Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月25日(2008.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外科ナビゲーションシステムの使用中に寛骨臼コンポーネントを手術患者の骨盤の寛骨臼に挿入するための寛骨臼コンポーネントインサータにおいて、
フレームと、
前記フレームと協働する第１の固定具であって補綴の寛骨臼コンポーネントを前記フレームに固定する働きをする第１の固定具と、
前記第１の固定具に接続され回転する駆動リンクと、
前記フレームに接続された打撃面と、
前記寛骨臼コンポーネントインサータに取外し可能に接続された外科ナビゲーション追跡要素と、を具備する寛骨臼コンポーネントインサータ。
【請求項２】
前記フレームは、前記第１の固定具及び前記打撃面の一方からオフセットされたオフセットフレーム脚部を有する、請求項１に記載の寛骨臼コンポーネントインサータ。
【請求項３】
前記寛骨臼コンポーネントインサータに取外し可能に接続される機械式アライメント機構であって、寛骨臼に対して寛骨臼コンポーネントを所望の方位に置くために患者の解剖学的構造の一部分と視覚的に位置調整しうる少なくとも一つ要素を有する機械式アライメント機構を更に有する、請求項１に記載の寛骨臼コンポーネントインサータ。
【請求項４】
前記第１の固定具に取外し可能に接続されるキャリブレーションブロックを更に有する、請求項１に記載の寛骨臼コンポーネントインサータ。
【請求項５】
半球体状突起を有するキャリブレーションチップを更に備え、前記キャリブレーションブロックは前記半球体状突起と係合する円錐状凹み部を有し、前記円錐状凹み部内で前記キャリブレーションチップが自動的にセンタリングされる、請求項４に記載の寛骨臼コンポーネントインサータ。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月18日(2007.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
第１制御信号に応答する相対的に高いしきい電圧の電流制御スイッチと、
相対的に低いしきい電圧の論理回路部と、
第２制御信号に応答して前記低いしきい電圧の論理回路部から出力されたデータを保存するフリップフロップと、
ＭＴＣＭＯＳ装置が活性モードからスリープモードに変更される時、前記第２制御信号の論理状態を第１論理状態から第２論理状態に転換し、所定の遅延時間ｔＤ１後、前記第１制御信号の論理状態を前記第２論理状態から前記第１論理状態に転換し、前記ＭＴＣＭＯＳ装置が前記スリープモードから前記活性モードに変更される時、前記第１制御信号の論理状態を前記第１論理状態から前記第２論理状態に転換し、前記ｔＤ１とは異なる所定の遅延時間ｔＤ２後、前記第２制御信号の論理状態を前記第２論理状態から前記第１論理状態に転換させる制御回路と、を含むことを特徴とするＭＴＣＭＯＳ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
第１制御信号に応答する相対的に高いしきい電圧の電流制御スイッチと、
相対的に低いしきい電圧の論理回路部と、
第２制御信号に応答して前記低いしきい電圧の論理回路部からのデータを保存するフリップフロップと、
ＭＴＣＭＯＳ装置がスリープモードに転換される時は、前記第２制御信号を第１論理状態から第２論理状態に遷移し、所定の遅延時間ｔＤ１後に前記第１制御信号を第２論理状態から第１論理状態に遷移する制御回路であって、
前記ＭＴＣＭＯＳ装置が活性モードに転換される時は、前記第１制御信号を第１論理状態から第２論理状態に遷移し、所定の遅延時間ｔＤ２後に前記第２制御信号を第２論理状態から第１論理状態に遷移するタイミング制御回路と、
前記ＭＴＣＭＯＳ装置の初期化で、内部のリセットフリップフロップを初期化して、前記リセットフリップフロップから出力される信号を通じて前記第１制御信号を第２論理状態に初期化し、前記第２制御信号を第１論理状態に初期化する初期化制御回路とを含む前記制御回路と、を含むことを特徴とするＭＴＣＭＯＳ装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
ＭＴＣＭＯＳ装置の活性モードを制御する方法において、
所定の幅を有する第２論理状態のパルスを有する所定のウェークアップ信号ＥＸＴＷＫＵ，ＲＴＣＷＫＵを生成する段階と、
前記所定のウェークアップ信号に応答して、前記ＭＴＣＭＯＳ装置の電流の流れを制御する第１制御信号を第２論理状態に遷移する段階と、
前記第１制御信号が第２論理状態に遷移した後、所定の遅延時間後に前記ＭＴＣＭＯＳ装置の論理回路部のデータを保存するためのフリップフロップ部を制御する第２制御信号を第１論理状態に遷移する段階と、
前記ＭＴＣＭＯＳ装置をスリープモードに転換させる停止信号ＳＴＯＰ＿ＯＮを第１論理状態に遷移する段階と、を含む制御方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
ＭＴＣＭＯＳ装置のスリープモードを制御する方法において、
前記ＭＴＣＭＯＳ装置をスリープモードに転換させる停止信号ＳＴＯＰ＿ＯＮを第２論理状態に遷移する段階と、
前記停止信号に応答して前記ＭＴＣＭＯＳ装置の論理回路部のデータを保存するためのフリップフロップ部を制御する第２制御信号を第２論理状態に遷移する段階と、
前記第２制御信号が第２論理状態に遷移した後、所定の遅延時間後に前記ＭＴＣＭＯＳ装置の電流の流れを制御する第１制御信号を第１論理状態に遷移する段階と、を含む制御方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
第１制御信号に応答する相対的に高いしきい電圧の電流制御スイッチと、
相対的に低いしきい電圧の論理回路部と、
第２制御信号に応答して、前記低いしきい電圧の論理回路部から出力されたデータを保存するフリップフロップと、
ＭＴＣＭＯＳ装置のスリープモードへの変更に応答して、前記第２制御信号の論理状態を転換し、第１遅延後、前記第１制御信号の論理状態を転換し、前記ＭＴＣＭＯＳ装置の活性モードへの変更に応答して、前記第１制御信号の論理状態を転換し、前記第１遅延とは異なる第２遅延後、前記第２制御信号の論理状態を転換させる制御回路と、を含むことを特徴とするＭＴＣＭＯＳ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月5日(2008.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
