(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気信号を入力する線路と、前記線路と近接して真空中に配置され前記電気信号の周波数に応じて発生する電界の静電力によって共振する共振器と、前記共振器の機械振動を検出する検出手段とを含み、前記検出手段が前記機械振動を、基準となる参照光と前記共振器から反射された検出光との干渉により生ずる干渉光に変換して検出することを特徴とするフィルタ。
【請求項２】
前記電気信号の周波数が１０ＭＨｚ以上であることを特徴とする請求項１記載のフィルタ。
【請求項３】
前記共振器は複数で、前記線路及び前記検出手段に対して並列に接続され、前記共振器の共振周波数が同じであることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のフィルタ。
【請求項４】
前記共振器は複数で、前記線路及び前記検出手段に対して並列に接続され、前記共振器の共振周波数がそれぞれ異なることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のフィルタ。
【請求項５】
前記線路と前記共振器との間に直流電位を印加して前記共振器の動作を制御する直流電位制御手段を前記共振器のそれぞれに独立して備えることを特徴とする請求項４記載のフィルタ。
【請求項６】
前記共振器と前記線路との間に誘電体層を有することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のフィルタ。
【請求項７】
前記干渉光が、レーザヘテロダイン方式によるレーザ光の干渉であることを特徴とする請求項６記載のフィルタ。
【請求項８】
前記参照光は、反射方向を変えることが可能な可動ミラーを介して、選択した一つの共振器に照射することを特徴とする請求項６又は請求項７記載のフィルタ。
【請求項９】
前記干渉光を、光導波路を介して電気信号に変換することを特徴とする請求項６乃至請求項８のいずれかに記載のフィルタ。
【請求項１０】
前記共振器は長辺寸法が前記線路の幅より小さい共振器であることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれかに記載のフィルタ。
【請求項１１】
前記長辺寸法が前記線路の幅より小さい共振器は、前記線路に沿って回折格子状に配置されていることを特徴とする請求項１０記載のフィルタ。
【請求項１２】
前記共振器は、前記線路の両端に沿って２個を対として配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれかに記載のフィルタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はもっぱら無線通信回路に用いられるフィルタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種のフィルタとしては、例えば、非特許文献１に記載されているようなものがあった。図１１は前記非特許文献に記載された従来のフィルタを示している。
【０００３】
図１１において、この従来のフィルタは基板９０の上に形成され、入力線路９４、出力線路９５と、それらの線路９４、９５に対して僅かにギャップをもって配置された両端固定の２つの振動梁９１、９２（共振器）と、その２つの梁を結合する結合梁９３とで構成されている。
【０００４】
入力線路９４から入力した信号は、信号の周波数に応じた電界を発生させ共振器９１に静電力を印加させる。このとき、入力信号の周波数が共振器の共振周波数と一致した場合、共振器９１は励振され振動し、結合梁９３で結合された共振器９２も振動する。このため共振周波数を有する信号のみが選択的に電気信号から機械振動に変換される。
【０００５】
また共振器９２と出力線路９５では逆の変換がなされ、機械信号から電気信号に再変換され、共振周波数を有する信号のみが通過することができるフィルタとして動作する。このとき共振周波数ｆ０は、次式のように示され、共振器の質量ｍとばね定数ｋとの関数となる。
【０００６】
【数１】
0004168757.tif 000002
【０００７】
また、別の従来のフィルタとしては、特許文献１に記載されているようなものがあった。励振コイルに未処理信号を入力し、該未処理信号の振動波のうち、振動子（共振器）の共振周波数とほぼ一致した周波数の振動波成分を、振動子に設けた可動スケールに固定スケール側から照射した光の反射光のパワー変化として抽出することにより振動子の共振周波数のみ通過させるフィルタとして動作する。
