Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月5日(2008.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
可動部と、
前記可動部をＸ方向に移動させるＸアクチュエーターと、
前記可動部をＹ方向に移動させるＹアクチュエーターと、
前記可動部の上面に固定された基板と、
前記基板の上面に固定された、移動対象物をＺ方向に移動させるＺアクチュエーターと、
前記Ｚアクチュエーターを通す開口部を有し、前記可動部と前記Ｘアクチュエーターと前記Ｙアクチュエーターの上面のほとんどを覆うカバーとを備え、前記基板の上面に固定されたＺアクチュエーターの上端が前記カバーの上面よりも高い位置に位置している走査型プローブ顕微鏡用走査機構。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記制振用アクチュエーターは前記可動部の下面に固定されている請求項２に記載の走査型プローブ顕微鏡用走査機構。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明による走査型プローブ顕微鏡用走査機構は、可動部と、前記可動部をＸ方向に移動させるＸアクチュエーターと、前記可動部をＹ方向に移動させるＹアクチュエーターと、前記可動部の上面に固定された基板と、前記基板の上面に固定された、移動対象物をＺ方向に移動させるＺアクチュエーターと、前記Ｚアクチュエーターを通す開口部を有し、前記可動部と前記Ｘアクチュエーターと前記Ｙアクチュエーターの上面のほとんどを覆うカバーとを備え、前記基板の上面に固定されたＺアクチュエーターの上端が前記カバーの上面よりも高い位置に位置している。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月25日(2008.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両に装着されたタイヤのトラッド面と接触して該タイヤを回転駆動するタイヤ駆動機構であって、該タイヤ駆動機構を駆動する回転部材を備えたものと、
前記回転部材の回転軸に設けられ、該回転軸を回転可能に支持する軸受と、
車両のタイヤから前記タイヤ駆動機構に伝達される力を計測する水晶圧電式荷重センサと、
前記水晶圧電式荷重センサの出力を第１のレンジで計測する第１の計測手段と、
前記水晶圧電式荷重センサの出力を該第１のレンジよりも広い第２のレンジで計測する第２の計測手段と、
前記水晶圧電式荷重センサの出力を前記第１および第２の計測手段の何れかに送るスイッチ手段と、
有することを特徴とする車両用走行試験装置。
【請求項２】
前記スイッチ手段は、前記車両の走行時に発生するフォースバリエーションを計測する時は前記水晶圧電式荷重センサの出力を前記第１の計測手段に送り、前記車両の減速時に発生する制動力を計測する時は該水晶圧電式荷重センサの出力を前記第２の計測手段に送ることを特徴とする請求項１に記載の車両用走行試験装置。
【請求項３】
第１のローラ対と、該第１のローラ対のそれぞれを回転可能に支持する一対の軸受を有する第１の軸受部と、該第１のローラ対に掛け渡された第１の無端ベルトとを備え、車両に装着されたタイヤのうちの少なくとも１つのタイヤが該第１の無端ベルトと当接し、該少なくとも１つのタイヤの回転に従動して該第１の無端ベルトが該第１のローラ対の周りを回動するよう構成されたフラットベルト機構と、
第２のローラ対と、該第２のローラ対のそれぞれを回転可能に支持する一対の軸受を有する第２の軸受部と、該第２のローラ対に掛け渡された第２の無端ベルトとを備えた支持ベルト機構と、
を有し、
前記第１の無端ベルトが前記第２の無端ベルトの外周面と前記少なくとも１つのタイヤとに挟まれて該第１の無端ベルトの回動に該第２の無端ベルトが従動回動するように、該第２の無端ベルトの上側外周面が該第１の無端ベルトの上側内周面に接触し、
前記少なくとも１つのタイヤと前記第１の無端ベルトとは、前記第１のローラ対を構成する２つのローラの略中間の位置で接触することを特徴とする車両用走行試験装置。
【請求項４】
前記第１の無端ベルトが金属製であり且つ前記第２の無端ベルトが樹脂製であることを特徴とする請求項３に記載の車両用走行試験装置。
【請求項５】
前記第２の無端ベルトが、前記第２のローラ対に掛け渡された複数の金属製無端ワイヤであることを特徴とする請求項３に記載の車両用走行試験装置。
【請求項６】
前記第２のローラ対の表面には、その円周方向に複数の溝が形成され、前記複数の金属製無端ワイヤはそれぞれ該複数の溝の中に収まるように該第２のローラ対に掛け渡されていることを特徴とする請求項５に記載の車両用走行試験装置。
【請求項７】
複数の支持ローラを備えた支持ローラ機構をさらに有し、
前記支持ローラは前記第２の無端ベルトに接触し、
前記第１および２の無端ベルトは、前記複数の支持ローラの少なくとも１つと前記少なくとも１つのタイヤとに挟まれることを特徴とする請求項３から請求項６のいずれかに記載の車両用走行試験装置。
【請求項８】
前記支持ローラ機構は、前記複数の支持ローラの上端によって定められる面の高さと傾きの少なくとも一方を調整するためのアジャスタを有することを特徴とする請求項７に記載の車両用走行試験装置。
【請求項９】
前記第１のローラ対の一方の回転軸に設けられた軸受と、
前記第１のローラ対の一方を回転する第１のモータと、
前記第１のモータの回転軸と前記第１のローラ対の一方の回転軸との間に設けられた第１のワンウェイベアリングと、
前記第１のローラ対の一方を回転する第２のモータと、
前記第２のモータの回転軸と前記第１のローラ対の一方の回転軸との間に設けられた第２のワンウェイベアリングと、
を有することを特徴とする請求項３から８のいずれかに記載の車両用走行試験装置。
【請求項１０】
前記第１のモータは前記第２のモータよりも高いトルクで前記第１のローラ対の一方を回転させ、
前記第２のモータは前記第１のモータよりも高い回転数で前記第１のローラ対の一方を回転させることを特徴とする請求項９に記載の車両用走行試験装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月25日(2008.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉ層とＭｏ層を繰り返し積層し、これらＳｉ層とＭｏ層との間に中間層を設けた多層膜において、
前記Ｍｏ層が、結晶化したＭｏ層で構成されていることを特徴とする多層膜。
【請求項２】
ＳｉとＭｏからなる材料層を繰り返し積層するに際し、これらＳｉ層とＭｏ層との間に中間層を設けるようにした多層膜の製造方法において、
前記Ｍｏ層を２．５ｎｍ以上５ｎｍ以下の厚さに成膜して結晶化した後、該Ｍｏ層を所定の膜厚にまでエッチングする工程を有することを特徴とする多層膜の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上記課題を達成するために、以下のように構成した多層膜及び多層膜の製造方法を提供するものである。
