(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
機能層と、導体層とを含む電子部品であって、
前記機能層は、有機樹脂材料層と、無機機能材料層とを含んでおり、
前記有機樹脂材料層及び前記無機機能材料層は、それぞれ５μｍ以下の薄膜であって、交互に３層以上配置され、相互間に導体層を介することなく互いに直接隣接されており、
前記導体層は、前記有機樹脂材料層または前記無機機能材料層の少なくとも一方に隣接しており、
前記無機機能材料層は、磁性体層である、
電子部品。
【請求項２】
請求項１に記載された電子部品であって、
前記導体層は、前記前記有機樹脂材料層及び前記無機機能材料層の両外側に配置されている電子部品。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された電子部品であって、前記導体層は、コイル導体を含む電子部品。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れかに記載された電子部品であって、前記導体層は、コンデンサ電極を含む電子部品。
【請求項５】
請求項１乃至４に記載された電子部品であって、更に、能動素子を含んでおり、前記能動素子は、前記機能層及び前記導体層の組み合わせた積層基板に搭載されている電子部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品及びその製造方法に関する。本発明に係る電子部品には、コンデンサ、インダクタ、ＬＣフィルタ、共振器、これらを含む多層基板、更には、これらと能動素子とを組み合わせた各種積層モジュール等が広く含まれる。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、この種の電子部品の代表例であるコンデンサ、インダクタ及びその複合部品は、スクリーン印刷を用いて製造するのが一般的であり、その量産技術は既に確立している。
【０００３】
しかし、近年、通信用、民生用、産業用等の電子機器分野における電子部品の小型化、高密度化、高機能化への指向は著しいものがあり、スクリーン印刷技術を主とする従来技術ではそのような要求に応えることが困難になりつつある。
【０００４】
更に、高周波用積層モジュールもしくは高周波多層基板では、焼結フェライトや焼結セラミックを用いた複数の機能層を、必要数だけ積層し、多層化したものは、既に知られている。これらの材料を用いて多層基板を構成することにより、小型化が図れるというメリットがある。
【０００５】
しかしながら、焼結フェライト基板や焼結セラミック基板を用いた場合、焼成工程や厚膜印刷工程等の製造工程数が多いこと、焼成時に発生するクラック、反りに代表される焼成材料特有の問題が多いこと、プリント基板との熱膨張係数の違い等によるクラックが発生しやすいこと等、多くの問題を抱えること等から、有機樹脂材料への要求が年々高まっている。
【０００６】
一方、有機樹脂材料で機能層を構成し、その複数枚を積層する多層化構造も知られているが、この多層化構造では、十分な誘電率、または、十分な透磁率を得ることも困難である。このため、単に有機樹脂材料を利用した積層モジュールでは、十分な特性を得ることができず、形状的にも大きなものとなり、小型化、薄型化を図ることが困難であるという問題点がある。
【０００７】
このような問題点を解決する手段として、例えば、特開平８−６９７１２号公報、特開平１１−１９２６２０号公報は、有機材料に無機機能材料を混合したハイブリッド材料を用いて機能層を構成する手法を開示している。しかし、いずれも十分な高周波特性や磁気特性を得られていない。
【０００８】
また、特公平６−１４６００号公報には、シート工法による複数材料を多層化する例が示されているが、工程数が多い等の問題点がある。しかも、ここで検討されている周波数は数百ＭＨｚ程度であり、数ＧＨｚ以上の高周波領域における性能については何ら、検討されていない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、小型、かつ、高性能で、しかも電気的特性の優れた電子部品を提供することである。
【００１０】
本発明のもう一つの課題は、そのような電子部品を製造するのに適した製造方法を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するため、本発明に係る電子部品は、機能層と、導体層とを含む。前記機能層は、有機樹脂材料層と、無機機能材料層とを含む。前記有機樹脂材料層及び前記無機機能材料層のそれぞれは、５μｍ以下の薄膜であって、互いに隣接する。
【００１２】
前記導体層は、前記有機樹脂材料層または前記無機機能材料層の少なくとも一方に隣接している。
【００１３】
上述したように、本発明に係る電子部品は、機能層を含み、機能層は有機樹脂材料層と無機機能材料層とを含む。有機樹脂材料層及び無機機能材料層のそれぞれは互いに隣接する。このように、有機樹脂材料層及び無機機能材料層のそれぞれを、互いに隣接させた機能層は、有機樹脂材料層が応力緩和層として働くことになるので、焼結フェライト基板や焼結セラミック基板を用いた従来の積層基板と異なって、加工工程において、クラックや層間剥離が生じにくく、機械的強度に優れているので、製品としての信頼性に優れている。
【００１４】
しかも、無機機能材料層が存在するので、有機樹脂材料を単独で用いた場合よりも、電気的特性、例えば、誘電率やＱ値を向上させることができる。このため、高性能の電子部品を得ることができる。
【００１５】
また、有機樹脂材料層及び無機機能材料層のそれぞれが、互いに独立する層として存在するので、有機樹脂材料に無機機能材料を混合したハイブリッド機能材料層よりも、特性のばらつきが小さくなり、歩留が向上する。
【００１６】
更に、有機樹脂材料層及び無機機能材料層のそれぞれは、５μｍと薄いため、これらの層を互いに隣接させた機能層は、パンチまたはドリル等を用いて、貫通ビアホール、インナービアホール、ブラインドビアホール及びサーマルビアホールのための孔を簡単に形成できる。このようにして形成されたホール内に導電性ぺースト（Ａｇなど）を充填して、層間において位置ズレを生じることなく、各種ビアを確実に形成し得る。これにより、電気的接続導体層及び放熱路が構成される。
【００１７】
しかも、有機樹脂材料層及び無機機能材料層のそれぞれを、互いに隣接させた機能層は、無機機能材料層を構成する機能材料の種類を選択することにより、所望の電気的及び磁気的特性を持たせることができる。例えば、無機機能材料として、誘電体材料を用いた場合には、誘電体材料の材料選択により、誘電率の調整が容易となり、焼結セラミックを用いた積層基板と異なって、低誘電率化も可能であるとともに、有機樹脂材料を用いた積層基板よりもＱ値が高く、高周波領域（１００ＭＨｚ以上、特に１００ＭＨｚ以上１０ＧＨｚ以下の領域）での使用に好適なものを実現できる。
【００１８】
また、無機機能材料として、フェライト、金属磁性体材料等を選択使用することにより、優れた磁気特性を利用した用途や、磁気シールドを目的とした用途にも、自由に対応できる。
【００１９】
更に、無機機能材料の選択によって、高周波帯域で、比較的高いＱや誘電率εを得ることも可能である。このような特性は、例えばストリップライン、インピーダンス整合回路、遅延回路及びアンテナ回路等を構成する場合に要求される。しかも、機械的強度に優れた機能層を得ることができる。
【００２０】
機能層は、有機樹脂材料層及び無機機能材料層の組み合わせを、任意数含むことができる。組み合わせは、基本的には、有機樹脂材料層及び無機機能材料層が交互に配置されるようにする。
【００２１】
有機樹脂材料層及び無機機能材料層のそれぞれは、５μｍ以下の薄膜である。
互いに隣接する有機樹脂材料層及び無機機能材料層のそれぞれが、５μｍ以下の薄膜であるので、薄膜による種々の利点が得られる。まず、薄膜化による一般的な利点として、小型、低背化が可能である。また、機能層をコンデンサ要素として利用する場合には、大容量化を達成できる。
【００２２】
本発明に係る電子部品は、更に、導体層を含んでおり、導体層は、有機樹脂材料層または無機機能材料層の少なくとも一方に隣接している。これにより、導体層を介して、有機樹脂材料層または無機機能材料層の電気的特性を取り出す電子部品を得ることができる。
【００２３】
導体層は、有機樹脂材料層及び無機機能材料層を１層づつ含む機能層毎に設けてもよいし、有機樹脂材料層及び無機機能材料層を任意複数層含む機能層に設けてもよい。導体層のパターンは任意である。
