(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
２次の非線形感受率をもつ非線形光学効果及び周期的な誘電率分布を有するフォトニック結晶に２種の光又は電磁波を互いに異なった方向から入射することにより、非線形光学効果により非線形感受率を通じて、入射された光又は電磁波が互いに結合を起こし、前記結合された２種の光又は電磁波のエネルギーを入射された２種の光又は電磁波のエネルギーと異なる２種の光又は電磁波のエネルギーに分解して、入射された光又は電磁波とは異なる２種の光又は電磁波を発生させるものであり、前記分解された２種の光又は電磁波のエネルギーの一方が前記フォトニック結晶に入射する２種の光又は電磁波のエネルギーのうちの一方に対してほぼ第２高調波に等しいエネルギーを持つようしたことを特徴とする光又は電磁波の発生方法。
【請求項２】
入射される光又は電磁波がレーザ光であることを特徴とする請求項１記載の光又は電磁波の発生方法。
【請求項３】
発生する複数の光又は電磁波の１つの波長が３０μｍ〜３００μｍの範囲にあることを特徴とする請求項１または２記載の光又は電磁波の発生方法。
【請求項４】
２次の非線形感受率をもつ非線形光学効果及び周期的な誘電率分布を有するフォトニック結晶内部で２種の光又は電磁波を互いに異なった方向に生成することにより、非線形光学効果により非線形感受率を通じて、生成された光又は電磁波が互いに結合を起こし、前記結合された２種の光又は電磁波のエネルギーを生成された２種の光又は電磁波のエネルギーと異なる２種の光又は電磁波のエネルギーに分解して、生成された光又は電磁波とは異なる２種の光又は電磁波を発生させるものであり、前記分解された２種の光又は電磁波のエネルギーの一方が前記フォトニック結晶内部で生成される２種の光又は電磁波のエネルギーのうちの一方に対してほぼ第２高調波に等しいエネルギーを持つようしたことを特徴とする光又は電磁波の発生方法。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれかに記載の光又は電磁波の発生方法に用いる光又は電磁波の発生装置であって、２次の非線形感受率をもつ非線形光学効果及び周期的な誘電率分布を有するフォトニック結晶と、前記フォトニック結晶に互いに異なった方向から２種の光又は電磁波を入射する光又は電磁波入射装置とを備えたことを特徴とする光又は電磁波の発生装置。
【請求項６】
光又は電磁波入射装置が、レーザ光を出射するレーザ装置と、前記レーザ光を分岐してフォトニック結晶に伝達する分岐部材とを備えたことを特徴とする請求項５記載の光又は電磁波の発生装置。
【請求項７】
レーザ装置が波長可変レーザであることを特徴とする請求項６記載の光又は電磁波の発生装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、テラヘルツ光等の電磁波を発生させることができる光又は電磁波の発生方法及び発生装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、特にテラヘルツ領域の光（サブミリ波）については、これまで有効なコヒーレント光源が無かった。テラヘルツ領域の光（サブミリ波）を容易に発生させることができるようになれば、新規光部品、検査装置用特殊光源として、これを利用することができる。又、テラヘルツ光はＸ線や紫外線に較べて安全であり、医用診断等への応用も可能である。このように、テラヘルツ光は、Ｘ線に代わる安全光源として各種産業において広範囲に利用が期待できるものであり、また新規な応用分野が開拓されるものとも考えられる。しかしながら、これまで、この波長領域のコヒーレントな光は簡便に発生させることが出来なかった。
【０００３】
周波数１〜１０ＴＨｚの電磁波をここではテラヘルツの電磁波又はテラヘルツ光と呼ぶことにする。この周波数領域は波長３０ミクロンから３００ミクロンに相当する。この領域のコヒーレントな電磁波は発生させることが難しく、簡便に発振可能で良質な光源（電磁波源）を実現することが望まれている。
