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【手続補正書】
【提出日】平成19年11月20日(2007.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
金属線を片面に多く浮かせて織った網状電極体と、光起電力体とを接合してなることを特徴とする光起電力素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
金属線を搦み織り（捩り織り）で織った網状電極体と、光起電力体とを接合してなることを特徴とする光起電力素子。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
上記の目的を達成すべく本発明では、金属線よりなる網状電極体を光起電力体上に接合してなる光起電力素子において、金属線を片面に多く浮かせて織った網状電極体と、光起電力体とを接合してなることを特徴とする。
また、前記網状電極体の織り方は、同種の組織点が上下、または左右に隣接する部分を有する組織図によって表現される織り方であることを特徴とする。
また、前記網状体の織り方は、多重織りであることを特徴とする。
また、前記網状電極体は目抜きを行って織ったものであることを特徴とする。
さらに、金属線よりなる網状電極体を光起電力体上に接合してなる光起電力素子において、金属線を搦み織り（捩り織り）で織った網状電極体と、光起電力体とを接合してなることを特徴とする。
また、前記網状電極体は前記金属線と透光性部材とを織ったものであることを特徴とする。
また、前記網状電極体は前記金属線を一種、または二種以上、織ったものであることを特徴とする。
さらに、本発明の光起電力素子集合体は、前記網状電極体によって、複数の前記光起電力体を並列接続してなることを特徴とする。
さらに、本発明の光起電力素子集合体は、前記網状電極体によって、複数の前記光起電力体、または前記光起電力素子集合体を直列接続してなることを特徴とする。
さらに、本発明の光起電力素子モジュールは、前記光起電力素子、もしくは前記光起電力素子集合体を、少なくとも透明樹脂で封止したことを特徴とする。
また、前記光起電力素子、もしくは前記光起電力素子集合体を、前記透光性部材と同種の透明樹脂で封止したことを特徴とする。
さらに、上記の目的を達成すべく本発明の光起電力素子、光起電力素子集合体、及び、光起電力素子モジュールの製造方法は、金属線を片面に多く浮かして織った網状電極体、または金属線を搦み織り（捩り織り）で織った網状電極体を、光起電力体の表面上に接合する工程を有することを特徴とする。
また、金属線を片面に多く浮かして織った網状電極体、または金属線を搦み織り（捩り織り）で織った網状電極体を、光起電力体の表面上に接合する工程と、前記光起電力体を透明樹脂で封止する工程とを同一工程で行うことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月4日(2008.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を回転可能に架設すると共に、
前記基板の法線Ｈと、スパッタリングカソードに取付けたターゲットの中心軸線Ａの角度θを１５°≦θ≦４５°にすると共に、前記ターゲットの中心軸線Ａと、基板面を含む平面とが基板の外側で交わるように、前記スパッタリングカソードが位置することを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項２】
基板を回転可能に架設すると共に、
１枚の基板に対し、基板の回転軸線に対して回転対称、又は、基板の回転軸線を含む基板に垂直な平面に対して面対称にスパッタリングカソードを複数配置し、
前記基板の法線Ｈと、スパッタリングカソードに取付けたターゲットの中心軸線Ａの角度θを１５°≦θ≦４５°にすると共に、前記ターゲットの中心軸線Ａと、基板面を含む平面とが基板の外側で交わるように、前記各スパッタリングカソードが位置することを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項３】
基板の法線に対し、スパッタリングカソードに取付けたターゲットの中心線の角度θを、１５°≦θ≦４５°にすると共に、
前記ターゲットの中心軸線Ａと、基板面を含む平面と、が基板の外側で交わるようにターゲットを配置し、基板を回転させながらスパッタリングすることを特徴としたスパッタリング方法。
【請求項４】
基板の法線に対し、スパッタリングカソードに取付けたターゲットの中心線の角度θを、１５°≦θ≦４５°にすると共に、
前記ターゲットの中心軸線Ａと、基板面を含む平面と、が基板の外側で交わるようにターゲットを配置し、基板を回転させながらスパッタリングすることで、膜を形成する工程を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載のスパッタリング装置を用い、合金膜又は多層膜を形成する工程を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この発明において、基板の法線と、ターゲットの中心軸線との角度θは１５度未満であっても、４５度を越える場合であっても、組成比分布及び不純物分布の何れも不均一になり、膜質を低下させることが判明している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
【発明の効果】
この発明のスパッタリング方法及び装置によれば、基板径よりも小さいターゲット径を用いて基板に生成する膜厚分布、組成比分布、不純物分布を広範囲に均一化できる効果がある。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月2日(2008.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のゴルフクラブの複数の第１のゴルフクラブヘッド特性を与える段階と；
第１のゴルフボールの複数のゴルフボール特性を与える段階と；
少なくも一つのＣＭＯＳカメラを使用してゴルファーのインパクト前の複数のスイング特性を決定する段階と；
前記複数のゴルフクラブ特性、複数のゴルフボール特性、及び複数のインパクト前のスイング特性を剛体コードに入力する段階と；
前記剛体コードから複数のボール打出しパラメータを生成する段階と；
複数の第１の大気条件を与える段階と；
前記第１のゴルフボールのリフト及びドラッグ特性を与える段階と；
前記複数のボール打出しパラメータ、複数の第１の大気条件及び複数のリフト及びドラッグ特性を弾道コードに入力する段階と；
第１のゴルフボールの弾道コードから、前記第１の大気条件下で前記第１のゴルフクラブを使用して打撃したときの予測される遂行を生成する段階と、
を有するゴルファーのボール打撃遂行結果を予測する方法。
