【手続補正書】
【提出日】平成19年11月7日(2007.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(a)  プラズマ発生器（14）と、
(b)  前記発生器(14)内のプラズマが内部室を通過し、その室内に置かれた基板(18)の表面と反応するように前記プラズマ発生器と連通する処理室（16）と、
(c)  複数のゾーン(a−n)に配置された複数の放射加熱要素（58）を含み、前記各ゾーンに、少なくとも１つの前記放射加熱要素と、前記基板に向けて前記放射加熱要素から放射エネルギーを集束させるための集光反射器（56）とを備えて、前記基板（18）を加熱するための放射加熱アセンブリ（20）と、
(d)  前記基板の温度フィードバック信号（25）を与えるためのフィードバック機構（24）と、
(e)  温度設定点信号（27）と前記温度フィードバック信号（25）を受信し、これらの信号に応じて、前記放射加熱要素を有する複数のゾーンに加える出力を独立に制御するコントローラ（22）とを含み、
前記コントローラ（22）は、前記温度設定点信号（27）と前記温度フィードバック信号（25）との間の差（Δ）の大きさに応じて、少なくとも第１のランプ状態（82）および第２の定常状態（84）において作動するものであり、さらに、
(f)  記憶された温度ゾーンマップ（88）に基づいた前記少なくとも前記定常状態（84）における放射加熱要素の複数のゾーン(a−n)に加えられる出力を独立に制御する出力コントローラ（90）を含むことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記コントローラ（22）は、さらに、前記温度設定点信号（27）と前記温度フィードバック信号（25）との間の差（Δ）の大きさに応じて、第１のランプ状態（82）および第２の定常状態（84）における中間の移行状態（86）で作動することを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
１つのプロセッサ（87）が、前記温度設定点信号（27）と前記温度フィードバック信号（25）との間の差（Δ）の大きさを決定し、前記プロセッサ（87）が前記ゾーンマップ（88）を読み込み、前記出力コントローラ（90）に制御信号を出力することを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記フィードバック機構（24）は、単一の熱電対を含んでいることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記コントローラ（22）は、２００℃以下の処理状態に対する温度を制御し、かつ前記温度設定点信号（27）の２％以内に前記基板上のある点から別の点までの温度勾配を制御することを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記放射加熱要素（58）は、少なくとも２つのほぼ同心状の円形アレイ（60、62）に配置されており、これらの円形アレイは、ほぼ半円球または放物線断面を有することを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記プラズマ処理装置は、フォトレジストアッシャーであることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
真空状態を必要とする処理に対して前記処理室（16）を排気するために真空ポンプ（26）が設けられ、また、前記処理室の壁（52）の温度を制御するための手段（72）が設けられていることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
プラズマ発生器（14）と、これに連通する処理室（16）とを含み、前記プラズマ発生器内のプラズマが前記処理室内を通過し、かつこの処理室内に置かれた基板（18）の表面と反応するプラズマ処理装置（10）のための温度制御装置（20、22、24）であって、
(a)  複数のゾーン(a−n)内に配置された複数の放射加熱要素（58）を含み、前記各ゾーン(a−n)に、少なくとも１つの加熱要素と、前記基板に向けて放射要素から放射エネルギーを集束させるための集光反射器（56）とを備えて、前記基板（18）を加熱する放射加熱アセンブリ（20）と、
(b)  前記基板の温度フィードバック信号を与えるためのフィードバック機構(24)と、
(c)  温度設定点信号（27）と前記温度フィードバック信号を受信し、これらの信号に応じて、前記放射加熱要素の複数のゾーンに加えられる出力を独立に制御するコントローラ（22）とを含み、
前記コントローラ（22）は、前記温度設定点信号（27）と前記温度フィードバック信号（25）との間の差（Δ）の大きさに応じて、少なくとも第１のランプ状態（82）および第２の定常状態（84）において作動するものであり、さらに、
