(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークを洗浄するための洗浄液が貯留された洗浄槽と、
ワークを粗濯ぎするための水が貯留された粗濯ぎ槽と、
ワークを仕上げ濯ぎするための水が貯留された仕上げ濯ぎ槽と、
前記粗濯ぎ槽から出されたワークを前記仕上げ濯ぎ槽に移す前にワークに水を吹き付けてシャワー濯ぎを行うとともに、シャワー濯ぎに用いた水が前記粗濯ぎ槽で受けられるように配置されたシャワー装置と、
前記粗濯ぎ槽との間でワークの粗濯ぎに用いる水が循環する粗濯ぎ液予備槽と、
前記粗濯ぎ液予備槽内の水の汚染度合いを監視する監視装置と、
前記洗浄槽から排出された使用済みの洗浄液を貯留するとともに、前記粗濯ぎ液予備槽から排出された水が導入される産業廃棄水ユニットと、
前記仕上げ濯ぎ槽から排出された水を処理する排水処理施設と、を備えたことを特徴とする洗浄装置。
【請求項２】
ワークを洗浄するための洗浄液が貯留された洗浄槽と、
ワークを粗濯ぎするための水が貯留された粗濯ぎ槽と、
ワークを仕上げ濯ぎするための水が貯留された仕上げ濯ぎ槽と、
前記洗浄槽から出されたワークを前記粗濯ぎ槽に移す前にワークに水を吹き付けてシャワー濯ぎを行うシャワー装置と、
前記粗濯ぎ槽との間でワークの粗濯ぎに用いる水が循環する粗濯ぎ液予備槽と、
前記粗濯ぎ液予備槽内の水の汚染度合いを監視する監視装置と、
前記洗浄槽から排出された使用済みの洗浄液を貯留するとともに、前記シャワー装置から排出された水および前記粗濯ぎ液予備槽から排出された水が導入される産業廃棄水ユニットと、
前記仕上げ濯ぎ槽から排出された水を処理する排水処理施設と、を備えたことを特徴とする洗浄装置。
【請求項３】
前記洗浄槽が前段、中段、後段の３つの洗浄槽を有し、
前段の洗浄槽が排水経路を介して前記産業廃棄水ユニットに接続され、
中段の洗浄槽および後段の洗浄槽には、それぞれ前記洗浄槽との間で洗浄液が循環する予備槽が設けられ、前記予備槽が排水経路を介して前記産業廃棄水ユニットに接続されていることを特徴とする請求項１または２に記載の洗浄装置。
【請求項４】
前記仕上げ濯ぎ槽が前段、中段、後段の３つの仕上げ濯ぎ槽を有し、
中段の仕上げ濯ぎ槽および後段の仕上げ濯ぎ槽には、それぞれ前記仕上げ濯ぎ槽との間で水が循環する予備槽が設けられ、前記予備槽、前段の仕上げ濯ぎ槽および前記シャワー装置に対して純水が供給されることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の洗浄装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか一項に記載の洗浄装置を用いてワークの洗浄を行うことを特徴とする洗浄方法。
【請求項６】
請求項５に記載の洗浄方法を用いて、基板によって電気光学物質が保持される電気光学装置を製造する際の仕掛途中品を前記ワークとして洗浄することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の電気光学装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項７に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、洗浄方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器、および洗浄装置に関するものである。さらに詳しくは、洗浄に用いた水に対する処理負荷を軽減するための技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話機、携帯型コンピュータ、ビデオカメラ等といった電子機器の表示部として、液晶装置などの電気光学装置が広く用いられている。この液晶装置を製造するにあたっては、例えば、ガラス基板などといった一対の大型基板の各々に半導体プロセスを利用して電極パターンなどを形成した後、当該一対の大型基板を貼り合せて空の大型パネル構造体とする。次に、この大型パネル構造体を短冊状のパネル構造体に切断して注入口を開口させ、この注入口から液晶を注入した後、注入口を封止する。次に、短冊状のパネル構造体を単品の液晶装置サイズに切断する。
【０００３】
ここで、基板にガラス粉や液晶などの異物が付着していると、液晶装置の品質や信頼性が低下してしまう。そこで、液晶装置の製造工程では、所定のタイミングで洗浄が行われている。
【０００４】
このような洗浄を行うにあたって、従来は、図１２に示す洗浄装置が用いられている。ここに示す洗浄装置は、液晶装置を製造する際の仕掛途中品をワークとして洗浄するための洗浄液が貯留された洗浄槽５１５と、ワークを粗濯ぎするための水が貯留された粗濯ぎ槽５６０と、ワークを仕上げ濯ぎするための水が貯留された３つの仕上げ濯ぎ槽５７０、５８０、５９０とを有しており、洗浄槽５１５においてワークを超音波洗浄した後、粗濯ぎ槽５６０で粗濯ぎを行い、しかる後に、仕上げ濯ぎを行う。この仕上げ濯ぎでは、前段の仕上げ濯ぎ槽５７０で超音波洗浄が行われた後、中段および後段の仕上げ濯ぎ槽５８０、５９０では浸漬洗浄が行われる。
【０００５】
