【手続補正書】
【提出日】平成20年9月3日(2008.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板と；
前記シリコン基板の中または表面上の多数の半導体装置であって、該多数の半導体装置はトランジスタを含む、多数の半導体装置と；
前記シリコン基板上の金属化構造物であって、該金属化構造物は前記多数の半導体装置に接続し、前記金属化構造物は第１の金属層及び該第１の金属層上の第２の金属層を含み、前記金属化構造物は電気メッキ銅を含む、金属化構造物と；
前記第１及び第２の金属層の間の誘電体層と；
前記金属化構造物上の及び前記誘電体層上のパッシベーション層であって、該パッシベーション層は窒化物層を含む、パッシベーション層と；
前記パッシベーション層上のポリマー層であって、該ポリマー層は、前記パッシベーション層の厚さを超え且つ前記誘電体層の厚さを超える、２〜１５０マイクロメートルの厚さを有し、前記ポリマー層中の及び前記パッシベーション層中の第１の開口は、前記金属化構造物の第１のパッドの上にあり、該第１のパッドを露出し、前記ポリマー層中の及び前記パッシベーション層中の第２の開口は、前記金属化構造物の第２のパッドの上にあり、該第２のパッドを露出し、前記第１及び第２のパッドは、絶縁層によって互いに分離される、ポリマー層と；
前記第１の開口を通って前記第１のパッドに接続する第１の導電性構造物と；
前記第２の開口を通って前記第２のパッドに接続する第２の導電性構造物と；
前記第１の導電性構造物表面の第１のはんだ接合と；
前記第２の導電性構造物表面の第２のはんだ接合と；
前記パッシベーション層上の、前記ポリマー層上の並びに前記第１及び第２のはんだ接合表面のディスクリートの電装品であって、該ディスクリートの電装品は、前記第１のはんだ接合及び前記第１の導電性構造物を介して前記第１のパッドに接続し、前記ディスクリートの電装品は、順次、前記第２のはんだ接合及び前記第２の導電性構造物を介して前記第２のパッドに接続する、ディスクリートの電装品と；
を含む、集積回路チップ。
【請求項２】
請求項１に記載の集積回路チップにおいて、前記ポリマー層はポリイミドを含む、集積回路チップ。
【請求項３】
請求項１に記載の集積回路チップにおいて、前記ポリマー層はベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）を含む、集積回路チップ。
【請求項４】
請求項１に記載の集積回路チップにおいて、前記ディスクリートの電装品はコンデンサーを含む、集積回路チップ。
【請求項５】
請求項１に記載の集積回路チップにおいて、前記ディスクリートの電装品はインダクターを含む、集積回路チップ。
【請求項６】
請求項１に記載の集積回路チップにおいて、前記ディスクリートの電装品は抵抗器を含む、集積回路チップ。
【請求項７】
請求項１に記載の集積回路チップにおいて、前記ディスクリートの電装品は受動素子を含む、集積回路チップ。
【請求項８】
請求項１に記載の集積回路チップにおいて、前記窒化物層は０．５〜２マイクロメートルの厚さを有する、集積回路チップ。
【請求項９】
請求項１に記載の集積回路チップにおいて、前記パッシベーション層は、前記窒化物層の下のオキサイダー層を含む、集積回路チップ。
【請求項１０】
シリコン基板と；
前記シリコン基板の中または表面上の多数の半導体装置であって、該多数の半導体装置はトランジスタを含む、多数の半導体装置と；
前記シリコン基板上の金属化構造物であって、該金属化構造物は前記多数の半導体装置に接続し、前記金属化構造物は、第１の金属層及び該第１の金属層上の第２の金属層を含み、前記金属化構造物は電気メッキ銅を含む、金属化構造物と；
前記第１及び第２の金属層の間の誘電体層と；
前記金属化構造物上の及び前記誘電体層上のパッシベーション層であって、該パッシベーション層は窒化物層を含み、前記パッシベーション層中の第１の開口は、前記金属化構造物の第１のパッド上にあり、該第１のパッドを露出し、前記パッシベーション層中の第２の開口は、前記金属化構造物の第２のパッドの上にあり、該第２のパッドを露出し、前記第１及び第２のパッドは、絶縁層によって互いに分離される、パッシベーション層と；