すなわち、本発明の多層膜は、Ｓｉ層とＭｏ層を繰り返し積層し、これらＳｉ層とＭｏ層との間に中間層を設けた多層膜において、
前記Ｍｏ層が、結晶化したＭｏ層で構成されていることを特徴としている。
また、本発明の多層膜の製造方法は、ＳｉとＭｏからなる材料層を繰り返し積層するに際し、これらＳｉ層とＭｏ層との間に中間層を設けるようにした多層膜の製造方法において、
前記Ｍｏ層を２．５ｎｍ以上５ｎｍ以下の厚さに成膜して結晶化した後、該Ｍｏ層を所定の膜厚にまでエッチングする工程を有することを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
つぎに、本実施例の軟Ｘ線用多層膜反射鏡ａと上記軟Ｘ線用多層膜反射鏡ａ’の軟Ｘ線分光反射率を測定したところ、本実施例の軟Ｘ線用多層膜反射鏡ａの反射率は６９．３％であるのに対して、上記軟Ｘ線用多層膜反射鏡ａ’の反射率は６７．２％であった。このように、本実施例の軟Ｘ線用多層膜反射鏡ａによればＭｏが結晶化したことによってＭｏの密度が向上し、Ｓｉとの屈折率差が広がったことによって反射率は２．１％増加した。
以上のように、本実施例の構成によれば、ＳｉとＭｏからなる材料層を繰り返し積層して構成された多層膜において、これらＳｉ層とＭｏ層との間に中間層を設けた場合においても、結晶化したＭｏ層によって、所望の膜厚のもとで高い反射率の多層膜を実現することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月3日(2008.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
移動経路自動生成処理１０１は、ワーク上における測定位置、測定子の現在位置、触針が接触状態であるかを示す測定子検出情報、測定子の検出方向、あらかじめ設定された安全距離、及びあらかじめ設定された安全範囲を示す安全領域情報に基づいて、経路を自動的に生成する。安全距離及び安全領域情報は、キー入力１１、マウス入力１２及び外部通信部１３などを利用して移動情報生成部１６に入力される。入力された安全距離及び安全領域情報は、記憶装置１４に記憶される。また、測定位置及び測定子の検出方向は、キー入力１１、マウス入力１２及び外部通信部１３などを利用してワークごとに設定され、記憶装置１４に記憶される。測定位置は、順番を付して複数設定することが可能であり、触針を接触位置に接触させて１ラインの測定を行う動作を、指定された接触位置に対して指定された順番で行う。なお、オペレータが触針を移動させて測定位置に接触させる動作を行い、その位置を測定位置として記憶させ、測定動作及び測定位置への移動を順次自動で行わせることも可能である。また、測定子の検出方向は、測定位置の面の向きに応じて設定される。触針を移動させる座標系と実際のワーク表面の位置関係は、例えば、従来と同様にオペレータの操作により触針をワーク表面に接触させた状態の接触点の位置を、座標系内で設定することにより行う。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
図６に示すように、触針の測定位置ＰＭへの接触が指示されると、ステップ１１１で測定位置ＰＭを原点とする座標系における触針の現在位置を算出する。前述のように、この情報は測定機１からの測定子情報部１５を介して入力される信号から得られる。ステップ１１２では、現在位置がＺ軸上にあるかを判定する。Ｚ軸上である時にはステップ１１３に進み、測定子が測定状態（オン状態）、すなわち、触針がワークに接触しているかを判定する。測定子がオン状態の時には、触針がワークの測定位置ＰＭに接触している状態、すなわち測定状態１１４であるので、ステップ１２９に進んで経路選定処理を終了する。測定子がオン状態でない時には、ステップ１１５に進み、触針の現在位置のＺ座標値Ｐ（Ｚ）が基準位置ＰＳのＺ座標値ＰＳ（Ｚ）より小さいかを判定する。Ｐ（Ｚ）がＰＳ（Ｚ）より小さい時には、触針の現在位置は図５のＰＭとＰＳの間、例えばＰ１の位置であり、ステップ１１６の経路１を選定し、ステップ１２９に進む。経路１は、現在位置からＰＭに向かって低速で移動する経路である。Ｐ（Ｚ）がＰＳ（Ｚ）より大きい時には、触針の現在位置は図５のＺ軸上のＰＳより上の位置、例えばＰ２の位置であり、ステップ１１７の経路２を選定し、ステップ１２９に進む。経路２は、現在位置からＰＳに高速で移動した後、ＰＳからＰＭ向かって低速で移動する経路である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
ステップ１１８で測定子がオン状態でないと判定された時には、ステップ１２２に進みＰ（Ｚ）が負であるかを判定する。Ｐ（Ｚ）が負の時は、触針の現在位置は、例えば図５のＰ５の位置であり、ステップ１２３の経路５を選定し、ステップ１２９に進む。経路５は、現在位置から基準位置ＰＳのＺ座標値まで上昇した位置、すなわちＰ５’の位置まで上昇した後、ＰＳに移動し、更にＰＭに移動する経路である。これらの経路は、Ｐ５からＰＳまでは高速の移動が行われ、ＰＳからＰＭまでの移動が低速で行われる経路である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2006308476.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月8日(2008.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被膜上に溶剤を含有したフォトレジストを形成し、
前記フォトレジストに対して第１のベークを行い、
前記フォトレジストを露光し、
前記フォトレジストに対して第２のベークを行い、
前記フォトレジストを現像して、第１のフォトレジストパターンと、前記第１のフォトレジストパターンと面積の異なる第２のフォトレジストパターンと、を前記被膜上に形成し、
前記第１及び第２のフォトレジストパターンに対して、前記第２のベークの温度以下の温度で第３のベークを行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第３のベークの後に、前記第１及び前記第２のフォトレジストパターンを用いて前記被膜をエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
第１及び第２の半導体層と、前記第１及び第２の半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜上に溶剤を含有したフォトレジストを形成し、
前記フォトレジストに対して第１のベークを行い、
前記フォトレジストを露光し、
前記フォトレジストに対して第２のベークを行い、
前記フォトレジストを現像して、第１のフォトレジストパターンと、前記第１のフォトレジストパターンと面積の異なる第２のフォトレジストパターンと、を前記導電膜上に形成し、
前記第１及び第２のフォトレジストパターンに対して、前記第２のベークの温度以下の温度で第３のベークを行い、
