(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣｏＰｔ合金および５〜２０ａｔ％でＳｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２およびＡｌ２Ｏ３のいずれかから選択される金属化合物を含むターゲットを用いてスパッタリングを実施し、基板の表面に散在する島状の金属粒子核を形成する工程と、スパッタリングにより基板の表面に金属を堆積させ、金属粒子核を包み込んで成長する結晶粒を含む下地金属結晶層を形成する工程とを備えることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記ＣｏＰｔ合金および金属化合物のスパッタリングにあたって高周波スパッタリング法が用いられることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記ターゲットは、前記ＣｏＰｔ合金の粉体と前記金属化合物の粉体との混合物であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
請求項２に記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記ターゲットは、前記ＣｏＰｔ合金の塊と、塊の表面に配置される前記金属化合物の小片とを備えることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
直流スパッタリングによりターゲットからＣｏＰｔ合金を放出させると同時に、高周波スパッタリングによりターゲットから５〜２０ａｔ％の割合でＳｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２およびＡｌ２Ｏ３のいずれかから選択される金属化合物を放出させ、基板の表面に散在する島状の金属粒子核を形成する工程と、スパッタリングにより基板の表面に金属を堆積させ、金属粒子核を包み込んで成長する結晶粒を含む下地金属結晶層を形成する工程とを備えることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記下地金属結晶層の形成にあたって、前記基板は常温に維持されることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばハードディスク（ＨＤ）といった磁気記録媒体に使用されることができる多結晶構造膜に関し、特に、基板の表面に散在する粒子核と、こういった粒子核を包み込んで成長した結晶粒を含む結晶層とを備える多結晶構造膜およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁気記録媒体の技術分野では磁性体の多結晶構造膜は広く利用される。こういった多結晶構造膜は、一般に、ディスク基板の表裏面に形成されるＣｒ層すなわち下地結晶層と、このＣｒ層からエピタキシャル成長するＣｏ合金層すなわち磁性結晶層とを備える。広く知られるように、Ｃｏ合金層の磁性粒が微小化されれば、磁気情報の読み出しにあたってノイズは一層低減されることができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
Ｃｒ層上でＣｏ合金層をエピタキシャル成長させる場合、Ｃｒ層内で結晶粒の微小化が達成されない限りＣｏ合金層内の磁性粒の微小化は実現されることはできない。これまでのところ、Ｃｒ層内で十分に結晶粒を微小化する術は確立されていない。
【０００４】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、金属結晶層内で結晶粒の微小化に大いに貢献することができる多結晶構造膜およびその製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明によれば、基板の表面に金属元素および化合物を降り注がせる工程を備えることを特徴とする多結晶構造膜の製造方法が提供される。
【０００６】
こうして金属元素と化合物とが基板上に同時に降り注ぐと、基板の表面には微細な金属粒子核が高密度に形成されることができる。こうした粒子核の形成後に金属原子が堆積していくと、金属原子は微小な結晶粒に成長していくことができる。
【０００７】
