Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月25日(2008.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
次に、トランジスタ２１０をオンすることによって、節点２０９の電位がＶＤＤに制御されている状態において、トランジスタ２０７をオンすることによって、キャパシタ２０８に充電する。このとき、キャパシタ２０８の容量をＣ１とすると、キャパシタ２０８に充電される電荷Ｑは、次式（ｂ）を満たす。
Ｃ１（ＶＤＤ−Ｖ１）＝Ｑ              …（ｂ）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
キャパシタ２０８に最初に充電されていた電荷Ｑは、キャパシタ２０８及び２１１の容量値に従って、キャパシタ２０８及び２１１に分配される。ここで、節点２０９の電位をＶｏｕｔとし、キャパシタ２１１の容量をＣ２とし、キャパシタ２０８に充電されていた電荷の変化量をΔＱとすると、次式（ｄ）及び（ｅ）が成立する。
Ｃ１（Ｖｏｕｔ−Ｖ２）＝Ｑ＋ΔＱ    …（ｄ）
Ｃ２Ｖｏｕｔ＝−ΔＱ                …（ｅ）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
第２に、固体撮像装置の製造工程において、８００℃以上の温度下で基板をファーネスアニールすることは、イオン注入時にシリコン基板に発生した欠陥を回復させる効果や、ＳＴＩ等の構成物によって基板に生じる応力を緩和させる効果等をもたらし、その結果、固体撮像装置の暗電流を低減するのに役立つ。したがって、Ｐ+ポリシリコンゲートから
のボロン染み出しを抑制するために、８００℃以上の温度下でのファーネスアニールを禁止して、代わりに高温の短時間急速熱処理を採用することは、ＣＭＯＳロジック素子の製造には何ら問題がない。しかしながら、固体撮像装置の製造においてファーネスアニールを採用しないことは、画質のＳ／Ｎ比の悪化につながるため、望ましくない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
図２は、本発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。尚、図２においては、固体撮像装置の製造工程のうち、ゲート電極形成後の一部の工程のみが示されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
図３に示される従来の製造方法は、工程（２ｂ）において、注入イオンを活性化するために急速熱処理が行われる点で、図２に示される製造方法と相違する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月12日(2008.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
文書画像に情報を埋め込む画像処理装置であって、
前記文書画像より行及び文字間隔を抽出する画像解析手段と、
埋め込み情報を複数のブロックに分割し、前記ブロックごとに当該ブロックの識別情報を付加したブロック情報を生成するブロック情報生成手段と
前記画像解析手段によって抽出された行ごとに、当該行の所定の位置からのそれぞれの前記文字間隔に対し前記ブロック情報を割り当てる情報割り当て手段と、
割り当てられた情報に応じて前記文字間隔の文字間隔長を変更する文字間隔長変更手段とを有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記情報割り当て手段は、同一の前記ブロックについて複数の前記ブロック情報を割り当てることを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記情報割り当て手段は、前記行の先頭又は最後尾の前記文字間隔から前記ブロック情報を割り当てることを特徴とする請求項１又は２記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記文字間隔長変更手段は、連続する前記文字間隔の長さの大小関係を変更することを特徴とする請求項１乃至３いずれか一項記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記文字間隔長変更手段は、割り当てられた情報に対応する所定の集合に属する値に前記文字間隔長を変更することを特徴とする請求項１乃至３いずれか一項記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記文字間隔長変更手段は、前記文字間隔長を、前記文字間隔に割り当てられた情報に応じて所定の定数の整数倍の値とすることを特徴とする請求項５記載の画像処理装置。
【請求項７】
複数のブロックに分割されて埋め込まれた埋め込み情報を文書画像より抽出する画像処理装置であって、
前記文書画像より行及び文字間隔を抽出する画像解析手段と、
前記画像解析手段によって抽出された前記文字間隔の文字間隔長に基づいて当該文字間隔に埋め込まれた情報を抽出し、前記行ごとに当該行の所定の位置からのそれぞれの前記文字間隔から抽出された情報に基づいて、前記ブロックごとのブロック情報を生成するブロック情報生成手段と、
それぞれの前記ブロックごとに、当該ブロックに係る複数の前記ブロック情報に基づいて当該ブロックの値を判定し、判定された値を連結することにより前記埋め込み情報を復号する埋め込み情報復号手段とを有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項８】
前記埋め込み情報復号手段は、前記ブロック情報に含まれている識別情報に基づいて当該ブロック情報が属する前記ブロックを識別することを特徴とする請求項７記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記ブロック情報生成手段は、前記行ごとに当該行の先頭又は最後尾からのそれぞれの前記文字間隔から抽出された情報に基づいて、前記ブロックごとの前記ブロック情報を生成することを特徴とする請求項７又は８記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記埋め込み情報復号手段は、前記ブロックごとに、当該ブロックに係る複数の前記ブロック情報の値の多数決により、当該ブロックの値を判定することを特徴とする請求項７乃至９いずれか一項記載の画像処理装置。
【請求項１１】
