(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
永久磁石と、
前記永久磁石により直流磁界が印加されるフェライトと、
前記フェライトに配置された複数の中心電極と、
前記フェライトと中心電極を収容する樹脂ケースと、
前記永久磁石と前記フェライトと前記中心電極とを収容する上側金属ケース及び下側金属ケースとを備え、
前記永久磁石が前記中心電極の上側に配置された状態で前記上側金属ケースに収容され、
前記樹脂ケースと前記下側金属ケースが一体成形され、前記樹脂ケースから延在した接触防止部が、前記上側金属ケース又は下側金属ケースの側壁内面と前記永久磁石の外周面との間に配置されていること、
を特徴とする非可逆回路素子。
【請求項２】
永久磁石と、
前記永久磁石により直流磁界が印加されるフェライトと、
前記永久磁石と前記フェライトの間に配置されたスペーサ部材と、
前記フェライトに配置された複数の中心電極と、
前記フェライトと中心電極を収容する樹脂ケースと、
前記永久磁石と前記フェライトと前記中心電極とを収容する上側金属ケース及び下側金属ケースとを備え、
前記永久磁石が前記中心電極の上側に配置された状態で前記上側金属ケースに収容され、
前記スペーサ部材から延在した接触防止部が、前記上側金属ケース又は前記下側金属ケースの側壁内面と前記永久磁石の外周面との間に配置されていること、
を特徴とする非可逆回路素子。
【請求項３】
永久磁石と、
前記永久磁石により直流磁界が印加されるフェライトと、
前記永久磁石と前記フェライトの間に配置されたスペーサ部材と、
前記フェライトに配置された複数の中心電極と、
前記フェライトと中心電極を収容する樹脂ケースと、
前記永久磁石と前記フェライトと前記中心電極とを収容する上側金属ケース又は下側金属ケースとを備え、
前記永久磁石が前記中心電極の上側に配置された状態で前記上側金属ケースに収容され、
前記樹脂ケースと前記下側金属ケースが一体成形され、前記樹脂ケースから延在した接触防止部及び前記スペーサ部材から延在した接触防止部が、それぞれ前記上側金属ケース又は下側金属ケースの側壁内面と前記永久磁石の外周面との間に配置されていること、
を特徴とする非可逆回路素子。
【請求項４】
前記下側金属ケースと一体成形された前記樹脂ケースから延在した接触防止部が前記樹脂ケースの内壁面から張り出されており、前記接触防止部に合わせた切り欠きを前記上側金属ケースに設けたことを特徴とする請求項１又は請求項３記載の非可逆回路素子。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４記載の非可逆回路素子を少なくとも一つ備えたことを特徴とする通信装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、非可逆回路素子及び通信装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、携帯電話等の移動用の通信装置に採用される集中定数型アイソレータ（非可逆回路素子）は、信号を伝送方向にのみ通過させ、逆方向への伝送を阻止する機能を有している。また、最近の移動用の通信装置では、その用途からして小型、軽量化とともに、低コスト化に対する要求が強くなっており、これに伴ってアイソレータにおいても小型、軽量化及び低コスト化が要請されている。
【０００３】
このようなアイソレータとしては、従来より、図１９に示すものが知られている。このアイソレータ６１は、磁性体金属からなる下側ケース６４上に、樹脂ケース６３を組み込むとともに、樹脂ケース６３内に中心電極組立体７３と整合用コンデンサ素子Ｃ等を収容し、磁性体金属からなる上側ケース６８を装着している。中心電極組立体７３は、マイクロ波フェライト８０に中心電極８１〜８３を配置したものである。上側ケース６８の内面には永久磁石６９が貼着され、この永久磁石６９により中心電極組立体７３に直流磁界を印加するようになっている。永久磁石６９と中心電極組立体７３の間には樹脂スペーサ６７が配設されている。樹脂スペーサ６７の中央には、中心電極８１〜８３を収納する孔６７ａが形成されている。
【０００４】
