【手続補正書】
【提出日】平成20年3月19日(2008.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被転写基板上に、厚レジストパターン、薄レジストパターン及び無レジスト領域を形成するための厚レジストパターン形成部、薄レジストパターン形成部、及び無レジスト領域形成部を有し、前記薄レジストパターンは半透光部からなり、前記厚レジストパターン形成部及び前記無レジスト領域形成部はそれぞれ被転写基板上のレジストのポジ型かネガ型かに応じて決定された遮光部又は透光部からなるグレートーンマスクにおいて、
前記グレートーンマスクは、前記グレートーンマスクを用いて形成される第１のデバイスパターンと、他のフォトマスクを用いて該第１のデバイスパターンと重なり部分を有するように形成される第２のデバイスパターンを少なくとも有する被転写基板を製造するための、前記第１のデバイスパターンに対応するマスクパターンであって、前記第１のデバイスパターンと前記第２のデバイスパターンとが重なる部分に対応する前記グレートーンマスク上の領域が半透光部となるマスクパターンと、
前記半透光部の形成と同時に形成される、前記第２のデバイスパターンに関係するマークパターンとを少なくとも有することを特徴とするグレートーンマスク。
【請求項２】
前記第１のデバイスパターンと前記第２のデバイスパターンとが重なる部分に対応する前記グレートーンマスク上の領域が遮光部又は透光部であるマスクパターンと、
前記遮光部又は透光部の形成と同時に形成される、前記第２のデバイスパターンに関係するマークパターンとをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のグレートーンマスク。
【請求項３】
前記マークパターンが、遮光部と透光部とで形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のグレートーンマスク。
【請求項４】
被転写基板上に、厚レジストパターン、薄レジストパターン及び無レジスト領域を形成するための厚レジストパターン形成部、薄レジストパターン形成部、及び無レジスト領域形成部を有し、前記薄レジストパターンは半透光部からなり、前記厚レジストパターン形成部及び前記無レジスト領域形成部はそれぞれ被転写基板上のレジストのポジ型かネガ型かに応じて決定された遮光部又は透光部からなるグレートーンマスクにおいて、
前記グレートーンマスクは、前記グレートーンマスクを用いて形成される第１のデバイスパターンと、他のフォトマスクを用いて該第１のデバイスパターンと重なり部分を有するように形成される第２のデバイスパターンを少なくとも有する被転写基板を製造するための、前記第１のデバイスパターンに対応するマスクパターンであって、前記第１のデバイスパターンと前記第２のデバイスパターンとが重なる部分に対応する前記グレートーンマスク上の領域が半透光部となるマスクパターンと、
前記遮光部又は透光部の形成と同時に形成され前記半透光部と前記遮光部又は透光部との位置ずれ量が把握された、前記第２のデバイスパターンに関係するマークパターンとを少なくとも有することを特徴とするグレートーンマスク。
【請求項５】
被転写基板上に、厚レジストパターン、薄レジストパターン及び無レジスト領域を形成するための厚レジストパターン形成部、薄レジストパターン形成部、及び無レジスト領域形成部を有し、前記薄レジストパターンは半透光部からなり、前記厚レジストパターン形成部及び前記無レジスト領域形成部はそれぞれ被転写基板上のレジストのポジ型かネガ型かに応じて決定された遮光部又は透光部からなるグレートーンマスクにおいて、
前記グレートーンマスクは、前記グレートーンマスクを用いて形成される第１のデバイスパターンと、他のフォトマスクを用いて該第１のデバイスパターンと重なり部分を有するように形成される第２のデバイスパターンを少なくとも有する被転写基板を製造するための、前記第１のデバイスパターンに対応するマスクパターンであって、前記第１のデバイスパターンと前記第２のデバイスパターンとが重なる部分に対応する前記グレートーンマスク上の領域が遮光部又は透光部となるマスクパターンと、
前記半透光部の形成と同時に形成され前記遮光部又は透光部と前記半透光部との位置ずれ量が把握された、前記第２のデバイスパターンに関係するマークパターンとを少なくとも有することを特徴とするグレートーンマスク。
【請求項６】
被転写基板上に、厚レジストパターン、薄レジストパターン及び無レジスト領域を形成するための厚レジストパターン形成部、薄レジストパターン形成部、及び無レジスト領域形成部を有し、前記薄レジストパターンは半透光部からなり、前記厚レジストパターン形成部及び前記無レジスト領域形成部はそれぞれ被転写基板上のレジストのポジ型かネガ型かに応じて決定された遮光部又は透光部からなるグレートーンマスクであって、
