【手続補正書】
【提出日】平成20年4月14日(2008.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性一成分現像剤と、
該非磁性一成分現像剤を担持する現像剤担持体と、
該現像剤担持体に近接または当接して設けられ、該非磁性一成分現像剤を該現像剤担持体に供給する現像剤供給部材と、
該現像剤担持体に当接して設けられ、該現像剤担持体に担持された現像剤の層厚を規制する現像剤層厚規制部材と、
を有し、
潜像担持体に形成された静電潜像を、該現像剤担持体に担持された非磁性一成分現像剤を用いて顕像化する画像形成装置に用いられる現像装置において、
該現像剤層厚規制部材が、該現像剤担持体に対して、線圧5gf/cm(4.9N/m)以上25gf/cm(24.5N/m)以下で当接しており、
該非磁性一成分現像剤の体積平均粒径をDv[μｍ]としたとき、Dv/10以上Dv/3以下の粒径を有する非磁性一成分現像剤が全体の0.015体積％以上1.5体積％以下含まれ、
該現像剤担持体に担持された単位面積あたりの非磁性一成分現像剤の量w[mg/cm2]が、下記式；
1000*a*ρ*(V1+V2)/S≦w≦1000*a*ρ*(V1+V2)/S+4*a*ρ*Dv/10
ａ：現像剤層厚規制部材通過後の現像剤担持体上の非磁性一成分現像剤の充填率、
ρ[g/cm3]：非磁性一成分現像剤の真密度、
Dv[μｍ]：非磁性一成分現像剤の体積平均粒径、
V1[cm3]＝Σ(h1(max)−h1(x,y))*ΔS1：現像剤担持体表面における（最高高さ−表面高さ）の面積積分、
h1(max)[cm]：測定領域内における現像剤担持体表面高さの最高値、
h1(x,y)[cm]：現像剤担持体表面高さ、
ΔS1[cm2]：現像剤担持体表面高さ測定時の、１測定点当たりの面積、
V2[cm3]＝Σ(h2(max)−h2(x,y))*ΔS2：現像剤層厚規制部材表面における（最高高さ−表面高さ）の面積積分、
h2(max)[cm]：測定領域内における現像剤層厚規制部材表面高さの最高値、
h2(x,y)[cm]：現像剤層厚規制部材表面高さ、
ΔS2[cm2]：現像剤層厚規制部材表面高さ測定時の、１測定点当たりの面積、
S[cm2]：現像剤担持体表面高さ及び現像剤層厚規制部材表面高さ測定時の測定面積、
を満たすことを特徴とする現像装置。
【請求項２】
非磁性一成分現像剤と、
該非磁性一成分現像剤を担持する現像剤担持体と、
該現像剤担持体に近接または当接して設けられ、該非磁性一成分現像剤を該現像剤担持体に供給する現像剤供給部材と、
該現像剤担持体に当接して設けられ、該現像剤担持体に担持された現像剤の層厚を規制する現像剤層厚規制部材と、
を有し、
潜像担持体に形成された静電潜像を、該現像剤担持体に担持された非磁性一成分現像剤を用いて顕像化する画像形成装置に用いられる現像装置において、
該現像剤層厚規制部材が、該現像剤担持体に対して、線圧5gf/cm(4.9N/m)以上25gf/cm(24.5N/m)以下で当接しており、
該非磁性一成分現像剤の体積平均粒径をDv[μｍ]としたとき、Dv/10以上Dv/3以下の粒径を有する非磁性一成分現像剤が全体の0.015体積％以上1.5体積％以下含まれ、
該現像剤担持体に担持された単位面積あたりの非磁性一成分現像剤の量w[mg/cm2]が、下記式；
1000*a*ρ*(V1+V2)/S+0.5*a*ρ*Dv/10≦w≦1000*a*ρ*(V1+V2)/S+3.5*a*ρ*Dv/10
ａ：現像剤層厚規制部材通過後の現像剤担持体上の非磁性一成分現像剤の充填率、
ρ[g/cm3]：非磁性一成分現像剤の真密度、
Dv[μｍ]：非磁性一成分現像剤の体積平均粒径、
V1[cm3]＝Σ(h1(max)−h1(x,y))*ΔS1：現像剤担持体表面における（最高高さ−表面高さ）の面積積分、
h1(max)[cm]：測定領域内における現像剤担持体表面高さの最高値、
h1(x,y)[cm]：現像剤担持体表面高さ、
ΔS1[cm2]：現像剤担持体表面高さ測定時の、１測定点当たりの面積、
V2[cm3]＝Σ(h2(max)−h2(x,y))*ΔS2：現像剤層厚規制部材表面における（最高高さ−表面高さ）の面積積分、
