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【手続補正書】
【提出日】平成20年6月23日(2008.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互に位置合わされるディスプレイ用パネル基板と半導体装置とにそれぞれマークが形成されており、前記ディスプレイ用パネル基板に前記半導体装置を搭載する際に、これらの両マークの位置を検出するために、それぞれ拡大して１つの撮像手段に撮像するための光学系であって、
前記ディスプレイ用パネル基板と前記半導体装置とに設けた各々のマークを所定の倍率で結像させる結像用レンズと、
この結像用レンズの光軸上に配置され、前記２つのマークを撮像するために、撮像面に２つの撮像領域が設定される撮像手段と、
前記２つのマーク画像の光路を相互に分離させて、各々の撮像領域の画像が相互に干渉することなく結像させる光路分離手段と
から構成したことを特徴とするアライメント用光学系。
【請求項２】
前記光路分離手段は、前記光軸の両側に、この光軸に対して所定の角度をもって配設され、前記結像用レンズからの各マークの画像を反射させる第１の反射ミラーと、各第１の反射ミラーに対して前記光軸を挟んだ反対側に配置され、各第１の反射ミラーと平行に配設した第２の反射ミラーとから構成され、これら第２の反射ミラーによる反射角は第１の反射ミラーへの入射角より大きい角度に設定する構成としたことを特徴とする請求項１記載のアライメント用光学系。
【請求項３】
前記光軸上において、前記結像用レンズの前記マークの位置での主光線が交差する部位より前記結像用レンズ側の位置と、前記撮像手段の前側にそれぞれ迷光をカットする遮光部材を配置する構成としたことを特徴とする請求項１または請求項２記載のアライメント用光学系。
【請求項４】
前記光路分離手段は、前記光軸上に、頂点を前記結像用レンズ側に向けた第１のプリズムと、頂点を前記撮像手段側に向けて配設した第２のプリズムとを配置し、また第１のプリズムの各反射面からの光を反射させる第１の反射ミラーと、この第１の反射ミラーからの反射光を第２のプリズムに入射させる第２の反射ミラーとから構成され、前記第２のプリズムからの反射光路は、前記光軸と平行な方向に導くように構成したことを特徴とする請求項１記載のアライメント用光学系。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか1項に記載のアライメント用光学系を備え、前記ディスプレイ用パネル基板に設けられたマークと前記半導体装置に設けられたマークとを前記アライメント用光学系を用いて位置合わせして、前記ディスプレイ用パネル基板に前記半導体装置を搭載することを特徴とする半導体装置の搭載装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】アライメント用光学系及び半導体装置の搭載装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、基板に回路部品を搭載する等に用いられ、２つの部材を相互に厳格に位置合わせするためのアライメント用光学系と、このアライメント用工学系を用いて半導体装置をディスプレイ用パネル基板に搭載する半導体装置の搭載装置に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前述した目的を達成するために、本発明によるアライメント用光学系は、相互に位置合わされるディスプレイ用パネル基板と半導体装置とにそれぞれマークが形成されており、前記ディスプレイ用パネル基板に前記半導体装置を搭載する際に、これらの両マークの位置を検出するために、それぞれ拡大して１つの撮像手段に撮像するための光学系であって、前記ディスプレイ用パネル基板と前記半導体装置とに設けた各々のマークを所定の倍率で結像させる結像用レンズと、この結像用レンズの光軸上に配置され、前記２つのマークを撮像するために、撮像面に２つの撮像領域が設定される撮像手段と、前記２つのマーク画像の光路を相互に分離させて、各々の撮像領域の画像が相互に干渉することなく結像させる光路分離手段とから構成したことをその特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
ディスプレイ用パネル基板と半導体装置との２つの部材をアライメントするために、各部材をそれぞれハンドリング手段により保持させるが、両部材に設けたマークの位置等の関係で、高い結像倍率としたときには撮像手段にこれら２つのマークを撮像することができない場合がある。しかしながら、アライメントを行うためには、各ハンドリング手段にそれぞれの部材を保持させるときに、これらの部材は、通常、予め粗位置決めされており、極端に位置ずれしていることはない。従って、各マークを撮像するための視野をあまり広くする必要はない。そこで、単一の撮像手段の撮像領域を２つに分割し、各部材のマークを光路分離手段により分離して、それぞれ所定の光路を取るように引き回して、分割した各撮像領域にそれぞれ撮像させる。これによって、２つのマークの位置関係がどのようになっていても、小型の撮像手段を用いてこれら２つのマークを高倍率でこれら２つの撮像領域に結像させることができる。このようにして、ディスプレイ用パネル基板と半導体装置とを結像した状態で、重ね合わせることによって、半導体装置はディスプレイ用パネル基板に極めて正確に搭載される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
前述したように、ＴＣＰ２の液晶パネル１への搭載時には、配線３，４を確実に接続する。このために、ＴＣＰ２と液晶パネル１との間をアライメントした後に接続されることになる。従って、半導体装置の搭載装置は、図２に示したように構成することができる。即ち、同図に示したように、液晶パネル１は位置調整機構付きのテーブル６に真空吸着等の手段で固定されている。一方、ＴＣＰ２は吸着ヘッド７に吸着保持されており、この吸着ヘッド７は搭載用ロボット８に装架されている。ここで、液晶パネル１をテーブル６に設置する際及びＴＣＰ２を吸着ヘッド７に吸着させる際には、それらはそれぞれ粗位置決めされる。しかしながら、テーブル６に固定されている液晶パネル１と吸着ヘッド７に保持されているＴＣＰ２との間には多少の位置ずれがある。このために、これらの位置ずれを補正して、両者を正確に位置合わせした上で搭載用ロボット８を作動させて、ＴＣＰ２を液晶パネル１の下基板１ａにおける所定の位置にＴＡＢ搭載させる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月3日(2008.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力された映像信号が示す映像の水平方向及び／または垂直方向の拡縮率の変更を指示する指示手段と、
