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【手続補正書】
【提出日】平成19年12月10日(2007.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板の長手方向に沿って設けられた抵抗発熱体と、前記抵抗発熱体に接続する導体部と、を有し、被加熱材を加熱する加熱装置に用いられる加熱体において、
前記基板上に、複数の前記抵抗発熱体と、前記複数の抵抗発熱体に接続する導体部と、前記複数の抵抗発熱体、および前記導体部を被覆する絶縁層と、を有し、前記絶縁層は、前記基板の長手方向において少なくとも前記複数の抵抗発熱体の間と、前記導体部の間とに空隙を形成するように該複数の抵抗発熱体と該導体部の一部を被覆していることを特徴とする加熱体。
【請求項２】
前記空隙は、少なくとも前記抵抗発熱体の発熱量が最大となる箇所に形成されることを特徴とする請求項１に記載の加熱体。
【請求項３】
前記基板は電気絶縁材料よりなることを特徴とする請求項１または２に記載の加熱体。
【請求項４】
前記電気絶縁材料として、アルミナ、若しくは窒化アルミが用いられることを特徴とする、請求項３に記載の加熱体。
【請求項５】
前記絶縁層は、絶縁ガラス材料よりなることを特徴とする請求項１ないし請求項４の何れかに記載の加熱体。
【請求項６】
通電により発熱する発熱抵抗体を基板上に有する加熱体と、前記加熱体に接触しつつ移動する可撓性部材と、を有し、前記可撓性部材を介して前記加熱体の熱で被加熱材上の像を加熱する像加熱装置において、
前記加熱体は、基板上に、前記基板の長手方向に沿って設けられた複数の前記抵抗発熱体と、前記複数の抵抗発熱体に接続する導体部と、前記複数の抵抗発熱体、および前記導体部を被覆する絶縁層と、を有し、前記絶縁層は、前記基板の長手方向において少なくとも前記複数の抵抗発熱体の間と、前記導体部の間とに空隙を形成するように該複数の抵抗発熱体と該導体部の一部を被覆していることを特徴とする像加熱装置。
【請求項７】
前記加熱体に安全素子が接触して配置されることを特徴とする請求項６に記載の像加熱装置。
【請求項８】
前記加熱体に安全素子が非接触に配置されることを特徴とする請求項６に記載の像加熱装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】加熱体、及び像加熱装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、被加熱材を加熱する加熱体、及び前記加熱体を具備する像加熱装置に関するものであり、特に複写機、レーザービームプリンタ、ファクシミリ等の画像形成装置に搭載する像加熱装置として用いて好適なものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
（１）画像形成装置例
図３は、本発明に係る像加熱装置を定着装置として搭載した画像形成装置の一例の構成模型図である。本実施例に示す画像形成装置は電子写真画像形成プロセス利用のレーザープリンタである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
即ち、感光ドラム４０１上のトナー画像の画像形成位置と転写材Ｐの先端の書き出し位置が合致するようにレジストローラ４０６により挟持搬送された転写材Ｐは転写ニップ部Ａにおいて感光ドラム４０１と転写ローラ４０６とにより一定の加圧力で挟持搬送され、感光ドラム４０１面上のトナー画像が転写材Ｐ上（被加熱材上）に電気力と圧力で転写される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
（２）定着装置Ｆ
図２は、定着装置Ｆの一例の構成模型図である。本実施例に示す定着装置は、可撓性部材として定着フィルムを用いた加圧ローラ駆動方式（テンションレスタイプ）の定着装置である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
トナー像ｔが形成された転写材Ｐは定着ニップ部Ｎで挟持搬送されることによりトナー像ｔは転写材Ｐ上に加熱定着される。定着ニップ部Ｎを通過した転写材Ｐは定着フィルム１１１の曲率により自然に定着フィルムから分離され、定着排紙ローラ１２１で排出される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
細長い板状の基板１０１は、アルミナや窒化アルミ等の、絶縁性のセラミック（電気絶縁材料）や、ＳＵＳ等の金属板にガラスコートを施す等の手段により、絶縁層を設けたものを用いることが出来る。本実施例においては、基板１０１として、アルミナの厚み１．０ｍｍの板を用いた。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
また、抵抗発熱体２０２の形状については、後述するように、サーモスイッチ１１９をヒーター面に接触させない（非接触）構成とし、サーモスイッチ１１９相当位置の抵抗発熱体２０２も、その他の部分と同じ幅としたことが異なる。すなわち、抵抗発熱体幅を絞るのは、長手両端部２０２ａのみとなる。なお、図６（ａ）において、２０４は電極、２０５は導体部である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３１】
各プロセスカートリッジＹ・Ｃ・Ｍ・Ｋにおいて、光学系５より、画像データに基づいた走査光が、帯電手段２により一様に帯電された感光体ドラム１上を露光することにより、感光体ドラム表面に走査露光画像に対応する静電潜像が形成される。不図示のバイアス電源より現像手段３の現像ローラに印加される現像バイアスを、帯電電位と潜像（露光部）電位の間の適切な値に設定することで、負の極性に帯電されたトナーが感光体ドラム１上の静電潜像に選択的に付着して現像が行われる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月21日(2007.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力画像を解析する解析手段と、
前記解析手段により得られた複数の解析結果の各対象に重み付けする重み設定手段と、
該重み付けした値と前記複数の解析結果に基づき前記入力画像の補正内容を決定して補正を行う補正手段と、
を備えたことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記解析手段は、前記入力画像における肌領域を解析する手段を有することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記重み設定手段は、少なくとも一つの解析において、前記入力画像の面積に対する解析結果により検出した領域の面積比率を用いて前記重み付けを行うことを特徴とする請求項１または２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
入力画像を解析する解析ステップと、
前記解析ステップで得られた複数の解析結果の各対象に重み付けする重み設定ステップと、
