Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月6日(2008.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ガラスよりなる本体基板と、
前記本体基板上に形成された複数の画素電極が配置された表示領域と、
前記本体基板上に形成され、前記画素電極に接続された複数のスイッチング素子と、を有するアクティブマトリクス型の表示装置において、
前記スイッチング素子は、アモルファスシリコンよりなる活性層を有し、
前記本体基板には前記スイッチング素子に接続された複数の駆動集積回路チップが搭載され、
前記駆動集積回路チップの少なくとも一部は、ガラスよりなるＩＣ基板上に複数の素子を形成してなることを特徴とする表示装置。
【請求項２】  ガラスよりなる第１の本体基板と、
前記第１の本体基板上に形成された複数の画素電極が配置された表示領域と、
前記第１の本体基板上に形成され、前記画素電極に接続された複数のスイッチング素子と、
前記第１の本体基板に対向するガラスよりなる第２の本体基板と、
前記第２の本体基板上に形成された、前記複数の画素電極に対向する共通電極と、前記第１及び第２の本体基板の間に封止された液晶と、を有するアクティブマトリクス型の表示装置において、
前記スイッチング素子は、アモルファスシリコンよりなる活性層を有し、
前記第１の本体基板には前記スイッチング素子に接続された複数の駆動集積回路が搭載され、
前記駆動集積回路の少なくとも一部は、ガラスよりなるＩＣ基板上に複数の素子を形成してなることを特徴とする表示装置。
【請求項３】  ガラスよりなる本体基板と、
前記本体基板上に形成された複数の画素電極が配置された表示領域と、
前記本体基板上に形成され、前記画素電極に接続された複数のスイッチング素子と、
前記本体基板上に形成され、前記スイッチング素子のゲートに接続されるゲート線と、
前記本体基板上に形成され、前記スイッチング素子を介して前記画素電極に接続される信号線と、を有するアクティブマトリクス型の表示装置において、
前記スイッチング素子は、アモルファスシリコンよりなる活性層を有し、
前記本体基板には前記ゲート線に接続されたゲート線駆動集積回路チップと、
前記信号線に接続された信号線駆動集積回路チップと、が搭載され、
前記ゲート線もしくは信号線駆動集積回路チップの少なくとも一方はガラスよりなるＩＣ基板上に複数の素子を形成してなることを特徴とする表示装置。
【請求項４】  ガラスよりなる本体基板と、
前記本体基板上に形成された複数の画素電極が配置された表示領域と、
前記本体基板上に形成され、前記画素電極に接続された複数のスイッチング素子と、
前記本体基板上に形成され、前記スイッチング素子のゲートに接続されるゲート線と、
前記本体基板上に形成され、前記スイッチング素子を介して前記画素電極に接続される信号線と、を有するアクティブマトリクス型の表示装置において、
前記スイッチング素子は、アモルファスシリコンよりなる活性層を有し、
前記本体基板には前記ゲート線に接続されたゲート線駆動集積回路チップと、
前記信号線に接続された信号線駆動集積回路チップと、が搭載され、
前記ゲート線駆動集積回路チップはガラスよりなるＩＣ基板上に複数の素子を形成してなり、
前記信号線駆動集積回路チップは単結晶シリコンよりなるＩＣ基板上に複数の素子を形成してなることを特徴とする表示装置。
【請求項５】  前記ＩＣ基板上に形成された複数の素子は多結晶シリコンよりなる活性層を有することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の表示装置。
【請求項６】  前記スイッチング素子は薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の表示装置。
【請求項７】  前記ゲート線駆動集積回路チップは、前記表示領域の一辺に沿って１つだけ配置され、
前記ゲート線駆動集積回路チップから前記表示領域に向かって、前記ゲート線が互いにほぼ平行に延びていることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月8日(2008.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  平行な１対の基板間に誘電体に覆われた複数の対向電極を設け表面に蛍光体を形成した隔壁によって放電セルを構成し放電ガスを封入し気体放電によって画像を表示するプラズマディスプレイパネルと、上記プラズマディスプレイパネルに対して、セットアップ部，アドレス部、放電維持部及び放電停止部を有する駆動方式によって駆動させる駆動部からなるプラズマディスプレイ表示装置であって、前記駆動部は、第１の電極群にパルス電圧を印加してセットアップする初期化期間と、第１電極群にパルス電圧を順次印加しながら、第３電極群の中の選択された電極にパルス電圧を印加して、選択された箇所の誘電体層に壁電荷を蓄積するアドレス期間と、第１電極群と第２電極との間にパルス電圧を印加して放電の維持を行う維持期間と、維持放電を停止させる放電停止期間からなり、前記維持期間の維持パルスのパルス幅が徐々に減少し、かつ、前記維持期間の最後から２番目以降の維持パルスのパルス幅ＰＷｎ−２、ＰＷｎ−１、ＰＷｎが、それに先立つ他の維持パルスのパルス幅よりも狭く徐々に減少することを特徴とするプラズマディスプレイ表示装置。
【請求項２】  前記ＰＷｎ及び、ＰＷｅが、０．３μｓ≦ＰＷｅ≦１μｓ、０．２μｓ≦（ＰＷｎ−ＰＷｅ）≦７．５μｓであることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ表示装置。
【請求項３】  前記初期化期間で印加するパルス電圧は、正のパルス電圧で、尚且つ、前記セットアップ部に先立つ放電停止期間において、第１の電極群に電圧の立ち上がり部に傾斜を有する正の傾斜パルス波形を印加することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ表示装置。
