【手続補正書】
【提出日】平成19年11月26日(2007.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉ、ＳｉＯ２、ガラスのいずれかである被接合物同士の接合面にプラズマを利用してＯＨ基を原子的に結合させて付着させ前記両被接合物を仮接合した後、前記両被接合物を陽極接合して本接合する接合方法。
【請求項２】
常温のもと前記仮接合した後、工程または装置を分離して前記陽極接合による本接合を行う請求項１に記載の接合方法。
【請求項３】
前記仮接合の工程の数１に対し、複数の前記本接合の工程をバランスさせる請求項２に記載の接合方法。
【請求項４】
減圧またはガス置換された減圧チャンバー中で前記仮接合を行い、大気中で前記本接合を行う請求項１ないし３のいずれかに記載の接合方法。
【請求項５】
前記接合面にＯＨ基を原子的に結合させて付着させた後、大気に暴露することなく前記両被接合物を陽極接合する請求項１ないし３のいずれかに記載の接合方法。
【請求項６】
前記プラズマが減圧プラズマであり、前記接合面に前記減圧プラズマを利用してＯＨ基を原子的に結合させて付着させた後、同じチャンバー内で連続して前記両被接合物を真空中で接触させる請求項１ないし３のいずれかに記載の接合方法。
【請求項７】
前記両被接合物を接合時または接合後に２００℃以下で加熱する請求項１ないし６のいずれかに記載の接合方法。
【請求項８】
前記接合面にＯＨ基を原子的に結合させて付着させる際にＨ２ＯまたはＨ、ＯＨ基を含むガスを混入させた後、前記両被接合物を接触させる請求項１ないし７のいずれかに記載の接合方法。
【請求項９】
３個以上の被接合物を重ねて接合する接合方法であって、線膨張係数が等しい被接合物で、線膨張係数の異なる被接合物を両側から挟み込む請求項１ないし８のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の接合方法により作成されたデバイスであって、被接合物がウエハーまたはウエハーから切り出されたチップであり、ＯＨ基を原子的に結合させて付着させた後、前記陽極接合することで作成された半導体デバイスまたはＭＥＭＳデバイスなどのデバイス。
【請求項１１】
Ｓｉ、ＳｉＯ２、ガラスのいずれかである被接合物同士の接合面にプラズマを利用してＯＨ基を原子的に結合させて付着させるプラズマ処理手段と、
前記プラズマ処理手段により前記接合面にＯＨ基が付着した前記両被接合物を接触させて仮接合する仮接合手段と、前記仮接合された前記両被接合物を電圧印加し加熱することで本接合する本接合手段とを有する陽極接合手段と
を備えた接合装置。
【請求項１２】
前記仮接合手段および前記本接合手段がそれぞれ独立した空間に設けられている請求項１１に記載の接合装置。
【請求項１３】
前記陽極接合手段は、
前記仮接合手段の数１に対し、複数の前記本接合手段を有する請求項１２に記載の接合装置。
【請求項１４】
前記仮接合手段が内部に配設された減圧チャンバーを備え、
減圧またはガス置換された前記減圧チャンバー中で前記仮接合を行い、大気中で前記本接合を行う請求項１１ないし１３のいずれかに記載の接合装置。
【請求項１５】
前記プラズマ処理手段と前記陽極接合手段とがそれぞれ減圧チャンバー中に設けられ、前記プラズマ処理手段により前記接合面にＯＨ基を原子的に結合させて付着させた後、大気に暴露することなく前記両被接合物を陽極接合する請求項１１ないし１３のいずれかに記載の接合装置。
【請求項１６】
前記プラズマ処理手段と前記陽極接合手段とが内部に配設された減圧チャンバーを備え、
前記プラズマ処理手段による前記プラズマが減圧プラズマであり、前記接合面に前記減圧プラズマを利用してＯＨ基を原子的に結合させて付着させた後、前記減圧チャンバー内で連続して前記両被接合物を真空中で接触させる請求項１１ないし１３のいずれかに記載の接合装置。
【請求項１７】
前記両被接合物を接合時または接合後に２００℃以下で加熱する請求項１１ないし１６のいずれかに記載の接合装置。
【請求項１８】
水ガス発生手段を備え、
前記接合面にＯＨ基を原子的に結合させて付着させる際にＨ２ＯまたはＨ、ＯＨ基を含むガスを混入させた後、前記両被接合物を接触させる請求項１１ないし１７のいずれかに記載の接合装置。
【請求項１９】
線膨張係数が等しい被接合物で、線膨張係数の異なる被接合物を両側から挟み込み、３個以上の被接合物を重ねて接合する接合装置であって、
電圧印加手段により、前記挟み込まれた内側の線膨張係数の異なる被接合物から、前記線膨張係数が等しい外側の被接合物に向けて電圧を同時に印加する請求項１１ないし１８のいずれかに記載の接合装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記課題を解決するために本発明は、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ガラスのいずれかである被接合物同士の接合面にプラズマを利用してＯＨ基を原子的に結合させて付着させた後、前記両被接合物を陽極接合する接合方法からなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また本発明は、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ガラスのいずれかである被接合物同士の接合面にプラズマを利用してＯＨ基を原子的に結合させて付着させるプラズマ処理手段と、前記プラズマ処理手段により前記接合面にＯＨ基が付着した前記両被接合物を陽極接合する陽極接合手段とを備えた接合装置からなる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また本発明は、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ガラスのいずれかである被接合物同士の接合面にプラズマを利用してＯＨ基を原子的に結合させて付着させ前記両被接合物を仮接合した後、前記両被接合