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【手続補正書】
【提出日】平成19年12月11日(2007.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の配線層と、前記第１の配線層に立体的に交差する第２の配線層と、前記第１の配線層と前記第２の配線層との交差領域に設けられ、前記第１および第２の配線層を選択的に接続または切断する接続構造とを備えたスイッチアレイであって、
前記接続構造は、変形部材または接続配線層のいずれか一方を含み、
前記接続構造は、その一端が前記第１の配線層に接続され、その他端が前記第２の配線層に間隔を隔てて絶縁状態で対面し、変形することで前記他端が前記第２の配線層に電気的に接続されてその状態を維持し、
前記接続配線層は、その一端が前記第１の配線層に接続され、その他端が前記第２の配線層に接続され、切断されることにより前記第１の配線層と前記第２の配線層との接続を遮断する、スイッチアレイ。
【請求項２】
間隔を隔てて設けられる第１の基板と、第２の基板とを含み、
前記第１の基板には、前記第１の配線層が設けられており、かつ前記変形部材の他端側に対応する位置に貫通穴が形成されており、
前記接続構造は、前記貫通穴を覆うように配置された接続維持部材を含み、
前記接続維持部材は、前記貫通穴を通過して変形して前記変形部材を押圧するものである、請求項１に記載のスイッチアレイ。
【請求項３】
前記接続維持部材は、加熱されることにより変形して前記変形部材を押圧するものである、請求項２に記載のスイッチアレイ。
【請求項４】
前記接続維持部材は加熱変形特性を有し、加熱することにより部材自身が膨張，収縮，変形し、前記変形部材を押圧するものである、請求項２に記載のスイッチアレイ。
【請求項５】
前記接続維持部材は、変形した前記変形部材と前記第２の配線層との接続状態を粘着力により維持する粘着性部材を含む、請求項２に記載のスイッチアレイ。
【請求項６】
さらに、空間の上に延在する膜を含み、
前記接続配線層は、前記膜の上に形成されており、機械的圧力を加えて切断される、請求項１に記載のスイッチアレイ。
【請求項７】
前記接続配線層は、前記第１および第２の配線層に比べて抵抗成分の大きな配線層であって、前記第１および第２の配線層間に大電流を流すことで溶断される、請求項１に記載のスイッチアレイ。
【請求項８】
前記変形部材は、加圧することでその加圧された部分のみが導電性を有する導電性部材を備え、
前記接続構造は、前記導電性部材を加圧することで前記第１の配線層と、前記第２の配線層とを接続する、請求項１に記載のスイッチアレイ。
【請求項９】
前記接続領域は、前記第１および第２の配線層に設けられる電極であって、さらに
予め定める電極以外の電極上に設けられる絶縁物を含む、請求項８に記載のスイッチアレイ。
【請求項１０】
前記導電性部材は、絶縁性の弾性シート内に導電性粒子を混入して形成されている、請求項８または９に記載のスイッチアレイ。
【請求項１１】
前記第１の配線層に絶縁状態で立体的に交差する第３の配線層を含み、
前記接続構造は、前記第１の配線層と前記第３の配線層との交差領域に設けられ、前記第１の配線層と前記第３の配線層とを選択的に接続し、
前記第１の配線層は、前記第３の配線層に立体的に交差する部分が変位してその状態を維持可能に設けられていて、選択的に変位した部分が交差部分における電気的接続を実現する、請求項１に記載のスイッチアレイ。
【請求項１２】
前記第１の配線層は、枝分かれして前記第２および第３の配線層に立体的に交差する第１分岐層および第２分岐層を含み、
前記第１分岐層および前記第２分岐層は、それぞれ変位してその状態を維持可能に設けられていて、変位した分岐層が前記交差部分における電気的接続を実現している、請求項１１に記載のスイッチアレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月14日(2008.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属を担持した担体と、炭素含有化合物を接触させて得た２層カーボンナノチューブを主成分としたカーボンナノチューブを含む透明導電性フィルム。
【請求項２】
金属を担持した担体がシリカ、アルミナ、マグネシア、チタニア、ゼオライト、およびケイ素を主成分とするメソポーラス材料から選ばれる少なくとも１種である請求項１記載のカーボンナノチューブを含む透明導電性フィルム。
【請求項３】
金属を担持した担体がゼオライトおよび／またはケイ素を主成分とするメソポーラス材料である請求項２記載のカーボンナノチューブを含む透明導電性フィルム。
【請求項４】
金属がＶ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｐｄ、Ｐｔ，Ｒｈ，Ｗ，およびＣｕから選ばれる少なくとも１種である請求項１〜３のいずれか１項記載のカーボンナノチューブを含む透明導電性フィルム。
【請求項５】
金属がＦｅ、Ｃｏ，およびＮｉから選ばれる少なくとも１種である請求項４記載のカーボンナノチューブを含む透明導電性フィルム。
【請求項６】
炭素含有化合物がメタン、エタン、エチレン、アセチレン、ベンゼン、トルエン、メタノール、エタノール、アセトン、ジエチルエーテル、および一酸化炭素から選ばれる少なくとも１種である請求項１〜５のいずれか１項記載のカーボンナノチューブを含む透明導電性フィルム。
【請求項７】
炭素含有化合物がメタン、エタン、アセチレン、エタノール、およびジエチルエーテルから選ばれる少なくとも１種である請求項６記載のカーボンナノチューブを含む透明導電性フィルム。
【請求項８】
カーボンナノチューブが、金属を担持した担体を２００〜９５０℃の一定温度に保持する際に窒素、アルゴン、水素のいずれかまたは混合ガスを流すことによって得たカーボンナノチューブであることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項記載のカーボンナノチューブを含む透明導電性フィルム。
【請求項９】
金属を担持した担体と炭素含有化合物を接触させる温度が６００〜９５０℃である請求項１〜８のいずれか１項記載のカーボンナノチューブを含む透明導電性フィルム。
【請求項１０】
カーボンナノチューブの総本数の５０％以上が直径１．０〜３．０ｎｍの２層カーボンナノチューブであることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項記載のカーボンナノチューブを含む透明導電性フィルム。
【請求項１１】
