(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザーソースからガルバノスキャナ及びｆシータレンズを通じてウェーハにマーキングをするチップスケールマーカのマーキング補正方法において、
（ａ）ウェーハを支持するウェーハホルダ上に前記ウェーハと同じ大きさのスクリーンを安着させる段階と、
（ｂ）前記スクリーンの下方から前記スクリーンの所定目標点にレーザーを照射し、前記目標点の上方に移動したカメラで前記スクリーン上のレーザービーム位置を測定する段階と、
（ｃ）前記測定された位置情報を制御器に伝送する段階と、
（ｄ）前記（ｂ）及び（ｃ）段階を所定の多数の点で反復する段階と、
（ｅ）前記伝送された位置情報と目標点とを比較する段階と、
（ｆ）前記（ｅ）段階の偏差が所定値以上である場合、前記ガルバノスキャナのミラーの位置を変更して前記ウェーハに照射されるレーザービームの位置を補正する段階とを具備しており、
前記スクリーンは、
前記照射されたレーザービームを吸収して上方に前記スクリーンに対して垂直の光を発散することを特徴とするチップスケールマーカのマーキング位置補正方法。
【請求項２】
レーザーソースからガルバノスキャナ及びｆシータレンズを通じてウェーハにマーキングをするチップスケールマーカのマーキング補正方法において、
（ａ）ウェーハを支持するウェーハホルダ上に前記ウェーハと同じ大きさのスクリーンを安着させる段階と、
（ｂ）前記スクリーンの下方から前記スクリーンの所定目標点にレーザーを照射し、前記目標点の上方に移動したカメラで前記スクリーン上のレーザービーム位置を測定する段階と、
（ｃ）前記測定された位置情報を制御器に伝送する段階と、
（ｄ）前記（ｂ）及び（ｃ）段階を所定の多数の点で反復する段階と、
（ｅ）前記伝送された位置情報と目標点とを比較する段階と、
（ｆ）前記（ｅ）段階の偏差が所定値以上である場合、前記ガルバノスキャナのミラーの位置を変更して前記ウェーハに照射されるレーザービームの位置を補正する段階とを具備しており、
前記スクリーンは、
レーザービームが照射されたポイントで光を散乱させる表面が粗く加工されたガラスまたはアクリルよりなる下部層と、
前記下部層の上部に前記散乱された光をフィルタリングして上方に一つのポイントを提供する光減衰器とを含むことを特徴とするチップスケールマーカのマーキング位置補正方法。
【請求項３】
レーザーソースからガルバノスキャナ及びｆシータレンズを通じてウェーハにマーキングをするチップスケールマーカのマーキング補正方法において、
（ａ）ウェーハを支持するウェーハホルダ上に前記ウェーハと同じ大きさのスクリーンを安着させる段階と、
（ｂ）前記スクリーンの下方から前記スクリーンの所定目標点にレーザーを照射し、前記目標点の上方に移動したカメラで前記スクリーン上のレーザービーム位置を測定する段階と、
（ｃ）前記測定された位置情報を制御器に伝送する段階と、
（ｄ）前記（ｂ）及び（ｃ）段階を所定の多数の点で反復する段階と、
（ｅ）前記伝送された位置情報と目標点とを比較する段階と、
（ｆ）前記（ｅ）段階の偏差が所定値以上である場合、前記ガルバノスキャナのミラーの位置を変更して前記ウェーハに照射されるレーザービームの位置を補正する段階とを具備しており、
前記スクリーンは、
レーザービームが照射されたポイントを表示する半透光膜であることを特徴とするチップスケールマーカのマーキング位置補正方法。
【請求項４】
前記レーザーは、
１,０６４ｎｍの赤外線、２次調和波である５３２ｎｍの緑色光及び３次調和波である３５５ｎｍの紫外線のうちのいずれか一つの波長を使用するＮｄ：ＹＡＧレーザーであることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のチップスケールマーカのマーキング位置補正方法。
【請求項５】
前記ウェーハホルダにマーキング対象ウェーハを載せてマーキング作業を行う段階をさらに含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のチップスケールマーカのマーキング位置補正方法。
【請求項６】
ウェーハを載せてマーキング作業を行う途中に、マーキング位置簡易補正を実施することを特徴とする請求項５に記載のチップスケールマーカのマーキング位置補正方法。
