Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月14日(2008.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
図５は、底板３Ａの変形例を示したものであり、図５(a)は底板３Ａに枠体４Ａ，４Ａを接合した際の上面図で、図５(b)は、図５(a)の切断線Ｖ−Ｖに沿って切断した際の矢視断面図である。図５(a)に示すように、底板３Ａの上面で隔壁５Ａ，５Ａ，…を除いた箇所に絶縁膜３１Ａを蛇行して形成している。このように、流路と同じ側に薄膜ヒータを配置する構成でもよいが、この場合は、図５(b)に示すように触媒との絶縁性を確保するために、絶縁保護層を成膜する必要があり、絶縁膜３１Ａ上に四つの層（金属密着層３３Ａ、拡散防止層３４Ａ、発熱抵抗層３５Ａ、拡散防止層３６Ａ）からなる薄膜ヒータ３２Ａを蛇行した状態でパターニングし、その上に絶縁保護層３７Ａが成膜されることになる。絶縁保護層３７ＡとしてはＹ２Ｏ３膜が望ましいが、膜が薄いならばＳｉＯ２膜でも良い。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
［応用例２］
上述した応用例１は、水素製造を行うための化学反応器を想定していたが、これに限らず、改質器等を含む固体酸化物型の発電セル（燃料電池）のように高温作動（６００〜９００℃）するデバイスにも、結晶構造（ビクスバイト構造）を有するＹ２Ｏ３膜からなる絶縁膜を用いることができる。図１１は、固体酸化物型の発電セル２００の概略断面図である。
発電セル２００は、箱型状をなした金属容器２１０と、金属容器２１０内に設けられた膜電極接合体２２０と、金属容器２１０内が膜電極接合体２２０によって仕切られることにより金属容器２１０内の上側と下側とにそれぞれ形成される燃料取り込み部２１１及び酸素取り込み部２１２とを備えている。
金属容器２１０は、耐熱性の良いＮｉ、Ｎｉ−Ｃｒ合金、インコネル等の合金からなるものである。膜電極接合体２２０は、燃料極膜２２１、固体酸化物電解質膜２２２及び酸素極膜２２３を備え、金属容器２１０内の燃料極膜２２１は燃料取り込み部２１１側に配されており、酸素極膜２２３は金属容器２１０内の酸素取り込み部２１２側に配されている。固体酸化物電解質膜２２２は、燃料極膜２２１及び酸素極膜２２３の間に介在し、燃料極膜２２１、固体酸化物電解質膜２２２及び酸素極膜２２３が接合されている。燃料極膜２２１の固体酸化物電解質膜２２２と反対側の面には、陽極側の集電体２２４が設けられ、酸素極膜２２３の固体酸化物電解質膜２２２と反対側の面には、陰極側の集電体２２５が設けられている。金属容器２１０内の内側面には、絶縁膜であるＹ２Ｏ３膜２３１が形成されている。絶縁膜２３１は、上述した絶縁膜３１と同様にスパッタ法により成膜された結晶構造（ビクスバイト構造）を有するＹ２Ｏ３膜である。成膜方法としては、スパッタ法に限らず、蒸着法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、塗布法等でも構わない。
そして、燃料極膜２２１、固体酸化物電解質膜２２２、酸素極膜２２３及び二つの集電体２２４，２２５は、いずれも金属容器２１０の上面及び下面に対して平行となるように金属容器２１０内の互いに対向する内側面に形成された絶縁膜２３１，２３１間に渡って設けられている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
【図１】マイクロリアクタ１の分解斜視図である。
【図２】(a)は、底板３の下面図、(b)は、(a)の切断線II−IIに沿って切断した際の矢視断面図である。
【図３】第一の製造方法において、真空中で１０℃／ｍｉｎの速さで７００℃まで昇温し、７００℃で３０分保持した際の炉内の水素分圧値を時間に対してプロットしたものである。
【図４】第二の製造方法における蒸着法を説明するための図である。
【図５】底板３Ａの変形例であり、(a)は底板３Ａに枠体４Ａ，４Ａを接合した際の上面図で、(b)は、(a)の切断線Ｖ−Ｖに沿って切断した際の矢視断面図である。
【図６】底板３Ｂを切断線II−IIに沿って切断した際の矢視断面図である。
【図７】マイクロリアクタモジュール１００を斜め下から示した斜視図である。
【図８】マイクロリアクタモジュール１００の分解斜視図である。
【図９】マイクロリアクタモジュール１００を機能毎に分けた場合の概略側面図である。
【図１０】マイクロリアクタモジュール１００と発電セル１６０を備える発電システム５００、及び、電子機器本体６００を含むブロック図である。
【図１１】固体酸化物型の発電セル２００の概略断面図である。
【図１２】固体酸化物型の別の発電セル３００の概略断面図である。
【図１３】第一の製造方法における、成膜直後のＹＨ2膜のＸ線回折測定の結果である。
【図１４】ＹＨ2膜を形成後、真空中で７００℃にて３０分焼成して形成したＹ２Ｏ３膜のＸ線回折測定の結果である。
【図１５】実施例１における、基板に一層のＹ２Ｏ３膜を成膜した場合の基板の反りを測定した結果である。
【図１６】実施例１における、基板に二層のＹ２Ｏ３膜を成膜した場合の基板の反りを測定した結果である。
【図１７】実施例２の第四の製造方法における、成膜直後の試料のＸ線回折測定の結果である。
【図１８】実施例２における、図１７の試料について焼成を行った際のＸ線回折結果である。
【図１９】従来例を示すためのもので、(a)は、基板４００の平面図、(b)は(a)の切断線XIX−XIXに沿って切断した際の矢視断面図である。
【図２０】線膨張係数の一覧表である。
【図２１】希土類元素とそれから作られる希土類酸化物の一覧表である。
【図２２】希土類酸化物の融点、結晶構造の一覧表である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2008088462.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月8日(2008.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サーバーレス分散ファイルシステムにおけるセキュアファイル書き込みプロセスの方法であって、
前記サーバーレス分散ファイルシステムにおいて、ファイル作成の証明書を要求し、
前記サーバーレス分散ファイルシステムへのファイルアップロードの前記証明書を要求し、
前記証明書に指示されている予め定めた基準に従って、前記証明書とともに作成されたファイルの変更を受け付け、
