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【手続補正書】
【提出日】平成20年7月31日(2008.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
何らの接着剤を使うことなく異なる角材又は板状材等の木材が重ねられ、該木材からなる複数のダボにて結合されてなり、該ダボの傾斜角度は、前記木材の長手方向に適宜な角度傾斜してなると共に、該木材の幅方向にも適宜な角度傾斜してなることを特徴とする木質系の柱又は梁等の構造材。
【請求項２】
請求項１において、前記木材は、厚み又は太さのある角材からなり、２本が重ねられてなることを特徴とする木質系の柱又は梁等の構造材。
【請求項３】
請求項１において、前記木材は、厚さが比較的薄く形成された板状材からなり、３枚以上が重ねられてなることを特徴とする木質系の柱又は梁等の構造材。
【請求項４】
請求項１において、前記ダボの傾斜角度は、約３°乃至約３０°に形成されてなることを特徴とする木質系の柱又は梁等の構造材。
【請求項５】
請求項１，２，３又は４において、前記ダボが少なくとも３本以上設けられているときに、その一部を垂直に設けてなることを特徴とする木質系の柱又は梁等の構造材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
そこで、発明者は上記課題を解決すべく鋭意，研究を重ねた結果、請求項１の発明を、何らの接着剤を使うことなく異なる角材又は板状材等の木材が重ねられ、該木材からなる複数のダボにて結合されてなり、該ダボの傾斜角度は、前記木材の長手方向に適宜な角度傾斜してなると共に、該木材の幅方向にも適宜な角度傾斜してなることを特徴とする木質系の柱又は梁等の構造材としたことにより、前記課題を解決した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項２の発明を、請求項１において、前記木材は、厚み又は太さのある角材からなり、２本が重ねられてなることを特徴とする木質系の柱又は梁等の構造材としたことにより、前記課題を解決した。請求項３の発明を、請求項１において、前記木材は、厚さが比較的薄く形成された板状材からなり、３枚以上が重ねられてなることを特徴とする木質系の柱又は梁等の構造材としたことにより、前記課題を解決した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項４の発明を、請求項１において、前記ダボの傾斜角度は、約３°乃至約３０°に形成されてなることを特徴とする木質系の柱又は梁等の構造材としたことにより、前記課題を解決した。請求項５の発明を、請求項１，２，３又は４において、前記ダボが少なくとも３本以上設けられているときに、その一部を垂直に設けてなることを特徴とする木質系の柱又は梁等の構造材としたことにより、前記課題を解決したものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項１の発明においては、強度を有した結合ができ、接着剤を使わないことから、仮に焼却してもダイオキシンの発生もなく、近年問題視されているシックハウス症候群にならず、さらにダボは木材の長手方向及び幅方向に適宜傾斜設置することで頗る強固にできる利点がある。また、請求項２発明では、間伐材としての角材を有効利用でき、国内の木材産業に多大なる貢献ができる。また、請求項３発明では、さらに、強固にできる。請求項４の発明では、請求項１の発明と同等な効果を奏する。また、請求項５の発明でも、請求項１の発明と同等な効果を奏するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月1日(2008.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内燃機関のノッキング判定装置であって、
前記内燃機関のクランク角を検出するためのクランク角検出手段と、
予め定められたクランク角の間における前記内燃機関の振動の波形を検出するための波形検出手段と、
ノッキングに対応する振動の波形であって、前記内燃機関の運転状態および種類に応じて変化しない１つの波形を予め記憶するための記憶手段と、
前記検出された波形と、前記記憶手段に記憶された波形との類似性を数値化し、数値化された結果に基づいて、前記内燃機関にノッキングが発生したか否かを判定するための判定手段とを含む、内燃機関のノッキング判定装置。
【請求項２】
内燃機関のノッキング判定装置であって、
前記内燃機関のクランク角を検出するためのクランク角検出手段と、
予め定められたクランク角の間における前記内燃機関の振動の波形を検出するための波形検出手段と、
前記内燃機関の運転状態に対応した複数の前記内燃機関の振動の波形を予め記憶するための記憶手段と、
前記検出された波形と、前記記憶手段に記憶された複数の波形のうち前記内燃機関の運転状態に対応する波形との類似性を数値化し、数値化された結果に基づいて、前記内燃機関にノッキングが発生したか否かを判定するための判定手段とを含む、内燃機関のノッキング判定装置。
【請求項３】
前記ノッキング判定装置は、前記内燃機関の出力軸の回転数を検知するための回転数検知手段をさらに含み、
前記記憶手段は、前記回転数に対応した複数の振動の波形を予め記憶するための手段を含み、
前記判定手段は、前記検出された波形と、前記記憶手段に記憶され、前記検知された回転数に対応する波形との類似性を数値化し、数値化された結果に基づいて、前記内燃機関にノッキングが発生したか否かを判定するための手段を含む、請求項２に記載の内燃機関のノッキング判定装置。
【請求項４】
前記ノッキング判定装置は、前記内燃機関の負荷率を検知するための負荷率検知手段をさらに含み、
前記記憶手段は、前記負荷率に対応した複数の振動の波形を予め記憶するための手段を含み、
前記判定手段は、前記検出された波形と、前記記憶手段に記憶され、前記検知された負荷率に対応する波形との類似性を数値化し、数値化された結果に基づいて、前記内燃機関にノッキングが発生したか否かを判定するための手段を含む、請求項２に記載の内燃機関のノッキング判定装置。
【請求項５】
前記ノッキング判定装置は、
前記内燃機関の出力軸の回転数を検知するための回転数検知手段と、
前記内燃機関の負荷率を検知するための負荷率検知手段とをさらに含み、
前記記憶手段は、前記回転数および前記負荷率に対応した複数の振動の波形を予め記憶するための手段を含み、
前記判定手段は、前記検出された波形と、前記記憶手段に記憶され、前記検知された回転数および負荷率に対応する波形との類似性を数値化し、数値化された結果に基づいて、前記内燃機関にノッキングが発生したか否かを判定するための手段を含む、請求項２に記載の内燃機関のノッキング判定装置。
【請求項６】
前記記憶手段に記憶された波形は、第１の角度と第２の角度との間の区間の波形であって、
前記第１の角度および前記第２の角度は、振動の波形のピーク値に対応する角度よりも
共に大きい角度であるか小さい角度であるかのいずれかである、請求項１〜５のいずれかに記載の内燃機関のノッキング判定装置。
