Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月27日(2007.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像形成装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  熱定着用の加熱手段を有する定着器と、
前記加熱手段への電源供給を遮断する入力遮断リレーと、
前記入力遮断リレーの出力側の電圧を検出する入力電圧検出手段と、
前記入力遮断手段の出力側と前記加熱手段の間に挿入され、前記加熱手段への電力供給を制御するスイッチング手段と、
画像形成装置のシーケンスを制御する制御手段と、
前記制御手段からの制御信号に応じて前記入力遮断リレーを駆動する半導体スイッチ素子と、
前記制御信号と、前記入力電圧検出手段からの信号とにもとづいて前記入力遮断リレーの異常を検知するリレー異常検知手段と、
を備え、前記リレー異常検知手段の検知出力により前記スイッチング手段の駆動を停止することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】  請求項１記載の画像形成装置において、
前記定着器に設けられたサーモスイッチを備え、
前記半導体スイッチ素子は、前記サーモスイッチを介して電源供給されることを特徴とする画像形成装置。
【請求項３】  請求項１または２記載の画像形成装置において、
前記リレー異常検知手段によりリレーの異常を検知した場合に、リレー異常検知手段によるリレーの異常検知を再試行させる再試行手段を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項４】  請求項３記載の画像形成装置において、
前記再試行手段による再試行の回数を計数する計数手段を備え、
前記計数手段による計数回数が規定回数になるまで、前記再試行手段による再試行を行わせることを特徴とする画像形成装置。
【請求項５】  請求項１または２記載の画像形成装置において、
起動時毎に、および一定時間以上の画像形成処理が一定時間以上行われなかった場合に、前記入力遮断リレーを駆動する半導体スイッチ素子をオフにしてリレー異常検知手段によるリレーの異常検知を行うことを特徴とする画像形成装置。
【請求項６】  請求項１または２記載の画像形成装置において、
画像形成処理毎に、前記入力遮断リレーを駆動する半導体スイッチ素子をオフにしてリレー異常検知手段によるリレーの異常検知を行うことを特徴とする画像形成装置。
【請求項７】  請求項１または２記載の画像形成装置において、
画像形成処理後に所定の期間以上画像形成動作が行われない場合に、前記入力遮断リレーを駆動する半導体スイッチ素子をオフにしてリレー異常検知手段によるリレーの異常検知を行うことを特徴とする画像形成装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明は，このような状況のもとでなされたもので、定着器の異常時に、定着器への電力供給を確実に遮断することで、安全性を高めることのできる、画像形成装置を提供することを目的とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明では、画像形成装置を次の（１）ないし（７）のとおりに構成する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月23日(2008.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インタリーブ構成で所定の試験パターンを発生するパターン発生器を備える半導体試験装置において、
複数のバンクに対応して設けられ、インタリーブ相数に対応する試験パターンを格納する所定複数相のデータバッファメモリと、
シーケンシャルなアドレス信号を発生するアドレスポインタと、
前記アドレスポインタが発生したアドレス信号に応じたバンクの前記データバッファメモリを選択するインタリーブ制御選択部と、
前記インタリーブ制御選択部により選択された前記データバッファメモリから読み出したパターンデータを試験パターンとして出力する選択出力部と
を備える半導体試験装置。
【請求項２】
前記インタリーブ制御選択部は、前記アドレスポインタが発生したアドレス信号の下位側ビットの中で、前記バンクの相数に対応する下位アドレスビットに応じた前記データバッファメモリを選択する
請求項１に記載の半導体試験装置。
【請求項３】
前記アドレスポインタから出力されるアドレス信号の中で、前記下位アドレスビットを除いたアドレスポインタ値を、各データバッファメモリへアドレスとして供給するアドレス供給手段を更に備える
請求項２に記載の半導体試験装置。
【請求項４】
それぞれの前記データバッファメモリは、対応するアドレスにおいて異なるパターンデータを格納する
請求項３に記載の半導体試験装置。
【請求項５】
前記アドレスポインタは、前回出力したアドレス信号に対して、前記データバッファメモリにおける次のアドレスを指定するか、または、同一のアドレスを指定するアドレス信号を出力する
請求項４に記載の半導体試験装置。
【請求項６】
前記バンクの相数は２相であり、
第１バンクのデータバッファメモリは、パターンデータのうちの偶数番目のパターンデータを格納し、
第２バンクのデータバッファメモリは、パターンデータのうちの奇数番目のパターンデータを格納し、
前記インタリーブ制御選択部は、前記アドレスポインタが発生したアドレス信号の最下位ビットに対応するデータバッファメモリを選択し、
前記アドレス供給手段は、前記アドレスポインタから出力されるアドレス信号の中で、前記最下位ビットを除いたアドレスポインタ値を、各データバッファメモリへアドレスとして供給する
請求項５に記載の半導体試験装置。
【請求項７】
前記半導体試験装置は、シーケンシャル動作モードと、インタリーブ動作モードとを備え、
前記インタリーブ制御選択部は、
前記シーケンシャル動作モードの場合に、前記アドレスポインタが発生したアドレス信号の下位側ビットの中で、前記バンクの相数に対応する下位アドレスビットに応じた前記データバッファメモリを選択し、
前記インタリーブ動作モードの場合に、予め定められた順番で、前記データバッファメモリを選択し、
前記アドレス供給手段は、
前記シーケンシャル動作モードの場合に、前記アドレスポインタから出力されるアドレス信号の中で、前記下位アドレスビットを除いたアドレスポインタ値を、各データバッファメモリへアドレスとして供給し、
前記インタリーブ動作モードの場合に、前記アドレス信号のアドレスポインタ値を、各データバッファメモリへアドレスとして供給する
請求項３に記載の半導体試験装置。
【請求項８】
外部からの設定に応じて、動作モードを切り替える動作モード切替信号を、前記インタリーブ制御選択部および前記アドレス供給手段に供給するパターン発生選択レジスタを更に備える
