Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月13日(2008.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）
【化１】
2003002827.tif 000001
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、同一又は異なって、水素、ヒドロキシ又は低級アルコキシを表す）
で示されるテトラヒドロクルクミン類を有効成分として含む、血中中性脂肪の増加の予防又は改善剤。
【請求項２】
更に担体を含む請求項１に記載の予防又は改善剤。
【請求項３】
剤形が、カプセル剤、丸剤、顆粒剤、乳剤、散剤、トローチ、シロップ剤、又は点滴もしくは注射用製剤である請求項１又は２に記載の予防又は改善剤。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月3日(2008.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
模式的に示すと、本発明では以下の従来公知の反応式（１）に従い、上記（Ａ）と（Ｂ）とを反応させてジアルキルトリスルフィド（Ｄ）を製造できる。
【化１】
2003002876.tif 000001
〔反応式（１）中、二つのＲ１及び一つのＲは、硫黄原子に結合した、各々同一でも異なっていても良いアルキル基である。これらＲ１及びＲの各アルキル基は、直鎖でも分岐でも良い。Ｒ１とＲの炭素原子合計は１６〜３０である。〕
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月18日(2008.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 引張弾性率が２８０〜８００ＧＰａの炭素繊維に、少なくとも次の構成要素Ａ〜Ｃを含有するマトリックス樹脂が含浸されてなることを特徴とするプリプレグ。
Ａ．２５℃での粘度が１〜７０ポイズのエポキシ樹脂：２０〜７０重量％
Ｂ．軟化点が８０〜１６０℃のエポキシ樹脂：１５〜５０重量％
Ｃ．重量平均分子量が５０００〜２０万のマトリックス樹脂に可溶な熱可塑性樹脂：５〜２０重量％
【請求項２】 プリプレグに繊維が７０〜８５重量％含有されてなることを特徴とする請求項１に記載のプリプレグ。
【請求項３】 プリプレグの目付が６０〜２００ｇ／ｍ２であることを特徴とする請求項１または２に記載のプリプレグ。
【請求項４】 引張弾性率が２８０〜８００ＧＰａの炭素繊維に、次のａおよび／またはｂの条件をみたすマトリックス樹脂が含浸されてなることを特徴とするプリプレグ。
ａ．測定周波数０．５Ｈｚ、５０℃での動的粘弾性測定による貯蔵弾性率（以下
Ｇ’と略記）が５００〜５００００Ｐａ
ｂ．測定周波数０．５Ｈｚ、１０℃での動的粘弾性測定によるＧ’と測定周波数
０．５Ｈｚ、５０℃での動的粘弾性測定によるＧ’の比が１０００〜５００００
【請求項５】 マトリックス樹脂が次のａおよび／またはｂの条件をみたすことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のプリプレグ。
ａ．測定周波数０．５Ｈｚ、５０℃での動的粘弾性測定によるＧ’が５００〜５００００Ｐａ
ｂ．測定周波数０．５Ｈｚ、１０℃での動的粘弾性測定によるＧ’と測定周波数０．５Ｈｚ、５０℃での動的粘弾性測定によるＧ’の比が１０００〜５００００
【請求項６】 マトリックス樹脂が次の条件をみたすことを特徴とする請求項４または５に記載のプリプレグ。測定周波数０．５Ｈｚ、５０℃での動的粘弾性測定によるＧ’と測定周波数０．５Ｈｚ、８０℃での動的粘弾性測定によるＧ’の比が１２０〜５００
【請求項７】 ガラス転移温度が−５〜７℃であることを特徴とする請求項４〜６のいずれかに記載のプリプレグ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
一方、プリプレグの薄物化も、成形品の軽量化や薄肉化に寄与する。プリプレグの薄物化により、積層枚数は減らさずに重量を低減できるため、強度をほとんど低下させることなく軽量化が可能である。ただし、薄物化により、より低目付の樹脂フィルムが要求され、また含浸しにくくなるという難しさがある。この場合、プリプレグの目付は６０〜２００ｇ／ｍ２であることが好ましく、さらには７０〜１７０ｇ／ｍ２であることが好ましい。目付が６０ｇ／ｍ２未満であるとプリプレグの形状保持性が大きく低下するため好ましくない。目付が２００ｇ／ｍ２を越えると、プリプレグ内部の繊維アラインメントが乱れやすく、高性能な繊維強化複合材料となりにくいため好ましくない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
なお、本実施例では、エポキシ樹脂として、液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製、“エピコート”８２８）、固体状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製、“エピコート”１００１）、固体状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製、“エピコート”１００４）、固体状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製、“エピコート”１００９）、液状ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製、“エピコート”８０７）、固体状ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製、“エピコート”４００４Ｐ）、トリグリシジル-ｍ-アミノフェノール（住友化学工業（株）製、“スミ−エポキシ”ＥＬＭ１００）、グリセリンのトリグリシジルエーテル（ナガセ化成工業（株）製、“デナコール”ＥＸ−３１４）を用いた。また、熱可塑性樹脂として、ポリビニルピロリドン（ＢＡＳＦジャパン（株）製、“ルビスコール”Ｋ−３０；重量平均分子量４．５万）、ポリビニルピロリドン（ＢＡＳＦジャパン（株）製、“ルビスコール”Ｋ−９０；重量平均分子量１２０万）、ポリビニルホルマール（チッソ（株）製、“ビニレック”Ｋ；重量平均分子量２万）、ポリメチルメタクリレート（松本油脂製薬（株）製、“マツモトマイクロスフィア”Ｍ；重量平均分子量１００万）を用いた。また、硬化剤としてジシアンジアミドを、さらに硬化助剤としてＤＣＭＵを用いた。
（実施例１〜３）
（１）マトリックス樹脂組成物の調製
表１に記載の原料を、ニーダーを用いて混練し、マトリックス樹脂組成物を調製した。
（２）プリプレグの作製
