【手続補正書】
【提出日】平成20年3月17日(2008.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性の基体上に、アモルファスシリコンを主成分としてなる光導電層を含む第１の層領域と、表面層を含む第２の層領域とを順次形成することを含む電子写真用感光体の形成方法であって、
第１の層領域と第２の層領域とは互いに異なる堆積膜の形成方法で形成されるとともに、第１の層領域と第２の層領域との間に中間層を設け、この中間層の組成を、第１の層領域側表面の組成が、第１の層領域の中間層側表面と概略同組成となり、第２の層領域側表面の組成が、第２の層領域の中間層側表面と概略同組成となるように、第１の層領域の形成方法と第２の層領域の形成方法とを併用して連続的に変化させる
ことを特徴とする電子写真用感光体の形成方法。
【請求項２】
前記第１の層領域がプラズマＣＶＤ法で形成され、前記第２の層領域がスパッタリング法により形成されることを特徴とする請求項１に記載の電子写真用感光体の形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子写真用感光体の形成方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は電子写真用感光体の形成方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明は上記のような課題を解決し、異なる堆積膜の形成方法を用いて形成した電子写真用感光体においても画像品位と電気特性に優れた電子写真用感光体を得ると同時に、それぞれの堆積膜形成方法の特徴を生かし、各層の堆積膜形成条件を最適化することで電子写真用感光体性能の向上を図るものである。本発明の電子写真用感光体の形成方法は、導電性の基体上に、アモルファスシリコンを主成分としてなる光導電層を含む第１の層領域と、表面層を含む第２の層領域とを順次形成することを含む電子写真用感光体の形成方法であって、
第１の層領域と第２の層領域とは互いに異なる堆積膜の形成方法で形成されるとともに、第１の層領域と第２の層領域との間に中間層を設け、この中間層の組成を、第１の層領域側表面の組成が、第１の層領域の中間層側表面と概略同組成となり、第２の層領域側表面の組成が、第２の層領域の中間層側表面と概略同組成となるように、第１の層領域の形成方法と第２の層領域の形成方法とを併用して連続的に変化させる
ことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
本発明は以上のような知見に基づいてなされたものであり、導電性の基体上に、少なくとも、アモルファスシリコンを主成分としてなる光導電層を含む第１の層領域と、少なくとも表面層を含む第２の層領域を順次形成してなる電子写真用感光体の形成方法であって、第１の層領域と、第２の層領域は互いに異なる堆積膜の形成方法で形成されるとともに、第１の層領域と第２の層領域の間には中間層を設け、この中間層は、第１の層領域側表面の組成が、第１の層領域の中間層側表面と概略同組成であって、第２の層領域側表面の組成が、第２の層領域の中間層側表面と概略同組成となるように組成を連続的に変化させる、すなわち、第１の層領域の形成方法と第２の層領域の形成方法とを併用して連続的に変化させることで達成される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
以下、本発明の形成方法により得られる電子写真用感光体について詳細に説明する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
(電子写真用感光体の構成)
本発明の形成方法により得られる電子写真用感光体は、導電性基体上に、少なくともアモルファスシリコンを主体としてなる光導電層と少なくとも一部にアモルファス状の結合状態を有する表面層を積層してなることを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
図１は、本発明の形成方法により得られる電子写真用感光体10の模式的な断面図の一例である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
次に、かかる電子写真用感光体の構成の例について仔細に説明する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
(中間層)
中間層14は、第１の層領域と第２の層領域の間、すなわち図１の層構成では、光導電層13と表面層15の間に位置し、光導電層側の表面は光導電層13の中間層側表面と概略同組成であって、表面層側の表面は表面層15の中間層側表面と概略同組成となるように、組成を連続的に変化させてなる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
(表面層)
表面層15は、たとえば炭化珪素(ＳiＣ)や窒化珪素(Ｓi3Ｎ4)、金属フッ化物を用いることができる。これらのうち、窒化珪素、金属フッ化物はバンドギャップが広いことにより、たとえば青色光領域の画像露光に対しても光透過性に優れている。さらに金属フッ化物の場合は、表面エネルギーが低いことから、トナーの離形性がよく、また、表面に低抵抗物質が蓄積しにくいことから、電子写真用感光体としての性能向上が図られ、もっとも好ましいものとして使用できる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
