(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、下地層、磁性層、保護層及び潤滑層をこの順に少なくとも形成する磁気記録媒体の製造方法において、
前記保護層は少なくとも、非晶質硬質水素炭化膜を成膜する第一の工程と、その後前記非晶質硬質水素炭化膜の表面にＮ（窒素）を加速電圧150eV以下のイオンビームガンを用いて処理する第二の工程と、により形成されることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記第二の工程は保護膜の表面を所望の表面粗さにするように処理時間を決定する、
請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記保護層内のＮ（窒素）の量は表面側に近いほど増加し、前記非晶質硬質水素炭化膜の表面からの深さ1.3nmまでの領域に前記イオンビームで処理されたＮ（窒素）が分布することを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記Ｎ（窒素）が分布する領域における窒素含有量は１３at％以上であることを特徴とする請求項３記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記保護層の厚みは5nm以下であり、
前記基板の表面粗さが平均粗さRaで0.4nm以下であり、前記保護層の表面の粗さが前記基板の表面粗さよりも大きく、かつRaで2nm以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記潤滑層はフッ素系潤滑剤を塗布することにより形成されることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
前記深さはESCAを用いて測定したものであることを特徴とする請求項３乃至請求項６のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は磁気ディスクなどの磁気記録媒体の構成に関し，特に極低浮上対応磁気記録媒体の保護層の表面処理に関する技術で最終形態の表面の粗さを意図的に制御したものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に磁気記憶装置は、図1に示すように磁気記録媒体1とこれを把持し，回転するスピンドル2と読み書きを行う磁気ヘッド３と磁気ヘッドの位置決めを行うサ−ボ機構4とこれらを駆動するための電気回路5からなり，これらを組み合わせて一つの磁気ディスクドライブとなる。
【０００３】
また、一般に磁気記録媒体の構成としては、非磁性基体上に金属下地層，磁性層，保護膜層，潤滑膜層からなり磁気記録媒体に求められる特性はＲ/Ｗ特性ばかりでは無く，磁気ヘッドとの接触による媒体表面の損傷などの耐摺動性等に関する事柄が重要となる。特に基板表面については微細砥粒を用いた機械加工法によるテクスチャ−と呼ばれる周方向もしくは無方向研磨による微細な溝を形成することにより磁気ヘッドと磁気ディスクの吸着を防止する方法が一般的である。
【０００４】
また、その他の方法としては基板もしくは磁性層表面にスパッタリングにより微細な突起を形成する事によりテクスチャ−同様の効果を得る方法（デポテクスチャ−と呼ばれる方法），また，保護膜形成後，テフロン粒子などをマスク材として塗布し表面をドライエッチング法によりエッチングし保護膜表面を加工し保護膜自体に凹凸を形成し同様の効果を得る方法（エッチングテクスチャ−法）などがある。
【０００５】
いずれの方法においてもその目的は磁気ヘッドの磁気ディスクへの粘着防止とコンタクトスタ−トストップ（以下ＣＳ/Ｓと呼ぶ）による耐信頼性確保が主である。しかしながら，近年、特に高記録密度化に伴い磁気ヘッドの浮上量が10ｎｍを下回って来ている今日においてはCSS方式からランプロード方式（磁気ディスクを回転させておいてから磁気ヘッドを磁気ディスク上に乗せる方法）が主体となっており、従来のＣＳＳ耐力，粘着力などの評価方法では実際の磁気ヘッドが浮上しながら不規律に接触するデ−タ面の耐力を表すことは不可能となった。
