【手続補正書】
【提出日】平成20年10月17日(2008.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザー光で活性化可能な、メッキ可能なポリイミド複合体被膜であって、
Ａ．該ポリイミド複合体被膜の全重量の４０〜９７重量パーセントからの量で存在するポリイミドポリマーと、
Ｂ．該ポリイミド複合体被膜の全重量の３〜６０重量パーセントからの量で存在するスピネル結晶充填剤と
を含み、
前記スピネル結晶充填剤は、化学式ＡＢ2Ｏ4又はＢＡＢＯ4によって表され、Ａは、２の原子価を有する金属陽イオンであり、マンガン、ニッケル、銅、鉄、およびこれらの２種以上の組合せからなる群から選択され、Ｂは、３の原子価を有する金属陽イオンであり、マンガン、鉄、クロム、およびこれらの２種以上の組合せからなる群から選択され、
Ｃ．該ポリイミド複合体被膜が、ミクロン当たり０．０５〜０．６の間の可視−赤外線吸光係数を有することを特徴とする光活性化可能なポリイミド複合体被膜。
【請求項２】
前記スピネル結晶充填剤は、５０〜１００００ナノメートルの平均粒径を有する被膜を形成するポリイミドポリマー中に分散されることを特徴とする請求項１に記載のレーザー光で活性化可能な、メッキ可能なポリイミド複合体被膜。
【請求項３】
前記被膜は、１〜２００ミクロンの厚さを有することを特徴とする請求項１に記載のレーザー光で活性化可能な、メッキ可能なポリイミド複合体被膜。
【請求項４】
前記被膜は、７０〜−１０ｐｐｍ／℃の面内熱膨張係数を有することを特徴とする請求項１に記載の被膜。
【請求項５】
Ａ．スピネル結晶充填剤を、任意選択で分散剤として使用されるポリアミック酸（polyamic acid）ポリマーと共に、有機溶媒に分散して、分散液を形成するステップであって、該スピネル結晶充填剤の平均粒径が、５０〜１００００ナノメートルのステップと、
Ｂ．該分散液をポリアミック酸と混合して、混合ポリマーブレンドを形成するステップと、
Ｃ．該混合ポリマーブレンドを平面上に流延して、湿潤ポリアミック被膜複合体を形成するステップと、
Ｄ．該湿潤ポリアミック被膜複合体に熱エネルギーを加え、該複合体を乾燥しかつ硬化して、ポリイミド被膜複合体を形成するステップであって、該ポリイミド複合体がミクロン当たり０．０５〜０．６の可視−赤外線吸光係数を有するものであるステップと、
Ｅ．前記ポリアミド被膜複合体の一部をレーザー光線によって光活性化して、前記複合体の表面に光活性化された部分を形成するステップと
を含むことを特徴とする被膜を作製するための方法。
【請求項６】
少なくとも１つの無電解メッキ浴を使用することにより、該ポリイミド被膜複合体を金属でメッキして、該ポリイミド被膜複合体の該光活性化部分に導電性経路を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
リジッド回路板、フレキシブル回路板、リジッド−フレックス回路板、マルチフレックス回路板でベース誘電体基板として使用されることを特徴とする請求項１に記載のレーザー光線で活性可能な、メッキ可能なポリイミド複合体被膜。
【請求項８】
前記被膜は、集積回路パッケージ、電子パッケージ、高密度相互接続、ウェハー規模のパッケージ、テープ自動ボンディング回路パッケージ、チップオンフレックス回路パッケージ、チップオンボード電子回路パッケージ、又は三次元電子回路パッケージで、構成要素として使用されることを特徴とする請求項１に記載のレーザー光線で活性可能な、メッキ可能なポリイミド複合体被膜。
【請求項９】
酸化防止剤、光安定剤、吸光係数調節剤、難燃添加剤、静電防止剤、熱安定剤、強化剤、またはリン酸二カルシウムをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のレーザー光線で活性可能な、メッキ可能なポリイミド複合体被膜。
【請求項１０】
前記吸光係数調節剤は、炭素粉末または黒鉛粉末であることを特徴とする請求項９に記載のレーザー光線で活性可能な、メッキ可能なポリイミド複合体被膜。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２５１】
