(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上に薄膜トランジスタを含むスイッチング素子およびこのスイッチング素子を経てそれぞれ制御される表示素子を有するＴＦＴアレイ基板と、対向基板の間に液晶を挟持してなる液晶表示装置の製造方法であって、
表面に疎水性膜が形成されたガラス基板を水平に保持し、低速回転させながら純水リンスを行う第１の工程、
上記純水リンス終了後に、上記ガラス基板を所定時間、低速回転させることにより、上記基板中央部に円形状の液切れ部を作る第２の工程、
上記ガラス基板を高速回転させ、上記基板上の純水を振り切り乾燥する第３の工程を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
第２の工程におけるガラス基板の回転数は約３００rpm以下であり、
第３の工程におけるガラス基板の回転数は約１０００〜２０００rpmであることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
第２の工程において、ガラス基板を５秒以上低速回転させ、液切れ部を十分に大きくすることを特徴とする請求項１または請求項２記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
第１の工程では、ガラス基板を約３００rpmで低速回転させ、第２の工程では、第１の工程での回転数を保持することを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか一項記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
第１の工程では、ガラス基板を約３００rpm以下で低速回転させ、第２の工程では、約１０〜２０rpm／ｓの低加速で約３００rpmにすることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか一項記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
第２の工程終了後、第３の工程に移行する際に、約１００rpm／ｓ以下の加速で高速回転にすることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
第２の工程において、液切れ部を形成後、ガラス基板中央部に斜め上方からスリット状またはスポット状ノズルより窒素ガスをブローすることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
第２の工程終了後、ガラス基板中央部に水滴が確認された場合には、第１の工程に戻り、再度純水リンスを行うことを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
ガラス基板は、その中央部を裏面側より支持され、上記基板中央部が外周部よりも若干高くなるように保持されていることを特徴とする請求項１〜請求項８のいずれか一項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
ガラス基板を偏心円状に回転させることを特徴とする請求項１〜請求項９のいずれか一項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
ガラス基板上に薄膜トランジスタを含むスイッチング素子およびこのスイッチング素子を経てそれぞれ制御される表示素子を有するＴＦＴアレイ基板と、対向基板の間に液晶を挟持してなる液晶表示装置の製造方法であって、
表面に疎水性膜が形成されたガラス基板を水平に保持し、低速回転させながらブラシ洗浄を行う第１の工程、
上記ガラス基板の中央部を裏面側より支持し、上記基板中央部が外周部よりも若干高くなるように保持しながら低速回転させ、メガソニック洗浄および純水リンスを行う第２の工程、
