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【手続補正書】
【提出日】平成20年4月9日(2008.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
巻上機により乗りかご側部両側をロープで吊り上げ駆動するようにした機械室レスエレベーターにおいて、
前記ロープを前記乗りかごの左右に配置し、この左右のロープを個別にプーリおよび転向プーリを介して巻上機に掛け、前記乗りかご側を１：１のローピング比とし、次に、前記巻上機に掛けられた後の左右のロープを一組として釣り合い重り側を２：１のローピング比となるように構成し、かつ、前記巻上機および前記プーリと前記転向プーリの配置位置を、乗りかご鉛直投影外となるようにしたことを特徴とする機械室レスエレベーター。
【請求項２】
前記プーリおよび前記転向プーリを、一対の乗りかご用ガイドレールおよび一対の釣り合い重り用ガイドレールにより構成される平面内に配置したことを特徴とする請求項１記載の機械室レスエレベーター。
【請求項３】
前記乗りかご用ガイドレールと前記釣り合い重り用ガイドレールのレールゲージを同じ寸法としたことを特徴とする請求項１または請求項２記載の機械室レスエレベーター。
【請求項４】
上記左右のロープは、上記左右のロープの一端を各々前記乗りかご両側部に締結し、次に、左右のロープそれぞれを、左右別々に上方に設けられたプーリに巻き掛けた後、左右別々に下方に設けられた転向プーリに巻き掛けて転向させ、その後、上方に配置された巻上機のシーブに巻き掛け、このシーブ部で前記左右のロープを一組にまとめ、シーブ下方の鉛直延長上に設けられた釣り合い重り上部のプーリに巻き掛け、その後、昇降路上部に締結する構成としたことを特徴とする請求項１記載の機械室レスエレベーター。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は上記目的を達成するために、巻上機により乗りかご側部両側をロープで吊り上げ駆動するようにした機械室レスエレベーターにおいて、前記ロープを前記乗りかごの左右に配置し、この左右のロープを個別にプーリおよび転向プーリを介して巻上機に掛け、前記乗りかご側を１：１のローピング比とし、次に、前記巻上機に掛けられた後の左右のロープを一組として釣り合い重り側を２：１のローピング比となるように構成し、かつ、前記巻上機および前記プーリと前記転向プーリの配置位置を、乗りかご鉛直投影外となるようにしたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月19日(2008.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドデカヒドロドデカボレート（−２）の塩を製造する方法であって、少なくとも１種のルイス塩基の存在下で少なくとも１種の金属水素化物を少なくとも１種のアルキルボレートと反応させてルイス塩基−ボラン錯体を生成させること、そして前記ルイス塩基−ボラン錯体を少なくとも１種の金属塩と反応させてドデカヒドロドデカボレート（−２）の塩を生成させること、及び反応副生物からアルキルボレートを再循環させることを含む、ドデカヒドロドデカボレート（−２）塩の製造方法。
【請求項２】
金属水素化物を、アルカリ金属水素化物、アルカリ土類金属水素化物、水素化アルミニウム及びこれらの組み合わせからなる群から選択する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ルイス塩基がアミンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ルイス塩基がトリエチルアミンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
水素化ナトリウム及びトリメチルボレートを、少なくとも１種の不活性液体分散剤の存在下で反応させる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記不活性液体分散剤が、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン及びジグリムからなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
ルイス塩基−ボラン錯体を蒸留によりナトリウムテトラメトキシボレートから分離する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記反応副生物がナトリウムテトラメトキシボレートを含み、ろ過により分離される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
ナトリウムテトラメトキシボレート及びルイス塩基−ボラン錯体の少なくとも一方を含む反応生成物の混合物を二酸化炭素により処理して、トリメチルボレートを再循環させる、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
ナトリウムテトラメトキシボレートを少なくとも１種の不活性液体分散剤と混合し、少なくとも１種の酸で処理してトリメチルボレートを生じさせ、それを前記酸のナトリウム塩から分離して再循環させる、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
液体分散剤がトリメチルボレートＢ（ＯＭｅ）3を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
液体分散剤がメタノールとトリメチルボレートＢ（ＯＭｅ）3の組み合わせを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
酸が濃硫酸を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
ナトリウムテトラメトキシボレートを約１５０〜約３００℃に加熱してナトリウムメトキシド及びトリメチルボレートを生じさせ、それを再循環させる、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
ナトリウムテトラメトキシボレートを少なくとも１種の不活性分散剤の存在下で加熱する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
不活性分散剤が少なくとも１種の脂肪族炭化水素を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
