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【手続補正書】
【提出日】平成19年11月15日(2007.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上刃物回転軸と下刃物回転軸とのあいだに広幅の巻物状材料を挟み込んでせん断し、複数のスリット状材料とするスリッタースタンドの上下刃物回転軸に、丸刃および複数のスペーサと該複数のスペーサ上に装着された緩衝材とからなる丸刃位置決め部品を組み入れる刃替装置であって、
前記上下刃物回転軸に装着して刃物を構成する各種丸刃および各種丸刃位置決め部品を分別保管する保管庫と、
前記丸刃および／または丸刃位置決め部品を複数個組み合わせて内径把持し、上刃物回転軸および／または下刃物回転軸まで移送し刃物を組み込み、かつ、上刃物回転軸および／または下刃物回転軸から保管庫まで前記丸刃および／または丸刃位置決め部品を複数個組み合わせて内径把持し移送し戻す移送装置と、
前記緩衝材の脱落を防止するための緩衝材脱落防止機構
とからなるスリッタースタンドの刃替装置。
【請求項２】
上刃物回転軸と下刃物回転軸とのあいだに広幅の巻物状材料を挟み込んでせん断し、複数のスリット状材料とするスリッタースタンドの上下刃物回転軸に、丸刃および複数のスペーサと該複数のスペーサ上に装着された緩衝材とからなる丸刃位置決め部品を組み入れる刃替装置であって、
前記上下刃物回転軸に装着して刃物を構成する各種丸刃および各種丸刃位置決め部品を分別保管する保管庫と、
前記丸刃および／または丸刃位置決め部品を複数個組み合わせて内径把持し、所定位置に移送する移送装置と、
前記緩衝材の脱落を防止するための緩衝材脱落防止機構と、
前記丸刃および丸刃位置決め部品を仮組みする仮組み装置と、
前記仮組みした丸刃および丸刃位置決め部品を仮組み装置から上刃物回転軸および／または下刃物回転軸に挿入する挿入装置と、
前記上刃物回転軸および／または下刃物回転軸から取り外されるべき旧刃物を取り外す脱離装置と、
取り外されるべき旧刃物を受け取る受取装置
とからなるスリッタースタンドの刃替装置。
【請求項３】
上刃物回転軸と下刃物回転軸とのあいだに広幅の巻物状材料を挟み込んでせん断し、複数のスリット状の材料とするスリッタースタンドの上下刃物回転軸に丸刃および丸刃を位置決めする丸刃位置決め部品を組み入れる刃替方法であって、
前記上下刃物回転軸に装着して刃物を構成する丸刃および／または複数の丸刃位置決め部品を移送装置により保管庫より仮組み装置に移送する際に、丸刃および丸刃位置決め部品を仮組みする順番に複数個組み合わせて内径把持し、緩衝材脱落防止機構で緩衝材の脱落を防止しつつ仮組み装置の仮置き横軸に移送し、刃物を仮組みしたのち、受取装置の受取横軸を上刃物回転軸および／または下刃物回転軸に当接させ、刃物の固定を解除後、取り外されるべき旧刃物を前記受取横軸に移動および退避させ、つぎに前記仮置き軸を上刃物回転軸および／または下刃物回転軸に当接させ、前記仮組みした刃物を前記刃物回転軸に挿入し、固定することを特徴とするスリッタースタンドの刃替方法。
【請求項４】
前記丸刃位置決め部品を構成するスペーサおよびスペーサ上に装着する中空円筒状の緩衝材を組み合わせて保管庫より仮組み装置へ移送装置によって移送する際に、必要なスペーサおよび緩衝材の組み合わせをあらかじめ設定し、一度に搬送可能な枚数のスペーサを順次保管庫内で内径把持したのち、さらに所定の緩衝材を装着して緩衝材脱落防止機構で緩衝材の脱落を防止しつつ移送する請求項３記載のスリッタースタンドの刃替方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月3日(2008.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板の一方面に配線パターンを具備するシリコンデバイスの製造方法であって、
前記シリコン基板の表面全体に前記配線パターンを構成する下地層及び金属層を順に形成する層形成工程と、
前記シリコン基板の他方面及び側面の前記金属層をエッチングにより除去する金属層除去工程と、
該金属層除去工程後、前記シリコン基板の前記他方面に保護膜を接着した状態で前記シリコン基板の一方面にレジストを塗布し、露光及び現像を行うことでマスクを形成するマスク形成工程と、
前記保護膜を除去した状態で前記金属層及び前記下地層を前記マスクを介してエッチングすることで、前記配線パターンを形成するエッチング工程と、
を具備することを特徴とするシリコンデバイスの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のシリコンデバイスの製造方法において、前記金属層除去工程では前記下地層は除去せずに、前記エッチング工程において、配線パターンとなる領域以外の前記下地層を除去することを特徴とするシリコンデバイスの製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のシリコンデバイスの製造方法において、前記金属層が金からなることを特徴とするシリコンデバイスの製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか一項に記載のシリコンデバイスの製造方法において、前記エッチング工程では、前記下地層を少なくとも硝酸を含有するエッチング液を用いてエッチングすることを特徴とするシリコンデバイスの製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか一項に記載のシリコンデバイスの製造方法において、前記シリコン基板が貫通孔を具備し、前記金属層除去工程では、前記シリコン基板の他方面及び側面の前記金属層と共に、前記貫通孔内の前記金属層を同時に除去することを特徴とするシリコンデバイスの製造方法。
【請求項６】
圧電素子を有する流路形成基板が複数一体的に形成される流路形成基板用ウェハと、一方面に配線パターンが設けられ前記圧電素子を保護する保護基板が複数一体的に形成される保護基板用ウェハとを少なくとも接合し、これを分割してノズル開口から液体を吐出する液体噴射ヘッドとする液体噴射ヘッドの製造方法において、
前記保護基板の前記一方面及び他方面を含む表面全体に前記配線パターンを構成する下地層及び前記金属層を順に形成する層形成工程と、
前記保護基板の他方面及び側面の前記金属層をエッチングにより除去する金属層除去工程と、
該金属層除去工程後、前記保護基板の前記他方面に保護膜を接着した状態で前記保護基板の一方面にレジストを塗布し、露光及び現像を行うことでマスクを形成するマスク形成工程と、
