【手続補正書】
【提出日】平成20年2月22日(2008.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化ケイ素又は炭窒化ケイ素膜形成用前駆体の化学気相成長により基材上に窒化ケイ素又は炭窒化ケイ素膜を形成するための方法であって、以下の式、即ち、
【化１】
2007051363.tif 000001
及びそれらの混合物によって表され、式中、Ｒが、直鎖、分枝若しくは環状の飽和若しくは不飽和のＣ1〜Ｃ10アルキル基、芳香族、複素環、アミン基、又は式Ｃのシリルから選択され、Ｒ1が、分枝又は環状の飽和又は不飽和のＣ3〜Ｃ10アルキル基、芳香族、複素環、水素、シリル基から選択され、置換基を有していても又は有していなくてもよく、式Ａ中のＲとＲ1を結合して環状基（ＣＨ2）n（式中、ｎは２〜６）にすることも可能であり、式Ｃ中のＲとＲを結合して環状基にすることも可能であり、Ｒ2が、単結合、（ＣＨ2）m鎖、環、ＳｉＲ2又はＳｉＨ2を表すアミノシランからなる群より選択された前駆体を用いることを含む、方法。
【請求項２】
前記前駆体が式Ａによって表され、Ｒ及びＲ1のそれぞれが少なくとも３個の炭素原子を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
Ｒ及びＲ1がそれぞれ独立してＣ3〜Ｃ10の分枝アルキル基である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
Ｒ及びＲ1が環状である、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
ＲとＲ1が（ＣＨ2）n（式中、ｎは４又は５）の形態の環に結合される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
Ｒ及びＲ1がイソプロピルである、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
アンモニア、窒素及びヒドラジンからなる群より選択された窒素源がさらに用いられる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
化学気相成長の際の前記基材の温度が５００〜７００℃の範囲にある、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
化学気相成長の際の圧力が２０ｍＴｏｒｒ〜２０Ｔｏｒｒの範囲にある、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記窒素源がアンモニア又は窒素であり、該窒素源が０．１〜４：１の窒素源：前駆体の範囲において存在する、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記前駆体のアミノシランが、以下の式、即ち、
【化２】
2007051363.tif 000002
を有し、式中、ｍが１〜６であるアミノシランから選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項１２】
前記前駆体が式Ｂによって表され、このクラス内で該前駆体が、以下の式、即ち、
【化３】
2007051363.tif 000003
を有する群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
アンモニア又は窒素からなる群より選択される窒素源が前駆体として含まれ、該窒素源が０．１〜４：１の窒素源：前駆体の範囲において存在する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記前駆体が式Ｃによって表され、このクラス内で該前駆体が、以下の式、即ち、
【化４】
2007051363.tif 000004
を有する群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
シラン前駆体の化学気相成長により形成される窒化ケイ素又は炭窒化ケイ素膜を形成するための方法において、以下の式、即ち、
【化５】
2007051363.tif 000005
によって表され、式中、ＲとＲ1がそれぞれ独立して分枝、環状の飽和又は不飽和のＣ3〜Ｃ10アルキル基、芳香族基、複素環又はシリル基から選択され、ＲとＲ1を結合して環状基（ＣＨ2）n（式中、ｎは２〜６）にすることも可能であるアミノシランをシラン前駆体として用いることを含む、方法。
【請求項１６】
Ｒ及びＲ1がイソプロピルである、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記化学気相成長が０．１〜４：１の窒素源：シラン前駆体比において用いられるアンモニア又は窒素からなる群より選択される窒素源をさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
基材の温度が５００〜７００℃の範囲で維持され、圧力が２０ｍＴｏｒｒ〜２０Ｔｏｒｒである、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記前駆体が以下の式、即ち、
【化６】
2007051363.tif 000006
を有する、請求項１２に記載の方法。
【請求項２０】
前記前駆体が以下の式、即ち、
【化７】
2007051363.tif 000007
を有する、請求項１２に記載の方法。
【請求項２１】
前記前駆体が以下の式、即ち、
【化８】
2007051363.tif 000008
を有する、請求項１４に記載の方法。
【請求項２２】