前記第１及び第２のフォトレジストパターンを用いて前記導電膜をエッチングすることによって、前記第１の半導体層上に形成された前記ゲート絶縁膜上に第１のゲート電極を形成するとともに、前記第２の半導体層上に形成された前記ゲート絶縁膜上に第２のゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１のベークの温度と前記第３のベークの温度の温度差は１０℃以内であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１及び第２のフォトレジストパターンの側壁は、テーパー形状を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月4日(2008.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性を有する基板上に前記基板とは屈折率の異なる第１の下地絶縁膜を形成し、
前記第１の下地絶縁膜上に前記第１の下地絶縁膜とは屈折率の異なる第２の下地絶縁膜を形成し、
前記第２の下地絶縁膜を部分的にエッチングして複数の凹部を形成し、
前記複数の凹部が形成された前記第２の下地絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にレーザビームを前記基板の裏面側または前記基板の表面側と裏面側の両側から照射して結晶質半導体膜を形成し、
前記凹部上に形成された前記結晶質半導体膜をチャネル形成領域としてＴＦＴを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
透光性を有する基板上に前記基板とは屈折率の異なる第１の下地絶縁膜を形成し、
前記第１の下地絶縁膜上に前記第１の下地絶縁膜とは屈折率の異なる第２の下地絶縁膜を形成し、
前記第２の下地絶縁膜を部分的にエッチングして複数の凸部を形成し、
前記複数の凸部が形成された前記第２の下地絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にレーザビームを前記基板の裏面側または前記基板の表面側と裏面側の両側から照射して結晶質半導体膜を形成し、
前記凸部上に形成された前記結晶質半導体膜をチャネル形成領域としてＴＦＴを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
透光性を有する基板上に前記基板とは屈折率の異なる第１の下地絶縁膜を形成し、
前記第１の下地絶縁膜を部分的にエッチングして複数の凹部を形成し、
前記複数の凹部が形成された前記第１の下地絶縁膜上に前記第１の下地絶縁膜とは屈折率の異なる第２の下地絶縁膜を形成し、
前記第２の下地絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にレーザビームを前記基板の裏面側または前記基板の表面側と裏面側の両側から照射して結晶質半導体膜を形成し、
前記凹部上に形成された前記結晶質半導体膜をチャネル形成領域としてＴＦＴを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
透光性を有する基板上に前記基板とは屈折率の異なる第１の下地絶縁膜を形成し、
前記第１の下地絶縁膜を部分的にエッチングして複数の凸部を形成し、
前記複数の凸部が形成された前記第１の下地絶縁膜上に前記第１の下地絶縁膜とは屈折率の異なる第２の下地絶縁膜を形成し、
前記第２の下地絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜にレーザビームを前記基板の裏面側または前記基板の表面側と裏面側の両側から照射して結晶質半導体膜を形成し、
前記凸部上に形成された前記結晶質半導体膜をチャネル形成領域としてＴＦＴを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記半導体装置は、携帯電話、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、ゴーグル型ディスプレイ、パーソナルコンピュータ、ＤＶＤプレーヤー、電子書籍、または携帯型情報端末であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月4日(2008.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜上に第２の導電膜を形成し、
前記第２の導電膜上に一導電型の第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上の第１の配線領域および画素電極領域上に第１のマスクを形成し、
前記第１のマスクを用い第１のエッチング処理により前記第１の半導体膜、前記第２の導電膜および前記第１の導電膜をエッチングし、
前記第１のマスクを除去した後、前記第１の配線領域および前記画素電極領域を覆って第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に第３の導電膜を形成し、
前記第３の導電膜上に第２のマスクを形成し、
前記第２のマスクを用い第２のエッチング処理により前記第３の導電膜をエッチングし、
前記第２のエッチング処理の後に、第３のエッチング処理により前記第３の導電膜、前記絶縁膜、前記第２の半導体膜、前記第１の半導体膜および前記第２の導電膜をエッチングして、前記第１の配線領域および前記画素電極領域に渡って交差する第２の配線領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上に第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜上に第２の導電膜を形成し、
前記第２の導電膜上に一導電型の第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上の第１の配線領域、画素電極領域および端子領域上に第１のマスクを形成し、
前記第１のマスクを用い第１のエッチング処理により前記第１の半導体膜、前記第２の導電膜および前記第１の導電膜をエッチングし、
前記第１のマスクを除去した後、前記第１の配線領域、前記画素電極領域および前記端子領域を覆って第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に第３の導電膜を形成し、
前記第３の導電膜上に第２のマスクを形成し、
前記第２のマスクを用い第２のエッチング処理により前記第３の導電膜をエッチングし、
