(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセル、複数の行アドレス線、複数の列アドレス線及び複数のソース線を備える電気的に消去及びプログラム可能なメモリデバイスであって、複数の行アドレス線の内の１つ及び複数の列アドレス線の内の１つの組み合わせの各々が、複数のセルの内の別々の１つのセルを画定し、さらに、前記複数のセルの各々が、選択された電位の基板に形成された単一のトランジスタからなり、さらに、前記単一のトランジスタは、
前記複数のソース線の内の関連する１つのソース線に結合されたソースと、
前記複数の列アドレス線の内の関連する１つの列アドレス線に結合されたドレインと、
前記複数の行アドレス線の内の関連する１つの行アドレス線に結合された制御ゲートと、
該制御ゲートと前記ソース及びドレインとの間に配置されたフローティングゲートとを備え、さらに、
前記関連する１つの列アドレス線を浮動状態とし、前記関連する１つのソース線に前記基板の電位を印加し、前記関連する１つの行アドレス線に、前記関連する１つのソース線の電位を越える正の第１の電位を印加することにより、前記ソースから前記フローティングゲートまで電子のファウラー・ノルドハイムトンネリングを誘導して、セルの電圧しきい値を第１レベルまで高める第１手段と、
前記関連する１つの列アドレス線に正の電位を印加し、前記関連する１つのソース線を浮動状態とし、前記関連する１つの行アドレス線に前記基板の電位より低い負の第２の電位を印加することにより、前記フローティングゲートから前記ドレインまで電子のファウラー・ノルドハイムトンネリングを誘導して、セルの電圧しきい値を第２レベルまで下げる第２手段と、
前記関連する１つの列アドレス線に正の第３の電位を印加し、前記関連する１つのソース線に第３の電位よりも低い正の第４の電位を印加し、前記関連する１つの行アドレスに正の第５の電位を印加し、前記ドレインからソースに流れる電流の有無を検出することにより、前記第２手段により生じた過消去状態のセルを特定する第３手段と、を備える電気的に消去及びプログラム可能なメモリデバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本願発明は電気的に消去可能かつプログラム可能な記憶装置及びその製法に関する。特に、本願発明はファウラーノルドハイムトンネリング(Fowler-Nordheim tunneling)を用いてプログラム及び消去の双方が可能な低電流単一トランジスタ型フラッシュＥＥＰＲＯＭセルに関する。
【０００２】
【従来の技術】
電気的に消去かつプログラム可能な読出し専用記憶装置（ＥＥＰＲＯＭ）及びその製造方法は、当業界では公知である。フラッシュＥＥＰＲＯＭと呼ばれるこのような装置は、Ｍｕｋｈｅｒｊｅｅ他に対する米国特許第４，６９８，７８７及び４，８６８，６１９に開示されている。フラッシュＥＥＰＲＯＭメモリは、一連の高密度（例えば、１メガバイト）セルによって形成される。各セルは単結晶半導体材料の本体から成る単一トランジスタで、それぞれソース、ドレイン及び本体に配置される絶縁材料の第１層を有する。フローティングゲートは、絶縁材料の第１層と第２層との間に配置され、ゲートは絶縁材料の第２層の上方に配置される。  ソースは、リンのような第１材料の深い領域及びヒ素及びリンのような第２材料の浅い領域で形成される。深い領域の一部は、絶縁材料の第２層の下に横たわり、第１材料は、消去操作中のバンド間トンネリングを低下させるために、ゲートとの接合重複を最適化するように選ばれる。ドレインは第２材料の浅い領域から形成される。
【０００３】
絶縁材料の第２層は、そのキャパシタンスを最適化させるように高誘電率を有する。これは、基板に関するフローティングゲートにかかる電圧を最大にし、それによって装置のフローティングゲートに対する電荷の記憶及び消去能力を最大にしている。
【０００４】
従来のフラッシュＥＥＰＲＯＭセルのプログラミングは、制御ゲート及びドレインに対してそれぞれ約１０乃至１２Ｖ及び４乃至６Ｖの電圧を加えること並びにソース及び基板を接地電位に保持することを要する。この電圧条件は、ソースとドレイン間に横たわる基板の一部（チャンネル領域）からホットエレクトロンが発生され、そしてこれがフローティングゲートに加速される。フラッシュＥＥＰＲＯＭセルを消去するためには、１０乃至１３Ｖの電圧がソースに印加されると同時にドレインを浮遊（以下、「浮動」ともいう）させかつ制御ゲート及び基板が接地電位に保たれる。このようにして、電子は、ファウラーノルドハイムトンネリングによってフローティングゲートからソース領域内へ流れる。
【０００５】
読出操作中セルの論理状態は、１乃至２Ｖの電位をドレインに、３乃至６Ｖの電位を制御ゲートに、接地電位をソースに印加することによって決められる。プログラムされたセルは、フローティングゲート上の電子の存在により高められた電圧閾値（Ｖｔ）を有するので、プログラムされたセルのチャンネル領域は、読出操作中導通しない。他方、消去されたセルは、約１Ｖの閾値電圧を有するのでそのチャンネル領域は、読出操作中導通する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
従来のフラッシュＥＥＰＲＯＭ技術では、いくつかの欠点が避けられなかった。その一つには、ホットエレクトロン注入プログラミングを用いることにある。このプログラミングは、多量に電流を消費するので、低電圧電源（５ボルト未満）が用いられるときには内部オンチップ電荷ポンプの使用を妨げる。
【０００７】
フラッシュＥＥＰＲＯＭ技術の他の欠点は、セルの寿命に影響を与える要因に帰着する。例えば、セルをプログラミングする場合、プログラムされるセルとカラム（列）を分担するすべてのセルのドレインは、プログラミングに必要な比較的高いドレイン電位を受けとる。これは列内のすべてのセルが、概して共通ビットラインを共有しているからである。選択されていないセルにおける妨害状態が、ドレイン（４乃至６Ｖ）及び基板（接地電位に保持される）間の電位差分によって引き起こされる。プログラミング中におけるドレイン及び基板間の比較的高い電圧低下は、ドレイン接合点におけるホットホールの形成につながる可能性がある。これらのホットホールは、ゲート絶縁体上に移動し、そこで恒久的に捕捉され、セルの早期破壊につながる。
【０００８】
ゲート絶縁体に捕捉されたホットホールは、デバイスの読出操作を妨害し、通常そのゲート絶縁体によって与えられる、基板及びフローティングゲート間のエネルギー障壁を低下させる。このエネルギー障壁の低下がまた電子を未選択セルのフローティングゲート上へ移動させることになる。ホットホールの生成は、ホットエレクトロンのエネルギーレベルが電子のそれを越えるように拡大され、これによりバンド間トンネリングを生じさせ、それがまた追加のホットエレクトロン・ホットホール対を放出し、かくしてゲート絶縁体におけるさらなるホットホールの捕捉（トラッピング）を生じさせる。
【０００９】
ソース・基板接合におけるブレークダウンは、ホットホールの生成及びトラッピングにつながる可能性があり、ソース（約１０乃至１３Ｖ）及び接地基板間の高い電圧差のために、同様に従来のフラッシュＥＥＰＲＯＭデバイスの消去中に起こりやすい。このブレークダウンは２重拡散したソース領域を形成することによって実質的に低減できるが、追加の拡散層を加えることではこのような影響を完全に除くことはできない。
【００１０】
現フラッシュＥＥＰＲＯＭ技術の他の欠点は、過剰消去（以下「過消去」ともいう）されたセルはビット毎に検出できないことである。過剰消去状態は、消去間にセルのフローティングゲートから過大の電子が取り除かれる場合に発生し、０ＶのＶｔ未満まで又はそのワード線が選択解除された場合であってもセルを導通させるＶｔまで、セルが消去されることになる。過剰消去されたセルの低閾値電圧により、セルを誤ってプログラムしかつ読出し、また過剰消去されたセルは通常ドレインリーク電流を誘導し、同電流がその後同一ビットラインを共有する他のセルの論理状態をマスクする。このように過剰消去されたセルの存在は、ビット毎には検出できない。なぜならば、列に１つの過剰消去されたセルが存在すると、そのセルは選択解除される場合でもその列と結合されたビットラインを通して電流を流させ、それによって過剰消去されたセルの確認を曖昧にするからである。過剰消去されたセルの検出が困難なので、このようなセルを含むことが分かったメモリはしばしば廃棄され、過剰消去されたセルを含むブロックは、分離されて冗長メモリに置き換えられる。これらの手段は概して費用がかさむと共に不十分である。
【００１１】
上記のホットホールトラッピング効果を最小化させるフラッシュＥＥＰＲＯＭ装置を開発するために各種の試みがなされてきた。そのような一装置がHaddad他に対する米国特許第５，０７７，６９１号（ハダッド特許）に開示されている。開示されたフラッシュＥＥＰＲＯＭは、約−１７乃至−１２Ｖの電圧が制御ゲートに加えられかつ約０．５乃至５．０Ｖの電圧がソースに加えられたとき、フローティングゲートからソースまでのファウラーノルドハイムトンネリングを用いて消去される。ハダッド特許で開示されたような装置は、消去中のホットホールトラッピング効果の確率を減少させるが、これらの装置はプログラミングを行うために上昇されたドレイン電位を用いており、従って既に述べた未選択セルで生じるドレイン妨害問題を扱っていない。さらに、これらの装置のプログラミングは、ホットエレクトロン接合プログラミングによって達成されたもので、それは既に指摘した通り多大の電流を消費する。
