Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月11日(2008.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一部材１と第二部材２とを枢着するヒンジ装置であって、
軸状部８と、
前記軸状部８の一方の端部に設けられる、前記一部材１に連結する第一連結体３及び第二部材２に連結する第二連結体５と、
前記軸状部８の他方の端部に設けられる、前記一部材１に連結する第一補助連結体１７及び第二部材２に連結する第二補助連結体１４と、
を備えたヒンジ装置において、
前記軸状部８に、カム部４と、前記カム部４に係合するカム係合部６と、コイルばね７と、前記コイルばね７の基端部を受ける受部材１９と、を設け、
前記第一連結体３及び前記第一補助連結体１７はそれぞれ、前記軸状部８の両端部において回動不能状態に設けられ、
更に前記第一連結体３は、前記第一部材１に止着される止着部３ａと、この止着部３ａの端部に立ち上がり状態に折曲形成されて、前記軸状部８の前記一方の端部が回り止め状態に嵌挿される立ち上がり部３ｂとで構成され、
前記第二連結体５及び前記第二補助連結体１４はそれぞれ、前記軸状部８に回動可能状態に設けられ、  
更に前記第二連結体５は、前記第二部材２に止着される止着部５ａと、この止着部５ａの端部に立ち上がり状態に折曲形成されて、前記軸状部８の前記一方の端部が連結孔５ｂ’に回動自在に連結される立ち上がり部５ｂとで構成され、
前記カム部４は、前記軸状部８に対し回り止め状態で該軸状部８の長さ方向にスライド移動自在に設けられ、
前記カム係合部６は、前記軸状部８に対し回転可能状態に設けられると共に前記第二連結体５に固定され、
前記コイルばね７は、前記カム部４を前記カム係合部６の方向に付勢するものであり、
前記受部材１９は、前記軸状部８に対して抜け止め状態に設けられ、
更に、前記第二部材２に対して前記第一部材１を相対回動した際、前記軸状部８と共に前記カム部４が前記カム係合部６に対して相対回動して所定の回動位置でこのカム部４とカム係合部６とが係合状態となるように構成し、
前記第一部材１と前記第二部材２との相対回動に伴い、前記カム部４と前記カム係合部６とが前記コイルばね７により付勢されて係合する係合途中において相対回動付勢力が生じるように構成したことを特徴とするヒンジ装置。
【請求項２】
蓋部たる第一部材１と、操作部を備えた本体部たる第二部材２とで構成され、前記第一部材１の基部に取付段部１ａを設け、前記第二部材２の基部には前記取付段部１ａと隣接せしめられる取付段部２ａを設け、前記取付段部１ａには、前記請求項１記載のヒンジ装置の前記第一連結体３及び前記第一補助連結体１７を設けるとともに、前記取付段部２ａには、前記請求項１記載のヒンジ装置の前記第二連結体５及び前記第二補助連結体１４を設けたことを特徴とするヒンジ装置を用いた電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、第一部材１と第二部材２とを枢着するヒンジ装置であって、
軸状部８と、前記軸状部８の一方の端部に設けられる、前記一部材１に連結する第一連結体３及び第二部材２に連結する第二連結体５と、前記軸状部８の他方の端部に設けられる、前記一部材１に連結する第一補助連結体１７及び第二部材２に連結する第二補助連結体１４と、を備えたヒンジ装置において、
前記軸状部８に、カム部４と、前記カム部４に係合するカム係合部６と、コイルばね７と、前記コイルばね７の基端部を受ける受部材１９と、を設け、
前記第一連結体３及び前記第一補助連結体１７はそれぞれ、前記軸状部８に回動不能状態に設けられ、
更に前記第一連結体３は、前記第一部材１に止着される止着部３ａと、この止着部３ａの端部に立ち上がり状態に折曲形成されて、前記軸状部８の前記一方の端部が回り止め状態に嵌挿される立ち上がり部３ｂとで構成され、
前記第二連結体５及び前記第二補助連結体１４はそれぞれ、前記軸状部８の両端部において回動可能状態に設けられ、
更に前記第二連結体５は、前記第二部材２に止着される止着部５ａと、この止着部５ａの端部に立ち上がり状態に折曲形成されて、前記軸状部８の前記一方の端部が連結孔５ｂ’に回動自在に連結される立ち上がり部５ｂとで構成され、
前記カム部４は、前記軸状部８に対し回り止め状態で該軸状部８の長さ方向にスライド移動自在に設けられ、
前記カム係合部６は、前記軸状部８に対し回転可能状態に設けられると共に前記第二連結体５に固定され、
前記コイルばね７は、前記カム部４を前記カム係合部６の方向に付勢するものであり、
前記受部材１９は、前記軸状部８に対して抜け止め状態に設けられ、
更に、前記第二部材２に対して前記第一部材１を相対回動した際、前記軸状部８と共に前記カム部４が前記カム係合部６に対して相対回動して所定の回動位置でこのカム部４とカム係合部６とが係合状態となるように構成し、
前記第一部材１と前記第二部材２との相対回動に伴い、前記カム部４と前記カム係合部６とが前記コイルばね７により付勢されて係合する係合途中において相対回動付勢力が生じるように構成したことを特徴とするヒンジ装置に係るものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明は、蓋部たる第一部材１と、操作部を備えた本体部たる第二部材２とで構成され、前記第一部材１の基部に取付段部１ａを設け、前記第二部材２の基部には前記取付段部１ａと隣接せしめられる取付段部２ａを設け、前記取付段部１ａには、前記請求項１記載のヒンジ装置の前記第一連結体３及び前記第一補助連結体１７を設けるとともに、前記取付段部２ａには、前記請求項１記載のヒンジ装置の前記第二連結体５及び前記第二補助連結体１４を設けたことを特徴とするヒンジ装置を用いた電子機器に係るものである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月27日(2008.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両を走行させる駆動源と、
前記駆動源により駆動される機械式オイルポンプと、
バッテリにより駆動される三相ブラシレスセンサレスモータで構成される電気モータと
、
前記電気モータにより駆動される電動オイルポンプと、
前記機械式オイルポンプおよび前記電動オイルポンプから供給される作動油により変速
比を設定して、前記駆動源の回転駆動力を変速して車輪に伝達する変速機構と、
前記電気モータの作動を制御するポンプドライバと、
前記機械式オイルポンプからの作動油が前記電動オイルポンプに逆流しないように設け
られた逆止弁と、
前記電動オイルポンプの吐出側と吸入側とを繋ぐ油路と、
前記油路に設けられ、前記吐出側の油圧が所定の値以上になったときに開放されるリリ
ーフ弁と、を備え、
前記ポンプドライバが、前記電気モータを起動したときに、保持時間だけ所定の回転数
となるように前記電気モータを作動させ、その後、所定のトルクが出力されるように前記
