(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アレイ基板と対向基板との間に液晶が封入され、前記アレイ基板上には、複数の配線と、前記複数の配線に重畳して形成された樹脂の周辺遮光層と、前記樹脂の周辺遮光層より上層に形成された画素電極と、を備えた液晶表示装置において、
前記複数の配線は、前記樹脂の周辺遮光層に重畳される第１の領域から前記樹脂の周辺遮光層の端辺を超える第２の領域まで延びており、前記端辺を挟んで前記第１の領域と第２の領域にまたがって配置された台座を有し、前記樹脂の周辺遮光層は、前記台座上から台座非形成領域まで形成され、前記台座上に形成された前記樹脂の周辺遮光層の少なくとも端辺近傍の膜厚は前記台座非形成領域に形成された前記樹脂の周辺遮光層の膜厚より薄く、前記台座の膜厚は、台座非形成領域に形成された前記樹脂の周辺遮光層の膜厚より薄いことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記樹脂の周辺遮光層は、表示領域の周囲に少なくとも一部形成されていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記樹脂の周辺遮光層は、表示領域の周囲を包囲する形状に形成されたことを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記配線は、表示領域内から表示領域外に延びていることを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記アレイ基板には、半導体層と、前記半導体層に対向配置されるゲートと、前記半導体層と前記ゲートに挟まれたゲート絶縁膜と、を備えたスイッチング素子を有し、前記台座は、前記ゲート絶縁膜と同じ材質からなることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記アレイ基板には、半導体層と、前記半導体層に対向配置されるゲートと、前記半導体層と前記ゲートに挟まれたゲート絶縁膜と、を備えたスイッチング素子を有し、前記スイッチング素子上には、前記スイッチング素子を保護する保護膜を有し、前記台座は、前記保護膜と同じ材質からなることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記アレイ基板には、半導体層と、前記半導体層上に形成されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記半導体層に接続するソース・ドレイン電極と、前記ソース・ドレイン電極と前記ゲート電極との層間に形成された第１層間膜とを備えたスイッチング素子を有し、前記台座は、前記第１層間膜と同じ材質からなることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記アレイ基板には、スイッチング素子と、前記スイッチング素子上に形成された第２層間膜と、前記第２層間膜に形成されたコンタクトホールを介して前記スイッチング素子に接続された画素電極とを有し、前記台座は、前記第２層間膜と同じ材質からなることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第２層間膜は、着色されていることを特徴とする請求項８記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記アレイ基板と前記対向基板とは、閉曲線形状のシール材を介して貼りあわせており、前記台座は、前記シール材が形成された領域を含む前記閉曲線の内側に形成されていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記アレイ基板と前記対向基板の間隙を保持するべく形成された柱状のスペーサーと、前記樹脂の周辺遮光層とが同じ材質からなることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記柱状のスペーサーは、前記シール材が形成された領域中に形成されたことを特徴とする請求項１１記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記柱状のスペーサーは、前記シール材により形成された領域中と前記閉曲線内の領域に形成されていることを特徴とする請求項１２記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記台座は、前記シール材が形成された領域中に形成され、前記柱状のスペーサーは、前記台座上の第２の領域上に形成されていることを特徴とする請求項１２記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