請求項７に記載の半導体試験装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月20日(2008.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】固体分子化合物の配向方法及び固体分子化合物の配向膜を有する配向基板の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
常温で固体であり２個以上の芳香環からなる固体分子化合物を配向させるにあたり、該固体分子化合物を液相状態とし、該液相状態の分子化合物を、配向表面を有する基板の該配向表面の少なくとも一部に接触させ、層状に固化することを特徴とする固体分子化合物の配向方法。
【請求項２】
前記液相状態が、前記固体分子化合物を溶媒に溶解したことによる溶液状態、又は前記固体分子化合物を加熱し溶解させたことによる溶融状態である請求項１に記載の配向方法。
【請求項３】
配向表面を有する基板が、無機結晶基板、有機分子配向基板及び高分子配向基板からなる群より選択される請求項１に記載の配向方法。
【請求項４】
前記固化の方法が、乾燥もしくは冷却であることを特徴とする請求項１に記載の配向方法。
【請求項５】
請求項１記載の配向方法を用いて、前記分子化合物の配向膜を形成することを特徴とする固体分子化合物の配向膜を有する配向基板の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子工業の分野で利用し得る、固体分子化合物の配向方法及び固体分子化合物の配向膜を有する配向基板の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
すなわち本発明によれば、常温で固体であり２個以上の芳香環からなる固体分子化合物を配向させるにあたり、該固体分子化合物を液相状態とし、該液相状態の分子化合物を、配向表面を有する基板の該配向表面の少なくとも一部に接触させ、層状に固化することを特徴とする固体分子化合物の配向方法が提供される。また本発明によれば、上記の配向方法を用いて、前記分子化合物の配向膜を形成することを特徴とする固体分子化合物の配向膜を有する配向基板の製造方法が提供される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【発明の効果】
本発明の固体分子化合物の配向方法及びこれを用いた配向基板の製造方法では、配向表面を有する基板の配向表面に、液相状態の特定な分子化合物を接触させ、層状に固化する構成を作用するので、常温で固体である特定の固体分子化合物を、大面積化や複雑形状であっても容易に、且つ短時間に、高い秩序性で配向させることができ、電子工業の分野で有用な固体分子化合物の配向膜を有する配向基板を、容易に得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月23日(2008.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内面に電極を有し、一方または両方が透明基板である一対の基板間に液晶層を狭持し、一方の透明基板の外面に、凹凸を形成してなる光制御層を有し、該光制御層を設けた透明基板の少なくとも一つの側面に光源を配置した液晶表示装置において、
外面に光制御層を設けた前記一方の透明基板の内面の電極は透明電極であり、前記一方の透明基板より屈折率の小さい透明薄膜を、前記透明電極と前記液晶層の間に、前記一方の透明基板の内面全体を覆って設け、前記光源からの光線を前記一方の透明基板に入射して、前記液晶層を照射することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶表示装置において、
前記一対の基板のうちの少なくとも一方は、プラスチック基板であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載の液晶表示装置において、
観察者側に配置されている基板は透明であることを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月14日(2008.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
前記第１の電極と前記第２の電極との間にある前記光学基板の一部に対してエッチング処理を施して形成された溝をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の光導波路素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
電気光学効果を有する光学基板と、
前記光学基板の表面付近に形成された第１の光導波路と、
前記光導波路の一部を覆うように導電性透明膜でもって形成され、前記第１の光導波路に電界を印加するための第１の電極と、
前記光学基板の表面付近に形成された第２の光導波路と、
前記光導波路の一部を覆うように導電性透明膜でもって形成され、前記第２の光導波路に電界を印加するための第２の電極と、
前記第１の電極及び前記第２の電極と対を成し、前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路に対して相関を有する電界をそれぞれ印加するための第３の電極と、
前記第１の光導波路の真上を概ね避けた位置に金属膜により形成され、前記第１の電極と電気的に接続された第４の電極と、
前記第２の光導波路の真上を概ね避けた位置に金属膜により形成され、前記第２の電極と電気的に接続された第５の電極と、
を含むことを特徴とする光導波路素子。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２４】
前記第１の電極と前記第２の電極間に形成された溝をさらに備えることを特徴とする請求項１８に記載の光導波路素子。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２５】
前記第２の電極と前記第３の電極間に形成された溝をさらに備えることを特徴とする請求項１８に記載の光導波路素子。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３２】
前記第１の電極と前記第２の電極間に、前記第１の電極を構成する導電性透明膜の厚さよりも薄い厚さの導電性透明膜を備えることを特徴とする請求項１８に記載の光導波路素子。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３６】
前記十分に短い幅とは、前記光導波路中を通過する光が前記金属膜の一部により吸収される度合いがシステムリクアイアメントを満たす程度となるような幅であることを特徴とする請求項３５に記載の光導波路素子。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３８】
