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【手続補正書】
【提出日】平成20年3月12日(2008.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面と、前記主面と反対側の裏面と、前記主面および裏面に形成された複数の導体部と、前記複数の導体部のそれぞれの一部を露出するように、前記主面および裏面のそれぞれに形成されたフィルム状の絶縁膜とを有する配線基板と、
複数の電極が形成された主面、および前記主面と反対側の裏面を有し、前記配線基板の前記主面の前記絶縁膜上にダイボンド用フィルムを介して固定された半導体チップと、
前記配線基板の前記複数の導体部のうち、前記絶縁膜からそれぞれ露出する前記一部と前記半導体チップの前記複数の電極とを電気的に接続する複数のワイヤと、
前記半導体チップおよび前記複数のワイヤを封止する封止体と、
前記配線基板の前記裏面上に設けられ、前記複数の導体部と電気的に接続する複数の外部端子と、
を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、前記配線基板の前記主面と前記裏面のうち、前記導体部の面積が小さい方の面に形成される前記絶縁膜の厚さを、前記導体部の面積が大きい方の面に形成される前記絶縁膜より厚くすることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置において、前記配線基板の前記主面と前記裏面のうち、前記導体部の長さが短い方の面に形成される前記絶縁膜の厚さを、前記導体部の長さが長い方の面に形成される前記絶縁膜より厚くすることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置において、前記配線基板の前記導体部は、銅配線を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置において、前記半導体チップの上に、第２の半導体チップがダイボンド用フィルムを介して固定されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置において、前記半導体チップおよび前記第２の半導体チップは、それぞれ前記配線基板の電極とワイヤによって電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１記載の半導体装置において、前記半導体チップは、主面と、前記主面に対向する裏面と、前記主面に形成された複数の電極とを有し、前記半導体チップは前記半導体チップの前記主面と前記配線基板の前記主面が対向するように搭載されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）主面と、前記主面と反対側の裏面と、前記主面および裏面に形成された複数の導体部と、前記複数の導体部のそれぞれの一部を露出するように、前記主面および裏面のそれぞれに形成されたフィルム状の絶縁膜とを有する配線基板を準備する工程；
（ｂ）複数の電極が形成された主面、および前記主面と反対側の裏面を有する半導体チップを前記配線基板の前記主面の前記絶縁膜上にダイボンド用フィルムを介して固定する工程；
（ｃ）前記配線基板の前記複数の導体部のうち、前記絶縁膜からそれぞれ露出する前記一部と前記半導体チップの前記複数の電極とを複数のワイヤを介して電気的に接続する工程；
（ｄ）前記半導体チップおよび前記複数のワイヤを封止する工程；
（ｅ）前記配線基板の前記裏面上に複数の外部端子を形成する工程。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置の製造方法において、前記（ａ）工程で、それぞれに半導体装置を形成可能な複数の領域が区画形成された前記配線基板である多数個取り基板を準備し、さらに前記（ｄ）工程において、樹脂成形金型の１つのキャビティで前記多数個取り基板の前記複数の領域を一括して覆った状態で樹脂封止を行い、前記（ｅ）工程の後、個片化を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８記載の半導体装置の製造方法において、前記配線基板の前記主面および裏面のそれぞれに形成された前記絶縁膜は、以下の工程により形成されたことを特徴とする；
（ａ１）銅配線が形成されたコア材を準備する工程；
（ａ２）前記（ａ１）工程の後、前記コア材の表面および裏面のそれぞれに前記フィルム状の絶縁膜を配置する工程；
（ａ３）前記（ａ２）工程の後、真空吸着により前記コア材の表面および裏面のそれぞれに前記フィルム状の絶縁膜を圧着する工程；
（ａ４）前記（ａ３）工程の後、プレス機を用いて熱と荷重を前記フィルム状の絶縁膜が圧着された前記コア材に付与し、前記フィルム状の絶縁膜を前記コア材に熱圧着する工程；
（ａ５）前記（ａ４）工程の後、前記フィルム状の絶縁膜が熱圧着された前記コア材を冷却する工程。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
すなわち、本発明は、主面と、前記主面と反対側の裏面と、前記主面および裏面に形成された複数の導体部と、前記複数の導体部のそれぞれの一部を露出するように、前記主面および裏面のそれぞれに形成されたフィルム状の絶縁膜とを有する配線基板と、複数の電極が形成された主面、および前記主面と反対側の裏面を有し、前記配線基板の前記主面の前記絶縁膜上にダイボンド用フィルムを介して固定された半導体チップと、前記配線基板の前記複数の導体部のうち、前記絶縁膜からそれぞれ露出する前記一部と前記半導体チップの前記複数の電極とを電気的に接続する複数のワイヤと、前記半導体チップおよび前記複数のワイヤを封止する封止体と、前記配線基板の前記裏面上に設けられ、前記複数の導体部と電気的に接続する複数の外部端子と、を含むものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明は、（ａ）主面と、前記主面と反対側の裏面と、前記主面および裏面に形成された複数の導体部と、前記複数の導体部のそれぞれの一部を露出するように、前記主面および裏面のそれぞれに形成されたフィルム状の絶縁膜とを有する配線基板を準備する工程；（ｂ）複数の電極が形成された主面、および前記主面と反対側の裏面を有する半導体チップを前記配線基板の前記主面の前記絶縁膜上にダイボンド用フィルムを介して固定する工程；（ｃ）前記配線基板の前記複数の導体部のうち、前記絶縁膜からそれぞれ露出する前記一部と前記半導体チップの前記複数の電極とを複数のワイヤを介して電気的に接続する工程；（ｄ）前記半導体チップおよび前記複数のワイヤを封止する工程；（ｅ）前記配線基板の前記裏面上に複数の外部端子を形成する工程、を含むものである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月13日(2008.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子上に形成された光強度分布の光電変換信号に対して位置検出に係る信号処理を行い、その信号処理結果中の誤差成分を補正して、前記光電変換素子上の位置を検出する位置検出方法であって、
