(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部磁極と、ギャップ層を介して前記上部磁極と対向する下部磁極とを有する記録ヘッドを備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記記録ヘッドは、媒体浮上面において前記上部磁極及び下部磁極が略同一幅の部分を有し、
前記上部磁極は、トラック部分がギャップ膜と接しており、媒体浮上面からヘッド内部の方向において前記トラック部分の幅が変化する部分を有し、前記上部磁極におけるトラック部分の幅が変化する部分の媒体浮上面からの距離をLyとし、
前記下部磁極は、前記トラック部分のみギャップ膜と接しており、前記トラック部分の左右にギャップ膜と略直角の面部分を有し、媒体浮上面から前記ヘッド゛内部の方向において前記ギャップ膜と略直角をなす前記面部分がトラック幅方向に変化し、前記面部分のトラック幅方向における左右の距離が前記上部磁極のトラック幅方向の幅よりも広がる部分を有し、前記下部磁極における面部分のトラック幅方向における左右の距離が前記上部磁極のトラック幅方向の幅よりも広がる部分の媒体浮上面からの距離をTpとしたとき、
前記ギャップ膜は、媒体浮上面に露出する浮上面ギャップ膜と該浮上面ギャップ膜の後方に設けられた後部ギャップ膜を有し、後部ギャップ膜の媒体浮上面からの距離は、前記Tpに略同一であり、
Tp<Lyなる関係を有していることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記浮上面ギャップ膜と前記後部ギャップ膜はギャップ膜構成が異なっており
、膜組成及び膜厚、積層膜数のうち少なくともいずれかが異なっていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記下部磁極は下部磁気コアと下部磁極端層とを有し、前記下部磁極端層はギャップ膜を介して前記上部磁極と対向していることを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記上部磁極は上部磁気コアと上部磁極端層とを有し、前記下部磁極端層と上部磁極端層とは、ギャップ膜を介して対向していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記下部磁極端層の媒体浮上面からヘッド内部の方向における終端位置をGdとしたとき、Ly＜Gdなる関係を有していることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
さらに、磁気抵抗効果素子を有する再生ヘッドを備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
磁気記録媒体とそれを駆動するモーター、磁気記録媒体に記録再生するための磁気ヘッド及び磁気ヘッドの位置決めをする機構からなる磁気記録再生装置において、請求項１〜６のうちいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドを搭載してあることを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項８】
磁気デイスク装置を複数個接続してなる磁気ディスクアレイ装置において、請求項７記載の磁気ディスク装置を少なくとも１つを搭載してあることを特徴とする磁気ディスクアレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は磁気ディスク装置に使用される薄膜磁気ヘッドに関する。特に記録用ヘッドである誘導型薄膜磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、磁気デイスク装置に用いられる磁気ヘッドは、記録媒体に対する高密度化及び高効率化が進められ、その形状もますます小型化されると共に、高精度化の傾向にある。
【０００３】