上記樹脂組成物を、リバースロールコーターを用いて離型紙上に塗布して樹脂フィルムを作製した。次に、一方向に配列させた引張弾性率２９４ＧＰａの炭素繊維“トレカ”（登録商標）Ｔ８００Ｈ−１２Ｋ（東レ（株）製）の両側面に樹脂フィルムを重ね、加熱加圧（１３０℃，０.４ＭＰａ）することによって、樹脂を含浸させ、プリプレグの目付が２２０ｇ／ｍ２、そして繊維重量含有率６８％の一方向プリプレグを作製した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
これらのプリプレグの含浸性、タック・ドレープ、マンドレルへの巻き付き性はいずれも良好であった。また、タックの経時変化は少ないものであった。結果を表１に示す。
（実施例４）引張弾性率３９２ＧＰａの炭素繊維“トレカ”Ｍ４０ＳＣ−１２Ｋ（東レ（株）製）を使用し、プリプレグの目付が１５０ｇ／ｍ２、繊維重量含有率が７５％としたこと以外は実施例３と同様な方法で、プリプレグを作製した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
【表１】
2003002990.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
【表２】
2003002990.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月14日(2008.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技球が入球手段に入球したことに基づいて複数種類の表示演出のうちいずれかを表示する表示手段を備えた遊技機において、
所定の前記表示演出の最中に所定の条件が成立した場合に、その所定条件成立から所定時間経過した時点において表示される予定であった前記所定の表示演出の一部が間引かれるようにしたことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
遊技者に有利な特別遊技状態に移行するか否かに関連する表示演出が表示手段に表示されるものであって、
遊技球が入球可能な入球手段と、
該入球手段に入球した遊技球を検出する検出手段と、
該検出手段による検出のタイミングに基づいて当否抽選を行う抽選手段、該抽選手段による前記当否抽選の結果に基づいて前記表示演出のパターン情報を選択する選択手段、該選択手段によって選択された前記パターン情報に基づいて表示パターンコマンドを生成する表示パターンコマンド生成手段、該表示パターンコマンド生成手段により生成された前記表示パターンコマンドを送信するコマンド送信手段、該コマンド送信手段により送信された前記表示パターンコマンドに対応して前記表示手段に表示される所定の表示演出の全体時間を計測値として設定する第１設定手段、該第１設定手段によって設定された前記全体時間を計測する計測手段、及び該計測手段によって前記全体時間の計測がされている最中に未実行状態のまま待機される前記検出手段による検出結果をその保留数が予め定められた上限数に達するまで記憶可能な保留数記憶手段を有する主制御手段と、
前記コマンド送信手段により送信された前記表示パターンコマンドを受信するとともに、受信した前記表示パターンコマンドに基づいて前記全体時間に亘り前記所定の表示演出が前記表示手段に表示されるよう表示制御する表示制御手段とを備えた遊技機において、
前記設定手段によって設定された前記全体時間は、その所定期間を構成する第１構成時間、最終期間を構成する第３構成時間、前記第１構成時間と前記第３構成時間との間の期間を構成する第２構成時間を含む複数の期間に区分可能であり、
前記主制御手段はさらに、前記計測手段によって前記全体時間の前記第１構成時間を計測している時点において前記保留数記憶手段により記憶された前記保留数が前記上限数以下の予め定められた所定数に達した場合に前記第３構成時間を残りの計測値として設定する第２設定手段と、該第２設定手段による計測値の設定を示す情報が含まれた短縮コマンドを生成する短縮コマンド生成手段と、前記第１構成時間の終了が前記計測手段によって計測される時点まで前記短縮コマンドの伝達タイミングを遅延させる遅延手段と、を有し、
前記表示制御手段は、受信した前記短縮コマンドに基づいて、前記第２構成時間に対応する表示演出が省かれた表示態様となるように前記所定の表示演出の内容を変更して表示制御する
ことを特徴とする遊技機。
【請求項３】
遊技球の入球可能な入球手段と、前記入球手段への遊技球の入球を検出する検出手段と、前記検出手段の検出結果に基づいて遊技者の利益に関わる当否抽選を行い、この抽選結果に応じて表示パターンを決定し、この表示パターンをコマンドに変換する主制御手段と、前記主制御手段によりコマンドに変換された表示パターンに基づいて、表示手段で表示される表示演出を制御する表示制御手段とを備えた遊技機において、
前記主制御手段により変換された表示パターンのコマンドには、表示パターンに関する時間情報が含まれており、
前記時間情報は、前記主制御手段により決定された表示パターンに基づいて行なわれる表示演出の合計時間に関連した第１時間情報と、
前記第１時間情報における表示演出の合計時間を所定の時間間隔で分割した時点ごとに関連した第２時間情報があり、
前記表示パターンのコマンドは、少なくとも前記第１時間情報を含み、
かつ、前記主制御手段は、
前記時間情報のうち、第２時間情報と関連付けた時間情報値を記憶する時間情報記憶手段と、
前記検出手段により前記入球手段への入球が検出された複数回分の検出結果に基づく表示演出が、未実行状態として保留にされている保留数を記憶する保留数記憶手段と、
前記主制御手段からのコマンドに応じて開始された表示演出に連動して、この表示演出の経過時間を計数する経過時間計数手段と、
前記保留記憶手段に記憶された保留数が予め決めた所定数に達した場合に、前記経過時間計数手段から読み取った計数値と、前記時間情報記憶手段に記憶されている時間情報値とを比較し、両値が一致しているか否かを判定する比較判定手段と、
前記比較判定手段による比較判定の結果、前記計数値と前記時間情報値が一致したとき、当該時点で行なわれている表示演出の時間を短縮するように前記表示制御手段に指示する時間短縮指示手段と、
を含むように構成されていることを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月11日(2008.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信の方法であって、
チャネル上の複数のフレームを監視するステップ、
少なくとも２つのフレームを含むウィンドウ内の少なくとも１つのフレームにおいて、セクタ切換えインジケータに基づいて、少なくとも１つのウィンドウベースの決定測定基準を特定するステップ、
セクタ切換えインジケータを含む該ウィンドウ内でフレーム数を特定するステップ、及び
特定された該少なくとも１つの決定測定基準及び特定された該フレーム数に基づいて、セクタ切換えが所望のものであるかを判定するステップ
からなる方法。