処理対象の光電変換信号に対する学習信号群を直交変換して得られる再構築可能な直交基底ベクトルの内、少なくとも１つの非対称な基底ベクトルの係数と、前記信号処理を前記学習信号に施した場合の信号処理結果との関係式を記憶媒体に記憶する記憶工程と、
前記処理対象の光電変換信号に直交変換を施す直交変換工程と、
前記直交変換工程によって得られる再構築可能な直交基底ベクトルの内、少なくとも１つの非対称な基底ベクトルの係数と、前記記憶媒体に記憶されている関係式を用いて、前記処理対象の光電変換信号に対する信号処理結果を補正する補正工程と
を備えることを特徴とする位置検出方法。
【請求項２】
前記直交変換工程による直交変換は、ＫＬ（Ｋａｒｈｕｎｅｎ−Ｌｏｅｖｅ）展開である
ことを特徴とする請求項１に記載の位置検出方法。
【請求項３】
前記学習信号群は、シミュレーションで計算した信号である
ことを特徴とする請求項１に記載の位置検出方法。
【請求項４】
前記学習信号群は、実際の信号と発生するＯｆｆｓｅｔを検査装置によって検査した検査結果である
ことを特徴とする請求項１に記載の位置検出方法。
【請求項５】
前記学習信号群は、実際の信号と前記信号処理とは別の信号処理で計測した計測値である
ことを特徴とする請求項１に記載の位置検出方法。
【請求項６】
前記学習信号群は、ある基準値に対して対称な学習データである
ことを特徴とする請求項１に記載の位置検出方法。
【請求項７】
前記対称な学習データは、各信号をある基準値で折り返した信号を対にして作成される
ことを特徴とする請求項６に記載の位置検出方法。
【請求項８】
前記位置検出方法を、半導体露光装置のウエハのフォーカス検出に使用する
ことを特徴とする請求項１に項記載の位置検出方法。
【請求項９】
前記位置検出方法を、半導体露光装置のウエハのアライメント検出に使用する
ことを特徴とする請求項１項記載の位置検出方法。
【請求項１０】
光電変換素子上に形成された光強度分布の光電変換信号に対して信号処理を行い、その信号処理結果中の誤差成分を補正して、前記光電変換素子上の位置を検出する位置検出装置であって、
処理対象の光電変換信号に対する学習信号群を直交変換して得られる再構築可能な直交基底ベクトルの内、少なくとも１つの非対称な基底ベクトルの係数と、前記信号処理を前記学習信号に施した場合の信号処理結果との関係式を記憶する記憶手段と、
前記処理対象の光電変換信号に直交変換を施す直交変換手段と、
前記直交変換手段によって得られる再構築可能な直交基底ベクトルの内、少なくとも１つの非対称な基底ベクトルの係数と、前記記憶媒体に記憶されている関係式を用いて、前記処理対象の光電変換信号に対する信号処理結果を補正する補正手段と
を備えることを特徴とする位置検出装置。
【請求項１１】
マスクに形成されたパターンを露光光を用いて基板に投影し転写する露光装置であって、
前記ウエハの表面位置の位置情報を検出する検出系と、
前記検出系で検出された処理対象の信号に対する学習信号群を直交変換して得られる再構築可能な直交基底ベクトルの内、少なくとも１つの非対称な基底ベクトルの係数と、前記処理対象の信号に施す信号処理を前記学習信号に施した場合の信号処理結果との関係式を記憶する記憶手段と、
前記処理対象の信号に直交変換を施す直交変換手段と、
前記直交変換手段によって得られる再構築可能な直交基底ベクトルの内、少なくとも１つの非対称な基底ベクトルの係数と、前記記憶媒体に記憶されている関係式を用いて、前記処理対象の信号に対する信号処理結果を補正する補正手段と
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項１２】
デバイスの製造方法であって、
請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の位置検出方法による位置検出を行う露光装置を用いて、感光材が塗布された基板にパターンを転写する工程と、
前記基板を現像する工程と、
を備えることを特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月13日(2008.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも銅はくと半硬化状態のプリプレグで構成された積層体を準備する工程と、
前記積層体をＳＵＳ板で挟持した積層構造物を熱プレス装置内に載置する工程と、
前記熱プレス装置の熱板によりＳＵＳ板で挟持された前記積層体を加圧・加熱する工程とを備え、
前記熱プレス装置の熱板と前記ＳＵＳ板の間には異方性熱伝導シートが配置されていることを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項２】
少なくとも銅はくと半硬化状態のプリプレグで構成された積層体を準備する工程と、
前記積層体をＳＵＳ板で挟持した積層構造物を複数段重ねて熱プレス装置内に載置する工程と、
前記熱プレス装置の熱板によりＳＵＳ板で挟持された前記積層体を加圧・加熱する工程とを備え、
前記熱プレス装置の熱板と前記ＳＵＳ板の間および積層構造物の間には異方性熱伝導シートが配置されていることを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項３】
積層構造物は積層体とＳＵＳ板とが交互に複数段に積み上げられかつＳＵＳ板で挟持されていることを特徴とする請求項１または２に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項４】
少なくとも２組の積層体がＳＵＳ板に挟持されていることを特徴とする請求項１または２に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項５】
