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【手続補正書】
【提出日】平成20年9月26日(2008.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動板と、
前記振動板の少なくとも片面に接合された圧電素子と、
前記圧電素子又は前記振動板を支える少なくとも一つの軸と、
を備えることを特徴とする発電装置。
【請求項２】
前記軸は、前記圧電素子の中心を通る線上に少なくとも一つ配置されたこと、
を特徴とする請求項１に記載の発電装置。
【請求項３】
前記軸を、棒状に形成すると共に、前記前記圧電素子の中心を通る線上に沿って配置したこと、
を特徴とする請求項２に記載の発電装置。
【請求項４】
前記圧電素子を四角形状に形成し、
前記軸を、前記前記圧電素子の対角線上に沿って配置したこと、
を特徴とする請求項３に記載の発電装置。
【請求項５】
前記軸は、前記振動板の周囲に配置されたこと、
を特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の発電装置。
【請求項６】
前記振動板と前記圧電素子の各々を円板状に形成すると共に、これら振動板と圧電素子を同心状に接合し、
前記軸を、前記振動板の周囲形状に対応する円環状に形成したこと、
を特徴とする請求項５に記載の発電装置。
【請求項７】
前記軸は、前記圧電素子の側面のうち前記振動板に接合されていない側面における前記圧電素子の中心位置と、前記振動板の周囲とに配置され、
前記圧電素子の中心位置に配置された軸を中心に、前記圧電素子及び前記振動板の周囲が、当該圧電素子の中心位置に配置された軸のある面と反対側又は同じ側に反ることを可能としたこと、
を特徴とする請求項１から６に記載の発電装置。
【請求項８】
一対の緩衝材の相互間に前記振動板及び前記圧電素子を配置し、
前記一対の緩衝材のうち、前記圧電素子に面する側の緩衝材に、前記圧電素子を支える前記軸を接合したこと、
を特徴とする請求項１から７に記載の発電装置。
【請求項９】
前記一対の緩衝材のうち、前記振動板に面する側の緩衝材に、前記振動板を支える前記軸を接合したこと、
を特徴とする請求項８に記載の発電装置。
【請求項１０】
前記圧電素子に面する側の緩衝材と、前記振動板を支える前記軸との間に、空間部を形成し、
前記振動板を支える前記軸の先に、前記振動板と共に前記圧電素子が変形した際に前記圧電素子に面する側の緩衝材に接触するストッパーを設けたこと、
を特徴とする請求項９に記載の発電装置。
【請求項１１】
前記圧電素子に面する側の緩衝材に、前記圧電素子が変形した際に当該圧電素子に接触するストッパーを設けたこと、
を特徴とする請求項８に記載の発電装置。
【請求項１２】
前記振動板と前記圧電素子とを複数組重合し、
複数の前記振動板を、当該振動板の側方に設けた１つの軸によって支えること、
を特徴とする請求項１に記載の発電装置。
【請求項１３】
前記圧電素子を円形状に形成すると共に、この圧電素子を、正三角形を隙間無く並べたときの交点の各々に配置し、あるいは、
前記圧電素子を長方形状に形成すると共に、二組の圧電素子を並べて正方形に配置したものを、９０度ずつ回転させて敷き詰めるように配置したこと、
を特徴とする請求項１に記載の発電装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月6日(2008.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
さらに、反応液はｐＨ７．０〜８．０に調整する旨の表示を含む請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の核酸分析キット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【特許文献１】特開平09-234099号公報
【非特許文献１】Electrophoresis 2001, 22, 3497-3504
【非特許文献２】Measurement Science and Technology 13 (2002) 1779-1785
【非特許文献３】K. Karasawa, et al., 2003年日本薬学会  要旨集  発表番号29[P1]-I-204
【非特許文献４】E. Munakata, et al., 2004年日本薬学会  要旨集  発表番号29[P2]-I-311
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
しかし、ATPに比べて反応効率は1/1000程度であるが、APSはルシフェラーセの発光基質となりルシフェリンと反応して化学発光を生じる。このため、微量のDNAを用いた配列決定ではAPSによる背景光により配列決定がうまくいかないことがあった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2007097471.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2007097471.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月21日(2008.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
帯状芯材の表面を被覆する防水層を有する一対の防水性ファスナーテープ(2,2')の対向する平面的なエレメント取付縁部(3)に沿って複数のファスナーエレメント(21)が列設され、その一対のファスナーテープ(2,2') の前記ファスナーエレメント(21)が存在しない平面的な一端部の表裏両面に蝶棒(9) 及び箱棒(10)が対向して固着一体化され、前記ファスナーエレメント(21)に挿通されたスライダー(7)を有するとともに、前記蝶棒(9)のテープ端側の一部側面からファスナーテープ(2)の表裏両面に延在して一体に固着された蝶棒固定部材(12)を有する防水性スライドファスナー(1)にあって、
前記ファスナーテープ(2)の表裏面に一体に固着された前記蝶棒固着部材(12)の端部が、前記ファスナーテープ(2)の蝶棒固着側先端面をテープ表裏面を跨いで被覆一体化してなる
ことを特徴とする防水性スライドファスナー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記蝶棒固定部材(12)が、テープ長さ方向において前記蝶棒(9)よりも短く形成されてなることを特徴とする請求項１記載の防水性スライドファスナー。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記ファスナーテープ(2)の前記蝶棒(9)と前記蝶棒固定部材(12)とが配される領域に、少なくとも１つの貫通孔(16)が形成されてなり、
前記テープ表裏面に固着された前記蝶棒(9)及び前記蝶棒固定部材(12)が、前記ファスナーテープ(2)の貫通孔(16)を介して設けられた連結部(28)によって表裏面間で連結されてなることを特徴とする請求項１記載の防水性スライドファスナー。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記蝶棒(9)のファスナーエレメント側の端部側の表裏両面に、前記ファスナーテープ(2)の表裏面と平行に所定の間隙を設けて外側に向けて延設された上下の板材(19a,19b) を有し、
