【手続補正書】
【提出日】平成19年12月6日(2007.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
基板は、六方晶構造を有する半導体からなり、
前記活性層は、前記基板の（１１−２０）面上に形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、第１の特徴に係る半導体レーザ素子において、活性層の主面は、半導体層の（１１−２０）面と略平行であり、半導体層の（１−１００）面と平行な劈開面を共振器端面として有してもよい。この半導体レーザ素子によると、劈開により平坦な共振器面を容易に形成できるとともに、活性層へピエゾ電場が印加されることを抑制することができる。この結果、より素子の動作電圧を低減することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
また、ｎ型クラッド層３の凸部の一方の側面３ａおよび活性層６の一方の側面６０ａは、側面１１ａと同一面状に配置され、ｎ型クラッド層３の凸部の他方の側面３ｂおよび活性層６の他方の側面６０ｂは、側面１１ｂと同一面状に配置されている（図１４参照。）。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
ここで、第２実施形態では、側面３ａと側面６０ａと側面１１ａは、（０００−１）Ｎ面から２５〜３０°傾斜した面方位を有している。一方、側面３ｂと側面６０ｂと側面１１ｂは、（０００１）Ｇａ面から５°以内で傾斜した面方位を有している。ここで、側面６０ａと側面１１ａの活性層の主面に対する傾斜角度を、側面６０ｂと側面１１ｂの活性層６の主面に対する傾斜角度より小さくすることで、活性層６の一方の側面付近の実効屈折率を、活性層６の他方の側面の実効屈折率より小さくすることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
また、ｐ型クラッド層９上には、第１実施形態と同じ構造のｐ側オーミック電極１２が形成されている。側面３ａの近傍のｎ型クラッド層３の平坦部と側面３ａと側面６０ａと側面１１ａ上には、約２５０ｎｍの厚みを有するＳｉＯ2膜からなる電流狭窄層１３ａが形成されている。側面３ｂの近傍のｎ型クラッド層３の平坦部と側面３ｂと側面６０ｂと側面１１ｂ上には、約２５０ｎｍの厚みを有するＮｂ2Ｏ5膜（絶縁膜）からなる電流狭窄層１３ｂが形成されている。電流狭窄層１３ａと１３ｂ上の所定領域には、ｐ側オーミック電極１２の上面に接触するように、第１実施形態と同じ構造のｐ側パッド電極１４が形成されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
第２実施形態では、側面６０ａと側面１１ａの活性層の主面に対する傾斜角度を、側面６０ｂと側面１１ｂの活性層の主面に対する傾斜角度より小さくすることで、側面６０ａ付近の活性層の実効屈折率を、側面６０ｂ付近の活性層の実効屈折率より小さくしたので、側面６０ａ側の実効屈折率と側面６０ｂ側の実効屈折率とが同じ場合に比べて、高次水平横モードの発生を抑制することが可能な活性層の幅の上限寸法を大きくすることができる。これにより、高次水平横モードの発生に起因するキンクの発生を抑制しながら、活性層の幅を大きくすることができる。この場合、ｐ型クラッド層９と、ｐ側オーミック電極１２との接触面積を増大させることができるので、ｐ型クラッド層９とｐ側オーミック電極１２との間のコンタクト抵抗を低くすることができる。これにより、キンクの発生を抑制しながら、素子の動作電圧を低減させることができる。その結果、高出力動作時に良好なレーザ特性を得ながら、素子の動作電圧を低減させることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
次に、図１３に示すように、Ｃｌ2系ガスによるドライエッチング技術を用いて、ＳｉＯ2膜２１をマスクとして、ｐ型クラッド層９の上面からｎ型クラッド層３の途中の深さ（ｎ型クラッド層３の上面から約２００ｎｍの深さ）までをエッチングする。この際、基板温度を約２００℃に保持する。これにより、ｎ型クラッド層３の凸部とその上層によって構成されるとともに、約１．３μｍの幅を有する細長状のリッジ部が形成される。ここで、側面３ａと側面６０ａと側面１１ａは（０００−１）Ｎ面、側面３ｂと側面６０ｂと側面１１ｂは（０００１）Ｇａ面となり、活性層の主面とほぼ垂直な面方位を有する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
