【手続補正書】
【提出日】平成20年6月6日(2008.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上流側と下流側を有する拡散プレートと、
該上流側と該下流側の間を通る複数のガス通路と、
を備えるプラズマ処理チャンバのためのガス分配プレートアセンブリであって、該ガス通路の少なくとも１つは、該上流側から伸びたその長さの一部の第一円筒形、第一円筒形に接続された直径がより小さな第二同軸円筒形、該拡散プレートの残りの長さの該第二円筒形に接続された同軸円錐形を持ち、その円錐部分の上流端の直径が該第二円筒形とほぼ同一であり、円錐部分の下流端の直径が大きくなっている、前記ガス分配プレート。
【請求項２】
該第一円筒形の直径が約０.０６インチ〜約０.３インチである、請求項１記載のガス分配プレート。
【請求項３】
該第二円筒形の直径が約０.０３０インチ〜約０.０７０インチである、請求項１記載のガス分配プレート。
【請求項４】
該第一円筒形の長さと該第二円筒形の長さとの比率が約０.３〜約１.５である、請求項１記載のガス分配プレート。
【請求項５】
該円錐部分の該下流端の直径が約０.２インチ〜約０.４インチである、請求項１記載のガス分配プレート。
【請求項６】
該円錐形が約２０°〜約３５°に張り出している、請求項５記載のガス分配プレート。
【請求項７】
該第二円筒形の長さと該円錐形の長さとの比率が約０.８〜約２.０である、請求項１記載のガス分配プレート。
【請求項８】
隣接したガス通路の該円錐部分の該下流端間の間隔が最大でも約０.５インチである、請求項１記載のガス分配プレート。
【請求項９】
該拡散プレートの厚さが約１.０インチ〜約２.２インチである、請求項１記載のガス分配プレート。
【請求項１０】
該拡散プレートが多角形である、請求項１記載のガス分配プレート。
【請求項１１】
該拡散プレートを通って形成された該第二円筒形が、その同軸フレア形と異なるフロー制限特性を有する、請求項１記載のガス分配プレート。
【請求項１２】
該拡散プレートが矩形であり、
該ガス拡散プレートのサイズが少なくとも１０８０平方インチである、請求項１０記載の多角形のガス分配プレート。
【請求項１３】
遠隔プラズマ源に結合され該遠隔プラズマ源がフッ素源に結合されているプラズマプロセスチャンバ内に上流側と下流側を有する拡散プレートと、
該上流側と該下流側の間を通る複数のガス通路と、
を備えるプラズマ処理チャンバのためのガス分配プレートアセンブリであって、該ガス通路の少なくとも１つが、該上流側から伸びたその長さの一部の第一円筒形、該第一円筒形に接続された直径がより小さい第二同軸円筒形、該拡散プレートの残りの長さの該第二円筒形に接続された同軸円錐形を持ち、その円錐部分の上流端の直径が該第二円筒形とほぼ同一であり、円錐部分の下流端の直径が大きくなっている、前記ガス分配プレート。
【請求項１４】
該第一円筒形の直径が約０.０６インチ〜約０.３インチである、請求項１３記載のガス分配プレート。
【請求項１５】
該第二円筒形の直径が約０.０３０インチ〜約０.０７０インチである、請求項１３記載のガス分配プレート。
【請求項１６】
該第一円筒形の長さと該第二円筒形の長さとの比率が約０.３〜約１.５である、請求項１３記載のガス分配プレート。
【請求項１７】
該円錐部分の該下流端の直径が約０.２インチ〜約０.４インチである、請求項１３記載のガス分配プレート。
【請求項１８】
該円錐形が約２０°〜約３５°に張り出している、請求項１３記載のガス分配プレート。
【請求項１９】
該第二円筒形の長さと該円錐形の長さとの比率が約０.８〜約２.０である、請求項１３記載のガス分配プレート。
【請求項２０】
隣接したガス通路の該円錐部分の該下流端間の間隔が最大でも約０.５インチである、請求項１３記載のガス分配プレート。
【請求項２１】
該拡散プレートの厚さが約１.０インチ〜約２.２インチである、請求項１３記載のガス分配プレート。
【請求項２２】
該拡散プレートが多角形である、請求項１３記載のガス分配プレート。
【請求項２３】
