(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属酸化物半導体電極と、その表面に吸着した色素と、酸化還元対を有する電解質および対向電極を有するセルを備えた太陽電池において、少なくとも光入射面に紫外線を吸収する部材を設け、この紫外線を吸収する部材が透明絶縁性基板上に形成された半導体のｐｎ接合部を有するものであり、この半導体と、前記セルとが導通されていることを特徴とする太陽電池。
【請求項２】
請求項１記載の太陽電池において、前記ｐｎ接合を形成するｐ型およびｎ型半導体の少なくとも一方のバンドギャップエネルギーは色素の励起状態と基底状態のエネルギー差よりも大きく、かつ、金属酸化物半導体のバンドギャップエネルギーより小さいことを特徴とする太陽電池。
【請求項３】
請求項１または２記載の太陽電池において、前記紫外線を吸収する部材が金属酸化物半導体電極または対向電極を担持する基体を兼ねていることを特徴とする太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、金属酸化物半導体電極、その表面に吸着した色素、酸化還元対を有する電解質および対向電極からなる太陽電池に関し、特に太陽光に長時間暴露しても劣化の生じない信頼性の高い太陽電池に関する。
【０００２】
【従来の技術】
太陽電池にはいくつかの種類があるが、実用化されているものはシリコン半導体の接合を利用したダイオード型のものがほとんどである。これらの太陽電池は現状では製造コストが高く、このことが普及を妨げる要因となっている。古くから低コスト化の可能性から色素増感型湿式太陽電池が研究されているが、最近、Ｇｒａｅｔｚｅｌらがシリコン太陽電池に匹敵する性能を有するものを発表した（Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１１５（１９９３）６３８２）ことから、実用化への期待が高まっている。
【０００３】
色素増感型湿式太陽電池の基本構造は、金属酸化物半導体電極とその表面に吸着した色素と酸化還元対を有する電解質と対向電極とからなる。Ｇｒａｅｔｚｅｌらは酸化チタン（ＴｉＯ2）等の金属酸化物半導体電極を多孔質化して表面積を大きくしたことおよび色素としてルテニウム錯体を単分子吸着させたことにより光電変換効率を著しく向上させた。その後、さらに特性を向上させるべく、いくつかの提案がなされている。例えば、特開平９−２３７６４１号公報では金属酸化物半導体として酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）を用いることにより、開放電圧が大きくなるとしている。また、特開平８−８１２２２号公報ではＴｉＯ2電極膜の表面をエッチング処理することにより、格子欠陥や不純物が除去され、変換効率が向上するとされている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような色素増感型湿式太陽電池に内在する根本的な問題は、太陽光等に含まれる紫外線により特性が大きく劣化することである。本発明はこのような問題点を解決し、特性劣化の少ない信頼性の高い太陽電池を提供すること、また、本発明は低コストで、かつ、特性劣化の少ない太陽電池を提供すること、さらに本発明は初期の光電変換効率が高く、かつ特性劣化の少ない太陽電池を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、第一に、金属酸化物半導体電極、その表面に吸着した色素、酸化還元対を有する電解質および対向電極からなる太陽電池において、少なくとも光入射面に紫外線を吸収する部材を設けることを特徴とする太陽電池が提供される。
【０００６】
第二に、上記第一に記載した太陽電池において、上記紫外線を吸収する部材が少なくとも金属酸化物半導体のバンドギャップエネルギーに相当する波長以下の光を吸収することができるものであることを特徴とする太陽電池が提供される。
【０００７】
第三に、上記第一または第二に記載した太陽電池において、上記紫外線を吸収する部材が透明絶縁体中に紫外線を吸収する無機または有機物質を含有するものであることを特徴とする太陽電池が提供される。
