Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月13日(2008.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実質的に平らであるボールマーカーを収納するアクセサリー装置が、前記ボールマーカーの位置に対して前記装置に形成されかつ前記装置の境界を形成する端面を有しかつ斜めになった底の縁を有する凹みと、前記装置に形成されるボールマーカー保持手段とを有し、前記ボールマーカーは、底の縁を斜めにした前記凹みに対して前記ボールマーカーの縁を回転することにより前記凹みから取り外すことができるようにした、
アクセサリー装置。
【請求項２】
使用者によって、前記ボールマーカーが前記装置から転がり出せることができる、請求項１記載のアクセサリー装置。
【請求項３】
前記保持手段が、磁石を含む、請求項１記載のアクセサリー装置。
【請求項４】
突起が、ゴルフクラブグリップの中に前記装置の端面に固定するために形成される、請求項１記載のアクセサリー装置。
【請求項５】
１つ以上の突起が、ゴルフクラブグリップの中に置かれたときに、前記装置が回転するのを防ぐ、請求項１記載のアクセサリー装置。
【請求項６】
ピッチ修復部が設けられる、請求項１記載のアクセサリー装置。
【請求項７】
１つ以上の変形可能な脚を含む、請求項６記載のアクセサリー装置。
【請求項８】
ゴルフクラブグリップが、ボールマーカーとして使われる物品を受け取る凹みと、前記凹みに前記物品を保持する為に設けられる保持手段を有し、前記物品は少なくとも実質的に平面の一つに設けられ、前記平面は、前記ゴルフクラブグリップの内側の凹みで前記物品がかみ合う際、前記ゴルフクラブグリップの長手方向の軸に実質的に平行に設けられるゴルフクラブグリップ。
【請求項９】
前記保持手段が磁石を含む、請求項８記載のゴルフクラブグリップ。
【請求項１０】
前記平面が前記ゴルフクラブグリップの頭部でかみ合う請求項８記載のゴルフクラブグリップ。
【請求項１１】
前記平面が、前記物品が前記凹みに設けられる際、実質的に外から見えない請求項８記載のゴルフクラブグリップ。
【請求項１２】
前記保持手段が、前記物品を受けるアクセサリー装置の一部として形成する請求項８記載のゴルフクラブグリップ。
【請求項１３】
前記アクセサリー装置が、ピッチ修復部を有する請求項１２記載のゴルフクラブグリップ。
【請求項１４】
前記ピッチ修復部が、一つ以上の変形可能な脚を有する請求項１３記載のゴルフクラブグリップ。
【請求項１５】
前記ピッチ修復部が、前記ゴルフクラブグリップ、及び/又は、ゴルフクラブのシャフトの内側部分にかみ合う請求項１３記載のゴルフクラブグリップ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月11日(2008.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内面及び外面を有する管状部材を備える植え込み式ステントであって、
前記表面の少なくとも一方が疎水性であり、
前記少なくとも１つの表面の領域が、前記表面の第１部分を覆うミクロ構造又はナノ構造のアレイを含み、前記アレイによって、該領域が動的に制御可能な疎水性を有することを特徴とするステント。
【請求項２】
請求項１に記載の植え込み式ステントにおいて、前記疎水性を変化させるために、前記管状部材に取り付けた制御器具をさらに含むステント。
【請求項３】
請求項２に記載の植え込み式ステントにおいて、前記制御器具が外部の源から遠隔始動可能であるステント。
【請求項４】
請求項１に記載の植え込み式ステントにおいて、前記アレイが、前記表面の第２部分を露出したままにし、前記露出している第２部分の少なくとも１つに付着した化学的活性物質をさらに含むステント。
【請求項５】
請求項４に記載の植え込み式ステントにおいて、前記物質が薬物または薬剤を備えるステント。
【請求項６】
請求項５に記載の植え込み式ステントにおいて、前記管状部材に取り付けた制御器具をさらに含み、前記器具が、前記少なくとも１つの第２部分から前記薬物または薬剤を放出することができるステント。
【請求項７】
請求項６に記載の植え込み式ステントにおいて、  
ミクロ構造またはナノ構造の前記アレイと接触した流体から電気的に絶縁されるように構成される導電性基板をさらに含み、
前記アレイの隙間への前記流体の浸透を変化させ、それによって前記薬物または薬剤を前記流体に放出させるように、前記制御器具が、前記アレイと前記基板との間に電圧を加えることができるステント。
【請求項８】
請求項１に記載の植え込み式ステントにおいて、
前記アレイが、前記表面の第２部分を露出したままにし、
前記アレイを電気的に絶縁して、別個の空間的ゾーンにする手段をさらに含み、
前記ゾーンの少なくとも２つが、その露出した第２部分に付着した化学的活性物質を含み、
前記制御器具が、様々な時に別個のゾーンの前記物質を放出させることができるステント。
【請求項９】
請求項１に記載のステントにおいて、前記ステントの形状を体内で変化させる手段をさらに含むステント。
【請求項１０】
請求項１に記載の植え込み式ステントにおいて、該少なくとも１つの表面は、該流体の液滴と該少なくとも１つの表面との間の接触角が９０°よりも大きくなるという点で、該流体に対して疎水性を示すステント。
【請求項１１】
請求項１０に記載の植え込み式ステントにおいて、
該管状部材は、導電性基板を備え、
該少なくとも１つの表面の該領域は、該領域が第１の状態と第２の状態との間で動的に制御可能な疎水性を有するようにする柱状のミクロ構造又はナノ構造のアレイを備え、第１の状態においては、該流体は、該ミクロ構造又は該ナノ構造の頂部に留まっており、第２の状態においては、該流体は、該ミクロ構造又はナノ構造の隙間に浸透しており、
薬剤は、該ミクロ構造又はナノ構造の該隙間内に位置する該表面の露出した第２の部分に付着しており、
該流体と該基板との間に電圧を印加して該疎水性を変化させ、それによって該第２の状態において該流体に該薬剤を放出するために、該制御器具は、該管状部材に取り付けられており、該制御器具は、外部の源から作動させることが可能であるステント。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月22日(2007.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
細菌培養においてアルギニンを産生させる方法であって、前記方法が以下の工程：
