Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月25日(2008.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  式ＩないしＩＩＩの化合物のグループから選択した１種以上の誘電的に強い正の化合物を含有する液晶媒体。
【化１】
2002012867.tif 000001
式中
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は互いに独立して、それぞれ１ないし７個の炭素原子を有するアルキルまたはアルコキシ基であり、好ましくはn-アルキルまたはn-アルコキシ基であり、特に好ましくは、１ないし５個の炭素原子を有するn-アルキルまたはn-アルコキシ基であり、または２ないし７個の炭素原子を有するアルケニル、アルコキシアルキル、アルケニルオキシ基であり、好ましくは１Ｅ−アルケニル、枝分かれしてないアルコキシアルキル、またはアルケニルオキシ、特に好ましくは２ないし４個の炭素原子を有する１Ｅ−アルケニル、枝分かれしてないアルコキシアルキル、またはアルケニルオキシであり、
ｎ１は０または１であり、
ｎ２は１または２であり、
【化２】
2002012867.tif 000002
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】  液晶媒体が式ＩＶの誘電的に正の１種以上の化合物
【化３】
2002012867.tif 000003
式中
Ｒ４は式Ｉの中のＲ１のために請求項１の中で定義した通りであり、
Ｚ４１は−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＦ２Ｏ− 、−Ｏ−ＣＦ２−または単結合であり、
Ｚ４２は−ＣＯＯ−、−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＦ２−Ｏ−、−Ｏ−ＣＦ２−または単結合であり、
Ｘ４はＦ、Ｃｌ、ＯＣＦ２ＨまたはＯＣＦ３、好ましくはＦであり、
Ｙ４１およびＹ４２は互いに独立であり、それぞれＨまたはＦであり、ただしＸ４＝Ｆの場合には、好ましくはＹ４１およびＹ４２の少なくともひとつはＦである、および/または
式Ｖの誘電的に正の１種以上の化合物
【化４】
2002012867.tif 000004
式中
Ｒ５は式Ｉの中でＲ１のために請求項１の中で定義したとおりであり、
Ｚ５１およびＺ５２は互いに独立して、それぞれ−ＣＨ２ＣＨ２−または単結合であり、
【化５】
2002012867.tif 000005
ｎ５２は０または１であり、
ｎ５１は１および、ｎ５２＝１の場合には、２でもある、
を含有することを特徴とする、請求項１に記載の液晶媒体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】式ＶＩの誘電的に正の化合物
【化６】
2002012867.tif 000006
式中、
Ｒ６は式Ｉの中でＲ１について請求項１において定義した通りであり、
Ｚ６１およびＺ６２はそれぞれ互いに独立して、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＯＯ−、または単結合好ましくは−ＣＨ２ＣＨ２−または単結合であり、特に好ましくは単結合であり、
【数１】
2002012867.tif 000007
は互いに独立して、それぞれ
【数２】
2002012867.tif 000008
であり、
ｎ６は０または１であり、好ましくは０である、
を１種以上含有することを特徴とする、請求項１ないし4の少なくとも１項に記載の液晶媒体。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
式ＶＩＩの化合物
【化７】
2002012867.tif 000009
式中
Ｒ７１およびＲ７２は互いに独立して、それぞれ式Ｉの中でＲ１について請求項１において定義した通りであり、
Ｚ７１およびＺ７２は互いに独立して、−ＣＯＯ−、−ＣＨ２ＣＨ２−または単結合であり、好ましくは−ＣＯＯ−または単結合であり、特に好ましくは多くとも２者のうちの１者は−ＣＯＯ−であり、
【数３】
2002012867.tif 000010
は相互に独立して、それぞれ
【数４】
2002012867.tif 000011
であり、
特に好ましくは、存在するならば、少なくとも１者は
【数５】
2002012867.tif 000012
であり、
ｎ７１およびｎ７２は相互に独立して、それぞれ０または１である、
および
式ＶＩＩＩの化合物 
【数６】
2002012867.tif 000013
式中
Ｒ８１および Ｒ８２は互いに独立して式Ｉの中のＲ１のために請求項１において定義した通りであり、
Ｚ８１およびＺ８２は互いに独立して、−ＣＯＯ−、−ＣＨ２−ＣＨ２−、または単結合であり、好ましくは−ＣＯＯ− または単結合であり、特に好ましくは単結合であり、
【数７】
2002012867.tif 000014
は互いに独立して、
【数８】
2002012867.tif 000015
であり、それぞれ好ましくは、もし存在するならば、その１者は
【数９】
2002012867.tif 000016
であり、
ｎ８１および ｎ８２は互いに独立して、それぞれ０または１であり、
ただし式ＶＩＩの化合物を除外する
からなる群から選択された誘電的に中性の化合物を１種以上含有することを特徴とする、請求項１ないし５の少なくとも１項に記載の液晶媒体。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】請求項１ないし７の少なくとも１項に記載の液晶媒体の電気光学ディスプレイにおける使用。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】請求項１ないし７の少なくとも１項に記載の液晶媒体を含む電気光学ディスプレイ。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】電気光学ディスプレイが本質的に水平方向の電場を有するＶＡディスプレイであることを特徴とする、請求項９に記載のディスプレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月1日(2008.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同心の球面に誘電体が積層されて構成されこれを通過する略平行な電波を一点に集束する球体レンズを二分してなる単一の半球レンズと、
この単一の半球レンズが断面側で載置され、天空側からの入射電波を反射する電波反射板と、
前記半球レンズの任意の電波集束点位置に配置され、電波ビームを形成するアンテナ素子を備える放射器と、
前記半球レンズのアジマス軸周りに前記放射器の位置を調整して前記電波ビームの方位角を制御する方位角調整手段と、
