【手続補正書】
【提出日】平成19年12月17日(2007.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
硬質材料からなり、背面を有するパターン形成された層と、
圧縮可能な材料からなり、前記パターン形成された層の背面に直接接着された背面層とから構成されることを特徴とするスタンパ。
【請求項２】
前記硬質材料は、剛性な材料を有することを特徴とする請求項１に記載のスタンパ。
【請求項３】
前記圧縮可能な材料は、エラストマを有することを特徴とする請求項１に記載のスタンパ。
【請求項４】
前記硬質材料は、金属を有することを特徴とする請求項１に記載のスタンパ。
【請求項５】
前記硬質材料は、ニッケルを有することを特徴とする請求項４に記載のスタンパ。
【請求項６】
前記硬質材料は、ＮｉＰを有することを特徴とする請求項４に記載のスタンパ。
【請求項７】
前記パターン形成された層は、第１の厚みを有し、かつ前記背面層が、前記パターン形成された層の前記第１の厚みにほぼ等しいかまたはより厚い第２の厚みを有することを特徴とする請求項１に記載のスタンパ。
【請求項８】
前記第１の厚みがほぼ１から３００ミクロンの範囲であることを特徴とする請求項７に記載のスタンパ。
【請求項９】
前記第２の厚みがほぼ３００ミクロンから５ミリメートルの範囲であることを特徴とする請求項７に記載のスタンパ。
【請求項１０】
前記パターン形成された層は第１の厚みを有し、かつ前記背面層が前記パターン形成された層の前記第１の厚みにほぼ等しいかまたはより厚い第２の厚みを有することを特徴とする請求項３に記載のスタンパ。
【請求項１１】
前記第１の厚みは、ほぼ１から３００ミクロンの範囲であり、かつ前記第２の厚みがほぼ３００ミクロンから５ミリメートルの範囲であることを特徴とする請求項１０に記載のスタンパ。
【請求項１２】
前記硬質材料はニッケルを含むことを特徴とする請求項１０に記載のスタンパ。
【請求項１３】
空洞を形成する外壁をさらに含み、前記背面層が前記外壁の前記空洞内に配置されることを特徴とする請求項１に記載のスタンパ。
【請求項１４】
前記パターン形成された層が第１の径を有し、かつ前記背面層が前記第１の径より小さい第２の径を有することを特徴とする請求項１３に記載のスタンパ。
【請求項１５】
前記背面層はエラストマを有することを特徴とする請求項１４に記載のスタンパ。
【請求項１６】
前記硬質材料が金属を有することを特徴とする請求項１５に記載のスタンパ。
【請求項１７】
前記パターン形成された層は第１の径を有し、かつ前記背面層は前記パターン形成された層の前記第１の径にほぼ等しい第２の径を有することを特徴とする請求項１に記載のスタンパ。
【請求項１８】
前記背面層はエラストマを有することを特徴とする請求項１７に記載のスタンパ。
【請求項１９】
前記硬質材料はニッケルを有することを特徴とする請求項１８に記載のスタンパ。
【請求項２０】
前記パターン形成された層は、ほぼ１００ｎｍより小さい側方寸法を有するフィーチャを備えることを特徴とする請求項１に記載のスタンパ。
【請求項２１】
前記硬質材料は、ほぼＨＶ１００からＨＶ１０００の範囲の硬度値を有することを特徴とする請求項４に記載のスタンパ。
【請求項２２】
前記エラストマは、ほぼ２０から２５ショア００スケールの範囲の硬度値を有することを特徴とする請求項１５に記載のスタンパ。
【請求項２３】
前記エラストマは、ほぼ２０から２５ショア００スケールの範囲の硬度値を有することを特徴とする請求項１８に記載のスタンパ。
【請求項２４】
前記エラストマは、ほぼ１０から１００ショアＡスケールの範囲の硬度値を有することを特徴とする請求項１５に記載のスタンパ。
【請求項２５】
前記エラストマは、ほぼ１０から１００ショアＡスケールの範囲の硬度値を有することを特徴とする請求項１８に記載のスタンパ。
【請求項２６】
硬質材料からなり、背面を有するパターン形成された層と、圧縮可能な材料からなり、前記パターン形成された層の背面に直接接着された背面層とを備えるスタンパを用意するステップと、
基板上に配置されたエンボス加工可能な層に前記パターン形成された層をインプリントするステップとから成ることを特徴とする方法。
【請求項２７】
前記硬質材料は剛性な材料を有することを特徴とする請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記圧縮可能な材料はエラストマを有することを特徴とする請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】
