(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内に設置した載置台上に被処理体を載置し、前記被処理体に所定の処理を施す処理装置において、前記載置台を水平方向に対して傾斜させた状態で前記載置台を回転させることなく前記傾斜方向を経時的に変化させる載置台傾斜機構を設けるように構成したことを特徴とする処理装置。
【請求項２】
前記載置台傾斜機構は、前記載置台の裏面側に連結されて個別に独立して昇降可能になされた３本以上の載置台昇降ロッドと、前記載置台昇降ロッドの昇降を制御する制御部とよりなることを特徴とする請求項１記載の処理装置。
【請求項３】
前記載置台昇降ロッドの駆動系には、前記制御部より所定の角度ずつ位相がずれたサイン曲線に従って前記載置台昇降ロッドの高さ位置を制御するような駆動信号が供給されることを特徴とする請求項２記載の処理装置。
【請求項４】
前記各駆動信号には、大きさが変動するバイアス信号が共通に重畳されることを特徴とする請求項３記載の処理装置。
【請求項５】
前記処理容器の底部と前記載置台との間には、前記処理容器内の気密性を維持しつつ前記載置台の傾斜方向の変化を許容するために伸縮可能になされたベローズが介在されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の処理装置。
【請求項６】
前記処理容器の天井部には、前記載置台に向けて電子ビームを拡散させつつ照射するための複数の電子ビーム管が設置されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の処理装置。
【請求項７】
処理容器内に設置した載置台上に被処理体を載置し、前記被処理体に所定の処理を施す処理方法において、前記載置台を水平方向に対して傾斜させた状態で前記載置台を回転させることなく前記傾斜方向を経時的に変化させるようにしたことを特徴とする処理方法。
【請求項８】
前記被処理体の表面に、複数の電子ビーム管から放射した電子ビームを拡散させつつ照射させるようにしたことを特徴とする請求項７記載の処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ等の被処理体に所定の処理を施す処理装置及び処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体集積回路の製造工程においては、被処理体である半導体ウエハに対して成膜処理、エッチング処理、酸化拡散処理、アニール処理、改質処理等の種々の処理を施すことが行われている。例えばエッチング処理を例にとれば、ウエハ表面に配線パターンを形成するために或いは配線間等の凹部を埋め込むためにアルミニウム（Ａｌ）、Ｃｕ（銅）、Ｗ（タングステン）、ＷＳｉ（タングステンシリサイド）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（チタンナイトライド）、ＴｉＳｉ（チタンシリサイド）等の金属或いは金属化合物を堆積させたり、またはＳｉＯ２ 等の絶縁膜を堆積させたりする。
【０００３】
そして、上述したように形成された堆積膜を所望のパターンに形成する際にエッチングが行われる。このエッチング処理の一般的な手法としては、エッチングの対象となる堆積膜の表面に有機化合物等よりなるレジスト膜を均一に塗布し、このレジスト膜を所望のパターンのマスクを介して露光して現像することにより、上記レジスト膜をパターン化する。そして、これをホットプレートなどに載せてある程度の熱を加えてレジスト膜を焼き固める。
次に、パターン化されたレジスト膜をマスクとしてこの下層の堆積膜をエッチングすることにより溝加工や穴加工等を施すことになる。尚、上記パターン形成工程において微細加工性不足を補うためにレジスト膜を薄くする必要があること、及びその際にエッチングマスクとしての耐エッチング性を高める必要があることなどから、レジスト膜を上層と下層とに２分割して上下層間にＳＯＧ（ＳｐｉｎＯｎ  Ｇｌａｓｓ）による薄いＳｉＯ２ 膜を介在させる場合もある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述したようにウエハの堆積膜の表面にレジスト膜を固定させ、その後のエッチング工程などにおける耐性を高めるためにこれを焼き固めるようにしているが、この処理が均一、且つ十分になされないと、エッチング工程などにおいてこのレジスト膜の表面にクラックが発生したり、或いはレジスト膜の表面粗さ（ラフネス）がある程度大きくなることは避けられなかった。また、熱のみによる焼き固めでは、高温・長時間を要するなどの問題もあった。
