(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体と、該基体に支持された変位部であって、放射を吸収する放射吸収部を有し該放射吸収部にて発生した熱に応じて前記基体に対して変位する変位部とを備えた放射検出装置であって、
前記放射吸収部が入射した放射の一部を反射する特性を有し、
ｎを奇数、前記放射の所望の波長域の中心波長をλ０として、前記放射吸収部から空隙によるｎλ０／４の間隔をあけて配置された放射反射部を備え、
前記変位部の変位にかかわらずに前記放射反射部と前記放射吸収部との相対的な位置関係が一定に保たれるように、前記放射反射部が前記変位部に設けられたことを特徴とする放射検出装置。
【請求項２】
前記変位部に設けられ受光した読み出し光を反射する読み出し光反射部を備え、前記放射反射部は、前記読み出し光反射部と兼用されるかあるいは前記読み出し光反射部に形成されたことを特徴とする請求項１記載の放射検出装置。
【請求項３】
前記基体に設けられた固定電極部と、前記変位部に設けられ前記固定電極部と対向する可動電極部とを備え、前記放射反射部は、前記可動電極部と兼用されるかあるいは前記可動電極部に形成されたことを特徴とする請求項１記載の放射検出装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、熱型赤外線検出装置などの放射検出装置に関し、特に、赤外線等の入射放射を放射吸収部にて吸収して熱に変換しその熱を変位に変換して放射を検出する放射検出装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、このような放射検出装置として、例えば、静電容量型の放射検出装置（米国特許第５，８４４，２３８号公報等）や光読み出し型の放射検出装置（特開平１０−２５３４４７号公報等）が提案されている。静電容量型の放射検出装置は、入射放射に応じて生じた変位を静電容量の変化として読み出すものであり、光読み出し型の放射検出装置は、入射放射に応じて生じた変位を別途照射した読み出し光の変化として読み出すものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
前述したような放射検出装置では、検出感度を高めるため、放射吸収部の放射吸収率が高いことが要請される。また、検出の応答性を高めるため、放射吸収部の熱容量が小さいことが要請される。さらに、検出感度を高めるため、放射吸収部で発生した熱が変位部の変位発生部分へ効率良く伝導されることが要請される。
【０００４】
しかしながら、前述したような放射検出装置において、放射吸収部として例えば吸収効率が比較的高い金黒（Gold Black）の膜を用いても、当該膜に赤外線等の放射が単に入射するように構成するだけでは、検出感度及び検出応答性の両方を高めることができない。
【０００５】
すなわち、金黒の吸収係数は、例えば８〜１２μｍの波長域の赤外線に対して、約９６０ｃｍ−１である（論文「G.Zaeschmar and A.Nedoluha, "Theory of the Optical Properties of Gold Blacks", JOURNAL OF THE OPTICAL SOCIETY OF AMERICA, VOLUME 62, NUMBER 3, March 1972, pp.348-352」）。この吸収係数から膜厚１μｍの金黒の赤外線吸収率を求めると、約９％にすぎないことがわかる。したがって、金黒の膜で構成した放射吸収部の赤外線吸収率を十分に大きくするためには、金黒の膜厚をかなり厚くせざるを得ない。このように、金黒の膜で構成した放射吸収部に赤外線等の放射が単に入射するように構成するだけでは、その膜の厚さを薄くしつつ赤外線吸収率を高めることができず、したがって、検出感度及び検出応答性の両方を高めることは困難である。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、検出感度及び検出応答性の両方を高めることができる放射検出装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するため、本発明の第１の態様による放射検出装置は、基体と、該基体に支持された変位部であって、放射を吸収する放射吸収部を有し該放射吸収部にて発生した熱に応じて前記基体に対して変位する変位部とを備えた放射検出装置であって、前記放射吸収部が入射した放射の一部を反射する特性を有し、ｎを奇数、前記放射の所望の波長域の中心波長をλ０として、前記放射吸収部から実質的にｎλ０／４の間隔をあけて配置され前記放射を略々全反射する放射反射部を備えたものである。
【０００８】
前記放射は、赤外線のみならず、Ｘ線、紫外線等の不可視光や他の種々の放射であってもよい。
【０００９】
また、前記第１の態様による放射検出装置は、例えば、変位部に生じた変位を別途照射した読み出し光の変化として読み出す光読み出し型の放射検出装置として構成してもよいし、変位部に生じた変位を静電容量の変化として読み出す静電容量型の放射検出装置として構成してもよい。光読み出し型の放射検出装置として構成する場合には、例えば、変位部に生じた変位に応じた所定の変化を得るために用いられる変位読み出し部材として、受光した読み出し光を反射する読み出し光反射部を変位部に設ければよい。また、光読み出し型の放射検出装置として構成する場合には、例えば、変位部に生じた変位に応じた所定の変化を得るために用いられる変位読み出し部材として読み出し光ハーフミラー部を変位部に設け、この読み出し光ハーフミラー部と対向するように読み出し光反射部を基体に設けてもよい。さらに、静電容量型の放射検出装置として構成する場合には、例えば、変位部に生じた変位に応じた所定の変化を得るために用いられる変位読み出し部材として可動電極部を変位部に設け、この可動電極部と対向するように固定電極部を基体に設ければよい。
