(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された柱状構造のシンチレータと、
前記柱状構造のシンチレータの少なくとも一部を被覆するポリパラキシリレン膜とを備えるシンチレータパネルにおいて、
前記ポリパラキシリレン膜は、発色処理を施したポリパラキシリレン膜であることを特徴とするシンチレータパネル。
【請求項２】
前記発色処理は、加熱発色処理であることを特徴とする請求項１記載のシンチレータパネル。
【請求項３】
前記発色処理を施したポリパラキシリレン膜を覆うポリパラキシリレン膜を更に備えることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のシンチレータパネル。
【請求項４】
前記請求項１〜請求項３の何れか一項に記載のシンチレータパネルに更に撮像素子を備えることを特徴とする放射線イメージセンサ。
【請求項５】
前記基板は透光性の基板であり、前記撮像素子を前記基板の前記シンチレータが形成されていない側に配置したことを特徴とする請求項４記載の放射線イメージセンサ。
【請求項６】
前記基板は放射線透過性の基板であり、前記撮像素子を前記基板に形成されている前記シンチレータの先端部側に配置したことを特徴とする請求項４記載の放射線イメージセンサ。
【請求項７】
撮像素子の受光面上に形成された柱状構造のシンチレータと、
前記柱状構造のシンチレータの少なくとも一部を被覆するポリパラキシリレン膜とを備える放射線イメージセンサにおいて、
前記ポリパラキシリレン膜は、発色処理を施したポリパラキシリレン膜であることを特徴とする放射線イメージセンサ。
【請求項８】
前記発色処理は、加熱発色処理であることを特徴とする請求項７記載の放射線イメージセンサ。
【請求項９】
前記発色処理を施したポリパラキシリレン膜を覆うポリパラキシリレン膜を更に備えることを特徴とする請求項７又は請求項８記載の放射線イメージセンサ。
【請求項１０】
基板上に柱状構造のシンチレータを形成する第１の工程と、
前記柱状構造のシンチレータの少なくとも一部を被覆するポリパラキシリレン膜を形成する第２の工程と、
前記ポリパラキシリレン膜を発色させる第３の工程と、
を備えることを特徴とするシンチレータパネルの製造方法。
【請求項１１】
前記第３の工程は、加熱により前記ポリパラキシリレンを発色させる工程であることを特徴とする請求項１０記載のシンチレータパネルの製造方法。
【請求項１２】
前記第３工程において発色させた前記ポリパラキシリレン膜上に、更にポリパラキシリレン膜を形成する第４工程を備えることを特徴とする請求項１０又は請求項１１記載のシンチレータパネルの製造方法。
【請求項１３】
撮像素子の受光面上に柱状構造のシンチレータを形成する第１の工程と、
前記柱状構造のシンチレータの少なくとも一部を被覆するポリパラキシリレン膜を形成する第２の工程と、
前記ポリパラキシリレン膜を発色させる第３の工程と、
を備えることを特徴とする放射線イメージセンサの製造方法。
【請求項１４】
前記第３の工程は、加熱により前記ポリパラキシリレンを発色させる工程であることを特徴とする請求項１３記載の放射線イメージセンサの製造方法。
【請求項１５】
前記第３工程において発色させた前記ポリパラキシリレン膜上に、更にポリパラキシリレン膜を形成する第４工程を備えることを特徴とする請求項１３又は請求項１４記載の放射線イメージセンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、医療用のＸ線撮影等に用いられるシンチレータパネル、放射線イメージセンサ及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
医療、工業用のＸ線撮影では、従来、Ｘ線感光フィルムが用いられてきたが、利便性や撮影結果の保存性の面から放射線検出素子を用いた放射線イメージングシステムが普及してきている。このような放射線イメージングシステムにおいては、放射線検出素子により２次元の放射線による画素データを電気信号として取得し、この信号を処理装置により処理してモニタ上に表示している。
【０００３】