a）  以下の（i）および（ii）：
（i）アルギニン生合成を増加させるための、Escherichia coliのargR遺伝子中にカナバニン-耐性を付与する変異を含む第一の操作であって、他の点では前記細菌の野生型系統である第二の細菌において行われる場合、それ自体カナバニン（canavanine）耐性の表現系と関連しそしてアルギニン栄養要求株の栄養共生的増殖の上昇をサポートする能力と関連するものとして規定される、前記第一の操作；そして
（ii）Escherichia coliのargP遺伝子におけるカナバニン-耐性を付与する変異を含む第二の遺伝子操作；
の少なくとも2種類の遺伝子操作を受けた第一の細菌系統を増殖させる工程、そして
b）ついで、既知の方法により、前記第一の細菌系統の培養液から、アルギニンを回収する工程、
を含む、前記方法。
【請求項２】
Escherichia coliのargP遺伝子中の変異が、Escherichia coliのargP遺伝子のコドン位置94、108、144、217、294、295または68番目のいずれかにおいて変異を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
Escherichia coliのargP遺伝子中の変異が、Escherichia coli argP遺伝子のコドン位置94番目におけるロイシンをコードするコドンへの変異を含む、請求項1または2に記載の方法。
【請求項４】
Escherichia coliのargPにおける変異が、プラスミド中に存在する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
【請求項５】
プラスミドが、アクセッション番号MTCC 5128を有する細菌から入手可能なpHYD953である、請求項4に記載の方法。
【請求項６】
第一の細菌系統および第二の細菌系統が、Escherichia coliの誘導系統である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
【請求項７】
他の点では前記細菌の野生型系統である第二の細菌において行われる場合、それ自体カナバニン（canavanine）耐性の表現系と関連しそしてアルギニン栄養要求株の栄養共生的増殖の上昇をサポートする能力と関連するものとして規定される、Escherichia coliのargR遺伝子中にカナバニン-耐性を付与する変異を含む、アルギニン生合成を増加させるための遺伝子操作をされた細菌系統。
【請求項８】
Escherichia coliのargP遺伝子におけるカナバニン-耐性を付与する変異を含む、アルギニン生合成を増加させるための遺伝子操作をされた細菌系統。
【請求項９】
Escherichia coliのargP遺伝子中の変異が、Escherichia coliのargP遺伝子のコドン位置94、108、144、217、294、295または68番目のいずれかにおいて変異を含む、請求項8に記載の遺伝子操作をされた細菌系統。
【請求項１０】
Escherichia coliのargP遺伝子中の変異が、Escherichia coli argP遺伝子のコドン位置94番目におけるロイシンをコードするコドンへの変異を含む、請求項8に記載の遺伝子操作をされた細菌系統。
【請求項１１】
アクセッション番号MTCC 5128を有する細菌から入手可能である、プラスミドpHYD953。
【請求項１２】
アクセッション番号MTCC 5128を有する細菌。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月31日(2008.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２１】
クレーム１７乃至２０のいずれか１項に記載の制御方法をコンピュータに実行させる制御プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２２】
クレーム１７乃至２０のいずれか１項に記載の制御方法をコンピュータに実行させる制御プログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月2日(2008.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
さらに、前記主電極層の上にＴｉＮ（窒化チタン）またはＴｉＯｘＮｙ（ただし０＜ｘ＜０．２，ｘ＋ｙ＝１）からなる保護層が積層されていると前記主電極層の結晶構造が安定化し、エレクトロマイグレーションやストレスマイグレーションに対する耐性を向上させることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
本実施の形態では、くし歯状電極部１３は下地層２１と、下地層の上面に接して積層された主電極層２２と、主電極層２２の上に積層された保護層２３からなる積層構造を有している。同様に、くし歯状電極部１４も、下地層２５と、下地層２５の上面に接して積層された主電極層２６と、主電極層２６の上に積層された保護層２７からなる積層構造を有している。保護層２３及び保護層２７はＴｉＮ（窒化チタン）またはＴｉＯｘＮｙ（ただし０＜ｘ＜０．２，ｘ＋ｙ＝１）によって形成されている。下地層２１、２５は例えばＴｉＮ（窒化チタン）、ＴｉＯｘＮｙ（ただし０＜ｘ＜０．２，ｘ＋ｙ＝１）、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｃｏ、Ｏｓのいずれか１種または２種以上によって形成される。これらの材料の結晶の最近接原子間距離は２．４０Å〜３．３０Åの範囲にある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
さらに、主電極層２２、２６（またはＡｌ層）の上にＴｉＮ（窒化チタン）またはＴｉＯｘＮｙ（ただし０＜ｘ＜０．２，ｘ＋ｙ＝１）からなる保護層２３、２７が積層されているので、主電極層２２、２６の結晶構造が安定化し、エレクトロマイグレーションやストレスマイグレーションに対する耐性を向上させることができる。ただし、保護層２３、２７は形成されなくともよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