電気モータを作動させるように構成され、
前記リリーフ弁が開放される油圧が、前記電動オイルポンプが前記変速機構に作動油を
供給する油圧よりも小さい値に設定されていることを特徴とする油圧供給装置。
【請求項２】
前記作動油の油温を検出する油温センサを有し、
前記ポンプドライバが、前記油温に応じて前記保持時間を設定するように構成されたこ
とを特徴とする請求項１に記載の油圧供給装置。
【請求項３】
前記ポンプドライバが、前記油温に応じて前記回転数を設定するように構成されたこと
を特徴とする請求項１または２に記載の油圧供給装置。
【請求項４】
永久磁石を有する回転子と、ステータコイルとを有し、車両の変速機構に対して作動油を供給するための電動オイルポンプを駆動する三相ブラシレスセンサレスモータと、前記三相ブラシレスセンサレスモータを駆動するためのドライバとを有する車両用油圧ポンプ駆動装置であって、
前記ドライバは、前記三相ブラシレスセンサレスモータの制御モードとして、前記三相ブラシレスセンサレスモータの起動時に前記回転子の位置を特定する位置決めと前記ステータコイルに印加するパルス電圧の同期とを行う位置決め・同期モードと、前記位置決め・同期モード終了後、前記回転子を所定の回転数に維持する制御を行う一定回転モードと、前記一定回転モード終了後、前記三相ブラシレスセンサレスモータの出力トルクがトルク指令値になるように制御するセンサレスモードとを有することを特徴とする車両用油圧ポンプ駆動装置。
【請求項５】
前記位置決め・同期モードは、電源供給を遮断して前記永久磁石による同期発電機として前記三相ブラシレスセンサレスモータを作動させることにより前記回転子の位置を特定することを特徴とする請求項４記載の車両用油圧ポンプ駆動装置。
【請求項６】
前記ドライバは、前記位置決め・同期モードによって、前記回転子の回転数が前記所定の回転数に達したことにより、前記三相ブラシレスセンサレスモータを前記一定回転モードに移行させることを特徴とする請求項４記載の車両用油圧ポンプ駆動装置。
【請求項７】
前記ドライバは、前記三相ブラシレスセンサレスモータを前記一定回転モードに移行してから所定時間経過後に前記センサレスモードに移行させることを特徴とする請求項４記載の車両用油圧ポンプ駆動装置。
【請求項８】
前記ドライバは、前記ステータコイルに印加するパルス電圧をパルス幅変調方式で制御することを特徴とする請求項４記載の車両用油圧ポンプ駆動装置。
【請求項９】
前記変速機構は、車両の駆動源により駆動される機械式オイルポンプおよび前記電動オイルポンプから供給される作動油により変速比を設定して前記駆動源の回転駆動力を変速して車輪に伝達するものであることを特徴とする請求項４記載の車両用油圧ポンプ駆動装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】油圧供給装置および車両用油圧ポンプ駆動装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
なお、このような第１の本発明に係る油圧供給装置が、作動油の油温を検出する油温センサを有し、ポンプドライバが、油温に応じて保持時間を設定するように構成されることが好ましい。
また、ポンプドライバが、油温に応じて回転数を設定するように構成されることが好ま
しい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前記課題を解決するために、第２の本発明に係る車両用油圧ポンプ駆動装置は、永久磁石を有する回転子と、ステータコイルとを有し、車両の変速機構に対して作動油を供給するための電動オイルポンプを駆動する三相ブラシレスセンサレスモータと、前記三相ブラシレスセンサレスモータを駆動するためのドライバとを有する車両用油圧ポンプ駆動装置であって、前記ドライバは、前記三相ブラシレスセンサレスモータの制御モードとして、前記三相ブラシレスセンサレスモータの起動時に前記回転子の位置を特定する位置決めと前記ステータコイルに印加するパルス電圧の同期とを行う位置決め・同期モードと、前記位置決め・同期モード終了後、前記回転子を所定の回転数に維持する制御を行う一定回転モードと、前記一定回転モード終了後、前記三相ブラシレスセンサレスモータの出力トルクがトルク指令値になるように制御するセンサレスモードとを有することを特徴とする。
なお、前記位置決め・同期モードは、電源供給を遮断して前記永久磁石による同期発電機として前記三相ブラシレスセンサレスモータを作動させることにより前記回転子の位置を特定することが好ましい。
また、前記ドライバは、前記位置決め・同期モードによって、前記回転子の回転数が前記所定の回転数に達したことにより、前記三相ブラシレスセンサレスモータを前記一定回転モードに移行させることも好ましい。
さらに、前記ドライバは、前記三相ブラシレスセンサレスモータを前記一定回転モードに移行してから所定時間経過後に前記センサレスモードに移行させることも好ましい。
また、前記ドライバは、前記ステータコイルに印加するパルス電圧をパルス幅変調方式で制御することも好ましい。
なお、前記変速機構は、車両の駆動源により駆動される機械式オイルポンプおよび前記電動オイルポンプから供給される作動油により変速比を設定して前記駆動源の回転駆動力を変速して車輪に伝達するものであることも好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月22日(2008.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
等速自在継手の外輪と内輪の間に潤滑剤を保持した等速自在継手において、
前記潤滑剤が、潤滑油を含む潤滑成分および樹脂成分を必須成分とし、前記樹脂成分は発泡して多孔質化された固形物であり、かつ前記潤滑成分を樹脂内部に吸蔵してなる多孔性固形潤滑剤であることを特徴とする等速自在継手。
【請求項２】
発泡した樹脂成分が、連続気孔率５０％以上であるように発泡した樹脂成分である請求項１に記載の等速自在継手。
【請求項３】
多孔性固形潤滑剤が、ゴム状弾性を有する樹脂またはゴムからなる樹脂成分を具備し、外力によって潤滑成分の滲出性を有する多孔性固形潤滑剤である請求項１または２に記載の等速自在継手。
【請求項４】
樹脂成分の発泡倍率が、１．１〜１００倍である請求項１〜３のいずれかに記載の等速自在継手。
【請求項５】
樹脂成分が、ポリウレタン樹脂である請求項１〜４のいずれかに記載の等速自在継手。
【請求項６】
潤滑成分が、ウレア系増ちょう剤で増ちょうしたグリースである請求項１〜５のいずれかに記載の等速自在継手。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月18日(2008.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
らせん的にねじれた構造を有し、ネマティック成分および光学的に活性な成分を含む液晶媒体であって、