【００１２】
従来のフラッシュＥＥＰＲＯＭ装置及びハダッド特許で開示されたような装置の他の欠点は、装置のプログラミングが３段階で行われることである。第１に、約１０マイクロ秒間プログラミング状態を適用することによってすべてのセルが高Ｖｔにプログラムされる。ホットエレクトロン注入が用いられる理由から、この第１段階は高電流を用いるのでバイト毎にしか行うことができない。次に、フラッシュ消去機能を用いて約１０マイクロ秒間に亘り消去状態を適用することによって、すべてのセルが同時に消去される。最後に、再び持続時間が約１０マイクロ秒のプログラミングパルスを用いてバイト毎にセルをプログラミングすることによって、データがチップ上に配置される。従ってこれらのチップのプログラミングは、特に、双方共にバイト毎に行われる２段階のプログラミングを要することで時間浪費型である。
【００１３】
現フラッシュＥＥＰＲＯＭ装置のさらなる欠点は、メモリセルの制御ゲートにおいて正電位を用いることは、高ゲート電位印加中の破壊を防止するように周辺回路要素のトランンジスタを十分に高いブレークダウン閾値で製造することを要することにある。従って、例えば、制御ゲートに２１.０Ｖの電位を加えることによってプログミングが行われるセルにおいては、周辺装置は少なくとも２１.０Ｖの反転バイアス電位に耐えるように構成されなければならない。
【００１４】
特開昭第５７−１１４２８２号公報に開示された装置は、装置をプログラムしかつ消去するために基板及びフローティングゲート間でファウラーノルドハイムトンネリングを用いている。さらに、消去は装置のドレインに高電圧をかけて行われるので、ブレークダウン及びドレイン・基板接合に関連する他の諸問題をさけるために特別な注意を払わなければならない。
【００１５】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
現フラッシュＥＥＰＲＯＭ技術の上記及び他の問題が本願発明によって扱われる。本願発明の電気的に消去可能なプログラマブル記憶装置は、ソース及びドレインを有する基板材料本体と、本体上に配置された絶縁材料の第１層と、絶縁材料の第１層上に配置されたフローティングゲートと、フローティングゲート上に配置された絶縁材料の第２層と、絶縁材料の第２層上方のゲートとから成る。ソース及びドレイン領域の各々の部分は、絶縁材料の第１層及びフローティングゲートと重複する。絶縁材料の第２層は高誘電率を持つように選択され、フローティングゲート、制御ゲート、ソース及びドレイン間の容量性結合比を最適化するようにされる。
【００１６】
上記構成の容量性結合比は、以下のＥＥＰＲＯＭセルが与えられるように構成される。すなわち、同セルにおいては、ファウラーノルドハイムトンネリングを用いて、電子がフローティングゲート上に配置されかつそこから移動され、すなわち、電子はドレイン及びフローティングゲート間のファウラーノルドハイムトンネリングを介して配置され、フローティングゲート及びソース間のファウラーノルドハイムトンネリングを介して移動される。このようなセルアレイにおいては、プログラミング用セルを用意するために、電子をフローティングゲート上に配置することによってすべてのセルがフラッシュプログラム操作における高Ｖｔまで上昇され、それによってＶｔを約６乃至７.５Ｖに上昇させる。これは、制御ゲートの電位を上げ、ソースを接地し、ドレインを浮遊させることによって達成される。次に、セルは選択的消去操作で消去され、そこで電子は、ファウラーノルドハイムトンネリングを用いて選択されたセルのフローティングゲートから移動され、それによってＶｔを約１.２乃至２.２Ｖまで低下させる。選択消去機能は、制御ゲートに比較的大きな負電位を印加し、またドレインに適度の高さの正電位を印加し、かつソースを浮遊させることによって達成される。基板は、フラッシュプログラム及び選択消去状態の間接地電位に保たれる。
【００１７】
本願発明による装置の上記プログラミング特性は、ソースと基板との間並びにドレインと基板との間の反転バイアス電圧差分を最小化することによって、ホットホールトラピング及びバンド間トンネリングの可能性を低下させる。さらに、本願発明の構成を用いることによって、過剰消去状態（すなわち、フローティングゲートからの過剰電子の除去による）により人為的な低いＶｔを有するセルのビット毎検出を可能にするセルアレイを構成することができる。本願発明の構成は、同様に過剰消去されたセルを修復することもできる。さらに、本願発明のセルの構成及び操作は、ファウラーノルドハイムトンネリングを用いてプログラムされかつ消去されるので、装置は最小流出電流をもたらし、従って低電源電圧及びオンセル電荷ポンプの使用に適している。最後に、従来のフラッシュ装置に通常必要な３段階よりはむしろ２段階だけでプログラミングが実施されるので、処理時間が低減される。
【００１８】
従って、本願発明の目的は、低電圧、低電流、単一セルＥＥＰＲＯＭトランジスタを提供することにある。本願発明の別の目的は、ファウラーノルドハイムトンネリングを用いてプログラムされかつ消去される得るＥＥＰＲＯＭトランジスタを提供することにある。本願発明のさらに別の目的は、過剰消去されたセルに対しビット毎検出及び修復モードを有するＥＥＰＲＯＭトランジスタを提供することにある。
【００１９】
これら及びその他の目的、特徴及び利点は、本願発明の好ましい実施態様の以下の記載に鑑みより明白となるであろう。
【００２０】
【実施の形態】
比較説明のための先行技術について説明する。
【００２１】
図１Ａは、先行技術に示す従来型フラッシュＥＥＰＲＯＭ装置の断面図を示す。同装置は、比較的浅いドレイン領域１０２及び深いソース領域１０４を内設した基板１００から成る。ソース領域１０４は、二重拡散され、浅い拡散領域１０６及び深い拡散領域１０８を有する。チャンネル１１０がソース１０４及びドレイン１０２間に画定される。
【００２２】
ほぼ一様な厚さを有するゲート絶縁体１１２がチャンネル上方に形成される。ゲート絶縁体１１２は、ドレインから延在し、領域１１４でソース１０４と僅かに重複する。フローティングゲート１１６は、ゲート絶縁体１１２の上方に形成され、絶縁材料の第２層１１８がフローティングゲート１１６上方に形成される。最後に、制御ゲート１２０が第２絶縁層１１８の上方に形成される。第２層は、制御ゲートとフローティングゲートとの間に位置し双方ともに従来ポリシリコン（ポリ、すなわち、重合体）若しくはポリサイド材料で作られるので一般的に「インタポリ絶縁体」と呼ばれる。
【００２３】
図１Ａに示すフラッシュＥＥＰＲＯＭセルのプログラミングは、制御ゲート１２０に約１０乃至１２Ｖの電圧を、ドレイン１０２に約４乃至６Ｖの電圧をそれぞれ印加し、さらに、ソース１０４及び基板１００に０Ｖの電位を加えることによって達成される。プログラミングは、ホットエレクトロン注入によって発生する現象により行われ、そこでは高エネルギー電子１３２が基板１００のチャンネル領域で発生されて、フローティングゲート１１６上に加速される。フローティングゲート上に電子が存在することでトランジスタの閾値電圧（Ｖｔ）を上昇させ、従って読出し操作中に電流がチャンネルを通して流れるのを妨げる。
【００２４】
消去は、ドレイン１０２を浮遊させ、制御ゲート１２０を接地電位に保ち、さらに、ソース１０４に高電圧（すなわち、１０乃至１３Ｖ）パルスを加えることによって達成される。このような状態下において、ファウラーノルドハイムトンネリングがフローティングゲート１１６と領域１１４においてフローティングゲート１１６の下方に横たわるソース拡散１０４部との間で発生する。消去操作はセルのＶｔを１ボルト程度のレベルまで低下させ、従って読出し操作中電流がチャンネル１１０を通して流れるようにする。
【００２５】
図１Ｂは、典型的な先行技術フラッシュＥＥＰＲＯＭ記憶装置アレイ１２２を示す。そこでは隣接トランジスタの方向が反転されているのが分かる。従って、アレイの左上隅では、セル１２４はそのソースが次の列のセル１２６のソースと接続される。セル１２４のドレインは、同一列のセル１２８のドレインと接続される。セル１２４及び１２８のドレイン接合点は、列アドレス復号回路要素１３２からのビットライン１３０と接続される。ビットライン１３０は、セル１２４及び１２８によって共有される列内のセルの他のすべてのドレイン接合点と接続される。セル１２４のゲートは、行アドレス復号回路要素１４２からのワード線１４０と接続される。ワード線１４０は、セル１２４及び１２６のような同一行内のすべてのセルのゲートと接続される。共通ソースライン１４４は、アレイ１２２内のすべてのセルのソースを接続する。
【００２６】
上記セルを用いる消去操作は、特定行内のすべてのセルを消去させる。これは、共通ソースライン１４４に高電位を印加すると同時に消去すべき行のワード線１４０を接地することによって行われる。装置が消去モードの場合ビットライン１３０は浮遊のままである。
【００２７】
