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【手続補正書】
【提出日】平成20年2月18日(2008.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(a)デジタルデータ全体の代表的な部分の存在を表示する表示情報に基づいて、前記デジタルデータ全体の代表的な部分が存在するかどうかを決定するステップと、
(b)前記デジタルデータ全体の代表的な部分が存在する場合、前記デジタルデータ全体の代表的な部分の位置を特定する位置情報を読み取るステップと
(c)読み取られた前記位置情報に基づいて、前記デジタルデータ全体を再生する前に、前記デジタルデータ全体の代表的な部分を再生するステップと、
から構成され、
前記デジタルデータ全体の代表的な部分はデジタルコンテンツの一部分であり、デジタルデータ全体を再生することなく再生可能であることを特徴とするデジタルデータ再生方法。
【請求項２】
前記位置情報は前記デジタルデータ全体の代表的な部分の開始位置を含むことを特徴とする請求項１に記載のデジタルデータ再生方法。
【請求項３】
前記位置情報は、前記デジタルデータ全体の代表的な部分の終了位置をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載のデジタルデータ再生方法。
【請求項４】
前記位置情報は、前記デジタルデータ全体の代表的な部分の再生時間をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載のデジタルデータ再生方法。
【請求項５】
前記デジタルデータ全体の代表的な部分はユーザーによって指定されることを特徴とする請求項４に記載のデジタルデータ再生方法。
【請求項６】
前記デジタルコンテンツは複数のデータ部を有し、前記デジタルデータ全体の代表的な部分は前記複数のデータ部にそれぞれ存在することを特徴とする請求項１に記載のデジタルデータ再生方法。
【請求項７】
前記デジタルデータ全体の代表的な部分を再生するステップは、それぞれのサンプルデータを再生することを特徴とする請求項６に記載のデジタルデータ再生方法。
【請求項８】
(a)位置情報の存在を特定する表示情報に基づいて、デジタルデータ全体の代表的な部分の位置を表示する位置情報が特定されているかどうかを決定するステップと、
(b)前記位置情報が決定結果として特定されているばあい、その位置情報に基づいて、前記デジタルデータ全体を再生する前に、前記デジタルデータ全体の代表的な部分を再生するステップとから構成され、
前記デジタルデータ全体の代表的な部分は、デジタルコンテンツの一部分であり、前記デジタルデータ全体を再生することなく再生可能であることを特徴とするデジタルコンテンツ再生方法。
【請求項９】
前記位置情報は前記デジタルデータ全体の代表的な部分の開始位置を含むことを特徴とする請求項８に記載のデジタルコンテンツ再生方法。
【請求項１０】
前記位置情報は前記デジタルデータ全体の代表的な部分の終了位置をさらに含むことを特徴とする請求項９に記載のデジタルコンテンツ再生方法。
【請求項１１】
前記位置情報は前記デジタルデータ全体の代表的な部分の再生時間をさらに含むことを特徴とする請求項９に記載のデジタルコンテンツ再生方法。
【請求項１２】
前記デジタルデータ全体の代表的な部分はユーザーによって指定されることを特徴とする請求項８に記載のデジタルコンテンツ再生方法。
【請求項１３】
前記デジタルコンテンツは複数のデータ部を有し、前記デジタルデータ全体の代表的な部分は複数のデータ部にそれぞれ存在することを特徴とする請求項８に記載に記載のデジタルコンテンツ再生方法。
【請求項１４】
前記デジタルデータ全体の代表的な部分を再生するステップはそれぞれのサンプルデータを再生することを特徴とする請求項１３に記載のデジタルコンテンツ再生方法。
【請求項１５】
デジタルデータ全体の代表的な部分を含むデジタルデータを格納するように構成されたメモリと、
表示情報に基づいて位置情報が特定されたかどうかを決定するように構成されたコントローラとから構成され、
前記メモリにおいて、前記デジタルデータ全体の代表的な部分はデジタルデータ全体を再生することなく再生可能であり、
前記コントローラにおいて、前記位置情報は前記デジタルデータ全体の代表的な部分の位置を表示し、前記表示情報は前記位置情報の存在を特定し、前記位置情報が前記決定に従って特定された場合、前記位置情報に基づいて前記デジタルデータ全体の代表的な部分のプレイバックを制御することを特徴とするデジタルデータ再生装置。
【請求項１６】
前記デジタルデータは複数の位置情報を有し、
前記コントローラはそれぞれの位置情報に基づいて、各前記デジタルデータ全体の代表的な部分を制御するようにさらに構成されていることを特徴とする請求項１５に記載のデジタルデータ再生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月20日(2008.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発振器から発振されるレーザ光の一部をサンプリングするための光学系と、
前記サンプリングされたレーザ光の一部を用いて、前記レーザ光のエネルギーの変動をデータとして含む電気信号を生成する手段と、
前記発振器から発振されるレーザ光のエネルギーを、透過率に従って調整する光量調整手段と、を有し、
前記電気信号に信号処理を施すことで、前記レーザ光のエネルギーの変動の状態が得られ、前記透過率を前記レーザ光のエネルギーの変動とは逆の位相で変化させることを特徴とするレーザ装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記レーザ光のエネルギーの変動の状態は、前記レーザ光のエネルギーの変動の周波数、振幅、及び位相が算出されることによって得られ、
前記発振器からのレーザ光の発振に同期した信号の位相と前記算出された位相との間の位相差、前記発振器から発振されるレーザ光とサンプリングされたレーザ光とのエネルギーの比率、及び前記算出された周波数並びに振幅を用いて、前記透過率を逆の位相で変化させることを特徴とするレーザ装置。
【請求項３】
入射したレーザ光のエネルギーを透過率に従って調整する光量調整手段と、
前記光量調整手段に入射する前記レーザ光の一部をサンプリングする入射側光学系と、
前記入射側光学系によりサンプリングされた一部のレーザ光を用いて、前記光量調整手段に入射する前の前記レーザ光のエネルギーの変動をデータとして含む第１の電気信号を生成する手段と、
前記光量調整手段においてエネルギーが調整されたレーザ光の一部をサンプリングする出射側光学系と、
前記出射側光学系によりサンプリングされた一部のレーザ光を用いて、前記光量調整手段においてエネルギーが調整された後のレーザ光のエネルギーの変動をデータとして含む第２の電気信号を、生成する手段と、を有し、