前記半球レンズのエレベーション軸周りに前記放射器の位置を調整して前記電波ビームの仰角を制御する仰角調整手段とを具備し、
前記電波反射板は、電波ビームの反射効率を高めるために、前記単一の半球レンズの二分断面より外側へ広がりを有するように形成されることを特徴とするレンズアンテナ装置。
【請求項２】
前記電波ビームが直線偏波であるとき、前記放射器の偏波軸を調整する偏波軸調整手段を備えることを特徴とする請求項１記載のレンズアンテナ装置。
【請求項３】
同心の球面に誘電体が積層されて構成されこれを通過する略平行な電波を一点に集束する球体レンズを二分してなる単一の半球レンズと、
この単一の半球レンズが断面側で載置され、天空側からの入射電波を反射する電波反射板と、
前記半球レンズの任意の電波集束点位置に配置され、電波ビームを形成するアンテナ素子を備える複数個の放射器と、
前記半球レンズのアジマス軸周りに前記複数個の放射器の位置を調整して前記電波ビームの方位角を制御する方位角調整手段と、
前記半球レンズのエレベーション軸周りに前記複数個の放射器の位置を調整して前記電波ビームの仰角を制御する仰角調整手段とを具備し、
前記電波反射板は、電波ビームの反射効率を高めるために、前記単一の半球レンズの二分断面より外側へ広がりを有するように形成されることを特徴とするレンズアンテナ装置。
【請求項４】
前記複数個の放射器は、それぞれ同一静止軌道上の複数の静止衛星と１対１で対応し、通信相手先となる静止衛星の方位及び仰角に合わせて配置されることを特徴とする請求項３記載のレンズアンテナ装置。
【請求項５】
さらに、前記半球レンズを覆うレドームを備えることを特徴とする請求項１または３記載のレンズアンテナ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
（１）同心の球面に誘電体が積層されて構成されこれを通過する略平行な電波を一点に集束する球体レンズを二分してなる単一の半球レンズと、この単一の半球レンズが断面側で載置され、天空側からの入射電波を反射する電波反射板と、前記半球レンズの任意の電波集束点位置に配置され、電波ビームを形成するアンテナ素子を備える放射器と、前記半球レンズのアジマス軸周りに前記放射器の位置を調整して前記電波ビームの方位角を制御する方位角調整手段と、前記半球レンズのエレベーション軸周りに前記放射器の位置を調整して前記電波ビームの仰角を制御する仰角調整手段とを具備し、前記電波反射板は、電波ビームの反射効率を高めるために、前記単一の半球レンズの二分断面より外側へ広がりを有するように形成される構成とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（２）（１）の構成において、前記電波ビームが直線偏波であるときは、前記放射器の偏波軸を調整する偏波軸調整手段を備えるものとする。これにより、偏波軸を容易に一致させることができ、特性向上を実現できる。
（３）同心の球面に誘電体が積層されて構成されこれを通過する略平行な電波を一点に集束する球体レンズを二分してなる単一の半球レンズと、この単一の半球レンズが断面側で載置され、天空側からの入射電波を反射する電波反射板と、前記半球レンズの任意の電波集束点位置に配置され、電波ビームを形成するアンテナ素子を備える複数個の放射器と、前記半球レンズのアジマス軸周りに前記複数個の放射器の位置を調整して前記電波ビームの方位角を制御する方位角調整手段と、前記半球レンズのエレベーション軸周りに前記複数個の放射器の位置を調整して前記電波ビームの仰角を制御する仰角調整手段とを具備し、前記電波反射板は、電波ビームの反射効率を高めるために、前記単一の半球レンズの二分断面より外側へ広がりを有するように形成される構成とする。
（４）（３）において、前記複数個の放射器は、それぞれ同一静止軌道上の複数の静止衛星と１対１で対応し、通信相手先となる静止衛星の方位及び仰角に合わせて配置される構成とする。
（５）（１）または（３）の構成において、さらに、前記半球レンズを覆うレドームを備えることが望ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月2日(2008.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気メモリ・セルを形成する方法であって、
磁気検知要素を形成するステップと、
前記磁気検知要素の周囲に中間誘電体を堆積し、前記中間誘電体に書き込み要素のための開口を形成するステップであって、前記開口が前記磁気検知要素に対して方向付けられた開口軸を有すると共に前記磁気検知要素の上方に位置している、ステップと、
前記開口内に第１の磁気集中材料のライナ層を堆積するステップであって、前記ライナ層が前記検知要素に面する底部と前記開口の垂直側面上の２つの接続側とを有し、前記第１の磁気集中材料がリラクタンス閾値未満のリラクタンスを有する、ステップと、
前記底部において前記第１の磁気集中材料を無効化するステップと、
前記開口内に導体を堆積するステップと、
を有し、これによって、前記導体における電流によって発生した磁界が、前記接続側の前記第１の磁気集中材料によって集中し、前記磁気検知要素へと方向付けられる、方法。
【請求項２】
前記無効化するステップが、前記底部における前記第１の磁気集中材料の前記リラクタンスの値を前記リラクタンス閾値より大きくし、これによって、前記接続側の磁束を前記磁気検知要素に向けて下方向に送る、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記無効化するステップが、前記第１の磁気集中材料の前記底部において物質を注入することによって行われる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記無効化するステップが、酸素、アルゴン、キセノン、クリプトン、炭素、フッ素、ホウ素、リン、ヒ素、ゲルマニウム、ガリウム、インジウム、および窒素を含む群からのイオンを注入することによって行われる、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記無効化するステップが、前記第１の磁気集中材料の結晶構造を破壊する粒子を前記第１の磁気集中材料の前記底部に注入することによって行われる、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記無効化するステップが、前記底部において前記第１の磁気集中材料をピンニングするピンニング材料層を堆積することによって行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ピンニング材料層を堆積するステップが、前記ピンニング材料を異方性堆積して、前記底部の前記ピンニング材料が前記底部において前記第１の磁気集中材料層をピンニングするために十分な厚さであり、前記接続側の前記ピンニング材料がピンニング厚さ閾値未満の厚さを有するようにし、これにより、前記接続側の前記第１の磁気集中材料はピンニングされない