Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月7日(2007.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影光学系を介して被写界の画像を撮影する撮影ユニットと、
前記被写界からの光束を光電変換して被写界データを取得するエリアセンサと、
認識対象の画像に基づくテンプレート情報を保持するメモリと、
前記被写界データと前記テンプレート情報とを対比して、前記被写界に前記認識対象が存在するか否かを判定するパターン認識部と、
前記判定結果に基づいて前記撮影ユニットの撮影動作を制御する制御部と、
を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記被写界に前記認識対象が存在する場合に前記撮影ユニットの撮影動作を禁止することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記被写界に前記認識対象が存在する場合に前記撮影ユニットの撮影動作を自動的に開始することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記撮影ユニットは、閃光発光により前記被写界を照射する閃光発光部をさらに有し、
前記制御部は、前記被写界に前記認識対象が存在する場合に前記閃光発光部の発光を禁止することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記被写界データにおいて部分領域を指定する操作部をさらに有し、
前記パターン認識部は、前記被写界データの前記部分領域において前記テンプレート情報との対比を行うことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記被写界データから一部を切り出して前記テンプレート情報を生成することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記パターン認識部は、下記式（１）の演算によって、前記被写界データと前記テンプレート情報との対比を行うことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【数１】
2006166077.tif 000001
【請求項８】
前記パターン認識部は、前記被写界データおよび前記テンプレート情報に対してエッジ抽出処理を施して、前記被写界に前記認識対象が存在するか否かを判定することを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項５の発明は、請求項１から請求項４のいずれかの発明において、前記被写界データにおいて部分領域を指定する操作部をさらに有し、前記パターン認識部は、前記被写界データの前記部分領域において前記テンプレート情報との対比を行うことを特徴とする。
請求項６の発明は、請求項１から請求項５のいずれかの発明において、前記制御部は、前記被写界データから一部を切り出して前記テンプレート情報を生成することを特徴とする。
請求項７の発明は、請求項１から請求項６のいずれかの発明において、前記パターン認識部は、下記式（１）の演算によって、前記被写界データと前記テンプレート情報との対比を行うことを特徴とする。
【数１】
2006166077.tif 000002
請求項８の発明は、請求項１から請求項６のいずれかの発明において、前記パターン認識部は、前記被写界データおよび前記テンプレート情報に対してエッジ抽出処理を施して、前記被写界に前記認識対象が存在するか否かを判定することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
「撮影光学系」にはレンズ部２が対応する。「撮影ユニット」には主に固体撮像素子６などが対応する。「エリアセンサ」にはエリアセンサ１２が対応する。「メモリ」にはメモリ１４が対応する。「パターン認識部」には画像処理部１５が対応する。「制御部」にはＣＰＵ２１が対応する。「閃光発光部」には閃光発光部３が対応する。「操作部」には操作部１９が対応する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月30日(2007.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多値ＱＡＭ通信信号のシンボルタイミングを検出する多値ＱＡＭシンボルタイミング検出回路において、
所定倍のオーバーサンプリング周波数で検出された前記多値ＱＡＭ通信信号の振幅データを１シンボル周期単位でバッファリングして、前記オーバーサンプリング周波数に応じたサンプリングタイミング毎の振幅データを検出するサンプリング点振幅検出手段と、
前記１シンボル周期内の各サンプリングタイミングに対応する振幅データをそれぞれ所定期間に亘りバッファリングするサンプリングタイミング別振幅データバッファ手段と、
該サンプリングタイミング別振幅データバッファ手段毎に記憶された前記所定期間内の振幅データのヒストグラムを形成する振幅ヒストグラム形成手段と、
該振幅ヒストグラム形成手段の結果から最も検出頻度の高い振幅データに対応したサンプリングタイミングをシンボルタイミングとして検出するシンボルタイミング検出手段と、
を備えたことを特徴とする多値ＱＡＭシンボルタイミング検出回路。
【請求項２】
前記所定倍のオーバーサンプリング周波数で検出された前記多値ＱＡＭ通信信号を絶対値演算して絶対値信号を生成する絶対値演算手段を備え、
前記サンプリング点振幅検出手段は、前記多値ＱＡＭ通信信号の絶対値信号を用いて振幅データを検出する請求項１に記載の多値ＱＡＭシンボルタイミング検出回路。
【請求項３】
前記所定倍のオーバーサンプリング周波数で検出された前記多値ＱＡＭ通信信号にＩ信号とＱ信号とをそれぞれ用い、
前記Ｉ信号を用いて前記サンプリングタイミング毎の振幅ヒストグラムを形成するとともに、前記Ｑ信号を用いて前記サンプリングタイミング毎の振幅ヒストグラムを形成し、
前記Ｉ信号に対する振幅ヒストグラムと、前記Ｑ信号に対する振幅ヒストグラムとから前記シンボルタイミングを検出する請求項１または請求項２に記載の多値ＱＡＭシンボルタイミング検出回路。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれかに記載の多値ＱＡＭシンボルタイミング検出回路を備えるとともに、
該多値ＱＡＭシンボルタイミング検出回路から出力されるシンボルタイミング信号を用いて、前記多値ＱＡＭ通信信号をダウンサンプリングするサンプリング手段と、
該サンプリング手段でサンプリングされたベースバンドの多値ＱＡＭ信号を復調するベースバンド復調手段と、を備えたことを特徴とする多値ＱＡＭ通信信号受信機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
