【手続補正書】
【提出日】平成20年9月19日(2008.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板に作り込まれ、容量値が固定される固定容量と、
前記半導体基板に作り込まれ容量値の可変制御が可能な可変容量とを備え、
前記固定容量と前記可変容量とは互いに並列接続され、
前記半導体基板は第１の導電型の半導体基板を含み、
前記可変容量はＰＮ接合部によって形成される接合容量を含み、
前記接合容量は、
前記半導体基板の上層部に設けられた第２の導電型の第１の半導体領域とを備え、前記第１の半導体領域は前記半導体基板の第１の導電型の領域との間にＰＮ接合部を有し、
前記半導体基板の上層部に設けられた第１の導電型の第２の半導体領域と、
前記半導体基板の上層部に設けられ、前記第１及び第２の半導体領域間を絶縁分離する絶縁分離領域とをさらに備える、
半導体装置。
【請求項２】  請求項１記載の半導体装置であって、
前記固定容量は、ＭＩＭ(Metal Insulator Metal)型容量を含む、
半導体装置。
【請求項３】  請求項１記載の半導体装置であって、
前記固定容量は、ＰＩＰ(polysilicon Insulator polysilicon )型容量を含む、
半導体装置。
【請求項４】  半導体基板に作り込まれ、容量値が固定される固定容量と、
前記半導体基板に作り込まれ容量値の可変制御が可能な可変容量とを備え、
前記固定容量と前記可変容量とは互いに並列接続され、
前記固定容量は絶縁ゲート型容量を含み、
前記絶縁ゲート型容量は、
前記半導体基板上に選択的に形成される容量用ゲート絶縁膜と、
前記容量用ゲート絶縁膜上に形成され、固定電位が付与される容量用ゲート電極と、
前記半導体基板の表面内における前記容量用ゲート電極下の容量用ボディー領域を挟んで形成される取り出し電極領域とを含む、
半導体装置。
【請求項５】  半導体基板に作り込まれ、容量値が固定される固定容量と、
前記半導体基板に作り込まれ容量値の可変制御が可能な可変容量とを備え、
前記固定容量と前記可変容量とは互いに並列接続され、
前記可変容量は絶縁ゲート型容量を含み、
前記絶縁ゲート型容量は、
前記半導体基板上に選択的に形成される容量用ゲート絶縁膜と、
前記容量用ゲート絶縁膜上に形成される容量用ゲート電極と、
前記半導体基板の表面内における前記容量用ゲート電極下の容量用ボディー領域を挟んで形成される取り出し電極領域とを含み、
前記絶縁ゲート型容量は前記容量用ゲート電極の電位によって容量値が変化する、
半導体装置。
【請求項６】  請求項１ないし請求項５のうち、いずれか１項に記載の半導体装置であって、
前記固定容量は容量値が異なる複数の部分固定容量を含む、
半導体装置。
【請求項７】  請求項１記載の半導体装置であって、
前記半導体基板は、少なくとも表面が絶縁性の基板と、前記基板の表面上に配設されたＳＯＩ層とからなるＳＯＩ基板を含み、
前記絶縁分離領域は、上層部に設けられた部分絶縁領域と下層部に存在する前記ＳＯＩ層の一部である、第１の導電型の分離用半導体領域とから構成される部分絶縁分離領域を含み、前記分離用半導体領域は前記第１の半導体領域との間にＰＮ接合部を有する、
半導体装置。
【請求項８】  半導体基板に作り込まれ、容量値が固定される固定容量と、
前記半導体基板に作り込まれ容量値の可変制御が可能な可変容量とを備え、
前記固定容量と前記可変容量とは互いに並列接続され、
前記可変容量はＰＮ接合部によって形成される接合容量を含み、
前記接合容量は、
前記半導体基板上に選択的に形成される容量用ゲート絶縁膜と、
前記容量用ゲート絶縁膜上に形成される容量用ゲート電極と、
前記半導体基板の表面内における前記容量用ゲート電極下の第１の導電型の容量用ボディー領域を挟んで形成される、第２及び第１の導電型の第１及び第２の半導体領域とを含み、前記第１の半導体領域は前記容量用ボディー領域との間にＰＮ接合部を有する、
半導体装置。
【請求項９】  請求項８記載の半導体装置であって、
前記半導体基板は、少なくとも表面が絶縁性の基板と、前記基板の表面上に配設されたＳＯＩ層とからなるＳＯＩ基板を含む、半導体装置。
【請求項１０】  請求項１ないし請求項９のうち、いずれか１項に記載の半導体装置であって、
前記第１及び第２の半導体領域の表面に形成された第１及び第２のシリサイド領域をさらに備える、
半導体装置。
【請求項１１】  請求項１ないし請求項１０のうち、いずれか１項に記載の半導体装置であって、
前記固定容量は前記可変容量の最大容量値より大きい容量値を有する固定容量を含む、
半導体装置。
【請求項１２】  少なくとも表面が絶縁性の基板と、前記基板の表面上に配設された第１の導電型のＳＯＩ層とからなるＳＯＩ基板の前記ＳＯＩ層に作り込まれる接合容量を有する半導体装置であって、
前記接合容量は、