前記予め定めた基準は前記証明書が有効である時間的な期間を示す満了指示を有することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記証明書は、前記分散ファイルシステムにより共有される複数の証明書のうちの１つであり、前記複数の証明書のそれぞれの証明書はシリアル番号を有し、前記分散ファイルシステムは順序の狂っている証明書に対する許可を拒絶することで証明書の選択的選択を防止することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記証明書は、委任証明書であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記証明書は、１つまたは複数のファイルに関連付けられ、ユーザーによって署名された前記証明書により、マシンがファイルおよび既存のファイルへの変更を送信することを認可することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
コンピュータ実行可能命令を格納するコンピュータ可読媒体であって、
前記命令は、
サーバーレス分散ファイルシステムにおいて、ファイル作成に証明書を要求し、
前記サーバーレス分散ファイルシステムへのファイルアップロードの前記証明書を要求し、
前記証明書に指示されている予め定めた基準に従って前記証明書とともに作成されたファイルの変更を受け付ける
処理を実行し、前記証明書は、前記分散ファイルシステが共有する複数の証明書の１つであり、前記複数の証明書の各々はシリアル番号を有し、前記分散ファイルシステムは、順序の狂っている複数の証明書については許可を拒絶することを特徴とするコンピュータ可読媒体。
【請求項６】
前記予め定めた基準は、
前記証明書が有効である期間を識別する有効期間インジケータと、
前記作成されたファイルのバージョン指示のうちの１つまたは複数を含むことを特徴とする請求項５に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項７】
前記証明書は、１つまたは複数のファイルに関連付けられ、前記証明書はマシンがファイルおよび既存のファイルへの変更を送信することを許可するユーザーによって署名されることを特徴とする請求項５に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項８】
サーバレス分散システム上に位置するファイルの更新をユーザに許す証明書であって、予め定めた基準を有する証明書を発行し、
前記ユーザのローカルマシン上に前記証明書を保存し、
前記ファイルのコンテンツの変更を含む更新の記録であって、前記サーバレス分散ファイルシステム中のファイルを更新するための記録を作成し、
もしも前記証明書が予め定めた基準に合致するする場合には、ローカルマシンでの突発的なイベントの後、前記サーバレス分散システムに前記更新の記録を送る
ことを特徴とする方法。
【請求項９】
さらに、前記更新の記録を許可し、前記記録は、各更新が特有のシリアル番号を含み、各シリアル番号が予め定めた順序で前記分散ファイルシステムにより受け取られた場合のみ、許可されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記予め定めた基準は、
前記証明書が有効である時間的な期間を示す満了指示および前記ファイルのバージョン指示を含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記証明書は１つまたは複数のファイルに関連付けられており、前記ユーザが署名した証明書により、前記マシンが、ファイルをおよび以前に存在するファイルに対する変更を送信することを許可することを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記更新の記録を送る処理は、前記サーバレスの分散システム上の、前記ファイルおよび該ファイルの１つまたは複数の複製を安全に更新する処理を含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記ファイルおよび１つまたは複数の複製はサーバレスの分散ファイルシステム上の１つまたは複数のコンピュータの中の前記分散システムの１つの部分または複数の部分で保存されることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月7日(2008.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】  請求項１０の摩擦攪拌接合方法において、前記補填材をローラによって前記隙間に押さえて前記挿入を行うこと、を特徴とする摩擦攪拌接合方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２６】  請求項２５の車体の製作方法において、
前記支持装置は他方の前記側構体の車外側と前記台枠の車外側とを摩擦攪拌接合する回転工具であり、
それぞれの前記回転工具は同期して接合線に沿って移動すること、
を特徴とする車体の製作方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
接合すべき２つの部材の間に隙間があると、摩擦攪拌接合できない。このため、回転工具の挿入側に凸部を設け、凸部の金属で隙間を埋めるようにしている。しかし、現実には例えば隙間が１ｍｍ以上になると良好な接合が困難になる。隙間が大きくなると回転工具の径を大きくすることが考えられるが、不都合が発生しやすい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
２つの凸部１２、２２の幅を検出器で検出し、その中心に切削具６０の中心を位置させて、切削を行う。切削具６０の挿入深さは、凸部１２、２２の上面の位置を検出して一定にする。切削はドライ切削で行う。切り子は圧縮空気で吹き飛ばすか、集塵機で吸引する。切削具６０として図１ではエンドミルを示すが、丸鋸でもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
このかしめ作業は、隙間４０に沿ってローラ７０を走行させることによって行う。ローラ７０の先端は台形状である。ローラ７０の幅の中心が２つの部材１０、２０の中心（隙間４０の中心）に位置する。ローラ７０の台形状の斜面で凸部１２、２２の角部を押さえる。これによって凸部１２、２２の角部はかしめられる。２つの凸部１２、２２の幅を検出器で検出し、その中心にローラ７０の中心を位置させて、押さえる。（図１（Ｂ）、図３）
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