【請求項２】
請求項１の方法であって、
該ウィンドウ内のフレームに基づいて、第１のウィンドウベースの決定測定基準のセットを特定するステップ、
該ウィンドウ内のフレームに基づいて、第２のウィンドウベースの決定測定基準のセットを特定するステップ、
該特定された第２の測定基準のうちのどれが最大測定基準であるかを判別するステップ、及び
該判別された最大測定基準が、選択された閾値に該第１の測定基準の該ウィンドウにわたる累積値を足したものを超えているかを特定するステップ
からなる方法。
【請求項３】
請求項２の方法であって、
該ウィンドウ内のフレームでデータを送信する移動局が、該特定された最大測定基準が該選択された閾値に該第１の測定基準の累積値を足したものを超えたか否かに基づいて該セクタ切換えインジケータを与えたことを判定するステップ
からなる方法。
【請求項４】
請求項１の方法であって、
該特定されたフレーム数のフレームのうちの第１のものが送信された時間を特定するステップ、及び
該特定された時間を用いて移動局が該セクタ切換えインジケータに対応するセクタに切り換わる時を予測するステップ
からなる方法。
【請求項５】
請求項１の方法であって、
活状態のセットのセクタの各々についてのパイロット信号対ノイズ比を信号対ノイズ比の閾値と比較するステップ、及び
該対応するパイロット信号対ノイズ比が該信号対ノイズ比の閾値よりも大きい場合、許容信号リンクを表示するステップ
からなる方法。
【請求項６】
請求項１の方法において、
セクタ切換えが所望のものであるかを判定するステップが、予備切換え検出決定であり、該方法が、
該予備切換え検出決定を中央エンティティに転送するステップ、及び
複数の予備切換え検出決定に基づいて最終切換え検出決定を実行するステップ
からなる方法。
【請求項７】
請求項１の方法であって、
選択された数のフレームを含むウィンドウ長を設定するステップ、
該ウィンドウ長における第１の複数のフレームを用いて、該監視するステップ、該特定するステップ及び判定するステップを実行するステップ、及び
該ウィンドウを、後続のフレーム及び該第１の複数のフレームの最も古いもの以外の全てを含む第２の複数のフレームにスライドするステップ
からなる方法。
【請求項８】
請求項１の方法であって、
サービス提供セクタに対する通常のチャネル品質報告に対応するサービス提供測定基準を取得するステップ、及び
該セクタ切換えインジケータが活状態のセットのセクタのいずれか１つに送信された最も高い可能性に対応するターゲット測定基準を取得するステップ
からなる方法。
【請求項９】
セクタ切換えインジケータを検出する方法であって、
複数の予備切換え検出決定をバースバンドプロセッサにおいて実行するステップであって、各予備切換え検出決定が複数の活状態のセットのセクタのうちの１つに対応し、各予備切換え検出決定が、複数のフレームを含むウィンドウにわたって特定された少なくとも１つの測定基準及び該複数のフレームの少なくとも１つの中で検出されたセクタ切換えインジケータに基づく、ステップ、
該複数の予備切換え検出決定を基地局ステージに転送するステップ、
該複数の予備切換え検出決定に基づいて該基地局ステージにおいて第２の切換え検出決定を実行するステップ、及び
該基地局ステージにおいて該セクタ切換えインジケータが該第２の切換え検出決定に基づいて送信されたかを判定するステップ
からなる方法。
【請求項１０】
請求項９の方法において、該第２の切換え検出決定を実行するステップが複数の第２の切換え検出決定を実行するステップからなり、該決定するステップが、
該複数の第２の切換え検出決定に基づいて、第３の切換え検出決定を実行するステップ、及び
該セクタ切換えインジケータが該第３の切換え検出決定から送信されたかを判定するステップ
からなる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月25日(2008.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
他の通信装置と通信する通信装置において、
第１の通信回線を利用して通信する第１の通信手段と、
前記第１の通信回線とは異なる第２の通信回線を利用して通信する第２の通信手段とを備え、
前記第１の通信回線を利用した通信に必要な前記他の通信装置のアクセス情報を、前記第２の通信回線を利用して取得し、
取得した前記アクセス情報に基づいて前記第１の通信回線を利用して主情報を通信する
ことを特徴とする通信装置。
【請求項２】
携帯型の他の装置と通信する第１の通信手段と、
前記携帯型の他の装置を介さない通信回線を利用して他の通信装置と通信する第２の通信手段と
を備え、
前記第２の通信手段による前記他の通信装置との通信に必要なアクセス情報を前記第１の通信手段により取得し、
前記第１の通信手段により取得した前記アクセス情報に基づいて前記第２の通信手段により主情報を通信する
ことを特徴とする通信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の第１の側面は、他の通信装置と通信する通信装置において、第１の通信回線を利用して通信する第１の通信手段と、第１の通信回線とは異なる第２の通信回線を利用して通信する第２の通信手段とを備え、第１の通信回線を利用した通信に必要な他の通信装置のアクセス情報を、第２の通信回線を利用して取得し、取得したアクセス情報に基づいて第１の通信回線を利用して主情報を通信する通信装置である。
本発明の第２の側面は、携帯型の他の装置と通信する第１の通信手段と、携帯型の他の装置を介さない通信回線を利用して他の通信装置と通信する第２の通信手段とを備え、第２の通信手段による他の通信装置との通信に必要なアクセス情報を第１の通信手段により取得し、第１の通信手段により取得したアクセス情報に基づいて第２の通信手段により主情報を通信する通信装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の第１の側面においては、第１の通信回線を利用した通信に必要な他の通信装置のアクセス情報が、第２の通信回線を利用して取得され、取得されたアクセス情報に基づいて第１の通信回線を利用して主情報が通信される。