前記上下板材(19a,19b) 間の前記間隙は、前記箱棒が固着されたファスナーテープ(2')の厚さよりも大きく形成され、前記ファスナーエレメント(21)の噛合時に、前記上下板材間の間隙が前記箱棒側のファスナーテープ(2')の一部端縁を収容することを特徴とする請求項１に記載の防水性スライドファスナー。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記蝶棒(9)の前記蝶棒固定部材が存在する側の側面に、前記蝶棒固定部材よりも小さな脚部(20)が配設されてなることを特徴とする請求項１に記載の防水性スライドファスナー。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
更に、前記蝶棒の裏面に配設する前記下板が、前記蝶棒のファスナーエレメント側の端部からテープ長さ方向の所定長さに渡って形成されていることが好ましい。
更にまた、前記蝶棒の前記蝶棒固定部材が存在する側の側面に、前記蝶棒固定部材よりも小さな脚部が配設されていることが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
蝶棒９の蝶棒固着部材１２が存在する側の側面には、蝶棒９よりも肉厚の薄い脚部２０が設けられている。このような脚部２０を設けることにより、以下で詳述するように、スライダーを摺動させたときに、スライダーのフランジと接触し、スライダーのフランジがファスナーテープ２を被覆する防水層に接触する頻度を低減することができ、スライダーのフランジとの接触による防水層の磨り減りを防ぐことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月23日(2008.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱伝導性を有する素材から形成したホルダー部材にストロー管を接触状態で保持し、且つそのホルダー部材をペルチェ素子を用いた冷却手段で冷却することによってストロー管を凍結させることを特徴とするストロー管の凍結方法
【請求項２】
ストロー管をセットするホルダー部と、ホルダー部を冷却するペルチェ素子を用いてなる冷却機構部と、ペルチェ素子から発生した熱を排除する排熱手段とからなることを特徴とするストロー管の凍結装置
【請求項３】
前記ホルダー部がストロー管の周面と接触するようになっていることを特徴とする請求項２のストロー管の凍結装置
【請求項４】
前記ペルチェ素子が複数設けられており、それらは作用面を対向させ、且つその対向する作用面の間に熱伝導性を有する素材を介在して複数段に構成されていることを特徴とする請求項２のストロー管の凍結装置
【請求項５】
前記筐体が天地を逆にして配置できるようになっていることを特徴とする請求項２のストロー管の凍結装置
【請求項６】
前記冷却手段への電力供給を、バッテリーによって行い、屋内外や移動中の車両内等、所望の場所で使用することができるようにすることを特徴とする請求項１記載のストロー管の凍結方法
【請求項７】
前記冷却機構部と前記排熱手段の駆動を、バッテリーからの電力供給で行なうように構成し、屋内外や移動中の車両内等、所望の場所で使用することができるように構成してなる請求項２記載のストロー管の凍結装置
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月13日(2008.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ発振器から射出されたレーザ光をレンズアレイを通過させることによって複数に分割し、
前記複数に分割した各レーザ光が焦点を結ぶ位置において、前記各レーザ光をスリットに設けられた複数の開口部の対応する位置の開口部を通過させ、
前記スリットの各開口部を通過させた各レーザ光を集光レンズを通過させることによって集光させ、
前記集光させたレーザ光を照射面上に照射し、
前記照射面上で反射した光を前記スリットの開口部が設けられていない部分で遮断することを特徴とするレーザ光を照射する方法。
【請求項２】
前記レンズアレイは、シリンドリカルレンズアレイ又はフライアイレンズであることを特徴とする請求項１に記載のレーザ光を照射する方法。
【請求項３】
前記レンズアレイの中心軸と、前記集光レンズの中心軸とを不一致にすることを特徴とする請求項１又は２に記載のレーザ光を照射する方法。
【請求項４】
前記レンズアレイのレンズに軸はずしレンズを用いることを特徴とする請求項１又は２に記載のレーザ光を照射する方法。
【請求項５】
レーザ発振器と、
前記レーザ発振器から射出されたレーザ光を通過させることによって複数に分割するレンズアレイと、
前記複数に分割した各レーザ光が焦点を結ぶ位置に配置され、前記各レーザ光が通過する位置に設けられた複数の開口部を有するスリットと、
前記スリットの各開口部を通過した各レーザ光を重ね合わせる集光レンズと、
前記集光レンズを通過したレーザ光を被照射物の表面に照射させるように被照射物を設置するステージとを備え、
前記被照射物の表面上で反射した光を前記スリットの開口部が設けられていない部分により遮断することを特徴とするレーザ光を照射する装置。
【請求項６】
前記レンズアレイは、シリンドリカルレンズアレイ又はフライアイレンズであることを特徴とする請求項５に記載のレーザ光を照射する装置。
【請求項７】
前記レンズアレイの中心軸と、前記集光レンズの中心軸とを不一致にすることを特徴とする請求項５又は６に記載のレーザ光を照射する装置。
【請求項８】
前記レンズアレイのレンズに軸はずしレンズを用いることを特徴とする請求項５又は６に記載のレーザ光を照射する装置。
【請求項９】
レーザ発振器から射出されたレーザ光をレンズアレイを通過させることによって複数に分割し、
前記複数に分割した各レーザ光が焦点を結ぶ位置において、前記各レーザ光をスリットに設けられた複数の開口部の対応する位置の開口部を通過させ、
前記スリットの各開口部を通過させたレーザ光を集光レンズを通過させることによって集光させ、
前記集光させたレーザ光を非単結晶膜表面に照射することによって非単結晶膜をアニールし、
前記非単結晶表面上で反射した光を前記スリットの開口部が設けられていない部分で遮断することを特徴とする半導体装置を作製する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月30日(2008.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅と、０．００１原子百分率から０．６原子百分率までの、イリジウム、オスミウム、及びレニウムからなる群から選択された１つ又はそれ以上の金属とを含む導電性コア領域と、
少なくとも８０原子百分率の前記１つ又はそれ以上の金属を含む界面領域と、
を備えることを特徴とする導電性材料。
【請求項２】
前記導電性コア領域が０．００１原子百分率から０．４原子百分率までのイリジウムを含む、請求項１に記載の導電性材料。
【請求項３】
