(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンウェハをダイシングして複数の半導体装置を製造する方法において、
ダイシングラインを跨ぐように絶縁層に覆われた溝を前記シリコンウェハに形成し、該溝の底面に絶縁層を形成した後、該絶縁層の上に金属膜を形成し、前記ダイシングラインに沿って前記シリコンウェハをダイシングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記金属膜を前記シリコンウェハの結晶面と導通させるようにしたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記シリコンウェハの表面の結晶面は（１００）面であり、（１００）面に異方性エッチングにより前記溝を形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記シリコンウェハの表面の結晶面は（１１０）面であり、（１１０）面に異方性エッチングにより前記溝を形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
複数の第１端子電極と複数の第２端子電極が基板上に形成されてなり、前記第１端子電極と前記第２端子電極を電気的に接続するための配線が形成されてなり、前記配線は前記第１端子電極間のピッチと前記第２端子電極間のピッチを変換する機能を有してなる狭ピッチコネクタであって、
前記基板の外周面には絶縁層が形成されてなることを特徴とする狭ピッチ用コネクタ。
【請求項６】
前記外周面は傾斜部を有することを特徴とする請求項５記載の狭ピッチ用コネクタ。
【請求項７】
前記外周面は段差部を有することを特徴とする請求項５記載の狭ピッチ用コネクタ。
【請求項８】
前記絶縁層の上に金属膜が形成されていることを特徴とする請求項５乃至７のいずれかに記載の狭ピッチ用コネクタ。
【請求項９】
前記金属膜は、前記基板に導通していることを特徴とする請求項８記載の狭ピッチ用コネクタ。
【請求項１０】
前記基板の熱膨張係数は、前記接続対象物の熱膨張係数に略等しい、または前記接続対象物の熱膨張係数より小さい特性を有することを特徴とする請求項５乃至９のいずれかに記載の狭ピッチ用コネクタ。
【請求項１１】
前記基板は単結晶シリコンにより形成されてなることを特徴とする請求項５乃至９のいずれかに記載の狭ピッチ用コネクタ。
【請求項１２】
前記単結晶シリコンの結晶面が（１００）面であることを特徴とする請求項１１に記載の狭ピッチ用コネクタ。
【請求項１３】
前記単結晶シリコンの結晶面が（１１０）面であることを特徴とする請求項１１に記載の狭ピッチ用コネクタ。
【請求項１４】
運動機構部と複数の第１端子電極が形成されてなる第１基板とを有するマイクロマシンであって、
前記複数の第１端子電極と電気的に接続するための第２端子電極が形成された第２基板を有してなり、
前記第２基板には、複数の第３端子電極と、前記第２端子電極と前記第３端子電極を電気的に接続するための配線が形成されてなり、
前記配線は前記第２端子電極間のピッチと前記第３端子電極間のピッチを変換する機能を有してなり、
前記第２基板の外周面には絶縁層が形成されてなることを特徴とするマイクロマシン。
【請求項１５】
圧電素子と複数の第１端子電極が形成されてなる第１基板とを有する圧電アクチュエータであって、
前記複数の第１端子電極と電気的に接続するための第２端子電極が形成された第２基板を有してなり、
前記第２基板には、複数の第３端子電極と、前記第２端子電極と前記第３端子電極を電気的に接続するための配線が形成されてなり、
前記配線は前記第２端子電極間のピッチと前記第３端子電極間のピッチを変換する機能を有してなり、
前記第２基板の外周面には絶縁層が形成されてなることを特徴とする圧電アクチュエータ。
【請求項１６】
静電振動子と複数の第１端子電極が形成されてなる第１基板とを有する静電アクチュエータであって、
前記複数の第１端子電極と電気的に接続するための第２端子電極が形成された第２基板を有してなり、
前記第２基板には、複数の第３端子電極と、前記第２端子電極と前記第３端子電極を電気的に接続するための配線が形成されてなり、
前記配線は前記第２端子電極間のピッチと前記第３端子電極間のピッチを変換する機能を有してなり、
前記第２基板の外周面には絶縁層が形成されてなることを特徴とする静電アクチュエータ。
【請求項１７】
圧電素子と、複数の第１端子電極が形成されてなる第１基板とを有し、前記圧電素子によってインク滴を吐出させるインクジェットヘッドであって、
前記複数の第１端子電極と電気的に接続するための第２端子電極が形成された第２基板を有してなり、
前記第２基板には、複数の第３端子電極と、前記第２端子電極と前記第３端子電極を電気的に接続するための配線が形成されてなり、
前記配線は前記第２端子電極間のピッチと前記第３端子電極間のピッチを変換する機能を有してなり、
前記第２基板の外周面には絶縁層が形成されてなることを特徴とするインクジェットヘッド。
【請求項１８】
静電振動子と複数の第１端子電極が形成されてなる第１基板とを有し、前記圧静電振動子によりインク滴を吐出させるインクジェットヘッドであって、
前記複数の第１端子電極と電気的に接続するための第２端子電極が形成された第２基板を有してなり、
前記第２基板には、複数の第３端子電極と、前記第２端子電極と前記第３端子電極を電気的に接続するための配線が形成されてなり、
前記配線は前記第２端子電極間のピッチと前記第３端子電極間のピッチを変換する機能を有してなり、
前記第２基板の外周面には絶縁層が形成されてなることを特徴とするインクジェットヘッド。
【請求項１９】
圧電素子と、複数の第１端子電極が形成されてなる第１基板とが形成されてなるインクジェットヘッドを有するインクジェットプリンタであって、
前記複数の第１端子電極と電気的に接続するための第２端子電極が形成された第２基板を有してなり、
前記第２基板には、複数の第３端子電極と、前記第２端子電極と前記第３端子電極を電気的に接続するための配線が形成されてなり、
前記配線は前記第２端子電極間のピッチと前記第３端子電極間のピッチを変換する機能を有してなり、
前記第２基板の外周面には絶縁層が形成されてなることを特徴とするインクジェットプリンタ。
【請求項２０】
静電振動子と、複数の第１端子電極が形成されてなる第１基板とが形成されてなるインクジェットヘッドを有するインクジェットプリンタであって、
前記複数の第１端子電極と電気的に接続するための第２端子電極が形成された第２基板を有してなり、
前記第２基板には、複数の第３端子電極と、前記第２端子電極と前記第３端子電極を電気的に接続するための配線が形成されてなり、