本発明の第２の側面においては、第２の通信手段による他の通信装置との通信に必要なアクセス情報が第１の通信手段により取得され、第１の通信手段により取得されたアクセス情報に基づいて第２の通信手段により主情報が通信される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項１の通信装置（例えば、図１のターミナルアダプタ３０２）は、他の通信装置（例えば、図１のターミナルアダプタ２０２）と通信する通信装置（例えば、図１のターミナルアダプタ３０２）において、第１の通信回線（例えば、図１のＯＣＮ２３３）を利用して通信する第１の通信手段（例えば、図１のターミナルアダプタ３０２の図３の通信部３７）と、第１の通信回線（例えば、図１のＯＣＮ２３３）とは異なる第２の通信回線（例えば、図１の赤外線）を利用して通信する第２の通信手段（例えば、図１のターミナルアダプタ３０２の図３の赤外線通信部２０４）とを備え、第１の通信回線（例えば、図１のＯＣＮ２３３）を利用した通信に必要な他の通信装置（例えば、図１のターミナルアダプタ２０２）のアクセス情報（例えば、図７のステップＳ７０１のＩＰアドレスＩＰ（２０２））を、第２の通信回線（例えば、図１の赤外線）を利用して取得し、取得したアクセス情報（例えば、図７のステップＳ７０１のＩＰアドレスＩＰ（２０２））に基づいて第１の通信回線（例えば、図１のＯＣＮ２３３）を利用して主情報（例えば、画像データ）を通信することを特徴とする。
請求項２の通信装置（例えば、図１のターミナルアダプタ３０２）は、携帯型の他の装置（例えば、図１のＰＨＳ３０１）と通信する第１の通信手段（例えば、図１のターミナルアダプタ３０２の図３の赤外線通信部２０４）と、携帯型の他の装置（例えば、図１のＰＨＳ３０１）を介さない通信回線（例えば、図１のＯＣＮ２３３）を利用して他の通信装置（例えば、図１のターミナルアダプタ２０２）と通信する第２の通信手段（例えば、図１のターミナルアダプタ３０２の図３の通信部３７）とを備え、第２の通信手段による他の通信装置（例えば、図１のターミナルアダプタ２０２）との通信に必要なアクセス情報（例えば、図７のステップＳ７０１のＩＰアドレスＩＰ（２０２））を第１の通信手段により取得し、第１の通信手段により取得したアクセス情報（例えば、図７のステップＳ７０１のＩＰアドレスＩＰ（２０２））に基づいて第２の通信手段により主情報（例えば、画像データ）を通信することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月9日(2008.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主本体と、
前記主本体に結合され、前記主本体に対して引込めた位置と露出した位置の間で移動し、前記露出した位置で少なくとも１つの回転軸の周りで回転可能であるように構成されたカメラ・モジュールと、
前記カメラ・モジュールの前記主本体に対する位置を検出する手段と、
少なくとも１つの格納されたプログラムを持つメモリ、および前記プログラムを実行することができるマイクロプロセッサとを備え、前記プログラムが、デジタル写真又はテレビ電話のいずれかについての移動通信のディスプレイを、前記位置に基いて自動的に構成するようになっている移動通信装置。
【請求項２】
前記カメラ・モジュールが、前記引込めた位置と前記露出した位置の間で移動するようになされた、請求項１に記載の移動通信装置。
【請求項３】
前記少なくとも１つの回転軸が、前記移動の方向に対して本質的に垂直である、請求項１に記載の移動通信装置。
【請求項４】
前記カメラ・モジュールが、前記露出した位置で少なくとも正面に向いた位置から背面に向いた位置に回転可能である、請求項１に記載の移動通信装置。
【請求項５】
前記カメラ・モジュールが、前記露出した位置で少なくとも２つの回転軸の周りで回転可能である、請求項１に記載の移動通信装置。
【請求項６】
前記プログラムにより前記カメラ・モジュールの電源スイッチが入れられる、請求項１に記載の移動通信装置。
【請求項７】
前記検出する手段が、電子検出器である、請求項１に記載の移動通信装置。
【請求項８】
前記テレビ電話がテレビ会議電話である、請求項１に記載の移動通信装置。
【請求項９】
引き込み可能で回転可能カメラ・モジュールを操作する方法であって、
カメラ・モジュールが一体化された移動通信装置の主本体に対して引込めた位置から露出した位置まで移動するように、ユーザが解放可能な保持装置を解放することによって前記カメラ・モジュールを展開するステップと、
前記カメラ・モジュールを少なくとも１つの回転軸の周りで回転させるステップと、
前記カメラ・モジュールの前記主本体に対する位置を検出するステップと、
デジタル写真又はテレビ電話のいずれかのために前記移動通信装置のディスプレイを、前記位置に基づいて自動的に構成するステップと、を含む方法。
【請求項１０】
前記移動通信装置のフラッシュを、前記位置に基づいて起動させるステップをさらに含む請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月16日(2008.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランスジェニックアフリカツメガエル卵母細胞を提供する方法であって、
ａ）第１の場所でトランスジェニックアフリカツメガエル卵母細胞を調製するステップと、
ｂ）前記第１の場所から離れた第２の場所に前記トランスジェニックアフリカツメガエル卵母細胞を輸送するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記のトランスジェニックアフリカツメガエル卵母細胞を調製するステップは、ヒトまたは動物の膜タンパク質をコードするｃＲＮＡまたはｃＤＮＡをアフリカツメガエル卵母細胞に注入するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記のヒトまたは動物の膜タンパク質は、ヒト有機カチオントランスポーター１（ｈＯＣＴ１）、ヒト有機アニオン輸送ポリペプチド１（ｈＯＡＴＰ１）、ヒト有機アニオン輸送ポリペプチド２（ｈＯＡＴＰ２）、ヒト有機アニオン輸送ポリペプチド８（ｈＯＡＴＰ８）、ヒトタウロコール酸Ｎａ＋共輸送タンパク質（ｈＮＴＣＰ）、ラット有機アニオン輸送ポリペプチド（ｒＯａｔｐ１）、ヒトペプチドトランスポーター１（ｈＰＥＰＴ１）、ヒトペプチドトランスポーター２（ｈＰＥＰＴ２）、ヒト有機アニオントランスポーター１（ｈＯＡＴ１）、ヒト有機アニオントランスポーター３（ｈＯＡＴ３）、ラット有機アニオントランスポーター３（ｒＯａｔ３）、およびラット有機アニオン輸送ポリペプチド４（ｒＯａｔｐ４）からなる群から選択されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
輸送する前に前記トランスジェニックアフリカツメガエル卵母細胞を少なくとも１つの容器に配置するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記少なくとも１つの容器はマルチウェルプレートのウェルであることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記配置するステップの後でかつ輸送する前に、前記の少なくとも１つのウェルを密封するステップをさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記配置するステップ後でかつ輸送する前に、前記少なくとも１つの容器を密封するステップをさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項８】
