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【手続補正書】
【提出日】平成20年7月23日(2008.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
光導波路の形状がフィルム状である請求項７記載の光伝送部材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果本発明に到達した。すなわち本発明は、
[１]  （Ａ）シロキサン単位式（１）
(R１R２R３SiO1/２)a(R4R5SiO2/2)b(R6SiO3/2)c(SiO4/2)d                  （１）
（式中、R１，R２，R３，R4，R5， R6は炭素原子数１〜６の一価脂肪族炭化水素基、炭素原子数６〜１０の一価芳香族炭化水素基およびエポキシ基含有一価炭化水素基から選択される有機基であり、エポキシ基含有一価炭化水素基を有するシロキサン単位が一分子中２〜５０モル％であり、全有機基の１５モル％以上が炭素原子数６〜１０の一価芳香族炭化水素基であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１であり、ａは平均０≦ａ＜０．４であり，ｂは平均０＜ｂ＜０．５であり，ｃは平均０＜ｃ＜１であり，ｄは平均０≦ｄ＜０．４であり、ｂ、ｃは平均０．０１≦ｂ／ｃ≦０．３である。）で表されるエポキシ基含有オルガノポリシロキサン樹脂                    １００重量部、
（Ｂ）光重合開始剤０．０５〜２０重量部、および
（Ｃ）有機溶媒０〜５０００重量部からなることを特徴とする活性エネルギー線硬化型オルガノポリシロキサン樹脂組成物。
[２]  フィルム状硬化物用である[１]記載の活性エネルギー線硬化型オルガノポリシロキサン樹脂組成物。
[３]  光伝送部材用である[１]記載の活性エネルギー線硬化型オルガノポリシロキサン樹脂組成物。
[４]  光伝送部材が光導波路である[３]記載の活性エネルギー線硬化型オルガノポリシロキサン樹脂組成物。
[５]  活性エネルギー線が紫外線である[１]から[４]のいずれかに記載のオルガノポリシロキサン樹脂組成物。
[６]  （Ａ）シロキサン単位式（１）
(R１R２R３SiO1/２)a(R4R5SiO2/2)b(R6SiO3/2)c(SiO4/2)d                  （１）
（式中、R１，R２，R３，R4，R5， R6は炭素原子数１〜６の一価脂肪族炭化水素基、炭素原子数６〜１０の一価芳香族炭化水素基およびエポキシ基含有一価炭化水素基から選択される有機基であり、エポキシ基含有一価炭化水素基を有するシロキサン単位は一分子中２〜５０モル％であり、全有機基の１５モル％以上が炭素原子数６〜１０の一価芳香族炭化水素基であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１であり、ａは平均０≦ａ＜０．４であり，ｂは平均０＜ｂ＜０．５であり，ｃは平均０＜ｃ＜１であり，ｄは平均０≦ｄ＜０．４であり、ｂ、ｃは平均０．０１≦ｂ／ｃ≦０．３である。）で表されるエポキシ基含有オルガノポリシロキサン樹脂に、（Ｂ）光重合開始剤存在下で（ただし、（Ａ）成分１００重量部（Ｂ）成分０．０５〜２０重量部である）、活性エネルギー線を照射することにより硬化させてなることを特徴とする光伝送部材。
[７]  光伝送部材が光導波路である[６]記載の光伝送部材。
[８]  光導波路の形状がフィルム状である[７]記載の光伝送部材
[９]  活性エネルギー線が紫外線である[６]記載の光伝送部材。
[１０]  [１]記載の活性エネルギー線硬化型オルガノポリシロキサン樹脂組成物を基板に塗布する工程、ついで塗布された該組成物に活性エネルギー線を照射することにより硬化させる工程からなることを特徴とする光伝送部材の製造方法。
[１１]  [１]記載の活性エネルギー線硬化型オルガノポリシロキサン樹脂組成物を基板に塗布し、塗布物に活性エネルギー線を照射し硬化させて下部クラッド層を形成し、この下部クラッド層上に[１]記載の活性エネルギー線硬化性オルガノポリシロキサン樹脂組成物（ただし、その硬化物の屈折率はクラッド層用の硬化物より大である）を塗布し、塗布物に活性エネルギー線照射により硬化させてコア層を形成し、このコア層を必要に応じて所望形状に加工し、このコア層上、あるいは、所望形状のコア層上と下部クラッド層上に[１]記載の活性エネルギー線硬化性オルガノポリシロキサン樹脂組成物を塗布し、塗布物に活性エネルギー線照射により硬化させて上部クラッド層を形成することを特徴とする光導波路の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月6日(2007.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）少なくとも１種のオレフィン性不飽和モノマーを
（ｂ）オレフィン性不飽和基を有しないポリエステルポリオール少なくとも１種と、
（ｃ）（１）テトラヒドロフランオリゴマーと（２）半化学量論量のポリイソシアネート成分との反応生成物を含む末端ＯＨ化プレポリマー少なくとも１種
の存在下にラジカル重合させた生成物を含んでなるポリマー分散体。
【請求項２】
（ａ）１種又はそれ以上のオレフィン性不飽和モノマーを
（ｂ）オレフィン性不飽和基を有しないポリエステルポリオール少なくとも１種と、
（ｃ）（１）テトラヒドロフランオリゴマーと（２）半化学量論量のポリイソシアネート成分とを反応させて調製された末端ＯＨ化プレポリマー少なくとも１種
の存在下にラジカル重合させることからなる、ポリマー分散体の製造方法。
【請求項３】
（１）テトラヒドロフランオリゴマーと（２）半化学量論量のポリイソシアネート成分との反応生成物を含む末端ＯＨ化プレポリマー少なくとも１種を含んでなるポリマー分散体。
【請求項４】
１種又はそれ以上のポリイソシアネートと請求項３に記載のポリマー分散体を含んでなるイソシアネート反応性成分との反応生成物からなる靴底。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月27日(2007.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマーディスパージョンの製造方法であって、
（ａ）一又はそれ以上のオレフィン性不飽和モノマーのラジカル重合を、
（ｂ）ベースポリエステルポリオール成分であって、
（１）オレフィン性不飽和基を有さない少なくとも一のベースポリエステルポリオールを含んで成る成分、及び
