【手続補正書】
【提出日】平成20年7月22日(2008.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１対の磁石群であって、
前記磁石群の各々は、少なくとも３つのセグメントを含み、
前記セグメントの各々は、前記セグメントの最長寸法にほぼ垂直な向きに磁化され、
前記磁石群の少なくとも１つは、各後続のセグメントの前記磁化の向きが前のセグメントに対して約９０度回転された状態で前記セグメントが隣接して配列されるように構成される磁石群と、
各群によって生成される磁場が少なくとも部分的に内部に存在するように磁石群の各対によって定められ、通過する磁気記憶媒体が少なくとも部分的には記憶消去されるようなサイズである間隙と
を備えたことを特徴とする磁気記憶媒体を記憶消去する装置。
【請求項２】
前記セグメントの少なくとも１つは、一体型部片であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記セグメントの少なくとも１つは、前記セグメント内の各永久磁石が同じ方向を向くよう磁化されるように、少なくとも１列で構成された複数の永久磁石を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記永久磁石の少なくとも１つは、正方形の形状の断面と、前記正方形の一辺の長さの半分の高さとを含み、磁化の向きは前記永久磁石の前記高さの方向であることを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記永久磁石の少なくとも１つは、ネオジム鉄ホウ素ブロックであることを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項６】
前記セグメントの各々に関する前記磁化の向きは、前記間隙に対して傾斜を有していることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記磁石群の少なくとも１対は、前記磁石群の各々からのセグメントが前記間隙を挟んで整列し、前記セグメントの各々は、前記間隙を直接挟む前記セグメントの前記磁化の向きを鏡映するように配列されていることを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記セグメントの少なくとも１つに関する前記磁化の向きは、前記間隙にほぼ垂直またはほぼ平行であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記磁石群の各対は、同数のセグメントを含むことを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記磁石群の各対は、前記磁石群の各々からのセグメントが前記間隙を挟んで整列し、前記セグメントの各々が、前記間隙を直接挟む前記セグメントの前記磁化の向きを鏡映するように配列されていることを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記磁石群の各対は、前記磁石群の各々からのセグメントが前記間隙を挟んで整列し、前記間隙にほぼ垂直な向きに磁化された前記セグメントの各々が、前記間隙を挟む前記セグメントとほぼ同じ方向を向くように配列されていることを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１２】
前記磁石群の少なくとも１対は、前記磁石群の各々からのセグメントが前記間隙を挟んで整列し、前記セグメントの各々は、前記間隙を直接挟む前記セグメントの前記磁化の向きを鏡映するように配列され、
前記磁石群の少なくとも１つの第２の対は、前記磁石群の第２の対の磁石群の各々からのセグメントが前記間隙を挟んで整列し、前記間隙にほぼ垂直な向きに磁化された前記セグメントの各々が、前記間隙を挟む前記セグメントとほぼ同じ方向を向くように配列され、
前記磁石群の各対に関する前記間隙は、磁気媒体記憶装置がある間隙から別の間隙へ直接渡ることができるように整列していることを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１３】
前記磁石群の少なくとも１対は、前記磁石群の少なくとも１つからのセグメントが、前記間隙を挟む前記セグメントに対してオフセットされるように配列されることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
前記磁石群の少なくとも１つは、前記セグメントにわたるハルバッハ配列（Ｈａｌｂａｃｈ ａｒｒａｙ）を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