請求項１乃至請求項１６の何れか１項に記載した光導波路素子を用いたことを特徴とする光通信装置。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
とりわけ、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）結晶等の強誘電体材料を用いて光変調器を構成すれば、低損失で、かつ、高効率の光変調器が得られる。
図１に従来のマッハツェンダ形の光変調器を示す。図１において、１はニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）結晶基板である。２は入力光導波路であり、ＬｉＮｂＯ３結晶基板１上にチタンを拡散して屈折率を基板より大きくして帯状に形成したものである。ちなみに、ＬｉＮｂＯ３の屈折率は約２．１４であるが、チタンを拡散すると０．２％程度屈折率が上昇し、約２．１４４程度になる。このように、ＬｉＮｂＯ３の部分と、チタンを拡散された部分での屈折率の差を利用して、良好な光導波路が形成されるのである。さて、３及び４は、入力光導波路２から分岐した長さ数ｍｍ〜３０ｍｍ程度の位相シフト光導波路である。５は、位相シフト光導波路３，４の出射側に接続された出力光導波路である。これらにより分岐干渉部が構成されている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
図４は、図３Ａに示した光学導波路素子を真上から見た図である。真上から見てもわかるように、光導波路３の直上には金属膜８が存在しておらず、直上から少し離れた位置に金属膜８が存在している。なお、図４に示す実施形態では、金属膜８と導電性透明膜６の幅が同一となっているが、これは例示に過ぎず、金属膜８の幅がより狭くてもよい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図１８は、金属膜の一部が光導波路上を横切る実施形態である。より具体的には、導電性透明膜６ａが光導波路３及び４の上を横切るよう形成されているとともに、さらに、金属膜８ａも導電性透明膜６ａ上に、光導波路３及び４の上を横切るように形成されている。金属膜８ａが光導波路３及び４の上を横切るため、金属膜８ａにより光が吸収されることになるが、光導波路を横切る金属膜の幅ｗが、光導波路の長さに対して十分に短い幅であれば実質的に実用に耐えうると思われる。ここで、十分に短い幅とは、光導波路３，４中を通過する光が金属膜８ａの一部により吸収される度合いがシステムリクアイアメントを満たす程度となるような幅であれば問題がないと思われる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月20日(2008.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
眼鏡レンズの発注側に設置されたコンピュータとこの発注側コンピュータに間接的或いは直接的に情報交換可能に接続された受注側コンピュータとを備え、発注側コンピュータと受注側コンピュータとは所定の入力操作に応じて処理を行い、互いに情報交換を行いながら眼鏡レンズの発注及び／又は受注処理に必要な処理を行うシステムを用いる眼鏡レンズの再生供給方法であって、
発注側では、前記発注側コンピュータにより顧客の装用している眼鏡レンズの表面層状態情報及び再生の表面処理機能を指定する発注情報を受注側コンピュータに送信するステップと、
受注側では、コンピュータで発注を確認するステップを含み、
発注側から前記レンズを受け取った時、
発注情報と送付されてきた眼鏡レンズの状態とを検査して、再生可能かどうかの判断をして、その判断情報を発注側コンピュータに送信するステップとを含む眼鏡レンズの再生供給方法。
【請求項２】
受注側では、再生可能と判断した場合、前記送付されてきた眼鏡レンズを少なくともフッ素系化合物を含有する水溶液に浸漬して、表面被膜を除去して基材レンズを得るステップと、
前記送付されてきた眼鏡レンズにキズがある場合には、前記表面被膜の除去ステップ後に、基材染色及びハードコート処理を施すか、又はハードコート液での着色処理を施すことを特徴とする請求項１記載の眼鏡レンズの再生供給方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】眼鏡レンズの再生供給方法
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月23日(2008.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内面に電極を有し、一方または両方が透明基板である一対の基板間に偏光軸を回転させる透過偏光軸可変光学素子からなる液晶層を挟持し、観察者側に配置した一方の基板は透明であって該一方の基板上に偏光板を有する液晶表示装置において、
前記偏光板面上に、光の屈折率が該偏光板とほぼ同じである光制御層を配置し、前記一方の基板の少なくとも一つの側面に配置した光源からの光線を該基板に入射することにより、前記液晶層を照射することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶表示装置において、
前記光制御層は表面に凹凸を形成してあることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載の液晶表示装置において、
前記一対の基板のうち、観察者側である前記一方の基板に対する他方の基板も透明基板であって、該他方の基板の外面上に第二の偏光板を配置し、さらに該第二の偏光板の面上に反射板を配置することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１に記載の液晶表示装置において、
前記一対の基板のうち、観察者側である前記一方の基板に対する他方の基板と、前記液晶層との間に、セル内反射板を配置することを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月13日(2008.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  フレームと、
光源が実装された基板と、
前記光源の側方に位置し前記フレーム上に配置された導光板と、
前記導光板上に配置された液晶表示パネルと、を備え、
前記導光板の側部には光源規制部が形成されており、
前記光源規制部は前記光源を所定の設置位置に案内して位置決めすることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】  前記基板は前記フレームと前記光源規制部とによって挟み込まれて固定されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】  前記基板は前記光源の実装部を備える複数の枝部を有し、