前記ＳＯＩ層に形成される第２の導電型の第１の半導体領域と、
前記ＳＯＩ層に形成される第１の導電型の第２の半導体領域と、
前記ＳＯＩ層の上層部に設けられ、前記第１及び第２の半導体領域間を絶縁分離する絶縁分離領域とを備え、
前記絶縁分離領域は、上層部に設けられた部分絶縁領域と下層部に存在する前記ＳＯＩ層の一部である、第１の導電型の分離用半導体領域とから構成される部分絶縁分離領域を含み、
前記分離用半導体領域は前記第１の半導体領域との間にＰＮ接合部を有する、
半導体装置。
【請求項１３】  少なくとも表面が絶縁性の基板と、前記基板の表面上に配設された第１の導電型のＳＯＩ層とからなるＳＯＩ基板の前記ＳＯＩ層に作り込まれる接合容量を有する半導体装置であって、
前記接合容量は、
前記ＳＯＩ層の表面内に形成された第１の導電型の容量用ボディー領域と、
前記ＳＯＩ層に形成され、かつ前記容量用ボディー領域を挟んで形成される、第２及び第１の導電型の前記第１及び第２の半導体領域とを備え、前記第２の半導体領域の不純物濃度は前記容量用ボディー領域より高く設定され、
前記第１の半導体領域は前記容量用ボディー領域との間にＰＮ接合部を有する、
半導体装置。
【請求項１４】  請求項１２記載の半導体装置であって、
前記ＳＯＩ層に形成される第２の導電型の前記第１の半導体領域と、
前記分離半導体領域との間の電位によって、
前記ＰＮ接合部の容量値が変化することを特徴とする、
半導体装置。
【請求項１５】  請求項１３記載の半導体装置であって、
前記ＳＯＩ層に形成される第２の導電型の前記第１の半導体領域と、
前記容量用ボディー領域との間の電位によって、
前記ＰＮ接合部の容量値が変化することを特徴とする、
半導体装置。
【請求項１６】  請求項１３あるいは請求項１５記載の半導体装置であって、
前記接合容量は、
前記容量用ボディー領域上に形成される容量用ゲート絶縁膜と、
前記容量用ゲート絶縁膜上に形成される容量用ゲート電極とをさらに備える、
半導体装置。
【請求項１７】  請求項１２ないし請求項１６のうち、いずれか１項に記載の半導体装置であって、
前記第１及び第２の半導体領域の表面に形成された第１及び第２のシリサイド領域をさらに備える、
半導体装置。
【請求項１８】  半導体基板に作り込まれる絶縁ゲート型容量を含む半導体装置であって、
前記絶縁ゲート型容量は、
前記半導体基板上に選択的に形成される容量用ゲート絶縁膜と、
前記容量用ゲート絶縁膜上に形成される容量用ゲート電極と、
前記半導体基板の表面内における前記容量用ゲート電極下の容量用ボディー領域を挟んで形成される取り出し電極領域とを含み、
前記半導体装置は、
前記容量用ゲート電極は一方端及び他方端に、外部配線との電気的接続可能な第１及び第２のコンタクトパッド部を有することを特徴とする、
半導体装置。
【請求項１９】  請求項１８記載の半導体装置であって、
前記第１及び第２のコンタクトパッド部を介して前記容量用ゲート電極と電気的に接続される第１の配線と、
前記取り出し電極領域に電気的に接続して設けられる第２の配線をさらに備え、
前記第１及び第２の配線は平面視した際に仮想直線上に沿って形成されることを特徴とする、
半導体装置。
【請求項２０】  半導体基板に作り込まれる絶縁ゲート型容量を含む半導体装置であって、
前記絶縁ゲート型容量は、
前記半導体基板上に選択的に形成される容量用ゲート絶縁膜と、
前記容量用ゲート絶縁膜上に形成される容量用ゲート電極と、
前記半導体基板の表面内における前記容量用ゲート電極下の容量用ボディー領域を挟んで形成される取り出し電極領域とを含み、
前記取り出し電極領域は平面視中心領域に中空部を有し、
前記容量用ゲート電極は前記中空部から平面視放射状に延びて形成される複数の部分ゲート部を含む、
半導体装置。
【請求項２１】  請求項２０記載の半導体装置であって、
前記複数の部分ゲート部は前記中空部から四方に均等に延びて形成される４個の部分ゲート部を含む、
半導体装置。
【請求項２２】  請求項２０記載の半導体装置であって、
前記複数の部分ゲート部は前記中空部から八方に延びて形成される８個の部分ゲート部を含む、
半導体装置。
【請求項２３】  請求項２０記載の半導体装置であって、
前記中空部は複数の中空部を含み、
前記複数の部分ゲート部は前記複数の中空部からそれぞれ所定数の前記部分ゲート部が平面視放射状に延びて形成される、
半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
