(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体基板と、該誘電体基板の上面および下面に形成された平行な２つの平面導体と、これら２つの平面導体間を伝搬する不要波と結合して当該不要波の伝搬を阻止する不要波伝搬阻止回路とからなる高周波回路装置において、
前記不要波伝搬阻止回路は、前記平面導体のうち少なくとも１つの平面導体のパターンニングにより形成されるものであって、複数段の共振器と各段の共振器間を接続する伝送線路とからなる帯域阻止フィルタを構成していて、
前記伝送線路は、互いに平行な２本の伝送線路からなり、
前記各段の共振器は、根本部から２本の渦巻き状線路が互いに平行に延び、且つ先端同士が接続されてなり、各共振器の根本部を前記２本の伝送線路のうち少なくとも一方の伝送線路の複数箇所にそれぞれ接続するとともに、各共振器を前記根本部で短絡したことを特徴とする高周波回路装置。
【請求項２】
前記伝送線路上の波長で略（２ｎ＋１）／４波長（ｎは０以上の整数）の間隔となるように、当該伝送線路に前記複数の共振器をそれぞれ接続した請求項１に記載の高周波回路装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の高周波回路装置を信号伝搬部または信号処理部に設けてなる送受信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、２つの平行な平面導体を有する導波路や共振器などの高周波回路装置およびそれを備えた送受信装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
誘電体板の一方の面にほぼ全面の接地電極を形成し、他方の面にコプレーナを形成したグラウンデッドコプレーナラインや、誘電体板の一方の面に接地電極を形成し、他方の面にスロットを形成したグラウンデッドスロット線路や、誘電体板の両面に、誘電体板を挟んで対向するスロットを形成した平面誘電体線路（ＰＤＴＬ）などの各種伝送線路がマイクロ波帯やミリ波帯における伝送線路として用いられている。
【０００３】
これらの伝送線路は、いずれも２つの平行な平面導体を含む構造であるため、たとえば線路の入出力部やベンドなどで電磁界が乱れると、いわゆるパラレルプレートモード等のスプリアスモードの波が２つの平行な平面導体間（平行平面導体間）に誘起され、そのスプリアスモードの波（以下単に「不要波」という。）が平面導体間を伝搬するという問題があった。このような不要波の伝搬（漏れ）が生じると、隣接する線路間で上記不要波による干渉が生じて、信号がリークするなどの問題が生じる。また、伝送波のエネルギの一部が不要波として漏れて、伝送波として再変換されないので、伝送損失が生じる。
【０００４】
このような不要波の伝搬を防ぐために、インダクタ部と容量部を交互に接続して２次元平面上に配列したものが非特許文献１に開示されている。また、図１３の（Ａ）に示すように、２つの平行平面導体を有する導波路を構成する誘電体基板に平行平面導体間を導通させる複数のスルーホール１１を配列したものや、同図の（Ｂ）に示すように、たとえば誘電体基板の表面側の平面導体に、裏面側の平面導体との間に容量を生じさせる電極と、その電極に接続されインダクタを構成する複数の線路とからなる導体パターンを用いて不要波伝搬阻止回路１２を構成したものが特許文献１に開示されている。なお、図１３中のクロス記号はスロットラインの信号伝搬方向、波線は不要波の伝搬の様子をそれぞれ示している。
【０００５】
また、上記不要波伝搬阻止回路として、図１４に示すように、渦巻き状平行線路型共振器を配置したものが特許文献２に開示されている。
図１４の（Ｂ）は不要波伝搬阻止回路を設けた高周波回路装置の部分平面図、（Ａ）は不要波伝搬阻止回路の部分平面図である。誘電体基板１の上下面には平面導体２が形成されている。平面導体２には不要波伝搬阻止回路４が形成されている。この不要波伝搬阻止回路４は、（Ａ）に示すように互いに平行な２本の伝送線路７Ａ，７Ｂを備え、伝送線路７Ａに共振器８が接続されている。各共振器８は根本部から２本の渦巻き状線路８Ａ，８Ｂが互いに平行に延び、且つ８Ｃで示す先端同士が接続されてなる。なお、図中の矢印Ｅは２本の伝送線路間に生じる電界ベクトルを示している。
