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【手続補正書】
【提出日】平成19年12月10日(2007.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】    【請求項１】光を電気信号に変換する撮像素子と、前記撮像素子に被写体光を集光する撮影レンズ部材と、前記撮像素子を搭載する基板と、一端が前記撮影レンズ部材に固定され、他の一端が前記基板に固定された可撓部材とを備えることを特徴とする撮影装置。    【請求項２】請求項１に記載の撮影装置において、前記基板と前記撮影レンズ部材との前記撮影レンズ部材の光軸に略垂直な方向の相対位置をシフトさせるシフト駆動部材をさらに備えることを特徴とする撮影装置。    【請求項３】請求項２に記載の撮影装置において、前記シフト駆動部材は、前記撮影レンズ部材を光軸とは略垂直な方向に電磁力によって移動させるとともに、前記基板は電気回路基板であり、前記可撓部材は導電性を有し、前記シフト駆動部材と前記電気回路基板とを電気的に接続することを特徴とする撮影装置。    【請求項４】請求項２または３に記載の撮影装置において、前記シフト駆動部材は、前記撮影レンズ部材と一体的に移動する電磁石と、前記基板に固定された永久磁石とで構成されることを特徴とする撮影装置。    【請求項５】請求項２または３に記載の撮影装置において、前記シフト駆動部材は、前記撮影レンズ部材と一体的に移動する電磁石と、前記基板に固定された電磁石とで構成されることを特徴とする撮影装置。    【請求項６】請求項２または３に記載の撮影装置において、前記シフト駆動部材は、前記撮影レンズ部材と一体的に移動する永久磁石と、前記基板に固定された電磁石とで構成されることを特徴とする撮影装置。    【請求項７】請求項２または３に記載の撮影装置において、前記基板に固定され、前記撮影装置の振れに応じた電気信号を出力する振れ検出センサーと、前記振れ検出センサーの出力に応じて前記シフト駆動部材を駆動制御する防振制御部とを備えることを特徴とする撮影装置。    【請求項８】請求項７に記載の撮影装置において、前記基板に固定され、前記撮影レンズ部材のシフト移動位置に応じた電気信号を出力する位置検出センサーを備え、前記防振制御部は、前記振れ検出センサー及び前記位置検出センサーの出力に応じて前記シフト駆動部材を駆動制御する事を特徴とする撮影装置。    【請求項９】請求項１に記載の撮影装置において、前記可撓部材は細長い棒状の部材であり、長手方向と垂直な方向への可撓性を備えることを特徴とする撮影装置。    【請求項１０】請求項９に記載の撮影装置において、前記可撓部材は金属ワイヤであることを特徴とする撮影装置。    【請求項１１】請求項１に記載の撮影装置において、前記撮影レンズ部材は、撮影レンズ部と該撮影レンズを保持する保持部とからなることを特徴とする撮影装置。    【請求項１２】請求項１１に記載の撮影装置において、前記撮影レンズと前記保持部は一体的に樹脂成型されることを特徴とする撮影装置。    【請求項１３】請求項１に記載の撮影装置において、前記撮影レンズ部材と前記可撓部材が一体的に樹脂成形されることを特徴とする撮影装置。    【請求項１４】請求項２に記載の撮影装置において、前記シフト駆動部材は、前記基板を撮影レンズ部材の光軸とは略垂直な方向に電磁力によって移動させることを特徴とする撮影装置。    【請求項１５】請求項７に記載の撮影装置において、前記撮影レンズ部材に設けられた第１の部材と、前記基板に設けられた第２の部材とを有し、前記撮影レンズ部材の位置を検出する位置検出センサーを備えたことを特徴とする撮影装置。    【請求項１６】請求項１５に記載の撮影装置において、前記撮像素子と前記振れ検出センサーとの距離は、前記撮像素子と前記第２の部材との距離よりも長いことを特徴とする撮影装置。【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】請求項４に記載の発明では、請求項２または３に記載の撮像装置において、前記シフト駆動部材は、前記撮影レンズ部材と一体的に移動する電磁石と、前記基板に固定された永久磁石とで構成されることを特徴とする。請求項５に記載の発明では、請求項２または３に記載の撮像装置において、前記シフト駆動部材は、前記撮影レンズ部材と一体的に移動する電磁石と、前記基板に固定された電磁石とで構成されることを特徴とする。【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】請求項６に記載の発明では、請求項２または３に記載の撮像装置において、前記シフト駆動部材は、前記撮影レンズ部材と一体的に移動する永久磁石と、前記基板に固定された電磁石とで構成されることを特徴とする。請求項７に記載の発明では、請求項２または３に記載の撮像装置において、前記基板に固定され、前記撮影装置の振れに応じた電気信号を出力する振れ検出センサーと、前記振れ検出センサーの出力に応じて前記シフト駆動部材を駆動制御する防振制御部とを備えることを特徴とする。【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】請求項１３に記載の発明では、請求項１に記載の撮像装置において、前記撮影レンズ部材と前記可撓部材が一体的に樹脂成形されることを特徴とする。請求項１４に記載の発明では、請求項２に記載の撮影装置において、前記シフト駆動部材は、前記基板を撮影レンズ部材の光軸とは略垂直な方向に電磁力によって移動させることを特徴とする。請求項１５に記載の発明では、請求項７に記載の撮影装置において、前記撮影レンズ部材に設けられた第１の部材と、前記基板に設けられた第２の部材とを有し、前記撮影レンズ部材の位置を検出する位置検出センサーを備えたことを特徴とする。請求項１６に記載の発明では、請求項１５に記載の撮影装置において、前記撮像素子と前記振れ検出センサーとの距離は、前記撮像素子と前記第２の部材との距離よりも長いことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月7日(2008.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影画面内の複数の焦点検出エリアにおいて撮影レンズの焦点調節状態を検出する焦点検出手段と、
前記複数の焦点検出エリアから少なくとも１個の焦点検出エリアを選択する選択手段と、
前記撮影レンズによる像を光学的に観察するためのファインダーと、
