(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マニホールド化された複数の電磁弁ユニットと、該電磁弁ユニットのそれぞれに外部制御機器からの制御信号を導出する入力ユニットとを有する電磁弁制御装置において、
前記入力ユニットと前記電磁弁ユニットとの間に、前記電磁弁ユニットのすべてに対してインタロック制御を行う第１インタロックユニットと、
前記電磁弁ユニットの出力端子群側端部に、前記電磁弁ユニットのすべてに対してインタロック制御を行う第２インタロックユニットと、を備え、
前記第１インタロックユニットは、前記入力ユニットから導入された前記制御信号に対してインタロック制御を行い、前記インタロック制御された信号を前記電磁弁ユニットの入力端子群側端部に導出し、
前記第２インタロックユニットは、外部入力機器から導入された入力信号に基づいて、前記電磁弁ユニットから導入された信号に対してコモン信号側において個別にインタロック制御を行うことを特徴とする電磁弁制御装置。
【請求項２】
請求項１記載の電磁弁制御装置において、
前記インタロックユニットは、前記電磁弁ユニットの１つに２つの電磁弁ソレノイドが設けられているとき、どちらか一方の前記電磁弁ソレノイドを動作させるようにすることを特徴とする電磁弁制御装置。
【請求項３】
請求項１または２記載の電磁弁制御装置において、
前記インタロックユニットは、前記電磁弁ユニットの１つに１つの電磁弁ソレノイドが設けられているとき、隣り合う前記電磁弁ユニットの中、どちらか一方の電磁弁ユニットに設けられた前記電磁弁ソレノイドのみを動作させるようにすることを特徴とする電磁弁制御装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、安全装置あるいは安全対策等を備えた電磁弁制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、マニホールド化された電磁弁制御装置では、入出力端子とともに回路パターンが形成された回路部を含む電磁弁ユニットが複数連接される構造が知られている。
【０００３】
この種の従来技術として、実用新案登録第２５１１４０２号公報を挙げることができる。
【０００４】
図９に示されるように、この従来技術に係る電磁弁制御装置１では、例えば、電磁弁ユニット２、３および４が連接され、入力ユニット５とともにマニホールド化される。
【０００５】
この場合、入力ユニット５から入力された制御信号ｉｎｐｕｔ１〜ｉｎｐｕｔＮ（ここで、Ｎは任意の自然数を表し、Ｎ番目という意味である。）は、入力端子群６を介して電磁弁ユニット２に導入される。そして、電磁弁ユニット２では、電磁弁駆動部７に備えられた２つの電磁弁ソレノイド８に対応する制御信号ｉｎｐｕｔ１およびｉｎｐｕｔ２のみが取り込まれ、前記電磁弁ソレノイド８のそれぞれに関連する図示しない電磁弁を駆動する。なお、入力ユニット５中に示された符号ｃｏｍはコモン信号を表す。
【０００６】
次いで、制御信号ｉｎｐｕｔ３〜ｉｎｐｕｔＮは、回路部９にあるように、段階的に回路パターンを配列方向にずらして出力端子群１０に導出される。
【０００７】
続いて、電磁弁ユニット３および電磁弁ユニット４では、前述の電磁弁ユニット２の場合と同様に、電磁弁駆動部１１および電磁弁駆動部１２に備えられた電磁弁ソレノイド８のそれぞれに対応する制御信号ｉｎｐｕｔ３とｉｎｐｕｔ４およびｉｎｐｕｔ５のみが取り込まれ、前記電磁弁ソレノイド８にそれぞれ関連する図示しない電磁弁を駆動するようにしている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、ユーザの安全意識の高揚に伴い、電磁弁およびその関連製品においても安全装置あるいは安全対策等を施した電磁弁制御装置が望まれている。
【０００９】
しかしながら、前記の従来技術に係る電磁弁制御装置１では、安全装置あるいは安全対策等が備えられていなかった。
【００１０】