該重み付けした値と前記複数の解析結果に基づき前記入力画像の補正内容を決定して補正を行う補正ステップと、
を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項５】
前記解析ステップにおいて前記入力画像における肌領域を解析することを特徴とする請求項４に記載の画像処理方法。
【請求項６】
前記重み設定ステップにおける前記重み付けにおいて、少なくとも一つの解析において、前記入力画像の面積に対する解析結果により検出した領域の面積比率を用いることを特徴とする請求項４または５に記載の画像処理方法。
【請求項７】
コンピュータを、
入力画像を解析する解析手段、
前記解析手段により得られた複数の解析結果の各対象に重み付けする重み設定手段、及び、
該重み付けした値と前記複数の解析結果に基づき前記入力画像の補正内容を決定して補正を行う補正手段
として機能させるためのプログラム。
【請求項８】
前記解析手段は、前記入力画像における肌領域を解析する手段を有することを特徴とする請求項７に記載のプログラム。
【請求項９】
前記重み設定手段は、少なくとも一つの解析において、前記入力画像の面積に対する解析結果により検出した領域の面積比率を用いて前記重み付けを行うことを特徴とする請求項７または８に記載のプログラム。
【請求項１０】
コンピュータに、
入力画像を解析する解析ステップ、
前記解析ステップで得られた複数の解析結果の各対象に重み付けする重み設定ステップ、及び、
該重み付けした値と前記複数の解析結果に基づき前記入力画像の補正内容を決定して補正を行う補正ステップ
を実行させるためのプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項１１】
前記解析ステップにおいて前記入力画像における肌領域を解析することを特徴とする請求項１０に記載の記録媒体。
【請求項１２】
前記重み設定ステップにおける前記重み付けにおいて、少なくとも一つの解析において、前記入力画像の面積に対する解析結果により検出した領域の面積比率を用いることを特徴とする請求項１０または１１に記載の記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置および方法、プログラム、並びに記録媒体
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は画像処理装置および方法、プログラム、並びに記録媒体に関する。特に詳細には本発明は、撮影された画像データの中に、予め設定した複数種類の画像の存在を判定し検出する手段を持つ画像処理手段を利用して、検出した結果として複数種類の検出に成功した時に、検出した種類の違いによる相関関係より画像データへの画像補正の効果及び内容を決定する制御を実装する画像処理装置および方法、プログラム、並びに記録媒体に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の目的は、上記の課題を解決することのできる画像処理装置および方法、プログラム、並びに記録媒体を提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記の課題を解決するための本願発明装置は、入力画像を解析する解析手段と、前記解析手段により得られた複数の解析結果の各対象に重み付けする重み設定手段と、該重み付けした値と前記複数の解析結果に基づき前記入力画像の補正内容を決定して補正を行う補正手段とを備える。
上記の課題を解決するための本願発明方法は、入力画像を解析する解析ステップと、前記解析ステップで得られた複数の解析結果の各対象に重み付けする重み設定ステップと、該重み付けした値と前記複数の解析結果に基づき前記入力画像の補正内容を決定して補正を行う補正ステップとを有する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記の課題を解決するための本願発明プログラムは、コンピュータを、入力画像を解析する解析手段、前記解析手段により得られた複数の解析結果の各対象に重み付けする重み設定手段、及び、該重み付けした値と前記複数の解析結果に基づき前記入力画像の補正内容を決定して補正を行う補正手段として機能させる。
上記の課題を解決するための本願発明記録媒体は、コンピュータに、入力画像を解析する解析ステップ、前記解析手段により得られた複数の解析結果の各対象に重み付けする重み設定ステップ、及び、該重み付けした値と前記複数の解析結果に基づき前記入力画像の補正内容を決定して補正を行う補正ステップを実行させるためのプログラムを記憶した。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月20日(2008.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記基板の上にパターン化された放射光ビームを投影するように構成され、前記基板に隣接する最終光学素子を含む投影システムと、
前記投影システムと前記基板テーブルとの間の空間に液体を供給するように構成された液体供給システムと、
前記最終光学素子、前記基板テーブル、又は前記液体に曝される構成部分又は構造の表面の少なくとも１つを洗浄するように構成された洗浄デバイスと
を含むリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記洗浄デバイスが、前記液体供給システムの液体閉じ込め構造を含み、リソグラフィ装置に直列に並ぶ前記最終光学素子を洗浄するように構成されている請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記洗浄デバイスが、前記空間内の液体をそれぞれ超音波洗浄液体、又はメガ音波洗浄液体に変えるように構成された、超音波トランスミッタ及びメガ音波トランスミッタの群から選択された音波トランスミッタを含む請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記洗浄デバイスが、低波長紫外線を供給するように構成された光学素子を含む請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記液体供給システムが、低波長紫外線を透過する表面を含む請求項４に記載の装置。
【請求項６】
低波長紫外線が１９３ｎｍの波長を有する請求項４に記載の装置。
【請求項７】
前記洗浄デバイスが前記空間に洗浄流体を供給するように構成されている請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記洗浄流体が溶剤を含む請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記洗浄流体が洗浄剤を含む請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
前記洗浄流体が溶存ガスを含む請求項７に記載の装置。
【請求項１１】
前記ガスが酸素、オゾン、又は窒素から選択される請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記洗浄デバイスが基板テーブルの中にある請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
