【手続補正書】
【提出日】平成20年5月13日(2008.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ｐＭＯＳトランジスタ形成領域、およびｎＭＯＳトランジスタ形成領域とを有する半導体基板を用意する工程と、
（ｂ）前記ｐＭＯＳトランジスタ形成領域のすべてもしくは一部領域の半導体基板に対して、ハロゲン元素を導入する工程と、
（ｃ）前記工程（ｂ）の後に、前記ｐＭＯＳトランジスタ形成領域の半導体基板上に、第一のゲート絶縁膜を形成する工程と、
（ｄ）前記第一のゲート絶縁膜に対して、窒素を導入する工程とを、備えており、
前記ｎＭＯＳトランジスタ形成領域内のハロゲン元素の濃度は、前記ｐＭＯＳトランジスタ形成領域内のハロゲン元素の濃度よりも低い、
ことを特徴とするＣＭＯＳ型半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記ｎＭＯＳトランジスタ形成領域のすべてもしくは一部領域の半導体基板に対して、前記ハロゲン元素を導入しない、
ことを特徴とする請求項１に記載のＣＭＯＳ型半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記ハロゲン元素は、
フッ素である、
ことを特徴とする請求項１に記載のＣＭＯＳ型半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記工程（ｄ）は、
活性窒素処理によって、前記第一のゲート絶縁膜に対して窒素を導入する工程である、
ことを特徴とする請求項１に記載のＣＭＯＳ型半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記工程（ｃ）は、
前記第一のゲート絶縁膜形成と同時に、前記ｎＭＯＳトランジスタ形成領域の半導体基板上に、第二のゲート絶縁膜を形成する工程である、
ことを特徴とする請求項１に記載のＣＭＯＳ型半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記工程（ｂ）は、
（ｂ−１）前記半導体基板上に、前記ｐＭＯＳ形成領域が露出するような開口部を有するマスクを形成する工程と、
（ｂ−２）前記マスクが形成されている前記半導体基板に対して、イオン注入処理を施すことにより、前記ハロゲン元素を導入する工程とを、備えている、
ことを特徴とする請求項２に記載のＣＭＯＳ型半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記工程（ｂ）は、
（ｂ−１１）前記半導体基板上に、前記ｐＭＯＳ形成領域が露出するような開口部を有するマスクを形成する工程と、
（ｂ−１２）前記マスクが形成されている前記半導体基板に対して、活性ハロゲン処理を施すことにより、前記ハロゲン元素を導入する工程とを、備えている、
ことを特徴とする請求項２に記載のＣＭＯＳ型半導体装置の製造方法。
【請求項８】
ｐＭＯＳトランジスタ形成領域、およびｎＭＯＳトランジスタ形成領域とを有する半導体基板と、
前記ｐＭＯＳトランジスタ形成領域の前記半導体基板上に形成される、第一のゲート絶縁膜と、
前記第一のゲート絶縁膜上に形成される、ゲート電極とを、備えており、
前記ｐＭＯＳトランジスタ形成領域の前記第一のゲート絶縁膜の少なくとも一部には、少なくとも窒素とハロゲン元素が含まれており、そして、前記ｐＭＯＳトランジスタ形成領域にはハロゲン元素が含まれており、
前記ｎＭＯＳトランジスタ形成領域内のハロゲン元素の濃度は、前記ｐＭＯＳトランジスタ形成領域内のハロゲン元素の濃度よりも低く、
前記半導体基板と前記第一のゲート絶縁膜との境界付近の前記ハロゲン元素の濃度は、前記第一のゲート絶縁膜と前記ゲート電極との境界付近の前記ハロゲン元素の濃度よりも、高い、
ことを特徴とするＣＭＯＳ型半導体装置。
【請求項９】
ｐＭＯＳトランジスタ形成領域、およびｎＭＯＳトランジスタ形成領域とを有する半導体基板と、
前記ｐＭＯＳトランジスタ形成領域の前記半導体基板上に形成される、絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成される、金属酸化物を含む高誘電率膜と、