この構成では、多値ＱＡＭ通信信号がＩ信号とＱ信号とから構成されることを利用し、Ｉ信号、Ｑ信号毎に前述のヒストグラムを形成する。ここで、Ｉ信号でもＱ信号でもシンボルタイミングは同じであるので、それぞれの信号のヒストグラムを加算しても検出されるシンボルタイミングは同じはずである。したがって、これらのヒストグラムを加算することで、サンプリングタイミング毎の振幅のサンプル数が実質的に２倍となり、検出精度が向上する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
この場合、タイミング振幅抽出部６１２，６２２で各サンプリングタイミングの振幅データをバッファリングする際に、前回バッファリングした１シンボル長分のデータと、今回バッファリングした１シンボル長分のデータとを部分的に重複される。この処理を行うことで、タイミング振幅バッファ６１４ａ〜６１４ｎや６２４ａ〜６２４ｎに出力されるサンプリングタイミングおよび振幅データが増加する。すなわち、サンプリング時間全体としては変化させることなく、サンプリング数を増加することができ、感度を向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月17日(2008.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント基板と、前記プリント基板の表面に交差する回転中心回りで回転するファンと、前記ファンの周囲で前記プリント基板の表面から立ち上がるファンケース用壁体と、立ち上がった前記ファンケース用壁体の先端に接続されて、前記プリント基板の表面に平行な基準面に沿って広がる天井壁と、前記天井壁に形成される吸気口と、前記ファンケース用壁体で区画される排気口と、前記プリント基板上に実装される電子部品と、前記ファンケース用壁体の内側で前記プリント基板の表面に沿って延び、前記電子部品に接続される導電配線パターンとを備えることを特徴とする冷却装置付きプリント基板ユニット。
【請求項２】
請求項１に記載の冷却装置付きプリント基板ユニットにおいて、前記電子部品は前記ファンケース用壁体の外側で前記プリント基板上に実装されることを特徴とする冷却装置付きプリント基板ユニット。
【請求項３】
請求項１または２に記載の冷却装置付きプリント基板ユニットにおいて、前記プリント基板に取り付けられて、前記導電配線パターンに接続される放熱フィンをさらに備えることを特徴とする冷却装置付きプリント基板ユニット。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の冷却装置付きプリント基板ユニットを備えることを特徴とする電子機器。
【請求項５】
請求項４に記載の電子機器において、前記冷却装置付きプリント基板ユニットが組み込まれた機器本体と、前記機器本体に揺動自在に連結されたディスプレイ用筐体とを備えることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月6日(2008.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光量に応じて電荷を発生する光電変換部と、
電荷を一時的に保持するフローティングディフュージョン部と、
前記光電変換部から前記フローティングディフュージョン部に電荷を転送する電荷転送トランジスタと、
前記フローティングディフュージョン部に一時的に保持された電荷を外部に読み出す読み出し回路と、
を有する画素を有する固体撮像装置であって、
前記電荷転送トランジスタのゲート電極の、前記光電変換部側の側壁上を覆って配置された遮光部材を有し、
前記遮光部材は、前記ゲート電極の前記フローティングディフュージョン部側の側壁上に配置されていないことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記遮光部材は、前記電荷転送トランジスタのゲート電極側面から前記光電変換部の上に延在していることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記遮光部材は、複数の金属層を有することを特徴とする請求項１または２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記複数の金属層のうち、前記ゲート電極側に配された金属層は、バリアメタルにより構成されていることを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記遮光部材と前記ゲート電極は、電気的に接続されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記遮光部材と前記ゲート電極との間に絶縁膜を有することを特徴とする請求項３乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記絶縁膜に、前記遮光部材と前記ゲート電極とを電気的に接続するコンタクトホールを設けたことを特徴とする請求項６に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記コンタクトホールを前記電荷転送トランジスタのアクティブ領域外の上に開口したことを特徴とする請求項７に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記フローティングディフュージョン部から直接電極を引き出した構成を有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
それぞれ配線を含む複数の配線層を有し、該複数の配線層の内、前記光電変換部に最も近接した配線層の配線が前記フローティングディフュージョン部の上部に配されていることを特徴とする請求項９に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記電荷転送トランジスタのゲート電極の下部であって、前記光電変換部と前記フローティングディフュージョン部との間に、前記電荷に対してポテンシャル障壁となる領域が配されていることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
上記目的を達成するために、本発明の固体撮像装置は、入射光量に応じて電荷を発生し、蓄積する光電変換部と、電荷を一時的に保持するフローティングディフュージョン部と、前記光電変換部から前記フローティングディフュージョン部に電荷を転送する電荷転送トランジスタと、前記フローティングディフュージョン部に一時的に保持された電荷を外部に読み出す読み出し回路と、前記電荷転送トランジスタのゲート電極を遮光する遮光部材とを有し、前記遮光部材は、前記ゲート電極の前記フローティングディフュージョン部側の側壁上に配置されていないことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
図６に示すように、本実施形態における遮光部材４２７ａ、４２７ｂの形状は、上記第１の実施形態で図５に示す遮光部材３２７ａ、３２７ｂの形状と異なる。本実施形態においてもゲート電極３０４上を被覆するように、薄いシリコン酸化膜３２８ａ、３２８ｂを介して遮光部材４２７ａ、４２７ｂを配している。しかしゲート電極３０４のうち、ＰＤ１に面した側は側面及び上面は遮光部材４２７ａ、４２７ｂで覆い、ＦＤ部３に面した側の側面及び上面は遮光部材で覆わない。これは、遮光部材が必要なのは光が入射するＰＤ１側であり、ＦＤ部３は電極を引き出す必要上、遮光部材により覆われていない方が都合がよいからである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