【請求項７】
前記簡易補正は、
（ｇ１）前記ウェーハホルダの外郭に配置されたホール上の半透光性膜の所定目標点にレーザービームを照射し、前記目標点の上方に移動したカメラで前記半透光性膜上のレーザービーム位置を測定する段階と、
（ｇ２）前記測定された位置情報を制御器に伝送する段階と、
（ｇ３）前記（ｇ１）ないし（ｇ２）段階を多数のホールで反復する段階と、
（ｇ４）前記伝送された位置情報と前記半透光性膜の目標点とを比較する段階と、
（ｇ５）前記（ｇ４）段階の偏差が所定値以上である場合、前記ガルバノスキャナのミラーの位置を変更して前記ウェーハに照射されるレーザービームの位置を補正する段階とを通じて実施されることを特徴とする請求項６に記載のチップスケールマーカのマーキング位置補正方法。
【請求項８】
半透光性膜は、
レーザービームを吸収して上方に平行したビームを発散することを特徴とする請求項７に記載のチップスケールマーカのマーキング位置補正方法。
【請求項９】
半透光性膜は、
レーザービームが照射されたポイントで光を散乱させる表面が粗く加工されたガラスまたはアクリルよりなる下部層と、
前記下部層の上部に前記散乱された光をフィルタリングして上方に一つのポイントを提供する光減衰器とを含むことを特徴とする請求項７に記載のチップスケールマーカのマーキング位置補正方法。
【請求項１０】
前記ホールは、
前記ウェーハが安着される前記ウェーハホルダの中心ホールから外側に所定距離だけ離隔して同心円で等間隔に配置された多数のホールであることを特徴とする請求項７に記載のチップスケールマーカのマーキング位置補正方法。
【請求項１１】
レーザーソースからガルバノスキャナ及びｆシータレンズを通じてウェーハにマーキングをするチップスケールマーカのマーキング補正方法において、
（ａ）ウェーハホルダからウェーハをアンローディングする段階と、
（ｂ）位置測定カメラの前端部にカメラスクリーンを配置する段階と、
（ｃ）前記カメラ及びカメラスクリーンを所定のマーキング目標点に移動する段階と、
（ｄ）前記目標点にレーザービームを照射し、前記カメラで前記カメラスクリーン上のレーザービーム位置を測定する段階と、
（ｅ）前記測定された位置情報を制御器に伝送する段階と、
（ｆ）前記（ｃ）ないし（ｅ）段階を所定の多数の点で反復する段階と、
（ｇ）前記伝送された位置情報と目標点とを比較する段階と、
（ｈ）前記（ｇ）段階の偏差が所定値以上である場合、前記ガルバノスキャナのミラーの位置を変更して前記ウェーハに照射されるレーザービームの位置を補正する段階とを具備しており、
前記カメラスクリーンは、
前記レーザービームを吸収して上方に平行したビームを発散することを特徴とするチップスケールマーカのマーキング位置補正方法。
【請求項１２】
レーザーソースからガルバノスキャナ及びｆシータレンズを通じてウェーハにマーキングをするチップスケールマーカのマーキング補正方法において、
（ａ）ウェーハホルダからウェーハをアンローディングする段階と、
（ｂ）位置測定カメラの前端部にカメラスクリーンを配置する段階と、
（ｃ）前記カメラ及びカメラスクリーンを所定のマーキング目標点に移動する段階と、
（ｄ）前記目標点にレーザービームを照射し、前記カメラで前記カメラスクリーン上のレーザービーム位置を測定する段階と、
（ｅ）前記測定された位置情報を制御器に伝送する段階と、
（ｆ）前記（ｃ）ないし（ｅ）段階を所定の多数の点で反復する段階と、
（ｇ）前記伝送された位置情報と目標点とを比較する段階と、
（ｈ）前記（ｇ）段階の偏差が所定値以上である場合、前記ガルバノスキャナのミラーの位置を変更して前記ウェーハに照射されるレーザービームの位置を補正する段階とを具備しており、
前記カメラスクリーンは、
前記レーザービームが照射されたポイントで光を散乱させる表面が粗く加工されたガラスまたはアクリルよりなる下部層と、
前記下部層の上部に前記散乱された光をフィルタリングして上方に一つのポイントを提供する光減衰器とを含むことを特徴とするチップスケールマーカのマーキング位置補正方法。
【請求項１３】
レーザーソースからガルバノスキャナ及びｆシータレンズを通じてウェーハにマーキングをするチップスケールマーカのマーキング補正方法において、
（ａ）ウェーハホルダからウェーハをアンローディングする段階と、
