Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月27日(2008.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動力発生装置より伝達される駆動力により駆動される駆動伝達部と、
被処理物を処理する処理部に加わる振動を振動吸収部材にて吸収する非固定状態から、振動を前記振動吸収部材にて吸収しない固定状態とする固定手段と、
前記駆動伝達部から駆動力が伝達され、前記駆動伝達部の駆動状態に応じて、前記固定手段の前記非固定状態および前記固定状態を切り替える切替手段と、
を具備し、
前記駆動伝達部は、支点を中心に回動可能に設けられ、一端側に設けられる前記駆動力が伝達される移動駆動部、および他端側に設けられる前記切替手段に駆動力を伝達する移動伝達部を備え、
前記移動伝達部は、一対の係合部を備え、
前記切替手段は、所定の角度で互いに交差するとともに前記一対の係合部がそれぞれ係合される一対の係合溝を備え、前記移動伝達部が移動すると、前記一対の係合部のうちいずれか一方に対応する係合溝が押されて移動し、移動状態に応じて前記固定状態および前記非固定状態を切り替える
ことを特徴とする固定機構。
【請求項２】
請求項１に記載の固定機構であって、
前記移動伝達部は、前記支点からの径寸法が前記支点から前記移動駆動部が配置される位置までの径寸法よりも大きくなる位置に配設されている
ことを特徴とする固定機構。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の固定機構であって、
前記一対の係合溝は、前記支点から遠ざかる方向で互いの距離が近接する略ハ字状に形成されている
ことを特徴とする固定機構。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の固定機構であって、
前記係合溝は、端部に前記係合部を係止する係止部を有し、
前記切替手段は、前記係合部が前記係止部に係止された状態で前記固定状態に切り替える
ことを特徴とする固定機構。
【請求項５】
請求項４に記載の固定機構であって
前記切替手段は、前記係合部が前記係止部から遠ざかると前記非固定状態に切り替える
ことを特徴とする固定機構。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の固定機構であって、
前記固定手段は、前記駆動伝達部の駆動力により移動する前記切替手段の移動方向に応じて前記処理部を固定する
ことを特徴とする固定機構。
【請求項７】
請求項６に記載の固定機構であって、
前記固定手段は、前記切替手段の移動方向に沿って前記処理部の一部を係止する固定係止部を備え、前記切替手段の移動により前記処理部の一部を前記固定係止部に係止して固定する
ことを特徴とする固定機構。
【請求項８】
請求項７に記載の固定機構であって、
前記固定手段は、前記処理部の一部を保持するとともに、テーパ部を備えた固定溝を備え、前記切替手段の移動により前記処理部の一部を前記固定溝のテーパに沿って前記固定係止部に係止される状態に相対移動させる
ことを特徴とする固定機構。
【請求項９】
請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の固定機構であって、
前記被処理物は、ディスク状記録媒体であり、
前記処理部は、前記ディスク状記録媒体を装着するディスク装着部を備えた
ことを特徴とする固定機構。
【請求項１０】
被処理物を挿通可能な挿通口が開口形成されたケース体と、
このケース体内に配設され、前記被処理物を処理するとともに振動を吸収する振動吸収部材を備えた処理部と、
前記ケース体内に配設され、前記被処理物を前記挿通口および前記処理部で処理する位置の間で搬送する搬送手段と、
請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の固定機構と、
を具備したことを特徴とする処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項１に記載の発明は、駆動力発生装置より伝達される駆動力により駆動される駆動伝達部と、被処理物を処理する処理部に加わる振動を振動吸収部材にて吸収する非固定状態から、振動を前記振動吸収部材にて吸収しない固定状態とする固定手段と、前記駆動伝達部から駆動力が伝達され、前記駆動伝達部の駆動状態に応じて、前記固定手段の前記非固定状態および前記固定状態を切り替える切替手段と、を具備し、前記駆動伝達部は、支点を中心に回動可能に設けられ、一端側に設けられる前記駆動力が伝達される移動駆動部、および他端側に設けられる前記切替手段に駆動力を伝達する移動伝達部を備え、前記移動伝達部は、一対の係合部を備え、前記切替手段は、所定の角度で互いに交差するとともに前記一対の係合部がそれぞれ係合される一対の係合溝を備え、前記移動伝達部が移動すると、前記一対の係合部のうちいずれか一方に対応する係合溝が押されて移動し、移動状態に応じて前記固定状態および前記非固定状態を切り替えることを特徴とする固定機構である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項１０に記載の処理装置は、被処理物を挿通可能な挿通口が開口形成されたケース体と、このケース体内に配設され、前記被処理物を処理するとともに振動を吸収する振動吸収部材を備えた処理部と、前記ケース体内に配設され、前記被処理物を前記挿通口および前記処理部で処理する位置の間で搬送する搬送手段と、請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の固定機構と、を具備したことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月27日(2008.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
略中央に孔部を有する被保持物を着脱可能に保持する保持装置であって、
前記孔部に挿通する略円柱状の軸支部と、
前記軸支部が挿通された孔部の外側に位置し、前記孔部の周縁近傍が当接可能となる位置決め部と、
前記軸支部に、その径方向に沿って両端部が周面で開口して設けられる凹部と、
前記凹部に、前記軸支部の径方向に沿って移動可能に設けられる移動部材と、
前記軸支部における前記位置決め部と対向する位置に設けられ、前記孔部の周縁を前記位置決め部と協働して係止する第１の係止部と、
前記移動部材における前記位置決め部と対向する位置に設けられ、前記孔部の周縁を前記位置決め部と協働して係止する第２の係止部と、を備え、
前記軸支部と前記移動部材とが前記孔部に挿通した際、前記第１の係止部に対して相対的に前記第２の係止部が移動することにより、前記第１の係止部および前記第２の係止部が前記孔部の周縁に当接し、前記位置決め部と協働して前記孔部を係止する