図５５及び図５６はＮ型可変容量Ｃ１２の容量値変更度合を示す説明図である。ゲート電極１４３に付与するゲート電圧ＶＧが０Ｖより小さい場合、図５５に示すように、空乏層１４８はゲート電極１４３下のＮウェル領域１２１において下方に延びるため、Ｎ型可変容量Ｃ１２の容量値は小さくなる。一方、ゲート電圧ＶＧが０Ｖより大きい場合、図５６に示すように、空乏層１４８はゲート電極１４３下のＮウェル領域１２１において縮んでいるため、Ｎ型可変容量Ｃ１２の容量値は大きくなる。このように、ゲート電極１４３に付与するゲート電圧ＶＧによってＮ型可変容量Ｃ１２の容量値を可変に設定することができる。なお、Ｐ型可変容量Ｃ１１においても同様なゲート電極１３３に付与するゲート電圧によって容量値を変更することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る請求項１記載の半導体装置は、半導体基板に作り込まれ、容量値が固定される固定容量と、前記半導体基板に作り込まれ容量値の可変制御が可能な可変容量とを備え、前記固定容量と前記可変容量とは互いに並列接続され、前記半導体基板は第１の導電型の半導体基板を含み、前記可変容量はＰＮ接合部によって形成される接合容量を含み、前記接合容量は、前記半導体基板の上層部に設けられた第２の導電型の第１の半導体領域とを備え、前記第１の半導体領域は前記半導体基板の第１の導電型の領域との間にＰＮ接合部を有し、前記半導体基板の上層部に設けられた第１の導電型の第２の半導体領域と、前記半導体基板の上層部に設けられ、前記第１及び第２の半導体領域間を絶縁分離する絶縁分離領域とをさらに備える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
また、請求項２の発明は、請求項１記載の半導体装置であって、前記固定容量は、ＭＩＭ型容量を含む。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
また、請求項３の発明は、請求項１記載の半導体装置であって、前記固定容量は、ＰＩＰ型容量を含む。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
この発明に係る請求項４記載の半導体装置は、半導体基板に作り込まれ、容量値が固定される固定容量と、前記半導体基板に作り込まれ容量値の可変制御が可能な可変容量とを備え、前記固定容量と前記可変容量とは互いに並列接続され、前記固定容量は絶縁ゲート型容量を含み、前記絶縁ゲート型容量は、前記半導体基板上に選択的に形成される容量用ゲート絶縁膜と、前記容量用ゲート絶縁膜上に形成され、固定電位が付与される容量用ゲート電極と、前記半導体基板の表面内における前記容量用ゲート電極下の容量用ボディー領域を挟んで形成される取り出し電極領域とを含む。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
この発明に係る請求項５記載の半導体装置は、半導体基板に作り込まれ、容量値が固定される固定容量と、前記半導体基板に作り込まれ容量値の可変制御が可能な可変容量とを備え、前記固定容量と前記可変容量とは互いに並列接続され、前記可変容量は絶縁ゲート型容量を含み、前記絶縁ゲート型容量は、前記半導体基板上に選択的に形成される容量用ゲート絶縁膜と、前記容量用ゲート絶縁膜上に形成される容量用ゲート電極と、前記半導体基板の表面内における前記容量用ゲート電極下の容量用ボディー領域を挟んで形成される取り出し電極領域とを含み、前記絶縁ゲート型容量は前記容量用ゲート電極の電位によって容量値が変化する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
また、請求項６の発明は、請求項１ないし請求項５のうち、いずれか１項に記載の半導体装置であって、前記固定容量は容量値が異なる複数の部分固定容量を含む。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
また、請求項７の発明は、請求項１記載の半導体装置であって、前記半導体基板は、少なくとも表面が絶縁性の基板と、前記基板の表面上に配設されたＳＯＩ層とからなるＳＯＩ基板を含み、前記絶縁分離領域は、上層部に設けられた部分絶縁領域と下層部に存在する前記ＳＯＩ層の一部である、第１の導電型の分離用半導体領域とから構成される部分絶縁分離領域を含み、前記分離用半導体領域は前記第１の半導体領域との間にＰＮ接合部を有する。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
この発明に係る請求項８記載の半導体装置は、半導体基板に作り込まれ、容量値が固定される固定容量と、前記半導体基板に作り込まれ容量値の可変制御が可能な可変容量とを備え、前記固定容量と前記可変容量とは互いに並列接続され、前記可変容量はＰＮ接合部によって形成される接合容量を含み、前記接合容量は、前記半導体基板上に選択的に形成される容量用ゲート絶縁膜と、前記容量用ゲート絶縁膜上に形成される容量用ゲート電極と、前記半導体基板の表面内における前記容量用ゲート電極下の第１の導電型の容量用ボディー領域を挟んで形成される、第２及び第１の導電型の第１及び第２の半導体領域とを含み、前記第１の半導体領域は前記容量用ボディー領域との間にＰＮ接合部を有する。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