この最終の薄い被膜は、ポリイミド中に、約１４重量パーセントのＮｉＣｒ2Ｏ4粉末（Ｃｅｒａｃ製）を含有していた。
本発明は、以下の態様を包含する。
[１]  光活性化可能なポリイミド複合体であって、
Ａ．該ポリイミド複合体の全重量の４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０、８５、９０、９５、９６、または９７重量パーセントからの量で存在するポリイミドポリマーと、
Ｂ．該ポリイミド複合体の全重量の３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、および６０重量パーセントからの量で存在するスピネル結晶充填剤と
を含み、
Ｃ．該ポリイミド複合体が、以下の数値、即ちミクロン当たり０．０５、０．０６、０．０７、０．０８、０．０９、０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、および０．６のいずれか２つの間、およびこのいずれか２つを含む可視−赤外線吸光係数を有することを特徴とする光活性化可能なポリイミド複合体。
[２]  前記スピネル結晶充填剤は、化学式ＡＢ2Ｏ4によって表されることを特徴とする[１]に記載の複合体。
[３]  前記スピネル結晶充填剤は、化学式ＢＡＢＯ4によって表されることを特徴とする[１]に記載の複合体。
[４]  Ａは、２の原子価を有する金属陽イオンであり、カドミウム、マンガン、ニッケル、亜鉛、銅、コバルト、鉄、マグネシウム、スズ、チタン、鉄、アルミニウム、ニッケル、マンガン、クロム、およびこれらの２種以上の組合せからなる群から選択されることを特徴とする[２]または[３]に記載の複合体。
[５]  Ｂは、３の原子価を有する金属陽イオンであり、カドミウム、マンガン、ニッケル、亜鉛、銅、コバルト、鉄、マグネシウム、スズ、チタン、鉄、アルミニウム、ニッケル、マンガン、クロム、およびこれらの２種以上の組合せからなる群から選択されることを特徴とする[２]または[３]に記載の複合体。
[６]  Ａは、カドミウム、クロム、マンガン、ニッケル、亜鉛、銅、コバルト、鉄、マグネシウム、スズ、チタン、およびこれらの２種以上の組合せからなる群から選択された、周期表からの元素であることを特徴とする[２]または[３]に記載の複合体。
[７]  Ｂは、クロム、鉄、アルミニウム、ニッケル、マンガン、スズ、およびこれらの２種以上の組合せからなる群から選択された、周期表からの元素であることを特徴とする[２]または[３]に記載の複合体。
[８]  前記スピネル結晶充填剤は、以下の数値、即ち５０、１００、３００、５００、８００、１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、および１００００ナノメートルのいずれか２つの間、およびこのいずれか２つを含む充填剤の平均粒径を有する被膜を形成するポリイミドポリマー中に分散されることを特徴とする[１]に記載の複合体。
[９]  前記被膜は、以下の数値、即ち１、２、３、４、５、７、８、９、１０、１２、１４、１６、１８、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０、８５、９０、９５、１００、１２５、１５０、１７５、および２００ミクロンのいずれか２つの間、およびこのいずれか２つを含む厚さを有することを特徴とする[８]に記載の被膜。
[１０]  前記ポリイミドポリマーは、以下の数値、即ち１５０、１７５、２００、２２５、２５０、２７５、および３００℃のいずれか２つの間、およびこのいずれか２つを含むガラス転移温度を有することを特徴とする[９]に記載の被膜。
[１１]  前記ポリイミドポリマーは、３００℃を超えるガラス転移温度を有することを特徴とする[９]に記載の被膜。
[１２]  前記複合体は、以下の数値、即ち７０、６８、６６、６４、６２、６０、５８、５６、５４、５２、５０、４８、４６、４４、４２、４０、３８、３６、３４、３２、３０、２８、２６、２４、２２、２０、１８、１６、１４、１２、１０、８、６、４、２、０、−２、−４、−６、−８、または−１０ｐｐｍ／℃のいずれか２つの間、およびこのいずれか２つを含む面内熱膨張係数を有することを特徴とする[９]に記載の被膜。