０．５原子百分率から４原子百分率までのイリジウムを含むシード領域をさらに備える、請求項１または２に記載の導電性材料。
【請求項４】
前記界面領域の厚さが５Åから２０Åまでである、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の導電性材料。
【請求項５】
前記導電性材料の抵抗率が２．３μΩ／ｃｍ又はそれ以下である、請求項２に記載の導電性材料。
【請求項６】
側壁に沿って配置された下層を含むトレンチ又はビアが誘電体材料内に配置され、さらに、０．０１原子百分率から０．６原子百分率までの、イリジウム、オスミウム、及びレニウムからなる群から選択された１つ又はそれ以上の金属を含む、前記トレンチ又はビア内の銅導体コアと、
８０原子百分率又はそれ以上の前記１つ又はそれ以上の金属を含む界面層と、
を備えることを特徴とする半導体構造。
【請求項７】
銅と、０．３原子百分率から１．８原子百分率までのイリジウムとを含むシード領域と、
銅と、０．０４原子百分率から０．１原子百分率までのイリジウムとを含む導電性コア領域と、
少なくとも９８原子百分率のイリジウムを含む界面領域と、
を備えることを特徴とする導電性材料。
【請求項８】
導電性材料を製造する方法であって、
下層を形成するステップと、
前記下層を、銅と、イリジウム、オスミウム、及びレニウムからなる群から選択された１つ又はそれ以上の金属とを含むシード層と接触させるステップと、
銅を含む導電性層を前記シード層上に堆積させ、前記導電性層内の粒成長を引き起こし、さらに該シード層から該導電性層への前記１つ又はそれ以上の金属のマイグレーションを最小にするのに十分な温度で該導電性層をアニールするステップと、
前記導電性層を研磨して、研磨された銅の表面材料を形成するステップと、
前記シード層から前記研磨された表面への前記１つ又はそれ以上の金属のマイグレーションを引き起こす温度で、前記研磨された銅の表面材料をアニールし、界面領域と接触状態にある銅導体コア領域を形成するステップと、を含み、
前記界面領域及び前記銅導体コア領域が前記１つ又はそれ以上の金属を含むことを特徴とする方法。
【請求項９】
前記１つ又はそれ以上の金属がイリジウムを含み、前記シード層は、前記導電性層をアニールする前又は前記研磨された銅の表面材料をアニールする前に、１原子百分率から７原子百分率までのイリジウムを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記導電性層をアニールするステップが、５分より長く、２００℃の温度を超えないものである、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記研磨された銅の表面材料をアニールするステップが、３０分又はそれ以上、２５０℃又はそれより高い温度を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記研磨された銅の表面材料への前記１つ又はそれ以上の金属のマイグレーションにより、８０原子百分率又はそれ以上のイリジウムを有する前記界面領域が形成される、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記銅導体コアが０．００１原子百分率から０．６原子百分率までの前記１つ又はそれ以上の金属を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
前記イリジウムのマイグレーションにより、０．５原子百分率から４原子百分率までのイリジウムを有するシード領域が形成される、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記１つ又はそれ以上の金属のマイグレーションにより、５Åから２０Åまでの厚さを有する前記界面領域が形成される、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月21日(2008.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｉ／Ｏ端子を介して入出力される信号の入出力制御を行うＩ／Ｏバッファを設けた半導体集積回路装置であって、
前記Ｉ／Ｏバッファは、
前記Ｉ／Ｏ端子の出力信号状態を、少なくともハイインピーダンス状態、信号保持状態またはプルアップ状態のいずれかの状態に任意に設定する状態設定部を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
Ｉ／Ｏ端子を介して入出力される信号の入出力制御を行うＩ／Ｏバッファ部を設けた半導体集積回路装置であって、
前記Ｉ／Ｏバッファ部は、
前記Ｉ／Ｏ端子の出力信号状態を、第１〜第３の信号状態のうち、いずれか１つの信号状態に任意に設定する状態設定部を備え、
前記状態設定部が設定する前記第１の信号状態は、前記Ｉ／Ｏ端子の出力信号状態が信号保持状態となり、前記第２の信号状態は、前記Ｉ／Ｏ端子の出力信号状態がハイインピーダンス状態となり、前記第３の信号状態は、前記Ｉ／Ｏ端子の出力信号状態がプルアップ状態となることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体集積回路装置であって、
前記状態設定部は、さらに第４の信号状態を設定可能で、前記第４の信号状態は、前記Ｉ／Ｏ端子の出力信号状態がプルダウン状態となることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項４】
Ｉ／Ｏ端子を介して入出力される信号の入出力制御を行うＩ／Ｏバッファ部を設けた半導体集積回路装置であって、
前記Ｉ／Ｏバッファ部は、
第１〜第３の状態設定信号を保持する状態設定レジスタと、
前記Ｉ／Ｏ端子に接続され、前記状態設定レジスタから出力された第１〜第３の状態設定信号の組み合わせに応じて前記Ｉ／Ｏ端子の出力信号状態を任意の状態に設定する状態設定回路とよりなる状態設定部を備え、
前記状態設定回路が設定する出力信号状態は、
第１〜第３の出力信号状態を含み、
前記第１の出力信号状態は信号保持状態で、前記第２の出力信号状態はハイインピーダンス状態で、前記第３の出力信号状態はプルアップ状態であることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項５】
請求項４記載の半導体集積回路装置において、
前記状態設定回路が前記Ｉ／Ｏ端子に設定する状態は、プルダウン状態をさらに含むことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項６】
請求項４または５記載の半導体集積回路装置において、
さらに、前記状態設定レジスタに対し、前記状態設定信号を設定可能な中央処理装置を含む内部論理回路を有し、
前記Ｉ／Ｏバッファ部は、
前記Ｉ／Ｏ端子を介して外部出力される信号の出力制御を行う出力バッファと、
前記Ｉ／Ｏ端子を介して外部から入力される信号の入力制御を行う入力バッファと、
前記出力バッファ、前記入力バッファ、および前記状態設定回路における静電破壊保護を行う静電破壊保護部とを有し、
前記状態設定回路は、
前記静電破壊保護部よりも前記内部論理回路側にレイアウトされていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項７】