カーボンナノチューブの純度がカーボン組成物中の９０％以上であり、かつ、カーボンナノチューブの総本数の５０％以上が２層カーボンナノチューブであり、任意に選択した２層カーボンナノチューブの片端から他端までを透過型電子顕微鏡で観察したときにチューブ中の屈曲部間距離の平均が５０ｎｍ以上であるカーボンナノチューブを含むことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項記載のカーボンナノチューブを含む透明導電性フィルム。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項記載のカーボンナノチューブを含む透明導電性フィルムからなる透明帯電防止層。
【請求項１３】
請求項１２記載の透明帯電防止層を少なくとも片面に有するシート。
【請求項１４】
請求項１２記載の透明帯電防止層を少なくとも片面に有するパネル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
（１）金属を担持した担体と、炭素含有化合物を接触させて得た２層カーボンナノチューブを主成分としたカーボンナノチューブを含む透明導電性フィルム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
（１０）カーボンナノチューブの総本数の５０％以上が直径１．０〜３．０ｎｍの２層カーボンナノチューブであることを特徴とする（１）〜（９）のいずれか記載のカーボンナノチューブを含む透明導電性フィルム。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
（１１）カーボンナノチューブの純度がカーボン組成物中の９０％以上であり、かつ、カーボンナノチューブの総本数の５０％以上が２層カーボンナノチューブであり、任意に選択した２層カーボンナノチューブの片端から他端までを透過型電子顕微鏡で観察したときにチューブ中の屈曲部間距離の平均が５０ｎｍ以上であるカーボンナノチューブを含むことを特徴とする（１）〜（１０）のいずれか記載のカーボンナノチューブを含む透明導電性フィルム。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
（１２）（１）〜（１１）のいずれか記載のカーボンナノチューブを含む透明導電性フィルムからなる透明帯電防止層。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
（１３）（１２）記載の透明帯電防止層を少なくとも片面に有するシート。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
（１４）（１２）記載の透明帯電防止層を少なくとも片面に有するパネル。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月22日(2008.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも発光層を含む有機機能層からなる発光素子を有する画素を複数備えた発光装置において、
前記複数の画素のうち、第１の画素は第１の色に対応し、第２の画素は第２の色に対応し、
前記発光素子は、前記有機機能層と、前記有機機能層の下層側に形成された下層側反射層と、前記有機機能層の上層側に形成された上層側反射層とにより構成される光共振器を有し、
前記第１の画素に設けられた前記有機機能層に含まれる層は、前記第２の画素に設けられた前記有機機能層に含まれる層と同一材料から構成され、
前記第１の画素に設けられた前記有機機能層に含まれる層の厚さは、前記第１の画素に設けられた前記光共振器の光学長が前記第１の色に対応するように設定されていることにより、前記画素の対応する色が規定されており、
前記第２の画素に設けられた前記有機機能層に含まれる層の厚さは、前記第２の画素に設けられた前記光共振器の光学長が前記第２の色に対応するように設定されていることにより、前記画素の対応する色が規定されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
少なくとも発光層を含む有機機能層からなる発光素子を有する画素を複数備えた発光装置において、
前記複数の画素のうち、第１の画素は第１の色に対応し、第２の画素は第２の色に対応し、
前記発光素子は、前記有機機能層と、前記有機機能層の下層側に形成された下層側反射層と、前記有機機能層の上層側に形成された上層側反射層とにより構成される光共振器を有し、
前記第１の画素に設けられた前記有機機能層に含まれる層は、前記第２の画素に設けられた前記有機機能層に含まれる層と同一材料から構成され、
前記第１の画素から出射される色が、前記第１の色になるように、前記第１の画素に設けられた前記有機機能層に含まれる層の厚さが設定され、
前記第２の画素から出射される色が、前記第２の色になるように、前記第２の画素に設けられた前記有機機能層に含まれる層の厚さが設定されていることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１または２において、前記有機機能層は、前記発光層と有機層とを含み、
前記複数の画素のうち、第３の画素は第３の色に対応し、
前記第１の色は赤色光、前記第２の色は緑色光、前記第３の色は青色光になるように、前記第１乃至第３の画素に設けられた前記発光層または前記有機層の厚さが設定されていることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、前記有機機能層に含まれる層の厚さは、以下の関係
赤色光に対応する前記画素≧緑色光に対応する前記画素≧青色光に対応する前記画素
に設定されていることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、前記赤色光に対応する前記画素の光出射側に赤色カラーフィルタが形成され、前記緑色光に対応する前記画素の光出射側に緑色カラーフィルタが形成され、前記青色光に対応する前記画素に対して青色カラーフィルタが配置されていることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかにおいて、前記有機機能層は、有機材料の液状物の液滴を各画素に吐出した後、定着させてなることを特徴とする発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明では、少なくとも発光層を含む有機機能層からなる発光素子を有する画素を複数備えた発光装置において、前記複数の画素のうち、第１の画素は第１の色に対応し、第２の画素は第２の色に対応し、前記発光素子は、前記有機機能層と、前記有機機能層の下層側に形成された下層側反射層と、前記有機機能層の上層側に形成された上層側反射層とにより構成される光共振器を有し、前記第１の画素に設けられた前記有機機能層に含まれる層は、前記第２の画素に設けられた前記有機機能層に含まれる層と同一材料から構成され、前記第１の画素に設けられた前記有機機能層に含