また、請求項９の発明は、請求項８記載の半導体装置であって、前記半導体基板は、少なくとも表面が絶縁性の基板と、前記基板の表面上に配設されたＳＯＩ層とからなるＳＯＩ基板を含む。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
また、請求項１０の発明は、請求項１ないし請求項９のうち、いずれか１項に記載の半導体装置であって、前記第１及び第２の半導体領域の表面に形成された第１及び第２のシリサイド領域をさらに備える。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
また、請求項１１の発明は、請求項１ないし請求項１０のうち、いずれか１項に記載の半導体装置であって、前記固定容量は前記可変容量の最大容量値より大きい容量値を有する固定容量を含む。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
この発明に係る請求項１２記載の半導体装置は、少なくとも表面が絶縁性の基板と、前記基板の表面上に配設された第１の導電型のＳＯＩ層とからなるＳＯＩ基板の前記ＳＯＩ層に作り込まれる接合容量を有する半導体装置であって、前記接合容量は、前記ＳＯＩ層に形成される第２の導電型の第１の半導体領域と、前記ＳＯＩ層に形成される第１の導電型の第２の半導体領域と、前記ＳＯＩ層の上層部に設けられ、前記第１及び第２の半導体領域間を絶縁分離する絶縁分離領域とを備え、前記絶縁分離領域は、上層部に設けられた部分絶縁領域と下層部に存在する前記ＳＯＩ層の一部である、第１の導電型の分離用半導体領域とから構成される部分絶縁分離領域を含み、前記分離用半導体領域は前記第１の半導体領域との間にＰＮ接合部を有する。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
この発明にかかる請求項１３記載の半導体装置は、少なくとも表面が絶縁性の基板と、前記基板の表面上に配設された第１の導電型のＳＯＩ層とからなるＳＯＩ基板の前記ＳＯＩ層に作り込まれる接合容量を有する半導体装置であって、前記接合容量は、前記ＳＯＩ層の表面内に形成された第１の導電型の容量用ボディー領域と、前記ＳＯＩ層に形成され、かつ前記容量用ボディー領域を挟んで形成される、第２及び第１の導電型の前記第１及び第２の半導体領域とを備え、前記第２の半導体領域の不純物濃度は前記容量用ボディー領域より高く設定され、前記第１の半導体領域は前記容量用ボディー領域との間にＰＮ接合部を有する。
また、請求項１４の発明は、請求項１２記載の半導体装置であって、前記ＳＯＩ層に形成される第２の導電型の前記第１の半導体領域と、前記分離半導体領域との間の電位によって、前記ＰＮ接合部の容量値が変化する。
また、請求項１５の発明は、請求項１３記載の半導体装置であって、前記ＳＯＩ層に形成される第２の導電型の前記第１の半導体領域と、前記容量用ボディー領域との間の電位によって、前記ＰＮ接合部の容量値が変化する。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
また、請求項１６の発明は、請求項１３あるいは請求項１５記載の半導体装置であって、前記接合容量は、前記容量用ボディー領域上に形成される容量用ゲート絶縁膜と、前記容量用ゲート絶縁膜上に形成される容量用ゲート電極とをさらに備える。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
また、請求項１７の発明は、請求項１２ないし請求項１６のうち、いずれか１項に記載の半導体装置であって、前記第１及び第２の半導体領域の表面に形成された第１及び第２のシリサイド領域をさらに備える。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
この発明に係る請求項１８記載の半導体装置は、半導体基板に作り込まれる絶縁ゲート型容量を含む半導体装置であって、前記絶縁ゲート型容量は、前記半導体基板上に選択的に形成される容量用ゲート絶縁膜と、前記容量用ゲート絶縁膜上に形成される容量用ゲート電極と、前記半導体基板の表面内における前記容量用ゲート電極下の容量用ボディー領域を挟んで形成される取り出し電極領域とを含み、前記半導体装置は、前記容量用ゲート電極は一方端及び他方端に、外部配線との電気的接続可能な第１及び第２のコンタクトパッド部を有している。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