前記第１の電気信号と、前記第２の電気信号に信号処理を施すことで、前記光量調整手段に入射する前のレーザ光と、前記光量調整手段においてエネルギーが調整された後のレーザ光のエネルギーの変動の状態が得られ、前記透過率を前記光量調整手段に入射する前のレーザ光のエネルギーの変動とは逆の位相で変化させることを特徴とするレーザ装置。
【請求項４】
発振器から発振されるレーザ光の一部をサンプリングする光学系と、
前記発振器が有する放電管に印加される電圧を制御する電圧制御手段と、
前記光学系によりサンプリングされた前記一部のレーザ光を用いて、前記レーザ光のエネルギーの変動をデータとして含む電気信号を生成する手段と、を有し、
前記電気信号に信号処理を施すことで、前記レーザ光のエネルギーの変動の状態が得られ、前記放電管に印加する電圧を前記レーザ光のエネルギーの変動とは逆の位相で変化させるように前記電圧制御手段を制御することを特徴とするレーザ装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記レーザ光のエネルギーの変動の状態は、前記レーザ光のエネルギーの変動の周波数、振幅、及び位相が算出されることによって得られ、
前記発振器からのレーザ光の発振に同期した信号の位相と前記算出された位相との間の位相差、前記発振器から発振されるレーザ光とサンプリングされたレーザ光とのエネルギーの比率、及び前記算出された周波数並びに振幅を用いて、前記放電管に印加する電圧を前記レーザ光のエネルギーの変動とは逆の位相で変化させるように前記電圧制御手段を制御することを特徴とするレーザ装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記レーザ光のエネルギーの変動とは逆の位相で変化させることに加え、前記発振器から発振されるレーザ光の振幅が抑えられるような振幅で変化させることを特徴とするレーザ装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記信号処理は、前記レーザ光のエネルギーの変動から定期的な周波数を決め、前記定期的な周波数をデータに基づき施されることを特徴とするレーザ装置。
【請求項８】
発振器から発振されるレーザ光の一部をサンプリングし、
前記サンプリングされたレーザ光の一部を用いて、前記レーザ光のエネルギーの変動をデータとして含む電気信号を生成し、
前記発振器から発振される前記レーザ光のエネルギーを、光量調整手段により前記透過率に従って調整するレーザ照射方法であって、
前記電気信号に信号処理を施すことで、前記レーザ光のエネルギーの変動の状態が得られ、前記光量調整手段の透過率を前記レーザ光のエネルギーの変動とは逆の位相で変化させることで前記レーザ光のエネルギーを調整することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項９】
発振器から発振されるレーザ光の一部をサンプリングし、
前記一部のレーザ光を用いて、前記レーザ光のエネルギーの変動をデータとして含む電気信号を生成し、
前記発振器から発振される前記レーザ光のエネルギーを、前記発振器が有する放電管に印加する電圧によって制御するレーザ照射方法であって、
前記電気信号に信号処理を施すことで、前記レーザ光のエネルギーの変動の状態が得られ、前記発振器が有する放電管に印加する電圧を前記レーザ光のエネルギーの変動とは逆の位相で変化するように制御することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１０】
請求項８又は請求項９において、
前記信号処理は、前記レーザ光のエネルギーの変動から高速フーリエ変換によって定期的な周波数を決め、前記定期的な周波数をデータに基づき施すことを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１１】
発振器から発振されるレーザ光の一部をサンプリングし、
前記サンプリングされたレーザ光の一部を用いて、前記レーザ光のエネルギーの変動をデータとして含む電気信号を生成し、
前記発振器から発振される前記レーザ光のエネルギーを、光量調整手段により前記透過率に従って調整し、
半導体膜におけるビームスポットが走査方向において重なるように、前記エネルギーが調整されたレーザ光を前記半導体膜に対して照射する半導体装置の作製方法であって、
前記電気信号に信号処理を施すことで、前記レーザ光のエネルギーの変動の状態が得られ、前記光量調整手段の透過率を前記レーザ光のエネルギーの変動とは逆の位相で変化させることで前記レーザ光のエネルギーを調整することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
発振器から発振されるレーザ光の一部をサンプリングし、
前記一部のレーザ光を用いて、前記レーザ光のエネルギーの変動をデータとして含む電気信号を生成し、
前記発振器から発振される前記レーザ光のエネルギーを、前記発振器が有する放電管に印加する電圧によって制御し、
半導体膜におけるビームスポットが走査方向において重なるように、前記電圧を制御することで得られるレーザ光を前記半導体膜に対して照射する半導体装置の作製方法であって、
前記電気信号に信号処理を施すことで、前記レーザ光のエネルギーの変動の状態が得られ、前記発振器が有する放電管に印加する電圧を前記レーザ光のエネルギーの変動とは逆の位相で変化するように制御することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月28日(2008.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
潜像担持体上に形成された潜像を現像剤担持体に担持搬送された現像剤により現像し、可視像化する現像装置に用いられる現像剤担持体において、
該現像剤担持体は、少なくとも基体および基体表面に形成された導電性被覆層を有し、該導電性被覆層は、結着樹脂、結着樹脂中に分散された黒鉛化粒子を少なくとも含有しており、該黒鉛化粒子は、黒鉛化度Ｐ（００２）が０．２０≦Ｐ（００２）≦０．９５であり、さらに、該黒鉛化粒子の体積平均粒径が０．５〜４．０μｍ、体積平均における１０μｍ以上の粒子の存在割合が５．０％以下であることを特徴とする現像剤担持体。
【請求項２】
該黒鉛化粒子の体積平均粒径と黒鉛化度Ｐ（００２）との関係が下記式を満たすことを特徴とする請求項１に記載の現像剤担持体。
−０．０４６４ｌｎ（Ｘ）＋０．３１４３≦Ｙ≦−０．０４６４ｌｎ（Ｘ）
＋０．７６４３
０．５≦Ｘ≦４．０
［式中、Ｘは黒鉛化粒子の体積平均径（μｍ）、Ｙは黒鉛化粒子の黒鉛化度Ｐ（００２）］
【請求項３】
該黒鉛化粒子はバルクメソフェーズピッチまたはメソカーボンマイクロビーズ粒子を黒鉛化して得られたものであることを特徴とする請求項１又は２に記載の現像剤担持体。
【請求項４】
該黒鉛化粒子がバルクメソフェーズピッチまたはメソカーボンマイクロビーズを不活性雰囲気下において２０００〜３５００℃で焼成することにより得られたものであることを特徴とする請求項３に記載の現像剤担持体。
【請求項５】