本発明は、前記の問題に鑑みなされたものであり、安全装置あるいは安全対策等を備えた電磁弁制御装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、マニホールド化された複数の電磁弁ユニットと、該電磁弁ユニットのそれぞれに外部制御機器からの制御信号を導出する入力ユニットとを有する電磁弁制御装置において、前記入力ユニットと前記電磁弁ユニットとの間に、前記電磁弁ユニットのすべてに対してインタロック制御を行う第１インタロックユニット（インタロックユニット４０）と、前記電磁弁ユニットの出力端子群側端部に、前記電磁弁ユニットのすべてに対してインタロック制御を行う第２インタロックユニット（インタロックユニット８０）と、を備え、前記第１インタロックユニットは、前記入力ユニットから導入された前記制御信号に対してインタロック制御を行い、前記インタロック制御された信号を前記電磁弁ユニットの入力端子群側端部に導出し、前記第２インタロックユニットは、外部入力機器から導入された入力信号に基づいて、前記電磁弁ユニットから導入された信号に対してコモン信号側において個別にインタロック制御を行うことを特徴とする。
【００１２】
この場合、前記インタロックユニットは、前記電磁弁ユニットの１つに２つの電磁弁ソレノイドが設けられているとき、どちらか一方の前記電磁弁ソレノイドを動作させるようにしている。また、前記インタロックユニットは、前記電磁弁ユニットの１つに１つの電磁弁ソレノイドが設けられているとき、隣り合う前記電磁弁ユニットの中、どちらか一方の電磁弁ユニットに設けられた前記電磁弁ソレノイドのみを動作させるようにしている。
【００１５】
本発明によれば、マニホールド化された電磁弁ユニットにおいて、入力ユニットと電磁弁ユニットの入力端子群との間および（または）電磁弁ユニットの出力端子群側端部に、前記電磁弁ユニットのすべてに対してインタロック制御を行うインタロックユニットを備えるようにしているので、前記電磁弁ユニットに対応するそれぞれの電磁弁およびその関連装置のすべてに対して安全対策を施すことが可能となる。
【００１６】
また、外部に安全対策を施すための装置または回路等を設ける必要がないので、外部配線を簡素化することができる。
【００１７】
さらに、前記インタロックユニットは、予め電磁弁の制御ロジックを備え、且つ関連する回路パターンを組み込むようにしているので、外部制御機器（例えば、シーケンサ等）でのプログラミング作業を省略することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明に係る電磁弁制御装置について好適な実施の形態を挙げ、添付の図面を参照しながら以下詳細に説明する。
【００１９】
本発明の第１の実施の形態に係る電磁弁制御装置３０のシステム構成図を図１に示す。なお、図２および図３は、図１に示す電磁弁制御装置３０の部分詳細説明図である。
【００２０】
この電磁弁制御装置３０は、入力ユニット３２と、マニホールド化された電磁弁ユニット３４、３６、３８および４０と、インタロックユニット４２とから構成される。
【００２１】
入力ユニット３２は、図２に示されるように、図示しない外部制御機器（例えば、シーケンサ、シリアル／パラレル変換ユニット等）からの制御信号ｉｎｐｕｔ１〜ｉｎｐｕｔＮ（ここで、Ｎは任意の自然数を表し、Ｎ番目という意味である。）が導入され、出力端子群４４に接続されるインタロックユニット４２へ前記制御信号ｉｎｐｕｔ１〜ｉｎｐｕｔＮを導出する機能を有する。なお、入力ユニット３２内の符号ｃｏｍはコモン信号を示し、符号＋Ｒｃｏｍおよび−ＲｃｏｍはメカニカルリレーＲｃｏｍの制御信号を示す。
【００２２】
インタロックユニット４２は、図２に示されるように、入力端子群４６と出力端子群４８と、メカニカルリレーＲ１〜ＲＮとＲｃｏｍ（これらのメカニカルリレーＲ１〜ＲＮおよびＲｃｏｍは、コイルと接点とから構成される。）とが備えられ所望の回路パターンが形成されたインタロック制御部５０とから構成される。
【００２３】
