Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月30日(2008.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
少なくとも結着樹脂及び着色剤を含有してなるトナー粒子を有するトナーであって、該トナー粒子は水系媒体中で製造されたものであり、且つ、該トナー粒子が少なくとも多価アルコール成分と多価カルボン酸成分とを縮重合させて生成されるポリエステル樹脂ユニットを有する極性樹脂を含有し、該極性樹脂が少なくとも化式１で示されるスルホン酸ユニット及び／又はスルホン酸エステルユニットを含有することを特徴とするトナー。
【化１】
2007133200.tif 000001
（式中Ｙ1、Ｙ2は独立に水素原子またはメチル基、エチル基、芳香族基を表し、Ｘ1は水素原子またはメチル基、エチル基、イソプロピル基から選ばれる炭化水素基を表す。）
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記ビニル樹脂ユニットが、スルホン酸ユニット及び／又はスルホン酸エステルユニットに加え、カルボン酸ユニット及び／又はカルボン酸エステルユニットをさらに含有することを特徴とする請求項２又は３に記載のトナー。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記スルホン酸ユニット及び／又はスルホン酸エステルユニットが、化式２で示される構造を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のトナー。
【化２】
2007133200.tif 000002
（式中Ａは置換基があってもよい脂肪族炭化水素基を表し、Ｘ1は水素原子またはメチル基、エチル基、イソプロピル基から選ばれる炭化水素基を表す。）
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記トナー粒子が、少なくとも重合性単量体、着色剤及び前記極性樹脂を含有する重合性単量体組成物を、水系媒体中で造粒した後、前記重合性単量体を重合して製造されたものであることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載のトナー。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記トナー粒子が、少なくとも有機溶媒中に結着樹脂と着色剤と前記極性樹脂を溶解または分散させた組成物を、水系媒体中で造粒した後、前記有機溶媒を除去して製造されたものであることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載のトナー。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
少なくともトナーとキャリアとを有する二成分現像剤であって、
該トナーが、少なくとも結着樹脂及び着色剤を含有してなるトナー粒子を有し、該トナー粒子は水系媒体中で製造されたものであり、且つ、該トナー粒子が少なくとも多価アルコール成分と多価カルボン酸成分とを縮重合させて生成されるポリエステル樹脂ユニットを有する極性樹脂を含有し、該極性樹脂が少なくとも化式１で示されるスルホン酸ユニット及び／又はスルホン酸エステルユニットを含有することを特徴とする二成分現像剤。
【化３】
2007133200.tif 000003
（式中Ｙ1、Ｙ2は独立に水素原子またはメチル基、エチル基、芳香族基を表し、Ｘ1は水素原子またはメチル基、エチル基、イソプロピル基から選ばれる炭化水素基を表す。）
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
本発明者らは、特定の構造を有する極性樹脂をトナー粒子の表面層付近に偏在させることで、帯電性に優れ、現像性、転写性等の画像特性が良好で、さらにはトナー粒子表面への着色剤の露出や、ワックスの染み出しのない耐久性に優れたトナーが得られることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、少なくとも多価アルコール成分と多価カルボン酸成分とを縮重合させて生成されるポリエステル樹脂ユニットと、化式１で示されるスルホン酸ユニット及び／又はスルホン酸エステルユニットとが共存する極性樹脂を用いることで、これを達成することができた。
【化１】
2007133200.tif 000004
（式中Ｙ1、Ｙ2は独立に水素原子またはメチル基、エチル基、芳香族基を表し、Ｘ1は水素原子またはメチル基、エチル基、イソプロピル基から選ばれる炭化水素基を表す。）
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
また、前記スルホン酸ユニット及び／又はスルホン酸エステルユニットは、化式２のようにアミド結合を共存させることにより帯電性能がさらに向上し、より好ましい態様となる。
【化２】
2007133200.tif 000005
（式中Ａは置換基があってもよい脂肪族炭化水素基を表し、Ｘ1は水素原子またはメチル基、エチル基、イソプロピル基から選ばれる炭化水素基を表す。）
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月30日(2008.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
任意の非球面を有し、かつ、厚さがレンズ口径の半分より大きいマイクロレンズを製造
するための型の製造方法であって、
シリコン基板上に、レンズ中心部に対応する場所ほど径の大きな寸法の円形開口部を位置させるようにして、径の異なる複数の円形開口部を有するマスク層を形成し、
前記複数の円形開口部を通じて前記シリコン基板に対して異方性ドライエッチングを行うことにより、前記シリコン基板に各円形開口部の径に応じた深さの複数の穴を形成し、
前記複数の円形開口部を通じて前記シリコン基板に対して等方性エッチングを行うことにより、前記複数の穴の側壁を除去して穴同士を融合し、
前記マスク層を除去した後に、等方性エッチングにより前記融合した穴の表面をスムージング処理することを含む方法。
【請求項２】
任意の非球面を有し、かつ、厚さがレンズ口径の半分より大きいマイクロレンズを製造するための型の製造方法であって、
シリコン基板上に、レンズ中心部に対応する場所ほど径の大きな寸法の円形開口部を位置させるようにして、径の異なる複数の円形開口部を有するマスク層を形成し、
前記複数の円形開口部を通じて前記シリコン基板に対して異方性ドライエッチングを行うことにより、前記シリコン基板に各円形開口部の径に応じた深さの複数の穴を形成し、
前記複数の円形開口部を通じて前記シリコン基板に対して等方性エッチングを行うことにより、前記複数の穴の側壁を除去して穴同士を融合し、