上記ガラス基板を約１０００〜２０００rpmで高速回転させ、上記基板上の純水を振り切り乾燥する第３の工程を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１２】
第２の工程終了後、ガラス基板中央部に水滴が確認された場合には、再度純水リンスを行うことを特徴とする請求項１１記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１３】
ガラス基板上に薄膜トランジスタを含むスイッチング素子およびこのスイッチング素子を経てそれぞれ制御される表示素子を有するＴＦＴアレイ基板と、対向基板の間に液晶を挟持してなる液晶表示装置の製造装置であって、
表面に疎水性膜が形成されたガラス基板を水平に保持し、鉛直軸回りに回転自在に支持するステージ、
上記ステージを回転駆動する回転駆動手段、
上記ガラス基板表面に純水リンスを行う純水供給装置、
上記純水リンス後の上記ガラス基板中央部の水滴の有無を確認するモニター装置、
上記モニター装置により上記ガラス基板中央部に水滴が確認された場合、再度純水リンスを行うように上記純水供給装置を制御する純水供給制御手段、
純水リンス時および純水リンス終了後の所定時間、上記ガラス基板を保持したステージを低速回転させ、上記モニター装置により上記ガラス基板中央部に水滴が確認されなかった場合、上記ステージを高速回転させるよう上記回転駆動手段を制御する回転制御手段を備えたことを特徴とする液晶表示装置の製造装置。
【請求項１４】
ガラス基板上に薄膜トランジスタを含むスイッチング素子およびこのスイッチング素子を経てそれぞれ制御される表示素子を有するＴＦＴアレイ基板と、対向基板の間に液晶を挟持してなる液晶表示装置の製造装置であって、
表面に疎水性膜が形成されたガラス基板を水平に保持し、鉛直軸回りに回転自在に支持するステージ、
上記ステージに設置され、上記ガラス基板中央部付近を裏面側から持ち上げる、高さ調節および水平移動が可能な基板支持部材、
上記ガラス基板の反りをモニターするモニター装置、
上記ガラス基板表面に純水リンスを行う純水供給装置、
上記ステージを回転駆動する回転駆動手段を備えたことを特徴とする液晶表示装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置の製造方法および製造装置に関し、特に、表面に疎水性膜が形成されたガラス基板の洗浄後の基板乾燥方法および装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置は、通常、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を含むスイッチング素子およびこのスイッチング素子を経てそれぞれ制御される表示素子を有するＴＦＴアレイ基板と、透明電極およびカラーフィルタ等を有し、ＴＦＴアレイ基板との間に液晶を挟持する対向電極基板より構成されている。このＴＦＴアレイ基板の製造方法を図１を流用して説明する。図において、１はガラス基板、２はゲート電極、３はゲート絶縁膜、４はｉ−ａ−Ｓｉ膜、５はｎ−ａ−Ｓｉ膜、６は画素電極、７はソース電極、８はドレイン電極、９はパッシベーション膜をそれぞれ示す。まず、ガラス基板１上にゲート電極２をＣｒ等で形成した後、ゲート絶縁膜３、ｉ−ａ−Ｓｉ膜４およびｎ−ａ−Ｓｉ膜５を形成し、ｉ−ａ−Ｓｉ膜４およびｎ−ａ−Ｓｉ膜５をアイランド状にパターニングする。次にＩＴＯ等の透明導電膜からなる画素電極６を成膜し、パターン形成する。さらに、ソース電極７およびドレイン電極８を形成し、これらをマスクとしてチャネル上の不要なｎ−ａ−Ｓｉ膜５をドライエッチング等で除去した後、パッシベーション膜９を形成して、ＴＦＴアレイ基板が完成する。
【０００３】