【請求項２】
第１のゴルフクラブを使用したゴルファーのスイングに基づいてゴルファーの複数のインパクト前のスイング特性を決定するためにＣＭＯＳ画像システムを使用する段階と；
第１のゴルフクラブの複数の質量特性と、第１のゴルフボールの複数の質量特性と、前記複数のインパクト前のスイング特性を剛体コードに入力する段階と；
前記剛体コードから複数のボール打出しパラメータを生成する段階と；
前記複数のボール打出しパラメータを弾道コードに入力する段階と；
第１の大気条件下で前記第１のゴルフクラブを使用してゴルファーにより打撃されたときの弾道形状、弾道の頂点、ゴルフボールの偏り、ゴルフボールの飛距離、第１のゴルフボールの転がりを前記弾道コードから生成する段階を有する、
ゴルファーのボール打撃遂行結果を予測する方法。
【請求項３】
第１のゴルフクラブを使用したゴルファーのスイングに基づいて、インパクト位置、ゴルフクラブヘッドの動き及びゴルフクラブヘッドの向きを有するゴルファーの複数のインパクト前のスイング特性を決定するためにＣＭＯＳ画像システムを使用する段階と；
第１のゴルフクラブの複数の質量特性と、第１のゴルフボールの複数の質量特性と、複数のインパクト前のスイング特性を剛体コードに入力する段階と；
前記剛体コードから複数のボール打出しパラメータを生成する段階と；
前記第１のゴルフボールの複数のリフト及びドラッグ特性を与える段階と；
前記複数のボール打出しパラメータと前記複数のリフト及びドラッグ特性を弾道コードに入力する段階と；
第１の大気条件下で前記第１のゴルフクラブを使用してゴルファーにより打撃されたときの弾道形状、弾道の頂点、ゴルフボールの偏りを前記弾道コードから生成する段階を有する、
ゴルファーのボール打撃遂行結果を予測する方法。
【請求項４】
第１のゴルフクラブを使用したゴルファーのスイングに基づいて、インパクト位置、ゴルフクラブヘッドの動き及びゴルフクラブヘッドの向きを有するゴルファーの複数のインパクト前のスイング特性を決定するためにＣＭＯＳ画像システムを使用する段階と；
第１のゴルフクラブの複数の質量特性と、第１のゴルフボールの複数の質量特性と、複数のインパクト前のスイング特性を剛体コードに入力する段階と；
前記剛体コードから、ゴルフボールの打出し角、ゴルフボールのサイド角、ゴルフボールの速度、ゴルフボールのスピン、ゴルフボールのスピン軸を有する複数のボール打出しパラメータを生成する段階と；
複数の第１の大気条件を与える段階と；
第１のゴルフボールの複数のリフト及びドラッグ特性を与える段階と；
複数の打出しパラメータ、複数の第１の大気条件及び複数のリフト及びドラッグ特性を弾道コードに入力する段階と；
第１の大気条件下で前記第１のゴルフクラブを使用してゴルファーにより打撃されたときの弾道形状、弾道の頂点、ゴルフボールの偏り、ゴルフボールの飛距離、ゴルフボールの転がりを前記弾道コードから生成する段階を有する、
ゴルファーのボール打撃遂行結果を予測する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月2日(2008.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゴルフクラブについて複数のゴルフクラブヘッド特性を与え；
ゴルフボールについて複数のゴルフボール特性を与え；
ゴルフボールとのインパクトの間のゴルフクラブの向きとゴルフクラブヘッド上のインパクトの位置からなる第１の最適値を与え；
ゴルファーのスイング中のゴルフクラブの角速度とゴルフクラブのリニア速度をＣＭＯＳ画像システムを使用して測定し；
複数の実際のボール打出しパラメータをＣＭＯＳ画像システムを使用して測定し；
前記複数のゴルフクラブ特性と、前記複数のゴルフボール特性と、前記ゴルフクラブの角速度と、前記ゴルフクラブのリニア速度と、前記第１の最適値を剛体コードに入力し、
前記剛体コードから複数の計算されたボール打出しパラメータを生成し；
前記計算された複数のボール打出しパラメータの精度を検証する、
ことからなるゴルフスイング中のゴルファーのインパクト特性を決定する方法。
【請求項２】
ａ）ゴルフボールとのインパクトの間のゴルフクラブの向きとゴルフクラブヘッド上のインパクトの位置からなる最適値を与え；
ｂ）ゴルファーのスイング中のゴルフクラブの角速度とリニア速度をＣＭＯＳ画像システムを使用して測定し；
ｃ）複数の実際のボール打出しパラメータをＣＭＯＳ画像システムを使用して測定し；
ｄ）ゴルフクラブについて複数のゴルフクラブヘッド特性を与え；
ｅ）ゴルフボールについて複数のゴルフボール特性を与え、
ｆ）複数のゴルフクラブ特性と、複数のゴルフボール特性と、ゴルフクラブの角速度と、ゴルフクラブのリニア速度と最適値を剛体コードに入力し；
ｇ）前記剛体コードから複数の計算されたボール打出しパラメータを生成し；
ｈ）前記複数の計算されたボール打出しパラメータの精度を検証し；
ｉ）前記複数の計算されたボール打出しパラメータが検証されるまで、前記ステップｄ−ｈを異なる最適値で反復する、
ことからなるゴルフスイング中のゴルファーのインパクト特性を決定する方法。
【請求項３】
複数のゴルフクラブ特性と、複数のゴルフボール特性と、ゴルフクラブの角速度と、ゴルフボールのリニア速度と、最適値を剛体コードに入力し；
前記剛体コードから複数の計算されたボール打出しパラメータを生成し；
前記複数の計算されたボール打出しパラメータの精度を、ＣＭＯＳ画像システムを使用して実際の複数のボール打出しパラメータに対して検証する、
ことからなるゴルフスイング中のゴルファーのインパクト特性を決定する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月12日(2008.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金と、０．５〜２．５ｗｔ％のチタンと、０．５〜２．５ｗｔ％のジルコニウムとから実質的になり、チタンとジルコニウムとの合計が１．５〜３．０ｗｔ％の範囲にある金ベース合金で形成された歯科補綴物。
【請求項２】
前記金ベース合金が、前記金よりも迅速に酸化し、且つ前記金合金の結晶粒径を微細化する細粒化金属をさらに含む請求項１に記載の歯科補綴物。
【請求項３】
バリウム、ボロン及び結晶粒径を微細化する希土類金属から成る群から選択された０．３ｗｔ％以下の添加微細化物をさらに含む請求項１に記載の歯科補綴物。
【請求項４】
前記合金が、９０ｗｔ％を超える金含有量を有する請求項１に記載の歯科補綴物。
【請求項５】
歯科金ベース合金が、金と、０．５〜２．５ｗｔ％のチタンと、０．５〜２．５ｗｔ％のジルコニウムとから実質的になり、チタンとジルコニウムとの合計が１．５〜３．０ｗｔ％の範囲にある歯科補綴物用の歯科金ベース合金の物体。
【請求項６】
