Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月10日(2007.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電気素子を含む電気機器と、
複数の前記電気素子が搭載されるケーシングと、
前記ケーシング内に形成され、前記電気機器用の冷却媒体が流れる複数の冷却媒体通路と、
複数の前記冷却媒体通路に供給される前記冷却媒体が流入する入口部とを備え、
複数の前記冷却媒体通路は、前記入口部と複数の前記冷却媒体通路とが並ぶ方向と交差する方向に延在し、
冷却媒体の流れを抑制することにより、各々の前記冷却媒体通路への冷却媒体の分散を促進する冷却媒体分散機構をさらに備え、
前記冷却媒体分散機構は、少なくとも１つの前記冷却媒体通路を流れる冷却媒体の流量を抑制する流量抑制機能を有し、
前記入口部に相対的に近い前記冷却媒体通路への前記冷却媒体の流入を相対的に抑制しながら、前記入口部から相対的に離れた前記冷却媒体通路への前記冷却媒体の流入を相対的に促進するように、複数の前記冷却媒体通路における流量抑制の程度を異ならせた、電気機器の冷却構造。
【請求項２】
前記流量抑制機能は、前記冷却媒体通路と交差するように該冷却媒体通路上に設けられた壁により実現される、請求項１に記載の電気機器の冷却構造。
【請求項３】
電気機器と、
前記電気機器用の冷却媒体が流れる複数の冷却媒体通路と、
複数の前記冷却媒体通路に供給される前記冷却媒体が流入する入口部とを備え、
複数の前記冷却媒体通路は、前記入口部と複数の前記冷却媒体通路とが並ぶ方向と交差する方向に延在し、
冷却媒体の流れを抑制することにより、各々の前記冷却媒体通路への冷却媒体の分散を促進する冷却媒体分散機構をさらに備え、
前記冷却媒体分散機構は、少なくとも１つの前記冷却媒体通路を流れる冷却媒体の流量を抑制する流量抑制機能を有し、
前記流量抑制機能は、前記冷却媒体通路と交差するように該冷却媒体通路上に設けられた壁により実現され、
前記壁は、前記入口部からの距離が互いに異なる複数の前記冷却媒体通路上に設けられ、
複数の前記冷却媒体通路に設けられた前記壁の高さが互いに異なる、電気機器の冷却構造。
【請求項４】
前記入口部から遠い前記冷却媒体通路上に位置する前記壁の高さは相対的に低く、
前記入口部に近い前記冷却媒体通路上に位置する前記壁の高さは相対的に高い、請求項３に記載の電気機器の冷却構造。
【請求項５】
前記壁は、前記入口部に近い前記冷却媒体通路上に選択的に設けられる、請求項２から請求項４のいずれかに記載の電気機器の冷却構造。
【請求項６】
前記電気機器はインバータを含む、請求項１から請求項５のいずれかに記載の電気機器の冷却構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る電気機器の冷却構造は、１つの局面では、複数の電気素子を含む電気機器と、複数の電気素子が搭載されるケーシングと、ケーシング内に形成され、電気機器用の冷却媒体が流れる複数の冷却媒体通路と、複数の冷却媒体通路に供給される冷却媒体が流入する入口部とを備え、複数の冷却媒体通路は、入口部と複数の冷却媒体通路とが並ぶ方向と交差する方向に延在する。そして、電気機器の冷却構造は、冷却媒体の流れを抑制することにより、各々の冷却媒体通路への冷却媒体の分散を促進する冷却媒体分散機構をさらに備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記電気機器の冷却構造において、冷却媒体分散機構は、少なくとも１つの冷却媒体通路を流れる冷却媒体の流量を抑制する流量抑制機能を有し、入口部に相対的に近い冷却媒体通路への冷却媒体の流入を相対的に抑制しながら、入口部から相対的に離れた冷却媒体通路への冷却媒体の流入を相対的に促進するように、複数の冷却媒体通路における流量抑制の程度を異ならせている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明に係る電気機器の冷却構造は、他の局面では、電気機器と、電気機器用の冷却媒体が流れる複数の冷却媒体通路と、複数の冷却媒体通路に供給される冷却媒体が流入する入口部とを備え、複数の冷却媒体通路は、入口部と複数の冷却媒体通路とが並ぶ方向と交差する方向に延在する。そして、電気機器の冷却構造は、冷却媒体の流れを抑制することにより、各々の冷却媒体通路への冷却媒体の分散を促進する冷却媒体分散機構をさらに備える。この電気機器の冷却構造において、冷却媒体分散機構は、少なくとも１つの冷却媒体通路を流れる冷却媒体の流量を抑制する流量抑制機能を有し、流量抑制機能は、冷却媒体通路と交差するように該冷却媒体通路上に設けられた壁により実現される。また、壁は、入口部からの距離が互いに異なる複数の冷却媒体通路上に設けられ、複数の冷却媒体通路に設けられた壁の高さが互いに異なる。これにより、入口部からの距離に応じて流量抑制の程度を変化させることができる。結果として、複数の冷却媒体通路における冷却媒体の流量のばらつきを抑制することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月10日(2007.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気機器と、
前記電気機器用の冷却媒体が流れる複数の冷却媒体通路と、
複数の前記冷却媒体通路に供給される前記冷却媒体が流入する入口部と、
前記入口部と複数の前記冷却媒体通路との間に設けられ、各々の前記冷却媒体通路への冷却媒体の分散を促進する冷却媒体分散機構とを備え、
前記冷却媒体分散機構は、前記入口部と複数の前記冷却媒体通路とが並ぶ方向に交差する方向に延在する壁を含む、電気機器の冷却構造。
【請求項２】
前記冷却媒体分散機構は、冷却媒体の流れを抑制することにより各々の前記冷却媒体通路への冷却媒体の分散を促進する、請求項１に記載の電気機器の冷却構造。
【請求項３】
複数の前記冷却媒体通路は、互いに同じ方向に延在し、
前記入口部と複数の前記冷却媒体通路とは、複数の前記冷却媒体通路が延在する方向に並ぶ、請求項１または請求項２に記載の電気機器の冷却構造。
【請求項４】
前記壁は、前記入口部から離れるにつれて高さが低くなるように設けられた部分を含む、請求項１から請求項３のいずれかに記載の電気機器の冷却構造。
【請求項５】
前記電気機器はインバータを含む、請求項１から請求項４のいずれかに記載の電気機器の冷却構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記電気機器の冷却構造において、冷却媒体分散機構は、入口部と複数の冷却媒体通路とが並ぶ方向に交差する方向に延在する壁を含む。そして、壁は、入口部から離れるにつれて高さが低くなるように設けられた部分を含むことが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月17日(2008.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成された複数の不揮発性メモリセルからなるメモリセルアレイと、前記半導体基板上に形成され、且つ、前記複数の不揮発性メモリセルを選択するための複数の選択トランジスタとを含むメモリマット領域を有する半導体装置であって、