【００２４】
本発明に係る電子部品の製造に当たっては、まず、前記有機樹脂材料層及び前記無機機能材料層のそれぞれを、薄膜形成方法により形成する。
【００２５】
次に、前記有機樹脂材料層または前記無機機能材料層の上に、前記導体層膜を、薄膜形成方法によって形成する。
【００２６】
有機樹脂材料層は、例えば、蒸着によって形成することができる。無機機能材料層は、スパッタ法、気相成長法（ＣＶＤ）等の薄膜技術によって形成することができる。
導体層は、スパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法、溶射法、イオンビーム法、ＣＶＤ法またはスピンコート法等の各種の成膜技術によって形成することができる。
【００２７】
本発明の他の目的、構成及び利点については、添付図面を参照し、更に詳しく説明する。添付図面は、単に、例示に過ぎない。
【００２８】
【発明の実施の形態】
１．電子部品一般
図１は本発明に係る電子部品の一部を示す断面図である。図１によって表現された電子部品には、コンデンサ、インダクタまたはそれらの組み合わせ等が含まれ得る。これらの電子部品は、回路の一部として、他の回路要素とともに電子回路を構成するものであってもよいし、それ自体独立する部品形態をとっていてもよい。
【００２９】
図示された電子部品は、機能層（２１、２２）と、導体層５１、５２とを含む。これらは、支持層９によって支持されている。支持層９は、機能層の一部であってもよいし、機能層とは異なる層であってもよい。
【００３０】
機能層（２１、２２）は、有機樹脂材料層２２と、無機機能材料層２１とを含む。有機樹脂材料層２２及び無機機能材料層２１のそれぞれは、各厚みＴ１、Ｔ２が５μｍ以下の薄膜であって、互いに隣接する。
【００３１】
導体層５１、５２は、有機樹脂材料層２２または無機機能材料層２１の少なくとも一方に隣接している。
【００３２】
上述したように、本発明に係る電子部品は機能層を含み、機能層は有機樹脂材料層２２と無機機能材料層２１とを含む。有機樹脂材料層２２及び無機機能材料層２１のそれぞれは互いに隣接する。このように、有機樹脂材料層２２及び無機機能材料層２１のそれぞれを、互いに隣接させた機能層は、有機樹脂材料層２２が応力緩和層として働くことになるので、焼結フェライト基板や焼結セラミック基板を用いた従来の積層基板と異なって、加工工程において、クラックや層間剥離が生じにくく、機械的強度に優れているので、製品としての信頼性に優れている。
【００３３】
しかも、無機機能材料層２１が存在するので、有機樹脂材料層を単独で用いた場合よりも、電気的特性、例えば、誘電率やＱ値を向上させることができる。このため、高性能の電子部品を得ることができる。
【００３４】
また、有機樹脂材料層２２及び無機機能材料層２１のそれぞれが、互いに独立する層として存在するので、有機樹脂材料及び無機機能材料を混合したハイブリッド機能層よりも、特性のばらつきが小さくなり、歩留が向上する。
【００３５】
更に、有機樹脂材料層２２及び無機機能材料層２１のそれぞれを、互いに隣接させた機能層は、パンチまたはドリル等を用いて、貫通ビアホール、インナービアホール、ブラインドビアホール及びサーマルビアホールのための孔を簡単に形成できる。このようにして形成されたホール内に導電性ぺースト（Ａｇなど）を充填して、層間において位置ズレを生じることなく、各種ビアを確実に形成し得る。このため、電気的接続導体層及び放熱路を構成することができる。
【００３６】
しかも、有機樹脂材料層２２及び無機機能材料層２１のそれぞれを、互いに隣接させた機能層は、無機機能材料層２１を構成する機能材料の種類を選択することにより、所望の電気的及び磁気的特性を持たせることができる。例えば、無機機能材料として、誘電体材料を用いた場合には、誘電体材料の材料選択により、誘電率の調整が容易となり、焼結セラミックを用いた積層基板と異なって、低誘電率化も可能であるとともに、有機樹脂材料を用いた積層基板よりもＱ値が高く、高周波領域（１００ＭＨｚ以上、特に１００ＭＨｚ以上１０ＧＨｚ以下の領域）での使用に好適なものを実現できる。
【００３７】
また、無機機能材料として、フェライト、金属磁性体材料等を選択使用することにより、優れた磁気特性を利用した用途や、磁気シールドを目的とした用途にも、自由に対応できる。
【００３８】
更に、無機機能材料の選択によって、高周波帯域で、比較的高いＱや誘電率εを得ることも可能である。このような特性は、例えばストリップライン、インピーダンス整合回路、遅延回路及びアンテナ回路等を構成する場合に要求される。しかも、機械的強度に優れた機能層を得ることができる。
【００３９】
図２は本発明に係る電子部品の別の実施例を示す断面図である。図において、図１に現れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付し、重複説明は省略する。この実施例では、有機樹脂材料層２２及び無機機能材料層２１は、各３層による交互配置とし、このようにして形成された機能層の両側に導体層５１、５２を配置してある。
【００４０】
機能層は、有機樹脂材料層２２及び無機機能材料層２１の組み合わせを、任意数含むことができる。組み合わせは、基本的には、有機樹脂材料層２２及び無機機能材料層２１が交互に配置されるようにする。
【００４１】
有機樹脂材料層２２及び無機機能材料層２１のそれぞれは、５μｍ以下の薄膜である。このように、互いに隣接する有機樹脂材料層２２及び無機機能材料層２１のそれぞれが、５μｍ以下の薄膜であるので、薄膜による種々の利点が得られる。
【００４２】
まず、薄膜化による一般的な利点として、小型、低背化が可能である。また、機能層をコンデンサ要素として利用する場合には、大容量化を達成できる。このような薄膜の有機樹脂材料層２２は、例えば、蒸着によって形成することができる。無機機能材料層２１は、スパッタ法、気相成長法（ＣＶＤ）等の薄膜技術によって形成することができる。
【００４３】
本発明に係る電子部品は、更に、導体層５１、５２を含んでおり、導体層５１、５２は、有機樹脂材料層２２または無機機能材料層２１の少なくとも一方に隣接している。これにより、導体層５１、５２を介して、有機樹脂材料層２２または無機機能材料層２１の電気的特性を取り出す電子部品を得ることができる。
【００４４】
導体層５１、５２は、有機樹脂材料層２２及び無機機能材料層２１を１層づつ含む機能層毎に設けてもよいし、有機樹脂材料層２２及び無機機能材料層２１を任意複数層含む機能層に設けてもよい。図示実施例において、導体層５１は、無機機能絶縁層２１の表面に付着され、導体層５２は支持層９と有機樹脂材料層２２との間に付着されている。
【００４５】
導体層５１、５２のパターンは任意である。導体層５１、５２は、スパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法、溶射法、イオンビーム法、ＣＶＤ法またはスピンコート法等の各種の成膜技術によって形成することができる。
【００４６】
図３は本発明に係る電子部品の別の実施例を示す断面図である。図において、図１に現れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付し、重複説明は省略する。この実施例では、有機樹脂材料層２２及び無機機能材料層２１は交互配置とし、このようにして形成された機能層の片面に、パターン化された導体層５１を配置してある。
【００４７】
本発明に係る電子部品において、有機樹脂材料層２２を構成する有機樹脂材料は、特に限定されるものではなく、成形性、加工性、積層時の接着性、電気的特性に優れた有機樹脂材料の中から適宜選択して用いることができる。具体的には、熱硬化性有機樹脂材料、熱可塑性有機樹脂材料等が好ましい。
【００４８】
熱硬化性有機樹脂材料としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビニルエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンエーテル（オキサイド）樹脂、ビスマレイミドトリアジン（シアネートエステル）樹脂、フマレート樹脂、ポリブタジエン樹脂またはビニルベンジル樹脂等が挙げられる。
【００４９】
