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【手続補正書】
【提出日】平成19年12月21日(2007.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のワード線と、
前記複数のワード線と交差する複数のビット線と、
前記複数のワード線と前記複数のビット線との交点に配置される複数のメモリセルを有するメモリブロックと、
外部端子に接続される入出力回路とを有し、
前記メモリブロック及び前記入出力回路は一つの半導体基板上に形成され、
前記複数のメモリセルの夫々は、第１ＭＯＳトランジスタと、記憶素子と、前記第１ＭＯＳトランジスタのゲートが接続される第１ノードと、前記第１ＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン経路と前記記憶素子とが間に接続される第２及び第３ノードとを有し、
前記記憶素子は、与えられる電流値の相違より抵抗値が変化し、
前記第１ノードは、前記複数のワード線のうち対応する１本に接続され、
前記第２ノードは、前記複数のビット線のうち対応する１本に接続され、
前記入出力回路は、前記外部端子に接続される第２ＭＯＳトランジスタを有し、
前記第１ＭＯＳトランジスタのしきい値電圧の絶対値は、前記第２ＭＯＳトランジスタのしきい値電圧の絶対値より小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記一つの半導体基板上に形成される中央処理装置をさらに有し、
前記中央処理装置は、第３ＭＯＳトランジスタを有し、
前記第１ＭＯＳトランジスタのしきい値電圧は、前記中央処理装置に用いられる第３ＭＯＳトランジスタのしきい値電圧の絶対値より小さく、
前記中央処理装置に用いられる第３ＭＯＳトランジスタのしきい値電圧は、前記第２ＭＯＳトランジスタのしきい値電圧の絶対値より小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置において、
前記中央処理装置及び前記メモリセルに供給される電圧は、前記入出力回路に供給される電圧より小さく、
前記第１ＭＯＳトランジスタの酸化膜厚及び前記第３ＭＯＳトランジスタの酸化膜厚は、前記第２ＭＯＳトランジスタの酸化膜厚より薄いことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第２ＭＯＳトランジスタの酸化膜厚は、前記第１ＭＯＳトランジスタの酸化膜厚より厚いことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置において、
前記複数のワード線の夫々に接続されるワードドライバをさらに有し、
前記ワードドライバは、前記複数のワード線のうち対応するメモリセルが待機状態又は非選択の場合は、負の第１電位を供給することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置において、
前記複数のメモリセルの夫々の前記第３ノードに接続される複数のソース線と、
前記複数のソース線のそれぞれに接続される複数のソースドライバとをさらに有し、
前記ソースドライバは、前記複数のソース線のうち対応するメモリセルに第１情報を書き込むソース線に、接地電位よりも大きい第２電位を供給し、対応するメモリセルが待機状態又は非選択状態のソース線に、接地電位よりも大きく前記第２電位よりも小さい第３電位を供給することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１又は５に記載の半導体装置において、
前記複数のメモリセルの夫々の前記第３ノードに接続される複数のソース線と、
前記複数のソース線のそれぞれに接続される複数のソースドライバとをさらに有し、
前記複数のメモリセルのうちいずれか一つに、第１情報を書き込む場合と前記第１情報とは異なる第２情報を書き込む場合とで、前記第１ＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン経路に流れる電流の向きを変化させることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
複数のワード線と、
前記複数のワード線と交差する複数のビット線と、
前記複数のワード線と前記複数のビット線との交点に配置される複数のメモリセルを有するメモリアレイと、
前記複数のワード線の夫々に接続される複数のワードドライバ回路とを有し、
前記複数のメモリセルの夫々は、第１ＭＯＳトランジスタと、記憶素子と、前記第１ＭＯＳトランジスタのゲートが接続される第１ノードと、前記第１ＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン経路と前記記憶素子とが間に接続される第２及び第３ノードとを有し、
前記記憶素子は、与えられる電流値の相違より抵抗値が変化し、
前記第１ノードは、前記複数のワード線のうち対応する１本に接続され、
前記第２ノードは、前記複数のビット線のうち対応する１本に接続され、
前記複数のワードドライバ回路は、前記複数のワード線のうち対応するメモリセルが非選択の場合は、負の第１電圧を供給することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置において、
前記複数のメモリセルの夫々の前記第３ノードに接続される複数のソース線と、
前記複数のソース線のそれぞれに接続される複数のソースドライバとをさらに有し、
前記ソースドライバは、前記複数のソース線のうち待機状態又は非選択状態のソース線に、接地電位よりも大きく電源電位よりも小さい第２電位を供給することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項８記載の半導体装置において、
前記複数のメモリセルの夫々の前記第３ノードに接続される複数のソース線と、
前記複数のソース線のそれぞれに接続される複数のソースドライバとをさらに有し、
前記複数のメモリセルのうちいずれか一つに、第１情報を書き込む場合と前記第１情報とは異なる第２情報を書き込む場合とで、前記第１ＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン経路に流れる電流の向きを変化させることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか一つに記載の半導体装置において、
前記記憶素子は、相変化素子であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
第１ＭＯＳトランジスタを有するメモリセルと、
第２ＭＯＳトランジスタを有する入出力回路を有し、