本実施形態においては、第２の実施形態で示した非対称な遮光部材４２７ａ、４２７ｂの形状において、図６に示すようなゲート電極３０４上を被覆する薄いシリコン酸化膜３２８ａが無く、ゲート電極３０４と遮光部材５２７ａ、５２７ｂが側面及び上面で直に接している例を示している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2006344916.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2006344916.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月2日(2008.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ストリームデータをバッファメモリを介して記録又は再生する記録再生装置であって、
ストリームデータをバッファメモリに格納し順次出力させるコントローラを備え、
前記コントローラは、前記ストリームデータの再生時に、前記バッファメモリの第１の記憶領域に該ストリームデータから生成されたサムネールデータを格納させ、前記バッファメモリの第２の記憶領域に該ストリームデータを格納させることを特徴とする記録再生装置。
【請求項２】
前記コントローラは、前記ストリームデータの記録時に、前記第１の記憶領域及び前記第２の記憶領域に該ストリームデータを格納させることを特徴とする請求項１に記載の記録再生装置。
【請求項３】
表示ユニットを更に有し、
前記コントローラは、前記サムネールデータの再生時に、前記第１の記憶領域に格納されたサムネールデータを前記表示ユニットに一覧表示させることを特徴とする請求項１に記載の記録再生装置。
【請求項４】
ユーザが前記表示ユニットに表示されたサムネールデータのうち、少なくとも１つのサムネールデータを選択し、該選択したサムネールデータに対応するストリームデータを再生する指示を与えるための端末ユニットをさらに備えることを特徴とする請求項３に記載の記録再生装置。
【請求項５】
前記コントローラは、前記端末ユニットからの指示に応じてストリームデータを再生した後に、前記第１の記憶領域に格納されたサムネールデータを前記表示ユニットに一覧表示させることを特徴とする請求項４に記載の記録再生装置。
【請求項６】
前記コントローラは、前記バッファメモリの前記ストリームデータが格納された記憶領域を記録又は再生時のショックプルーフメモリとして用いることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の記録再生装置。
【請求項７】
ストリームデータをバッファメモリを介して記録又は再生する記録再生方法であって、
ストリームデータをバッファメモリに格納し順次出力させる工程を含み、
前記順次出力させる工程では、前記ストリームデータの再生時に、前記バッファメモリの第１の記憶領域に該ストリームデータから生成されたサムネールデータを格納させ、前記バッファメモリの第２の記憶領域に該ストリームデータを格納させることを特徴とする記録再生方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の記録再生装置としてコンピュータを機能させるためのプログラム。
【請求項９】
請求項８に記載のプログラムを格納したことを特徴とするコンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の第３の側面は、プログラムに係り、上記の記録再生装置としてコンピュータを機能させる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、記録再生装置１００には、バッファメモリ１０等に格納されたデータ等を表示する表示ユニット１４が接続される。ユーザは、表示ユニット１４の表示画面を参照しながら、記録再生装置１００に通信可能に接続された端末ユニット１５を介してコントローラ１１に指示を与えることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
ステップ８４では、コントローラ１１は、ＭＰＥＧデコーダ７にデコードを指示する。指示されたＭＰＥＧデコーダ７は、バッファメモリ１０のショックプルーフ用の記憶領域３１ｂからストリームデータを読み出し、順次デコードして、出力用フレームメモリ４に書き込む。そして、コントローラ１１は、ＤＡ変換器３に対し、出力用フレームメモリ４からデータを読み出し、出力信号として出力するように指示する。そして、ＤＡ変換器３から出力信号が出力される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
ステップ８７では、コントローラ１１は、ＭＰＥＧデコーダ７に対し、デコードの停止指示を行う。ＭＰＥＧデコーダ７は、ピクチャー単位でのデコード終了時点でバッファメモリ１０からのデータの読み出しを停止し、デコードを終了する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2006344285.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月11日(2008.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々に１行のメモリセルが接続される複数のワード線のうちのアドレス指定された選択ワード線を選択状態へ駆動するワード線駆動回路に含まれ、各ワード線に対応して配置されて、対応のワード線が選択ワード線のとき制御電圧に応答して選択電圧を対応のワード線に伝達する１トランジスタ型ワード線デコーダに対して前記制御電圧を供給する内部電圧発生回路であって、
前記１トランジスタ型ワード線デコーダのトランジスタの前記制御電圧に対応する電圧をモニタノードに伝達するモニタトランジスタ、
前記モニタノードに伝達された電圧と基準電圧とに従って前記制御電圧のレベルが所定レベルにあるかを判定する判定回路、および
前記判定回路の出力信号に従って選択的に活性化され、活性化時、前記制御電圧を生成する動作を行う制御電圧生成回路を備える、内部電圧発生回路。
【請求項２】
前記モニタトランジスタは、絶縁ゲート型電界効果トランジスタであり、前記制御電圧と前記モニタノードの電圧との間に自身のしきい値電圧の絶対値分の電圧降下を生じさせる、請求項１記載の内部電圧発生回路。
【請求項３】
前記モニタトランジスタは、前記制御電圧に従って前記選択電圧を前記モニタノードに伝達する、請求項１記載の内部電圧発生回路。
【請求項４】
前記内部電圧発生回路は、さらに、前記制御電圧の絶対値を小さくして前記モニタトランジスタに供給する電圧レベル調整回路を備え、
前記モニタトランジスタは、前記制御電圧に従って前記電圧レベル調整回路から供給された電圧を前記モニタノードに伝達する、請求項１記載の内部電圧発生回路。
