(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
初期化磁界不要のD-RAD方式の光磁気記録媒体に対して初期化磁界を印可せずに再生を行う光磁気記録媒体装置において、
前記光磁気記録媒体上に光ビームを照射する光学ヘッドと、
前記光磁気記録媒体の再生時に前記光磁気記録媒体にバイアス磁界を印加するバイアス磁界発生部とを備え、
前記バイアス磁界は、前記光磁気記録媒体の所定のトラックを再生するにあたり、前記トラック上においてフロントマスクを形成するためのフロントマスク用磁界と、フロントマスク用磁界とは異なる大きさで且つ前記トラック上でリアマスクを形成するためのリアマスク用磁界を形成し、
前記光磁気記録媒体上の任意のトラック上におけるフロントマスク用磁界がリアマスク用磁界より大きくなるように、前記バイアス磁界のピーク位置が設定されることを特徴とする光磁気記録媒体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記バイアス磁界発生部により印加されるバイアス磁界のピーク位置が、前記光記録媒体上に照射された光ビームスポットの中心に対して、前記光磁気記録媒体の回転方向手前側にずれていることを特徴とする光磁気記録媒体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記バイアス磁界発生部は、前記光磁気記録媒体の半径方向に沿って延びるヨークと、当該ヨークに巻かれるコイルとを含む電磁石であることを特徴とする光磁気記録媒体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記光磁気記録媒体の回転方向における前記ヨークの中心位置が、前記光ビームスポットの中心位置に対して、前記光磁気記録媒体の回転方向手前側にずれるように、前記バイアス磁界発生部が位置決めされることを特徴とする光磁気記録媒体装置。
【請求項５】
請求項３において、
前記半径方向を向いた前記ヨークの断面は、前記光磁気記録媒体上で左右非対称であることを特徴とする光磁気記録媒体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記ヨークの断面は、階段形状又はくさび形状であることを特徴とする光磁気記録媒体装置。
【請求項７】
請求項５又は６において、
前記光磁気記録媒体の回転方向における前記ヨークの中心位置が、前記光ビームスポットの中心位置に対して、前記光磁気記録媒体の回転方向において一致するように、前記バイアス磁界発生部が位置決めされることを特徴とする光磁気記録媒体装置。
【請求項８】
請求項３において、
前記ヨークは、前記光磁気記録媒体の回転方向において残留磁束密度が異なる複数の材料で構成されることを特徴とする光磁気記録媒体装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記光磁気記録媒体の回転方向における前記ヨークの中心位置が、前記光ビームスポットの中心位置に対して、前記光磁気記録媒体の回転方向において一致するように、前記バイアス磁界発生部が位置決めされることを特徴とする光磁気記録媒体装置。
【請求項１０】
カートリッジに収納された初期化磁界不要のD-RAD方式の光磁気記録媒体に対して初期化磁界を印可せずに再生を行う光磁気記録媒体装置において、
前記光磁気記録媒体上に光ビームを照射する光学ヘッドと、
前記カートリッジを保持するカートリッジホルダと、
前記光磁気記録媒体の再生時に前記光磁気記録媒体にバイアス磁界を印加するバイアス磁界発生部とを備え、
前記バイアス磁界は、前記トラック上においてフロントマスクを形成するためのフロントマスク用磁界と、フロントマスク用磁界とは異なる大きさで且つ前記トラック上でリアマスクを形成するためのリアマスク用磁界を形成し、
前記光磁気記録媒体上の任意のトラック上におけるフロントマスク用磁界がリアマスク用磁界より大きくなるように、前記バイアス磁界のピーク位置が設定され、