このような要求に対して薄膜磁気ヘッドは、磁気記録に寄与する磁極先端部の磁界が大きいこと、トラック幅の狭小化及び高精度化が要求される。この問題を解決するため、薄膜磁気ヘッドの磁界を大きくするためには磁極端部に高Bs材料の採用、トラック幅の高精度のためにはヘッド構造の改良など、種々の検討が行われている。図６には、従来技術による薄膜磁気ヘッドの一構造を示した。図６の構造の磁気ヘッドにおいては、ギャップ４より上部側の磁気コアを分割形成することにより、トラック幅を規定する上部磁極端層７をコイル９や非磁性絶縁膜１０の段差による影響を低減し、トラック幅の狭小化と高精度化を図っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図６に示す構造の薄膜磁気ヘッドでも、上部磁極端層及び下部磁極端層を所定のトラック幅に高精度に形成することは困難になっている。
【０００５】
また、狭トラック化および媒体の高保磁力化が進むとともに、記録ヘッドに要求される記録磁界はますます大きくなっている。
【０００６】
記録ヘッドの記録磁界を向上するためには、図６にLyとして示されている上部磁極端層のトラック幅広がり位置を浮上面であるABS側により近づけることが有効である。しかし、この場合、磁界は向上するがトラック幅方向への漏洩磁界も大きくなるため実効的なトラック幅は大きくなってしまう恐れがある。また、図６のヘッド構造はギャップ深さGdを規定する非磁性絶縁膜１３があり、この非磁性絶縁膜１３は１μm程度の段差を有している。トラック幅を規定する上部磁極端層７は非磁性絶縁膜１３の上に形成するため、上部磁極端層７を形成するレジストパターンの精度が狭トラック幅になるほどレジスト膜厚分布やハレーションの影響を受けて悪化することが懸念される。
【０００７】
本発明はこれらの困難を解決し、高密度記録再生を可能とする薄膜磁気ヘッド及びその製造方法、並びに本薄膜磁気ヘッドを用いた磁気ディスク装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、本発明では、上部磁極と、ギャップ層を介して上部磁極と対向する下部磁極とを有する記録ヘッドを備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、記録ヘッドは、媒体浮上面において前記上部磁極及び下部磁極が略同一幅の部分を有し、前記上部磁極は、トラック部分がギャップ膜と接しており、媒体浮上面からヘッド内部の方向において前記トラック部分の幅が変化する部分を有し、前記上部磁極におけるトラック部分の幅が変化する部分の媒体浮上面からの距離をLyとし、前記下部磁極は、前記トラック部分のみギャップ膜と接しており、前記トラック部分の左右にギャップ膜と略直角の面部分を有し、媒体浮上面から前記ヘッド゛内部の方向において前記ギャップ膜と略直角をなす前記面部分がトラック幅方向に変化し、前記面部分のトラック幅方向における左右の距離が前記上部磁極のトラック幅方向の幅よりも広がる部分を有し、前記下部磁極における面部分のトラック幅方向における左右の距離が前記上部磁極のトラック幅方向の幅よりも広がる部分の媒体浮上面からの距離をTpとしたとき、Tp≦Lyなる関係を有することを主な特徴とする。
【０００９】
ここで、ヘッド内部の方向とは、トラック幅方向に略垂直な方向であり、媒体浮上面からみて磁気ヘッドの奥行き方向（ヘッド浮上高さ方向）のことである。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明の１は、図７に示すような構造を有し、図６に示すような構造と比較して低段差面上に上部磁極端層７が形成されている。図７に示す磁気ヘッドでは、ギャップ深さは下部磁極端層２の端部位置Gdで規定され、その表面は非磁性層３とで平坦化している。上部磁極端層７を形成するうえで段差となる後部ギャップ膜６は厚くても0.2μｍである。従来は図６のようにGdを規定するため形成している1μｍ程度の高段差上に上部磁極端層７を形成したが、本発明によれば〜0.2μｍ程度の低段差上に上部磁極端層７を形成できる。そのため、従来例よりも上部磁極端層７を形成するレジストフレームの寸法精度向上が可能となる。
【００１１】
そして、図１に示すようにトリミングの媒体浮上面（ABS）からの距離をTp、上部磁極端層７のトラック部分の幅が変化する部分の媒体浮上面からの距離をLyとしたとき、Tp≦Lyの関係とすることにより漏洩磁界は低減可能となる。