【０００８】
第四に、上記第三に記載した太陽電池において、上記透明絶縁体中に紫外線を吸収する無機または有機物質を含有するものの吸収端エネルギーが、色素の励起状態と基底状態のエネルギー差よりも大きく、かつ、金属酸化物半導体のバンドギャップエネルギーより小さいことを特徴とする太陽電池が提供される。
【０００９】
第五に上記第一または第二に記載した太陽電池において、上記紫外線を吸収する部材が透明絶縁性基板上に形成された半導体のｐｎ接合部を有するものであることを特徴とする太陽電池が提供される。
【００１０】
第六に、上記第五に記載した太陽電池において、上記ｐｎ接合を形成するｐ型およびｎ型半導体の少なくとも一方のバンドギャップエネルギーが、色素の励起状態と基底状態のエネルギー差よりも大きく、かつ、金属酸化物半導体のバンドギャップエネルギーより小さいことを特徴とする太陽電池が提供される。
【００１１】
第七に、上記第一〜第六に記載したいずれかの太陽電池において、上記紫外線を吸収する部材が金属酸化物半導体電極または対向電極を担持する基体を兼ねていることを特徴とする太陽電池が提供される。
【００１２】
以下に本発明を詳細に説明する。
上述のように本発明は金属酸化物半導体電極、その表面に吸着した色素、酸化還元対を有する電解質および対向電極からなる太陽電池において、該太陽電池の少なくとも光入射面に紫外線を吸収する部材を設けることを特徴とする。すなわち、このような構成によれば、太陽光等に含まれる紫外線は上記紫外線を吸収する部材によって吸収され、光電変換素子（以後セルと呼ぶ）内に到達しないため、特性劣化を引き起こす要因は除去される。また、増感色素は紫外光にはほとんど感度を持たないものが選択されるため、元々の変換効率が低下することもほとんどない。
【００１３】
また、本発明は上記太陽電池において、紫外線を吸収する部材が少なくとも金属酸化物半導体のバンドギャップエネルギーに相当する波長以下の光を吸収するものであることを特徴とする。紫外光による特性劣化のメカニズムはＴｉＯ2等の金属酸化物半導体が紫外光を吸収して励起されることにより、
（１）光触媒となり色素を分解する。
（２）正孔を生成するために注入電子が再結合してしまう。
等であると考えられる。このような作用は金属酸化物半導体のバンドギャップエネルギー（例えばＴｉＯ2の場合３．２ｅＶ）より大きいエネルギーの光、言い換えれば波長の短い（例えばＴｉＯ2の場合３８０ｎｍ以下）光によってのみ生じるため、そのような波長の光が紫外線を吸収する部材で吸収され、セル内に到達しなければ特性劣化は防止できる。
【００１４】
また、本発明は上記太陽電池において、紫外線を吸収する部材が透明絶縁体中に紫外線を吸収する無機または有機物質を含有するものであることを特徴とする。上記のようなものとして例えば、ＣｅＯ2等を含む鉛ガラスやヒドロキシベンゾフェノン系等の紫外線吸収剤を含有する樹脂等が使用でき、これらは簡便に作製することができるため、それほどコストが増加しない。
【００１５】
また、本発明は、上記太陽電池において、透明絶縁体中に紫外線を吸収する無機または有機物質を含有するものの吸収端エネルギーが、色素の励起状態と基底状態のエネルギー差よりも大きく、かつ、金属酸化物半導体のバンドギャップエネルギーより小さいことを特徴とする。色素増感型太陽電池の動作は、
（１）光吸収により励起された色素中の電子が金属酸化物半導体の伝導帯に注入され、色素が酸化状態になる。
（２）酸化された色素は還元状態の電解質から電子を受け取り基底状態に戻る。
（３）酸化された電解質は対向電極から電子を受け取り還元状態の電解質に戻る。
というループで行われる。色素を励起できる光は色素の励起状態と基底状態のエネルギー差（通常１〜２ｅＶ程度）よりも大きいエネルギーを持つ必要がある。また、金属酸化物半導体を励起しないためには金属酸化物半導体のバンドギャップエネルギー（通常３〜４ｅＶ）よりも小さいエネルギーでなければならない。透明絶縁体中に紫外線を吸収する無機または有機物質を含有するものの吸収端エネルギーが前記の範囲にある時、このような光を選択的にセル内に導入することができるので、光電変換が効果的に行われる。ＣｅＯ2等を含む鉛ガラスやヒドロキシベンゾフェノン系等の紫外線吸収剤を含有する樹脂等の紫外線を吸収する部材は上記の要件を満足する。
