Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月17日(2008.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
ただし、赤色画素１２Ｒと青色画素１２Ｂの配置密度はベイヤ配列に対して１／２になるのでカラー分解能が低下する。しかしながら、色に関する人間の視感度は、緑Ｇに比べて赤Ｒや青Ｂは劣るので、大きな問題にはならないと考えてよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
なお、本例では、白色フィルタ１４Ｗの可視光領域の透過率は、青色フィルタ１４Ｂ、緑色フィルタ１４Ｇ、赤色フィルタ１４Ｒの各可視光領域の透過率の比と概ね同じにすることで広波長領域画素１２Ａにおける可視光帯のホワイトバランスを考慮しつつ、全体としてそれらの透過率よりも高く、広波長領域画素１２Ａでの可視光領域の感度自体も、青色画素１２Ｂ、赤色画素１２Ｒ、緑色画素１２Ｇの感度よりも高くなるようにしてある。  不可視光成分の一例である赤外光成分も検知可能にすることで高感度化を図るだけでなく、可視光領域自体でも、可視光領域内を複数に波長分離して各成分を検知する他の色画素（本例では赤色画素１２Ｒ、緑色画素１２Ｇ、青色画素１２Ｂ）よりも高感度に検知できるようにし、一層の高感度化を図るようにしているのである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３６】
マスクを用意し、広波長領域画素１２Ａ用のイオン注入工程と赤外光検知画素１２IR用のイオン注入工程とを分けて、イオンビームの照射強度を別にして実施することもできるが、この場合、工程数が増える難点がある。これに対して、本例の製造方法では、１つのイオンビーム照射工程で済むので、製造時間やコストを低減できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９７】
このような問題を解決するべく、本実施形態の撮像装置３００は、画像信号処理部３４０に赤外光抑制補正処理部３４２を備えることで、可視光を受光する検知領域における赤外光混入による色再現問題の解決を図るようにしている。加えて、赤外光成分の受光感度が向上するように半導体層の側面（デバイスの側面）から改善を図っておくことで、その赤外光成分を使った補正結果が十分な性能になるようにしている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月15日(2008.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面側基板と背面側基板の対向間隙に放電ガスが封入され、片方の基板の内面上にガス封入空間を放電セル配列に区画する隔壁が配置されてなるプラズマディスプレイパネルであって、
前記隔壁は、上層隔壁と下層隔壁からなり、上層隔壁及び下層隔壁はエッチングに対する耐性が互いに異なる隔壁材料で構成されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記上層隔壁は、前記下層隔壁を形成するエッチングに対して耐性を有する隔壁材料で構成されることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記上層隔壁がサンドブラスト法により形成され、前記下層隔壁が化学エッチングで形成されてなることを特徴とする請求項１又は２記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記上層隔壁が光透過層であり、前記下層隔壁が光反射層であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記上層隔壁が低融点ガラスで構成され、前記下層隔壁がアルミニウム又は銅で構成されることを特徴とする請求項４記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記前面側基板の内面上には面放電を発生する複数の電極とそれを覆う第１の誘電体層が設けられ、前記背面側基板上には前記面放電用の電極と交差する方向に配列されアドレス放電を発生する複数のアドレス電極とそれを覆う第２の誘電体層が設けられ、前記隔壁が前記第２の誘電体層上に設けられていることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記第２の誘電体層が光反射性を有することを特徴とする請求項６記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
前面側基板と背面側基板の対向間隙に放電ガスが封入され、片方の基板の内面上にガス封入空間を放電セル配列に区画する隔壁が配置されてなるプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記隔壁を形成するに際して、
前記片方の基板の内面上に形成されている誘電体層上に第１のエッチングに対して耐性を有する第１の隔壁材料膜を形成する工程と、
前記第１の隔壁材料膜上に第２のエッチングに対して耐性を有する第２の隔壁材料膜を形成する工程と、
前記第２の隔壁材料膜上にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記第２の隔壁材料膜を第１のエッチングで加工し隔壁の上層を形成する工程と、
前記第１の隔壁材料膜を第２のエッチングで加工し隔壁の下層を形成する工程とを含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項９】
前記第１のエッチングがサンドブラストであり、前記第２のエッチングが化学エッチングであることを特徴とする請求項８記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１０】
前記第１及び第２のエッチングが、ともに化学エッチングであることを特徴とする請求項８記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１１】
背面側基板と、
前記背面側基板を覆う第１の誘電体層と、
前記背面側基板に対向する前面側基板と、
前記前面側基板を覆う第２の誘電体層とを有し、
前記第１の誘電体層上に、エッチング耐性が互いに異なる材料からなる上層隔壁と下層隔壁を備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１２】
前記上層隔壁は、前記下層隔壁を形成するエッチングに対して耐性を有する隔壁材料で構成されることを特徴とする請求項１１記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１３】
前記上層隔壁の高さは、前記下層隔壁の高さよりも高いことを特徴とする請求項１１記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１４】