（ａ）前記メモリマット領域上に形成され、且つ、第１方向に延在する第１層配線と、
（ｂ）前記第１層配線上に形成され、且つ、前記第１方向と直交する第２方向に延在する第２層配線とを備え、
前記第２層配線は、前記複数の不揮発性メモリセルを制御する複数のグローバルビット線を含み、
前記第１層配線は、前記複数のグローバルビット線をシールドする第１シールド配線を含み、
前記第１シールド配線は、前記メモリセルアレイ上に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
さらに、
前記第２層配線上に形成され、且つ、前記第１方向に延在する第３層配線を備え、
前記第３層配線は、前記複数のグローバルビット線をシールドする第２シールド配線を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記複数のグローバルビット線のそれぞれは、隣接するグローバルビット線を接地電位にして順次動作させることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第３層配線は、信号線を含み、
前記メモリマット領域において、前記第２シールド配線の前記第３層配線全体に占める割合が２５％以上であることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項５】
前記複数の選択トランジスタ上には、前記第１層配線のうち信号線が形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
前記複数の不揮発性メモリセルは、それぞれ、前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された電荷蓄積膜と、前記電荷蓄積膜上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された制御ゲート電極とを有し、
前記制御ゲート電極と前記第１シールド配線とは平面的に重なり合わない部分があることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項７】
前記複数の不揮発性メモリセルは、それぞれ、２ビット以上の情報を記憶することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１シールド配線および前記第２シールド配線は、接地電位であることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項９】
前記メモリマット領域上に形成されている前記第１層配線のうち、５０％以上が前記第１シールド配線であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記複数の不揮発性メモリからなるメモリセルアレイは、ＡＮＤ型、ＮＡＮＤ型またはＮＯＲ型のメモリセルアレイであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月27日(2008.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
ロードドック室１０６または１０７に搬入されたウエハは、その内側に配置された試料台上に載置される。内部が減圧された後、試料台内に配置された複数のピン形状のウエハプッシャーに持ち上げられた状態で真空ロボット１１１のアーム先端部のハンドがウエハ下方に移動してそのハンド上へウエハの受渡しが行われる。ウエハの受渡しが完了すると真空ロボット１１１のアームが縮み、ハンド上に載せられたウエハがバッファ室１１０内に運び込まれる。
バッファ室１１０内で、真空ロボット１１１の回転動作により、処理室１０１，１０２，１０３，１０４の方向に向きが変更され、真空ロボット１１１のアームの伸張動作により、ウエハが、処理室１０１，１０２，１０３，１０４に移送されて、処理室内で、プラズマエッチング、層の堆積、および／またはスパッタリングなどの処理が実行される。
これらの処理は密封された処理室内で行われる。
例えば、処理室１０１の内側に搬送されたウエハは、図示しない試料台上に載置される。この際、ロードロック室１０６または１０７内側の構成と同様に、試料台内部に配置された上下に移動してウエハを上下に昇降させる複数のプッシャピンを備えている。
これらのプッシャピンが上方に移動した状態で、その上方に位置する真空ロボット１１１のアーム先端側のハンド上に載せられたウエハがアームの下降に伴ってプッシャピン上に載せられた後、アームがバッファ室１１０内に移動してウエハの試料台への受渡しが行われる。アームの移動後に、プッシャピンは下方に移動され試料台内に格納されて、ウエハが試料台上の上面の誘電体製膜に被覆されたウエハ載置面上に載せられる。
その後、処理室１０１内に処理用ガスが導入されると共に、処理室１０１内は図示しない真空ポンプの動作により排気されて所定の圧力（真空圧）に調節される。また、誘電体製膜内に配置された静電吸着用の電極に電力が印加されることで生起されるウエハと誘電体製膜との間の静電吸着力により、試料台上のウエハ載置面上にウエハが吸着、保持される。
さらに、ウエハ載置面の表面とウエハ裏面との間には、Ｈｅ等の熱伝達用のガスが導入されて、ウエハと試料台との間の熱伝達が調節されてウエハの表面の温度が所望の範囲に調節される。この状態で、処理室１０１内のウエハ上方の空間に電界または磁界が供給されて処理用ガスがプラズマ化され、このプラズマを用いてウエハ表面が処理される。
この処理の終了後に、静電吸着電極に印加された電力が除かれて静電吸着力が低減された後、プッシャピンを上昇させてウエハがウエハ載置面から上方に持ち上げられる。処理室１０１の密封しているゲートバルブが開放された後、真空ロボット１１１のアームが伸張されて先端側のハンドがウエハの下方に位置するように移動される。プッシャピンの下方の移動によって、ウエハがハンド上の保持面上に載せられてアームに受け渡される。
プッシャピンはその後、再び試料台内部に格納される。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月12日(2008.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
具体的には、金属層１２ｆが銀パラジウム合金を主成分とし、他の金属層１２ｅが銅を主成分とするのが好ましい。このような形態とすることで、窒素雰囲気等の還元雰囲気中で積層型圧電体素子１３を焼成して構成することができるというだけでなく、銀と銅とパラジウムとが全率固溶する金属なので、金属層一面にわたって不安定な金属間化合物を形成せずに応力緩和効果となる柔らかい金属層を形成することが可能となる。特に、他の金属層１２ｅを複数層挟んだ金属層１２ｆが銀パラジウム合金を主成分とすることで、積層型圧電素子を焼結する際には、セラミックスの液相成分に銀が固溶して、液相形成温度を低下させて焼結を進行させることが可能になる。これにより、金属層１２と圧電体層１１との相互結合力を強固なものとすることができる。さらに、合金化することで、単元素よりも耐マイグレーション性の強い金属層を形成することが可能となり、耐久性のある積層型圧電体素子とすることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