前記指示手段からの指示に従って、入力された映像信号が示す映像の水平方向及び／または垂直方向の拡縮率を変更するキーストン補正手段と、
前記キーストン補正手段により得られた映像信号を表示する表示手段と、
前記表示手段に表示された映像を光源からの光を用いてスクリーンに投射する投射手段と、
前記投射手段を移動させる駆動手段と、
前記駆動手段により移動された投射手段の移動量が所定の量に達しているか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段により前記投射手段の移動量が所定の量に達していると判定されていない場合に、前記指示手段による指示があったときは、入力された映像信号が示す映像の水平方向及び／または垂直方向の拡縮率を変更しないよう前記キーストン補正手段を制御する制御手段を有することを特徴とするプロジェクタ。
【請求項２】
前記制御手段は、前記判定手段により前記投射手段の移動量が所定の量に達していると判定されていない場合に、前記指示手段による指示があったときは、注意を促すことを特徴とする請求項１記載のプロジェクタ。
【請求項３】
前記プロジェクタは本体に備えられた前記表示手段とは別の第２の表示手段を有し、
前記制御手段は、前記判定手段により前記投射手段の移動量が所定の量に達していると判定されていない場合に、前記指示手段による指示があったときは、注意を促すための表示をするよう前記第２の表示手段を制御することを特徴とする請求項２記載のプロジェクタ。
【請求項４】
前記駆動手段は、前記投射手段を垂直方向及び水平方向に移動できることを特徴とする請求項１から３の何れか１項記載のプロジェクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月10日(2008.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
当該フレームタイミング信号生成装置は、
第１及び第２のアームを具備するマッハツェンダ干渉計であって、一方のアーム上に当該フレームの１周期に相当する遅延時間を有する光遅延器（６４）を配置された第２のマッハツェンダ干渉計（６２）と、
当該第２のマッハツェンダ干渉計（６２）の干渉出力光を電気信号に変換する第２の光／電気変換器（６６）
とを具備することを特徴とする請求項７乃至９の何れか１項に記載のデータ受信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月27日(2008.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示装置を回転可能に支持する表示装置の搭載台において、
前記表示装置を取り付けるための取付部を備えた第１のユニットと、前記第１のユニットを回転部を介して回転可能に支持する第２のユニットとを備え、
前記第１のユニットは、その上面に前記取付部を備えたフレームと、前記フレームの内側に形成される収納空間とを備え、
前記第２のユニットは、機器収納部と、前記機器収納部を支持する土台とを備え、
前記フレームは、前記収納空間内に機器収納部を内在させるように前記回転部を介して前記土台に支持される
ことを特徴とする表示装置の搭載台。
【請求項２】
請求項１記載の表示装置の搭載台において、
前記フレームは、その上面に前記取付部を備えた天板と、前記回転部と連結される下板と、前記天板と下板の両側を連結することで、前記天板と前記下板との間に前記収納空間を形成する一対の側板とを備え、
前記機器収納部は、機器を収納する棚と、前記棚を支持する支持板とを備え、
前記支持板は、前記棚の下部に前記回転部を位置させるように前記土台に取り付けられることを特徴とする表示装置の搭載台。
【請求項３】
請求項１または２に記載の搭載台において、
前記回転部は、前記土台に取り付けられた回転機構部と、この回転機構部を覆うカバーとから構成されることを特徴とする表示装置の搭載台。
【請求項４】
請求項１から３の何れかに記載の搭載台において、
前記機器収納部は、その前端部が前記収納空間から張り出すように収納されるとともに、前記機器収納部の両端部と前記フレームの側端部の内側端部との間にスペースを残すように収納されることを特徴とする表示装置の搭載台。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置の搭載台
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明に係る表示装置の搭載台は、表示装置を回転可能に支持する表示装置の搭載台において、前記表示装置を取り付けるための取付部を備えた第１のユニットと、前記第１のユニットを回転部を介して回転可能に支持する第２のユニットとを備え、前記第１のユニットは、その上面に前記取付部を備えたフレームと、前記フレームの内側に形成される収納空間とを備え、前記第２のユニットは、機器収納部と、前記機器収納部を支持する土台とを備え、前記フレームは、前記収納空間内に機器収納部を内在させるように前記回転部を介して前記土台に支持されるようにする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月28日(2008.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両使用者による携帯端末への要求操作に従って該車両使用者に対して自車両の停車位置を教示する車両位置教示システムであって、
前記携帯端末への要求操作を行った車両使用者と自車両との間に位置する他車両に、該車両使用者に対して自車両の停車位置を教示する教示動作を行わせることを特徴とする車両位置教示システム。
【請求項２】
前記携帯端末への要求操作を行った車両使用者と自車両との間に複数の他車両が位置する場合には、該複数の他車両に前記教示動作を行わせることを特徴とする請求項１記載の車両位置教示システム。
【請求項３】
前記複数の他車両に同時に前記教示動作を行わせることを特徴とする請求項２記載の車両位置教示システム。
【請求項４】
前記複数の他車両に時間差をおいて前記教示動作を行わせることを特徴とする請求項２記載の車両位置教示システム。
【請求項５】
前記携帯端末は、自身の携帯位置を検出する機能を有すると共に、車両使用者による要求操作が行われた際に、前記教示動作を要求する旨を自身の携帯位置の情報と共に自車両に向けて送信し、