【請求項５】
前記モニタトランジスタに結合され、前記モニタトランジスタを流れる電流量が前記１トランジスタ型ワード線デコーダを流れる電流量と等しくなるように前記モニタトランジスタを流れる電流量を調整する電流制御回路をさらに備える、請求項１記載の内部電圧発生回路。
【請求項６】
前記制御電圧の絶対値を検出し、前記制御電圧の絶対値が所定値を超えると前記制御電圧生成回路の電圧生成動作を停止させるレベル制御回路をさらに備える、請求項１記載の内部電圧発生回路。
【請求項７】
前記モニタトランジスタおよび前記判定回路の組が複数個並列に設けられ、
前記内部電圧発生回路は、前記複数個の組を選択的に能動化し、かつ前記判定回路の出力信号を非能動化時無効状態に設定する切換手段と、
前記複数組の判定回路のうちの能動化されて有効状態の判定回路の出力信号に従って前記制御電圧生成回路の動作を制御する制御回路をさらに備える、請求項１記載の内部電圧発生回路。
【請求項８】
制御電圧に従って内部電圧を内部ノードへ伝達する絶縁ゲート型電界効果トランジスタ素子を含む半導体装置において、前記制御電圧を発生する内部電圧発生回路であって、
前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタ素子の前記制御電圧に対応する電圧をモニタノードに伝達するモニタトランジスタ、
前記モニタノードに伝達された電圧と基準電圧とに従って前記制御電圧のレベルが所定レベルにあるかを判定する判定回路、および
前記判定回路の出力信号に従って選択的に活性化されて、活性化時、前記制御電圧を生成する動作を行う制御電圧生成回路を備える、内部電圧発生回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
この発明の第１の観点に係る内部電圧発生回路は、各々に１行のメモリセルが接続される複数のワード線のうちの選択ワード線を選択状態へ駆動するワード線駆動回路に含まれ、各ワード線に対応して配置されて制御電圧に応答して選択電圧を対応のワード線に伝達する１トランジスタ型ワード線デコーダに対して制御電圧を供給する内部電圧発生回路であり、１トランジスタ型ワード線デコーダのトランジスタの制御電圧に対応する電圧をモニタノードに伝達するモニタトランジスタと、このモニタトランジスタに伝達された電圧と基準電圧とに従って制御電圧のレベルが所定レベルにあるかを判定する判定回路と、この判定回路の出力信号に従って選択的に活性化され、活性化時制御電圧を生成する動作を行う制御電圧生成回路を含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
この発明の第２の観点に係る内部電圧発生回路は、制御電圧に従って選択電圧を内部ノードへ伝達するトランジスタ素子を含む半導体装置において該制御電圧を発生する内部電圧発生回路であって、このトランジスタ素子の制御電圧に対応する電圧をモニタノードに伝達するモニタトランジスタと、このモニタノードに伝達された電圧と基準電圧とに従って制御電圧のレベルが所定レベルにあるかを判定する判定回路と、この判定回路の出力信号に従って選択的に活性化されて、活性化時、制御電圧を生成する動作を行う制御電圧生成回路を含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
制御電圧に従って動作するトランジスタの電圧伝達特性またはしきい値電圧特性をモニタトランジスタに反映させる。このモニタトランジスタが、制御電圧に従ってモニタノードに制御電圧に対応する電圧を伝達する。したがって、このモニタノードへは、実際のトランジスタ素子電圧伝達特性またはしきい値電圧特性を反映した電圧が伝達される。このモニタノードの電圧に応じて、制御電圧レベルを判定することにより、正確に、チップ上に実際に形成されたトランジスタ素子の電圧伝達特性またはしきい値電圧特性に応じた制御電圧を生成することができ、不必要に高い制御電圧を印加するのを防止することができ、最適な電圧レベルの制御電圧を生成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月19日(2008.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
追記型ＤＶＤ媒体の記録層にパルス光で最短長マークを記録し、パルス先端部のパワーが前記パルス光の後端部のパワーと等しく、パルス後端部のパワーが前記パルス光の先端部のパワーより低いパルス光で２番目以降の長さのマークを記録し、該記録を再生光で再生する記録再生方法であって、前記記録時にパルス後端部以降のクーリングパルスの照射光量を一定時間所定の値以下とし、かつ記録線速度を所定の値以上とすることを特徴とする記録再生方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月21日(2008.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材微粒子と、前記基材微粒子の表面に形成された導電層とからなる導電性微粒子であって、前記導電層は、表面に高さが２００〜４００ｎｍの突起Ａと５０〜１００ｎｍの突起Ｂとを有し、突起Ａは芯材を有しており、突起Ａの数をａ、突起Ｂの数をｂとするとき、３＜ａ／ｂ＜１０を満たす
ことを特徴とする導電性微粒子。
【請求項２】
請求項１記載の導電性微粒子が樹脂バインダーに分散されてなることを特徴とする異方性導電材料。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月25日(2008.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板に形成された光電変換部と、
前記光電変換部上方に位置するように形成された開口部が設けられ、前記半導体基板上に設置された遮光膜と、
前記開口部内に形成された高屈折率層とを備え、
前記開口部は、前記開口部を介して前記光電変換部に入射する光の真空中の波長に換算した最大波長よりも小さい開口幅を有し、
前記高屈折率層は、前記開口部を介して前記光電変換部に入射する光の前記最大波長の光を透過させる屈折率を有する高屈折率材料から構成される
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記開口部内には、前記高屈折率層が充填されている
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記高屈折率層は、１．８以上の屈折率を有する高屈折率材料から構成される
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記高屈折率層の厚みは、前記遮光膜の厚みと略同一、又は前記遮光膜の厚みよりも厚い
ことを特徴する請求項１〜３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記高屈折率層は、凸レンズ形状を有し、前記開口部を介して前記光電変換部に入射する光を集める
