Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月4日(2008.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  用紙の見当のずれを自動修正する見当修正装置を備えた印刷機の印刷速度を第１の速度から上記第１の速度よりも高速の第２の速度へ加速するときの加速制御方法であって、
急加速運転と緩加速運転或いは定速運転とを交互に繰り返しながら上記第２の速度まで段階的に加速する
ことを特徴とする、印刷機の加速制御方法。
【請求項２】  上記自動修正はフィードバック制御により行う
ことを特徴とする、請求項１記載の印刷機の加速制御方法。
【請求項３】  インキ供給元から複数のローラを介して版面に供給されるインキ量を印刷速度に応じて制御するインキ供給制御装置を備えた印刷機の印刷速度を第１の速度から上記第１の速度よりも高速の第２の速度へ加速するときの加速制御方法であって、
急加速運転と緩加速運転或いは定速運転とを交互に繰り返しながら上記第２の速度まで段階的に加速する
ことを特徴とする、印刷機の加速制御方法。
【請求項４】  印刷速度が所定量加速するまでの時間、上記急加速運転を行った後、上記急加速運転から上記緩加速運転或いは定速運転に切り替える
ことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の印刷機の加速制御方法。
【請求項５】  所定枚数の用紙を印刷するまでの時間、上記緩加速運転或いは定速運転を行った後、上記緩加速運転或いは定速運転から上記急加速運転に切り替える
ことを特徴とする、請求項１〜４の何れか１項に記載の印刷機の加速制御方法。
【請求項６】  上記の第１の速度から第２の速度までの加速運転を予め設定された運転パターンに基づいた自動運転により行う
ことを特徴とする、請求項１〜５の何れか１項に記載の印輪転刷機の加速制御方法。
【請求項７】  上記運転パターンを印刷条件に応じて設定する
ことを特徴とする、請求項６記載の印刷機の加速制御方法。
【請求項８】  用紙の見当のずれを自動修正する見当修正装置を備えた印刷機において、
印刷速度を制御する制御手段と、
該制御手段に加速信号を入力する加速信号入力手段とを備え、
該制御手段は、該加速信号入力手段から上記加速信号が入力されたときには、急加速運転と緩加速運転或いは定速運転とを交互に繰り返しながら加速開始前の第１の速度から上記第１の速度よりも高速の第２の速度へ印刷速度を段階的に加速する
ことを特徴とする、印刷機。
【請求項９】  インキ供給元から複数のローラを介して版面に供給されるインキ量を印刷速度に応じて制御するインキ供給制御装置を備えた印刷機において、
印刷速度を制御する制御手段と、
該制御手段に加速信号を入力する加速信号入力手段とを備え、
該制御手段は、該加速信号入力手段から上記加速信号が入力されたときには、急加速運転と緩加速運転或いは定速運転とを交互に繰り返しながら加速開始前の第１の速度から上記第１の速度よりも高速の第２の速度へ印刷速度を段階的に加速する
ことを特徴とする、印刷機。
【請求項１０】  上記の急加速運転と緩加速運転或いは定速運転とを交互に繰り返す運転パターンを印刷条件毎に記憶したデータベースを備え、
該制御手段は、該加速信号入力手段から上記加速信号が入力されたときには、該データベースから今回の印刷条件に応じた運転パターンを検索し、検索した運転パターンに基づき印刷速度を制御する
ことを特徴とする、請求項８又は９記載の印刷機。
【請求項１１】  用紙の見当のずれを自動修正する見当修正装置を備えた印刷機において、
印刷速度を制御する制御手段と、
該制御手段に加速信号を入力する加速信号入力手段とを備え、
該制御手段は、該加速信号入力手段から上記加速信号が入力されたときには、加速開始前の第１の速度から上記第１の速度よりも高速の第２の速度へ印刷速度を連続的に加速するとともに、上記第１の速度から上記第２の速度に至るまでの加速度を印刷条件に応じて変更する
ことを特徴とする、印刷機。
【請求項１２】  上記自動修正はフィードバック制御により行う
ことを特徴とする、請求項８又は１１記載の印刷機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の印刷機の加速制御方法（第１の加速制御方法）は、用紙の見当のずれを自動修正する見当修正装置を備えた印刷機の印刷速度を第１の速度から上記第１の速度よりも高速の第２の速度へ加速するときの加速制御方法であって、急加速運転と緩加速運転或いは定速運転とを交互に繰り返しながら上記第２の速度まで段階的に加速することを特徴としている。このような加速制御を行うことにより、急加速運転により発生した微少な見当（天地見当や断裁見当）のずれは、緩加速運転或いは定速運転によって現出される定常状態期間中の見当修正装置による自動修正によって解消される。したがって、このように急加速運転と緩加速運転或いは定速運転とを交互に繰り返すことにより、見当のずれを抑制しながら印刷速度を加速することが可能になる。
上記自動修正はフィードバック制御により行うことが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、本発明は上記の加速制御方法を適用可能な印刷機も提供する。
すなわち、本発明の印刷機（第１の印刷機）は、用紙の見当のずれを自動修正する見当修正装置を備えた印刷機において、印刷速度を制御する制御手段と、該制御手段に加速信号を入力する加速信号入力手段とを備え、該制御手段は、該加速信号入力手段から上記加速信号が入力されたときには、急加速運転と緩加速運転或いは定速運転とを交互に繰り返しながら加速開始前の第１の速度から上記第１の速度よりも高速の第２の速度へ印刷速度を段階的に加速することを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
さらに、上記目的を達成するために本発明は以下のような印刷機（第３の印刷機）も提供する。
すなわち、本発明の第３の印刷機は、用紙の見当のずれを自動修正する見当修正装置を備えた印刷機において、印刷速度を制御する制御手段と、該制御手段に加速信号を入力する加速信号入力手段とを備え、該制御手段は、該加速信号入力手段から上記加速信号が入力されたときには、加速開始前の第１の速度から上記第１の速度よりも高速の第２の速度へ印刷速度を連続的に加速するとともに、上記第１の速度から上記第２の速度に至るまでの加速度を印刷条件に応じて変更することを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