ところで、アイソレータ６１に使用される永久磁石６９の外周面６９ｂが上側ケース６８の側壁６８ｂに接触すると、側壁６８ｂと外周面６９ｂとの間にバイパスが形成され、このバイパスによって上側ケース６８と下側ケース６４と永久磁石６９等で構成されている磁路が短くなる。従って、フェライト８０に印加する直流磁界の磁場分布にばらつきが生じやすくなると共に、フェライト８０に印加する直流磁界の磁場が弱くなるおそれがある。そこで、永久磁石６９の外周面６９ｂに接触防止膜７０を設けている。
【０００５】
また、従来のアイソレータとして、特開平１０−１０７５１１号公報に記載されたものが知られている。図２０に示すように、このアイソレータ９１は、上側ケース９８の内面に永久磁石９９を貼着して配置すると共に、略コ字形状の下側ケース９４を装着して磁気回路を形成している。下側ケース９４の上には樹脂ケース９３が配設され、該樹脂ケース９３内には中心電極組立体１０１と整合用コンデンサ素子Ｃ等が配置されている。中心電極組立体１０１は、マイクロ波フェライト１０２に中心電極１０３〜１０５を配置したものである。
【０００６】
樹脂ケース９３の側壁の先端部９３ａは、上側ケース９８の側壁９８ｂと永久磁石９９の外周面９９ｂとの間に配置されている。この先端部９３ａの機能的な記載は明細書本文にはないが、永久磁石９９を位置決めするためのものである。なお、図２０はアイソレータ９１の一部分を示す断面図であり、アイソレータ９１全体にわたって永久磁石９９の外周面９９ｂと上側ケース９８の側壁９８ｂとの間に先端部９３ａが配置されている旨の記載はない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図１９に示されている従来のアイソレータ６１は、永久磁石６９の外周面６９ｂに絶縁材を塗布して接触防止膜７０を形成するという煩雑な作業が必要であり、製造コストの上昇を招くという問題がある。
【０００８】
また、図２０に示されている従来のアイソレータ９１は、永久磁石９９を位置決めする樹脂ケース９３と下側ケース９４とが一体成形されていないため、下側ケース９４に対して、樹脂ケース９３の位置精度が悪く、永久磁石９９や上側ケース９８が樹脂ケース９３に乗り上げ、作業性、生産性が悪く、製造コストが高いという問題がある。また、樹脂ケース９３自体が動いてしまい、永久磁石９９と中心電極組立体１０１との位置関係が悪くなり、磁場分布が乱れて電気特性が劣化するおそれもある。
【０００９】
そこで、本発明の目的は、永久磁石の外周面と金属ケースの側壁内面とが接触しない構造を有するとともに、低コストで製造できる非可逆回路素子及び通信装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段及び作用】
前記目的を達成するため、本発明に係る非可逆回路素子は、
永久磁石と、
前記永久磁石により直流磁界が印加されるフェライトと、
前記フェライトに配置された複数の中心電極と、
前記フェライトと中心電極を収容する樹脂ケースと、
前記永久磁石と前記フェライトと前記中心電極とを収容する上側金属ケース及び下側金属ケースとを備え、
前記永久磁石が前記中心電極の上側に配置された状態で前記上側金属ケースに収容され、
前記樹脂ケースと前記下側金属ケースが一体成形され、前記樹脂ケースから延在した接触防止部が、前記上側金属ケース又は下側金属ケースの側壁内面と前記永久磁石の外周面との間に配置されていること、
を特徴とする。
【００１１】
また、本発明に係る非可逆回路素子は、
永久磁石と、
前記永久磁石により直流磁界が印加されるフェライトと、
前記永久磁石と前記フェライトの間に配置されたスペーサ部材と、
前記フェライトに配置された複数の中心電極と、
前記フェライトと中心電極を収容する樹脂ケースと、
前記永久磁石と前記フェライトと前記中心電極とを収容する上側金属ケース及び下側金属ケースとを備え、
前記永久磁石が前記中心電極の上側に配置された状態で前記上側金属ケースに収容され、
前記スペーサ部材から延在した接触防止部が、前記上側金属ケース又は前記下側金属ケースの側壁内面と前記永久磁石の外周面との間に配置されていること、
を特徴とする。
【００１２】