自車両は、自身の車両位置を検出する機能を有すると共に、前記携帯端末から送信される前記教示動作を要求する旨を受信した際に、自身の車両位置から前記携帯端末の携帯位置へ向かう方向に存在する他車両に対して前記教示動作を行うように要求する実行要求を行い、かつ、
他車両は、前記実行要求を受けた場合に、該実行要求に従って前記教示動作を行うことを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項記載の車両位置教示システム。
【請求項６】
他車両に対する前記実行要求は、前記携帯端末の携帯位置の情報提供を含めて行われ、
他車両は、自身の車両位置を検出する機能を有すると共に、前記実行要求を受けた場合に更に、自身の車両位置から前記携帯端末の携帯位置へ向かう方向に存在する他車両に対して前記実行要求を行うことを特徴とする請求項５記載の車両位置教示システム。
【請求項７】
前記教示動作は、自車両の水平面上の停車位置の方向を教示し、かつ、自車両の停車階の方向を教示するものであることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項記載の車両位置教示システム。
【請求項８】
前記教示動作は、車両使用者から見て自車両の停車位置の方向を示すための、車両の有するライトの点灯であることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項記載の車両位置教示システム。
【請求項９】
前記ライトの点灯は、車両使用者の要求する点灯手法に従って行われることを特徴とする請求項８記載の車両位置教示システム。
【請求項１０】
前記ライトの点灯は、自車両の停車階の方向に応じた点灯手法に従って行われることを特徴とする請求項８記載の車両位置教示システム。
【請求項１１】
車両使用者による携帯端末への要求操作に従って該車両使用者に対して自車両の停車位置を教示する車両位置教示方法であって、
前記携帯端末への要求操作を行った車両使用者と自車両との間に位置する他車両に、該車両使用者に対して自車両の停車位置を教示する教示動作を行わせることを特徴とする車両位置教示方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】車両位置教示システム及び車両位置教示方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、上記の目的は、車両使用者による携帯端末への要求操作に従って該車両使用者に対して自車両の停車位置を教示する車両位置教示方法であって、前記携帯端末への要求操作を行った車両使用者と自車両との間に位置する他車両に、該車両使用者に対して自車両の停車位置を教示する教示動作を行わせる車両位置教示方法により達成される。
これらの態様の発明においては、車両使用者と自車両との間に位置する他車両が、車両使用者に対して自車両の停車位置を教示する教示動作を行う。この場合、車両使用者は、他車両の教示動作を直接に視認することで、自車両の停車位置方向を認識することができる。このため、車両使用者の位置と自車両の停車位置とが大きくかけ離れ、仮に車両使用者の位置と自車両の停車位置との間に多くの他車両が存在しても、車両使用者が自車両を発見し易くなる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月18日(2008.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に第１の方向に配置される第１のＳＴＩ（Shallow  Trench  Isolation）および第２のＳＴＩを設ける第１の工程と、
前記半導体基板上の前記第１のＳＴＩと前記第２のＳＴＩとの間に設けられ、前記第１の方向に配置される第１の活性領域を形成する第２の工程と、
前記第１の方向と異なる第２の方向に配置され、前記第１のＳＴＩ、前記第２のＳＴＩおよび前記第１の活性領域を横切るような第１のゲート電極および第２のゲート電極を形成する第３の工程と、
前記第１のゲート電極の側面と上面、前記第２のゲート電極の側面と上面、前記第１のＳＴＩ上、前記第２のＳＴＩ上および前記第１の活性領域上を埋め込む第１の絶縁膜を形成する第４の工程と、
前記第１の絶縁膜内に設けられ、底面が前記第１のＳＴＩ上に存在する第１コンタクトと、前記第１の絶縁膜内に設けられ、底面が前記第１の活性領域上に存在する第２コンタクトと、前記第１の絶縁膜内に設けられ、底面が前記第２のＳＴＩ上に存在する第３コンタクトと、を形成する第５の工程と、
を含み、前記第１、第２および第３コンタクトは、前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極との間に設けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第３の工程で、前記第２の方向に第３のゲート電極がさらに形成され、
前記第１のゲート電極、前記第２のゲート電極、前記第３のゲート電極の順番で並ぶようになっており、
前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極との距離よりも前記第２のゲート電極と前記第３のゲート電極との距離の方が大きくなるようになっており、
前記第５の工程で、前記第１の絶縁膜内に設けられ、底面が前記第１のＳＴＩ上に存在する第４コンタクトと、前記第１の絶縁膜内に設けられ、底面が前記第１の活性領域上に存在する第５コンタクトと、前記第１の絶縁膜内に設けられ、底面が前記第２のＳＴＩ上に存在する第６コンタクトと、がそれぞれ形成され、
前記第４、第５および第６コンタクトは、前記第２のゲート電極と前記第３のゲート電極との間に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第５の工程で、前記第１の絶縁膜内に設けられ、底面が前記第１のＳＴＩ上に存在する第７コンタクトと、前記第１の絶縁膜内に設けられ、底面が前記第１の活性領域上に存在する第８コンタクトと、前記第１の絶縁膜内に設けられ、底面が前記第２のＳＴＩ上に存在する第９コンタクトと、がそれぞれ形成され、
前記第７、第８および第９コンタクトは、前記第２のゲート電極と前記第３のゲート電極との間に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１、第２および第３コンタクトは、半導体装置の隣接する活性領域に形成されるコンタクト間のボイドに起因する不良を検出する半導体装置の不良検出用ＴＥＧ（Test  Experimental  Group）を構成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１、第２および第３コンタクトと、前記第１および第２のＳＴＩと、前記第１の活性領域と、前記第１および第２のゲート電極および前記第１の絶縁膜は前記不良検出用ＴＥＧを構成し、