ことを特徴とする保持装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項１に記載の発明は、略中央に孔部を有する被保持物を着脱可能に保持する保持装置であって、前記孔部に挿通する略円柱状の軸支部と、前記軸支部が挿通された孔部の外側に位置し、前記孔部の周縁近傍が当接可能となる位置決め部と、前記軸支部に、その径方向に沿って両端部が周面で開口して設けられる凹部と、前記凹部に、前記軸支部の径方向に沿って移動可能に設けられる移動部材と、前記軸支部における前記位置決め部と対向する位置に設けられ、前記孔部の周縁を前記位置決め部と協働して係止する第１の係止部と、前記移動部材における前記位置決め部と対向する位置に設けられ、前記孔部の周縁を前記位置決め部と協働して係止する第２の係止部と、を備え、前記軸支部と前記移動部材とが前記孔部に挿通した際、前記第１の係止部に対して相対的に前記第２の係止部が移動することにより、前記第１の係止部および前記第２の係止部が前記孔部の周縁に当接し、前記位置決め部と協働して前記孔部を係止することを特徴とする保持装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月3日(2008.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサ機能と無線通信機能を備えた複数の移動体装置がターゲットに関するセンサ情報を通信し合ってターゲットの追跡を行なうネットワーク・システムであって、
複数の移動体装置が、移動しながらセンサ情報を取得し、無線通信により各移動体装置間でセンサ情報を通知し合うターゲット探索手段と、
いずれかの移動体装置がターゲットを検知したことに応答して、これに近隣する移動体装置と協調して当該ターゲットにセンサの照準を合わせるターゲット焦点手段と、
同じターゲットにセンサの照準を合わせた複数の移動体装置を用いて当該ターゲットを取り囲むターゲット包囲手段と、
を具備することを特徴とするネットワーク・システム。
【請求項２】
センサ機能と無線通信機能と移動手段を備え、無線ネットワーク上で通信ノードとして動作し、他の通信ノードとセンサ情報を通信し合ってターゲットの追跡を行なう移動体装置であって、
前記移動手段を用いて移動しながらセンサ情報を取得し、近隣の通信ノードとの間でセンサ情報を通知し合うターゲット探索手段と、
自ら取得したセンサ情報に基づいてターゲットを検知したことを近隣の通信ノードに通知し、又は、近隣の通信ノードからターゲットを検知した旨の通知を受けたことに応答して同じターゲットの検知を試みるターゲット検知手段と、
自ら取得したセンサ情報に基づいて検知したターゲットにセンサの照準を合わせながら追跡するターゲット追跡手段と、
を具備することを特徴とする移動体装置。
【請求項３】
前記ターゲット探索手段は、前記移動手段を用い、所定の指標に基づいて移動する、
ことを特徴とする請求項２に記載の移動体装置。
【請求項４】
センサ機能としてカメラを備え、
前記ターゲット探索手段は、近隣の通信ノードとの間でカメラの映像情報を通知し合う、
ことを特徴とする請求項２に記載の移動体装置。
【請求項５】
センサ機能として、カメラ以外にさらに１以上のセンサを備え、
前記ターゲット探索手段は、各移動体装置におけるカメラの映像情報とその他のセンサ情報の組合せを用いてターゲットの検出を試みる、
ことを特徴とする請求項４に記載の移動体装置。
【請求項６】
前記ターゲット探索手段は、近隣の通信ノードから送られた映像情報と自らの映像情報との類似度が最小となるように自分のカメラを操作して、近隣の通信ノードとの間で形成されるセンシング領域の最大化処理を行なう、
ことを特徴とする請求項４に記載の移動体装置。
【請求項７】
前記ターゲット検知手段は、近隣の通信ノードから送られた映像情報と自らの映像情報との類似度が最大となるように自分のカメラを操作して、近隣の通信ノードと同じターゲットの検知を試みる、
ことを特徴とする請求項４に記載の移動体装置。
【請求項８】
前記ターゲット検知手段は、自ら取得したセンサ情報に基づいてターゲットを検知したことを通知するパケットに通信ノードの最大値を記載し、又は、該最大値を超える台数の通信ノードからターゲットを検知した旨の通知を受けたときには該通知を無視する、
ことを特徴とする請求項２に記載の移動体装置。
【請求項９】
前記ターゲット追跡手段は、同じターゲットを追跡する近隣ノードと協働して当該ターゲットを取り囲む、
ことを特徴とする請求項２に記載の移動体装置。
【請求項１０】
近隣の通信ノードとの相対距離を推定する距離推定手段をさらに備え、
前記ターゲット追跡手段は、前記距離推定手段により推定された、同じターゲットにセンサの照準を合わせた各通信ノードとの相対距離の情報に基づいて、当該ターゲットを包囲できたか否かを判定し、判定結果に基づいて前記移動手段による移動動作を制御する、
ことを特徴とする請求項９に記載の移動体装置。
【請求項１１】
前記通信機能により距離に応じて減衰する無線信号を送信し、
前記距離推定手段は、近隣の通信ノードからの受信信号の電波強度情報に基づいて当該通信ノードとの相対距離を推定する、
ことを特徴とする請求項１０に記載の移動体装置。
【請求項１２】
前記ターゲット追跡手段は、同じターゲットにセンサの照準を合わせた近隣の各通信ノードとの相対距離の情報が所望する正多角形モデルに合致するか否かに基づいて、当該ターゲットを包囲できたか否かを判定する、
ことを特徴とする請求項１０に記載の移動体装置。
【請求項１３】
前記ターゲット探索手段に対し、探索対象となるターゲットを静的又は動的に設定するターゲット設定手段を備える、
ことを特徴とする請求項２に記載の移動体装置。
【請求項１４】
前記ターゲット設定手段は、動的に設定したターゲットを、マルチホップを用いたフラッディング又はその他のデータ流布プロトコルに従い、前記無線ネットワーク上で近隣の通信ノードに伝播させる、
ことを特徴とする請求項１３に記載の移動体装置。
【請求項１５】
前記ターゲット設定手段は、前記センサ機能により検知された移動物体をターゲットとして設定する、
ことを特徴とする請求項１３に記載の移動体装置。
【請求項１６】
センサ機能と無線通信機能と移動手段を備え、無線ネットワーク上で通信ノードとして動作し、他の通信ノードとセンサ情報を通信し合ってターゲットの追跡を行なう移動体装置の制御方法であって、
前記移動手段を用いて移動しながらセンサ情報を取得し、近隣の通信ノードとの間でセンサ情報を通知し合うターゲット探索ステップと、
自ら取得したセンサ情報に基づいてターゲットを検知したことを近隣の通信ノードに通知し、又は、近隣の通信ノードからターゲットを検知した旨の通知を受けたことに応答して同じターゲットの検知を試みるターゲット検知ステップと、
自ら取得したセンサ情報に基づいて検知したターゲットにセンサの照準を合わせながら追跡するターゲット追跡ステップと、
を具備することを特徴とする移動体装置の制御方法。
【請求項１７】
センサ機能と無線通信機能と移動手段を備え、無線ネットワーク上で通信ノードとして動作する移動体装置が他の通信ノードとセンサ情報を通信し合ってターゲットの追跡を行なうための動作制御をコンピュータ・システム上で実行するようにコンピュータ可読形式で記述されたコンピュータ・プログラムであって、前記コンピュータ・システムに対し、
前記移動手段を用いて移動しながらセンサ情報を取得し、近隣の通信ノードとの間でセンサ情報を通知し合うターゲット探索手順と、