以下、本発明を図面を用いて具体的に説明するが、本発明は、以下に説明する具体的事例に限定されるものではない。図１は、本発明で用いられる逆止弁を示す図面である。図１のａは、逆止弁の平面図であり、図１のｂは、逆止弁の断面図である。図１において、逆止弁Ｉは、環状のハウジングに収納するため、円形状の弾性体からなる逆止弁本体１の開口部３１側及びスリット３側の各表面には中心に対して同芯円状に気密用環状突起４１、４２が形成されている。また中心には貫通孔３を有し、この貫通孔３は下流側（又はスリット側）の表面には長方形のスリットが形成されるが、この形状は船先形状であってもよい。また上流側（開口部側）の表面には、方形、例えば正方形３１であって、該表面からスリット３に向かって傾斜する傾斜部２を有している（図１のｂ参照）。この傾斜部２１、２２はスリットの長手方向の辺に至る。したがって、図１のｂの断面図でみると、傾斜部２１、２２は上流側から下流側へ向かってテーパーを形成している。本発明の逆止弁は１の作用は、上流側から血液が流入した時は、液圧が増すと、スリット３が下流側に歪みが生じてスリット３の孔が開き、血液が流入する。これに対して、下流側から血液が流入しようとすると、スリット３は、上流側に歪みが生じる。しかし、この歪みは逆止弁１の設置に際して、傾斜部を押圧している（図２の固定部材１５参照）ので、スリット３は開かない。本発明で用いられる弾性体としては、反撥弾性率が３０〜８０％の範囲のものが好ましい。使用される反撥弾性率の範囲は、反撥弾性率と圧縮配置するときの圧縮の度合いとによって個々に決められる。弾性体の好ましい材質としては、合成樹脂が挙げられ、特に好ましくはシリコーンゴム、ニトリルゴム、フロロシリコーンゴム、ヒドリンゴム、フッ素ゴム、エチレンプロピレンゴム等の合成ゴム、またシリコーン、イソプロピレン、ポリウレタン、アクリロニトリル-ブタジエン系共重合体、フッ素樹脂等の合成樹脂である。これらのうち、特に好ましいものは、抗凝血性の高いシリコーンゴム、フロロシリコーンゴム、シリコーン、フッ素ゴム、エチレンプロピレンゴム、イソプロピレンである。またこれらの弾性体の材質やその他の材質の表面に周知の抗凝血剤（例えば、ヘパリンやウロキナーゼなど）の被覆や電子線照射等の抗凝血性付与の処理をすることが望ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月16日(2008.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を加工することにより形成され、
基部（１０）と、所定方向に振動する振動子（２０、３０）と、この振動子及び前記基部を連結する複数個の梁部（２１、３１）とを備え、
前記振動子の振動に基づいて力学量を検出するようにした半導体力学量センサにおいて、
前記複数個の梁部は、それぞれが、平行に離間して配置された一対の梁（２２、２３、３２、３３）と、これら一対の梁を連結する連結部（２４、３４）とから構成されていることを特徴とする半導体力学量センサ。
【請求項２】
前記一対の梁は、コの字形状をなす第１の梁（２２、３２）と、この第１の梁の外周側にて前記第１の梁に対して相似形に配置されたコの字形状をなす第２の梁（２３、３３）とから構成され、
前記第１及び第２の梁のうち前記コの字形状における互いに平行な一対の平行棒部（２２ａ、２３ａ、３２ａ、３３ａ）が、前記振動子の振動方向にたわむようになっており、
前記連結部（２４、３４）は、前記第１及び第２の梁のうち前記コの字形状における前記平行棒部の一端を接続する接続棒部（２２ｂ、２３ｂ、３２ｂ、３３ｂ）同士を連結していることを特徴とする請求項１に記載の半導体力学量センサ。
【請求項３】
前記第１の梁（２２、３２）と前記第２の梁（２３、３３）との間隔において、前記接続棒部（２２ｂ、２３ｂ、３２ｂ、３３ｂ）同士の間隔は前記平行棒部（２２ａ、２３ａ、３２ａ、３３ａ）同士の間隔よりも大きいことを特徴とする請求項２に記載の半導体力学量センサ。
【請求項４】
前記連結部（２４、３４）は、前記一対の梁部（２２、２３、３２、３３）と略同一の幅を有する梁形状であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに半導体力学量センサ。
【請求項５】
前記接続棒部（２２ｂ、２３ｂ、３２ｂ、３３ｂ）同士の間隔と前記平行棒部（２２ａ、２３ａ、３２ａ、３３ａ）同士の間隔との比が、５以上であることを特徴とする請求項３に記載の半導体力学量センサ。
【請求項６】
半導体基板を加工することにより形成され、
基部（１０）と、所定方向に振動する振動子（２０、３０）と、この振動子及び前記基部を連結する複数個の梁部（２１、３１）とを備え、
前記振動子の振動に基づいて力学量を検出するようにした半導体力学量センサにおいて、
前記複数個の梁部は、互いに平行に配置された第１、第２の梁（２２、２３、３２、３３）から構成され、この第１、第２の梁は折り返し部（２２ｂ、２３ｂ、３２ｂ、３３ｂ）を備え、この折り返し部において、前記第１、第２の梁を連結する連結棒（２４、３４）を有し、
この連結棒により前記第１の梁と前記第２の梁との間に２つのＬ字状の空間が形成され、また、前記Ｌ字状の空間が前記連結棒に対して対称的に配置されるものであることを特徴とする半導体力学量センサ。
【請求項７】
前記折り返し部（２２ｂ、２３ｂ、３２ｂ、３３ｂ）において、前記第１、第２の梁（２２、２３、３２、３３）のそれぞれの梁幅は、ほぼ同じであることを特徴とする請求項６に記載の半導体力学量センサ。
【請求項８】
前記連結棒（２４、３４）は、前記第１の梁（２２、３２）から前記第２の梁（２３、３３）に渡ってほぼ同じ幅であることを特徴とする請求項６に記載の半導体力学量センサ。
【請求項９】
前記折り返し部（２２ｂ、２３ｂ、３２ｂ、３３ｂ）において、前記第１、第２の梁（２２、２３、３２、３３）のそれぞれの梁幅は、ほぼ同じであり、
また、前記連結棒（２４、３４）は、前記第１の梁（２２、３２）から前記第２の梁（２３、３３）に渡ってほぼ同じ幅であることを特徴とする請求項６に記載の半導体力学量センサ。
【請求項１０】
半導体基板を加工することにより形成され、
基部（１０）と、所定方向に振動する振動子（２０、３０）と、この振動子及び前記基部を連結する複数個の梁部（２１、３１）とを備え、
前記振動子の振動に基づいて力学量を検出するようにした半導体力学量センサにおいて、
前記複数個の梁部は、それぞれが、平行に離間して配置された一対の梁（２２、２３、３２、３３）と、これら一対の梁を連結する該一対の梁に平行に延びる連結部（２４、３４）及び接続棒部（２２ｂ、２３ｂ、３２ｂ、３３ｂ）とから構成されていることを特徴とする半導体力学量センサ。
【請求項１１】
半導体基板を加工することにより形成され、
基部（１０）と、所定方向に振動する振動子（２０、３０）と、この振動子及び前記基部を連結する複数個の梁部（２１、３１）とを備え、