ことを特徴する請求項１〜４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記高屈折率層は、前記開口部上にも連続して形成されている
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記固体撮像装置は、さらに、前記開口部上方に位置するように前記高屈折率層上に設置され、入射する光を集光させるマイクロレンズを備え、
前記マイクロレンズの屈折率は、前記高屈折率層の屈折率と等しい
ことを特徴とする請求項６に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記高屈折率材料が、酸化チタン、酸化タンタル及び酸化ニオブのいずれかである
ことを特徴する請求項１〜７のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記開口幅は、１．０μｍ以下である
ことを特徴する請求項１〜８のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記固体撮像装置は、さらに、前記開口部上方に位置するように前記遮光膜上に設置され、特定の波長域の光を透過させるフィルタ膜を備え、
前記開口部は、前記フィルタ膜が透過させる光の前記最大波長よりも小さい開口幅を有する
ことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の固体撮像装置を備える
ことを特徴とするカメラ。
【請求項１２】
光電変換部が形成された半導体基板上に遮光膜を形成し、前記遮光膜に、前記光電変換部上方に位置する開口部を形成する開口部形成工程と、
前記開口部内及び前記遮光膜上に高屈折率層を形成する高屈折率層形成工程とを含み、
前記高屈折率層形成工程において、前記高屈折率層の表面が平坦になる膜厚の前記高屈折率層を形成する
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項１３】
前記高屈折率層形成工程において、前記開口部の幅の１／２以上の膜厚の前記高屈折率層を形成する
ことを特徴とする請求項１２に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１４】
前記固体撮像装置の製造方法は、さらに、前記高屈折率層の表面を平坦化する平坦化工程を含む
ことを特徴とする請求項１２又は１３に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１５】
前記固体撮像装置の製造方法は、さらに、前記開口部上方に位置する前記高屈折率層を凸レンズ形状に加工するレンズ形成工程を含む
ことを特徴とする請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明に係る固体撮像装置は、半導体基板と、前記半導体基板に形成された光電変換部と、前記光電変換部上方に位置するように形成された開口部が設けられ、前記半導体基板上に設置された遮光膜と、前記開口部内に形成された高屈折率層とを備え、前記開口部は、前記開口部を介して前記光電変換部に入射する光の真空中の波長に換算した最大波長よりも小さい開口幅を有し、前記高屈折率層は、前記開口部を介して前記光電変換部に入射する光の前記最大波長の光を透過させる屈折率を有する高屈折率材料から構成されることを特徴とする。ここで、前記固体撮像装置は、さらに、前記開口部上方に位置するように前記遮光膜上に設置され、特定の波長域の光を透過させるフィルタ膜を備え、前記開口部は、前記フィルタ膜が透過させる光の前記最大波長よりも小さい開口幅を有してもよい。また、前記高屈折率層は、前記開口部上にも連続して形成されていてもよい。このとき、前記固体撮像装置は、さらに、前記開口部上方に位置するように前記高屈折率層上に設置され、入射する光を集光させるマイクロレンズを備え、前記マイクロレンズの屈折率は、前記高屈折率層の屈折率と等しいことが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
本実施の形態３の固体撮像装置では、金属層１１４は、遮光膜１９の開口部２０を埋めて該開口部２０の上にも連続して形成され、高屈折材料により構成された高屈折率層を有する。このとき、絶縁層１３、金属層１１４の中の高屈折率層、及びマイクロレンズ２３の屈折率が等しいという点で実施の形態１の固体撮像装置と異なる。例えば、一つの材料を用いて、絶縁層１３、金属層１１４の中の高屈折率層、及びマイクロレンズ２３を構成することにより、それらの屈折率を等しくする。その結果、製造コストを抑えることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月8日(2008.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アモルファスシリコンからなる半導体薄膜を有する光電変換薄膜トランジスタ上にオーバーコート膜を介して酸化亜鉛からなる透明導電層が設けられていることを特徴とするフォトセンサ。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記透明導電層はｎ型不純物を含む酸化亜鉛からなることを特徴とするフォトセンサ。
【請求項３】
請求項１または２に記載の発明において、前記透明導電層はＭｇまたはＣｄを含む酸化亜鉛からなることを特徴とするフォトセンサ。
【請求項４】
請求項１から３の何れかに記載の発明において、前記透明導電層は静電気を逃がすためのものであることを特徴とするフォトセンサ。
【請求項５】
請求項１から４の何れかに記載の発明において、前記光電変換薄膜トランジスタは、前記半導体薄膜下にボトムゲート絶縁膜を介して設けられた遮光性導電材料からなるボトムゲート電極、および前記半導体薄膜上にトップゲート絶縁膜を介して設けられた透光性導電材料からなるトップゲート電極を有することを特徴とするフォトセンサ。
【請求項６】
請求項５に記載の発明において、前記トップゲート電極は酸化亜鉛からなることを特徴とするフォトセンサ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月20日(2008.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）半導体基板と、
（ｂ）前記半導体基板上に形成され、ハフニウム酸化物を主体として含む第１ゲート絶縁膜と、
（ｃ）前記第１ゲート絶縁膜上に形成され、かつ、シリコン膜とメタル膜を反応させて形成したメタルシリサイド膜よりなる第１ゲート電極とを有するｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴを含む半導体装置であって、
前記メタルシリサイド膜はプラチナシリサイド膜からなり、
前記メタルシリサイド膜のメタル原子に対するシリコン原子の比が１未満であり、かつ、前記メタルシリサイド膜中に導電型不純物が導入されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
（ａ）半導体基板と、
（ｂ）前記半導体基板上に形成され、ハフニウム酸化物を主体として含む第１ゲート絶縁膜と、