この第３の印刷機のように上記第１の速度から上記第２の速度に至るまでの加速度を印刷条件に応じて変更することによっても、見当のずれを抑制しながら印刷速度を加速することが可能になる。
上記の第１，第３の印刷機において、上記自動修正はフィードバック制御により行うことが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月22日(2008.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部からの情報に反応するように制御される電子玩具であって、
玩具の機械的な動きを構成する動作機構と、
外部からの情報を取得する入力手段と、
周囲に対象体が存在するかどうかを判別する判別手段と、
該判別結果に基づいて、前記外部からの情報に対応して前記動作機構を制御するための制御パラメータを複数の制御パラメータの中から選択し、前記動作機構の動作を制御する制御手段と、
を備える電子玩具。
【請求項２】
頭部と胴体部を有する人型あるいは動物型の電子玩具であって、
頭部の顔面相当部に文字、記号が表示できる表示部を有し、胴体部には複数の入力スイッチよりなる入力部が設けられており、前記入力部における操作結果が前記顔面相当部に設けられた表示部で目視により確認できるように構成されてなる電子玩具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１５】
好ましくは、前記接地部のつま先側に前記両斜め方向駆動手段を設け、前記接地部のかかと側に滑りローラを設けた、ことを特徴とする。
また、好ましくは、前記足のつま先側を足底方向に押し下げる付勢手段を備える、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月13日(2008.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  可動板と、可動板を取り囲んでいる可動内枠と、可動板が可動内枠に対して揺動し得るように可動板と可動内枠を連結している第一のトーションバーと、可動内枠を取り囲んでいる固定外枠と、可動内枠が固定外枠に対して揺動し得るように可動内枠と固定外枠を連結している第二のトーションバーとを有する板バネ構造体と、この板バネ構造体を駆動するための駆動手段とを備えており、板バネ構造体は一枚の半導体基板から作製され、第一のトーションバーと第二のトーションバーは剛性の異なる材料で構成されている、アクチュエータ。
【請求項２】  半導体基板は剛性の異なる複数の材料の層から構成され、第一のトーションバーは主として剛性の高い材料の層で構成され、第二のトーションバーは主として剛性の低い材料の層で構成されている請求項１に記載のアクチュエータ。
【請求項３】  半導体基板はシリコン材料の層と有機絶縁材料の層とを有し、第一のトーションバーは主としてシリコン材料の層で構成され、第二のトーションバーは主として有機絶縁材料の層で構成されている請求項１に記載のアクチュエータ。
【請求項４】  半導体基板はシリコン材料の層と有機絶縁材料の層とを有し、第一のトーションバーはシリコン材料の層と有機絶縁材料の層とで構成され、第二のトーションバーは有機絶縁材料の層で構成されている請求項１に記載のアクチュエータ。
【請求項５】  板バネ構造体と、これを保持する絶縁基板とを備えており、板バネ構造体は、可動板と、可動板を取り囲んでいる可動内枠と、可動板が可動内枠に対して揺動し得るように可動板と可動内枠を連結している第一のトーションバーと、可動内枠を取り囲んでいる固定外枠と、可動内枠が固定外枠に対して揺動し得るように可動内枠と固定外枠を連結している第二のトーションバーと、可動板に設けられた電極と、可動内枠に設けられた電極とを有しており、第一のトーションバーと第二のトーションバーは剛性の異なる材料で構成されており、絶縁基板は、可動板の揺動を許す空間を与えるための凹部と、凹部の底面に設けられた複数の駆動電極と、各駆動電極から延びている複数の配線パターンとを備えており、配線パターンはそれらが接続されている駆動電極よりも細い線幅を有しており、駆動電極の容量値を調べることにより可動板の傾きを検出し得る、アクチュエータ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は二次元駆動アクチュエータであり、可動板と、可動板を取り囲んでいる可動内枠と、可動板が可動内枠に対して揺動し得るように可動板と可動内枠を連結している第一のトーションバーと、可動内枠を取り囲んでいる固定外枠と、可動内枠が固定外枠に対して揺動し得るように可動内枠と固定外枠を連結している第二のトーションバーとを有する板バネ構造体と、この板バネ構造体を駆動するための駆動手段とを備えており、板バネ構造体は一枚の半導体基板から作製され、第一のトーションバーと第二のトーションバーは剛性の異なる材料で構成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月14日(2008.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】成形型の表面に、強化繊維基材層を配置し、次いで、ピールプライ、樹脂拡散媒体の順で積層し、この積層体をバッグフィルムで覆い、次にバッグフィルムで覆われた内部を真空減圧しつつ樹脂拡散媒体を介して強化繊維基材に樹脂を含浸させた後、バッグフィルム面の外部から大気圧より大きな圧力をかけ、加圧しつつ樹脂を硬化させることを特徴とする繊維強化樹脂の製造方法。
【請求項２】成形型の表面に、強化繊維基材層を配置し、次いで、ピールプライ、樹脂拡散媒体の順で積層し、この積層体をバッグフィルムで覆い、次にバッグフィルムで覆われた内部を真空減圧するとともにバッグフィルム面の外部から大気圧より大きな圧力をかけながら樹脂拡散媒体を介して強化繊維基材に樹脂を含浸し硬化させることを特徴とする繊維強化樹脂の製造方法。
【請求項３】前記バッグフィルム面の加圧手段が、流体を用いた加圧である請求項１または２記載の繊維強化樹脂の製造方法。
【請求項４】前記バッグフィルム面の加圧手段が、型を用いた機械的な加圧である請求項１または２記載の繊維強化樹脂の製造方法。
【請求項５】前記強化繊維基材層が、織物または多軸ステッチ基材から構成される請求項１〜４のいずれかに記載の繊維強化樹脂の製造方法。
【請求項６】前記強化繊維基材層が、強化繊維基材の層間にシート状繊維材料を配置した構成である請求項１〜４のいずれかに記載の繊維強化樹脂の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