請求項６記載の半導体集積回路装置において、
前記状態設定回路は、
前記出力バッファの動作電圧と略同じ電圧が供給されることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項８】
請求項６または７記載の半導体集積回路装置において、
前記状態設定レジスタは、
同一機能を有する複数の前記Ｉ／Ｏ端子から構成されるポート毎に設けられ、
前記中央処理装置は、
前記ポート毎に設けられた前記状態設定レジスタを個別に設定することにより、前記ポートを任意の状態にそれぞれ設定することが可能であることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項９】
請求項６または７記載の半導体集積回路装置において、
前記状態設定レジスタは、
前記中央処理装置によって任意の第１〜第３の状態設定信号の組み合わせが出力されることで設定されることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１０】
複数の入出力端子を介して入出される信号の制御を行い、第１と第２の入出力バッファを含む複数の入出力バッファを設けた半導体集積回路装置であって、
外部との入出力を行い、前記第１の入出力バッファに接続された第１入出力端子と、
前記第２の入出力バッファに接続された第２入出力端子とを含む複数の入出力端子と、
前記第１入出力端子に接続され、前記第１入出力端子の出力信号状態を制御するための第１制御回路と、
前記第２入出力端子に接続され、前記第２入出力端子の出力信号状態を制御するための第２制御回路とを含む複数の制御回路とを有し、
前記第１、および前記第２制御回路は、前記出力信号状態を少なくともハイインピーダンス状態、信号保持状態、またはプルアップ状態のいずれかの状態に設定することが可能であることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１１】
請求項１０記載の半導体集積回路装置において、
前記第１、および前記第２制御回路は、前記出力信号状態を更にプルダウン状態に設定することが可能であり、
前記Ｉ／Ｏ端子は、信号入出力がなされていないとき、前記第１、および前記第２制御回路は、前記Ｉ／Ｏ端子を制御することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１２】
内部論理回路から出力される第１の電圧振幅の出力信号を、前記第１の電圧振幅よりも大きい振幅である第２の電圧振幅の信号にレベルシフトして出力するレベルシフタを備え、
前記レベルシフタは、
前記第１の電圧振幅の出力信号を前記第１の電圧振幅よりも大きい振幅である第２の電圧振幅の信号にレベルシフトするレベルシフト回路と、
前記レベルシフト回路に設けられ、第２の電圧振幅の信号の遷移を高速化するレベル変換アシスト部とよりなることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１３】
請求項１２記載の半導体集積回路装置において、
前記レベルシフト回路は、
第１のトランジスタ、および第２のトランジスタが直列接続された構成の第１のインバータと、第３のトランジスタ、および第４のトランジスタが直列接続された構成の第２のインバータとよりなり、前記第１のトランジスタのゲートと前記第４のトランジスタの一方の接続部、および前記第３のトランジスタのゲートと前記第２のトランジスタの一方の接続部とがたすきがけ状にそれぞれ接続された構成からなり、
前記レベル変換アシスト部は、
一方の接続部に電源電圧が接続され、他方の接続部が前記第２のトランジスタの一方の接続部に接続された第１のＰチャネルＭＯＳトランジスタと、
一方の接続部に電源電圧が接続され、他方の接続部が前記第４のトランジスタの一方の接続部に接続された第２のＰチャネルＭＯＳトランジスタとよりなることを特徴とする半導体集積回路装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月7日(2008.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板にパターン形成材料を含む液滴を吐出して選択的にパターンを形成する液滴吐出手段と、吐出された液滴の飛翔軌道を制御するブロー手段と、前記液滴吐出手段および前記ブロー手段を制御する制御手段と、を有する第１の処理室と、
加熱手段を有する第２の処理室と、
前記第１の処理室および前記第２の処理室と連結された搬送室と、を有することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項２】
請求項１において、前記搬送室には複数の第１の処理室と、複数の第２の処理室とが連結されていることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項３】
被処理基板にパターン形成材料を含む液滴を吐出して被処理基板のＸ方向にパターンを形成する第１の液滴吐出手段と、吐出された液滴の飛翔軌道を被処理基板のＸ方向に制御する第１のブロー手段と、前記第１の液滴吐出手段および前記第１のブロー手段を制御する第１の制御手段と、を有する第１の処理室と、
被処理基板にパターン形成材料を含む液滴を吐出して被処理基板のＹ方向にパターンを形成する第２の液滴吐出手段と、吐出された液滴の飛翔軌道を被処理基板のＹ方向に制御する第２のブロー手段と、前記第２の液滴吐出手段および前記第２のブロー手段を制御する第２の制御手段と、を有する第２の処理室と、
前記第１の処理室および前記第２の処理室と連結された搬送室と、を有することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項４】
請求項３において、前記第１の処理室内、前記第１の処理室から前記第２の処理室への搬送経路、および前記第２の処理室内において、被処理基板の向きを固定することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項５】
被処理基板にパターン形成材料を含む液滴を吐出して選択的にパターンを形成する液滴吐出手段と、吐出された液滴の飛翔軌道を制御するブロー手段と、該ブロー手段のガス流出口から吹き出されて生じたガス気流の流路中に設けられた加熱手段と、前記液滴吐出手段、前記ブロー手段、および前記加熱手段を制御する制御手段と、を有する処理室を有することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項６】
請求項５において、前記加熱手段は、糸状、ワイヤ状、コイル状、棒状、または面状の抵抗発熱体からなるヒータであることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記ブロー手段のガス流出口から吹き出されて生じたガス気流の下流に排気手段が設けられていることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記液滴吐出手段から吐出された液滴量を測定する測定手段が設けられていることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記パターン形成材料は、銀、金、銅、又はインジウム錫酸化物を含む材料であることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記パターン形成材料は、インジウムを含む有機材料、または錫を含む有機材料であることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項１１】