【請求項７】
前記記憶手段に記憶された波形は、第１の角度と第２の角度との間の区間の波形であって、
前記区間は、振動の波形のピーク値に対応する角度を含む、請求項１〜５のいずれかに記載の内燃機関のノッキング判定装置。
【請求項８】
前記第１の角度は、振動の波形のピーク値に対応する角度である、請求項７に記載の内燃機関のノッキング判定装置。
【請求項９】
前記第２の角度は、前記第１の角度から予め定められた角度だけ進めた角度である、請求項８に記載の内燃機関のノッキング判定装置。
【請求項１０】
内燃機関のノッキング判定装置であって、
前記内燃機関のクランク角を検出するためのクランク角検出手段と、
予め定められたクランク角の間における前記内燃機関の振動の波形を検出するための波形検出手段と、
ノッキングに対応する振動の波形の振幅の包絡線を予め記憶するための記憶手段と、
前記検出された波形と、前記記憶された包絡線との類似性を数値化し、数値化された結果に基づいて、前記内燃機関にノッキングが発生したか否かを判定するための判定手段とを含む、内燃機関のノッキング判定装置。
【請求項１１】
内燃機関のノッキング判定装置であって、
前記内燃機関のクランク角を検出するためのクランク角検出手段と、
予め定められたクランク角の間における前記内燃機関の振動の波形を検出するための波形検出手段と、
前記内燃機関の振動の波形のピーク値に対応する角度以降の予め定められた減衰率を予め記憶するための記憶手段と、
前記検出された波形と、前記記憶された減衰率に基づく波形との類似性を数値化し、数値化された結果に基づいて、前記内燃機関にノッキングが発生したか否かを判定するための判定手段とを含む、内燃機関のノッキング判定装置。
【請求項１２】
前記記憶手段に記憶された波形は、第１の角度と第２の角度との間の区間の波形であって、
前記第１の角度は、振動波形のピーク値に対応する角度である、請求項１０または１１に記載の内燃機関のノッキング判定装置。
【請求項１３】
前記第２の角度は、前記第１の角度から予め定められた角度だけ進めた角度である、請求項１２に記載の内燃機関のノッキング判定装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
第４の発明に係るノッキング判定装置は、第２の発明の構成に加えて、内燃機関の負荷率を検知するための負荷率検知手段をさらに含む。記憶手段は、負荷率に対応した複数の振動の波形を予め記憶するための手段を含む。判定手段は、検出された波形と、記憶手段に記憶され、検知された負荷率に対応する波形とを比較した結果に基づいて、内燃機関にノッキングが発生したか否かを判定するための手段を含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
第５の発明に係るノッキング判定装置は、第２の発明の構成に加えて、内燃機関の出力軸の回転数を検知するための回転数検知手段と、内燃機関の負荷率を検知するための負荷率検知手段とをさらに含む。記憶手段は、回転数および負荷率に対応した複数の振動の波形を予め記憶するための手段を含む。判定手段は、検出された波形と、記憶手段に記憶され、検知された回転数および負荷率に対応する波形とを比較した結果に基づいて、内燃機関にノッキングが発生したか否かを判定するための手段を含む。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月25日(2008.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】  ターゲット５１ａは、このターゲット５１ａの前方にプラズマが発生させるため、ターゲット５１ａに直流電圧または高周波電圧を印加するスパッタ電源５２に接続されている。この場合、処理基板Ｓ１、Ｓ２に、バイアス電圧を印加できるように図示省略したバイアス電源に接続してもよい。スパッタ室１１ａにはまた、第３のガス導入手段５３が設けられている。ガス導入手段５３は、マスフローコントローラを介設したガス管５３ａを介して図示しないガス源に連通し、アルゴンなどのスパッタガスを一定の流量で導入でき、スパッタリングカソード５１、スパッタ電源５２及び第３のガス導入手段５３がスパッタリング手段５を構成する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月31日(2008.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
排気手段を備える真空槽
該真空槽内で基板表面に成膜材料を堆積させる成膜手段、
該成膜手段に対面する成膜位置に順次該基板を搬送する搬送手段、および
該真空槽内の基板搬送経路付近に配置され、該成膜位置に到達する前の基板の表面にオゾンを吹き付けるオゾン導入手段を備えたことを特徴とする連続式成膜装置。
【請求項２】
請求項１記載の連続式成膜装置であって、
該オゾン導入手段が、該成膜位置にある該基板にオゾンを吹き付けることを特徴とする連続式成膜装置。
【請求項３】
排気手段を備える真空槽、
該真空槽内部の所定の成膜位置に基板を順次供給する搬送手段、
該成膜位置に供給された基板の外周方向からオゾンを吹き付けるオゾン導入手段、及び
該成膜位置に供給された基板の正面方向から成膜材料を堆積させる成膜手段
からなる連続式成膜装置。
【請求項４】
請求項２又は３記載の連続式成膜装置であって、
該オゾン導入手段は、酸素ボンベ、オゾナイザー、オゾナイザー用マスフローコントローラ、および、ノズルを備え、該ノズルからオゾンシャワーを噴出する機構であることを特徴とする連続式成膜装置。
【請求項５】
請求項１乃至４記載の連続式成膜装置であって、
該オゾン導入手段に、オゾンが該基板表面以外へ拡散するのを防止するための拡散防止手段を設けたことを特徴とする連続式成膜装置。
【請求項６】
請求項５記載の連続式成膜装置であって、
該拡散防止手段は、該基板の近接位置に配置した該オゾン導入手段を該成膜手段に対して遮蔽する遮蔽板であることを特徴とする連続式成膜装置。
【請求項７】
請求項１乃至４記載の連続式成膜装置であって、
該搬送手段に非接触駆動伝達機構を用い、該成膜位置に該基板を間隙なく連続的に供給することを特徴とする連続式成膜装置。
【請求項８】
請求項１乃至４記載の連続式成膜装置であって、
該成膜手段は、該真空槽内に固定配置されターゲット材料を備えるスパッタリング電極であり、該真空槽内に不活性ガスを導入するガス供給手段を備えたことを特徴とする連続式成膜装置。
【請求項９】
基板の搬送手段、オゾン導入手段及び成膜手段を備えた成膜室内部で、
該オゾン導入手段によりオゾン雰囲気を噴出する工程、
該搬送手段により該オゾン雰囲気中に基板を通過させ、該基板を洗浄する工程、及び
該搬送手段により該基板を成膜位置まで搬送し、該成膜手段により成膜を行う工程
からなることを特徴とする連続式成膜方法。
【請求項１０】
請求項９記載の連続式成膜方法であって、
該オゾン雰囲気が該成膜位置においても形成され、該オゾン雰囲気が該基板表面における成膜材料の酸化を行うことを特徴とする連続式成膜方法。
【請求項１１】
請求項９記載の連続式成膜方法であって、