光学的に活性な成分が、媒体のらせんピッチが≦１μｍであるように、らせんねじれ力および濃度が選択されている、１種または２種以上のキラルな化合物を含み、
ネマティック成分が、式Ｉで表される１種または２種以上の化合物、および
【化１】
2005206840.tif 000001
式ＩＩで表される１種または２種以上の化合物を含み、
【化２】
2005206840.tif 000002
上記式中、
Ｒ１は、Ｈあるいは、１〜２０個の炭素原子を有し、非置換であるか、ＣＮもしくはＣＦ３により単置換されているか、またはハロゲンにより少なくとも単置換されているアルキルまたはアルケニル基であり、ここで、さらに、これらの基中の１つまたは２つ以上のＣＨ２基は、各々、互いに独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−により、Ｏ原子が互いに直接結合しないように置換されていてもよく、
【化３】
2005206840.tif 000003
および
【化４】
2005206840.tif 000004
は、各々、互いに独立して、
【化５】
2005206840.tif 000005
であり、
Ｙ１〜Ｙ４は、各々、互いに独立してＨまたはＦであり、
Ｚ１およびＺ２は、各々、互いに独立して、
【化６】
2005206840.tif 000006
または単結合であり、
Ｘ０は、Ｆ、Ｃｌ、１〜６個の炭素原子を有するハロゲン化アルキル、アルケニルまたはアルコキシであり、
ａおよびｂは、各々、互いに独立して、０または１である、
ことを特徴とする、前記液晶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月18日(2008.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａ）とＢ）を反応することから成り、
Ａ）がＡ１）１以上の非環式オルトエステルと
Ａ２）官能価４−８かつ数平均分子量８０−５００ｇ／ｍｏｌを有する低分子ポリオール、および
Ａ３）要すればヒドロキシル基が互いに少なくとも３つの炭素原子で離れている１，３−ジオールおよび／またはトリオールとを、
要すればＡ４）触媒の存在下
に反応することにより得られた少なくとも１つのイソシアネート反応性基を含有するポリオルトエステルであり、かつ
Ｂ）が少なくとも１種のポリイソシアネートである、
ことを特徴とするポリオルトエステル基および要すればＮＣＯ基を含有するポリマーを調製する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月17日(2008.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式ＡＢ3Ｏ6：Ｃｅ，Ｍｎを有する材料を含む蛍光体であって、式中、Ａがセリウム以外の少なくとも１種の希土類金属である蛍光体。
【請求項２】
Ａが、ガドリニウム、スカンジウム、イットリウム、ランタン、サマリウム、テルビウム、ルテチウム及びこれらの組合せからなる群から選択される、請求項１記載の蛍光体。
【請求項３】
Ａがガドリニウムである、請求項１記載の蛍光体。
【請求項４】
セリウム及びマンガンが、各々、Ａとセリウムとマンガンの合計量の０．０１〜３０モル％の量で蛍光体に存在する、請求項１記載の蛍光体。
【請求項５】
セリウム及びマンガンが、各々、Ａとセリウムとマンガンの合計量の０．０１〜１０モル％の量で蛍光体に存在する、請求項１記載の蛍光体。
【請求項６】
（ａ）請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の蛍光体と、（ｂ）赤色発光蛍光体と、（ｃ）青色発光蛍光体とを含む蛍光体ブレンド。
【請求項７】
蛍光体の製造方法であって、
（ａ）（１）ホウ素、（２）セリウム以外の少なくとも１種の希土類金属、（３）セリウム及び（４）マンガンの各酸化物含有化合物を混合して混合物を形成する段階と、
（ｂ）還元性雰囲気中で、前記混合物を前記蛍光体に転化するのに十分な時間にわたり９００℃〜１３００℃の範囲の温度で前記混合物を焼成する段階と、
を含む方法。
【請求項８】
蛍光体の製造方法であって、
（ａ）（１）ホウ素、（２）セリウム以外の少なくとも１種の希土類金属、（３）セリウム及び（４）マンガンの各化合物を含む第１の溶液を準備する段階と、
（ｂ）前記第１の溶液と、水酸化アンモニウム、セリウム以外の少なくとも１種の希土類金属とセリウムとマンガンとからなる群から選択される少なくとも１種の元素の水酸化物、有機エステル、有機ジカルボン酸、リン酸及び有機アミンからなる群から選択される少なくとも１種の化合物を含む第２の溶液とを混合して沈殿を生成する段階と、
（ｃ）酸素含有雰囲気中で、前記沈殿がセリウム以外の少なくとも１種の希土類金属とセリウムとマンガンとを含む酸素含有材料に転化するのに十分な時間にわたって７００℃〜１３００℃の範囲の温度で前記沈殿を加熱する段階と、
（ｄ）還元性雰囲気中で、前記酸素含有材料が前記蛍光体に転化するのに十分な時間にわたって９００℃〜１３００℃の範囲の温度で前記酸素含有材料を焼成する段階と、
を含む方法。
【請求項９】
蛍光体の製造方法であって、
（ａ）（１）セリウム以外の少なくとも１種の希土類金属、（２）セリウム及び（３）マンガンの各化合物を含む第１の溶液を準備する段階と、
（ｂ）前記第１の溶液と、水酸化アンモニウム、セリウム以外の少なくとも１種の希土類金属とセリウムとマンガンとからなる群から選択される少なくとも１種の元素の水酸化物、有機エステル、有機ジカルボン酸、リン酸及び有機アミンからなる群から選択される少なくとも１種の化合物を含む第２の溶液とを混合して沈殿を生成する段階と、
（ｃ）酸素含有雰囲気中で、前記沈殿がセリウム以外の少なくとも１種の希土類金属とセリウムとマンガンとを含む酸素含有材料に転化するのに十分な時間にわたって７００℃〜１３００℃の範囲の温度で前記沈殿を加熱する段階と、
（ｄ）前記酸素含有材料を少なくとも１種のホウ素の酸素含有化合物と混合して混合物を形成する段階と、
（ｅ）還元性雰囲気中で、前記酸素含有材料が前記蛍光体に転化するのに十分な時間にわたって９００℃〜１３００℃の範囲の温度で前記混合物を焼成する段階と、
を含む方法。
【請求項１０】
（ａ）密封ハウジング内に配置される放射線源（７０）と、
（ｂ）前記密封ハウジング（５０）内部に配置され、前記放射線によって励起されて可視光を放出するよう適合された蛍光体（８０）と、
を備え、前記蛍光体（８０）が、一般式ＡＢ3Ｏ6：Ｃｅ，Ｍｎを有する材料を含み、式中、Ａはセリウム以外の少なくとも１種の希土類金属であることを特徴とする光源（１０）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
