【手続補正書】
【提出日】平成20年5月20日(2008.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の薄膜トランジスタまたは回路素子群を形成した第一の基板から、前記複数の薄膜トランジスタまたは回路素子群の一部を、液体または気体を通す機能を有する第三の基板に移載し、前記第三の基板に移載された前記複数の薄膜トランジスタまたは回路素子群の一部を、前記第三の基板から第二の基板上に移載することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項２】
前記第三の基板は穴を有する請求項１に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項３】
前記第一の基板がガラス基板または石英基板またはシリコン単結晶基板である請求項１に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項４】
前記第二の基板がガラス基板またはプラスチック基板である請求項１に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項５】
前記第三の基板がプラスチックフィルムからなる請求項１に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項６】
前記第二の基板上には金属配線パターンと通電により発熱する抵抗パターンとが形成されている請求項１に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項７】
前記第三の基板上の第一の接着層により、前記第一の基板上に形成された前記複数の薄膜トランジスタまたは回路素子群の一部を、前記第一の基板から前記第三の基板に移載し、
前記第二の基板上に形成した第二の接着層により、前記第三の基板に移載された前記複数の薄膜トランジスタまたは回路素子群の一部を、前記第三の基板から前記第二の基板上に移載する請求項１に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項８】
前記第一の接着層は熱可塑性の接着剤からなり、前記第二の接着層は熱硬化性の接着剤からなる請求項７に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
図９は従来のアクティブマトリクス基板を液晶ディスプレイに適用した場合の一つの画素単位の平面図であり、ＴＦＴ部分は上記の断面図と同様であるが、ＴＦＴ以外では、７は画素電極、８は画素電極７とゲート配線２１の重なり部分で形成する蓄積容量である。図１０は図６の等価回路を示したものである。図７の６１はソース配線、Ｖｓはソース配線に印加される信号電圧、Ｖｇはゲート配線に印加される走査パルスである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来例の構成では、図９からもわかる様にＴＦＴの占める面積(2,4,5,6の部分)はごく一部であり、ＴＦＴの領域以外は同じ成膜プロセスとパターニングプロセスで処理されるが、全て除去される。ＴＦＴ作製のための設備、それらを設置するクリーンルームや原動設備は非常に高価である。さらに人件費も加わることになり、その結果としてアクティブマトリクス基板の原価は非常に高いという問題点を有していた。また、ＴＦＴ作製のために形成した薄膜もほとんどの部分が除去されて廃棄されるので、地球資源の浪費であるとともに、廃棄される部分ために多くのエネルギーとエッチング用のガスや薬液類を使用していることになり、地球環境にも多大の影響を与えていた。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するために本発明のアクティブマトリクス基板の製造方法は、複数の薄膜トランジスタまたは回路素子群を形成した第一の基板から、前記複数の薄膜トランジスタまたは回路素子群の一部を、液体または気体を通す機能を有する第三の基板に移載し、前記第三の基板に移載された前記複数の薄膜トランジスタまたは回路素子群の一部を、前記第三の基板から第二の基板上に移載することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前記第三の基板は穴を有することが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
前記第一の基板がガラス基板または石英基板またはシリコン単結晶基板であることが好ましい。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また前記方法においては、第二の基板上には金属配線パターンと通電により発熱する抵抗パターンとが形成されていることが好ましい。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また前記方法においては、前記第三の基板上の第一の接着層により、前記第一の基板上に形成された前記複数の薄膜トランジスタまたは回路素子群の一部を、前記第一の基板から前記第三の基板に移載し、前記第二の基板上に形成した第二の接着層により、前記第三の基板に移載された前記複数の薄膜トランジスタまたは回路素子群の一部を、前記第三の基板から前記第二の基板上に移載することが好ましい。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
さらに、前記第一の接着層は熱可塑性の接着剤からなり、前記第二の接着層は熱硬化性の接着剤からなることが好ましい。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
図４(a)において、４１は第三の基板であり、この例の場合プラスチック基板を用いる。４２は熱可塑性の接着剤（第一の接着層）である。第三の基板にはエッチング用のガスや薬液が侵入可能な穴４３が開いている。第三の基板に図1の第一の基板上のＴＦＴを加熱圧接し、第一の基板と第三の基板を接着した状態（図４(b)）で、犠牲層３２を全面エッチング除去する。犠牲層３２が非晶質シリコンの場合は水素ラジカルやＮＦ3やＳＦ6などのラジカルまたはフッ酸と硝酸の混合液を用いる。上記の処理によりＴＦＴは第一の基板から剥離できる（図４（ｃ））。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
次に、図５(a)の第二の基板４４上の所定の領域には熱硬化性の接着剤４５（第二の接着層）を塗布しておき、第二の基板と第三の基板を圧接加熱した後、二つの基板を分離すると、ＴＦＴは第二の基板へ移載される（図５(b)）。加熱は基板全面にしても良いし、図３に示した抵抗体部分３８に電流を流し発熱させても構わない。