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【手続補正書】
【提出日】平成20年2月8日(2008.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性樹脂の感温ペレットを収容する金属製外囲器と、前記外囲器の一端側に固着され第１電極を先端部に形成した第１リード部材と、前記外囲器の他端側に固定され第２電極を外囲器内壁面に形成した第２リ−ド部材と、前記感温ペレットを押圧する可動導電体およびスプリング体を含むスイッチング機能部材とを具備し、前記感温ペレットの軟化・溶融により所定の動作温度で前記第１電極および第２電極間の電気回路をスイッチングする温度ヒューズにおいて、前記熱可塑性樹脂に関する軽量化、多層化または混合化に依存する前記動作温度でスイッチング応答速度を速める作動促進手段を感温ペレットに付与したことを特徴とする感温ペレット型温度ヒューズ。
【請求項２】
前記熱可塑性樹脂の軽量化が体積比で２５％以下の空洞率を形成する気泡または中空空洞部分であることを特徴とする請求項１に記載の感温ペレット型温度ヒューズ。
【請求項３】
前記熱可塑性樹脂の多層化または混合化は異種樹脂材の使用であり、前記異種樹脂材は前記動作温度で軟化・溶融する第１樹脂材およびこの第１樹脂材より低い温度で軟化・溶融する第２の樹脂材からなることを特徴とする請求項１に記載の感温ペレット型温度ヒューズ。
【請求項４】
前記熱可塑性樹脂の多層化または混合化は、前記第１樹脂材に対する前記第２樹脂材の体積占有率を３０％以下にすることを特徴とする請求項３に記載の感温ペレット型温度ヒューズ。
【請求項５】
前記感温ペレットに対する作動促進手段の付与は、溶融状態の熱可塑性樹脂材を押し出し成形する線材加工において、軽量化の気泡・空洞形成、多層化の異種樹脂材ラミネート形成、あるいは混在化の異種樹脂材混合により実施することを特徴とする請求項１に記載の感温ペレット型温度ヒューズ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明によれば、結晶性を有する熱可塑性樹脂の感温ペレットと、この感温ペレットを収容する金属製外囲器と、外囲器の一端側に固着され第１電極を先端部に形成する第１リード部材と、外囲器の他端側に固定され第２電極を外囲器内壁面に形成する第２リード部材と、感温ペレットを押圧するよう可動導電体およびスプリング体を含むスイッチング機能部材とを具備し、感温ペレットの軟化・溶融により所定の動作温度で前記第１電極および前記第２電極間の電気回路をスイッチングする温度ヒューズにおいて、動作温度におけるスイッチング応答速度を速める作動促進手段を感温ペレットに付与したことを特徴とする感温ペレット型温度ヒューズが提供される。ここで、前記作動促進手段は感温ペレットに形成した気泡、窪み、中空等の空洞部分による軽量化、あるいは感温ペレットを異種の熱可塑性樹脂材を使用した多層化または混在化による。また、感温ペレットに形成した空洞部分である軽量化の場合、ペレット単位重量を小さくする度合いとして、空洞部分を有しないペレット重量／空洞部分を有するペレット重量の百分率で表わす空洞率が２５ｖｏｌ％以下とすることが好ましい。さらに、多層化または混在化による場合、異種の熱可塑性樹脂材は動作温度を決定する第１樹脂材およびこの第１樹脂材より低い融点を有する第２樹脂材を含むことを要件とすることを開示する。換言すると、金属製外囲器内に収容した熱可塑性樹脂の軟化・溶融により所定の動作温度で第１電極および第２電極間の回路を遮断する温度ヒューズにおいて、前記熱可塑性樹脂に関する軽量化、多層化または混合化に依存して所定の動作温度でのスイッチング応答速度を速める作動促進手段を付与したことを特徴とする感温ペレット型温度ヒューズを提供する。たとえば、軽量化に依存する場合には、熱可塑性樹脂ペレットの空洞率２５％以内の範囲で気泡または中空空洞部を形成した感温ペレット型温度ヒューズを提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月3日(2008.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記絶縁テープはポリプロピレン製、ポリフェニレンサルファイド製またはポリイミド製であり、かつ表面粗さがＲａ１になるように表面加工されたものであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
１．正極板
正極活物質としての平均粒径が５μｍのＬｉＣｏＯ2粉末と、正極導電剤としての人造黒鉛粉末を質量比で９：１となるように混合して正極合剤を調整した。得られた正極合剤と、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶｄＦ）からなる結着剤をＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）からなる有機溶剤に５質量％溶解した結着剤溶液とを固形分の質量比で９５：５となるように混合、混練して、正極合剤スラリーを調製した。ついで、正極集電体１１としてのアルミニウム箔（箔厚み：１５μｍ）を用意し、このアルミニウム箔からなる正極集電体１１の両面に正極合剤スラリーをドクターブレード等を用いて均一に塗布した。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月21日(2008.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力電源と、該入力電源の出力を昇圧または降圧して出力する電源回路と、該電源回路の出力を、極性を切り替えつつ放電灯に印加して該放電灯を交流動作させるブリッジ回路と、前記放電灯を始動させる点灯回路と、前記電源回路を制御する制御回路と、前記ブリッジ回路を駆動する駆動回路とを備え、前記ブリッジ回路は、前記電源回路の正極側に接続された第１のスイッチング素子および前記電源回路の負極側に接続された第２のスイッチング素子からなる直列回路と、前記電源回路の正極側に接続された第３のスイッチング素子および前記電源回路の負極側に接続された第４のスイッチング素子からなる直列回路とから構成されている放電灯点灯装置において、
前記第２のスイッチング素子と前記第４のスイッチング素子の接続点と、前記電源回路の負極側との間に、抵抗要素と該抵抗要素に並列に接続されたスイッチング素子とからなる過電流抑制回路が接続されており、
前記放電灯に過大電流が流れている時に、前記制御回路により前記過電流抑制回路のスイッチング素子をオフにすることで、前記第２および第４のスイッチング素子に、電流制御用の電圧として、前記駆動回路から出力される所定の駆動電圧から前記過電流抑制回路の前記抵抗要素の両端間電圧を減じた電圧が印加され、
該電圧が、前記抵抗要素に流れる前記過大電流の大きさに応じて自動的に調整されることにより、前記第２および第４のスイッチング素子を不飽和領域で動作させ、前記過大電流を抑制することを特徴とする放電灯点灯装置。