【００１６】
また、本発明は上記太陽電池において、紫外線を吸収する部材が透明絶縁性基板上に形成された半導体のｐｎ接合部を有するものであることを特徴とする。ｐｎ接合部を有する半導体に、そのバンドギャップエネルギーより大きいエネルギーの光が入射した場合には光起電力が発生するため、紫外線を吸収する部材が上記のようなものであれば、特性劣化を防止するのみならず、起電力を増加させることができる。
【００１７】
また、本発明は、上記太陽電池おいて、ｐｎ接合を形成するｐ型およびｎ型半導体の少なくとも一方はそのバンドギャップエネルギーが色素の励起状態と基底状態のエネルギー差よりも大きく、かつ、金属酸化物半導体のバンドギャップエネルギーより小さいことを特徴とする。このようにすることでｐｎ接合を形成するｐ型およびｎ型半導体の少なくとも一方で金属酸化物半導体を励起するような光を吸収して起電力を発生し、セル内では色素が励起されて、本来の起電力が発生する。すなわち、他の特性を損なわずに起電力を増加させることができる。上記要件を満足する半導体材料として、ＣｄＳ、ＺｎＯ（ｎ型）、ＣｕＡｌＯ２、ＣｕＧａＯ２等のデラフォサイト系酸化物（ｐ型）等が挙げられる。
【００１８】
また、本発明は、上記太陽電池において、紫外線を吸収する部材が金属酸化物半導体電極または対向電極を担持する基体を兼ねていることを特徴とする。このような構造にすることにより、基体材料および工程を削減することができるためコストが低減できる。また、それによって上述してきた本発明の太陽電池の機能を損なうことは全くない。
【００１９】
さらにまた、本発明は、上記太陽電池において、金属酸化物半導体電極が多数の空隙を有する微粒子の集合体であり、色素が該微粒子の周面に吸着されていることを特徴とする。金属酸化物半導体電極を多数の空隙を有する微粒子の集合体とすることにより、表面積が大きくなるため色素の吸着サイトが増加し、それにより、色素からの電子の注入量が増加し、光電変換効率が格段に向上する。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態について説明する。
まず実施の第一の形態を図１に基づいて説明する。図において符号１は紫外線を吸収する部材で、透明絶縁体中に紫外線を吸収する無機または有機物質を含有するもので、具体的にはＣｅＯ2等を含む鉛ガラスやヒドロキシベンゾフェノン系等の紫外線吸収剤を含有する樹脂等である。２はガラス、プラスチック等の基板、３はＩＴＯ、ＳｎＯ2：Ｆ、ＺｎＯ：Ａｌ等からなる透明導電膜、４はＴｉＯ2、ＳｒＴｉＯ2、ＳｎＯ2、ＺｎＯ、ＷＯ3、Ｎｂ2Ｏ5等からなる金属酸化物半導体電極、５はルテニウムビピリジル、亜鉛ポリフィリン、銅フタロシアニン、クロロフィル、ローズベンガル、エオシン等の色素、６はＩ-／Ｉ3-、Ｂｒ-／Ｂｒ3-等の酸化還元対を有する電解質、７はＰｔ等からなる対向電極である。この太陽電池は上記２〜７よりなるセルに紫外線を吸収する部材１を貼り合わせることによって形成される。光は図の上方から入射する。
【００２１】
次に、上記太陽電池の製造方法の一例を説明する。
まず、ガラス基板２の上にスパッタリング法、ＣＶＤ法、ゾルゲル法等により例えばＳｎＯ2：Ｆ膜３を形成したものを２枚用意する。ＳｎＯ2：Ｆ膜は集電体として機能するためシート抵抗が５０Ω／□以下、好ましくは１０Ω／□以下とするのが望ましい。これらの内の一方にはＳｎＯ2：Ｆ膜上に例えばＴｉＯ2電極４を形成したのち、増感色素、例えばルテニウムビピリジル５を吸着させる。
【００２２】
ＴｉＯ2電極の形成方法としては、▲１▼有機チタン化合物を基体に噴霧または塗布して熱分解する方法、▲２▼ハロゲン化チタンや蒸気圧の高い有機チタン化合物を蒸発させて、基体上に堆積させる方法、▲３▼酸化チタンゾルを基体上でゲル化する方法、▲４▼チタン化合物を加水分解して得られる酸化チタン粒子を水熱処理等により成長させた後、基体に噴霧または塗布し、焼成する方法等がある。これらの中では▲４▼の方法が、ＴｉＯ2電極の構造を多数の空隙を有する微粒子の集合体にできる点および基体（ＳｎＯ2：Ｆ膜）に強固に付着させることができる点から望ましい方法である。ＴｉＯ2電極の膜厚は１〜５０μｍ程度が好ましい。
