【手続補正書】
【提出日】平成20年1月24日(2008.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溝が形成された基板の上にバリア膜が形成され、該バリア膜の上に銅膜が形成された銅配線基板を研磨して配線を形成する配線形成装置であって、
研磨液を保持する研磨槽と、銅配線基板を保持する基板保持部と、前記研磨槽内部に配置され銅配線基板との間に電圧が印加されるカソードとを有し、銅配線基板と前記カソードとの間に電圧を印加しつつ、前記研磨槽に、前記研磨液として、銅を溶解する無機酸及び有機酸の少なくとも１種が含まれた電解液を供給して、前記銅配線基板の銅膜を電解研磨する第１の研磨処理部と、
研磨液を保持する研磨槽と、銅配線基板を保持する基板保持部と、前記研磨槽内部に配置され銅配線基板との間に電圧が印加されるカソードとを有し、銅配線基板と前記カソードとの間に電圧を印加しつつ、前記研磨槽に、前記研磨液として、銅の溶解を抑制する添加剤が含まれた電解液を供給して、前記銅配線基板のバリア膜を電解研磨する第２の研磨処理部と、
を有することを特徴とする配線形成装置。
【請求項２】
溝が形成された基板の上にバリア膜が形成され、該バリア膜の上に銅膜が形成された銅配線基板を研磨して配線を形成する配線形成装置であって、
研磨液を保持する研磨槽と、銅配線基板を保持する基板保持部と、前記研磨槽内部に配置され銅配線基板との間に電圧が印加されるカソードとを有し、銅配線基板と前記カソードとの間に電圧を印加しつつ、前記研磨槽に、前記研磨液として、銅を溶解する無機酸及び有機酸の少なくとも１種が含まれた電解液を供給して、前記銅配線基板の銅膜を電解研磨する第１の研磨処理部と、
研磨液を保持する研磨槽と銅配線基板を保持する基板保持部とを有し、前記研磨槽に、前記研磨液として、銅の溶解を抑制する添加剤が含まれた研磨液を供給して、前記銅配線基板のバリア膜を化学研磨する第２の研磨処理部と、
を有することを特徴とする配線形成装置。
【請求項３】
前記銅を溶解する無機酸は、リン酸であることを特徴とする請求項１または２記載の配線形成装置。
【請求項４】
前記銅を溶解する有機酸は、クエン酸、シュウ酸またはグルコン酸であることを特徴とする請求項１または２記載の配線形成装置。
【請求項５】
前記銅の溶解を抑制する添加剤は、イミダゾール、ベンズイミダゾール、ベンゾトリアゾールまたはフェセナチンであることを特徴とする請求項１または２記載の配線形成装置。
【請求項６】
溝が形成された基板の上にバリア膜が形成され、該バリア膜の上に銅膜が形成された銅配線基板を研磨して配線を形成する配線形成方法であって、
銅を溶解する無機酸及び有機酸の少なくとも１種が含まれた電解液中にカソードを浸漬させ、該カソードと銅配線基板との間に電圧を印加して、前記銅配線基板の銅膜を電解研磨する第１段の電解研磨処理工程と、
前記第１段の電解研磨処理工程終了後、銅の溶解を抑制する添加剤が含まれた電解液中にカソードを浸漬させ、該カソードと銅配線基板との間に電圧を印加して、前記銅配線基板のバリア膜を電解研磨する第２の電解研磨処理工程と、
を有することを特徴とする配線形成方法。
【請求項７】
溝が形成された基板の上にバリア膜が形成され、該バリア膜の上に銅膜が形成された銅配線基板を研磨して配線を形成する配線形成方法であって、
銅を溶解する無機酸及び有機酸の少なくとも１種が含まれた電解液中にカソードを浸漬させ、該カソードと銅配線基板との間に電圧を印加して、前記銅配線基板の銅膜を電解研磨する電解研磨処理工程と、
前記電解研磨処理工程終了後、銅の溶解を抑制する添加剤が含まれた研磨液中にカソードを浸漬させて、前記銅配線基板のバリア膜を化学研磨する化学研磨処理工程と、
