(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれの中心を通る中心線に対して対称に配置され、該中心線に対して対称な位置にそれぞれ第１および第２の温接点を有し、赤外線を熱に変換する第１および第２の受光部と、
熱電対を構成するｐ型およびｎ型のポリシリコン抵抗配線を備え、前記中心線に対して対称な形状を有し、前記中心線に対して対称な位置でそれぞれ前記第１および第２の受光部を支持する接続部と、
前記接続部を支持する基板と、
前記ｐ型およびｎ型のポリシリコン抵抗配線により、前記第１および第２の温接点と前記基板に設けられた冷接点との温度差を検出する温度検出素子と、
から少なくとも構成され、前記第１の受光部と前記第２の受光部とは、互いに熱的に絶縁され、前記第１および第２の温接点は電気的に短絡されていることを特徴とする赤外線検出素子。
【請求項２】
前記接続部は、
前記中心線が前記基板上を通る点で前記基板に支持された一方の端部を有し、実質的に前記中心線上に配置された第１の部分と、
該第１の部分の他方の端部から前記中心線に対し所定の分岐角で左方向に分岐し前記第１の受光部を支持する第２の部分と、
前記他方の端部から前記中心線に対し前記所定の分岐角で右方向に分岐し前記第２の受光部を支持する第３の部分からなることを特徴とする請求項１記載の赤外線検出素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、赤外線検出素子に係わり、特に赤外線を熱に変換し、その熱による温度変化を電気信号として検出する赤外線検出素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体マイクロマシーンニング技術を用いた赤外線検出素子の開発が進められている。熱型赤外線検出素子も、その例外ではない。図９は、従来の赤外線検出素子の平面構成図である。図９に示すように従来の赤外線検出素子１は、方形状の受光部２と、受光部２を支持する接続部３と、接続部３を支持する基板５と、受光部２と基板５との温度差を検出する温度検出素子４とから構成される。受光部２は基板５に対し、接続部３を介してのみ接触し、その他の熱的な接触は断たれている。
【０００３】
接続部３の一方の端部は、受光部２の一辺２３の右端付近で基板５と連結されている。そして、接続部３は辺２３に沿うように延ばされ、辺２３の左端で９０度だけ方向を変えて、さらに受光部２の別の辺２４に沿うように延ばされている。そして、接続部３の他方の端部は辺２４の上端付近で受光部２と連結されている。したがって、接続部３はＬ字型の形状を有することになる。また、図９には示さないが、受光部２はその表面全体に受光した赤外線を吸収し熱に変換するための赤外線吸収膜を有する。
【０００４】
この赤外線吸収膜は、入射する赤外線を吸収し、吸収された赤外線を熱に変換する。この変換された熱により受光部２の温度が変化する。温度検出素子４は、受光部２と基板５間の温度差を電気信号に変換し、この電気信号を基板５上に出力する。赤外線の検出感度を向上させるためには、接続部３の熱抵抗が大きいことが必要である。この赤外線検出感度の向上に関しては、特表平７−５０８０９５号公報に開示された技術等が知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
接続部３は、図９に示すように３つの曲部（５１，５２，５３）を有する。この３つの曲部において、種々の熱処理を伴う製造工程中に熱膨張係数の相違に起因したねじれモーメントが発生する。このねじれモーメントは接続部３の形状が非対称的であるため、複雑に重ね合わされて接続部３全体として大きなねじれ角を生じさせる。したがって、受光部２の主表面（以下において「受光面」という）を基板５の表面に対して平行に保持することが難しくなる。つまり、受光面に赤外線が垂直に入射するように保持することが困難になる。特に、３つの曲部を有するため、ねじれ角は３つの自由度で変化する。ねじれ角が３つの自由度で変化するために、接続部３全体としてのねじれ角の制御が困難である。受光面が傾けば、赤外線を吸収することができる面積が実際の受光部２の面積よりも小さくなってしまい、赤外線検出感度もこれに応じて変化する。このようなねじれ角のばらつきにより、従来の赤外線検出素子は赤外線検出感度のばらつきが大きく、また製造歩留まりが低いという問題点があった。