【請求項２】
前記過電流抑制回路のスイッチング素子は、前記制御回路により、前記過大電流が流れ終わった後にオンするように制御されることを特徴とする請求項１に記載の放電灯点灯装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明に係る放電灯点灯装置は、入力電源と、該入力電源の出力電圧を昇圧または降圧して出力する電源回路と、該電源回路の出力電圧を、極性を切り替えつつ放電灯に印加して該放電灯を交流動作させるブリッジ回路と、前記放電灯を始動させる点灯回路と、前記電源回路を制御する制御回路と、前記ブリッジ回路を駆動する駆動回路とを備え、前記ブリッジ回路は、前記電源回路の正極側に接続された第１のスイッチング素子および前記電源回路の負極側に接続された第２のスイッチング素子からなる直列回路と、前記電源回路の正極側に接続された第３のスイッチング素子および前記電源回路の負極側に接続された第４のスイッチング素子からなる直列回路とから構成されている放電灯点灯装置において、前記第２のスイッチング素子と前記第４のスイッチング素子の接続点と、前記電源回路の負極側との間に、抵抗要素と該抵抗要素に並列に接続されたスイッチング素子とからなる過電流抑制回路が接続されており、前記放電灯に過大電流が流れている時に、前記制御回路により前記過電流抑制回路のスイッチング素子をオフにすることで、前記第２および第４のスイッチング素子に、電流制御用の電圧として、前記駆動回路から出力される所定の駆動電圧から前記過電流抑制回路の前記抵抗要素の両端間電圧を減じた電圧が印加され、該電圧が、前記抵抗要素に流れる前記過大電流の大きさに応じて自動的に調整されることにより、前記第２および第４のスイッチング素子を不飽和領域で動作させ、前記過大電流を抑制することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明によれば、抵抗要素と、その抵抗要素に並列に接続されたスイッチング素子からなる過電流抑制回路を、第２のスイッチング素子と第４のスイッチング素子の接続点と直流電源の負極側との間に接続するとともに、放電灯に過大電流が流れている時に、過電流抑制回路のスイッチング素子をオフにし、第２および第４のスイッチング素子に、電流制御用の電圧として、駆動回路から出力される所定の駆動電圧から過電流抑制回路の抵抗要素の両端間電圧を減じた電圧が印加されることで、放電灯に流れる電流の増大に応じて、第２のスイッチング素子および第４のスイッチング素子の電流制御用の電圧（例えばゲート・ソース間電圧）を低下させ（または、電流制御用の電圧の低下によりベース電流を低下させ）、第２および第４のスイッチング素子を不飽和領域で動作させることによって、これらのスイッチング素子に流れる電流を制限することができるため、放電灯に流れる過大電流を抑制することが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、このような過電流抑制は、特殊な駆動回路を使用することなく自動的に実施されるものであり、また、大きなインダクタンスを持つインダクタを使用する必要もないため、放電灯点灯装置の小型化、低コスト化に寄与するものとなる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、前記過電流抑制回路のスイッチング素子は、前記制御回路により、前記過大電流が流れ終わった後にオンするように制御されるものであり、これによって、過大電流が流れていないときの過電流抑制制御回路による損失を最小限に抑えることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月25日(2008.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理装置において、プラズマを生成し、試料に高周波電圧を印加することによりSiOC系膜を含む多層構造膜を有する被処理材をエッチング処理するプラズマ処理方法であって、
前記SiOC系膜のエッチングにおいて、対マスク選択比の高い異方性主体のエッチングを行った後、CxHyFzガス(x、y、z=０、１、２、…)を主体としかつN２及びO２を含まないガスを用いた等方的なエッチングを行うことを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
プラズマを生成し、試料に高周波電圧を印加することにより被処理材をエッチング処理するプラズマ処理装置を用いて、レジストマスク、反射防止膜、キャップ膜、SiOCH膜を含む多層構造膜を有する被処理材をエッチングにて所定のエッチング加工形状に加工するプラズマ処理方法であって、前記レジストが前記所定のエッチング加工形状に対応するマスクパターンを有するものにおいて、
前記多層構造膜の前記反射防止膜または該反射防止膜及び前記キャップ膜のエッチングステップにおいて、加工形状を前記マスクパターン寸法よりも細い形状に加工し、
前記SiOCH膜のエッチングにおいて、第１のステップにて対マスク選択比の高い異方性主体のエッチングを行って所望の深さまで加工した後、第２のステップにてCxHyFzガス(x、y、z=０、１、２、…)を主体としかつN２及びO２を含まないガスを用いた等方的なエッチングを行って前記マスクパターン寸法に対応した所定のエッチング加工形状に加工することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項３】
請求項２記載のプラズマ処理方法であって、前記反射防止膜または反射防止膜およびキャップ膜のエッチングステップにおいて、CF４とHを含む混合ガスを用いて加工形状を前記マスクパターン寸法よりも細い形状に加工することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項４】
プラズマを生成し、試料に高周波電圧を印加することにより被処理材をエッチングする装置を用いて、レジストマスク、反射防止膜、キャップ膜、SiOCH膜を含む多層構造膜のエッチングを行うエッチングプロセスにおいて、
前記SiOCH膜のエッチングにおいて、N２またはO２のガスを用いた対マスク選択比の高い異方性主体のエッチングを行う第１のステップと、CxHyFzガス(x、y、z=０、１、２、…)を主体としかつN２及びO２のガスを用いない等方的なエッチングを行う第２のステップとを周期的に繰り返すことを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項５】
請求項４記載のプラズマ処理方法において、前記繰り返し周期を０.１Hz〜１０kHzとすることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項６】
プラズマ処理装置において、プラズマを生成し、試料に高周波電圧を印加することによりSiOC系膜を含む多層構造膜を有する被処理材にエッチング処理によってトレンチ加工を行うトレンチエッチング方法であって、