【０００６】
従来技術ではデ−タ面とは言え機械加工によるテクスチャ−（以下ＴＥＸと呼ぶ）と呼ばれる微細な溝を付けることにより接触時の衝撃による損傷を緩和，潤滑材による磁気ヘッドの粘着防止をする方式が一般的である。この方法によればＴＥＸ加工自体は基板の表面粗さを付けることであり，表面粗さが大きくなれば必然的に磁気ヘッドの浮上量は高くなり，磁気ヘッドが円板面より浮上する最低限の高さであるヘッド・テイク・オフ高さ（Ｈｔｏ）も高くなるため極低浮上領域での使用には耐えない。更に，基板にある程度の粗さを持たすことは当然其の上に積層される下地膜，磁性膜，保護膜の表面粗さにそのまま，或るいは其れ以上に強調されて出現することとなり，最終的に出来上がった磁気記録媒体の表面粗さは基板の表面粗さと同等以上になる。そこで、使用される基板の表面は限りなく平面にすることが要求され、このため、保護膜、潤滑膜に要求される耐摺動特性は限りなく耐力のあるものが必要となる。これらの問題を解決するためにもダイアモンドライクカーボン膜（非晶質硬質水素化炭素膜）（本明細書中ではＤＬＣ膜と記す）の様な高硬度の高強度保護膜が要求されるようになっている。
【０００７】
しかしながらＤＬＣ膜の成膜方式にはＣＶＤ方式が多く使われており、これによって成膜されたＤＬＣ膜は膜の被服率が非常に高く、かつ表面が極平坦化され、潤滑剤の官能基と手をつなぐラジカルなどが少なくなる特徴を持っている。このような面に潤滑剤を塗布した場合には潤滑剤が付着しにくく、かつ飛びやすい。また、極平坦な表面に対して磁気ヘッドが接触した場合には接触時の接線力が大きくなる。これは平坦になればなるほど生じやすくクラッシュの原因にもなっている。
【０００８】
さらに、要求される保護膜の厚さは高記録密度化に伴い5nm以下になってきている。従来技術では保護膜の強度を向上させるために従来では特開平1-263912ではＤＬＣ膜に窒素イオンをイオン注入によって行っている。同特許ではこれによりＤＬＣ膜表面に窒素イオン注入層ができ、表面層ほど膜の硬度が高くなるとしている。しかしながら、この特許ではイオン注入の条件として5ｋeＶ〜60ｋeＶで窒素イオンを加速しておりこの条件で加速するとおおよそ270A〜3600Aの深さまで到達することになり、保護膜の膜厚が100〜200Aに対して非常に大きな加速を行っていることになり、注入以前にエッチング現象が生じてもおかしくない。さらにこのようにして出来た表面でのスペーシングロスは無いとしていること、また、加速された窒素イオンが実際には磁性層にまで達していることから、磁性層の磁気記録特性に必ず影響がでることは明白でドロップアウトによるエラーレートの向上は望めないと考えられる。
【０００９】
これらの問題は特開平9-219020に記載されている方法によっても同様で保護膜厚が100〜200Aと厚いところでは注入条件の見直しで注入深さの制御が可能となる可能性もあるが現状では保護膜厚が50A以下であり、これらの方法では困難となる。さらに、注入によって入った窒素イオンはＤＬＣ膜の基本組成である炭素と結びつくことは希であり、物理的に入り込んでいるに他ならない。
【００１０】