以上のようなＴＦＴアレイ基板の製造工程において、例えばｎ−ａ−Ｓｉ膜５をパターニングする前に行われる基板洗浄として、従来よりスクラブ洗浄が行われている。スクラブ洗浄は、基板を１枚ずつ処理する枚葉方式で、ブラシ洗浄、メガソニック洗浄、純水リンス、スピン乾燥等の処理を基板を回転させながら順次行うものである。図１２は、従来のスクラブ洗浄装置における基板乾燥方法を示す図、図１３は従来のスクラブ洗浄フローと基板回転数を示す図である。図において、１１は表面にｎ−ａ−Ｓｉ膜５等の疎水性膜が形成されたガラス基板、１２はガラス基板１１を水平に保持するステージ、１３はステージ１２を回転駆動する回転駆動機構、１４ｂは窒素ブローノズルを示す。従来のスクラブ洗浄における基板乾燥方法では、純水リンス終了後、ガラス基板１１中央部に遠心力が働かないため、基板１１中央部に垂直にかつスポット状に窒素ブローを行いながら、ガラス基板１１を同心円状に高速回転することで基板１１表面の水を振り切り乾燥していた。このとき、ガラス基板１１の回転数は、純水リンス終了後から高加速で、短時間に高速回転に達するように設定されていた。
【０００４】
また、特開平７−２９８６６号公報では、基板の上面中心部に向けて真上から気体を吹き付ける上側ブロー手段を設け、静止基板上に気体ブローを行い、基板の上面中心部に円形状の液切れ部をつくり、まずその部分を乾燥させた後、所定時間例えば１、２秒間低速で回転させ、基板上の液体の大半が除去された後に高速で回転させる回転式基板乾燥装置が提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
以上のような従来の基板乾燥方法では、ガラス基板１１表面がｎ−ａ−Ｓｉ膜５のような疎水性膜の場合、ガラス基板１１中央部の水が高速回転ではじき飛ばされ、小さな水滴となり、水滴の摩擦力が遠心力よりも大きくなるため除去不可能となり乾燥じみ（ウオーターマーク）が発生するという問題があった。このウオーターマークは、液晶表示装置の表示不良となり品質を低下させるため、その発生を防止する必要があった。また、特開平７−２９８６６号公報で提案されたような、基板中心部への真上からの気体ブローにより基板中心部に液切れ部をつくる方法では、液切れ部はスポット状にしか形成されず、その後の低速回転時間も１、２秒と短いため基板中心部の液切れが不十分なままで高速回転に入る可能性があり、ウオーターマークの発生が予想される。
【０００６】
本発明は、上記のような問題点を解消するためになされたもので、スクラブ洗浄等のウエット処理後の基板乾燥において乾燥じみの発生を防止し、表示品質に優れた液晶表示装置を高い良品率で得ることが可能な液晶表示装置の製造方法および製造装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明に係わる液晶表示装置の製造方法は、ガラス基板上に薄膜トランジスタを含むスイッチング素子およびこのスイッチング素子を経てそれぞれ制御される表示素子を有するＴＦＴアレイ基板と、対向基板の間に液晶を挟持してなる液晶表示装置の製造方法であって、表面に疎水性膜が形成されたガラス基板を水平に保持し、低速回転させながら純水リンスを行う第１の工程と、純水リンス終了後に、ガラス基板を所定時間、低速回転させることにより、基板中央部に円形状の液切れ部を作る第２の工程と、ガラス基板を高速回転させ、基板上の純水を振り切り乾燥する第３の工程を含んで製造するようにしたものである。
また、第２の工程におけるガラス基板の回転数は約３００rpm以下とし、第３の工程におけるガラス基板の回転数は約１０００〜２０００rpmとするものである。
また、第２の工程において、ガラス基板を５秒以上低速回転させ、液切れ部を十分に大きくするものである。
また、第１の工程では、ガラス基板を約３００rpmで低速回転させ、第２の工程では、第１の工程での回転数を保持するものである。
また、第１の工程では、ガラス基板を約３００rpm以下で低速回転させ、第２の工程では、約１０〜２０rpm／ｓの低加速で約３００rpmにするものである。
【０００８】
また、第２の工程終了後、第３の工程に移行する際に、約１００rpm／ｓ以下の加速で高速回転にするものである。
また、第２の工程において、液切れ部を形成後、ガラス基板中央部に斜め上方からスリット状またはスポット状ノズルより窒素ガスをブローするものである。