アレイ基板と対向基板との間に液晶が封入され、前記アレイ基板上には、 複数の配線と、前記複数の配線に重畳して形成された樹脂の周辺遮光層と、前記樹脂の周辺遮光層より上層に形成された画素電極と、を備えた液晶表示装置において、
前記複数の配線は、前記樹脂の周辺遮光層に重畳される第１の領域から前記樹脂の周辺遮光層の端辺を超える第２の領域まで延びており、前記樹脂の周辺遮光層の膜厚は、少なくとも端辺近傍で相対的に薄く形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１６】
前記樹脂の周辺遮光層は、端辺近傍でテーパー状に形成されていることを特徴とする請求項１５記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
表示領域と表示外領域とを有するアレイ基板上に前記表示領域から前記表示外領域まで延在する複数の配線を形成する工程と、
前記表示領域の前記配線上に絶縁層を形成し、同時に前記表示外領域で前記複数の配線に跨る領域上の一部に台座を形成する工程と、
前記台座上に、端辺を有し且つ台座非形成領域を含む形状に樹脂の周辺遮光層を形成する工程と、
導電膜を前記アレイ基板全面に形成する工程と、
前記導電膜を所望のパターンとして画素電極を形成し、少なくとも前記導電膜の前記台座に接触する部分を除去する工程と、
前記アレイ基板と対向基板とを貼りあわせる工程と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間隙に液晶を封入する工程と、
を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記絶縁層は、着色層であることを特徴とする請求項１７記載の製造方法。
【請求項１９】
前記アレイ基板と前記対向基板との間隙を保持する柱状スペーサーを形成する工程を有し、前記柱状スペーサーを形成する工程は前記樹脂の周辺遮光層を形成する工程と同じ工程であることを特徴とする請求項１７記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、液晶表示装置の画像処理の高速化や、表示画像の高品位化を実現するために、表示画素ごとにスイッチング用の薄膜トランジスタを設けた、いわゆるアクティブマトリクス駆動型のカラー液晶表示装置が一般に使用されるようになりつつある。
【０００３】
一般に、液晶表示装置は、電極を有する２枚のガラス基板を接着剤および封止剤で封着し、前記２枚のガラス板の間に液晶を挟み保持した構成となっており、通常、２枚の基板の間の距離を一定に保つために、粒子径の均一なプラスチックビーズ等をスペーサとして基板の間に散在させている。またカラー表示用の液晶表示装置では、２枚のガラス基板の片方に三原色（ＲＧＢ）に相当する着色層が配置されたカラーフィルター層が備えられている。
【０００４】
近年、液晶表示装置の画像処理の高速化や、表示画像の高品位化を実現するために、表示画素ごとにスイッチング用の薄膜トランジスタを設けた、いわゆるアクティブマトリクス駆動型のカラー液晶表示装置が一般に使用されるようになりつつある。
【０００５】
このアクティブマトリクス駆動型のカラー液晶表示装置においては、例えば、図６に示されるように、一方のガラス基板４６上に、マトリクス状に配列された複数の画素電極４８、それらの画素電極４８に対して、スイッチング素子、例えば、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を半導体層とした薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）４７が設けられ、さらに、この薄膜トランジスタ４７はゲート電極、ドレィン電極、およびソース電極を有し、ゲート電極は走査線に、ドレィン電極は信号線に、またソース電極は画素電極４８にそれぞれ接続されてアレイ基板を構成している。さらにその上に保護膜および、液晶分子の向きを設定するための配向膜４９が順次設けられている。
【０００６】