図５の実施例を説明する。６１は切削具６０としての丸鋸である。丸鋸６１の後方において、切り粉を吸引口６５で吸引している。また、ゴム製の排除板６６で切り粉が後方に行かないようにしている。補填材３０はドラム９０に巻かれている。補填材はドラム９０からガイドローラ９３ｂ、９３ｃ、９３ｄによって滑らかに円弧状に曲げられ、筒状のガイド９５を経由して隙間４０に挿入される。ドラム９０とローラの間にはこのようなローラ９３ｂ、９３ｃ、９３ｄ、ガイド９５が適宜ある。補填材３０が隙間４０に入ると、ローラ７０で固定され、回転工具８０で摩擦攪拌接合される。これら機器は１つの台車に設置している。ドラム９０は台車の走行に伴って、補填材３０を繰り出す。
凸部１２、２２をかしめて補填材３０を固定するに際し、最初は補填材３０の端部を溶接で凸部１２、２２に固定するとよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、ローラ７０で凸部１２、２２を押さえて行っているが、間欠的に２つの凸部１２、２２を叩いて行うことができる。叩く部材はのみのように小断面積にする。また、溝４０を切削した際の切り粉は圧縮空気を吹き付けて排除することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
台枠１１０は架台２１０に載せて固定してある。台枠１１０に側構体１２０、１２０を載せている。側構体１２０、１２０の上部には屋根構体１３０が接合されている。側構体１２０、１２０と屋根構体１３０とを接合した後、台枠１１０に載せている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
側構体１２０の上部は側方から支持装置２３０で支持している。支持装置２３０は車体の両側面に沿って設置した枠２２０に設置している。支持装置２３０は水平方向に伸縮自在である。車体の内側には支持装置２４０が配置され、一対の側構体１２０、１２０の間隔や垂直度を所定にしている。支持装置２４０は側構体１２０、１２０の上部と上部との間、下部と下部との間、および上部と下部との間にある。支持装置２４０は２つの側構体１２０、１２０の間隔を大きくする支え棒や、間隔を小さくするチエン等である。いずれもターンバックルを備え、間隔を変更できる。チエンは窓などにかけ、引っ張っている。また、側構体１２０の下端は車外側から車内側に向けて押さえている。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
車体の両側面には接合装置３００、３００がある。接合装置３００の上下はレール３０１、３０２で支持され、車体に沿って直線状に走行する。接合装置３００は台車３１０に設置している。接合装置３００は下部のレール３０２にローラを介して載っており、またレール３０１の左右の面に接するローラがある。また、接合装置３００の上部には上部のレール３０２の左右の面に接するローラがある。レール３０１は枠２２０の上部に設置している。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
図１１の実施例を説明する。中空形材１１１の上方に２つの突出片１１１ｐ、１１１ｐが突出している。２つの突出片（面板に相当する）１１１ｐ、１１１ｐは接続片１１１ｑで接続している。接続片１１１ｑは接続片１２１ｄと同様に設置している。接続片１１１ｑと突出片１１１ｐ、１１１ｐとの接続部には前記実施例と同様に面板１２１ｂ、１２１ｃに重なる凹部および突出片がある。
面板１２１ｃと突出片１１１ｐを溶接後、支持装置２５０を配置する。支持装置２５０は面板１２１ｃ、突出片１１１ｐの両方に接触するのが好ましい。回転工具８０の軸心の延長線上に接続板１１１ｑを位置させて、摩擦攪拌接合する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月22日(2007.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
画像から不規則ノイズを除去することを意図した画像フィルタ処理アルゴリズムは、現在、固有空間分解能のこのばらつきに対応していない。従って、このようなアルゴリズムは、画質の観点からは最適とは言えない状態で機能する。こうした枠組みにおいて、これらが不規則ノイズのレベルを首尾よく低下させることができたとしても、フィルタ処理画像の空間分解能に損失を生じさせる場合が多い。
【特許文献１】米国特許第６１７８２２０号
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月22日(2007.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークを経て通信する電子機器の電力を管理する方法であって、
前記電子機器のバッテリ・レベルを監視する工程と、
１つもしくはそれより多くの伝送モードにおける前記電子機器の電力消費を評価する工程と、
前記電力消費の情報に基づいて１つ、もしくはそれより多くのしきい値レベルを設定する工程と
前記バッテリ・レベルの、前記１つもしくはそれより多くのしきい値レベルに対する比較に基づいて実質的に連続する伝送モードの速度を選択する工程と、
を含む方法。
【請求項２】
前記選択工程は、前記バッテリ・レベルがあらかじめ定められた１つまたは複数の閾値レベルに達したとき電力消費量がより低い伝送モードを選択する工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記伝送モードが伝送速度を含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
１つまたは複数の伝送モードで前記電子機器の電力消費量を周期的に評価する工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記バッテリ・レベルに基づいて前記伝送モードが調整されたことをユーザーに通知する工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
１つまたは複数のバッテリと、
ネットワーク通信用の１つまたは複数のポートと、
メモリと、
メモリに結合され、
前記電子機器のバッテリ・レベルを監視し、
１つもしくはそれより多くの伝送モードにおける前記電子機器の電力消費を評価し、
前記電力消費の情報に基づいて、１つもしくはそれより多くのしきい値レベルを設定し、および
前記バッテリ・レベルの、前記１つもしくはそれより多くのしきい値レベルに対する比較に基づいて実質的に連続する伝送モードの速度を選択するように動作可能な少なくとも１つのプロセッサと、
を備える電子機器。
【請求項７】
