【手続補正書】
【提出日】平成20年6月24日(2008.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア部と、該コア部より屈折率が低いクラッド部とを備えるコア層を有する光導波路と、該光導波路の少なくとも一方の面側に設けられた導体層とを有する光導波路構造体であって、
前記コア層は、ポリマーと、該ポリマーと相溶し、かつ、該ポリマーと異なる屈折率を有するモノマーと、活性放射線の照射により活性化する第１の物質と、前記モノマーの反応を開始させ得る第２の物質であって、活性化した前記第１の物質の作用により、活性化温度が変化する第２の物質とを含む層を形成し、
その後、前記層に対して前記活性放射線を選択的に照射することにより、前記活性放射線が照射された照射領域において、前記第１の物質を活性化させるとともに、前記第２の物質の活性化温度を変化させ、
次いで、前記層に対して加熱処理を施すことにより、前記第２の物質または活性化温度が変化した前記第２の物質のいずれか活性化温度の低い方を活性化させ、前記照射領域または前記活性放射線の未照射領域のいずれかにおいて前記モノマーを反応させて、前記照射領域と前記未照射領域との間に屈折率差を生じさせることにより、前記照射領域および前記未照射領域のいずれか一方を前記コア部とし、他方を前記クラッド部として得られたものであることを特徴とする光導波路構造体。
【請求項２】
前記コア層は、前記層の前記照射領域または前記未照射領域のいずれか一方の領域において前記モノマーの反応が進むにつれて、他方の領域から未反応の前記モノマーが集まることにより得られたものである請求項１に記載の光導波路構造体。
【請求項３】
前記第１の物質は、前記活性放射線の照射に伴って、カチオンと弱配位アニオンとを生じる化合物を含むものであり、前記第２の物質は、前記弱配位アニオンの作用により活性化温度が変化するものである請求項１または２に記載の光導波路構造体。
【請求項４】
前記第２の物質は、活性化した前記第１の物質の作用により活性化温度が低下し、前記加熱処理の温度よりも高い温度での加熱により、前記活性放射線の照射を伴うことなく活性化するものである請求項１ないし３のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項５】
前記第２の物質は、下記式Ｉａで表される化合物を含む請求項４に記載の光導波路構造体。
（Ｅ（Ｒ）３）２Ｐｄ（Ｑ）２  ・・・  （Ｉａ）
［式中、Ｅ（Ｒ）３は、第１５族の中性電子ドナー配位子を表し、Ｅは、周期律表の第１５族から選択される元素を表し、Ｒは、水素原子（またはその同位体の１つ）または炭化水素基を含む部位を表し、Ｑは、カルボキシレート、チオカルボキシレートおよびジチオカルボキシレートから選択されるアニオン配位子を表す。］
【請求項６】
前記第２の物質は、下記式Ｉｂで表される化合物を含む請求項４または５に記載の光導波路構造体。
［（Ｅ（Ｒ）３）ａＰｄ（Ｑ）（ＬＢ）ｂ］ｐ［ＷＣＡ］ｒ  ・・・  （Ｉｂ）
［式中、Ｅ（Ｒ）３は、第１５族の中性電子ドナー配位子を表し、Ｅは、周期律表の第１５族から選択される元素を表し、Ｒは、水素原子（またはその同位体の１つ）または炭化水素基を含む部位を表し、Ｑは、カルボキシレート、チオカルボキシレートおよびジチオカルボキシレートから選択されるアニオン配位子を表し、ＬＢは、ルイス塩基を表し、ＷＣＡは、弱配位アニオンを表し、ａは、１〜３の整数を表し、ｂは、０〜２の整数を表し、ａとｂとの合計は、１〜３であり、ｐおよびｒは、パラジウムカチオンと弱配位アニオンとの電荷のバランスをとる数を表す。］
【請求項７】
ｐおよびｒは、それぞれ、１または２の整数から選択される請求項６に記載の光導波路構造体。
【請求項８】
前記コア層は、前記加熱処理の後、前記層を前記加熱処理の温度よりも高い第２の温度で加熱処理することにより得られたものである請求項１ないし７のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項９】
前記コア層は、前記第２の温度での加熱処理の後、前記層を前記第２の温度よりも高い第３の温度で加熱処理することにより得られたものである請求項８に記載の光導波路構造体。
【請求項１０】
前記第３の温度は、前記第２の温度より２０℃以上高い請求項９に記載の光導波路構造体。
【請求項１１】
前記活性放射線は、２００〜４５０ｎｍの範囲にピーク波長を有するものである請求項１ないし１０のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項１２】
前記活性放射線の照射量は、０．１〜９Ｊ／ｃｍ２である請求項１ないし１１のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項１３】
前記活性放射線は、マスクを介して前記層に照射される請求項１ないし１２のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項１４】
