【手続補正書】
【提出日】平成20年3月11日(2008.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  シリコン系薄膜からなる半導体接合を有する半導体素子において、
前記シリコン系薄膜の少なくともひとつが微結晶を含んでおり、前記微結晶を含んだシリコン系薄膜の少なくとも一方の界面領域の微結晶が、無配向性であることを特徴とする半導体素子。
【請求項２】  前記半導体素子が、基板上にシリコン原子を主成分とした第一の導電型を示す半導体層、ｉ型半導体層、第二の導電型を示す半導体層が順次積層されたｐｉｎ型の半導体接合を少なくとも１組含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項３】  前記微結晶を含むシリコン系薄膜と、前記シリコン系薄膜に対して光入射側に配置されている導電形を示す半導体層との間に、非晶質シリコン層を配置したことを特徴とする請求項２に記載の半導体素子。
【請求項４】  前記非晶質シリコン層の膜厚が３０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項３に記載の半導体素子。
【請求項５】  前記少なくとも一方の界面領域の微結晶が無配向性である前記微結晶を含むシリコン系薄膜の微結晶において、無配向領域以外の微結晶のエックス線または電子線による（２２０）面の回折強度の全回折強度に対する割合が、前記シリコン系薄膜の膜厚方向で変化していることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体素子。
【請求項６】  前記界面領域の微結晶の配向性が、エックス線または電子線による回折強度が、低角側から３つの各回折面（１１１）、（２２０）、（３１１）の回折強度が、（１１１）面の回折強度を１としたときの（２２０）の回折強度が０．５０以上０．６０以下かつ、（３１１）の回折強度が０．２５以上０．３５以下の範囲にあることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体素子
【請求項７】  前記微結晶の配向性の変化が、前記微結晶を含むシリコン系薄膜における、前記微結晶のエックス線または電子線による（２２０）面の回折強度の全回折強度に対する割合が、成膜初期において相対的に小さいことを特徴とする請求項５に記載の半導体素子。
【請求項８】  前記微結晶の配向性の変化が連続的であることを特徴とする請求項７に記載の半導体素子。
【請求項９】  前記微結晶を含むシリコン系薄膜が、前記微結晶のエックス線または電子線による（２２０）面の回折強度の全回折強度に対する割合が８０％以上である領域を含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体素子。
【請求項１０】  前記微結晶を含むシリコン系薄膜中で、（１１０）面の優先配向をしている微結晶が、前記基板に対して鉛直方向に伸びた柱状の形状をしていることを特徴とする請求項５に記載の半導体素子。
【請求項１１】  前記界面領域の微結晶が概球状の形状をしていることを特徴とする請求項５に記載の半導体素子。
【請求項１２】  前記界面領域の厚さが１．０ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１１に記載の半導体素子。
【請求項１３】  前記微結晶を含むシリコン系薄膜が、酸素原子、炭素原子、窒素原子の少なくともひとつを含み、それらの総量が１．５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上５．０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする請求項５に記載の半導体素子。
【請求項１４】  前記微結晶を含むシリコン系薄膜が、１．０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上２．５×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下のフッ素原子を含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体素子。
【請求項１５】  微結晶を含んだシリコン系薄膜の形成方法であって、前記微結晶を含んだシリコン系薄膜の少なくとも一方の界面領域の微結晶が無配向であることを特徴とするシリコン系薄膜の形成方法。
【請求項１６】  前記少なくとも一方の界面領域の微結晶が無配向性である前記微結晶を含むシリコン系薄膜の微結晶のうち、無配向領域以外の微結晶のエックス線または電子線による（２２０）面の回折強度の全回折強度に対する割合が、前記シリコン系薄膜の膜厚方向で変化していることを特徴とする請求項１５に記載のシリコン系薄膜の形成方法。
