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【手続補正書】
【提出日】平成20年2月1日(2008.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜形成方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
塗布液を塗布液室で霧状とし、
前記霧状の塗布液を前記塗布室から吐出し、
前記吐出された霧状の塗布液を、前記塗布室と電極が設けられた基板との間に設けられた導電性材料からなるマスクの開口部を通過させて、前記電極上に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、
前記マスクに電圧を印加することにより、前記吐出された霧状の塗布液の飛翔方向または塗布位置を制御することを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項２】
塗布液を塗布液室で霧状とし、
前記霧状の塗布液を前記塗布室から吐出し、
前記吐出された霧状の塗布液を、前記塗布室と電極が設けられた基板との間に設けられた導電性材料からなるマスクの開口部を通過させて、前記電極上に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、
前記マスクに部分的に異なる電圧を印加することにより、前記吐出された霧状の塗布液の飛翔方向または塗布位置を制御することを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項３】
請求項１または２において、前記マスクはストライプ状または網目状の構造をなしていることを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項４】
塗布液を塗布液室で霧状とし、
前記霧状の塗布液を前記塗布室から吐出し、
前記吐出された霧状の塗布液を、前記塗布室と電極が設けられた基板との間に設けられた導電性材料からなる第１のマスクの開口部及び導電性材料からなる第２のマスクの開口部を通過させて、前記電極上に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、
前記第１のマスク及び前記第２のマスクにそれぞれ電圧を印加することにより、前記吐出された霧状の塗布液の飛翔方向または塗布位置を制御することを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項５】
請求項４において、前記第１のマスク及び前記第２のマスクは、それぞれストライプ状または網目状の構造をなしていることを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記霧状の塗布液を前記塗布液室から吐出する際、前記霧状の塗布液を帯電させることを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記電極は画素電極であることを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記塗布液は、有機材料及び溶媒からなることを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記塗布液は、有機ＥＬ材料及び溶媒からなることを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、前記薄膜の膜厚は、１０ｎｍ〜１μｍであることを特徴とする薄膜形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月27日(2008.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体の上に電極を形成し、
前記電極の上に金属膜を含むバンクを形成し、
前記金属膜を正または負に帯電させながら前記バンクの間に発光材料を含む層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁体の上に電極を形成し、
前記電極の上に絶縁膜及び金属膜を積層してなるバンクを形成し、
前記金属膜を正または負に帯電させながら前記バンクの間に発光材料を含む層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁体の上にストライプ状に配置されるように第１の線状電極を形成し、
前記第１の線状電極と交差し、且つストライプ状に配置されるように絶縁膜及び金属膜を積層してなるバンクを形成し、
前記金属膜を正または負に帯電させながら前記バンクの間に発光材料を含む層を形成し、
前記第１の線状電極と交差し、且つ前記バンクの間にストライプ状に配置されるように、前記発光材料を含む層の上に第２の線状電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、前記第１の線状電極は酸化物導電膜からなることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項５】
請求項３において、前記第２の線状電極は周期表の１族元素または２族元素を含む導電膜からなることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記金属膜と同一の極性に前記発光材料を帯電させながら、前記発光材料を含む層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項７】
請求項３において、前記金属膜と同一の極性に前記発光材料を帯電させ、且つ前記金属膜と逆の極性に前記第１の線状電極を帯電させながら、前記発光材料を含む層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項８】
請求項２または３において、前記バンクを形成する際に、等方性エッチングによって前記絶縁膜の線幅が前記金属膜の線幅よりも狭くなるように形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項９】
請求項２、３、または８において、前記絶縁膜は珪素化合物膜または樹脂膜からなることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、蒸着法、イオンプレーティング法、またはインクジェット法により前記発光材料を含む層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１１】
ストライプ状に設けられた第１の線状電極と、
前記第１の線状電極と交差し、ストライプ状に設けられたバンクと、
前記第１の線状電極と交差し、前記バンクの間にストライプ状に設けられた第２の線状電極と
前記第１の線状電極及び前記第２の線状電極の間に設けられた発光材料を含む層とを有し、
前記バンクは一部に金属膜を含むことを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
ストライプ状に設けられた第１の線状電極と、
前記第１の線状電極と交差し、ストライプ状に設けられたバンクと、
前記第１の線状電極と交差し、前記バンクの間にストライプ状に設けられた第２の線状電極と、
前記第１の線状電極及び前記第２の線状電極の間に設けられた発光材料を含む層とを有し、
前記バンクは、絶縁膜と、前記絶縁膜の上に設けられた金属膜とを含むことを特徴とする発光装置。