このインタロックユニット４２は、入力ユニット３２と、後述のインタロック制御されるべき任意の電磁弁ユニット（図１および図２では、電磁弁ユニット３４）との間に接続される。
【００２４】
入力端子群４６は、図２に示されるように、端子ａ１〜ａＮと、コモン信号用の端子ｃｏｍ１と、メカニカルリレーＲｃｏｍの制御信号＋Ｒｃｏｍおよび−Ｒｃｏｍ用の端子ｃｏｍ２およびｃｏｍ３とを有している。また、出力端子群４８は、端子ｂ１〜ｂＮおよび入力端子群４６に共通の端子ｃｏｍ１を有している。なお、図１〜図３では、コモン信号用の端子ｃｏｍ１が１つのみ示されているが、この端子の数は任意に設定可能である。
【００２５】
インタロック制御部５０では、メカニカルリレーＲ１〜ＲＮが設けられ、入力端子群４６の端子ａ１〜ａＮを介して導入された制御信号ｉｎｐｕｔ１〜ｉｎｐｕｔＮに対してインタロック制御を行う。そして、所望の回路に形成された回路パターンによって、出力端子群４８の端子ｂ１〜ｂＮにインタロック制御された信号を導出する機能を有する。
【００２６】
なお、メカニカルリレーＲｃｏｍは、制御信号＋Ｒｃｏｍおよび−Ｒｃｏｍに基づいてコモン信号ｃｏｍのインタロック制御を行う。このメカニカルリレーＲｃｏｍは、インタロック制御部５０の制御ロジックによって、またはインタロック制御されるべき電磁弁ユニット３４、３６、３８および４０の制御ロジックによって省略される場合がある。
【００２７】
電磁弁ユニット３４は、入力端子群５２と、出力端子群５４と、電磁弁ソレノイド５６が設けられた電磁弁駆動部５８と、所望の回路パターンが形成された回路部６０とから構成される。
【００２８】
この電磁弁ユニット３４は、入力端子群５２を介してインタロックユニット４２の出力端子群４８に接続される。
【００２９】
入力端子群５２は、図２に示されるように、端子ａ１〜ａＮおよびコモン信号用の端子ｃｏｍ１を有している。また、出力端子群５４は、端子ｂ１〜ｂＮおよび入力端子群５２に共通の端子ｃｏｍ１を有している。これらの入力端子群５２と出力端子群５４は、任意の電磁弁ユニットに共通して使用されるものである。なお、図１〜図３では、コモン信号用の端子ｃｏｍ１が１つのみ示されているが、この端子の数は任意に設定可能である。
【００３０】
電磁弁駆動部５８は、２つの電磁弁ソレノイド５６が設けられ１系統のコモン信号が配線される。そして、インタロック制御部５０においてインタロック制御された制御信号ｉｎｐｕｔ１およびｉｎｐｕｔ２に基づいて、前記電磁弁ソレノイド５６のそれぞれに関連する図示しない電磁弁を駆動する機能を有する。
【００３１】
回路部６０は、所望のパターンに形成された回路によって、入力端子群５２を介して導入された制御信号ｉｎｐｕｔ１〜ｉｎｐｕｔＮを電磁弁駆動部５８および出力端子群５４へと導出する機能を有する。
【００３２】
この際、制御信号ｉｎｐｕｔ１およびｉｎｐｕｔ２に対応する回路パターンが電磁弁駆動部５８に向けて形成される。次いで、その他の制御信号ｉｎｐｕｔ３〜ｉｎｐｕｔＮに対応する回路パターンは、前記制御信号ｉｎｐｕｔ１およびｉｎｐｕｔ２を除いて、段階的に配列方向にずらした状態で出力端子群５４の端子ｂ１〜ｂＮ−２へ向けて形成される。なお、“−２”は、出力端子群５４において配列方向にずらした端子数を意味する。
【００３３】
このようにすることによって、任意の電磁弁ユニットに設けられた電磁弁ソレノイド５６のそれぞれに対応する任意の制御信号（例えば、ｉｎｐｕｔＮ−１およびｉｎｐｕｔＮ）が段階的にずらされて導出されるので、入力端子群５２において端子ａ１およびａ２が一義的に決定づけされる。
【００３４】
なお、電磁弁ユニット３６、３８および４０は、基本的には電磁弁ユニット３４と同様に構成されるものである。ただし、電磁弁ソレノイド５６の数とコモン信号の配線経路とに基づいて若干の変更が加えられるものである。
【００３５】
すなわち、電磁弁ユニット３６では、２つの電磁弁ソレノイド５６が設けられ、２系統のコモン信号が配線された電磁弁駆動部６２が設けられる。また、電磁弁ユニット３８および４０では、１つの電磁弁ソレノイド５６が設けられ、１系統のコモン信号が配線された電磁弁駆動部６４および６６がそれぞれ設けられる。