従来、放射線検出素子を構成するシンチレータパネルとして、特公平５−３９５５８号公報に開示されているシンチレータパネルが知られている。このシンチレータパネルは、ＦＯＰ上に典型的なシンチレータ材料であるＣｓＩからなる柱状構造のシンチレータを形成している。この柱状構造を有するシンチレータにおいては、柱状構造を有するシンチレータの１本１本がライトガイドとしての役目をにない、放射線によって発生した光を光出射面まで導いているため解像度の劣化が低く押さえられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述のシンチレータは潮解性を有しているため、柱状構造のシンチレータの隙間に水分不透過性のポリパラキシリレンを充填し、ポリパラキシリレンにより柱状構造のシンチレータを覆うことによりシンチレータを湿気から保護している。
【０００５】
しかしながら、柱状構造のシンチレータの隙間にポリパラキシリレンを充填することにより、シンチレータの屈折率とシンチレータの隙間の屈折率差が減少して、柱状構造のシンチレータのライトガイドとしての効果が低下し解像度の低下を招いていた。なお、特許２５７１７７１号公報には、シンチレータの隙間をシンチレータの屈折率以下の材料で被覆する技術が開示されており、また、特開平９−６１５３４号公報及び特開平９−６１５３６号公報には、シンチレータの隙間を黒色物質で被覆する技術が開示されている。
【０００６】
この発明の課題は、シンチレータの耐湿性を向上させると共に高解像度のシンチレータパネル、放射線イメージセンサ及びその製造方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載のシンチレータパネルは、基板上に形成された柱状構造のシンチレータと、前記柱状構造のシンチレータの少なくとも一部を被覆するポリパラキシリレン膜とを備えるシンチレータパネルにおいて、前記ポリパラキシリレン膜は、発色処理を施したポリパラキシリレン膜であることを特徴とする。
【０００８】
この請求項１記載のシンチレータパネルによれば、シンチレータを覆うポリパラキシリレン膜が発色処理を施したポリパラキシリレン膜であるため、柱状構造の界面を透過した蛍光が発色処理を施したポリパラキシリレン膜により吸収され、蛍光のクロストーク成分が減少することによりシンチレータパネルの解像度を向上させることができる。
【０００９】
また、請求項２記載のシンチレータパネルは、前記発色処理が加熱発色処理であることを特徴とする。
【００１０】
また、請求項３記載のシンチレータパネルは、請求項１又は請求項２記載のシンチレータパネルに更に、前記発色処理を施したポリパラキシリレン膜を覆うポリパラキシリレン膜を備えることを特徴とする。
【００１１】
この請求項３記載のシンチレータパネルによれば、発色処理を施したポリパラキシリレン膜を更にポリパラキシリレン膜で覆うため、シンチレータの耐湿性を向上させることができる。
【００１２】
また、請求項４記載の放射線イメージセンサは、前記請求項１〜請求項３の何れか一項に記載のシンチレータパネルに更に撮像素子を備えることを特徴とする。この請求項４記載の放射線イメージセンサによれば、イメージセンサの解像度を向上させることができる。
【００１３】
また、請求項５記載の放射線イメージセンサは、請求項４記載の放射線イメージセンサの前記基板が透光性の基板であり、前記撮像素子を前記基板の前記シンチレータが形成されていない側に配置したことを特徴とする。
【００１４】
また、請求項６記載の放射線イメージセンサは、請求項４記載の放射線イメージセンサの前記基板は放射線透過性の基板であり、前記撮像素子を前記基板に形成されている前記シンチレータの先端部側に配置したことを特徴とする。
【００１５】
また、請求項７記載の放射線イメージセンサは、撮像素子の受光面上に形成された柱状構造のシンチレータと、前記柱状構造のシンチレータを覆うポリパラキシリレン膜とを備える放射線イメージセンサにおいて、前記ポリパラキシリレン膜は、発色処理を施したポリパラキシリレン膜であることを特徴とする。
【００１６】