物を陽極接合して本接合する接合方法からなる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また本発明は、Ｓｉ、ＳｉＯ２、ガラスのいずれかである被接合物同士の接合面にプラズマを利用してＯＨ基を原子的に結合させて付着させるプラズマ処理手段と、前記プラズマ処理手段により前記接合面にＯＨ基が付着した前記両被接合物を接触させて仮接合する仮接合手段と、前記仮接合された前記両被接合物を電圧印加し加熱することで本接合する本接合手段とを有する陽極接合手段とを備えた接合装置からなる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また本発明は、常温のもと前記仮接合した後、工程または装置を分離して前記陽極接合による本接合を行うことを特徴としている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また本発明は、前記仮接合手段および前記本接合手段がそれぞれ独立した空間に設けられていることを特徴としている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
また本発明は、前記仮接合の工程の数１に対し、複数の前記本接合の工程をバランスさせることを特徴としている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
また本発明は、前記陽極接合手段は、前記仮接合手段の数１に対し、複数の前記本接合手段を有することを特徴としている。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
また本発明は、減圧またはガス置換された減圧チャンバー中で前記仮接合を行い、大気中で前記本接合を行うことを特徴としている。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
また本発明は、前記仮接合手段が内部に配設された減圧チャンバーを備え、減圧またはガス置換された前記減圧チャンバー中で前記仮接合を行い、大気中で前記本接合を行うことを特徴としている。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
また本発明は、前前記接合面にＯＨ基を原子的に結合させて付着させた後、大気に暴露することなく前記両被接合物を陽極接合することを特徴としている。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
また本発明は、前記プラズマ処理手段と前記陽極接合手段とがそれぞれ減圧チャンバー中に設けられ、前記プラズマ処理手段により前記接合面にＯＨ基を原子的に結合させて付着させた後、大気に暴露することなく前記両被接合物を陽極接合することを特徴としている。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
また本発明は、前記プラズマが減圧プラズマであり、前記接合面に前記減圧プラズマを利用してＯＨ基を原子的に結合させて付着させた後、同じチャンバー内で連続して前記両被接合物を真空中で接触させることを特徴としている。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
前記プラズマ処理手段と前記陽極接合手段とが内部に配設された減圧チャンバーを備え、前記プラズマ処理手段による前記プラズマが減圧プラズマであり、前記接合面に前記減圧プラズマを利用してＯＨ基を原子的に結合させて付着させた後、前記減圧チャンバー内で連続して前記両被接合物を真空中で接触させることを特徴としている。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
また本発明は、前記両被接合物を接合時または接合後に２００℃以下で加熱することを特徴としている。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
また本発明は、前記両被接合物を接合時または接合後に２００℃以下で加熱することを特徴としている。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
また本発明は、前記接合面にＯＨ基を原子的に結合させて付着させる際にＨ２ＯまたはＨ、ＯＨ基を含むガスを混入させた後、前記両被接合物を接触させることを特徴としている。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
また本発明は、水ガス発生手段を備え、前記接合面にＯＨ基を原子的に結合させて付着させる際にＨ２ＯまたはＨ、ＯＨ基を含むガスを混入させた後、前記両被接合物を接触させることを特徴としている。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
また本発明は、３個以上の被接合物を重ねて接合する接合方法であって、線膨張係数が等しい被接合物で、線膨張係数の異なる被接合物を両側から挟み込むことを特徴としている。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
また本発明は、線膨張係数が等しい被接合物で、線膨張係数の異なる被接合物を両側から挟み込み、３個以上の被接合物を重ねて接合する接合装置であって、電圧印加手段により、前記挟み込まれた内側の線膨張係数の異なる被接合物から、前記線膨張係数が等しい外側の被接合物に向けて電圧を同時に印加することを特徴としている。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
また本発明は、請求項１〜９のいずれかに記載の接合方法により作成されたデバイスであって、被接合物がウエハーまたはウエハーから切り出されたチップであり、ＯＨ基を原子的に結合させて付着させた後、前記陽極接合することで作成された半導体デバイスまたはＭＥＭＳデバイスなどのデバイスからなる。