Ｙカット角４６°のＬｉＴａＯ3からなる圧電性基板の上にＡｌＳｃＣｕ合金からなるＡｌ合金層（主電極層）を下地層を介してスパッタ法を用いて成膜した。下地層をＴｉＮによって形成した弾性表面波素子のくし歯状電極部をＬｉＴａＯ3基板のＸ軸に直交する断面から観察した拡大写真を実施例１として図５に示す。図６は図５に示した写真を模式図的に示したくし歯状電極部の部分側面図である。下地層をＴｉによって形成した弾性表面波素子のくし歯状電極部の拡大写真を比較例１として図７に、下地層をＭｏによって形成した弾性表面波素子の歯状電極部の拡大写真を比較例２として図８に示す。図９、図１０はそれぞれ図７、図８に示した写真を模式図的に示したくし歯状電極部の部分側面図である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
次に、Ｙカット角４８°のＬｉＴａＯ3からなる圧電性基板の上にＣｕＡｇ合金からなる主電極層を下地層を介してスパッタ法を用いて成膜した。下地層をＴｉＮによって形成した弾性表面波素子のくし歯状電極部をＬｉＴａＯ3基板のＸ軸に直交する断面から観察した拡大写真を実施例として図１１に示す。図１２は図１１に示した写真を模式図的に示したくし歯状電極部の部分側面図である。主電極層をＣｕＡｇ合金、下地層をＴｉによって形成した弾性表面波素子のくし歯状電極部の拡大写真を比較例３として図１３に、下地層をＣｒによって形成した弾性表面波素子のくし歯状電極部の拡大写真を比較例４として図１４に、下地層をＴａによって形成した弾性表面波素子のくし歯状電極部の拡大写真を比較例５として図１５に、下地層をＴａＮによって形成した弾性表面波素子のくし歯状電極部の拡大写真を比較例６として図１６に、下地層をＴｉ／Ｔａ積層膜によって形成した弾性表面波素子のくし歯状電極部の拡大写真を比較例７として図１７に示す。図１８ないし図２２はそれぞれ図１３ないし図１７に示した写真を模式図的に示したくし歯状電極部の部分側面図である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
一方、比較例３ないし７の弾性表面波素子のくし歯状電極部の下地層及び主電極層は｛１１１｝方位の配向が実施例のものに比べて弱い。表２に実施例、比較例３ないし７の主電極層のＸ線回折による｛１１１｝面のピーク強度を示す。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
実施例の電極パタンは下地層をＴｉＮ（膜厚１０nm）で形成した。比較例の電極パタンは下地層をTi（膜厚１０nm；比較例１）、Mo（膜厚１０nm；比較例２）で形成した。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
くし歯状電極部のくし歯部の幅寸法W  ：  ０．５μm
くし歯状電極部のくし歯部の間隔幅P  ：  ０．５μm
くし歯状電極部のくし歯部の長さ寸法L  ：  ３３μmもしくは５０μm
くし歯状電極部のAl合金層の膜厚  ：  １２０nm
なお弾性表面波素子に対する入力周波数ｆ0はｆ0＝（共振周波数ｆｒ＋反共振周波数far）／２である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１１】
くし歯状電極部のくし歯部の幅寸法W  ：  ０．５μm
くし歯状電極部のくし歯部の間隔幅P  ：  ０．５μm
くし歯状電極部のくし歯部の長さ寸法L  ：  ３３μmもしくは５０μm
くし歯状電極部のAl合金層の膜厚  ：  １２０nm
なお弾性表面波素子に対する入力周波数ｆ0はｆ0＝（共振周波数ｆｒ＋反共振周波数far）／２である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２３】
図７３、図７４、図７５はYカット角をかえたLiTaO3からなる圧電性基板の上にＣｕＡｇ合金からなる主電極層（膜厚を８０nm）を下地層TiN（膜厚５nm）を介してスパッタ法を用いて成膜し、さらにその上に保護膜Ｃｒ（膜厚５nm）を積層して弾性表面波素子を形成した共振器のそれぞれ反射係数Ｓ11と帯域幅ΔｆとＲｍを示すグラフである。ここでＲｍ＝Ｒｓ−Ｒｅ（Ｒｓ；くし歯状電極部と接続電極部の５００Ｈｚにおける電気抵抗、Ｒｅ；共振周波数ｆｒにおけるくし歯状電極部の電気抵抗と機械振動損失の和）である。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３１】
【表３】
2005253034.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月4日(2008.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技に伴う演出音を発するスピーカと、
遊技機筐体に備えられた前面扉と、
前記スピーカを設置する、前記前面扉に設けられたスピーカ設置部と、
前記スピーカを背面側から覆い、前記前面扉の背面側に設けられた密閉型のスピーカボックスからなるスピーカ収納部と、
前記スピーカを遊技機前面側から覆い、先端部が略Ｌ字状に折れ曲がった曲がり部を備えた弾性係合部を有する、前記前面扉に設けられたスピーカカバーと、を備え、
前記前面扉には前記係合部を係合する係合孔が形成され、前記スピーカカバーは前記係合孔に前記係合部が弾性を利用して係合することによって前記前面扉に取り付けられるように構成され、
前記スピーカ収納部は、前記係合部が係合したときに係合の解除を上方から規制する第１の規制部を一体に備え、
前記前面扉内部に、前記係合部が係合したときに係合の解除を下方から規制する第２の規制部を備え、
前記第１の規制部及び前記第２の規制部は、前記係合部が係合したときに、前記係合部の上面及び下面に当接し、前記係合部を上下方向から挟持し、
前記第２の規制部の遊技機背面側の先端部は、前記係合部が係合したときに、前記曲がり部の遊技機前面側部と当接する
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するために、請求項１に係る発明による遊技機は、例えば図２に示すように、遊技に伴う演出音を発するスピーカ４０Ｒと、遊技機筐体としてのキャビネット２に備えられた前面扉２ｂと、スピーカ４０Ｒを設置する、前面扉２ｂに設けられたスピーカ設置部７０と、スピーカ４０Ｒを背面側から覆い、前面扉２ｂの背面側に設けられた密閉型のスピーカボックスからなるスピーカ収納部５０と、スピーカ４０Ｒを遊技機前面側から覆い、先端部が略Ｌ字状に折れ曲がった曲がり部を備えた弾性係合部３４，３５を有する、前面扉２ｂに設けられたスピーカカバー３０Ｒと、を備え、前面扉２ｂには係合部３４，３５を係合する係合孔７４、７５が形成され、スピーカカバー３０Ｒは係合孔７４、７５に係合部３４、３５が弾性を利用して係合することによって前面扉２ｂに取り付けられるように構成され、スピーカ収納部５０は、係合部３４，３５が係合したときに係合の解除を上方から規制する規制突起５６，５７を一体に備え、前面扉２ｂの内部に、係合部３４，３５が係合したときに係合の解除を下方から規制するフック７４ａ，７５ａを備え、規制突起５６，５７及びフック７４ａ，７５ａは、係合部３４，３５が係合したときに、係合部３４，３５の上面及び下面に当接し、係合部３４，３５を上下方向から挟持し、フック７４ａ，７４ｂの遊技機背面側の先端部は、係合部３４，３５が係合したときに、曲がり部の遊技機前面側部と当接することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