ナトリウムテトラメトキシボレートを不活性分散剤中でＮａＨにより約１００〜約３００℃で処理してナトリウムテトラヒドロボレートＮａＢＨ4を生成させる、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月13日(2008.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のノズルを有するノズルプレートと、
前記ノズルプレートと貼り合わせることで、前記ノズルにそれぞれ連通する複数の圧力室となる圧力室溝、前記圧力室にそれぞれ連通する複数のインク供給路となるインク供給路溝及び前記インク供給路に連通する共通インク室となる共通インク室溝、並びにインク供給口とが形成された流路基板とを備え、
前記ノズルプレートと前記流路基板とを貼り合わせて形成した流路ユニットを含むインクジェット式記録ヘッドにおいて、
前記ノズルプレート及び前記流路基板の少なくとも一方は、前記圧力室、前記インク供給路、前記共通インク室及び前記インク供給口のいずれとも通じていない１つ以上の貫通穴を有することを特徴とするインクジェット式記録ヘッド。
【請求項２】
前記貫通穴は、前記圧力室、前記インク供給路、前記共通インク室及び前記インク供給口とで成す輪郭から一定距離外側であって、且つ前記流路ユニットの外形から一定距離内側の領域にあることを特徴とする請求項１に記載のインクジェット式記録ヘッド。
【請求項３】
前記ノズルプレートと前記流路基板とが貼り合わさる時に接する部分の最外周が成す形状の面積に対する前記形状内で前記ノズルプレートと前記流路基板とが互いに接しない面積との比である非接合面積比が５％以上且つ５０％以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載のインクジェット式記録ヘッド。
【請求項４】
前記ノズルプレート及び前記流路基板の双方に、前記圧力室、前記インク供給路、前記共通インク室及び前記インク供給口のいずれとも通じていない１つ以上の貫通穴を有することを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載のインクジェット式記録ヘッド。
【請求項５】
前記ノズルプレート及び前記流路基板の双方に設けられた貫通穴は、少なくとも一組の双方の貫通穴が連通していることを特徴とする請求項４に記載のインクジェット式記録ヘッド。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（請求項３）
前記ノズルプレートと前記流路基板とが貼り合わさる時に接する部分の最外周が成す形状の面積に対する前記形状内で前記ノズルプレートと前記流路基板とが互いに接しない面積との比である非接合面積比が５％以上且つ５０％以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載のインクジェット式記録ヘッド。
（請求項４）
前記ノズルプレート及び前記流路基板の双方に、前記圧力室、前記インク供給路、前記共通インク室及び前記インク供給口のいずれとも通じていない１つ以上の貫通穴を有することを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載のインクジェット式記録ヘッド。
（請求項５）
前記ノズルプレート及び前記流路基板の双方に設けられた貫通穴は、少なくとも一組の双方の貫通穴が連通していることを特徴とする請求項４に記載のインクジェット式記録ヘッド。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月5日(2008.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図２及び図３に示すように、ペダル部６２は、連結されるギアシフトペダル７０を所定角度だけ回動自在に支持する支持部材７２を有し、支持部材７２は、矩形状のブロック体７４と、取付プレート９４の孔部７８を貫通する端部にギアシフトペダル７０が連結される第１軸部８０と、ブロック体７４を間にして第１軸部８０の反対側に同軸状に突出する段付きの第２軸部８２と、第２軸部８２に近接する部位に該第２軸部８２と略平行に突出する第３軸部８４とからなり、ブロック体７４と第１〜第３軸部８０、８２、８４とは一体的に構成される。ギアシフトペダル７０は、ボルト８６の締め込みにより第１軸部８０をクランプすることにより固定締結される。締結部は回転ずれを防止するセレーション形状となっている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
一方、対称的に、上方第２閾値ＴｈU２は、上方第１閾値ＴｈU１よりもやや大きい値として設定されており、角度信号Ａが上方第１閾値ＴｈU１と上方第２閾値ＴｈU２との間にあるときにはギアシフトペダル７０は第２ニュートラル検知位置を示す範囲Ｎ２にあると判断される。さらに、角度信号Ａが第２上方閾値ＴｈU２よりも大きいときにはギアシフトペダル７０は第２ギアチェンジ位置を示す範囲Ｃ２にあると判断される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
ステップＳ４においては、位置データＤを更新してポジション設定部１７４に供給する。つまり、図８に示すように、範囲Ｂであるときには位置データＤを二進数で００００、範囲Ｎ１であるときには００１０、範囲Ｃ１であるときには二進数で００１１、範囲Ｎ２であるときには二進数で１０００、範囲Ｃ２であるときには二進数で１１００として設定し、供給する。この位置データＤは１ビット毎に、下位ビットから上位ビットに向かってビットデータＤ０、Ｄ１、Ｄ２及びＤ３として規定される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
一方、ステップＳ６においては、ポジション設定部１７４への位置データＤの供給を行わず、所定の送信用パラメータをリセットしておく。ステップＳ５又はステップＳ６の後、図７に示す今回の処理を終了する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
また、上記の例では、位置検知手段としてポテンショセンサ１２０を用いた例について説明したが、図１２に示すように複数の接点を備えるスイッチ１８０を用いてもよい。このスイッチ１８０は４つの接点１８２ａ、１８２ｂ、１８２ｃ及び１８２ｄを有し、ギアシフトペダル７０の傾動に連動するように接続された摺動電極１８４が接触することによりオンとなり、非接触時にオフとなる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月13日(2008.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エンジンの出力を第１電動機および伝達部材へ分配する差動機構と該伝達部材から駆動輪への動力伝達経路に設けられた第２電動機とを有して電気的な無段変速機として作動可能な無段変速部を備えた車両用駆動装置の制御装置であって、