、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ピンニング材料層を堆積するステップが、前記第１の磁気集中材料を堆積するステップの前に実行される、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記ピンニング材料層を堆積するステップが、前記第１の磁気集中材料を堆積するステップの後に実行される、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記無効化するステップが、前記第１の磁気集中材料と、結合層と、第２の磁気集中材料と、を有する三重層の反強磁性体を堆積することによって行われ、これにより、前記三重層の反強磁性体が、前記書き込み要素における電流に大きく応答しない、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記導体の上面に、前記接続側と磁気接触させて、第２の磁気集中材料の上層を堆積するステップを更に備え、これによって、前記導体における電流により発生する磁束が、前記上層および前記接続側内で優先的に流れ、このため、前記導体における前記電流によって、前記磁気検知要素に印加される磁界を増大させる、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
磁気メモリ・セルのアレイを有する集積回路を形成する方法であって、
半導体基板を設けるステップと、
前記磁気メモリ・セルのアレイにおいて１組の磁気検知要素を形成することによって前記セル・アレイを形成するステップと、
前記磁気検知要素の周囲に中間誘電体を堆積し、前記中間誘電体に書き込み要素のための開口を形成するステップであって、前記開口が前記磁気検知要素に対して方向付けられた開口軸を有すると共に前記磁気検知要素の上方に位置している、ステップと、
前記開口内に第１の磁気集中材料のライナ層を堆積するステップであって、前記ライナ層が前記検知要素に対向する底部と前記開口の垂直側面上の２つの接続側とを有し、前記第１の磁気集中材料がリラクタンス閾値未満のリラクタンスを有する、ステップと、
前記底部において前記第１の磁気集中材料を無効化するステップと、
前記開口内に導体を堆積するステップと、
を有し、これによって、前記導体における電流によって発生した磁界が、前記接続側の前記第１の磁気集中材料によって集中し、前記磁気検知要素へと方向付けられる、方法。
【請求項１３】
前記無効化するステップが、前記底部における前記第１の磁気集中材料の前記リラクタンスの値を前記リラクタンス閾値より大きくし、これによって、前記接続側の磁束を前記磁気検知要素に向けて下方向に送る、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記無効化するステップが、前記第１の磁気集中材料の前記底部において物質を注入することによって行われる、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記無効化するステップが、酸素、アルゴン、キセノン、クリプトン、炭素、フッ素、ホウ素、リン、ヒ素、ゲルマニウム、ガリウム、インジウム、および窒素を含む群からのイオンを注入することによって行われる、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記無効化するステップが、前記第１の磁気集中材料の結晶構造を破壊する粒子を前記第１の磁気集中材料の前記底部に注入することによって行われる、請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
前記無効化するステップが、前記底部において前記第１の磁気集中材料をピンニングするピンニング材料層を堆積することによって行われる、請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
前記ピンニング材料層を堆積するステップが、前記ピンニング材料を異方性堆積して、前記底部の前記ピンニング材料が前記底部において前記第１の磁気集中材料層をピンニングするために十分な厚さであり、前記接続側の前記ピンニング材料がピンニング厚さ閾値未満の厚さを有するようにし、これにより、前記接続側の前記第１の磁気集中材料はピンニングされない、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記ピンニング材料層を堆積するステップが、前記第１の磁気集中材料を堆積するステップの前に実行される、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記ピンニング材料層を堆積するステップが、前記第１の磁気集中材料を堆積するステップの後に実行される、請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
前記無効化するステップが、前記第１の磁気集中材料と、結合層と、第２の磁気集中材料と、を有する三重層の反強磁性体を堆積することによって行われ、これにより、前記三重層の反強磁性体が、前記書き込み要素における電流に大きく応答しない、請求項１２に記載の方法。
【請求項２２】
前記導体の上面に、前記接続側と磁気接触させて、第２の磁気集中材料の上層を堆積するステップを更に備え、これによって、前記導体における電流により発生する磁束が、前記上層および前記接続側内で優先的に流れ、このため、前記導体における前記電流によって、前記磁気検知要素に印加される磁界を増大させる、請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月30日(2008.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケミカルメカニカル研磨パッドであって、
研磨面及び透明な窓を有する研磨層と、
空隙を有する下層と
を含み、
研磨層が、下層の上にあり、下層の空隙が、研磨層の研磨面とは反対の透明な窓の面の透明な窓の下にあり、空隙−圧力逃がし通路が、空隙から研磨パッドの周辺部まで延び、空隙−圧力逃がし通路が、研磨面まで延びない、研磨パッド。
【請求項２】
空隙−圧力逃がし通路が、研磨層に設けられている、請求項１記載の研磨パッド。
【請求項３】
研磨層と下層との間に置かれた接着剤層をさらに含み、空隙−圧力逃がし通路が、接着剤層に設けられている、請求項１記載の研磨パッド。
【請求項４】
空隙−圧力逃がし通路が、下層に設けられている、請求項１記載の研磨パッド。
【請求項５】
空隙−圧力逃がし通路が、幅０．７０mm〜６．５０mmである、請求項１記載の研磨パッド。
【請求項６】
幅が、空隙と研磨パッドの周辺部との間で変化する、請求項５記載の研磨パッド。
【請求項７】
空隙−圧力逃がし通路が、深さ０．３８mm〜１．５３mmである、請求項１記載の研磨パッド。
【請求項８】
ケミカルメカニカル研磨パッドであって、