前記上層隔壁は、前記下層隔壁よりも化学エッチング耐性が高いことを特徴とする請求項１１記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１５】
前記上層隔壁がサンドブラスト法により形成され、前記下層隔壁が化学エッチングにより形成されたことを特徴とする請求項１１〜１３の何れか１項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１６】
前記上層隔壁が光透過層であり、前記下層隔壁が光反射層であることを特徴とする請求項１１〜１５の何れか１項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１７】
前記上層隔壁が低融点ガラスで構成され、前記下層隔壁がアルミニウム又は銅で構成されることを特徴とする請求項１６記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１８】
前記前面側基板上には面放電を発生する複数の電極とそれを覆う第２の誘電体層が設けられ、前記背面側基板上には前記面放電用の電極と交差する方向に配列されアドレス放電を発生する複数のアドレス電極とそれを覆う第１の誘電体層が設けられ、前記隔壁が前記第１の誘電体層上に設けられていることを特徴とする請求項１１〜１７の何れか１項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１９】
前記第１の誘電体層が光反射性を有することを特徴とする請求項１８記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２０】
前記第１の誘電体層が、酸化チタンを含むことを特徴とする請求項１９記載のプラズマディスプレイパネル。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月25日(2008.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成された被加工膜に所定のパターンを形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって、
前記被加工膜上に、第１の膜、第２の膜、および第３の膜がこの順で積層された積層ハードマスク膜を形成する工程と、
第１のパターンを有する第１のレジスト膜をマスクとし前記第２の膜をエッチングストッパとして前記第３の膜を選択的にドライエッチングして前記第３の膜に前記第１のパターンを形成する工程と、
前記第１のレジスト膜を除去する工程と、
前記第１のレジスト膜を除去した後、第２のパターンを有する第２のレジスト膜を前記積層ハードマスク膜上に形成し、当該第２のレジスト膜をマスクとして、前記積層ハードマスク膜および前記被加工膜を順次選択的にドライエッチングして前記被加工膜を前記所定のパターンに形成する工程と、
前記被加工膜を前記所定のパターンに形成した後、当該被加工膜上に残った前記第１の膜を除去する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２のレジスト膜をマスクとして、前記被加工膜を前記所定のパターンに形成する工程は、
前記第３の膜および前記第２のレジスト膜をマスクとして、前記第２の膜を選択的にドライエッチングして当該第２の膜を前記所定のパターンに形成する工程と、
前記第２の膜をマスクとして、前記第１の膜および前記被加工膜を順次選択的にドライエッチングして前記被加工膜を前記所定のパターンに形成する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１のレジスト膜を除去する工程と、前記被加工膜を前記所定のパターンに形成する工程との間に、
前記積層ハードマスク膜上に前記第３の膜に形成された前記第１のパターンの一部を除去するための第３のパターンを有する第３のレジスト膜を形成し、当該第３のレジスト膜をマスクとし前記第２の膜をエッチングストッパ膜として前記第３の膜をさらに選択的にドライエッチングする工程と、
前記第３のレジスト膜を除去する工程と、
をさらに含む半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１から３いずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２のパターンは、平面視において前記第１のパターンと重なる領域を有する半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１から４いずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記所定のパターンは、複数のゲートパターンを含む半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１から５いずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第３の膜に前記第１のパターンを形成する工程は、
前記積層ハードマスク膜上に、レジスト膜を形成する工程と、
前記第１のパターンを有するレベンソン位相シフトマスクを用いて前記第１のレジスト膜を形成する工程と、
をさらに含む半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１から６いずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の膜は、炭素系の膜である半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１から７いずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の膜は、アモルファスカーボンにより構成された半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７または８に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の膜を除去する工程において、アッシングにより前記第１の膜を除去する半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月13日(2008.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ光電変換部を有する複数の画素が形成された半導体基板と、
前記半導体基板上に積層される複数層の絶縁膜と、
前記複数層の絶縁膜の間に形成される配線膜と、
前記複数層の絶縁膜の間に各光電変換部に対応して形成される層内レンズと、
前記絶縁膜上に各光電変換部に対応して形成される光学フィルタと、
前記光学フィルタ上に各光電変換部に対応して形成されるオンチップレンズとを有し、