【００１０】
前記第１の態様によれば、放射吸収部に放射反射部と反対側から放射が入射すると、入射した放射は放射吸収部で一部吸収され、残りは放射反射部で反射され放射吸収部で反射し再度放射反射部に入射する。このため、放射吸収部と放射反射部との間で干渉現象が起こり、両者の間隔が入射放射の所望の波長域の中心波長の１／４の略奇数倍とされているので、放射吸収部での放射吸収がほぼ最大となり、放射吸収部における放射の吸収率が高まる。したがって、放射吸収部の厚みを薄くしてその熱容量を小さくしても、放射の吸収率を高めることができる。その結果、検出感度及び検出応答性の両方を高めることができる。
【００１１】
なお、前記放射吸収部の反射率を約３３％（約１／３）にすると、放射吸収部における放射の吸収率が一層高まるので、好ましい。
【００１２】
ところで、前述した干渉現象によって放射反射部によっても放射が吸収され、放射反射部からも熱を発生する。しかし、放射反射部による放射吸収量より放射吸収部による放射吸収量の方が大きい。したがって、前記第１の態様によれば、変位部が放射吸収部を有している（すなわち、放射吸収部が変位部に設けられている）ので、例えば前記放射吸収部を基体に設けるとともに前記放射反射部を変位部に設ける場合に比べて、放射の入射量が同一であるときに変位部に大きい変位が生じ、検出感度が高くなる。
【００１３】
また、前記放射吸収部を変位部に設けずに断熱部を介して基板に対して固定して、この放射吸収部で発生した熱を変位部に伝導させる場合には、当該断熱部を設けても完全な断熱を達成することは困難であることから、放射吸収部で発生した熱が、当該断熱部を介して基体へ逃げてしまう。このため、変位部における変位発生部分へ効率良く伝導されなくなるため、検出感度が低下してしまう。これに対し、前記第１の態様では、放射吸収部が変位部に設けられているため、放射吸収部で発生した熱が変位部における変位発生部分へ効率良く伝導され、この点からも検出感度が高まることになる。
【００１４】
本発明の第２の態様による放射検出装置は、前記第１の態様による放射検出装置において、前記変位部の変位にかかわらずに前記放射反射部と前記放射吸収部との相対的な位置関係が実質的に一定に保たれるように、前記放射反射部が前記変位部に設けられたものである。
【００１５】
前記第１の態様では、放射反射部は必ずしも変位部に設ける必要はない。しかしながら、前記第２の態様のように、変位部の変位にかかわらずに放射反射部と放射吸収部との相対的な位置関係が実質的に一定に保たれるように、放射反射部を変位部に設けると、変位部が変位しても安定した分光感度特性を得ることができる。すなわち、前記第２の態様によれば、変位部の変位にかかわらずに、放射反射部と放射吸収部との間の間隔が実質的に一定に保たれるので、放射吸収部による放射の吸収が前述した干渉の原理に従って行われることから、放射吸収部に吸収される放射の波長域が変化することなく一定に保たれるのである。
【００１６】
本発明の第３の態様による放射検出装置は、前記第２の態様による放射検出装置において、前記変位部に設けられ受光した読み出し光を反射する読み出し光反射部を備え、前記放射反射部は、前記読み出し光反射部と兼用されるかあるいは前記読み出し光反射部に形成されたものである。
【００１７】
この第３の態様は、光読み出し型の放射検出装置として構成した例である。この第３の態様のように放射反射部を読み出し光反射部と兼用するかあるいは読み出し光反射部に形成すると、構造が簡単となって安価に提供することができる。もっとも、前記第２の態様ではこのような兼用を行わなくてもよい。
【００１８】
本発明の第４の態様による放射検出装置は、前記第２の態様による放射検出装置において、前記基体に設けられた固定電極部と、前記変位部に設けられ前記固定電極部と対向する可動電極部とを備え、前記放射反射部は、前記可動電極部と兼用されるかあるいは前記可動電極部に形成されたものである。
【００１９】
この第４の態様は、静電容量型の放射検出装置として構成した例である。この第４の態様のように放射反射部を可動電極部と兼用すると、構造が簡単となって安価に提供することができる。もっとも、前記第２の態様ではこのような兼用を行わなくてもよい。
【００２０】
本発明の第５の態様による放射検出装置は、前記第１の態様による放射検出装置において、前記基体に設けられた固定電極部と、前記変位部に設けられ前記固定電極部と対向する可動電極部とを備え、前記放射反射部は前記固定電極部と兼用されたものである。
【００２１】
この第５の態様も、静電容量型の放射検出装置として構成した例である。この第５の態様のように放射反射部を固定電極部と兼用すると、構造が簡単となって安価に提供することができる。もっとも、前記第１の態様ではこのような兼用を行わなくてもよい。
【００２２】
本発明の第６の態様による放射検出装置は、前記第１又は第５の態様による放射検出装置において、前記基体に設けられた固定電極部と、前記変位部に設けられ前記固定電極部と対向する可動電極部とを備え、前記放射吸収部は前記可動電極部と兼用されたものである。
【００２３】
この第６の態様も、静電容量型の放射検出装置として構成した例である。この第６の態様のように放射吸収部を可動電極部と兼用すると、構造が簡単となって安価に提供することができる。もっとも、前記第１及び第５の態様ではこのような兼用を行わなくてもよい。