これらのＦＲＰ成形品は、強化繊維と樹脂から構成されるが、強化繊維の持つ高強度、高弾性率の特性を有効に発揮させつつ軽量なＦＲＰにするためには、樹脂による複合効果が損なわれない範囲で可能な限り繊維の体積割合（以下、Ｖｆと記す）を高くすることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記した問題点を解決するために鋭意検討を行い、以下の２つの本発明の繊維強化樹脂の製造方法によれば、ＦＲＰ成形において短時間に樹脂含浸ができるとともに、強化繊維の持つ高強度・高弾性率の特性を十分に発揮でき、また、作業性にも優れるＦＲＰの製造を可能にできるとの知見を見出すに至った。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月4日(2008.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】二軸同方向回転押出機を用い、結晶性樹脂１００重量部又は結晶性樹脂がマトリックスである組成物１００重量部を、無次元押出量ＤＬＱ＝０．００４〜０．０２５で、且つ回転数が３００〜９００ｒｐｍで溶融混練し、ダイプレート出口の樹脂温度Ｔが結晶性樹脂の融点＋２０〜１２０℃で、且つダイ部の平均滞留時間ｔが３秒以上４５秒未満で押出すことを特徴する溶融混練方法。
【請求項２】樹脂組成物が、ポリアミド系樹脂９０〜１０重量部のマトリックスとポリフェニレンエーテル１０〜９０重量の組成物であり、且つダイプレート出口の樹脂温度が２９０℃〜３５０℃であることを特徴とする請求項１に記載の溶融混練方法。
【請求項３】樹脂組成物が、ポリアミド系樹脂９９〜３０重量部と強化材１〜７０重量部の組成物であり、且つダイプレート出口の樹脂温度が２９０℃〜３３０℃であることを特徴とする請求項１に記載の溶融混練方法。
【請求項４】樹脂組成物のダイ部の平均滞留時間ｔとダイプレート出口の樹脂温度Ｔの関係が
３秒≦ｔ≦１７秒の範囲では、２９０℃≦Ｔ≦３５０℃
１７秒＜ｔ≦４５秒の範囲では、２９０℃≦Ｔ≦（３７４−１．４３ｔ）℃
にあることを特徴とする請求項２に記載の溶融混練方法。
【請求項５】樹脂組成物のダイ部の平均滞留時間ｔとダイプレート出口の樹脂温度Ｔの関係が
３秒≦ｔ≦１７秒の範囲では、２９０℃≦Ｔ≦３３０℃
１７秒＜ｔ≦４５秒の範囲では、２９０℃≦Ｔ≦（３５４−１．４３ｔ）℃
にあることを特徴とする請求項３に記載の溶融混練方法。
【請求項６】ダイ部として、ホットカット用ダイ、もしくはアンダーウオーター用ダイを使用することを特徴とする請求項１、２、３、４、および５のいずれかに記載の溶融混練方法。
【請求項７】ダイ部として、ストランドカット用ダイを使用することを特徴とする請求項１、２、３、４、および５のいずれかに記載の溶融混練方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
即ち本発明は、二軸同方向回転押出機を用い、結晶性樹脂１００重量部、又は結晶性樹脂がマトリックスである組成物１００重量部を、無次元押出量ＤＬＱ＝０．００４〜０．０２５で、且つ回転数が３００〜９００ｒｐｍで溶融混練し、ダイプレート出口の樹脂温度Ｔが結晶性樹脂の融点＋２０〜１２０℃で、且つダイ部の平均滞留時間ｔが３秒以上４５秒未満で押出すことを特徴する溶融混練法に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月7日(2008.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記抵抗部は外部から供給されるパルス幅変調信号に対応してその抵抗値を変化するように構成されることを特徴とする請求項１に記載の光源駆動装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
図２はバックライトドライバＢＬＤの構成を示す。このバックライトドライバＢＬＤは外部から供給される直流電源電圧ＶＤＤを交流電圧に変換するインバータ回路５０と、インバータ回路５０から出力される交流電圧を昇圧して放電灯光源に交流電流を流す圧電トランス５２と、インバータ回路５０から出力される交流電圧の周波数を設定すると共に、この交流電圧がインバータ回路５０から出力される単位時間あたりの割合であるデューティ比をバックライトＢＬに設けられた冷陰極管５４の調光用に変化させるコントロールＩＣ５６とを備える光源駆動装置である。インバータ回路５０は圧電トランス５２の一次側第１電極および電源電圧ＶＤＤの入力端間に接続されるＭＯＳトランジスタＴ１、圧電トランス５２の一次側第１電極およびコントロールＩＣ５６の非反転制御出力端および電源電圧ＶＤＤの入力端間に接続されるＭＯＳトランジスタＴ２、圧電トランス５２の一次側第２電極および電源電圧ＶＤＤの入力端間に接続されるＭＯＳトランジスタＴ３、および圧電トランス５２の一次側第２電極およびコントロールＩＣ５６の反転制御出力端および電源電圧ＶＤＤの入力端間に接続されるＭＯＳトランジスタＴ４を有する。コントロールＩＣ５６は非反転出力端および反転出力端から相補的な関係で交互にＶＤＤレベルおよび接地レベルに設定されるスイッチング電圧を発生する。ここでは、スイッチング電圧が５５ｋＨｚの周波数に設定され、ＰＷＭ信号に対応したデューティ比で出力される。これにより、ＭＯＳトランジスタＴ１，Ｔ４とＭＯＳトランジスタＴ３，Ｔ２とが交互に導通し、圧電トランス５２の一次側第１電極および第２電極間に交流電圧を印加する。この交流電圧は圧電トランス５２で昇圧され、交流電流が二次側電極から冷陰極管５４に流れる。この交流電流の周波数はスイッチング電圧と同じ５５ｋＨｚである。冷陰極管５４はこの交流電流が流れる状態で点灯し、単位時間あたりの点灯期間の割合はＰＷＭ信号のデューティ比に略等しい。冷陰極管５４に流れる交流電流は電流検出部５８で検出され、コントロールＩＣ５６にフィードバックされる。コントロールＩＣ５６はこの検出結果に基づいてスイッチング電圧を調整する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月15日(2008.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
発光層と、
前記発光層の上に形成され、粒子を含む光取り出し層とを備え、
前記粒子の最大寸法は、前記光取り出し層内部における発光光の波長よりも小さいことを特徴とする半導体発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記粒子の前記発光光に対する屈折率は、前記光取り出し層の前記発光光に対する屈折率よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