研磨面及びそれに形成された透明な窓を有する研磨層並びに下層を含み、研磨層が、下層の上にあり、透明な窓が、研磨面とは反対の研磨層の面で空隙に露出し、研磨層中に設けられた空隙−圧力逃がし通路が、空隙に露出した透明な窓の面から研磨層の周辺部まで延び、空隙−圧力逃がし通路が、研磨面まで延びない、研磨パッド。
【請求項９】
ケミカルメカニカル研磨パッドであって、
下層の上にある研磨層と、
研磨層と下層との間に配置された接着剤層と、
研磨層に形成され、研磨パッドの研磨面とは反対のその面で空隙に露出している透明な窓と、
空隙から接着剤層の周辺部まで接着剤層中に設けられた空隙−圧力逃がし通路と
を含み、
空隙−圧力逃がし通路が、研磨面まで延びない、研磨パッド。
【請求項１０】
ケミカルメカニカル研磨パッドであって、
下層の上にある研磨層と、
研磨層と下層との間に配置された接着剤層と、
研磨層に形成され、研磨パッドの研磨面とは反対のその面で空隙に露出している透明な窓と、
空隙から下層の周辺部まで下層中に設けられた空隙−圧力逃がし通路と
を含み、
空隙−圧力逃がし通路が、研磨面まで延びない、研磨パッド。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月4日(2008.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、
前記第１の電極上の第１の発光層と、
前記第１の発光層上の中間導電層と、
前記中間導電層上の第２の発光層と、
前記第２の発光層上の第２の電極とを有し、
前記中間導電層は電子注入を担う層と、前記電子注入を担う層と接する正孔注入を担う層とを含み、
前記電子注入を担う層と前記正孔注入を担う層の少なくとも一方は島状の層であることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
第１の電極と、複数の発光層と、前記複数の発光層の間に挟まれた複数の中間導電層と、
第２の電極とを積層してなり、
前記中間導電層は電子注入を担う層と、前記電子注入を担う層と接する正孔注入層を担う層とを含み、
前記電子注入を担う層と前記正孔注入層を担う層の少なくとも一方は島状の層であることを特徴とする発光素子。
【請求項３】
第１の電極と第２の電極の間に、１番目からｎ番目（ｎは２以上の整数）までのｎ個の発光層を順次積層してなり、
ｋ番目（ｋは、１≦ｋ≦（ｎ−１）なる整数）の発光層と（ｋ＋１）番目の発光層との間には、中間導電層が含まれ、
前記中間導電層には電子注入を担う層と、前記電子注入を担う層と接する正孔注入を担う層とを含み、
前記電子注入を担う層と前記正孔注入を担う層の少なくとも一方は島状の層であることを特徴とする発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記電子注入を担う層は、Ｍｇ−Ａｇ合金、Ａｌ−Ｌｉ合金、Ｍｇ−Ｌｉ合金、Ｃａ３Ｎ２又はＭｇ３Ｎ２を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記正孔注入を担う層は、金、アルミニウム、白金、銅又はニッケルを含むことを特徴とする発光素子。
【請求項６】
基板上に設けられたトランジスタと、層間絶縁膜を介して前記トランジスタと接続された発光素子とを有し、
前記発光素子は、
第１の電極と、
前記第１の電極上の第１の発光層と、
前記第１の発光層上の中間導電層と、
前記中間導電層上の第２の発光層と、
前記第２の発光層上の第２の電極とを有し、
前記中間導電層は電子注入を担う層と、前記電子注入を担う層と接する正孔注入を担う層を含み、
前記電子注入を担う層と前記正孔注入を担う層の少なくとも一方は島状の層であることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
基板上に設けられたトランジスタと、層間絶縁膜を介して前記トランジスタと接続された発光素子とを有し、
前記発光素子は、
第１の電極と、複数の発光層と、前記複数の発光層の間に挟まれた複数の中間導電層と、
第２の電極とを積層してなり、
前記中間導電層は電子注入を担う層と、前記電子注入を担う層と接する正孔注入層を担う層とを含み、
前記電子注入を担う層と前記正孔注入層を担う層の少なくとも一方は島状の層であることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
基板上に設けられたトランジスタと、層間絶縁膜を介して前記トランジスタと接続された発光素子とを有し、
前記発光素子は、
第１の電極と第２の電極の間に、１番目からｎ番目（ｎは２以上の整数）までのｎ個の発光層を順次積層してなり、
ｋ番目（ｋは、１≦ｋ≦（ｎ−１）なる整数）の発光層と（ｋ＋１）番目の発光層との間には、中間導電層が含まれ、
前記中間導電層には電子注入を担う層と、前記電子注入を担う層と接する正孔注入を担う層とを含み、
前記電子注入を担う層と前記正孔注入を担う層の少なくとも一方は島状の層であることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか一において、
前記電子注入を担う層は、Ｍｇ−Ａｇ合金、Ａｌ−Ｌｉ合金、Ｍｇ−Ｌｉ合金、Ｃａ３Ｎ２又はＭｇ３Ｎ２を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項９のいずれか一において、
前記正孔注入を担う層は、金、アルミニウム、白金、銅又はニッケルを含むことを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項６乃至請求項１０のいずれか一において、
前記層間絶縁膜は炭素を含み、かつ遮光性を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項６乃至請求項１１のいずれか一において、
前記発光素子に接して、炭素を含み、かつ遮光性を有する隔壁層が設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
請求項６乃至請求項１２のいずれか一において、
前記トランジスタと前記発光素子は、アルミニウム及びニッケルを含む合金からなる配線によって接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
請求項６乃至請求項１２のいずれか一において、
前記トランジスタと前記発光素子は、アルミニウムと、ニッケルと、炭素を含む合金からなる配線によって接続されていることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月29日(2008.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