また、第２の工程終了後、ガラス基板中央部に水滴が確認された場合には、第１の工程に戻り、再度純水リンスを行うものである。
また、ガラス基板は、その中央部を裏面側より支持され、基板中央部が外周部よりも若干高くなるように保持されているものである。
さらに、ガラス基板を偏心円状に回転させるものである。
【０００９】
また、表面に疎水性膜が形成されたガラス基板を水平に保持し、低速回転させながらブラシ洗浄を行う第１の工程と、ガラス基板の中央部を裏面側より支持し、基板中央部が外周部よりも若干高くなるように保持しながら低速回転させ、メガソニック洗浄および純水リンスを行う第２の工程と、ガラス基板を約１０００〜２０００rpmで高速回転させ、基板上の純水を振り切り乾燥する第３の工程を含んで製造するようにしたものである。
さらに、第２の工程終了後、ガラス基板中央部に水滴が確認された場合には、再度純水リンスを行うものである。
【００１０】
また、本発明に係わる液晶表示装置の製造装置は、ガラス基板上に薄膜トランジスタを含むスイッチング素子およびこのスイッチング素子を経てそれぞれ制御される表示素子を有するＴＦＴアレイ基板と、対向基板の間に液晶を挟持してなる液晶表示装置の製造装置であって、表面に疎水性膜が形成されたガラス基板を水平に保持し、鉛直軸回りに回転自在に支持するステージと、ステージを回転駆動する回転駆動手段と、ガラス基板表面に純水リンスを行う純水供給装置と、純水リンス後のガラス基板中央部の水滴の有無を確認するモニター装置と、モニター装置によりガラス基板中央部に水滴が確認された場合、再度純水リンスを行うように純水供給装置を制御する純水供給制御手段と、純水リンス時および純水リンス終了後の所定時間、ガラス基板を保持したステージを低速回転させ、モニター装置によりガラス基板中央部に水滴が確認されなかった場合、ステージを高速回転させるよう回転駆動手段を制御する回転制御手段を備えたものである。
【００１１】
また、表面に疎水性膜が形成されたガラス基板を水平に保持し、鉛直軸回りに回転自在に支持するステージと、このステージに設置され、ガラス基板中央部付近を裏面側から持ち上げる、高さ調節および水平移動が可能な基板支持部材と、ガラス基板の反りをモニターするモニター装置と、ガラス基板表面に純水リンスを行う純水供給装置と、ステージを回転駆動する回転駆動手段を備えたものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
以下に、本発明の実施の形態を図について説明する。図１は、本実施の形態において製造される液晶表示装置を構成するＴＦＴアレイ基板を示す断面図である。図において、１はガラス基板、２はゲート電極、３はゲート絶縁膜、４はｉ−ａ−Ｓｉ膜、５はｎ−ａ−Ｓｉ膜、６は画素電極、７はソース電極、８はドレイン電極、９はパッシベーション膜をそれぞれ示す。液晶表示装置は、通常、ガラス基板１上に薄膜トランジスタを含むスイッチング素子およびこのスイッチング素子を経てそれぞれ制御される表示素子を有するＴＦＴアレイ基板と、透明電極およびカラーフィルタ等を有し、ＴＦＴアレイ基板との間に液晶を挟持する対向電極基板より構成されている。
【００１３】
以下にＴＦＴアレイ基板の製造工程を説明する。まず、ガラス基板１上にゲート電極２をＣｒ等で形成した後、ゲート絶縁膜３、ｉ−ａ−Ｓｉ膜４およびｎ−ａ−Ｓｉ膜５を成膜し、ｉ−ａ−Ｓｉ膜４およびｎ−ａ−Ｓｉ膜５をアイランド状にパターニングする。次に、ＩＴＯ等の透明導電膜からなる画素電極６を形成する。さらに、ソース電極７およびドレイン電極８を形成し、これらをマスクとしてチャネル上の不要なｎ−ａ−Ｓｉ膜５をドライエッチング等で除去した後、パッシベーション膜９を形成して、ＴＦＴアレイ基板が完成する。以上のようなＴＦＴアレイ基板の製造工程において、例えばｎ−ａ−Ｓｉ膜５をパターニングする前に行われるスクラブ洗浄は、基板を１枚ずつ処理する枚葉方式で、ブラシ洗浄、メガソニック洗浄、純水リンス、スピン乾燥等の工程を、基板を回転させながら順次行うものである。