【請求項１３】
請求項１２において、前記絶縁膜の線幅は前記金属膜の線幅よりも狭いことを特徴とする発光装置。
【請求項１４】
請求項１１乃至１３のいずれか一において、前記発光材料を含む層は、前記第１の線状電極と交差し、前記バンクの間にストライプ状に設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項１５】
請求項１１乃至１４のいずれか一において、前記第１の線状電極は酸化物導電膜からなることを特徴とする発光装置。
【請求項１６】
請求項１１乃至１５のいずれか一において、前記第２の線状電極は周期表の１族元素または２族元素を含む導電膜からなることを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月28日(2008.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】自発光装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極、ＥＬ層及び陰極からなるＥＬ素子を有する自発光装置の作製方法であって、
前記ＥＬ素子を覆う無機材料からなる膜をＣＶＤ法または蒸着法により形成し、
前記無機材料からなる膜を覆う有機材料からなる膜を形成し、
前記ＥＬ層及び前記有機材料からなる膜をインクジェット法または電界塗布法により形成することを特徴とする自発光装置の作製方法。
【請求項２】
陽極、ＥＬ層及び陰極からなるＥＬ素子を有する自発光装置の作製方法であって、
前記ＥＬ素子を覆う有機材料からなる膜を形成し、
前記有機材料からなる膜を覆う無機材料からなる膜をＣＶＤ法または蒸着法により形成し、
前記ＥＬ層及び前記有機材料からなる膜をインクジェット法または電界塗布法により形成することを特徴とする自発光装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記ＥＬ層、前記陰極、前記無機材料からなる膜及び前記有機材料からなる膜を同一の成膜装置で形成することを特徴とする自発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月21日(2008.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体の上方にＴＦＴを形成し、
前記ＴＦＴに電気的に接続される画素電極を形成し、
前記画素電極を囲むように金属膜を含むバンクを形成し、
前記金属膜を負または正に帯電させながら前記バンクで囲まれた部分に発光性材料を含む層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁体の上方にＴＦＴを形成し、
前記ＴＦＴに電気的に接続される画素電極を形成し、
前記画素電極を囲むように絶縁膜および金属膜を積層してなるバンクを形成し、
前記金属膜を負または正に帯電させながら前記バンクで囲まれた部分に発光性材料を含む層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記金属膜と同じ極性に前記発光性材料を帯電させながら、前記発光性材料を含む層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、前記金属膜と逆の極性に前記画素電極を帯電させ、且つ、前記金属膜と同じ極性に前記発光性材料を帯電させながら、前記発光性材料を含む層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２において、前記バンクを形成する際に、前記金属膜の線幅は前記絶縁膜の線幅よりも狭くなるように形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記バンクを形成する際に、前記金属膜がテーパー形状を有するように形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、蒸着法、イオンプレーティング法またはインクジェット法により前記発光性材料を含む層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項８】
ＴＦＴと、前記ＴＦＴに電気的に接続された画素電極と、前記画素電極を囲むように設けられたバンクと、前記画素電極に対向して設けられた電極と、前記画素電極および前記電極の間に設けられた発光性材料を含む層と、を有し、
前記バンクは一部に金属膜を含むことを特徴とする発光装置。
【請求項９】
ＴＦＴと、前記ＴＦＴに電気的に接続された画素電極と、前記画素電極を囲むように設けられたバンクと、前記画素電極に対向して設けられた電極と、前記画素電極および前記電極の間に設けられた発光性材料を含む層と、を有し、
前記バンクは、絶縁膜と、前記絶縁膜の上方に設けられた金属膜とを含むことを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項９において、前記金属膜の線幅は前記絶縁膜の線幅よりも狭いことを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項８乃至請求項１０のいずれか一において、前記金属膜はテーパー形状を有することを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月3日(2008.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＥＬ表示装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料ボート内でＥＬ材料を気化させ、
前記気化したＥＬ材料を帯電させ、
前記帯電したＥＬ材料を前記試料ボートから放出し、
前記ＥＬ材料の進行方向を電界によって制御することで基板上に設けられた電極上に前記ＥＬ材料を選択的に蒸着させることを特徴とするＥＬ表示装置の作製方法。
【請求項２】
試料ボート内でＥＬ材料を気化させ、
前記気化したＥＬ材料を帯電させ、
前記帯電したＥＬ材料を前記試料ボートから放出し、
前記帯電したＥＬ材料と反発するような電荷を発生させる電圧を印加したマスクの開口部に前記ＥＬ材料を通過させることにより、前記ＥＬ材料の進行方向を電界によって制御することで基板上に設けられた電極上に前記ＥＬ材料を選択的に蒸着させることを特徴とするＥＬ表示装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記マスクは複数のマスクからなり、それぞれのマスクに印加する電圧を制御することによって前記ＥＬ材料を蒸着させる位置を制御することを特徴とするＥＬ表示装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２又は請求項３において、
前記マスクは、導電材料からなる導電線、導電線からなる網目状の構造物、導電材料からなる板状の構造物、または複数の導電線が互いに平行に配置されたものであることを特徴とするＥＬ表示装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記電極に電圧を印加することで、前記電極上において前記ＥＬ材料を蒸着させる位置を制御することを特徴とするＥＬ表示装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記ＥＬ材料は、低分子材料からなることを特徴とするＥＬ表示装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記電極上に蒸着されたＥＬ材料の膜厚は、１０ｎｍ〜１０μｍであることを特徴とするＥＬ表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月5日(2008.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に下地膜を形成し、