【０００６】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、したがってその目的は、受光面を赤外線の入射角度に対し垂直に保持することができる赤外線検出素子を提供することである。
【０００７】
本発明の他の目的は、受光面の角度の制御が容易で、検出感度のばらつきの少ない赤外線検出素子を提供することである。
【０００８】
本発明のさらに他の目的は、赤外線検出感度やその他の特性の均一性およびその制御性が良く、かつ製造歩留まりが高い赤外線検出素子を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
このような課題を解決するため、本発明の第１の特徴は、赤外線を熱に変換する第１および第２の受光部と、第１および第２の受光部の中心を通る中心線に対して対称な形状を有し、この中心線に対して対称な位置でそれぞれ第１および第２の受光部を支持する接続部と、接続部を支持する基板と、第１および第２の受光部と基板との温度差を検出する温度検出素子とから少なくとも構成されている赤外線検出素子であることである。
【００１０】
本発明の第１の特徴によれば、接続部が有する曲部の数を従来技術で示した場合に比べ少なくすることができ、各局部で発生するねじれモーメントの重ね合わせによる接続部のねじれ角を小さく抑えることができる。また、接続部が対称的な形状を有するため、ねじれモーメントが左右均等に接続部に加わり、接続部のねじれ角を小さく抑えることができる。
【００１１】
本発明の第２の特徴は、本発明の第１の特徴を有する赤外線検出素子であって、さらに接続部が以下に示す３つの部分から構成されていることである。つまり、
（１）第１および第２の受光部の中心を通る中心線が基板上を通る点でこの基板に支持された一方の端部を有し、実質的にこの中心線上に配置された第１の部分、
（２）第１の部分の他方の端部からこの中心線に対して所定の分岐角で左方向に分岐し第１の受光部を支持する第２の部分、
（３）第１の部分の他方の端部からこの中心線に対してこの所定の分岐角で右方向に分岐し第２の受光部を支持する第３の部分、
とから受光部が構成されていることである。
【００１２】
本発明の第２の特徴によれば、第１の部分から第２および第３の部分に分岐する部分（曲部）で発生するねじれモーメントは左右均等に接続部に加わり、接続部のねじれ角を小さく抑えることができる。
【００１３】
【発明の効果】
本発明によれば、受光面を赤外線の入射角度に対し垂直に保持することができ、もしくはその角度の変化を制御することが容易になり、検出感度のばらつきを少なくすることができる。
【００１４】
また本発明によれば、赤外線検出感度やその他の特性の均一性や制御性が高くなり、その製造歩留まりを向上させることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
（第１の実施の形態）
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は本発明の第１の実施の形態に係わる赤外線検出素子の平面構成図である。
【００１６】
図１に示すように、本発明の第１の実施の形態に係わる赤外線検出素子５４は、赤外線を熱に変換する第１および第２の受光部１６、１７と、第１および第２の受光部１６、１７の中心を通る中心線に対して対称な形状を有し、この中心線に対して対称な位置でそれぞれ第１および第２の受光部１６、１７を支持する接続部３と、接続部３を支持する基板５と、第１および第２の受光部１６、１７と基板５との温度差を検出する温度検出素子４とから少なくとも構成されている。第１の受光部１６は辺３２、３４、４４、４５を有し、第２の受光部１７は辺３６、３８、４６、４７を有する。さらに図１には示さないが、第１および第２の受光部１６、１７はそれぞれその表面に、入射する赤外線を熱に変換する赤外線吸収膜を有する（後述の図２参照）。なおここでは、第１および第２の受光部１６、１７の２つの受光部がある場合について説明をするが、本発明の赤外線検出素子はさらに第３および第４の受光部等があっても構わないことはもちろんである。
【００１７】