化合物には例えば金属化合物が用いられればよい。こういった金属化合物には、例えばＳｉＯ2 やＡｌ2 Ｏ3 といった金属酸化物のほか、例えばＳｉ3 Ｎ4 といった金属窒化物が含まれることができる。金属元素は例えば白金を含めばよい。
【０００８】
こういった粒子核の形成にあたっては例えば高周波スパッタリング法が用いられればよい。このとき、ターゲットには、金属元素の粉体と化合物の粉体との混合物が用いられればよい。高周波スパッタリング法は、基板上に絶縁性の金属酸化物や金属窒化物を降り注がせることができる。
【０００９】
その他、いわゆる金属元素の塊がターゲットに用いられてもよい。この場合には、塊の表面に化合物の小片が配置されればよい。こういったターゲットによれば、塊の露出面積と小片の露出面積とに基づき、金属粒子核に含まれる化合物の含有量は比較的に簡単に調整されることができる。
【００１０】
粒子核の形成にあたってはいわゆるコウ・スパッタリング法が用いられてもよい。このコウ・スパッタリング法では、導電性の金属元素に直流電源が接続されればよく、絶縁性の化合物に高周波電源が接続されればよい。こういったコウ・スパッタリング法によれば、直流電源の出力の大きさに基づき金属元素の堆積量は簡単に調整されることができ、同時に、高周波電源の出力の大きさに基づき化合物の堆積量は調整されることができる。したがって、金属粒子核に含まれる化合物の含有量は非常に簡単に調整されることができる。
【００１１】
以上のような製造方法によれば、例えば、化合物を含み、基板の表面に散在する金属粒子核と、基板の表面を覆い、金属粒子核を包み込んで成長した結晶粒を含む金属結晶層とを備える多結晶構造膜は提供されることができる。
【００１２】
こういった多結晶構造膜では、前述のように、金属粒子核の働きで微小な結晶粒は確立されることができる。例えばこういった多結晶構造膜が磁気記録媒体に利用されると、記録トラックの高密度化すなわち磁気記録媒体の大容量化は実現されることができる。記録トラック同士の間で遷移ノイズは極力低減されることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。
【００１４】
図１は磁気記録媒体駆動装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）１１の内部構造を概略的に示す。このＨＤＤ１１は、例えば平たい直方体の内部空間を区画する箱形の筐体本体１２を備える。収容空間には、磁気記録媒体としての１枚以上の磁気ディスク１３が収容される。磁気ディスク１３はスピンドルモータ１４の回転軸に装着される。スピンドルモータ１４は、例えば７２００ｒｐｍや１００００ｒｐｍといった高速度で磁気ディスク１３を回転させることができる。筐体本体１２には、筐体本体１２との間で収容空間を密閉する蓋体すなわちカバー（図示せず）が結合される。
【００１５】
収容空間には、垂直方向に延びる支軸１５回りで揺動するキャリッジ１６がさらに収容される。このキャリッジ１６は、支軸１５から水平方向に延びる剛体の揺動アーム１７と、この揺動アーム１７の先端に取り付けられて揺動アーム１７から前方に延びる弾性サスペンション１８とを備える。周知の通り、弾性サスペンション１８の先端では、いわゆるジンバルばね（図示せず）の働きで浮上ヘッドスライダ１９は片持ち支持される。浮上ヘッドスライダ１９には、磁気ディスク１３の表面に向かって弾性サスペンション１８から押し付け力が作用する。磁気ディスク１３の回転に基づき磁気ディスク１３の表面で生成される気流の働きで浮上ヘッドスライダ１９には浮力が作用する。弾性サスペンション１８の押し付け力と浮力とのバランスで磁気ディスク１３の回転中に比較的に高い剛性で浮上ヘッドスライダ１９は浮上し続けることができる。
【００１６】
こうした浮上ヘッドスライダ１９の浮上中に、キャリッジ１６が支軸１５回りで揺動すると、浮上ヘッドスライダ１９は半径方向に磁気ディスク１３の表面を横切ることができる。こうした移動に基づき浮上ヘッドスライダ１９は磁気ディスク１３上の所望の記録トラックに位置決めされる。このとき、キャリッジ１６の揺動は例えばボイスコイルモータ（ＶＣＭ）といったアクチュエータ２０の働きを通じて実現されればよい。周知の通り、複数枚の磁気ディスク１３が筐体本体１２内に組み込まれる場合には、隣接する磁気ディスク１３同士の間で１本の揺動アーム１７に対して２つの弾性サスペンション１８が搭載される。