（ｂ）位置測定カメラの前端部にカメラスクリーンを配置する段階と、
（ｃ）前記カメラ及びカメラスクリーンを所定のマーキング目標点に移動する段階と、
（ｄ）前記目標点にレーザービームを照射し、前記カメラで前記カメラスクリーン上のレーザービーム位置を測定する段階と、
（ｅ）前記測定された位置情報を制御器に伝送する段階と、
（ｆ）前記（ｃ）ないし（ｅ）段階を所定の多数の点で反復する段階と、
（ｇ）前記伝送された位置情報と目標点とを比較する段階と、
（ｈ）前記（ｇ）段階の偏差が所定値以上である場合、前記ガルバノスキャナのミラーの位置を変更して前記ウェーハに照射されるレーザービームの位置を補正する段階とを具備しており、
前記カメラスクリーンは、
前記レーザービームを受けた点を表示する半透光性膜であることを特徴とするチップスケールマーカのマーキング位置補正方法。
【請求項１４】
前記レーザーは、
１,０６４ｎｍの赤外線、２次調和波である５３２ｎｍの緑色光及び３次調和波である３５５ｎｍの紫外線のうちのいずれか一つの波長を使用するＮｄ：ＹＡＧレーザーであることを特徴とする請求項１１から１３のいずれか一項に記載のチップスケールマーカのマーキング位置補正方法。
【請求項１５】
ウェーハマーキング用レーザーと、マーキング対象ウェーハを支持するウェーハホルダと、前記ウェーハホルダの上方でＸ−Ｙステージに連結されて動きつつ前記ウェーハホルダに支持されることを監視するカメラを具備するチップスケールマーカとにおいて、
スクリーンと、
前記スクリーンに照射されたレーザービームの位置とマーキング目標ポイント間の位置情報を受けてその位置偏差が所定値以上である場合、前記ウェーハマーキング用レーザーのガルバノスキャナのミラーの位置を補正する制御器とを具備しており、
前記スクリーンは、
前記ウェーハと同じ形状及び大きさを有し、前記ウェーハホルダに装着されて前記レーザーからのレーザービームを受けて前記レーザービームが照射された位置を表示することを特徴とする記載のチップスケールマーカ用マーキング位置補正装置。
【請求項１６】
前記スクリーンは、
照射されたレーザービームを吸収する下部層と、
前記下部層に積層されて前記下部層からの光を上方に垂直方向に透過させる上部層とを具備することを特徴とする請求項１５に記載のチップスケールマーカ用マーキング位置補正装置。
【請求項１７】
ウェーハマーキング用レーザーと、マーキング対象ウェーハを支持するウェーハホルダと、前記ウェーハホルダの上方でＸ−Ｙステージに連結されて動きつつ前記ウェーハホルダに支持されることを監視するカメラを具備するチップスケールマーカとにおいて、
スクリーンと、
前記スクリーンに照射されたレーザービームの位置とマーキング目標ポイント間の位置情報を受けてその位置偏差が所定値以上である場合、前記ウェーハマーキング用レーザーのガルバノスキャナのミラーの位置を補正する制御器とを具備しており、
前記スクリーンは、
レーザービームが照射されたポイントで光を散乱させるように表面が粗く加工されたガラスまたはアクリルよりなる下部層と、
前記下部層の上部に設けられて前記散乱された光をフィルタリングして上方に一つのポイントを提供する光減衰器とを具備することを特徴とするチップスケールマーカ用マーキング位置補正装置。
【請求項１８】
ウェーハマーキング用レーザーと、マーキング対象ウェーハを支持するウェーハホルダと、前記ウェーハホルダの上方でＸ−Ｙステージに連結されて動きつつ前記ウェーハホルダに支持されることを監視するカメラを具備するチップスケールマーカとにおいて、
スクリーンと、
前記スクリーンに照射されたレーザービームの位置とマーキング目標ポイント間の位置情報を受けてその位置偏差が所定値以上である場合、前記ウェーハマーキング用レーザーのガルバノスキャナのミラーの位置を補正する制御器とを具備しており、
前記スクリーンは、
半透光性ガラスであることを特徴とするチップスケールマーカ用マーキング位置補正装置。
【請求項１９】
ウェーハマーキング用レーザーと、マーキング対象ウェーハを支持するウェーハホルダと、前記ウェーハホルダの上方でＸ−Ｙステージに連結されて動きつつ前記ウェーハホルダに支持されることを監視するカメラを具備するチップスケールマーカとにおいて、
スクリーンと、