h2(max)[cm]：測定領域内における現像剤層厚規制部材表面高さの最高値、
h2(x,y)[cm]：現像剤層厚規制部材表面高さ、
ΔS2[cm2]：現像剤層厚規制部材表面高さ測定時の、１測定点当たりの面積、
S[cm2]：現像剤担持体表面高さ及び現像剤層厚規制部材表面高さ測定時の測定面積、
を満たすことを特徴とする現像装置。
【請求項３】
非磁性一成分現像剤と、
該非磁性一成分現像剤を担持する現像剤担持体と、
該現像剤担持体に近接または当接して設けられ、該非磁性一成分現像剤を該現像剤担持体に供給する現像剤供給部材と、
該現像剤担持体に当接して設けられ、該現像剤担持体に担持された現像剤の層厚を規制する現像剤層厚規制部材と、
を有し、
潜像担持体に形成された静電潜像を、該現像剤担持体に担持された非磁性一成分現像剤を用いて顕像化する画像形成装置に用いられる現像装置において、
該現像剤層厚規制部材が、該現像剤担持体に対して、線圧5gf/cm(4.9N/m)以上25gf/cm(24.5N/m)以下で当接しており、
該非磁性一成分現像剤の体積平均粒径をDv[μｍ]としたとき、Dv/10以上Dv/3以下の粒径を有する非磁性一成分現像剤が全体の0.015体積％以上1.5体積％以下含まれ、
該現像剤担持体に担持された単位面積あたりの非磁性一成分現像剤の量w[mg/cm2]が、下記式；
1000*a*ρ*(V1+V2)/S+a*ρ*Dv/10≦w≦1000*a*ρ*(V1+V2)/S+3*a*ρ*Dv/10
ａ：現像剤層厚規制部材通過後の現像剤担持体上の非磁性一成分現像剤の充填率、
ρ[g/cm3]：非磁性一成分現像剤の真密度、
Dv[μｍ]：非磁性一成分現像剤の体積平均粒径、
V1[cm3]＝Σ(h1(max)−h1(x,y))*ΔS1：現像剤担持体表面における（最高高さ−表面高さ）の面積積分、
h1(max)[cm]：測定領域内における現像剤担持体表面高さの最高値、
h1(x,y)[cm]：現像剤担持体表面高さ、
ΔS1[cm2]：現像剤担持体表面高さ測定時の、１測定点当たりの面積、
V2[cm3]＝Σ(h2(max)−h2(x,y))*ΔS2：現像剤層厚規制部材表面における（最高高さ−表面高さ）の面積積分、
h2(max)[cm]：測定領域内における現像剤層厚規制部材表面高さの最高値、
h2(x,y)[cm]：現像剤層厚規制部材表面高さ、
ΔS2[cm2]：現像剤層厚規制部材表面高さ測定時の、１測定点当たりの面積、
S[cm2]：現像剤担持体表面高さ及び現像剤層厚規制部材表面高さ測定時の測定面積、
を満たすことを特徴とする現像装置。
【請求項４】
非磁性一成分現像剤と、
該非磁性一成分現像剤を担持する現像剤担持体と、
該現像剤担持体に近接または当接して設けられ、該非磁性一成分現像剤を該現像剤担持体に供給する現像剤供給部材と、
該現像剤担持体に当接して設けられ、該現像剤担持体に担持された現像剤の層厚を規制する現像剤層厚規制部材と、
を有し、
潜像担持体に形成された静電潜像を、該現像剤担持体に担持された非磁性一成分現像剤を用いて顕像化する画像形成装置に用いられる現像装置において、
該現像剤層厚規制部材が、該現像剤担持体に対して、線圧5gf/cm(4.9N/m)以上25gf/cm(24.5N/m)以下で当接しており、
該非磁性一成分現像剤の体積平均粒径をDv[μｍ]としたとき、Dv/10以上Dv/3以下の粒径を有する非磁性一成分現像剤が全体の0.015体積％以上1.5体積％以下含まれ、
該現像剤担持体に担持された単位面積あたりの非磁性一成分現像剤の量w[mg/cm2]が、下記式；
1000*a*ρ*(V1+V2)/S+b*a*ρ*Dv/10≦w≦1000*a*ρ*(V1+V2)/S+4*a*ρ*Dv/10
条件１：(Ry1＋Ry2)＜Dvならば、
b=1+[(Ry1*s1/S+Ry2*s2/S)/(Ry1+Ry2)−1]*(Ry1+Ry2)/Dv
条件２：(Ry1＋Ry2)≧Dvならば、
b=(Ry1*s1/S+Ry2*s2/S)/(Ry1+Ry2)
Ry1[cm]：現像剤担持体表面の最大高さ、
Ry2[cm]：現像剤層厚規制部材表面の最大高さ、
s1[cm2]：現像剤担持体表面上で、高さが平均値以上の部分の面積、