【００１２】
また、前記薄膜磁気ヘッドにおいて、ギャップ膜は媒体浮上面に露出する浮上面ギャップ膜と該浮上面ギャップ膜の後方に設けられた後部ギャップ膜を有しており、後部ギャップ膜の媒体浮上面からの距離はTpに略同一であり、この浮上面ギャップ膜と後部ギャップ膜はギャップ膜構成が異なっており、膜組成及び膜厚、積層膜数のうち少なくともいずれかが異なっている。前述した構造と共にいくつかのヘッド構造をとることが可能である。
【００１３】
例えば、下部磁極が下部磁気コアと下部磁気コア上に形成された下部磁極端層を有し、媒体浮上面において該下部磁極とギャップ膜を介して対向する上部磁極を有する薄膜磁気ヘッド構造である。又は、下部磁極が下部磁気コアと下部磁気コア上に形成された下部磁極端層を有し、上部磁極は上部磁極端層とヘッド内部で上部磁極端層と接している上部磁気コアとを有し、媒体浮上面において上部磁極端層と下部磁極端層とギャップ膜を介して対向している薄膜磁気ヘッド構造である。また、トラック幅を規定する上部磁極端層においては、ギャップ側の凹凸が0.2μｍ以下であることが好ましい。
【００１４】
また、本発明の２は、上記低段差面上に上部磁極を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法である。本製造方法においては、下部磁極端層上に以下の方法でギャップ膜を形成する。形成方法としては、以下に示す３種がある。
【００１５】
１）下部磁極端層を形成後、ギャップ膜を形成し、浮上面より後部のギャップ膜構成を変更する部分にパターンを形成し、パターンをマスクとして前記ギャップ膜をエッチングした後にギャップ膜と異なるギャップ膜を形成する工程を有する方法。
【００１６】
２）下部磁極端層を形成後、浮上面ギャップ膜を形成し、浮上面より後部のギャップ膜構成を変更する部分に、浮上面ギャップ膜上に後部ギャップ膜を形成する工程を有する方法。
【００１７】
３）下部磁極端層を形成後、浮上面より後部のギャップ膜構成を変更する部分に後部ギャップ膜を形成した後、浮上面ギャップ膜を下部磁極端層上及び後部ギャップ膜上に形成する工程を有する方法。
【００１８】
これらのギャップ形成方法を用いることにより、Tpを規定するギャップ膜を安定に形成できる。また、ギャップ形成前にはGdを決定する下部磁極端層と非磁性層の表面平坦化を行うことで従来よりも段差低減が可能となる。
【００１９】
磁気記録媒体とそれを駆動するモーター、磁気記録媒体に記録再生するための磁気ヘッド及び磁気ヘッドの位置決めをする機構からなる磁気記録再生装置において、上述の記録ヘッドを有する薄膜磁気ヘッドを少なくとも１つを搭載した磁気ディスク装置である。
【００２０】
磁気ディスク装置を複数個接続してなる磁気ディスクアレイ装置において、上記記載の磁気ディスク装置を少なくとも１つを搭載した磁気ディスクアレイ装置である。
【００２１】
さて、本発明による薄膜磁気ヘッドの一実施例を図１、２に示す。図１は薄膜磁気ヘッドの先端部斜視図、図２は図１に示した薄膜磁気ヘッドの各工程での断面図である。本発明は薄膜磁気ヘッドにあることから、同一基板上に形成されている再生ヘッドの構造及び説明は省略してある。
【００２２】
さて、図１において下部磁気コア１及び下部磁極端層２、上部磁極端層７及び上部磁気コア１１を示す。ギャップは省略してあるが、下部磁極端層２と上部磁極端層７の間に形成している。浮上面となるABSから奥行き方向の下部磁極端層２の端部位置をGdとする。また、上部磁極端層７のトラック幅Twが変化する位置をLyとする。上部磁極端層７及びギャップをマスクとして下部磁極端層２をエッチング（トリミング）する。このトリミングした部分をTrimとする。下部磁極端層２のトラック幅Twは、ABSで上部磁極端層７のトラック幅Twとほぼ同じ幅を有しているが、ABSから見て奥行き方向（ヘッド浮上高さ方向）に所定の長さ進んだ位置でトラック幅方向の長さが広がっている。この下部磁極端層のトラック幅方向の長さが変化する位置をTpとする。
【００２３】