輸送する前に緩衝液を前記少なくとも１つの容器中に配置するステップをさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項９】
前記輸送するステップは、前記トランスジェニックアフリカツメガエル卵母細胞の温度を維持するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記温度は、１０〜２０℃の範囲に維持されることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記温度は、１６℃に維持されることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記輸送するステップは、自動車、トラック、飛行機、列車、船、およびその組合せからなる群から選択される輸送方法により輸送するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
少なくとも１つの容器と、
前記容器中に配置された少なくとも１個のトランスジェニックアフリカツメガエル卵母細胞と
を含む培養系であって、
前記容器は前記容器の輸送を可能にするように密封されることを特徴とする培養系。
【請求項１４】
少なくとも１個のアフリカツメガエル卵母細胞をさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載の培養系。
【請求項１５】
あらかじめ水を注入された少なくとも１個のアフリカツメガエル卵母細胞をさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載の培養系。
【請求項１６】
前記容器中に配置された緩衝液をさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載の培養系。
【請求項１７】
前記容器はマルチウェルプレートのウェルであることを特徴とする請求項１３に記載の培養系。
【請求項１８】
少なくとも１種の試薬をさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載の培養系。
【請求項１９】
同量の前記緩衝液が、各ウェル中に配置されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項２０】
４〜５個のトランスジェニックアフリカツメガエル卵母細胞が、前記ウェルの少なくとも１個中に配置されることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
４〜５個のトランスジェニックアフリカツメガエル卵母細胞が、前記ウェルの少なくとも１個中に配置されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
各前記トランスジェニックアフリカツメガエル卵母細胞当たり、１．０−１．２５ｍｌの緩衝液がウェル中に配置されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月15日(2008.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長尺体からなる被加工材に、リードフレームのパターンと被加工材の長手方向に隣接するリードフレームの端縁間を連結する接続部のパターンとからなるエッチングパターンを形成し、
このエッチングパターンをマスクとして被加工材をエッチングすることにより、長手方向に連続するレール部が両側縁部に形成され、該レール部に前記接続部を介して個々のリードフレームが支持されたリードフレームの長尺体を形成し、
該リードフレームの長尺体から、シート状のリードフレームを得るリードフレームの製造方法であって、
前記接続部のパターンを、前記リードフレームのレール部間を連結する支持バーと、前記リードフレームを前記支持バーに吊持する支持片とを形成するパターンとして前記リードフレームの長尺体を形成し、
前記支持片と前記リードフレームの端縁との連結部を分離して前記シート状のリードフレームを得ることを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項２】
前記リードフレームのパターンとして、リードフレームを被加工材に多列に配置するパターンを設け、
リードフレームが多列に配置されたリードフレームの長尺体からシート状のリードフレームを得ることを特徴とする請求項１記載のリードフレームの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、上記目的を達成するため次の構成を備える。
すなわち、リードフレームの製造方法において、長尺体からなる被加工材に、リードフレームのパターンと被加工材の長手方向に隣接するリードフレームの端縁間を連結する接続部のパターンとからなるエッチングパターンを形成し、このエッチングパターンをマスクとして被加工材をエッチングすることにより、長手方向に連続するレール部が両側縁部に形成され、該レール部に前記接続部を介して個々のリードフレームが支持されたリードフレームの長尺体を形成し、該リードフレームの長尺体から、シート状のリードフレームを得るリードフレームの製造方法であって、前記接続部のパターンを、前記リードフレームのレール部間を連結する支持バーと、前記リードフレームを前記支持バーに吊持する支持片とを形成するパターンとして前記リードフレームの長尺体を形成し、前記支持片と前記リードフレームの端縁との連結部を分離して前記シート状のリードフレームを得ることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、前記リードフレームのパターンとして、リードフレームを被加工材に多列に配置するパターンを設け、リードフレームが多列に配置されたリードフレームの長尺体からシート状のリードフレームを得ることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月4日(2008.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分散された画像取引システムであって、
ａ）少なくとも１つの画像購入者端末と通信するために採用された、高解像度の画像のための少なくとも１つのレポジトリと画像発行モジュールとを含む少なくとも１つの画像発行システムと、
ｂ）少なくとも１つの画像改良ユニットと、
ｃ）少なくとも１つの画像購入者端末及び前記少なくとも１つの画像発行システムと通信するために採用された、少なくとも１つの画像属性データベースと該少なくとも１つの画像属性データベースを検索する検索モジュールとを含むシステム・サービス・ユニットと
を備える画像取引システム。
【請求項２】
請求項１記載のシステムであって、前記画像発行モジュールが、