この請求項７記載の放射線イメージセンサによれば、シンチレータを覆うポリパラキシリレン膜が発色処理を施したポリパラキシリレン膜であるため、柱状構造の界面を透過した蛍光が発色処理を施したポリパラキシリレン膜により吸収され、蛍光のクロストーク成分が減少することにより放射線イメージセンサの解像度を向上させることができる。
【００１７】
また、請求項８記載の放射線イメージセンサは、請求項７記載の放射線イメージセンサの前記発色処理が加熱発色処理であることを特徴とする。
【００１８】
また、請求項９記載の放射線イメージセンサは、請求項７又は請求項８記載の放射線イメージセンサに更に、前記発色処理を施したポリパラキシリレン膜を覆うポリパラキシリレン膜を備えることを特徴とする。
【００１９】
この請求項９記載の放射線イメージセンサによれば、発色処理を施したポリパラキシリレン膜を更にポリパラキシリレン膜で覆うため、シンチレータの耐湿性を向上させることができる。
【００２０】
また、請求項１０記載のシンチレータパネルの製造方法は、基板上に柱状構造のシンチレータを形成する第１の工程と、前記柱状構造のシンチレータを覆うポリパラキシリレン膜を形成する第２の工程と、前記ポリパラキシリレン膜を発色させる第３の工程とを備えることを特徴とする。
【００２１】
この請求項１０記載のシンチレータパネルの製造法によれば、シンチレータを覆うポリパラキシリレンを発色させることにより柱状構造の界面を透過した蛍光が発色処理を施したポリパラキシリレン膜により吸収され、蛍光のクロストーク成分が減少するため、解像度を向上させたシンチレータパネルを製造することができる。
【００２２】
請求項１１記載のシンチレータパネルの製造方法は、請求項１０記載のシンチレータパネルの製造方法の前記第３の工程が加熱により前記ポリパラキシリレンを発色させる工程であることを特徴とする。
【００２３】
また、請求項１２記載のシンチレータパネルの製造方法は、請求項１０又は請求項１１記載のシンチレータパネルの製造方法に、更に、前記第３工程において発色させた前記ポリパラキシリレン膜上にポリパラキシリレン膜を形成する第４工程を備えることを特徴とする。
【００２４】
この請求項１２記載のシンチレータパネルの製造方法によれば、発色させたポリパラキシリレン膜上に、更にポリパラキシリレン膜を形成するため、シンチレータの耐湿性を向上させたシンチレータパネルを製造することができる。
【００２５】
また、請求項１３記載の放射線イメージセンサの製造方法は、撮像素子の受光面上に柱状構造のシンチレータを形成する第１の工程と、前記柱状構造のシンチレータを覆うポリパラキシリレンを形成する第２の工程と、前記ポリパラキシリレン膜を発色させる第３の工程とを備えることを特徴とする。
【００２６】
この請求項１３記載の放射線イメージセンサの製造方法によれば、シンチレータを覆うポリパラキシリレン膜を発色させることにより柱状構造の界面を透過した蛍光が発色処理を施したポリパラキシリレン膜により吸収され、蛍光のクロストーク成分が減少するため、解像度を向上させた放射線イメージセンサを製造することができる。
【００２７】
また、請求項１４記載の放射線イメージセンサの製造方法は、請求項１３記載のシンチレータパネルの製造方法の前記第３の工程が加熱により前記ポリパラキシリレンを発色させる工程であることを特徴とする。
【００２８】
また、請求項１５記載の放射線イメージセンサの製造方法は、請求項１３又は請求項１４記載の放射線イメージセンサの製造方法に、更に、前記第３工程において加熱し発色させた前記ポリパラキシリレン上にポリパラキシリレン膜を形成する第４工程を備えることを特徴とする。
【００２９】
この請求項１５記載の放射線イメージセンサの製造方法によれば、加熱し発色させたポリパラキシリレン膜上に、更にポリパラキシリレン膜を形成するため、シンチレータの耐湿性を向上させた放射線イメージセンサを製造することができる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、図１〜図３を参照して、この発明の第１の実施の形態の説明を行う。図１は実施の形態にかかるシンチレータパネル２の断面図である。図１に示すように、シンチレータパネル２のファイバオプティカルプレート（以下、ＦＯＰという。）１０の一方の表面には、入射した放射線を可視光に変換する柱状結晶構造のシンチレータ１２が形成されている。このシンチレータ１２には、ＴｌドープのＣｓＩが用いられている。