前記マスク層を除去した後に、異方性ウエットエッチングにより前記融合した穴の表面の凸部をエッチングした後、等方性エッチングにより前記融合した穴の表面をスムージング処理することを含む方法。
【請求項３】
任意の非球面を有し、かつ、厚さがレンズ口径の半分より大きいマイクロレンズを製造するための型の製造方法であって、
シリコン基板上に１の円形開口部と、開口部の半径方向の幅を円形開口部の周縁から外方に位置するほど狭くして、前記円形開口部とほぼ同心であって径が異なる複数のリング状の開口部とを有するマスク層を形成し、
前記円形開口部及びリング状開口部を通じて前記シリコン基板に対して異方性ドライエッチングを行うことにより、前記シリコン基板に前記円形開口部の径又は前記各リング状開口部の半径方向幅に応じた深さの複数の穴を形成し、
前記円形開口部及びリング状開口部を通じて前記シリコン基板に対して等方性エッチングを行うことにより、前記複数の穴の側壁を除去して穴同士を融合し、
前記マスク層を除去した後に、等方性エッチングにより前記融合した穴の表面をスムージング処理することを含む方法。
【請求項４】
任意の非球面を有し、かつ、厚さがレンズ口径の半分より大きいマイクロレンズを製造するための型の製造方法であって、
シリコン基板上に１の円形開口部と、開口部の半径方向の幅を円形開口部の周縁から外方に位置するほど狭くして、前記円形開口部とほぼ同心であって径が異なる複数のリング状の開口部とを有するマスク層を形成し、
前記円形開口部及びリング状開口部を通じて前記シリコン基板に対して異方性ドライエッチングを行うことにより、前記シリコン基板に前記円形開口部の径又は前記各リング状開口部の半径方向幅に応じた深さの複数の穴を形成し、
前記円形開口部及びリング状開口部を通じて前記シリコン基板に対して等方性エッチングを行うことにより、前記複数の穴の側壁を除去して穴同士を融合し、
前記マスク層を除去した後に、異方性ウエットエッチングにより前記融合した穴の表面の凸部をエッチングした後、等方性エッチングにより前記融合した穴の表面をスムージング処理することを含む方法。
【請求項５】
前記スムージング処理の後に、前記マイクロレンズ用型の表面に、レンズ材に対して剥離性の良い膜を形成することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のマイクロレンズ用型の製造方法。
【請求項６】
前記スムージング処理の後に、前記マイクロレンズ用型の表面に、型材であるシリコンをエッチングするガス又は液体に腐食され難い膜を形成することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のマイクロレンズ用型の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載のマイクロレンズ用型の製造方法により製造されたマイクロレンズ用型を用いて、マイクロレンズを成型する方法であって、
前記マイクロレンズ用型の任意の非球面を有する表面の形状をレンズ材に転写した後、前記マイクロレンズ用型の前記表面とは反対側の面に対してエッチングを行ってシリコン基板を除去し、さらに前記表面に形成された膜を除去することにより、マイクロレンズを成型する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月3日(2008.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
製品の生産工程により、対象工程において所定期日までに予め設定された品目の製品を予め設定された数量だけ製造して払出す払出要求を充足するための前記対象工程での前記製品製造の生産計画を作成する生産計画装置において、
前記払出要求及び少なくとも前記対象工程を構成する各製造ラインの能力と、前記製造ライン毎の製造可能な品目、前記品目毎のリードタイム、計画期間等の生産計画の基本情報に基づいて優先度の異なる複数の払出目標を設定する複数払出目標設定部と、
前記複数払出目標設定部により設定された前記複数の払出目標を満たす前記生産計画データを求める生産計画算出部と、
前記生産計画算出部により作成された前記生産計画データが前記複数払出目標設定部により設定された前記複数の払出目標に対して遅延している払出目標遅延データを求める払出目標遅延算出部と、
表示部と、
前記生産計画算出部により求められた前記生産計画データと前記払出目標遅延算出部により求められた前記払出目標遅延データとに基づいて少なくとも前記製品の遅延の度合いを前記複数の払出目標別に予め設定された表示形態で前記表示部に表示する払出量作成部と、
を具備したことを特徴とする生産計画装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の主要な局面に係る生産計画装置は、製品の生産工程により、対象工程において所定期日までに予め設定された品目の製品を予め設定された数量だけ製造して払出す払出要求を充足するための対象工程での製品製造の生産計画を作成する生産計画装置において、払出要求及び少なくとも各対象工程を構成する各製造ラインの能力と、製造ライン毎の製造可能な品目、品目毎のリードタイム、計画期間等の生産計画の基本情報に基づいて優先度の異なる複数の払出目標を設定する複数払出目標設定部と、複数払出目標設定部により設定された複数の払出目標を満たす生産計画データを求める生産計画算出部と、生産計画算出部により作成された生産計画データが複数払出目標設定部により設定された複数の払出目標に対して遅延している払出目標遅延データを求める払出目標遅延算出部と、表示部と、生産計画算出部により求められた生産計画データと払出目標遅延算出部により求められた払出目標遅延データとに基づいて少なくとも製品の遅延の度合いを複数の払出目標別に予め設定された表示形態で表示部に表示する払出量作成部とを具備する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2007133612.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月17日(2008.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図５において、データラインは、音声データや電子メールデータ、画像データなどの各種データを伝送するための伝送ラインである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月8日(2008.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
起動の指示により、プログラム保存用記録部に記録されたプログラムを、プログラム実行用メモリに転送した後、前記プログラム実行用メモリに記録した前記プログラムを演算処理部により実行して各部の動作を制御する電子機器の制御方法において、
過去の使用の履歴から、使用開始時刻及び使用終了時刻を予測する予測のステップと、