積層体は半硬化状態のプリプレグ間に回路を有するコア基板を備えていることを特徴とする請求項１または２に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項６】
異方性熱伝導シートは厚さ方向と面方向で熱伝導率が異なる性質を備えていることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項７】
異方性熱伝導シートは炭素系材料から得られたグラファイトシートであることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項８】
異方性熱伝導シートの面方向熱伝導率は厚さ方向の熱伝導率より大であることを特徴とする請求項６に記載のプリント配線板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本発明の請求項７に記載の発明は、異方性熱伝導シートは炭素系材料から得られたグラファイトシートであることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板の製造方法というもので、熱板の面内における温度ばらつきが加熱の対象となる基板に伝わる前に異方性熱伝導シート内で緩和され、積層体を均一に加熱することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
また本発明は、異方性熱伝導シートの面方向熱伝導率は厚さ方向の熱伝導率の１００倍以上であることを特徴とするプリント配線板の製造方法というもので、この特性により、熱板の面内における温度ばらつきが加熱の対象となる基板に伝わる前に異方性熱伝導シート内で緩和され、積層体を均一に加熱することができる。さらに面方向熱伝導率は厚さ方向の熱伝導率の１００倍以上であることから、面方向への温度ばらつきを低減させかつ生産性を低下させることなく安定した品質のプリント配線板を効率よく生産することが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
また本発明は、異方性熱伝導シートの厚さ方向の熱伝導率は１〜１０Ｗ／ｍ・Ｋの範囲であり、面方向熱伝導率は５００〜１０００Ｗ／ｍ・Ｋの範囲であることを特徴とするプリント配線板の製造方法というもので、以上の範囲の熱伝導率を有する異方性熱伝導シートを採用することにより、面方向への温度ばらつきを低減させかつ生産性を低下させることなく安定した品質のプリント配線板を効率よく生産することが可能となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
また本発明は、異方性熱伝導シートは、フレキシブル性を備えていることを特徴とするプリント配線板の製造方法というもので、これにより、加熱と同時に行われる加圧において局部的な圧力集中を防ぐことができ、安定した品質のプリント配線板を効率よく生産することが可能となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
また本発明は、異方性熱伝導シートの耐熱温度は４００℃以上であることを特徴とするプリント配線板の製造方法というもので、これにより、熱プレス工程で到達する最高温度（２００〜３００℃）においても異方性熱伝導シートを使用することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
また本発明は、異方性熱伝導シートは外観、寸法、特性が常温から１０００℃まで変化しないことを特徴とするプリント配線板の製造方法というもので、外観、寸法、特性が１０００℃まで変化しないものを選定することにより繰り返し使用回数を増加させることができる。これにより生産コスト低減をも図ることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
また本発明は、異方性熱伝導シートは、鉄（Ｆｅ）、アルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カリウム（Ｋ）、ナトリウム（Ｎａ）の含有量が１ｐｐｍ以下であることを特徴とするプリント配線板の製造方法というもので、これにより、熱プレス工程での基板への不純物付着を最小限にすることができ、安定した品質のプリント配線板を効率よく生産することが可能となる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
また本発明は、異方性熱伝導シートは、塩素（Ｃｌ）の含有量が０．１ｐｐｍ以下であることを特徴とするプリント配線板の製造方法というもので、塩素（Ｃｌ）による基板の銅はくや設備の腐食を防止し、安定した品質のプリント配線板を効率よく生産することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月13日(2008.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）金属箔、もしくは支持体に張り付けられた金属箔、もしくは支持体に張り付けられ回路パターンを形成された金属箔
（２）層間接続手段を備えたＢステージ状態基板材料
（３）回路、金属箔、層間接続手段のうち一つ以上を備えたＢステージ状態基板材料
（４）回路もしくは金属箔を備えたＣステージ状態基板材料もしくは回路もしくは金属箔と層間接続手段を備えたＣステージ状態基板材料
のうち、
少なくとも１種以上の前記Ｂステージ状態基板材料及び２種以上の前記金属箔もしくは前記基板材料を積層物として積層する積層工程を含み、
前記積層物を積層する積層工程において、２枚以上の前記Ｃステージ状態基板材料を前記Ｂステージ状態基板材料に対して前記積層物の特定部位で互いに当接して積層することを特徴とする回路形成基板の製造方法。
【請求項２】
積層工程の前に、前記積層工程において積層する２枚以上のＣステージ状態基板材料が当接する部分を所望寸法まで切断する切断工程を備えることを特徴とする請求項１に記載の回路形成基板の製造方法。
【請求項３】
前記積層工程の後に前記積層物の表層に回路形成する工程を含み、
前記表層に回路形成された積層物は多層の回路形成基板であって、
前記回路形成基板は複数の集合回路形成基板を備え、
２枚以上のＣステージ状態基板材料が互いに当接する特定部位は、互いに隣接する集合回路形成基板の間に位置することを特徴とする請求項１に記載の回路形成基板の製造方法。