前記プロセッサはさらに、前記バッテリ・レベルがあらかじめ定められた１つまたは複数の閾値レベルに達したとき電力消費量がより低い伝送モードを選択するように構成されている請求項６に記載の電子機器。
【請求項８】
前記プロセッサはさらに、前記バッテリ監視および伝送モード選択を選択的にディスエーブルにするように構成されている請求項６に記載の電子機器。
【請求項９】
ネットワークを経て通信する電子機器用の電力管理ドライバであって、
前記電子機器のバッテリ・レベルを監視する工程と、
１つもしくはそれより多くの伝送モードにおける前記電子機器の電力消費を評価する工程と、
前記電力消費の情報に基づいて、１つもしくは２つ以上のしきい値レベルを設定する工程と、
前記バッテリ・レベルの、前記１つもしくはそれより多くのしきい値レベルに対する比較に基づいて実質的に連続的な伝送モードの速度を選択する工程と、
を実施する電力管理ドライバ。
【請求項１０】
前記選択工程はさらに、前記バッテリ・レベルがあらかじめ定められた１つまたは複数の閾値レベルに達したとき電力消費量がより低い伝送モードを選択する工程を含む請求項９に記載の電力管理ドライバ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月23日(2008.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンデンサ充電システムにおいて、
コンデンサに接続されたコンデンサ充電装置であって、固定周波数で、デューティ・サイクルが可変の波形である振幅を有する電流を発生することによって、前記コンデンサに充電するよう構成及び配置されたコンデンサ充電装置と、
前記コンデンサと前記コンデンサ充電装置との間に電気的に接続及び挿入されたダイオードであって、陰極が前記コンデンサに接続され、陽極が前記コンデンサ充電装置に接続された、ダイオードと
を備える、コンデンサ充電システム。
【請求項２】
前記コンデンサ充電装置は、
磁気素子であって、その両端間に前記コンデンサが接続されている、磁気素子と、
前記磁気素子のノードに接続されたパルス化電圧源であって、第１の電圧と該第１の電圧より低い第２の電圧との間において、ほぼ一定の周波数で、かつ可変のデューティ・サイクルで遷移する充電電圧を前記磁気素子に供給するように構成及び配置された、パルス化電圧源と
を備える、請求項１のコンデンサ充電システム。
【請求項３】
前記磁気素子は、一次巻線と、前記一次巻線と位相が異なる二次巻線とを有するフライバック・トランスであり、
前記コンデンサは、前記二次巻線の両端間に接続される、請求項２のコンデンサ充電システム。
【請求項４】
前記コンデンサ充電装置は、さらに、
前記一次巻線の第２のノードに接続され、前記一次巻線を流れる電流を表す電流振幅信号を発生するように構成及び配置された電流センサと、
前記パルス化電圧源及び前記電流センサに動作可能に結合され、前記パルス化電圧源にデューティ・サイクル調整信号を与えて、前記充電電圧波形のデューティ・サイクルを前記電流振幅信号に基づいて調整するように構成及び配置された制御回路と
を備える、請求項３のコンデンサ充電システム。
【請求項５】
前記パルス化電圧源は、
電圧を供給するための電圧源と、
前記電圧源及び前記一次巻線に直列に接続されたスイッチング要素を備え、
前記スイッチング要素によって、前記一次巻線に印加される前記電圧が制御される、請求項３のコンデンサ充電システム。
【請求項６】
前記パルス化電圧源は、さらに、
前記ほぼ一定周波数のクロック信号を前記スイッチング要素に供給するクロック発生器を備え、
前記スイッチング要素は、前記クロック信号に応答して、前記電圧パルスを前記一次巻線に供給する、請求項５のコンデンサ充電システム。
【請求項７】
前記制御回路は、
前記電流センサに接続されたコンパレータであって、第１の入力で前記電流振幅信号を受信し、第２の入力が電圧基準に接続されており、前記電流センサによって、前記一次巻線の前記電流が所定の量にほぼ等しいことが示されると、前記デューティ・サイクル調整信号の状態を変更するように構成及び配置されるコンパレータを備える、請求項６のコンデンサ充電システム。
【請求項８】
前記制御回路は、さらに、
前記コンパレータの前記第１の入力と前記電流センサとの間に挿入されたフィルタであって、前記電流センサから前記電流振幅信号を受信する入力と、前記コンパレータの前記第１の入力に結合された出力とを有するフィルタを備え、
前記フィルタは、前記電流振幅信号の少なくとも１つの周波数を減衰させる、請求項７のコンデンサ充電システム。
【請求項９】
前記制御回路は、さらに、
前記コンパレータの前記出力に結合された第１の入力と、前記クロック発生器に結合された第２の入力と、前記電圧パルスの前記デューティ・サイクルを制御するために前記スイッチング要素に結合された出力とを有する制御論理回路であって、前記第１の入力で前記デューティ・サイクル調整信号を受信し、前記第２の入力で前記クロック信号を受信する、制御論理回路を備える、請求項８のコンデンサ充電システム。
【請求項１０】
コンデンサに充電するための方法であって、
振幅が固定周波数波形を有する電流をコンデンサに供給するステップと、
前記固定周波数の電流のデューティ・サイクルを変化させるステップと、
固定周波数でかつデューティ・サイクルが可変の電圧波形によってトランスの一次巻線を駆動するステップと、
前記一次巻線を流れる電流を検知するステップと、
前記一次巻線に流れる前記電流が所定の値に達すると、前記電圧波形のデューティ・サイクルを調整するステップと
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月4日(2007.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
さらに、本発明におけるポリヌクレオチドのホモログは、配列番号：２に示されるアミノ酸配列と少なくとも７０%、好ましくは少なくとも８０%または９０%、より好ましくは９５%以上のホモロジーを有するタンパク質をコードするポリヌクレオチドを含む。タンパク質のホモロジー検索は、たとえばSWISS-PROT, PIRなどの蛋白質のアミノ酸配列に関するデータベースや DDBJ、EMBL、あるいはGene-BankなどのＤＮＡ配列に関するデータベース、ＤＮＡ配列を元にした予想アミノ酸配列に関するデータベースなどを対象に、BLAST, FASTAなどのプログラムを利用して、例えば、インターネット通じて行うことができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
【表５】
