(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上に、少なくともカラーフィルタ層、オーバーコート層を形成し、該オーバーコート層上にＴＦＴ素子、透明画素電極を形成する液晶表示装置用電極板の製造方法であって、前記オーバーコート層を、硬化温度より低い温度で加熱硬化する第1硬化工程と、硬化温度で加熱硬化する第２硬化工程の２段階硬化法により硬化、形成することを特徴とする液晶表示装置用電極板の製造方法。
【請求項２】
前記カラーフィルタ層は、メラミン系架橋剤またはエポキシ系架橋剤を含有する感光性着色組成物を用いて形成することを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置用電極板の製造方法。
【請求項３】
前記カラーフィルタ層は、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１２２、１２３、１４６、又は１７７から選ばれる顔料を含有する赤色着色組成物を用いた赤色画素、Ｃ．Ｉ．ピグメントグリーン７、或いは３６から選ばれるハロゲン化フタロシアニン系顔料を含有する緑色顔料を含有する緑色着色組成物を用いた緑色画素、Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー１５、１５：１、１５：２、１５：３、１５：４、１５：６から選ばれる１種以上の銅フタロシアニン系顔料を含有する青色着色組成物を用いた青色画素を有する請求項１または２記載の液晶表示装置用電極板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置用電極板、及び液晶表示装置に関するものであり、特に、ガラス基板上のカラーフィルタ層、オーバーコート層上にＴＦＴ素子が形成され、色再現性の良好な液晶表示装置用電極板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
同一基板上にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のスイッチング素子とカラーフィルタ層を形成することは、対向基板の簡略化や、双方の電極板を貼り合わせる際の位置ずれや寸法ずれを防ぐ意味からも望ましいことと考えられ、この構成を実現する試みが為されてきた。しかしながら、例えば、ＴＦＴ素子と透明画素電極が形成された電極板上にカラーフィルタ層を形成するといった構成の場合においては、カラーフィルタ層の存在に起因する諸々の不具合が発生していた。
【０００３】
例えば、透明画素電極と対向電極との間にカラーフィルタ層が加わるので新たな電圧損失が発生し、液晶駆動の応答性の劣化を招くという問題が生じる。そこで、電圧損失を防ぐためカラーフィルタ層上に透明画素電極を設けると、透明画素電極とＴＦＴ素子との導通はスルーホールを介して行うことになり、製造工程が煩雑なものとなる。
【０００４】
一方、例えば、カラーフィルタ層が形成された電極板上にＴＦＴ素子と透明画素電極を形成するといった構成の場合においては、プラズマＣＶＤを用いてシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）やアモルファスシリコン膜（ａ−Ｓｉ：Ｈ）を高温で成膜するので、既に形成されてあるカラーフィルタ層は熱によって変色、或いは褪色し良好な色特性のカラーフィルタ層は得られない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、カラーフィルタ層が形成されたガラス基板上にＴＦＴ素子と透明画素電極を形成するといった構成の液晶表示装置用電極板において、液晶表示装置用電極板を構成するＴＦＴ素子を形成する際に、高い基板温度で成膜してもカラーフィルタ層の変色や褪色などでカラーフィルタ層の色特性が低下することのない、或いはカラーフィルタ層の色特性の低下を少なくした液晶表示装置用電極板、すなわち、色再現域がＮＴＳＣ方式の規格値に対し４０％以上、白バランスが０．２７＜ｘ＜０．３５、０．２７＜ｙ＜０．４０の範囲にある液晶表示装置用電極板の製造方法を提供することを課題とする。