【請求項４】
前記積層工程の後に前記積層物の表層に回路形成する工程を含み、
前記表層に回路形成された積層物は多層の回路形成基板であって、
前記回路形成基板は複数の個別回路形成基板で構成される集合回路形成基板を複数備え、
２枚以上のＣステージ状態基板材料が互いに当接する特定部位は、少なくとも１つの集合回路形成基板内の互いに隣接する個別回路形成基板の間に位置することを特徴とする請求項１に記載の回路形成基板の製造方法。
【請求項５】
Ｃステージ状態基板材料は互いに当接する部分は、嵌合する形状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の回路形成基板の製造方法。
【請求項６】
切断は、ダイシング法で行うことを特徴とする請求項２に記載の回路形成基板の製造方法。
【請求項７】
Ｃステージ状態基板材料は表面に回路および導電ペーストで形成された層間接続部を備え、
多層の回路形成基板の表層はレーザービアを備えることを特徴とする請求項３または請求項４に記載の回路形成基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の請求項１に記載の発明は、
（１）金属箔、もしくは支持体に張り付けられた金属箔、もしくは支持体に張り付けられ回路パターンを形成された金属箔
（２）層間接続手段を備えたＢステージ状態基板材料
（３）回路、金属箔、層間接続手段のうち一つ以上を備えたＢステージ状態基板材料
（４）回路もしくは金属箔を備えたＣステージ状態基板材料もしくは回路もしくは金属箔と層間接続手段を備えたＣステージ状態基板材料
のうち、
少なくとも１種以上の前記Ｂステージ状態基板材料及び２種以上の前記金属箔もしくは前記基板材料を積層物として積層する積層工程を含み、
前記積層物を積層する積層工程において、２枚以上の前記Ｃステージ状態基板材料を前記Ｂステージ状態基板材料に対して前記積層物の特定部位で互いに当接して積層することを特徴とする回路形成基板の製造方法としたものであり、ワークサイズの大きな回路形成基板の製造が可能となり、また使用する基板材料の歩留まりを向上させ、個別回路形成基板の生産性を高める等の効果を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の請求項３に記載の発明は、前記積層工程の後に前記積層物の表層に回路形成する工程を含み、前記表層に回路形成された積層物は多層の回路形成基板であって、
前記回路形成基板は複数の集合回路形成基板を備え、２枚以上のＣステージ状態基板材料が互いに当接する特定部位は、互いに隣接する集合回路形成基板の間に位置することを特徴とする請求項１に記載の回路形成基板の製造方法としたものであり、積層後のワークサイズでの有効範囲すなわち回路形成基板としての使用可能範囲が増加することにより、集合回路形成基板の取り数を増加させ、効率的かつ低コストの回路形成基板の製造が可能となる等の効果を有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の請求項４に記載の発明は、前記積層工程の後に前記積層物の表層に回路形成する工程を含み、前記表層に回路形成された積層物は多層の回路形成基板であって、前記回路形成基板は複数の個別回路形成基板で構成される集合回路形成基板を複数備え、２枚以上のＣステージ状態基板材料が互いに当接する特定部位は、少なくとも１つの集合回路形成基板内の互いに隣接する個別回路形成基板の間に位置することを特徴とする請求項１に記載の回路形成基板の製造方法としたものであり、積層後のワークサイズでの有効範囲すなわち回路形成基板としての使用可能範囲が増加することにより、個別回路形成基板の取り数を増加させ、効率的かつ低コストの回路形成基板の製造が可能となる等の効果を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月4日(2008.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に複数の発光体を配列してなる多点光源ユニット同士を組み合わせ自在とした照明装置であって、前記基板の外周には、基板と同等もしくはそれよりも大きい熱伝導率の外郭が設けられ、該外郭は、互いに隣接される多点光源ユニットの外郭に着脱自在に連結されることを特徴とする照明装置。
【請求項２】
各多点光源ユニットの互いに隣り合う発光体同士の間隔と、隣接された多点光源ユニットの互いに隣り合う前記発光体同士の間隔とが、同等に設定されている請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
複数の発光体を配列してなる基板と、該基板の外周に設けられ且つ基板と同等もしくはそれよりも大きい熱伝導率の外郭とを備えた多点光源ユニットにおいて、前記外郭には、他の多点光源ユニットの外郭に設けられた一方の連結部に着脱自在に連結する他方の連結部が設けられていることを特徴とする多点光源ユニット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、多点光源ユニット２は、正六角形状以外の多角形状のものが採用可能である。例えば、図８（ａ）および（ｂ）に示すように４角形状に設定したり、図９（ａ）および（ｂ）に示す８角形状や、三角形状に設定することができる。多点光源ユニット２が４角形状等の場合には、ＬＥＤ２０の第１間隔と第２間隔とを同等にすることもできる。また。正六角形状の多点光源ユニット２と、正五角形状の多点光源ユニット２とを球体に組み合わせて照明装置を製作することも可能である。
多点光源ユニットを平面視多角形状に形成することにより、隣接する多点光源ユニット間に間隙を無くし、発光体の高集積化が可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月8日(2008.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体像を撮像して画像データを得る撮像手段と、前記撮像手段により得られた画像データを保存する複数のフォルダを有する保存手段とを備える撮影装置において、
前記撮像手段により得られた画像データの保存処理に要する保存処理期間中において、前記複数のフォルダの中から前記画像データを保存するフォルダを指示する指示手段と、
前記指示手段により指示されたフォルダに前記画像データを保存させる保存制御手段と
を備えることを特徴とする撮影装置。