【００２４】
なお、前記第１乃至第６の態様において、前記放射吸収部及び前記放射反射部のうち、前記変位部に設けられた少なくとも一方について、１層又は複数層の膜からなる平面部を有し該平面部が空中に位置するように支持された薄膜部材で構成する場合には、前記平面部の周辺部分の少なくとも一部に渡って、前記平面部から立ち上がるかあるいは立ち下がる立ち上がり部又は立ち下がり部を形成することが好ましい。あるいは、前記放射吸収部及び前記放射反射部のうち、前記変位部に設けられた少なくとも一方について、複数層の膜からなる平面部を有し該平面部が空中に位置するように支持された薄膜部材で構成する場合には、前記平面部の周辺部分の少なくとも一部に渡って、前記複数層の膜のうち少なくとも１層の膜を、前記複数層の膜のうちの他の少なくとも１層の膜の縁部分を覆うように形成することが好ましい。
【００２５】
これらの場合には、変位部に設けられた放射吸収部及び放射反射部の両方又は一方の前記平面部が、立ち上がり部又は立ち下がり部によって、あるいは、少なくとも１層の膜が他の少なくとも１層の膜の縁部分を覆っている部分によって、補強される。したがって、平面部の所望の強度を確保しつつ、平面部の膜厚を薄くすることができる。このため、変位部に設けられた放射吸収部及び放射反射部の両方又は一方について、強度不足による変形を防止しつつ、熱容量を小さくすることができる。その結果、前記変形により生ずる放射吸収部と放射反射部との間の間隔の変化を防止して一層安定した分光感度特性を得ることができると同時に、検出の応答性を一層高めることができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下の説明では、放射を赤外線とし読み出し光を可視光とした例について説明するが、本発明では、放射を赤外線以外のＸ線や紫外線やその他の種々の放射としてもよいし、また、読み出し光を可視光以外の他の光としてもよい。
【００２７】
［第１の実施の形態］
【００２８】
図１は本発明の第１の実施の形態による光読み出し型の放射検出装置１００の単位画素（単位素子）を示す図であり、図１（ａ）はその概略平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）中のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図である。
【００２９】
この放射検出装置１００は、基体としての赤外線ｉを透過させるＳｉ基板等の基板１と、基板１から立ち上がった２つの脚部２，３と、脚部２，３を介して基板１に支持された変位部４であって、赤外線ｉを吸収する赤外線吸収部５を有し赤外線吸収部５にて発生した熱に応じて基板１に対して変位する変位部４と、を備えている。
【００３０】
本実施の形態では、基板１の両面にそれぞれ赤外線反射防止膜６，７がコーティングされている。もっとも、これらの膜６，７は必ずしも形成しておく必要はない。
【００３１】
図１中、２ａ，３ａは、脚部２，３における基板１上の膜６へのコンタクト部をそれぞれ示している。脚部２，３の平面部２ｂ，３ｂは、それぞれＬ字状に構成されている。脚部２，３は、断熱性の高い材料として、例えば、ＳｉＯ膜で構成される。
【００３２】
変位部４は、互いに重なった２つの膜８，９からそれぞれなる２つの変位発生部分１０，１１を有している。変位発生部分１０，１１は、それらの一方端部が脚部２，３の平面部２ｂ，３ｂの先端部分にそれぞれ接続されて支持されることにより、それぞれカンチレバーを構成しており、基板１上に浮いた状態に支持されている。膜８及び膜９は、互いに異なる膨張係数を有する異なる物質で構成されており、変位発生部分１０，１１は、いわゆる熱バイモルフ構造（bi-material elementともいう。）を構成している。したがって、変位発生部分１０，１１は、受けた熱に応じて、下側の膜８の膨張係数が上側の膜９の膨張係数より大きい場合には上方に、逆の場合には下方に湾曲して傾斜する。本実施の形態では、膜８は厚さ３０００オングストロームのＳｉＮ膜で構成され、膜９は厚さ１０００オングストロームのＡｌ膜で構成されている。
【００３３】
赤外線吸収部５は、入射した赤外線ｉの一部を反射する特性を有している。赤外線吸収部５の赤外線反射率は、約３３％であることが好ましい。赤外線吸収部５は、変位発生部分１０，１１の先端部分に接続されている。本実施の形態では、赤外線吸収部５は、厚さ３０００オングストロームのＳｉＮ膜８が変位発生部分１０，１１からそのまま延びることによって平板状に構成されている。
【００３４】
変位部４には、厚さ２０００オングストロームのＡｌ膜からなる平板状の部材１２が設けられている。部材１２は、その４箇所の部分が接続部１３を介して赤外線吸収部５に固定されることにより、赤外線吸収部５の上方に間隔Ｌ１をあけて赤外線吸収部５と実質的に平行に配置され、赤外線吸収部５の全体をカバーするのみならず赤外線吸収部５よりかなり広い範囲をカバーするように配置されている。本実施の形態では、このようにして部材１２が赤外線吸収部５に固定されることによって、部材１２は、変位部４の変位にかかわらずに部材１２と赤外線吸収部５との相対的な位置関係が実質的に一定に保たれるように、変位部４に設けられている。なお、接続部１３は、部材１２を構成するＡｌ膜がそのまま延びることにより形成されている。なお、本実施の形態では、前述したように複数箇所（本例では、４箇所）の接続部１３によって部材１２が赤外線吸収部５に固定されているので、部材１２と赤外線吸収部５との平行度が増し、好ましい。もっとも、接続部１３の数は１個以上であればよい。