また、請求項１９の発明は、請求項１８記載の半導体装置であって、前記第１及び第２のコンタクトパッド部を介して前記容量用ゲート電極と電気的に接続される第１の配線と、前記取り出し電極領域に電気的に接続して設けられる第２の配線をさらに備え、前記第１及び第２の配線は平面視した際に仮想直線上に沿って形成される。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
この発明に係る請求項２０記載の半導体装置は、半導体基板に作り込まれる絶縁ゲート型容量を含む半導体装置であって、前記絶縁ゲート型容量は、前記半導体基板上に選択的に形成される容量用ゲート絶縁膜と、前記容量用ゲート絶縁膜上に形成される容量用ゲート電極と、前記半導体基板の表面内における前記容量用ゲート電極下の容量用ボディー領域を挟んで形成される取り出し電極領域とを含み、前記取り出し電極領域は平面視中心領域に中空部を有し、前記容量用ゲート電極は前記中空部から平面視放射状に延びて形成される複数の部分ゲート部を含む。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
また、請求項２１の発明は、請求項２０記載の半導体装置であって、前記複数の部分ゲート部は前記中空部から四方に均等に延びて形成される４個の部分ゲート部を含む。
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
また、請求項２２の発明は、請求項２０記載の半導体装置であって、前記複数の部分ゲート部は前記中空部から八方に延びて形成される８個の部分ゲート部を含む。
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
また、請求項２３の発明は、請求項２０記載の半導体装置であって、前記中空部は複数の中空部を含み、前記複数の部分ゲート部は前記複数の中空部からそれぞれ所定数の前記部分ゲート部が平面視放射状に延びて形成される。
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
そして、エクステンション部２４ｅの近傍領域に、エクステンション部２４ｅからチャネル領域の一部にかけてＮ-ポケット領域２７が形成される。また、ゲート電極２３の両側面にはサイドウォール２６，２６がそれぞれ形成される。さらに、Ｐ+ソース・ドレイン領域２４の表面内及びゲート電極２３の上層部にシリサイド領域２４ｓ及びシリサイド領域２３ｓがそれぞれ形成される。
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
このように、実施の形態２の半導体装置は、ＳＯＩ基板（支持基板３，埋め込み酸化膜４，ＳＯＩ層５）上に実施の形態１と同様なＭＯＳトランジスタＱ１，Ｑ２及び可変容量Ｃ１，Ｃ２を形成している。したがって、バルク基板がＳＯＩ基板に置き換わる点を除き、構造及び製造方法は実施の形態１と同様である。
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
その後、図１５に示すように、ＰＭＯＳ形成領域Ａ２以外の領域上にレジスト５８を形成した後、ＰＭＯＳ形成領域Ａ２のみに対し、Ｎ型不純物イオン７０をゲート電極２３をマスクして注入し拡散処理を施すことにより、Ｎ-拡散領域２９を形成する。なお、Ｎ型不純物イオン７０はＰ型不純物イオン６９より高い注入エネルギーで斜め注入される。
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２５】
また、ゲート電極７３の両側面にはサイドウォール７６，７６がそれぞれ形成される。さらに、Ｎ+ソース・ドレイン領域７４の表面内及びゲート電極７３の上層部にシリサイド領域７４ｓ及びシリサイド領域７３ｓがそれぞれ形成される。
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６８】
また、実施の形態７の半導体装置のように、高性能トランジスタに加え高電圧用トランジスタを有する場合、ゲート酸化膜の膜厚が高性能トランジスタより厚い高電圧用トランジスタのゲート酸化膜形成時にゲート酸化膜３２ｗを形成することにより、製造工程数を増やすことなく、膜厚が高性能トランジスタより厚いゲート酸化膜３２ｗを得ることができる。
【手続補正３２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７９】
ゲート絶縁膜１２Ｈの膜厚をゲート酸化膜３２ｗと同程度であるため、ゲート絶縁膜１２Ｈ及びゲート酸化膜３２ｗを同一工程で製造することにより、製造工程数を増やすことなく、膜厚が高性能トランジスタより厚いゲート酸化膜３２ｗを得ることができる。この際、ゲート絶縁膜１２ＨをHigh-ｋ材料で形成することにより、ＮＭＯＳトランジスタＱ１Ｈの電気的特性に悪影響は生じない。
【手続補正３３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１０】