前記第１、第２および第３コンタクトと、前記第１および第２のＳＴＩと、前記第１の活性領域と、前記第１および第２のゲート電極および前記第１の絶縁膜は前記半導体基板上の所定の領域に構成され、
前記所定の領域に電子線を照射し、その二次電子像を撮像する二次電子撮像工程と、
前記二次電子像における前記第１および第３コンタクトと前記第２コンタクトとの電位コントラストの周期性の有無で、前記第１、第２および第３コンタクト間におけるボイドに起因する不良の有無を判定する不良判定工程と、
により不良判定可能なことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
この発明は、半導体装置の製造方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この発明は、上記に鑑みてなされたもので、コンタクト間に発生するパイピング不良を電子ビーム式パターン欠陥検査装置で簡便にモニタすることができる半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。また、半導体装置における層間絶縁膜のボイドの出来栄えを評価する半導体装置の製造方法を得ることも目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するため、この発明にかかる半導体装置の製造方法は、半導体基板上に第１の方向に配置される第１のＳＴＩ（Shallow  Trench  Isolation）および第２のＳＴＩを設ける第１の工程と、前記半導体基板上の前記第１のＳＴＩと前記第２のＳＴＩとの間に設けられ、前記第１の方向に配置される第１の活性領域を形成する第２の工程と、前記第１の方向と異なる第２の方向に配置され、前記第１のＳＴＩ、前記第２のＳＴＩおよび前記第１の活性領域を横切るような第１のゲート電極および第２のゲート電極を形成する第３の工程と、前記第１のゲート電極の側面と上面、前記第２のゲート電極の側面と上面、前記第１のＳＴＩ上、前記第２のＳＴＩ上および前記第１の活性領域上を埋め込む第１の絶縁膜を形成する第４の工程と、前記第１の絶縁膜内に設けられ、底面が前記第１のＳＴＩ上に存在する第１コンタクトと、前記第１の絶縁膜内に設けられ、底面が前記第１の活性領域上に存在する第２コンタクトと、前記第１の絶縁膜内に設けられ、底面が前記第２のＳＴＩ上に存在する第３コンタクトと、を形成する第５の工程と、を含み、前記第１、第２および第３コンタクトは、前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極との間に設けられていることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる半導体装置の製造方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。ただし、以下の実施の形態で用いられるＴＥＧ構造を備える半導体装置の斜視図、断面図および平面図は模式的なものであり、層の厚みと幅との関係や各層の厚みの比率などは現実のものとは異なる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月26日(2007.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のゲートと埋め込み酸化膜の下に存在するウエル層を第２のゲートとする二重ゲートを持ちＳＯＩ層が完全に空乏化したＳＯＩ構造を有するＭＯＳトランジスタを含む第１の回路と第２の回路とを有し、
上記第２の回路は上記第１回路内の該ＭＯＳトランジスタの該第１のゲートあるいは該第２のゲートの電圧を制御する回路であって、上記第２の回路の出力パルスの電圧振幅は上記第１の回路の入力パルスの電圧振幅よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
上記第１の回路内の該ＭＯＳトランジスタの該第1のゲートあるいは該第２のゲートの電圧を、該ＭＯＳトランジスタの閾値電圧が導通時には小さくなるように、また非導通時には大きくなるように制御することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、
上記第１の回路の入力電圧の高レベルと低レベルは、該回路内のＭＯＳトランジスタの該第１のゲートあるいは第２のゲートの高レベルと低レベルの間に設定されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１において、
上記第２の回路は該第１のゲートと該第２のゲートとを直接接続した該ＭＯＳトランジスタを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１において、
上記第２の回路の入力ＭＯＳトランジスタの第１のゲートと第２のゲートが接続されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１において、
上記第２の回路は、上記第１の回路の入力電圧よりも大きな電圧で動作する第１のゲートと第２のゲートが接続されたＭＯＳトランジスタを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１において、
上記第２の回路内の少なくとも入力ＭＯＳトランジスタの非導通時の閾値電圧は、該第１の回路内のＭＯＳトランジスタの非導通時の閾値電圧よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１において、
上記第２の回路は、上記第１の回路の入力電圧を検出し、その検出電圧から上記第１の回路の入力電圧よりも大きな電圧に変換する回路であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１において、
上記第１の回路内のＭＯＳトランジスタの非導通時の閾値電圧は、サブスレッショルド電流を許容する最小閾値電圧よりも大きな値に設定されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
第１のゲートと埋め込み酸化膜の下に存在するウエル層を第２のゲートとする二重ゲートを持ちＳＯＩ層が完全に空乏化したＳＯＩ構造を有するＭＯＳトランジスタを有し、
