【手続補正書】
【提出日】平成20年6月26日(2008.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１個の半導体素子と、キャリアと、多層構造で半導体素子とキャリアの間の接続をする複数の導線とを含む半導体デバイスをパッケージ化する方法において、
多層ワイヤボンディング半導体デバイスにおいて各層で素子間の接続をする複数の導線の少なくとも２本の一部のみを横切って絶縁材料の少なくとも１個のビーズを適用するステップと、導線と素子を封止することにより、半導体デバイスをパッケージ化するステップとを備え、更に、絶縁材料が、導線の隣合うものの間の間隙より小さい直径を有する絶縁粒子を含む方法。
【請求項２】
前記適用ステップの後に絶縁材料を硬化させるステップを更に備える請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記硬化ステップが、絶縁材料を加熱することと、絶縁材料を紫外線に暴露することとの少なくとも一方を含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記適用ステップが、絶縁粒子として球状シリカ粒子を含む絶縁コンパウンドを複数の導線の一部に適用することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
絶縁コンパウンドが、少なくとも１個の半導体素子の近くに大略円周状に適用される請求項４に記載の方法。
【請求項６】
絶縁コンパウンドが、少なくとも２個の幾何学形状構造で適用されると共に、幾何学形状構造の各々が、少なくとも１個の半導体素子を円周状に大略囲む請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記適用ステップが、複数の導線の一部に加えて少なくとも１個の半導体素子の少なくとも一部に絶縁材料を適用することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記適用ステップが、複数の導線の一部に加えてキャリアの少なくとも一部に絶縁材料を適用することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記適用ステップが、少なくとも１個の半導体素子の周辺部の回りに絶縁材料を少なくとも２個の異なる構造で適用することを含むと共に、該２個の構造が互いに当接しない請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
複数の半導体素子と、多層構造に配置されて半導体素子の間の接続をする複数の導線と、多層の内の少なくとも２層において複数の導線の少なくとも２本の一部のみを横切って適用される絶縁材料とを備え、更に、絶縁材料が、導線の隣合うものの間の間隙より小さい直径を有する絶縁粒子を含む半導体デバイス。
【請求項１１】
半導体デバイスをパッケージ化するように、導線と素子を封止する封止層を更に備える請求項１０に記載の半導体デバイス。
【請求項１２】
複数の半導体素子が、複数の第１接点を有する少なくとも１個の半導体ダイと、複数の第２接点を有するリードフレームとを含み、又、複数の導線が、複数の第１接点と複数の第２接点の間の接続をする請求項１０に記載の半導体デバイス。
【請求項１３】
絶縁材料を、半導体ダイの近傍で複数の導線の少なくとも２本の一部を横切って配置した請求項１２に記載の半導体デバイス。
【請求項１４】
絶縁材料を、半導体ダイとリードフレームの間の略中間で複数の導線の少なくとも２本の一部を横切って配置した請求項１２に記載の半導体デバイス。
【請求項１５】
絶縁材料が硬化性絶縁材料である請求項１０に記載の半導体デバイス。
【請求項１６】
絶縁材料が、ビーズ成形品又はビーズ状成形品を有する請求項１０に記載の半導体デバイス。
【請求項１７】
絶縁材料が、熱硬化性絶縁材料と紫外線硬化性絶縁材料の少なくとも一方である請求項１０に記載の半導体デバイス。
【請求項１８】
絶縁材料が、複数の球状シリカ粒子から成る請求項１０に記載の半導体デバイス。
【請求項１９】
絶縁材料が、半導体デバイスの内方素子の周辺部の回りに適用される請求項１０に記載の半導体デバイス。
【請求項２０】
絶縁材料が、半導体デバイスの内方素子の周辺部の回りの少なくとも２個の異なる大略円周状の構造物であると共に、該２個の構造物が互いに当接しない請求項１０に記載の半導体デバイス。
【請求項２１】
前記構造物の第１のものが内方素子の一部に当接し、及び／又は前記構造物の第２のものが、内方素子を支持するキャリアの一部に当接する請求項２０に記載の半導体デバイス。
【請求項２２】
少なくとも１個の半導体素子と、キャリアと、多層構造で半導体素子とキャリアの間の接続をする複数の導線とを含む半導体デバイスをパッケージ化する方法において、