前記バイアス磁界のピーク位置が、前記光ビームの中心位置に対して、前記光磁気記録媒体の回転方向手前側にずれるように、前記バイアス磁界発生部は前記カートリッジホルダに対して配置されることを特徴とする光磁気記録媒体装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記バイアス磁界発生部は、前記光磁気記録媒体の半径方向に沿って延びるヨークと、当該ヨークに巻かれるコイルとを含む電磁石であることを特徴とする光磁気記録媒体装置。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記光磁気記録媒体の回転方向における前記ヨークの中心位置が、前記光ビームスポットの中心位置に対して、前記光磁気記録媒体の回転方向手前側にずれるように、前記バイアス磁界発生部が位置決めされることを特徴とする光磁気記録媒体装置。
【請求項１３】
請求項１１において、
前記半径方向を向いた前記ヨークの断面は、前記光磁気記録媒体上で左右非対称であることを特徴とする光磁気記録媒体装置。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記ヨークの断面は、階段形状又はくさび形状であることを特徴とする光磁気記録媒体装置。
【請求項１５】
請求項１３又は１４において、
前記光磁気記録媒体の回転方向における前記ヨークのおける中心位置が、前記光ビームスポットの中心位置に対して、前記光磁気記録媒体の回転方向において一致するように、前記バイアス磁界発生部が位置決めされることを特徴とする光磁気記録媒体装置。
【請求項１６】
請求項１１において、
前記ヨークは、前記光磁気記録媒体の回転方向において残留磁束密度が異なる複数の材料で構成されることを特徴とする光磁気記録媒体装置。
【請求項１７】
請求項１６において、
前記光磁気記録媒体の回転方向における前記ヨークの中心位置が、前記光ビームスポットの中心位置に対して、前記光磁気記録媒体の回転方向において一致するように、前記バイアス磁界発生部が位置決めされることを特徴とする光磁気記録媒体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光磁気記録媒体に対する記録・再生を行う光磁気記録媒体装置に関し、特に、磁気超解像（ＭＳＲ）技術を利用した記録・再生が可能な光磁気記録媒体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光磁気記録媒体の記録密度を高密度化するための方式として、磁気超解像（ＭＳＲ）技術を利用したダブルマスクＲＡＤ（Ｄ−ＲＡＤ）方式が知られている。Ｄ−ＲＡＤ方式では、光磁気記録媒体に記録されたマークの前後にいわゆるフロントマスクとリアマスクを形成して、光磁気記録媒体に照射されるレーザビームのスポット径を実質的に絞ることで、記録・再生分解能を向上させている。
【０００３】
図１０は、Ｄ−ＲＡＤ方式の再生原理を説明する図である。図１０において、Ｄ−ＲＡＤ方式に対応する光磁気記録媒体は、記録層、中間層、再生層の３層を有する構造である。      
【０００４】
このような光磁気記録媒体の回転により、レーザビームスポットＳ内には、温度分布が生じ、低温領域、高温領域及びその中間温度領域が形成される。媒体再生時にバイアス磁界（再生磁場）Ｈｒを発生させると、低温領域では、中間層の磁化が支配的になるので、中間層の磁化がバイアス磁界Ｈｒの方向にそろい、このとき再生層の磁化も中間層と界面磁壁を形成しないようにそろい、フロントマスクを形成する。また、高温領域では、再生層の磁化が支配的になり、再生層の磁化がバイアス磁界Ｈｒにそろい、リアマスクを形成する。開口部（アパーチャ）は、フロントマスクとリアマスクに挟まれた中間温度領域に存在し、記録層３のビットが中間層を介して再生層に転写され、これが読み出される。こうして、レーザビームスポットＳ内の中間温度領域（開口部）からのみビットが再生されるので、スポット径が実質的に絞られ、再生分解能が向上する。
【０００５】
図１１は、従来の光磁気記録媒体装置におけるバイアス磁界発生装置とレーザビームスポットとの位置関係を説明する図である。図１１において、光磁気記録媒体の一面側からレーザビームが照射され、他面側からバイアス磁界発生装置によるバイアス磁界が印加される。バイアス磁界発生装置は、ヨークの周囲にコイルが巻かれている電磁石である。また、図示されるヨークの断面（半径方向を向いた断面）は、その中心線Ｃ１に対して左右対称の形状を有し、例えば矩形である。そして、レーザビーム照射スポット中心も中心線Ｃ１と同一線上にあるように、バイアス磁界発生装置が配置される。