まれる層の厚さは、前記第１の画素に設けられた前記光共振器の光学長が前記第１の色に対応するように設定されていることにより、前記画素の対応する色が規定されており、前記第２の画素に設けられた前記有機機能層に含まれる層の厚さは、前記第２の画素に設けられた前記光共振器の光学長が前記第２の色に対応するように設定されていることにより、前記画素の対応する色が規定されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明では、少なくとも発光層を含む有機機能層からなる発光素子を有する画素を複数備えた発光装置において、前記複数の画素のうち、第１の画素は第１の色に対応し、第２の画素は第２の色に対応し、前記発光素子は、前記有機機能層と、前記有機機能層の下層側に形成された下層側反射層と、前記有機機能層の上層側に形成された上層側反射層とにより構成される光共振器を有し、前記第１の画素に設けられた前記有機機能層に含まれる層は、前記第２の画素に設けられた前記有機機能層に含まれる層と同一材料から構成され、前記第１の画素から出射される色が、前記第１の色になるように、前記第１の画素に設けられた前記有機機能層に含まれる層の厚さが設定され、前記第２の画素から出射される色が、前記第２の色になるように、前記第２の画素に設けられた前記有機機能層に含まれる層の厚さが設定されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月16日(2008.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された、
第１の光を発する第１の発光層と、
前記第１の光とは異なる第２の光を発する第２の発光層と、
前記第１の発光層と平面的に重ならないように設けられた前記第１の発光層を発光させるための第１の駆動素子と、
前記第２の発光層と平面的に重ならないように設けられた前記第２の発光層を発光させるための第２の駆動素子と、
前記第１の駆動素子と重なる領域と前記第２の駆動素子と重なる領域とに設けられた複数の誘電体膜が積層された絶縁部とを備え、
複数の前記誘電体膜は、互いに屈折率が異なる第１の誘電体膜と第２の誘電体膜とを含み、
前記第１の駆動素子と前記第２の駆動素子とは、複数の前記誘電体膜の層間に設けられ、
前記絶縁部は、前記第１の発光層と前記基板との間、及び前記第２の発光層と前記基板との間にも設けられ、
前記第１の発光層と前記基板との間に設けられた前記絶縁部は前記第１の誘電体膜を含み、
前記第２の発光層と前記基板との間に設けられた前記絶縁部は前記第１の誘電体膜を含まず、
前記発光層で発生した光を共振させる光共振器構造を構成する一対の反射膜の一方とされる第１反射膜部が、前記発光層と前記基板との間に設けられ、
前記一対の反射膜の他方とされる第２反射膜部が、前記発光層の前記基板とは反対側に設けられたことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記複数の誘電体膜の夫々は、前記発光層で発生した光のうち所定の波長を有する光を共振させるように厚み及び屈折率が設定されていること
を特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記第１の発光層と前記第２の発光層とは、前記絶縁部を含む素子分離部によって互いに離隔されていること
を特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記第１反射膜部は、前記第１の発光層と前記第２の発光層各々に設けられており、
前記第１の発光層に設けられた前記複数の誘電体膜は、前記第１の発光層が発する色に応じた所定の波長を有する光を共振させるように厚み及び屈折率が設定されており、
前記第２の発光層に設けられた前記複数の誘電体膜は、前記第２の発光層が発する色に応じた所定の波長を有する光を共振させるように厚み及び屈折率が設定されていること  を特徴とする請求項２又は３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記駆動素子は、薄膜トランジスタであり、
前記複数の誘電体膜は、前記薄膜トランジスタ及び前記基板間に介在する下地絶縁膜、前記薄膜トランジスタのゲート電極を被うように形成された層間絶縁膜、及び前記薄膜トランジスタ上に形成された保護膜のうち少なくとも一つと兼用されていること
を特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記第１反射膜部は、前記光を共振させるように光学長を調整する調整膜を含んでおり、
該調整膜は、前記保護膜の少なくとも一部と兼用されていること
を特徴とする請求項１から５の何れか一項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記第１反射膜部及び前記発光層間に設けられた透明電極を更に備えていること
を特徴とする請求項１から６の何れか一項に記載の発光装置。
【請求項８】
前記第２反射膜部は、前記発光層に電気的に接続された電極を含むこと
を特徴とする請求項１から７の何れか一項に記載の発光装置。
【請求項９】
基板上に発光層を形成する工程と、
前記基板上に前記基板側からみて前記発光層を避けるように、前記発光層を発光させる駆動素子を形成する工程と、
前記基板の基板面に沿って前記駆動素子側から前記発光層側に向かって延在するように 
形成された互いに屈折率が異なる複数の誘電体膜の一部を含んでおり、前記駆動素子を内包する絶縁部を形成する工程と、
前記複数の誘電体膜のうち前記発光層の下側に延在された部分を含んでおり、前記発光層で発生した光を共振させる光共振器構造を構成する一対の反射膜の一方とされる第１反射膜部を形成する工程と、
前記発光層の上側に、前記一対の反射膜の他方とされる第２反射膜部を形成する工程と
を備えたことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から８の何れか一項に記載の発光装置を具備してなること
を特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明に係る発光装置は上記課題を解決するために、基板と、前記基板上に形成された、