【請求項４】  前記放電停止期間の傾斜パルス波形の電圧の立ち上がり速度が、０．５Ｖ／μｓ以上、２０Ｖ／μｓ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマディスプレイ表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明のプラズマディスプレイ表示装置は、平行な１対の基板間に誘電体に覆われた複数の対向電極を設け表面に蛍光体を形成した隔壁によって放電セルを構成し放電ガスを封入し気体放電によって画像を表示するプラズマディスプレイパネルと、上記プラズマディスプレイパネルに対して、セットアップ部，アドレス部、放電維持部及び放電停止部を有する駆動方式によって駆動させる駆動部からなるプラズマディスプレイ表示装置であって、前記駆動部は、第１の電極群にパルス電圧を印加してセットアップする初期化期間と、第１電極群にパルス電圧を順次印加しながら、第３電極群の中の選択された電極にパルス電圧を印加して、選択された箇所の誘電体層に壁電荷を蓄積するアドレス期間と、第１電極群と第２電極との間にパルス電圧を印加して放電の維持を行う維持期間と、維持放電を停止させる放電停止期間からなり、前記維持期間の維持パルスのパルス幅が徐々に減少し、かつ、前記維持期間の最後から２番目以降の維持パルスのパルス幅ＰＷｎ−２、ＰＷｎ−１、ＰＷｎが、それに先立つ他の維持パルスのパルス幅よりも狭く徐々に減少することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月8日(2008.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受信信号と拡散符号との相関演算に基づくパスサーチを所定時間単位でパスサーチ対象のユーザを切り替えて各ユーザについて行う基地局のパス制御装置において、
切り替え後のユーザに応じた拡散符号と当該拡散符号の発生開始時点をユーザ毎に予め設定されたチップオフセットに応じて繰り上げた時点と当該繰り上げに対応してずらした当該拡散符号中の発生開始位置とを指定する拡散符号切替信号を予め保持するメモリと、
ユーザに応じた拡散符号切替信号を前記メモリから出力する制御手段と、
前記出力された拡散符号切替信号に従って拡散符号を生成する拡散符号発生手段と、
前記生成された拡散符号との相関演算に基づく受信信号のパスサーチを行うパスサーチ手段と、
を備えたことを特徴とするパス制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月29日(2008.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンテキスト適応型二値算術符号化方式（Ｃｏｎｔｅｘｔ  ｂａｓｅｄ  Ａｄａｐｔｉｖｅ  Ｂｉｎａｒｙ  Ａｒｉｔｈｍｅｔｉｃ  Ｃｏｄｉｎｇ）で符号化された入力ビットストリームに含まれるシンタックスエレメント値を復号する復号処理装置であって、
前記入力ビットストリームを算術復号する算術復号処理部と、
算術復号演算後のデータであって多値化処理前の２値信号を、シンタックスエレメント当たりのビット長が短くなるように変換し、変換後の２値信号を中間バッファに記憶するストリーム変換部と、
前記中間バッファから読み出された前記変換後の２値信号に対して多値化処理を行う多値化演算部と、を備える復号処理装置。
【請求項２】
前記ストリーム変換部は、
ユーナリー／ｋ次指数ゴロム・結合バイナライゼーションで２値化されたシンタックスエレメントを、より低次の指数ゴロム符号に変換することを特徴とする請求項１記載の復号処理装置。
【請求項３】
前記ストリーム変換部での変換は、少なくとも所定の入力値については、
入力値のビット列に所定のビット操作をすることで行われる請求項２記載の復号処理装置。
【請求項４】
所定のビット操作とは、プレフィックス部の削除と、サフィックス部に新たなプレフィックスとサフィックスを付加する操作である請求項３記載の復号処理装置。
【請求項５】
変換後の２値信号は、符号語の割当に不連続が有る請求項１から４のいずれかに記載の復号処理装置。
【請求項６】
前記ストリーム変換部は、多値化演算部が１回の演算で必要とするデータを１サイクルで取り出せるように変換を行うことを特徴とする請求項１記載の復号処理装置。
【請求項７】
コンテキスト適応型二値算術符号化方式（Ｃｏｎｔｅｘｔ  ｂａｓｅｄ  Ａｄａｐｔｉｖｅ  Ｂｉｎａｒｙ  Ａｒｉｔｈｍｅｔｉｃ  Ｃｏｄｉｎｇ）で符号化された入力ビットストリームに含まれるシンタックスエレメント値を復号する方法であって、
前記入力ビットストリームを算術復号する算術復号処理ステップと、
算術復号演算後のデータであって多値化処理前の２値信号を、シンタックスエレメント当たりのビット長が短くなるように変換し、変換後の２値信号を中間バッファに記憶するストリーム変換ステップと、
前記中間バッファから読み出された前記変換後の２値信号に対して多値化処理を行う多値化演算ステップと、を備える復号処理方法。
【請求項８】
コンテキスト適応型二値算術符号化方式（Ｃｏｎｔｅｘｔ  ｂａｓｅｄ  Ａｄａｐｔｉｖｅ  Ｂｉｎａｒｙ  Ａｒｉｔｈｍｅｔｉｃ  Ｃｏｄｉｎｇ）で符号化された入力ビットストリームに含まれるシンタックスエレメント値を復号する復号処理装置であって、
前記入力ビットストリームを算術復号するとともに、算術復号して得られた２値データが正しく多値化できるかどうか判断する算術復号処理部と、
正しく多値化できない場合には、算術復号演算後のデータであって多値化処理前の２値信号にエラー識別子を挿入し、挿入後の２値信号を中間バッファに記憶するストリーム変換部と、
前記中間バッファから読み出された２値信号に前記エラー識別子が含まれている場合には、多値化処理を省略する多値化演算部と、を備える復号処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１０】
次に、ストリーム変換部５は、シンタックスエレメント当たりのビット長を短くするように、復号データから中間ビットストリームを生成する。通常の算術符号化では、あるシンタックスエレメントが符号化されると、所定の長さのビット長になる。このとき、通常の算術符号化では、シンタックスエレメント当たりのビット長が規格により長くなっている。すなわち、入力ビットストリームに含まれる任意のシンタックスエレメントの符号化されたビット長は、第７図、第８図の左半分に示されるように長い。算術符号化においては、コンテキスト演算における処理を考慮しているために、ビット長が長くなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１１】
しかし、多値化演算部８では、コンテキスト演算に基づいた処理は不要であるため、通常の算術符号化と同じビット長のビットストリームは不要である。このため、同じシンタックスエレメントを表すビット列は、第８図の右半分に示されるように、通常の算術符号化により符号化されたビット列よりも短くてすむ。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