【０００６】
このような伝送線路と共振器の組が、（Ｂ）に示すように複数組配置されることによって不要波伝搬阻止回路４が構成されている。
【特許文献１】特開２０００−１０１３０１公報
【特許文献２】特開２００３−２５８５０４公報
【非特許文献１】”Nonleaky Conductor-Backed CPW Using A Novel 2-D PBG Lattice”,1998APMC
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、前記スルーホールを設けた構造では、そのスルーホール加工のために工数が増大してコスト高となる。非特許文献１や特許文献１の構造では不要波伝搬阻止回路のサイズが大きいためウエハーサイズが大きくなりコスト高となる。さらに特許文献２の構造では不要波伝搬阻止の有効な帯域が比較的狭いという問題があった。
【０００８】
そこで、この発明の目的は、不要波の伝搬を阻止しつつ小型化を図り、且つその不要波伝搬阻止帯域を広く確保した高周波回路装置およびそれを備えた送受信装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（１）この発明の高周波回路装置は、誘電体基板と、該誘電体基板の上面および下面に形成された平行な２つの平面導体と、これら２つの平面導体間を伝搬する不要波と結合して当該不要波の伝搬を阻止する不要波伝搬阻止回路とで構成し、不要波伝搬阻止回路が、前記平面導体のうち少なくとも１つの平面導体のパターンニングにより形成されるものであって、複数段の共振器と各段の共振器間を接続する伝送線路とからなる帯域阻止フィルタを構成するようにし、前記伝送線路を互いに平行な２本の伝送線路で構成し、各段の共振器は根本部から２本の渦巻き状線路が互いに平行に延び、且つ先端同士を接続して構成し、各共振器の根本部を２本の伝送線路のうち少なくとも一方の伝送線路の複数箇所にそれぞれ接続するとともに、各共振器を前記根本部で短絡した構造とする。
【００１０】
（２）また、この発明の高周波回路装置は、前記伝送線路上の波長で略（２ｎ＋１）／４波長（ｎは０以上の整数）の間隔となるように、当該伝送線路に前記複数の共振器をそれぞれ接続して構成する。
【００１１】
（３）また、この発明の送受信装置は、（１）または（２）に記載の高周波回路装置を信号伝搬部または信号処理部に設けて構成したことを特徴としている。
【発明の効果】
【００１２】
（１）この発明によれば、２本の伝送線路のうち少なくとも一方の伝送線路の途中部位に２本の渦巻き状線路による共振器を設けたことにより、特許文献２に示されている不要波伝搬阻止回路と同様に導体パターンの面積が縮小化でき、全体の小型化が図れる。しかも共振器の根本部を短絡したことにより、不要波の伝搬が阻止される帯域幅が広くなる。
【００１３】
（２）また、この発明によれば、伝送線路上に接続する共振器の間隔を伝送線路上で略（２ｎ＋１）／４波長（ｎは０以上の整数）の間隔としたので、各共振器の共振周波数を中心周波数として所定帯域を減衰させる帯域阻止フィルタとして効果的に作用し、所定周波数帯域の不要波の伝搬を効果的に抑制できる。
【００１４】
（３）また、この発明によれば、（１）または（２）の高周波回路装置を用いて送受信装置を構成することにより、送受信装置の誘電体基板に不要波伝搬阻止回路を設けることができ、誘電体基板を伝搬する不要波を遮断できる。そのため、不要波による電力損失を抑えて高効率化できるとともに不要波による雑音を低減できる。また誘電体基板上に複数の線路を構成する場合や、共振器等の素子とともに線路を配置する場合に、線路同士の間隔や、上記素子と線路との配置間隔を狭めても、線路間または線路と素子との間における干渉が確実に防止されるので、全体に小型化された送受信装置を構成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
