Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月14日(2008.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾性層を有する転写ベルトと、
前記転写ベルトを巻き掛けるローラと、
前記転写ベルトを挟んで前記ローラと接触するクリーニングブレードと、を有し、
前記ローラの垂直断面を見たときに、前記ローラ中心及び前記転写ベルトと前記クリーニングブレードの接触部を通る第１仮想線、前記第１仮想線に対して垂直で且つ前記接触部を通る第２仮想線としたときの前記第２仮想線と前記クリーニングブレードの前記転写ベルトの当接面とがなす角θと、
前記転写ベルトに前記クリーニングブレードが当接することにより前記弾性層の弾性変形で生じる変形部の前記クリーニングブレードの対向面と、前記第２仮想線とがなす角αが、
α＞θ
の関係を有することを特徴とする転写装置。
【請求項２】
前記弾性層は、厚さ１００〜６００μｍのゴム材である請求項１に記載の転写装置。
【請求項３】
前記弾性層は、ポリウレタンゴム、シリコンゴム、ＮＢＲのいずれかである請求項１または２に記載の転写装置。
【請求項４】
前記弾性層は、厚さ３〜５μｍのフッ素樹脂、もしくはナイロン樹脂の被覆層を有する請求項１ないし３のいずれか１項に記載の転写装置。
【請求項５】
前記ローラに前記転写ベルトを介して当接して、バイアスを印加するバイアス印加手段を有し、前記バイアス印加手段でバイアス印加された転写ベルトに前記クリーニングブレードが当接する請求項１ないし４のいずれか１項に記載の転写装置。
【請求項６】
像担持体と、
前記像担持体に潜像を形成する露光部と、
前記露光部で形成された潜像を現像する現像部と、
前記現像部で現像された像が転写されるとともに、ローラで巻き掛けられた転写ベルト
と、
前記転写ベルトに前記像担持体の前記像を転写させる一次転写部と、
前記転写ベルトに転写された前記像を記録媒体に転写する二次転写部と、
前記二次転写部で記録媒体に前記像が転写された前記転写ベルトを挟んで前記ローラと接触するクリーニングブレードと、を有し、
前記ローラの垂直断面を見たときに、前記ローラ中心及び前記転写ベルトと前記クリーニングブレードの接触部を通る第１仮想線、前記第１仮想線に対して垂直で前記接触部を通る第２仮想線としたときの、前記第２仮想線と前記クリーニングブレードの前記転写ベルトの当接面とがなす角θと、
前記転写ベルトに前記クリーニングブレードが当接することにより前記弾性層の弾性変形で生じる変形部の前記クリーニングブレードの対向面と前記第２仮想線とがなす角αが、
α＞θ
の関係を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項７】
前記ローラに前記転写ベルトを挟んで当接して、バイアスを印加するバイアス印加手段を有し、前記バイアス印加手段でバイアス印加された転写ベルトに前記クリーニングブレードが当接する請求項６に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】転写装置および画像形成装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
そのために本発明に係る転写装置は、前記転写ベルトを巻き掛けるローラと、前記転写ベルトを挟んで前記ローラと接触するクリーニングブレードと、を有し、  前記ローラの垂直断面を見たときに、前記ローラ中心及び前記転写ベルトと前記クリーニングブレードの接触部を通る第１仮想線、前記第１仮想線に対して垂直で且つ前記接触部を通る第２仮想線としたときの前記第２仮想線と前記クリーニングブレードの前記転写ベルトの当接面とがなす角θと、前記転写ベルトに前記クリーニングブレードが当接することにより前記弾性層の弾性変形で生じる変形部の前記クリーニングブレードの対向面と、前記第２仮想線とがなす角αが、
α＞θ
の関係を有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、本発明に係る画像形成装置は、像担持体と、前記像担持体に潜像を形成する露光
部と、前記露光部で形成された潜像を現像する現像部と、前記現像部で現像された像が転写されるとともに、ローラで巻き掛けられた転写ベルトと、前記転写ベルトに前記像担持体の前記像を転写させる一次転写部と、前記転写ベルトに転写された前記像を記録媒体に転写する二次転写部と、前記二次転写部で記録媒体に前記像が転写された前記転写ベルトを挟んで前記ローラと接触するクリーニングブレードと、を有し、前記ローラの垂直断面を見たときに、前記ローラ中心及び前記転写ベルトと前記クリーニングブレードの接触部を通る第１仮想線、前記第１仮想線に対して垂直で前記接触部を通る第２仮想線としたときの、前記第２仮想線と前記クリーニングブレードの前記転写ベルトの当接面とがなす角θと、前記転写ベルトに前記クリーニングブレードが当接することにより前記弾性層の弾性変形で生じる変形部の前記クリーニングブレードの対向面と前記第２仮想線とがなす角αが、
α＞θ
の関係を有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
クリーニングブレード７２の突端が弾性ローラ７１に押圧摺接した押圧摺接点における弾性ローラ７１の母線（回転軸を通る中心線：第１仮想線）φに垂直な垂直線（弾性ローラ７１の押圧摺接点における移動方向、外周の接線と平行となる線：第２仮想線）νに対してクリーニングブレード７２の接触面が成す角度をθとし、前記垂直線νに対して弾性ローラ７１にクリーニングブレード７２が押圧摺接して弾性体７１ｂを弾性変形させ前記押圧摺接点から弾性体７１ｂの移動方向上流側に形成される立ち上がり形状の成す角度をαとすると、弾性ローラ７１の弾性体硬度の柔らかさに比例して角度αは大きくなり、逆に硬さに比例して角度αは小さく、弾性ローラ７１が剛体ローラの場合には、α＝０°になる。このように弾性ローラ７１の弾性体硬度の柔らかさに比例して上記弾性体７１ｂの弾性変形量が大きくなることにより、上述の弾性ローラ７１表面に担持した現像剤に対する周方向への圧縮及び開放のストレスが大きくなって、トナー粒子の弾性体７１ｂの表面への付着力が低下して弾性体７１ｂの表面から離脱し易くなり、弾性体硬度を低下させると良好なクリーニング機能得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月9日(2008.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固形分とキャリア液とを含む液体現像剤を貯留する液体現像剤貯留部と、
凹部及び凸部を有し、前記液体現像剤貯留部に貯留された前記液体現像剤を担持する現像剤供給部材と、
前記現像剤供給部材から前記液体現像剤が供給される現像剤担持体と、
前記現像剤担持体に当接するとともに、バイアスが印加されるバイアス印可ローラと、
入力された転写材の種類情報に応じて前記バイアス印可ローラの回転数を制御する制御手段と、
を有することを特徴とする現像装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記入力された転写材の種類情報に応じて前記バイアス印可ローラに印可するバイアス値を制御する請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
像担持体と、
固形分とキャリア液とを含む液体現像剤を貯留する液体現像剤貯留部、凹部及び凸部を有し、前記液体現像剤貯留部に貯留された前記液体現像剤を担持する現像剤供給部材、
前記現像剤供給部材から前記液体現像剤が供給される現像剤担持体、及び前記現像剤担持体に当接するとともに、バイアスが印加されるバイアス印可ローラを有する現像部と、