前記保護膜を除去した状態で前記金属層及び前記下地層を前記マスクを介してエッチングすることで、前記配線パターンを形成するエッチング工程と、
を具備することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記課題を解決する本発明の第１の態様は、シリコン基板の一方面に配線パターンを具備するシリコンデバイスの製造方法であって、前記シリコン基板の表面全体に前記配線パターンを構成する下地層及び金属層を順に形成する層形成工程と、前記シリコン基板の他方面及び側面の前記金属層をエッチングにより除去する金属層除去工程と、該金属層除去工程後、前記シリコン基板の前記他方面に保護膜を接着した状態で前記シリコン基板の一方面にレジストを塗布し、露光及び現像を行うことでマスクを形成するマスク形成工程と、前記保護膜を除去した状態で前記金属層及び前記下地層を前記マスクを介してエッチングすることで、前記配線パターンを形成するエッチング工程と、を具備することを特徴とするシリコンデバイスの製造方法にある。
かかる第１の態様では、マスク形成工程の前に金属層除去工程を行うことで、保護膜を接着させるための接着剤の残渣の下に金属層の一部が残留する虞がなくなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の第２の態様は、第１の態様に記載のシリコンデバイスの製造方法において、前記金属層除去工程では前記下地層は除去せずに、前記エッチング工程において、配線パターンとなる領域以外の前記下地層を除去することを特徴とするシリコンデバイスの製造方法にある。
かかる第２の態様では、金属層除去工程では下地層を除去せずに、エッチング工程において配線パターンとなる領域以外の下地層を除去することで、下地層がサイドエッチングによりわずかに除去されて金属層の端部が浮き、保護膜を除去する際に金属層が剥離するという虞がなくなる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の第６の態様は、圧電素子を有する流路形成基板が複数一体的に形成される流路形成基板用ウェハと、一方面に配線パターンが設けられ前記圧電素子を保護する保護基板が複数一体的に形成される保護基板用ウェハとを少なくとも接合し、これを分割してノズル開口から液体を吐出する液体噴射ヘッドとする液体噴射ヘッドの製造方法において、
前記保護基板の前記一方面及び他方面を含む表面全体に前記配線パターンを構成する下地層及び前記金属層を順に形成する層形成工程と、前記保護基板の他方面及び側面の前記金属層をエッチングにより除去する金属層除去工程と、該金属層除去工程後、前記保護基板の前記他方面に保護膜を接着した状態で前記保護基板の一方面にレジストを塗布し、露光及び現像を行うことでマスクを形成するマスク形成工程と、前記保護膜を除去した状態で前記金属層及び前記下地層を前記マスクを介してエッチングすることで、前記配線パターンを形成するエッチング工程と、を具備することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第６の態様では、マスク形成工程の前に金属層除去工程を行うことで、配線パターンを形成する際に除去しきれないでいた異物が除去された保護基板用ウェハを有する液体噴射ヘッドとなる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月27日(2008.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステアリング機構に操舵補助力を付与するモータと、ステアリングシャフトに発生する操舵トルクと車速とに基づいてトルク指令値を演算するトルク指令値演算部と、前記トルク指令値に基づいて前記モータの電流指令値を演算する電流指令値演算部と、前記電流指令値に基づいて前記モータを駆動制御するようになっている電動パワーステアリング装置の制御装置において、前記モータの摩擦補償値を算出する摩擦補償値算出部を具備し、前記摩擦補償値に基づいて前記電流指令値を補正することを特徴とする電動パワーステアリング装置の制御装置。
【請求項２】
前記摩擦補償値算出部は、前記操舵トルク、前記車速及び前記モータの回転速度に基づいて前記摩擦補償値を算出するようになっている請求項１に記載の電動パワーステアリング装置の制御装置。
【請求項３】
前記電流指令値演算部が前記モータのｄ−ｑ直交軸におけるｄ軸電流指令値とｑ軸電流指令値を演算し、前記摩擦補償値に基づいて前記ｄ軸電流指令値を前記モータの界磁を弱めるように補正する請求項１又は２に記載の電動パワーステアリング装置の制御装置。
【請求項４】
前記摩擦補償値が、前記操舵トルク、前記車速及び前記モータの回転速度の関数となっている請求項３に記載の電動パワーステアリング装置の制御装置。
【請求項５】
前記関数が、前記操舵トルクの絶対値の増大に対応して減少する摩擦補償値を出力する特性になっている請求項４に記載の電動パワーステアリング装置の制御装置。
【請求項６】
前記関数が、前記車速が所定車速値以上の場合に前記摩擦補償値を出力する特性になっている請求項４又は５に記載の電動パワーステアリング装置の制御装置。
【請求項７】
前記関数が、前記回転速度が所定回転速度値以下の場合に前記摩擦補償値を出力する特性になっている請求項４乃至６のいずれかに記載の電動パワーステアリング装置の制御装置。
【請求項８】
ハンドル戻り状態を判定するハンドル戻り状態判定部を具備し、前記ハンドル戻り状態が検出された場合に、前記摩擦補償値を前記ｄ軸電流指令値へ加算して補正する請求項３乃至７のいずれかに記載の電動パワーステアリング装置の制御装置。
【請求項９】
ステアリング機構に操舵補助力を付与するモータと、ステアリングシャフトに発生する操舵トルクを検出するトルクセンサと、前記モータの回転速度を検出する回転速度検出部とを具備する電動パワーステアリング装置において、前記操舵トルクが所定トルク値以下、前記回転速度が所定回転速度値以下である場合に、前記モータのｄ−ｑ直交軸におけるｄ軸電流値が所定電流値以上であることを特徴とする電動パワーステアリング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は、ステアリング機構に操舵補助力を付与するモータと、ステアリングシャフトに発生する操舵トルクと車速とに基づいてトルク指令値を演算するトルク指令値演算部と、前記トルク指令値に基づいて前記モータの電流指令値を演算する電流指令値演算部と、前記電流指令値に基づいて前記モータを駆動制御するようになっている電動パワーステアリング装置の制御装置に関し、本発明の上記目的は、前記モータの摩擦補償値を算出する摩擦補償値算出部を具備し、前記摩擦補償値に基づいて前記電流指令値を補正することにより達成される。