自ら取得したセンサ情報に基づいてターゲットを検知したことを近隣の通信ノードに通知し、又は、近隣の通信ノードからターゲットを検知した旨の通知を受けたことに応答して同じターゲットの検知を試みるターゲット検知手順と、
自ら取得したセンサ情報に基づいて検知したターゲットにセンサの照準を合わせながら追跡するターゲット追跡手順と、
を実行させることを特徴とするコンピュータ・プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月6日(2008.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークを介して接続された複数の情報処理装置間で、グリッドコンピューティングによって負荷分散処理を可能とする情報処理システムであって、
前記複数の情報処理装置が、ジョブの分散処理を依頼する管理ノードと、依頼された分散処理を実行して前記管理ノードに処理結果を送信する処理ノードとを含み、
前記管理ノードは、各処理ノードに依頼したテスト処理の処理結果に基づいて分散処理の対象とする処理ノードを選択することを特徴とする情報処理システム。
【請求項２】
各処理ノードについて前記テスト処理の処理結果に関する状態情報を格納する処理ノード状態データベースを更に備えており、
前記管理ノードは、前記テスト処理の処理結果に応じて前記状態情報を更新し、ジョブの分散処理を依頼する際に、前記状態情報を参照して前記分散処理の対象とする処理ノードを選択することを特徴とする請求項１に記載の情報処理システム。
【請求項３】
前記テスト処理について基準となる処理結果が既知であり、前記状態情報は、前記テスト処理の処理結果が前記基準となる処理結果と同一もしくは所定範囲内であるか否かに対応した情報であることを特徴とする請求項２に記載の情報処理システム。
【請求項４】
前記管理ノードは、前記テスト処理の処理結果が前記基準となる処理結果と同一もしくは所定範囲内である処理ノードを前記分散処理の対象として選択することを特徴とする請求項３に記載の情報処理システム。
【請求項５】
前記テスト処理についての処理結果が未知であり、前記状態情報は、前記テスト処理の処理結果が同一となった処理ノードのグループを識別可能な情報であることを特徴とする請求項２に記載の情報処理システム。
【請求項６】
前記管理ノードは、前記テスト処理の処理結果が同一となった処理ノードのグループのうち、最も処理ノードの数が多いグループを前記分散処理の対象として選択することを特徴とする請求項５に記載の情報処理システム。
【請求項７】
前記管理ノードは、前記テスト処理の処理結果が前記管理ノードでの前記テスト処理の処理結果と同一となった処理ノードのグループを前記分散処理の対象として選択することを特徴とする請求項５に記載の情報処理システム。
【請求項８】
前記処理ノード状態データベースは、分散処理の対象となるジョブの種類に対応した複数のテスト処理の結果に関する状態情報を格納することを特徴とする請求項２から７のいずれか１項に記載の情報処理システム。
【請求項９】
各処理ノードで前記テスト処理が実行されていない場合、その旨を示す情報が前記状態情報として格納され、
前記管理ノードは、前記テスト処理が実行されていない処理ノードに対して前記分散処理を依頼する前に前記テスト処理を依頼して前記状態情報を更新することを特徴とする請求項２から８のいずれか１項に記載の情報処理システム。
【請求項１０】
前記管理ノードは、所定期間毎に前記テスト処理を各処理ノードに依頼して、前記状態情報を更新することを特徴とする請求項２から９のいずれか１項に記載の情報処理システム。
【請求項１１】
前記管理ノードは、各処理ノードにジョブを分散して依頼する際に、前記テスト処理を含めて各処理ノードに処理を依頼し、
受信した処理結果に含まれる前記テスト処理の処理結果に基づいて、受信した処理結果を採用するか否かを決定し、
処理結果を採用しないと決定された処理ノードに依頼した処理を、処理結果を採用すると決定した処理ノードに再度依頼することを特徴とする請求項１に記載の情報処理システム。
【請求項１２】
ジョブの分散処理を依頼する管理ノードと、依頼された分散処理を実行して前記管理ノードに処理結果を送信する処理ノードとを含み、ネットワークを介して接続された複数の情報処理装置間で、グリッドコンピューティングによって負荷分散処理を可能とする情報処理システムのジョブの割り当て方法であって、
前記管理ノードから各処理ノードにテスト処理を依頼する工程と、
各処理ノードから受信した前記テスト処理の処理結果を分類する工程と、
前記分類の結果に基づいて分散処理の対象とする処理ノードを選択する工程と、を備えることを特徴とする情報処理システムのジョブ割り当て方法。
【請求項１３】
ネットワークを介して接続された複数の情報処理装置間で、グリッドコンピューティングによって負荷分散処理を可能とする情報処理システムにおけるジョブの分散処理を依頼する情報処理装置であって、
依頼された分散処理を実行して処理結果を送信する処理ノードに対して、ジョブの分散処理を依頼する依頼手段と、
前記処理ノードから送信されるテスト処理の結果に基づいて分散処理の対象とする処理ノードを選択する選択手段と、を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項１４】
ネットワークを介して接続された複数の情報処理装置間で、グリッドコンピューティングによって負荷分散処理を可能とする情報処理システムにおけるジョブの分散処理を依頼する情報処理方法であって、
依頼された分散処理を実行して処理結果を送信する処理ノードに対して、ジョブの分散処理を依頼する依頼工程と、
前記処理ノードから送信されるテスト処理の結果に基づいて分散処理の対象とする処理ノードを選択する選択工程と、を有することを特徴とする情報処理方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の情報処理方法を情報処理装置に実行させるためのコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月26日(2008.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
観測した情報に基づいて上位のノードへイベントを送信するセンサノードと、
下位のノードへ予め設定したスクリプトを送信し、前記センサノードからのイベントを受信するクライアントノードと、
前記センサノードからクライアントノードへの通信を取り次ぐ中間ノードと、を備えたセンサネットワークシステムにおいて、
前記クライアントノードは、予め複数のノードに対する処理が設定されたスクリプトを実行し、下位のノードに対するスクリプトを抽出して前記下位ノードへ前記抽出したスクリプトを配布する第１のスクリプトマネージャを有し、
前記中間ノードは、前記第１のスクリプトマネージャが配布したスクリプトを実行し、当該中間ノードに対する制御を実行し、下位のノードに対するスクリプトを抽出して当該ノードへ前記抽出したスクリプトを配布する第２のスクリプトマネージャを有し、
前記センサノードは、前記第２のスクリプトマネージャが配布したスクリプトを実行することで観測した情報に基づくイベントを上位のノードに送信する第３のスクリプトマネージャを有することを特徴とするセンサネットワークシステム。