一方の対向基板には、一般的には、透明ガラス基板４１上に、例えば、Ｃｒ金属膜からなる遮光層（ブラックマトリックス）４２、３原色のカラーフィルター４３、カラーフィルターの保護膜、共通透明電極４４、上部配向膜４５が順次設けられている。
【０００７】
これら一対の基板は、スペーサ５１により所定の間隔を隔てて対向するよう配置され、前記一対の基板の周縁に設けられたシール剤で貼りあわせた構成となっている。
【０００８】
ここで、前記ＴＦＴ４７は、前記遮光層４２に対向した位置に設けられ、また前記カラーフィルター４３は、画素電極４８と対向するように配置されている。
そして、アレイ基板および対向基板間には液晶組成物５０が封入されるとともに、アレイ基板および対向基板の両側には偏光板が配設されており、液晶組成物を光シャッタとして動作させてカラー画像が表示されている。
【０００９】
近年、アクティブマトリクス駆動型液晶表示装置の高輝度化および低消費電力化の要求が更に高まり、各画素の開口率を向上させることが望まれている。ここで、開口率は、各画素電極の間において光学変調されない領域を遮光しているブラックマトリクス４２により規制され、前記ブラックマトリクス４２の開口部の形状は画素電極の形状に合わせるように形成されている。
【００１０】
通常、前述のように、遮光層（ブラックマトリクス）４２はカラーフィルタ４３と同様に対向基板側に形成されるが、アレイ基板と対向基板とを貼り合わせる時のずれ量やアレイ基板上のパターンと対向基板上の遮光層（ブラックマトリクス）４２のパターンとのピッチの誤差を考慮して、遮光層（ブラックマトリクス）４２の開口部の大きさは画素電極４８よりも一回り小さくしておく必要があり、この事が各画素の開口率を低下させる要因となっている。
【００１１】
そこで、画素の開口率を高くする方法として、ブラックマトリクス４２をアレイ基板側に形成することが提案されている。また、アレイ基板の画素電極４８を、その周囲を囲んでいる走査線および信号線の配線の上にまで拡げ、走査線や信号線自体をブラックマトリクス４２に利用する方法も考えられている。
【００１２】
ところで、遮光が必要となる領域は、画素電極４８間の領域だけでなく、表示領域の外側の、パネルの外周部の領域についても同様である。ここで、表示領域の外側の遮光層を特に周辺遮光層と規定する。
【００１３】
アレイ基板上に遮光層を形成する場合、抵抗率が十分高いことが必要であるので、遮光層の材料として樹脂材料を使用する。しかしながら、一般的に樹脂の遮光率は金属材料用いた遮光層の遮光率と比較して低いので、金属製の遮光層と同様の厚さでは、十分な遮光率が得られず、厚くせざるを得ないという問題があった。
【００１４】
また、遮光層の厚さを増加した場合には、次のような問題が起こる。
【００１５】
普通、画素電極は、アレイ基板の全面に導電膜を成膜し、フォトプロセスを用いてパターニングにすることにより形成されるが、その際、画素電極のパターニングに用いるフォトレジストが遮光層の周縁に存在する段の部分に溜まり、その後の現像によって遮光層の周縁に存在する段の部分に溜まったフォトレジストが十分に除去されないため、結果として遮光層の周縁に存在する段の部分に、導電性膜が残留するという問題があった。
【００１６】
特に、周辺遮光層の周縁に存在する段の部分に導電性膜が残った場合には、周辺遮光層の近傍にある配線がショートして表示不良が生じ、製品不良が発生するという問題があった。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記従来の問題に鑑みてなされたもので、十分な遮光が可能となるよう周辺遮光層を形成するとともに、前記遮光層の周縁に存在する段の部分に画素電極膜用導電性膜が残留せず、画質の高い表示が可能で、且つ経済性に優れた液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明第１の液晶表示装置は、アレイ基板と対向基板との間に液晶が封入され、前記アレイ基板上には、複数の配線と、前記複数の配線に重畳して形成された樹脂の周辺遮光層と、前記樹脂の周辺遮光層より上層に形成された画素電極と、を備えた液晶表示装置において、前記複数の配線は、前記樹脂の周辺遮光層に重畳される第１の領域から前記樹脂の周辺遮光層の端辺を超える第２の領域まで延びており、前記端辺を挟んで前記第１の領域と第２の領域にまたがって配置された台座を有し、前記樹脂の周辺遮光層は、前記台座上から台座非形成領域まで形成され、前記台座上に形成された前記樹脂の周辺遮光層の少なくとも端辺近傍の膜厚は前記台座非形成領域に形成された前記樹脂の周辺遮光層の膜厚より薄く、前記台座の膜厚は、台座非形成領域に形成された前記樹脂の周辺遮光層の膜厚より薄いことを特徴とするものである。
