【手続補正書】
【提出日】平成20年3月28日(2008.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板と、
前記半導体基板に形成され、かつ互いに並列配置され、かつ各々が上面、第１の端部および前記第１の端部に対向する第２の端部を有する第１、第２および第３の拡散抵抗と、
平面視において前記第１、第２および第３の拡散抵抗の各々を取り囲む分離絶縁膜と、
前記第１および第３の拡散抵抗の前記上面に形成された第１のシリサイド膜と、
前記第２の拡散抵抗の前記上面に形成された第２のシリサイド膜とを備え、
前記第２の拡散抵抗は前記第１および第３の拡散抵抗の間に配置されており、
前記第１のシリサイド膜は前記第１および第３の拡散抵抗の前記上面の全体を覆っており、かつ前記第２のシリサイド膜は前記第１および第２の端部において前記第２の拡散抵抗の前記上面を部分的に覆っており、かつ前記第２の拡散抵抗の前記第１および第２の端部の間の部分は前記第２のシリサイド膜で覆われていない、半導体装置。
【請求項２】  前記第２の拡散抵抗は前記第１および第３の拡散抵抗の間に並列配置された１対の拡散抵抗を含んでいる、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】  前記半導体基板に形成され、前記第１、第２および第３の拡散抵抗に並列配置され、かつ上面、第１の端部および前記第１の端部に対向する第２の端部を有する第４の拡散抵抗と、
前記第１および第２の端部と、前記第１および第２の端部の間に一定の間隔ごとに配置された複数の内部分とにおいて、前記第４の拡散抵抗の前記上面を部分的に覆う第３のシリサイド膜とをさらに備え、
前記第４の拡散抵抗は前記１対の拡散抵抗の間に位置している、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】  前記第１の端部に形成された前記第２のシリサイド膜と前記第２の端部に形成された前記第２のシリサイド膜との各々は、前記第２のシリサイド膜で覆われていない前記第２の拡散抵抗の部分からみて２００ミクロン以内に形成されている、請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】  前記第１の端部に形成された前記第２のシリサイド膜と前記第２の端部に形成された前記第２のシリサイド膜との間の前記第２の拡散抵抗の長さが２００ミクロン以内である、請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】  前記第１の端部に形成された前記第３のシリサイド膜と前記第１の端部側の前記内部分に形成された前記第３のシリサイド膜との間、および前記第２の端部に形成された前記第３のシリサイド膜と前記第２の端部側の前記内部分に形成された前記第３のシリサイド膜との間の各々の前記第４の拡散抵抗の長さが２００ミクロン以内である、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項７】  半導体基板と、
前記半導体基板に形成され、かつ互いに並列配置され、かつ各々が上面、第１の端部および前記第１の端部に対向する第２の端部を有する複数の拡散抵抗と、
平面視において前記拡散抵抗の各々を取り囲む分離絶縁膜と、
前記第１および第２の端部と、前記第１および第２の端部の間に一定の間隔ごとに配置された複数の内部分とにおいて、前記拡散抵抗の各々の上面を部分的に覆う複数のシリサイド膜とを備えた、半導体装置。
【請求項８】  前記半導体基板に形成され、かつ前記複数の拡散抵抗に並列に配置され、各々が上面を有する少なくとも２つの追加拡散抵抗と、
前記追加拡散抵抗の各々の前記上面の全体上に形成された追加シリサイド膜とをさらに備え、
複数の拡散抵抗の少なくともいくつかは、前記少なくとも２つの追加拡散抵抗の間に配置されている、請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】  前記第１の端部に形成された前記シリサイド膜と前記第１の端部側の前記内部分に形成された前記シリサイド膜との間、および前記第２の端部に形成された前記シリサイド膜と前記第２の端部側の前記内部分に形成された前記シリサイド膜との間の各々の前記拡散抵抗の長さが２００ミクロン以内である、請求項７または８に記載の半導体装置。
【請求項１０】  半導体基板と、
前記半導体基板に形成され、かつ互いに並列配置された複数の拡散抵抗と、
平面視において前記拡散抵抗の各々を取り囲む分離絶縁膜とを備え、
前記拡散抵抗の各々は複数の分離領域によって直列に接続するように形成されており、さらに
前記分離領域の各々の第１および第２の端部において前記分離領域の上面を部分的に覆い、かつ前記分離領域の各々の前記第１および第２の端部の間の部分を覆わないシリサイド膜を備えた、半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る半導体装置は、半導体基板と、第１、第２および第３の拡散抵抗と、分離絶縁膜と、第１のシリサイド膜と、第２のシリサイド膜とを備えている。第１、第２および第３の拡散抵抗は、半導体基板に形成され、かつ互いに並列配置され、かつ各々が上面、第１の端部および第１の端部に対向する第２の端部を有している。分離絶縁膜は、平面視において第１、第２および第３の拡散抵抗の各々を取り囲んでいる。第１のシリサイド膜は、第１および第３の拡散抵抗の上面に形成されている。第２のシリサイド膜は、第２の拡散抵抗の上面に形成されている。第２の拡散抵抗は第１および第３の拡散抵抗の間に配置されている。第１のシリサイド膜は第１および第３の拡散抵抗の上面全体を覆っており、かつ第２のシリサイド膜は第１および第２の端部において第２の拡散抵抗の上面を部分的に覆っており、かつ第２の拡散抵抗の第１および第２の端部の間の部分は第２のシリサイド膜で覆われていない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
この発明に係る半導体装置は、第２の拡散抵抗が第１および第３の拡散抵抗の間に並列配置された１対の拡散抵抗を含むものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
この発明に係る半導体装置は、第４の拡散抵抗と、第３のシリサイド膜とをさらに備えるものである。第４の拡散抵抗は、半導体基板に形成され、第１、第２および第３の拡散抵抗に並列配置され、かつ上面、第１の端部および第１の端部に対向する第２の端部を有している。第３のシリサイド膜は、第１および第２の端部と、第１および第２の端部の間に一定の間隔ごとに配置された複数の内部分とにおいて、第４の拡散抵抗の上面を部分的に覆っている。第４の拡散抵抗は１対の拡散抵抗の間に位置している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
この発明に係る半導体装置は、第１の端部に形成された第２のシリサイド膜と第２の端部に形成された第２のシリサイド膜との各々は、第２のシリサイド膜で覆われていない第２の拡散抵抗の部分からみて２００ミクロン以内に形成されているものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
この発明に係る半導体装置は、第１の端部に形成された第２のシリサイド膜と第２の端部に形成された第２のシリサイド膜との間の第２の拡散抵抗の長さが２００ミクロン以内のものである。
この発明に係る半導体装置は、第１の端部に形成された第３のシリサイド膜と第１の端部側の内部分に形成された第３のシリサイド膜との間、および第２の端部に形成された第３のシリサイド膜と第２の端部側の内部分に形成された第３のシリサイド膜との間の各々の第４の拡散抵抗の長さが２００ミクロン以内のものである。