（ｃ）オレフィン性不飽和基を有さない二重に活性化されたメチレン化合物、並びに
場合により
（ｂ）ポリエステルポリオール成分であって、
（２）オレフィン性不飽和基を有さない少なくとも一の第２ポリエステルポリオールを含んで成る成分
の存在下で行う製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の製造方法によって製造されるポリマーディスパージョン。
【請求項３】
ポリイソシアネート成分と請求項２に記載のポリマーディスパージョンとの反応生成物を含んで成る靴底。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
本発明に基づくポリマーディスパージョンは、密度が同じ場合、ポリマーディスパージョンを用いないで製造したポリウレタンより、より高い硬度を有するポリウレタンをもたらす。密度のみならず、得られるポリウレタンの硬度も一定に保つ場合、本発明の製造方法は、本発明に基づくポリマーディスパージョンを用いることで、著しくポリイソシアネートの量を減らして行うことができる。
以下に、本発明の主な態様を記載する。
１．
ポリマーディスパージョンの製造方法であって、
（ａ）一又はそれ以上のオレフィン性不飽和モノマーのラジカル重合を、
（ｂ）ベースポリエステルポリオール成分であって、
（１）オレフィン性不飽和基を有さない少なくとも一のベースポリエステルポリオールを含んで成る成分、及び
（ｃ）オレフィン性不飽和基を有さない二重に活性化されたメチレン化合物、並びに
場合により
（ｂ）ポリエステルポリオール成分であって、
（２）オレフィン性不飽和基を有さない少なくとも一の第２ポリエステルポリオールを含んで成る成分
の存在下で行う製造方法。
２．
（ｃ）二重に活性化されたメチレン化合物は、
一般式：  Ｒ１−ＣＨ２−Ｒ２
［ここで、Ｒ１とＲ２は、同じでも異なっていてもよく、各々は独立して誘起的電子求引性置換基を含んで成る基から選択される］
で示される上記１に記載の製造方法。
３．
Ｒ１とＲ２の各々は、相互に独立して、−ＣＯＮＨ２、−ＣＮ又は−ＣＯＯＲ３［ここで、Ｒ３は、アルキル基である］から成る基から選択される上記２に記載の製造方法。
４．
（ａ）該オレフィン性不飽和モノマーは、スチレン、α−メチルスチレン、エチルスチレン、ビニルトルエン、ジビニルベンゼン、イソプロピルスチレン、クロロスチレン、ブタジエン、イソプレン、ペンタジエン、アクリル酸、メタクリル酸、メチルメタクリレート、ビニルアセテート、アクリロニトリル、メチルビニルケトン及びそれらの混合物から成る群から選択される上記１に記載の製造方法。
５．
（ｂ）該ポリエステルポリオール成分は、（１）オレフィン性不飽和基を有さない一又はそれ以上のポリカーボネートポリオールを含んで成る上記１に記載の製造方法。
６．
上記１に記載の製造方法によって製造されるポリマーディスパージョン。
７．
ポリイソシアネート成分とイソシアネート反応性成分とを反応させることを含むポリウレタンの製造方法であって、イソシアネート反応性成分の少なくとも一部が、上記６に記載のポリマーディスパージョンを含んで成る製造方法。
８．
ポリイソシアネート成分と上記６に記載のポリマーディスパージョンとの反応生成物を含んで成る靴底。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月27日(2007.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）水を含んで成る連行剤を、ポリマーディスパージョンに加えること、及び
（２）減圧下で水を除去すること
を含んで成る、ポリエステルポリオール中のポリマーディスパージョンの残留モノマー含有量を減らす方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に基づく方法を用いることで、未反応ラジカル重合可能モノマーの濃度が２０ｐｐｍより低いポリマーディスパージョンを得ることができる。ベースポリエステルポリオールの加水分解の指標として用いることができるポリマーディスパージョンの酸価は、本発明に基づく方法によって増加しない。本発明のポリマーディスパージョンは、水処理後でさえ、１ｍｇＫＯＨ／ｇより小さい酸価を、通常有する。更に、ポリマーディスパージョンの濾過性及び微粒子性も、本発明に基づく方法によって、損なわれない。
以下に本発明の主な態様を記載する。
１．
（１）水を含んで成る連行剤を、ポリマーディスパージョンに加えること、及び
（２）減圧下で水を除去すること
を含んで成る、ポリエステルポリオール中のポリマーディスパージョンの残留モノマー含有量を減らす方法。
２．
１００℃〜１６０℃及び２０〜２００ｍｂａｒの圧力で、水を連続的にポリマーディスパージョンに加え、再び連続的に留去する上記１に記載の方法。
３．
ポリマーディスパージョンに加える水の量は、ポリマーディスパージョンの全量を基準として、２〜１０重量％である上記１に記載の方法。
４．
水の添加を終了した後、少なくとも６０分間、ポリマーディスパージョン上の雰囲気の圧力を２０ｍｂａｒより低い圧力に低下させ、この間のポリマーディスパージョンの温度を少なくとも１００℃とする上記１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月7日(2007.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
好ましい鉱物起源の油は中間蒸留物である。動物及び／または植物起源の燃料油（以下、バイオ燃料とも称する）と中間蒸留物の間の混合比は１：９９〜９９：１であることができる。特に好ましいものは、バイオ燃料を２〜５０体積％、特に５〜４０体積％、とりわけ１０〜３０体積％の量で含む混合物である。本発明の添加剤は、このような混合物に優れた低温特性を与える。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
ここで、オレフィンの側鎖長は、ポリマー主鎖から分岐したアルキル基、すなわち二つのオレフィン性結合した炭素原子を差し引いたモノマー性オレフィン単位の鎖長を指す。非末端二重結合を有するオレフィン、例えばビニリデン部分を有するオレフィンの場合は、ポリマー主鎖に取り込まれた二重結合を差し引いたオレフィンの全鎖長を対応して考慮する必要がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