前記層内レンズ及びオンチップレンズの少なくとも一つは、前記光学フィルタの特性に応じて画素毎に異なる構造を有する、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
複数層の前記層内レンズを有し、少なくとも１層の層内レンズが一部の光学フィルタに対応する画素の光電変換部にのみ対応して形成されていることを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記層内レンズが凸レンズを含むことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記層内レンズが凹レンズを含むことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記光学フィルタが３原色カラーフィルタであることを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記層内レンズ及びオンチップレンズの少なくとも一つは、前記カラーフィルタの色に応じて画素毎に異なる構造を有することを特徴とする請求項５記載の固体撮像装置。
【請求項７】
被写体の撮像を行うための固体撮像装置と、前記固体撮像装置の受光部に被写体像を結像させる撮像光学系と、前記撮像光学系を駆動する駆動制御部と、前記固体撮像装置からの出力信号を信号処理し、撮像信号を生成する信号処理部と、前記信号処理部によって生成された撮像信号を記録する記録部と、前記信号処理部によって生成された撮像信号を出力する出力部と、撮像動作を制御するための各種信号を入力する操作部と有し、
前記固体撮像装置は、
それぞれ光電変換部を有する複数の画素が形成された半導体基板と、
前記半導体基板上に積層される複数層の絶縁膜と、
前記複数層の絶縁膜の間に形成される配線膜と、
前記複数層の絶縁膜の間に各光電変換部に対応して形成される層内レンズと、
前記絶縁膜上に各光電変換部に対応して形成される光学フィルタと、
前記光学フィルタ上に各光電変換部に対応して形成されるオンチップレンズとを有し、
前記層内レンズ及びオンチップレンズの少なくとも一つは、前記光学フィルタの特性に応じて画素毎に異なる構造を有する、
ことを特徴とする撮像装置。
【請求項８】
複数層の前記層内レンズを有し、少なくとも１層の層内レンズが一部の光学フィルタに対応する画素の光電変換部にのみ対応して形成されていることを特徴とする請求項７記載の撮像装置。
【請求項９】
前記層内レンズが凸レンズを含むことを特徴とする請求項７記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記層内レンズが凹レンズを含むことを特徴とする請求項７記載の撮像装置。
【請求項１１】
前記光学フィルタが３原色カラーフィルタであることを特徴とする請求項７記載の撮像装置。
【請求項１２】
前記層内レンズ及びオンチップレンズの少なくとも一つは、前記カラーフィルタの色に応じて画素毎に異なる構造を有することを特徴とする請求項１１記載の撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上述の目的を達成するため、本発明の固体撮像装置は、それぞれ光電変換部を有する複数の画素が形成された半導体基板と、前記半導体基板上に積層される複数層の絶縁膜と、前記複数層の絶縁膜の間に形成される配線膜と、前記複数層の絶縁膜の間に各光電変換部に対応して形成される層内レンズと、前記絶縁膜上に各光電変換部に対応して形成される光学フィルタと、前記光学フィルタ上に各光電変換部に対応して形成されるオンチップレンズとを有し、前記層内レンズ及びオンチップレンズの少なくとも一つは、前記光学フィルタの特性に応じて画素毎に異なる構造を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また本発明の撮像装置は、被写体の撮像を行うための固体撮像装置と、前記固体撮像装置の受光部に被写体像を結像させる撮像光学系と、前記撮像光学系を駆動する駆動制御部と、前記固体撮像装置からの出力信号を信号処理し、撮像信号を生成する信号処理部と、前記信号処理部によって生成された撮像信号を記録する記録部と、前記信号処理部によって生成された撮像信号を出力する出力部と、撮像動作を制御するための各種信号を入力する操作部と有し、前記固体撮像装置は、それぞれ光電変換部を有する複数の画素が形成された半導体基板と、前記半導体基板上に積層される複数層の絶縁膜と、前記複数層の絶縁膜の間に形成される配線膜と、前記複数層の絶縁膜の間に各光電変換部に対応して形成される層内レンズと、前記絶縁膜上に各光電変換部に対応して形成される光学フィルタと、前記光学フィルタ上に各光電変換部に対応して形成されるオンチップレンズとを有し、前記層内レンズ及びオンチップレンズの少なくとも一つは、前記光学フィルタの特性に応じて画素毎に異なる構造を有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2008091841.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2008091841.tif 000002
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2008091841.tif 000003
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
2008091841.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月22日(2008.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 Ｘ線源と複数の検出器より成る検出器アレイとを備えていて、走査において取得された投影データを用いて物体の基本断層撮影画像及び後続の断層撮影画像を形成するシステムであって、
前記投影データを各々が複数のビューを有している複数のセグメントに分割し、
該セグメントに分割された投影データを使用して、各々のセグメント毎に基本画像データを形成し、
各々のセグメントの前記基本画像データに基づいて後続の画像データを形成するように構成されており、
各々のセグメント毎に前記画像データを形成するために、各々のセグメント毎に、オーバースキャン重み付き画像データ及び単位重み付き画像データを形成し、
前記オーバースキャン重み付き画像データ及び前記単位重み付き画像データを線形的に結合して、前記後続の画像データを各々のセグメント毎に形成することを特徴とする前記システム。
【請求項２】 前記基本画像データを形成するために、前記基本画像データを２πの角度範囲毎にＭ個のセグメントに分割するように構成されている請求項１に記載のシステム。
【請求項３】 セグメントｋについての前記後続の画像データＰは、
【数１】