ここで、洗浄槽５１５では、洗浄液がフィルタ装置（図示せず）で汚染度合いが所定のレベル以下に維持されている。粗濯ぎ槽５６０の水は、洗浄液で汚れているので、使用済みの洗浄液とともに産業廃棄物として処理されている。また、仕上げ濯ぎ槽５７０、５８０、５９０では、後段から前段へ水がオーバーフローにより供給され、前段の仕上げ濯ぎ槽５７０で使用された水は、排水処理施設に送られた後、一般排水として処理される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
従来の洗浄装置において、粗濯ぎを行ったワークを仕上げ濯ぎ槽５７０に移す際、ワークには粗濯ぎに用いた水が大量に付着しており、この水は洗浄液でかなり汚染されている。このため、従来の洗浄装置では、仕上げ濯ぎ槽５７０に洗浄液が大量に持ち込まれるので、排水処理施設での負荷が大きいという問題点がある。
【０００７】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、排水処理施設での負荷を軽減することのできる洗浄方法、および洗浄装置を提供することにある。また、本発明の課題は、このような洗浄方法および洗浄装置を用いた電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の第１の形態では、ワークを洗浄液で洗浄する洗浄工程と、ワークを粗濯ぎ槽内の水中に浸漬する粗濯ぎ工程と、次にワークを仕上げ濯ぎ槽内の水中に浸漬する仕上げ濯ぎ工程とを有する洗浄方法において、前記粗濯ぎ工程を行った後、前記仕上げ濯ぎ工程を行う前にワークに水を吹き付けるシャワー濯ぎ工程を行うことを特徴とする。
【０００９】
このような洗浄方法を実施するにあたって、本発明の第１の形態では、ワークを洗浄するための洗浄液が貯留された洗浄槽と、ワークを粗濯ぎするための水が貯留された粗濯ぎ槽と、ワークを仕上げ濯ぎするための水が貯留された仕上げ濯ぎ槽とを有する洗浄装置において、前記粗濯ぎ槽から出されたワークを前記仕上げ濯ぎ槽に移す前にワークに水を吹き付けてシャワー濯ぎを行うシャワー装置を有することを特徴とする。
【００１０】
本発明では、粗濯ぎを行ったワークを仕上げ濯ぎ槽に移す際、シャワー濯ぎを行うので、ワークは、粗濯ぎに用いた水がシャワー濯ぎで洗い落とされてから仕上げ濯ぎ槽に移される。このため、粗濯ぎに用いた水が仕上げ濯ぎ槽に持ち込まれないので、仕上げ濯ぎ槽では、洗浄液の濃度を低い状態に維持できる。従って、仕上げ濯ぎに用いた水は所定のＢＯＤ、ＣＯＤ排水基準以下なのでそのまま排出できる。また、排水処理施設で処理して一般排水として排出する場合でも、排水処理施設の負荷が小さいので、小規模の排水処理施設で対応することができる。
【００１１】
本発明において、前記シャワー濯ぎ工程で用いた水を前記粗濯ぎ槽で受けることが好ましい。このように構成すると、洗浄装置の構成を簡略化できるとともに、水の使用量を削減できる。また、シャワー濯ぎで用いた水は、少なくとも粗濯ぎ槽で用いる水よりも洗浄液の濃度が低いので、シャワー濯ぎで用いた水を粗濯ぎ槽で用いても支障がない。
【００１２】
本発明において、前記粗濯ぎ槽内の水については汚れを監視しながら粗濯ぎ液予備槽との間で循環して用いるとともに、汚染が所定レベルに達したときには産業廃棄物として処理することが好ましい。すなわち、本発明に係る洗浄装置には、前記粗濯ぎ槽との間で水が循環する粗濯ぎ液予備槽と、該粗濯ぎ液予備槽内の水の汚染度合いを監視する監視装置と、汚染が所定レベルに達したときに前記粗濯ぎ液予備槽内の水を産業廃棄物として処理するための排水経路とを設けることが好ましい。シャワー濯ぎで用いた水、および粗濯ぎ槽で用いた水は、いずれも洗浄液の濃度が高いので、排水処理施設で処理すると負荷が著しく高くなる。従って、シャワー濯ぎで用いた水、および粗濯ぎ槽で用いた水は、産業廃棄物として処理した方が処理コストが低く済む。
【００１３】
また、本発明の第２の形態では、ワークを洗浄液で洗浄する洗浄工程と、ワークを粗濯ぎ槽内の水中に浸漬する粗濯ぎ工程と、次にワークを仕上げ濯ぎ槽内の水中に浸漬する仕上げ濯ぎ工程とを有する洗浄方法において、前記洗浄工程を行った後、前記粗濯ぎ工程を行う前にワークに水を吹き付けるシャワー濯ぎ工程を行うことを特徴とする。
【００１４】
このような洗浄方法を実施するにあたって、本発明の第２の形態では、ワークを洗浄するための洗浄液が貯留された洗浄槽と、ワークを粗濯ぎするための水が貯留された粗濯ぎ槽と、ワークを仕上げ濯ぎするための水が貯留された仕上げ濯ぎ槽とを有する洗浄装置において、前記洗浄槽から出されたワークを前記粗濯ぎ槽に移す前にワークに水を吹き付けてシャワー濯ぎを行うシャワー装置を有することを特徴とする。
【００１５】
本発明では、洗浄を行ったワークを粗濯ぎ槽に移す際、シャワー濯ぎを行うので、ワークは、洗浄液シャワー濯ぎで洗い落とされてから粗濯ぎ槽に移される。このため、洗浄液が粗濯ぎ槽に大量に持ち込まれないので、粗濯ぎ槽では、洗浄液の濃度を低い状態に維持できる。従って、粗濯ぎを行ったワークを仕上げ濯ぎ槽に移す際、粗濯ぎに用いた水が仕上げ濯ぎ槽に持ち込まれたとしても、仕上げ濯ぎ槽では、洗浄液の濃度を低い状態に維持できる。それ故、仕上げ濯ぎに用いた水は所定のＢＯＤ、ＣＯＤ排水基準以下なのでそのまま排出できる。また、仕上げ濯ぎに用いた水を排水処理施設で処理して一般排水として排出する場合でも、排水処理施設の負荷が小さいので、小規模の排水処理施設で対応することができる。