さらに、前記磁石群間の前記間隙の幅を調節することができるように前記磁石群を固定する調節可能フレーム構造を備えたことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１６】
さらに、前記磁石群の横方向位置を調節することができるように前記磁石群を固定する横方向調節可能フレーム構造を備えたことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１７】
少なくとも２対の磁石群であって、
前記磁石群の各々は、少なくとも３つのセグメントを含み、
前記セグメントの各々は、前記セグメントの最長寸法にほぼ垂直な向きに磁化され、
前記磁石群の各々は、各後続のセグメントの前記磁化の向きが前のセグメントに対して約９０度回転された状態で前記セグメントが隣接して配列されるように構成される磁石群と、
各群によって生成される磁場が少なくとも部分的に前記間隙内に存在するように磁石群の各対によって定められ、通過する磁気記憶媒体が少なくとも部分的には記憶消去されるようなサイズである間隙であって、
前記少なくとも２対の磁石群の少なくとも１対は、第１の磁石群の前記セグメントが、第２の磁石群の前記セグメントに対して９０度で配列され、両方の磁石群の前記セグメントが、磁石群の各対によって定められた各間隙を通る磁気記憶媒体経路に対して４５度の角度となるように構成されている間隙と
を備えたことを特徴とする磁性記憶媒体を記憶消去する装置。
【請求項１８】
前記少なくとも２対の磁石群の前記少なくとも１対は、さらに、前記磁石群がそれぞれ反発し合うように配置されるように構成されていることを特徴とする請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記磁気記憶媒体経路上に配置された追加の前記磁石群の少なくとも１対をさらに備え、
前記追加の少なくとも１対の前記磁石群の各々は、少なくとも３つのセグメントを含み、
前記追加の少なくとも１対の前記磁石群の前記セグメントの各々は、前記セグメントの最長寸法にほぼ垂直な向きに磁化され、
前記追加の少なくとも１対の前記磁石群の各々は、各後続のセグメントの前記磁化の向きが前のセグメントに対して約９０度回転された状態で前記セグメントが隣接して配列されるように構成され、
前記追加の前記磁石群の少なくとも１対は、引き付け合うように配置されている
ことを特徴とする請求項１７に記載の装置。
【請求項２０】
さらに、磁気記憶媒体が少なくとも部分的には記憶消去されるように、前記間隙とともに磁気記憶媒体が通過することができる、前記磁石群を構成中に固定するフレーム構造を備えたことを特徴とする請求項１７に記載の装置。
【請求項２１】
前記フレーム構造は、調節可能であることを特徴とする請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】
さらに、磁気記憶媒体が少なくとも部分的には記憶消去されるように、前記間隙とともに磁気記憶媒体が通過することができる、前記磁石群を構成中に固定するフレーム構造を備えたことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項２３】
前記フレーム構造は、調節可能であることを特徴とする請求項２２に記載の装置。
【請求項２４】
少なくとも１対の磁石群であって、
前記磁石群の各々は、少なくとも３つのセグメントを含み、前記セグメントの各々は、前記セグメントの最長寸法にほぼ垂直な向きに磁化され、前記磁石群の少なくとも１つは、各後続のセグメントの前記磁化の向きが前のセグメントに対して約９０度回転された状態で前記セグメントが隣接して配列されるように構成される磁石群を提供するステップと、
各群によって生成される磁場と相互作用することによって、通過する磁気記憶媒体が少なくとも部分的には記憶消去されるように前記磁石群の各対で定められる間隙を通って、磁気記憶媒体を通過させるステップと
を備えたことを特徴とする磁気記憶媒体を記憶消去する方法。
【請求項２５】
前記連続するセグメントの各々は、前記磁気記憶媒体の媒体移動の方向についての第１の幅と第２の幅とを交互に繰り返すことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項２６】
前記第１の幅は、第２の幅のほぼ半分であることを特徴とする請求項２５に記載の装置。
【請求項２７】
前記連続するセグメントの各々は、第１の幅と第２の幅とを交互に繰り返すことを特徴とする請求項１７に記載の装置。
【請求項２８】
前記第１の幅は、第２の幅のほぼ半分であることを特徴とする請求項２７に記載の装置。
【請求項２９】
前記連続するセグメントの各々は、前記磁気記憶媒体の媒体移動の方向についての第１の幅と第２の幅とを交互に繰り返すことを特徴とする請求項２４に記載の方法。
【請求項３０】
前記第１の幅は、第２の幅のほぼ半分であることを特徴とする請求項２９に記載の方法。