第１の光を発する第１の発光層と、前記第１の光とは異なる第２の光を発する第２の発光層と、前記第１の発光層と平面的に重ならないように設けられた前記第１の発光層を発光させるための第１の駆動素子と、前記第２の発光層と平面的に重ならないように設けられた前記第２の発光層を発光させるための第２の駆動素子と、前記第１の駆動素子と重なる領域と前記第２の駆動素子と重なる領域とに設けられた複数の誘電体膜が積層された絶縁部とを備え、複数の前記誘電体膜は、互いに屈折率が異なる第１の誘電体膜と第２の誘電体膜とを含み、前記第１の駆動素子と前記第２の駆動素子とは、複数の前記誘電体膜の層間に設けられ、前記絶縁部は、前記第１の発光層と前記基板との間、及び前記第２の発光層と前記基板との間にも設けられ、前記第１の発光層と前記基板との間に設けられた前記絶縁部は前記第１の誘電体膜を含み、前記第２の発光層と前記基板との間に設けられた前記絶縁部は前記第１の誘電体膜を含まず、前記発光層で発生した光を共振させる光共振器構造を構成する一対の反射膜の一方とされる第１反射膜部が、前記発光層と前記基板との間に設けられ、前記一対の反射膜の他方とされる第２反射膜部が、前記発光層の前記基板とは反対側に設けられたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年9月17日(2008.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、光透過性の陽極層と少なくとも発光層を含む機能層と陰極層とが積層されてなる発光素子を有する画素が複数設けられ、複数の前記画素のうち第１の画素は第１の色を出射し、第２の画素は該第１の色とは異なる第２の色を出射する発光装置において、
前記発光素子には、前記陽極層の下層側に下層側反射層を備えた光共振器が設けられ、
前記第１の画素に設けられた前記陽極層の厚さは、前記第２の画素に設けられた前記陽極層の厚さと異なり、
前記陽極層と前記下層側反射層との間には、光透過性の絶縁保護層が形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１において、前記下層側反射層は、全反射性を備え、
前記発光層で発生した光は、当該発光層からみて前記基板とは反対側に出射されることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項２において、前記下層側反射層は、アルミニウム、アルミウム合金、銀、および銀合金のうちのいずれかからなることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、
前記第１の画素に設けられた前記陽極層の厚さは、前記第１の画素に設けられた前記光共振器の光学長が前記第１の色に対応する長さとなる厚さに設定されており、
前記第２の画素に設けられた前記陽極層の厚さは、前記第２の画素に設けられた前記光共振器の光学長が前記第２の色に対応する長さとなる厚さに設定されていることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項４において、前記絶縁保護層の屈折率は、前記陽極層の屈折率よりも小さいことを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項４において、前記絶縁保護層は、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜、および樹脂のうちのいずれかからなることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項４ないし６のいずれかにおいて、
複数の前記画素のうち第３の画素は前記第１の色と前記第２の色のいずれとも異なる第３の色を出射し、
前記第１の色は赤色であり、前記第２の色は緑色であり、前記第３の色は青色であり、
前記第１の画素の光出射側に赤色カラーフィルタが設けられ、前記第２の画素の光出射側に緑色カラーフィルタが設けられ、前記第３の画素に対して青色カラーフィルタが設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１ないし６のいずれかにおいて、前記発光素子は、エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１ないし７のいずれかに規定する発光装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明による発光装置は、基板上に、光透過性の陽極層と少なくとも発光層を含む機能層と陰極層とが積層されてなる発光素子を有する画素が複数設けられ、複数の前記画素のうち第１の画素は第１の色を出射し、第２の画素は該第１の色とは異なる第２の色を出射する発光装置において、前記発光素子には、前記陽極層の下層側に下層側反射層を備えた光共振器が設けられ、前記第１の画素に設けられた前記陽極層の厚さは、前記第２の画素に設けられた前記陽極層の厚さと異なり、前記陽極層と前記下層側反射層との間には、光透過性の絶縁保護層が形成されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月13日(2008.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線シートの製造方法であって、所定のパターン形状に加工された金属箔を無機質フィラーの懸濁液中で陽極酸化して表面に凹凸形状を有する第１のセラミック被膜を、次いで、ゾル・ゲル法にて第２のセラミック被膜を形成して基材とし、該基材の少なくとも一方の面に、所定のパターン形状の導電層からなる配線を形成することを特徴とする配線シートの製造方法。
【請求項２】
上記金属箔が、アルミニウム、チタニウム、タンタル、及びこれらの合金のいずれかである請求項１に記載の配線シートの製造方法。
【請求項３】
上記無機質フィラーがＴｉＯ2、ＳｉＯ2のいずれかである請求項１または２に記載の配線シートの製造方法。
【請求項４】
上記金属箔の加工がフォトリソ法とエッチング法による請求項１〜３のいずれかに記載の配線シートの製造方法。
【請求項５】
上記導電層をメッキ法により基材上に形成する請求項１〜４のいずれかに記載の配線シートの製造方法。
【請求項６】
配線シートであって、所定のパターン形状を有する金属箔と該金属箔の表面を被覆する２層のセラミック被膜とからなる基材と、該基材の少なくとも一方の面に形成された、所定のパターン形状の導電層からなる配線とを有することを特徴とする配線シート。
【請求項７】
配線基板であって、表面に所定のパターン形状の導電層を有する絶縁性基板上に請求項６に記載の配線シートを重ね、該配線シートの配線と、絶縁性基板上の導電層とを電気的に接続したことを特徴とする配線基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