前記配線は前記第２端子電極間のピッチと前記第３端子電極間のピッチを変換する機能を有してなり、
前記第２基板の外周面には絶縁層が形成されてなることを特徴とするインクジェットプリンタ。
【請求項２１】
第１基板と第２基板の間に液晶が挾持されてなり、前記第１基板もしくは前記第２基板のうち一方の基板に複数の第１端子電極が形成されてなる液晶装置であって、
前記複数の第１端子電極と電気的に接続するための第２端子電極が形成された第３基板を有してなり、
前記第３基板には、複数の第３端子電極と、前記第２端子電極と前記第３端子電極を電気的に接続するための配線が形成されてなり、
前記配線は前記第２端子電極間のピッチと前記第３端子電極間のピッチを変換する機能を有してなり、
前記第３基板の外周面には絶縁層が形成されてなることを特徴とする液晶装置。
【請求項２２】
液晶装置を有する電子機器であって、
前記液晶装置は、第１基板と第２基板を有し、第１基板と第２基板の間に液晶が挾持されてなり、前記第１基板もしくは前記第２基板のうち一方の基板に複数の第１端子電極が形成されてなり、
前記複数の第１端子電極と電気的に接続するための第２端子電極が形成された第３基板を有してなり、
前記第３基板には、複数の第３端子電極と、前記第２端子電極と前記第３端子電極を電気的に接続するための配線が形成されてなり、
前記配線は前記第２端子電極間のピッチと前記第３端子電極間のピッチを変換する機能を有してなり、
前記第３基板の外周面には絶縁層が形成されてなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法、狭ピッチ用コネクタ、この狭ピッチ用コネクタを含んだ静電アクチュエータ、圧電アクチュエータ、マイクロマシン、液晶装置、及び、これら静電アクチュエータ、圧電アクチュエータを用いたインクジェットヘッド、これらのインクジェットヘッドを搭載したインクジェットプリンタ、電子機器に関する。
【０００２】
【背景技術】
従来、単結晶シリコンウェハ（以下、シリコンウェハと称す）の表面に絶縁層を形成するとともに、この絶縁層の上面にＣＶＤ法（あるいはスパッタ）とエッチングを施して配線等を形成して半導体装置を製造する方法が知られている。
図２３は、半導体装置を形成したシリコンウェハの平面図、図２４は図２３におけるＡ−Ａ断面図の要部を拡大して示す図である。
シリコンウェハ１の表面には、図２３に示すように、半導体装置３がダイシングライン５を挟んで格子状に多数形成されている。ここに示す半導体装置３は、シリコンウェハ１の表面の絶縁層４上に形成したＩＣ７と、このＩＣ７から引き出された微細配線９を有している。
このようにシリコンウェハ１の表面に多数形成された半導体装置３は、図２５に示すように、ダイシングライン５に沿ってダイヤモンド刃や回転するダイシングブレードと呼ばれる薄い砥石などのカッタ１１によってチップ状に切り出される。
チップ状に切り出された半導体装置３は、例えばポリイミドからなるフレキシブル基板（コネクタ）を介して外部基板と電気的・機械的に接続される。なお、半導体装置３の端子電極とフレキシブル基板の電極の接続は導電性粒子を含有する異方性導電接着剤などを用いて加圧と加熱によって行われる。
【０００３】
しかし、上述のようにして製造される半導体基板には以下の問題点があった。
図２６（Ａ）（Ｂ）は、シリコンウェハ１より切り出された半導体装置３の要部拡大図である。図２６（Ａ）に示すように、半導体装置３を切り出したことによって、ダイシングラインに沿う端面１ａはシリコンの単結晶面が露出する。また、シリコンウェハ１の表面に形成される絶縁層４は、５０００〜２００００オングストローム程度の厚みしかない。このため空気中に浮遊する導電性の塵埃１３が、図２６（Ａ）に示すように、絶縁層４を跨ぐように付着して、半微細配線９と端面１ａが短絡（エッジショート）する可能性があった。
また図２６（Ｂ）に示すように、ＩＣ７と微細配線９とに接続に用いる半田あるいは導電性接着剤１５が流れ出して端面１ａに達し、短絡（エッジショート）が生じる可能性もあった。
半導体装置３の表面は、微細配線９以外の部分は絶縁層４で覆われている。このため、空気中に静電気が発生した場合には半導体装置３の微細配線９に静電気が帯電し、これが繰り返されることにより微細配線９が溶断するという問題もあった。
ところで、半導体装置としては、例えば圧電アクチュエータ、静電アクチュエータなどのマイクロマシン、狭ピッチコネクタ上にＩＣを配置してなる半導体装置を接続してなるマイクロマシン等、液晶パネルなどを含む。
【０００４】
【発明の開示】
本発明は、空気中に浮遊する塵埃によって短絡が生ずることのない半導体装置の製造方法、狭ピッチコネクタ、静電アクチュエータ、圧電アクチュエータなどのマイクロマシン、これらを含んだインクジェットヘッド、インクジェットプリンタ、液晶装置、電子機器を提供することを目的とする。
（１）本発明の一つの態様に係る半導体装置の製造方法は、シリコンウェハをダイシングして複数の半導体装置を製造するものにおいて、ダイシングラインを跨ぐように絶縁層に覆われた溝を前記シリコンウェハに形成し、該溝の底面に絶縁層を形成した後、該絶縁層の上に金属膜を形成し、前記ダイシングラインに沿って前記シリコンウェハをダイシングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
上記製造方法によれば、半導体装置の外周面に絶縁層が形成される。このため、半導体装置の周縁部に導電性の塵埃が付着しても、外周面に形成された絶縁層に遮られてシリコン結晶面に届かない。よって、短絡することがない。
また、素子を搭載するための半田又は導電性接着剤が流れ出しても、外周面に形成された絶縁層に遮られてシリコン結晶面に届かない。よって、この場合にも短絡することがない。
また、空気中の静電気をこの金属膜に帯電させ、半導体素子又は配線部に静電気が帯電するのを防止できる。また、静電気を蓄積した人や、あるいは静電気を蓄積した金属が、半導体装置に接触することにより移動する静電気を金属膜に帯電させ、直接半導体素子または配線部に静電気が帯電するのを防止することができる。
（２）本発明の他の態様に係る半導体装置の製造方法は、前記（１）において、前記金属膜を前記シリコンウェハの結晶面と導通させるようにしたものである。
このようにすることで、組立ラインにおいては半導体基板を把持する装置を接地し、あるいは組立後においては結晶面にアースをとることで金属膜に静電気を帯電させると共に帯電した静電気を流すことができるので、より確実に静電気の悪影響を防止できる。
（３）本発明の他の態様に係る半導体装置の製造方法は、前記（１）又は（２）において、前記シリコンウェハの表面の結晶面を（１１０）面として、（１１０）面に異方性エッチングにより前記溝を形成するようにしたものである。