【０００４】
すでに述べたようにテラヘルツ領域の光源はＸ線に代わる新たな安全光源として医療分野への応用が期待されている。テラヘルツ光を照射し、皮膚の状態観察や歯の断層診断などの研究が進められている。その他、コンクリートの断層診断、紙幣の透かしの可視化、パッケージ食品の水分量計測やフロッピーディスクなどの内部透視など、多くの応用が考えられている。
【０００５】
この領域の電磁波を発生させる装置としては、従来、自由電子レーザを用いた大がかりなものはあったが、規模が大きすぎて実用には不向きであった。又、波長１０．６ミクロンの炭酸ガスレーザを励起光源とし、それを気体分子に照射し、その時の気体分子の振動、回転準位を使って、テラヘルツ光を発生させる研究もなされてきた。しかしながら、気体の回転、振動準位は固定されているため、波長可変領域が狭いことや装置が大きすぎると言う問題があり、実用化には至っていない。
【０００６】
又、非線形光学素子であるニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）を用いてパラメトリック発振器を構成し、ＮｄＹＡＧレーザを励起光源として、ＴＨｚ領域の光を取り出す方法が発表されている。ＬｉＮｂＯ３にＮｄＹＡＧレーザ（１．０６μｍ）を照射すると、特定の方向にアイドラー光と呼ばれるほぼ励起光に等しい波長を持つ光とテラヘルツ光とに分解される。この時、入射光のＫベクトルと射出される２つの光のＫベクトルが保存される（Ｏ  ｐｌｕｓ  Ｅ，Ｖｏｌ．２２，Ｎｏ．１，ｐ６９（２０００年１月））。
【０００７】
さらに、光スイッチによるテラヘルツ光の発生方法も研究されている。この方法は、ガリウム砒素基板上に金属の微小ダイポールアンテナを設け、そのアンテナに直流バイアス電圧を印加する。この時、アンテナの平行線路間にフェムト秒のレーザパルスを照射すると電子正孔が生成され、この時、電子正孔の生成により瞬時電流が流れるため、双極子放射であるテラヘルツ光が発生する（Ｏ  ｐｌｕｓ  Ｅ，Ｖｏｌ．２２，Ｎｏ．１，ｐ４１（２０００年１月））。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のＬｉＮｂＯ３にＮｄＹＡＧレーザを照射して、パラメトリック発振を起こさせる方法では、高い発生効率を得るために大型の非線形光学単結晶を用いる必要があり、高効率な発振を実現する事は難しいという問題がある。又、ダイポールアンテナによる方法では、パルス発振であること、及び電子正孔のスクリーニング効果のためテラヘルツ光の発生効率が低いという問題がある。
【０００９】
従って本発明の目的は、テラヘルツ光等の電磁波を効率よく発生させることができる光又は電磁波の発生方法及び発生装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、非線形光学効果及び周期的な誘電率分布を有するフォトニック結晶に光又は電磁波を入射することより、入射された光又は電磁波とは異なる複数の光又は電磁波を発生させる光又は電磁波の発生方法により、達成される。ここで、光又は電磁波は、フォトニック結晶に特定の制御された方向（同一方向及び異なる方向を含む）より入射することができる。入射される光又は電磁波はレーザ光とすることができる。また、発生する複数の光又は電磁波の少なくとも１つは、フォトニック結晶のフォトニックバンドの傾斜の小さい状態又は光の群速度が真空中の光の速度に較べて非常に小さい領域に相当するものとすることができる。さらに、発生する複数の光又は電磁波の１つと同じ波長の光をフォトニック結晶に特定の方向より入射することができる。発生する複数の光又は電磁波の１つの波長は、例えば３０μｍ〜３００μｍの範囲にあり、その周波数はいわゆるテラヘルツ領域とすることができる。