【０００８】
【特許文献１】
特開平５−３２７３９３号公報（第２−４頁、第１３図）
【非特許文献１】
２０００年４月、ＩＥＥＥ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｓｏｌｉｄ−ｓｔａｔｅ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ、ＶＯＬ３５、Ｎ４
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来のフィルタの構成では、ＭＨｚ帯やＧＨｚ帯の共振周波数でフィルタを実現する為には、共振器の質量を微小にする必要があり、必然的にフィルタのサイズも微小にせざるを得ない。
【００１０】
例えば、図１２に、図１１で示す従来のフィルタの形状で、ある材質の共振器をスケーリングして、サイズを変化した際の共振周波数とサイズの関係を示す。共振器９１，９２の長さを４０μｍ、梁の幅を３μｍとして、同じ比率で変化するようにスケーリングをかけている。
【００１１】
移動体通信用デバイスとして適用することが最も期待されている１GHzから５GHｚ帯に、メカニカルフィルタの共振周波数を適用しようとすれば、共振器の長さは０．２μｍから０．０４μｍにする必要がある。このため、共振器９１、９２を介して配置されている入力線路９４と出力線路９５の相対的距離が必然的に小さくなる。
【００１２】
その結果、入力線路９４と出力線路９５が近接し、入出力線路同士が直接結合してアイソレーションが劣化して、フィルタのレスポンスが大きく変化し、フィルタとして十分機能しないという課題を有していた。
【００１３】
図１３（Ａ）は入出力線間に結合が無い場合のフィルタのレスポンス、図１３（Ｂ）は入力信号が出力線路に直接結合した場合のフィルタのレスポンスを示す。図１３（Ｂ）は入出力線路間の間隔が0.1μｍとした場合である。入出力線間の結合が無ければフィルタとして十分機能しているが、入力信号が出力線路に直接結合した場合、共振周波数より高い周波数成分のアイソレーションが大きく低下しており、フィルタとして十分機能していないことがわかる。
【００１４】
また共振周波数より低い周波数帯では、入力線路と出力線路間で生じる容量と、共振器のインダクタ成分で共振が起こり、不要なノッチが生じていることが分かる。
【００１５】
このため、メカニカルフィルタはプロセス的に微小な構造体を形成できても、入出力線間結合により、ＭＨｚ帯やＧＨｚ帯といった高周波には適用できないという課題を有していた。
【００１６】
また、ＭＨｚ帯やＧＨｚ帯といった高周波で使用するフィルタは、共振器のサイズがμｍ単位と微小で、地球表面の通常の気圧である１０００ヘクトパスカル程度の空気中では、空気の粘性のために振動子は本来のようには振動せずフィルタとして機能しないという課題を有していた。
【００１７】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、ＭＨｚ帯やＧＨｚ帯の高周波で、入出力線間結合によるフィルタ特性の悪化が無く、共振器が受ける空気の粘性の影響を低減したフィルタを提供するものである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
前記従来の課題を解決するために、本発明のフィルタは、電気信号を入力する線路と、線路と近接して真空中に配置され電気信号の周波数に応じて発生する電界の静電力によって共振する共振器と、共振器の機械振動を検出する検出手段とを含み、検出手段が機械振動を、基準となる参照光と前記共振器から反射された検出光との干渉により生ずる干渉光に変換して検出する構成を有している。
【００１９】
この構成により、入出力間の不要な結合を排除し、空気の粘性の影響を受けないで、共振器の機械振動を適切な信号に変換して検出することができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。
【００２１】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における概略構成図を示す。基板１上に、電気信号を入力する入力線路２を形成し、その上に近接して誘電体膜７を備えた共振器３を設ける。レーザ光源４はハーフミラー１０を介して共振器３の表面に光線を入射し、受光素子５はハーフミラー１２を介して共振器３の表面からの検出光１４を受光する。