接続部３は第１乃至第３の部分３３、３５、３７から構成されている。第１の部分３３の一方の端部は第１の受光部１６の辺３２と第２の受光部１７の辺３６との中央部付近で基板５に連結されている。第１の部分３３は、第１の受光部１６の辺４４と第２の受光部１７の辺４６に平行に延ばされている。その後、辺４４、４６の上端部周辺の他方の端部（Ｄ部）において、同じ大きさで方向の異なる分岐角で第２の部分３５および第３の部分３７に分岐されている。接続部３の第２の部分３５は第１の部分３３の他方の端部（Ｄ部）において分岐角θ＝９０度だけ左方向に分岐し、第１の受光部１６の辺３４に沿うように延ばされている。接続部３の第３の部分３７は第１の部分３３の他方の端部（Ｄ部）において同一の分岐角θで右方向、すなわち−９０度だけ右方向に分岐し、第２の受光部１７の辺３８に沿うように延ばされている。そして、第２の部分３５は辺３４の左端で、第３の部分３７は辺３８の右端で、それぞれ第１の受光部１６および第２の受光部１７に連結されている。
【００１８】
温度検出素子４は、例えばゼーベック効果を用いたサーモパイル（熱電対列）が使用される。サーモパイルは例えばｐ型ポリシリコン抵抗配線４１とｎ型ポリシリコン抵抗配線４２とアルミ配線４３とで構成される。ただし、ゼーベック効果が顕著であれば、ｐ型ポリシリコン抵抗配線４１とｎ型ポリシリコン抵抗配線４２との組み合わせ以外の他の金属の組み合わせ等を採用可能であることはもちろんである。第１の受光部１６には第１の温接点１８が、第２の受光部１７には第２の温接点１９がそれぞれ配置されている。冷接点２０は第１および第２の受光部１６、１７の中心を通る中心線が基板５を通る点で、この基板５上に配置されている。第１および第２の受光部１６、１７、接続部３および基板５はエッチング孔６および後述するような受光部１６、１７の下部に設けられた空洞部分を用いて互いに熱的に絶縁されている。
【００１９】
図２は図１のＡ−Ａ方向での断面構成図である。図２に示すように、（１００）面の単結晶シリコンの基板５の上に窒化珪素膜（Ｓｉ3 Ｎ4 膜）７が形成されている。窒化珪素膜７の下には、（１１０）面の結晶面１２が表出した空洞部分からなる熱分離領域１３が形成されている。ただし、（１００）面以外の他の面方位の単結晶基板を用いて、空洞部分に表出する結晶面を（１１０）面以外としてもよいことはもちろんである。窒化珪素膜７の上には温度検出素子４を構成するポリシリコン抵抗配線４１，４２が配置されている。ポリシリコン抵抗配線４１、４２は窒化珪素膜７により基板５との電気的絶縁が図られている。窒化珪素膜７は例えば３００ｎｍの厚さで形成されている。ポリシリコン抵抗配線４１，４２の上には第１の層間絶縁膜８が形成されている。第１の層間絶縁膜８は例えば厚さ４μｍの酸化珪素膜（ＳｉＯ2 膜）で形成されている。第１の層間絶縁膜８の上には第２の層間絶縁膜９が形成されている。第２の層間絶縁膜９は例えば厚さ１μｍの酸化珪素膜（ＳｉＯ2 膜）で形成されている。第２の層間絶縁膜９の上には保護膜１０が形成されている。保護膜１０は例えば厚さ３００ｎｍのプラズマ窒化珪素膜（Ｓｉ3 Ｎ4 膜）で形成されている。保護膜１０の上には第１および第２の受光部１６、１７に相当する部分の領域に、それぞれ赤外線を吸収して熱に変換する第１および第２の赤外線吸収膜６１、６２が形成されている。赤外線吸収膜６１、６２は例えば厚さ数μｍの金黒（Ａｕ−Ｂｌａｃｋ）の膜で形成されている。基板５の空洞部分の上に形成されている各層（７〜１０、６１、６２）がメンブレン領域を形成している。このメンブレン領域の下部の熱分離領域１３とエッチング孔６とにより、第１の受光部１６、第２の受光部１７および接続部３（図２では第１の部分３３のみが示されているが）が分離形成され、熱的に絶縁されている。
【００２０】
次に図３に示す図１のＢ−Ｂ方向の断面構成図について説明する。熱分離領域１３を有した（１００）面の基板５の上には窒化珪素膜７が形成されている。切断面が異なるので図２とは熱分離領域１３の形状が異なって表れているが、図２に示した熱分離領域１３と連続した同一の領域であることはもちろんである。すなわち、図２においては熱分離領域１３が３角形の形状を有しているのに対して、図３および後述する図４においては台形の形状を有しているのは、熱分離領域１３の立体形状が直線Ａ−Ａ上にあるが直線Ｂ−Ｂおよび直線Ｃ−Ｃ上にはない点を頂点とする４角錐であるからである。窒化珪素膜７の上にはｐ型ポリシリコン抵抗配線４１が配置されているのは図２と同様である。