前記複数の焦点検出エリアを複数のグループに分け、該グループごとに表示パターンを設定し、前記選択手段によって選択された焦点検出エリアが含まれるグループの前記表示パターンを前記ファインダーの像に重畳して表示するファインダー画面上表示手段とを備えることを特徴とするオートフォーカスカメラ。
【請求項２】
請求項１に記載のオートフォーカスカメラにおいて、
前記ファインダー画面上表示手段は、近接する複数の焦点検出エリアを１つのグループにまとめ、該グループごとに前記表示パターンを設定することを特徴とするオートフォーカスカメラ。
【請求項３】
請求項１に記載のオートフォーカスカメラにおいて、
前記ファインダー画面上表示手段は、重なり合う複数の焦点検出エリアを１つのグループにまとめ、該グループごとに前記表示パターンを設定することを特徴とするオートフォーカスカメラ。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載のオートフォーカスカメラにおいて、
前記複数の焦点検出エリアのそれぞれに表示パターンを設定し、前記選択手段によって選択された焦点検出エリアの前記表示パターンを前記ファインダーの像と独立して表示する外部表示手段を備えることを特徴とするオートフォーカスカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
一実施の形態を示す図２および図４に対応づけて本発明を説明すると、
（１）  請求項１の発明は、撮影画面内の複数の焦点検出エリアCH,CV,CL,CR,LH,LV,RH,RV,TH,BHにおいて撮影レンズの焦点調節状態を検出する焦点検出手段と、複数の焦点検出エリアCH,CV,CL,CR,LH,LV,RH,RV,TH,BHから少なくとも１個の焦点検出エリアを選択するエリア選択手段と、撮影レンズによる像を光学的に観察するためのファインダーと、複数の焦点検出エリアCH,CV,CL,CR,LH,LV,RH,RV,TH,BHを複数のグループに分け、該グループごとに表示パターンFC,FL,FR,FT,FBを設定し、選択手段によって選択された焦点検出エリアが含まれるグループの表示パターンをファインダーの像に重畳して表示するファインダー画面上表示手段（図４(ｂ)参照）とを備える。
（２）  請求項２のオートフォーカスカメラは、ファインダー画面上表示手段によって、近接する複数の焦点検出エリアCH,CL,CVを１つのグループにまとめ、該グループごとに表示パターンを設定するようにしたものである。
（３）  請求項３のオートフォーカスカメラは、ファインダー画面上表示手段によって、重なり合う複数の焦点検出エリアCHとCV、LHとLV、RHとRVをそれぞれ１つのグループにまとめ、該グループごとに表示パターンを設定するようにしたものである。
（４） 請求項４のオートフォーカスカメラは、複数の焦点検出エリアCH,CV,CL,CR,LH,LV,RH,RV,TH,BHのそれぞれに表示パターンPCH,PCL,PCR,PCV,PLH,PLV,PRH,PRV,PTH,PBHを設定し、選択手段によって選択された焦点検出エリアの表示パターンをファインダーの像と独立して表示する外部表示手段を備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の目的は、複数の焦点検出エリアの内の選択エリアを最適な形態で表示するようにしたフォートフォーカスカメラを提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
【発明の効果】
（１）  以上説明したように請求項１の発明によれば、複数の焦点検出エリアの中から選択された焦点検出エリアの位置を表示するのに、ファインダー画面上表示では、複数の焦点検出エリアを複数のグループに分けて各グループごとに表示パターンを設定し、選択エリアが含まれるグループの表示パターンをファインダー画像に重畳して表示するようにしたので、コストを増加させることなくファインダー画面上表示を実現でき、撮影時にファインダー画面上表示によって選択エリアの位置を大まかに視認できる。
（２）  請求項２の発明によれば、近接する複数の焦点検出エリアを１つのグループにまとめてファインダー画面上表示を行うようにしたので、複数の焦点検出エリアの中に互いに近接したエリアがあっても、コストを増加させることなくファインダー画面上で大まかな選択エリアの位置を視認できる。
（３）  請求項３の発明によれば、重なり合う複数の焦点検出エリアを１つのグループにまとめてファインダー画面上表示を行うようにしたので、複数の焦点検出エリアの中に重なり合ったエリアがあっても、コストを増加させることなくファインダー画面上で大まかな選択エリアの位置を視認できる。
（４） 請求項４の発明によれば、外部表示では、複数の焦点検出エリアのそれぞれに表示パターンを設定し、選択エリアの表示パターンをファインダーの外部に表示するようにしたので、外部表示により撮影者に詳細な選択エリア情報を提供でき、撮影者は外部表示を見ながら所望の焦点検出エリアを確実に選択することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月27日(2007.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光学素子の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  支持基板上に複数の画素と、隣接する画素間に位置する隔壁とを少なくとも有する光学素子の製造方法であって、支持基板上に感光性樹脂組成物層を形成し、パターン露光、現像して隔壁パターンを形成する工程と、上記隔壁パターンに光照射処理を施す工程と、光照射した隔壁パターンに加熱処理を施して硬化させ、隔壁を形成する工程と、上記支持基板に親インク化処理を施す工程と、上記隔壁にフッ素化処理を施す工程と、上記支持基板表面に水を接触させるインク拡がり性改善処理を施す工程と、インクジェット方式により上記隔壁で囲まれた領域にインクを付与して画素を形成する工程と、を少なくとも有することを特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項２】  上記隔壁パターンの形成工程が、液状レジスト或いはフィルムレジストを用い、フォトリソグラフィ法による工程である請求項１に記載の光学素子の製造方法。
【請求項３】  上記隔壁パターンの光照射処理が、支持基板の両面から光を照射する請求項１または２に記載の光学素子の製造方法。
【請求項４】  上記親インク化処理が、酸素、アルゴン、ヘリウムのうちから選択される少なくとも１種を含むガスを導入し、減圧雰囲気下或いは大気圧雰囲気下で支持基板にプラズマ照射を行うドライエッチング処理である請求項１〜３のいずれかに記載の光学素子の製造方法。
