【手続補正書】
【提出日】平成20年1月18日(2008.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１物体のパターンを第２物体上に投影する投影光学系において、
第１物体側から順に、
正の屈折力を有する第１レンズ群と、
負の屈折力を有する第２レンズ群と、
正の屈折力を有する第３レンズ群と、
負の屈折力を有する第４レンズ群と、
少なくとも２枚の負レンズ成分を備え、かつ正の屈折力を有する第５レンズ群と、を有し、
前記第５レンズ群は、
Φ/Φexp≦3.5
の条件を２つのレンズ面が満足し、かつ
n≦1.57
を満足する第１の材料で構成された少なくとも１つの第１レンズ成分を含み、
前記投影光学系全系は、
Φ/Φexp＞3.5
の条件を２つのレンズ面が満足し、かつ
n＞1.57
を満足する第２の材料で構成された少なくとも１つの第２レンズ成分を含み、両側テレセントリックであることを特徴とする投影光学系。
但し、
Φ：有効径、
n：屈折率
Φexp：第２物体側の露光領域径、
である。
【請求項２】
前記第５レンズ群中の前記第１レンズ成分の光軸に沿った厚みの総和をt5'とし、
前記第５レンズ群を構成する全てのレンズ成分の光軸に沿った厚みの総和をt5とそれぞれするとき、
t5'/t5≧0.2
の条件を満足することを特徴とする請求項１記載の投影光学系。
【請求項３】
前記第１レンズ群の焦点距離をｆ１とし、前記第２レンズ群の焦点距離をｆ２とし、前記第３レンズ群の焦点距離をｆ３とし、前記第４レンズ群の焦点距離をｆ４とし、前記第５レンズ群の焦点距離をｆ５とし、前記第１物体から前記第２物体までの距離をＬとするとき、以下の条件式のうち少なくとも１つの条件式を満足することを特徴とする請求項１又は２に記載の投影光学系。
0.04＜ｆ１／Ｌ＜0.4
0.015＜ｆ２／Ｌ＜0.15
0.02＜ｆ３／Ｌ＜0.2
0.015＜ｆ４／Ｌ＜0.15
0.03＜ｆ５／Ｌ＜0.3
【請求項４】
前記第５レンズ群に含まれる少なくとも１つの前記負レンズ成分の最大有効径をΦ5nとし、前記第５レンズ群に含まれる複数のレンズ群の有効径のうちの最大有効径をΦ5maxとするとき、
Φ5n/Φ5max≧0.7
を満足することを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の投影光学系。
【請求項５】
前記投影光学系の焦点距離をＦとし、前記第１物体から前記第２物体までの距離をＬとするとき、
Ｆ／Ｌ≧0.6
を満足することを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項記載の投影光学系。
【請求項６】
前記第１物体としてのマスクを保持する第１ステージと、
前記マスクを照明する照明光学系と、
前記第２物体としての基板を保持する第２ステージと、
前記照明光学系により照明された前記マスクのパターンの像を前記基板上に投影露光するための請求項１乃至５の何れか一項に記載の投影光学系とを備えることを特徴とする投影露光装置。
【請求項７】
前記第２物体としての基板上に感光材料を塗布する工程と、
前記基板上に請求項１乃至５の何れか一項に記載の投影光学系を介して前記第１物体としてのマスクのパターンの像を投影する工程と、
前記基板上の前記感光材料を現像する工程と、
該現像後の感光材料をマスクとして前記基板上に所定の回路パターンを形成する工程とを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項８】
マスク上に設けられたパターンをワーク上へ転写する方法において、
前記マスクを所定波長を用いて照明する工程；及び
請求項１乃至５の何れか一項に記載の投影光学系を用いて、照明された前記マスクの縮小像を、所定の開口数の光束によってワーク上の所定フィールド内に一括して形成する工程；
を含み、
前記所定フィールドは少なくとも２５×３３ｍｍの矩形フィールドを包含し、
前記所定の開口数の最大値は、前記ワーク側において０．５以上であることを特徴とする投影露光方法。
【請求項９】