前記スクリーンに照射されたレーザービームの位置とマーキング目標ポイント間の位置情報を受けてその位置偏差が所定値以上である場合、前記ウェーハマーキング用レーザーのガルバノスキャナのミラーの位置を補正する制御器とを具備しており、
前記スクリーンは、
前記カメラの前面部に配置可能に前記カメラの支持台に連結され、前記カメラと共に前記レーザーからのレーザービームを受ける位置に移動して前記レーザービームが照射された位置を表示する半透光性スクリーンであることを特徴とするチップスケールマーカ用マーキング位置補正装置。
【請求項２０】
前記ウェーハホルダは、
ウェーハを安着させるように形成された中央ホールの外郭で前記中央ホールの外周から所定距離だけ離隔した同心円上に形成された多数のホールと、
前記ホール上には半透光性膜とを具備することを特徴とする請求項１５から１９のいずれか一項に記載のチップスケールマーカ用マーキング位置補正装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はチップスケールマーカのマーキング位置補正方法及びその装置に係り、より詳細にはレーザーを使用してウェーハチップ上に文字をマーキングするチップスケールマーカにおいてマーキング位置を補正する方法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体工程で使用するウェーハは数千個または数万個のチップよりなっている。これらチップを生産ロット別に区別するために各チップの表面に文字及び／または数字を表示する。この時、マーキングのために使用する装備としてレーザービームを使用するチップスケールマーカ装備を使用する。
【０００３】
図１は一般のチップスケールマーカ１０の概略図であって、ウェーハＷを共に示した。
【０００４】
図面を参照すれば、ウェーハホルダ２０上にウェーハＷが載せられており、ウェーハホルダ２０の下方にはレーザー発振装置３０が配置されている。レーザー発振装置３０のレーザーソースから発振されたレーザービームはガルバノスキャナ３２の多数のミラー（図示せず）及びｆシータレンズ３４を通じてウェーハＷ上のチップに照射されてチップの表面に文字を記録する。
【０００５】
前記ウェーハホルダ２０の上方にはウェーハホルダ２０に支持されることを監視するカメラ４０が配置されている。このカメラ４０はＸ−Ｙステージ５０に連結されて動く。参照番号６０はＸ−Ｙステージ５０及びウェーハホルダ２０などが位置するテーブルである。
【０００６】
ウェーハ上のチップにマーキングを正確にするためにはウェーハの整列が重要である。ウェーハの整列はウェーハの幾何学的特性ないし認識表を基準としてマーキング位置に位置させることである。マーキング工程はウェーハの認識特徴（ｂａｌｌ ａｒｒａｙ、認識マークなど）を光学的方法を利用して認識した後、マーキング位置に合わせてマーキングデータを変換してレーザービームを適当な光学系を利用してマーキング位置に照射することによって行われる。ここで１ｍｍ２以下のチップにマーキングをするためにはチップの正確な位置認識と正確なレーザービームの照射は必須である。最初のマーキング作業時にウェーハの正確な位置認識と正確なビームの照射を達成したとしても、外乱（振動、熱）によりレーザービームの照射位置は経時的に変わりうる。このような変化を周期的に測定してレーザービーム照射位置を補正する機能が必要である。このようなマーキング位置測定及び補正の周期は装備及び作業環境に左右されるが、不良防止及び品質検査次元でビームの照射が所望の位置で周期的にかつ簡便に行われねばならない。
【０００７】
図２は、従来のマーキング誤差を測定する方法を概略的に示した図面である。
【０００８】
従来には０.３ｍｍ直径の小さな孔７０ａを一定の間隔で配列して作ったウェーハ状のプレート７０にレーザービームを照射した後、前記孔７０ａを通過したレーザービームの位置をカメラ４０で観察してレーザービームの目標位置と比較する。次いでレーザー照射位置の誤差程度を把握してレーザービームの照射経路を補正する。
【０００９】