（ｃ）前記第１ゲート絶縁膜上に形成され、かつ、シリコン膜とメタル膜を反応させて形成したメタルシリサイド膜よりなる第１ゲート電極とを有するｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴを含む半導体装置であって、
前記メタルシリサイド膜はプラチナシリサイド膜からなり、
前記メタルシリサイド膜のメタル原子に対するシリコン原子の比が１未満であり、かつ、前記メタルシリサイド膜中に導電型不純物が導入されており、
前記導電型不純物は、前記第１ゲート絶縁膜と前記第１ゲート電極との界面近傍に偏析していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記導電型不純物は、ｐ型不純物であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ｐ型不純物は、ホウ素またはアルミニウムであることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記導電型不純物は、ｎ型不純物であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項６】
前記プラチナシリサイド膜は、Ｐｔ３Ｓｉであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記ハフニウム酸化物は、ＨｆＡｌＯＮ、ＨｆＯＮ、ＨｆＳｉＯ、ＨｆＳｉＯＮ、または、ＨｆＡｌＯであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記半導体装置は、更にｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴを有し、
前記ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴは、
前記半導体基板上に形成され、ハフニウム酸化物を主体として含む第２ゲート絶縁膜と、
前記第２ゲート絶縁膜上に形成され、かつ、シリコン膜とニッケル膜を反応させて形成したニッケルシリサイド膜よりなる第２ゲート電極とを含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴを有する半導体装置の製造方法であって、
（ａ）半導体基板上に、ハフニウム酸化物を主体として含む前記ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴの第１ゲート絶縁膜を形成する工程と、
（ｂ）前記第１ゲート絶縁膜上に、前記ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴのシリコンゲート電極を形成する工程と、
（ｃ）前記シリコンゲート電極内に導電型不純物を導入する工程と、
（ｄ）前記半導体基板上に、前記シリコンゲート電極よりも厚い膜厚の絶縁膜を形成した後、前記絶縁膜の表面を平坦化することにより、前記シリコンゲート電極の表面を露出する工程と、
（ｅ）前記シリコンゲート電極の上部にプラチナ膜を形成する工程と、
（ｆ）前記半導体基板を加熱し、前記シリコンゲート電極と前記プラチナ膜を反応させることにより、プラチナ原子に対するシリコン原子の比が１未満のプラチナシリサイド膜からなる第１ゲート電極を形成し、前記第１ゲート絶縁膜と前記第１ゲート電極の界面近傍に前記導電型不純物を偏析させる工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記プラチナ膜の膜厚は、前記シリコンゲート電極の厚さよりも厚いことを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記プラチナ膜の膜厚は、前記シリコンゲート電極の厚さの２倍以上であることを特徴とする請求項１０記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記導電型不純物は、ｐ型不純物であることを特徴とする請求項９〜１１のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記ｐ型不純物は、ホウ素またはアルミニウムであることを特徴とする請求項１２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記導電型不純物は、ｎ型不純物であることを特徴とする請求項９〜１１のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記プラチナシリサイド膜は、Ｐｔ３Ｓｉであることを特徴とする請求項９〜１４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記ハフニウム酸化物は、ＨｆＡｌＯＮ、ＨｆＯＮ、ＨｆＳｉＯ、ＨｆＳｉＯＮ、または、ＨｆＡｌＯであることを特徴とする請求項９〜１５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月15日(2008.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
０．５〜１０ｎｍの粒径を有する導体粒子の複数個が、窒化物を含む媒質中に分散配置された構造を有することを特徴とする帯電防止膜。
【請求項２】
前記導体粒子が、白金、金、銀から選択される金属の粒子であり、前記窒化物が窒化アルミニウムであることを特徴とする請求項１に記載の帯電防止膜。
【請求項３】
前記導体粒子の含有量が、０．１〜１０ａｔｏｍｉｃ％あることを特徴とする請求項１又は２に記載の帯電防止膜。
【請求項４】
気密容器内に電子源を有する電子発生装置であって、前記気密容器内に、請求項１〜３のいずれかに記載の帯電防止膜を備えていることを特徴とする電子発生装置。
【請求項５】
電子源が配置された第１の基板と、前記電子源と対向して画像表示部材が配置された第２の基板とを有する気密容器を備える画像表示装置の、前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置されるスペーサであって、その表面に、請求項１〜３のいずれかに記載の帯電防止膜を有することを特徴とするスペーサ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月14日(2008.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本実施例及び比較例で検討したＣｕコアはんだボールの諸条件並びに電極パッド径と、測定されたＣｕボール位置ずれ量を表１に纏めて示す。
表１に示す通り、０．５≦ＤＰ／ＤＣ≦１．０の範囲においてＶＳ／ＶＣ≦０．５という要件を全て満足したときに初めて、Ｃｕボールがパッド中央付近に位置する形態となることが確認された。
なお、表１には記載していないが、はんだめっき層３をＶＳ／ＶＣが０．０５未満という薄いレベルのものとした場合は、接合の作用を担うはんだ量が少なく不適と判断した。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月12日(2008.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