また、第１の実施形態と同様の理由から、複数の金属層１２ｆが規則的に配置されているのが好ましく、さらに、金属層１２ｆと圧電体層１１との密着力が、他の金属層１２ｅと圧電体層１１との密着力よりも低いことが好ましい。また、２つの金属層１２ｆの間には、他の金属層１２ｅが複数配置されており、当該他の金属層１２ｅからなる群には、一成分の濃度が金属層１２ｆ側から漸次減少する傾斜濃度領域が存在することが好ましい。さらに、金属層１２が多数のボイドを有していることが好ましい。特に、他の金属層１２ｅにボイドを設け、該金属層１２ｅの断面における全断面積に対するボイドの占める面積比が５〜７０％であることが好ましい。これは、ボイドを金属層１２ｅの面積に対して５〜７０％占めるようにすると、変位量が大きくなり、変位量に優れた積層型圧電素子を得ることができるからである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
さらに、金属層１２ｆの断面における全断面積に対するボイドの占める面積比が２４〜９０％であることが好ましい。これは、ボイドを金属層１２ｆの面積に対して２４〜９０％占めるようにすると、さらに変位量が大きくなり、変位量に優れた積層型圧電素子を得ることができるからである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
第３の実施形態にかかる積層型圧電素子の製法は、他の金属層１２ｅを形成する導電ペーストに銅粉末を配合する以外は、第１の実施形態と同様にすればよい。なお、外部電極１５と金属層１２との接合強度を向上させるには、外部電極１５を構成する金属として、銅を主成分とした金属ペーストを用いることが好ましい。外部電極１５を構成するときには、銀電極であっても銅電極であっても、窒素雰囲気等の還元雰囲気で焼成することで、結果的に金属層１２の酸化を抑えて、耐久性の高い金属層１２とすることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４５】
実施例１における試料番号５の圧電アクチュエータの金属層（内部電極）１２の材料組成を変化させて、各試料の変位量の変化率を測定した。ここで、変位量の変化率とは、各試料の積層型圧電素子が駆動回数１×１０９回に達した時の変位量（μｍ）と、連続駆動を開始する前の積層型圧電素子初期状態の変位量（μｍ）とを比較したものである。結果を表４に示す。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４６】
表４より、試料番号１５のように全ての金属層（内部電極）１２を銀１００％にした場合は、銀のイオンマイグレーションが発生し、積層型圧電素子は破損して連続駆動が不可能となった。また、試料番号１３、１４は金属層（内部電極）１２中の金属組成物においてパラジウムの含有量が１５質量％を超えており、また、銀の含有量が８５質量％未満であるため、金属層（内部電極）１２の比抵抗が大きいことで、積層型圧電素子を連続駆動させた際発熱して、圧電アクチュエータの変位量が低下することがわかる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４７】
これに対して、試料番号１〜１２は、金属層（内部電極）１２中の金属組成物が８〜１０族金属の含有量をＭ１質量％、１ｂ族金属の含有量をＭ２質量％としたとき、０＜Ｍ１≦１５、８５≦Ｍ２＜１００、Ｍ１＋Ｍ２＝１００質量％を満足する金属組成物を主成分とするために、金属層（内部電極）１２の比抵抗を小さくでき、連続駆動させても金属層（内部電極）１２で発生する発熱を抑制できたので、素子変位量が安定した積層型アクチュエータを作製できることがわかる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４８】
特に、試料番号６〜８は、金属層（内部電極）１２中の金属組成物が８〜１０族金属の含有量をＭ１質量％、１ｂ族金属の含有量をＭ２質量％としたとき、２≦Ｍ１≦８、９２≦Ｍ２≦９８、Ｍ１＋Ｍ２＝１００質量％を満足する金属組成物を主成分とするために、金属層（内部電極）１２の比抵抗を小さくでき、連続駆動させても金属層（内部電極）１２で発生する発熱を抑制できたので、素子変位量が全く変化しない、極めて安定した積層型アクチュエータを作製できることがわかる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月6日(2008.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にゲート電極と、ゲート絶縁膜と、アモルファス領域及び結晶領域を有する酸化物半導体膜と、導電膜を有し、
前記導電膜は、前記酸化物半導体膜に接して設けられ、
前記酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なる領域において前記結晶領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記ゲート電極は、前記導電膜よりも前記酸化物半導体膜の結晶化に用いる光源に対する反射率が低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記ゲート電極は、前記導電膜より前記酸化物半導体膜の結晶化に用いる光源に対する熱吸収率が高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記導電膜は、チタン膜からなる第１の導電膜と、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる第２の導電膜の積層構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記酸化物半導体膜は、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化マグネシウム亜鉛、酸化カドミウム亜鉛、酸化カドミウム、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）５及びＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系のアモルファス酸化物半導体から選択されたいずれか一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、
前記ゲート電極をランプ加熱することにより、前記酸化物半導体膜のうち、少なくとも前記ゲート電極と重なる領域の一部を結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、