前記枝部は前記実装部を個別に変位可能にする形状であることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】  前記光源規制部は、上端部に前記光源の上側方向の変位を規制するひさし部を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
図１０は、従来の液晶表示装置における導光板および光源であるＬＥＤ（Light-emitting Diode：発光ダイオード）の固定構造を示す斜視図である。図１０において、液晶表示装置は、液晶パネル（図示省略）の背面に配置される導光板１００と、この導光板１００に側面方向から光を投射するＬＥＤ１０１と、このＬＥＤ１０１を実装するフレキシブル基板１０２と、これらを配置するフレーム１０３とを含んで構成される。液晶表示装置の導光板１００は、フラット型の長方形状に形成された透明なプラスチック部材からなる。この導光板１００は、プラスチック部材からなる長方形のフレーム１０３上に配置され、このフレーム１０３の側縁に設置されたツメ（図示省略）によって固定される。フレキシブル基板１０２は、長方形状に形成された薄型のプラスチック部材からなり、その表面上にＬＥＤ１０１を実装している。また、フレキシブル基板１０２は、そのＬＥＤ１０１を制御するコントローラ（図示省略）に接続しており、ＬＥＤ１０１は、このフレキシブル基板１０２によりコントローラと電気的に接続している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、液晶表示装置の組立段階においては、ＬＥＤ１０１は、フレキシブル基板１０２に対して、設計者が意図した位置からズレた位置に実装されることがある。図１１は、かかるＬＥＤ１０１の実装状態を示す斜視図であり、図１２は、図１１に記載したＬＥＤ１０１の光の投射状況を示す平面図である。図１１において、ＬＥＤ１０１は、その光の投射方向１０６をフレーム１０３の外側寄りに向けて、フレキシブル基板１０２に実装されている。このため、ＬＥＤ１０１は、導光板１００に対して均一に光を投射しないため、液晶パネルの輝度にムラを生じさせる（図１２参照）。このような場合に、従来の液晶表示装置では、ＬＥＤ１０１が本来の位置からズレた状態で実装されたときに、事後的にその位置を補正し、適正な位置に位置決めすることができなかった。そして、かかる欠陥のある液晶表示装置は、通常、廃棄処分されるため、その結果として製造コストも上昇するという問題点があった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１  光源規制部
２  底部
３  Ｔ字の枝部
４  幹部
５  凸部
６  凹部
７  光源保持部
８  腕
９  係止片
１０  ひさし部
１００  導光板
１０１  ＬＥＤ
１０２  フレキシブル基板
１０３  フレーム
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月31日(2008.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ストロボユニットと、スピーカと、前記スピーカを保持する保持部材と、を有する撮像装置であって、
前記保持部材は、前記撮像装置の内部で前記ストロボユニットを構成するものであって、かつ前記スピーカの位置を決める位置決め用のリブが形成されるとともに、前記スピーカの背面と対向する面に前記スピーカが発する音を前記ストロボユニット内部に通す貫通穴が形成されることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】  前記スピーカは振動板を有し、
前記スピーカの前記振動板の反対面に孔部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】  前記保持部材の前記貫通穴は複数形成され、
第１の貫通穴は、前記ストロボユニットが有する発光部が収容される空間に通じ、
第２の貫通穴は、前記ストロボユニットが有するコンデンサが収容される空間に通じることを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、本発明の撮像装置は、ストロボユニットと、スピーカと、前記スピーカを保持する保持部材とを有する撮像装置であって、前記保持部材は、前記撮像装置の内部で前記ストロボユニットを構成するものであって、かつ前記スピーカの位置を決める位置決め用のリブが形成されるとともに、前記スピーカの背面と対向する面に前記スピーカが発する音を前記ストロボユニット内部に通す貫通穴が形成されることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月21日(2008.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
図７は液晶プロジェクタを前側から見た模式図である。このプロジェクタ１は、ハウジング２に内蔵されて液晶パネル及び回路系等を配置しているシャーシ３に対し可動枠４を介し投写レンズ５を昇降可能に支持している。そして、投写レンズ５は、ハウジング２に設けられた比較的大きな開口２ａから露出され、可動枠４を介し上下の位置が調整される。ところで、このようなレンズ用可動枠の昇降機構としては、例えば、特開平５−２７３２４号や特開平６−３３７３９４号等に開示されている。前者のものは、可動枠を対の螺状シャフトに支持すると共に、該シャフトの一方を傘歯車同士の噛み合いを介し回動することにより、可動枠をシャフトに沿って上下動する。後者のものは、可動枠をシャーシに設けられた両側のシャフトに上下動自在に支持し、又、可動枠の片側に設けられたラックと、シャーシ側に支持されたピニオンとの噛み合いを介し可動枠を上下動する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月30日(2008.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  オートフォーカス機能を備えた共焦点走査型顕微鏡において、
第１の対物レンズによってオートフォーカスを実行して合焦点位置を検出する第１の合焦点検出手段と、
前記第１の合焦点検出手段による合焦点位置の検出後、観察試料の予め定められた位置を検索する第１の観察対象部検索手段と、
前記第１の観察対象部検索手段による検索結果に基いて前記観察試料と前記第１の対物レンズとの相対位置を移動する第１の移動手段と、
を備えたことを特徴とする共焦点走査型顕微鏡。
【請求項２】  前記第１の移動手段による移動後、第２の対物レンズによってオートフォーカスを実行して合焦点位置を検出する第２の合焦点検出手段と、
前記第２の合焦点検出手段による合焦点位置の検出後、前記観察試料の予め定められた位置を検索する第２の観察対象部検索手段と、
前記第２の観察対象部検索手段による検索結果に基いて前記観察試料と前記第２の対物レンズとの相対位置を移動する第２の移動手段と、
を更に備えたことを特徴とする請求項１に記載の共焦点走査型顕微鏡。