前記歯科金ベース合金が、前記金よりも迅速に酸化し、且つ前記金合金の結晶粒径を微細化する細粒化金属をさらに含む請求項５に記載の歯科金ベース合金の物体。
【請求項７】
バリウム、ボロン及び結晶粒径を微細化する希土類金属から成る群から選択された０．３ｗｔ％以下の添加微細化物をさらに含む請求項５に記載の歯科金ベース合金の物体。
【請求項８】
前記歯科金ベース合金が、９０ｗｔ％を超える金含有量を有する請求項５に記載の歯科金ベース合金の物体。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月29日(2008.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 Ｘ線源及び検出器アレイを含む計算機式断層撮影システムにおいて、Ｘ線照射量を変更するプリ・ペイシェント・コリメータであって、
Ｘ線源から放射されるファン・ビームの対向する両側に位置決めされている少なくとも第１及び第２の偏心カムであって、該第１及び第２の偏心カムの回転が、前記ファン・ビームの厚を調整するように構成されている前記第１及び第２の偏心カムと、
前記ファン・ビームを調節するように前記カムを位置決めする少なくとも１つのカム・ドライブとを備えているプリ・ペイシェント・コリメータ。
【請求項２】 前記第１及び第２の偏心カムは、Ｘ線吸収性材料で作製されており、前記第１及び第２の偏心カムは、前記Ｘ線源から放射されるＸ線の一部をブロックし、前記ファン・ビームの厚を調整するように構成されている請求項１に記載のコリメータ。
【請求項３】 前記カム・ドライブは、各々の前記カムを独立に位置決めするように構成されている請求項２に記載のコリメータ。
【請求項４】 前記カム・ドライブは、少なくとも１つのカム・モータを含んでいる請求項２に記載のコリメータ。
【請求項５】 前記カム・ドライブは、各々のカム毎にカム・モータを含んでいる請求項４に記載のコリメータ。
【請求項６】 前記第１のカムは第１のカム・モータに結合されており、前記第２のカムは第２のカム・モータに結合されている請求項５に記載のコリメータ。
【請求項７】 前記検出器アレイはマルチスライス検出器で構成されており、前記カム・ドライブはファン・ビーム・スライス厚を変更するように構成されている請求項２に記載のコリメータ。
【請求項８】 複数のフィルタを含んでいるフィルタリング装置と、ハウジングと、前記ハウジング及び前記フィルタリング装置に結合されていて、前記フィルタリング装置の位置を変更するフィルタ・ドライブとを更に含んでいる請求項２に記載のコリメータ。
【請求項９】 前記Ｘ線ビームはＸ線ビーム軸に沿って投射されており、前記フィルタ・ドライブは、前記ハウジングから前記Ｘ線ファン・ビーム軸に対して垂直に伸びている複数のシャフトを含んでいる請求項８に記載のコリメータ。
【請求項１０】 前記フィルタリング装置は、前記シャフトを受け入れるように構成されている複数のシャフト開口を更に含んでいる請求項９に記載のコリメータ。
【請求項１１】 前記フィルタ・ドライブは、前記ハウジングに結合されていて、前記ハウジングから前記ファン・ビーム軸に対して垂直に前記フィルタリング装置を伸長及び後退させるように構成されているモータを含んでいる請求項１０に記載のコリメータ。
【請求項１２】 前記モータは、ねじ付きシャフトを有する親ねじ式モータを含んでおり、前記フィルタリング装置は、前記親ねじシャフトにねじ式で係合するように構成されている親ねじ式開口を更に含んでいる請求項１１に記載のコリメータ。
【請求項１３】 前記フィルタリング装置は、各々のシャフト開口に結合されており前記シャフトに摺動可能に係合するように構成されている線軸受を更に含んでいる請求項１０に記載のコリメータ。
【請求項１４】 各々の前記フィルタが、患者へのＸ線照射量を変更し、且つフィルタリング装置の位置の関数として選択される請求項８に記載のコリメータ。
【請求項１５】 Ｘ線源と、複数の偏心カム及び複数のフィルタを含んでいるプリ・ペイシェント・コリメータと、ｚ軸方向に伸びている複数の検出器セルを含んでいる検出器アレイとを備えた計算機式断層撮影システムにおいて、Ｘ線照射量を低減させる方法であって、
少なくとも１つのスライスを形成するために一定数の検出器セルを組み合わせるステップと、
前記プリ・ペイシェント・コリメータの前記複数の偏心カムの回転により、Ｘ線の厚み、位置及び照射量を画定するために前記プリ・ペイシェント・コリメータを位置決めするステップと、
を含む、方法。
【請求項１６】 前記プリ・ペイシェント・コリメータを位置決めするステップが各々の前記カムを位置決めするステップを含む請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】 各々の前記カムを位置決めするステップが、各々の前記カムを独立に位置決めするステップを含む請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】 前記計算機式断層撮影システムは前記フィルタリング装置に結合されているフィルタ・モータを更に含んでおり、前記Ｘ線照射量を画定するように前記プリ・ペイシェント・コリメータを位置決めするステップが、前記フィルタ・モータを用いて前記フィルタリング装置の位置を変更するステップを含む請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】 前記Ｘ線ビームはＸ線ビーム軸に沿って投射されており、前記計算機式断層撮影システムは前記ハウジングから前記Ｘ線ファン・ビーム軸に対して垂直に伸びている複数のシャフトを更に含んでおり、前記フィルタリング装置の位置を変更するステップが、前記ハウジングから前記ファン・ビーム軸に対して垂直に前記フィルタリング装置を伸長及び後退させるステップを含む請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】 前記フィルタ・モータは、ねじ式シャフトを有する親ねじ式モータを含んでおり、前記フィルタリング装置は、前記親ねじ式シャフトにねじ式で係合するように構成されている親ねじ式開口を更に含んでおり、前記フィルタ動作装置を伸長及び後退させるステップが、前記フィルタ・モータを作動させるステップを含む請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】 前記フィルタリング装置は複数のフィルタを更に含んでおり、患者へのＸ線照射量を画定するために、各々の前記フィルタの位置を選択するステップを含む請求項１４に記載の方法。
【請求項２２】 前記複数の偏心カムは、前記Ｘ線源から放射されるＸ線の一部をブロックし、前記ファン・ビームの厚を調整する請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月7日(2008.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマエッチング装置及び耐プラズマ性部材
