(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学的に識別可能な状態間で可逆的に変化する記録薄膜を有する光記録媒体上に、複数パワーのレーザ光を切り換えて照射し、パルス幅変調されたデジタル信号を、光ビームを用いてオーバーライトする記録方法であって、
前記レーザ光を前記記録薄膜に記録する記録パワー以上のパワーに予め設定した第１のパワーと、
前記第１のパワーよりも低いパワーに予め設定した第２のパワーとの間で変調した複数のパルスからなる記録パルス列と、前記記録パルス列後に、レーザ光パワーが前記記録パワー未満であるバイアスパワーよりもさらに低いパワーの冷却パワーでレーザ光照射する冷却パルスとを有する記録波形で、レーザ光照射することにより、少なくとも所定の記録マーク長に対応する記録マークを記録する場合に、前記所定の記録マーク長に対応する記録マークの形成において、前記記録パルス列の終端パルスの立下がり始点から前記冷却パワーに至るまでの間に段階的にパワーが変化する期間を有し、
長い記録マークを記録するときよりも短い記録マークを記録するときにおいて、前記冷却パワーでのレーザ光照射時間を長くすることを特徴とする光学的情報の記録方法。
【請求項２】
光学的に識別可能な状態間で可逆的に変化する記録薄膜を有する光記録媒体上に、複数パワーのレーザ光を切り換えて照射し、パルス幅変調されたデジタル信号を、光ビームを用いてオーバーライトする記録方法であって、
前記レーザ光を前記記録薄膜に記録する記録パワー以上のパワーに予め設定した第１のパワーと、
前記第１のパワーよりも低いパワーに予め設定した第２のパワーとの間で変調した複数のパルスからなる記録パルス列と、前記記録パルス列後に、レーザ光パワーが前記記録パワー未満であるバイアスパワーよりもさらに低いパワーの冷却パワーでレーザ光照射する冷却パルスとを有する記録波形で、レーザ光照射することにより、少なくとも所定の記録マーク長に対応する記録マークを記録する場合に、前記所定の記録マーク長に対応する記録マークの形成において、前記記録パルス列の終端パルスの立下がり始点から前記冷却パワーに至るまでの間に段階的にパワーが変化する期間を有し、
長い記録マークを記録する場合よりも短い記録マークを記録するときにおいて、前記記録パルス列の終了時点に対する前記冷却パワーでのレーザ光照射開始時間を早くすることを特徴とする光学的情報の記録方法。
【請求項３】
光学的に識別可能な状態間で可逆的に変化する記録薄膜を有する光記録媒体上に、複数パワーのレーザ光を切り換えてパルス間隔を変調したデジタル信号を光ビームを用いてオーバーライトする記録方法であって、前記レーザ光を前記記録薄膜に記録する記録パワー、前記記録パワーよりも低いパワーのバイアスパワー、及び前記バイアスパワーよりも低いパワーの冷却パワーの少なくとも３パワーの間で変調したパルスからなる記録波形で、レーザ光照射することにより記録マークを形成し、前記記録マーク間は前記バイアスパワーで照射する場合に、前記記録パワーでのレーザ光照射と前記冷却パワーでのレーザ光照射との間に、前記バイアスパワーでのレーザ光照射時間を設け、前記光記録媒体の半径方向の位置に応じて、前記記録パワー終了時点からの前記冷却パワーでのレーザ光照射開始時間を変化させ、
前記光記録媒体の所定の半径より外側の領域で記録するときよりも内側の領域で記録するときにおいて、前記冷却パワーでのレーザ光照射開始時間を早くすることを特徴とする光学的情報の記録方法。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、レーザ光線等の光学的手段を用いて情報を高速かつ高密度に記録する光ディスクの記録方法に関するものである。
背景技術
レーザ光線を利用して高密度な情報の再生あるいは記録を行う技術は公知であり、おもに光ディスクとして実用化されている。
光ディスクは、再生専用型、追記型、書き換え型に大別することができる。
再生専用型は、例えばコンパクトディスクやレーザディスクとして、また追記型や書き換え型は文書ファイル、データファイル等として実用化されている。
更に、書き換え型光ディスクの中には、おもに光磁気と相変化型がある。
相変化光ディスクは、記録層がレーザ光線等の照射によって、例えばアモルファスと結晶間、あるいは結晶とさらに異なる構造の結晶間の何れか等で、可逆的に状態変化を起こすことを利用する。これは、レーザ光照射により、薄膜の屈折率あるいは消衰係数のうち少なくとも何れか一つが変化して記録を行い、この部分で透過光あるいは反射光の振幅が変化し、その結果検出系に至る透過光量あるいは反射光量が変化することを検出して信号を再生する。なお、アモルファスと結晶間で状態変化を起こす代表的な材料としては、Ｔｅ、Ｓｅ、Ｉｎ、Ｓｂ等の合金が主に用いられている。
また、相変化光ディスクでは、記録マークの書き換えに１ビームオーバーライトを用いることができる。１ビームオーバーライトとは、記録信号によりレーザパワーを記録パワーと、当該記録パワーよりも低いパワーのバイアスパワー（消去パワーとも称される）の間で変調して信号トラック上に照射することにより、既に記録されている古い信号を消去しながら新しい信号を記録する方法である。オーバーライト自体では記録パワーレベルとバイアスパワーレベルの２レベルで済むが、記録・消去・再生を考慮すると、記録パワーレベル、バイアスパワーレベル及び再生パワーレベルの３レベルが必要である。
例えば結晶・アモルファス間の相変化光ディスクでは、記録レベルで照射された領域は、元の状態がアモルファスか結晶かに関わらず、溶融後急速に冷却されるためアモルファスとなり、消去レベルで照射された領域は、結晶化温度以上に昇温するため、元の状態に関わらず結晶化して、新しい信号がオーバーライトされる。
一方、光ディスクの記録再生装置では、光ディスクの回転方式は大別して２つある。ディスクの内外周で線速度が同じになるようにディスクを回転させる方法（以下ＣＬＶ）と、ディスクを一定の角速度で回転させる方法（以下ＣＡＶ）である。
例えば、コンピューター用の外部メモリ等に用いられるデータファイルの様に高速なアクセスが必要とされる場合には、ディスク回転数を変えるには時間がかかるためＣＡＶが使用されており、この場合、ディスクの周方向の線速度が外周で速く内周で遅くなる。
又、記録変調方式には、マーク間（マークポジションとも称される）変調とマーク長（マークエッジとも称される）変調の２種類がある。
マーク間変調記録は、マーク間隔を変化させて記録し、再生時にはマークの位置を検出して信号検出するものである。
マーク長変調記録は、種々の長さのマークを種々のマーク間隔で記録し、再生時にはマークの両端の位置を検出して信号を検出するものである。マーク長変調方式は、マーク間変調方式に比べて原理的に２倍の高密度化が可能である。
相変化光ディスク上へのレーザ記録は、原理的にはヒートモードによるものであり、従って長いマークを記録する場合には、蓄熱効果によってマークの先端より終端が太くなってマークが涙状に歪み、結果として再生波形も歪みマークの両端の位置がずれてしまう。
そこで、上述のマーク長変調方式においては、一つの記録マークを形成するための記録波形を、複数のパルスからなる記録パルス列で構成（マルチパルス記録とも称される）する記録方法が提案されている（例えば、特開平３−１８５６２８号公報）。これにより、単パルスにより記録する方法に比べて記録膜が受ける熱が制御でき、マーク形状が単パルスの場合のようにマークの始終端で非対称にならず良好なマーク形状となる。
しかし、上記のようなマルチパルス記録方式でも、高密度化の要請のためにマーク間隔を狭くすると、マーク間で熱干渉を起こしてマークの長さや形状が変化する。
これを改善する方法として、例えば特開平７−１２９９５９号公報が提案されている。当該公報では、熱干渉量を予め予測し、前記マルチパルス記録において記録マーク長およびマーク間隔によって記録パルス列の始端部分と終端部分の位置を変化させ、マーク間の熱干渉を抑制し、信号特性を良好にするというものである。
また、１ビームオーバーライトにおいて記録パルスを記録パワー、バイアスパワー、および記録パワーの直後に設けたバイアスパワーより低いパワーの３段階に変調する記録方法が提案されている（例えば、特開昭６３−１１３９３８号公報）。
さらに、マルチパルス記録方式にバイアスパワーより低いパワーでのレーザ光照射を付加した記録方法も提案されている（例えば、特開平６−２９５４４０号公報）。
また、マーク間隔によって、冷却パワーでの照射時間（以下、冷却パワー照射時間）を変化させるという記録方法が提案されている（特願平５−８０４９１）。
書き換え可能な相変化材料を用いた光ディスク等のいわゆる光ディスクに、例えば半導体レーザー等の光源により光を照射し、物理的状態変化を生じさせ信号を記録する場合、光源の光に起因した熱によって、記録層の温度は数百度にまで達し、記録薄膜は溶融される。
従って、書き換え回数を重ねるすなわち多サイクルすることにより、熱ダメージによる信号劣化が生じる。
信号劣化の原因としては、誘電体層や記録層の破壊と、記録層の物質流動と呼ばれる現象がある。物質流動とは、記録時に記録層およびその周辺が高温となるため、多サイクルすることにより記録層物質がトラック方向に移動し、同一トラック上に記録膜の薄いところと厚いところが生じる現象であり、その結果として信号の再生波形が潰れてしまい、当該部分では信号が再生できなくなる。何れにしても、多サイクルによる信号劣化が大きい場合には、それによって光ディスクの用途が限定されてしまう。
また、光ディスク装置で半導体レーザーにより光を照射して物理的状態変化を生じさせる場合、例えば書き換え可能な相変化材料を用いた光ディスクにおいて信号を記録する場合、レーザ光によって加熱された記録層の冷え方によって記録マーク形状が変化する。
すなわち、熱がこもった様な場合には、一度溶融された記録層がアモルファス化せず結晶化してしまう。その結果として、記録マークが小さくなったり、あるいは記録マークの形状が歪んだりし、再生信号品質が悪化する。
そして、従来の様な冷却パルスを採用した場合、マーク後端部での熱のこもりが低減されてアモルファス化は容易になるが、場合によっては後端部で冷却速度が大きくなりすぎることに起因して、アモルファス領域がマーク先端部より大きくなることがある。
さらに、冷却パワーやその照射時間の条件によっては、オーバライト特性が悪化する場合がある。この原因は、記録マークが後端で横方向に大きくなりすぎるため、かえってマーク歪となったり、あるいはオーバライトにより消し残りが発生するためと考えられる。
更なる高密度な記録を考えた場合には、マークの前端部と後端部との対称性が充分でないために、オーバーライト後の再生ジッタが大きく、再生信号品質としては充分ではなかった。
また、マーク間変調記録では冷却パルスを付加することにより、マークを大きく形成し、Ｃ／Ｎを大きくし良好な信号品質を実現できる。ここでＣ／Ｎとはｃａｒｒｉｅｒ  ｌｅｖｅｌとｎｏｉｚｅ  ｌｅｖｅｌの比をとったものである。
しかしながら、冷却パワーの条件によっては、オーバライト特性が悪化する場合がある。この原因は、記録マークが横方向に大きくなりすぎるため、オーバライトにより消し残りが発生するため等が考えられる。
本発明は、マーク後端部での熱の冷却条件を細かく制御し、記録マークを所望の形状に形成し、再生信号品質が更に向上可能で、また熱によるダメージを緩和し、良好なサイクル特性を得ることが可能な記録方法を提供するものである。