【００１９】
さらに、前述の第１の液晶表示装置は、樹脂の周辺遮光層が、表示領域の周囲に少なくとも一部に形成されたことにより特徴づけられる。またこの樹脂の周辺遮光層は、表示領域の周囲を包囲する形状に形成されている、あるいは、前記配線が、表示領域内から表示領域外に延びていることもーつの特徴である。またさらに、前述の第１の液晶表示装置は、アレイ基板には、半導体層と、前記半導体層に対向配置されるゲートと、前記半導体層と前記ゲートに挟まれたゲート絶縁膜と、を備えたスイッチング素子を有し、前記台座は、前記ゲート絶縁膜と同じ材質からなることを特徴とする。
【００２０】
さらに、前述の第１の液晶表示装置は、前記アレイ基板には、半導体層と、前記半導体層に対向配置されるゲートと、前記半導体層と前記ゲートに挟まれたゲート絶縁膜と、を備えたスイッチング素予を有し、前記スイッチング素子上には、前記スイッチング素子を保護する保護膜を有し、前記台座は、前記保護膜と同じ材質からなることを特徴とする。
【００２１】
さらにまたは、前述の第１の液晶表示装置は、前記アレイ基板には、半導体層と、前記半導体層上に形成されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記半導体層に接続するソース・ドレイン電極と、前記ソース・ドレイン電極と前記ゲート電極との層間に形成された第１層間膜とを備えたスイッチング素子を有し、前記台座は、前記第１層間膜と同じ材質からなることを特徴とする。
【００２２】
さらに又は、前述の第１の液晶表示装置は、前記アレイ基板には、スイッチング素子と、前記スイッチング素子上に形成された第２層間膜と、前記第２層間膜に形成されたコンタクトホールを介して前記スイッチング素子に接続された画素電極とを有し、前記台座は、前記第２層間膜と同じ材質からなることを特徴とする。
【００２３】
上述の第２層間膜は、着色されていることもーつの特徴である。
【００２４】
前述の第１の液晶表示装置において、前記アレイ基板と前記対向基板とは、閉曲線形状のシール材を介して貼りあわせており、前記台座は、前記シール材が形成された領域を含む前記閉曲線の内側に形成されていることを特徴とする。
【００２５】
また第１の液晶表示装置は、前記アレイ基板と前記対向基板の間隙を保持するべく形成された柱状のスペーサーと、前記樹脂の周辺遮光層とが同じ材質からなることを特徴とする。さらに、この柱状のスペーサーは、前記シール材が形成された領域中に形成されたことにより特徴づけられる。さらにこの柱状のスペーサーは、前記シール材により形成された領域中と前記閉曲線内の領域に形成されていることにより特徴づけられる。または、前記台座は、前記シール材が形成された領域中に形成され、前記柱状のスペーサーは、前記台座上の第２の領域上に形成されていることにより特徴づけられる。
【００２６】
本発明第２の液晶表示装置は、アレイ基板と対向基板との間に液晶が封入され、前記アレイ基板上には、 複数の配線と、前記複数の配線に重畳して形成された樹脂の周辺遮光層と、前記樹脂の周辺遮光層より上層に形成された画素電極と、を備えた液晶表示装置において、前記複数の配線は、前記樹脂の周辺遮光層に重畳される第１の領域から前記樹脂の周辺遮光層の端辺を超える第２の領域まで延びており、前記樹脂の周辺遮光層の膜厚は、少なくとも端辺近傍で相対的に薄く形成されていることを特徴とするものである。
【００２７】
さらに、この本発明第２の液晶表示装置は、樹脂の周辺遮光層が、端辺近傍でテーパー状に形成されていることにより特徴づけられる。
【００２８】
本発明に係る液晶表示装置によれば、アレイ基板の表面に配設された配線と、その上に形成された樹脂の周辺遮光層と、この樹脂の周辺遮光層の上に形成された画素電極とからなる表示装置において、樹脂の周辺遮光層の端辺部が台座上に形成されている。この台座を設けたことにより、画素電極をパターニングする際に、パターニング用のフォトレジスト等がほぼ残らなくなるとともに、したがって画素電極膜が周縁部に残留するという事態を十分に回避することが可能になり、樹脂の周辺遮光層外部の基板上の配線とのショートの発生をほぼ防止することができ、製品不良の発生をほぼ防止することができる。また、この樹脂の周辺遮光層の存在により光漏れを確実に防止することができる。