前記第１ＭＯＳトランジスタのしきい値電圧の絶対値は、前記第２ＭＯＳトランジスタのしきい値電圧の絶対値より小さいことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月13日(2008.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  車体フレームに後輪用動力伝達機構内蔵型のスイングユニットを上下スイング可能に取付け、このスイングユニットを後方へ延ばし、スイングユニットの長手途中から後方へスイングアームを延ばし、スイングユニットの後部とスイングアームの後部との間で後輪を支承し、スイングアームに液圧式リヤディスクブレーキのキャリパを取付けた自動二輪車において、前記スイングアームの外側方にエンジン排気用マフラを通すとともに、車両側面視マフラーの下方に前記キャリパを配置したことを特徴とする自動二輪車。
【請求項２】 前記キャリパを取付けるキャリパブラケットを有し、そのキャリパブラケットを前記スイングアームの内側面に取付けることで、キャリパがスイングアームに支持されていることを特徴とする請求項１に記載の自動二輪車。
【請求項３】 前記キャリパの端部に機械式ブレーキロック機構を組み込んだことを特徴とする請求項１若くは請求項２何れかに記載の自動二輪車。
【請求項４】 キャリパハウジングと前記キャリパブラケットの間にラバーブッシュを設けたことを特徴とする請求項１〜３何れか１項に記載の自動二輪車。
【請求項５】 前記スイングアームには、リヤサスペンションを取付けるためのブラケット部が形成され、該ブラケット部が車両側面視マフラーの外方に位置していることを特徴とする請求項１に記載の自動二輪車。
【請求項６】 前記マフラーの取付部が、車両側面視前記マフラーの外方に位置していることを特徴とする請求項１に記載の自動二輪車。
【請求項７】 前記機械式ブレーキロック機構のブレーキロックケーブルが、車両側面視前記マフラーの外方に位置していることを特徴とする請求項３に記載の自動二輪車。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために請求項１は、車体フレームに後輪用動力伝達機構内蔵型のスイングユニットを上下スイング可能に取付け、このスイングユニットを後方へ延ばし、スイングユニットの長手途中から後方へスイングアームを延ばし、スイングユニットの後部とスイングアームの後部との間で後輪を支承し、スイングアームに液圧式リヤディスクブレーキのキャリパを取付けた自動二輪車において、前記スイングアームの外側方にエンジン排気用マフラを通すとともに、車両側面視マフラーの下方に前記キャリパを配置したことを特徴とする。
請求項２は、請求項１において前記キャリパを取付けるキャリパブラケットを有し、そのキャリパブラケットを前記スイングアームの内側面に取付けることで、キャリパがスイングアームに支持されていることを特徴とする。
請求項３は、請求項１若くは請求項２何れかにおいて、前記キャリパの端部に機械式ブレーキロック機構を組み込んだことを特徴とする。
請求項４は、請求項１〜３何れかにおいて、キャリパハウジングと前記キャリパブラケットの間にラバーブッシュを設けたことを特徴とする。
請求項５は、請求項１において、前記スイングアームには、リヤサスペンションを取付けるためのブラケット部が形成され、該ブラケット部が車両側面視マフラーの外方に位置していることを特徴とする。
請求項６は、請求項１において、前記マフラーの取付部が、車両側面視前記マフラーの外方に位置していることを特徴とする。
請求項７は、請求項３において、前記機械式ブレーキロック機構のブレーキロックケーブルが、車両側面視前記マフラーの外方に位置していることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
マフラとキャリパのうち、比較的大型のマフラをスイングアームの外側方に配置し、小型のキャリパを車両側面視マフラーの下方に配置した。このため、熱源であるマフラからキャリパまでの距離が大きくなるので、マフラからキャリパへの熱影響を抑制することができる。しかも、マフラにキャリパが干渉することもなく、キャリパの取付けスペースを、より一層容易に確保することができる。
さらには、大型のマフラを車体中心側に寄せることができるので、自動二輪車のバンク角を大きくとることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
想像線にて示すスイングアーム７０のブレーキディスク９１側である内側面に、ボルト１１１にてキャリパブラケット１１２を取付け、キャリパブラケット１１２にボルト１１３にてキャリパハウジング９５を取付けることで、スイングアーム７０にキャリパ９２を取付けることができる。
キャリパハウジング９５とキャリパブラケット１１２との間は、ラバーブッシュ１１４によって、振動を吸収するとともに熱伝導を遮断するようにしている。
（ａ）において、１１５，１１５はスイングアーム７０に取付けるべくキャリパブラケット１１２に開けたボルト孔である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
【発明の効果】
本発明は上記構成により次の効果を発揮する。
請求項１は、車体フレームに後輪用動力伝達機構内蔵型のスイングユニットを上下スイング可能に取付け、このスイングユニットを後方へ延ばし、スイングユニットの長手途中から後方へスイングアームを延ばし、スイングユニットの後部とスイングアームの後部との間で後輪を支承し、スイングアームに液圧式リヤディスクブレーキのキャリパを取付けた自動二輪車において、スイングアームの外側方にエンジン排気用マフラを通すとともに、車両側面視マフラーの下方にキャリパを配置したので、熱源であるマフラからキャリパまでの距離が大きくなり、マフラからキャリパへの熱影響を極力抑制することができる。しかも、マフラにキャリパが干渉することもなく、キャリパの取付けスペースを、より一層容易に確保することができる。
さらには、大型のマフラを車体中心側に寄せることができるので、自動二輪車のバンク角を大きくとることができる。
請求項２は、請求項１において、キャリパを取付けるキャリパブラケットを有し、そのキャリパブラケットをスイングアームの内側面に取付けることで、キャリパがスイングアームに支持されているようにした。
請求項３は、請求項１若くは請求項２何れかににおいて、キャリパの端部に機械式ブレーキロック機構を組み込んだ。
請求項４は、請求項１〜３何れかにおいて、キャリパハウジングとキャリパブラケットの間にラバーブッシュを設けた。
請求項５は、請求項１において、スイングアームには、リヤサスペンションを取付けるためのブラケット部が形成され、該ブラケット部が車両側面視マフラーの外方に位置させた。
請求項６は、請求項１において、マフラーの取付部が、車両側面視前記マフラーの外方に位置させた。