前記埋め込み情報復号手段は、前記ブロック情報ごとに当該ブロック情報に関する信頼度を算出し、前記信頼度に基づいて当該ブロック情報の値を判定することを特徴とする請求項７乃至９いずれか一項記載の画像処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置 
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、画像処理装置に関し、特に文書画像に対して情報を埋め込み、文書画像より埋め込み情報を抽出する画像処理装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであって、文書画像からの文字間隔の抽出に誤りが生じた場合であっても当該文書画像より適切に情報が抽出できるように当該情報を埋め込むことのできる画像処理装置の提供を目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明は、文書画像からの文字間隔の抽出に誤りが生じた場合であっても当該文書画像より適切に情報を抽出することのできる画像処理装置の提供を目的とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明によれば、文書画像からの文字間隔の抽出に誤りが生じた場合であっても当該文書画像より適切に情報が抽出できるように当該情報を埋め込むことのできる画像処理装置を提供することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明によれば、文書画像からの文字間隔の抽出に誤りが生じた場合であっても当該文書画像より適切に情報を抽出することのできる画像処理装置を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月21日(2008.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に形成されたｎ型ウエルと、前記ｎ型ウエル表面に所定間隔を開けて形成されたｐ＋領域であるソースおよびドレインと、前記ソース、ドレイン間に形成されたチャネル領域と、前記チャネル領域の情報にトンネル絶縁膜を介して形成されたフローティングゲート、ナノクリスタル層、シリコン窒化膜等の不導体電荷トラップ相当の電荷蓄積層と、前記電荷蓄積層の上方に絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、を有する不揮発性半導体記憶装置であって、書き込み時に「Ｖｇ＞Ｖｓｕｂ＞Ｖｓ＞Ｖｄ」、「Ｖｓｕｂ＞０Ｖ」、「Ｖｄ≦Ｖｃｃ」の関係を有する電圧Ｖｇ、Ｖｓｕｂ、ＶｓおよびＶｄを、それぞれゲート電極、ｎ型ウエル、ソースおよびドレインに印加することにより、ドレイン付近にバンド間トンネリングによるホットエレクトロンを発生させ、このホットエレクトロンを前記電荷蓄積層に注入してビットデータの書き込みを行なうものにおいて、
Ｙ系の回路をＶｃｃトランジスタで形成していることを特徴とする不揮発性半導体装置。
【請求項２】
半導体基板に形成されたｎ型ウエルと、前記ｎ型ウエル表面に所定間隔を開けて形成されたｐ＋領域であるソースおよびドレインと、前記ソース、ドレイン間に形成されたチャネル領域と、前記チャネル領域の情報にトンネル絶縁膜を介して形成されたフローティングゲート、ナノクリスタル層、シリコン窒化膜等の不導体電荷トラップ相当の電荷蓄積層と、前記電荷蓄積層の上方に絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、を有する不揮発性半導体記憶装置であって、書き込み時に「Ｖｇ＞Ｖｓｕｂ＞Ｖｓ＞Ｖｄ」、「Ｖｓｕｂ＞０Ｖ」、「Ｖｄ≦Ｖｃｃ」の関係を有する電圧Ｖｇ、Ｖｓｕｂ、ＶｓおよびＶｄを、それぞれゲート電極、ｎ型ウエル、ソースおよびドレインに印加することにより、ドレイン付近にバンド間トンネリングによるホットエレクトロンを発生させ、このホットエレクトロンを前記電荷蓄積層に注入してビットデータの書き込みを行なうものにおいて、
書き込み時に、ドレインに対して０Ｖ乃至正の電圧のみを与える回路を備えたことを特徴とする不揮発性半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のメモリセルをＮＯＲ型またはＮＡＮＤ型に接続してアレイ化したことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、不揮発性半導体メモリセルのゲート長の短縮化を実現した不揮発性半導体記憶装置に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この発明は、ソース−ドレイン間の電位差Ｖｄｓを小さくしてメモリセルのゲート長を短くすることができる不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この発明は、半導体基板に形成されたｎ型ウエルと、前記ｎ型ウエル表面に所定間隔を開けて形成されたｐ＋領域であるソースおよびドレインと、前記ソース、ドレイン間に形成されたチャネル領域と、前記チャネル領域の情報にトンネル絶縁膜を介して形成されたフローティングゲート、ナノクリスタル層、シリコン窒化膜等の不導体電荷トラップ相当の電荷蓄積層と、前記電荷蓄積層の上方に絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、を有する不揮発性半導体記憶装置であって、書き込み時に「Ｖｇ＞Ｖｓｕｂ＞Ｖｓ＞Ｖｄ」、「Ｖｓｕｂ＞０Ｖ」、「Ｖｄ≦Ｖｃｃ」の関係を有する電圧Ｖｇ、Ｖｓｕｂ、ＶｓおよびＶｄを、それぞれゲート電極、ｎ型ウエル、ソースおよびドレインに印加することにより、ドレイン付近にバンド間トンネリングによるホットエレクトロンを発生させ、このホットエレクトロンを前記電荷蓄積層に注入してビットデータの書き込みを行なうものにおいて、Ｙ系の回路をＶｃｃトランジスタで形成していることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この発明は、半導体基板に形成されたｎ型ウエルと、前記ｎ型ウエル表面に所定間隔を開けて形成されたｐ＋領域であるソースおよびドレインと、前記ソース、ドレイン間に形成されたチャネル領域と、前記チャネル領域の情報にトンネル絶縁膜を介して形成されたフローティングゲート、ナノクリスタル層、シリコン窒化膜等の不導体電荷トラップ相当の電荷蓄積層と、前記電荷蓄積層の上方に絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、を有する不揮発性半導体記憶装置であって、書き込み時に「Ｖｇ＞Ｖｓｕｂ＞Ｖｓ＞Ｖｄ」、「Ｖｓｕｂ＞０Ｖ」、「Ｖｄ≦Ｖｃｃ」の関係を有する電圧Ｖｇ、Ｖｓｕｂ、ＶｓおよびＶｄを、それぞれゲート電極、ｎ型ウエル、ソースおよびドレインに印加することにより、ドレイン付近にバンド間トンネリングによるホットエレクトロンを発生させ、このホットエレクトロンを前記電荷蓄積層に注入してビットデータの書き込みを行なうものにおいて、書き込み時に、ドレインに対して０Ｖ乃至正の電圧のみを与える回路を備えたことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