熱可塑性有機樹脂材料としては、芳香族ポリエステル樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンサルファイド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、グラフト樹脂、ポリアリレート樹脂等が挙げられる。
【００５０】
これらの中でも、特にフェノール樹脂、エポキシ樹脂、低誘電率エポキシ樹脂、ポリブタジエン樹脂、ＢＴレジン等が、ベースレジンとして好ましい。
【００５１】
これらの有機樹脂材料は、単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。２種以上を混合して用いる場合の混合比は、任意である。
【００５２】
本発明に係る電子部品において、無機機能材料層２１を構成する無機機能材料としては、誘電体材料及び磁性材料を用いることができる。本発明に用いる誘電体材料は、高周波帯域において、有機樹脂材料よりも大きい比誘電率と、Ｑとを持つ誘電体材料であればよい。特に本発明に用いる誘電体材料は、比誘電率が１０〜２００００、誘電正接が０．０５以下のものを使用することが好ましい。比較的高い誘電率を得るためには、特に以下の材料を得ることが好ましい。
【００５３】
チタン−バリウム−ネオジウム系セラミックス、チタン−バリウム−スズ系セラミックス、鉛−カルシウム系セラミックス、二酸化チタン系セラミックス、チタン酸バリウム系セラミックス、チタン酸鉛系セラミックス、チタン酸ストロンチウム系セラミックス、チタン酸カルシウム系セラミックス、チタン酸ビスマス系セラミックス、チタン酸マグネシウム系セラミックス、ＣａＷＯ4系セラミックス、Ｂａ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ3系セラミックス、Ｂａ（Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ3系セラミックス、Ｂａ（Ｃｏ，Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ3系セラミックス、Ｂａ（Ｃｏ，Ｍｇ，Ｔａ）Ｏ3系セラミックス。二酸化チタン系セラミックスとは、二酸化チタンのみを含有するもののほか、他の少量の添加物を含有するものを含み、二酸化チタンの結晶構造が保持されているものをいう。また、他のセラミックスも同様である。特に、二酸化チタン系セラミックスは、ルチル構造を有するものが好ましい。
【００５４】
誘電率をあまり高くせずに高いＱを得るためには、以下の材料を用いることが好ましい。
【００５５】
シリカ、アルミナ、ジルコニア、チタン酸カリウムウイスカ、チタン酸カルシウムウイスカ、チタン酸バリウムウイスカ、酸化亜鉛ウイスカ、ガラスチョップ、ガラスビーズ、カーボン繊維、酸化マグネシウム（タルク）。
【００５６】
これらは単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。２種以上を混合して用いる場合、その混合比は任意である。
【００５７】
本発明に係る無機機能材料層２１を構成する誘電体材料の一つの例として、２ＧＨｚでの比誘電率が５〜１００００、誘電正接が０．０１〜０．００００２であるものを挙げることができる。このような構成により、高いＱと比誘電率の無機機能材料層２１を得ることが可能である。
【００５８】
誘電体材料は、サファイヤなどの単結晶や多結晶のアルミナでもよく、これらも含めて機能材料の種類は、例えば、以下の組成を主成分とする誘電体であることが好ましい。併せて２ＧＨｚにおける比誘電率εおよびＱ値を示す。
【００５９】
Ｍｇ2ＳｉＯ4［ε＝７、Ｑ＝２００００］、Ａｌ2Ｏ3［ε＝９．８、Ｑ＝４００００］、ＭｇＴｉＯ3［ε＝１７、Ｑ＝２２０００］、ＺｎＴｉＯ3［ε＝２６、Ｑ＝８００］、Ｚｎ2ＴｉＯ4［ε＝１５、Ｑ＝７００］、ＴｉＯ2［ε＝１０４、Ｑ＝１５０００］、ＣａＴｉＯ3［ε＝１７０、Ｑ＝１８００］、ＳｒＴｉＯ3［ε＝２５５、Ｑ＝７００］、ＳｒＺｒＯ3［ε＝３０、Ｑ＝１２００］、ＢａＴｉ2Ｏ5［ε＝４２、Ｑ＝５７００］、ＢａＴｉ4Ｏ9［ε＝３８、Ｑ＝９０００］、Ｂａ2Ｔｉ9Ｏ20［ε＝３９、Ｑ＝９０００］、Ｂａ2（Ｔｉ，Ｓｎ）9Ｏ20［ε＝３７、Ｑ＝５０００］、ＺｒＴｉＯ4［ε＝３９、Ｑ＝７０００］、（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ4［ε＝３８、Ｑ＝７０００］、ＢａＮｄ2Ｔｉ5Ｏ14［ε＝８３、Ｑ＝２１００］、ＢａＳｍ2ＴｉＯ14［ε＝７４、Ｑ＝２４００］、Ｂｉ2Ｏ3−ＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2系［ε＝８８、Ｑ＝２０００］、ＰｂＯ−ＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2系［ε＝９０、Ｑ＝５２００］、（Ｂｉ2Ｏ3、ＰｂＯ）−ＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2系［ε＝１０５、Ｑ＝２５００］、Ｌａ2Ｔｉ2Ｏ7［ε＝４４、Ｑ＝４０００］、Ｎｄ2Ｔｉ2Ｏ7［ε＝３７、Ｑ＝１１００］、（Ｌｉ，Ｓｍ）ＴｉＯ3［ε＝８１、Ｑ＝２０５０］、Ｂａ（Ｍｇ1/3Ｔａ2/3）Ｏ3［ε＝２５、Ｑ＝３５０００］、Ｂａ（Ｚｎ1/3Ｔａ2/3）Ｏ3［ε＝３０、Ｑ＝１４０００］、Ｂａ（Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3［ε＝４１、Ｑ＝９２００］、Ｓｒ（Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3［ε＝４０、Ｑ＝４０００］等。
【００６０】
より好ましくは、以下の組成を主成分とするものである。
【００６１】
ＴｉＯ2、ＣａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、ＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2系、Ｂｉ2Ｏ3−ＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3−ＴｉＯ2系、ＢａＴｉ4Ｏ9、Ｂａ2Ｔｉ9Ｏ20、Ｂａ2（Ｔｉ，Ｓｎ）9Ｏ20系、ＭｇＯ−ＴｉＯ2系、ＺｎＯ−ＴｉＯ2系、ＭｇＯ−ＳｉＯ2系、Ａｌ2Ｏ3等。
【００６２】
本発明に係る無機機能材料層２１を構成する誘電体材料の他の例としては、比誘電率が２０〜２００００、誘電正接が０．５〜０．０００１であるものも有効である。このような誘電体材料を用いることで、より高い比誘電率の無機機能材料層２１を得ることが可能である。具体的には以下の組成を主成分とする誘電体材料から選択されるものが好ましい。併せて２ＧＨｚにおける比誘電率εを示す。
【００６３】
ＢａＴｉＯ3［ε＝１５００］、（Ｂａ，Ｐｂ）ＴｉＯ3系［ε＝６０００］、Ｂａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3系［ε＝９０００］、（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3系［ε＝７０００］。
【００６４】
より好ましくは、ＢａＴｉＯ3、Ｂａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3系の組成を主成分とする誘電体材料から選択される。誘電体材料は、単結晶や多結晶でもよい。
【００６５】
無機機能材料層２１を構成する磁性体材料としては、フェライト及び金属磁性体材料を用いることができる。フェライトとしては、Ｍｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系、Ｎｉ−Ｚｎ系、Ｍｎ−Ｚｎ系などであり、Ｍｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系、Ｎｉ−Ｚｎ系などが好ましい。
【００６６】
金属磁性体材料としては、カーボニル鉄、鉄−シリコン系合金、鉄−アルミ−珪素系合金（商標名：センダスト）、鉄−ニッケル系合金（商標名：パーマロイ）、アモルファス系（鉄系、コバルト系）などが好ましい。磁性体材料の透磁率μは、１０〜１００００００であることが好ましい。また、バルクの絶縁性は、高い方が機能層としての絶縁性が向上して好ましい。
【００６７】