また、本発明に係る光又は電磁波の発生方法では、非線形光学効果及び周期的な誘電率分布を有するフォトニック結晶内部で光又は電磁波を生成することより、生成された光又は電磁波とは異なる複数の光又は電磁波を発生させることもできる。
【００１１】
本発明に係る光又は電磁波の発生装置は、非線形光学効果及び周期的な誘電率分布を有するフォトニック結晶と、前記フォトニック結晶に特定の方向（同一方向及び異なる方向を含む）から光又は電磁波を入射する光又は電磁波入射装置とを備えて構成される。ここで、光又は電磁波入射装置は、レーザ光を出射するレーザ装置と、前記レーザ光を分岐してフォトニック結晶に伝達する分岐部材とを備えることができる。この場合、レーザ装置を波長可変レーザとすることができる。
このように構成することにより、テラヘルツ光等の電磁波を効率よく発生させることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例について説明するが、その前に、まず本発明の原理を説明する。
【００１３】
図１（ａ）、（ｂ）はそれぞれフォトニック結晶の例を示す図である。同図（ａ）は球状のフォトニック結晶１１を示し、（ｂ）は格子状のフォトニック結晶１２を示す。フォトニック結晶とは、人工的に作製された光の波長と同程度の周期的な屈折率分布を持つ構造体である。材料としては、例えば、ＣｕＣｌ，ＬｉＮｂＯ３，ＧａＡｓなどが用いられる。本発明は、このフォトニック結晶の持つ強い非線形光学効果を利用し、入射波とは波長の大きく異なるテラヘルツ光等の電磁波を効率よく発振させるものである。
【００１４】
フォトニック結晶は屈折率あるいは誘電率の周期場を提供する人工媒体であるが、その内に置かれた光は、半導体で言えば周期的なクーロンポテンシャル中に置かれた電子の場合と同様の振る舞いをする。すなわちブリルアンゾーンを用いて光の特性を記述することが出来る。
【００１５】
このことをさらに詳しく述べる。光は電磁波であり、Ｍａｘｗｅｌｌの電場磁場に関する４つの方程式に従うことはよく知られている。人工的に作られた周期的な誘電率を持つ構造体、フォトニック結晶のもとでは、電場に関するＭａｘｗｅｌｌの方程式は次のように書ける。なお、以下の式中及び説明中のｒ，ａ，ｋ，ｕはベクトルを示す。
［１／ε（ｒ）］∇×［∇×Ｅ（ｒ）］＝［ω２／ｃ２］Ｅ（ｒ）
この方程式において、誘電率は周期性ε（ｒ）＝ε（ｒ＋ａ）を満たす。ここでａはフォトニック結晶の基本並進ベクトルである。なお、磁場に関しても同様な方程式が成立する。
【００１６】
上記方程式は並進対称操作に関して不変であり、光の電場ベクトルＥ（ｒ，ｔ）［又は磁場］に関して半導体中の電子と同様にブロッホの定理が成り立つ事が証明出来る（Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ５２，７９８２（１９９５））。
従って、フォトニック結晶内の光の状態は電子の結晶中での状態と同様、
Ｅ（ｒ，ｔ）＝ｕｎｋ（ｒ）ｅｘｐ（ｉｋｒ）
と書くことができることが知られている。ｎはバンドを表している。ここでｕｎｋ（ｒ）は次の関係を満足する。
ｕｎｋ（ｒ）＝ｕｎｋ（ｒ＋ａ）
ここでａはフォトニック結晶の誘電率の周期であり、フォトニック結晶の格子定数に相当する。
【００１７】
これらのことは、光又は電磁場に対してバンド構造が出現することを示している。又、ある対称性を持ったフォトニック結晶では光の存在できないエネルギー帯域が出現する。この光の存在できない領域はフォトニックバンドギャップと呼ばれている。
【００１８】
図２は、フォトニック結晶のバンド構造の一例を示す図である。この図からも分かるように、光は通常の誘電体や真空中にある時と較べて、フォトニック結晶内では非常に大きな波数ベクトルを持つ。
さらに光のバンド計算から、フォトニック結晶内では、図２中のＢで示すように、バンドがフラットになる領域も存在する事が分かる。これを反映して、そのエネルギー領域では屈折率（ｎ＝ｃｋ／ω）の増大が起こる。又、バンドの傾斜ｄω／ｄｋに対応する光の群速度が著しく低下する事が分かる。