であり、ここで、ＯＫはセグメントｋについてのオーバースキャン重み付き画像データであり、Ｕｉはセグメントｉについての単位重み付き画像データであり、ｋ≧１である請求項３に記載のシステム。
【請求項４】 セグメントｋについての前記後続の画像データＰは、
ＰＫ＝ＰＫ−１−ＯＫ−１−ＵＫ＋ＯＫ＋ＯＫ＋Ｍ−１＋ＵＫ＋Ｍ−ＯＫ＋Ｍであり、
ここで、ＯＫはセグメントｋについてのオーバースキャン重み付き画像データであり、ＵＫはセグメントｋについての単位重み付き画像データであり、ｋ＞１及びＭ＞６である請求項２に記載のシステム。
【請求項５】 各々のセグメントが複数の数のビューを含んでいる請求項２に記載のシステム。
【請求項６】 ｋ番目のセグメントにおけるビューの数が、（ｋ＋Ｍ）番目のセグメントにおけるビューの数に等しい請求項５に記載のシステム。
【請求項７】 数Ｄのプロセッサ・パイプを更に含んでおり、
ここで、βがビュー角度であり且つβ０が画像再構成について３６０°を超えた分のガントリ回転の角度であるとして、各々のセグメントにおけるビューの数が、０≦β≦β０におけるビューの数よりも大きいか又はこれに等しい請求項６に記載のシステム。
【請求項８】 データ取得システム（ＤＡＳ）を更に含んでおり、１セグメント当たりのビューの数を選択するために、ＤＡＳのデータ・サンプリング速度を、１セグメント当たり選択された数のビューが収集されるように調節するように構成されている請求項７に記載のシステム。
【請求項９】 前記調節後のサンプリング速度は、Ｒ＝Ｖ／（Ｄ＊Ｍ）
であり、ここで、Ｒは整数であり、Ｖはガントリの２πの回転当たりのビューの数である請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】 Ｘ線源と複数の検出器より成る検出器アレイとを備えている計算機式断層撮影（ＣＴ）システムで、走査において取得された投影データを用いて物体の画像を再構成する方法であって、
前記投影データを各々が複数のビューを有している複数のセグメントに分割する工程と、
該セグメントに分割された投影データを使用して、各々のセグメント毎に基本画像データを形成する工程と、
各々のセグメントの前記基本画像データに基づいて、後続の画像データを形成する工程とを有しており、
各々のセグメント毎に前記画像データを形成するために、各々のセグメント毎に、オーバースキャン重み付き画像データ及び単位重み付き画像データを形成し、
前記オーバースキャン重み付き画像データ及び前記単位重み付き画像データを線形的に結合して、前記後続の画像データを各々のセグメント毎に形成することを特徴とする前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月27日(2008.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通穴を備えたプレート群と、当該プレート群の当該貫通穴を貫通し当該プレート群を２枚のフランジで挟む構造をした貫通棒と、当該プレート群の間に挟まった圧電素子と、当該圧電素子に接続され当該圧電素子の出力電流を整流する整流回路と、当該整流回路に接続され当該整流回路の出力電流を蓄電する蓄電器より構成された事を特徴とする発電装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月4日(2008.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
旋回スクロール部材と、
固定スクロール部材と、
前記旋回スクロール部材及び前記固定スクロール部材により形成された圧縮室と、
前記旋回スクロール部材の背面に位置し、前記旋回スクロール部材を前記固定スクロール部材へ押し付ける付勢力を付与する背面過吸込圧領域と、
前記圧縮室と前記背面過吸込圧領域とを導通する複数の導通路と、
前記複数の導通路にそれぞれ配置され、前記背面過吸込圧領域の圧力が前記圧縮室の吸込圧よりも所定値以上大きくなると開口する複数の差圧制御弁と、を備えるスクロール圧縮機。
【請求項２】
請求項１において、前記複数の差圧制御弁は第１差圧制御弁と第２差圧制御弁とを有し、前記第２差圧制御弁の差圧設定値より前記第１差圧制御弁の差圧設定値の方が大きいスクロール圧縮機。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記圧縮室の圧力が前記圧縮室で圧縮された流体を吐出する吐出系の圧力である吐出圧よりも所定値以上大きくなると開口するバイパス弁を、前記圧縮室と前記吐出系との間に備えるスクロール圧縮機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係るスクロール圧縮機は、旋回スクロール部材と、固定スクロール部材と、旋回スクロール部材及び固定スクロール部材により形成された圧縮室と、旋回スクロール部材の背面に位置し、旋回スクロール部材を固定スクロール部材へ押し付ける付勢力を付与する背面過吸込圧領域と、圧縮室と背面過吸込圧領域とを導通する複数の導通路と、複数の導通路に配置され、背面過吸込圧領域の圧力が圧縮室の吸込圧よりも所定値以上大きくなると開口する複数の差圧制御弁とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月22日(2008.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザにより入力された検索キーとしての質問に基づいて、質問および回答を含む知識に関する知識情報データベースを検索する検索手段と、
前記検索手段の検索結果が検索ミスである場合、前記質問を前記知識情報データベースに登録する質問登録手段と、
登録された前記質問を公開し、回答者に該質問に対する回答を入力させ、該回答を前記知識情報データベースに登録する回答登録手段と、
前記質問に対応する回答から正解と推定されるベストの回答を選択し、該質問とベストの回答とを前記知識として前記知識情報データベースに登録する知識登録手段と、
を備えたことを特徴とする知識検索装置。
【請求項２】
前記ベストの回答を入力した回答者に対して、特典ポイントを付与する付与手段を備えたことを特徴とする請求項１に記載の知識検索装置。
【請求項３】
前記回答登録手段は、前記回答と、該回答の出典に関する出典情報とを入力させ、前記出典情報は前記回答とともに公開されることを特徴とする請求項１または２に記載の知識検索装置。
【請求項４】
前記ベストの回答として選択された旨を当該回答者へ通知する通知手段を備えたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の知識検索装置。
【請求項５】
前記質問登録手段は、前記質問の回答に関する緊急度を前記質問者に入力させ、前記回答登録手段は、該質問および緊急度を前記回答者に公開することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の知識検索装置。
【請求項６】