表面層15の形成方法としては、前述の光導電層同様、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などの公知の方法が使用できるが、少なくとも光導電層13と表面層15は互いに異なる形成方法により形成される。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１０】
本発明の形成方法により得られる電子写真用感光体はどのような形式の電子写真装置であっても良好に使用することができるが、画像露光に光ビームを照射するいわゆるデジタル式の電子写真装置に適し、とりわけ、画像露光の光ビームのスポット径を40μｍ以下とする高精細な光学系を有する電子写真装置に適している。本発明において、下部層と上部層に互いに異なる堆積膜の形成方法を用いた場合に形成される構造上の界面を効果的に防止することで、微小な画像流れを抑制し、上記光ビームのスポット径を40μｍ以下とした場合においても、ドット再現性、すなわち階調性に優れた電子写真画像を形成することができる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１１】
このような光ビームとしては、たとえば半導体レーザーによる走査光学系、ＬＥＤや液晶シャッター等による固体スキャナ等があげられ、これらが形成する光ビームの強度分布についても、ガウス分布やローレンツ分布等がある。これらの如何にかかわらず、ビーム内における光強度のピーク値の１/e2までの範囲をスポット径とする。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１３】
一般に走査光学系ではポリゴンミラー等により走査される主走査方向と電子写真用感光体の回転による副走査方向とに分かれ、図２のように主走査スポット径と副走査スポット径が異なる楕円上の形状をとるのが普通であるが、スポット径はいずれの方向のものでもよいが、ここではどちらか小さいほうを規定するものとする。これはいずれの方向においても、画像流れの影響が小さいスポット径の方向により顕著に表れるためである。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１４】
上記のような半導体レーザーを画像露光として用いる電子写真装置において、階調性を表現するためには、レーザーのＯＮ、ＯＦＦによる２値制御で濃度パターンを形成して表現する濃度パターン法や、たとえば各画素あたりのレーザー照射時間を制御して中間調を形成するパルス幅変調法(ＰＷＭ法)、レーザー強度変調法などの方式があるが、本発明により得られる電子写真用感光体ではいずれの方法を用いても40μｍ以下の光ビームのスポットに対してドット再現性に優れ、直線性の高い階調表現が可能となる。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６１】
(参考例１および比較例１)
表面層としてフッ化マグネシウムを用いた図１に示した層構成の電子写真用感光体を、下部電荷注入阻止層と光導電層、すなわち第１の層領域をプラズマＣＶＤ法で形成した後、中間層、表面層すなわち第２の層領域をスパッタリング法で形成した。プラズマＣＶＤ法では、図３から図５に示した装置を用い、スパッタリング法では図６、図７に示した装置を用いて、前述の手順によって形成した。なおスパッタリング法では電源として13.56ＭＨzの周波数を有するＲＦ電源を用いた。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６２】
本参考例では、基体として外径(φ)80ｍｍ、長さ358ｍｍ、肉厚３ｍｍのアルミニウム製導電性基体としての鏡面加工を施したシリンダーを用い、下部電荷注入阻止層、光導電層については表１の条件で、中間層、表面層に関しては表２の条件で形成した。ここで高周波電力は周波数105ＭＨzのＶＨＦ帯を使用した。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６３】
本参考例では中間層は、ターゲットとしてシリコン、マグネシウムを用い、中間層形成初期のマグネシウムターゲットに印加する電力を０Ｗ〜700Ｗの範囲で変更することで中間層の光導電層側表面のシリコンとマグネシウムの含有比を調整した。また、中間層形成中はそれぞれのターゲットに印加する電力およびガス流量を調整して表面層側表面で実質的に表面層と同一の組成になるように連続的に変化させた。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８６】
こうして作成した電子写真用感光体について、光導電層の主要な構成元素であるシリコン(シリコン含有比約100％:水素を除く)と中間層の光導電層側表面のシリコンの含有比の差が±30％以内のものを参考例１、同含有比の差が30％を超えるものを比較例１として評価した。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８８】
(比較例２)
上記参考例１とまったく同様にして表１の条件で第一の層領域を形成した後、中間層を設けないで、表２における第２の層領域の形成条件でフッ化マグネシウムからなる表面層を形成した。こうして形成した電子写真用感光体を参考例１および比較例１と同様にして評価した。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８９】
以上、参考例１および比較例１、比較例２の結果を表３に示す。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９０】
【表３】
2005301253.tif 000001
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９１】