従って、前記したようなＤＬＣ膜への潤滑剤の付き周りの改善効果も望めないことがわかる。また、これらの方法ではＤＬＣ膜表面の形態を制御することは出来ないため（形態が変化しないと記載している）、磁気ヘッドの接触時の接線力は高くなる一方で耐摺動性の向上は望めない。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明では上述した従来技術では成し得ない磁気ヘッドの浮上量が１０nm以下で、基板の表面粗さRaが0.4ｎｍ以下で且つ5ｎｍ以下の極薄膜のＤＬＣ膜上に任意に表面粗さを形成し、また、ＤＬＣ膜表面に潤滑剤が付きやすく極低浮上領域での耐摺動性を確保することを目的として、ＤＬＣ膜5ｎｍ以下の極表面層のみを処理する技術、方法を提案した。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明では従来のイオン打ち込みによる方法では高電圧、極小電流条件にしか成らないことから近年ＤＬＣ膜の成膜に検討されているイオンビームガンを用い、検討を進めることとした。
【００１３】
これらのイオンビームガンはＤＬＣ膜を効率よく作成するために原材料となるエチレン、メタン、アセチレンなどのガスをプラズマで分解、イオン化し基板におおよそ200eV程度のエネルギーで加速することにより硬質なＤＬＣ膜を作成するものであり、加速電圧を任意に制御が可能で極薄の5nm以下の保護膜に対しては150eVで大凡、1nmの深さまで入れることが可能であり、深さ方向の制御性がよいこと、イオン注入に比べ低電圧でイオン電流密度も5mA/ｃｍ2程度まであげられ、処理効率が高い特徴を有する。ちなみにイオン注入では数十ｋＶ、最大1mA/ｃｍ2であり、電流密度を上げることが出来ない代わりに電圧を上げることになる。
【００１４】
本発明では処理するためのガスとして窒素を選定した。この理由としてはＣＮ結合を持つ表面にはフッ素系潤滑剤が付着しやすいこと、窒素の原子半径がArの0.191nmなどに比べ0.053nmと小さいためスパッタリング現象、つまり保護膜の損傷を防ぐことができ、特にＤＬＣ膜の持つ硬質な特徴を生かしたまま表面の改質が可能であると考えたためである。
【００１５】
実際に行った基礎データを図2、3に示す。図2は本発明の処理によって作成したディスク表面のＤＬＣ膜のラマンスペクトルである。従来のように衝撃の大きい方法では元のＤＬＣ膜の膜質を残しておらず、膜自体が変化していることがわかる。しかし、本発明の処理ではＤＬＣ膜自体のスペクトルは変化していないことがわかる。また、図3は同様のサンプルをＸ線光電子分光分析装置（ＥＳＣＡ：Electron Spectroscopy for Chemical Analisys）を用いてＤＬＣ膜中の窒素の量を深さ方向に測定した結果である。
【００１６】
測定条件を以下に示す。
測定装置：PHYSICAL ELECTRONICS,INC.社製Quantum2000（Scanning Electron Spectroscopy for Chemical Analysis Microprobe System）
（測定条件）
X線発生条件：ビーム径200μm-44W、Alターゲット、単色化X線（Alkal）を励起源とした。
分析領域モード：点分析
使用ビーム径：200μmΦ
アナライザー条件：分析モードMultiplex,パスエネルギー117.4eV,ステップサイズ0.125eV
取り出し角度：角度分解；take off=6〜75゜でナロースペクトルからの定量計算を行った。
【００１７】
図３はESCAの分析結果の一例である。横軸はDLC膜の表面(０)からの膜厚を示し、縦軸は窒素濃度と炭素濃度の深さ方向の変化を示した。ここで表面から深い方向に向かって炭素濃度は上がっており、窒素濃度は表面から1nmの深さまでほぼ一定の濃度を推移し、入り込んでいる深さとしては炭素濃度と窒素濃度の交わる位置である1.3nm程度までと観測できる。加速電圧が150eVの場合、ほぼ1.0nm程度は入り込むことが計算から算出されているので、ほぼ計算値と合致した結果となっている。
【００１８】
これからも本発明では極表面層になるほど窒素の量が増していることが明確にわかる。このときの加速電圧は200V（約150eV）であり、このデータからNの侵入深さは約1.0nmであることがわかる。
【００１９】