発明の開示
上記目的を達成するための本発明の記録方法は、光学的に識別可能な状態間で可逆的に変化する記録薄膜を有する光記録媒体上に、複数パワーのレーザ光を切り換えて照射し、パルス幅変調されたデジタル信号を、光ビームを用いてオーバーライトする記録方法であって、
前記レーザ光を前記記録薄膜に記録する記録パワー以上のパワーに予め設定した第１のパワーと、
前記第１のパワーよりも低いパワーに予め設定した第２のパワーとの間で変調した複数のパルスからなる記録パルス列と、前記記録パルス列後に、レーザ光パワーが前記記録パワー未満であるバイアスパワーよりもさらに低いパワーの冷却パワーでレーザ光照射する冷却パルスとを有する記録波形で、レーザ光照射することにより、少なくとも所定の記録マーク長に対応する記録マークを記録する場合に、前記所定の記録マーク長に対応する記録マークの形成において、前記記録パルス列の終端パルスの立下がり始点から前記冷却パワーに至るまでの間に段階的にパワーが変化する期間を有し、
長い記録マークを記録するときよりも短い記録マークを記録するときにおいて、前記冷却パワーでのレーザ光照射時間を長くすることを特徴とする光学的情報の記録方法である。
また、本発明の記録方法は、光学的に識別可能な状態間で可逆的に変化する記録薄膜を有する光記録媒体上に、複数パワーのレーザ光を切り換えて照射し、パルス幅変調されたデジタル信号を、光ビームを用いてオーバーライトする記録方法であって、
前記レーザ光を前記記録薄膜に記録する記録パワー以上のパワーに予め設定した第１のパワーと、
前記第１のパワーよりも低いパワーに予め設定した第２のパワーとの間で変調した複数のパルスからなる記録パルス列と、前記記録パルス列後に、レーザ光パワーが前記記録パワー未満であるバイアスパワーよりもさらに低いパワーの冷却パワーでレーザ光照射する冷却パルスとを有する記録波形で、レーザ光照射することにより、少なくとも所定の記録マーク長に対応する記録マークを記録する場合に、前記所定の記録マーク長に対応する記録マークの形成において、前記記録パルス列の終端パルスの立下がり始点から前記冷却パワーに至るまでの間に段階的にパワーが変化する期間を有し、
長い記録マークを記録する場合よりも短い記録マークを記録するときにおいて、前記記録パルス列の終了時点に対する前記冷却パワーでのレーザ光照射開始時間を早くすることを特徴とする光学的情報の記録方法である。
また、本発明の記録方法は、光学的に識別可能な状態間で可逆的に変化する記録薄膜を有する光記録媒体上に、複数パワーのレーザ光を切り換えてパルス間隔を変調したデジタル信号を光ビームを用いてオーバーライトする記録方法であって、前記レーザ光を前記記録薄膜に記録する記録パワー、前記記録パワーよりも低いパワーのバイアスパワー、及び前記バイアスパワーよりも低いパワーの冷却パワーの少なくとも３パワーの間で変調したパルスからなる記録波形で、レーザ光照射することにより記録マークを形成し、前記記録マーク間は前記バイアスパワーで照射する場合に、前記記録パワーでのレーザ光照射と前記冷却パワーでのレーザ光照射との間に、前記バイアスパワーでのレーザ光照射時間を設け、前記光記録媒体の半径方向の位置に応じて、前記記録パワー終了時点からの前記冷却パワーでのレーザ光照射開始時間を変化させ、
前記光記録媒体の所定の半径より外側の領域で記録するときよりも内側の領域で記録するときにおいて、前記冷却パワーでのレーザ光照射開始時間を早くすることを特徴とする光学的情報の記録方法である。
本発明の光学的情報の記録方法によれば、記録マーク後端部を所望の形状に形成でき、良好な再生信号特性が得られ、また、熱的ダメージを著しく緩和でき、良好なサイクル特性が得られる。
発明を実施するための最良の形態
本発明の記録方法はマーク長変調記録において、
（Ａ）記録パルス列と冷却パワーでのレーザ光の照射開始までにバイアスパワーでのレーザ光照射を行う。
（Ｂ）記録マーク長に応じて冷却パワー照射時間あるいは冷却パワーでのレーザ光照射開始時間を変化させる。
（Ｃ）記録マーク長が予め決められたものより短い場合にのみ、冷却パワー照射時間あるいは冷却パワーでのレーザ光照射開始時間を変化させる。
（Ｄ）記録マーク長が予め決められたものより短い場合にのみ、一定の冷却パワー照射時間および冷却パワー開始時間の冷却パルスを付加する。
（Ｅ）光ディスクを角速度一定で回転させる時、ディスク内周部において予め決められたマーク長さ以下のマークを記録する時のみ、冷却パルスを付加する。
（Ｆ）光ディスクを角速度一定で回転させる時、ディスクの半径に応じて冷却パワー照射時間、冷却パワー開始時間を変化させる。
また、本発明の記録方法は、マーク間変調記録において、
（Ｇ）記録パワーと冷却パワーでのレーザ光の照射開始までにバイアスパワーでのレーザ光照射を行う。
（Ｈ）光ディスクを角速度一定で回転させる時、ディスクの半径に応じて冷却パワー開始時間を変化させる。
の何れかの構成としたものであるため、マーク前端部・後端部での形状の非対称性を抑制し、記録マークを所望の形状に形成し、良好な再生信号品質が実現できる。
そして、本発明の記録方法は、マーク長変調記録において、記録パルス列が始端パルスと終端パルスと始端・終端パルス間のデータクロックの１周期以下の周期で交互に切り換わるパルスからなる場合に、
（Ｉ）前記記録パルス列の終端パルス後に冷却パワーでのレーザ光照射を行う、
（Ｊ）前記記録パルス列の終端パルスと冷却パワーでのレーザ光の照射開始までにバイアスパワーでの照射を行う、
また、マーク長変調記録において、記録パルス列が始端パルスと終端パルスと始端・終端パルス間のデータクロックの１周期以下の周期で交互に切り換わるパルスからなり、始端パルスと終端パルスの位置がそれぞれマーク長およびマーク間隔に応じて変化する場合に、
（Ｋ）冷却パワーでのレーザ光照射時間は一定で、記録パルス列の始端パルスや終端パルスの位置によらず、冷却パワーでのレーザ光照射開始までの時間が、記録パルス列の終端パルスから一定、または冷却パワーでのレーザ光照射開始のタイミングがクロックに基づく、
の何れかの構成としたものであるため、始端パルスと終端パルスの位置を変動させることで、記録マーク間の熱干渉によるマーク長変動が抑制されるため、高密度記録が可能であると同時に、バイアスレベルの一部を冷却パワーとすることで、記録薄膜の記録時のトータルエネルギーが低減でき、多サイクルした場合の熱的ダメージによる信号劣化を軽減し良好なサイクル特性も実現できる。
また、本発明の参考例の記録装置は、データのＨｉ期間の始端位置に一定幅の始端パルスを発生する始端パルス発生回路と、データのＨｉ期間が長い場合はマークの中間位置にバーストゲート信号を発生し、データのＨｉ期間が短い場合はバーストゲート信号を発生しないバーストゲート発生回路と、データのＨｉ期間の終端位置に一定幅の終端パルスを発生する終端パルス発生回路と、データのＨｉ期間がｎクロックの時、前記始端パルスと終端パルスを含むｎＴマーク信号を発生し、データのＬｏ期間がｍクロックの時、スペース両端の前記終端パルスと始端パルスを含むｍＴスペース信号を発生するマーク／スペース長検出回路（ただし、ｎ，ｍはデータ列に存在する自然数）と、前記ｎＴマーク信号とｍＴスペース信号とから後述の始端用セレクタおよび終端用セレクタを制御するためのセレクト信号を発生するエンコーダと、後述の終端用プログラマブルディレイラインからの遅延終端パルスから一定幅の冷却パルスを発生する冷却パルス発生回路と、前記セレクタ信号により複数の始端設定値から一つを選択して出力する始端用セレクタと、前記始端用セレクタの始端設定値出力を前記始端パルスがきた時だけ更新し、こないときは前の値を保持する始端用サンプル／ホールド回路と、前記始端用サンプル／ホールド回路の出力の始端設定値で遅延量を変化させて、前記始端パルスを遅延させた遅延始端パルスを出力する始端用プログラマブルディレイラインと、冷却パルス発生回路から出力される冷却パルスの遅延量を変化させて遅延冷却パルスを出力する冷却パルス用ディレイラインと、前記セレクタ信号により複数の終端設定値から一つを選択して出力する終端用セレクタと、前記終端用セレクタの終端設定値出力を前記終端パルスがきたときだけ更新し、こないときは前の値を保持する終端用サンプル／ホールド回路と、前記終端用サンプル／ホールド回路の出力の終端設定値で遅延量を変化させて、前記終端パルスを遅延させて、前記終端パルスを遅延させた遅延終端パルスを出力する終端用プログラマブルディレイラインと、を備え、
（Ｌ）この冷却パルス発生回路に、終端用プログラマブルディレイラインからの遅延終端パルスを入力することにより、冷却パルスを発生させる、
（Ｍ）この冷却パルス発生回路に、終端パルス発生回路からの終端パルスを入力することにより、冷却パルスを発生させる、
構成としたものであり、上記記録方法と同様の作用により、記録薄膜の記録時のトータルエネルギーを低減でき、多サイクル記録した場合の熱的ダメージによる信号劣化を軽減し、良好なサイクル特性を有する装置を提供できる。
さらに、本発明の記録方法は、マーク長変調記録する場合に、
（Ｎ）１つの記録マークを形成するための記録パルス列後に、バイアスパワーより小さいパワーを含む少なくとも２つ以上の異なったパワーでレーザ光を照射する冷却パルスとしてのマーク後端補正パルス列を設ける、
（Ｏ）記録パルス列でのレーザ光照射後、連続的にバイアスパワーより小さいパワーまでパワーが変化する期間を有する冷却パルスとしてのマーク後端補正パルス列を設ける、
（Ｐ）記録パルス列後、冷却パルスとしてのマーク後端補正パルス列までの間にバイアスパワーでのレーザ光照射を行う、
（Ｑ）記録するマーク長に応じて、冷却パルスとしてのマーク後端補正パルス列開始時間または、冷却パルスとしてのマーク後端補正パルス列のパルス形状を変化させる、
（Ｒ）光ディスクを角速度一定で回転させる時、ディスクの半径方向の位置に応じて、前記２つのマーク後端補正パルス列開始時間または、マーク後端補正パルス列のパルス形状を変化させる、
の何れかの構成としたものであるため、マーク前端部・後端部での形状の非対称性を抑制し、記録マークを所望の形状に形成し、良好な再生信号品質が実現できる。
以下、図面を用いて本発明の具体的実施の形態を挙げ、本発明をより詳細に説明する。
図２を用いて本実施の形態で用いたディスクの構造について説明する。誘電体層、記録層、反射層は真空蒸着またはスパッタリングなどの通常の薄膜形成方法で、透明基板５１上に形成する。基板５１上に、第１の誘電体５２、記録層５３、第２の誘電体層５４、反射層５５を順次設ける。さらにその上に、密着した保護層５６を設ける。また、光ディスクとしては、反射層５５や保護層５６のない構造の光ディスクでも適用可能である。記録、再生を行うレーザー光は基板５１側から入射させる。
基板５１の材質は、ガラス、石英、ポリカーボネート、あるいは、ポリメチルメタクリレートを使用できる。また、基板は平滑な平板でも表面にトラッキングガイド用の溝状の凸凹があるものでもよい。
保護層５６としては、樹脂を溶剤に溶かして塗布・乾燥したものや、樹脂板を接着剤で接着したもの等が使える。
記録層５３に用いる記録層材料としては、アモルファス・結晶間の相変化をするカルコゲン合金がよく知られており、例えばＳｂＴｅ系、ＧｅＳｂＴｅ系、ＧｅＳｂＴｅＳｅ系、ＧｅＳｂＴｅＰｄ系、ＴｅＧｅＳｎＡｕ系、ＡｇＳｂＴｅ系、ＧｅＴｅ系、ＧａＳｂ系、ＩｎＳｅ系、ＩｎＳｂ系、ＩｎＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＳｅ系、ＩｎＳｂＴｅＡｇ系等、例えば上記系統の合金の相変化特性または光学特性に影響を及ぼさない範囲で他の元素を含む合金等が使える。