従来の半導体製造工程におけるデザインルールはそれ程厳しくないことから、上述したようなクラックの発生や表面粗さの増加は、それ程問題ではなかったが、最近のように高集積化及び高微細化が更に要請されて線幅がサブミクロン程度まで微細化すると、上述したようなクラックの発生や表面粗さの増加が、被エッチング材料のエッチング形状に悪影響を及ぼして大きな問題となってきた。
【０００５】
また、半導体ウエハに対して各種の処理を施す際には、その処理をウエハ面内に均一に施す必要があるが、そのため、従来にあっては、ウエハを保持する載置台構造に工夫を行って、ウエハを傾斜させたままこれを自転させたり、或いは自転と公転を同時に加えたりすることが行われている（例えば特開昭６２−７３７２６号公報、特開平５−３２６４５４号公報等）。
しかしながら、ウエハ自体に自転と公転とを同時に加える載置台自体の構造は、非常に複雑になり、且つシール性を十分に確保することがかなり困難になり、また、ウエハを自転させる場合はウエハの回転中心は移動しないため、ウエハ処理における面内均一性も十分ではない、といった問題があった。
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、比較的簡単な構成で載置台の傾斜方向を順次変化させることにより、被処理体の処理の面内均一性を向上させることが可能な処理装置及び処理方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る発明は、処理容器内に設置した載置台上に被処理体を載置し、前記被処理体に所定の処理を施す処理装置において、前記載置台を水平方向に対して傾斜させた状態で前記載置台を回転させることなく前記傾斜方向を経時的に変化させる載置台傾斜機構を設けるように構成する。
これにより、処理装置自体の構造をそれ程複雑化させることなく、しかも載置台自体を回転させることなく、載置台上に載置された被処理体を水平方向に対して傾斜させたままその傾斜方向を経時的に変化するように揺動させることができる。従って、例えば処理容器の天井部にエネルギー線の照射手段を設けている場合には、被処理体の表面にエネルギー線を面内均一に照射させることができるので、被処理体の処理の面内均一性を向上させることが可能となる。
【０００７】
この場合、例えば請求項２に規定するように、前記載置台傾斜機構は、前記載置台の裏面側に連結されて個別に独立して昇降可能になされた３本以上の載置台昇降ロッドと、前記載置台昇降ロッドの昇降を制御する制御部とよりなる。
また、例えば請求項３に規定するように、前記載置台昇降ロッドの駆動系には、前記制御部より所定の角度ずつ位相がずれたサイン曲線に従って前記載置台昇降ロッドの高さ位置を制御するような駆動信号が供給される。
また、例えば請求項４に規定するように、前記各駆動信号には、大きさが変動するバイアス信号が共通に重畳される。
これによれば、載置台自体を揺動させながら、この全体を上下移動（昇降移動）させることが可能となる。従って、被処理体の処理の面内均一性を一層向上させることが可能となる。
【０００８】
また、例えば請求項５に規定するように、前記処理容器の底部と前記載置台との間には、前記処理容器内の気密性を維持しつつ前記載置台の傾斜方向の変化を許容するために伸縮可能になされたベローズが介在されている。
また、例えば請求項６に規定するように、前記処理容器の天井部には、前記載置台に向けて電子ビームを拡散させつつ照射するための複数の電子ビーム管が設置されている。
これにより、載置台上に載置されている被処理体に対してその面内均一に電子ビームを照射して処理の面内均一性を向上させることが可能となる。
【０００９】
請求項７に係る発明は、上記装置発明で行われる方法発明を規定したものであり、すなわち、処理容器内に設置した載置台上に被処理体を載置し、前記被処理体に所定の処理を施す処理方法において、前記載置台を水平方向に対して傾斜させた状態で前記載置台を回転させることなく前記傾斜方向を経時的に変化させるようにしたことを特徴とする処理方法である。