前記SiOC系膜のトレンチエッチングにおいて、対マスク選択比の高い異方性主体のトレンチエッチングと、CxHyFzガス(x、y、z=０、１、２、…)を主体としかつN２及びO２を含まないガスを用いた等方的なトレンチエッチングとを、交互に繰り返して行うことを特徴とするトレンチエッチング方法。
【請求項７】
プラズマ処理装置において、プラズマを生成し、試料に高周波電圧を印加することにより被処理材にエッチング処理によって所定の形状のトレンチ加工を行うトレンチエッチング方法であって、
前記被処理材が、レジストマスク、反射防止膜、キャップ膜、SiOCH膜を含む多層構造膜を有し、前記レジストが前記所定のトレンチエッチング加工形状に対応するマスクパターンを有するものにおいて、
前記多層構造膜の前記反射防止膜または該反射防止膜及び前記キャップ膜のエッチングステップにおいて、加工形状を前記マスクパターン寸法よりも細い形状に加工し、
前記SiOCH膜のトレンチエッチングにおいて、第１のステップにて対マスク選択比の高い異方性主体のトレンチエッチングを行って所望の深さまで加工した後、第２のステップにてCxHyFz(x、y、z=０、１、２、…)を主体としかつN２及びO２を含まないガスを用いた等方的なトレンチエッチングを行って前記マスクパターン寸法に対応した所定のトレンチ形状に加工することを特徴とするトレンチエッチング方法。
【請求項８】
真空排気装置が接続され内部を減圧可能な処理室、該処理室内へガスを供給するガス供給装置、被処理材を載置可能な基板電極、該基板電極に対向するプラズマを発生するための電磁波を放射するアンテナ電極、該基板電極へ接続された高周波電源および該アンテナ電極へ接続された高周波電源、該基板電極へ接続された高周波電源と該アンテナ電極へ接続された高周波電源に印加する高周波の位相を制御する手段を備えたプラズマ処理装置において、
前記ガス供給装置を時間的に変調するためのガス流量変調器および該基板電極へ接続された高周波電源および該アンテナ電極へ接続された高周波電源の出力を時間変調する装置を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項９】
請求項８において、前記ガス供給装置を時間的に変調するためのガス流量変調器および前記基板電極へ接続された高周波電源および前記アンテナ電極へ接続された高周波電源の出力を同期して時間変調する装置を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１０】
請求項８または９において、該ガス供給装置を２系統以上に集約し、それぞれのガス供給系統に時間的に変調するためのガス流量変調器を具備することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１１】
請求項８、９、または１０のいずれかにおいて、該ガス供給装置を時間的に変調するためのガス流量変調器としてピエゾバルブを用いることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１２】
請求項８、９、１０、または１１のいずれかにおいて、前記時間変調の繰り返し周期を０.１Hz〜１０kHzとすることを特徴とするプラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月8日(2008.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コイルと、
周期的な送信電流パルスを前記コイルに供給する手段と、
前記送信電流パルスにより誘導される電圧のために被検出物体内にあらかじめ流れる減衰中の電流による送信電流の終了後に、前記コイル内に誘導される電圧に対する信号を処理する手段を含む誘導近接スイッチであって、
前記コイル（１２）、周期的な送信電流を前記コイルに提供する前記手段および前記信号を処理する前記手段は、円筒形のハウジング（２１）上に配置され、この円筒形のハウジング（２１）は、前記近接スイッチの能動面（２４）の側が閉鎖されており、強磁性でない金属からなり、その特定の電気抵抗は比較的に高いものである前記誘導近接スイッチ。
【請求項２】
請求項１記載のスイッチであって、前記ハウジングは、１つの部品で作られている誘導近接スイッチ。
【請求項３】
請求項１または２記載のスイッチであって、前記ハウジングは、非磁性ステンレス鋼で作られている誘導近接スイッチ。
【請求項４】
請求項１または２記載のスイッチであって、前記送信電流パスルの周期は、５０から５００マイクロ秒である誘導近接スイッチ。
【請求項５】
請求項１記載のスイッチであって、前記ハウジングは、円筒形であり、閉鎖を含み、閉鎖の厚みは、円筒形のハウジングの外径の３％から１０％の範囲である誘導近接スイッチ。
【請求項６】
請求項１記載のスイッチであって、前記ハウジングは、非円筒形であり、閉鎖を含み、閉鎖の厚みは、誘導近接スイッチの能動面に内接する円の直径の３％から１０％の範囲にある誘導近接スイッチ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月15日(2008.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極パッド上に配置されたバンプの上にリード配線の一部を位置させた状態で、前記バンプを溶融させて前記リード配線と前記バンプとの間の電気的接続部を形成するボンディング方法において、
前記リード配線は、前記バンプを覆う領域の一部に切欠き部又は貫通穴を有するものであって、
前記リード配線の上面側から見て前記切欠き部又は前記貫通穴から露出した前記バンプの露出部に対して、前記リード配線の上方から光ビームを照射して前記リード配線と比較して低融点の材料からなる前記バンプを溶融させることを特徴とするボンディング方法。
【請求項２】
前記電気的接続部を複数形成するボンディング方法であって、前記バンプを溶融させる際に、前記光ビームを前記電気的接続部ごとに照射する、請求項１に記載のボンディング方法。
【請求項３】
前記バンプを溶融させる際に、前記光ビームを、マスク部材の透光部を通過させて照射する、請求項２に記載のボンディング方法。
【請求項４】
前記電気的接続部を複数形成するボンディング方法であって、前記バンプを溶融させる際に、前記光ビームを、マスク部材に形成された複数の透光部を通過させて照射することで、前記複数の電気的接続部のうちの２以上を同時に形成する、請求項１に記載のボンディング方法。
【請求項５】
前記光ビームは、キセノンランプ又は半導体レーザーを光源とした光ビームである、請求項１から４のいずれか１項に記載のボンディング方法。
【請求項６】
電極パッド上に配置されたバンプの上にリード配線の一部を位置させた状態で、前記バンプを溶融させて前記リード配線と前記バンプとの間の電気的接続部を形成するボンディング方法であって、