前記振動子の振動に基づいて力学量を検出するようにした半導体力学量センサにおいて、
前記複数個の梁部は、それぞれが、平行に離間して配置されたコの字形状をなす第１の梁（２２、３２）と、この第１の梁の外側にて前記第１の梁に対して相似形に配置されたコの字形状をなす第２の梁（２３、３３）と、これら前記第１の梁（２２、３２）と前記第２の梁（２３、３３）とを連結する連結部（２４、３４）とから構成されていることを特徴とする半導体力学量センサ。
【請求項１２】
半導体基板を加工することにより形成され、
基部（１０）と、所定方向に振動する振動子（２０、３０）と、この振動子及び前記基部を連結する複数個の梁部（２１、３１）とを備え、
前記振動子の振動に基づいて力学量を検出するようにした半導体力学量センサにおいて、
前記複数個の梁部は、それぞれが、平行に離間して配置された第１の梁（２２、３２）と、この第１の梁の外周側に配置された第２の梁（２３、３３）と、これら該第１の梁（２２、３２）と該第２の梁（２３、３３）とを連結する連結部（２４、３４）とから構成されていることを特徴とする半導体力学量センサ。
【請求項１３】
前記連結部（２４、３４）は、前記第１の梁（２２、３２）と前記第２の梁（２３、３３）と平行であることを特徴とする請求項１２に記載の半導体力学量センサ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月2日(2008.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
Ｘ線管球１のアノード６とカソード７の間に高電圧発生装置（図示せず）により高電圧が印加されると、Ｘ線管球１からＸ線９が放射される。そして、このＸ線９の放射に伴いＸ線管球１に発生する熱による温度差と、封入容器３内に発生する強い電界によるクーロン力とにより、絶縁油２には対流現象が発生する。この対流現象により、Ｘ線管球１に発生した熱は絶縁油２から伝熱器４へ伝えられ放熱器５を介して外部へ放熱される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
１  Ｘ線発生装置
２  絶縁油
３  封入容器
４  伝熱器
５  放熱器
６  アノード
７  カソード
８  Ｘ線放射口
９  Ｘ線
１０  遮へいカバー
２０  吸水剤
２１  袋体
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月7日(2008.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般組成式Ｌｉ1+x+αＮｉ(1-x-y+δ)/2Ｍｎ(1-x-y-δ)/2ＭyＯ2（但し、０≦ｘ≦０．０５、−０．０５≦α≦０．０５、０≦ｙ＜０．４５、−０．２４≦δ≦０．２４であり、ＭはＴｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｍｇ及びＺｒからなる群より選択された少なくとも１種の元素）で表される層状の結晶構造を有するリチウム含有複合酸化物と、
一般組成式ＬｉＣｏＯ2で表されるコバルト酸リチウムのＣｏの一部を、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｍｇ及びＺｒからなる群より選択された少なくとも１種の元素で置換したリチウム含有コバルト酸化物とを含む合剤を有する電極であって、
前記リチウム含有複合酸化物の粒子と、前記リチウム含有コバルト酸化物の粒子とは、相互に固着して複合粒子を形成し、
前記合剤の密度は、３．５２ｇ／ｃｍ3以上であることを特徴とする電極。
【請求項２】
前記リチウム含有コバルト酸化物の粒子の数平均粒子径は、前記リチウム含有複合酸化物の粒子の数平均粒子径の２分の１以下である請求項１に記載の電極。
【請求項３】
前記リチウム含有複合酸化物の粒子の数平均粒子径は、前記リチウム含有コバルト酸化物の粒子の数平均粒子径の２分の１以下である請求項１に記載の電極。
【請求項４】
前記複合粒子の形状は、球状又は略球状である請求項１に記載の電極。
【請求項５】
前記複合粒子は、結着剤を含む請求項１に記載の電極。
【請求項６】
前記結着剤は、ポリフッ化ビニリデン又はポリテトラフルオロエチレンである請求項５に記載の電極。
【請求項７】
前記複合粒子は、導電助剤を含む請求項１に記載の電極。
【請求項８】
前記導電助剤は、黒鉛又はカーボンブラックである請求項７に記載の電極。
【請求項９】
正極と、負極と、非水電解質とを含む非水二次電池であって、
前記正極として、請求項１〜８のいずれか１項に記載の電極を用いたことを特徴とする非水二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の電極は、一般組成式Ｌｉ1+x+αＮｉ(1-x-y+δ)/2Ｍｎ(1-x-y-δ)/2ＭyＯ2（但し、０≦ｘ≦０．０５、−０．０５≦α≦０．０５、０≦ｙ＜０．４５、−０．２４≦δ≦０．２４であり、ＭはＴｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｍｇ及びＺｒからなる群より選択された少なくとも１種の元素）で表される層状の結晶構造を有するリチウム含有複合酸化物と、一般組成式ＬｉＣｏＯ2で表されるコバルト酸リチウムのＣｏの一部を、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｍｇ及びＺｒからなる群より選択された少なくとも１種の元素で置換したリチウム含有コバルト酸化物とを含む合剤を有する電極であって、前記リチウム含有複合酸化物の粒子と、前記リチウム含有コバルト酸化物の粒子とは、相互に固着して複合粒子を形成し、前記合剤の密度は、３．５２ｇ／ｃｍ3以上であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月21日(2008.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
このようにして形成した電槽３５内に積層極板群２を挿入する。
積層極板群２を構成する正極板２１は、ＬｉＭｎ２０４等のスピネル構造化合物や、一般にＬｉＭ０２で表せるα−ＮａＦｅ０２構造を有するリチウム含有遷移金属複合酸化物等を利用できる。上記化学式で「Ｍ」はＣｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｆｅ等から選ばれる単独または２種類以上の金属元素である。更に、リチウムの挿入可能なＭｎ０２、Ｖ２０５等の金属酸化物や、ＴｉＳ２、ＺｎＳ２等の金属酸化物、電気化学的酸化還元活性を有するポリアニリンやポリピロール等のπ共役系高分子、分子内に硫黄−硫黄結合の形成一開裂を利用するジスルフィド化合物等から構成される。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月6日(2008.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属板で構成した抵抗体と、この抵抗体の両端部に設けられた一対の電極とを備え、前記抵抗体の周縁部と接触しないように前記抵抗体に凹部を形成した抵抗器。
