Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月21日(2008.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  外部との信号のやり取りを行うアウターリードを底面から露出させるとともに、前記底面の４隅に宙吊りリードを露出させたクワッドフラットノンリードパッケージと、
前記クワッドフラットノンリードパッケージが実装される実装基板と、
前記実装基板に設けられて、前記アウターリードがはんだ付けされるアウターリードランドと、
前記実装基板に設けられて、前記宙吊りリードがはんだ付けされる宙吊りリードランドと
を備えた、半導体装置。
【請求項２】  外部との信号のやり取りを行うアウターリードを底面から露出させるとともに、前記底面の中央部にダイパッドを露出させたクワッドフラットノンリードパッケージと、
前記クワッドフラットノンリードパッケージが実装される実装基板と、
前記実装基板に設けられて、前記アウターリードがはんだ付けされるアウターリードランドと、
前記実装基板に設けられて、前記ダイパッドがはんだ付けされるダイパッドランドと
を備えた、半導体装置。
【請求項３】  外部との信号のやり取りを行うアウターリードを底面から露出させるとともに、前記底面の４隅に宙吊りリードを露出させ、さらに、前記底面の中央部にダイパッドを露出させたクワッドフラットノンリードパッケージと、
前記クワッドフラットノンリードパッケージが実装される実装基板と、
前記実装基板に設けられて、前記アウターリードがはんだ付けされるアウターリードランドと、
前記実装基板に設けられて、前記宙吊りリードがはんだ付けされる宙吊りリードランドと、
前記実装基板に設けられて、前記ダイパッドがはんだ付けされるダイパッドランドと
を備えた、半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体装置は、クワッドフラットノンリードパッケージと実装基板とアウターリードランドと宙吊りリードランドとを備えている。クワッドフラットノンリードパッケージは、外部との信号のやり取りを行うアウターリードを底面から露出させるとともに、底面の４隅に宙吊りリードを露出させている。実装基板にはクワッドフラットノンリードパッケージが実装される。アウターリードランドは実装基板に設けられて、アウターリードがはんだ付けされる。宙吊りリードランドは実装基板に設けられて、宙吊りリードがはんだ付けされる。
本発明に係る他の半導体装置は、クワッドフラットノンリードパッケージと実装基板とアウターリードランドとダイパッドランドとを備えている。クワッドフラットノンリードパッケージは、外部との信号のやり取りを行うアウターリードを底面から露出させるとともに、底面の中央部にダイパッドを露出させている。実装基板にはクワッドフラットノンリードパッケージが実装される。アウターリードランドは実装基板に設けられて、アウターリードがはんだ付けされる。ダイパッドランドは実装基板に設けられて、ダイパッドがはんだ付けされる。
本発明に係るさらに他の半導体装置は、クワッドフラットノンリードパッケージと実装基板とアウターリードランドと宙吊りリードランドとダイパッドランドとを備えている。クワッドフラットノンリードパッケージは、外部との信号のやり取りを行うアウターリードを底面から露出させるとともに、底面の４隅に宙吊りリードを露出させ、さらに、底面の中央部にダイパッドを露出させている。実装基板にはクワッドフラットノンリードパッケージが実装される。アウターリードランドは実装基板に設けられて、アウターリードがはんだ付けされる。宙吊りリードランドは実装基板に設けられて、宙吊りリードがはんだ付けされる。ダイパッドランドは実装基板に設けられて、ダイパッドがはんだ付けされる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【発明の効果】
本発明に係る半導体装置によれば、外部との信号のやり取りを行うアウターリードを底面から露出させるとともに、底面の４隅に宙吊りリードを露出させたクワッドフラットノンリードパッケージと、そのクワッドフラットノンリードパッケージが実装される実装基板とを備えて、実装基板に、アウターリードがはんだ付けされるアウターリードランドを設けるとともに、宙吊りリードがはんだ付けされる宙吊りリードランドを設けたので、機械的強度を向上させることができる。
本発明に係る他の半導体装置によれば、外部との信号のやり取りを行うアウターリードを底面から露出させるとともに、底面の中央部にダイパッドを露出させたクワッドフラットノンリードパッケージと、そのクワッドフラットノンリードパッケージが実装される実装基板とを備えて、実装基板に、アウターリードがはんだ付けされるアウターリードランドを設けるとともに、ダイパッドがはんだ付けされるダイパッドランドを設けたので、熱放散性を向上させることができる。
本発明に係るさらに他の半導体装置によれば、外部との信号のやり取りを行うアウターリードを底面から露出させるとともに、底面の４隅に宙吊りリードを露出させ、さらに、底面の中央部にダイパッドを露出させたクワッドフラットノンリードパッケージと、そのクワッドフラットノンリードパッケージが実装される実装基板とを備えて、実装基板に、アウターリードがはんだ付けされるアウターリードランドを設けるとともに、宙吊りリードがはんだ付けされる宙吊りリードランドを設け、さらに、ダイパッドがはんだ付けされるダイパッドランドを設けたので、機械的強度及び熱放散性を同時に向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月10日(2008.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれが他の回路ブロックの少なくとも１つから信号を受けて信号処理を行う複数の回路ブロックを有する半導体集積回路であって、
前記複数の回路ブロックのうちの少なくとも１対の回路ブロックは、複数ステージの処理を並列に実行する二重化した回路ブロックであり、
前記１対の回路ブロックの少なくとも一方の内部電源配線にはノイズ検出回路を有し、
さらに前記ノイズ検出回路の電源ノイズ検出出力を受けると前記１対の回路ブロックの処理進行を停止して電源ノイズ検出時点のステージからの処理を再実行させる第１の割り込み信号を前記１対の回路ブロックに発し、前記１対の回路ブロックの出力が相互に不一致であったら該出力を得るための命令まで戻って再実行させる第２の割り込み信号を前記１対の回路ブロックに発生する割り込み処理回路を備えたことを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２】