以上の構成により、金属ケースの側壁内面と永久磁石の外周面との間に、樹脂ケースやスペーサ部材から延在した接触防止部が配置されているため、金属ケースの側壁内面と永久磁石の外周面との接触が防止される。しかも、樹脂ケースと金属ケースを一体成形することによって、金属ケースに対して樹脂ケースの位置精度が良くなり、作業性や生産性が向上する。
【００１３】
また、本発明に係る非可逆回路素子は、下側金属ケースと一体成形された樹脂ケースから延在した接触防止部が樹脂ケースの内壁面から張り出されており、接触防止部に合わせた切り欠きを上側金属ケースに設けたことを特徴とする。以上の構成により、接触防止部の一部が上側金属ケースに設けた切り欠きに収容され、接触防止部の厚みの一部を上側金属ケースの厚みが見掛け上吸収する。従って、接触防止部の形成に製造上必要な最小厚み寸法Ｄｍｉｎを確保した状態で、上側金属ケース又は下側金属ケースの側壁内面と永久磁石の外周面との距離を前記寸法Ｄｍｉｎより小さくすることができる。
【００１４】
また、本発明に係る通信装置は、前述の特徴を有する非可逆回路素子を備えることにより、優れた周波数特性が得られる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る非可逆回路素子及び通信装置の実施の形態について添付の図面を参照して説明する。なお、各実施形態において、同一部品及び同一部分には同じ符号を付し、重複した説明は省略する。
【００１６】
［第１実施形態、図１〜図７］
本発明に係る非可逆回路素子の一実施形態の構成を示す分解斜視図を図１に示す。図２に、図１に示した非可逆回路素子１の組立完成後の外観斜視図を示す。該非可逆回路素子１は、集中定数型アイソレータである。
【００１７】
図１に示すように、集中定数型アイソレータ１は、概略、一体成形された樹脂ケース３及び下側ケース４と、中心電極組立体１３と、上側ケース８と、永久磁石９と、樹脂スペーサ７と、抵抗素子Ｒと、整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３等を備えている。
【００１８】
中心電極組立体１３は、平面形状が矩形状のマイクロ波フェライト２０の上面に中心電極２１〜２３を略矩形状の絶縁シート（図示せず）を介在させて、それぞれの交差角が略１２０度になるように交差させて配置している。
【００１９】
中心電極２１〜２３は、それぞれの一端側にポート部Ｐ１〜Ｐ３を有し、他端側にアース電極２５が接続されている。中心電極２１〜２３共通のアース電極２５は、フェライト２０の下面を略覆うように設けられている。中心電極２１〜２３とアース電極２５は、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ，Ｂｅ等の導電性材料からなり、金属薄板を打ち抜き加工、又はエッチングすることによって一体に形成される。
【００２０】
中心電極組立体１３は、フェライト２０の裏面に形成されたアース電極２５が、樹脂ケース３の窓部３ｃを通して、下側ケース４の底壁４ｂにはんだ付け等の方法により接続され、接地される。
【００２１】
上側ケース８は、上壁８ａと四つの側壁８ｂを有している。また、下側ケース４は、四つの側壁４ａと底壁４ｂを有している。対向する一対の側壁４ａからは、それぞれ２本のアース端子１６が延在している。下側ケース４及び上側ケース８は、例えばＦｅやケイ素鋼などの高透磁率からなる板材を打ち抜き、曲げ加工した後、表面にＣｕやＡｇをめっきしてなるものである。この下側ケース４は、インサートモールド法によって、樹脂ケース３と一体成形されている。
【００２２】
樹脂ケース３は、電気的絶縁樹脂からなり、矩形枠状の底壁３ａと側壁３ｂを有している。この底壁３ａの中央部には矩形状の窓部３ｃが形成されており、窓部３ｃの周縁にはそれぞれ整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３や抵抗素子Ｒがそれぞれ収納される窓部３ｄが形成されている。窓部３ｃ，３ｄには下側ケース４の底壁４ｂが露出している。樹脂ケース３の側壁３ｂの先端部からは、接触防止部６が延在している。接触防止部６と下側ケース４の側壁４ａとの間には、上側ケース８の側壁８ｂを差し込む溝３ｅが形成されている。接触防止部６は、上側ケース８を下側ケース４に嵌合させたときに、永久磁石９の外周面９ｂと上側ケース８の側壁８ｂとの間に配置される。