表３において帯電能、光感度、残留電位、ゴーストの結果は、それぞれ参考例１におけるシリコン含有比率の差が０％での耐久前の値を1.00とした相対評価で示している。
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９７】
なお、本参考例および比較例で使用したフッ化マグネシウムの表面層のダイナミック硬度を測定した結果は9.83kＮ/ｍｍ2(＝1003kgf/ｍｍ2)であり、表面層として十分な硬度を有するものであった。
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９８】
(参考例２および比較例３)
表面層としてフッ化マグネシウムを用い、図13に示した層構成の電子写真用感光体を形成した。図13において、電子写真用感光体20は、導電性の基体11上に下部電荷注入阻止層12、光導電層13、上部電荷注入阻止層12a、中間層25、表面層26を順次形成し、下部電荷注入阻止層12、光導電層13、上部電荷注入阻止層12aより第１の層領域を構成し、表面層15より第２の層領域を構成している。
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２００】
本参考例では中間層は、ターゲットとしてシリコン、マグネシウムを用い、中間層形成初期のマグネシウムターゲットに印加する電力を０Ｗ〜500Ｗの範囲で変更すると同時にＣＨ4流量を変化させることで中間層の光導電層側表面のシリコンと炭素およびマグネシウムの含有比を変化させた。また、中間層形成中はそれぞれのターゲットに印加する電力およびガス流量を調整して表面層側表面で実質的に表面層と同一の組成になるように連続的に変化させた。
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０４】
こうして作成した電子写真用感光体を、参考例１と同様にして評価した。その際、光導電層の主要な構成元素であるＳiとＣの含有比の合計(ＳiとＣの含有比の合計約100％:水素を除く)と中間層の光導電層側表面のＳiとＣの含有比の合計の差が±30％以内のものを参考例２、同含有比の差が30％を超えるものを比較例３として評価した。なお、含有比の測定は参考例１および比較例１の場合と同様の手法で行っている。
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０５】
(比較例４)
上記参考例２とまったく同様にして表４の条件で第一の層領域を形成した後、中間層を設けないで、表５における第２の層領域の形成条件でフッ化マグネシウムからなる表面層を形成した。
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０６】
こうして形成した電子写真用感光体を画像露光用レーザーの発信波長を660nｍ、スポット径を60μｍ×60μｍとし、参考例１および比較例１と同様にして評価した。
【手続補正３２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０７】
以上、参考例２および比較例３、比較例４の結果を表６に示す。
【手続補正３３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０８】
【表６】
2005301253.tif 000002
【手続補正３４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０９】
表６において、各項目の数値は、参考例１における耐久前の値を１とした相対比較で示している。表６の参考例２および比較例３の「Ｓi+Ｃ含有比の差」の項目の括弧内の数値は各電子写真用感光体における中間層の上部電荷注入阻止層側表面のＳiとＣの含有量中のＳiの含有比(Ｓi/Ｓi+Ｃ)を表している。なお、上部電荷注入阻止層のＳiとＣの含有量中のＳiの含有比は67％であり、いずれの電子写真用感光体でも誤差を考えると実質的に同じＳi含有比を有するといえる。
【手続補正３５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１２】
なお、本参考例２および比較例３、４では上部電荷注入阻止層としてa-ＳiＣを用いたため、評価として660nｍの画像露光用レーザーを用いたため、スポット径は60μｍ×60μｍよりも小さく絞り込むことが困難であったため階調性では特に変化は見られなかったが、参考例１および比較例１、２の場合と同様、画像露光用レーザーのスポット径を小さくできれば、比較例３および比較例４の電子写真用感光体では階調性の悪化が現れるものと予想される。
【手続補正３６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１３】
(参考例３および比較例５)
参考例２および比較例３と同様にして、図13に示した層構成の電子写真用感光体の第１の層領域をプラズマＣＶＤ法で作成したのち、表７の条件で中間層および第２の層領域をスパッタリング法で形成した。
【手続補正３７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１４】
本参考例および比較例では、中間層の上部電荷注入阻止層側の表面ではＭgおよびＦを含まず、流量を変える事でＳiとＣの比を変化させた。なお中間層形成中は、中間層の表面層側表面の元素の含有比が実質的に表面層の含有比と一致するようにガス流量およびシリコンターゲット、マグネシウムターゲットに印加する電力を連続的に変化させた。
【手続補正３８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１７】