前記割り込み処理回路は、前記の再実行を行なった際に再び前記ノイズ検出回路から電源ノイズ検出出力を受けると障害処理を行なうことを特徴とする半導体集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月15日(2008.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁膜と、電極と、
前記絶縁膜を間に挟んで前記電極と重なるチャネル形成領域と、
前記チャネル形成領域に接し、且つ、一導電型を付与する不純物元素を含む第１の不純物領域と、
前記第１の不純物領域に接し、且つ、金属元素、希ガス元素、及び前記一導電型を付与する不純物元素を含む第２の不純物領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記電極はゲート電極であり、前記ゲート電極は、前記絶縁膜を間に挟んで前記第１の不純物領域と一部重なることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、前記電極はゲート電極であり、前記ゲート電極は、前記絶縁膜を間に挟んで前記第１の不純物領域と全部重なることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２または請求項３において、前記ゲート電極は前記チャネル形成領域上に形成され、２層の導電膜からなり、前記２層の導電膜においてテーパー角の異なるテーパー部を有しており、
前記第１の不純物領域は、前記２層の導電膜の上層と重ならないように自己整合的に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記第２の不純物領域に含まれる前記一導電型を付与する不純物元素の濃度は、前記第１の不純物領域に含まれる前記一導電型を付与する不純物元素の濃度より高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記金属元素はＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記希ガス元素はＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記一導電型の不純物元素は周期表１５族元素または周期表１３族元素であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一に記載された半導体装置とは、液晶モジュールであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれか一に記載された半導体装置とは、ＥＬモジュールであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至８のいずれか一に記載された半導体装置とは、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、携帯型情報端末、デジタルビデオディスクプレーヤー、または電子遊技機器であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
非晶質構造を有する半導体膜に該半導体膜の結晶化を助長する金属元素を添加する第１工程と、
前記半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する半導体膜を形成する第２工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜に、一導電型を付与する不純物元素を選択的に添加して第１の不純物領域を形成する第３工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜に前記一導電型を付与する不純物元素と同一の不純物元素を選択的に添加し、且つ、希ガス元素を選択的に添加して第２の不純物領域を形成する第４工程と、
前記第２の不純物領域に前記金属元素をゲッタリングして前記結晶構造を有する半導体膜中の前記金属元素を選択的に除去または低減する第５工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１２において、前記第４工程は、フォスフィンを含む希ガスを原料ガスとし、前記半導体膜にリン元素と希ガス元素とを同一工程で添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１２において、前記第４工程は、フォスフィンを含む水素ガスを原料ガスとし、前記半導体膜にリン元素を添加した後、大気にふれることなく希ガスを原料ガスとして前記半導体膜に希ガス元素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
非晶質構造を有する半導体膜に該半導体膜の結晶化を助長する金属元素を添加する第１工程と、
前記半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する半導体膜を形成する第２工程と、
前記半導体膜上に絶縁膜を形成する第３工程と、
前記絶縁膜上に前記半導体膜と重なる電極を形成する第４工程と、
前記電極をマスクとして前記半導体膜に一導電型を付与する不純物元素を選択的に添加し、且つ、希ガス元素を選択的に添加して第２の不純物領域を自己整合的に形成する第５工程と、
前記電極をエッチングしてテーパー部を有するゲート電極を形成する第６工程と、
前記テーパー部を通過させて前記半導体膜に前記一導電型を付与する不純物元素と同一の不純物元素を選択的に添加して第１の不純物領域を形成する第７工程と、
前記第２の不純物領域に前記金属元素をゲッタリングして前記結晶構造を有する半導体膜中の前記金属元素を選択的に除去または低減する第８工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１５において、前記第５工程は、フォスフィンを含む希ガスを原料ガスとし、前記半導体膜にリン元素と希ガス元素とを同一工程で添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１５において、前記第５工程は、フォスフィンを含む水素ガスを原料ガスとし、前記半導体膜にリン元素を添加した後、大気にふれることなく希ガスを原料ガスとして前記半導体膜に希ガス元素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１５乃至１７のいずれか一において、前記電極は２層の導電膜からなり、