前記ＭＯＳトランジスタの該第１のゲートは、第１パルスで駆動され、該第２のゲートは、第２パルスで駆動され、前記第２パルスの電圧振幅は、前記第１パルスの電圧振幅より大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記第２パルスの電圧振幅は、前記ＭＯＳトランジスタのドレインあるいはソースの電圧よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１０又は１１において、
繰り返し回路からなるブロックの電源スイッチを更に具備し、前記電源スイッチは、前記ＭＯＳトランジスタで構成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１０又は１１において、
複数のサブブロックのそれぞれに接続され選択的に活性化される電源スイッチを更に具備し、前記電源スイッチは、前記ＭＯＳトランジスタで構成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１０において、
該ＭＯＳトランジスタは、該第１のゲートと該第２のゲートを前記第２パルスを生成する回路を介して接続したものであることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月17日(2008.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
その後、シリサイド層６５上に多結晶シリコン層６３を形成する。多結晶シリコン層６３の形成、及び多結晶シリコン層６３、金属層６４、シリサイド層６５、ゲート絶縁膜５のパターニングは、実施の形態１と同様に行うことができ、図１６に示された構造が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月17日(2008.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
もちろん、ゲート電極ＧＰの金属層６４とチャネル領域とはゲート絶縁膜５のみを介して対峙するため、金属層６４の材料としてはＰＭＯＳトランジスタＱＰに適した仕事関数を有する金属を採用することが望ましい。Ｎ型ウェル３１の主成分としてシリコンを採用する場合、当該金属としてはシリコンの価電子帯に近い仕事関数（約５．１ｅＶ）を有することが望ましい。かかる仕事関数を有する材料として、例えば窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化タングステン（ＷＮ）レニウム（Ｒｅ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）、酸化イリジウム（ＩｒＯ2）、窒化モリブデン（ＭｏＮ）、酸化イリジウム（ＩｒＯ2）を挙げることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月15日(2008.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
底壁部と、この底壁部上方の空間を囲み前記底壁部上に設けた側壁部と、この側壁部の開口を封止し前記側壁部とともに前記底壁部上に空洞を形成する蓋部と、前記空洞内の前記底壁部上に配置した誘電体基板と、前記側壁部を貫通する入力線路および出力線路と、前記蓋部の空洞側に設けられ、前記空洞の所定部における前記蓋部と前記底壁部の間の距離を前記所定部以外よりも短くする突出部とを設けたことを特徴とする高周波パッケージ装置。
【請求項２】
突出部は、入力線路と出力線路との間に位置する請求項１記載の高周波パッケージ装置。
【請求項３】
突出部は、蓋部の空洞側裏面の一部に金属板を接合して形成した請求項１記載の高周波パッケージ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、底壁部と、この底壁部上方の空間を囲み前記底壁部上に設けた側壁部と、この側壁部の開口を封止し前記側壁部とともに前記底壁部上に空洞を形成する蓋部と、前記空洞内の前記底壁部上に配置した誘電体基板と、前記側壁部を貫通する入力線路および出力線路と、前記蓋部の空洞側に設けられ、前記空洞の所定部における前記蓋部と前記底壁部の間の距離を前記所定部以外よりも短くする突出部とを設けたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
誘電体１４ａ、１４ｂはそれぞれ、たとえば幅の小さい上段部ａ１、ｂ１と幅の大きい下段部ａ２、ｂ２とで構成され、両方の下段部ａ２、ｂ２は、たとえばその内側端部が空洞１７内に突出し、その外側端部は外側に突出している。そして、下段部ａ２上のたとえば全長部分にわたって帯状の入力線路１５ａが形成され、入力線路１５ａは上段部ａ１と下段部ａ２の間を貫通している。また、下段部ｂ２上のたとえば全長部分にわたって帯状の出力線路１５ｂが形成され、出力線路１５ｂは上段部ｂ１と下段部ｂ２の間を貫通している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、２つの誘電体１４ａ、１４ｂの間に位置する底壁部１１上に誘電体基板１８が配置されている。誘電体基板１８上にはたとえば高周波回路（図示せず）が形成される。入力線路１５ａと高周波回路との間、および高周波回路と出力線路１５ｂとの間はワイヤーＷｒなどで電気的に接続される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2007019403.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月14日(2008.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
図示されたカウントテーブルにおいて、例えばｑ〔０〕＝２５は、「マスタークロックのパルスの立ち上がりもしくは立ち下がりの数をカウントして、そのカウント数が２５に達したら、１番目の同期信号を発生させる」、また例えばｑ〔１〕＝２６は、「２番目の同期信号は、１番目の同期信号を発生させた後、カウント数がさらに２６だけ増えたら発生させる」、さらに例えばｑ〔２〕＝２５は、「３番目の同期信号は、２番目の同期信号を発生させた後、カウント数がさらに２５だけ増えたら発生させる」、といったように解釈できる。そして、６１８番目の同期信号を発生した後はカウントテーブルの先頭に戻り、カウント数がさらにｑ〔０〕すなわち２５だけ増えたら、６１９番目の同期信号を発生させる。以後この繰り返しである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