前記差動機構に備えられて、該差動機構の差動作用を制限することにより前記無段変速部の電気的な無段変速機としての作動を制限する差動制限装置と、
電気的な無段変速機として作動しているときの前記無段変速部の電気的エネルギーの伝達が熱的に限界となる場合には、該電気的エネルギーの伝達を抑制する為に、前記差動機構を非差動状態とするか或いは前記差動制限装置を半伝達容量状態とする電気的エネルギー抑制制御手段と
を、含むことを特徴とする車両用駆動装置の制御装置。
【請求項２】
前記動力伝達経路の一部を構成する変速部を更に備え、
前記電気的エネルギー抑制制御手段は、前記差動機構を非差動状態とするか或いは前記差動制限装置を半伝達容量状態とすることができない場合には、前記変速部のダウン変速を行うものである請求項１の車両用駆動装置の制御装置。
【請求項３】
前記電気的エネルギー抑制制御手段は、前記差動機構を非差動状態とするか或いは前記差動制限装置を半伝達容量状態とすることができず、更に前記変速部のダウン変速を行うことができない場合には、前記エンジンの出力トルクを抑制するものである請求項２の車両用駆動装置の制御装置。
【請求項４】
エンジンの出力を第１電動機および伝達部材へ分配する差動機構と該伝達部材から駆動輪への動力伝達経路に設けられた第２電動機とを有して電気的な無段変速機として作動可能な無段変速部と、前記動力伝達経路の一部を構成する変速部とを備えた車両用駆動装置の制御装置であって、
電気的な無段変速機として作動しているときの前記無段変速部の電気的エネルギーの伝達が熱的に限界となる場合には、該電気的エネルギーの伝達を抑制する為に、前記変速部のダウン変速を行う電気的エネルギー抑制制御手段を、含むことを特徴とする車両用駆動装置の制御装置。
【請求項５】
エンジンの出力を第１電動機および伝達部材へ分配する差動機構と該伝達部材から駆動輪への動力伝達経路に設けられた第２電動機とを有して電気的な差動装置として作動可能な差動部を備えた車両用駆動装置の制御装置であって、
前記差動機構に備えられて、該差動機構の差動作用を制限することにより前記差動部の電気的な差動装置としての作動を制限する差動制限装置と、
電気的な差動装置として作動しているときの前記差動部の電気的エネルギーの伝達が熱的に限界となる場合には、該電気的エネルギーの伝達を抑制する為に、前記差動機構を非差動状態とするか或いは前記差動制限装置を半伝達容量状態とする電気的エネルギー抑制制御手段と
を、含むことを特徴とする車両用駆動装置の制御装置。
【請求項６】
前記動力伝達経路の一部を構成する変速部を更に備え、
前記電気的エネルギー抑制制御手段は、前記差動機構を非差動状態とするか或いは前記差動制限装置を半伝達容量状態とすることができない場合には、前記変速部のダウン変速を行うものである請求項５の車両用駆動装置の制御装置。
【請求項７】
前記電気的エネルギー抑制制御手段は、前記差動機構を非差動状態とするか或いは前記差動制限装置を半伝達容量状態とすることができず、更に前記変速部のダウン変速を行うことができない場合には、前記エンジンの出力トルクを抑制するものである請求項６の車両用駆動装置の制御装置。
【請求項８】
エンジンの出力を第１電動機および伝達部材へ分配する差動機構と該伝達部材から駆動輪への動力伝達経路に設けられた第２電動機とを有して電気的な差動装置として作動可能な差動部と、前記動力伝達経路の一部を構成する変速部とを備えた車両用駆動装置の制御装置であって、
電気的な差動装置として作動しているときの前記差動部の電気的エネルギーの伝達が熱的に限界となる場合には、該電気的エネルギーの伝達を抑制する為に、前記変速部のダウン変速を行う電気的エネルギー抑制制御手段を、含むことを特徴とする車両用駆動装置の制御装置。
【請求項９】
前記電気的エネルギーの伝達が熱的に限界となる場合とは、前記第１電動機および／または前記第２電動機のコイル温度が所定値以上のときである請求項１乃至８のいずれか１の車両用駆動装置の制御装置。
【請求項１０】
前記電気的エネルギーの伝達が熱的に限界となる場合とは、前記第１電動機および／または前記第２電動機の冷却用流体の温度が所定値以上のときである請求項１乃至９のいずれか１の車両用駆動装置の制御装置。
【請求項１１】
前記動力伝達経路の一部を構成する変速部を更に備える請求項１の車両用駆動装置の制御装置。
【請求項１２】
前記変速部は、前記無段変速部と前記駆動輪との間の動力伝達経路で前記伝達部材を介して直列に連結されているものである請求項１１の車両用駆動装置の制御装置。
【請求項１３】
前記差動制限装置は、予め定められた前記エンジンの常用出力域でないときに前記差動機構の差動作用を制限するため、および、前記無段変速部の電気的エネルギーの伝達が熱的に限界となる場合に該電気的エネルギーの伝達を抑制するように前記差動機構の差動作用を制限するために、共用されるものである請求項１の車両用駆動装置の制御装置。
【請求項１４】
前記予め定められた前記エンジンの常用出力域でないときとは、出力トルクが所定出力トルク以上、車速が所定車速以上、エンジントルクが所定エンジントルク以上、エンジン回転速度が所定回転速度以上、或いはエンジン出力が所定エンジン出力以上である請求項１３の車両用駆動装置の制御装置。
【請求項１５】
前記差動制限装置は切換クラッチおよび切換ブレーキからなり、該切換クラッチ或いは該切換ブレーキを半係合ないし完全係合して、前記差動機構の差動作用を制限するものである請求項１の車両用駆動装置の制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月19日(2007.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
【表１】
2006347997.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
実施例９  ＜トリートメント組成物（pH3.2）＞
（重量％）
ステアリン酸ジメチルアミノプロピルアミド
〔アミドアミンMPS，日光ケミカルズ(株)〕                    2.0
p-トルエンスルホン酸                                         0.1
ステアリルアルコール                                         6.5
ベヘニルアルコール                                           1.5
イソノナン酸イソノニル                                       0.5