【請求項２】
前記スクリプトは、前記下位のノードに対するスクリプトを部分スクリプトとして入れ子構造で内包し、
前記第１のスクリプトマネージャは、自ノードよりも下位のノードに対する部分スクリプトを抽出して前記下位のノードへ部分スクリプトを配布し、
前記第２のスクリプトマネージャは、自ノードよりも下位のノードに対する部分スクリプトを抽出して前記下位のノードへ部分スクリプトを配布することを特徴とする請求項１に記載のセンサネットワークシステム。
【請求項３】
前記スクリプト及び部分スクリプトは、木構造のコマンドとして記述され、
前記第１ないし第３のスクリプトマネージャは、木構造の根に当たる親コマンドを実行する以前に全ての子コマンドをその出現順に実行し、子コマンドの実行結果をデータに置き換えて親コマンドの引数とすることを特徴とする請求項１に記載のセンサネットワークシステム。
【請求項４】
前記コマンドは、当該コマンドの実行完了を待たずに直ちに未完了状態で終了する非同期コマンドを含み、
前記第１ないし第３のスクリプトマネージャは、前記子コマンドとして非同期コマンドを実行する際には、前記子コマンドに実行を指令した後に、当該子コマンドの親コマンドを未完了状態で終了させて、前記子コマンドからの実行結果の返戻があるまで待機するアクションハンドラを有し、
前記アクションハンドラは、子コマンドからの実行結果の返戻を契機に、前記未完了状態で終了した親コマンドの実行を再開することを特徴とする請求項３に記載のセンサネットワークシステム。
【請求項５】
前記アクションハンドラは、前記非同期コマンドにスクリプト内で一意に決められるコマンド識別子を設定して当該非同期コマンドの子コマンドに付与し、
当該子コマンドは実行結果を前記アクションハンドラへ返戻する際に、前記コマンド識別子とともに実行結果を返戻し、
前記アクションハンドラは、前記子コマンドからのコマンド識別子で識別されるコマンド位置から親コマンドの実行を再開することを特徴とする請求項４に記載のセンサネットワークシステム。
【請求項６】
前記コマンドは、当該コマンドの子コマンドを並列的に実行する並列コマンドを含み、
前記第１ないし第３のスクリプトマネージャは、前記子コマンドとして並列コマンドを実行する際には、子コマンドの終了状態に係わらず全ての子コマンドを実行することを特徴とする請求項３に記載のセンサネットワークシステム。
【請求項７】
前記第１ないし第３のスクリプトマネージャは、前記非同期コマンドが出現した時点で当該非同期コマンドの親コマンドを子から親の順で前記木構造を走査し、親コマンドに子コマンドを並列的に実行する並列コマンドが存在する場合は、該並列コマンドの子コマンドのうち該非同期コマンドを子孫に持つコマンドの全弟コマンドについて出現順に実行した後に前記木構造を格納してスクリプトを終了するアクションハンドラを有し、
前記アクションハンドラは、該並列コマンドの全ての子コマンドの非同期コマンドが返戻された時点で並列コマンドの処理を再開し、非同期コマンドの返戻前に他のコマンドの実行を可能とすることを特徴とする請求項４に記載のセンサネットワークシステム。
【請求項８】
前記非同期コマンドは、他のノードと通信を行う通信コマンドを含み、
前記第１ないし第３のスクリプトマネージャは、通信先ノードに子コマンドとしての通信コマンドと前記コマンド識別子及び当該ノードの識別子を送信した後に、当該通信コマンドの親コマンドを未完了状態で終了させて、前記通信先ノードからの実行結果の返戻があるまで待機するアクションハンドラを有し、
前記アクションハンドラは、通信先ノードからの実行結果とコマンド識別子の返戻を契機に、前記未完了状態で終了した前記コマンド識別子に対応する親コマンドの実行を再開することを特徴とする請求項５に記載のセンサネットワークシステム。
【請求項９】
センサノードが観測した情報を中間ノードから上位のクライアントノードへイベントとして順次送信するセンサネットワークのデータ処理方法であって、
前記クライアントノードまたは中間ノードの上位のノードが、予め複数のノードに対する処理が設定されたスクリプトから下位のノードに対するスクリプトを抽出して前記下位ノードへ前記抽出したスクリプトを配布するステップと、
前記スクリプトから自ノードに対する処理を実行するステップと、
前記下位ノードが配布されたスクリプトを受信し、当該ノードに対する処理を実行するステップと、
前記下位ノードが前記スクリプトから自ノードよりも下位のノードに対するスクリプトを抽出し、下位ノードに対するスクリプトが存在すれば前記下位ノードへ前記抽出したスクリプトを配布するステップと、
を含むことを特徴とするセンサネットワークのデータ処理方法。
【請求項１０】
前記スクリプトは、前記下位のノードに対するスクリプトを部分スクリプトとして入れ子構造で内包し、
前記スクリプトを配布するステップは、自ノードよりも下位のノードに対する部分スクリプトを抽出して前記下位のノードへ部分スクリプトを配布することを特徴とする請求項９に記載のセンサネットワークのデータ処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月10日(2008.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記指定手段は、前記出力用記憶領域に関連して保存された、順序を記述したデータにしたがって順序を指定することを特徴とする請求項１に記載のプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記状態切替手段は、操作者による入力に応じて、前記出力用記憶領域を出力状態と不出力状態との間で切り替えることを特徴とする請求項１に記載のプログラム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記状態切替手段は、操作者による入力に応じて前記出力用記憶領域を不出力状態から出力状態へと切り替え、操作者による入力以外のイベントに応じて前記出力用記憶領域を出力状態から不出力状態へと切り替えることを特徴とする請求項１に記載のプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月19日(2008.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
熱伝導装置は、冷凍や空調や電子機器冷却や工業的温度制御や発電やその他等の様々な加熱システムや冷却システムに用いることができる。これらの熱伝導装置はまた、特定のシステムや環境の熱管理要求に応えるべく規模を変えることができる。残念ながら、冷凍サイクルを有するもの等の既存の熱伝導装置は圧縮機等の機械的構成要素が故に比較的非効率である。
【特許文献１】米国特許出願公開第２００４/００５０４１５号
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月11日(2008.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ入力ストリームからクロック信号を回復し、被回復クロック信号を提供するステップと、