【０００６】
本発明は、ガラス基板上に、少なくともカラーフィルタ層、オーバーコート層が形成され、該オーバーコート層上にＴＦＴ素子、透明画素電極が形成された液晶表示装置用電極板であって、Ｃ光源によるＣＩＥ色度図上での色再現域が、ＮＴＳＣ方式の規格値の色再現域１００％に対し４０％以上の色再現域を有し、白バランスが０．２７＜ｘ＜０．３５、０．２７＜ｙ＜０．４０の範囲にあることを特徴とする液晶表示装置用電極板である。
【０００７】
【０００８】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ガラス基板上に、少なくともカラーフィルタ層、オーバーコート層を形成し、該オーバーコート層上にＴＦＴ素子、透明画素電極を形成する液晶表示装置用電極板の製造方法であって、前記オーバーコート層を、硬化温度より低い温度で加熱硬化する第1硬化工程と、硬化温度で加熱硬化する第２硬化工程の段階硬化法により硬化、形成することを特徴とする液晶表示装置用電極板の製造方法である。
【００１０】
また、本発明は、上記発明による液晶表示装置用電極板の製造方法において、前記カラーフィルタ層を、メラミン系架橋剤またはエポキシ系架橋剤を含有する感光性着色組成物を用いて形成することを特徴とする液晶表示装置用電極板の製造方法である。
【００１１】
また、本発明は、上記発明による液晶表示装置用電極板の製造方法において、前記カラーフィルタ層を、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１２２、１２３、１４６、又は１７７から選ばれる顔料を含有する赤色着色組成物を用いた赤色画素、Ｃ．Ｉ．ピグメントグリーン７、或いは３６から選ばれるハロゲン化フタロシアニン系顔料を含有する緑色顔料を含有する緑色着色組成物を用いた緑色画素、Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー１５、１５：１、１５：２、１５：３、１５：４、１５：６から選ばれる１種以上の銅フタロシアニン系顔料を含有する青色着色組成物を用いた青色画素を有する液晶表示装置用電極板の製造方法である。
【００１２】
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を詳細に説明する。カラーテレビ受像機のカラーＣＲＴで再現できる色の範囲は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各蛍光体が発光する三原色の色度図上の三つの色度点で囲まれた三角形の内側である。例えば、ＮＴＳＣ（Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ ＳｙｓｔｅｍＣｏｍｍｉｔｔｅｅ）方式の規格値による三つの色度点で囲まれた色度図上の三角形の面積がＮＴＳＣ方式における色再現域となる。
【００１４】
以下に、ＣＩＥ１９３１標準表示系の色度図でのＮＴＳＣ方式の赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）三原色の規格値を示す。
Ｒｘ＝０．６７、Ｒｙ＝０．３３Ｇｘ＝０．２１、Ｇｙ＝０．７１Ｂｘ＝０．１４、Ｂｙ＝０．０８
【００１５】
また、以下に、上記ＣＩＥ１９３１標準表示系の色度図上でのＮＴＳＣ方式の規格値における色再現域（３つの色度点が形成する三角形の面積（Ｓ））を求める数式を示す。
Ｓ＝｜Ｒｙ（Ｇｘ−Ｂｘ）＋Ｇｙ（Ｂｘ−Ｒｘ）＋Ｂｙ（Ｒｘ−Ｇｘ）｜／２ ＝０．１５８２
【００１６】
本発明は、液晶表示装置用電極板を構成するカラーフィルタ層の赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）三原色のＣ光源によるＣＩＥ色度図上での色再現域が、ＮＴＳＣ方式の規格値の色再現域１００％に対し４０％以上の色再現域を有することを特徴とするものであるが、あるカラーフィルタ層（ｉ）の、ＮＴＳＣ方式の規格値の色再現域１００％に対する色再現域の％（ＮＴＳＣ比）は、下記の式により求められる。