前記第２のエッチング処理の後に、第３のエッチング処理により前記第３の導電膜、前記絶縁膜、前記第２の半導体膜、前記第１の半導体膜および前記第２の導電膜をエッチングして、前記第１の配線領域および前記画素電極領域に渡って交差し、前記端子領域の一部を覆う第２の配線領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の導電膜はアルミニウムを主成分とする材料で形成すること特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記第１の導電膜は酸化物導電膜材料で形成すること特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第３の導電膜はＴａ、Ｔｉ、Ｗから選ばれた少なくとも一つの元素、または前記元素を成分とする合金で形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月28日(2008.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理装置のためのガス分散プレートであって、
(a)ガスの通過を可能にする複数の開口を有する平坦な中央部分と、
(b) 前記ガス分散プレートの前記中央部分内に配置され、前記開口に対して略垂直方向に延在し、かつ前記ガス分散プレートの作動温度を下げるための冷却媒体の流れを受け入れる冷却通路と、
(c)冷却媒体の循環を可能にするために、前記冷却通路に連結された冷却媒体用の入口及び出口と、  
(d)所定の距離離れて前記ガス分散プレートに取り付けられ、かつ複数の開口を有する平坦な上部バッフル板と、
(e)前記上部バッフル板の中央部分に設けた開口を覆うように配置された開口のないプレートとを含むことを特徴とするガス分散プレート。
【請求項２】
前記中央部分は、フランジによって囲まれており、前記冷却通路は、前記フランジから前記開口を有する中央部分に伸びていることを特徴とする請求項１記載のガス分散プレート。
【請求項３】
前記ガス分散プレートは、低合金アルマイト処理のアルミニウムからなり、前記冷却通路は、前記ガス分散プレートに機械加工されていることを特徴とする請求項１記載のガス分散プレート。
【請求項４】
前記冷却媒体は、液体であることを特徴とする請求項１記載のガス分散プレート。
【請求項５】
前記冷却媒体は、水であることを特徴とする請求項４記載のガス分散プレート。
【請求項６】
前記冷却媒体は、ガスであることを特徴とする請求項１記載のガス分散プレート。
【請求項７】
前記冷却媒体は、ヘリウムまたは窒素であることを特徴とする請求項６記載のガス分散プレート。
【請求項８】
前記上部バッフル板の開口は、前記ガス分散プレートの開口よりもわずかに大きいことを特徴とする請求項１記載のガス分散プレート。
【請求項９】
前記上部バッフル板は、石英からなることを特徴とする請求項１記載のガス分散プレート。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、本発明の目的は、フォトレジストアッシャー等のウエハ処理装置に使用されるガスの温度を減少させ、アッシング処理中にウエハを損傷させないプラズマ処理装置用のガス分散プレートを提供することである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
モノクロメータ２８は、処理室内のガスの光放出特性を監視してアッシング処理における終了点を決定するために使用される。ウエハ１８は、適切なロードロック機構（図示略）により入口／出口用通路３０を介して処理室に導入されかつ排出される。本発明は、フォトレジストアッシャー内で実現されるように示されているが、残留物の除去およびストリップ処理等の他の半導体製造設備に使用することもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月24日(2008.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応室内に設けられた蒸着セルから有機ＥＬ材料を噴出し、前記反応室内に設けられた基板上に前記有機ＥＬ材料を蒸着する発光装置の作製方法であって、
前記反応室内に不活性ガスを導入する工程と、
前記蒸着セル内で前記有機ＥＬ材料を蒸発させる工程と、
前記蒸発した有機ＥＬ材料を前記蒸発セルから噴出し、前記不活性ガス中を通過させ、前記基板上に前記有機ＥＬ材料を蒸着する工程と、
を有し、
前記噴出は、前記蒸着セルが有するオリフィス形状の噴出口から行うことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２】
反応室内に設けられた蒸着セルから有機ＥＬ材料を噴出し、前記反応室内に設けられた基板上に前記有機ＥＬ材料を蒸着する発光装置の作製方法であって、
前記反応室内に不活性ガスを導入する工程と、
前記蒸着セル内で前記有機ＥＬ材料を蒸発させる工程と、
前記蒸発した有機ＥＬ材料を前記蒸発セルから噴出し、前記不活性ガス中を通過させ、前記蒸着セル又は前記基板を移動させることにより、前記基板上に前記有機ＥＬ材料を選択的に蒸着する工程と、
を有し、
前記噴出は、前記蒸着セルが有するオリフィス形状の噴出口から行うことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３】
反応室内に設けられた蒸着セルから有機ＥＬ材料を噴出し、前記反応室内に設けられた基板上に前記有機ＥＬ材料を蒸着する発光装置の作製方法であって、
前記反応室内に不活性ガスを導入する工程と、
前記蒸着セル内で前記有機ＥＬ材料を蒸発させる工程と、
前記蒸発した有機ＥＬ材料を前記蒸発セルから噴出し、前記不活性ガス中を通過させ、前記蒸着セル又は前記基板を移動させることにより、前記基板上に前記有機ＥＬ材料を選択的に蒸着する工程と、
を有し、
前記噴出は、前記蒸着セルが有するオリフィス形状の噴出口から行い、
前記蒸着セル又は前記基板の移動は、前記蒸着セルと前記基板との間に設けられたシャッターの開閉と連動させながら行うことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記蒸発セルは複数個設けられていることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記反応室内は大気圧にすることを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月4日(2008.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可視光に対して透明もしくは半透明な導電膜からなる陽極、及び可視光に対して透明もしくは半透明な導電膜からなる陰極を含むＥＬ素子と、
前記ＥＬ素子に接する遮光膜と、を有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
可視光に対して透明もしくは半透明な導電膜からなる陽極、可視光に対して透明もしくは半透明な導電膜からなる陰極、及び前記陽極および前記陰極に挟まれたＥＬ層を有するＥＬ素子と、
前記陽極または前記陰極に接する遮光膜と、を有することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
絶縁膜と、
前記絶縁膜上の遮光膜と、
前記遮光膜に接し、可視光に対して透明もしくは半透明な導電膜からなる陽極と、
前記陽極上のＥＬ層と、