前記ゲート電極をランプ加熱することにより、前記酸化物半導体膜に前記ゲート電極と重なる第１の酸化物半導体領域及び前記ゲート電極と重ならない第２の酸化物半導体領域を形成し、
前記第１の酸化物半導体領域は、前記第２の酸化物半導体領域よりも結晶性が高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜及び前記導電膜上に酸化物半導体膜を形成し、
前記ゲート電極をランプ加熱することにより、前記酸化物半導体膜の一部を選択的に結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に導電膜を形成し、
前記ゲート電極をランプ加熱することにより、前記酸化物半導体膜の一部を選択的に結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜及び前記導電膜上に酸化物半導体膜を形成し、
前記ゲート電極をランプ加熱することにより、前記酸化物半導体膜に前記ゲート電極と重なる第１の酸化物半導体領域及び前記ゲート電極と重ならない第２の酸化物半導体領域を形成し、
前記第１の酸化物半導体領域は、前記第２の酸化物半導体領域よりも結晶性が高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に導電膜を形成し、
前記ゲート電極をランプ加熱することにより、前記酸化物半導体膜に前記ゲート電極と重なる第１の酸化物半導体領域及び前記ゲート電極と重ならない第２の酸化物半導体領域を形成し、
前記第１の酸化物半導体領域は、前記第２の酸化物半導体領域よりも結晶性が高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項８乃至請求項１１のいずれか一において、前記ゲート電極は、前記導電膜よりも前記ランプから発する光に対する反射率が低いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項８乃至請求項１２のいずれか一において、前記ゲート電極は、前記導電膜よりも熱吸収率が高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項８乃至請求項１３のいずれか一において、前記導電膜は、チタン膜からなる第１の導電膜と、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる第２の導電膜の積層構造を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項６乃至請求項１４のいずれか一において、前記酸化物半導体膜は、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化マグネシウム亜鉛、酸化カドミウム亜鉛、酸化カドミウム、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）５及びＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系のアモルファス酸化物半導体から選択されたいずれか一であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項６乃至請求項１５のいずれか一において、前記酸化物半導体膜は、スパッタリング法により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項６乃至請求項１６のいずれか一において、前記ランプ加熱を２５０℃〜５７０℃で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月29日(2008.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に陽極及び陰極を有するとともに、該陽極と該陰極との間に、ポリマー及び酸化剤を含有するポリマー含有層を有する有機電界発光素子を製造する方法であって、
該ポリマー含有層の形成後に、該ポリマー含有層を１００℃以上に加熱する
ことを特徴とする、有機電界発光素子の製造方法。
【請求項２】
基板上に陽極及び陰極を有するとともに、該陽極と該陰極との間に、ポリマー及び酸化剤を含有する組成物から形成されたポリマー含有層を有する有機電界発光素子を製造する方法であって、
該ポリマー含有層の形成後に、該ポリマー含有層を１００℃以上に加熱する
ことを特徴とする、有機電界発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記基板上に前記陽極及び前記ポリマー含有層をこの順に形成した後、該ポリマー含有層を１００℃以上に加熱する
ことを特徴とする、請求項１又は請求項２に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記ポリマー含有層を酸素存在下で１００℃以上に加熱する
ことを特徴とする、請求項１〜３の何れか一項に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記ポリマー含有層を１００℃以上に加熱した後、該ポリマー含有層上に更に有機層を形成する
ことを特徴とする、請求項１〜４の何れか一項に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記有機層が、湿式成膜法により形成される
ことを特徴とする請求項５に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記有機層が、発光材料、正孔阻止材料、電子輸送材料及び電子注入材料のうち、少なくとも何れかを含有する層である
ことを特徴とする、請求項５又は請求項６に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項８】
該ポリマー含有層に含まれるポリマーが、下記式（Ｉ）で表される構造を有するとともに、その重量平均分子量が１０００以上、１００万以下である
ことを特徴とする、請求項１〜７の何れか一項に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【化１】
2007123257.tif 000001
（式（Ｉ）中、
Ａｒ1及びＡｒ2は各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、又は、置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表わす。
Ａｒ3〜Ａｒ5は各々独立して、置換基を有していてもよい２価の芳香族炭化水素基、又は、置換基を有していてもよい２価の芳香族複素環基を表わす。
Ｘは、下記の連結基群Ｘ１の中から選ばれる連結基を表わす。）
・連結基群Ｘ１：
【化２】
2007123257.tif 000002
（式中、
Ａｒ11〜Ａｒ28は各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表わす。
Ｒ1及びＲ2は各々独立して、水素原子又は任意の置換基を表わす。）