【００１６】
この場合、前記シャワー濯ぎ工程で用いた水と、前記粗濯ぎ工程で用いた水とを別系統で扱うことが好ましい。すなわち、前記シャワー装置がワークに吹き付けた水を産業廃棄物として処理するための第１の排水経路を設けることが好ましい。シャワー濯ぎで用いた水は、粗濯ぎ槽で用いる水と比較して洗浄液の濃度が高いので、シャワー濯ぎで用いた水については、そのまま産業廃棄物として処理することが好ましい。
【００１７】
本発明の第２の形態では、前記シャワー濯ぎ工程で用いた水についてはそのまま産業廃棄物とする一方、前記粗濯ぎ槽内の水については汚れを監視しながら粗濯ぎ液予備槽との間で循環して用い、汚染が所定レベルに達したときには産業廃棄物とすることが好ましい。すなわち、前記粗濯ぎ槽との間で水が循環する粗濯ぎ液予備槽と、該粗濯ぎ液予備槽内の水の汚染度合いを監視する定量値測定できる糖度計、ＰＨ測定機、比抵抗計の監視装置と、汚染が所定レベルに達したときに前記粗濯ぎ液予備槽の水を産業廃棄物として処理するための第２の排水経路とを有することが好ましい。粗濯ぎで用いた水は、シャワー濯ぎで用いた水よりも洗浄液の濃度は低いが、それでも仕上げ濯ぎで用いた水よりも洗浄液の濃度が高いので、排水処理施設で処理すると負荷が著しく高くなる。従って、シャワー濯ぎで用いた水、および粗濯ぎ槽で用いた水は、産業廃棄物として処理した方が処理コストが低く済む。
【００１８】
本発明の第１の形態、および第２の形態のいずれにおいても、前記仕上げ濯ぎ工程で用いた水については排水処理施設で処理した後、排水することが好ましい。すなわち、本発明では、前記仕上げ濯ぎ槽で用いた水を排水処理施設に送る第３の排水経路を有することが好ましい。本発明によれば、仕上げ濯ぎに用いた水は、洗浄液の濃度が低い。従って、仕上げ濯ぎに用いた水は所定のＢＯＤ、ＣＯＤ排水基準以下なのでそのまま排出できる。また、排水処理施設で処理するとしても負荷が低いので、小規模の排水処理施設で対応することができる。
【００１９】
本発明に係る洗浄方法は、例えば、基板によって電気光学物質が保持される電気光学装置を製造する際の仕掛途中品を前記ワークとして洗浄する工程で行われる。ここで、前記電気光学物質は、例えば、液晶である。このような電気光学装置は、例えば、携帯電話機、モバイルコンピュータなどといった電子機器に用いられる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下に実施形態を説明するにあたっては、各種の電気光学装置のうち、パッシブマトリクス方式の液晶装置の製造工程に本発明を適用した例に説明する。
【００２１】
［実施の形態１］
（電気光学装置の構成）
図１および図２はそれぞれ、本発明を適用した電気光学装置としての液晶装置の斜視図、および分解斜視図である。図３は、本発明を適用した液晶装置を図１のＩ−Ｉ′線で切断したときのＩ′側の端部の断面図である。なお、図１および図２には、電極パターンおよび端子などを模式的に示してあるだけであり、実際の液晶装置では、より多数の電極パターンや端子が形成されている。
【００２２】
図１および図２において、本形態の液晶装置１は、携帯電話などの電子機器に搭載されているパッシブマトリクスタイプの液晶表示装置である。この液晶装置１に用いたパネル１′において、所定の間隙を介してシール材３０によって貼り合わされた矩形の無アルカリガラス、耐熱ガラス、石英ガラスなどのガラス基板からなる一対の基板１０、２０間には、シール材３０によって液晶封入領域３５が区画されているとともに、この液晶封入領域３５内に電気光学物質としての液晶３６が封入されている。
【００２３】
ここで、シール材３０は、基板間に液晶３６を注入するための注入口３２として一部が途切れているが、この注入口３２は、基板間に液晶３６を注入した後、塗布、硬化された封止材３１で塞がれている。
【００２４】
ここに示す液晶装置１は透過型の例であり、第２の基板２０の外側表面に偏光板６１が貼られ、第１の基板１０の外側表面にも偏光板６２が貼られている。また、第２の基板２０の外側にはバックライト装置９が配置されている。
【００２５】
第１の基板１０には、図３に示すように、第１の電極パターン４０と第２の電極パターン５０との交点に相当する領域に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂが形成され、これらのカラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂの表面側に絶縁性の平坦化膜１３、第１の電極パターン４０および配向膜１２がこの順に形成されている。また、各カラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂの境界部分には、各カラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂの下層側に遮光膜１６が形成されている。これに対して、第２の基板２０には、第２の電極パターン５０、オーバーコート膜２９、および配向膜２２がこの順に形成されている。