この場合、例えば請求項８に規定するように、前記被処理体の表面に、複数の電子ビーム管から放射した電子ビームを拡散させつつ照射させるようにする。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る処理装置及び処理方法の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図１は本発明に係る処理装置を示す断面構成図、図２は処理容器の天井部に設けた電子ビーム管の配列状態を示す図、図３は電子ビーム管から放射される電子ビームによって照射される被処理体の照射パターンの一例を示す図、図４は載置台傾斜機構の載置台昇降ロッドの配列を示す斜視図、図５は載置台の揺動状態を説明するための模式図、図６は載置台昇降ロッドの駆動系へ供給する駆動信号を説明する信号波形図、図７は載置台の動作を示す側面図である。
図１に示すように、この処理装置２は、例えばアルミニウム等により円筒体状、或いは箱状に形成されて内部が真空引き可能になされた処理容器４を有しており、この処理容器４内には、上面に被処理体として例えば半導体ウエハＷを載置するための載置台６が設けられている。この載置台６は、例えばカーボン素材やＡｌＮ等のアルミ化合物等により円板状に成形されており、内部にはこの上に載置された半導体ウエハＷを加熱するための加熱手段として抵抗加熱ヒータ８が埋設されている。
【００１１】
この処理容器４の側壁には、この処理容器４内へ必要な処理ガスを供給するためのガス供給手段として処理ガスノズル９が設けられると共に、ウエハＷを処理容器４内へ搬出入する際に開閉されるゲートバルブ１０が設けられる。
また、処理容器４の底部周縁部には、排気口１２が設けられており、この排気口１２には図示しない真空ポンプを介設した排気路１４が接続されて、処理容器４内を真空引きできるようになっている。
そして、処理容器４の天井部には、半導体ウエハＷに対して処理を行う照射線のエネルギー源として、ここでは複数の電子ビーム管１６が設けられている。この電子ビーム管１６は、ウエハ表面の略全域を照射するために、例えば図２にも示すように容器天井部の略全域に亘って略均等に配置している。そして、この電子ビーム管１６の下端には長方形状になされた照射窓２０が設けられており、ここには電子ビームを透過する薄いシリコン膜２２が形成されている。各電子ビーム管１６内には、フィラメント１８が設けられており、このフィラメント１８より発生する電子を図示しない加速電極でビーム状に加速して上記透過窓２０を介して処理容器４内へ導入し、この導入した電子ビーム２４を拡散しつつウエハ面に照射するようになっている。図２においては、全体で１９個の電子ビーム管１６が配置された状態を示しており、図３には各電子ビーム管１６より放射された電子ビーム２４がウエハＷの面上で形成する照射パターン２６を示している。ここで、載置台６及びウエハＷが基準となる水平位置で水平状態の時には、略円形の各照射パターン２６が互いに略外接するように各電子ビーム管１６の配列や電子ビーム管１６と載置台６との間の距離Ｈ１が設定されている。
【００１２】
そして、上記各電子ビーム管１６の透過窓２０に臨ませて、容器天井部には冷却ガスノズル２７が設けられており、これより冷却ガスとして例えば不活性な窒素ガスを噴射させることにより、電子ビーム２４によって加熱される傾向にある透過窓２０を冷却するようになっている。
そして、上記載置台６は、本発明の特徴とする載置台傾斜機構２８により傾斜した状態で揺動可能に支持されている（図５参照）。具体的には、図４にも示すように、上記載置台傾斜機構２８は、上記円形の載置台６の中心を中心として略等間隔で略等方的に配置された３本以上、図示例では３本の載置台昇降ロッド３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃを有しており、各ロッド３０Ａ〜３０Ｃは、容器底部に設けた大口径のロッド孔３２を通って下方に延びている。各載置台昇降ロッド３０Ａ〜３０Ｃの上端には、それぞれ回動自在に例えばピン接続された長さの短い補助アーム３４Ａ、３４Ｂ、３４Ｃが設けられると共に、各補助アーム３４Ａ〜３４Ｃの先端は、載置台６の裏面側に載置台中心を中心として略１２０度間隔で等方的に設けた接続突起３６Ａ、３６Ｂ、３６Ｃに例えばピン接続により回動自在に連結されている。従って、上記各昇降ロッド３０Ａ〜３０Ｃを互いに所定の位相角度だけずらして昇降移動させることにより、図５にも示すように、載置台６自体を回転させることなく、これを所定の角度で傾斜させた状態でこの傾斜方向を時間的に（経時的に）変化させて揺動し得るように、いわば首振り運動を生ぜしめるようになっている。
【００１３】