前記第１の開口を通って前記第１のパッドに接続する第１の導電性構造物と；
前記第２の開口を通って前記第２のパッドに接続する第２の導電性構造物と；
前記第１の導電性構造物表面の第１のはんだ接合と；
前記第２の導電性構造物表面の第２のはんだ接合と；
前記パッシベーション層上の並びに前記第１及び第２のはんだ接合表面のディスクリートの電装品であって、該ディスクリートの電装品は、順次、前記第１のはんだ接合及び前記第１の導電性構造物を介して前記第１のパッドに接続し、前記ディスクリートの電装品は、順次、前記第２のはんだ接合及び前記第２の導電性構造物を介して前記第２のパッドに接続する、ディスクリートの電装品と；
を含む、集積回路チップ。
【請求項１１】
請求項１０に記載の集積回路チップにおいて、前記ディスクリートの電装品はコンデンサーを含む、集積回路チップ。
【請求項１２】
請求項１０に記載の集積回路チップにおいて、前記ディスクリートの電装品はインダクターを含む、集積回路チップ。
【請求項１３】
請求項１０に記載の集積回路チップにおいて、前記ディスクリートの電装品は抵抗器を含む、集積回路チップ。
【請求項１４】
請求項１０に記載の集積回路チップにおいて、前記ディスクリートの電装品は受動素子を含む、集積回路チップ。
【請求項１５】
請求項１０に記載の集積回路チップにおいて、前記窒化物層は、０．５〜２マイクロメートルの厚さを有する、集積回路チップ。
【請求項１６】
請求項１０に記載の集積回路チップにおいて、前記パッシベーション層は、前記窒化物層の下のオキサイダー層を含む、集積回路チップ。
【請求項１７】
集積回路チップの形成方法であって、該方法は、
ウェーハを提供するステップであって、該ウェーハは、シリコン基板、該シリコン基板の中または表面上の多数の半導体装置を含み、該多数の半導体装置のうちの１つはトランジスタ、前記シリコン基板上の金属化構造物を含み、該金属化構造物は前記多数の半導体装置に接続し、前記金属化構造物は、第１の金属層及び該第１の金属層上の第２の金属層、前記第１及び第２の金属層の間の誘電体層、並びに前記金属化構造物上の及び前記誘電体層上のパッシベーション層を含み、前記パッシベーション層中の第１の開口は、前記金属化構造物の第１のパッドの上にあり、該第１のパッドを露出し、前記パッシベーション層中の第２の開口は、前記金属化構造物の第２のパッドの上にあり、該第２のパッドを露出し、前記第１及び第２のパッドは、絶縁材料によって互いに分離され、前記パッシベーション層は窒化物層を含む、ステップと；
前記第１のパッド上の第１の導電性構造物及び前記第２のパッド上の第２の導電性構造物を形成するステップであって、前記第１の導電性構造物は、前記第１の開口を通って前記第１のパッドに接続し、前記第２の導電性構造物は、前記第２の開口を通って前記第２のパッドに接続する、ステップと；
前記第１及び第２の導電性構造物上のはんだ層を形成するステップであって、前記はんだ層を前記形成するステップは、スクリーン印刷プロセスを含む、ステップと；
前記パッシベーション層上に及び前記はんだ層上にディスクリートの電装品を置くステップであって、前記ディスクリートの電装品の第１の接点は、前記第１の導電性構造物上の前記はんだ層上にあり、前記ディスクリートの電装品の第２の接点は、前記第２の導電性構造物上の前記はんだ層上にある、ステップと；
前記はんだ層を流し、前記第１の接点と前記第１の導電性構造物との間の第１のはんだ相互接続物及び前記第２の接点と前記第２の導電性構造物との間の第２のはんだ相互接続物を生成するステップであって、前記第１の接点は、前記第１のはんだ相互接続物及び前記第１の導電性構造物を介して前記第１のパッドに接続し、前記第２の接点は、前記第２のはんだ相互接続物及び前記第２の導電性構造物を介して前記第２のパッドに接続する、ステップと；
を含む、方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法において、前記金属化構造物は電気メッキ銅を含む、方法。
【請求項１９】
請求項１７に記載の方法において、前記ディスクリートの電装品を置くステップは、前記パッシベーション層上に及び前記はんだ層上にコンデンサーを置くステップを含む、方法。