セラミック素子１は、焼結助剤などを添加したセラミック粉末を金型等を使用して所定の寸法、形状に、所定の圧力で圧縮成形した粉末成形体や同様なセラミックグリーンシートを必要に応じ複数枚積層成形等した粉末成形体であって、焼成により所要のセラミック体に粉末成形体１ａ、１ｂ（図３参照）から、製作されるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月10日(2008.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の金属から形成されたねじ付ファスナと、
金属製ファスナ挿入体と、
受け要素と、
を備え、
前記金属製ファスナ挿入体及び前記受け要素の少なくとも１つが第２の金属から形成され、
前記ファスナ挿入体がクロム酸塩をもたないフルオロポリマー組成物で被覆され、前記ファスナ組立体において異種金属接触腐食が起こる可能性が減少されものであり、前記クロム酸塩含有フルオロポリマー組成物で被覆された挿入体と比較すると、クロム酸塩をもたないフルオロポリマー組成物で被覆された前記挿入体は、一般的なトルク試験においてより性能が高いことを特徴とするファスナ組立体。
【請求項２】
前記被覆が、約０．３ミルから０．５ミルまでの平均乾燥厚さを有することを特徴とする請求項１に記載のファスナ組立体。
【請求項３】
前記被覆が、２５℃における約２０秒から３０秒までの間の塗布時に平均粘度を有することを特徴とする請求項１に記載のファスナ組立体。
【請求項４】
金属製ファスナと、前記ファスナ挿入体のための受け要素とを含み、前記挿入体、ファスナ、及び受け要素の少なくとも１つが、該挿入体、ファスナ、又は受け要素の他のものの金属とは異なる金属合金から形成された、ファスナ組立体の被覆された金属製ファスナ挿入体であって、該挿入体が、
複数の巻回部を含む螺旋状に巻かれたワイヤからなるほぼ円筒体の本体を備え、
その外面が、クロム酸塩をもたないフルオロポリマー組成物で被覆され、前記ファスナ組立体における異種金属接触腐食を防ぐようになっており、クロム酸塩含有フルオロポリマー組成物で被覆された挿入体と比較すると、クロム酸塩をもたないフルオロポリマー組成物で被覆された前記挿入体は、突出部のない挿入体を用いた一般的なトルク試験においてより性能が高いことを特徴とする被覆された金属製ファスナ挿入体。
【請求項５】
前記挿入体がステンレス鋼から形成されたことを特徴とする請求項４に記載の被覆された金属ファスナ挿入体。
【請求項６】
前記挿入体が、前記ファスナのかじりを減少させることを特徴とする請求項４に記載の被覆された金属製ファスナ挿入体。
【請求項７】
前記フルオロポリマー組成物の塗布前に前記挿入体に塗布される下塗り剤をさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の被覆された金属製ファスナ挿入体。
【請求項８】
前記挿入体のコイルが、前記タップ穴の中に挿入されたときに、６０°の雌ねじ山を与えることを特徴とする請求項４に記載の被覆された金属製ファスナ挿入体。
【請求項９】
前記挿入体は突出部がないことを特徴とする請求項４に記載の被覆された金属製ファスナ挿入体。
【請求項１０】
前記挿入体は突出部がないことを特徴とする請求項１に記載のファスナ組立体。
【請求項１１】
前記受け要素はタップ穴であることを特徴とする請求項１に記載のファスナ組立体。
【請求項１２】
第１の金属から形成されたねじ付ファスナと、
金属製ファスナ挿入体と、
受け要素と、
を備え、
前記金属製ファスナ挿入体及び前記受け要素の少なくとも１つが第２の金属から形成され、
前記ファスナ挿入体がクロム酸塩をもたないフルオロポリマー組成物で被覆され、前記ファスナ組立体において異種金属接触腐食が起こる可能性が減少されものであることを特徴とするファスナ組立体。
【請求項１３】
前記被覆が、約０．３ミルから０．５ミルまでの平均乾燥厚さを有することを特徴とする請求項１２に記載のファスナ組立体。
【請求項１４】
前記被覆が、２５℃における約２０秒から３０秒までの間の塗布時に平均粘度を有することを特徴とする請求項１２に記載のファスナ組立体。
【請求項１５】
前記挿入体は突出部がないことを特徴とする請求項１２に記載のファスナ組立体。
【請求項１６】
前記受け要素はタップ穴であることを特徴とする請求項１２に記載のファスナ組立体。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月11日(2008.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に、相対的に屈折率の高い高屈折率層と、相対的に屈折率の低い低屈折率層とを、交互に複数層積み重ねて形成された軟Ｘ線多層膜反射鏡において、前記高屈折率層はアモルファス構造を有する膜であり、前記低屈折率層は結晶構造を有する膜であり、前記高屈折率層と低屈折率層との界面のうち、前記高屈折率層の前記基板と逆側の界面には、結晶構造を有する中間層が配置されていることを特徴とする軟Ｘ線多層膜反射鏡。
【請求項２】
前記中間層は、Ｖ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｂｅ，Ｍｇ，Ｔｉ，Ｚｎ，Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃａ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｐｔ，Ｂａ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｗから選ばれた１又は２以上を含む金属、合金又は化合物であることを特徴とする請求項１に記載の軟Ｘ線多層膜反射鏡。
【請求項３】
前記高屈折率層はＭｏを含む金属、合金又は化合物からなり、前記低屈折率層は、Ｓｉを含む金属、合金又は化合物からなることを特徴とする請求項１または２に記載の軟Ｘ線多層膜反射鏡。
【請求項４】
前記中間層と前記低屈折率層は、共に面心立方格子結晶構造を有している事を特徴とする請求項２に記載の軟Ｘ線多層膜反射鏡。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
そのため、従来から軟Ｘ線用の反射鏡には、２つの異なる物質層を交互に積層した、多層膜反射鏡が用いられている。この多層膜反射鏡は、使用する軟Ｘ線の波長における屈折率と真空の屈折率（＝１）との差が相対的に小さい物質層（高屈折率層）と、真空の屈折率との差が相対的に大きい物質層（低屈折率層）とを、光学的な厚さが入射する軟Ｘ線の波長以下である非常に薄い膜を、交互に複数層積層することによって形成されている。低屈折率層と高屈折率層を交互に数十層以上積層させることにより、使用するＸ線波長の反射面となる数十層以上の界面が形成される。この時の各屈折率層の厚さを、各界面からの反射光の位相が一致するように、光学的干渉理論を用いて設計することより、反射面に垂直に入射する軟Ｘ線に対しても、良好な反射特性を発現することが可能となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