【請求項２】
金属板で構成した抵抗体と、この抵抗体の両端部に設けられた一対の電極とを備え、前記抵抗体の周縁部と接触しないように前記抵抗体に貫通孔を形成するとともにこの貫通孔の開口部の少なくとも一部の周縁部に凹部を形成した抵抗器。
【請求項３】
金属板で構成した抵抗体の両端部に一対の電極を形成する工程と、前記抵抗体の周縁部と接触しないように前記抵抗体に少なくとも１つの貫通孔を形成する工程とを備えた抵抗器の製造方法。
【請求項４】
金属板で構成した抵抗体の両端部に一対の電極を形成する工程と、前記抵抗体の周縁部と接触しないように前記抵抗体に貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔の開口部の周縁部の少なくとも一部を切削して凹部を形成する工程とを備えた抵抗器の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の請求項１に記載の発明は、金属板で構成した抵抗体と、この抵抗体の両端部に設けられた一対の電極とを備え、前記抵抗体の周縁部と接触しないように前記抵抗体に凹部を形成したもので、この構成によれば、抵抗体を貫通させなくても凹部により大きな体積を欠落させることができるため、抵抗体の強度が弱くなることはなく、また抵抗値を計測しながら凹部の切削ができるため、抵抗値の精度を向上させることができるという作用効果が得られるものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の請求項２に記載の発明は、金属板で構成した抵抗体と、この抵抗体の両端部に設けられた一対の電極とを備え、前記抵抗体の周縁部と接触しないように前記抵抗体に貫通孔を形成するとともにこの貫通孔の開口部の少なくとも一部の周縁部に凹部を形成したもので、この構成によれば、貫通孔の開口部の周縁部にバリが発生しても凹部の形成により前記バリを削除できるという作用効果が得られるものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の請求項３に記載の発明は、金属板で構成した抵抗体の両端部に一対の電極を形成する工程と、前記抵抗体の周縁部と接触しないように前記抵抗体に少なくとも１つの貫通孔を形成する工程とを備えたもので、この製造方法によれば、従来のように抵抗体の周縁部に切込部を設ける構成ではないため、抵抗体の強度が弱くなることはなく、そして本発明は抵抗体に貫通孔を形成する構成としているため、抵抗値調整も可能であるという作用効果が得られるものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の請求項４に記載の発明は、金属板で構成した抵抗体の両端部に一対の電極を形成する工程と、前記抵抗体の周縁部と接触しないように前記抵抗体に貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔の開口部の周縁部の少なくとも一部を切削して凹部を形成する工程とを備えたもので、この製造方法によれば、貫通孔を形成した際に、貫通孔の開口部の周縁部にバリが発生したとしても、この貫通孔を形成した後に、貫通孔の開口部の周縁部に凹部を形成するようにしているため、貫通孔の開口部の周縁部に発生したバリも凹部の形成により確実に削除できるという作用効果が得られるものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
以上のように本発明の抵抗器は、抵抗体の周縁部と接触しないように抵抗体に凹部を形成したもので、抵抗体を貫通させなくても凹部により大きな体積を欠落させることができるため、抵抗体の強度が弱くなることはなく、また抵抗値を計測しながら凹部の切削ができるため、抵抗値の精度を向上させることができるという優れた効果を奏するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月7日(2008.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）半導体基板に、シリコンゲート電極、ソース領域およびドレイン領域を有する少なくとも一つのＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）を形成する工程と、
（ｂ）前記シリコンゲート電極、ソース領域およびドレイン領域を少なくとも覆う第１シリコン窒化膜を、前記半導体基板上に形成する工程と、
（ｃ）前記シリコンゲート電極の側方を充填するよう、前記第１シリコン窒化膜上に絶縁膜を形成する工程と、
（ｄ）前記絶縁膜および前記第１シリコン窒化膜に平坦化処理を施して、前記シリコンゲート電極を露出させる工程と、
（ｅ）前記第１シリコン窒化膜を残置しつつ前記絶縁膜を除去する工程と、
（ｆ）露出した前記シリコンゲート電極をシリサイド化する工程と、
（ｇ）前記第１シリコン窒化膜、および、露出したシリサイド化済みの前記シリコンゲート電極を少なくとも覆う第２シリコン窒化膜を、前記第１シリコン窒化膜および前記シリコンゲート電極上に形成する工程と
を備える半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記少なくとも一つのＭＩＳＦＥＴには、第１導電形の第１ＭＩＳＦＥＴと、前記第１導電形とは異なる第２導電形の第２ＭＩＳＦＥＴと、が含まれ、
前記第１および第２ＭＩＳＦＥＴの双方に対して、前記工程（ａ）乃至（ｇ）が行われ、
（ｈ）前記工程（ｇ）の後、前記第１ＭＩＳＦＥＴ近傍の前記第２シリコン窒化膜は残置しつつ、前記第２ＭＩＳＦＥＴ近傍の前記第２シリコン窒化膜を除去する工程と、
（ｉ）前記第２ＭＩＳＦＥＴ上の前記第１シリコン窒化膜および前記第２ＭＩＳＦＥＴの前記シリコンゲート電極を少なくとも覆う第３シリコン窒化膜を、前記第２ＭＩＳＦＥＴ上の前記第１シリコン窒化膜および前記第２ＭＩＳＦＥＴの前記シリコンゲート電極上に形成する工程と
を更に備える半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体基板と、
前記半導体基板上に配置され、ゲート電極、ソース領域およびドレイン領域とを含むＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）と、