【００３６】
従って、図１に示される電磁弁制御装置３０の場合、電磁弁ユニット３８と４０は、実質的に同一の電磁弁ユニットが使用されている。
【００３７】
本発明の第１の実施の形態に係る電磁弁制御装置３０は、基本的には以上のように構成されるものであり、次にその動作並びに作用効果について説明する。
【００３８】
先ず、図示しない外部制御機器等のプログラムあるいは動作命令に基づき各制御信号ｉｎｐｕｔ１〜ｉｎｐｕｔＮが入力ユニット３２に導入される。
【００３９】
インタロックユニット４２では、入力ユニット３２を介して導入された制御信号ｉｎｐｕｔ１〜ｉｎｐｕｔＮが、インタロック制御部５０においてインタロック制御される。そして、インタロック制御された制御信号ｉｎｐｕｔ１〜ｉｎｐｕｔＮが出力端子群４８を介して、それぞれが対応する電磁弁ユニット３４、３６、３８および４０に導出される。
【００４０】
次いで、各電磁弁ユニット３４、３６、３８および４０では、前記インタロック制御された制御信号ｉｎｐｕｔ１〜ｉｎｐｕｔＮに基づき、それぞれに対応する電磁弁駆動部５８、６２、６４および６６に設けられた電磁弁ソレノイド５６を動作させる。そして、前記電磁弁ソレノイド５６のそれぞれに関連する図示しない電磁弁が駆動される。
【００４１】
具体的には、電磁弁ユニット３４では、インタロック制御部５０に設けられたメカニカルリレーＲ１とＲ２の制御ロジックに基づいて、どちらか一方の制御信号ｉｎｐｕｔ１またはｉｎｐｕｔ２のみが導入され、電磁弁駆動部５８に設けられたどちらか一方の電磁弁ソレノイド５６を動作させるようにしている。すなわち、この電磁弁駆動部５８に設けられた２つの電磁弁ソレノイド５６はインタロック制御される関係にある。
【００４２】
なお、電磁弁ユニット３６では、前記電磁弁ユニット３４の場合と同様に、電磁弁駆動部６２に設けられた２つの電磁弁ソレノイド５６がインタロック制御される関係にある。
【００４３】
また、電磁弁ユニット３８と４０とでは、インタロック制御部５０に設けられたメカニカルリレーＲ５とＲ６の制御ロジックに基づいて、どちらか一方の制御信号ｉｎｐｕｔ５またはｉｎｐｕｔ６のみが導入され、どちらか一方の電磁弁駆動部６４または６６に設けられた電磁弁ソレノイド５６を動作させるようにしている。すなわち、この電磁弁ユニット３８と４０とはインタロック制御される関係にある。
【００４４】
なお、インタロック制御部５０中のメカニカルリレーＲｃｏｍは、入力ユニット３２を介して導入された制御信号＋Ｒｃｏｍおよび−Ｒｃｏｍに基づき、コモン信号ｃｏｍに対してインタロック制御を行う。この場合、電磁弁制御装置３０全体に対して、例えば、非常停止等の緊急時に一括したインタロック制御が必要な場合に適用される。
【００４５】
以上のようにすることによって、任意の電磁弁ユニットの１つに設けられた２つの電磁弁ソレノイド５６、あるいは１つの電磁弁ソレノイド５６が設けられた任意の２つの電磁弁ユニットが、同時に動作することを回避させることができる。
【００４６】
例えば、どちらか一方の電磁弁ソレノイド５６の動作中（前記電磁弁ユニット３４および３６の場合）、あるいはどちらか一方の電磁弁ユニットの動作中（前記電磁弁ユニット３８および４０の場合）に、ノイズ等の外乱によって他方の電磁弁ソレノイド５６、あるいは他方の電磁弁ユニットに異常信号が導入されたとしても、この異常信号による誤動作を回避させることができる。
【００４７】
また、この場合、前記電磁弁ソレノイド５６のそれぞれに関連する図示しない電磁弁が制御すべきそれぞれの流体において、前記電磁弁が同時に駆動されると前記流体が混入してしまう等の不都合が生じる場合に適用することができる。
【００４８】
さらに、コモン信号ｃｏｍをインタロック制御するようにしているので、電磁弁制御装置３０全体に対して、例えば、非常停止等の緊急時に一括してインタロック制御を施すことができる。
【００４９】