第１の実施形態に係る高周波回路装置について図１〜図７を参照して説明する。
図４は不要波伝搬阻止回路を備えた高周波回路装置の主要部の外観斜視図、図５はその高周波回路装置の主要部の断面図である。図４・図５に示すように誘電体基板１の上面には平面導体２Ｕ、下面には平面導体２Ｌをそれぞれ形成している。また、誘電体基板１の上面には中心導体（ホットライン）３Ｕを形成している。さらに誘電体基板１の上下面にはシールド部材５Ｕ，５Ｌを設けている。この誘電体基板１と、その上下面に形成した平面導体２Ｕ，２Ｌ、中心導体３Ｕおよびシールド部材５Ｕ，５Ｌによって、グラウンデッドコプレーナライン（以下、「ＣＢＣＰＷ」という。）を構成している。
【００１６】
このような平行な２つの平面導体２Ｕ，２Ｌの間にはパラレルプレートモードなどの不要波が伝搬する。そこで、誘電体基板１の上面の中心導体３Ｕを挟む両側の領域に、平面導体２Ｕのパターンニングにより不要波伝搬阻止回路４を形成している。この不要波伝搬阻止回路４は後に示すように、２本の伝送線路の複数箇所に共振器を設けたもので、誘電体基板の所定領域を敷き詰めるように配置することによって構成したものである。
【００１７】
なお平行な平面導体２Ｕ，２Ｌ間を伝搬する不要波が不要波伝搬阻止回路４と結合して、その不要波の伝搬を阻止するだけでなく、上部の平面導体２Ｕと上部のシールド部材５Ｕの内面との間に生じる空間にも不要波が伝搬するが、不要波伝搬阻止回路４は、これらの不要波とも結合して、その伝搬を阻止する。
【００１８】
図１は上記誘電体基板１の部分上面図、図２はその主要部の平面図である。
この不要波伝搬阻止回路４は、２本の伝送線路７Ａ，７Ｂの複数箇所に共振器８，９を設けたものである。すなわち、伝送線路７Ａの所定の途中部位ＳＡに、その線路７Ａから渦巻き状で平行に延びる渦巻き状線路８Ａ，８Ｂを平行に延ばし、その先端を８ｃで互いに接続している。同様に、伝送線路７Ｂの所定の途中部位ＳＢに、その線路７Ｂから渦巻き状で平行に延びる渦巻き状線路９Ａ，９Ｂを平行に延ばし、その先端を９ｃで互いに接続している。
【００１９】
これらの共振器８，９はいわゆるヘアピン共振器を渦巻き状にするとともに所定の矩形領域に配置したものである。また各共振器８，９は、伝送線路７Ａ，７Ｂの線路上の波長でほぼ１／４波長の間隔となるように伝送線路の途中部位にそれぞれ設けている。
【００２０】
図１では伝送線路７Ａ，７Ｂにそれぞれ３つの共振器８，９を接続した部分のみを示したが、これらの複数の共振器で誘電体基板の上面と下面の所定領域を敷き詰めるように、配置することによって不要波伝搬阻止回路４を構成している。具体的には、図１に示した伝送線路７Ａ，７Ｂ、２つの共振器８，２つの共振器９からなる単位格子ＬＵを縦横に配置して、平面空間をなるべく多くの共振器で埋め尽くすように複数の伝送線路と複数の共振器を配置する。このように２本の伝送線路の複数箇所に共振器を設けたもので、誘電体基板の所定領域を敷き詰めるように配置して構成した回路が、図４に示した不要波伝搬阻止回路４である。
【００２１】
図３は図１に示した不要波伝搬阻止回路の等価回路図である。ここでＳＬは伝送線路７Ａ，７Ｂそのものであるが、隣接する共振器８−８間または９−９間に存在する、入出力間位相差９０度の位相器として作用する。ここでは共振器８，９をそれぞれＬＣ並列共振回路で表している。このようにして帯域阻止フィルタを構成している。そのため、共振器８，９は、次の関係で表される共振周波数ｆｏを中心とした周波数帯域の不要波を反射する。
【００２２】
ｆｏ＝1／｛２π√（ＬＣ）｝
この不要波伝搬阻止回路によって不要波が反射されると、その反射波（不要波）は前記ＣＢＣＰＷの伝送モードに再び結合する。そのため、ＣＢＣＰＷの伝送モードが不要波のモードに変換されることによる、ＣＢＣＰＷの伝送損失が抑制できる。
【００２３】