しかし、従来の方法では、孔７０ａを通過するレーザービームをカメラ４０の前面ガラス４２を通じて観測する。図２に示したように孔７０ａに対して傾斜を有するレーザービーム（図２の点線表示レーザービーム）はカメラ４０のガラス４２部分で屈折される。したがってウェーハと同じ位置にあるプレート７０上でレーザービームが照射された位置を正確に把握し難い。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は前記の問題点を改善するために創出されたものであって、本発明の目的はウェーハの代りに半透光性のスクリーン上にレーザービームを照射し、照射された位置を測定してチップスケールマーカのマーキング位置を補正する方法を提供することである。
【００１１】
本発明の他の目的は、前記補正方法のためのチップスケールマーカのマーキング位置補正装置を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するために本発明のチップスケールマーカのマーキング位置補正方法は、レーザーソースからガルバノスキャナ及びｆシータレンズを通じてウェーハにマーキングをするチップスケールマーカのマーキング補正方法において、（ａ）ウェーハを支持するウェーハホルダ上に前記ウェーハと同じ大きさのスクリーンを安着させる段階と、（ｂ）前記スクリーンの下方から前記スクリーンの所定目標点にレーザーを照射し、前記目標点の上方に移動したカメラで前記スクリーン上のレーザービーム位置を測定する段階と、（ｃ）前記測定された位置情報を制御器に伝送する段階と、（ｄ）前記（ｂ）ないし（ｃ）段階を所定の多数の点で反復する段階と、（ｅ）前記伝送された位置情報と目標点とを比較する段階と、（ｆ）前記（ｅ）段階の偏差が所定値以上である場合、前記ガルバノスキャナのミラーの位置を変更して前記ウェーハに照射されるレーザービームの位置を補正する段階とを具備する。
【００１３】
また、前記の目的は、（ａ）ウェーハホルダからウェーハをアンローディングする段階と、（ｂ）位置測定カメラの前端部にカメラスクリーンを配置する段階と、（ｃ）前記カメラ及びカメラスクリーンを所定のマーキング目標点に移動する段階と、（ｄ）前記目標点にレーザービームを照射し、前記カメラで前記カメラスクリーン上のレーザービーム位置を測定する段階と、（ｅ）前記測定された位置情報を制御器に伝送する段階と、（ｆ）前記（ｃ）ないし（ｅ）段階を所定の多数の点で反復する段階と、（ｇ）前記伝送された位置情報と目標点とを比較する段階と、（ｈ）前記（ｇ）段階の偏差が所定値以上である場合、前記ガルバノスキャナのミラーの位置を変更して前記ウェーハに照射されるレーザービームの位置を補正する段階とを具備する。
【００１４】
前記他の目的を達成するために本発明のチップスケールマーカのマーキング位置補正装置は、ウェーハマーキング用レーザーと、マーキング対象ウェーハを支持するウェーハホルダと、前記ウェーハホルダの上方でＸ−Ｙステージに連結されて動きつつ前記ウェーハホルダに支持されることを監視するカメラを具備するチップスケールマーカとにおいて、スクリーンと、前記スクリーンに照射されたレーザービームの位置とマーキング目標ポイント間の位置情報を受けてその位置偏差が所定値以上である場合、前記ウェーハマーキング用レーザーのガルバノスキャナのミラーの位置を補正する制御器とを具備する。
【００１５】
前記スクリーンは、前記ウェーハと同じ形状及び大きさであり、前記ウェーハホルダに装着されて前記レーザーからのレーザービームを受けて前記レーザービームが照射された位置を表示する。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面を参照して本発明のチップスケールマーカのマーキング位置補正装置による第１実施例を詳細に説明する。この過程で図面に示された層や領域の厚さは明細書の明確性のために誇張された。
【００１７】
図３は、本発明の第１実施例によるチップスケールマーカのマーキング位置補正装置の概略図である。
【００１８】
図面を参照すれば、ウェーハホルダ１２０上にスクリーン１８０が安着されており、ウェーハホルダ１２０の下方にはレーザー発振装置１３０が配置されている。レーザー発振装置１３０のレーザーソースから発振されたレーザービームはガルバノスキャナ１３２の多数のミラー（図示せず）及びｆシータレンズ１３４を通じてウェーハ上に照射されて生産ロット番号をマーキングする。ウェーハホルダ１２０の上方にはウェーハまたはスクリーン１８０を観察するカメラ１４０が設けられている。このカメラ１４０はＸ−Ｙステージ１５０により移動され、かつ支持される。前記カメラ１４０及びＸ−Ｙステージ１５０からの位置情報は制御器１７０に電気的信号で入力され、前記制御器１７０からの出力信号はガルバノスキャナ１３２及びＸ−Ｙステージ１５０に出力される。