前記リード配線によって覆われることなく露出した状態となっている前記バンプの一部に対して、前記リード配線の上方から光ビームを照射して前記リード配線と比較して低融点の材料からなる前記バンプを溶融させることを特徴とするボンディング方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ボンディング方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、例えば記録素子ユニットにおいて、半田等からなるバンプを介在させた状態でリード配線と電極パッドとを接合して電気的接続部を形成するボンディング方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明のボンディング方法は、電極パッド上に配置されたバンプの上にリード配線の一部を位置させた状態で、前記バンプを溶融させて前記リード配線と前記バンプとの間の電気的接続部を形成するボンディング方法において、前記リード配線は、前記バンプを覆う領域の一部に切欠き部又は貫通穴を有するものであって、前記リード配線の上面側から見て前記切欠き部又は前記貫通穴から露出した前記バンプの露出部に対して、前記リード配線の上方から光ビームを照射して前記リード配線と比較して低融点の材料からなる前記バンプを溶融させることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明のボンディング方法によれば、バンプの露出部に対して光ビームを直接照射するものであるため、バンプを効率的に溶融させることができ、ひいては電気的接続部の形成を効率的に行うことが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月3日(2008.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主表面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の主表面上に間隔をあけて形成された第１と第２フローティングゲートと、
前記第１と第２フローティングゲート上の第１と第２コントロールゲートと、
前記第１コントロールゲート上に形成された第１絶縁膜と、
前記第２コントロールゲート上に形成され、前記第１絶縁膜に接触するように形成された第２絶縁膜と、
前記第１絶縁膜と、前記第２絶縁膜とを接触させることで、少なくとも前記第１フローティングゲートと前記第２フローティングゲート間に形成された空隙部と、
前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜の表面上に形成され、前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜との接触部を覆う第３絶縁膜とを備え、
前記空隙部は、前記第３絶縁膜の埋め込み性よりも埋め込み性の低い前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜とによって形成され、前記空隙部は、前記第１および第２絶縁膜と異なる材質とされた前記第３絶縁膜によって閉塞される、不揮発性半導体装置。
【請求項２】
前記空隙部は、前記第１と第２フローティングゲート間から、前記第１と第２コントロールゲートの上端部より上方に亘って形成された、請求項１に記載の不揮発性半導体装置。
【請求項３】
前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜とは、酸化シリコン膜より誘電率が低い多孔質の絶縁膜から形成された、請求項１または請求項２に記載の不揮発性半導体装置。
【請求項４】
少なくとも前記第１および第２フローティングゲートの側面と、前記第１および第２コントロールゲートの側面とを覆う第４絶縁膜をさらに備えた、請求項１から請求項３のいずれかに記載の不揮発性半導体装置。
【請求項５】
主表面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の主表面上に形成された第１と第２フローティングゲートと、
前記第１フローティングゲートと前記第２フローティングゲートとの間に形成され、酸化シリコン膜より誘電率が低く、多孔質の絶縁膜と、
前記絶縁膜の上面上に形成され、前記多孔質性の絶縁膜内に水が入り込むことを抑制可能な耐湿性を有する他の絶縁膜と、
を備えた不揮発性半導体装置。
【請求項６】
前記第１と第２フローティングゲート上に形成された第１と第２コントロールゲートをさらに備え、
前記第１フローティングゲートと前記第２フローティングゲートとの間および前記第１コントロールゲートと前記第２コントロールゲートとの間に前記多孔質の絶縁膜が形成された請求項５に記載の不揮発性半導体装置。
【請求項７】
主表面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の主表面上に間隔をあけて形成された第１と第２フローティングゲートと、
前記第１と第２フローティングゲート上の第１と第２コントロールゲートと、
前記第１コントロールゲート上に形成された第１絶縁膜と、
前記第２コントロールゲート上に形成され、前記第１絶縁膜に接触するように形成された第２絶縁膜と、
前記第１絶縁膜と、前記第２絶縁膜とを接触させることで、少なくとも前記第１フローティングゲートと前記第２フローティングゲート間に形成された空隙部と、
前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜の表面上に形成され、前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜との接触部を覆う第３絶縁膜とを備え、
前記空隙部は、前記第３絶縁膜の埋め込み性よりも埋め込み性の低い前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜とによって形成され、前記空隙部は、前記第３絶縁膜によって閉塞される、不揮発性半導体装置。
【請求項８】
少なくとも前記第１および第２フローティングゲートの側面と、前記第１および第２コントロールゲートの側面を覆うように形成された第４絶縁膜をさらに備えた、請求項７に記載の不揮発性半導体装置。
【請求項９】
半導体基板の主表面上に第１と第２フローティングゲートを形成する工程と、
前記第１と第２フローティングゲート上に第１と第２コントロールゲートを形成する工程と、
前記第１と第２コントロールゲート上に第１と第２絶縁膜を形成し、前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜とを接触させることで、少なくとも前記第１フローティングゲートと前記第２フローティングゲートとの間に空隙部を形成する工程と、
を備えた不揮発性半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１と第２フローティングゲートおよび前記第１と第２コントロールゲートの表面上に第３絶縁膜を形成する工程をさらに備える、請求項９に記載の不揮発性半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１絶縁膜および前記第２絶縁膜の表面上に、他の絶縁膜を形成する工程をさらに