該導電性被覆層が、０．３乃至２．０の中心線平均粗さＲａを有していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の現像剤担持体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
（ＩＩＩ）該黒鉛化粒子はバルクメソフェーズピッチ及び／またはメソカーボンマイクロビーズ粒子を黒鉛化して得られたものであること、好ましくは該黒鉛化粒子がバルクメソフェーズピッチまたはメソカーボンマイクロビーズを不活性雰囲気下において２０００〜３５００℃で焼成することにより得られたものであることを特徴とする（Ｉ）〜（ＩＩ）記載の現像剤担持体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
（ＩＶ）該導電性被覆層が、０．３乃至２．０の中心線平均粗さＲａを有していることを特徴とする（Ｉ）〜（ＩＩＩ）記載の現像剤担持体。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本発明の現像剤担持体は、基体および導電性被覆層（以下、「樹脂被覆層」と称する場合がある）よりなる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月25日(2008.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
冷凍機の蒸発器を収納する圧力容器と、冷却されるべき空気をこの圧力容器内へ圧入する空気圧縮機を備え、圧力容器と冷凍・冷蔵室との間に断熱処理を施した冷凍機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】  冷凍機の蒸発器を収納する圧力容器と、冷却されるべき空気をこの圧力容器内へ圧入する空気圧縮機を備え、圧力容器と冷凍・冷蔵室との間に断熱処理を施す。
上記冷凍機の１方式として、蒸発器を収納する圧力容器について、蒸発器の風下部分を開閉できるようにする。
蒸発器を収納する圧力容器は、冷却されるべき空気が蒸発器を通過する部分では、大きさ、形状が蒸発器の大きさ、形状に合致し、冷却されるべき空気が蒸発器の外側を倍パスする量が極小となる様にする。圧力容器の圧入口、放出口を複数持ち、或いは、圧力容器内で、蒸発器の前部、後部に空気誘導版を設け、蒸発器のフィンに満遍なく空気が接触するようにする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】  １空気圧縮機
２圧縮空気配管
３圧縮空気圧入口
４圧力容器
５蒸発器
６冷媒配管を固定する側面の板
７冷媒配管
８空気放出口
９ドレン排水管
１０モ−タ−
１１圧力容器前部
１２誘導版
１４圧力容器後部
１５除湿装置
１６膨張タ−ビン
１７冷媒圧縮機
１８凝縮器
１９膨張弁
２０冷蔵室
２１断熱壁
２２断熱材
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2008122064.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月7日(2008.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検出物を捕捉するための捕捉試薬が結合したメンブレンを備えたアッセイ装置上で検体中の被検出物の存在を検出又は定量することを含む簡易メンブレンアッセイ法において、ブラシ状綿棒を検体採取器具として用いて検体を採取する工程及び採取した検体から調製した試料を強剛性フィルターが含まれるろ過フィルターを用いて加圧ろ過する工程を含む、ことを特徴とする簡易メンブレンアッセイ方法。
【請求項２】
フレキシブルな材質からなり検体から調製した試料をろ過することができるろ過チューブの内部に前記試料を入れた状態で、内部に圧力を加えることで、検体から調製した試料を加圧ろ過することを特徴とする請求項１に記載の簡易メンブレンアッセイ方法。
【請求項３】
ブラシ状綿棒により採取した検体を検体浮遊液に浮遊させ試料を調製し、該調製試料を加圧ろ過することを特徴とする、請求項１又は２に記載の簡易メンブレンアッセイ方法。
【請求項４】
強剛性フィルターが焼結フィルターである請求項１〜３のいずれか１項に記載の簡易メンブレンアッセイ方法。
【請求項５】
焼結フィルターの素材がポリプロピレン、ポリエチレン、ポリスチレン及びポリメチルメタクリレートからなる群から選択される請求項４に記載の簡易メンブレンアッセイ方法。
【請求項６】
検体が生体試料である請求項１〜５のいずれか１項に記載の簡易メンブレンアッセイ方法。
【請求項７】
検体がヒト又は他の動物の咽頭拭い液、鼻腔拭い液、鼻腔吸引液、鼻腔洗浄液、肺胞洗浄液、便懸濁液及び直腸拭い液からなる群から選択される検体である請求項６に記載の簡易メンブレンアッセイ方法。
【請求項８】
検体中の被検出物が呼吸器感染症の原因微生物若しくは該微生物由来の物質又はそれらに対する抗体である請求項７に記載の簡易メンブレンアッセイ方法。
【請求項９】
検体中の被検出物がインフルエンザウイルス、RSウイルス、アデノウイルス、Ａ群溶連菌及び肺炎マイコプラズマからなる群から選択される病原微生物若しくは該微生物由来の物質又はそれらに対する抗体である請求項８に記載の簡易メンブレンアッセイ方法。
【請求項１０】
検体中の被検出物が下痢症の原因微生物若しくは該微生物由来の物質又はそれらに対する抗体である請求項７に記載の簡易メンブレンアッセイ方法。
【請求項１１】
検体中の被検出物がノロウイルス、ロタウイルス、サポウイルス及び下痢症アデノウイルスからなる群から選択される病原微生物若しくは該微生物由来の物質又はそれらに対する抗体である請求項１０に記載の簡易メンブレンアッセイ方法。
【請求項１２】
フロースルー式又はラテラルフロー式メンブレンアッセイ方法である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の簡易メンブレンアッセイ方法。
【請求項１３】
ろ過フィルターが孔径の異なる複数のフィルターを重ねて構成されており、最小孔径を有するフィルターの孔径が、メンブレンを備えたアッセイ装置のメンブレンの孔径以下であり、最大孔径を有するフィルターの孔径が前記メンブレンの孔径以上でありかつ200μm以下である、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の簡易メンブレンアッセイ方法。
【請求項１４】
試料を最初に最大孔径を有するフィルターを通過させ、次いでより小さい孔径を有するフィルターを通過させる請求項１３記載の簡易メンブレンアッセイ方法。
【請求項１５】
以下を含む、検体中の被検出物の存在を検査するための簡易メンブレンアッセイキット；
（１）強剛性フィルターを含むフィルターにより構成されたろ過フィルターを備えた検体試料用ろ過チューブ、
（２）検体中の被検出物を捕捉するための捕捉物質が結合したメンブレンを備えたアッセイ装置、及び
（３）ブラシ状綿棒。
【請求項１６】