【００１９】
前記スクリーン１８０はマーキング対象のウェーハと同じ形状及び大きさであり、図５に示したように二層よりなっている。下部層１８２はレーザー光を吸収して発光する蛍光層であり、上部層１８４は蛍光層からの光を透過させる層である。前記下部層１８２はウェーハホルダ１２０の中央ホール（図４の１２２参照）に安着して変形されないようにある程度固くすることが望ましい。
【００２０】
図４は前記ウェーハホルダ１２０の斜視図であって、スクリーン１８０と共に示されている。ウェーハホルダ１２０の中央にはウェーハを支持する多数の支持突起１２８が円周に形成された中央ホールが形成されている。そして中央ホール１２２の周囲に多数のホール１２４が形成されており、そのホール１２４の上には光を半透過する半透光性膜１２６が付着されている。前記ホール１２４は中央ホール１２２の外周から所定距離だけ離隔した同心円上に配置されることが望ましい。前記半透光性膜１２６は前記スクリーン１８０と同じ作用をする。
【００２１】
前記構造のチップスケールマーカ１００のマーキング位置補正装置の作用を図面を参照して詳細に説明する。
【００２２】
図５はスクリーン１８０にレーザービームを照射する時に光の経路を図式的に示した図面であり、図６はカメラのセンター点１４６とそれから外れたレーザービームポイント１４８を図式的に示した図面である。
【００２３】
まず、ウェーハの代りにそれと同じ大きさのスクリーン１８０をウェーハホルダ１２０に定着させる。次に、レーザー１３０から光を発振すれば、この光はガルバノスキャナ１３２のいくつかのミラーを通じてスクリーン１８０の所定位置に照射される。照射された光は蛍光層である下部層１８２に吸収されて発光する。発光された光は上部層１８４を通じて上方に照射される。この時、スクリーン１８０に傾いて入射された光（図５の点線表示されたレーザービーム）も図５の点線で表示された光の経路のように上方のカメラ１４０に対して垂直に光を発散する。前記レーザーはＮｄ：ＹＡＧレーザーを使用することが望ましく、１,０６４ｎｍの赤外線、２次調和波である５３２ｎｍの緑色光及び３次調和波である３５５ｎｍの紫外線のうちのいずれか一つの波長を使用し、前記カメラは使われたレーザー波長を確認できるｖｉｓｉｏｎ ｃｃｄカメラを使用することが望ましい。
【００２４】
前記カメラ１４０はレーザービームの目標点１４６の上方に位置するようにＸ−Ｙステージ１５０により移動した状態でその下方のスクリーン１８０に形成されたレーザービームポイント１４８を読出す。この時、ビームポイント１４８がレーザービームの目標点１４６から外れた程度を把握してその偏差のＸ−Ｙ座標を制御器１７０に入力する。前記ビームポイント１４８の確認過程は多数の位置で反復して実行される。
【００２５】
前記制御器１７０は前記入力された位置情報を分析して、偏差が所定範囲を外れた場合にガルバノスキャナ１３２のミラーを調節する。
【００２６】
次に、前記スクリーン１８０を除去した後、ウェーハホルダ１２０にウェーハを定着させる。この時、ウェーハが定着される位置は前記スクリーンが載せられていた位置と同一にする。
【００２７】
前記レーザー１３０から発振されたレーザービームはウェーハに補正された経路にビームを照射してマーキングする。
【００２８】
一方、レーザーマーキング途中にガルバノスキャナ１３２の揺れを検出しようとする場合にはレーサービームをウェーハホルダ１２０の外郭ホール１２４上の半透光性膜１２６上に照射し、カメラ１４０を照射される目標点の上方に移動させて前述した方法で照射されたビームポイントを検出し、それからレーザービームを補正する。
【００２９】
前記スクリーン１２６、１８０としてはレーザービームが照射される面を粗く加工したガラスまたはアクリルを使用し、その上部には光減衰器を使用することもある。前記スクリーンにレーザービームを照射すればレーザービームは粗く加工された面で散乱される。傾いて照射されたビームも散乱されて傾いた方向への透過が防止される。照射されたレーザービームは前記下部層に像を結ぶ。また、下部層の散乱光のうちレーザービームが照射されたポイントを区分するために前記下部層の上部に光減衰器が使われる。この光減衰器を通過した光は一つのビームポイントを表示するのでカメラを使用して前記ビームポイントを容易に観測できる。