【００１９】
次に、フォトニック結晶の非線形効果について述べる。周期的な誘電率を有するフォトニック結晶において、それを構成する物質の誘電率が非線形性を持っている場合を考察する。すなわち、フォトニック結晶が２次の非線形感受率χ（２）（ｒ）を持つとすると、入射した光（ωを光の角周波数とする）が結合して２ωの第二高調波（ＳＨＧ）を発生させることも検討されている（Ｐｈｙｓ．，Ｒｅｖ．Ｂ，Ｖｏｌ．５４，ｐ５７３２（１９９６））。
【００２０】
図３は、非線形フォトニック結晶における波数ベクトルの保存則を説明するための図である。本発明では、この非線形フォトニック結晶に入射方向が特定の方向（同一方向及び異なる方向を含む）の２種の光を導入し、合成Ｋベクトルの和を図に示すように小さくしておく事を考える。この時、２種の入射光のエネルギーは異なっていても良いし、又同じであっても良い。説明を簡単にするため、同じエネルギーを持つレーザ光を考える事にする。又、入射光はフォトニックバンドの第１分岐にあるとする。その時、例えば、この入射レーザ光を互いに異なった方向から入射させる。このようにすると、以下に述べるように２つのレーザ光線の合成Ｋベクトルを小さくすることが出来る。
【００２１】
入射レーザ光を互いに異なった方向から入射させると非線形光学効果により、非線形感受率を通じて、光が互いに結合を起す。その合成Ｋベクトルは、
Ｋ＝Ｋ１（ω０）＋Ｋ２（ω０）
と表される。
ここで、Ｋ１（ω０）はレーザ光の進行方向がＫ１、その時の光のエネルギーが（ｈ／２π）ω０である事を表している（ｈはプランク定数）。同様にＫ２（ω０）はレーザ光の進行方向がＫ２、その時の光のエネルギーが（ｈ／２π）ω０である事を表している。
【００２２】
さて、この時、非線形効果が起こり、次のようなＫベクトルとエネルギーの保存を満足する解が存在する事が分かる。
Ｋ＝Ｋ３（２ω０−Δ）＋Ｋ４（Δ）
ここでΔをω０に較べて小さいと仮定すると、Ｋ３（２ω０−Δ）はほぼ第２高調波に等しいエネルギーを持ち、図２に示すフォトニックバンドＢの光に対応する。この光はバンドの傾きが緩やかであるために、その群速度が、同じ振動数の真空中の光の速度に較べて非常に小さく、そのためこのＫ３（２ω０−Δ）を持つ光が強く励起されると考えられる。この群速度異常による増強効果はフォトニック結晶における基本的な非線形光学特性の一つである。
【００２３】
一方、Ｋ４（Δ）は低エネルギー側に現れる光であり、本発明でのテラヘルツ光に対応する光である。このようにしてテラヘルツ光やその他所望の波長の光を得ることが出来る。
２つの入射光のなす角を変えることで、合成Ｋベクトルの値を選択する事ができる。合成Ｋベクトルの大きさを変えることにより、Ｋベクトルとエネルギーの保存則を満足するＫ４（Δ）は大きく変わる。従って角振動数Δを自由に選択できるので、この光はテラヘルツ光に限定されない事は言うまでもない。
【００２４】
さらにアイドラー光と同じ角周波数を持つ光を外部より入射させると、フォトニック結晶内部ではＫ３（２ω０−Δ）を持つ光となる。この時、図３の誘導散乱過程の確率が高まり、Ｋ４（Δ）の光（電磁波）のスペクトルを狭帯化出来る。すなわち、Ｋ３（２ω０−Δ）の光を外部から導入すると、その光による誘導散乱効果が起こり、上記光混合過程が増大されて、Ｋ３（２ω０−Δ）の光のみならず信号光であるテラヘルツ光も強く観測される。
【００２５】
なお上記説明においてはフォトニック結晶の外部よりレーザ光線を入射させる事を前提に説明したが、光線はフォトニック結晶内部において生成したものであっても同様の効果が得られることは明らかである。すなわちレーザ発振可能な構造を複数のフォトニック結晶内に作製しておき、それを用いて上記光の合成を行ってもよい。
【００２６】
以上の説明からも分かるように、本発明で得られる電磁波は単にテラヘルツ光に限定されるものでは無い。すなわち、本発明は、２種の光をフォトニック結晶に入射させ、その非線形性を用いて入射光を分解し、入射光とは異なる所望の波長の光又は電磁波２種を発生させる手段として使用できるからである。