磁界強度を増加するためには、前述のLyをABSに近づける事が有効であるが、本特許構造を採用しない場合、例えば図１におけるTrim部分の形状が上部磁極端層７と同じような時はトラック幅方向への漏洩磁界が大きくなり実効的なトラック幅が大きくなってしまうことが懸念される。このトリミング部分の形状が上部磁極と同一形状である本発明を採用しない場合の磁界分布(シュミレーション)の一例を図１２に示す。
【００２４】
これは媒体浮上面からヘッドを見た場合の媒体面内方向の磁界成分を示したものであり、ヘッドのトラック中心X=0から右半分を示したものである。横軸Xはトラック中心からの位置でX=0〜0.175μmまでがトラック幅であり、X=0.175μm以上がオフトラック部分である。縦軸Yは媒体走行方向であり、Y=-0.13μm以下は下部磁極端層、Y=0〜-0.13μmはギャップ膜、Y=0μm以上は上部磁極端層である。この図からわかるようにトラック端部から大きく離れた0.45μｍにまで4000(Oe)以上の磁界分布が広がっていることがわかる。
【００２５】
本発明によりこの漏洩磁界は低減できる同時にTp位置を制御することが重要であることがシュミレーションから求められた。それは前述のような漏洩磁界を効果的に防止するためにはLyからABS側のみをトリミングする構造が有効であるということである。このシュミレーション結果の一例を図８〜図１０に示す。
【００２６】
これは本発明の一例である図１に示ようなヘッド構造において、Gd=1.0μｍ、トラック幅(Tw)=0.35μｍ、Ly=0.5μｍ一定とし、Tpを変えた場合の磁界分布である。図８はTp=0.75μｍ、図９はTp＝0.50μｍ，図１０はTp=0.25μｍである。Tp>Ly（図８）では図１２と同様に4000〜5000(Oe)の磁界分布が右下側に広がっていたが、Tp=Ly（図９）やTp<Ly（図１０）の場合は磁界分布が大きく異なり、4000〜5000(Oe)の磁界分布が小さくなり分布は改善される。
【００２７】
ここで4000〜5000(Oe)の磁界分布に注目したのは、媒体保磁力は記録磁界の約半分程度であることから、この計算での最大磁界約10000(Oe)の半分程度漏洩すると悪影響が出てくると予想されるためである。Tp≦Lyで磁界分布が改善されるこの要因は、Ly付近の磁界飽和が原因で発生する不要な漏洩磁界成分をTpから後ろの部分である下部磁極端層の非トリミング部分にて吸収しているため、及び下部磁極のトリミング部分が減少し、従来よりもギャップ近傍の磁性膜体積が増加することでこの部分の磁気飽和を低減できるためと考える。
【００２８】
図１３には本発明構造において、Tp=0.5μm、Gd=1.0μm、Tw=0.25μm一定とし、Lyを変化させたときのトラックサイド漏洩磁界(シュミレーション)の一例を示したものである。なお、Ｘ軸はLy/Tpで示してある。なお、漏洩磁界はトラック中心からトラックサイド方向に0.45μm位置での値である。0.45μmの位置での漏洩磁界を用いた理由は図８で示した様な漏洩磁界分布が0.3〜0.6μm付近にある為である。図１３からわかるようにLy/Tpが1.0〜2.0までは漏洩磁界が3500〜4000(Oe)程度であるのに対し、Ly/Tpが0.5になると4500(Oe)程度にまで増加し、グラフの傾きも変化していることが認められる。このことから図８〜１０で示したことと同様にTp≦Lyとすることが漏洩磁界低減に重要である。
【００２９】
図１１には図１２で説明した本発明未適用構造の場合と本発明適用構造の場合でのそれぞれの記録磁界とトラックサイド方向への漏洩磁界(シュミレーション)を示したものである。なお、このグラフはTw=0.25μｍでのデータである。この図１１から明らかなように本発明構造を適用することで記録磁界向上と漏洩磁界低減が両立可能である。つまり、トリミングの端部Tpの位置とLyの位置の関係は、Tp≦Lyなる関係を有していることが重要である。本構造によりLyをABSに近づけて磁界強度を向上すると共にトラック幅方向への不必要な漏洩磁界を低減することが可能となる。
【００３０】