ここで、渦巻き状線路８Ａ，８Ｂ間の間隔は誘電体基板の厚み寸法に対して１／１０以下の値に設定しているので、渦巻き状線路８Ａ，８Ｂ間に生じる容量は、この渦巻き状線路８Ａ，８Ｂと、誘電体基板を挟んで対向する面の導体との間に生じる容量に比べて充分に大きな値となる。その結果、共振器８のキャパシタは渦巻き状線路８Ａ，８Ｂ間に生じる容量によって決定される。渦巻き状線路８Ａ，８Ｂの線路間隔が狭くなるに従って、その渦巻き状線路８Ａ，８Ｂ間のキャパシタンス成分が大きくなるので、渦巻き状線路８Ａ，８Ｂの線路間隔を狭くすることによって、必要な共振周波数ｆｏを得るための共振器８，９を小型化できる。また、渦巻き状線路８Ａ，８Ｂの長さが長くなるに従ってインダクタンス成分が大きくなるとともにキャパシタンス成分も大きくなるので、特許文献１のようにキャパシタとインダクタを独立して増加させる場合に比べて、共振器８，９の面積増加を抑制しつつキャパシタとインダクタを増大させることができる。したがって同一周波数の不要波を遮断する場合に共振器８，９の面積を縮小化できる。
【００２４】
また、特許文献２に示した不要波伝搬阻止回路と異なり、渦巻き状平行線路８Ａ，８Ｂ同士および９Ａ―９Ｂ同士を短絡する短絡部８Ｓ，９Ｓを設けることによって共振器８，９の根本部を短絡している。
【００２５】
次に、この第１の実施形態に係る高周波回路装置に設けた不要波伝搬阻止回路の特性について示す。
図４に示した高周波回路装置の不要波伝搬阻止回路を評価するために、ＣＢＣＰＷのポート＃１−＃２間の透過特性を測定した。
【００２６】
図４において、誘電体基板１の幅Ｗは７．４ｍｍ、長さＬは９．９ｍｍ、厚み寸法ｔは０．３ｍｍ、比誘電率εｒは２４である。上記長さＬは６０ＧＨｚにおける６．４波長（λｇ）に相当する。中心導体３Ｕの中心から不要波伝搬阻止回路４までの間隔は２７５μｍである。また、単位格子ＬＵの寸法（図１に示した単位格子ＬＵの図の方向で縦方向の長さ）は０．１５ｍｍとした。
【００２７】
図６は、図４に示したＣＢＣＰＷの二つのポート＃１−＃２間の透過特性（Ｓ２１特性）を測定した結果である。同図の（Ａ）は、横軸を周波数、縦軸を減衰量として、不要波の伝搬阻止に有効な帯域を示している。図中、（１）は不要波の発生が無い場合の特性、（２）は不要波の発生があって且つ不要波伝搬阻止回路が存在しない場合の特性である。また、（３）は、不要波の発生があって且つ第１の実施形態で示した不要波伝搬阻止回路４を設けた場合の特性、（４）は、その不要波伝搬阻止回路として、短絡部８Ｓ，９Ｓを設けない（短絡させなかった）場合の特性である。
【００２８】
なお、この例では、誘電体基板の一方の面にのみ不要波伝搬阻止回路を設け、他方の面には、連続して広がるグランド電極を形成した場合について、その特性を示している。また、上記不要波の発生が無い場合の特性（１）は誘電体基板の下面に全面の接地電極を形成しない通常のコプレーナ線路によって得られた特性である。
【００２９】
このように、上記短絡部８Ｓ，９Ｓを設けなかった場合には、５３〜５８ＧＨｚで減衰量が小さく抑えられているが、その帯域幅は５ＧＨｚ程度であって狭い。それに対して、上記短絡部８Ｓ，９Ｓを設けた場合には、６４ＧＨｚ付近を中心とする５８〜６９ＧＨｚの１１ＧＨｚと広い使用周波数帯域で減衰量が低く抑えられる。
【００３０】
このように、不要波伝搬阻止回路として、短絡部８Ｓ，９Ｓを設けない場合に比べて短絡部を設けた場合に、不要波の伝搬を阻止する（反射させる）帯域が広がるのは、各共振器８，９の共振周波数付近で不要波との結合度が増した結果であると予想される。
【００３１】
図６の（Ｂ）は不要波伝搬阻止回路を誘電体基板の両面に設けた場合と、片面にのみ設けた場合との比較を示している。図中、（１）は不要波の発生が無い場合の特性、（２）は不要波の発生がある場合であって且つ不要波伝搬阻止回路が存在しない場合の特性である。（３）は片面にのみ不要波伝搬阻止回路を設けた場合の特性、（４）は誘電体基板の両面に不要波伝搬阻止回路を設けた場合の特性である。