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  被処理物にドライエッチング処理を施して該被処理物の表面を微細加工するプラズマエッチング装置において、
処理室内に配設されている耐プラズマ性部材は、少なくとも表面がフッ化イットリウムで形成されていることを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項２】  前記耐プラズマ性部材は、素材表面にフッ化イットリウムが溶射されて形成されていることを特徴とする請求項１記載のプラズマエッチング装置。
【請求項３】  前記耐プラズマ性部材は、フッ化イットリウムの焼結体で形成されていることを特徴とする請求項１記載のプラズマエッチング装置。
【請求項４】  被処理物にドライエッチング処理を施して該被処理物の表面を微細加工するプラズマエッチング装置の処理室内に配設された耐プラズマ性部材であって、
少なくとも表面がフッ化イットリウムで形成されていることを特徴とする耐プラズマ性部材。
【請求項５】  前記耐プラズマ性部材は、素材表面に前記フッ化イットリウムが溶射されて形成されていることを特徴とする請求項４記載の耐プラズマ性部材。
【請求項６】  前記耐プラズマ性部材は、フッ化イットリウムの焼結体で形成されていることを特徴とする請求項４記載の耐プラズマ性部材。
【請求項７】  前記耐プラズマ性部材は、絶縁リング、電極保護部材、バッフル板及びベローズカバーの少なくとも１つであることを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１項に記載の耐プラズマ性部材。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はプラズマエッチング装置及び耐プラズマ性部材に関し、より詳しくは半導体ウエハ等の被処理物にドライエッチング処理を施して該被処理物に微細加工を行うプラズマエッチング装置及びこのプラズマエッチング装置に適用される耐プラズマ性部材に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明はこのような問題点に鑑みなされたものであって、より一層の耐久性を向上させることのできる耐プラズマ性部材を具備したプラズマエッチング装置及びこのプラズマエッチング装置に適用される耐プラズマ性部材を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、本発明に係るプラズマエッチング装置は、処理室内に配設されている耐プラズマ性部材が、少なくとも表面がフッ化イットリウムで形成されていることを特徴としている。また、本発明に係る耐プラズマ性部材は、少なくとも表面がフッ化イットリウムで形成されていることを特徴としている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明装置に適用される耐プラズマ性部材及び本発明に係る耐プラズマ性部材は、素材表面にフッ化イットリウムを溶射して耐プラズマ性部材としたものでもよく、またフッ化イットリウムの焼結体で形成したものであってもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明に係るプラズマエッチング装置は、被処理物にドライエッチング処理を施して該被処理物の表面を微細加工するプラズマエッチング装置において、装置本体の内部に配設されている耐プラズマ性部材は、少なくとも表面がフッ化イットリウムで形成されているので、耐プラズマ性部材の表面は処理ガス（ＣＦ系ガス）に対して化学的に安定したものとなり、固体微粒子の飛散が抑制され、耐プラズマ性部材の消耗を低減させることができ耐久性向上を図ることができる。また、本発明に係る耐プラズマ性部材は、少なくとも表面がフッ化イットリウムで形成されているので、その表面は処理ガス（ＣＦ系ガス）に対して化学的に安定したものとなり、固体微粒子の飛散が抑制され、消耗を低減させることができ耐久性向上を図ることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
また、本発明装置に適用される耐プラズマ性部材及び本発明に係る耐プラズマ性部材は、素材表面にフッ化イットリウムを溶射して形成することができ、またフッ化イットリウムの焼結体で形成することもでき、いずれの方法で形成しても上記効果を容易に奏することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月6日(2008.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】  第１の電極となる半導体基板と、
上記半導体基板上に形成された第１の絶縁膜と、
上記第１の絶縁膜上に形成された第１の導電体膜と、
上記第１の導電体膜上に形成された導電体の微粒子を含む第３の絶縁膜と、
上記第３の絶縁膜上に形成された第２の電極となる第２の導電体膜と
からなることを特徴とするメモリ膜。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
また、第６の発明であるメモリ膜は、
第１の電極となる半導体基板と、
上記半導体基板上に形成された第１の絶縁膜と、
上記第１の絶縁膜上に形成された第１の導電体膜と、
上記第１の導電体膜上に形成された導電体の微粒子を含む第３の絶縁膜と、
上記第３の絶縁膜上に形成された第２の電極となる第２の導電体膜と
からなることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
なお、ポリシリコン膜１１３、第１のシリコン微粒子１１４及び第２のシリコン微粒子１１５の材質はこれに限らず、ゲルマニウム、ガリウム砒素などの半導体や、アルミニウム、銅、銀、金などの金属でもよく、導電性の物質であれば良い。また、シリコン酸化膜１１２，１１２Ｂの材質はこれに限らず、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の積層膜、金属酸化膜など、電気絶縁性の物質であれば良い。シリコン基板１１１とポリシリコン膜１１３とに挟まれたシリコン酸化膜１１２の厚さは、例えば１ｎｍ〜６ｎｍとすることが好ましく、ポリシリコン膜１１３の厚さは、例えば０．５ｎｍ〜１０ｎｍとすることが好ましく、第１のシリコン微粒子１１４及び第２のシリコン微粒子１１５の直径は、例えば２ｎｍ〜１０ｎｍとすることが好ましいが、それぞれこの限りではない。ただし、シリコン基板１１１とポリシリコン膜１１３とに挟まれたシリコン酸化膜１１２の厚さは、あまり薄いと電荷がトンネル現象でシリコン酸化膜を透過する確率が増して記憶保持時間が減少し、あまり厚いと短チャネル効果が増して素子の微細化が困難となるので、２ｎｍ〜５ｎｍとするのがより望ましい。更にまた、第１のシリコン微粒子１１４及び第２のシリコン微粒子１１５の直径は、あまり小さいと量子サイズ効果が大きくなって、電荷の移動に大きな電圧が必要となり、あまり大きいと短チャネル効果が増して素子の微細化が困難となるので、３ｎｍ〜７ｎｍとするのがより望ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３２】