こうして作成した電子写真用感光体を、参考例１および比較例１と同様にして評価した。その際、光導電層の主要な構成元素であるＳiとＣの含有比(ＳiとＣの含有比の合計は約100％:水素を除く)と中間層の光導電層側表面のＳiとＣの含有比の差が±30％以内のものを参考例３、同含有比の差が±30％を超えるものを比較例５として評価した。なお、含有比の測定は参考例１および比較例１の場合と同様の手法で行っている。
【手続補正３９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１８】
こうして形成した電子写真用感光体を画像露光用レーザーの発信波長を660nｍ、スポット径を60μｍ×60μｍとし、参考例１および比較例１と同様にして評価した。
【手続補正４０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１９】
以上、参考例３および比較例５の結果を表８に示す。
【手続補正４１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２０】
【表８】
2005301253.tif 000003
【手続補正４２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２１】
なお、表８において各項目の値は参考例１における耐久前の値を１とした相対評価で示した。また、表８における帯電能、光感度、残留電位、ゴーストの結果をそれぞれ図14、図15、図16、図17に示した。
【手続補正４３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２４】
なお表８の結果において階調性には差が現れなかったが、参考例２および比較例３、４の場合と同様、画像露光用レーザーのスポット径が小さくできれば、比較例５の電子写真用感光体は階調性の悪化が見られるものと予想される。
【手続補正４４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２５】
以上、参考例２、３および比較例３〜５の結果より、上部電荷注入阻止層が複数の元素より成り立っている場合には、中間層の上部電荷注入阻止層側の表面の元素の含有比は主要な元素の含有比の合計の差が±30％以内とするとともに、各々の元素の含有比が±30％以内となるように調整することで本発明の効果を得られることがわかる。
【手続補正４５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２６】
(参考例４)
図６、図７の装置にマグネシウムにかえてランタンのターゲットを設置し、表面層にフッ化ランタンをとした以外は、参考例１とまったく同様に電子写真用感光体を作成した。
【手続補正４６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３０】
こうして形成した電子写真用感光体およびサンプルを、参考例１と同様にして評価した。
【手続補正４７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３１】
(参考例５)
図６、図７の装置にマグネシウムにかえてバリウムのターゲットを設置し、表面層をフッ化バリウムをとした以外は、参考例１とまったく同様に電子写真用感光体を作成した。
【手続補正４８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３５】
こうして形成した電子写真用感光体およびサンプルを、参考例１と同様にして評価した。
【手続補正４９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３８】
こうして形成した電子写真用感光体とサンプルを参考例１と同様にして評価した。
【手続補正５０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３９】
以上、参考例３から５および比較例６の結果を表12に示す。
【手続補正５１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２４０】
【表１２】
2005301253.tif 000004
【手続補正５２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２４１】
表12中で帯電能、光感度、残留電位、ゴーストはそれぞれ参考例１の耐久前の値を１とした相対評価で示した。参考例１はいずれの項目も良好な結果であったが、比較例１の電子写真用感光体では、画像露光波長405nｍでは表面層の光吸収のため、光感度の測定が不能であり、また、評価可能な画像を得ることができなかった。また、比較例１の電子写真用感光体については、適正な画像が得られなかったため、耐久試験を行わず、耐久前の数値のみ表記している。
【手続補正５３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２４４】
(参考例６)
表面層として窒化珪素を用いた、図１に示した層構成の電子写真用感光体を、下部電荷注入阻止層、光導電層をプラズマＣＶＤ法で形成した後、中間層、表面層をスパッタリング法で形成した。プラズマＣＶＤ法では、図３から図５に示した装置を用い、スパッタリング法では図６、図７に示した装置を用いて、参考例１と同様の手順で形成した。
【手続補正５４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２５１】