請求項７は、請求項３において、機械式ブレーキロック機構のブレーキロックケーブルが、車両側面視前記マフラーの外方に位置させた。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月22日(2008.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 回路（６４）の連続性の遮断を検出する方法であって、スリップリング（５０）の導電性バンド（５２）に接触しているブラシ（５４）を介して信号（５８）を伝送するステップであって、ブラシ（５４）とスリップリング（５０）とは相対的に移動している、ステップと、前記回路の遮断が前記ブラシ及びスリップリングを介して伝送された前記信号の複数のパラメータを使用しているかを判定するステップと、ブラシ及びスリップリングを介して伝送された前記信号のパラメータが回路の遮断を示しているときに、回路遮断の表示を行うステップとを含み、前記パラメータのうちの第１のパラメータが時間であり、かつ前記パラメータのうちの第２のパラメータが電圧と電流からなる群から選択されており、前記回路遮断の表示を行う前記ステップは、前記第２のパラメータが少なくとも予め選択した時間にわたり厳密に予め選択した範囲内にあることを条件としている、方法。
【請求項２】 互いに対し相対的に動いているコンポーネント間で電気信号（５８）を信頼性よく伝送するの装置であって、ブラシ（５４）の接触部と、前記ブラシ接触部に接触すると共に該ブラシ接触部に対して動いている導電性バンド（５２）を有するスリップリング（５０）であって、相対的に動いているコンポーネント間で前記電気信号が前記ブラシ接触部と前記スリップリングの前記導電性バンドとを介して伝送される、スリップリング（５０）と、を備えており、前記装置はさらに、前記回路の遮断が前記ブラシ及びスリップリングを介して伝送される信号の複数のパラメータを使用しているを判定し、ブラシ及びスリップリングを介して伝送される信号のパラメータが回路の遮断を示しているときに回路遮断の表示を行うように構成され、前記パラメータのうちの第１のパラメータが時間であり、かつ前記パラメータのうちの第２のパラメータが電圧と電流からなる群から選択されており、前記装置は、前記遮断の表示を行うために、前記第２のパラメータが少なくとも予め選択した時間にわたり予め選択した範囲内にあることを条件とするように構成されている、ことを特徴とする装置。
【請求項３】 前記ブラシ（５４）及び前記スリップリング（５０）を介してバイポーラ信号（６２）を伝送するように構成されている請求項２に記載の装置。
【請求項４】 前記バイポーラ信号（６２）が最小及び最大の信号電圧範囲を有し、前記第２のパラメータが電圧であり、かつ予め選択した前記電圧範囲内の電圧が前記最小及び最大の信号電圧範囲内にある、請求項３に記載の装置。
【請求項５】 さらに、前記ブラシ（５４）及び前記スリップリング（５０）を介して伝送された前記信号（５８）の電圧が予め選択した前記電圧範囲内にある時間の長さに従って、表示された遮断を分類するように構成されている請求項４に記載の装置。
【請求項６】 互いに対し相対的に動いているコンポーネント間で電気信号（５８）を信頼性よく伝送するの装置であって、ブラシ（５４）の接触部と、前記ブラシ接触部に接触すると共に該ブラシ接触部に対して動いている導電性バンド（５２）を有するスリップリング（５０）であって、相対的に動いているコンポーネント間で前記電気信号が前記ブラシ接触部と前記スリップリングの前記導電性バンドとを介して伝送される、スリップリング（５０）と、を備えており、前記装置はさらに、前記回路の遮断が前記ブラシ及びスリップリングを介して伝送される信号の複数のパラメータを使用しているを判定し、ブラシ及びスリップリングを介して伝送される信号のパラメータが回路の遮断を示しているときに回路遮断の表示を行うように構成され、前記ブラシ（５４）及びスリップリング（５０）を介して伝送された信号（５８）のパラメータが回路の遮断を示しているときに回路遮断の表示を行うように構成させることが、前記装置を、スリップリングの回転角の表示を行うように構成されている、ことを特徴とする装置。
【請求項７】 前記パラメータのうちの第１のパラメータが時間であり、かつ前記パラメータのうちの第２のパラメータが電圧と電流からなる群から選択されると共に、前記装置は前記遮断の表示の提供にあたり、前記第２のパラメータが少なくとも予め選択した時間にわたり予め選択した範囲内にあることを条件とするように構成されている、請求項６に記載の装置。
【請求項８】 前記ブラシ（５４）及び前記スリップリング（５０）を介してバイポーラ信号（６２）を伝送するように構成されている請求項７に記載の装置。
【請求項９】 前記バイポーラ信号（６２）が最小及び最大の信号電圧範囲を有し、前記第２のパラメータが電圧であり、かつ予め選択した前記電圧範囲内の電圧が前記最小及び最大の信号電圧範囲内にある、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】 さらに、前記ブラシ（５４）及び前記スリップリング（５０）を介して伝送された前記信号（５８）の電圧が予め選択した前記電圧範囲内にある時間の長さに従って、表示された遮断を分類するように構成されている請求項９に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月2日(2008.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 撮影しようとする被検体の周りを共に回転しており、そのエネルギー・ビームが１つの軸に中心合わせされているようにしたエネルギー・ビームの放出体及びエネルギー・ビーム受信体と、前記放出体を制御できかつ前記受信体から得たデータを処理できる演算ユニットと、を備える画像収集デバイスであって、前記演算ユニットは、放出体及び受信体に関する回転アセンブリの経路を３次元座標系の少なくとも２本の軸に沿って規定する手段であって、前記エネルギー・ビーム軸が該経路上でレフト曲線または３次元曲線を描いている規定手段と、エネルギー・ビームの放出及び経路上での画像の収集を制御するための手段と、を含んでいる画像収集デバイス。
【請求項２】 前記経路が少なくとも１つの基準位置を通過するか、または該基準位置の直ぐ近く、すなわち、ごく近傍、を通過している、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】 回転アセンブリの変位速度が３次元座標系における回転アセンブリの位置とリンクしている、請求項２に記載のデバイス。
【請求項４】 回転アセンブリの変位速度が基準位置の近傍では低速であり、かつ２つの基準位置の間では高速である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】 画像収集速度が３次元座標系における回転アセンブリの位置とリンクしている、請求項２に記載のデバイス。
【請求項６】 画像収集速度が基準位置の近傍では低速であり、かつ２つの基準位置の間では高速である、請求項５に記載のデバイス。
【請求項７】 前記基準位置がメモリ内に格納されている、請求項６に記載のデバイス。
【請求項８】 前記経路がメモリ内に格納されている、請求項１に記載のデバイス。