水銀放電に基づく高い発光出力及び演色指数（「ＣＲＩ」）を有し、照明用に用いられる蛍光灯は、通常３つの蛍光体を含み、該蛍光体は、水銀放電のＵＶ放射線をヒトの眼の感度が最も高くなるスペクトル領域（４５０、５４０、及び６１０ｎｍ）に集中した比較的狭い帯域の青色、緑色、及び赤色の可視光線に転化する。テルビウム及びセリウムで共活性化されたリン酸ランタン（ＬａＰＯ4：Ｔｂ3+，Ｃｅ3+）は、約５４３ｎｍにおいて大きなピーク発光を有する好ましい緑色発光蛍光体となっている。Ｃｅ3+イオンは、Ｔｂ3+イオンに対する有効な増感剤として機能する。エネルギがＣｅ3+イオンからＴｂ3+イオンに伝達され、従ってＵＶ励起を受けて効果的な発光を生じる。しかしながら、Ｃｅ3+−Ｃｅ3+のエネルギ伝達がＣｅ3+−Ｔｂ3+のエネルギ伝達よりも大きいために、ＵＶ出力は依然として比較的大きい。このようなＵＶ出力は、この蛍光体の効率を低下させる傾向がある。
【特許文献１】米国特許第４３１９１６１号明細書
【特許文献２】米国特許第４４４６０４８号明細書
【特許文献３】米国特許第４６４４２２３号明細書
【特許文献４】米国特許第５１３２０４３号明細書
【特許文献５】欧州特許出願公開第１０７３０８９号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月18日(2008.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロテインAアフィニティクロマトグラフィーを用いて抗体を精製するに際し、pH 4.0 〜 5.0に調整したアルギニン及び／またはアシル化アルギニン、アグマチン及びアルギニン酸からなる群から選ばれるアルギニン誘導体を含む緩衝液を用いて、抗体を脱離し回収することを含む抗体の精製方法。
【請求項２】
アルギニン及び／またはアルギニン誘導体の濃度が、0.1〜4.0Ｍである請求項１記載の方法。
【請求項３】
抗体を、プロテインAアフィニティクロマトグラフィーカラムに負荷する工程；
該カラムに負荷した抗体に、アルギニン及び／またはアシル化アルギニン、アグマチン及びアルギニン酸からなる群から選ばれるアルギニン誘導体を含有するpH 4.0 〜 5.0に調整した緩衝液を接触させて、該抗体をカラムから脱離する工程；及び
精製抗体を回収する工程；
を含む、精製抗体の製造方法。
【請求項４】
緩衝液のｐＨが4.3〜4.7である請求項３記載の精製抗体の製造方法。
【請求項５】
アシル化アルギニンが、N-ブチロイルアルギニン又はN-ピバロイルアルギニンである請求項３又は４記載の精製抗体の製造方法。
【請求項６】
緩衝液中アルギニン及び／またはアルギニン誘導体濃度が、0.1〜4.0Ｍである請求項３〜５のいずれか１項記載の精製抗体の製造方法。
【請求項７】
抗体が、ヒト化抗体又はヒト型抗体である請求項３〜６のいずれか１項記載の精製抗体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月2日(2008.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式Ｌｎ１−xＭｇxＮｉy−ａＡｌａ(式中、Ｌｎは希土類元素から選択される少なくとも１種の元素であり、0.15≦ｘ≦0.25、3.0≦ｙ≦3.6、0＜ａ≦0.3の条件を満たす。)で表されるアルカリ蓄電池用水素吸蔵合金であって、前記アルカリ蓄電池用水素吸蔵合金が、Ｃｕ−Ｋα線をＸ線源とするＸ線回折測定において２θ＝３２°〜３３°の範囲に現れる最強ピーク強度ＩＡと、２θ＝３５°〜３６°の範囲に現れる最強ピーク強度ＩＢとの強度比ＩＡ／ＩＢが１．００以上であることを特徴とするアルカリ蓄電池用水素吸蔵合金。
【請求項２】
請求項１に記載したアルカリ蓄電池用水素吸蔵合金において、上記の強度比ＩＡ／ＩＢが１．１５以上であることを特徴とするアルカリ蓄電池用水素吸蔵合金。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載したアルカリ蓄電池用水素吸蔵合金を製造するにあたり、上記一般式Ｌｎ１−xＭｇxＮｉy−ａＡｌａ(式中、Ｌｎは希土類元素から選択される少なくとも１種の元素であり、0.15≦ｘ≦0.25、3.0≦ｙ≦3.6、0＜ａ≦0.3の条件を満たす。)で表される水素吸蔵合金を、この水素吸蔵合金の液化開始温度よりも４０〜８０℃低い温度で熱処理したことを特徴とするアルカリ蓄電池用水素吸蔵合金の製造方法。
【請求項４】
正極と、水素吸蔵合金を用いた負極と、アルカリ電解液とを備えたアルカリ蓄電池において、上記の負極における水素吸蔵合金に、請求項１又は請求項２に記載したアルカリ蓄電池用水素吸蔵合金を用いたことを特徴とするアルカリ蓄電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この発明においては、上記のような課題を解決するため、正極と、水素吸蔵合金を用いた負極と、アルカリ電解液とを備えたアルカリ蓄電池において、その負極における水素吸蔵合金として、一般式Ｌｎ１−ｘＭｇｘＮｉｙ−ａＡｌａ(式中、Ｌｎは希土類元素から選択される少なくとも１種の元素であり、0.15≦ｘ≦0.25、3.0≦ｙ≦3.6、0＜ａ≦0.3の条件を満たす。)で表される水素吸蔵合金であって、前記水素吸蔵合金が、Ｃｕ−Ｋα線をＸ線源とするＸ線回折測定において２θ＝３２°〜３３°の範囲に現れる最強ピーク強度ＩＡと、２θ＝３５°〜３６°の範囲に現れる最強ピーク強度ＩＢとの強度比ＩＡ／ＩＢが１．００以上であるアルカリ蓄電池用水素吸蔵合金を用いるようにしたのである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、上記のようなアルカリ蓄電池用水素吸蔵合金を製造するにあたっては、一般式Ｌｎ１−ｘＭｇｘＮｉｙ−ａＡｌａ(式中、Ｌｎは希土類元素から選択される少なくとも１種の元素であり、0.15≦ｘ≦0.25、3.0≦ｙ≦3.6、0＜ａ≦0.3の条件を満たす。)で表される水素吸蔵合金を、この水素吸蔵合金の液化開始温度よりも４０〜８０℃低い温度で熱処理することによって得ることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
ここで、水素吸蔵合金としては、容量を高めると共に、サイクル寿命を向上させるためには、一般式Ｌｎ１−ｘＭｇｘＮｉｙ−ａAlａ(式中、Ｌｎは希土類元素から選択される少なくとも１種の元素であり、0.15≦ｘ≦0.25、3.0≦ｙ≦3.6、0＜ａ≦0.3の条件を満たす。)で表されるものを用いる必要がある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