図２は、本発明第１の配線シートの製造方法の好ましい実施形態の工程を示す断面模式図であり、図中、１は金属箔、２は感光性レジストフィルム、３はフォトマスク、４はレジスト、５はスルーホール、６ａは陽極酸化法による第１のセラミック被膜、６ｂはゾル・ゲル法による第２のセラミック被膜、７は金属箔１とセラミック被膜６ａ，６ｂからなる基材、８は感光性レジストフィルム、９ａ、９ｂはフォトマスク、１０ａ、１０ｂはレジスト、１２ａ、１２ｂは配線、１３は配線シートである。尚、図２においては、便宜上、断面のみを示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明において用いられる金属箔１は、アルミニウム、チタニウム、タンタルなどが好ましく用いられ、これら金属単体、或いは、これらから選択される２種以上の合金が良好に用いられる。また、該金属箔１の厚さとしては、５μｍ以上が好ましく、取り扱い性を考慮すると３０μｍ以上が好ましい。また、上限としては５００μｍ以下が好ましい。上記金属箔１の加工方法としては特に限定されず、プレス法等も用いられるが、精度上の観点から、フォトリソ法とエッチング法による方法が好ましく、図２にその工程を示す。即ち、金属箔１の両面に感光性レジストフィルム２をラミネートし、同一のフォトマスク３を介して露光し〔図２（ａ）〕、現像して所定のパターンのレジスト４を得る〔図２（ｂ）〕。次いで、該レジスト４をマスクとして金属箔１をエッチングし、所定のパターン（例えばスルーホール５）を形成する〔図２（ｃ）〕。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
以上の工程により表面に２層のセラミック被膜を形成した金属箔１を、本発明にかかる基材７とする〔図２（ｄ）〕。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明においては、上記工程で得られた所定のパターン形状を有する基材７の少なくとも一面に配線を形成する。図２では、両面にそれぞれ所定の配線を形成する工程を示す。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
基材７の両面に感光性レジストフィルム８をラミネートし、それぞれに形成する配線パターンに対応するフォトマスク９ａ、９ｂを介して露光し〔図２（ｅ）〕、所定のパターンのレジスト１０ａ、１０ｂを得る〔図２（ｆ）〕。次いで、スルーホールメッキ法により配線１２ａ、１２ｂを形成した後〔図２（ｇ）〕、レジスト１０ａ、１０ｂを除去すると、基材７上に所定のパターン形状の配線１２ａ、１２ｂが配置された本発明の配線シート１３が得られる〔図２（ｈ）〕。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本発明において、メッキ法以外で配線１２ａ、１２ｂを形成する方法として具体的には、例えば、図２（ｄ）の基材７の少なくとも一方の面に全面に金属箔を真空ラミネートして導電層を形成し、該導電層上に感光性レジストフィルムをラミネートしてフォトマスクを介して露光、現像し、所定のパターンのレジストを得、該レジストをマスクとしてエッチングして配線形状とすることもできる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
また、図２においては、配線１２ａ、１２ｂは互いに基材１３を介して絶縁されているが、レジスト１０ａ、１０ｂのパターンにより、スルーホール５を介して電気的に接続することも可能である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図１に、スルーホール５を介して接続する場合の、工程の断面模式図を示す。図中、１４は絶縁性基板、１５は導電層、１６は導電性接着剤、１７はコンタクト部である。本発明の配線シートを、配線１２ｂを基板１４側に向けて重ね〔図１（ａ）〕、スルーホール５を介してインクジェット法により、接着剤１６を付与し〔図１（ｂ）〕、焼成して固化し、コンタクト部１７を形成して配線１２ｂと導電層１５を電気的に接続する〔図１（ｃ）〕。この場合、予め導電層１５表面に接着剤を塗布しておき、導電層１５と配線１２とを接触面において直接接続しても良い。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
【図１】本発明の配線基板の製造方法の一例の工程図である。
【図２】本発明の配線シートの製造方法の一実施形態の工程図である。
【図３】本発明の実施例においてセラミック被膜の絶縁性を測定する系を示す概略図である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月21日(2008.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の導電性パターンを持つ電気伝導性の層と、この電気伝導性の層の表面または裏面のいずれかの面に形成された電気絶縁性の層とが交互に積層された導電性パターン基板用原板であって、いずれかの電気伝導性の層及びこれに隣接する電気絶縁性の層がレーザ光による発熱により溶融可能な材料からなり、かつ、当該電気伝導性の層及びこれに隣接する電気絶縁性の層のうちの少なくとも一つが前記レーザ光の発振波長の光を吸収して発熱する光吸収性を持つ導電性パターン基板用原板を準備する第１の工程と、
前記第１の工程で準備された前記導電性パターン基板用原板の当該電気伝導性の層の所望の部位又はそれに対応する前記隣接する電気絶縁性の層の対応部位に対してレーザ光を照射することにより、前記隣接する電気絶縁性の層の前記対応部位に電気伝導性の溶融部が形成された導電性パターン基板であって、前記隣接する電気絶縁性の層の前記対応部位に形成された前記溶融部が、前記隣接する電気絶縁性の層に対応する当該電気伝導性の層の所望の部位に電気的に接続された導電性パターン基板を作製する第２の工程とを含むことを特徴とする、導電性パターン基板の製造方法。
【請求項２】
前記導電性パターン基板の電気絶縁性の層が最外層に位置し、当該電気絶縁性の層の前記対応部位に形成された前記溶融部を介して、当該電気絶縁性の層に対応する電気伝導性の層の所望の部位と外部とが電気的に接続可能であることを特徴とする、請求項１に記載の導電性パターン基板の製造方法。
【請求項３】
前記電気絶縁性の層の前記対応部位に形成された前記溶融部は、前記電気絶縁性の層の材料とそれに対応する電気伝導性の層の材料とが溶融されて混合されることを特徴とする、請求項１または２に記載の導電性パターン基板の製造方法。
【請求項４】
導電性パターン基板用原板は、少なくとも電気絶縁性の層と、この電気絶縁性の層の両側に位置し、所定の導電性パターンを持つ一対の電気伝導性の層とを有し、
前記第２の工程において、前記導電性パターン基板用原板の一方の電気伝導性の層の所望の部位又はそれに対応する電気絶縁性の層の対応部位に対してレーザ光を照射することにより、前記電気絶縁性の層の前記対応部位に電気伝導性の溶融部が形成された導電性パターン基板であって、前記電気絶縁性の層の前記対応部位に形成された前記溶融部が、前記電気絶縁性の層に対応する各電気伝導性の層の所望の部位に電気的に接続された導電性パターン基板が作製されることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
