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【手続補正書】
【提出日】平成20年3月27日(2008.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
出力部４は、図示しないDA変換器を備え、フィルタ回路３から入力されたデジタルオーディオ信号をアナログオーディオ信号に変換する。DA変換器により変換されたアナログオーディオ信号は、図示しない出力端子に接続されたスピーカ等から出力される。制御部５は、入力部１、DSP２、フィルタ回路３及び出力部４を制御する。操作部６は、本実施例のオーディオ信号出力装置を操作するための操作ボタンを備える。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
再生部７は、CDやDVD等のディスクに記録されたデジタルオーディオ信号を読み取る。再生部７により読み取られたデジタルオーディオ信号は、DSP２及びフィルタ回路３によって所定の信号処理が施され、出力部４によりアナログオーディオ信号に変換され、図示しないスピーカ等から出力される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
図３に示すバッファ１１は、DSP２から出力されたデジタルオーディオ信号を一時的に保持する。バッファ１１に保持されたデジタルオーディオ信号は、零補間処理部１２に入力される。零補間処理部１２は、第１の補間処理手段であり、入力されたデジタルオーディオ信号に零補間処理によるオーバーサンプリング処理を施す。零補間処理部１２は、一般的なFIR（Finite Impulse Response）フィルタとして構成される。なお、零補間処理では、サンプリング点の間にゼロ信号を追加することによって、補間（オーバーサンプリング）をすることができる。零補間処理部１２によりオーバーサンプリング処理された零補間信号は、第１の補間オーディオ信号であり、バッファ１３に入力されるとともにセレクタ１５に入力される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
セレクタ１５は、出力部４へ入力する信号を切り換える切換手段である。セレクタ１５は、高域信号検出処理部１６から入力される信号に応じて、零補間信号と、ラグランジェ補間信号のいづれか一方の補間オーディオ信号を出力部４へ入力するように切り換える。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
図４に示すように、高域信号検出処理部１６は、高域信号パターン検出部１７、判定部１８、カウンタ部１８を備える。本実施例の高域信号パターン検出部１７は、バッファ１１から入力されるデジタルオーディオ信号において、連続する４つのサンプリングデータの符号に基づいて、２回以上ゼロクロスすることを検出する。ここで、音声信号のPCM（Pulse Code Modulation）信号ではMSB（Most Significant Bit）が符号を示しているので、高域信号パターン検出部１７は、サンプリングデータのMSBに基づいてゼロクロスを検出する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
図７に示す破線は、元のデジタルオーディオ信号が零補間処理部１２により零補間処理された零補間信号をDA変換することにより得られるアナログオーディオ信号の波形を示す。符号「□」は、零補間処理によって補間されたサンプリング点を示す。また、点線は、この零補間信号がラグランジェ補間処理部１４によりラグランジェ補間処理されたラグランジェ補間信号をDA変換することにより得られるアナログオーディオ信号の波形を示す。符号「△」は、ラグランジェ補間によって補間されたサンプリング点を示す。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2007073107.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月23日(2008.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極活物質を含む正極と、負極活物質を含む負極と、リチウムイオン伝導性を有する非水電解質とを備える非水電解質二次電池において、
遷移金属としてニッケル及びマンガンを含有し、かつ空間群Ｒ３ｍに帰属される結晶構造を有する第１のリチウム含有遷移金属酸化物ＬｉaＮｉxＭｎyＯ2（式中、ａ、ｘ及びｙは、１≦ａ≦１．５、０．５≦ｘ＋ｙ≦１、０＜ｘ＜１、及び０＜ｙ＜１の関係を満足する）と、遷移金属としてニッケル、マンガン及びコバルトを含有し、かつ空間群Ｒ３ｍに帰属される結晶構造を有する第２のリチウム含有遷移金属酸化物ＬｉbＮｉpＭｎqＣｏrＯ2（式中、ｂ、ｐ、ｑ及びｒは、１≦ｂ≦１．５、０．５≦ｐ＋ｑ＋ｒ≦１、０＜ｐ＜１
、０＜ｑ＜１、及び０＜ｒ＜１の関係を満足する）との混合物、または前記第１のリチウム含有遷移金属酸化物とコバルト酸リチウムとの混合物を、前記正極活物質として用いることを特徴とする非水電解質二次電池。
【請求項２】
前記第１のリチウム含有遷移金属酸化物におけるＮｉ／Ｍｎのモル比率（ｘ／ｙ）が、１より小さく、かつｘ＋ｙ＜１であることを特徴とする請求項１に記載の非水電解質二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月15日(2008.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
多角形状に形成され、底部をなす底板を有し、該底板に対向する上面が開口した主枠体と、
前記主枠体の対向する側部にそれぞれ接合される少なくとも一対の補強枠体と、
前記主枠体の上部に着脱自在に接合される部材と、
を備え、
前記主枠体と前記補強枠体とが接合され、一体となって被処理基板を収容する空間を形成するようにしたことを特徴とする、真空チャンバ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
多角形状に形成され、底部をなす底板を有し、該底板に対向する上面が開口した主枠体と、
前記主枠体の対向する側部にそれぞれ接合される少なくとも一対の補強枠体と、
前記主枠体の上部に着脱自在に接合される部材と、
を備え、
前記主枠体と前記補強枠体とを接合することにより耐真空強度を持たせたことを特徴とする、真空チャンバ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記接合される部材は、前記フランジの上面に載置され、接合されるものであることを特徴とする、請求項８に記載の真空チャンバ。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明の第１の観点は、多角形状に形成され、底部をなす底板を有し、該底板に対向する上面が開口した主枠体と、
前記主枠体の対向する側部にそれぞれ接合される少なくとも一対の補強枠体と、
前記主枠体の上部に着脱自在に接合される部材と、
を備え、