【請求項３】  前記第２の対物レンズは、前記第１の対物レンズより倍率が高いことを特徴とする請求項２に記載の共焦点走査型顕微鏡。
【請求項４】  前記第１の観察対象部検索手段及び第２の観察対象部検索手段の少なくとも一方は、前記予め定められた位置から複数ライン分走査して得られた輝度データの平均値を求め、該平均値から検索を行うことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の共焦点走査型顕微鏡。
【請求項５】  前記第１の合焦点検出手段は、前記合焦点位置の検出に成功するか、または予め設定されている再実行条件を満たさなくなるまで、前記観察試料の位置を移動させて前記オートフォーカスの実行を繰り返すことを特徴とする請求項１に記載の共焦点走査型顕微鏡。
【請求項６】  前記第２の合焦点検出手段は、前記合焦点位置の検出に成功するか、または予め設定されている再実行条件を満たさなくなるまで、前記観察試料の位置を移動させて前記オートフォーカスの実行を繰り返すことを特徴とする請求項２に記載の共焦点走査型顕微鏡。
【請求項７】  オートフォーカス機能を備えた共焦点走査型顕微鏡における位置合わせ方法であって、
第１の対物レンズによってオートフォーカスを実行して合焦点位置を検出し、  前記合焦点位置の検出後、観察試料の予め定められた位置を検索し、
前記検索結果に基いて前記観察試料と前記第１の対物レンズとの相対位置を移動することを特徴とする共焦点走査型顕微鏡における位置合わせ方法。
【請求項８】  オートフォーカス機能を備えた合焦点走査型顕微鏡と接続された情報処理装置によって使用された時、
第１の対物レンズによってオートフォーカスを実行させて合焦点位置を検出し、  前記合焦点位置検出後、観察試料の予め定められた位置を検索し、
前記検索結果に基いて前記観察試料と前記第１の対物レンズとの相対位置を移動させることを前記情報処理装置に行わせるプログラム。
【請求項９】  オートフォーカス機能を備えた共焦点走査型顕微鏡と接続された情報処理装置によって使用された時、
第１の対物レンズによってオートフォーカスを実行させて合焦点位置を検出し、  前記合焦点位置検出後、観察試料の予め定められた位置を検索し、
前記検索結果に基いて前記観察試料と前記第１の対物レンズとの相対位置を移動させることを前記情報処理装置に行わせるためのプログラムを記憶した前記情報処理装置が読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
この構成によれば、例えば上記第２の対物レンズを第１の対物レンズより倍率が高いものとすることにより、第１の対物レンズを用いて大よその位置を合わせた後、第２の対物レンズでより詳細な位置合わせを行うことが出来る。
また、例えば、上記第１の観察対象部検索手段及び第２の観察対象部検索手段が、上記予め定められた位置から複数ライン分走査して得られた輝度データの平均値を求め、該平均値から検索を行う構成とすることによって観察試料上の異物やノイズにも対処することができる。
また、例えば、上記第１の合焦点検出手段、または上記第２の合焦点検出手段は、上記合焦点位置の検出に成功するか、または予め設定されている再実行条件を満たさなくなるまで、上記観察試料の位置を移動させて上記オートフォーカスの実行を繰り返すことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月12日(2008.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  1,4-ジクロロ-2-ブテンを化学式ＣｐＦｅ(ＣＯ)２Ｘ
[ここで、Ｃｐは、下式(Ｉ)：
【化１】
2001288128.tif 000001
（式中、Ｒ１〜Ｒ５はそれぞれ独立して、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ１２アルキル、Ｃ５〜Ｃ８シクロアルキル（これらは、更にＣ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ６〜Ｃ１４アリール基、アルキルアリール基、アリールアルキル基を有していてよい。）を示し、ここでこれらのうち２個の隣接する基が合わさって、飽和または不飽和Ｃ３〜Ｃ１４環を形成してもよく、または
Ｒ１〜Ｒ５はＳｉＲ６Ｒ７Ｒ８を示し、Ｒ６〜Ｒ８はそれぞれ独立して、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ５〜Ｃ８シクロアルキルまたはＣ６〜Ｃ１４アリールを示す。）
のシクロペンタジエニル誘導体を表し、そしてＸは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉを示す。]
の触媒化合物の存在下で異性化する工程を含む3,4-ジクロロ-1-ブテンの製造方法。
【請求項２】  3,4-ジクロロ-1-ブテンを化学式ＣｐＦｅ(ＣＯ)２Ｘ[ここで、Ｃｐは、下式(Ｉ)：
【化２】
2001288128.tif 000002
（式中、Ｒ１〜Ｒ５はそれぞれ独立して、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ１２アルキル、Ｃ５〜Ｃ８シクロアルキル（これらは、更にＣ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ６〜Ｃ１４アリール基、アルキルアリール基、アリールアルキル基を有していてよい。）を示し、ここでこれらのうち２個の隣接する基が合わさって、飽和または不飽和Ｃ３〜Ｃ１４環を形成してもよく、または
Ｒ１〜Ｒ５はＳｉＲ６Ｒ７Ｒ８を示し、Ｒ６〜Ｒ８はそれぞれ独立して、Ｃ１〜Ｃ４アルキル、Ｃ５〜Ｃ８シクロアルキルまたはＣ６〜Ｃ１４アリールを示す。）
のシクロペンタジエニル誘導体を表し、そしてＸは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉを示す。]の触媒化合物の存在下で異性化して1,4-ジクロロ-2-ブテンを得る工程を含む、1,4-ジクロロ-2-ブテンの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月27日(2008.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
EP-A 928 800は、
ａ）（メタ）アクリロイル基および遊離イソシアネート基を含有するウレタン（メタ）アクリレート、
ｂ）任意に、さらなるポリイソシアネート、
ｃ）ラジカル重合を開始するＵＶ開始剤および
ｄ）イソシアネートと反応する化合物１つまたはそれ以上
を含有する塗料組成物を記載する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
（発明の詳細な説明）