【００２２】
なお、真空とは、真空及び、例えば１００パスカル以下といった真空に近い状態を含み、図１では気圧を真空もしくは、例えば１００パスカル以下といった真空に近い状態に保持する、いわゆる真空パッケージの存在は省略してあり、真空パッケージを含む構成図は後に述べる。
【００２３】
レーザ光源４からの光線の一部は参照光１３としてハーフミラー１０とミラー１１とハーフミラー１２を介して受光素子５に到達するように構成されている。直流電位制御部１５は共振器３とインダクタ１７を介して入力線路２との間の直流電位を制御して共振器３の共振周波数を変化させる。
【００２４】
レーザ光源４、ハーフミラー１０、１２、ミラー１１及び受光素子５は機械振動検出部１９を構成している。入力線路２に導かれた電気信号は、所望の信号とそれ以外の不要な信号が含まれている。入力線路２に導かれた電気信号が共振器３の共振周波数と一致した場合、共振器３は励振され振動する。
【００２５】
この振動を検出するために、レーザ光を用いたレーザヘテロダイン方式による干渉測定法による。レーザ光源４から照射されたレーザ光は、ハーフミラー１０によって、２分割され、１つは共振器３に照射され、もうひとつはミラー１１により参照光１３としてハーフミラー１２に照射される。共振器３からの反射光は検出光１４として、参照光１３と共にハーフミラー１２で再びまとめられ干渉し、受光素子５で受光される。
【００２６】
共振器３が振動すれば、検出光１４の光路長が変化するため、検出光１４と参照光１３との光路差が変化することになる。参照光１３と検出光１４との光路差が等しいか±波長／２の偶数倍場合は、干渉光の振幅は最大となり、光路差が±波長／２の奇数倍になれば互いに打ち消しあい干渉光の振幅は最小になる。
【００２７】
このため受光素子５で得られた信号の強度を測定すれば、光路差の変化すなわち共振器の振動を測定することができる。
【００２８】
また直流電位制御部１５で共振器３と入力線路２との間に直流電位を設けると、静電力が働き、共振器３が撓む。共振器３が撓めば、共振器３の有するバネ定数が変化するため、従来の技術で説明した式より共振周波数ｆ０を変化させることができるため、通過帯域の中心周波数を可変とすることもできる。
【００２９】
また同じ共振周波数ｆ０を有する共振器３を並列に複数個配置すれば、共振器単体の共振周波数ｆ０を変化させることなく、入力線路２と共振器３との結合面積が増えるため、結合度を増すこともできる。また共振器３を並列に複数個配置することで、入力線路２の入力インピーダンスを変化させることができる。
【００３０】
図２は本実施の形態における共振器３を形成する場合の工程の一例を示す図である。図２を用いて本実施の形態における共振器３を形成する場合の工程を断面図及び上面図で説明する。高抵抗シリコン基板２１上に、シリコン窒化膜２２を減圧ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて２００ｎｍの膜厚で堆積する（ｓｔｅｐ１）。
【００３１】
シリコン窒化膜２２の全面にＡＬ（Aluminum）をスパッタにより1μｍ膜厚で堆積し、入力線路２を形成する領域にレジストが残るようにフォトレジストによるパターニング後、フォトレジストをマスクとして、ALドライエッチングを行い、入力線路パターン２を形成する（ｓｔｅｐ２）。
【００３２】
次に、犠牲層であるシリコン酸化膜２4を減圧ＣＶＤ法を用いて堆積する。AL上に形成される犠牲層の厚みで、入力線路２と共振器３のギャップを制御するため、入力線路２上で所望の厚みとなるように制御する。例えば１００ｎｍを堆積させる。その後、ｓｔｅｐ２同様に、フォトレジストによりマスクをかけ、RIE（Reactive Ion Etching）を用いて、エッチングを行い、所定の領域にのみ酸化膜２4を形成する（ｓｔｅｐ３）。
【００３３】
しかるあとに、減圧CVD法を用いて、ポリシリコンを堆積させ、同様に共振器３を形成する所定の領域だけ残すように、レジストをパターニングしたあとに、RIEでエッチングする（ｓｔｅｐ４）。さらに、最後にウェットエッチングで、シリコン酸化膜２４を除去し、共振器３を中空構造にする（ｓｔｅｐ５）。
【００３４】
なお本実施の形態では基板を、高抵抗シリコン基板２１を用いた場合で説明したが、本発明はこれに限定することなく、通常のシリコン基板、化合物半導体基板、絶縁材料基板を用いても良い。
【００３５】