このように、同じシンタックスエレメントを表す場合には、ストリーム変換部５は、第８図の右半分に示されるような短いビット列を用いて、中間ビットストリームを生成する。第８図は、本発明の実施の形態２におけるシンタックスエレメントの符号化一覧の変換を示す図である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５４】
【図１】本発明の実施の形態１における復号処理装置のブロック図である。
【図２】本発明の実施の形態１における復号処理装置の動作のフローチャートである。
【図３】本発明の実施の形態１における復号処理装置の動作フローチャートである。
【図４】本発明の実施の形態１における復号処理装置の動作フローチャートである。
【図５】ＭＰＥＧ４−ＡＶＣにて規定されている、２値化処理アルゴリズムの一覧を示す図である。
【図６】本発明の実施の形態２における中間ビットストリームの構造図である。
【図７】従来におけるシンタックスエレメントの符号化一覧を示す図である。
【図８】本発明の実施の形態２におけるシンタックスエレメントの符号化一覧の変換を示す図である。
【図９】本発明の実施の形態２における中間ビットストリームの構造図である。
【図１０】本発明の実施の形態２における復号処理を示す図である。
【図１１】本発明の実施の形態３における復号処理装置のブロック図である。
【図１２】本発明の実施の形態３における復号処理装置の動作フローチャートである。
【図１３】本発明の実施の形態４における算術符号化処理装置のブロック図である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2008182700.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2008182700.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月11日(2008.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、
前記半導体素子の表面電極に対向して略平行に配設された貫通孔を有する導体と、
前記貫通孔の側壁と前記表面電極とを接続する導電性接合材と、
を備え、前記導電性接合材が前記表面電極と反対面側の前記貫通孔の開口面より凸状に突出していることを特徴とする電力用半導体装置。
【請求項２】
表面電極に対して導体が所定の間隔をあけて配設されていることを特徴とする請求項１に記載の電力用半導体装置。
【請求項３】
導電性接合材の導体と表面電極との間の断面形状がテーパ状であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電力用半導体装置。
【請求項４】
導電性接合材がはんだ材であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の電力用半導体装置。
【請求項５】
表面電極側の開口径よりも反対面側の開口径が大きい貫通孔であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の電力用半導体装置。
【請求項６】
貫通孔の側壁が階段状であることを特徴とする請求項５に記載の電力用半導体装置。
【請求項７】
貫通孔の表面電極側の開口径が表面電極の平面外径よりも小さいことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載の電力用半導体装置。
【請求項８】
導体の表面電極側の貫通孔開口部に突起が設けられていることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれかに記載の電力用半導体装置。
【請求項９】
一つの表面電極と複数の貫通孔の側壁とが接続されていることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれかに記載の電力用半導体装置。
【請求項１０】
導体には貫通孔と貫通孔との中間部にスリットが設けられていることを特徴とする請求項９に記載の電力用半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明に係る電力用半導体装置は、半導体素子と、半導体素子の表面電極に対向して略平行に配設された貫通孔を有する導体と、貫通孔の側壁と表面電極とを接続する導電性接合材と、を備え、導電性接合材が表面電極と反対面側の貫通孔の開口面より凸状に突出していることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月26日(2008.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  下記成分からなる燃料添加剤組成物：
ａ）（１）アルキル基の数平均分子量が３００乃至５０００である高分子量アルキル置換ヒドロキシ芳香族化合物、（２）少なくとも１個の活性水素原子を持つアミノ基を含むアミン、および（３）アルデヒドからなり、そして反応物（１）、（２）および（３）それぞれのモル比が、１：０．１〜１０：０．１〜１０であるマンニッヒ縮合物；
ｂ）平均分子量が５００乃至５０００であり、そしてオキシアルキレン基がＣ2〜Ｃ5のオキシアルキレン基であり、炭化水素基がＣ1〜Ｃ30の炭化水素基である炭化水素基末端ポリ（オキシアルキレン）モノオール；および
ｃ）炭素原子数８〜３０のモノカルボン酸；
ただし、ａ）：ｂ）：ｃ）の重量比は、１００：５０：１乃至１００：４００：１０の範囲にある。
【請求項２】  アルキル置換ヒドロキシ芳香族化合物のアルキル基の数平均分子量が４００乃至３０００である請求項１に記載の燃料添加剤組成物。
【請求項３】  アルキル置換ヒドロキシ芳香族化合物のアルキル基の数平均分子量が５００乃至２０００である請求項２に記載の燃料添加剤組成物。
【請求項４】  アルキル置換ヒドロキシ芳香族化合物のアルキル基の数平均分子量が７００乃至１５００である請求項３に記載の燃料添加剤組成物。
【請求項５】  アルキル置換ヒドロキシ芳香族化合物がポリアルキルフェノールである請求項１に記載の燃料添加剤組成物。
【請求項６】  ポリアルキルフェノールがポリプロピルフェノールまたはポリイソブチルフェノールである請求項５に記載の燃料添加剤組成物。
【請求項７】  ポリアルキルフェノールがポリイソブチルフェノールである請求項６に記載の燃料添加剤組成物。