前記下地膜上に非晶質構造を有する半導体層を形成し、
前記非晶質構造を有する半導層にレーザー光の強度を空間変調するマスクを介して前記レーザー光を照射することによって、結晶性を有する半導体層を形成し、
前記結晶性を有する半導体層をエッチングして島状半導体層を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記マスクは、前記レーザー光を透過させる透過性領域と、前記透過性領域よりも前記レーザー光の透過率が低い遮光性領域とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に下地膜を形成し、
前記下地膜上に非晶質構造を有する半導体層を形成し、
前記非晶質構造を有する半導層にレーザー光の強度を空間変調するマスクを介して前記レーザー光を照射することによって、結晶性を有する半導体層を形成し、
前記結晶性を有する半導体層をエッチングして島状半導体層を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記マスクは、前記レーザー光を透過させる基板と、前記レーザー光を透過させる透過性領域と、前記透過領域よりも前記レーザー光の透過率が低い遮光性領域とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に凹凸形状を有する下地膜を形成し、
前記凹凸形状を有する下地膜を覆って非晶質構造を有する半導体層を形成し、
前記非晶質構造を有する半導層にレーザー光の強度を空間変調するマスクを介して前記レーザー光を照射することによって、結晶性を有する半導体層を形成し、
前記結晶性を有する半導体層をエッチングして島状半導体層を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記マスクは、前記レーザー光を透過させる透過性領域と、前記透過性領域よりも前記レーザー光の透過率が低い遮光性領域とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に島状の有機樹脂膜を形成し、
前記有機樹脂膜を覆って無機絶縁膜を形成し、
前記無機絶縁膜上に非晶質構造を有する半導体層を形成し、
前記非晶質構造を有する半導層にレーザー光の強度を空間変調するマスクを介して前記レーザー光を照射することによって、結晶性を有する半導体層を形成し、
前記結晶性を有する半導体層をエッチングして島状半導体層を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記マスクは、前記レーザー光を透過させる透過性領域と、前記透過性領域よりも前記レーザー光の透過率が低い遮光性領域とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、前記有機樹脂膜の熱伝導率は、１．０Ｗｍ−１Ｋ−１以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、前記有機樹脂膜は、感光性を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６のいずれか一において、前記有機樹脂膜は、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）樹脂、ポリイミド系樹脂（フッ素添加ポリイミド）、アクリル系樹脂、シロキサン系樹脂、フッ素添加パラキシレン、フッ素添加パリレン、テフロン、フルオロポリアリルエーテル、ＰＦＣＢ、ポリシラザンから選ばれた単層膜、またはそれらの積層膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、前記マスクは前記非晶質構造を有する半導体層とは接していないことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
レーザ光を透過させる基板の一方の面上に下地膜を形成し、
前記下地膜上に非晶質構造を有する半導体層を形成し、
前記非晶質構造を有する半導層にレーザー光の強度を空間変調するマスクを介して前記レーザー光を照射することによって、結晶性を有する半導体層を形成し、
前記結晶性を有する半導体層をエッチングして島状半導体層を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記マスクは、前記半導体層を形成した後に前記基板の他方の面に形成し、かつ前記レーザー光を透過させる透過性領域と、前記透過性領域よりも前記レーザー光の透過率が低い遮光性領域とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、前記マスクを構成する材料は、前記レーザー光の波長における減衰定数が０．０〜０．１であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、前記透過性領域を通過する前記レーザー光のエネルギー強度に対する前記遮光性領域を通過する前記レーザー光のエネルギー強度は、０〜９０％であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、前記透過性領域及び前記遮光性領域は、レーザー光の吸収率が２０％以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、前記遮光性領域は、酸化珪素膜、窒化珪素膜および窒化酸化珪素からなる単層あるいはこれらの積層からなる多層膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
次にマスクの作製方法を説明する。この実施形態では、試料基板とは別に、マスク用基板を用意し、これにマスクを形成する方法を説明する。図４（Ｂ）に示す、マスク用基板４０１０にはレーザー光波長での高い透過率を有する合成石英、ハイシリカガラス、サファイアなどを使う。例えば、合成石英ガラスを用いるとＸｅＣｌエキシマレーザー光の波長３０８ｎｍで９０％以上の透過率となる。基板上にプラズマＣＶＤ法で窒化シリコン膜と酸化窒化シリコン膜を所望の透過率となるような膜厚に成膜形成する。例えば波長３０８ｎｍのＸｅＣｌエキシマレーザー光に対して、透過率３０％とする場合には、図１に示すように、屈折率１．４８の酸化窒化シリコン膜４０４０ｂと屈折率２．１の窒化シリコン膜４０４０ａを、合成石英基板上に３５ｎｍの窒化シリコン膜、６０ｎｍの酸化窒化シリコン膜、３５ｎｍの窒化シリコン膜、６０ｎｍの酸化窒化シリコン膜、３５ｎｍの窒化シリコン膜の順番に積層形成すればよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０７】