【００３１】
このＦＯＰ１０に形成された柱状結晶構造のシンチレータ１２の隙間には、シンチレータ１２の表面に成膜され加熱発色処理が施されたポリパラキシリレンが充填されている。また、この加熱発色処理を施したポリパラキシリレン膜１４の表面には、耐湿性の保護膜としてのポリパラキシリレン膜１６が設けられており、更に、このポリパラキシリレン膜１６の表面に耐湿性の向上を目的とするＡｌ膜１８が形成されている。このシンチレータパネル２は、ＦＯＰ１０を介して図示しない撮像素子（ＣＣＤ）等と結合することにより放射線イメージセンサとして用いられる。また、Ａｌ膜１８上にＡｌ膜１８の剥がれ防止するためのポリパラキシリレン膜を形成してもよい。
【００３２】
次に、図２及び図３を参照して、シンチレータパネル２の製造工程について説明する。まず、ＦＯＰ１０の一方の表面に、ＴｌをドープしたＣｓＩの柱状結晶を蒸着法によって成長させてシンチレータ１２を１０μｍの柱径、３００μｍの厚さで形成する（図２（ａ）参照）。
【００３３】
次に、シンチレータ１２が形成されたＦＯＰ１０をＣＶＤ装置の蒸着室に入れ、ＣＶＤ法（気相化学成長法）によりシンチレータ１２の隙間及び表面にポリパラキシリレン膜１４を成膜する。即ち、ＣＶＤ装置の蒸着室内において、ポリパラキシリレンの原料を昇華した蒸気中に露出させておくことにより、柱状結晶構造のシンチレータ１２の隙間にポリパラキシリレン膜１４を成膜し、柱状結晶構造のシンチレータ１２の隙間にポリパラキシリレン膜１４を成膜する（図２（ｂ）参照）。
【００３４】
次に、柱状結晶構造のシンチレータ１２の表面にポリパラキシリレン膜１４を成膜したＦＯＰ１０をＣＶＤ装置の蒸着室から取り出し、真空中において２５０℃で２時間、加熱することによりポリパラキシリレン膜１４を発色させる。即ち、ポリパラキシリレンの構造式は、
【化１】
0004156709.tif 000002
で示されるが、ポリパラキシリレン膜１４を真空中において２５０℃で２時間、加熱することにより、ポリパラキシリレンのエチレン基（−ＣＨ２−ＣＨ２−）の一部がエテニレン基（−ＣＨ＝ＣＨ−）又は、エチニレン基（−Ｃ≡Ｃ−）に変化することにより茶色に発色する。
【００３５】
次に、ポリパラキシリレン膜１４の加熱発色処理が終了したＦＯＰ１０を、再度、ＣＶＤ装置の蒸着室に入れて、ポリパラキシリレン膜１６を１０μｍの厚さで成膜し（図３（ａ）参照）、その後、Ａｌ膜１８を３００ｎｍの厚さで蒸着する（図３（ｂ）参照）。ここでＡｌ膜１８は、シンチレータ１２の耐湿性の向上を目的とするものであるためシンチレータ１２を覆う範囲で形成される。この工程を終了することによりシンチレータパネル２の製造が終了する。
【００３６】
この実施の形態にかかるシンチレータパネル２によれば、柱状結晶構造のシンチレータ１２の表面に形成されているポリパラキシリレン膜１４に加熱発色処理が施されているため、シンチレータ１２の柱状結晶構造の界面を透過した蛍光が加熱発色処理を施したポリパラキシリレン膜１４により吸収され、蛍光のクロストーク成分が減少することによりシンチレータパネル２の解像度を向上させることができる。また、加熱発色処理を施したポリパラキシリレン膜１４をポリパラキシリレン膜で更に覆うためシンチレータの耐湿性を向上させることができる。
【００３７】
次に、図４〜図６を参照して、この発明の第２の実施の形態の説明を行う。図４は実施の形態にかかる放射線イメージセンサ４の断面図である。図４に示すように、放射線イメージセンサ４は、薄膜トランジスタ＋フォトダイオードアレイ（以下フォトダイオードアレイという）３０の受光部３０ｂに対応して設けられている大結晶化されたシンチレータ３４を加熱発色処理を施したポリパラキシリレン膜３６により覆い、更に、耐湿性の向上を目的とするポリパラキシリレン膜３８で覆った構造を有するものである。
【００３８】