好ましくは、本発明の塗料組成物は２成分系として製造され、好ましくは、成分 I は構成要素ａ）を含有し、成分 II は、構成要素ｂ）、ｃ）およびｄ）を含有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本発明の塗料組成物の構成要素すべてを、１成分系として配合すると、その系は、制限されたポットライフを有することになる。一方、好ましい配合物は、２成分系であり、成分 I は、構成要素ａ）を含有し、成分 II は、構成要素ｂ）、ｃ）およびｄ）を、所望により構成要素ｅ）〜ｈ）も含有する。それにより、各成分は、構成要素自身と同程度の貯蔵安定性を持つ。両方の成分を、塗布前に仕様比で混合するか、いわゆる２成分用システムを用いて塗布する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
ＯＨ基含有ウレタンアクリレートＥ
２-ヒドロキシエチルアクリレートを９９．３ｇから１５０．０ｇに、２,２,４-トリメチル-１,５-ペンタンジオールを２４９．９ｇから１９０．０ｇにして使用した以外は、ＯＨ基含有ウレタンアクリレートＣの製造手順を繰り返した。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月7日(2008.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 内壁、前記内壁に付着した基層（１４）、及び前記基層に付着した希土類蛍光体を含有する被膜層（１６）を有しているランプ外管（１２）の内部から前記希土類蛍光体を回収するための方法において、
(A) 前記基層を除去することなく前記被膜層の粒子を除去するのに十分な速度で前記外管（１２）内にガス（２４）を流す工程と、
(B) 前記希土類蛍光体を含有する前記被膜層の粒子を集める工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】 前記工程(B) に続いて、(C) 前記基層（１４）の粒子を除去するのに十分な速度で前記外管（１２）内に別のガス（３２）を流す工程と、(D) 前記基層の粒子を集める工程とを更に含む請求項１記載の方法。
【請求項３】 前記外管（１２）がガラスから成る請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】 前記被膜層（１６）が蛍光ランプ用の希土類蛍光体系を含んでいる請求項１記載の方法。
【請求項５】 前記被膜層（１６）が、希土類蛍光体系、非イオン性界面活性剤及び増粘剤を含み且つ０．０５〜０．３重量％の界面活性剤濃度を有する懸濁液から誘導される請求項１記載の方法。
【請求項６】 前記被膜層（１６）が、希土類蛍光体系、非イオン性界面活性剤及び増粘剤を含み且つ１〜５重量％の増粘剤濃度を有する懸濁液から誘導される請求項１記載の方法。
【請求項７】 前記基層（１４）が、３０〜１００ｎｍの範囲内の中央粒度を有するγアルミナと５００〜１５００ｎｍの範囲内の中央粒度を有するαアルミナとから成るアルミナブレンドから構成される請求項１乃至６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】 前記基層（１４）が５〜８０重量％のγアルミナと２０〜９５重量％のαアルミナとから成るアルミナブレンドから構成される請求項１乃至７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】 前記基層（１４）が、アルミナブレンド、界面活性剤、分散剤及び増粘剤を含み且つ０．０１〜５重量％の界面活性剤濃度を有する懸濁液から成る組成物から誘導される請求項１乃至８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】 前記基層（１４）が、アルミナブレンド、界面活性剤、分散剤及び増粘剤を含み且つ０．０１〜５重量％の分散剤濃度を有する懸濁液から成る組成物から誘導される請求項１乃至９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】 前記基層（１４）が、アルミナブレンド、界面活性剤、分散剤及び増粘剤を含み且つ０．０５〜２０重量％の増粘剤濃度を有する懸濁液から成る組成物から誘導される請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】 前記工程(A) における前記ガス（２４）が圧縮空気から成る請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】 前記工程(C) における前記ガス（３２）が圧縮空気から成る請求項２に記載の方法。
【請求項１４】 前記工程(A) に際し、前記ガス（２４）が毎秒０．２〜１０リットルの速度で前記外管内を流れる請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】 前記外管の両端に口金（２０）が連結されている場合において、前記方法が少なくとも前記口金を取除く工程を更に含む請求項１請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】 前記被膜層（１６）の粒子がサイクロン式空気／粒子分離器（３０）を用いて集められる請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】 前記基層（１４）の粒子がサイクロン式空気／粒子分離器（３０）を用いて集められる請求項２記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月16日(2008.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  部品（１０）上のセラミック皮膜（１８）の少なくとも一部をフッ化水素アンモニウムを含む水溶液で処理する工程を含む、部品（１０）からセラミック皮膜（１８）の少なくとも一部を除去する方法。
【請求項２】  前記処理工程で部品（１０）を水溶液に浸漬する、請求項１記載の方法。
【請求項３】  前記処理工程で、部品（１０）を水溶液に浸漬しながら、超音波エネルギーをセラミック皮膜（１８）に当てる、請求項２記載の方法。
【請求項４】  前記水溶液が、溶液１リットル当たり２０〜７０ｇのフッ化水素アンモニウム及び残量の水からなる、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】  前記水溶液が、溶液１リットル当たり２０〜７０ｇのフッ化水素アンモニウム、０．０５〜０．２容量％の湿潤剤及び残量の水からなる、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】  断熱ＹＳＺ層（１８）をガスタービンエンジン部品（１０）に密着する同部品表面上の金属ボンドコート（１６）を除去せずに、ガスタービンエンジン部品（１０）から断熱ＹＳＺ層（１８）を除去する方法であって、