前記ＥＬ層上であって、可視光に対して透明もしくは半透明な導電膜からなる陰極と、を有することを特徴とする発光装置。
【請求項４】
絶縁膜と、
前記絶縁膜上の遮光膜と、
前記遮光膜に接し、可視光に対して透明もしくは半透明な導電膜からなる陰極と、
前記陽極上のＥＬ層と、
前記ＥＬ層上であって、可視光に対して透明もしくは半透明な導電膜からなる陽極と、を有することを特徴とする発光装置。
【請求項５】
絶縁膜と、
前記絶縁膜上の遮光膜と、
前記遮光膜に接し、可視光に対して透明もしくは半透明な導電膜からなる陽極と、
前記陽極上のＥＬ層と、
前記ＥＬ層上であって、周期表の１族もしくは２族に属する元素を含む金属膜、及び酸化物導電膜からなる陰極と、を有することを特徴とする発光装置。
【請求項６】
絶縁膜と、
前記絶縁膜上の遮光膜と、
前記遮光膜に接する酸化物導電膜、及び周期表の１族もしくは２族に属する元素を含む金属膜からなる陰極と、
前記陽極上のＥＬ層と、
前記ＥＬ層上であって、可視光に対して透明もしくは半透明な導電膜からなる陽極と、を有することを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項５または請求項６において、
前記金属膜の膜厚は５〜７０ｎｍであることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項３または請求項５において、
前記陽極の端部と前記ＥＬ層の間に設けられたバンクを有することを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項４または請求項６において、
前記陰極の端部と前記ＥＬ層の間に設けられたバンクを有することを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項８または請求項９において、
前記バンクとして金属粒子もしくはカーボン粒子を分散させた絶縁膜を用いることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記陽極は酸化物導電膜であることを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記遮光膜は金属粒子もしくはカーボン粒子を分散させた絶縁膜、チタン膜、窒化チタン膜、クロム膜、モリブデン膜、タングステン膜、タンタル膜、窒化タンタル膜または半導体膜であることを特徴とする発光装置。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記金属粒子もしくはカーボン粒子を分散させた絶縁膜の比抵抗は１×１０６〜１×１０１２Ωｍであることを特徴とする発光装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項に記載された発光装置を用いたことを特徴とする電気器具。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月10日(2008.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と第２の電極との間にＥＬ層が挟まれた構造を有するＥＬ素子が設けられた第１の基板と、
前記第１の基板上に対向し、第３の電極が設けられた第２の基板と、を有し、
前記第２及び前記第３の電極は透光性を有し、
前記第２の電極と前記第３の電極とは導電体を介して電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
第１の電極と第２の電極との間にＥＬ層が挟まれた構造を有するＥＬ素子を備えた画素が設けられた第１の基板と、
前記第１の基板上に対向し、第３の電極が設けられた第２の基板と、を有し、
前記第２及び前記第３の電極は透光性を有し、
前記第２の電極と前記第３の電極とは導電体を介して電気的に接続されており、
前記導電体は、遮光性を有し、且つ前記画素の発光領域と重ならない位置に配置されていることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
第１の電極と第２の電極との間にＥＬ層が挟まれた構造を有するＥＬ素子を備えた画素が複数設けられた第１の基板と、
前記第１の基板上に対向し、第３の電極が設けられた第２の基板と、を有し、
前記第２及び前記第３の電極は透光性を有し、
前記第２の電極と前記第３の電極とは導電体を介して電気的に接続されており、
前記導電体は、遮光性を有し、且つ隣接する前記画素間に配置されていることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の基板と前記第１の電極との間には、ＴＦＴと、前記ＴＦＴ上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールと、が設けられており、
前記第１の電極と前記ＴＦＴとは前記コンタクトホールに埋め込まれた導電物を介して電気的に接続されていることを特徴する発光装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記導電物は、金属粒子又はカーボン粒子を分散させた樹脂であることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の基板と前記第１の電極との間には、ＴＦＴと、前記ＴＦＴ上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールと、が設けられており、
前記コンタクトホールと前記第１の電極とが重なる位置であって、前記第１の電極と前記ＥＬ層との間に絶縁膜が設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第３の電極は、前記第２の電極よりも抵抗が低いことを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記導電体は、金属粒子又はカーボン粒子を分散させた樹脂であることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第１の電極は反射面を含むことを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月16日(2008.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と、
前記陽極の端部を覆う樹脂膜と、
前記樹脂膜を覆い、かつ、前記陽極上に一部延在して設けられた保護膜と、
前記陽極上に設けられた高分子膜と、
前記高分子膜に接して設けられた低分子膜と、
前記低分子膜に接して設けられた陰極とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
陽極と、
前記陽極の端部を覆う樹脂膜と、
前記樹脂膜を覆い、かつ、前記陽極上に一部延在して設けられた窒化珪素膜と、
前記陽極上に設けられた高分子膜と、
前記高分子膜に接して設けられた低分子膜と、