前記主枠体と前記補強枠体とが接合され、一体となって被処理基板を収容する空間を形成するようにしたことを特徴とする、真空チャンバを提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明の第２の観点は、多角形状に形成され、底部をなす底板を有し、該底板に対向する上面が開口した主枠体と、
前記主枠体の対向する側部にそれぞれ接合される少なくとも一対の補強枠体と、
前記主枠体の上部に着脱自在に接合される部材と、
を備え、
前記主枠体と前記補強枠体とを接合することにより耐真空強度を持たせたことを特徴とする、真空チャンバを提供する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、前記内部補強部材は、前記主枠体の上端近傍において前記開口の内側に向けて突設されたフランジと、前記主枠体の壁面と、に接合される断面Ｌ字型の補強部材であることが好ましい。また、前記接合される部材は、前記フランジの上面に載置され、接合されるものであることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月10日(2008.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に露光光を照射して前記基板を露光する露光方法において、
前記基板の基材上に撥液性を有する膜を被覆する被覆工程と、
前記膜上に液体の液浸領域を形成して前記露光光を照射する露光工程とを有し、
前記膜の露光光に対する屈折率と前記液体の露光光に対する屈折率とをほぼ同じにする露光方法。
【請求項２】
前記被覆工程において、前記液体に応じた屈折率を有する膜を被覆する請求項１記載の露光方法。
【請求項３】
前記露光工程において、前記膜に応じた屈折率を有する液体を前記膜上に供給する請求項１記載の露光方法。
【請求項４】
露光不良の発生を抑えるために、前記膜の露光光に対する屈折率と前記液体の露光光に対する屈折率とをほぼ同じにする請求項１〜３のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項５】
前記膜の内部に浸入した液体に起因する前記露光光の照射状態の変動を抑えるために、前記膜の露光光に対する屈折率と前記液体の露光光に対する屈折率とをほぼ同じにする請求項１〜４のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項６】
前記膜の内部に浸入した液体部分で、前記露光光の光路の変化を抑えるために、前記膜の露光光に対する屈折率と前記液体の露光光に対する屈折率とをほぼ同じにする請求項５記載の露光方法。
【請求項７】
請求項１〜請求項６のいずれか一項記載の露光方法を用いるデバイス製造方法。
【請求項８】
基板上に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置において、
前記基板の基材上には撥液性を有する膜が被覆されており、
前記膜上に液浸領域を形成するための液体を供給する液体供給装置を備え、
前記液体供給装置は、前記膜の露光光に対する屈折率とほぼ同じ屈折率を有する液体を供給する露光装置。
【請求項９】
前記液体供給装置は、露光不良の発生を抑えるために、前記膜の露光光に対する屈折率とほぼ同じ屈折率を有する液体を供給する請求項８記載の露光装置。
【請求項１０】
前記液体供給装置は、前記膜の内部に浸入した液体に起因する前記露光光の照射状態の変動を抑えるために、前記膜の露光光に対する屈折率とほぼ同じ屈折率を有する液体を供給する請求項８又は９記載の露光装置。
【請求項１１】
前記液体供給装置は、前記膜の内部に浸入した液体部分で、前記露光光の光路の変化を抑えるために、前記膜の露光光に対する屈折率とほぼ同じ屈折率を有する液体を供給する請求項１０記載の露光装置。
【請求項１２】
請求項８〜請求項１１のいずれか一項記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の第１の態様に従えば、基板（Ｐ）上に露光光（ＥＬ）を照射して基板（Ｐ）を露光する露光方法において、基板（Ｐ）の基材（Ｗ）上に撥液性を有する膜（Ｔｃ）を被覆する被覆工程と、膜（Ｔｃ）上に液体（ＬＱ）の液浸領域（ＬＲ）を形成して露光光（ＥＬ）を照射する露光工程とを有し、膜（Ｔｃ）の露光光（ＥＬ）に対する屈折率と液体（ＬＱ）の露光光（ＥＬ）に対する屈折率とをほぼ同じにする露光方法が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の第３の態様に従えば、基板（Ｐ）上に露光光（ＥＬ）を照射して基板（Ｐ）を露光する露光装置において、基板（Ｐ）の基材（Ｗ）上には撥液性を有する膜（Ｔｃ）が被覆されており、膜（Ｔｃ）上に液浸領域（ＬＲ）を形成するための液体（ＬＱ）を供給する液体供給装置（１２など）を備え、液体供給装置（１２など）は、膜（Ｔｃ）の露光光（ＥＬ）に対する屈折率とほぼ同じ屈折率を有する液体（ＬＱ）を供給する露光装置（ＥＸ）が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月4日(2008.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、基板上に、半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタであって、
前記ゲート絶縁膜が、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｏと、Ｇａ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｓｎ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｉ，Ｇｅのうち少なくとも１種とを含むアモルファス酸化物を有し、前記ゲート絶縁膜の抵抗値が１０１１Ω・ｃｍ以上であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
前記半導体層が、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｏと、Ｇａ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｓｎ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｉ，Ｇｅのうち少なくとも１種とを含むアモルファス酸化物を有し、
前記半導体層の抵抗値が１０１０Ω・ｃｍ未満であり、前記半導体層のバンドギャップが前記ゲート絶縁膜のバンドギャップよりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３】
少なくとも、基板上に、半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタであって、
前記半導体層と前記ゲート絶縁膜との間に抵抗層を有し、
