【手続補正書】
【提出日】平成20年3月19日(2008.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に絶縁膜を形成し、
前記半導体膜上に前記絶縁膜を介して導電膜を形成し、
前記導電膜および前記半導体膜に不純物元素を導入して前記導電膜における内部応力を変化させ、前記半導体膜が受ける応力を引っ張り応力とし、
前記半導体膜、前記絶縁膜および前記導電膜を用いてｎチャネル型ＴＦＴを作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に絶縁膜を形成し、
前記半導体膜上に前記絶縁膜を介して導電膜を形成し、
前記導電膜および前記半導体膜に不純物元素を導入して、前記導電膜における内部応力を変化させ、前記半導体膜が受ける応力を圧縮応力し、
前記半導体膜、前記絶縁膜および前記導電膜を用いてｐチャネル型ＴＦＴを作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面上に第１の半導体膜および第２の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上および前記第２の半導体膜上に絶縁膜を形成し、
前記第１の半導体膜上に前記絶縁膜を介して第１の導電膜を形成するとともに、前記第２の半導体膜上に前記絶縁膜を介して第２の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜および前記第１の半導体膜に第１の不純物元素を導入して、前記第１の導電膜の内部応力を変化させ、前記第１の半導体膜が受ける応力を引っ張り応力とし、
前記第２の導電膜および前記第２の半導体膜に第２の不純物元素を導入して、前記第２の導電膜の内部応力を変化させ、前記第２の半導体膜が受ける応力を圧縮応力とし、
前記第１の半導体膜、前記絶縁膜および前記第１の導電膜を用いてｎチャネル型ＴＦＴを作製し、前記第２の半導体膜、前記絶縁膜および前記第２の導電膜を用いてｐチャネル型ＴＦＴを作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面上に第１の半導体膜および第２の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上および前記第２の半導体膜上に絶縁膜を形成し、
前記第１の半導体膜上に前記絶縁膜を介して第１の導電膜を形成するとともに、前記第２の半導体膜上に前記絶縁膜を介して第２の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜および前記第１の半導体膜に第１の不純物元素を導入して、前記第１の導電膜の内部応力を変化させ、
前記第２の導電膜および前記第２の半導体膜に第２の不純物元素を導入して、前記第２の導電膜の内部応力を変化させ、前記第１の半導体膜が受ける応力を前記第２の半導体膜が受ける応力より強い引っ張り応力とし、
前記第１の半導体膜、前記絶縁膜および前記第１の導電膜を用いてｎチャネル型ＴＦＴを作製し、前記第２の半導体膜、前記絶縁膜および前記第２の導電膜を用いてｐチャネル型ＴＦＴを作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面上に第１の半導体膜および第２の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上および前記第２の半導体膜上に絶縁膜を形成し、
前記第１の半導体膜上に前記絶縁膜を介して第１の導電膜を形成するとともに、前記第２の半導体膜上に前記絶縁膜を介して第２の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜および前記第１の半導体膜に第１の不純物元素を導入して、前記第１の導電膜の内部応力を変化させ、
前記第２の導電膜および前記第２の半導体膜に第２の不純物元素を導入して、前記第２の導電膜の内部応力を変化させ、前記第２の半導体膜が受ける応力を前記第１の半導体膜が受ける応力より強い圧縮応力とし、
前記第１の半導体膜、前記絶縁膜および前記第１の導電膜を用いてｎチャネル型ＴＦＴを作製し、前記第２の半導体膜、前記絶縁膜および前記第２の導電膜を用いてｐチャネル型ＴＦＴを作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
絶縁表面上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に絶縁膜を形成し、
前記半導体膜上に前記絶縁膜を介して導電膜を形成し、
前記導電膜および前記半導体膜に不純物元素を導入し、
熱処理を行って、前記導電膜における内部応力を変化させ、前記半導体膜が受ける応力を引っ張り応力とし、
前記半導体膜、前記絶縁膜および前記導電膜を用いてｎチャネル型ＴＦＴを作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
絶縁表面上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に絶縁膜を形成し、
前記半導体膜上に前記絶縁膜を介して導電膜を形成し、
前記導電膜および前記半導体膜に不純物元素を導入して、前記導電膜における内部応力を変化させ、前記半導体膜が受ける応力を圧縮応力とし、
熱処理を行い、
前記半導体膜、前記絶縁膜および前記導電膜を用いてｐチャネル型ＴＦＴを作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
絶縁表面上に第１の半導体膜および第２の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上および前記第２の半導体膜上に絶縁膜を形成し、