前記予測のステップによる前記使用開始時刻により、ホットブート保存への動作切り換え時刻を設定する開始時刻の設定ステップと、
前記予測のステップによる前記使用終了時刻により、ホットブート保存の解除時刻を設定する終了時刻の設定ステップと、
現在時刻を計測する現在時刻の計測ステップと、
前記現在時刻の計測ステップによる前記現在時刻が、前記開始時刻の設定ステップによる前記ホットブート保存への動作切り換え時刻となると、前記プログラム保存用記録部に記録されたプログラムを前記プログラム実行用メモリに転送すると共に、前記演算処理部により実行可能に前記プログラムを前記プログラム実行用メモリに保持することにより、ホットブート保存の状態を形成するホットブート保存の設定ステップと、
前記現在時刻の計測ステップによる前記現在時刻が、前記終了時刻の設定ステップによる前記ホットブート保存の解除時刻となると、前記プログラム実行用メモリへの電源の供給を停止して前記ホットブート保存の状態を解除するホットブート保存の解除ステップとを有する
ことを特徴とする電子機器の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
演算処理部による実行により、プログラム保存用記録部に記録された制御プログラムを、前記演算処理部により実行可能にプログラム実行用メモリに転送して保持する電子機器の制御方法のプログラムにおいて、
過去の使用の履歴から、使用開始時刻及び使用終了時刻を予測する予測のステップと、
前記予測のステップによる前記使用開始時刻により、ホットブート保存への動作切り換え時刻を設定する開始時刻の設定ステップと、
前記予測のステップによる前記使用終了時刻により、ホットブート保存の解除時刻を設定する終了時刻の設定ステップと、
現在時刻を計測する現在時刻の計測ステップと、
前記現在時刻の計測ステップによる前記現在時刻が、前記開始時刻の設定ステップによる前記ホットブート保存への動作切り換え時刻となると、前記プログラム保存用記録部に記録された制御プログラムを前記プログラム実行用メモリに転送すると共に、前記演算処理部により実行可能に前記制御プログラムを前記プログラム実行用メモリに保持することにより、ホットブート保存の状態を形成するホットブート保存の設定ステップと、
前記現在時刻の計測ステップによる前記現在時刻が、前記終了時刻の設定ステップによる前記ホットブート保存の解除時刻となると、前記プログラム実行用メモリへの電源の供給を停止して前記ホットブート保存の状態を解除するホットブート保存の解除ステップとを有する
ことを特徴とする電子機器の制御方法のプログラム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
演算処理部による実行により、プログラム保存用記録部に記録された制御プログラムを、前記演算処理部により実行可能にプログラム実行用メモリに転送して保持する電子機器の制御方法のプログラムを記録した記録媒体において、
過去の使用の履歴から、使用開始時刻及び使用終了時刻を予測する予測のステップと、
前記予測のステップによる前記使用開始時刻により、ホットブート保存への動作切り換え時刻を設定する開始時刻の設定ステップと、
前記予測のステップによる前記使用終了時刻により、ホットブート保存の解除時刻を設定する終了時刻の設定ステップと、
現在時刻を計測する現在時刻の計測ステップと、
前記現在時刻の計測ステップによる前記現在時刻が、前記開始時刻の設定ステップによる前記ホットブート保存への動作切り換え時刻となると、前記プログラム保存用記録部に記録された制御プログラムを前記プログラム実行用メモリに転送すると共に、前記演算処理部により実行可能に前記制御プログラムを前記プログラム実行用メモリに保持することにより、ホットブート保存の状態を形成するホットブート保存の設定ステップと、
前記現在時刻の計測ステップによる前記現在時刻が、前記終了時刻の設定ステップによる前記ホットブート保存の解除時刻となると、前記プログラム実行用メモリへの電源の供給を停止して前記ホットブート保存の状態を解除するホットブート保存の解除ステップとを有する
ことを特徴とする電子機器の制御方法のプログラムを記録した記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月24日(2008.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
像振れ補正用のレンズを保持して撮影光軸と交差する方向に移動可能なレンズ保持部材と、前記レンズ保持部材を、前記レンズを囲繞する環状部分で、または複数の箇所で光軸方向に押圧して前記レンズ保持部材の移動を制限する制限機構とを有することを特徴とする像振れ補正装置。
【請求項２】
前記制限機構を駆動するための電気アクチュエータを更に備えたことを特徴とする請求項１に記載の像振れ補正装置。
【請求項３】
前記制限機構はねじ手段を有し、そのねじ作用により前記押圧を行うこと特徴とする請求項１または２に記載の像振れ補正装置。
【請求項４】
前記制限機構および前記レンズ保持部材には、それぞれ互いに係合可能な係合部が設けられ、前記制限機構による押圧の際に前記両係合部の係合により前記レンズ保持部材が基準位置に向かって光軸と交差する方向に駆動されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の像振れ補正装置。
【請求項５】
前記レンズ保持部材の係合部は、前記レンズの光軸を中心とする円環状の溝または突部であり、前記制限機構の係合部は、前記撮影光軸を中心とする円環状の突部または溝であることを特徴とする請求項４に記載の像振れ補正装置。
【請求項６】
前記押圧による前記両係合部の係合は、前記レンズ保持部材の可動範囲全般において可能であることを特徴とする請求項４または５に記載の像振れ補正装置。
【請求項７】
第１係合部を有し、像振れ補正用レンズを保持して前記像振れ補正用レンズの光軸と交差する方向に移動可能なレンズ保持部材と、
前記第１係合部と係合可能な第２係合部を有し、前記光軸方向に移動して前記第１係合部と前記第２係合部とを係合させることにより、前記レンズ保持部材の移動を制限する制限機構とを含むことを特徴とする像振れ補正装置。
【請求項８】
請求項７に記載された像振れ補正装置であって、
前記第１係合部は、前記第２係合部が摺動可能な斜面を有し、
前記レンズ保持部材は、前記第２係合部が前記第１係合部の前記斜面を摺動するにつれ、前記光軸と交差する方向に移動することを特徴とする像振れ補正装置。
【請求項９】
請求項７または請求項８に記載された像振れ補正装置であって、
前記制限機構は、前記像振れ補正用レンズ以外のレンズの光軸と、前記像振れ補正用レンズの光軸とが略一致したとき、前記像振れ補正用レンズの光軸方向の移動を停止することを特徴とする像振れ補正装置。
【請求項１０】