活性層１０３において電子及び正孔の再結合により生成された発光光のうち、光の出射面１０５に対して臨界角θ1 未満の発光光１１０は出射光１１１として外部に出力され、また、臨界角θ1 以上の入射角を持つ発光光１１２は全反射して、内部光１１３として閉じこもってしまい、外部には出射されない。ここで、臨界角θ1 は、以下の式（１）で決まる値である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この２次元周期構造１０６ａによる回折ベクトルにより、発光光の多くが臨界角θ1 よりも小さい入射角となるため、光取り出し効率が向上する。とりわけ、窒化物半導体のように、耐エッチング性が高い半導体材料を用いる場合には、半導体表面に樹脂膜を形成した後、形成した樹脂膜に、押圧面に凹凸形状を有するスタンパを押圧することにより、２次元周期凹凸構造１０６ａを転写して形成する方法が記載されている。
【特許文献１】特開２００５−００５６７９号公報
【特許文献２】特開昭５９−０５０４０１号公報
【特許文献３】特開平０８−１１０４０１号公報
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２１】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実施形態に係る半導体発光装置を示し、（ａ）は斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のＩｂ−Ｉｂ線における断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｆ）は本発明の第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を示す工程順の断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を示す工程順の断面図である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実施形態の一変形例に係る半導体発光装置を示し、（ａ）は斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のIVｂ−IVｂ線における断面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る半導体発光装置を示す断面図である。
【図６】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第３の実施形態に係る半導体発光装置を示し、（ａ）は斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のVIｂ−VIｂ線における断面図である。
【図７】本発明の第２の実施形態に係る半導体発光装置における光取り出し層の製造方法を示す断面図である。
【図８】本発明の第４の実施形態に係る半導体発光装置を示す断面図である。
【図９】本発明の第４の実施形態の一変形例に係る半導体発光装置を示す断面図である。
【図１０】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第５の実施形態に係る半導体発光装置を示し、（ａ）は断面図であり、（ｂ）は光取り出し層近傍の部分拡大断面図である。
【図１１】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第５の実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を示す工程順の断面図である。
【図１２】本発明の第６の実施形態に係る半導体発光装置の断面図である。
【図１３】本発明の第６の実施形態の第１変形例に係る半導体発光装置の断面図である。
【図１４】本発明の第６の実施形態の第２変形例に係る半導体発光装置の断面図である。
【図１５】第１の従来例に係る発光ダイオード装置と光の出射方向とを示す断面図である。
【図１６】第２の従来例に係る発光ダイオード装置を示す断面図である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月18日(2008.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板と、該支持基板の一方の主面側に配列された複数の熱電素子と、該熱電素子と前記支持基板との間に配設され、隣接する熱電素子間を電気的に連結する電極と、前記支持基板の他方の主面側に配設された熱交換器とを備えた熱電モジュールにおいて、前記支持基板が金属板であり、該金属板と前記熱交換器との間にはこれらを連結するための金属からなる連結部材が配設されていることを特徴とする熱電モジュール。
【請求項２】
前記連結部材がはんだであることを特徴とする請求項１記載の熱電モジュール。
【請求項３】
前記はんだがＳｎ、Ｂｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、ＺｎおよびＩｎからなる群より選ばれる少なくとも一種を主成分とするＰｂフリーはんだであることを特徴とする請求項２記載の熱電モジュール。
【請求項４】
前記支持基板及び前記熱交換器は、前記複数の熱電素子の両面側にそれぞれ配設され、前記放熱側の前記熱交換器における熱交換量が冷却側の熱交換器における熱交換量よりも大きいことを特徴とする請求項２または３記載の熱電モジュール。
【請求項５】
前記金属板と前記電極との間には、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、エポキシおよびポリエチレンテレフタレートからなる群より選ばれる少なくとも１種を主成分とする樹脂層が配設されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の熱電モジュール。
【請求項６】
前記樹脂層が無機酸化物または無機窒化物からなるフィラーを含有していることを特徴とする請求項５記載の熱電モジュール。
【請求項７】
前記樹脂層の厚みが０．０１ｍｍ以上であることを特徴とする請求項５または６記載の熱電モジュール。
【請求項８】
前記金属板の厚みが０．５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の熱電モジュール。
【請求項９】