前記洗浄デバイスが噴霧ユニットを含む請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記噴霧ユニットが光学素子、基板テーブル、又はその両方の上に洗浄流体を噴霧するように構成されている請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記洗浄流体がオゾンを含む請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記洗浄流体がプラズマを含む請求項１４に記載の装置。
【請求項１７】
前記洗浄流体が液体二酸化炭素を含む請求項１４に記載の装置。
【請求項１８】
前記洗浄流体が無極性有機溶剤を含む請求項１４に記載の装置。
【請求項１９】
前記洗浄流体が有極性有機溶剤を含む請求項１４に記載の装置。
【請求項２０】
前記洗浄デバイスが、最終光学素子のみを洗浄するため、又は基板テーブルのみを洗浄するように構成されている請求項１４に記載の装置。
【請求項２１】
前記最終光学素子、前記基板テーブル、又は前記液体に曝される構成部分又は構造の表面の少なくとも１つを被覆するように構成されたコータをさらに含む請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２２】
前記コータが基板テーブルの中に噴霧ユニットを含む請求項２１に記載の装置。
【請求項２３】
前記コータが前記液体供給システムの液体閉じ込め構造を含み、前記被覆デバイスがリソグラフィ装置に直列に並ぶ前記最終光学素子を被覆するように構成されている請求項２１に記載の装置。
【請求項２４】
前記被覆デバイスが、最終光学素子のみを被覆するため、又は基板テーブルのみを洗浄するように構成されている請求項２１に記載の装置。
【請求項２５】
（ｉ）洗浄流体、（ｉｉ）被覆流体、（ｉｉｉ）被覆剥離剤、又は（ｉｖ）（ｉ）〜（ｉｉｉ）のいずれかの組合せを、リソグラフィ装置の投影システムと基板テーブルとの間の空間に直列適用するための、リソグラフィ装置における流体供給システムの使用。
【請求項２６】
リソグラフィ装置の投影システムの最終光学素子の上に洗浄流体を噴霧するように構成された噴霧ユニット。
【請求項２７】
リソグラフィ装置の投影システムと基板テーブルとの間の空間に閉じ込められた液体を、超音波洗浄液体の中に入れ込むように構成された超音波エミッタ。
【請求項２８】
リソグラフィ装置の投影システムと基板テーブルとの間の空間に閉じ込められた液体を、メガ音波洗浄液体の中に入れ込むように構成されたメガ音波エミッタ。
【請求項２９】
光学素子と基板テーブルとの空間に液体を有するように構成されたリソグラフィ装置において、投影システムの光学素子、基板テーブル、若しくはその両方を洗浄するための、前記空間を通じて洗浄流体を循環させることを含む方法。
【請求項３０】
光学素子と基板テーブルとの空間に液体を有するように構成されたリソグラフィ装置において、投影システムの光学素子、基板テーブル、若しくはその両方を被覆するための、前記空間を通じて被覆流体を循環させることを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月20日(2008.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に第２の導電層を形成し、
前記第２の導電層上にレジストのマスクを形成し、
前記マスクを用いた第１のエッチングをドライエッチングによって行い、前記第２の導電層を加工し、
前記マスクを残したまま第２のエッチングをウエットエッチングによって行い、前記第１の導電層を加工し、
前記ドライエッチングにおいて、前記第２の導電層のエッチングレートは、前記第１の導電層のエッチングレートより大きく、
前記ウエットエッチングにおいて、前記第２の導電層のエッチングレートは、前記第１の導電層のエッチングレート以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上に第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に第２の導電層を形成し、
前記第２の導電層上に第３の導電層を形成し、
前記第３の導電層上にレジストのマスクを形成し、
前記マスクを用いた第１のエッチングによって、前記第３の導電層を加工し、
前記マスクを残したまま第２のエッチングをドライエッチングによって行い、前記第２の導電層を加工し、
前記マスクを残したまま第３のエッチングをウエットエッチングによって行い、前記第１の導電層を加工し、
前記ドライエッチングにおいて、前記第２の導電層のエッチングレートは、前記第１の導電層のエッチングレートより大きく、
前記ウエットエッチングにおいて、前記第２の導電層のエッチングレートは、前記第１の導電層のエッチングレート以上であり、前記第３の導電層のエッチングレート以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面上にモリブデンよりなる第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上にアルミニウムを主成分とする第２の導電層を形成し、
前記第２の導電層上にレジストのマスクを形成し、
前記マスクを用いた第１のエッチングをドライエッチングによって行い、前記第２の導電層を加工し、
前記マスクを残したまま第２のエッチングをウエットエッチングによって行い、前記第１の導電層を加工し、
前記ドライエッチングにおいて、前記第２の導電層のエッチングレートは、前記第１の導電層のエッチングレートより大きく、
前記ウエットエッチングにおいて、前記第２の導電層のエッチングレートは、前記第１の導電層のエッチングレート以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面上にモリブデンよりなる第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上にアルミニウムを主成分とする第２の導電層を形成し、
前記第２の導電層上にレジストのマスクを形成し、
前記マスクを用いた第１のエッチングをドライエッチングによって行い、前記第２の導電層を加工し、
前記マスクを残したまま第２のエッチングをウエットエッチングによって行い、前記第１の導電層を加工し、
前記ドライエッチングにおいて、前記第２の導電層のエッチングレートは、前記第１の導電層のエッチングレートより大きく、
前記ウエットエッチングは、燐酸と硝酸を含む混合溶液を用いて行い、前記硝酸に対する前記燐酸の濃度比は７０％以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面上にモリブデンよりなる第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上にアルミニウムを主成分とする第２の導電層を形成し、
前記第２の導電層上にレジストのマスクを形成し、
前記マスクを用いた第１のエッチングをドライエッチングによって行い、前記第２の導電層を加工し、