【００３５】
この部材１２は、ｎを奇数、入射赤外線ｉの所望の波長域の中心波長をλ０として、前記間隔Ｌ１が実質的にｎλ０／４の間隔をあけて配置されている。本実施の形態では、具体的には、λ０を１０μｍ、ｎを１として、間隔Ｌ１は約２．５μｍに設定されているが、これに限定されるものではない。この部材１２は、前述したように厚さ２０００オングストロームのＡｌ膜からなり、赤外線ｉを略々全反射する赤外線反射部となっている。また、部材１２は、変位読み出し部材としての、受光した読み出し光ｊを反射する読み出し光反射部となっている。すなわち、本実施の形態では、赤外線反射部は読み出し光反射部として兼用されている。なお、部材１２における放射吸収部５との対向面に赤外線反射部としての反射膜を形成し、部材１２を読み出し光反射部のみとして用いることもできる。
【００３６】
以上の説明からわかるように、本実施の形態では、変位部４は、変位発生部分１０，１１、赤外線吸収部５、並びに、赤外線反射部及び読み出し光反射部を兼用する部材１２で構成されている。
【００３７】
図面には示していないが、本実施の形態による放射検出装置１００では、変位部４、脚部２，３を単位素子（画素）として、この画素が基板１上に１次元状又は２次元状に配置されている。
【００３８】
本実施の形態による放射検出装置１００は、膜の形成及びパターニング、犠牲層の形成及び除去などの半導体製造技術を利用して、製造することができ、例えば、次のような方法で製造することができる。
【００３９】
図面には示していないが、まず、Ｓｉ基板１の両面に赤外線反射防止膜６，７をコーティングし、膜６上に犠牲層としてのレジストを塗布する。このレジストに、脚部２，３のコンタクト部２ａ，３ａに応じた開口をフォトリソグラフィーにより形成する。次に、ＳｉＯ膜をＰ−ＣＶＤ法等によりデポした後、フォトリソエッチング法によりパターニングし、脚部２の形状とする。その後、ＳｉＮ膜をＰ−ＣＶＤ法等によりデポした後、フォトリソエッチング法によりパターニングし、膜８の形状とする。次いで、Ａｌ膜を蒸着法等によりデポした後、フォトリソエッチング法によりパターニングし、膜９の形状とする。この状態の基板上の全面に犠牲層としてのレジストを再び塗布する。次に、このレジストに、接続部１３に応じた開口をフォトリソグラフィーにより形成する。その後、部材１２及び接続部１３となるべきＡｌ膜を蒸着法等によりデポした後、フォトリソエッチング法によりパターニングし、部材１２の形状とする。最後に、ダイシングなどによりチップ毎に分割し、犠牲層としてのレジストをアッシング法などにより除去する。これにより、図１に示す放射検出装置１００が完成する。
【００４０】
本実施の形態による放射検出装置１００では、下方から赤外線ｉが入射すると、入射した赤外線ｉは赤外線吸収部５で一部吸収され、残りは赤外線反射部としての部材１２で反射され赤外線吸収部５で反射し再度部材１２に入射する。このため、赤外線吸収部５と部材１２との間で干渉現象が起こり、両者の間隔Ｌ１が入射赤外線ｉの所望の波長域の中心波長の１／４の略奇数倍とされているので、赤外線吸収部５での赤外線吸収がほぼ最大となり、赤外線吸収部５における赤外線の吸収率が高まる。したがって、赤外線吸収部５の厚みを薄くしてその熱容量を小さくしても、赤外線の吸収率を高めることができる。その結果、検出感度及び検出応答性の両方を高めることができる。
【００４１】
そして、赤外線吸収部５で発生した熱が変位発生部分１０，１１に伝わり、この熱に応じてカンチレバーを構成している変位発生部分１０，１１が下方に湾曲して傾斜する。このため、部材１２が、放射吸収部５との相対的な位置関係（すなわち、間隔Ｌ１）を保ったまま、入射した赤外線ｉの量に応じた量だけ基板１の面に対して傾くこととなる。したがって、上方から部材１２に入射した読み出し光ｊは、入射した赤外線ｉの量に応じた方向に反射されることとなる。
【００４２】
本実施の形態によれば、赤外線反射部に比べて赤外線吸収量の大きい赤外線吸収部５が変位部４に設けられているので、例えば赤外線吸収部５を基板１に設けるとともに赤外線反射部を変位部４に設ける場合に比べて、赤外線の入射量が同一であるときに変位部４に大きい変位が生じ、検出感度が高くなる。
【００４３】
また、本実施の形態では、赤外線吸収部５が変位部４に設けられているため、赤外線吸収部５で発生した熱が変位部４における変位発生部分１０，１１へ効率良く伝導され、この点からも検出感度が高まることになる。
【００４４】
さらに、本実施の形態によれば、変位部４の変位にかかわらずに、赤外線反射部としての部材１２と赤外線吸収部５との間の間隔Ｌ１が実質的に一定に保たれるので、安定した分光感度特性を得ることができる。
【００４５】
また、本実施の形態によれば、部材１２が赤外線反射部及び読み出し光反射部として兼用されているので、構造が簡単となって安価に提供することができる。
【００４６】
ここで、本実施の形態による放射検出装置１００を用いた映像化装置の一例について、図２を参照して説明する。図２は、この映像化装置を示す概略構成図である。
【００４７】
この映像化装置は、前述した放射検出装置１００の他に、読み出し光学系と、撮像手段としての２次元ＣＣＤ２０と、観察対象としての熱源２１からの赤外線ｉを集光して放射検出装置１００の赤外線吸収部としての変位部４が分布している面上に熱源２１の赤外線画像を結像させる赤外線用の結像レンズ２２とから構成されている。
【００４８】