前記低分子膜に接して設けられた陰極とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上のプラズマ処理により表面が硬質化された樹脂からなる層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上の前記薄膜トランジスタと電気的に接続された陽極と、
前記陽極の端部を覆う樹脂膜と、
前記樹脂膜を覆い、かつ、前記陽極上に一部延在して設けられた保護膜と、
前記陽極上に設けられた高分子膜と、
前記高分子膜に接して設けられた低分子膜と、
前記低分子膜に接して設けられた陰極とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項４】
薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上のプラズマ処理により表面が硬質化された樹脂からなる層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上の前記薄膜トランジスタと電気的に接続された陽極と、
前記陽極の端部を覆う樹脂膜と、
前記樹脂膜を覆い、かつ、前記陽極上に一部延在して設けられた窒化珪素膜と、
前記陽極上に設けられた高分子膜と、
前記高分子膜に接して設けられた低分子膜と、
前記低分子膜に接して設けられた陰極とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項３又は４において、前記プラズマ処理は水素プラズマを用いて行うことを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１又は３において、前記保護膜は非晶質炭素膜であることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記高分子膜を設ける前に前記陽極の表面にオゾン処理が行われることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記高分子膜は、発光層であり、前記低分子膜は、電子輸送層又は電子注入層であることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記高分子膜は、電子輸送層であり、前記低分子膜は、電子注入層であることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の発光装置を表示部に用いたことを特徴とする電気器具。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月31日(2008.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】本人認証システムまたは本人認証方法及び携帯型情報通信装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射型液晶表示装置及びフラッシュメモリーを有する携帯型情報通信装置を用いた本人認証システムであって、
前記反射型液晶表示装置は各画素にフォトダイオードが設けられ、前記フォトダイオードで構成されるイメージセンサーにより使用者の個体情報を読み取り、
前記イメージセンサーが読み取る個体情報と、前記フラッシュメモリーに記憶されている個体情報とを比較する手段と、
前記イメージセンサーが読み取る個体情報と前記フラッシュメモリーに記憶されている個体情報とが一致している場合に、認証結果をインターネット又は無線通信回線を通して中央処理装置に送信する手段と、を有することを特徴とする本人認証システム。
【請求項２】
請求項１において、本人認証は前記携帯型情報通信装置の電源投入と同時に行われることを特徴とした本人認証システム。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記個体情報として、掌紋（手相）または指紋を用いることを特徴とした本人認証システム。
【請求項４】
請求項３において、前記掌紋は手ひらの全体または一部を使用することを特徴とした本人認証システム。
【請求項５】
反射型液晶表示装置及びフラッシュメモリーを有する携帯型情報通信装置を用いた本人認証方法であって、
前記反射型液晶表示装置は各画素にフォトダイオードが設けられ、前記フォトダイオードで構成されるイメージセンサーにより使用者の個体情報を読み取り、
前記イメージセンサーが読み取る個体情報と、前記フラッシュメモリーに記憶されている個体情報とを比較し、
前記イメージセンサーが読み取る個体情報と前記フラッシュメモリーに記憶されている個体情報とが一致している場合に、認証結果をインターネット又は無線通信回線を通して中央処理装置に送信することを特徴とする本人認証方法。
【請求項６】
請求項５において、本人認証は前記携帯型情報通信装置の電源投入と同時に行われることを特徴とした本人認証方法。
【請求項７】
請求項５又は６において、使用者の前記個体情報として、掌紋（手相）または指紋を用いることを特徴とした本人認証方法。
【請求項８】
請求項７において、前記掌紋は手ひらの全体または一部を使用することを特徴とした本人認証方法。
【請求項９】
反射型液晶表示装置とフラッシュメモリーとを有し、
前記反射型液晶表示装置には各画素にフォトダイオードが設けられ、
前記フォトダイオードにより構成されるイメージセンサーが読み取る個体情報と、前記フラッシュメモリーに記憶された使用者の個体情報とを照合する手段と、
前記イメージセンサーが読み取る個体情報と、前記フラッシュメモリーに記憶された使用者の個体情報と、が一致している場合に、認証結果をインターネット又は無線通信回線を通して中央処理装置に送信する手段と、が設けられていることを特徴とする携帯型情報通信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月15日(2007.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３８０〜５００ｎｍの波長を有する半導体レーザー光線を書込光として使用する、支持体及び感光層を有する電子写真感光体において、該感光層が下記式（１）で示されるビスアゾ顔料を含有することを特徴とする電子写真感光体：
式（１）
【化１】
2005181992.tif 000001
（式中、Ａ１、Ａ２及びＡ３は、各々独立に、置換基を有してもよい飽和または不飽和脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよい芳香族炭化水素環基、置換基を有してもよい複素環基、あるいはカルボニル基を示し、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、ハロゲン原子を示し、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、各々独立に、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよい複素環基、置換基を有してもよいアラルキル基を示し、但し、Ｒ３とＲ４、Ｒ５とＲ６はそれぞれ式中の窒素原子を介して環状アミノ基を形成してもよく、Ｚ１及びＺ２は、各々独立に、酸素原子または硫黄原子を示し、ｍ１及びｍ２は０〜４の整数を示し、ｎ１、ｎ２及びｎ３はそれぞれ独立に０または１を示す。）。