露光対象基板を載せたステージ１６については、ステージコントローラ（図示せず）によって、描画エンジン＃１〜＃Ｎ（参照符号３０）に対する相対移動速度Ｖｅｘが制御される。このステージコントローラは、ステージ１６の移動量を検出するための装置として、本実施例ではレーザ干渉計１５を有する。レーザ干渉計１５は、ステージ１６が一定の移動距離ｆだけ移動するごとに１パルスを出力する。例えばＨｅ−Ｎｅガスレーザを用いた場合、その波長は約６３２．８４ｎｍであるので、適切な周波数逓倍器を用いればｆ＝１９．７７６ｎｍを得る。なお、本実施例ではステージの移動量を検出するための装置としてレーザ干渉計１５を用いたが、ステージ１６のある一定の移動量に対して安定した信号を出力することができる装置であればその他の装置であってもよく、例えばロータリエンコーダを用いた位置検出器などであってもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２５】
【図１】本発明による描画装置の原理ブロック図である。
【図２】分周方式の決定を説明する図である。
【図３】本発明の実施例における同期信号の生成アルゴリズムを示すフローチャートである。
【図４】図３の演算処理における数値例を示す図である。
【図５】図４の数値例１における配列テーブルを例示する図である。
【図６】図５の配列テーブルを変形して得られるカウントテーブルを例示する図である。
【図７】本発明の実施例において、カウントテーブルを用いた同期信号の生成アルゴリズムを示すフローチャートである。
【図８】図７のフローチャートに基づいた同期信号の発生アルゴリズムの下で、図４に示した数値例を用いたシミュレーション結果を示す図であり、特に処理開始直後を示す図である。
【図９】図７のフローチャートに基づいた同期信号の発生アルゴリズムの下で、図４に示した数値例を用いたシミュレーション結果を示す図であり、特に最初の同期信号の発生を示す図である。
【図１０】図７のフローチャートに基づいた同期信号の発生アルゴリズムの下で、図４に示した数値例を用いたシミュレーション結果を示す図であり、特に２番目の同期信号の発生を示す図である。
【図１１】図８〜１０におけるシミュレーションを、さらに長時間実行した場合のシミュレーション結果を示す図である。
【図１２】本発明の実施例における露光装置の基本ブロック図である。
【図１３】本発明の実施例における同期信号の生成アルゴリズムの変形例を示すフローチャートである。
【図１４】図１３のフローチャートに基づいた同期信号を出力する同期手段を示す機能ブロック図である。
【図１５】図１３のフローチャートに基づいた同期信号の生成のタイミングチャートの一例を示す図である。
【図１６】直接描画システムを概略的に示す図である。
【図１７】描画装置の動作原理を示す図である。
【図１８】描画装置のデータ処理フローを示すフローチャートである。
【図１９】露光装置による直接露光処理に用いられるビットマップデータ形式の描画データの概念を示す模式図である。
【図２０】図１９に示す描画データを用いて直接露光処理を実行する１つの描画エンジンにおける光源の配列を例示する模式図である。
【図２１】図１９に示すビットマップデータと図２０に示す描画エンジンにおける光源の配列との関係を例示する模式図（その１）である。
【図２２】図１９に示すビットマップデータと図２０に示す描画エンジンにおける光源の配列との関係を例示する模式図（その２）である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月27日(2008.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の容量素子及び第２の容量素子を有し、
前記第１の容量素子及び前記第２の容量素子のそれぞれは、
チャネル形成領域及びコンタクト領域を形成する半導体層と、
前記チャネル形成領域上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
前記コンタクト領域上のコンタクト電極と、
を有し、
前記コンタクト領域の不純物の濃度は、前記チャネル形成領域の不純物の濃度より高く、
前記第１の容量素子と前記第２の容量素子では、前記ゲート電極の端部と前記コンタクト領域との間の距離が異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の容量素子及び第２の容量素子を有し、
前記第１の容量素子及び前記第２の容量素子のそれぞれは、
チャネル形成領域及びコンタクト領域を形成する半導体層と、
前記チャネル形成領域上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
前記コンタクト領域上のコンタクト電極と、
を有し、
前記コンタクト領域の不純物の濃度は、前記チャネル形成領域の不純物の濃度より高く、
前記第１の容量素子と前記第２の容量素子では、前記チャネル形成領域に同一の不純物が添加され、該不純物の濃度が異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記コンタクト領域は、前記チャネル形成領域と逆の導電型を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記コンタクト領域は、前記チャネル形成領域と同じ導電型を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月26日(2008.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＩＣチップの作製方法及び装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
封止された薄膜集積回路を有するＩＣチップの作製方法であって、
基板上に設けられた前記薄膜集積回路の一方の面に、第１のシート材を接着させることにより、前記基板から前記薄膜集積回路を剥離し、
前記薄膜集積回路の他方の面に、第２のシート材を接着させることにより、前記第１のシート材から前記薄膜集積回路を剥離し、
前記薄膜集積回路の一方の面に、第３のシート材を接着させることにより、前記薄膜集積回路を前記第２のシート材と前記第３のシート材の間に封止し、
前記第１のシート材の接着力は、前記第２のシート材の接着力よりも弱いことを特徴とするＩＣチップの作製方法。
【請求項２】
封止された薄膜集積回路を有するＩＣチップの作製方法であって、
基板上に設けられた前記薄膜集積回路の一方の面に、熱剥離フィルムからなる第１のシート材を接着させることにより、前記基板から前記薄膜集積回路を剥離し、
前記薄膜集積回路の他方の面に、ホットメルトフィルムからなる第２のシート材を加熱処理を行い接着させることにより、前記第１のシート材から前記薄膜集積回路を剥離し、