前記抵抗層は、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｏと、Ｇａ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｓｎ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｉ，Ｇｅのうち少なくとも１種とを含むアモルファス酸化物を有し、
前記抵抗層の抵抗値が１０１１Ω・ｃｍ以上、膜厚が１ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、かつ、前記抵抗層のバンドギャップは前記ゲート絶縁膜のバンドギャップよりも小さいことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項４】
前記半導体層が前記抵抗層の酸素以外の少なくとも１種の組成を含む酸化物半導体であり、且つ前記半導体層のバンドギャップが前記抵抗層のバンドギャップよりも小さいことを特徴とする請求項３に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項５】
前記半導体層が主にキャリア発生層としての機能を有し、前記抵抗層が主にキャリア輸送層としての機能を有することを特徴とする請求項３に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項６】
前記半導体層が、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｏと、Ｇａ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｓｎ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｉ，Ｇｅのうち少なくとも１種と、を含むアモルファス酸化物を有し、
前記半導体層の抵抗値が１０１０Ω・ｃｍ未満であることを特徴とする請求項３に記載の薄膜トランジスタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は、（１）少なくとも、基板上に、半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタであって、
前記ゲート絶縁膜が、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｏと、Ｇａ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｓｎ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｉ，Ｇｅのうち少なくとも１種とを含むアモルファス酸化物を有し、前記ゲート絶縁膜の抵抗値が１０１１Ω・ｃｍ以上であることを特徴とする薄膜トランジスタである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明は、前記半導体層が、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｏと、Ｇａ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｓｎ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｉ，Ｇｅのうち少なくとも１種とを含むアモルファス酸化物を有し、
前記半導体層の抵抗値が１０１０Ω・ｃｍ未満であり、前記半導体層のバンドギャップが前記ゲート絶縁膜のバンドギャップよりも小さいことを特徴とする上記（１）に記載の薄膜トランジスタである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明は、（３）少なくとも、基板上に、半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタであって、
前記半導体層と前記ゲート絶縁膜との間に抵抗層を有し、
前記抵抗層は、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｏと、Ｇａ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｓｎ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｉ，Ｇｅのうち少なくとも１種とを含むアモルファス酸化物を有し、
前記抵抗層の抵抗値が１０１１Ω・ｃｍ以上、膜厚が１ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、かつ、前記抵抗層のバンドギャップは前記ゲート絶縁膜のバンドギャップよりも小さいことを特徴とする薄膜トランジスタである。
また本発明は、前記半導体層が前記抵抗層の酸素以外の少なくとも１種の組成を含む酸化物半導体であり、且つ前記半導体層のバンドギャップが前記抵抗層のバンドギャップよりも小さいことを特徴とする上記（３）に記載の薄膜トランジスタである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明は、前記半導体層が、Ｉｎと、Ｚｎと、Ｏと、Ｇａ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｓｎ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｉ，Ｇｅのうち少なくとも１種と、を含むアモルファス酸化物を有し、
前記半導体層の抵抗値が１０１０Ω・ｃｍ未満であることを特徴とする上記（３）に記載の薄膜トランジスタである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月26日(2008.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
請求項１の研磨パッドであって、
前記砥粒として、酸化セリウムからなる一次粒子径の平均粒径が０．０５μｍの粒子が使用され、
前記砥粒の含有率が、１８体積％であり、
当該研磨パッドの引張強度が、５０ＭＰａ以上、６０ＭＰａ以下の範囲にあり、
当該研磨パッドの引張破断伸度が、１％以上、５％以下の範囲にある、
ところの研磨パッド。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
最適に、砥粒として、酸化セリウムからなる一次粒子径の平均粒径が０．０５μｍの粒子が使用され、砥粒の含有率は、１８体積％である。そして、本発明の研磨パッドの引張強度は、５０ＭＰａ以上、６０ＭＰａ以下の範囲にあり、本発明の研磨パッドの引張破断伸度は、１％以上、５％以下の範囲にある。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月21日(2008.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のセレクトゲートの側壁に絶縁膜を介してサイドウォール状のフローティングゲートを形成する工程と、
前記フローティングゲートの上端部の角部を露出させる工程と、
前記角部を丸めて、前記フローティングゲートの前記上端部に丸み部を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。