個々のセルは、その選択されたセルを含む行のワード線及びそのセルの列と関連するビットラインを必要な電位まで上昇させることによって別々にプログラムできる。
【００２８】
上記の通り、ホットエレクトロンプログラミングを用いると多大の電流を消費し、従って低電圧電源及び内部電荷ポンプの使用を妨げる。さらに、プログラミング及び消去中それぞれドレイン・基板及びソース・基板接合点を横切る比較的高い反転バイアス電圧降下は、ホットホールが発生されかつゲート絶縁体層に補足される確率を高め、さらにバンド毎のトンネリングの可能性を高める。これらの現象は共にセルの耐久性に重大な悪影響を及ぼす。最後に、過剰消去セルがビット毎に検出できないことにより、現存技術を用いて過剰消去セルを修復するのは困難である。
【００２９】
セル構造について説明する。
【００３０】
本願発明の構成につき述べる。本願発明の実施態様の断面図を図２Ａに示す。本願発明のセルは接地されたポテンシャルシステムに関して記載されているが、本願発明のセル構成は、「仮想接地」構成でも用いることができる。
【００３１】
基板１０は、内設されたドレイン１２及びソース１４を有する。チャンネル領域１６がドレイン及びソース間に画定される。チャンネル領域１６の上方にゲート絶縁体層１８、すなわち、「トンネル酸化物」が形成される。フローティングゲート２４がゲート絶縁体層１８の上方に形成されると共に絶縁体材料の第２層、すなわち、インタポリ絶縁体層（中間層）２６がフローティングゲート２４の上方に形成される。最後に制御ゲート２８がインタポリ絶縁体層２６の上方に形成される。
【００３２】
ドレイン１２及びソース１４部分は、それぞれゲート絶縁体層１８の下方に配置され、フローティングゲートへの及びフローティングゲートからのファウラーノルドハイムトンネリングをそれぞれ可能にするようにされる（円形領域２０及び２２参照）。ソース１４は、図２Ａに示す通り単一拡散Ｎ＋型の領域でよい。そのソースは、図２Ｂに１４Ａとして示す通り、代わりとしてＮ＋材料の二重拡散でもよい。この第１代替ソース１４Ａは、共にＮ＋型材料で形成される、浅い領域４０及び深い領域４２を有する。第２の代替ソース領域は、図２Ｃに１４Ｂとして示すように、Ｎ＋材料の浅い領域４０Ｂ及び軽く不純物を添加された（例えば、Ｐ−）Ｐ型材料の深いヘロ（爪型）ポケット４２Ｂで形成される。図２Ａのソースの好ましい深さは、約０.２５ミクロンである（縦拡散に対する横拡散の比を０.７乃至０.８と仮定する）。
【００３３】
ドレイン１２は、浅い領域４４及び深い領域４６を形成するために二重拡散されたＮ＋型材料が望ましい。その代わりにドレインは単一拡散でもよく、この場合図２Ａに示す拡散端４８は存在しないであろう。好ましいドレイン深さは、約０.３６ミクロンである。上昇した電位がドレインに印加される場合バンド毎のトンネリング及びホールトラッピング効果を避けるために深いドレイン領域が必要である。
【００３４】
図２Ａの実施態様は、０.８ミクロン技術用の好ましい実施態様で、一方図２Ｃの実施態様は、０.５ミクロン技術用の好ましい実施態様である。
【００３５】
本願発明のセル配置は図３Ａ乃至３Ｃの平面図から理解できるが、その各々はミラー配置された２つのセルを示す。このようなミラー配置のレイアウトでは、セルの列において（頁を横切る方向において）各セルは、隣接のものと共通のドレインを共有し、隣接の別のものと共通のソースを共有する。図から分かるように、制御ゲート２８及びフローティングゲート２４は交互にかつチャンネル１６の上方に配置される。図においては制御ゲート２８の境界はフローティングゲート２４の境界からずれているが、これらの領域は「自己整列」されて、フローティングゲート端２４Ａが垂直方向において制御端２８Ａと整列し、さらにフローティングゲート端２４Ｂが垂直方向において制御端２８Ｂと整列する。この自己整列は、図２Ａ乃至２Ｃから理解できる。
【００３６】
共通ソースライン３４及び特定行のすべてのセルの制御ゲート２８によって部分的に形成されるワード線は、アレイの全幅に亘って延在し、それにより、ワード線を共有するセルも共通ソースライン３４を共有するようにされる。
【００３７】
ドレイン接点３２がドレイン領域１２に隣接して形成される。同一セルが鏡像配置のセルを囲む。例えば、接点３２に直接隣接するのは隣接セルのドレイン領域１２Ａであり、ソース１４の反対でソースライン３４と関連するのが他の隣接セルの一部をなす他のソース１４Ａである。
【００３８】
図４Ａ及び４Ｂに示す通り、ゲート絶縁体１８の下方に形成されるフィールド酸化物層３０は、当該セルが同一チップ上に形成されるセルを他の周囲のセルから分離する。
【００３９】
図３Ａのライン４Ａ−４Ａにそった本願発明によるセルの各種の層の相対的位置は、図４Ａ及び４Ｂから理解できる。この寸法では、フィールド酸化物３０とゲート絶縁体１８との間には僅かな重複があるのが分かる。フローティングゲート２４は、ゲート絶縁体１８の端を越える点までフィールド酸化物３０と重複する。インタポリ絶縁体層２６は、フローティングゲート２４の上方に延在しさらにフローティングゲート２４の端を越えている。インタポリ絶縁体層２６は、その代わりにフローティングゲート２４の外端とほぼ整列する外端を有してもよい。最後に、制御ゲート２８が、インタポリ絶縁体層２６を覆ってその端を越えて延在するのが図示されている。
【００４０】
セル動作について説明する。
【００４１】
本願発明に従い２段階工程がセルの論理状態を設定する。以下の表Ａに示すように、この動作は従来のフラッシュＥＥＰＲＯＭデバイスのプログラム及び消去とは異なる。
【００４２】
【表Ａ】
0004104049.tif 000002
従来のフラッシュデバイスに対しては３つの工程が用いられている。第１に、電子をフローティングゲートに持ち上げることによってすべてのセルをバイトごとにプログラムする。次に、電子をフローティングゲートから取り除くフラッシュ消去機能を用いてすべてのセルを同時に消去する。最後に、セルをバイトごとに高電圧Ｖtにプログラムすることによってデータをチップにのせる。
【００４３】
本願発明に係る論理状態のセット方法は、現存のフラッシュデバイスのために用いられる従来の方法とは、それが２段階工程である点で異なっており、そこでは、まず、フラッシュプログラム動作の際に、ページまたはセクタ内のすべてのセルを最初に高電圧しきい値まで上昇する（つまり、電子がフローティングゲートに置かれる）。次の工程では、選択されたセルをバイトごとにまたはページごとに消去する。
【００４４】
以下の表Ｂは本願発明のセルの望ましい操作パラメータを要約したものである。
【００４５】
【表Ｂ】
0004104049.tif 000003
表Ｂはリストされた各操作ごとのゲート、ドレイン、ソース及び基板の望ましい電圧条件を示す。Ｖt列は各動作によって生じるセルの電圧しきい値の大きさを示す。表Ｂにおいて記号「Ｆ」はフローティング（浮動または浮遊）状態を示す。
【００４６】
フラッシュプログラム工程は予備工程であり、そこでは、ソースからフローティングゲートへのファウラーノルドハイムトンネリングを用いて各セルを高電圧Ｖtに高める。その動作は図５の流れ図を参照するとより容易に理解できるであろう。
【００４７】
フラッシュプログラミング５００は、ドレイン１２を浮動にするとともにソース１４及び基板１０を接地する一方、１２Ｖ乃至２０Ｖの１０msパルスを制御ゲート２８に印加することによって達成される。従って、工程５０２においては、電圧を列に伝える「通過ゲート」はオフになる。これにより、セルの「ビットライン」は浮遊し、その結果セルのドレインは浮遊する。工程５０２においてはすべてのソースは接地される。従って、工程５０４においては、１０μs乃至２００μsの立上がり時間を用いて、すべてのワード線が高電位、例えば、１７Ｖまで高められる。工程５０６は単一パルスを形成するためにワード線を約１０ms高電位に保持する。工程５０４及び５０６においてセルに電位を印加した結果、電子５０がトンネリングによりソース１４からゲート絶縁領域１８の一部２２を経由してフローティングゲート２４に達する。図２Ａを参照のこと。フラッシュプログラミングの結果電圧しきい値は望ましくは６Ｖより高くなる。工程５０８は６マイクロ秒のタイムアウトを提供する。それにより、ワード線が放電して１２Ｖ乃至２０Ｖから３Ｖ乃至６Ｖまで低下することができる。工程５１０はプログラム確認工程であり、そこでは、プログラムされたセルから読み出された論理状態をセルの所望の論理状態に対し比較する。プログラムが確認されると、その後工程５１１に進み、プログラムが完了したことを示す。
【００４８】
工程５１０においてプログラムが確認されない場合には、パルス計数が増加される。工程５１４においては、パルス計数がチェックされて、それが選択数、例えば、１０パルスと等しくないことまたはそれを越えていないことを確かめる。そのような状態が検出されると、プログラミング操作は失敗したと工程５１６において判断される。
【００４９】
ワード線に供給されるパルス数が選択数と等しくなくまたそれを越えていない限り、工程５１４は、操作を工程５０４に戻すことによってワード線に追加のパルスを加える。
【００５０】
望ましい実施例においては、フラッシュプログラム工程は行ごとに実行されるが、それは、すべてのビット線１３０Ａを浮動させ、共通ソース線１４４Ａを接地し、さらに各行ごとにワード線１４０Ａを持ち上げることによって行われる。