前記マスクを残したまま第２のエッチングをウエットエッチングによって行い、前記第１の導電層を加工し、
前記ドライエッチングにおいて、前記第２の導電層のエッチングレートは、前記第１の導電層のエッチングレートより大きく、
前記ウエットエッチングは、燐酸と硝酸を含む混合溶液を用いて行い、
前記硝酸に対する前記燐酸の濃度比は７０％以上であり、前記混合溶液の温度は４０℃以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
絶縁表面上にモリブデンよりなる第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上にアルミニウムと、ニッケルが添加されたアルミニウムを積層した第２の導電層を形成し、
前記第２の導電層上にレジストのマスクを形成し、
前記マスクを用いた第１のエッチングをドライエッチングによって行い、前記第２の導電層を加工し、
前記マスクを残したまま第２のエッチングをウエットエッチングによって行い、前記第１の導電層を加工し、
前記ドライエッチングにおいて、前記第２の導電層のエッチングレートは、前記第１の導電層のエッチングレートより大きく、
前記ウエットエッチングにおいて、前記第２の導電層のエッチングレートは、前記第１の導電層のエッチングレート以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
絶縁表面上にモリブデンよりなる第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上にアルミニウムと、ニッケルが添加されたアルミニウムを積層した第２の導電層を形成し、
前記第２の導電層上にレジストのマスクを形成し、
前記マスクを用いた第１のエッチングをドライエッチングによって行い、前記第２の導電層を加工し、
前記マスクを残したまま第２のエッチングをウエットエッチングによって行い、前記第１の導電層を加工し、
前記ドライエッチングにおいて、前記第２の導電層のエッチングレートは、前記第１の導電層のエッチングレートより大きく、
前記ウエットエッチングは、燐酸と硝酸を含む混合溶液を用いて行い、前記硝酸に対する前記燐酸の濃度比は７０％以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
絶縁表面上にモリブデンよりなる第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上にアルミニウムと、ニッケルが添加されたアルミニウムを積層した第２の導電層を形成し、
前記第２の導電層上にレジストのマスクを形成し、
前記マスクを用いた第１のエッチングをドライエッチングによって行い、前記第２の導電層を加工し、
前記マスクを残したまま第２のエッチングをウエットエッチングによって行い、前記第１の導電層を加工し、
前記ドライエッチングにおいて、前記第２の導電層のエッチングレートは、前記第１の導電層のエッチングレートより大きく、
前記ウエットエッチングは、燐酸と硝酸を含む混合溶液を用いて行い、前記硝酸に対する前記燐酸の濃度比は７０％以上であり、前記混合溶液の温度は４０℃以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項３乃至請求項８のいずれか一において、
前記ドライエッチングは、塩素系ガスを用いて行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記第１の導電層の厚さは、前記第２の導電層の厚さより薄いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
前記第１の導電層はトランジスタと接続されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月11日(2008.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に形成されたガス流路と、電力の供給もしくは接地により電位制御できる電極を有し、かつ、放電用の第１ガスを噴出させる第１ガス噴出口の開口部を有する第１ガス噴出面が被処理物に対して平行に配置されるプラズマ源と、
前記プラズマ源の前記第１ガス噴出口に接続されて、前記第１ガスを、前記第１ガス噴出口から前記プラズマ源の前記第１ガス噴出面と前記被処理物の被加工部との間の隙間に供給する第１ガス供給装置と、
を備え、
前記プラズマ源の前記被処理物に対向する面の一部に凸部を有し、前記凸部には、前記プラズマ源の前記第１ガス噴出口の開口部を有する前記第１ガス噴出面が形成され、かつ、前記凸部は、前記被処理物の微細加工部分内に挿入可能な大きさを有しているプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記プラズマ源の前記第１ガス噴出面とは異なる位置に配置されて放電抑制用の第２ガスを噴出させる第２ガス噴出口を設けるとともに、
前記第２ガス噴出口に接続されて、前記第２ガスを、前記第２ガス噴出口から前記プラズマ源の前記第２ガス噴出面と前記被処理物の被加工部の間の隙間の周囲に供給する第２ガス供給装置とをさらに備える請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記プラズマ源と前記被処理物とを相対的に移動させる電極間隙間調整装置をさらに有する請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記プラズマ源の前記第１ガス噴出口の開口部を有する面と、対向となる位置に電力の供給もしくは接地により電位制御でき、且つ前記被処理物を載置することが可能な対向電極を備える請求項１〜３のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記プラズマ源は、その内部に、前記ガス流路を構成するパターンを形成した層を２層以上積層した多層構造をなし、且つ多層構造の内部の前記ガス流路にバッファー層としての空間を有し、前記バッファー層の空間断面積のうち、前記第１ガス噴出口の開口断面積と平行となる空間断面積の少なくとも１つが、前記第１ガス噴出口の開口断面積よりも大きい請求項１〜４のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記第１ガス噴出口の開口長さは、前記第１ガス噴出口の開口形状が円もしくは楕円であり、かつ、直径もしくは短径が２００ｎｍ以上５０μｍ以下である請求項１〜５のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記第１ガス噴出口の開口長さは、前記第１ガス噴出口の開口形状が多角形であり、かつ、一辺もしくは対角線の１つ以上が、２００ｎｍ以上５０μｍ以下である請求項１〜５のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記第２ガス噴出口の開口長さは、前記第２ガス噴出口の開口形状が円もしくは楕円であり、かつ直径もしくは短径が２００ｎｍ以上５０μｍ以下である請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記第２ガス噴出口の開口長さは、前記第２ガス噴出口の開口形状が多角形であり、かつ、一辺もしくは対角線の１つ以上が、２００ｎｍ以上５０μｍ以下である請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