透明導電膜の材料は、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）や酸化インジウム酸化スズ合金（Ｉｎ２Ｏ３―ＳｎＯ２；ＩＴＯ）などをスパッタ法や真空蒸着法などを用いて形成して用いることができる。このような材料のエッチング処理は塩酸系の溶液により行う。しかし、特にＩＴＯのエッチングは残渣が発生しやすいので、エッチング加工性を改善するために酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ２Ｏ３―ＺｎＯ）を用いても良い。酸化インジウム酸化亜鉛合金は表面平滑性に優れ、ＩＴＯに対して熱安定性にも優れているので、図１７（Ａ）の構造におけるドレイン配線１５９の端面で接触するＡｌとの腐蝕反応を防止できる。同様に、酸化亜鉛（ＺｎＯ）も適した材料であり、さらに可視光の透過率や導電率を高めるためにガリウム（Ｇａ）を添加した酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ｇａ）などを用いることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月11日(2008.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタを有し、
前記薄膜トランジスタは、絶縁表面上に絶縁層を包むように設けられた島状半導体層を有し、
前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域は前記島状半導体層のうち前記絶縁層上の領域に設けられ、
前記島状半導体層は、前記絶縁層を包むように設けられた半導体膜をレーザ照射によって結晶化して形成されたものであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
薄膜トランジスタを有し、
前記薄膜トランジスタは、絶縁表面上に絶縁層を包むように設けられた島状半導体層を有し、
前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域は前記島状半導体層のうち前記絶縁層上の領域に設けられ、
前記薄膜トランジスタのソース領域およびドレイン領域は前記島状半導体層のうち前記絶縁層と重ならない領域に設けられ、
前記島状半導体層は、前記絶縁層を包むように設けられた半導体膜をレーザ照射によって結晶化して形成されたものであることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記半導体膜は非晶質半導体膜または微結晶半導体膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記絶縁層の面積は１００μｍ２以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一における前記半導体装置を用いたことを特徴とするビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、プロジェクションＴＶ、ゴーグル型ディスプレイ、パーソナルコンピュータ、または携帯情報端末。
【請求項６】
絶縁表面上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜をパターニングして絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に第２の半導体膜を形成し、
レーザ照射によって前記第１の半導体膜および前記第２の半導体膜を結晶化し、
結晶化された前記第１の半導体膜および前記第２の半導体膜をパターニングして島状半導体層を形成し、
前記島状半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記島状半導体層のうち前記絶縁層上の領域と重なるようにゲート電極を形成して薄膜トランジスタを作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
絶縁表面上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜をパターニングして絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に第２の半導体膜を形成し、
レーザ照射によって前記第１の半導体膜および前記第２の半導体膜を結晶化し、
結晶化された前記第１の半導体膜および前記第２の半導体膜をパターニングして島状半導体層を形成し、
前記島状半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記島状半導体層のうち前記絶縁層上の領域と重なるようにゲート電極を形成し、
前記島状半導体層のうち前記絶縁層と重ならない領域にｎ型またはＰ型を付与する不純物元素を添加することによってソース領域及びドレイン領域を形成して薄膜トランジスタを作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項６または請求項７において、
前記レーザ照射は、エキシマレーザまたはＹＡＧレーザを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか一において、
前記レーザ照射は、前記第１の半導体膜の上面から行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項９のいずれか一において、
前記レーザ照射は、一定のエネルギー密度で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項６乃至請求項１０のいずれか一において、
前記レーザ照射のエネルギー密度は６５０〜８００ｍＪ／ｃｍ２であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月12日(2008.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液晶表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に形成された半導体層と、前記半導体層に接するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に接する第１のゲート電極と、前記第１のゲート電極に接する第２のゲート電極とを有し、
前記半導体層は、チャネル形成領域と、前記チャネル形成領域に接する一対の低濃度不純物領域と、前記一対の低濃度不純物領域にそれぞれ接するソース領域及びドレイン領域とを有しており、
チャネル長の方向における前記第１のゲート電極の幅は、チャネル長の方向における前記第２のゲート電極の幅より広く、
前記一対の低濃度不純物領域は前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記第１のゲート電極と重なっており、
前記ゲート絶縁膜は、前記第１のゲート電極に重なる領域よりも、前記第１のゲート電極に重ならない領域が薄く、
前記チャネル形成領域は前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記第２のゲート電極と重なっていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
絶縁表面上に形成された半導体層と、前記半導体層に接するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に接する第１のゲート電極と、前記第１のゲート電極に接する第２のゲート電極とを有し、
前記半導体層は、チャネル形成領域と、前記チャネル形成領域に接する一対のＬＤＤ低濃度不純物と、前記一対の低濃度不純物領域にそれぞれ接するソース領域及びドレイン領域とを有しており、