【００１７】
図２は磁気ディスク１３の断面構造を詳細に示す。この磁気ディスク１３は、支持体としての基板２１と、この基板２１の表裏面に広がる多結晶構造膜２２とを備える。基板２１は、例えば、ディスク形のＳｉ本体２３と、Ｓｉ本体２３の表裏面に広がる非晶質のＳｉＯ2 膜２４とで構成されればよい。ただし、基板２１にはガラス基板やアルミニウム基板が用いられてもよい。多結晶構造膜２２に磁気情報は記録される。多結晶構造膜２２の表面は炭素保護膜２５や潤滑膜２６で被覆される。
【００１８】
多結晶構造膜２２は、基板２１の表面に散在する多数の島状金属粒子核（ｎｕｃｌｅａｔｉｏｎ  ｓｉｔｅ）２７を備える。こういった金属粒子核２７は、例えばＣｏ８８Ｐｔ１２合金といった金属合金と、例えばＳｉＯ２といった金属化合物とで構成されればよい。金属化合物は例えば５〜２０ａｔ％の割合で金属粒子核２７に含まれればよい。その他、金属化合物は、例えばＡｌ２Ｏ３といった金属酸化物や、例えばＳｉ３Ｎ４といった金属窒化物であってもよい。こういった金属粒子核２７の形成方法は後ほど詳述される。
【００１９】
基板２１の表面には、金属粒子核２７を包み込む下地結晶層２８が広がる。下地結晶層２８では金属粒子核２７ごとに微細な結晶粒２９が区画される。この下地結晶層２８は例えばＣｒ層で構成されればよい。下地結晶層２８の表面には、下地結晶層２８と同一の格子構造を備える磁性結晶層３０が広がる。下地結晶層２８と磁性結晶層３０との間にはエピタキシャル成長が確立される。この磁性結晶層３０には、例えば粒界３１に沿って拡散する非磁性原子すなわちＣｒ原子が含まれる。こういった磁性結晶層３０は例えばＣｏ90Ｐｔ10といったＣｏ合金から構成されればよい。
【００２０】
こういった多結晶構造膜２２では、後述されるように、下地結晶層２８および磁性結晶層３０で非常に微細な結晶粒２９が実現されることができる。したがって、磁気ディスク１３の表面で規定される記録トラック同士の間で遷移ノイズは極力低減されることができる。こうして微小化された結晶粒２９すなわち磁性粒は記録トラックの高密度化すなわち磁気ディスク１３の大容量化に大いに貢献することができる。
【００２１】
次に磁気ディスク１３の製造方法を詳述する。まず、図３に示されるように、ディスク形の基板２１は用意される。基板２１はスパッタリング装置に装着される。スパッタリング装置内には真空環境が確立される。基板２１には例えば３５０℃程度で２分間の加熱が施される。こうして基板２１の表面から自然吸着ガスは取り除かれる。その後、基板２１は常温（いわゆる室温）まで冷却される。
【００２２】
スパッタリング装置では、図４に示されるように、真空環境下で基板２１の表面に例えばＣｏ原子３１やＰｔ原子３２、ＳｉＯ２分子３３が降り注がれる。ＳｉＯ２分子３３は、Ｃｏ原子３１、Ｐｔ原子３２およびＳｉＯ２分子３３の総量に対して例えば５〜２０ａｔ％の割合で降り注がれればよい。
【００２３】
こうして降り注がれたＣｏ原子３１、Ｐｔ原子３２およびＳｉＯ2 分子３３は、図５に示されるように、基板２１の表面に散在する微細な金属粒子核２７を形成する。このとき、基板２１はスパッタリング装置内で常温に維持される。その結果、金属粒子核２７の成長は抑制される。単位面積当たりの金属粒子核２７の密度は著しく高められる。その一方で、こういった微細な金属粒子核２７が高温に曝されると、熱凝集に基づき粒子核の成長は促進されてしまう。各粒子核は肥大化すると同時に、粒子核同士の間隔は広がる。
【００２４】
ここで、金属粒子核２７の散在にあたって用いられる高周波スパッタリング装置を詳述する。図６に示されるように、スパッタリング装置３５は、気密に保持されるチャンバ３６と、ＲＦ（高周波）電源３７に接続される陰極３８および陽極３９とを備える。チャンバ３６内は例えば１．３３×１０-7［Ｐａ］に減圧される。この減圧にあたっては例えば真空ポンプ（図示せず）が用いられればよい。こうした真空排気後にチャンバ３６内には例えばアルゴンガスが導入される。その後、チャンバ３６内は例えば４．０×１０-1［Ｐａ］の圧力下に保持される。
【００２５】
陰極３８上にはターゲット３９が配置される。ターゲット３９は例えばＣｏＰｔ合金粉体とＳｉＯ2 粉体とで構成されればよい。粉体は例えば加圧下で固められる。ターゲット３９には、例えば５〜２０ａｔ％の割合でＳｉＯ2 粉体が混合されればよい。陽極４１上には基板２１が配置される。