【請求項２】
前記保存処理期間中において、前記複数のフォルダに対応する複数のフォルダウィンドウを表示する表示手段を備え、
前記選択手段は、前記表示手段に表示された前記複数のフォルダウィンドウの中から一のフォルダウィンドウを選択する選択手段と、
前記指示手段は、前記選択手段により選択されたフォルダウィンドウに対応するフォルダを、前記画像データを保存するフォルダとして指示する
ことを特徴とする請求項１記載の撮影装置。
【請求項３】
複数の方向に押下可能な操作部を備え、
前記表示手段は、前記複数の方向に対応させて前記複数のフォルダウィンドウを表示し、
前記選択手段は、前記操作部が押下された方向に対応するフォルダウィンドウを選択する
ことを特徴とする請求項２記載の撮影装置。
【請求項４】
被写体像を撮像して画像データを得る撮像手段と、前記撮像手段により得られた画像データを保存する複数のフォルダを備える撮影装置の撮影方法において、
前記撮像手段により得られた画像データの保存処理に要する保存処理期間中において、前記複数のフォルダの中から前記画像データを保存するフォルダを指示する指示ステップと、
前記指示ステップにおいて指示されたフォルダに前記画像データを保存させる保存制御ステップと
を含むことを特徴とする撮影方法。
【請求項５】
被写体像を撮像して画像データを得る撮像手段と、前記撮像手段により得られた画像データを保存する複数のフォルダを備える撮影装置のコンピュータを、
前記撮像手段により得られた画像データの保存処理に要する保存処理期間中において、前記複数のフォルダの中から前記画像データを保存するフォルダを指示する指示手段、
前記指示手段により指示されたフォルダに前記画像データを保存させる保存制御手段、
として機能させるプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮影装置、撮影方法、およびプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、撮影された画像データを記録媒体に記録する撮影装置、撮影方法、およびプログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項１記載の発明は、被写体像を撮像して画像データを得る撮像手段と、前記撮像手段により得られた画像データを保存する複数のフォルダを有する保存手段とを備える撮影装置において、前記撮像手段により得られた画像データの保存処理に要する保存処理期間中において、前記複数のフォルダの中から前記画像データを保存するフォルダを指示する指示手段と、前記指示手段により指示されたフォルダに前記画像データを保存させる保存制御手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項４記載の発明は、被写体像を撮像して画像データを得る撮像手段と、前記撮像手段により得られた画像データを保存する複数のフォルダを備える撮影装置の撮影方法において、前記撮像手段により得られた画像データの保存処理に要する保存処理期間中において、前記複数のフォルダの中から前記画像データを保存するフォルダを指示する指示ステップと、前記指示ステップにおいて指示されたフォルダに前記画像データを保存させる保存制御ステップとを含むことを特徴とする。
また、請求項５記載の発明は、被写体像を撮像して画像データを得る撮像手段と、前記撮像手段により得られた画像データを保存する複数のフォルダを備える撮影装置のコンピュータを、前記撮像手段により得られた画像データの保存処理に要する保存処理期間中において、前記複数のフォルダの中から前記画像データを保存するフォルダを指示する指示手段、前記指示手段により指示されたフォルダに前記画像データを保存させる保存制御手段、として機能させる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月23日(2008.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影時の露出条件の設定情報を入力するための入力手段と、
前記露出条件による撮影画像のプレビューを指示操作するための指示手段と、
前記指示手段によるプレビュー指示に応じて、前記入力された露出条件の設定情報に従って仮撮影を行う撮影手段と、
前記仮撮影により得られた撮影画像に基づいてプレビュー画像を生成する画像生成手段
と、
表示画面上に子画面を設け、当該子画面上に前記プレビュー画像を表示する表示手段と、
を備えることを特徴とする撮影装置。
【請求項２】
前記撮影手段により得られている撮影画像を前記表示画面上にスルー表示させると同時に、前記子画面上に前記プレビュー画像を表示するよう前記表示手段を制御する表示制御手段を備えることを特徴とする請求項１記載の撮影装置。
【請求項３】
前記入力手段は、複数の露出条件の設定情報を入力し、
前記撮影手段は、前記入力された複数の露出条件の設定情報に従って複数回仮撮影を行い、
前記画像生成手段は、前記仮撮影により得られた複数の撮影画像についてそれぞれプレビュー画像を生成し、
前記表示手段は、前記生成された複数のプレビュー画像を表示することを特徴とする請求項１又は２に記載の撮影装置。
【請求項４】
前記表示手段は、前記子画面上に前記プレビュー画像を表示するとともに、当該プレビュー画像と対応付けてその撮影時の露出条件の情報を表示することをすることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の撮影装置。
【請求項５】
前記プレビュー画像にその撮影時の露出条件に応じた画像処理を施す画像処理手段を備え、