次に、図１４に示すように、ＮａＯＨなどの水溶液を用いて、リッジの側面をエッチングする。この際、側面３ａと側面６０ａと側面１１ａは（０００−１）Ｎ面を有しているのでエッチングされやすく、側面３ｂと側面６０ｂと側面１１ｂは化学的に安定な（０００１）Ｇａ面を有しているので、ほとんどエッチングされない。その結果、側面１１ａは、（０００−１）Ｎ面から２５〜３０°傾斜した面方位を有し、一方、側面１１ｂは、（０００１）Ｇａ面から５°以内で傾斜した面方位を有することになる。この結果、活性層６の幅は、約１．２μｍとなる。ここで、活性層およびｐ型半導体層の２つの側面を互いに異なる面方位とすることで、活性層およびｐ型半導体層の２つの側面の傾斜角度を互いに異なるようにすることが容易に可能となる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
次に、図１５に示すように、プラズマＣＶＤ法を用いて、側面３ａ側方のｎ型クラッド層３の平坦部と側面３ａと側面６０ａと側面１１ａを覆うように、約２５０ｎｍの厚みを有するＳｉＯ2膜からなる電流狭窄層１３ａを形成する。次に、ｎ型クラッド層３の平坦部と側面３ａと側面６０ａと側面１１ａおよび側面３ｂ側方のクラッド層３の平坦部と側面３ｂと側面６０ｂと側面１１ｂを含む全面を覆うように、約２５０ｎｍの厚みを有するＮｂ2Ｏ5膜からなる電流狭窄層１３ｂを形成する。この後、電流狭窄層１３ａと１３ｂ上のリッジ部１１に対応する領域以外の領域に、レジスト２４を形成する。次に、レジスト２４をマスクとして、ｐ側オーミック電極１２の上面上に位置する電流狭窄層１３をエッチングすることによって、図１６に示す状態にする。この後、レジスト２４を除去する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０８】
また、図２１に示すように、活性層６上には、約１００ｎｍの厚みを有するＡｌ0.40Ｇａ0.60Ｎからなるｐ側光ガイド層１１７が形成されている。ｐ側光ガイド層１１７上には、約２０ｎｍの厚みを有するとともに、約４×１０19ｃｍ-3のドーピング量を有するＭｇがドープされたｐ型Ａｌ0.50Ｇａ0.50Ｎからなるｐ型キャリアブロック層８０が形成されている。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０９】
ｐ型キャリアブロック層８０上には、凸部と、凸部の両側に続く平坦部とを有するとともに、約４×１０19ｃｍ-3のドーピング量を有するＭｇがドープされた厚さ２ｎｍのＡｌ0.40Ｇａ0.60Ｎと、Ｍｇがドープされた厚さ２ｎｍのＡｌ0.60Ｇａ0.40Ｎとからなる超格子構造のｐ型クラッド層９が形成されている。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１８】
次に、ＭＯＶＰＥ法を用いて、ｎ型６Ｈ−ＳｉＣ（１１−２０）基板１上に、第１実施形態と同様の条件により、ｎ型層２、ｎ型クラッド層３、ｎ型キャリアブロック層４、ｎ側光ガイド層１１５、活性層６、ｐ側光ガイド層１１７、ｐ型キャップ層８０、ｐ型クラッド層９、ｐ型コンタクト層１０を順次成長させる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５６】
１…基板
２…ｎ型層
３…ｎ型クラッド層
３ａ、３ｂ…側面
４…ｎ型キャリアブロック層
５…ｎ型光ガイド層
６…活性層
６ａ…障壁層
６ｂ…障壁層
６ｃ…井戸層
７…ｐ型光ガイド層
８…ｐ型キャップ層
９…ｐ型クラッド層
１０…ｐ型コンタクト層
１１…リッジ部
１１ａ、１１ｂ…側面
１２…ｐ側オーミック電極
１３、１３ａ、１３ｂ…電流狭窄層
１４…ｐ側パッド電極
１６…ｎ側電極
２１…ＳｉＯ2膜２１
２２、２４…レジスト
３２…サファイア基板
３３…低温バッファ層
３４…ＧａＮ層
３５…ＳｉＯ２膜
３６…選択成長下地
３７…ＩｎＧａＮ層
６０ａ…側面
６０ｂ…側面
８０…ｐ型キャリアブロック層
１１５…ｎ側光ガイド層
１１７…ｐ側光ガイド層
１２７…ｐ側光ガイド層
【手続補正１４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
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【手続補正１５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
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【手続補正１６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２１】
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