【００２６】
ＲＦ電源３７から例えば３００Ｗの電力が出力されると、陰極３８および陽極３９に高周波グロー放電は引き起こされる。高周波グロー放電はアルゴンプラズマを生成する。アルゴンプラズマは陰極３８近傍の電位降下に基づき加速する。こうしてターゲット３９の表面にはアルゴンプラズマが衝突する。こういったＲＦ電源３７を用いたスパッタリング装置３５では、絶縁性のターゲット３９で帯電は回避されることができる。したがって、金属酸化物や金属窒化物といった絶縁体は確実に基板２１の表面に降り注がれることができる。
【００２７】
高周波グロー放電が開始されると、前述のように、ターゲット３９の表面からＣｏ原子３１、Ｐｔ原子３２およびＳｉＯ2 分子３３とが弾き出される。これらの原子３０、３２や分子３３は陽極４１上の基板２１に降り注ぐ。降り注がれたＣｏ原子３１、Ｐｔ原子３２およびＳｉＯ2 分子３３は基板２１の表面に微細な島状金属粒子核２７を形成する。例えばターゲット３９でＳｉＯ2 の含有率が５ａｔ％を下回ると、島状構造の形成は実現されることはできない。ターゲット３９でＳｉＯ2 の含有率が２０ａｔ％を上回ると、島状構造の形成は確立されるものの、粒子核２７はＳｉＯ2 に埋没してしまう。こういった粒子核２７は結晶粒の成長に寄与することができない。金属粒子核２７に含まれる原子３０、３２や分子３３の比率（ａｔ％）はターゲット３９のそれを反映する。
【００２８】
例えば図７に示されるように、ターゲット４２には、円盤状に加工されたＣｏＰｔ合金の塊４３が用いられてもよい。この塊４３の表面にはＳｉＯ2 の小片４４が配置される。こういったターゲット４２によれば、塊４３の露出面と小片４４の露出面との面積比に基づき金属粒子核２７の成分構成比は決定されることができる。その他、図８に示されるように、ターゲット４５では、ＣｏＰｔ合金領域４６とＳｉＯ2 領域４７とが隣接して配置されてもよい。
【００２９】
金属粒子核２７の形成にあたってはいわゆるコウ・スパッタリング装置が用いられてもよい。図９に示されるように、コウ・スパッタリング装置４８はチャンバ３６内に２つの陰極４９、５０および陽極５１を備える。陰極４９はＤＣ（直流）電源５２に接続され陰極５０はＲＦ電源５３に接続される。陰極４９には例えば導電性のＣｏＰｔ合金ターゲット５４が配置される。陰極５０には例えば絶縁性のＳｉＯ2 ターゲット５５が配置される。
【００３０】
こういったコウ・スパッタリング装置４８では、陰極４９と陽極５１との間で直流グロー放電が引き起こされると同時に、陰極５０と陽極５１との間で高周波グロー放電が引き起こされる。直流グロー放電に基づき基板２１の表面にはＣｏ原子やＰｔ原子が降り注ぐ。同時に、高周波グロー放電は基板２１の表面にＳｉＯ2 分子を降り注がせる。こうして基板２１の表面には微細な金属粒子核２７は形成される。
【００３１】
こういったコウ・スパッタリング装置４８では、ＤＣ電源５２の出力の大きさに応じてＣｏ原子やＰｔ原子の堆積量は決定されることができる。同時に、ＲＦ電源５３の出力の大きさに応じてＳｉＯ2 分子の堆積量は決定されることができる。したがって、ＤＣ電源５２やＲＦ電源５３の出力が調整されれば、各ターゲット５４、５５の大きさや表面積に拘わらず、金属粒子核２７の構成成分比は任意に調節されることができる。異なる構成成分比ごとに複数個のターゲットが作成される必要はない。例えば９５：５のａｔ％比でＣｏＰｔ合金およびＳｉＯ2 金属化合物が降り注がれる場合には、ＤＣ電源５２の出力は１００Ｗ程度に設定されればよく、同時に、ＲＦ電源５３の出力は５０Ｗ程度に設定されればよい。このとき、堆積時間は例えば１秒に設定されればよい。
【００３２】
金属粒子核２７の形成後、図１０に示されるように、基板２１の表面に向けてＣｒ原子が降り注がれる。基板２１の表面にはＣｒ原子が堆積していく。こうしたＣｒ原子の堆積には、例えば前述と同様にスパッタリング法が用いられればよい。こうして基板２１の表面にＣｒ原子が堆積すると、Ｃｒ原子は個々の金属粒子核２７を中心に微細な結晶粒２９を形成する。こうして基板２１の表面には例えば膜厚１８．０ｎｍ程度の下地結晶層２８すなわちＣｒ層が形成される。
【００３３】