【請求項２】
支持体及び感光層を有する電子写真感光体において、該感光層が下記式（７）〜（８）で示されるビスアゾ顔料の少なくとも一方を含有することを特徴とする電子写真感光体：
【化２０】
2005181992.tif 000002
。
【請求項３】
支持体及び感光層を有する電子写真感光体において、該感光層が下記式（１１）〜（２１）で示されるビスアゾ顔料からなる群から選ばれる少なくとも１つを含有することを特徴とする電子写真感光体：
【化２１】
2005181992.tif 000003
【化２２】
2005181992.tif 000004
。
【請求項４】
請求項１〜３の何れかに記載の電子写真感光体と、帯電手段と、３８０〜５００ｎｍの波長を有する半導体レーザーを含む露光手段と、現像手段と、転写手段と、を具備していることを特徴とする電子写真装置。
【請求項５】
請求項１〜３の何れかに記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、及びクリーニング手段からなる群より選ばれる少なくとも１つの手段と、を一体に支持し、電子写真装置本体に脱着自在であるプロセスカートリッジ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月22日(2008.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
既知濃度の酸溶液のサンプルを光透過または反射検出用のセルに導入し、セルに対して紫外波長域の異なる波長の光を透過または反射させ、透過光または反射光の強度値を測定し、この測定を複数のサンプルについて繰返し、
上記の複数のサンプルの強度値から吸光度を演算し、吸光度と酸溶液中の酸濃度の間の検量線式を求め、
測定対象の酸溶液を上記のセルに導入し、セルに対して上記の異なる波長の光を透過または反射させ、透過光または反射光の強度値を測定し、
強度値から吸光度を演算し、吸光度と上記検量線式を用いて、上記酸溶液中の酸の濃度を決定する
酸溶液の濃度測定方法。
【請求項２】
上記の酸溶液は、過酢酸を含む溶液であることを特徴とする請求項１に記載された濃度測定方法。
【請求項３】
上記の酸溶液は、過酢酸、酢酸および過酸化水素を含む溶液であることを特徴とする請求項１に記載された濃度測定方法。
【請求項４】
上記のセルはフローセルであり、酸溶液は連続的にセルに導入されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載された濃度測定方法。
【請求項５】
測定対象の酸溶液が導入される光透過または反射検出用のセルと、
紫外波長域の光をセルに照射する光源と、
光源からの光をセルに照射して得られる透過光または反射光の異なる波長での光強度を検出する受光手段と、
酸溶液中の酸の濃度と吸光度との関係を示す検量線式を記憶する記憶手段と、
上記受光手段が出力する光強度信号から吸光度を演算し、上記吸光度から上記検量線式に基づいて酸溶液中の酸の濃度を決定する濃度演算手段と
を備えた濃度測定装置。
【請求項６】
上記の酸溶液は、過酢酸を含む溶液であることを特徴とする請求項５に記載された濃度測定装置。
【請求項７】
上記の酸溶液は、過酢酸、酢酸および過酸化水素を含む溶液であることを特徴とする請求項５に記載された濃度測定装置。
【請求項８】
上記のセルは、サンプルが連続的に導入されるフローセルであることを特徴とする請求項５〜７のいずれかに記載された濃度測定装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月6日(2008.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】有機発光素子を用いた表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機発光素子を用いた画素回路を有する表示装置において、
所定の表示階調に対して、
フレームごとに、
前記所定の表示階調に必要な電圧に最も近い第１の電圧値と
前記所定の表示階調に必要な電圧に２番目に近い第２の電圧値とのいずれかを
選択して前記画素回路に印加されることを特徴とする
有機発光素子を用いた表示装置。
【請求項２】
前記第１の電圧値および前記第２の電圧値の少なくともいずれかは、表示色により異なる電圧であることを特徴とする請求項１記載の有機発光素子を用いた表示装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、第１の本発明は、有機発光素子を用いた画素回路を有する表示装置において、
所定の表示階調に対して、
フレームごとに、
前記所定の表示階調に必要な電圧に最も近い第１の電圧値と
前記所定の表示階調に必要な電圧に２番目に近い第２の電圧値とのいずれかを
選択して前記画素回路に印加されることを特徴とする
有機発光素子を用いた表示装置である。
また、第２の本発明は、前記第１の電圧値および前記第２の電圧値の少なくともいずれかは、表示色により異なる電圧であることを特徴とする第１の本発明の有機発光素子を用いた表示装置である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４０４】
なお本発明では表示素子として、有機発光素子で説明を行ったが、無機エレクトロルミネッセンス素子、発光ダイオードなど電流と輝度が比例関係となる表示素子ならどのような素子を用いても実施可能である。
なお、本明細書に記載の発明には、
表示パネルへ所望の階調に対応する電流を出力するための映像信号入力と、
前記映像信号入力に同期して送信されるプリチャージフラグ入力と、
前記映像信号入力に対応して電流を出力する電流源群と、
電圧源と、
前記電流源群が最大電流を出力するような制御を行う期間を設定する複数の電流プリチャージパルスと、
前記電圧源の電圧値が出力される期間を設定する電圧プリチャージパルス
を具備する電流出力型半導体回路であって、
映像信号入力のブランキング期間を利用して、
前記複数の電流プリチャージパルスのパルス幅を設定する信号及び前記電圧プリチャージパルスのパルス幅を設定する信号が入力され、
１水平走査期間内において、前記複数の電流プリチャージパルス及び電圧プリチャージパルスにより前記電圧源の電圧が出力される期間、前記電流源群による最大電流が出力される期間、前記映像信号に応じた電流が前記電流源群により出力される期間が存在することを特徴とする電流出力型半導体回路も含まれる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年10月2日(2008.10.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）「出発表面（ｓｔａｒｔｉｎｇ  ｓｕｒｆａｃｅ）」と「行き先表面（ｄｅｓｔｉｎａｔｉｏｎ  ｓｕｒｆａｃｅ）」を有する多孔質膜を提供すること；