前記検索手段により知識が検索された場合に、当該知識に対するユーザの評価および検索キーが当該知識に含まれる度合いに基づいて知識を並べ替えて表示する知識表示手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の知識検索装置。
【請求項７】
前記知識表示手段は、前記ユーザの評価得点および前記知識が閲覧されるページのページビューの比に基づいて算出される値と、検索キーが前記知識に含まれる度合いに基づいて決定される値との和を算出し、算出された和の値に基づいて知識を並べ替えて表示することを特徴とする請求項６に記載の知識検索装置。
【請求項８】
前記知識登録手段に登録された知識の規定違反のユーザによる連絡数と前記知識が閲覧されるページのページビューとの比に基づいて算出される値に基づいて、当該知識を閲覧不能に設定する閲覧不能設定手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の知識検索装置。
【請求項９】
ユーザにより入力された検索キーとしての質問に基づいて、質問および回答を含む知識に関する知識情報データベースを検索する検索工程と、
前記検索手段の検索結果が検索ミスである場合、前記質問を前記知識情報データベースに登録する質問登録工程と、
登録された前記質問を公開し、回答者に該質問に対する回答を入力させ、該回答を前記知識情報データベースに登録する回答登録工程と、
前記質問に対応する回答から正解と推定されるベストの回答を選択し、該質問とベストの回答とを前記知識として前記知識情報データベースに登録する知識登録工程と、
を含むことを特徴とする知識検索方法。
【請求項１０】
コンピュータに、
ユーザにより入力された検索キーとしての質問に基づいて、質問および回答を含む知識に関する知識情報データベースを検索する検索工程と、
前記検索工程の検索結果が検索ミスである場合、前記質問を前記知識情報データベースに登録する質問登録工程と、
登録された前記質問を公開し、回答者に該質問に対する回答を入力させ、該回答を前記知識情報データベースに登録する回答登録工程と、
前記質問に対応する回答から正解と推定されるベストの回答を選択し、該質問とベストの回答とを前記知識として前記知識情報データベースに登録する知識登録工程と、
を実行させるための知識検索プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月30日(2007.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークを介してホスト計算機に接続される第１および第２のストレージ装置を有するストレージシステムであって、
前記第１のストレージシステムは、ホスト計算機が利用するデータを格納する第１のブロックと、前記第１のブロックに対応する第１の保持情報を格納する第１の設定情報記憶領域とを有し、
前記第２のストレージシステムは、データを格納する第２のブロックと、第２の設定情報記憶領域とを有し、
前記第１のブロック内のデータに対する移動要求に基づいて、該第１のブロック内のデータは前記第２のストレージ装置内の前記第２のブロックに移動され、前記第１の保持情報に対応する第２の保持情報は前記第２の設定情報記憶領域に格納され、
前記第２のストレージ装置は、前記第２の保持情報が前記第２の設定情報記憶領域に格納された後、前記第２のブロック内のデータを前記ホスト計算機に提供し、
前記第１のブロック内のデータが前記第２のブロックに移動された後、該第２の保持情報に基づいて、該第２のブロックに対する前記ホスト計算機からの書き込み要求を制御し、
前記第１および第２の設定情報記憶領域は、前記ホスト計算機に利用されるデータを格納する記憶領域と異なる記憶領域であることを特徴とするストレージシステム。
【請求項２】
前記第１および第２のブロックは論理ユニットより小さな単位を含み、該論理ユニットは少なくとも１つのディスクドライブによって構成される、請求項１に記載のストレージシステム。
【請求項３】
前記第１および第２のブロックは論理ユニットのグループを含む、請求項１に記載のストレージシステム。
【請求項４】
前記第１のブロック内のデータに対する移動要求は、前記第１のブロックから前記第２のブロックへのデータコピー操作に関連して発行される、請求項１に記載のストレージシステム。
【請求項５】
前記第１の保持情報はコピーされ、前記第２の保持情報として格納される、請求項１に記載のストレージシステム。
【請求項６】
前記第１のブロックに対する第１の保存期間が終了した後で前記データは前記第１のブロックから前記第２のブロックへ移動され、前記第１の保持情報が前記第１の保存期間を決める、請求項１に記載のストレージシステム。
【請求項７】
前記第２の保持情報は、前記第１の保持情報により決定される残存期間を引き継ぎ、該残存期間中は書き込み要求が制御される、請求項１に記載のストレージシステム。
【請求項８】
前記第２のストレージ装置は、前記第２のストレージ装置に連結されたコンソールが前記第２の設定情報記憶領域を管理することを許可する、請求項１に記載のストレージストレージシステム。
【請求項９】
前記第１および第２の設定情報記憶領域はそれぞれキャッシュメモリを含む、請求項１に記載のストレージシステム。
【請求項１０】
前記第１および第２の設定情報記憶領域はそれぞれ記憶ボリュームを含む、請求項１に記載のストレージシステム。
【請求項１１】
ネットワークを介してホスト計算機に接続される第１および第２のストレージ装置を有するストレージシステムであって、
前記第１のストレージシステムは、ホスト計算機が利用するデータを格納する第１のブロックと、前記第１のブロックに対応する第１の保持情報を格納する第１の設定情報記憶領域とを有し、
前記第２のストレージシステムは、データを格納する第２のブロックと、第２の設定情報記憶領域とを有し、
前記第１のブロック内のデータに対する移動要求に基づいて、該第１のブロック内のデータは前記第２のストレージ装置内の前記第２のブロックに移動され、前記第１の保持情報に対応する第２の保持情報は前記第２の設定情報記憶領域に格納され、
前記第２のストレージ装置は、前記第２の保持情報が前記第２の設定情報記憶領域に格納された後、前記第２のブロック内のデータを前記ホスト計算機に提供し、
前記第１のブロック内のデータが前記第２のブロックに移動された後、該第２の保持情報に基づいて、該第２のブロックに対する前記ホスト計算機からの書き込み要求を制御し、
前記第２のストレージ装置は、前記第２の保持情報により決定される保存期間中に前記ホスト計算機が前記第２の保持情報を変更することを禁止することを特徴とするストレージシステム。
【請求項１２】
前記第１および第２のブロックは論理ユニットより小さな単位を含み、該論理ユニットは少なくとも１つのディスクドライブによって構成される、請求項１１に記載のストレージシステム。
【請求項１３】
前記第１および第２のブロックは論理ユニットのグループを含む、請求項１１に記載のストレージシステム。
【請求項１４】