前記第１の半導体膜上に前記絶縁膜を介して第１の導電膜を形成するとともに、前記第２の半導体膜上に前記絶縁膜を介して第２の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜および前記第１の半導体膜に第１の不純物元素を導入し、
前記第２の導電膜および前記第２の半導体膜に第２の不純物元素を導入し、
熱処理を行って、前記第１の導電膜および前記第２の導電膜における内部応力を変化させ、前記第１の半導体膜が受ける応力を引っ張り応力とし、前記第２の半導体膜が受ける応力を圧縮応力とし、
前記第１の半導体膜、前記絶縁膜および前記第１の導電膜を用いてｎチャネル型ＴＦＴを作製し、前記第２の半導体膜、前記絶縁膜および前記第２の導電膜を用いてｐチャネル型ＴＦＴを作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
絶縁表面上に第１の半導体膜および第２の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上および前記第２の半導体膜上に絶縁膜を形成し、
前記第１の半導体膜上に前記絶縁膜を介して第１の導電膜を形成するとともに、前記第２の半導体膜上に前記絶縁膜を介して第２の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜および前記第１の半導体膜に第１の不純物元素を導入し、
前記第２の導電膜および前記第２の半導体膜に第２の不純物元素を導入し、
熱処理を行って、前記第１の導電膜および前記第２の導電膜における内部応力を変化させ、前記第１の半導体膜が受ける応力を前記第２の半導体膜が受ける応力より強い引っ張り応力とし、
前記第１の半導体膜、前記絶縁膜および前記第１の導電膜を用いてｎチャネル型ＴＦＴを作製し、前記第２の半導体膜、前記絶縁膜および前記第２の導電膜を用いてｐチャネル型ＴＦＴを作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
絶縁表面上に第１の半導体膜および第２の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上および前記第２の半導体膜上に絶縁膜を形成し、
前記第１の半導体膜上に前記絶縁膜を介して第１の導電膜を形成するとともに、前記第２の半導体膜上に前記絶縁膜を介して第２の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜および前記第１の半導体膜に第１の不純物元素を導入し、
前記第２の導電膜および前記第２の半導体膜に第２の不純物元素を導入し、
熱処理を行って、前記第１の導電膜および前記第２の導電膜における内部応力を変化させ、前記第２の半導体膜が受ける応力を前記第１の半導体膜が受ける応力より強い圧縮応力とし、
前記第１の半導体膜、前記絶縁膜および前記第１の導電膜を用いてｎチャネル型ＴＦＴを作製し、前記第２の半導体膜、前記絶縁膜および前記第２の導電膜を用いてｐチャネル型ＴＦＴを作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
絶縁表面上に導電膜を形成し、
前記導電膜に不純物元素を導入し、
前記導電膜を覆って絶縁膜を形成し、
前記導電膜上に前記絶縁膜を介して第１の半導体膜を形成し、
熱処理を行って、前記第１の半導体膜から第２の半導体膜を形成し、かつ、前記導電膜における内部応力を変化させて、前記第２の半導体膜が受ける応力を引っ張り応力とし、
前記第２の半導体膜、前記絶縁膜および前記導電膜を用いてｎチャネル型ＴＦＴを作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
絶縁表面上に導電膜を形成し、
前記導電膜に不純物元素を導入し、
前記導電膜を覆って絶縁膜を形成し、
前記導電膜上に前記絶縁膜を介して第１の半導体膜を形成し、
熱処理を行って、前記第１の半導体膜から第２の半導体膜を形成し、かつ、前記導電膜における内部応力を変化させて、前記第２の半導体膜が受ける応力を圧縮応力とし、
前記第２の半導体膜、前記絶縁膜および前記導電膜を用いてｐチャネル型ＴＦＴを作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
絶縁表面上に第１の導電膜および第２の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜に第１の不純物元素を導入し、
前記第２の導電膜に第２の不純物元素を導入し、
前記第１の導電膜および前記第２の導電膜を覆って絶縁膜を形成し、
前記第１の導電膜上に前記絶縁膜を介して第１の半導体膜を形成し、前記第２の導電膜上に前記絶縁膜を介して第２の半導体膜を形成し、
熱処理を行って、前記第１の半導体膜から第３の半導体膜を形成し、かつ、前記第１の導電膜における内部応力を変化させて、前記第３の半導体膜が受ける応力を引っ張り応力とし、また、前記第２の半導体膜から第４の半導体膜を形成し、かつ、前記第２の導電膜における内部応力を変化させて、前記第４の半導体膜が受ける応力を圧縮応力とし、
前記第３の半導体膜、前記絶縁膜および前記第１の導電膜を用いてｎチャネル型ＴＦＴを作製し、前記第４の半導体膜、前記絶縁膜および前記第２の導電膜を用いてｐチャネル型ＴＦＴを作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
絶縁表面上に第１の導電膜および第２の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜に第１の不純物元素を導入し、
前記第２の導電膜に第２の不純物元素を導入し、
前記第１の導電膜および前記第２の導電膜を覆って絶縁膜を形成し、
前記第１の導電膜上に前記絶縁膜を介して第１の半導体膜を形成し、前記第２の導電膜上に前記絶縁膜を介して第２の半導体膜を形成し、
熱処理を行って、前記第１の半導体膜から第３の半導体膜を形成し、前記第２の半導体膜から第４の半導体膜を形成し、かつ、前記第１の導電膜および前記第２の導電膜における内部応力を変化させて、前記第３の半導体膜が受ける応力を前記第４の半導体膜が受ける応力より強い引っ張り応力とし、