【００３０】
また、前記実施例では二層よりなるスクリーンを使用したが、半透光性ガラスのように固い半透光性物質を使用する時には一層として使用することもある。
【００３１】
図７は、本発明の第２実施例によるチップスケールマーカ２００のマーキング位置補正装置を示した図面であり、第１実施例と同じ構成要素には同じ参照番号を使用して詳細な説明は省略する。
【００３２】
図面を参照すれば、カメラ１４０を支持する支持台１４２の下部に設けられてカメラ１４０の前面部にカメラスクリーン２９０を配置及び除去するモータ２９２が配置されている。そして、ウェーハホルダ２２０の中央に中央ホール２２２が形成されており、この中央ホール２２２を通じてレーザー発振装置１３０からのレーザービームがカメラスクリーン２９０に照射される。
【００３３】
前記カメラスクリーン２９０を使用してマーキング位置を検出しようとする場合には図７の点線で表示されたカメラスクリーン２９０をモータ２９２を駆動してカメラ１４０の前面に配置する。次に、レーザービームを照射しようとするウェーハの位置に対応するようにＸ−Ｙステージ１５０の所定位置にカメラ１４０及びカメラスクリーン２９０を移動させた後、カメラスクリーン２９０にレーザービームを照射する。次にカメラ１４０でカメラスクリーン２９０上に照射されたビームポイントを観測し、その位置を制御器１７０に入力する。
【００３４】
図８はスクリーンの変形例である。ウェーハと同じ大きさの円形フレーム２８２上に半透光性膜２８４を付着したものである。半透光性膜２８４は例えば、障子紙を使用できる。このような半透光性膜２８４はレーザービームを受けたポイントを表示してその位置を表示する。
【００３５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によるチップスケールマーカのマーキング位置補正方法及びその装置によれば、ウェーハマーキング前にウェーハチップにマーキングされる位置を測定してそれによりレーザービームの方向を補正でき、マーキング作業中にもレーザービームをウェーハホルダの縁部に形成された半透光性膜に照射し、照射されたレーザービームポイントを測定することによってレーザービームの簡易調整も可能である。また、スクリーン上のビームポイントを基準に補正するために正確な補正が可能になってウェーハチップ上の正確な位置にマーキングできる。
【００３６】
本発明は図面及び実施例を参考にして説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者であればこれより多様な変形及び均等な実施例が可能であるという点を理解できる。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は特許請求の範囲に限って決められねばならない。
【図面の簡単な説明】
【図１】一般のチップスケールマーカの概略図である。
【図２】従来のマーキング誤差を測定する方法の概略図である。
【図３】本発明の第１実施例によるチップスケールマーカのマーキング位置補正装置の概略図である。
【図４】図３のウェーハホルダの斜視図である。
【図５】スクリーンにレーザービームを照射する時に光の経路を図式的に示した図面である。
【図６】カメラのセンター点とそれから外れたレーザービームポイントを図式的に示した図面である。
【図７】本発明の第２実施例によるチップスケールマーカのマーキング位置補正装置を示した図面である。
【図８】スクリーンの変形例を示した図面である。
【符号の説明】
１２０  ウェーハホルダ
１３０  レーザー発振装置
１３２  ガルバノスキャナ
１３４  ｆシータレンズ
１４０  カメラ
１５０  Ｘ−Ｙステージ
１７０  制御器
１８０  スクリーン
１８２  下部層
１８４  上部層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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