液滴吐出手段により、被処理基板にパターン形成材料を含む液滴を吐出して選択的にパターンを形成する際、ブロー手段により、液滴吐出手段から吐出された液滴の飛翔軌道を変化させ、前記ブロー手段により、液滴吐出した直後にガスを吹きつけて乾燥を行い、吹き出されたガス流路の一部に設けられた加熱手段により、ガスを加熱し、加熱されたガス流路の下方領域の加熱焼成を行うことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１２】
液滴吐出手段により、被処理基板にパターン形成材料を含む液滴を吐出して選択的にパターンを形成する際、液滴を吐出すると同時にブロー手段の流量を増減させて、液滴吐出手段から吐出された液滴の飛翔軌道を変化させてパターン形状を制御することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１３】
請求項１１または請求項１２において、前記パターン形成材料は、銀、金、銅、又はインジウム錫酸化物を含む材料であることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１４】
請求項１１または請求項１２において、前記パターン形成材料は、インジウムを含む有機材料、または錫を含む有機材料であることを特徴とするパターン形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月30日(2008.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一つのデバイス識別情報を取得するのに応じて、一つのインストール処理を起動するプラグアンドプレイ処理を実行可能な情報処理装置において、
周辺装置の接続に応答して、複数の論理インタフェースにそれぞれ対応する複数の構成情報を含む少なくとも一つのデバイス識別情報を取得する取得手段と、
前記周辺装置から転送されてくるデバイス識別情報を前記取得手段が取得するのに応答して、前記デバイス識別情報に含まれる構成情報を用いて、複数の論理インタフェースにそれぞれ対応する、前記複数のデバイスドライバのインストールの実行を制御するインストール制御手段と、
を含むことを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記情報処理装置は、ユニバーサル・シリアル・バスに規定される同一のクラスに属する複数の論理インタフェースを介して、前記周辺装置と通信することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記インストール制御手段は、前記複数のデバイスドライバをインストールするのに続いて、前記複数のデバイスドライバにそれぞれ対応する前記周辺装置の複数の機能を制御すべく、複数の論理インタフェースを設定することを特徴とする請求項１又は２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記周辺装置は、ファクシミリ機能、プリンタ機能を備え、
前記インストール制御手段は、ファクシミリ制御プログラム及びプリンタ制御プログラムをデバイスドライバとしてインストールするようオペレーティングシステムの実行を制御することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の情報処理装置。
【請求項５】
一つのデバイス識別情報を取得するのに応じて、一つのインストール処理を起動するプラグアンドプレイ処理を実行可能な情報処理方法において、
周辺装置が接続されてくるのに応答して、複数の論理インタフェースにそれぞれ対応する複数の構成情報を含む少なくとも一つのデバイス識別情報を取得する取得工程と、
前記周辺装置から転送されてくるデバイス識別情報を前記取得工程が取得するのに応答して、前記デバイス識別情報に含まれるデバイス構成情報を用いて、複数の論理インタフェースにそれぞれ対応する、前記複数のデバイスドライバのインストールの実行を制御するインストール制御工程と、
を含むことを特徴とする情報処理方法。
【請求項６】
ユニバーサル・シリアル・バスに規定される同一のクラスに属する複数の論理インタフェースを介して、前記周辺装置と通信する情報処理装置により実行される情報処理方法であることを特徴とする請求項５に記載の情報処理方法。
【請求項７】
前記インストール制御工程は、前記複数のデバイスドライバをインストールするのに続いて、前記複数のデバイスドライバにそれぞれ対応する前記周辺装置の複数の機能を制御すべく、複数の論理インタフェースを設定することを特徴とする請求項５又は６に記載の情報処理方法。
【請求項８】
前記周辺装置は、ファクシミリ機能、プリンタ機能を備え、
前記インストール制御工程では、ファクシミリ制御プログラム及びプリンタ制御プログラムをデバイスドライバとしてインストールするようオペレーティングシステムの実行を制御することを特徴とする請求項５乃至７のいずれかに記載の情報処理方法。
【請求項９】
情報処理装置に双方向接続するための通信手段を有し、該通信手段は、機能ごとに複数の論理チャネルを用いて通信し、かつ、同一クラスに属する論理チャネルが二つ以上定義されていることを特徴とする画像処理装置。
【請求項１０】
前記インタフェース手段は、ユニバーサルシリアルバス（ＵＳＢ）通信規格に対応しており、前記各論理チャネルはＵＳＢの論理インタフェースであることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項１１】
前記クラスとはプリンタクラスであり、かつ、前記識別子はデバイスＩＤ情報であることを特徴とする請求項９または１０に記載の画像処理装置。
【請求項１２】
請求項５乃至８のいずれか一つに記載の方法をコンピュータに実行させることを特徴とする制御プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月23日(2008.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機械のためのデータ取得システムであって、
機械上に配置され、かつ機械の動作パラメータを示す信号を作成するよう構成された、少なくとも１つのセンサと、
前記機械上に配置され、かつ機械オペレータを識別する入力を受信するよう構成された識別モジュールと、
前記機械上に配置され、かつ少なくとも１つのセンサ及び識別モジュールと通信するコントローラであって、前記コントローラは前記コントローラのメモリに格納されると共に識別された機械オペレータに対応する、データ取得の設定に切換え、かつ信号及び入力を記録する及び関連させるよう構成された制御装置と、
