【手続補正書】
【提出日】平成20年8月22日(2008.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の非晶質半導体膜を形成し、
前記第１の非晶質半導体膜上に、１５族から選ばれた元素を含む第２の半導体膜を形成し、
前記第１の非晶質半導体膜及び前記１５族から選ばれた元素を含む第２の半導体膜を用いて、それぞれ第１の島状非晶質半導体膜及び第２の島状半導体膜を形成し、
前記第２の島状半導体膜上に、ソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極をマスクとして、前記第２の島状半導体膜の一部を除去してソース領域及びドレイン領域を形成し、前記第１の島状非晶質半導体膜の膜厚を減少させて一部を露出させ、
前記第１の島状非晶質半導体膜の露出した領域に、前記第１の島状非晶質半導体膜の結晶化を促進する触媒元素を導入し、
前記ソース領域、前記ドレイン領域及び前記第１の島状非晶質半導体膜を加熱し、前記第１の島状非晶質半導体膜を結晶化して島状結晶性半導体膜を形成すると共に、前記触媒元素を前記ソース領域及びドレイン領域にゲッタリングさせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の非晶質半導体膜を形成し、
前記第１の非晶質半導体膜上に、１５族から選ばれた元素を含む第２の半導体膜を形成し、
前記第１の非晶質半導体膜及び前記１５族から選ばれた元素を含む第２の半導体膜を用いて、それぞれ第１の島状非晶質半導体膜及び第２の島状半導体膜を形成し、
前記第２の島状半導体膜上に、ソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極をマスクとして、前記第２の島状半導体膜の一部を除去してソース領域及びドレイン領域を形成し、前記第１の島状非晶質半導体膜の膜厚を減少させて一部を露出させ、
前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記第１の島状非晶質半導体膜の露出した領域を覆ってマスクを形成し、
前記第１の島状非晶質半導体膜の露出した領域上の前記マスクをエッチングして窓を形成し、前記第１の島状非晶質半導体膜の一部を露出させ、
前記露出した第１の島状非晶質半導体膜の一部に、前記第１の島状非晶質半導体膜の結晶化を促進する触媒元素を導入し、
前記ソース領域、前記ドレイン領域及び前記第１の島状非晶質半導体膜を加熱し、前記第１の島状非晶質半導体膜を結晶化して島状結晶性半導体膜を形成すると共に、前記触媒元素を前記ソース領域及びドレイン領域にゲッタリングさせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の非晶質半導体膜を形成し、
前記第１の非晶質半導体膜上に、１５族から選ばれた元素を含む第２の半導体膜を形成し、
前記第１の非晶質半導体膜及び前記１５族から選ばれた元素を含む第２の半導体膜を用いて、それぞれ第１の島状非晶質半導体膜及び第２の島状半導体膜を形成し、
前記第２の島状半導体膜上に、ソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極をマスクとして、前記第２の島状半導体膜の一部を除去してソース領域及びドレイン領域を形成し、前記第１の島状非晶質半導体膜の膜厚を減少させて一部を露出させ、
前記第１の島状非晶質半導体膜の露出した領域に、前記第１の島状非晶質半導体膜の結晶化を促進する触媒元素を導入し、
前記ソース領域、前記ドレイン領域及び前記第１の島状非晶質半導体膜を加熱し、前記第１の島状非晶質半導体膜を結晶化して島状結晶性半導体膜を形成と共に、前記触媒元素を前記ソース領域及びドレイン領域にゲッタリングさせ、
前記ソース電極及びドレイン電極に電気的に接続する配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の非晶質半導体膜を形成し、
前記第１の非晶質半導体膜上に、１５族から選ばれた元素を含む第２の半導体膜を形成し、
前記第１の非晶質半導体膜及び前記１５族から選ばれた元素を含む第２の半導体膜を用いて、それぞれ第１の島状非晶質半導体膜及び第２の島状半導体膜を形成し、
前記第２の島状半導体膜上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて、第２の島状半導体膜の一部を除去してソース領域及びドレイン領域を形成し、前記第１の島状非晶質半導体膜の膜厚を減少させて一部を露出させ、
前記第１の島状非晶質半導体膜の露出した領域に、前記第１の島状非晶質半導体膜の結晶化を促進する触媒元素を導入し、
前記ソース領域、前記ドレイン領域及び前記第１の島状非晶質半導体膜を加熱し、前記第１の島状非晶質半導体膜を結晶化して島状結晶性半導体膜を形成すると共に、前記触媒元素を前記ソース領域及びドレイン領域にゲッタリングさせ、
前記ソース領域及びドレイン領域に電気的に接続する配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項３又は請求項４において、
前記配線は、低融点導電材料により形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記配線は、スパッタ法、液滴噴出法又はＣＶＤ法により形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
前記加熱により前記１５族から選ばれた元素を活性化させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の非晶質半導体膜を形成し、
前記第１の非晶質半導体膜上に、１５族から選ばれた元素を含む第２の半導体膜を形成し、
前記１５族から選ばれた元素を含む第２の半導体膜に１３族から選ばれた元素を導入し、
前記第１の非晶質半導体膜及び前記１５族及び１３族から選ばれた元素を含む第２の半導体膜を用いて、それぞれ第１の島状非晶質半導体膜及び第２の島状半導体膜を形成し、
前記第２の島状半導体膜上に、ソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極をマスクとして、第２の島状半導体膜の一部を除去してソース領域及びドレイン領域を形成し、前記第１の島状非晶質半導体膜の膜厚を減少させて一部を露出させ、
前記第１の島状非晶質半導体膜の露出した領域に、前記第１の島状非晶質半導体膜の結晶化を促進する触媒元素を導入し、
前記ソース領域、前記ドレイン領域及び前記第１の島状非晶質半導体膜を加熱し、前記第１の島状非晶質半導体膜を結晶化して島状結晶性半導体膜を形成すると共に、前記触媒元素を前記ソース領域及びドレイン領域にゲッタリングさせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記加熱により前記１５族及び１３族から選ばれた元素を活性化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項において、
前記触媒元素は、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、パラジウム（Ｐｄ）、スズ（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）から選ばれた１つの元素、又は複数の元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか１項において、
前記ソース電極及びドレイン電極は、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）から選ばれた１つの元素、又は前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。