ａ）画像メタデータ発行モジュールと、
ｂ）低解像度及び高解像度の画像ファイルのエクスポート・モジュールと
ｃ）画像価格交渉モジュールと、
ｄ）それらの組合せと
のうちの少なくとも１つを含むシステム。
【請求項３】
高解像度の画像を該画像の発行者から直接に探し出し取得するための画像購入者の方法であって、
ａ）ネットワーク接続を介してシステム・サービス・ユニットにアクセスするステップと、
ｂ）前記システム・サービスのデータベースにおいて画像属性を検索し、所望のサムネイルを選択するステップと、
ｃ）ネットワーク接続を介した前記画像発行者のコンピュータへの制御された遠隔アクセスにより、前記選択されたサムネイルに対応する高解像度のファイルと該高解像度のファイルの低解像度の表示との品質をシミュレートし、改良し、確認するステップと、
ｄ）前記選択された高解像度の画像をダウンロードする許可を、前記システム・サービス・ユニットから購入し、該許可に対する支払を行うステップと、
ｅ）前記発行者の画像レポジトリから、前記選択された画像を高解像度の形式で直接購入者のコンピュータに取得するステップと、
ｆ）ステップｃのパラメータを適用することにより、高解像度の形式の前記選択された画像を印刷の準備ができた状態に自動的にするステップと、
を備える方法。
【請求項４】
請求項３記載の方法であって、前記シミュレートし、改良し、確認するステップが、
ａ）選択されたサムネイルの前記低解像度の表示を評価するステップと、
ｂ）前記低解像度の表示をトリミングし、サイズ変更するステップと、
ｃ）前記低解像度の画像を改良するステップであって、色調調整、シャープネス調整、カラー補正及びカラー変換のうちの少なくとも１つを含むステップと、
ｄ）前記選択され改良された低解像度の画像をページ・レイアウトに埋め込むステップと、
ｅ）前記高解像度の画像から、定義された部分的な画像を最大解像度で取得するステップと、
ｆ）前記購入者の校正されたコンピュータ画面において、前記部分的な画像の一般的なシミュレーション又は精密なシミュレーションのうちのいずれかであるシミュレーションを行うステップと、
のうちの少なくとも１つを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月8日(2008.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２Ｎのロッドを有するロッドセットを備える長さがＬの多極子であって、Ｎが２〜８の整数であり、各ロッドが、前記ロッドに沿って配置された導電性セグメントを有し、各ロッドの前記導電性セグメントのうち少なくとも１つの長さが、約１４％Ｌ〜約９０％Ｌの範囲内であり、各ロッドの前記導電性セグメントのうち少なくとも３つの長さが、約１％Ｌ〜約１２％Ｌの範囲内であることからなる、多極子。
【請求項２】
前記多極子が中心軸を有し、前記ロッドが前記中心軸のまわりに配置され、前記ロッドが、互いに対して、及び、前記中心軸に対してほぼ平行である、請求項１に記載の多極子。
【請求項３】
各ロッドが、前記導電性セグメント間に配置された非導電性領域をさらに有する、請求項１または２に記載の多極子。
【請求項４】
各ロッドの前記導電性セグメントが、相対的に長い導電性セグメントと相対的に短い導電性セグメントによるパターンが各ロッド毎に同じになるように、他のロッドのそれぞれの導電性セグメントと同様に配置される、請求項１乃至３のいずれかに記載の多極子。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の多極子を備える質量分析計。
【請求項６】
請求項５に記載の質量分析計においてイオンを分析する方法であって、
ａ）試料を得るステップと、
ｂ）前記試料をイオン化して、イオンを生じさせるステップと、
ｃ）前記多極子に前記イオンを送り込むステップであって、前記多極子は、各ロッドに沿って配置された少なくとも４つの導電性セグメントを有し、前記導電性セグメントは、少なくとも１つの相対的に長いセグメントと少なくとも３つの相対的に短いセグメントを有することからなる、ステップと、
ｄ）前記多極子の前記導電性セグメントに電位を印加して、前記質量分析計においてイオンを操作し、それによって、操作イオンを生成するステップと、
ｅ）前記操作イオンを検出するステップ
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月23日(2008.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相変化メモリと、
電磁波を交流の電気信号に変換するアンテナと、
前記アンテナから供給される交流の電気信号を基に電源電位を生成し、生成した前記電源電位を前記相変化メモリに供給する電源回路と、を有し、
前記相変化メモリは、記憶素子を有し、
前記記憶素子は、第１の方向に延在するビット線として機能する第１の導電層、前記第１の方向と垂直な第２の方向に延在するワード線として機能する第２の導電層及び前記第１の導電層と前記第２の導電層の間に設けられた相変化層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
相変化メモリと、
電磁波を交流の電気信号に変換するアンテナと、
前記アンテナから供給される交流の電気信号を基に電源電位を生成し、生成した前記電源電位を前記相変化メモリに供給する電源回路と、を有し、
前記相変化メモリは、記憶素子を有し、
前記記憶素子は、第１の方向に延在するビット線として機能する第１の導電層、前記第１の方向と垂直な第２の方向に延在するワード線として機能する第２の導電層及び前記第１の導電層と前記第２の導電層の間に設けられた相変化層を有し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層の一方又は両方は透光性であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記記憶素子は、透光性である前記第１の導電層または前記第２の導電層を介して、前記相変化層に光が照射されることにより、データが書き込まれることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１又は請求項２において、
前記相変化メモリは、前記記憶素子を制御する薄膜トランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層の一方と、前記相変化層の間に設けられた整流素子を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層の一方と、前記相変化層の間に設けられた整流素子を有し、
前記整流素子は、トランジスタまたはダイオードであることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１又は請求項２において、