以上のように、この発明においては、正極と、水素吸蔵合金を用いた負極と、アルカリ電解液とを備えたアルカリ蓄電池において、その負極における水素吸蔵合金として、一般式Ｌｎ１−ｘＭｇｘＮｉｙ−ａＡｌａ(式中、Ｌｎは希土類元素から選択される少なくとも１種の元素であり、0.15≦ｘ≦0.25、3.0≦ｙ≦3.6、0＜ａ≦0.3の条件を満たす。)で表される水素吸蔵合金であって、前記水素吸蔵合金が、Ｃｕ−Ｋα線をＸ線源とするＸ線回折測定において２θ＝３２°〜３３°の範囲に現れる最強ピーク強度ＩＡと、２θ＝３５°〜３６°の範囲に現れる最強ピーク強度ＩＢとの強度比ＩＡ／ＩＢが１．００以上であるアルカリ蓄電池用水素吸蔵合金を用いるようにしたため、このアルカリ蓄電池用水素吸蔵合金における水素吸蔵能力が高く、アルカリ蓄電池における容量が高められる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月4日(2008.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリオキシアルキレン化合物（Ａ）及びイソシアネート（Ｂ）を必須構成単位としてなるウレタンポリマー（ＵＰ）を含有してなり、（ＵＰ）の重量平均分子量が１，０００〜２０万であることを特徴とするラテックス用減粘剤。
【請求項２】
ポリオキシアルキレン化合物（Ａ）のオキシエチレン単位の含有量がオキシアルキレン単位の全重量に基づいて少なくとも６０重量％である請求項１に記載の減粘剤。
【請求項３】
ポリオキシアルキレン化合物（Ａ）が、アルコール、フェノール、アミン又はアミドと炭素数２〜４のアルキレンオキサイドとを反応して製造され得る構造を有し、（Ａ）の重量平均分子量が２３０〜２９，０００である請求項１又は２記載の減粘剤。
【請求項４】
ポリオキシアルキレン化合物（Ａ）が一般式（１）で表される化合物である請求項１〜３のいずれかに記載の減粘剤。
【化１】
2005206995.tif 000001
式中、Ｈは水素原子、ＯＡは炭素数２〜４のオキシアルキレン基、Ｄは水酸基（ｔ＝１）、又は活性水素化合物から活性水素原子の一部若しくは全部を除いた残基、ｎは５〜６５０の整数、ｔは１〜４の整数を表す。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載のラテックス用減粘剤を含んでなるラテックス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
＜比較例１＞
エチレングリコールのＥＯ２００モル付加物の２９３．９部を２９５．３部に、ＨＤＩの３．７部をＨＤＩの５．６部（ＯＨ／ＮＣＯ＝１／１）に変更した以外、実施例１と同様にして淡黄色粘ちょう液状のウレタンポリマー（ＵＰ１０）を得た。そしてこのポリマーをそのまま比較用のラテックス用減粘剤（１０）とした。なお、（ＵＰ１０）の重量平均分子量は２１０，０００、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は４．８であった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
＜比較例２＞
エチレングリコールのＥＯ２００モル付加物の２９３．９部をステアリルアルコール１００．０部に、ＨＤＩの３．７部をドデシルイソシアネートの７８．０部（ＯＨ／ＮＣＯ＝１／１）に変更した以外、実施例１と同様にして淡黄色粘ちょう液状のウレタンポリマー（ＵＰ１１）を得た。そしてこのポリマーをそのまま比較用のラテックス用減粘剤（１１）とした。なお、（ＵＰ１１）の重量平均分子量は４７０、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．１であった。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月19日(2008.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式(1)で表されるアミノ酸配列を有するペプチドユニットと、下記式(2)で表されるアミノ酸配列を有するペプチドユニットとを含む新規なポリペプチド。
-Pro-X-Gly-                          (1)
-Y-Z-Gly-                            (2)
（式中、Ｘ及びＺは同一又は異なってPro又はHypを示し、Ｙはカルボキシル基を有するアミノ酸残基を示す）
【請求項２】
式(2)において、ＹがAsp又はγ位にカルボキシル基を有していてもよいGluである請求項１記載のポリペプチド。
【請求項３】
ペプチドユニット(1)とペプチドユニット(2)との割合（モル比）が、(1)／(2)＝９９／１〜１／９９である請求項１記載のポリペプチド。
【請求項４】
円二色性スペクトルにおいて、波長２２０〜２３０ｎｍに正のコットン効果を示し、波長１９５〜２０５ｎｍに負のコットン効果を示す請求項１記載のポリペプチド。
【請求項５】
ポリペプチドの少なくとも一部が３重らせん構造を形成可能である請求項１記載のポリペプチド。
【請求項６】
分子量５×１０３〜５００×１０４の範囲にピークを示す請求項１記載のポリペプチド。
【請求項７】
コラーゲン組織を形成可能である請求項１記載のポリペプチド。
【請求項８】
アパタイト類が担持されている請求項１記載のポリペプチド。
【請求項９】
請求項１記載の式(1)に対応するアミノ酸又はペプチドフラグメントと、式(2)に対応するアミノ酸又はペプチドフラグメントとを少なくとも含むアミノ酸成分又はペプチドフラグメント成分を縮合させて、請求項１記載のポリペプチドを製造する方法。
【請求項１０】
請求項１記載のアミノ酸配列を有するポリペプチドを製造する方法であって、（ａ）請求項１記載の式(1)及び(2)で表される双方のアミノ酸配列を有するペプチドを少なくとも含むペプチド成分、又は（ｂ）前記式(1)で表されるアミノ酸配列を有するペプチドと前記式(2)で表されるアミノ酸配列を有するペプチドとを少なくとも含むペプチド成分を縮合させる方法。
【請求項１１】
請求項１記載のポリペプチドと、カルシウムイオン及びリン酸イオンを含む水溶液とを接触させ、アパタイト類を前記ポリペプチドに沈着させ、前記アパタイト類が担持されたポリペプチドを製造する方法。
【請求項１２】
アパタイト類がヒドロキシアパタイトである請求項１１記載の製造方法。
【請求項１３】
請求項１１又は１２記載の製造方法によって得られるアパタイト類が担持されたポリペプチド。
【請求項１４】
ポリペプチドを含む化粧品素材であって、前記ポリペプチドが、請求項１又は１３の項に記載のポリペプチドである化粧品素材。
【請求項１５】
ポリペプチドを含む食品添加剤であって、前記ポリペプチドが、請求項１又は１３の項に記載のポリペプチドである食品添加剤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
前記ポリペプチド（特にその繊維状集合体）は、例えば、体液類似環境下において、アパタイト類（ヒドロキシアパタイトなど）を析出し、ポリペプチドとアパタイト類との複合体（ハイブリッド体）を形成可能である。本発明では、前記ポリペプチドと、カルシウムイオン及びリン酸イオンを含む水溶液とを接触させて、アパタイト類を前記ポリペプチドに沈着させ、前記アパタイト類が担持されたポリペプチドを製造できる。本発明には、このような製造方法により得られるアパタイト類が担持されたポリペプチドも含まれる。