【請求項８】  ポリイソブチルフェノールが、メチルビニリデン異性体を少なくとも７０％含有するポリイソブテンから誘導される請求項７に記載の燃料添加剤組成物。
【請求項９】  マンニッヒ縮合物のアミン成分が、下記式を有するアルキレンポリアミンである請求項１に記載の燃料添加剤組成物。
【化２】
Ｈ2Ｎ−（Ａ−ＮＨ）ｙ−Ｈ
［式中、Ａは炭素原子数が１〜１０の二価アルキレン基であり、そしてｙは１〜１０の整数である］
【請求項１０】  アルキレンポリアミンがポリエチレンポリアミンである請求項９に記載の燃料添加剤組成物。
【請求項１１】  ポリエチレンポリアミンがジエチレントリアミンである請求項１０に記載の燃料添加剤組成物。
【請求項１２】  反応物（１）、（２）および（３）それぞれのモル比が、１．０：０．５〜２．０：１．０〜３．０である請求項１に記載の燃料添加剤組成物。
【請求項１３】  マンニッヒ縮合物のアルデヒド成分が、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒドまたはホルマリンである請求項１に記載の燃料添加剤組成物。
【請求項１４】  炭化水素基末端ポリ（オキシアルキレン）モノオールの数平均分子量が９００乃至１５００の範囲にある請求項１に記載の燃料添加剤組成物。
【請求項１５】  炭化水素基末端ポリ（オキシアルキレン）モノオールの炭化水素基末端ポリオキシアルキレン基のオキシアルキレン基が、Ｃ3〜Ｃ4のオキシアルキレン基である請求項１に記載の燃料添加剤組成物。
【請求項１６】  炭化水素基末端ポリ（オキシアルキレン）モノオールのオキシアルキレン基がＣ3のオキシプロピレン基である請求項１５に記載の燃料添加剤組成物。
【請求項１７】  炭化水素基末端ポリ（オキシアルキレン）モノオールのオキシアルキレン基がＣ4のオキシブチレン基である請求項１５に記載の燃料添加剤組成物。
【請求項１８】  炭化水素基末端ポリ（オキシアルキレン）モノオールの炭化水素基がＣ7〜Ｃ30のアルキルフェニル基である請求項１に記載の燃料添加剤組成物。
【請求項１９】  モノカルボン酸がオレイン酸である請求項１に記載の燃料添加剤組成物。
【請求項２０】  ガソリンまたはディーゼル燃料の沸点範囲の沸点を有する主要量の炭化水素燃料と、堆積物抑制に有効な量の請求項１乃至１９のうちのいずれかの項に記載の燃料添加剤組成物とを含む燃料組成物。
【請求項２１】  ２０乃至１０００ｐｐｍのマンニッヒ縮合物、１０乃至４０００ｐｐｍの炭化水素基末端ポリ（オキシアルキレン）モノオール、および１乃至１００ｐｐｍのカルボン酸を含む請求項２０に記載の燃料組成物。
【請求項２２】  ３０乃至４００ｐｐｍのマンニッヒ縮合物、２０乃至８００ｐｐｍの炭化水素基末端ポリ（オキシアルキレン）モノオール、及び１乃至２０ｐｐｍのカルボン酸を含む請求項２１に記載の燃料組成物。
【請求項２３】  ６５℃乃至２０５℃の範囲の沸点を有する不活性で安定な親油性有機溶剤と、１０乃至９０重量％の請求項１乃至１９のうちのいずれかの項に記載の添加剤組成物とを含む燃料濃縮物。
【請求項２４】  請求項１に記載のａ）、ｂ）、ｃ）の各成分を一緒にブレンドする際に、マンニッヒ縮合物とカルボン酸とを室温乃至１００℃の範囲の温度で一緒にブレンドすることを特徴とする請求項１に記載の燃料添加剤組成物を製造する方法。
【請求項２５】  内燃機関のエンジン堆積物の生成を抑制する方法であり、請求項２０、２１もしくは２２に記載の燃料組成物を用いて内燃機関を作動させることからなる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月6日(2008.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 脱墨パルプ、機械パルプ、化学パルプからなり、該パルプ中の道管数が６０００個／ｇ以下であるパルプ及び填料を含有する新聞用紙に、澱粉及び／又はポリアクリルアミド樹脂と表面サイズ剤からなる塗被組成物をゲートロールコーターにより片面当り０．１〜１．０ｇ／ｍ2塗付し、乾燥後ソフトカレンダーで表面を平滑化処理することにより、紙表面に存在する導管の中で粘着力１００〜１５０Ｎ／ｍの粘着テープによりピーリングされる導管数が片面当たり２０００個／ｍ2以下であることを特徴とするオフセット印刷用新聞用紙。
【請求項２】請求項１の新聞用紙において、該脱墨パルプの導管数が２００００個／ｇ以下であり、且つ０．４ｍｍ以上の長さを有する導管数が３０００個／ｇ以下であることを特徴とするオフセット印刷用新聞用紙。
【請求項３】 坪量が３７〜４５ｇ／ｍ2である請求項１又は２記載のオフセット印刷用新聞用紙。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月29日(2008.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学的に溶解されたパルプの生産に適した縦型蒸解器（１）内での高圧及び高温下に木材チップを連続蒸煮するプロセスであって、前記蒸解器に頂部及び底部が、そして蒸解器頂部と底部間には少なくとも一個のスクリーン装置（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ）が設けられているプロセスにおいて、
（ａ）  木材チップ及び蒸解液を蒸解器頂部に導入するステップと、
（ｂ）  蒸煮ゾーンの平均温度を同一温度レベル、即ち硬木については１４０〜１８０℃の範囲、好ましくは１５０乃至１５５℃に、そして軟木については１６０〜１６５℃の範囲に維持され、さらに平均温度が少なくとも４５分間、好ましくは少なくとも１２０分間の木材チップ滞留時間維持されるステップと、
（ｃ）  前処理システムと蒸解器底部との間に配置された、少なくとも一個の抽出装置（４４；１Ａ、１Ｂ、１Ｃ）すなわちスクリーン装置を介して、蒸解器より使用済み蒸解液を抜き取り、蒸煮プロセスから取り出し、続いてそれを回収（１ｓｔＲＥＣ）を目的として前に送るが、その量が使用済み蒸解液の第一量（Ｑ１ＲＥＣ）であるステップと、
（ｄ）  パルプが蒸解器（１）よりライン（２０）を介し送られる蒸解器底部から、パルプを放出され、パルプは前記ライン中で蒸煮を誘発しないレベルの圧に維持され、次にパルプ中の液体を排除するのに適した加圧排出装置（７）に送られるステップと、
（ｅ）  第一及び第二部分に分割される洗浄濾過液（７２）を得るために、パルプ中に存在する蒸解液を置換する洗浄液（７１）を使用しパルプ中の液体を追い出すステップと、