（１１０）面に異方性エッチングを行うようにすれば、形成される溝の深さを自由に設定できる。このため、付着が予想される塵埃の大きさ（長さ）や、素子の実装に用いられる半田あるいは導電性接着剤の粘性および量に対応した溝深さを形成できる。
（４）本発明の他の態様に係る半導体装置の製造方法は、前記（１）又は（２）において、前記シリコンウェハの表面の結晶面を（１００）面として、（１００）面に異方性エッチングにより前記溝を形成するようにしたものである。
（１００）面に異方性エッチングを行うようにすれば、溝の形状をＶ字形状にでき、半導体装置をチップ状に切り出した際に、半導体装置の周囲に傾斜状の絶縁層が形成されることになり、ダイシングの際に発生する塵埃や汚れを除去しやすい。
（５）本発明の他の態様に係る狭ピッチ用コネクタは、複数の第１端子電極と複数の第２端子電極が基板上に形成されてなり、前記第１端子電極と前記第２端子電極を電気的に接続するための配線が形成されてなり、前記配線は前記第１端子電極間のピッチと前記第２端子電極間のピッチを変換する機能を有してなる狭ピッチコネクタであって、前記基板の外周面には絶縁層が形成されてなるものである。
狭ピッチ用コネクタの基板の外周面に絶縁層を形成したので、基板の外周部に導電性の塵埃が付着ても、外周面に形成された絶縁層に遮られて結晶面に届かない。よって、短絡することがない。
また、狭ピッチ用コネクタと接続対象物又は外部基板との接合時に用いる半田又は導電性接着剤が流れ出しても、絶縁層に遮られて結晶面に届かない。よって、この場合にも短絡することがない。
（６）本発明の他の態様に係る狭ピッチ用コネクタは、前記（５）において、前記外周面に傾斜部を形成したものである。
狭ピッチ用コネクタの基板の外周面に傾斜部を形成したので、狭ピッチ用コネクタに付着した塵埃や汚れを除去しやすい。
（７）本発明の他の態様に係る狭ピッチ用コネクタは、前記（５）において、前記外周面に段差部を形成したものである。
（８）本発明の他の態様に係る狭ピッチ用コネクタは、前記（５）乃至（７）において、前記絶縁層の上に金属膜を形成したものである。
このようにすることで、空気中の静電気を金属膜に帯電させ、狭ピッチ用コネクタの微細配線部に静電気が帯電するのを防止できる。また、静電気を蓄積した人や、あるいは静電気を蓄積した金属が、半導体装置に接触することにより移動する静電気を金属膜に帯電させ、直接半導体素子または配線部に静電気が帯電するのを防止することができる。
（９）本発明の他の態様に係る狭ピッチ用コネクタは、前記（８）において、前記金属膜を前記基板に導通させたものである。
このようにすることで、組立ラインにおいては狭ピッチ用コネクタを把持する装置を接地し、あるいは組立後においては結晶性基板にアースをとることで金属膜に静電気を帯電させると共に帯電した静電気を流すことができるので、より確実に静電気の悪影響を防止できる。
（１０）本発明の他の態様に係る狭ピッチ用コネクタは、前記（５）乃至（９）において、前記基板の熱膨張係数は、前記接続対象物の熱膨張係数に略等しい、または前記接続対象物の熱膨張係数より小さい特性を有するものである。
このように、基板の熱膨張係数を、接続対象物の熱膨張係数に略等しくしたことにより、端子電極を加圧と加熱で接続する場合において、接続する端子電極間の相対位置のずれを最小限に抑えることができる。
また、基板の熱膨張係数を、接続対象物の熱膨張係数より小さいくした場合には、基板が接続対象物側よりも高温になるようにして接続することで同様の効果が得られる。
（１１）本発明の他の態様に係る狭ピッチ用コネクタは、前記（５）乃至（９）において、前記基板を単結晶シリコンにより形成したものである。
前記基板を単結晶シリコンにより形成にすることにより、放熱効果を高めることができると共に、温度上昇による抵抗値の増大を防止できる。
（１２）本発明の他の態様に係る狭ピッチ用コネクタは、前記（１１）において、前記単結晶シリコンの結晶面が（１００）面であることを特徴とするものである。
単結晶シリコンの結晶面を（１００）面にすれば、その面に異方性エッチングを施すことにより該面に対して５４．７４度をなすＶ字形の溝部を形成することができる。なお、Ｖ字形の溝部の深さは、（１００）面に設定された（例えばＳｉＯ２膜による）窓の幅により正確に制御することができる。
（１３）本発明の他の態様に係る狭ピッチ用コネクタは、前記（１１）において、前記単結晶シリコンの結晶面が（１１０）面であることを特徴とするものである。
単結晶シリコンの結晶面を（１１０）面にすれば、その面に異方性エッチングを施すことで断面矩形状の溝部を形成することができる。この場合には、満幅に関係なく所定の深さの溝部を形成することができる。
（１４）本発明の他の態様に係るマイクロマシンは、運動機構部と複数の第１端子電極が形成されてなる第１基板とを有するものであって、前記複数の第１端子電極と電気的に接続するための第２端子電極が形成された第２基板を有してなり、  前記第２基板には、複数の第３端子電極と、前記第２端子電極と前記第３端子電極を電気的に接続するための配線が形成されてなり、前記配線は前記第２端子電極間のピッチと前記第３端子電極間のピッチを変換する機能を有してなり、前記第２基板の外周面には絶縁層が形成されてなるものである。
（１５）本発明の他の態様に係る圧電アクチュエータは、圧電素子と複数の第１端子電極が形成されてなる第１基板とを有するものであって、前記複数の第１端子電極と電気的に接続するための第２端子電極が形成された第２基板を有してなり、前記第２基板には、複数の第３端子電極と、前記第２端子電極と前記第３端子電極を電気的に接続するための配線が形成されてなり、前記配線は前記第２端子電極間のピッチと前記第３端子電極間のピッチを変換する機能を有してなり、前記第２基板の外周面には絶縁層が形成されてなるものである。
（１６）本発明の他の態様に係る静電アクチュエータは、静電振動子と複数の第１端子電極が形成されてなる第１基板とを有するものであって、前記複数の第１端子電極と電気的に接続するための第２端子電極が形成された第２基板を有してなり、前記第２基板には、複数の第３端子電極と、前記第２端子電極と前記第３端子電極を電気的に接続するための配線が形成されてなり、前記配線は前記第２端子電極間のピッチと前記第３端子電極間のピッチを変換する機能を有してなり、前記第２基板の外周面には絶縁層が形成されてなるものである。
（１７）本発明の他の態様に係るインクジェットヘッドは、圧電素子と、複数の第１端子電極が形成されてなる第１基板とを有し、前記圧電素子によってインク滴を吐出させるものであって、前記複数の第１端子電極と電気的に接続するための第２端子電極が形成された第２基板を有してなり、前記第２基板には、複数の第３端子電極と、前記第２端子電極と前記第３端子電極を電気的に接続するための配線が形成されてなり、前記配線は前記第２端子電極間のピッチと前記第３端子電極間のピッチを変換する機能を有してなり、前記第２基板の外周面には絶縁層が形成されてなるものである。