【００２３】
さらに、樹脂ケース３には、表面実装用の入力端子１４及び出力端子１５がインサートモールドされている。出力端子１５は、一端が樹脂ケース３から外方向へ導出され、他端が樹脂ケース３の内面に露出して出力引出電極部１５ａを形成している。入力端子１４は、一端が樹脂ケース３から外方向へ導出され、他端が樹脂ケース３の内面に露出して入力引出電極部１４ａ（図５参照）を形成している。樹脂ケース３の材料は、例えば、液晶ポリマー、ＰＰＳ、プラスチック等が用いられる。
【００２４】
整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３（アイソレータ１の動作周波数により、比誘電率εｒが９〜２００）は、ホット側コンデンサ電極がポート部Ｐ１〜Ｐ３にそれぞれはんだ付けされ、コールド側コンデンサ電極が樹脂ケース３の窓部３ｄに露出している下側ケース４の底壁４ｂにそれぞれはんだ付けされている。
【００２５】
抵抗素子Ｒは、絶縁性基板の両端部に厚膜印刷等で端子電極を形成し、その間にサーメット系やカーボン系やルテニウム系等の厚膜あるいは金属薄膜の抵抗体を配設している。絶縁性基板の材料は例えば、アルミナ等の誘電体セラミックが用いられる。また、抵抗体の表面にはガラス等の被膜が形成されていてもよい。抵抗素子Ｒの一端は整合用コンデンサ素子Ｃ３のホット側コンデンサ電極に接続され、他端は樹脂ケース３の窓部３ｄに露出している下側ケース４の底壁４ｂに接続される。つまり、整合用コンデンサ素子Ｃ３と抵抗素子Ｒとは、中心電極２３のポート部Ｐ３とアースとの間に電気的に並列に接続される。
【００２６】
樹脂スペーサ７は、例えば、液晶ポリマー、ＰＰＳ、プラスチック等の電気的絶縁樹脂からなり、中心電極組立体１３の上面に配置されている。この樹脂スペーサ７には、フェライト２０の上面中央部で重なり合う中心電極２１，２２と３枚の絶縁シートを収納する孔７ａが設けられている。また、整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３や、抵抗素子Ｒと中心電極組立体１３との段差を吸収するための凸部７ｂが設けられている。
【００２７】
そして、以上の構成部品は、下側ケース４と一体成形している樹脂ケース３内に、中心電極組立体１３や整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３や抵抗素子Ｒ等を収容し、上側ケース８を装着している。上側ケース８の上壁８ａの下面に永久磁石９の上面９ａが貼着され、この永久磁石９の下側に樹脂スペーサ７が配置されている。永久磁石９は中心電極組立体１３に直流磁界を印加する。下側ケース４と上側ケース８は接合して金属ケースをなし、磁気回路を構成しており、ヨークとしても機能している。
【００２８】
こうして、図２に示す非可逆回路素子１が得られる。この非可逆回路素子１は、縦４．０×横４．０×厚さ２．０ｍｍの大きさである。また、図３は、非可逆回路素子１の電気等価回路図である。図４に、図２に示した非可逆回路素子１の垂直断面図を、図５に、水平断面図をそれぞれ示す。本第１実施形態では、図４に示すように、上側ケース８の側壁８ｂの内面と永久磁石９の外周面９ｂとの間隔ｓを、０．３０ｍｍに設定し、樹脂ケース３の接触防止部６の厚みｔを０．２０ｍｍに設定した。
【００２９】
この非可逆回路素子１は、上側ケース８の側壁８ｂの内面と永久磁石９の外周面９ｂとの間に、樹脂ケース３の接触防止部６が配設されているので、上側ケース８の側壁８ｂの内面と永久磁石９の外周面９ｂとの接触を防止することができる。しかも、樹脂ケース３と下側ケース４が一体成形されているので、下側ケース４に対して、樹脂ケース３の位置精度が良く、永久磁石９を精度良く位置決めすることができる。従って、中心電極組立体１３と永久磁石９との位置関係が良くなり、磁場分布が安定し、非可逆回路素子１の電気的特性の安定性を向上させることができる。また、樹脂ケース３の接触防止部６が、上側ケース８の側壁８ｂを差し込むスペースを確保しているので、上側ケース８が樹脂ケース３に乗り上げる等の不具合が抑えられ、スムーズに嵌合させることができる。従って、上側ケース８の装着作業性が向上し、低コストとなる。