さらに、以下の（４）から（７）の少なくとも１つを含む請求項１５記載の簡易メンブレンアッセイキット；
（４）検体浮遊液、
（５）洗浄液組成物、
（６）標識物質、及び
（７）コントロール液。
【請求項１７】
ろ過フィルターが孔径の異なる複数のフィルターを重ねて構成されており、最小孔径を有するフィルターの孔径が、メンブレンを備えたアッセイ装置のメンブレンの孔径以下であり、最大孔径を有するフィルターの孔径が前記メンブレンの孔径以上でありかつ200μm以下である、請求項１５又は１６に記載の簡易メンブレンアッセイキット。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月7日(2008.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
吸着式冷凍システム(１)を作動させる方法であって、
前記システムは、吸着物質(５)を備えた極低温吸着式ポンプ(２)を有し、前記吸着物質(５)は、使用の際、冷却剤(９)及び気体冷却剤(１０)を収容したチャンバ(４)と連通状態に配置され、
前記方法が、
ｉ）気体冷却剤を膨張させてこれを補助容積部材(７)に入れ、チャンバから気体冷却剤の一部を取り出し、これにより、チャンバ内の気体冷却剤の温度及び圧力を減少させ、
ｉｉ）前記吸着物質(５)を冷却して気体冷却剤を吸着することによって前記吸着式ポンプ(２)を作動させて、前記チャンバ内の冷却剤液(９)を蒸発させることにより前記チャンバを更に冷却することを含む
方法。
【請求項２】
膨張段階ｉ）は、気体冷却剤を膨張させてこれを別々に多数の追加の補助容積部材中に入れることを更に含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
膨張段階ｉ）の前に先立って、通常の動作条件下で動作している吸着式ポンプ内の吸着材料の飽和限度を越えて、或る量の気体冷却剤を吸着式冷凍システムに供給する段階を更に有していることを特徴とする請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
膨張段階ｉ）に先立って、気体冷却剤を補助容積部材から供給することを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項５】
膨張段階ｉ）に先立つチャンバ内の気体冷却剤の温度及び圧力は、それぞれ約４ケルビン及び０．５バールであることを特徴とする請求項３又は４記載の方法。
【請求項６】
気体冷却剤の最初の供給中、吸着式ポンプを冷却させてこの中に入っている吸着材料が冷却剤ガスを吸着して実質的に飽和状態になるようにすることを特徴とする請求項３〜５のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項７】
膨張段階ｉ）の実施中、気体冷却剤の膨張により、冷却剤の部分液化を生じさせることを特徴とする請求項１〜６のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項８】
気体冷却剤の最初の供給に続き、吸着式ポンプを加熱して冷却剤を脱着させ、それによりチャンバ内の気体冷却剤の圧力を増大させることを特徴とする請求項３〜７のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項９】
膨張段階ｉ）の実施中、吸着式ポンプを加熱することを特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１０】
チャンバが約４Ｋの温度に維持された状態で、吸着式ポンプを約１００Ｋまで加熱することを特徴とする請求項８又は９記載の方法。
【請求項１１】
段階ｉｉ）に先立って、吸着式ポンプを冷却し、それによりチャンバ内の気体冷却剤の圧力を一段と減少させることを特徴とする請求項７〜１０のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項１２】
吸着式ポンプの冷却に起因する気体冷却剤圧力の減少により、冷却剤の部分液化が生じることを特徴とする請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
膨張段階ｉ）の実施中、気体冷却剤を膨張させてこれを貯蔵リザーバ内へ入れることを特徴とする請求項１〜１２のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項１４】
気体冷却剤を第２の吸着式ポンプ内へ膨張流入させることを特徴とする請求項１〜１２のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項１５】
膨張段階ｉ）の実施中、補助容積部材の容積及び（又は）温度を変化させることを特徴とする請求項１〜１４のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項１６】
補助容積部材の容量は、吸着式ポンプのガス吸着容量よりも大きいことを特徴とする請求項１〜１５のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項１７】
補助容積部材内への冷却剤ガスの膨張は、弁を用いて制御されることを特徴とする請求項１〜１６のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項１８】
吸着式ポンプとチャンバの連通は、弁を用いて制御されることを特徴とする請求項１〜１７のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項１９】
段階ｉｉ）の実施中、吸着式ポンプ及びチャンバを補助容積部材から隔離することを特徴とする請求項１〜１８のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項２０】
冷却剤は、ヘリウム−３、ヘリウム−４、窒素、水素又はネオンのうちいずれかであることを特徴とする請求項１〜１９のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項２１】
膨張段階ｉ）の実施中における気体冷却剤の膨張は、実質的に断熱プロセスであることを特徴とする請求項１〜２０のうちいずれか一に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月20日(2008.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体インゴットを切断して得られたスライスドウェハを加工して半導体ウェハを製造するにあたり、切断された該スライスドウェハを平坦化加工した後に、その外周部を面取りし、外周部を面取り加工された該スライスドウェハにさらに両頭研削盤により平坦化加工を施すことを特徴とする半導体ウェハの製造方法。
【請求項２】
半導体インゴットを切断して得られたスライスドウェハを加工して半導体ウェハを製造するにあたり、切断された該スライスドウェハを平坦化加工した後に、その外周部を面取りし、外周部を面取り加工された該スライスドウェハに平坦化加工を施し、その後、該スライスドウェハにエッチング処理を施すことを特徴とする半導体ウェハの製造方法。