前記像担持体に前記現像部で現像された像が転写される転写体と、
前記転写体に転写された前記像を転写材に転写させる転写部と、
前記転写材の種類を入力する転写材入力手段と、
前記転写材入力手段に入力された前記転写材の種類情報に応じて前記バイアス印可ローラの回転数を制御する制御手段と、
を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項４】
前記転写材入力手段が、第1の紙種を入力されたときに、前記制御手段は第1の回転数で前記バイアス印可ローラを回転させるとともに、
前記転写材入力手段が、コート層を有するコート紙を第2の紙種として入力されたときに、前記制御手段は前記第1の回転数よりも低い第2の回転数で前記バイアス印可ローラを回転させる請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記転写材入力手段が、第1の紙種よりも表面が粗い第3の紙種を入力されたときに、前記第1の制御手段は、第1の回転数よりも高い第3の回転数で前記バイアス印可ローラを回転させる請求項４に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記転写材入力手段に入力された紙種情報に応じて、前記バイアス印可ローラに印可するバイアス値を制御する請求項３ないし５のいずれか1項に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記転写材入力手段が前記第1の紙種が入力されたときには、前記制御手段は第1のバイアス値で前記バイアス印可ローラを印可させるととともに、
前記転写材入力手段が前記第2の紙種が入力されたときには、前記制御手段は第1のバイアス値よりも高い第2のバイアス値で前記バイアス印可ローラを印可させる請求項６に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記転写材入力手段が前記第3の紙種が入力されたときには、前記制御手段は前記第1のバイアス値よりも低い第3のバイアス値で前記バイアス印可ローラを印可させる請求項７に記載の画像形成装置。
【請求項９】
転写材入力手段に転写材の種類が入力される工程、
前記転写材の種類が入力される工程で入力された紙種情報に応じて、現像剤担持体に当接するとともに前記現像剤担持体にバイアスを印可するバイアス印可ローラの回転数を調整する工程、
調整された前記回転数で前記バイアス印可ローラを回転させた状態で現像ローラが像担持体を現像する工程と、
を有することを特徴とする画像形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】現像装置、画像形成装置及び画像形成方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、像担持体上に形成した潜像を液体現像剤用現像ユニットにより現像して像担持体から一次転写部の転写位置で中間転写体に転写し、中間転写体から二次転写部の転写位置で記録媒体に転写する液体現像剤を用いた現像装置、画像形成装置及び画像形成方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は上記課題を解決し、現像剤容器内で現像剤濃度が設定値より高い又は低い場合に関わらず、像担持体と現像ローラとの現像ニップの時点で現像剤濃度を均一にできる現像装置、画像形成装置及び画像形成方法を提供することを目的とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月8日(2008.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記トナー粒子の１４０℃における損失弾性率Ｇ″（１４０℃）が１．０×１０４ｄＮ／ｍ２以上２．０×１０５ｄＮ／ｍ２以下であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のトナーの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記撹拌翼最先端の移動距離（ｄ）が３５００以上２００００（ｍ）以下、総移動距離（Ｄ）が１５０００以上５５０００（ｍ）以下であることを特徴とする請求項７に記載のトナーの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記撹拌翼最先端の移動距離（ｄ）が４５００以上１５０００（ｍ）以下、総移動距離（Ｄ）が２００００以上５００００（ｍ）以下であることを特徴とする請求項７に記載のトナーの製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
平均一次粒子径４以上８０ｎｍ以下の無機微粉体を前記外添剤として、トナー粒子に対
し１．０以上４．０質量部以下添加することを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載のトナーの製造方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２４】
前記トナー粒子の１４０℃における損失弾性率Ｇ″（１４０℃）が１．０×１０４ｄＮ／ｍ２以上２．０×１０５ｄＮ／ｍ２以下であることを特徴とする請求項１９乃至２３のいずれか１項に記載のトナー。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２６】
前記撹拌翼最先端の移動距離（ｄ）が３５００以上２００００（ｍ）以下、総移動距離（Ｄ）が１５０００以上５５０００（ｍ）以下であることを特徴とする請求項２５に記載のトナー。
【手続補正７】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２７】
前記撹拌翼最先端の移動距離（ｄ）が４５００以上１５０００（ｍ）以下、総移動距離（Ｄ）が２００００以上５００００（ｍ）以下であることを特徴とする請求項２５に記載のトナー。
【手続補正８】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３２】
平均一次粒子径４以上８０ｎｍ以下の無機微粉体を前記外添剤として、トナー粒子に対し１．０以上４．０質量部以下含むことを特徴とする請求項１９乃至３１のいずれか１項に記載のトナー。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
すなわち本発明は、着色剤、ワックスおよび結着樹脂を少なくとも含有するトナー粒子
と外添剤とを混合する外添工程を含むトナーの製造方法において、
（１）上記混合工程は、撹拌翼を有する混合手段によってトナー粒子と外添剤とを混合する混合工程と混合を休止する休止工程とを繰り返す単位外添工程を含み、該単位外添工程は下記1）〜３）の条件を満たし、
１）上記混合工程は混合を開始してから休止工程又は上記単位外添工程の次の工程が開始されるまでの工程であり、上記混合工程中の上記撹拌翼最先端の周速が３２．０以上７８．０ｍ／ｓｅｃ以下であり、
２）上記休止工程は混合工程に引き続き行われ、上記撹拌翼最先端を０以上１５．０ｍ／ｓｅｃ以下の周速範囲に減速して１０秒以上その周速範囲に維持する工程であり、
３）上記単位外添工程は、上記混合工程を２回以上含み、かつ上記単位外添工程において新たにトナー粒子および外添剤を添加することなく行われる工程であり、
（２）該トナー粒子は、７０℃における貯蔵弾性率Ｇ′（７０℃）が１．０×１０７以上３．０×１０９ｄＮ／ｍ２以下であり、円相当径（個数基準）が３μｍ以上の粒子における平均円形度が０．９５０以上０．９９５以下であり、