2002125686.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月13日(2008.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間の少なくとも一方に誘電体を設け、電極間に処理用ガスを供給しつつ高周波電力を供給することで、電極間に大気圧近傍の圧力下でプラズマを生成させ、被処理物を処理する方法において、一対の電極間のなす空間に被処理物を載置させずに、前記被処理物の少なくとも一部分をプラズマに曝す際、前記被処理物を振動或いは回転させながら処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
一対の電極間の少なくとも一方に誘電体を設け、電極間に処理用ガスを供給しつつ高周波電力を供給することで、電極間に大気圧近傍の圧力下でプラズマを生成させ、被処理物を処理する方法において、一対の電極間のなす空間に被処理物を載置させずに、プラズマ状態のガスを少なくとも２方向から被処理面に照射させること
を特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項３】
被処理物が糸状あるいは棒状の形状であることを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマ処理方法。
【請求項４】
被処理物を複数本で重ねた、束ねた或いは拠った状態であることを特徴とする請求項３記載のプラズマ処理方法。
【請求項５】
少なくとも１方向は、被処理物の線方向からプラズマ状態のガスを照射し、さらに少なくとも１方向は、被処理物の線方向と垂直となる方向からプラズマ状態のガスを照射することを特徴とする請求項２記載のプラズマ処理方法。
【請求項６】
被処理物は、表面の一部及び全部を有機膜で覆った金属であることを特徴とする請求項３記載のプラズマ処理方法。
【請求項７】
有機膜は熱硬化性樹脂であることを特徴とする請求項６記載のプラズマ処理方法。
【請求項８】
プラズマ処理中に、もしくはプラズマ処理とプラズマ処理の間に、供給するガスの流量を大きくすることを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマ処理方法。
【請求項９】
処理用ガスがＯ2ガスを含み、且つＮ2、Ｆ元素含有ガスの少なくとも１種類を含むことを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１０】
Ｆ元素含有ガスはＦ2、ＣＨＦ3、ＨＦ、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ4、Ｃ2Ｆ6、Ｃ3Ｆ6、Ｃ4Ｆ6、Ｃ3Ｆ8、Ｃ4Ｆ8、Ｃ5Ｆ8、ＮＦ3及びＳＦ6ガスのいずれかであることを特徴とする請求項９記載のプラズマ処理方法。
【請求項１１】
一対の電極間の少なくとも一方に固体誘電体を設け、電極間に処理用ガスを供給しつつ高周波電力を供給することで、大気圧近傍の圧力下でプラズマを生成し、プラズマ状態のガスを被処理物に対して照射し、複数の、且つ少なくとも一箇所が接触する被処理物を、一対の電極間のなす空間に被処理物を載置させずに、プラズマ状態のガスを被処理面に照射させることでプラズマ処理する工程と、複数の被処理物の周囲を金属部材で囲んで、機械的な圧力を与えることで被処理物と金属部材を接触させる工程により、被処理物と金属部材を導通させること
を特徴とする導線。
【請求項１２】
一対の電極間の少なくとも一方に固体誘電体を設け、電極に連結可能な高周波電源と電極間に処理用ガスを供給できるガス供給装置を設け、電極間のなす空間に備えるガス流路を経由して、被処理物の被処理面に処理用ガスを供給することが可能なプラズマ処理装置において、電極間のなす空間に連結し、且つ少なくとも対向する２面の絶縁体からなる壁を備えること
を特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１３】
一対の電極間の少なくとも一方に固体誘電体を設け、電極に連結可能な高周波電源と電極間に処理用ガスを供給できるガス供給装置を設け、電極間のなす空間に備えるガス流路を経由して、被処理物の被処理面全体に処理用ガスを供給することが可能なプラズマ処理装置において、電極間のなす空間に連結し、且つ少なくとも対向する２面の絶縁体からなる壁を備え、尚且つ該ガス流路を少なくとも２系統備えること
を特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１４】
電極に対する被処理物の位置を相対的に変化することが可能な移動機構を備えることを特徴とする請求項１２または１３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１５】
移動機構は、振動を伝達することが可能な機構、あるいは回転を伝達することが可能なことを特徴とする請求項１４記載のプラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月13日(2008.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間の少なくとも一方に誘電体を設け、一方の電極上に被処理物を載置し、前記電極間に処理用ガスを供給しつつ電極間に高周波電力を供給することで、電極間に大気圧近傍の圧力下でプラズマを生成させ、前記被処理物を処理するプラズマ処理方法において、前記被処理物は少なくとも非平面形状の被処理面を有し、かつ被処理面に照射されるプラズマ状態のガスの流速を被処理面内で不均一にすることで前記被処理物を処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
処理用ガスは複数系統で供給し、１つ以上のガス系統でガスの供給流量が異なることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理方法。
【請求項３】
被処理面と電極のなす距離が大きい領域ではプラズマ状態のガスの流速を大きくし、被処理面と電極のなす距離が小さい領域ではプラズマ状態のガスの流速を小さくすることを特徴とする請求項２記載のプラズマ処理方法。
【請求項４】
一対の電極間の少なくとも一方に誘電体を設け、一方の電極上に被処理物を載置し、前記電極間に処理用ガスを供給しつつ電極間に高周波電力を供給することで、電極間に大気圧近傍の圧力下でプラズマを生成させ、前記被処理物を処理するプラズマ処理方法において、プラズマ状態のガスが不活性ガスを含み、かつ不活性ガスの濃度を被処理面内で不均一にすること
を特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項５】