請求項１から請求項９までの何れか１項に記載された像振れ補正装置を備えることを特徴とするカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】像振れ補正装置およびカメラ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明に係る像振れ補正装置は、像振れ補正用のレンズを保持して撮影光軸と交差する方向に移動可能なレンズ保持部材と、レンズ保持部材を、レンズを囲繞する環状部分で、または複数の箇所で光軸方向に押圧してレンズ保持部材の移動を制限する制限機構とを有する。
制限機構を駆動するための電気アクチュエータを更に備えてもよい。制限機構にねじ手段を設け、ねじ作用により押圧を行ってもよい。制限機構およびレンズ保持部材にそれぞれ互いに係合可能な係合部を設け、制限機構による押圧の際に両係合部の係合によりレンズ保持部材が基準位置に向かって光軸と交差する方向に駆動されるようにしてもよい。レンズ保持部材の係合部を、レンズの光軸を中心とする円環状の溝または突部とし、制限機構の係合部を、撮影光軸を中心とする円環状の突部または溝としてもよい。上記押圧による両係合部の係合は、レンズ保持部材の可動範囲全般において可能とすることが望ましい。
本発明に係る他の像振れ補正装置は、第１係合部を有し、像振れ補正用レンズを保持して像振れ補正用レンズの光軸と交差する方向に移動可能なレンズ保持部材と、第１係合部と係合可能な第２係合部を有し、光軸方向に移動して第１係合部と第２係合部とを係合させることにより、レンズ保持部材の移動を制限する制限機構とを含むことを特徴とする。
第１係合部に第２係合部が摺動可能な斜面を設け、第２係合部が第１係合部の斜面を摺動するにつれ、レンズ保持部材が光軸と交差する方向に移動するようにしてもよい。像振れ補正用レンズ以外のレンズの光軸と、像振れ補正用レンズの光軸とが略一致したときに、制限機構が像振れ補正用レンズの光軸方向の移動を停止するようにしてもよい。
本発明に係るカメラは、上記の像振れ補正装置を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月29日(2008.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
像担持体と、
前記像担持体の表面を帯電する帯電部材と、
前記帯電部材に電圧を印加する電圧印加手段と、
前記電圧印加手段により前記帯電部材に印加される電圧を制御するための制御値の範囲を記憶する記憶手段と、
前記帯電部材に流れる電流量を検出する電流検出手段と、
前記電圧印加手段により前記帯電部材に印加された電圧のピーク値を検出する電圧ピーク値検出手段と、
前記電圧印加手段により前記帯電部材に印加された電圧波形の微分波形のピーク値を検出する微分波形ピーク値検出手段と、
前記電流検出手段により検出された前記電流量と、前記電圧ピーク値検出手段により検出された前記電圧のピーク値と、前記微分波形ピーク値検出手段により検出された前記電圧波形の微分波形のピーク値とに基づいて、前記制御値の範囲を設定する制御手段と、
を備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記制御手段は、さらに前記像担持体の使用量、前記帯電部材の構成、環境の少なくともいずれかに応じて前記制御値の範囲を設定することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記制御値は、前記帯電部材に電圧を印加した際に発生する交流電流値を設定する信号の値であることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記像担持体と、前記帯電部材と、前記記憶手段とは、前記画像形成装置の本体に対して着脱可能に構成されたカートリッジに含まれることを特徴とする請求項１から３までのいずれか１項に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像形成装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の一側面に係る画像形成装置は、像担持体と、前記像担持体の表面を帯電する帯電部材と、前記帯電部材に電圧を印加する電圧印加手段と、前記電圧印加手段により前記帯電部材に印加される電圧を制御するための制御値の範囲を記憶する記憶手段と、前記帯電部材に流れる電流量を検出する電流検出手段と、前記電圧印加手段により前記帯電部材に印加された電圧のピーク値を検出する電圧ピーク値検出手段と、前記電圧印加手段により前記帯電部材に印加された電圧波形の微分波形のピーク値を検出する微分波形ピーク値検出手段と、前記電流検出手段により検出された前記電流量と、前記電圧ピーク値検出手段により検出された前記電圧のピーク値と、前記微分波形ピーク値検出手段により検出された前記電圧波形の微分波形のピーク値とに基づいて、前記制御値の範囲を設定する制御手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月7日(2008.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像形成を行なう画像形成装置であって、
濃度補正用或いは位置調整用のパッチ画像を形成し、該パッチ画像を読み取ることにより画像形成条件を調整する画像調整の実行時期を予測する予測手段と、
前記予測された実行時期が、後続する画像形成ジョブの実行期間内であるときは、後続する画像形成ジョブで使用される転写材の搬送方向に直交する幅方向における転写材のサイズが所定サイズよりも大きく、且つ、先行する画像形成ジョブで使用される前記幅方向における転写材のサイズが前記所定サイズ以下であれば、前記先行する画像形成ジョブの実行期間内において画像形成と並行して画像調整を実行する調整手段と
を含むことを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
転写材に転写されるべきトナー画像が形成される像担持体を有し、
前記調整手段は、前記像担持体上で前記幅方向において前記トナー画像が形成される領域外に前記パッチ画像を形成することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
画像形成装置における画像調整方法であって、
濃度補正用或いは位置調整用のパッチ画像を形成し、該パッチ画像を読み取ることにより画像形成条件を調整する画像調整の実行時期を予測するステップと、
前記予測された実行時期が、後続する画像形成ジョブの実行期間内であるときは、後続する画像形成ジョブで使用される転写材の搬送方向に直交する幅方向における転写材のサイズが所定サイズよりも大きく、且つ、先行する画像形成ジョブで使用される前記幅方向における転写材のサイズが前記所定サイズ以下であれば、前記先行する画像形成ジョブの実行期間内において画像形成と並行して画像調整を実行するステップと