反応性ＤＣスパッタリング法を用い、該成膜室内の該基板搬送経路上のターゲット前面にオゾン雰囲気を形成し、該オゾン雰囲気が該基板上の有機汚染物質除去とスパッタされたターゲット物質の酸化の双方を行うことを特徴とする連続式成膜方法。
【請求項１２】
連続式成膜方法であって、
真空槽内で搬送手段によって基板を成膜位置に搬送する工程、
オゾン導入手段によって該成膜位置に供給された基板の外周方向からオゾンを吹き付ける工程、及び
成膜手段によって該成膜位置に供給された基板の正面から成膜材料を堆積させる工程
からなる連続式成膜方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の連続式成膜方法において、
前記オゾンを吹き付ける工程と前記成膜材料を堆積させる工程とが同時に行われることを特徴とする連続式成膜方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月15日(2008.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理物を取出し自在に内装する処理室を備えると共に、
前記処理室内を減圧する減圧手段、前記処理室内に少なくとも水素ガスを供給するガス供給手段、前記処理室内にマイクロ波電力を供給するマイクロ波供給手段からなるプラズマ発生手段を設け、
プラズマ発生手段が発生する水素プラズマを被処理物に照射し、被処理物の錆を還元する構成としたことを特徴とするマイクロ波を利用した錆落とし等の処理装置。
【請求項２】
被処理物を取出し自在に内装する処理室を備えると共に、
前記処理室内を減圧する減圧手段、前記処理室内に少なくとも水素ガスを供給するガス供給手段、前記処理室内にマイクロ波電力を供給するマイクロ波供給手段からなるプラズマ発生手段を設け、
プラズマ発生手段が発生する水素プラズマを被処理物に照射し、被処理物に付着している有機物をクリーニングする構成としたことを特徴とするマイクロ波を利用した錆落とし等の処理装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記した処理装置において、
前記処理室には開閉可能なドアを設け、ドアの閉成状態で前記減圧手段、ガス供給手段、マイクロ波供給手段を動作可能に移行させるコントローラを備えたことを特徴とするマイクロ波を利用した錆落とし等の処理装置。
【請求項４】
請求項１又は２に記載した処理装置において、
被処理物を収納させる籠状体と、この籠状体を処理室内で回転させる駆動機構とを設け、
籠状体を回転させながら被処理物の錆及び／又は有機物を還元する構成としたことを特徴とするマイクロ波を利用した錆落とし等の処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
第２の発明として、被処理物を取出し自在に内装する処理室を備えると共に、前記処理室内を減圧する減圧手段、前記処理室内に少なくとも水素ガスを供給するガス供給手段、前記処理室内にマイクロ波電力を供給するマイクロ波供給手段からなるプラズマ発生手段を設け、プラズマ発生手段が発生する水素プラズマを被処理物に照射し、被処理物に付着している有機物をクリーニングする構成としたことを特徴とするマイクロ波を利用した錆落とし等の処理装置を提案する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月17日(2008.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドワイトロイド式焼結機の機長方向複数箇所の排ガス温度を測定し、該測定温度から機長方向の排ガス温度曲線を求め、該温度曲線の温度上昇開始位置から焼結終了点の間において排ガス温度が所定温度になる所定温度位置と、排ガス温度が最高温度になる最高温度位置とを求め、そのようにして求めた所定温度位置と最高温度位置の過去の実績から両者の関係を算出しておき、前記の所定温度位置と最高温度位置の関係に基づいて現時点で求めた所定温度位置から最高温度位置を予測し、その最高温度位置が設定位置となるようにパレットスピードを制御して、焼結鉱を製造することを特徴とする焼結鉱の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】焼結鉱の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ドワイトロイド式焼結機で生産される焼結鉱の品質を最適に維持しながら生産性を向上させるために、機長方向複数箇所の排ガス温度を監視しながら、最高温度位置を設定位置に制御する焼結鉱の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、前記のような問題を解決すべくなされたものであり、ドワイトロイド式焼結機によって焼結鉱を製造する際に、焼成状態を的確に把握し、それに基づいてパレットスピードを適切に制御することにより、焼結鉱の品質、成品歩留、生産性の向上を図ることができる焼結鉱の製造方法を提供することを目的とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
［１］ドワイトロイド式焼結機の機長方向複数箇所の排ガス温度を測定し、該測定温度から機長方向の排ガス温度曲線を求め、該温度曲線の温度上昇開始位置から焼結終了点の間において排ガス温度が所定温度になる所定温度位置と、排ガス温度が最高温度になる最高温度位置とを求め、そのようにして求めた所定温度位置と最高温度位置の過去の実績から両者の関係を算出しておき、前記の所定温度位置と最高温度位置の関係に基づいて現時点で求めた所定温度位置から最高温度位置を予測し、その最高温度位置が設定位置となるようにパレットスピードを制御して、焼結鉱を製造することを特徴とする焼結鉱の製造方法。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
図１は、本発明の一実施形態に係る焼結鉱の製造方法において用いる装置の構成を示す図である。あらかじめ適当に配合された焼結原料２０は、サージホッパー１によりパレット３上に連続的に給鉱される。パレット３上の焼結原料２０は、パレット駆動モータ１２によって所定のスピードで図中の右進行方向に搬送されながら、点火炉２により上部表面が着火され、排鉱部１３に向かう。その間、燃焼用空気が、搬送方向（機長方向）に沿って多数配置された風箱４により負圧吸引されることにより、焼成が進行し、焼結が終了した焼結鉱２１が排鉱部１３から排出される。焼成の進行具合は、各風箱４に取り付けられた熱電対５により燃焼排ガス温度を測定することによって判断する。この熱電対５の測定値は、デジタルフィルタ６により応答改善され、ＢＴＰ算出部７及びＢＲＰ算出部８に入力される。なお、デジタルフィルタ６は例えば熱電対の応答の遅れを改善するために用いられるが、必須の構成要素ではなく、無くても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月29日(2008.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  用語を形成する文字の先頭部分又は先頭部分の漢字の読みである少なくとも一文字のひらがな、カタカナ、ローマ字、アルファベット又は漢字等が入力された文字頭部と、