ｐ型ポリシリコン抵抗配線４１の上には第１の層間絶縁膜８が形成されている。第１の層間絶縁膜８の上には図１に示した第１の温接点と第２の温接点とを互いに接続するアルミ配線４３が配置されている。第１の層間絶縁膜８にはｐ型ポリシリコン抵抗配線４１とアルミ配線４３とを電気的に接触させ、第１の温接点１８を形成するためのコンタクトホールが形成されている。このコンタクトホールは例えば１μｍ×１μｍの孔が形成されている。なお図３の断面Ｂ−Ｂ上には示さないが、ｎ型ポリシリコン抵抗配線４２とアルミ配線４３とを電気的に接触させ、第２の温接点１９を形成するためのコンタクトホールについても同様である。アルミ配線４３の上には第２の層間絶縁膜９が形成されている。第２の層間絶縁膜９の上には保護膜１０が形成されている。保護膜１０の上には、第１の受光部１６に相当する部分の領域に第１の赤外線吸収膜６１が形成されている。図２からも明らかなように、第２の受光部１７側も同様な構造であることはもちろんである。第１の受光部１６と第２の部分３５とはこの断面上では連続して形成されている。窒化珪素膜７から第１の赤外線吸収膜６１までの各層（７〜１０、６１）を貫通したエッチング孔６および熱分離領域１３により、第１の受光部１５および第２の部分３５は基板５に対して中空状態で保持されて、熱的に絶縁されている。
【００２１】
図４は図１のＣ−Ｃ方向の断面構成図である。図２および図３の場合と同様に、熱分離領域１３を有した（１００）面の基板５の上に窒化珪素膜７、ポリシリコン抵抗配線４１、４２、第１の層間絶縁膜８、アルミ配線４３、第２の層間絶縁膜９、保護膜１０が配置・形成されている。但し、直線Ｃ−Ｃ上には第１および第２の受光部１６、１７が存在しないので、保護膜１０の上には赤外線吸収膜６１、６２は形成されていない。第２の部分３５と第３の部分３７とはこの断面上では連続して形成されている。窒化珪素膜７から保護膜１０までの各層（７〜１０）を貫通したエッチング孔６および熱分離領域１３により、第２の部分３５と第３の部分３７は基板５に対して中空状態で保持され、熱的に絶縁されている。熱分離領域１３は図３の場合と同様に図２で示す熱分離領域１３の形状とは異なるが、連続した同一の領域を形成する。
【００２２】
次に、このような構成を有する赤外線検出素子５４の動作について説明する。図２に示す第１および第２の赤外線吸収膜６１、６２に入射した赤外線はこの膜に吸収され熱に変換される。この変換された熱は第１および第２の赤外線吸収膜６１、６２の下にそれぞれ配置されている第１および第２の温接点１８、１９に伝わり、第１および第２の温接点１８、１９の温度が上昇する。したがって、第１の温接点１８と冷接点２０との間および第２の温接点１９と冷接点２０との間に温度差が生じ、ゼーベック効果により冷接点２０に配置された２つの端子３９、４０の間に熱起電力が生じる。第１および第２の温接点１８、１９は、図１に示すようにアルミ配線４３で互いに電気的に接続されている。
【００２３】
サーモパイル全体の熱起電力Ｓは、個々のポリシリコン抵抗配線４１、４２の熱起電力の和になり、一般的に次の式で表される。
【００２４】
Ｓ＝ｎ・（αp ＋αn ）・Ｒth・Ｐ  ・・・（１）
ここで、ｎはサーモカップの対数、αp とαn は、それぞれｐ型ポリシリコン抵抗配線４１とｎ型ポリシリコン抵抗配線４２のゼーベック係数、Ｒthは受光部２と接続部３の合成熱抵抗、Ｐは赤外線の入射エネルギーを示す。
【００２５】
この熱起電力Ｓは冷接点２０に配置された２つの端子３９、４０の間に検出電圧として表れる。したがって、端子３９、４０の間に適当な測定器を接続することで第１および第２の受光部１６、１７に入射した赤外線を電気信号として検出することができる。
【００２６】
次に第１の実施の形態に係わる赤外線検出素子５４の製造方法について図５乃至図７を参照して説明する。図５乃至図７は図１のＢ−Ｂ方向に対応した断面図である。
【００２７】
