【手続補正書】
【提出日】平成20年8月29日(2008.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各画素の累積点灯時間を検出する手段と、
前記累積点灯時間を記憶する手段と、
前記記憶された累積点灯時間に応じて映像信号を補正する手段とを有し、
前記補正された映像信号を用いて映像を表示する手段とを有することを特徴とする自発光装置。
【請求項２】
各画素の累積点灯強度を検出する手段と、
前記累積点灯強度を記憶する手段と、
前記記憶された累積点灯強度に応じて映像信号を補正する手段とを有し、
前記補正された映像信号を用いて映像を表示する手段とを有することを特徴とする自発光装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記検出する手段と、前記記憶する手段と、前記補正する手段とは、前記映像を表示する手段の外部の回路によって構成されることを特徴とする自発光装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記検出する手段と、前記記憶する手段と、前記補正する手段．とは、前記映像を表示する手段が形成された絶縁表面と同一の絶縁表面上に形成されることを特徴とする自発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記記憶する手段は、スタティック型記憶回路（ＳＲＡＭ）、ダイナミック型記憶回路（ＤＲＡＭ）、又は強誘電体記憶回路（ＦｅＲＡＭ）を有することを特徴とする自発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記記憶する手段は、電気的に書き込み、読み出し、消去が可能な不揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）を有することを特徴とする自発光装置。
【請求項７】
第１の映像信号をサンプリングし、各画素の自発光素子の点灯時間を検出するカウンタ部と、
前記カウンタ部によって検出された前記各画素の自発光素子の点灯時間を、累積して記憶する記憶回路部と、
前記記憶回路部に累積して記憶された、前記各画素の自発光素子の累積点灯時間に応じて前記第１の映像信号の補正を行い、第２の映像信号を出力する信号補正部と、
を有する劣化補正装置と、
前記第２の映像信号によって映像の表示を行う表示装置と、
を有することを特徴とする自発光装置。
【請求項８】
第１の映像信号をサンプリングし、各画素の点灯強度を検出するカウンタ部と、
前記カウンタ部によって検出された前記各画素の自発光素子の点灯強度を累積して記憶する記憶回路部と、
前記記憶回路部に累積して記憶された、前記各画素の自発光素子の累積点灯強度に応じて前記第１の映像信号の補正を行い、第２の映像信号を出力する信号補正部と、
を有する劣化補正装置と、
前記第２の映像信号によって映像の表示を行う表示装置と、
を有することを特徴とする自発光装置。
【請求項９】
第１の映像信号をサンプリングし、各画素の自発光素子の点灯時間を検出するカウンタ部と、
前記カウンタ部によって検出された前記各画素の自発光素子の点灯時間を、累積して記憶する記憶回路部と、
前記記憶回路部に累積して記憶された、前記各画素の自発光素子の累積点灯時間に応じて前記第１の映像信号の補正を行い、第２の映像信号を出力する信号補正部と、
を有する劣化補正装置と、
前記第２の映像信号が保持される第１及び第２ラッチ回路と、前記第１及び第２ラッチ回路から画素に前記第２の映像信号であるデジタル信号を書き込み、映像の表示を行う表示装置と、
を有することを特徴とする自発光装置。
【請求項１０】
第１の映像信号をサンプリングし、各画素の点灯強度を検出するカウンタ部と、
前記カウンタ部によって検出された前記各画素の自発光素子の点灯強度を累積して記憶する記憶回路部と、
前記記憶回路部に累積して記憶された、前記各画素の自発光素子の累積点灯強度に応じて前記第１の映像信号の補正を行い、第２の映像信号を出力する信号補正部と、
を有する劣化補正装置と、
前記第２の映像信号をＤ／Ａ変換回路によってアナログ映像信号に変換し、前記アナログ映像信号によって電圧情報を画素に書き込み、映像の表示を行う表示装置と、
を有することを特徴とする自発光装置。
【請求項１１】
請求項７乃至請求項１０のいずれか１項において、
前記カウンタ部と、前記記憶回路部と、前記信号補正部とは、前記表示装置の外部の回路によって構成されることを特徴とする自発光装置。
【請求項１２】
請求項７乃至請求項１０のいずれか１項において、
前記カウンタ部と、前記記憶回路部と、前記信号補正部とは、前記表示装置が形成された絶縁表面と同一の絶縁表面上に形成されることを特徴とする自発光装置。