チャネル長の方向における前記第１のゲート電極の幅は、チャネル長の方向における前記第２のゲート電極の幅より広く、
前記第１のゲート電極は、端部における断面の形状がテーパーであり、
前記一対の低濃度不純物領域は前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記第１のゲート電極の端部と重なっており、
前記ゲート絶縁膜は、前記第１のゲート電極に重なる領域よりも、前記第１のゲート電極に重ならない領域が薄く、
前記チャネル形成領域は前記ゲート絶縁膜を間に挟んで前記第２のゲート電極と重なっていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記一対の低濃度不純物領域は前記第２のゲート電極をマスクとして前記半導体層に前記不純物を添加することにより、自己整合的に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記一対の低濃度不純物領域における不純物濃度は、少なくとも１×１０１７〜１×１０１８／ｃｍ３の範囲で濃度勾配を有する領域を含んでおり、チャネル形成領域からの距離が増大するとともに不純物濃度が増加することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の前記液晶表示装置を用いることを特徴とするビデオカメラ、画像再生装置、ヘッドマウントディスプレイ、パーソナルコンピュータ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月18日(2008.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】    【請求項１】 短形状のIII族窒化物系化合物半導体素子において、ｐ台座電極及びｎ台座電極は互いに対抗する辺の中央部又は互いに対抗する角部に各々形成され、前記ｐ台座電極とこれから延長されるｐ補助電極と、前記ｎ台座電極とこれから延長されるｎ補助電極とを備え、前記ｐ補助電極及び前期ｎ補助電極は相互に平行に配置される部分を含み、前記ｐ補助電極と前記ｐ台座電極のとの厚さ及び前記ｎ補助電極と前記ｎ台座電極との厚さは異なる、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子。    【請求項２】 前記ｐ補助電極は角部に形成された前記ｐ台座電極から延びた第１のｐ補助電極及び第２のｐ補助電極を有し、前記ｎ補助電極は角部に形成された前記ｎ台座電極から延びた第１のｎ補助電極及び第２のｎ補助電極を有し、前記第１のｐ補助電極及び前記第１のｎ補助電極は、辺に沿って延びており、前記第２のｐ補助電極は前記第１のｐ補助電極と異なる辺に沿って辺中央を越えて伸びた後、直角に折れて延びており、前記第２のｎ補助電極は前記第１のｎ補助電極と異なる辺に沿って辺中央を越えて延びた後、直角に折れて延びている、ことを特徴とする請求項１に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。    【請求項３】 前記ｐ補助電極は辺中央に形成された前記ｐ台座電極から延びた第１のｐ補助電極及び第２のｐ補助電極を有し、前記ｎ補助電極は辺中央に形成された前記ｎ台座電極から延びた第１のｎ補助電極及び第２のｎ補助電極を有し、前記第１のｐ補助電極及び前記第２のｐ補助電極は互いに反対方向に延びて、前記第１のｐ補助電極は更に直角に折れた辺に沿って延び、前記第２のｐ補助電極は前記ｐ台座電極から少し延びて更にそこから直角に伸びており、前記第１のｎ補助電極及び前記第２のｎ補助電極は互いに反対方向に延びて、前記第１のｎ補助電極は更に直角に折れた辺に沿って延び、前記第２のｐ補助電極は前記ｐ台座電極から少し延びて更にそこから直角に伸びている、ことを特徴とする請求項１に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。    【請求項４】 前記ｐ補助電極は角部に形成された前記ｐ台座電極から互いに異なる辺に沿って延びた後、対角線と平行な方向に延びており、前記ｎ補助電極は角部に形成された前記ｎ台座電極から延びた第１のｎ補助電極及び第２のｎ補助電極を有し、前記第１のｎ補助電極は互いに異なる辺に沿って延びており、前記第２のｎ補助電極は対角線上に延びて前記ｐ補助電極とくし状に配置されている、ことを特徴とする請求項１に記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。    【請求項５】 ｐコンタクト層の上面にｐ電極として透光性電極が形成され、該透光性電極の上面に前記ｐ台座電極及び前記ｐ補助電極が形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のIII族窒化物系化合物半導体素子。【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】図５０の例では、ｐ台座電極２３１が下辺のほぼ中央に形成され、これから第１のｐ補助電極２３２が下辺にそって右側へのび更に右辺にそって上側に延びている。また、第２のｐ補助電極２３３はｐ台座電極２３１から少し左側に延びて更にそこから上方へ直角に延びている。ｎ台座電極２３５は上辺のほぼ中央に形成され、これから第１のｎ補助電極２３６が上辺にそって左側へのび更に左辺にそって下側に延びている。また、第２のｎ補助電極２３７はｎ台座電極２３５から少し右側に延びて更にそこから下方へ直角に延びている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月17日(2008.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
請求項1に記載された方法を実行するX線装置であって、
前記X線装置が、検査される物体の周囲に、異なる軌跡に沿う複数の一連の投影データセットを収集するためのX線検出器及びX線源を含むとともに、各一連の投影データセットから3Dデータセットを形成するための再構成ユニットと、演算ユニットとを含み、
前記演算ユニットは、3Dデータセットの互いに関する空間内の位置を表す変換規則が、或る3Dデータセットのボクセルを選択し、適切な類似性尺度により他の3Dデータセットにおけるボクセルの位置を決定することにより決定されるように構成され、
X線画像が前記変換規則により結合される3Dデータセットから形成されることを特徴とするX線装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月10日(2008.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  移動体通信システムにおけるモバイル端末の無線基地局への加入方法であって、
前記モバイル端末の電源投入後に、該モバイル端末がどの無線基地局にも登録されていないかどうかを判定する判定処理を実行する工程と、
前記モバイル端末の電源投入後に、該モバイル端末がどの無線基地局にも登録されていない場合、自動的に加入処理を実行する工程と、
前記無線基地局に既に登録されているモバイル端末について、前記モバイル端末に予め記憶されている第１の所定時間が経過した時に、該モバイル端末が既に登録されている無線基地局に対して同期しているか及び自身をアタッチしているかを照合する工程と、