前記エンボス加工可能な層は変形可能な固体を有することを特徴とする請求項２６に記載の方法。
【請求項３０】
前記スタンパは、磁気記録ディスクの製造のために前記エンボス加工可能な層をインプリントするために使用されることを特徴とする請求項２６に記載の方法。
【請求項３１】
前記スタンパは、磁気記録ディスクの製造のために前記エンボス加工可能な層をインプリントするために使用されることを特徴とする請求項２８に記載の方法。
【請求項３２】
インプリントするステップは、ほぼ１０から２０００ｐｓｉの範囲で、前記背面層に圧力を加えるステップを有することを特徴とする請求項２６に記載の方法。
【請求項３３】
前記スタンパは、光記録ディスクの製造のために前記エンボス加工可能な層をインプリントするために使用されることを特徴とする請求項２６に記載の方法。
【請求項３４】
前記スタンパは、ディスプレイの製造のために前記エンボス加工可能な層をインプリントするために使用されることを特徴とする請求項２６に記載の方法。
【請求項３５】
前記スタンパは、半導体デバイスの製造のために前記エンボス加工可能な層をインプリントするために使用されることを特徴とする請求項２６に記載の方法。
【請求項３６】
前記エンボス加工可能な層は、ほぼ１００ｎｍより小さい寸法を有するフィーチャでインプリントされることを特徴とする請求項２６に記載の方法。
【請求項３７】
硬質材料からなり、背面を有するパターン形成された層を作るステップと、
前記パターン形成された層の前記背面上に圧縮可能な材料を配置するステップとから成ることを特徴とするスタンパを製造する方法。
【請求項３８】
前記硬質材料は剛性な材料を有することを特徴とする請求項３７に記載の方法。
【請求項３９】
前記圧縮可能な材料を硬化するステップをさらに有することを特徴とする請求項３７に記載の方法。
【請求項４０】
パターン形成された層を作るステップは、金属でマスタを電気めっきするステップを有することを特徴とする請求項３７に記載の方法。
【請求項４１】
前記パターン形成された層の前記背面上にマスキング層を配置するステップと、
前記マスキング層の周りで前記背面上に外壁を形成するステップと、
前記マスキング層を取り除くステップと、
前記外壁内で前記背面上に前記圧縮可能な材料を配置するステップとをさらに有することを特徴とする請求項３７に記載の方法。
【請求項４２】
前記圧縮可能な材料は、前記背面上に配置された後、前記圧縮可能な材料を硬化するステップをさらに有することを特徴とする請求項４０に記載の方法。
【請求項４３】
硬化は、ほぼ室温から１５０℃の範囲の温度で実行されることを特徴とする請求項４２に記載の方法。
【請求項４４】
前記パターン形成された層の前記背面上に空洞を形成するために、前記パターン形成された層の周りに外壁を形成するステップと、
前記外壁内に前記パターン形成された層の前記背面上に前記圧縮可能な材料を配置するステップとをさらに有することを特徴とする請求項３７に記載の方法。
【請求項４５】
前記圧縮可能な材料を硬化するステップをさらに有することを特徴とする請求項４４に記載の方法。
【請求項４６】
前記硬質材料は、ほぼＨＶ１００からＨＶ１０００の範囲の硬度値を有することを特徴とする請求項３７に記載の方法。
【請求項４７】
前記圧縮可能な材料は、ほぼ２０から２５ショア００スケールの範囲の硬度値を有することを特徴とする請求項３７に記載の方法。
【請求項４８】
前記圧縮可能な材料は、ほぼ１０から１００ショアＡスケールの範囲の硬度値を有することを特徴とする請求項３７に記載の方法。
【請求項４９】
硬質材料のパターン形成された層を使用して、エンボス加工可能な層にパターンをインプリントする手段と、
インプリントする手段の背面上に直接接着された圧縮可能な材料を使用してインプリントする間に、前記エンボス加工可能な層上に均一な圧力を加える手段とから構成されることを特徴とする装置。
【請求項５０】
前記インプリントする手段は、エンボス加工可能な層にサブ１００ｎｍフィーチャのインプリントの間にコンプライアンスを提供する手段をさらに有することを特徴とする備える請求項４９に記載の装置。
【請求項５１】
前記背面層は、硬化することにより前記パターン形成された層の背面に直接接着さえることを特徴とする請求項１に記載のスタンパ。
【請求項５２】
前記背面層は、加熱硬化することにより前記パターン形成された層の背面に直接接着さえることを特徴とする請求項１に記載のスタンパ。
【請求項５３】
前記背面層は、硬化することにより前記パターン形成された層の背面に直接接着さえることを特徴とする請求項１に記載のスタンパ。