次に、図５及び図６を参照して、この放射線イメージセンサ４の製造工程について説明する。図５（ａ）に示すように、放射線イメージセンサ４を構成するフォトダイオードアレイ３０は、基板３０ａ上に受光部３０ｂが２００μｍのピッチでアレイ状に形成され、各受光部３０ｂに対応してアモルファスシリコン薄膜トランジスタのスイッチング素子３０ｃが設けられている。
【００３９】
まず、このフォトダイオードアレイ３０の受光部３０ｂ上にポリイミドにより凸パターン３２を形成する（図５（ｂ）参照）。次に、ＴｌをドープしたＣｓＩの柱状結晶を蒸着法によって成長させて、受光部３０ｂに対応したシンチレータ３４の固まりを形成し（図５（ｃ）参照）、水蒸気を含む大気中に４０時間露出させることにより、シンチレータ３４に水分を含有させ溶かすことで大結晶化、好ましくは単結晶化させる（図５（ｄ）参照）。
【００４０】
次に、シンチレータ３４が形成されたフォトダイオードアレイ３０をＣＶＤ装置の蒸着室に入れ、ポリパラキシリレンの原料を昇華した蒸気中に露出させておくことにより、大結晶化したシンチレータ３４の表面にポリパラキシリレン膜３６を成膜する（図６（ａ）参照）。次に、シンチレータ３４の表面にポリパラキシリレン膜３６を成膜したフォトダイオードアレイ３０をＣＶＤ装置の蒸着室から取り出し、真空中において２５０℃で１時間、加熱することによりポリパラキシリレン膜３６を発色させる（図６（ｂ）参照）。即ち、第１の実施の形態の場合と同様に、ポリパラキシリレンのエチレン基（−ＣＨ２−ＣＨ２−）の一部がエテニレン基（−ＣＨ＝ＣＨ−）又は、エチニレン基（−Ｃ≡Ｃ−）に変化することにより茶色に発色する。
【００４１】
次に、ポリパラキシリレン膜３６の加熱発色処理が終了したフォトダイオードアレイ３０を、再度、ＣＶＤ装置の蒸着室に入れて、ポリパラキシリレン膜３８を１０μｍの厚さで成膜する（図６（ｃ）参照）。この工程を終了することにより放射線イメージセンサ４の製造が終了する。
【００４２】
この第２の実施の形態にかかる放射線イメージセンサ４によれば、大結晶化したシンチレータ３４の表面に形成されているポリパラキシリレン膜３６に加熱発色処理が施されているため、シンチレータ３４の界面を透過した蛍光が加熱発色処理を施したポリパラキシリレン膜３６により吸収され、蛍光のクロストーク成分が減少することにより放射線イメージセンサ４の解像度を向上させることができる。また、加熱発色処理を施したポリパラキシリレン膜３６を更にポリパラキシリレン膜３８で更に覆うためシンチレータ３４の耐湿性を向上させることができる。
【００４３】
次に、図７〜図９を参照して、この発明の第３の実施の形態の説明を行う。この第３の実施の形態の説明においては、第２の実施の形態にかかる放射線イメージセンサ４の構成と同一の構成には、放射線イメージセンサ４の説明の際に用いた符号と同一の符号を付して説明を行う。
【００４４】
図７は実施の形態にかかる放射線イメージセンサ６の断面図である。図７に示すように、放射線イメージセンサ６は、薄膜トランジスタ＋フォトダイオードアレイ３０の受光部３０ａに対応して設けられている大結晶化されたシンチレータ３４の先端部以外の部分を加熱発色処理を施したポリパラキシリレン膜３６により覆い、更に、シンチレータ３４を耐湿性を目的とするポリパラキシリレン膜３８及びＡｌ膜４０、Ａｌ膜４０の剥がれ防止のためのポリパラキシリレン膜４２で覆った構造を有するものである。
【００４５】
次に、図８及び図９を参照して、この放射線イメージセンサ６の製造工程について説明する。まず、図５及び図６に示す第２の実施の形態にかかる放射線イメージセンサ４の製造工程と同一の工程により、フォトダイオードアレイ３０の受光部３０ｂ上に形成した大結晶化したシンチレータ３４を加熱発色させたポリパラキシリレン膜３６により被覆する（図８（ａ）参照）。
【００４６】
次に、シンチレータ３４の上端部に位置するポリパラキシリレン膜３６をレーザ照射により除去し（図８（ｂ）参照）、このシンチレータ３４の上端部に位置するポリパラキシリレン膜３６の除去処理が終了したフォトダイオードアレイ３０を、再度、ＣＶＤ装置の蒸着室に入れて、ポリパラキシリレン膜３８を１０μｍの厚さで成膜する（図８（ｃ）参照）。
【００４７】