【請求項９】 エネルギー・ビームを放出するための手段と、該エネルギー・ビームを被検体を通過した後に受信するための手段と、前記エネルギー・ビームにより３次元軌道を規定させるように前記放出手段及び前記受信手段を前記被検体の周りで３次元座標系の少なくとも２本の軸に沿って回転させるための手段と、前記軌道中でかつ前記回転手段を回転させている間に画像を収集するための手段と、を備えている装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月14日(2008.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 イメージング・システム（１０）を用いてスライス単位で取得したイメージング・データを逆畳み込みするための方法であって、目標スライス感度プロフィールを選択するステップと、前記目標スライス感度プロフィールを用いて逆畳み込みカーネルを決定するステップと、を含む方法。
【請求項２】 被検体（２２）のイメージング・データからなるスライスを取得すること、目標スライス感度プロフィールを用いて逆畳み込みカーネルを決定すること、及び前記逆畳み込みカーネルを用いてイメージング・データを逆畳み込みすること、を行うように構成されているイメージング・システム（１０）。
【請求項３】 前記システムを目標スライス感度プロフィールを用いて逆畳み込みカーネルを決定するように構成させることが、所望の半値全幅間隔を有するガウス関数を目標スライス感度プロフィールとして用いるように構成させることを含む、請求項２に記載のシステム（１０）。
【請求項４】 前記システムを目標スライス感度プロフィールを用いて逆畳み込みカーネルを決定するように構成させることが、システムのスライス感度プロフィールと特異値分解を用いて逆畳み込みカーネルを決定するように構成させることを含む、請求項２に記載のシステム（１０）。
【請求項５】 前記システムを目標スライス感度プロフィールを用いて逆畳み込みカーネルを決定するように構成させることが、次の関係式を用いて逆畳み込みカーネルＲを決定するように構成させることを含む、請求項２に記載のシステム（１０）。
Ｒ＝ＶＷ’ＵＴＱ
上式において、Ｕ、ＶおよびＷは、特異値分解を使用してスライス感度プロフィールから決定される行列であって、Ｖはｎ×ｎの直交行列、Ｗ’はｎ×ｎの対角行列、Ｕはｎ×ｎの列直交行列、またＱは目標スライス感度プロフィールを表すｎ×１の行列である。
【請求項６】 Ｕ、ＶおよびＷ’が次式により関係付けられている請求項５に記載のシステム（１０）。
Ａ＝ＵＷＶＴ
上式において、Ａはスライス感度プロフィールから導出される循環シフト行列であり、また、
Ｗ’ｉｊ＝１／（Ｗｉｊ＋α） （Ｗｉｊ＞ｔのとき）
Ｗ’ｉｊ＝０ （上記以外のとき）
である。
【請求項７】 さらに、次の関係式を用いてＡを決定するように構成させた請求項６に記載のシステム（１０）。
ａｉ，ｊ＝ｐｋ
ｋ＝ｍｏｄ（ｉ＋ｊ＋ｎ／２，ｎ）
上式において、ａｉ，ｊはＡの成分であり、ｐｋはシステムのスライス感度プロフィールを表す行列の成分である。
【請求項８】 Ｒがｎ×１の行列であると共に、さらに、正規化行列ＲＮを得るために次の関係式を用いてＲを正規化するように構成させた請求項５に記載のシステム（１０）。
【数２】
上式において、Ｒi はＲの成分である。
【請求項９】 さらに、前記正規化行列ＲＮを逆畳み込みカーネルとして用いてイメージング・データを逆畳み込みするように構成させた請求項８に記載のシステム（１０）。
【請求項１０】 イメージング・データをスライス単位で取得するように構成させたイメージング・システム（１０）によりスキャンを受ける被検体（２２）のイメージング・データを作成する方法であって、イメージング・データの複数のスライスを取得するステップと、イメージング・システムのスライス感度プロフィールを使用して循環シフト行列Ａを決定するステップと、特異値分解を使用して、循環シフト行列Ａを、列直交行列Ｕと対角行列Ｗと直交行列Ｖの転置行列との行列積ＵＷＶＴに変換するステップと、列直交行列Ｕの転置行列を用いて行列積ＶＷ’ＵＴを決定するステップと、前記行列積ＶＷ’ＵＴおよび目標スライス感度プロフィールを用いて逆畳み込みカーネルを決定するステップと、前記逆畳み込みカーネルを用いてイメージング・データを逆畳み込みするステップと、を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月19日(2007.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を有する固定フォーマット発光型表示装置を較正するための較正方法であって、各々の画素は、異なる現実の原色の光を発するための少なくとも３つのサブピクセルを含み、前記方法は、
各々の現実の原色について別々に、前記表示装置の画素の少なくとも８０％が達することのできる仮想目標原色を決定するステップと、
前記決定された仮想目標原色によって規定された色域を決定するステップと、
前記決定された色域内部の色を達成するために、前記サブピクセルへの駆動電流を調整するステップと、
現実の原色のすべてまたは実質的にすべてが、対応する仮想原色の目標輝度を実現することができるように各々の仮想目標原色の目標輝度を決定するステップとを含み、
前記仮想目標原色の色座標を決定するステップは、前記表示装置のすべての画素の対応する現実の原色の色座標によって形成されるクラウドの重心を決定するステップを含む、方法。
【請求項２】
仮想目標原色のために決定された前記色座標は、クラウドの重心の色座標とは最高２０％異なる、請求項１に記載の較正方法。
【請求項３】
決定される仮想目標原色に対応する前記表示装置のすべての画素の前記現実の原色の前記色座標によって形成されたクラウドの重心線を決定するステップをさらに含む、請求項１または２に記載の較正方法。
【請求項４】
重心線上で、または重心線上に置かれた点の色座標の値の最大でも２０％の偏差内で、仮想目標原色の色座標を選択するステップをさらに含む、請求項３に記載の較正方法。
【請求項５】
前記表示装置のすべてのサブピクセルが達成することのできる仮想目標原色を決定するステップを含む、請求項１から４のいずれかに記載の較正方法。
【請求項６】
前記表示装置のすべてのサブピクセルが達成することのできる色域を決定するステップを含む、請求項１から５のいずれかに記載の較正方法。
【請求項７】
前記仮想目標原色の線形結合を用いて前記色域を形成する、請求項１から６のいずれかに記載の較正方法。
【請求項８】
各々の原色について別々に、仮想目標原色の前記色座標を決定するステップは、前記表示装置が用いられる適用例に依存する、請求項１から７のいずれかに記載の較正方法。
【請求項９】
前記仮想目標原色は、色の均一性に関してよりも色の飽和度に関して良好な結果を与えるように決定される、請求項８に記載の較正方法。
【請求項１０】
仮想目標原色は、色の飽和度に関してよりも色の均一性に関して良好な結果を与えるように決定される、請求項８に記載の較正方法。
【請求項１１】