を含むことを特徴とする画像調整方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、例えば、画像形成装置や画像調整方法において好適に適用される。画像形成装置は、例えば、予測手段と調整手段とを含む。予測手段は、濃度補正用或いは位置調整用のパッチ画像を形成し、該パッチ画像を読み取ることにより画像形成条件を調整する画像調整の実行時期を予測する。調整手段は、予測された実行時期が、後続する画像形成ジョブの実行期間内であるときは、後続する画像形成ジョブで使用される転写材の搬送方向に直交する幅方向における転写材のサイズが所定サイズよりも大きく、且つ、先行する画像形成ジョブで使用される幅方向における転写材のサイズが所定サイズ以下であれば、先行する画像形成ジョブの実行期間内において画像形成と並行して画像調整を実行する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月22日(2008.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示される標識に応じた形状の標識用電極および前記標識用電極と接続された配線用電極から成る第１の電極が形成された基板を含む一対の基板を、前記第１の電極が形成された電極形成面が他方の基板面に対向するように配置し、その一対の基板間に高分子分散型液晶を挟持するように設けた表示装置において、
前記電極形成面の、前記標識用電極が形成された領域を除く残余の領域に形成された電気的絶縁層と、
前記電気的絶縁層の上に形成された第２の電極とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の表示装置において、
前記電気的絶縁層の厚さは、前記第１の電極の厚さよりも厚いことを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載の表示装置において、
前記第２の電極は前記標識用電極と接触しないことを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の表示装置において、
前記第２の電極は、前記残余の領域に対応した領域に形成されることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の表示装置において、
前記高分子分散型液晶は、液晶を含む屈折率異方性領域と屈折率等方性領域とを連続して配置した回折表示部と、屈折率異方性領域から成る非表示部とを有するポリマー分散型液晶であって、
前記回折表示部は前記標識用電極に対応する位置に設けられ、前記非表示部は前記第２の透明電極と対応する位置に設けられることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の表示装置において、
前記電極を、透明導電膜で形成したことを特徴とする表示装置。
【請求項７】
ファインダスクリーンの近傍に配置された請求項１〜６のいずれか一項に記載の表示装置と、
前記表示装置に照明光を入射する照明手段と、
前記回折表示部で回折された前記照明光を、ファインダ内表示光としてファインダ接眼部へと導くファインダ光学系とを備えたことを特徴とするカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項１の発明は、表示される標識に応じた形状の標識用電極および標識用電極と接続された配線用電極から成る第１の電極が形成された基板を含む一対の基板を、第１の電極が形成された電極形成面が他方の基板面に対向するように配置し、その一対の基板間に高分子分散型液晶を挟持するように設けた表示装置に適用され、電極形成面の、標識用電極が形成された領域を除く残余の領域に形成された電気的絶縁層と、電気的絶縁層の上に形成された第２の電極とを有することを特徴とする。
請求項２の発明は、請求項１に記載の表示装置において、電気的絶縁層の厚さは、第１の電極の厚さよりも厚いことを特徴とする。
請求項３の発明は、請求項２に記載の表示装置において、第２の電極は標識用電極と接触しないことを特徴とする。
請求項４の発明は、請求項１〜３のいずれか一項に記載の表示装置において、第２の電極は、残余の領域に対応した領域に形成されることを特徴とする。
請求項５の発明は、請求項１〜４のいずれか一項に記載の表示装置において、高分子分散型液晶は、液晶を含む屈折率異方性領域と屈折率等方性領域とを連続して配置した回折表示部と、屈折率異方性領域から成る非表示部とを有するポリマー分散型液晶であって、回折表示部は標識用電極に対応する位置に設けられ、非表示部は第２の透明電極と対応する位置に設けられるものである。
請求項６の発明は、請求項１〜５のいずれか一項に記載の表示装置において、電極を、透明導電膜で形成したものである。
請求項７の発明によるカメラは、ファインダスクリーンの近傍に配置された請求項１〜６のいずれか一項に記載の表示装置と、表示装置に照明光を入射する照明手段と、回折表示部で回折された照明光を、ファインダ内表示光としてファインダ接眼部へと導くファインダ光学系とを備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月4日(2008.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
以下に、これらについて本発明の実施の形態に基づいて、更に詳細に説明する。
まず、本実施の形態の光学素子である、複数の段に積層させた構成について、従来例と比較し説明する。
上記特許文献１において、光学素子の一部に、図９（ａ）に示すような、基板１１０１上の面内方向に、誘電体と空気層が交互に並んだ周期構造１１００の形状が記載されている。ピッチが１６０ｎｍと小さく、更にスペース幅は３２ｎｍと非常に小さい。
しかも、高さは９００ｎｍと、アスペクト比が非常に高い構成となっている。
これに対して、本実施の形態では光学素子の構成を、上記従来例の構造に代えて、アスペクト比が上記よりも小さい周期構造体を、多段に重ねた構成とした。
図１に、本実施の形態における光学素子の構造を示す。
図１に示されるように、本実施の形態の光学素子では、断面形状において垂直性が良い微細構造が作製できる厚さに分割された段を、複数積層することによって形成された構成とされている。
図１に示されるように、本実施の形態の構造では５つの段より光学素子が形成されている。図１において、１０１は基板、１００は高屈折率材料による微細パターン構造である。
また、図１において、矢印で示された１０３は周期ベクトルを示している。
ここで、周期構造の並進対称性に相当するベクトル群の中で、絶対値最小のものを周期ベクトルと呼ぶこととする。
本実施の形態では、複数の段における周期構造体は、周期ベクトルが同一であれば、それぞれの構造体の並進位置間に相関関係を有さずに積層されていてもよい。
上下の段において、ラインの長手方向が平行であれば、スペース位置は図１のように一致していなくても良い。つまり、上下の段において、周期ベクトルが同一であればよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
