(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、この配線基板上に実装された電子部品と、前記配線基板上において前記電子部品と熱的に結合された絶縁性の熱伝導体を混入した樹脂板からなる放熱板とを備え、前記電子部品はその表面に放熱フィンを有し、この放熱フィンと対向する前記樹脂板上に所定間隔で配置した複数の半田ランドに、前記放熱フィンを半田付けした電子機器。
【請求項２】
配線基板上に所定の隙間を設けて樹脂板を配置した請求項１に記載の電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板上に、発明を伴う電子部品を実装した電子機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のこの種、電子機器の構造は次の様になっていた。すなわち、配線基板と、この配線基板上に実装された電子部品を有している。この電子部品の中で、発熱を伴うものには金属板を熱的に結合することにより、その電子部品からの放熱をさせる様にしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上記、従来例において問題となるのは、その放熱特性が低いという事であった。すなわち、上述した如く、従来例においては、発熱を伴う電子部品に金属板を熱的に結合するものであるが、この場合、電子部品と金属板間の絶縁を図る為には、この両者間に絶縁板を介在させるようにしていた。しかし、この絶縁板が、放熱特性を低くしてしまうということに繋がるものであった。そこで、本発明は、発熱を伴う電子部品の放熱効果を高める事を目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
そして、この目的を達成するために本発明は、配線基板と、この配線基板上に実装された電子部品と、前記配線基板上において前記電子部品と熱的に結合された絶縁性の熱伝導体を混入した樹脂板からなる放熱板とを備え、前記電子部品はその表面に放熱フィンを有し、この放熱フィンと対向する前記樹脂板上に所定間隔で配置した複数の半田ランドに、前記放熱フィンを半田付けしたものである。
【０００５】
すなわち、発熱を伴う電子部品に、熱伝導体を混入した樹脂の放熱板を用いる事により、放熱板と電子部品間に、従来のような絶縁板を介在させることが不必要となり、その結果として放熱効果を高めることができるようになるものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】
以下本発明の一実施形態を添付図面に従って説明する。
【０００７】
（実施の形態１）
図１において、１は配線基板の一例として用いたプリント基板であって、そのプリント基板１の上面には、電解コンデンサー２、トランス３、配線モジュール４、ＦＥＴ５，６，７、ダイオード８等の電子部品が実装されている。
【０００８】
上記の如く、プリント基板１上には複数の電子部品が実装されているのであるが、そのうちでも特に、ＦＥＴ５，６，７及びダイオード８は通電により大きな発熱を伴うものとなっている。
【０００９】
従って、これらの電子部品は放熱板の一例として用いたセラミック板９に熱伝導性接着剤の一例として用いた半田により接着している。
【００１０】
この点を図２を用いて更に詳細に説明していく。
【００１１】
図２に示す如く、セラミック板９には所定間隔を置いて半田ランド１０を設けている。一方、上述したそれぞれの電子部品、たとえばＦＥＴ５は図２に示す如く、外周をモールド樹脂１１で覆っているが、その裏面側には放熱フィン１２が表出した状態となっている。尚、この放熱フィン１２と半田ランド１０は図２に示す如く同じ形状としている。
【００１２】
つまり、上方が広く、下方が狭くなったほぼＴ字型をした状態となっている。そして、これらの放熱フィン１２と半田ランド１０を、半田によって接着するものであるが、この様に両者をほぼＴ字型にする事によって、セルフアライメント効果により、ずれが少なくなる。
【００１３】
また、セラミック板９に所定間隔を置いて複数の半田ランド１０を設け、各半田ランド１０に図１の如く電子部品の放熱フィン１２を半田付けすれば、半田により、容易にこのセラミック板９にそれらの電子部品を熱的に結合する事が出来るようになる。
【００１４】
この様にセラミック板９に各種電子部品を半田付けした状態を示したものが図３であるが、この図３に示す如く、セラミック板９の下端とプリント基板１の上面との間には、隙間１３が形成された状態となっている。
【００１５】
すなわち、セラミック板９はこれらの電子部品で背負った状態となっており、その下方には隙間１３が形成された状態となっている。この様にすれば、この隙間１３を介して空気の流動が起き、その通気性を高くして放熱効果を高くする事が出来る。
【００１６】
図４は本発明の他の実施形態を示し、この実施形態ではセラミック板９に代え、放熱板として、セラミックフィラ等の熱伝導体を混入した樹脂板１４を設け、この樹脂板１４には所定間隔を置いて複数の半田ランド１５を設け、各半田ランド１５に図２に示す電子部品の放熱フィン１２を半田付けするものである。
【００１７】
なおこの樹脂板１４はセラミック板９よりも成形性が良いので、この図４の如く端部を９０度曲げそこに他の電子部品を実装するための半田ランド１６を設けている。
【００１８】
またこの図４の１７は通気孔でこの通気孔１７を通る空気の流れで放熱効果を高めることができる。
【００１９】
また熱伝導体を混入した樹脂板１４は加工性が良いので、図５に示すように、この樹脂板１４に電子部品を保持する保持部１８を一体形成したり、図６に示すように放熱フィン１９を一体形成したり、図７のごとく、電子部品ねじ２０をねじ止めする孔２１を設けたり、図８のごとく電子部品を覆うカバー２２を一体形成したりしても良い。
【００２０】
【発明の効果】
以上のように本発明は、配線基板と、この配線基板上に実装された電子部品と、前記配線基板上において前記電子部品と熱的に結合された絶縁性の熱伝導体を混入した樹脂板からなる放熱板とを備え、前記電子部品はその表面に放熱フィンを有し、この放熱フィンと対向する前記樹脂板上に所定間隔で配置した複数の半田ランドに、前記放熱フィンを半田付けしたものであるので、電子部品と放熱板間には、従来の絶縁板を介在させる事が不要となり、よって、この放熱板を介した放熱特性をきわめて高くする事が出来るものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の一実施形態の斜視図
【図２】  同セラミック板とＦＥＴの状態を示す分解斜視図
【図３】  同セラミック板とプリント基板を示す正面図
【図４】  本発明の他の実施形態の斜視図
【図５】  本発明のさらに他の実施形態の斜視図
【図６】  本発明のさらに他の実施形態の側面図
【図７】  本発明のさらに他の実施形態の斜視図
【図８】  本発明のさらに他の実施形態の斜視図
【符号の説明】
１  プリント基板
２  電解コンデンサー
３  トランス
４  配線モジュール
５  ＦＥＴ
６  ＦＥＴ
７  ＦＥＴ
８  ダイオード
９  セラミック板
１０  半田ランド
１１  モールド樹脂
１２  放熱フィン
１３  隙間
１４  樹脂板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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