前記薄膜集積回路の一方の面に、第３のシート材を接着させることにより、前記薄膜集積回路を前記第２のシート材と前記第３のシート材の間に封止し、
前記第１のシート材の接着力は、前記第２のシート材の接着力よりも弱いことを特徴とするＩＣチップの作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第３のシート材は樹脂であることを特徴とするＩＣチップの作製方法。
【請求項４】
薄膜集積回路が複数設けられた基板の搬送手段と、
第１の供給用ローラーと、第１の接着用ローラーと、剥離用ローラーと、の順に第１のシート材が流れるように配置された第１の手段と、
第２の供給用ローラーと、第２の接着用ローラーと、封止用ローラーの順に第２のシート材が流れるように配置された第２の手段と、
第３の供給用ローラーと、第３の接着用ローラーと、の順に第３のシート材が流れるように配置された第３の手段と、
前記第２のシート材と前記第３のシート材との間に封止された前記薄膜集積回路の回収用ローラーと、を有し、
前記搬送手段と前記第１の接着用ローラーとは対向して配置されており、
前記剥離用ローラーと前記第２の接着用ローラーとは対向して配置されており、
前記封止用ローラーと前記第３の接着用ローラーとは対向して配置されており、
前記第１のシート材の接着力は、前記第２のシート材の接着力よりも弱いことを特徴とする装置。
【請求項５】
薄膜集積回路が複数設けられた基板の固定移動手段と、
第１の供給用ローラーと、第１の接着用ローラーと、剥離用ローラーと、の順に第１のシート材が流れるように配置された第１の手段と、
第２の供給用ローラーと、第２の接着用ローラーと、封止用ローラーの順に第２のシート材が流れるように配置された第２の手段と、
第３の供給用ローラーと、第３の接着用ローラーと、の順に第３のシート材が流れるように配置された第３の手段と、
前記第２のシート材と前記第３のシート材との間に封止された前記薄膜集積回路の回収用ローラーと、を有し、
前記固定移動手段と前記第１の接着用ローラーとは対向して配置されており、
前記剥離用ローラーと前記第２の接着用ローラーとは対向して配置されており、
前記封止用ローラーと前記第３の接着用ローラーとは対向して配置されており、
前記第１のシート材の接着力は、前記第２のシート材の接着力よりも弱いことを特徴とする装置。
【請求項６】
薄膜集積回路が複数設けられた基板の搬送手段と、
第１の供給用ローラーと、第１の接着用ローラーと、剥離用ローラーと、の順に第１のシート材が流れるように配置された第１の手段と、
第２の供給用ローラーと、第２の接着用ローラーと、封止用ローラーの順に第２のシート材が流れるように配置された第２の手段と、
加熱溶融状態で押し出された樹脂を供給する樹脂供給手段と、
加熱溶融状態で押し出された前記樹脂を冷却する冷却ローラーと、
前記第２のシート材と前記樹脂との間に封止された前記薄膜集積回路の回収用ローラーと、を有し、
前記搬送手段と前記第１の接着用ローラーとは対向して配置されており、
前記剥離用ローラーと前記第２の接着用ローラーとは対向して配置されており、
前記封止用ローラーと前記冷却ローラーとは対向して配置されており、
前記第１のシート材の接着力は、前記第２のシート材の接着力よりも弱いことを特徴とする装置。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１乃至第３のシート材の接着面が各ローラーと接しないように流れることを特徴とする装置。
【請求項８】
請求項４乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第１のシート材は、熱剥離フィルムからなり、
前記第２のシート材は、ホットメルトフィルムからなり、
前記剥離用ローラー又は前記第２の接着用ローラーのいずれか一方は加熱手段を有することを特徴とする装置。
【請求項９】
請求項４乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第１のシート材は、熱剥離フィルムからなり、
前記第２のシート材は、ホットメルトフィルムからなり、
前記剥離用ローラー及び前記第２の接着用ローラーはいずれも加熱手段を有することを特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月7日(2008.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリ乳酸 樹脂および荷重１．８２ＭＰａで測定した荷重たわみ温度が７５℃以上である熱可塑性樹脂を配合してなる樹脂組成物を基板に用いた光記録媒体 。
【請求項２】
前記熱可塑性樹脂がポリメチルメタクリレートである請求項１に記載の光記録媒体 。
【請求項３】
前記熱可塑性樹脂が、荷重１．８２ＭＰａで測定した荷重たわみ温度が１１０℃以下であるポリメチルメタクリレートである請求項２に記載の光記録媒体 。
【請求項４】
前記熱可塑性樹脂の少なくとも１種が、シンジオタクチシチー３５％以上および／またはアイソタクチシチー２０％以下のポリメチルメタクリレートである請求項２または３に記載の光記録媒体 。
【請求項５】
前記熱可塑性樹脂の少なくとも１種が、２３０℃、３７．３Ｎでのメルトフローレートが、０．１〜４０ｇ／１０分である請求項１〜４のいずれかに記載の光記録媒体 。
【請求項６】
前記熱可塑性樹脂が、シンジオタクチシチーの差が３％以上である２種以上のポリメチルメタクリレートである請求項２〜５のいずれかに記載の光記録媒体 。
【請求項７】
基板に用いる樹脂組成物の荷重１．８２ＭＰａで測定した荷重たわみ温度が７０℃以上である請求項１〜６のいずれかに記載の光記録媒体 。
【請求項８】
基板に用いる樹脂組成物の鉛筆硬度が、ＨＢ以上である請求項１〜７のいずれかに記載の光記録媒体 。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
すなわち、本発明は、
（１）ポリ乳酸 樹脂および荷重１．８２ＭＰａで測定した荷重たわみ温度が７５℃以上である熱可塑性樹脂を配合してなる樹脂組成物を基板に用いた光記録媒体、。
（２）前記熱可塑性樹脂がポリメチルメタクリレートである上記（１）に記載の光記録媒体、。
（３）前記熱可塑性樹脂が、荷重１．８２ＭＰａで測定した荷重たわみ温度が１１０℃以下であるポリメチルメタクリレートである上記（２）に記載の光記録媒体 、
（４）前記熱可塑性樹脂の少なくとも１種が、シンジオタクチシチー３５％以上および／またはアイソタクチシチー２０％以下のポリメチルメタクリレートである上記（２）または（３）に記載の光記録媒体、。