（１８）本発明の他の態様に係るインクジェットヘッドは、静電振動子と複数の第１端子電極が形成されてなる第１基板とを有し、前記圧静電振動子によりインク滴を吐出させるものであって、前記複数の第１端子電極と電気的に接続するための第２端子電極が形成された第２基板を有してなり、前記第２基板には、複数の第３端子電極と、前記第２端子電極と前記第３端子電極を電気的に接続するための配線が形成されてなり、前記配線は前記第２端子電極間のピッチと前記第３端子電極間のピッチを変換する機能を有してなり、前記第２基板の外周面には絶縁層が形成されてなるものである。
（１９）本発明の他の態様に係るインクジェットプリンタは、圧電素子と、複数の第１端子電極が形成されてなる第１基板とが形成されてなるインクジェットヘッドを有するものであって、前記複数の第１端子電極と電気的に接続するための第２端子電極が形成された第２基板を有してなり、前記第２基板には、複数の第３端子電極と、前記第２端子電極と前記第３端子電極を電気的に接続するための配線が形成されてなり、前記配線は前記第２端子電極間のピッチと前記第３端子電極間のピッチを変換する機能を有してなり、前記第２基板の外周面には絶縁層が形成されてなるものである。
（２０）本発明の他の態様に係るインクジェットプリンタは、静電振動子と、複数の第１端子電極が形成されてなる第１基板とが形成されてなるインクジェットヘッドを有するものであって、前記複数の第１端子電極と電気的に接続するための第２端子電極が形成された第２基板を有してなり、前記第２基板には、複数の第３端子電極と、前記第２端子電極と前記第３端子電極を電気的に接続するための配線が形成されてなり、前記配線は前記第２端子電極間のピッチと前記第３端子電極間のピッチを変換する機能を有してなり、前記第２基板の外周面には絶縁層が形成されてなるものである。
上記の（１４）乃至（２０）の発明においては、第２基板の外周面に絶縁層を形成したことにより、第２基板の外周部に導電性の塵埃が付着ても、外周面に形成された絶縁層に遮られて導電性を有する面に届かない。よって、短絡することがない。
また、第２基板と接続対象物又は外部基板との接合時に用いる半田又は導電性接着剤が流れ出しても、絶縁層に遮られて導電性を有する面に届かない。よって、この場合にも短絡することがない。
（２１）本発明の他の態様に係る液晶装置は、第１基板と第２基板の間に液晶が挾持されてなり、前記第１基板もしくは前記第２基板のうち一方の基板に複数の第１端子電極が形成されてなるものであって、前記複数の第１端子電極と電気的に接続するための第２端子電極が形成された第３基板を有してなり、前記第３基板には、複数の第３端子電極と、前記第２端子電極と前記第３端子電極を電気的に接続するための配線が形成されてなり、前記配線は前記第２端子電極間のピッチと前記第３端子電極間のピッチを変換する機能を有してなり、前記第３基板の外周面には絶縁層が形成されてなるものである。
（２２）本発明の他の態様に係る電子機器は、液晶装置を有するものであって、
前記液晶装置は、第１基板と第２基板を有し、第１基板と第２基板の間に液晶が挾持されてなり、前記第１基板もしくは前記第２基板のうち一方の基板に複数の第１端子電極が形成されてなり、前記複数の第１端子電極と電気的に接続するための第２端子電極が形成された第３基板を有してなり、前記第３基板には、複数の第３端子電極と、前記第２端子電極と前記第３端子電極を電気的に接続するための配線が形成されてなり、前記配線は前記第２端子電極間のピッチと前記第３端子電極間のピッチを変換する機能を有してなり、前記第３基板の外周面には絶縁層が形成されてなるものである。
上記の（２１）又は（２２）の発明においては、第３基板の外周面に絶縁層を形成したことにより、第３基板の外周部に導電性の塵埃が付着ても、外周面に形成された絶縁層に遮られて結晶面に届かない。よって、短絡することがない。
また、第３基板と第１基板もしくは第２基板との接合時に用いる半田又は導電性接着剤が流れ出しても、絶縁層に遮られて結晶面に届かない。よって、この場合にも短絡することがない。
【０００５】
【発明を実施するための最良の形態】
実施形態１．
図１は本発明の実施形態１に係る狭ピッチ用コネクタの平面図である。狭ピッチ用コネクタ２０は、図１に示されるように、単結晶シリコンからなる基板２１上に絶縁層を介して入力配線２５と出力配線２７を形成し、さらにドライバＩＣ２３を実装したものである。入力配線２５、出力配線２７の端部はそれぞれ端子電極２５ａ，２７ａとなっている。そして、入力側と出力側の配線数、配線ピッチを変換するようにしている。
なお、端子電極２５ａ，２７ａの数は出力側に接続される接続対象物５０によって異なる。接続対象物５０がプリンタヘッドに搭載される静電アクチュエータの場合には、その個数により変動するが入力側で数十本以上、出力側で数百本にも及ぶ場合がある。
基板２１の周端部には、表面から底面側に凹陥する段差部２９が形成されており、この段部２９にも前述の絶縁層が形成されている。
図２（Ａ）は図１におけるＡ−Ａ断面図、図２（Ｂ）は図１におけるＢ−Ｂ断面図である。
本実施形態においては、狭ピッチ用コネクタ２０の周端部に段差部２９を形成し、この段差部２９にも絶縁層３１を形成したので、例えば、空気中の導電性の塵埃が付着した場合であっても、図２（Ａ）に示されるように、入力配線２５に付着した塵埃３２は段差部２９に形成された絶縁層に遮られて結晶面３３に届かない。したがって、短絡することがない。
また、ドライバＩＣ２３を入力配線２５接続するための半田又は導電性接着剤が流れ出しても、図２（Ｂ）に示されるように、段差部２９に形成された絶縁層に遮られて結晶面に届かない。したがって、この場合にも短絡することがない。
また、狭ピッチ用コネクタ２０は単結晶シリコンを基材としているので、熱膨張係数が小さく抑えられ、接合時における端子電極付近の基材の伸びを抑えることができると共に、プリンタヘッド側の基材となるガラスとの熱膨張係数の差も小さい。このため両者の接合の際、熱膨張係数の違いによる接続用端子電極の位置ずれを最小限に抑えることができる。
図３は狭ピッチ用コネクタ２０を多数形成したシリコンウェハの平面図である。図３に示されるように、狭ピッチ用コネクタ２０はシリコンウェハ上に格子状に多数形成される。そして、隣接する狭ピッチ用コネクタ２０相互の間にはダイシングラインに沿って溝３０ａが形成されている。この溝３０ａの中央部に沿ってダイシングすることで狭ピッチ用コネクタ２０を形成している。そして、溝３０ａの表面には絶縁層が形成されており、ダイシングによってこの溝３０ａが狭ピッチ用コネクタ２０の段差部２９になる。