【００２９】
さらに本発明第２の液晶表示装置においても、樹脂の周辺遮光層の端辺が薄く設定されているので、第１の液晶表示装置と同様な効果を同じような効果をあげることができる。
【００３０】
したがって、本発明に係る液晶表示装置は、経済性に優れ、画質の高い画像を表示することが可能となる。
【００３１】
また、本発明に係る製造方法は、表示領域と表示外領域とを有するアレイ基板上に前記表示領域から前記表示外領域まで延在する複数の配線を形成する工程と、前記表示領域の前記配線上に絶縁層を形成し、同時に前記表示外領域で前記複数の配線に跨る領域上の一部に台座を形成する工程と、前記台座上に、端辺を有し且つ台座非形成領域を含む形状に樹脂の周辺遮光層を形成する工程と、導電膜を前記アレイ基板全面に形成する工程と、前記導電膜を所望のパターンとして画素電極を形成し、少なくとも前記導電膜の前記台座に接触する部分を除去する工程と、前記アレイ基板と対向基板とを貼りあわせる工程と、前記アレイ基板と前記対向基板との間隙に液晶を封入する工程とを有することを特徴とする。
【００３２】
前記の製造方法において、前記絶縁層は、着色層であり、さらにまた、前記製造方法は、前記アレイ基板と前記対向基板の間隙を保持する柱状スペーサーをアレイ基板上に形成する工程を含み、前記柱状スペーサーを形成する工程は前記樹脂の周辺遮光層を形成する工程と同時に行われることによりさらに特徴づけられる。
【００３３】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法によれば、樹脂の周辺遮光層の周縁は台座上に形成されているので、台座の部分に導電膜をパターニングするためのフォトレジスト等が残らなくなるようにすることが可能である。したがって、光漏れを確実に防止できる、樹脂の周辺遮光層を形成できると共に、アレイ基板上の表示領域外の配線と、樹脂の周辺遮光層上の導電膜とのショートの発生を防止することができ、製品不良の発生をほぼ防止することができる。
【００３４】
したがって、本発明に係る液晶表示装置の製造方法によれば、経済性に優れ、画質の高い画像を表示することが可能な液晶表示装置を得ることができる。
【００３５】
本発明において、樹脂の周辺遮光層の周縁に設けられた台座の断面形状としては、周縁部における画素電極膜が残りにくい形状であれば、台形、角型、半円状、あるいは複数の段差を有する階段状、いずれでも使用可能である。また台座の配線を有する基板面からの高さは、すくなくとも樹脂の周辺遮光層の厚さよりも薄くなるように設定される。
【００３６】
また、前記の台座は、基板の周辺の配線部分だけに設けても、また全周辺に連続的に配置しても、どちらでも良い。
【００３７】
またこれらの台座の形成は、単独の工程で行うこともできるが、他の要素の形成工程と同時に行うことにより、工程の簡略化が可能である。
【００３８】
例えば、アクティブ・マトリック方式の液晶表示装置では、マトリックス状に配列された複数の画素電極に対応して、前記アレイ基板上にスイッチング素子が設けられている。このスイッチング素子としては、逆スタッガ型ＴＦＴやコプラナ型ＴＦＴ等が挙げられる。
【００３９】
前述の台座は、例えば、前記の逆ｓｔａｇｇｅｒｅｄ  ｔｙｐｅ  ＴＦＴの場合には、ゲート絶縁膜と同時に同じ材質により形成する、あるいは保護膜形成と同時期にまた同じ材質で行うこともできる。
【００４０】
さらにｃｏｐｌａｎａｒ  ｔｙｐｅ  ＴＦＴの場合には、層間絶縁膜と形成と同時期にまた同じ材質で行うこともできる。
【００４１】
これにより台座の製造工程を簡略化することができる。
【００４２】
また台座は、十分な遮光率を得るため、樹脂の周辺遮光層の厚さ（基板からの距離）を大きくした場合には、樹脂の周辺遮光層の台座形成部分に該樹脂の周辺遮光層よりも薄いカラーフィルタやアレイパターン等が一部重なるように構成すると、必然的に段は複数段となって各段の段差が階段状に小さくなり、画素電極膜のパターニング用のレジスト等は各段の部分に溜まりにくくなる。したがって、台座外部の周縁には画素電極膜が形成されず、該樹脂の周辺遮光層の近傍に配線パターンが存在した場合にも、配線パターンのショートをほぼ防止することができる。
【００４３】