本発明においては、有機樹脂材料層２２を構成する有機樹脂材料に、難燃剤を含ませることもできる。本発明に用いられる難燃剤としては、難燃化のために用いられている種々の難燃剤を用いることができる。具体的には、ハロゲン化リン酸エステル、ブロム化エポキシ樹脂等のハロゲン化物、また、リン酸エステルアミド系等の有機化合物や、三酸化アンチモン、水酸化アルミニウム等の無機材料を用いることができる。
【００６８】
以下、本発明に係る電子部品の具体例を示す。
【００６９】
２．コンデンサ
図４は本発明に係るコンデンサの斜視図、図５は図４の５−５線に沿った断面図、図６は図４及び図５に示したコンデンサの内部電極構造を示す斜視図、図７は図５のＡ７部の拡大図である。図示されたコンデンサは、基体１と、内部電極となる複数の導体層５１〜５８と、端子電極６１、６２とを含んでいる。導体層５１〜５８は基体１の内部に埋設されており、奇数参照符号が付された導体層５１、５３、５５、５７はその一端が端子電極６１に接続され、偶数参照符号が付された導体層５２、５４、５６、５８はその一端が端子電極６２に導通接続されている。導体層５１〜５８のうち、隣接する導体層間には、誘電体層として働く機能層が存在する。
【００７０】
例えば、隣接する導体層５１−５２間に注目すると、図７に拡大して示すように、導体層５１−５２間には、有機樹脂材料層２２と、無機機能材料層２１とを含む機能層が存在する。有機樹脂材料層２２及び無機機能材料層２１のそれぞれは、各厚みＴ１、Ｔ２が５μｍ以下の薄膜であって、互いに隣接する。有機樹脂材料層２２及び無機機能材料層２１は、各３層による交互配置とし、このようにして形成された機能層の両側に導体層５１、５２を配置してある。層数が任意であることは、既に述べた通りである。
【００７１】
図示実施例のコンデンサは、導体層５１−５２間の機能層を、有機樹脂材料層２２と無機機能材料層２１とを隣接させて構成してあるので、有機樹脂材料層２２が応力緩和層として働くことになる。このため、加工工程において、クラックや層間剥離が生じにくく、機械的強度に優れたものとなる。
【００７２】
しかも、無機機能材料層２１が存在するので、有機機能材料層を単独で用いた場合よりも、誘電率やＱ値を向上させることができる。このため、高性能のコンデンサを得ることができる。誘電率やＱ値を向上させるのに適した材料については、既に詳説した通りである。
【００７３】
また、有機樹脂材料層２２及び無機機能材料層２１のそれぞれが、互いに独立する層として存在するので、有機樹脂材料及び無機機能材料を混合したハイブリッド機能層よりも、誘電率やＱ値のばらつきが小さくなり、歩留が向上する。
【００７４】
更に、有機樹脂材料層２２及び無機機能材料層２１のそれぞれを、隣接させた機能層は、孔や凹部を簡単に形成できる。このようにして形成された孔や凹部に導電性ぺースト（Ａｇなど）を充填して、内部電極を構成する導体層５１〜５８と接続する端子電極６１、６２を形成することができる。
【００７５】
しかも、有機樹脂材料層２２及び無機機能材料層２１のそれぞれは、５μｍ以下の薄膜であるので、小型、低背化が可能である。また、機能層をコンデンサ要素として利用する場合には、大容量化を達成できる。このような薄膜の有機樹脂材料層２２は、例えば、蒸着によって形成することができる。無機機能材料層２１は、スパッタ法、気相成長法（ＣＶＤ）等の薄膜技術によって形成することができる。
【００７６】
導体層５１〜５８のパターンは任意である。導体層５１〜５８は、スパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法、溶射法、イオンビーム法、ＣＶＤ法またはスピンコート法等の各種の成膜技術によって形成することができる。
【００７７】
３．ＬＣ複合部品
本発明は、ＬＣ複合部品にも適用できる。図８はそのようなＬＣ複合部品の一例として、ＬＣフィルタ回路を示している。図示されたＬＣフィルタ回路は、例えば、３個のコンデンサＣ０１〜Ｃ０３と、２つのインダクタＬ０１、Ｌ０２とを含んでいる。また、入出力端子となる端子電極６１、６２及びアース端子として用いられる端子電極６３を有する。
【００７８】
図９は図８に示したＬＣフィルタ回路を内蔵するＬＣ複合部品の断面図、図１０は図９のＡ１０部の拡大断面図である。図において、先に図示された構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付してある。図示されたＬＣ複合部品は、コンデンサ部分１１とインダクタ部分１２とを積層した構造を持つ。ＧＮＤはグランド電極である。
【００７９】
コンデンサ部分１１は、図８のコンデンサＣ０１、Ｃ０２、Ｃ０３を含んでいる。コンデンサ部分１１において、内部電極を構成する複数の導体層のうち、隣接する導体層間、例えば、導体層５１−５２間の機能層の構成は、既に図７を参照して説明した通りであり、重複説明は省略する。
【００８０】
インダクタ部分１２は、例えば、直線状や蛇行状等の適当なパターンを持つ導体層５３１、５３２を含んでいる。導体層５３１は図８のインダクタＬ０１を構成し、導体層５３２は図８のインダクタＬ０２を構成する。
【００８１】
インダクタ部分１２は、図１０に拡大して示すように、有機樹脂材料層２２と、無機機能材料層２１とを含む機能層を有する。有機樹脂材料層２２及び無機機能材料層２１のそれぞれは、各厚みＴ１、Ｔ２が５μｍ以下の薄膜であって、互いに隣接する。有機樹脂材料層２２及び無機機能材料層２１は、各複数層による交互配置とし、無機機能材料層２１の上に導体層５３１（または５３２）を配置してある。有機樹脂材料層２２及び無機機能材料層２１の層数が任意であることは、既に述べた通りである。
【００８２】
インダクタ部分１２において、無機機能材料層２１は磁性体材料または誘電体材料でなる。その詳細については、既に述べたので、重複説明は省略する。
【００８３】
上述したように、図示実施例のＬＣ複合部品は、導体層５１−５２間の機能層を、有機樹脂材料層２２と無機機能材料層２１とを隣接させて構成してあるので、有機樹脂材料層２２が応力緩和層として働くことになる。このため、加工工程において、クラックや層間剥離が生じにくく、機械的強度に優れたものとなる。
【００８４】
しかも、無機機能材料層２１が存在するので、有機機能材料層を単独で用いた場合よりも、誘電率、透磁率及びＱ値を向上させることができる。このため、高性能のＬＣ複合部品を得ることができる。誘電率、透磁率及びＱ値を向上させるのに適した材料については、既に詳説した通りである。
【００８５】
また、有機樹脂材料層２２及び無機機能材料層２１のそれぞれが、互いに独立する層として存在するので、有機樹脂材料及び無機機能材料を混合したハイブリッド機能層よりも、誘電率、透磁率、Ｑ値のばらつきが小さくなり、歩留が向上する。
【００８６】
更に、有機樹脂材料層２２及び無機機能材料層２１のそれぞれを、隣接させた機能層は、孔や凹部を簡単に形成できる。このようにして形成された孔や凹部に導電性ぺーストを塗布して、内部電極を構成する導体層５３１、５３２と接続する端子電極６１、６２、６３を形成することができる。
【００８７】
しかも、有機樹脂材料層２２及び無機機能材料層２１のそれぞれは、５μｍ以下の薄膜であるので、小型、低背化が可能である。無機機能材料層２１は、スパッタ法、気相成長法（ＣＶＤ）等の薄膜技術によって形成することができる。導体層５３１、５３２は、スパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法、溶射法、イオンビーム法、ＣＶＤ法またはスピンコート法等の各種の成膜技術によって形成することができる。
【００８８】
４．本発明に係る電子部品を用いる移動体通信機器ＲＦ部の一例
本発明に係る電子部品に、積層モジュールが含まれることは前述した通りである。図１１は本発明に係る積層モジュールの用いられる移動体通信機器に含まれるＲＦ部の一例を示すブロック図であり、ＧＳＭ／ＤＣＳデュアルバンド対応の構成を示している。回路自体は、周知のものである。移動体通信機器によっては、ＤＣＳバンドの代わりに、ＰＣＳバンドを用いるものもあり、本発明は、このような場合も含む。
【００８９】
図１１に図示されたＲＦ部は、アンテナＡＮＴと、フロントエンド部ＦＥと、送信部Ｔｘと、受信部Ｒｘとを含む。更に、フェーズ．ロック．ループＰＬＬ、電圧制御発振器ＶＣＯ３、ミキサＭＩＸ３、フェーズ．デティクタＰＨＤ、ループフィルタ（Loop Filter）等を含んでいる。
【００９０】
送信部Ｔｘは、送信部ＧＳＭ／Ｔｘと、送信部ＤＣＳ／Ｔｘとに分かれている。送信部ＤＣＳ／Ｔｘは、電圧制御発振器ＶＣＯ１、パワーアンプ部ＰＡ１、カプラーＣＯＰ１、電力検出部ＡＰＣ１及びローパスフィルタＬＰＦ１等を備える。