前記第６工程では前記２層の導電膜のエッチングの選択比の違いから、前記２層の導電膜においてテーパー角の異なる前記ゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１２乃至１８のいずれか一において、前記金属元素はＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１２乃至１９のいずれか一において、前記希ガス元素はＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月21日(2008.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体基板と、前記絶縁体基板上に形成された多結晶薄膜と、前記多結晶薄膜上に形成されたソース、ドレイン、チャネル及びゲートからなるトランジスタとを有する薄膜トランジスタ装置において、前記多結晶薄膜はIV属のC,Si,Ge,Sn及びPbの群から選ばれる何れか一つの結晶、もしくはそれらの混晶からなる結晶であり、前記ソースとドレインとを結ぶ少なくとも一つの経路上において、前記基板垂直方向に対し０〜５度の角度を持つ＜１１０＞軸と、経路方向に対し０〜３０度の角度を持つ＜１００＞軸とを持つ結晶粒が、一つもしくは複数個連なっており、
前記ソース及び前記ドレインの少なくとも一方において、前記ソースまたはドレインの一部または近傍に微結晶領域を持ち、前記微結晶領域の平均粒径は前記チャネル領域における結晶粒の平均粒径より小さく、かつ、面方位は前記チャネル領域における結晶粒より無秩序であることを特徴とする薄膜トランジスタ装置。
【請求項２】
前記多結晶薄膜はSi薄膜であり、前記Si薄膜は膜厚10nm〜100nmであり、前記結晶粒の{100}面における断面が幅300nm〜5μmであることを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ装置。
【請求項３】
前記チャネルの一方または両方の側部近傍において微結晶領域を持ち、前記微結晶領域の平均粒径は前記チャネル領域における結晶粒の平均粒径より小さく、かつ、面方位は前記チャネル領域における結晶粒より無秩序であることを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月14日(2008.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜半導体装置及び薄膜半導体装置を含む画像表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板と、多結晶半導体膜からなる第１の半導体膜と、ゲート電極と、前記第１の半導体膜と前記ゲート電極の間に形成されたゲート絶縁膜と、前記第１の半導体膜に所定間隔で設けられた第１の電荷送受手段と第２の電荷送受手段と、前記第１と第２の電荷送受手段の間の第１の半導体膜に形成されるチャネル領域とを有し、且つ前記チャネル領域を構成する前記第１の半導体膜の、前記絶縁性基板もしくは前記ゲート絶縁膜の表面に対する主配向が｛１１０｝であり、前記第１の半導体膜の、前記第１と第２の電荷送受手段を結ぶ方向に略垂直な面の主配向が｛１００｝であることを特徴とする薄膜半導体装置。
【請求項２】
前記の半導体層を構成する前記電荷送受手段の一部に、前記チャネル領域の厚さよりも厚い領域を有することを特徴とする請求項１記載の薄膜半導体装置。
【請求項３】
前記チャネル領域の厚さよりも厚い領域として、幅５ミクロン以下、突出長さ５ミクロン以下の少なくとも一つの突起を有することを特徴とする請求項２記載の薄膜半導体装置。
【請求項４】
前記チャネル領域を構成する前記半導体膜は、前記第１及び第２の電荷送受手段との間を結ぶ方向に対して、前記チャネル領域の結晶粒の長手方向の軸が４５度以下の結晶粒を主として構成されることを特徴とする請求項１記載の薄膜半導体装置。
【請求項５】
前記チャネル領域を構成する前記半導体膜は、前記第１の電荷送受手段と前記第２の電荷送受手段との間を結ぶ程度の長手方向の長さを有する結晶粒を有することを特徴とする請求項１記載の薄膜半導体装置。
【請求項６】
前記多結晶半導体膜に対して、この上部にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成したことを特徴とする請求項１記載の薄膜半導体装置。
【請求項７】
前記多結晶半導体膜に対して、この下部にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成したことを特徴とする請求項１記載の薄膜半導体装置。
【請求項８】
絶縁性基板と、該絶縁性基板上に設けられ、多結晶半導体膜からなる第１の半導体膜と、ゲート電極と、前記第１の半導体膜と前記ゲート電極の間に形成されたゲート絶縁膜と、前記第１の半導体膜に所定間隔で設けられた第１の電荷送受手段と第２の電荷送受手段と、前記第１と第２の電荷送受手段の間の第１の半導体膜に形成されるチャネル領域とを有し、且つ前記チャネル領域を構成する前記第１の半導体膜の、前記絶縁性基板もしくは前記ゲート絶縁膜の表面に対する主配向が｛１１０｝であり、前記第１の半導体膜の、前記第１と第２の電荷送受手段を結ぶ方向に略垂直な面の主配向が｛１００｝である薄膜半導体装置を含む画像表示装置。
【請求項９】
前記の半導体層を構成する前記電荷送受手段の一部に、前記チャネル領域の厚さよりも厚い領域を有することを特徴とする請求項８記載の薄膜半導体装置を含む画像表示装置。
【請求項１０】
前記チャネル領域の厚さよりも厚い領域として、幅５ミクロン以下、突出長さ５ミクロン以下の少なくとも一つの突起を有することを特徴とする請求項９記載の薄膜半導体装置を含む画像表示装置。
【請求項１１】
前記チャネル領域を構成する前記半導体膜は、前記第１及び第２の電荷送受手段との間を結ぶ方向に対して、前記チャネル領域の結晶粒の長手方向の軸が４５度以下の結晶粒を主として構成されることを特徴とする請求項８記載の薄膜半導体装置を含む画像表示装置。
【請求項１２】
前記チャネル領域を構成する前記半導体膜は、前記第１の電荷送受手段と前記第２の電荷送受手段との間を結ぶ程度の長手方向の長さを有する結晶粒を有することを特徴とする請求項８記載の薄膜半導体装置を含む画像表示装置。
【請求項１３】
前記多結晶半導体膜に対して、この上部にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成したことを特徴とする請求項８記載の薄膜半導体装置を含む画像表示装置。
【請求項１４】
