【手続補正書】
【提出日】平成20年11月10日(2008.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電界効果型トランジスタであって、
ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、活性層とを備え、
該活性層は、電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満である非晶質酸化物か、あるいはZn,In及びSnのうち、少なくとも１種類の元素を含み、電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示す非晶質酸化物であり、且つ
該ソース電極、該ドレイン電極、該ゲート電極のうち少なくとも１つが、可視域の光に対して透過性を有し、
ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
【請求項２】
前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記ゲート電極のうち少なくとも１つに接続される金属配線を更に有する請求項１記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項３】
電界効果型トランジスタであって、
ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、活性層とを備え、
該活性層は、電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満である非晶質酸化物か、あるいはZn,In及びSnのうち、少なくとも１種類の元素を含み、電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示す非晶質酸化物であり、且つ
前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記ゲート電極のうち少なくとも１つの電極が、あるいは前記少なくとも１つの電極に電気的に接続されている配線が、可視域の光に対して透過性を有する第１の層と、金属である第２の層との積層構造を有し、
ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
【請求項４】
前記非晶質酸化物が、Ｉｎ、Ｚｎ及びＳｎの少なくとも一つを含む酸化物か、あるいはＩｎ、Ｚｎ及びＧａを含む酸化物である請求項１から３のいずれか１項に記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項５】
電界効果型トランジスタであって、
ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、活性層とを備え、
該活性層は、可視域の光に対して透過性を有する非晶質酸化物であり、且つ
該ソース電極、該ドレイン電極、該ゲート電極のうち少なくとも１つが、可視域の光に対して透過性を有し、
ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
【請求項６】
前記ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極のうち、可視域の光に対して透過性を有する電極には、金属配線が接続されていることを特徴とする請求項５記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項７】
前記非晶質酸化物が、ＩｎとＺｎとＳｎを含む酸化物、ＩｎとＺｎを含む酸化物、ＩｎとＳｎを含む酸化物、及びＩｎを含む酸化物のうちのいずれかである請求項５又は６に記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項８】
電界効果型トランジスタであって、
ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、活性層とを備え、
該活性層は、電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満である非晶質酸化物か、あるいはZn,In及びSnのうち、少なくとも１種類の元素を含み、電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示す非晶質酸化物であり、且つ
該ゲート絶縁膜が、該非晶質酸化物に接する第１層と、該第１層に積層されている、該第１層とは異なる材料からなる第２層とを含み構成され、
ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
【請求項９】
前記第１の層が、ＨｆＯ２、Ｙ２Ｏ３、またはこれらを含む混晶化合物からなる絶縁層である請求項８記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項１０】
前記非晶質酸化物が、Ｉｎ、Ｚｎ及びＳｎの少なくとも一つを含む酸化物か、あるいはＩｎ、Ｚｎ及びＧａを含む酸化物である請求項８又は９に記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項１１】
前記第１層は、前記活性層との界面特性を向上させるための界面特性向上層であり、前記第２層はリーク電流を抑制するためのリーク電流抑制層である請求項８から１０のいずれか１項に記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項１２】
電界効果型トランジスタであって、
ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、活性層とを備え、
該活性層は、非晶質酸化物からなり、且つ
該ゲート絶縁膜が、該非晶質酸化物に接する第１層と、該第１層に積層されている、該第１層とは異なる材料からなる第２層とを含み構成され、
ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
【請求項１３】
前記非晶質酸化物が、ＩｎとＺｎとＳｎを含む酸化物、ＩｎとＺｎを含む酸化物、ＩｎとＳｎを含む酸化物、及びＩｎを含む酸化物のうちのいずれかである請求項１２記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項１４】
電界効果型トランジスタであって、
ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、活性層とを備え、
該活性層は、電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満である非晶質酸化物か、あるいはZn,In及びSnのうち、少なくとも１種類の元素を含み、電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示す非晶質酸化物であり、且つ
該活性層と該ゲート絶縁膜との間にパッシベーション層を有し、
ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
【請求項１５】
前記非晶質酸化物が、Ｉｎ、Ｚｎ及びＳｎの少なくとも一つを含む酸化物か、あるいはＩｎ、Ｚｎ及びＧａを含む酸化物である請求項１４記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項１６】
前記パッシベーション層は、リーク電流を抑制するためのリーク電流抑制層である請求項１４又は１５に記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項１７】
電界効果型トランジスタであって、
ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、活性層とを備え、
該活性層は非晶質酸化物からなり、且つ
該活性層と該ゲート絶縁膜との間にパッシベーション層を有し、
ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
【請求項１８】
電界効果型トランジスタであって、