【００９１】
送信部ＧＳＭ／Ｔｘも同様に、電圧制御発振器ＶＣＯ２、パワーアンプ部ＰＡ２、カプラーＣＯＰ２、電力検出部ＡＰＣ２及びローパスフィルタＬＰＦ２等を備える。
【００９２】
受信部Ｒｘは、受信部ＧＳＭ／Ｒｘと、受信部ＤＣＳ／Ｒｘとに分かれている。受信部ＤＣＳ／Ｒｘは、弾性表面波素子（ＳＡＷ素子）等でなるバンドパスフィルタＢＰＦ１、バルーンＢＡＬ１、ローノイズアンプＬＮＡ１及びミキサＭＩＸ１等を備える。受信部ＧＳＭ／Ｒｘも同様に、弾性表面波素子（ＳＡＷ素子）等でなるバンドパスフィルタＢＰＦ２、バルーンＢＡＬ２、ローノイズアンプＬＮＡ２及びミキサＭＩＸ２等を備える。
【００９３】
フロントエンド部ＦＥは、ダイプレクサＤＩＰ及び送受信切換器ＳＷ１、ＳＷ２を含んでいる。送受信切換器ＳＷ１は、外部から供給される制御信号によって制御され、送信部ＤＣＳ／Ｔｘまたは受信部ＤＣＳ／Ｒｘを、ダイプレクサＤＩＰに選択的に接続する。
【００９４】
送受信切換器ＳＷ２も、外部から供給される制御信号によって制御され、送信部ＧＳＭ／Ｔｘまたは受信部ＧＳＭ／ＲｘをダイプレクサＤＩＰに選択的に接続する。
【００９５】
したがって、送信部ＧＳＭ／Ｔｘ、受信部ＧＳＭ／Ｒｘ、送信部ＤＣＳ／Ｔｘ及び受信部ＤＣＳ／Ｒｘは、ダイプレクサＤＩＰを介して、アンテナＡＮＴに選択的に接続される。
【００９６】
本発明は、図１１に示した移動体通信機器ＲＦ部において、送信部ＧＳＭ／Ｔｘ、ＤＣＳ／Ｔｘに含まれるパワーアンプ部ＰＡ１、ＰＡ２を積層モジュール化したＰＡ積層モジュール、電圧制御発振器ＶＣＯ１、ＶＣＯ２またはＶＣＯ３を積層モジュール化したＶＣＯ積層モジュール、及び、フロントエンド部ＦＥを積層モジュール化したＦＥ積層モジュールの具体例を開示する。
【００９７】
５．パワーアンプ部積層モジュール（ＰＡ積層モジュール）
図１２は、図１１に図示された送信部ＤＣＳ／Ｔｘに含まれるパワーアンプ部ＰＡ１の一例を示す回路図である。図において、Ｖａｐｃ１端子は、出力制御用に設けられた端子で、パワーアンプ部ＰＡ１の出力は、Ｖａｐｃ１端子に印加される電圧レベルにより制御される。Ｖａｐｃ１端子に印加される電圧は、図１において、カプラＣＯＰ１を介して電力検出部ＡＰＣ１により検出された電力検出信号である。
【００９８】
パワーアンプ部ＰＡ１は、半導体層素子の３段構成でなるＭＭＩＣ(Microwave Monolithic IC)１と、入力整合回路部ＩＭ１と、出力整合回路部ＯＭ１と、バイアス回路部ＢＣ１とを含んでいる。
【００９９】
ＭＭＩＣ１はＰｉｎ１端子から入力された信号を増幅する役割を担い、入力整合回路部ＩＭ１は、Ｐｉｎ１端子でのインピーダンス（５０Ω）をＭＭＩＣ１の入力インピーダンスに整合させ、Ｐｉｎ１端子から入力された信号をインピーダンス不整合による損失なくＭＭＩＣ１の入力へ伝送する役割を担う。
【０１００】
出力整合回路部ＯＭ１は、ＭＭＩＣ１の出力インピーダンスをＰｏｕｔ１端子で見たインピーダンス（５０Ω）に整合させ、ＭＭＩＣ１から出力された信号をインピーダンス不整合による損失を生じることなく、Ｐｏｕｔ１端子へ伝送させる役割を担い、バイアス回路部ＢＣ１は、ＭＭＩＣ１に含まれる半導体を増幅素子として動作させる役割を担う。
【０１０１】
入力整合回路部ＩＭ１は、インダクタＬ１とコンデンサＣ１がＬ型に接続された回路で構成される。更に、入力整合回路部ＩＭ１にはコンデンサＣ２が備えられている。
【０１０２】
出力整合回路部ＯＭ１では、初段がインダクタＬ２とコンデンサＣ３とのＬ型回路、２段目がインダクタＬ３とコンデンサＣ４とのＬ型回路、３段目がインダクタＬ４とコンデンサＣ５とのＬ型回路である。出力整合回路ＯＭ１の出力端にはコンデンサＣ６が接続されている。
【０１０３】
また、バイアス回路部ＢＣ１のインダクタＬ５〜Ｌ７は、ＭＭＩＣ１で増幅された信号をＶｃｃ端子へ漏洩させないよう、理想的には、インピーダンスを無限大にすることが求められる。このため、通常、（λ／４）長パターンまたは（λ／４）長パターンに相当するインピーダンスを持つインダクタ素子により構成される。インダクタＬ５〜Ｌ７のそれぞれには、接地コンデンサＣ８〜Ｃ１０が接続されている。
【０１０４】
図１３は図１１に図示された送信部ＧＳＭ／Ｔｘに含まれるパワーアンプ部ＰＡ２の具体的な回路図を示している。図において、Ｖａｐｃ２端子は、出力制御用に設けられた端子で、パワーアンプ部ＰＡ２の出力は、Ｖａｐｃ２端子に印加される電圧レベルにより制御される。また、Ｖａｐｃ２端子に印加される電圧は、図１１において、カプラＣＯＰ２を介して電力検出部ＡＰＣ２により検出された電力検出信号である。
【０１０５】
パワーアンプ部ＰＡ２は、半導体層素子の３段構成でなるＭＭＩＣ２と、入力整合回路部ＩＭ２と、出力整合回路部ＯＭ２と、バイアス回路部ＢＣ２とを含んでいる。
【０１０６】
ＭＭＩＣ２はＰｉｎ２端子から入力された信号を増幅する役割を担い、入力整合回路部ＩＭ２は、Ｐｉｎ２端子でのインピーダンス（５０Ω）をＭＭＩＣ２の入力インピーダンスに整合させ、Ｐｉｎ２端子から入力された信号をインピーダンス不整合による損失なくＭＭＩＣ２の入力へ伝送する役割を担う。
【０１０７】
出力整合回路部ＯＭ２は、ＭＭＩＣ２の出力インピーダンスをＰｏｕｔ２端子で見たインピーダンス（５０Ω）に整合させ、ＭＭＩＣ２から出力された信号をインピーダンス不整合による損失を生じさせることなく、Ｐｏｕｔ２端子へ伝送させる役割を担い、バイアス回路部ＢＣ２は、ＭＭＩＣ２に含まれる半導体を増幅素子として動作させる役割を担う。
【０１０８】
入力整合回路部ＩＭ２は、インダクタＬ９とコンデンサＣ１１がＬ型に接続された回路で構成される。更に、入力整合回路部ＩＭ２にはコンデンサＣ１２が備えられている。
【０１０９】
出力整合回路部ＯＭ２では、初段がインダクタＬ１０とコンデンサＣ１３とのＬ型回路、２段目がインダクタＬ１１とコンデンサＣ１４とのＬ型回路、３段目がインダクタＬ２とコンデンサＣ１５とのＬ型回路である。出力整合回路ＯＭ２の出力端にはコンデンサＣ１６が接続されている。
【０１１０】
また、バイアス回路部ＢＣ２のインダクタＬ１３〜Ｌ１５は、ＭＭＩＣ２で増幅された信号を漏洩させないよう、理想的には、インピーダンスを無限大にすることが求められる。このため、通常、（λ／４）長パターンまたは（λ／４）長パターンに相当するインピーダンスを持つインダクタ素子により構成される。インダクタＬ１３〜Ｌ１５のそれぞれには、接地コンデンサＣ１８〜Ｃ２０が接続されている。
【０１１１】
図１４は図１２及び図１３に示したパワーアンプ部ＰＡ１、ＰＡ２を積層モジュール化したＰＡ積層モジュールの分解斜視図、図１５は図１４に示したＰＡ積層モジュールの完成状態における斜視図、図１６は同じく内部の接続構造を概略的に示す断面図である。積層基板１００における受動素子の配置については、特に限定はない。図１４〜図１６は採用し得る一例を示すにすぎない。参照符号９０はシールドである。
【０１１２】
図示実施例は、ＧＳＭ／ＤＣＳデュアルバンド対応のＰＡ積層モジュールを示している。ＧＳＭ側では、周波数範囲が８８０〜９１５ＭＨｚで、出力電力が、例えば、３５．０ｄＢｍであるのに対し、ＤＣＳ側では周波数範囲が１７１０〜１７８５ＭＨｚで、出力電力が、例えば、３２．０ｄＢｍであり、互いに異なる仕様であるので、同一の積層基板１００において、ＧＳＭ側及びＤＣＳ側で互いに独立し、ＧＳＭ用とＤＣＳ用の２回路に分けて並列に配列される。
【０１１３】
図示実施例のＰＡ積層モジュールは、積層基板１００と、能動素子であるＭＭＩＣ１、ＭＭＩＣ２と、受動素子と、電源端子（Ｖｃｃ１、Ｖｃｃ２）、信号端子（Ｖａｐｃ１、Ｖａｐｃ２）、（Ｐｉｎ１、Ｐｉｎ２）、（Ｐｏｕｔ１、Ｐｏｕｔ２）（図１２参照、以下同様）と、接地用パターンＧＮＤと、貫通ビアホール４０と、ブラインドビアホール３０と、インナービアホール２０とを含む。
【０１１４】
積層基板１００は、図１４に示すように、９枚の機能層１０１〜１０９を含む。機能層１０１〜１０９は順次に積層されている。機能層１０１〜１０９は、有機樹脂材料層と、無機機能材料層とを含む。有機樹脂材料層及び無機機能材料層のそれぞれは、各厚みが５μｍ以下の薄膜であって、互いに隣接する。有機樹脂材料層及び無機機能材料層は、任意複数層による交互配置とする。層数は任意である。これらの点については、既に述べた通りである。
【０１１５】