【００１７】
（Ｓi ／Ｓ）×１００
ここで、 Ｓi ：あるカラーフィルタ（ｉ）のＣＩＥ色度図上での三角形の面積
Ｓ ：０．１５８２
また、Ｓi は、下記の式により求められる。
Ｓi ＝｜Ｒｙi （Ｇｘi −Ｂｘi ）＋Ｇｙi （Ｂｘi −Ｒｘi ）＋Ｂｙi （Ｒｘi −Ｇｘi ）｜／２
ここで、Ｒｘi 、Ｒｙi 、Ｇｘi 、Ｇｙi 、Ｂｘi 、Ｂｙi は、あるカラーフィルタ層（ｉ）の色度座標
【００１８】
上記色再現域を有するカラーフィルタ層は、下記の耐熱性に優れた顔料を含有する感光性着色組成物を用いて各色画素を形成することにより得られる。
（赤顔料）Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１２２、１２３、１４６、又は１７７から選ばれる顔料
（緑顔料）Ｃ．Ｉ．ピグメントグリーン７、或いは３６から選ばれるハロゲン化フタロシアニン系顔料
（青顔料）Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー１５、１５：１、１５：２、１５：３、１５：４、１５：６から選ばれる１種以上の銅フタロシアニン系顔料
【００１９】
本発明による液晶表示装置用電極板は、カラーフィルタ層が形成されたガラス基板上にＴＦＴ素子を形成するといった構成の液晶表示装置用電極板であり、ＴＦＴ素子を形成する際に、高温処理がなされるが上記顔料を用いるので、良好な色再現域を有するものとなる。
【００２０】
図１は、本発明による液晶表示装置用電極板の一実施例を示す部分断面図である。
図１に示すように、この液晶表示装置用電極板は、ガラス基板（１１）上に、ブラックマトリックス（２１）、カラーフィルタ層（２０）、オーバーコート層（４１）が順次に形成され、オーバーコート層（４１）上にＴＦＴ素子（３０）、及び透明画素電極（３１）が形成されたものである。ＴＦＴ素子（３０）は、ゲート電極（３３）、ゲート絶縁膜（３４）、アモルファスシリコン膜（３５）、パシベーション層（３６）、オーミック層（３７）、ソース電極（３８）、およびドレイン電極（３９）で構成されている。また、ドレイン電極（３９）は透明画素電極（３１）に接続している。
【００２１】
カラーフィルタ層（２０）に用いる色素としては、上記のような耐熱性に優れる顔料が用いられる。この顔料を分散させる媒体は、カラーフィルタ層の骨格成分となる樹脂であり、この樹脂は耐熱性のある樹脂が望ましい。具体的には、耐熱温度２３０〜２５０℃のアクリレート樹脂やポリイミド樹脂が挙げられる。また、メラミン系架橋剤やエポキシ系架橋剤を含有する感光性着色組成物を用いてカラーフィルタ層を形成することにより、カラーフィルタ層の樹脂組成を耐熱性に優れたものにすることができる。
【００２２】
また、オーバーコート層（４１）は、カラーフィルタ表面の段差や微細な凹凸を緩和するため、また、カラーフィルタからの溶出物を遮蔽するためのものであって、表面の平坦化、及び溶出物の遮蔽をすることで、この上に形成されるＴＦＴ素子や、透明画素電極の特性に好結果をもたらす。また、オーバーコート層は、硬化温度より低い温度で加熱硬化する第1硬化工程と、硬化温度で加熱硬化する第２硬化工程の２段階硬化法によって硬化させることにより熱衝撃を緩和し色特性の劣化を抑えたものとなるので、オーバーコート層は２段階で硬化させることが好ましい。
【００２３】
【実施例】
以下に、本発明による液晶表示装置用電極板の製造方法の実施例を説明する。＜参考例１＞
（感光性着色組成物の調製）アクリル樹脂（メタクリル酸２０部、ブチルアクリレート３０部、ブチルメタクリレート５０部をエチルセロソルブ３００部に溶解し、窒素雰囲気下でアゾビスイソブチルニトリル０．７部を加えて７０℃、５時間反応により得られたアクリル樹脂）を樹脂濃度２０％になるようにエチルセロソルブで希釈した。
【００２４】