前記相変化層は結晶状態と非晶質状態の間で可逆的に変化する材料を有し、
前記材料は、ゲルマニウム、テルル、アンチモン、硫黄、酸化テルル、スズ、金、ガリウム、セレン、インジウム、タリウム、コバルト及び銀から選択された複数を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１又は請求項２において、
前記相変化層は第１の結晶状態と第２の結晶状態で可逆的に変化する材料を有し、
前記材料は、銀、亜鉛、銅、アルミニウム、ニッケル、インジウム、アンチモン、セレン及びテルルから選択された複数を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１又は請求項２において、
前記相変化層は非晶質状態から結晶状態にのみ変化する材料を有し、
前記材料は、テルル、酸化テルル、パラジウム、アンチモン、セレン及びビスマスから選択された複数を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記相変化メモリ、前記アンテナ及び前記電源回路は、ガラス基板上に設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記相変化メモリ、前記アンテナ及び前記電源回路は、可撓性基板上に設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記相変化メモリを制御する制御回路を有し、前記制御回路は薄膜トランジスタを含むことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月26日(2008.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高応力窒化膜を生成する方法であって、  Ｓｉ、ＮおよびＣを任意の組合せで含む化合物（Ａ）とＮＨ３（Ｂ）とを、急熱化学的気相堆積（ＲＴＣＶＤ）条件、プラズマ化学的気相堆積（ＰＥＣＶＤ）条件または減圧化学的気相堆積（ＬＰＣＶＤ）条件で反応させるステップ  を含み、  前記反応ステップにより、＋１０Ｇダイン／ｃｍ２を超える応力値を有する高応力膜を形成する  方法。
【請求項２】
前記反応ステップがＲＴＣＶＤ条件である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
Ｓｉ、ＮおよびＣを含む前記化合物をＮＨ３と反応させる前記ステップ中にシラン、ジシラン、ヘキサクロロジシランおよびシラン・ベースの他の化合物からなるグループから選択された少なくとも１種の化合物の追加をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記化合物（Ａ）が塩素を含まない化合物である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
Ｓｉ、ＮおよびＣを含む前記化合物（Ａ）が、  （Ｒ−ＮＨ）４−ｎＳｉＸｎ  （Ｉ）  であり、上式で、Ｒがアルキル基（同じでもまたは異なっていてもよい）、ｎが１、２または３、ＸがＨまたはハロゲンである、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記化合物（Ａ）がビス−ｔ−ブチルアミノシラン（ＢＴＢＡＳ）である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記反応ステップが、ビス−ｔ−ブチルアミノシラン（ＢＴＢＡＳ）とＮＨ３を反応させるステップである、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記反応が炭素濃度３から１５原子％で行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
窒化膜を生成する方法であって、  急熱化学的気相堆積（ＲＴＣＶＤ）条件、プラズマ化学的気相堆積（ＰＥＣＶＤ）条件または減圧化学的気相堆積（ＬＰＣＶＤ）条件で、５００から７００℃の範囲の温度、５０から５００Ｔｏｒｒの範囲の圧力で、  Ｓｉ、ＮおよびＣを任意の組合せで含む化合物（Ａ）を  ＮＨ３（Ｂ）  と反応させるステップを含み、前記反応ステップにより、＋１０Ｇダイン／ｃｍ２を超える量の応力値を有する膜を形成する方法。
【請求項１０】
前記反応ステップがＲＴＣＶＤ条件であり、炭素濃度６から１０％、温度６５０℃、圧力１４０Ｔｏｒｒでビス−ｔ−ブチルアミノシラン（ＢＴＢＡＳ）をＮＨ３と反応させる、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
＋１０Ｇダイン／ｃｍ２を超える高い応力を有する膜を備える窒化シリコン膜であって、  ビス−ｔ−ブチルアミノシラン（ＢＴＢＡＳ）とＮＨ３の反応生成物を含む、窒化シリコン膜。
【請求項１２】
前記反応生成物の化学構造がＳｉｘＮｙＣｚＨｗであり、ｘ、ｙ、ｚおよびｗがそれぞれ０よりも大きな整数または非整数である、請求項１０に記載の窒化シリコン膜。
【請求項１３】
デバイス活性層の少なくとも一部分を、＋１０Ｇダイン／ｃｍ２を超える引張応力を有する窒化シリコン・ライナで覆うステップを含み、前記窒化シリコン・ライナが、ビス−ｔ−ブチルアミノシラン（ＢＴＢＡＳ）とＮＨ３の反応生成物である窒化膜を含む、半導体ウェハ製造方法。
【請求項１４】
前記覆うステップが急熱化学的気相堆積（ＲＴＣＶＤ）プロセス中に実施される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
急熱化学的気相堆積（ＲＴＣＶＤ）プロセス、プラズマ化学的気相堆積（ＰＥＣＶＤ）プロセスまたは減圧化学的気相堆積（ＬＰＣＶＤ）プロセスによって形成され、ビス−ｔ−ブチルアミノシラン（ＢＴＢＡＳ）とＮＨ３の反応生成物である窒化膜を含み、前記窒化膜が＋１０Ｇダイン／ｃｍ２を超える引張応力を有する、窒化物ライナ。
【請求項１６】
窒化膜の応力レベルを調整する方法であって、  前記窒化膜を形成するのに使用する出発材料前駆体の選択と、  前記出発材料前駆体とともに処理する、窒素を含む前駆体の選択と、  前記出発材料前駆体と窒素を含む前記前駆体の比と、  前記膜を成長させる一連のＣＶＤ条件と、  前記膜を成長させる厚さと、  からなるグループから選択された少なくとも２つを調整するステップを含む方法。
【請求項１７】
前記出発材料前駆体がＳｉ、ＣおよびＮを任意の組合せで含む化合物である、請求項１６に記載の応力レベル調整方法。
【請求項１８】
前記出発材料前駆体がＢＴＢＡＳであり、前記窒素を含む前駆体がＮＨ３であり、前記ＣＶＤ条件がＲＴＣＶＤ条件である、請求項１６に記載の応力レベル調整方法。
【請求項１９】
前記ＲＴＣＶＤ条件が、５００〜７００℃の範囲の温度、５０から５００Ｔｏｒｒの範囲の圧力、３０から６００秒の時間範囲のＲＴＣＶＤ条件である、請求項１８に記載の応力レベル調整方法。