前記金属板及び熱交換器が同じ材料であることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の熱電モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月26日(2008.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属層上に、メルカプト基、スルホン酸基、及び下記構造式（１）で表される含トリアジン骨格を少なくとも含む配線基板用密着層を介して絶縁層を有することを特徴とする配線基板。
【化１】
2007035972.tif 000001
ただし、前記構造式（１）中、Ｘは、ＮＲ２及びＳＡの少なくともいずれかを表す。Ｒは、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、及びフェニル基の少なくともいずれかを表し、Ａは、水素原子、Ｌｉ原子、Ｎａ原子、Ｋ原子、Ｒｂ原子、及びＣｓ原子の少なくともいずれかを表す。
【請求項２】
配線基板用密着層が、カップリング剤により表面処理されてなる請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
請求項１から２のいずれかに記載の配線基板を製造する方法であって、配線を形成する配線形成工程と、該配線上に配線基板用密着層を形成する密着層形成工程と、該配線基板用密着層上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程とを少なくとも含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項４】
密着層形成工程が、メルカプト基及びスルホン酸基を少なくとも含む化合物、並びにそのアルカリ金属塩の少なくともいずれかを含む溶液と、下記構造式（１）で表されるトリアジン骨格を有する化合物を少なくとも含む溶液とを用いて、配線表面を処理することにより配線基板用密着層を形成する請求項３に記載の配線基板の製造方法。
【化２】
2007035972.tif 000002
ただし、前記構造式（１）中、Ｘは、ＮＲ２及びＳＡの少なくともいずれかを表す。Ｒは、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、及びフェニル基の少なくともいずれかを表し、Ａは、水素原子、Ｌｉ原子、Ｎａ原子、Ｋ原子、Ｒｂ原子、及びＣｓ原子の少なくともいずれかを表す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、本発明者らの前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては、後述する付記に列挙した通りである。即ち、
本発明の配線基板は、金属層上に、メルカプト基、スルホン酸基、及び下記構造式（１）で表される含トリアジン骨格を少なくとも含む配線基板用密着層を介して絶縁層を有することを特徴とする。
【化３】
2007035972.tif 000003
ただし、前記構造式（１）中、Ｘは、ＮＲ２及びＳＡの少なくともいずれかを表す。Ｒは、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、及びフェニル基の少なくともいずれかを表し、Ａは、水素原子、Ｌｉ原子、Ｎａ原子、Ｋ原子、Ｒｂ原子、及びＣｓ原子の少なくともいずれかを表す。
該配線基板用密着層においては、前記メルカプト基が銅箔、銅配線等の金属層表面と反応し、前記スルホン酸基が前記配線基板用密着層の上面に位置する。更に、該スルホン酸基と前記含トリアジン骨格とが吸着乃至反応することにより、該含トリアジン骨格におけるメルカプト基が、前記配線基板用密着層の最表面に位置する。そして、該配線基板用密着層の最表面に位置するメルカプト基が、絶縁層と反応することにより、優れた密着性が得られ、前記配線基板用密着層を介して前記金属層と前記絶縁層とが強固に密着される。このため、粗化処理によるアンカー効果によらずに、高い密着性が得られ、多層配線の形成に好適に使用可能であり、高周波伝送可能な配線基板に特に好適である。また、前記配線基板用密着層は、防錆性が良好であり、前記金属層の酸化が抑制される。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月8日(2008.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料電池装置を電源とする電子機器であって、
前記燃料電池装置以外の部位の温度を検知する温度検知手段と、
前記燃料電池装置が発電した電力を貯蔵する電力貯蔵手段と、
前記電力貯蔵手段の貯蔵残量を検知する電力残量検知手段と、
前記温度検知手段及び前記電力残量権手段の出力に基づいて前記燃料電池装置の動作を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項２】
撮像素子を含む撮像手段を備え、
前記温度検知手段が前記撮像素子又はその近傍の温度を検知することを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
レンズ光学系と、
前記レンズ光学系を保持する保持部材とを備え、
前記温度検知手段が前記レンズ光学系、その近傍、前記保持部材及びその近傍のうちの少なくともいずれかの温度を検知することを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項４】
演算素子を備え、
前記温度検知手段が前記演算素子又はその近傍の温度を検知することを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項５】
記録媒体に情報を記録する記録装置を備え、
前記温度検知手段が前記記録装置又はその近傍の温度を検知することを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項６】
使用者が把持する把持部を備え、
前記温度検知手段が前記把持部の温度を検知することを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項７】