適当な鉱油成分Ｆ１は、特に、原油を蒸留することによって得られそして１２０〜４５０℃の範囲で沸騰する中間蒸留物、例えばケロシン、ジェット燃料、ディーゼル及び加熱油である。好ましくは、硫黄を０．０５重量％以下、より好ましくは３５０ｐｐｍ未満、特に２００ｐｐｍ未満、特殊な場合には５０ｐｐｍ未満、例えば１０ｐｐｍ未満の割合で含む中間蒸留物が使用される。これらは、一般的に、水素化条件下に精製に付された中間蒸留物であり、それゆえ、ポリ芳香族及び極性化合物を少量のみ含む。これらは、好ましくは、３７０℃未満、特に３５０℃未満、特殊な場合には３３０℃未満の９５％蒸留点を有する中間蒸留物である。合成燃料、例えばフィッシャー・トロプシュ法で得ることができるような合成燃料も中間蒸留物として好適である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
例えば、本発明の添加剤は、パラフィン分散剤との混合物として使用して、析出したパラフィン及び脂肪酸エステルの低温条件下での沈降を更に減少させることができる。パラフィン分散剤は、パラフィン及び脂肪酸エステル結晶の大きさを小さくし、そして次の効果、すなわちパラフィン粒子が分離せず、明らかに低減された沈降傾向をもってコロイド状に分散された状態で留まるという効果を有する。イオン性もしくは極性基を有する低分子量油溶性化合物及びポリマー性油溶性化合物の双方、例えばアミン塩及び／またはアミドが有用なパラフィン分散剤であることが判明している。特に好ましいパラフィン分散剤は、炭素原子数１８〜２４のアルキル基を有する脂肪アミン、特に第二脂肪アミン、特にジタロー脂肪アミン、ジステアリルアミン及びジベヘニルアミンと、カルボン酸もしくはそれの誘導体との反応生成物を含む。特に有用なパラフィン分散剤は、脂肪族もしくは芳香族アミン、好ましくは長鎖脂肪族アミンと、脂肪族もしくは芳香族モノ−、ジ−、トリ−もしくはテトラカルボン酸またはこれらの無水物とを反応させることによって得られるものであることが判明している（米国特許第４２１１５３４号明細書参照）。また同様に好適なパラフィン分散剤は、アミノアルキレンポリカルボン酸、例えばニトリロトリ酢酸もしくはエチレンジアミンテトラ酢酸と、第二級アミンとのアミド及びアンモニウム塩である（ヨーロッパ特許出願公開第０３９８１０１号明細書参照）。他のパラフィン分散剤は、無水マレイン酸とα，β−不飽和化合物からなるコポリマー（これは場合によっては第一級モノアルキルアミン及び／または脂肪族アルコールと反応させてもよい）（ヨーロッパ特許出願公開第０１５４１７７号明細書参照）、及びアルケニル−スピロ−ビスラクトンとアミンとの反応生成物（ヨーロッパ特許第０４１３２７９Ｂ１号明細書参照）、及びヨーロッパ特許出願公開第０６０６０５５Ａ２号による、α，β−不飽和ジカルボン酸無水物、α，β−不飽和化合物、及び低級不飽和アルコールのポリオキシアルキレンエーテルに基づくターポリマーの反応生成物である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月28日(2008.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
乳、果汁及び野菜汁から選ばれる１種以上を主成分とする発酵原料に、酒粕若しくは焼酎蒸留残渣又はそれらの抽出物を添加し、植物乳酸菌を用いて発酵させることにより製造される発酵乳又は発酵飲料。
【請求項２】
植物乳酸菌が穀物、野菜又は果物由来のものである請求項１記載の発酵乳又は発酵飲料。
【請求項３】
植物乳酸菌がラクトバシラス  プランタラムである請求項１又は２記載の発酵乳又は発酵飲料。
【請求項４】
植物乳酸菌がラクトバシラス  プランタラムＳＮ１３Ｔ株、ラクトバシラス  プランタラムＳＮ２６Ｔ、ラクトバシラス  プランタラムＳＮ３５Ｎ株、ラクトバシラス  プランタラムＪＣＭ  １１４９株、ラクトバシラス  プランタラムＪＣＭ  ８３４８株、ラクトバシラス  プランタラムＩＦＯ３０７０株、ラクトバシラス  カゼイ  Ｋ−１株、ラクトバシラス  カゼイＪＣＭ  ８１３６株、ペディオコッカス  ペントサセウス、ペディオコッカスＪＣＭ  ５８８５株、ラクトバシラス  プランタラムＳＮ３５Ｍ株、ラクトコッカス  ラクティス  サブスペシース  ラクティス  ＳＮ２６Ｎ株、エンテロコッカス  スペシースＳＮ２１Ｉ株、エンテロコッカス  ムンヅティＳＮ２９Ｎ株及びラクトバシラス  ヒルガルディＮＢＲＣ１５８８６株から選ばれる１種以上である請求項１又は２記載の発酵乳又は発酵飲料。
【請求項５】
発酵原料が乳を主成分とするものである請求項１〜４のいずれか１項記載の発酵乳又は発酵飲料。
【請求項６】
ドリンクタイプ又は固形タイプのものである請求項５記載の発酵乳又は発酵飲料。
【請求項７】
発酵原料がモモ果汁を主成分とするものである請求項１〜４のいずれか１項記載の発酵乳又は発酵飲料。
【請求項８】
乳、果汁及び野菜汁から選ばれる１種以上を主成分とする発酵原料に、酒粕若しくは焼酎蒸留残渣又はそれらの抽出物を添加し、植物乳酸菌を用いて発酵させることを特徴とする発酵乳又は発酵飲料の製造法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月30日(2008.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
側面パネルは折り畳み可能に構成されていることを特徴とする請求項２に記載の愛玩動物侵入規制用柵。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
（３）また、上記（２）における側面パネルは折り畳み可能に構成されていることを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月1日(2008.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
フライホイール３に連動のアウターロータ４Ａとインナーロータ４Ｂとは第１のモータ・ジェネレータ４を形成し、インナーロータ４Ｂは出口軸４aを介して出力軸６へ「連動」している。
なお、上記「連動」とは、回転作動が回転機械的に連結していることを意味している。
又、念のため、上記「連動」と言う技術用語は自動車技術会発行の日英中自動車用語辞典（２００６年5月24日発行）に記載されている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月23日(2008.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記算出部には、