このように構成すると、第１の規制部及び第２の規制部によって係合部が上下から当接されて挟持され、かつ係合部の曲がり部の遊技機前面側が第２の規制部の先端と当接されるため、スピーカを遊技機前面側から覆うスピーカカバーを遊技機前面側に取り外すことを規制することができ、不正行為を防止することのできる遊技機を提供することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月15日(2008.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】視覚的に有意なバーコード・システム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メッセージ及び基礎画像を受け取るように構成された符号化モジュールであって、
前記基礎画像を複数の画像領域に分け、
符号化すべき画像領域を、符号化すべき前記画像領域における画素値に基づいて、複数のグループに分割し、かつ、
前記分割された画像領域を、各々が画像領域のそれぞれの対応するグループを符号化する２次元コードパターンのセットで符号化して視覚的に有意なバーコード内の前記メッセージを図形的に符号化すること、
によって、前記メッセージの図形的な符号化で前記基礎画像を変化させて、前記視覚的に有意なバーコード内に符号化された前記メッセージを有する前記視覚的に有意なバーコードを作成するように構成された符号化モジュール、
を備えることを特徴とする視覚的に有意なバーコード・システム。    
【請求項２】
前記符号化モジュールに結合され、前記視覚的に有意なバーコードを受け取り、それに基づいて、前記視覚的に有意なバーコードのハードコピーを描画する印刷エンジンを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の視覚的に有意なバーコード・システム。
【請求項３】
前記印刷エンジンが、ハーフトーン・アルゴリズムを利用して前記視覚的に有意なバーコードのハードコピーを描画することを特徴とする請求項２に記載の視覚的に有意なバーコード・システム。
【請求項４】
前記視覚的に有意なバーコードの獲得バージョンを受け取り、それに基づいて、符号化されたメッセージを回復する復号化モジュールを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の視覚的に有意なバーコード・システム。
【請求項５】
前記復号化モジュールに結合され、視覚的に有意なバーコードを有するハードコピーを受け取り、それに基づいて、前記視覚的に有意なバーコードの獲得バージョンを生成する獲得エンジンを更に含むことを特徴とする請求項４に記載の視覚的に有意なバーコード・システム。
【請求項６】
前記復号化モジュールは、獲得された視覚的に有意なバーコードを複数の副画像に分割し、かつ、副画像を、前記メッセージを符号化するのに用いたコードパターンに対して比較することによって、獲得された視覚的に有意なバーコード内に符号化されたメッセージを回復するように構成されていることを特徴とする請求項４に記載の視覚的に有意なバーコード・システム。
【請求項７】
前記符号化モジュール及び前記復号化モジュールが、媒体上により具現化されることを特徴とする請求項４に記載の視覚的に有意なバーコード・システム。
【請求項８】
前記媒体が、オフィス機械にメモリの形で組み込まれることを特徴とする請求項７に記載の視覚的に有意なバーコード・システム。
【請求項９】
前記オフィス機械は、パーソナル・コンピュータ、一体型装置、プリンタ、及びスキャナのうちの１つであることを特徴とする請求項８に記載の視覚的に有意なバーコード・システム。
【請求項１０】
前記媒体が、コンピュータ読取可能媒体であることを特徴とする請求項７に記載の視覚的に有意なバーコード・システム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、一般に、バーコードに関し、より具体的には、視覚的に有意なバーコード・システムに関する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月22日(2008.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 材料の特定領域の表面特性を変化させる工程と、データ・トラック（２０２）上において一貫したパターンを成すように前記変化部を配置する工程とを含むことを特徴とする識別マーク付け方法。
【請求項２】 前記一貫したパターンが参照トラック（２０４）を更に含み、かつ前記参照トラック（２０４）が前記データ・トラック（２０２）の前記一貫したパターンの検出を助けるための校正を可能にする請求項１記載の方法。
【請求項３】 前記一貫したパターンがエラー検出コードの追加を更に含む請求項１記載の方法。
【請求項４】 前記変化させる工程が、前記材料の表面にレーザ衝撃ピーニングを施すことから成る請求項１記載の方法。
【請求項５】 前記変化させる工程が、前記材料の表面にイオン注入を施すことから成る請求項１記載の方法。
【請求項６】 前記イオン注入が、前記材料の表面に磁性イオンを添加することから成る請求項６記載の方法。
【請求項７】 材料の表面変化の一貫したパターンを検出する工程と、検出された前記パターンを解釈する工程とを含むことを特徴とする識別マークの読取り方法。
【請求項８】 前記解釈する工程が、機械で読取り可能な出力及び人間が読取り可能な出力の一方又は両方を与えることを含む請求項７記載の方法。
【請求項９】 前記検出する工程が、前記一貫したパターンの位置決定を助けるためのテンプレートを作成することを更に含む請求項７記載の方法。
【請求項１０】 前記検出する工程が、表面変化の一貫したパターンの境界を求めて前記材料の表面を走査し、前記境界内の前記一貫したパターンの位置を決定し、そして前記境界から走査を行って前記一貫したパターンを求めることから成る請求項７記載の方法。