第１の態様は、ゲート電極１７３形成後にＮ+拡散領域１７４及びＰ+拡散領域１７５を形成する場合、ゲート電極１７３直下のＰ-基板１６１の表面（ボディー領域）がゲート電極１７３によってマスクされるため、比較的簡単にボディー領域の不純物濃度を低く抑えることができる。
【手続補正３４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２５８】
１つのゲートコンタクトパッド２０８ａ及び４つのゲートコンタクトパッド２０８ｂは１つのゲートコンタクト２０９ａ及び４つのゲートコンタクト２０９ｂそれぞれを介して、図示しないアルミ等の配線と電気的に接続することができる。
【手続補正３５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２６４】
１つのゲートコンタクトパッド２０８ａ、４つのゲートコンタクトパッド２０８ｂ及び４つのゲートコンタクトパッド２０８ｃは１つのゲートコンタクト２０９ａ、４つのゲートコンタクト２０９ｂ及び４つのゲートコンタクト２０９ｃそれぞれを介して、図示しないアルミ等の配線と電気的に接続することができる。
【手続補正３６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２６９】
４つのゲートコンタクトパッド２１３ａ及び８つのゲートコンタクトパッド２１３ｂは４つのゲートコンタクト２１４ａ及び８つのゲートコンタクト２１４ｂそれぞれを介して、図示しないアルミ等の配線と電気的に接続することができる。
【手続補正３７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２７５】
さらに、請求項１記載の半導体装置は比較的Ｑ値の高い接合容量を可変容量として用いることにより、固定容量と可変容量との合成容量のＱ値の向上を図ることができる。
加えて、請求項１記載の半導体装置は、第１及び第２の半導体領域間を絶縁分離することにより、十分な耐圧を有する接合容量を得ることができる。
【手続補正３８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２７６】
請求項２記載の半導体装置は比較的Ｑ値の高いＭＩＭ型容量を固定容量として用いることにより、固定容量と可変容量との合成容量のＱ値の向上を図ることができる。
【手続補正３９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２７７】
請求項３記載の半導体装置はＱ値の高く設定可能なＰＩＰ型容量を固定容量として用いることにより、固定容量と可変容量との合成容量のＱ値の向上を図ることができる。
【手続補正４０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２７８】
請求項４記載の半導体装置は容量用ゲート電極に固定電位を付与することにより絶縁ゲート型容量を固定容量として用いることにより、絶縁ゲート型トランジスタ構造を利用した構造の固定容量を得ることができる。
【手続補正４１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２７９】
請求項５記載の半導体装置は、容量用ゲート電極の電位によって容量値が変化する絶縁ゲート型容量を可変容量として用いることにより、絶縁ゲート型トランジスタ構造を利用した構造の可変容量を得ることができる。
【手続補正４２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２８０】
請求項６記載の半導体装置は、容量値が異なる複数の部分固定容量を適宜組み合わせることにより、固定すべき容量値に選択性を持たせることができる。
【手続補正４３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２８１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２８２】
請求項７記載の半導体装置は、ＳＯＩ基板に形成された寄生容量の影響の小さい接合容量を得ることができる。
【手続補正４５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２８３】
請求項８記載の半導体装置における絶縁ゲート型の接合容量は、容量用ゲート電極をマスクとして第１及び第２の半導体領域を形成することにより、容量用ボディー領域の不純物濃度を第２の半導体領域よりも低く抑えることが比較的簡単に行える。
【手続補正４６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２８４】
請求項９記載の半導体装置は、ＳＯＩ基板に形成された寄生容量の影響の小さい接合容量を得ることができる。