（３）該トナー粒子１００質量部に対して、上記外添剤を０．５以上１０．０質量部以下添加することを特徴とする、トナーの製造方法に関する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
即ち、本発明では、前記混合工程中の撹拌翼最先端の周速を３２．０以上７８．０ｍ／ｓｅｃ以下の範囲とすることにより、撹拌翼からのエネルギーを前述の急激な発熱を伴わない程度のものとすることができる。一方、本発明では、混合工程と休止工程の繰り返しが、トナー粒子と外添剤の間での運動速度差の発現を高頻度で生じさせ、均一化処理が主体に進む工程の時間が長くなることを達成する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４１】
本発明のトナーに含まれる無機微粉体の例としては、シリカ、酸化チタン、アルミナ、またはそれらの複酸化物の中から選ばれる少なくとも一種以上であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月26日(2008.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と第２基板の間に液晶層を挟持し、複数の画素が設けられてなり、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の基板には、前記液晶層の厚さを規定するスペーサ、及びラビング処理が施された配向膜が形成されてなる液晶装置において、
前記スペーサによる配向不良領域が形成され、
前記複数の画素は、
青から緑の色相に対応してなる画素を含み、
前記ラビング不良領域が、前記青から緑の色相に対応してなる画素と平面的に重なる位置となるように前記スペーサが配置されてなることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
反射型表示を行う反射領域と、透過型表示を行う透過領域と、を有し、
前記反射領域に対応する前記液晶層の厚さを、前記透過領域に対応する前記液晶層の厚さより小さく設定する段差形成膜を前記反射領域に備え、
前記スペーサが前記段差形成膜上に形成されてなることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記液晶装置は、ソース線とゲート線と、前記ソース線及び前記ゲート線に接続されたスイッチング素子とを備え、前記青から緑の色相に対応してなる画素は前記スイッチング素子に接続された画素電極を含んでなり、
前記スペーサは、前記ゲート線、前記ソース線、前記画素電極、或いは前記スイッチング素子と平面的に重なる位置に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記配向不良領域に対応する位置に遮光層が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記青から緑の色相に対応してなる画素を区画する遮光層を有し、
前記配向不良領域は前記遮光層と重ならない部分を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記複数の画素は、青系の色相に対応する画素と、赤系の色相に対応する画素と、緑から橙の色相に対応する画素と、を含んでなることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記青から緑の色相に対応してなる画素は、青から緑の色相に対応してなる着色領域を有し、前記前記反射領域に対応して設けられた前記着色領域の光学濃度は、前記透過領域に対応して設けられた前記着色領域の光学濃度よりも薄く設定されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記前記青から緑の色相に対応してなる画素は、青から緑の色相に対応してなる着色領域を有するとともに、反射領域内において前記着色領域を備えていない領域を有することを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
【請求項９】
前記複数の画素のうち前記青から緑の色相に対応してなる画素が透過表示を行う透過領域を、他の画素が透過型表示を行う透過領域及び反射型表示を行う反射領域を、それぞれ有することを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項１０】
前記複数の画素のうち前記青から緑の色相に対応してなる画素の面積が、他の画素の面積より小さく設定されてなることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項１１】
配向不良領域は、前記着色領域を備えていない領域に位置していることを特徴とする請求項８に記載の液晶装置。
【請求項１２】
第１基板と第２基板の間に液晶層を挟持し、複数の画素が設けられてなり、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の基板には、前記液晶層の厚さを規定するスペーサ、及びラビング処理が施された配向膜が形成されてなる液晶装置において、
前記スペーサによる配向不良領域が形成され、
前記複数の画素は、
シアンの色相に対応してなる画素を含み、
前記ラビング不良領域が、前記シアンの色相に対応してなる画素と平面的に重なる位置となるように前記スペーサが配置されてなることを特徴とする液晶装置。
【請求項１３】
反射型表示を行う反射領域と、透過型表示を行う透過領域と、を有し、
前記反射領域に対応する前記液晶層の厚さを、前記透過領域に対応する前記液晶層の厚さより小さく設定する段差形成膜を備え、
前記スペーサが前記段差形成膜上に形成されてなることを特徴とする請求項１２に記載の液晶装置。
【請求項１４】
第１基板と第２基板の間に液晶層を挟持し、複数の画素が設けられてなり、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の基板には、前記液晶層の厚さを規定するスペーサ、及びラビング処理が施された配向膜が形成されてなる液晶装置において、
前記スペーサによる配向不良領域が形成され、
前記複数の画素は、
透過光の波長のピークが４８５〜５３５ｎｍにある画素を含み、
前記ラビング不良領域が、前記透過光の波長のピークが４８５〜５３５ｎｍにある画素と平面的に重なる位置となるように前記スペーサが配置されてなることを特徴とする液晶装置。
【請求項１５】
反射型表示を行う反射領域と、透過型表示を行う透過領域と、を有し、
前記反射領域に対応する前記液晶層の厚さを、前記透過領域に対応する前記液晶層の厚さより小さく設定する段差形成膜を備え、
前記スペーサが前記段差形成膜上に形成されてなることを特徴とする請求項１４に記載の液晶装置。
【請求項１６】
第１基板と第２基板の間に液晶層を挟持し、互いに異なる色相に対応する複数の画素が設けられてなり、前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも一方の基板には、前記液晶層の厚さを規定するスペーサ、及びラビング処理が施された配向膜が形成されてなる液晶装置において、
前記スペーサによる配向不良領域が形成され、
前記複数の画素は、
青系の色相に対応する第１画素と、
赤系の色相に対応する第２画素と、
緑系の色相に対応する第３画素と
青系、赤系および緑系の色相から選ばれる色相と補色の関係にある色相に対応する第４画素と、を含み、
前記ラビング不良領域が、前記第４画素と平面的に重なる位置となるように前記スペーサが配置されてなることを特徴とする液晶装置。
【請求項１７】