（イ）まず、ｐ型またはｎ型の単結晶シリコンで形成された基板５の全面にＣＶＤ法を用いて窒化珪素膜７と、不純物を添加していないポリシリコン膜（アンドープポリシリコン膜）を形成する。フォトリソグラフィ法により所定のイオン注入用マスクを形成し、このマスクを介してｐ型ポリシリコン抵抗配線４１が形成される部分のアンドープポリシリコン膜にボロン（11Ｂ+ ）等のｐ型不純物イオンを選択的にイオン注入する。図５には示さないが、ｎ型ポリシリコン抵抗配線４２が形成される部分のアンドープポリシリコン膜についても同様にして、燐（31Ｐ+ ）等のｎ型不純物イオンを選択的にイオン注入する。その後、熱処理により注入された不純物イオンを活性化しｐ型ポリシリコン膜（ドープドポリシリコン膜）およびｎ型ポリシリコン膜（ドープドポリシリコン膜）を形成する。その後、フォトリソグラフィ法によりフォトレジスト等の所定のエッチング用マスクを形成し、このマスクを用いてＲＩＥ法等のエッチングにより、サーモパイル形状（図１の平面図参照）にパターンニングを行い、図５に示すようなｐ型のポリシリコン抵抗配線４１を形成する。図５には示さないが、ｎ型ポリシリコン抵抗配線４２についても同様にして形成される。なお、エッチングによるサーモパイル形状のパターンニングを先にしてからイオン注入してもよい。
【００２８】
（ロ）次に、図６に示すようにＣＶＤ法を用いて第１の層間絶縁膜８を全面に形成する。その後、フォトリソグラフィ法によりフォトレジスト等の所定のエッチング用マスクを形成し、このマスクを用いてＲＩＥ法等のエッチングにより第１の温接点１８の部分の第１の層間絶縁膜８を選択的に除去し、ｐ型ポリシリコン抵抗配線４１の上にコンタクトホールを開口する。図６には示さないが、第２の温接点１９についても同様にして、第２の温接点１９の部分の第１の層間絶縁膜８を選択的に除去し、ｎ型ポリシリコン抵抗４２の上にコンタクトホールを開口する。スパッタ法や真空蒸着法等を用いて、これらのコンタクトホールにアルミニウムを満たし、且つアルミニウム膜を全面に形成する。フォトリソグラフィ法によりフォトレジスト等の所定のエッチング用マスクを形成し、このマスクを用いてＲＩＥ法等のエッチングによりアルミニウム膜を図１に示すようなアルミ配線４３の形状にパターンニングし、アルミ配線４３を形成する。その後、ＣＶＤ法を用いて第２の層間絶縁膜９および保護膜１０を全面に形成する。さらに図６に示すように第１の受光部１６となる領域の保護膜１０の上に第１の赤外線吸収膜６１を選択的に形成する。図２に示すように、第２の受光部１７の部分についても同様にして、第２の赤外線吸収膜６２を選択的に形成する。第１および第２の赤外線吸収膜６１、６２の選択的な形成はリフトオフ法を用いればよい。あるいは、スパッタ法や真空蒸着法等を用いて赤外線吸収膜を全面に形成し、フォトリソグラフィ法により所定のエッチング用マスクを形成し、このマスクを用いてＲＩＥ法により第１および第２の赤外線吸収膜６１、６２をパターンニングしてもよい。
【００２９】
（ハ）次に、基板５の上に形成した各層（７〜１０、６１、６２）の上に、フォトリソグラフィ法によりフォトレジスト等の所定のエッチング用マスクを形成し、このマスクを用いてＲＩＥ法等のエッチングによりエッチング孔６を選択的に形成する。エッチング孔６により露出したシリコン基板５に対してＫＯＨまたはヒドラジン等のエッチング液を導入し、基板５の異方性エッチングを行う。その結果、図７に示すような（１１０）面の結晶面１２が表出した熱分離領域１３が形成される。以上の過程を経て、図１の平面図に示すような赤外線検出素子５４が完成する。
【００３０】
以上説明したように、第１の実施の形態では、接続部３の形状を第１乃至第３の部分３３、３５、３７からなるＴ字型にすることで、第１の部分３３から第２および第３の部分３５、３７に分岐する部分で生じる熱膨脹率の相違に起因したねじれモーメントが左右均等に接続部３の分岐部分に加わり、接続部３全体のねじれ角を小さく抑えることができる。
【００３１】
（第２の実施の形態）
第１の実施の形態では、分岐角θが９０度の場合について述べた。しかし、分岐角は９０度以外の角度も採用できる。本発明の第２の実施の形態では他の分岐角の場合について説明する。また、本発明の第２の実施の形態では、第１の実施の形態と比しメンブレンの平面形状が異なる。対応する断面構造は実質的には第１の実施の形態と類似な構造である。また動作及び製造方法においても第１の実施の形態と基本的には違いはない。以下に、メンブレンの平面形状について図８の平面構成図を参照して説明する。
【００３２】