【請求項２】
前記フローティングゲートを形成する工程では、基板上に第１の絶縁膜を介してセレクトゲートが形成されるとともに、前記セレクトゲート上に下から順に第２の絶縁膜、第３の絶縁膜、第４の絶縁膜、第５の絶縁膜が形成され、かつ、基板全面に第６の絶縁膜が形成された基板の前記第６の絶縁膜上に、第２の半導体膜を堆積し、エッチバックにより、少なくとも前記第５の絶縁膜、前記第４の絶縁膜、前記第３の絶縁膜、前記第２の絶縁膜、前記セレクトゲート、及び前記第２の絶縁膜の側壁に、サイドウォール状のフローティングゲートを形成し、
前記角部を露出させる工程では、前記第５の絶縁膜および前記第４の絶縁膜を除去することを特徴とする請求項１記載の半導体記憶装置の製造方法。
【請求項３】
前記フローティングゲートを形成する工程の前に、
前記基板上に、下から順に第１の絶縁膜、第１の半導体膜、第２の絶縁膜、第３の絶縁膜、第４の絶縁膜、第５の絶縁膜を形成する工程と、
所定の領域の、前記第５の絶縁膜、前記第４の絶縁膜、前記第３の絶縁膜、前記第２の絶縁膜、前記第１の半導体膜、および前記第１の絶縁膜を選択的にエッチングすることでセレクトゲートを形成する工程と、
基板全面に第６の絶縁膜を形成する工程と、
を含み、
前記フローティングゲートを形成する工程と前記角部を露出させる工程の間に、
前記第６の絶縁膜と前記フローティングゲートをマスクとして、イオン注入により、セルフアラインで基板表面に第１および第２の拡散領域を形成する工程と、
隣り合う前記フローティングゲート間であって前記第１および第２の拡散領域上に第７の絶縁膜を埋め込む工程と、
を含み、
前記丸み部を形成する工程の後に、
基板全面に第８の絶縁膜を形成する工程と、
前記第８の絶縁膜上にコントロールゲートを形成する工程と、
を含むことを特徴とする請求項２記載の半導体記憶装置の製造方法。
【請求項４】
前記丸み部を形成する工程では、プラズマエッチングにて行うことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一に記載の半導体記憶装置の製造方法。
【請求項５】
前記フローティングゲートの前記丸み部は、前記セレクトゲートの側壁面寄りに形成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一に記載の半導体記憶装置の製造方法。
【請求項６】
基板上の第１の領域に配設されたセレクトゲートと、
前記第１の領域に隣接する第２の領域に配設されたフローティングゲートと、
前記第２の領域と隣接する第３の領域に設けられた第１および第２の拡散領域と、
前記フローティングゲートの上に配設されたコントロールゲートと、
を備え、
前記フローティングゲートは、サイドウォール状に形成されており、上端部に丸み部を有することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項７】
前記フローティングゲートの前記丸み部は、前記セレクトゲートの側壁面寄りに形成されていることを特徴とする請求項６記載の半導体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
まず、基板２０１に素子分離領域（図示せず）を形成した後、基板２０１のセル領域にウェル（図示せず）を形成し、その後、第３の拡散領域（図６の２２１）を形成し、その後、基板２０１上に絶縁膜２０２（例えば、シリコン酸化膜）を形成し、絶縁膜２０２の上にセレクトゲート膜２０３（例えば、ポリシリコン膜）を形成し、セレクトゲート膜２０３上に絶縁膜２１０（例えば、シリコン酸化膜）を形成し、絶縁膜２１０上に絶縁膜２０４（例えば、シリコン窒化膜）を形成し、絶縁膜２０４上に絶縁膜２１２（例えば、シリコン酸化膜）を形成し、絶縁膜２１２上に絶縁膜２１３（例えば、シリコン窒化膜）を形成する（ステップＡ１；図８（Ａ）参照）。次に、絶縁膜２１３上にセレクトゲート２０３ａを形成するためのフォトレジスト（図示せず）を形成し、当該フォトレジストをマスクとして、絶縁膜２１３、絶縁膜２１２、絶縁膜２０４、絶縁膜２１０、セレクトゲート膜（図８（Ａ）の２０３）、および絶縁膜２０２を選択的にエッチングすることでセレクトゲート２０３ａを形成し、その後、当該フォトレジストを除去する（ステップＡ２；図８（Ｂ）参照）。次に、基板全面に、絶縁膜２０５（例えば、シリコン酸化膜）を形成する（ステップＡ３；図８（Ｃ）参照）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の第１の視点においては、半導体記憶装置の製造方法において、基板上のセレクトゲートの側壁に絶縁膜を介してサイドウォール状のフローティングゲートを形成する工程と、前記フローティングゲートの上端部の角部を露出させる工程と、前記角部を丸めて、前記フローティングゲートの前記上端部に丸み部を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の第２の視点においては、半導体記憶装置において、基板上の第１の領域に配設されたセレクトゲートと、前記第１の領域に隣接する第２の領域に配設されたフローティングゲートと、前記第２の領域と隣接する第３の領域に設けられた第１および第２の拡散領域と、前記フローティングゲートの上に配設されたコントロールゲートと、を備え、前記フローティングゲートは、サイドウォール状に形成されており、上端部に丸み部を有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明（請求項１−７）によれば、フローティングゲートの角を丸めることで、フローティングゲートとコントロールゲート間に集中する電界が緩和され、リード作動時にフローティングゲートから電子が引き抜かれることを防ぐことができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
基板１は、Ｐ型シリコン基板である（図１、２参照）。絶縁膜２は、セレクトゲート３ａと基板１の間に設けられたセレクトゲート絶縁膜（例えば、シリコン酸化膜）である（図２参照）。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月2日(2008.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、該処理室に処理ガスを供給するガス供給ラインと、前記処理室の処理ガスを排気する排気ラインと、該排気ラインに設けられ、処理ガス中の液化物を貯溜する貯液手段と、該貯液具より下流側に設けられ、前記貯液手段からの液化物を外部に排出する排液ラインと、前記排気ラインに設けられ、前記処理室の圧力を制御する圧力制御手段と、前記排気ラインに設けられ、前記処理室の圧力を絶対圧で検出する絶対圧検出手段と、前記排気ラインに設けられ、前記処理室の圧力を外気との差圧で検出する差圧検出手段と、前記処理室で基板を処理する際は、前記絶対圧検出手段の検出する検出値に基づき前記圧力制御手段を制御しつつ前記貯液手段と前記外部とを連通しない状態となる様に前記貯液手段を制御し、前記貯液手段に貯溜された液化物を排出する際には、前記差圧検出手段の検出する検出値に基づき前記排液ラインと外部とが連通する状態となる様に前記貯液手段を制御する制御部とを特徴とする基板処理装置。  