２色の色成分を一組としてハーフトーン処理を実行するハーフトーン手法が選択された場合に、前記２色のうちの第１色に関する右余白の左端位置と第２色に関する右余白の左端位置のうち大きいほうの値と、前記２色のうちの前記第１色に関する左余白の右端位置と前記第２色に関する左余白の右端位置のうち小さいほうの値との差に対して前記単位画素あたりの演算量を乗算することで、前記各色成分ごとの処理負荷を算出する乗算部が含まれる請求項２に記載の画像処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
入力されたラスタデータを複数に分割し、分割された前記ラスタデータをそれぞれ並列に色変換して前記画像データとして出力する複数の色変換部をさらに備える請求項１乃至４の何れか１項に記載の画像処理装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
画素単位で独立して処理可能な第１のハーフトーン手法が適用される色成分データを格納する、該第１のハーフトーン手法の並列度に応じた数だけ設けられる第１のバッファと、
他の画素の情報を必要とする第２のハーフトーン手法が適用される色成分データを格納する第２のバッファとをさらに含み、
前記第１のバッファは、前記複数のハーフトーン処理部のうち、前記第１のハーフトーン手法についてそれぞれ並列に動作する複数のハーフトーン処理部によって使用され、前記第２のバッファは、前記複数のハーフトーン処理部のうち、前記第２のハーフトーン手法についてそれぞれ並列に動作する複数のハーフトーン処理部によって使用される請求項１ないし請求項５の何れか１項に記載の画像処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月9日(2008.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４０】
請求項３９記載の方法において、前記サーバーは要素管理システム（ＥＭＳ）サーバーを含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月23日(2008.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流モード・シフティング回路であって、
２つの入力ポートおよびコモンモード電圧を有する２つの出力ポートを含む電流モード論理回路と、
第１の供給電圧を受けとることが可能な第１の供給ポートと、
２つの定電流源であって、その各々が該電流モード論理回路の２つの出力ポートのそれぞれのものと該第１の供給ポートの間に接続されている２つの定電流源とを備え、
該定電流源は、該出力ポートのところのコモンモード電圧をシフトする電流を生成し、および
該第１の供給電圧は該出力ポートのところのコモンモード電圧よりも小さく、その結果該定電流源は該出力ポートから電流をシンクし、これにより該出力ポートのところのコモンモード電圧を低下させるようになっている電流モード・シフティング回路。
【請求項２】
電流モード・シフティング回路であって、
２つの入力ポートおよびコモンモード電圧を有する２つの出力ポートを含む電流モード論理回路と、
第１の供給電圧を受けとることが可能な第１の供給ポートと、
各々が、該電流モード論理回路の２つの出力ポートのそれぞれ１つと該第１の供給ポートの間に接続された２つの定電流源と、
非零電位を有する第２の供給電圧を受けとることが可能な第２の供給ポートであって、該電流モード論理回路がされている第２の供給ポートとを備え、
これにより、該電流源は、該出力ポートのところで該コモンモード電圧をシフトする電流を生成するようになっている電流モード・シフティング回路。
【請求項３】
請求項２に記載の電流モード・シフティング回路において、
該第１の供給電圧が該第２の供給電圧よりも高くなっている電流モード・シフティング回路。
【請求項４】
請求項３に記載の電流モード・シフティング回路において、
該定電流源が十分な電流を該出力ポートに注入して、該コモンモード電圧を、該電流モード論理回路の各出力ポートのピーク電圧が該第２の供給電圧よりも高くなるような十分な値に上昇させるようになっている電流モード・シフティング回路。
【請求項５】
電流モード・シフティング回路であって、
２つの入力ポートおよびコモンモード電圧を有する２つの出力ポートを含む電流モード論理回路と、
第１の供給電圧を受けとることが可能な第１の供給ポートと、
各々が該電流モード論理回路の２つの出力ポートのそれぞれのものと該第１の供給ポートの間に提供された２つの定電流源であって、
該出力ポートのところのコモンモード電圧をシフトする電流を生成する２つの定電流源と、
各々が該電流モード論理回路の２つの出力ポートそれぞれのものに接続され、負荷終端に接続可能となっている２つのＤＣブロックコンデンサと、を備える電流モード・シフティング回路。
【請求項６】
電流モード・シフティング回路であって、
２つの入力ポートおよびコモンモード電圧を有する２つの出力ポートを含む電流モード論理回路と、
第１の供給電圧を受けとることが可能な第１の供給ポートと、
各々が該電流モード論理回路の２つの出力ポートのそれぞれのものと、該第１の供給ポートの間に接続された２つの定電流源であって、該出力ポートのところの該コモンモード電圧をシフトする電流を生じる２つの定電流源と、
各々が該電流源のそれぞれのものと直列に接続された２つのトランジスタと、を備える電流モード・シフティング回路。
【請求項７】
電流モード・シフティング回路であって、
２つの入力ポートおよびコモンモード電圧を有する２つの出力ポートを含む電流モード論理回路と、
第１の供給電圧を受けとることが可能な第１の供給ポートと、
各々が該電流モード論理回路の該２つの出力ポートのそれぞれのものと、該第１の供給ポートの間に接続された２つの定電流源であって、該出力ポートのところの該コモンモード電圧をシフトする電流を発生する２つの定電流源とを備え、
該電流モード論理回路は、各々が供給電圧に接続された２つの負荷抵抗器と、
各々が電流供給端末、電流シンク端末および制御端末を有する２つの入力トランジスタであって、各入力トランジスタの電流供給端末が、該負荷抵抗器のそれぞれのものおよび該電流モード論理回路の出力ポートのそれぞれのものに接続されている２つの入力トランジスタと、
電流供給端子、電流シンク端子、および制御端子を有するテール電流トランジスタであって、その電流供給端子が該入力トランジスタの電流シンク端子に接続されているテール電流トランジスタとを備える電流モード・シフティング回路。
【請求項８】
２つもしくはそれより多くの入力ポートと、２つもしくはそれより多くの出力ポートとを有し、第１の供給電圧に接続可能な電流モード回路の出力信号を調節するための方法であって、
