【手続補正書】
【提出日】平成19年12月4日(2007.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜集積回路装置の作製方法及び非接触型薄膜集積回路装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に下地膜を形成し、
前記下地膜上に複数の薄膜集積回路装置を形成し、
前記複数の薄膜集積回路装置の境界に溝を形成し、
前記溝にフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入し、前記剥離層を除去することによって、前記複数の薄膜集積回路装置を分離することを特徴とする薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に下地膜を形成し、
前記下地膜上に複数の薄膜集積回路装置を形成し、
前記複数の薄膜集積回路装置の境界に溝を形成し、
前記複数の薄膜集積回路装置の上方に、複数の突起部を有するジグの当該突起部を、前記薄膜集積回路装置毎に接着し、
前記溝にフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入し、前記剥離層を除去することによって、前記複数の薄膜集積回路装置を分離し、
前記複数の薄膜集積回路装置に接着された前記ジグを取り外すことを特徴とする薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に下地膜を形成し、
前記下地膜上に複数の薄膜集積回路を形成し、
前記薄膜集積回路上に耐熱性を有する絶縁膜を形成して薄膜集積回路装置を形成し、
前記複数の薄膜集積回路装置の境界に溝を形成し、
前記溝にフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入し、前記剥離層を除去することによって、前記複数の薄膜集積回路装置を分離することを特徴とする薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に下地膜を形成し、
前記下地膜上に複数の薄膜集積回路を形成し、
前記薄膜集積回路上に耐熱性を有する絶縁膜を形成して薄膜集積回路装置を形成し、
前記複数の薄膜集積回路装置の境界に溝を形成し、
前記複数の薄膜集積回路装置の上方に、複数の突起部を有するジグの当該突起部を、前記薄膜集積回路装置毎に接着し、
前記溝にフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入し、前記剥離層を除去することによって、前記複数の薄膜集積回路装置を分離し、
前記複数の薄膜集積回路装置に接着されたジグを取り外すことを特徴とする薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２又は４において、
前記ジグの接着は、ＵＶ光によって接着力が低下又は喪失する接着剤を用いて行なうことを特徴とする薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項６】
請求項３又は４において、
前記耐熱性を有する絶縁膜は、シリコンと酸素との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む材料、若しくは置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも一種を有する材料からなることを特徴とする薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記剥離層は、シリコンを主成分として含むことを特徴とする薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記下地膜は、酸化珪素、窒化珪素、窒素を含む酸化珪素のいずれかを含むことを特徴とする薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記溝はダイヤモンドスクライビング又はレーザースクライビングによって形成されることを特徴とする薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、
前記基板は、ガラス基板又は石英基板であることを特徴とする薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項において、
前記フッ化ハロゲンは、ＣｌＦ３（三フッ化塩素）であることを特徴とする薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項１２】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に下地膜を形成し、
前記下地膜上に複数の薄膜集積回路装置を形成し、
前記薄膜集積回路装置上に耐熱性を有する絶縁膜を形成し、
前記複数の薄膜集積回路装置の境界に溝を形成し、
前記溝にフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入し、前記剥離層を除去することによって、前記複数の薄膜集積回路装置を分離し、
前記分離された薄膜集積回路装置の上方又は下方にアンテナを形成することを特徴とする非接触型薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項１３】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に下地膜を形成し、
前記下地膜上に複数の薄膜集積回路装置を形成し、
前記薄膜集積回路装置上に耐熱性を有する絶縁膜を形成し、
前記複数の薄膜集積回路装置の境界に溝を形成し、
前記複数の薄膜集積回路装置の上方に、複数の突起部を有するジグの当該突起部を、前記薄膜集積回路装置毎に接着し、
前記溝にフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入し、前記剥離層を除去することによって、前記複数の薄膜集積回路装置を分離し、
前記複数の薄膜集積回路装置に接着されたジグを取り外し、
前記分離された薄膜集積回路装置の上方又は下方にアンテナを形成することを特徴とする非接触型薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項１４】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に下地膜を形成し、
前記下地膜上に複数の薄膜集積回路装置を形成し、
前記複数の薄膜集積回路装置の境界に溝を形成し、
前記溝にフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入し、前記剥離層を除去することによって、前記複数の薄膜集積回路装置を分離し、
アンテナが形成された基体で前記薄膜集積回路装置を包装することを特徴とする非接触型薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項１５】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に下地膜を形成し、
前記下地膜上に複数の薄膜集積回路装置を形成し、
前記複数の薄膜集積回路装置の境界に溝を形成し、
前記複数の薄膜集積回路装置の上方に、複数の突起部を有するジグの当該突起部を、前記薄膜集積回路装置毎に接着し、
前記溝にフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入し、前記剥離層を除去することによって、前記複数の薄膜集積回路装置を分離し、
前記複数の薄膜集積回路装置に接着されたジグを取り外し、
アンテナが形成された基体で前記薄膜集積回路装置を包装することを特徴とする非接触型薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１３又は１５において、
前記ジグの接着は、ＵＶ光によって接着力が低下又は喪失する接着剤を用いて行なうことを特徴とする非接触型薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１４又は１６において、
前記耐熱性を有する絶縁膜は、シリコンと酸素との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む材料、若しくは置換基にフッ素、アルキル基、または芳香族炭化水素のうち少なくとも一種を有する材料からなることを特徴とする非接触型薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１２乃至１７のいずれか一項において、
前記剥離層は、シリコンを主成分として含むことを特徴とする非接触型薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１２乃至１８のいずれか一項において、
前記下地膜は、酸化珪素、窒化珪素、窒素を含む酸化珪素を含むことを特徴とする非接触型薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１２乃至１９のいずれか一項において、
前記溝はダイヤモンドスクライビング又はレーザースクライビングによって形成されることを特徴とする非接触型薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１２乃至２０のいずれか一項において、
前記基板は、ガラス基板又は石英基板であることを特徴とする非接触型薄膜集積回路装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項１２乃至２１のいずれか一項において、
前記フッ化ハロゲンは、ＣｌＦ３（三フッ化塩素）であることを特徴とする非接触型薄膜集積回路装置の作製方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２０】
メモリ２９にはＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＰＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ又はＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃａｌｌｙ  Ｅｒａｓａｂｌｅ  ａｎｄ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  ＲｅａｄＯｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＦＲＡＭ（登録商標）（ＦｅＲＡＭ；Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）等が利用される。ＰＲＯＭやＥＰＲＯＭの場合はカードを発行する時以外は書込みができないが、ＥＥＰＲＯＭは書き換えが可能である。これらメモリは、用途に応じて選択すればよい。