【００３２】
このように、誘電体基板の両面に不要波伝搬阻止回路を設けると、Ｓ２１特性の減衰量の小さな、すなわち不要波としての漏洩が小さく抑えられる、帯域幅が広がる。たとえば、−３ｄＢの帯域幅をみると、片面にのみ不要波伝搬阻止回路を設けた場合、（３）のように５８〜６９ＧＨｚの約１１ＧＨｚであるのに対し、両面に不要波伝搬阻止回路を設けた場合、（４）のように５３〜７０ＧＨｚの約１７ＧＨｚに広がる。
【００３３】
図７はこの実施形態で示した不要波伝搬阻止回路の単位格子と、従来の不要波伝搬阻止回路の単位格子とのサイズ比較を示すものである。ここで（Ａ）は第１の実施形態に係る不要波伝搬阻止回路の単位格子パターン、（Ｂ）は特許文献１の不要波伝搬阻止回路の単位格子パターン、（Ｃ）は非特許文献１の不要波伝搬阻止回路の単位格子パターンである。この（Ｃ）に示す単位格子パターンの単位格子長を１としたとき、（Ｂ）は０．３４〜０．４５程度であるが、この発明の実施形態である（Ａ）では０．０９となり、単位格子パターンが非常に小さくなることが判る。また３０ＧＨｚにおける単位格子長（ｍｍ）の設計値は、（Ｃ）の場合１．１２ｍｍ、（Ｂ）の場合０．３８〜０．５１ｍｍであるのに対し、この実施形態では０．１ｍｍとなり非常に小型化できる。
【００３４】
次に、第２の実施形態に係る不要波伝搬阻止回路の構成を、図８を基に説明する。
図１に示した例では、渦巻き状線路８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，９Ａ，９Ｂ，９Ｃの線路幅および線路間隔は、渦巻き状の外周から内周部にかけて一定としたが、図８の（Ａ）のように、渦巻きの外周部より中心部で、渦巻き状線路８Ａ，８Ｂの線路幅が大きくなるようにしてもよい。この共振器以外の伝送線路部分の構成は、第１の実施形態の場合と同様である。
【００３５】
この場合、磁界強度の強い渦巻きの中心部で渦巻き状線路８Ａ，８Ｂの電流集中が緩和されるので、共振器８の無負荷Ｑ（Ｑｏ）を向上させることができる。
また、図８の（Ｂ）に示すように、渦巻きの外周部より中心部で、２本の渦巻き状線路８Ａ，８Ｂの間隔が広くなるようにしてもよい。この場合には、渦巻きの中心部で、線路の間隙を通り抜ける磁束の磁束密度が小さくなり、線路の間隙を伝搬する電力による損失が低減される。そのため、共振器８の無負荷Ｑ（Ｑｏ）を向上させることができる。
【００３６】
次に、第３の実施形態に係る不要波伝搬阻止回路の構成を、図９を基に説明する。
図９は不要波伝搬阻止回路の主要部の平面図である。図２に示した不要波伝搬阻止回路と同様に、２つの伝送線路７Ａ，７Ｂの複数の途中部位に２種類の共振器８，９をそれぞれ設けている。この２種類の共振器８，９は、それぞれ長方形状を成して互いに鏡対称形の関係であり、且つ平面上で９０°回転させた関係に配置している。また、２つの伝送線路７Ａ，７Ｂは、共振器間の接続箇所間が９０°位相器として作用し、その共振器の接続箇所間をメアンダライン状に引きまわしている。この伝送線路７Ａ，７Ｂと２つの共振器８，９とによって単位格子パターンＬＵを構成している。そして、複数の単位格子パターンＬＵを繰り返して誘電体基板上に敷き詰めるように配置する。
【００３７】
共振器８，９の構成は、第１の実施形態の場合と同様に、渦巻き状線路８Ａ，８Ｂの伝送線路７Ａからの引き出し部分に短絡部８Ｓを設けている。また、渦巻き状線路９Ａ，９Ｂの伝送線路７Ｂからの引き出し部分に短絡部９Ｓを設けている。
【００３８】
次に、第４の実施形態に係る不要波伝搬阻止回路の構成を、図１０を参照して説明する。この例では、２つの伝送線路７Ａの所定個所に繋がる複数の共振器８と、もう１つの伝送線路７Ｂの所定個所に繋がる複数の共振器９とがそれぞれ平行に直線状に並ぶように伝送線路７Ａ，７Ｂをメアンダライン状に引きまわしている。
【００３９】
このような構造によって、限られた面積内に多数の単位格子を効率良く充填配置できる。そのため、極めて小面積の平面導体部分にも、この不要波伝搬阻止回路を構成することができる。
