【手続補正書】
【提出日】平成19年11月15日(2007.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース線、前記ソース線に電気的に接続された画素ＴＦＴ、前記画素ＴＦＴのゲート電極とゲート線と保持容量線とを含む配線、を有する電気光学装置であって、
前記配線を形成する導電膜より抵抗率の小さい導電膜からなる補助配線が前記ゲート線に沿うようにかつ接して設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
ソース線、前記ソース線に電気的に接続された画素ＴＦＴ、前記画素ＴＦＴのゲート電極とゲート線と保持容量線とを含む配線、を有する電気光学装置であって、
前記配線を形成する導電膜より抵抗率の小さい導電膜からなる補助配線が前記ゲート線と前記保持容量線に沿うようにかつ接して設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
ソース線、前記ソース線に電気的に接続された画素ＴＦＴ、前記画素ＴＦＴのゲート電極とゲート線と保持容量線とを含む配線、を有する電気光学装置であって、
前記配線を形成する導電膜より抵抗率の小さい導電膜からなる補助配線が前記ゲート線に沿うようにかつ接して設けられており、
前記画素ＴＦＴは、半導体層、前記半導体層上のゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上の前記ゲート電極を有し、
保持容量は、前記半導体層と同一の工程で形成される半導体層、前記ゲート絶縁膜と同一の工程で形成される絶縁膜および前記保持容量線からなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
ソース線、前記ソース線に電気的に接続された画素ＴＦＴ、前記画素ＴＦＴのゲート電極とゲート線と保持容量線とを含む配線、を有する電気光学装置であって、
前記配線を形成する導電膜より抵抗率の小さい導電膜からなる補助配線が前記ゲート線と前記保持容量線に沿うようにかつ接して設けられており、
前記画素ＴＦＴは、半導体層、前記半導体層上のゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上の前記ゲート電極を有し、
保持容量は、前記半導体層と同一の工程で形成される半導体層、前記半導体層上の前記ゲート絶縁膜と同一の工程で形成される絶縁膜、前記保持容量線および前記補助配線からなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記補助配線は、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇのいずれかの元素からなる導電膜、または前記元素を含む合金からなる導電膜であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記補助配線は、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、ＮｄもしくはＮｂのいずれかの元素からなる導電膜、前記元素を主成分とする合金からなる導電膜、または前記元素を主成分とする化合物からなる導電膜で覆われていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載された電気光学装置を表示部に用いることを特徴とする電気器具。
【請求項８】
絶縁体上に、半導体層を形成する第１の工程と、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記ゲート絶縁膜上に２層以上の導電膜を積層する第３の工程と、
前記導電膜をエッチングしてゲート電極、保持容量線およびゲート線を含む配線を形成しゲート電極Ａを得る第４の工程と、
前記ゲート電極Ａをエッチングしてゲート電極Ｂを形成する第５の工程と、
前記ゲート電極Ｂをマスクにして前記半導体層にｎ型不純物元素を添加する第６の工程と、
マスクを形成し、前記半導体層にｎ型不純物元素を添加する第７の工程と、
ｎチャネル型ＴＦＴが形成される領域にマスクを形成し、ｐチャネル型ＴＦＴを形成する半導体層にｐ型不純物元素を添加する第８の工程と、
熱処理する第９の工程と、
前記ゲート線に沿うようにかつ接するように、前記配線を形成する導電膜より抵抗率が小さい導電膜を用いて補助配線を形成する第１０の工程と、
を含むことを特徴とする電気光学装置の作製方法。
【請求項９】
絶縁体上に、半導体層を形成する第１の工程と、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記ゲート絶縁膜上に２層以上の導電膜を積層する第３の工程と、
前記導電膜をエッチングしてゲート電極、保持容量線およびゲート線を含む配線を形成しゲート電極Ａを得る第４の工程と、
前記ゲート電極Ａをエッチングしてゲート電極Ｂを形成する第５の工程と、
前記ゲート電極Ｂをマスクにして前記半導体層にｎ型不純物元素を添加する第６の工程と、
マスクを形成し、前記半導体層にｎ型不純物元素を添加する第７の工程と、
ｎチャネル型ＴＦＴが形成される領域にマスクを形成し、ｐチャネル型ＴＦＴを形成する半導体層にｐ型不純物元素を添加する第８の工程と、
熱処理する第９の工程と、
前記第９の工程の後、前記配線を形成する導電膜より抵抗率が小さい導電膜を積層する第１０の工程と、
前記第１０の工程で形成された前記導電膜をエッチングして、前記ゲート線に沿うようにかつ接するような補助配線を形成する第１１の工程と、
を含むことを特徴とする電気光学装置の作製方法。
【請求項１０】
絶縁体上に、半導体層を形成する第１の工程と、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記ゲート絶縁膜上に２層以上の導電膜を積層する第３の工程と、
前記導電膜をエッチングしてゲート電極、保持容量線およびゲート線を含む配線を形成し、ゲート電極Ａを形成する第４の工程と、
前記ゲート電極Ａをエッチングしてゲート電極Ｂを形成する第５の工程と、
前記ゲート電極Ｂをマスクにして前記半導体層にｎ型不純物元素を添加する第６の工程と、
マスクを形成し、前記半導体層にｎ型不純物元素を添加する第７の工程と、
ｎチャネル型ＴＦＴが形成される領域にマスクを形成し、ｐチャネル型ＴＦＴを形成する半導体層にｐ型不純物元素を添加する第８の工程と、
熱処理する第９の工程と、
前記ゲート線と前記保持容量線に沿うようにかつ接するように、前記配線を形成する導電膜より抵抗率が低い導電膜を用いて補助配線を形成する第１０の工程と、
を含むことを特徴とする電気光学装置の作製方法。
【請求項１１】
絶縁体上に、半導体層を形成する第１の工程と、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記ゲート絶縁膜上に２層以上の導電膜を積層する第３の工程と、
前記導電膜をエッチングしてゲート電極、保持容量線およびゲート線を含む配線を形成し、ゲート電極Ａを得る第４の工程と、
前記ゲート電極Ａをエッチングしてゲート電極Ｂを形成する第５の工程と、
前記ゲート電極Ｂをマスクにして前記半導体層にｎ型不純物元素を添加する第６の工程と、
マスクを形成し、前記半導体層にｎ型不純物元素を添加する第７の工程と、
ｎチャネル型ＴＦＴが形成される領域にマスクを形成し、ｐチャネル型ＴＦＴを形成する半導体層にｐ型不純物元素を添加する第８の工程と、
熱処理する第９の工程と、
前記第９の工程の後、前記配線を形成する導電膜より抵抗率が低い導電膜を積層する第１０の工程と、
前記第１０の工程で形成された前記導電膜をエッチングして、前記ゲート線と前記保持容量線に沿うようにかつ接するような補助配線を形成する第１１の工程と、
を含むことを特徴とする電気光学装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項８乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記補助配線は、Ａｌ、ＣｕまたはＡｇのいずれかの元素からなる導電膜、または前記元素を含む合金材料からなる導電膜で形成されることを特徴とする電気光学装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項８乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記補助配線は、Ａｌ、ＣｕまたはＡｇのいずれかの元素からなる導電膜、または前記元素を含む合金材料からなる導電膜と、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、ＮｄもしくはＮｂのいずれかの元素からなる導電膜、前記元素を主成分とする合金からなる導電膜、または前記元素を主成分とする化合物からなる導電膜とを積層させて形成されることを特徴とする電気光学装置の作製方法。