上記のように印加電圧を設定することにより、１ビット毎の書き込み動作及び消去動作、すなわちランダムアクセスが可能となる。ＶＤＤの具体的な値は、膜質や膜構造ごとに最適な値を決めればよい。具体的には、メモリ膜にかかる電圧の絶対値がＶＤＤのときには電荷の注入または放出が起こり、メモリ膜にかかる電圧の絶対値がＡ×ＶＤＤのときには電荷の注入または放出が起こらないようにする。なお、読み出し時には、メモリ膜にかかる電圧がＡ×ＶＤＤ以下となるようにするのが好ましく、その場合、読み出しにより記憶を破壊することがない。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５９】
１実施の形態では、ＳＯＩ基板上に形成されているので、ソース領域及びドレイン領域と、ボディとの接合容量を非常に小さくすることができる。さらにまた、ＳＯＩ基板を用いると、ソース領域及びドレイン領域の深さを浅くするのが容易であり、短チャネル効果を抑制し、メモリ素子を更に微細化することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６３】
１実施の形態によれば、ワード線の一部をゲート電極としており、ゲート電極とワード線を接続するためにコンタクトや上部配線を用いる必要がない。そのため、メモリセルの構造が単純化され、製造工程を減らすことができる。したがって、製造コストを下げることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月22日(2008.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  外部装置と接続するためのインターフェースと、
前記インターフェースを介して撮像手段によって撮像された画像データを前記外部装置に転送する場合、レンズ鏡筒の沈胴動作を実行する制御手段とを有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】  請求項１において、前記制御手段は、画像データの転送が開始されてから所定時間が経過した後に前記レンズ鏡筒の沈胴動作を実行することを特徴とする撮像装置。
【請求項３】  外部装置と接続するためのインターフェースと、前記インターフェースを介して接続された外部装置がスレーブ側の装置であると判断された場合、レンズ鏡筒の沈胴動作を実行し、前記インターフェースを介して撮像手段によって撮像された画像データを前記外部装置に転送する制御手段を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項４】  外部記憶装置と接続するためのインターフェースと、
前記インターフェースを介して撮像手段によって撮像された画像データを前記外部記憶装置に転送する場合、レンズを保護するレンズ保護バリアの閉じ動作を実行する制御手段とを有することを特徴とする撮像装置。
【請求項５】  請求項４において、前記制御手段は、画像データの転送が開始されてから所定時間が経過した後に前記レンズ保護バリアの閉じ動作を実行することを特徴とする撮像装置。
【請求項６】  外部装置と接続するためのインターフェースと、前記インターフェースを介して接続された外部装置がスレーブ側の装置であると判断された場合、レンズを保護するレンズ保護バリアの閉じ動作を実行し、前記インターフェースを介して撮像手段によって撮像された画像データを外部記憶装置に転送する制御手段とを有することを特徴とする撮像装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＣＤＲ、ＣＤ−Ｒ／Ｗ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、及びＤＡＴといったデータの記憶装置等を本体外に有し、これらとＵＳＢ等の通信手段によって接続可能なデジタルカメラなどの撮像装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、出先でも簡便にデータのバックアップ処理を行うことができる撮像装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、外部装置と接続するためのインターフェースと、前記インターフェースを介して接続された外部装置がスレーブ側の装置であると判断された場合、レンズ鏡筒の沈胴動作を実行し、前記インターフェースを介して撮像手段によって撮像された画像データを前記外部装置に転送する制御手段を有することを特徴とする構成とした。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、外部装置と接続するためのインターフェースと、前記インターフェースを介して接続された外部装置がスレーブ側の装置であると判断された場合、レンズを保護するレンズ保護バリアの閉じ動作を実行し、前記インターフェースを介して撮像手段によって撮像された画像データを外部記憶装置に転送する制御手段とを有することを特徴とする構成とした。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
メモリカード１００６の容量が満杯になったときには、デジタルカメラ１０００のコネクタ１０１０に外部ストレージデバイス１０１２（外部記憶装置）を取り付けることで、メモリカード１００６の内容を大容量で安価な記憶媒体にバックアップすることが可能である。外部ストレージデバイス１０１２としては、例えばＣＤＲやＣＤ−Ｒ／Ｗと呼ばれる書き込み可能なＣＤやＭＯ、ＭＤ、ＤＶＤ、ＰＤといったディスク、又はデジタルデータの書き込みが可能な８ｍｍフォーマットテープや、ＤＡＴといった記憶媒体を使うことができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
ステップＳ８００４において、操作スイッチ１０３０等により、バックアップ開始が指示された場合、メモリカード１００６の容量と、外部ストレージデバイス１０１２の空き容量を比較し、外部ストレージデバイス１０１２に充分な空き容量がある場合は、メモリカード１００６に記憶された画像データの転送を開始する（画像データのバックアップ動作を開始する）。また、バックアップ処理の開始にともなって、(1)表示素子１０２４およびバックライト１０２５の電力の供給の停止、(2)レンズ鏡筒の沈胴動作、(3)レンズ保護バリアの閉じ動作を行う。以下にこの動作を説明する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年2月22日(2008.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ビデオ撮像装置及びその制御方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  揺れ検出センサの出力に基づいて揺れ補正レンズを駆動して揺れを補正する揺れ補正装置を有するビデオ撮像装置であって、