を有することを特徴とする配線形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は上記に鑑みて為されたもので、ＣＭＰ処理そのものを省略したり、ＣＭＰ処理の負荷を極力低減しつつ、配線を形成できるようにした配線形成装置及び方法を提供することを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の配線形成装置は、溝が形成された基板の上にバリア膜が形成され、該バリア膜の上に銅膜が形成された銅配線基板を研磨して配線を形成する配線形成装置であって、研磨液を保持する研磨槽と、銅配線基板を保持する基板保持部と、前記研磨槽内部に配置され銅配線基板との間に電圧が印加されるカソードとを有し、銅配線基板と前記カソードとの間に電圧を印加しつつ、前記研磨槽に、前記研磨液として、銅を溶解する無機酸及び有機酸の少なくとも１種が含まれた電解液を供給して、前記銅配線基板の銅膜を電解研磨する第１の研磨処理部と、研磨液を保持する研磨槽と、銅配線基板を保持する基板保持部と、前記研磨槽内部に配置され銅配線基板との間に電圧が印加されるカソードとを有し、銅配線基板と前記カソードとの間に電圧を印加しつつ、前記研磨槽に、前記研磨液として、銅の溶解を抑制する添加剤が含まれた電解液を供給して、前記銅配線基板のバリア膜を電解研磨する第２の研磨処理部と、を有する。
本発明の他の配線形成装置は、溝が形成された基板の上にバリア膜が形成され、該バリア膜の上に銅膜が形成された銅配線基板を研磨して配線を形成する配線形成装置であって、研磨液を保持する研磨槽と、銅配線基板を保持する基板保持部と、前記研磨槽内部に配置され銅配線基板との間に電圧が印加されるカソードとを有し、銅配線基板と前記カソードとの間に電圧を印加しつつ、前記研磨槽に、前記研磨液として、銅を溶解する無機酸及び有機酸の少なくとも１種が含まれた電解液を供給して、前記銅配線基板の銅膜を電解研磨する第１の研磨処理部と、研磨液を保持する研磨槽と銅配線基板を保持する基板保持部とを有し、前記研磨槽に、前記研磨液として、銅の溶解を抑制する添加剤が含まれた研磨液を供給して、前記銅配線基板のバリア膜を化学研磨する第２の研磨処理部と、を有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
このように、銅めっき処理後の平坦化プロセスを主に電解または化学研磨で行うことで、ＣＭＰ処理自体を省略するか、またはＣＭＰ処理の負荷を低減することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の配線形成方法は、溝が形成された基板の上にバリア膜が形成され、該バリア膜の上に銅膜が形成された銅配線基板を研磨して配線を形成する配線形成方法であって、銅を溶解する無機酸及び有機酸の少なくとも１種が含まれた電解液中にカソードを浸漬させ、該カソードと銅配線基板との間に電圧を印加して、前記銅配線基板の銅膜を電解研磨する第１段の電解研磨処理工程と、前記第１段の電解研磨処理工程終了後、銅の溶解を抑制する添加剤が含まれた電解液中にカソードを浸漬させ、該カソードと銅配線基板との間に電圧を印加して、前記銅配線基板のバリア膜を電解研磨する第２の電解研磨処理工程と、を有する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の他の配線形成方法は、溝が形成された基板の上にバリア膜が形成され、該バリア膜の上に銅膜が形成された銅配線基板を研磨して配線を形成する配線形成方法であって、銅を溶解する無機酸及び有機酸の少なくとも１種が含まれた電解液中にカソードを浸漬させ、該カソードと銅配線基板との間に電圧を印加して、前記銅配線基板の銅膜を電解研磨する電解研磨処理工程と、前記電解研磨処理工程終了後、銅の溶解を抑制する添加剤が含まれた研磨液中にカソードを浸漬させて、前記銅配線基板のバリア膜を化学研磨する化学研磨処理工程と、を有する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明によれば、銅めっき処理後の平坦化プロセスを主に電解または化学研磨で行うことで、ＣＭＰ処理自体を省略するか、またはＣＭＰ処理の負荷を低減することができる。