処理用ガスは複数系統で供給し、被処理面の形状に合わせて、不活性ガスの濃度が面内で不均一になるように、１つ以上のガス系統で不活性ガス濃度が異なることを特徴とする請求項４記載のプラズマ処理方法。
【請求項６】
被処理面内で、被処理面と電極のなす距離が大きい領域では不活性ガスの濃度を高くし、被処理面と電極のなす距離が小さい領域では不活性ガスの濃度を低くすることを特徴とする請求項４に記載のプラズマ処理方法。
【請求項７】
一対の電極間の少なくとも一方に固体誘電体を設け、電極に連結可能な高周波電源と電極間に処理用ガスを供給できるガス供給装置を設け、電極内部のガス流路を経由して、被処理物の被処理面全面に処理用ガスを供給することが可能なガス噴出面を設けたプラズマ処理装置において、
ガス噴出面が複数のガス噴出口を備え、全てのガス噴出口のうち開口断面積の大きさが異なるものを１つ以上備えること
を特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項８】
ガス噴出口の開口断面積の大きさが、ガス噴出面内の中心部から外周部に向かって段階的に大きく、もしくは小さくなることを特徴とする請求項７記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
一対の電極間の少なくとも一方に固体誘電体を設け、電極に連結可能な高周波電源と電極間に処理用ガスを供給できるガス供給装置を設け、電極内部のガス流路を経由して、被処理物の被処理面全面に処理用ガスを供給することが可能なガス噴出面を設けたプラズマ処理装置において、
ガス噴出面が複数のガス噴出口を備え、全てのガス噴出口のうち電極内部のガス流路の長さが異なるものを１つ以上備えること
を特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１０】
ガス噴出面内において、電極内部のガス流路の長さが、中心部から外周部に向かって段階的に長く、もしくは短くなることを特徴とする請求項９記載のプラズマ処理装置。
【請求項１１】
単位面積あたりにおけるガス噴出口の開口断面積の総和が、ガス噴出面内全面でほぼ一定であることを特徴とする請求項７または９に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１２】
一対の電極間の少なくとも一方に固体誘電体を設け、電極に連結可能な高周波電源と電極間に処理用ガスを供給できるガス供給装置を設け、電極内部のガス流路を経由して、被処理物の被処理面全面に処理用ガスを供給することが可能なガス噴出面を設けたプラズマ処理装置において、
ガス噴出面が複数のガス噴出口を備え、ガス噴出口の数が粗な部分と密な部分を設けていること
を特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１３】
ガス噴出面内において、ガス噴出口の数の粗密が、中心部から外周部に向かって段階的に疎に、もしくは密になることを特徴とする請求項１２記載のプラズマ処理装置。
【請求項１４】
一対の電極間の少なくとも一方に固体誘電体を設け、電極間に処理用ガスを供給しつつ高周波電力を供給することで、大気圧近傍の圧力下でプラズマを生成し、プラズマ状態のガスを被処理物に対して照射し、平面でない被処理面をプラズマ処理する方法において、
プラズマから放出され、被処理物を透過し、且つ１５０ｎｍから９５０ｎｍの間のいずれ
かの波長の光を光検出器で検出しつつ、被処理物の表面を処理すること
を特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項１５】
電極と光検出器の相対位置を変化させつつ検出した光を分光し、相対位置に対する所望の波長の強度の大きさのプロファイルを記録することを特徴とする請求項１４記載のプラズマ処理方法。
【請求項１６】
プロファイルの形状からガスの流速、流量あるいは濃度を再計算し、プラズマ条件にフィードバックして、ガスの流速、流量あるいは濃度を変化させることを特徴とする請求項１５記載のプラズマ処理方法。
【請求項１７】
処理用ガスは複数系統で供給し、フィードバックされた発光強度プロファイルを相対位置に対して均一になるように、１つ以上のガス系統で処理用ガスの供給流量、流速および不活性ガス濃度を変化させることを特徴とする請求項１６記載のプラズマ処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月9日(2008.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤチップと、該ＬＥＤチップからの光の一部を波長変換する蛍光体と、を備えたＬＥＤ装置と、
前記ＬＥＤ装置の光出射側に配置されるレンズと、
前記ＬＥＤ装置の光出射面上又は前記レンズの入光面上に、空気層を介して配置されるシートであって、表裏両面が、凹凸を有する光拡散面であるシートと、
を備えてなる光源装置。
【請求項２】
前記シートと、取付相手である前記光出射面又は前記入光面との距離は０．０１ｍｍ〜０．２ｍｍである、請求項１に記載の光源装置。
【請求項３】
接着剤または両面テープにより前記シートの縁部が前記取付相手に接着される、請求項２に記載の光源装置。
【請求項４】
前記シートは前記入光面上に配置される、請求項３に記載の光源装置。
【請求項５】
カバー及びヒートシンクが備えられ、該カバーと該ヒートシンクによって前記レンズの縁部が挟持される、請求項４に記載の光源装置。
【請求項６】
前記カバーは樹脂からなり、且つ固定用の足を備え、
該足を溶融することによって前記カバーが前記ヒートシンクに固定される、請求項５に記載の光源装置。
【請求項７】
前記レンズの片側が凸レンズ形状に成形されるとともに、反対側には固定及び位置決め用の一対の足が形成される、請求項５に記載の光源装置。
【請求項８】
前記ＬＥＤチップが青色光を出射するＬＥＤチップであり、
前記蛍光体が、青色光に励起されて黄色光を放出する蛍光体である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の光源装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月19日(2007.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
一般的なＲＦＩＤタグの回路は基本的に、以下に挙げる機能の一部またはすべてを持つ。
１．読み取り器からＲＦエネルギーを回収
２．ＲＦ信号をチップに電力を供給する直流信号へ変換
３．読み取り器から送信されるＲＦ信号に含まれたクロック信号、タイミング信号および／またはコマンド信号を復調