導線の隣合うものの間の間隙より小さい直径を有する絶縁粒子を含む絶縁材料を、各層で複数の導線の少なくとも２本の一部のみを横切って適用することにより、隣合う導線間の短絡電位を低減するステップと、絶縁材料を硬化させるステップとを備える方法。
【請求項２３】
前記適用ステップが、シリカ粒子とポリマー樹脂を含む絶縁材料を適用することを含む請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記硬化ステップが、紫外線、可視線と赤外線の少なくとも１個に絶縁材料を暴露することを含む請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
前記硬化ステップが、絶縁材料を加熱することと、紫外線、可視線と赤外線の少なくとも１個に絶縁材料を暴露することとを含む請求項２２に記載の方法。
【請求項２６】
前記硬化ステップが、温度のランプアップ、温度のソークと温度のランプダウンを含む熱工程を絶縁材料に印加することを含む請求項２２に記載の方法。
【請求項２７】
前記適用ステップが、絶縁粒子が絶縁材料の５０重量％と８５重量％の間を占める絶縁材料を半導体デバイスに適用することを含む請求項２２に記載の方法。
【請求項２８】
前記適用ステップが、絶縁粒子が２０ミクロンの最大直径を有する絶縁材料を半導体デバイスに適用することを含む請求項２２に記載の方法。
【請求項２９】
前記適用ステップが、絶縁粒子が約４．５ミクロンのメジアン直径を有する絶縁材料を半導体デバイスに適用することを含む請求項２２に記載の方法。
【請求項３０】
前記適用ステップが、絶縁粒子が約４．１ミクロンの平均直径を有する絶縁材料を半導体デバイスに適用することを含む請求項２２に記載の方法。
【請求項３１】
前記適用ステップで、絶縁粒子が導線の隣合うものの間に分散させられることにより、導線の隣合うものの間が絶縁分離される請求項２２に記載の方法。
【請求項３２】
前記適用ステップの前に、半導体デバイスを５０℃と１２５℃の間の温度に加熱するステップを更に備える請求項２２に記載の方法。
【請求項３３】
前記適用ステップの前に、半導体デバイスを８０℃と１００℃の間の温度に加熱するステップを更に備える請求項２２に記載の方法。
【請求項３４】
前記適用ステップの前に、絶縁材料を３５℃と８５℃の間の温度に加熱するステップを更に備える請求項２２に記載の方法。
【請求項３５】
前記適用ステップの前に、絶縁材料を５０℃と７０℃の間の温度に加熱するステップを更に備える請求項２２に記載の方法。
【請求項３６】
半導体デバイスを封止するステップを更に備える請求項２２に記載の方法。
【請求項３７】
前記封止ステップが、半導体デバイスをオーバーモールド封入剤で封止することを含む請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
前記封止ステップが、半導体デバイスをグロブトップ封入剤で封止することを含む請求項３６に記載の方法。
【請求項３９】
前記適用ステップが、複数の導線の一部に加えて少なくとも１個の半導体素子の少なくとも一部に絶縁材料を適用することを含む請求項２２に記載の方法。
【請求項４０】
前記適用ステップが、複数の導線の一部に加えてキャリアの少なくとも一部に絶縁材料を適用することを含む請求項２２に記載の方法。
【請求項４１】
少なくとも１個の半導体素子と、半導体素子を支持するキャリアと、多層構造に配置されて半導体素子とキャリアの間の接続をする複数の導線と、導線の隣合うものの間の所望の所定間隙より小さい直径を有する絶縁粒子を含む絶縁材料とを備え、又、導線の隣合うものの間の短絡電位を低減するように、絶縁材料が、多層の内の少なくとも２層において複数の導線の少なくとも２本の一部のみを横切って適用された半導体デバイス。
【請求項４２】
絶縁材料がポリマー樹脂を含むと共に、絶縁粒子がシリカ粒子である請求項４１に記載の半導体デバイス。
【請求項４３】
絶縁材料が、紫外線、可視線と赤外線の少なくとも１個によって少なくとも部分的に硬化させられる請求項４１に記載の半導体デバイス。
【請求項４４】
絶縁粒子が絶縁材料の５０重量％と８５重量％の間を占める請求項４１に記載の半導体デバイス。
【請求項４５】
絶縁粒子が２０ミクロンの最大直径を有する請求項４１に記載の半導体デバイス。
【請求項４６】
絶縁粒子が約４．５ミクロンのメジアン直径を有する請求項４１に記載の半導体デバイス。
【請求項４７】
絶縁粒子が約４．１ミクロンの平均直径を有する請求項４１に記載の半導体デバイス。
【請求項４８】
絶縁粒子が、複数の導線の少なくとも２本の間を絶縁分離する請求項４１に記載の半導体デバイス。
【請求項４９】
半導体素子、キャリア、導線と絶縁材料を封止する封止層を更に備える請求項４１に記載の半導体デバイス。
【請求項５０】
封止層がオーバーモールド封入剤を含む請求項４９に記載の半導体デバイス。
【請求項５１】
封止層がグロブトップ封入剤を含む請求項４９に記載の半導体デバイス。
【請求項５２】
各々の導線が、各々の導線の直径より少なくとも２５０倍大きい長さを有する請求項４９に記載の半導体デバイス。