【手続補正書】
【提出日】平成20年9月5日(2008.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に配置された電子放出素子と、前記基板から離れて配置されたアノード電極と、を備える電子放出装置であって、
前記電子放出素子は、低電位電極に接続される第１の導電性膜、及び、前記低電位電極よりも高い電位が印加される高電位電極に接続される第２の導電性膜を有し、
絶縁層により形成された段差の下側に前記低電位電極が配置され、前記段差の上側に前記高電位電極が配置され、前記第１の導電性膜が前記低電位電極から前記絶縁層の側壁に沿って上側に伸び、前記第２の導電性膜が前記高電位電極から下側に伸びて、前記第１の導電性膜の端部と前記第２の導電性膜の端部とが、間隔をあけて、対向しており、
前記第１の導電性膜の端部と前記第２の導電性膜の端部とが対向する方向における、前記第２の導電性膜の長さがＴ１［ｎｍ］、
前記基板表面と実質的に平行な前記第１の導電性膜の表面から、前記第１の導電性膜の端部と前記第２の導電性膜の端部とが対向する方向に伸びる前記第１の導電性膜の長さがＴ３［ｎｍ］、
前記第２の導電性膜の仕事関数がφｗｋ［ｅＶ］、
前記低電位電極と前記高電位電極間に印加される電圧がＶｆ［Ｖ］、である際に、
Ｔ１＜Ａ×ｅｘｐ［Ｂ×（Ｖｆ−φｗｋ）／（Ｖｆ）］
Ａ＝−０．５０＋０．５６×ｌｏｇ（Ｔ３），Ｂ＝８．７
の条件を満たすことを特徴とする電子放出装置。
【請求項２】
基板上に配置された電子放出素子と、前記基板から離れて配置されたアノード電極と、を備える電子放出装置であって、
前記電子放出素子は、低電位電極に接続される第１の導電性膜、及び、前記低電位電極よりも高い電位が印加される高電位電極に接続される第２の導電性膜を有し、
前記高電位電極を前記低電位電極よりも前記アノード電極の近くに配置せしめるために前記基板上に設けられた絶縁層の上に前記高電位電極が配置されており、
前記絶縁層の側壁上を前記第１の導電性膜が前記低電位電極から前記アノード電極側に向かって伸び、前記第２の導電性膜が前記高電位電極から前記基板側に向かって伸びて、前記第１の導電性膜の端部と前記第２の導電性膜の端部とが、間隔をあけて、対向しており、
前記第１の導電性膜の端部と前記第２の導電性膜の端部とが対向する方向における、前記第２の導電性膜の長さがＴ１［ｎｍ］、
前記基板表面と実質的に平行な前記第１の導電性膜の表面から、前記第１の導電性膜の端部と前記第２の導電性膜の端部とが対向する方向に伸びる前記第１の導電性膜の長さがＴ３［ｎｍ］、
前記第２の導電性膜の仕事関数がφｗｋ［ｅＶ］、
前記低電位電極と前記高電位電極間に印加される電圧がＶｆ［Ｖ］、である際に、
Ｔ１＜Ａ×ｅｘｐ［Ｂ×（Ｖｆ−φｗｋ）／（Ｖｆ）］
Ａ＝−０．５０＋０．５６×ｌｏｇ（Ｔ３），Ｂ＝８．７
の条件を満たすことを特徴とする電子放出装置。
【請求項３】
Ｔ１≦（Ａ×ｅｘｐ［Ｂ×（Ｖｆ−φｗｋ）／（Ｖｆ）］）／２であることを特徴とする請求項１または２に記載の電子放出装置。
【請求項４】
Ｔ１≧１０ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一つに記載の電子放出装置。
【請求項５】
前記絶縁層の側壁と、前記基板表面と、の成す角度が、４５度以上１００度以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一つに記載の電子放出装置。
【請求項６】
前記絶縁層の側壁と、前記基板表面と、の成す角度が、９０度±１０度以内であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一つに記載の電子放出装置。
【請求項７】
前記アノード電極が前記基板表面からＨだけ離れた距離に配置され、
前記低電位電極に印加される電位と前記アノード電極に印加される電位との差がＶａ［Ｖ］であり、
前記高電位電極の前記基板表面と実質的に平行な方向における長さをＬ１、
π＝３．１４、とした時、
Ｌ１が、Ｈ×Ｖｆ／（π×Ｖａ）で定義される特徴距離Ｘｓの１５倍より大きいことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一つに記載の電子放出装置。
【請求項８】
複数の電子放出素子が配置された第１の基板と、