この発明は、請求項１または請求項２に記載のメモリセルをＮＯＲ型またはＮＡＮＤ型に接続してアレイ化したことを特徴とする。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月28日(2008.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【特許文献１】特開２００４−２３５６２９号公報
【特許文献２】米国特許第６８１２８０３号明細書
【非特許文献１】Franz Gisin, et al, "Design Advance in PCB/Backplane Interconnects for the Propagation of High Speed Gb/s Digital Signals," pp 184-191, vol. 1 Digital Object Identifier 10.1109/TELSIKS 2003
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
図５を用いて、差動信号配線対の結合度を説明しよう。図５には、結合度の異なる差動信号配線対が２０−Ａから２０−Ｄまで描かれている。配線対２０−Ａは配線の間隔が狭く、対の配線間で強く結合している密結合配線を示している。この密結合配線をType Ａと呼ぶことにする。配線対２０−Ｂは、配線対２０−Ａに対して、配線間隔が少し広く、配線間の結合度がType Ａの２０−Ａに対しては弱いが次に述べる配線対２０−Ｃに対しては強い配線結合を持つ。この配線対２０−Ｂは中間結合配線のType Ｂと呼ぶことにする。同様に、配線対２０−Ｂより更に配線間隔の広い配線対２０−Ｃは疎結合でありType Ｃと呼ぶことにする。配線対２０−Ｄは配線対を構成している配線のお互いが充分離れており、２本の単線と見なせるほどに配線の結合が無い配線対である。これをType Ｄと呼ぶことにする。これらの差動配線は全て同じ差動インピーダンス（Ｚｄｉｆｆ）を有している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
以上の実験結果から図３のように配線層４５からオープンスタブを持つビアホールを介して配線が引き出される場合、裏面の配線４１は密結合させるために配線間隔を狭くし、オープンスタブ長が長くなっていく上層の配線層になるに従い配線間隔をオープンスタブ長に応じて広げていくことでいずれの配線層であっても小さくかつ同程度のジッタ量を持つ伝送経路を構成することができる。この結果、高速化に寄与するばかりでなく、特性が揃うという観点から設計工数も少なくなる効果がある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
ここで、よく知られているように両端が整合終端されたマイクロストリップライン構造を持つ結合２線路で、一方の配線の片方の端に矩形波信号（Ｖｉｎ）が入力された場合の他方の配線の前方端に生ずる前方クロストーク電圧（Ｖｆ）は次式で与えられる。
Ｖｆ＝Ｋｆ・ｌ・ｄ（Ｖｉｎ）／ｄｔ          （６）
ここで前方とは信号伝搬に対して進行方向にある点であり、Ｋｆは前方クロストーク係数、ｌは結合配線の結合配線長、ｄ／ｄｔは時間の微分記号である。また、前方クロストーク係数Ｋｆは損失が無視できるとき次式で与えられる。Ｖｉｎが矩形波の場合、Ｖｆはその時間微分で与えられるのでピーク性の波形となる。
Ｋｆ＝（Ｃｍ／Ｃｏ−Ｌｍ／Ｌｏ）／（２Ｖｐ）    （７）
ここで、Ｃｍ、Ｃｏは単位長さあたりの伝送線路の相互キャパシタンスと自己キャパシタンスであり、Ｌｍ、Ｌｏは単位長さあたりの伝送線路の相互インダクタンスと自己インダクタンスであり、Ｖｐは伝搬遅延速度である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
モジュール６０にはプロセッサ２０１、メモリ２０２、複数のインタフェース回路２０３を有し、インタフェース回路２０３からケーブル２０４により広域ネットワーク２０５に接続される。このケーブル２０４からのデータをインタフェース回路２０３が受信し、データのヘッダからどのネットワークに転送すべきかＣＰＵ２０１が計算し、それに対応するモジュール内のインタフェース回路２０３にデータが届くようにマザーボード１内の配線を伝わる。このマザーボード１内で信号のジッタが少ないためにより高いスループットのデータを伝送できる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月5日(2008.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
取得した複数のデータを互いに対応付ける対応付け装置であって、
入力された単語の入力開始時刻情報と撮影された映像素材の撮影時間情報とを用いて、前記単語と前記映像素材とを対応付ける対応関係判定手段を備え、
前記対応関係判定手段は、
前記映像素材の撮影中に入力された単語は、前記撮影中の映像素材に対応付けし、
全ての映像素材の撮影後に入力された単語は、最後に撮影された映像素材への対応付けを優先し、
前記映像素材の撮影の合間に入力された単語は、単語入力前、又は単語入力後の映像素材への対応付けを優先する、
対応付け装置。
【請求項２】
入力された複数の単語間の関連性を判定することにより単語のグループ化を行う単語間関連性判定手段を備え、
前記対応関係判定手段は、グループ化された単語群と前記映像素材とを対応付ける請求項１記載の対応付け装置。
【請求項３】
前記グループ化された単語群間の関連性を判定するグループ間関連性判定手段を備え、
前記対応関係判定手段は、前記グループ間関連性判定手段の判定結果に基づいて、グループ化された単語群と前記映像素材とを対応付ける請求項２記載の対応付け装置。