撮影時に前記揺れ補正装置の所定時間当たりの揺れ補正駆動変化量を検出する変化量検出回路と、
前記揺れ補正駆動変化量を比較基準値と比較することによってそのときの画質を判定する画質判定手段と、
再生時に前記画質判定手段によって判定された画質の評価値を撮影画像とともに表示する表示手段とを有することを特徴とするビデオ撮像装置。
【請求項２】  前記変化量検出回路は、前記揺れ補正駆動変化量を検出する他に、少なくとも絞り、シャッタ速度、ホワイトバランス、フォーカスレンズ動作、ズームレンズ動作のいずれか１つ以上の所定時間当たりの他の変化量を検出し、
前記画質判定手段は、前記揺れ補正駆動変化量に前記他の変化量を加味してそのときの画質を判定することを特徴とする請求項１に記載のビデオ撮像装置。
【請求項３】  揺れ検出センサの出力に基づいて揺れ補正レンズを駆動して揺れを補正する揺れ補正装置を有するビデオ撮像装置の制御方法であって、
撮影時に前記揺れ補正装置の所定時間当たりの揺れ補正駆動変化量を検出する変化量検出ステップと、
前記揺れ補正駆動変化量を比較基準値と比較することによってそのときの画質を判定する画質判定ステップと、
再生時に前記画質判定ステップによって判定された画質の評価値を撮影画像とともに表示する表示ステップとを有することを特徴とするビデオ撮像装置の制御方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はビデオ撮像装置に関し、特に揺れ補正装置を有するビデオ撮像装置に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明の一観点によれば、揺れ検出センサの出力に基づいて揺れ補正レンズを駆動して揺れを補正する揺れ補正装置を有するビデオ撮像装置であって、撮影時に前記揺れ補正装置の所定時間当たりの揺れ補正駆動変化量を検出する変化量検出回路と、前記揺れ補正駆動変化量を比較基準値と比較することによってそのときの画質を判定する画質判定手段と、再生時に前記画質判定手段によって判定された画質の評価値を撮影画像とともに表示する表示手段とを有することを特徴とするビデオ撮像装置が提供される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の他の観点によれば、揺れ検出センサの出力に基づいて揺れ補正レンズを駆動して揺れを補正する揺れ補正装置を有するビデオ撮像装置の制御方法であって、撮影時に前記揺れ補正装置の所定時間当たりの揺れ補正駆動変化量を検出する変化量検出ステップと、前記揺れ補正駆動変化量を比較基準値と比較することによってそのときの画質を判定する画質判定ステップと、再生時に前記画質判定ステップによって判定された画質の評価値を撮影画像とともに表示する表示ステップとを有することを特徴とするビデオ撮像装置の制御方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月26日(2007.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板を搬送する搬送手段と、この搬送手段に対向配設され、前記基板に対してウエット処理を行うために前記基板の表面に処理液を供給する液供給手段とを備えた基板処理装置において、
前記搬送手段は、少なくともその一部に前記基板の搬送方向に向けて上り勾配または下り勾配となるように傾斜した状態で搬送する傾斜搬送路を含む
構成としたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】  前記傾斜搬送路は、上り勾配の傾斜と下り勾配の傾斜とを含む構成としたことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】  前記傾斜搬送路は、さらに水平搬送部を含むものであり、かつこの水平搬送路の搬送方向の前方に前記上り勾配の傾斜搬送路を接続する構成としたことを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】  基板を搬送する間に、この基板の表面に処理液を供給することによって、基板のウエット処理を行うためのものにおいて、
基板を、その搬送方向に向けて上り勾配または下り勾配となるように傾斜した状態で搬送する間に、この基板の表面に処理液を供給する
ことを特徴とする基板処理方法。
【請求項５】  前記基板の傾斜方向は、その搬送方向に向けて上り勾配と下り勾配とを含むことを特徴とする請求項４記載の基板処理方法。
【請求項６】  基板を水平方向に搬送する間に、この基板表面に第１の処理液を供給する第１の液処理工程と、
この第１の液処理工程を経た基板をその搬送方向に向けて上り勾配となるように傾斜搬送する間に、この基板表面に付着する第１の処理液を流出させる処理液除去工程と、
基板を上り勾配から下り勾配に傾き方向を転換させて傾斜搬送する間に、この基板の表面に第２の処理液を供給する第２の液処理工程と、
基板を再び上り勾配に傾き方向を転換させて傾斜搬送する間に、基板の表面に対して第３の処理液を供給する第３の液処理工程と
からなることを特徴とする基板処理方法。
【請求項７】  前記第３の液処理工程で基板に供給される第３の処理液は洗浄液であり、この第３の液処理工程で基板に洗浄液を供給した後に、基板の搬送方向が上り勾配となる傾斜状態を維持して、エアナイフノズルによって、この基板の表裏両面を乾燥させる乾燥工程を有することを特徴とする請求項６記載の基板処理方法。
【請求項８】 前記第１から請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置、または請求項４から請求項７のいずれか１項に記載の基板処理方法を用いて液晶パネルに液処理を施すことを特徴とする液晶パネルの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年4月16日(2008.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
Ｚ1およびＺ2は窒素原子とベンゼン環で結合した脂肪族縮合環、芳香族縮合環、ヘテロ環であり、環状構造の具体例は（Ｂ−１）〜（Ｂ−２０）に挙げることができる。なお、化１５中のＲはＲ1またはＲ11の何れかを示している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