透明基板上に遮光膜と半透光膜を少なくとも有し、前記遮光膜と前記半透光膜がそれぞれパターニングされてなるデバイスパターンを有するグレートーンマスクにおいて、
前記グレートーンマスクは、前記グレートーンマスクを用いて形成される第１のデバイスパターンと、他のフォトマスクを用いて該第１のデバイスパターンと重なり部分を有するように形成される第２のデバイスパターンを少なくとも有する被転写基板を製造するための、前記第１のデバイスパターンに対応するマスクパターンを有し、
更に、前記第２のデバイスパターンに関係するマークパターンとして、半透光部と透光部とが隣接して形成された第１のマークパターンと、遮光部と透光部とが隣接して形成された第２のマークパターンとを少なくとも有することを特徴とするグレートーンマスク。
【請求項７】
被転写基板上に、厚レジストパターン、薄レジストパターン及び無レジスト領域を形成するための厚レジストパターン形成部、薄レジストパターン形成部、及び無レジスト領域形成部を有し、前記薄レジストパターンは半透光部からなり、前記厚レジストパターン形成部及び前記無レジスト領域形成部はそれぞれ被転写基板上のレジストのポジ型かネガ型かに応じて決定された遮光部又は透光部からなるグレートーンマスクであって、
透明基板上に遮光膜と半透光膜を少なくとも有し、前記遮光膜と前記半透光膜がそれぞれパターニングされてなるデバイスパターンを有するグレートーンマスクにおいて、
前記グレートーンマスクは、前記グレートーンマスクを用いて形成される第１のデバイスパターンと、他のフォトマスクを用いて該第１のデバイスパターンと重なり部分を有するように形成される第２のデバイスパターンを少なくとも有する被転写基板を製造するための、前記第１のデバイスパターンに対応するマスクパターンを有し、
更に、前記第２のデバイスパターンに関係するマークパターンとして、前記半透光膜のパターンの形成と同時に形成される第１のマークパターンと、前記遮光膜のパターンの形成と同時に形成される第２のマークパターンとを少なくとも有することを特徴とするグレートーンマスク。
【請求項８】
被転写基板上に、厚レジストパターン、薄レジストパターン及び無レジスト領域を形成するための厚レジストパターン形成部、薄レジストパターン形成部、及び無レジスト領域形成部を有し、前記薄レジストパターンは半透光部からなり、前記厚レジストパターン形成部及び前記無レジスト領域形成部はそれぞれ被転写基板上のレジストのポジ型かネガ型かに応じて決定された遮光部又は透光部からなるグレートーンマスクであって、
透明基板上に遮光膜と半透光膜を少なくとも有し、前記遮光膜と前記半透光膜がそれぞれパターニングされてなるデバイスパターンを有するグレートーンマスクにおいて、
前記グレートーンマスクは、前記グレートーンマスクを用いて形成される第１のデバイスパターンと、他のフォトマスクを用いて該第１のデバイスパターンと重なり部分を有するように形成される第２のデバイスパターンを少なくとも有する被転写基板を製造するための、前記第１のデバイスパターンに対応するマスクパターンを有し、
前記マスクパターンは、前記遮光膜パターンとの位置ずれ量に基づいたマージン領域を含む半透光膜パターンを有し、更に、前記第２のデバイスパターンに関係するマークパターンとして、前記半透光膜パターンの形成と同時に形成されるマークパターンを少なくとも有することを特徴とするグレートーンマスク。
【請求項９】
被転写基板上に、厚レジストパターン、薄レジストパターン及び無レジスト領域を形成するための厚レジストパターン形成部、薄レジストパターン形成部、及び無レジスト領域形成部を有し、前記薄レジストパターンは半透光部からなり、前記厚レジストパターン形成部及び前記無レジスト領域形成部はそれぞれ被転写基板上のレジストのポジ型かネガ型かに応じて決定された遮光部又は透光部からなるグレートーンマスクであって、
透明基板上に遮光膜と半透光膜を少なくとも有し、前記遮光膜と前記半透光膜がそれぞれパターニングされてなるデバイスパターンを有するグレートーンマスクにおいて、
前記グレートーンマスクは、前記グレートーンマスクを用いて形成される第１のデバイスパターンと、他のフォトマスクを用いて該第１のデバイスパターンと重なり部分を有するように形成される第２のデバイスパターンを少なくとも有する被転写基板を製造するための、前記第１のデバイスパターンに対応するマスクパターンを有し、
前記マスクパターンは、前記遮光膜のパターンとの位置ずれ量に基づいたマージン領域を含む半透光膜パターンを有し、更に、前記第２のデバイスパターンに関係するマークパターンとして、前記遮光膜パターンの形成と同時に形成されるマークパターンを少なくとも有することを特徴とするグレートーンマスク。
【請求項１０】
請求項１乃至９の何れか一に記載のグレートーンマスクを用いてパターン転写を行う工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。