仮想目標原色の前記目標輝度の決定は、前記表示装置が用いられる適用例に依存する、請求項５から１０のいずれかに記載の較正方法。
【請求項１２】
前記仮想目標原色の前記目標輝度は、改善された明るさの均一性を与えるために選択される、請求項５から１１のいずれかに記載の較正方法。
【請求項１３】
前記仮想目標原色の前記目標輝度は、高い、絶対的な明度値を与えるために選択される、請求項５から１２のいずれかに記載の較正方法。
【請求項１４】
各々の原色について別々に、前記仮想目標原色の前記色座標を決定するステップは、仮想目標原色が最初に決定された後で行なわれる、請求項１から１３のいずれかに記載の較正方法。
【請求項１５】
前記仮想目標原色の前記目標輝度を決定するステップは、仮想目標原色が最初に決定された後で行なわれる、請求項５から１４のいずれかに記載の較正方法。
【請求項１６】
仮想目標原色の数は現実の原色の数に等しい、請求項１から１５のいずれかに記載の較正方法。
【請求項１７】
前記決定された色域内部の色を達成するために、前記サブピクセルへの前記駆動電流を調整するステップは、負の駆動刺激値を有する第１の現実の原色だけでなく、正の駆動刺激値を有する少なくとも１つの他の現実の原色の前記駆動電流を調整するステップを含む、請求項１から１６のいずれかに記載の較正方法。
【請求項１８】
前記第１の現実の原色および前記少なくとも１つの他の現実の原色の駆動電流を調整するステップは、前記決定された色域内部で達成される前記色が、刺激座標系における面で直角に投影されるように行なわれ、面は負の駆動刺激を有さない２つの現実の原色の刺激座標に及ぶ、請求項１７に記載の較正方法。
【請求項１９】
請求項１から１８のいずれかに従って較正される、固定フォーマット発光型表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月13日(2007.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブレを補正するブレ補正光学系と、
前記ブレ補正光学系を保持するレンズ枠と、
主光学系の光軸に略直交する平面上において前記レンズ枠を移動可能に支持するベース枠と、
前記ベース枠に係合する軸部材であって、その軸に沿った方向に移動可能なガイド軸と、
前記ガイド軸を中心に回転可能に前記ガイド軸に係合するガイド軸係合部を有した部材であって、前記ガイド軸に沿い前記ガイド軸とは別の仮想回転軸周りで前記レンズ枠と相対的に回転可能に係合するレンズ枠係合部を有したガイドアーム部材と、
を備えるブレ補正装置。
【請求項２】
請求項１に記載のブレ補正装置において、
前記レンズ枠係合部は、分離した２箇所において前記レンズ枠と係合するように配置されており、
前記２箇所に分離した前記レンズ枠係合部の間に、ブレ補正装置を構成する他の部材が配置されていること、
を特徴とするブレ補正装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のブレ補正装置において、
前記レンズ枠係合部は、２箇所において前記レンズ枠と係合し、
前記２箇所の間に、ロック機構が配置されていること、
を特徴とするブレ補正装置。
【請求項４】
請求項３に記載のブレ補正装置において、
前記レンズ枠はロック穴を有しており、
前記ロック機構は、前記ブレ補正光学系を特定の位置で保持する際に、前記ロック穴に打ち込まれるロックピンを有していること、
を特徴とするブレ補正装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のブレ補正装置において、
前記ガイド軸係合部と前記レンズ枠係合部とは、前記光軸に沿った方向に配置されていること、
を特徴とするブレ補正装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項２の発明は、請求項１に記載のブレ補正装置において、前記レンズ枠係合部（１１０ａ，１１０ｂ）は、分離した２箇所において前記レンズ枠（１０６）と係合するように配置されており、前記２箇所に分離した前記レンズ枠係合部の間に、ブレ補正装置を構成する他の部材（１３０，１３１，１３３，１３５）が配置されていること、を特徴とするブレ補正装置である。
請求項３の発明は、請求項１又は請求項２に記載のブレ補正装置において、前記レンズ枠係合部は、２箇所において前記レンズ枠と係合し、前記２箇所の間に、ロック機構が配置されていること、を特徴とするブレ補正装置である。
請求項４の発明は、請求項３に記載のブレ補正装置において、前記レンズ枠はロック穴を有しており、前記ロック機構は、前記ブレ補正光学系を特定の位置で保持する際に、前記ロック穴に打ち込まれるロックピンを有していること、を特徴とするブレ補正装置である。
請求項５の発明は、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のブレ補正装置において、前記ガイド軸係合部と前記レンズ枠係合部とは、前記光軸に沿った方向に配置されていること、を特徴とするブレ補正装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月13日(2008.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記補正手段は、前記第１の対物レンズ駆動手段を動作させる電流を、前記第１の対物レンズ駆動手段の加速度感度および前記第２の対物レンズ駆動手段の加速度感度に基づくゲインにより補正する、請求項５に記載の光学ヘッド装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
前記衝突防止手段は、
前記第２の情報記録媒体からの信号を再生または記録するために前記第２の光学ヘッドが動作しているときに、前記第２の情報記録媒体と前記第１の対物レンズとの衝突を防止する、請求項１に記載の光学ヘッド装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
前記衝突防止手段は、前記第２の対物レンズ駆動手段を動作させる電流を、少なくとも前記第１の光学ヘッドの特性に基づき補正する補正手段を有し、
前記第１の対物レンズ駆動手段は、前記補正手段により補正された電流により駆動する、請求項１７に記載の光学ヘッド装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
前記補正手段は、前記第２の対物レンズ駆動手段を動作させる電流を、前記第１の対物レンズ駆動手段の加速度感度および前記第２の対物レンズ駆動手段の加速度感度に基づくゲインにより補正する、請求項１８に記載の光学ヘッド装置。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
第６の本発明は、前記補正手段は、前記第１の対物レンズ駆動手段を動作させる電流を、前記第１の対物レンズ駆動手段の加速度感度および前記第２の対物レンズ駆動手段の加速度感度に基づくゲインにより補正する、第５の本発明の光学ヘッド装置である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