【請求項４】
前記グループ間関連性判定手段は、修正履歴情報を用いて前記グループ化された単語群間の関連性を判定する請求項３記載の対応付け装置。
【請求項５】
前記グループ間関連性判定手段は、単語が入力された際の位置情報を用いて前記グループ化された単語群間の関連性を判定する請求項３記載の対応付け装置。
【請求項６】
さらに、対応付け装置の位置情報を取得する位置情報取得部を有し、
前記対応関係判定手段は、
前記映像素材の撮影の合間に入力された単語は、前記位置情報を用いて対応付ける映像素材を選択する請求項１ないし５のいずれか一項記載の対応付け装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか一項記載の対応付け装置と、単語ごとの入力開始時刻を取得、管理する入力管理装置と、前記撮影素材を撮影する撮像装置と、を備える対応付けシステム。
【請求項８】
請求項１ないし６のいずれか一項記載の対応付け装置に接続される入力管理装置であって、
単語ごとの入力開始時刻を取得、管理する入力管理装置。
【請求項９】
前記対応関係判定手段は、
前記映像素材の再生確認中に入力された単語は、前記再生確認中の映像素材に対応つける請求項１ないし６のいずれか一項記載の対応付け装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月6日(2008.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線周波数信号を処理する処理部と、
前記無線周波数信号をサンプリングすると共に、前記無線周波数信号を周波数変換するサンプルホールド回路と、
前記サンプルホールド回路による前記無線周波数信号のサンプリングタイミングに基づいて、前記無線周波数信号のサンプリングに不要な時間帯に前記処理部の動作を停止させる動作停止部とを有することを特徴とする無線通信装置。
【請求項２】
前記処理部は、前記無線周波数信号を増幅するローノイズアンプを有し、
前記動作停止部は、前記サンプルホールド回路による前記無線周波数信号のサンプリングタイミングに基づいて、前記無線周波数信号のサンプリングに不要な時間帯に前記ローノイズアンプの動作を停止させることを特徴とする請求項１に記載の無線通信装置。
【請求項３】
無線周波数信号を増幅する増幅器と、
前記増幅器にて増幅された無線周波数信号をサンプリングすると共に、前記無線周波数信号を周波数変換するサンプルホールド回路と、
前記サンプルホールド回路による前記無線周波数信号のサンプリングタイミングに基づいて、前記無線周波数信号のサンプリングに不要な時間帯に前記増幅器の動作を停止させるクロックバッファとを有することを特徴とする無線通信装置。
【請求項４】
前記クロックバッファは、前記無線周波数信号のサンプリングに不要な時間帯に前記増幅器のバイアスを遮断することを特徴とする請求項３記載の無線通信装置。
【請求項５】
前記クロックバッファは、前記無線周波数信号がサンプリングされるタイミングで前記増幅器を間欠的に動作させることを特徴とする請求項３記載の無線通信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月5日(2008.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電ウエハ本体と、
支持部により前記圧電ウエハ本体に接続される圧電基板と、を有し、
ＡＴカットされた水晶で形成された圧電ウエハであって、
前記圧電基板は、矩形であり、その長辺が前記水晶のＸ軸に沿って形成され、
前記支持部は、前記圧電基板の短辺のうちの一辺に形成され、
前記支持部の外側面は、前記Ｘ軸に沿って、前記圧電基板の前記長辺と連続して設けられ、
前記支持部の内側面には、前記水晶のＺＺ’軸に沿う第１の溝が設けられた、
ことを特徴とする圧電ウエハ。
【請求項２】
前記支持部の前記外側面に、前記ＺＺ’軸に沿った第２の溝を設けたことを特徴とする請求項１に記載の圧電ウエハ。
【請求項３】
前記第２の溝の長さは、前記第１の溝の長さよりも短いことを特徴とする請求項２に記載の圧電ウエハ。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の圧電ウエハに設けられた前記圧電基板に電極パターンを設け、前記圧電基板を前記支持部から分離してなることを特徴とする圧電デバイス。
【請求項５】
前記支持部から分離された前記圧電基板をパッケージに搭載したことを特徴とする請求項４に記載の圧電デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る圧電ウエハは、圧電ウエハ本体と、支持部により前記圧電ウエハ本体に接続される圧電基板と、を有し、ＡＴカットされた水晶で形成された圧電ウエハであって、前記圧電基板は、矩形であり、その長辺が前記水晶のＸ軸に沿って形成され、前記支持部は、前記圧電基板の短辺のうちの一辺に形成され、前記支持部の外側面は、前記Ｘ軸に沿って、前記圧電基板の前記長辺のうちの少なくとも一つと連続して設けられ、前記支持部の内側面には、前記水晶のＺＺ’軸に沿う第１の溝が設けられたことを特徴としている。また前記支持部の内側面には、前記圧電基板の前記基端側に設けられた前記面に沿う第１の溝が設けられたことを特徴としている。なお前記圧電基板の前記側面は、前記圧電基板の前記基端側に設けられた前記面と交差している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
支持部の外側面は、Ｘ軸に沿って圧電基板の長辺と連続しているので、エッチングによって圧電基板に入り込みが生じる切っ掛けが無い。したがって圧電ウエハをエッチング液に浸漬しても圧電基板に入り込みが発生することは無く、圧電基板の形状を所望の通りに得ることができる。またエッチング時間を長くした場合であっても、圧電基板の形状を小型化した場合であっても、圧電基板に入り込みが発生することはなく、エッチング形成しても圧電基板の形状を維持することができる。さらに支持部には第１の溝が設けられているので、この第１の溝が圧電基板を支持部から分離するときの基点となり、圧電ウエハ本体から圧電基板を容易に分離することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また本発明に係る圧電ウエハは、前記支持部の前記外側面に、前記圧電基板の前記基端側に設けられた前記面ＺＺ’軸に沿った第２の溝を設けたことを特徴としている。