次に、本発明の第２の実施の形態に係る電磁弁制御装置７０について、図４〜図６を参照しながら説明する。なお、図５および図６は、図４に示す電磁弁制御装置７０の部分詳細説明図である。
【００５０】
なお、前述の第１の実施の形態に係る電磁弁制御装置３０と同一の構成要素には同一の参照符号を付して、以下詳細な説明は省略する。
【００５１】
この電磁弁制御装置７０は、前記電磁弁制御装置３０における電磁弁ユニット３４、３６、３８および４０がそれぞれ電磁弁ユニット７２、７４、７６および７８に置き換えられてマニホールド化され、さらにインタロックユニット８０を含み構成される。
【００５２】
この電磁弁ユニット７２、７４、７６および７８は、基本的には前述の電磁弁ユニット３４、３６、３８および４０と同様に構成されるものである。ただし、前記電磁弁ユニット７２、７４、７６および７８にそれぞれ設けられた電磁弁駆動部５８、６２、６４および６６から導出される信号（図５および図６では、Ｓｃｏｍ１〜Ｓｃｏｍ５と示す。）の配線経路に若干の変更が加えられるものである。
【００５３】
具体的には、電磁弁ユニット７２の回路部８２では、電磁弁駆動部５８から導出される信号Ｓｃｏｍ１は、出力端子群５４の端子ｂＮに向けて回路パターンが形成される。そして、この信号Ｓｃｏｍ１は、該端子ｂＮおよび電磁弁ユニット７４の入力端子群５２の端子ａＮを介して電磁弁ユニット７４に導入される。
【００５４】
次に、電磁弁ユニット７４の回路部８４では、電磁弁駆動部６２から導出される信号Ｓｃｏｍ２とＳｃｏｍ３は、それぞれ出力端子群５４の端子ｂＮとｂＮ−１に向けて形成される。そして、これらの信号Ｓｃｏｍ２とＳｃｏｍ３は、それぞれ端子ｂＮとｂＮ−１、および電磁弁ユニット７６の入力端子群５２の端子ａＮとａＮ−１を介してそれぞれ電磁弁ユニット７６に導入される。
【００５５】
この際、電磁弁ユニット７４において、導入された前記信号Ｓｃｏｍ１は、前記信号Ｓｃｏｍ２およびＳｃｏｍ３の２つの回路パターンを考慮し、配列方向にずらして形成された回路パターンによって出力端子群５４の端子ｂＮ−２に導出される。同様に、電磁弁ユニット７６においても、信号Ｓｃｏｍ４の回路パターンを考慮し、前段の電磁弁ユニット７４から導入された信号Ｓｃｏｍ１、およびＳｃｏｍ２とＳｃｏｍ３は、それぞれ配列方向にずらして形成された回路パターンによって出力端子群５４の端子ｂＮ−１〜ｂＮ−３に導出される。なお、電磁弁ユニット７８においても、信号Ｓｃｏｍ５の回路パターンに基づき、前述と同様に信号Ｓｃｏｍ１〜Ｓｃｏｍ４の回路パターンが操作される。
【００５６】
このようにすることによって、これらの信号Ｓｃｏｍ１〜Ｓｃｏｍ４は、電磁弁ユニット７４、７６および７８を介する毎にそれぞれ段階的に配列方向にずらされて、電磁弁ユニット７８の出力端子群５４の端子ｂＮ−１〜ｂＮ−４にそれぞれ導出される。なお、図６では、この“ｂＮ−４”は“ｂ８”に対応して示されている。そして、前記信号Ｓｃｏｍ１〜Ｓｃｏｍ４は、後述のインタロックユニット８０に設けられた入力端子群５２のそれぞれに対応する端子ａＮ−１〜ａＮ−４を介して該インタロックユニット８０に導入される。なお、電磁弁ユニット７８の電磁弁駆動部６６から導出される信号Ｓｃｏｍ５は、入力端子群５２の端子ａＮを介して直接的にインタロックユニット８０に導入される。
【００５７】
以上のことから、任意の電磁弁ユニットに設けられた電磁弁駆動部から導出される任意の信号（例えば、Ｓｃｏｍ１〜ＳｃｏｍＮ）が段階的にずらされて導出されるので、インタロックユニット８０に設けられた入力端子群５２における端子配列が一義的に決定づけされる。
【００５８】
インタロックユニット８０は、図６に示されるように、入力端子群５２と、外部接続端子群８８およびメカニカルリレーＲｅ１〜ＲｅＮ（これらのメカニカルリレーＲｅ１〜ＲｅＮは、コイルと接点とから構成される。）が備えられ所望の回路パターンが形成されたインタロック制御部８６とから構成される。
【００５９】
