【手続補正書】
【提出日】平成20年11月10日(2008.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室内の被処理体に対して，パターニングされたレジスト膜をマスクとして用いて低誘電率膜の一部をエッチングする処理を施した後に，前記処理室内において前記レジスト膜を除去するプラズマアッシング方法であって，
前記処理室内に少なくともＣＯ２ガスを含む反応生成物除去処理ガスを供給し，プラズマ発生用高周波電力を印加して前記反応生成物除去処理ガスのプラズマを発生させて，前記処理室の内壁に付着する反応生成物を除去する第１アッシング工程と，
前記処理室内にアッシング処理ガスを供給し，プラズマ発生用高周波電力を印加して前記アッシング処理ガスのプラズマを発生させて，前記レジスト膜を除去する第２アッシング工程と，
を有することを特徴とするプラズマアッシング方法。
【請求項２】
前記第１アッシング工程は，バイアス電圧発生用高周波電力を印加しない状態で実行し，前記第２アッシング工程は，バイアス電圧発生用高周波電力を印加した状態で実行することを特徴とする請求項１に記載のプラズマアッシング方法。
【請求項３】
前記反応生成物除去処理ガスは，ＣＯ２ガスであることを特徴とする請求項２に記載のプラズマアッシング方法。
【請求項４】
前記反応生成物除去処理ガスは，ＣＯ２ガスと不活性ガスとを含むことを特徴とする請求項２に記載のプラズマアッシング方法。
【請求項５】
前記第１アッシング工程における前記処理室内の圧力は，３０ｍＴｏｒｒ以下であることを特徴とする請求項３又は４に記載のプラズマアッシング方法。
【請求項６】
前記アッシング処理ガスは，Ｏ２ガスとＣＯ２ガスのいずれか一方又は両方のガスを含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のプラズマアッシング方法。
【請求項７】
前記低誘電率膜は，ポーラス系Ｌｏｗ−ｋ膜であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のプラズマアッシング方法。
【請求項８】
処理室内に配置された第１電極に対向して配置された第２電極上の被処理体に対して，パターニングされたレジスト膜をマスクとして用いて低誘電率膜の一部をエッチングする処理を施した後に，前記処理室内において前記レジスト膜を除去するプラズマアッシング方法であって，
前記処理室内に少なくともＣＯ２ガスを含む反応生成物除去処理ガスを供給し，前記第１電極に高周波電力を印加して前記反応生成物除去処理ガスのプラズマを発生させて，前記第２電極に高周波電力を印加しない状態で前記処理室の内壁に付着する反応生成物を除去する第１アッシング工程と，
前記処理室内にアッシング処理ガスを供給し，前記第１電極に高周波電力を印加してアッシング処理ガスのプラズマを発生させて，前記第２電極に高周波電力を印加した状態で前記レジスト膜を除去する第２アッシング工程と，
を有することを特徴とするプラズマアッシング方法。
【請求項９】
前記第２アッシング工程において，前記第１電極に印加する高周波電力の周波数は，前記第２電極に印加する高周波電力の周波数と同一であり，その周波数は１３ＭＨｚ以上４０ＭＨｚ以下であることを特徴とする請求項８に記載のプラズマアッシング方法。
【請求項１０】
前記第２アッシング工程において，前記第１電極に印加する高周波電力の周波数は２７ＭＨｚ以上であり，前記第２電極に印加する高周波電力の周波数は１３ＭＨｚ以上４０ＭＨｚ以下であることを特徴とする請求項８に記載のプラズマアッシング方法。
【請求項１１】
前記第２アッシング工程における前記処理室内の圧力は４００ｍＴｏｒｒ以下であることを特徴とする請求項８又は９に記載のプラズマアッシング方法。
【請求項１２】
処理室内に配置された第１電極に対向して配置された第２電極上の被処理体に対して，パターニングされたレジスト膜をマスクとして用いて低誘電率膜の一部をエッチングする処理を施した後に，前記処理室内において前記レジスト膜を除去するプラズマアッシング方法であって，
前記処理室内に少なくともＣＯ２ガスを含む反応生成物除去処理ガスを供給し，前記第１電極に高周波電力を印加して前記反応生成物除去処理ガスのプラズマを発生させて，前記第２電極に高周波電力を印加しない状態で前記処理室の内壁に付着する反応生成物を除去する第１アッシング工程と，