誘電体層５２、５４としてはＳｉＯ2、ＳｉＯ、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ｔａ2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3、ＧｅＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＢＮ、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＰｂＳ等あるいはこれらの混合物が使える。
反射層５５としてはＡｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ等の金属材料を主成分とした材料、あるいはこれらの混合物、さらには所定の波長における反射率の大きな誘電体多層膜等が使える。
上記材料の内、後述の本実施の形態で用いたディスクは、φ１３０ｍｍのポリカーボネート製信号記録用トラックを持つ基板を用い、基板上に第１の誘電体層としてＺｎＳ−ＳｉＯ2混合膜を厚さ１３００Åスパッタリングにより形成した。
また、後述の実施の形態１、２で用いたディスクの記録層組成はＧｅ22Ｓｂ24Ｔｅ54、また、実施の形態３〜１８で用いたディスクの記録層組成はＧｅ21Ｓｂ26Ｔｅ53とし、記録層を２５０Å、第２の誘電体層としてＺｎＳ−ＳｉＯ2混合膜を厚さ２００Å形成した。反射層はＡｌ膜を１５００Åスパッタリングにより成膜を行った。そしてその上にポリカーボネートの保護層を設けた。
ここで、後述するすべての本実施の形態で用いた光ディスク装置について、図３を用いて説明する。光ディスク６１は、スピンドルモータ６２に取り付けられ回転可能である。光学ヘッド６３は半導体レーザを光源とし、コリメータレンズ、対物レンズ等により光ディスク上にレーザスポットを形成する。
半導体レーザはレーザ駆動回路６４により駆動されるが、信号を記録する場合には、入力信号は波形補正回路６５により波形補正されたのち、レーザ駆動回路６４へ入力される。
一般に、波形補正回路を複雑なものにすることはコストの面からも望まれるものではなく、それ故に波形補正に関してもできるだけ簡素なパターン、例えば全てのマーク長それぞれに対して記録波形を変化するのではなく、予め決められたマーク長についてのみ記録波形を変化するという方がよいと考えられる。
実施の形態で用いた具体的な記録パルス列の一形状を図４に示す。但し、図４の記録パルス列Ａ〜Ｄにはマーク長変調記録において、６Ｔマークを記録する場合の代表的な記録パルス列パターンを示す。
なお、本実施の形態のマーク長変調記録においては、すべて、レーザ光の第１のパワーを記録パワー、第２のパワーをバイアスパワー、冷却パワーや冷却パルスとしてのマーク後端補正パルス列の最低パワーを再生パワーとして行った結果をしめす。この様に第１のパワーを記録パワー、第２のパワーをバイアスパワー及び最低パワーを再生パワーとすると、特に波形補正回路の構成が簡略化できるため好ましいが、本発明に適用するレーザ光のパワーはこれに限定されるものではなく、第１のパワーは記録パワー以上、第２のパワーは少なくとも第１のパワーよりも低いパワー、最低パワーを第２のパワーまたはバイアスパワーの何れかより低いパワーであれば自由に設定できること勿論である。
図４において、記録パルス列Ａは、記録マークを形成するために、レーザ光第１のパワー１．５Ｔからなる始端パルスと、第１と第２のパワーを０．５Ｔの周期で交互に切り換えたパルスより構成された記録パルス列である。ここでいうＴとはクロックのことである。
記録パルス列Ｂは、記録マークを形成するために、レーザ光第１のパワー１．０Ｔからなる始端パルスと、第１のパワーと第２のパワーを０．５Ｔの周期で交互に切り換えたパルスと、第１のパワー１．０Ｔからなる終端パルスより構成された記録パルス列である。
記録パルス列Ｃは、記録パルス列Ｂと同じパルス構成であり、かつ記録するマーク長および前後のマーク間隔により、記録パルス列の始端パルスと終端パルスの位置が変化するものである。
記録パルス列Ｄは、記録マークを形成するために、レーザ光第１のパワーと第２のパワーを０．５Ｔ周期で交互に切り換えたパルスより構成された記録パルス列である。
なお、本発明に適応する記録パルス列のパルス幅（始端パルス幅、終端パルス幅、始端・終端パルス間のパルスの幅、記録パルス列Ｄの場合の記録パルス列のパルス幅等）は、図４に示したものに限定されるものではなく、自由に設定できることはもちろんである。
また、本実施の形態で、マーク間変調記録で冷却パルスを付加した場合に採用した具体的な記録波形の一形状を図５に示す。
入力波形Ａは（２、７）変調方式の一例である。この場合のマーク幅は０．５Ｔである。ここではマーク間隔を２．０Ｔ、３．５Ｔ、１．５Ｔとした場合を示してある。
記録波形Ｅは入力波形Ａを記録する場合であり、記録パルス幅は０．２５Ｔである。
記録波形Ｆは入力波形Ａを記録する場合であり、記録パワー照射直後に冷却パワーレベルを照射したものである。記録パルス幅は０．２５Ｔで冷却パワー照射時間は０．２５Ｔである。
記録波形Ｇは入力波形Ａを記録する場合であり、記録パワーレベル照射後にバイアスパワーレベルでの照射を行い、その後、冷却パワーレベルでの照射を行ったものである。記録パルス幅は０．２５Ｔで、冷却パワー照射時間は０．２５Ｔ、冷却パワー開始時間は０．２５Ｔである。
また、本実施の形態でマーク長変調記録で冷却パルスを付加した場合に採用した具体的な記録波形の一形状を図１に示す。図１では、図４の記録パルス列Ａをもちいた場合について示す。
入力波形ＢはＥＦＭ（Ｅｉｇｈｔ  ｔｏ  Ｆｏｕｒｔｅｅｎ  Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）信号の入力波形の一例である。ＥＦＭ変調は、３Ｔから１１Ｔの間の９種類の長さの信号の組合せによってデータを変調するもので、ここでいうＴとはクロックのことである。
記録波形Ｈは入力波形Ｂを記録する場合であり、冷却パルスを付加しない場合である。
記録波形Ｉは入力波形Ｂを記録する場合に冷却パルスを付加した記録波形であり、直前の記録マーク長によらず、冷却パワー照射時間を０．５Ｔ、冷却パワー開始時間を０と一定にして付加したものである。
記録波形Ｊは入力波形Ｂを記録する場合に冷却パルスを付加した記録波形であり、直前の記録マーク長によらず冷却パワー照射時間を０．５Ｔ、冷却パワー開始時間を０．２５Ｔと一定にして付加したものである。
以下、具体的実施の形態をもって本発明をさらに詳細に説明する。
（実施の形態１）
本実施の形態ではマーク間変調で、記録パワーと冷却パワーとのレーザ光照射の間に、バイアスパワーでのレーザ光照射を行った場合について説明する。
光ディスクの評価条件は、レーザー光の波長が６８０ｎｍ、記録装置の記録再生に用いる光学ヘッドの対物レンズのＮＡを０．５５、（２、７）変調を最短マークピッチが２．１μｍとなるようにクロックＴを設定し、１ビームオーバーライトにより１００回記録し、再生信号を微分しピーク検出を行い、その検出信号のジッタ値：σsum／Ｔｗ（％）を測定した。ここでσはジッタの標準偏差、Ｔｗは検出系のウインドウ幅である。線速度は、６．０ｍ／ｓである。
このディスクについて、信号の記録は、マークピッチが２．１μｍとなる単一周波数を記録したとき、Ｃ／Ｎが飽和する記録パワーと、その信号をマークピッチが５．６μｍとなる信号でオーバライトした場合に消去率が−２０ｄＢを越えるパワーマージンとの中央値のパワーを設定した。
本実施の形態で用いた記録波形とジッタをそれぞれ（表１）、（表２）に示す。
【表１】
0004145958.tif 000002
【表２】
0004145958.tif 000003
（表１）の記録波形１−１は、図５の記録波形Ｅのように冷却パルスを付加しない場合である。記録波形１−２は、図５の記録波形Ｆのように冷却パルスを記録パワーでのレーザ光照射直後に付加した場合である。但し、その時の冷却パワー照射時間は０．２５Ｔである。また、記録波形１−３は、図５の記録波形Ｇのように記録パワーでの照射後バイアスパワーでの照射を行い、その後、冷却パワーでの照射をおこなう場合である。但し、その時の冷却パワー照射時間を０．２５Ｔとし、冷却パワー開始時間を記録パワーでの照射終了後０．２０Ｔ遅らせた場合である。
（表２）から、記録波形１−１の場合は、他の記録波形に比べてジッタが悪くなっている。記録波形１−２の場合は、記録波形１−１に比べるとジッタが改善されているが、記録波形１−３と比べると悪い。すなわち、本発明による冷却パワー開始時間を遅らせた記録波形１−３の場合は、他の記録波形に比べてジッタが改善される。
以上のように、マーク間変調で冷却パルスの開始を遅らせることにより、ジッタの小さい記録が可能となる。
なお、本実施の形態では、冷却パワーの一例として再生パワーの場合を取り上げたが、冷却パワーがバイアスパワーとレーザオフレベルとの間の場合についても同様な結果が得られた。
（実施の形態２）
本実施の形態では、光ディスクを角速度一定で回転させ、マーク間変調で記録した時、冷却パワー開始時間をディスクの半径に応じて変化させた場合について説明する。
評価条件は、ディスクの回転数１５００ｒｐｍと一定で、（２、７）変調信号を最短マークピッチが常に２．１μｍとなるようにクロックＴを変えて、１ビームオーバーライトにより１００回記録し、ジッタ：σsum／Ｔｗ（％）を半径２３、３０、３７、４３、５０、５７ｍｍの位置で測定した。ここでσはジッタの標準偏差、Ｔｗは検出系のウインドウ幅である。また、この半径でのそれぞれの線速度は、約３．６、４．７、５．８、６．８、７．９、９．０ｍ／ｓである。なお、ディスクおよびその他の測定条件は実施の形態１と同じである。
本実施の形態で用いた記録波形とジッタをそれぞれ（表３）、（表４）に示す。
【表３】
0004145958.tif 000004
【表４】
0004145958.tif 000005
（表３）の記録波形２−１は、図５の記録波形Ｅのように冷却パルスを付加しない場合である。記録波形２−２は、図５の記録波形Ｆのように冷却パワーでのレーザ光照射を記録パワーでのレーザ光照射後に行う場合である。但し、その時の冷却パワー照射時間は０．３０Ｔである。また、記録波形２−３は、図５の記録波形Ｇのように記録パワーでの照射後、バイアスパワーでの照射を行い、その後冷却パワーでの照射を行う場合である。但し、その時の冷却パワー照射時間は０．３０Ｔ、冷却パワー開始時間は記録パワーでの照射終了後０．１０Ｔ後である。
（表４）から、記録波形２−１の場合は、他の記録波形に比べてジッタがディスクの内外周で悪化している。記録波形２−２を用いた場合には、ディスク内周部で他の記録波形に比べてジッタが改善されている。また、記録波形２−３を用いた場合には、ディスク内周部で記録波形２−２よりジッタが悪化している。しかし、ディスク外周部では他の記録波形よりジッタが改善している。
以上のことから、本発明のように、ディスク内周部では例えば記録波形２−２を適用し、ディスク外周部では例えば記録波形２−３を適用するという様に、ディスク内周部で冷却パワー開始時間を早めた記録波形を用いることにより、再生ジッタの良好な記録が可能となる。