【請求項２０】
請求項１７に記載の方法において、前記ディスクリートの電装品を置くステップは、前記パッシベーション層上に及び前記はんだ層上にインダクターを置くステップを含む、方法。
【請求項２１】
請求項１７に記載の方法において、前記ディスクリートの電装品を置くステップは、前記パッシベーション層上に及び前記はんだ層上に抵抗器を置くステップを含む、方法。
【請求項２２】
請求項１７に記載の方法において、前記金属化構造物はアルミニウムを含む、方法。
【請求項２３】
集積回路チップの形成方法であって、該方法は、
ウェーハを提供するステップであって、該ウェーハは、シリコン基板、該シリコン基板の中または表面上の多数の半導体装置を含み、該多数の半導体装置のうちの１つはトランジスタ、前記シリコン基板上の金属化構造物を含み、該金属化構造物は前記多数の半導体装置に接続し、前記金属化構造物は、第１の金属層及び該第１の金属層上の第２の金属層、前記第１及び第２の金属層の間の誘電体層、前記金属化構造物上の及び前記誘電体層上のパッシベーション層において、該パッシベーション層は窒化物層を含む、パッシベーション層、並びに前記パッシベーション層表面のポリマー層を含み、該ポリマー層を通り、前記パッシベーション層を通る第１の開口は、前記金属化構造物の第１のパッドの上にあり、該第１のパッドを露出し、前記ポリマー層を通り、前記パッシベーション層を通る第２の開口は、前記金属化構造物の前記第２のパッドの上にあり、前記第２のパッドを露出し、前記第１及び第２のパッドは、絶縁材料によって互いに分離され、前記ポリマー層は２〜１５０マイクロメートルの厚さを有する、ステップと；
前記第１のパッド上の第１の導電性構造物及び前記第２のパッド上の第２の導電性構造物を形成するステップであって、前記第１の導電性構造物は、前記第１の開口を通って前記第１のパッドに接続し、前記第２の導電性構造物は、前記第２の開口を通って前記第２のパッドに接続する、ステップと；
前記第１及び第２の導電性構造物上のはんだ層を形成するステップ、前記はんだ層を前記形成するステップは、スクリーン印刷プロセスを含む、ステップと；
前記ポリマー層上に及び前記はんだ層上にディスクリートの電装品を置くステップであって、前記ディスクリートの電装品の第１の接点は、前記第１の導電性構造物上の前記はんだ層上にあり、前記ディスクリートの電装品の第２の接点は、前記第２の導電性構造物上の前記はんだ層上にある、ステップと；
前記はんだ層を流し、前記第１の接点と前記第１の導電性構造物との間の第１のはんだ相互接続物及び前記第２の接点と前記第２の導電性構造物との間の第２のはんだ相互接続物を生成するステップであって、前記第１の接点は、前記第１のはんだ相互接続物及び前記第１の導電性構造物を介して前記第１のパッドに接続し、前記第２の接点は、前記第２のはんだ相互接続物及び前記第２の導電性構造物を介して前記第２のパッドに接続する、ステップと；
を含む、方法。
【請求項２４】
請求項２３に記載の方法において、前記金属化構造物はスパッタアルミニウムを含む、方法。
【請求項２５】
請求項２３に記載の方法において、前記金属化構造物は電気メッキ銅を含む、方法。
【請求項２６】
請求項２３に記載の方法において、前記ディスクリートの電装品を置くステップは、前記ポリマー層上に及び前記はんだ層上にコンデンサーを置くステップを含む、方法。
【請求項２７】
請求項２３に記載の方法において、前記ディスクリートの電装品を置くステップは、前記ポリマー層上に及び前記はんだ層上にインダクターを置くステップを含む、方法。
【請求項２８】
請求項２３に記載の方法において、前記ディスクリートの電装品を置くステップは、前記ポリマー層上に及び前記はんだ層上に抵抗器を置くステップを含む、方法。
【請求項２９】
請求項２３に記載の方法において、前記ポリマー層はベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）を含む、方法。
【請求項３０】
請求項２３に記載の方法において、前記ポリマー層は、コーティングプロセス及び硬化プロセスを含むプロセスによって形成される、方法。
【請求項３１】
請求項２３に記載の方法において、前記ポリマー層はポリイミドを含む、方法。