この希釈樹脂５０ｇに対し顔料１２．３ｇ、分散剤１．３ｇ、溶剤としてシへキサノン３６．４ｇを添加して３本ロールで十分混練して赤の着色樹脂（ペースト）を作製した。同様に希釈樹脂４５ｇに対して顔料１５ｇ、分散剤１．１ｇ、溶剤としてシクロへキサノン３８．９ｇを添加して３本ロールで十分混練して緑の着色樹脂（ペースト）を作製した。そして、さらに希釈樹脂５０ｇに対し顔料９．５ｇ、分散剤１．０ｇ、溶剤としてシクロへキサノン３９．５ｇを添加して３本ロールで十分混練して青の着色樹脂（ペースト）を作製した。
【００２５】
以下に顔料を示す。
［赤用］顔料（チバスペシャルティ社製：クロモフタルレッドＡ３Ｂ（Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１７７）１２．３ｇ。
［緑用］顔料リオノールグリーン６Ｙ−５０１（東洋インキ製造（株）製：Ｃ．Ｉ．ピグメントグリーン３６）１５．Ｏｇ。
［青用］顔料リオノールブルーＬ６７００Ｆ（ＢＡＳＦ社製：Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー１５：６）９．５ｇ。
【００２６】
各着色樹脂（ペースト）５０ｇに対してジペンタエリスリトールペンタアクリト５ｇ、２−メチルー１−（４−（メチルチオ）フエニル）−２−モルホリノープロパン−１−オン０．８ｇ、メトキシスチリルトリアジン０．２ｇ、さらに、先に合成した希釈樹脂３ｇ、さらにプロピレングリコールジメチルアセテート４１ｇを加えて良く攪拌し各色の感光性着色組成物とした。
【００２７】
（カラーフィルタ層の形成）先ず、ブラックマトリックスが形成されたガラス基板（１１）上に赤色の感光性着色組成物をスピンコートし乾燥させた。７０℃２０分プレベーク後、液晶表示素子の１画素と同じ画素サイズのマスクを用いて４００ｍＪ／ｃｍ2 露光した。２．５％炭酸ナトリウムの水溶液で現像し水洗し、さらに水洗、乾燥後２３０℃３０分でベーク乾燥して赤色のパターンを得た。ベーク後の膜厚は１．２μｍであった。
【００２８】
次に、緑色の感光性着色組成物をスピンコートし乾燥させた。以下赤色と同様のプロセスにて膜厚１．２μｍの緑色のパターンを得た。さらに、青色の感光性着色組成物をスピンコートし乾燥させた。以下前色と同様のプロセスにて膜厚１．２μｍの青色のパターンを得、赤色、緑色、青色のパターンで構成するカラーフィルタ層（２０）をブラックマトリックス（２１）が形成されたガラス基板（１１）上に形成した。
【００２９】
（液晶表示装置用電極板の作製）次に、ガラス基板（１１）上のアクリレート樹脂を樹脂成分とするカラーフィルタ層（２０）上に、アクリル系樹脂のオーバーコート層（４１）を形成し、この上にクロムのゲート電極（３３）と、ＩＴＯ（酸化インジウム−スズ）の透明画素電極（３１）をパターン形成した。
【００３０】
次に、図３に示すブロック図に従い、第一成膜室（５２）にてシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）をプラズマＣＶＤで厚さ０．５μｍに成膜し、ゲート絶縁膜（３４）を形成した。ここでは、基板温度は２３０℃、水素を１７０ｓｃｃｍ、水素で希釈した１０％シラン（ＳｉＨ4：１０％、Ｈ2：９０％）を流量５０ｓｃｃｍ、同じく水素希釈のアンモニアを流量３４ｓｃｃｍで反応室内に供給し、圧力１ｔｏｒｒ、負荷電力１８０Ｗ、堆積速度０．１ｎｍ／ｓｅｃにて８０分間の成膜を行った。
【００３１】
この際、２３０℃という低温成膜を実現するため、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ、４００Ｗ）により形成した水素ラジカル（Ｈ*）（水素２０ｓｃｃｍ）をＳｉＮｘのプラズマＣＶＤ中に導入した。これは、図２に示すように、発振器（７１）からのマイクロ波を導波管（７２）に導き、この導波管（７２）の途中から水素を供給することで水素ラジカルを生成し、これをＣＶＤチャンバー（７３）内で主にガラス基板に向けて供給するものである。
【００３２】