前記照明する工程は、照明瞳に所定分布の２次光源を形成する補助工程を含み、
該補助工程における前記所定分布は、前記照明瞳上の領域であって光軸を含む瞳中心領域での光強度が該瞳中心領域の周囲の領域よりも小さく設定されることを特徴とする請求項８記載の投影露光方法。
【請求項１０】
前記補助工程における前記所定分布は、実質的に輪帯形状であることを特徴とする請求項９記載の投影露光方法。
【請求項１１】
前記輪帯形状の光強度分布の外径に対する内径の比率は、０．３〜０．７の範囲に設定されることを特徴とする請求項１０記載の投影露光方法。
【請求項１２】
前記照明瞳上の光強度分布は実質的に光量ロスなく形成されることを特徴とする請求項９乃至１１の何れか一項に記載の投影露光方法。
【請求項１３】
マスク上に設けられたパターンの像をワーク上へ投影する投影露光装置において、
所定波長の露光光をマスクに対して照明する照明光学系；及び
前記マスクと前記ワークとの間の光路中に配置されて、照明された前記マスクの縮小像を、所定の開口数の光束を用いてワーク上の所定フィールド内に一括して形成するための請求項１乃至５の何れか一項に記載の投影光学系；
を含み、
前記投影光学系は複数の光学素子を含み、
該複数の光学素子の形状及び位置は、前記所定フィールドが少なくとも２５×３３ｍｍの矩形フィールドを包含し、かつ前記所定の開口数の最大値が前記ワーク側において０．５以上であるように定められることを特徴とする投影露光装置。
【請求項１４】
前記照明光学系は、前記投影光学系の瞳と共役な照明瞳に所定分布の２次光源を形成し、
前記照明瞳上の前記所定分布は、前記照明瞳上の領域であって光軸を含む瞳中心領域での光強度が該瞳中心領域の周囲の領域よりも小さく設定されることを特徴とする請求項１３に記載の投影露光装置。
【請求項１５】
前記照明光学系が形成する前記照明瞳上の前記所定分布は実質的に輪帯形状であることを特徴とする請求項１３記載の投影露光装置。
【請求項１６】
前記輪帯形状の光強度分布の外径に対する内径の比率は、０．３〜０．７の範囲に設定されることを特徴とする請求項１５記載の投影露光装置。
【請求項１７】
前記照明瞳上の光強度分布は実質的に光量ロスなく形成されることを特徴とする請求項１４乃至１６の何れか一項に記載の投影露光装置。
【請求項１８】
走査型投影露光装置を用いてワーク上の矩形のパターン転写領域に第１パターンを転写する工程；及び
請求項１３乃至１７の何れか一項に記載の一括露光型投影露光装置を用いて前記矩形のパターン転写領域に第２パターンを転写する工程；
を含み、
前記一括型投影露光装置は、前記矩形のパターン転写領域と相似形状であって前記矩形のパターン転写領域のほぼ整数倍の面積を有する露光領域を有することを特徴とするフォトリソグラフィ方法。
【請求項１９】
ワーク上の矩形のパターン転写領域に第１パターンを転写する走査型投影露光装置；及び
請求項１３乃至１７の何れか一項に記載の前記矩形のパターン転写領域に第２パターンを転写する一括露光型投影露光装置；
を含み、
前記一括型投影露光装置は、前記矩形のパターン転写領域と相似形状であって前記矩形のパターン転写領域のほぼ整数倍の面積を有する露光領域を有することを特徴とする露光システム。
【請求項２０】
請求項１乃至５の何れか一項に記載の投影光学系であって、所定波長の露光光に基づいてマスク上に設けられたパターンの縮小像をワーク上へ投影する投影光学系において、
前記露光光を通過させる複数の光学素子を含み、
該複数の光学素子の形状及び位置は、少なくとも直径４２ｍｍのイメージサークル内で実質的に無収差であり、かつ前記ワーク側の開口数の最大値が０．５以上であるように定められることを特徴とする投影光学系。
【請求項２１】
前記複数の光学素子は、直線上に延びた１本の光軸に沿って配置されることを特徴とする請求項２０に記載の投影光学系。
【請求項２２】
前記投影光学系の前記複数の光学素子の形状及び位置は、前記マスク側及び前記ワーク側の両側がテレセントリックとなるように定められることを特徴とする請求項２０又は２１に記載の投影光学系。