前記機械上に配置され、かつ制御装置と通信し、かつ記録された及び関連された信号及び入力を、制御装置から場外のシステムに転送するよう構成された通信モジュールと、を具備するデータ取得システム。
【請求項２】
複数のセンサが、前記機械上に配置され、前記動作パラメータが、メモリ内に格納されている、監視されている使用可能な動作パラメータのリストから選択可能である請求項１に記載のデータ取得システム。
【請求項３】
複数のセンサが、前記機械上に配置され、制御装置が、複数のセンサによって作成された１つ以上の信号に応じて性能パラメータ値を判断し、場外のシステムに性能パラメータを転送するよう構成された請求項１に記載のデータ取得システム。
【請求項４】
前記機械のためのデータを取得する方法であって、
前記機械の複数の動作パラメータを感知するステップと、
機械オペレータを識別する入力を受信するステップと、
前記機械のメモリに格納されると共に識別された機械オペレータに対応する、データ取得用の設定に切換える工程と、
複数の動作パラメータ及び入力を記録する及び関連させるステップと、
記録された及び関連された複数の動作パラメータ及び入力を場外のシステムに転送するステップと、を含む方法。
【請求項５】
電源と、
作業器具と、
機械上に配置されたデータ取得システムと、を具備する機械であって、
該データ取得システムが、
複数のセンサのそれぞれが前記機械の動作パラメータを示す信号を作成するよう構成された、前記機械上に配置された複数のセンサと、
前記機械上に配置され、かつ機械オペレータに対応する入力を受信するよう構成された識別モジュールと、
機械上に配置され、かつ複数のセンサ及び識別モジュールと通信する制御装置であって、前記制御装置は、前記制御装置のメモリに格納されると共に識別された機械オペレータに対応する、データ取得用の設定に切換え、かつ信号及び入力を記録する及び関連させるよう構成された制御装置と、
前記機械上に配置され、かつ制御装置と通信し、かつ記録された及び関連された信号及び入力を、制御装置から場外のシステムに転送するよう構成された通信モジュールと、を含む機械。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月18日(2008.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特定周波数の電波を連続的若しくは断続的に送信する無線電波送信手段と、上記特定周波数の電波を受信するためのアンテナと、複数の電波の周波数に同調することが出来るものであって上記無線電波送信手段が送信する無線電波の周波数を同調周波数の一つとする受信同調手段と、上記受信同調手段によって受信同調された上記特定周波数の電波の信号強度を検出する信号強度検出手段と、上記信号強度検出手段によって検出された信号強度が定常状態より高くなった場合若しくは低くなった場合に上記アンテナの近傍にある人体や金属等の導電物体が移動したものと判定する信号変化判定手段と、上記信号変化判定手段によって導電物体が移動したと判定された場合に無線電波で通報を送信するための無線通報手段とを備えたことを特徴とする無線通報装置。
【請求項２】
特定周波数の電波として公共放送電波を利用し、上記特定周波数の電波を受信するためのアンテナと、複数の電波の周波数に同調することが出来るものであって上記公共放送電波を同調周波数の一つとする受信同調手段と、上記受信同調手段によって受信同調された上記特定周波数の電波の信号を検波する信号検波手段と、上記信号検波手段によって検出された信号強度が正常値より変化した場合に上記アンテナの近傍にある人体や金属等の導電物体が移動したものと判定する信号変化判定手段と、上記信号変化判定手段によって導電物体が移動したと判定された場合に無線電波で通報を送信するための無線通報手段とを備えたことを特徴とする無線通報装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月14日(2008.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化チタンを含むインジウム錫酸化物からなる第１の電極と、
前記第１の電極上に接して設けられ、湿式法によって形成された有機層と、
前記有機層上に接して設けられた発光層と、
前記発光層上に接して設けられた第２の電極と、を有し、
前記第１の電極は、可視光を透過することを特徴とする発光素子。
【請求項２】
酸化チタンを含むインジウム錫酸化物からなる第１の電極と、
前記第１の電極上に接して設けられ、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）水溶液を塗布することによって形成された有機層と、
前記有機層上に接して設けられた発光層と、
前記発光層上に接して設けられた第２の電極と、を有し、
前記第１の電極は、可視光を透過することを特徴とする発光素子。
【請求項３】
前記酸化チタンは、前記第１の電極に１〜２０ｗｔ％の割合で含まれていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の発光素子を含む発光装置。
【請求項５】
酸化チタンを含むインジウム錫酸化物からなる第１の電極と、前記第１の電極上に接して設けられ、湿式法によって形成された有機層と、前記有機層上に接して設けられた発光層と、前記発光層上に接して設けられた第２の電極と、を備えた発光素子と、
トランジスタと、
前記トランジスタと前記発光素子とを電気的に接続する配線と、
を有し、
前記配線はアルミニウムと炭素とチタンとを含み、
前記第１の電極は、可視光を透過し、
前記第１の電極と前記配線とは接触していることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
酸化チタンを含むインジウム錫酸化物からなる第１の電極と、前記第１の電極上に接して設けられ、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）水溶液を塗布することによって形成された有機層と、前記有機層上に接して設けられた発光層と、前記発光層上に接して設けられた第２の電極と、を備えた発光素子と、
トランジスタと、
前記トランジスタと前記発光素子とを電気的に接続する配線と、
を有し、
前記配線はアルミニウムと炭素とチタンとを含み、
前記第１の電極は、可視光を透過し、
前記第１の電極と前記配線とは接触していることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
前記配線に含まれる前記チタンは、アルミニウムに対し０．１〜５ｗｔ％の割合で含まれていることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の発光装置。
【請求項８】
前記炭素は、アルミニウムに対し１〜５ｗｔ％の割合で含まれていることを特徴とする請求項５乃至請求項７のいずれか一に記載の発光装置。
【請求項９】
酸化チタンを含むインジウム錫酸化物からなる第１の電極を形成し、
前記第１の電極にＵＶ照射し、
ＵＶ照射された前記第１の電極上に湿式法を用いて有機層を形成し、
前記有機層の上に発光層を形成し、
前記発光層の上に第２の電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１０】