さらにまた、本発明の上記目的は、前記摩擦補償値算出部が前記操舵トルク、前記車速及び前記モータの回転速度に基づいて摩擦補償値を算出することにより、或いは前記電流指令値演算部が前記モータのｄ−ｑ直交軸におけるｄ軸電流指令値とｑ軸電流指令値を演算し、前記摩擦補償値に基づいて前記ｄ軸電流指令値を前記モータの界磁を弱めることにより、或いは前記摩擦補償値が、前記操舵トルク、前記車速及び前記モータの回転速度の関数となっていることにより、或いは前記関数が、前記操舵トルクの絶対値の増大に対応して減少する摩擦補償値を出力する特性になっていることにより、或いは前記関数が、前記車速が所定車速値以上の場合に前記摩擦補償値を出力する特性になっていることにより、或いは前記関数が、前記回転速度が所定回転速度値以下の場合に前記摩擦補償値を出力する特性になっていることにより、或いはハンドル戻り状態を判定するハンドル戻り状態判定部を具備し、前記ハンドル戻り状態が検出された場合に、前記摩擦補償値を前記ｄ軸電流指令値へ加算して補正することにより、より効果的に達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月9日(2008.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々が移動体の衝突を検知する第１および第２の衝突検知装置と、
前記第１および第２の衝突検知装置の出力に応じて衝突確定信号を出力する制御装置とを備え、
前記制御装置は、
前記第１および第２の衝突検知装置が衝突を検知したこと、もしくは、前記第１および第２の衝突検知装置の一方の結線異常を判定してから所定の第１の期間内に、他方が衝突を検知したことに応じて、前記衝突確定信号を出力する、衝突判定システム。
【請求項２】
前記第１の衝突検知装置は、
半導体衝突センサを含み、かつ、前記半導体衝突センサの出力に応じてセーフィング信号を出力し、
前記第２の衝突検知装置は、
前記移動体の衝突を前記半導体衝突センサとは独立して検知する衝突検知センサを含み、
前記制御装置は、
前記衝突検知センサの出力に基づいて前記衝突検知センサの結線異常を判定する結線異常判定部と、
前記セーフィング信号が出力され、かつ前記衝突検知センサが衝突を検知したこと、もしくは前記衝突検知センサの結線異常を判定してから前記第１の期間内に前記セーフィング信号が出力されたことに応じて、前記衝突確定信号を出力する制御部とを含む、請求項１に記載の衝突判定システム。
【請求項３】
前記移動体は、
前記移動体駆動用の電源と、
前記衝突確定信号に応じて前記電源の出力を遮断する遮断部とを含む、請求項２に記載の衝突判定システム。
【請求項４】
前記移動体は、エアバッグおよびエアバッグ点火装置をさらに含み、
前記第１の衝突検知装置は、
前記半導体衝突センサとは独立して衝突検知を行なうセーフィングセンサをさらに含み、前記セーフィングセンサが衝突を検知し、かつ前記半導体衝突センサの出力が前記エアバッグを展開させるべき第１の条件を満たしたことに応じて、前記エアバッグ点火装置に対して点火指示を出力し、前記半導体衝突センサの出力が前記第１の条件は満たさないが何らかの衝突が発生したと推定される第２の条件を満たしたことに応じて、前記セーフィング信号を出力する、請求項３に記載の衝突判定システム。
【請求項５】
前記第１の期間は、前記制御装置が前記セーフィング信号を受信するのに要する期間以上となるように設定される、請求項４に記載の衝突判定システム。
【請求項６】
前記制御装置は、前記第１および第２の衝突検知装置の一方に結線異常が判定されてから所定の第２の期間内に他方に結線異常が判定されたことに応じて、前記衝突確定信号をさらに出力する、請求項１に記載の衝突判定システム。
【請求項７】
前記移動体は、
前記移動体駆動用の電源と、
前記衝突確定信号に応じて前記電源の出力を遮断する遮断部とを含み、
前記第１および第２の衝突検知装置は、各々前記移動体の側方衝突を検知する衝突検知センサを含む、請求項６に記載の衝突判定システム。
【請求項８】
前記第１および第２の期間は、前記制御装置が前記第１および第２の衝突検知装置の出力を受信するのに要する期間以上となるように設定される、請求項７に記載の衝突判定システム。
【請求項９】
各々が移動体の衝突を検知する第１および第２の衝突検知装置と、
前記第１および第２の衝突検知装置の出力に応じて衝突確定信号を出力する制御装置とを備え、
前記制御装置は、
前記第２の衝突検知装置の出力に基づいて前記第２の衝突検知装置の結線異常を判定し、結線異常信号を出力する結線異常判定部と、
前記第１および第２の衝突検知装置が衝突を検知したこと、もしくは、前記結線異常信号を受け、かつ前記第１の衝突検知装置が衝突を検知したことに応じて、前記衝突確定信号を出力する制御部とを含む、衝突判定システム。
【請求項１０】
各々が移動体の衝突を検知する第１および第２の衝突検知装置と、
前記第１および第２の衝突検知装置の出力に応じて衝突確定信号を出力する制御装置とを備え、
前記制御装置は、
前記第１の衝突検知装置の出力に基づいて前記第１の衝突検知装置の結線異常を判定し、結線異常信号を出力する第１の結線異常判定部と、
前記第２の衝突検知装置の出力に基づいて前記第２の衝突検知装置の結線異常を判定し、結線異常信号を出力する第２の結線異常判定部と、
前記第１および第２の衝突検知装置が衝突を検知したこと、もしくは、前記第１および第２の結線異常判定部の一方から前記結線異常信号を受け、かつ前記第１および第２の衝突検知装置の他方が衝突を検知したことに応じて、前記衝突確定信号を出力する制御部とを含む、衝突判定システム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月26日(2008.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
隔壁によって区画された複数の圧力発生室と、
該圧力発生室に振動板を介して設けられた共通電極と、圧電体層と、個別電極と、を備える圧電素子と、を具備し、
前記共通電極の端部が、前記圧力発生室の長手方向で当該圧力発生室の端部よりも内側に位置し、
前記共通電極の各隔壁に対向する領域の一方の端部近傍には、一端側が当該共通電極と電気的に接続される接続配線が設けられ、
複数の接続配線は、一部が外部配線と接続される共通リード電極と、残りが前記共通電極の端部近傍のみに設けられるダミー電極と、から構成され、