この映像化装置では、前記読み出し光学系は、読み出し光を供給するための読み出し光供給手段としてのＬＤ（レーザーダイオード）２３と、ＬＤ２３からの読み出し光を放射検出装置１００の全ての画素の読み出し光反射部としての部材１２へ導く第１レンズ系２４と、第１レンズ系２４を通過した後に全ての画素の部材１２にて反射された読み出し光の光線束のうち所望の光線束のみを選択的に通過させる光線束制限部２５と、第１レンズ系２４と協働して各画素の反射板１２と共役な位置を形成し且つ該共役な位置に光線束制限部２５を通過した光線束を導く第２レンズ系２６とから構成されている。前記共役な位置にはＣＣＤ２０の受光面が配置されており、レンズ系２４，２６によって全ての画素の部材１２とＣＣＤ２０の複数の受光素子とが光学的に共役な関係となっている。
【００４９】
ＬＤ２３は、第１レンズ系２４の光軸Ｏに関して一方の側（図２中の右側）に配置されており、当該一方の側の領域を読み出し光が通過するように読み出し光を供給する。本例では、ＬＤ２３が第１レンズ系２４の第２レンズ系２６側の焦点面付近に配置されて、第１レンズ系２４を通過した読み出し光が略平行光束となって全ての画素の部材１２を照射するようになっている。ＣＣＤ２０上の光学像のコントラストを高めるため、ＬＤ２３の前部に読み出し光絞りを設けてもよい。本例では、放射検出装置１００は、その基板１の面（本例では、基板１の面は、目標物体（熱源２１）からの赤外線が入射しない場合の部材１２の面と平行である。）が光軸Ｏと直交するように配置されている。もっとも、このような配置に限定されるものではない。
【００５０】
光線束制限部２５は、前記所望の光線束のみを選択的に通過させる部位が第１レンズ系２４の光軸Ｏに関して他方の側（図２中の左側）の領域に配置されるように構成されている。本例では、光線束制限部２５は、開口２５ａを有する遮光板からなり、開口絞りとして構成されている。本例では、いずれの画素の赤外線吸収部５にも目標物体からの赤外線が入射していなくて全ての画素の部材１２の面が基板１の面と平行である場合に、全ての画素の部材１２で反射した光線束（各部材１２で反射した個別光線束の束）が第１レンズ系２４によって集光する集光点の位置と開口２５ａの位置とがほぼ一致するように、光線束制限部２５が配置されている。また、開口２５ａの大きさは、この光線束の前記集光点での断面の大きさとほぼ一致するように定められている。もっとも、このような配置や大きさに限定されるものではない。
【００５１】
図２に示す映像化装置によれば、ＬＤ２３から出射した読み出し光の光線束３１は、第１レンズ系２４に入射し、略平行化された光線束３２となる。次にこの略平行化された光線束３２は、放射検出装置１００の全ての画素の部材１２に、基板１の法線に対してある角度をもって入射する。
【００５２】
一方、結像レンズ２２によって、熱源２１からの赤外線が集光され、放射検出装置１００の変位部４が分布している面上に、熱源２１の赤外線画像が結像される。これにより、放射検出装置１００の各画素の赤外線吸収部５に赤外線が入射する。このため、前述した動作により、各画素の部材１２は、対応する赤外線吸収部５に入射した赤外線の量に応じた量だけ基板１の面に対して傾くこととなる。
【００５３】
今、全ての画素の赤外線吸収部５には目標物体からの赤外線が入射しておらず、全ての画素の部材１２が基板１と平行であるものとする。全ての画素の部材１２に入射した光線束３２はこれらの部材１２にて反射されて光線束３３となり、再び第１レンズ系２４に今度はＬＤ２３の側とは反対の側から入射して集光光束３４となり、この集光光束３４の集光点の位置に配置された光線束制限部２５の開口２５ａの部位に集光する。その結果、集光光束３４は開口２５ａを透過して発散光束３５となって第２レンズ系２６に入射する。第２レンズ系２６に入射した発散光束３５は、第２レンズ系２６により例えば略平行光束３６となってＣＣＤ２０の受光面に入射する。ここで、各画素の部材１２とＣＣＤ２０の受光面とはレンズ系２４，２６によって共役な関係にあるので、ＣＣＤ２０の受光面上の対応する各部位にそれぞれ各部材１２の像が形成され、全体として、全ての画素の部材１２の分布像である光学像が形成される。
【００５４】
今、ある画素の赤外線吸収部５にある量の赤外線が入射して、その入射量に応じた量だけ当該画素の部材１２が基板１の面に対して傾いたものとする。光線束３２のうち当該部材１２に入射する個別光線束は、当該部材１２によってその傾き量だけ異なる方向に反射されるので、第１レンズ系２４を通過した後、その傾き量に応じた量だけ前記集光点（すなわち、開口２５ａ）の位置からずれた位置に集光し、その傾き量に応じた量だけ光線束制限部２５により遮られることになる。したがって、ＣＣＤ２０上に形成された全体としての光学像のうち当該部材１２の像の光量は、当該部材１２の傾き量に応じた量だけ低下することになる。
【００５５】
したがって、ＣＣＤ２０の受光面上に形成された読み出し光による光学像は、放射検出装置１００に入射した赤外線像を反映したものとなる。この光学像は、ＣＣＤ２０により撮像される。なお、ＣＣＤ２０を用いずに、接眼レンズ等を用いて前記光学像を肉眼で観察してもよい。
【００５６】
なお、読み出し光学系の構成が前述した構成に限定されるものではないことは、言うまでもない。
【００５７】
以上は映像化装置の例であったが、図２において、放射検出装置１００として、単一の画素（素子）のみを有する放射検出装置を用い、２次元ＣＣＤ２０に代えて、単一の受光部のみを有する光検出器を用いれば、赤外線のいわゆるポイントセンサとしての検出装置を構成することができる。この点は、後述する各実施の形態についても同様である。
【００５８】