次に、ポリパラキシリレン膜３８上に、真空蒸着法により耐湿膜であるＡｌ膜４０を１００ｎｍの厚さで形成し、更に、このＡｌ膜４０上にポリパラキシリレン膜３８の形成の場合と同様な方法で、Ａｌ膜４０の剥がれを防止するためのポリパラキシリレン膜４２を形成する。この工程を終了することにより放射線イメージセンサ６の製造が終了する。
【００４８】
この第３の実施の形態にかかる放射線イメージセンサ６によれば、大結晶化したシンチレータ３４の側壁部の表面に形成されているポリパラキシリレン膜３６に加熱発色処理が施されているため、シンチレータ３４の界面を透過した蛍光が加熱発色処理を施したポリパラキシリレン膜３６により吸収され、蛍光のクロストーク成分が減少することにより放射線イメージセンサ６の解像度を向上させることができる。また、シンチレータ３４をポリパラキシリレン膜３８及びＡｌ膜４０で覆うためシンチレータ３４の耐湿性を向上させることができる。
【００４９】
次に、図１０を参照して、この発明の第４の実施の形態にかかる放射線イメージセンサ７の説明を行う。この第４の実施の形態の説明においては、第３の実施の形態にかかる放射線イメージセンサ６の構成と同一の構成には、放射線イメージセンサ６の説明の際に用いた符号と同一の符号を付して説明を行う。
【００５０】
この放射線イメージセンサ７は、加熱発色したポリパラキシリレン膜３６を除去した後に、シンチレータ３４の上部に位置するポリパラキシリレン膜３８上に、大結晶化したシンチレータ３４毎に対応させて反射膜であるＡｌ膜３９を形成し、その上にＡｌ膜３９の剥がれを防止するためのポリパラキシリレン膜４１、耐湿性を向上させるためのＡｌ膜４０及びＡｌ膜４０の剥がれを防止するためのポリパラキシリレン膜４２を順次形成したものである。
【００５１】
この放射線イメージセンサ７においては、シンチレータ３４で発生した光の中でＡｌ膜３９の方向に進行した光は、このＡｌ膜３９で反射されてフォトダイオードアレイ３０の受光部３０ｂの方向へ向かうため受光部３０ｂに入射する光を増加させることができる。
【００５２】
なお、上述の各実施の形態における、ポリパラキシリレンには、ポリパラキシリレンの他、ポリモノクロロパラキシリレン、ポリジクロロパラキシリレン、ポリテトラクロロパラキシリレン、ポリフルオロパラキシリレン、ポリジメチルパラキシリレン、ポリジエチルパラキシリレン、等を含む。
【００５３】
また、上述の各実施の形態においては、ポリパラキシリレンを加熱することにより発色させているが、これに限らず電子線、高エネルギの電磁波（紫外線、Ｘ線）、中性子線を照射することによっても発色させることがきる。
【００５４】
また、上述の各実施の形態においては、ポリパラキシリレンを真空中において加熱しているが、これに限らず空気中において加熱するようにしてもよい。
【００５５】
また、上述の第１の実施の形態においては、ポリパラキシリレンを２５０度で２時間加熱しており、また、第２の実施の形態においては、ポリパラキシリレンを２５０度で１時間加熱しているが、加熱温度及び加熱時間はこれに限定されるものではなく、ポリパラキシリレンの発色の度合いに対応させて適宜選択可能である。
【００５６】
また、上述の各実施の形態においては、シンチレータとしてＣｓＩ（Ｔｌ）が用いられているが、これに限らずＣｓＩ（Ｎａ）、ＮａＩ（Ｔｌ）、ＬｉＩ（Ｅｕ）、ＫＩ（Ｔｌ）等を用いてもよい。
【００５７】
また、上述の第１の実施の形態においては、シンチレータを形成する基板としてＦＯＰ１０を用いＦＯＰ１０側に撮像素子（ＣＣＤ）を配置することにより放射線イメージセンサとして用いるが、シンチレータを形成する基板としてガラス製の基板を用いても良い。この場合には、ガラス製の基板と撮像素子とをレンズを用いて結合させて放射線イメージセンサとして用いる。
【００５８】
また、Ａｌ製の基板、Ｃ（グラファイト）製の基板、Ｂｅ製の基板等を用いてもよく、この場合にはシンチレータ側に撮像素子（ＣＣＤ）を配置することにより放射線イメージセンサとして用いる。
【００５９】