能動素子であるＭＭＩＣ１、ＭＭＩＣ２は、積層基板１００の表面側に位置する機能層１０１の上に配置されている。ＭＭＩＣ１、ＭＭＩＣ２の電極は、機能層１０１上に形成された導体パターンに接続される。接続手段としては、図の面実装手段の他、ワイヤーボンディング等も採用できる。
【０１１６】
電源端子（Ｖｃｃ１、Ｖｃｃ２）、信号端子（Ｖａｐｃ１、Ｖａｐｃ２）、（Ｐｉｎ１、Ｐｉｎ２）、（Ｐｏｕｔ１、Ｐｏｕｔ２）は、図６において、積層基板１００の最下層である機能層１０９の裏面に形成された導体パターン５０に接続される。
【０１１７】
貫通ビアホール４０は、積層基板１００を厚み方向に貫通し、一端が、積層基板１００の裏面において、電源端子（Ｖｃｃ１、Ｖｃｃ２）、信号端子（Ｖａｐｃ１、Ｖａｐｃ２）、（Ｐｉｎ１、Ｐｉｎ２）、（Ｐｏｕｔ１、Ｐｏｕｔ２）を構成する導体パターン５０に接続され、または、接地用パターンＧＮＤに導通している。
【０１１８】
ブラインドビアホール３０は、積層基板１００の表面または裏面に設けられた導体パターン５０と、次層の導体パターン５０との間を接続する。インナービアホール２０は、積層基板１００の内部に形成された導体パターン５０を接続する。ブラインドビアホール３０は、一端が積層基板１００の内部で終端されており、インナービアホール２０は両端が積層基板１００の内部で終端されている。
【０１１９】
上述したように、図示実施例に係るＰＡ積層モジュールにおいて、積層基板１００は、複数の機能層１０１〜１０９を積層して構成されている。機能層１０１〜１０９の一部または全部は、有機樹脂材料層と、無機機能材料層とを含む。有機樹脂材料層及び無機機能材料層のそれぞれは、各厚みが５μｍ以下の薄膜であって、互いに隣接する。有機樹脂材料層及び無機機能材料層は、任意複数層による交互配置とする。このような機能層１０１〜１０９は、フェライト等を用いた従来の積層基板と異なって、加工工程において、クラックや層間剥離が生じにくく、機械的強度に優れているので、製品としての信頼性に優れている。また、層間の絶縁抵抗がクラックによって劣化することがないので、コンデンサを形成するのに都合がよい。
【０１２０】
しかも、有機樹脂材料層及び無機機能材料層とを交互に配置した機能層１０１〜１０９は、パンチまたはドリル等を用いて、貫通ビアホール４０、インナービアホール２０、ブラインドビアホール３０及びサーマルビアホール４１を簡単に形成できる。このようにして形成されたホール内に導電性ぺースト（Ａｇなど）を充填して、層間において位置ズレを生じることなく、各種ビアを確実に形成し得る。これにより、電気的接続導体層及び放熱路を構成することができる。
【０１２１】
更に、有機樹脂材料層及び無機機能材料層とを交互に配置した機能層１０１〜１０９は、機能材料の種類を選択することにより、所望の電気的及び磁気的特性を持たせることができる。例えば、無機機能材料として、誘電体材料を用いた場合には、誘電体材料の材料的選択により、誘電率の調整が容易となり、焼結セラミック基板よりも低誘電率化も可能であるとともに、有機樹脂材料基板よりも高いＱが得られ、高周波領域（１００ＭＨｚ以上、特に１００ＭＨｚ以上１０ＧＨｚ以下の領域）での使用に好適なものを実現できる。
【０１２２】
また、機能材料として磁性体材料等を選択使用することにより、優れた磁気特性を利用した用途や磁気シールドを目的とした用途に、自由に対応できる。
【０１２３】
更に、機能材料の選択によって、高周波帯域で、比較的高いＱや誘電率εを得ることも可能である。このような特性は、例えばストリップライン、インピーダンス整合回路、遅延回路及びアンテナ回路等を構成する場合に要求される。しかも、機械的強度に優れた積層基板１００を実現することができる。
【０１２４】
図示実施例に係るＰＡ積層モジュールでは、電源端子（Ｖｃｃ１、Ｖｃｃ２）、信号端子（Ｖａｐｃ１、Ｖａｐｃ２）、（Ｐｉｎ１、Ｐｉｎ２）、（Ｐｏｕｔ１、Ｐｏｕｔ２）を構成する導体パターン５０及び接地用パターンＧＮＤは、積層基板１００の裏面に設けられている。したがって、ＭＭＩＣ１、ＭＭＩＣ２の設けられている表面側とは反対側の裏面側を、マザーボード等に面付けするＰＡ積層モジュールが得られる。
【０１２５】
図示実施例のＰＡ積層モジュールにおいて、貫通ビアホール４０は、積層基板１００を厚み方向に貫通し、一端が、電源端子（Ｖｃｃ１、Ｖｃｃ２）、信号端子（Ｖａｐｃ１、Ｖａｐｃ２）、（Ｐｉｎ１、Ｐｉｎ２）、（Ｐｏｕｔ１、Ｐｏｕｔ２）を構成する導体パターン５０または接地用パターンＧＮＤに導通する。したがって、マザーボード等に面付けする際、裏面側において、外部回路と接続し、その電気回路を、貫通ビアホール４０を通して、積層基板１００の内部及び積層基板１００の表面に導くことができる。
【０１２６】
また、貫通ビアホール４０を用いて、積層基板１００の表面に搭載されたＭＭＩＣ１、ＭＭＩＣ２、及び、積層基板１００の内部に形成された受動素子のための導体パターン５０を、電源端子（Ｖｃｃ１、Ｖｃｃ２）、信号端子（Ｖａｐｃ１、Ｖａｐｃ２）、（Ｐｉｎ１、Ｐｉｎ２）、（Ｐｏｕｔ１、Ｐｏｕｔ２）または接地用パターンＧＮＤと接続することができる。
【０１２７】
本発明では、貫通ビアホール４０の他に、ブラインドビアホール３０を含む。ブラインドビアホール３０は、機能層１０１の表面または機能層１０９の裏面に設けられた導体パターン５０と、次層の機能層１０２または１０９に設けられた導体パターン５０との間を接続する。したがって、ブラインドビアホール３０を用いて、積層基板１００の内部に形成された導体パターン５０を、裏面に導体パターン５０として設けられた信号端子または接地用パターンＧＮＤと接続することができる。
【０１２８】
図示実施例の積層基板１００は、更に、インナービアホール２０とを含む。インナービアホール２０は積層基板１００の内部に形成された導体パターン５０の間を接続するものであって、積層基板１００の裏面には出ない。このため、貫通ビアホール４０及びブラインドビアホール３０の適切な配置により、積層基板１００の裏面側における端子の形状や配置に自由度が増すとともに、接地用パターンＧＮＤの面積も確保できる。接地用パターンが裏面の面積の８０％以上の面積を占有するＰＡ積層モジュールを実現することができる。
【０１２９】
送信部ＧＳＭ／Ｔｘのパワーアンプ部ＰＡ２では、機能層１０１の表面に、コンデンサＣ１２、Ｃ１６〜Ｃ２０を、チップコンデンサ７０（図１４、図１５参照）として搭載し、また、インダクタＬ９、Ｌ１０、Ｌ１６を導体パターンとして形成する。コンデンサＣ１１を構成するコンデンサ電極等も形成されている。
【０１３０】
他の受動素子は、積層基板１００の内部に形成する。図１２及び図１３において、点線円で囲まれていない受動素子が積層基板１００の内部及び表面に配置される。Ｌ１、Ｌ２、Ｌ８、Ｌ９、Ｌ１０、Ｌ１６は導体パターン５０である。
【０１３１】
したがって、マザーボード等に面付けする際、裏面側において、外部回路と接続し、その電気回路を、貫通ビアホール４０及びブラインドビアホール３０を通して、積層基板１００の内部及び積層基板１００の表面に導くことができる。
【０１３２】
また、貫通ビアホール４０及びブラインドビアホール３０を用いて、積層基板１００の表面に搭載されたＭＭＩＣ１、ＭＭＩＣ２、及び、積層基板１００の内部に形成された受動素子のための導体パターンを、電源端子（Ｖｃｃ１、Ｖｃｃ２）、信号端子（Ｖａｐｃ１、Ｖａｐｃ２）、（Ｐｉｎ１、Ｐｉｎ２）、（Ｐｏｕｔ１、Ｐｏｕｔ２）または接地用パターンＧＮＤと接続することができる。
【０１３３】
インナービアホール２０は積層基板１００の裏面には現れない。このため、裏面において、端子の形状や配置に自由度が増すとともに、接地用パターンの面積も確保できる。
【０１３４】
本発明では、機能層１０１〜１０９は、有機樹脂材料層及び無機機能材料層とを交互に配置した構成でなる。有機樹脂材料層及び無機機能材料層を構成する有機樹脂材料及び無機機能材料については、既に詳説したとおりであり、誘電率の調整が容易となり、焼結セラミックでなる積層基板と比べて、低誘電率化が可能であるとともに、有機樹脂材料による積層基板と比較して、高いＱが得られ、高周波領域（１００ＭＨｚ以上、特に１００ＭＨｚ以上１０ＧＨｚ以下の領域）での使用に好適である。
【０１３５】
また、無機機能材料層が磁性材料でなる場合は、優れた磁気特性を利用した用途や磁気シールドを目的とした使用に適している。さらに、高周波帯域で、比較的高いＱやμを得ることも可能である。
【０１３６】
６．電圧制御発振器部積層モジュール（ＶＣＯ積層モジュール）