［第２の実施の形態］
【００５９】
図３は、本発明の第２の実施の形態による光読み出し型の放射検出装置１０１の単位画素（単位素子）を示す概略平面図である。図４は、図３中のＢ−Ｂ’線に沿った概略断面図である。図５は、図３中のＣ−Ｃ’線に沿った概略断面図である。図３乃至図５において、図１中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。
【００６０】
この放射検出装置１０１が図１に示す前記放射検出装置１００と基本的に異なる所は、以下の点のみである。
【００６１】
この放射検出装置１０１では、部材１２は、基板１と平行な平面部１２ａの周辺部分の全体（一部でもよい）に渡って平面部１２ａから立ち下がるように形成された立ち下がり部（立ち上がり部でもよい）１２ｂと、立ち下がり部１２ｂの下部から側方に外側にわずかに延びた水平部１２ｃと、を有している。水平部１２ｃは取り除いておいてもよい。平面部１２ａが立ち下がり部１２ｂによって補強されるので、平面部１２ａの所望の強度を確保しつつ、平面部１２ａの膜厚を薄くすることができる。このため、部材１２の強度不足による変形を防止しつつ、部材１２の熱容量を小さくすることができる。その結果、前記変形により生ずる間隔Ｌ１の変化を防止して一層安定した分光感度特性を得ることができると同時に、検出の応答性を一層高めることができる。
【００６２】
また、放射検出装置１０１では、赤外線吸収部５は、変位発生部分１０，１１の下側膜であるＳｉＮ膜８とは別に形成されたＳｉＮ膜で構成されている。そして、赤外線吸収部５は、部材１２と同様に、平面部５ａの周辺部分の全体（一部でもよい）に渡って平面部５ａから立ち下がるように形成された立ち下がり部（立ち上がり部でもよい）５ｂと、立ち下がり部５ｂの下部から側方に外側にわずかに延びた水平部５ｃと、を有している。水平部５ｃは取り除いておいてもよい。平面部５ａが立ち下がり部５ｂによって補強されるので、平面部５ａの所望の強度を確保しつつ、平面部５ａの膜厚を薄くすることができる。このため、赤外線吸収部５の強度不足による変形を防止しつつ、赤外線吸収部５の熱容量を小さくすることができる。その結果、前記変形により生ずる間隔Ｌ１の変化を防止して一層安定した分光感度特性を得ることができると同時に、検出の応答性を一層高めることができる。
【００６３】
さらに、この放射検出装置１０１では、脚部２は、基板１と平行な平面部２ｂの周辺部分の全体（一部でもよい）に渡って平面部２ｂから立ち下がるように形成された立ち下がり部２ｃと、立ち下がり部２ｃの下部から側方に外側にわずかに延びた水平部２ｄと、を有している。水平部２ｄは取り除いておいてもよい。平面部２ｂが立ち下がり部２ｃによって補強されるので、平面部２ｂの所望の強度を確保しつつ、平面部２ｂの膜厚を薄くすることができる。このため、脚部２の断熱性を高めることができる。
【００６４】
本実施の形態によれば、以上説明した利点以外にも、前記第１の実施の形態と同様の利点が得られる。
【００６５】
なお、本実施の形態による放射検出装置１０１も、膜の形成及びパターニング、犠牲層の形成及び除去などの半導体製造技術を利用して、製造することができる。また、放射検出装置１０１は、図２において、放射検出装置１００の代わりに用いることができる。
【００６６】
［第３の実施の形態］
【００６７】
図６は、本発明の第３の実施の形態による光読み出し型の放射検出装置１０２の単位画素（単位素子）を示す概略断面図であり、図５に対応している。図６において、図５中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。
【００６８】
この放射検出装置１０２が図３乃至図５に示す前記放射検出装置１０１と異なる所は、以下の点のみである。
【００６９】
この放射検出装置１０２では、部材１２において、平面部１２ａが２層の膜１４，１５（上側膜１４は読み出し光ｊを反射し、下側膜１５は赤外線ｉを反射する。）で構成され、平面部１２ａの周辺部分の少なくとも一部に渡って、上側膜１４が下側膜１５の縁部分（厚さ方向に沿った面）を覆うように形成され、上側膜１４は下側膜１５の縁部分に沿って立ち下がり更に側方に外側にわずかに延びている。上側膜１４が下側膜１５の縁部分を覆っている部分によって平面部１２ａが補強されるので、平面部１２ａの所望の機械的強度を確保しつつ、平面部１２ａの膜厚を薄くすることができる。このため、前記第２の実施の形態と同様に、部材１２の強度不足による変形を防止しつつ、部材１２の熱容量を小さくすることができる。その結果、前記変形により生ずる間隔Ｌ１の変化を防止して一層安定した分光感度特性を得ることができると同時に、検出の応答性を一層高めることができる。
【００７０】
本実施の形態によっても、前記第２の実施の形態と同様の利点が得られる。
【００７１】
なお、赤外線吸収部５及び脚部２についても、前述した立ち下がり部に代えて、本実施の形態における部材１２と同様の縁部分を覆う構造を採用してもよい。
【００７２】
［第４の実施の形態］
【００７３】
図７は、本発明の第４の実施の形態による光読み出し型の放射検出装置１０３の単位画素（単位素子）を示す概略断面図であり、前述した図１（ｂ）に対応している。図７において、図１中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。
【００７４】
この放射検出装置１０３が図１に示す前記放射検出装置１００と異なる所は、以下の点のみである。
【００７５】