[１３]  上層および下層を有する２層の光活性化可能なポリイミド被膜複合体であって、該上層は、該上層の全重量に対して少なくとも４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０、８５、９０、９５、９６、９７、９８、または９９重量パーセントのポリイミドポリマーを含み、該上層は、該上層の全重量に対して少なくとも１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、または６０重量パーセントのスピネル結晶充填剤も含み、該下層は、ポリイミドを含むことを特徴とする２層の光活性化可能なポリイミド被膜複合体。
[１４]  上層および下層を有する２層の光活性化可能なポリイミド被膜複合体であって、該上層は、該上層の全重量に対して少なくとも４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０、８５、９０、９５、９６、９７、９８、または９９重量パーセントのポリイミドポリマーを含み、該上層は、該上層の全重量に対して少なくとも１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、または６０重量パーセントのスピネル結晶充填剤も含み、該下層は、以下の数値、即ち１５０、１７５、２００、２２５、２５０、２７５、および３００℃のいずれか２つの間、およびこのいずれか２つを含むガラス転移温度を有するポリイミドを含むことを特徴とする２層の光活性化可能なポリイミド被膜複合体。
[１５]  前記上層は、以下の数値、即ちミクロン当たり０．０５、０．０６、０．０７、０．０８、０．０９、０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、および０．６のいずれか２つの間、およびこのいずれか２つを含む可視−赤外線吸光係数を有することを特徴とする[１０]に記載の２層の光活性化可能なポリイミド被膜複合体。
[１６]  前記上層は、少なくとも４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０、８５、９０、９５、９６、９７、９８、または９９重量パーセントのポリイミドポリマーを含み、該ポリイミドポリマーは、以下の数値、即ち７０、６８、６６、６４、６２、６０、５８、５６、５４、５２、５０、４８、４６、４４、４２、４０、３８、３６、３４、３２、３０、２８、２６、２４、２２、２０、１８、１６、１４、１２、１０、８、６、４、２、０、−２、−４、−６、−８、または−１０ｐｐｍ／℃のいずれか２つの間、およびこのいずれか２つを含む面内熱膨張係数を有することを特徴とする[１０]に記載の２層の光活性化可能なポリイミド被膜複合体。
[１７]  ２つの外層と、該２つの外層の間に位置決めされた内層とを含み、該２つの外層が該内層に近接する、３層の光活性化可能なポリイミド被膜複合体であって、
各外層は、各外層の全重量に対して少なくとも４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０、８５、９０、９５、９６、または９７重量パーセントのポリイミドポリマーを含み、
各外層は、各外層の全重量に対して少なくとも３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、または６０重量パーセントのスピネル結晶充填剤を含み、
各外層では、該スピネル結晶充填剤が該ポリイミドポリマー中に分散されて、ポリイミド複合体を形成し、
該内層は、ポリイミドを含むことを特徴とする３層の光活性化可能なポリイミド被膜複合体。
[１８]  前記外層は、１５０、１７５、２００、２２５、２５０、２７５、または３００℃の間のガラス転移温度を有するポリイミドポリマーを含むことを特徴とする[１７]に記載の３層の光活性化可能なポリイミド被膜。
