【手続補正書】
【提出日】平成20年10月3日(2008.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に、第１の半導体集積回路と、前記第１の半導体集積回路と隣り合うように配置された第２の半導体集積回路と、をそれぞれ複数形成し、
前記第１の半導体集積回路及び前記第２の半導体集積回路を覆うように、第２の基板を接着し、
前記第１の基板と前記第２の基板を引き離して、前記第１の半導体集積回路を前記第２の基板上に移し、
前記第１の基板上に残った前記第２の半導体集積回路を覆うように、第３の基板を接着し、
前記第１の基板と前記第３の基板を引き離し、前記第２の半導体集積回路を前記第３の基板上に移し、
複数の前記第１の半導体集積回路を１つずつに分けるように、前記第２の基板を分断し、複数の前記第２の半導体集積回路を１つずつに分けるように、前記第３の基板を分断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
第１の基板上に、第１の半導体集積回路と、前記第１の半導体集積回路と隣り合うように配置された第２の半導体集積回路と、をそれぞれ複数形成し、
前記第１の半導体集積回路及び前記第２の半導体集積回路を覆うように、第２の基板を接着し、
前記第１の基板と前記第２の基板を引き離して、前記第１の半導体集積回路を前記第２の基板上に移し、
前記第１の基板上に残った前記第２の半導体集積回路を覆うように、第３の基板を接着し、
前記第１の基板と前記第３の基板を引き離し、前記第２の半導体集積回路を前記第３の基板上に移し、
前記第２の基板上に前記第１の半導体集積回路を移した後、前記第１の半導体集積回路を第４の基板上に移し、複数の前記第１の半導体集積回路を１つずつに分けるように前記第４の基板を分断し、
前記第３の基板上に前記第２の半導体集積回路を移した後、前記第２の半導体集積回路を第５の基板上に移し、複数の前記第２の半導体集積回路を１つずつに分けるように前記第５の基板を分断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
第１の基板上に、第１の半導体集積回路と、第１の半導体集積回路と隣り合うように配置された第２の半導体集積回路と、をそれぞれ複数形成し、
前記第２の半導体集積回路を覆うように、第１の絶縁層を形成し、
前記第１の半導体集積回路を覆うように、第２の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層を覆うように、第２の基板を接着し、
前記第２の基板と前記第１の基板との間に第１の外力を加えることによって、前記第１の基板と前記第２の基板を引き離して、前記第１の半導体集積回路を前記第２の基板上に移し、
前記第１の基板上に残った前記第２の半導体集積回路を覆うように、第３の基板を接着し、
前記第１の基板と前記第３の基板との間に第２の外力を加えることによって、前記第１の基板と前記第３の基板を引き離して、前記第２の半導体集積回路を前記第３の基板上に移し、
複数の前記第１の半導体集積回路を１つずつに分けるように、前記第２の基板を分断し、複数の前記第２の半導体集積回路を１つずつに分けるように、前記第３の基板を分断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
第１の基板上に、第１の半導体集積回路と、第１の半導体集積回路と隣り合うように配置された第２の半導体集積回路と、をそれぞれ複数形成し、
前記第２の半導体集積回路を覆うように、第１の絶縁層を形成し、
前記第１の半導体集積回路を覆うように、第２の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層を覆うように、第２の基板を接着し、
前記第２の基板と前記第１の基板との間に第１の外力を加えることによって、前記第１の基板と前記第２の基板を引き離して、前記第１の半導体集積回路を前記第２の基板上に移し、
前記第１の基板上に残った前記第２の半導体集積回路を覆うように、第３の基板を接着し、
前記第１の基板と前記第３の基板との間に第２の外力を加えることによって、前記第１の基板と前記第３の基板を引き離して、前記第２の半導体集積回路を前記第３の基板上に移し、
前記第２の基板上に前記第１の半導体集積回路を移した後、前記第１の半導体集積回路を第４の基板上に移し、複数の前記第１の半導体集積回路を１つずつに分けるように前記第４の基板を分断し、
前記第３の基板上に前記第２の半導体集積回路を移した後、前記第２の半導体集積回路を第５の基板上に移し、複数の前記第２の半導体集積回路を１つずつに分けるように前記第５の基板を分断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