【００５１】
Ｐ形基板１０はフラッシュプログラム動作の間に接地されているので、基板を横切る高い空乏キャパシタンスのため、この動作の際のチャネル領域１６の影響は小さい。この影響はフラッシュプログラミングの間に基板を浮動することによってさらに小さくすることができる。しかし、チャネルより下方の基板領域がＮ形ウエルによって基板の他の領域から絶縁されていない場合には、ＥＥＰＲＯＭセルの全体は基板内に作られているという事実のため、基板を浮動することは不可能である。そのようなウエルは、３回ウエル工程、例えば、Ｎ-ウエルをＰ-基板内に形成し、それからＰ-領域をそのＮ-ウエル内に形成して本願発明に係るセルのための有効な基板として機能させるような工程を用いて形成することができる。
【００５２】
選択的消去工程６００では個々のセルを所望の論理状態にセットするが、それは、ドレインにおいてファウラー・ノルドハイムトンネリングを用いて選択されたセルを低いＶtにし、そしてその選択されたセルのフローティングゲートから電子を除去することによって行う。図６の流れ図は選択消去動作を示す。
【００５３】
選択消去は、工程６０２に示すように、ソースをまず浮動にするとともに基板を接地し、それとともに２.０Ｖ乃至５.０Ｖの電位をドレインに印加することによって実行される。その後、工程６０４に示すように、−１０Ｖ乃至−１５Ｖの１０msのパルスを制御ゲート（ワード線）に印加する。これは、工程６０６の６μsのタイムアウトが続き、次に消去確認工程６０８に続く。消去が成功した場合には、工程６１０において決定されるように、その消去動作は工程６１２において終了したと考えられる。一方、消去が工程６８において確認できない場合には、工程６１４がパルス計数を増加させ工程６１６を経由してループを戻って他の消去パルスを印加する。工程６１６において、１０またはそれ以上のパルスが既にセルに印加されたが消去が成功していないことが決定されると、工程６１８は消去が失敗したことを示す。
【００５４】
以下に説明するように、その工程は、適当な電位を、選択セルのワード線１４０Ａ及びビット線１３０Ａに印加することによってビットごとに実行することができる。正確には、消去されたセルは望ましくは約０Ｖ乃至２.２Ｖの電圧しきい値を持つ。
【００５５】
消去は正のゲート電圧を用いることによっても実行することができる。しかし、従来技術に関して説明したブレークダウンの問題を回避するために、用いるゲート電圧が、周辺回路内のトランジスタのブレークダウン電圧に対して十分に低くなるように注意すべきである。
【００５６】
過消去及び検出について説明する。
【００５７】
選択消去工程の間、非常に多くの電子がセルアレー内のいくつかのセルから誤って除去され、これにより、そのセルが非常に低い電圧Ｖt（例えば、０Ｖより低い）を持つことがある。この低い電圧しきい値により、セルが誤って読み出される。さらに、異常に低いＶtを持つセルは通常ビット線上に電流を生じさせ、それは同一ビット線を共用する他のセルの論理状態の検出を妨げる。この理由は、そのようなセルは、正確に消去されたセルの導通が通常妨げられるような条件下でも電流を導通させるからである。この状態は従来から「過消去（または過剰消去）」と呼ばれている。
【００５８】
本願発明に係るメモリデバイスは、望ましいプログラム及び消去モードが用いられるときにはバイトごとに消去することができるので、従来のデバイスよりも過消去されたセルを確認することは容易である。しかし、本願発明のセルが、従来のプログラミング及び消去技術を用いてプログラミング及び消去されると、過消去の検出の困難性は従来のデバイスのと同じになる。
【００５９】
本願発明のセルが過消去されるか否かは、適正に消去されたセルのチャネルを通常導通させる読み出し電圧より非常に低い読み出し電圧の印加に応答して、そのセルを流れる電流が存在するか否かを測定することによって決定することができる。言い換えると、セルの電圧しきい値が非常に低くて、選択していないセルを通じて導通が生じるときには、セルは過消去されている。
【００６０】
過消去を検出するときには、試験電圧Ｖtestを約１０ms間制御ゲート２８に印加するとともに、バイアス電圧Ｖsをソース１４に印加する。約１Ｖ乃至２Ｖの電圧がドレイン１２に印加される。試験電圧は通常０Ｖ乃至２Ｖの間にあり、望ましい実施例では、約１.５Ｖ乃至２Ｖである。望ましいバイアス電圧Ｖsは約０.６Ｖである。
【００６１】
通常消去されたセルはそれらの試験条件下ではチャネルの導通状態を持たない。この理由は、通常のセルの電圧しきい値は、制御ゲート２８に印加された１.５Ｖ乃至２.０Ｖの低電圧がチャネル１６をターンオンさせるには不十分な程度だからである。しかし、過消去されたセルは、非常に多くの電子がフローティングから除去された結果、対応電子を持たないフローティング２４にホールが残るので、非常に低い（例えば、０Ｖより低い）電圧しきい値を持つ。従って、それらの残ったホールは電界を形成し、それは、制御ゲートに印加された１.５Ｖ乃至２.０Ｖの試験電圧によって高められたときに、チャネルに導通状態を生じさせる。
【００６２】
ソースバイアス電圧Ｖsはセルのアレー内の試験セルに関連して過消去された状態のために用いられる。アレー内のすべてのソースを低い正電圧、例えば、０.６Ｖまでバイアスすることによって、選択されていない（ＶG＝０Ｖ）行の過消去されたセルはオフに保持され、それにより、選択された（ＶG＝Ｖtest）行の過消去されたセルの検出を妨げることを防ぐ。
【００６３】
その試験電圧Ｖtestは、過消去されたセルのゲートに印加されたときに、ソースバイアス電圧Ｖsがそのソースに印加されていたとしても、その過消去されたセルを導通させる程度の大きさを持つ。
【００６４】
従って、その試験電圧Ｖtestは、（1）過消去検出操作の間にソースに印加される電圧Ｖsと、（2）過消去条件を画定するために用いられるしきい値Ｖtとの関数である。それはまた、列の論理状態を読む感度増幅器によって用いられる基準電圧の関数でもある。試験電圧Ｖtestの選択は次に説明する。
【００６５】
セルを通る電流Ｉcellは、以下の場合には０Ｖより大きい。
ＶG−Ｖs−Ｖt＞０Ｖ
ここで、ＶG及びＶsはそれぞれ制御ゲート２８及びソース１４に印加された電圧である。
【００６６】
過消去されたセルの電圧しきい値は、その過消去されたセルが選択されていなくとも、つまり、ＶG＝０Ｖのときに、導通させることができるものである。本願発明の過消去セルの検出方法の望ましい実施例においては、約−０.５Ｖまたはそれより低い電圧しきい値を持つセルが過消去されたセルであると定義されている。「実際の」電圧しきい値は、基板バイアス効果(body effects)のために「実効」電圧しきい値とは異なるので、その実効電圧しきい値はＶtと呼ばれているが、実際の電圧しきい値はＶtoとみなされる。この用語を用いると、実際の電圧しきい値は、Ｖtoが過消去されたセルに対し例えば約−０.５Ｖであると定義できる。他の大きさを選択して過消去セルを定義することができ、また、ソースバイアス電圧Ｖs及び試験電圧Ｖtestをそれに応じて調節することができる点は理解できるであろう。
【００６７】
実効しきい値電圧Ｖtは以下のように定義できる。
Ｖt＝Ｖto＋ΔＶbody effect
ここで、ΔＶbody effectは基板バイアス効果によって生じた電圧しきい値の変化である。この値は本願発明に係るデバイスに対しては約１.５Ｖである。
【００６８】
Ｖtoは過消去セルに対し約０.５Ｖというように指定されているので、
Ｖtは約（−０.５）＋（１.５）で、
それは約１.０Ｖとなる。
【００６９】
上記の通り、バイアス条件として用いられるソース電圧Ｖsは、過消去されているが選択されていないセルのチャネルを「ターンオフ」するのに十分な程度の電圧となるように選択される。本願発明に関しては、約０.６Ｖのソース電圧は十分であるということがわかっている。
【００７０】
従って、ＶG−Ｖs−Ｖt＞０であるので、
ＶG−０.６Ｖ−１.０Ｖ＞０  となり、さらに、
ＶG＞１.６Ｖ＝Ｖtestとなる。
ここで、Ｖtestは過消去検出手段の一部として制御ゲート２８に印加された試験電圧である。
【００７１】
従って、Ｖtest＝１.６Ｖは、過消去セルのソースがそれに印加されたソースバイアス電圧Ｖs＝０.６Ｖを持つときに、その過消去セルを導通する程度の大きさであるが、一方、Ｖtest＝１.６Ｖは非常に低くて適切な電圧しきい値を持つセルは導通することができない程度であることを認識すべきである。このようにして、個々の過消去セルを検出することができる。他のソースバイアス電圧Ｖs及び試験電圧Ｖtestを本願発明の意図する範囲内で用いることができ、また、異なるしきい値電圧をセルを指定し過消去するように指定する場合にはそれらの電圧の適当な調節値を作るべきであることは理解すべきである。
【００７２】
過消去回復について説明する。
【００７３】