前記第１の所定時間の経過後に、該モバイル端末が既に登録されている無線基地局に対して同期することも、自身をアタッチすることもできなかった場合に、自動的に加入処理を実行する工程と
を備えることを特徴とするモバイル端末の無線基地局への加入方法。
【請求項２】  前記判定処理においては、前記モバイル端末に記憶されている加入テーブルにデータが保持されているか否かを判定することを特徴とする請求項１に記載のモバイル端末の無線基地局への加入方法。
【請求項３】  前記モバイル端末の電源投入後に、該モバイル端末が既に無線基地局に登録されている場合、前記第１の所定時間に等しい値をタイマに割り当てることによって該タイマを起動することを特徴とする請求項１又は２に記載のモバイル端末の無線基地局への加入方法。
【請求項４】  前記加入処理において、前記モバイル端末は前記無線基地局に認証コードを送信することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のモバイル端末の無線基地局への加入方法。
【請求項５】  前記加入処理が第２の所定時間内に完了しなかった場合、該加入処理を停止することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のモバイル端末の無線基地局への加入方法。
【請求項６】  請求項１乃至５のいずれか１項に記載のモバイル端末の無線基地局への加入方法を実行する手段をさらに有することを特徴とするモバイル端末。
【請求項７】  移動体通信システムにおけるモバイル端末の無線基地局への加入方法であって、
前記無線基地局の電源投入後に、該無線基地局がどのモバイル端末にも登録されていないかどうかを判定する判定処理を実行する工程と、
前記無線基地局の電力投入後に、該無線基地局がどのモバイル端末にも登録されていない場合、自動的に加入処理を実行する工程と、
第１の所定時間が経過した時に、該無線基地局が既に登録されているモバイル端末が同期しているか及び自身をアタッチしているかを照合する工程と、
前記第１の所定時間が経過した時に、該無線基地局が既に登録されているモバイル端末が同期することも、自身をアタッチすることもできなかった場合に、自動的に加入処理を実行する工程と
を備えることを特徴とするモバイル端末の無線基地局への加入方法。
【請求項８】  前記判定処理においては、前記無線基地局に記憶されている加入テーブルにデータが保持されているか否かを判定することを特徴とする請求項７に記載のモバイル端末の無線基地局への加入方法。
【請求項９】  前記無線基地局の電力投入後に、該無線基地局に登録済みの前記モバイル端末がある場合、予め該無線基地局に記憶されている第２の所定時間に等しい値をタイマに割り当てることによって該タイマを起動することを特徴とする請求項７又は８に記載のモバイル端末の無線基地局への加入方法。
【請求項１０】  前記加入処理において、前記無線基地局は、前記モバイル端末より送信された認証コードを照合することを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１項に記載のモバイル端末の無線基地局への加入方法。
【請求項１１】  前記加入処理が第３の所定時間内に完了しなかった場合、該加入処理を停止することを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか１項に記載のモバイル端末の無線基地局への加入方法。
【請求項１２】  請求項７乃至１１のいずれか１項に記載のモバイル端末の無線基地局への加入方法を実行する手段を有することを特徴とする無線基地局。
【請求項１３】  コンピュータに請求項１乃至５及び請求項７乃至１１のいずれか１項に記載の方法を実行させるためのコンピュータプログラムを記憶した、コンピュータ又はマイクロプロセッサによって読取り可能な記憶媒体。
【請求項１４】  請求項１乃至５及び請求項７乃至１１のいずれか１項に記載の方法をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月6日(2007.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  セメント系混練物の圧送吹付けをなすに当り、吹付けノズルから２〜１００ｍの位置に設けた分岐手段において急結剤その他の混和剤を添加し、該添加位置と吹付けノズルの間の圧送過程で前記混練物に混和剤を混合せしめてから吹付け施工することを特徴としたセメント系混練物の圧送吹付け方法。
【請求項２】  セメント系混練物の圧送吹付けを圧送ポンプにおける攪拌圧送と高圧空気圧による圧送とを併用して行い、吹付けノズルから２〜１００ｍの位置において攪拌圧送管路に設けたＹ形管において前記高圧空気圧を添加すると共に混和剤を混合圧送せしめて吹付けノズルに送り吹付け施工することを特徴としたセメント系混練物の圧送吹付け方法。
【請求項３】  吹付けノズルを備えたポンプ圧送管路に空気圧送管路を接続する接手部を該吹付けノズルから２〜１００ｍの位置に形成し、該接手部における空気圧送管路入側に混和剤添加部を形成して空気圧送を図ると共に混和剤添加を図ることを特徴としたセメント系混練物の圧送吹付け装置。
【請求項４】  前記空気圧送管路と前記接手部においてセメント系混練物を受入れた以後の圧送管路とを直線状に形成し、前記接手部に混和剤添加部を開口させたことを特徴とした請求項３に記載のセメント系混練物の圧送吹付け装置。
【請求項５】  前記混和剤添加部の開口位置が前記空気圧送管路におけるセメント系混練物受入開口域基端部に対向して形成されたことを特徴とした請求項４に記載のセメント系混練物の圧送吹付け装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（２）  セメント系混練物の圧送吹付けを圧送ポンプにおける攪拌圧送と高圧空気圧による圧送とを併用して行い、吹付けノズルから２〜１００ｍの位置において攪拌圧送管路に設けたＹ形管において前記高圧空気圧を添加すると共に混和剤を混合圧送せしめて吹付けノズルに送り吹付け施工することを特徴としたセメント系混練物の圧送吹付け方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（３）  吹付けノズルを備えたポンプ圧送管路に空気圧送管路を接続する接手部を該吹付けノズルから２〜１００ｍの位置に形成し、該接手部における空気圧送管路入側に混和剤添加部を形成して空気圧送を図ると共に混和剤添加を図ることを特徴としたセメント系混練物の圧送吹付け装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
【発明の実施の形態】
上記したような本発明によるものの具体的な実施態様を添付図面に示すものについて説明すると、図１に示すようにミキサー車１０によって混練されたモルタルまたはコンクリートのような混練物は、その排出部１１から圧送ポンプ１の投入部１２に受入れられ、該圧送ポンプ１から圧送管路５によってＹ字管４に送られるが、該Ｙ字管４に対しては別に設けられたコンプレッサー車２からの圧縮空気がホースのような圧送管路３を介して導かれ、吹付けホース６によって夫々の法枠１５を設けた吹付け作業位置に送られ作業者１６によって吹付ノズル１４から吐出施工される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