【請求項９】
該ポリマー含有層に含まれる酸化剤が、下記式（II−１）〜（II−３）で表わされる化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物である
ことを特徴とする、請求項１〜８の何れか一項に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【化３】
2007123257.tif 000003
【化４】
2007123257.tif 000004
【化５】
2007123257.tif 000005
（式（II−１）〜（II−３）中、
Ｒ11、Ｒ21及びＲ31は各々独立に、Ａ1〜Ａ3と炭素原子で結合する有機基を表わす。
Ｒ12、Ｒ22、Ｒ23及びＲ32〜Ｒ34は各々独立に、任意の基を表わす。Ｒ11〜Ｒ34のうち隣接する２以上の基が、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ａ1〜Ａ3は何れも周期表第３周期以降の元素であって、Ａ1は長周期型周期表の第１７族
に属する元素を表わし、Ａ2は長周期型周期表の第１６族に属する元素を表わし、Ａ3は長周期型周期表の第１５族に属する元素を表わす。
Ｚ1n1-〜Ｚ3n3-は、各々独立に、対アニオンを表わす。
ｎ１〜ｎ３は各々独立に、対アニオンのイオン価を表わす。）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また前記有機層が、湿式成膜法により形成されることが好ましい（請求項６。）
また、前記有機層が、発光材料、正孔阻止材料、電子輸送材料及び電子注入材料のうち、少なくとも何れかを含有する層であることが好ましい（請求項７）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、該ポリマー含有層に含まれるポリマーが、下記式（Ｉ）で表される構造を有するとともに、その重量平均分子量が１０００以上、１００万以下であることが好ましい（請求項８）。
【化１】
2007123257.tif 000006
（式（Ｉ）中、
Ａｒ1及びＡｒ2は各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、又は、置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表わす。
Ａｒ3〜Ａｒ5は各々独立して、置換基を有していてもよい２価の芳香族炭化水素基、又は、置換基を有していてもよい２価の芳香族複素環基を表わす。
Ｘは、下記の連結基群Ｘ１の中から選ばれる連結基を表わす。）
・連結基群Ｘ１：
【化２】
2007123257.tif 000007
（式中、
Ａｒ11〜Ａｒ28は各々独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表わす。
Ｒ31及びＲ32は各々独立して、水素原子又は任意の置換基を表わす。）
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、該ポリマー含有層に含まれる酸化剤が、下記式（II−１）〜（II−３）で表わされる化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物であることが好ましい（請求項９）。
【化３】
2007123257.tif 000008
【化４】
2007123257.tif 000009
【化５】
2007123257.tif 000010
（式（II−１）〜（II−３）中、
Ｒ11、Ｒ21及びＲ31は各々独立に、Ａ1〜Ａ3と炭素原子で結合する有機基を表わす。
Ｒ12、Ｒ22、Ｒ23及びＲ32〜Ｒ34は各々独立に、任意の基を表わす。Ｒ11〜Ｒ34のうち隣接する２以上の基が、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ａ1〜Ａ3は何れも周期表第３周期以降の元素であって、Ａ1は長周期型周期表の第１７族に属する元素を表わし、Ａ2は長周期型周期表の第１６族に属する元素を表わし、Ａ3は長周期型周期表の第１５族に属する元素を表わす。
Ｚ1n1-〜Ｚ3n3-は、各々独立に、対アニオンを表わす。
ｎ１〜ｎ３は各々独立に、対アニオンのイオン価を表わす。）
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月4日(2008.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料供給口及び前記燃料供給口と異なる形状又は寸法の副生成物回収口を有し且つ前記発電用燃料が封入されることが可能な燃料パックを収納できる燃料パック収納部を備え、
前記燃料パック収納部は、前記燃料パックの前記燃料供給口に連結可能な燃料導入ポートと、前記燃料パックの前記副生成物回収口に連結可能であって前記燃料ポートと形状又は寸法の異なる副生成物回収ポートと、
前記燃料パック収納部内に設けられ、前記燃料パックに押されることによって前記燃料パックが前記燃料パック収納部内に正常に収納されることを確認するスイッチと、
前記燃料パックが前記燃料パック収納部内に正常に収納されることを前記スイッチにより検知する制御部と、を有することを特徴とする発電モジュール。
【請求項２】
前記燃料導入ポートの所定方向ｘの口の長さは前記副生成物回収ポートの所定方向ｘの口の長さより短く、前記燃料導入ポートの所定方向ｘと異なる所定方向ｙの口の長さは前記副生成物回収ポートの所定方向ｙの口の長さより長く設定され、前記所定方向ｘは前記発電モジュールの左右方向であり、前記所定方向ｙは前記発電モジュールの上下方向であることを特徴とする請求項１記載の発電モジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発電モジュール
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項１記載の発電モジュールは、燃料供給口及び前記燃料供給口と異なる形状又は寸法の副生成物回収口を有し且つ前記発電用燃料が封入されることが可能な燃料パックを収納できる燃料パック収納部を備え、
前記燃料パック収納部は、前記燃料パックの前記燃料供給口に連結可能な燃料導入ポートと、前記燃料パックの前記副生成物回収口に連結可能であって前記燃料ポートと形状又は寸法の異なる副生成物回収ポートと、
前記燃料パック収納部内に設けられ、前記燃料パックに押されることによって前記燃料パックが前記燃料パック収納部内に正常に収納されることを確認するスイッチと、
前記燃料パックが前記燃料パック収納部内に正常に収納されることを前記スイッチにより検知する制御部と、を有するようにしたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