【００２６】
本形態の液晶装置１において、第１の電極パターン４０および第２の電極パターン５０はいずれも、ＩＴＯ膜（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）に代表される透明導電膜によって形成されている。なお、第２の電極パターン５０の下に絶縁膜を介してパターニングされたアルミニウム等の膜を薄く形成すれば、半透過・半反射型の液晶装置を構成できる。さらに、偏向板６１に半透過反射板をラミネートすることでも半透過・半反射型の液晶装置１を構成できる。さらにまた、第２の電極パターン５０の下に反射性の膜を配置すれば、反射型の液晶装置を構成でき、この場合には、第２の基板２０の裏面側からバックライト装置９を省略すればよい。
【００２７】
（電極パターンおよび端子の構成）
再び図１および図２において、本形態の液晶装置１では、外部からの信号入力および基板間の導通のいずれを行うにも、第１の基板１０および第２の基板２０の同一方向に位置する各基板辺１０１、２０１付近に形成されている第１の端子形成領域１１および第２の端子形成領域２１が用いられる。従って、第２の基板２０としては、第１の基板１０よりも大きな基板が用いられ、第１の基板１０と第２の基板２０とを貼り合わせたときに第１の基板１０の基板辺１０１から第２の基板２０が張り出す部分２５を利用して、駆動用ＩＣ７００をＣＯＦ実装したフレキシブル基板９０の接続などが行われる。
【００２８】
第１の基板１０において、第１の端子形成領域１１は第１の基板１０の基板辺１０１の中央部分に沿って形成され、この第１の端子形成領域１１では、基板辺１０１に沿って複数の第１の基板間導通用端子６０が所定の間隔をもって並んでいる。また、第１の基板１０では、第１の基板間導通用端子６０から対向する基板辺１０２に向かって複数列の液晶駆動用の第１の電極パターン４０が両側に斜めに延びた後、液晶封入領域３５内で基板辺１０１、１０２に直交する方向に延びている。
【００２９】
第２の基板２０において、第２の端子形成領域２１も基板辺２０１に沿って形成され、第２の端子形成領域２１には、その中央領域で基板辺２０１に沿って所定の間隔をもって並ぶ複数の第１の外部入力用端子８１、およびこれらの第１の外部入力用端子８１が形成されている領域の両側２箇所で基板辺２０１に沿って所定の間隔をもって並ぶ複数の第２の外部入力用端子８２が形成されている。ここで、第１の外部入力用端子８１からは、第１の基板１０と第２の基板２０とを貼り合わせたときに第１の基板間導通用端子６０と重なる複数の第２の基板間導通用端子７０が基板辺２０２に向かって直線的に延びている。これに対して、第２の外部入力用端子８２からは、第１の基板１０と第２の基板２０とを貼り合わせたときに第１の電極パターン４０の形成領域の両側に相当する領域を回り込むように複数列の液晶駆動用の第２の電極パターン５０が形成され、これらの第２の電極パターン５０は、液晶封入領域３５内において第１の電極パターン４０と交差するように延びている。
【００３０】
従って、第１の基板１０と第２の基板２０とをシール材３０を介して貼り合わせる際に、シール材３０にギャップ材および導通材を配合しておくとともに、シール材３０を第１の基板間導通用端子６０および第２の基板間導通用端子７０が重なる領域にも形成しておくと、導電材は、第１の基板１０と第２の基板２０との間で押し潰された状態で第１の基板間導通用端子６０と第２の基板間導通用端子７０とを導通させる。また、この状態で、第１の電極パターン４０と第２の電極パターン５０との交差部分によって画素がマトリクス状に形成されるため、第２の基板２０の第２の端子形成領域２１の基板辺２０１側の端部に対してフレキシブル基板９０を異方性導電材などを用いて実装した後、このフレキシブル基板９０を介して第２の基板２０の第１の外部入力用端子８１および第２の外部入力用端子８２に信号入力すると、第２の基板２０に形成されている第２の電極パターン５０には第２の外部入力用端子８２を介して走査信号を直接、印加することができ、かつ、第１の基板１０に形成されている第１の電極パターン４０には、第１の外部入力用端子８１、第２の基板間導通用端子７０、導通材および第１の基板間導通用端子６０を介して画像データを信号入力することができる。よって、これらの画像データおよび走査信号によって、各画素５において第１の電極パターン４０と第２の電極パターン５０との間に位置する液晶の配向状態を制御することができるので、所定の画像を表示することができる。
【００３１】
（液晶装置１の製造方法）
図４、および図５（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ、液晶装置１の製造方法を示す工程図、およびこれらの各工程への仕掛途中品の様子を示す説明図である。
【００３２】