表Ｂに戻って参照すると、１つの望ましい回復方法においては、ソース１４を接地し、ドレイン１２を浮動状態に維持するとともに、望ましくは１２Ｖのパルスを１０msの間ゲート２８に印加することによって、ファウラー・ノルドハイムトンネリングを用いて、電子をフローティングゲートに再配置する。その過消去されたセルは次に再試験され、それらがまだ試験電圧で導通するのであれば、不適切な過書込みセルが修復され、または未修復として確認されるまで、その回復及び試験モードが繰り返される。他には、ソースを接地し、ドレインを浮動にして、過消去セルを回復することができる。
【００７４】
セルの論理状態は、約３Ｖ乃至５Ｖの読み出し電圧をゲートに印加し、約１Ｖの電圧をドレインに印加することによって決定することができる。プログラムされたセルのチャネル、つまり、高いしきい値を作るのに十分なフローティングゲートへの電子を持つものは、読み出し動作の間は電流を導通しないが、消去されたセルは導通する。すべての動作に関しては、基板は望ましくは読み出し動作の間は接地されている。
【００７５】
セル性能の最適化について説明する。
【００７６】
セルの制御ゲート、フローティングゲート、ソース、チャネル及びドレイン領域の間の適切な容量結合は、プログラミング及び消去作用の間にフローティングゲートに及びそこから電荷を移動するデバイスの性能にとって重要である。それらの構成要素の間の容量結合を表す回路を図８に示す。フローティングゲートと制御ゲートとの間の容量はキャパシターＣFG-CGによって表されており、フローティングゲートとソースとの間、フローティングゲートとチャネルとの間、及びフローティングゲートとドレインとの間はそれぞれキャパシタＣFG-S、ＣFG-C及びＣFG-Dによって表されている。
【００７７】
デバイスの容量結合比率は以下の式によって定義されることがわかるであろう。
結合比率
＝（ＣFG-CG）／［（ＣFG-CG）＋（ＣFG-S）＋（ＣFG-C）＋（ＣFG-D）］
【００７８】
本願発明の望ましい実施例においては、ファウラー・ノルドハイムトンネリングをソース側に用いて、電子をソース１４からフローティングゲート２４にトンネルし、また、ドレイン側に用いて、フローティングゲート２４からドレイン１２にトンネルする点に注目すべきである。従って、ソースからフローティングゲートへのトンネル動作において現れる結合比率は、フローティングゲートからドレインへのトンネル動作の間に現れる結合比率とは異なるセルの区分によって決定される。
【００７９】
その結果、フラッシュプログラミング工程の間、制御ゲートと基板との間の結合比率は以下のように表すことができる。
結合比率
＝（ＣFG-CG）／［（ＣFG-CG）＋（ＣFG-S）＋（ＣFG-C）＋（ＣFG-D）］
＝（Ａ1／Ｔ1）／［（Ａ1／Ｔ1）＋（Ａ2／Ｔ2）］
ここで、Ａ1及びＴ1は、それぞれ、インターポリ絶縁層２６の面積及び有効厚さであり、Ａ2及びＴ2は、それぞれ、チャネル、ソース及びドレインと重なるゲート絶縁層１８の面積及び有効厚さである。
【００８０】
選択的消去工程の間、ソースは浮動にされるので、制御ゲートと基板との間の結合比率は以下のように表すことができる。
結合比率
＝（ＣFG-CG）／［（ＣFG-CG）＋（ＣFG-C）＋（ＣFG-S）］
＝（Ａ1／Ｔ1）／［（Ａ1／Ｔ1）＋（Ａ3／Ｔ3）］
ここで、Ａ3及びＴ3は、それぞれ、チャネル、ドレイン及びソースと重なるゲート絶縁層１８の面積及び有効厚さである。
【００８１】
その結合比率は最大化すべきで、さらに、望ましくは、フローティングゲート２４を横切る電圧を最大化するために、少なくとも６５％でなければならない。その結合比率は多数の方法により最適化される。例えば、高誘電率を持つ中間絶縁層２６のために材料を選択することにより、その中間絶縁層２６により小さな有効厚さを与え、その結果、大きな面積を必要とせずに、制御ゲート２８とフローティングゲート２４との間に高い静電容量を与える。制御ゲート２８とフローティングゲート２４との間の容量ＣFG-CGが大きくなればなるほど、他の容量がフローティングゲートを横切る電圧に与える影響は小さくなる。
【００８２】
中間層の絶縁材料は、望ましくは、１８５オングストローム±１５オングストロームの厚さを持つ酸化−窒化−酸化(oxide-nitride-oxide)（ＯＮＯ）層である。望ましい実施例においては、その中間絶縁材料は、持久力を最適化するために、従来の酸化−窒化−酸化工程、望ましくは、標準的な高温酸化物堆積（ＨＴＯ）を用いて、形成される２つの７０オングストロームの酸化層の間に挟まれる窒化物の１２０オングストロームの層からなる。窒化物の高い誘電率のため、望ましい中間絶縁層２６の有効厚さは２００オングストロームであるが、実際の物理的厚さは２６０オングストロームである。
【００８３】
中間絶縁層は対称に作るべきであり、その理由は、それにより、消去及びプログラミング動作の間にその層に異なる応力を与えることを回避できるからである。対称のＯＮＯの層の利用は、従来のフラッシュＥＰＲＯＭにおいては耐久信頼性のいくつかを改善（つまり、ＯＮＯブレークダウンの減少）するためであるが、本願発明のＯＮＯ層における対称の利用では耐久性を劇的に改善する。
【００８４】
結合比率を最適化できる他の方法は、ゲート絶縁層１８と重なるソース１４及びドレイン１２のそれぞれの部分２２、２０の幅を制限することによる。これにより、フローティングゲートとドレインとの間の容量と、フローティングゲートとソースとの間の容量とが最適化され、その結果、フローティングゲートとドレインとフローティングとソースとの間の電圧が最大化される。０.８μmの制御ゲート及びフローティングゲートの幅を持つ（「０.８μm技術」）デバイスに対しては、ソース側の重なり２２は望ましくは０.２μmで、ドレインの重なり２０は０.３μmで、有効チャネル１６の長さは０.３μmである。０.５μm技術に関しては、望ましいソースの重なり２２は０.１２−０.１５μmで、ドレインの重なり２０は０.３μmで、有効チャネルの長さは０.１５−０.１８μmである。ゲート絶縁の選択に入れる他の考慮点には耐久性の最大化が含まれ、それには、最良のトラッピング特性及び薄いゲート絶縁層を必要とするファウラー・ノルドハイムトンネリングの促進性を持つゲート絶縁材料の選択が必要である。シリコン二酸化物はゲート絶縁層として望ましい材料であり、それは、それらの基準に一致する性能を持つからである。
【００８５】
ファウラー・ノルドハイムトンネリングは、少なくとも６メガボルト／cmの電界がソース１４とフローティングゲート２４との間の重なり層の領域にまたがって発生するときに生じるが、望ましいトンネリング状態は、電界が約１１乃至１２メガボルト／cmのときに生じる。ゲート絶縁層１８の厚さは、フラッシュプログラム及び選択的消去モードの間にその範囲の大きさの電界が達成できるように選択すべきである。８４オングストローム±４オングストロームの厚さが本願発明に適しており、８０オングストロームの厚さが望ましいことがわかっている。ゲート絶縁層１８は薄くなければならないので、結合比率計算におけるＴ2及びＴ3は非常に低く、その結合比率を制限するように働く。結合比率に関する薄いゲート絶縁の不利な影響は、中間絶縁層２６がフィールド酸化物３０（図４Ａを参照）と重なる量を増加することによって、補償することができる。その重なりの増大は結合比率の最適化をたすけるが、その理由は、それが中間絶縁層２６の面積Ａ1を増大するからである。さらに、その増えた面積はフィールド酸化物層３０の上方にだけ生じ、ソース及びドレイン領域の上方には生じないので、デバイスの容量は不利な影響は受けない。
【００８６】
選択的消去の間の基板に対するフローティングゲートの電圧ＶFGは以下のように表すことができる。
ＶFG
＝［（ＶG）（ＣFG-CG）＋（ＶD）（ＣFG-D）］
／［（ＣFG-CG）＋（ＣFG-C）＋（ＣFG-D）］
ここで、ＶG及びＶDはそれぞれ制御ゲート２８及びドレイン１２に印加された電圧である。結合比率は、選択的消去工程の間における場合よりも、フラッシュプログラミング工程の間の方がより重大である。選択的消去モードについては、容量の比率は以下のように表される。
ＣFG-CG：ＣFG-D：ＣFG-C：ＣFG-S
これは、望ましくは、６５：１３：１３：９である。
【００８７】
従って、絶縁層を横切る容量に関して上述した面積及び厚さのパラメータは、フラッシュプログラム工程に関して決定すべきである。これらの値が決定されると、その電圧ＶG及びＶDは上述の式を用いて所望のＶFGを達成するために決定されるべきである。
【００８８】
一般的には、５Ｖの電圧がドレインに選択的消去動作の間に印加されるときには、ＶFGは約−５Ｖになる。ドレインへの３Ｖの電圧により、フローティングゲートが約−７Ｖの電圧を受ける。耐久性は、上述のホールトラッピング効果のために、最も低い電圧がドレインに印加されるときに最適化される。ゲート絶縁層１８及び中間絶縁層２６の厚さを最小化することは、選択的消去工程の間に必要とされるドレイン電圧を最小化するように働き、さらに、高いドレイン電圧に関連する耐久性の問題を最小化する。
【００８９】
本願発明に係るチャネルのドーピングは、従来のフラッシュＥＰＲＯＭセルで通常用いられるのに比べて、非常に大量であり（つまり、約１０回の大量）、それにより、電圧しきい値を上昇させ、さらに、フラッシュプログラミング及び選択的消去の間でのデバイスへの応力の平衡を図る。さらに、しきい値電圧が増加するときには、より低いゲート減圧が必要となり、それにより、周辺デバイスのブレークダウン電圧要求がその結果緩和される。望ましいドーピングは、デバイスの最初の電圧しきい値Ｖtiを４Ｖ及び５Ｖの間まで、望ましくは約４.５Ｖまで高めるものである。