該拡散プレートを通って形成された該第二円筒形が、該同軸フレア形と異なるフロー制限特性を有する、請求項１３記載のガス分配プレート。
【請求項２４】
基板上に薄膜を堆積させる方法であって、
上流側と下流側を有する拡散プレートと、該上流側と該下流側の間を通る複数のガス通路とを有するプロセスチャンバ内に基板を配置するステップであって、該ガス通路の少なくとも１つが、該上流側から伸びたその長さの一部の第一円筒形、該第一円筒形に接続された直径がより小さな第二同軸円筒形、該拡散プレートの残りの長さの該第二円筒形に接続された同軸円錐形を持ち、その円錐部分の上流端の直径が該第二円筒形とほぼ同一であり、円錐部分の下流端の直径が大きくなっている、前記ステップと、
該プロセスチャンバ内で該基板上に薄膜を堆積させるステップと、
を含む、前記方法。
【請求項２５】
該プロセスチャンバがシリコン源、遠隔プラズマ源に結合され、該遠隔プラズマ源がフッ素源に結合されている、請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
該薄膜が該基板上に堆積してフラットパネルディスプレイが作られる、請求項２５記載の方法。
【請求項２７】
該薄膜の堆積速度と均一性が該第二円筒形の直径を調節することにより変化させることができる、請求項２５記載の方法。
【請求項２８】
該薄膜が、二酸化シリコン（ＳiＯ2）、オキシ窒化シリコン（ＳiＯＮ）、窒化シリコン（ＳiＮ）、アモルファスシリコン（α-Ｓi）又はドープされたアモルファスシリコン（ドープされたα-Ｓi）であり得る、請求項２５記載の方法。
【請求項２９】
該薄膜の洗浄残留混入物、例えば、フッ素、濃度が１×１０20原子/ｃｃ未満である、請求項２５記載の方法。
【請求項３０】
該洗浄残留混入物、例えば、フッ素、濃度を、該円筒形の直径と該円錐形のフレア角を調節することにより１×１０20原子/ｃｃ未満に変化させることができる、請求項２５記載の方法。
【請求項３１】
プロセスチャンバを洗浄する方法であって、
上流側と下流側を有する拡散プレートと、該上流側と該下流側の間を通る複数のガス通路とを有する、遠隔プラズマ源に結合され該遠隔プラズマ源がフッ素源に結合されているプロセスチャンバ内に基板を配置するステップであって、ガス通路の少なくとも１つが、該上流側から伸びたその長さの一部の第一円筒形、該第一円筒形に接続された直径がより小さい第二同軸円筒形、該拡散プレートの残りの長さの該第二円筒形に接続された同軸円錐形を持ち、その円錐部分の上流端の直径が該第二直円筒形とほぼ同一であり、円錐部分の下流端の直径が大きくなっている、前記ステップと、
該プロセスチャンバ内で基板上に薄膜を堆積させるステップと、
処理された基板の数が所定の洗浄限界に達したかを決定するステップと、
処理された基板の数が該所定の洗浄限界に達していない場合には、処理された基板の数が該所定の洗浄限界に達するまで、プロセスチャンバ内に基板を配置するステップと、該基板上に薄膜を堆積させるステップと、処理された基板の数が該所定の洗浄限界に達したかを決定するステップを繰り返すステップと、
処理された基板の数が該所定の洗浄限界に達した場合には該プロセスチャンバを洗浄するステップと、
を含む、前記方法。
【請求項３２】
堆積した該薄膜が、二酸化シリコン（ＳiＯ2）、オキシ窒化シリコン（ＳiＯＮ）、窒化シリコン（ＳiＮ）、アモルファスシリコン（α-Ｓi）又はドープされたアモルファスシリコン（ドープされたα-Ｓi）であり得る、請求項３１記載の方法。
【請求項３３】
該洗浄が、約０ｓlｍ〜約６ｓlｍで流れている不活性ガス、１ｓlｍ〜約６ｓlｍで流れているフッ素含有ガスで遠隔プラズマ源洗浄プロセスによって行われ、該遠隔プラズマ源発生装置の圧力が０.５Ｔｏｒｒ〜２０Ｔｏｒｒで維持される、請求項３１記載の方法。
【請求項３４】
該不活性ガスがアルゴンであり、該フッ素含有ガスがＮＦ3である、請求項３３記載の方法。
【請求項３５】
該洗浄速度が該第二円筒形の直径を調節することにより変化させることができる、請求項３１記載の方法。