前記ソース領域およびドレイン領域上に配置されたシリサイド層と、
前記ソース領域上に配置されたシリサイド化領域、前記ドレイン領域上に配置されたシリサイド化領域および前記ゲート電極を覆うように配置されたシリコン窒化膜とを備え、
前記ソース領域上および前記ドレイン領域上に配置されたシリサイド化領域上のシリコン窒化膜の膜厚は前記ゲート電極上のシリコン窒化膜の膜厚よりも大きい半導体装置。
【請求項４】
前記窒化膜は、前記ソース領域上のシリサイド化領域および前記ドレイン領域上のシリサイド化領域を覆うように配置され、かつ前記ゲート電極が露出する開口部を有する第１窒化膜と、前記第１窒化膜および前記ゲート電極を覆うように配置された第２シリコン窒化膜とを含む請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
半導体基板上に配置され、第１ゲート電極、第１ソース領域および第１ドレイン領域とを含む第１ＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）と、
前記第１ゲート電極の側壁に配置された第１サイドウォールスペーサーと、
前記第１ソース領域上および前記第１ドレイン領域上に配置された第１シリサイド化領域と、
前記第１ソース領域上および前記第１ドレイン領域上に配置されたシリサイド化領域および前記第１サイドウォールを覆うように配置され、前記第１ゲート電極が露出する開口部を有する第１窒化膜と、
前記第１シリコン窒化膜および前記第１ゲート電極を覆うように配置された第２シリコン窒化膜と、
前記第２シリコン窒化膜を覆うように配置された層間絶縁膜とを含む半導体装置。
【請求項６】
前記半導体基板上に配置され、第２ゲート電極、第２ソース領域および第２ドレイン領域を含み前記第１ＭＩＳＦＥＴとは反対の導電型を有する第２ＭＩＳＦＥＴと、
前記第２ゲート電極側壁に配置された第２サイドウォールと、
前記第２ソース領域上および前記第２ドレイン領域上に配置された第２シリサイド化領域と、
前記第２ソース領域上および前記第２ドレイン領域上に配置された第２シリサイド化領域および前記第２サイドウォールを覆うように配置され、前記第２ゲート電極が露出する開口部を有する第３窒化膜と、
前記第３シリコン窒化膜および前記第２ゲート電極を覆うように配置された第４シリコン窒化膜とを有し、
前記第２窒化膜若しくは前記第４窒化膜は圧縮応力膜であり、もう一方は引張応力膜である請求項５記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項３に記載の発明は、半導体基板と、前記半導体基板上に配置され、ゲート電極、ソース領域およびドレイン領域とを含むＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）と、前記ソース領域およびドレイン領域上に配置されたシリサイド層と、前記ソース領域上に配置されたシリサイド化領域、前記ドレイン領域上に配置されたシリサイド化領域および前記ゲート電極を覆うように配置されたシリコン窒化膜とを備え、前記ソース領域上および前記ドレイン領域上に配置されたシリサイド化領域上のシリコン窒化膜の膜厚は前記ゲート電極上のシリコン窒化膜の膜厚よりも大きい半導体装置である。
また、請求項５に記載の発明は、半導体基板上に配置され、第１ゲート電極、第１ソース領域および第１ドレイン領域とを含む第１ＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）と、前記第１ゲート電極の側壁に配置された第１サイドウォールスペーサーと、前記第１ソース領域上および前記第１ドレイン領域上に配置された第１シリサイド化領域と、前記第１ソース領域上および前記第１ドレイン領域上に配置されたシリサイド化領域および前記第１サイドウォールを覆うように配置され、前記第１ゲート電極が露出する開口部を有する第１窒化膜と、前記第１シリコン窒化膜および前記第１ゲート電極を覆うように配置された第２シリコン窒化膜と、前記第２シリコン窒化膜を覆うように配置された層間絶縁膜とを含む半導体装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月23日(2008.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
半導体層と、
前記基板と前記半導体層との間に形成された塗布型絶縁膜を含む下地層とを有する表示装置であって、前記半導体層は、結晶がラテラル成長した帯状結晶で形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記半導体層はシリコンを含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記下地層は、前記塗布型絶縁膜と、堆積型絶縁膜とを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記下地層は、前記基板側から、ＳｉＮを主成分とする塗布型絶縁膜とＳｉＯ2を主成分とする絶縁膜であることを特徴とする請求項１から請求項３の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記下地層は、前記基板側から、ＳｉＮを主成分とする絶縁膜とＳｉＯ2を主成分とする塗布型絶縁膜であることを特徴とする請求項１から請求項３の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記下地層は、前記基板側から、ＳｉＮを主成分とする塗布型絶縁膜とＳｉＯ2を主成分とする塗布型絶縁膜であることを特徴とする請求項１から請求項３の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記塗布型絶縁膜は、前記基板に近い側ではＳｉＯx1Ｎy1（但し、ｘ１＜ｙ１）であり、前記半導体結晶に近い側ではＳｉＯx2Ｎy2（但し、ｘ２＜ｙ２）であることを特徴とする請求項１から請求項３の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記塗布型絶縁膜は、無機ポリマー材料、ポリシラザン、ポリシラン、シロキサン、ＳｉＯ2系スピン・オン・グラス材料のうちの何れかを用いた絶縁膜であることを特徴とする請求項１から請求項７の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
前記帯状結晶の前記半導体層は、薄膜トランジスタの能動層であり、