【００９０】
以下の表は、本願発明のデバイスのチャネルに多量のドーピングを用いることによって与えられる利点を示す。
【００９１】
【表Ｃ】
0004104049.tif 000004
従来のデバイスにおいては、初期電圧しきい値は約１.５Ｖである。従来のドーピングが本願発明のデバイスに用いられたとすると、フラッシュプログラム機能は約２１Ｖのゲート電圧を必要とし、また、選択的消去のために必要なゲート電圧は約−８Ｖとなるであろう。周辺デバイスに安全のための３Ｖマージンを与えるとすると、周辺デバイスのために必要なブレーク電圧は約２４Ｖとなる。表Ｃからわかるように、多量のドーピングによって電圧しきい値を増加させると、選択的消去電圧が１８Ｖまで減少し、そして、安全のための３Ｖマージンに基づいてブレークダウン電圧要求が２１Ｖまで減少する。
【００９２】
３重ウエルについて説明する。
【００９３】
本願発明のデバイスは負のゲート電圧を用いて選択的消去機能を実行することができるので、それらのデバイスの結合部において高電圧応力を防ぐために、高い負電位を周囲の回路から絶縁するための装置が必要となる。
【００９４】
負のゲート電圧が周辺回路を破壊することを防ぐために２つの手段がある。１つは負のゲート電圧と結合するＰＭＯＳデバイスを使用するだけで、さらに、電圧通過が要求された場合には空乏Ｐチャネルデバイスを使用する。しかし、そのような構成はチップのデザインをかなり制限し、そのためかなりの数の応用には望ましくないであろう。
【００９５】
他の方法としては以下に説明する「３重ウエル」構造を用いることである。３重ウエル構造は、消去動作の際に制御ゲートに印加される−１２Ｖによって引き起こされる高電圧応力の問題を軽減する１つの構造である。ＮＭＯＳデバイスが選択消去動作の際に負のゲート電圧を印加するように用いられる場合には、３重ウエル構造が用いられるであろう。消去のために負の電圧を用いることが望ましくない場合には、３重ウエルは用いられない。その理由は、その製造には２つの追加マスク工程を必要とし、その結果処理時間および費用を増加するからである。
【００９６】
３重ウエル構造を図１３および図１４の簡略化した図面に示す。図１３は異なるトランジスタ構造を示す簡略化された断面図で、図１４は正および負の電圧をワード線ＷＬを経由してメモリセルに印加することに関連する構造の簡略化した電気回路図である。
【００９７】
３重ウエル構造は概略単一ウエルトランジスタ２５２および２重ウエルトランジスタ２５４からなり、各々はワード線ＷＬに結合され、ワード線は本願発明の記憶セル２５０の制御ゲート２８に接続されている。単一メモリセル２５０は図１３に示されており、メモリセル２５０の単一行は図１４に示されているが、トランジスタ２５２、２５４のようなトランジスタを用いて、３重ウエル構造を採用したときには、本願発明に係るアレー内のすべてのセルに電圧を供給することができることを認識すべきである。さらに、説明を簡略化するために、正および負電圧をセル制御ゲートに印加する際の制御に関連するデバイスのすべてを図示しているのではなく、そのようなデバイスは従来の配置で用いられることを理解すべきである。
【００９８】
単一ウエルトランジスタは、Ｎ-形材料のウエル２５６内に形成されたＰＭＯＳトランジスタ２５２である。そのトランジスタを経由して、正電圧（つまり、約１７Ｖ乃至１８Ｖ）が、フラッシュプログラミングセルの際にメモリセル２５０の制御ゲート２８に印加される。その正電圧は、単一ウエルトランジスタのソース２６８に印加され、さらに、制御電圧がフラッシュプログラミング動作の間単一のウエルトランジスタのゲート２７０に印加されると、ワード線ＷＬを経由してメモリセル２５０の制御ゲートに印加される。フラッシュプログラミング動作の間は、ＮＭＯＳトランジスタはオフにバイアスされる。
【００９９】
２重ウエルトランジスタはＮＭＯＳトランジスタ２５４で、Ｐ-形材料のウエル２５８内に形成され、それは次にＮ-形材料のウエル２６０によって基板から隔離されている。ＮＭＯＳデバイス２５４を通ってフラッシュ消去機能のための負のゲート電圧（つまり、約−１１Ｖ乃至−１２Ｖ）が、選択的消去動作の間にメモリセル２５０の制御ゲートに印加される。その負電圧は、２重ウエルトランジスタのソース２６２に印加され、また、制御電圧が選択的消去動作の間に２重ウエルトランジスタのゲート２６４に印加されると、ワード線ＷＬを介して選択されたセルの制御ゲートに伝達される。その動作の間、ウエル２６０はＶccまたはそれより低い電圧にあり、基板２６６は接地されている。従って、２つの逆バイアスされた結合部が存在し、１つは基板２６６とウエル２６０との間にあり、他方はウエル２６０、２５８の間にあり、それらは負電圧をチップ上の他のデバイスから絶縁する。
【０１００】
配列操作について説明する。
【０１０１】
セルの配列は図７に示すように設けることができる。この図からわかるように、この配列は図１ＡのフラッシュＥＥＰＲＯＭ配列について示されたものと実質的に同じである。複数個の列線130Aのそれぞれは各列に関係するセルのドレイン12に接続し、共通ソースライン144Aは配列122A中のすべてのソース14Aに接続している。複数個のワード線140Aの各々は関係する行となるようにセルの制御ゲートを接続している。
【０１０２】
本装置の周辺回路には公知の行アドレスデコーディング回路142A、列アドレスデコーディング回路132A、センスアンプ回路134A、出力バッファー回路136A、及び入力バッファー回路138Aがある。周辺回路に含まれるもとしては、前述のフラッシュプログラミング、選択的消去、読み取り、過剰消去検出、及び過剰消去修復のモードのために、公知の方法で、列、行及びソース電圧のアレーへの供給を制御する回路ブロックがある。
【０１０３】
本願発明のセル配列の操作を説明するために、セル配列200中に４個のセル202、204、206、208を示す極めて簡略化されたメモリ装置の概略図を図１１に示す。セル202と206のドレインはビットラインＢＬ１に接続し、セル204と208のドレインはビットラインＢＬ２に接続する。セル202と204のゲートはワード線ＷＬ１に接続し、セル206と208ゲートはワード線ＷＬ２に接続する。すべてのセルのソースは共通のソースラインSLに接続する。
【０１０４】
次の表は、セル配列中のターゲットセル202に関する読み取り、フラッシュプログラム、及び選択的消去の操作のパラメータを示す。
【表Ｄ】
0004104049.tif 000005
図１１において、選ばれたセルの論理的状態を決定するために、読み取り電圧Ｖccを、選択されたセル202に関係するワード線であるWL1に加える。Ｖccは通常5Vであるが、例えばノート型コンピュータに使用される装置の場合には、Ｖccは、約3Vである。セル202に関係するビットラインBL1は、共通のソースラインSLと同様に接地される。選択されていない全てのセルに関連するワード線、つまり、図１１におけるＷＬ２も接地電位に保持される。選ばれていないビットライン、すなわち図１１でのBL2は浮動状態のままにされるか、典型的には０ＶであるＶssと同じ大きさの電圧とすることができる。
【０１０５】
列210内のすべてのセルのためにフラッシュプログラミング工程を行うには、その行に関係するワード線WL1を約17Vの電位にまで高め、一方、共通のソースラインSL及び残りのワード線、すなわち図１１でのWL2、は接地される。すべてのビットラインBL1、BL2は浮動したままとされる。セル配列中のすべてのセルは、すべてのワード線を約17Vに高めることによってフラッシュプログラムすることができる。前述のように、フラッシュプログラミング操作中は、ソースからフローティングゲートに向けてのファウラー・ノルドハイムトンネル作用の発生により、電子がプログラムされるセルのフローティングゲートに置かれる。
【０１０６】
選択的消去は各セル毎に、またはセルのブロック毎に行うことができる。選択的にセル202を消去するには、約−11V乃至−12Vの電圧をセル202に関係するワード線WL1に加えるとともに、約5Vの電圧をセル202に関係するビットラインBL1に加える。残りのビットラインBL2は浮動したままにされ、残りのワード線WL2は接地される。共通のソースラインSLは選択的消去操作中浮動したままにされる。セルのブロックは、消去を行おうとするセルに関係するビット線及びワード線に選択的消去のパラメータを適用することにより、選択的に消去することができる。前述のように、選択的消去操作により選択されたセルのフローティングゲートからドレインへのファウラー・ノルドハイムトンネリングの作用によって、電子をフローティングゲートから出る。
【０１０７】
次に本願発明のセル配列の過剰消去検出及び回復操作について述べる。
【０１０８】
図１２を参照して公知の過剰消去検出技術を述べる。公知技術は過剰消去セルを有するセルのブロックまたは列の識別をするが、過剰消去されたセルを特定することはない。
【０１０９】