この場合、前記第２の溝の長さは、前記第１の溝の長さよりも短いことが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また本発明に係る圧電デバイスは、前記支持部から分離された前記圧電基板をパッケージに搭載したことを特徴としている。これにより圧電デバイスは、振動特性等の諸特性を向上させることができ、また安定化を図ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月2日(2008.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子機器本体部と他の機器部とを回転可能に連結するヒンジ機構の前記本体部側に設けられ前記回転軸断面方向に凹曲面からなる反射面を有する第一の素子取付部と、前記ヒンジ機構の前記他の機器側に設けられ前記第一の素子取付部と対向するように凹曲面からなる反射面を有する第二の素子取付部とからなる通信部と、
前記第一の素子取付部及び第二の素子取付部の一方に設けられる発光素子と、
前記素子取付部の他方に設けられる受光素子と、を有することを特徴とする通信装置。
【請求項２】
前記発光素子と前記受光素子との少なくとも一方が、
前記凹曲面上の前記回転軸中心とは異なる位置に設けられることを特徴とする、請求項１記載の通信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】通信装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、本体部と表示部の間で光信号の交換を行う電子機器において、該信号交換が通信部内の光反射を利用した光通信により行われる通信装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、上述の目的を達成するため、以下（１）と（２）の構成を備えるものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（１）電子機器本体部と他の機器部とを回転可能に連結するヒンジ機構の前記本体部側に設けられ前記回転軸断面方向に凹曲面からなる反射面を有する第一の素子取付部と、前記ヒンジ機構の前記他の機器側に設けられ前記第一の素子取付部と対向するように凹曲面からなる反射面を有する第二の素子取付部とからなる通信部と、
前記第一の素子取付部及び第二の素子取付部の一方に設けられる発光素子と、
前記素子取付部の他方に設けられる受光素子と、を有することを特徴とする通信装置。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（２）前記発光素子と前記受光素子との少なくとも一方が、
前記凹曲面上の前記回転軸中心とは異なる位置に設けられることを特徴とする、前記（１）記載の通信装置。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月17日(2008.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
【図１】本発明に係るチャック装置の第１実施形態を概略的に示す側面図であって、ワークが真空吸着されている状態を示している。
【図２】ワークを真空吸着していない状態の図１の平面図である。
【図３】図１の部分拡大断面図である。
【図４】ワークの一例を示す部分拡大図である。
【図５】ワークに外周研磨を施す状態を概念的に示す要部側面図である。
【図６】図５の平面図である。
【図７】第２実施形態のチャック装置を示す断面図である。
【図８】第３実施形態のチャック装置を示す側面図である。
【図９】第４実施形態のチャック装置を示す側面図である。
【図１０】上記各実施形態のチャック装置にノッチを備えたワークをチャックした状態を示す平面図である。
【図１１】オリエンテーションフラットを有するワークのチャックに適したチャック装置を示す平面図である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月24日(2008.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
載置台上の複数箇所で開口する複数の流路を介して真空吸着されていた被処理体を、その受け渡し具を介して上記載置台から持ち上げて、上記載置台から上記被処理体を取り出す方法において、
上記被処理体を真空吸着する上記複数の流路からの排気を停止する工程と、
上記受け渡し具を介して上記被処理体を上記載置台から持ち上げる工程と、
上記複数の流路の少なくとも一つから上記載置台と上記被処理体の間に気体を供給する工程と、を備えている
ことを特徴とする被処理体の取り出し方法。
【請求項２】
上記被処理体を持ち上げる工程は、少なくとも持ち上げ速度を異にする第１、第２の工程を有し、第２の工程は、第１の工程よりも速い速度で持ち上げることを特徴とする請求項１に記載の被処理体の取り出し方法。
【請求項３】
上記載置台と上記被処理体の間に気体を供給する工程は、上記第1の工程の途中で行われることを特徴とする請求項２に記載の被処理体の取り出し方法。
【請求項４】
コンピュータを駆動させて、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の被処理体の取り出し方法を実行するプログラムを記憶したことを特徴とするプログラム記憶媒体。
【請求項５】
被処理体を載置する載置台と、上記載置台上で上記被処理体の受け渡しを行うために上記載置台において出没する受け渡し具と、上記被処理体を上記載置台上に真空吸着するために上記載置台の載置面の複数箇所で開口するように上記載置台に設けられた複数の流路と、を備えた載置機構において、上記複数の流路の少なくとも一つを介して上記載置台と上記被処理体の間に気体を供給する気体供給手段を設け、上記受け渡し具は少なくとも２段階の持ち上げ速度が設定可能であり、上記複数の流路それぞれには排気手段を接続すると共に上記気体供給手段には上記排気手段との間で切り換え可能なバルブを接続してあり、更に上記バルブは上記気体の流量を調整する手段を有することを特徴とする載置機構。
【請求項６】
上記載置台は、大きさの異なる少なくとも二種類の被処理体を載置することができ、上記少なくとも一つの流路は、大きさの異なる上記被処理体のうち、小さい方の被処理体側に配置されていることを特徴とする請求項５に記載の載置機構。
【請求項７】