前記第３の半導体膜、前記絶縁膜および前記第１の導電膜を用いてｎチャネル型ＴＦＴを作製し、前記第４の半導体膜、前記絶縁膜および前記第２の導電膜を用いてｐチャネル型ＴＦＴを作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
絶縁表面上に第１の導電膜および第２の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜に第１の不純物元素を導入し、
前記第２の導電膜に第２の不純物元素を導入し、
前記第１の導電膜および前記第２の導電膜を覆って絶縁膜を形成し、
前記第１の導電膜上に前記絶縁膜を介して第１の半導体膜を形成し、前記第２の導電膜上に前記絶縁膜を介して第２の半導体膜を形成し、
熱処理を行って、前記第１の半導体膜から第３の半導体膜を形成し、前記第２の半導体膜から第４の半導体膜を形成し、かつ、前記第１の導電膜および前記第２の導電膜における内部応力を変化させて、前記第４の半導体膜が受ける応力を前記第３の半導体膜が受ける応力より強い圧縮応力とし、
前記第３の半導体膜、前記絶縁膜および前記第１の導電膜を用いてｎチャネル型ＴＦＴを作製し、前記第４の半導体膜、前記絶縁膜および前記第２の導電膜を用いてｐチャネル型ＴＦＴを作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
単結晶シリコン基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜および前記単結晶シリコン基板に不純物元素を導入し、ソース領域およびドレイン領域と、前記導電膜と重なるチャネル形成領域とを形成し、前記チャネル形成領域の受ける応力を引っ張り応力とし、
前記ソース領域およびドレイン領域と、前記チャネル形成領域、前記絶縁膜および前記導電膜を用いてｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
単結晶シリコン基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜および前記単結晶シリコン基板に不純物元素を導入し、ソース領域およびドレイン領域と、前記導電膜と重なるチャネル形成領域とを形成し、前記チャネル形成領域の受ける応力を圧縮応力とし、
前記ソース領域およびドレイン領域、前記チャネル形成領域、前記絶縁膜および前記導電膜を用いてｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
単結晶シリコン基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に第１の導電膜および第２の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜および前記単結晶シリコン基板に第１の不純物元素を導入し、第１のソース領域およびドレイン領域と、前記第１の導電膜と重なる第１のチャネル形成領域とを形成し、前記第１のチャネル形成領域の受ける応力を引っ張り応力とし、
前記第２の導電膜および前記単結晶シリコン基板に第２の不純物元素を導入し、第２のソース領域およびドレイン領域と、前記第２の導電膜と重なる第２のチャネル形成領域とを形成し、前記第２のチャネル形成領域の受ける応力を圧縮応力とし、
前記第１のソース領域およびドレイン領域、前記第１のチャネル形成領域、前記絶縁膜および前記第１の導電膜を用いてｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴを形成し、前記第２のソース領域およびドレイン領域、前記第２のチャネル形成領域、前記絶縁膜および前記第２の導電膜を用いてｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
単結晶シリコン基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に第１の導電膜および第２の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜および前記単結晶シリコン基板に第１の不純物元素を導入し、第１のソース領域およびドレイン領域と、前記第１の導電膜と重なる第１のチャネル形成領域とを形成し、
前記第２の導電膜および前記単結晶シリコン基板に第２の不純物元素を導入し、第２のソース領域およびドレイン領域と、前記第２の導電膜と重なる第２のチャネル形成領域とを形成し、前記第１のチャネル形成領域の受ける応力を、前記第２のチャネル形成領域の受ける応力より強い引っ張り応力とし、
前記第１のソース領域およびドレイン領域、前記第１のチャネル形成領域、前記絶縁膜および前記第１の導電膜を用いてｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴを形成し、前記第２のソース領域およびドレイン領域、前記第２のチャネル形成領域、前記絶縁膜および前記第２の導電膜を用いてｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
単結晶シリコン基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に第１の導電膜および第２の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜および前記単結晶シリコン基板に第１の不純物元素を導入し、第１のソース領域およびドレイン領域と、前記第１の導電膜と重なる第１のチャネル形成領域とを形成し、
前記第２の導電膜および前記単結晶シリコン基板に第２の不純物元素を導入し、第２のソース領域およびドレイン領域と、前記第２の導電膜と重なる第２のチャネル形成領域とを形成し、前記第２のチャネル形成領域の受ける応力を、前記第１のチャネル形成領域の受ける応力より強い圧縮応力とし、