公知の検出方法では、試験が必要なセルの列を選ぶために列選択回路300を用いる。列302が選ばれると、列302に連結されたビットラインB1に読み取りバイアス電圧が加えられる。列302中のセルに関係したすべてのワード線WL1、WL2、WL3に0Vの電圧が加えられ、その列内のすべてのセルのソースS1、S4、S7は接地される。センスアンプ（図示せず）を用いて電流がビットラインB1に流れているか否かを確かめる。もし流れていれば、過剰消去されたセルが列302に存在することがわかる。このように、この方法では、過剰消去されたセルがセルの列中に存在するか否かしか分からない。
【０１１０】
過剰消去されたセルの存在に関してセルのブロック全体を試験することが望まれるときは、列選択回路300を用いてすべての列302、304、306を選択する。すべてのソースS1-S9を接地する。すべてのビットラインB1、B2、B3にバイアス電圧を加える。そしてセンスアンプを使用して、どれかのビットラインに電流が流れていないかを検知する。
【０１１１】
このように、公知の過剰消去検出では過剰消去された個々のセルを検出することはできない。
【０１１２】
一般的に、公知の装置のセンスアンプは、ビットライン中に電流が流れていないとき（従って、列中に過剰消去されたセルがないとき）には、０の出力を提供し、またビットライン中に電流が流れているときは過剰消去状態の存在を示すように出力１を与えるように設けられている。
【０１１３】
先行技術における過剰消去されたセルの電圧しきい値を適当なレベルまで持ち上げるためのいくつかのスロープログラミングの方法が述べられている。ここで、図１２を参照しながら、それらの方法の各々を説明する。一つの過剰消去修復方法は、列毎に実行される。この方法は、選ばれた列302のビットラインB1を５Vに高めることと、ソースS1、S4、S7を接地することと、列302のセルに関係するワード線WL1、WL2、WL3に１V乃至２Vの電圧を加えることを含む。列は定期的に再試験されて、過剰消去されたセルが残っているか否かが確認され、もし残っていたなら、列に過剰消去されたセルが含まれないことが確認されるまで試験条件が再適用される。
【０１１４】
二番目の既存過剰消去回復方法は、やはり列毎に行うもので、列302のセルに関係するワード線WL1、WL2、WL3を接地することと、すべてのソースS1、S4、S7を接地することと、その列に関係するビットラインB1に5Vの電圧を加えることを含む。三番目の方法は、二番目の方法に似ており、修復すべきセルの列302に関係するワード線WL1、WL2、WL3及びビットラインB1、B2、B3を接地する一方、その列中のセルS1、S4、S7は5Vの電位に高められる。
【０１１５】
四番目の回復方法は、すべてのセル配列全体にある過剰消去されたセルのすべてを修復することに関するものである。この方法では、ソースラインＳ１−Ｓ９とビットラインＢ１、Ｂ２、Ｂ３を接地し、ワード線WL1、WL2、WL3には12Vの電圧を加える。
【０１１６】
アレー中の過剰消去検出について説明する。
【０１１７】
本願発明のメモリー装置中における過剰消去されたセルの存在は、図９、図１０Ａ、図１０Ｂ及び図１１のフローダイヤグラムに示される手続きを用いて検出され修復される。これは、まずどのグループのセルが過剰消去されたセルを有するかを確定する。そのようなグループが確定されると、このグループ中のセルは一つずつチェックされて過剰消去されたセルを特定する。
【０１１８】
次の表は過剰消去検出及び回復操作を行うのに用い得るパラメータを示す。
【０１１９】
【表Ｅ】
0004104049.tif 000006
過剰消去検出にあたっては、まず一定の値より低い値のときにはセルが過剰消去されているとされるしきい値を定め、次にソース電圧Ｖsと試験電圧Ｖtestを算出する。この値の決定にはセル操作に関してすでに述べた手続きを用いる。図１１のアレーの概略図において、セル202が過剰消去されているか否かを決定するために、セル202に関係するビットラインBL1が約1.5Vに高められ、共通のソースラインSLがバイアス電圧（好ましくは0.6V）に高められる。セル202に関係するワード線WL1に試験電圧Ｖtestが加えられる。選択されないセルにのみ関係するワード線WL2は0Vの電位に維持され、選択されないセルにのみ関係するビットラインBL2は浮動したままにされる。もしセル202が過剰消去されていれば、ビットラインBL1を通して電流が流れる。
【０１２０】
試験はまずブロックまたは列について行い、過剰消去されたセルを有するものにターゲットを絞り、ついで個々のセルについて試験を行い、過剰消去されたセルを特定するのがもっとも効果的である。たとえば、セル202を有する列の全部について、BL1に１．５Vを加え、その行のセルに関係するすべてのワード線WL1、WL2にVtestを加えることによって試験を行うことができる。次に、前段で述べたビットごとに試験を行う方法を、すべての過剰消去されたセルが特定されるまで、その過剰消去されたセルを有することがわかっている列について行う。
【０１２１】
ここで図９を参照すると、それには、本願発明にしたがい、一般化した過剰消去検出の流れ図を示す。まず、すべてのソースがゼロより大きい電圧、好ましくは0.6Vにバイアスされる。これは工程902で行われる。工程904では、一または二以上のワード線がＶtestにセットされ、さらに、一または二以上の列が読み取りのために選択される。選択されないワード線は0Vにバイアスされて、それに関係するセルをオフにする。
【０１２２】
このようにして一つの列及び一つのワード線が選択されると、セルは一つずつチェックされる。Ｖtestが加えられるワード線の数、及び読み取りのために選択される列線の数に応じて、一つの行または列中のさまざまな倍数のセルを同時にチェックすることができる。たとえば、Ｖtestがすべてのワード線に加えられ、読み取りのために一つの列が選択されると、その列内のすべてのセルについて過剰消去状態を見つけるために同時のチェックをすることができる。もし一つのワード線がＶtestでバイアスされ、すべての列が選択されると、そのバイアスされたワード線に対応する行中のすべてのセルについて過剰消去状態に関してチェックが行われる。
【０１２３】
工程906では、Ｖtestが加えられたセルの状態を読む。工程908では、もし論理値１が検知されると、これは過剰消去されたセルが見出されたことを示す。このことは工程910で認識される。
【０１２４】
工程912は、すべてのチップが読み取られるまで過剰消去検出を継続させる。
【０１２５】
列毎の過剰消去検出を行うときは、過剰消去されたセルを持つ列が特定されると、それらの列内のセルはビットごとにチェックされて過剰消去されたセルを特定する。
【０１２６】
表Ｅおよび図１１を参照しながら述べる以下の二つの方法は、過剰消去されたセルの修復に用いられる。方法１を用いて、図１１における過剰消去されたセル202を修復するには、12Vのパルスを20 msecの時間WL1に加える。セル202に関係するビットラインBL1は浮動したままにされ、ソースラインSLにVssの電圧、好ましくは0Vが加えられる。ビットラインBL2は浮動したままにされ、WL2は接地される。
【０１２７】
次に過剰消去検出方法を用いてセルを試験する。もしセルがまだ過剰消去されているときは、回復方法を繰り返し適用する。好ましい方法においては、修復されたセルは、通常約１．３Ｖ乃至２．５Ｖの電圧しきい値を有する。
【０１２８】
方法２を用いて過剰消去されたセル202を修復するには、12Vのパルスを20 msecの時間WL1に加える。セル202に関係するビットラインBL1は接地され、ソースラインSLは浮動される。セル202に関係しないビットラインBL2とワード線WL2とは接地される。
【０１２９】
ついで、方法１と同様に、セルは過剰消去検出方法により試験され、セルが充分修復されないときは、回復技術を繰り返し適用する。
【０１３０】
図１０Ａおよび図１０Ｂに概略的な形式で方法１および方法２を図示する。これらの図においては、同時に二つ以上のセルを修復するのにこれらの方法が適用される。図１０Ａは本願発明による方法１を図示する。工程1002ではすべてのソースが浮動状態に置かれる。その後、工程1004において、選択された列が接地される。ついで工程1006においてすべてのワード線または選ばれたワード線が20msecまたはそれ以上の間、一定の電位、好ましくは12Ｖの電位になるようにする。すべてのワード線がこの電位に設定されると、選択された列のすべてのセルがこの低いレベルの書き込み操作を受ける。選ばれたワード線がこの電位に設定されると、選ばれた列および行の中のセルが修復される。
【０１３１】
図１０Ｂは回復方法２を図示する。ここにおいてセルのドレインは工程1010で浮動状態にされる。そしてすべてのソースは工程1012において接地される。その後、工程1014ですべてのワード線または選ばれたワード線が20 msecの時間一定の電位、好ましくは12Ｖの電位に高められる。
【０１３２】
処理について説明する。
【０１３３】
本願発明のセルはＣＭＯＳ処理に適合する。基板10は1-0-0のオリエンテーションを有するＰ形の材料で形成され、17乃至33オームセンチメートルの抵抗性を有する。図２Ａ乃至図２ＣのＰ−基板10がこれに当たる。りん31の材料がＮウェルに150KeVで、５.０×１０12/cm2の密度で注入される。その注入物は湿式酸化により45分間950℃でそのウェルに注入され、ついで1150℃で窒素（Ｎ2）ドライブが行われる。