前記多結晶半導体膜に対して、この下部にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成したことを特徴とする請求項８記載の薄膜半導体装置を含む画像表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月24日(2008.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】  請求項２において、前記判断手段により異常発生と判断された場合に、本温度制御装置を初期化する初期化手段を備えたことを特徴とする温度制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
監視タイマ１１から出力された異常信号ｄは異常検出時にＬとなり、ＡＮＤゲート１２に入力され、異常検出時にはＡＮＤゲート１２の出力ｅがＬにされるため、スイッチング回路４はオフされる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
これに対して、本実施の形態では、マイクロコンピュータ５６は周期タイマ８からのタイマ出力ｂが入力ポートＰ１に入った場合、サーミスタ５の出力する電圧信号ａをＡ／Ｄ変換し、温度に変換した後、目標温度と比較し、スイッチング回路４をオン・オフする制御信号ｆを出力ポートＰ２から出力する。監視タイマ５１１は制御信号ｆがスイッチング回路４のオンを表わすＨの間、時間計測を行い、制御信号ｆがスイッチング回路４のオフを表わすＬの間は、リセットされている。監視タイマ５１１は制御信号ｆがあらかじめ設定された時間以上Ｈの状態が続いた場合、異常信号ｄを出力する。この設定時間は周期タイマ８の周期時間より長く設定されている。監視タイマ５１１から出力された異常信号ｄは異常検出時にＬとなり、ＡＮＤゲート１２に入力され、異常検出時にはヒータオン信号がマスクされるため、ヒータオフとなる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
第２の実施の形態では、マイクロコンピュータ５６、周期タイマ８、監視タイマ５１１がエンジンボードに配置してあり、交流電源３、スイッチング回路４、ＡＮＤゲート１２が電源ボードに配置してある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
これに対して、異常がある場合、制御信号ｆのようにＨが一定の時間以上続いてしまい（図７（ｅ））、監視タイマ５１１から異常信号が出力され（図７（ｆ））、監視タイマ５１１により、何らかの異常が発生したことが検出される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
本実施の形態では、各機能ブロックごとに分けた例を説明したが、例えば、マイクロコンピュータ５６に周期タイマ８を内蔵するようにしてもよいし、さらに、監視タイマ５１１を内蔵するようにしてもよい。また、周期タイマ８や監視タイマ５１１、出力ポートＰ２等を含んだＩＣを構成することもできる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2002222017.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月11日(2008.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報出力装置、情報出力方法ならびにプログラム、記憶媒体
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
音声出力の対象となるデータを保持する保持手段と、
前記保持手段に保持されたデータに基づいて音声出力する音声出力手段と、
前記保持手段に保持されたデータを表示出力する表示出力手段と、
前記保持手段に保持されたデータの出力に用いる手段を、前記音声出力手段から前記表示出力手段へ切り替えるべく指示する指示手段と、
前記指示手段による切り替え指示に応じて、前記音声出力手段による音声出力の進捗状況に基づいて前記データにおける表示出力の開始位置を決定し、該音声出力手段による出力を禁止するとともに、前記開始位置より前記表示出力手段による該データの表示出力を開始する切替手段と
を備えることを特徴とする情報出力装置。
【請求項２】
音声出力の対象となるデータを保持する保持手段と、
前記保持手段に保持されたデータに基づいて音声出力する音声出力手段と、
前記保持手段に保持されたデータを表示出力する表示出力手段と、
前記保持手段に保持されたデータの出力に用いる手段を、前記表示出力手段から前記音声出力手段へ切り替えるべく指示する指示手段と、
前記指示手段による切り替え指示に応じて、前記表示出力手段による表示出力の進捗状況に基づいて前記データにおける音声出力の開始位置を決定し、該表示出力手段による出力を禁止するとともに、前記開始位置より前記音声出力手段による該データの音声出力を開始する切替手段と
を備えることを特徴とする情報出力装置。
【請求項３】
前記指示手段は、
音声を入力する音声入力手段と、
前記音声入力手段から入力された特定の音声を指示入力として受け付ける音声指示受付手段と
を更に備えることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の情報出力装置。
【請求項４】
前記指示手段は、グラフィカル・ユーザ・インターフェースを提供するＧＵＩ入出力手段からの指示入力を受け付ける切替指示受付手段を更に備えることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の情報出力装置。
【請求項５】
前記指示手段は、外部からの指示入力を受信する切替指示受信手段を更に備えることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の情報出力装置。
【請求項６】
音声出力の対象となるデータを保持する保持工程と、
前記保持工程によって保持されたデータに基づいて音声出力する音声出力工程と、
前記保持工程によって保持されたデータを表示出力する表示出力工程と、
前記保持工程によって保持されたデータの出力に用いる工程を、前記音声出力工程から前記表示出力工程へ切り替えるべく指示する指示工程と、
前記指示工程による切り替え指示に応じて、前記音声出力工程による音声出力の進捗状況に基づいて前記データにおける表示出力の開始位置を決定し、該音声出力工程による出力を禁止するとともに、前記開始位置より前記表示出力工程による該データの表示出力を開始する切替工程と
を備えることを特徴とする情報出力方法。
【請求項７】
音声出力の対象となるデータを保持する保持工程と、
前記保持工程によって保持されたデータに基づいて音声出力する音声出力工程と、
前記保持工程によって保持されたデータを表示出力する表示出力工程と、