第１の基板上に、第１の半導体集積回路と、第１の半導体集積回路と隣り合うように配置された第２の半導体集積回路と、をそれぞれ複数形成し、
前記第２の半導体集積回路を覆うように、第１の絶縁層を形成し、
前記第１の半導体集積回路を覆うように、第２の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層を覆うように、第２の基板を接着し、
前記第２の基板と前記第１の基板との間に第１の外力を加えることによって、前記第１の基板と前記第２の基板を引き離し、
前記第１の外力に対して、前記第２の絶縁層と前記第１の半導体集積回路との接着の強度は、前記第１の絶縁層と前記第２の半導体集積回路との接着の強度よりも高く、且つ前記第１の基板と前記第１の半導体集積回路との接合の強度よりも高く、
前記第１の外力に対して、前記第１の基板と前記第２の半導体集積回路との接合の強度は、前記第１の絶縁層と前記第２の半導体集積回路との接着の強度よりも高く、
前記第２の基板を引き離した後、前記第１の基板上の前記第２の半導体集積回路を覆うように、第３の基板を接着し、
前記第１の基板と前記第３の基板との間に第２の外力を加えることによって、前記第１の基板と前記第３の基板を引き離して、前記第２の半導体集積回路を前記第３の基板上に移し、
複数の前記第１の半導体集積回路を１つずつに分けるように、前記第２の基板を分断し、複数の前記第２の半導体集積回路を１つずつに分けるように、前記第３の基板を分断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
第１の基板上に、第１の半導体集積回路と、第１の半導体集積回路と隣り合うように配置された第２の半導体集積回路と、をそれぞれ複数形成し、
前記第２の半導体集積回路を覆うように、第１の絶縁層を形成し、
前記第１の半導体集積回路を覆うように、第２の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層を覆うように、第２の基板を接着し、
前記第２の基板と前記第１の基板との間に第１の外力を加えることによって、前記第１の基板と前記第２の基板を引き離し、
前記第１の外力に対して、前記第２の絶縁層と前記第１の半導体集積回路との接着の強度は、前記第１の絶縁層と前記第２の半導体集積回路との接着の強度よりも高く、且つ前記第１の基板と前記第１の半導体集積回路との接合の強度よりも高く、
前記第１の外力に対して、前記第１の基板と前記第２の半導体集積回路との接合の強度は、前記第１の絶縁層と前記第２の半導体集積回路との接着の強度よりも高く、
前記第２の基板を引き離した後、前記第１の基板上の前記第２の半導体集積回路を覆うように、第３の基板を接着し、
前記第１の基板と前記第３の基板との間に第２の外力を加えることによって、前記第１の基板と前記第３の基板を引き離して、前記第２の半導体集積回路を前記第３の基板上に移し、
前記第２の基板上に前記第１の半導体集積回路を移した後、前記第１の半導体集積回路を第４の基板上に移し、複数の前記第１の半導体集積回路を１つずつに分けるように前記第４の基板を分断し、
前記第３の基板上に前記第２の半導体集積回路を移した後、前記第２の半導体集積回路を第５の基板上に移し、複数の前記第２の半導体集積回路を１つずつに分けるように前記第５の基板を分断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項３乃至請求項６のいずれか一において、
前記第２の絶縁層はエポキシ基を有する樹脂材料を用いて形成され、前記第１の絶縁層はビニル基を有する樹脂材料を用いて形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第１の基板と前記第１の半導体集積回路及び前記第２の半導体集積回路との間に剥離層を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記第１の半導体集積回路と前記第２の半導体集積回路は、前記第１の基板上に同一工程で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記第１の半導体集積回路と前記第２の半導体集積回路は、構成が同じ回路であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記第１の半導体集積回路と前記第２の半導体集積回路は、構成が異なる回路であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
前記第１の半導体集積回路または前記第２の半導体集積回路をアンテナと電気的に接続し、
前記アンテナを介した無線通信によってデータが入出力されることを特徴とする半導体装置の作製方法。