前記前駆体が以下の式、即ち、
【化９】
2007051363.tif 000009
を有する、請求項１４に記載の方法。
【請求項２３】
以下の式Ａ、即ち、
【化１０】
2007051363.tif 000010
を含み、式中、ＲとＲ1がそれぞれ独立して分枝、環状の飽和又は不飽和のＣ3〜Ｃ10アルキル基又は芳香族基から選択され、又はＲとＲ1が環状基（ＣＨ2）n（式中、ｎは２〜６）に結合される、アミノシラン前駆体。
【請求項２４】
ＲとＲ1がそれぞれ独立してイソプロピル基、ｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ペンチル基、ｓｅｃ−ペンチル基からなる群より選択される、請求項２３に記載のアミノシラン前駆体。
【請求項２５】
ＲとＲ1がイソプロピル基である、請求項２４に記載のアミノシラン前駆体。
【請求項２６】
ＲとＲ1がｓｅｃ−ブチル基である、請求項２４に記載のアミノシラン前駆体。
【請求項２７】
以下の式Ｂ、即ち、
【化１１】
2007051363.tif 000011
を含み、式中、Ｒが、直鎖、分枝、環状の飽和又は不飽和のＣ4〜Ｃ10アルキル基、芳香族、又は複素環から選択される、アミノシラン。
【請求項２８】
Ｒがｔ−ペンチル基、ｔ−ブチル基、シクロヘキシル基、及びフェニル基からなる群より選択される、請求項２７に記載のアミノシラン。
【請求項２９】
Ｒがシクロヘキシル基である、請求項２８に記載のアミノシラン。
【請求項３０】
以下の式、即ち、
【化１２】
2007051363.tif 000012
を有する群から選択される、ケイ素含有膜の堆積に用いられる前駆体。
【請求項３１】
シクロヘキシルジシリルアミン、２，４−ジシクロヘキシル−２，４−ジアザ−１，３，５−トリシラペンタン、ｔ−ブチルジシリルアミン、ジイソプロピルアミノシラン、２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２，４−ジアザ−１，３，５−トリシラペンタン、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される、ケイ素含有膜の堆積に用いられるアミノシラン。
【請求項３２】
ＲとＲ1が（ＣＨ2）n（式中、ｎは２〜６）の形態の環に結合される、請求項１に記載の方法。
【請求項３３】
化学気相成長により基材上に炭窒化ケイ素膜を形成するための方法であって、以下の式、即ち、
【化１３】
2007051363.tif 000013
によって表され、式中、Ｒが、直鎖、分枝又は環状の飽和又は不飽和のＣ1〜Ｃ10アルキル基、及び芳香族又は複素環アミン基から選択されるアミノシラン及びそれらの混合物からなる群より選択された前駆体を用いることを含み、
該前駆体が、以下の式、即ち、
【化１４】
2007051363.tif 000014
を有する群から選択される、方法。
【請求項３４】
化学気相成長により基材上に炭窒化ケイ素膜を形成するための方法であって、以下の式、即ち、
【化１５】
2007051363.tif 000015
によって表され、式中、Ｒが、直鎖、分枝若しくは環状の飽和若しくは不飽和のＣ1〜Ｃ10アルキル基、芳香族、複素環、アミン基、又は式Ｃのシリルから選択され、式Ｃ中のＲとＲを結合して環状基にすることも可能であり、Ｒ2が、単結合、（ＣＨ2）m鎖、環、ＳｉＲ2又はＳｉＨ2を表すアミノシラン及びそれらの混合物からなる群より選択された前駆体を用いることを含み、
該前駆体が、以下の式、即ち、
【化１６】
2007051363.tif 000016
を有する群から選択される、方法。
【請求項３５】
ジイソプロピルアミノシランを含む組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
これらのクラスの化合物は、一般に以下の式、即ち、
【化１７】
2007051363.tif 000017
及びそれらの混合物によって表され、式中、Ｒは、直鎖、分枝若しくは環状の飽和若しくは不飽和のＣ1〜Ｃ10アルキル基、芳香族、複素環、又は式Ｃのシリルから選択され、Ｒ1は、直鎖、分枝又は環状の飽和又は不飽和のＣ2〜Ｃ10アルキル基、芳香族、複素環、水素、シリル基から選択され、置換基を有していても又は有していなくてもよく、式Ａ中のＲとＲ1を結合して環状基（ＣＨ2）n（式中、ｎは２〜６、好ましくは４及び５である）にすることも可能であり、Ｒ2は、単結合、（ＣＨ2）m鎖、環、ＳｉＲ2又はＳｉＨ2を表す。好ましい化合物は、ＲとＲ1の両方が少なくとも２個の炭素原子を有するようなものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
アミノシランの１つのクラスは、以下のように式Ａによって表される。
【化１８】
2007051363.tif 000018
このクラスの化合物において、Ｒは、直鎖、分枝又は環状の飽和又は不飽和のＣ1〜Ｃ10アルキル基、芳香族、複素環から選択される。Ｒ1は、直鎖、分枝又は環状の飽和又は不飽和のＣ2〜Ｃ10アルキル基、芳香族、複素環、水素、シリル基から選択され、置換基を有していても又は有していなくてもよく、ＲとＲ1を結合して環状基にすることも可能である。代表的な置換基は、アルキル基、特にはＣ2〜Ｃ4アルキル基、例えば、エチル、プロピル及びブチル（それらの異性体を含む）；環状基、例えば、シクロプロピル、シクロペンチル及びシクロヘキシルである。このクラスに含まれる幾つかの好ましい化合物の例示的なものは、以下の式
【化１９】
2007051363.tif 000019
によって表され、式中、ｍは１〜６、好ましくは４又は５である。