[１９]  前記外層は、以下の数値、即ち４０、３８、３６、３４、３２、３０、２８、２６、２４、２２、２０、１８、１６、１４、１２、１０、８、６、４、２、０、−２、−４、−６、−８、または−１０ｐｐｍ／℃のいずれか２つの間、およびこのいずれか２つを含む面内熱膨張係数を有するポリイミド複合体を含むことを特徴とする[１７]に記載の３層の光活性化可能なポリイミド被膜。
[２０]  Ａ．スピネル結晶充填剤を、任意選択で分散剤として使用されるポリアミック酸（polyamic acid）ポリマーと共に、有機溶媒に分散して、分散液を形成するステップであって、該スピネル結晶充填剤の平均粒径が、以下の数値、即ち５０、１００、３００、５００、８００、１０００、２０００、３０００、４０００、５０００、および１００００ナノメートルのいずれか２つの間にあるステップと、
Ｂ．該分散液をポリアミック酸と混合して、混合ポリマーブレンドを形成するステップと、
Ｃ．該混合ポリマーブレンドを平面上に流延して、湿潤ポリアミック被膜複合体を形成するステップと、
Ｄ．該湿潤ポリアミック被膜複合体に熱エネルギーを加え、該複合体を乾燥しかつ硬化して、ポリイミド被膜複合体を形成するステップであって、該ポリイミド複合体が、以下の数値、即ちミクロン当たり０．０５、０．０６、０．０７、０．０８、０．０９、０．１、０．２、０．３、０．４、０．５、および０．６のいずれか２つの間、およびこのいずれか２つを含む可視−赤外線吸光係数を有するものであるステップと
を含むことを特徴とする被膜を作製するための方法。
[２１]  Ａ．ポリイミド被膜複合体の一部をレーザ光線で光活性化して、該複合体の表面に光活性化部分を形成するステップと、
Ｂ．少なくとも１つの無電解メッキ浴を使用することにより、該ポリイミド被膜複合体を金属でメッキして、該ポリイミド被膜複合体の該光活性化部分に導電性経路を形成するステップと
をさらに含むことを特徴とする[２０]に記載の方法。
[２２]  リジッド回路板で、ベース誘電体基板として使用されることを特徴とする[８]に記載の被膜。
[２３]  フレキシブル回路板で、ベース誘電体基板として使用されることを特徴とする[８]に記載の被膜。
[２４]  リジッド−フレックス回路板で、ベース誘電体基板として使用されることを特徴とする[８]に記載の被膜。
[２５]  マルチフレックス回路板で、ベース誘電体基板として使用されることを特徴とする[８]に記載の被膜。
[２６]  前記被膜は、集積回路パッケージで構成要素として使用されることを特徴とする[８]に記載の被膜。
[２７]  前記被膜は、電子パッケージの構成要素として使用され、該電子パッケージは、ピングリッドアレイの相互接続、マルチチップモジュール、チップ規模のパッケージ、ボールグリッドアレイ、高周波モジュール、デジタルモジュール、チップオンフレックス、スタックドビア基板、埋込み受動素子を有するプリント回路板、高密度相互接続回路板、「ＬＧＡ」Ｌａｎｄ  ｇｒｉｄ  ａｒｒａｙ、「ＳＯＰ」（Ｓｙｓｔｅｍ−ｏｎ  Ｐａｃｋａｇｅ）Ｍｏｄｕｌｅ、「ＱＦＮ」Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  ｐａｃｋａｇｅ−Ｎｏ  Ｌｅａｄｓ、および「ＦＣ−ＱＦＮ」Ｆｌｉｐ  Ｃｈｉｐ  Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  ｐａｃｋａｇｅ−Ｎｏ  ｌｅａｄｓを含む群から選択されることを特徴とする[８]に記載の被膜。
[２８]  前記被膜は、高密度相互接続、ウェハー規模のパッケージ、テープ自動ボンディング回路パッケージ、チップオンフレックス回路パッケージ、またはチップオンボード電子回路パッケージの構成要素として使用されることを特徴とする[８]に記載の被膜。
[２９]  前記複合体は、三次元電子回路パッケージで使用されることを特徴とする[１]に記載の複合体。
[３０]  酸化防止剤、光安定剤、吸光係数調節剤、難燃添加剤、静電防止剤、熱安定剤、強化剤、またはリン酸二カルシウムをさらに含むことを特徴とする[１]に記載の複合体。
[３１]  前記吸光係数調節剤は、炭素粉末または黒鉛粉末であることを特徴とする[３０]に記載の複合体。