前記表示手段は、前記画像処理が施されたプレビュー画像を表示することを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の撮影装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項１及び２記載の発明によれば、仮撮影を行ってユーザにより設定された露出条件のプレビュー画像を生成して表示するので、ユーザはプレビュー画像により設定した露出条件による撮影効果を本撮影前に確認することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項３記載の発明によれば、複数の露出条件のプレビュー画像を生成して表示するので、ユーザはプレビュー画像により複数の露出条件の撮影効果を確認することができるとともに、各露出条件の撮影効果を比較することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項４記載の発明によれば、プレビュー画像の露出条件の情報により、どのプレビュー画像がどの露出条件によるものかを容易に認識することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項５記載の発明によれば、プレビュー画像の露出条件に応じてその撮影効果を強調するような画像処理を施すことができる。これにより、小画面上に表示されたプレビュー画像のサイズが小さい場合でも、その撮影条件による撮影効果を把握しやすくなる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月22日(2008.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハの表面を研磨する化学機械研磨装置であって、
前記ウェハを載置する研磨テーブルと、
前記研磨テーブル上にスラリーを滴下して供給する複数のスラリー供給ラインと、
前記複数のスラリー供給ラインにそれぞれ異なるスラリーを供給する複数のスラリーユ
ニットと、
を含むことを特徴とする化学機械研磨装置。
【請求項２】
前記複数のスラリーユニットとして、前記ウェハの被研磨膜により形成された表面の凸
部の段差を緩和するための高平坦化スラリーを供給する第一のスラリーユニットと、前記
ウェハの被研磨膜と比較してストッパー膜の研磨速度が小さい高選択スラリーを供給する
第二のスラリーユニットと、前記ウェハの被研磨膜およびストッパー膜の表面の段差を緩
和するための低選択スラリーを供給する第三のスラリーユニットと、を含むことを特徴と
する請求項１に記載の化学機械研磨装置。
【請求項３】
連続した複数の研磨ステップによりウェハの表面を同一の研磨テーブル上で研磨する半導体装置の製造方法であって、
前記複数の研磨ステップのうちいずれかの研磨ステップに、異なる性質のスラリーを混
合した混合スラリーを用いる研磨ステップを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記混合スラリーを用いる研磨ステップを、二種類の異なる性質のスラリーを前記研磨
テーブル上に前記ウェハの被研磨膜により形成された表面の凸部の段差を緩和するための
高平坦化スラリーの割合を大きくして混合比を変化させることなく所定の混合比で滴下し
ながら混合して研磨する研磨ステップとすることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記混合スラリーを用いる研磨ステップを、二種類の異なる性質のスラリーを前記研磨
テーブル上に混合比を変化させて滴下しながら混合して研磨する研磨ステップとすること
を特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
連続した複数の研磨ステップによりウェハの表面を同一の研磨テーブル上で研磨する半導体装置の製造方法であって、
前記ウェハの表面を、前記ウェハの被研磨膜により形成された表面の凸部の段差を緩和
するための高平坦化スラリーを前記研磨テーブル上に滴下して研磨する第一研磨ステップ
と、
前記第一研磨ステップにより研磨された前記ウェハの表面を、前記高平坦化スラリーと
、前記ウェハの被研磨膜と比較してストッパー膜の研磨速度が小さい高選択スラリーとを
前記研磨テーブル上に混合比を変化させることなく所定の混合比で滴下しながら混合して
研磨する第二研磨ステップと、
前記第二研磨ステップにより研磨された前記ウェハの表面を、前記高選択スラリーと、
前記ウェハの被研磨膜およびストッパー膜の表面の段差を緩和するための低選択スラリー
とを高選択スラリーの割合が大から小になるように混合比を変化させて前記研磨テーブル
上に滴下しながら混合して研磨する第三研磨ステップと、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記複数の研磨ステップのうちいずれかの研磨ステップにおいて、純水を混合したスラ
リーを用いて研磨することを特徴とする請求項３〜６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
第一の研磨テーブル上でウェハの表面を第一のスラリーで化学機械研磨する第一研磨ステップと、
前記第一の研磨テーブル上で前記ウェハの表面を、前記第一のスラリーに第二のスラリーを加えて化学機械研磨する第二研磨ステップとを有する半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第一のスラリーと前記第二のスラリーとして、互いに性質が異なるものを用い、
前記第一研磨ステップの後に前記第二研磨ステップを連続的に実施し、
前記第一研磨ステップと前記第二研磨ステップとを行う化学機械研磨装置として、前記第一の研磨テーブルと、前記第一のスラリーを前記第一の研磨テーブルに供給する第一のスラリーユニットと、前記第二のスラリーを前記第一の研磨テーブルに供給する第二のスラリーユニットとを含むものを用いることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】化学機械研磨装置および半導体装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は化学機械研磨装置および半導体装置の製造方法に関し、特に、研磨特性の異なるスラリーを混合して研磨する化学機械研磨装置および半導体装置の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
上記従来の化学機械研磨装置、および半導体装置の製造方法では、それぞれの工程で用いるスラリー固有の特性のみが発揮され、それ以外の研磨特性を得られないという問題があった。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は上記課題を解決するためになされたもので、使用するスラリーに多機能性を持
たせ、且つ、スループットを向上させることができる化学機械研磨装置、および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、連続した複数の研磨ステップによりウェハの表面を同一の研磨テーブル上で研磨する半導体装置の製造方法であって、前記複数の研磨ステップのうちいずれかの研磨ステップに、異なる性質のスラリーを混合した混合スラリーを用いる研磨ステップとを含むことを特徴とする。
