(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）樹脂封止されたパッケージを押さえる上部パッケージ押えおよび下部パッケージ押えと、
（ｂ）前記パッケージの外部リードの先端部に下部から接触する回転ローラと、
（ｃ）該回転ローラの下部に接触するパンタグラフを保持するパンタグラフ保持体と、
（ｄ）前記パッケージの外部リードの先端部に上部から当接するリード押えとを具備することを特徴とする半導体装置の電気的特性試験装置。
【請求項２】
（ａ）樹脂封止されたパッケージを押さえる上部パッケージ押えおよび下部パッケージ押えと、
（ｂ）前記パッケージの外部リードのパッケージ近傍の付け根部分の下部に接触する第１の測定端子と、
（ｃ）前記パッケージの外部リードのパッケージ近傍の付け根部分の上部に接触する第２の測定端子と、
（ｄ）前記パッケージの外部リードの先端部に上部から当接するリード押えとを備え、
（ｅ）前記第１の測定端子と前記第２の測定端子により、前記パッケージ近傍の外部リードの付け根部分を挟むようにしたことを特徴とする半導体装置の電気的特性試験装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置（以降、ＩＣ）の電気的特性試験（以降テスト）装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般にＩＣのテスト方法は、ＩＣ外部リード（以降リード）と通電性の優れた測定端子を接触させることで行われている。特にソケット方式と呼ばれるテスト方法では、接触不良によるテスト不良品の発生を防止するため、測定時に圧力をかけるようにしている。
【０００３】
すなわち、リード先端上面にリードプッシャーで一定圧力を加え、リード先端下面に測定端子で電気的接触を得るようにしている。
【０００４】
図７はかかる従来のＩＣのテスト装置の要部構成図である。
【０００５】
この図において、１０１はパッケージ（ＰＫＧ）、１０２は外部リード、１０３は測定端子、１０４はリード押え、点線は測定圧力により、パッケージ（ＰＫＧ）１０１を下方へ押し込んだ状態を示す図であり、ｄはリード押えによる押し込み量を示している。
【０００６】
このように、その測定圧力によって、パッケージ（ＰＫＧ）１０１を下方へ押し込むことになり、測定端子１０３は外部リード１０２先端下面と接触する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
以上のように、ソケット方式に於ける測定圧力は、接触不良を防ぐには必要不可欠である。
【０００８】
しかしながら、このような測定方法によれば、
（１）測定端子は擦れ、外部リード１０２表面に施された半田めっきは破壊され、半田屑を発生させる。これは測定端子１０３が円弧を描く、バネ性を保有する構造に加え、測定端子１０３の製造加工におけるプレスによる加工面（剪断、破断）の粗さが摩擦抵抗を上げていることにも起因する。
【０００９】
また、測定箇所が、外部リード１０２先端下面のみという測定面積が小さいことも測定圧力の必要性を高めている一因と言える。
【００１０】
本発明は、上記問題点を除去し、半田屑による概観不良、及び次テスト工程での電気的特性不良（シュート等）を効果的に防止することができる半導体装置の電気的特性試験装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、
〔１〕半導体装置の電気的特性試験装置において、樹脂封止されたパッケージを押さえる上部パッケージ押えおよび下部パッケージ押えと、前記パッケージの外部リードの先端部に下部から接触する回転ローラと、この回転ローラの下部に接触するパンタグラフを保持するパンタグラフ保持体と、前記パッケージの外部リードの先端部に上部から当接するリード押えとを具備することを特徴とする。
【００１２】
〔２〕半導体装置の電気的特性試験装置において、樹脂封止されたパッケージを押さえる上部パッケージ押えおよび下部パッケージ押えと、前記パッケージの外部リードのパッケージ近傍の付け根部分の下部に接触する第１の測定端子と、前記パッケージの外部リードのパッケージ近傍の付け根部分の上部に接触する第２の測定端子と、前記パッケージの外部リードの先端部に上部から当接するリード押えとを備え、前記第１の測定端子と前記第２の測定端子により、前記パッケージ近傍の外部リードの付け根部分を挟むようにしたことを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【００１４】
図１は本発明の第１実施例を示す半導体装置の電気的特性試験装置の要部断面図、図２はその電気的特性試験装置の要部斜視図である。
【００１５】
これらの図において、１は樹脂封止されたパッケージ（ＰＫＧ）、２は外部リード、３は上部パッケージ押え、４は下部パッケージ押え、５は測定端子、６はその測定端子５の下部に配置され、下部よりバネ７により偏倚されるパンタグラフ、８はパンタグラフ６の保持体、９はリード押えである。
【００１６】
これらの図に示すように、ＰＫＧ１は、上下のＰＫＧ押え３，４でガイドされ、リード押え９によって測定端子５に接触させてテストを行う。この測定端子５は、回転ローラー（円板状のローラー）を用い、外部リード２と測定端子５の接触抵抗、及び擦れを回転することによって防ぎ、外部リード２表面に施された半田めっき被膜の破壊を防止する。
【００１７】