基板上に、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、活性層とを備え、
該活性層は、電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満である非晶質酸化物か、あるいはZn,In及びSnのうち、少なくとも１種類の元素を含み、電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示す非晶質酸化物であり、且つ
該活性層と該基板との間に表面コート層を有し、
ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
【請求項１９】
前記非晶質酸化物が、Ｉｎ、Ｚｎ及びＳｎの少なくとも一つを含む酸化物か、あるいはＩｎ、Ｚｎ及びＧａを含む酸化物である請求項１７又は１８に記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項２０】
前記表面コート層は、前記基板と前記活性層との密着性を向上させる密着性向上層である請求項１８又は１９に記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項２１】
電界効果型トランジスタであって、
基板上に、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、活性層とを備え、
該活性層は非晶質酸化物からなり、且つ
該活性層と該基板との間に表面コート層を有し、
ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の第１の骨子は、電界効果型トランジスタであって、
ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、活性層とを備え、
該活性層は、電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満である非晶質酸化物か、あるいはZn,In及びSnのうち、少なくとも１種類の元素を含み、電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示す非晶質酸化物であり、且つ
該ソース電極、該ドレイン電極、該ゲート電極のうち少なくとも１つが、可視域の光に対して透過性を有し、
ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の第２の骨子は、電界効果型トランジスタであって、
ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、活性層とを備え、
該活性層は、電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満である非晶質酸化物か、あるいはZn,In及びSnのうち、少なくとも１種類の元素を含み、電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示す非晶質酸化物であり、且つ
前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記ゲート電極のうち少なくとも１つの電極が、あるいは前記少なくとも１つの電極に電気的に接続されている配線が、可視域の光に対して透過性を有する第１の層と、金属である第２の層との積層構造を有し、
ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の第３の骨子は、電界効果型トランジスタであって、
ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、活性層とを備え、
該活性層は、可視域の光に対して透過性を有する非晶質酸化物であり、且つ
該ソース電極、該ドレイン電極、該ゲート電極のうち少なくとも１つが、可視域の光に対して透過性を有し、
ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の第４の骨子は、電界効果型トランジスタであって、
ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、活性層とを備え、
該活性層は、電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満である非晶質酸化物か、あるいはZn,In及びSnのうち、少なくとも１種類の元素を含み、電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示す非晶質酸化物であり、且つ
該ゲート絶縁膜が、該非晶質酸化物に接する第１層と、該第１層に積層されている、該第１層とは異なる材料からなる第２層とを含み構成され、
ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、本発明の第５の骨子は、電界効果型トランジスタであって、
ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、活性層とを備え、
該活性層は、非晶質酸化物からなり、且つ
該ゲート絶縁膜が、該非晶質酸化物に接する第１層と、該第１層に積層されている、該第１層とは異なる材料からなる第２層とを含み構成され、
ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の第６の骨子は、電界効果型トランジスタであって、
ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、活性層とを備え、
該活性層は、電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満である非晶質酸化物か、あるいはZn,In及びSnのうち、少なくとも１種類の元素を含み、電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示す非晶質酸化物であり、且つ
該活性層と該ゲート絶縁膜との間にパッシベーション層を有し、
ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であることを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、本発明の第７の骨子は、電界効果型トランジスタであって、
ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、活性層とを備え、
該活性層は非晶質酸化物からなり、且つ
該活性層と該ゲート絶縁膜との間にパッシベーション層を有し、
ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であることを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の第８の骨子は、電界効果型トランジスタであって、
基板上に、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、活性層とを備え、
該活性層は、電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満である非晶質酸化物か、あるいはZn,In及びSnのうち、少なくとも１種類の元素を含み、電子キャリア濃度が増加すると共に、電子移動度が増加する傾向を示す非晶質酸化物であり、且つ
該活性層と該基板との間に表面コート層を有し、
ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であることを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、本発明の第９の骨子は、電界効果型トランジスタであって、
基板上に、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、活性層とを備え、
該活性層は非晶質酸化物からなり、且つ
該活性層と該基板との間に表面コート層を有し、
ゲート電圧無印加時のソース−ドレイン端子間の電流が１０マイクロアンペア未満であることを特徴とする。