フッ化水素アンモニウムと、１〜３重量％のポリエチレングリコール及び残量のオクチルフェノキシポリエトキシエタノールからなる湿潤剤とを含有する水溶液に部品（１０）を浸漬する工程を含む、除去方法。
【請求項７】  前記浸漬工程で、部品（１０）を水溶液に浸漬しながら、超音波エネルギーをＹＳＺ層（１８）に当てる、請求項６記載の方法。
【請求項８】  前記水溶液が、溶液１リットル当たり３０〜４０ｇのフッ化水素アンモニウム、０．１〜０．２容量％の湿潤剤及び残量の水からなる、請求項６又は請求項７記載の方法。
【請求項９】  前記水溶液がさらに溶液１リットル当たり１０〜２０ｇの酢酸を含有する、請求項６又は請求項７記載の方法。
【請求項１０】  前記浸漬工程でさらに部品（１０）及び水溶液を６０〜６８℃に加熱する、請求項６乃至請求項９のいずれか１項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月12日(2008.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータ断層撮影スキャナに用いるための検知器組立体であって、
ある長さを有する検知器アレイ（４４）と、
前記検知器アレイ（４４）に連結された第１及び第２の熱電冷却装置（１０４、１１０）と、
前記検知器アレイ（４４）に連結された温度センサ（１１８）と、
前記温度センサ（１１８）に電気的に接続されて実際の温度信号を受け、前記第１及び第２の熱電冷却装置（１０４、１１０）に電気的に接続されて該第１及び第２の熱電冷却装置（１０４、１１０）に調節可能な出力を与え、前記実際の温度信号を設定値と比較し、該第１及び第２の熱電冷却装置（１０４、１１０）への電力供給を調整して、該実際の温度をほぼ前記設定値に維持するようになったコントローラ装置（７０）と、
を備え、
前記コントローラ（７０）が、前記アレイ（４４）の中央部が該アレイの対向する端部より高温であるような形状にされた温度プロフィールを維持することを特徴とする検知器組立体。
【請求項２】
前記検知器アレイの中央部に連結された温度センサ（１２２）と、
前記検知器アレイの前記中央部に連結された加熱装置（１２４）と、
を更に備え、
前記コントローラ装置（７０）が、前記温度センサ（１２２）から実際の温度信号を受け取り、前記加熱装置（１２４）を駆動して、前記中央部の前記実際の温度を選択された設定値に維持する、
ことを特徴とする、請求項１に記載の検知器組立体。
【請求項３】
前記コントローラ（７０）が、前記第１及び第２の熱電冷却装置（１０４、１１０）と前記加熱装置（１２４）とを駆動して、前記アレイに沿った選択された温度プロフィールをもたらすことを特徴とする、請求項１に記載の検知器組立体。
【請求項４】
前記温度プロフィールが、前記アレイ（４４）の長さに沿ってほぼ放物線状であることを特徴とする、請求項３に記載の検知器組立体。
【請求項５】
ＣＴ走査の操作中に、検知器アレイ（４４）に沿った温度プロフィールをほぼ熱的に安定した状態に維持する方法であって、
前記Ｘ線検知器アレイ（４４）に第１及び第２の熱電冷却装置（１０４、１１０）を連結し、
前記検知器アレイ（４４）を作動させるための作動温度を選択し、
前記検知器アレイ（４４）の実際の温度を感知し、
前記選択された作動温度と前記感知された実際の温度を比較し、
前記選択された作動温度と前記感知された温度との間の差に基づいて、前記Ｘ線検知器アレイを加熱又は冷却するように前記第１及び第２の熱電冷却装置（１０４、１１０）に命令し、
前記コントローラ（７０）が、前記アレイ（４４）の中央部が該アレイの対向する端部より高温であるような曲線状の温度プロフィールを前記アレイ（４４）に沿って提供する、
段階を含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
熱伝導性の材料（１１６）を前記検知器アレイ（４４）の長さに沿って連結し、前記Ｘ線検知器装置の長さに沿って熱を伝達する段階を更に含むことを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記熱電冷却装置（１０４）によって生成された熱を受動的に放散させる段階を更に含むことを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記温度プロフィールが、前記アレイ（４４）の長さに沿ってほぼ放物線状であることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月30日(2008.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象載置空間（１０）の周囲で放射線分布を提供するように構成されたイメージング・システム（１）による放射線被曝を減少させる方法（１００）であって、
手の位置を表す入口位置（４０）及び／又は入口角度範囲（５０）を決定する工程（１０２）と、
所定の放射線強度及び１８０°画像再構成に適した角度放射線分布を含む角度放射線分布を有する放射線を前記イメージング・システム（１）が放出するように前記イメージング・システム（１）が動作する工程（１０４）であって、前記角度放射線分布が、平均放射線分布を有しており、前記角度放射線分布の強度が前記走査中に変更され、前記平均放射線分布が前記走査中でほぼ一定である前記工程（１０４）と、
画像データを生成するように前記入口位置（４０）及び／又は入口角度範囲（５０）に応じた態様で前記放射線強度を制御する工程（１０６）と、
処理済み画像データを生成するように前記画像データを処理する工程（１０８）とを備え、
前記入口位置（４０）及び／又は入口角度範囲（５０）に応じた前記放射線強度の前記制御は、前記ガントリ角度位置が前記入口位置（４０）及び／又は入口角度範囲（５０）に近づいたときに前記放射線強度を前記平均放射線分布に対して予め決定されている最小量だけ減少させるように前記放射線強度が制御され、前記ガントリ角度位置が前記入口位置（４０）及び／又は入口角度範囲（５０）に対して±９０°に近づいたときに前記放射線強度を前記平均放射線分布に対して予め決定されている最小量だけ増大させるように前記放射線強度が制御される、
方法。
【請求項２】
前記決定する工程（１０２）は、前記イメージング・システム（１）に対して相対的に前記入口位置（４０）を決定する工程を含んでいる請求項１に記載の方法（１００）。
【請求項３】
前記入口位置（４０）はフルオロ計算機式断層写真法（ＣＴ）走査に応じた態様で決定される請求項１に記載の方法（１００）。
【請求項４】
前記イメージング・システム（１）は、対象載置空間（１０）と、所定のガントリ角度位置を有する放射線源（４）とを含んでおり、該放射線源（４）は、前記対象載置空間（１０）の周囲を回転するように前記イメージング・システム（１）に回転式で付設されており、前記入口位置（４０）は入口角度範囲（５０）を含んでいる請求項１に記載の方法（１００）。
【請求項５】
前記動作させる工程（１０４）は、前記ガントリ角度位置に応じた放射線吸収角度プロファイルを決定するように前記イメージング・システム（１）を動作させる工程を含んでいる請求項４に記載の方法（１００）。