【手続補正４７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２８５】
請求項１０記載の半導体装置の接合容量は、第１及び第２のシリサイド領域により直流抵抗成分の低下を図ることができる。
【手続補正４８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２８６】
請求項１１記載の半導体装置は、可変容量の固定容量に対する比率を低くすることにより、可変容量の変化度合が小さい特性を得ることができる。例えば、ＶＣＯの発振周波数決定用に可変容量と固定容量との合成容量を利用する場合、ジッタを低減するという特性を得ることができる。
【手続補正４９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２８７】
この発明に係る請求項１２記載の半導体装置は、ＳＯＩ基板に形成することにより、寄生容量の影響が小さい接合容量を得ることができる。
【手続補正５０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２８８】
また、請求項１２記載の半導体装置は部分絶縁領域によって第１及び第２の半導体領域間を絶縁分離し、かつ部分絶縁領域下の分離用半導体領域と第１の半導体領域との間にＰＮ接合部を形成することにより、素子分離構造を利用して接合容量を形成することができる。
【手続補正５１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２９０】
請求項１３記載の半導体装置は第２の半導体領域の半導体領域より不純物濃度が低い容量用ボディー領域を第１及び第２の半導体領域間に介在させることにより、十分な耐圧の接合容量を得ることができる。
【手続補正５２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２９１】
請求項１６記載の半導体装置は、製造工程時に容量用ゲート電極を容量用ボディー領域への不純物注入のマスクとして活用することにより、容量用ボディー領域の不純物濃度を第２の半導体領域よりも低く抑えることが比較的簡単に行える。
【手続補正５３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２９２】
請求項１７記載の半導体装置の接合容量は、第１及び第２のシリサイド領域により直流抵抗成分の低下を図ることができる。
【手続補正５４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２９３】
この発明における請求項１８記載の半導体装置は、第１及び第２のコンタクトパッド部によって外部配線との電気的接続を図ることにより、容量用ゲート電極に付随する抵抗値の低減を図ることができる。
【手続補正５５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２９４】
請求項１９記載の半導体装置は、第１及び第２の配線は平面視した際に仮想直線上に沿って形成されるため、高周波信号が直線的に流れ、ロスの少ない信号伝搬が可能となる。
【手続補正５６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２９５】
この発明における請求項２０記載の複数の部分ゲート部により容量用ゲート電極を構成することにより、個々の部分ゲート部の長さがゲート幅として規定されるため、ゲート電極の抵抗値の低減を図ることができる。
【手続補正５７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２９６】
請求項２１記載の半導体装置の絶縁ゲート型容量の複数の部分ゲート部は中空部から四方に均等に延びて形成されるため、比較的容易に形成可能なパターン形状で形成することができる。
【手続補正５８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２９７】
請求項２２記載の半導体装置の絶縁ゲート型容量の複数の部分ゲート部は中空部から八方に延びて形成されるため、ゲート電極に付随する抵抗値をより一層の低減化を図ることができる。
【手続補正５９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２９８】
請求項２３記載の半導体装置の絶縁ゲート型容量の複数の部分ゲート部は複数の中空部からそれぞれに平面視放射状に延びて形成されるため、複数の中空部の数に応じてゲート電極に付随する抵抗値の低減化を図ることができる。
【手続補正６０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５１】  この発明の実施の形態２０である絶縁ゲート型容量のゲートコンタクト構造の第３の態様を示す平面図である。