請求項１乃至１６のいずれか一項に記載の液晶装置を表示部として備えることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月20日(2008.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧縮機（１３）と水熱交換器（１４）と減圧機構（１５）と空気熱交換器（１６）とを順次接続したヒートポンプユニット（４）を備え、上記水熱交換器（１４）にて構成される熱交換路（１１）に未加熱水を供給してこの未加熱水を加熱する沸上運転を可能とし、上記水熱交換器（１４）から流出して減圧機構（１５）に流入する高圧冷媒と、上記空気熱交換器（１６）から流出した低圧冷媒との熱交換を行なう液ガス熱交換器（２５）を設けたヒートポンプ式給湯装置において、上記ヒートポンプ（４）のファン室（４３）内の空気熱交換器（１１）の下方において上記水熱交換器（１４）の近傍に上記液ガス熱交換器（２５）を配置していることを特徴とするヒートポンプ式給湯装置。
【請求項２】
上記水熱交換器（１４）と液ガス熱交換器（２５）との間には、断熱材（５５）が介設されていることを特徴とする請求項１に記載のヒートポンプ式給湯装置。
【請求項３】
上記液ガス熱交換器（２５）は、折曲形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のヒートポンプ式給湯装置。
【請求項４】
上記液ガス熱交換器（２５）は、上記空気熱交換器（１１）の近傍に配置されていることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載のヒートポンプ式給湯装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
そこで、本発明の請求項１に記載のヒートポンプ式給湯装置では、圧縮機１３と水熱交換器１４と減圧機構１５と空気熱交換器１６とを順次接続したヒートポンプユニット４を備え、上記水熱交換器１４にて構成される熱交換路１１に未加熱水を供給してこの未加熱水を加熱する沸上運転を可能とし、上記水熱交換器１４から流出して減圧機構１５に流入する高圧冷媒と、上記空気熱交換器１６から流出した低圧冷媒との熱交換を行なう液ガス熱交換器２５を設けたヒートポンプ式給湯装置において、上記ヒートポンプ４のファン室４３内の空気熱交換器１１の下方において上記水熱交換器１４の近傍に上記液ガス熱交換器２５を配置していることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項２に記載のヒートポンプ式給湯装置では、上記水熱交換器１４と液ガス熱交換器２５との間には、断熱材５５が介設されていることを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項３に記載のヒートポンプ式給湯装置では、上記液ガス熱交換器２５は、折曲形成されていることを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項４に記載のヒートポンプ式給湯装置では、上記液ガス熱交換器２５は、上記空気熱交換器１１の近傍に配置されていることを特徴としている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項３に記載のヒートポンプ式給湯装置によれば、液ガス熱交換器は、折曲形成されているので、パイプ状の液ガス熱交換器を複数本用いた形となって、液ガス熱交換器自体の距離を長くとることができ、そのため、高圧冷媒と低圧冷媒との熱交換を行なうべく必要な有効長をコンパクトに得ることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月5日(2008.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素内に反射領域とを有する複数の画素をマトリクス状に配列した液晶表示装置であって、
前記反射領域は、有機絶縁膜材料に当該有機絶縁膜材料の屈折率と同等の屈折率をもつ粒子を含有した有機絶縁膜を有し、
前記粒子の径が前記有機絶縁膜の膜厚より大であることで凹凸面が形成されており、
前記凹凸面の表面形状に倣って成膜された金属膜で形成された拡散反射電極を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記画素内に、前記反射領域と共に透過領域を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記反射領域の前記粒子を含有した前記有機絶縁膜は、前記透過領域と前記反射領域との境界領域まで延在し、
前記境界領域における前記有機絶縁膜の膜厚が、前記粒子の径より大きいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項２又は３において、
前記反射領域のセルギャップと前記透過領域のセルギャップ比が１：２であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
薄膜トランジスタおよび画素電極を形成した第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板とを有し、画素内に反射領域を有する複数の画素をマトリクス状に配列した液晶表示装置の製造方法であって、
前記第１基板の内面上に、有機絶縁樹脂材に粒子を混合した有機絶縁膜材料を塗布し、その後乾燥させ、有機絶縁膜を形成する有機絶縁膜形成工程と、
ハーフトーン露光スリットを有する露光マスクを通して、前記ハーフトーン露光スリットを前記反射領域に対応させて前記有機絶縁膜を露光し、その後現像して、前記ハーフトーン露光スリットによるハーフトーン露光部の前記有機絶縁膜を減膜して前記粒子の一部を露出させる露光現像工程と、
前記有機絶縁膜を焼成して硬化させる有機絶縁膜硬化工程と、
硬化させた前記有機絶縁膜の上層に金属薄膜を成膜して前記粒子の露出で形成された凹凸面に倣った凹凸面を有する拡散反射層を形成する拡散反射層形成工程とを含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
薄膜トランジスタおよび画素電極を形成した第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板とを有し、画素内に透過領域と反射領域とを有する複数の画素をマトリクス状に配列した液晶表示装置の製造方法であって、
前記第１基板の内面上に、有機絶縁樹脂材に粒子を混合した有機絶縁膜材料を塗布し、その後乾燥させ、有機絶縁膜を形成する有機絶縁膜形成工程と、
開口とハーフトーン露光スリットとを有する露光マスクを通して、前記開口を前記透過領域に対応させ、且つ前記ハーフトーン露光スリットを前記反射領域に対応させて、前記有機絶縁膜を露光し、その後現像して、前記開口による露光部の前記有機絶縁膜を除去すると共に前記ハーフトーン露光スリットによるハーフトーン露光部の前記有機絶縁膜を減膜して前記粒子の一部を露出させる露光現像工程と、
前記有機絶縁膜を焼成して硬化させる有機絶縁膜硬化工程と、
硬化させた前記有機絶縁膜の上層に金属薄膜を成膜して前記粒子の露出で形成された凹凸面に倣った凹凸面を有する拡散反射層を形成する拡散反射層形成工程とを含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５又は６において、
前記露光工程でのハーフトーン露光で、前記有機絶縁膜の膜厚を前記粒子の径の５０％相当を現像により除去することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
請求項５乃至７の何れか１項において、
前記有機絶縁膜材料の前記有機絶縁樹脂材に対する前記粒子の混合比で前記拡散反射層の凹凸の配列ピッチを調整することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
請求項５乃至８の何れか１項において、
