【手続補正書】
【提出日】平成20年4月18日(2008.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固有保磁力 H0LL を有する下部強磁性層 (LL)、前記固有保磁力 H0LLよりも大きな固有保磁力H0ML を有する中間強磁性層 (ML)、前記固有保磁力 H0ML よりも大きな固有保磁力H0UL を有する上部強磁性層 (UL)、前記下部強磁性層 (LL)と前記中間強磁性層 (ML)の間にある第１の非強磁性スペーサ層、および前記中間強磁性層 (ML)と前記上部強磁性層 (UL)の間にある第２の非強磁性スペーサ層を含み、前記固有保磁力 H0LL が前記固有保磁力 H0UL よりも２５ % 以上小さい磁気記録媒体と、
書込みギャップによって隔てられた複数の書込み極を持ち、該書込みギャップにおいて磁場HG を発生して前記下部強磁性層 (LL)、前記中間強磁性層 (ML)および前記上部強磁性層 (UL)の領域における磁化方向を変化させることができ、前記領域内における前記下部強磁性層 (LL)、前記中間強磁性層 (ML)およびおよび前記上部強磁性層 (UL)の磁化方向は平行であり、前記磁気記録媒体の近傍に保たれ、かつ前記下部強磁性層 (LL)の中央における磁場は前記固有保磁力 H0LL よりも大きく、前記中間強磁性層 (ML)の中央における磁場は前記固有保磁力 H0ML よりも大きく、および前記上部強磁性層 (UL)の中央における磁場は前記固有保磁力 H0UL よりも大きい誘導書込みヘッドと、を有することを特徴とする磁気記録システム。
【請求項２】
前記それぞれの非強磁性スペーサ層の厚さが約１．５nmよりも小さいことを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記固有保磁力 H0ML が前記固有保磁力 H0UL よりも１５ % 以上小さいことを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項４】
前記固有保磁力 H0UL が前記磁場 HG の70 % 以上であることを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項５】
前記下部強磁性層 (LL)、前記中間強磁性層 (ML)および前記上部強磁性層 (UL)のそれぞれがCoPtCrB合金を含んでいることを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項６】
前記上部強磁性層 (UL)中のPtの量が前記中間強磁性層 (ML)中のPtの量よりも多く、前記中間強磁性層 (ML)中のPtの量が前記下部強磁性層 (LL)のPtの量よりも多いことを特徴とする請求項５記載のシステム。
【請求項７】
前記下部強磁性層 (LL)のBの量が前記中間強磁性層 (ML)および前記上部強磁性層 (UL)のそれぞれに含まれるBの量よりも少ないことを特徴とする請求項５記載のシステム。
【請求項８】
前記下部強磁性層 (LL)のCrの量が前記中間強磁性層 (ML)および前記上部強磁性層 (UL)のそれぞれに含まれるCrの量よりも多いことを特徴とする請求項５記載のシステム。
【請求項９】
前記下部強磁性層 (LL)が反強磁性結合 (AFC) 層の上部強磁性層であり、該AFC層が下部強磁性層と、前記上部強磁性層と、前記下部および上部強磁性層の間に位置しており、かつ前記下部および上部強磁性層を反強磁性交換結合せしめる厚さと組成を有する反強磁性結合膜とを含むことを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項１０】
前記AFC層の反強磁性結合膜が、ルテニウム (Ru)、クロム (Cr)、ロジウム (Rh)、イリジウム (Ir)、銅 (Cu)、およびそれらの合金から成る群から選ばれる材料で形成されていることを特徴とする請求項９記載のシステム。
【請求項１１】
前記磁気記録媒体が基板を有する磁気記録ディスクであり、前記下部強磁性層 (LL)、前記中間強磁性層 (ML)および前記上部強磁性層 (UL)が該基板上に存在し、かつ該システムが磁気記録ディスクドライブであることを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項１２】