導電性パターン基板用原板の電気伝導性の層及びそれに対応する電気絶縁性の層のうちの少なくとも一つにおいて、前記電気伝導性の層の所望の部位又はそれに対応する前記電気絶縁性の層の対応部位に位置する少なくとも層部分のみが、前記レーザ光の発振波長の光を吸収して発熱する光吸収性をもつ一方で、それ以外の層部分が前記レーザ光を透過する透過性を持つことを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記電気伝導性の層及び前記電気絶縁性の層のうちの光吸収性を持つ層部分は、レーザ光の照射方向から見て互いに重ならないように配置されていることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
レーザ光は、前記第１の工程で準備された前記導電性パターン基板用原板の前記電気伝導性の層および前記電気絶縁性の層のうちの少なくとも一つの側から前記電気伝導性の層の所望の部位又はそれに対応する前記電気絶縁性の層の対応部位に対して照射されることを特徴とする、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月14日(2008.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
収納体から取り出された基板を搬送手段により処理装置本体に受け渡す工程と、該処理装置本体において前記基板の適宜処理を行う工程と、適宜処理を行った前記基板を前記搬送手段により前記収納体に戻す工程とを備える基板処理装置の基板収納方法において、
前記基板を前記搬送手段から前記処理装置本体に受け渡す工程から、前記基板を前記収納体に戻す工程の前までに、前記搬送手段における前記基板の正規位置に対する前記基板のずれ量を算出する工程と、
前記処理装置本体において前記基板の適宜処理を行う工程の後から、前記基板を前記収納体に戻す工程までの間に、算出された前記ずれ量に基づいて前記収納体への前記基板の戻し位置を補正する工程とを備えることを特徴とする基板処理装置の基板収納方法。
【請求項２】
前記基板のずれ量を算出する工程が、前記処理装置本体から前記搬送手段に前記基板を受け渡す工程の前までに行われることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置の基板収納方法。
【請求項３】
前記ずれ量に基づく前記基板の戻し位置を補正する工程が、前記処理装置本体から前記搬送手段に前記基板を受け渡す工程において、前記ずれ量に基づいて前記基板を前記搬送手段における正規位置に配する工程であることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置の基板収納方法。
【請求項４】
前記搬送手段が、前記処理装置本体内で前記基板の搬送を行う第１の搬送部と、該第１の搬送部及び前記収納体との間で前記基板の搬送を行う第２の搬送部とを備え、
前記基板のずれ量を算出する工程が、前記第１の搬送部から前記第２の搬送部に前記基板を受け渡す工程の前に、前記第２の搬送部における前記基板の正規位置に対するずれ量を算出する工程であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置の基板収納方法。
【請求項５】
前記ずれ量に基づく前記基板の戻し位置を補正する工程が、前記第１の搬送部から前記第２の搬送部に前記基板を受け渡す工程において、前記ずれ量に基づいて前記基板を前記第２の搬送部における正規位置に配する工程であることを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置の基板収納方法。
【請求項６】
前記ずれ量に基づく前記基板の戻し位置を補正する工程が、前記第２の搬送部から前記収納体に受け渡す工程において、前記ずれ量に基づいて前記収納体に対する前記第２の搬送部の位置を補正する工程であることを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置の基板収納方法。
【請求項７】
収納体から取り出した基板に適宜処理を施す処理装置本体と、
前記処理装置本体から前記基板を収納する収納体に前記基板を搬送する搬送手段と、
前記搬送手段における前記基板の正規位置に対する前記基板のずれ量を算出するずれ量算出手段と、
前記ずれ量算出手段において算出された前記ずれ量に基づいて、前記収納体への前記基板の戻し位置を補正するずれ量補正手段とを備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
前記ずれ量算出手段は、前記処理装置本体から前記搬送手段に前記基板を受け渡す位置にあることを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記搬送手段は、前記処理装置本体内で前記基板の搬送を行う第1の搬送部と、該第1の搬送部及び前記収納体との間で前記基板の搬送を行う第２の搬送部とを備え、
前記ずれ量算出手段は、前記第１の搬送部から前記第２の搬送部に前記基板を受け渡す位置にあることを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記ずれ量補正手段は、前記第１の搬送部から前記第２の搬送部に前記基板を受け渡す際に、前記ずれ量に基づいて前記基板を前記第２の搬送部における正規位置に補正するよう制御することを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記ずれ量補正手段は、前記第２の搬送部から前記収納体に受け渡す際に、前記ずれ量に基づいて前記収納体に対する前記第２の搬送部の位置を補正するよう制御することを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するために、この発明は、以下の手段を提供する。
本発明は、収納体から取り出された基板を搬送手段により処理装置本体に受け渡す工程と、該処理装置本体において前記基板の適宜処理を行う工程と、適宜処理を行った前記基板を前記搬送手段により前記収納体に戻す工程とを備える基板処理装置の基板収納方法において、前記基板を前記搬送手段から前記処理装置本体に受け渡す工程から、前記基板を前記収納体に戻す工程の前までに、前記搬送手段における前記基板の正規位置に対する前記基板のずれ量を算出する工程と、前記処理装置本体において前記基板の適宜処理を行う工程の後から、前記基板を前記収納体に戻す工程までの間に、算出された前記ずれ量に基づいて前記収納体への前記基板の戻し位置を補正する工程とを備えることを特徴とする基板処理装置の基板収納方法を提供する。