【０００６】
図１２は、従来におけるヨークの中心からの距離と発生バイアス磁界の大きさ（比率）との関係を示すグラフを示す図である。図１２において、バイアス磁界のピーク位置（１００％）は、レーザビームスポットの中心と同一線上にある。従って、レーザビームスポットの中心の媒体回転方向におけるトラック前後では、バイアス磁界が左右対称であり、すなわち、フロントマスク形成磁界とリアマスク形成磁界の大きさは同一となる。
【０００７】
このように、高密度に記録された微少のビットを検出するために、図１０に示したように、バイアス磁界によりフロントマスクとリアマスクが形成されるが、フロントマスクでは、再生層を消去（ＥＲＡＳＥ）方向にきれいにそろえることが必要であり、そのために、フロントマスク形成磁界は比較的大きいことが望ましい。また、リアマスクの大きさは、隣接トラックとのクロストークの観点から所定の大きさ以上に拡大するのを抑える必要があり、そのために、リアマスク形成磁界は比較的小さいことが望ましい。リアマスク形成磁界が大きすぎると、リアマスク領域の拡大により、隣接トラックにも開口部が形成され、隣接トラックのビットを再生してしまうクロストークが発生してしまう。
【発明の開示】
【０００８】
本発明の目的は、バイアス磁界によるフロントマスク形成磁界とリアマスク形成磁界の大きさが最適になるように、バイアス磁界を発生する光磁気記録媒体装置を提供することにある。
【０００９】
上記目的を達成するための本発明の光磁気記録媒体装置では、バイアス磁界のピーク位置を、レーザビーム照射スポットの中心に対し、トラックの回転方向のタンジェンシャル方向を含む略トラック方向にずらすことにより、フロントマスク形成磁界及びリアマスク形成磁界を最適化する。
【００１０】
上記目的を達成するための光磁気記録媒体装置の第１の構成は、初期化磁界付与のD-RAD方式の光磁気記録媒体に対して初期化磁界を印可せずに再生を行う光磁気記録媒体装置において、
前記光磁気記録媒体上に光ビームを照射する光学ヘッドと、
前記光磁気記録媒体の再生時に前記光磁気記録媒体にバイアス磁界を印加するバイアス磁界発生部とを備え、
前記バイアス磁界は、前記光磁気記録媒体の所定のトラックを再生するにあたり、前記トラック上においてフロントマスクを形成するためのフロントマスク用磁界と、フロントマスク用磁界とは異なる大きさで且つ前記トラック上でリアマスクを形成するためのリアマスク用磁界を形成し、
前記光磁気記録媒体上の任意のトラック上におけるフロントマスク用磁界がリアマスク用磁界より大きくなるように、前記バイアス磁界のピーク位置が設定されることを特徴とする。
【００１１】
本発明の光磁気記録媒体装置の第２の構成は、上記第１の構成において、前記バイアス磁界発生部により印加されるバイアス磁界のピーク位置が、前記光記録媒体上に照射された光ビームスポットの中心に対して、前記光磁気記録媒体の回転方向手前側にずれていることを特徴とする。
【００１２】
本発明の光磁気記録媒体装置の第３の構成は、上記第１又は第２の構成において、前記バイアス磁界発生部が、前記光磁気記録媒体の半径方向に沿って延びるヨークと、当該ヨークに巻かれるコイルとを含む電磁石であることを特徴とする。
【００１３】
本発明の光磁気記録媒体装置の第４の構成は、上記第３の構成において、前記光磁気記録媒体の回転方向における前記ヨークの中心位置が、前記光ビームスポットの中心位置に対して、前記光磁気記録媒体の回転方向手前側にずれるように、前記バイアス磁界発生部が位置決めされることを特徴とする。
【００１４】
本発明の光磁気記録媒体装置の第５の構成は、上記第３の構成において、前記半径方向を向いた前記ヨークの断面は、前記光磁気記録媒体上で左右非対称であることを特徴とする。
【００１５】
本発明の光磁気記録媒体装置の第６の構成は、上記第５の構成において、前記ヨークの断面は、階段形状又はくさび形状であることを特徴とする。
【００１６】