多数の用語が保存されているデータベースと、
該データベースより前記文字頭部を含む用語を抽出する候補抽出手段と、
該候補抽出手段で抽出された用語を表示する候補用語表示手段とを備えたことを特徴とするＷｅｂページ検索システム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月19日(2008.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所与のアドレス空間内における個々のアドレスに関する情報ワードについてDRAM(73)内においてメモリ動作を実行する方法であって、
(a) DRAMのｎ×ｍ個のバンク(113〜124)を、ｍ個のバンクにより１グループが形成されるｎ個のグループ(88〜90)へと構成し、該バンクの各々が、前記アドレス空間内の各アドレス毎にアドレス指定可能な位置を１つずつ有しており、
(b) 各々の次のメモリ動作を、順序付けされた周期的なシーケンスで次のグループへと順次送り、
(c) 各グループ内において、該グループ内の各バンクを、順序付けされた周期的なシーケンスで選択し、
(d) 各グループ内において、該グループへと前記ステップ(b)により送られた連続するメモリ動作について、該連続するメモリ動作を、前記ステップ(c)の順序付けされた周期的なシーケンスに従って該グループのｍ個のバンク間で、順次インタリーブし、及び、
(e) １グループ内における選択された各バンクについて、及び前記ステップ(d)によりそれらのバンクへ送られたインタリーブされたメモリ動作について、前記ステップ(d)による次の連続するメモリ動作を、前記アドレス空間内におけるアドレスにおいて実行する、
という各ステップを含む、方法。
【請求項２】
前記メモリ動作が書き込み動作であり、
アドレス指定可能な被験装置(14)に対して実行されるテストから、書き込まれることとなる情報を取得するステップを更に含むことからなる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記被験装置(14)がメモリであり、書き込まれることとなるワード内におけるビットが、メモリテスト装置内におけるチャネルを表しており、
ｎ×ｍ個のバンク内におけるアドレス指定可能な位置を、前記被験装置に提供されたアドレスから導出されたアドレスでアドレス指定するステップを更に含むことからなる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記メモリ動作が読み出し動作であり、
前記ｎ×ｍ個の全バンク(113〜124)内の同じアドレスにおけるアドレス指定可能な位置から読み出しを行ってｎ×ｍ個のワードを生成し、該ｎ×ｍ個のワードをマージして(146)１つの最終的なワードを生成し、該最終的なワードを前記メモリ動作の結果として選択し、及び、該最終的なワードを前記ｎ×ｍ個の全バンク内へと前記同じアドレスで書き込む、という各ステップを更に含むことからなる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記最終的なワードが前記ｎ×ｍ個の全バンク(113〜124)内へ書き込まれる時点に近接したフラグ(191)をセットし、及び、次の連続するメモリ動作が書き込み動作である前記ステップ(b)の後続するインスタンスで該フラグをクリアする、という各ステップを更に含むことからなる、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
DRAM(73)内において、グループ選択部分及びバンク内アドレス部分を有するアドレス空間内における個々のアドレスに関連する情報ワードについてメモリ動作を実行する方法であって、
(a) DRAMのｎ×ｍ個のバンク(113〜124)を、ｍ個のバンクにより１グループが形成されるｎ個のグループ(88〜90)へと構成し、該グループの各々が、前記グループ選択部分(167,169,171)により選択可能なものであり、１グループ内における各バンクが、前記バンク内アドレス部分(176)によりアドレス指定可能な位置を有しており、
(b) 各々の次のメモリ動作を、前記グループ選択部分により識別されたグループへ送り、
(c) 各グループ内において、該グループ内の各バンクを、順序付けされた周期的なシーケンスで選択し、
(d) 各グループ内において、該グループへと前記ステップ(b)により送られた連続するメモリ動作について、前記ステップ(c)の前記順序付けされた周期的なシーケンスに従って各バンクが選択される際に、それら連続するメモリ動作を該グループのｍ個のバンク間で順次インタリーブし(161)、及び、
(e) １グループ内において選択された各バンクについて、及び前記ステップ(d)によりそれらのバンクへ送られたインタリーブされたメモリ動作について、前記ステップ(d)による次の連続するメモリ動作を、前記バンク内アドレス部分により選択されたバンクの位置において実行する、
という各ステップを含む、方法。
【請求項７】
前記メモリ動作が書き込み動作であり、
アドレス指定可能な被験装置(14)に対して実行されるテストから、書き込まれることとなる情報を取得するステップを更に含むことからなる、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記被験装置(14)がメモリであり、書き込まれることとなるワード内におけるビットが、メモリテストシステム内におけるチャネルを表しており、
ｍ個のバンクのｎ個のグループ(88〜90)内におけるアドレス指定可能な位置を、前記被験装置に提供されたアドレスから導出されたアドレスでアドレス指定するステップを更に含むことからなる、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記メモリ動作が読み出し動作であり、
前記グループ選択部分により識別されたグループのｍ個の全バンクの同じアドレスにおけるアドレス指定可能な位置から読み出しを行ってｍ個のワードを生成し、該ｍ個のワードをマージして(146)１つの最終的なワードを生成し、該最終的なワードを前記メモリ動作の結果として選択し、及び、該最終的なワードを該識別されたグループの前記ｍ個の全バンク内へと前記同じアドレスで書き込む、という各ステップを更に含むことからなる、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記最終的なワードが前記ｍ個の全バンク(113〜124)内へと書き込まれる時点に近接したフラグ(191)をセットし、及び、次の連続するメモリ動作が書き込み動作である前記ステップ(b)の後続するインスタンスで該フラグをクリアする、という各ステップを更に含むことからなる、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月18日(2007.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともＧｄ、Ｃｅ、Ａｌ、Ｇａ、Ｏから構成された酸化物であって、該酸化物の結晶構造がガーネット構造であり、原子比(Gd+Ce)/(Al+Ga+Gd+Ce)が0.375より大きく、0.44以下であり、原子比Ce/(Ce+Gd)が0.0005以上、0.02以下であることを特徴とする酸化物蛍光体。