ジメチルポリシロキサン（重合度600）                          2.5
高重合ジメチルポリシロキサン（重合度2600）                   1.5
アミノ変性シリコーン
〔SM-8704C，東レ・ダウコーニング・シリコーン(株)〕         1.0
乳酸                                                         0.5
グリコール酸                                                 1.5
リンゴ酸                                                     0.1
ジプロピレングリコール                                       3.0
ベンジルアルコール                                           0.2
ベンジルオキシエタノール                                     1.5
L-アルギニン〔川研ファインケミカル(株)〕                     0.2
パントテニルエチルエーテル                                   0.1
香料、メチルパラベン                                         適量
精製水                                                       残量
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月3日(2008.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＣチップと、前記ＩＣチップと少なくとも一部が重なるように設けられたアンテナと、を有する無線チップであって、
前記ＩＣチップと、前記アンテナと、が絶縁膜を介して重なる位置に、前記ＩＣチップ上に形成された配線を第１の電極とし、前記アンテナを第２の電極とする容量素子が形成されていることを特徴とする無線チップ。
【請求項２】
請求項１において、
前記ＩＣチップは、集積回路と、前記容量素子と、を有し、
前記集積回路は、半導体膜と、前記半導体膜上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、を有し、
前記配線は、前記第１の絶縁膜上に形成され、かつ、前記ソース電極およびドレイン電極と同じ材料で形成されていることを特徴とする無線チップ。
【請求項３】
請求項１において、
前記ＩＣチップは、集積回路と、前記容量素子と、を有し、
前記集積回路は、半導体膜と、前記半導体膜上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、を有し、
前記配線は、前記ゲート絶縁膜上に形成され、かつ、前記ゲート電極と同じ材料で形成されていることを特徴とする無線チップ。
【請求項４】
請求項１において、
前記ＩＣチップは、集積回路と、前記容量素子と、を有し、
前記集積回路は、基板上に形成された半導体膜と、前記半導体膜上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、を有し、
前記配線は、前記基板上に形成され、かつ、前記半導体膜と同じ材料で形成されていることを特徴とする無線チップ。
【請求項５】
ＩＣチップと、前記ＩＣチップと少なくとも一部が重なるように設けられたアンテナと、を有する無線チップであって、
前記ＩＣチップと、前記アンテナと、が絶縁膜を介して重なる位置に、前記ＩＣチップ上に形成された第１の配線を第１の電極とし、第１の配線上に第１の絶縁膜を介して形成された第２の配線を第２の電極とする第１の容量素子と、前記第２の配線を第１の電極とし、前記第２の配線上に第２の絶縁膜を介して形成された前記アンテナを第２の電極とする第２の容量素子が形成されていることを特徴とする無線チップ。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記ＩＣチップおよび前記アンテナは、同一基板上に形成されていることを特徴とする無線チップ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月19日(2008.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置、照明装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
並列に電気的に接続された少なくとも２つ以上の回路を有し、
前記回路は、少なくとも、第１の発光素子、第２の発光素子およびリミッタを有し、
前記第１の発光素子、前記第２の発光素子および前記リミッタは、直列に電気的に接続されており、
前記第１の発光素子と前記第２の発光素子はそれぞれ、第１の電極、第２の電極、および前記第１の電極と前記第２の電極の間の発光層を有し、
前記第１の発光素子が有する前記第１の電極と前記第２の発光素子が有する前記第２の電極は、接していることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
並列に電気的に接続された少なくとも２つ以上の回路を有し、
前記回路は、少なくとも、第１の発光素子、第２の発光素子およびリミッタを有し、
前記第１の発光素子、前記第２の発光素子および前記リミッタは、直列に電気的に接続されており、
前記第１の発光素子と前記第２の発光素子はそれぞれ、第１の電極、第２の電極、および前記第１の電極と前記第２の電極の間の発光層を有し、
前記第１の電極、前記第２の電極および前記発光層は、隔壁層が含む第１の開口部において重畳し、
前記第１の発光素子が有する前記第１の電極と前記第２の発光素子が有する前記第２の電極は、前記隔壁層が含む第２の開口部において重畳していることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記リミッタは、トランジスタ、抵抗またはダイオードであることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の前記発光装置を用いた照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月3日(2008.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路保護ユニットを有する発光装置であって、
第１の表面と第２の表面を有する発光スタッキング層と、