【請求項１３】
請求項７乃至請求項１２のいずれか１項において、
前記記憶回路部はスタティック型記憶回路（ＳＲＡＭ）、ダイナミック型記憶回路（ＤＲＡＭ）、又は強誘電体記憶回路（ＦｅＲＡＭ）を有することを特徴とする自発光装置。
【請求項１４】
請求項７乃至請求項１３のいずれか１項において、
記憶回路部は、電気的に書き込み、読み出し、消去が可能な不揮発性メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）を有することを特徴とする自発光装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか１項において、
ｎビット（ｎは自然数、ｎ≧２）階調の表示を行う前記自発光装置は、ｎ＋ｍビット（ｍは自然数）の信号処理を行う駆動回路を有し、
前記各画素の自発光素子のうち、劣化の生じていない自発光素子を有する画素は、ｎビットの映像信号によって階調の表示を行い、
前記各画素の自発光素子のうち、劣化の生じた自発光素子を有する画素に書き込まれる映像信号には、ｍビットの信号を用いて階調の補正を行うことによって、
前記劣化の生じていない自発光素子と、前記劣化の生じた自発光素子とを等しい輝度とすることを特徴とする自発光装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか１項において、
前記劣化の生じた自発光素子を有する画素に書き込まれる映像信号には、前記劣化の生じていない自発光素子を有する画素に書き込まれる映像信号に対し、相対的に加算処理が行われることを特徴とする自発光装置。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１５のいずれか１項において、
表示範囲内において、劣化の小さい自発光素子を有する画素あるいは前記劣化を生じていない自発光素子を有する画素に書き込まれる映像信号には、最も劣化の大きい自発光素子を有する画素に書き込まれる映像信号に対し、相対的に減算処理が行われることを特徴とする自発光装置。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１７のいずれか１項において、
前記自発光装置はＥＬディスプレイ、ＰＤＰディスプレイ、又はＦＥＤディスプレイであることを特徴とする自発光装置。
【請求項１９】
第１の映像信号をサンプリングし、カウンタ部において各画素の自発光素子の点灯時間を検出し、
前記カウンタ部によって検出された前記各画素の自発光素子の点灯時間を、記憶回路部において累積して記憶し、
前記記憶回路部に累積して記憶された、前記各画素の自発光素子の累積点灯時間に応じて、信号補正部は前記第１の映像信号を補正して第２の映像信号を出力し、
前記第２の映像信号によって映像の表示を行うことを特徴とする自発光装置の駆動方法。
【請求項２０】
第１の映像信号をサンプリングし、カウンタ部において各画素の自発光素子の点灯強度を検出し、
前記カウンタ部によって検出された前記各画素の自発光素子の点灯強度を、記憶回路部において累積して記憶し、
前記記憶回路部に累積して記憶された、前記各画素の自発光素子の累積点灯強度に応じて、信号補正部は前記第１の映像信号を補正して第２の映像信号を出力し、
前記第２の映像信号によって映像の表示を行うことを特徴とする自発光装置の駆動方法。
【請求項２１】
請求項１９または請求項２０において、
ｎビット（ｎは自然数、ｎ≧２）階調の表示を行う自発光装置は、ｎ＋ｍビット（ｍは自然数）の信号処理を行う駆動回路を有し、
前記各画素の自発光素子のうち、劣化の生じていない自発光素子を有する画素は、ｎビットの映像信号によって階調の表示を行い、
前記各画素の自発光素子のうち、劣化の生じた自発光素子を有する画素に書き込まれる映像信号には、ｍビットの信号を用いて階調の補正を行うことによって、
前記劣化の生じていない自発光素子と、前記劣化の生じた自発光素子とを等しい輝度とすることを特徴とする自発光装置の駆動方法。
【請求項２２】
請求項１９乃至請求項２１のいずれか１項において、
前記劣化の生じた自発光素子を有する画素に書き込まれる映像信号には、前記劣化の生じていない自発光素子を有する画素に書き込まれる映像信号に対し、相対的に加算処理を行うことを特徴とする自発光装置の駆動方法。
【請求項２３】
請求項１７乃至請求項２１のいずれか１項において、
表示範囲内において、劣化の小さい自発光素子を有する画素あるいは前記劣化を生じていない自発光素子を有する画素に書き込まれる映像信号には、最も劣化の大きい自発光素子を有する画素に書き込まれる映像信号に対し、相対的に減算処理を行うことを特徴とする自発光装置の駆動方法。