図４〜図６はシリコンウェハ３０に配線及び溝３０ａを形成する工程の説明図であり、図３におけるＣ−Ｃ断面の一部を示している。
以下、図４〜図６に基づいて配線及び溝３０ａの形成工程を説明する。
まず図４（ａ）に示すように単結晶シリコンウェハ３３の表面を洗浄した後は、図４（ｂ）に示すようにその表面にフォトレジスト膜３７を塗布する。
そしてフォトレジスト膜３７を塗布した後、図４（ｃ）に示すようにフォトリソグラフィーによってパターニングを行い、溝部３０ａを形成する部分のフォトレジスト膜３７を除去する。
その後、フォトレジスト膜３７をマスクとして、ＫＯＨ水溶液やエチレンジアミン水溶液等のエッチング液を用いて単結晶シリコンウェハ３３の表面に異方性エッチングを施す。
なお、この例では表面の結晶面が（１１０）面からなる単結晶シリコンウェハを用いている。（１１０）面は単結晶シリコンウェハ３３の表面に対して垂直方向（単結晶シリコンウェハ３３の厚み方向）に大きな結晶方位依存性を持っているので、溝部３０ａの幅に左右されずにアンダーカットの極めて少ない断面矩形状の溝部３０ａを形成することができる。溝部３０ａを形成した状態を図４（ｄ）に示す。
なお、溝部３０ａの深さは、狭ピッチ用コネクタ２０の表面に付着すると予想される塵埃の大きさ（長さ）や、ドライバＩＣ２３の実装に用いられる半田あるいは導電性接着剤の粘性および量によって設定すればよい。
溝部３０ａを形成した後は、図５（ｅ）に示すように単結晶シリコンウェハ３３の表面からフォトレジスト膜３７を除去し、その後、図５（ｆ）に示すように単結晶シリコンウェハ３３の表面および溝部３０ａにＳｉＯ２膜３１を形成する。ＳｉＯ２膜３１の厚みは５０００〜２００００オングストローム程度とし、ＣＶＤ法によって堆積したＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏｎ−Ｐｈｏｓｐｈｏ−Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）によって形成したり、あるいはドライ熱酸化またはウェット熱酸化等を用いて形成する。
このようして単結晶シリコンウェハ３３の表面および溝部３０ａにＳｉＯ２膜３１を形成した後は、単結晶シリコンウェハ３３を圧力２〜５ｍＴｏｒｒ、温度１５０〜３００℃のアルゴン雰囲気中に配置し、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕなどをターゲットとし、ＤＣ９〜１２ｋＷの入力電力でスパッタを行い、これらのターゲットと同じ組成を有する入出力配線２５，２７を形成するための金属膜４１を２００〜２００００オングストローム堆積する。金属膜４１の形成後の状態を図５（ｇ）に示す。
なお、Ｃｒを下地としＡｕを１０００オングストローム程堆積させて金属膜４１は形成してもよい。
こうしてＳｉＯ２膜３１の表面に金属膜４１を形成した後は、図６（ｈ）に示すように、金属膜４１の上にフォトレジスト膜３７を塗布する。その後は、フォトリソグラフィーによってパターニングを行い、図６（ｉ）に示すように、入出力配線２５，２７を形成する部分以外のフォトレジスト膜を除去する。さらに、フォトレジスト膜３７をマスクとして金属膜４１をエッチングして、図６（ｊ）に示すように、単結晶シリコンウェハ３３の表面に入出力配線２５，２７を形成し、入出力配線２５，２７の上のフォトレジスト膜を除去する。
そして、溝部３０ａの底面に設定されたダイシングライン３９に沿って図示しないカッタによってダイシングし、図６（ｋ）に示すように、隣接する狭ピッチ用コネクタを切り離してチップ状にする。
なお、溝部３０ａにおける底面の幅寸法はカッタの厚み寸法より大きく設定されているので、ダイシングライン３９に沿ってカッタを通過させてもカッタの両側に段差部２９が形成される。
ところで、本実施形態１においては、溝部３０ａを狭ピッチ用コネクタ２０の全周（４辺）に形成したが、狭ピッチ用コネクタ２０の形態によっては、長手方向の両側縁部のみに設けるようにしてもよい。
【０００６】
実施形態２．
上記実施形態１においては、溝部３０ａ内の金属膜を全て除去する例を示した。しかし、図７（ａ）に示すように、溝部３０ａに金属膜４１を残すようにしてもよい。このように、溝部３０ａに金属膜４１を残すと、ダイシングした後では、図７（ｂ）に示すように、段差部２９に金属膜４１が残り、狭ピッチ用コネクタ２０の周囲を囲むようになる。
このようにすることによって、空気中の静電気をこの金属膜４１に帯電させ、狭ピッチ用コネクタ２０の入出力配線２５，２７に帯電するのを防止できる。また、静電気を蓄積した人や、あるいは静電気を蓄積した金属が、半導体装置に接触することにより移動する静電気を金属膜４１に帯電させ、直接半導体素子または入出力配線２５，２７に静電気が帯電するのを防止することができる。
これによって、入出力配線２５，２７の溶断を防止できる。
なお、溝部３０ａに金属膜４１を残すには、図６（ｈ）に示したフォトレジスト膜３７のパターニングの際に、溝部３０ａにもフォトレジスト膜３７を残すようにすればよい。
なお、溝部３０ａの金属膜４１を図８（ａ）に示すように、溝部３０ａの中央部のダイシングラインを除く部分に形成するようにしてもよい。
このようにすることで、溝部３０ａの底全体に金属膜４１を残した場合に比較してダイシングマシンの刃に用いられる、ダイヤモンド刃への金属の付着や、回転するダイシングブレードと呼ばれる薄い砥石への金属の目詰まりなどを防止することが可能となり、カッタの寿命を長くすることができる。
【０００７】
実施形態３．
さらに、溝部３０ａの金属膜４１をシリコンの単結晶面３３と導通せるようにしてもよい。このようにすることで、組立ラインにおいては基板２１を把持する装置を接地し、あるいは組立後においてはシリコンの単結晶面３３にアースをとることで溝部３３ａの金属膜４１に静電気を帯電させると共に帯電した静電気を流すことができるので、より確実に静電気が狭ピッチ用コネクタ２０の入出力配線２５，２７に帯電するのを防止できる。
なお、溝部３０ａに形成する金属膜４１をシリコンの単結晶面３３に導通させるには以下のようにする。
実施形態１を説明した図５（ｆ）に示したようにシリコンウェハ３０に溝部３０ａを形成すると共に絶縁層を形成した後、フッ素によるエッチングにより、図９（ａ）に示すように、溝部３０ａの底の絶縁層３１を一部除去する。この状態で入出力配線のための金属膜を堆積させる。そして、レジスト膜を塗布してパターニングを行い、エッチングすることで、図９（ｂ）に示すように、溝部の底に金属膜４１を残すと共に金属膜４１とシリコンの単結晶面３３とを導通させることができる。
【０００８】
実施形態４．