前記有機絶縁樹脂材が、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、オレフィン樹脂、フェノール樹脂の何れかに感光剤としてナフトキノンジアジドを混合したもの、もしくは前記有機絶縁樹脂材に光酸発生剤を混合したものであることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月23日(2008.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外周に複数条の山谷底部を各条毎に連続して螺旋状に設けた水配管と、
この水配管外周の前記山谷底部の形状に沿って螺旋状に巻きつけた複数の冷媒配管とを備え、前記水配管出口側の所定の長さ部分を螺旋形状のない素管部としたことを特徴とする捩り管形熱交換器。
【請求項２】
前記水配管全長に対する前記素管部の長さの比率を２〜１０％とすることを特徴とする請求項１に記載の捩り管形熱交換器。
【請求項３】
前記素管部に少なくとも１箇所以上の曲げ部を設けたことを特徴とする請求項１に記載の捩り管形熱交換器。
【請求項４】
上記捩り管形熱交換器は、長円コイル状に巻いた構成や長円渦巻状に巻いた構成としたことを特徴とする請求項１に記載の捩り管形熱交換器。
【請求項５】
上記捩り管形熱交換器は、前記水配管と前記冷媒配管とに水及び冷媒を対向流となるように流す構成とすることを特徴とする請求項１に記載の捩り管形熱交換器。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の捩り管形熱交換器を用いたことを特徴とするヒートポンプ式給湯機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】捩り管形熱交換器及びヒートポンプ式給湯機
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月18日(2008.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された第１の電極と、
前記第１の電極に対向して形成された、透光性を有する第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置された、発光層を含む機能層と、
前記第１の電極、前記機能層、前記第２の電極を含んで構成される発光部と、
前記基板に対向配置され、前記基板との間に密閉された空間を有した状態で、複数の前記発光部を封止する、透光性を有する封止部材とを備え、
前記密閉された空間内に、酸素又は水分を吸収又は除去するゲッター材が設けられ、
前記ゲッター材は、平面視で、隣り合う前記発光部の間の領域に配置されていることを特徴とする、エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
上記基板は、上記各発光部を仕切る隔壁を有し、
上記ゲッター材は、上記基板の最表面における、上記隔壁の上層側の位置に設けられたことを特徴とする、請求項１記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
上記ゲッター材は、上記封止部材の最表面に、上記隣り合う発光部の間の領域に対向して設けられたことを特徴とする、請求項１又は２記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
上記ゲッター材は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ金属又はアルカリ土類金属の水酸化物、シリカゲル、ゼオライト系化合物の内の少なくとも一つを含むことを特徴とする、請求項１〜３のいずれかの項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
上記ゲッター材は真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法のいずれかのプロセスにより形成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかの項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項６】
上記ゲッター材は液体中に分散されインクジェット法により形成されることを特徴とする請求項１〜５のいずれかの項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項７】
上記各発光部のそれぞれに対応してスイッチング素子が設けられ、
上記スイッチング素子が、低温プロセスにより形成されたポリシリコンＴＦＴであることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかの項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかの項に記載のエレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする、電子機器。
【請求項９】
基板上に第１の電極を複数形成する工程と、
上記基板上に、上記第１の電極同士を仕切る隔壁を形成する工程と、
インクジェット法により、上記隔壁に仕切られた各領域内に、発光層を含む機能層を形成する工程と、
上記機能層上に透光性を有する第２の電極を形成する工程と、
上記基板の最表面における、上記隔壁の上層側の位置に酸素又は水分を吸収又は除去するゲッター材を形成する工程と、
透光性を有する封止部材を上記第２の電極の形成された側の基板面に対向配置し、上記基板と上記封止部材との間の空間を密封する工程とを備えたことを特徴とする、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１０】
基板上に第１の電極を複数形成し、上記基板上に上記第１の電極同士を仕切る隔壁を形成し、インクジェット法により、上記隔壁に仕切られた各領域内に、発光層を含む機能層を形成し、上記機能層上に透光性を有する第２の電極を形成する工程と、
透光性を有する封止部材の、上記隔壁の形成領域に対向する位置に、酸素又は水分を吸収又は除去するゲッター材を形成する工程と、
上記ゲッター材が平面視で上記隔壁の形成領域内に配置されるように、上記封止部材を上記基板に対して位置合わせし、上記基板と上記封止部材との間の空間を密封する工程とを備えたことを特徴とする、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１１】
上記機能層を、インクジェット法により形成することを特徴とする、請求項９又は１０記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明のエレクトロルミネッセンス装置は、基板と、前記基板上に形成された第１の電極と、前記第１の電極に対向して形成された、透光性を有する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置された、発光層を含む機能層と、前記第１の電極、前記機能層、前記第２の電極を含んで構成される発光部と、前記基板に対向配置され、前記基板との間に密閉された空間を有した状態で、複数の前記発光部を封止する、透光性を有する封止部材とを備え、前記密閉された空間内に、酸素又は水分を吸収又は除去するゲッター材が設けられ、前記ゲッター材は、平面視で、隣り合う前記発光部の間の領域に配置されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
このような表示装置としては、例えば、上記基板に上記各発光部を仕切る隔壁を設け、上記ゲッター材を上記基板の最表面における上記隔壁の上層側の位置に設けた構成のものを挙げることができる。