【請求項２】
ガス供給ラインから処理室へ供給された処理ガスを排気する排気ラインに設けられた絶対圧検出手段が検出する検出値に基づき、前記排気ラインに設けられた貯液手段と外部とを連通しない状態となる様に前記貯液手段を制御し、圧力制御手段で前記処理室の圧力を制御しつつ前記処理室で基板を処理する工程と、
前記排気ラインに設けられた差圧検出手段で前記処理室の圧力を外気との差圧で検出する検出値に基づき、前記貯液手段と外部とが連通する状態となる様に前記貯液手段を制御し、前記貯液手段に貯溜された前記処理ガス中の液化物を前記外部へ排出する工程とを有する半導体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月22日(2008.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
電極構造体にはんだ層を形成することにより突起電極を接続する突起電極の製造方法であって、
電極構造体の上面のはんだ濡れ性が側面のはんだ濡れ性より良いことを利用して、前記電極構造体の上面にのみはんだ粒子を濡れさせる工程と、
前記はんだ粒子の融点以上に前記電極構造体を加熱することにより、前記電極構造体の上面にのみはんだ層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする突起電極の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明に係る突起電極の製造方法は、電極構造体にはんだ層を形成することにより突起電極を接続する突起電極の製造方法であって、電極構造体の上面のはんだ濡れ性が側面のはんだ濡れ性より良いことを利用して、電極構造体の上面にのみはんだ粒子を濡れさせる工程と、はんだ粒子の融点以上に電極構造体を加熱することにより、電極構造体の上面にのみはんだ層を形成するリフロー工程と、を含む（請求項７）。はんだ材料を加熱すると、多数のはんだ粒子は、溶融して互いに合一し、電極構造体の上面に濡れる。これを繰り返すことにより、電極構造体の上面にはんだ層が成長する。このとき、はんだ粒子は電極構造体の側面に濡れることはないので、はんだブリッジの発生が抑えられる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月9日(2008.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主たる光の出射端面である前端面とこの前端面に対向する後端面とを有しこれら両端面の間が共振器とされた半導体レーザ本体と、
この半導体レーザ本体の前端面または後端面上に配設されるとともに、第１の熱伝導率を有する単層膜の第１の誘電体膜、もしくは前記第１の誘電体膜が上記前端面または後端面から最も遠い層に配設された多層膜により構成された反射率制御膜と、
この反射率制御膜の上記第１の誘電体膜の上に配設されるとともに膜厚が２０ｎｍ以下であって上記第１の熱伝導率と異なる第２の熱伝導率を有する表面保護膜と、
を備えた半導体レーザ装置。
【請求項２】
第１の誘電体膜がＡｌを含む誘電体もしくはシリコンの窒化物により形成されていることを特徴とした請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
表面保護膜が酸化シリコン、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化ハフニウムから選択される材料により形成されたことを特徴とする請求項１または２記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
第１の誘電体膜が酸化アルミニウム膜であって、表面保護膜の膜厚が１０ｎｍ近傍であることを特徴とした請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前端面および後端面のいずれにも反射率制御膜と表面保護膜とが配設されたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
この発明に係る半導体レーザ装置は、主たる光の出射端面である前端面とこの前端面に対向する後端面とを有しこれら両端面の間が共振器とされた半導体レーザ本体と、この半導体レーザ本体の前端面または後端面上に配設されるとともに、第１の熱伝導率を有する単層膜の第１の誘電体膜、もしくは第１の誘電体膜が前端面または後端面から最も遠い層に配設された多層膜により構成された反射率制御膜と、この反射率制御膜の第１の誘電体膜の上に配設されるとともに膜厚が２０ｎｍ以下であって第１の熱伝導率と異なる第２の熱伝導率を有する表面保護膜と、を備えたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月23日(2008.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、凸部の断面形状を、前述の鋸歯状に代えて、所望の鋸歯形状を階段状で近似した形状とすると、フォトリソグラフィおよびエッチングにより容易に作製することができて好ましい。その場合、階段のステップ数は４ステップ以上とすることが好ましく、８ステップ以上とすると高い光の利用効率が得られて特に好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
一方の石英ガラス基板の透明電極上に、スパッタリング法により、波長４０５ｎｍにおける屈折率ｎｓが１．６２のＳｉＯｘＮｙ膜（ｘとｙはＳｉに対するＯとＮの原子数比を表す）を形成し、フォトリソグラフィとエッチングにより図４のＦ１に示す断面形状をもつフレネルレンズ面３を作製する。ＳｉＯｘＮｙ膜の厚さは４．８μｍである。また、２枚の石英基板の透明電極形成面と反対側の面には、真空蒸着法により波長４０５ｎｍの光に対する反射防止膜（図示せず）を形成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
液晶層９に注入した液晶は、電圧非印加時には、液晶分子が基板面と平行でかつ液晶分子が向く方向が軸方向にねじれた配向となっていて、液晶層面内のいずれの方向の直線偏光に対しても屈折率１．６２を示す。すなわち、電圧非印加時には液晶層９とフレネルレンズ面３とは屈折率差をもたないため光路長差を発生させない。電圧印加時には、液晶層９とフレネルレンズ面３との屈折率差Δｎは０．０９で、Δｎ・ｄ＝０．０９×４５００＝４０５［ｎｍ］なる光路長差を発生させる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月1日(2008.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
記録媒体を収納したカセットを保持するカセットホルダーと、該カセットホルダーを格納する格納手段と、前記カセットホルダーを格納した第１の位置から第２の位置までスライドさせるスライド手段とを備えたカセット装着装置と、