前記課題を解決するために本発明においては、基板の上に、相対的に屈折率の高い高屈折率層と、相対的に屈折率の低い低屈折率層とを、交互に複数層積み重ねて形成された軟Ｘ線多層膜反射鏡において、  前記高屈折率層はアモルファス構造を有する膜であり、前記低屈折率層は結晶構造を有する膜であり、前記高屈折率層と低屈折率層との界面のうち、前記高屈折率層の前記基板と逆側の界面には、結晶構造を有する中間層が配置されている軟Ｘ線多層膜反射鏡を提案している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また本発明は、前記中間層は、Ｖ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｂｅ，Ｍｇ，Ｔｉ，Ｚｎ，Ａｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃａ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｐｔ，Ｂａ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｗから選ばれた１又は２以上を含む金属、合金又は化合物である軟Ｘ線多層膜反射鏡を提案している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また本発明は、前記高屈折率層はＭｏを含む金属、合金又は化合物からなり、前記低屈折率層は、Ｓｉを含む金属、合金又は化合物からなることを特徴とする軟Ｘ線多層膜反射鏡を提案している。
また本発明は、前記中間層と前記低屈折率層は、共に面心立方格子結晶構造を有している軟Ｘ線多層膜反射鏡を提案している。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月11日(2008.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
ストレージ装置４００は、ストレージ装置３００と同様に構成可能である。即ち、ストレージ装置４００は、例えば、制御装置４０１と、コントローラ４１０と、メモリ４２０と、キャッシュメモリ４３０と、ディスクドライブ４４０と、インターフェース４９０，４９１，４９２等を備えており、これら各構成要素４１０，４２０，４３０，４４０，４９０，４９１，４９２は、バス４８０によって接続されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
図５に示すように、例えば、移行元ストレージ装置３００内に存在する複数のリソースグループ８０１から親リソースグループ８００を構成し、親リソースグループ８００を一括して、複数の移行先ストレージ装置４００，５００に移行させることができる。この場合、例えば、一方のリソースグループ８０１は、ストレージ装置４００に移すことができ、他方のリソースグループ８０２は、ストレージ装置５００に移すことができる。なお、図５に示す模式図は、リソースグループ単位でのデータ移行を説明するためのものであり、後述のデータ移行処理の具体例とは一致しない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１３】
管理サーバ２００は、移行プランの設定が完了したか否かを判断する（Ｓ２１）。移行プランの設定が終了していない場合（S21:NO）、Ｓ１４へ戻り、移行プラン設定作業が再開される。全ての移行プランの設定が終了した場合（S21:YES）、管理サーバ２００は、移行プランテーブル２２７を作成し、保存する。このようにして、データ移行処理開始前の事前設定が終了する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月26日(2007.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に、プリズム又はレンチキュラーレンズである立体構造が連続して配列されており、
前記立体構造の延在方向の屈折率と前記立体構造の配列方向の屈折率とが互いに異なる
光透過フィルム。
【請求項２】
請求項１に記載の光透過フィルムであって、
前記立体構造の延在方向の屈折率と前記立体構造の配列方向の屈折率の差が０．０７以上である
光透過フィルム。
【請求項３】
請求項１に記載の光透過フィルムであって、
前記プリズムは断面が頂角９０°の二等辺三角形である
光透過フィルム。
【請求項４】
一方の面に立体構造が連続して配列された光透過フィルムの製造方法であって、
一方の面に前記立体構造を備えた樹脂フィルムを成形する工程と、
前記樹脂フィルムを前記立体構造の延在方向に延伸させて、前記立体構造の延在方向と前記立体構造の配列方向とで屈折率に差をもたせる工程とを有する
光透過フィルムの製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の光透過フィルムの製造方法であって、
前記樹脂フィルムの材料として、延伸方向に屈折率が大となる材料を用いる
光透過フィルムの製造方法。
【請求項６】
請求項４に記載の光透過フィルムの製造方法であって、
前記樹脂フィルムの材料として、延伸方向に屈折率が小となる材料を用いる
光透過フィルムの製造方法。
【請求項７】
液晶表示パネルと、この液晶表示パネルを挟む一対の偏光子と、前記液晶表示パネルを照明する照明光源と、前記液晶表示パネルと前記照明光源との間に配置され、光出射側の面に、立体構造が連続的に配列された光透過フィルムとを備えた液晶表示装置であって、
前記光透過フィルムは、前記立体構造の延在方向の屈折率と前記立体構造の配列方向の屈折率とが互いに異なる
液晶表示装置。
【請求項８】
請求項７に記載の液晶表示装置であって、
前記光透過フィルムは、前記立体構造の配列方向の屈折率よりも前記立体構造の延在方向の屈折率の方が大きく形成されており、かつ、
前記立体構造の配列方向と、前記一対の偏光子のうち前記液晶表示パネルの光入射側に配置されている偏光子の光透過軸方向の成す角度が０°から４５°の範囲に設けられている
液晶表示装置。
【請求項９】
請求項７に記載の液晶表示装置であって、
前記光透過フィルムは、前記立体構造の延在方向の屈折率よりも前記立体構造の配列方向の屈折率の方が大きく形成されており、かつ、
前記立体構造の延在方向と、前記一対の偏光子のうち前記液晶表示パネルの光入射側に配置されている偏光子の光透過軸方向の成す角度が０°から４５°の範囲に設けられている
液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項７に記載の液晶表示装置であって、
前記光透過フィルムは、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）及びこれらの混合物又はＰＥＴ−ＰＥＮコポリマー等の共重合体からなる
液晶表示装置。
【請求項１１】
請求項７に記載の液晶表示装置であって、
前記立体構造は、プリズム又はレンチキュラーレンズである
液晶表示装置。
【請求項１２】