（ｆ）  洗浄濾過液の第二部分が希釈液として、蒸解器底部に運び戻されるステップと、
から成るプロセスであり、
（ｇ）  蒸解器の底部分に液体の網状並流を確立させるステップと、
（ｈ）  洗浄濾過液の第一部分が蒸煮プロセスから抜き取られ、回収のために運搬される（２ｎｄＲＥＣ）ステップにあって、前記運搬された量が使用済み蒸解液の第二量（Ｑ２ＲＥＣ）を表し、且つ前記使用済み蒸解液第一量と合計され、蒸解器及び加圧洗浄を有するシステムより抜き取られた総量を表すステップと、
（ｉ）  使用済み蒸解液の第二量（Ｑ２ＲＥＣ）に対して、使用済み蒸解液の第一量（Ｑ１ＲＥＣ）の比率が次式、
Ｑ１ＲＥＣ＞0.1・（Ｑ１ＲＥＣ＋Ｑ２ＲＥＣ）
Ｑ２ＲＥＣ＜0.9・（Ｑ１ＲＥＣ＋Ｑ２ＲＥＣ）、及び
Ｑ２ＲＥＣ＞Ｑ１ＲＥＣ 、
のように調節されるステップと、
を含むことを特徴とするプロセス。
【請求項２】
液体の網状並流が確立した蒸解器底部分が、蒸解器底部よりその上に抽出スクリーンが配置されているレベルまで延びていることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
液体の網状並流が、実質蒸解器全体を通して確立していることを特徴とする請求項１又は２に記載のプロセス。
【請求項４】
網状並流が、蒸解器の高さの少なくとも８０％にわたって確立されていることを特徴とする請求項３に記載のプロセス。
【請求項５】
少なくとも一つのより短い液体の網状並流が、蒸解器の高さの２０％未満にわたって、好ましくは蒸解器の高さの１０％未満にわたって確立され、これらが蒸解器上部、好ましくは蒸解器の高さの上部３分の２以内に配置されることを特徴とする請求項４に記載のプロセス。
【請求項６】  蒸解器底部分にある液体の並流の網状流量が、十分大きく、その結果チップ内に結合されていない液体に相当する自由液体の並進が、蒸解器底部分でも確立されることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月22日(2008.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】スパッタリングターゲットとそれを用いたスパッタリング装置、薄膜、電子部品
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ターゲット本体と、
前記ターゲット本体の非エロージョン領域の少なくとも一部に設けられ、ＰＶＤ法またはＣＶＤ法により形成された再付着粒子剥離防止膜と
を具備することを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】  請求項１記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲット本体はバッキングプレートにより支持されていることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項３】  ターゲット本体と、
前記ターゲット本体を支持するバッキングプレートと、
前記バッキングプレートの表面の少なくとも一部に設けられ、ＰＶＤ法またはＣＶＤ法により形成された再付着粒子剥離防止膜と
を具備することを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項４】  請求項３記載のスパッタリングターゲットにおいて、
さらに、前記ターゲット本体の非エロージョン領域の少なくとも一部に前記再付着粒子剥離防止膜が形成されていることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項５】  請求項１ないし請求項４のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記再付着粒子剥離防止膜は、スパッタリング法、イオンプレーティング法またはＣＶＤ法により形成された金属薄膜または金属化合物薄膜からなることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項６】  請求項１ないし請求項５のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記再付着粒子剥離防止膜は、前記ターゲット本体を構成する金属元素を含む金属薄膜または金属化合物薄膜からなることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項７】  請求項１ないし請求項６のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットにおいて、
前記ターゲット本体は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｃｕ、ＳｉおよびＧｅから選ばれる金属元素の単体、もしくは前記金属元素を含む合金または化合物からなることを特徴するスパッタリングターゲット。
【請求項８】  真空容器と、前記真空容器内に配置される被成膜試料保持部と、前記真空容器内に前記被成膜試料保持部と対向して配置されるターゲット部とを具備するスパッタリング装置において、
前記ターゲット部は、請求項１ないし請求項７のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを有することを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項９】  請求項１ないし請求項７のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴とする薄膜。
【請求項１０】  請求項９記載の薄膜を具備することを特徴とする電子部品。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、各種電子部品の配線膜、電極、素子構成膜などを形成する際に用いられるスパッタリングターゲットとそれを用いたスパッタリング装置、薄膜、電子部品に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月19日(2008.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】欠陥管理情報再生装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数の欠陥管理領域を有する記録媒体から欠陥管理情報を再生する装置であって、前記欠陥管理情報を再生するための欠陥リストを備え、前記記録媒体の初期化時に発見された欠陥のアドレスを登録する一次欠陥リストに前記欠陥リストを登録し、前記一次欠陥リストを用いて前記欠陥管理情報を再生することを特徴とする欠陥管理情報再生装置。