４．入力される命令またはあらかじめ記憶された命令に基づいて動作する、ステートマシーン的な政策決定・制御論理
５．メモリアレイなどから（例：センサからの出力）受信するデジタルデータをカウンタまたはレジスタを用いて読出
６．読み出し器により読み出されるおよび／またはセキュリティを確保するため行われる認証で使用されるＩＤコードなどの情報を記憶する記憶素子（例：メモリ）
７．タグに対応した読み取り器への送信のため、タグのアンテナに戻される符号化データ、タイミング信号またはコマンドを変調
なお、本出願に対応する外国の特許出願においては下記の文献が発見または提出されている。
【特許文献１】米国特許出願公開第２００５／０２１４６８８号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２００５／０２１０３０２号明細書
【特許文献３】米国特許出願公開第２００５／０１９４６４５号明細書
【特許文献４】米国特許出願公開第２００５／０１６８３３９号明細書
【特許文献５】米国特許出願公開第２００５／０１３４４３５号明細書
【特許文献６】米国特許出願公開第２００５／０１３４４６３号明細書
【特許文献７】米国特許出願公開第２００４／０１６４３０２号明細書
【特許文献８】米国特許第６，４１３，７９０号明細書
【特許文献９】米国特許第４，２３３，８３０号明細書
【特許文献１０】米国特許出願公開第２００５／０１８１５６６号明細書
【特許文献１１】米国特許出願公開第２００５／０１４８１２１号明細書
【特許文献１２】米国特許出願公開第２００５／０１３４４６３号明細書
【特許文献１３】米国特許出願公開第２００５／０１３３７９０号明細書
【特許文献１４】米国特許出願公開第２００２／０１６３４３４号明細書
【特許文献１５】米国特許出願公開第２００１／００４０５０７号明細書
【特許文献１６】米国特許第６，５０９，２１７号明細書
【特許文献１７】米国特許第６，３４８，２９５号明細書
【特許文献１８】米国特許第６，２９４，４０１号明細書
【特許文献１９】米国特許第５，９８９，９４４号明細書
【特許文献２０】米国特許出願公開第２００２／０１６３４３４号明細書
【特許文献２１】米国特許出願公開第２００１／００４０５０７号明細書
【特許文献２２】米国特許第６，４００，２７１号明細書
【特許文献２３】米国特許第６，０９１，６０７号明細書
【特許文献２４】米国特許第５，８４１，３５０号明細書
【特許文献２５】米国特許第５，５１０，７６９号明細書
【特許文献２６】米国特許第５，２１８，１８９号明細書
【特許文献２７】米国特許第４，６６６，７３５号明細書
【特許文献２８】米国特許第６，３５６，１９７号明細書
【特許文献２９】米国特許第５，６２５，３４１号明細書
【特許文献３０】米国特許第７，１５２，８０４号明細書
【非特許文献１】J. H. Lee et al.; The Improvement of Reliability in the Poly-Si TFTs Employing Laser Irradiation on Gate Oxide; AM-LCD '03 pp. 169 et seq.
【非特許文献２】Hongmei Wang et al.; High Frequency Performance of Large-Grain Polysilicon-on-Insulator MOSFETs; IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 48, No. 7, July 2001.
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月12日(2008.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
パッドドレッシングとは、ダイヤモンドなどの砥石が着いたパッドドレッサーを研磨パッドに当接させ、研磨パッドの表面を削り荒らして、新規の研磨パッドの表面状態を最適に初期化したり、使用中の研磨パッドに対してはスラリーの保持性を回復させ、研磨能力を維持させることをいう。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
研磨パッド２０をドレッシングする時は、回転する研磨パッド２０の表面にパッドドレッサー３０の先端子３１ａを当接させた状態から所定量基板３２を研磨パッド２０に対して接近させ、線状弾性部材３１を撓ませる。線状弾性部材３１がこのように独立して弾性変形することによりドレッシング圧力が創出され、研磨パッド２０の表面がドレッシングされる。この場合、線状弾性部材３１の撓み量を調整することにより、最適なドレッシング圧力を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月17日(2008.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
順送り金型装置５では、図２に示すように、ロール装置２から間欠供給されたフープ材Ｗ１にパイロット穴Ｐを穿孔するパイロット穴打抜き工程（１）と、フープ材Ｗ１にスロットＳや内径ｄ等を打抜く内径打抜き工程（２）と、フープ材Ｗ１の下面に接着剤Ｅを塗布する接着剤塗布工程（３）と、フープ材Ｗ１から鉄心薄板Ｗ２（図２参照）を打抜いて積層接着する外形打抜き／積層接着工程（４）とが順次行われる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2007059819.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2007059819.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2007059819.tif 000003
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2007059819.tif 000004
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2007059819.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月31日(2008.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
新世代のＸ線診断用画像検出器としてアクティブマトリックス型の平面検出器が開発されている。この平面検出器において、照射されたＸ線を検出することにより、Ｘ線撮影像またはリアルタイムのＸ線画像がデジタル信号として出力される。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月18日(2008.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に形成されている発光素子部と、