トランジスタを覆う層間絶縁層を形成し、
前記層間絶縁層の上に、前記層間絶縁層に設けられたコンタクトホールを通る配線によって前記トランジスタと電気的に接続し、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物からなる第１の電極を形成し、
前記第１の電極の一部が露出するように開口部が設けられた隔壁層を形成し、
前記第１の電極にＵＶ照射し、
ＵＶ照射された前記第１の電極上に湿式法を用いて有機層を形成し、
前記有機層の上に発光層を形成し、
前記発光層の上に第２の電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１１】
前記有機層は、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）水溶液を塗布することによって形成されることを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の発光装置の作製方法。
【請求項１２】
前記配線はアルミニウムと炭素とチタンとを含むことを特徴とする請求項９乃至請求項１１のいずれか一に記載の発光装置の作製方法。
【請求項１３】
前記配線に含まれる前記チタンは、アルミニウムに対し０．１〜５ｗｔ％の割合で含まれていることを特徴とする請求項１２に記載の発光装置の作製方法。
【請求項１４】
前記炭素は、アルミニウムに対し１〜５ｗｔ％の割合で含まれていることを特徴とする請求項１２または請求項１３に記載の発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月21日(2007.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  排出される記録シートを積載する排出トレイを備えた記録シート積載装置において、
前記排出トレイは排出される記録シートをガイドするリブを複数本設け、該リブの内、最も背の高いリブは記録シートのシート幅方向中心からシート幅方向にずらして配置されており、このずれ幅は最小記録シートのシート幅の１／２より少ない事を特徴とする記録シート積載装置。
【請求項２】  前記複数本のリブの内、最も背の高いリブ以外のリブが記録シートのシート幅方向中心からシート幅方向にずらして配置されており、このずれ幅は排出される記録シートのシート幅に合わせて、そのシート幅の１／２の距離より外側に配置されている事を特徴とする請求項１に記載の記録シート積載装置。
【請求項３】  前記最も背の高いリブ以外のリブは、異なるずれ幅で複数本設けられていることを特徴とする請求項２に記載の記録シート積載装置。
【請求項４】  請求項１乃至３のいずれかに記載の記録シート積載装置を設けたことを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月25日(2007.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電動モータによりステアリングコラムを自動的にチルト傾動して、ステアリングコラムの傾斜角度を所望に調整する車両用電動チルト式ステアリング装置において、
前記ステアリングコラムを車体に支持する支持部材と、
前記ステアリングコラムの一側で該ステアリングコラムの一側と前記支持部材とに設けてあり、前記電動モータの回転駆動力を直線動に変換して前記ステアリングコラムをチルト傾動するためのチルト機構部と、
前記ステアリングコラムの他側に設けてあり、静止側である前記支持部材の、該ステアリングコラムの他側と対向する面に設けられた摺動部に対して略三角形状の凹凸嵌合により摺接して、チルト傾動時、前記ステアリングコラムを前記支持部材に対して上下に摺動するためのスライド部と、を具備することを特徴とする車両用電動チルト式ステアリング装置。
【請求項２】
前記スライド部と前記支持部材の摺動部との間には、合成樹脂が介装されていることを特徴とする請求項１に記載の車両用電動チルト式ステアリング装置。
【請求項３】
前記スライド部と前記支持部材の摺動部との少なくとも一方には、前記スライド部と前記支持部材の摺動部との摺動性を良好にするためのコーティングが施してあることを特徴とする請求項１に記載の車両用電動チルト式ステアリング装置。
【請求項４】
電動モータによりステアリングコラムを自動的にチルト傾動して、ステアリングコラムの傾斜角度を所望に調整する車両用電動チルト式ステアリング装置において、
前記ステアリングコラムの一側に設けてあり、前記電動モータの回転駆動力を直線動に変換してステアリングコラムをチルト傾動するためのチルト機構部と、前記ステアリングコラムの他側に設けてあり、静止側に対して略三角形状の凹凸嵌合により摺接して、チルト傾動時、ステアリングコラムを摺動するためのスライド部と、を具備することを特徴とする車両用電動チルト式ステアリング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明に係る車両用電動チルト式ステアリング装置は、電動モータによりステアリングコラムを自動的にチルト傾動して、ステアリングコラムの傾斜角度を所望に調整する車両用電動チルト式ステアリング装置において、前記ステアリングコラムを車体に支持する支持部材と、前記ステアリングコラムの一側で該ステアリングコラムの一側と前記支持部材とに設けてあり、前記電動モータの回転駆動力を直線動に変換して前記ステアリングコラムをチルト傾動するためのチルト機構部と、前記ステアリングコラムの他側に設けてあり、静止側である前記支持部材の、該ステアリングコラムの他側と対向する面に設けられた摺動部に対して略三角形状の凹凸嵌合により摺接して、チルト傾動時、前記ステアリングコラムを前記支持部材に対して上下に摺動するためのスライド部と、を具備することを特徴とする。
好適には、前記スライド部と前記支持部材の摺動部との間には、合成樹脂が介装されていることを特徴とする。
また、好適には、前記スライド部と前記支持部材の摺動部との少なくとも一方には、前記スライド部と前記支持部材の摺動部との摺動性を良好にするためのコーティングが施してあることを特徴とする。
また、本発明に係る車両用電動チルト式ステアリング装置は、電動モータによりステアリングコラムを自動的にチルト傾動して、ステアリングコラムの傾斜角度を所望に調整する車両用電動チルト式ステアリング装置において、前記ステアリングコラムの一側に設けてあり、前記電動モータの回転駆動力を直線動に変換してステアリングコラムをチルト傾動するためのチルト機構部と、前記ステアリングコラムの他側に設けてあり、静止側に対して略三角形状の凹凸嵌合により摺接して、チルト傾動時、ステアリングコラムを摺動するためのスライド部と、を具備することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月7日(2008.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 
様々な動作条件で飛行可能な航空機（１２）から飛行データを収集する方法において、
前記航空機（１２）の動作条件を判定する過程と、
前記動作条件が第１の組の動作条件の中の１つであるとき、第１のサンプリングレートで収集されたデータを格納する過程と、