前記ダミー電極を構成する前記接続配線が、前記圧力発生室の長手方向端部よりも外側まで延設されていることを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項２】
各隔壁に対向する領域の前記共通電極の他方の端部近傍にも前記接続配線が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の液体噴射ヘッド。
【請求項３】
前記共通電極の他方の端部の外側には、前記圧力発生室の並設方向に沿って設けられて前記圧力発生室の並設方向の前記流路形成基板の端部近傍で前記共通電極と接続される配線電極が設けられ、前記共通電極の他方の端部近傍に設けられる前記接続配線の少なくとも１本が、前記配線電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項２に記載の液体噴射ヘッド。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか一項に記載の液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記課題を解決する本発明の第１の態様は、隔壁によって区画された複数の圧力発生室と、該圧力発生室に振動板を介して設けられた共通電極と、圧電体層と、個別電極と、を備える圧電素子と、を具備し、前記共通電極の端部が、前記圧力発生室の長手方向で当該圧力発生室の端部よりも内側に位置し、前記共通電極の各隔壁に対向する領域の一方の端部近傍には、一端側が当該共通電極と電気的に接続される接続配線が設けられ、複数の接続配線は、一部が外部配線と接続される共通リード電極と、残りが前記共通電極の端部近傍のみに設けられるダミー電極と、から構成され、前記ダミー電極を構成する前記接続配線が、前記圧力発生室の長手方向端部よりも外側まで延設されていることを特徴とする液体噴射ヘッドにある。
かかる第１の態様では、共通リード電極及びダミー電極である接続配線が、圧力発生室に対向する領域にほとんどはみ出すことなく形成されるため、振動板の変位を低下させることなく、共通電極の抵抗値を実質的に低下させることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の第２の態様は、各隔壁に対向する領域の前記共通電極の他方の端部近傍にも前記接続配線が設けられていることを特徴とする第１の態様の液体噴射ヘッドにある。
かかる第２の態様では、共通電極の抵抗値をさらに低下させて、電圧降下の発生をより確実に防止することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の第３の態様は、前記共通電極の他方の端部の外側には、前記圧力発生室の並設方向に沿って設けられて前記圧力発生室の並設方向の前記流路形成基板の端部近傍で前記共通電極と接続される配線電極が設けられ、前記共通電極の他方の端部近傍に設けられる前記接続配線の少なくとも１本が、前記配線電極と電気的に接続されていることを特徴とする第２の態様の液体噴射ヘッドにある。
かかる第３の態様では、共通電極の抵抗値をさらに低下させて、電圧降下の発生をより確実に防止することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の第４の態様は、第１〜３の何れか一つの態様の液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置にある。
かかる第４の態様では、液滴の吐出特性を安定させ、液滴の吐出特性を均一化した液体噴射装置を実現することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月15日(2008.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
トリガ室は、ＵＶ灯２４にごく近接して膜２２を向けて誘導する一連のガイドロール３６を含むことができる。室に入る際、膜の経路は、ガイドロールによって向けられかつ画定されることができる。いくつかの実施形態では、ＵＶ灯は、膜が沿って向けられることができる第１の側面３９および第２の側面４１を含むように、室において構成されることができる。これに関して、図１は、ＵＶ灯の第１の側面および第２の側面にごく近接して膜経路を画定する複数のガイドロールを示す。一実施形態では、膜は、ＵＶ灯の第１の側面にごく近接して膜経路に沿って向けられ、次いで、ＵＶ灯の第１の側面から第２の側面を包むことができる。ガイドロール３６は、ＵＶ灯にごく近接して膜を向けることができる。ＵＶ灯の第１の側面および第２の側面にごく近接した膜の進行は、酸素捕集組成を活性化するために使用されることができる。この実施形態では、膜とＵＶ灯の第１の側面との距離は、膜とＵＶ灯の第２の側面との距離と同じであるかまたは異なることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2007118001.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月19日(2008.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
図柄等を表示する表示装置と、遊技の制御を行う主制御手段と、その主制御手段から送信される制御用コマンドに基づいて前記表示装置により複数の図柄の変動表示を行わせる表示用制御手段とを備えた遊技機において、
前記複数の図柄にはそれぞれ異なった図柄コードを付与すると共に、
その複数の図柄の変動表示の終了時に前記表示装置に停止表示される停止図柄の図柄コードを各停止図柄についてそれぞれ指定する停止図柄指定コマンドを前記制御用コマンドの一種として備えており、
前記表示用制御手段は、前記複数の図柄を予め定められた所定の配列で前記表示装置に変動表示させると共に、前記停止図柄指定コマンドによる未指定又は誤指定の停止図柄の正規の図柄コードを、前記停止図柄指定コマンドにより正常に指定された停止図柄の図柄コードに基づいて算出する算出手段と、
その算出手段により算出された図柄コードを前記未指定又は誤指定の停止図柄の正規の図柄コードとする決定手段とを備えていることを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月4日(2007.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  硬化材からなる保護層を備え、光を通過させる位置に透明素子を有する光素子（１１）において、硬化材（１３）は透明素子であることを特徴とする光素子。
【請求項２】  もう一つの透明素子（１４）は硬化材（１３）によって光素子（１１）に締結される請求項１記載の光素子。