図１７はＶＣＯ（電圧制御発振器）の回路構成の一例を示している。図示のＶＣＯは、例えば、図１１に示した回路において、ＶＣＯ１〜ＶＣＯ３の少なくとも一つを構成するために用いられる。図において、電源端子Ｖｃｃ３に供給された動作電圧は、抵抗Ｒ３１〜Ｒ３３によって分圧され、発振回路６に供給される。電源端子Ｖｃｃ３にはコンデンサＣ３７が接続されている。
【０１３７】
信号端子Ｖｉｎ３に供給された電圧制御信号は、インダクタＬ３１を介して、コンデンサＣ３２、バリキャップダイオードＤ３１に供給される。インダクタＬ３１の出力端にはコンデンサＣ３２が接続されている。
【０１３８】
バリキャップダイオードＤ３１の後段には、コンデンサＣ３３を介して、共振回路５が接続され、共振回路５の後段には発振回路６が接続されている。共振回路５は、コンデンサＣ３４及びストリップラインＬ３２によって定まる共振周波数を持つ。
【０１３９】
発振回路６は、トランジスタＴ３１、Ｔ３２等を備える。発振回路６は、抵抗Ｒ３１〜Ｒ３３によって分圧された電圧によってバイアスされ、共振回路５の回路定数、バリキャップダイオードＤ３１の有する容量値、コンデンサＣ３３、Ｃ３５、Ｃ３６、Ｃ３９、及び、インダクタＬ３３等を発振定数として発振動作をし、コンデンサＣ４０を介して、信号端子Ｖｏｕｔ３から発振信号を出力する。
【０１４０】
図１８は図１７に示したようなＶＣＯ回路をモジュール化したＶＣＯ積層モジュールの分解斜視図、図１９は図１８に示したＶＣＯ積層モジュールの内部構造を概略的に示す拡大断面図である。積層基板１００における受動素子の配置については、特に限定はない。図は採用し得る一例を示すにすぎない。
【０１４１】
積層基板１００は、図１８、図１９に示すように、８枚の機能層１０１〜１０８を順次に積層して構成されている。機能層１０１〜１０８は、有機樹脂材料層及び無機機能材料層とを交互に配置した構成でなる。
【０１４２】
能動素子であるトランジスタＴ３１、Ｔ３２、及び、バリキャップダイオードＤ３１、並びに、抵抗Ｒ３１〜Ｒ３３は、積層基板１００の表面側に位置する機能層１０１の上に配置されている。他の回路要素は、積層基板１００の内部に埋設される。
【０１４３】
図１７に示された電源端子Ｖｃｃ３、信号端子Ｖｉｎ３、信号端子Ｖｏｕｔ３は、図１８、図１９において、積層基板１００の最下層である機能層１０８の裏面に形成された導体パターン５０に接続される。また、図１７の接地線は、接地用パターンＧＮＤに接続される。
【０１４４】
貫通ビアホール４０は、積層基板１００を厚み方向に貫通し、一端が、積層基板１００の裏面において、電源端子Ｖｃｃ３、信号端子Ｖｉｎ３、信号端子Ｖｏｕｔ３を構成する導体パターン５０に接続されている。
【０１４５】
ブラインドビアホール３０は、積層基板１００の表面または裏面に設けられた導体パターン５０と、次層の導体パターン５０との間を接続する。インナービアホール２０は、積層基板１００の内部に形成された導体パターン５０を接続する。ブラインドビアホール３０は、一端が積層基板１００の内部で終端されており、インナービアホール２０は両端が積層基板１００の内部で終端されている。
【０１４６】
ＶＣＯ積層モジュールにおいても、積層基板１００を構成する機能層１０１〜１０８は、有機樹脂材料層及び無機機能材料層とを交互に配置した構成である。このような機能層１０１〜１０８は、加工工程において、クラックや層間剥離が生じにくく、機械的強度に優れているので、製品としての信頼性に優れている。また、層間の絶縁抵抗がクラックによって劣化することがないので、コンデンサを形成するのに都合がよい。
【０１４７】
しかも、有機樹脂材料層及び無機機能材料層とを交互に配置して構成した積層基板は、パンチまたはドリル等を用いて、貫通ビアホール４０、インナービアホール２０、ブラインドビアホール３０及びサーマルビアホール４１を簡単に形成できる。このため、層間において位置ズレを生じることなく、各種ビアを確実に形成し得る。
【０１４８】
更に、有機樹脂材料層及び無機機能材料層とを交互に配置した機能層は、無機機能材料の種類を選択することにより、所望の電気的及び磁気的特性を持たせることができる。例えば、無機機能材料として、誘電体材料を用いた場合には、誘電体材料の材料的選択により、誘電率の調整が容易となり、焼結セラミックによる積層基板よりも低誘電率化が可能である。これらの材料については、既に詳説したので、詳細は省略する。
【０１４９】
ＶＣＯ積層モジュールでは、電源端子Ｖｃｃ３、信号端子Ｖｉｎ３、信号端子Ｖｏｕｔ３を構成する導体パターン５０及び接地用パターンＧＮＤは、積層基板１００の裏面に設けられている。したがって、積層基板１００の裏面側を、マザーボード等に面付けすることができる。
【０１５０】
図示実施例のＶＣＯ積層モジュールにおいて、貫通ビアホール４０は、積層基板１００を厚み方向に貫通し、一端が、電源端子Ｖｃｃ３、信号端子Ｖｉｎ３、信号端子Ｖｏｕｔ３を構成する導体パターン５０に導通する。したがって、マザーボード等に面付けする際、裏面側において、外部回路と接続し、その電気回路を、貫通ビアホール４０を通して、積層基板１００の内部及び積層基板１００の表面に導くことができる。
【０１５１】
また、貫通ビアホール４０を用いて、積層基板１００の表面に搭載された部品、及び、積層基板１００の内部に形成された受動素子のための導体パターン５０を、電源端子Ｖｃｃ３、信号端子Ｖｉｎ３、信号端子Ｖｏｕｔ３と接続することができる。
【０１５２】
本実施例では、貫通ビアホール４０の他に、ブラインドビアホール３０と、インナービアホール２０とを含む。ブラインドビアホール３０は、機能層１０１の表面または機能層１０９の裏面に設けられた導体パターン５０と、次層の機能層１０２または１０９に設けられた導体パターン５０との間を接続する。インナービアホール２０は積層基板１００の内部に形成された導体パターン５０を接続する。
【０１５３】
貫通ビアホール４０は、ブラインドビアホール３０とともに、電源端子Ｖｃｃ３、信号端子Ｖｉｎ３、信号端子Ｖｏｕｔ３または接地用パターンＧＮＤのために用いられる。内部の導体パターン間の接続に用いられるインナービアホール２０は積層基板１００の裏面には出ない。このため、貫通ビアホール４０、ブラインドビアホール３０及びインナービアホール２０の適切な組み合わせにより、積層基板１００の裏面側における端子の形状や配置に自由度をもたせるとともに、接地用パターンの面積も確保できる。
【０１５４】
７．フロントエンド部積層モジュール（ＦＥ積層モジュール）
図２０は本発明に係るＦＥ積層モジュールの回路構成の一例を示している。図示のＦＥ積層モジュールは、例えば、図１１に示した回路において、フロントエンド部ＦＥに、送信部ＴｘのローパスフィルタＬＰＦ１、ＬＰＦ２を組合わせた回路構成を有する。
【０１５５】
図２０に図示されたＦＥ積層モジュールの回路において、ローパスフィルタＬＰＦ１はインダクタＬ４１と、コンデンサＣ４１〜Ｃ４３とを含んでいる。ローパスフィルタＬＰＦ２はインダクタＬ５１と、コンデンサＣ５１〜Ｃ５３とを含んでいる。
【０１５６】
送受信切換器ＳＷ１は、ＤＣＳ／Ｒｘ側がダイオードＤ６１と、抵抗Ｒ６１と、コンデンサＣ６１と、インダクタＬ６１とを含み、抵抗Ｒ６１の一端が切替信号端子ＶＣ３に接続されている。また、ＤＣＳ／Ｔｘ側は、ダイオードＤ６２と、コンデンサＣ６２と、インダクタＬ６２と、インダクタＬ６３とを含み、コンデンサＣ６２及びインダクタＬ６３の接続点が切替信号端子ＶＣ４に接続されている。
【０１５７】
送受信切換器ＳＷ２は、ＧＳＭ／Ｒｘ側が、ダイオードＤ７１と、抵抗Ｒ７１と、コンデンサＣ７１と、インダクタＬ７１とを含み、抵抗Ｒ７１の一端が切替信号端子ＶＣ１に接続されている。また、ＧＳＭ／Ｔｘ側は、ダイオードＤ７２と、コンデンサＣ７２と、インダクタＬ７２と、インダクタＬ７３とを含み、コンデンサＣ７２及びインダクタＬ７３の接続点が切替信号端子ＶＣ２に接続されている。
【０１５８】
ダイプレクサＤＩＰは、ＤＣＳ側がコンデンサＣ８１、Ｃ８２、Ｃ８３と、インダクタＬ８１とを含み、ＧＳＭ側がコンデンサＣ８４、Ｃ８５と、インダクタＬ８２とを含んでいる。
【０１５９】
アンテナＡＮＴはＦＥ積層モジュールの外部にあって、ＤＣＳ側のコンデンサＣ８２と、ＧＳＭ側のコンデンサＣ８５及びインダクタＬ８２の並列回路との接続点に接続されている。
【０１６０】
図２０の回路図は一例であって、本発明に係るＦＥ積層モジュールが図２０の回路に限定されるものでないことは論をまたない。
【０１６１】