、備える、請求項９または請求項１０に記載の不揮発性半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
半導体基板の主表面上に複数のフローティングゲートを形成する工程と、
前記フローティングゲート間に酸化シリコン膜より誘電率が低く、多孔質の絶縁膜を形成する工程と、
を備えた、不揮発性半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月16日(2008.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光装置の投影光学系の光学性能を測定する測定方法であって、
レーザー光を前記投影光学系に照射する照射ステップと、
前記レーザー光を照射された前記投影光学系の透過率を測定する第１の測定ステップと、
前記第１の測定ステップで測定した前記投影光学系の透過率に応じて、前記投影光学系の光学性能を測定する第２の測定ステップと、
を有することを特徴とする測定方法。
【請求項２】
前記第２の測定ステップでは、前記第１の測定ステップで測定した前記投影光学系の透過率の変動が１％以下であった場合に、前記投影光学系の光学性能を測定することを特徴とする請求項１記載の測定方法。
【請求項３】
前記第２の測定ステップでは、前記光学特性として波面収差を測定することを特徴とする請求項１または２記載の測定方法。
【請求項４】
前記照射ステップでは、照度が０．００１乃至１０ｍＪ／ｃｍ２／ｐｌｓである前記レーザー光を１０乃至５００Ｍｐｌｓだけ前記投影光学系に照射することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか記載の測定方法。
【請求項５】
前記照射ステップでは、前記投影光学系の瞳面の全面を前記レーザー光で照射するための回折光を発生させるレチクルを使用することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか記載の測定方法。
【請求項６】
前記照射ステップでは、前記投影光学系の瞳面の全面を前記レーザー光で照射するためにσ＞１に設定可能な照射ユニットを使用することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか記載の測定方法。
【請求項７】
前記照射ステップでは、前記露光装置の露光光と同じ波長のレーザー光を使用することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか記載の測定方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】測定方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一側面としての測定方法は、露光装置の投影光学系の光学性能を測定する測定方法であって、レーザー光を前記投影光学系に照射する照射ステップと、前記レーザー光を照射された前記投影光学系の透過率を測定する第１の測定ステップと、前記第１の測定ステップで測定した前記投影光学系の透過率に応じて、前記投影光学系の光学性能を測定する第２の測定ステップと、を有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
透過光測定部１４０は、照射中に投影光学系４０の透過率を測定する（第１の測定ステップ）。透過光測定部１４０は、投影光学系４０の透過率が一定になるまで測定する。また、透過光測定部１４０は、透過率を軸上一点のみならず、像面における各位置でそれぞれ確認してもよい。そして、投影光学系４０の透過率が一定量以上になるのを確認するのに、透過光測定部１４０として瞳透過率分布を測定するユニットを用い、瞳面内における各位置での透過率を確認しても良い。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
投影光学系４０は、複数のレンズ素子のみからなる光学系、複数のレンズ素子と少なくとも一枚の凹面鏡とを有する光学系（カタディオプトリック光学系）、複数のレンズ素子と少なくとも一枚のキノフォームなどの回折光学素子とを有する光学系、全ミラー型の光学系等を使用することができる。色収差の補正が必要な場合には、互いに分散値（アッベ値）の異なるガラス材からなる複数のレンズ素子を利用したり、回折光学素子をレンズ素子と逆方向の分散が生じるように構成したりする。かかる投影光学系４０の光学性能（例えば、波面収差）を、測定装置１００が測定する（第２の測定ステップ）。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月10日(2008.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
図２に示すように，例えばＨＤＤ内蔵型オーディオプレーヤとして構成される再生装置２０は，ユーザが容易に持ち運びできる大きさの筐体２１内に，ＨＤＤと再生部（図示せず。）が内蔵されたポータブルデバイス（ＰＤ）である。この筐体２１の本体表面には，例えば，ユーザが再生装置２０を操作するためのメイン操作ボタン２０６ａと，コンテンツに関する情報や再生装置２０の動作状態を表示するメイン表示パネル２０７ａとが配設されている。また，筐体２１の一端に配設された接続端子には，例えば，リモートコントローラ２１３付きのヘッドフォン２１４が接続される。このリモートコントローラ２１３にも，ユーザが再生装置２０を操作するためのサブ操作ボタン２０６ｂと，コンテンツに関する情報や再生装置２０の動作状態を表示するサブ表示パネル２０７ｂとが配設されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
ストレージ装置２０８は，再生装置２０が備えた記憶部の一例として構成されたデータ格納用の装置である。このストレージ装置２０８は，例えば，大容量（例えば数十ＧＢ）の記憶容量を有するＨＤＤで構成されており，膨大な数のコンテンツ（例えば，数千，数万曲の音楽コンテンツ）や，制御装置２０１のプログラム，処理データ等の各種のデータを格納する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
より詳細には，再生出力切替部２６６には，上記第１〜第５の再生部２６４Ａ〜Ｅによって再生された各コンテンツグループの再生データがそれぞれ入力されている。再生出力切替部２６６は，このように入力される複数の再生データから，グループ選択部２５０によって選択された１つのコンテンツグループに対応する再生データを選択して，出力装置２１０に出力する。図５の例では，コンテンツグループＣの再生データが選択されて，出力装置２１０から音声出力されている状態が示されている。このように，再生出力切替部２６６は，グループ選択部２５０による選択結果に応じて，複数のコンテンツグループの再生データを切り替えて出力する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１６】
