【手続補正書】
【提出日】平成20年9月4日(2008.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性粒子を含む組成物を基板上に塗布し、
酸素雰囲気において前記組成物に第１のレーザ光を照射して第１の導電層を形成し、
窒素、希ガス、水素のいずれかの雰囲気において、前記第１の導電層に第２のレーザ光を照射して第２の導電層を形成し、
前記第２の導電層上に絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
導電性粒子を含む組成物を基板上に塗布し、
酸素雰囲気において前記組成物に第１のレーザ光を照射することによって、前記組成物よりも導電性粒子の密度が高く、表面が平滑な第１の導電層を形成し、
窒素、希ガス、水素のいずれかの雰囲気において、前記第１の導電層に第２のレーザ光を照射することによって、前記第１の導電層よりも抵抗値が低い第２の導電層を形成し、
前記第２の導電層上に絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または２において、前記第２の導電層は、配線、アンテナ、または電極として機能することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記絶縁層は、ゲート絶縁層、発光物質を含む層または液晶層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記組成物は、遮光性を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、前記第１のレーザ光及び第２のレーザ光は、可視領域または赤外領域のレーザ光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記第２の導電層は、透光性を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、前記第１のレーザ光及び第２のレーザ光は、紫外領域のレーザ光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、前記酸素雰囲気は、１０〜１００ｖｏｌ％の酸素を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、前記第２のレーザ光のエネルギーまたはパワーは、前記第１のレーザ光のエネルギーまたはパワーよりも大きいことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
このようなレーザ光を発振することが可能なレーザ発振器としては、ＡｒＦ、ＫｒＦ、ＸｅＣｌ等のエキシマレーザ発振器、Ｈｅ、Ｈｅ−Ｃｄ、Ａｒ、Ｈｅ−Ｎｅ、ＨＦ等の気体レーザ発振器、ＹＡＧ、ＧｄＶＯ４、ＹＶＯ４、ＹＬＦ、ＹＡｌＯ３などの結晶にＣｒ、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｃｅ、Ｃｏ、Ｔｉ又はＴｍをドープした結晶を使った固体レーザ発振器、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ等の半導体レーザ発振器を用いることができる。なお、固体レーザ発振器においては、基本波〜第５高調波を適宜適用するのが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
酸素雰囲気中で第１のレーザ光１１１を組成物１０４に照射すると、雰囲気中の酸素と、組成物の溶媒１０５及び導電性粒子１０６の表面に形成される有機樹脂１０７の一部又は全部が反応し蒸発し、図１（Ｃ）に示すように、表面が平滑化された第１の導電層１２１が形成される。なお、図１（Ｃ）で示す破線１２２は、組成物１０４の形状である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
ここでは、第２のレーザ光２１２としては、ＹＡＧの基本波を線状に加工したレーザ光を複数の第１の導電層２０３に照射する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
図４（Ａ）に示すように、基板２０１上に矩形状の組成物２５１を塗布する。透光性を有する導電層を形成するためには、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、アルミニウム（Ａｌ）、スズ（Ｓｎ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、および亜鉛（Ｚｎ）から選ばれる元素を一以上含む組成物を塗布し、第１のレーザ光及び第２のレーザ光を照射して、導電性酸化物を形成することが好ましい。ここでは、基板２０１としてガラス基板を用い、組成物としてスズ、及びインジウムを有する組成物を用い、印刷法により当該組成物を印刷する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
また、ＴＦＴ７０１と、パッシベーション膜として機能する絶縁層７２２を覆うように、絶縁層７２３を形成する。これらの絶縁層７２３は、表面を平坦化するために設けられている。ソース配線又はドレイン配線として機能する導電層７２４は、ソース領域及びドレイン領域７１９に接し、絶縁層７２２及び７２３に設けられたコンタクトホールを充填する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
次に、図８（Ｅ）に示すように、画素電極として機能する第２の導電層４２２上の第１の絶縁層４３１の一部をエッチングして第２の導電層４２２の一部を露出した後、実施例２と同様に第３の導電層４４２、４４３を形成する。なお、一部がエッチングされた第１の絶縁層を第２の絶縁層４４０と示す。第３の導電層４４２、４４３は、ソース電極、及びドレイン電極として機能し、第３の導電層４４３は、第２の半導体層及び第２の導電層４２２に接続する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１９】
次に、ＣＶＣＣ動作をする画素を図９（Ｃ）を用いて説明する。図９（Ｃ）に示す画素は、図９（Ａ）に示す画素構成に、電源線３７１２、電流制御用ＴＦＴ３７０４が設けられている。なお、図９（Ｃ）に示す画素において、駆動用ＴＦＴ３７０３のゲート電極を、列方向に配置された電源線３７１２を、行方向に配置された電源線３７１２に接続してもよい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２６】
このようなアクティブマトリクス型の発光装置は、画素密度が増えた場合、各画素にＴＦＴが設けられているため低電圧駆動でき、有利であると考えられている。一方、パッシブマトリクス型の発光装置を形成することもできる。パッシブマトリクス型の発光装置は、各画素にＴＦＴが設けられていないため、高開口率となる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３２】
本実施例では、実施例１で作製した導電層を有する基板を用いて形成された無線チップ（無線プロセッサ、無線メモリ、無線タグ、ＲＦＩＤタグともよぶ。）に代表される半導体装置について図１１を用いて説明する。ここでは、導電層は、アンテナとして機能する。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４０】
本実施例の半導体装置は、図１１（Ｂ）に示すように、導電層を有する基板５３１と、複数の電界効果トランジスタを含む層５３０とが、異方性導電接着剤５５２で接着されている。また、異方性導電接着剤５５２には、導電性粒子５５１が分散されており、当該導電性粒子を介して導電層の接続端子５３２ａと、ｎチャネル型ＴＦＴのソース電極又はドレイン電極として機能する導電層５４１とが接続されている。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2007115739.tif 000001
【手続補正１４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
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