次に、第二成膜室（５３）にてアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）膜（３５）をプラズマＣＶＤにて厚さ０．０５μｍに成膜した。ここでは、基板温度は２３０℃、水素で希釈した１０％シラン（ＳｉＨ4：１０％、Ｈ2：９０％）を流量３００ｓｃｃｍで反応室内に供給し、圧力１ｔｏｒｒ、負荷電力６０Ｗ、堆積速度０．１ｎｍ／ｓｅｃにて成膜を行った。
【００３３】
続いて、第三成膜室（５４）にてシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）のパシベーション層（３６）を同様にしてプラズマＣＶＤで厚さ０．５μｍに成膜した。この際にも、水素ラジカル（Ｈ*）（水素２０ｓｃｃｍ）をＳｉＮｘのプラズマＣＶＤ中に導入した。ここでは、ＴＦＴ素子のゲート電極（３３）と、ソース電極（３８）、ドレイン電極（３９）が重なる部分の界面が特性上重要であるため、上記のようにゲート絶縁膜（３４）とアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）膜（３５）は必ず連続形成し、パシベーション層（３６）も続いて連続形成することが望ましい。
【００３４】
この後、フォトレジストをパターン耐蝕膜とする反応性イオンエッチングをＣＦ4ガス中にて行ってゲート絶縁膜（３４）、アモルファスシリコン膜（３５）、およびパシベーション層（３６）を所望のパターンとした。続いて、フォトレジストをパターン耐蝕膜とし、パシベーション層（３６）に、同様に反応性イオンエッチングをＣＦ4ガス中にて行って長方形のスルーホールを２箇所形成し、ここにオーミック層（３７）をプラズマＣＶＤにて厚さ０．０５μｍに形成した。
【００３５】
ここで、基板温度は２３０℃、水素を１５０ｓｃｃｍと、水素で希釈した１０％シラン（ＳｉＨ4：１０％、Ｈ2：９０％）を流量３００ｓｃｃｍ、水素希釈１０００ｐｐｍのＰＨ3を流量９０ｓｃｃｍで反応室内に供給し、圧力１ｔｏｒｒ、負荷電力６０Ｗ、堆積速度０．０６ｎｍ／ｓｅｃにて成膜を行った。次いでソース電極（３８）とドレイン電極（３９）を金属アルミニウム膜にて厚さ０．８μｍにスパッタリングにて成膜し、ウエットエッチングにてパターン形成した。
【００３６】
このあと、全面にポリイミドの配向膜を塗布し、ラビング工程を経て、対向電極板と対向させて位置合わせをしながら貼り合わせ、液晶を両電極板の間に注入し、密封して液晶表示装置とした。得られた液晶表示装置は、欠陥画素や色ムラなどは発生せず高品位な画面が得られた。
【００３７】
得られた液晶表示装置の色特性は、Ｃ光源によるＣＩＥ色度図上での色度点が、赤（Ｒ）はｘ＝０．６００、ｙ＝０．３２４、緑（Ｇ）はｘ＝０．３２３、ｙ＝０．５５３、青（Ｂ）はｘ＝０．１６０、ｙ＝０．１５１であり、色再現域が、ＮＴＳＣ方式の規格値の色再現域１００％に対し４８％であった。また、白（Ｗ）はｘ＝０．３４４、ｙ＝０．３６０、白（Ｗ）のＹ値は３７であった。
【００３８】
＜参考例２＞参考例１における感光性着色組成物の組成に対し、ヘキサメチロールメラミンを固形分の３％添加した感光性着色組成物を用いて実施例１と同様に液晶表示装置用電極板を作製した。得られた液晶表示装置用電極板を用いた液晶表示装置の色再現域は、実施例１における色再現域に対し５％優位のものであった。
【００３９】
＜実施例１＞参考例１における感光性着色組成物を用いて参考例１と同様にカラーフィルタ層を形成した後、エポキシ系樹脂のオーバーコート層を形成した。オーバーコート層は２種作製した。すなわち、オーバーコート層を２３０℃、１時間硬化させたオーバーコート層（Ａ）と、オーバーコート層を５０℃、３０分間硬化させ、更に２３０℃、１時間硬化させたオーバーコート層（Ｂ）の２種作製した。
【００４０】
次に、カラーフィルタ層及びオーバーコート層（Ａ）を形成したガラス基板（Ａ'）と、カラーフィルタ層及びオーバーコート層（Ｂ）を形成したガラス基板（Ｂ'）を用いて、参考例１と同様に液晶表示装置用電極板（Ａ''）と液晶表示装置用電極板（Ｂ''）を作製した。
【００４１】