さらに前記基板上で、該基板と前記下部強磁性層 (LL)の間に位置する下地層を含むことを特徴とする請求項１１記載のシステム。
【請求項１３】
さらに前記上部強磁性層 (UL)を覆って形成された保護被覆を含むことを特徴とする請求項１１記載のシステム。
【請求項１４】
さらに前記書込みヘッドを支持するためのスライダを含むことを特徴とする請求項１１記載のシステム。
【請求項１５】
基板と
該基板上にあり、下部強磁性膜、上部強磁性膜、および前記下部および上部強磁性膜の間に位置して前記下部および上部強磁性膜を反強磁性交換結合する反強磁性結合膜を含み、前記上部強磁性膜が前記基板上の下部強磁性層 (LL) であり、固有保磁力 H0LL を有する反強磁性結合（AFC）層と、
前記下部強磁性層 (LL)上にある第１の非強磁性スペーサ層と、
該第１の非強磁性スペーサ層上にあり、前記固有保磁力 H0LL よりも大きな固有保磁力 H0ML を有する中間強磁性層 (ML)と、
前記中間強磁性層 (ML)上にある第２の非強磁性スペーサ層と、
該第２の非強磁性スペーサ層上にあり、前記固有保磁力 H0ML よりも大きな固有保磁力 H0UL を有する上部強磁性層 (UL)と、を含む磁気記録ディスクと、
該磁気記録ディスクの表面近傍に保持されている空気軸受スライダと、
該空気軸受スライダの後縁にあり、書込みギャップによって隔てられた複数の書込み極を有し、該書込みギャップにおいて磁場HG を発生して前記下部強磁性層 (LL)、前記中間強磁性層 (ML)および前記上部強磁性層 (UL)の領域における磁化方向を変化させることができ、前記領域内における前記下部強磁性層 (LL)、前記中間強磁性層 (ML)および前記上部強磁性層 (UL)の磁化方向は平行であり、かつ前記下部強磁性層 (LL)の中央における磁場は前記固有保磁力 H0LL よりも大きく、前記中間強磁性層 (ML)の中央における磁場は前記固有保磁力 H0ML よりも大きく、前記上部強磁性層 (UL)の中央における磁場は前記固有保磁力 H0UL よりも大きい誘導書込みヘッドと、
を有することを特徴とする磁気記録ディスクドライブ。
【請求項１６】
前記それぞれの非強磁性スペーサ層の厚さが約１．５nmよりも小さいことを特徴とする請求項１５記載のディスクドライブ。
【請求項１７】
前記固有保磁力 H0LL が前記固有保磁力 H0UL よりも２５ % 以上小さいことを特徴とする請求項１５記載のディスクドライブ。
【請求項１８】
前記固有保磁力 H0ML が前記固有保磁力 H0UL よりも１５ % 以上小さいことを特徴とする請求項１５記載のディスクドライブ。
【請求項１９】
前記固有保磁力 H0UL が前記磁場HG の７０ % 以上であることを特徴とする請求項１５記載のディスクドライブ。
【請求項２０】
前記下部強磁性層 (LL)、前記中間強磁性層 (ML)および前記上部強磁性層 (UL)のそれぞれがCoPtCrB合金を含んでいることを特徴とする請求項１５記載のディスクドライブ。
【請求項２１】
前記上部強磁性層 (UL)中のPtの量が前記中間強磁性層 (ML)中のPtの量よりも多く、前記中間強磁性層 (ML)中のPtの量が前記下部強磁性層 (LL)中のPtの量よりも多いことを特徴とする請求項２０記載のディスクドライブ。
【請求項２２】
前記下部強磁性層 (LL)中のBの量が前記中間強磁性層 (ML)および前記上部強磁性層 (UL)のそれぞれに含まれるBの量よりも少ないことを特徴とする請求項２０記載のディスクドライブ。
【請求項２３】
前記下部強磁性層 (LL)中のCrの量が前記中間強磁性層 (ML)および前記上部強磁性層 (UL)のそれぞれに含まれるCrの量よりも多いことを特徴とする請求項２０記載のディスクドライブ。
【請求項２４】
前記AFC層の反強磁性結合膜が、ルテニウム (Ru)、クロム (Cr)、ロジウム (Rh)、イリジウム (Ir)、銅 (Cu)、およびそれらの合金から成る群から選ばれる材料で形成されていることを特徴とする請求項１５記載のディスクドライブ。
【請求項２５】
さらに前記基板上で、該基板と前記AFC層の下部強磁性膜の間に位置する下地層を含むことを特徴とする請求項１５記載のディスクドライブ。
【請求項２６】
さらに前記上部強磁性層 (UL)を覆って形成された保護被覆を含むことを特徴とする請求項１５記載のディスクドライブ。