なお、本実施の形態では入力線路２を形成する材料としてＡＬを用いたが、他の金属材料Ｍｏ（Molybdenum）、Ｔｉ(Titanium)、Ａｕ（Gold）、Ｃｕ（Copper）、ならびに高濃度に不純物導入された半導体材料、例えばアモルファスシリコン、導電性を有する高分子材料などを用いても良い。
【００３６】
さらに成膜方法としてスパッタを用いたがＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学蒸着）法、メッキ法などを用いて形成しても良い。
【００３７】
また光の反射効率をあげるために、共振器３の表面を反射率の高い金やアルミでコーティングしてもよい。
【００３８】
本実施の形態は説明を簡略化するために、共振器３の位置を計測するために、干渉光による手法を用いているが、これは振動体を計測できる手法であれば、共振器に近接して、電極を配置して、電圧を印加すれば、電極間のギャップに応じてトンネル電流が流れるので、そのトンネル電流を測定する方法や、表面の凹凸状態を観測可能な原子間力顕微鏡に用いられる原子間力、もちくは分子間力を用いて共振器の振動を計測しても良い。
【００３９】
また本実施の形態において用いる共振器３は、１０ＭＨｚといった高周波領域に適用するため、共振器３のサイズが微小となるため、空気の粘性によりQ値が劣化することを回避するために、真空中あるいは、例えば１００パスカル以下といった真空に近い状態で使用する必要がある。
【００４０】
このため、機密性の高いパッケージが必要となるが、干渉光を用いて共振器３の振動を検出する際は、光の入出力が必要となるため、光を透過材料でパッケージを作製する必要がある。ただし当然全面光を透過させる材料で形成する必要はなく、一部のみ光が透過する窓が設けられていてもよい。図３は本実施の形態の共振器を機密性の高いパッケージに収納した構成を示す断面図である。
【００４１】
高抵抗シリコン基板２１にシリコン窒化膜２２を堆積した上の共振器３をレーザ光を通過させる窓１８を持った真空パッケージ２６に収納している。窓１８の材料には、例えば石英を用いればよい。
【００４２】
なお、本実施の形態のフィルタは、見方を変えればレーザ光を、共振器の機械振動を介して入力線路に入力された電気信号で変調する光変調器として動作していることになる。従って、本実施の形態のフィルタを光変調器として利用することができる。
【００４３】
（実施の形態２）
図４は本発明の実施の形態２におけるフィルタの概略構成を示したものである。図４において、図１と同じ構成については同じ符号を用い、その説明を省略する。図４では、いわゆる真空パッケージの存在を省略して表示しているが、図３と同様の構成で実施すればよい。本実施の形態では、選択可能な３つの異なる共振周波数を有するフィルタの場合で説明する。
【００４４】
本実施の形態のフィルタは、第１直流電位制御装置３１でその動作を制御する、結合梁で２つの共振器が接続された共振周波数がｆ１の共振器３５と、第２直流電位制御装置３２でその動作を制御する、結合梁で２つの共振器が接続された共振周波数がｆ２の共振器３６と、第３直流電位制御装置３３でその動作を制御する、結合梁で２つの共振器が接続された共振周波数がｆ３の共振器３７とを有し、入力線路２に対し並列に配置されている。
【００４５】
レーザ光源４は、ハーフミラー１０を介して共振器３５、３６、３７にシングルビームスポット３９で照射する。
【００４６】
入力線路２から入力した電気信号は、３個の共振器３５、３６、３７に同じように入力され、各共振器３５〜３７の共振周波数ｆ１、ｆ２、ｆ３と一致した場合のみ、共振器３５〜３７は励振され振動し、電気信号から機械振動に変換される。振動を検出する方法は実施の形態１と同様でもよいが、受光素子５が光の位相を直接検出可能であるものを用いれば、各共振器３５、３６、３７にレーザ光を直接照射し、その反射光を受光素子５で受光すればよい。
【００４７】
例えば、共振器３５が振動すれば、光路長が変化するため、受光した信号の位相が変化する。周波数ｆ４、波長λのレーザ光源４から出射される信号をＳｉｎ（ｆ４×ｔ）、共振器３５から反射して受光素子５で得られる信号は、Ｓｉｎ（ｆ４×ｔ＋Δφ)とすると、位相差Δφは共振器３５の共振振幅の変位量である光路差Δｙが生じることにより変化するため、Δφ＝Δｙ/λとなる。
【００４８】
これにより共振器３５の振動ｆ１すなわち所望な帯域を通過した信号のみを取り出すことができる。共振器３６、３７も同様の動作を行なう。また本実施の形態では各共振器の共振周波数を同時に受信するため、所望の共振器以外は振動させないか、もしくは振動検出しない必要がある。