前記動作条件が第２の組の動作条件の中の１つであるとき、前記第１のサンプリングレートより高い第２のサンプリングレートで収集された格納データに変更する過程と
から成る方法。
【請求項２】 動作条件は前記航空機（１２）の飛行段階である請求項１記載の方法。
【請求項３】  前記第１の組の動作条件は非過渡飛行段階であり、且つ前記第２の組の動作条件は過渡飛行段階である請求項２記載の方法。
【請求項４】 前記第１の組の飛行段階は巡航段階であり、且つ前記第２の組の飛行段階はエンジン始動段階、離陸段階及び逆スラスト段階である請求項３記載の方法。
【請求項５】 前記第２のサンプリングレートは前記第１のサンプリングレートの少なくとも５倍から１０倍の速さである請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】 
様々な飛行段階で飛行可能であり、少なくとも１台のエンジン（１４）と、対応するエンジン制御装置（１６）とを有する航空機（１２）から飛行データを収集するシステムにおいて、
前記航空機（１２）の飛行段階を判定する手段（１８）と、
前記エンジン制御装置（１６）からデータを格納する手段（１８）と
を具備し、
前記データを格納する手段（１８）は、
前記飛行段階が第１の組の飛行段階の中の１つであるとき、第１のサンプリングレートで収集されたデータを格納する手段と、
前記飛行段階が第２の組の飛行段階の中の１つであるとき、前記第１のサンプリングレートより高い第２のサンプリングレートで収集された格納データを変更する手段と
を有するシステム。
【請求項７】 前記第１の組の飛行段階は非過渡飛行段階であり、且つ前記第２の組の飛行段階は過渡飛行段階である請求項６記載のシステム。
【請求項８】 前記第１の組の飛行段階は上昇段階であり、且つ前記第２の組の飛行段階はエンジン始動段階、離陸段階及び逆スラスト段階である請求項７記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月15日(2007.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  信号検出手段からの出力信号に基づいて被制御手段の作動制
御を行うＥＣＵにおいて、
自己診断機能により異常を検出する異常検出手段と、
前記信号検出手段からの出力信号と該出力信号に基づいて制御される前記被制
御手段への制御信号とを含む車両情報を記憶する第１の記憶手段と、
前記異常検出手段からの異常検出信号に基づいて、他のＥＣＵにおける車両情
報を第１の記憶手段に記憶させるための記憶コマンドを送信する第１の記憶コマ
ンド送信手段とを備えていることを特徴とするＥＣＵ。
【請求項２】  信号検出手段からの出力信号に基づいて被制御手段の作動制
御を行うＥＣＵが通信ラインを介して接続され、前記ＥＣＵからの異常検出信号
を取り込み、異常告知の制御を行う異常告知制御手段を備えたＥＣＵであって、
前記異常告知制御手段が、前記ＥＣＵから取り込んだ異常検出信号に基づいて
告知を行わせる告知駆動手段と、
該告知駆動手段への告知駆動信号に基づいて、他のＥＣＵにおける車両情報を
第１の記憶手段に記憶させるための記憶コマンドを送信する第２の記憶コマンド
送信手段とを備えていることを特徴とするＥＣＵ。
【請求項３】  信号検出手段からの出力信号に基づいて被制御手段の作動制
御を行うＥＣＵにおいて、
自己診断機能により異常を検出する異常検出手段と、
前記信号検出手段から予め定められた期間における出力信号と該出力信号に基
づいて制御される被制御手段への予め定められた期間における制御信号とを含む
車両情報を記憶する第３の記憶手段と、
前記異常検出手段からの異常検出信号に基づいて、他のＥＣＵにおける車両情
報を第３の記憶手段に記憶させるための記憶コマンドを送信する第３の記憶コマ
ンド送信手段とを備えていることを特徴とするＥＣＵ。
【請求項４】  信号検出手段からの出力信号に基づいて被制御手段の作動制
御を行うＥＣＵにおいて、
前記被制御手段の作動を検知する作動検知手段と、
前記信号検出手段からの出力信号と該出力信号に基づいて制御される前記被制
御手段への制御信号とを含む車両情報を記憶する第４の記憶手段と、
前記作動検知手段からの作動検知信号に基づいて、他のＥＣＵにおける車両情
報を第４の記憶手段に記憶させるための記憶コマンドを送信する第４の記憶コマ
ンド送信手段とを備えていることを特徴とするＥＣＵ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段及びその効果】
上記目的を達成するために本発明に係るＥＣＵ（１）は、信号検出手段からの
出力信号に基づいて被制御手段の作動制御を行うＥＣＵにおいて、自己診断機能
により異常を検出する異常検出手段と、前記信号検出手段からの出力信号と該出
力信号に基づいて制御される前記被制御手段への制御信号とを含む車両情報を記
憶する第１の記憶手段と、前記異常検出手段からの異常検出信号に基づいて、他
のＥＣＵにおける車両情報を第１の記憶手段に記憶させるための記憶コマンドを
送信する第１の記憶コマンド送信手段とを備えていることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明に係るＥＣＵ（３）は、信号検出手段からの出力信号に基づいて
被制御手段の作動制御を行うＥＣＵが通信ラインを介して接続され、前記ＥＣＵ
からの異常検出信号を取り込み、異常告知の制御を行う異常告知制御手段を備え
たＥＣＵであって、前記異常告知制御手段が、前記ＥＣＵから取り込んだ異常検
出信号に基づいて告知を行わせる告知駆動手段と、該告知駆動手段への告知駆動
信号に基づいて、他のＥＣＵにおける車両情報を第１の記憶手段に記憶させるた
めの記憶コマンドを送信する第２の記憶コマンド送信手段とを備えていることを
特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、本発明に係るＥＣＵ（５）は、信号検出手段からの出力信号に基づいて
被制御手段の作動制御を行うＥＣＵにおいて、自己診断機能により異常を検出す
る異常検出手段と、前記信号検出手段から予め定められた期間におけるの出力信
号と該出力信号に基づいて制御される被制御手段への予め定められた期間におけ
る制御信号とを含む車両情報を記憶する第３の記憶手段と、前記異常検出手段か
らの異常検出信号に基づいて、他のＥＣＵにおける車両情報を第３の記憶手段に
記憶させるための記憶コマンドを送信する第３の記憶コマンド送信手段とを備え
ていることを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、本発明に係るＥＣＵ（７）は、信号検出手段からの出力信号に基づいて
被制御手段の作動制御を行うＥＣＵにおいて、前記被制御手段の作動を検知する
作動検知手段と、前記信号検出手段からの出力信号と該出力信号に基づいて制御
される前記被制御手段への制御信号とを含む車両情報を記憶する第４の記憶手段
と、前記作動検知手段からの作動検知信号に基づいて、他のＥＣＵにおける車両
情報を第４の記憶手段に記憶させるための記憶コマンドを送信する第４の記憶コ
マンド送信手段とを備えていることを特徴としている。