本表示装置は、例えば、基板上に第１の電極を複数形成する工程と、上記基板上に、上記第１の電極同士を仕切る隔壁を形成する工程と、インクジェット法により、上記隔壁に仕切られた各領域内に、発光層を含む機能層を形成する工程と、上記機能層上に透光性を有する第２の電極を形成する工程と、上記基板の最表面における、上記隔壁の上層側の位置に酸素又は水分を吸収又は除去するゲッター材を形成する工程と、透光性を有する封止部材を上記第２の電極の形成された側の基板面に対向配置し、上記基板と上記封止部材との間の空間を密封する工程とを備えた方法により製造される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、ゲッター材を封止部材の最表面に設けてもよい。この場合、ゲッター材を、平面視で、隣り合う発光部の間の領域にのみ設ける。
本表示装置は、例えば、基板上に第１の電極を複数形成し、上記基板上に上記第１の電極同士を仕切る隔壁を形成し、インクジェット法により、上記隔壁に仕切られた各領域内に、発光層を含む機能層を形成し、上記機能層上に透光性を有する第２の電極を形成する工程と、透光性を有する封止部材の、上記隔壁の形成領域に対向する位置に、酸素又は水分を吸収又は除去するゲッター材を形成する工程と、上記ゲッター材が平面視で上記隔壁の形成領域内に配置されるように、上記封止部材を上記基板に対して位置合わせし、上記基板と上記封止部材との間の空間を密封する工程とを備えた方法により製造される。この際、基板上に発光素子（第１の電極，機能層，第２の電極の積層体）を形成する工程と、封止部材上にゲッター材を形成する工程とは、どちらを先に行なってもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月24日(2008.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
図１の模様印刷金属板の模式図を用いて説明する。この模様印刷金属板は、基材となる金属板１に、下地処理層２を介して塗膜３が一面に形成され、その塗膜３の上にインク層４が模様を形成するように印刷される。インクは乾燥後の塗膜３の上に転写されるため、転写されたインク層４は必ず凸形状をなし、塗膜３との相溶性が小さいため、激しい加工が加えられた場合には、模様を形成するインク層４が剥がれて脱落するおそれがある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
図２の模式図を用いて説明する。この模様塗装金属板は、基材となる金属板１に、下地処理層２を介して塗膜３が一面に形成され、その塗膜３の上に島状の模様塗膜５が転写される。ここでは、塗膜３との相溶性のある有機樹脂塗料からなる島状の模様塗膜５を、塗膜３の乾燥前に転写することができるため、一面に形成された塗膜３と島状の模様塗膜５との密着性に優れている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図３の模様塗装金属板の模式図を用いて説明する。この模様塗装金属板は、後述するように、本発明に係る模様塗装金属板の一例であり、基材となる金属板１に、下地処理層２を介して、凹凸形状を有する上塗り塗膜６が塗装される。ここでは、上塗り塗膜６がそれ自体島状の模様（凸部分）を有していて、上塗り塗膜６が模様外観を発現するので、このような凹凸形状を有する上塗り塗膜６を備える塗装金属板は、下地処理層２の全面又は一部を連続的に覆って隠蔽することができるので、下地処理層２の色相に左右されることはない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図４の模様塗装金属板の模式図を用いて説明する。この模様塗装金属板は、後述するように、本発明に係る模様塗装金属板の他の例であり、下地処理層２と凹凸形状を有する上塗り塗膜６との間に、下塗り塗膜７を設けたときの模様塗装金属板である。この場合でも同様の効果が得られることが分かる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
図５の模様塗装金属板の模式図を用いて説明する。この模様塗装金属板は、後述するように、本発明に係る模様塗装金属板の他の例であり、基材となる金属板１に、下地処理層２を介して、凹凸形状を有する下塗り塗膜８が転写され、そして、その上に一定膜厚の上塗り塗膜９が塗布される。下塗り塗膜に形成された凹凸形状は、上塗り塗膜９に反映されて上塗り塗膜９に模様外観を発現させることができる。この場合は、凹凸形状を有する下塗り塗膜８が下地処理層２の全面又は一部を連続的に覆い、そして、上塗り塗膜９がさらに凹凸形状を有する下塗り塗膜８の全面又は一部を連続的に覆って隠蔽することができるので、下地処理層２や凹凸形状を有する下塗り塗膜８の色相に左右されることはない。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
(h) まず、ロール塗装について説明すると、ロール塗装は、ピックアップロールとアプリケータロールを用いて、バックアップロールに巻き付けられた鋼帯に塗料が塗装される。ピックアップロールが塗料パン内の塗料と接触しながら回転することによって、塗料がピックアップロールに持ち上げられ、ピックアップロールとアプリケータロールとの間の間隙により塗料の厚みが調整されつつ、塗料がアプリケータロールに転写される。厚みが調整された塗料は、コイルから巻き戻され、アプリケータロールと接するようにバックアップロールに巻き付けられて搬送されている鋼帯に転写され、塗装が行われる。鋼帯はその後、適当な手段で加熱されて、塗膜が焼き付けられ、冷却後にコイルに巻き取られる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2008094013.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月22日(2008.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
すなわち、２−（２−メチルデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−（２−エチルデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−（２−プロピルデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−（２−ブチルデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−（２−ペンチルデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−（２−ヘキシルデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−（２−ヘプチルデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−（２−オクチルデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−（２−ノニルデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−（２−メチルウンデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−（２−エチルウンデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−（２−プロピルウンデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