【請求項５】  上記フッ素化処理が、少なくともフッ素原子を含有するガスを導入してプラズマ照射を行うプラズマ処理である請求項１〜４のいずれかに記載の光学素子の製造方法。
【請求項６】  上記プラズマ処理で導入するガスがＣＦ4、ＳＦ6、ＣＨＦ3、Ｃ2Ｆ6、Ｃ3Ｆ8、Ｃ5Ｆ8から選択される少なくとも１種のハロゲンガスとＯ2ガスとの混合ガスであり、Ｏ2の混合比率が３０％以下である請求項５に記載の光学素子の製造方法。
【請求項７】  上記インク拡がり性改善処理が、支持基板に水を接触させながら、超音波を照射する処理である請求項１〜６のいずれかに記載の光学素子の製造方法。
【請求項８】  上記隔壁を黒色感光性樹脂組成物で形成する請求項１〜７のいずれかに記載の光学素子の製造方法。
【請求項９】  上記インクが少なくとも硬化成分、水、有機溶剤を含有する請求項１〜８のいずれかに記載の光学素子の製造方法。
【請求項１０】  上記インクが着色剤を含有し、画素が着色部であるカラーフィルタを製造する請求項９に記載の光学素子の製造方法。
【請求項１１】  上記インクが発光材料を含有し、画素が発光層であるエレクトロルミネッセンス素子を製造する請求項９に記載の光学素子の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月27日(2007.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  
中心軸から外周部に向かって屈折率が連続的に減少している屈折率分布を有するプラスチックロッドレンズであって、
中心軸に垂直な断面において、
半径ｒが０．０８ｍｍ以上０．２ｍｍ未満であり、
少なくとも中心軸から０．３ｒと０．７ｒとの間の範囲における屈折率分布が、下記式（１）
ｎ（Ｌ）＝ｎ0｛１−（ｇ2／２）ｒ2｝      （１）
（式中、ｎ0はロッドレンズの中心軸における屈折率であり、Ｌはロッドレンズの中心軸からの距離（０≦Ｌ≦ｒ）であり、ｇはロッドレンズの屈折率分布定数であり、ｎ（Ｌ）はロッドレンズの中心軸からの距離Ｌの位置における屈折率である。）
で規定される２次曲線で近似される分布を有しており、
前記式（１）で示される屈折率分布定数ｇは、５２５ｎｍの波長において、
０．７ｍｍ-1≦ｇ≦２．０ｍｍ-1、及び
０．１≦ｇ・ｒ≦０．２
を満たしており、さらに
波長λｎｍの光に対するロッドレンズの共役長をＴｃ（λ）
としたとき、
Ｔｃ（６３０）−Ｔｃ（４７０）≦０．８ｍｍ、及び
Ｔｃ（５２５）≦１２ｍｍ
を満たしており、
外周面から中心軸に向かう８０μｍ以内の範囲であって中心軸から０．６ｒ以上外側の範囲内に、可視光および近赤外光の領域のうち少なくとも一部の波長域の光を吸収する光吸収剤を含有する層が形成されていることを特徴とするプラスチックロッドレンズ。
【請求項２】  ロッドレンズの中心軸から外周部に向かう０〜０．８ｒの範囲でアッベ数が最も高い部位と最も低い部位とのアッベ数差が２以下であり、かつ、
該ロッドレンズが、脂環式基含有（メタ）アクリレート単位を有する重合体、メチルメタクリレート単位を有する重合体、及びフッ素化アルキルメタクリレート単位を有する重合体を含むことを特徴とする請求項１に項に記載のプラスチックロッドレンズ。
【請求項３】  脂環式基がトリシクロ［５．２．１．０2,6］デカニル基で
ある請求項２に記載のプラスチックロッドレンズ。
【請求項４】  フッ素化アルキルメタクリレートがオクタフルオロペンチルメタクリレートである請求項２又は３に記載のプラスチックロッドレンズ。
【請求項５】  請求項１〜４のいずれか１項に記載のプラスチックロッドレンズを１列以上に平行配列してなるロッドレンズアレイ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、中心軸から外周部に向かって屈折率が連続的に減少している屈折率分布を有するプラスチックロッドレンズであって、中心軸に垂直な断面において、
半径ｒが０．０８ｍｍ以上０．２ｍｍ未満であり、
少なくとも中心軸から０．３ｒと０．７ｒとの間の範囲における屈折率分布が、下記式（１）
ｎ（Ｌ）＝ｎ0｛１−（ｇ2／２）ｒ2｝      （１）
（式中、ｎ0はロッドレンズの中心軸における屈折率であり、Ｌはロッドレンズの中心軸からの距離（０≦Ｌ≦ｒ）であり、ｇはロッドレンズの屈折率分布定数であり、ｎ（Ｌ）はロッドレンズの中心軸からの距離Ｌの位置における屈折率である。）
で規定される２次曲線で近似される分布を有しており、
前記式（１）で示される屈折率分布定数ｇは、５２５ｎｍの波長において、
０．７ｍｍ-1≦ｇ≦２．０ｍｍ-1、及び
０．１≦ｇ・ｒ≦０．２
を満たしており、さらに
波長λｎｍの光に対するロッドレンズの共役長をＴｃ（λ）
としたとき、
Ｔｃ（６３０）−Ｔｃ（４７０）≦０．８ｍｍ、及び
Ｔｃ（５２５）≦１２ｍｍ
を満たしており、
外周面から中心軸に向かう８０μｍ以内の範囲であって中心軸から０．６ｒ以上外側の範囲内に、可視光および近赤外光の領域のうち少なくとも一部の波長域の光を吸収する光吸収剤を含有する層が形成されていることを特徴とするプラスチックロッドレンズに関する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月6日(2008.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体材料で形成された螺旋形を有する導線を有するアンテナの製造方法であって、
プリントは、螺旋金型を押圧すること、及び、前記プリントにおいて前記導体材料を被着することによって形成されることによって、電気的絶縁材要素の一側上に浮き彫りに形成される、ことを特徴とする、
アンテナの製造方法。
【請求項２】
前記電気的絶縁材要素は、モールド成型又は形成によって取得されることを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記導電要素は、前記絶縁要素に金属材料を被着することによって形成されることを特徴する、請求項１又は２のうちいずれか一項記載の方法。
【請求項４】
前記絶縁要素が、発泡体であることを特徴とする、請求項１乃至３のうちいずれか一項記載の方法。
【請求項５】
前記プリントを形成する螺旋金型は、製造する前記アンテナのひな型であることを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記導線は、ステンシルを用いて前記プリントに金属粒子を吹き付けることによって被着されることを特徴とする、請求項１乃至５のうちいずれか一項記載の方法。
【請求項７】