上記の例では、溝部３３ａの断面形状が矩形状のものを示したが、図１０（ａ）に示すように、溝部３３ａの断面形状をＶ字になるようにしてもよい。このようにすることで、狭ピッチ用コネクタ２０をチップ状に切り出した際に、図１０（ｂ）に示すように、狭ピッチ用コネクタ２０の周囲に傾斜状の絶縁層３０が形成されることになるので、ダイシングの際に発生する塵埃や汚れを除去しやすい。
なお、Ｖ字形の溝を形成するには、シリコンウェハにおける表面に露出する結晶面が（１００）面となるものを用いればよい。
上記の実施形態１〜４では半導体装置の例としてドライバＩＣ２３を実装した狭ピッチ用コネクタ２０を示した。しかし、本発明はこれに限られるものではなく、広くその他の半導体装置、例えば静電アクチュエータ、圧電アクチュエータなどのマイクロマシン、液晶パネルなどに適用できる。
【０００９】
実施形態５．
図１１は本発明の他の実施形態の斜視図である。本実施の形態においては、ＩＣチップ５１の外周面に傾斜面５２及び段差部５３を形成すると共に、これら傾斜面５２及び段差部５３に絶縁層を形成したものである。
このように、ＩＣチップ５１の外周面に絶縁層を形成することによって、ＩＣチップ５１の端子電極５４と外部端子との接続時におけるエッジショートを防止することができる。
すなわち、図１２に示すように、端子電極５４とワイヤボンディングによるワイヤ５５あるいはテープキャリアパッケージによるリード５６との接続時において、絶縁層を形成したことによりワイヤ５５あるいはリード５６が結晶面と接触しにくくエッジショートが生じない。
この点、図１３に示す従来のＩＣチップ５７では、ワイヤ５５またはリード５６の接続時にエッジショートの危険があり、これを回避するためにワイヤ５５またはリード５６をｈ又はｈ’だけ上方に浮かせるように変形させなければならない。このため、ＩＣチップ５７の厚みが厚くなっていた。
これに対して、本実施形態によれば、このような変形が不要になり、ＩＣチップ５１を薄形にすることができる。
なお、テープキャリアパッケージ（ＴＡＢ）における電極の接続は、Ａｕ・Ａｕ接続、Ａｕ・Ｓｎ接続などの金属接続が用いられ、また、ワイヤボンディングに用いられるワイヤ５５は、ＡｕまたはＡｌのような金属ワイヤが用いられる。図示したワイヤ５５はアルミワイヤによるウェッジボンディングを示している。
【００１０】
実施形態６．
図１４は本発明の実施形態６に係る静電アクチュエータ５９の構造を示す説明図である。
図１４に示す静電アクチュエータ５９はインクジェットプリンタにおけるインクジェットヘッドに用いられるものであり、マイクロマシニング技術による微細加工により形成された微小構造のアクチュエータである。
本実施形態６のインクジェットヘッドは、ウェハ状態で複数個製造され、それをダイシングラインに沿って切断して製造されるインクジェットヘッド本体部６０と、これに外部配線を行うためのコネクタ部をそれぞれ個別に製作して、これらを接続したものである。なお、コネクタ部は実施形態１〜４に示した狭ピッチ用コネクタ２０と同様のものである。
インクジェットヘッド本体部６０は、図１４に示すように、シリコン基板７０を挟み、上側に同じくシリコン製のノズルプレート７２を有するとともに、下側にはホウ珪酸ガラス製のガラス基板７４がそれぞれ積層された３層構造になっている。
ここで中央のシリコン基板７０には、独立した５つのインク室７６と、この５つのインク室７６を結ぶ１つの共通インク室７８と、この共通インク室７８と各インク室７６に連通するインク供給路８０として機能する溝が設けられている。
そして、これらの溝がノズルプレート７２によって塞がれることによって、各部分が区画形成されてインク室７６あるいは供給路８０になっている。
また、シリコン基板７０の裏側には、各インク室７６に対応して独立した５つの凹部が設けられ、この凹部がガラス基板７４によって塞がれることによって、図２２中に寸法ｑで示す高さを有する振動室７１が形成されている。そして、シリコン基板７０における各インク室７６と振動室７１の隔壁は、弾性変形可能な振動子となる振動板６６になっている。
ノズルプレート７２には、各インク室７６の先端部に対応する位置にノズル６２が形成され各インク室７６に連通している。
なお、シリコン基板７０に設ける溝、ノズルプレート７２に設けるノズル６２は、マイクロマシニング技術による微細加工技術を用いて形成する。
振動板６６およびガラス基板７４上には、それぞれ対向する対向電極９０が設置されている。
なお、シリコン基板７０と対向電極９０との間に形成される微細な隙間は、封止部８４によって封止されている。
また、それぞれのガラス基板７４上の対向電極９０は、図中左側の端部側に引き出され、端子電極８６を形成している。この端子電極８６が形成された基板の端部には、実施形態１で示したようにして絶縁層を有する段差部８７を形成する。
そして、端子電極８６に別途製作した狭ピッチ用コネクタ２０が接続され、コネクタ部を有するインクジェットヘッドになる。
上記のように構成されたインクジェットヘッド本体部６０の動作を説明する。
共通インク室７８には図示しないインクタンクから、インクがインク供給口８２を通り供給される。そして、共通インク室７８に供給されたインクは、インク供給路８０を通り、各インク室７６に供給される。この状態において、対向電極に電圧を印加すると、それらの間に発生する静電気力によって振動板６６はガラス基板７４側に静電吸引され振動する。この振動板６６の振動によって、発生するインク室７６の内圧変動により、ノズル６２からインク液滴６１が吐出される。
本実施形態においては、インクジェットヘッド本体部６０と、狭ピッチ用コネクタ２０における接続部に、絶縁層を有する段差部を設けているので、次のような効果を奏する。
すなわち、インクジェットヘッド本体部６０と狭ピッチ用コネクタ２０との接続に際し、接合時に用いる半田又は導電性接着剤が流れ出しても、絶縁層に遮られて導電性を有するシリコン基板面に届かない。よって、短絡（エッジショート）することがない。
また、インクジェットヘッド本体部６０と狭ピッチ用コネクタ２０の端子電極部に導電性の塵埃が付着ても、外周面に形成された絶縁層に遮られて導電性を有する面にシリコン基板面に届かない。よって、この場合も短絡（エッジショート）することがない。
【００１１】
実施形態７．
図１５は本実施形態の圧電アクチュエータの説明図である。
圧電アクチュエータ９１は、両側に外部電極９３ａ，９３ｂが形成された圧電振動子９３と、この圧電振動子９３を保持する保持部材９５とを備えている。保持部材９５には、突起部９７が形成されており、圧電振動子９３は突起部９７の接合領域Ａで保持部材９５に接合されている。圧電振動子９３の外部電極９３ａ，９３ｂ（図中太線で示した部分）は、圧電振動子９３の両側面から第１の面９３ｃの中程までそれぞれ延長されている。