【００１４】
図２は、本実施の形態におけるスクラブ洗浄フローと基板回転数を示す図である。本実施の形態によるスクラブ洗浄は、大きく３つの工程に分けられる。まず、第１の工程では、表面にｎ−ａ−Ｓｉ膜５等の疎水性膜が形成されたガラス基板１を水平に保持し、３００rpmで低速回転させながらブラシ洗浄、メガソニック洗浄、純水リンスを行う。次に、第２の工程において、所定時間、少なくとも５秒以上、約３００rpmの低速回転を保持し、ガラス基板１中央部に円形状の液切れ部を作る。最後に、第３の工程において、ガラス基板１を約１０００〜２０００rpmで高速回転させ、ガラス基板１上の純水を振り切り乾燥する。
本実施の形態によれば、純水リンス終了後、所定時間低速回転を行うことで、表面に疎水性膜が形成されたガラス基板１上の純水は、一定の膜厚以下になると撥水を起こし、ガラス基板１中央部に円形状の液切れ部が形成され、ガラス基板１中央部の純水を外部に排出することが可能となる。この時、低速回転時間を５秒以上とすることで液切れ部が十分に大きくなり、ガラス基板１中央部の水を完全に排除できる。その後、１０００〜２０００rpmの高速回転を行い、ガラス基板１上の純水を振り切り乾燥することで、小さな水滴が残らず、ウオーターマークの発生を抑制することができる。
【００１５】
実施の形態２．
図３は、本発明の実施の形態２におけるスクラブ洗浄フローと基板回転数を示す図である。本実施の形態によるスクラブ洗浄は、上記実施の形態１と同様に、大きく３つの工程に分けられる。まず、第１の工程では、表面にｎ−ａ−Ｓｉ膜等の疎水性膜が形成されたガラス基板１を水平に保持し、３００rpm以下で低速回転させながらブラシ洗浄、メガソニック洗浄、純水リンスを行う。次に、第２の工程において、約１０〜２０rpm／ｓの低加速で約３００rpmに立ち上げ、ガラス基板１を所定時間、少なくとも５秒以上低速回転させ、ガラス基板１中央部に円形状の液切れ部を作る。最後に、第３の工程において、３００〜５００rpm／ｓの高加速で１０００〜２０００rpmの高速回転とし、ガラス基板１上の純水を振り切り乾燥する。
このように、低速回転までの立ち上げを低加速で行うことにより、実施の形態１と同様にガラス基板１中央部の水が撥水を起こし、液切れ部が形成された後、１０００〜２０００rpmの高速回転を行うことで小さな水滴が残らず、ウオーターマークの発生を抑制することができる。
【００１６】
実施の形態３．
図４は、本発明の実施の形態３におけるスクラブ洗浄フローと基板回転数を示す図である。本実施の形態では、上記実施の形態１と同様の第１の工程と第２の工程を含み、第２の工程を終了後、第３の工程に移行する際に、約１００rpm／ｓ以下の加速で１０００〜２０００rpmの高速回転にすることで、ガラス基板１と純水との摩擦を抑え、基板乾燥時のガラス基板１の帯電量を抑制するものである。
ＴＦＴアレイ基板の製造工程において発生する静電気は、ＴＦＴの素子破壊等の不良原因となるため、ガラス基板１の帯電量を抑制する必要がある。本実施の形態における基板乾燥時の基板帯電電位を測定した結果を表１に示す。
【００１７】
【表１】
0004080579.tif 000002
【００１８】
表１において、(a)は素ガラス基板、(b)はａ−Ｓｉ膜が形成されたガラス基板の帯電電位の測定結果を示し、ともに、メガソニック洗浄、純水リンスを１００rpmで行い、その後、１００rpmの低速回転を１０秒保持した後、１００、３００および５００rpm／ｓの加速で高速回転に移行したものである。これらの実験より、高速回転に移行するまでの加速度を１００rpm／ｓにした場合、３００rpm／ｓおよび５００rpm／ｓにした場合よりも基板の帯電量が小さいという結果が得られた。以上のことから、純水リンス後、低速回転を保持した後、高速回転に移行する際に、１００rpm／ｓ以下の加速にすることにより、基板の帯電電位を抑制することが可能である。