前記ステンシルは、前記支持面の前記浮き彫りに対応する浮き彫りを有することを特徴とする、請求項６記載の方法。
【請求項８】
ヘリカルアンテナは、請求項１乃至７のうちいずれか一項記載の製造方法によって製造されることを特徴とする、ヘリカルアンテナ。
【請求項９】
アンテナのネットワークは、請求項１乃至７のうちいずれか一項記載の製造方法によって製造されることを特徴とする、ネットワーク。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月28日(2008.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アナログ入力信号から得られたアナログ信号をろ波するように構成されたアナログ帯域ループ・フィルタであって、中心帯域周波数を有するアナログ帯域ループ・フィルタと、
前記ループ・フィルタからの前記ろ波されたアナログ信号をサンプリング周波数でサンプリングして、一連のデジタル信号を生成するように構成された量子化器と、
ディジタル−アナログ変換器とを備えた、アナログ入力信号を変換するためのデルタ−シグマ・アナログ−デジタル変換器を備えた装置であって、
前記一連のデジタル信号が、前記アナログ入力信号のデータ搬送周波数スペクトルの鏡像であるデータ搬送周波数スペクトルを有し、前記一連のデジタル信号のデータ搬送スペクトルが、前記中心帯域周波数とゼロの間にあり、
アナログ信号の各々が、０．５以下のデューティ・サイクルを持ち、該サンプリングで生成される該一連のデジタル信号の１つに対応するように、該ディジタル−アナログ変換器は、該サンプリング周波数で一連のアナログ帰還信号を生成するように構成される装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置において、前記サンプリング周波数がｆsであり、前記ループ・フィルタの前記中心帯域周波数がｆcであり、さらにｆs＝（４／３）ｆc±１０％である装置。
【請求項３】
請求項１に記載の装置において、前記ループ・フィルタが４以上の次数を有する装置。
【請求項４】
請求項１に記載の装置において、前記デジタル信号を受け取るように結合され、かつ前記ループ・フィルタの帯域周波数の低い方の端より上の周波数を除去するように構成されたデジタル復調器をさらに備える装置。
【請求項５】
請求項１に記載の装置において、
前記アナログ帯域ループ・フィルタが、前記アナログ帰還信号をアナログ入力信号と順次に結合して前記アナログ入力信号から得られたアナログ信号をろ波するように構成されている装置。
【請求項６】
データ搬送帯域を有するアナログ入力信号をデルタ−シグマ・アナログ−デジタル変換器に送って、前記アナログ入力信号を、データ搬送帯域を有する一連のデジタル信号に変換する工程と、
アナログ信号を中心帯域周波数を有するループ・フィルタでろ波する工程と、
前記ろ波されたアナログ信号をサンプリングして、前記一連のデジタル信号を生成する工程と、
前記一連のデジタル出力信号のデジタル−アナログ変換を行なって、０．５以下のデューティ・サイクルを持つアナログ帰還信号を順次に生成する工程と、
前記アナログ帰還信号をアナログ入力信号と順次に結合することにより前記ループ・フィルタでろ波して、前記アナログ信号を生成する工程とを含む方法であって、
前記一連のデジタル信号が、前記アナログ入力信号のデータ搬送周波数スペクトルの鏡像であるデータ搬送周波数スペクトルを有し、前記一連のデジタル信号のデータ搬送スペクトルが、前記中心帯域周波数とゼロの間にある方法。  
【請求項７】
請求項６に記載の方法において、前記ループ・フィルタが、４以上の次数を有する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月17日(2007.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に撥液性の溶液を用いて第１の膜を形成し、
前記第１の膜の一部にレーザビームを照射して当該照射した領域を親液性の領域とする第２の膜にし、
前記第２の膜の親液性の領域に液滴吐出法により導電材料を吐出してソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極上に半導体層、ゲート絶縁膜及びゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
透光性を有する基板上にゲート電極、絶縁膜、半導体層を順に積層して形成し、
前記絶縁膜及び前記半導体層の表面に撥液性を有する領域を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして、前記基板の裏面側からレーザビームを照射して前記撥液性を有する領域の一部を親液性に改質し、
前記ゲート電極上方の撥液性を有する領域の両端の前記親液性を有する領域上に、液滴吐出法により導電材料を吐出してソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極をマスクとして、前記半導体層の一部をエッチングしてソース領域及びドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
透光性を有する基板上に液滴吐出法により導電性材料を吐出して第１の膜パターンを形成し、
前記第１の膜パターン上に感光性材料を吐出又は塗布し、
前記第１の膜パターン及び前記感光性材料が重畳する領域に第１のレーザビームを照射し現像してマスクパターンを形成し、
前記マスクパターンをマスクとして前記第１の膜パターンをエッチングして、ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に撥液性を有する領域を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして、前記基板の裏面側から第２のレーザビームを照射して前記撥液性を有する領域の一部を親液性に改質し、
前記ゲート電極上方の撥液性を有する領域の両端の前記親液性を有する領域上に、液滴吐出法により導電材料を吐出してソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極上に半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
透光性を有する基板上に液滴吐出法により導電性材料を吐出して第１の膜パターンを形成し、
前記第１の膜パターン上に感光性材料を吐出又は塗布し、
前記第１の膜パターン及び前記感光性材料が重畳する領域に第１のレーザビームを照射し現像してマスクパターンを形成し、