以上のように光ディスクを角速度一定で回転させる場合、ディスク内周部において冷却パワー開始時間を早くすることにより、ディスク全周でジッタの小さい記録が可能となる。
なお、本実施の形態では実施の形態１と同様に冷却パワーが再生パワーの場合についての結果であるが、冷却パワーがバイアスパワーとレーザオフレベルの間の場合についても同様な結果が得られることは勿論である。
（実施の形態３）
本実施の形態では、マーク長変調で、記録パワーと冷却パワーとのレーザ光照射の間に、バイアスパワーでのレーザ光照射を行った場合について説明する。
光ディスクの評価条件は、レーザー光の波長が６８０ｎｍ、記録装置の記録再生に用いる光学ヘッドの対物レンズのＮＡを０．５５とし、８−１４変調（ＥＦＭ）された入力信号を最短マーク長が０．９０μｍとなるようにクロックＴを設定し、１ビームオーバーライトにより１００回記録した時の３Ｔから１１Ｔまでの再生信号のゼロクロス点のジッタ値：σsum／Ｔｗ（％）を測定した。ここでσsumは３Ｔから１１Ｔまでのジッタの総和の標準偏差、Ｔｗは検出系のウインドウ幅である。線速度は、４．０ｍ／ｓである。
このディスクにおいて、信号の記録は、記録マーク長が０．９μｍとなる単一周波数を記録したとき、Ｃ／Ｎが飽和する記録パワーを記録パワーとし、その３Ｔマークの信号を、１１Ｔ相当の単一周波数でオーバーライトした場合に、消去率が−２０ｄＢを越えるパワーマージンの中央値のパワーを設定し、バイアスパワーとした。
本実施の形態で用いた記録波形とジッタをそれぞれ（表５）、（表６）に示す。
【表５】
0004145958.tif 000006
【表６】
0004145958.tif 000007
（表５）では、３Ｔ〜１１Ｔまでの各マーク長のマークを記録する場合の冷却パワー照射時間と冷却パワー開始時間とを、３種類の記録波形毎に示してある。本実施の形態では、図４の記録パルス列Ａを用いた。
（表５）の記録波形３−１は、図１の記録波形Ｈのように冷却パルスを付加しない場合である。記録波形３−２は、図１の記録波形Ｉのように記録パルス列直後に冷却パワーでのレーザ光照射を行う場合である。但し、その時の冷却パワー照射時間は、マーク長３Ｔ〜１１Ｔによらず０．５Ｔと一定とし、冷却パワー開始時間は０とした場合である。また、記録波形３−３は、図１の記録波形Ｊのように記録パルス列直後にバイアスパワーでの照射を行い、その後冷却パワーでの照射を行う場合である。但し、その時の冷却パワー照射時間、冷却パワー開始時間は、マーク長によらずそれぞれ０．５Ｔと０．２Ｔである。
（表６）から、記録波形３−１の場合には、他の記録波形に比べてジッタが悪くなっている。記録波形３−２を用いた場合には、記録波形３−１に比べてジッタが改善されている。一方、本願発明による冷却パワー開始時間を遅らせた記録波形３−３の場合には、マーク前端部・後端部での対称性がより良好に制御されているため、他の記録波形に比べてジッタが小さくなっている。
以上のように、記録パワーと冷却パワーとのレーザ光照射の間に、バイアスパワーでのレーザ光照射を入れることにより、ジッタの小さい記録が可能となる。
なお、本実施の形態では冷却パワーを再生光パワーの場合について示したが、冷却パワーが０からバイアスパワーより小さいパワーの場合にも同様な結果が得られた。
また、本実施の形態では記録パルス列の第２のパワーがバイアスパワーの場合について示したが、第２のパワーが０以上記録パワー以下の場合にも同様な結果が得られた。
また、本実施の形態では記録パルス列として図４の記録パルス列Ａの場合について示したが、図４の記録パルス列Ｂ、Ｃ、Ｄの場合にも同様な結果が得られた。
（実施の形態４）
本実施の形態では、冷却パワー照射時間のみを記録マーク長によって変化させた場合について説明する。
それぞれの記録波形とジッタをそれぞれ（表７）、（表８）に示す。なお、測定条件は実施の形態３と同じである。
（表７）では、３Ｔ〜１１Ｔまでの各マーク長のマークを記録する場合の冷却パワー照射時間と冷却パワー開始時間とを、４種類の記録波形毎に示してある。本実施の形態では、図４の記録パルス列Ａを用いた。
（表７）の記録波形４−１は、図１の記録波形Ｈのように冷却パルスを付加しない場合である。記録波形４−２は、図１の記録波形Ｉのように冷却パワー照射時間をマーク長によらず０．１０Ｔと一定とし、その冷却パワー照射開始を記録パルス列直後とした場合である。また、記録波形４−３は、図１の記録波形Ｉのように記録パルス列直後に冷却パワーでの照射を行う場合である。但し、その時の冷却パワー照射時間は、記録波形４−２より長く０．５０Ｔとした場合である。さらに、記録波形４−４は、図１の記録波形Ｉのように記録パルス列直後に冷却パワーでの照射を行うものであり、その冷却パワー照射時間はマーク長が短いほど長くした場合である。
【表７】
0004145958.tif 000008
【表８】
0004145958.tif 000009
（表７）から、記録波形４−１の場合には、他の記録波形に比べてジッタが悪くなっている。記録波形４−２、４−３を用いた場合には、ジッタは記録波形４−１よりは改善されているものの、記録波形４−４に比べると悪い値である。
一方、本願発明による記録マーク長が短いほど冷却パワー照射時間を長くした記録波形４−４の場合には、マーク前端部・後端部での対称性が各マーク長についてより良好に制御されているために、ジッタ値が他の記録波形に比べて大きく改善されている。
以上のように、記録マーク長に応じて冷却パワー照射時間を変化させることにより、ジッタの小さい記録が可能となる。
なお、本実施の形態では冷却パワーを再生光パワーとした場合について示したが、冷却パワーが０からバイアスパワーより小さいパワーの場合にも同様な結果が得られた。
また、本実施の形態では記録パルス列の第２のパワーがバイアスパワーの場合について示したが、第２のパワーが０以上記録パワー以下の場合にも同様な結果が得られた。
また、本実施の形態では記録パルス列として図４の記録パルス列Ａの場合について示したが、図４の記録パルス列Ｂ、Ｃ、Ｄの場合にも同様な結果が得られた。
（実施の形態５）
本実施の形態では、マーク長が予め決めたものより短い時にだけ冷却パワー照射時間をマークの長さに応じて変化させた場合について説明する。
それぞれの記録波形とジッタをそれぞれ（表９）、（表１０）に示す。なお、測定条件は実施の形態３と同じである。
【表９】
0004145958.tif 000010
【表１０】
0004145958.tif 000011
（表９）では、３Ｔ〜１１Ｔまでの各マーク長のマークを記録する場合の冷却パワー照射時間と冷却パワー開始時間とを、３種類の記録波形毎に示してある。本実施の形態では、図４の記録パルス列Ａを用いた。
（表９）の記録波形５−１は、図１の記録波形Ｈのように冷却パルスを付加しない場合である。記録波形５−２は、図１の記録波形Ｉのように記録パルス列照射直後に冷却パワーの照射をマーク長が３Ｔ〜６Ｔのマーク長が短い場合にのみ変化させるものであり、冷却パワー照射時間は記録マーク長が短いほど長くした場合である。また、記録波形５−３は、マーク長が３Ｔの場合のみ冷却パワー照射時間が長く、冷却パルスを記録パルス列照射直後に付加した場合である。
（表１０）から、記録波形５−１の場合には、他の記録波形に比べてジッタが悪くなっている。一方、本願発明による３Ｔ〜６Ｔの記録マーク長の場合、そのマーク長が短いほど冷却パワー照射時間を長くした記録波形５−２では、記録波形５−１に比べてジッタが改善されている。
また、本願発明による記録マーク長が３Ｔの場合のみ長い冷却パワー照射時間を付加した記録波形５−３では、記録波形５−２に比べるとジッタは大きいものの、記録波形５−１に比べてジッタが改善されている。
以上のように、予め決められた記録マーク長以下の場合にのみ冷却パルス照射時間を変化させて付加することにより、ジッタの小さい記録が可能となる。この記録波形では、記録回路的にも簡素になりコストの面からも良いと考えられる。
なお、本実施の形態では冷却パワーを再生光パワーの場合について示したが、冷却パワーが０からバイアスパワーより小さいパワーの場合にも同様な結果が得られた。
また、本実施の形態では記録パルス列の第２のパワーがバイアスパワーの場合について示したが、第２のパワーが０以上記録パワー以下の場合にも同様な結果が得られた。
また、本実施の形態では記録パルス列として図４の記録パルス列Ａの場合について示したが、図４の記録パルス列Ｂ、Ｃ、Ｄの場合にも同様な結果が得られた。
（実施の形態６）
本実施の形態では、冷却パワー照射時間がマーク長によらず一定で冷却パワー開始時間のみを、記録するマーク長に応じて変化させた場合について説明する。
それぞれの記録波形とジッタをそれぞれ（表１１）、（表１２）に示す。なお、測定条件は実施の形態３と同じである。
【表１１】
0004145958.tif 000012
【表１２】
0004145958.tif 000013
（表１１）では、３Ｔ〜１１Ｔまでの各マーク長のマークを記録する場合の冷却パワー照射時間と冷却パワー開始時間とを、４種類の記録波形毎に示してある。本実施の形態では、図４の記録パルス列Ａを用いた。
（表１１）の記録波形６−１は、図１の記録波形Ｈのように記録パルス列照射後に冷却パルスを付加しない場合である。記録波形６−２は、図１の記録波形Ｉのように記録パルス列照射直後に冷却パワーの照射を行う場合である。但し、冷却パワー照射時間は、記録するマーク長によらず０．５０Ｔである。また、記録波形６−３は、図１の記録波形Ｊのように記録パルス列照射後バイアスパワーでの照射を行い、その後冷却パワーでの照射を行う場合である。但し、冷却パワー照射時間は０．５０Ｔ、冷却パワー開始時間を０．４Ｔとし、記録するマーク長に関わらず一定とした場合である。さらに、記録波形６−４は、記録波形６−３同様に、冷却パワー照射時間は０．５０Ｔとマーク長によらず一定であるが、冷却パワー開始時間を記録マーク長が短いほど早めた場合である。
（表１２）から、記録波形６−１の場合には、他の記録波形に比べてジッタが悪くなっている。記録波形６−２、記録波形６−３を用いた場合には、記録波形６−１に比べてジッタは改善されている。一方、本願発明による記録マーク長が短いほど冷却パワー開始時間を早めた記録波形６−４の場合には、他の記録波形に比べてさらにジッタが小さくなる。
以上のように、記録マーク長に応じて冷却パワー開始時間を変化させることにより、ジッタの小さい記録が可能となる。
なお、本実施の形態では冷却パワーを再生光パワーとした場合について示したが、冷却パワーが０からバイアスパワーより小さいパワーの場合にも同様な結果が得られた。
また、本実施の形態では記録パルス列の第２のパワーがバイアスパワーの場合について示したが、第２のパワーが０以上記録パワー以下の場合にも同様な結果が得られた。
また、本実施の形態では記録パルス列として図４の記録パルス列Ａの場合について示したが、図４の記録パルス列Ｂ、Ｃ、Ｄの場合にも同様な結果が得られた。
（実施の形態７）
本実施の形態では、冷却パワー照射時間が一定で、マーク長が予め決めたものより短い時にだけ、冷却パワー開始時間を記録するマークの長さによって変化させた場合について説明する。
それぞれの記録波形とジッタをそれぞれ（表１３）、（表１４）に示す。なお、測定条件は実施の形態３と同じである。
（表１３）では、３Ｔ〜１１Ｔまでの各マーク長のマークを記録する場合の冷却パワー照射時間と冷却パワー開始時間とを、３種類の記録波形毎に示してある本実施の形態では、図４の記録パルス列Ａを用いた。