【００４９】
本実施の形態では、レーザ光を３つの共振器３５〜３７全てに一様に照射させ、反射光を受光素子５で受光する場合、例えば、所望の共振周波数ｆ１を持つ共振器３５以外の共振器３６、３７は、直流電位制御部３２、３３から直流電位を印加して静電力を共振器３６、３７にかけ、共振器３６、３７と入力線路２を接触させて振動を強制的に停止ささせる。
【００５０】
このとき、共振器３６、３７と線路２の間には誘電体膜（図示せず）があるので直流電流は流れない。振動する共振器は所望の共振器３５のみであるから、受光した信号は所望の共振器３５の振動情報のみを有している。
【００５１】
また図５に示すように、所望の機械振動検出部を組み、レーザ光源４１をマルチビーム化して切替え可能とし、例えば、所望の共振器３５のみにマルチビームスポット４３として集光しても良い。共振器３６、３７にマルチビームスポット４４、４５を切替えても良いことは言うまでも無い。図５でも真空パッケージの存在は省略してあるが、図３と同様で良い。
【００５２】
このとき、光学系を切り替えて所望のフィルタのみにレーザ光を照射すれば、受光する信号は所望のフィルタからのみの信号となり、またS/N比の高い信号も得られる。また、図示しないが、マルチビーム化したレーザ光源４１の代りに、シングルビームのレーザ光源と可動ミラーを連動させて共振器３５〜３７へのシングルビームの照射を切替えるようにしても良い。
【００５３】
このとき、ハーフミラー１０、１２を複数個で構成せず、ハーフミラー１０、１２も可動式にして個数を削減するようにしても良い。
【００５４】
（実施の形態３）
図６は、本発明の実施の形態３における概略構成の上面図、断面図である。断面図は上面図の１点破線ａ１〜ａ２における断面図である。図６において、図１と同じ構成については同じ符号を用い、説明を省略する。図６でも真空パッケージの存在は省略してあるが、図３と同様で良い。本実施の形態は、実施の形態１と同様な共振器３と入力線路２が高抵抗シリコン基板２１にシリコン窒化膜２２上に形成されている。
【００５５】
高抵抗シリコン基板２１内には共振器３の振動を計測するレーザ光を導くための入力側光導波路４７、出力側光導波路４８が形成されている。共振器３の直下で入力側光導波路４７及び出力側光導波路４８は斜め方向に遮断され、入力側光導波路４７を進行するレーザ光は、高抵抗シリコン基板２１に対して垂直方向に折り曲げられ、基板から出射し、ハーフミラー１０を介して共振器３に照射する。
【００５６】
共振器３に入射したレーザ光は検出光として反射し、ミラー１１で反射して届く参照光と共にハーフミラー１１に入射して干渉したレーザ光が高抵抗シリコン基板２１側に戻ってくる位置に出力側光導波路４８を配置しておく。共振器３が共振して振動すれば、出力側光導波路で受光した信号の位相が変化するため、共振器３の振動情報、すなわち入力した高周波信号の情報を取り出すことができる。
【００５７】
また光導波路は共振器３の下面の高抵抗シリコン基板２１に形成する必要はなく、図７のように共振器３の上面にレーザ光を照射する位置に入力側及び出力側導波路５１、５２を設けても良い。断面図は上面図の１点破線ｂ１〜ｂ２における断面図である。図７でも真空パッケージの存在は省略してあるが、図３と同様で良い。
【００５８】
（実施の形態４）
図８、図９は、本発明の実施の形態４における共振器の配置を示す図である。図８、図９において、図１と同じ構成については同じ符号を用い、説明を省略する。断面図は上面図の１点破線ｃ１〜ｃ２における断面図である。図８、図９でも真空パッケージの存在は省略してあるが、図３と同様で良い。
【００５９】
本実施の形態では、基本的には実施の形態１で用いた共振器３を高抵抗シリコン基板２１の上にシリコン窒化膜２２を堆積した上にアレイ上に配置してあるが、個々の共振器３の直下に入力線路２を配置せず、例えばマイクロストリップ線路５４の上に直接配置してある。レーザ光源（図示せず）から照射したレーザ光に対し、振動する複数の共振器３が反射した反射レーザ光の変化を受光素子（図示せず）が検出する。
【００６０】
このような配置は、適用周波数が高くなり、共振器３のサイズが微小になれば、特に有利な配置方法となる。また図９（Ａ）に示すように、ランダムに配置してもよく、また図９（Ｂ）に示すように光学的に有意な形状に配置することも可能である。図９（Ａ）のランダムに配置する場合は、共振器の作製位置を制御できない場合に用いられる。