【００４０】
次に、第５の実施形態に係る高周波回路装置およびそれを備えた送受信装置の構成を図１１・図１２を基に説明する。
図１１は送受信装置の分解斜視図、図１２はその回路のブロックである。図１１において、通信装置の外形をなす樹脂パッケージ４１は、上面側が開口した箱形状のケーシング４２と、このケーシング４２の開口側を施蓋する略四角形の板状をなす蓋体４３とによって構成している。また、蓋体４３の中央部には、略四角形の開口部４３Ａを設け、この開口部４３Ａ内に電磁波が透過可能な閉塞板４４を配設している。
【００４１】
ケーシング４２内に収容した誘電体基板４５は、例えば５枚の分割基板４５Ａ〜４５Ｅによって構成していて、これら分割基板４５Ａ〜４５Ｅの両面は平面導体４６，４７によってそれぞれ覆っている。そして、各分割基板４５Ａ〜４５Ｅには、機能ブロックとして、後述するアンテナブロック４８、デュプレクサブロック４９、送信ブロック５０、受信ブロック５１、発振器ブロック５２をそれぞれ設けている。
【００４２】
送信電波を送信し、受信電波を受信するアンテナブロック４８は、誘電体基板４５の中央部側に位置する分割基板４５Ａに設け、平面導体４６に形成した四角形状の開口をなす放射スロット４８Ａによって構成している。また、この放射スロット４８Ａは、ＰＤＴＬからなる伝送線路５３によってデュプレクサブロック４９に接続している。
【００４３】
アンテナ共用器をなすデュプレクサブロック４９は、分割基板４５Ｂの平面導体４６に形成した四角形状の開口からなる共振器４９Ａ等によって構成している。そして、共振器４９Ａは、ＰＤＴＬからなる伝送線路５３によってアンテナブロック４８、送信ブロック５０、受信ブロック５１にそれぞれ接続している。
【００４４】
アンテナブロック４８へ送信信号を出力する送信ブロック５０は、分割基板４５Ｃに実装した電界効果トランジスタ等の電子部品で構成していて、発振器ブロック５２から出力される搬送波に中間周波信号ＩＦを混合して送信信号にアップコンバートするミキサ５０Ａと、そのミキサ５０Ａによる送信信号から雑音を除去する帯域通過フィルタ５０Ｂと、送信信号の電力を増幅する電力増幅器５０Ｃとによって構成している。
【００４５】
これらのミキサ５０Ａ、帯域通過フィルタ５０Ｂ、電力増幅器５０Ｃは、ＰＤＴＬからなる伝送線路５３を用いて相互に接続するとともに、ミキサ５０Ａは、伝送線路５３によって発振器ブロック５２に接続していて、電力増幅器５０Ｃは、伝送線路５３によってデュプレクサブロック４９に接続している。
【００４６】
受信ブロック５１は、分割基板４５Ｄに設け、アンテナブロック４８によって受信した受信信号を入力し、その受信信号と発振器ブロック５２から出力される搬送波とを混合して中間周波信号ＩＦにダウンコンバートする。この受信ブロック５１は、受信信号を低雑音で増幅する低雑音増幅器５１Ａと、該低雑音増幅器５１Ａによる受信信号から雑音を除去する帯域通過フィルタ５１Ｂと、発振器ブロック５２から出力される搬送波と該帯域通過フィルタ５１Ｂから出力される受信信号とを混合して中間周波信号ＩＦにダウンコンバートするミキサ５１Ｃとによって構成している。
【００４７】
そして、これらの低雑音増幅器５１Ａ、帯域通過フィルタ５１Ｂ、ミキサ５１Ｃは、伝送線路５３を用いて相互に接続していて、低雑音増幅器５１Ａは、伝送線路５３によってデュプレクサブロック４９に接続していて、ミキサ５１Ｃは、伝送線路５３によって発振器ブロック５２に接続している。
【００４８】
発振器ブロック５２は、分割基板４５Ｅに設けていて、搬送波となる所定周波数の信号（例えばマイクロ波、ミリ波等の高周波信号）を発振する。この発振器ブロック５２は、制御信号Ｖcに応じた周波数の信号を発振する電圧制御発振器５２Ａと、該電圧制御発振器５２Ａによる信号を送信ブロック５０と受信ブロック５１とに供給するための分岐回路５２Ｂとによって構成している。
【００４９】