【請求項３】  もう一つの透明素子は確定幾何学的配置の小板（１４）である請求項２記載の光素子。
【請求項４】  小板（１４）は、表面積が光素子の表面積より大きい平面平行表面（１５）を有する請求項３記載の光素子。
【請求項５】  硬化材（１３’）は、透明接着剤である前記各請求項記載の光素子。
【請求項６】  光記録媒体（６）から読取り及び（または）それに書込む装置において、前記各請求項のうち一つに記載の光素子（１１）を有する装置。
【請求項７】  保護層（１３）を有する光素子（１１）を製造する方法において、下記の工程：
硬化状態で透明である、硬化性材（１７’）を光素子（１１）に塗布する工程と、
硬化性材（１７’）を、これにより、保護される光素子（１１）のすべての部分が被覆されるように分布する工程と、
硬化性材（１７’）を硬化する工程とを有する方法。
【請求項８】  塗布・分布作動は一つ以上の液滴（１７）をドリップ軽量分配することにより行われる請求項７記載の方法。
【請求項９】  硬化性材（１７’）を塗布・硬化する工程間で、透明素子（１４，１４’，１４”）が硬化性材（１７’）に塗布される請求項７または８記載の方法。
【請求項１０】  透明素子（１４，１４’，１４”）が、硬化性材（１７’）に、滴下させることにより塗布される請求項９記載の方法。
【請求項１１】  透明素子（１４，１４’，１４”）が、硬化性材（１７’）に、確定整合により塗布される請求項９記載の方法。
【請求項１２】  光素子と、
該光素子の上にもうけられ該素子を酸化及び他の環境影響から保護する保護層と、
該保護層の上にもうけられ前記光素子を機械的影響から保護する保護素子とを有し、
前記保護層と前記保護素子とは合体して単一の硬化材を構成する、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月28日(2007.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
図３、図４の（Ａ）、図４の（Ｂ）および図６などもまた参照すると、ハウジング２０は全体的に第１の部材２４と第２の部材２６とを有している。図６に最良のものが示されたように、第１の部材２４は、全体的に一体的にモールドされたプラスチック部材を有している。しかしながら、他の実施例において、第１の部材は、他のあらゆる適切な材料または材料の組み合わせを有することができ、また、複数の部品を有することができる。第１の部材２４は、第１の端部２８が第２の端部３０からほぼ９０°偏倚してほぼ直角に曲げられた形状を有している。しかしながら、第１の部材２４は、直角コネクタよりもむしろ垂直電気コネクタ用に、真っ直ぐなものを含む他の適切な形状を有することもできる。図６に示された実施例において、第１の部材は、４５°の角度のように互いに連続して角度を付けられた３つの部分３２、３３、３４を有している。このように、第１の部材２４は、内側３６と外側３８とを形成する。第１の部材２４は、接触子２２を位置付けるための櫛のように作用する。第１の部材２４は、２つの側部３６、３８に沿って、また３つの全ての部分３２、３３、３４に沿って第１の部材内に延びている接触子収容チャンネル、または溝４０、４２を有する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
図４の（Ａ）に最良のものが示されているが、チャンネル４０、４２は、好ましくは、ほぼＶ字状の形状を有しているが、またそれに代わって、部分３２で各側部３６、３８に沿って深さが変えられてもよい。このように、部分３２での隣接するチャンネル４０ａと４０ｂとは、第１の部材内に異なった深さを有する。部分３２での隣接するチャンネル４２ａと４２ｂとは、同様に異なった深さを有している。しかしながら、チャンネル４０ａと４０ｂおよびチャンネル４２ａと４２ｂは、対向する部分３４で同様の深さを有していてもよい。好ましくは、深さの変移は、中間部分３３とともにまたそれに沿った接合部で起きる。しかしながら、チャンネルの他の適切な深さ、および／または、深さの変移を有することもできる。さらに、接触子収容チャンネルを有するいずれか一方の側部３６または３８のみが必要である。接触子２２は、以下に、より詳細に述べるように、溝４０、４２内に配置されている。接触子２２は、一般に、銅合金のような適切な導電性材料から打ち抜かれ成形されるが、適切なプロセス、および／または、材料が接触子を形成するために使用することができる。接触子２２は、各第１の接続部すなわち第１の設置部分４４と、対向する第２の接続部すなわち第２の設置部分４６とをそれらの間に有している。この実施例において、第１の接続部分４４は、スルーホールはんだ尾部として設けられていて、印刷配線板の孔内に挿入され、そこにはんだ付けされるように企図されている。しかしながら、第１の接続部分４４は、どのような形状でもよく、たとえばスプリング接触子または表面実装はんだ尾部でもよい。中間部分４８は、チャンネル４０、４２に設けられている。好ましい実施例において、接触子２２は、接触子２２をチャンネル４０、４２の第１の部材２４に少なくとも一時的に取着するための保持あご部（図示せず）を有している。第２の接続部分４６は、スプリング接触子ビーム部分の２つの列を有していて、それらの間に、対になるコネクタ（図示せず）の部分を移動可能に収容する収容領域５０を形成している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
ハウジング２０の第２の部材２６は、接触子２２がその中に挿入された第１の部材２４上にまたはそれを超えてモールドされている。この実施例において、第２のハウジング部材２６は、全体的に第１の部分５２と第２の部分５４とを有している。第１の部分５２は、全体的に支持部５６、５８、側部ラッチ６０、および凹部６２を有している。支持部５６、５８は、印刷配線板または他の電子構成部品の表面にハウジング２０を安定的に設置するのを助けるために設けられている。凹部６２は、材料を節約するためとコネクタを計量にするためにのみ設けられている。第１の部分５２は、端部２８を除いて第１の部分３２と中間部分３３とで第１の部材２４を取り囲んでいる。好ましい実施例において、中間部分３３での外側３８は、同様に第２の部材２６の材料によって覆われていず、単に、第２の部材２６の形成中に使用されたモールドによって第１の部材２４がその位置において接触されるだけである。第２の部分５４は、端部を除いてほぼ第１の部材２４の前部分３４を取り囲んでいる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年2月28日(2008.2.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