該電流モード論理回路の各出力ポートのところに定電流を提供するステップであって、これにより該電流モード論理回路の該出力ポートのところのコモンモード電圧をレベルシフトするステップを含み
該定電流が該電流モード論理回路の各出力ポートから流れ出る電流であり、これにより電流モード論理回路の出力ポートのところの該コモンモード電圧が低下されるようになっている方法。
【請求項９】
２つもしくはそれより多くの入力ポート、および２つもしくはそれより多くの出力ポートを有し、第１の接続電圧に提供可能な電流モード論理回路の出力信号を調節するための方法であって、
該電流モード論理回路の各出力ポートのところで定電流を提供するステップであって、これにより該電流モード論理回路の出力ポートのところのコモンモード電圧をレベルシフトするステップを含み
各出力ポートのところの定電流は、各出力ポートのところのピーク電圧が該第１の供給電圧よりも高くなるのに十分な高い値に該コモンモード電圧を上昇させるようになっている方法。
【請求項１０】
２つもしくはそれより多くの入力ポートと、２つもしくはそれより多くの出力ポートを有し、第１の供給電圧に接続可能な電流モード論理回路の出力信号を調節するための方法であって、
該電流モード論理回路の各出力ポートのところで定電流を提供するステップと、
各出力ポートのとろこの定電流を直列の抵抗器に通過させるステップとを含み、
これにより該電流モード論理回路の出力ポートのところのコモンモード電圧をレベルシフトするようになっている方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月29日(2008.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リピーターアンテナアセンブリを用いて通信する方法において、
該リピーターアンテナアセンブリに関連する経路損失に基づいて該リピーターアンテナアセンブリのゲインを自動調整するステップと、
基地局の感度低下を回避する最高ゲインより大きくないゲインに自動的にセットするステップと、
該ゲインをセットするステップが、該リピーターアンテナアセンブリと該基地局との間の経路損失に対する該ゲインの比を該リピーターアンテナアセンブリのノイズファクタの逆数より少なく維持することを特徴とする
方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、
該経路損失を自動的に推定するステップ、及び
該推定された経路損失に対するゲインの所望比を満足するように該ゲインを自動的に調整するステップ
からなる方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法において、
該リピーターアンテナアセンブリによって受信される信号の強度を定量するステップ、及び
該定量された強度に基づいて推定される該損失を求めるステップ
からなる方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法において、ダウンリンクゲインをアップリンクゲインに等しく設定するステップからなる方法。
【請求項５】
請求項１記載の方法において、
該リピーターアンテナアセンブリによって受信される信号の強度を定量するステップ、及び
該定量された強度が最小の所望リンクバジェットに対応するしきい値を超えている場合に表示を提供するステップ
からなる方法。
【請求項６】
請求項５記載の方法において、該定量された強度に基づいて該表示を調整するステップからなる方法
【請求項７】
請求項１記載の方法において、該リピーターアンテナアセンブリに関連する最小のリンクバジェットを維持するように該ゲインを設定するステップからなる方法。
【請求項８】
請求項１記載の方法において、
第１のリピーターアンテナアセンブリを、データ又は音声通信の少なくとも一方に対して専用の第１の周波数に割り当てるステップ、及び
第２のリピーターアンテナアセンブリを、データ又は音声通信の少なくとも他方に対して専用の第２の周波数に割り当てるステップ
からなる方法。
【請求項９】
請求項１記載の方法において、該ゲインを、安定なリピーターアンテナアセンブリ又は安定な基地局動作の少なくとも一方に対応する最大値に設定するステップからなる方法。
【請求項１０】
請求項９記載の方法において、該安定なリピーターアンテナアセンブリが内部アンテナ及び外部アンテナからなり、該方法は、該ゲイン及び該アンテナ間の距離を該アンテナに関連する正帰還が起こらないように設定するステップからなる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月14日(2008.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シグナルペプチドを有しない融合タンパク質としての耐熱性Ｔ１リパーゼを製造するための方法であって、
シグナルペプチドおよびグルタチオン−Ｓ−トランスフェラーゼを持たない耐熱性Ｔ１リパーゼを融合タンパク質としてコード化するポリヌクレオチド配列を含む組み換えプラスミドを持つ大腸菌を培養し、
前記耐熱性Ｔ１リパーゼのオープンリーディングフレームの増幅および前記オープンリーディングフレームの組み換えプラスミドへのクローン化のために、配列番号２〜４で表わされるプライマーを用い、
前記ポリヌクレオチド配列が、ジオバチルス属Ｔ１からのものであり、ならびに、
前記ジオバチルス属Ｔ１が、ジオバチルスＴ１株ＤＳＭ１７１３９として寄託される、
前記方法。
【請求項２】
ポリヌクレオチド配列が、以下のベクター：
ｐＢＡＤ、ｐＧＥＸ−４Ｔ１、ｐＲＳＥＴ  Ｃ、およびｐＥＴ２２ｂ（＋）
の任意のものへとサブクローン化され、および、
該ベクターが、以下のプロモーター：
ａｒａＣ、Ｔ７、Ｔ７ｌａｃ、およびｔａｃプロモーター
の任意の１つを含有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ベクターが、リパーゼ産生を調節するｔａｃプロモーターを有する、ｐＧＥＸ−４１である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
融合タンパク質が６３ｋＤａの分子量を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
組み換えプラスミドを持つ大腸菌を培養するステップが、イソプロピル−β−Ｄ−チオガラクトピラノシドとの融合タンパク質の産生を誘発することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