図４、および図５（Ａ）、（Ｂ）において、本形態の液晶装置１を製造するにあたって、第１の基板１０および第２の基板２０はいずれも、これらの基板１０、２０を各々、多数枚取りできる大型基板１００、２００の状態で、半導体プロセスを利用して電極パターン４０、５０などの形成工程が行われる。すなわち、第１の基板１０を多数枚取りできる大型基板１００の状態で、遮光膜１６の形成工程ＳＴ１１、カラーフィルタ７Ｒ、７Ｇ、７Ｂの形成工程ＳＴ２、平坦化膜１３の形成工程ＳＴ１３、電極パターン４０の形成工程ＳＴ１４、配向膜１２の形成・ラビング工程、シール材３０の塗布工程が行われる。
【００３３】
また、第２の基板２０を多数枚取りできる大型基板２００の状態で、電極パターン５０の形成工程ＳＴ２１、オーバコート膜２９の形成工程ＳＴ２２、配向膜２２の形成・ラビング工程ＳＴ２３、ギャップ材の散布工程ＳＴ２４が行われる。
【００３４】
そして、貼合せ工程ＳＴ３１において、図５（Ｃ）に示すように、大型基板１００、２００同士を貼り合せて、大型のパネル構造体３００を形成した後、１次ブレイク工程ＳＴ３２において、大型のパネル構造体３００を、図５（Ｄ）に示す短冊状のパネル構造体４００に切断して注入口３１を開口させる。次に、液晶封入・封止工程ＳＴ３３において、短冊状のパネル構造体４００の内部に液晶３６を注入した後、注入口３１を封止材３２で封止し、次に、１次ブレイク工程ＳＴ３４において、短冊状のパネル構造体４００を、図１に示すように、単品のパネル１′に切断し、しかる後、実装工程ＳＴ３５で、単品のパネル１′に対してフレキシブル基板９０を実装する。
【００３５】
（洗浄方法および洗浄装置
このような製造方法において、パネル１′にガラス粉や液晶などの異物が付着していると、液晶装置１の品質や信頼性が低下してしまう。そこで、液晶装置１の製造工程では、例えば、図４に示す１次ブレイク工程ＳＴ３２の後、液晶封入・封止工程ＳＴ３３の後、２次ブレイク工程ＳＴ３４の後など、所定のタイミングで洗浄工程が行われる。このような洗浄工程を、図６および図７を参照して説明する。
【００３６】
図６は、本発明が適用された洗浄方法および洗浄装置で用いられるカセットおよび洗浄かごの説明図である。図７は、本発明の実施の形態１に係る洗浄装置の構成図である。
【００３７】
本形態では、例えば、図６に示すように、パネル１′などのワークＷをカセット６８０に収容し、この状態で、複数のカセット６８０を洗浄かご６８５に搭載して、図７に示す洗浄装置５１０で洗浄を行う。
【００３８】
図７において、洗浄装置５０１は、液晶装置１を製造する際の仕掛途中品をワークＷとして洗浄するための洗浄液が貯留された３つの洗浄槽５１０、５２０、５３０と、ワークＷを粗濯ぎするための水が貯留された１つの粗濯ぎ槽５６０と、ワークＷを仕上げ濯ぎするための水が貯留された３つの仕上げ濯ぎ槽５７０、５８０、５９０とを有している。本形態において、洗浄液は、水で濯ぐことができるものならその種類を問わないが、本形態では、ポリオキシアルキレンアルキル（フェニル）エーテルなどの非イオン系界面活性剤と、ジオクチルスルホコハク酸塩などのイオン系界面活性剤とをそのまま、あるは、水やアルコールに溶解したものが用いられている。
【００３９】
３つの洗浄槽５１０、５２０、５３０のうち、前段の洗浄槽５１０は、予備洗浄用であり、この洗浄槽５１０において、ワークＷは、複数回、浸漬、引き上げが繰り返された後、中段の洗浄槽５２０で超音波洗浄され、しかる後、後段の洗浄槽５３０で再度、超音波洗浄される。
【００４０】
ここで、前段の洗浄槽５１０は、排水経路５１１を介して産業廃棄水ユニット６１０に接続されている。また、中段の洗浄槽５２０、および後段の洗浄槽５３０のいずれに対しても、予備槽５２２、５３２が形成され、中段の洗浄槽５２０、および後段の洗浄槽５３０の洗浄液は、給排水経路および循環ポンプなどを備えた循環系５２１、５３１によって、予備槽５２２、５３２との間で濾過処理されながら循環し、洗浄に用いられる。また、２つの予備槽５２２、５３２は、いずれも排水経路５２３、５３３を介して産業廃水ユニット６１０に接続されている。このため、前段の洗浄槽５１０、および予備槽５２２、５３２から排出された使用済みの洗浄液は、産業廃棄ユニット６１０で一時貯留された後、産業廃棄物として処理される。
【００４１】
粗濯ぎ槽５６０に対しては予備槽５６２（粗濯ぎ液予備槽）が形成され、粗濯ぎ槽５６０の水は、給排水経路および循環ポンプなどを備えた循環系５６１によって、予備槽５６２との間で濾過されながら循環し、粗濯ぎに用いられる。この予備槽５６２は、排水経路５６３を介して産業廃水ユニット６１０に接続されている。なお、予備槽５６２は、排水経路５６４を介して排水処理施設６２０にも接続されているが、この排水経路５６４は、例えば、粗濯ぎ槽５６０や予備槽５６２を洗浄した時の排水を排水処理施設６２０に送るもので洗浄時には使用されない。
【００４２】
さらに、粗濯ぎ槽５６０に対する予備槽５６２には、ここに貯留されている水の汚れを監視する比抵抗計や糖度計などの監視装置５６５が配置され、汚染が所定レベルに達したときには、予備槽５６２内の水は、排水経路５６３を介して産業廃棄ユニット６１０に自動的に送られる。
【００４３】
３つの仕上げ濯ぎ槽５７０、５８０、５９０のうち、前段および中段の仕上げ濯ぎ槽５７０、５８０では、ワークＷに対して純水による超音波洗浄が行われ、後段の仕上げ濯ぎ槽５９０では、純水による浸漬洗浄が行われる。