【請求項１７】  前記界面領域の微結晶の配向性が、エックス線または電子線による回折強度が、低角側から３つの各回折面（１１１）、（２２０）、（３１１）の回折強度が、（１１１）面の回折強度を１としたときの（２２０）の回折強度が０．５０以上０．６０以下かつ、（３１１）の回折強度が０．２５以上０．３５以下の範囲にあることを特徴とする請求項１５に記載のシリコン系薄膜の形成方法。
【請求項１８】  前記微結晶の配向性の変化が、前記微結晶を含むシリコン系薄膜における、前記微結晶のエックス線または電子線による（２２０）面の回折強度の全回折強度に対する割合が、成膜初期において相対的に小さいことを特徴とする請求項１６に記載のシリコン系薄膜の形成方法。
【請求項１９】  前記微結晶の配向性の変化が連続的であることを特徴とする請求項１８に記載のシリコン系薄膜の形成方法。
【請求項２０】  前記微結晶を含むシリコン系薄膜が、前記微結晶のエックス線または電子線による（２２０）面の回折強度の全回折強度に対する割合が８０％以上である領域を含むことを特徴とする請求項１６に記載のシリコン系薄膜の形成方法。
【請求項２１】  前記微結晶を含むシリコン系薄膜中で、（１１０）面の優先配向をしている微結晶が、前記基板に対して鉛直方向に伸びた柱状の形状をしていることを特徴とする請求項１６に記載のシリコン系薄膜の形成方法。
【請求項２２】  前記界面領域の微結晶が概球状の形状をしていることを特徴とする請求項１６に記載のシリコン系薄膜の形成方法。
【請求項２３】  前記界面領域の厚さが１．０ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項２２に記載のシリコン系薄膜の形成方法。
【請求項２４】  前記微結晶を含むシリコン系薄膜が、酸素原子、炭素原子、窒素原子の少なくともひとつを含み、それらの総量が１．５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上５．０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする請求項１６に記載のシリコン系薄膜の形成方法。
【請求項２５】  前記微結晶を含むシリコン系薄膜が、１．０×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上２．５×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下のフッ素原子を含むことを特徴とする請求項１６に記載のシリコン系薄膜の形成方法。
【請求項２６】  前記微結晶を含むシリコン系薄膜が、真空容器内に水素化シリコン、フッ素化シリコンガスの少なくとも一方と、水素を含む原料ガスを導入し、前記真空容器内の高周波導入部に高周波を導入して、前記真空容器内に導入した基板上に前記シリコン系薄膜を形成する高周波プラズマＣＶＤ法によって行なわれたものであることを特徴とする請求項１６に記載のシリコン系薄膜の形成方法。
【請求項２７】  前記微結晶を含むシリコン系薄膜を形成する過程で、前記原料ガス中のガス流量の比率を変化させることを特徴とする請求項２６に記載のシリコン系薄膜の形成方法。
【請求項２８】  前記原料ガスを前記真空容器内に複数のガス導入部を用いて導入し、前記複数のガス導入部のうち少なくともひとつは他とは異なったガス流量比の原料ガスを流していることを特徴とする請求項２６に記載のシリコン系薄膜の形成方法。
【請求項２９】  前記高周波の周波数が１０ＭＨｚ以上１０ＧＨｚ以下であることを特徴とする請求項２６に記載のシリコン系薄膜の形成方法。
【請求項３０】  前記高周波の周波数が２０ＭＨｚ以上３００ＭＨｚ以下であることを特徴とする請求項２９に記載のシリコン系薄膜の形成方法。
【請求項３１】  前記高周波導入部と前記基板との距離が３ｍｍ以上３０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項２６に記載のシリコン系薄膜の形成方法。
【請求項３２】  前記微結晶を含むシリコン系薄膜を形成する際の圧力が１００Ｐａ（０．７５Ｔｏｒｒ）以上５０００Ｐａ（３７．５Ｔｏｒｒ）以下であることを特徴とする請求項２６に記載のシリコン系薄膜の形成方法。
【請求項３３】  前記微結晶を含むシリコン系薄膜を形成する際の前記原料ガスの滞留時間が、０．０１秒以上１０秒以下であることを特徴とする請求項２６に記載のシリコン系薄膜の形成方法。
【請求項３４】  前記微結晶を含むシリコン系薄膜を形成する際の前記原料ガスの滞留時間が、０．１秒以上３秒以下であることを特徴とする請求項３３に記載のシリコン系薄膜の形成方法。
【請求項３５】  前記微結晶を含むシリコン系薄膜を形成する際の前記基板の加熱手段が、前記基板に対して前記微結晶を含むシリコン系薄膜の形成面とは反対側に配置され、前記加熱手段の出力を前記微結晶を含むシリコン系薄膜の形成とともに低下させながら形成することを特徴とする請求項２６に記載のシリコン系薄膜の形成方法。