【００３０】
また、永久磁石９の大きさは、樹脂ケース３の接触防止部６の厚み分だけ小さくすることができ、永久磁石９の減少した空間に、樹脂ケース３の接触防止部６が挿入される。そして、その減少した空間の比重は、永久磁石９の磁性体の比重からそれより小さい樹脂ケース３の樹脂の比重に置き換わるので、磁性体から樹脂の比重の差とその空間の体積の積の分だけ非可逆回路素子１を軽くすることができる。
【００３１】
なお、図６に示すように、樹脂ケース３の側壁３ｂを破線状に分けた形状のものであってもよい。この場合、使用する樹脂の量を減らすことができ、軽量かつ低コストにすることができる。
【００３２】
また、図７に示すように、図５において、入力端子１４、出力端子１５及びアース端子１６が配置されている側の下側ケース４及び上側ケース８の側壁４ａ，８ｂを省略した形状のものであってもよい。この場合、その側は樹脂ケース３の側壁３ｂのみになるので、非可逆回路素子を小型化することができる。
【００３３】
［第２実施形態、図８〜図１０］
図８に、本第２実施形態の非可逆回路素子１ａの垂直断面図を示す。図９に、図８に示した非可逆回路素子１ａの水平断面図を示す。図８及び図９に示すように、本第２実施形態では、上側ケース８及び下側ケース４の側壁８ｂ，４ａの内面と永久磁石９の外周面９ｂとの間に樹脂スペーサ７の接触防止部７ｃが挿入されている。
【００３４】
この非可逆回路素子１ａは、樹脂スペーサ７の接触防止部７ｃが、永久磁石９の外周面９ｂと上側ケース８及び下側ケース４の側壁８ｂ，４ａの内面との接触を防止することができる。しかも、図４で示したように、アイソレータ１の場合、樹脂ケース３の側壁３ｂの厚みｔには、接触防止部６を形成するための幅ｗを含める必要があるのに対して、図８に示すように、アイソレータ１ａの場合、樹脂ケース３の側壁３ｂの厚みｔには、接触防止部６を形成するための幅ｗを含める必要がない。従って、アイソレータ１ａの樹脂ケース３の側壁３ｂの厚みｔを薄くすることができ、アイソレータ１ａを小型化することができる。
【００３５】
なお、図示はしないが、樹脂スペーサ７の接触防止部７ｃを破線状に分けた形状のものであってもよい。この場合、使用する樹脂の量を減らすことができ、軽量かつ低コストにすることができる。
【００３６】
また、図１０に示すように、図９において、入力端子１４、出力端子１５及びアース端子１６が配置されている側の下側ケース４及び上側ケース８の側壁４ａ，８ｂを省略した形状のものであってもよい。この場合、その側は樹脂ケース３の側壁３ｂのみになるので、非可逆回路素子を小型化することができる。
【００３７】
［第３実施形態、図１１及び図１２］
図１１に、本第３実施形態の非可逆回路素子１ｂの垂直断面図を示す。図１２に、図１１に示した非可逆回路素子１ｂの水平断面図を示す。図１１に示すように、本第３実施形態は、前記第１実施形態と前記第２実施形態を組み合わせて構成されている。つまり、図１１及び図１２の右側に示すように、下側ケース４の側壁４ａの内面と永久磁石９の外周面９ｂとの間に、下側ケース４と一体成形されている樹脂ケース３の側壁３ｂが挿入される。同様に、図１１及び図１２の左側に示すように、上側ケース８の側壁８ｂの内面と永久磁石９の外周面９ｂとの間に、樹脂スペーサ７の接触防止部７ｃが挿入されている。樹脂ケース３の側壁３ｂは永久磁石９の中心付近まで延在され、上側ケース８の側壁８ｂの長さも側壁３ｂの延在した長さに合わせて短くしている。この非可逆回路素子１ｂは、前記第１実施形態及び前記第２実施形態と同様の作用効果を奏する。
【００３８】
なお、図示はしないが、樹脂スペーサ７の接触防止部７ｃを破線状に分けた形状のものや、樹脂ケース３の側壁３ｂを破線状に分けた形状のものや、樹脂ケース３の側壁３ｂに接触防止部６を形成し側壁８ｂを溝３ｅに挿入する形状であってもよい。
【００３９】
［第４実施形態、図１３〜図１７］
図１３に、本第４実施形態の非可逆回路素子１ｃの分解斜視図を示す。図１４に、図１３に示した非可逆回路素子１ｃの垂直断面図を、図１５に、図１４に示した非可逆回路素子１ｃの水平断面図をそれぞれ示す。
【００４０】