【００４４】
中段の仕上げ濯ぎ槽５８０、および後段の仕上げ濯ぎ槽５９０のいずれに対しても予備槽５８２、５９２が形成され、中段の仕上げ濯ぎ槽５８０、および後段の仕上げ濯ぎ槽５９０の水は、給排水経路および循環ポンプなどを備えた循環系５８１、５９１によって、予備槽５８２、５９２との間で濾過されながら循環し、仕上げ濯ぎに用いられる。また、中段の仕上げ濯ぎ槽５８０、および後段の仕上げ濯ぎ槽５９０に対する予備槽５８２、５９２には、純水供給経路５９５から純水が供給され、ここから中段の仕上げ濯ぎ槽５８０、および後段の仕上げ濯ぎ槽５９０に水が供給される。また、予備槽５８２から前段の仕上げ濯ぎ槽５７０にも水が供給される。
【００４５】
前段の仕上げ濯ぎ槽５７０は、排水経路５７１を介して排水処理施設６２０に接続され、前段の仕上げ濯ぎ槽５７０から排出された水は、排水処理施設６２０でＢＯＤやＣＯＤなどが所定のレベル以下になるまで処理された後、一般排水として排出される。
【００４６】
このように構成した洗浄装置５０１では、３つの洗浄槽５１０、５２０、５３０でワークＷを洗浄した後（洗浄工程）、ワークＷを粗濯ぎ槽５６０内に浸漬して粗濯ぎを行い（粗濯ぎ工程）、次にワークＷを３つの仕上げ濯ぎ槽５７０、５８０、５９０内に順次、浸漬した後（仕上げ濯ぎ工程）、乾燥工程が行われる。従って、ガラス粉や液晶などの異物が付着していないパネル１′で液晶装置１を製造できるので、液晶装置１の品質や信頼性が高い。但し、このままでは、粗濯ぎ槽５６０から、汚染された水が前段の仕上げ濯ぎ槽５７０に大量に持ち込まれてしまう。
【００４７】
そこで、本形態では、粗濯ぎ槽５６０の上方位置には、粗濯ぎ槽５６０から出されたワークＷを仕上げ濯ぎ槽５７０に移す前にワークＷに純水を吹き付けてシャワー濯ぎ工程を行うためのシャワー装置５４０が配置されている。ここで、仕上げ濯ぎ槽５６０の上方位置は、周りがカバー５４１で囲まれているので、シャワー濯ぎを行った水は周囲に飛び散らない。また、シャワー濯ぎに用いた水は、そのまま、粗濯ぎ槽５６０で受けられる。なお、シャワー装置５４０には、純水供給経路５４５を介して純水が供給される。この純水供給経路５４５は、途中で前段の仕上げ濯ぎ槽５７０に純水を供給する経路５７５に分岐している。
【００４８】
このように構成した洗浄装置５０１では、粗濯ぎ槽５６０で粗濯ぎを行ったワークＷを仕上げ濯ぎ槽５７０に移す際、シャワー装置５４０によってシャワー濯ぎを行う。従って、ワークＷは、粗濯ぎに用いた水がシャワー濯ぎで洗い落とされてから仕上げ濯ぎ槽５７０に移されることになる。このため、粗濯ぎに用いた水が仕上げ濯ぎ槽５７０に持ち込まれないので、仕上げ濯ぎ槽５７０では、洗浄液の濃度を低い状態に維持できる。例えば、シャワー濯ぎを行わない場合と比較して、排水処理施設６２０に送られる水の洗浄液の濃度を１／１０にまで低下することができる。それ故、仕上げ濯ぎに用いた水を排水処理施設６２０で処理して一般排水として排出する場合でも、排水処理施設６２０の負荷が小さいので、小規模の排水処理施設６２０で対応することができる。
【００４９】
また、シャワー濯ぎ工程で用いた水を粗濯ぎ槽５６０で受けるため、洗浄装置５０１の構成を簡略化できるとともに、水の使用量を削減できる。この際、シャワー濯ぎで用いた水は、少なくとも粗濯ぎ槽５６０で用いる水よりも洗浄液の濃度が低いので、シャワー濯ぎで用いた水を粗濯ぎ槽５６０で受けても支障がない。
【００５０】
さらに、シャワー濯ぎで用いた水、および粗濯ぎ槽５６０で用いた水は、いずれも洗浄液の濃度が高いので、排水処理施設６２０で処理すると負荷が著しく高くなるが、本形態では、シャワー濯ぎで用いた水、および粗濯ぎ槽５６０で用いた水は、産業廃棄物として処理するので、処理コストが低く済む。
【００５１】
［実施の形態２］
図８は、本発明の実施の形態２に係る洗浄装置の構成図である。
【００５２】
図８に示すように、本形態の洗浄装置５０２も、実施の形態１と同様、液晶装置１を製造する際の仕掛途中品をワークＷとして洗浄するための洗浄液が貯留された３つの洗浄槽５１０、５２０、５３０と、ワークＷを粗濯ぎするための水が貯留された１つの粗濯ぎ槽５６０と、ワークＷを仕上げ濯ぎするための水が貯留された３つの仕上げ濯ぎ槽５７０、５８０、５９０とを有している。本形態において、洗浄液は、水で濯ぐことができるものならその種類を問わないが、本形態では、ポリオキシアルキレンアルキル（フェニル）エーテルなどの非イオン系界面活性剤と、ジオクチルスルホコハク酸塩などのイオン系界面活性剤とをそのまま、あるいは、水やアルコールに溶解したものが用いられている。
【００５３】
粗濯ぎ槽５６０に対しては予備槽５６２が形成され、粗濯ぎ槽５６０の水は、給排水経路および循環ポンプなどを備えた循環系５６１によって、予備槽５６２（粗濯ぎ液予備槽）との間で濾過されながら循環し、粗濯ぎに用いられる。この予備槽５６２は、排水経路５６３を介して産業廃水ユニット６１０に接続されている。
【００５４】
粗濯ぎ槽５６０に対する予備槽５６２には、ここに貯留されている水の汚れを監視する比抵抗計や糖度計などの監視装置５６５が配置され、汚染が所定レベルに達したときには、予備槽５６２内の水は、排水経路５６３を介して産業廃棄ユニット６１０に自動的に送られる。