前記帯状結晶の結晶成長方向が、前記薄膜トランジスタのチャネル長の方向と略同一であることを特徴とする請求項１から請求項８の何れか１項に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記基板上に、複数の画素を有する表示領域と、前記表示領域を囲む周辺領域とが形成され、前記薄膜トランジスタは、前記周辺領域に形成されることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月16日(2008.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂からなる保護部と、前記保護部中に形成されたコイル状の配線と、前記保護部の中で前記配線に接続されかつ前記保護部から一部が露出した外部電極とを備え、前記保護部の表面に帯電防止部が形成されており、前記帯電防止部が、着色性もしくは遮光性を有している電子部品。
【請求項２】
前記帯電防止層の光透過率が０．００１％以上、１０％未満である
請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
コイル状の配線部を覆う保護部を形成する樹脂は、体積抵抗が１０ＧΩｃｍ以上の絶縁性樹脂である請求項１に記載の電子部品。
【請求項４】
帯電防止部は、その表面抵抗が１０ＫΩ／□以上１０ＧΩ／□以下、もしくはその体積抵抗が１０ＫΩｃｍ以上１０ＧΩｃｍ以下である請求項１に記載の電子部品。
【請求項５】
帯電防止部は、平均粒径が１ｎｍ以上２０ミクロン以下の非磁性導電材が樹脂中に分散されたものである請求項１に記載の電子部品。
【請求項６】
帯電防止部は、少なくとも一つ以上の外部電極部に接するように形成されている請求項１記載の電子部品。
【請求項７】
非磁性導電材は、炭素を主体とした部材である請求項５記載の電子部品。
【請求項８】
帯電防止部の厚みは、０．１ミクロン以上５０ミクロン以下である請求項１記載の電子部品。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一つに記載された電子部品の製造方法であって、少なくとも感光性樹脂と電極を複数回積層する工程と、帯電防止部を形成する工程と、個片に分割する工程を含む電子部品の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月6日(2008.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属配線を有するプリント回路基板（ＰＣＢ）どうしを、または、金属配線を有するＰＣＢと金属リード線もしくは金属接触子とを接続するための方法であって、
（ｉ）ＰＣＢの金属配線の接続部どうしの間、または、ＰＣＢの金属配線の接続部と金属リード線もしくは金属接触子との間に接着フィルムを配置すること、
（ｉｉ）金属配線または金属リード線もしくは金属接触子が溶融しない温度であるが、向かい合った回路基板の接続部の間、または、回路基板の接続部と金属リード線もしくは金属接触子との間に電気接触をさせるために接着フィルムを押し退けるのに十分な温度及び圧力で前記接続部および／または金属リード線もしくは金属接触子および前記接着フィルムを熱圧着すること、
の工程を含み、
前記接着フィルムは熱可塑性樹脂および有機粒子を含む接着剤組成物からなり、かつ、１００〜２５０℃の温度において、粘度が熱圧着の加圧力の増大とともに減少する、
金属間の固相接合または固相接触と接着剤による接続を共存させた接続方法。
【請求項２】
前記接着フィルムは１００〜２５０℃の温度において、１〜３０秒の熱圧着を行なった後に、２５℃でピール速度６０ｍｍ／分で９０°ピール試験を行なった場合に５Ｎ／ｃｍ以上のピール接着力を示す、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記工程（ｉｉ）において形成された接続を、熱を加えながら、プリント回路基板（ＰＢＣ）どうし、または、プリント回路基板と金属リード線に力を加えることで解除し、そして再び工程（ｉｉ）と同様に接続を行なう、請求項１記載の方法。
【請求項４】
プリント回路基板（ＰＣＢ）は、接続を容易にするように、その金属配線の接続部に突起が形成されている、請求項１記載の方法。
【請求項５】
工程（ｉｉ）において、１００〜２５０℃の温度で１〜３０秒間、１〜１０ＭＰａの荷重を加えることによる熱圧着によって接続を行なう、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記接着フィルムは、接着剤組成物１００重量部当たりに２５〜９０重量部の１０μｍ以下の直径の有機粒子を含む、請求項１記載の方法。
【請求項７】
微小時間の加熱により接着剤組成物に粘着性を発揮させるために、接着剤組成物にポリエステル樹脂をさらに混合している、請求項１記載の方法。
【請求項８】
請求項１記載の方法により接続したプリント回路基板を含む電子部品または電子装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月25日(2008.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
なお、この明細書および特許請求の範囲において、「対称」という用語には、数学的に定義される厳密な対称の他に、対称に近い状態、すなわち放熱基板の厚さ方向から見て、絶縁基板と拘束板とが完全に一致するように重なり合う場合の他に、両者の一部がずれて重なり合う状態も含むものとする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
17)絶縁基板における配線層が設けられた面とは反対側の面に、高熱伝導性材料からなる伝熱層を設けておき、当該伝熱層と放熱基板とをろう付する上記16)記載のパワーモジュール用ベースの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月14日(2008.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上述したように、記録データをパーシャルレスポンス波形の記録信号に変調してその記録信号を光磁気ディスクに記録する一方、ビタビ検出器を用いて最も確からしいデータを検出することにより、高密度記録のなされた光磁気ディスクからデータの再生が高精度にてなされる。このような記録再生の手法は、パーシャルレスポンス・最尤検出（以下、単に、PRMLという）の手法と呼ばれる。