上記複数の流路それぞれには排気手段が接続され、上記気体供給手段には上記排気手段と切換可能なバルブが接続されていることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の載置機構。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
また、特許文献２にはバキュームテーブルの吸引、真空装置が記載されている。この装置は、バキュームテーブルのチャンバーにポンプの排気側と吸引側を方向切換弁を介して接続し、方向切換弁を切り換えることによって、チャンバーにポンプの排気側、吸引側のいずれかを選択的に連通し得るようにしている。この装置の場合には、ウエハＷをバキュームテーブルから取り出す場合には、バキュームテーブルを方向切換弁を介してポンプの排気側に連通させるようにしている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明の請求項１に記載の被処理体の取り出し方法は、載置台上の複数箇所で開口する複数の流路を介して真空吸着されていた被処理体を、その受け渡し具を介して上記載置台から持ち上げて、上記載置台から上記被処理体を取り出す方法において、上記被処理体を真空吸着する上記複数の流路からの排気を停止する工程と、上記受け渡し具を介して上記被処理体を上記載置台から持ち上げる工程と、上記複数の流路の少なくとも一つから上記載置台と上記被処理体の間に気体を供給する工程と、を備えていることを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の請求項２に記載の被処理体の取り出し方法は、請求項１に記載の発明において、上記被処理体を持ち上げる工程は、少なくとも持ち上げ速度を異にする第１、第２の工程を有し、第２の工程は、第１の工程よりも速い速度で持ち上げることを特徴とするものである。
また、本発明の請求項３に記載の被処理体の取り出し方法は、請求項２に記載の発明において、上記載置台と上記被処理体の間に気体を供給する工程は、上記第1の工程の途中で行われることを特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明の請求項４に記載のプログラム記憶媒体は、コンピュータを駆動させて、請求項１〜請求項３のいずれか1項に記載の被処理体の取り出し方法を実行するプログラムを記憶したことを特徴とするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の請求項５に記載の載置機構は、被処理体を載置する載置台と、上記載置台上で上記被処理体の受け渡しを行うために上記載置台において出没する受け渡し具と、上記被処理体を上記載置台上に真空吸着するために上記載置台の載置面の複数箇所で開口するように上記載置台に設けられた複数の流路と、を備えた載置機構において、上記複数の流路の少なくとも一つを介して上記載置台と上記被処理体の間に気体を供給する気体供給手段を設け、上記受け渡し具は少なくとも２段階の持ち上げ速度が設定可能であり、上記複数の流路それぞれには排気手段を接続すると共に上記気体供給手段には上記排気手段との間で切り換え可能なバルブを接続してあり、更に上記バルブは上記気体の流量を調整する手段を有することを特徴とするものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明の請求項６に記載の載置機構は、請求項５に記載の発明において、上記載置台は、大きさの異なる少なくとも二種類の被処理体を載置することができ、上記少なくとも一つの流路は、大きさの異なる上記被処理体のうち、小さい方の被処理体側に配置されていることを特徴とするものである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明の請求項７に記載の載置機構は、請求項５または請求項６に記載の発明において、上記複数の流路それぞれには排気手段が接続され、上記気体供給手段には上記排気手段と切換可能なバルブが接続されていることを特徴とするものである。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月12日(2008.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
次いで、上記凹部１２の内面および上記絶縁膜１１の表面に、第１シード膜７７を形成する。この第１シード膜７７は、例えば銅マンガン（ＣｕＭｎ）合金膜からなり、例えば４０ｎｍの厚さに形成した。この第１シード膜７７は、スパッタリング法、原子層蒸着法等の薄膜形成技術により成膜することができる。さらに、電解めっき（ＥＣＰ）法もしくはＣＶＤ法にて、第１銅系膜７８を形成する。ここでは、銅膜を例えば５０ｎｍの厚さに形成した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
続いて、上記第１銅系膜７８の表面に、第２シード膜７９を形成する。この第２シード膜７９は、例えば銅マンガン（ＣｕＭｎ）合金膜からなり、例えば１０ｎｍの厚さに形成した。この第２シード膜７９は、スパッタリング法、原子層蒸着法等の薄膜形成技術により成膜することができる。さらに、電解めっき（ＥＣＰ）法もしくはＣＶＤ法にて、上記凹部１２を埋め込むように第２銅系膜８０を形成する。ここでは、銅膜を形成した。なお、各シード膜７７、７９、各銅系膜７８、８０の膜厚を調整して、凹部１２内を上記以上の多数層構造とすることも可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
続いて、上記第１銅系膜７８の表面に、第２シード膜７９を形成する。この第２シード膜７９は、例えば銅マンガン（ＣｕＭｎ）合金膜からなり、例えば１０ｎｍの厚さに形成した。この第２シード膜７９は、スパッタリング法、原子層蒸着法等の薄膜形成技術により成膜することができる。さらに、電解めっき（ＥＣＰ）法もしくはＣＶＤ法にて、上記凹部１２を埋め込むように第２銅系膜８０を形成する。ここでは、銅膜を形成した。なお、各シード膜７７、７９、各銅系膜７８、８０の膜厚を調整して、凹部１２内を上記以上の多数層構造にすることも可能である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
次に、図１０（２）に示すように、機械的化学研磨（ＣＭＰ）法によって、絶縁膜１１表面の余剰な第１、第２銅系膜７８、８０〔前記図１０（１）参照〕、第１、第２シード膜７７、７９〔前記図１０（１）参照〕、バリアメタル膜７４等を研磨して、絶縁膜１１表面を露出させるとともに、上記凹部１２内にバリアメタル膜７４を介して、第１シード膜７７、第１銅系膜７８、第２シード膜７９、第２銅系膜８０の積層構造が形成される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