図１０に示すように，まず，ステップＳ１０では，再生装置２０の記憶媒体に記憶された複数のコンテンツデータが，複数のコンテンツグループにグループ化される（ステップＳ１０；グループ設定ステップ）。具体的には，上記グループ設定部２４０は，ストレージ装置（ＨＤＤ）２０８のコンテンツデータベース２３２に記憶されている複数のコンテンツを，上述したような各種のグループ化基準に基づき分類して，複数のコンテンツグループを設定する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２２】
さらに，ステップＳ２０では，上記コンテンツグループＡが選択された時点から，コンテンツグループＡの再生データが出力される（ステップＳ２０；第１の再生ステップ）。上記ステップＳ１８でコンテンツグループＡが選択されると，図１１に示すように，コンテンツグループＡが選択された時点から，コンテンツグループＡに属する複数のコンテンツＡ１，Ａ２・・・を順次連続再生した再生データが出力装置２１０から出力される。これによって，ユーザは，コンテンツグループＡのコンテンツストリームＡ１，Ａ２・・・を視聴できるようになる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２４】
次いで，ステップＳ２４では，上記コンテンツグループＢが選択された時点から，コンテンツグループＢの再生データが出力される（ステップＳ２４；第２の再生ステップ）。上記ステップＳ２２でコンテンツグループＢが選択されると，図１１に示すように，コンテンツグループＢが選択された時点から，コンテンツグループＢに属する複数のコンテンツＢ１，Ｂ２・・・を順次連続再生した再生データのうち，当該選択された時点に対応するコンテンツＢ２の再生データが出力装置２１０から出力される。このとき，例えば，コンテンツＢ２の再生データ中の当該選択された時点以降の再生データが出力される。これによって，ユーザは，コンテンツグループＢのコンテンツストリームＢ２，Ｂ３・・・を視聴できるようになる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２６】
その後，ステップＳ２８では，上記コンテンツグループＣが選択された時点から，コンテンツグループＣの再生データが出力される（ステップＳ２８；第３の再生ステップ）。上記ステップＳ２６でコンテンツグループＣが選択されると，図１１に示すように，コンテンツグループＣが選択された時点から，コンテンツグループＣに属する複数のコンテンツＣ１，Ｃ２・・・を順次連続再生した再生データのうち，当該選択された時点に対応するコンテンツＣ３の再生データが出力装置２１０から出力される。このとき，例えば，コンテンツＣ３の再生データ中の当該選択された時点以降の再生データが出力される。これによって，ユーザは，コンテンツグループＣのコンテンツストリームＣ３・・・を視聴できるようになる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２８】
さらに，ステップＳ３２では，上記コンテンツグループＢが再度選択された時点から，コンテンツグループＢの再生データが出力される（ステップＳ３２；第４の再生ステップ）。上記ステップＳ２８でコンテンツグループＢが再度選択されると，図１１に示すように，コンテンツグループＢが再度選択された時点から，コンテンツグループＢに属する複数のコンテンツＢ１，Ｂ２・・・を順次連続再生した再生データのうち，当該選択された時点に対応するコンテンツＢ３の再生データが出力装置２１０から出力される。このとき，例えば，コンテンツＢ３の再生データ中の当該選択された時点以降の再生データが出力される。これによって，上記のようにしてチャンネルＣからチャンネルＢに戻した，ユーザは，元々視聴していたコンテンツグループＢのコンテンツＢ３・・・を再度視聴することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月18日(2008.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボーダーイン領域とユーザー情報記録領域とボーダーアウト領域とをそれぞれ少なくとも１つ以上有する記録媒体から情報を再生する装置において、
前記記録媒体から情報を再生するために前記記録媒体上の情報再生位置に対するフォーカス、トラッキング制御を行うサーボ手段と、
前記記録媒体から再生された情報に対して復調、エラー訂正処理を行う再生処理手段と、
前記サーボ手段の状況を検知するサーボ状況検知手段と、
前記再生処理手段のリード処理状況を検知するリード処理状況検知手段と、
前記記録媒体上のボーダーイン領域の情報再生時、前記サーボ状況検知手段でエラーを検知した場合、または前記リード処理状況検知手段でアドレス異常エラーを検知した場合、再生を中断して、ボーダーイン領域の内周側に隣接しているボーダーアウト領域内に存在するボーダーマーカー領域の情報再生を行うシステム制御手段と
を備えることを特徴とする情報再生装置。
【請求項２】
ボーダーイン領域とユーザー情報記録領域とボーダーアウト領域とをそれぞれ少なくとも１つ以上有する記録媒体から情報を再生する装置において、
前記記録媒体から情報を再生するために前記記録媒体上の情報再生位置に対するフォーカス、トラッキング制御を行うサーボ手段と、
前記記録媒体から再生された情報に対して復調、エラー訂正処理を行う再生処理手段と、
前記サーボ手段の状況を検知するサーボ状況検知手段と、
前記再生処理手段のリード処理状況を検知するリード処理状況検知手段と、
前記記録媒体上のボーダーイン領域の情報再生時、前記サーボ状況検知手段でエラーを検知した場合、または前記リード処理状況検知手段でアドレス異常エラーを検知した場合、再生を中断して、ボーダーイン領域の内周側に隣接しているボーダーアウト領域内の中央に位置する領域の情報再生を行うシステム制御手段と
を備えることを特徴とする情報再生装置。
【請求項３】
ボーダーイン領域とユーザー情報記録領域とボーダーアウト領域とをそれぞれ少なくとも１つ以上有する記録媒体から情報を再生する装置において、
前記記録媒体から情報を再生するために前記記録媒体上の情報再生位置に対するフォーカス、トラッキング制御を行うサーボ手段と、
前記記録媒体から再生された情報に対して復調、エラー訂正処理を行う再生処理手段と、
前記サーボ手段の状況を検知するサーボ状況検知手段と、
前記再生処理手段のリード処理状況を検知するリード処理状況検知手段と、
前記記録媒体上のボーダーイン領域の情報再生時、前記サーボ状況検知手段でエラーを検知した場合、または前記リード処理状況検知手段でアドレス異常エラーを検知した場合、再生を中断して、ボーダーイン領域とボーダーイン領域の内周側に隣接しているボーダーアウト領域との連結領域の情報再生を行うシステム制御手段と