【請求項２】  複数の欠陥管理領域を有する記録媒体から欠陥管理情報を再生する装置であって、前記欠陥管理情報を再生するための欠陥リストを備え、前記記録媒体に情報を記録中に発見された欠陥のアドレスと前記欠陥を交替させた交替先アドレスを登録する二次欠陥リストに、前記欠陥リストを登録し、前記二次欠陥リストを用いて前記欠陥管理情報を再生することを特徴とする欠陥管理情報再生装置。
【請求項３】  欠陥管理情報を再生するための欠陥リストを複数備えることを特徴とする請求項１または請求項２記載の欠陥管理情報再生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月15日(2008.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】  上記物理要素は、さらにその質点の質量であることを特徴とする請求項６記載の動的形態の表現方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月7日(2008.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 少なくとも、熱によって体積変化を示す第一基板上に、記録光を熱に変換する記録層、第一基板の体積変化による変形に同調する第一反射層、第一反射層の変形を吸収する干渉層、第一反射層の変形には同調しない第二反射層が順次設けられたことを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】 第二反射層上に、第二基板がさらに設けられたことを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項３】 第一基板側から記録を行い、第二反射層側あるいは第二基板側から再生を行う構成であることを特徴とする請求項１又は２に記載の光記録媒体。
【請求項４】 干渉層が記録によって反射率が高い状態から低い状態へ変化するような膜厚に設定されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか1項に記載の光記録媒体。
【請求項５】 記録による第一基板の体積変化が、膨張であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか1項に記載の光記録媒体。
【請求項６】 レーザ光吸収によって熱を発生させる記録層、前記記録層の熱によって体積変化を生じる第一基板、及び前記第一反射層と第二反射層が第一反射層の変形を吸収する干渉層を介して形成されたファブリ・ペローの干渉構造で構成され、かつ前記のファブリ・ペローの干渉構造の干渉長を第一反射層の変形によって変えることで記録が行われることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか1項に記載の光記録媒体。
【請求項７】 請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光記録媒体に対し、第一基板側から記録を行い、第二反射層側あるいは第二基板側から再生を行うことを特徴する光記録媒体の記録再生方法。
【請求項８】 請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光記録媒体を、ファブリ・ペローの干渉構造の干渉長を第一反射層の変形によって変えることで記録を行うことを特徴とする光記録媒体の記録再生方法。
【請求項９】 請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光記録媒体、及び該光記録媒体の記録手段ならびに再生手段を有する光記録装置。
【請求項１０】 光記録媒体の記録手段が記録を第一基板側から行い、かつ光記録媒体の再生手段が再生を第二反射層側から行う構成であることを特徴とする請求項９に記載の光記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の第３は、第一基板側から記録を行い、第二反射層側あるいは第二基板側から再生を行う構成であることを特徴とする前記１又は２の光記録媒体にある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の４は、干渉層が記録によって反射率が高い状態から低い状態へ変化するような膜厚に設定されていることを特徴とする前記１乃至３のいずれかの光記録媒体にある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の第５は、記録による第一基板の体積変化が、膨張であることを特徴とする前記１乃至４のいずれかの光記録媒体にある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の第６は、レーザ光吸収によって熱を発生させる記録層、前記記録層の熱によって体積変化を生じる第一基板、及び前記第一反射層と第二反射層が第一反射層の変形を吸収する干渉層を介して形成されたファブリ・ペローの干渉構造で構成され、かつ前記のファブリ・ペローの干渉構造の干渉長を第一反射層の変形によって変えることで記録が行われることを特徴とする前記１乃至５のいずれかの光記録媒体にある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の第７は、前記１乃至６のいずれかの光記録媒体を、第一基板側から記録を行い、第二反射層側あるいは第二基板側から再生を行うことを特徴する光記録媒体の記録再生方法にある。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の第８は、前記１乃至６のいずれかの光記録媒体を、ファブリ・ペローの干渉構造の干渉長を第一反射層の変形によって変えることで記録を行うことを特徴とする光記録媒体の記録再生方法にある。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の第９は，前記１乃至６のいずれかの光記録媒体、及び該光記録媒体の記録手段ならびに再生手段を有する光記録装置にある。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月15日(2008.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