前記保持工程によって保持されたデータの出力に用いる工程を、前記表示出力工程から前記音声出力工程へ切り替えるべく指示する指示工程と、
前記指示工程による切り替え指示に応じて、前記表示出力工程による表示出力の進捗状況に基づいて前記データにおける音声出力の開始位置を決定し、該表示出力工程による出力を禁止するとともに、前記開始位置より前記音声出力工程による該データの音声出力を開始する切替工程と
を備えることを特徴とする情報出力方法。
【請求項８】
前記指示工程は、
音声を入力する音声入力工程と、
前記音声入力工程によって入力された特定の音声を指示入力として受け付ける音声指示受付工程と
を更に備えることを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の情報出力方法。
【請求項９】
前記指示工程は、グラフィカル・ユーザ・インターフェースを提供するＧＵＩ入出力工程からの指示入力を受け付ける切替指示受付工程を更に備えることを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の情報出力方法。
【請求項１０】
前記指示工程は、外部からの指示入力を受信する切替指示受信工程を更に備えることを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の情報出力方法。  
【請求項１１】
前記請求項６乃至１０のいずれか１項に記載の情報出力方法を、コンピュータによって実行するための制御プログラムを格納した記憶媒体。
【請求項１２】
前記請求項６乃至１０のいずれか１項に記載の情報出力方法を、コンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決するため、例えば本発明の情報出力装置は以下の構成を備える。すなわち、
音声出力の対象となるデータを保持する保持手段と、
前記保持手段に保持されたデータに基づいて音声出力する音声出力手段と、
前記保持手段に保持されたデータを表示出力する表示出力手段と、
前記保持手段に保持されたデータの出力に用いる手段を、前記音声出力手段から前記表示出力手段へ切り替えるべく指示する指示手段と、
前記指示手段による切り替え指示に応じて、前記音声出力手段による音声出力の進捗状況に基づいて前記データにおける表示出力の開始位置を決定し、該音声出力手段による出力を禁止するとともに、前記開始位置より前記表示出力手段による該データの表示出力を開始する切替手段とを備える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、上記課題を解決するための情報出力装置は、
音声出力の対象となるデータを保持する保持手段と、
前記保持手段に保持されたデータに基づいて音声出力する音声出力手段と、
前記保持手段に保持されたデータを表示出力する表示出力手段と、
前記保持手段に保持されたデータの出力に用いる手段を、前記表示出力手段から前記音声出力手段へ切り替えるべく指示する指示手段と、
前記指示手段による切り替え指示に応じて、前記表示出力手段による表示出力の進捗状況に基づいて前記データにおける音声出力の開始位置を決定し、該表示出力手段による出力を禁止するとともに、前記開始位置より前記音声出力手段による該データの音声出力を開始する切替手段とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月26日(2007.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を用いて記録媒体上にデータを記録し、該記録媒体上に記録されたデータを光の反射率の差を利用して読み出す光ディスク装置において用いられるデータランダム化方法であって、
前記記録媒体上に記録すべき元データにランダム化を行うためのシードデータを付加し、
元データにシードデータを付加したデータの少なくとも1ビットのデータと、過去のランダム化された複数ビットのデータとを用いた演算により、少なくとも1ビットのランダム化されたデータを決め、
前記シードデータは書き換えを行うたびに異なる値を用いることを特徴とするデータランダム化方法。
【請求項２】
請求項１記載のデータランダム化方法を用いて記録された記録媒体を再生する光ディスク再生装置で用いられるデータランダム化解除方法であって、複数ビットのランダム化データを用いた演算により1ビットのランダム化解除データが求められることを特徴とするデータランダム化解除方法。
【請求項３】
光を用いてデータを記録し、該記録されたデータを光の反射率の差を利用して読み出す光ディスク媒体において、
該光ディスク媒体上には、記録すべき元データにランダム化を行うためのシードデータを付加し、
元データにシードデータを付加したデータの少なくとも1ビットのデータと、過去のランダム化された複数ビットのデータとを用いた演算により、少なくとも1ビットのランダム化されたデータを決め、
前記シードデータは書き換えを行うたびに異なる値を用いて生成されたランダム化されたデータが記録されていることを特徴とする光ディスク媒体。
【請求項４】
請求項１記載のデータランダム化方法を用いた光ディスク装置において、前記記録媒体に書き込まれるデータは、前記ランダム化方法を用いたランダム化を行った後、エラー訂正符号を付加して書き込まれることを特徴とする、光ディスク装置。
【請求項５】
請求項１記載のデータランダム化方法を用いて記録された記録媒体を再生する光ディスク再生装置において、前記記録媒体から読み出されるエラー訂正符号が付加されているデータは、エラー訂正後にランダム化が解除されることを特徴とする光ディスク再生装置。
【請求項６】
光を用いて記録媒体上にデータを記録し、該記録媒体上に記録されたデータを光の反射率の差を利用して読み出す光ディスク装置において用いられるデータランダム化方法であって、シードデータをもとに生成されるランダム化データをユーザデータに排他的論理和加算することによってなされる第1のランダム化方法を行い生成された第1のランダム化データに対して、請求項１記載の第２のデータランダム化方法でランダム化を行うことを特徴とする、データランダム化方法。
【請求項７】
請求項１のデータランダム化方法において、該データランダム化は所定単位のデータごとに行われ、該所定単位のデータは、その先頭から順に少なくともIDを含むアドレス識別情報、前記シードデータ、ユーザデータ、エラー検出符号を含んで構成されることを特徴とするデータランダム化方法。
【請求項８】
請求項１のデータランダム化方法において、該データランダム化は所定単位のデータごとに行われ、該所定単位のデータは、その先頭から順に前記シードデータ、少なくともIDを含むアドレス識別情報、ユーザデータ、エラー検出符号を含んで構成されることを特徴とするデータランダム化方法。
