(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
非伸縮性の支持体と、該非伸縮性の支持体上に積層された第１のシリコーンエラストマー層と、該第１のシリコーンエラストマー層上に積層され、ＦＰＣ基板をその上に密着固定させるための第２のシリコーンエラストマー層と、の積層板からなるＦＰＣ基板搬送用パレットであって、前記第１のシリコーンエラストマー層は、動的粘弾性測定により周波数１０Ｈｚ、温度２０°Ｃで測定したせん断弾性率Ｇ'が３．０×１０４Ｐａ〜５．０×１０６Ｐａの範囲にあり、前記第２のシリコーンエラストマー層は、動的粘弾性測定により周波数１０Ｈｚ、温度２０°Ｃで測定したせん断弾性率Ｇ'が５．０×１０５Ｐａ〜５．０×１０６Ｐａの範囲にあるとともに前記第１のシリコーンエラストマー層のせん断弾性率Ｇ'が、第２のシリコーンエラストマー層のせん断弾性率Ｇ'より低く構成されているＦＰＣ基板搬送用パレット。
【請求項２】
ＦＰＣ基板との位置合わせ用の孔又は凹部が形成された請求項１に記載のＦＰＣ基板搬送用パレット。
【請求項３】
実装装置の載置部との位置合わせ用の孔明け加工が施された請求項１又は請求項２に記載のＦＰＣ基板搬送用パレット。
【請求項４】
前記非伸縮性の支持体がステンレス板、アルミニウム板、マグネシウム合金板、ガラス繊維含浸エポキシ板及びガラス繊維含浸ポリエステル板のいずれか一つからなる請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載のＦＰＣ基板搬送用パレット。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載のＦＰＣ基板搬送用パレットを使用し、前記第２のシリコーンエラストマー層の粘着性を利用してＦＰＣ基板を密着固定した後、そのＦＰＣ基板に半導体チップを実装するＦＰＣ基板への半導体チップ実装方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＦＰＣ基板搬送用パレット及びＦＰＣ基板への半導体チップ実装方法に係り、詳しくはＦＰＣ基板に半導体チップを実装するときに使用するＦＰＣ基板搬送用パレット及びＦＰＣ基板への半導体チップ実装方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＦＰＣ基板（Flexible Printed Circuit基板）は厚みが薄く、柔軟性に富んでいるために近年、小型電子機器の回路を構成する基材として中心的な役割を果たしている。しかし、ＦＰＣ基板は強度、平坦度、熱収縮性等の特性から、半導体チップの実装については、紙フェノール基板やガラスエポキシ基板と同様に取り扱うことができない。このため、ステンレス材等で作成された搬送パレットの上に、ＦＰＣ基板を位置決めして接着テープで貼り付け、ステンレス板を補強板として使用することによって半導体チップを実装する方法が採用されている。また、特開平９−２３７９９５号公報には粘着剤でＦＰＣ基板を搬送パレットに仮固定することが開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、ＦＰＣ基板を搬送パレットに位置決めして接着テープで貼るという作業は手作業となるため、作業効率が低下するという問題がある。また、接着テープを剥がした後の糊残りは品質上好ましくない。また、接着テープは使い捨てで使用するので経済的に好ましくないという問題がある。
【０００４】