なお、本実施の形態は、上記実施の形態２にも適用できる。すなわち、図５に示すように、純水リンス終了後、３００rpmの低速回転まで１０〜２０rpm／ｓの低加速で立ち上げ、その後１００rpm／ｓ以下の加速で高速回転に移行することにより、基板帯電電位を抑制し、かつウオーターマークの発生を抑制することができる。
【００１９】
実施の形態４．
図６は、本発明の実施の形態４であるスクラブ洗浄装置における基板乾燥方法を示す図である。図において、１１は表面にｎ−ａ−Ｓｉ膜等の疎水性膜が形成されたガラス基板、１２はガラス基板１１を水平に保持し、鉛直軸回りに回転自在に支持するステージ、１３はステージ１２を回転駆動する回転駆動機構、１４ａは窒素ブローノズルを示す。本実施の形態では、上記実施の形態１〜３において、ウオーターマークの発生を抑制する効果をさらに高めるために、窒素ブローノズル１４ａをガラス基板１１中央部上の斜め方向に配置し、低速回転保持により液切れ部を形成した後、基板１１中央部に斜め上方から窒素ブローを行い、その後、高速回転に移行するものである。
【００２０】
本実施の形態によれば、少なくとも５秒以上の低速回転により液切れ部を形成後、さらに斜め上方から窒素ブローを行うことにより、低速回転後にガラス基板１１中央部に水滴が残った場合にも、窒素ブローにより水滴を外周部へ飛ばし、高速回転に達する前に完全に除去することが可能である。ガラス基板１１中央部上方に垂直に設けられた従来の窒素ブローノズル１４ｂの場合（図１２）、ガラス基板１１中央部に残った水滴を動かすことができず、高速回転に達するまで水滴が残り、この水滴が高速回転で弾かれウオーターマークが発生することがあった。このため、窒素ブローノズル１４ａは、ガラス基板１１中央部上に斜め方向に配置することが望ましい。なお、本実施の形態では、窒素ブローノズル１４ａは、スポット状ノズルとしたが、スリット状ノズルでも良く、同様の効果を奏する。
【００２１】
実施の形態５．
以下に、本発明の実施の形態５であるスクラブ洗浄装置における基板乾燥方法について説明する。本実施の形態では、上記実施の形態１〜３に示した基板乾燥方法を用い、さらに、ガラス基板１１中央部に水滴が確認された場合に、第１の工程に戻り、再度純水リンスを行うものである。
【００２２】
本実施の形態におけるスクラブ洗浄装置の動作を図６を流用して説明する。本装置は、ガラス基板１１を水平に保持し、鉛直軸回りに回転自在に支持するステージ１２と、ステージ１２の回転駆動手段である回転駆動機構１３と、ガラス基板表面に純水リンスを行う純水供給装置（図示せず）を備えている。まず、表面にｎ−ａ−Ｓｉ膜等の疎水性膜が形成されたガラス基板１１をステージ１２にて水平に保持し、低速回転させながらブラシ洗浄、メガソニック洗浄、純水リンスを行う。続いて、上記実施の形態１〜３と同様に、ガラス基板１１を所定時間、少なくとも５秒以上、約３００rpm以下で低速回転させ、ガラス基板１１中央部に円形状の液切れ部を作る。これら一連の動作は、回転駆動機構１３を制御する回転制御手段（図示せず）によって制御されている。さらに、本装置は、純水リンス後のガラス基板１１中央部の水滴の有無を確認するモニター装置（図示せず）を備えており、このモニター装置によりガラス基板１１中央部に水滴が確認された場合、純水供給制御手段（図示せず）により純水供給装置を制御し、再度純水リンスを行うよう構成されている。このため、本装置によれば、ガラス基板１１中央部に水滴が残ったままで高速回転に移行することを防止することができる。モニター装置によりガラス基板１１中央部に水滴が確認されなかった場合には、回転制御手段は、ステージ１２を１０００〜２０００rpmで高速回転させるよう回転駆動機構１３を制御し、ガラス基板上の純水を振り切り乾燥する。
【００２３】
以上のように、本実施の形態におけるスクラブ洗浄装置によれば、ガラス基板１１中央部の水滴の有無をモニター装置により確認してから、１０００〜２０００rpmの高速回転を行い、ガラス基板１１上の純水を振り切り乾燥することで、確実にウオーターマークの発生を抑制することができ、表示品質の高い液晶表示装置を高い良品率で製造することが可能である。