第１４の本発明は、前記衝突防止手段は、
前記第２の情報記録媒体からの信号を再生または記録するために前記第２の光学ヘッドが動作しているときに、前記第２の情報記録媒体と前記第１の対物レンズとの衝突を防止する、第１の本発明の光学ヘッド装置である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
第１８の本発明は、前記衝突防止手段は、前記第２の対物レンズ駆動手段を動作させる電流を、少なくとも前記第１の光学ヘッドの特性に基づき補正する補正手段を有し、
前記第１の対物レンズ駆動手段は、前記補正手段により補正された電流により駆動する、第１７の本発明の光学ヘッド装置である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
第１９の本発明は、前記補正手段は、前記第２の対物レンズ駆動手段を動作させる電流を、前記第１の対物レンズ駆動手段の加速度感度および前記第２の対物レンズ駆動手段の加速度感度に基づくゲインにより補正する、第１８の本発明の光学ヘッド装置である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１５】
一方、第１の２軸アクチュエータ９の駆動電流Ｉ１は、アンプ８３の補正ゲインＧ１がゲイン切替部８２によって定数ｋ１＝０．８に設定されているので、駆動信号生成部８１から出力された信号Ｉ１が、アンプ８３を通過するときに、補正ゲインＧ１にしたがって増幅されることにより、
（数４）
Ｉ１＝ｋ１・Ｉ２
として生成される。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月3日(2008.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非水電解質二次電池用負極の製造方法であって、
（ａ）集電体を準備する工程と、
（ｂ）真空中で、リチウム吸蔵性を有する元素を、前記集電体の主面に垂直な方向から角度ω（０°＜ω＜９０°）だけ傾けて前記集電体の主面に入射させることによって、前記集電体上に前記元素を含む薄膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする非水電解質二次電池用負極の製造方法。
【請求項２】
前記元素がＳｉである請求項１に記載の非水電解質二次電池用負極の製造方法。
【請求項３】
前記工程（ｂ）が、ＣＶＤ法（化学気相反応法）、スパッタリング法および真空蒸着法から選ばれる少なくとも１つの方法によって行われる請求項１または２に記載の非水電解質二次電池用負極の製造方法。
【請求項４】
前記工程（ｂ）が、蒸発源として前記元素を用い、真空蒸着法により、前記集電体上に前記元素を含む薄膜を形成する工程である請求項１または２に記載の非水電解質二次電池用負極の製造方法。
【請求項５】
前記角度ωが、２０°以上、かつ、７６°以下である請求項１〜４のいずれかに記載の非水電解質二次電池用負極の製造方法。
【請求項６】
前記工程（ｂ）において、前記角度ωを増加させながら前記元素を配置する請求項１に記載の非水電解質二次電池用負極の製造方法。
【請求項７】
前記工程（ａ）と前記工程（ｂ）との間に、さらに、
（ｃ）前記集電体上に下地層を形成する工程
を有する請求項１に記載の非水電解質二次電池用負極の製造方法。
【請求項８】
前記集電体の表面には突起が形成されている請求項１〜７のいずれかに記載の非水電解質二次電池用負極の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の非水電解質二次電池用負極の製造方法に、さらに、正極を準備する工程、および、セパレータを準備する工程を有する非水電解質二次電池の製造方法。
【請求項１０】
リチウムを可逆的に吸蔵および放出できる非水電解質二次電池用負極であって、
集電体と、前記集電体上に配置された薄膜状の負極材料とを含み、
前記負極材料は、リチウム吸蔵性を有する元素を含む結晶粒を含み、
前記結晶粒の長軸方向が、前記薄膜状の負極材料の主面に垂直な面に対して傾斜していることを特徴とする非水電解質二次電池用負極。
【請求項１１】
前記長軸方向と前記垂直な面とが成す角度θが、１０°〜５０°の範囲である請求項１０に記載の非水電解質二次電池用負極。
【請求項１２】
前記結晶粒が、略柱状である請求項１０に記載の非水電解質二次電池用負極。
【請求項１３】
前記結晶粒が一定方向に湾曲している請求項１２に記載の非水電解質二次電池用負極。
【請求項１４】
前記元素がケイ素である請求項１０に記載の非水電解質二次電池用負極。
【請求項１５】
前記集電体と前記負極材料との間に、下地層がさらに配置されている請求項１０に記載の非水電解質二次電池用負極。
【請求項１６】
前記集電体の表面および前記下地層の表面から選ばれる少なくとも１つの表面におけるＪＩＳ  Ｂ  ０６０１（１９９４）に規定の平均表面粗さＲａが、０．０１μｍ〜１μｍの範囲である請求項１０〜１５のいずれかに記載の非水電解質二次電池用負極。
【請求項１７】
請求項１０〜１６のいずれかに記載の非水電解質二次電池用負極と、リチウムを可逆的に吸蔵および放出できる正極と、リチウム伝導性を有する電解質とを含む非水電解質二次電池。
【請求項１８】
リチウムを可逆的に吸蔵および放出できる非水電解質二次電池用負極であって、
集電体と、前記集電体上に配置された薄膜状の負極材料とを含み、
前記負極材料は、リチウム吸蔵性を有する元素を含む粒を含み、
前記粒の長軸方向が、前記薄膜状の負極材料の主面に垂直な面に対して傾斜していることを特徴とする非水電解質二次電池用負極。
【請求項１９】
前記長軸方向と前記垂直な面とが成す角度θが、１０°〜５０°の範囲である請求項１８に記載の非水電解質二次電池用負極。
【請求項２０】
前記粒が、略柱状である請求項１８に記載の非水電解質二次電池用負極。
【請求項２１】
前記粒が一定方向に湾曲している請求項２０に記載の非水電解質二次電池用負極。
【請求項２２】
前記元素がケイ素である請求項１８に記載の非水電解質二次電池用負極。
【請求項２３】
前記集電体と前記負極材料との間に、下地層がさらに配置されている請求項１８に記載の非水電解質二次電池用負極。
【請求項２４】
前記集電体の表面および前記下地層の表面から選ばれる少なくとも１つの表面における
ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１（１９９４）に規定の平均表面粗さＲａが、０．０１μｍ〜１μｍの範囲である請求項１８〜２３のいずれかに記載の非水電解質二次電池用負極。
【請求項２５】
請求項１８〜２４のいずれかに記載の非水電解質二次電池用負極と、リチウムを可逆的に吸蔵および放出できる正極と、リチウム伝導性を有する電解質とを含む非水電解質二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