なお、処理装置本体における基板の処理とは、例えば、基板の製造や検査処理のことを示している。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月17日(2008.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
浮上ステージから基板を浮上させつつ、前記基板を位置決めして保持する基板保持装置であって、
前記基板の裏面に当接して前記基板を支持する接触部材と、
浮上している前記基板の裏面に前記接触部材を当接させて前記基板を支持した状態で、前記基板を所定位置に位置決めする位置決め機構と、
前記位置決め機構により位置決めされた前記基板を吸着保持させる吸引機構と、
を具備したことを特徴とする基板保持装置。
【請求項２】
前記接触部材は、前記吸引機構に接続された吸着パッドであることを特徴とする請求項１に記載の基板保持装置。
【請求項３】
前記接触部材と、前記吸引機構とを、前記浮上ステージに沿って往復移動させる搬送ユニットを有することを特徴とする請求項１に記載の基板保持装置。
【請求項４】
基板を浮上させる工程と、
浮上した前記基板の裏面に接触部材を当接させて前記基板の移動を規制する工程と、
前記接触部材と前記基板との当接状態を維持しつつ前記基板を移動させて、前記基板の位置決めをする工程と、
位置決め後に前記基板を吸着保持する工程と、
を備えることを特徴とする基板の保持方法。
【請求項５】
搬送される基板を、浮上ステージから突設した支持部材に載置する工程と、
前記浮上ステージから吐出されるエアーによって前記基板を浮上させる工程と、
前記支持部材に前記基板の裏面を支持させた状態で前記支持部材を降下させる工程と、
前記下降した前記基板を接触部材に支持させる工程と、
前記接触部材に支持された状態で、位置決め手段により前記基板を移動させて前記基板の位置決めを行う工程と、
前記位置決め後に前記基板を吸着保持する工程と、
を備えることを特徴とする基板の保持方法。
【請求項６】
前記吸着保持された前記基板を浮上させた状態で、前記浮上ステージに沿って移動させる工程をさらに含むことを特徴とする請求項５記載の基板の保持方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記の課題を解決する本発明は、浮上ステージから基板を浮上させつつ、前記基板を位置決めして保持する基板保持装置であって、前記基板の裏面に当接して前記基板を支持する接触部材と、浮上している前記基板の裏面に前記接触部材を当接させて前記基板を支持した状態で、前記基板を所定位置に位置決めする位置決め機構と、前記位置決め機構により位置決めされた前記基板を吸着保持させる吸引機構と、を具備したことを特徴とする基板保持装置とした。
この基板保持装置では、ガラス等からなる基板を自由に移動可能な状態に浮上させ、接触部材を基板の裏面に当接させてから、位置決め機構で基板の位置決めを行う。基板と接触部材との間の小さな摩擦力により浮上した基板は、基板と接触部材との間の小さな摩擦力により基板の移動が規制される。このようにして、基板の移動を規制しつつ位置決めを行ったら、基板を吸着保持する。なお、接触部材と基板との接触面積は、基板の面積に比べて十分に小さくなるように設定される。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月5日(2008.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックまたはＳｉ基板から成る平坦な基板と、
この基板の表面に形成された導電パターンによる二つの電極部と、
一方の電極部のチップ実装部上に共晶接合され且つその表面が他方の電極部のボンディング部に対して接続されるＬＥＤチップと、
上記ＬＥＤチップを基板表面にて一側から包囲し且つ上記ＬＥＤチップがその焦点位置付近に位置するように基板表面に形成された双曲面から成る凹状の反射面と、
この反射面の内側に充填された透明樹脂材料から成る樹脂モールド部と、
を含んでおり、
上記電極部の表面及び／または反射面がメタライズ処理されていて、
上記ＬＥＤチップからの光が上記反射面により反射されて基板表面に沿って他側に向かって出射されることを特徴とする、サイドビュータイプのＬＥＤ。
【請求項２】
上記蛍光体層が、ドット状の蛍光体を上記反射面上に塗布することにより構成されていることを特徴とする、請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項３】
上記ＬＥＤの他側に、基板表面に設けられた遮光部を備えていることを特徴とする、請求項１または２に記載のＬＥＤ。
【請求項４】
上記樹脂モールド部が、他側にて上記反射面の対となる逆向きの双曲面の焦点を中心とする円弧状に形成されていることを特徴とする、請求項１から３の何れかに記載のＬＥＤ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月21日(2008.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の上側に接して形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上側に金属窒化物または金属窒化珪化物で形成されたゲート電極とを備え、
前記ゲート絶縁膜と前記ゲート電極との間には窒素および珪素の拡散を防止するためのバッファ層が介在し、前記ゲート電極は少なくとも最下層がＴｉＮ膜からなる、半導体装置。
【請求項２】
前記バッファ層が、金属膜、金属窒化膜または金属珪素膜を含む、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ゲート電極がＴｉ元素を含み、前記ゲート絶縁膜がＨｆ元素を含み、前記バッファ層がチタン膜を含む、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ゲート絶縁膜が、Ｓｉ元素またはＮ元素を含む、請求項１から３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ゲート絶縁膜がＨｆ，Ａｌ，Ｌａ，Ｚｒ，Ｔｉのうちのいずれかの元素と、Ｏ元素と、Ｎ元素と、Ｓｉ元素とを含む、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記バッファ層は厚みが５ｎｍ以下である、請求項１から５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
半導体基板の表面にゲート絶縁膜、バッファ層および少なくとも最下層がＴｉＮ膜からなるゲート電極がこの順に積層された積層体を形成する工程と、
前記半導体基板の表面のうち前記積層体の近傍にソース領域およびドレイン領域を形成する工程と、