前記第１の表面と前記第２の表面の何れかに位置し、前記第１の表面と前記第２の表面にそれぞれ電気的に接続されて整流機能を提供する少なくとも一つの回路保護ユニットと、
を含み、
前記回路保護ユニットは、第１の低抵抗層と第１の電位バリア層とを有し、前記第１の低抵抗層と前記第１の電位バリア層との間の界面には、バリア電位が存在する、
発光装置。
【請求項２】
前記発光スタッキング層は、
前記第２の表面を有する第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に形成される発光層と、
前記第１の表面を有し、前記発光層上に形成される第２の半導体層と、
を含む、
請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記発光スタッキング層は、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｎ又はＰを含む、
請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
前記第１の低抵抗層は、Ｎｉ／Ａｕ、ＮｉＯ／Ａｕ、ＴｉＷＮ、透光性金属層、酸化インジウムスズ、酸化カドミウムスズ、酸化アンチモンスズ、酸化亜鉛、及び、酸化亜鉛スズからなるグループより選択される少なくとも一つを含む、
請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
前記第１の電位バリア層は、ＴｉＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＦｅＴｉＯ３、ＭｎＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＫＴａＯ３、ＷＯ３、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＧａＰ、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＣｄＳｅ、及び、ＣｄＳからなるグループより選択される少なくとも一つを含む、
請求項１に記載の発光装置。
【請求項６】
前記第１の低抵抗層と前記第１の電位バリア層との間の界面は、ショットキー界面又はｐ−ｎ界面である、
請求項１に記載の発光装置。
【請求項７】
前記第１の電位バリア層には、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ｏ、Ｓ及びＣからなるグループより選択される一つがドーピングされる、
請求項５に記載の発光装置。
【請求項８】
前記第１の低抵抗層上に位置する電極を更に含む、
請求項１に記載の発光装置。
【請求項９】
前記回路保護ユニットは、前記第１の表面と前記第２の表面に電気的に接続される電気接続層を更に含む、
請求項１に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記発光スタッキング層の側壁と前記回路保護ユニットとの間に形成される絶縁層を更に含む、
請求項１に記載の発光装置。
【請求項１１】
前記絶縁層は、ＳｉＮｘ又はＳｉＯ２を含む、
請求項１０に記載の発光装置。
【請求項１２】
前記第１の低抵抗層は、仕事関数ΦＬを有し、前記第１の電位バリア層は、仕事関数ΦＢを有し、
前記第１の低抵抗層は、金属又は透明導電性酸化物であり、且つ、前記第１の電位バリア層は、ｎ型半導体であるときに、ΦＬ＞ΦＢであり、
前記第１の低抵抗層は、金属又は透明導電性酸化物であり、且つ、前記第１の電位バリア層は、ｐ型半導体であるときに、ΦＬ＜ΦＢであり、
前記第１の低抵抗層は、ｎ型半導体であり、且つ、前記第１の電位パリア層は、ｐ型半導体であるときに、ΦＬ＜ΦＢである、
請求項１に記載の発光装置。
【請求項１３】
前記回路保護ユニットは、前記第１の表面と前記第２の表面の他の表面に位置する第２の低抵抗層と第２の電位バリア層を更に含む、
請求項１に記載の発光装置。
【請求項１４】
前記第２の低抵抗層は、Ｎｉ／Ａｕ、ＮｉＯ／Ａｕ、ＴｉＷＮ、透光性金属層、酸化インジウムスズ、酸化カドミウムスズ、酸化アンチモンスズ、酸化亜鉛、及び、酸化亜鉛スズからなるグループより選択される少なくとも一つを含む、
請求項１３に記載の発光装置。
【請求項１５】
前記第２の電位バリア層は、ＴｉＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＦｅＴｉＯ３、ＭｎＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＫＴａＯ３、ＷＯ３、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＧａＰ、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＣｄＳｅ、及び、ＣｄＳからなるグループより選択される少なくとも一つを含む、
請求項１３に記載の発光装置。
【請求項１６】
前記第２の低抵抗層と前記第２の電位バリア層との間の界面は、ショットキー界面又はｐ−ｎ界面である、
請求項１３に記載の発光装置。
【請求項１７】
前記第２の電位バリア層には、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ｏ、Ｓ及びＣからなるグループより選択される一つがドーピングされる、
請求項１５に記載の発光装置。
【請求項１８】
前記第２の低抵抗層上に位置する電極を更に含む、
請求項１３に記載の発光装置。
【請求項１９】
前記発光スタッキング層の下に位置する基板を更に含む、
請求項１に記載の発光装置。
【請求項２０】
前記発光スタッキング層と前記基板との間に位置する接続層を更に含む、
請求項１９に記載の発光装置。
【請求項２１】
前記接続層は、インジウム、錫、金、アルミニウム、銀とその合金、ポリイミド（ＰＩ）、ＢＣＢ（Benzocyclobutane）及びＰＦＣＢ（Perfluorocyclobutane）からなるグループより選択される少なくとも一つを含む、
請求項２０に記載の発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月3日(2007.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
底部と側部とで構成され収納空間を備えるボトムシャーシと、
前記ボトムシャーシに収納され、光を発生する平板蛍光ランプと、
前記平板蛍光ランプを固定するが、前記平板蛍光ランプとの間にギャップを形成して前記平板蛍光ランプとの間の衝撃を吸収するモールドと、
前記平板蛍光ランプを駆動するための放電電圧を出力するインバーターと、
を含むバックライト組立体。
【請求項２】