【００２４】
なお、上記実施の形態１〜５において、ブラシ洗浄終了後、ガラス基板１１中央部を裏面側より支持し、基板中央部が外周部よりも若干高くなるように保持してもよい。このように保持することで、ガラス基板１１中央部に純水が滞留するのを防止できる。
また、上記実施の形態１〜５において、ガラス基板１１を偏心円状に回転させることにより、基板中央部の水滴に機械的な力がかかり、ガラス基板１１中央部に純水が滞留するのを防止できる。
【００２５】
参考例１．
図７は、本発明の参考例１であるスクラブ洗浄装置における基板乾燥方法を示す図である。図において、１５ａはガラス基板１１の片側端部を裏面側から持ち上げ、ガラス基板１１を傾ける基板支持台である。なお、図中、同一、相当部分には同一符号を付し、説明を省略する。
【００２６】
本参考例におけるスクラブ洗浄装置の動作を図について説明する。まず、第１の工程において、表面にｎ−ａ−Ｓｉ膜等の疎水性膜が形成されたガラス基板１１をステージ１２にて水平に保持し、低速回転させながらブラシ洗浄、メガソニック洗浄、純水リンスを行う。次に、第２の工程において、ステージ１２に設置された基板支持台１５ａにより、ガラス基板１１の片側端部を裏面側から持ち上げてガラス基板１１を傾け、ガラス基板１１上に滞留している純水を除去する。最後に、第３の工程において、ガラス基板１１を約１０００〜２０００rpmで高速回転させ、ガラス基板１１上の純水を振り切り乾燥する。
本参考例によれば、ガラス基板１１表面が疎水性であることを利用し、簡単な機構でウオーターマークの発生を抑制することが可能なスクラブ洗浄装置が得られる。
【００２７】
参考例２．
図８は、本発明の参考例２であるスクラブ洗浄装置における基板乾燥方法を示す図である。図において、１６はスリット状窒素ブローノズルである。なお、図中、同一、相当部分には同一符号を付し、説明を省略する。
本参考例では、上記参考例１と同様に、ガラス基板１１表面が疎水性であることを利用し、純水リンス完了後、基板支持台１５ａにてガラス基板１１の片側端部を裏面側から持ち上げ、ガラス基板１１上の純水を除去するものであるが、このとき、ステージ１２上方の基板支持台１５ａ設置側に設けられたスリット状窒素ブローノズル１６より、傾けられたガラス基板１１の上方から下方に向けて窒素ガスをブローすることで、さらに水の追いだしを加速し、基板乾燥効率を挙げることが可能となる。
【００２８】
実施の形態６．
図９は、本発明の実施の形態６であるスクラブ洗浄装置における基板乾燥方法を示す図である。図において、１５ｂはステージ１２に設置され、ガラス基板中央部付近を裏面側から持ち上げる基板支持台である。なお、図中、同一、相当部分には同一符号を付し、説明を省略する。
【００２９】
本実施の形態におけるスクラブ洗浄装置の動作を図について説明する。まず、第１の工程において、表面にｎ−ａ−Ｓｉ膜等の疎水性膜が形成されたガラス基板１１をステージ１２に水平に保持し、低速回転させながらブラシ洗浄を行う。次に、第２の工程において、基板支持台１５ｂによりガラス基板１１中央部を裏面側から持ち上げ、ガラス基板１１中央部が外周部よりも若干高くなるように保持しながら低速回転させ、メガソニック洗浄および純水リンスを行う。最後に、第３の工程においてガラス基板１１を約１０００〜２０００rpmで高速回転させ、ガラス基板１１上の純水を振り切り乾燥する。なお、ガラス基板１１を乾燥する際の回転数等の条件は、上記実施の形態１〜３の方法で行うことが望ましい。また、本実施の形態において、純水リンス終了後、ガラス基板１１中央部に水滴が確認された場合には、再度純水リンスを行うようにしてもよい。
本実施の形態におけるスクラブ洗浄装置によれば、ガラス基板１１中央部が外周部より高くなるように保持することで、ガラス基板１１中央部への純水の滞留を防止し、ウオーターマークの発生を抑制することができる。
【００３０】
実施の形態７．