こうしてＣｒ原子が堆積する間、基板２１は常温に維持され続ける。したがって、Ｃｒ原子の堆積時に金属粒子核２７の熱凝集は確実に回避されることができる。大きな粒子核の形成は阻止される。結晶粒２９は極めて微細に形成されることができる。
【００３４】
図１１に示されるように、下地結晶層５３の表面には磁性結晶層３０すなわち例えば膜厚７．８ｎｍ程度のＣｏ90Ｐｔ10層が積層される。こういった磁性結晶層３０の積層には、例えば前述と同様にスパッタリング法が用いられればよい。Ｃｏ原子やＰｔ原子は真空中でＣｒ層の表面に堆積していく。Ｃｏ原子やＰｔ原子はエピタキシャル成長に基づき微細な結晶粒すなわち磁性粒に成長する。こういったエピタキシャル成長に基づきＣｏ90Ｐｔ10層内には粒界が確立される。
【００３５】
この後、粒界５６に沿って下地結晶層２８すなわちＣｒ層内のＣｒ原子が拡散されてもよい。こういったＣｒ原子の偏析は粒界５６に沿って非磁性材の壁を作り出す。こうして多結晶構造膜２２は形成される。多結晶構造膜２２の表面には例えば膜厚５．０ｎｍ程度の炭素保護膜２５と例えば膜厚１．０ｎｍ程度の潤滑膜２６とが積層される。
【００３６】
本発明者は、以上のように製造された多結晶構造膜２２を検証した。この検証ではスパッタリング法の実施にあたって前述のＲＦ電源３７が用いられた。ターゲット３９では、９５対５の割合（ａｔ％）でＣｏ88Ｐｔ12合金粉体とＳｉＯ2 粉体とは混合された。スパッタリング装置３５では、Ｃｏ原子やＰｔ原子、ＳｉＯ2 分子の堆積量は膜厚換算で０．４ｎｍに設定された。
【００３７】
検証にあたって発明者は比較例を用意した。この比較例では、大気中に放置された後に基板はスパッタリング装置に装着された。真空環境下で基板の表面にはＣｏ原子やＰｔ原子が降り注がれた。スパッタリング装置では、Ｃｏ原子やＰｔ原子の堆積量は膜厚換算で１．０ｎｍ程度に設定された。ＣｏＰｔ合金の堆積後、基板は高温に曝された。こうして基板の表面には、熱凝集に基づき粒子核は形成された。
【００３８】
こうして得られた基板の表面上で粒子核の粒径分布は測定された。この測定にあたって基板の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）像が用いられた。ＴＥＭ像上で粒子核の粒径および個数は観察された。図１２に示されるように、本実施形態に係る粒子核では平均粒径６．８ｎｍが得られた。対数正規分布に基づき分散値１．２ｎｍが算出された。平均粒径に対する分散値の比率０．１８が得られた。その一方で、図１３に示されるように、熱凝集に基づく粒子核では平均粒径１２．７ｎｍおよび分散値２．６ｎｍが得られた。平均粒径に対する分散値の比率０．２０は得られた。本実施形態に基づけば、分散値の比率は著しく改善された。結晶粒２９は著しく微細化されることが確認された。
【００３９】
（付記１）  化合物を含み、基板の表面に散在する金属粒子核と、基板の表面を覆い、金属粒子核を包み込んで成長した結晶粒を含む金属結晶層とを備えることを特徴とする多結晶構造膜。
【００４０】
（付記２）  付記１に記載の多結晶構造膜において、前記化合物は金属化合物であることを特徴とする多結晶構造膜。
【００４１】
（付記３）  付記２に記載の多結晶構造膜において、前記金属化合物は金属窒化物および金属酸化物のうち少なくともいずれか１つを含むことを特徴とする多結晶構造膜。
【００４２】
（付記４）  付記３に記載の多結晶構造膜において、前記金属化合物はＳｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯ2 およびＡｌ2 Ｏ3 のいずれかであることを特徴とする多結晶構造膜。
【００４３】
（付記５）  付記１〜４のいずれかに記載の多結晶構造膜において、前記金属粒子核は白金を含むことを特徴とする多結晶構造膜。
【００４４】
（付記６）  付記１〜６のいずれかに記載の多結晶構造膜において、前記化合物は５〜２０ａｔ％で金属粒子核に含まれることを特徴とする多結晶構造膜。
【００４５】
（付記７）  基板の表面に金属元素および化合物を降り注がせる工程を備えることを特徴とする多結晶構造膜の製造方法。
【００４６】
（付記８）  付記７に記載の多結晶構造膜の製造方法において、前記金属元素および化合物を降り注がせるにあたって高周波スパッタリング法が用いられることを特徴とする多結晶構造膜の製造方法。
【００４７】