さらに表面の形態を観察するためにアトミック・フォ−ス・マイクロスコ−プ（AFM）による観察を行い表面粗さの変化を図4に示した。これにより本発明では元のＤＬＣ表面の粗さを任意に変化させることが可能であることが確認できた。
【００２０】
因みにこの測定にはデジタルインスツルメンツ社製原子間力顕微鏡NanoScopeIIIIで測定した表面形態から表面粗さの算出を行った。ここで表面粗さの指標として用いたのは以下に示した定義で決定される粗さの数値である。詳細については同社取扱説明書に記載されているとおりである。
【００２１】
中心面を基準とした表面の平均値：Ｒａは
数式
【００２２】
【数１】
0004072321.tif 000002
で表され、ここでｆ（ｘ、ｙ）は中心面を基準にし表面Ｌｘ、Ｌｙは表面の寸法を表す。
【００２３】
AFMの説明のところで定義されているRaの定義に示す通り、本発明における表面とは先に述べた表面粗さRaで定義される中心面を持って表面、つまり最表面の深さ方向で０とした。
因みに測定エリアは2.5μｍ平方で行った。
【００２４】
【発明の実施の形態】
上述のように本発明によって目的は達成されることは確証のあるところである。
【００２５】
以下に、本発明によって作成した磁気記録媒体の特性について評価を行った結果を作成方法を含めて記載する。
【００２６】
まず、本発明の実施に当たっては図5に示した構成のイオンビームガンを用いて行った。本ガンの構成は中央のホローカソード7から磁気ディスク6とアノード8に電子：e-を供給しアノード8にプラズマを生じせしめこのプラズマで生成されたイオンがグランドとの電位差（加速電圧）により磁気ディスク6にイオンを加速する。このときホローカソードから同時に電子が供給されイオンは中和されるため磁気ディスク上の表面が帯電することはない。因みに11、10はそれぞれ磁界と磁力線を示す。アノードでのプラズマの密度を上げる役割として電磁石9に電流を流すことで磁界11と磁力線10が発生する。このガンの特徴としてはいわゆるイオンビームの様に電子供給のフィラメント、加速、中和のためのグリッドを持たないため消耗する部品が無いことにある。
【００２７】
処理する磁気ディスクは基板としてHOYA製ガラス基板で表面粗さRa0.3ｎｍのものに下地シード層としてCoNi系合金を30nm、下地層としてCrMo膜25nm、磁性層としてCoCrPtＢ膜22nm、保護層としてDLC膜4nmを成膜したものを用いた。成膜に当たってはスパッタ装置としてINTEVAC社製ＭＤＰ−２５０Ｂを使用した。基板温度は250℃である。
【００２８】
上述の様な履歴の磁気ディスク6を処理チャンバーに入れ、1E-5Pa以下に排気した。ＤＬＣ膜表面のを処理条件を表１に示す。
H-Aはホローカソードの電流値、A-Aはアノードの電流値、AtoGはアノード、グランド間の電圧を表す。
【００２９】
【表１】
0004072321.tif 000003
処理の手順としては真空排気後、ホローカソード7にArを流し、ホローカソード7の放電を行った後アノード8に処理ガスである窒素を流し、アノード8に放電を生じせしめた後電磁石9に電流を流し、アノード8とグランド間の電圧（加速電圧）を任意値になるよう設定した。条件が整ったところで磁気ディスク6をガン前面に挿入し処理を行った。処理時間はタイマーによって制御し、処理が終わると全電源、全ガスを停止した。
【００３０】
比較例として、スパッタ窒化カーボン膜4nm品とＤＬＣ膜4nm未処理品を作成した。
【００３１】
評価方法としては、ＤＬＣ膜の表面からの深さ0.5nmまでの窒素濃度をESCA（Electron Spectroscopy for Chemical Analysis）にて測定した。ESCAは,X線光電子分光分析装置を言い、X線源を利用して光電子を発生させ物質の固有の科学的な結合に基ずくエネルギーを計測することによりその物質の量を定量することができる。膜質は、ラマンスペクトルの変化の有無により、潤滑剤の付着性は、FT-IRで行い、表面の形態は、AFMにてRaを測定して比較した。