こうして形成した電子写真用感光体とサンプルを参考例１と同様にして評価した。なお、画像露光用レーザーの発信波長は405nｍ、スポット径は30μｍ×40μｍとした。
【手続補正５５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２５２】
(参考例７)
図３から図５に示したプラズマＣＶＤ法による堆積膜の形成装置を用いて、表15の条件で、窒化珪素を表面層とする電子写真用感光体を、プラズマＣＶＤ法のみで形成した。
【手続補正５６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２５５】
また、参考例１の場合と同様に、ガラス基板上に表15の条件で表面層のサンプルを形成した。
【手続補正５７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２５６】
こうして形成した電子写真用感光体とサンプルを参考例１と同様にして評価した。
【手続補正５８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２５７】
以上参考例６および参考例７の結果を表16に示す。
【手続補正５９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２５８】
【表１６】
2005301253.tif 000005
【手続補正６０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２５９】
表16中の帯電能、光感度、残留電位、ゴーストはそれぞれ、実施例１における耐久前の値を１とした相対評価で示した。
【手続補正６１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２６０】
表16の結果から、参考例６の電子写真用感光体はいずれの特性においても非常に良好な特性が得られた。一方、参考例７の電子写真用感光体では、プラズマＣＶＤ法で窒化珪素を形成したことによる特性ムラの影響から光感度、残留電位、ゴースト、階調性の各項目で若干の特性の悪化が見られた。しかしながらいずれも本参考例の評価条件では、画像で明確な差異が現れない範囲であった。
【手続補正６２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２６１】
なお、ダイナミック硬度の値はサンプル内では参考例６、参考例７とも良好な値が得られ、両者の差はばらつきの範囲内と判断できるものであった。
【手続補正６３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２６４】
(参考例８)
表面層として、フッ化マグネシウムを用いた図１に示した層構成の電子写真用感光体を、下部電荷注入阻止層、光導電層をプラズマＣＶＤ法で形成した後、中間層、表面層をスパッタリング法で形成した。プラズマＣＶＤ法では、図３から図５に示した装置を用い、スパッタリング法では図６、図７に示した装置を用いて、参考例１と同様の手順で電子写真用感光体を形成した。
【手続補正６４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２６９】
なお中間層、表面層の形成において、Ａrはスパッタガス供給管5105から供給し、他のガスは反応性ガス供給ノズル5103から供給した。また、参考例１の場合と同様に、ガラス基板上に表18の条件で表面層のサンプルを形成した。
【手続補正６５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２７０】
(実施例１)
表面層として、フッ化マグネシウムを用いた図１に示した層構成の電子写真用感光体を、下部電荷注入阻止層、光導電層をプラズマＣＶＤ法で形成した後、中間層、表面層をスパッタリング法で形成した。プラズマＣＶＤ法では、図３から図５に示した装置を用い、スパッタリング法では図６、図７に示した装置を用いて、参考例１と同様の手順で形成した。
【手続補正６６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２７５】
なお中間層、表面層の形成において、Ａrはスパッタガス供給管5105から供給し、他のガスは反応性ガス供給ノズル5103から供給している。また、参考例１の場合と同様に、ガラス基板上に表20の条件で表面層のサンプルを形成した。
【手続補正６７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２７６】
以上、参考例８と実施例１において、画像露光用レーザーの発信波長は405nｍ、スポット径は23μｍ×32μｍ(主走査スポット径×副走査スポット径)とした。
【手続補正６８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２７７】
以上、参考例８と実施例１の結果を表21に示す。
【手続補正６９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２７８】
【表２１】
2005301253.tif 000006
【手続補正７０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２７９】
表21中の帯電能、光感度、残留電位、ゴーストはそれぞれ、参考例１における耐久前の値を１とした相対評価で示した。
【手続補正７１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２８０】
表21から明らかなように、参考例８と実施例１の電子写真用感光体はいずれの項目も良好な結果が得られた。