【請求項２】
原子比Ga/(Al+Ga)が０より大きく、1.0未満であることを特徴とする請求項１の酸化物蛍光体。
【請求項３】
不純物相としてペロブスカイト構造を有することを特徴とする請求項１または２の酸化物蛍光体。
【請求項４】
Ｘ線回折測定によるペロブスカイト構造の主回折線の強度が、ガーネット構造の主回折線の強度に対して５０％以下であることを特徴とする請求項３の酸化物蛍光体。
【請求項５】
請求項１記載の酸化物蛍光体であって、その酸化物粉末は、材料粉末から、酸化物混合法、共沈法及び機械的な微細化法から選ばれる少なくとも一つの方法により合成したものであることを特徴とする酸化物蛍光体。
【請求項６】
請求項５記載の酸化物蛍光体であって、前記合成された酸化物粉末の結晶粒径が１．０μｍ以下であることを特徴とする酸化物蛍光体。
【請求項７】
請求項５記載の酸化物蛍光体であって、前記合成された酸化物粉末は、ホットプレス法、ＨＩＰ法、常圧焼結法、および常圧焼結法とＨＩＰ法との併用法から選ばれる少なくとも一つの方法により焼結されることを特徴とする酸化物蛍光体。
【請求項８】
請求項７記載の酸化物蛍光体であって、前記合成された酸化物粉末の焼結体は、相対密度が９９．０％以上であることを特徴とする酸化物蛍光体。
【請求項９】
請求項１ないし８記載の酸化物蛍光体の焼結体からなるシンチレータ。
【請求項１０】
セラミックスシンチレータと、該シンチレータの発光を検出するための光検出器を備えたＸ線検出器において、該セラミックスシンチレータとして請求項９に記載のシンチレータを用いたことを特徴とする放射線検出器。
【請求項１１】
Ｘ線源と、このＸ線源に対向して置かれたＸ線検出器と、これらＸ線源及びＸ線検出器を保持し、被検体の周りを回転駆動される回転円板と、前記Ｘ線検出器で検出されたＸ線の強度に基づいて前記被検体の断層像を画像再構成する画像再構成手段とを備えたＸ線ＣＴ装置において、該Ｘ線検出器として請求項１０に記載の放射線検出器を用いたことを特徴とするＸ線ＣＴ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月2日(2008.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  パネルのいずれかの側の騒音源からの騒音も減衰するための防音サンドイッチパネルであって、
対向する表面を有する心材層を含み、その心材層は多孔質材料であり、
パネルはさらに、その間に心材層を挟むように心材層の対向する表面に装着された１対の表面板を含み、各表面板は、表面板の外表面を規定する少なくとも１枚の繊維布を含む、騒音を減衰するための防音サンドイッチパネル。
【請求項２】  各表面板が、構造上の剛性をパネルに与えるために、心材に接合された構造層をさらに含み、その構造層が、その厚みを貫通して延びる開孔を有し、さらに繊維布のシートのそれと比べて、比較的小さな音響効果を有するように構成された、請求項１に記載の防音サンドイッチパネル。
【請求項３】  パネルのいずれかの側の騒音源からの騒音も減衰するための防音サンドイッチパネルであって、
対向する表面を有する金属ハニカム材料の心材層を含み、
心材層をその間に挟むように心材層の対向する表面に装着された１対の表面板を含み、各表面板は、心材層に接合された穿孔金属板と、穿孔板の外表面に装着された１枚の金属布とを含む、騒音を減衰するための防音サンドイッチパネル。
【請求項４】  各穿孔金属板が約２０から４０パーセントの開孔面積を有する、請求項３に記載の防音サンドイッチパネル。
【請求項５】  ダクトを有するノズル内の騒音抑制装置であって、
ダクト内に配列され、その円周について間隔をあけられた複数の放射状にスプリッタを含み、
各放射状のスプリッタは、対向する表面を有する心材層を含み、その心材層は、多孔質材料であり、
各放射状のスプリッタは、心材層をその間に挟むように、心材層の対向する表面に装着された１対の表面板を含み、各表面板は、表面板の外表面を規定する少なくとも１枚の繊維の布シートを含む、騒音抑制装置。
【請求項６】  各表面板が、構造上の剛性をパネルに与えるために、心材に接合された構造層をさらに含み、その構造層が、その厚みを貫通して延びる開孔を有し、さらに繊維布のシートのそれと比べて、比較的小さな音響効果を有するように構成された、請求項５に記載の装置。
【請求項７】  ノズルのダクト内の騒音抑制方法であって、
流れが、スプリッタの２つの対向する表面の両方にわたって起こるように、少なくとも１つのパネル状のスプリッタをダクト内に配置するステップを含み、
そのスプリッタは対向する表面を有する心材層を含み、その心材層は多孔質材料であり、
そのスプリッタはその間に心材層を挟むように、心材層の対向する表面に装着された１対の表面板を含み、各表面板は、表面板の外表面を規定する少なくとも１枚の繊維布を含む、騒音抑制方法。
【請求項８】  スプリッタがダクト内でほぼ放射状に配向される、請求項７に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年1月16日(2008.1.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】複数のピクセルを含む表示装置であって、
前記複数のピクセルの各々が、
第１配線と、
第２配線と、
前記第１配線及び前記第２配線と交差する第３配線と、
前記第１配線及び前記第２配線と交差する第４配線と、
前記第１配線及び前記第２配線と交差する第５配線と、
前記第１配線に制御され、前記第３配線からデータ信号が供給される第１トランジスタ
と、
前記第１トランジスタから供給される第１入力と、前記第２配線から供給される第２入
力とを入力し、前記第４配線から電位が供給される差動増幅器と、
前記差動増幅器と前記第１トランジスタとに接続され、前記第１入力を保持する容量と
、
前記差動増幅器からの出力を入力するインバータと、
前記インバータからの出力に制御され、前記第５配線から電位が供給される第２トラン
ジスタと、
前記第２トランジスタを介して前記第５配線から供給された電位により制御される有機
発光エレメントと、を有し、
前記第２入力が時間変化する信号であり、前記第２入力の電圧が前記第１入力の電圧よ
りも小さい状態から大きい状態に変化することで、前記有機発光エレメントをオフ状態に
するものである、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】請求項１に記載の表示装置において、
前記第１入力の電圧が前記第２入力の電圧よりも大きい場合、前記インバータからの出
力により前記第２トランジスタが制御され、前記有機発光エレメントがオン状態になるも