このように構成したので、従来技術で問題となった、半田屑による概観不良、及び次テスト工程での電気的特性不良（シュート等）を効果的に防止することができる。
【００１８】
次に、本発明の第２実施例について説明する。
【００１９】
図３は本発明の第２実施例を示す半導体装置の電気的特性試験装置の要部断面図、図４はその電気的特性試験装置の要部斜視図である。
【００２０】
これらの図において、１１は樹脂封止されたＰＫＧ、１２は外部リード、１３は上部パッケージ押え、１４は下部パッケージ押え、１５はパッケージの外部リードのパッケージ近傍の付け根部分の下部に接触する下部の第１の測定端子、１６はパッケージの外部リードのパッケージ近傍の付け根部分の上部に接触する上部の第２の測定端子、１７はリード押えである。
【００２１】
ＰＫＧ１１は上下のＰＫＧ押え１３，１４により、ガイドされたＰＫＧ１１の外部リード１２を変形から防止するため、リード押え１７で保護し、上下ＰＫＧ押さえ１３，１４とリード押え１７の中央に上下から外部リード１２を挟み込むように、第１の測定端子１５と第２の測定端子１６を配置してテストを行う。つまり、第１、第２の測定端子１５，１６は外部リード１２の強度の高いＰＫＧ１１の付け根部分１２Ａで接触するようにする。外部リード１２の強度の高いＰＫＧ１１の付け根部分１２Ａを上下から第１の測定端子１５と第２の測定端子１６で挟むことで、接触不良の確率の低減ができ、リード押え１７による外部リード１２の高さバラツキも矯正することができる。ここで、第１の測定端子１５と第２の測定端子１６の先端部は折り返し部を有している。
【００２２】
また、外部リード１２の先端で第１、第２の測定端子１５，１６との接触をとるので、測定端子１５，１６は外部リード１２表面の半田被膜を擦らないことになり、半田屑の発生を抑制することができる。
【００２３】
さらに、第１、第２の測定端子１５，１６の表面を加工面の粗いままでなく、研磨をすることにより摩擦抵抗が低減できるため、より一層の効果が得られる。
【００２４】
なお、上記実施例では、上下から第１の測定端子１５と第２の測定端子１６で挟む構成としたが、何れか片側の測定端子のみで構成するようにしてもよい。
【００２５】
次に、本発明の参考例について説明する。
【００２６】
図５は本発明の参考例を示す半導体装置の電気的特性試験装置の要部断面図、図６はその電気的特性試験装置の要部斜視図である。
【００２７】
これらの図において、２１は樹脂封止されたＰＫＧ、２２は外部リード、２３は上部ＰＫＧ押え、２４は下部ＰＫＧ押え、２５は溶融半田槽、２６は溶融半田供給パイプ、２７はリード押えである。
【００２８】
この実施例では、測定端子としては、金属剛体を使わず、溶融金属（例えば半田）２５で代用し、外部リード２２を、溶融金属２５中に浸漬させることで電気的接続を得るものである。測定端子２２を溶融金属にすることで、接触抵抗は皆無となり、かつ外部リード２２に施された半田めっきの破壊も防ぐことが出来、半田屑の発生もない。また、この時、測定端子部に溶融半田槽２５を用いているので、リード加工工程にて受けた半田メッキの傷、欠損も測定時に付着する溶融半田で補える効果もある。
【００２９】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【００３０】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、以下のような効果を奏することができる。
【００３１】
（Ａ）測定端子は、回転ローラー（円板状のローラー）を用い、外部リードと測定端子の接触抵抗、及び擦れを回転することによって防ぎ、外部リード表面に施された半田めっき被膜の破壊を防止することができる。
【００３２】
したがって、半田屑による概観不良、及び次テスト工程での電気的特性不良（シュート等）を効果的に防止することができる。
【００３３】
（Ｂ）外部リードの先端で測定端子との接触をとるので、測定端子は外部リード表面の半田被膜を擦らないことになり、半田屑の発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１実施例を示す半導体装置の電気的特性試験装置の要部断面図である。
【図２】  本発明の第１実施例を示す半導体装置の電気的特性試験装置の要部斜視図である。
【図３】  本発明の第２実施例を示す半導体装置の電気的特性試験装置の要部断面図である。
【図４】  本発明の第２実施例を示す半導体装置の電気的特性試験装置の要部斜視図である。
【図５】  本発明の参考例を示す半導体装置の電気的特性試験装置の要部断面図である。
【図６】  本発明の参考例を示す半導体装置の電気的特性試験装置の要部斜視図である。
【図７】  従来の半導体装置の電気的特性試験装置の要部斜視図である。
【符号の説明】
１，１１，２１    樹脂封止されたパッケージ（ＰＫＧ）
２，１２，２２    外部リード
３，１３，２３    上部パッケージ押え
４，１４，２４    下部パッケージ押え
５    測定端子
６    パンタグラフ
７    バネ
８    パンタグラフの保持体
９，１７，２７    リード押え
１２Ａ    外部リードのＰＫＧの付け根部分
１５    下部の第１の測定端子
１６    上部の第２の測定端子
２５    溶融半田槽
２６    溶融半田供給パイプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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