また、本発明には、前記ポリペプチドを含む化粧品素材及び食品添加剤も含まれる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月22日(2008.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に、前記第１の基板に接するようにバッファ膜を形成し、
前記バッファ膜上に、前記バッファ膜に接するように剥離層を形成し、
前記剥離層上に、前記剥離層に接するように下地膜を形成し、
前記下地膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を、連続発振のレーザまたは発振周波数が１０ＭＨｚ以上のパルス発振のレーザを用いて結晶化し、
前記結晶化した半導体膜を用いて半導体素子を形成し、
前記剥離層をエッチングにより除去することで、前記下地膜及び前記半導体素子を、前記第１の基板及び前記バッファ膜から剥離し、
前記剥離された前記下地膜及び前記半導体素子を第２の基板に貼り合わせ、
前記半導体膜を結晶化するときに、前記剥離層も共に結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
第１の基板上に、前記第１の基板に接するようにバッファ膜を形成し、
前記バッファ膜上に、前記バッファ膜に接するように剥離層を形成し、
前記剥離層上に、前記剥離層に接するように下地膜を形成し、
前記下地膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を、連続発振のレーザまたは発振周波数が１０ＭＨｚ以上のパルス発振のレーザを用いて結晶化し、
前記結晶化した半導体膜を用いて複数の半導体素子を形成し、
前記複数の半導体素子の間に、前記剥離層が露出するような溝を形成し、
前記溝からエッチング剤を導入して前記剥離層をエッチングにより除去することで、前記下地膜及び前記複数の半導体素子を、前記第１の基板及び前記バッファ膜から剥離し、
前記剥離された前記下地膜及び前記複数の半導体素子を第２の基板に貼り合わせ、
前記半導体膜を結晶化するときに、前記剥離層も共に結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記第２の基板は可撓性を有していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、前記剥離層は、珪素を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、前記エッチング剤は、ハロゲン化物を含む気体又は液体を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、前記バッファ膜は、酸化珪素または酸化窒化珪素を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、前記下地膜は、酸化珪素、酸化窒化珪素、窒化珪素または窒化酸化珪素を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月31日(2008.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ発振器から射出されたレーザ光のエネルギー密度の低い部分をスリットによって遮断し、前記レーザ光のエネルギー密度の高い部分を前記スリットを通過させ、前記スリットにおける像を凸型シリンドリカルレンズを用いて基板上に形成された半導体膜の表面に投影することによって、前記半導体膜の表面に線状ビームを照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
レーザ発振器から射出されたレーザ光のエネルギー密度の低い部分をスリットによって遮断し、前記レーザ光のエネルギー密度の高い部分を前記スリットを通過させ、前記スリットにおける像を凸型シリンドリカルレンズを用いて基板上に形成された半導体膜の表面に投影することによって、前記半導体膜の表面に線状ビームを照射し、
前記スリットと前記凸型シリンドリカルレンズとの間隔（Ｍ１）及び前記凸型シリンドリカルレンズと前記半導体膜の表面との間隔（Ｍ２）は、下記の式（１）及び式（２）の関係を満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
Ｍ１＝ｆ（ｓ＋Ｄ）／Ｄ            式（１）
Ｍ２＝ｆ（ｓ＋Ｄ）／ｓ            式（２）
（但し、前記式において、ｓはスリットの幅、Ｄは半導体膜の表面における線状ビームの長辺方向の長さ、ｆは凸型シリンドリカルレンズの焦点距離である。）
【請求項３】
前記スリットと前記凸型シリンドリカルレンズとの間に配置されたミラーによって、前記スリットを通過したレーザ光を、前記半導体膜の表面に対し斜めの方向に偏向させることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項４】
レーザ発振器から射出されたレーザ光のエネルギー密度の低い部分をスリットによって遮断し、前記レーザ光のエネルギー密度の高い部分を前記スリットを通過させ、前記スリットにおける像を凸型球面レンズを用いて基板上に形成された半導体膜の表面に投影することによって、前記半導体膜の表面に線状ビームを照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
レーザ発振器から射出されたレーザ光のエネルギー密度の低い部分をスリットによって遮断し、前記レーザ光のエネルギー密度の高い部分を前記スリットを通過させ、前記スリットにおける像を凸型球面レンズを用いて基板上に形成された半導体膜の表面に投影することによって、前記半導体膜の表面に線状ビームを照射し、
前記スリットと前記凸型球面レンズとの間隔（Ｍ１）及び前記凸型球面レンズと前記半導体膜の表面との間隔（Ｍ２）は、下記の式（１）及び式（２）の関係を満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
Ｍ１＝ｆ（ｓ＋Ｄ）／Ｄ            式（１）
Ｍ２＝ｆ（ｓ＋Ｄ）／ｓ            式（２）
（但し、前記式において、ｓはスリットの幅、Ｄは半導体膜の表面における線状ビームの長辺方向の長さ、ｆは凸型球面レンズの焦点距離である。）
【請求項６】
前記レーザ発振器と前記凸型球面レンズとの間に配置されたミラーによって、前記スリットを通過したレーザ光を、前記ミラーと前記スリットとの間に配置された第２の凸型球面レンズに対して斜めの方向に入射させることを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項７】
前記線状ビームを照射することによって、前記半導体膜の結晶化を行うことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項８】
前記線状ビームを照射することによって、前記半導体膜に含まれる不純物元素の活性化を行うことを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項９】