【請求項１１】 前記表面変化が前記表面にレーザ衝撃ピーニングを施すことから成り、かつ前記検出する工程が前記材料の表面変化の一貫したパターンから反射された超音波を測定することから成る請求項７記載の方法。
【請求項１２】 前記表面変化が前記表面中にドーピングイオンを注入することから成り、かつ前記検出する工程が前記材料の表面変化の一貫したパターンの抵抗率を測定することから成る請求項７記載の方法。
【請求項１３】 前記表面変化が前記表面中に鉄イオンを注入することから成り、かつ前記検出工程が磁力計を用いて前記材料の表面変化の一貫したパターンを測定することから成る請求項７記載の方法。
【請求項１４】 前記表面変化が前記表面を偏極させることから成り、かつ前記検出工程が前記材料の表面変化の一貫したパターンからの反射光を測定することから成る請求項７記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月6日(2007.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ユーザによる視聴の対象となる情報単位、および、該情報単位の再生時間に関する再生時間情報と該情報単位の記録位置に関する記録位置情報とを含む管理情報が記録された記録媒体から、前記情報単位および前記管理情報を読み出す再生部と、
前記情報単位の所望の再生時間を入力する操作部と、
再生部が読み出した前記記録位置情報に基づいて、前記情報単位の記録媒体上の記録位置を検索し、再生部を制御して前記記録位置から前記情報単位を再生する制御部と
を備えた再生装置であって、
操作部から入力された前記所望の再生時間から前記情報単位を再生する場合に、制御部は、前記再生時間情報および前記記録位置情報に基づいて、前記再生時間およびデータ量が比例関係にある推定直線を求め、前記推定直線に基づいて前記所望の再生時間に対応する推定記録位置を検索して、該推定記録位置における前記情報単位の実際の再生時間と、前記所望の再生時間との誤差を計算し、前記誤差が所定の範囲内にある場合には該推定記録位置を前記所望の再生時間に対応する前記情報単位の記録媒体上の記録位置として特定する、再生装置。
【請求項２】  前記推定直線の傾きは、前記情報単位の再生時間とデータ量との比である、請求項１に記載の再生装置。
【請求項３】  前記誤差が所定の範囲内にない場合には、制御部は、少なくとも前記推定記録位置および前記推定記録位置に対応する前記情報単位の再生時間に基づいて次の推定直線を求め、該推定直線に基づいて前記所望の再生時間に対応する次の推定記録位置を検索して、該次の推定記録位置における前記情報単位の実際の再生時間と、前記所望の再生時間との誤差を計算し、前記所定の範囲内に入るまで繰り返し検索する、請求項１に記載の再生装置。
【請求項４】  前記次の推定直線の傾きは、最も最近得られた２つの前記推定記録位置における、前記情報単位の実際の再生時間の差とデータ量の差との比である、請求項３に記載の再生装置。
【請求項５】  ユーザによる視聴の対象となる情報単位、および、該情報単位の再生時間に関する再生時間情報と該情報単位の記録位置に関する記録位置情報とを含む管理情報が記録された記録媒体から、前記情報単位および前記管理情報を読み出すステップと、
前記情報単位の所望の再生時間を入力するステップと、
読み出した前記記録位置情報に基づいて、前記情報単位の記録媒体上の記録位置を検索し、前記記録位置からの前記情報単位の再生を制御するステップであって、入力された前記所望の再生時間から前記情報単位を再生する場合に、
前記再生時間情報および前記記録位置情報に基づいて、前記再生時間およびデータ量が比例関係にある推定直線を求めるステップと、
前記推定直線に基づいて前記所望の再生時間に対応する推定記録位置を検索するステップと、
該推定記録位置における前記情報単位の実際の再生時間と、前記所望の再生時間との誤差を計算するステップと、
前記誤差が所定の範囲内にある場合には該推定記録位置を前記所望の再生時間に対応する前記情報単位の記録媒体上の記録位置として特定するステップと
を含む再生方法。
【請求項６】  推定直線を求める前記ステップは、前記情報単位の再生時間とデータ量との比を計算して、前記推定直線の傾きを求めるステップを含む、請求項５に記載の再生方法。
【請求項７】  前記誤差が所定の範囲内にない場合には、
（ａ）少なくとも前記推定記録位置および前記推定記録位置に対応する前記情報単位の再生時間に基づいて次の推定直線を求めるステップと、
（ｂ）該推定直線に基づいて前記所望の再生時間に対応する次の推定記録位置を検索するステップと、
（ｃ）該次の推定記録位置における前記情報単位の実際の再生時間と、前記所望の再生時間との誤差を計算するステップと、
前記所定の範囲内に入るまで、（ａ）〜（ｃ）のステップを繰り返すステップと
を含む、請求項５に記載の再生方法。
【請求項８】  次の推定直線を求める前記ステップは、最も最近得られた２つの前記推定記録位置における、前記情報単位の実際の再生時間の差とデータ量の差との比を計算して、前記次の推定直線の傾きを求めるステップを含む、請求項７に記載の再生方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月17日(2008.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 １つ以上の状態センサーの出力が与えられるプロセッサであって、前記１つ以上の状態センサーの出力を診断メッセージへ変換して、当該プロセッサの出力に前記診断メッセージを供給するように構成されたプロセッサと、
前記プロセッサの出力が与えられる送信器であって、無線周波数バンドで前記診断メッセージを転送するように構成された送信器と、
を備えるテレメータ。
【請求項２】 診断メッセージを格納するメモリをさらに備えている請求項１のテレメータ。
【請求項３】 前記プロセッサに結合された受信器であって、無線周波数バンドで送信された診断メッセージを受信で送信するように構成された受信器をさらに備えている請求項１のテレメータ。
【請求項４】 前記受信器は、無線周波数バンドで地上ステーションから送信されたコマンドを受信するようにさらに構成されている、請求項３のテレメータ。
【請求項５】 前記プロセッサは診断メッセージ・プロセッサを含み、この診断メッセージ・プロセッサは、