前記層は、さらに、酸化防止剤を含む請求項１ないし１３のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項１５】
前記層は、さらに、増感剤を含む請求項１ないし１４のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項１６】
前記モノマーは、架橋性モノマーを含む請求項１ないし１５のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項１７】
前記モノマーは、ノルボルネン系モノマーを主とするものである請求項１ないし１６のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項１８】
前記モノマーは、ノルボルネン系モノマーを主とするものであり、前記架橋性モノマーとして、ジメチルビス（ノルボルネンメトキシ）シランを含むものである請求項１６に記載の光導波路構造体。
【請求項１９】
前記ポリマーは、ノルボルネン系ポリマーを主とするものである請求項１ないし１８のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項２０】
前記コア部は、第１のノルボルネン系材料を主材料として構成され、前記クラッド部は、前記第１のノルボルネン系材料より低い屈折率を有する第２のノルボルネン系材料を主材料として構成されている請求項１９に記載の光導波路構造体。
【請求項２１】
前記第１のノルボルネン系材料と前記第２のノルボルネン系材料とは、いずれも、同一のノルボルネン系ポリマーを含有し、かつ、前記ノルボルネン系ポリマーと異なる屈折率を有するノルボルネン系モノマーの反応物の含有量が異なることにより、それらの屈折率が異なっている請求項２０に記載の光導波路構造体。
【請求項２２】
前記反応物は、前記ノルボルネン系モノマーの重合体、前記ノルボルネン系ポリマー同士を架橋する架橋構造、および、前記ノルボルネン系ポリマーから分岐する分岐構造のうちの少なくとも１つである請求項２１に記載の光導波路構造体。
【請求項２３】
前記ノルボルネン系ポリマーは、アラルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである請求項１９、２１または２２のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項２４】
前記ノルボルネン系ポリマーは、ベンジルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである請求項１９、２１または２２のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項２５】
前記ノルボルネン系ポリマーは、フェニルエチルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである請求項１９、２１または２２のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項２６】
前記ノルボルネン系ポリマーは、アルキルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである請求項１９、２１ないし２５のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項２７】
前記ノルボルネン系ポリマーは、ヘキシルノルボルネンの繰り返し単位を含むものである請求項１９、２１ないし２５のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項２８】
前記ノルボルネン系ポリマーは、付加重合体である請求項１９、２１ないし２７のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項２９】
前記光導波路は、前記コア層の少なくとも一方の面に接触して設けられ、前記コア部より屈折率が低いクラッド層を有する請求項１ないし２８のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項３０】
前記導体層の平均厚さは、前記光導波路の平均厚さの１０〜９０％である請求項１ないし２９のいずれかに記載の光導波路構造体。
【請求項３１】
前記導体層は、乾式メッキ法、湿式メッキ法および導電性シート材の接合のうちの少なくとも１つの方法により形成されたものである請求項１ないし３０のいずれかに記載の光導波路構造体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
（２０）  前記コア部は、第１のノルボルネン系材料を主材料として構成され、前記クラッド部は、前記第１のノルボルネン系材料より低い屈折率を有する第２のノルボルネン系材料を主材料として構成されている上記（１９）に記載の光導波路構造体。