【請求項９】
請求項１のデータランダム化方法において、該データランダム化は記録を行う所定単位のデータごとに行われ、前記シードデータは、同期信号の前に格納されることを特徴とするデータランダム化方法。
【請求項１０】
請求項４の光ディスク装置において、該データランダム化を行うデータランダム化回路に入力するデータの並びの順番は、最初に復号されるエラー訂正符号語の並びの順番と同じであることを特徴とする光ディスク装置。
【請求項１１】
請求項１記載のデータランダム化方法を用いた光ディスク装置であって、前記記録媒体に書き込まれるデータはエラー訂正符号を付加して書き込まれ、該エラー訂正符号化を行った後、前記データランダム化を行い、該データランダム化を行うデータランダム化回路に入力するデータの並びの順番は、媒体にデータを書き込む順番に等しいことを特徴とする光ディスク装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月21日(2008.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブロック単位でのみデータの書換が可能な制限メモリに対するメモリ・アクセスを管理するメモリ・アクセス管理装置であって、
データ書換制限のない自由メモリと、
前記制限メモリ内のデータを変化させるときに、該当するデータを含んだブロックを前記自由メモリにコピーするデータ・ロード手段と、
前記自由メモリ上でコピーされたブロックに対するデータ書き換えを行うデータ書き換え手段と、
前記自由メモリ上でデータが変化したブロックを、前記制限メモリ上の該当ブロックに反映させるデータ同期化手段と、
を具備することを特徴とするメモリ・アクセス管理装置。
【請求項２】
前記制限メモリ上に新たにデータを保存する場合、
前記制限メモリ上でデータ保存先のブロックを選択し、
該選択されたブロックが自由メモリ上に存在するときには前記データ書き換え手段により前記自由メモリ上で該選択されたブロックの該当位置にデータを保存し、
該選択されたブロックが自由メモリ上に存在しないときには、前記データ同期化手段により前記自由メモリ上のデータを前記制限メモリ上の該当ブロックに反映させた後に、該選択されたブロックを前記データ・ロード手段により前記制限メモリから前記自由メモリ上にロードして、前記データ書き換え手段により前記自由メモリ上で該選択されたブロックの該当位置にデータを保存する、
ことを特徴とする請求項１に記載のメモリ・アクセス管理装置。
【請求項３】
前記データ同期化手段は、
前記自由メモリ上のブロックを前記制限メモリ上の空きブロックに書き込むとともに、
前記制限メモリ上の元のブロックを空きブロックにする、
ことを特徴とする請求項１に記載のメモリ・アクセス管理装置。
【請求項４】
前記データ同期化手段は、
前記自由メモリ上のブロックが満杯状態のときは、さらに、次にロードすべきブロックを前記制限メモリ上から選択し、該選択されたブロックを前記自由メモリ上にロードする、
ことを特徴とする請求項３に記載のメモリ・アクセス管理装置。
【請求項５】
前記制限メモリ上のデータを削除する場合、
該削除すべきデータを含んだブロックが自由メモリ上に存在するときには前記データ書き換え手段により前記自由メモリ上で該データを削除し、
該削除すべきデータを含んだブロックが前記自由メモリ上に存在しないときには、前記データ同期化手段により前記自由メモリ上のデータを前記制限メモリ上の該当ブロックに反映させた後に、前記データ・ロード手段により該削除すべきデータを含んだブロックを前記制限メモリから前記自由メモリ上にロードして、前記データ書き換え手段により前記自由メモリ上で該削除すべきデータを削除する、
ことを特徴とする請求項１に記載のメモリ・アクセス管理装置。
【請求項６】
ブロック単位でのみデータの書換が可能な制限メモリに対するメモリ・アクセスをデータ書換制限のない自由メモリを用いて管理するメモリ・アクセス管理方法であって、
前記制限メモリ内のデータを変化させるときに、該当するデータを含んだブロックを前記自由メモリにコピーするデータ・ロード・ステップと、
前記自由メモリ上でコピーされたブロックに対するデータ書き換えを行うデータ書き換えステップと、
前記自由メモリ上でデータが変化したブロックを、前記制限メモリ上の該当ブロックに反映させるデータ同期化ステップと、
を具備することを特徴とするメモリ・アクセス管理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
制限メモリがフラッシュ・メモリのような不揮発性の記憶装置の場合、各種処理中の間に突如電源供給が断たれた場合であっても、前回シンクロナイズしたまでのデータは破壊されずに済むので、前回シンクロナイズした状態から処理を再開することができる。（但し、最後にシンクロナイズした以降の情報は反映されないので、その処理はシステム外で別途行う必要がある。）
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月26日(2007.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この半導体チップ１表面には、一般にパッシベーション膜が形成されており、また、ボンディングパッド（あるいはランド）２と呼ばれる表面電極が形成されている。このボンディングパッド２は、アルミニウム製ボンディングパッド、金製バンプ等からなるものである。このボンディングパッド２は、例えば、半導体チップの表面にアルミニウムを蒸着した後、エッチングすることにより形成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月4日(2008.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  一次光源と該一次光源より出射される光を伝送する導波路を構成する導光体とを有する光源装置において、
前記導光体は、屈折率がｎｇであり、前記一次光源より出射される光が入射する光入射面と、伝送される光が出射する光出射面と、該光出射面と反対側に位置する裏面とを備えており、
前記導光体の光出射面及び裏面のうちの少なくとも一方には漏光モジュレータが付されており、該漏光モジュレータは、前記光出射面上または前記裏面上に位置し且つ屈折率ｎ１（ここで、ｎｇ＞ｎ１）の複数の第１屈折率領域部と屈折率ｎ２（ここで、ｎ２＞ｎ１）の複数の第２屈折率領域部とを有する複合層と、該複合層上に位置し且つ屈折率ｎ３（ここで、ｎ３＞ｎ１）の第３屈折率層とを備えており、