前記燃料電池装置の動作状態を表示する表示手段を備えたことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明による電子機器は、燃料電池装置を電源とする電子機器であって、前記燃料電池装置以外の部位の温度を検知する温度検知手段と、前記燃料電池装置が発電した電力を貯蔵する電力貯蔵手段と、前記電力貯蔵手段の貯蔵残量を検知する電力残量検知手段と、前記温度検知手段及び前記電力残量権手段の出力に基づいて前記燃料電池装置の動作を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月9日(2008.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ファイバレーザ媒体、第１励起源及びＱスイッチ素子を有し、前記第１ファイバレーザ媒体を前記第１励起源により励起してレーザ光を発生させるとともに、この発生されたレーザ光を前記Ｑスイッチ素子によりパルス発振させてＱスイッチパルスレーザ光を出射させるファイバレーザ発振器と、
第２ファイバレーザ媒体及び第２励起源を有し、前記ファイバレーザ発振器から出射されたＱスイッチパルスレーザ光を前記第２ファイバレーザ媒体に入射させるとともに、前記第２ファイバレーザ媒体を前記第２励起源により励起して当該Ｑスイッチパルスレーザ光を増幅するファイバレーザ増幅器と、
前記ファイバレーザ発振器及び前記ファイバレーザ増幅器を制御する制御機構であって、前記ファイバレーザ発振器の前記第１励起源の動作を開始させる発振器励起開始時刻と、前記ファイバレーザ発振器の前記Ｑスイッチ素子の動作を開始させるＱスイッチトリガ信号発生開始時刻と、前記ファイバレーザ増幅器の前記第２励起源の動作を開始させる増幅器励起開始時刻とを、前記ファイバレーザ発振器の前記Ｑスイッチ素子のパルス繰り返し周波数、前記ファイバレーザ発振器の前記第１励起源の励起強度及び前記ファイバレーザ増幅器の前記第２励起源の励起強度に応じて、互いに独立して調整する制御機構とを備えたことを特徴とするファイバレーザ装置。
【請求項２】
前記制御装置は、前記ファイバレーザ発振器から出射されるＱスイッチパルスレーザ光のパルス強度が当該Ｑスイッチパルスレーザ光の出射開始時点から一定となるように、前記ファイバレーザ発振器の前記Ｑスイッチ素子のパルス繰り返し周波数及び前記ファイバレーザ発振器の前記第１励起源の励起強度に応じて、前記Ｑスイッチトリガ信号発生開始時刻を調整するとともに、前記Ｑスイッチパルスレーザ光の出射開始時点で前記ファイバレーザ増幅器の励起状態が定常状態に達するように、前記ファイバレーザ増幅器の前記第２励起源の励起強度に応じて、前記増幅器励起開始時刻を調整することを特徴とする、請求項１に記載のファイバレーザ装置。
【請求項３】
前記Ｑスイッチトリガ信号発生開始時刻及び前記増幅器励起開始時刻は、前記発振器励起開始時刻を基準として決定されることを特徴とする、請求項２に記載のファイバレーザ装置。
【請求項４】
前記ファイバレーザ発振器の前記第１励起源及び前記ファイバレーザ増幅器の前記第２励起源が、半導体レーザからなることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のファイバレーザ装置。
【請求項５】
前記ファイバレーザ発振器の前記Ｑスイッチ素子が、音響光学素子又は電気光学素子からなることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のファイバレーザ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
なお、本発明において、制御装置は、ファイバレーザ発振器から出射されるＱスイッチパルスレーザ光のパルス強度が当該Ｑスイッチパルスレーザ光の出射開始時点から一定となるように、ファイバレーザ発振器のＱスイッチ素子のパルス繰り返し周波数及びファイバレーザ発振器の第１励起源の励起強度に応じて、Ｑスイッチトリガ信号発生開始時刻を調整するとともに、Ｑスイッチパルスレーザ光の出射開始時点でファイバレーザ増幅器の励起状態が定常状態に達するように、ファイバレーザ増幅器の第２励起源の励起強度に応じて、増幅器励起開始時刻を調整することが好ましい。また、前記Ｑスイッチトリガ信号発生開始時刻及び前記増幅器励起開始時刻は、前記発振器励起開始時刻を基準として決定されることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
図１乃至図３に示すファイバレーザ装置１０の動作開始時点でレーザドライバ１５からタイミング制御器１６に動作開始信号４１が出力されると、タイミング制御器１６により、図４に示すようなタイミングで、ファイバレーザ発振器励起信号４２、Ｑスイッチトリガ信号４３及びファイバレーザ増幅器励起信号４４がファイバレーザ発振器１１又はファイバレーザ増幅器１２に出力される。なお、図４において、ファイバレーザ発振器１１における励起光強度がファイバレーザ発振器励起信号４２の入力に対応し、ファイバレーザ増幅器１２における励起光強度がファイバレーザ増幅器励起信号４４の入力に対応する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
ここで、ファイバレーザ発振器１１及びファイバレーザ増幅器１２の励起が開始されてその励起状態が定常状態に達するまでには一定の時間を要する。今、ファイバレーザ発振器１１の励起が開始されてその励起状態が定常状態に達するまでの時間をｔ２、ファイバレーザ増幅器１２の励起が開始されてその励起状態が定常状態に達するまでの時間をｔ１とし、かつ、本実施形態ではｔ１の方がｔ２よりも長いとする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
この場合、ファイバレーザ発振器１１においては、タイミング制御器１６からファイバレーザ発振器励起信号４２が出されるタイミング（図４の符号Ｐ２参照）を基準として、タイミング制御器１６からファイバレーザ発振器励起信号４２が最初に出されるタイミング（図４の符号Ｐ３参照）が決定され、それからｔ２時間後となるようにするとよい。これにより、ファイバレーザ発振器１１のＱスイッチ素子２６のパルス繰り返し周波数及びファイバレーザ発振器１１の励起源２８、２９の励起強度に応じて、発振器励起開始時刻及びＱスイッチトリガ信号発生開始時刻が調整されることとなり、ファイバレーザ発振器１１から出射されるＱスイッチパルスレーザ光のパルス強度が当該Ｑスイッチパルスレーザ光の出射開始時点から一定となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
一方、ファイバレーザ増幅器１２においては、タイミング制御器１６からファイバレーザ増幅器励起信号４４が出されるタイミング（図４の符号Ｐ１参照）が、タイミング制御器１６からファイバレーザ発振器励起信号４２が出されるタイミング（図４の符号Ｐ２参照）を基準として決定され、それより（ｔ１−ｔ２）時間前となるようにするとよい。これにより、ファイバレーザ増幅器１２の励起源３６、３７の励起強度に応じて、増幅器励起開始時刻が調整されることとなり、ファイバレーザ発振器１１から出射されるＱスイッチパルスレーザ光の出射開始時点でファイバレーザ増幅器１２の励起状態が定常状態に達するようになる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月17日(2008.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