Ｒ13、およびＲ19の具体例としては（Ｃ−３６）〜（Ｃ−７１）に示すものを挙げることができる。なお、（Ｃ−３６）〜（Ｃ−７１）の炭素−炭素二重結合は、Ｅ型またはＺ型の何れであってもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月5日(2008.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の位置および高さの少なくともいずれかを計測するための光学系を備える真空用露光装置であって、
前記光学系の少なくとも一部を密封して覆うカバーと、
前記カバーに接続され、前記カバー内に気体を供給および排出するための配管とを備えることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記カバーには、計測のための光を透過するための透明板が設けられることを特徴とする請求項１に記載の真空用露光装置。
【請求項３】
前記光学系は、前記透明板の変形によって生じる収差の影響を低減するように構成されることを特徴とする請求項２に記載の真空用露光装置。
【請求項４】
前記気体の温度を制御する温度制御手段を備えることを特徴とする請求項１に記載の真空用露光装置。
【請求項５】
前記カバー内の圧力を制御する圧力制御手段を備えることを特徴とする請求項１〜４の少なくともいずれかに記載の真空用露光装置。
【請求項６】
前記光学系の少なくとも一部が撮像素子であることを特徴とする請求項１〜５の少なくともいずれかに記載の真空用露光装置。
【請求項７】
前記光学系の少なくとも一部が計測光を照射する光源であることを特徴とする請求項１〜６の少なくともいずれかに記載の真空用露光装置。
【請求項８】
前記光学系の少なくとも一部が複数のレンズを接着したレンズ群であることを特徴とする請求項１〜７の少なくともいずれかに記載の真空用露光装置。
【請求項９】
請求項１〜８の少なくともいずれかに記載の真空用露光装置を用いて基板を露光する工程と、
露光された基板を現像する工程とを備えることを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月6日(2008.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）分割領域によって複数のチップ領域が区画形成された第１主面、および前記第１主面とは反対側の第１裏面を有する半導体ウエハの前記第１主面に保護テープを貼り付ける工程、
（ｂ）リング状の搬送治具の内周が前記半導体ウエハの外周を取り囲むように前記搬送治具の第２主面が前記保護テープに固定された状態で、前記半導体ウエハの前記第１裏面を研削する工程、
（ｃ）前記保護テープに固定された前記搬送治具の前記第１主面とは反対側の第２裏面と、前記半導体ウエハの前記第１裏面にダイシングテープを貼り付ける工程、
（ｄ）前記半導体ウエハの前記第１主面と、前記搬送治具の前記第２主面から、前記保護テープを剥離する工程、
（ｅ）前記半導体ウエハの前記分割領域に沿って、前記半導体ウエハを分割する工程、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記半導体ウエハの前記複数のチップ領域のそれぞれには、半導体素子が形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記（ｂ）工程では、前記半導体ウエハが固定された前記保護テープをウエハステージ上に配置し、前記保護テープに固定され、前記半導体ウエハの厚さよりも厚く形成された前記搬送治具の前記第２裏面を前記半導体ウエハの前記第１裏面より低くし、グラインディングホイールを用いて前記半導体ウエハの前記第１裏面を研削することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記（ｂ）工程では、回転する前記グラインディングホイールを、回転する前記ウエハステージ上に配置された前記半導体ウエハの一部と前記搬送治具の一部を覆うように接触させることで、前記半導体ウエハの前記第１裏面を研削することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記ウエハステージは、前記半導体ウエハの下側に位置する第１保持面と、前記第１保持面よりも低く、前記搬送治具の下側に位置する第２保持面とを有し、
前記搬送治具を前記第２保持面に向かって引き下げることで、前記搬送治具の前記第２裏面を前記半導体ウエハの前記第１裏面より低くすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記保護テープは、前記ウエハステージの前記第１保持面に吸着されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５において、
前記ウエハステージの前記第１保持面は、傾斜していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１において、
前記（ｃ）工程では、前記搬送治具の前記第２裏面に前記ダイシングテープを貼り付け、前記保護テープ側から前記半導体ウエハを前記ダイシングテープに押し付けることで、前記ダイシングテープに前記半導体ウエハの前記第１裏面を貼り付けることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年7月16日(2008.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に、第１導電型下クラッド層と活性層と第２導電型上クラッド層を含む半導体結晶層を形成する工程、上記第２導電型上クラッド層をエッチングしてリッジを形成する工程、上記リッジ形成後に第２導電型上クラッド層上にSiNマスク膜を形成すると共に、エッチングによって拡散マスクとなる開口部を形成する工程、上記SiNマスク膜及び開口部上に拡散源膜となるZnO,SiO２混晶膜を形成する工程、上記ZnO,SiO２混晶膜上にSiO２膜からなるキャップ層を形成する工程及び上記キャップ層形成後に熱処理を行ない、上記開口部を経て上記第２導電型上クラッド層、活性層及び第１導電型下クラッド層にZnの拡散層を形成して窓を形成する工程を含む半導体レーザの製造方法。
【請求項２】
半導体基板上に、第１導電型下クラッド層と活性層を含む半導体結晶層を形成する工程、上記半導体結晶層の上にSiNマスク膜を形成すると共に、エッチングによって拡散マスクとなる開口部を形成する工程、上記SiNマスク膜及び開口部上に拡散源膜となるZnO, SiO２混晶膜を形成する工程、上記ZnO,SiO２混晶膜上にSiO２膜からなるキャップ層を形成する工程、上記キャップ層形成後に熱処理を行ない、上記開口部を経て上記活性層及び第１導電型下クラッド層にZnの拡散層を形成して窓を形成する工程、上記キャップ層、ZnO, SiO２混晶膜及びSiNマスク膜をエッチング除去し、上記半導体結晶層上に第２導電型上クラッド層を形成する工程及び上記第２導電型上クラッド層をエッチングしてリッジを形成する工程を含む半導体レーザの製造方法。