具体的な半導体生産プロセスでは、マルチ・ウエハ・エピタキシャル生産システムを用意する。このシステムは、ＩＩＩ−Ｖ族化合物成長チャンバおよび絶縁物蒸着チャンバが取り付けられた搬送・装填モジュールを含む。表面を有する化合物半導体ウエハをこの搬送・装填モジュール内に配置し、マルチ・ウエハ生産システム内の圧力を≦１０-10 Torrに減圧する。化合物半導体ウエハをＩＩＩ−Ｖ族化合物成長チャンバに移動し、化合物半導体物質の層を、化合物半導体ウエハの表面上にエピタキシャル成長させる。次に、マルチ・ウエハ生産システムから取り出すことなく、化合物半導体ウエハを搬送・装填モジュールに移動し、更に絶縁物蒸着チャンバに移動する。化合物半導体物質の層上に物質を熱的に蒸着することによって、絶縁キャップ層を形成する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
次に図３に移ると、マルチ・ウエハ・エピタキシャル生産システム３０が示されている。これは、本発明による図２の化合物半導体ウエハ構造２０を製造する際に用いられる。システム３０は、搬送・装填モジュール３３，この搬送・装填モジュール３３に取り付けられたＩＩＩ−Ｖ成長チャンバ３５，および搬送・装填モジュール３３に取り付けられた絶縁物蒸着チャンバ３８を含む。各チャンバ３５，３８が搬送・装填モジュール３３に取り付けられているので、ウエハ，チップ等は、システム３０から取り出すことなく、各チャンバ内で処理することができる。したがって、一旦ウエハをシステム３０に導入し真空状態としたなら、ウエハは、処理が完了するまで、環境には晒されない。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
したがって、本発明による化合物半導体ウエハ構造の表面を保護するプロセスの一例として、化合物半導体ウエハを搬送・装填モジュール３３内に配置し、マルチ・ウエハ生産システム３０内の圧力を≦１０-10 Torrに減圧する。次に、ウエハをＩＩＩ−Ｖ族化合物成長チャンバ３５に移動し、化合物半導体物質の１つ以上の層を、表面上にエピタキシャル成長させ、化合物半導体ウエハ構造（例えば、化合物半導体ウエハ構造２０）を生産する。最上層２３の成長の後、化合物半導体ウエハ構造２０を搬送・装填モジュール３３に移動し、次いで絶縁物蒸着チャンバ３８に移動する。絶縁物蒸着チャンバ３８内において、ウエハ構造２０上に絶縁物質を熱的に蒸着することによって、化合物半導体ウエハ構造２０の表面２４上に、絶縁キャップ層２５を形成する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
本プロセスの好適実施例では、酸化物坩堝(oxide crucible)において蒸着源(evaporation source)を用い、流出セル(effusion cell) からのガリウム酸化物分子を熱的に蒸着することによって、ウエハ構造２０の表面２４上に、絶縁キャップ層２５を熱的に蒸着する。蒸着源は、融点ｍpoを有する多結晶Ｇａ2 Ｏ3 ，融点ｍpoを有する単結晶Ｇａ2 Ｏ3 ，あるいは融点ｍpoを有するＧａ2 Ｏ3 成分を含有する多結晶または単結晶物質の１つから選択する。蒸着源を含む酸化物坩堝は、融点ｍpが蒸着源の融点よりも高くある（ｍp＞ｍpo）とともに、蒸着源との共融合金(eutectic alloy)を形成しない酸化物からなる坩堝，または共融温度を有し蒸着源の蒸着温度よりも共融温度の方が高い酸化物からなる坩堝のいずれかから選択する。更に、酸化物坩堝は、比較的高いバンドギャップ、即ち、通常≧４ｅＶを有する物質で形成することが好ましい。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
このようにして、絶縁キャップ層２５を適所に配するまで、化合物半導体ウエハ構造２０を周囲条件に露出することから保護する。図３のシステム３０において絶縁キャップ層２５を形成するので、構造即ちエピタキシャル層は、周囲条件には決して晒されることはなく、基板またはエピタキシャル層および絶縁キャップ層２５間の界面は、熱力学的に安定であり、卓越した電気的特性を有する。ＧａＡｓ表面およびその上に堆積した酸化物層を有する化合物半導体ウエハ構造の特定例では、ＧａＡｓ−Ｇａ2 Ｏ3 界面は、単一層急峻性(monolayer abruptness)を呈し、酸化物の表面荒さ（ｒｍｓ）は≦２．５オングストロームである。また、製造したウエハ全体にわたって界面状態密度には、卓越した均一性があることもわかった。界面状態密度は、全体として、従来技術の密度（１０10ｃｍ-2ｅＶ-1）に比肩し得るか、あるいはこれよりも優れている。更に、Ｇｄ3 Ｇａ5 Ｏ12を蒸着源として用いた特定例では、Ｇａ2 Ｏ3 膜が含むＧｄレベルは、図４のグラフに示すように、選択イオン質量分光分析（ＳＩＭＳ：Selective IonMass Spectroscopy ）の検出限界未満であることもわかっている。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】図３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図３】
1998289906.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月12日(2008.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
この半量３０．５ｇを取り、さらにポリグリセリンを除去するためにイソブタノール２５０ｍｌに６０℃で溶解する。溶解したＤＯＥ-イソブタノール相に予め５０℃に温めておいた２５％（Ｗ／Ｖ）食塩水５００ｍｌを添加し８０℃で１時間攪拌する。８０℃で静置し、上下ともに均一透明になったら下層を除去する。さらに、同様の工程を１０％食塩水でも行い、静置後に下層を除去する。その後、約５０℃の精製水を添加後、８０℃で３０分攪拌した後に８０℃で静置し、上下ともに均一透明になったら下層を除去する。こうして得られた上層は未反応ポリグリセリンの除去がされていることを、薄層クロマトグラフィーを用いて確認する（展開溶媒／アセトン：精製水=７５:２５（容量比）、検出／リンモリブデン酸５％メタノール溶液を噴霧し１００℃で５分間加熱処理し相当スポットの有無を確認）。除去が確認できたら、エバポレーターで７０℃、３ｈｒの濃縮を行い１４．５ｇ（エステル化度１．８、ポリオール残存率０．１％）の精製ＤＯＥを回収した（精製品５）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