（表１３）の記録波形７−１は、図１の記録波形Ｈのように冷却パルスを付加しない場合である。記録波形７−２は、図１の記録波形Ｊのように記録パルス列照射後バイアスパワーでの照射を行い、その後冷却パワーでの照射を行う場合であり、かつ記録するマーク長が３Ｔ〜６Ｔの場合には、マーク長が短いほど冷却パルス開始時間を早くした場合である。但し、冷却パワー照射時間は、０．５０Ｔとマーク長によらず一定である。
【表１３】
0004145958.tif 000014
【表１４】
0004145958.tif 000015
また、記録波形７−３は、３Ｔマークを記録する場合のみ、冷却パルスを記録パルス列照射直後に行い、４Ｔ〜１１Ｔのマークを記録する場合には冷却パワー開始時間を０．２０Ｔと一定とした場合である。
（表１４）から、記録波形７−１の場合には、他の記録波形に比べてジッタが悪くなっている。一方、本願発明による３Ｔ〜６Ｔの記録マーク長の場合、そのマーク長が短いほど冷却パワー開始時間を早くした記録波形７−２では、記録波形７−１に比べてジッタが改善されている。また、本願発明による３Ｔの記録マーク長の場合のみ冷却パルス開始時間を早めた記録波形７−３では、記録波形７−２に比べると、ジッタは大きいが記録波形７−１に比べるとジッタが改善されている。
以上のように、予め決められた記録マーク長以下の場合にのみ、冷却パルス開始時間を変化させ付加することにより、ジッタの小さい記録が可能となる。この記録波形では、記録回路的にも簡素になりコストの面からも良いと考えられる。
なお、本実施の形態では冷却パワーを再生光パワーとした場合について示したが、冷却パワーが０からバイアスパワーより小さいパワーの場合にも同様な結果が得られた。
また、本実施の形態では記録パルス列の第２のパワーがバイアスパワーの場合について示したが、第２のパワーが０以上記録パワー以下の場合にも同様な結果が得られた。
また、本実施の形態では記録パルス列として図４の記録パルス列Ａの場合について示したが、図４の記録パルス列Ｂ、Ｃ、Ｄの場合にも同様な結果が得られた。
（実施の形態８）
本実施の形態では、予め決められた長さ以下のマークを記録する場合にのみ、一定の冷却パワー照射時間および一定の冷却パワー開始時間の冷却パルスを付加する場合について説明する。
それぞれの記録波形とジッタをそれぞれ（表１５）、（表１６）に示す。なお、測定条件は実施の形態３と同じである。
【表１５】
0004145958.tif 000016
【表６】
0004145958.tif 000017
（表１５）では、３Ｔ−１１Ｔまでの各マーク長のマークを記録する場合の冷却パワー照射時間と冷却パワー開始時間とを、３種類の記録波形毎に示してある。
本実施の形態では、図４の記録パルス列Ａを用いた。
（表１５）の記録波形８−１は、図１の記録波形Ｈのように冷却パルスを付加しない場合である。記録波形８−２は、図１の記録波形Ｊのように記録するマーク長が３Ｔ〜６Ｔの場合のみ記録パルス列照射後バイアスパワーでの照射を行い、その後、冷却パワーでの照射を行う場合である。但し、マーク長が３Ｔ〜６Ｔまでの場合、冷却パワー照射時間を０．４３Ｔ、冷却パワー開始時間は０．０８Ｔとした冷却パルスを付加した場合である。また、記録波形８−３は、記録するマーク長が３Ｔの場合のみ冷却パワー照射時間を０．４３Ｔ、冷却パワー開始時間は０．０８と一定とした冷却パルスを付加した場合である。
（表１６）から、記録波形８−１の場合には、他の記録波形と比べてジッタが悪くなっている。一方、本願発明による予め決められたマーク長以下のマークを記録する時のみ、冷却パルス幅および開始時間を一定にした冷却パルスを付加した記録波形８−２を用いた場合には、記録波形８−１の場合よりもジッタが改善されている。また、本願発明による最短マーク長のマークを記録する時のみ冷却パルスを付加した記録波形８−３を用いた場合には、記録波形８−２には劣るものの、記録波形８−１に比べてジッタが改善されている。
以上のように、予め決められたマーク長以下のマークを記録する時のみ冷却パルス幅および開始時間を一定とした冷却パルスを付加することにより、ジッタの小さい記録が可能となる。この記録波形では、記録回路的にも簡素になりコストの面からも良いと考えられる。
なお、本実施の形態では冷却パワーを再生光パワーとした場合について示したが、冷却パワーが０からバイアスパワーより小さいパワーの場合にも同様な結果が得られた。
また、本実施の形態では記録パルス列の第２のパワーがバイアスパワーの場合について示したが、第２のパワーが０以上記録パワー以下の場合にも同様な結果が得られた。
また、本実施の形態では記録パルス列として図４の記録パルス列Ａの場合について示したが、図４の記録パルス列Ｂ、Ｃ、Ｄの場合にも同様な結果が得られた。
（実施の形態９）
本実施の形態では、光ディスクを角速度一定で回転させた時、ディスク内周部において予め決められたマーク長さ以下のマークを記録する時のみ、冷却パルスを付加する場合について説明する。
評価条件は、ディスクの回転数１０００ｒｐｍ、ＥＦＭ信号を最短マーク長が常に０．９０μｍとなるようにクロックＴを変えて、１ビームオーバーライトにより１００回記録し、３Ｔから１１Ｔまでの再生信号のゼロクロス点のジッタ値：σ／Ｔｗ（％）を、半径２３、３０、３７、４３、５０、５７ｍｍの位置で測定した。ここでσはジッタの標準偏差、Ｔｗは検出系のウインドウ幅である。また、この半径でのそれぞれの線速度は、約２．４、３．１、３．９、４．５、５．２、６．０ｍ／ｓである。なお、その他の測定条件は実施の形態３と同じである。
それぞれの記録波形とジッタをそれぞれ（表１７）、（表１８）に示す。
（表１７）では、３〜１１Ｔまでの各マーク長のマークを記録する場合の冷却パワー照射時間と冷却パワー開始時間とを、３種類の記録波形毎に示してある。
本実施の形態では、図４の記録パルス列Ａを用いた。（表１７）の記録波形９−１は、図１の記録波形Ｈのように冷却パルスを付加しない場合である。
【表１７】
0004145958.tif 000018
【表１８】
0004145958.tif 000019
記録波形９−２は、３Ｔ〜６Ｔマークを記録する時のみ、図１の記録波形Ｊのように記録パルス列照射後、バイアスパワーでの照射を行い、その後に冷却パワーでの照射を行う場合である。但し、その冷却パワー照射時間を０．４３Ｔ、冷却パワー開始時間を０．０８Ｔと均一である。また、７Ｔ〜１１Ｔマークを記録する場合には、冷却パルスは付加しない。また、記録波形９−３は、３Ｔマークを除いて、図１の記録波形Ｈのように冷却パルスを付加しない場合である。但し、３Ｔマークを記録する時のみ冷却パワー照射時間を０．４３Ｔ、冷却パワー開始時間を０．０８Ｔとしている。
（表１８）から、記録波形９−１の場合には、ジッタが他の記録波形に比べて特に内周で悪くなっている。一方、短いマークを記録する時に冷却パルスを付加した記録波形９−２を用いた場合には、ディスク内周部で記録波形９−１に比べてジッタが改善されている。また、３Ｔマークを記録する時のみ冷却パルスを付加した記録波形９−３を用いた場合にも、ディスク内周部で記録波形９−１に比べてジッタが改善されている。従って、例えば、半径３７mm、あるいは４３mmまでのディスク内周部には、記録波形９−２または９−３を用い、それより外周部には、記録波形９−１を用いればよい。
本願発明の様に、ディスク内周部では記録波形９−２あるいは９−３を、外周部では冷却パルスを付加しない記録波形９−１をもちいることにより、ディスクのどの半径においても良好なジッタが得られる。
以上のように、光ディスクを角速度一定で回転させる場合、所定の半径の内側となるディスク内周部において、予め決められたマーク長より短いマークを記録する時のみ冷却パルスを付加することにより、ディスクのどの半径においてもジッタの小さい良好な記録が可能となる。この記録波形では、記録回路的にも簡素になりコストの面からも良いと考えられる。
なお、本実施の形態では冷却パワーを再生光パワーとした場合について示したが、冷却パワーが０からバイアスパワーより小さいパワーの場合にも同様な結果が得られた。
また、本実施の形態では記録パルス列の第２のパワーがバイアスパワーの場合について示したが、第２のパワーが０以上記録パワー以下の場合にも同様な結果が得られた。
また、本実施の形態では記録パルス列として図４の記録パルス列Ａの場合について示したが、図４の記録パルス列Ｂ、Ｃ、Ｄの場合にも同様な結果が得られた。
（実施の形態１０）
本実施の形態では、光ディスクを角速度一定で回転させた時、ディスクの半径に応じて冷却パワー照射時間、冷却パワー開始時間を変化させた場合について説明する。
それぞれの記録波形とジッタをそれぞれ（表１９）、（表２０）に示す。なお、測定条件は実施の形態９と同じである。
（表１９）では、３〜１１Ｔまでの各マーク長のマークを記録する場合の冷却パワー照射時間と冷却パワー開始時間とを、３種類の記録波形毎に示してある。
本実施の形態では、図４の記録パルス列Ａを用いた。
（表１９）の記録波形１０−１は、図１の記録波形Ｈのように冷却パルスを付加しない場合である。記録波形１０−２は、図１の記録波形Ｉのように記録パルス列照射直後、冷却パワーでの照射を行う場合である。但し、その冷却パワー照射時間は、記録するマーク長により異なり、マーク長が短いほど冷却パワー照射時間が長くなっている。
【表１９】
0004145958.tif 000020
【表２０】
0004145958.tif 000021
また、記録波形１０−３は、図１の記録波形Ｊのように記録パルス列の照射後、バイアスパワーでの照射を行い、その後冷却パワーでの照射を行う場合である。但し、その冷却パワー照射時間は０．５０Ｔ、冷却パワー開始時間は記録するマーク長により変化し、そのマーク長が短いほど開始時間は早くなるものである。
（表２０）から、記録波形１０−１の場合には、ジッタが内周で他の記録波形に比べて悪くなっている。一方、記録波形１０−２を用いた場合には、記録波形１０−１に比べてディスク内周部ではジッタが改善されているが、外周部ではジッタが逆に悪化している。記録波形１０−３を用いた場合には、記録波形１０−１に比べて、ディスク内周部ではジッタが改善されているが、外周部ではジッタが逆に悪化している。従って、所定の半径より内側の領域、例えば、半径４３mmまでのディスク内周部には、記録波形１０−２または１０−３を用い、それより外周部には、記録波形１０−１を用いればよい。
本願発明のようにディスク内周部では記録波形１０−２、あるいは記録波形１０−３を、ディスク外周部では、記録回路を簡素にする点からも記録波形１０−１を用いることにより、ディスクのどの半径においても良好なジッタが得られる。
以上のように、光ディスクを角速度一定で回転させる場合、ディスク内周部において、マーク長が短いほど冷却パワー照射時間を広げる、あるいは冷却パワー開始時間を早くすることにより、ディスクのどの半径においてもジッタの小さい記録が可能となる。
なお、本実施の形態では冷却パワーを再生光パワーとした場合について示したが、冷却パワーが０からバイアスパワーより小さいパワーの場合にも同様な結果が得られた。
また、本実施の形態では記録パルス列の第２のパワーがバイアスパワーの場合について示したが、第２のパワーが０以上記録パワー以下の場合にも同様な結果が得られた。
また、本実施の形態では記録パルス列として図４の記録パルス列Ａの場合について示したが、図４の記録パルス列Ｂ、Ｃ、Ｄの場合にも同様な結果が得られた。