【００６１】
また図９（Ｂ）のように、個々の微細な共振器３をストライプ状に配置して、回折格子を形成することもできる。この場合、特定の方向に回折光を回折させることができるため、集光効率も高くなる。
【００６２】
（実施の形態５）
図１０は、本発明の実施の形態５におけるフィルタの断面図と上面図である。断面図は上面図の１点破線ｄ１〜ｄ２における断面図である。共振器は少なくとも２つ以上であればよいが、説明のため４個として説明する。図１０でも真空パッケージの存在は省略してあるが、図３と同様で良い。
【００６３】
基板１上に両端が固定台６６、６７に固定された４個の両持ち梁の共振器６１、６２、６３、６４が等間隔で配置され、図１０（Ａ）に示すように２本の入力線路５６、５７が共振器と共振器との中間に共振器に対して平行に配置されている。本実施の形態の共振器６１〜６４は水平方向に振動が可能な共振器である。
【００６４】
いま入力線路５６に信号が入力されると、入力線路５６を通る信号の有する静電力により、共振器６１と６２が、水平方向に励振される。このとき共振器６１、６２は、入力線路５６に対して対称に等距離に配置してあるため、共振器６１と６２の振動の振幅は同じであるが、互いに位相が反転した振動を行う。このため、共振器６１と６２の相対的変位量は、同じ高周波信号を入力した際に振動する量の２倍になる。
【００６５】
同様に入力線路５７に対して、共振器６３、６４も同じ振動を行う。共振器６１、６２、６３、６４を回折格子として用いた場合、同じ入力信号に対して、２倍の変位が得られるため、より感度の高い機械振動の検出が行える。
【００６６】
【発明の効果】
以上のように、本発明のフィルタによれば、ＭＨｚ帯やＧＨｚ帯の高周波で、入出力線間結合を防止でき、空気の粘性によるフィルタ特性の悪化防止を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１におけるフィルタの構成を示す図
【図２】本発明の実施の形態１における共振器を形成する場合の工程の一例を示す図
【図３】本発明の実施の形態１における共振器を機密性の高いパッケージに収納した構成を示す断面図
【図４】本発明の実施の形態２におけるフィルタの概略構成を示す図
【図５】本発明の実施の形態２におけるフィルタのレーザ光源をマルチビーム化した概略構成図
【図６】本発明の実施の形態３におけるフィルタの概略構成を示す図
【図７】本発明の実施の形態３におけるフィルタのもう一つの概略構成を示す図
【図８】本発明の実施の形態４における共振器の配置を示す図
【図９】本発明の実施の形態４における共振器の配置を示す図
【図１０】本発明の実施の形態５におけるフィルタの断面図と上面図
【図１１】従来のフィルタの構成を示す図
【図１２】フィルタの共振器サイズと共振周波数の関係を示す図
【図１３】フィルタのレスポンス特性を示す図
【符号の説明】
１  基板
２，５６，５７  入力線路
３，３５，３６，３７，６１，６２，６３，６４  共振器
４  レーザ光源
５  受光素子
７  誘電体膜
１０，１２  ハーフミラー
１１  ミラー
１３  参照光
１４  検出光
１５  直流電位制御部
１７  インダクタ
１８  窓
１９  機械振動検出部
２１  高抵抗シリコン基板
２２  シリコン窒化膜
２４  シリコン酸化膜
２６  真空パッケージ
３１  第１直流電位制御部
３２  第２直流電位制御部
３３  第３直流電位制御部
４７，５１  入力側光導波路
４８，５２  出力側光導波路
５４  マイクロストリップ線路
６６，６７  固定台
【図１】
0004168757.tif 000003
【図２】
0004168757.tif 000004
【図３】
0004168757.tif 000005
【図４】
0004168757.tif 000006
【図５】
0004168757.tif 000007
【図６】
0004168757.tif 000008
【図７】
0004168757.tif 000009
【図８】
0004168757.tif 000010
【図９】
0004168757.tif 000011
【図１０】
0004168757.tif 000012
【図１１】
0004168757.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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