【請求項６】
前記制御する工程（１０６）は、前記放射線吸収角度プロファイルに応じた態様で前記放射線強度を変調させるように前記イメージング・システム（１）を制御する工程を含んでいる請求項５に記載の方法（１００）。
【請求項７】
イメージング・システム（１）による放射線被曝を減少させる機械読み取り可能なコンピュータ・プログラム・コードで符号化されている媒体であって、
請求項１乃至６のいずれかに記載の方法を制御器（３２）に具現化させる命令を含んでいる媒体。
【請求項８】
患者線量及び画質を保持しながらイメージング・システム（１）による医師の放射線被曝を減少させるシステムであって、
Ｘ線源（４）及び放射線検出器アレイ（６）を有するガントリ（２）であって、当該ガントリ（２）は患者載置空間（１０）を画定しており、前記Ｘ線源（４）及び前記放射線検出器アレイ（６）は前記患者載置空間（１０）を介して離隔されるように当該ガントリ（２）に回転式で付設されている、ガントリ（２）と、
前記患者載置空間（１０）との連絡を可能にするように前記ガントリ（２）に可動式で付設されている患者支持構造（８）と、
処理装置（３２）とを備えており、該処理装置（３２）は、
医師の手の位置を表す入口位置（４０）及び／又は入口角度範囲（５０）を決定し（１０２）、
所定の放射線強度及び１８０°画像再構成に適した角度放射線分布を含む角度放射線分布を有する放射線を前記イメージング・システム（１）に放出させるように前記イメージング・システム（１）を動作させ（１０４）、前記角度放射線分布が、平均放射線分布を有しており、前記角度放射線分布の強度が前記走査中に変更され、前記平均放射線分布が前記走査中でほぼ一定であり、
画像データを生成するように前記入口位置（４０）及び／又は入口角度範囲（５０）に応じた態様で前記放射線強度を制御して（１０６）、
処理済み画像データを生成するように前記画像データを処理し（１０８）、
前記入口位置（４０）及び／又は入口角度範囲（５０）に応じた前記放射線強度の前記制御は、前記ガントリ角度位置が前記入口位置（４０）及び／又は入口角度範囲（５０）に近づいたときに前記放射線強度を前記平均放射線分布に対して予め決定されている最小量だけ減少させるように前記放射線強度が制御され、前記ガントリ角度位置が前記入口位置（４０）及び／又は入口角度範囲（５０）に対して±９０°に近づいたときに前記放射線強度を前記平均放射線分布に対して予め決定されている最小量だけ増大させるように前記放射線強度が制御される、
システム。
【請求項９】
前記イメージング・システム（１）は計算機式断層写真法イメージング・システムである請求項８に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月30日(2008.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気共鳴イメージング・システム向けの磁場発生装置（１０）を組み立てる方法であって、
強磁性継鉄プレート（１４）と永久磁石（１６）を備える磁石アセンブリの永久磁石（１６）の配列を確定させるステップであって、該配列は前記継鉄プレート（１４）の実質的な外周位置に取り付けた複数のリテーナ（２８）の一部分の配置によって形成されるキャビティ（２４）の一部分を含むような配列確定のステップと、
前記キャビティ（２４）の前記第１の部分内で、１組のレール（４０）を前記継鉄プレート（１４）に配置し固定するステップと、
複数の磁石ブロック（２０）に複数のグライダー（３４）を添着させ、該グライダー（３４）及び磁石ブロック（２０）を磁化させて複数のブロック・アセンブリ（６０）を形成させるステップと、
前記複数のブロック・アセンブリ（６０）を、前記レール組（４０）の１つのレール（４０）に沿ってスライドさせるステップと、
を含み、
前記レール（４０）に沿った前記ブロック・アセンブリ（６０）のスライドは、ブロック・アセンブリ（６０）で各レールを充填し、最外側レール（４０）で開始し最内側で終了し、連続して充填させる各レール（４０）を前記継鉄プレート（１４）に取り付けられたリテーナ（２８）で固定するように行われる、方法。
【請求項２】
前記永久磁石（１６）に磁極片（１８）を取り付けるステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記スライドさせるステップが、前記ブロック・アセンブリ（６０）と別のブロック・アセンブリ（６０）及び前記ブロック・リテーナ（２８）の少なくとも一方との間の摩擦係合、並びに接着剤のうちの少なくとも一方を利用して前記各ブロック・アセンブリ（６０）を固定することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
磁気共鳴イメージング・システム向けの磁場発生装置（１０）であって、
強磁性継鉄プレート（１４）と永久磁石（１６）を備える磁石アセンブリの永久磁石（１６）の配列であって、前記継鉄プレート（１４）の実質的な外周位置に取り付けた複数のリテーナ（２８）の一部分の配置によって形成されるキャビティ（２４）の一部分を含むような永久磁石配列と、
前記キャビティ（２４）の前記第１の部分内に配置され、前記継鉄プレート（１４）に取り付けられた１組のレール（４０）と、
複数の磁石ブロック（２０）に添着させると共に、複数のブロック・アセンブリ（６０）を形成させるように磁化させた複数のグライダー（３４）と、を備えると共に、
前記複数のブロック・アセンブリ（６０）の各ブロック・アセンブリ（６０）は、前記レール組（４０）の１つのレール（４０）に沿ってスライドし、
前記ブロック・アセンブリ（６０）は、ブロック・アセンブリ（６０）で各レールを充填し、最外側レール（４０）で開始し最内側で終了し、連続して充填させる各レール（４０）を前記継鉄プレート（１４）に取り付けられたリテーナ（２８）で固定するようにスライドする、磁場発生装置（１０）。
【請求項５】
前記ブロック・アセンブリ（６０）と別のブロック・アセンブリ（６０）及び前記ブロック・リテーナ（２８）の少なくとも一方との間の摩擦係合、並びに接着剤のうちの少なくとも一方を利用して各ブロック・アセンブリ（６０）を固定している、請求項４に記載の磁場発生装置（１０）。
【請求項６】
前記永久磁石（１６）に取り付けた磁極片（１８）をさらに含む請求項４に記載の磁場発生装置（１０）。
【請求項７】
前記レール組（４０）はそれぞれ、前記ブロック・アセンブリ（６０）のその長さ方向に沿ったスライドは容易となるが該レール（４０）に対する横断方向では動きが妨害されるように構成した断面を呈している、請求項４に記載の磁場発生装置（１０）。
【請求項８】
前記複数のグライダー（３４）の各グライダー（３４）は、前記レール組（４０）のうちの１つのレール（４０）と係合するように幾何学的に一致させかつ構成させた１つのスロット（３６）を含んでいる、請求項４に記載の磁場発生装置（１０）。