【００２３】
ＴｉＯ2電極に色素を吸着させるにはＴｉＯ2電極を、水、アルコール、トルエン等の溶媒に該色素を溶かした溶液中に浸漬すればよい。色素の分子中にカルボキシル基、ヒドロキシル基、スルホン基等の官能基を有すると、ＴｉＯ2表面に該色素が化学的に固定されるため好ましい。代表的なものとして［ルテニウム（４，４′−ジカルボキシ−２，２′−ビピリジン）2（イソチオシアナト）2］で表されるルテニウム錯体がある。
【００２４】
前記のもう一方のＳｎＯ2：Ｆ膜上にはスパッタリング法、蒸着法、塗布法等により例えばＰｔ（微粒子）膜７を形成する。その膜厚は１〜５０ｎｍ程度が好ましい。
【００２５】
上記のように形成された一対の基板をスペーサーを介して重ね合わせた後、例えばＩ-／Ｉ3-酸化還元対を有する電解質溶液６を注入し、シール剤で封止する。電解質溶液としてはエチレンカーボネートとアセトニトリルの混合溶媒にヨウ素とテトラプロピルアンモニウムアイオダイドを加えたもの等が好適に使用できる。このようにして形成されたセルに紫外線を吸収する部材１として、例えばＣｅＯ2等を含む鉛ガラス（市販のＬ−４０、Ｌ−４２等のシャープカットフィルターを用いてもよい）を貼り合わせれば完成する。
【００２６】
次に、本発明の実施の第二の形態を図２に基づいて説明する。これは、前記実施の第一の形態における一方の基板を紫外線を吸収する部材が兼ねるもので、基板材および貼り合わせの工程が削減できる。材料および作製方法は第一の形態と同様である。
【００２７】
次に、本発明の実施の第三の形態を図３に基づいて説明する。符号１は紫外線を吸収する部材で、透明絶縁性基板上に形成された半導体のｐｎ接合部を有するものである。具体的にはガラス、プラスチック等の基板１１、ＩＴＯ、ＳｎＯ2、ＺｎＯ：Ａｌ等の透明導電膜からなる下部電極１２、ＣｕＡｌＯ2、ＣｕＧａＯ2等のｐ型半導体またはＣｄＳ等のｎ型半導体からなる光吸収層１３、ＺｎＯ、ＣｄＳ等のｎ型半導体またはＣｄＳ：Ｃｕ等のｐ型半導体からなる接合層１４およびＩＴＯ、ＳｎＯ2：Ｆ、ＺｎＯ：Ａｌ等の透明導電膜からなる上部電極１５を順次堆積して形成される。これらの各層はいずれもスパッタリング法、蒸着法、レーザーアブレーション法、ＣＶＤ法、ゾルゲル法、溶液成長法等の薄膜作製法を用いて作製することができる。膜厚は下部電極１２が０．１〜２μｍ、光吸収層１３が０．５〜５μｍ、接合層１４が１０〜２００ｎｍ、上部電極１５が０．１〜２μｍ程度が好ましい。
【００２８】
セルを構成する２〜７の材料および作製方法は第一の形態と同様である。このセルに上記の透明絶縁性基板上に形成された半導体のｐｎ接合部を有する紫外線を吸収する部材１を貼り合わせ、導電体１６により接続すれば完成する。この太陽電池においては紫外線を吸収する部材１は紫外線を吸収すると同時に起電力を発生するため、光電変換効率が向上する。
【００２９】
次に、本発明の実施の第四の形態を図４に基づいて説明する。これは、前記実施の第三の形態における一方の基板を紫外線を吸収する部材が兼ねるもので、基板材および貼り合わせ・接続の工程が削減できる。材料および作製方法は第三の形態と同様である。
【００３０】
【実施例】
以下実施例によりさらに具体的に説明する。
実施例１
図２に示す太陽電池を以下のように作製した。
紫外線を吸収する部材（兼基板）１として、Ｌ−４２ シャープカットフィルターを用いた。この上にゾルゲル法によりＳｎＯ2：Ｆ膜３をシート抵抗が１０Ω／□となるように形成した。次に、硫酸チタン水溶液を加水分解し、硝酸でｐＨ調整後１８０℃で１３時間水熱処理することにより得られた酸化チタンゾルにポリエチレングリコールを添加し、塗布乾燥後空気中で４５０℃で３０分間焼成してＴｉＯ2電極４を形成した。ＴｉＯ2電極はＳＥＭ観察により一次粒子（粒径約１５ｎｍ）が二次凝集することなく互いに結合し、多数の空隙を有する厚さ約１０μｍの多孔質膜となっていることがわかった。なお、上記Ｌ−４２は４００ｎｍ以下の光を吸収、すなわちバンドギャップエネルギーは３．１ｅＶ以上、吸収端エネルギーは３．０ｅＶである。
【００３１】