前記モールドは、
前記ボトムシャーシの前記側部上に配置される上部面と、
前記上部面から前記底部方向に延長された固定部と、を含むことを特徴とする請求項１記載のバックライト組立体。
【請求項３】
前記固定部は、
前記平板蛍光ランプの第１辺及び第２辺にそれぞれ対応して互いに平行に延長される第１反射面及び第２反射面と、
前記平板蛍光ランプの前記第１及び第２辺と垂直で前記第１及び第２辺より長さが長い第３辺及び第４辺にそれぞれ対応する第３反射面及び第４反射面と、を含むことを特徴とする請求項２記載のバックライト組立体。
【請求項４】
前記第１反射面及び前記第２反射面は、前記平板蛍光ランプの端部位を固定することを特徴とする請求項３記載のバックライト組立体。
【請求項５】
前記第３反射面及び前記第４反射面は、前記平板蛍光ランプと所定距離分だけ離隔されることを特徴とする請求項３記載のバックライト組立体。
【請求項６】
前記第３反射面及び前記第４反射面と前記平板蛍光ランプの端部位との間に配置される緩衝部材をさらに含むことを特徴とする請求項５記載のバックライト組立体。
【請求項７】
前記緩衝部材の表面には、反射層がさらに形成されることを特徴とする請求項６記載のバックライト組立体。
【請求項８】
前記平板蛍光ランプは、
第１基板と、
前記第１基板と離隔されて放電チャンネルを形成する放電チャンネル部と、隣接する前記放電チャンネル部の間に形成され前記第１基板と接するチャンネル分割部と、前記放電チャンネル部と前記チャンネル分割部の端部位とに形成され前記第１基板と結合されるシーリング部とを含む第２基板と、
前記放電チャンネルに放電電圧を印加するための電極と、を含むことを特徴とする請求項１記載のバックライト組立体。
【請求項９】
前記平板蛍光ランプは、
第１基板と、
前記第１基板と一定距離離隔されて配置される第２基板と、
前記第１基板と第２基板との間の空間を放電チャンネルに分割する隔壁と、
前記放電チャンネルに放電電圧を印加するための電極と、を含むことを特徴とする請求項１記載のバックライト組立体。
【請求項１０】
前記ボトムシャーシと前記平板蛍光ランプとの間に配置されて前記平板蛍光ランプを支持する支持部材と、
前記モールドの上部に配置される拡散板と、
前記拡散板を固定するための固定部材と、をさらに含むことを特徴とする請求項１記載のバックライト組立体。
【請求項１１】
前記ボトムシャーシと前記平板蛍光ランプとの間に配置されて前記平板蛍光ランプを支持する支持部材を含む請求項１記載のバックライト組立体。
【請求項１２】
前記支持部材は、
前記平板蛍光ランプの下部面に対応する第１支持部と、
前記平板蛍光ランプの側面に対応する第２支持部と、
を含むことを特徴とする請求項１１記載のバックライト組立体。
【請求項１３】
底部と側部とで構成され収納空間を備えるボトムシャーシと、
前記ボトムシャーシに収納され、光を発生する平板蛍光ランプと、
前記底部と平行な上部面と、前記上部面から前記底部の方向に傾いて前記平板蛍光ランプを固定する固定部とを含むモールドと、
前記平板蛍光ランプの上部に配置され、前記平板蛍光ランプから供給される光を用いて画像を表示する液晶表示パネルと、
前記平板蛍光ランプを駆動するための放電電圧を出力するインバーターと、
を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１４】
前記固定部は、
前記平板蛍光ランプの第１辺及び第２辺にそれぞれ対応して互いに平行に延長され、前記平板蛍光ランプの端部位を固定する第１反射面及び第２反射面と
前記平板蛍光ランプの前記第１及び第２辺と垂直で前記第１及び第２辺より長さ長い第３辺及び第４辺にそれぞれ対応する第３反射面及び第４反射面と、を含むことを特徴とする請求項１３記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記第３反射面及び前記第４反射面は、前記平板蛍光ランプと所定距離分だけ離隔されることを特徴とする請求項１４記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記第３反射面及び前記第４反射面と前記平板蛍光ランプの端部位との間に配置される緩衝部材をさらに含むことを特徴とする請求項１４記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
前記緩衝部材の表面には、反射物質が形成されることを特徴とする請求項１６記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
前記ボトムシャーシと前記平板蛍光ランプとの間に配置され前記平板蛍光ランプを支持する支持部材をさらに含むことを特徴とする請求項１４記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
前記支持部材は、
前記平板蛍光ランプの下部面に対応する第１支持部と、
前記平板蛍光ランプの側面に対応する第２支持部と、を含むことを特徴とする請求項１８記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
前記第３反射面及び前記第４反射面は、前記上部面から垂直に延長され前記第２支持部に対応するように配置されることを特徴とする請求項１９記載の液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月28日(2008.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
演算機能を行いアレイ状に配置された複数のセルを有するプロセッサと、
前記プロセッサの状態を制御し、前記プロセッサの複数の状態を含む状態遷移テーブルを有する切替制御部とを有し、
前記複数のセルが前記複数のセルの演算機能及びセル間のデータの転送方向からなる構成情報を切り替えるための情報を前記切替制御部に送信した場合に、前記切替制御部は前記プロセッサの次の状態を前記状態遷移テーブルから選択し、前記次の状態の情報を前記複数のセルに送信することを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２】
請求項１において、
前記状態遷移テーブルは、現在の前記複数のセルの状態が、指定した状態と一致し、かつ切替指示の信号が前記状態遷移テーブルに保存されているデータと一致することを切替条件とする表現と、現在の前記複数のセルの状態にかかわらず、切替指示の信号が前記状態遷移テーブルに保存されているデータと一致することを切替条件とする表現との両方を表現することを特徴とする半導体集積回路。
【請求項３】
請求項１において、