内部に形成されたガス流路と、電力の供給もしくは接地により電位制御できる電極を有し、かつ、放電用の第１ガスを噴出させる第１ガス噴出口の開口部を有する第１ガス噴出面が被処理物に対して平行に配置されるプラズマ源の前記第１ガス噴出口に、第１ガス供給装置により前記第１ガスを供給し、前記第１ガス噴出口から前記プラズマ源の前記第１ガス噴出面と前記被処理物の被加工部との間の隙間に前記第１ガスを噴出しつつ、前記プラズマ源、前記被処理物、或いは前記被処理物の被加工部と表裏をなす面に配置した対向電極のいずれかに電力を供給し、前記プラズマ源と前記被処理物の間に電位差を発生させることでプラズマを生成させ、
前記プラズマ源の前記被処理物に対向する面の一部であって、前記プラズマ源の前記第１ガス噴出口の開口部を有する前記第１ガス噴出面が形成され、かつ、前記被処理物の微細加工部分内に挿入可能な大きさを有する凸部が、前記被処理物の前記被加工部内に挿入されつつ前記被処理物の前記被加工部のプラズマ処理を行うプラズマ処理方法。
【請求項１１】
前記プラズマ源の前記第１ガス噴出面とは異なる位置に配置された第２ガス噴出口より、第２ガス供給装置により、放電抑制用の第２ガスを、前記第２ガス噴出口から前記プラズマ源の前記第２ガス噴出面と前記被処理物の被加工部の間の隙間の周囲に噴出する請求項１０に記載のプラズマ処理方法。
【請求項１２】
前記凸部が、前記被処理物の前記被加工部内に挿入されつつ前記被処理物の前記被加工部のプラズマ処理を行うとき、前記プラズマ源と前記被処理物とを相対的に移動させる請求項１０又は１１に記載のプラズマ処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月17日(2008.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体膜中にｎ型又はｐ型の不純物を導入し、
前記ゲート電極をマスクとして前記ゲート絶縁膜の一部をエッチング除去して前記半導体膜の一部を露出させ、
前記基板を加熱しながら前記露出した半導体膜上にニッケル膜を成膜することにより、前記半導体膜にニッケルシリサイドを形成し、
未反応のニッケルを除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体膜中にｎ型又はｐ型の不純物を導入し、
前記ゲート電極をマスクとして前記ゲート絶縁膜の一部をエッチング除去して前記半導体膜の一部を露出させ、
前記基板を４５０℃以上に加熱しながら前記露出した半導体膜上にニッケル膜を１０ｎｍ以上成膜することにより、前記半導体膜にニッケルシリサイドを形成し、
未反応のニッケルを除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体膜中にｎ型又はｐ型の不純物を導入し、
前記ゲート電極及び前記ゲート絶縁膜を覆って絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜を異方性エッチングして前記ゲート電極の側面に前記絶縁膜からなるサイドウォールを形成するとともに、前記ゲート絶縁膜の一部を除去して前記半導体膜の一部を露出させ、
前記半導体膜中にｎ型又はｐ型の不純物を導入して前記サイドウォールの下の半導体膜にＬＤＤ領域を、前記露出した半導体膜にソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記基板を加熱しながら前記露出した半導体膜上にニッケル膜を成膜することにより、前記半導体膜にニッケルシリサイドを形成し、
未反応のニッケルを除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体膜中にｎ型又はｐ型の不純物を導入し、
前記ゲート電極及び前記ゲート絶縁膜を覆って絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜を異方性エッチングして前記ゲート電極の側面に前記絶縁膜からなるサイドウォールを形成するとともに、前記ゲート絶縁膜の一部を除去して前記半導体膜の一部を露出させ、
前記半導体膜中にｎ型又はｐ型の不純物を導入して前記サイドウォールの下の半導体膜にＬＤＤ領域を、前記露出した半導体膜にソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記基板を４５０℃以上に加熱しながら前記露出した半導体膜上にニッケル膜を１０ｎｍ以上成膜することにより、前記半導体膜にニッケルシリサイドを形成し、
未反応のニッケルを除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項において、前記ニッケル膜はスパッタ法、ＣＶＤ法又は蒸着法にて成膜されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１から４のいずれか一項において、前記ニッケル膜はスパッタ法にて１．４Ｗ／ｃｍ２よりも低い電力密度で成膜されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月31日(2008.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビット線と、ワード線と、メモリ素子と、を有し、
前記メモリ素子は、前記ビット線を構成する第１の導電層と、有機化合物層と、前記ワード線を構成する第２の導電層との積層構造を有し、
前記有機化合物層は、無機化合物と有機化合物とが混合された層を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ビット線と、ワード線と、メモリ素子と、を有し、
前記メモリ素子は、前記ビット線を構成する第１の導電層と、有機化合物層と、前記ワード線を構成する第２の導電層との積層構造を有し、
前記有機化合物層は、無機化合物と第１の有機化合物とが混合された層と、第２の有機化合物を有する層との積層構造であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ビット線と、ワード線と、メモリ素子と、トランジスタと、を有し、
前記トランジスタのゲートは、前記ワード線に電気的に接続されており、
前記トランジスタのソース又はドレインの一方は、前記ビット線に電気的に接続されており、
前記メモリ素子は、前記トランジスタのソース又はドレインの他方を構成する第１の導電層と、有機化合物層と、第２の導電層との積層構造を有し、
前記有機化合物層は、無機化合物と有機化合物とが混合された層を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
ビット線と、ワード線と、メモリ素子と、トランジスタと、を有し、
前記トランジスタのゲートは、前記ワード線に電気的に接続されており、