組み換えプラスミドを持つ大腸菌が０．０２５ｍＭのイソプロピル−β−Ｄ−チオガラクトピラノシドで少なくとも１２時間誘発され、少なくとも４０，０００Ｕのリパーゼ活性を前記誘発された大腸菌から検出するステップをさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
アフィニティークロマトグラフィーを用いて融合タンパク質を精製するステップをさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
精製するステップが、精製融合タンパク質が陰イオン性界面活性剤および非イオン性界面活性剤処置を受け、前記精製するステップにより、少なくとも２．８倍の精製倍率および／または少なくとも２９７．９７Ｕ／ｍｇのリパーゼ活性を呈する、７０〜７５％の融合タンパク質を回収する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
精製融合タンパク質からＧＳＴを除去するステップをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
Ｔ１リパーゼの精製
４００ｍｌの組換え培養物を遠心分離により回収し、超音波処理の前に４０ｍｌに濃縮した。粗製細胞溶解液を、１０ｍｌのカラム容積を有する、ＰＢＳ（ｐＨ７．３）で平衡化したグルタチオン−セファロースＨＰカラム（ＸＫ１６／２０）に、０．２ｍｌ／分の流速で負荷した。カラムは、タンパク質が検出されなくなるまで同じバッファーで洗浄した。結合したリパーゼは、１０ｍＭの還元グルタチオンが添加されたトロンビン開裂バッファー（２０ｍＭのＴｒｉｓ−ＨＣｌ、１００ｍｌのＮａＣｌおよび０．３３ｍＭのＣａＣｌ２、ｐＨ８．４）により溶出した。融合タンパク質を２０℃にて２０時間トロンビン開裂に供し、そしてバッファーをセファデックスＧ−２５に交換した後、ＰＢＳ（ｐＨ７．３）に対して透析した。ＧＳＴタグおよびトロンビン酵素は、グルタチオン−セファロースＨＰ、ＨｉＴｒａｐグルタチオン４ＦＦおよびＨｉＴｒａｐベンズアミジンを連続的に用いることによりさらに除去した。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月16日(2008.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３７】
同様に、データ書込時に活性化される書込選択信号についても、ＷＭＢ１Ａ，ＷＭＢ１Ｂ，ＷＭＢ１Ｃ，ＷＭＢ１Ｄ〜ＷＭＢｋＡ，ＷＭＢｋＢ，ＷＭＢｋＣ，ＷＭＢｋＤに細分化される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３８】
たとえば、メモリブロックＭＢｄ１２において、サブビット線ＳＢＬ１２に対応するメモリセルがデータ書込対象に選択された場合には、ブロック選択信号ＢＳ１Ｃおよび書込選択信号ＷＭＢ１Ｃが活性化される。これに対して、サブビット線／ＳＢＬ１１に対応するメモリセルがデータ読出対象に選択された場合には、ブロック選択信号ＢＳ１Ｄのみが活性化される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２４４】
アクセストランジスタＡＴＲの構造は、図３に示したＭＴＪメモリセルＭＣａと同様であるので、詳細な説明は繰り返さない。アクセストランジスタＡＴＲは、バリアメタル１０８およびビアホール１１５を介して、トンネル磁気抵抗素子１００ｂと電気的に結合される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２４７】
図２１を参照して、メモリセルＭＣｆは、トンネル磁気抵抗素子１００ｃと、アクセストランジスタＡＴＲとを含む。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２５０】
アクセストランジスタＡＴＲの構造は、図３に示したＭＴＪメモリセルＭＣａと同様であるので、詳細な説明は繰り返さない。アクセストランジスタＡＴＲは、バリアメタル１０８およびビアホール１１５を介して、トンネル磁気抵抗素子１００ｃと電気的に結合される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２５１】
メモリセルＭＣｆに対するデータ書込は、従来の技術の項において、図５２を用いて説明したのと同様に行なわれる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２６９】
図２５を参照して、実施の形態３の変形例２に従うメモリブロックＭＢｇ１１は、図１６に示したメモリブロックＭＢｃ１１と同様の構成を有し、メモリセルＭＣａがメモリセルＭＣｆに置換されている。すなわち、サブビット線ＳＢＬ１１および／ＳＢＬ１１は、開放型ビット線構成に従って配置され、各メモリセル列において、各メモリセル行ごとにＭＴＪメモリセルＭＣｅが配置される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２７３】
実施の形態３の変形例３に従う構成においては、図１５に示したメモリアレイ１０の構成において、メモリブロックＭＢｃ１１〜ＭＢｃｋｍに代えて、メモリブロックＭＢｈ１１〜ＭＢｈｋｍが配置される。メモリブロックＭＢｈ１１〜ＭＢｈｋｍの各々は同様の構成を有するので、図２６にはメモリブロックＭＢｈ１１の構成が代表的に示される。以下においては、メモリブロックＭＢｈ１１〜ＭＢｈｋｍを総称して、単にメモリブロックＭＢｈとも称する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２８１】
図２７を参照して、実施の形態４に従うＭＴＪメモリセルＭＣｇは、トンネル磁気抵抗素子１００ｄとアクセストランジスタＡＴＲとを含む。トンネル磁気抵抗素子１００ｄは、反強磁性体層１０１、固定磁化層１０２、自由磁化層１０３，１０４、トンネルバリア１０５および中間層１０７を有する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２９８】
実施の形態４に従うメモリセルＭＣｇにおいては、ライトワード線ＷＷＬはトンネル磁気抵抗素子１００ｄの中間層１０７を用いて形成されるので、その電気抵抗値は比較的高くなってしまう。メインライトワード線ＭＷＷＬ１〜ＭＷＷＬｎは、トンネル磁気抵抗素子１００ｄより上層の金属配線層を用いて形成される。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月22日(2008.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  記録媒体、又は前記記録媒体を再生するための方法、又は前記記録媒体を製造するための方法、又は前記方法を実行するためのプログラムであって、