前記第１のソース領域およびドレイン領域、前記第１のチャネル形成領域、前記絶縁膜および前記第１の導電膜を用いてｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴを形成し、前記第２のソース領域およびドレイン領域、前記第２のチャネル形成領域、前記絶縁膜および前記第２の導電膜を用いてｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
単結晶シリコン基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜および前記単結晶シリコン基板に不純物元素を導入し、ソース領域およびドレイン領域と、前記導電膜と重なるチャネル形成領域とを形成し、
熱処理を行って、前記チャネル形成領域の受ける応力を引っ張り応力とし、
前記ソース領域およびドレイン領域、前記チャネル形成領域、前記絶縁膜および前記導電膜を用いてｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
単結晶シリコン基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜および前記単結晶シリコン基板に不純物元素を導入し、ソース領域およびドレイン領域と、前記導電膜と重なるチャネル形成領域とを形成し、前記チャネル形成領域の受ける応力を圧縮応力とし、
熱処理を行い、
前記ソース領域およびドレイン領域、前記チャネル形成領域、前記絶縁膜および前記導電膜を用いてｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
単結晶シリコン基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に第１の導電膜および第２の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜および前記単結晶シリコン基板に第１の不純物元素を導入し、第１のソース領域およびドレイン領域と、前記第１の導電膜と重なる第１のチャネル形成領域とを形成し、
前記第２の導電膜および前記単結晶シリコン基板に第２の不純物元素を導入し、第２のソース領域およびドレイン領域と、前記第２の導電膜と重なる第２のチャネル形成領域とを形成し、
熱処理を行って、前記第１のチャネル形成領域の受ける応力を引っ張り応力とし、前記第２のチャネル形成領域の受ける応力を圧縮応力とし、
前記第１のソース領域およびドレイン領域、前記第１のチャネル形成領域、前記絶縁膜および前記第１の導電膜を用いてｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴを形成し、前記第２のソース領域およびドレイン領域、前記第２のチャネル形成領域、前記絶縁膜および前記第２の導電膜を用いてｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２４】
単結晶シリコン基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に第１の導電膜および第２の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜および前記単結晶シリコン基板に第１の不純物元素を導入し、第１のソース領域およびドレイン領域と、前記第１の導電膜と重なる第１のチャネル形成領域とを形成し、
前記第２の導電膜および前記単結晶シリコン基板に第２の不純物元素を導入し、第２のソース領域およびドレイン領域と、前記第２の導電膜と重なる第２のチャネル形成領域とを形成し、
熱処理を行って、前記第１のチャネル形成領域の受ける応力を、前記第２のチャネル形成領域の受ける応力より強い引っ張り応力とし、
前記第１のソース領域およびドレイン領域、前記第１のチャネル形成領域、前記絶縁膜および前記第１の導電膜を用いてｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴを形成し、前記第２のソース領域およびドレイン領域、前記第２のチャネル形成領域、前記絶縁膜および前記第２の導電膜を用いてｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２５】
単結晶シリコン基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に第１の導電膜および第２の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜および前記単結晶シリコン基板に第１の不純物元素を導入し、第１のソース領域およびドレイン領域と、前記第１の導電膜と重なる第１のチャネル形成領域とを形成し、
前記第２の導電膜および前記単結晶シリコン基板に第２の不純物元素を導入し、第２のソース領域およびドレイン領域と、前記第２の導電膜と重なる第２のチャネル形成領域とを形成し、
熱処理を行って、前記第２のチャネル形成領域の受ける応力を、前記第１のチャネル形成領域の受ける応力より強い圧縮応力とし、
前記第１のソース領域およびドレイン領域、前記第１のチャネル形成領域、前記絶縁膜および前記第１の導電膜を用いてｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴを形成し、前記第２のソース領域およびドレイン領域、前記第２のチャネル形成領域、前記絶縁膜および前記第２の導電膜を用いてｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２６】