図８に示すように本発明の第２の実施の形態に係わる赤外線検出素子５５は、赤外線を熱に変換する第１および第２の受光部１６、１７と、第１および第２の受光部１６、１７の中心を通る中心線に対して対称な形状を有し、この中心線に対して対称な位置でそれぞれ第１および第２の受光部１６、１７を支持する接続部３と、接続部３を支持する基板５と、第１および第２の受光部１６、１７と基板５との温度差を検出する温度検出素子４とから少なくとも構成されている。第１の受光部１６は辺３２、３４、４４、４５を有し、第２の受光部１７は辺３６、３８、４６、４７を有する。ここでは本発明の第１の実施の形態と同様に、第１および第２の受光部の２つの受光部１６、１７がある場合について説明をするが、さらに第３および第４の受光部等があっても構わないことはもちろんである。
【００３３】
接続部３は第１乃至第３の部分３３、３５、３７から構成されている。第１の部分３３の一方の端部は第１の受光部１６の辺３２と第２の受光部１７の辺３６との中央部付近で基板５に連結されている。この第１の部分３３は、第１の受光部１６の辺４４と第２の受光部１７の辺４６に平行に延ばされている。そして、辺４４、４６の中央部近傍の他方の端部（Ｅ部）において、第２の部分３５および第３の部分３７に分岐されている。分岐角θは約３０度乃至６０度程度でよい。第２の部分３５は第１の部分３３に対して約３０度乃至６０度程度左方向へ、第３の部分３７は第１の部分３３に対して同じ分岐角θで右方向へ、すなわち−３０度乃至−６０度程度とすればよい。他の分岐角θでも構わない。いずれにしても両者の分岐角θが左右対称になっていればよい。ここでは、接続部３の第２の部分３５は第１の受光部１６の辺４５の上端の方向に向きを変えて延ばされている。一方、接続部３の第３の部分３７は第２の受光部１７の辺４７の上端の方向に向きを変えて延ばされている。そして、第２の部分３５は辺３４の左端部周辺で、第３の部分３７は辺３８の右端部周辺でそれぞれ第１の受光部１６および第２の受光部１７に連結されている。
【００３４】
第２の実施の形態によれば、接続部３の平面形状が上述したようなＹ字型のものであるので、第１の実施の形態の場合と同様に、分岐部分のねじれモーメントが左右均等に接続部に加わり、接続部３全体のねじれ角を小さく抑えることができる。また、第１の実施の形態に比し、接続部３の曲部は分岐部分だけであり、接続部３が有する曲部の数が少ない。曲部の数を少なくすることで、第１の実施の形態に比し接続部３の全体としてのねじれ角やばらつきを、より小さく抑えることができる。
【００３５】
なお、第２の実施の形態において、第１の部分３３の長さが実質的に零、すなわち、Ｖ字型形状の接続部３としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係わる赤外線検出素子の平面構成図である。
【図２】図１のＡ−Ａ方向での断面構成図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ方向での断面構成図である。
【図４】図１のＣ−Ｃ方向での断面構成図である。
【図５】図１のＢ−Ｂ方向に対応した製造工程を示す断面構成図（その１）である。
【図６】図１のＢ−Ｂ方向に対応した製造工程を示す断面構成図（その２）である。
【図７】図１のＢ−Ｂ方向に対応した製造工程を示す断面構成図（その３）である。
【図８】本発明の第２の実施の形態に係わる赤外線検出素子の平面構成図である。
【図９】従来技術に係わる赤外線検出素子の平面構成図である。
【符号の説明】
１、５４、５５  赤外線検出素子
２  受光部
３  接続部
４  温度検出素子
５  基板
６  エッチング孔
７  窒化珪素膜
８  第１の酸化珪素膜
９  第２の酸化珪素膜
１０  保護膜
１１  赤外線吸収膜
１２  結晶面（（１１０）面）
１３  熱分離領域
１６  第１の受光部
１７  第２の受光部
１８  第１の温接点
１９  第２の温接点
２０  冷接点
２３、２４、３２、３４、３６、３８、４４、４５、４６、４７  辺
３３  第１の部分
３５  第２の部分
３７  第３の部分
３９、４０  端子
４１  ｐ型ポリシリコン抵抗配線
４２  ｎ型ポリシリコン抵抗配線
４３  アルミ配線
５１  第１の曲部
５２  第２の曲部
５３  第３の曲部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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