この基板の表面側に配置された電子部品と、
前記基板の裏面側であって前記基板の外周より内方に配置され、前記電子部品からのデジタル復調信号を外部に出力する出力端子とを有する放送受信モジュール。
【請求項２】
前記基板の表面側に前記電子部品を覆うカバーを有する請求項１に記載の放送受信モジュール。
【請求項３】
前記電子部品と前記出力端子とはスルーホールによって電気的に接続されている請求項１に記載の放送受信モジュール。
【請求項４】
前記基板は複数の層から形成され、
前記電子部品と前記出力端子とは各々の前記層に設けられたインナービアホールによって電気的に接続されている請求項１に記載の放送受信モジュール。
【請求項５】
前記基板の裏面側であって前記基板の外周に配置された実装電極を有し、
前記基板の裏面側において、前記出力端子は前記実装電極よりも内側に位置している請求項１に記載の放送受信モジュール。
【請求項６】
マザーボードと、
このマザーボードの上面側に配置された請求項１に記載の放送受信モジュールと、
前記マザーボードの上面側に配置され、前記デジタル復調信号を複合する複合機能ＩＣとを備え、
前記複合機能ＩＣは、前記複合機能ＩＣの裏面側であって前記複合機能ＩＣの外周より内方に配置されたデジタル復調信号入力端子を有し、
前記マザーボードは、上方向から見て、前記放送受信モジュール及び前記複合機能ＩＣから露出した露出部において、前記出力端子と前記デジタル復調信号入力端子とを電気的に接続する配線を埋設している放送受信機器。
【請求項７】
前記マザーボードは、前記放送受信モジュールまたは前記複合機能ＩＣを制御する制御信号が通る制御信号線を埋設している請求項６に記載の放送受信機器。
【請求項８】
前記放送受信モジュールまたは前記複合機能ＩＣを制御する制御信号が通る制御信号線は、前記マザーボードの上面側であって前記配線の略上方に配置されている請求項６に記載の放送受信機器。
【請求項９】
前記出力端子は、
前記マザーボードに埋設されていると共に前記複合機能ＩＣと電気的に接続されている前記配線と電気的に接続される請求項１に記載の放送受信モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月23日(2008.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ダイボンドエリアと、
前記第１ダイボンドエリアの隣に設けられた第２ダイボンドエリアと、
前記第１および第２ダイボンドエリアを支持する複数の吊りリードと、
複数の第１ボンディングパッドが形成された第１主面、および前記第１主面とは反対側の第１裏面を有し、前記第１ダイボンドエリア上に搭載された第１半導体チップと、
複数の第２ボンディングパッドが形成された第２主面、および前記第２主面とは反対側の第２裏面を有し、前記第２ダイボンドエリア上に搭載された第２半導体チップと、
前記第１および第２半導体チップの周囲に配置された複数のリードと、
前記複数の第１および第２ボンディングパッドと前記複数のリードとをそれぞれ電気的に接続する複数のワイヤと、
前記第１半導体チップ、前記第２半導体チップ、および前記複数のワイヤを封止する、樹脂から成るパッケージ本体と、を含み、
前記第１半導体チップの前記第１裏面は、前記パッケージ本体と接触しており、
前記第２半導体チップの前記第２裏面は、前記パッケージ本体と接触していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１ダイボンドエリアの外形寸法は、前記第１半導体チップの外形寸法よりも小さく形成され、
前記第２ダイボンドエリアの外形寸法は、前記第２半導体チップの外形寸法よりも小さく形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１半導体チップは、前記第１半導体チップの前記第１裏面が前記第１ダイボンドエリアと対向するように、前記第１ダイボンドエリア上に搭載され、
前記第２半導体チップは、前記第２半導体チップの前記第２裏面が前記第２ダイボンドエリアと対向するように、前記第２ダイボンドエリア上に搭載され、
前記第１半導体チップの前記第１裏面の一部は、前記第１ダインボンドエリアから露出しており、
前記第２半導体チップの前記第２裏面の一部は、前記第２ダインボンドエリアから露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１半導体チップは、前記第１ダイボンドエリアの第１チップ搭載面上に搭載され、
前記第２半導体チップは、前記第２ダイボンドエリアの第２チップ搭載面上に搭載され、
前記第１ダイボンドエリアの前記第１チップ搭載面の面積は、前記第１半導体チップの前記第１裏面の面積よりも小さく形成され、
前記第２ダイボンドエリアの前記第２チップ搭載面の面積は、前記第２半導体チップの面積よりも小さく形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第２ダイボンドエリアは、前記吊りリードを介して前記第１ダイボンドエリアと連結されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１ダイボンドエリアは、前記吊りリードを介して複数個設けられ、
前記第２ダイボンドエリアは、前記吊りリードを介して複数個設けられ、
前記第１半導体チップは、前記第１半導体チップの前記第１裏面が前記複数の第１ダインボンドエリアを覆うように、前記複数の第１ダイボンドエリア上に搭載され、
前記第２半導体チップは、前記第２半導体チップの前記第２裏面が前記複数の第２ダインボンドエリアを覆うように、前記複数の第２ダイボンドエリア上に搭載されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１ダイボンドエリアの第１チップ搭載面の形状は、円形から成り、
前記第２ダイボンドエリアの第２チップ搭載面の形状は、円形から成ることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１および第２半導体チップは、ペースト材を介して前記第１および第２ダイボンドエリア上にそれぞれ搭載されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１半導体チップは、コントローラチップであり、