【００５５】
また、前段の仕上げ濯ぎ槽５７０は、排水経路５７１を介して排水処理施設６２０に接続され、前段の仕上げ濯ぎ槽５７０から排出された水は、排水処理施設６２０でＢＯＤやＣＯＤなどが所定のレベル以下になるまで処理された後、一般排水として排出される。
【００５６】
本形態の洗浄装置５０２でも、３つの洗浄槽５１０、５２０、５３０でワークＷを洗浄した後（洗浄工程）、ワークＷを粗濯ぎ槽５６０内に浸漬して粗濯ぎを行い（粗濯ぎ工程）、次にワークＷを３つの仕上げ濯ぎ槽５７０、５８０、５９０内に順次、浸漬した後（仕上げ濯ぎ工程）、乾燥工程が行われる。但し、このままでは、粗濯ぎ槽５６０から、汚染された水が前段の仕上げ濯ぎ槽５７０に大量に持ち込まれてしまう。
【００５７】
そこで、本形態では、粗濯ぎ槽５６０の近傍には、洗浄槽５３０から出されたワークＷを粗濯ぎ槽５６０に移す前にワークＷに純水を吹き付けてシャワー濯ぎ工程を行うためのシャワー装置５５０が配置されている。シャワー濯ぎを行うエリアの周りはカバー５５１で囲まれ、かつ、シャワー濯ぎに用いた水は、そのまま、受け槽５５２で受けられる。この受け槽５５２は、排水経路５５３を介して産業廃棄ユニット６１０に接続されている。
【００５８】
その他の構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する機能を有する部分には同一の符号を付して図示することにして、それらの説明を省略する。
【００５９】
このように構成した洗浄装置５０２では、洗浄を行ったワークＷを粗濯ぎ槽５６０に移す際、シャワー濯ぎを行うので、ワークＷは、シャワー濯ぎで洗い落とされてから粗濯ぎ槽５６０に移される。このため、洗浄液が粗濯ぎ槽５６０に大量に持ち込まれないので、粗濯ぎ槽５６０では、洗浄液の濃度を低い状態に維持できる。従って、粗濯ぎを行ったワークＷを仕上げ濯ぎ槽５７０に移す際、粗濯ぎに用いた水が仕上げ濯ぎ槽５７０に持ち込まれたとしても、仕上げ濯ぎ槽５７０では、洗浄液の濃度を低い状態に維持できる。例えば、シャワー濯ぎを行わない場合と比較して、排水処理施設６２０に送られる水の洗浄液の濃度を１／１０にまで低下することができる。それ故、仕上げ濯ぎに用いた水を排水処理施設６２０で処理して一般排水として排出する場合でも、排水処理施設６２０の負荷が小さいので、小規模の排水処理施設６２０で対応することができる。
【００６０】
また、本形態では、シャワー濯ぎで用いた水と、粗濯ぎで用いた水とを別系統で扱っている。すなわち、シャワー濯ぎで用いた水は、粗濯ぎ槽５６０で用いる水と比較して洗浄液の濃度が高いので、排水経路５５３を介して直接、産業廃棄水ユニット６１０に送るので、シャワー濯ぎで用いた水が粗濯ぎ槽５６０で用いる水を汚染することがない。
【００６１】
さらに、粗濯ぎで用いた水は、シャワー濯ぎで用いた水よりも洗浄液の濃度は低いが、仕上げ濯ぎで用いた水よりも洗浄液の濃度が高いので、排水処理施設６２０で処理すると負荷が著しく高くなる。しかるに本形態では、粗濯ぎ槽５６０で用いた水も、排水経路５６３を介して産業廃棄水ユニット６１０に送るので、処理コストが低く済む。
【００６２】
［その他の実施の形態］
上記の実施形態では、パッシブマトリクス型の液晶装置１の製造に本発明を適用した例を説明したが、能動素子としてＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置、あるいは能動素子として薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置等々、各種の電気光学装置の製造に本発明を適用してもよい。また、電気光学装置の製造に限らず、各種の製造現場において各種ワークの洗浄に本発明を適用してもよい。
【００６３】
［電子機器の実施形態］
図９は、本発明に係る電気光学装置（液晶装置１）を各種の電子機器の表示装置として用いる場合の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、表示情報出力源７０、表示情報処理回路７１、電源回路７２、タイミングジェネレータ７３、そして液晶装置７４を有する。また、液晶装置７４は、液晶表示パネル７５および駆動回路７６を有する。液晶装置７４および液晶パネル７５としては、前述した液晶装置１、および単品のパネル１′を用いることができる。
【００６４】
表示情報出力源７０は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）等といったメモリ、各種ディスク等といったストレージユニット、デジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ７３によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路７１に供給する。
【００６５】
表示情報処理回路７１は、シリアル−パラレル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路７６へ供給する。電源回路７２は、各構成要素に所定の電圧を供給する。
【００６６】