レーザ発振器と、
前記レーザ発振器から射出されたレーザ光のエネルギー密度の低い部分を遮断し、前記レーザ光のエネルギー密度の高い部分を通過させるスリットと、
前記スリットにおける像を照射面に投影する凸型シリンドリカルレンズと、を備えたことを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１０】
レーザ発振器と、
前記レーザ発振器から射出されたレーザ光のエネルギー密度の低い部分を遮断し、前記レーザ光のエネルギー密度の高い部分を通過させるスリットと、
前記スリットにおける像を照射面に投影する凸型シリンドリカルレンズと、を備え、
前記スリットと前記凸型シリンドリカルレンズとの間隔（Ｍ１）及び前記凸型シリンドリカルレンズと前記照射面との間隔（Ｍ２）は、下記の式（１）及び式（２）の関係を満たすことを特徴とするレーザ照射装置。
Ｍ１＝ｆ（ｓ＋Ｄ）／Ｄ            式（１）
Ｍ２＝ｆ（ｓ＋Ｄ）／ｓ            式（２）
（但し、前記式において、ｓはスリットの幅、Ｄは照射面における線状ビームの長辺方向の長さ、ｆは凸型シリンドリカルレンズの焦点距離である。）
【請求項１１】
前記スリットと前記凸型シリンドリカルレンズとの間に、前記レーザ光の進行方向を前記照射面に対し斜めの方向に偏向させるミラーを配置した請求項９又は１０に記載のレーザ照射装置。
【請求項１２】
前記凸型シリンドリカルレンズと前記照射面との間に、前記凸型シリンドリカルレンズの前記レーザ光に作用する方向を前記照射面に対し９０度回転した方向に、前記レーザ光を集光する第２の凸型シリンドリカルレンズを配置した請求項９乃至１１のいずれか一項に記載のレーザ照射装置。
【請求項１３】
レーザ発振器と、
前記レーザ発振器から射出されたレーザ光のエネルギー密度の低い部分を遮断し、前記レーザ光のエネルギー密度の高い部分を通過させるスリットと、
前記スリットにおける像を照射面に投影する凸型球面レンズと、を備えたことを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１４】
レーザ発振器と、
前記レーザ発振器から射出されたレーザ光のエネルギー密度の低い部分を遮断し、前記レーザ光のエネルギー密度の高い部分を通過させるスリットと、
前記スリットにおける像を照射面に投影する凸型球面レンズと、を備え、
前記スリットと前記凸型球面レンズとの間隔（Ｍ１）及び前記凸型球面レンズと前記照射面との間隔（Ｍ２）は、下記の式（１）及び式（２）の関係を満たすことを特徴とするレーザ照射装置。
Ｍ１＝ｆ（ｓ＋Ｄ）／Ｄ            式（１）
Ｍ２＝ｆ（ｓ＋Ｄ）／ｓ            式（２）
（但し、前記式において、ｓはスリットの幅、Ｄは照射面における線状ビームの長辺方向の長さ、ｆは凸型球面レンズの焦点距離である。）
【請求項１５】
前記レーザ発振器と前記凸型球面レンズとの間にミラーと、
前記ミラーと前記スリットとの間に、前記スリットを通過したレーザ光が前記ミラーによって斜めに入射される第２の凸型球面レンズと、を配置した請求項１４に記載のレーザ照射装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法及びレーザ照射装置
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月13日(2008.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上方に複数の第１の導電層を形成し、
前記複数の第１の導電層の間を充填するように第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層及び前記複数の第１の導電層の上方に前記複数の第１の導電層に接する第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層の上方に半導体領域を形成し、
前記半導体領域の上方に第２の導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板の上方に複数の第１の導電層を形成し、
前記複数の第１の導電層の側部を覆う第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層及び前記複数の第１の導電層の上方に前記複数の第１の導電層に接する第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層の上方に半導体領域を形成し、
前記半導体領域の上方に第２の導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板の上方に複数の第１の導電層を形成し、
前記複数の第１の導電層の間に絶縁材料を塗布又は吐出して第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層及び前記複数の第１の導電層の上方に前記複数の第１の導電層に接する第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層の上方に半導体領域を形成し、
前記半導体領域の上方に第２の導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記第１の導電層はゲート電極であり、前記第２の絶縁層はゲート絶縁層であり、前記第２の導電層はソース電極及びドレイン電極であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板の上方に複数の第１の導電層を形成し、
前記複数の第１の導電層の間を充填するように第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層及び前記複数の第１の導電層の上方に半導体領域を形成し、
前記半導体領域の上方に第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層の上方に第２の導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、前記第１の導電層はソース電極及びドレイン電極であり、前記第２の絶縁層はゲート絶縁層であり、前記第２の導電層はゲート電極であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
絶縁表面の上方に複数の第１の導電層と、
前記絶縁表面の上方であり且つ前記複数の第１の導電層の間に位置する第１の絶縁層と、
前記複数の第１の導電層及び前記第１の絶縁層の表面に接して形成される第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層の上方に半導体領域と、
前記半導体領域の上方に第２の導電層と、を有し、
