【手続補正書】
【提出日】平成20年4月11日(2008.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】不揮発性メモリとその駆動方法、及び半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリ素子のしきい値電圧を設定した電圧以上にする駆動方法であって、
ベリファイ動作において、前記メモリ素子のしきい値電圧を増加させる第１の動作と、前記メモリ素子のしきい値電圧と前記設定した電圧との大小関係を判定する第２の動作と、が同時に行われ、
前記第２の動作では、判定結果がベリファイ信号として出力され、
前記ベリファイ信号は、前記メモリ素子のしきい値電圧が前記設定した電圧より小さい場合に第１の値をとり、前記メモリ素子のしきい値電圧が前記設定した電圧より大きい場合に第２の値をとり、
前記第１の動作は、前記ベリファイ信号が前記第１の値をとる場合に行われ、前記ベリファイ信号が前記第２の値をとる場合には行われず、
前記ベリファイ動作は、前記ベリファイ信号が前記第１の値から前記第２の値に変わることによって終了することを特徴とする不揮発性メモリの駆動方法。
【請求項２】
メモリ素子のしきい値電圧を設定した電圧以下にする駆動方法であって、
ベリファイ動作において、前記メモリ素子のしきい値電圧を減少させる第１の動作と、前記メモリ素子のしきい値電圧と前記設定した電圧との大小関係を判定する第２の動作と、が同時に行われ、
前記第２の動作では、判定結果がベリファイ信号として出力され、
前記ベリファイ信号は、前記メモリ素子のしきい値電圧が前記設定した電圧より大きい場合に第１の値をとり、前記メモリ素子のしきい値電圧が前記設定した電圧より小さい場合に第２の値をとり、
前記第１の動作は、前記ベリファイ信号が前記第１の値をとる場合に行われ、前記ベリファイ信号が前記第２の値をとる場合には行われず、
前記ベリファイ動作は、前記ベリファイ信号が前記第１の値から前記第２の値に変わることによって終了することを特徴とする不揮発性メモリの駆動方法。
【請求項３】
メモリ素子のしきい値電圧を設定した電圧以上にする駆動方法であって、
ベリファイ動作において、前記メモリ素子のしきい値電圧を増加させる第１の動作と、前記メモリ素子のしきい値電圧と前記設定した電圧との大小関係を判定する第２の動作と、が同時に行われ、
前記ベリファイ動作は、連続する第１の期間と第２の期間とを少なくとも有し、前記第１の期間において、ベリファイ信号は第１の値をとり、
前記第２の期間において、前記第２の動作は、判定結果を前記ベリファイ信号として出力し、
前記第２の期間において、前記ベリファイ信号は、前記メモリ素子のしきい値電圧が前記設定した電圧より小さい場合に前記第１の値をとり、前記メモリ素子のしきい値電圧が前記設定した電圧より大きい場合に第２の値をとり、
前記第１の動作は、前記第２の期間において前記ベリファイ信号が前記第１の値をとる場合に行われ、前記ベリファイ信号が前記第２の値をとる場合に行われず、
前記ベリファイ動作は、前記ベリファイ信号が前記第１の値から前記第２の値に変わることによって終了することを特徴とする不揮発性メモリの駆動方法。
【請求項４】
メモリ素子のしきい値電圧を設定した電圧以下にする駆動方法であって、
ベリファイ動作において、前記メモリ素子のしきい値電圧を減少させる第１の動作と、前記メモリ素子のしきい値電圧と前記設定した電圧との大小関係を判定する第２の動作と、が同時に行われ、
前記ベリファイ動作は、連続する第１の期間と第２の期間とを少なくとも有し、前記第１の期間において、ベリファイ信号は第１の値をとり、
前記第２の期間において、前記第２の動作は、判定結果を前記ベリファイ信号として出力し、
前記第２の期間において、前記ベリファイ信号は、前記メモリ素子のしきい値電圧が前記設定した電圧より大きい場合に前記第１の値をとり、前記メモリ素子のしきい値電圧が前記設定した電圧より小さい場合に第２の値をとり、
前記第１の動作は、前記第２の期間において前記ベリファイ信号が前記第１の値をとる場合に行われ、前記ベリファイ信号が前記第２の値をとる場合に行われず、
前記ベリファイ動作は、前記ベリファイ信号が前記第１の値から前記第２の値に変わることによって終了することを特徴とする不揮発性メモリの駆動方法。
【請求項５】
請求項３又は４において、前記第１の期間は、１μｓｅｃ以下であることを特徴とする不揮発性メモリの駆動方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、前記ベリファイ動作は、ワード線を共有する複数のメモリ素子に対して、メモリ素子毎に独立に行われることを特徴とする不揮発性メモリの駆動方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記ベリファイ動作は多値の不揮発性メモリに対して行われることを特徴とする不揮発性メモリの駆動方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、前記第１の動作は、ホットエレクトロン注入方式、トンネル電流による注入方式、又はトンネル電流による放出方式によって行われることを特徴とする不揮発性メモリの駆動方法。
【請求項９】
メモリ素子のしきい値電圧を設定した電圧以上にするベリファイ動作を行う不揮発性メモリであって、
前記ベリファイ動作を行う回路は、前記メモリ素子のしきい値電圧を増加させる第１の動作と、前記メモリ素子のしきい値電圧と前記設定した電圧との大小関係を判定する第２の動作と、を同時に行う機能を有し、
前記ベリファイ動作を行う回路は、前記第２の動作において、前記メモリ素子のしきい値電圧が前記設定した電圧より小さい場合に第１の値をとり、前記メモリ素子のしきい値電圧が前記設定した電圧より大きい場合に第２の値をとるベリファイ信号を発生する機能を有し、
前記ベリファイ動作を行う回路は、前記ベリファイ信号が前記第１の値をとる場合に前記第１の動作を行い、前記ベリファイ信号が前記第２の値をとる場合に前記第１の動作を行わない機能を有し、
前記ベリファイ動作を行う回路は、前記ベリファイ信号が前記第１の値から前記第２の値に変わることによって、前記ベリファイ動作を終了することを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項１０】