前記燃料導入ポートの所定方向ｘの口の長さは前記副生成物回収ポートの所定方向ｘの口の長さより短く、前記燃料導入ポートの所定方向ｘと異なる所定方向ｙの口の長さは前記副生成物回収ポートの所定方向ｙの口の長さより長く設定され、前記所定方向ｘは前記発電モジュールの左右方向であり、前記所定方向ｙは前記発電モジュールの上下方向であるようにしたものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項１に記載の発明によれば、発電用燃料を燃料パックから発電モジュールに移動させるための口同士並びに発電モジュールで生成された副生成物を発電モジュールから燃料パックに移動させるための口同士が正常に嵌合するとともに発電用燃料を燃料パックから発電モジュールに移動させるための口と発電モジュールで生成された副生成物を発電モジュールから燃料パックに移動させるための口とが誤って嵌合しない構造になっているので、発電モジュールの損傷を引き起こすことを防止でき、そして、燃料パック収納部内に、燃料パックが燃料パック収納部内に正常に収納されることを確認するスイッチが設けられているので、燃料パックを安全に交換することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月20日(2008.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形形状の回路基板と、該基板の対峙する辺の一方の端部に設けた正極パターンおよび他方の端部に設けた負極パターンと、正極パターンおよび負極パターンに接続されたＬＥＤチップと、ＬＥＤチップを覆う樹脂ケースとを有する表面実装型ＬＥＤにおいて、
前記樹脂ケースの正極パターン側と負極パターン側の形状が非対称としてあることを特徴とする表面実装型ＬＥＤ。
【請求項２】
前記樹脂ケースの正極パターン側と負極パターン側の形状は、一方が直線状とされ、他方が面取り、一部の切落とし、略台形状、略三角状、略隅切り状もしくは略円弧状のいずれかの形状を有することで非対称としてあることを特徴とする請求項１記載の表面実装型ＬＥＤ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、上記した課題を解決するための具体的手段として、矩形形状の回路基板と、該基板の対峙する辺の一方の端部に設けた正極パターンおよび他方の端部に設けた負極パターンと、正極パターンおよび負極パターンに接続されたＬＥＤチップと、ＬＥＤチップを覆う樹脂ケースとを有する表面実装型ＬＥＤにおいて、前記樹脂ケースの正極パターン側と負極パターン側の形状が非対称としてあることを特徴とする表面実装型ＬＥＤを提供することで課題を解決するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月25日(2008.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
図１４から図１７に示すように、フレキシブル基板５０は第一から第三の絶縁層２，４，６及び第一、第二の配線層３，５が交互に上下に積層されて形成される。第一絶縁層２及び第三絶縁層６は、例えば保護フィルムとしてカバーレイにより構成される。基板の端部の所定の領域においては、ＦＰＣコネクタ７と電気的な接続を行うために第三絶縁層６は非形成となっている。第一絶縁層２の上面にはＦＰＣコネクタ７接続時の損傷を防ぐために補強板５３が備えられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
このような構成を備えることにより、フレキシブル基板５０の信号線路９、ＦＰＣコネクタ７の信号線路９に対応したコンタクト３５及び基板１８上に形成された信号線路で、高周波の信号電流が伝送される。またこの時、フレキシブル基板５０のグランド層１２ｂ、グランドビア５４、ＦＰＣコネクタ７のグランドラインに対応したコンタクト３５及び基板１８のグランド層１８ｃには、信号電流と逆の方向に信号電流に対する帰還電流が流れる。図１９は、信号電流及び帰還電流の流れを示す平面図であり、フレキシブル基板５０の第一配線層３に設けられたグランド層１２ｂ及び第二配線層５に設けられた信号線路９を示している。フレキシブル基板５０においては、図１９の矢印Ｑに示すように、信号線路９を信号電流が流れる際には、矢印Ｒに示すように第一配線層３のグランド層１２ｂに帰還電流が流れる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
しかし、図１４から図１９で説明した、コネクタに電気的に接続される従来のフレキシブル基板５０では、次のような問題がある。図１８に示すように、フレキシブル基板５０がＦＰＣコネクタ７に接続された状態では、信号線路９が備えられる第二配線層５は、基板１８側に位置する。これにより、第二配線層５に備えられた信号線路９と、Ｎに示す基板１８のグランド層１８ｃが結合することによりキャパシタンスが生じ、信号線路９の特性インピーダンスが低下してしまう。これにより、信号線路９の特性インピーダンスが所定の値にならないため、高周波信号の伝送特性が低下してしまう問題がある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図１から図５に示すように、フレキシブル基板１は第一から第三の絶縁層２，４，６及び第一、第二の配線層３，５が交互に上下に積層されて形成される。第一、第二の配線層３，５は、例えばＣＣＬ（Copper Clad Laminate）等の金属膜により形成される。第一から第三の絶縁層２，４，６はエポキシ系又はポリミド系の樹脂により構成される。第一絶縁層２及び第三絶縁層６は、例えば保護フィルムとしてカバーレイにより構成される。基板の端部の所定の領域においては、ＦＰＣコネクタ７と電気的な接続を行うために第三絶縁層６は非形成となっている。第一絶縁層２の上面にはＦＰＣコネクタ７接続時の損傷を防ぐために補強板８が備えられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
図１及び図３に示すように、第一配線層３には、マイクロストリップラインとして信号線路９ａ・９ｂが形成される。また、第二配線層５の端部には、ＦＰＣコネクタ７と各信号線路９の電気的接続を行うための信号接続パッド１０、及びＦＰＣコネクタ７とグランド層１２ａの接続を行うためのグランド接続パッド１１が形成される。更に、図１、図４及び図５に示すように、第二配線層５には、グランド層１２ａが形成される。グランド層１２ａは、図５のＬ１６に示すように、信号線路９ａ・９ｂに対応した箇所で所定の幅に形成される。Ｌ１６で示すグランド層１２ａの幅は、グランド層１２ａの共振による周囲への影響を考慮して決定される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
このため、信号線路９ａ・９ｂと信号ビア１３の接続部近傍における、信号線路９ａ・９ｂとの第二配線層５のグランド層１２ａの結合を強めることができ、伝送線路の特性インピーダンスの急激な変化が抑えられる。更に、図７の矢印Ｆに示すように、グランド接続パッド１１の近傍において帰還電流の経路の急激な変化が抑えられる。これにより、フレキシブル基板１とＦＰＣコネクタ７の接続箇所における高周波の信号の伝送特性を向上させることが可能となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
