【手続補正書】
【提出日】平成20年1月23日(2008.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置およびその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に、感光性材料を含む導電膜材料を液滴吐出法で吐出して第１の導電膜パターンを形成し、
前記第１の導電膜パターンに対してレーザー光を選択的に照射して露光し、
露光された前記第１の導電膜パターンを現像することによって、前記第１の導電膜パターンのうち前記レーザー光を照射していない部分を除去して、第２の導電膜パターンを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に、感光性材料を含む導電膜材料を液滴吐出法で吐出して第１の導電膜パターンを形成し、
前記第１の導電膜パターンに対してレーザー光を選択的に照射して露光し、
露光された前記第１の導電膜パターンを現像して前記第１の導電膜パターンよりも幅の狭い第２の導電膜パターンを形成し、
前記第２の導電膜パターンを覆う絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記感光性材料は、ネガ型であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２において、
前記感光性材料は、ポジ型であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面を有する基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上にポジ型の感光性材料を含む導電膜材料を液滴吐出法で吐出して導電膜パターンを形成し、
前記導電膜パターンに対してレーザー光を選択的に照射して露光し、
露光された前記導電膜パターンを現像してソース配線およびドレイン配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
絶縁表面を有する基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上にポジ型の感光性材料を含む導電膜材料を液滴吐出法で吐出して導電膜パターンを形成し、
前記導電膜パターンに対してレーザー光を選択的に照射して露光し、
露光された前記導電膜パターンを現像してソース配線およびドレイン配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項５または請求項６において、
前記ソース配線および前記ドレイン配線をマスクとして、前記半導体膜の上層部のエッチングを行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
絶縁表面を有する基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上にｎ型またはｐ型を付与する不純物元素を含む第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜上にポジ型の感光性材料を含む導電膜材料を液滴吐出法で吐出して導電膜パターンを形成し、
前記導電膜パターンに対してレーザー光を選択的に照射して露光し、
露光された前記導電膜パターンを現像してソース配線およびドレイン配線を形成し、
前記ソース配線および前記ドレイン配線をマスクとして、前記第１の半導体膜の上層部および前記第２の半導体膜のエッチングを行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項５乃至請求項８のいずれか一項において、
前記基板の表面側から前記レーザー光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
絶縁表面を有する基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にネガ型の感光性材料を含む導電膜材料を液滴吐出法で吐出して第１の導電膜パターンを形成し、
前記第１の導電膜パターンに対して、前記基板の裏面側から前記ゲート電極をマスクとしてレーザー光を照射して露光し、
露光された前記第１の導電膜パターンを現像して第２の導電膜パターンを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記第２の導電膜パターンによってソース配線およびドレイン配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
絶縁表面を有する基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上にネガ型の感光性材料を含む導電膜材料を液滴吐出法で吐出して導電膜パターンを形成し、
前記導電膜パターンに対して、前記基板の裏面側から前記ゲート電極をマスクとしてレーザー光を照射して露光し、
露光された前記導電膜パターンを現像してソース配線およびドレイン配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記ソース配線および前記ドレイン配線をマスクとして、前記半導体膜の上層部のエッチングを行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
絶縁表面を有する基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上にｎ型またはｐ型を付与する不純物元素を含む第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜上にネガ型の感光性材料を含む導電膜材料を液滴吐出法で吐出して導電膜パターンを形成し、
前記導電膜パターンに対して、前記基板の裏面側から前記ゲート電極をマスクとしてレーザー光を照射して露光し、
露光された前記導電膜パターンを現像してソース配線およびドレイン配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記ソース配線および前記ドレイン配線をマスクとして、前記第１の半導体膜および前記第２の半導体膜の上層部のエッチングを行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１３乃至請求項１５のいずれか一項において、
前記ソース配線および前記ドレイン配線は、前記ゲート電極をマスクとして前記レーザー光を照射して露光することによって、自己整合的に形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１６のいずれか一項において、
前記感光性材料を含む導電膜材料は、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｐｔの化合物あるいは単体のいずれかが含まれていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
絶縁表面を有する第１の基板上にゲート電極と、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域を含む半導体膜と、
前記半導体膜上にソース配線およびドレイン配線と、を有し、
前記チャネル形成領域のチャネル長は前記ゲート電極の幅と等しく、且つ、前記ソース配線と前記ドレイン配線との間隔と等しいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
請求項１８において、
前記ソース配線または前記ドレイン配線上に画素電極を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
請求項１８または請求項１９において、
前記チャネル形成領域を含む半導体膜は、水素またはハロゲン水素が添加された非単結晶半導体膜、または多結晶半導体膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２１】
請求項１８または請求項１９において、
前記チャネル形成領域を含む半導体膜は、非晶質半導体膜またはセミアモルファス半導体膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２２】
請求項１８乃至請求項２１のいずれか一項において、
前記ソース配線および前記ドレイン配線は、感光性材料を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２３】
請求項１８乃至請求項２２のいずれか一項において、
前記第１の基板と対向する第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板の間に保持された液晶と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２４】
請求項１８乃至請求項２２のいずれか一項において、
前記ソース配線または前記ドレイン配線と電気的に接続された第１の電極と、前記第１の電極上の有機化合物を含む層と、前記有機化合物を含む層上の第２の電極とで構成される発光素子を有することを特徴とする半導体装置。