上記したような構成のものにおいて前記Ｙ字管４はその入側がミキサー車１０からの圧送管路５と吹付ホース６を連結するものであるが、斯かるＹ字管４の入側に分岐された開口部７に上記した圧送ポンプ１からの圧送管路５が連結され、またコンプレッサー車２からの圧送管路３がＹ字管４の直管部に連結されコンプレッサー車２からの高圧空気を有効に導入し、圧送管路５からのポンプ圧送と有効に一体化した圧送が図られ、更にこのようなＹ字管４の直管部入側に混和剤添加部８を形成しておくことにより上述したような急結剤、急硬剤その他の混和剤を有効且つ均一な状態に添加せしめ、混和剤添加部８と吹付けノズル１４の間の圧送過程において有効且つ均一状に添加せしめ、目的の混和作用を的確に行わしめる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
上記したようなＹ字管４における具体的な構成関係について本発明者等が多くの実地検討に基づき求められた具体的構成関係は別に図２として示す如くであり、コンプレッサー車２からの圧送管路３はＹ字管４における直線部４ａに連結され、また圧送ポンプ１からのホースのような圧送管路５は上記直線部４ａから分岐した弯曲部４ｂに連結されて一体化した圧送流として上述した吹付ホース６に供給され、作業者１６によって吹付ノズル１４による吹付施工がなされる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月6日(2008.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ２つのビード（１２）、クラウン、およびビードとクラウンとを連結する２つの側壁（６）を有する、車両への優先装着方向をもつタイヤ（１）であって、一方のビードから他方のビードへと延びているカーカス補強体（２）と、該カーカス補強体（２）の半径方向外方のクラウン補強体（３）とを有し、該クラウン補強体（３）の幅はＬｓに等しく、クラウン補強体（３）は少なくとも２つのクラウンプライ（４、５）のスタックにより形成され、これらの各クラウンプライは少なくともＬｓに等しい幅を有しかつ本質的に同方向に沿って互いに平行に配置された複数のコードまたはケーブルからなり、該ケーブルは一方のプライから隣接プライにかけて交差しており、子午線方向補強プライ（８）を更に有し、該子午線方向補強プライ（８）は、半径方向で見てカーカス補強体（２）とクラウン補強体（３）との間に配置され、かつ互いに本質的に平行でかつ周方向に対して５０〜９０°の間の平均角度を形成する複数のコードまたはケーブルで形成され、幅Ｌｒをもつこの子午線方向補強プライ（８）は第１縁部（９）および第２縁部（１０）を備え、これらの両縁部（９、１０）がタイヤの赤道平面に対して同じ側に配置されている構成のタイヤ（１）において、前記子午線方向補強プライ（８）が配置されているタイヤの側を表示するマーク手段を有し、該マーク手段は、タイヤが車両に装着されるときに、前記子午線方向補強プライ（８）を車両の内側に配置させる機能を有することを特徴とするタイヤ。
【請求項２】  前記子午線方向補強プライ（８）の幅Ｌｒは、幅Ｌｓの１５〜４５％の間にあることを特徴とする請求項１記載のタイヤ。
【請求項３】  前記子午線方向補強プライ（８）の第１縁部（９）は、タイヤの赤道平面から、幅Ｌｓの３５〜５０％の間の距離Ｄ１の位置に配置され、一方、第２縁部（１０）は、第１縁部とタイヤの赤道平面との間に配置されていることを特徴とする請求項２記載のタイヤ。
【請求項４】  前記子午線方向補強プライ（８）のコードまたはケーブルの方向の子午線方向補強プライ（８）の平均圧縮剛性は１Ｇｐａより大きく、この剛性は、単一コードまたはケーブルの圧縮剛性に、プライ（８）の単位長さ当りのコードまたはケーブルの本数を掛けることにより求められることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載のタイヤ。
【請求項５】  前記クラウン補強体（３）は少なくとも２つのクラウンプライ（４、５）を有し、各クラウンプライは、本質的に同じ方向に沿って互いに平行に配置された複数のテクスタイルコードまたはケーブルにより補強されたゴムマトリックスを有し、クラウン補強プライ（８）は金属ワイヤまたはケーブルにより補強されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載のタイヤ。
【請求項６】  前記子午線方向補強プライ（８）の第２縁部は、赤道平面から、幅Ｌｒの１／３より大きい距離Ｄ２の位置に配置されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載のタイヤ。
【請求項７】  前記補強プライ（８）のワイヤまたはケーブルの角度αは、該補強プライ（８）と接触するクラウン補強体（３）のプライ（４）の補強要素の角度β１と同じ符号を有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項記載のタイヤ。
【請求項８】  前記子午線方向補強プライ（８）の幅Ｌｒは、幅Ｌｓの２０〜３５％の間にあることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項記載のタイヤ。
【請求項９】  周方向に対する前記子午線方向補強プライ（８）のワイヤまたはケーブルの平均角度αは、７０〜９０°の間にあることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項記載のタイヤ。
【請求項１０】  前記タイヤのクラウンの半径方向外側には、走行中に路面と接触するように設計されたゴム配合物で作られたトレッド（３１）を有し、該トレッド（３１）は軸線方向に２つの部分に分割でき、トレッドの各部分には、浮彫要素で形成されたトレッド自体のパターンが設けられており、前記子午線方向補強プライ（８）を備えたクラウン領域の半径方向外方に位置するトレッドのこの部分のトレッドパターンは、トレッドの他の部分のトレッド剛性より小さいトレッド剛性を有することを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項記載のタイヤ。
【請求項１１】  本質的に周方向に沿って本質的に互いに平行に配向された補強要素を備えた少なくとも１つのクラウンフーピングキャッププライを更に有し、子午線方向補強プライ（８）を備えたクラウン領域の単位長さ当りの補強要素の平均本数は、クラウンの残部の単位長さ当りの補強要素の平均本数より少ないことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項記載のタイヤ。
【請求項１２】  タイヤの摩耗を低減できる非対称構造をもつ一群のタイヤを車両に装着する方法であって、各タイヤが２つのビード、クラウン、およびビードとクラウンとを連結する２つの側壁を有し、各タイヤが、一方のビードから他方のビードへと延びているカーカス補強体と、該カーカス補強体の半径方向外方のクラウン補強体とを有し、該クラウン補強体の幅はＬｓに等しく、クラウン補強体は少なくとも２つのクラウンプライのスタックにより形成され、これらの各クラウンプライはＬｓに等しいかこれより大きい幅を有し、かつ本質的に同方向に沿って互いに平行に配置された複数のコードまたはケーブルからなり、該ケーブルは一方のプライから隣接プライにかけて交差しており、各タイヤは子午線方向補強プライを更に有し、該子午線方向補強プライは、半径方向で見てカーカス補強体とクラウン補強体との間に配置され、かつ互いに本質的に平行でかつ周方向に対して５０〜９０°の間の平均角度を形成する複数のワイヤまたはケーブルで形成され、子午線方向補強プライは、該プライの第１縁部と第２縁部との間で測定した幅Ｌｒを有し、この幅Ｌｒは前記幅Ｌｓの１５〜４５％の間にある構成の一群のタイヤを車両に装着する方法において、各タイヤの子午線方向補強プライが車両の内側を向くように、すなわち車両の内側とタイヤの赤道平面との間にあるように４本の前記タイヤを装着することを特徴とする一群のタイヤを車両に装着する方法。