（２）２段め以降のパターンを、つぎのようにして作製する。
２段目のパターンを、１段目の上に形成する。
ここで、スペース幅はＳ、ライン幅はＬ、ピッチはＰ、パターン高さはＴ２となるようにする（図２（ｂ））。
パターン高さＴ２においては、微小スペースの断面形状が垂直性良く加工できる膜厚となるよう、最終的なデバイス高さＴよりも低く作製する（Ｔ２＜Ｔ）。
プロセスの条件だしなど、作業の効率化の点から、Ｔ２はＴ１と同じにするとスループットの向上となる。
ここで、上述のように、スペース幅が一致しており、周期ベクトルの大きさ（＝Ｐ＝Ｌ＋Ｓ）と向きが同じであれば、１段目と２段目のスペース位置が一致していなくても良い。
つまり、１段目と２段目とのアライメントが簡便となる。なお、設定の詳細については、後の実施例において説明する。
Ｔ＜Ｔ１＋Ｔ２の場合は、
Ｔ＝Ｔ１＋Ｔ２＋・・・＋Ｔｎ
となるようにする。
すなわち、ｎ番目の段を（ｎ−１）番目の段の上に積層することを、最終的なデバイス高さＴとなるまで繰り返す（図２（ｃ））。
その際、上述したように、その並進位置については各段の位置合わせを行うことなく積層してもよい。
これにより、図２（ｃ）のように、微細スペース位置が図の上下方向に揃っていなくても、透過率や位相差の光学的性質は殆ど変わらないが、作製の方法は非常に簡便とすることができる。
積層させる方法としては、１段目を作製した後、その上に２段目以降を順次積層して加工を行う方法、あるいは２段目以降を１段目の基板とは異なる基板に作製し、順次はりあわせていく、等の方法がある。
積層方法は、ドライエッチング、リフトオフ等のパターン加工方法に応じて選択する。
ここで、積層構造を作製する際に、下の段のスペースによってその上段の構造の作製が難しくなる場合には、各段の間に周期構造を有さず、使用光を透過する材質のスペーサ層を挿入してもよい。その際、スペーサ層の厚さを、使用光の波長よりも薄い厚さとしてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
［実施例２］
実施例２では、本発明を適用した光学素子の一部の構造と、その作製方法について、更にそれを含む光学素子と作製方法について説明する。
なお、本実施例で作製する光学素子は、可視領域でλ／４板として機能するよう設計されている。
従来例の図１０に示すような、素子Ａと素子Ｂを対向させて配置して構成した光学素子を作製するに際し、その素子Ａを作製する場合にプロセス条件の最適化に非常に手間がかかる。
そのため、本実施例では上記従来例の構成に代え、素子Ａを５回に分けて作製、積層する方法を用いた。
なお、図１０において、素子Ａは前述した図９（ａ）に示されている光学素子に対応するものであり、また、素子Ｂは前述した図９（ｂ）に示されている光学素子に対応するものである。
これらの素子Ａと素子Ｂにおいて、第１の方向に周期を有する素子Ａを構成する周期構造体に対し、それと直交する第２の方向に周期を有する素子Ｂを構成する周期構造体が対向して配置されている。
この従来例においては、これら高屈折材料１００による光素子Ａと素子Ｂ同士が接するよう対向させて構成されている。
この従来例においては、ピッチ１６０ｎｍ、スペース幅３２ｎｍ（ライン幅１２８ｎｍ）、高さ９００ｎｍの五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）による微細構造２００を有している。
そのため、スペース幅が非常に狭く、それに対して高さが高いため、上記パターンを一度に作製することは非常に難しい。
これに対して、本実施例では高さ１８０ｎｍずつ五段階に分けて作製、積層する方法により、作製の容易化が図られている。
本実施例では、露光方法、レジストプロセスとして、近接場マスク露光法と３層レジスト法、リフトオフ法、等が用いられる。
しかしながら、本発明はこれらに限定されるものではなく、同様の構造が作製できるものであれば、他のプロセスでもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月4日(2008.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
該キャリアは、キャリアコアと、キャリアコアの表面をコートしているコート樹脂からなり、該キャリアコアは磁性体、または、樹脂及び磁性体を含有することを特徴とする請求項１に記載の補給用現像剤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
該キャリアが、多孔質磁性体にコート樹脂が含浸された樹脂含浸キャリアであることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の補給用現像剤。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
該現像装置において、
二つの現像剤担持体の最近接距離が１５μｍ以上３０００μｍ以下であり、かつ、
二つの現像剤担持体の間で、現像剤の受渡しが行われること
を特徴とする請求項９に記載の現像装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
該現像装置において、
二つの現像剤担持体のうち、現像剤の受渡し上流側の現像剤担持体に現像剤層厚規制部材を有し、かつ、
現像剤層厚規制部材と上流側の現像剤担持体の間の最近接距離が１００μｍ以上３０００μｍ以下であること
を特徴とする請求項９または１０に記載の現像装置。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記の目的は、下記の本発明の構成により達成することができる。
（１）像担持体の回転方向に二つの現像剤担持体と現像剤担持体上に現像剤層を形成するための現像剤層厚規制部材とを少なくとも有する現像装置を用い、トナーとキャリアとを少なくとも含有する補給用現像剤を現像装置に補給しながら現像し、現像装置内部で過剰になったキャリアを必要に応じて現像装置から排出する二成分現像方法に使用するための補給用現像剤であって、該補給用現像剤は、キャリア１質量部に対して、少なくとも結着樹脂及び着色剤を含有するトナーを２質量部以上５０質量部以下の配合割合で含有し、該キャリアの体積分布基準の５０％粒径（Ｄ５０）が１５μｍ以上７０μｍ以下であり、該キャリアの真比重が２．５ｇ／ｃｍ３以上４．２ｇ／ｃｍ３以下であり、１０００／４π（ｋＡ／ｍ）の磁界下における、該キャリアの磁化の強さが４０Ａｍ２／ｋｇ以上７０Ａｍ２／ｋｇ以下であることを特徴とする補給用現像剤。
（２）該キャリアは、キャリアコアと、キャリアコアの表面をコートしているコート樹脂からなり、該キャリアコアは磁性体、または、樹脂及び磁性体を含有することを特徴とする（１）に記載の補給用現像剤。
（３）該キャリアコアが、磁性体が分散されている磁性体含有樹脂キャリアコアであることを特徴とする（２）に記載の補給用現像剤。