上記各載置台昇降ロッド３０Ａ〜３０Ｃの途中には、それぞれ案内スリーブ３８Ａ〜３８Ｃが設けられており、各昇降ロッド３０Ａ〜３０Ｃが上下方向へ移動できるように案内し得るようになっている。また、各載置台昇降ロッド３０Ａ〜３０Ｃの下端部にはロッドの昇降のための駆動力を発生する例えばリニアモータ等よりなる駆動系４０Ａ〜４０Ｃが設けられており、この駆動系４０Ａ〜４０Ｃの制御を行うことにより、各ロッド３０Ａ〜３０Ｃの上下動の制御を行う。そして、各駆動系４０Ａ〜４０Ｃの動作は、例えばマイクロコンピュータ等よりなる制御部４２からの駆動信号４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃにより制御されるようになっている。
そして、上記載置台６の裏面側の周縁部と、上記ロッド孔３２が形成された容器底部との間には、上記全ての昇降ロッド３０Ａ〜３０Ｃを囲むようにして蛇腹状の金属板よりなる伸縮可能になされた大口径のベローズ４６が接合されて設けられており、処理容器４内の気密性を維持しつつ上記載置台６の上下方向の移動を許容するようになっている。
【００１４】
そして、このベローズ４６の外周側に位置させて、上記載置台６の下方には、環状の連結リング４８より起立させた複数本、例えば３本のリフタピン５０（図１では２本のみ記す）が略等間隔で設けられており、この連結リング４８は昇降可能になされている。そして、このリフタピン５０は、上記載置台６に設けたリフタピン穴５２を通ってウエハＷの下面に当接し、ウエハＷを持ち上げ、或いは持ち下げるようになっている。この連結リング４８は、容器底部を貫通させて設けた押し上げ棒５４に連結されており、この押し上げ棒５４の貫通部には処理容器４内の気密状態を保持しつつ昇降移動を可能とするために伸縮可能なベローズ５６が介在されている。
【００１５】
次に、以上のように構成された処理装置を用いて行なわれる本発明の処理方法を、例えばレジスト膜の改質処理を例にとって説明する。
まず、処理容器４の側壁に設けたゲートバルブ１０を開いて搬送アーム（図示せず）により処理容器４内にウエハＷを搬入し、リフタピン５０を押し上げることによりウエハＷをリフタピン５０側に受け渡す。そして、リフタピン５０を、押し上げ棒５４を下げることによりリフタピン５０を降下させて、ウエハＷを載置台６上に載置させる。尚、このウエハＷの表面には、前工程にてすでにレジスト膜が均一にコーティングされている。
【００１６】
次に、図示しない処理ガス源から処理ガスとして例えばＮ２ 、Ｈｅ、Ｏ２ 、Ｈ２ 等の混合ガス、本実施例の場合にはＮ２ （Ｏ２ 濃度３００ｐｐｍ未満）を供給して、これを処理ガスノズル９から処理容器４内へ導入する。また、排気口１２から内部雰囲気を吸引排気することにより処理容器４内を所定の真空度に設定し、且つ載置台６の抵抗加熱ヒータ８によりウエハＷを所定の温度、例えば室温から５００℃の範囲内、本実施例の場合には１００℃程度に加熱維持する。
そして、処理容器４の天井部に設けた複数の電子ビーム管１６を駆動して、電子ビームを加速エネルギ５〜１５ｋｅＶの範囲内、本実施例の場合には、６ｋｅＶ程度に設定することにより、各電子ビーム管１６から拡散されつつ電子ビーム２４を放射してこれを載置台６上のウエハＷの表面に照射し（ドーズ量２ｍＣ）、ウエハ表面に形成されているレジスト膜の焼結処理乃至改質処理を行う。
この時、同時に載置台６を支持している載置台傾斜機構２８も駆動して、この載置台を、水平方向に対して傾斜させた状態でこの載置台６を回転させることなくその傾斜方向を経時的に変化させる、いわゆる図５に示したような首振り動作をさせる。この首振り動作を行うためには、３本の各載置台昇降ロッド３０Ａ〜３０Ｃをそれぞれ所定の間隔をずらして順次連続的に昇降移動させればよい。
【００１７】
具体的には、図６に示すように電気角で位相が１２０度ずつずれた３つのサイン曲線の信号６０Ａ、６０Ｂ、６０Ｃの成分を含む駆動信号４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃ（図１参照）を各駆動系４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃへ供給し、各昇降ロッド３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃをそれぞれサイン成分で昇降移動させる。これにより、図７に示すように載置台６は水平方向に対して略一定の角度θを維持した状態で回転することなく、いわゆる首振り運動をすることになる。この角度θは、各昇降ロッド３０Ａ〜３０Ｃの上下方向のストローク量によっても異なるが、例えば５〜２０度程度の範囲内に設定するのがよい。