前記第１のブロック内のデータに対する移動要求は、前記第１のブロックから前記第２のブロックへのデータコピー操作に関連して発行される、請求項１１に記載のストレージシステム。
【請求項１５】
前記第１の保持情報はコピーされ、前記第２の保持情報として格納される、請求項１１に記載のストレージシステム。
【請求項１６】
前記第１のブロックに対する第１の保存期間が終了した後で前記データは前記第１のブロックから前記第２のブロックへ移動され、前記第１の保持情報が前記第１の保存期間を決める、請求項１１に記載のストレージシステム。
【請求項１７】
前記第２の保持情報は、前記第１の保持情報により決定される残存期間を引き継ぎ、該残存期間中は書き込み要求が制御される、請求項１１に記載のストレージシステム。
【請求項１８】
前記第２のストレージ装置は、前記第２のストレージ装置に連結されたコンソールが前記第２の設定情報記憶領域を管理することを許可する、請求項１１に記載のストレージストレージシステム。
【請求項１９】
前記第１および第２の設定情報記憶領域はそれぞれキャッシュメモリを含む、請求項１１に記載のストレージシステム。
【請求項２０】
前記第１および第２の設定情報記憶領域はそれぞれ記憶ボリュームを含む、請求項１１に記載のストレージシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】メディア管理のストレージシステム
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月9日(2008.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二官能エポキシ化合物と、二官能フェノール化合物と、不飽和一塩基酸および／またはフェノール性ヒドロキシル基と反応し得る官能基を有する不飽和単量体と、多塩基酸無水物とから合成され、二官能エポキシ化合物あるいは二官能フェノール化合物の少なくとも一部にビスフェノールＳ骨格を有するものを用いた酸変性ビニルエステルを含有することを特徴とする画像形成用感光性樹脂組成物。
【請求項２】
二官能エポキシ化合物と、二官能フェノール化合物と、不飽和一塩基酸および／またはフェノール性ヒドロキシル基と反応し得る官能基を有する不飽和単量体との反応においては、二官能エポキシ化合物中のエポキシ基１当量か、またはエポキシ化合物中のエポキシ基とフェノール性ヒドロキシル基と反応し得る官能基を有する不飽和単量体中の官能基との合計１当量に対し、二官能フェノール化合物中のフェノール性ヒドロキシル基の当量、または二官能フェノール化合物中のフェノール性ヒドロキシル基と不飽和一塩基酸中のカルボキシル基との合計当量が、０．８〜１．２当量となるように反応させる請求項１に記載の画像形成用感光性樹脂組成物。
【請求項３】
二官能エポキシ化合物と、二官能フェノール化合物と、不飽和一塩基酸および／またはフェノール性ヒドロキシル基と反応し得る官能基を有する不飽和単量体との反応生成物である多塩基酸無水物との反応前のビニルエステルの二重結合当量が、４５０ｇ／ｅｑ以上７０００ｇ／ｅｑ以下である請求項２に記載の画像形成用感光性樹脂組成物。
【請求項４】
上記酸変性ビニルエステルの酸価が３０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上１５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下である請求項１〜３のいずれかに記載の画像形成用感光性樹脂組成物。
【請求項５】
二官能エポキシ化合物がビスフェノールＳ骨格を有する場合は、二官能エポキシ化合物１００モル％のうちの２５モル％超をビスフェノールＳ骨格を有する二官能エポキシ化合物とし、二官能フェノール化合物がビスフェノールＳ骨格を有する場合は、二官能フェノール化合物１００モル％のうちの２５モル％超をビスフェノールＳ骨格を有する二官能フェノール化合物とする請求項１〜４のいずれかに記載の画像形成用感光性樹脂組成物。
【請求項６】
さらに、一分子中に２個以上のカルボキシル基と反応し得る官能基を有する化合物が含まれている請求項１〜５のいずれかに記載の画像形成用感光性樹脂組成物。
【請求項７】
さらに、光重合開始剤を有するものである請求項１〜６のいずれかに記載の画像形成用感光性樹脂組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月8日(2008.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
側面と端面を有するテーパ化部を有する光ファイバと、
前記光ファイバの前記テーパ化部の側面の一部に位置する導電層とを有し、
前記テーパ化部と導電層が、テーパ化部の端部に到来する予め選択された波長の光に応じて、導電層の表面に沿って伝搬する表面プラズモンを生成するようにされており、
前記光ファイバと前記導電層の間のインターフェイスが、前記表面プラズモンの一部を、前記テーパ化部の第２の端部の外へ伝搬する光に変換するように構成された構造のアレイを含む、装置。
【請求項２】
前記構造が、前記テーパ化部の中心軸に沿った規則的な間隔を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
各々の構造が、導電層材料の隆起、前記導電層内の穴、または前記光ファイバの隣接部の誘電定数とは異なる誘電定数を有する材料の隆起を含む、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
各々の構造の断面が、前記インターフェイスからλまたはそれ以上の高さおよび前記インターフェイスに沿ってλまたはそれ以上の幅を有し、ここでλは、前記光ファイバの非テーパ化部分が輸送する光の波長である、請求項２に記載の装置。
【請求項５】
テーパ化された直径を有する部分を有する光ファイバを提供する工程であって、前記部分が中心軸と側面を有する工程と、
金属膜の一表面が前記テーパ化部の中心軸に沿って規則的に隔てられた構造のアレイを有するように、前記テーパ化部の前記側面に金属膜を形成する工程とを含む、光ファイバを製造する方法。
【請求項６】
前記側面の全長の一部に沿って規則的に隔てられた第２の構造を前記テーパ化部の前記側面上に形成するために、マスク制御エッチングまたはマスク制御堆積を実行する工程をさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
光ファイバの一端で光を受信する工程と、
前記光ファイバの全長の一部に沿って表面プラズモンが伝搬するように、前記受信した光の一部を表面プラズモンに変換する工程と、
前記光ファイバの第２の端部で、前記表面プラズモンの一部を出力光に再変換する工程とを含み、
前記変換工程は、前記光ファイバの側面を被覆する金属層の表面に沿って伝搬する表面プラズモンを生成し、
前記変換工程は、前記表面上の第１の規則的な構造のアレイにおいて表面プラズモンを生成することを含み、