また、今後の高記録磁界化を考えた場合、記録磁界向上の為にLyを小さくする必要性がある。さらに本発明の効果である漏洩磁界低減には、Lyを小さくした場合でもTp≦Lyを成立させることが必要である。例えばLy=Tpの関係下でTrim部分と非Trimを形成する為にはLy＜Gdが必要条件となる。例えば、前述の図９がこれに該当する。Tp＜Lyの関係下でも安定にTrim部分と非Trimを形成する為にはLy＜Gdの方が下部磁極端層やギャップ、上部磁極端層のアライメント精度のマージン確保の点及び記録磁界特性の安定性からも好ましい。
【００３１】
例えば、図１０においてLy=0.5μm,Tp=0.25μm,Gd=1.0であるが、例えば、このGdを小さくしGd≦Lyなる関係を得るためにはTpとLyの距離である0.25μmの間にGdを配置しなければならず、アライメント精度のマージンは±0.125μmとなる。この値を安定に達成することは困難であり、ヘッドの安定製造は困難になると思われる。また、Gdを小さくしすぎると下部磁極端層で磁気飽和が生じ、記録磁界低下が生じる。これらのことから高記録磁界と漏洩磁界低減の為にはTp≦LyかつLy＜Gdなる関係を有することが好ましい。
【００３２】
図１に示した磁気ヘッドの製造方法の一実施例を図２に示す。図２の（２-１）には、下部磁気コア１として膜厚２μｍのNiFeを形成した模式図を示した。下部磁気コア１上に下部磁極端層２として膜厚１．５μｍのCoNiFeを形成し、CoNiFe の後方部（奥行き方向）に第１の非磁性層３を埋め込んだ後、平坦化する。ここでは、第１の非磁性層３としてAl２O３膜を使用した。ギャップ深さを規定するGdは下部磁極端層２の端部で規定され、図６の従来例のように非磁性絶縁膜１３を改めて形成することは不要となる。
【００３３】
なお、ここではGd=1μmで形成した。その後、浮上面ギャップ膜４として膜厚０.１０μｍのSiO２を形成する。ここでは浮上面ギャップ膜４としてSiO２を用いたが、AlN,Ta２O５,Al２O３の非磁性絶縁膜やCr,Ta,W,Nb等の非磁性金属膜を用いることも可能であり、これらを積層膜として用いることも可能である。また、その膜厚もここでは０.１μｍとしたが、任意に設定可能である。
【００３４】
（２-２）でリフトオフパターン５を形成し、後部ギャップ膜６として膜厚０.１０μｍのAl２O３を成膜する。その後、リフトオフパターン５を剥離することにより不要な部分の後部ギャップ膜６は除去され、浮上面ギャップ膜４上の後部ギャップ膜６だけが残る。この後部ギャップ膜６のABS側の位置がTpとなる。ここでは後部ギャップ膜６の位置(Tp)は0.5μmで形成した。後部ギャップ膜６としてAl２O３を用いたが、AlN,Ta２O５,SiO２,Cの非磁性絶縁膜やCr,Ta,W,Nb等の非磁性金属膜を用いることも可能であり、これらを積層膜として用いることも可能である。
【００３５】
また、その膜厚もここでは０.１μｍとしたが、任意に設定可能である。しかし、望ましくは後部ギャップ膜６の膜厚は厚くても０.１５〜０.２０μm程度が望ましい。膜厚を厚くすると本発明の有効性が損なわれるからである。上部磁極端層を形成するうえで段差となる後部ギャップ膜６は厚くても0.2μｍである。
【００３６】
従来の場合は図６のようにGdを規定するため形成している1μｍ程度の高段差上に上部磁極端層を形成したが、本発明によれば〜0.2μｍ程度の低段差上に上部磁極端層７を形成できるため、従来例よりも上部磁極端層７を形成するレジストフレームの寸法精度向上及び解像度向上による狭トラック化が可能となる。また、ここでは後部ギャップ膜６のパターン形成にリフトオフプロセスを用いたが、後部ギャップ膜６を全面に形成し、後部ギャップ膜６を残す部分にレジストマスクを形成し、イオンミリングやリアクティブイオンエッチング（RIE）を用いて不要な後部ギャップ膜６をエッチングしてパターン形成するプロセスも可能である。
【００３７】
（２-３）でこの上にトラック幅Twを規定する上部磁極端層７として膜厚４μｍのCoNiFeをフレームめっきプロセスにて形成する。このプロセスは、めっき下地膜を形成し、ホトリソグラフィにてレジストフレームを形成、このパターンを用いて磁性膜めっきを行い、上部磁極端層７を形成するものである（図示せず）。トラック幅精度を大きく左右するのはホトリソグラフィでのレジストフレーム形成である。
【００３８】
