(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置のリードフレーム側部のゲート部のコーナーに円形の樹脂溜まりを設け、前記リードフレームの外部の余剰樹脂部分を固定し、前記リードフレームごと樹脂封止半導体装置を回転させて、前記円形の樹脂溜まりごと余剰樹脂部分を前記リードフレームから剥がすことを特徴とする樹脂封止半導体装置のリード部のゲートブレーク方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、樹脂封止半導体装置のリード部のゲートブレーク方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、このような樹脂封止半導体装置の樹脂封止は以下に示すようにして行われていた。
【０００３】
図９は従来の樹脂封止半導体装置の樹脂封止工程後の平面図、図１０はその図９のＡ−Ａ′線断面図、図１１は従来の樹脂封止半導体装置の樹脂封止を行う上金型の上面図、図１２は図１１のＡ−Ａ′断面であり、その樹脂封止半導体装置の樹脂封止工程断面図である。
【０００４】
樹脂封止半導体装置の樹脂封止工程は、図１２に示すように行われている。
【０００５】
（１）まず、図１２（ａ）に示すように、上金型２０１にはスプール２０２、上部キャビティ２０３が形成されている。また、下金型２１１には、トランスファーポット２１２、ランナー２１３、ゲート２１４、下部キャビティ２１５が形成されており、その上部キャビティ２０３と下部キャビティ２１５に半導体装置１００がセットされ、その半導体装置１００を支持するリードフレーム１０２がゲート２１４、ランナー２１３へと延びて配置される。また、トランスファーポット２１２内には封止樹脂タブレット３０１が装填されている。
【０００６】
（２）次に、図１２（ｂ）に示すように、上部キャビティ２０３と下部キャビティ２１５が閉じられ、トランスファーポット２１２内の封止樹脂タブレット３０１を加熱軟化させて、下部からプランジャ（図示なし）により加圧する。
【０００７】
（３）次に、図１２（ｃ）に示すように、加熱軟化された封止樹脂は、スプール２０２、ランナー２１３を経てゲート２１４に導かれる。
【０００８】
（４）更に、図１２（ｄ）に示すように、加熱軟化された封止樹脂は、半導体装置１００がセット上部キャビティ２０３と下部キャビティ２１５に導かれ、ここで一定時間加熱して硬化させる。
【０００９】
このようにして、図９および図１０に示されるリードフレーム１０２を有する樹脂封止半導体装置１０１が製造される。しかしながら、その封止後は、ゲートブレーク後に、図１３に示すように、余剰樹脂が残されることになる。
【００１０】
さらに、詳細に説明すると、その余剰樹脂１０３は、図１３に示すように、各部分に現れる。例えば、図１３（ａ）に示すように、ランナーの外側部分１１１に残ったり、図１３（ｂ）に示すように、ランナーの部分１１２に残ったり、図１３（ｃ）に示すように、ランナーの両側部分１１３に残ったり、図１３（ｄ）に示すように、ゲートの部分１１４に残ったりする。
【００１１】
それらの余剰樹脂を適切にゲートブレークすると、図１４に示すようになる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
上記したように、従来の樹脂封止半導体装置の製造方法では、図１３に示すように、余分な樹脂を取り除くゲートブレーク時にゲート部分の余分な樹脂を十分に取り除く事ができないという問題があった。
【００１３】
本発明は、上記問題点を除去し、樹脂封止時の余分な樹脂を十分に取り除くことができる樹脂封止半導体装置のリード部のゲートブレーク方法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、
〔１〕半導体装置のリードフレーム側部のゲート部のコーナーに円形の樹脂溜まりを設け、前記リードフレームの外部の余剰樹脂部分を固定し、前記リードフレームごと樹脂封止半導体装置を回転させて、前記円形の樹脂溜まりごと余剰樹脂部分を前記リードフレームから剥がすことを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１６】