【請求項３】
半導体基板上に、第１導電型下クラッド層と活性層と第２導電型上クラッド層を含む半導体結晶層を形成する工程、上記第２導電型上クラッド層をエッチングしてリッジを形成する工程、上記リッジ形成後にへき開を実施して光出射方向の両側端面を露出させる工程、上記両側端面に拡散源膜となるZnO,SiO２混晶膜を堆積させる工程、上記ZnO, SiO２混晶膜上にSiO２膜からなるキャップ層を形成する工程及び上記キャップ層形成後に熱処理を行ない、上記活性層及び第１導電型下クラッド層にZnの拡散層を形成して窓を形成する工程を含む半導体レーザの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体レーザの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この発明は上記のような問題点を解消するためになされたもので、拡散源膜を従来方法よりも活性層の近くに配置することができ、拡散領域をより安定的に制御することができる半導体レーザの製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この発明に係る半導体レーザの製造方法は、半導体基板上に、第１導電型下クラッド層と活性層と第２導電型上クラッド層を含む半導体結晶層を形成する工程、上記第２導電型上クラッド層をエッチングしてリッジを形成する工程、上記リッジ形成後に第２導電型上クラッド層上にSiNマスク膜を形成すると共に、エッチングによって拡散マスクとなる開口部を形成する工程、上記SiNマスク膜及び開口部上に拡散源膜となるZnO,SiO２混晶膜を形成する工程、上記ZnO,SiO２混晶膜上にSiO２膜からなるキャップ層を形成する工程及び上記キャップ層形成後に熱処理を行ない、上記開口部を経て上記第２導電型上クラッド層、活性層及び第１導電型下クラッド層にZnの拡散層を形成して窓を形成する工程を含むものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この発明に係る半導体レーザの製造方法は上記のように構成され、拡散源膜であるZnO, SiO２混晶膜を従来方法よりも活性層の近くに配置することができるため、拡散領域、特に横方向への拡散をより安定的に制御することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年8月7日(2008.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント配線板と、
前記プリント配線板上に実装されているとともにこれに固定された回路部品と、
前記プリント配線板に設けられた複数の段部と、
を具備し、
前記各段部は、第２の領域を規定し、
前記第２の領域は、前記回路部品を前記プリント配線板に接着した接着剤を有するとともに、前記プリント配線板上の前記回路部品の外周部に設けられていることを特徴とするプリント回路板。
【請求項２】
前記複数の段部のうち少なくとも一つは、前記プリント配線板に設けられた凹部を有することを特徴とする請求項１に記載のプリント回路板。
【請求項３】
前記複数の段部のうち少なくとも一つは、前記プリント配線板上に設けられた凸部を有することを特徴とする請求項１に記載のプリント回路板。
【請求項４】
前記複数の段部のうち少なくとも一つは、前記プリント配線板にシルク印刷を施して形成されたことを特徴とする請求項１に記載のプリント回路板。
【請求項５】
前記凹部は、前記プリント配線板を覆うソルダーレジストによって形成されたことを特徴とする請求項２に記載のプリント回路板。
【請求項６】
前記凹部は、前記プリント配線板に形成されたビアで規定されたことを特徴とする請求項２に記載のプリント回路板。
【請求項７】
前記ビアは、レーザで形成されたことを特徴とする請求項６に記載のプリント回路板。
【請求項８】
前記接着剤および前記段差部は、前記回路部品の角部に対応する位置に設けられたことを特徴とする請求項１に記載のプリント回路板。
【請求項９】
プリント配線板の第２の領域を規定するように前記プリント配線板上に複数の段差部を設け、この第２の領域は、前記プリント配線板上の回路部品の外周部に設けられ、
前記回路部品を前記プリント配線板に接着するように前記第２の領域に接着剤を適用することを特徴とするプリント回路板の製造方法。
【請求項１０】
筐体と、
筐体に収容されるプリント回路板と、を具備する電子機器であって、
前記プリント回路板は、
プリント配線板と、
前記プリント配線板上に実装されているとともにこれに固定された回路部品と、
前記プリント配線板に設けられた複数の段部と、
を具備し、
前記各段部は、第２の領域を規定し、
前記第２の領域は、前記回路部品を前記プリント配線板に接着した接着剤を有するとともに、前記プリント配線板上の前記回路部品の外周部に設けられていることを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プリント回路板、プリント回路板を備えた電子機器、およびプリント回路板の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、例えばＢＧＡ形の半導体パッケージのような回路部品が実装されたプリント回路板、プリント回路板を備えた電子機器、およびプリント回路板の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
前記目的を達成するため、本発明の一つの形態に係るプリント回路板は、プリント配線板と、前記プリント配線板上に実装されているとともにこれに固定された回路部品と、前記プリント配線板に設けられた複数の段部と、を具備し、前記各段部は、第２の領域を規定し、前記第２の領域は、前記回路部品を前記プリント配線板に接着した接着剤を有するとともに、前記プリント配線板上の前記回路部品の外周部に設けられている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
前記目的を達成するため、本発明の一つの形態に係る電子機器は、筐体と、筐体に収容されるプリント回路板と、を具備する電子機器であって、前記プリント回路板は、プリント配線板と、前記プリント配線板上に実装されているとともにこれに固定された回路部品と、前記プリント配線板に設けられた複数の段部と、を具備し、前記各段部は、第２の領域を規定し、前記第２の領域は、前記回路部品を前記プリント配線板に接着した接着剤を有するとともに、前記プリント配線板上の前記回路部品の外周部に設けられている。