（実施の形態１１）
種々の冷却パルスとしてのマーク後端補正パルス列を記録パルス列直後に付加した場合について説明する。
本実施の形態では、図４の記録パルス列Ａを用いた。そして、その記録パルス列直後に種々のマーク後端補正パルス列を付加した。測定条件は実施の形態３と同じである。
本実施の形態でもちいた種々の記録波形を図６をもちいて説明する。但し、図６には６Ｔマークを記録する場合の代表的な記録波形パターンを示す。
記録波形１１−１は、マーク後端補正パルス列を付加しない場合である。
記録波形１１−２は、記録パルス列直後に再生光パワーで０．５Ｔの期間レーザ光を照射し、その後バイアスパワーでレーザ光照射を行ったものである。
記録波形１１−３は、記録パルス列直後にバイアスパワーと再生光パワーの中間レベルまでパワーを落として０．２５Ｔの期間レーザ光を照射し、その直後に再生光パワーまでパワーを落として０．２５Ｔの期間レーザ光を照射するところの、マーク後端補正パルス列を付加し、その後はバイアスパワーでレーザ光照射を行ったものである。
記録波形１１−４は、記録パルス列直後にバイアスパワーより２ｍＷ高いパワーで０．１５Ｔの期間レーザ光を照射し、その直後に０．３５Ｔの期間再生光パワーでレーザ光を照射するところの、マーク後端補正パルス列を付加し、その後はバイアスパワーでレーザ光照射を行ったものである。
記録波形１１−５は、記録パルス列直後に再生光パワーで０．２Ｔの期間レーザ光を照射し、その直後、０．１Ｔの期間バイアスパワーで照射し、その直後、再生光パワーで０．２Ｔの期間照射するところの、マーク後端補正パルス列を付加し、その後は、バイアスパワーでのレーザ光照射を行ったものである。
本発明の参考例としての記録波形１１−６は、記録パルス列直後から０．２Ｔの期間をかけて、バイアスパワーから再生光パワーまで連続的にパワーを落としていき、再生光パワーで０．３Ｔの期間照射するところの、マーク後端補正パルス列を付加し、その後はバイアスパワーでレーザ光照射を行ったものである。
本発明の参考例としての記録波形１１−７は、記録パルス列直後から０．２５Ｔの期間をかけて、バイアスパワーから再生光パワーまで連続的にパワーを落としていき、その後０．２５Ｔの期間をかけて、再生光パワーからバイアスパワーまで連続的にパワーを上げるところの、マーク後端補正パルス列を付加し、その後はバイアスパワーでレーザ光照射を行ったものである。ぞれぞれの記録波形と、１００回オーバーライト後のジッタ値を（表２１）に示す。
【表２１】
0004145958.tif 000022
（表２１）から記録波形１１−１に比べ、記録波形１１−２のように記録マーク後端補正パルスとしてバイアスパワーよりも低い（冷却パワーとも称される）再生パワーでのレーザ光照射を付加した方が、１００回オーバーライト後のジッタ値が改善している。
一方、本発明および本発明の参考例のように、マーク後端補正パルス列を加えた記録波形１１−３、１１−４、１１−５、１１−６、１１−７では、マーク前端部・後端部での対称性がより良好に制御されているため、記録波形１４−２よりさらにジッタが改善している。
以上のように、記録パルス列後にマーク後端補正パルス列を付加することにより、１００回オーバーライトでのジッタが良好な記録が可能となる。
なお、本実施の形態では、マーク後端補正パルス列のパワーを２段階に変化させた場合を示したが、前記パワーを３段階以上にした場合にも同様な結果が得らることは勿論である。
また、本実施の形態では、冷却パワーを再生光パワーとした場合について示したが、冷却パワーを０からバイアスパワーより小さいパワーに設定した場合にも同様な結果が得られた。
また、本実施の形態では、記録パルス列の第２のパワーがバイアスパワーの場合について示したが、第２のパワーが０以上記録パワー未満の場合にも同様な結果が得られた。
（実施の形態１２）
次に、記録パルス列とマーク後端補正パルス列間にバイアスパワーでのレーザ光照射を行った場合について説明する。
本実施の形態では、図４の記録パルス列Ａをもちいた。また、測定条件は実施の形態１１とおなじである。
本実施の形態でもちいた種々の記録波形を図７をもちいて説明する。但し、図７には６Ｔマークを記録する場合の代表的な記録波形パターンを示す。
記録波形１２−１は、実施の形態１１の記録波形１１−３と同じ記録波形である。
一方、本願発明の記録パルス列とマーク後端補正パルス列との間にバイアスパワーでのレーザ光照射を行った記録波形１２−２は、記録パルス列後にバイアスパワーでのレーザ光照射を０．２Ｔの期間行って、その後、バイアスパワーと再生パワーの中間までパワーを落として０．２５Ｔの期間レーザ光を照射し、その直後に再生パワーまでパワーを落として０．２５Ｔの期間レーザ光を照射し、その後はバイアスパワーでレーザ光照射を行ったものである。
それぞれの記録波形と、１００回オーバーライト後のジッタ値を（表２２）に示す。
【表２２】
0004145958.tif 000023
（表２２）から、本発明のように、記録パルス列とマーク後端補正パルス列との間にバイアスパワーでのレーザ光照射を行った記録波形１２−２では、マーク前端部と後端部との対称性が良くなっているため、記録波形１２−１よりさらにジッタが改善している。
以上のように、記録パルス列とマーク後端補正パルス列間にバイアスパワーでのレーザ光照射を行うことにより、１００回オーバーライト後のジッタが良好な記録が可能となる。
なお、本実施の形態ではマーク後端補正パルス列のパワーを２段階に変化させた場合を示したが、前記パワーを３段階以上にした場合や、レーザ光を記録パルス列直後から連続的にバイアスパワーより小さいパワーまで変化させる期間を有したマーク後端補正パルス列の場合にも同様な結果が得られること勿論である。
また、本実施の形態では、記録パルス列として図４の記録パルス列Ａの場合について示したが、図４の記録パルス列Ｂ、Ｃ、Ｄの場合にも同様な結果が得られた。
また、本実施の形態では、冷却パワーを再生光パワーとした場合について示したが、冷却パワーを０からバイアスパワーより小さいパワーに設定した場合にも同様な結果が得られた。
また、本実施の形態では、記録パルス列の第２のパワーがバイアスパワーの場合について示したが、第２のパワーが０以上記録パワー以下の場合にも同様な結果が得られた。
（実施の形態１３）
次に、種々の記録パルス列にマーク後端補正パルス列を付加した場合について説明する。
本実施の形態でもちいた種々の記録波形を図８をもちいて説明する。但し、図８には６Ｔマークを記録する場合の代表的な記録波形パターンを示す。
なお、測定条件は実施の形態１１とおなじてある。
記録波形１３−１、２、３の記録パルス列は、先述した図４の記録パルス列Ｂである。
記録波形１３−１は、マーク後端補正パルス列を付加しない場合である。
記録波形１３−２は、記録パルス列直後に再生光パワーで０．５Ｔの期間レーザ光を照射し、その後バイアスパワーでレーザ光照射を行ったものである。
記録波形１３−３は、記録パルス列直後にバイアスレベルと再生光パワーとの中間レベルまでパワーを落として０．２５Ｔの期間レーザ光を照射し、その直後に再生光パワーまでパワーを落として０．２５Ｔの期間レーザ光を照射するところの、マーク後端補正パルス列を付加し、その後はバイアスパワーでレーザ光照射をおこなったものである。
記録波形１３−４、５、６は、先述した図４の記録パルス列Ｃであり、
記録波形１３−４は、マーク後端補正パルス列を付加しない場合、
記録波形１３−５は、記録パルス列直後に再生光パワーで０．５Ｔの期間レーザ光を照射し、その後バイアスパワーでレーザ光照射を行った場合、
記録波形１３−６は、記録パルス列直後に記録波形１３−３と同じマーク後端補正パルス列を付加し、その後はバイアスパワーでレーザ光照射をおこなった場合である。
記録波形１３−７、８、９は、先述した図４の記録パルス列Ｄであり、
記録波形１３−７は、マーク後端補正パルス列を付加しない場合、
記録波形１３−８は、記録パルス列直後に再生光パワーで０．５Ｔの期間レーザ光を照射し、その後バイアスパワーでレーザ光照射を行った場合、
記録波形１３−９は、記録パルス列直後に記録波形１３−３と同じマーク後端補正パルス列を付加し、その後はバイアスパワーでレーザ光照射をおこなった場合である。
それぞれの記録波形と、１００回オーバーライト後のジッタ値を（表２３）に示す。
【表２３】
0004145958.tif 000024
（表２３）から、記録波形１３−１に比べ、記録波形１３−２のように記録パルス列直後に再生パワーでのレーザ光照射を付加した方が、１００回オーバーライト後でのジッタ値が改善している。
一方、本発明のように、マーク後端補正パルス列を加えた記録波形１３−３では、記録波形１３−２と比較してもジッタが小さい。この様に図４の記録パルス列Ｂにおいても、マーク後端補正パルス列を付加した方がマーク前端部・後端部での対称性がよくなっているためジッタが改善している。
同様に、図４の記録パルス列Ｃ、Ｄの場合にも、マーク後端補正パルス列を付加した方がマーク前端部・後端部での対称性がよくなっているためジッタが改善している。
以上のように、図４の記録パルスＢ、Ｃ、Ｄにマーク後端補正パルス列を付加することにより、１００回オーバーライト後のジッタが良好な記録が可能となる。
なお、本実施の形態では、マーク後端補正パルス列のパワーを２段階に変化させた場合を示したが、前記パワーを３段階以上にした場合や、レーザ光を記録パルス列直後から連続的にバイアスパワーより小さいパワーまで変化させる期間を有したマーク後端補正パルス列の場合にも同様な結果が得られること勿論である。
また、本実施の形態では、冷却パワーを再生光パワーとした場合について示したが、冷却パワーが０からバイアスパワーより小さいパワーの場合にも同様な結果が得られた。
また、本実施の形態では、記録パルス列の第２のパワーがバイアスパワーの場合について示したが、第２のパワーが０以上記録パワー以下の場合にも同様な結果が得られた。
（実施の形態１４）
次に、記録マーク長によってマーク後端補正パルス列開始時間を変化させた場合について説明する。
本実施の形態では、実施の形態１１とおなじ測定条件である。また、本実施の形態では図４の記録パルス列Ａをもちいた。
本実施の形態でもちいた種々の記録波形を（表２４）をもちいて説明する。
【表２４】
0004145958.tif 000025
記録波形１４−１は、記録マーク長によらず、記録パルス列直後にバイアスレベルと再生光パワーとの中間レベルまでパワーを落として０．２５Ｔの期間レーザ光を照射し、その直後に再生光パワーまでパワーを落として０．２５Ｔの期間レーザ光を照射し、その後はバイアスパワーでレーザ光照射をおこなったものである。
記録波形１４−２は、記録波形１４−１と同じマーク後端補正パルス列を有し、そのマーク後端補正パルス列の開始時間は１１Ｔマークを記録する場合が０．８Ｔであり、マーク長が短いほど開始時間を０．１Ｔずつ早くしていき、３Ｔマークを記録する場合には、記録パルス列直後にマーク後端補正パルス列を付加し、その後はバイアスパワーでレーザ光照射をおこなったものである。
それぞれの記録波形と、１００回オーバーライト後のジッタ値を（表２５）に示す。
【表２５】
0004145958.tif 000026
（表２５）から、本発明のように、マーク後端補正パルス列開始時間をマーク長によって、変化させた記録波形１４−２では、記録波形１４−１に比べて全マーク長でマーク前端部・後端部での対称性が良くなってジッタがさらに改善している。