前記処理室内にアッシング処理ガスを供給し，前記第１電極に高周波電力を印加せずに，前記第２電極に高周波電力を印加してアッシング処理ガスのプラズマを発生させて，前記第２電極に高周波電力を印加した状態で前記レジスト膜を除去する第２アッシング工程と，
を有することを特徴とするプラズマアッシング方法。
【請求項１３】
前記第２アッシング工程において，前記第２電極に印加する高周波電力の周波数は１３ＭＨｚ以上４０ＭＨｚ以下であることを特徴とする請求項１２に記載のプラズマアッシング方法。
【請求項１４】
前記第２アッシング工程における前記処理室内の圧力は４００ｍＴｏｒｒ以下であることを特徴とする請求項１２又は１３に記載のプラズマアッシング方法。
【請求項１５】
処理室内に配置され，第１高周波電力及びこの第１高周波電力よりも低い周波数の第２高周波電力を重畳して印加可能に構成された電極上の被処理体に対して，パターニングされたレジスト膜をマスクとして用いて低誘電率膜の一部をエッチングする処理を施した後に，前記処理室内において前記レジスト膜を除去するプラズマアッシング方法であって，
前記処理室内に少なくともＣＯ２ガスを含む反応生成物除去処理ガスを供給し，前記電極に前記第１高周波電力を印加して前記反応生成物除去処理ガスのプラズマを発生させて，前記電極に第２高周波電力を印加しない状態で前記処理室の内壁に付着する反応生成物を除去する第１アッシング工程と，
前記処理室内にアッシング処理ガスを供給し，前記電極に第１高周波電力を印加してアッシング処理ガスのプラズマを発生させて，前記電極に第２高周波電力を印加した状態で前記レジスト膜を除去する第２アッシング工程と，
を有することを特徴とするプラズマアッシング方法。
【請求項１６】
前記第１アッシング工程における前記第１高周波電力の周波数は１３ＭＨｚ以上であることを特徴とする請求項１５に記載のプラズマアッシング方法。
【請求項１７】
前記第１アッシング工程における前記第１高周波電力の周波数は２７ＭＨｚ以上であることを特徴とする請求項１５に記載のプラズマアッシング方法。
【請求項１８】
前記第２アッシング工程における前記第１高周波電力の周波数は１３ＭＨｚ以上１００ＭＨｚ以下であることを特徴とする請求項１５に記載のプラズマアッシング方法。
【請求項１９】
前記第２アッシング工程における前記第２高周波電力は０Ｗであることを特徴とする請求項１８に記載のプラズマアッシング方法。
【請求項２０】
前記第２アッシング工程における前記第１高周波電力の周波数は４０ＭＨｚ以上であり，前記第２高周波電力の周波数は１３ＭＨｚ以下であることを特徴とする請求項１５に記載のプラズマアッシング方法。
【請求項２１】
処理室内に配置された第１電極に対向して配置された第２電極上の被処理体に対して，パターニングされたレジスト膜をマスクとして用いて低誘電率膜の一部をエッチングする処理を施した後に，前記処理室内において前記レジスト膜を除去するプラズマアッシング方法であって，
前記処理室内に少なくともＣＯ２ガスを含む反応生成物除去処理ガスを供給し，前記第２電極にプラズマ発生用高周波電力を印加して前記反応生成物除去処理ガスのプラズマを発生させて，前記処理室の内壁に付着する反応生成物を除去する第１アッシング工程と，
前記処理室内にアッシング処理ガスを供給し，前記第２電極にプラズマ発生用高周波電力を印加して前記アッシング処理ガスのプラズマを発生させて，前記レジスト膜を除去する第２アッシング工程と，
を有することを特徴とするプラズマアッシング方法。
【請求項２２】
前記第１アッシング工程と前記第２アッシング工程ではそれぞれ，前記第１電極と前記第２電極との電極間隔を調整したことを特徴とする請求項８，１２，２１のいずれかに記載のプラズマアッシング方法。
【請求項２３】
前記第１アッシング工程における前記電極間隔は，３０ｍｍ〜６０ｍｍに調整したことを特徴とする請求項２２に記載のプラズマアッシング方法。
【請求項２４】
前記第１アッシング工程における前記電極間隔は，前記第２アッシング工程における前記電極間隔よりも小さく調整したことを特徴とする請求項２２又は２３に記載のプラズマアッシング方法。