（４）該キャリアが、多孔質磁性体にコート樹脂が含浸された樹脂含浸キャリアであることを特徴とする（１）〜（３）の何れか一つに記載の補給用現像剤。 
（５）１０００／４π（ｋＡ／ｍ）の磁界下における、該キャリアの磁化と現像剤層厚規制部材に最も近接している現像剤担持体の磁極の磁束密度の積が３０００ｍＴ・Ａｍ２／ｋｇ以上１１２００ｍＴ・Ａｍ２／ｋｇ以下であることを特徴とする（１）〜（４）の何れか一つに記載の補給用現像剤。
（６）該現像装置内の二成分系現像剤の比重の該補給用現像剤の比重に対する比（該現像装置内の二成分系現像剤の比重／補給用現像剤の比重）が１．５以上３．０以下の範囲であることを特徴とする（１）〜（５）の何れか一つに記載の補給用現像剤。
（７）現像剤担持体の回転速度が２５０ｍｍ／ｓｅｃ以上である時の該二成分現像方法に使用する（１）〜（６）の何れか一つに記載の補給用現像剤。
（８）像担持体の回転方向に二つの現像剤担持体と現像剤担持体上に現像剤層を形成するための現像剤層厚規制部材とを少なくとも有する現像装置を用い、トナーとキャリアとを少なくとも含有する補給用現像剤を現像装置に補給しながら現像し、現像装置内部で過剰になったキャリアを必要に応じて現像装置から排出する二成分現像方法であって、（１）〜（７）の何れか一つに記載の補給用現像剤を用いた画像形成方法。
（９）像担持体の回転方向に二つの現像剤担持体と現像剤担持体上に現像剤層を形成するための現像剤層厚規制部材とを少なくとも有する現像装置であって、トナーとキャリアとを少なくとも含有する補給用現像剤を現像装置に補給しながら現像し、現像装置内部で過剰になったキャリアを必要に応じて現像装置から排出する手段を有する現像装置であり、（８）に記載の画像形成方法に用いられる現像装置。
（１０）該現像装置において、二つの現像剤担持体の最近接距離が１５μｍ以上３０００
μｍ以下であり、かつ、二つの現像剤担持体の間で、現像剤の受渡しが行われることを特徴とする（９）に記載の現像装置。
（１１）該現像装置において、二つの現像剤担持体のうち、現像剤の受渡し上流側の現像剤担持体に現像剤層厚規制部材を有し、かつ、現像剤層厚規制部材と上流側の現像剤担持体の間の最近接距離が１００μｍ以上３０００μｍ以下であることを特徴とする（９）または（１０）に記載の現像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月8日(2008.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の偏光主軸を有する偏光子と、
信号光の偏光状態を制御する第１の偏波制御器と、
制御光の偏光状態を制御する第２の偏波制御器と、
第１および第２の制御回路と、
上記第１の偏波制御器から出力される信号光、および、上記第２の偏波制御器から出力される制御光パルスが入力される非線形光学媒質、を有し、
上記第１の制御回路は上記偏光子から出力される制御光パルスおよび信号光の成分を含む光パワーを光電変換によりモニタし、上記第２の制御回路はフィルタを用いてこの光パワーモニタに含まれる制御光のパルス成分をモニタし、上記第１および第２の制御回路は上記モニタ結果に基づき上記光パワーが最適になるように上記第１の偏波制御器から出力される信号光および第２の偏波制御器から出力される制御光パルスの偏光状態をそれぞれ制御することによって、
上記非線形光学媒質において上記制御光パルスと時間的に重複する領域の信号光は、その制御光パルスによりほぼその制御光パルスの偏光方向に偏光方向が変化されるとともに光パラメトリック増幅されて出力され、
上記非線形光学媒質において上記制御光パルスと時間的に重複しない領域の信号光は、上記偏光子の偏光主軸と直交する偏光方向で出力され、
上記偏光子は、上記非線形光学媒質の出力光のうち当該偏光子の偏光主軸と同じ偏光成分を通過させる、
ことを特徴とする光スイッチ。
【請求項２】
請求項１記載の光スイッチにおいて、
上記信号光は、周波数変調または位相変調されていることを特徴とする光スイッチ。
【請求項３】
請求項１記載の光スイッチにおいて、
上記非線形光学媒質は、単一モード光ファイバであることを特徴とする光スイッチ。
【請求項４】
請求項１記載の光スイッチであって、
上記信号光と異なる波長を有する制御光で上記制御光パルスを生成して上記非線形光学媒質に供給する光パルス生成手段をさらに有する
ことを特徴とする光スイッチ。
【請求項５】
所定の偏光主軸を有する偏光子と、
信号光の偏光状態を制御する第１の偏波制御器と、
制御光の偏光状態を制御する第２の偏波制御器と、
第１および第２の制御回路と、
上記第１の偏波制御器から出力される信号光、および、上記第２の偏波制御器から出力される制御光パルスが入力される非線形光学媒質、を有し、
上記制御光パルスの繰り返し周波数は、上記信号光により伝播される信号のビットレートの周波数と異なっており、
上記第１の制御回路は上記偏光子から出力される制御光パルスおよび信号光の成分を含む光パワーを光電変換によりモニタし、上記第２の制御回路はフィルタを用いてこの光パワーモニタに含まれる制御光のパルス成分をモニタし、上記第１および第２の制御回路は上記モニタ結果に基づき上記光パワーが最適になるように上記第１の偏波制御器から出力される信号光および第２の偏波制御器から出力される制御光パルスの偏光状態をそれぞれ制御することによって、
上記非線形光学媒質において上記制御光パルスと時間的に重複する領域の信号光は、その制御光パルスによりほぼその制御光パルスの偏光方向に偏光方向が変化されるとともに光パラメトリック増幅されて出力され、
上記非線形光学媒質において上記制御光パルスと時間的に重複しない領域の信号光は、上記偏光子の偏光主軸と直交する偏光方向で出力され、
上記偏光子は、上記非線形光学媒質の出力光のうち当該偏光子の偏光主軸と同じ偏光成分を通過させるものであり、
上記偏光子の出力を電気信号に変換する受光器と、
上記電気信号を時間方向にトレースすることにより上記信号光の波形をモニタするモニタ手段、をさらに有する、
ことを特徴とする光波形モニタ装置。
【請求項６】
請求項５記載の光波形モニタ装置において、
上記信号光は、周波数変調または位相変調されていることを特徴とする光波形モニタ装置。
【請求項７】
請求項５記載の光波形モニタ装置において、
非線形光学媒質は、単一モード光ファイバであることを特徴とする光波形モニタ装置。
【請求項８】
請求項５記載の光波形モニタ装置であって、
上記信号光と異なる波長を有する制御光で上記制御光パルスを生成して上記非線形光学媒質に供給する光パルス生成手段をさらに有する
ことを特徴とする光波形モニタ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月25日(2008.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この発明による光学情報読取装置モジュールは上記の目的を達成するため、次のように構成する。