図１２（１）に示すように、前記図１１によって説明した第６例と同様にして、半導体基板（図示せず）上に、第１絶縁膜３１を酸化シリコン系絶縁膜で形成する。この第１絶縁膜３１は、例えば化学気相法（ＣＶＤ）を用いて、誘電率が３以下の無機系酸化膜、例えばＭＳＱ（Metyl Silsesquioxane：メチルシルセスキオキサン）膜で形成する。その膜厚は、例えば２００ｎｍとする。さらに、エッチングによって上記第１絶縁膜３１に凹部（以下配線溝として説明する）３２を形成する。このエッチングでは、例えばフッ化炭素（ＣＦ）系のエッチングガスを用い、上記配線溝３２を例えば１５０ｎｍの深さに形成する。次いで、上記配線溝３２に、マンガンシリケート（ＭｎＳｉxＯy）膜からなるバリア膜３３を介して銅系膜からなる導電体（以下第１配線として説明する）３４を形成する。上記マンガンシリケート膜の形成では、銅マンガン合金からなるシード膜（図示せず）を形成し、そのシード膜中のマンガンを全て消費せず、マンガンを残してある。このマンガンは、導電体３４中に拡散される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
次に、上記導電体３４を被覆するように上記絶縁膜３１上に酸化シリコン系絶縁膜２１を形成する。この酸化シリコン系絶縁膜２１は、例えばＭＳＱ（Metyl Silsesquioxane：メチルシルセスキオキサン）を１０ｎｍの厚さに堆積して形成した。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月12日(2008.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックベース部材と金属製リッド部材を溶接部材の介在によりシーム溶接して気密封着した電子部品用パッケージにおいて、前記溶接部材が前記セラミックベース部材の側壁部端面に設けたメタライズ層および前記金属製リッド部材の表面に設けたＣｕめっき層とＡｇめっき層の積層めっきであることを特徴とする電子部品用パッケージ。
【請求項２】
前記メタライズ層はタングステン上にＮｉめっきして形成され、前記積層めっきは前記金属製リッド部材のコバール金属板に下地のＣｕめっき層とその上のＡｇめっき層とにより形成されたことを特徴とする請求項１に記載の電子部品用パッケージ。
【請求項３】
前記積層めっきの厚さは、前記Ｃｕめっき層が３〜４０μｍ、前記Ａｇめっき層が０．３〜１５．０μｍの範囲内であることを特徴とする請求項２に記載の電子部品用パッケージ。
【請求項４】
側壁部の囲繞により開口容器を形成するセラミックベース部材と前記開口容器をカバー閉止する金属製リッド部材との間に溶接部材を介在配置してシーム溶接した電子部品用パッケージの製造方法において、前記セラミックベース部材はその側壁部の端面にメタライズ層を形成し、前記金属製リッド部材はその表面に下地のＣｕめっき層とその上にＡｇめっき層を形成し、前記セラミックベース部材の開口容器に前記金属製リッド部材を前記メタライズ層および前記積層めっきからなる前記溶接部材を所定位置に介在して配置し、前記金属製リッド部材の対向辺部に一対のローラ電極を当接して加圧しつつ通電して連続的にスポット溶接して気密封着することを特徴とする電子部品用パッケージの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明によれば、セラミックベース部材と金属製リッド部材を溶接部材の介在によりシーム溶接して気密封着した電子部品用パッケージにおいて、前記溶接部材が前記セラミックベース部材の側壁部端面に設けたメタライズ層および前記金属製リッド部材の表面に設けたＣｕめっき層とＡｇめっき層の積層めっきであることを特徴とする電子部品用パッケージが提供される。この場合にメタライズ層はタングステン上にＮｉめっきして形成され、前記積層めっきは前記金属製リッド部材のコバール金属板に下地のＣｕめっき層とその上のＡｇめっき層とにより形成されたことを特徴とする。また、好ましくは、金属製リッド部材の積層めっきの厚さは、前記Ｃｕめっき層が３〜４０μｍ、前記Ａｇめっき層が０．３〜１５．０μｍの範囲内であることを特徴とする電子部品用パッケージを開示する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の薄型化した電子部品用パッケージは、側壁部で囲繞された開口容器を形成するセラミックベース部材と、開口容器を閉止する金属製リッド部材と、セラミックベース部材および金属製リッド部材との間に配置した溶接部材とを具備する。この電子部品用パッケージの製造方法は、セラミックベース部材と金属製リッド部材との間に介在した溶接部材をシーム溶接する製造方法であって、溶接部材はセラミックベース部材の側壁端面に形成したメタライズ層と、金属製リッド部材のコバール表面に形成した下地のＣｕめっき層およびその上のＡｇめっき層からなる積層めっきで構成される。ここで、シーム溶接は、セラミックベース部材の開口容器を閉止するよう金属製リッド部材を所定位置に配置した後、金属製リッド部材の対向辺部に一対のローラ電極を当接して加圧しつつ通電して連続的にスポット溶接することを特徴とする。換言すると、コバー材にＣｕおよびＡｇのめっき層を積層形成した金属製リッド部材とセラミックベース部材の側壁部端面部分に設けたタングステンにＮｉめっきを施したメタライズ層をシーム溶接により気密封着するが、金属リッド部材の積層めっきのＡｇめっき層は、下地のＣｕめっき層に溶け込んでＡｇＣｕのろう材として作用すると考えられる。すなわち、約９６０℃の銀Ａｇの溶融温度が、Ａｇが下地のＣｕに溶け込みＡｇＣｕろう材として作用するため、実際には９６０℃に上昇する前にＡｇとＣｕが拡散し、共晶点の約７８０℃近くでシーム溶接が可能になると考えられる。なお、溶接部材はセラミックベース部材の側壁端面にＷ材にＮｉめっきを施したメタライズ層であり、金属製リッド部材のコバール材にＣｕめっきを３〜４０μｍのＣｕめっき層の下地上にＡｇめっき層を０．３〜１５．０μｍの厚さで形成した積層めっきである。なお、Ａｇ−Ｃｕ共晶の比率は７２：２８であり、それぞれＡｇが１０．５で、Ｃｕが８．９８の密度を有するので、上述するめっき層の厚さとしては下地のＣｕめっき層が比較的厚い割合となっている。