のである、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項３】請求項２に記載の表示装置において、
前記容量が保持する前記第１入力が前記データ信号であり、前記有機発光エレメントが
オン状態になる時間が前記容量によって制御されるものである、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項４】請求項１乃至３のいずれか一項に記載の表示装置において、
前記第５配線から供給される電位が前記複数のピクセルにおいて共通である、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項５】請求項１乃至４のいずれか一項に記載の表示装置において、
前記差動増幅器が第３トランジスタと、第４トランジスタと、第５トランジスタと、第
６トランジスタと、第７トランジスタと、を含み、
前記第３トランジスタが前記第４配線に接続し、
前記第４トランジスタが前記第２入力により制御され、
前記第５トランジスタが前記第１入力により制御され、
前記第６トランジスタと前記第７トランジスタのゲート電極が前記第５トランジスタに
接続されるものである、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項６】前記請求項１乃至５のいずれか一項に記載の表示装置を含む電子機器。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
本発明に係る表示装置の一態様は、複数のピクセルを含む表示装置であって、前記複数
のピクセルの各々が、第１配線と、第２配線と、前記第１配線及び前記第２配線と交差す
る第３配線と、前記第１配線及び前記第２配線と交差する第４配線と、前記第１配線及び
前記第２配線と交差する第５配線と、前記第１配線に制御され、前記第３配線からデータ
信号が供給される第１トランジスタと、前記第１トランジスタから供給される第１入力と
、前記第２配線から供給される第２入力とを入力し、前記第４配線から電位が供給される
差動増幅器と、前記差動増幅器と前記第１トランジスタとに接続され、前記第１入力を保
持する容量と、前記差動増幅器からの出力を入力するインバータと、前記インバータから
の出力に制御され、前記第５配線から電位が供給される第２トランジスタと、前記第２ト
ランジスタを介して前記第５配線から供給された電位により制御される有機発光エレメン
トと、を有し、前記第２入力が時間変化する信号であり、前記第２入力の電圧が前記第１
入力の電圧よりも小さい状態から大きい状態に変化することで、前記有機発光エレメント
をオフ状態にするものである、ことを特徴とする。
上記表示装置において、前記第１入力の電圧が前記第２入力の電圧よりも大きい場合、
前記インバータからの出力により前記第２トランジスタが制御され、前記有機発光エレメ
ントがオン状態になるものである、ことが好ましい。また、前記容量が保持する前記第１
入力が前記データ信号であり、前記有機発光エレメントがオン状態になる時間が前記容量
によって制御されるものである、ことが好ましい。また、前記第５配線から供給される電
位が前記複数のピクセルにおいて共通である、ことが好ましい。また、前記差動増幅器が
第３トランジスタと、第４トランジスタと、第５トランジスタと、第６トランジスタと、
第７トランジスタと、を含み、前記第３トランジスタが前記第４配線に接続し、前記第４
トランジスタが前記第２入力により制御され、前記第５トランジスタが前記第１入力によ
り制御され、前記第６トランジスタと前記第７トランジスタのゲート電極が前記第５トラ
ンジスタに接続されるものである、ことが好ましい。  
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
差動段１６は、ＶＤＤレールとグランドとの間に接続されているトランジスタＴ３，Ｔ
４及びＴ６のドレーン・ソース直列接続回路と、同様に接続されているトランジスタＴ３
，Ｔ５及びＴ７の回路とを含んでおり、トランジスタＴ５及びＴ７はトランジスタＴ４及
びＴ６と並列に接続されている。トランジスタＴ４及びＴ５のそれぞれのゲートは比較器
１２の２つの入力端子（＋）、（−）を提供し、トランジスタＴ３のゲートはバイアス電
圧ＶＢＩＡＳを受け取る。出力段１８は２つのトランジスタＴ８及びＴ９を含み、それは
ＶＤＤレールとグランドとの間に接続されているソース・ドレーン直列である。該比較器
の出力VＯＵＴはトランジスタＴ８及びＴ９の間の結線からとられ、そのゲートはそこで
トランジスタＴ４及びＴ６の間の接合点から入力を受け取る。図２に図解されている回路
は７個のＴＦＴを使用する。Ｔ１及びＴ２のためにそれぞれのＴＦＴを使用するとピクセ
ルあたりの総計を９にする。図解されているように、ＴＦＴ Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３、Ｔ４，
Ｔ５及びＴ８はｐ型であり、ＴＦＴ Ｔ６，Ｔ７及びＴ９はｎ型である。これらのＴＦＴ
の全てと、記憶容量と、ＯＬＥＤ及び接続導線の全てとは、１ピクセルの領域内に収容さ
れなければならない。通常はピクセル領域は７０．５μｍ２であり、０ＥＬＤ（図３では
”ＬＥＰ”と表示されている）には３０μｍ２直径の円形領域が割り当てられる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
前記の有機エレクトロルミネッセント表示装置を用いる幾つかの電子機器について次に
説明する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月11日(2008.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性表面を有する基板と、
前記導電性表面上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された画素ＴＦＴの活性領域となる半導体膜と、
前記画素ＴＦＴの活性領域となる半導体膜と電気的に接続された配線と、を有し、
前記導電性表面、前記絶縁膜および前記配線により容量が構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記基板は、可撓性を有する金属基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
基板と、
基板上に形成された金属膜と、
前記金属膜上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された画素ＴＦＴの活性領域となる半導体膜と、
前記画素ＴＦＴの活性領域となる半導体膜と電気的に接続された配線と、を有し、
前記金属膜、前記絶縁膜および前記配線により容量が構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
基板と、
基板上に形成された導電性を有する半導体膜と、
前記導電性を有する半導体膜上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された画素ＴＦＴの活性領域となる半導体膜と、