サンプル期間において前記被回復クロック信号をカウントし、被回復クロックカウントを提供するステップと、
前記サンプル期間において第一の基準信号をカウントし、基準信号カウントを提供するステップと、
前記被回復クロックカウントを前記基準信号カウントと比較するステップと、
前記サンプル期間における前記被回復クロック信号の周波数を算出するステップと、
を有するジッタ周波数応答を計測する方法。
【請求項２】
前記第一の基準信号が、前記被回復クロック信号の周波数よりも大きい周波数を有する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記データ入力ストリームが集積回路に供給され、
前記被回復クロック信号をカウントするステップ、前記第一の基準信号をカウントするステップ、および前記被回復クロック信号を比較するステップが、前記集積回路によって実行される請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記クロック信号を回復するステップの前に、クロック回復回路のクロック回復帯域幅を調節するステップをさらに有する請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記データ入力ストリームが、最大ジッタ周波数仕様値と公称クロック周波数を有し、
前記クロック回復帯域幅が、前記公称クロック周波数と前記最大ジッタ仕様値の合計を下回らないように調節される請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記サンプル期間において前記被回復クロック信号をカウントするステップの前に、前記サンプル期間を選択的に調節するステップをさらに有する請求項１に記載の方法。
【請求項７】
第二の基準信号を供給するステップと、
前記第二の基準信号に乗算を施して前記第二の基準信号を取得するステップと、
をさらに有する請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記データ入力ストリームおよび前記第二の基準信号が集積回路に供給され、
前記第二の基準信号に乗算を施すステップ、前記被回復クロック信号をカウントするステップ、前記第一の基準信号をカウントするステップ、および前記被回復クロック信号を比較するステップが、前記集積回路によって実行される請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記データ入力ストリームが最大ジッタ仕様値を有し、
ジッタ周波数スペクトラムが前記最大ジッタ仕様値を上回る請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記サンプル期間における前記被回復クロック信号の前記周波数を格納するステップと、
複数のサンプル期間にわたって、前記被回復クロック信号の前記周波数を判定するステップおよび前記被回復クロック信号の前記周波数を格納するステップを反復することにより、選択された数のサンプルを取得するステップと、
前記選択されたサンプルに変換を適用することにより、前記データ入力ストリームのジッタ周波数スペクトラムを取得するステップと、
をさらに有する請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月16日(2008.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナビゲーションシステムにおいて、
プロセッサと、
表示装置と、
データストレージと
前記データストレージ内に記憶された、前記プロセッサによって実行可能な機械語の指示と、を備え、
前記機械語の指示が、
写真映像は地理的エリアの地上ビューを示し、地理的データベースから地理的エリアの前記写真映像を入力し、
進行すべき経路を識別する次のルートハイライトを前記写真映像上にオーバーレイし、
既に進行した経路を識別する過去のルートハイライトを前記写真映像上にオーバーレイし、
前記表示装置上に前記次のルートハイライトと前記過去のルートハイライトとともに前記写真映像を表示するナビゲーションシステム。
【請求項２】
前記データストレージ内に記憶された、前記プロセッサによって実行可能な機械語の指示が、前記写真映像上に操縦矢印をオーバーレイすることを更に備えた、請求項１に記載のナビゲーションシステム。
【請求項３】
前記データストレージ内に記憶された、前記プロセッサによって実行可能な機械語の指示が、前記写真映像上に該当ポイントを識別するラベルをオーバーレイすることを更に備えた、請求項１に記載のナビゲーションシステム。
【請求項４】
前記データストレージ内に記憶された、前記プロセッサによって実行可能な機械語の指示が、前記写真映像上で映像における方向を識別するラベルをオーバーレイすることを更に備えた、請求項１に記載のナビゲーションシステム。
【請求項５】
前記データストレージ内に記憶された、前記プロセッサによって実行可能な機械語の指示が、前記写真映像上にルートに沿った該当ポイントを識別するラベルをオーバーレイすることを更に備えた、請求項１に記載のナビゲーションシステム。
【請求項６】
前記データストレージ内に記憶された、前記プロセッサによって実行可能な機械語の指示が、前記次のルートハイライトをいかにたどるか指示する少なくとも１つのナビゲーション命令を与えることを更に備えた、請求項１に記載のナビゲーションシステム。
【請求項７】
前記データストレージ内に記憶された、前記プロセッサによって実行可能な機械語の指示が、行先へ進行するのに使用できる代替経路を識別する第２ルートハイライトを前記写真映像にオーバーレイすることを更に備えた、請求項１に記載のナビゲーションシステム。
【請求項８】
前記ルートハイライトの１つは、前記対応する経路の特徴を指示する記号を含む、請求項１に記載のナビゲーションシステム。
【請求項９】
前記映像は単一ビューの写真映像である、請求項１に記載のナビゲーションシステム。
【請求項１０】
一連の前記写真映像は原点と行先との間のルートの連続的視覚表示を描写するために表示される、請求項１に記載のナビゲーションシステム。
【請求項１１】
前記映像はパノラマ写真である、請求項１に記載のナビゲーションシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月8日(2008.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に配置された複数の光電変換素子及び複数の薄膜トランジスタを有するセンサー基板と、
前記複数の光電変換素子及び複数の薄膜トランジスタを覆う保護層と、
前記保護層の表面に配置され、平坦な表面を有する平坦化層と、
前記平坦化層の表面上に蒸着により配置された、入射した放射線を前記光電変換素子が検知可能な光に変換する柱状結晶からなるシンチレーター層と、
を有し、
前記光電変換素子と前記薄膜トランジスタとはアモルファスシリコン膜を含み、前記保護層はSiNからなる放射線検出装置であって、
前記光電変換素子の上面は前記光電変換素子の周辺よりも高くなっており、前記センサー基板の表面は前記光電変換素子によって段差を有し、
前記保護層の表面は前記段差による表面段差を有する放射線検出装置。