【請求項３】
半導体インゴットを切断して得られたスライスドウェハを加工して半導体ウェハを製造するにあたり、切断された該スライスドウェハを平坦化加工した後に、その外周部を面取りし、外周部を面取り加工された該スライスドウェハにさらに研削による平坦化加工を施すことを特徴とする半導体ウェハの製造方法。
【請求項４】
半導体インゴットを切断して得られたスライスドウェハを加工して半導体ウェハを製造するにあたり、切断された該スライスドウェハを両頭研削した後に、その外周部を面取りし、外周部を面取り加工された該スライスドウェハにさらに研削による平坦化加工を施すことを特徴とする半導体ウェハの製造方法。
【請求項５】
半導体インゴットを切断して得られたスライスドウェハを加工して半導体ウェハを製造するにあたり、切断された該スライスドウェハを平坦化加工した後に、その外周部を面取りし、外周部を面取り加工された該スライスドウェハにさらに、ウェハ表面全体にわたる平坦化加工を施すことを特徴とする半導体ウェハの製造方法。
【請求項６】
上記面取り加工後の平坦化加工の後に研磨加工を施す、または、上記面取り加工後の平坦化加工の後にエッチング処理と研磨加工を施す、ことを特徴とする請求項３〜５の何れか１つに記載の半導体ウェハの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月20日(2008.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に複数の素子を実装する半導体装置の製造方法において、
前記複数の素子が所定間隔で貼着された粘着テープを水平移動させて前記複数の素子を真空吸着部の複数の空気吸引孔に対向させる位置に移動させる工程と、
前記複数の空気吸引孔から空気を吸引して前記真空吸着部に前記複数の素子を所定間隔で吸着させる工程と、
前記真空吸着部に吸着された前記素子を前記粘着テープから離間させる工程と、
前記真空吸着部に吸着された前記複数の素子を前記基板上の所定位置に載置する工程と、
前記複数の素子を前記基板の複数の所定位置に載置して前記真空吸着部による前記複数の素子に対する吸着を解除する工程と、
前記複数の素子の端子を前記基板の配線パターンに同時に接合する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記複数の空気吸引孔から空気を吸引して前記真空吸着部に前記複数の素子を所定間隔で吸着させる際、前記粘着テープの前記素子が粘着されている側の反対側から前記素子を前記真空吸着部に押圧するコレットを前記空気吸引孔と対向する位置へ移動させて前記素子を前記空気吸引孔に押圧する工程を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記基板に前記素子を囲む複数の壁部を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項１または２の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記複数の壁部の上端を透過性のカバーにより封止する工程をさらに有することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記壁部は、前記素子の上方に向けて広がるように傾斜された傾斜面を有することを特徴とする請求項３または４の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記壁部は、前記素子から発光された光を反射させる反射面を有することを特徴とする請求項３乃至５の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記複数の空気吸引孔は、前記基板の各素子取付位置に対応する間隔で配置されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
基板に複数の素子を実装する半導体装置の実装装置において、
空気を吸引する複数の空気吸引孔により前記複数の素子を吸着する真空吸着部と、
前記複数の素子が所定間隔で貼着された粘着テープを水平移動させて前記複数の素子を前記真空吸着部の複数の空気吸引孔に対向させる位置に移動させる素子供給ラインと、
前記複数の空気吸引孔より空気を吸引する真空発生装置と、
前記真空発生装置と前記複数の空気吸引孔との間に配された切替弁と、
前記複数の素子を前記基板上の所定位置に搬送するまで前記切替弁を前記真空発生装置と前記複数の空気吸引孔とを連通して前記複数の素子を吸着し、前記真空吸着部に吸着された前記複数の素子から前記粘着テープを離間させ、前記複数の素子を前記基板上の所定位置に載置した後、前記切替弁を切替えて前記複数の素子に対する吸着を解除する制御部と、
を有することを特徴とする半導体装置の実装装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、基板に複数の素子を実装する半導体装置の製造方法において、前記複数の素子が所定間隔で貼着された粘着テープを水平移動させて前記複数の素子を真空吸着部の複数の空気吸引孔に対向させる位置に移動させる工程と、前記複数の空気吸引孔から空気を吸引して前記真空吸着部に前記複数の素子を所定間隔で吸着させる工程と、前記真空吸着部に吸着された前記素子を前記粘着テープから離間させる工程と、前記真空吸着部を移動させて前記複数の素子を前記基板上の所定位置に載置する工程と、前記複数の素子を前記基板の複数の所定位置に載置して前記真空吸着部による前記複数の素子に対する吸着を解除する工程と、前記基板の配線パターンに前記複数の素子の端子を接合する工程と、を有することを特徴とする。
また、本発明は、前記複数の空気吸引孔から空気を吸引して前記真空吸着部に前記複数の素子を所定間隔で吸着させる際、前記粘着テープの前記素子が粘着されている側の反対側から前記素子を前記真空吸着部に押圧するコレットを前記空気吸引孔と対向する位置へ移動させて前記素子を前記粘着テープの裏面から前記空気吸引孔に押圧する工程を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明は、前記基板に前記素子を囲む複数の壁部を形成する工程をさらに有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明は、基板に複数の素子を実装する半導体装置の実装装置において、空気を吸引する複数の空気吸引孔により前記複数の素子を吸着する真空吸着部と、前記複数の素子が所定間隔で貼着された粘着テープを水平移動させて前記複数の素子を前記真空吸着部の複数の空気吸引孔に対向させる位置に移動させる素子供給ラインと、前記複数の空気吸引孔より空気を吸引する真空発生装置と、前記真空発生装置と前記複数の空気吸引孔との間に配された切替弁と、前記複数の素子を前記基板上の所定位置に搬送するまで前記切替弁を前記真空発生装置と前記複数の空気吸引孔とを連通して前記複数の素子を吸着し、前記真空吸着部に吸着された前記複数の素子から前記粘着テープを離間させ、前記複数の素子を前記基板上の所定位置に載置した後、前記切替弁を切替えて前記複数の素子に対する吸着を解除する制御部と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月28日(2008.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