を備えることを特徴とする情報再生装置。
【請求項４】
前記システム制御手段は、ボーダーアウト領域内にボーダーマーカー領域が複数ある場合に、いずれか少なくとも１つ以上のボーダーマーカー領域の情報の再生を行うことを特徴とする請求項１記載の情報再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
上記課題を解決するために、本発明の情報再生装置は、記録媒体から情報を再生するために記録媒体上の情報再生位置に対するフォーカス、トラッキング制御を行うサーボ手段と、記録媒体から再生された情報に対して復調、エラー訂正処理を行う再生処理手段と、サーボ手段の状況を検知するサーボ状況検知手段と、再生処理手段のリード処理状況を検知するリード処理状況検知手段と、記録媒体上のボーダーイン領域の情報再生時、サーボ状況検知手段でエラーを検知した場合、または前記リード処理状況検知手段でアドレス異常エラーを検知した場合、再生を中断して、ボーダーイン領域の内周側に隣接しているボーダーアウト領域内に存在するボーダーマーカー領域の情報の再生を行うシステム制御手段とを備えて構成している。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月21日(2008.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材粒子と、前記基材粒子の表面に形成されたニッケル又はニッケル合金を含有する導電層とからなる導電性粒子であって、
前記導電層は、表面に塊状微粒子の凝集体からなる突起を有する
ことを特徴とする導電性粒子。
【請求項２】
基材粒子は、樹脂粒子であることを特徴とする請求項１記載の導電性粒子。
【請求項３】
更に、導電層の表面に金層が形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の導電性粒子。
【請求項４】
基材粒子の表面をアルカリ溶液を用いてエッチングする工程１と、エッチングされた前記基材粒子の表面に触媒付与を行う工程２と、メッキ安定剤を含有する基材粒子分散液に、ニッケル又はニッケル合金、及び、メッキ安定剤を含有するメッキ液を添加し、触媒付与された前記基材粒子の表面に導電層を形成させる工程３とを有する導電性粒子の製造方法であって、
前記工程１のアルカリ溶液の濃度をＡ（重量％）、前記工程３の基材粒子分散液中におけるメッキ安定剤の濃度をＢ（ｍｏｌ／Ｌ）とするとき、ＡとＢとの比（Ｂ／Ａ）が下記式（１）を満たす
ことを特徴とする導電性粒子の製造方法。
５．０×１０−７＜Ｂ／Ａ＜３．０×１０−６            （１）
【請求項５】
請求項１、２又は３記載の導電性粒子が樹脂バインダーに分散されてなることを特徴とする異方性導電材料。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月6日(2008.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
前記オーバーコート層は、前記アンダーコート層に接して前記反射層の全面を覆っていることを特徴とする請求項１、２、５から１０のいずれかに記載の反射膜付き赤外線電球。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月3日(2008.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記キャピラリー部をトンネル探針とし、さらに、該トンネル探針と前記試料との間に生じるトンネル電流を制御する制御部を有し、該制御部が前記可動の試料台を制御して、上記トンネル探針の走査をすることにより前記試料に設けられた位置情報を検出することを特徴とする、請求項３に記載の多価イオン照射装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意研究した結果、低速な多価イオンを、先端にキャピラリー部を備えた多価イオンガイドにより収束させることにより、試料の所定箇所に多価イオンを照射することができる、多価イオンを用いたイオン照射装置及びそれを用いた微細構造の製造方法を完成させるに至った。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記の課題を解決するため、本発明の多価イオン照射装置は、多価イオン発生源と、多価イオンを試料に導くための多価イオンガイドと、試料を搭載する可動の試料台と、二次電子検出器と、を含み、多価イオンを可動の試料台の制御により試料の所定位置に照射することを特徴とする。
また、本発明の多価イオン照射装置は、多価イオン発生源と、多価イオンを試料に導くための多価イオンガイドと、試料を搭載する可動の試料台と、複数の二次電子検出器及び二次電子信号処理部と、を含み、多価イオンガイドに導かれた多価イオンを、可動の試料台の位置制御により試料表面の所望の位置に照射し、多価イオンが試料面に衝突した際に放出される二次電子を複数の二次電子検出器で検出して、多価イオンの試料への照射個数を二次電子信号処理部で計測することを特徴とする。
上記構成において、多価イオンガイドは、好ましくは、その一端に多価イオン発生源からの多価イオンを入射し、その他端から多価イオンを出射する構造を有し、多価イオンガイドの他端部がキャピラリー部からなる。
好ましくは、キャピラリー部をトンネル探針とし、さらに、トンネル探針と試料との間に生じるトンネル電流を制御する制御部を有し、制御部が可動の試料台を制御して、トンネル探針の走査をすることにより試料に設けられた位置情報を検出する。
二次電子検出器は、好ましくは電気的に独立した複数の二次電子検出器を有する。この二次電子検出器は、複数のチャンネルトロン又は複数のアノード電極を持つマイクロチャンネルプレートからなっていてよい。さらに、二次電子信号処理部は前記複数の二次電子検出器からの信号判定回路を備え、信号判定回路が、試料への多価イオンの照射個数を計測するようにしてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
図２は、図１の多価イオンガイドの先端部の構成を模式的に示す断面図である。多価イオンガイド３３においては、その一端３３Ａに多価イオン３４を入射し、他端３３Ｂから多価イオン３４を出射する。つまり、多価イオン３４を試料３５を載置する試料台３６に導くためのガイドとなっている。そして、多価イオンガイドの他端側３３Ｂの先端部３３Ｃが、直径がおおよそ１００ｎｍ以下程度の開口部を有する、所謂、キャピラリー構造となっている。この多価イオンガイド３３は、好ましくは絶縁体からなり、例えばセラミックや石英ガラスを用いることができる。このようなキャピラリーは、例えば石英の細管を加熱溶融し、溶融状態にて引き伸ばし加工を行なうことで製作することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