前記再変換工程は、前記金属層の表面上の第２の規則的な構造のアレイにおいて出力光を生成することを含む、
光の輸送方法。
【請求項８】
前記光ファイバはテーパ化され、
前記受信は前記光ファイバの一端面で前記光を受信すること、または前記光ファイバの非テーパ化部分から前記光を受信することを含む、
請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月15日(2007.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粘着跡が１０点／ｍ2以下、面内のレターデーション値（Ｒｅ値）が０〜２００ｎｍ、且つ、厚み方向のレターデーション値（Ｒｔｈ値）が３０〜５００ｎｍであるセルロースアシレートフィルム。
【請求項２】
前記Ｒｅ値およびＲｔｈ値の幅方向および長手方向の変動率がいずれも５％以下である請求項１に記載のセルロースアシレートフィルム。
【請求項３】
前記セルロースアシレートフィルムのアシレート基が、下記式（３）および（４）の置換度を満足する請求項１または２に記載のセルロースアシレートフィルム。
式（３）２．５≦Ａ＋Ｂ＜３．０
式（４）１．２５≦Ｂ＜３
（式（３）および（４）中、Ａはアセチル基の置換度を、Ｂはプロピオニル基、ブチリル基、ペンタノイル基およびヘキサノイル基の置換度の総和を示す。）
【請求項４】
１．０５〜２．５倍に横延伸された、請求項１〜３のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルム。
【請求項５】
縦延伸／横延伸比が０．０５〜０．５である、請求項１〜４のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルム。
【請求項６】
縦延伸／横延伸比が２〜２０である、請求項１〜４のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルム。
【請求項７】
２を越え５０以下の縦／横比のセルロースアシレートフィルムの製造方法であって、１．０５〜３倍に縦延伸する工程を含むセルロースアシレートフィルムの製造方法。
【請求項８】
前記延伸を、延伸ゾーンの外側に設置された２対以上のニップロールを用いて行うことを特徴とする請求項７に記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
【請求項９】
前記延伸をテンターにより行う請求項７に記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
【請求項１０】
セルロースアシレート樹脂を用いて未延伸フィルムを製造する未延伸フィルム製造工程と、該未延伸フィルムを延伸ゾーンで加熱しつつ、該延伸ゾーンの外側に、前記未延伸フィルムのフィルム幅（Ｗ）に対する２対のニップロールの間隔（Ｌ）が２を越え５０以下の縦／横比（Ｌ／Ｗ比）となるように配置されたニップロールを用いて、１．０５〜３倍に縦延伸する縦延伸工程を含むセルロースアシレートフィルムの製造方法。
【請求項１１】
前記未延伸フィルムの幅が、１ｍ〜５ｍである、請求項１０に記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
【請求項１２】
前記ニップロールの温度が（Ｔｇ−１５０）℃以上（Ｔｇ）℃未満である、請求項１０または１１に記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
【請求項１３】
前記セルロースアシレートフィルムのアシレート基が、下記式（３）および（４）の置換度を満足する、請求項７〜１２のいずれか１項に記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
式（３）２．５≦Ａ＋Ｂ＜３．０
式（４）１．２５≦Ｂ＜３
（式（３）および（４）中、Ａはアセチル基の置換度を、Ｂはプロピオニル基、ブチリル基、ペンタノイル基およびヘキサノイル基の置換度の総和を示す。）
【請求項１４】
未延伸のセルロースアシレートフィルムを１．０５〜３．０倍に縦延伸したセルロースアシレートフィルムを製造するセルロースアシレートフィルムの製造装置であって、
前記未延伸のセルロースアシレートフィルムを加熱する延伸ゾーンと、
前記延伸ゾーンの外側に、前記未延伸のセルロースアシレートフィルムのフィルム幅（Ｗ）に対する２対のニップロールの間隔（Ｌ）が２を越え５０以下の縦／横比（Ｌ／Ｗ比）となるように配置されたニップロールを有するセルロースアシレートフィルムの製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
（１２）２を越え５０以下の縦／横比のセルロースアシレートフィルムの製造方法であって、１．０５倍〜３．０倍に縦延伸する工程を含むセルロースアシレートフィルムの製造方法。
（１３）前記縦延伸を、延伸ゾーンの外側に設置された２対以上のニップロールを用いて行うことを特徴とする上記（１２）に記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
（１４）前記縦延伸をテンターにより行う上記（１２）に記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
（１５）前記延伸は、熱処理ゾーンの中を非接触で搬送されながら縦延伸する上記（１２）〜（１４）のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
（１６）前記延伸は、熱処理ゾーンの中を非接触で搬送されながら縦延伸する上記（１２）〜（１５）のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月13日(2008.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
軸芯体と、該軸芯体の外周面に、導電性弾性層と、該導電性弾性層の外周を被覆する樹脂表面層との２層を少なくとも有する現像ローラであって、
該樹脂表面層が、ポリエーテルポリオール成分（Ａ）とイソシアネート成分（Ｂ）とを反応させてなる、含有窒素濃度が２．０質量％以上４．０質量％以下のウレタン樹脂（Ｉ）と、荷電制御剤（ＩＩ）とを含有し、
該ポリエーテルポリオール成分（Ａ）が、２官能ポリエーテルポリオール化合物（ａ）と２官能イソシアネート化合物（ｂ）とを反応させてなる、重量平均分子量（Ｍｗ）が１００００〜５００００、分子量分散度がＭｗ／Ｍｎが１．０以上３．０以下かつＭｚ／Ｍｗが１．０以上２．５以下のポリウレタンポリオールプレポリマー（Ａ1）であることを特徴とする現像ローラ。
【請求項２】
前記２官能イソシアネート化合物（ｂ）が、ジフェニルメタンジイソシアネートであることを特徴とする請求項１に記載の現像ローラ。
【請求項３】