このような実施の形態３に係る光ディスクデータ消去装置によれば、第１,第２のジャンパースイッチ３２,３３のオンまたはオフを設定し、装填された光ディスクが追記型光ディスクであることを判別後、第１,第２のジャンパースイッチ３２,３３の設定に従って光ディスク１１１に対して記録時より高い記録パワーでレーザービームを照射して上書きを行い、記録データを消去し、消去処理終了後にディスク１１１を自動排出するようにしたので、ホストコンピュータ２１を使用することなく、外部操作により光ディスクデータ消去装置２２単独で光ディスクデータの消去処理を実行可能であり、消去作業を自動化し、低コストかつ簡単に記録データの完全消去が可能な光ディスクデータ消去装置を実現でき、光ディスク廃棄時に機密叙法の漏洩を防止できる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月18日(2007.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
ネットワークサーバＰは、一般に需要先と契約を結んだプロバイダにより運用されるものである。通信端末装置Ｄ１，Ｄ２をインターネットに接続する場合には、プロバイダと需要先との間で決められたインターネット接続用のＩＤやパスワードを通信端末装置Ｄ１，Ｄ２からネットワークサーバＰへと送信し、ネットワークサーバＰがインターネットへの接続を許可することで実現される。このようなネットワークサーバＰによれば、需要先からのアクセスに応じてインターネット上におけるＷｅｂサイトのホームページデータが通信端末装置Ｄ１，Ｄ２へと転送され、通信端末装置Ｄ１，Ｄ２においては、ブラウザソフトを用いて各種のホームページデータを閲覧できる。また、ネットワークサーバＰには、メールサーバとしての機能も備えられている。つまり、需要先のメールアドレスに宛てた電子メールは、ネットワークサーバＰのハードディスクなどに一旦蓄えられ、需要先からネットワークサーバＰに対してメール取得のためのアクセスがなされることにより、通信端末装置Ｄ１，Ｄ２に電子メールが取り込まれる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
通信端末装置Ｄ２の需要先においては、ＩＤやパスワードが割り当てられていないため、上記のようにして表示された画面Ｖ４，Ｖ６の中から「お客様ＩＤをお持ちでない場合」を選んでクリックすれば良い。すると、通信端末装置Ｄ２の画面には、図２の認証画面Ｖ７が現れることなく、図３のメニュー画面Ｖ８が表示される。それ以降は、画面Ｖ９，Ｖ１０を辿って図５に具体的に示すような引取先確認画面Ｖ１３を通信端末装置Ｄ２の画面上に表示させれば良い。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月15日(2008.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ネットワークを利用し名刺情報を管理する名刺情報管理方法及び名刺情報管理プログラムに関する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月14日(2008.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体と、前記本体に設けられ前面から上面にかけて開口する開口部を有する洗浄槽と、食器等の被洗浄物を収納すると共に前記洗浄槽内に収容される食器カゴと、前記開口部を開閉する扉体とを備え、前記本体の上部形状を前面から背面にかけて上方へ膨出する略円弧状に形成し、前記扉体を、前記開口部の上面を外側へ開く上扉と、前記開口部の前面を下方へ開く下扉とで構成すると共に、前記上扉の上層部に、前記上扉の内壁に付着した水滴を受ける水受けリブを配設した食器洗い機。
【請求項２】
上扉に、排気窓と、前記排気窓の開口部を覆う蓋体とを設け、前記蓋体の上部先端部に水受けリブを配設した請求項１に記載の食器洗い機。
【請求項３】
上扉を閉成したとき、水受けリブにたまった水は開口部から洗浄槽内に戻る請求項１または２に記載の食器洗い機。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月20日(2008.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
（実施例３）
底面が平面である４０×２７０×１８ｍｍのカーボン系すり板ＰＣ−７８Ａ（東洋炭素（株）製）に、内径に雌ネジが形成された真鍮製パイプをカーボン系すり板材料に埋め込み、接着剤にて固定後、銅サヤを装着し、真鍮ボルト、ナット、座金、ばね座金を加えたすり板質量は７５０ｇ、設計した摩耗しろは１４ｍｍであり、すり板厚みに対する摩耗しろの比率は７８％であった。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月7日(2007.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クエルセチン配糖体またはケンフェロール配糖体を含有する植物またはその抽出物を、酸またはその塩の存在下で加熱処理する工程を有することを特徴とする、加熱処理によるクエルセチン配糖体またはケンフェロール配糖体の分解が抑制されてなる、水易溶性の植物乾燥エキスの製造方法。
【請求項２】
クエルセチン配糖体またはケンフェロール配糖体を含有する植物を、酸またはその塩を含有する溶媒を用いて加熱下で抽出する操作を有する、請求項１記載の植物乾燥エキスの製造方法。
【請求項３】
クエルセチン配糖体またはケンフェロール配糖体を含有する植物またはその抽出物を、酸またはその塩の存在下で加熱殺菌処理することを特徴とする、請求項１記載の植物乾燥エキスの製造方法。
【請求項４】
酸が、クエン酸、アスコルビン酸、乳酸、コハク酸、酒石酸、リンゴ酸、フマル酸、酢酸、および塩酸からなる群から選択される少なくとも１種である、請求項１乃至３のいずれかに記載の植物乾燥エキスの製造方法。
【請求項５】
クエルセチン配糖体またはケンフェロール配糖体を含有する植物が桑の葉である、請求項１乃至４のいずれに記載の植物乾燥エキスの製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の製造方法で得られる加熱処理によるクエルセチン配糖体またはケンフェロール配糖体の分解が抑制された、水易溶性の植物乾燥エキス。