この放射検出装置１０３では、図１中の部材１２が取り除かれ、代わりに、読み出し光ｊをマスクするマスク（遮光体）４０と、前述した間隔Ｌ１をあけて赤外線吸収部５と対向するようにマスク４０に形成された赤外線反射部４１と、赤外線吸収部５の先端部に設けられた読み出し光ハーフミラー部４２と、読み出し光ハーフミラー部４２と対向するように膜６上に形成された読み出し光反射部４３とが、追加されている。
【００７６】
マスク４０は、読み出し光ハーフミラー部４２に対応する領域に開口４０ａを有し、照射される読み出し光ｊのうちのハーフミラー部４２から出射する干渉光以外の光をマスクする。このマスク４０は、例えば、金黒、白金黒などの膜で構成される。
【００７７】
赤外線反射部４１は、Ａｌ膜で構成されている。読み出し光ハーフミラー部４２は、ＳｉＯ膜（可視光に対して透明である。）と、所望の反射率を得るように非常に薄くこのＳｉＯ膜上にスパッタ法等により被着させたチタンなどの金属層とから構成されている。
【００７８】
読み出し光ｊがハーフミラー部４２に入射すると、当該読み出し光ｊの一部がハーフミラー部４２で反射されて反射光となり、ハーフミラー部４２に入射した読み出し光ｊの残りはハーフミラー部４２を透過して全反射ミラー４３で反射されて再度ハーフミラー部４２に下面から入射する。下面からハーフミラー部４２に再度入射した読み出し光のうちの一部がハーフミラー部４２を透過し透過光となる。この透過光と前記反射光との間には、ハーフミラー部４２と全反射ミラー４３との間の間隔ｄの２倍に対応する光路長差がある。よって、前記反射光と前記透過光との間でこの光路長差に応じた干渉が起こり、前記反射光及び前記透過光がこの光路長差に応じた（したがって、変位部４の変位に応じた）干渉強度を有する干渉光となってハーフミラー部４２から出射されることになる。
【００７９】
本実施の形態では、放射反射部４１がマスク４０を介して基板１に対して固定されているので、変位部４が変位すると間隔Ｌ１が変化することから、分光感度特性の安定性の点では前記第１の実施の形態より劣るが、他の点に関しては前記第１の実施の形態と同様の利点が得られる。
【００８０】
なお、本実施の形態による放射反射部４１と共に用い得る読み出し光学系自体は、特開平１０−２５３４４７号公報の図１６に開示されているように、公知である。
【００８１】
［第５の実施の形態］
【００８２】
図８は、本発明の第５の実施の形態による静電容量型の放射検出装置１０４の単位画素（単位素子）を示す図であり、図８（ａ）はその概略平面図、図８（ｂ）は図８（ａ）中のＤ−Ｄ’線に沿った概略断面図である。図８において、図１中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。
【００８３】
この放射検出装置１０４が図１に示す前記放射検出装置１００と異なる所は、以下の点のみである。
【００８４】
この放射検出装置１０４では、Ｓｉ基板１の両面には、赤外線反射防止膜６，７がコーティングされていない。
【００８５】
また、放射検出装置１０４では、図１中の赤外線吸収部５に代えて、平板状の部材５０が変位発生部分１０，１１の先端部分に接続されている。この部材５０は、Ａｌ膜９が変位発生部分１０，１１からそのまま延びることによって構成されている。この部材５０は、変位部４に生じた変位に応じた静電容量の変化を得るために用いられる変位読み出し部材としての可動電極部となっている。また、部材５０は、赤外線ｉを略々全反射する赤外線反射部となっている。すなわち、本実施の形態では、赤外線反射部は可動電極部として兼用されている。なお、部材５０における後述する赤外線吸収部５１との対向面に赤外線反射部としての反射膜を形成し、部材５０を可動電極部のみとして用いることもできる。
【００８６】
そして、放射検出装置１０４では、厚さ３０００オングストロームのＳｉＮ膜からなる平板状の赤外線吸収部５１が、その４箇所（１箇所以上であればよい。）の部分が接続部５２を介して部材５０に固定されることにより、部材５０の上方に前述した間隔Ｌ１をあけて部材５０と実質的に平行に配置されている。これにより、赤外線吸収部５１は変位部４に設けられている。本実施の形態では、このようにして赤外線吸収部５１が部材５０に固定されることによって、部材５０は、変位部４の変位にかかわらずに部材５０と赤外線吸収部５１との相対的な位置関係が実質的に一定に保たれるように、変位部４に設けられている。
【００８７】
基板１には、可動電極部としての部材５０と対向するように、金属膜からなる固定電極部５３が設けられている。固定電極部５３の上面は、必要に応じて誘電体膜で覆ってもよい。また、基板１には、この固定電極部５３の下側にこの電極５３と電気的に接続された拡散層５４が形成されるとともに、脚部２，３のコンタクト部２ａ，３ａ付近の下側に拡散層５５が形成されている。脚部２，３上にはそれぞれ、Ａｌ膜９と拡散層５５との間（ひいては、可動電極部としての部材５０と拡散層５５との間）を電気的に接続する配線層５６が形成されている。コンタクト部２ａ，３ａにはそれぞれ開口が形成され、これらの開口を介して配線層５６が拡散層５５と電気的に接続されるようになっている。
【００８８】
以上の説明からわかるように、本実施の形態では、変位部４は、変位発生部分１０，１１、赤外線吸収部５１、並びに、赤外線反射部及び可動電極部を兼用する部材５０で構成されている。
【００８９】