図１０は、本発明に係る電子機器の一実施形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示している。ここに示すパーソナルコンピュータ８０は、キーボード８６を備えた本体部８７と、液晶表示ユニット８８とを有する。液晶表示ユニット８８は、前述した液晶装置１を含んで構成される。
【００６７】
図１１は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機９０は、複数の操作ボタン９１と液晶装置１を有している。
【００６８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、粗濯ぎを行ったワークを仕上げ濯ぎ槽に移す際、シャワー濯ぎを行うので、ワークは、粗濯ぎに用いた水がシャワー濯ぎで洗い落とされてから仕上げ濯ぎ槽に移される。このため、粗濯ぎに用いた水が仕上げ濯ぎ槽に持ち込まれないので、仕上げ濯ぎ槽では、洗浄液の濃度を低い状態に維持できる。従って、仕上げ濯ぎに用いた水は所定のＢＯＤ、ＣＯＤ排水基準以下なので一般排水として排出できる。また、排水処理施設で処理して一般排水として排出する場合でも、排水処理施設の負荷が小さいので、小規模の排水処理施設で対応することができる。
【００６９】
また、本発明の別の形態では、洗浄を行ったワークを粗濯ぎ槽に移す際、シャワー濯ぎを行うので、ワークは、洗浄液シャワー濯ぎで洗い落とされてから粗濯ぎ槽に移される。このため、洗浄液が粗濯ぎ槽に大量に持ち込まれないので、粗濯ぎ槽では、洗浄液の濃度を低い状態に維持できる。従って、粗濯ぎを行ったワークを仕上げ濯ぎ槽に移す際、粗濯ぎに用いた水が仕上げ濯ぎ槽に持ち込まれたとしても、仕上げ濯ぎ槽では、洗浄液の濃度を低い状態に維持できる。それ故、仕上げ濯ぎに用いた水は所定のＢＯＤ、ＣＯＤ排水基準以下なので一般排水として排出できる。また、排水処理施設で処理して一般排水として排出する場合でも、排水処理施設の負荷が小さいので、小規模の排水処理施設で対応することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明が適用される液晶装置の斜視図である。
【図２】図１に示す液晶装置の分解斜視図である。
【図３】図１に示す液晶装置を図１のＩ−Ｉ′線で切断したときのＩ′側の端部の断面図である。
【図４】図１に示す液晶装置の製造方法を示す工程図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ、図１に係る液晶装置の製造工程の仕掛途中品の様子を示す説明図である。
【図６】本発明が適用された洗浄方法および洗浄装置で用いられるカセットおよび洗浄かごの説明図である。
【図７】本発明の実施の形態１に係る洗浄装置の構成図である。
【図８】本発明の実施の形態２に係る洗浄装置の構成図である。
【図９】本発明に係る液晶装置を用いた各種電子機器の構成を示すブロック図である。
【図１０】本発明に係る液晶装置を用いた電子機器の一実施形態としてのモバイル型のパーソナルコンピュータを示す説明図である。
【図１１】本発明に係る液晶装置を用いた電子機器の一実施形態としての携帯電話機の説明図である。
【図１２】従来の洗浄装置の構成図である。
【符号の説明】
１  液晶装置（電気光学装置）
１′  液晶パネル（ワーク／仕掛途中品）
１０  第１の基板
２０  第２の基板
３０  シール材
３２  注入口
３５  液晶封入領域
３６  液晶（電気光学物質）
４０  第１の電極パターン
５０  第２の電極パターン
１００、２００  大型基板（仕掛途中品）
４００  パネル構造体（ワーク／仕掛途中品）
５０１、５０２  洗浄装置
５１０、５２０、５３０  洗浄槽
５４０、５５０  シャワー装置
５４１、５５１  カバー
５４５  純水供給経路
５５２  受け槽
５５３  排水経路（第１の排水経路）
５６０  粗濯ぎ槽
５６１  循環系
５６２  予備槽（粗濯ぎ液予備槽）
５６３  排水経路（第２の排水経路）
５６５  監視装置
５７０、５８０、５９０  仕上げ濯ぎ槽
５７１  排水経路（第３の排水経路）
５８２、５９２  予備槽
５８１、５９１  循環系
５９５  純水供給経路
６１０  産業廃棄水ユニット
６２０  排水処理施設
６８０  カセット
６８５  洗浄かご
Ｗ  仕掛途中品（ワーク）
【図１】
0004042387.tif 000002
【図２】
0004042387.tif 000003
【図３】
0004042387.tif 000004
【図４】
0004042387.tif 000005
【図５】
0004042387.tif 000006
【図６】
0004042387.tif 000007
【図７】
0004042387.tif 000008
【図８】
0004042387.tif 000009
【図９】
0004042387.tif 000010
【図１０】
0004042387.tif 000011
【図１１】
0004042387.tif 000012
【図１２】
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