このうち、２４．０ｇを取り、さらに高次エステルを除去するために９００ｍｌのメタノールに溶解する。溶解後にｎ−ヘキサン１０００ｍｌを添加して４０〜４５℃で１時間攪拌する。その後、精製水９０ｍｌを加え、攪拌しながら２０〜２５℃程度まで冷却し静置する。直ちに液は２層に分離し、上層のｎ-ヘキサンは除去し、下層と同量のｎ-ヘキサンを新たに加えて同様の工程を再度行う。薄層クロマトグラフィーで高次エステルの除去を確認し（展開溶媒／クロロホルム:メタノール=９５:５（容量比）、検出／リンモリブデン酸５％メタノール溶液を噴霧し、１００℃で５分間加熱処理し高次エステル化物相当スポットの有無を確認）、結果により精製３回目を実施する。高次エステルの除去が確認できたら、エバポレーターで７０℃、３ｈｒの濃縮を行い、１４．４ｇ（エステル化度１．８、ポリオール残存率０．１％）の精製ＤＯＥを回収した（精製品６）。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月22日(2008.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
細胞内におけるアルドース還元酵素活性を阻害することを特徴とする、アルデヒド還元酵素遺伝子の発現方法。
【請求項２】
高グルコース濃度条件及び/又は高浸透圧条件下における不死化成熟シュワン細胞の培養物に被験物質を添加し、アルデヒド還元酵素遺伝子の発現を指標として糖尿病治療薬をスクリーニングする方法。
【請求項３】
グルコース濃度が少なくとも30mMである請求項２記載の方法。
【請求項４】
高浸透圧条件が、培地に塩化ナトリウムを少なくとも50mM含むものである請求項２記載の方法。
【請求項５】
不死化成熟シュワン細胞がマウス由来のものである請求項２記載の方法。
【請求項６】
マウス由来不死化成熟シュワン細胞を含む、糖尿病性神経障害及びその発症機序におけるポリオール代謝経路の機能解明のためのインビトロモデル。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月18日(2008.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生後約２週間目から振戦を自然発生するマウス。
【請求項２】
髄鞘形成が異常である請求項１記載のマウス。
【請求項３】
軸索形成は正常であり、髄鞘形成が異常である請求項１記載のマウス。
【請求項４】
ＫＪＲマウスとＢＬＧ２マウスとの交配により得られる子孫マウス及びＦ２集団から選択されるものである請求項１〜３のいずれか１項記載のマウス。
【請求項５】
髄鞘形成異常に基づく中枢神経疾患のモデルマウスである請求項１〜４のいずれか１項記載のマウス。
【請求項６】
被検体を請求項１〜５のいずれか１項記載のマウスに投与することを特徴とする髄鞘形成異常に基づく中枢神経疾患治療薬のスクリーニング法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
そこで本発明者は、順遺伝学的手法により新たなモデル動物を開発すべく種々検討してきたところ、野生マウスを系統化したＫＪＲとＢＬＧ２とを交配して得られたＦ２集団に高頻度で振戦を自然発症するマウスが発生することを見出した。更にこのマウスの遺伝子型解析及び組織学的解析を行ったところ、このマウスは軸索が正常であり、髄鞘において形成異常があり、髄鞘形成異常により振戦に代表される神経疾患特有の症状を呈することが判明した。従って、このマウスは髄鞘形成異常モデルマウスとして有用であり、このマウスを用いれば髄鞘形成異常に基づく中枢神経疾患治療薬のスクリーニングが可能になることを見出し、本発明を完成した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明のマウスは、例えばＫＪＲマウスとＢＬＧマウスとの交配により得られる子孫マウス及びＦ２集団から選択することにより得られる。ここで、ＫＪＲマウスは、韓国で捕獲された野生マウスから国立遺伝学研究所において系統化されたマウスであり、国立遺伝学研究所及び理化学研究所から、国立遺伝学研究所とＭＴＡを取り交わした上で入手可能である。ＫＪＲマウスは、韓国のコジュリ(Kojuri)で捕獲された野生マウスを１９８４年に国立遺伝学研究所に導入し、その後２０世代以上の兄妹交配を続けて近交系統として樹立された。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
実施例５（神経線維髄鞘形成不全の原因となるGenic1遺伝子）
ゲノムワイドタイピングで同定された１３番染色体上の原因遺伝子座について、組換え体を用いた連鎖解析から約３．３Mbpの領域内に存在していることが明らかになった（図８）。NCBI Build34.1の遺伝子情報を検索した結果、この領域内には６７個の遺伝子が存在し、annotationができている遺伝子は３０個であった。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
【図１】振戦マウス（ＫＬＦ２）の作製方法を示す図である。
【図２】コントロールと振戦マウス（ＫＬＦ２）の脊髄の免疫染色結果を示す図である。
【図３】コントロールと振戦マウス（ＫＬＦ２）の脳梁の免疫染色結果を示す図である。
【図４】電子顕微鏡による神経線維の微細構造解析結果を示す図である。
【図５】コントロールと振戦マウス（ＫＬＦ２）の脊髄の免疫染色結果を示す図である。
【図６】振戦マウスと正常マウスのゲノムワイドなタイピング結果を示す図である。
【図７】図６のゲノムワイドタイピングの１３番染色体上の拡大図である。
【図８】１３番染色体上の遺伝子座の解析結果を示す図である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月23日(2008.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
請求項１に記載のＤＮＡ分離装置において、
電気泳動によって前記密閉流路中を移動する、前記第１のサンプルＤＮＡ、あるいは第２のサンプルＤＮＡの、少なくとも一つを検知する検出部を、さらに備え、
前記密閉流路中に、前記コンジュゲートＤＮＡ溶液を充填し、かつ、前記第１のＤＮＡ複合体、もしくは前記第２のＤＮＡ複合体の、少なくとも一つを含むプレサンプル溶液を、前記密閉流路内に注入してなり、