図１３に示すように、非可逆回路素子１ｃは、概略、一体成形された樹脂ケース３及び下側ケース４と、中心電極組立体１３と、上側ケース８と、永久磁石９と、樹脂スペーサ７と、抵抗素子Ｒと、整合用コンデンサ素子Ｃ１〜Ｃ３等を備えている。
【００４１】
上側ケース８は、略矩形状の上壁８ａの端部に形成した側壁８ｂが対向している。片側の側壁８ｂには、後述する下側ケース４の側壁４ａの内面に形成した樹脂ケース３の接触防止部３ｇに噛合うように切り欠き８ｄを有している。また、下側ケース４は、左右の側壁４ａと底壁４ｂとを有している。下側ケース４は、インサートモールド法によって、樹脂ケース３と一体成形されている。下側ケース４の底壁４ｂの対向する一対の辺からはそれぞれ２本のアース端子１６が延在している。
【００４２】
樹脂ケース３には、入力端子１４及び出力端子１５がインサートモールドされている。入力端子１４及び出力端子１５は一端が樹脂ケース３の外側壁に露出し、他端が樹脂ケース３の内側面に露出して入力引出電極部１４ａ、出力引出電極部１５ａを形成している。また、下側ケース４の左右の対向する側壁４ａの内面には、樹脂ケース３の内側面から張り出されている接触防止部３ｇが形成されている。
【００４３】
樹脂スペーサ７の一つの端部に樹脂ケース３の接触防止部３ｇに噛合うように切り欠き７ｄが形成されている。上側ケース８の切り欠き８ｄと樹脂スペーサ７の切り欠き７ｄは、樹脂ケース３の接触防止部３ｇに係合する。従って、接触防止部３ｇの一部が、上側ケース８の側壁８ｂに形成された切り欠き８ｄに収容され、接触防止部３ｇの厚みの一部を側壁８ｂの厚みが見掛け上吸収する。
【００４４】
一般に、樹脂形成するためには、製造上ある程度の厚さが必要である。例えば、樹脂ケース３の材料として液晶ポリマを使用した場合、最低０．２ｍｍの厚さが必要である。従って、通常、上側ケース８の側壁８ｂの内面と永久磁石９の外周面９ｂとの間の距離ｓは、最低でも０．２ｍｍとなる。しかしながら、本第４実施形態は、上側ケース８の側壁８ｂに切り欠き８ｄを形成しているので、接触防止部３ｇの形成に製造上必要な最小厚み寸法Ｄｍｉｎを確保した状態で、側壁８ｂと外周面９ｂとの距離ｓを寸法Ｄｍｉｎより小さくできる。例えば、接触防止部３ｇの厚みＤを０．３ｍｍ、上側ケース８の厚みＥを０．２ｍｍとすると、上側ケース８の側壁８ｂの内面から永久磁石９の外周面９ｂまでの距離ｓを０．１ｍｍまで狭めることができる。従って、アイソレータ１ｃは、小型化を図ることができる。
【００４５】
この非可逆回路素子１ｃは、前記第１実施形態ないし第３実施形態と同様の作用効果を奏する。さらに、上側ケース８が樹脂ケース３の接触防止部３ｇに係合しているので、上側ケース８の位置決め作業を容易にすることができる。また、図１６及び図１７に示すように、非可逆回路素子１ｃは、上側ケース８の側壁８ｂに形成した切り欠き８ｄを反対側の側壁８ｂにも形成し、下側ケース４の側壁４ａに形成した接触防止部３ｇを反対側の側壁４ａにも形成したものであってもよい。この結果、上側ケース８の両端に切り欠き８ｄを有しているので、非可逆回路素子１ｃの組み立て作業において、上側ケース８の方向性を確認する工程が省略することができ、製造コストを下げることができる。
【００４６】
［第５実施形態、図１８］
第５実施形態は、本発明に係る通信装置として、携帯電話を例にして説明する。
【００４７】
図１８は携帯電話１２０のＲＦ部分の電気回路ブロック図である。図１８において、１２２はアンテナ素子、１２３はデュプレクサ、１３１は送信側アイソレータ、１３２は送信側増幅器、１３３は送信側段間用帯域通過フィルタ、１３４は送信側ミキサ、１３５は受信側増幅器、１３６は受信側段間用帯域通過フィルタ、１３７は受信側ミキサ、１３８は電圧制御発振器（ＶＣＯ）、１３９はローカル用帯域通過フィルタである。
【００４８】
ここに、送信側アイソレータ１３１として、前記第１実施形態ないし第４実施形態の集中定数型アイソレータ１，１ａ，１ｂ，１ｃを使用することができる。このアイソレータ１，１ａ，１ｂ，１ｃを実装することにより、優れた電気特性を有する携帯電話を実現することができる。
【００４９】
［他の実施形態］