本発明の光磁気記録媒体装置の第７の構成は、上記第５又は第６の構成において、前記光磁気記録媒体の回転方向における前記ヨークの中心位置が、前記光ビームスポットの中心位置に対して、前記光磁気記録媒体の回転方向において一致するように、前記バイアス磁界発生部が位置決めされることを特徴とする。
【００１７】
本発明の光磁気記録媒体装置の第８の構成は、上記第３の構成において、前記ヨークは、前記光磁気記録媒体の回転方向において残留磁束密度が異なる複数の材料で構成されることを特徴とする。
【００１８】
本発明の光磁気記録媒体装置の第９の構成は、上記第８の構成において、前記光磁気記録媒体の回転方向における前記ヨークの中心位置が、前記光ビームスポットの中心位置に対して、前記光磁気記録媒体の回転方向において一致するように、前記バイアス磁界発生部が位置決めされることを特徴とする。
【００１９】
本発明の光磁気記録媒体装置の第１０の構成は、カートリッジに収納された初期化磁界不要のD-RAD方式の光磁気記録媒体に対して初期化磁界を印可せずに再生を行う光磁気記録媒体装置において、
前記光磁気記録媒体上に光ビームを照射する光学ヘッドと、
前記カートリッジを保持するカートリッジホルダと、
前記光磁気記録媒体の再生時に前記光磁気記録媒体にバイアス磁界を印加するバイアス磁界発生部とを備え、
前記バイアス磁界は、前記トラック上においてフロントマスクを形成するためのフロントマスク用磁界と、フロントマスク用磁界とは異なる大きさで且つ前記トラック上でリアマスクを形成するためのリアマスク用磁界を形成し、
前記光磁気記録媒体上の任意のトラック上におけるフロントマスク用磁界がリアマスク用磁界より大きくなるように、前記バイアス磁界のピーク位置が設定され、
前記バイアス磁界のピーク位置が、前記光ビームの中心位置に対して、前記光磁気記録媒体の回転方向手前側にずれるように、前記バイアス磁界発生部は前記カートリッジホルダに対して配置されることを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について図面に従って説明する。しかしながら、本発明の技術的範囲はかかる実施の形態によって限定されるものではない。
【００２１】
図１は、本発明の実施の形態における光磁気記録媒体装置の断面模式図を示す図である。インレットドア１０内には、スピンドルモータ１１が設けられ、インレットドア１０から光磁気記録媒体１２を収納するカートリッジ１３を挿入することで、カートリッジ１３内に収納された光磁気記録媒体１２がスピンドルモータ１１の回転軸（ハブ）１１ａに回転可能に装着される。
【００２２】
光磁気記録媒体１２の一面側には、光磁気記録媒体１２のトラックを横切る方向（半径方向）に案内される移動自在な光学ヘッド１６が配置されている。光学ヘッド１６には、対物レンズ１７が搭載され、レーザ光源１８から出力されたレーザビームが入射される。光学ヘッド１６は、レーザビームを光磁気記録媒体１２面上に照射する。また、光学ヘッド１６は、光磁気記録媒体１２からの反射光を受光し、反射光は再生信号処理手段（図示せず）に送られる。再生信号処理手段は、反射光から光磁気信号を検出し、それを電気信号である再生信号に変換する。
【００２３】
また、光磁気記録媒体１２の他面側には、磁気コイルを有するバイアス磁界発生装置２０が配置されている。バイアス磁界発生装置２０は、記録・再生時において、光磁気記録媒体１２面上のレーザビーム照射スポット付近に所定の大きさのバイアス磁界を印加する。また、記録・再生時にバイアス磁界発生装置２０により発生されるバイアス磁界は、フロントマスク形成磁界及びリアマスク形成磁界を形成する。
【００２４】
本発明の実施の形態では、上述のような光磁気記録媒体装置において、バイアス磁界発生装置２０によるバイアス磁界のピーク位置を、レーザビーム照射スポットの中心に対し所定方向にずらすことにより、フロントマスク形成磁界及びリアマスク形成磁界を最適化する。
【００２５】
所定方向は、例えば、光磁気記録媒体の略トラック方向であって、好ましくは、光磁気記録媒体のトラックが回転方向に延びるディスク媒体である場合は、トラック方向（回転方向）の接線方向（タンジェンシャル方向）である。
【００２６】