すなわち、側壁部の囲繞により開口容器を形成するセラミックベース部材と前記開口容器をカバー閉止する金属製リッド部材との間に溶接部材を介在配置してシーム溶接した電子部品用パッケージの製造方法において、前記セラミックベース部材はその側壁部の端面にメタライズ層を形成し、前記金属製リッド部材はその表面に下地のＣｕめっき層とその上にＡｇめっき層を形成し、前記セラミックベース部材の開口容器に前記金属製リッド部材を前記メタライズ層および前記積層めっきからなる前記溶接部材を所定位置に介在して配置し、前記金属製リッド部材の対向辺部に一対のローラ電極を当接して加圧しつつ通電して連続的にスポット溶接して気密封着することを特徴とする電子部品用パッケージの製造方法が開示される。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月30日(2008.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、  
前記処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、  
前記処理室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、  
前記処理室の前記処理ガスの濃度を検出する処理ガス濃度検出部と、  
前記不活性ガス供給部の供給ガス流量を制御する不活性ガス流量制御部とを備えており、  
前記不活性ガス流量制御部は、前記基板を前記処理室にて処理した後に、前記処理室に第一供給ガス流量にて不活性ガスを供給し続け、  
前記処理ガス濃度検出部が検出する前記処理室の前記処理ガスの濃度が所定の処理ガスの濃度以下であることを検出した後に、前記処理室への不活性ガスの供給ガス流量を前記第一供給ガス流量よりも多い第二供給ガス流量となるように制御することを特徴とする基板処理装置。  
【請求項２】
前記処理ガスは水素ガスであることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。  
【請求項３】
前記基板の前記処理室での処理は、前記処理室が略大気圧の状態にて処理することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。  
【請求項４】
前記不活性ガスは前記基板を冷却するためのガスであり、少なくとも前記基板よりも温度の低い状態で前記処理室に供給されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。  
【請求項５】
前記不活性ガス流量制御部は、前記処理室の処理ガスの濃度を希釈するように前記処理室に前記第一供給ガス流量にて前記不活性ガスを供給し、前記基板を冷却するように前記処理室に前記第一供給ガス流量よりも多い前記第二供給ガス流量となるように制御することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。  
【請求項６】
前記処理室の周りに配置され、前記処理室を加熱する加熱部と、  
前記処理室に前記基板を搬入する際には、搬入するのに先立って前記処理室の温度を前記基板を処理する温度に維持しておき、前記基板を前記処理室に搬入し処理した後に前記基板を前記処理室から搬出する際には、搬出するのに先立って前記処理室内にて前記基板の温度を降温させるように前記加熱部を制御するコントローラとをさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項７】
基板を処理する処理室と、  
前記処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、  
前記処理室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、  
前記処理室の前記処理ガスの濃度を検出する処理ガス濃度検出部と、  
処理ガス除去装置または排気ポンプが設けられており、前記処理室を排気する第一の排気ラインと、  
前記処理ガス除去装置および前記排気ポンプが設けられておらず、前記処理室を排気する第二の排気ラインと  
前記基板を前記処理室にて処理した後に、前記処理ガス濃度検出部が前記処理室の前記処理ガスの濃度を所定の処理ガスの濃度よりも高い濃度であると検出しているときには、前記処理室を前記第一の排気ラインにて排気し、前記処理ガス濃度検出部が前記処理室の前記処理ガスの濃度を所定の濃度以下であることを検出したときには、前記第二の排気ラインにて排気するように制御するコントローラとを備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
前記処理室の周りに配置され、前記処理室を加熱する加熱部をさらに備え、  
前記コントローラは、処理室に前記基板を搬入する際には、搬入するのに先立って前記処理室の温度を前記基板を処理する温度に維持しておき、前記基板を前記処理室に搬入し処理した後に前記基板を前記処理室から搬出する際には、搬出するのに先立って前記処理室内にて前記基板の温度を降温させるように前記加熱部を制御することを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
処理ガス供給部から処理室に処理ガスを供給し基板を処理するステップと
不活性ガス供給部から前記処理室に第一供給ガス流量で不活性ガスを供給するステップと、  
前記処理室の処理ガスの濃度が所定濃度以下であることを処理ガス濃度検出部が検出した後に、前記処理室への不活性ガスの供給ガス流量を前記第一供給ガス流量よりも多い第二供給ガス流量にて供給するステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
処理ガス供給部から処理室に処理ガスを供給し基板を処理するステップと
不活性ガス供給部から前記処理室に不活性ガスを供給するステップと、  
前記不活性ガス供給ステップは、処理ガス濃度検出部が前記処理室の処理ガス濃度が所定濃度よりも高いと検出しているときには、処理ガス除去装置または排気ポンプが設けられている第一の排気ラインから前記処理室を排気するステップと、
前記処理ガス濃度検出部が前記処理室の前記処理ガス濃度が前記所定濃度以下と検出しているときには、前記処理ガス除去装置および前記排気ポンプが設けられていない第二の排気ラインから前記処理室を排気ステップとを有することを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。