【請求項２】
請求項１に記載の放射線検出装置において、前記平坦化層は、ポリイミドであることを特徴とする放射線検出装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の放射線検出装置において、前記シンチレーター層上に有機材料からなる第２の平坦化層を有することを特徴とする放射線検出装置。
【請求項４】
請求項３に記載の放射線検出装置において、前記第２の平坦化層は、前記シンチレーター層の端部を覆うことを特徴とする放射線検出装置。
【請求項５】
請求項３又は４に記載の放射線検出装置において、前記第２の平坦化層上に配置された光反射膜を有することを特徴とする放射線検出装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載の放射線検出装置において、前記シンチレーター層が平坦化されていることを特徴とする放射線検出装置。
【請求項７】
請求項６に記載の放射線検出装置において、前記シンチレーター層上に光反射膜を有することを特徴とする放射線検出装置。
【請求項８】
請求項５又は７に記載の放射線検出装置において、前記光反射膜は、アルミニウムからなることを特徴とする放射線検出装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載の放射線検出装置において、前記センサー基板を複数有し、前記平坦化層は複数の前記センサー基板上及び複数の前記センサー基板の間に配置されていることを特徴とする放射線検出装置。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか１項に記載の放射線検出装置と、
前記放射線検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、
を具備することを特徴とする放射線検出システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の放射線検出装置は、絶縁基板上に配置された複数の光電変換素子及び複数の薄膜トランジスタを有するセンサー基板と、
前記複数の光電変換素子及び複数の薄膜トランジスタを覆う保護層と、
前記保護層の表面に配置され、平坦な表面を有する平坦化層と、
前記平坦化層の表面上に蒸着により配置された、入射した放射線を前記光電変換素子が検知可能な光に変換する柱状結晶からなるシンチレーター層と、
を有し、
前記光電変換素子と前記薄膜トランジスタとはアモルファスシリコン膜を含み、前記保護層はSiNからなる放射線検出装置であって、
前記光電変換素子の上面は前記光電変換素子の周辺よりも高くなっており、前記センサー基板の表面は前記光電変換素子によって段差を有し、
前記保護層の表面は前記段差による表面段差を有する放射線検出装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月8日(2008.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
合成樹脂製のボウル部と、合成樹脂製のリム部を備えた水洗便器であって、リム部に外側方に向けて開口する断面略コ字状のコ字状部を形成し、該コ字状部をボウル部の上端開口縁部の内側に嵌め込んで、当該コ字状部とボウル部とで洗浄水流路を形成し、洗浄水流路の下面部を構成するコ字状部の下横片部を周方向における所定部位に向かって下り傾斜させ、当該所定部位におけるコ字状部の下横片部の外径側端部に洗浄水流路をボウル部内に連通させる水抜き用開口を形成して成ることを特徴とする水洗便器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するために本発明に係る水洗便器は、合成樹脂製のボウル部１と、合成樹脂製のリム部３を備えた水洗便器であって、リム部３に外側方に向けて開口する断面略コ字状のコ字状部１５を形成し、該コ字状部１５をボウル部１の上端開口縁部１ａの内側に配置して、当該コ字状部１５とボウル部１とで洗浄水流路１６を形成し、洗浄水流路１６の下面部を構成するコ字状部１５の下横片部２２を周方向における所定部位に向かって下り傾斜させ、当該所定部位におけるコ字状部１５の下横片部２２の外径側端部に洗浄水流路１６をボウル部１内に連通させる水抜き用開口７７を形成して成ることを特徴とする。この構成により寸法精度の優れた合成樹脂製のボウル部１とリム部３を備えた水洗便器を形成することができ、また、ボウル部１とリム部３をぴったりと強固に接着することができる。また、リム部３により洗浄水流路１６を形成できる。また、洗浄水流路１６内の水を水抜き用開口７７からスムーズに水抜きできる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月3日(2007.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非晶質半導体膜に触媒元素を添加し、
第１加熱処理を行い、前記非晶質半導体膜を結晶質半導体膜とし、
前記結晶質半導体膜にゲッタリング作用を有する不純物元素および水素を添加してゲッタリング領域を形成し、
第２加熱処理を行い、前記ゲッタリング領域に前記触媒元素をゲッタリングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
非晶質半導体膜に触媒元素を添加し、
第１加熱処理を行い、前記非晶質半導体膜を結晶質半導体膜とし、
前記結晶質半導体膜にレーザー照射を行い、
前記結晶質半導体膜にゲッタリング作用を有する不純物元素および水素を添加してゲッタリング領域を形成し、
第２加熱処理を行い、前記ゲッタリング領域に前記触媒元素をゲッタリングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
非晶質半導体膜上にマスクとなる絶縁膜を形成し、前記絶縁膜の開口部から露出した前記非晶質半導体膜に触媒元素含有層を形成し、
第１加熱処理を行い、前記非晶質半導体膜を結晶質半導体膜とし、
前記絶縁膜の開口部から前記結晶質半導体膜にゲッタリング作用を有する不純物元素および水素を添加してゲッタリング領域を形成し、
第２加熱処理を行い、前記ゲッタリング領域に前記触媒元素をゲッタリングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
非晶質半導体膜上にマスクとなる絶縁膜を形成し、前記絶縁膜の開口部から露出した前記非晶質半導体膜に触媒元素含有層を形成し、
第１加熱処理を行い、前記非晶質半導体膜を結晶質半導体膜とし、
前記絶縁膜の開口部から前記結晶質半導体膜にゲッタリング作用を有する不純物元素および水素を添加してゲッタリング領域を形成し、
第２加熱処理を行い、前記ゲッタリング領域に前記触媒元素をゲッタリングし、
前記結晶質半導体膜にレーザー照射を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
非晶質半導体膜に触媒元素を添加し、
第１加熱処理を行い、前記非晶質半導体膜を結晶質半導体膜とし、
前記結晶質半導体膜をパターニングして、所望の形状の第１および第２の半導体層とし、