前記記録媒体は、記録領域とディスク管理領域とを有し、
前記記録領域は、第１のトラック・グルーブを含み、
前記ディスク管理領域は、前記記録媒体の内周領域と外周領域の少なくともいずれか一方に配置され、第２のトラック・グルーブを含み、
前記第２のトラック・グルーブは、副情報を示す所定形状のウォブルを複数含み、
前記記録媒体の管理情報は、前記複数の所定形状のウォブルの組合せによって表現される、記録媒体、又は前記記録媒体を再生するための方法、又は前記記録媒体を製造するための方法、又は前記方法を実行するためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月8日(2008.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
これにより、光導波路シート２Ａの面に対して略垂直に入射した光が反射面６ａで反射され、コア６Ａ１，６Ａ２に結合されると共に、コア６Ａ１，６Ａ２を伝搬された光が反射面６ａで反射され、光導波路シート２Ａの面から略垂直に出射される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2007027507.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月11日(2008.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
前記発光素子を搭載する凹部と、実装基板に接続される一対の電極端子部とを備えるリードフレームと、
前記凹部の周囲を封止する樹脂封止部とを有し、
前記凹部の底部は、前記一対の電極端子部の前記実装基板への接続面から、予め定めた間隔だけ離れた位置に配置され、かつ、前記封止樹脂部の底面から露出し、
前記封止樹脂部の底面は、前記凹部の底部と同等もしくはそれ以上に前記接続面から離れた位置に配置されていることを特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光半導体装置において、前記封止樹脂部の底面の少なくとも一部は、前記凹部の底部から離れるほど前記封止樹脂部の底面と前記接続面との間隔が広がるように傾斜していることを特徴とする光半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の光半導体装置において、前記凹部の底部は、前記接続面と対向する側の面が、前記接続面に対して突出形状もしくは凹凸形状であり、その表面積が、前記凹部内側の前記発光素子を搭載する側の面の表面積よりも大きいことを特徴とする光半導体装置。
【請求項４】
実装基板と、前記実装基板に搭載された複数の電気回路部品および光半導体装置を有する電気回路装置において、
前記光半導体装置として、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の光半導体装置を用いたことを特徴とする電気回路装置。
【請求項５】
実装基板と、前記実装基板に搭載された複数の電気回路部品と、光半導体装置とを有する電気回路装置において、
前記光半導体装置は、発光素子と、前記発光素子を搭載する凹部および実装基板に接続される一対の電極端子部とを備えるリードフレームと、前記凹部の周囲を封止する樹脂封止部とを有し、前記電気回路部品の複数と同一実装面に搭載され、
前記リードフレームは、前記凹部底面および前記封止樹脂部の底面が前記実装基板への接続面から、離れた位置に配置されるように実装基板側に突出または屈曲して形成され、
前記実装基板表面と前記半導体装置の凹部底面との間には流動空気層が設けられていることを特徴とする光半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月29日(2008.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基台上に実装された少なくとも一つのＬＥＤチップと、これらのＬＥＤチップを包囲するように配置され且つ上記ＬＥＤチップからの光により蛍光を発生させる粒子状の蛍光体が混入された蛍光体層と、を含んでいて、上記ＬＥＤチップからの光と蛍光体からの蛍光の混色光を外部に出射するようにしたＬＥＤ光源であって、
上記基台上にて上記蛍光体層内に配置されている温度検出素子を含んでおり、
上記温度検出素子により、上記蛍光体層の温度を検出することを特徴とする、ＬＥＤ光源。
【請求項２】
上記ＬＥＤチップと温度検出素子が、上記基台表面に形成された二系統の配線パターンを介して、それぞれ互いに異なる駆動電流で駆動されることを特徴とする、請求項１に記載のＬＥＤ光源。
【請求項３】
上記温度検出素子が、上記ＬＥＤチップと比較して小型で、温度特性が既知である第二のＬＥＤチップであって、
上記第二のＬＥＤチップに対して微小電流を供給することにより、その電圧値の変化に基づいて、温度を検出することを特徴とする、請求項１または２に記載のＬＥＤ光源。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
上記目的は、本発明の第一の構成によれば、基台上に実装された少なくとも一つのＬＥＤチップと、これらのＬＥＤチップを包囲するように配置され且つ上記ＬＥＤチップからの光により蛍光を発生させる粒子状の蛍光体が混入された蛍光体層と、を含んでいて、上記ＬＥＤチップからの光と蛍光体からの蛍光の混色光を外部に出射するようにしたＬＥＤ光源であって、上記基台上にて上記蛍光体層内に配置されている温度検出素子を含んでおり、上記温度検出素子により、上記蛍光体層の温度を検出することを特徴とする、ＬＥＤ光源により、達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
この場合、上記蛍光体層内に温度検出素子が配置されているので、この温度検出素子により上記ＬＥＤチップ周辺の温度を検出することができる。
従って、駆動に伴って、上記ＬＥＤチップそして蛍光体層中の蛍光体が発熱し、これらのＬＥＤチップ及び蛍光体層の温度が上昇したとき、これらの温度が、上記温度検出素子により正確に且つほぼリアルタイムに検出され得ることになる。 
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