請求項１乃至２および請求項６乃至７および請求項１１乃至１２および請求項１６乃至１７および請求項２１乃至２２のいずれか一項において、前記不純物元素は、ｎ型を付与する不純物元素、ｐ型を付与する不純物元素および希ガス元素から選ばれた一種または複数種の元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２７】
請求項１乃至２および請求項６乃至７および請求項１１乃至１２および請求項１６乃至１７および請求項２１乃至２２および請求項２６のいずれか一項において、前記不純物元素は、プラズマドーピング法、イオン注入法およびイオンシャワードーピング法から選ばれた一種または複数種の方法により導入されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２８】
請求項３乃至５および請求項８乃至１０および請求項１３乃至１５および請求項１８乃至２０および請求項２３乃至２５のいずれか一項において、前記第１の不純物元素は、ｎ型を付与する不純物元素および希ガス元素から選ばれた一種または複数種の元素であり、前記第２の不純物元素は、ｐ型を付与する不純物元素および希ガス元素から選ばれた一種または複数種の元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２９】
請求項３乃至５および請求項８乃至１０および請求項１３乃至１５および請求項１８乃至２０および請求項２３乃至２５および請求項２８のいずれか一項において、前記第１の不純物元素の導入量と前記第２の不純物元素の導入量は異なることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３０】
請求項３乃至５および請求項８乃至１０および請求項１３乃至１５および請求項１８乃至２０および請求項２３乃至２５および請求項２８乃至２９のいずれか一項において、前記第１の不純物元素および前記第２の不純物元素は、プラズマドーピング法、イオン注入法およびイオンシャワードーピング法から選ばれた一種または複数種の方法により導入されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３１】
請求項６乃至１５および請求項２１乃至２５のいずれか一項において、前記熱処理は、ファーネスアニール炉を用いた熱アニール法、ＲＴＡ法およびレーザアニール法から選ばれた一種または複数種の方法によって行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３２】
請求項１１または請求項１２において、前記第２の半導体膜は結晶構造を有する半導体膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３３】
請求項１３乃至１５のいずれか一項において、前記第３の半導体膜または前記第４の半導体膜は結晶構造を有する半導体膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３４】
ＴＦＴを有する半導体装置であって、
前記ＴＦＴは導電膜を有し、
前記導電膜における内部応力は±１ＧＰａ以下であり、
前記導電膜は不純物元素が導入されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３５】
ｎチャネル型ＴＦＴを有する半導体装置であって、
前記ｎチャネル型ＴＦＴは半導体膜および導電膜を有し、
前記半導体膜は引っ張り応力を受けており、
前記導電膜は不純物元素が導入されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３６】
ｐチャネル型ＴＦＴを有する半導体装置であって、
前記ｐチャネル型ＴＦＴは半導体膜および導電膜を有し、
前記半導体膜は圧縮応力を受けており、
前記導電膜は不純物元素が導入されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３７】
ｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴとを有する半導体装置であって、
前記ｎチャネル型ＴＦＴは、第１の半導体膜と、前記第１の半導体膜上に形成された第１の導電膜とを有し、
前記ｐチャネル型ＴＦＴは、第２の半導体膜と、前記第２の半導体膜上に形成された第２の導電膜とを有し、
前記第１の半導体膜は引っ張り応力を受けており、
前記第２の半導体膜は圧縮応力を受けており、
前記第１の導電膜および前記第２の導電膜は不純物元素が導入されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３８】
ｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴとを有する半導体装置であって、
前記ｎチャネル型ＴＦＴは、第１の半導体膜と、前記第１の半導体膜上に形成された第１の導電膜とを有し、
前記ｐチャネル型ＴＦＴは、第２の半導体膜と、前記第２の半導体膜上に形成された第２の導電膜とを有し、
前記第１の半導体膜の受ける応力は前記第２の半導体膜の受ける応力より強い引っ張り応力であり、
前記第１の導電膜および前記第２の導電膜は不純物元素が導入されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３９】
ｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴとを有する半導体装置であって、
前記ｎチャネル型ＴＦＴは、第１の半導体膜と、前記第１の半導体膜上に形成された第１の導電膜とを有し、
前記ｐチャネル型ＴＦＴは、第２の半導体膜と、前記第２の半導体膜上に形成された第２の導電膜とを有し、
前記第２の半導体膜の受ける応力は前記第１の半導体膜の受ける応力より強い圧縮応力であり、
前記第１の導電膜および前記第２の導電膜は不純物元素が導入されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４０】