次に図５および図６を用いて回路構成と動作を説明する。キャリア基板３の近接対向部分の容量値をＣｐａｄとすると、フォトダイオードからプリアンプ入力部までの高周波等価回路は図５に示すとおりになる。図５において、Ｃｐｄはフォトダイオードの容量、Ｒｐｄはフォトダイオードの直列抵抗、Ｌはボンディングワイヤによるインダクタンス、Ｒｉｎはプリアンプの入力抵抗である。入力抵抗Ｒｉｎの両端に生じる電圧Ｖｉｎ(ω)のは、角周波数をω、フォトダイオードに生ずるフォトカレントをＩｐｈ(ω)として式２で記述される。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月25日(2008.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明では、単にプレス装置を移し換えるのではなく、加圧した状態を保持できる治具を用意し、この中に積層体を入れて真空雰囲気下で加熱加圧した後、加圧した状態を保持したまま治具ごとプレス装置から取り出してオーブン等で一定温度に保持した後に冷却する。これにより、時間ｃおよび時間ｄでは、プレス装置を占有することが防止できる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月19日(2008.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、当該半導体チップの外部接続のためのキャリアとをフリップチップ接続してなる半導体装置であって、
前記半導体チップは、
各々前記半導体チップの表面上の複数の周縁部の各々に並ぶように形成された信号入出力回路素子を含む複数の入出力セルと、
各々前記複数の入出力セルのうち対応する入出力セルの上に形成された複数の電極パッドとを備え、
前記半導体チップは、集積回路素子が形成された中央部分と、複数のコーナー部と、前記複数の周縁部とを構成し、
前記複数の電極パッドは、千鳥状のパッド配列をなすように内側パッド列と外側パッド列とを構成し、
前記周縁部はパッド配置制約領域と他の領域とを構成し、当該パッド配置制約領域内では、前記キャリア表面上に形成された配線パターンにバンプ接続される電極パッドの用途に制約が課されており、
前記他の領域と前記コーナー部とは、それぞれ前記パッド配置制約領域の両側に隣接し、
前記パッド配置制約領域における前記内側パッド列は、各々前記キャリア表面上の配線パターンに個別にバンプ接続され、かつ前記内側パッド列を構成する少なくとも２個の電極パッドが前記キャリア内で互いに短絡され、
前記キャリア内で互いに短絡された電極パッドに対応する入出力セルは、１個の高駆動電流能力セルとして機能することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体チップと、当該半導体チップの外部接続のためのキャリアとをフリップチップ接続してなる半導体装置であって、
前記半導体チップは、
各々前記半導体チップの表面上の複数の周縁部の各々に並ぶように形成された信号入出力回路素子を含む複数の入出力セルと、
各々前記複数の入出力セルのうち対応する入出力セルの上に形成された複数の電極パッドとを備え、
前記半導体チップは、集積回路素子が形成された中央部分と、複数のコーナー部と、前記複数の周縁部とを構成し、
前記複数の電極パッドは、千鳥状のパッド配列をなすように内側パッド列と外側パッド列とを構成し、
前記周縁部はパッド配置制約領域と他の領域とを構成し、当該パッド配置制約領域内では、前記キャリア表面上に形成された配線パターンにバンプ接続される電極パッドの用途に制約が課されており、
前記他の領域と前記コーナー部とは、それぞれ前記パッド配置制約領域の両側に隣接し、
前記パッド配置制約領域における前記内側パッド列は、各々前記キャリア表面上の配線パターンに個別にバンプ接続され、かつ前記内側パッド列を構成する少なくとも２個の電極パッドが前記キャリア内で互いに短絡され、
前記キャリア内で互いに短絡された電極パッドに対応する入出力セルは、１個の低インピーダンスセルとして機能することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体装置において、
前記複数の電極パッドは、各々凸字状の平面形状を備え、幅狭プロービング部と、前記キャリア表面上の配線パターンにバンプ接続される幅広ボンディング部とを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明は、半導体チップ表面上のコーナー部近傍における一定領域をパッド配置制約領域とし、当該パッド配置制約領域内では、キャリア表面上に形成された配線パターンにバンプ接続される電極パッドの配置又は用途に制約を課すこととしたものである。具体的には、半導体チップと、当該半導体チップの外部接続のためのキャリアとをフリップチップ接続してなる半導体装置において、前記半導体チップは、各々前記半導体チップの表面上の複数の周縁部の各々に並ぶように形成された信号入出力回路素子を含む複数の入出力セルと、各々前記複数の入出力セルのうち対応する入出力セルの上に形成された複数の電極パッドとを備え、前記半導体チップは、集積回路素子が形成された中央部分と、複数のコーナー部と、前記複数の周縁部とを構成し、前記複数の電極パッドは、千鳥状のパッド配列をなすように内側パッド列と外側パッド列とを構成し、前記周縁部はパッド配置制約領域と他の領域とを構成し、当該パッド配置制約領域内では、前記キャリア表面上に形成された配線パターンにバンプ接続される電極パッドの用途に制約が課されており、前記他の領域と前記コーナー部とは、それぞれ前記パッド配置制約領域の両側に隣接し、前記パッド配置制約領域における前記内側パッド列は、各々前記キャリア表面上の配線パターンに個別にバンプ接続され、かつ前記内側パッド列を構成する少なくとも２個の電極パッドが前記キャリア内で互いに短絡され、前記キャリア内で互いに短絡された電極パッドに対応する入出力セルは、１個の高駆動電流能力セルまたは１個の低インピーダンスセルとして機能することを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によれば、ＰＯＥ技術と千鳥状の電極パッド配列とを採用したＣＳＰ型の半導体装置において、半導体チップ表面上のコーナー部近傍における一定領域をパッド配置制約領域とし、当該パッド配置制約領域内では、キャリア表面上に形成された配線パターンにバンプ接続される電極パッドの配置又は用途に制約を課すこととしたので、半導体チップのサイズ増大要因をなくすことができる。しかも、本発明によれば高駆動電流能力セルや低インピーダンスセルを等価的に作り出せる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月7日(2008.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バリア層と井戸層とが交互に積層される多重量子井戸構造の発光層を備えるIII族窒化物系化合物半導体発光素子であって、