(d)  記憶された温度ゾーンマップ（88）に基づいた前記少なくとも前記定常状態（84）における放射加熱要素の複数のゾーン(a-n)に加えられる出力を独立に制御する出力コントローラ（90）とを含むことを特徴とする装置。
【請求項１０】
前記コントローラ（22）は、さらに、前記温度設定点信号（27）と前記温度フィードバック信号（25）との間の差（Δ）の大きさに応じて、第１のランプ状態（82）および第２の定常状態（84）における中間の移行状態（86）で作動することを特徴とする請求項９記載の装置。
【請求項１１】
１つのプロセッサ（87）が、前記温度設定点信号（27）と前記温度フィードバック信号（25）との間の差（Δ）の大きさを決定し、前記プロセッサ（87）が前記ゾーンマップ（88）を読み込み、前記出力コントローラ（90）に制御信号を出力することを特徴とする請求項９記載の装置。
【請求項１２】
前記フィードバック機構(24)は、単一の熱電対を含んでいることを特徴とする請求項９記載の装置。
【請求項１３】
前記コントローラ（22）は、２００℃以下の処理状態に対する温度を制御し、かつ前記温度設定点信号（27）の２％以内に前記基板上のある点から別の点までの温度勾配を制御することを特徴とする請求項９記載の装置。
【請求項１４】
前記放射加熱要素（58）は、少なくとも２つのほぼ同心状の円形アレイ（60、62）に配置されており、これらの円形アレイは、ほぼ半円球または放物線断面を有することを特徴とする請求項９記載の装置。
【請求項１５】
プラズマ発生器（14）と、これに連通する処理室（16）とを含み、前記プラズマ発生器内のプラズマが前記処理室内を通過し、かつこの処理室内に置かれた基板（18）の表面と反応するプラズマ処理装置（10）に設けた基板（18）の温度を制御するための方法であって、
(a)  複数のゾーン(a−n)内に配置された複数の放射加熱要素（58）を含み、前記各ゾーン(a−n)に、少なくとも１つの加熱要素と、前記基板に向けて放射要素から放射エネルギーを集束させるための集光反射器（56）とを備える、放射加熱アセンブリ(20)を用いて前記基板（18）を加熱し、
(b)  フィードバック機構(24)を用いて前記基板の温度フィードバック信号を供給し、
(c)  温度設定点信号（27）と前記温度フィードバック信号を受信し、前記ゾーンに相当数のパワーレベル制御信号(79a−79n)を出力するためのコントローラ（22）を用いて、放射加熱要素の複数のゾーンに加えられる出力を独立に制御する、各工程を含み、
前記コントローラ（22）は、前記温度設定点信号（27）と前記温度フィードバック信号（25）との間の差（Δ）の大きさに応じて、少なくとも第１のランプ状態（82）および第２の定常状態（84）において作動し、さらに、
(d)記憶された温度ゾーンマップ（88）に基づいた少なくとも前記定常状態（84）における放射加熱要素の複数のゾーン(a−n)に加えられる出力を独立に制御するための出力コントローラ（90）を用いることを特徴する方法。
【請求項１６】
前記コントローラ（22）は、さらに、前記温度設定点信号（27）と前記温度フィードバック信号（25）との間の差（Δ）の大きさに応じて、第１のランプ状態（82）および第２の定常状態（84）における中間の移行状態（86）で作動することを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
前記コントローラ（22）は、前記温度設定点信号（27）と前記温度フィードバック信号（25）との間の差（Δ）の大きさを決定するためのプロセッサ（87）を用い、かつ前記プロセッサ（87）が前記ゾーンマップ（88）を読み込み、前記出力コントローラ（90）に制御信号を出力することを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項１８】
前フィードバック機構(24)は、単一の熱電対を含んでいることを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項１９】
前記コントローラ（22）は、２００℃以下の処理状態に対する温度を制御し、かつ前記温度設定点信号（27）の２％以内に前記基板上のある点から別の点までの温度勾配を制御することを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項２０】
前記放射加熱要素（58）は、少なくとも２つのほぼ同心状の円形アレイ（60、62）に配置されており、これらの円形アレイは、ほぼ半円球または放物線断面を有することを特徴とする請求項１５記載の方法。
【請求項２１】
前記処理室（16）の壁（52）の温度を制御する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１５記載の方法。