また、樹脂の周辺遮光層に設けられた各段の段差が段階的に小さくなるとき、樹脂の周辺遮光層のパターンは順テーパである方がより好ましい。樹脂の周辺遮光層のパターンを順テーパにする方法としては、例えば、樹脂の周辺遮光層の材料としてＴｇ（ガラス転移点）の低い材料を用いたり、樹脂の周辺遮光層の端部の下地の表面処理を行って樹脂の周辺遮光層に対する下地の濡れ性をよくしたり、あるいは樹脂の周辺遮光層の端部を階調露光によって形成する方法等を挙げることができる。
【００４４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る実施の形態を詳細に説明する。
【００４５】
実施態様１
図１は、液晶表示装置におけるスイッチング素子アレイ基板１を対向基板１´側より概観したときの平面図であり、説明の簡略化のために、セル内部の表示領域２０は省略したが、公知のように、液晶表示装置のスイッチング素子アレイ基板１においては、ガラス基板の上に、複数個のスイッチング素子がマトリックス状に配置されており、それぞれの素子には、ドレイン電極に、ソース電極、およびゲート電極が設けられ、ドレイン電極は信号線に、ソース電極は画素電極に、ゲート電極は走査線にそれぞれ接続されている。そしてこれらの信号線および走査線等の複数の配線１０はシール材３により覆われたシール部分をとおってそのシール材により囲まれた表示領域２０の外部まで延伸し基板１の外部あるいは基板１の周辺に設けられた信号線駆動回路および走査線駆動回路等と接続される構成となっている。
【００４６】
図２は、図１のスイッチング素子アレイ基板１と対向基板１´とよりなる液晶表示装置の図１におけるＡ−Ａ´部（配線部分を含む）の断面を示す図である。図中、３はシール材、１３はシール部に設けられた台座、２は、遮光膜として機能する有機膜で、７はカラーフィルター、８は画素電極、９は配向膜、１０は信号線および走査線等の基板上に設けられた配線である。これらはいずれも、透明ガラス基板４の上に配設されている。
【００４７】
一方、対向基板１´には、ガラス基板５上、共通電極８´が、更に配向膜９が設けられている。
【００４８】
図３は前記液晶表示装置の薄膜トランジスタ部の断面を特に拡大して示したものである。本図で、４はガラス基板、１１はゲート電極、１２はゲート絶縁膜、１９は半導体層、１９´はオーミックコンタクト層、１４はチャンネル保護膜、１６はドレィン電極、１８はソース電極、７はカラーフィルター層、８は画素電極、図２および３から明らかなように、本実施例では、カラーフィルターは、アレイ基板上に設けられており、有機膜２の端部には、台座１３が配設されている。前記有機膜２は、非台座形成部から台座上の略センターまで重なるよう配設されており、台座１３の基板からの高さは非台座形成部における有機膜２の厚さよりも小さく、且つ台座１３上の有機膜２の厚さは非台座形成部における有機膜の厚さより小さくなるように設定されている。
【００４９】
ここで、上記液晶表示装置の製造工程について、図２および図３を参照しながら説明する。
【００５０】
ガラス基板４に、モリブデン−タングステン等の金属を約０．３μｍスパッタリングにより成膜した後、フォトリソ法により所定の形状にパターン形成して走査線およびゲート電極１１を形成した。その上に、膜厚約０．１５μｍの二酸化珪素あるいは窒化珪素からなるゲート絶縁膜１２を形成した後、半導体層１９およびチャネル保護膜１４を設け、膜厚０．３μｍのＡｌからなる信号線とドレイン電極１６、ソース電極１８を形成してＴＦＴを形成した。
【００５１】
一方、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の顔料含有のネガレジストをそれぞれフォトリソ法でパターニングし、Ｒ．ＧおよびＢを備えたカラーフィルタ層７を形成した。同時に、台座１３を形成した。その後、Ｒ、ＧおよびＢの顔料を含有した黒色ネガレジストをフォトリソ法でパターニングし柱状スペーサおよび有機膜２を形成した。この時有機膜２は台座１３のセンターまでカバーするように、形成された。
【００５２】
次に、膜厚０．１μｍのＩＴＯからなる導電層をスパッタ法等により成膜し、レジストを塗布後、エッチングにより画素電極８をパターニングにより形成した。なお、ソース電極１８はカラーフィルタ層７のコンタクトホールを介して、カラーフィルタ層７上の画素電極８に接続している。
【００５３】
次に、これらの上にポリイミドからなる配向膜９を形成してカラーフィルタ層７およびスイッチング素子を備えた基板を得た。