前記マスクパターンをマスクとして前記第１の膜パターンをエッチングして、ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に半導体層を形成し、
前記絶縁膜及び前記半導体層の表面に撥液性を有する領域を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして、前記基板の裏面側から第２のレーザビームを照射して前記撥液性を有する領域の一部を親液性に改質し、
前記ゲート電極上方の撥液性を有する領域の両端の前記親液性を有する領域上に、液滴吐出法により導電材料を吐出してソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極をマスクとして、前記半導体層の一部をエッチングしてソース領域及びドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
透光性を有する基板上に液滴吐出法により導電性材料を吐出して第１の膜パターンを形成し、
前記第１の膜パターン上に感光性材料を吐出又は塗布し、
前記第１の膜パターン及び前記感光性材料が重畳する領域に第１のレーザビームを照射し現像してマスクパターンを形成し、
前記マスクパターンをマスクとして前記第１の膜パターンをエッチングして、ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第１の半導体層及び前記第２の絶縁膜上に第２の半導体層を形成し、
前記第１の絶縁膜及び第２の半導体層表面に撥液性を有する領域を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして、前記基板の裏面側から第２のレーザビームを照射して前記撥液性を有する領域の一部を親液性に改質し、
前記ゲート電極上方の撥液性を有する領域の両端の前記親液性を有する領域上に、液滴吐出法により導電材料を吐出してソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極をマスクとして、前記第２の半導体層をエッチングしてソース領域及びドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１又は２において、前記レーザビームは、紫外光乃至赤外光のいずれかの波長を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項３乃至請求項５のいずれか一項において、前記第１及び第２のレーザビームは、紫外光乃至赤外光のいずれかの波長を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項３乃至請求項５のいずれか一項において、前記感光性材料はネガ型感光性樹脂又はポジ型感光性樹脂であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記半導体層又は第１の半導体層は、微結晶半導体層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月26日(2007.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロジック部、メモリ部、前記ロジック部と前記メモリ部の一方又は両方の動作頻度を検出する検出部、前記検出部の検出結果に基づき前記ロジック部及び前記メモリ部の一方又は両方にしきい値制御信号を供給するしきい値制御部及びアンテナを有し、
前記ロジック部と前記メモリ部の各々は複数のトランジスタを有し、
前記複数のトランジスタの各々は、論理信号が入力される第１のゲート電極と、前記しきい値制御信号が入力される第２のゲート電極を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ロジック部、メモリ部、前記ロジック部と前記メモリ部の一方又は両方の動作頻度を検出する検出部、前記検出部の検出結果に基づき前記ロジック部及び前記メモリ部の一方又は両方にしきい値制御信号を供給するしきい値制御部及びアンテナを有し、
前記ロジック部と前記メモリ部の各々は複数のトランジスタを有し、
前記複数のトランジスタの各々は、論理信号が入力される第１のゲート電極と、前記しきい値制御信号が入力される第２のゲート電極と、半導体膜とを有し、
前記半導体膜は前記第２のゲート電極上に設けられ、
前記第１のゲート電極は前記半導体膜上に設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記ロジック部は、制御回路、演算回路、入出力回路、電源回路、クロック発生回路、データ復調／変調回路及びインターフェイス回路から選択された複数を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１又は請求項２において、
前記ロジック部は、タイミングコントロール、命令デコーダ、レジスタアレイ、アドレスロジックアンドバッファ、データバスインターフェイス、ＡＬＵ（Ａｒｉｔｈｍｅｔｉｃ  Ｌｏｇｉｃ  Ｕｎｉｔ）及び命令レジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記メモリ部は、ＤＲＡＭ（ＤｙｎａｍｉｃＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）、ＳＲＡＭ（ＳｔａｔｉｃＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）、ＦｅＲＡＭ（ＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）、マスクＲＯＭ（ＲｅａｄＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙ）、フューズ式ＰＲＯＭ（ＰｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅＲｅａｄＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙ）、反フューズ式ＰＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ（ＥｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙＰｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅＲｅａｄＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙ）、ＥＥＰＲＯＭ（ＥｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙＥｒａｓａｂｌｅＰｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅＲｅａｄＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙ）及びフラッシュメモリ等から選択された１つ又は複数を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記検出部は、プログラム又は前記プログラムを記憶する記憶媒体であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記複数のトランジスタは基板上に設けられており、