前記トランジスタのソース又はドレインの一方は、前記ビット線に電気的に接続されており、
前記メモリ素子は、前記トランジスタのソース又はドレインの他方を構成する第１の導電層と、有機化合物層と、第２の導電層との積層構造を有し、
前記有機化合物層は、無機化合物と第１の有機化合物とが混合された層と、第２の有機化合物を有する層との積層構造であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
ビット線と、ワード線と、メモリ素子と、トランジスタと、を有し、
前記トランジスタのゲートは、前記ワード線に電気的に接続されており、
前記トランジスタのソース又はドレインの一方は、前記ビット線に電気的に接続されており、
前記メモリ素子は、前記トランジスタのソース又はドレインの他方を構成する第１の導電層と、前記第１の導電層と同一平面上に設けられた第２の導電層と、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に設けられた有機化合物層とを有し、
前記有機化合物層は、無機化合物と有機化合物とが混合された層を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
ビット線と、ワード線と、メモリ素子と、トランジスタと、を有し、
前記トランジスタのゲートは、前記ワード線に電気的に接続されており、
前記トランジスタのソース又はドレインの一方は、前記ビット線に電気的に接続されており、
前記メモリ素子は、前記トランジスタのソース又はドレインの他方を構成する第１の導電層と、前記第１の導電層と同一平面上に設けられた第２の導電層と、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に設けられた有機化合物層とを有し、
前記有機化合物層は、無機化合物と第１の有機化合物とが混合された層と、第２の有機化合物を有する層との積層構造であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１の導電層と前記有機化合物層との間、または前記有機化合物層と前記第２の導電層との間に、整流性を有する素子が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月29日(2008.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）サファイア基板のＲ面上に、ＧａＮ系化合物半導体から成り、Ｘ方向に延びる帯状のシード層を、複数、離間して形成した後、
（Ｂ）ＧａＮ系化合物半導体から成り、頂面がＡ面である第１下地層を、各シード層からＹ方向に横方向エピタキシャル成長させ、次いで、
（Ｃ）シード層の上方に位置する第１下地層の頂面の部分に、マスク層を形成した後、
（Ｄ）第１下地層の頂面上及びマスク層上において、ＧａＮ系化合物半導体から成り、頂面がＡ面である第２下地層を第１下地層の頂面からＹ方向に横方向エピタキシャル成長させる、
各工程を具備することを特徴とするＧａＮ系化合物半導体から成る下地層の形成方法。
【請求項２】
前記工程（Ｂ）において、第１下地層を、各シード層からＹ方向に横方向エピタキシャル成長させ、各第１下地層の対向する側面が相互に接触する前に、横方向エピタキシャル成長を中止し、
前記工程（Ｄ）において、第２下地層をＹ方向に横方向エピタキシャル成長させると共に、第１下地層の対向する側面から、ＧａＮ系化合物半導体から成る第３下地層をＹ方向に横方向エピタキシャル成長させることを特徴とする請求項１に記載のＧａＮ系化合物半導体から成る下地層の形成方法。
【請求項３】
第１下地層の横方向エピタキシャル成長を、有機ガリウム源ガスと窒素源ガスとを用いた有機金属化学的気相成長法によって行うことを特徴とする請求項２に記載のＧａＮ系化合物半導体から成る下地層の形成方法。
【請求項４】
窒素源ガスの有機ガリウム源ガスに対する供給モル比であるＶ／ＩＩＩ比を、１×１０乃至３×１０3とすることを特徴とする請求項３に記載のＧａＮ系化合物半導体から成る下地層の形成方法。
【請求項５】
有機金属化学的気相成長法に基づく第１下地層の横方向エピタキシャル成長において、サファイア基板１ｃｍ2当たり、１分当たりの有機ガリウム源ガスの供給モル数を、０．５×１０-6モル・ｃｍ-2・分-1乃至５×１０-6モル・ｃｍ-2・分-1とすることを特徴とする請求項３に記載のＧａＮ系化合物半導体から成る下地層の形成方法。
【請求項６】
有機金属化学的気相成長法に基づく第１下地層の横方向エピタキシャル成長において、窒素源ガスを含む全体圧力を、１×１０3Ｐａ乃至３×１０4Ｐａとすることを特徴とする請求項３に記載のＧａＮ系化合物半導体から成る下地層の形成方法。
【請求項７】
第２下地層及び第３下地層の横方向エピタキシャル成長を、有機ガリウム源ガスと窒素源ガスとを用いた有機金属化学的気相成長法によって行うことを特徴とする請求項２に記載のＧａＮ系化合物半導体から成る下地層の形成方法。
【請求項８】
窒素源ガスの有機ガリウム源ガスに対する供給モル比であるＶ／ＩＩＩ比を、１×１０乃至３×１０3とすることを特徴とする請求項７に記載のＧａＮ系化合物半導体から成る下地層の形成方法。
【請求項９】
有機金属化学的気相成長法に基づく第２下地層及び第３下地層の横方向エピタキシャル成長において、サファイア基板１ｃｍ2当たり、１分当たりの有機ガリウム源ガスの供給モル数を、０．５×１０-6モル・ｃｍ-2・分-1乃至５×１０-6モル・ｃｍ-2・分-1とすることを特徴とする請求項７に記載のＧａＮ系化合物半導体から成る下地層の形成方法。
【請求項１０】
有機金属化学的気相成長法に基づく第２下地層及び第３下地層の横方向エピタキシャル成長において、窒素源ガスを含む全体圧力を、１×１０3Ｐａ乃至３×１０4Ｐａとすることを特徴とする請求項７に記載のＧａＮ系化合物半導体から成る下地層の形成方法。
【請求項１１】
シード層を形成する前に、サファイア基板のＲ面上に、ＧａＮ系化合物半導体から成るバッファ層を形成する工程を備え、
バッファ層の形成時、バッファ層に、Ｓｉを１×１０17ｃｍ-3以上ドーピングすることを特徴とする請求項１に記載のＧａＮ系化合物半導体から成る下地層の形成方法。
【請求項１２】
シード層は、厚さ１×１０-8ｍ乃至１×１０-7ｍの下層シード層、及び、上層シード層の積層構造を有し、
有機金属化学的気相成長法に基づく下層シード層の成長において、窒素源ガスを含む全体圧力を、５×１０4Ｐａ乃至９×１０4Ｐａとし、
有機金属化学的気相成長法に基づく上層シード層の成長において、窒素源ガスを含む全体圧力を、１×１０3Ｐａ乃至５×１０4Ｐａとすることを特徴とする請求項１１に記載のＧａＮ系化合物半導体から成る下地層の形成方法。
【請求項１３】
シード層及びマスク層の平面形状は帯状であることを特徴とする請求項１に記載のＧａＮ系化合物半導体から成る下地層の形成方法。
【請求項１４】
シード層の射影像は、マスク層の射影像に含まれることを特徴とする請求項１３に記載のＧａＮ系化合物半導体から成る下地層の形成方法。
【請求項１５】
シード層の幅をＷS、マスク層の幅をＷMとしたとき、
ＷM／ＷS＞１