前記画素ＴＦＴの活性領域となる半導体膜と電気的に接続された配線と、を有し、
前記導電性を有する半導体膜、前記絶縁膜および前記配線により容量が構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
導電性表面を有する基板と、
前記導電性表面上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された画素ＴＦＴと、
前記画素ＴＦＴ上に形成された第１層間絶縁膜と、
前記第１層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールと、を有し、
前記コンタクトホールを介して前記画素ＴＦＴの活性領域となる半導体膜と電気的に接続された配線が、前記下地絶縁膜上及び前記第１層間絶縁膜上に形成されており、
前記配線上には、第２層間絶縁膜が形成されており、
前記第２層間絶縁膜上には、前記配線と電気的に接続された画素電極が形成されており、
前記導電性表面、前記絶縁膜および前記配線により容量が構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記容量が構成されている箇所の前記絶縁膜の膜厚は、前記画素ＴＦＴの活性領域となる半導体膜の下に形成されている前記絶縁膜の膜厚よりも薄いことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
導電性表面を有する基板上に、下地絶縁膜を形成し、
前記下地絶縁膜上に、画素ＴＦＴを形成し、
前記画素ＴＦＴ上に、第１層間絶縁膜を形成し、
前記第１層間絶縁膜に、前記画素ＴＦＴの活性領域となる半導体膜に達するコンタクトホールと、前記下地絶縁膜に達する開口部と、を形成し、
前記下地絶縁膜上及び前記第１層間絶縁膜上に、前記コンタクトホールを介して前記画素ＴＦＴの活性領域となる半導体膜と電気的に接続される配線を形成することによって、前記導電性表面、前記下地絶縁膜および前記配線により容量を構成し、
前記配線上に、選択的に第２層間絶縁膜を形成し、
前記第２層間絶縁膜上に、前記配線と電気的に接続される画素電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記下地絶縁膜に達する開口部を形成する際、前記下地絶縁膜表面をエッチングすることによって、前記配線の下の前記下地絶縁膜の膜厚を、前記画素ＴＦＴの活性領域となる半導体膜の下の前記下地絶縁膜の膜厚より薄くすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項７又は請求項８において、
前記基板は、可撓性を有する金属基板であり、
前記金属基板を基板ホルダーに固定して、前記下地膜を形成する工程から前記画素電極を形成する工程までを行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項７乃至請求項９のいずれか一項において、
前記配線及び前記第１層間絶縁膜を覆う絶縁膜を形成した後、前記配線が露呈するまで前記絶縁膜をエッチバックすることによって、前記第２層間絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月10日(2008.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  折り曲げられた光軸を有し面形状の変化する反射鏡と、前記反射鏡を駆動する駆動回路と、光学素子を有し、前記反射鏡の面形状がある状態で回転非対称であり、前記反射鏡の光学面には光線が斜入射し、光学系の最も光線入射側の光学面が、結像面に対して固定されており、かつ、前記光学素子は光学系の変倍時に移動することを特徴とする光学装置。
【請求項２】  変倍時に変倍に伴うピント位置ずれを補正すべく前記反射鏡が変形することを特徴とする請求項１記載の光学装置。
【請求項３】  前記光学素子は回転対称面だけを有することを特徴とする請求項１又は２記載の光学装置。
【請求項４】  前記移動する光学素子が１群だけであることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項記載の光学装置。
【請求項５】  前記反射鏡の面形状が、少なくともある状態で下記の式（１２）又は式（１３）を満たすことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項記載の光学装置。
０≦｜ＰI ／ＰTOT ｜＜１０００                      ・・・（１２）
０≦｜ＰV ／ＰTOT ｜＜１０００                      ・・・（１３）
ここで、ＰI は前記反射鏡の光軸近傍の主曲率半径の中、入射面に近い方の主曲率半径の逆数、ＰV は前記反射鏡の光軸近傍の主曲率半径の中、入射面に遠い方の主曲率半径の逆数、ＰTOT ＝１／ｆTOT であり、ｆTOT は全系の焦点距離である。
【請求項６】  前記反射鏡の面形状が、少なくともある状態で下記の式（１４）又は式（１５）を満たすことを特徴とする請求項１〜５の何れか１項記載の光学装置。
０．００００１＜｜ΔＰI ／ＰTOT ｜＜１０００        ・・・（１４）
０．００００１＜｜ΔＰV ／ＰTOT ｜＜１０００        ・・・（１５）
ここで、ΔＰI 、ΔＰV はそれぞれＰI 、ＰV の変化量であって、ＰI は前記反射鏡の光軸近傍の主曲率半径の中、入射面に近い方の主曲率半径の逆数、ＰV は前記反射鏡の光軸近傍の主曲率半径の中、入射面に遠い方の主曲率半径の逆数、ＰTOT ＝１／ｆTOT であり、ｆTOT は全系の焦点距離である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２８７】
ただし、光学系に高性能を要求しない用途では、Δは１０ｍｍ以内であればよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４６６】
また、形状可変ミラー１１５の位置を移動させることで変倍作用を持たせることも可能である。さらに、形状可変ミラー１１５の位置を移動させることと、その面形状を変化させることで、変倍作用、フォーカシング作用、製造誤差の補正作用を併せ持つようにすることも可能である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４９７】
この実施例の数値データは後記するが、像高は２．８２ｍｍで、Ｆナンバーは２．７７〜４．０５、焦点距離は４．５８ｍｍ〜８．９４ｍｍで、画角は７２．８°〜３４．６°である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０５５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０５５４】
（実施例Ａ）
可変ミラー                      １          ２    
状態                        ＴＥ−ＷＥ  ＴＥ−ＷＥ