前記基板は、ガラス基板又は可撓性を有する基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記複数のトランジスタと前記アンテナは同一基板上に設けられており、
前記基板は、ガラス基板又は可撓性を有する基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記複数のトランジスタは第１の基板上に設けられており、
前記アンテナは第２の基板上に設けられており、
前記第１の基板と前記第２の基板とは、前記複数のトランジスタと前記アンテナとが電気的に接続されるように、固着されていることを特徴とする半導体装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年2月19日(2008.2.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２】
前記熱可塑性ポリマーが、ポリアセタール、ポリアクリル樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリエステル、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリアリーレート、ポリアリールスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトンケトン、ポリベンズオキサゾール、ポリオキサジアゾール、ポリベンゾチアジノフェノチアジン、ポリベンゾチアゾール、ポリピラジノキノキサリン、ポリピロメリトイミド、ポリキノキサリン、ポリベンズイミダゾール、ポリオキシンドール、ポリオキソイソインドリン、ポリジオキソイソインドリン、ポリトリアジン、ポリピリダジン、ポリピペラジン、ポリピリジン、ポリピペリジン、ポリトリアゾール、ポリピラゾール、ポリカルボラン、ポリオキサビシクロノナン、ポリジベンゾフラン、ポリフタリド、ポリアセタール、ポリ酸無水物、ポリビニルエーテル、ポリビニルチオエーテル、ポリビニルアルコール、ポリビニルケトン、ポリハロゲン化ビニル、ポリビニルニトリル、ポリビニルエステル、ポリスルホネート、ポリスルフィド、ポリチオエステル、ポリスルホン、ポリスルホンアミド、ポリウレア、ポリホスファゼン、ポリシラザン又は前記熱可塑性ポリマーの少なくとも一つを含む組み合わせである、請求項１記載の組成物。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
研磨組成物に使用することができる熱可塑性ポリマーは、オリゴマー、ポリマー、イオノマー、デンドリマー、コポリマー、たとえばブロックコポリマー、グラフトコポリマー、スターブロックコポリマー、ランダムコポリマーなど又は前記ポリマーの少なくとも一つを含む組み合わせである。研磨組成物に使用することができる熱可塑性ポリマーの適当な例は、ポリアセタール、ポリアクリル樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリエステル、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリアリーレート、ポリアリールスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトンケトン、ポリベンズオキサゾール、ポリオキサジアゾール、ポリベンゾチアジノフェノチアジン、ポリベンゾチアゾール、ポリピラジノキノキサリン、ポリピロメリトイミド、ポリキノキサリン、ポリベンズイミダゾール、ポリオキシンドール、ポリオキソイソインドリン、ポリジオキソイソインドリン、ポリトリアジン、ポリピリダジン、ポリピペラジン、ポリピリジン、ポリピペリジン、ポリトリアゾール、ポリピラゾール、ポリカルボラン、ポリオキサビシクロノナン、ポリジベンゾフラン、ポリフタリド、ポリアセタール、ポリ酸無水物、ポリビニルエーテル、ポリビニルチオエーテル、ポリビニルアルコール、ポリビニルケトン、ポリハロゲン化ビニル、ポリビニルニトリル、ポリビニルエステル、ポリスルホネート、ポリスルフィド、ポリチオエステル、ポリスルホン、ポリスルホンアミド、ポリウレア、ポリホスファゼン、ポリシラザンなど又は前記熱可塑性ポリマーの少なくとも一つを含む組み合わせである。好ましい熱可塑性ポリマーはポリビニルアルコールである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月25日(2008.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理するためのスキャニング装置であって、基部と、回転サブシステムを含み、
前記回転サブシステムは、
基部に回転可能に連結されている第１ジョイントを含む第１リンクと、前記第１リンクと互いに所定距離離れており、前記第１リンクに回転可能に連結される第２ジョイントを含む第２リンクと、所定距離上記第２ジョイントから離れていて、基部があり、前記第２リンクに作動可能に連結され、前記第２リンクに含まれるエンドエフェクタと、
第１回転方向において、前記第１ジョイントの周囲で前記第１リンクを連続的に回転させるように作動可能な第１アクチュエータと、
第２回転方向において、前記第２ジョイントの周囲で前記第２リンクを連続的に回転させるように作動可能な第２アクチュエータと、を含み、そして、該第２アクチュエータは、前記第１リンクに固定して取り付けられたサーボモータを含んでおり、
前記エンドエフェクタは前記第１及び第２アクチュエータの回転に際して、第１スキャンパスに沿って前記基部に関して線形往復運動するように作動可能であるスキャニング装置。
【請求項２】
前記第１回転方向は、前記第２回転方向と反対側である請求項１記載のスキャニング装置。
【請求項３】