次に、本発明の非水電解質二次電池用負極の製造方法は、
（ａ）集電体を準備する工程と、
（ｂ）真空中で、リチウム吸蔵性を有する元素を、前記集電体の主面に垂直な方向から角度ω（０°＜ω＜９０°）だけ傾けて前記集電体の主面に入射させることによって、前記集電体上に前記元素を含む薄膜を形成する工程と、
を有することを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月11日(2008.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
部分的に透光性であり、且つ波長の関数としての透過関数を有するプライマリフィルタ層であって、前記透過関数が、該プライマリフィルタ層上の空間的位置の関数として変化するものであり、該プライマリフィルタ層が、該プライマリフィルタ層における第１の位置において第１の特性波長付近の第１の波長帯域内における光を透過し、該プライマリフィルタ層における第２の位置において第２の特性波長付近の第２の波長帯域内における光を透過することからなる、プライマリフィルタ層と、
前記第１及び第２の位置の上に設けられた材料層を含むと共に、前記第１の特性波長と前記第２の特性波長との間にある第１のトリム波長の光を選択的に減衰させる第１のトリムフィルタであって、前記第１及び第２の位置におけるものと実質的には同じ波長の関数としての透過関数を有する、第１のトリムフィルタ
とを備える、カラーフィルタ。
【請求項２】
前記第１のトリムフィルタが、更に第２のトリム波長における光を選択的に減衰させるものであり、前記第１のトリム波長が、前記第１及び第２の特性波長のうちの一方よりも小さく、前記第２のトリム波長が、その特性波長よりも大きいことからなる、請求項１に記載のカラーフィルタ。
【請求項３】
前記第１のトリムフィルタが、干渉フィルタを含む、請求項１に記載のカラーフィルタ。
【請求項４】
前記プライマリフィルタ層が、前記第１の位置に配置された第１の着色フィルタと、前記第２の位置に配置された第２の着色フィルタとを含む、請求項１に記載のカラーフィルタ。
【請求項５】
前記第１及び第２の着色フィルタが、前記第１のトリムフィルタ層上に配置されている、請求項４に記載のカラーフィルタ。
【請求項６】
第２のトリムフィルタを更に備え、前記特性波長及び前記第１のトリム波長の各々とは異なる第２の波長における光を選択的に減衰させる材料層を前記第２のトリムフィルタが含むことからなる、請求項１に記載のカラーフィルタ。
【請求項７】
前記着色フィルタが、前記第１のトリムフィルタと前記第２のトリムフィルタとの間に配置されている、請求項６に記載のカラーフィルタ。
【請求項８】
カラーフィルタを製造するための方法であって、
第１のトリムフィルタ層を基板に被着させ、
部分的に透光性のプライマリフィルタ層を、前記第１のトリムフィルタ層に被着させる
ことを含み、
前記プライマリフィルタ層が、波長の関数としての透過関数を有しており、前記透過関数が、前記プライマリフィルタ層上の空間的位置の関数として変化するものであり、前記プライマリフィルタ層が、該プライマリフィルタ層における第１の位置において第１の特性波長付近の第１の波長帯域内における光を透過し、該プライマリフィルタ層における第２の位置において第２の特性波長付近の第２の波長帯域内における光を透過し、
前記第１及び第２の位置に重なる材料層であって、前記第１の特性波長と前記第２の特性波長との間にある第１のトリム波長における光を選択的に減衰させる該材料層を、前記第１のトリムフィルタ層が含み、前記第１のトリムフィルタ層が、前記第１及び第２の位置におけるものと実質的には同じ波長の関数としての透過関数を有することからなる、方法。
【請求項９】
前記第１のトリムフィルタ層が、第２のトリム波長の光もまた選択的に減衰させるものであり、前記第１の波長が、前記特性波長のうちの１つよりも小さく、前記第２の波長が、その特性波長よりも大きいことからなる、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１のトリムフィルタ層が、複数の透明層を含み、該複数の透明層内において、隣接する層が、異なる屈折率を有することからなる、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記カラーフィルタ層が前記第１のトリムフィルタ層と第２のトリムフィルタ層との間に挟みこまれるように、該第２のトリムフィルタ層を前記カラーフィルタ層に被着させることを更に含み、
前記第１及び第２の位置に重なる材料層であって、前記第１のトリム波長、前記第１の特性波長、及び前記第２の特性波長とは異なる第２のトリム波長における光を選択的に減衰させる該材料層を、前記第２のトリムフィルタ層が含み、前記第２のトリムフィルタ層が、前記第１及び第２の位置におけるものと実質的には同じ波長の関数としての透過関数を有することからなる、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月29日(2008.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源手段と、前記光源手段から発光された光束を偏向する偏向手段と、前記偏向手段で偏向された光束を被走査面上にスポット状に結像させる結像光学系と、前記偏向手段と前記被走査面の間の光路に設けられた複数のミラーと、を有する光走査装置において、
前記複数のミラーは、第１のミラーと第２のミラーを有しており、
前記第１のミラーにて反射する光束の反射率は、９０％以下であり、かつ、前記第１のミラーにて反射する光束の反射率は、軸上から軸外に向い変化しており、
前記第２のミラーの軸上の反射率は、前記第１のミラーの軸上の反射率より高く、かつ、前記第１のミラーの軸上の反射率は、前記第１のミラーの軸外の反射率と等しいことを特徴とする光走査装置。
【請求項２】
前記光源手段から発光された光束は、前記結像光学系を構成する走査レンズの入射面にＰ偏光入射しており、前記第１のミラーにて反射する光束の反射率が軸上から軸外に向い大きくなっている請求項１に記載の光走査装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の光走査装置と、前記被走査面に配置された感光体と、前記光走査装置で走査された光束によって前記感光体の上に形成された静電潜像をトナー像として現像する現像器と、前記現像されたトナー像を被転写材に転写する転写手段と、転写されたトナー像を被転写材に定着させる定着器とを備えた画像形成装置。
【請求項４】
請求項３に記載の光走査装置と、外部機器から入力したコードデータを画像信号に変換して前記光走査装置に入力せしめるプリンタコントローラとを備えた画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
そのために、本発明では、光源手段と、前記光源手段から発光された光束を偏向する偏向手段と、前記偏向手段で偏向された光束を被走査面上にスポット状に結像させる結像光学系と、前記偏向手段と前記被走査面の間の光路に設けられた複数のミラーと、を有する光走査装置において、