アノード電極と画像形成部材とを有する第２の基板と、
前記電子放出素子に電圧を印加するための第１の電圧印加手段と、
前記アノード電極に電圧を印加するための第２の電圧印加手段と、を備える画像形成装置であって、
前記電子放出素子は、低電位電極に接続される第１の導電性膜、及び、前記低電位電極よりも高い電位が印加される高電位電極に接続される第２の導電性膜を有し、
絶縁層により形成された段差の下側に前記低電位電極が配置され、前記段差の上側に前記高電位電極が配置され、前記第１の導電性膜が前記低電位電極から前記絶縁層の側壁に沿って上側に伸び、前記第２の導電性膜が前記高電位電極から下側に伸びて、前記第１の導電性膜の端部と前記第２の導電性膜の端部とが、間隔をあけて、対向しており、
前記第１の導電性膜の端部と前記第２の導電性膜の端部とが対向する方向における、前記第２の導電性膜の長さがＴ１［ｎｍ］、
前記基板表面と実質的に平行な前記第１の導電性膜の表面から、前記第１の導電性膜の端部と第２の導電性膜の端部とが対向する方向に伸びる前記第１の導電性膜の長さがＴ３［ｎｍ］、
前記第２の導電性膜の仕事関数がφｗｋ［ｅＶ］、
前記低電位電極と前記高電位電極間に印加される電圧がＶｆ［Ｖ］、である際に、
Ｔ１＜Ａ×ｅｘｐ［Ｂ×（Ｖｆ−φｗｋ）／（Ｖｆ）］
Ａ＝−０．５０＋０．５６×ｌｏｇ（Ｔ３），Ｂ＝８．７
の条件を満たすことを特徴とする画像形成装置。
【請求項９】
複数の電子放出素子が配置された第１の基板と、
アノード電極と画像形成部材とを有する第２の基板と、
前記電子放出素子に電圧を印加するための第１の電圧印加手段と、
前記アノード電極に電圧を印加するための第２の電圧印加手段と、を備える画像形成装置であって、
前記電子放出素子は、低電位電極に接続される第１の導電性膜、及び、前記低電位電極よりも高い電位が印加される高電位電極に接続される第２の導電性膜を有し、
前記高電位電極を前記低電位電極よりも前記アノード電極の近くに配置せしめるために前記基板上に設けられた絶縁層の上に前記高電位電極が配置されており、
前記絶縁層の側壁上を前記第１の導電性膜が前記低電位電極から前記アノード電極側に向かって伸び、前記第２の導電性膜が前記高電位電極から前記基板側に向かって伸びて、前記第１の導電性膜の端部と前記第２の導電性膜の端部とが、間隔をあけて、対向しており、
前記第１の導電性膜の端部と前記第２の導電性膜の端部とが対向する方向における、前記第２の導電性膜の長さがＴ１［ｎｍ］、
前記基板表面と実質的に平行な前記第１の導電性膜の表面から、前記第１の導電性膜の端部と前記第２の導電性膜の端部とが対向する方向に伸びる前記第１の導電性膜の長さがＴ３［ｎｍ］、
前記第２の導電性膜の仕事関数がφｗｋ［ｅＶ］、
前記低電位電極と前記高電位電極間に印加される電圧がＶｆ［Ｖ］、である際に、
Ｔ１＜Ａ×ｅｘｐ［Ｂ×（Ｖｆ−φｗｋ）／（Ｖｆ）］
Ａ＝−０．５０＋０．５６×ｌｏｇ（Ｔ３），Ｂ＝８．７
の条件を満たすことを特徴とする画像形成装置。
【請求項１０】
Ｔ１≦（Ａ×ｅｘｐ［Ｂ×（Ｖｆ−φｗｋ）／（Ｖｆ）］）／２であることを特徴とする請求項８または９に記載の画像形成装置。
【請求項１１】
Ｔ１≧１０ｎｍであることを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか一つに記載の画像形成装置。
【請求項１２】
前記絶縁層の側壁と、前記基板表面と、の成す角度が、４５度以上１００度以下であることを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか一つに記載の画像形成装置。
【請求項１３】
前記絶縁層の側壁と、前記基板表面と、の成す角度が、９０度±１０度以内であることを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか一つに記載の画像形成装置。
【請求項１４】
前記アノード電極が前記基板表面からＨだけ離れた距離に配置され、
前記低電位電極に印加される電位と前記アノード電極に印加される電位との差がＶａ［Ｖ］であり、
前記高電位電極の前記基板表面と実質的に平行な方向における長さをＬ１、
π＝３．１４、とした時、
Ｌ１が、Ｈ×Ｖｆ／（π×Ｖａ）で定義される特徴距離Ｘｓの１５倍より大きいことを特徴とする請求項８乃至１３のいずれか一つに記載の画像形成装置。