前記基部は、移動機構に回転可能に連結されており、前記移動機構はそれ自体に関して、１以上の方向に基部を移動させるように作動可能である請求項１記載のスキャニング装置。
【請求項４】
前記移動機構は、第２スキャンパスに沿って基部を移動するように作動可能であり、前記第２スキャンパスは、通常、第１スキャンパスに垂直である請求項３記載のスキャニング装置。
【請求項５】
前記移動機構は、線形駆動システムを含み、前記線形駆動システムは前記エンドエフェクタの線形往復運動に関して、通常、垂直である方向に、前記回転サブシステムを線形移動させるように作動可能である請求項３記載のスキャニング装置。
【請求項６】
前記エンドエフェクタは、第３ジョイントによって前記第２リンクに作動可能に連結されており、前記エンドエフェクタは、さらに前記第２リンクに関して、１以上の方向に移動するように作動可能である請求項１記載のスキャニング装置。
【請求項７】
前記第３ジョイントは、２以上の自由度で前記エンドエフェクタを規定する請求項６記載のスキャニング装置。
【請求項８】
前記第３ジョイントは、第２リンクに関して前記エンドエフェクタの回転及び傾きを規定するように作動可能である請求項７記載のスキャニング装置。
【請求項９】
前記エンドエフェクタは、静電チャックを含む請求項１記載のスキャニング装置。
【請求項１０】
前記第１アクチュエータは、基部に固定して取り付けられたサーボモータを含む請求項１記載のスキャニング装置。
【請求項１１】
前記第１アクチュエータの第１回転速度は、前記エンドエフェクタの位置に関して変わるように作動可能である請求項１記載のスキャニング装置。
【請求項１２】
前記第２アクチュエータの第２回転速度は、前記エンドエフェクタの位置に関して変わるように作動可能である請求項１記載のスキャニング装置。
【請求項１３】
前記基部はさらに直進ジョイントを含み、前記基部は前記回転サブシステムを１以上の方向に移動させるように作動可能である請求項１記載のスキャニング装置。
【請求項１４】
前記第１リンク及び第２リンクは、通常、単一平面に平行である請求項１記載のスキャニング装置。
【請求項１５】
前記エンドエフェクタは、さらに前記単一平面に平行して回転するように作動可能である請求項１４記載のスキャニング装置。
【請求項１６】
前記第１及び第２アクチュエータそれぞれに備えられた出力量を制御することによって、前記第１及び第２リンクそれぞれの回転速度を制御するように作動可能である制御器を、さらに含む請求項１記載のスキャニング装置。
【請求項１７】
前記第１及び第２アクチュエータと関連する１以上の感知要素を含み、前記１以上の感知要素は前記第１及び第２リンクそれぞれの回転速度を感知し、前記制御器へ前記感知した速度をフィードバックするように作動可能である請求項１６記載のスキャニング装置。
【請求項１８】
前記１以上の感知要素は、１以上のエンコーダを含む請求項１７記載のスキャニング装置。
【請求項１９】
前記エンドエフェクタの線形往復運動は、通常、前記エンドエフェクタの所定スキャニング範囲内で一定であるように、前記制御器がそれぞれの回転速度を維持するように作動可能である請求項１６記載のスキャニング装置。
【請求項２０】
前記エンドエフェクタの所定範囲内の移動は、少なくとも基板の直径の２倍である請求項１９記載のスキャニング装置。
【請求項２１】
前記第１リンク及び第２リンク完全に延長される時、上記エンドエフェクタの最大スキャン距離は、通常、上記エンドエフェクタの最大位置間に決められ、上記最大スキャン距離は前記エンドエフェクタの所定スキャニング範囲より大きい請求項１９記載のスキャニング装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月27日(2007.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液滴吐出装置のノズルから液滴を吐出することによって、第１の膜パターンを形成し、
前記第１の膜パターン上に感光性材料を吐出又は塗布し、
レーザー直描装置を用いて前記感光性材料にレーザビームを照射することによって、前記第１の膜パターンと重畳する領域に設けられた前記感光性材料を感光し、
前記感光性材料を現像することによって、マスクパターンを形成し、
前記マスクパターンを用いて前記第１の膜パターンをエッチングすることによって、前記第１の膜パターンを、所望の形状を有する第２の膜パターンに加工することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
液滴吐出装置のノズルから導電性材料を吐出することによって、第１の配線パターンを形成し、
前記第１の配線パターン上に感光性材料を吐出又は塗布し、
レーザー直描装置を用いて前記感光性材料にレーザビームを照射することによって、前記第１の配線パターンと重畳する領域に設けられた前記感光性材料を感光し、
前記感光性材料を現像することによって、マスクパターンを形成し、
前記マスクパターンを用いて前記第１の配線パターンをエッチングすることによって、前記第１の配線パターンを、前記第１の配線パターンよりも幅の細い第２の配線パターンに加工することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
液滴吐出装置のノズルから導電性材料を吐出することによって、第１の配線パターンを形成し、
前記第１の配線パターン上に感光性材料を吐出又は塗布し、
レーザー直描装置を用いて前記感光性材料にレーザビームを照射することによって、前記第１の配線パターンと重畳する領域に設けられた前記感光性材料を感光し、
前記感光性材料を現像することによって、マスクパターンを形成し、
前記マスクパターンを用いて前記第１の配線パターンをエッチングすることによって、前記第１の配線パターンを、前記第１の配線パターンよりも幅の細い第２の配線パターンに加工し、
液滴吐出装置のノズルから導電性材料を吐出することによって、前記第２の配線パターンに接し且つゲート配線となる第３の配線パターンを形成し、
前記第２の配線パターンの一部をゲート電極として用いて薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記薄膜トランジスタはボトムゲート型の薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記感光性材料は、紫外光によって感光する材料であり、
前記レーザビームは、紫外光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記感光性材料は、赤外光によって感光する材料であり、