前記第１および第２の半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成するための導電膜を形成し、
前記導電膜をエッチングして、所望の形状の第１および第２のゲート電極を前記第１および第２の半導体層上に形成し、
前記第１および第２のゲート電極をマスクとして前記第１および第２の半導体層にｎ型不純物元素を添加し、
前記第１および第２のゲート電極をマスクとして前記第１および第２の半導体層にゲッタリング作用を有する不純物元素および水素を添加してゲッタリング領域を形成し、
前記第１の半導体層をマスクで覆い、前記第２のゲート電極をマスクとして前記第２の半導体層にｐ型不純物元素を添加し、
第２の加熱処理により、前記第１および第２の半導体層に添加されたｎ型およびｐ型不純物元素の活性化ならびに前記触媒元素をゲッタリング領域にゲッタリングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記水素は、イオンドープ法、プラズマ処理法、熱による拡散法のいずれかの方法を用いて半導体層に添加されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記触媒元素は、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、スズ（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）、鉛（Ｐｂ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）から選ばれた金属元素が用いられることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記ゲッタリング作用を有する不純物元素は、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、ボロン（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）から選ばれた元素が用いられることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月29日(2007.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に結晶化を促進する触媒元素を添加した後、第１の加熱処理を行って結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜に不純物元素を選択的に添加し、
酸素濃度が５ｐｐｍ以下の雰囲気中で第２の加熱処理を行って、前記不純物元素が選択的に添加された領域に前記触媒元素をゲッタリングさせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁体上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に結晶化を促進する触媒元素を添加した後、第１の加熱処理を行って結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜に不純物元素を選択的に添加し、
真空ポンプにより排気を行って圧力を１３３Ｐａ以下とし、酸素濃度を２ｐｐｍ以下とした雰囲気中で第２の加熱処理を行って、前記不純物元素が選択的に添加された領域に前記触媒元素をゲッタリングさせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁体上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜上に開口部を有するマスク絶縁膜を形成し、前記非晶質半導体膜に選択的に結晶化を促進する触媒元素を添加した後、第１の加熱処理を行って結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜に不純物元素を選択的に添加し、
酸素濃度が５ｐｐｍ以下の雰囲気中で第２の加熱処理を行って、前記不純物元素が選択的に添加された領域に前記触媒元素をゲッタリングさせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁体上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜上に開口部を有するマスク絶縁膜を形成し、前記非晶質半導体膜に選択的に結晶化を促進する触媒元素を添加した後、第１の加熱処理を行って結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜に不純物元素を選択的に添加し、
真空ポンプにより排気を行って圧力を１３３Ｐａ以下とし、酸素濃度を２ｐｐｍ以下とした雰囲気中で第２の加熱処理を行って、前記不純物元素が選択的に添加された領域に前記触媒元素をゲッタリングさせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁体上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に結晶化を促進する触媒元素を添加した後、第１の加熱処理を行って結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜に周期表の１５族に属する元素を選択的に添加して、ソース領域およびドレイン領域を形成し、
酸素濃度が５ｐｐｍ以下の雰囲気中で第２の加熱処理を行って、前記周期表の１５族に属する元素を活性化すると共に、前記周期表の１５族に属する元素が選択的に添加された領域に前記触媒元素をゲッタリングさせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
絶縁体上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に結晶化を促進する触媒元素を添加した後、第１の加熱処理を行って結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜に周期表の１５族に属する元素を選択的に添加して、ソース領域およびドレイン領域を形成し、
真空ポンプにより排気を行って圧力を１３３Ｐａ以下とし、酸素濃度を２ｐｐｍ以下とした雰囲気中で第２の加熱処理を行って、前記周期表の１５族に属する元素を活性化すると共に、前記周期表の１５族に属する元素が選択的に添加された領域に前記触媒元素をゲッタリングさせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項２、４、または６において、前記真空ポンプとして、ロータリーポンプおよびメカニカルブースターポンプを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記不純物元素が選択的に添加された領域には１×１０１９〜１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の濃度の周期表の１５族に属する元素が添加されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記第２の加熱処理における雰囲気は、窒素雰囲気、不活性気体雰囲気、または水素雰囲気であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、前記第２の加熱処理における加熱温度を４５０〜９５０℃とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、前記結晶化を促進する触媒元素として、ニッケル、コバルト、鉄、スズ、パラジウム、鉛、白金、銅、金から選ばれた金属元素を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月28日(2008.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ビデオ・オブジェクトの特徴データを発生する方法であって、