読取対象とするコード記号が存在する領域に光を照射する照射部と、そのコード記号の画像を撮像するイメージセンサと、そのイメージセンサによって撮像して光電変換された画像信号を増幅する増幅回路と増幅された画像信号をＡ／Ｄ変換してデジタル信号を出力するＡ／Ｄ変換器とを有する信号処理部とを備えた撮像デバイスと、
その撮像デバイスから出力されるデジタル信号の情報をデコードするデコーダを設けたデコード基板と、
電源ユニット、表示器及び通信インタフェースを含む周辺機器を搭載した周辺機器基板とを有する。
そして、上記デコード基板を上記撮像デバイスの底面に電気的に接続して配設し、上記撮像デバイスの底面と反対側の面に上記周辺機器基板を電気的に接続して配設し、その周辺機器基板は上記撮像デバイスの側方に張り出して延び、その周辺機器基板の撮像デバイスに取り付けられた面側の該撮像デバイスの側方に、追加部品を搭載できる空間部を設けたものである。
この場合、上記撮像デバイスの底面と反対側の面は上記周辺機器基板の全面の半分以下の面積を占めるようにするのが望ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
これらの光学情報読取装置モジュールにおいて、上記周辺機器基板に搭載される通信インタフェースを、短距離無線通信インタフェースにすることができる。
また、この発明による光学情報読取装置は、上記光学情報読取装置モジュールを、少なくとも１面に光透過窓を設けた筐体中に設置し、上記撮像デバイスあるいはレーザ走査デバイスの光通路が上記光透過窓に面するようにしたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
そして、デコード基板１２０を撮像デバイス１１０の底面（図１では下面、図２では上面）に図示していないコネクタによって直接電気的に接続して配設し、撮像デバイス１１０の底面と反対側の面（図１では上面、図２では下面）に周辺機器基板１３０を図示していないコネクタによって直接電気的に接続して配設している。この周辺機器基板１３０と撮像デバイス１１０とはねじ１５１，１５２によって一体に固着される。
この周辺機器基板１３０は撮像デバイス１１０の側方に張り出して延び、周辺機器基板１３０の撮像デバイス１１０に取り付けられた面（図１では下面）側の撮像デバイス１１０の側方に、追加部品を搭載できる空間部１４０を設けている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
図３は、上述したこの発明による光学情報読取装置モジュールのブロック構成図である。
上述したように、この光学情報読取装置モジュール１０は、撮像デバイス１１０、デコード基板１２０、および周辺機器基板１３０を備えている。
撮像デバイス１１０は、読取対象とするコード記号が存在する領域に光を照射する照射部１１１と、コード記号画像を撮像するイメージセンサ１１２と、信号処理部１１３とを備えている。その信号処理部１１３は、イメージセンサ１１２によって撮像した画像の電気信号を増幅する増幅回路１１４と、その増幅回路１１４によって増幅された電気信号をＡ／Ｄ変換してデジタル信号を出力するＡ／Ｄ変換器１１５とを有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
このレーザ走査デバイス１７０によって、例えば黒バー及び白バーから構成されるバーコード記号を読み取る。その場合、光源１７１から発射されるレーザ光は走査・集光用光学系１７２の走査ミラーによって反射されてバーコード記号に向かう。バーコード記号では、黒バー及び白バーによって反射率が異なるので反射光量が異なる。そのバーコード記号から反射された光は再び走査ミラーに入射して反射される。その反射光は集光ミラー又は集光レンズによって集光され、その殆ど全ての光が受光ユニット１７３に受光される。
受光ユニット１７３では、受光素子が受光する光の強度に応じた電気信号を出力する。その電気信号を、信号処理部１７４の増幅回路１７５で増幅し、Ａ／Ｄ変換器１７６によってデジタル信号に変換して、デコード基板１２０のデコーダへ送る。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
〔実際の業務への適用例〕
この発明による光学情報読取装置を実際の業務に使用する場合について説明する。
例えば、内包された物品の情報を示す二次元コードなどのコード記号が添付された小包がコンベア上を搬送される際に、そのコード記号を読み取るのに使用される。
この場合、作業者が狭いスペースで光学情報読取装置（スキャナ）で小包に添付されたコード記号を読み取って検品等の作業をするので、光学情報読取装置が作業の邪魔になることがあってはならない。そのため、この発明による光学情報読取装置のような小型なものが必要である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2007133448.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月29日(2008.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８７】
ステップＳ５０２では、プロビジョニングプログラム５４２は、管理者からの論理ボリューム作成の指示を受け取る。具体的には、管理者は、管理サーバ５００を操作して、プロビジョニングプログラム５４２に論理ボリュームの作成を指示する。この際、プロビジョニングプログラム５４２は、管理者から、作成されるべき論理ボリュームの条件を受け取る。論理ボリューム条件としては、サイズや、ＲＡＩＤレベルなどが挙げられる。例えば、論理ボリューム条件として、５０Ｇバイト，ＲＡＩＤレベル５などが指定される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２４１】
ステップＳ６５８では、入出力制御プログラム２４２Ｄは、他のストレージ装置２００Ｄの入出力制御プログラム２４２Ｄに、他のストレージ装置に属する対象論理ボリュームに対するデータの読み出し処理の実行を依頼する。このとき、他のストレージ装置の入出力制御プログラム２４２Ｄは、対象論理ボリュームに対する読み出し処理を実行する。この際、他のストレージ装置２００ＤのＲＡＩＤグループ制御プログラム２２２によって、図８の処理が実行される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
2007133478.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２３】
2007133478.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月15日(2008.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
請求項２において、
上記電圧安定化回路は、複数のダイオードを有することを特徴とする半導体集積回路装置。