【００２７】
これをエネルギーの関係で表せば、次のようになる。
Ｅ（Ｋ１）＋Ｅ（Ｋ２）＝Ｅ（Ｋ３）＋Ｅ（Ｋ４）
ここにＫ１，Ｋ２は入射光の波数ベクトル、Ｋ３，Ｋ４は分解され、放出される光（又は電磁波）の波数ベクトルであり、Ｅ（Ｋｉ）は波数Ｋｉを持つ光（又は電磁波）のエネルギーである。
【００２８】
このように、上述のフォトニック結晶に光を照射する方法を使うことにより、２つの入射光線の光のエネルギーを、異なる２つの光のエネルギーに効率よく分解することができる。
以下、実施例に基づいて、本発明を具体的に説明する。
【００２９】
（実施例１）
図４は、本発明に係る光又は電磁波の発生装置の一実施例を示す図である。本実施例は、図示のように、波長可変レーザ４１と、分岐部材４２及び反射部材４３〜４７と、フォトニック結晶４８とを備える。ここで、波長可変レーザ４１は、例えば、チッソレーザ励起又はＡｒレーザ励起の色素レーザ（ポリメチレン系色素）（１．１μｍ帯）を用いて励起する。色素レーザにより最適波長が分かれば、その後は波長固定の半導体レーザ（１．３μｍ）を用いてもよい。また、分岐部材４２は例えばハーフミラーであり、反射部材４３〜４７は例えばミラーである。本実施例では、波長可変レーザ４１、分岐部材４２及び反射部材４３〜４７が、光又は電磁波入射装置を構成する。
【００３０】
フォトニック結晶４８は、次のようにして作製される。まず、図示しない透明ガラス基板上にＧａＰ（ガリウムリン）を真空蒸着法により１ミクロン着膜する。次にＳｉＯ２を同様に１ミクロン着膜する。これを繰り返し実施することにより１次元のフォトニック結晶４８が作製できる。ＧａＰは比誘電率８．４を持つ強い非線形性光学材料である。比誘電率は他の物質と比較して大きい。一方、ＳｉＯ２は比誘電率（約２．１）を持ち、非線形性は小さい。この２種類の材料の誘電率の差は大きく、そのためフォトニックバンド構造が現れる。
【００３１】
真空蒸着を行うと各層とも完全な単結晶にはならず多結晶状態となるがコラムナーの方向は大まかに揃う。従ってマクロな結晶方位は単結晶ほど明確ではないが、現れてくる。この真空蒸着を交互に１０回ずつ繰り返し、約２０ミクロンの厚さの１次元フォトニック結晶４８を作製する。
【００３２】
次に動作を説明する。まず、波長可変レーザ４１からレーザ光（波長λ）を出射する。このレーザ光は、反射部材４２で分岐され、それぞれ反射部材４３〜４５及び４６〜４７を介して１次元フォトニック結晶４８の両側に到達し、ある角度θで照射される。本例では、フォトニック結晶４８の上面からは角度θ１で、下面からは角度θ２でレーザ光が照射される。
【００３３】
ここで、波長可変レーザ４１から出射されるレーザ光の波長を変えていくと、ある波長λのところでｃｈ／（λ／２）−Δのエネルギーを持つ光とエネルギーΔを持つ長波長の光が観測される。この光を分光すると、長波長側にテラヘルツ光等の電磁波が発生していることが分かる。
【００３４】
この時発生するテラヘルツ光のエネルギーＥ（Ｋ４）は
Ｅ（Ｋ４）＝Ｅ（Ｋ１）＋Ｅ（Ｋ２）−Ｅ（Ｋ３）
となり、この関係はエネルギーの保存則より厳密に成立するので、Ｅ（Ｋ３）の光を観測することで出射された長波長側の波長（又は振動数）を正確に知ることが出来る。
本実施例では入射光の波長は１．１μｍであり、それにより発生する光は約１／２の０．５５μｍの波長の光と０．３ｍｍの長波長の光（電磁波）である。それぞれの光は発生する方向とエネルギーが大きく異なるため、分離は容易である。
【００３５】
（実施例２）
図５は、本発明に係る光又は電磁波の発生装置の他の実施例を示す図である。本実施例は、図示のように、レーザ光源５１と、分岐部材５２及び反射部材５３〜５６と、フォトニック結晶５７とを備える。ここで、レーザ光源５１は、例えば、波長１．３μｍ（１．０５ｅＶ）の半導体レーザを用いることができる。また、分岐部材５２は例えばハーフミラーであり、反射部材５３〜５６は例えばミラーである。本実施例では、レーザ光源５１、分岐部材５２及び反射部材５３〜５６が、光又は電磁波入射装置を構成する。
