【手続補正書】
【提出日】平成20年2月6日(2008.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上にソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に挟まれるチャネル形成領域とを有する半導体層と、
前記半導体層上に第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に前記チャネル形成領域と重なる電極と、
前記第１絶縁膜上にソース配線と、
前記電極及び前記ソース配線を覆う第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上にコンタクトホールを介し前記電極と電気的に接続されたゲート配線とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面上にソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に挟まれるチャネル形成領域とを有する半導体層と、
前記半導体層上に第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に前記チャネル形成領域と重なる電極と、
前記第１絶縁膜上にソース配線と、
前記電極及び前記ソース配線を覆う第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に第１のコンタクトホールを介し前記電極と電気的に接続されたゲート配線と、
前記第２絶縁膜上に第２のコンタクトホールを介し前記ソース配線及び前記半導体層と電気的に接続された接続電極と、
前記第２絶縁膜上に第３のコンタクトホールを介し前記半導体層と電気的に接続された画素電極とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、前記画素電極は、前記第２絶縁膜を間に挟んで前記ソース配線と重なることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記半導体層は、前記第１絶縁膜を間に挟んで前記ゲート配線と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、前記半導体層のうち、前記第１絶縁膜を間に挟んで前記ゲート配線と重なる領域は、チャネル形成領域を少なくとも含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、前記半導体層のうち、前記第１絶縁膜を間に挟んで前記ゲート配線と重なる領域は、前記チャネル形成領域と前記ドレイン領域との間に存在する領域を少なくとも含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項４乃至６のいずれか一において、前記半導体層のうち、前記第１絶縁膜を間に挟んで前記ゲート配線と重なる領域は、前記チャネル形成領域と前記ソース領域との間に存在する領域を少なくとも含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項４乃至７のいずれか一において、前記半導体層は、複数のチャネル形成領域を有し、
前記半導体層のうち、前記第１絶縁膜を間に挟んで前記ゲート配線と重なる領域は、第１のチャネル形成領域と第２のチャネル形成領域との間に存在する領域を少なくとも含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記第１絶縁膜を間に挟んで前記チャネル形成領域と重なる電極は、ゲート電極であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、前記電極及び前記ソース配線は同一材料で形成されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項２または請求項３において、前記画素電極、前記接続電極、及び前記ゲート配線は同一材料で形成されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、前記ゲート配線は、導電型を付与する不純物元素がドープされたｐｏｌｙ−Ｓｉ、Ｗ、ＷＳｉＸ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｃｒ、またはＭｏから選ばれた元素を主成分とする膜またはそれらの積層膜からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一において、前記第１絶縁膜はゲート絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一において、前記第２絶縁膜は、シリコンを主成分とする第１の絶縁層と、有機樹脂材料から成る第２の絶縁層とからなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項２、請求項３または請求項１１のいずれか一において、前記画素電極を含む一つの画素は、前記第１絶縁膜を誘電体として、前記画素電極に電気的に接続された半導体層と、隣りあう画素のゲート配線に電気的に接続された電極とで保持容量を形成することを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１５において、前記画素電極に電気的に接続された半導体層にはｐ型を付与する不純物元素が添加されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
一対の基板と、前記一対の基板間に保持された液晶とを備え、
前記一対の基板のうち、一方の基板には画素部と駆動回路とが設けられ、
前記画素部には、
絶縁表面上にソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に挟まれるチャネル形成領域とを有する半導体層と、
前記半導体層上に第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に前記チャネル形成領域と重なる電極と、
前記第１絶縁膜上にソース配線と、
前記電極及び前記ソース配線を覆う第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に第１のコンタクトホールを介して前記電極と電気的に接続されたゲート配線と、
前記第２絶縁膜上に第２のコンタクトホールを介して前記ソース配線及び前記半導体層と電気的に接続された接続電極と、
前記第２絶縁膜上に第３のコンタクトホールを介して前記半導体層と電気的に接続された画素電極とを備え、
他方の基板には、前記第１の半導体層と重なるように赤色カラーフィルタと青色カラーフィルタとが積層された遮光膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１７において、前記第２の絶縁膜上にコモン配線を有し、基板面に平行な電界が生じるように前記画素電極と前記コモン配線とが配置されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
請求項２、請求項３、請求項１１、請求項１５、請求項１７、または請求項１８のいずれか一において、前記半導体装置は、前記画素電極がＡｌまたはＡｇを主成分とする膜またはそれらの積層膜からなる反射型の液晶表示装置であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
請求項２、請求項３、請求項１１、請求項１５、請求項１７、または請求項１８のいずれか一において、前記半導体装置は、前記画素電極が透明導電膜からなる透過型の液晶表示装置であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２１】
請求項１乃至２０のいずれか一において、前記半導体装置は、パーソナルコンピュータ、ビデオカメラ、携帯型情報端末、デジタルカメラ、デジタルビデオディスクプレーヤー、または電子遊技機器であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２２】
絶縁表面上に結晶質半導体膜からなる半導体層を形成し、
前記半導体層上に第１絶縁膜を形成し、
前記第１絶縁膜上に前記半導体層と重なる電極と、ソース配線とを形成し、
前記電極及び前記ソース配線を覆う第２絶縁膜を形成し、
前記第２絶縁膜に第１および第２のコンタクトホールを形成し、
前記第２絶縁膜上に前記第１のコンタクトホールを介して前記電極と接続し、且つ前記半導体層と重なるゲート配線と、前記第２のコンタクトホールを介して前記半導体層と前記ソース配線とを接続する接続電極と、前記ソース配線と重なる画素電極とを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
絶縁表面上に結晶質半導体膜からなる第１の半導体層及び第２の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層上に第１絶縁膜を形成し、
前記第１絶縁膜上に前記第１の半導体層と重なる第１の電極と、前記第２の半導体層と重なる第２の電極と、ソース配線とを形成し、
前記第１の電極、前記第２の電極、及び前記ソース配線を覆う第２絶縁膜を形成し、
前記第２絶縁膜に第１および第２のコンタクトホールを形成し、
前記第２絶縁膜上に前記第１のコンタクトホールを介して前記第１の電極と接続し、且つ第１の半導体層と重なるゲート配線と、前記第２のコンタクトホールを介して前記第１の半導体層と前記ソース配線とを接続する接続電極と、前記ソース配線と重なる画素電極とを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２４】
請求項２３において、前記第２の半導体層は前記画素電極と接続され、前記第２の電極は隣りあう画素のゲート配線と接続されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２５】
請求項２２乃至２４のいずれか一において、前記第２絶縁膜は、シリコンを主成分とする第１の絶縁層と、有機樹脂材料から成る第２の絶縁層との積層膜からなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２６】
請求項２５において、前記第１の絶縁層は酸化シリコンまたは窒化シリコンまたは酸化窒化シリコンからなり、前記第２の絶縁層はポリイミドまたはアクリルまたはポリアミドまたはポリイミドアミドまたはベンゾシクロブテンからなることを特徴とする半導体装置の作製方法。