を満足することを特徴とする請求項１４に記載のＧａＮ系化合物半導体から成る下地層の形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月5日(2007.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に形成された電極膜に交流電界が印加されることによって振動を発生する電気−機械エネルギ変換素子において、
前記電気−機械エネルギ変換素子の表面に電極膜を有し、
前記電極膜と平行な面における前記電気−機械エネルギ変換素子の断面が多角形であり、前記電極膜が前記多角形の頂点を含まない領域に設けられた電極膜境界部によって複数に分割されていることを特徴とする電気−機械エネルギ変換素子。
【請求項２】
前記分割された電極膜は前記多角形の頂点を含む領域に形成されていることを特徴とする請求項１記載の電気−機械エネルギ変換素子。
【請求項３】
前記多角形は正方形であり、前記電極膜境界部は正方形の各辺の中点からの垂線上に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の電気−機械エネルギ変換素子。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の電気−機械エネルギ変換素子からなる層を複数積層したことを特徴とする積層圧電素子。
【請求項５】
前記多角形の中心からの距離が前記多角形の頂点からの距離よりも短い領域に、異なる層の電極膜を繋ぐ導電部が形成されることを特徴とする請求項４に記載の積層圧電素子。
【請求項６】
請求項４又は５に記載の積層圧電素子と、
前記電気−機械エネルギ変換素子を固定する弾性体と、
前記電気−機械エネルギ変換素子及び前記弾性体の内部を通ってこれらを固定するシャフトと、
前記振動子に接触し、前記弾性体の表面に発生した円運動によって駆動される接触体を有し、
前記振動子は前記電気−機械エネルギ変換素子が発生した振動によって、前記シャフトと直交する方向に振動する複数の曲げ振動を発生し、この複数の曲げ振動を合成することで前記弾性体の表面に円運動を発生させることを特徴とする振動波駆動装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電気―機械エネルギ変換素子、積層圧電素子及び振動波駆動装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、電気―機械エネルギ変換素子、積層圧電素子及び振動波駆動装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の目的は、小型化、大出力化、低コスト化、及び低電圧駆動化を達成することができる電気―機械エネルギ変換素子、積層圧電素子及び振動波駆動装置を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の特徴は、表面に形成された電極膜に交流電界が印加されることによって振動を発生する電気−機械エネルギ変換素子において、前記電気−機械エネルギ変換素子の表面に電極膜を有し、前記電極膜と平行な面における前記電気−機械エネルギ変換素子の断面が多角形であり、前記電極膜が前記多角形の頂点を含まない領域に設けられた電極膜境界部によって複数に分割されている電気−機械エネルギ変換素子を提供することにある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、上記電気−機械エネルギ変換素子からなる層を複数積層した積層圧電素子、あるいは、上記積層圧電素子を備えた振動波駆動装置を提供することにある。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明によれば、電気−機械エネルギ変換素子の表面にある電極膜が多角形の頂点を含まない領域に設けられているので、高価な圧電素子を有効に活用することができ、もってこの電極膜を積層する積層圧電素子を有する振動波駆動装置の小型化、大出力化、低コスト化、及び低電圧駆動化を達成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月19日(2007.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
中心鉄芯と、前記中心鉄芯と同軸的に配置される１次ボビンに１次巻き線を巻き廻した１次コイルと、２次ボビンに２次巻き線を巻き廻した２次コイルと、点火コイルの１次コイルに流れる１次電流をオンオフ制御するイグナイタと、１次電流をイグナイタに供給する１次電流入力部と、前記１次コイルと２次コイルとを収容する円筒型ケースと、で構成され、前記１次ボビンは、２次コイルで発生する高電圧を点火プラグに供給する高圧タワー部の外周から形成され、当該高圧タワー部を前記円筒型ケースに収容して突き出した円筒型内燃機関用点火コイルにおいて、前記ケース下端は、前記高圧タワー側に外径端部が軸方向に突出し、当該外径端部先端より、軸方向手前に位置する前記ケースの円筒の外周には、円筒外径より径小の円環状凹部が周方向に形成され、当該円環状凹部には、前記ケース外周方向に対し等間隔に突出するリブを形成したことを特徴とする請求項１に記載の内燃機関用円筒型点火コイル。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月25日(2008.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  便器上に固定され、制御回路を有する本体と、
前記本体に回動自在に取り付けられ、かつ発熱手段を内装する便座と、
前記本体に回動自在に取り付けられた便蓋と、からなり、
前記便蓋は、閉止時には、前記本体上面および前記便座上面を覆い、かつ前記便蓋の後部が下方に傾斜している、
トイレ装置。
【請求項２】  前記便蓋が、閉止時において、前記本体側面を更に覆う、請求項１に記載のトイレ装置。
【請求項３】  前記便蓋が、閉止時において、前記便座側面を更に覆う、請求項２に記載のトイレ装置。
【請求項４】  前記便蓋の前記後部よりも前方の部分が下方に傾斜している、請求項１から３のうちのいずれか１項に記載のトイレ装置。
【請求項５】  前記便蓋を複層構成とした請求項１から４のうちのいずれか１項に記載のトイレ装置。
【請求項６】  前記便蓋が、前記便座上面と対向する部分の厚みを前記便座上面と対向しない部分の厚みに比較して厚く構成されている、請求項１から４のうちのいずれか１項に記載のトイレ装置。
【請求項７】  前記便蓋の閉止時において、前記便蓋の前記後部と前記前方の部分とが、前記本体と前記便座との間に形成される隙間の上方を頂点としてそれぞれ下方に傾斜している、請求項４に記載のトイレ装置。
【請求項８】  前記便蓋が３層以上の複層構成を有しており、内部に位置する層として断熱層が設けられている、請求項５に記載のトイレ装置。
【請求項９】  前記便蓋の閉止時において、前記便蓋の前記便座上面と対向する前記部分が、前記便座を包み込むような形状とされている、請求項６に記載のトイレ装置。