本発明のその他の特徴については、以下において詳細に説明する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば、化学機械研磨装置の研磨テーブル上に複数の異なる性質のスラリーを
供給して混合することにより、使用するスラリーに多機能性を持たせ、且つ、スループッ
トを向上させることができる化学機械研磨装置、および半導体装置の製造方法を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月17日(2008.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタと透明画素電極を有し、Ａｌ合金膜と酸化物導電膜が、高融点金属を介さずに直接接続しており、その接触界面にＡｌ合金成分の一部または全部が析出もしくは濃化して存在する薄膜トランジスタ基板であって、
前記Ａｌ合金膜は、合金成分として、グループαに属する元素を０．１原子％以上６原子％以下、およびグループＸに属する元素を０．１原子％以上２．０原子％以下の範囲で含有するＡｌ−α−Ｘ合金からなり、前記グループαは、Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，およびＧｅよりなる群から選択される少なくとも一種の元素であり、前記グループＸは、Ｌａおよび／またはＧｄの元素であることを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
【請求項２】
前記Ａｌ合金膜は、２５０℃で３０分加熱したときの電気抵抗率が７μΩ・ｃｍ以下である請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項３】
請求項１または２に記載の薄膜トランジスタ基板を備えた表示デバイス。
【請求項４】
合金成分として、グループαに属する元素を０．１原子％以上６原子％以下、およびグループＸに属する元素を０．１原子％以上２．０原子％以下の範囲で含有するＡｌ−α−Ｘ合金からなり、前記グループαは、Ｎｉ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｕ，およびＧｅよりなる群から選択される少なくとも一種の元素であり、前記グループＸは、Ｌａおよび／またはＧｄの元素であることを特徴とする表示デバイス用のスパッタリングターゲット。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月19日(2007.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
ポリシリコンに基づくＧＨｚ薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構築することの実現性、及びそのようなＴＦＴの特性を測定するための技術が当該技術分野において知られている。高解像度リソグラフィを、レーザ再結晶化及び金属誘起横方向再結晶化を含む、移動度を向上させる再結晶化技法と組み合わせて、２．４ＧＨｚ未満で動作することができるｐチャネルトランジスタ及びｎチャネルトランジスタの両方を実現することができる。
なお、本出願に対応する外国の特許出願においては下記の文献が発見または提出されている。
【特許文献１】米国特許第６，８７８，１８４号明細書
【特許文献２】米国特許第６，７４６，１０２号明細書
【特許文献３】米国特許第６，６６４，０２７号明細書
【特許文献４】米国特許第６，６４１，９７８号明細書
【特許文献５】米国特許第６，５９３，０６４号明細書
【特許文献６】米国特許第６，５４１，１８１号明細書
【特許文献７】米国特許第６，５１１，８７０号明細書
【特許文献８】米国特許第６，５０９，２１７号明細書
【特許文献９】米国特許第６，３８７，５９７号明細書
【特許文献１０】米国特許第６，３４８，２９５号明細書
【特許文献１１】米国特許第６，３２３，０６９号明細書
【特許文献１２】米国特許第６，３１６，３５７号明細書
【特許文献１３】米国特許第６，２９４，４０１号明細書
【特許文献１４】米国特許第６，２５５，０３３号明細書
【特許文献１５】米国特許第６，２４５，６０２号明細書
【特許文献１６】米国特許出願公開第２００５／０１８１５６６号明細書
【特許文献１７】米国特許出願公開第２００５／０１７６１９１号明細書
【特許文献１８】米国特許出願公開第２００５／０１７６１８３号明細書
【特許文献１９】米国特許出願公開第２００５／０１４８１２１号明細書
【特許文献２０】米国特許出願公開第２００５／０１３４４６３号明細書
【特許文献２１】米国特許出願公開第２００５／０１３３７９０号明細書
【特許文献２２】米国特許出願公開第２００４／０２４８４２９号明細書
【特許文献２３】米国特許出願公開第２００３／０１８０４５１号明細書
【特許文献２４】米国特許第６，８６４，１３３号明細書
【特許文献２５】米国特許第６，７６７，７７５号明細書
【特許文献２６】米国特許第６，５４１，３５４号明細書
【特許文献２７】米国特許第６，５１８，０８７号明細書
【特許文献２８】米国特許第６，３７９，７４５号明細書
【特許文献２９】米国特許第６，２７４，４１２号明細書
【特許文献３０】米国特許第５，９８９，９４５号明細書
【特許文献３１】米国特許第５，９８９，９４４号明細書
【特許文献３２】米国特許第５，９２６，７３５号明細書
【特許文献３３】米国特許第５，８２１，１３７号明細書
【特許文献３４】米国特許第５，６７９，１３８号明細書
【特許文献３５】米国特許第５，６５８，８０８号明細書
【特許文献３６】米国特許第５，６１２，２３５号明細書
【特許文献３７】米国特許第５，５６１，０３０号明細書
【特許文献３８】米国特許第５，１３２，２４８号明細書
【特許文献３９】米国特許第４，７６９，６８６号明細書
【特許文献４０】国際公開第０１／０４６９８７号パンフレット
【特許文献４１】国際公開第００／０５９０４１号パンフレット
【非特許文献１】H.Somberg; Ink Jet Printing for Metallization on Very Thin Solar Cells; IEEE 1980; Pgs 666-7: Global Photovoltaic Specialists, Inc: Canoga Park, California USA.