図６に示すような従来構造ではABS近傍に１μｍ程度の非磁性絶縁膜１３を有するため、レジストフレームを形成する際、ハレーションやレジスト膜厚分布が大きくなりトラック幅精度の低下及びレジストの解像度低下等が懸念される。
【００３９】
本発明は上部磁極端層７下部でのABS近傍の凹凸は後部ギャップ膜６のみであり、その後部ギャップ膜６の膜厚は０.１μｍと従来構造よりも段差が小さいのでハレーションやレジスト膜厚分布を低減でき、高精度に上部磁極端層７を形成できる。上部磁極端層７として膜厚４μｍのCoNiFeを形成したが、例えばギャップ側に高Bs材料であるCoNiFeを１.５μｍ形成し、その上にNiFeを２.５μｍ形成するというBsの変化する膜構成も可能である。なお、上部磁極端層７のLy位置は0.8μmで形成した。
【００４０】
（２-４）まず、後部ギャップ膜６をマスクとして浮上面ギャップ膜４をCF４ガスを用いRIEにてエッチングする。マスク材である後部ギャップ膜６のAl２O３はF系ガスではほとんどエッチングされないのでマスク材として有効に機能する。ここでは浮上面ギャップ膜４のエッチングにCF４-RIEを用いたが、後部ギャップ膜６の膜構成により任意にエッチングプロセスを設定可能である。例えばイオンミリングやCｌ系のRIEを用いることも可能である。次に後部ギャップ膜６及び上部磁極端層７をマスクとし、イオンミリングにて下部磁極端層２をエッチングし、Trimを形成する。Tp位置は後部ギャップ膜６のABS側の位置(Tp)で規定され、Trimの位置(Tp)は後部ギャップと略同一の位置に形成できる。Tpを規定するエッチングマスクとして後部ギャップ膜６及び浮上面ギャップ膜４の２層用いることが可能であり、マスク材として十分に機能することが可能である。
【００４１】
（２-５）上部磁極端層７を第２の非磁性層（Al２O３膜）８で埋め込んで平坦化した後、コイル９として膜厚２μｍのCu、非磁性絶縁膜１０としてレジストを用いて形成、上部磁気コア１１として膜厚２μｍのNiFe膜を形成する。このような工程及び構造を有することにより、図１の薄膜磁気ヘッドは安定に形成可能となる。
【００４２】
図３は本発明の他の実施例である。これは図２の構造、作製方法と異なり、後部ギャップ膜６を形成した後で浮上面ギャップ膜を形成するものである。この方法は浮上面ギャップ膜４の上にリフトオフパターン５を形成した際に浮上面ギャップ膜４とリフトオフパターン５の密着不良等が発生した場合に特に有効である。下部磁極端層２とAl２O３膜３の上に直接形成することによりリフトオフパターン５の密着力を向上することが可能となり、リフトオフパターン５の密着不良を防止することができる。また、後部ギャップ膜を先に形成するため浮上面ギャップ膜へのエッチングダメージは生じない。よって、後部ギャップ膜６をリフトオフプロセスではなく、エッチングプロセスにて形成するということも可能である。
【００４３】
図４は本発明の他の実施例である。これは図２及び図３の構造、製造方法とは異なり、後部ギャップ膜の段差を低減し、上部磁極端層７の更なる高精度化を図ったものである。
【００４４】
（４-１）浮上面ギャップ膜４を形成後、リフトオフパターン５を形成する。このリフトオフパターン５をエッチングマスクとして、浮上面ギャップ膜をRIEまたはイオンミリング（IM）を用いてエッチングする。
【００４５】
（４-２）リフトオフパターン５がある状態で後部ギャップ膜６を形成する。すると、浮上面ギャップ膜４をエッチングした部分に後部ギャップ膜６が形成されるため、浮上面ギャップ膜４の膜厚分だけ後部ギャップ膜厚によって生じる段差が吸収される。よって、図２及び図３よりも後部ギャップ膜による段差が低減され、これらのギャップ上に形成するホトリソグラフィでのレジストフレームが、より高精度に形成可能となる。
【００４６】
（４-３）〜（４-５）これまでの図２、図３と同様にトリミングを行い、上部磁気コア１１まで形成する。図２及び図３で後部ギャップ形成にエッチングプロセス適用も可能であることは述べた。同様に図４で示した場合においても後部ギャップ膜上にリフトオフパターンをエッチングマスクとして用いてエッチング形成する手法も可能である。その後、そのままリフトオフパターン上に浮上面ギャップを形成し、リフトオフすれば、以後は図（４-３）と同様である。