前記センサーの出力からデジタル・データを受信するように構成されていて、前記デジタル・データを１つ以上の診断メッセージに変換して、該診断メッセージをアセンブラ出力に与えるメッセージ・アセンブラと、
前記アセンブラ出力から及び前記受信器からの診断メッセージを受信して格納するメモリと、
前記診断メッセージを指定のあて先に向け、前記指定のあて先がホストプラットフォームでないとき前記診断メッセージを前記送信器に供給するルータと、
を備えている、請求項１のテレメータ。
【請求項６】 移動資産に搭載されているテレメータであって、前記資産の１つ以上の状態センサーの出力が与えられる入力部と、前記資産の検知された性能に関連する情報を含む診断メッセージを供給する出力部と、当該テレメータの記出力部に結合された入力部を持ち、ＩＳＭ周波数バンドで前記診断メッセージを送信する送信器とを含んでいるテレメータと、
前記送信されたメッセージを受信する受信器と、前記送信されたメッセージを処理するプロセッサと、前記情報を利用するように構成された装置に前記資産の性能に関連する情報を供給する出力部とを含んでいる遠隔ステーションと、
を備えているテレメトリ・システム。
【請求項７】 注目の地理的領域をカバーするように構成された複数の前記遠隔ステーションを含む、請求項６のテレメトリ・システム。
【請求項８】 前記情報を利用するように構成された前記装置は表示装置である、請求項６のテレメトリ・システム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月6日(2008.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  有機発光素子（１００）であって、
第一の導体（１１０）と、
第一の導体上に位置し、固有波長の光を放つ有機発光層（１２０）と、
有機発光層上に位置する第二の導体（１１５）と、
上記導体の少なくとも一方の上の透明又は実質的に透明なポリマー基板（１０５）とを含んでいて、上記ポリマー基板が所望の動作期間にわたり酸素及び／又は水による損傷から有機発光層（１２０）を保護するのに有効な量でゲッタ物質の分散粒子（１０７）を含んでおり、該ゲッタ物質がポリマー基板（１０５）の透明性又は実質的透明性を維持すべく有機発光層の発する光の固有波長よりも小さい粒度を有する、有機発光素子。
【請求項２】  前記ゲッタ粒子（１０７）が２００ナノメートル未満の粒径を有する、請求項１記載の素子。
【請求項３】  前記ゲッタ粒子（１０７）が、ポリマー基板（１０５）に侵入した酸素及び水分子の吸収に有効な物質からなる、請求項２記載の素子。
【請求項４】  前記ポリマー基板（１０５）が熱可塑性材料からなる、請求項１記載の素子。
【請求項５】  前記導体（１１０，１１５）の両方の上に透明又は実質的に透明なポリマー基板（１０５）を含む、請求項１記載の素子。
【請求項６】  前記透明又は実質的に透明なポリマー基板（１０５）が前記導体の一方（１１０）の上に設けられており、他方の導体（１１５）の上に透明でも実質的に透明でもない第二のポリマー基板（１０５Ｂ）でゲッタ粒子（１０７）を含有する第二のポリマー基板（１０５ｂ）が設けられている、請求項１記載の素子。
【請求項７】  前記透明又は実質的に透明なポリマー基板（１０５）の上に遮蔽層（１３０）をさらに含む、請求項１記載の素子。
【請求項８】  ゲッタ粒子（１０７）を含む透明又は実質的に透明な第二のポリマー基板（１０５）を含んでいて、透明又は実質的に透明な第二のポリマー基板（１０５）の上に遮蔽層（１３０）をさらに含んでいる、請求項７記載の素子。
【請求項９】  前記遮蔽層（１３０）がＳｉＯ２  又はＳｉ３Ｎ４からなる、請求項７又は請求項８記載の素子。
【請求項１０】  有機発光層（１２０）を有し、水及び／又は酸素に敏感な素子（１００）を保護する方法であって、当該方法が、素子（１００）の少なくとも一方の面に、透明又は実質的に透明なポリマーと該透明ポリマー中に分散したゲッタ粒子（１０７）とからなるポリマー基板層（１０５）を積層してシールを形成することを含んでおり、ゲッタ粒子（１０７）が所望の動作期間にわたり酸素及び／又は水による損傷から素子を保護するのに有効な量で存在し、かつゲッタ粒子（１０７）が有機発光層（１２０）の発する光の固有波長よりも小さい粒度を有することを特徴とする、方法。
【請求項１１】  前記素子（１００）が２つの導体（１１０，１１５）の間に配設された有機発光層（１２０）を有しており、当該方法が、上記２つの導体（１１０，１１５）の両方の上に、ゲッタ粒子（１０７）を含む透明又は実質的に透明なポリマー基板層（１０５）を積層する工程を含む、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】  前記素子（１００）が２つの導体（１１０，１１５）の間に配設された有機発光層（１２０）を有しており、当該方法が、上記２つの導体の一方（１１０）にゲッタ粒子（１０７）を含む透明又は実質的に透明なポリマー基板層（１０５）を積層し、他方の導体（１１５）に、ゲッタ粒子（１０７）を含む透明でも実質的に透明でもないポリマー基板層（１０５Ｂ）を積層することを含む、請求項１０記載の方法。
【請求項１３】  前記透明又は実質的に透明なポリマー基板層（１０５）に遮蔽層（１３０）を積層する工程をさらに含む、請求項１０記載の方法。
【請求項１４】  前記遮蔽層が蒸着によって積層される、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】  透明又は実質的に透明な第二のポリマー基板（１０５Ｂ）を積層するとともに、第二のポリマー基板（１０５Ｂ）に遮蔽層（１３０）を積層する工程をさらに含む、請求項１０記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月10日(2007.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ａ）基板支持体と、
ｂ）該基板支持体に接し、１以上のテーパ状凹部を有する第１の端部リングと、
ｃ）前記基板支持体の端部に近接し、１以上の整合テーパピンを有し、前記第１の端部リングの１以上のテーパ状凹部と係合する第２の端部リングと、
を備えていることを特徴とする装置。
【請求項２】  前記第１の端部リングは、前記第２の端部リングの前記１以上のテーパピンと係合するように配置された１以上の溝を有する請求項１に記載の装置。
【請求項３】  前記第１の端部リングはパージリングである請求項１に記載の装置。
【請求項４】  前記第２の端部リングはシャドーリングである請求項１に記載の装置。