前記レーザビームは、赤外光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月21日(2008.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上方に半導体層又は導電層を形成し、
前記半導体層又は導電層上に有機膜を形成し、
前記有機膜上であって、かつコンタクトホールを形成すべき箇所にマスクパターンを選択的に形成し、
前記マスクパターンをマスクとして、前記有機膜を島状にパターン形成した後に、前記マスクパターンを除去し、
前記島状の有機膜の周囲に絶縁膜を形成した後に、前記島状の有機膜を除去することによりコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールにおいて前記半導体層又は導電層と電気的に接続される導電体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板の上方に半導体層又は導電層を形成し、
前記半導体層又は導電層上にシランカップリング剤からなる有機膜を形成し、
前記有機膜上であって、かつコンタクトホールを形成すべき箇所にマスクパターンを選択的に形成し、
前記マスクパターンをマスクとして、前記有機膜を島状にパターン形成した後に、前記マスクパターンを除去し、
前記島状の有機膜の周囲に絶縁膜を形成した後に、前記島状の有機膜を除去することによりコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールにおいて前記半導体層又は導電層と電気的に接続される導電体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板の上方に半導体層又は導電層を形成し、
前記半導体層又は導電層上にフッ素を含む雰囲気下でのプラズマ処理によって有機膜を形成し、
前記有機膜上であって、かつコンタクトホールを形成すべき箇所にマスクパターンを選択的に形成し、
前記マスクパターンをマスクとして、前記有機膜を島状にパターン形成した後に、前記マスクパターンを除去し、
前記島状の有機膜の周囲に絶縁膜を形成した後に、前記島状の有機膜を除去することによりコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールにおいて前記半導体層又は導電層と電気的に接続される導電体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板の上方にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極に接して、かつゲート絶縁膜を介して半導体層を形成し、
前記半導体層の上方に有機膜を形成し、
前記有機膜上であって、かつコンタクトホールを形成すべき箇所にマスクパターンを選択的に形成し、
前記マスクパターンをマスクとして、前記有機膜を島状にパターン形成した後に、前記マスクパターンを除去し、
前記島状の有機膜の周囲に絶縁膜を形成した後に、前記島状の有機膜を除去することによりコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールにおいて前記半導体層と電気的に接続される導電体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板の上方にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極に接して、かつゲート絶縁膜を介して半導体層を形成し、
前記半導体層の上方にシランカップリング剤からなる有機膜を形成し、
前記有機膜上であって、かつコンタクトホールを形成すべき箇所にマスクパターンを選択的に形成し、
前記マスクパターンをマスクとして、前記有機膜を島状にパターン形成した後に、前記マスクパターンを除去し、
前記島状の有機膜の周囲に絶縁膜を形成した後に、前記島状の有機膜を除去することによりコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールにおいて前記半導体層と電気的に接続される導電体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
基板の上方にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極に接して、かつゲート絶縁膜を介して半導体層を形成し、
前記半導体層の上方にフッ素を含む雰囲気下でのプラズマ処理によって有機膜を形成し、
前記有機膜上であって、かつコンタクトホールを形成すべき箇所にマスクパターンを選択的に形成し、
前記マスクパターンをマスクとして、前記有機膜を島状にパターン形成した後に、前記マスクパターンを除去し、
前記島状の有機膜の周囲に絶縁膜を形成した後に、前記島状の有機膜を除去することによりコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールにおいて前記半導体層と電気的に接続される導電体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項２又は５において、
前記シランカップリング剤は、フルオロアルキルシランであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記マスクパターンを液滴吐出法によって形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記マスクパターンは、ポリビニルアルコール、ポリイミド、アクリル、又はシロキサンからなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、
前記絶縁膜をスリットコーター法又はスピンコート法によって形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、
前記絶縁膜は、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂、ポリアミド系樹脂、又はシリコンと酸素との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む材料、若しくは置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有する材料からなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、
前記導電体を液滴吐出法によって形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。