（ａ）一連の画像で検出された移動するオブジェクトから、特徴の第１の集合を抽出し、
（ｂ）前記一連の画像内の前記オブジェクトの動きに対応する一連の格子ブロックを抽出し、
（ｃ）前記特徴の第１の集合と前記一連の格子ブロックを格納する、
ことを含む方法。
【請求項２】  請求項１記載の方法において、
（ａ）請求項１の前記抽出するステップ（ａ）は、前記オブジェクトを含む前記一連のあらゆる画像の特徴を抽出することを含む方法。
【請求項３】  請求項１記載の方法であって、
（ａ）請求項１のステップ（ｂ）の前記格子ブロックごとに特徴を抽出し、対応する前記格子ブロックが抽出した特徴を前記一連の格子ブロックに関連づけることを更に含む方法。
【請求項４】  請求項１記載の方法において、
（ａ）請求項１のステップ（ａ）の抽出された前記特徴の第１の集合は、色ヒストグラムを含む方法。
【請求項５】  ビデオ・オブジェクトを探索する方法であって、
（ａ）ビデオ・オブジェクトの特徴ベクトルのデータベースを提供し、
（ｂ）目標となる特徴ベクトルを提供し、
（ｃ）前記目標となる特徴ベクトルと、前記データベースの各特徴ベクトルを比較し、
（ｄ）ステップ（ｃ）の結果に従って、前記データベースの前記特徴ベクトルをランク付けし、
（ｅ）ステップ（ｄ）の結果と一緒に、ビデオ・オブジェクトと前記データベースの前記特徴ベクトルを関連づけることにより、ビデオ・オブジェクトを見つける、
ことを含む方法。
【請求項６】  請求項５記載の方法において、
（ａ）前記データベースの前記特徴ベクトルは、連なる画像内で移動しているビデオ・オブジェクトから抽出された、経路に依存する特徴と経路に依存しない特徴の双方を含む方法。
【請求項７】  請求項６記載の方法において、
（ａ）ビデオ・オブジェクトの前記経路に依存する特徴は、前記ビデオ・オブジェクトが対応する格子ブロックに位置していた場合、前記ビデオ・オブジェクトから抽出された特徴の平均と一緒に前記ビデオ・オブジェクトによって横切られた一連の格子ブロックを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月21日(2007.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】セラミック基板と、
前記セラミック基板の表面に設けられた発熱抵抗体と、
前記セラミック基板の裏面に設けられ前記発熱抵抗体と接続している電極と、
前記発熱抵抗体に電流を供給し前記電極に接合されるリード線と、
前記セラミック基板の裏面に前記発熱抵抗体の温度を測定するリードタイプのサーミスタとを備えたことを特徴とする発熱素子。
【請求項２】前記セラミック基板の裏面に、熱伝導性部材を設け、前記サーミスタのリード部を前記熱伝導性部材に取り付けたことを特徴とする請求項１記載の発熱素子。
【請求項３】前記熱伝導性部材にＬ字型の金具を溶接にて取り付けて、その金具でサーミスタのリード部を挟み込むように曲げて保持することを特徴とする請求項２記載の発熱素子。
【請求項４】前記サーミスタのリード部を溶接された金具で挟み込んだところをハンダ材で固定・充填したことを特徴とする請求項３記載の発熱素子。
【請求項５】前記発熱抵抗体に電流を供給するリード線は、金具をかしめて溶接にて前記電極に接合されたことを特徴とする請求項１〜４いずれか１記載の発熱素子。
【請求項６】請求項１〜５いずれか１記載の発熱素子を画像消去手段として用いた事を特徴とするカードリーダ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の発熱素子は、セラミック基板と、前記セラミック基板の表面に設けられた発熱抵抗体と、前記セラミック基板の裏面に設けられ前記発熱抵抗体と接続している電極と、前記発熱抵抗体に電流を供給し前記電極に接合されるリード線と、前記セラミック基板の裏面に前記発熱抵抗体の温度を測定するリードタイプのサーミスタとを備えた構成としたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【発明の実施の形態】
請求項１に記載の発明は、セラミック基板と、前記セラミック基板の表面に設けられた発熱抵抗体と、前記セラミック基板の裏面に設けられ前記発熱抵抗体と接続している電極と、前記発熱抵抗体に電流を供給し前記電極に接合されるリード線と、前記セラミック基板の裏面に前記発熱抵抗体の温度を測定するリードタイプのサーミスタとを備えたことを特徴とする発熱素子であって、高温状態での連続使用が可能であり、種々のリライトカードに対応が可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月5日(2007.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 正極活物質を正極格子に保持させた正極と、負極活物質を負極格子に保持させた負極とを、セパレータを介して巻回した渦巻状極板群を備えた円筒形二次電池において、前記格子の少なくとも片方は、２種以上の升目幅を備えるとともに、巻回始端側の升目幅が最大の升目幅よりも小さいことを特徴とする円筒形二次電池。
【請求項２】正極活物質を正極格子に保持させた正極と、負極活物質を負極格子に保持させた負極とを、セパレータを介して巻回した渦巻状極板群を備えた円筒形二次電池において、前記格子の少なくとも片方は、２種以上の縦桟幅を備えるとともに、巻回始端側の縦桟幅が最大の縦桟幅よりも小さいことを特徴とする円筒形二次電池。
【請求項３】正極活物質を正極格子に保持させた正極と、負極活物質を負極格子に保持させた負極とを、セパレータを介して巻回した渦巻状極板群を備えた円筒形二次電池において、前記格子の少なくとも片方は、２種以上の升目幅を備えるとともに、巻回始端側の升目幅が最大の升目幅よりも小さく、かつ、２種以上の縦桟幅を備えるとともに、巻回始端側の縦桟幅が最大の縦桟幅よりも小さいことを特徴とする円筒形二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
以上の発明は、正極活物質が二酸化鉛を主体とし、負極活物質が鉛を主体とし、集電体が鉛もしくは鉛合金である円筒形二次電池に好適に適用できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
以上の発明を円筒型鉛蓄電池に適用すれば、安価かつ高性能の円筒形鉛蓄電池が提供される。