また、本実施の形態のフレキシブル基板１において、第二絶縁層４はポリミド系の樹脂で構成され、比誘電率の値は３．２であり、ｔａｎδの値は０．００５である。また、基板の厚みは０．０５ｍｍであり、特性インピーダンスの値は５０Ωに制御されている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１９】
2007123741.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月10日(2008.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板とフィルムとの間に太陽電池セルが樹脂で封止されてなる太陽電池モジュールの製造方法において、前記基板と前記太陽電池セルとの間に前記基板の実質的に全面を覆う第１封止樹脂シートを配置し、前記フィルムと前記太陽電池セルとの間に前記基板の実質的に全面を覆う第２封止樹脂シートを配置し、前記フィルムの縁部を固定するとともに前記フィルムの外側に当て板を配置し、前記基板と前記フィルムとの間の空気を排出し、加熱して樹脂を溶融させてから冷却して封止することを特徴とする太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項２】
前記基板の厚みが２〜２５ｍｍであり、フィルムの厚みが０．０１〜０．３ｍｍである請求項１記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項３】
前記基板が湾曲していて、前記当て板が前記基板と実質的に同じ曲率で湾曲している請求項１又は２記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項４】
前記フィルムとして熱収縮性を有するフィルムを使用し、該フィルムの縁部を固定することによって封止操作中に収縮しないようにする請求項１〜３のいずれか記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項５】
前記封止樹脂が、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルブチラール及びポリウレタンからなる群から選択される一種の樹脂である請求項１〜４のいずれか記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項６】
複数の太陽電池セルを間隔をあけて配列して相互に導線で接続して封止する請求項１〜５のいずれか記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項７】
太陽電池セル間の間隙部又は太陽電池セルの外側の余白部に、太陽電池セルの厚みよりも厚い封止樹脂シート片を配置する請求項１〜６のいずれか記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項８】
前記封止樹脂シート片相互の間に間隔をあけて配置し、そこから内部の空気を排出する請求項７記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項９】
前記フィルムの縁部を前記当て板に固定する請求項１〜８のいずれか記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項１０】
前記フィルムの縁部を枠体に固定する請求項１〜８のいずれか記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項１１】
気体不透過性の柔軟なシートからなる封止処理容器内で封止する請求項１〜１０のいずれか記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項１２】
複数の前記封止処理容器をオーブン内に導入して相互に間隔をあけて平行に配置し、前記オーブン内において前記基板と平行の向きに熱風を流すことによって加熱して封止樹脂を溶融させる請求項１１記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項１３】
前記封止処理容器内で封止するに際して、封止樹脂の融点未満の温度において封止処理容器内を減圧する工程（工程２）、減圧したままで封止樹脂の融点以上の温度まで昇温する工程（工程３）、前記封止処理容器内の圧力を上昇させる工程（工程４）、及び冷却する工程（工程６）の各工程からなる封止操作を行う請求項１１又は１２記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項１４】
前記工程２において封止樹脂の融点未満の温度において封止処理容器内を０．０１ＭＰａ以下の圧力まで減圧するとともに、該工程２に先立って、封止処理容器内の圧力を０．０５ＭＰａ以上に保って封止樹脂を加熱する工程（工程１）を有する請求項１３記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１３】
比較例２
実施例２において、フィルム３を当て板１１に固定せずに、第２封止樹脂シート３０と当て板１１の間に挟んだ点以外は実施例２と同様にして太陽電池モジュール１を製造した。その結果、得られた太陽電池モジュール１は、セルの割れや欠け、導線８の断線は一切なく、気泡残りも観察されず、周辺部での封止樹脂のはみ出しやヒケもほとんど観察されなかった。また、太陽電池セル４は、規則正しく配列されていた。しかしながら、フィルム３の表面にはセルや配線に由来する凹凸が転写されていて、一部領域に局所的なシワが発生していた。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月13日(2008.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記上層モジュール接続端子のうちの少なくとも１つは、
前記第１のチップ接続端子と、前記第１の基板に埋め込まれた埋め込み配線及び前記埋め込み配線と前記上層モジュール接続端子とを電気的に接続する非貫通導体を介在させて電気的に接続されていると共に、
前記外部基板接続端子と、前記第１の基板を貫通する貫通導体を介在させて電気的に接続され、
前記非貫通導体及び貫通導体は、前記上層モジュール接続端子の下側に設けられていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の積層半導体装置の下層モジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
前記複数の第１の半導体チップは、２個の前記第１の半導体チップが前記第１のチップ端子が設けられた面と反対側の面を互いに対向させて積層された積層チップとして前記第１のチップ保持面に保持されており、
前記２個の第１の半導体チップの一方の前記各第１のチップ端子は、対応する前記第１のチップ接続端子とフリップチップ方式によりそれぞれ電気的に接続されており、