前記バリア層はＡｌＧａＮからなる第１のバリア層とアルミニウムを実質的に含まないIII族窒化物系化合物半導体からなる第２のバリア層とを含んでおり、
前記井戸層に前記第１のバリア層が直接接触する、
ことを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記井戸層はＩｎＧａＮからなり、前記バリア層はＡｌＧａＮからなる前記第１のバリア層とＧａＮからなる前記第２のバリア層とからなる、ことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記第１のバリア層は１〜３ｎｍであり、前記第２のバリア層は１〜３ｎｍである、ことを特徴とする請求項２に記載の発光素子。
【請求項４】
ＩｎＧａＮからなる井戸層とその上にキャップ層を第１の温度で形成する井戸層形成ステップと、
前記キャップ層の上にＧａＮからなる第２のバリア層を、前記第１の温度より高温の第２の温度で形成し、該第２の温度を維持したまま前記第２のバリア層の上にＡｌＧａＮからなる第１のバリア層を形成するバリア層形成ステップと、含み、
前記井戸層形成ステップと前記バリア層形成ステップとを繰り返して、多重量子井戸構造の発光層を形成する、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記井戸層はＩｎＧａＮからなり、前記バリア層はＡｌＧａＮからなる前記第１のバリア層とＧａＮからなる前記第２のバリア層とからなる、ことを特徴とする請求項４に記載の発光素子。
【請求項６】
前記第１のバリア層は１〜３ｎｍであり、前記第２のバリア層は１〜３ｎｍである、ことを特徴とする請求項５に記載の発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月11日(2008.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
固体撮像素子１５０は、一次元状に配列される複数の光電変換素子（フォトダイオード）２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，…、フォトダイオードから読み出される信号電荷を一時的に蓄積するラインメモリ３１、一次元状に配列されて端部近傍で２系統にチャネルが分岐される電荷結合素子（ＨＣＣＤ：分岐前が第１電荷結合素子、分岐後が第２電荷結合素子）１００、分岐後のＨＣＣＤの各端部に設けられ、転送された信号電荷を検出するフローティングディフュージョン（ＦＤ）領域２５、ＦＤ領域２５の電位変動を検出して出力する出力回路（出力アンプ）２９を含んで構成される。さらに、ＦＤ領域２５は検出された信号電荷を所望のタイミングで排出するリセットトランジスタＲＳ１及びＲＳ２とリセットドレインＲＤとを有する。なお、ラインメモリ３１は省略して構成することもできる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図中、第一層電極２７、第２層電極２８、各々の電極（２７，２８）下の不純物領域２３，２４、ＦＤ領域２５、出力回路２９は、図１１に示すものと同様であるが、Ｈ１，Ｈ２の一部をＨ５に変更している点で異なっている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
図２（ａ），（ｂ）は、各々、図１のＡ−Ａ'，Ｂ−Ｂ'で示す部分の構造を示すデバイスの断面図である。
図示されるように、一導電型（例えばＮ型）の半導体基板１０の表層側に、半導体基板１０と反対導電型（Ｐ型）の不純物層１２が形成され、不純物層１２中の基板１０の表面には不純物層１２と反対導電型（Ｎ型）の不純物層２３，２４が形成されている。この不純物層２３，２４は２４の方が相対的に薄い不純物層をなす。また、不純物層２３，２４の横方向端部には拡散層２５が形成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
なお、図３に示されるような、連続した階段状のポテンシャルを適正に形成するためには、図２に示すように、チャネル領域（２３，２４）とウエル領域１２との境界の一部に、新たな不純物層２９を設けるのが望ましい（ただし、この不純物層２９が必須というわけではない）。また、図２に示す不純物層２９は一例であって、例えば、次のようにしてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
図８では、Ｈ１，Ｈ２下のチャネル内に新たに不純物層３２を形成されている。不純物層３２は、ウエル１２と同一導電型である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2007201160.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月1日(2008.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
通常モードでは非圧縮フレームを連続的に送信し、圧縮モードでは圧縮フレームを間欠的に送信する符号分割多元接続システムであって、
基地局は、
圧縮モード時は、下りフレームを圧縮して圧縮下りフレームを生成する第１の圧縮手段と、
圧縮モード時は上記圧縮下りフレームに対してビット単位のインタリーブを行う第１のインタリーバと、上記インタリーブされた圧縮下りフレームを、フレームウインドウの先端を含む前方部分と上記フレームウインドウの後端を含む後方部分とに分けて配置することにより無伝送時間を設けた圧縮下りフレームと、移動局に対して上り送信電力の増加または減少を指示する上り送信電力制御情報と、を送信する送信手段と、
を備え、
上記移動局は、
上記基地局が送信した圧縮下りフレームと、上り送信電力制御情報と、を受信する受信手段と、
上記圧縮下りフレーム中の無伝送時間中に他の周波数成分を観測する観測手段と、
上りフレームに対してビット単位のインタリーブを行う第２のインタリーバと、
圧縮モード時は、上記インタリーバでインタリーブされた上りフレームを圧縮して圧縮上りフレームを生成する第２の圧縮手段と、
上記受信した上り送信電力制御情報に基づいて、通常モードでは第１の上り送信電力制御単位で、圧縮モードでは上記第１の上り送信電力制御単位より大きい上り送信電力制御単位で、上り送信電力を増加または減少させることにより、非圧縮上りフレームおよび上記インタリーブされた圧縮上りフレームの上り送信電力を調整する調整手段と、
