【手続補正書】
【提出日】平成20年1月24日(2008.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撥液性領域を形成し、
前記撥液性領域に選択的にレーザ光を照射し、親液性領域を形成し、
前記親液性領域に、導電性材料を含む組成物を吐出しゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層及び半導体層を形成し、
前記半導体層上に、導電性材料を含む組成物を吐出し、ソース電極層及びドレイン電極層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２】
撥液性領域を形成し、
前記撥液性領域に選択的にレーザ光を照射し、親液性領域を形成し、
前記親液性領域に、導電性材料を含む組成物を吐出しゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層及び半導体層を形成し、
前記半導体層上に感光性物質を形成し、前記感光性物質に選択的にレーザ光を照射し、感光した領域を形成し、
前記感光した領域を除去し、凹部を形成し、
前記凹部に導電性材料を含む組成物を吐出し、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記感光性物質を除去することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項３】
感光性物質を形成し、
前記感光性物質に選択的にレーザ光を照射し、感光した領域を形成し、
前記感光した領域を除去し凹部を形成し、
前記凹部に導電性材料を含む組成物を吐出し、ゲート電極層を形成し、
前記感光性物質を除去し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層及び半導体層を形成し、
前記半導体層に撥液性領域を形成し、前記撥液性領域にレーザ光を照射し、選択的に親液性領域を形成し、
前記親液性領域に導電性材料を含む組成物を吐出し、ソース電極層及びドレイン電極層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項４】
撥液性領域を形成し、
前記撥液性領域に選択的にレーザ光を照射し、親液性領域を形成し、
前記親液性領域に、導電性材料を含む組成物を吐出しゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層及び半導体層を形成し、
前記半導体層上に感光性物質を形成し、前記感光性物質に選択的にレーザ光を照射し、感光した領域を形成し、
前記感光した領域を除去し凹部を形成し、
前記凹部に導電性材料を含む組成物を吐出し、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記感光性物質を除去し、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に感光性を有する絶縁物を形成し、
前記絶縁物に選択的にレーザ光を照射し、感光した絶縁物を形成し、
前記感光した絶縁物を除去して前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層に達する開口部を形成し、
前記開口部に、前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層に接続する導電層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項５】
感光性物質を形成し、
前記感光性物質に選択的にレーザ光を照射し、感光した領域を形成し、
前記感光した領域を除去し凹部を形成し、
前記凹部に導電性材料を含む組成物を吐出し、ゲート電極層を形成し、
前記感光性物質を除去し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層及び半導体層を形成し、
前記半導体層上に撥液性領域を形成し、前記撥液性領域に選択的にレーザ光を照射し、親液性領域を形成し、
前記親液性領域に導電性材料を含む組成物を吐出し、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に感光性を有する絶縁物を形成し、
前記絶縁物に選択的にレーザ光を照射し、感光した絶縁物を形成し、
前記感光した絶縁物を除去して前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層に達する開口部を形成し、
前記開口部に、前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層に接続する導電層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項６】
第１の撥液性領域を形成し、
前記第１の撥液性領域に選択的にレーザ光を照射し、第１の親液性領域を形成し、
前記第１の親液性領域に、導電性材料を含む組成物を吐出しゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層及び半導体層を形成し、
前記半導体層上に第２の撥液性領域を形成し、
前記第２の撥液性領域に選択的にレーザ光を照射し、第２の親液性領域を形成し、
前記第２の親液性領域に導電性材料を含む組成物を吐出し、ソース電極層及びドレイン電極層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項７】
第１の撥液性領域を形成し、
前記第１の撥液性領域に選択的にレーザ光を照射し、第１の親液性領域を形成し、
前記第１の親液性領域に、導電性材料を含む組成物を吐出しゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層及び半導体層を形成し、
前記半導体層上に第２の撥液性領域を形成し、
前記第２の撥液性領域に選択的にレーザ光を照射し、第２の親液性領域を形成し、
前記第２の親液性領域に導電性材料を含む組成物を吐出し、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に感光性を有する絶縁物を形成し、
前記絶縁物に選択的にレーザ光を照射し、感光した絶縁物を形成し、
前記感光した絶縁物を除去して前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層に達する開口部を形成し、
前記開口部に、前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層に接続する導電層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、フッ素を有する膜を形成することにより前記撥液性領域を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、シランカップリング剤を形成することにより、前記撥液性領域を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１０】
感光性物質を形成し、
前記感光性物質に選択的にレーザ光を照射し、感光した領域を形成し、
前記感光した領域を除去し凹部を形成し、
前記凹部に導電性材料を含む組成物を吐出し、ゲート電極層を形成し、
前記感光性物質を除去し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層及び半導体層を形成し、
前記半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１１】
第１の感光性物質を形成し、
前記第１の感光性物質に選択的にレーザ光を照射し、第１の感光した領域を形成し、
前記第１の感光した領域を除去し第１の凹部を形成し、
前記第１の凹部に導電性材料を含む組成物を吐出し、ゲート電極層を形成し、
前記第１の感光性物質を除去し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層及び半導体層を形成し、
前記半導体層上に第２の感光性物質を形成し、
前記第２の感光性物質に選択的にレーザ光を照射し、第２の感光した領域を形成し、
前記第２の感光した領域を除去し第２の凹部を形成し、
前記第２の凹部に導電性材料を含む組成物を吐出し、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記第２の感光性物質を除去することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１２】
第１の感光性物質を形成し、
前記第１の感光性物質に選択的にレーザ光を照射し、第１の感光した領域を形成し、
前記第１の感光した領域を除去し第１の凹部を形成し、
前記第１の凹部に導電性材料を含む組成物を吐出し、ゲート電極層を形成し、
前記第１の感光性物質を除去し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層及び半導体層を形成し、
前記半導体層上に第２の感光性物質を形成し、
前記第２の感光性物質に選択的にレーザ光を照射し、第２の感光した領域を形成し、
前記第２の感光した領域を除去し第２の凹部を形成し、
前記第２の凹部に導電性材料を含む組成物を吐出し、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記第２の感光性物質を除去し、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に感光性を有する絶縁物を形成し、
前記絶縁物に選択的にレーザ光を照射し、感光した絶縁物を形成し、
前記感光した絶縁物を除去して前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層に達する開口部を形成し、
前記開口部に、前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層に接続する導電層を形成し、
前記導電層に接続して、第１の電極層を形成し、
前記第１の電極層上に電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に第２の電極層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一において、前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層に接続して画素電極層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１２のいずれか一において、前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層に接続して、第１の電極層を形成し、
前記第１の電極層上に電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に第２の電極層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項７又は請求項１２において、前記導電層に接続して、画素電極層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項７又は請求項１２において、前記導電層に接続して、第１の電極層を形成し、
前記第１の電極層上に電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に第２の電極層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１乃至１６のいずれか一において、前記導電性材料として、銀、金、銅、又はインジウム錫酸化物を用いて形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１乃至１７のいずれか一において、前記半導体層は、水素又はハロゲン元素を含むガスにより形成された非単結晶半導体であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１乃至１７のいずれか一において、前記半導体層は、水素又はハロゲン元素を含むガスにより形成されたセミアモルファス半導体であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１乃至１７のいずれか一において、前記半導体層は、水素とハロゲン元素を含むガスにより形成された多結晶半導体であることを特徴とする表示装置の作製方法。