この放射検出装置１０４によれば、上方から赤外線ｉが入射すると、前記第１の実施の形態による放射検出装置１００と同様の干渉現象によって赤外線吸収部５１が赤外線ｉを吸収して熱を発生する。この熱が変位発生部分１０，１１に伝わり、この熱に応じてカンチレバーを構成している変位発生部分１０，１１が下方に湾曲して傾斜する。このため、部材５０が、放射吸収部５１との相対的な位置関係（すなわち、間隔Ｌ１）を保ったまま、入射した赤外線ｉの量に応じた量だけ基板１の面に対して傾き、可動電極部としての部材５０と固定電極部５３との間の距離が変化する。これにより、部材５０と固定電極部５３との間の静電容量の値が変化し、入射赤外線量を拡散層５４，５５間から静電容量の変化として検出することができる。なお、図面には示していないが、拡散層５４，５５はその静電容量を読み出す読み出し回路に接続されている。
【００９０】
なお、変位部４、脚部２，３及び固定電極部５３を単位素子（画素）として、この画素が基板１上に１次元状又は２次元状に配置されており、前記読み出し回路から赤外線画像信号が得られる。
【００９１】
本実施の形態によっても、前記第１の実施の形態と同様の利点が得られる。
【００９２】
なお、本実施の形態による放射検出装置１０４も、膜の形成及びパターニング、犠牲層の形成及び除去などの半導体製造技術を利用して、製造することができる。
【００９３】
［第６の実施の形態］
【００９４】
図９は、本発明の第６の実施の形態による静電容量型の放射検出装置１０５の単位画素（単位素子）を示す概略断面図であり、前述した図８（ｂ）に対応している。図９において、図８中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。
【００９５】
この放射検出装置１０５が図８に示す前記放射検出装置１０４と異なる所は、以下の点のみである。
【００９６】
この放射検出装置１０５では、図８中の赤外線吸収部５１が取り除かれている。また、放射検出装置１０５では、図８中の部材５０の代わりに、入射した赤外線ｉの一部を反射する赤外線吸収部及び可動電極部として兼用される平板状の部材６０が、変位発生部分１０，１１の先端部分に接続されている。さらに、放射検出装置１０５では、固定電極部５３が、赤外線ｉを略々全反射する赤外線反射部として兼用されている。部材６０と固定電極部５３との間の間隔は前述した間隔Ｌ１となっている。部材６０は、例えば、ＩＴＯ膜等の金属酸化物膜などで構成される。
【００９７】
本実施の形態では、赤外線反射部として兼用されている固定電極部５３が基板１に対して固定されているので、変位部４が変位すると間隔Ｌ１が変化することから、分光感度特性の安定性の点では前記第５の実施の形態より劣るが、他の点に関しては前記第５の実施の形態と同様の利点が得られる。
【００９８】
以上、本発明の各実施の形態について説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されるものではない。例えば、膜の材料や寸法等は前述したものに限定されない。
【００９９】
また、前記第１の実施の形態を変形して第２の実施の形態又は第３の実施の形態を得たのと同様の変形を、前記第４乃至第６の実施の形態に適用してもよい。
【０１００】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、検出感度及び検出応答性の両方を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による放射検出装置の単位画素を示す図であり、図１（ａ）はその概略平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）中のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図である。
【図２】図１に示す放射検出装置を用いた映像化装置の一例を示す概略構成図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態による放射検出装置の単位画素を示す概略平面図である。
【図４】図３中のＢ−Ｂ’線に沿った概略断面図である。
【図５】図３中のＣ−Ｃ’線に沿った概略断面図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態による放射検出装置の単位画素を示す概略断面図である。
【図７】本発明の第４の実施の形態による放射検出装置の単位画素を示す概略断面図である。
【図８】本発明の第５の実施の形態による放射検出装置の単位画素を示す図であり、図８（ａ）はその概略平面図、図８（ｂ）は図８（ａ）中のＤ−Ｄ’線に沿った概略断面図である。
【図９】本発明の第６の実施の形態による放射検出装置の単位画素（単位素子）を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１  基板
２，３  脚部
４  変位部
５，５１  赤外線吸収部
１０，１１  変位発生部分
１２  読み出し光反射部及び赤外線反射部を兼用する部材
４１  赤外線反射部
４２  読み出し光ハーフミラー部
４３  読み出し光反射部
５１  可動電極及び赤外線吸収部を兼用する部材
５３  固定電極
６０  赤外線吸収部及び可動電極部を兼用する部材
１００〜１０５  放射検出装置
【図１】
0004051830.tif 000002
【図２】
0004051830.tif 000003
【図３】
0004051830.tif 000004
【図４】
0004051830.tif 000005
【図５】
0004051830.tif 000006
【図６】
0004051830.tif 000007
【図７】
0004051830.tif 000008
【図８】
0004051830.tif 000009
【図９】
0004051830.tif 000010