本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の構成に変更することができる。例えば、中心電極組立体の形状は、矩形状の他に、円柱形状や変形角形状等任意である。また、永久磁石の形状は、矩形状の他に、例えば、円形状や、角が丸い三角形状等であってもよい。
【００５０】
また、中心電極は、金属板を打ち抜き、曲げ加工して形成するものの他に、基板（誘電体基板や磁性体基板や積層基板等）にパターン電極を設けることによっても形成することができる。また、それぞれの中心電極の交差角は、１１０〜１４０度の範囲であればよい。
【００５１】
また、前記実施形態ではアイソレータに適用したが、本発明は、サーキュレータにも適用できるとともに、他の高周波部品にも適用できる。
【００５２】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、金属ケースの側壁内面と永久磁石の外周面との間に、樹脂ケースやスペーサ部材から延在した接触防止部が配置されているので、金属ケースの側壁内面と永久磁石の外周面との接触を防止することができる。しかも、樹脂ケースと金属ケースを一体成形することによって、金属ケースに対して樹脂ケースの位置精度が良くなり、作業性や生産性を向上させることができる。
【００５３】
また、金属ケースと一体成形された樹脂ケースから延在した接触防止部を樹脂ケースの内壁面から張り出すと共に、接触防止部に合わせた切り欠きを金属ケースに設けることにより、接触防止部の一部が金属ケースに設けた切り欠きに収容され、接触防止部の厚みの一部を金属ケースの厚みが見掛け上吸収する。従って、接触防止部の形成に製造上必要な最小厚み寸法Ｄｍｉｎを確保した状態で、金属ケースの側壁内面と永久磁石の外周面との距離を前記製造上必要な最小厚み寸法Ｄｍｉｎより小さくすることができる。
【００５４】
また、本発明に係る通信装置は、前述の特徴を有する非可逆回路素子を備えることにより、優れた周波数特性が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る非可逆回路素子の一実施形態を示す分解斜視図。
【図２】図１に示す非可逆回路素子の組立斜視図。
【図３】図１に示す非可逆回路素子の電気等価回路図。
【図４】図２のＩＶ−ＩＶ断面図。
【図５】図４のＶ−Ｖ断面図。
【図６】図１に示した非可逆回路素子の変形例を示す水平断面図。
【図７】図１に示した非可逆回路素子の別の変形例を示す水平断面図。
【図８】図１に示した非可逆回路素子のさらに別の変形例を示す垂直断面図。
【図９】図８のＩＸ−ＩＸ断面図。
【図１０】図１に示した非可逆回路素子のさらに別の変形例を示す水平断面図。
【図１１】図１に示した非可逆回路素子のさらに別の変形例を示す垂直断面図。
【図１２】図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ断面図。
【図１３】図１に示した非可逆回路素子のさらに別の変形例を示す分解斜視図。
【図１４】図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ断面図。
【図１５】図１４のＸＶ−ＸＶ断面図。
【図１６】図１に示した非可逆回路素子のさらに別の変形例を示す垂直断面図。
【図１７】図１６のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ断面図。
【図１８】本発明に係る通信装置の一実施形態を示すブロック図。
【図１９】従来の非可逆回路素子の一実施形態を示す垂直断面図。
【図２０】従来の非可逆回路素子の別の一実施形態を示す垂直断面図。
【符号の説明】
１，１ａ，１ｂ，１ｃ…集中定数型アイソレータ
３…樹脂ケース
３ｇ…接触防止部
４…下側ケース
６…接触防止部
７…樹脂スペーサ（スペーサ部材）
７ｃ…接触防止部
７ｄ，８ｄ…切り欠き
８…上側ケース
９…永久磁石
９ｂ…外周面
１３…中心電極組立体
２０…マイクロ波フェライト
２１〜２３…中心電極
１２０…携帯電話（通信装置）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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