前記ゲート絶縁膜を形成する工程において、前記酸化処理の温度を前記高誘電体薄膜に非晶質状態が維持される温度とし、
前記ゲート電極を形成する工程よりも前に、前記ゲート絶縁膜に対して、該ゲート絶縁膜が複数の安定層に相分離する温度で熱処理を行なう工程をさらに備えていることを特徴とする請求項９又は１０に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月12日(2008.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２６】
前記ｎ型トランジスタ及びｐ型トランジスタを形成する工程において、前記第１のゲート絶縁膜と前記第１のゲート電極の間及び前記第２のゲート絶縁膜と前記第２のゲート電極の間に、それぞれ絶縁体からなる緩衝膜を形成することを特徴とする請求項２４又は２５に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２８】
前記ｎ型トランジスタ及びｐ型トランジスタを形成する工程は、前記緩衝膜を形成する前に、前記高誘電率材料からなる第１のゲート絶縁膜及び前記高誘電率材料からなる第２のゲート絶縁膜に対して熱処理を施す工程を含むことを特徴とする請求項２６に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月9日(2007.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
【図１】本実施の形態に係る液晶テレビ用のバックライトユニットの構成を示す概略    斜視図である。
【図２】本実施の形態に係るランプの構成を示す図である。
【図３】暗黒始動特性を測定した結果である。
【図４】実施の形態における保護層の形成領域に係る変形例を示す図である。
【図５】実施の形態におけるガラスバルブの端部形状に係る変形例２を示す図である。
【図６】ガラスバルブの端部をビードで封止した変形例の概略図である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月6日(2008.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光記録媒体に形成されるマーク長及びスペース長との組み合わせによってデータの記録及び読み出しを行い、前記光記録媒体を物理的または仮想的に同心円状に複数のゾーンに分割し、前記ゾーン毎に記録速度を変化させて前記データの記録を行う光記録媒体記録再生装置であって、
所定のマーク長とスペース長との組み合わせに対応する信号パターンを識別するパターン検出回路と、
前記パターン検出回路で識別された所定のマーク長とスペース長との組み合わせごとに前記光記録媒体に形成されたテスト記録用マークのエッジシフト量を測定するエッジシフト検出回路と、
前記エッジシフト検出回路で測定された前記エッジシフト量が所定の範囲内にあるか否かを判断し、前記エッジシフト量が所定の範囲外である組み合わせについては、測定された前記エッジシフト量に基づいて新たに記録パラメータを設定する光記録媒体コントローラとを備え、
前記テスト記録用マークを、前記光記録媒体の外周エリアに形成することを特徴とする光記録媒体記録再生装置。
【請求項２】
前記テスト記録を、前記光記録媒体の内周エリアでも行うことを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体記録再生装置。
【請求項３】
前記光記録媒体の内周側に位置する前記ゾーンについての記録パラメータの設定は、前記光記録媒体の内周エリアで行う前記テスト記録によって行い、
前記光記録媒体の外周側に位置する前記ゾーンについての記録パラメータの設定は、前記光記録媒体の外周エリアで行う前記テスト記録によって行い、
前記光記録媒体の外周エリアで行う前記テスト記録は、短スペース長で短マーク長である特定の前記記録パラメータを対象として行うことを特徴とする請求項２に記載の光記録媒体記録再生装置。
【請求項４】
光記録媒体に形成されるマーク長及びスペース長との組み合わせによってデータの記録及び読み出しを行い、前記光記録媒体を物理的または仮想的に同心円状に複数のゾーンに分割し、前記ゾーン毎に記録速度を変化させて前記データの記録を行う光記録媒体記録再生装置の記録パラメータ補正方法であって、
測定されたエッジシフト量に基づき、マーク長とスペース長との組ごとに記録パラメータを設定するステップと、
前記内周または外周のフリーなエリアに記録パラメータ設定手段により設定された記録パラメータによりテスト記録を行うステップと、
前記記録媒体上に形成された前記マークのエッジシフト量をマーク長とスペース長との組ごとにエッジシフト量を測定するステップと、
前記測定したエッジシフト量が最小となるように前記記録パラメータ設定手段の記録パラメータを補正するステップと、
を含むことを特徴とする光記録媒体記録再生装置の記録パラメータ補正方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
請求項１記載の本発明の光記録媒体記録再生装置は、光記録媒体に形成されるマーク長及びスペース長との組み合わせによってデータの記録及び読み出しを行い、前記光記録媒体を物理的または仮想的に同心円状に複数のゾーンに分割し、前記ゾーン毎に記録速度を変化させて前記データの記録を行う光記録媒体記録再生装置であって、所定のマーク長とスペース長との組み合わせに対応する信号パターンを識別するパターン検出回路と、前記パターン検出回路で識別された所定のマーク長とスペース長との組み合わせごとに前記光記録媒体に形成されたテスト記録用マークのエッジシフト量を測定するエッジシフト検出回路と、前記エッジシフト検出回路で測定された前記エッジシフト量が所定の範囲内にあるか否かを判断し、前記エッジシフト量が所定の範囲外である組み合わせについては、測定された前記エッジシフト量に基づいて新たに記録パラメータを設定する光記録媒体コントローラとを備え、前記テスト記録用マークを、前記光記録媒体の外周エリアに形成することを特徴とする。
請求項２記載の本発明は、請求項１に記載の光記録媒体記録再生装置において、前記テスト記録を、前記光記録媒体の内周エリアでも行うことを特徴とする。
請求項３記載の本発明は、請求項２に記載の光記録媒体記録再生装置において、前記光記録媒体の内周側に位置する前記ゾーンについての記録パラメータの設定は、前記光記録媒体の内周エリアで行う前記テスト記録によって行い、前記光記録媒体の外周側に位置する前記ゾーンについての記録パラメータの設定は、前記光記録媒体の外周エリアで行う前記テスト記録によって行い、前記光記録媒体の外周エリアで行う前記テスト記録は、短スペース長で短マーク長である特定の前記記録パラメータを対象として行うことを特徴とする。