前記ソース領域および前記ドレイン領域を活性化する工程とを含む、半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記活性化する工程は、１０００℃以上の高温による熱処理を含む、請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明に基づく半導体装置は、半導体基板と、上記半導体基板の上側に接して形成されたゲート絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜の上側に金属窒化物または金属窒化珪化物で形成されたゲート電極とを備える。上記ゲート絶縁膜と上記ゲート電極との間には窒素および珪素の拡散を防止するためのバッファ層が介在し、上記ゲート電極は少なくとも最下層がＴｉＮ膜からなる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月17日(2008.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板面に対する厚さ方向が［０００−１］であるＡｌＧａＮ電子供給層と、
該電子供給層上に形成されたＧａＮ電子走行層と、
該電子走行層上に形成されたゲート電極と、
該ゲート電極を挟み、前記電子走行層上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記電子走行層と前記ゲート電極の間に、ＡｌＧａＮ半導体層が設けられていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記電子供給層は、３００ｎｍ以下の膜厚を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記電子供給層は、０．３以下のＡｌＮの混晶比を有することを特徴とする請求項１または３記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は半導体装置、特に、ＧａＮ系半導体装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の目的は、電子供給層および電子走行層を［０００−１］方向に堆積させ、オーミック電極接触抵抗が小さく、かつ２ＤＥＧの電子濃度の大きい半導体装置を提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本発明によれば、電子供給層および電子走行層を［０００−１］方向に
形成させるため、ソース電極およびドレイン電極と２ＤＥＧの接触抵抗が小さく、かつ２ＤＥＧの電子濃度の大きい半導体装置を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年3月19日(2008.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に透明導電層を形成する工程と、該透明導電層の上に第一の導電型を有する半導体層を形成する工程と、前記透明導電層又は半導体層に吸着した前記第一の導電型を決定する元素の少なくとも一部を基板温度１００〜４００℃で熱処理及び／又はプラズマ処理により脱離させる工程と、前記第一の導電型を有する半導体層の上に実質的に真性な第二の半導体層を形成する工程と、前記第二の半導体層の上に前記第一の導電型とは反対の導電型を有する第三の半導体層を形成する工程をこの順に少なくとも有することを特徴とする光起電力素子の製造方法。
【請求項２】
前記プラズマ処理が、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれる少なくとも一種を用いた希ガスプラズマ処理であることを特徴とする請求項１記載の光起電力素子の製造方法。
【請求項３】
前記第一の導電型を決定する元素がＰであることを特徴とする請求項１または２に記載の光起電力素子の製造方法。
【請求項４】
前記透明導電層がｃ軸の傾いたＺｎＯ層から成り、該ＺｎＯ層の（１００）面及び／又は（１０１）面のＸ線回折強度が（００２）面の回折強度の０．５％以上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の光起電力素子の製造方法。
【請求項５】
前記透明導電層の乱反射率が８００ｎｍの波長において６０％以上であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の光起電力素子の製造方法。
【請求項６】
前記透明導電層が、スパッタリング法で作製されたＺｎＯ層と、該ＺｎＯ層上に電解析出法で作製されたＺｎＯ層とから成ることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の光起電力素子の製造方法。
【請求項７】
前記実質的に真性な第二の半導体層が微結晶シリコンから成り、膜厚が０．５μｍ以上６μｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の光起電力素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
そこで、本発明は、基板上に透明導電層を形成する工程と、該透明導電層の上に第一の導電型を有する半導体層を形成する工程と、前記透明導電層又は半導体層に吸着した前記第一の導電型を決定する元素の少なくとも一部を基板温度１００〜４００℃で熱処理及び／又はプラズマ処理により脱離させる工程と、前記第一の導電型を有する半導体層の上に実質的に真性な第二の半導体層を形成する工程と、前記第二の半導体層の上に前記第一の導電型とは反対の導電型を有する第三の半導体層を形成する工程をこの順に少なくとも有することを特徴とする光起電力素子の製造方法を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明においては、前記プラズマ処理が、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれる少なくとも一種を用いた希ガスプラズマ処理であることが好ましい。
また、本発明においては、前記第一の導電型を決定する元素がＰである場合により高い効果を発揮する。
また、本発明においては、前記透明導電層がｃ軸の傾いたＺｎＯ層から成り、該ＺｎＯ層の（１００）面及び／又は（１０１）面のＸ線回折強度が（００２）面の回折強度の０．５％以上である場合により高い効果を発揮する。
また、本発明においては、前記透明導電層の乱反射率が８００ｎｍの波長において６０％以上である場合により高い効果を発揮する。
また、本発明においては、前記透明導電層が、スパッタリング法で作製されたＺｎＯ層と、該ＺｎＯ層上に電解析出法で作製されたＺｎＯ層とから成る場合により高い効果を発揮する。
また、本発明においては、前記実質的に真性な第二の半導体層が微結晶シリコンから成り、膜厚が０．５μｍ以上６μｍ以下の範囲である場合により高い効果を発揮する。