【請求項１３】  前記各タイヤについて、子午線方向補強プライの第１縁部は、幅Ｌｓの３５〜５０％に等しい、タイヤの赤道平面から距離Ｄ１の位置に配置され、一方、子午線方向補強プライの第２縁部は、第１縁部とタイヤの赤道平面との間に配置されていることを特徴とする請求項１２記載の一群のタイヤの装着方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月21日(2007.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
強制フィーダーを有する供給部と、
原料移送部、第１混練部、第２混練部をこの順に有する二軸部であって、前記原料移送部には前記供給部が接続し、前記第２混練部側の端部には、せき止め構造及び／又は絞り調整バルブがあり、この二軸部のＬ／Ｄが１２以上である二軸部と、
前記第２混練部側で、前記二軸部と連通する単軸部とからなり、
前記第１混練部が逆送りのローターと順送りのローターから構成され、（逆送りのローターの延べＬ／Ｄ）／（順送りのローターの延べＬ／Ｄ）が０．４〜２．２であり、ローターのＬ１／Ｄが７〜１３であり、
前記第２混練部のローターのＬ２／Ｄが０〜１０である、混練押出機を用いて、
熱可塑性樹脂及びゴムから選ばれる二種以上、又は熱可塑性樹脂及びゴムから選ばれる一種以上と圧縮されたタルクを混練する、組成物の製造方法。
【請求項２】
前記混練押出機が、前記二軸部である二軸押出部と前記単軸部である単軸押出部からなるタンデムタイプである請求項１に記載の組成物の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の組成物の製造方法により得られる組成物。
【請求項４】
前記組成物がマスターバッチである請求項３記載の組成物。
【請求項５】
請求項４記載のマスターバッチとニート樹脂から成形される成形品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】組成物の製造方法、組成物及び成形品
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月19日(2007.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データ及びその補助情報を取得する取得手段と、
前記画像データを再生すると共に、再生中の画像データに対応する前記補助情報を再生する再生手段と、
を備え、
前記再生手段が、前記画像データの再生速度に応じ、前記再生速度が速いほど再生する前記補助情報の情報量が減少するように、当該再生する補助情報の情報量を増減させることを特徴とする、画像再生装置。
【請求項２】
前記補助情報は、上位の階層が下位の階層より情報量が少ない２以上の階層を持つ階層構造をとり、
前記再生手段は前記階層の中から再生する階層を選択する選択手段を備え、
前記選択手段は前記再生速度が速くなるほど上位の階層を選択することを特徴とする、請求項１に記載の画像再生装置。
【請求項３】
前記補助情報は、前記画像データの撮影位置に対応する地名データであって、上位階層ほど地理的に広範囲を示す地名データを含むことを特徴とする、請求項２に記載の画像再生装置。
【請求項４】
前記補助情報は、前記画像データの撮影日時に対応する日時データであって、上位階層ほど時間的に長い期間を示す日時データを含むことを特徴とする、請求項２又は３に記載の画像再生装置。
【請求項５】
前記補助情報は、前記画像データに対応する字幕データであって、上位階層ほど文字数の少ない字幕データを含むことを特徴とする、請求項２乃至４のいずれか１項に記載の画像再生装置。
【請求項６】
前記字幕データの上位階層の字幕データは、下位階層の字幕データの内容を要約したものであることを特徴とする、請求項５に記載の画像再生装置。
【請求項７】
前記補助情報は、前記画像データのファイル名又は前記画像データが記録されているディレクトリ名を含むことを特徴とする、請求項２乃至６のいずれか１項に記載の画像再生装置。
【請求項８】
前記補助情報は、前記画像データにおける所定時間間隔の代表画像であって、上位階層の情報ほど長い時間間隔における代表画像を含むことを特徴とする、請求項２乃至７のいずれか１項に記載の画像再生装置。
【請求項９】
前記補助情報は、場所情報、日時情報、利用者の操作に基づく情報、のいずれか又はこれらを組み合わせた情報を基準として階層化されることを特徴とする、請求項２乃至８のいずれか１項に記載の画像再生装置。
【請求項１０】
前記再生手段は、前記再生速度が予め定められた程度よりも急激に変化した場合、予め定められた時間の経過を待って段階的に前記補助情報の情報量を増減させることを特徴とする、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の画像再生装置。
【請求項１１】
前記画像データの再生速度が所定の閾値以上となった場合に、前記再生手段に前記補助情報を再生させるよう切り替える切替手段を更に備えることを特徴とする、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の画像再生装置。
【請求項１２】
前記再生手段が再生中の前記補助情報が属する階層を示す階層情報表示手段を備えることを特徴とする、請求項２乃至９のいずれか１項に記載の画像再生装置。
【請求項１３】
前記画像データを撮像する撮像手段と、
前記撮像された画像データを記憶媒体に記録する画像記録手段と、
前記撮像手段による前記画像データの撮像時に、前記画像データの前記補助情報を取得する補助情報取得手段と、
前記補助情報を前記記憶媒体に記録する補助情報記録手段と、
を備えることを特徴とする、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の画像再生装置。
【請求項１４】
利用者から情報の入力を受け付け、当該受け付けた情報に基づいて前記補助情報を生成又は更新する補助情報入力手段を備えることを特徴とする、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の画像再生装置。
【請求項１５】
画像データ及びその補助情報を取得する取得工程と、
前記画像データを再生すると共に、再生中の画像データに対応する前記補助情報を再生する再生工程と、
を備え、
前記再生工程が、前記画像データの再生速度に応じ、前記再生速度が速いほど再生する前記補助情報の情報量が減少するように、当該再生する補助情報の情報量を増減させることを特徴とする、画像再生方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の画像再生装置は、画像データ及びその補助情報を取得する取得手段と、画像データを再生すると共に、再生中の画像データに対応する補助情報を再生する再生手段と、を備え、再生手段が、画像データの再生速度に応じ、前記再生速度が速いほど再生する補助情報の情報量が減少するように、当該再生する補助情報の情報量を増減させることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】