【手続補正書】
【提出日】平成19年11月22日(2007.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びその作製方法並びに電気器具
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素ＴＦＴと、前記画素ＴＦＴと電気的に接続されたソース線と、を有し、
前記画素ＴＦＴのゲート電極と前記ソース線とは、同一の面上に形成されており、
前記ソース線には、前記ソース線より抵抗率の小さい導電膜を用いて形成された補助配線が、前記ソース線に沿うようにかつ接して設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
画素ＴＦＴと、前記画素ＴＦＴと配線を介して電気的に接続されたソース線と、前記画素ＴＦＴのゲート電極と電気的に接続されたゲート線と、を有し、
前記画素ＴＦＴのゲート電極と前記ソース線とは、同一の面上に形成されており、
前記ゲート線と前記配線とは、同一の面上に形成されており、
前記ソース線には、前記ソース線より抵抗率の小さい導電膜を用いて形成された補助配線が、前記ソース線に沿うようにかつ接して設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
画素ＴＦＴと、前記画素ＴＦＴと配線を介して電気的に接続されたソース線と、前記画素ＴＦＴのゲート電極と電気的に接続されたゲート線と、を有し、
前記画素ＴＦＴのゲート電極と前記ソース線とは、同一の面上に形成されており、
前記ゲート線と前記配線とは、同一の面上に形成されており、
前記ソース線には、前記ソース線より抵抗率の小さい導電膜を用いて形成された補助配線が、前記ソース線に沿うようにかつ接して設けられおり、
前記画素ＴＦＴの半導体層と同一の面上にかつ同じ材料を用いて形成された半導体層と、前記補助配線と同一の面上にかつ同じ材料を用いて形成された容量配線と、前記画素ＴＦＴのゲート絶縁膜と、によって容量が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記補助配線を形成する導電膜は、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇのいずれかの元素、またはそれらの元素を主成分とする合金を用いて形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
画素ＴＦＴと、前記画素ＴＦＴと配線を介して電気的に接続されたソース線と、前記画素ＴＦＴのゲート電極と電気的に接続されたゲート線と、を有し、
前記画素ＴＦＴのゲート電極と前記ソース線とは、同一の面上に形成されており、
前記ゲート線と前記配線とは、同一の面上に形成されており、
前記ソース線には、前記ソース線より抵抗率の小さい第１の導電膜と、前記第１の導電膜上に形成された第２の導電膜との積層膜を用いて形成された補助配線が、前記ソース線に沿うようにかつ接して設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
画素ＴＦＴと、前記画素ＴＦＴと配線を介して電気的に接続されたソース線と、前記画素ＴＦＴのゲート電極と電気的に接続されたゲート線と、を有し、
前記画素ＴＦＴのゲート電極と前記ソース線とは、同一の面上に形成されており、
前記ゲート線と前記配線とは、同一の面上に形成されており、
前記ソース線には、前記ソース線より抵抗率の小さい第１の導電膜と、前記第１の導電膜上に形成された第２の導電膜との積層膜を用いて形成された補助配線が、前記ソース線に沿うようにかつ接して設けられており、
前記画素ＴＦＴの半導体層と同一の面上かつ同じ材料を用いて形成された半導体層と、前記補助配線と同一の面上かつ同じ材料を用いて形成された容量配線と、前記画素ＴＦＴのゲート絶縁膜と、によって容量が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項５または請求項６において、
前記第１の導電膜は、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇのいずれかの元素、またはそれらの元素を主成分とする合金を用いて形成されており、
前記第２の導電膜は、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、ＮｄもしくはＮｂのいずれかの元素、それらの元素を主成分とする合金、またはそれらの元素を主成分とする化合物を用いて形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のいずれか一において、
前記配線は、前記第１の導電膜には直接接続されていないことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項２乃至請求項７のいずれか一において、
前記配線は、前記画素ＴＦＴ及び前記ソース線に直接接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項２乃至請求項７のいずれか一において、
前記配線は、前記画素ＴＦＴ及び前記補助配線に直接接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
前記ゲート電極および前記ソース線は、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、ＮｄもしくはＮｂのいずれかの元素、それらの元素を主成分とする合金、またはそれらの元素を主成分とする化合物を用いて形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一に記載された半導体装置を用いて作製されたことを特徴とする電気器具。
【請求項１３】
絶縁体上に半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極とソース線とを形成し、
前記ソース線より抵抗率の小さい補助配線を、前記ソース線に沿いかつ接するように形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
絶縁体上に半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極とソース線とを形成し、
前記ソース線より抵抗率の小さい補助配線を、前記ソース線に沿いかつ接するように形成し、
前記半導体層に不純物領域を形成し、
前記半導体層と、前記ゲート電極と、前記ソース線及び前記補助配線と、を覆って層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜に第１乃至第３のコンタクトホールを形成し、
前記層間絶縁膜上に、前記第１のコンタクトホールを介して前記ゲート電極と電気的に接続するゲート線と、前記第２及び第３のコンタクトホールを介して前記半導体層と前記ソース線とを電気的に接続する配線と、を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
絶縁体上に半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極とソース線とを形成し、
前記ソース線より抵抗率の小さい第１の導電膜と、前記第１の導電膜上の第２の導電膜との積層膜を有する補助配線を、前記ソース線に沿いかつ接するように形成し、
前記半導体層に不純物領域を形成し、
前記半導体層と、前記ゲート電極と、前記ソース線及び前記補助配線と、を覆って層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜に第１乃至第３のコンタクトホールを形成し、
前記層間絶縁膜上に、前記第１のコンタクトホールを介して前記ゲート電極と電気的に接続するゲート線と、前記第２及び第３のコンタクトホールを介して前記半導体層と前記ソース線とを電気的に接続する配線と、を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
絶縁体上に半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極とソース線とを形成し、
前記ソース線より抵抗率の小さい第１の導電膜と、前記第１の導電膜上の第２の導電膜との積層膜を有する補助配線を、前記ソース線に沿いかつ接するように形成し、
前記半導体層に不純物領域を形成し、
前記半導体層と、前記ゲート電極と、前記ソース線及び前記補助配線と、を覆って層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜に、前記ゲート電極に達する第１のコンタクトホールと、前記半導体層に達する第２のコンタクトホールと、前記第２の導電膜に達する第３のコンタクトホールと、を形成し、
前記層間絶縁膜上に、前記第１のコンタクトホールを介して前記ゲート電極と電気的に接続するゲート線と、前記第２及び第３のコンタクトホールを介して前記半導体層と前記第２の導電膜とを電気的に接続する配線と、を形成し、
前記配線は、前記第１の導電膜には直接接続しないことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１５または請求項１６において、
前記第１の導電膜は、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇのいずれかの元素、またはそれらの元素を主成分とする合金を用いて形成し、
前記第２の導電膜は、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、ＮｄもしくはＮｂのいずれかの元素、それらの元素を主成分とする合金、またはそれらの元素を主成分とする化合物を用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１４乃至請求項１７のいずれか一において、
前記不純物領域の形成は、低濃度不純物領域を形成した後に、高濃度不純物領域を形成し、
前記配線は、前記高濃度不純物領域と電気的に接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１３乃至請求項１８のいずれか一において、
前記ゲート電極および前記ソース線は、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、ＮｄもしくはＮｂのいずれかの元素、それらの元素を主成分とする合金、またはそれらの元素を主成分とする化合物を用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。