図１０は、本発明の実施の形態７であるスクラブ洗浄装置を示す図である。図において、１５ｃはステージ１２に設置され、ガラス基板１１中央部付近を裏面側から持ち上げる、高さ調節および水平移動が可能な基板支持台である。また、本装置は、ガラス基板１１の反りをモニターするモニター装置（図示せず）を備えている。なお、図中、同一、相当部分には同一符号を付し、説明を省略する。
本実施の形態では、上記実施の形態６と同様に、基板支持台１５ｃにより、ガラス基板１１中央部が外周部よりも若干高くなるように保持しながら低速回転させ、ブラシ洗浄後のメガソニック洗浄および純水リンスを行う。このとき、モニター装置によりガラス基板１１の反りをモニターし、ガラス基板１１の反りに応じて基板支持台１５ｃの高さが調整でき、また、水平方向に移動させることも可能であり、ガラス基板１１中央部への水の滞留をさらに確実に防止するものである。
【００３１】
参考例３．
以下に、本発明の参考例３である液晶表示装置の製造方法を説明する。本参考例では、エッチングおよび洗浄等のウエット処理後、純水リンスを行ったガラス基板を水平に保持し、偏心円状に回転させて基板上の純水を振り切り乾燥するものである。図１１に示すように、ガラス基板を偏心回転にすることにより、基板中央部に機械的な力が加えられ、基板中央部の水を基板外へ排出することが可能である。本参考例によれば、ガラス基板を偏心円状に回転させることにより、基板中央部の水の滞留を防止し、ウオーターマークの発生を抑制することができる。
【００３２】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、純水リンス終了後に、ガラス基板を所定時間、低速回転させることにより、ガラス基板中央部に滞留する純水を確実に除去し、その後、１０００〜２０００rpmの高速回転を行い、ガラス基板上の純水を振り切り乾燥するようにしたので、スクラブ洗浄等のウエット処理後の基板乾燥において乾燥じみの発生を防止することができ、表示品質に優れた液晶表示装置を高い良品率で得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明において製造される液晶表示装置を構成するＴＦＴアレイ基板を示す断面図である。
【図２】 本発明の実施の形態１におけるスクラブ洗浄フローと基板回転数を示す図である。
【図３】 本発明の実施の形態２におけるスクラブ洗浄フローと基板回転数を示す図である。
【図４】 本発明の実施の形態３におけるスクラブ洗浄フローと基板回転数を示す図である。
【図５】 本発明の実施の形態３におけるスクラブ洗浄フローと基板回転数を示す図である。
【図６】 本発明の実施の形態４であるスクラブ洗浄装置における基板乾燥方法を示す図である。
【図７】 本発明の参考例１であるスクラブ洗浄装置における基板乾燥方法を示す図である。
【図８】 本発明の参考例２であるスクラブ洗浄装置における基板乾燥方法を示す図である。
【図９】 本発明の実施の形態６であるスクラブ洗浄装置における基板乾燥方法を示す図である。
【図１０】本発明の実施の形態７であるスクラブ洗浄装置を示す図である。
【図１１】 本発明の参考例３である液晶表示装置の製造方法における基板回転方法を示す図である。
【図１２】 従来のスクラブ洗浄装置における基板乾燥方法を示す図である。
【図１３】 従来のスクラブ洗浄フローと基板回転数を示す図である。
【符号の説明】
１ ガラス基板、２ ゲート電極、３ ゲート絶縁膜、４ ｉ−ａ−Ｓｉ膜、
５ ｎ−ａ−Ｓｉ膜、６ 画素電極、７ ソース電極、８ ドレイン電極、
９ パッシベーション膜、１１ ガラス基板、１２ ステージ、
１３ 回転駆動機構、１４ａ、１４ｂ スポット状窒素ブローノズル、
１５ａ、１５ｂ、１５ｃ 基板支持台、１６ スリット状窒素ブローノズル。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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