なお、特許文献１では、二次元ラン・レングス・リミテーション（ＲＬＬ）によって光ディスク記録媒体に記憶された符号化データを復号する装置として、二次元ＲＬＬの符号化データに対し、そのＲＬＬの規則を用いて復調を行なうことが記載されている。特許文献２では、ディジタル信号を符号変換する方式において、直流変動を少なくできる最適な伝送路符号を提供するために、ビット毎に平衡させるようにパリティを付加する規則について記載されている。特許文献３では、パリティを複数に分割した後で１個のパリティに変換する段階でのビットエラーの発生を避けるために、最終パリティの生成を工夫することが記載されている。特許文献４では、再生波形をイコライザにより、復調系に最適な等化を行う際に、イコライザの特性の異なる再生系を複数用意し、その複数の系の検出結果から良好なものを選択して最適なイコライザ特性の再生を可能とすることが記載されている。特許文献５は、適正データ再生のためのサンプリング値に対するマージンの低下を防止するため、再生信号に含まれる非線形量に基づいて調整することが記載されている。
【特許文献１】特開平１０−３０２４０８号公報
【特許文献２】特開昭６３−１２０５２７号公報
【特許文献３】特開２０００−２０３３２号公報
【特許文献４】特開平０４−３２４１０３号公報
【特許文献５】特開２０００−２４３０３３号公報
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月28日(2008.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁ハウジングと、該絶縁ハウジングに保持される複数の差動伝送コンタクト対および該差動伝送コンタクト対にそれぞれ対応する接地コンタクトとを備え、前記差動伝送コンタクトおよび接地コンタクトが嵌合部およびワイヤ接続部において２列に配列された差動伝送コネクタにおいて、
前記嵌合部で前記差動伝送コンタクト対の一方を構成する第１コンタクトが第１列に配置されるとともに、他方を構成する第２コンタクトが第２列に配置され、
前記各列において最も近い差動伝送コンタクト間に前記接地コンタクトが配置されていることを特徴とする差動伝送コネクタ。
【請求項２】
絶縁ハウジングと、該絶縁ハウジングに保持される複数の差動伝送コンタクト対および該差動伝送コンタクト対にそれぞれ対応する接地コンタクトとを備え、前記差動伝送コンタクトおよび接地コンタクトが嵌合部において２列に配列され、基板接続部で１列に変換されて配列された基板取付用差動伝送コネクタにおいて、
前記嵌合部で前記差動伝送コンタクト対の一方を構成する第１コンタクトが第１列に配置されるとともに、他方を構成する第２コンタクトが第２列に配置され、且つ前記各列において最も近い差動伝送コンタクト間に前記接地コンタクトが配置され、
前記基板接続部では、最も近い差動コンタクト対の間に２本の接地コンタクトが配置されていることを特徴とする基板取付用差動伝送コネクタ。
【請求項３】
前記各列において一方の側の前記第１コンタクトおよび前記接地コンタクト並びに前記他方の側の前記第２コンタクトおよび前記接地コンタクトが所定のピッチで配列されているとともに、前記一方の側の各コンタクトの位置と前記他方の側の各コンタクトの位置が互いに半ピッチずれていることを特徴とする請求項２記載の基板取付用差動伝送コネクタ。
【請求項４】
前記第１コンタクトと前記第２コンタクトの、前記絶縁ハウジングから延出して基板に接続されるタイン部の長さが互いに等しいことを特徴とする請求項２または３記載の基板取付用差動伝送コネクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月23日(2008.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ディスクから情報を再生するまたは光ディスクに情報を記録する光ディスク装置において、
レーザを集光させ前記光ディスクのデータ記録膜上に、光スポットを形成させる対物レンズと、前記対物レンズを前記光ディスクの半径方向に対して移動させるアクチュエータと、前記光ディスクからの反射光を検出する光検出器とを備えた光ピックアップと、前記光ディスクを回転させるスピンドルモータと、前記スピンドルモータを駆動するスピンドルモータ駆動手段と、前記光検出器より出力される信号からトラッキングエラー信号を生成するエラー信号生成手段と、前記トラッキングエラー信号に基き、トラッキング駆動信号を出力するシステム制御手段と、前記システム制御手段より出力されるアクチュエータ制御信号に基いてアクチュエータを駆動するアクチュエータ駆動手段とを備え、
前記対物レンズを半径方向に動かすために前記システム制御部からアクチュエータ駆動手段へ出力される加速信号と減速信号においては、加速信号の出力時間がトラッキングエラー信号に基いて決まるのに対し、減速信号の出力時間は加速信号の出力時間に対して一定の割合に設定されるようにしたことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項２】
請求項１記載の光ディスク装置において、
前記対物レンズを半径方向に動かす際、前記システム制御部が前記アクチュエータの加速信号を出力している間に、光スポットが前記光ディスクのアドレスを示すアドレス情報記録部を通過しないことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項３】
請求項１記載の光ディスク装置において、
前記対物レンズを半径方向に動かす際、前記システム制御部が前記アクチュエータの減速信号を出力している間に、光スポットがアドレス情報記録部を通過するようなタイミングで前記加速信号の出力を開始させることを特徴とする光ディスク装置。
【請求項４】
請求項１記載の光ディスク装置において、
前記対物レンズを半径方向に動かす際、前記システム制御部が前記アクチュエータの加速信号の出力を開始した後、一定時間前記システム制御部がトラッキングエラー信号の動きに影響されないように設定し、且つ、その間に光スポットがアドレス情報記録部を通過するようなタイミングで移動を開始させることを特徴とする光ディスク装置。
【請求項５】
請求項２、３、４記載のいずれか一つの光ディスク装置において、
前記光ディスクはＤＶＤ−ＲＡＭディスクであり、アドレス情報記載部はＰＩＤ(Physical ID)であることを特徴とする光ディスク装置。
【請求項６】
請求項１記載の光ディスク装置において、
前記対物レンズの移動を開始させるタイミングは、前記光ディスクのゾーンごとに設定することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項７】
請求項６記載の光ディスク装置において、
ゾーンごとに設定される前記対物レンズの移動開始のタイミングを示すタイムテーブルは、あらかじめ光ディスク装置のメモリなどに記録されていることを特徴とする光ディスク装置。
【請求項８】
請求項７記載の光ディスク装置において、
光ディスク装置のメモリなどに記録されている前記タイミングテーブルを適用できるように、回転速度、アクチュエータの特性のばらつきに対応して、加速信号及び減速信号の大きさを変えることを特徴とする光ディスク装置。