図２は、第１の実施の形態におけるバイアス磁界発生装置２０の概略断面図である。  図２において、バイアス磁界発生装置２０のヨーク２０ａの図示される断面（半径方向を向いた断面）は矩形であって、その中心線Ｃ１に対して左右対称の形状を有する。そして、中心線Ｃ１と、レーザビーム照射スポットの中心線Ｃ２とは、略トラック方向、すなわち、所定のトラック上におけるフロントマスク形成位置方向又はリアマスク形成位置方向にずれている。なお、以下の実施の形態例では、略トラック方向として、トラック回転方向のタンジェンシャル（接線）方向（以下、単にタンジェンシャル方向と記載する）を例に説明する。
【００２７】
ヨーク２０ａは、中心線Ｃ１に対して左右対称の矩形形状であるので、バイアス磁界発生装置２０により発生するバイアス磁界のピーク位置は、バイアス磁界発生装置２０の中心線Ｃ１の位置に存在する。従って、バイアス磁界発生装置２０の中心線Ｃ１と、レーザビームスポット（照射位置）の中心線Ｃ２とがずれていることにより、トラック上におけるスポットの前後に形成されるフロントマスク形成磁界とリアマスク形成磁界の大きさが変化する。好ましくは、バイアス磁界のピーク位置をタンジェンシャル方向前方にずらすことで、フロントマスク形成磁界を相対的に大きくすることができ、フロントマスク形成磁界とリアマスク形成磁界を最適化することができる。
【００２８】
上記のように、バイアス磁界発生装置２０の中心線Ｃ１とレーザビームスポットの中心線Ｃ２をずらすために、バイアス磁界発生装置２０は、レーザビームスポットの中心からずらして配置される。
【００２９】
図３は、レーザビームスポットの中心からずらして配置されたバイアス磁界発生装置２０の上面図であって、図４は、図３の円部（バイアス磁界発生装置）付近の拡大図である。図３及び図４において、バイアス磁界発生装置２０のヨーク２０ａは、光磁気記録媒体１２の半径方向に沿って延び、その周りは、磁気コイル２０ｂで巻かれている。ヨーク２０ａの先端は断面的には先細り形状で、先端面は平坦面である。また、バイアス磁界発生装置２０は保護ケースに収容されている。
【００３０】
また、図３において、光磁気記録媒体装置内のカートリッジ格納用ホルダ２１は、図１のインレットドア１０から挿入されたカートリッジ１３を保持し、カートリッジ１３内の光磁気記録媒体１２のハブを、スピンドルモータ１１のターンテーブルに装着する。そして、図３及び図４に示されるように、バイアス磁界発生装置２０のヨーク２０ａの中心線Ｃ１が、カートリッジ格納用ホルダ２１に対して、レーザビームスポットの中心線Ｃ２に対してタンジェンシャル方向にずれた位置に配置される。すなわち、ヨーク２０ａの中心線Ｃ１は、レーザビームスポットの中心線Ｃ２（又は、記録媒体１２の中心線若しくはカートリッジ格納用ホルダ２１の中心線）に対して、記録媒体１２又はカートリッジ１３の挿入・排出方向に垂直な方向、つまり、記録媒体１２又はカートリッジ１３の幅方向、若しくはカートリッジ格納用ホルダ２１の幅方向にずらされる（シフトする）。
【００３１】
ずれ幅は、例えば０．４ｍｍであって、発明者らの実験によれば、これにより、レーザビームスポットの中心でのバイアス磁界が５０Ｏｅ程度低下した（次の図５参照）。
【００３２】
図５は、第１の実施の形態におけるヨークの中心からの距離と発生バイアス磁界の大きさ（比率）との関係を示すグラフを示す図である。図５において、バイアス磁界のピーク位置（１００％）は、レーザビームスポットの中心からずれているので、レーザビームスポットの中心のタンジェンシャル方向前後では、バイアス磁界が対称でなくなり、バイアス磁界の大きさが変化する。バイアス磁界のピーク位置を、タンジェンシャル方向前方にずらすことで、フロントマスク形成磁界が相対的に大きくなり、リアマスク形成磁界が相対的に小さくなる。
【００３３】
図６は、本実施の形態の光磁気記録媒体装置の再生磁場におけるエラーレートと所定の大きさのバイアス磁界（１００％）に対する比率（マージン）との関係を示すグラフである。光磁気記録媒体１２は、ランド部及びグルーブ部両方に記録ピットを有し、図６（ａ）は、光磁気記録媒体１２のランド部におけるエラーレート、図６（ｂ）は、光磁気記録媒体１２のグルーブにおけるエラーレートを示すグラフである。図６（ａ）、（ｂ）では、バイアス磁界の大きさを、所定の大きさ（１００％）の前後に変化させたときのエラーレートがプロットされている。例えば、エラーレートのしきい値（スライス）を１Ｅ−０３（１０-3）とすると、エラーレートがしきい値以下となる本実施の形態における再生磁場のマージン範囲は、それに対応する従来におけるマージン範囲と比較して、大幅に拡大している。特に、図６（ｂ）では、本実施の形態における再生磁場のマージン範囲は、バイアス磁界が、所定の大きさより２倍（２００％）以上に変化しても、エラーレートはしきい値以下を維持したままである。