【請求項５】  前記第１の端部リングは、１つのテーパ状凹部と、１つの正反対に配置されたテーパ溝とを有し、前記第２の端部リングは、前記凹部及び前記溝と係合するように正反対に配置された２つのテーパピンを有する請求項１に記載の装置。
【請求項６】  パージガス導管が前記パージリングに近接して形成されている請求項３に記載の装置。
【請求項７】  ａ）チャンバーと、
ｂ）該チャンバーに配置された基板支持体と、
ｃ）該基板支持体に接し、１以上のテーパ状凹部を有する第１の端部リングと、
ｄ）前記基板支持体の端部に近接し、１以上の整合テーパピンを有し、前記第１の端部リングの前記１以上のテーパ状凹部と係合する第２の端部リングと、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】  ｅ）チャンバーの内面に配置され、１以上の凹部を有し、前記第２の端部リングとの係合を維持するチャンバー本体リングをさらに備えている請求項７に記載の装置。
【請求項９】  前記第１の端部リングは、前記第２の端部リングの前記１以上のテーパピンと係合するように配置された１以上の溝を有する請求項７に記載の装置。
【請求項１０】  前記第１の端部リングはパージリングである請求項７に記載の装置。
【請求項１１】  前記第２の端部リングはシャドーリングである請求項７に記載の装置。
【請求項１２】  前記第１の端部リングは、１つのテーパ状凹部と、１つの正反対に配置されたテーパ溝とを有し、前記第２の端部リングは、前記凹部及び前記溝と係合するように正反対に配置された２つのテーパピンを有する請求項７に記載の装置。
【請求項１３】  パージガス導管が前記パージリングに近接して形成されている請求項１０に記載の装置。
【請求項１４】  前記チャンバー本体リングの前記１以上の凹部はテーパ状側面を有する請求項７に記載の装置。
【請求項１５】  チャンバー内で基板を支持体する方法であって、
ａ）基板支持体の表面に接し、１以上の凹部を有する第１の端部リングを有する基板支持体上に前記基板を配置し、
ｂ）前記第１の端部リングの上方に、前記基板支持体の端部に近接して、該第１の端部リングの前記１以上の凹部と係合する１以上のピンを含む第２の端部リングを配置する、
ことを含むことを特徴とする方法。
【請求項１６】  前記第１の端部リングは、前記第２の端部リングの前記１以上のテーパピンと係合するように配置された１以上の溝を有する請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】  前記第１の端部リングはパージリングである請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】  前記第２の端部リングはシャドーリングである請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】  前記第１の端部リングは、１つのテーパ状凹部と、１つの正反対に配置されたテーパ溝とを有し、前記第２の端部リングは、前記凹部及び前記溝と係合するように正反対に配置された２つのテーパピンを有する請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】  ｃ）基板処理の間、該基板の回りにパージガスを流すことをさらに含む請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月27日(2007.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体膜にｎ型の導電型を付与する不純物元素またはｐ型の導電型を付与する不純物元素を１×１０１５〜５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の濃度でイオンドーピングする際に、
前記半導体膜に添加される炭素濃度を、１×１０１５〜２×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の濃度とし、
前記半導体膜に添加される窒素濃度を、５×１０１５〜１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の濃度とし、
前記半導体膜に添加される酸素濃度を、８×１０１５〜５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の濃度とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記イオンドーピングは、質量分離しないことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記イオンドーピングする際に、前記半導体膜に添加される水素濃度を、１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の濃度とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
水素で０．５％〜５％に希釈されたジボランを原料ガスとして用い、半導体膜に前記原料ガスを質量分離せずにイオンドーピングすることによって、
前記半導体膜に添加されるボロン濃度を、１×１０１５〜５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の濃度とするとともに、
前記半導体膜に添加される炭素濃度を、１×１０１５〜２×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の濃度とし、
前記半導体膜に添加される窒素濃度を、５×１０１５〜１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の濃度とし、