【００３６】
次に、フォトニック結晶５７の作製方法を説明する。まず、非線形光学効果を持つインジウムリンＩｎＰ基板を厚さ０．５μｍに加工し、電子線ビームを用いてストライプ構造を形成する（第４８回応用物理学関係連合講演会、講演予稿集（２００１年３月、２９ｐ−ＺＨ−７）。これを積層してフォトニック結晶構造を得る。具体的には、基板として２インチのＩｎＰ基板を用いた。ＭＯＣＶＤ法によりこのＩｎＰ基板上にＩｎＧａＡｓとＩｎＰをこの順序に堆積する。犠牲層のＩｎＧａＡｓは０．８μｍ堆積した。又ＩｎＰ層は０．５μｍ堆積した。次にレジストを塗布し、電子線描画装置により、レジストのストライプ状パターンを形成する。ストライプの幅は０．５μｍ、ストライプ間の周期は１μｍとした。続いて、ＩＣＰ（誘導結合プラズマ）法により、ＩｎＰおよびＩｎＧａＡｓ層を同時にエッチングする。ＩｎＧａＡｓ層を犠牲層としてエッチング除去し、エアブリッジ構造を作成する。その後、宙に浮いた０．５μｍのＩｎＰ層をマイクロマニュピレーション法により取り外す。このＩｎＰ層を一層ずつ積層する事により、３次元フォトニック結晶を作製することができる。図６は、このＩｎＰ層を２層積層した状態の一例を示す図である。本例では、ＩｎＰ層６１上にＩｎＰ層６２が直角に交叉して積層される。
【００３７】
犠牲層をエッチング除去するためエッチング液として硫酸系エッチャントを用いた。積層は１００回行い、約５０μｍの厚みの３次元フォトニック結晶５７を作製する。フォトニック結晶５７の１辺の長さは２ｍｍとした。
【００３８】
次に動作を説明する。まず、図５のレーザ光源（半導体レーザ）５１から波長１．３μｍ（１．０５ｅＶ）のレーザ光を出射する。このレーザ光は、反射部材５２で分岐され、それぞれ反射部材５３〜５５及び５６を介して３次元フォトニック結晶５７の前後に照射される。この時、約２ｅＶに対応したエネルギー準位のフォトニックバンドが励起されるため、入射光の約２倍のエネルギーを持つ光（２ω０−Δ）と、
Ｅ（Ｋ４）＝Ｅ（Ｋ１）＋Ｅ（Ｋ２）−Ｅ（Ｋ３）
を満足する長波長の電磁波であるテラヘルツ光（Δ）が発生する。この場合も、それぞれの光は発生する方向やエネルギーが大きく異なるため、分離は容易である。
【００３９】
このように、本発明では、フォトニック結晶の非線形効果の増幅作用により、２種類の入射光ω１、ω２を、別の波長を持った２種の光又は電磁波ω３、ω４に効率よく分解することができる。通常この種の実験はフォノンによる光散乱の影響を抑えるため、低温で実施することが多いが、フォトニック結晶では一義的にはフォノンは存在しないので、常温においても、増強効果が顕著に現れるという特徴がある。
【００４０】
【発明の効果】
本発明によれば、テラヘルツ光等の電磁波を効率よく発生させることができる光又は電磁波の発生方法及び発生装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）、（ｂ）はそれぞれフォトニック結晶の例を示す図である。
【図２】フォトニック結晶のバンド構造の一例を示す図である。
【図３】非線形フォトニック結晶における波数ベクトルの保存則を説明するための図である。
【図４】本発明に係る光又は電磁波の発生装置の一実施例を示す図である。
【図５】本発明に係る光又は電磁波の発生装置の他の実施例を示す図である。
【図６】ＩｎＰ層を２層積層した状態の一例を示す図である。
【符号の説明】
４１  波長可変レーザ
４２〜４７  反射部材
４８  フォトニック結晶
【図１】
0004182655.tif 000002
【図２】
0004182655.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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