請求項７に記載の液晶表示装置であって、
前記立体構造の延在方向の屈折率と前記立体構造の配列方向の屈折率の差が０．０７以上である
液晶表示装置。
【請求項１３】
請求項１１に記載の液晶表示装置であって、
前記プリズムは断面が頂角９０°の二等辺三角形である
液晶表示装置。
【請求項１４】
請求項７に記載の液晶表示装置であって、
前記照明光源は、直下型バックライトユニットである
液晶表示装置。
【請求項１５】
請求項７に記載の液晶表示装置であって、
前記照明光源は、エッジライト型バックライトユニットである
液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
以上の課題を解決するに当たり、本発明の光透過フィルムは、一方の面に、プリズム又はレンチキュラーレンズである立体構造が連続して配列されており、立体構造の延在方向の屈折率と当該立体構造の配列方向の屈折率とが互いに異なっている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
照明光源としてのバックライトユニット１５は、複数本の線状光源１６と反射板１７とを備える直下型で構成されているが、これに限らず、導光板を使用するエッジライト型で構成されていてもよい。また、光源１６は、冷陰極管（ＣＣＦＬ：Cold Cathode Fluorescent Lamp）等の線状光源とされているが、これ以外にも、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）等の点光源を用いてもよい。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成20年4月16日(2008.4.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
ポリウレタンは、単独で、あるいは他のポリマーと組み合わせて使用することができる。組み合わせる他のポリマーとしては、例えば、アクリレートポリマーやメタクリレートポリマーのほか、アクリルアミド／メタクリルアミドをベースとしたポリマー、他のモノマーから誘導されたポリマーなどである。他のモノマーとしては、無水マレイン酸、マレエート、ブタジエン、スチレンおよびその誘導体、ビニルエステル、イソブチレン、マレイミド、置換されたマレイミド、ビニルアミド（ビニルピロリドンなど）およびその誘導体、ビニルラクタム（ポリビニルカプロラクタムなど）、イタコン酸およびそのエステル、アルケン（エイコセンなど）、双性イオンモノマー、カチオンモノマー（塩化アクリルアミドプロピルトリメチルアンモニウムおよび塩化ビニルイミダゾリウムなど）などが挙げられる。これ以外に組み合わせるものとしては、ポリエステル、ポリエーテル、ポリアミド、ポリエステルアミド、ポリオキサゾリン、ポリオール、ポリアルキレングリコール、ウレタンを含む他のポリマー、ヒドロゲル、シリコーン、シリコーン含有コポリマー、天然ポリマーまたは変性ポリマー（例えばセルロース、デンプン、キサンタン、セラック、アルギン酸塩、グアー、これ以外の天然ゴムまたは変性ゴム）などが挙げられる。特に適した組み合わせは、ポリウレタンとアクリレートポリマーおよびメタクリレートポリマーの組み合わせ、中でもポリウレタンとポリ（メタ）アクリレートの組み合わせである。このような組み合わせは、単純な混合、コポリマー、相互貫入ポリマー網目構造など、任意の形態にすることが可能である。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
ポリウレタンまたはポリウレタン混合物は、従来技術で公知の方法を用いて適切な溶媒中で可溶化される。溶媒としては、限定するものでなく、アルコール（例えば、メタノール、エタノール、プロパノール）エーテル、エステル（例えば、酢酸エチル、酢酸プロピル）、ジオール（例えば、エチレングリコール）、ポリオール（例えば、グリセロール、ソルビトール）、アミド、カルバメート、糖、置換されたエーテル（例えばジプロピレングリコールジブチルエーテル）、非プロトン性極性溶媒（例えばＮ−メチルピロリドン）などが挙げられる。本発明によるポリウレタンの１つの利点は、溶解に熱エネルギーまたは長い撹拌時間を必要とせず、溶解形態（溶液）で販売してもよいことである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月15日(2008.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極との間に発光層を有する発光素子と、前記発光素子に流れる電流の電流密度Ｊを下記式（１）に従って経時的に増加させる手段と、を有する発光装置。
Ｊ  ＝  Ｊ０・ｅｘｐ［（ｋ・ｔ）β］      ・・・（１）
（Ｊ０は前記発光素子における初期設定の電流密度、ｔは発光時間、減衰時間の逆数であるｋおよび分散因子であるβはそれぞれ前記発光素子の特性によって決まる正のパラメータを表す。）
【請求項２】
陽極と陰極との間に発光層を有する発光素子と、前記発光素子に流れる電流の電流密度Ｊを下記式（２）に従って経時的に増加させる手段と、を有する発光装置。
Ｊ  ＝  Ｊ０・ｅｘｐ［（ｋ’・∫Ｊｄｔ）β］      ・・・（２）
（Ｊ０は前記発光素子における初期設定の電流密度、ｔは発光時間、減衰時間の逆数であるｋとの間にｋ＝ｋ’・Ｊ０との関係を有するｋ’および分散因子であるβはそれぞれ前記発光素子の特性によって決まる正のパラメータを表す。また、∫は０からｔまでの積分を表す。）
【請求項３】
陽極と陰極との間に発光層を有する発光素子と、前記発光素子に流れる電流の電流密度の増加率γを下記式（３）に従って制御する手段と、を有する発光装置。
γ  ＝  ｅｘｐ［｛（γ＋１）・ｋ・ｔ／２｝β］      ・・・（３）
（ｔは発光時間、減衰時間の逆数であるｋおよび分散因子であるβはそれぞれ前記発光素子の特性によって決まる正のパラメータを表す。また、前記発光素子における初期設定の電流密度をＪ０、前記発光素子に流れる電流密度をＪとすると、γ＝Ｊ／Ｊ０である。）
【請求項４】
陽極と陰極との間に発光層を有する発光素子と、前記発光素子を０＜ｎ＜１００なるデューティー比ｎで駆動するための第１の手段と、前記発光素子の電圧Ｖを下記式（４）に従って増加させる第２の手段と、を有する発光装置。
Ｖ  ＝  ｛Ｊ０／ｇ（Ｑ１００）｝１／ｆ（ｔ’）      ・・・（４）
（Ｊ０は前記発光素子における初期設定の電流密度を表す。また、ｆ（ｔ’）は保存時間ｔ’を変数とする単調減少の関数である。また、ｇ（Ｑ）は前記発光素子に流れる単位面積あたりの総電荷量Ｑを変数とする単調減少の関数である。また、Ｑ１００は、デューティー比１００、電流密度Ｊ０で前記発光素子を定電流駆動した場合に流れる単位面積あたりの総電荷量であり、前記発光素子の駆動時間をｔ’’とすると、Ｑ１００＝Ｊ０・ｔ’’で表される。）
【請求項５】