前記２個の第１の半導体チップの他方の前記各第１のチップ端子は、対応する前記第１のチップ接続端子とワイヤボンディング方式又はテープオートメーテッドボンディング方式によりそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする請求項１０に記載の積層半導体装置の下層モジュール。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
複数の第１のチップ端子を有する第１の半導体チップと、前記第１の半導体チップの平面寸法よりも大きい第１のチップ保持面を有し、前記第１のチップ保持面の上に前記第１の半導体チップを保持した第１の基板とを含む下層モジュールと、
複数の第２のチップ端子を有する第２の半導体チップと、前記第２の半導体チップの平面寸法よりも大きい第２のチップ保持面を有し、前記第２のチップ保持面の上に前記第２の半導体チップを保持した第２の基板とを含む上層モジュールとを備え、
前記第１の基板は、
前記第１のチップ保持面に設けられ、前記各第１のチップ端子と電気的に接続された複数の第１のチップ接続端子と、
前記第１のチップ保持面における前記第１の半導体チップの保持領域の外側部分に設けられた複数の上層モジュール接続端子と、
それぞれが前記第１のチップ保持面と反対側の面に設けられた複数の外部基板接続端子とを有し、
前記各第１のチップ接続端子は、前記外部基板接続端子とそれぞれ電気的に接続され、
前記各上層モジュール接続端子は、前記第１のチップ接続端子と対応する前記外部基板接続端子との間にそれぞれ電気的に接続されており、
前記第２の基板は、
前記第２のチップ保持面に設けられ、前記複数の第２のチップ端子のいずれかと電気的に接続された複数の第２のチップ接続端子と、
前記第２のチップ保持面と反対側の面に設けられ、前記複数の第２のチップ接続端子のいずれかと電気的に接続された複数の下層モジュール接続端子を有し、
前記下層モジュールと前記上層モジュールとは、前記第１のチップ保持面と、前記第２のチップ保持面と反対側の面とを対向させて積層され、
前記各下層モジュール接続端子は、前記複数の上層モジュール接続端子のいずれかと電気的に接続されていることを特徴とする積層半導体装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の積層半導体装置の下層モジュールにおいて、上層モジュール接続端子のうちの少なくとも１つは、第１のチップ接続端子と、第１の基板に埋め込まれた埋め込み配線及び埋め込み配線と上層モジュール接続端子とを電気的に接続する非貫通導体を介在させて電気的に接続されていると共に、外部基板接続端子と、第１の基板を貫通する貫通導体を介在させて電気的に接続され、非貫通導体及び貫通導体は上層モジュール接続端子の下側に設けられていることが好ましい。このような構成とすることにより、第１のチップ実装面に設ける配線は、第１のチップ接続端子近傍に設ける必要最小限の配線のみとなる。また、上層モジュール接続端子の下側の領域を有効利用することができるので、第１の基板の第１のチップ保持面側の配線パターンの設計の自由度を大きくすることができ、半導体装置の信頼性が向上する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本発明に係る積層半導体装置は、複数の第１のチップ端子を有する第１の半導体チップと、第１の半導体チップの平面寸法よりも大きい第１のチップ保持面を有し、第１のチップ保持面の上に第１の半導体チップを保持した第１の基板とを含む下層モジュールと、複数の第２のチップ端子を有する第２の半導体チップと、第２の半導体チップの平面寸法よりも大きい第２のチップ保持面を有し、第２のチップ保持面の上に第２の半導体チップを保持した第２の基板とを含む上層モジュールとを備え、第１の基板は、第１のチップ保持面の上に設けられ、各第１のチップ端子と電気的に接続された複数の第１のチップ接続端子と、第１のチップ保持面の上における第１の半導体チップの保持領域の外側部分に設けられた複数の上層モジュール接続端子と、第１のチップ保持面と反対側の面の上に設けられた複数の外部基板接続端子とを有し、各第１のチップ接続端子は、外部基板接続端子とそれぞれ電気的に接続され、各上層モジュール接続端子は、第１のチップ接続端子と対応する外部基板接続端子との間にそれぞれ電気的に接続されており、第２の基板は、第２のチップ保持面の上に設けられ、複数の第２のチップ端子のいずれかと電気的に接続された複数の第２のチップ接続端子と、第２のチップ保持面と反対側の面の上に設けられ、複数の第２のチップ接続端子のいずれかと電気的に接続された複数の下層モジュール接続端子を有し、下層モジュールと上層モジュールとは、第１のチップ保持面と、第２のチップ保持面と反対側の面とを対向させて積層され、各下層モジュール接続端子は、複数の上層モジュール接続端子のいずれかと電気的に接続されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月27日(2007.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子の光取出側に配設され、前記発光素子から発せられる光を受けて励起されることにより波長変換光を発する蛍光体を基部材に含有してなる波長変換用の板部材であって、
前記基部材には、前記光の進行方向を変換する光進行方向変換部が設けられ、
前記光進行方向変換部は気泡であることを特徴とする蛍光体板。
【請求項２】
前記光進行方向変換部の屈折率ｎ１は、前記基部材の屈折率をｎ２とすると、ｎ１≦ｎ２を満足する屈折率に設定されている請求項１に記載の蛍光体板。
【請求項３】
前記発光素子は発光ダイオード素子からなる請求項１又は２に記載の蛍光体板。
【請求項４】
前記蛍光体は、前記板部材の光出射面から白色光を出射するための蛍光体である請求項１乃至３のいずれかに記載の蛍光体板。
【請求項５】
光取出側に開口する内部空間を有するケースと、
前記ケースの光取出側に配設された請求項１乃至４のいずれかに記載の蛍光体板と、
前記蛍光体板の光反取出側に配設され、かつ前記ケース内に収容された発光素子とを備えたことを特徴とする発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
（１）本発明は、上記目的を達成するために、発光素子の光取出側に配設され、前記発光素子から発せられる光を受けて励起されることにより波長変換光を発する蛍光体を基部材に含有してなる波長変換用の板部材であって、前記基部材には、前記光の進行方向を変換する光進行方向変換部が設けられ、前記光進行方向変換部は気泡であることを特徴とする蛍光体板を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（２）本発明は、上記目的を達成するために、光取出側に開口する内部空間を有するケースと、前記ケースの光取出側に配設された上記（１）に記載の蛍光体板と、前記蛍光体板の光反取出側に配設され、かつ前記ケース内に収容された発光素子とを備えたことを特徴とする発光装置を提供する。