【請求項９】
請求項１記載の光ディスク装置において、
前記対物レンズの移動を開始させるタイミングは、光ディスクのアドレスにより設定されることを特徴とする光ディスク装置。
【請求項１０】
請求項１記載の光ディスク装置において、
前記対物レンズの移動を開始させるタイミングは、前記スピンドルモータの回転速度に応じて設定することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項１１】
請求項１記載の光ディスク装置において、
対物レンズを半径方向に動かすとは、光ディスク上に形成される光スポットがグルーブから隣接するランドへの移動若しくはランドからグルーブへの移動であるハーフトラックジャンプ、または、グルーブから最も近接するグルーブへの移動若しくはランドから最も近接するランドへの移動であるフルトラックジャンプであることを特徴とする光ディスク装置。
【請求項１２】
請求項１記載の光ディスク装置において、
加速信号の出力時間が所定の時間となるように加速信号の電圧レベルを設定することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項１３】
請求項１２記載の光ディスク装置において、
電圧レベルを調整するために行うトラックジャンプは前記光ディスクの半径の内側半分の領域で行うことを特徴とする光ディスク装置
【請求項１４】
光ディスクから情報を再生するまたは光ディスクに情報を記録する光ディスク装置にお
いて、
レーザを集光させる対物レンズと、
前記対物レンズを前記光ディスクの半径方向に対して移動させるアクチュエータと、
前記光ディスクからの反射光を検出する光検出器と、
前記光ディスクを回転させるスピンドルモータと、
を備え、
前記対物レンズを半径方向に動かすためにシステム制御部からアクチュエータへ信号が出力される、
光ディスク装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月11日(2008.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中空スリーブと、
前記中空スリーブ内の導電体と、
前記スリーブの両端に固定される、前記導電体の両端の第１のコネクタと第２のコネクタとを備え、
前記第１のコネクタが、キャビネットのバックプレーン上の対応するコネクタにブラインド嵌合するように構成され、前記第２のコネクタが、前記キャビネット内の電子装置に結合するように構成されており、
前記導電体を介して、前記バックプレーンから前記電子装置に電力が供給され、前記中空スリーブは、前記キャビネットによって支持されるトンネル内に配置されるように構成され、
前記中空スリーブが前記トンネルの長さよりも長いため、前記第１のコネクタは、前記トンネルの第１の開口部から突出して前記キャビネット内の前記バックプレーン上の前記対応するコネクタと結合し、前記第２のコネクタは、前記トンネルの第２の開口部から突出して前記キャビネット内の前記電子装置と結合することを特徴とするケーブル組立体。
【請求項２】
前記スリーブが、前記導電体よりも剛性であることを特徴とする請求項１に記載のケーブル組立体。
【請求項３】
前記第２のコネクタと前記スリーブとに隣接する板をさらに備え、
前記板が前記ケーブル組立体の外部の構造体に固定されることで、前記ケーブル組立体が所定の位置に固定されることを特徴とする請求項１に記載のケーブル組立体。
【請求項４】
複数の第１のコネクタを介して電力を供給することができるバックプレーンと、
前記複数の第１のコネクタの少なくとも１つから、各々が電力を受け取ることができる複数の電子装置と、
複数の中空スリーブであって、前記複数の中空スリーブの各々が、両端を有し、その一方の端に固定された第２のコネクタを有する導電体を含み、前記複数の中空スリーブの各々が、前記第２のコネクタを前記複数の第１のコネクタの一つにブラインド嵌合することによって前記キャビネット内に組み込まれる、複数の中空スリーブとを備え、
前記複数の電子装置の各々が、前記第２のコネクタを有さない前記中空スリーブの他方の端部に結合され、
前記複数の電子装置の少なくとも１つはコンピュータで構成されることを特徴とする電気キャビネット。
【請求項５】
前記複数の中空スリーブの少なくとも１つはガイドピンを備え、
前記ガイドピンは、対応する前記第２のコネクタの近くに配置され、前記複数の第１のコネクタの一つに対応する前記複数の第２のコネクタをブラインド嵌合するために使用されることを特徴とする請求項４に記載の電気キャビネット。
【請求項６】
導電ケーブルの第１のコネクタを使用して、複数の前記導電ケーブルをキャビネットのバックプレーンにブラインド嵌合することであって、前記複数の導電ケーブルの各々は異なる中空スリーブ内に収容され、異なる前記第１のコネクタを有する、ブラインド嵌合することと、
各々が別個の第２のコネクタを有する前記複数の導電ケーブルの前記第２のコネクタに複数の電子装置を結合することによって、前記キャビネットの前記バックプレーンから前記複数の電子装置に電力を供給することとを含み、
前記中空スリーブの各々の前記第１のコネクタ及び前記第２のコネクタは、前記中空スリーブの両端から突出し、前記両端に固定されることを特徴とする方法。
【請求項７】
前記キャビネットの前記バックプレーンに前記複数の導電ケーブルのひとつを前記ブラインド嵌合することは、プラスチックのスリーブ内に収容されるケーブルを使用することを含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記キャビネットの前記バックプレーンに前記複数の導電ケーブルのひとつを前記ブラインド嵌合することは、約１０8オーム／単位面積の抵抗率を有するプラスチックのスリーブ内に収容されるケーブルを使用することを含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項９】
キャビネットのバックプレーンと電子装置との間で電力を供給する手段と、
電力を供給するために、前記電子装置と前記手段とを結合する手段と、
前記キャビネットの前記バックプレーンと前記電子装置との間で電力を供給する前記手段をブラインド嵌合するための手段とを備え、
前記電力を供給するための前記手段は、前記キャビネットによって支持されるトンネル内に配置されるように構成され、
前記電力を供給するための前記手段は前記トンネルよりも長いため、前記結合するための手段は、前記トンネルの第１の開口部から突出して前記電子装置と結合し、前記ブラインド嵌合する手段は、前記トンネルの第２の開口部から突出して前記キャビネットの前記バックプレーンに結合することを特徴とする装置。