前記導光体の光出射面及び裏面のうちの少なくとも一方に付された前記漏光モジュレータの前記第３屈折率層には、または、該第３屈折率層上に配置された部材に、２つのプリズム面を含んで構成されるプリズム列が形成されており、前記プリズム列の前記一次光源に近い側のプリズム面の傾斜が光出射面に対して８０〜１００°であり、前記一次光源から遠い側のプリズム面の傾斜が光出射面に対して３５〜５５°であり、前記一次光源からの光は、前記導光体を前記一次光源から遠い側のプリズム面によって全反射されて、前記導光体の前記光出射面へと導光されることを特徴とする光源装置。
【請求項２】  前記導光体と前記漏光モジュレータとの間に屈折率ｎ４（ここで、ｎｇ＞ｎ４＞ｎ１）の第４屈折率層が介在していることを特徴とする、請求項１に記載の光源装置。
【請求項３】  前記第１屈折率領域部の平均的厚さＨ１と前記第２屈折率領域部の平均的面内方向最小寸法Ｗ２とが１≦（Ｗ２／Ｈ１）≦３０の関係を満たすことを特徴とする、請求項１〜２のいずれかに記載の光源装置。
【請求項４】  ｎ２＜ｎｇであることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の光源装置。
【請求項５】  前記複合層の第１屈折率領域部及び第２屈折率領域部は、いずれも帯状であり、交互に配列されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の光源装置。
【請求項６】  前記複合層の第１屈折率領域部及び第２屈折率領域部は不規則に配列されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の光源装置。
【請求項７】  前記プリズム列は前記２つのプリズム面の間の先端部に平坦部を有することを特徴とする、請求項１に記載の光源装置。
【請求項８】  前記プリズム列の隣接するものどうしの間の谷部に平坦部が形成されていることを特徴とする、請求項１または７のいずれかに記載の光源装置。
【請求項９】  前記指向性光出射機能部のプリズム列配列の凹凸形状を埋めるようにして前記指向性光出射機能部の形成されている層または部材の屈折率より小さな屈折率を持つ層が積層されていることを特徴とする、請求項１に記載の光源装置。
【請求項１０】  前記指向性光出射機能部上には、そのプリズム列配列に対応するプリズム列配列を片面に有しており且つ前記指向性光出射機能部の形成されている層または部材と略同一の屈折率の材料からなるプリズムシートが、前記指向性光出射機能部の形成されている層または部材の屈折率より小さな屈折率を持つ層を介して、プリズム列配列どうしが対応するよう嵌合されていることを特徴とする、請求項９に記載の光源装置。
【請求項１１】  前記導光体はその厚みが前記一次光源からの距離が増大するに従って減少していることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載の光源装置。
【請求項１２】  前記一次光源は略点状の光源であることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれかに記載の光源装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、以上の如き目的を達成するものとして、
一次光源と該一次光源より出射される光を伝送する導波路を構成する導光体とを有する光源装置において、
前記導光体は、屈折率がｎｇであり、前記一次光源より出射される光が入射する光入射面と、伝送される光が出射する光出射面と、該光出射面と反対側に位置する裏面とを備えており、
前記導光体の光出射面及び裏面のうちの少なくとも一方には漏光モジュレータが付されており、該漏光モジュレータは、前記光出射面上または前記裏面上に位置し且つ屈折率ｎ１（ここで、ｎｇ＞ｎ１）の複数の第１屈折率領域部と屈折率ｎ２（ここで、ｎ２＞ｎ１）の複数の第２屈折率領域部とを有する複合層と、該複合層上に位置し且つ屈折率ｎ３（ここで、ｎ３＞ｎ１）の第３屈折率層とを備えており、
前記導光体の光出射面及び裏面のうちの少なくとも一方に付された前記漏光モジュレータの前記第３屈折率層には、または、該第３屈折率層上に配置された部材に、２つのプリズム面を含んで構成されるプリズム列が形成されており、前記プリズム列の前記一次光源に近い側のプリズム面の傾斜が光出射面に対して８０〜１００°であり、前記一次光源から遠い側のプリズム面の傾斜が光出射面に対して３５〜５５°であり、前記一次光源からの光は、前記導光体を前記一次光源から遠い側のプリズム面によって全反射されて、前記導光体の前記光出射面へと導光されることを特徴とする光源装置、
が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の一態様においては、前記導光体の光出射面及び裏面のうちの少なくとも一方に付された前記漏光モジュレータの前記第３屈折率層の、２つのプリズム面を含んで構成されるプリズム列は、前記導光体中の光の伝搬方向に略垂直となるように、互いに平行に多数配列されている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月22日(2008.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  パターンが形成された被照明面を照明する照明光学系と、前記パターンを被処理体上に投影する、該被処理体側がテレセントリックな投影光学系とを有し、前記照明光学系が照明光の主光線の傾きを調節する機能を有する露光装置であって、前記投影光学系は、該投影光学系の軸外の結像領域だけを用いて前記パターンを前記被処理体上に投影するように構成されており、前記照明光学系の光軸は前記投影光学系の光軸と共軸である露光装置。
【請求項２】  前記照明光学系は、正又は負の屈折力を有する非球面レンズを利用して前記主光線の傾きを調節する請求項１記載の露光装置。
【請求項３】  前記照明光学系は、光学部材と、当該光学部材を前記照明光学系の前記光軸の方向に移動する機構を有し、該機構により前記照明光の前記主光線の傾きを調節する請求項１記載の露光装置。
【請求項４】  前記照明光学系は、前記投影光学系の前記軸外の結像領域と相似形状の第１の照明領域を軸外に形成する第１の光学系と、前記第１の光学系を経た光束を第２の照明領域に結像させる第２の光学系とを有し、前記第１の光学系の光軸及び前記第２の光学系の光軸の双方共前記投影光学系の前記光軸と共軸である請求項１記載の露光装置。
【請求項５】  前記第１の光学系はライトインテグレーターを有し、当該ライトインテグレーターは前記第１の光学系の光軸上に配置され、前記第１の照明領域を直接に形成する請求項４記載の露光装置。