このインタロックユニット８０は、最後段の電磁弁ユニットの出力端子群５４側、すなわち、図６の場合では電磁弁ユニット７８の出力端子群５４に接続される。
【００６０】
インタロック制御部８６は、図示しない外部入力機器（例えば、エリアセンサ、シリンダあるいはアクチュエータ等の位置を検出するポジションセンサ、電磁弁が制御する流体の過圧力検出センサ等）から外部接続端子群８８を介して入力信号が導入される。そして、該入力信号に基づいて入力端子群５２の端子ａ１〜ａＮを介して導入された信号（例えば、Ｓｃｏｍ１〜ＳｃｏｍＮ）のそれぞれに対してインタロック制御を行う機能を有する。
【００６１】
ここで、インタロックユニット８０に設けられた入力端子群５２の端子ｃｏｍ１には、メカニカルリレーＲｅ１〜ＲｅＮの接点側が共通に接続され、各電磁弁ユニット７２、７４、７６および７８とインタロックユニット４２とを介して入力ユニット３２のコモン信号ｃｏｍに接続されている。
【００６２】
すなわち、このインタロック制御部８６では、入力ユニット３２から導出された制御信号ｉｎｐｕｔ１〜ｉｎｐｕｔＮが、各電磁弁ユニット７２、７４、７６および７８に設けられた電磁弁駆動部５８、６２、６４および６６を経て、該電磁弁駆動部５８、６２、６４および６６に対応する信号（例えば、Ｓｃｏｍ１〜ＳｃｏｍＮ）として導入されて、コモン信号ｃｏｍ側においてインタロック制御されるものである。
【００６３】
第２の実施の形態に係る電磁弁制御装置７０では、以上のようにすることによって、前記電磁弁制御装置３０に対し、さらに、前記外部入力機器から導入される入力信号に基づいて、コモン信号ｃｏｍ側において個別にインタロック制御を行うことが可能となる。
【００６４】
この意味から、前記インタロックユニット８０はコモン信号用インタロックユニットと呼ぶことができる。一方、前述のインタロックユニット４２は制御信号用インタロックユニットと呼ぶことができる。
【００６５】
続いて、本発明の第３の実施の形態に係る電磁弁制御装置９０について、図７を参照しながら説明する。
【００６６】
この電磁弁制御装置９０は、基本的には前記電磁弁制御装置７０においてインタロックユニット４２を省略したものである。
【００６７】
この電磁弁制御装置９０では、図５に示される入力ユニット３２において、出力端子群４４に替えて、出力端子群５４またはこの出力端子群５４と互換性のある出力端子群が設けられる。そして、この入力ユニット３２が出力端子群５４を介して電磁弁ユニット７２に接続される。
【００６８】
この場合、図示しない外部制御機器から導入され、入力ユニット３２を介して導出された制御信号ｉｎｐｕｔ１〜ｉｎｐｕｔＮが、それぞれ対応する電磁弁ユニット７２、７４、７６および７８に設けられた電磁弁駆動部５８、６２、６４および６６に導入される。従って、図５における制御信号＋Ｒｃｏｍおよび−Ｒｃｏｍは不要となる。そして、前記電磁弁制御装置７０の場合と同様に、該電磁弁駆動部５８、６２、６４および６６から導出される信号（例えば、Ｓｃｏｍ１〜ＳｃｏｍＮ）がインタロックユニット８０に導入されて、コモン信号ｃｏｍ側においてそれぞれインタロック制御される。
【００６９】
次に、インタロックユニット４２の変形例について、図８および図９を参照しながら説明する。
【００７０】
図８に示されるインタロックユニット９２は、インタロックユニット４２に対して外部接続端子群９４を設け、配線経路に若干の変更が加えられたものである。この場合、外部接続端子群９４から導入された個別の入力信号とインタロック制御部９６の制御ロジックとに基づき、それぞれの制御信号ｉｎｐｕｔ１〜ｉｎｐｕｔＮに対してインタロック制御を施す場合に適用される。
【００７１】
図９に示されるインタロックユニット９８は、インタロックユニット９２に対してインタロック制御部９６の制御ロジックに若干の変更が加えられ、インタロック制御部１００としたものである。この場合、外部接続端子群９４から導入された個別の入力信号に基づき、それぞれの制御信号ｉｎｐｕｔ１〜ｉｎｐｕｔＮに対して個別にインタロック制御を施す場合に適用される。
【００７２】