図１１は、Ａｌ製の基板５０に形成されたシンチレータ３４の先端部側に撮像素子５２を配置した放射線イメージセンサ８である。この放射線イメージセンサ８においては、大結晶化したシンチレータ３４の側壁部の表面に形成されているポリパラキシリレン膜３６に加熱発色処理が施されているため、シンチレータ３４の界面を透過した蛍光が加熱発色処理を施したポリパラキシリレン膜３６により吸収され、蛍光のクロストーク成分が減少することにより放射線イメージセンサ８の解像度を向上させることができる。
【００６０】
また、上述の第２〜第４の実施の形態においては、シンチレータを形成する基板としてフォトダイオードアレイ３０を用いているが、これに限らずＣＣＤ、ＭＯＳ型固体イメージセンサ等を用いるようにしてもよい。
【００６１】
また、上述の第２の実施の形態において、ポリパラキシリレン膜３８の上に更にＡｌ膜を形成するようにしても良い。この場合には、更に耐湿性の向上を図ることができる。
【００６２】
【発明の効果】
この発明のシンチレータパネルによれば、シンチレータを覆うポリパラキシリレン膜が発色処理を施したポリパラキシリレン膜であるため、蛍光のクロストーク成分を減少させることができ、シンチレータパネルの解像度を向上させることができる。また、発色処理を施したポリパラキシリレン膜を更にポリパラキシリレン膜で覆うため、シンチレータの耐湿性を向上させることができる。
【００６３】
また、この発明の放射線イメージセンサによれば、シンチレータを覆うポリパラキシリレン膜が発色処理を施したポリパラキシリレン膜であるため、蛍光のクロストーク成分を減少させることができ、放射線イメージセンサの解像度を向上させることができる。また、発色処理を施したポリパラキシリレン膜を更にポリパラキシリレン膜で覆うため、シンチレータの耐湿性を向上させることができる。
【００６４】
また、この発明のシンチレータパネルの製造方法によれば、シンチレータを覆うポリパラキシリレン膜を発色させることにより蛍光のクロストーク成分を減少させ、解像度を向上させたシンチレータパネルを製造することができる。また、発色させたポリパラキシリレン膜上に、更にポリパラキシリレン膜を形成するため、シンチレータの耐湿性を向上させたシンチレータパネルを製造することができる。
【００６５】
また、この発明の放射線イメージセンサの製造方法によれば、シンチレータを覆うポリパラキシリレン膜を発色させることにより蛍光のクロストーク成分を減少させ、解像度を向上させた放射線イメージセンサを製造することができる。また、発色させたポリパラキシリレン膜上に、更にポリパラキシリレン膜を形成するため、シンチレータの耐湿性を向上させた放射線イメージセンサを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の第１の実施の形態にかかるシンチレータパネルの断面図である。
【図２】この発明の第１の実施の形態にかかるシンチレータパネルの製造工程を示す図である。
【図３】この発明の第１の実施の形態にかかるシンチレータパネルの製造工程を示す図である。
【図４】この発明の第２の実施の形態にかかる放射線イメージセンサの断面図である。
【図５】この発明の第２の実施の形態にかかる放射線イメージセンサの製造工程を示す図である。
【図６】この発明の第２の実施の形態にかかる放射線イメージセンサの製造工程を示す図である
【図７】この発明の第３の実施の形態にかかる放射線イメージセンサの断面図である。
【図８】この発明の第３の実施の形態にかかる放射線イメージセンサの製造工程を示す図である。
【図９】この発明の第３の実施の形態にかかる放射線イメージセンサの製造工程を示す図である。
【図１０】この発明の第４の実施の形態にかかる放射線イメージセンサの断面図である。
【図１１】この発明の他の実施の形態にかかる放射線イメージセンサの断面図である。
【符号の説明】
２…シンチレータパネル、４，６，７，８…放射線イメージセンサ、１０…ＦＯＰ、１２…シンチレータ、１４…ポリパラキシリレン膜、１６…ポリパラキシリレン膜、１８…Ａｌ膜、３０…フォトダイオードアレイ、３０ｂ…受光部、３４…シンチレータ、３６，３８…ポリパラキシリレン膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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