請求項４において、前記第２の手段が、モニター素子と、電流密度がＪ０である一定電流を前記モニター素子に供給するための定電流源と、前記モニター素子に印加される電圧を前記発光素子に印加するためのオペアンプと、を有する発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の発光装置において、前記発光層は、発光性の有機化合物を含むことを特徴とする発光装置。
【請求項７】
前記発光性の有機化合物が燐光物質である請求項６に記載の発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の発光装置を用いた照明器具。
【請求項９】
下記式（１）に従って、発光素子に流す電流の電流密度Ｊを経時的に増加させる発光素子の駆動方法。
Ｊ  ＝  Ｊ０・ｅｘｐ［（ｋ・ｔ）β］      ・・・（１）
（Ｊ０は前記発光素子における初期設定の電流密度、ｔは発光時間、減衰時間の逆数であるｋおよび分散因子であるβはそれぞれ前記発光素子の特性によって決まる正のパラメータを表す。）
【請求項１０】
下記式（２）に従って、発光素子に流す電流の電流密度Ｊを経時的に増加させる発光素子の駆動方法。
Ｊ  ＝  Ｊ０・ｅｘｐ［（ｋ’・∫Ｊｄｔ）β］      ・・・（２）
（Ｊ０は前記発光素子における初期設定の電流密度、ｔは発光時間、減衰時間の逆数であるｋとの間にｋ＝ｋ’・Ｊ０との関係を有するｋ’および分散因子であるβはそれぞれ前記発光素子の特性によって決まる正のパラメータを表す。また、∫は０からｔまでの積分を表す。）
【請求項１１】
下記式（３）に従って、発光素子に流す電流の電流密度の増加率γを制御する発光素子の駆動方法。
γ  ＝  ｅｘｐ［｛（γ＋１）・ｋ・ｔ／２｝β］      ・・・（３）
（ｔは発光時間、減衰時間の逆数であるｋおよび分散因子であるβはそれぞれ前記発光素子の特性によって決まる正のパラメータを表す。また、前記発光素子における初期設定の電流密度をＪ０、前記発光素子に流れる電流密度をＪとすると、γ＝Ｊ／Ｊ０である。）
【請求項１２】
発光素子を０＜ｎ＜１００なるデューティー比ｎで駆動し、かつ、下記式（４）に従って、前記発光素子の電圧Ｖを増加させる発光素子の駆動方法。
Ｖ  ＝  ｛Ｊ０／ｇ（Ｑ１００）｝１／ｆ（ｔ’）      ・・・（４）
（Ｊ０は前記発光素子における初期設定の電流密度を表す。また、ｆ（ｔ’）は保存時間ｔ’を変数とする単調減少の関数である。また、ｇ（Ｑ）は前記発光素子に流れる単位面積あたりの総電荷量Ｑを変数とする単調減少の関数である。また、Ｑ１００は、デューティー比１００、電流密度Ｊ０で前記発光素子を定電流駆動した場合に流れる単位面積あたりの総電荷量であり、前記発光素子の駆動時間をｔ’’とすると、Ｑ１００＝Ｊ０・ｔ’’で表される。）
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月5日(2008.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体膜上に形成された第１の酸化物層の一部にレーザ光を照射して、前記第１の酸化物層の一部を第２の酸化物層に変質させた後、前記第１の酸化物層の露出部を除去し、
前記第２の酸化物層をマスクとして前記半導体膜をエッチングして、半導体領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記レーザ光は、レーザビーム描画装置から射出される光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記半導体領域は、非晶質であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記半導体領域は、結晶質であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月4日(2008.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に半導体膜を形成し、前記半導体膜上に形成される第１の酸化物層の一部上に第２の酸化物層を形成した後、前記第１の酸化物層の露出部を除去し、前記第２の酸化物層をマスクとして前記半導体膜をエッチングして、半導体領域を形成し、
前記第２の酸化物層は、酸素雰囲気又は空気雰囲気で、透光部及び遮光部を有するマスクを介して前記半導体膜及び前記第１の酸化物層にレーザ光を照射して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に半導体膜を形成し、前記半導体膜上に形成される第１の酸化物層の一部上に第２の酸化物層を形成した後、前記第１の酸化物層の露出部を除去し、前記第２の酸化物層をマスクとして前記半導体膜をエッチングして、半導体領域を形成し、
前記第２の酸化物層は、酸素雰囲気又は空気雰囲気で、透光部及び遮光部を有するマスクを介して前記半導体膜及び前記第１の酸化物層にレーザ光を照射して形成し、
前記レーザ光の照射によって、前記半導体膜は結晶化されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月21日(2008.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上にソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に有機材料を含む半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に無機膜を形成し、
前記無機膜上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記無機膜をエッチングすることにより、前記無機膜でなるバリア層を形成後、前記マスクを用いて前記半導体膜をエッチングすることにより半導体層を形成し、
前記マスクを残したまま、前記マスク上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に第１のバリア層を形成し、
前記第１のバリア層上にソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に有機材料を含む半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に無機膜を形成し、
前記無機膜上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記無機膜をエッチングすることにより、前記無機膜でなる第２のバリア層を形成後、前記マスクを用いて前記半導体膜をエッチングすることにより半導体層を形成し、
前記マスクを残したまま、前記マスク上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記マスクは液滴吐出法で形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。