図２１は図２０に示したようなフロントエンド回路をモジュール化したＦＥ積層モジュールの完成状態を示す斜視図、図２２は図２１に示したＦＥ積層モジュールの分解斜視図、図２３は図２２に示したＦＥ積層モジュールの内部構造を概略的に示す拡大断面図である。積層基板１００における受動素子の配置については、特に限定はない。図は採用し得る一例を示すにすぎない。
【０１６２】
積層基板１００は、図２２、図２３に示すように、１３枚の機能層１０１〜１１３を順次に積層して構成されている。機能層１０１〜１１３は、有機樹脂材料層及び無機機能材料層とを交互に配置した構成でなる。
【０１６３】
図２０のダイオードＤ６１、Ｄ６２、Ｄ７１、Ｄ７２、及び、抵抗Ｒ６１、Ｒ７１は、積層基板１００の表面側に位置する機能層１０１の上に配置されている。他の回路要素は、積層基板１００の内部に埋設される。
【０１６４】
図２０に示された信号端子ＳＴ１〜ＳＴ４及び切替信号端子ＶＣ１〜ＶＣ４は、図２１、図２２において、積層基板１００の最下層である機能層１１３の裏面に形成された導体パターン５０に接続される。また、図２０の接地線は接地用パターンＧＮＤに接続される。
【０１６５】
貫通ビアホール４０は、積層基板１００を厚み方向に貫通し、一端が、積層基板１００の裏面において、導体パターン５０に接続されている。
【０１６６】
ブラインドビアホール３０は、積層基板１００の表面または裏面に設けられた導体パターン５０と、次層の導体パターン５０との間を接続する。ブラインドビアホール３０を接続した導体パターン５０は、信号端子ＳＴ１〜ＳＴ４及び切替信号端子ＶＣ１〜ＶＣ４のうち、貫通ビアホール４０の導体パターン５０に接続されなかった残りを接続するために用いられる。
【０１６７】
インナービアホール２０は、積層基板１００の内部に形成された導体パターン５０を接続する。ブラインドビアホール３０は、一端が積層基板１００の内部で終端されており、インナービアホール２０は両端が積層基板１００の内部で終端されている。
【０１６８】
ＦＥ積層モジュールにおいても、積層基板１００を構成する機能層１０１〜１１３は、有機樹脂材料層及び無機機能材料層とを交互に配置した構成よりなる。このような機能層１０１〜１１３は、加工工程において、クラックや層間剥離が生じにくく、機械的強度に優れているので、製品としての信頼性に優れている。また、層間の絶縁抵抗がクラックによって劣化することがないので、コンデンサを形成するのに都合がよい。
【０１６９】
しかも、有機樹脂材料層及び無機機能材料層とを交互に配置して構成した積層基板１００は、パンチまたはドリル等を用いて、貫通ビアホール４０、インナービアホール２０及びブラインドビアホール３０を簡単に形成できる。このため、層間において位置ズレを生じることなく、各種ビアを確実に形成し得る。
【０１７０】
更に、有機樹脂材料層及び無機機能材料層とを交互に配置した機能層は、無機機能材料の種類を選択することにより、所望の電気的及び磁気的特性を持たせることができる。例えば、無機機能材料として、誘電体材料を用いた場合には、誘電体材料の材料的選択により、誘電率の調整が容易となり、低誘電率化も可能である。これらの材料については、既に詳説したので、詳細は省略する。
【０１７１】
ＦＥ積層モジュールでは、信号端子ＳＴ１〜ＳＴ４及び切替信号端子ＶＣ１〜ＶＣ４及び接地用パターンＧＮＤは、積層基板１００の裏面に設けられている。したがって、積層基板１００の裏面側を、マザーボード等に面付けすることができる。
【０１７２】
図示実施例のＦＥ積層モジュールにおいて、貫通ビアホール４０は、積層基板１００を厚み方向に貫通し、一端が、信号端子ＶＣ１〜ＶＣ４、ＳＴ１〜ＳＴ４の何れかに接続される。また、接地用パターンＧＮＤの何れかに導通する。したがって、マザーボード等に面付けする際、裏面側において、外部回路と接続し、その電気回路を、貫通ビアホール４０を通して、積層基板１００の内部及び積層基板１００の表面に導くことができる。
【０１７３】
また、ブラインドビアホール３０を用いて、受動素子のための導体パターン５０を、信号端子ＳＴ１〜ＳＴ４または切替信号端子ＶＣ１〜ＶＣ４と接続することができる。
【０１７４】
インナービアホール２０は積層基板１００の内部に形成された導体パターン５０の間を接続する。これらの内部接続に当たっては、貫通ビアホール４０は用いない。このため、積層基板１００の裏面側における端子配置の形状や配置に自由度が増すとともに、接地用パターンの面積も確保できる。
【０１７５】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、小型、かつ、高性能で、しかも電気的特性の優れた積層モジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る電子部品の一部を示す断面図である。
【図２】本発明に係る電子部品の別の実施例を示す断面図である。
【図３】本発明に係る電子部品の別の実施例を示す断面図である。
【図４】本発明に係るコンデンサの斜視図である。
【図５】図４の５−５線に沿った断面図である。
【図６】図４及び図５に示したコンデンサの内部電極構造を示す斜視図である。
【図７】図５のＡ７部の拡大図である。
【図８】ＬＣフィルタ回路の電気回路図である。
【図９】図８に示したＬＣフィルタ回路を内蔵するＬＣ複合部品の断面図である。
【図１０】図９のＡ１０部の拡大断面図である。
【図１１】本発明に係る積層モジュールの用いられる移動体通信機器に含まれるＲＦ部の一例を示すブロック図である。
【図１２】図１１に図示された送信部ＤＣＳ／Ｔｘに含まれるパワーアンプ部ＰＡ１の回路図の一例を示している。
【図１３】図１１に図示された送信部ＧＳＭ／Ｔｘに含まれるパワーアンプ部ＰＡ２の一例を示す回路図である。
【図１４】図１２及び図１３に示したパワーアンプ部ＰＡ１、ＰＡ２を積層モジュール化したＰＡ積層モジュールの分解斜視図である。
【図１５】図１４に示したＰＡ積層モジュールの完成状態における斜視図である。
【図１６】図１４に示したＰＡ積層モジュールの内部の接続構造を概略的に示す断面図である。
【図１７】ＶＣＯ（電圧制御発振器）の回路構成の一例を示す電気回路図である。
【図１８】図１７に示したようなＶＣＯ回路をモジュール化したＶＣＯ積層モジュールの分解斜視図である。
【図１９】図１８に示したＶＣＯ積層モジュールの内部構造を概略的に示す拡大断面図である。
【図２０】本発明に係るＦＥ積層モジュールの回路構成の一例を示している。
【図２１】図２０に示したようなフロントエンド回路をモジュール化したＦＥ積層モジュールの完成状態を示す斜視図である。
【図２２】図２１に示したＦＥ積層モジュールの分解斜視図である。
【図２３】図２２に示したＦＥ積層モジュールの内部構造を概略的に示す拡大断面図である。
【符号の説明】
２１                  無機機能材料層
２２                  有機樹脂材料層
【図１】
0004097067.tif 000002
【図２】
0004097067.tif 000003
【図３】
0004097067.tif 000004
【図４】
0004097067.tif 000005
【図５】
0004097067.tif 000006
【図６】
0004097067.tif 000007
【図７】
0004097067.tif 000008
【図８】
0004097067.tif 000009
【図９】
0004097067.tif 000010
【図１０】
0004097067.tif 000011
【図１１】
0004097067.tif 000012
【図１２】
0004097067.tif 000013
【図１３】
0004097067.tif 000014
【図１４】
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【図１５】
0004097067.tif 000016
【図１６】
0004097067.tif 000017
【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
0004097067.tif 000020
【図２０】
0004097067.tif 000021
【図２１】
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【図２２】
0004097067.tif 000023
【図２３】
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