本発明はかかる背景のもとになされたものであって、その目的は、作業効率よく経済的にＦＰＣ基板へ半導体チップを実装できるＦＰＣ基板搬送用パレット及びＦＰＣ基板への半導体チップ実装方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、請求項１に記載の発明では、非伸縮性の支持体と、該非伸縮性の支持体上に積層された第１のシリコーンエラストマー層と、該第１のシリコーンエラストマー層上に積層され、ＦＰＣ基板をその上に密着固定させるための第２のシリコーンエラストマー層と、の積層板からなるＦＰＣ基板搬送用パレットであって、前記第１のシリコーンエラストマー層は、動的粘弾性測定により周波数１０Ｈｚ、温度２０°Ｃで測定したせん断弾性率Ｇ'が３．０×１０４Ｐａ〜５．０×１０６Ｐａの範囲にあり、前記第２のシリコーンエラストマー層は、動的粘弾性測定により周波数１０Ｈｚ、温度２０°Ｃで測定したせん断弾性率Ｇ'が５．０×１０５Ｐａ〜５．０×１０６Ｐａの範囲にあるとともに前記第１のシリコーンエラストマー層のせん断弾性率Ｇ'が、第２のシリコーンエラストマー層のせん断弾性率Ｇ'より低く構成されている。
【０００６】
この発明では、第２のシリコーンエラストマー層の粘着性を利用して、接着テープ無しでＦＰＣ基板を搬送パレットに密着できる。また、接着テープを使わないためＦＰＣ基板を搬送パレットから除去しても糊残りがない。また、シリコーンエラストマーは耐熱性に優れるため、本搬送パレットは繰り返し使用できる。
【０００７】
また、第１のシリコーンエラストマー層の粘着性を利用して、プライマーや接着剤等を使用せずに、シリコーンエラストマー層を非伸縮性の支持体に密着固定できる。しかも、接着剤等で接着する場合と異なり、非伸縮性の支持体からシリコーンエラストマー層を容易に剥がして、分別して廃棄できる。
【０００８】
請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の発明において、ＦＰＣ基板との位置合わせ用の孔又は凹部が形成されている。この発明では、ＦＰＣ基板を搬送パレットの所定位置に例えばピン等で容易に位置合わせできる。
【０００９】
請求項３に記載の発明では、請求項１又は請求項２に記載の発明において、実装装置の載置部との位置合わせ用の孔明け加工が施されている。この発明では、搬送パレットを実装装置の載置部の所定位置に例えばピン等で容易に位置合わせできる。
【００１０】
請求項４に記載の発明では、請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の発明において、前記非伸縮性の支持体がステンレス板、アルミニウム板、マグネシウム合金板、ガラス繊維含浸エポキシ板及びガラス繊維含浸ポリエステル板のいずれか一つからなる。この発明では、入手しやすい板で非伸縮性の支持体を形成できる。
【００１１】
請求項５に記載の発明では、請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載のＦＰＣ基板搬送用パレットを使用し、前記第２のシリコーンエラストマー層の粘着性を利用してＦＰＣ基板を密着固定した後、そのＦＰＣ基板に半導体チップを実装する。この発明では、接着テープを使用せずにＦＰＣ基板を固定でき、作業効率よく経済的にＦＰＣ基板へ半導体チップを実装できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を具体化した一実施の形態を図１及び図２に従って説明する。
図１（ｂ）は搬送パレットの模式平面図を示し、図１（ａ）は図１（ｂ）のＩＡ−ＩＡ線模式断面図を示す。
【００１３】
図１（ａ）に示すように、搬送パレット１１は、補強板としての非伸縮性の支持体１２と、シリコーンエラストマー層１３との積層板として形成されている。シリコーンエラストマー層１３は、非伸縮性の支持体１２上に積層された第１のエラストマー層としての第１のシリコーンエラストマー層１３ａと、その上に積層された第２のエラストマー層としての第２のシリコーンエラストマー層１３ｂとの２層により構成されている。第２のシリコーンエラストマー層１３ｂにはＦＰＣ基板が密着される。この実施の形態では、非伸縮性の支持体１２はアルミニウム板（アルミ板）である。
【００１４】