請求項４記載の本発明の光記録媒体記録再生装置の記録パラメータ補正方法は、光記録媒体に形成されるマーク長及びスペース長との組み合わせによってデータの記録及び読み出しを行い、前記光記録媒体を物理的または仮想的に同心円状に複数のゾーンに分割し、前記ゾーン毎に記録速度を変化させて前記データの記録を行う光記録媒体記録再生装置の記録パラメータ補正方法であって、測定されたエッジシフト量に基づき、マーク長とスペース長との組ごとに記録パラメータを設定するステップと、前記内周または外周のフリーなエリアに前記記録パラメータ設定手段により設定された記録パラメータによりテスト記録を行うステップと、前記記録媒体上に形成された前記マークのエッジシフト量をマーク長とスペース長との組ごとにエッジシフト量を測定するステップと、前記測定したエッジシフト量が最小となるように前記記録パラメータ設定手段の記録パラメータを補正するステップと、を含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月27日(2008.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被搬送物を搬送する搬送装置であって、
ベース部材と、
前記被搬送物が搬送される搬送方向に対して交差する中心軸で回転可能に前記ベース部材に軸支される回転体と、
前記回転体の軸方向の一端側に位置し、前記回転体と同心軸となる歯車と、
前記回転体の軸方向の他端面に略対向する状態で前記ベース部材に設けられ、前記回転体の他端面とで前記被搬送物を挾持する挾持部と、
搬送経路を含む平面に対して略直交する中心軸で前記ベース部材を回転可能に軸支するとともに、前記搬送経路上の被搬送物を前記回転体と挾持部とで挾持する状態で、前記ベース部材を前記搬送経路に対して進退させる移動手段と、
前記歯車に対して略水平方向に配置され、前記歯車に係合して前記回転体を回転させる回転駆動力を作用させる駆動ギアと、
を具備し、
前記駆動ギアは、前記ベース部材の回転する中心軸に対して略平行な中心軸で回転可能に軸支され、
前記歯車および前記駆動ギアの少なくともいずれか一方は、斜歯形状に形成され、
前記ベース部材の回転により変動する前記歯車の中心軸および前記駆動ギアの中心軸とのなす角の最大値をねじり角の差の最大値としている
ことを特徴とする搬送装置。
【請求項２】
請求項１に記載の搬送装置であって、
前記被搬送物を搬送する際に前記ベース部材が回転する角度範囲で前記歯車の中心軸および前記駆動ギアの中心軸とのなす角度の最大値を前記ねじり角の最大値としている
ことを特徴とする搬送装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の搬送装置であって、
前記歯車および前記駆動ギアのそれぞれは、それぞれ反対方向のねじり角が設定された斜歯形状に形成され、それぞれ前記ベース部材の回転により変動する前記歯車の中心軸および前記駆動ギアの中心軸とのなす角度の最大値の略１／２の角度を前記ねじり角としている
ことを特徴とする搬送装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の搬送装置であって、
前記挾持部は、前記搬送経路上の被搬送物が挿入されて前記回転体の他端面とで挾持する挾持間隙を介して前記回転体の他端面に略対向し、かつ前記挾持間隙が前記搬送経路に向けて拡開する状態に設けられ、
前記ベース部材は、前記搬送経路上を搬送される前記被搬送物の略中央に向けて前記挾持間隙が拡開する状態に前記被搬送物の搬送に応じて回転可能に前記移動手段に軸支された
ことを特徴とする搬送装置。
【請求項５】
請求項４に記載の搬送装置であって、
前記挾持間隙が拡開する方向に対して前記挾持間隙の両側に略位置し前記搬送される被
搬送物の周縁に当接可能に前記ベース部材に設けられた接触部を具備した
ことを特徴とする搬送装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５に記載の搬送装置であって、
前記挾持部は、前記挾持間隙の最も幅狭となる間隙寸法が前記被搬送物の周縁における厚さ寸法より幅狭となる状態に設けられた
ことを特徴とする搬送装置。
【請求項７】
請求項４ないし請求項６のいずれかに記載の搬送装置であって、
前記挾持部は、前記回転体の中心に対して前記回転体の他端面との前記挾持間隙の間隙寸法が狭くなる位置で前記被搬送物の周縁部を挾持する状態に設けられた
ことを特徴とする搬送装置。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の搬送装置であって、
前記回転体と前記挾持部とにて前記被搬送物を挾持する方向に略沿って前記回転体の一端面と前記挾持部とが近接する方向に付勢力を作用させる付勢手段を具備した
ことを特徴とする搬送装置。
【請求項９】
請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の搬送装置であって、
前記被搬送物は、ディスク状記録媒体であり、
前記回転体は、少なくとも一端面に軟質部材を有した
ことを特徴とする搬送装置。
【請求項１０】
略平板状の被搬送物が挿排される挿排口を有した筐体と、
この筐体内に設けられ前記被搬送物を保持するとともに前記被搬送物を処理する処理手段と、
前記筐体内に設けられ、前記被搬送物を前記挿排口と前記処理手段にて保持する保持位置との間で搬送する請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の搬送装置と、
を具備したことを特徴とする処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の搬送装置は、被搬送物を搬送する搬送装置であって、ベース部材と、前記被搬送物が搬送される搬送方向に対して交差する中心軸で回転可能に前記ベース部材に軸支される回転体と、前記回転体の軸方向の一端側に位置し、前記回転体と同心軸となる歯車と、前記回転体の軸方向の他端面に略対向する状態で前記ベース部材に設けられ、前記回転体の他端面とで前記被搬送物を挾持する挾持部と、搬送経路を含む平面に対して略直交する中心軸で前記ベース部材を回転可能に軸支するとともに、前記搬送経路上の被搬送物を前記回転体と挾持部とで挾持する状態で、前記ベース部材を前記搬送経路に対して進退させる移動手段と、前記歯車に対して略水平方向に配置され、前記歯車に係合して前記回転体を回転させる回転駆動力を作用させる駆動ギアと、を具備し、前記駆動ギアは、前記ベース部材の回転する中心軸に対して略平行な中心軸で回転可能に軸支され、前記歯車および前記駆動ギアの少なくともいずれか一方は、斜歯形状に形成され、前記ベース部材の回転により変動する前記歯車の中心軸および前記駆動ギアの中心軸とのなす角の最大値をねじり角の差の最大値としていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の処理装置は、略平板状の被搬送物が挿排される挿排口を有した筐体と、この筐体内に設けられ前記被搬送物を保持するとともに前記被搬送物を処理する処理手段と、前記筐体内に設けられ、前記被搬送物を前記挿排口と前記処理手段にて保持する保持位置との間で搬送する請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の搬送装置と、を具備したことを特徴とする。