を備えることを特徴とする符号分割多元接続システム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月2日(2008.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動検出部と振動発生部とを少なくとも備えた携帯端末であって、
前記携帯端末は、
前記振動検出部で検出した振動の情報を記録する振動記録部と、
前記振動記録部で記録した振動の情報に基づいて、前記携帯端末の所持者の振動間隔を算出する振動間隔算出部と、
前記算出した振動間隔に基づいて、前記携帯端末において着信を検出した場合の振動発生時間と振動停止時間と算出することにより振動発生パターンを決定する振動処理算出部と、
前記携帯端末における着信を検出した場合に、予め定められた時間内において、前記決定した振動発生パターンで振動を発生させる制御指示を前記振動発生部に送出する振動制御部と、
を有することを特徴とする携帯端末。
【請求項２】
振動検出部と振動発生部とを少なくとも備えた携帯端末であって、
前記携帯端末は、
前記振動検出部で検出した振動の情報を記録する振動記録部と、
前記振動記録部で記録した振動の情報に基づいて、前記携帯端末の所持者の振動間隔を算出する振動間隔算出部と、
前記算出した振動間隔に基づいて、前記携帯端末において着信を検出した場合の振動発生時間と振動停止時間と算出する振動処理算出部と、
前記携帯端末における着信を検出した場合に、前記着信の検出後、予め定められた時間内において、振動を検出した時点を基点として、前記算出した振動発生時間と振動停止時間とを一サイクルとする振動の発生の制御指示を前記振動発生部に送出する振動制御部と、
を有することを特徴とする携帯端末。
【請求項３】
前記振動処理算出部は、
前記予め定められた時間内において、一サイクルが終了後、振動を検出した時点を基点として、前記算出した振動発生時間と振動停止時間とによる、新たな一サイクルの振動の発生の制御指示を送出する、
ことを特徴とする請求項２に記載の携帯端末。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
請求項２の発明は、振動検出部と振動発生部とを少なくとも備えた携帯端末であって、前記携帯端末は、前記振動検出部で検出した振動の情報を記録する振動記録部と、前記振動記録部で記録した振動の情報に基づいて、前記携帯端末の所持者の振動間隔を算出する振動間隔算出部と、前記算出した振動間隔に基づいて、前記携帯端末において着信を検出した場合の振動発生時間と振動停止時間と算出する振動処理算出部と、前記携帯端末における着信を検出した場合に、前記着信の検出後、予め定められた時間内において、振動を検出した時点を基点として、前記算出した振動発生時間と振動停止時間とを一サイクルとする振動の発生の制御指示を前記振動発生部に送出する振動制御部と、を有する携帯端末である。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
請求項３の発明において、前記振動処理算出部は、前記予め定められた時間内において、一サイクルが終了後、振動を検出した時点を基点として、前記算出した振動発生時間と振動停止時間とによる、新たな一サイクルの振動の発生の制御指示を送出する、携帯端末である。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月24日(2008.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
第６の圧電素子３６は、図４（ｆ）に示すように、長手方向に沿って、厚み方向へ交互に逆方向に分極処理した４箇所の分極部を有し、各分極部に対応して第１の電極パターン４６ａ、第２の電極パターン４６ｂ、第３の電極パターン４６ｃ、第４の電極パターン４６ｄを形成している。ここで、各分極部の分極処理の方向は、第２の圧電素子３２と逆の関係になっている。また、各電極パターン４６ａ、４６ｂ、４６ｃ、４６ｄは、他方の長辺まで一部を突出させて第１の圧電素子３１の第２の入力用電極パターン４１ｂに接続している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
なお、第１の圧電素子３１の代わりに、絶縁性の弾性材、例えば、硬質ゴム等を用いてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
出力取り出し部２２は、図３（ｂ）に示すように、弾性体２１の長手方向に設けた第１の出力取り出し部２２ａと、第２の出力取り出し部２２ｂとからなり、弾性体２１に生じる楕円振動を拡大させて内筒部１２に摩擦力を加える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
このように、内筒部１２に出力取り出し部２２を直接、圧接させているので、動力伝達機構を設ける必要がなく、装置構成の小型化が図られる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
このとき、第２の圧電素子３２は、図５中Ａ線に示すような、厚み方向の屈曲振動波を生じ、第４の圧電素子３４は、同図Ｂ線に示すような、長手方向の伸縮振動波を生じる。弾性体２１は、屈曲振動波と伸縮振動波とを合成した、同図Ｃ線に示すような楕円振動を起こし、各出力取り出し部２２ａ、２２ｂはこの楕円振動を拡大させる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
超音波モータ付き部品は、本発明の外筒としての外筒部５１と、外筒部５１の内側に設けられた本発明の内筒としての内筒部５２と、外筒部５１と内筒部５２との間隙に設けられた移動案内部１３と、同様に外筒部５１と内筒部５２との間隙に、厚み方向を内筒部５２の径方向と一致させ、長手方向を内筒部５２の長手方向と一致させて配置した超音波モータ６０と、外筒部５１の内周面に固定されて超音波モータ６０を支持、加圧する加圧支持部５４から構成されている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2008099555.tif 000001
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2008099555.tif 000002
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2008099555.tif 000003
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2008099555.tif 000004
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2008099555.tif 000005
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2008099555.tif 000006