【０１３４】
その後に好ましくは８０オングストロームの厚さを有するゲート酸化物が形成される。ついでフィールド領域が画定され、フィールドにＢＦ2が50KeVで、かつ４×１０13/cm2の注入量で注入される。
ついでフィールド酸化物が1000℃で40分間、Ｏ2雰囲気下で、続いて85分間920℃で、Ｎ2雰囲気のもとに形成される。ついでＨ2／Ｏ2のもと1000℃で６時40分間後に、12000オングストロームの厚さを得る。ついでセル領域が画定され、続いてホウ素11を50KeVで、６×１０13/cm2の注入量で注入する。以上の製作工程は公知のものである。
【０１３５】
次の工程でフローティングゲート24がゲート誘電体18の上に堆積される。これはポリシリコンをフローティングゲートとして堆積される際に、その場でポリシリコンをドーピングする操作を含む。これを行うには、ＣＶＤ法によりＳiＨ4とＰＨ3を結合して、（燐をドープした）Ｓiを形成する。ポリシリコン材料をその場でドーピングすることにより追加的な高温製作工程を回避することができる。この事はポリシリコン中の粒子の径を小さくするために重要である。ポリシリコンの粒径が小さいほど滑らかなポリシリコンの表面が得られ、これによりポリシリコン表面に信頼できる一層薄い酸化物の層が得られることがわかった。
【０１３６】
インターポリ誘電体は好ましくは２００オングストロームの有効厚さのＯＮＯ層であり、これは耐久性をよくするように標準的な高温酸化物堆積工程を用いて形成される。しかしながら、選択的消去操作の間に負のゲート電圧を使用しないときは、ＨＴＯ堆積の必要はないであろう。最初に５％のＯ2、９５％のＮ2の雰囲気において、９５０℃で８分間かけてフローティングゲートの上に酸化物層を形成する。ついで窒化物を、4分間30オングストローム／分の速度で堆積する。その後に15分間４乃至５オングストローム／分の速度でＨＴＯ堆積を行う。
【０１３７】
ＯＮＯインターポリ層の他の形成方法としては、５％のＯ2、９５％のＮ2の雰囲気下、９５０℃で12分間かけてフローティングゲート上に酸化物層を形成するものがある。ついで窒化物が１２０オングストロームの厚さに堆積される。その後に、９４０℃で１乃至３時間ウエット酸化を行う。
【０１３８】
その後に、センストランジスター、アドレストランジスターなどの周辺回路を公知の手段により製作する。続いて、好ましくはポリシリコンで制御ゲート28を形成し、公知の方法によりドーピングする。
【０１３９】
次にソース14、ドレイン12の領域のイオン注入について述べる。４個の代替的な実施態様を述べる。このうちの二つは0.8μm技術を用いるセルに関し、他の二つは0.5μm技術を用いるセルに関する。
【０１４０】
0.8μm技術を用いるセルにおいてソースおよびドレイン領域を形成する好ましい方法では、ソース領域14は80KeVで、かつ５.０×１０15／cm2の注入量で砒素が注入される。好ましいドレイン領域は二重拡散領域で、最初に150KeVで、１.０×１０14／cm2の注入量で燐31が注入される。続いて、ドレイン領域はＮ2雰囲気下、９００℃の温度で60分間、続いてＯ2雰囲気下９００℃でアニールされ、拡散が行われる。ついでドレイン領域に80KeVで５.０×１０15／cm2の注入量の砒素が埋め込まれる。
【０１４１】
0.8μm技術のセルにおいてソースおよびドレイン領域を形成するもう一つの方法は縮小した（reduced）マスクセットによる、より単純な方法であるが、前述の好ましい方法による場合よりも耐久性が低い。この方法では、ソース領域は80KeVで、かつ５.０×１０15／cm2の注入量で砒素を埋め込み図２に示されたような単一拡散ソースが形成される。ドレイン領域は80KeVで５.０×１０15／cm2の注入量の砒素を埋め込む。
【０１４２】
０.5μm技術を用いたセルにおいてソース及びドレイン領域を形成する好ましい方法においては、図２Ｃに示されるように、ソース領域はＮ＋材料よりなる浅い領域40BとＰ形の材料42Bのポケットとから形成される。これはパンチスルー(punch-through)の問題を最小化する。ソース領域は80KeVで１.５×１０15／cm2の注入量の砒素が注入される。５×１０13／cm2の埋め込み量のホウ素11が４５度の角度で注入されて、Ｐポケットを形成する。ドレイン領域は、二重拡散領域であり、それはまず燐31を150KeVで１.０×１０14／cm2の注入量で埋め込み、９００℃で、Ｎ2雰囲気下４５分間、Ｏ2雰囲気下20分間、これをアニールする。次に５．０×１０15／cm2の注入量の砒素を80KeVで埋め込む。
【０１４３】
0.5μm技術によるセルにおいてソース及びドレイン領域に注入を行う別の方法は、前段で述べた方法を使用して形成したＰ形のポケットを有するソース領域を用いる。ドレイン領域は80KeVで５.０×１０15の注入量で砒素を埋め込む。この実施例は前述の好ましい実施例よりも簡単であるが、それよりも耐久性が低い。
【０１４４】
次の表は本願発明のセルを用いて得られる結果を示す。フラッシュプログラム、選択的消去及び過剰消去回復操作を試験対象のセルについて実施して試験を行った。各操作の後でしきい値電圧を測定した。試験対象のセルは本願発明のセルとして望ましいものよりも軽いチャンネルドーピングを有し、かくて本願発明においてより好ましいVt（すなわち、約4.5V）よりも低い初期電圧しきい値（Vti）を有した。かくて、制御ゲートに加えられる電圧（ＶCG）はより好ましいチャンネルドーピングを有する装置に必要とされるものよりも高かった。さらに、試験の対象の装置は２００オングストロームのトンネル酸化物を有したが、本願発明の装置は約８０オングストロームの好ましいトンネル酸化物の厚さを有する。
【０１４５】
実験の間、１０ミリセコンドのパルスを用いて、フラッシュプログラム、選択的消去、及び過剰消去回復作用を行わせた。
【０１４６】
【表Ｆ】
0004104049.tif 000007
本明細書において使用した用語や表現は説明のために用いたものであり、本願発明の範囲を限定するものではない。本願発明の範囲内で種々の変化が考えられ、上述する本願発明の全部または一部の特徴と実質的の同様なものを排除するような意味にこれらの用語や表現を用いるものではない。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】図１Ａは従来のフラッシュＥＥＰＲＯＭ装置の断面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂはメモリアレイに接続された従来のフラッシュＥＥＰＲＯＭ装置の簡略化された構成図である。
【図２】図２Ａ−２Ｃは、ソース領域に対する３つの代替構成を示す、本願発明のＥＥＰＲＯＭ装置の断面図である。
【図３】それぞれ図２Ａ−２ＣのＥＥＰＲＯＭ装置の平面図である。
【図４】図４Ａは、図３Ａの４Ａ−４Ａ線に沿ったセルの断面図で、図４Ｂは、図４Ａのセルの透視図である。
【図５】本願発明のフラッシュプログラミング操作を例示する簡略化された流れ図である。
【図６】本願発明の選択消去操作を例示する簡略化された流れ図である。
【図７】フラッシュプログラム特性及び選択消去特性を有するメモリアレイに接続された本願発明のＥＥＰＲＯＭセルの簡略化された構成図である。
【図８】本願発明の装置の等価容量性回路を例示する。
【図９】本願発明の過剰消去検出方法を例示する簡略化された流れ図である。
【図１０】図１０Ａ及び図１０Ｂは本願発明の過剰消去修復方法を例示する簡略化された流れ図である。
【図１１】４セルから成るアレイを示す本願発明によるメモリ装置の簡略化された構成図である。
【図１２】先行の過剰消去回復方法を説明するために用いる簡略化された構成図である。
【図１３】３重ポテンシャル井戸の構成を例示する本願発明による記憶装置の一部断面側面図である。
【図１４】図１３の装置の簡略化された構成図である。
【図１Ａ】
0004104049.tif 000008
【図１Ｂ】
0004104049.tif 000009
【図２Ａ】
0004104049.tif 000010
【図２Ｂ】
0004104049.tif 000011
【図２Ｃ】
0004104049.tif 000012
【図３Ａ】
0004104049.tif 000013
【図３Ｂ】
0004104049.tif 000014
【図３Ｃ】
0004104049.tif 000015
【図４】
0004104049.tif 000016
【図５】
0004104049.tif 000017
【図６】
0004104049.tif 000018
【図７】
0004104049.tif 000019
【図８】
0004104049.tif 000020
【図９】
0004104049.tif 000021
【図１０】
0004104049.tif 000022
【図１１】
0004104049.tif 000023
【図１２】
0004104049.tif 000024
【図１３】
0004104049.tif 000025
【図１４】
0004104049.tif 000026