前記２官能ポリエーテルポリオール（ａ）が、ポリプロピレングリコールおよびポリテトラメチレングリコールのいずれか１種もしくは混合物であることを特徴とする請求項１または２に記載の現像ローラ。
【請求項４】
前記含有窒素濃度が２．５質量％以上３．５質量％以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の現像ローラ。
【請求項５】
前記荷電制御剤（ＩＩ）が、電子供与性化合物であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の現像ローラ。
【請求項６】
前記電子供与性化合物が、トリフェニルメタン系染料またはニグロシン染料であることを特徴とする請求項５に記載の現像ローラ。
【請求項７】
前記ポリウレタンポリオールプレポリマー（Ａ1）の分子量分散度がＭｗ／Ｍｎが２．２以上３．０以下、かつ、Ｍｚ／Ｍｗが１．６以上２．５以下であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の現像ローラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
すなわち本発明は、軸芯体と、該軸芯体の外周面に、導電性弾性層と、該導電性弾性層の外周を被覆する樹脂表面層との２層を少なくとも有する現像ローラであって、
該樹脂表面層が、ポリエーテルポリオール成分（Ａ）とイソシアネート成分（Ｂ）とを反応させてなる、含有窒素濃度が２．０質量％以上４．０質量％以下のウレタン樹脂（Ｉ）と、荷電制御剤（ＩＩ）とを含有し、
該ポリエーテルポリオール成分（Ａ）が、２官能ポリエーテルポリオール化合物（ａ）と２官能イソシアネート化合物（ｂ）とを反応させてなる、重量平均分子量（Ｍｗ）が１００００〜５００００、分子量分散度がＭｗ／Ｍｎが１．０以上３．０以下かつＭｚ／Ｍｗが１．０以上２．５以下のポリウレタンポリオールプレポリマー（Ａ1）であることを特徴とする現像ローラである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月11日(2008.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記衝撃吸収部材は、略十字形状の弾性体で構成され、この弾性体と円周方向に係合する係合部を前記第１のフランジと第２のフランジに設けたことを特徴とする請求項２に記載の衝撃吸収機構付き歯車減速機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、前記課題を解決するため、互いに平行な軸に、歯数比の異なる複数の歯車を設け、これら歯車を順次噛合させて、歯数比に応じて減速する歯車減速機において、前記複数の歯車のうちのいずれか一つに、小歯車と軸が一体になったピニオン軸を設け、このピニオン軸に回転自在に大歯車を装着するとともに、このピニオン軸と該大歯車との回転伝達部相互間に弾性変形が可能な衝撃吸収機構を設けたことにある。
また、本発明は、前記衝撃吸収機構は、前記大歯車と一体に回転する第１のフランジと、前記ピニオン軸と一体に回転する第２のフランジと、前記第１のフランジと前記第２のフランジの間に挟持された衝撃吸収部材とで構成されることにある。
さらに、本発明は、前記衝撃吸収部材は、略十字形状の弾性体で構成され、この弾性体と円周方向に係合する係合部を前記第１のフランジと第２のフランジに設けたことにある。
またさらに、本発明は、前記ピニオン軸に取付ける大歯車の内周面にすべり軸受けを設けたことにある。
また、本発明は、前記大歯車と前記第１のフランジとを一体成形したことにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【図１】本発明の実施の形態による衝撃吸収機構付き歯車減速機を示す断面図である。
【図２】図１の衝撃吸収機構部を拡大して示す断面図である。
【図３Ａ】図２の衝撃吸収機構部を分解して示す斜視図である。
【図３Ｂ】図３Ａの衝撃吸収機構部を反対方向から見た分解斜視図である。
【図４】本発明の他の実施の形態による衝撃吸収機構部でギヤとフランジを一体構造にした衝撃吸収機構付き歯車減速機を示す断面図である。
【図５】本発明の他の実施の形態による衝撃吸収機構部でハブ機能を有するピニオン軸を採用した衝撃吸収機構付き歯車減速機を示す断面図である。
【図６】従来のトルクリミッタ付きギヤードモータを示す概念断面図である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月9日(2008.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定部材に嵌合固定される芯金および芯金に樹脂モールドされたセンサを有している固定側シール部材と、回転部材に嵌合固定される円筒部および円筒部の軸方向外側端部に連なって固定側シール部材に向かってのびるフランジ部を有する回転側シール部材とからなり、固定側シール部材の芯金は、固定部材に嵌合固定される嵌合用円筒部と、同円筒部の軸方向内側端部に連なって回転側シール部材の円筒部に向かってのびる連結部と、連結部に連なって軸方向外方にのびる水分浸入防止用円筒部とを有し、嵌合用円筒部の軸方向外側端部が樹脂内に位置するようにインサート成形されており、芯金に、固定部材に圧接する固定側弾性シールが設けられ、回転側シール部材に、芯金に摺接するシール部材間弾性シールが設けられていることを特徴とするセンサ付きシール装置。
【請求項２】
芯金の嵌合用円筒部と連結部との境界部分に、テーパ部が形成されており、固定側弾性シールは、このテーパ部に接着されている請求項１のセンサ付きシール装置。
【請求項３】
固定側弾性シールに、固定部材に設けられた環状の凹部に密に嵌め合わせられる環状の凸部が形成されている請求項１または２のセンサ付きシール装置。
【請求項４】
回転側シール部材のフランジ部に、軸方向内方に折り返された折返し部が設けられており、折返し部は、フランジ部に連なり固定側シール部材の芯金の水分浸入防止用円筒部に若干の間隙をおいて対向するラビリンスシール部と、ラビリンスシール部に連なりかつ水分浸入防止用円筒部との間隙がラビリンスシール部より大きいシール接着部とを有しており、シール部材間弾性シールは、シール接着部に設けられるとともに、芯金の水分浸入防止用円筒部に摺接するラジアルリップを有している請求項１のセンサ付きシール装置。
【請求項５】
回転側シール部材は、回転部材に圧接する回転側弾性シールをさらに有している請求項１のセンサ付きシール装置。
【請求項６】
固定部材としての固定輪、回転部材としての回転輪および両輪間に配置された転動体からなる転がり軸受と、転がり軸受に一体に設けられたセンサ付きシール装置とを備えており、センサ付きシール装置が請求項１から５までのいずれかとされている転がり軸受装置。
【請求項７】
固定輪が車体への取付け部を有する車体側軌道部材とされ、回転輪が車輪取付け部を有する車輪側軌道部材とされて、自動車用ハブユニットとして使用されることを特徴とする請求項６の転がり軸受装置。