s2[cm2]：現像剤層厚規制部材表面上で、高さが平均値以上の部分の面積、
ａ：現像剤層厚規制部材通過後の現像剤担持体上の非磁性一成分現像剤の充填率、
ρ[g/cm3]：非磁性一成分現像剤の真密度、
Dv[μｍ]：非磁性一成分現像剤の体積平均粒径、
V1[cm3]＝Σ(h1(max)−h1(x,y))*ΔS1：現像剤担持体表面における（最高高さ−表面高さ）の面積積分、
h1(max)[cm]：測定領域内における現像剤担持体表面高さの最高値、
h1(x,y)[cm]：現像剤担持体表面高さ、
ΔS1[cm2]：現像剤担持体表面高さ測定時の、１測定点当たりの面積、
V2[cm3]＝Σ(h2(max)−h2(x,y))*ΔS2：現像剤層厚規制部材表面における（最高高さ−表面高さ）の面積積分、
h2(max)[cm]：測定領域内における現像剤層厚規制部材表面高さの最高値、
h2(x,y)[cm]：現像剤層厚規制部材表面高さ、
ΔS2[cm2]：現像剤層厚規制部材表面高さ測定時の、１測定点当たりの面積、
S[cm2]：現像剤担持体表面高さ及び現像剤層厚規制部材表面高さ測定時の測定面積、
を満たすことを特徴とする現像装置。
【請求項５】
該現像剤層厚規制部材が、該現像剤担持体に対して、線圧5gf/cm(4.9N/m)以上20gf/cm(19.6N/m)以下で当接していることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の現像装置。
【請求項６】
下記式；
Dv/5≦Ry1≦5*Dv
Ry1[cm]：現像剤担持体表面の最大高さ、
を満たすことを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の現像装置。
【請求項７】
下記式；
2*Dv≦Sm1≦100*Dv
Sm1[cm]：現像剤担持体表面の凹凸の平均間隔、
を満たすことを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の現像装置。
【請求項８】
下記式；
Ry2≦Dv
Ry2[cm]：現像剤層厚規制部材表面の最大高さ、
を満たすことを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の現像装置。
【請求項９】
下記式；
2*Dv≦Sm2
Sm2[cm]：現像剤層厚規制部材表面の凹凸の平均間隔、
を満たすことを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の現像装置。
【請求項１０】
該現像剤担持体のアスカーＣ硬度が30（度）以上であることを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の現像装置。
【請求項１１】
MD-1硬度計（A型）測定時の、該現像剤担持体の微小硬度が20度以上であることを特徴とする請求項１から１０のいずれかに記載の現像装置。
【請求項１２】
該現像剤層厚規制部材と該現像剤担持体の当接位置における、該現像剤層厚規制部材の曲率半径が0.5mm以上であることを特徴とする請求項１から１１のいずれかに記載の現像装置。
【請求項１３】
該非磁性一成分現像剤の体積平均粒径Dvが、3.0μｍ以上9.0μｍ以下であることを特徴とする請求項１から１２のいずれかに記載の現像装置。
【請求項１４】
該非磁性一成分現像剤の体積平均粒径Dvが、3.0μｍ以上6.0μｍ以下であることを特徴とする請求項１から１２のいずれかに記載の現像装置。
【請求項１５】
該非磁性一成分現像剤が、40℃以上70℃以下のガラス転移温度を有する結着樹脂を含むことを特徴とする請求項１から１４のいずれかに記載の現像装置。
【請求項１６】
該非磁性一成分現像剤が、45℃以上65℃以下のガラス転移温度を有する結着樹脂を含むことを特徴とする請求項１から１４のいずれかに記載の現像装置。
【請求項１７】
該非磁性一成分現像剤が、示差走査熱量計により測定されるＤＳＣ曲線において昇温時に現れる吸熱ピークとして45℃以上75℃以下の吸熱ピークを有するワックスを含むことを特徴とする請求項１から１６のいずれかに記載の現像装置。
【請求項１８】