（ｂ）前記多孔質膜の出発表面に細胞を付着させ、前記多孔質膜を通る前記出発表面から前記行き先表面への前記細胞の一部の移動を促進すること；
（ｃ）前記出発表面に残存する細胞の部分又は前記行き先表面に移動した細胞の部分のいずれかに光学的分別溶液を加えて、前記光学的分別溶液を加えた部分を電気光学的読み取り装置によって、より検出しやすくするか、またはより検出しににくすること；及び
（ｄ）前記電気光学的読み取り装置を使用して、前記出発表面に残存する又は前記行き先表面に移動した又はその両方の前記細胞の光学特性を読み取ること
の工程をこの順序で含む、細胞の光学特性を検出することができる電気光学的読み取り装置を使用して細胞を分析するための方法。
【請求項２】
前記多孔質膜の出発表面上の工程（ｂ）にある細胞を、異なる所定暴露バンド幅の放射線への暴露時に所定蛍光バンド幅の放射線を放射する化合物で標識する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記化合物がカルセイン、カルセイン前駆体又はカルセイン誘導体である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
少なくとも前記所定蛍光バンド幅内の光を吸収することができる着色剤を含み、及び少なくとも工程（ｃ）及び（ｄ）の間前記多孔質膜を通って実質的に流動することができない、前記光学的分別溶液を、前記行き先表面に移動しない細胞と前記出発表面に適用することによって、前記出発表面に残存する細胞の部分をより検出しにくくする、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記光学的分別溶液がグリセロール中の前記着色剤の懸濁液を含み、及び前記着色剤がカーボンブラックである、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
工程（ｄ）の電気光学的読み取り装置を、前記所定暴露バンド幅の照射による前記細胞の移動部分の暴露後の前記所定蛍光バンド幅内の放射を検出するために利用し、前記暴露が前記細胞の移動部分への入射前に前記多孔質膜を通過しない、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記多孔質膜が同多孔質ポリカーボネート膜である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記多孔質膜が入れ子になった頭部液体容器と底部液体容器の間に存在し、前記入れ子式液体容器が前記多孔質膜によって上部区域と下部区域に分けられている、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記方法を、前記入れ子式液体容器のアレイを含むマルチウエルアレイを使用して実施する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記マルチウエルアレイが２４個の前記入れ子式液体容器を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記多孔質膜を通る前記出発表面から前記行き先表面への前記細胞の一部の工程（ｂ）での移動が、化学誘引物質含有溶液を前記下部区域内に入れることによって促進される、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記多孔質膜の出発表面上の工程（ｂ）にある細胞を、異なる所定暴露バンド幅の放射線への暴露時に所定蛍光バンド幅の放射線を放射する化合物で標識する、請求項１１に記載の方法であって、
少なくとも前記所定蛍光バンド幅内の光を吸収することができる着色剤を含み、及び少なくとも工程（ｃ）及び（ｄ）の間前記多孔質膜を通って実質的に流動することができない、前記光学的分別溶液を、前記上部区域に添加することによって、前記出発表面に残存する細胞の部分を電気光学的読み取り装置によってより検出しにくくする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
１％のカーボンブラックと５０％グリセロールを含む水性マスキング溶液。
【請求項１４】
共通の包装内に納められた、
各々の対が、入れ子にしたとき、半透明の同多孔質膜によって分けられた上部区域と下部区域を有する、入れ子式又は入れ子可能な液体容器の対を含むマルチウエルアレイ；及び
カーボンブラックとグリセロールを含む水溶液
を含む、細胞を分析するのに適した走化性アッセイキット。
【請求項１５】
カーボンブラックの濃度が少なくとも０．０５％（重量／容積）であり、グリセロールの濃度が５％から７５％（重量／容積）の範囲内である、請求項１４に記載の走化性アッセイキット。
【請求項１６】
異なる所定暴露バンド幅の放射線に暴露したとき所定蛍光バンド幅の放射線を放射する化合物を含む細胞標識溶液
をさらに含む、請求項１４に記載の走化性アッセイキット。
【請求項１７】
前記化合物がカルセイン、カルセイン前駆体又はカルセイン誘導体である、請求項１６に記載の走化性アッセイキット。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
前記の必要性や他の長年にわたる要求に応えて、本発明は、一般に、外部刺激に対する細胞の運動性応答を定量するための電気光学的方法を提供し、その方法では、標的細胞群（前記応答の関数として形成される）が光学的分別溶液の添加によって後に光学的に分別され、それによって標的細胞群は電気光学的読み取り装置に対して、より検出しやすくなるか、またはより検出しににくなる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
前記方法は、特に、多孔質膜（例えばトラックエッチングした同多孔質ポリカーボネート膜）に細胞（例えば接着性腫瘍誘導細胞）を付着させること；前記多孔質膜からの前記細胞の一部の移動を促進すること（例えばあらかじめ選択した化学誘引物質の濃度勾配を作製し、細胞をその中に入れることによって）；移動又は非移動細胞部分のいずれかに光学的分別溶液を加えて、前記処理部分を電気光学的読み取り装置（例えば走査型蛍光光度計）によって、より検出しやすくするか、またはより検出しににくすること；次に前記電気光学的読み取り装置を使用して移動及び／又は非移動細胞群のいずれかを「計数すること」（直接又は間接的に）の工程を含む。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
前記方法は、図１ｃに示すように、出発表面に残存する細胞の部分（すなわち前記の非移動細胞群ＮＭＣ）又は行き先表面に移動した細胞の部分（すなわち前記移動細胞群ＭＣ）のいずれかに「光学的分別溶液」を加えて、あらかじめ選択した電気光学的読み取り装置によって前記処理部分をより検出しやすくするか、またはより検出しににくすることによって継続される。この工程の最後に、移動細胞群ＭＣと非移動細胞群ＮＭＣは「光学的に分別」される。