図１は本発明の参考例を示す樹脂封止半導体装置の樹脂封止後の平面図、図２は図１のＡ−Ａ′線断面図、図３はその樹脂封止半導体装置の樹脂封止を行う上金型の上面図、図４は図３のＡ−Ａ′断面であり、その樹脂封止半導体装置の樹脂封止工程断面図である。
【００１７】
図１及び図２において、２は樹脂封止半導体装置、３はリードフレーム、４は余剰樹脂、４Ａはゲート近傍の上部に形成される凸状樹脂溜まりである。
【００１８】
以下、樹脂封止半導体装置の樹脂封止工程を図４を参照しながら説明する。
【００１９】
（１）まず、図４（ａ）に示すように、上金型２０１にはスプール２０２、上部キャビティ２０３、凹状部２１６が形成されている。また、下金型２１１には、トランスファーポット２１２、ランナー２１３、ゲート２１４、下部キャビティ２１５が形成されており、その上部キャビティ２０３と下部キャビティ２１５に半導体装置１がセットされ、その半導体装置１を支持するリードフレーム３がゲート２１４、ランナー２１３へと延びて配置される。また、トランスファーポット２１２内には封止樹脂タブレット３０１が装填されている。
【００２０】
（２）そこで、図４（ｂ）に示すように、上部キャビティ２０３と下部キャビティ２１５が閉じられ、トランスファーポット２１２内の封止樹脂タブレット３０１を加熱軟化させて、下部からプランジャ（図示なし）により加圧する。
【００２１】
（３）次に、図４（ｃ）に示すように、加熱軟化された封止樹脂は、スプール２０２、ランナー２１３を経てゲート２１４に導かれる。
【００２２】
（４）更に、図４（ｄ）に示すように、加熱軟化された封止樹脂は、半導体装置１がセットされた上部キャビティ２０３と下部キャビティ２１５に導かれるとともに、ゲート２１４近傍の上部に形成される凸状樹脂溜まり４Ａを形成する凹状部２１６に充填される。ここで一定時間加熱して硬化させる。
【００２３】
このようにして、図１及び図２に示されるリードフレーム３を有する樹脂封止半導体装置２が製造される。
【００２４】
このように、この参考例では、ゲート部近傍の上部に凸状樹脂溜まり４Ａを形成するようにしている。
【００２５】
以上のように、参考例によれば、半導体装置の製造方法の一部である樹脂封止工程において、ゲート部に凹状部が形成された金型を使用することにより、ゲート部近傍の上部に凸状の樹脂溜まりを成形することが可能となり、ゲートブレイク時に余剰樹脂が残らないという効果が得られる。
【００２６】
次に、この参考例のゲートブレーク方法について説明する。
【００２７】
図５はこの参考例のゲートブレーク工程断面図である。
【００２８】
（１）まず、図５（ａ）に示すように、樹脂封止を行った後、樹脂の冷却を行う。半導体装置１の樹脂封止後には、ゲート近傍の上部に凸状樹脂溜まり４Ａが設けられている。
【００２９】
（２）次いで、図５（ｂ）に示すように、樹脂封止半導体装置２及びリードフレーム３の部分を半導体装置受け台５に載せるとともに、リードフレーム３の外方の余剰樹脂４が動かないように余剰樹脂４の外側部を余剰樹脂受け台６上に載せ、上部から余剰樹脂４の外側部を余剰樹脂押さえ７で押さえて固定する。
【００３０】
（３）次に、図５（ｃ）に示すように、リードフレーム３ごと樹脂封止半導体装置２を回転させる。
【００３１】
（４）すると、図５（ｄ）に示すように、余剰樹脂４と樹脂封止半導体装置２を切り離すことができる。
【００３２】
この参考例によれば、ゲート部近傍の上部に凸状樹脂溜まり４Ａを設けるようにしたので、余剰樹脂４は一体的に剥がれ、ゲートブレーク時に余剰樹脂４が残らないという効果を奏することができる。
【００３３】
次に、本発明の実施例について説明する。
【００３４】
図６は本発明の実施例を示す樹脂封止半導体装置の樹脂封止後の平面図、図７は図６のＡ−Ａ′線断面図である。
【００３５】