この場合、図７に示すように載置台６が傾斜することによって載置台６の中心Ｏの位置がその半径方向へ若干移動して偏心運動をすることになるが、その時の偏心量は、各載置台昇降ロッド３０Ａ〜３０Ｃの上端に回転自在に連結した補助アーム３４Ａ〜３４Ｃが、各昇降ロッド３０Ａ〜３０Ｃに対してそれぞれ屈曲することで吸収される。
【００１８】
このように載置台６を、いわゆる首振り運動させることにより、載置台６上の各部位は、この上方の電子ビーム管１６との間の距離が大きくなったり、小さくなったりするので、図３に示すような電子ビームの照射パターン２６は順番にその直径が大きくなったり小さくなったりすることになり、従って、ウエハ表面に電子ビームが偏りを生ずることなく、略均一に照射させることになり、ウエハ処理の面内均一性を大幅に向上させることが可能となる。
ここで、電子ビームによる実際の照射パターンの変化について図８を参照して一例を示す。尚、図８はシミュレーションにより、傾斜したウエハがウエハ中心軸に対して回転した場合について計算したものであり、これにより本願の構成の適切な傾斜角度を概ね求めることができる。図８中において、図８（Ａ）は載置台（ウエハ）６の傾斜角度θは５度、図８（Ｂ）は傾斜角度θは１０度の場合を示しており、それぞれ左側から右側へ２０度ずつ首振りが進んだ状態を示している。また、載置台６と電子ビーム管１６との間の距離Ｈ１（図１参照）は、６０ｍｍに設定している。
【００１９】
図示するように、電子ビーム管１６に遠い方の側の照射パターン（図中左側）２６は、直径が大きくなって隣り合う照射パターンと重なり合って重複する部分が発生しており、この重複部分は傾斜角度θが大きくなる程、広くなっている。ただし、傾斜角度θが例えば２０度を越えて過度に大きくなると、電子ビーム管１６に近い方の側の照射パターン（図中右側）２６がウエハに照射しなくなるので好ましくない。逆に、この傾斜角度θが５度よりも小さいと、隣り同士の照射パターンが接する部分の照射量が他の部分よりも不足する傾向になって、ウエハ処理の面内均一性が保てなくなるので好ましくない。
改質のプロセス時間は、数分程度であるが、この間に少なくとも１回以上、例えば複数回程度の首振り運動を行うようにするのが、ウエハ処理の面内均一性を向上させる上で、好ましい。この場合、発塵、或いは載置台傾斜機構２８等への負荷の点から最高１回／秒以下に抑えることが望ましい。
【００２０】
また、このように載置台６を首振り運動させると、この載置台中心部の上下方向への変動は、他の部分と比較して小さいので、これを補償するために、上記載置台６に首振り運動に加えてこの全体の昇降移動を加えるようにするのが好ましい。このために、図６に示すように、各駆動信号４４Ａ〜４４Ｃに大きさが変動する例えばサイン曲線のバイアス信号６４を共通に重畳して加えるようにするのが好ましい。これによれば、ウエハ中心部の照射パターンの直径の変動量も十分に大きくなるので、ウエハ処理の面内均一性を一層向上させることが可能となる。尚、このバイアス信号６４の周期は、上記駆動信号４４Ａ〜４４Ｃとは異ならせて、ウエハ上の特定の場所が集中的に電子ビーム管１６と最接近するのを防止するのがよい。
また、本実施例において電子ビーム照射のウエハ面内均一性は±１０％未満に制御することができた。
【００２１】
また、上記載置台６と電子ビーム管１６との間の距離Ｈ１は６０ｍｍに限定されず、電子ビーム２４の拡散角度にもよるが、実用的には２０〜９０ｍｍ程度の範囲内である。また、電子ビームを照射する時の処理容器４内の圧力、すなわちプロセス圧力は、大気圧雰囲気でもよいが、電子の直進性或いは有効性を考慮すると、６６．７ＫＰａ（５００Ｔｏｒｒ）以下、より好ましくは４０ＫＰａ（３００Ｔｏｒｒ）以下が望ましい。
このプロセス圧力は低い程、電子の直進性が増し、不純物ガスの化学的悪影響が低減するが、１３３０Ｐａ（１０Ｔｏｒｒ）以下では有意差が見られない。従って、プロセス圧力の下限は１３３０Ｐａ（１０Ｔｏｒｒ）程度でよい。
更に、レジスト膜（ＡｒＦレジスト）に電子ビームを照射しない時のエッチング（エッチングガス：ＣＦ４ ／Ｏ２ ／Ａｒ）処理後の表面粗さは３．０４ｎｍ程