以上のように、マーク後端補正パルス列開始時間を、記録するマーク長に応じて変化させることにより、１００回オーバーライト後のジッタが良好な記録が可能となる。
なお、本実施の形態では、マーク後端補正パルス列のパワーを２段階に変化させた場合を示したが、前記パワーを３段階以上にした場合や、レーザ光を記録パルス列直後から連続的にバイアスパワーより小さいパワーまで変化させる期間を有したマーク後端補正パルス列の場合にも同様な結果が得られること勿論である。
また、本実施の形態では冷却パワーを再生光パワーとした場合について示したが、冷却パワーが０からバイアスパワーより小さいパワーの場合にも同様な結果が得られた。
また、本実施の形態では記録パルス列の第２のパワーがバイアスパワーの場合について示したが、第２のパワーが０以上記録パワー以下の場合にも同様な結果が得られた。
また、本実施の形態では記録パルス列として図４の記録パルス列Ａの場合について示したが、図４の記録パルス列Ｂ、Ｃ、Ｄの場合にも同様な結果が得られた。
（実施の形態１５）
次に、記録マーク長によってマーク後端補正パルス列のパルス形状を変化させた場合について説明する。
本実施の形態では、記録パルス列（図４の記録パルス列Ａ）をもちいた。また、測定条件も実施の形態１１とおなじである。
本実施の形態でもちいた種々の記録波形を図９をもちいて説明する。但し、図９の記録波形１５−１には、６Ｔマークを記録する場合の代表的な記録波形パターンを示す。また、記録波形１５−２には、３〜１１Ｔまでのマーク長のうち、３〜５Ｔと１０、１１Ｔについてのみ記録波形パターンを示す。
記録波形１５−１は、実施の形態１１の記録波形１１−３と同じである。
記録波形１５−２は、本願発明のように、記録パルス列直後のパワーを記録マーク長が短いほど小さくなるように変化させたものである。具体的には３Ｔマークを記録する場合は再生光パワー、４Ｔマークでは再生光よりバイアスパワーと再生光パワーとの間の８分の１の大きいパワーと、マーク長が長くなるほど順々にパワーを大きくし、０．２５Ｔの期間そのパワーでレーザ光を照射し、その直後に再生光パワーまでパワーを落として０．２５Ｔの期間レーザ光を照射するところの、マーク後端補正パルス列を付加し、その後はバイアスパワーでレーザ光照射をおこなったものである。
それぞれの記録波形と、１００回オーバーライト後のジッタ値を（表２６）に示す。
【表２６】
0004145958.tif 000027
（表２６）から、本発明の記録波形１５−２のように、記録マーク長に応じてマーク後端補正パルス列の形状を変化させた記録波形では、記録波形１５−１に比べて１００サイクルでのジッタ値が改善している。
以上のように、マーク後端補正パルス列のパルス形状を、記録するマーク長に応じて変化させることにより、マーク前端部と後端部との対称性がよくなり再生信号品質が良好な記録が可能となる。
なお、本実施の形態では、マーク後端補正パルス列のパワーを２段階に変化させた場合を示したが、前記パワーを３段階以上にした場合や、レーザ光を記録パルス列直後から連続的にバイアスパワーより小さいパワーまで変化させる期間を有したマーク後端補正パルス列の場合にも同様な結果が得られること勿論である。
また、本実施の形態では冷却パワーを再生光パワーとした場合について示したが、冷却パワーが０からバイアスパワーより小さいパワーの場合にも同様な結果が得られた。
また、本実施の形態では記録パルス列の第２のパワーがバイアスパワーの場合について示したが、第２のパワーが０以上記録パワー以下の場合にも同様な結果が得られた。
また、本実施の形態では記録パルス列として図４の記録パルス列Ａの場合について示したが、図４の記録パルス列Ｂ、Ｃ、Ｄの場合にも同様な結果が得られた。
（実施の形態１６）
次に、光ディスクを角速度一定で回転させた場合、ディスクの半径方向の位置に応じてマーク後端補正パルス列の開始時間を変化させた場合について説明する。
また、ディスクの回転数を１０００ｒｐｍ、半径に応じてＥＦＭ信号を最短マーク長が常に０．９０ｕｍとなるようにクロックＴを変えた。
本実施の形態では、実施の形態１１とおなじ記録パルス列（図４の記録パルス列Ａ）をもちいた。
本実施の形態でもちいた種々の記録波形を（表２７）を用いて説明する。
【表２７】
0004145958.tif 000028
記録波形１６−１は、マーク後端補正パルス列を付加しない場合である。
記録波形１６−２は、実施の形態１１の記録波形１１−３と同じである。
記録波形１６−３も、実施の形態１１の記録波形１１−３と同じマーク後端補正パルス列を有しているが、本願発明のようにそのマーク後端補正パルス列の開始時間がディスク半径位置が内周側ほど短くしたものである。具体的には、半径が２３〜３４ｍｍまではマーク後端補正パルス列は記録パルス列直後に付加し、３５〜４６ｍｍまではマーク後端補正パルス列開始時間を０．２Ｔ遅らせ、４７〜５７ｍｍまではマーク後端補正パルス列開始時間を０．５Ｔ遅らせた。
それぞれの記録波形と、１００回オーバーライト後のジッタ値を（表２８）に示す。なお、測定は内周が２６ｍｍ、中周が３８ｍｍ、外周が５０ｍｍの各半径でおこなった。また、この半径でのそれぞれの線速度は約２．７、４．０、５．２ｍ／ｓである。
また、その他の測定条件は実施の形態１１と同じとした。
【表２８】
0004145958.tif 000029
（表２８）から、記録波形１６−１では、熱のこもりのためジッタが悪化しているが、記録波形１６−２のようにマーク後端補正パルス列を付加すると、熱のこもりがなくなるため、１００回オーバーライトでのジッタ値がディスクの全周にわたって改善している。
一方、本発明のように、マーク後端補正パルス列開始時間をディスク半径方向位置によって変化させた記録波形１６−３では、中外周部で熱制御をさらに細かくおこなったためジッタもさらに改善している。
以上のように、マーク後端補正パルス列開始時間をディスク半径位置に応じて変化させることにより、１００回オーバーライトでのジッタが良好な記録が可能となる。
なお、本実施の形態では、マーク後端補正パルス列のパワーを２段階に変化させた場合を示したが、前記パワーを３段階以上にした場合や、レーザ光を記録パルス列直後から連続的にバイアスパワーより小さいパワーまで変化させる期間を有したマーク後端補正パルス列の場合にも同様な結果が得られること勿論である。
また、本実施の形態では冷却パワーを再生光パワーとした場合について示したが、冷却パワーが０からバイアスパワーより小さいパワーの場合にも同様な結果が得られた。
また、本実施の形態では記録パルス列の第２のパワーがバイアスパワーの場合について示したが、第２のパワーが０以上記録パワー以下の場合にも同様な結果が得られた。
また、本実施の形態では記録パルス列として図４の記録パルス列Ａの場合について示したが、図４の記録パルス列Ｂ、Ｃ、Ｄの場合にも同様な結果が得られた。
（実施の形態１７）
次に、光ディスクを角速度一定で回転させた時、ディスクの半径方向の位置によってマーク後端補正パルス列の形状を変化した場合について説明する。
本実施の形態では、実施の形態１１とおなじ記録パルス列（図４の記録パルス列Ａ）を用いた。
また、実施の形態１６とおなじ測定条件である。
本実施の形態でもちいた記録波形を図１０をもちいて説明する。但し、図１０には６Ｔマークを記録する場合の代表的な記録パルス列パターンを示す。また、記録波形１７−２では、ディスク内、中、外周での記録波形を示す。
記録波形１７−１は、ディスクの半径方向の位置によらずマーク後端補正パルス列の形状は同じであり、その記録波形は実施の形態１１の記録波形１１−３と同じである。
記録波形１７−２は、記録パルス列直後のマーク後端補正パルス列のパワーをディスク半径方向の位置が内周側にあるほど小さくなるように変化させたものである。具体的には、記録パルス列直後のパワーをそれぞれ、半径が２３〜３４ｍｍまでは再生光パワーより１ｍＷ高いパワー、３５〜４６ｍｍまではバイアスパワーと再生光パワーの中間のパワー、４７〜５７ｍｍまではバイアスパワーより１ｍＷ低いパワーとし、０．２５Ｔの期間そのパワーでレーザ光を照射し、その直後に再生光パワーまでパワーを落として０．２５Ｔの期間レーザ光を照射するところの、マーク後端補正パルス列を付加し、その後はバイアスパワーでレーザ光照射をおこなったものである。
それぞれの記録波形と、１００回オーバーライト後のジッタ値を（表２９）に示す。
【表２９】
0004145958.tif 000030
（表２９）から、本発明のように、記録パルス列直後のマーク後端補正パルス列のパワーをディスクの内周側ほど小さくした記録波形１７−２では、内外周部においてマーク前端部・後端部での対称性がよいためジッタが記録波形１７−１に比べて改善している。
以上のように、マーク後端補正パルス列のパルス形状をディスクの半径方向の位置に応じて変化させることにより、１００回オーバーライト後のジッタが良好な記録が可能となる。
なお、本実施の形態ではマーク後端補正パルス列のパワーを２段階に変化させた場合を示したが、前記パワーを３段階以上にした場合や、レーザ光を記録パルス列直後から連続的にバイアスパワーより小さいパワーまで変化させる期間を有したマーク後端補正パルス列の場合にも同様な結果が得られること勿論である。
また、本実施の形態では冷却パワーを再生光パワーとした場合について示したが、冷却パワーが０からバイアスパワーより小さいパワーの場合にも同様な結果が得られた。
また、本実施の形態では記録パルス列の第２のパワーがバイアスパワーの場合について示したが、第２のパワーが０以上記録パワー以下の場合にも同様な結果が得られた。
また、本実施の形態では記録パルス列として図４の記録パルス列Ａの場合について示したが、図４の記録パルス列Ｂ、Ｃ、Ｄの場合にも同様な結果が得られた。
（実施の形態１８）
まず、本発明の内、記録パルス列の終端パルスから、冷却パワーでのレーザ光照射を開始するまでの時間が一定である場合の動作の説明を、図１１のディスク記録装置のブロック図、図１２の各部の信号波形図を用いて行う。
なお、本実施の形態では、データ１はクロック単位の長さで、クロックの２周期以上のＨｉ期間、およびＬｏ期間を持つＰＷＭデータ（図１２ａ）とし、データのＨｉ期間をディスク上でマーク、Ｌｏ期間をスペースに対応させて記録する。
また、始端パルス３および終端パルス７の幅はクロックの１周期、１つのバーストパルス２７の幅はクロックの２分の１周期とする。
冷却パルス幅はクロックの２分の１周期、記録パルス列の終端パルスから冷却パワーでのレーザ光照射開始までの時間もクロックの２分の１周期とした。
更に、マーク／スペース長検出回路８は、高密度記録でマーク間の熱干渉が発生するスペース長および再生系の周波数特性によって、ピークシフトが発生するマーク／スペース長について検出する。
本実施の形態では、記録すべきデータ列に存在する最短の２Ｔマークおよび２Ｔスペースを検出するものとする。
まず、始端パルス発生回路２において、データ１のＨｉ期間の始端部分に、クロックの１周期幅の始端パルス３を発生する（図１２ｂ）。
バーストゲート発生回路４において、マークの中間位置に、マーク長から３クロック分減じた長さでバーストゲート信号５を発生する。但し、マーク長が３クロック以下の時は、バーストゲート信号は発生しない（図１２ｃ）。
終端パルス発生回路６において、データ１のＨｉ期間の終端部分に、クロックの１周期幅の終端パルス７を発生する（図１２ｅ）。