メモリ素子のしきい値電圧を設定した電圧以下にするベリファイ動作を行う不揮発性メモリであって、
前記ベリファイ動作を行う回路は、前記メモリ素子のしきい値電圧を減少させる第１の動作と、前記メモリ素子のしきい値電圧と前記設定した電圧との大小関係を判定する第２の動作と、を同時に行う機能を有し、
前記ベリファイ動作を行う回路は、前記第２の動作において、前記メモリ素子のしきい値電圧が前記設定した電圧より大きい場合に第１の値をとり、前記メモリ素子のしきい値電圧が前記設定した電圧より小さい場合に第２の値をとるベリファイ信号を発生する機能を有し、
前記ベリファイ動作を行う回路は、前記ベリファイ信号が前記第１の値をとる場合に前記第１の動作を行い、前記ベリファイ信号が前記第２の値をとる場合に前記第１の動作を行わない機能を有し、
前記ベリファイ動作を行う回路は、前記ベリファイ信号が前記第１の値から前記第２の値に変わることによって、前記ベリファイ動作を終了することを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項１１】
メモリ素子のしきい値電圧を設定した電圧以上にするベリファイ動作を行う不揮発性メモリであって、
前記ベリファイ動作は、連続する第１の期間と第２の期間とを少なくとも有し、前記ベリファイ動作を行う回路は、前記メモリ素子のしきい値電圧を増加させる第１の動作と、前記メモリ素子のしきい値電圧と前記設定した電圧との大小関係を判定する第２の動作と、を同時に行う機能を有し、
前記ベリファイ動作を行う回路は、前記第１の期間において、第１の値をとるベリファイ信号を発生する機能を有し、
前記ベリファイ動作を行う回路は、前記第２の期間において、前記メモリ素子のしきい値電圧が前記設定した電圧より小さい場合に前記第１の値をとり、前記メモリ素子のしきい値電圧が前記設定した電圧より大きい場合に第２の値をとるベリファイ信号を発生する機能を有し、
前記ベリファイ動作を行う回路は、前記第２の期間において前記ベリファイ信号が前記第１の値をとる場合に前記第１の動作を行い、前記ベリファイ信号が前記第２の値をとる場合に前記第１の動作を行わない機能を有し、
前記ベリファイ動作を行う回路は、前記ベリファイ信号が前記第１の値から前記第２の値に変わることによって前記ベリファイ動作を終了する機能を有することを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項１２】
メモリ素子のしきい値電圧を設定した電圧以下にするベリファイ動作を行う不揮発性メモリであって、
前記ベリファイ動作は、連続する第１の期間と第２の期間とを少なくとも有し、前記ベリファイ動作を行う回路は、前記メモリ素子のしきい値電圧を減少させる第１の動作と、前記メモリ素子のしきい値電圧と前記設定した電圧との大小関係を判定する第２の動作と、を同時に行う機能を有し、
前記ベリファイ動作を行う回路は、前記第１の期間において、第１の値をとるベリファイ信号を発生する機能を有し、
前記ベリファイ動作を行う回路は、前記第２の期間において、前記メモリ素子のしきい値電圧が前記設定した電圧より大きい場合に前記第１の値をとり、前記メモリ素子のしきい値電圧が前記設定した電圧より小さい場合に第２の値をとるベリファイ信号を発生する機能を有し、
前記ベリファイ動作を行う回路は、前記第２の期間において前記ベリファイ信号が前記第１の値をとる場合に前記第１の動作を行い、前記ベリファイ信号が前記第２の値をとる場合に前記第１の動作を行わない機能を有し、
前記ベリファイ動作を行う回路は、前記ベリファイ信号が前記第１の値から前記第２の値に変わることによって前記ベリファイ動作を終了する機能を有することを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項１３】
請求項１１又は１２において、前記第１の期間は１μｓｅｃ以下であることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項１４】
請求項９乃至１３のいずれか一項において、前記ベリファイ動作は、ワード線を共有する複数のメモリ素子に対して、メモリ素子毎に独立に行われることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項１５】
請求項９乃至１４のいずれか一項において、前記不揮発性メモリは多値の不揮発性メモリであることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項１６】
請求項９乃至１５のいずれか一項において、前記第１の動作は、ホットエレクトロン注入方式、トンネル電流による注入方式、又はトンネル電流による放出方式によって行われることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項１７】
請求項９乃至１６のいずれか一項において、前記メモリ素子はｎチャネル型メモリ素子であることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項１８】
請求項９乃至１６のいずれか一項において、前記メモリ素子はｐチャネル型メモリ素子であることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項１９】
請求項９乃至１８のいずれか一項において、前記不揮発性メモリはＮＯＲ型の不揮発性メモリであることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項２０】
請求項９乃至１８のいずれか一項において、前記不揮発性メモリはＮＡＮＤ型の不揮発性メモリであることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項２１】
請求項９乃至２０のいずれか一項に記載の不揮発性メモリを記録媒体として利用することを特徴とする半導体装置。
【請求項２２】
請求項２１において、前記半導体装置とは、マイクロプロセッサであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２３】
請求項２１において、前記半導体装置とは、ディスプレイ、ビデオカメラ、頭部取り付け型のディスプレイ、ＤＶＤプレーヤー、ゴーグル型ディスプレイ、パーソナルコンピュータ、携帯電話、又はカーオーディオであることを特徴とする半導体装置。