を変化させることにより、前記基板上に所望形状のペーストパターンを塗布するペースト塗布機において、
前記架台側に一次給電線を直線状に配置し、前記門型フレームに設けた給電コアの窓を貫通するように前記一次給電線が配置され、前記一次給電コアに巻きつけられた二次側巻線から前記門型フレームの長手方向に二次給電線を配置し、前記複数の塗布ヘッドに設けた二次給電コアに巻きつけられた二次受電コイルを介して各塗布ヘッドの駆動機構に給電されることを特徴とするペースト塗布機。