該非磁性一成分現像剤が、示差走査熱量計により測定されるＤＳＣ曲線において昇温時に現れる吸熱ピークとして50℃以上70℃以下の吸熱ピークを有するワックスを含むことを特徴とする請求項１から１６のいずれかに記載の現像装置。
【請求項１９】
該現像剤層厚規制部材が固定されていることを特徴とする請求項１から１８のいずれかに記載の現像装置。
【請求項２０】
該現像剤供給部材が、該現像剤担持体に対して、線圧50gf/cm(49N/m)以下で当接していることを特徴とする請求項１から１９のいずれかに記載の現像装置。
【請求項２１】
該現像剤供給部材が、該現像剤担持体に対して、線圧40gf/cm(39.2N/m)以下で当接していることを特徴とする請求項１から１９のいずれかに記載の現像装置。
【請求項２２】
該現像剤供給部材から該現像剤担持体に非磁性一成分現像剤が供給されるのに必要な電圧を印加するバイアス手段をさらに有し、
該現像剤供給部材が、該現像剤担持体に対して、線圧30gf/cm(29.4N/m)以下で当接していることを特徴とする請求項１から１９のいずれかに記載の現像装置。
【請求項２３】
該現像剤供給部材から該現像剤担持体に非磁性一成分現像剤が供給されるのに必要な電圧を印加するバイアス手段をさらに有し、
該現像剤供給部材が、該現像剤担持体に対して、線圧20gf/cm(19.6N/m)以下で当接していることを特徴とする請求項１から１９のいずれかに記載の現像装置。
【請求項２４】
該現像剤供給部材と該現像剤担持体とが接触しており、その接触部において、該現像剤供給部材と該現像剤担持体が逆方向に移動し、
（現像剤供給部材の周速）／（現像剤担持体の周速）＜0.5
を満たすことを特徴とする請求項１から２３のいずれかに記載の現像装置。
【請求項２５】
該現像剤供給部材と該現像剤担持体とが接触しており、その接触部において、該現像剤供給部材と該現像剤担持体が同じ方向に移動することを特徴とする請求項１から２３のいずれかに記載の現像装置。
【請求項２６】
該現像剤供給部材と該現像剤担持体とが接触しており、その接触部において、該現像剤供給部材と該現像剤担持体が同じ方向に移動し、
該現像剤供給部材から該現像剤担持体に非磁性一成分現像剤が供給されるのに必要な電圧を印加するバイアス手段をさらに有することを特徴とする請求項１から２１のいずれかに記載の現像装置。
【請求項２７】
該現像剤供給部材から該現像剤担持体に非磁性一成分現像剤が供給されるのに必要な電圧を印加するバイアス手段をさらに有し、
該現像剤供給部材と該現像剤担持体とが非接触であることを特徴とする請求項１から１９のいずれかに記載の現像装置。
【請求項２８】
該現像剤担持体の偏心が80μｍ以下であることを特徴とする請求項１から２７のいずれかに記載の現像装置。
【請求項２９】
該非磁性一成分現像剤が、荷電制御剤を含有することを特徴とする請求項１から２８のいずれかに記載の現像装置。
【請求項３０】
該非磁性一成分現像剤が、荷電制御剤を外添したものであることを特徴とする請求項１から２９のいずれかに記載の現像装置。
【請求項３１】
請求項１から３０のいずれかに記載の現像装置と、該現像装置が具備する現像剤担持体と当接または近接して設けられた潜像担持体と、を備え、該潜像担持体に形成された静電潜像を、該現像剤担持体に担持された非磁性一成分現像剤を用いて顕像化する画像形成装置。
【請求項３２】
該潜像担持体と該現像剤担持体とが、線圧5gf/cm(4.9N/m)以上100gf/cm(98N/m)以下で当接していることを特徴とする請求項３１に記載の画像形成装置。
【請求項３３】
該潜像担持体と該現像剤担持体とが、線圧10gf/cm(9.8N/m)以上50gf/cm(49N/m)以下で当接していることを特徴とする請求項３１に記載の画像形成装置。
【請求項３４】
該潜像担持体と該現像剤担持体とが非接触であることを特徴とする請求項３１に記載の画像形成装置。
【請求項３５】
下記式；
｜PS2−PS1｜≦100
PS1[mm/s]：潜像担持体の周速、
PS2[mm/s]：現像剤担持体の周速、
を満たすことを特徴とする請求項３１から３４のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項３６】