得られた液晶表示装置用電極板（Ａ''）を用いた液晶表示装置（Ａ'''）と、得られた液晶表示装置用電極板（Ｂ''）を用いた液晶表示装置（Ｂ'''）の色再現域を比較したところ、液晶表示装置（Ｂ'''）の色再現域は、２３０℃、１時間硬化させたオーバーコート層（Ａ）を有する液晶表示装置（Ａ'''）の色再現域に対し２０％優位のものであった。
【００４２】
＜比較例１＞赤用顔料として、ヘキスト社製ノボパームカーミンＨＦ４Ｃ（Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１８５）を用い、緑用顔料として、山水色素（株）製ファナトグリーンＭ（Ｃ．Ｉ．ピグメントグリーン４）を用い、青用顔料として、東洋インキ製造（株）製ウルトラブルー（Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー１）を用い、顔料以外は実施例１と同様に液晶表示装置を作製した。
【００４３】
この例では、顔料の耐熱性が低く、得られた液晶表示装置の色特性は、Ｃ光源によるＣＩＥ色度図上での色度点が、赤（Ｒ）はｘ＝０．４４３、ｙ＝０．３５１、緑（Ｇ）はｘ＝０．３３４、ｙ＝０．４２７、青（Ｂ）はｘ＝０．２７８、ｙ＝０．２６７であり、色再現域が、ＮＴＳＣ方式の規格値の色再現域１００％に対し６．８％であった。また、白（Ｗ）はｘ＝０．３４８、ｙ＝０．３５６、白（Ｗ）のＹ値は５６．４であった。再現できる色再現域が狭く、ＴＦＴ素子の形成での加熱処理による色特性の劣化が顕著であった。
【００４４】
【発明の効果】
本発明は、カラーフィルタ層が形成されたガラス基板上にＴＦＴ素子を形成するといった構成の液晶表示装置用電極板において、カラーフィルタ層が前記の耐熱性に優れた顔料を含有する感光性着色組成物を用いて形成されたカラーフィルタ層であるので、ＴＦＴ素子を形成する際に、高い基板温度で成膜してもカラーフィルタ層の変色や褪色などでカラーフィルタ層の色特性が低下することのない、すなわち、色再現域がＮＴＳＣ方式の規格値に対し４０％以上、白バランスが０．２７＜ｘ＜０．３５、０．２７＜ｙ＜０．４０の範囲にある液晶表示装置用電極板となる。
【００４５】
また、本発明は、ガラス基板上に、カラーフィルタ層、オーバーコート層を形成し、該オーバーコート層上にＴＦＴ素子、透明画素電極を形成する液晶表示装置用電極板の製造方法において、前記の耐熱性に優れた顔料を含有する感光性着色組成物を用いてカラーフィルタ層を形成するので、ＴＦＴ素子を形成する際に、高い基板温度で成膜してもカラーフィルタ層の変色や褪色などでカラーフィルタ層の色特性が低下することのない、すなわち、色再現域がＮＴＳＣ方式の規格値に対し４０％以上、白バランスが０．２７＜ｘ＜０．３５、０．２７＜ｙ＜０．４０の範囲にある液晶表示装置用電極板の製造方法となる。
【００４６】
また、本発明は、上記液晶表示装置用電極板を用いた液晶表示装置であるので、色再現域がＮＴＳＣ方式の規格値に対し４０％以上、白バランスが０．２７＜ｘ＜０．３５、０．２７＜ｙ＜０．４０の範囲にある液晶表示装置となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による液晶表示装置用電極板の一実施例を示す部分断面図である。
【図２】本発明に用いる水素ラジカル供給部を示す説明図である。
【図３】参考例１におけるＴＦＴ素子の形成を説明するブロック図である。
【符号の説明】
１１・・ガラス基板
１２・・対向基板
２０・・カラーフィルタ
２１・・ブラックマトリックス
３１・・透明画素電極
３３・・ゲート電極
３４・・ゲート絶縁膜
３５・・アモルファスシリコン膜
３６・・パシベーション層
３７・・オーミック層
３８・・ソース電極
３９・・ドレイン電極
４１・・オーバーコート層
５０・・基板搬出入室
５１・・ロードロック室
５２・・第一成膜室
５３・・第二成膜室
５４・・第三成膜室
５５・・アンロードロック室
７１・・発振器
７２・・導波管
７３・・ＣＶＤチャンバー
【図１】
0004059004.tif 000002
【図２】
0004059004.tif 000003
【図３】
0004059004.tif 000004