光束通過部分の形状                1.63×1.7    3.6×3.6 
の楕円形    の正方形
Δ                                0.0016      0.0740
（１／５）×Ｄ                      0.332       0.8   
Ｈ                                0.04        0.042 
ＨＪ／ＨＫ                        0.952             
φ                                27          40    
ＰI                              -0.0361      0.0757
ＰV                              -0.0359      0.1029
ΔＰI                            -0.0361     -0.0757
ΔＰV                            -0.0359     -0.1029
｜ＰI ／（ＰV ｃｏｓφ）｜          1.1273      0.9604
｜ＰI ／ＰTOT ｜                    0.2094      0.4392
｜ＰV ／ＰTOT ｜                    0.2085      0.5969
｜ΔＰI ／ＰTOT ｜                  0.2094      0.4392
｜ΔＰV ／ＰTOT ｜                  0.2085      0.5969              。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０５７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０５７９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、例えば光学特性、例えば焦点距離の変わる光学素子を実現でき、それらを活用することで、機械的な光学素子の移動を行うことなく、フォーカシング機能、ズーミング機能、小型化、ブレ防止、各種補正等を実現できる光学装置を実現することができる。また、フォトニック結晶を用いることで、より優れたＨＭＤを実現することができる。また、本発明によれば、光学素子、光学系の形状、偏心、あるいは、光学素子の屈折率、屈折率分布等の測定を行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月20日(2007.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  像担持体と、前記像担持体に対向する位置に配設された露光手段と、前記像担持体の長手方向両端部近傍に配設された左右側板とを有する画像形成装置において、
前記左右側板をプレス板金で構成するとともに、前記左右側板に同一のプレス金型で且つ抜きバリ方向を同一方向として第１及び第２の開口部を加工し、前記像担持体を前記左右側板の第１の開口部端面に突き当てることによって位置決めし、前記露光手段を前記左右側板の第２の開口部端面に突き当てることによって位置決めするようにしたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】  前記像担持体を複数配設し、各像担持体に対してそれぞれ露光手段を配置したことを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項３】  前記左右側板の一方をプレス加工した後に他方をプレス加工し、その両方をペアで管理して使用することを特徴とする請求項１又は２記載の画像形成装置。
【請求項４】  前記像担持体を感光ドラムで構成し、前記感光ドラムとこれの周辺に配置された帯電手段、現像手段及びクリーニング手段をカートリッジとして一体化し、前記カートリッジをその長手方向と直交する方向で前記露光手段と逆方向に着脱自在としたことを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の画像形成装置
【請求項５】  像担持体に接する転写ベルトと、前記転写ベルトの下方に配置された給紙搬送部と、前記転写ベルトの上方に配置された定着部とを有することを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の画像形成装置。
【請求項６】  前記第１及び第２の開口部の加工は、前工程で小さめの開口部を加工し、後工程で板厚の５〜１００％の抜き代を抜く加工を行うことによってなされることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の画像形成装置。
【請求項７】  像担持体と、前記像担持体に対向する位置に配設された露光手段と、前記像担持体の長手方向両端部近傍に配設された左右側板とを有する画像形成装置において、
前記左右側板に像担持体及び露光手段を位置決めするための位置決め部材を取り付け、前記位置決め部材をプレス加工により複数の開口部が形成された同一部品で構成し、前記像担持体及び露光手段を前記位置決め部材の開口部に突き当てることによって位置決めするようにしたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項８】  前記左右の位置決め部材を共通とするとともに、前記位置決め部材は加工した順序から左側板用、右側板用と交互に振り分け、順番が前後となるペアを組み立てて製品とすることを特徴とする請求項７記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、像担持体と、前記像担持体に対向する位置に配設された露光手段と、前記像担持体の長手方向両端部近傍に配設された左右側板とを有する画像形成装置において、前記左右側板をプレス板金で構成するとともに、前記左右側板に同一のプレス金型で且つ抜きバリ方向を同一方向として第１及び第２の開口部を加工し、前記像担持体を前記左右側板の第１の開口部端面に突き当てることによって位置決めし、前記露光手段を前記左右側板の第２の開口部端面に突き当てることによって位置決めするようにしたことを特徴とする。
また本発明は、像担持体と、前記像担持体に対向する位置に配設された露光手段と、前記像担持体の長手方向両端部近傍に配設された左右側板とを有する画像形成装置において、前記左右側板に像担持体及び露光手段を位置決めするための位置決め部材を取り付け、前記位置決め部材をプレス加工により複数の開口部が形成された同一部品で構成し、前記像担持体及び露光手段を前記位置決め部材の開口部に突き当てることによって位置決めするようにしたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、加工限界を考えることなく、低コストで複数の作像系（像担持体、露光手段）を高精度に位置決めすることができるという効果が得られる。