下記式；
｜PS2−PS1｜≦50
PS1[mm/s]：潜像担持体の周速、
PS2[mm/s]：現像剤担持体の周速、
を満たすことを特徴とする請求項３１から３４のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項３７】
該現像剤担持体表面、該現像剤層厚規制部材表面、該現像剤供給部材表面、及び該潜像担持体表面の少なくともいずれかに、該非磁性一成分現像剤を帯電させる荷電制御剤を配置することを特徴とする請求項３１から３６のいずれかに記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０９】
（１０）
該現像剤担持体のアスカーＣ硬度が30（度）以上であることを特徴とする前記（１）から（９）のいずれかに記載の現像装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２１】
（２２）
該現像剤供給部材から該現像剤担持体に非磁性一成分現像剤が供給されるのに必要な電圧を印加するバイアス手段をさらに有し、
該現像剤供給部材が、該現像剤担持体に対して、線圧30gf/cm(29.4N/m)以下で当接していることを特徴とする前記（１）から（１９）のいずれかに記載の現像装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２２】
（２３）
該現像剤供給部材から該現像剤担持体に非磁性一成分現像剤が供給されるのに必要な電圧を印加するバイアス手段をさらに有し、
該現像剤供給部材が、該現像剤担持体に対して、線圧20gf/cm(19.6N/m)以下で当接していることを特徴とする前記（１）から（１９）のいずれかに記載の現像装置。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２５】
（２６）
該現像剤供給部材と該現像剤担持体とが接触しており、その接触部において、該現像剤供給部材と該現像剤担持体が同じ方向に移動し、
該現像剤供給部材から該現像剤担持体に非磁性一成分現像剤が供給されるのに必要な電圧を印加するバイアス手段をさらに有することを特徴とする前記（１）から（２１）のいずれかに記載の現像装置。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２６】
（２７）
該現像剤供給部材から該現像剤担持体に非磁性一成分現像剤が供給されるのに必要な電圧を印加するバイアス手段をさらに有し、
該現像剤供給部材と該現像剤担持体とが非接触であることを特徴とする前記（１）から（１９）のいずれかに記載の現像装置。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２７】
（２８）
該現像剤担持体の偏心が80μｍ以下であることを特徴とする前記（１）から（２７）のいずれかに記載の現像装置。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２８】
（２９）
該非磁性一成分現像剤が、荷電制御剤を含有することを特徴とする前記（１）から（２８）のいずれかに記載の現像装置。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２９】
（３０）
該非磁性一成分現像剤が、荷電制御剤を外添したものであることを特徴とする前記（１）から（２９）のいずれかに記載の現像装置。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３３】
（３４）
該潜像担持体と該現像剤担持体とが非接触であることを特徴とする前記（３１）に記載の画像形成装置。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３７】
（３７）
該現像剤担持体表面、該現像剤層厚規制部材表面、該現像剤供給部材表面、及び該潜像担持体表面の少なくともいずれかに、該非磁性一成分現像剤を帯電させる荷電制御剤を配置することを特徴とする前記（３１）から（３６）のいずれかに記載の画像形成装置。