【請求項７】
請求項６記載の植物乾燥エキスを含有する食品または化粧品。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月3日(2008.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
吸込口体と、
上記吸込口体に一端が連なる延長管と、
上記延長管の他端に一端が連なるサクションホースと、
上記サクションホースの他端に連なる掃除機本体と
を備え、
上記掃除機本体は、
遠心力によって空気から塵埃を分離するサイクロン集塵室と、
上記吸込口体、延長管およびサクションホースを介して塵埃を上記サイクロン集塵室に吸引する電動送風機と
を有し、
上記延長管は、
上記サクションホースへ向かう塵埃を正に帯電させる材料で構成された第１部材と、
上記サクションホースへ向かう塵埃を負に帯電させる材料で構成された第２部材と
を有することを特徴とする電気掃除機。
【請求項２】
請求項１に記載の電気掃除機において、
上記延長管内には、
上記第１部材が設けられた第１吸気通路と、
上記第２部材が設けられた第２吸気通路と、
上記第１吸気通路と上記第２吸気通路とを仕切る隔壁と
が存在することを特徴とする電気掃除機。
【請求項３】
吸込口体と、
上記吸込口体に一端が連なる延長管と、
上記延長管の他端に一端が連なるサクションホースと、
上記サクションホースの他端に連なる掃除機本体と
を備え、
上記掃除機本体は、
遠心力によって空気から塵埃を分離するサイクロン集塵室と、
上記吸込口体、延長管およびサクションホースを介して塵埃を上記サイクロン集塵室に吸引する電動送風機とを有した電気掃除機において、
上記吸込口体には回転ブラシが回転自在に設けられていて、
上記回転ブラシは、
上記延長管へ向かう塵埃を正に帯電させる材料で構成された第３部材と、
上記延長管へ向かう塵埃を負に帯電させる材料で構成された第４部材と
を有することを特徴とする電気掃除機。
【請求項４】
請求項１または３に記載の電気掃除機において、
上記吸込体と上記延長管との間には、塵埃が衝突する攪拌羽根が設けられていることを特徴とする電気掃除機。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月4日(2008.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
感光層及び表面層を有し、前記感光層の厚さと前記表面層の厚さとの和が２５μｍ以下である感光体と、
前記感光体に静電像を形成するために、デジタル画像信号に応じて前記感光体を露光する露光手段と、
前記感光体に形成された静電像を現像剤で現像して、前記感光体上に現像剤像を形成する現像手段と、
前記現像剤像が受像部材へ転写された後に前記感光体から残留現像剤をクリーニングするクリーニング手段と、を備えた電子写真装置において、
前記クリーニング手段は、前記感光体に接触するクリーニングブラシを有し、
前記クリーニングブラシのブラシ密度をＤ（本／ｍｍ２）、前記静電像の１画素面積をＳ（ｍｍ２／ｄｏｔ）としたときに、
Ｄ×Ｓ≧０．０６、Ｄ≦２００であることを特徴とする電子写真装置。
【請求項２】
前記クリーニング手段は、前記感光体の移動方向において、前記クリーニングブラシの下流側に、前記感光体から残留現像剤を除去するクリーニングブレードを有することを特徴とする請求項１に記載の電子写真装置。
【請求項３】
前記表面層は、不飽和重合性官能基を持つ化合物又は不飽和重合性官能基を持つ正孔輸送化合物を重合或いは架橋し、硬化させてなることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子写真装置。
【請求項４】
前記感光層は、シリコン原子を母体とする非単結晶材料により形成されることを特徴とする請求項１乃至２のいずれかに記載の電子写真装置。
【請求項５】
前記クリーニングブラシは、ブラシ繊維の太さが２０〜５０μｍであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の電子写真装置。
【請求項６】
前記現像剤は、トナーを備え、
前記トナーの形状係数ＳＦ−１が１００〜１５０であり、形状係数ＳＦ−２が１００〜
１４０であり、体積平均粒径が５〜８μｍであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の電子写真装置。
【請求項７】
前記露光手段は、レーザー光を前記感光体に照射して前記感光体を露光することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の電子写真装置。
【請求項８】
前記感光層の厚さと前記表面層の厚さとの和が２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の電子写真装置。
【請求項９】
前記クリーニングブラシは、ブラシ密度がＤ≧１５．５であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の電子写真装置。
【請求項１０】
前記クリーニングブラシは、ブラシ繊維の織度が０．３×１０−６ｋｇ／ｍ〜２．２×１０−６ｋｇ／ｍであることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の電子写真装置。
【請求項１１】
前記クリーニングブラシによって前記感光体に潤滑剤を供給することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の電子写真装置。
【請求項１２】
前記潤滑剤は、トナー１００重量部に対して、５〜２０重量部の外添剤を混合してなることを特徴とする請求項１１に記載の電子写真装置。
【請求項１３】
前記外添剤の一次粒径が１０〜１００ｎｍであることを特徴とする請求項１２に記載の電子写真装置。
【請求項１４】
前記クリーニング手段は、前記クリーニングブラシに接触し、前記クリーニングブラシから現像剤を掻き落とすスクレーパ部材を有し、
前記感光体に対する前記クリーニングブラシの侵入量をα（ｍｍ）、前記クリーニングブラシに対する前記スクレーパ部材の侵入量をβ（ｍｍ）としたときに、
α≧βであることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれかに記載の電子写真装置。
【請求項１５】
前記静電像の解像度は４００ｄｐｉ以上であることを特徴とする請求項１乃至１４のいずれかに記載の電子写真装置。