前記基板における前記発光素子部の形成側面であって該発光素子部の形成領域以外に形成されている光検出部と、
前記発光素子部から前記光検出部にわたって形成されている透明部材からなる透明層と、
前記透明層の少なくとも上面における前記発光素子部の発光軸の近傍以外に形成されている反射層と、を有することを特徴とする電気光学素子。
【請求項２】
基板と、
前記基板に形成されている発光素子部と、
前記基板における前記発光素子部の形成側面であって該発光素子部の形成領域以外に形成されている光検出部と、
前記発光素子部から前記光検出部にわたって、前記発光素子部が放出する光の一部を前記受光素子部へ導くように形成されている光導波路層と、を有し、
前記光導波路層は、前記発光素子部の発光軸近傍には形成されていないことを特徴とする電気光学素子。
【請求項３】
前記発光素子部は、面発光レーザであり、
前記反射層は、前記発光素子部の発光軸に対して同軸となる位置に開口部を有し、
前記開口部の大きさは、前記面発光レーザの電流狭窄層の内径と同じ又は該内径よりも大きく、かつ、前記面発光レーザの開口部に形成された電極の内径と同じ又は該内径よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の電気光学素子。
【請求項４】
前記反射層は、前記透明層の露出面における前記発光軸の近傍以外のほぼ全てを覆うように形成されていることを特徴とする請求項１又は３に記載の電気光学素子。
【請求項５】
前記透明層は、前記発光素子部から出射された光が透過するものであって、ポリイミド、エポキシ系樹脂、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＳｉＮのいずれかで形成されていることを特徴とする請求項１、３、４のいずれかに記載の電気光学素子。
【請求項６】
前記透明層は、防湿層として機能するものであることを特徴とする請求項１、３、４のいずれかに記載の電気光学素子。
【請求項７】
前記反射層は、前記発光素子部から出射された光の一部を反射するものであり、
前記光検出部は、前記反射層で反射された光を少なくとも受光するように配置されていることを特徴とする請求項１、３、４、５、６のいずれかに記載の電気光学素子。
【請求項８】
前記光導波路層は、誘電体多層反射層で形成されていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学素子。
【請求項９】
前記透明層の下層であって、前記発光素子部の上面、前記光検出部上面、絶縁膜の上面のうちの少なくとも一つに、配置された下側反射層を有することを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学素子。
【請求項１０】
発光素子と、
受光素子と、
前記発光素子及び前記受光素子を覆うように形成された透光部材と、
前記透光部材の表面に配置され、前記発光素子からの光が通過するよう開口部を有する光反射部材と、
を含むことを特徴とする電気光学素子。
【請求項１１】
発光素子と、
受光素子と、
前記受光素子を覆うように形成され、前記発光素子からの光が通過するよう開口部を有する光導波路と、
を含むことを特徴とする電気光学素子。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか一項に記載の電気光学素子を有して構成されていることを特徴とする光伝送モジュール。
【請求項１３】
請求項１から１１のいずれか一項に記載の電気光学素子を含むことを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電気光学素子および光伝送モジュール、電子機器
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月8日(2008.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
次に、半導体基板１の周知の異方性エッチングによって図１及び図２に示す第１のトレンチ５を形成すると同時に第２のトレンチ７を図１、図２及び図６（Ａ）に示すように形成する。第１及び第２のトレンチ５、７は、図５のｐ型半導体領域９′を貫通し、ｎ-型ベース領域８の途中まで至るように半導体基板１を選択的に除去することによって得る。これにより、図５のｐ型半導体領域９′は、図６（Ａ）に示すようにｐ型ベース領域９と第１、第２、第３及び第４の耐圧改善半導体領域１４、１５、１６、１７に分割される。
なお、第１のトレンチ５は、図５に示すｎ+ 型半導体領域１０′の一部を除去するように形成する。これにより、図１に示すように第１のトレンチ５に隣接したｎ+型エミッタ領域１０が得られる。この実施例では第１及び第２のトレンチ５、７を同時に形成したが、勿論、別の工程で形成することもできる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
図１のＩＧＢＴをオン状態にする時には、エミッタ端子２３とコレクタ端子２５との間に駆動電圧を印加し、エミッタ端子２３とゲート端子２０との間にゲート制御信号を印加する。駆動電圧の極性はコレクタ端子２５が正、エミッタ端子２３が負になるように決定される。ゲート端子２０にＩＧＢＴをオンにするための制御信号が印加されている時には、ｐ型ベース領域９の第１のトレンチ５に隣接する部分にｎチャネル層が発生し、コレクタ電極２４、ｐ+型コレクタ領域１１、ｎ型バッファ領域１２、ｎ-型ベース領域８、上記のｎチャネル層、ｎ+ 型エミッタ領域１０及びエミッタ電極２１の経路に電流が流れる。このオン状態時にはｎ-型ベース領域８で周知の伝導度変調が生じる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
図１１のＦＥＴのオン駆動時には、ｎ+型ドレイン領域１１´、ｎ-型ドリフト領域８´、ｐ型ボディ領域９´´に生じたｎチャネル、ｎ+型ソース領域１０´´の経路で電流が流れる。図１１のＦＥＴのオフ時には図１のＩＧＢＴと同様にｎ-型ドリフト領域８´とｐ型ボディ領域９´´との間のｐｎ接合の逆バイアスに基づく空乏層３６が第１及び第２のトレンチ５，７の相互間を埋めるように生じ、ＦＥＴの高耐圧化が達成される。従って、図１１の実施例６によっても図１の実施例１と同様な効果を得ることができる。
なお、図７，図８図、図９及び図１０の実施例２，３，４、５のＩＧＢＴを図１１と同様にＦＥＴに変形することができる。