マーク／スペース長検出回路８において、２クロック幅のデータ、すなわち２Ｔマークと２Ｔスペースを検出し、２Ｔマークがきたときは、２Ｔマークの始端パルス終端パルスを含むように、２クロック幅の２Ｔマーク信号９を発生し（図１２ｆ）、２Ｔスペースがきたときは、２Ｔスペースの両端の終端パルス始端パルスを含むように、４クロック幅の２Ｔスペース信号１０を発生する（図１２ｇ）。
エンコーダ１１において、２Ｔマーク信号９と２Ｔスペース信号１０とにより、始端パルス３および終端パルス７の属性を決定し、セレクト信号１２として出力する。すなわち、３Ｔ以上のマークで３Ｔ以上のスペースをｎｏｒｍａｌ、３Ｔ以上のマークで２Ｔスペースを２Ｔｓ、２Ｔマークで３Ｔ以上のスペースを２Ｔｍ、２Ｔマークで２Ｔスペースを２Ｔｓ−２Ｔｍという名称の４種類の属性に分類する（図１２ｈ）。
次に、始端用セレクタ１４において、複数の始端設定値１３、すなわちｎｏｒｍａｌの時の始端設定値、２Ｔｓの時の始端設定値、２Ｔｍの時の始端設定値、２Ｔｓ−２Ｔｍの時の始端設定値の中から、セレクト信号１２により１つを選択し、選択始端設定値１５を出力する。
始端用サンプル／ホールド回路１６において、始端パルス３がきたときだけ更新し、始端パルス３がこない時は、前の値を保持してホールド始端設定値３９として出力する（図１２ｉ）。
そして、始端用プログラマブルディレイライン１７において、始端パルス３は、ホールド始端設定値３９に基づいた値の遅延時間の後に、遅延始端パルス１８として出力される（図１２ｊ）。
同様に、終端用セレクタ２０において、複数の終端設定値１９の中からセレクト信号１２により１つを選択し、選択終端設定値２１を出力し、終端用サンプル／ホールド回路２２において、終端パルス７がきたときだけ更新し、終端パルス７が来ない時は、前の値を保持してホールド終端設定値４５として出力する（図１２ｋ）。
そして、終端用プログラマブルディレイライン２３において、終端パルス７は、ホールド終端設定値４５に基づいた値の遅延時間の後に、遅延終端パルス２４として出力される（図１２ｌ）。
ここで遅延冷却パルス信号の出力について説明する。
冷却パルス発生回路３６において、遅延終端パルスの立ち上がりのタイミングで、冷却パルスをクロックの２分の１周期分発生させる（図１２ｎ）。
次に、冷却パルス用ディレイライン３７において、冷却パルス発生回路３６から出力される冷却パルス４１を一定量遅延し、冷却パルス信号４２が出力される（図１２ｏ）。
それをインバータ３８を通し、ＨｉとＬｏを反転した遅延冷却パルス信号４３として出力する（図１２ｐ）。
更に、ＡＮＤゲート２６において、前記バーストゲート信号５とクロック２５との論理積をとり、バーストパルス２７を発生する（図１２ｍ）。
ＯＲゲート２８において、遅延始端パルス１８とバーストパルス２７と遅延終端パルス２４との論理和をとり、記録信号２９を発生させる。
レーザダイオード３５は、再生光電流源３２により、相変化光ディスクの再生光パワーを発光するようにバイアスが付加されている。
再生光電流源３２と並列にバイアスレベル電流源３１と記録レベル電流源３０とを設け、スイッチ３３により記録レベル電流源３０の電流を、スイッチ３４によりバイアスレベル電流源３１をｏｎ／ｏｆｆすると、レーザダイオード３５の駆動電流が、記録レベル電流、バイアスレベル電流、再生光レベル電流の３者の間でスイッチングできる。
すなわち、このスイッチ３３を前記記録信号２９で、スイッチ３４を遅延冷却パルス信号４３で制御することにより、レーザダイオード３５を記録パワー、バイアスパワー、冷却パワーで切り換えながら発光させることができ、レーザダイオード３５を内蔵した光学ヘッドを用いて、相変化光ディスクにマークおよびスペースを冷却パルスを付加した記録方法で形成する（図１２ｑ）。
次に、冷却パワーでの光照射開始のタイミングが、クロックに基づいている場合の遅延冷却パルス信号の作製方法を、図１３のディスク装置のブロック図と図１４の各部の信号波形図を用いて説明する。
この場合には、終端パルス発生回路６から出力された終端パルスの立ち上がりと同じタイミングで、冷却パルス発生回路４６から冷却パルス４８が出力される（図１４ｆ）。
冷却パルス用ディレイライン３７において、遅延量が一定の遅延をほどこした冷却パルスを出力する（図１４ｏ）。
その他の動作原理については上記場合と同じである。
以上の一連の動作で、本実施の形態のディスク記録装置は、冷却パワーでのレーザ光照射を付加して、マークの始端部分と終端部分との位置を記録するマーク長、および当該記録するマーク長の前後のスペース長に応じてそれぞれ変化させ、データに対応したマークおよびスペースを記録することができる。
なお、本実施の形態では（１−７）ＲＬＬコード信号記録を想定し、マーク／スペース長検出回路では最短反転間隔である２Ｔマーク、２Ｔスペースと２Ｔ以上のマークとスペースの４パターンで示したが、さらに３Ｔ以上についても分類することでさらに各マークのエッジ位置精度を高めることができる。
また、始端パルス、終端パルスは１Ｔ幅、バーストパルスは０．５Ｔ幅としたが、記録薄膜あるいは記録媒体と光スポットとの相対速度等により、最適なパルス幅を選択することも可能である。
また、冷却パルス幅は一定値の０．５Ｔとしたが、マーク長あるいはマーク間隔に応じて変化させることによりさらに、トータルエネルギーを低減させることも可能である。
光ディスクの評価条件は、レーザー光の波長が６８０ｎｍ、記録装置の記録再生に用いる光学ヘッドの対物レンズのＮＡを０．５５とし、（１−７）ＲＬＬ信号を最短マーク長が０．６０μｍとなるようにクロックＴを設定し、記録した時の２Ｔから８Ｔまでの再生信号のゼロクロス点のジッタ値：σsum／Ｔｗ（％）を測定した。ここでσsumは２Ｔから８Ｔまでのジッタの総和の標準偏差、Ｔｗは検出系のウインドウ幅である。線速度は、４．０ｍ／ｓである。
このディスクにおいて、信号の記録は、記録マーク長が０．６μｍとなる単一周波数を記録したとき、Ｃ／Ｎが飽和する記録パワーを記録パワーとし、その２Ｔマークの信号を、７Ｔ相当の単一周波数でオーバーライトした場合に、消去率が−２０ｄＢを越えるパワーマージンの中央値のパワーを設定し、バイアスパワーとした。
ディスクのサイクル特性の判断としては、２Ｔから８Ｔまでの再生信号のゼロクロス点のジッタ値：σsum／Ｔｗ（％）が、１３％未満を満たすサイクル数により判断した。
図１５を用いて、本実施の形態で用いた記録波形を説明する。但し、図１５には７Ｔマークを記録する場合の代表的な記録波形パターンを示す。記録波形１８−１〜３までは図４の記録パルス列Ｂ、記録波形１８−４〜７までは図４の記録パルス列Ｃの記録パルス列をもちいている。
記録波形１８−１は、始端パルス幅１．０Ｔ、終端パルス幅１．０Ｔ、始端・終端パルス間では第２パワーで０．５Ｔ、第１パワーで０．５Ｔ交互にレーザ光を照射する記録パルスパルス列で、かつ冷却パルスを付加しない場合である。
記録波形１８−２は、前記記録波形１８−１に記録マーク長に関わらず、記録パルス列の終端パルスの直後に、冷却パワーでの照射時間が０．５Ｔである冷却パルスを付加した場合である。
記録波形１８−３は、前記記録波形１８−１に記録マーク長に関わらず、冷却パワーでの照射時間が０．５Ｔで、記録パルス列の終端パルスの立ち下がりから冷却パワーでのレーザ光照射開始までの時間が０．５Ｔと一定であるところの、冷却パルスを付加した場合である。
記録波形１８−４は、記録波形１８−１で記録するマーク長および前後のマーク間隔により、記録パルス列の始端パルスと終端パルスとの位置が変化し、かつ冷却パルスを付加しない場合である。
記録波形１８−５は、記録波形１８−４に記録マーク長に関わらず、記録パルス列の終端パルスの直後に、冷却パワーでの照射時間が０．５Ｔである冷却パルスを付加した場合である。
記録波形１８−６は、記録波形１８−４に記録マーク長に関わらず、冷却パワーでの照射時間が０．５Ｔで、記録パルス列の終端パルスの立ち上がりから冷却パワーでのレーザ光照射開始までの時間が１．５Ｔと一定であるところの、冷却パルスを付加した場合である。
記録波形１８−７は、記録波形１８−４に記録マーク長に関わらず、冷却パワーでの照射時間が０．５Ｔで、冷却パワーでの照射開始が、サブパルス（始端パルスと終端パルスとの間のパルス）の最終端パルスの立ち上がりから２．５Ｔと一定に遅らせたところの、冷却パルスを付加した場合である。すなわち、冷却パルス照射開始時間がクロックに基づいている場合である。
それぞれの記録波形と、１００サイクル後のジッタ値と、ジッタ値が１３％未満を満たすサイクル数とを（表３０）に示す。
【表３０】
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（表３０）から、本願発明のように、冷却パルスを付加した記録波形１８−２では、冷却パルスを付加していない記録波形１８−１に比べて、熱的ダメージが改善されたため、ジッタ＜１３％を満たすサイクル数も良好なものとなっている。
また、記録波形１８−３の様に、記録パルス列後に０．５Ｔバイアスパワーでのレーザ光照射を行うことで、マーク前端部・後端部での対称性がより制御されるため、記録波形１８−２に比べてジッタが小さくなっている。
そして、記録するマーク長および前後のマーク間隔により、記録パルス列の始端パルスと終端パルスとの位置が変化する場合にも、本願発明のように、冷却パルスを付加した記録波形１８−５では、冷却パルスを付加しない記録波形１８−４に比べて、熱的ダメージが改善されたため、ジッタ＜１３％を満たすサイクル数も良好なものとなっている。
さらに、記録するマーク長および前後のマーク間隔により、記録パルス列の始端パルスと終端パルスとの位置が変化する場合、しない場合よりも、よりマーク形状の制御が可能であるため、ジッタが小さくなっている。
その上、本願発明の記録波形１８−６、１８−７のように、記録パルス列の終端パルスと冷却パワーでのレーザ光照射との間に、バイアスパワーでの照射を行うことにより、１００サイクルでのジッタ値も、ジッタ＜１３％を満たすサイクル数もさらに改善され、記録パルス列直後に冷却パワーでのレーザ光照射を行う記録波形１８−５よりも良好な値が得られている。
以上のように、冷却パワーでのレーザ光照射を行う、記録パルス列の終端部と冷却パワーでのレーザ光照射との間に、バイアスパワーでのレーザ光照射を入れることにより、１００サイクルでのジッタおよび多サイクルを行った場合にも良好な記録が可能となる。
また、本実施の形態では冷却パワーを再生光パワーとした場合について示したが、冷却パワーが０からバイアスパワーより小さいパワーの場合にも同様な結果が得られた。
また、本実施の形態では記録パルス列の第２のパワーがバイアスパワーの場合について示したが、第２のパワーが０以上記録パワー以下の場合にも同様な結果が得られた。
産業上の利用可能性
本発明の記録方法により、記録マーク間の熱干渉によるマーク長変動が制御され、記録マーク前端部と後端部との対称性がよくなるため、所望の記録マーク形状が形成され、光ディスクの高密度化やディスクの回転方式が角速度一定の場合にも再生信号品質の向上が実現できる。また、多サイクルした場合の熱的ダメージによる信号劣化を軽減し、良好なサイクル特性も実現できる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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