【請求項１０】  前記便蓋の前記便座に対向する面が熱反射する構成を有している、請求項１から９のうちのいずれか１項に記載のトイレ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
前記従来の課題を解決するために、本発明のトイレ装置は、
便器上に固定され、制御回路を有する本体と、
前記本体に回動自在に取り付けられ、かつ発熱手段を内装する便座と、
前記本体に回動自在に取り付けられた便蓋と、からなり、
前記便蓋は、閉止時には、前記本体上面および前記便座上面を覆い、かつ前記便蓋の後部が下方に傾斜している、
ものである。これによって本体と便蓋の隙間から便座の熱を逃げにくくすることができる。また、本発明のトイレ装置の場合、温まった便座からの熱は便蓋の裏壁面に沿って上昇するが、上述のように、便蓋が本体上面および便座上面を覆い、かつ便蓋の後部（後方）が下方に傾斜している構成となっているので、上昇した便座からの熱が便蓋の外部に逃げるのを下方傾斜する便蓋の後部により阻止できる。これにより効率的に便座を保温できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【発明の実施の形態】
請求項１に記載の発明は、便器上に固定され、制御回路を有する本体と、
前記本体に回動自在に取り付けられ、かつ発熱手段を内装する便座と、
前記本体に回動自在に取り付けられた便蓋と、からなり、
前記便蓋は、閉止時には、前記本体上面および前記便座上面を覆い、かつ前記便蓋の後部が下方に傾斜している、
トイレ装置である。そして、本体上面と便座上面を覆うことにより、本体と便蓋の隙間から便座の熱が逃げるのを防ぐことができる。また、本発明のトイレ装置の場合、温まった便座からの熱は便蓋の裏壁面に沿って上昇するが、上述のように、便蓋が本体上面および便座上面を覆い、かつ便蓋の後部（後方）が下方に傾斜している構成となっているので、上昇した便座からの熱が便蓋の外部に逃げるのを下方傾斜する便蓋の後部により阻止できる。これにより効率的に便座を保温できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項２に記載の発明は、上述の請求項１の発明の構成に加えて、便蓋が、閉止時において、本体側面を更に覆う構成を有するトイレ装置を提供する。そして、便蓋が本体上面、本体側面および便座上面を覆うことにより、本体と便蓋の隙間から逃げる熱だけではなく、さらに本体の側面から逃げる熱も防ぐことができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項３に記載の発明は、上述の請求項２の発明の構成に加えて、便蓋が、閉止時において、便座側面を更に覆う構成を有するトイレ装置を提供する。そして、便蓋が閉止時に本体上面、本体側面および便座上面を覆うことにより、本体と便座の隙間からの熱の逃げを防ぐと共に、さらに本体および便座の側面からの熱の逃げも防ぐことができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項４に記載の発明は、請求項１から３のうちのいずれか１項に記載の発明の構成に加えて、便蓋の後部よりも前方の部分が下方に傾斜している構成を有するトイレ装置を提供する。そして、便蓋の後部を下方に傾斜させることに加えて便蓋の後部よりも前方の部分も下方に傾斜させ、後述する図６に示すように便蓋の断面が山形となるように構成することにより、上昇した便座からの熱を便蓋の外部に逃がしにくくすることがより確実にでき、効率的に便座を保温できる効果が増す。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項４に記載の発明は、請求項１から４のうちのいずれか１項に記載の発明の構成に加えて、便蓋が、便座上面と対向する部分の厚みを便座上面と対向しない部分の厚みに比較して厚く構成されている、トイレ装置を提供する。そして、便蓋の便座上面と対向する部分が部分的に厚く構成されたことにより、便蓋から逃げていく熱を防ぐことができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
便蓋３において便座２と対向する面を熱が反射させる構成とすることにより熱の逃げを抑えることができる。ここで、便蓋３の便座２と対向する面を銀色で塗装する事により、安易に効果を得ることができる。なお、トイレ装置には局部洗浄機能が搭載される場合もある。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月16日(2008.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アミロース含量１０〜３０％を有する澱粉由来の水不溶性の難消化性澱粉およびグルテンを含有することを特徴とする製パン用添加剤。
【請求項２】
アミロース含量１０〜３０％を有する澱粉由来の水不溶性の難消化性澱粉、グルテンおよび酵素剤を含有することを特徴とする製パン用添加剤。
【請求項３】
アミロース含量１０〜３０％を有する澱粉由来の水不溶性の難消化性澱粉、グルテン、酵素剤および乳化剤を含有することを特徴とする製パン用添加剤。
【請求項４】
穀粉および請求項１、２または３のいずれかの製パン用添加剤を含有することを特徴とする製パン用組成物。
【請求項５】
アミロース含量１０〜３０％を有する澱粉由来の水不溶性の難消化性澱粉およびグルテンを用いて製造したことを特徴とするパン。
【請求項６】
アミロース含量１０〜３０％を有する澱粉由来の水不溶性の難消化性澱粉、グルテンおよび酵素剤を用いて製造したことを特徴とするパン。
【請求項７】
アミロース含量１０〜３０％を有する澱粉由来の水不溶性の難消化性澱粉、グルテン、酵素剤および乳化剤を用いて製造したことを特徴とするパン。
【請求項８】
中種法によるパンの製造において、本捏工程でアミロース含量１０〜３０％を有する澱粉由来の水不溶性の難消化性澱粉およびグルテンを混捏することを特徴とするパンの製造方法。
【請求項９】
中種法によるパンの製造において、本捏工程でアミロース含量１０〜３０％を有する澱粉由来の水不溶性の難消化性澱粉、グルテンおよび酵素剤を混捏することを特徴とするパンの製造方法。
【請求項１０】
中種法によるパンの製造において、本捏工程でアミロース含量１０〜３０％を有する澱粉由来の水不溶性の難消化性澱粉、グルテン、酵素剤および乳化剤を混捏することを特徴とするパンの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
すなわち、本発明は、アミロース含量１０〜３０％を有する澱粉由来の水不溶性の難消化性澱粉に、グルテンを加えたり、さらに酵素剤や乳化剤を加えてなる製パン用添加剤、およびこの製パン用添加剤と穀粉とを含有する製パン用組成物である。
また、本発明は、アミロース含量１０〜３０％を有する澱粉由来の水不溶性の難消化性澱粉およびグルテンを用いたり、さらに酵素剤や乳化剤を用いて製造したパンである。
また、本発明は、中種法によるパンの製造において、本捏工程でアミロース含量１０〜３０％を有する澱粉由来の水不溶性の難消化性澱粉およびグルテンを混捏したり、さらに酵素剤や乳化剤を加えて混捏する、パンの製造方法である。