度であったが、上述のようにしてレジスト膜に電子ビームを均一に照射して改質処理を施した時のエッチング処理後のレジスト膜の表面粗さは０．２７ｎｍ程度になり、エッチングに対する耐久性を均一に向上させてその特性を大幅に改善できたことが判明した。この結果、レジスト膜をパターン化した時にも、その溝部分の境界に微細な凹凸を生ぜしめることなく、直線性よくパターン化できることが判明した。
【００２２】
このようなレジスト膜の改質処理を、例えばレジスト膜を多層構造化してそのレジスト層間にＳＯＧのＳｉＯ２ 膜を介在させるようにした層間絶縁膜のパター
ン処理時に、上記レジスト膜を塗布する毎に前述したような電子ビームによる改質処理を施すことにより、レジスト膜にクラックが発生することを防止することができた。
また、上記実施例では、３つの載置台昇降ロッド３０Ａ〜３０Ｃをまとめて、これらの全体の外周を囲むようにして大口径のベローズ４６を設けた場合について説明したが、これに限定されず、図９に示すように各載置台昇降ロッド３０Ａ〜３０Ｃを囲むようにして個別に小口径のベローズ６８Ａ、６８Ｂ、６８Ｃを設けるようにしてもよい。この場合には、容器底部のロッド孔は、各ロッド３０Ａ〜３０Ｃに対応させて小口径のロッド孔７０Ａ、７０Ｂ、７０Ｃを設けるようにする。
【００２３】
また、本実施例では電子ビームを用いてレジスト膜を改質処理する場合を例にとって説明したが、これに限定されず、例えば有機シリコン酸化膜の誘電率のコントロール等にも用いることができる。
また、上記したような載置台６を首振りさせるような構造は、電子ビームを用いた改質処理用の処理装置に限定されず、成膜処理装置、プラズマを用いたエッチング処理装置、酸化拡散処理装置、アニール処理装置等にも適用することができる。
更には、被処理体としては、半導体ウエハに限定されず、ガラス基板、ＬＣＤ基板等にも適用することができる。
【００２４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の処理装置及び処理方法によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
請求項１、２、３、５、７に係る発明によれば、処理装置自体の構造をそれ程複雑化させることなく、しかも載置台自体を回転させることなく、載置台上に載置された被処理体を水平方向に対して傾斜させたままその傾斜方向を経時的に変化するように揺動させることができる。従って、例えば処理容器の天井部にエネルギー線の照射手段を設けている場合には、被処理体の表面にエネルギー線を面内均一に照射させることができるので、被処理体の処理の面内均一性を向上させることができる。
請求項４に係る発明によれば、載置台自体を揺動させながら、この全体を上下移動（昇降移動）させることができる。従って、被処理体の処理の面内均一性を一層向上させることができる。
請求項６、８に係る発明によれば、載置台上に載置されている被処理体に対してその面内均一に電子ビームを照射することにより、熱のみの処理に比較して低温・短時間であり、尚且つ処理の面内均一性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る処理装置を示す断面構成図である。
【図２】処理容器の天井部に設けた電子ビーム管の配列状態を示す図である。
【図３】電子ビーム管から放射される電子ビームによって照射される被処理体の照射パターンの一例を示す図である。
【図４】載置台傾斜機構の載置台昇降ロッドの配列を示す斜視図である。
【図５】載置台の揺動状態を説明するための模式図である。
【図６】載置台昇降ロッドの駆動系へ供給する駆動信号を説明する信号波形図である。
【図７】載置台の動作を示す側面図である。
【図８】電子ビームによる実際の照射パターンの変化の一例を示す図である。
【図９】本発明の処理装置の変形例を示す断面構成図である。
【符号の説明】
２  処理装置
４  処理容器
６  載置台
１６  電子ビーム管
２４  電子ビーム
２８  載置台傾斜機構
３０Ａ〜３０Ｃ  載置台昇降ロッド
３４Ａ〜３４Ｃ  補助アーム
３８Ａ〜３８Ｃ  案内スリーブ
４０Ａ〜４０Ｃ  駆動系
４２  制御部
４４Ａ〜４４Ｃ  駆動信号
４６  ベローズ
６０Ａ〜６０Ｃ  サイン曲線の信号
６４  バイアス信号
Ｗ  半導体ウエハ（被処理体）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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