次に、これを［ルテニウム（４，４′−ジカルボキシ−２，２′−ビピリジン）2（イソチオシアナト）3］で表されるルテニウム錯体のエタノール溶液中に浸潰し、１０分間還流してＴｉＯ2電極表面にルテニウム錯体５を吸着させた。一方で、ガラス基板２上に上記と同様にＳｎＯ2：Ｆ膜３を形成した後、真空蒸着法によりＰｔ膜７を膜厚２０ｎｍに堆積した。
【００３２】
これらの両基板をビーズまたはロッド状の絶縁性スペーサーを介して、約１０μｍの間隙を保って重ね合わせ、エチレンカーボネートとアセトニトリルの混合溶媒にヨウ素とテトラプロピルアンモニウムアイオダイドを加えた酸化還元電解質溶液６を注入した後、エポキシ系接着剤でシールした。
【００３３】
この太陽電池の光電変換効率は７．６％（ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ2）であり、疑似太陽光（ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ2）の連続照射６０００時間後の劣化率は２１％であった。
【００３４】
実施例２
図３に示す太陽電池を以下のように作製した。
ガラス基板１１の上にスパッタリング法で、膜厚２μｍのＺｎＯ：Ａｌ薄膜を形成し、下部電極１２とした。次に、ＣｕＧａＯ2焼結体をターゲットとしてレーザーアブレーション法により、基板温度５５０℃にて膜厚１μｍのｐ型ＣｕＧａＯ2薄膜を形成し、光吸収層１３とした。さらにその上にスパッタリング法で、膜厚１００ｎｍのｎ型ＺｎＯ薄膜を形成し、接合層１４とした。最後にスパッタリング法で、膜厚５００ｎｍのＩＴＯ薄膜を上部電極１５として形成することによって、紫外線を吸収する部材１を作製した。なお、上記ｐ型ＣｕＧａＯ2薄膜のバンドギャップは３．０ｅＶである。
【００３５】
一方で、２枚のガラス基板２を用いて、実施例１と同様なセルを作製し、これに上記の紫外線を吸収する部材１を貼り合わせ、導電体（銅線）１６で導通をとることにより太陽電池を完成させた。
【００３６】
この太陽電池の光電変換効率は１０．１％（ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ2）であり、疑似太陽光（ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ2）の連続照射６０００時間後の劣化率は２２％であった。
【００３７】
実施例３
図４に示す太陽電池を以下のように作製した。
ガラス基板１１の上にゾルゲル法で、膜厚１μｍのＳｎＯ2：Ｆ薄膜を形成し、上部電極１５とした。次に、ＣｕとＣｄＳの二元蒸着法で、膜厚１００ｎｍのＣｄＳ：Ｃｕ薄膜を形成した後、３５０℃１５分間の熱処理を行うことによりｐ型接合層１４とした。さらにその上に真空蒸着法で、膜厚１μｍのｎ型ＣｄＳ薄膜を光吸収層１３として形成することによって、紫外線を吸収する部材１を作製した。なお、上記ｎ型ＣｄＳ薄膜のバンドギャップは２．４ｅＶである。
【００３８】
この上にゾルゲル法によりＳｎＯ2：Ｆ膜３（上記紫外線を吸収する部材の下部電極を兼ねる）をシート抵抗が１０Ω／□となるように形成した。以降のセル作製は実施例１と同様にして行った。
【００３９】
この太陽電池の光電変換効率は９．０％（ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ2）であり、疑似太陽光（ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ2）の連続照射６０００時間後の劣化率は１９％であった。
【００４０】
比較例
紫外線を吸収する部材（Ｌ−４２シャープカットフィルター）の代わりにガラス基板を用いたこと以外は実施例１と同様にして太陽電池を作製した。
この太陽電池の光電変換効率は６．９％（ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ２）であり、疑似太陽光（ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ２）の連続照射６０００時間後の劣化率は４５％であった。
【００４１】
【発明の効果】