（５）前記熱可塑性樹脂の少なくとも１種が、２３０℃、３７．３Ｎでのメルトフローレートが、０．１〜４０ｇ／１０分である上記（１）〜（４）のいずれかに記載の光記録媒体 、
（６）前記熱可塑性樹脂が、シンジオタクチシチーの差が３％以上である２種以上のポリメチルメタクリレートである上記（２）〜（５）のいずれかに記載の光記録媒体、。
（７）基板に用いる樹脂組成物の荷重１．８２ＭＰａで測定した荷重たわみ温度が７０℃以上である上記（１）〜（６）のいずれかに記載の光記録媒体 、
（８）基板に用いる樹脂組成物の鉛筆硬度が、ＨＢ以上である上記（１）〜（７）のいずれかに記載の光記録媒体 、
である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月20日(2008.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に金属を含む剥離層を形成し、
前記剥離層上に複数の薄膜集積回路を形成し、
前記複数の薄膜集積回路上にそれぞれ樹脂膜を形成し、
エッチング剤を用いることにより、前記剥離層の全部又は一部を除去し、
前記基板と前記複数の薄膜集積回路とを剥離することを特徴とする薄膜集積回路の剥離方法。
【請求項２】
請求項１において、前記剥離層は複数の開口部を有することを特徴とする薄膜集積回路の剥離方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記樹脂膜は凸部を有することを特徴とする薄膜集積回路の剥離方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記樹脂膜を、前記複数の薄膜集積回路の側面を覆うように形成することを特徴とする薄膜集積回路の剥離方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記剥離層は、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）またはチタン（Ｔｉ）を含んだ金属膜で形成することを特徴とする薄膜集積回路の剥離方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記剥離層は、金属膜と、前記金属膜上に形成された金属酸化物とを有することを特徴とする薄膜集積回路の剥離方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記金属膜及び前記金属酸化物は、タングステン膜と前記タングステン膜上の酸化タングステン膜、モリブデン膜と前記モリブデン膜上の酸化モリブデン膜、ニオブ膜と前記ニオブ膜上の酸化ニオブ膜、又はチタン膜と前記チタン膜上の酸化チタン膜であることを特徴とする薄膜集積回路の剥離方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記エッチング剤として、フッ化ハロゲンを含む液体または気体を用いることを特徴とする薄膜集積回路の剥離方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記フッ化ハロゲンを含む液体または気体として、三フッ化塩素（ＣｌＦ３）を用いることを特徴とする薄膜集積回路の剥離方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記樹脂膜として、エポキシ樹脂を用いることを特徴とする薄膜集積回路の剥離方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記基板として、ガラス基板または石英基板を用いることを特徴とする薄膜集積回路の剥離方法。
【請求項１２】
基板上に金属を含む剥離層を形成し、
前記剥離層上に複数の薄膜集積回路を形成し、
前記複数の薄膜集積回路上にそれぞれ樹脂膜を形成し、
エッチング剤を用いることにより、前記剥離層の全部又は一部を除去し、
前記基板と前記複数の薄膜集積回路とを剥離し、前記基板を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１２において、前記剥離層は複数の開口部を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１２又は１３において、前記樹脂膜は凸部を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１２乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記樹脂膜を、前記複数の薄膜集積回路の側面を覆うように形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１２乃至請求項１５のいずれか一項において、
前記剥離層は、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）またはチタン（Ｔｉ）を含んだ金属膜で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１２乃至請求項１５のいずれか一項において、
前記剥離層は、金属膜と、前記金属膜上に形成された金属酸化物とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１７において、
前記金属膜及び前記金属酸化物は、タングステン膜と前記タングステン膜上の酸化タングステン膜、モリブデン膜と前記モリブデン膜上の酸化モリブデン膜、ニオブ膜と前記ニオブ膜上の酸化ニオブ膜、又はチタン膜と前記チタン膜上の酸化チタン膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１２乃至請求項１８のいずれか一項において、
前記エッチング剤として、フッ化ハロゲンを含む液体または気体を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１９において、
前記フッ化ハロゲンを含む液体または気体として、三フッ化塩素（ＣｌＦ３）を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１２乃至請求項２０のいずれか一項において、
前記樹脂膜として、エポキシ樹脂を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項１２乃至請求項２１のいずれか一項において、
前記基板として、ガラス基板または石英基板を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。