−（２−ブチルウンデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−（２−ペンチルウンデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−（２−ヘキシルウンデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−（２−ヘプチルウンデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−（２−オクチルウンデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−（２−ノニルウンデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−（２−デシルウンデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−（２−メチルドデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−（２−エチルドデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−（２−プロピルドデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−（２−ブチルドデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−（２−ペンチルドデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−（２−ヘキシルドデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−（２−ヘプチルドデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−（２−オクチルドデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−（２−ノニルドデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−（２−デシルドデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−（２−ウンデシルドデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−（２−イソヘプチルイソウンデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−ビス（２−メチルデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−ビス（２−エチルデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−ビス（２−プロピルデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−ビス（２−ブチルデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−ビス（２−ペンチルデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−ビス（２−ヘキシルデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−ビス（２−ヘプチルデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−ビス（２−オクチルデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−ビス（２−ノニルデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−ビス（２−メチルウンデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−ビス（２−エチルウンデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−ビス（２−プロピルウンデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−ビス（２−ブチルウンデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−ビス（２−ペンチルウンデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−ビス（２−ヘキシルウンデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−ビス（２−ヘプチルウンデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−ビス（２−オクチルウンデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−ビス（２−ノニルウンデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−ビス（２−デシルウンデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−ビス（２−メチルドデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−ビス（２−エチルドデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−ビス（２−プロピルドデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−ビス（２−ブチルドデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−ビス（２−ペンチルドデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−ビス（２−ヘキシルドデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−ビス（２−ヘプチルドデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−ビス（２−オクチルドデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−ビス（２−ノニルドデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−ビス（２−デシルドデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−ビス（２−ウンデシルドデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−ビス（２−イソヘプチルイソウンデシル）−Ｌ−アスコルビルホスフェート、２−ビス［２−（１，３，３−トリメチル−ｎ−ブチル）−５，７，７−トリメチル−ｎ−オクチル］−Ｌ−アスコルビルホスフェートなどが挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月11日(2008.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス状及び液状の有機化学物質及び人体に有害な微粉塵、エアロゾル等に対して防護性を有するバリア層を具備することを特徴とするシールテープ。