また、保持部材９５に形成される太線で示す電極９５ａ、９５ｂも、両外縁から突起部９７の中程まで延長されている。そして、圧電振動子９３と保持部材９５を突起部９７に設定した接合領域Ａで剛体的に接合するとともに、圧電振動子９３の外部電極９３ａ、９３ｂと保持部材の電極９５ａ、９５ｂとを接続し、これらを導通させる。
さらに保持部材９５の電極９５ａ、９５ｂには、実施形態１で示した狭ピッチ用コネクタ２０が接続され、狭ピッチ用コネクタ２０を介して外部からの信号が圧電アクチュエータ９１に入力される。
このように、この実施形態６においても、狭ピッチ用コネクタ２０を用いることで、狭ピッチ用コネクタ２０と保持部材９５の電極９５ａ、９５ｂとの接合時における短絡（エッジショート）を防止できる。
なお、保持部材９５における狭ピッチ用コネクタ２０との接合部に、絶縁層を有する段差部を設ければ、接合時の短絡（エッジショート）をより確実に防止できる。
【００１２】
実施形態８．
図１６は図１５に示した圧電アクチュエータ９１を用いたインクジェットヘッド９８を示す概念図である。流路形成部材１０３と振動板１０５により形成されたインク流路９９の先端に、ノズル１０１を配するノズルプレート１０８が接合されており、その反対側の端にはインク供給路１０８が配されている。そして、圧電アクチュエータ９１を、機械的作用面９３ｄと振動板９５が接するように設置し、インク流路９９と対面するように配している。そして、圧電振動子９３の両側の外部電極９３ａ，９３ｂが保持部材の電極９５ａ、９５ｂと接続され、保持部材９５の電極９５ａ、９５ｂが狭ピッチ用コネクタ２０を介して外部からの信号が圧電アクチュエータ９１に入力される。
この構成において、インク流路９９内（ノズル１０１先端まで）にインクを充填し、前記圧電アクチュエータ９１を駆動すると、機械的作用面９３ｄは、高効率な膨張変形とたわみ変形を同時に発生させ、図１６中の上下方向の非常に大きな実効変位を得る。この変形により、振動板９５は図中の点線で示すように機械的作用面９３ｄに対応して変形し、インク流路９９内に大きな圧力変化（体積変化）を生じさせる。この圧力変化により、ノズル１０１から図中の矢印方向にインク滴が吐出すが、その高効率な圧力変化により、インク吐出も非常に効率的である。
外周面に絶縁層を形成した狭ピッチ用コネクタ２０を用いることで、実施形態７で説明したように、短絡を防止できるので、インクジェットヘッド９８そのものの信頼性を向上できる。
【００１３】
実施形態９．
ところで、前述の実施形態７に係るインクジェットヘッド９８は、図１７に示されるようにキャリッジ１１１に取り付けられて使用される。キャリッジ１１１は、ガイドレール１１３に移動自在に取り付けられ、ローラー１１５により送り出される用紙１１７の幅方向にその位置が制御される。この図１７の機構は図１８に示されるインクジェットプリンタ１１９に装備される。なお、このインクジェットヘッド９８はラインプリンタのラインヘッドとして搭載することもできる。その場合にはキャリッジ１１１は不要となる。
また、ここでは圧電アクチュエータ９１を用いて、エッジ方向へインク滴が吐出すタイプのインクジェットヘッド９８およびそれを用いたインクジェットプリンタを例に挙げて説明したが、前述の実施形態７で示した静電アクチュエータを用いてインク滴をフェイス面側からが吐出すタイプのインクジェットヘッド６０を使用した場合も同様の構成となる。
【００１４】
実施形態１０．
図１９は本実施形態に係るマイクロマシンの一例としてのマイクロポンプに関するもので、図１９（Ａ）はマイクロポンプの上面図、図１９（Ｂ）はその断面図を示す。
マイクロポンプは、マイクロマシニング加工方法により加工されたシリコン基板１２１を、２枚のガラス板１２２及び１２３でサンドイッチ状に挟んだ構造になっており、吸入側パイプ１２４より流体を吸入し、吐出側パイプ１２５へ流体を吐出するものである。
その動作原理は、シリコン基板１２１の中央部に形成されたダイアフラム１２６に貼り付けられた圧電素子１２７に電圧を印加し、撓ませることにより圧力室１２８内の圧力を変化せしめ、該圧力室１２８と空間的に連続している吸入側弁膜１２９及び吐出側弁膜１３１を変位させることにより、吸入弁１３２及び吐出弁１３３を開閉し、吸入側パイプ１２４から吐出側パイプ１２５に流体を圧送するものである。なお、図１９（Ｂ）において、圧力室１２８と吸入側弁膜１２９の上側の空間及び吐出側弁膜１３１の下側の空間とは連続している。
この例においても、前述の実施形態６又は７と同様に、本発明に係る狭ピッチ用コネクタ２０を介して外部との配線が行われる。そして、このように狭ピッチ用コネクタを用いることで、接合時の短絡を防止でき、マイクロポンプそのものの信頼性を向上できる。
【００１５】
実施形態１１．
図２０は本実施形態に係る他の例としての光変調装置を示す要部の組立分解斜視図である。
この光変調装置は、大別してシリコン基板１４０、ガラス基板１５０及びカバー基板１７０から構成される。
シリコン基板１４０は、マトリクス上に配列された複数の微小ミラー１４１を有する。この複数の微小ミラー１４１の内、一方向例えば図２０のＸ方向に沿って配列された微小ミラー１４１は、トーションバー１４３にて連結されている。さらに、複数の微小ミラー１４１が配置される領域を囲んで枠状部１４５が設けられている。この枠状部１４５には、複数本のトーションバー１４３の両端がそれぞれ連結されている。また微小ミラー１４１は、トーションバー１４３との連結部分の周囲にスリットが形成されて、このスリットを形成することで、トーションバー１４３の軸線周り方向への傾き駆動が容易になっている。さらに微小ミラー１４１の表面には、反射層１４１ａが形成されている。そして、微小ミラー１４１が傾斜駆動されることで、この微小ミラー１４１に対して入射する光の反射方向が変化する。そして、所定反射方向に向けて光を反射させる時間を制御することで、光の変調を行うことができる。この微小ミラー１４１を傾斜駆動するための回路がガラス基板１５０に形成されている。
ガラス基板１５０は、中央領域に凹部１５１を有し、その周囲に立ち上げ部１５３を有する。立ち上げ部１５３の一辺は切り欠かれて電極取出口１５５とされ、この電極取出口１５５の外側には、凹部１５１と連続する電極取出板部１５７が形成されている。またガラス基板１５０の凹部１５１には、Ｘ方向で隣り合う２つの微小ミラー１４１間のトーションバー１４３と対向する位置にて、凹部１５１より突出形成され、立ち上げ部１５３の天面と同じ高さを有する多数の支柱部１５９を有する。さらに、ガラス基板１５０の凹部１５１及び電極取出板部１５７上には、配線パターン部１６１が形成されている。この配線パターン部１６１は、トーションバー１４３を挟んだ両側の微小ミラー１４１の裏面と対向する位置に、それぞれ第１，第２のアドレス電極１６３，１６５を有する。そして、Ｙ方向に沿って配列された第１のアドレス電極１６３は第１の共通配線１６７に共通接続されている。同様に、Ｙ方向に沿って配設された第２のアドレス電極１６５は、第２の共通配線１６９に共通接続されている。