【非特許文献２】Marinko V. Sarunic, Glenn H. Chapman & Yuqiang TU; A prototype Laser Activated Bimetallic Thermal Resist for Microfabrication; Laser Applications in Microelectronic and Optoelectronic Mfg. VI; Proc. SPIE; Vol. 4274; 2001; Editors: M. Gower, H. Helvajian, K. Sugioka & J. Dubowski; 11 Pgs.
【非特許文献３】Jeffery Parker & Wayne Renken; In Situ Wafer and Photomask Temperature Metrology for CD Control in Deep UV Lithography; SensArray Corp., 3410 Garrett Drive, Santa Clara, CA 95054; 8 Pgs.
【非特許文献４】Creo Positive Thermal Plate; Creo Inc., 3700 Gilmore Way, Burnaby, BC, Canada V5G 4M1, 4 Pgs.
【非特許文献５】Creo Enters Gravure Market with Innovative Exactus System; February 20, 2004; 3 Pgs.
【非特許文献６】SQUAREspot thermal imaging technology; Creo SQUAREspot Thermal Imaging-optimum imaging for CTP; 2005; 2 Pgs.
【非特許文献７】Zhibin XIONG et al.; Ａ Novel Self-Aligned Offset-Gated Polysilicon TFT Using High-Ｋ  Dielectric Spacers; IEEE Electron Dev. Letters; Vol. 25, No. 4; April 2004; Pgs. 194-195.
【非特許文献８】L. H. Lee et al.; The Improvement of Reliability in the Poly-Si TFTs Employing Laser Irradiation on Gate Oxide; AM-LCD '03; Pgs. 169 et seq.(TFTp3-3).
【非特許文献９】Hongmei Wang et al.; High Frequency Performance of Large-Grain Polysilicon-on-Insulator MOSFETs; IEEE Transactions on Electron Devices; Vol. 48, No. 7; July 2001; Pgs. 1480-1482.
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月18日(2008.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイス製造装置であって、
処理チャンバと、
中継チャンバと、
前記デバイス製造装置の外部と前記中継チャンバとの間に設けられた第１ロードロック室と、
前記中継チャンバと前記処理チャンバとの間に設けられた第２ロードロック室と、
前記処理チャンバ内の圧力を第１の圧力に調整する第１の調整機構と、
前記中継チャンバ内の圧力を前記第１の圧力と前記外部の圧力との中間の第２の圧力に調整する２の調整機構と、
を有することを特徴とするデバイス製造装置。
【請求項２】
前記第１の調整機構は、前記処理チャンバ内を第１の真空度に調整し、前記第２の調整機構は、前記中継チャンバ内を前記第１の真空度と前記外部の圧力との中間の第２の真空度に調整する、ことを特徴とする請求項１に記載のデバイス製造装置。
【請求項３】
前記第１の調整機構は、前記処理チャンバ内を第１のガス組成に調整し、前記第２の調整機構は、前記中継チャンバ内を前記第１のガス組成と前記外部のガス組成との中間の第２のガス組成に調整する、ことを特徴とする請求項１または２に記載のデバイス製造装置。
【請求項４】
前記第１ロードロック室の容積が前記第２ロードロック室の容積よりも大きい、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のデバイス製造装置。
【請求項５】
複数の前記第１ロードロック室を含む、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のデバイス製造装置。
【請求項６】
複数の前記第２ロードロック室を含む、ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のデバイス製造装置。
【請求項７】
容積の異なる複数の前記第１ロードロック室を含む、ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のデバイス製造装置。
【請求項８】
前記第１の調整機構は、前記第１ロードロック室内を排気する排気機構を含み、前記排気機構は、前記第１ロードロック室内の真空度に基づいて排気速度を切り替える、ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のデバイス製造装置。
【請求項９】
前記第１の調整機構は、前記第１ロードロック室内に特定のガスを供給する供給機構を含み、前記供給機構は、前記第１ロードロック室内の圧力に基づいて前記特定のガスの供給速度を切り替える、ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のデバイス製造装置。
【請求項１０】
前記処理チャンバ内で被処理物に対し露光処理を行う、ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のデバイス製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】デバイス製造装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体素子等を製造するための露光装置のようなデバイス製造装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、デバイス製造装置のスループットを向上することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記の目的を達成するための本発明によるデバイス製造装置は以下の構成を備える。即ち、
デバイス製造装置であって、
処理チャンバと、
中継チャンバと、
前記デバイス製造装置の外部と前記中継チャンバとの間に設けられた第１ロードロック室と、
前記中継チャンバと前記処理チャンバとの間に設けられた第２ロードロック室と、
前記処理チャンバ内の圧力を第１の圧力に調整する第１の調整機構と、
前記中継チャンバ内の圧力を前記第１の圧力と前記外部の圧力との中間の第２の圧力に調整する２の調整機構と、
を有する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記の構成によれば、デバイス製造装置のスループットを向上することができる。