前記カセット装着装置を覆い隠すことができ、前記格納手段によって前記カセットホルダーを格納した第１の位置において閉じることができるように開閉自在に構成されたカセット蓋とを備えた記録再生装置であって、
前記カセット蓋の内側に弾性支持された押圧部を備え、前記カセット蓋の閉じ動作に伴って、前記押圧部が前記カセットホルダーを押圧することにより、前記カセットホルダーを前記第１の位置に格納した後、前記第２の位置にスライドさせることを特徴とする記録再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明は、記録媒体を収納したカセットを保持するカセットホルダーと、該カセットホルダーを格納する格納手段と、前記カセットホルダーを格納した第１の位置から第２の位置までスライドさせるスライド手段とを備えたカセット装着装置と、前記カセット装着装置を覆い隠すことができ、前記格納手段によって前記カセットホルダーを格納した第１の位置において閉じることができるように開閉自在に構成されたカセット蓋とを備えた記録再生装置であって、前記カセット蓋の内側に弾性支持された押圧部を備え、前記カセット蓋の閉じ動作に伴って、前記押圧部が前記カセットホルダーを押圧することにより、前記カセットホルダーを前記第１の位置に格納した後、前記第２の位置にスライドさせることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月6日(2008.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極の間に発光領域を有し、
前記発光領域は、発光性を有する有機基及びＳｉ−Ｏ結合又はＧｅ−Ｏ結合を含有する物質の層と、無機化合物の層が交互に積層している構造を有することを特徴とする発光素子。
【請求項２】
一対の電極の間に発光領域を有し、
前記発光領域は、発光性を有する有機基及びＳｉ−Ｏ結合又はＧｅ−Ｏ結合を含有する物質の層と、無機化合物の層が交互に積層している構造を有し、
前記無機化合物の伝導帯下端のエネルギー準位よりも前記発光性を有する有機基を含有する物質の伝導帯下端のエネルギー準位が低く、且つ、前記無機化合物の価電子帯上端のエネルギー準位よりも前記発光性を有する有機基を含有する物質の価電子帯上端のエネルギー準位が高いことを特徴とする発光素子。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記発光領域は、ゾル−ゲル法により作製されることを特徴とする発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記無機化合物の層の厚さが２ｎｍ以上５ｎｍ以下であることを特徴とする発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記発光性を有する有機基を含有する物質の層の厚さが２ｎｍ以上〜１０ｎｍ以下であることを特徴とする発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の発光素子を有する発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月28日(2008.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の線幅を有する第１の配線、及び複数の線幅を有する第２の配線を有し、
前記第１の配線は、第１の吐出工程により吐出された複数の第１の液滴、及び第２の吐出工程により前記複数の第１の液滴間に吐出された複数の第３の液滴により形成され、
前記第２の配線は、前記第１の吐出工程により吐出された複数の第２の液滴及び前記第２の吐出工程により前記複数の第２の液滴間に吐出された複数の第４の液滴により形成され、
前記複数の第１の液滴及び前記複数の第３の液滴のそれぞれの中心は、第１の線上にあり、
前記複数の第２の液滴及び前記複数の第４の液滴のそれぞれの中心は、前記第１の線と平行な第２の線上にあり、
前記第１の配線は、前記第１の線に対して線対称であり、
前記第２の配線は、前記第２の線に対して線対称であり、
前記第１の配線と前記第２の配線との間隔は一定であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極層と、ゲート絶縁層と、半導体層と、ソース電極層と、ドレイン電極層とを有し、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層は、複数の線幅を有する第１の配線、及び複数の線幅を有する第２の配線のいずれかを有し、
前記第１の配線は、第１の吐出工程により吐出された複数の第１の液滴、及び第２の吐出工程により前記複数の第１の液滴間に吐出された複数の第３の液滴により形成され、
前記第２の配線は、前記第１の吐出工程により吐出された複数の第２の液滴及び前記第２の吐出工程により前記複数の第２の液滴間に吐出された複数の第４の液滴により形成され、
前記複数の第１の液滴及び前記複数の第３の液滴のそれぞれの中心は、第１の線上にあり、
前記複数の第２の液滴及び前記複数の第４の液滴のそれぞれの中心は、前記第１の線と平行な第２の線上にあり、
前記第１の配線は、前記第１の線に対して線対称であり、
前記第２の配線は、前記第２の線に対して線対称であり、
前記第１の配線と前記第２の配線との間隔は一定であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記複数の第１乃至第４の液滴は、球状に吐出されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１及び第２の配線は、線幅が周期的に変化していることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１及び第２の配線の側端部は、うねる形状を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１及び第２の配線の側端部は、波状形状を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月15日(2008.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁放射を形成するゾーンを備えた活性層（２）と基板（３）とを有しており、
該基板上に活性層が配置されており、
該基板は半導体チップを活性ゾーンの延在方向の側方で制限し、かつ少なくとも一部の放射を出力する横面（９）および縦面（６）を有している
発光半導体チップにおいて、
出力面として用いられる少なくとも１つの縦面（６）は活性ゾーンの延在方向で横面（９）よりも長く、
半導体チップは長方形の輪郭を有し、
半導体チップは活性層（２）を含む多層構造体（２７）を有しており、該多層構造体は基板（３）上に配置されており、
該多層構造体はＧａＮ，ＩｎＧａＮ，ＡｌＧａＮまたはＩｎＡｌＧａＮを含み、
基板（３）は放射に対して透過性かつ導電性であり、
半導体チップはコンタクト層として用いられる上方のカバー層および下方のカバー層を有し、基板（３）および活性層（２）は当該のコンタクト層のあいだに配置されている