単結晶シリコン基板に形成したｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置であって、
前記ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴはチャネル形成領域および導電膜を有し、
前記チャネル形成領域は引っ張り応力を受けており、
前記導電膜は不純物元素が導入されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４１】
単結晶シリコン基板に形成したｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置であって、
前記ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴはチャネル形成領域および導電膜を有し、
前記チャネル形成領域は圧縮応力を受けており、
前記導電膜は不純物元素が導入されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４２】
単結晶シリコン基板に形成したｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴおよびｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置であって、
前記ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴは第１のチャネル形成領域および第１の導電膜を有し、
前記ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴは第２のチャネル形成領域および第２の導電膜を有し、
前記第１のチャネル形成領域は引っ張り応力を受けており、
前記第２のチャネル形成領域は圧縮応力を受けており、
前記第１の導電膜および第２の導電膜は不純物元素が導入されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４３】
単結晶シリコン基板に形成したｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴおよびｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置であって、
前記ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴは第１のチャネル形成領域および第１の導電膜を有し、
前記ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴは第２のチャネル形成領域および第２の導電膜を有し、
前記第１のチャネル形成領域が受ける応力は前記第２のチャネル形成領域が受ける応力より強い引っ張り応力であり、
前記第１の導電膜および第２の導電膜は不純物元素が導入されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４４】
単結晶シリコン基板に形成したｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴおよびｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置であって、
前記ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴは第１のチャネル形成領域および第１の導電膜を有し、
前記ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴは第２のチャネル形成領域および第２の導電膜を有し、
前記第２のチャネル形成領域が受ける応力は前記第１のチャネル形成領域が受ける応力より強い圧縮応力であり、
前記第１の導電膜および第２の導電膜は不純物元素が導入されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４５】
請求項３４乃至４４のいずれか一項において、前記不純物元素は、ｎ型を付与する不純物元素、ｐ型を付与する不純物元素および希ガス元素から選ばれた一種または複数種の元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４６】
請求項３４乃至３６および請求項４０乃至４１のいずれか一項において、前記導電膜における前記不純物元素のピークの濃度は、１×１０１７〜１×１０２２／ｃｍ３の範囲であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４７】
請求項３７乃至３９および請求項４２乃至４４のいずれか一項において、前記第１の導電膜または前記第２の導電膜における前記不純物元素のピークの濃度は、１×１０１７〜１×１０２２／ｃｍ３の範囲であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４８】
請求項３７乃至３９および請求項４２乃至４４および請求項４７のいずれか一項において、前記第１の導電膜に導入される不純物元素の濃度と前記第２の導電膜に導入される不純物元素の濃度は異なることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４９】
請求項３４乃至４８のいずれか一項において、前記半導体装置は、液晶表示装置または発光装置であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５０】
請求項３４乃至４８のいずれか一項において、前記半導体装置は、携帯電話、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、ゴーグル型ディスプレイ、パーソナルコンピュータ、ＤＶＤプレーヤー、電子書籍、または携帯型情報端末であることを特徴とする半導体装置。