【００３２】
尚、潤滑剤はフッ素系潤滑剤を使用し、潤滑剤濃度を0.0750％の液を用い未処理のDLC膜上で約1.75nmの膜厚となるように調整した。また、磁気ディスク装置としての評価は、回転数12000ＲＰＭでＭＲ磁気ヘッドを接触状態としたときの高速接線力を測定し比較した。
【００３３】
さらに磁気記憶装置にディスクを組み込みランダムシークを磁気ヘッドの浮上量5nm一定で10000時間行いその後のリードライトエラーを測定し変動（エラーの増加を％で表示）を比較した。
結果を表2に示す。
【００３４】
【表２】
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以上の評価結果より、本発明による磁気ディスクにおいてはいずれにおいても極表面の窒素濃度が20 at%程度でＤＬＣ膜自体の膜質の変化を生ぜずに、潤滑剤（ＬＢ）の付着性をＤＬＣ膜単体に比し約30％以上向上でき、表面粗さは基板の粗さからRa1.5nm程度まで任意に変化させることができ、高速接線力を従来の半分以下に低減が可能で、エラーの増加はほとんどないことが確認できた。
【００３５】
また、それぞれの実施例においては図8に示した様にESCAのデータから、N1sのピークに着目し解析を行った。しかし、このエネルギー帯にはＣＮの結合が-Ｃ-Ｎ、-Ｃ=Ｎ、-Ｃ≡Ｎのそれぞれが入っており明確なピーク分離は出来ていない。従って、図に示したように-Ｃ-Ｎ、-Ｃ=Ｎ、-Ｃ≡Ｎの結合の混合したものであると考えられる。
【００３６】
表1に示した条件で作成した媒体をHDDに搭載し、10000時間のランダムシークテストを行った結果では実施例のいずれもクラッシュに至らなかったが比較例1、2ではそれぞれ3台中2台、1台がクラッシュしてその後のエラー測定が出来なかった。
【００３７】
さらに本発明では潤滑剤の付着性処理行程毎に詳細に調べた。理由としては潤滑剤の磁気ディスク上からの飛散量は磁気ディスクの回転数、磁気記憶装置の動作時の温度、磁気ヘッドによるシェアウエアの影響を受け、潤滑剤の保護膜表面への付着特性に起因しているからで、この特性が磁気ディスクの耐摺動性を決定づける1要因であるからである。処理条件は表3に、結果は表4に示した。
【００３８】
【表３】
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サンプルの作成に当たっては成膜行程については先述した内容と同様に行った。また、比較例としては比較例3としてスパッタＣＮ膜（Ｎ量15.3％）4ｎｍ厚の物とＤＬＣ膜未処理品4ｎｍ品を用意した。  実施例の6〜8のＤＬＣ膜表面処理条件は表3に示すように実施例1〜5に比べ振り幅を大きく取っている。
【００３９】
以上のサンプルについて潤滑剤の付着性を評価するためフッ素系潤滑剤の溶液濃度0.1％を作成し常温にて引き上げ速度一定で塗布した。塗布直後の膜厚を付着膜厚とし、次に大気中で乾燥するため80℃/2時間の熱処理を行い、この後の膜厚を熱処理後の膜厚とした。さらに保護膜との吸着状態を確認する上で、溶媒として使用するフッ素形容剤に侵せきし引き上げた後の残った潤滑膜厚をリンス後膜厚とした。リンス後の膜厚が厚いほど保護膜表面と潤滑剤との相性が良く潤滑剤の保護膜への付き易さを表す指標となる。また、この膜厚を熱処理後の膜厚に対する割合で表したのが固定量で、残りを余剰量とした。また、付着性の相対的比較として比較例4のリンス後膜厚を1とした場合のそれぞれのサンプルのリンス後膜厚との比率を付着性比率として表した。これは、余剰量、固定量の割合が初期の潤滑剤の塗布膜厚（付着性）によって変化するため、比較をするためには、規格化する必要がある。
【００４０】
【表４】
0004072321.tif 000006