前記構造を有するガラス基板１５０の上に、シリコン基板１４０が陽極接合される。このとき、シリコン基板１４０のトーションバー１４３の両端部及び枠状部１４５と、ガラス基板１５０の立ち上げ部１５３とが接合される。さらに、シリコン基板１４０のトーションバー１４３の中間部と、ガラス基板１５０の支柱部１５９とが陽極接合される。さらにその後、シリコン基板１４０の枠状部１４５上に、カバー基板１７０が接合される。そして、枠状部１４５と連結されていた各々のトーションバー１４３の両端部が、枠状部１４５から切り離される位置にてダイシングされる。さらに、ガラス基板１５０の立ち上げ部１５３に切り欠き形成された電極取出口１５５を含む周縁部が、封止材により封止密閉され、光変調装置が完成する。
そして、完成した光変調装置の第１の共通配線１６７と第２の共通配線１６９には、前述の実施形態６〜１０と同様に、本発明に係る狭ピッチ用コネクタを介して、駆動ＩＣを搭載したテープキャリアパッケージ等の可撓性基板と接続され、外部からの信号が光変調装置入力される。
このように狭ピッチ用コネクタを用いることで、接合時の短絡を防止でき、光変調装置そのものの信頼性を向上できる。
なお、微小ミラー、微小ミラーを制御するアクティブ素子が形成され、上記構成と類似する構成を有する光変調装置であっても本発明の狭ピッチ用コネクタを用いることができる。
【００１６】
実施形態１２．
図２１は本発明の実施形態１１に係る液晶パネルの一例を示す説明図であり、アレイ工程とセル工程が終了し、モジュール工程の段階、つまり液晶セルを電気的に制御できるように駆動系の電子回路などを取り付ける前の状態を示してある。すなわち、液晶パネル１８０は、液晶セル１８１と、狭ピッチ用コネクタ１８２と、駆動ＩＣ１８３を搭載したテープキャリアパッケージ１８４とを備えている。
なお、この例の狭ピッチ用コネクタ１８２は、実施形態１の狭ピッチ用コネクタ２０と異なり、配線パターンのみが形成され、ドライバＩＣは搭載されていない。しかし、その他の構成は基本的に狭ピッチ用コネクタ２０と同様であり、外周面には絶縁層を有する段差部１８９が形成されている。
液晶セル１８１は、２枚の例えば基板１８１ａ，１８１ｂ間に液晶材料を注入し、封じ込めたもので、一方の基板１８１ａ（図２１中で上側に位置する基板）上に、画素電極、画素電極に接続してなる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタのソース、ゲートに電気的に接続してなるソース線、データ線などが形成され、他方の基板１８１ｂ（図２１中で下側に位置する基板）上に、例えば対向電極、カラーフィルタなどが配置されている。
そして、モジュール工程で、液晶セル１８１に形成された端子電極１８５と、狭ピッチ用コネクタ１８２の狭ピッチの端子電極１８６とが重ね合わされ、あるいはこれらの端子電極１８５と狭ピッチの端子２７ａとが導電性部材を挟んで重ね合わされ、加圧と加熱により接続される。
また狭ピッチ用コネクタ１８２の狭ピッチの端子１８６の他方から拡大延出する配線パターンの末端の端子電極１８７がテープキャリアパッケージ１８４の端子１８８と接続され、これによって端子電極１８５と駆動ＩＣ１８３とが導通されるようになっている。
この例においても、前述の実施形態と同様に、外周面には絶縁層を有する段差部１８９を有する狭ピッチ用コネクタ１８２を用いることで、接合時の短絡を防止でき、液晶パネルそのものの信頼性を向上できる。
【００１７】
実施形態１３．
図２２は実施形態１１に示した液晶パネルを利用した電子機器の一例である携帯電話機を示している。
液晶パネルは図２２に示す携帯電話機１９０の表示部１９１に使用される。そして、前述の狭ピッチ用コネクタ１８２を利用した信頼性の高い液晶パネルを使用することによって、携帯電話機１９０そのものの信頼性の向上を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１に係る狭ピッチ用コネクタと、このコネクタが接続される接続対象物の端子部分を示した正面図である。
【図２】（Ａ）（Ｂ）は本発明の実施形態１に係る狭ピッチ用コネクタにおける縁部の断面拡大図である。
【図３】本発明の実施形態１に係る狭ピッチ用コネクタを多数形成したシリコンウェハの平面図である。
【図４】本発明の実施形態１に係る狭ピッチ用コネクタの製造工程（その１）の説明図である。
【図５】本発明の実施形態１に係る狭ピッチ用コネクタの製造工程（その２）の説明図である。
【図６】本発明の実施形態１に係る狭ピッチ用コネクタの製造工程（その３）の説明図である。
【図７】本発明の実施形態２に係る狭ピッチ用コネクタの製造工程の要部の説明図である。
【図８】本発明の実施形態２の他の態様に係る狭ピッチ用コネクタの製造工程の要部の説明図である。
【図９】本発明の実施形態３に係る狭ピッチ用コネクタの製造工程の要部の説明図である。
【図１０】本発明の実施形態４に係る狭ピッチ用コネクタの製造工程の要部の説明図である。
【図１１】本発明の実施形態５に係る半導体装置（ＩＣチップ）の斜視図である。
【図１２】本発明の実施形態５の作用の説明図である。
【図１３】本発明の実施形態５と比較した従来例の説明図である。
【図１４】（Ａ）（Ｂ）は本発明の実施形態６に係る静電アクチュエータの構造を示す説明図である。
【図１５】本実施形態６に係る圧電アクチュエータの説明図である。
【図１６】本実施形態７に係るインクジェットヘッドの説明図である。
【図１７】本実施形態８に係るインクジェットプリンタの内部の説明図である。
【図１８】本実施形態８に係るインクジェットプリンタの外観図図である。
【図１９】（Ａ）（Ｂ）は本実施形態９に係るマイクロマシンの一例の説明図である。
【図２０】本実施形態１０に係る他の例としての光変調装置の説明図である。
【図２１】本実施形態１１に係る液晶パネルの説明図である。
【図２２】本実施形態１２に係る電子機器の説明図である。
【図２３】従来の半導体装置を形成したシリコンウェハの平面図である。
【図２４】図２３におけるＡ−Ａ断面図の要部を拡大して示す図である。
【図２５】従来の半導体装置の製造工程の説明図である。
【図２６】（Ａ）（Ｂ）はシリコンウェハより切り出された従来の半導体装置の要部拡大図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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