これらの図に示すように、この実施例の樹脂封止半導体装置の樹脂封止後の構造は、参考例の凸状樹脂溜まり４Ａに代えて、リードフレーム３の側部のゲート部のコーナーに円形に加工される樹脂溜まり４Ｂを有する点を除いて、参考例と同様である。また、金型の構造も参考例の凸状樹脂溜まり４Ａを形成する凹状部２１６に代えて、この実施例ではリードフレーム３の側部のゲート部のコーナーに円形に加工される樹脂溜まり４Ｂを形成する窪み部（図示なし）を形成する。
【００３６】
次に、この実施例のゲートブレーク方法について説明する。
【００３７】
図８はこの実施例のゲートブレーク工程断面図である。
【００３８】
（１）まず、図８（ａ）に示すように、樹脂封止を行った後、樹脂の冷却を行う。樹脂封止半導体装置２の樹脂封止後には、リードフレーム３の側部のゲート部のコーナーが円形に形成された樹脂溜まり４Ｂを有している。
【００３９】
（２）次いで、図８（ｂ）に示すように、樹脂封止半導体装置２及びリードフレーム３の部分を半導体装置受け台５に載せるとともに、余剰樹脂４が動かないようにリードフレーム３の外方の余剰樹脂４を余剰樹脂受け台６上に載せ、上部から余剰樹脂４の外側部を余剰樹脂押さえ７で押さえて固定する。
【００４０】
（３）次に、図８（ｃ）に示すように、リードフレーム３ごと樹脂封止半導体装置２を回転させる。
【００４１】
（４）すると、図８（ｄ）に示すように、余剰樹脂４と樹脂封止半導体装置２を切り離すことができる。
【００４２】
上記したように、この実施例によれば、リードフレーム３側部のゲート部のコーナーに円形の樹脂溜まり４Ｂが形成されているので、余剰樹脂４は一体的に剥がれ、ゲート部のコーナーに余剰樹脂４が残らないという効果を奏することができる。
【００４３】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【００４４】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、以下のような効果を奏することができる。
【００４５】
（Ａ）リードフレーム側部のゲート部のコーナーに円形の樹脂溜まりが形成されているので、余剰樹脂は一体的に剥がれ、ゲート部のコーナーに余剰樹脂が残らないという効果を奏することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の参考例を示す樹脂封止半導体装置の樹脂封止後の平面図である。
【図２】  図１のＡ−Ａ′線断面図である。
【図３】  本発明の参考例を示す樹脂封止半導体装置の樹脂封止を行う上金型の上面図である。
【図４】  図３のＡ−Ａ′断面であり、その樹脂封止半導体装置の樹脂封止工程断面図である。
【図５】  本発明の参考例を示す樹脂封止半導体装置のゲートブレーク工程断面図である。
【図６】  本発明の実施例を示す樹脂封止半導体装置の樹脂封止後の平面図である。
【図７】  図６のＡ−Ａ′線断面図である。
【図８】  本発明の実施例を示す樹脂封止半導体装置のゲートブレーク工程断面図である。
【図９】  従来の樹脂封止半導体装置の樹脂封止工程後の平面図である。
【図１０】  図９のＡ−Ａ′線断面図である。
【図１１】  従来の樹脂封止半導体装置の樹脂封止を行う上金型の上面図である。
【図１２】  図１１のＡ−Ａ′断面であり、その樹脂封止半導体装置の樹脂封止工程断面図である。
【図１３】  従来技術の問題点の説明図である。
【図１４】  理想的な樹脂封止半導体装置の樹脂封止後の平面図である。
【符号の説明】
１    半導体装置
２    樹脂封止半導体装置
３    リードフレーム
４    余剰樹脂
４Ａ    ゲート近傍の上部に形成される凸状樹脂溜まり
４Ｂ    円形に加工される樹脂溜まり
５    半導体装置受け台
６    余剰樹脂受け台
７    余剰樹脂押さえ
２０１    上金型
２０２    スプール
２０３    上部キャビティ
２１６    凹状部
２１１    下金型
２１２    トランスファーポット
２１３    ランナー
２１４    ゲート
２１５    下部キャビティ
３０１    封止樹脂タブレット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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