【００４７】
図５は本発明の他の実施例である。図１の構造と異なる点は下部磁極端層２をTw方向に大きくしてある点である。これにより下部磁極１からより多くの磁束を下部磁極端層２へ伝えることができ、また下部磁極端層の磁界飽和を緩和することが可能となり、その結果、より効率よく磁束をギャップ側に伝えることが可能となる。また、下部磁極端層２をTw方向に広げたことにより、下部磁極端層２と上部磁極端層７とのTw方向へのアライメントのマージンも広げることが可能となる。
【００４８】
従来例の図６と同様にヘッド後部側まで本発明ヘッド構造を示した一例を図７に示す。これまでの説明でも示したが、ギャップ深さは下部磁極端層２の端部位置Gdで規定され、その表面はAl２O３膜３とで平坦化している。この上に形成する後部ギャップ膜６は厚くても0.2μｍである。よって、図６のような1μｍ程度の高段差ではなく、〜0.2μｍ程度の低段差上に上部磁極端層７を形成できる。そのため、従来例よりも上部磁極端層７を形成するレジストフレームの寸法精度向上が可能となる。
【００４９】
図１４には本発明の他の実施例のヘッド構造を示す。図７の場合、上部磁極は、上部磁極端層７と上部磁気コア１１とかが分離形成されていたが、図１４に示す構造では、上部磁極及び上部磁気コアを一体型で形成した上部磁極１４としている。図７よりも工程削減が可能なヘッド構造であると同時に、これまで説明した発明の効果も有している。
【００５０】
以上、本発明の薄膜磁気ヘッドを適用することにより、狭トラック幅においてもトラック幅精度及び磁界強度を両立することが可能となる。本発明ヘッドを記録ヘッドとして使用し、再生ヘッドを別に組み合わせることにより記録再生ヘッドとして用いることが可能である。本発明ヘッドを使用した磁気ディスク装置に組み込んだ場合、さらにその磁気ディスク装置を磁気ディスクアレイ装置に組み込んだ場合、どちらにおいても優れた効果を発揮することが可能となる。
【００５１】
【発明の効果】
上記に記載のように、本発明の薄膜磁気ヘッドを用いることで磁界強度を確保しつつトラック幅方向の不必要な漏洩磁界の低減が可能で、従来よりも低段差上に形成することにより狭トラック幅においてもトラック幅精度が良いヘッドを提供できる。また、本発明の薄膜磁気ヘッドを搭載することにより、優れた性能を有する磁気ディスク装置及び磁気ディスクアレイ装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の薄膜磁気ヘッドの模式図である。
【図２】本発明の薄膜磁気ヘッドの各工程での断面図である。
【図３】本発明の別実施例の薄膜磁気ヘッドの各工程での断面図である。
【図４】本発明の別実施例の薄膜磁気ヘッドの各工程での断面図である。
【図５】本発明の別実施例の薄膜磁気ヘッドの模式図である。
【図６】従来例のヘッド断面図である。
【図７】本発明のヘッド断面図である。
【図８】  Tp＞Lyでの薄膜磁気ヘッドの媒体面内磁界の分布を示した特性図である。
【図９】本発明のTp＝Lyでの薄膜磁気ヘッドの媒体面内磁界の分布を示した特性図である。
【図１０】本発明のTp＜Lyでの薄膜磁気ヘッドの媒体面内磁界の分布を示した特性図である。
【図１１】従来のヘッドと本発明のヘッドでの記録磁界と漏洩磁界の関係を示した特性図である。
【図１２】本発明を採用しない場合での媒体面内磁界の分布を示した特性図である。
【図１３】漏洩磁界とLy/Tpの関係を示した特性図である。
【図１４】本発明の別実施例のヘッド断面図である。
【符号の説明】
１：下部磁気コア、２：下部磁極端層、３：第１の非磁性層（Al２O３）、４：浮上面ギャップ膜、５：リフトオフパターン、６：後部ギャップ膜、７：上部磁極端層、８：第２の非磁性層（Al２O３）、９：コイル、１０、１３：非磁性絶縁膜、１１：上部磁気コア、１４：上部磁極、trim：下部磁極をエッチングした部分、Ly：上部磁極の広がり位置、Gd：下部磁極の端部位置、Tp：トリミング位置、ABS：浮上面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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