ことを特徴とする発光半導体チップ。
【請求項２】
縦面（６）および横面（９）は活性層（２）の側方の広がりを制限している、請求項１記載のチップ。
【請求項３】
出力面として用いられる縦面（６）は活性層（２）の延在方向で横面（９）の少なくとも２倍の長さを有する、請求項１または２記載のチップ。
【請求項４】
出力面として用いられる縦面（６）は活性層（２）の延在方向で横面（９）の少なくとも１０倍の長さを有する、請求項１から３までのいずれか１項記載のチップ。
【請求項５】
基板（３）は活性層（２）の反対側の底面へ向かって先細になっている、請求項１から４までのいずれか１項記載のチップ。
【請求項６】
基板（３）は活性層（２）の延在方向に向かって斜めの側面を有しており、該斜めの側面から底面へ向かって活性層（２）の延在方向に対して垂直な側面が続いている、請求項１から５までのいずれか１項記載のチップ。
【請求項７】
半導体チップは長方形チップである、請求項１から４までのいずれか１項記載のチップ。
【請求項８】
表面に電流伝搬路（２４）が設けられており、該電流伝搬路は端子面（２３）から出ている、請求項１から７までのいずれか１項記載のチップ。
【請求項９】
電流伝搬路（２４）はフレーム状に構成されている、請求項８記載のチップ。
【請求項１０】
端子面は中央端子面である、請求項８または９記載のチップ。
【請求項１１】
電流伝搬路（２４）からスタブ路（２５）が分岐している、請求項８から１０までのいずれか１項記載のチップ。
【請求項１２】
基板の屈折率は多層構造体の屈折率よりも大きい、請求項１から１１までのいずれか１項記載のチップ。
【請求項１３】
基板はＳｉＣ基板（３）である、請求項１から１０までのいずれか１項記載のチップ。
【請求項１４】
多層構造体（２７）はエピタキシャルプロセスにより製造されている、請求項１から１３までのいずれか１項記載のチップ。
【請求項１５】
基板（３）は多層構造体（２７）のエピタキシャルプロセスによる製造に使用されるエピタキシ基板から成形されている、請求項１４記載のチップ。
【請求項１６】
基板（３）は領域ごとに縦面（６）または横面（９）を形成する、請求項１から１５までのいずれか１項記載のチップ。
【請求項１７】
基板（３）によって形成される縦面（６）の発光点（７）は全反射角より大きい所定の角度で生じる、請求項１から１６までのいずれか１項記載のチップ。
【請求項１８】
基板（３）によって形成される横面（９）の発光点（７）は全反射角より小さい所定の角度で生じる、請求項１７記載のチップ。
【請求項１９】
横面（９）は、少なくとも活性層（２）のうち縦面（６）から最も離れた個所に位置する発光点（７）から出た光ビームが直接に全反射角より小さい角度で縦面（６）に発生するように短く選定されている、請求項１から１８までのいずれか１項記載のチップ。
【請求項２０】
活性層（２）はＩｎＧａＮを含む、請求項１から１９までのいずれか１項記載のチップ。
【請求項２１】
活性層（２）は電流導通層であるかまたは放射を形成するゾーンを含む層列である、請求項１から２０までのいずれか１項記載のチップ。
【請求項２２】
請求項１から２１までのいずれか１項記載の半導体チップを含んでいることを特徴とするルミネセンスダイオード。
【請求項２３】
半導体チップは、ルミネセンスダイオードの支持体（１３）上で、基板（３）が当該の支持体と活性層（２）とのあいだに位置するように配置される、請求項２２記載のルミネセンスダイオード。
【請求項２４】
半導体チップの縦面（６）に沿ってリフレクタ（１１）が延在している、請求項２２または２３記載のルミネセンスダイオード。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この課題は、出力面として用いられる少なくとも１つの縦面は活性ゾーンの延在方向で横面よりも長く、半導体チップは長方形の輪郭を有し、半導体チップは活性層を含む多層構造体を有しており、該多層構造体は基板上に配置されており、該多層構造体はＧａＮ，ＩｎＧａＮ，ＡｌＧａＮまたはＩｎＡｌＧａＮを含み、基板は放射に対して透過性かつ導電性であり、半導体チップはコンタクト層として用いられる上方のカバー層および下方のカバー層を有し、基板および活性層は当該のコンタクト層のあいだに配置されている本発明の構成により解決される。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月11日(2008.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主成分のＺｎＯと所定の添加物で組成され、多数のＺｎＯ粒子およびＺｎＯ粒子間に形成された粒界層からなる多結晶質酸化物としての避雷器用非線形抵抗素子において、前記ＺｎＯ粒子の表層に形成される空乏層の最表層部と最深層部に発生する応力をσ、前記空乏層の表面電荷密度をρ、外部電界をＥ、誘電率をεとすると、σ＝ρ２／ε＋ρＥの関係式から、前記空乏層の表面電荷密度ρまたは外部電界Ｅの少なくともいずれか一つを小さくし、あるいは前記誘電率εを大きくすることにより、空乏層に発生する応力を小さくしたことを特徴とする避雷器用非線形抵抗素子。
【請求項２】
前記ＺｎＯ粒子の空乏層内に存在する割込み亜鉛イオンをなくすこと、アモルファスをなくすこと、前記空乏層における酸素空孔を少なくすること、あるいは添加物による準安定状態を低くすることのうちの少なくともいずれか一つにより、酸素格子イオンの脱離を少なくして前記空乏層における電界と電荷量を小さくした請求項１に記載の避雷器用非線形抵抗素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前述の目的を達成するための技術的手段として、本発明は、主成分のＺｎＯと所定の添加物で組成され、多数のＺｎＯ粒子およびＺｎＯ粒子間に形成された粒界層からなる多結晶質酸化物としての避雷器用非線形抵抗素子において、ＺｎＯ粒子の表層に形成される空乏層の最表層部と最深層部に発生する応力をσ、空乏層の表面電荷密度をρ、外部電界をＥ、誘電率をεとすると、σ＝ρ２／ε＋ρＥの関係式から、空乏層の表面電荷密度ρまたは外部電界Ｅの少なくともいずれか一つを小さくし、あるいは誘電率εを大きくすることにより、空乏層に発生する応力を小さくしたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明では、空乏層の最表層部と最深層部に発生する応力σ＝ρ２／ε＋ρＥの関係式から、空乏層の表面電荷密度ρあるいは外部電界Ｅの少なくともいずれか一つを小さくし、あるいは誘電率εを大きくすることにより、空乏層に発生する応力を小さくすることができ、経年によっても空乏層でのヒビ割れが発生しにくくなり、非線形特性が低下することを抑制することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明によれば、主成分のＺｎＯと所定の添加物で組成され、多数のＺｎＯ粒子およびＺｎＯ粒子間に形成された粒界層からなる多結晶質酸化物としての避雷器用非線形抵抗素子において、ＺｎＯ粒子の表層に形成される空乏層の最表層部と最深層部に発生する応力をσ、空乏層の表面電荷密度をρ、外部電界をＥ、誘電率をεとすると、σ＝ρ２／ε＋ρＥの関係式から、空乏層の表面電荷密度ρまたは外部電界Ｅの少なくともいずれか一つを小さくし、あるいは誘電率εを大きくすることにより、空乏層に発生する応力を小さくすることができ、経年によっても空乏層でのヒビ割れが発生しにくくなり、非線形特性が低下することを抑制することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