前記第２半導体チップは、メモリであることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月20日(2008.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極活物質がナトリウムおよびコバルトを含む酸化物からなる正極と、ゲルマニウム単体を含む負極と、非水電解質とを備えたことを特徴とする非水電解質二次電池。
【請求項２】
前記ナトリウム及びコバルトを含む酸化物は、Ｎａx Ｃｏy Ｏ2 を含み、前記ｘは０より大きく１．０以下であり、前記ｙは１．５未満であることを特徴とする請求項１記載の非水電解質二次電池。
【請求項３】
前記Ｎａx Ｃｏy Ｏ2 はＮａＣｏＯ2 であることを特徴とする請求項２記載の非水電解質二次電池。
【請求項４】
前記ナトリウムおよびコバルトを含む酸化物の結晶系は、六方晶系、斜方晶系または単斜晶系であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の非水電解質二次電池。
【請求項５】
前記非水電解質は、六フッ化リン酸ナトリウムを含むことを特徴とする請求項１〜４記載の非水電解質二次電池。
【請求項６】
前記負極は、金属からなる集電体を含み、前記ゲルマニウム単体は、前記集電体上に薄膜状に形成されたことを特徴とする請求項１〜５記載の非水電解質二次電池。
【請求項７】
前記非水電解質は、環状炭酸エステル、鎖状炭酸エステル、エステル類、環状エーテル類、鎖状エーテル類、ニトリル類およびアミド類からなる群から選択される１種または２種以上を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の非水電解質二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】非水電解質二次電池
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の非水電解質二次電池の正極は、正極活物質を備え、正極活物質は、ナトリウムおよびコバルトを含む酸化物からなるものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
ナトリウムおよびコバルトを含む酸化物は、Ｎａx Ｃｏy Ｏ2 を含み、ｘは０より大きく１．０以下であり、ｙは１．５未満であってもよく、当該Ｎａx Ｃｏy Ｏ2 はＮａＣｏＯ2 であってもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明に係る非水電解質二次電池は、正極活物質がナトリウムおよびコバルトを含む酸化物からなる正極と、負極と、非水電解質とを備えたものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明に係る非水電解質二次電池においては、正極活物質がナトリウムおよびコバルトを含む酸化物からなる正極を用いることにより、可逆的な充放電を行うことが可能で良好な充放電特性を得ることが可能な非水電解質二次電池を実現することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月10日(2008.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
表面に樹脂層が形成された基材を回転させつつ、凹凸パターンを構成する凸部および凹部の一方の平面パターンを当該樹脂層に描画する際に、前記一方を形成すべき形成領域における前記基材の回転方向に沿った帯状露光領域の当該回転方向の一端部側から他端部側までの間において描画用ビームを間欠的にＮ回（Ｎは２以上の自然数）照射することにより、前記回転方向に沿ったＮ個の帯状照射領域に当該描画用ビームを照射するパターン描画方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成すべく本発明に係るパターン描画方法は、表面に樹脂層が形成された基材を回転させつつ、凹凸パターンを構成する凸部および凹部の一方の平面パターンを当該樹脂層に描画する際に、前記一方を形成すべき形成領域における前記基材の回転方向に沿った帯状露光領域の当該回転方向の一端部側から他端部側までの間において描画用ビームを間欠的にＮ回（Ｎは２以上の自然数）照射することにより、前記回転方向に沿ったＮ個の帯状照射領域に当該描画用ビームを照射する。なお、本明細書における「帯状露光領域」とは、平面パターンの描画が完了した後の現像処理によって基材上から消失する領域（ポジ型レジスト等で樹脂層を形成したとき）、または、現像処理によって基材上に残留する領域（ネガ型レジスト等で樹脂層を形成したとき）と一致する帯状の領域を意味する。つまり、各帯状照射領域に対する描画用ビームの照射によって現像処理時に消失または残留する程度まで露光される帯状の領域を意味する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
一方、上記の描画装置１によるパターン描画方法では、例えば、帯状露光領域Ａ１内における帯状照射領域Ａ１ａ，Ａ１ｂについて、帯状照射領域Ａ１ａに対する電子ビームＥＢの照射が完了した直後に帯状照射領域Ａ１ｂに対する電子ビームＥＢの照射を開始しているが、同一の帯状露光領域内の各帯状照射領域に対する電子ビームＥＢの照射手順は、これに限定されない。具体的には、例えば、帯状露光領域Ａ１内における２つの帯状照射領域Ａ１ａ，Ａ１ｂに電子ビームを順次照射するときに、基材１０の１回転目（本発明におけるＭ回転目の一例）に帯状照射領域Ａ１ａに対する電子ビームＥＢの照射を実行した後に、基材１０の２回転目（本発明におけるＬ回転目の一例）に帯状照射領域Ａ１ｂに対する電子ビームＥＢの照射を実行することで、結果として、帯状露光領域Ａ１に対して基材１０の２回転に亘って間欠的に電子ビームＥＢを照射する描画方法を採用することもできる。この描画方法では、図６に示すように、電子ビームＥＢを照射すべき形成領域Ａ０が基材１０の回転方向に沿って隣接して存在するときに、１つの形成領域Ａ０における帯状露光領域Ａ１の帯状照射領域Ａ１ａに対する電子ビームＥＢの照射が完了してから、その形成領域Ａ０に対して回転方向で隣接する形成領域Ａ０における帯状露光領域Ａ１の帯状照射領域Ａ１ａに対する電子ビームＥＢの照射を開始するまでの間（同図に示す距離Ｗに対応する時間）だけ、電子ビームＥＢの照射を停止した状態を維持することができる。