前記正電極、および負電極に電圧を印加し、前記コンジュゲートＤＮＡ溶液中で、前記プレサンプル溶液に含まれる前記第１のＤＮＡ複合体、もしくは前記第２のＤＮＡ複合体を電気泳動させ、前記検出部で、該密閉流路を移動する前記第１のＤＮＡ複合体、もしくは第２のＤＮＡ複合体の、少なくとも一つを検知する、
ことを特徴とするＤＮＡ分離装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月29日(2007.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力された電力をスイッチング素子によって切り換えてパルス状の出力を生成するスイッチ回路と、
前記スイッチ回路の出力を直流に変換して出力する出力回路と、
前記出力回路の出力電圧を検出する出力電圧検出回路と、
設定電圧に対応して前記スイッチ回路のオン期間及びオフ期間に関するデータが記憶されている制御テーブルと、前記制御テーブルの読み出し及びＰＷＭ演算を行う演算処理部とを有し、ＰＷＭ信号を出力して前記スイッチ回路を制御するデジタル制御部と、を備えており、
前記デジタル制御部は、目標とする出力電圧が変更されない場合は、検出された前記出力電圧と前記目標とする出力電圧とに基づいたフィードバック制御によって前記スイッチ回路を制御する第１の制御を行い、前記目標とする出力電圧が変更された場合は、前記制御テーブルから読み出したデータに基づいて前記スイッチ回路を制御する第２の制御を行う、ことを特徴とするスイッチング電源。
【請求項２】
前記デジタル制御部の前記第２の制御において、前記目標とする出力電圧が変更された場合は、前記制御テーブルから読み出したデータを、前記検出された出力電圧値に基づいて修正し、該修正したデータに基づいて前記スイッチ回路を制御することを特徴とする請求項１に記載のスイッチング電源。
【請求項３】
前記出力回路がコイル及びコンデンサからなる平滑フィルタを含み、
前記デジタル制御部は、前記コイルに流れるコイル電流が飽和しない程度に前記第２の制御を行う期間が短くなるように制御することを特徴とする請求項１又は２に記載のスイッチング電源。
【請求項４】
前記デジタル制御部は、前記第１の制御による前記スイッチング素子の周期において前記コイル電流が最大値を含む第１の範囲または最小値を含む第２の範囲にあるタイミングで、前記第１の制御と前記第２の制御との切り換えを行うことを特徴とする請求項３に記載のスイッチング電源。
【請求項５】
前記制御テーブルには、設定電圧に対応して前記スイッチ回路のオン期間及びオフ期間の補正データが記憶されており、
前記第２の制御は、前記制御テーブルから読み出した補正データに基づいてフィードバック制御によって前記スイッチ回路を制御することを特徴とする請求項１又は２に記載のスイッチング電源。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載のスイッチング電源を有する電子機器であって、前記デジタル制御部が、該電子機器を制御する制御装置内に含まれていることを特徴とする電子機器。
【請求項７】
複数の記録素子を有する記録ヘッドによって記録を行うように構成され、前記記録ヘッドの駆動電圧が、前記スイッチング電源から供給されることを特徴とする請求項６に記載の電子機器。
【請求項８】
入力された電力をスイッチング素子によって切り換えてパルス状の出力を生成するスイッチ回路と、前記スイッチ回路の出力を直流に変換して出力する出力回路と、前記出力回路の出力電圧を検出する出力電圧検出回路と、設定電圧に対応して前記スイッチ回路のオン期間及びオフ期間に関するデータが記憶されている制御テーブル、及び前記制御テーブルの読み出し及びＰＷＭ演算を行う演算処理部を有し、ＰＷＭ信号を出力して前記スイッチ回路を制御するデジタル制御部と、を備えたスイッチング電源の制御方法であって、
目標とする出力電圧が変更されない場合は、検出された前記出力電圧と前記目標とする出力電圧とに基づいたフィードバック制御によって前記スイッチ回路を制御する第１の制御を行い、
前記目標とする出力電圧が変更された場合は、前記制御テーブルから読み出したデータに基づいて前記スイッチ回路を制御する第２の制御を行う、ように制御を切り換えることを特徴とするスイッチング電源の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上記目的を達成する本発明の一態様としてのスイッチング電源は、入力された電力をスイッチング素子によって切り換えてパルス状の出力を生成するスイッチ回路と、
前記スイッチ回路の出力を直流に変換して出力する出力回路と、
前記出力回路の出力電圧を検出する出力電圧検出回路と、
設定電圧に対応して前記スイッチ回路のオン期間及びオフ期間に関するデータが記憶されている制御テーブルと、前記制御テーブルの読み出し及びＰＷＭ演算を行う演算処理部とを有し、ＰＷＭ信号を出力して前記スイッチ回路を制御するデジタル制御部と、を備えており、
前記デジタル制御部は、目標とする出力電圧が変更されない場合は、検出された前記出力電圧と前記目標とする出力電圧とに基づいたフィードバック制御によって前記スイッチ回路を制御する第１の制御を行い、前記目標とする出力電圧が変更された場合は、前記制御テーブルから読み出したデータに従って前記スイッチ回路を制御する第２の制御を行う、ことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
上記目的を達成する本発明の別の態様としてのスイッチング電源の制御方法は、入力された電力をスイッチング素子によって切り換えてパルス状の出力を生成するスイッチ回路と、前記スイッチ回路の出力を直流に変換して出力する出力回路と、前記出力回路の出力電圧を検出する出力電圧検出回路と、設定電圧に対応して前記スイッチ回路のオン期間及びオフ期間に関するデータが記憶されている制御テーブル、及び前記制御テーブルの読み出し及びＰＷＭ演算を行う演算処理部を有し、ＰＷＭ信号を出力して前記スイッチ回路を制御するデジタル制御部と、を備えたスイッチング電源の制御方法であって、
目標とする出力電圧が変更されない場合は、検出された前記出力電圧と前記目標とする出力電圧とに基づいたフィードバック制御によって前記スイッチ回路を制御する第１の制御を行い、
前記目標とする出力電圧が変更された場合は、前記制御テーブルから読み出したデータに基づいて前記スイッチ回路を制御する第２の制御を行う、ように制御を切り換えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
この場合、第１の制御と前記第２の制御との切り換えのタイミングは、第１の制御によるスイッチング素子の周期においてコイル電流が最大又は最小となるタイミングとするのがよい。