（付記９）  付記８に記載の多結晶構造膜の製造方法において、前記高周波スパッタリング法のターゲットは、前記金属元素の粉体と前記化合物の粉体との混合物であることを特徴とする多結晶構造膜の製造方法。
【００４８】
（付記１０）  付記８に記載の多結晶構造膜の製造方法において、前記高周波スパッタリング法のターゲットは、前記金属元素の塊と、塊の表面に配置される前記化合物の小片とを備えることを特徴とする多結晶構造膜の製造方法。
【００４９】
（付記１１）  付記７に記載の多結晶構造膜の製造方法において、前記金属元素および化合物を降り注がせるにあたって、前記金属元素をターゲットとした直流スパッタリング法と、前記化合物をターゲットとした高周波スパッタリング法とが同時に行われることを特徴とする多結晶構造膜の製造方法。
【００５０】
（付記１２）  付記７〜１１のいずれかに記載の多結晶構造膜の製造方法において、前記金属元素および化合物を降り注がせるにあたって、前記基板は常温に維持されることを特徴とする多結晶構造膜の製造方法。
【００５１】
（付記１３）  付記１２に記載の多結晶構造膜の製造方法において、前記金属元素および化合物の堆積後に前記基板上で結晶粒を成長させるにあたって、前記基板は常温に維持されることを特徴とする多結晶構造膜の製造方法。
【００５２】
（付記１４）  付記７〜１３のいずれかに記載の多結晶構造膜の製造方法において、前記化合物は金属化合物であることを特徴とする多結晶構造膜の製造方法。
【００５３】
（付記１５）  付記１４に記載の多結晶構造膜の製造方法において、前記金属化合物は金属窒化物および金属酸化物のうち少なくともいずれか１つを含むことを特徴とする多結晶構造膜の製造方法。
【００５４】
（付記１６）  付記１５に記載の多結晶構造膜の製造方法において、前記金属化合物はＳｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯ2 およびＡｌ2 Ｏ3 のいずれかであることを特徴とする多結晶構造膜の製造方法。
【００５５】
（付記１７）  付記７〜１３に記載の多結晶構造膜の製造方法において、前記金属元素は白金を含むことを特徴とする多結晶構造膜の製造方法。
【００５６】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、金属結晶層で結晶粒は確実に微小化されることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  磁気記録媒体駆動装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）の内部構造を概略的に示す平面図である。
【図２】  本発明の一実施形態に係る磁気ディスクの構造を詳細に示す拡大断面図である。
【図３】  磁気ディスクの製造工程を概略的に示す基板の断面図である。
【図４】  粒子核の形成過程を概念的に示す基板の断面図である。
【図５】  粒子核の形成過程を概念的に示す基板の断面図である。
【図６】  高周波スパッタリング装置を概略的に示す平面図である。
【図７】  ターゲットの一具体例を示す斜視図である。
【図８】  ターゲットの一具体例を示す斜視図である。
【図９】  コウ・スパッタリング装置を概略的に示す平面図である。
【図１０】  結晶粒の形成過程を概念的に示す基板の断面図である。
【図１１】  結晶粒の形成過程を概念的に示す基板の断面図である。
【図１２】  本実施形態に係る粒子核の粒径分布を示すグラフである。
【図１３】  熱凝集に基づき形成された粒子核の粒径分布を示すグラフである。
【符号の説明】
１３  磁気ディスク、２１  基板、２２  多結晶構造膜、２７  金属粒子核、２８  下地結晶層、２９  結晶粒、３０  磁性結晶層、３１  金属元素としてのＣｏ、３２  金属元素としてのＰｔ、３３  化合物（金属化合物）としてのＳｉＯ2 、３５  スパッタリング装置、３９  ターゲット、４２  ターゲット、４５ターゲット、４８  コウ・スパッタリング装置、５４  ターゲット、５５ターゲット。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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