前記状態遷移テーブルは、状態遷移と同時に、ホストプロセッサへ割り込み要求を通知することを指定できることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項４】
請求項１において、
前記複数のセルから前記切替制御部に切替指示を通知する信号の出力は、前記複数のセルが、演算やデータ転送を行うための命令を利用して行うことを特徴とする半導体集積回路。
【請求項５】
演算を行うセルを複数保持するセルアレイ構造と、前記セルの演算機能とセル間のデータの転送方向を含む構成情報を切替るための切替制御部とを有するを有するリコンフィギュラブル回路を有するプロセッサを具備する半導体集積回路であって、
前記切替制御部は、複数の遷移チャネルを有する状態遷移テーブルを有し、
前記複数の遷移チャネルのそれぞれは、複数の前記構成情報のうち遷移先の構成情報に対応する遷移条件を保持し、前記遷移先及び前記遷移条件が同じ場合は、異なる遷移元であっても同一の遷移チャネルに保持されることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項６】
請求項５において、
前記複数の遷移チャネルのそれぞれは、遷移先の構成情報を示す第1情報と、遷移元の構成情報を示す第2情報と、前記遷移条件に遷移元の情報が含まれるかを示す第3情報を有することを特徴とする半導体集積回路。
【請求項７】
請求項６において、
前記半導体集積回路は、前記リコンフィギュラブル回路を制御するＣＰＵを更に有し、  前記複数の遷移チャネルのそれぞれは、更に、遷移する際に前記ＣＰＵに割り込みを通知するか否かを示す第４情報を有することを特徴とする半導体集積回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体集積回路
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月3日(2008.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カーバイド材料で形成するかまたはカーバイド材料で少なくとも部分的にコーティングしたイオナイザエミッタ電極であって、
前記カーバイド材料が炭化ゲルマニウム、炭化ボロン、炭化シリコンおよび炭化シリコン・ゲルマニウムからなるグループから選択される、
ことを特徴とするイオナイザエミッタ電極。
【請求項２】
実質的に炭化シリコンで形成された、
ことを特徴とするコロナ発生イオナイザエミッタ電極。
【請求項３】
金属ベースが少なくとも部分的に炭化シリコンでコーティングされた電導性金属ベースで形成された、
ことを特徴とするコロナ発生イオナイザエミッタ電極。
【請求項４】
実質的に炭化シリコンから形成され、約１００オーム-センチメータ（１００Ω-ｃｍ）以下の抵抗を有する、コロナ発生イオナイザエミッタ電極に高電圧を印加したときガスをイオン化する、ことを特徴とするコロナ発生イオナイザエミッタ電極。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月6日(2008.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トリップインジケータ機構を含むスイッチ機構において、
スイッチ接点、及び
前記接点が閉じた第１位置と、スイッチ機構と関連した回路で電気的故障が起こったことを示す、前記接点が開いた第２位置と、スイッチ機構がリセットされ且つスイッチ接点が開いた第３位置との間で移動自在のロッカを有し、
ひとたび第２位置になると、スイッチ機構を作動して接点を閉じる前に前記ロッカを第３位置に移動しなければならず、
前記ロッカは、互いに対して移動自在にスイッチハウジングに取り付けることができる第１及び第２のロッカ部材を含み、前記スイッチ機構を作動するため、前記第１及び第２のロッカ部材の少なくとも一方を前記スイッチ機構に連結できる、スイッチ機構。
【請求項２】
請求項１に記載のスイッチ機構において、
前記第１及び第２のロッカ部材の各々は前面を画成し、前記第１及び第２のロッカ部材の前面は、これらのロッカ部材の夫々の第１位置で実質的に平行であり、夫々の第２位置及び第３位置で互いに対して傾斜している、スイッチ機構。
【請求項３】
請求項２に記載のスイッチ機構において、前記第１及び第２のロッカ部材の前面は、前記第２位置及び第３位置にあるとき、互いに対して夫々が異なる角度で傾斜している、スイッチ機構。
【請求項４】
請求項２又は３に記載のスイッチ機構において、前記ロッカ部材は互いにヒンジ連結できる、スイッチ機構。
【請求項５】
請求項２乃至４のうちのいずれか一つに記載のスイッチ機構において、前記第１及び第２のロッカ部材の前面は色が異なる、スイッチ機構。
【請求項６】
請求項５に記載のスイッチ機構において、前記第１及び第２のロッカ部材は、色が異なるプラスチック材料で型成形される、スイッチ機構。
【請求項７】
請求項項２乃至６のうちのいずれか一つに記載のスイッチ機構において、前記第１ロッカ部材は、その前面と端面との間に段形成部を有する、スイッチ機構。
【請求項８】
請求項７に記載のスイッチ機構において、前記第１ロッカ部材の段形成部には指示が設けられている、スイッチ機構。
【請求項９】
請求項８に記載のスイッチ機構において、前記指示には、「引っ張って再設定せよ」と書かれている、スイッチ機構。
【請求項１０】
請求項項２乃至９のうちのいずれか一つに記載のスイッチ機構において、前記ロッカ部材は、遮断器ハウジングの前パネルに画成された開口部に取り付けられており、前記ロッカ部材の前記前面が、前記スイッチ接点が閉じた位置で実質的に平行であるとき、前記開口部の縁部と実質的に面一である、スイッチ機構。
【請求項１１】
請求項１０に記載のスイッチ機構において、前記第１及び第２のロッカ部材の前記前面が夫々の第２位置にあり、互いに対して傾斜しているとき、第１ロッカ部材の前記段形成部の面及び前記第２ロッカ部材の前記前面が前記遮断器ハウジングの前記前パネルと実質的に面一であり、前記第１ロッカ部材は前記前パネルから部分的に突出している、スイッチ機構。
【請求項１２】
請求項１１に記載のスイッチ機構において、前記第１及び第２のロッカ部材の前記前面が夫々の第３位置にあり、互いに対して傾斜しているとき、前記第２ロッカ部材の前記前面が前記遮断器ハウジングの前記前パネルと実質的に面一であり、前記第１ロッカ部材の前記段形成部の前記面が前記遮断器ハウジングの前記前パネルから突出している、スイッチ機構。
【請求項１３】
請求項項１乃至１２のうちのいずれか一つに記載のスイッチ機構において、前記ロッカと隣接してトリップ試験ボタンを含み、このトリップ試験ボタンは、前記ロッカが前記第１位置にあるときに前記スイッチ機構をトリップさせ、前記接点を開放し、前記ロッカを前記第２位置まで移動するように構成されている、スイッチ機構。