さらに、上記温度検出素子が基台上に実装されているので、従来のような外付けの温度センサを備える場合と比較して、ＬＥＤ光源全体が大型化してしまうようなことがない。
また、上記温度検出素子が、ＬＥＤ光源のパッケージ内にて、蛍光体層の温度を直接に検出するようになっているので、パッケージ毎の熱抵抗のバラツキの影響を受けることなく、正確な温度検出が可能になる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
このようにして、本発明によるＬＥＤ光源によれば、ＬＥＤチップからの光と蛍光体からの蛍光との混色光を外部に出射する場合に、駆動に伴う蛍光体の発熱による温度上昇を、温度検出素子により正確且つほぼリアルタイムに検出することができる。
その際、温度検出素子が、ＬＥＤ光源のパッケージ内に内蔵されることによって、ＬＥＤ光源が大型化してしまうようなことがない。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2007027583.tif 000001
【手続補正２４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2007027583.tif 000002
【手続補正２５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2007027583.tif 000003
【手続補正２６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2007027583.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月14日(2008.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光光で原版を照明する照明光学系と、
前記原版のパターンを被露光体に投影する投影光学系と、
前記原版の洗浄を行う洗浄装置と、を有する露光装置であって、
当該洗浄装置は、
前記原版にレーザ光を照射する照射手段と、
前記パターンが延びる方向に対応して前記レーザ光の偏光特性を制御する偏光制御手段と、を有し、
前記照射手段が照射する前記レーザ光は、前記露光光の波長とは異なる波長を有し、
前記照射手段は、前記原版のパターン面側に配置されることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記偏光制御手段は、前記レーザ光が、前記パターンが延びる方向に垂直な方向に偏光方向を有するように前記偏光特性を制御することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記偏光制御手段は、前記レーザ光の偏光方向を前記パターンが延びる方向および前記パターンが延びる方向とは垂直な方向で切り替えることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項４】
前記照射手段は、前記レーザ光を前記パターンの全面に一括して照射することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項５】
前記照射手段は、前記レーザ光を前記パターンの一部に照射し、
前記露光装置は、前記原版を前記レーザ光で走査する手段を更に有することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項６】
前記照射手段は、複数のレーザ光を照射する複数の照射手段を含み、
前記偏光制御手段は、前記複数の照射手段にそれぞれ対応する複数の偏光制御手段を含むことを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項７】
前記パターンの構造を格納するメモリと、
前記原版に照射されるレーザ光の照射方向を変更する駆動部と、
当該駆動部による駆動を、前記メモリに格納された前記パターンの構造に基づいて制御する制御部と、を更に有する請求項１記載の露光装置。
【請求項８】
前記露光光は、極端紫外光光源からの極端紫外光であり、
前記レーザ光は、パルス光源からのパルスレーザ光であることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のうちいずれか一項記載の露光装置を用いて被露光体を露光するステップと、
前記露光された被露光体を現像するステップと、を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項１０】
パターンを有する原版を洗浄する洗浄装置であって、
前記原版にレーザ光を照射する照射手段と、
前記パターンが延びる方向に対応して、前記レーザ光の偏光特性を制御する偏光制御手段と、を有し、
前記照射手段が照射する前記レーザ光は、前記原版を使用する露光装置の露光光の波長とは異なる波長を有し、
前記照射手段は、前記原版のパターン面側に配置されることを特徴とする洗浄装置。
【請求項１１】
パターンを有する原版を洗浄する洗浄装置であって、
原版保持手段と、
前記原版にレーザ光を照射する照射手段と、を有し、
前記照射手段が照射する前記レーザ光は、前記パターン幅よりも長い波長を有し、前記原版を使用する露光装置の露光光の波長とは異なる波長を有し、前記パターンが延びる方向とは垂直に偏光しており、
前記照射手段は、前記原版のパターン面側に配置されることを特徴とする洗浄装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一側面としての露光装置は、露光光で原版を照明する照明光学系と、前記原版のパターンを被露光体に投影する投影光学系と、前記原版の洗浄を行う洗浄装置と、を有する露光装置であって、当該洗浄装置は、前記原版にレーザ光を照射する照射手段と、前記パターンが延びる方向に対応して前記レーザ光の偏光特性を制御する偏光制御手段と、を有し、前記照射手段が照射する前記レーザ光は、前記露光光の波長とは異なる波長を有し、前記照射手段は、前記原版のパターン面側に配置されることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の別の側面としての洗浄装置は、パターンを有する原版を洗浄する洗浄装置であって、前記原版にレーザ光を照射する照射手段と、前記パターンが延びる方向に対応して、前記レーザ光の偏光特性を制御する偏光制御手段と、を有し、前記照射手段が照射する前記レーザ光は、前記原版を使用する露光装置の露光光の波長とは異なる波長を有し、前記照射手段は、前記原版のパターン面側に配置されることを特徴とする。