電子源４から発生された電子は、超伝導磁石１１の磁場中に配置されたドリフトチューブ５を通る。図７に示す電源を用いた場合には、電子銃４とドリフトチューブ５の間で、電子が最大４０ｋＶまで加速される。この加速されてドリフトチューブ５に入射した電子は、超伝導磁石１１によりドリフトチューブ５に形成される強磁場で圧縮され、大電流密度（〜１０００Ａ／ｃｍ2 ）の電子ビームとなり、コレクタ６に捕集される。図７に示す電源を用いた場合には、コレクタ６には２〜３ｋＶ位まで減速されて捕集される。この際、電子は、ドリフトチューブ５の直前で最大加速電圧が印加されるようになっている。原子を電離するためには、束縛電子の電離エネルギー以上のエネルギーを持った電子と衝突させなければならないので、重元素（例えば、キセノン（Ｘｅ）など）を完全に電離させるには１ｓ軌道の電離エネルギー（Ｘｅでは３５ｋｅＶ）より高いエネルギーが必要で、加速電圧３５ｋＶ以上が必要である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
次に、本発明の多価イオン照射装置の変形例５０の動作について説明する。
多価イオン発生源から放出された多価イオン２４を多価イオンガイド３３の一端より内部に導き、予めキャピラリー３３Ｃをトンネル探針として用い、試料３５の表面上に設けられた位置合わせのためのターゲットを検出することができる。この位置合わせ用のターゲットにより、多価イオン３４の照射位置を決定し、キャピラリー３３Ｃの先端より多価イオン３４を放出する。
本発明の多価イオン照射装置の変形例５０によれば、ＳＴＭにより精密な位置合わせを行い、試料３５の所望の位置に多価イオンを照射することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
質量分析制御部６２には、試料の分析をする所定位置に関する情報がＸＹＺステージから信号として入力される。この試料の所定位置に関する情報は、多価イオンガイド３３の先端がキャピラリー３３Ｃ構造の場合には、その制御部５４からの位置情報５４Ａでもよい。
そして、試料３５の位置が決定された後、多価イオン３４が試料３５に照射されると、試料３５の所定位置に存在する原子に応じた二次イオン６３が発生する。この場合に発生する二次電子３７が二次電子検出器３８Ａ，３８Ｂにより検出され、その有無が二次電子信号処理部３９により判定される。したがって、二次電子信号処理部３９のＡＮＤ回路４２の出力がハイレベルの場合が、試料３５に多価イオン３４が照射された時間に対応する。質量分析装置６１が、ＴＯＦ型質量分析装置である場合には、この質量分析制御部６２に入力されるＡＮＤ回路の出力４２Ｃがハイレベルとなった時刻が、測定開始の時間となる。この信号を質量分析測定の開始信号と呼ぶことにする。
これにより、開始信号以降に得られるＴＯＦ型質量分析装置の二次イオン検出器６１Ａからの信号が、試料から発生した二次イオンの信号である。二次イオンの信号検出が終了した時点で、二次イオン検出器６１Ａから質量分析制御部６２へ、測定停止信号６１Ｂが送出される。したがって、この開始信号から測定停止信号６１Ｂまでの信号を解析することにより、試料３５の所定位置に存在していた原子の質量分析を行なうことができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2006302785.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月4日(2008.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前方が開放した筐体と、この筐体内で前方に向かって光を照射するように上下にずれて配置されたそれぞれ少なくとも一つのＬＥＤ素子を有する複数個のＬＥＤランプユニットと、上記筐体の開放した前面を閉じる透光性材料から成る前面レンズと、を含んでいるＬＥＤランプにおいて、
上記ＬＥＤランプユニットの上方及び下方に配置される高熱伝導材料から成る熱伝導部材と、これら上方及び下方の熱伝導部材を互いに熱的に接続する高熱伝導材料から成る連結部材と、を備えていることを特徴とする、ＬＥＤランプ。
【請求項２】
前方が開放した筐体と、この筐体内で前方に向かって光を照射するように上下にずれて配置されたそれぞれ少なくとも一つのＬＥＤ素子を有する複数個のＬＥＤランプユニットと、上記筐体の開放した前面を閉じる透光性材料から成る前面レンズと、を含んでいる車両用のＬＥＤランプにおいて、
上記ＬＥＤランプユニットの上方及び下方に配置される高熱伝導材料から成る熱伝導部材と、これら上方及び下方の熱伝導部材を互いに熱的に接続する高熱伝導材料から成る連結部材と、を備えていることを特徴とする、車両用のＬＥＤランプ。
【請求項３】
上記連結部材が、ＬＥＤランプユニットを筐体に対して支持する支持部材と熱的に連結されていることを特徴とする、請求項１または２に記載のＬＥＤランプ。
【請求項４】
上記上方及び下方の熱伝導部材が、板状若しくは骨組状に形成されていることを特徴とする、請求項１から３の何れかに記載のＬＥＤランプ。
【請求項５】
上記上方及び下方の熱伝導部材が、互いに異なるように表面処理されていることを特徴とする、請求項１から４の何れかに記載のＬＥＤランプ。
【請求項６】
上記上方及び下方の熱伝導部材と連結部材のうち、少なくとも何れかの一部が、筐体の外部にまで延びていることを特徴とする、請求項１から５の何れかに記載のＬＥＤランプ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月4日(2008.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直列接続された複数の素電池を電池ケース内に収容し、電池ケースをコードレス工具のハンドル部内に一部が挿入される挿入部及び挿入部の側方に位置してハンドル部内に挿入されない非挿入部より構成し、コードレス工具に給電する電池パックであって、
前記挿入部に収容される素電池の長手方向をハンドル部と同じ方向に向くように配置し、前記非挿入部に収容される素電池の長手方向をハンドル部とほぼ直角の方向に向くように配置するとともに、前記挿入部に収容される素電池の長手方向と直交方向から見たときに前記挿入部に収容される素電池と重なるように配置したことを特徴とするコードレス工具用電池パック。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的は、直列接続された複数の素電池を電池ケース内に収容し、電池ケースを工具のハンドル部内に一部が挿入される挿入部及び挿入部の側方に位置してハンドル部内に挿入されない非挿入部より構成し、工具に給電する電池パックであって、挿入部に収容される素電池の長手方向をハンドル部と同じ方向に向くように配置し、前記非挿入部に収容される素電池の長手方向をハンドル部とほぼ直角の方向に向くように配置するとともに、前記挿入部に収容される素電池の長手方向と直交方向から見たときに前記挿入部に収容される素電池と重なるように配置することにより達成される。