前記複数のミラーは、第１のミラーと第２のミラーを有しており、
前記第１のミラーにて反射する光束の反射率は、９０％以下であり、かつ、前記第１のミラーにて反射する光束の反射率は、軸上から軸外に向い変化しており、
前記第２のミラーの軸上の反射率は、前記第１のミラーの軸上の反射率より高く、かつ、前記第１のミラーの軸上の反射率は、前記第１のミラーの軸外の反射率と等しいことを特徴とする構成をとった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月30日(2007.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
ＣＤ（Compact Disc、登録商標）、ＭＤ（Mini Disc、登録商標）、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc、登録商標）で代表される光（もしくは光磁気）記録または／および再生がなされる光記録媒体は、音楽情報、映像情報、データ、プログラム等の格納媒体として広く利用されている。
しかしながら、音楽情報、映像情報、データ、プログラム等の、更なる高音質化、高画質化、長時間化、大容量化により、更に、大容量の記録、したがって、高密度記録化の要求によって光記録再生装置において、用いる光例えば半導体レーザの短波長化、集光レンズの開口数の増大化が図られ、集光光スポットの小径化が図られている。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月30日(2007.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
ＣＤ（Compact Disc、登録商標）、ＭＤ（Mini Disc、登録商標）、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc、登録商標）に代表される光（もしくは光磁気）記録媒体は、音楽情報、映像情報、データ、プログラム等の格納媒体として広く利用されている。しかしながら、更なる音楽情報、映像情報、データ、プログラム等の高音質化、高画質化、長時間化、大容量化により、さらに大容量の光記録媒体及びこその記録再生を行う光記録再生装置が望まれている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月3日(2008.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光素子及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、
前記第１の電極に対向して設けられた第２の電極と、
前記第１の電極と第２の電極との間に設けられ、金属酸化物及び前記金属酸化物に対し電子供与性を示す化合物を含む混合層と、を有し、
前記混合層は、第１の領域及び第２の領域を有し、
前記第１の領域及び前記第２の領域は、前記第１の電極から前記第２の電極に向かって交互に設けられ、
前記第１の領域に含まれる前記金属酸化物の濃度は、前記第２の領域に含まれる前記金属酸化物の濃度よりも高く、
前記第１の領域及び前記第２の領域は、前記第１の電極から前記第２の電極に向かう方向にそれぞれ０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の厚さを有することを特徴とする発光素子。
【請求項２】
第１の電極と、
前記第１の電極に対向して設けられた第２の電極と、
前記第１の電極と第２の電極との間に設けられ、金属酸化物及び前記金属酸化物に対し電子供与性を示す化合物を含む混合層と、を有し、
前記混合層は、第１の領域及び第２の領域を有し、
前記第１の領域及び前記第２の領域は、前記第１の電極から前記第２の電極に向かって交互に設けられ、
前記第１の領域に含まれる前記金属酸化物の濃度は、前記第２の領域に含まれる前記金属酸化物の濃度よりも高く、
前記第１の領域及び前記第２の領域は、前記第１の電極から前記第２の電極に向かう方向にそれぞれ０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の厚さを有し、
前記混合層において、前記化合物に対する前記金属酸化物のモル比は０．１〜１０であることを特徴とする発光素子。
【請求項３】
前記化合物は、芳香族アミン系の化合物であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光素子。
【請求項４】
第１の電極と、
前記第１の電極に対向して設けられた第２の電極と、
前記第１の電極と第２の電極との間に設けられ、金属酸化物、前記金属酸化物に対し電子供与性を示す第１の化合物、及び前記第１の化合物よりもＬＵＭＯ準位が低くＨＯＭＯ準位は高い第２の化合物を含む混合層と、
を有し、
前記混合層は、第１の領域と第２の領域とを有し、
前記第１の領域及び前記第２の領域は、前記第１の電極から前記第２の電極に向かって交互に設けられ、
前記第１の領域に含まれる前記金属酸化物の濃度は、前記第２の領域に含まれる前記金属酸化物の濃度よりも高く、
前記第１の領域及び前記第２の領域は、前記第１の電極と前記第２の電極に向かう方向にそれぞれ０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の厚さを有することを特徴とする発光素子。
【請求項５】
第１の電極と、
前記第１の電極に対向して設けられた第２の電極と、
前記第１の電極と第２の電極との間に設けられ、金属酸化物、前記金属酸化物に対し電子供与性を示す第１の化合物、及び前記第１の化合物よりもＬＵＭＯ準位が低くＨＯＭＯ準位は高い第２の化合物を含む混合層と、
を有し、
前記混合層は、第１の領域と第２の領域とを有し、
前記第１の領域及び前記第２の領域は、前記第１の電極から前記第２の電極に向かって交互に設けられ、
前記第１の領域に含まれる前記金属酸化物の濃度は、前記第２の領域に含まれる前記金属酸化物の濃度よりも高く、
前記第１の領域及び前記第２の領域は、前記第１の電極から前記第２の電極に向かう方向にそれぞれ０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の厚さを有し、
前記混合層において、前記第１の化合物に対する前記金属酸化物のモル比は０．１以上１０以下であることを特徴とする発光素子。
【請求項６】
前記第１の化合物は、芳香族アミン系の化合物であることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の発光素子。
【請求項７】
前記金属酸化物は、第４族〜第８族に属する金属原子を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の発光素子を画素として用いていることを特徴とする電子機器。