【請求項１４】
請求項項１乃至１３のうちのいずれか一つに記載のスイッチ機構において、遮断器を含む、スイッチ機構。
【手続補正書】
【提出日】平成20年6月23日(2008.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
＜実施例１＞
実施例１にかかる単焦点レンズは実施形態において説明したとおりである。
この単焦点レンズの各レンズ面の曲率半径Ｒ（ｍｍ）、各レンズの中心厚および各レンズ間の空気間隔（以下、これらを総称して軸上面間隔という）Ｄ（ｍｍ）、各レンズのｄ線における、屈折率Ｎｄおよびアッベ数νｄの値を表１に示す。なお表中の数字は物体側からの順番を表すものである。また、表１中の面番号の左側に＊が付された面は前述したように非球面とされている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
この単焦点レンズの各レンズ面の曲率半径Ｒ（ｍｍ）、各レンズの中心厚および各レンズ間の軸上面間隔Ｄ（ｍｍ）、各レンズのｄ線における、屈折率Ｎｄおよびアッベ数νｄの値を表３に示す。なお表中の数字は物体側からの順番を表すものである。また、表３中の面番号の左側に＊が付された面は前述したように非球面とされている。
また、表４には、上記非球面式に示される非球面の各定数Ｋ、Ａ４、Ａ６、Ａ８、Ａ１０の値を示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
この単焦点レンズの各レンズ面の曲率半径Ｒ（ｍｍ）、各レンズの中心厚および各レンズ間の軸上面間隔Ｄ（ｍｍ）、各レンズのｄ線における、屈折率Ｎｄおよびアッベ数νｄの値を表５に示す。なお表中の数字は物体側からの順番を表すものである。また、表５中の面番号の左側に＊が付された面は前述したように非球面とされている。
また、表６には、上記非球面式に示される非球面の各定数Ｋ、Ａ４、Ａ６、Ａ８、Ａ１０の値を示す。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月17日(2008.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  物体側より順に、負のパワーを持つ第１群と、絞りと、正のパワーを持つ第２群とを備えており、
前記第１群中にパワーを持たせた光軸折り曲げ部材を有しており、
前記光軸折り曲げ部材は、平面の反射面を有すると共に、光軸に回転対称な曲面によって構成される面を入射面、射出面の少なくとも一方に用いているプリズムからなることを特徴とする折り曲げ結像光学系。
【請求項２】  前記第１群は、物体側から順に、少なくとも１枚の負レンズと、正のパワーを持つ前記プリズムとからなることを特徴とする請求項１記載の折り曲げ結像光学系。  
【請求項３】  前記プリズムは負のパワーを持つことを特徴とする請求項１記載の折り曲げ結像光学系。
【請求項４】  全レンズ系の焦点距離をｆ、前記プリズムの焦点距離をｆprism としたとき、前記プリズムが以下の条件式を満足する請求項２記載の折り曲げ結像光学系。
（１）    ０．０１＜ｆ／ｆprism ＜３
【請求項５】  全レンズ系の焦点距離をｆ、前記プリズムの焦点距離をｆprism としたとき、前記プリズムが以下の条件式を満足する請求項３記載の折り曲げ結像光学系。
（２）    −３＜ｆ／ｆprism ＜−０．０５
【請求項６】  物体側より順に、負のパワーを持つ第１群と、絞りと、正のパワーを持つ第２群とを備えており、
前記第１群が有している光軸折り曲げ部材は、平面の反射面を有すると共に、入射面、射出面のうち一方が正のパワー、もう一方が負のパワーを持ち、その少なくとも一方が光軸に回転対称な曲面によって構成されるプリズムからなることを特徴とする折り曲げ結像光学系。
【請求項７】  前記光軸折り曲げ部材が有する前記平面の反射面が１面のみであることを特徴とする請求項１から６の何れか１項記載の折り曲げ結像光学系。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
さらに、ファインダー用光路４４上にはファインダー用対物光学系５３が配置してある。このファインダー用対物光学系５３によって形成された物体像は、像正立部材であるポロプリズム５５の視野枠５７上に形成される。このポロプリズム５５の後方には、正立正像にされた像を観察者眼球Ｅに導く接眼光学系５９が配置されている。なお、撮影光学系４１及びファインダー用対物光学系５３の入射側、接眼光学系５９の射出側にそれぞれカバー部材５０が配置されている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月17日(2008.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
第２レンズ群Ｌ２を光軸Ｌａに沿って物体側から像面側へ移動することによって、広角端から望遠端へとズーミングを行なう。ズーミングに際して第４レンズ群Ｌ４はズーミングに伴う像面変動の補償（補正）を行なうように移動し、所謂コンペンセーターの役割を果たす。第１レンズ群Ｌ１及び第３レンズ群Ｌ３は、ズーミングの為には固定となっている。図１（Ａ）は広角端のズーム位置での各レンズ群の配置であり、図１（Ｂ）は準広角状態（ワイドミドル域であり、ズーム比をＺとするとき０．２５Ｚ〜０．４Ｚの範囲内のズーム位置）のズーム位置での各レンズ群の配置、図１（Ｃ）は望遠端のズーム位置での各レンズ群の配置を表している。また、夫々の斜光束は、画面対角の最高像高における光路を表している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
上述したように、本実施形態によれば、物体から順に、正の屈折力の第１レンズ群Ｌ１、ズーミング中可動の負の屈折力の第２レンズ群Ｌ２、第１、第２の絞りを含む複数の絞り、正の屈折力の第３レンズ群Ｌ３を有し、全ズーム範囲中の第１のズーム範囲においては第１の絞りＳＰ１で光束を制限し、全ズーム範囲中の第２のズーム範囲においては第２の絞りＳＰ２で光束を制限することで、第１レンズ群Ｌ１を小型化し、レンズ全長を短縮し、前玉径を縮小している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
図３において、１０はカメラ本体、１１は本発明のズームレンズによって構成された撮影光学系、１２は撮影光学系１１によって被写体像を受光するＣＣＤ等の撮像素子、１３は撮像素子１２が受光した被写体像を記録する記録手段、１４は不図示の表示素子に表示された被写体像を観察するためのファインダーである。上記表示素子は液晶パネル等によって構成され、撮像素子上に形成された被写体像が表示される。