前記半導体膜に添加される酸素濃度を、８×１０１５〜５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の濃度とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記イオンドーピングすることによって、前記半導体膜に添加される水素濃度を、１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の濃度とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記イオンドーピングされた前記半導体膜をＴＦＴのチャネル形成領域とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記イオンドーピングされた前記半導体膜上に、ゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記半導体膜は、多結晶半導体膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記半導体装置は、パーソナルコンピュータ、ビデオカメラ、携帯型情報端末、デジタルカメラ、デジタルビデオディスクプレーヤー、電子遊技機器、プロジェクターであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月10日(2008.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のクロック信号に同期して動作する第１の回路から、前記第１のクロック信号と周波数が同じ第２のクロック信号に同期して動作する第２の回路へデジタルデータを伝送する伝送回路であって、
前記第２のクロック信号の位相は、前記第１のクロック信号の位相に対してゼロ以上半周期以下遅れており、
前記第１の回路から前記伝送回路に入力された前記第１のクロック信号に同期しているデジタルデータは、前記第２のクロック信号に同期したデジタルデータに変換されて前記伝送回路から出力され、
前記伝送回路から出力されたデジタルデータは、前記第２の回路において前記第２のクロック信号に同期してサンプリングされて保持されることを特徴とする伝送回路。
【請求項２】
第１のクロック信号に同期して動作する第１の回路から、前記第１のクロック信号と周波数が同じ第２のクロック信号に同期して動作する第２の回路へデジタルデータを伝送する伝送回路であって、
前記第２のクロック信号の位相は、前記第１のクロック信号の位相に対してゼロ以上半周期以下進んでおり、
前記第１の回路から前記伝送回路に入力された前記第１のクロック信号に同期しているデジタルデータは、そのまま若しくは反転して、前記伝送回路から出力され、
前記伝送回路から出力されたデジタルデータは、前記第２の回路において前記第２のクロック信号に同期してサンプリングされて保持されることを特徴とする伝送回路。
【請求項３】
第１のクロック信号に同期して動作する第１の回路から、前記第１のクロック信号と周波数が同じ第２のクロック信号に同期して動作する第２の回路へデジタルデータを伝送する伝送回路であって、
前記第１のクロック信号及び前記第２のクロック信号は前記伝送回路に入力されており、
前記第２のクロック信号の位相は、前記第１のクロック信号の位相に対してゼロ以上半周期以下遅れており、
前記第１の回路から前記伝送回路に入力された前記第１のクロック信号に同期しているデジタルデータは、前記第２のクロック信号に同期したデジタルデータに変換されて前記伝送回路から出力され、
前記伝送回路から出力されたデジタルデータは、前記第２の回路において前記第２のクロック信号に同期してサンプリングされて保持されることを特徴とする伝送回路。
【請求項４】
第１のクロック信号に同期して動作する第１の回路から、前記第１のクロック信号と周波数が同じ第２のクロック信号に同期して動作する第２の回路へデジタルデータを伝送する伝送回路であって、
前記第１のクロック信号及び前記第２のクロック信号は前記伝送回路に入力されており、
前記第２のクロック信号の位相は、前記第１のクロック信号の位相に対してゼロ以上半周期以下進んでおり、
前記第１の回路から前記伝送回路に入力された前記第１のクロック信号に同期しているデジタルデータは、そのまま若しくは反転して、前記伝送回路から出力され、
前記伝送回路から出力されたデジタルデータは、前記第２の回路において前記第２のクロック信号に同期してサンプリングされて保持されることを特徴とする伝送回路。
【請求項５】
第１のクロック信号に同期して動作する第１の回路から、前記第１のクロック信号と周波数が同じ第２のクロック信号に同期して動作する第２の回路へデジタルデータを伝送する伝送回路であって、
前記伝送回路は複数の論理回路を有しており、
前記伝送回路は、前記伝送回路に入力されたデジタルデータをそのまま若しくは反転させて出力するか、または前記伝送回路に入力されたデジタルデータを前記第２のクロック信号に同期してサンプリングしそのまま若しくは反転させて出力するかを前記第１のクロック信号と前記第２のクロック信号の位相差によって、選択し、前記伝送回路から出力されたデジタルデータは前記第２の回路において前記第２のクロック信号に同期してサンプリングされ保持されることを特徴とする伝送回路。
【請求項６】
請求項５において、前記論理回路とは、クロックドインバータ、インバータ、ＮＯＲ、ＮＡＮＤ、及びアナログスイッチを含むことを特徴とする伝送回路。
【請求項７】
第１のクロック信号に同期して動作する第１の回路から、前記第１のクロック信号と周波数が同じ第２のクロック信号に同期して動作する第２の回路へデジタルデータを伝送する伝送回路であって、
前記第１のクロック信号と前記第２のクロック信号の位相差によってＨｉｇｈまたはＬｏｗの信号を出力する論理回路と、
前記ＨｉｇｈまたはＬｏｗの信号によって、前記伝送回路に入力されたデジタルデータをそのまま若しくは反転させて出力する第１の動作、または前記伝送回路に入力されたデジタルデータを前記第２のクロック信号に同期してサンプリングしそのまま若しくは反転させて出力する第２の動作を選択する論理回路と、
前記選択された第１の動作または第２の動作を行う論理回路と
を有し、
前記伝送回路から出力されたデジタルデータは前記第２の回路において前記第２のクロック信号に同期してサンプリングされ保持されることを特徴とする伝送回路。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項において、前記第２の回路において前記伝送回路から出力されたデジタルデータの１ビット分がサンプリングされる期間の長さが、前記第１のクロック信号または前記第２のクロック信号の半周期の長さと同じであることを特徴とする伝送回路。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の前記伝送回路を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の前記半導体装置とは液晶表示装置であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項９に記載の前記半導体装置とはＥＬ表示装置であることを特徴とする半導体装置。