【手続補正書】
【提出日】平成20年3月13日(2008.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  真空チャンバ内にガスを供給しつつ排気して所定の圧力に調整し、真空チャンバ内の支持台上に基体を載置し、支持台と真空チャンバ間に高周波電力を印加して真空チャンバ内にプラズマを生成し、プラズマ中の荷電粒子によって基体の表面を改質する表面処理方法であって、支持台の一部を真空チャンバと同電位につながれた導電性の可動シールドにて覆うとともに、基体の種類や処理量が変化しても、基体及び支持台のプラズマと接触する部分の表面積が一定になるように可動シールドの位置をコントロールして処理することを特徴とする表面処理方法。
【請求項２】  真空チャンバ内にガスを供給しつつ排気して所定の圧力に調整し、真空チャンバ内の支持台上に基体を載置し、支持台と真空チャンバ間に高周波電力を印加して真空チャンバ内にプラズマを生成し、プラズマ中の荷電粒子によって基体の表面を改質する表面処理方法であって、支持台と同電位またはフローティングに切替え可能な切替え部を適宜に切り換えることにより、基体の種類や処理量が変化しても、基体と支持台及びそれと同電位の切替え部のプラズマと接触する部分の表面積が一定になるようにして処理することを特徴とする表面処理方法。
【請求項３】  真空チャンバ内にガスを供給しつつ排気して所定の圧力に調整し、真空チャンバ内の支持台上に基体を載置し、支持台と真空チャンバ間に高周波電力を印加して真空チャンバ内にプラズマを生成し、プラズマ中の荷電粒子によって基体の表面を改質する表面処理方法であって、真空チャンバの一部分を、真空チャンバの高周波電力が印加される部分と同電位の状態とフローティング状態との間で適宜に切り換え、基体の種類や処理量が変化しても、基体と支持台のプラズマと接触する部分の表面積と、真空チャンバの高周波電力が印加されかつプラズマと接触する部分の表面積との比が一定となるようにして処理することを特徴とする表面処理方法。
【請求項４】  真空チャンバ内にガスを供給しつつ排気して所定の圧力に調整し、真空チャンバ内の支持台上に基体を載置し、支持台と真空チャンバ間に高周波電力を印加して真空チャンバ内にプラズマを生成し、プラズマ中の荷電粒子によって基体の表面を改質する表面処理方法であって、真空チャンバの一部分に設けた電位のフローティング部分と真空チャンバの高周波電力が印加される部分との間で絶縁板を移動させ、基体の種類や処理量が変化しても、基体と支持台のプラズマと接触する部分の表面積と、真空チャンバの高周波電力が印加されかつプラズマと接触する部分の表面積との比が一定となるようにして処理することを特徴とする表面処理方法。
【請求項５】  真空チャンバ内に窒素ガスを供給しつつ排気して所定の圧力に調整し、真空チャンバ内の支持台上に基体を載置し、支持台と真空チャンバ間に高周波電力を印加して真空チャンバ内にプラズマを生成し、プラズマ中の荷電粒子によって基体の表面を硬化する窒化処理方法であって、基体の種類や処理量が変化しても支持台にかかる電圧Ｖとプラズマ密度ｄの積が一定となるように、ガス圧力または印加高周波電力または基体及び支持台のプラズマと接触している部分の表面積または真空チャンバの高周波電力が印加されかつプラズマと接触する部分の表面積をコントロールして処理することを特徴とする表面処理方法。
【請求項６】  排気系とガス供給系を備えた真空チャンバと、真空チャンバ内で基体を載置する支持台と、真空チャンバと支持台との間に高周波電力を印加する電源とを備え、真空チャンバ内にプラズマを生成してプラズマ中の荷電粒子によって基体の表面を改質する表面処理装置において、支持台の一部を覆いかつ真空チャンバと同電位に接続された導電性のシールドの一部として、支持台の覆う範囲を可変する可動シールドを設けるととともに、基体の種類や処理量に応じて可動シールドを移動するシールド移動手段を設けたことを特徴とする表面処理装置。
【請求項７】  排気系とガス供給系を備えた真空チャンバと、真空チャンバ内で基体を載置する支持台と、真空チャンバと支持台との間に高周波電力を印加する電源とを備え、真空チャンバ内にプラズマを生成してプラズマ中の荷電粒子によって基体の表面を改質する表面処理装置において、支持台と同電位の状態または電位的にフローティング状態に切替え可能な切替部を支持台の周囲に設けるとともに、基体の種類や処理量に応じて切替部の電位状態を切り替える切替手段を設けたことを特徴とする表面処理装置。
【請求項８】  排気系とガス供給系を備えた真空チャンバと、真空チャンバ内で基体を載置する支持台と、真空チャンバと支持台との間に高周波電力を印加する電源とを備え、真空チャンバ内にプラズマを生成してプラズマ中の荷電粒子によって基体の表面を改質する表面処理装置において、真空チャンバに高周波電力が印加される主体部と電位的にフローティング状態にできるフローティング部を設けるとともに、基体の種類や処理量に応じてフローティング部を主体部と同電位の状態または電位的にフローティング状態に切り替える切替回路を設けたことを特徴とする表面処理装置。
【請求項９】  排気系とガス供給系を備えた真空チャンバと、真空チャンバ内で基体を載置する支持台と、真空チャンバと支持台との間に高周波電力を印加する電源とを備え、真空チャンバ内にプラズマを生成してプラズマ中の荷電粒子によって基体の表面を改質する表面処理装置において、真空チャンバに高周波電力が印加される主体部と電位的にフローティング状態にできるフローティング部を設け、かつ主体部の内面に対向した位置とフローティング部内面に対向した位置との間で移動可能な可動絶縁体を設け、基体の種類や処理量に応じて可動絶縁体を移動させるようにしたことを特徴とする表面処理装置。
【請求項１０】  排気系と窒素ガス供給系を備えた真空チャンバと、真空チャンバ内で基体を載置する支持台と、真空チャンバと支持台との間に高周波電力を印加する電源とを備え、真空チャンバ内にプラズマを生成してプラズマ中の荷電粒子によって基体の表面を窒化する表面処理装置において、支持台にかかる電圧を測定する電圧測定手段と、プラズマ密度を測定するプラズマ密度測定手段と、基体の種類や処理量が変化しても電圧とプラズマ密度の積が一定となるように、ガス圧力または印加高周波電力または基体及び支持台のプラズマと接触している部分の表面積または真空チャンバの高周波電力が印加されかつプラズマと接触する部分の表面積をコントロールする手段を設けたことを特徴とする表面処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明の表面処理方法は、真空チャンバ内にガスを供給しつつ排気して所定の圧力に調整し、真空チャンバ内の支持台上に基体を載置し、支持台と真空チャンバ間に高周波電力を印加して真空チャンバ内にプラズマを生成し、プラズマ中の荷電粒子によって基体の表面を改質する表面処理方法であって、支持台の一部を真空チャンバと同電位につながれた導電性の可動シールドにて覆うとともに、基体の種類や処理量が変化しても、基体及び支持台のプラズマと接触する部分の表面積が一定になるように可動シールドの位置をコントロールして処理することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明によれば、支持台の一部を真空チャンバと同電位につながれた導電性の可動シールドにて覆うとともに、基体の種類や処理量が変化しても基体及び支持台のプラズマと接触する部分の表面積が一定になるように可動シールドの位置をコントロールして処理し、表面積を連続的に調整して表面積を一定にするので安定した表面処理をより精度良く行うことができる。