前記半導体領域は前記第１の導電層、前記第１の絶縁層及び第２の絶縁層に重畳する第１の領域と、前記第１の導電層及び第２の絶縁層に重畳する第２の領域とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、前記第１の絶縁層の厚さより前記第１の導電層の厚さが厚く、前記第１の絶縁層の厚さｂと、前記第１の導電層の厚さａとの比ｂ／ａ（ｂ＜ａ）は、０．７以上１以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項７において、前記第１の絶縁層の厚さより前記第１の導電層の厚さが薄いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項７において、前記第１の導電層に接する前記第１の絶縁層の領域は、前記第１の導電層に接しない前記第１の絶縁層の領域より盛り上がっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項７において、前記第１の絶縁層は、前記絶縁表面に対して凹状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項７において、前記第１の導電層に接する前記第１の絶縁層の領域は、前記第１の導電層に接しない前記第１の絶縁層の領域より窪んでいることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項７において、前記第１の絶縁層は、前記絶縁表面に対して凸状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項７乃至請求項１３のいずれか一項において、前記半導体領域と前記第２の導電層の間にソース領域及びドレイン領域が形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項７乃至請求項１４のいずれか一項において、前記第１の導電層はゲート電極であり、前記第２の絶縁層はゲート絶縁層であり、前記第２の導電層はソース電極及びドレイン電極であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項７乃至請求項１５のいずれか一項に記載される半導体装置を有する液晶テレビジョン又はＥＬテレビジョン。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月18日(2008.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上の薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上の絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられ、前記薄膜トランジスタと電気的に接続される第１の導線を含む第１のアンテナと、
前記基板の前記薄膜トランジスタが設けられた側とは反対側に設けられた第２の導線を含む第２のアンテナとを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板と、
前記基板上の薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上の絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられ、前記薄膜トランジスタと電気的に接続される第１の導線を含む第１のアンテナと、
前記基板の前記薄膜トランジスタが設けられた側とは反対側に設けられた第２の導線を含む第２のアンテナとを有し、
前記第１のアンテナと前記第２のアンテナは電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
基板と、
前記基板上の薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上の絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられ、前記薄膜トランジスタと電気的に接続される第１の導線を含む第１のアンテナと、
前記基板の前記薄膜トランジスタが設けられた側とは反対側に設けられた第２の導線を含む第２のアンテナとを有し、
前記第１のアンテナと前記第２のアンテナは、前記基板及び前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、前記第１の導線の一部と前記第２の導線の一部は、前記コンタクトホールの内部の側壁に回り込むように設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記基板、前記薄膜トランジスタ、前記絶縁膜、前記第１のアンテナ及び前記第２のアンテナは、樹脂に覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記樹脂は２つのカバー材に挟まれており、
少なくとも一方の前記カバー材は凹部を有し、
前記第１の導線、前記第２の導線及び前記薄膜トランジスタと、前記凹部とが重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１において、
前記薄膜トランジスタを含む集積回路を有し、
前記集積回路は、整流回路と、復調回路と、変調回路とを有し、
前記第１のアンテナは、前記整流回路及び前記復調回路に電気的に接続されており、
前記第２のアンテナは、前記変調回路に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１において、
前記薄膜トランジスタを含む集積回路を有し、
前記集積回路は、整流回路と、復調回路と、変調回路とを有し、
前記第１のアンテナは、前記整流回路に電気的に接続されており、
前記第２のアンテナは、前記復調回路及び前記変調回路に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、前記絶縁膜にはフィラーが混入されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、前記基板は、ガラス基板、可撓性を有する基板又はプラスチック基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、前記第１の導線又は前記第２の導線は、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｓｎ若しくはＮｉから選ばれた金属又は金属化合物を１つ又は複数有する導電材料でなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、前記第１の導線と前記第２の導線は同一材料でなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、前記第１の導線又は前記第２の導線は、円状または螺旋状に設けられていることを特徴とする半導体装置。