しかしながら、前述した割込み亜鉛イオン１３による電界や酸素空孔６による電荷量の分布によらず、ＺｎＯ粒子１の表層に形成される空乏層３の最表層部７と最深層部８に発生する応力σは、空乏層３の表面電荷密度をρ、外部電界をＥ、誘電率をεとすると、σ＝ρ２／ε＋ρＥの関係式で規定することができる。このことから、空乏層３の表面電荷密度ρあるいは外部電界Ｅの少なくともいずれか一つを小さくするか、誘電率εを大きくすることにより、空乏層３の最表層部７と最深層部８に発生する応力σを小さくすることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
このようにして、空乏層３の最表層部７と最深層部８に発生する応力σ＝ρ２／ε＋ρＥの関係式から、空乏層３の表面電荷密度ρあるいは外部電界Ｅの少なくともいずれか一つを小さくするか、誘電率εを大きくすることにより、空乏層３に発生する応力を小さくすることができ、経年によっても空乏層３でのヒビ割れ１１（図５参照）が発生しにくくなり、非線形特性が低下することを抑制することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月10日(2008.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数のＧａＮベースの層（４）を有する半導体デバイスをエピタキシャル成長によって製造する方法であって、
ＧａＮベースの層（４）を、基板ボディ（１）と介在層（２）とを有する張り合せ基板上に被着し、この場合、基板ボディ（１）の熱膨張係数が、ＧａＮベースの層（４）の熱膨張係数に近似しているか又はＧａＮベースの層（４）の熱膨張係数よりも大きく、ＧａＮベースの層（４）を介在層（２）上に析出させ、かつ、前記介在層（２）がボンディング法により前記基板ボディ（１）上に被着されている、ＧａＮベースの半導体デバイスを製造する方法。
【請求項２】
介在層（２）が、酸化ボンディング法又はウェハボンディング法により基板ボディ（１）上に被着されている、請求項１記載の方法。
【請求項３】
基板ボディ（１）と介在層（２）との間に、固着層（３）が形成されている、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
固着層（３）が酸化ケイ素を有する、請求項３記載の方法。
【請求項５】
介在層（２）の厚さは、張り合せ基板の熱膨張係数がおもに基板ボディ（１）によって決定される程度に薄い、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
基板ボディ（１）が、ＳｉＣ、ポリＳｉＣ、サファイア、ＧａＮ、ポリＧａＮ又はＡｌＮを有する、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
基板ボディ（１）がサファイアを有する、請求項６記載の方法。
【請求項８】
介在層（２）が、ＳｉＣ、Ｓｉ、サファイア、ＭｇＯ、ＧａＮ又はＡｌＧａＮを有する、請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
介在層（２）がＧａＮ又はＡｌＧａＮを有する、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
基板ボディ（１）がポリＧａＮを、介在層（２）が単結晶のＧａＮを有する、請求項１から６まで、８及び９のいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
介在層（２）が単結晶のＳｉを有する、請求項８記載の方法。
【請求項１２】
ＧａＮベースの層（４）を、Ｓｉ（１１１）表面上に析出させる、請求項８記載の方法。
【請求項１３】
貼り合せ基板を介在層（２）を含めて、ＧａＮベースの層の析出後に剥離させる、請求項１から１２までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
ＧａＮベースの層の析出後に、支持体をＧａＮベースの層上に被着させる、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
ＧａＮベースの層を析出する方法に、
介在支持体を半導体層積層体（５）上に被着する段階、
張り合せ基板を剥離する段階、
支持体（６）を、半導体層積層体（５）の、張り合せ基板が剥離した側に被着する段階、
介在支持体を剥離する段階を続けて行う、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
基板ボディ（１）がサファイアを、支持体（６）がＧａＡｓ、モリブデン、タングステン又はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金を有する、請求項１４又は１５記載の方法。
【請求項１７】
支持体（６）が、ＧａＡｓ、ゲルマニウム、ケイ素、酸化亜鉛、モリブデン、アルミニウム、銅、鉄、ニッケル又はコバルトの少なくとも１つの化合物もしくは少なくとも１つの元素を有する、請求項１４又は１５記載の方法。
【請求項１８】
支持体（６）の熱膨張係数が、ＧａＮベースの層（４）の熱膨張係数に適合されている、請求項１４から１７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１９】
支持体（６）の熱膨張係数が、基板ボディ（１）の熱膨張係数に適合されている、請求項１４から１８までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２０】
支持体（６）の熱膨張係数が、基板ボディ（１）の熱膨張係数とＧａＮベースの層（４）の熱膨張係数との間にある、請求項１４から１９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２１】
ＧａＮベースの層を張り合せ基板上に被着する前に、エピタキシャル窓を有するマスク層（７）を形成し、その際、エピタキシャル窓の内の張り合せ基板のエピタキシャル表面をカバーされないままにする、請求項１から２０までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２２】
ＧａＮベースの層（４）もしくは半導体層積層体（５）上に、リフレクタ層（９）を、金属層の被着によって形成し、かつ前記リフレクタ層（９）が、同時にＧａＮベースの層の電気接続のための接触面として用いる、請求項１から２１までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２３】
金属層が、銀、アルミニウム、又は銀−又はアルミニウム合金を有する、請求項２２記載の方法。