なお、前記インタロックユニット９２および９８以外にも、インタロック制御の制御ロジックおよび（または）外部から導入される入力信号等を考慮して種々変形例が適用できることは勿論である。
【００７３】
また、前記電磁弁制御装置９０において、前記インタロックユニット９２または９８をインタロックユニット８０に替えて適用してもよい。
【００７４】
さらに、本発明の実施の形態では、各インタロック制御部５０、８６、９６および１００において、メカニカルリレーＲ１〜ＲＮ、ＲｃｏｍおよびＲｅ１〜ＲｅＮを採用した場合を例示している。このインタロック制御部５０、８６、９６および１００には、例えば、半導体スイッチやソリッドステートリレーあるいは一般的なロジック回路等を採用してもよいことは勿論である。
【００７５】
以上説明したように、本実施の形態に係る電磁弁制御装置３０、７０および９０によれば、マニホールド化された電磁弁ユニット３４、３６、３８および４０または７２、７４、７６および７８のすべてに対してインタロック制御を行うようにしているので、インタロック制御の制御ロジックおよび（または）外部から導入される入力信号等に基づいて、図示しないそれぞれの電磁弁およびその関連装置のすべてに対して安全対策を施すことが可能となる。
【００７６】
【発明の効果】
本発明によれば、以下の効果が得られる。
【００７７】
すなわち、マニホールド化された電磁弁ユニットにおいて、入力ユニットと電磁弁ユニットの入力端子群との間および（または）電磁弁ユニットの出力端子群側端部に、前記電磁弁ユニットのすべてに対してインタロック制御を行うインタロックユニットを備えるようにしているので、前記電磁弁ユニットに対応するそれぞれの電磁弁およびその関連装置のすべてに対して安全対策を施すことが可能となる。
【００７８】
また、外部に安全対策を施すための装置または回路等を設ける必要がないので、外部配線を簡素化することができる。
【００７９】
さらに、前記インタロックユニットでは、予め電磁弁の制御ロジックを備え、且つ関連する回路パターンを組み込むようにしているので、外部制御機器（例えば、シーケンサ等）でのプログラミング作業を省略することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る電磁弁制御装置のシステム構成図である。
【図２】図１に示す電磁弁制御装置の電磁弁ユニット（３４）に至るまでの部分詳細説明図である。
【図３】図１に示す電磁弁制御装置の電磁弁ユニット（４０）に至るまでの部分詳細説明図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る電磁弁制御装置のシステム構成図である。
【図５】図４に示す電磁弁制御装置の電磁弁ユニット（７２）に至るまでの部分詳細説明図である。
【図６】図４に示す電磁弁制御装置のインタロックユニット（８０）に至るまでの部分詳細説明図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態に係る電磁弁制御装置のシステム構成図である。
【図８】本発明の実施の形態に係るインタロックユニットの第１の変形例を示すシステム構成図である。
【図９】本発明の実施の形態に係るインタロックユニットの第２の変形例を示すシステム構成図である。
【図１０】従来技術に係る電磁弁制御装置のシステム構成図である。
【符号の説明】
３０、７０、９０…電磁弁制御装置  ３２…入力ユニット
３４、３６、３８、４０、７２、７４、７６、７８…電磁弁ユニット
４２、８０、９２、９８…インタロックユニット
４４、４８、５４…出力端子群      ４６、５２…入力端子群
５０、８６、９６、１００…インタロック制御部
５８、６２、６４、６６…電磁弁駆動部
６０、８２、８４…回路部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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