以上のように、請求項１の太陽電池は金属酸化物半導体電極、その表面に吸着した色素、酸化還元対を有する電解質および対向電極からなる太陽電池において、少なくとも光入射面に紫外線を吸収する部材を設けるものであり、これによれば太陽光等に含まれる紫外線は上記部材によって吸収され光電変換素子内に到達しないため特性劣化を低減することができ、信頼性を向上させることができる。
【００４２】
さらに、請求項２の太陽電池は、上記紫外線を吸収する部材が金属酸化物半導体のバンドギャップエネルギーに相当する波長以下の光を吸収するものとするものである。これによれば該部材によって金属酸化物半導体のバンドギャップエネルギー（例えばＴｉＯ2は３．２ｅＶ）より大きいエネルギーの光、言い換えれば波長の短い（ＴｉＯ2の場合は３８０ｎｍ以下）光が吸収され、金属酸化物半導体の励起による色素分解等の劣化を防止することができる。
【００４３】
また、請求項３の太陽電池は、上記紫外線を吸収する部材が透明絶縁体中に紫外線を吸収する物質を含有するものであり、これによれば該部材を簡便な方法で作製することができるため、コストを増加させずに、特性劣化の低減を図ることができる。
【００４４】
さらに請求項４の太陽電池は、上記透明絶縁体中に紫外線を吸収する無機または有機物質を含有するものの吸収端エネルギーが、色素の励起状態と基底状態のエネルギー差よりも大きく、かつ、金属酸化物半導体のバンドギャップエネルギーより小さいとするものである。上述のごとく色素を励起できる光は色素の励起状態と基底状態のエネルギー差（通常１〜２ｅＶ程度）よりも大きいエネルギーを持つ必要がある。また、金属酸化物半導体を励起しないためには金属酸化物半導体のバンドギャップエネルギー（通常３〜４ｅＶ）よりも小さいエネルギーでなければならない。該紫外線を吸収する無機または有機物質の吸収端エネルギーが前記範囲にあるとき、このような光を選択的にセル内に導入することができるため光電変換効果を効果的に行うことができる。
【００４５】
また、請求項５の太陽電池は、上記紫外線を吸収する部材が透明絶縁性基板上に形成された半導体のｐｎ接合部を有するものとするものである。ｐｎ接合部を有する半導体にそのバンドギャップエネルギーより大きいエネルギーの光が入射した場合には起電力を発生するため、紫外線を吸収する部材をこのように構成すれば、特性劣化を低減できると同時に初期の光電変換効率を向上させることができる。
【００４６】
さらに請求項６の太陽電池は、上記ｐｎ接合を形成するｐ型およびｎ型半導体の少なくとも一方を、そのバンドギャップエネルギーが色素の励起状態と基底状態のエネルギー差よりも大きく、かつ、金属酸化物半導体のバンドギャップエネルギーより小さいとするものである。これによればｐｎ接合を形成するｐ型およびｎ型半導体の少なくとも一方で、金属酸化物半導体を励起するような光を吸収して起電力を発生し、セル内では色素が励起されて、本来の起電力が発生する。すなわち、他の特性を損なわずに起電力を増加させることができる。
【００４７】
また、請求項７の太陽電池は、上記紫外線を吸収する部材が金属酸化物半導体電極または対向電極を担持する基体を兼ねているものである。これによれば基体材料および工程を削減することができるため製造コストを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による太陽電池の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明による太陽電池の他の例を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明による太陽電池の他の例を模式的に示す断面図である。
【図４】本発明による太陽電池の他の例を榛式的に示す断面図である。
【符号の説明】
１  紫外線を吸収する部材
２  基板
３  透明導電膜
４  金属酸化物半導体電極
５  色素
６  酸化還元対を有する電解質
７  対向電極
11  基板
12  下部電極
13  光吸収層
14  接合層
15  上部電極
16  導電体
【図１】
0004097786.tif 000002
【図２】
0004097786.tif 000003
【図３】
0004097786.tif 000004
【図４】
0004097786.tif 000005