【請求項２】
シールテープの厚みが５０μｍ以上３００μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のシールテープ。
【請求項３】
シールテープの質量が２０ｇ／ｍ２以上２５０ｇ／ｍ２以下であることを特徴とする請求項１または２に記載のシールテープ。
【請求項４】
ホットメルト層の厚みが１０μｍ以上２００μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のシールテープ。
【請求項５】
ホットメルト層がエステル系のポリウレタンからなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のシールテープ。
【請求項６】
バリア層の厚みが５μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のシールテープ。
【請求項７】
バリア層がエチレン−ビニルアルコール共重合体であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のシールテープ。
【請求項８】
シールテープの保護層として、バリア層に織物、編物または不織布を付与したことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載のシールテープ。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載のシールテープを用いることを特徴とする防護材料。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれかに記載のシールテープを用いることを特徴とする防護衣服。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月27日(2007.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体領域に形成されたソース領域、ドレイン領域、及びそれらの間のチャネル領域と、前記チャネル領域の上に設けられた第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の上に設けられた半導体膜と、前記半導体膜の上に設けられた第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜の上に設けられたゲート電極とを有し、
前記第２絶縁膜は電荷トラップ膜であり、
電荷を前記第２絶縁膜のトラップに捕獲することで電荷蓄積が行われ、
前記半導体膜はシリコン粒子が分散された膜であることを特徴とする不揮発性記憶素子。
【請求項２】
半導体領域に形成されたソース領域、ドレイン領域、及びそれらの間のチャネル領域と、前記チャネル領域の上に設けられた第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の上に設けられた半導体膜と、前記半導体膜の上に設けられた第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜の上に設けられたゲート電極とを有し、
前記第２絶縁膜は電荷トラップ膜であり、
電荷を前記第２絶縁膜のトラップに捕獲することで電荷蓄積が行われ、
前記半導体膜は絶縁膜中にシリコン粒子が分散された膜であることを特徴とする不揮発性記憶素子。
【請求項３】
前記半導体膜の膜厚は前記第２絶縁膜の膜厚よりも薄く構成されることを特徴とする請求項１又は２記載の不揮発性記憶素子。
【請求項４】
電荷トラップ膜を電荷保持に用いる不揮発性記憶素子であって、
半導体領域にソース領域、ドレイン領域、及びそれらの間のチャネル領域とが形成され、
前記チャネル領域上に第１絶縁膜が設けられ、
前記第１絶縁膜上に前記電荷トラップ膜である第２絶縁膜が設けられ、
前記第２絶縁膜上にゲート電極が設けられ、
前記第１絶縁膜と、前記第２絶縁膜との間に、シリコン粒子が分散されることを特徴とする不揮発性記憶素子。
【請求項５】
電荷トラップ膜を電荷保持に用いる不揮発性記憶素子であって、
半導体領域にソース領域、ドレイン領域、及びそれらの間のチャネル領域とが形成され、
前記チャネル領域上に第１絶縁膜が設けられ、
前記第１絶縁膜上にシリコン粒子が分散され、
前記分散されたシリコン粒子上に前記電荷トラップ膜である第２絶縁膜が設けられ、
前記第２絶縁膜上にゲート電極が設けられることを特徴とする不揮発性記憶素子。
【請求項６】
前記分散されたシリコン粒子による膜の膜厚は前記第２絶縁膜の膜厚よりも薄いことを特徴とする請求項４又は５記載の不揮発性記憶素子。
【請求項７】
前記第１絶縁膜はシリコン酸化膜であり、前記第２絶縁膜はシリコン窒化膜であることを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の不揮発性記憶素子。
【請求項８】
前記第２絶縁膜と前記ゲート電極との間に第３絶縁膜が設けられることを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の不揮発性記憶素子。
【請求項９】
前記電荷トラップ膜に捕獲された電荷は前記第１絶縁膜を介してトンネル放出されることを特徴とする請求項１又は２記載の不揮発性記憶素子。
【請求項１０】
前記電荷トラップ膜に捕獲された電荷は前記第１絶縁膜を介してトンネル放出されることを特徴とする請求項４又は５記載の不揮発性記憶素子。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月18日(2008.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電荷トラップ膜を電荷保持に用いる不揮発性記憶素子であって、
半導体領域にソース領域、ドレイン領域、及びそれらの間のチャネル領域とが形成され、
前記チャネル領域上に第１絶縁膜が設けられ、
前記第１絶縁膜上に半導体膜が設けられ、
前記半導体膜上に前記電荷トラップ膜である第２絶縁膜が設けられ、
前記第２絶縁膜上にゲート電極が設けられ、
前記第２絶縁膜は金属酸化膜で構成されることを特徴とする不揮発性記憶素子。
【請求項２】
電荷トラップ膜を電荷保持に用いる不揮発性記憶素子であって、
半導体領域にソース領域、ドレイン領域、及びそれらの間のチャネル領域とが形成され、
前記チャネル領域上に第１絶縁膜が設けられ、
前記第１絶縁膜上に前記電荷トラップ膜である第２絶縁膜が設けられ、
前記第２絶縁膜上にゲート電極が設けられ、
前記第２絶縁膜は、金属酸化膜で構成され、
前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜との間に、絶縁膜中にシリコン粒が分散された膜が形成されていることを特徴とする不揮発性記憶素子。
【請求項３】
電荷トラップ膜を電荷保持に用いる不揮発性記憶素子であって、
半導体領域にソース領域、ドレイン領域、及びそれらの間のチャネル領域とが形成され、
前記チャネル領域上に第１絶縁膜が設けられ、
前記第１絶縁膜上に前記電荷トラップ膜である第２絶縁膜が設けられ、
前記第２絶縁膜上にゲート電極が設けられ、
前記第１絶縁膜と、前記第２絶縁膜との間に、シリコン粒が分散され、
前記第２絶縁膜は金属酸化物で構成されることを特徴とする不揮発性記憶素子。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項において、
前記金属酸化膜は、５酸化タンタル膜又はチタン酸化膜又はアルミナ膜を含む高誘電率の金属酸化膜であることを特徴とする不揮発性記憶素子。
【請求項５】
請求項１〜３の何れか１項において
前記半導体領域は、第４絶縁膜の上部に形成されることを特徴とする不揮発性記憶素子。