【００５４】
次に、ガラス基板４基板に対向するガラス基板５に膜厚０．１５μｍのＩＴＯ膜からなる共通電極８´を形成し、その上にポリイミドからなる配向膜９を形成した。最後に、アレイ基板１と対向基板１´をシールし、さらに液晶３０を注入し、注入口を封止して液晶表示装置を得た。
【００５５】
また前記スペーサはシール部にも形成することもできる。また前記台座の上に形成することもできる。
【００５６】
こうして製造された液晶表示装置を試験的に駆動したところ、有機膜２の端部において画素電極膜の残留はほぼ防止され、画素電極膜の残留に起因する配線のショートも減少して動作不良がほぼ防止された。また、有機膜の厚さが十分であったため、画質の高い画像を得ることができた。したがって、液晶表示装置を歩留りよく得ることができた。
【００５７】
なお、図５は、コプラナ型薄膜トランジスタの構成の一例を示す断面図である。
【００５８】
ここでは、４はガラス基板、１９はポリシリコン、１２はゲート絶縁膜、１１はゲート電極、１６はドレイン電極、１８はソース電極、２２は層間絶縁膜である。さらにカラーフィルタ層７上に画素電極８が形成されている。
【００５９】
実施態様１において、このような構成を持った薄膜トランジスタが使用される場合には、前記台座１３は、カラーフィルタ層たけではなく層間絶縁膜２２やゲート絶縁膜、または、パッシベーション膜（図示せず）等、同じ材質で、同時に形成することができる。
【００６０】
ここで、着色層の形成方法は顔料レジストのフォトリソ法に限らず、染色法、印刷法および電着法等を用いてもよく、台座１３として、カラーフィルタ層を段階的に２色以上重ねて段を増してもよい。
【００６１】
実施態様２
次に本発明第２の液晶表示装置について説明する。
【００６２】
図４は、本発明に係る第２の実施形態の液晶表示装置の断面を示したものである。図４に示すように、本実施の形態によれば、シール部に台座は特に設けず、有機膜２の端部は、基板外周部に向かって順次薄くなるようにテーパー状となっている。その他の構成は実施態様１と同じである。
【００６３】
こうして製造された液晶表示素子を検査したところ、有機膜２の周縁に画素電極膜はほとんど残留していなかった。また、液晶表示装置を試験的に駆動したところ、画素電極膜の残留に起因する配線のショートが激減して動作不良が防止され、画質の高い画像を得ることができた。したがって、液晶表示装置を歩留りよく得ることができた。
【００６４】
【発明の効果】
以上、詳述したように、本発明に係る液晶表示装置によれば、遮光層端部に画素電極膜のパターニング用のフォトレジスト等が残らなくなるため、遮光層端部への画素電極膜等の形成が防止され、遮光層の近傍に配線パターンが存在する場合にショートの発生を防止することができ、製品不良の発生を防止することができる。また、遮光層を厚く設けられることから十分な遮光を実現できる。したがって、経済性に優れ、画質の高い画像を表示することができる液晶表示素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る液晶表示装置の構造を平面的に示した図である。
【図２】第１の実施の形態に係る液晶表示装置のシーリング部分の断面構造を示した図である。
【図３】第１の実施の形態に係る液晶表示装置の薄膜トランジスタ部分の断面構造を示した図である。
【図４】第２の実施形態に係る液晶表示装置のシーリング部分の断面構造を示した図である。
【図５】本発明において使用する他の薄膜トランジスタの構成を示す図である。
【図６】従来の液晶表示装置の構成の一例を示す図である。
【符号の説明】
１……スイッチング素子アレイ基板    １´……対向基板
２……有機膜    ３……シール材    ４、５……ガラス基板
７……カラーフィルター    ８……画素電極    ８´……共通電極
９……配向膜    １０……配線    １１……ゲート電極
１２……ゲート絶縁膜    １３……台座    １４……チャンネル保護膜
１６……ドレィン電極    １８……ソース電極    １９……半導体層
１９´……オーミックコンタクト層    ２０……表示領域
２２……層間絶縁膜    ３０……液晶
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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