【００３４】
このように、本実施の形態におけるバイアス磁界により、エラーレートに対する再生・記録マージンが大幅に広がり、バイアス磁界の変動によるエラーレートの上昇を防止することができるので、高精度な再生・記録性能が得られ、光磁気記録媒体装置の信頼性の向上に寄与する。
【００３５】
図７は、本発明の第２の実施の形態におけるバイアス磁界発生装置２０の概略断面図である。図７において、バイアス磁界発生装置２０の中心線Ｃ１と、レーザビームスポットの中心線Ｃ２とは、同一線上にあるが、ヨーク２０ａの断面は、中心線Ｃ１に対して左右対称の形状を有さない。具体的には、図７（ａ）に示されるように、ヨークの断面が、中心線Ｃ１を挟んで階段形状に形成されたり、図７（ｂ）に示されるように、ヨークの断面が、中心線Ｃ１を挟んでくさび形状に形成される。これにより、発生するバイアス磁界のピークの位置が、中心線Ｃ１（すなわち、中心線Ｃ２）からずれる。もちろん、この場合、中心線Ｃ１と中心線Ｃ２がずれていてもよい。
【００３６】
図８は、第２の実施の形態におけるヨークの中心線Ｃ１からの距離と発生バイアス磁界の大きさ（比率）との関係を示すグラフを示す図である。図８において、バイアス磁界のピーク位置（１００％）が、ヨーク中心からずれた位置に存在し、ヨーク中心とレーザビームスポット中心が同一線上にあるので、図５の場合と同様に、レーザビームスポットの中心から、タンジェンシャル方向前後のバイアス磁界が左右対称でなくなり、その大きさが変化する。そして、バイアス磁界のピーク位置を、回転方向の前方にずらすことで、フロントマスク形成磁界が相対的に大きくなり、リアマスク形成磁界が相対的に小さくなる。
【００３７】
従って、この場合も、図６（ａ）、（ｂ）に示されるように、エラーレートに対する再生・記録マージン範囲が拡大し、光磁気記録媒体装置の信頼性向上に寄与する。
【００３８】
図９は、本発明の第３の実施の形態におけるバイアス磁界発生装置２０の概略断面図である。図９において、バイアス磁界発生装置２０の中心線Ｃ１と、レーザビームスポットの中心線Ｃ２とは、同一線上にあるが、ヨーク２０ａは、回転方向において残留磁束密度が異なる複数の材料で構成される。ヨーク２０ａは、例えば、冷間圧延鋼板とパーマロイとの張り合わせで構成される。このとき、ヨークの断面は、図９に示されるように矩形でよいし、それ以外の形状（例えば、階段形状やくさび形状）でもよい。このように、中心線Ｃ１を挟んで、残留磁束密度が異なる材料を張り合わせてヨークを構成することで、発生するバイアス磁界のピークの位置を、中心線Ｃ１（すなわち、中心線Ｃ２）からずらすことができる。
【００３９】
第３の実施の形態についての、ヨークの中心線Ｃ１からの距離と発生バイアス磁界の大きさ（比率）との関係は、第２の実施の形態における図８とほぼ同様である。すなわち、バイアス磁界発生装置２０の中心線Ｃ１と、レーザビームスポットの中心線Ｃ２とは同一線上にあるが、バイアス磁界のピーク位置（１００％）が、中心線Ｃ１からずれた位置に存在するため、レーザビームスポットの中心線Ｃ２のタンジェンシャル方向前後では、バイアス磁界が対称でなくなり、バイアス磁界の大きさが変化する。好ましくは、バイアス磁界のピーク位置を、回転方向の前方にずらすことで、フロントマスク形成磁界が相対的に大きくなり、リアマスク形成磁界が相対的に小さくなる。すなわち、レーザビームスポットに対して、図５と同様のバイアス磁界が形成される。
【００４０】
従って、この場合も、図６（ａ）、（ｂ）に示されるように、エラーレートに対する記録・再生マージン範囲が拡大し、装置の信頼性向上に寄与する。
【００４１】