前記高誘電率膜上に形成される、ゲート電極とを、備えており、
前記ｐＭＯＳトランジスタ形成領域の前記絶縁膜の少なくとも一部には、少なくとも窒素とハロゲン元素が含まれており、そして、前記ｐＭＯＳトランジスタ形成領域にはハロゲン元素が含まれており、
前記ｎＭＯＳトランジスタ形成領域内のハロゲン元素の濃度は、前記ｐＭＯＳトランジスタ形成領域内のハロゲン元素の濃度よりも低く、
前記半導体基板と前記絶縁膜との境界付近の前記ハロゲン元素の濃度は、前記ゲート電極と前記高誘電率膜との境界付近の前記ハロゲン元素の濃度よりも、高い、
ことを特徴とするＣＭＯＳ型半導体装置。
【請求項１０】
前記ｎＭＯＳトランジスタ形成領域の前記半導体基板上に形成される、ゲート絶縁膜を、さらに備えており、
前記ゲート絶縁膜の少なくとも一部には、ハロゲン元素が含まれていない、
ことを特徴とする請求項８または請求項９に記載のＣＭＯＳ型半導体装置。
【請求項１１】
前記ハロゲン元素は、
フッ素である、
ことを特徴とする請求項８または請求項９に記載のＣＭＯＳ型半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記の目的を達成するために、本発明に係る請求項１に記載のＣＭＯＳ型半導体装置の製造方法は、（ａ）ｐＭＯＳトランジスタ形成領域、およびｎＭＯＳトランジスタ形成領域とを有する半導体基板を用意する工程と、（ｂ）前記ｐＭＯＳトランジスタ形成領域のすべてもしくは一部領域の半導体基板に対して、ハロゲン元素を導入する工程と、（ｃ）前記工程（ｂ）の後に、前記ｐＭＯＳトランジスタ形成領域の半導体基板上に、第一のゲート絶縁膜を形成する工程と、（ｄ）前記第一のゲート絶縁膜に対して、窒素を導入する工程とを、備えており、前記ｎＭＯＳトランジスタ形成領域内のハロゲン元素の濃度は、前記ｐＭＯＳトランジスタ形成領域内のハロゲン元素の濃度よりも低い。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、請求項８に記載のＣＭＯＳ型半導体装置は、ｐＭＯＳトランジスタ形成領域、およびｎＭＯＳトランジスタ形成領域とを有する半導体基板と、前記ｐＭＯＳトランジスタ形成領域の前記半導体基板上に形成される、第一のゲート絶縁膜と、前記第一のゲート絶縁膜上に形成される、ゲート電極とを、備えており、前記ｐＭＯＳトランジスタ形成領域の前記第一のゲート絶縁膜の少なくとも一部には、少なくとも窒素とハロゲン元素が含まれており、そして、前記ｐＭＯＳトランジスタ形成領域にはハロゲン元素が含まれており、前記ｎＭＯＳトランジスタ形成領域内のハロゲン元素の濃度は、前記ｐＭＯＳトランジスタ形成領域内のハロゲン元素の濃度よりも低く、前記半導体基板と前記第一のゲート絶縁膜との境界付近の前記ハロゲン元素の濃度は、前記第一のゲート絶縁膜と前記ゲート電極との境界付近の前記ハロゲン元素の濃度よりも、高い。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、請求項９に記載のＣＭＯＳ型半導体装置は、ｐＭＯＳトランジスタ形成領域、およびｎＭＯＳトランジスタ形成領域とを有する半導体基板と、前記ｐＭＯＳトランジスタ形成領域の前記半導体基板上に形成される、絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成される、金属酸化物を含む高誘電率膜と、前記高誘電率膜上に形成される、ゲート電極とを、備えており、前記ｐＭＯＳトランジスタ形成領域の前記絶縁膜の少なくとも一部には、少なくとも窒素とハロゲン元素が含まれており、そして、前記ｐＭＯＳトランジスタ形成領域にはハロゲン元素が含まれており、前記ｎＭＯＳトランジスタ形成領域内のハロゲン元素の濃度は、前記ｐＭＯＳトランジスタ形成領域内のハロゲン元素の濃度よりも低く、前記半導体基板と前記絶縁膜との境界付近の前記ハロゲン元素の濃度は、前記ゲート電極と前記高誘電率膜との境界付近の前記ハロゲン元素の濃度よりも、高い。