この結果、表4に示すように比較例4のＤＬＣ膜に対して比較例3のスパッタＣＮ膜では付着性、熱処理後膜厚はほぼ同等の値を示しているがリンス後膜厚はＤＬＣ膜に対して1/5程度まで低下している。
これらに比べ、本発明の実施例6、7，8ではまず、付着性、熱処理後膜厚がいずれの実施例においても約3.0nmとＤＬＣ膜に比べ1.5倍であり、付着量が多いことがわかる。また、リンス後膜厚では0.8〜1.24nmであり、ＤＬＣ膜に対して潤滑剤の付着性は約2乃至3倍有利であることがわかる。ここで表２の付着性と異なっているのは先に述べた潤滑剤の溶液の濃度の違いによるものであり単純な比較はできない。
【００４１】
従って、固定量はＤＬＣ膜の約1.3乃至、1.9倍あり実機の磁気ディスク上での飛散量の低減には大きく貢献出来ることになる。
【００４２】
また、本発明にて行ったＤＬＣ膜表面のＮ処理後の保護膜表面のＡＦＭ像を図9に未処理のＤＬＣ膜表面と比較して示した。これからもわかるように本発明で処理したDLC膜表面は未処理品に比し、微細な凹凸が形成されている事がわかる。これにより高速接線力の低下が可能となっていると考えられる。
【００４３】
なお、本発明で使用した磁気記憶装置の概略については図7に、本発明の磁気記録媒体の層構成の例を図6に示した。
【００４４】
本発明の層構成としては、ガラス基板15上に下地層14と磁性層13が積層されこの上に保護膜（ＤＬＣ膜）12が表面のみ窒素により処理されて成る構成となっている。
【００４５】
また、磁気記憶装置は磁気記録媒体1をスピンドル2に組み込み、磁気記録媒体1上に配置された磁気ヘッド3がサスペンション23、ヘッドアーム16により支えられサーボ機構4により位置決めされる。磁気ヘッド3からの信号はリード線22を通りリード線集合コネクタ21からフレキシブルフラット配線20を通り結合コネクタ19によりＲ/Ｗ回路基板18上の電気回路5にて信号処理がなされる。これらをすべて筐体17に納めたものが磁気記憶装置である。
【００４６】
以上から本発明によれば、保護膜厚が5nm以下で磁気ヘッドの浮上量が10nm以下の領域において高信頼性の磁気ディスクを得ることが出来る。
【００４７】
【発明の効果】
本発明によれば，磁気ヘッド浮上安定性，高速接触接線力，Ｈｔｏ，媒体エラーが向上し，極低浮上の10ｎｍ以下の領域において高密度記録が可能となり、信頼性の高い磁気記録媒体及び磁気ディスク装置が供給できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】磁気記憶装置の概念図である。
【図２】ＤＬＣ膜の膜質のラマンスペクトルによる変化を比較した図である。
【図３】本発明の処理後の膜中Ｎ量の深さ方向分布を炭素量と共に示した図である。
【図４】本発明の処理によるＤＬＣ膜の表面粗さの時間依存性を示す図である。
【図５】本発明の実施例で用いたイオンガンの概略図である。
【図６】本発明の磁気ディスクの層構成の１例を示す図である。
【図７】本発明の磁気記憶装置の構成の１例を示す図である。
【図８】本発明で実施したＤＬＣ膜の表面のＥＳＣＡデータを示す図である。
【図９】本発明で処理したＤＬＣ膜表面のAFM像比較データを示す図である。
【符号の説明】
1…磁気記録媒体、2…スピンドル、3…磁気ヘッド、4…サーボ機構、5…電気回路、6…磁気ディスク、7…ホローカソード、8…アノード、9…電磁石、10…磁力線、11…磁界、12…表面処理されたＤＬＣ層（保護膜）、13…磁性層、14…下地層、15…ガラス基板、16…ヘッドアーム、17…筐体、18…Ｒ/Ｗ回路基板、19…結合コネクタ、20…フレキシブルフラット配線、21…リード線集合コネクタ、22…リード線、23…サスペンション。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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