【請求項６】  前記露光装置は、ステップアンドスキャン方式の走査型露光装置である請求項１記載の露光装置。
【請求項７】  前記照明光学系は、前記照明光学系の前記光軸の方向に移動可能なレンズを有し、前記露光装置は、前記レンズを前記光軸上で移動する移動機構と、前記照明光の前記主光線と前記投影光学系の前記光軸間の角度ずれを検出する検出器と、当該検出器に接続され、当該検出器が検出するずれ量がゼロになるように前記移動機構を制御する制御部とを更に有する請求項１記載の露光装置。
【請求項８】  パターンが形成された被照明面を照明する照明光学系と、前記パターンを被処理体上に投影する、該被処理体側がテレセントリックな投影光学系とを有する露光装置であって、前記投影光学系は、該投影光学系の軸外の結像領域だけを用いて前記パターンを前記被処理体上に投影するように構成されており、前記照明光学系の光軸は前記投影光学系の光軸と共軸である露光装置。
【請求項９】  前記照明光学系は、前記被照明面を均一に照明する２次光源を形成するライトインテグレーターを含み、当該ライトインテグレーターは、半球面から所定幅の円弧を切り取って複数積層した形状を有する請求項１又は８記載の露光装置。
【請求項１０】  前記ライトインテグレーターは、バイナリーオプティックスとして構成される請求項９記載の露光装置。
【請求項１１】  請求項１から１０のうちいずれか一項記載の露光装置を使用して、所定のデバイスパターンを前記被処理体に投影露光するステップと、前記投影露光された前記被処理体に所定のプロセスを行うステップとを有するデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】露光装置及びデバイス製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
投影光学系６２０は図示しない投影レンズと凹面反射鏡を含み、鏡の中心から所定距離にある円弧状領域を図示しないスリットで限定し、レチクル６１０に形成された像（即ち、回路パターン）をウェハ面６４０に投影する。鏡とスリットを固定してレチクル６１０とウェハを相対的に移動すればウェハ上にレチクル６１０に形成されたパターンの像が転写される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
上記問題を解決するために、本発明の一側面としての露光装置は、パターンが形成された被照明面を照明する照明光学系と、前記パターンを被処理体上に投影する、該被処理体側がテレセントリックな投影光学系とを有し、前記照明光学系が照明光の主光線の傾きを調節する機能を有する露光装置であって、前記投影光学系は、該投影光学系の軸外の結像領域だけを用いて前記パターンを前記被処理体上に投影するように構成されており、前記照明光学系の光軸は前記投影光学系の光軸と共軸である。かかる露光装置は、軸外の結像領域だけを利用するので設計上の自由度が高い。また、投影光学系と照明光学系が共軸であるので装置は単純な構造になる。更に、何らかの理由で投影光学系に入射する光にテレセントリックのずれが発生しても照明光学系におけるテレセントリック性を維持するための補正が簡単に行える。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明の別の側面としての露光装置は、パターンが形成された被照明面を照明する照明光学系と、前記パターンを被処理体上に投影する、該被処理体側がテレセントリックな投影光学系とを有する露光装置であって、前記投影光学系の軸外の結像領域だけを用いて前記パターンを前記被処理体上に投影するように構成されており、前記照明光学系の光軸は前記投影光学系の光軸と共軸である。かかる露光装置も、上述の露光装置と同様の作用を奏する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月26日(2008.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
二つの末端メチロール−CH2OHを有する二官能パーフルオロポリエーテルを、一つの末端メチロール−CH2OHを有する単官能パーフルオロポリエーテルとの混合物（非官能性末端基を有するパーフルオロポリエーテルを任意に含んでいてもよい）から分離するための方法であって、上記のパーフルオロポリエーテルは、一般式
X1−O−Rf−Y          (Ｉ)
（式中、
−  Rfは、（C2F4O）、（CF2O）、（C3F6O）タイプ（ここで、（C3F6O）単位は式
−(CF2CF(CF3)O)または−(CF(CF3)CF2O)の単位を表し得る）；
−(CF2(CF2)zCF2O) (ここで、zは1または2の整数である)；
−CR4R5CF2CF2O−(ここで、R4およびR5は、互いに同じかまたは異なって、H、Clまたはパーフルオロアルキルから選択される)；
の単位を含む、数平均分子量500〜10,000を有するパーフルオロポリオキシアルキレン鎖であり、上記の単位は主鎖に沿って統計的に分布している；
−  X1およびYは、−CFXCH2OH(ここで、XはFまたはCF3である)、−CF3、
−CF2Cl、−CF2CF2Cl、−C3F6Cl、−CF2Br、−CF2CF3から選択される末端基であり、ここで二つの末端基の少なくとも一つは−CFXCH2OHである）
を有し、上記の分離方法は、次の工程：
ａ）撹拌装置を備えた反応器中に含まれる、任意に非極性溶媒に分散されていてもよい吸着固相に、混合物／固相比0.1〜10 w/wで、パーフルオロポリエーテル混合物を加え、15分間〜6時間、10℃〜150℃の温度で撹拌すること；
ｂ）工程ａ）で得られた混合物をろ過して、二官能パーフルオロポリエーテルに富んだ、吸着されたパーフルオロポリエーテル混合物を含む固相と、減少した二官能種を有するパーフルオロポリエーテル混合物を含む液体とを分離すること；
ｃ）ｂ）で得られた固相に、ｂ）で得られた液体中のパーフルオロポリエーテル混合物のそれよりも高い平均官能価を有するパーフルオロポリエーテル混合物を、任意に非極性溶媒と一緒に、混合物／固相比0.1〜2 w/wで加え、15分間〜6時間、10℃〜150℃の温度で撹拌すること；
c1）吸着されたパーフルオロポリエーテルが所期の高い官能価に達するまで、任意に工程ｂ）とｃ）の操作を繰り返すこと；
c2）ろ過して、液体から吸着固相を分離すること；
ｄ）所期の高い官能価を有する、吸着されたパーフルオロポリエーテルを含む、c2）で分離された固相に、1〜10 w/wの量の極性溶媒を加え、5℃〜150℃で撹拌すること；
ｅ）工程ｄ）で得られた混合物をろ過して、所期の高い官能価を有するパーフルオロポリエーテルを含む液体を分離し、次いで溶媒から単離すること；
を含む分離方法。