【請求項２０】
前記厚さが５０から１，０００オングストロームである、請求項１６に記載の応力レベル調整方法。
【請求項２１】
窒化膜の前記応力レベルが＋１０Ｇから＋１８Ｇダイン／ｃｍ２の範囲に調整される、アンモニア処理されたＢＴＢＡＳ膜である、請求項１６に記載の応力レベル調整方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月25日(2008.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１および第２の側面を有する、ＦｉｎＦＥＴ用のフィンを基板上に形成するステップと、
前記フィンの前記第１の側面に第１の不純物を導入するステップと、
前記第１および第２の側面の一方が前記第１および第２の側面の他方よりも厚く、且つ前記導入された前記第１の不純物が誘電体層の厚さに影響を及ぼすような前記誘電体層を前記第１および第２の側面に形成するステップとを含む、ＦｉｎＦＥＴ半導体構造を製造する方法。
【請求項２】
前記第１の不純物が、前記誘電体層の形成を遅延させる物質である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の不純物が、前記誘電体層の形成を促進する物質である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の不純物を導入するステップが、角度を付けた注入を行うステップからなる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記角度を付けた注入を行うステップが、前記第１の不純物を注入する際に、前記ＦｉｎＦＥＴ半導体構造を所定の入射角に傾けるステップを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記基板が、埋め込み酸化物層で構成される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記フィンの前記第２の側面に第２の不純物を導入するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の不純物が、前記誘電体層の形成を遅延させる物質であり、前記第２の不純物が、前記誘電体層の形成を促進させる物質である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第１の不純物を導入するステップが、前記フィンの前記第１の側面へ向けて角度を付けて注入するステップを含み、
前記第２の不純物を導入するステップが、前記フィンの前記第２の側面へ向けて角度を付けて注入するステップを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１および第２の不純物を角度を付けて注入するステップが、それぞれ前記第１および第２の不純物を注入する際に、前記ＦｉｎＦＥＴ半導体構造を所定の入射角まで傾けるステップを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
第１および第２の側面を有する、ＦｉｎＦＥＴ用のフィンを基板上に形成するステップと、
前記フィンの前記第１の側面に第１の不純物を角度を付けて注入するステップと、
前記第１および第２の側面に誘電体層を形成するステップであって、導入された前記不純物が前記誘電体層の厚さに影響を及ぼすため、前記誘電体層は、前記第１および第２の側面の一方が、前記第１および第２の側面の他方よりも厚くなるように形成するステップと、
フロント・ゲート側面、バック・ゲート側面および上面を有し、前記フィンを跨ぐＦｉｎＦＥＴゲートを形成するステップと
を含むＦｉｎＦＥＴ半導体構造を製造する方法。
【請求項１２】
前記ゲートのバック・ゲート側面にバック・ゲートを形成するステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ゲートのバック・ゲート側面にバック・ゲートを形成する前記ステップが、前記ゲートのバック・ゲート側面にバイアスを印加するステップを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ＦｉｎＦＥＴ半導体構造上のゲート領域をドーピングするステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記ゲートの一方の面にｎ型不純物を角度を付けて注入し、前記ゲートの他方の面にｐ型不純物を角度を付けて注入する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記ＦｉｎＦＥＴ半導体構造上にソース領域およびドレイン領域を形成するステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
前記ＦｉｎＦＥＴ半導体構造上にソース領域およびドレイン領域を形成する前記ステップが、
前記ソース領域にソース・ドーパントを角度を付けて注入するステップと、
前記ドレイン領域にドレイン・ドーパントを角度を付けて注入するステップと
をさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記ＦｉｎＦＥＴゲートに当接するスペーサを形成するステップをさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記ゲートの上面を平坦化するステップをさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
基板と、
第１および第２の側面を有する、前記基板上に設けられたＦｉｎＦＥＴ用のフィンと、
前記フィンの前記第１の側面上の第１の不純物と、
導入された前記不純物がその厚さに影響するため、前記第１および第２の側面の一方での厚さが前記第１および第２の側面の他方での厚さよりも厚くなるよう、前記第１および第２の側面に設けられた誘電体層と
を含む、ＦｉｎＦＥＴ半導体構造。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月13日(2008.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】    データ入力装置１０１は、ネットワーク上の電子計算機若しくはネットワークに接続されていない電子計算機がＣＤ若しくはＤＶＤ若しくはメモリ・ディスク等の取外し可能な記憶媒体に作成したデータを前記記憶媒体からインポートしてもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】    データ出力装置１０７は、ネットワーク上の電子計算機若しくはネットワークに接続されていない電子計算機がＣＤ若しくはＤＶＤ若しくはメモリ・ディスク等の取外し可能な記憶媒体に作成して、データを前記記憶媒体によってエクスポートしてもよい。