これらの電圧制御発振器５２Ａ、分岐回路５２Ｂは、ＰＤＴＬからなる伝送線路５３を用いて相互に接続している。また、分岐回路５２Ｂは、伝送線路５３によって送信ブロック５０と受信ブロック５１とに接続している。
【００５０】
図１１中、各分割基板４５Ａ〜４５Ｅの表面側の二点鎖線で示す箇所に不要波伝搬阻止回路５４を設けている。この不要波伝搬阻止回路５４は、第１〜第４の実施形態で示したいずれかの不要波伝搬阻止回路である。この例では放射スロット４８Ａ、共振器４９Ａ、帯域通過フィルタ５０Ｂ、帯域通過フィルタ５１Ｂ、電圧制御発振器５２Ａ、伝送線路５３等の周囲に配設している。
【００５１】
このように各分割基板４５Ａ〜４５Ｅに不要波伝搬阻止回路５４を設けたので、誘電体基板４５の平面導体４６，４７間を伝搬する不要波を遮断できる。このため、例えば平行平板モード等の不要波が分割基板４５Ａ〜４５Ｅ間で結合するのを防止してアイソレーションを向上でき、不要波による電力損失を抑圧して高効率化できるとともに、不要波による雑音を低減することができる。
【００５２】
なお、各実施形態では、共振器８，９を略矩形の渦巻き状に形成したが、本発明はこれに限らず、共振器を例えば円形、楕円形の渦巻き状に形成してもよい。
【００５３】
また、各実施形態では、共振周波数が同じ複数の共振器８，９を用いて不要波伝搬阻止回路を構成したが、本発明はこれに限らず、例えば共振周波数がそれぞれ異なる複数の共振器を用いて不要波伝搬阻止回路を構成してもよい。これにより、不要波伝搬阻止回路の阻止帯域をさらに広げることができる。
【００５４】
また、図４ではグラウンデッドコプレーナライン（ＣＢＣＰＷ）を例に挙げたが、平面導体間に電磁波を励振させるその他の回路として、グラウンデッドスロットライン、コプレーナライン、ＰＤＴＬ等の他の伝送線路であってもよい。また、ＦＥＴ等の半導体素子、共振器、フィルタ等の個別の素子であってもよい。
【００５５】
さらに、第５の実施の形態では、送受信装置として通信装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限らず、例えばレーダ装置等の送受信装置に広く適用できるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】第１の実施形態に係る不要波伝搬阻止回路の主要部の構成を示す平面図である。
【図２】同不要波伝搬阻止回路の単位格子パターンを示す図である。
【図３】同不要波伝搬阻止回路の等価回路図である。
【図４】高周波回路装置の主要部の構成を示す斜視図である。
【図５】同高周波回路装置の断面図である。
【図６】同高周波回路装置の特性図である。
【図７】本願発明の不要波伝搬阻止回路の単位格子パターンと従来の単位格子パターンのサイズ比較を示す図である。
【図８】第２の実施形態に係る不要波伝搬阻止回路の共振器の構成を示す平面図である。
【図９】第３の実施形態に係る不要波伝搬阻止回路の主要部の構成を示す平面図である。
【図１０】第４の実施形態に係る不要波伝搬阻止回路の主要部の構成を示す平面図である。
【図１１】第５の実施形態に係る送受信装置の分解斜視図である。
【図１２】同送受信装置の全体構成を示すブロック図である。
【図１３】従来の不要波伝搬阻止回路の構成を示す断面図である。
【図１４】従来の不要波伝搬阻止回路の主要部の平面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１―誘電体基板
２−平面導体
３−スロット
４−不要波伝搬阻止回路
５−シールド部材
７Ａ，７Ｂ−伝送線路
８Ａ，８Ｂ，８Ｃ−渦巻き状線路
９Ａ，９Ｂ，９Ｃ−渦巻き状線路
８Ｓ，９Ｓ−短絡部
８，９−共振器
ＳＡ，ＳＢ−線路の途中部位
ＳＬ−位相器
ＬＵ−単位格子
【図１】
0004042800.tif 000002
【図２】
0004042800.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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