なお、バイアス磁界のピーク位置が、光ビームスポットの中心に対して後方にずれる構成であっても、上記実施例同様に、最適磁界を生成することができる。光磁気記録媒体の再生層は、フロントマスクにより初期化されれば、ＭＳＲ再生パワーにより高温にならなければ、初期化状態が保たれるので、ヨークの位置は、光ビームの前後どちらでも原理上かまわない。ただし、後方の場合は、必要に応じて、回転待ち動作などを考慮に入れる必要があるため、バイアス磁界のピークが光ビームのスポット中心の前方にずれていることが好ましい。
【００４２】
また、上記の実施の形態では、コイルとヨークで構成される電磁石によるバイアス磁界発生装置を例に説明したが、もちろん、バイアス磁界発生装置は、永久磁石で構成されてもよい。
【００４３】
バイアス磁界発生装置は、光ビーム出射側と反対側に配置した例としたが、例えば、光学ヘッド上の対物レンズの周囲に電磁石を持たせて、同一側に配置することも可能である。また、固定的な磁界発生装置だけでなく、浮上式若しくは接触式の磁気ヘッドタイプのものであってもよい。つまり、光ビームの光軸に対して磁気ヘッドの磁気コアをずらして配置することで、本発明を実現可能である。
【００４４】
また、上記の実施の形態例で説明したディスク上の記録媒体に限らず、カード状、テープ状の記録媒体にも適用可能である。
【００４５】
さらに、光磁気記録媒体装置は、光磁気記録媒体を再生する装置、光磁気記録媒体を記録・再生する装置、光磁気記録媒体製造装置などの処理装置を含む。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
以上説明したように本発明によれば、光磁気記録媒体装置におけるバイアス磁界のピーク位置を、レーザビームスポット中心とを、光磁気記録媒体のタンジェンシャル方向に対してずらすことにより、一つのバイアス磁界発生装置により、最適なフロントマスク形成磁界及びリアマスク形成磁界を形成することができ、記録・再生マージンが拡大する。
【００４７】
本発明の保護範囲は、上記の実施の形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された発明とその均等物に及ぶものである。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
図１は、本発明の実施の形態における光磁気記録媒体装置の断面模式図を示す図である。
【００４９】
図２は、第１の実施の形態におけるバイアス磁界発生装置２０の概略断面図である。
【００５０】
図３は、レーザビームスポットの中心からずらして配置されたバイアス磁界発生装置２０の上面図である。
【００５１】
図４は、図３の円部（バイアス磁界発生装置）付近の拡大図である。
【００５２】
図５は、第１の実施の形態におけるヨークの中心からの距離と発生バイアス磁界の大きさ（比率）との関係を示すグラフを示す図である。
【００５３】
図６は、本実施の形態における光磁気記録媒体装置の再生エラーレートと所定の大きさのバイアス磁界（１００％）に対する比率（マージン）との関係を示すグラフである。
【００５４】
図７は、本発明の第２の実施の形態におけるバイアス磁界発生装置２０の概略断面図である。
【００５５】
図８は、第２の実施の形態におけるヨークの中心線Ｃ１からの距離と発生バイアス磁界の大きさ（比率）との関係を示すグラフを示す図である。
【００５６】
図９は、本発明の第３の実施の形態におけるバイアス磁界発生装置２０の概略断面図である。
【００５７】
図１０は、Ｄ−ＲＡＤ方式の再生原理を説明する図である。
【００５８】
図１１は、従来の光磁気記録媒体装置におけるバイアス磁界発生装置とレーザビームスポットとの位置関係を説明する図である。
【００５９】
図１２は、従来におけるヨークの中心からの距離と発生バイアス磁界の大きさ（比率）との関係を示すグラフを示す図である。
【図１】
0004097597.tif 000002
【図２】
0004097597.tif 000003
【図３】
0004097597.tif 000004
【図４】
0004097597.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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