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、搬送パレット１１には、実装装置との位置合わせ用孔１４と、ＦＰＣ基板１５（図１（ｂ）で二点鎖線で図示）との位置合わせ用孔１６とが形成されている。位置合わせ用孔１４は、搬送パレット１１の長手方向の両端部に形成されており、非伸縮性の支持体１２及びシリコーンエラストマー層１３を貫通している。位置合わせ用孔１６も非伸縮性の支持体１２及びシリコーンエラストマー層１３を貫通している。位置合わせ用孔１６は搬送パレット１１に複数形成されている。この実施の形態では、搬送パレット１１の面積は、例えばＦＰＣ基板１５を６枚密着可能な広さになっている。位置合わせ用孔１６は、その一対が、ＦＰＣ基板の一方の対角線上の角部に対応する位置に形成されている。
【００１５】
第１のシリコーンエラストマー層１３ａ及び第２のシリコーンエラストマー層１３ｂを構成するシリコーンエラストマーは、次に示すようなシロキサン骨格を有するポリオルガノシロキサンを架橋することにより得られるエラストマーである。
【００１６】
【化１】
0004097185.tif 000002
このシリコーンエラストマーは、Ｒのすべてがメチル基であるポリジメチルシロキサンをはじめ、メチル基の一部が他のアルキル基、ビニル基、フェニル基、フルオロアルキル基などの一種あるいはそれ以上と置換された各種のポリオルガノシロキサンを単独あるいは２種類以上ブレンドしたものである。
【００１７】
架橋方法は特に限定されるものではなく、従来より公知の方法が適用できる。例えば、ポリオルガノシロキサンのメチル基あるいはビニル基をラジカル反応で架橋する方法が挙げられる。また、シラノール末端ポリオルガノシロキサンと、加水分解可能な官能基を有するシラン化合物との縮合反応で架橋する方法や、ビニル基へのヒドロシリル基の付加反応で架橋する方法などが挙げられる。
【００１８】
第１のシリコーンエラストマー層１３ａは、動的粘弾性測定により周波数１０Ｈｚ、温度２０°Ｃで測定したせん断弾性率Ｇ’が３．０×１０4Ｐａ〜５．０×１０6Ｐａの範囲にあるように形成されている。また、第２のシリコーンエラストマー層１３ｂは、動的粘弾性測定により周波数１０Ｈｚ、温度２０°Ｃで測定したせん断弾性率Ｇ’が５．０×１０5Ｐａ〜５．０×１０6Ｐａの範囲にあるように形成されている。
【００１９】
シリコーンエラストマー層１３と非伸縮性の支持体１２との接着は、第１のシリコーンエラストマー層１３ａの密着力によってなされており、プライマーや接着剤等は使用されていない。
【００２０】
第１のシリコーンエラストマー層１３ａは、せん断弾性率Ｇ’が低すぎると、シリコーンエラストマーが軟らかすぎて、シートの取扱性が悪くなる。反対にせん断弾性率Ｇ’が高すぎると、シリコーンエラストマーが硬過ぎて、第１のシリコーンエラストマー層１３ａと非伸縮性の支持体１２との密着力が小さくなる。そして、作業中に加わる応力や、位置合わせ用孔１４や位置合わせ用孔１６の形成加工等で、非伸縮性の支持体１２と第１のシリコーンエラストマー層１３ａとの間に剥離が生じる虞がある。
【００２１】
また、第２のシリコーンエラストマー層１３ｂは、せん断弾性率Ｇ’が低すぎると、シリコーンエラストマーが軟らかすぎて第２のシリコーンエラストマー層１３ｂとＦＰＣ基板１５との密着力が大きく、ＦＰＣ基板１５の取り外しが困難となる。反対にせん断弾性率Ｇ’が高すぎると、シリコーンエラストマーが硬過ぎて、第２のシリコーンエラストマー層１３ｂとＦＰＣ基板１５との密着力が小さく、ＦＰＣ基板の位置決めが困難となる。第１及び第２のシリコーンエラストマー層１３ａ，１３ｂは、それぞれのせん断弾性率Ｇ’が上記の範囲にあるように形成することにより、それぞれの密着力を適切な大きさにできる。
【００２２】
また、第１のシリコーンエラストマー層１３ａのせん断弾性率Ｇ’は、第２のシリコーンエラストマー層１３ｂのせん断弾性率Ｇ’より低くなるように形成されている。例えば第１のシリコーンエラストマー層１３ａのせん断弾性率Ｇ’が第２のシリコーンエラストマー層１３ｂより高い場合、第１のシリコーンエラストマー層１３ａの密着力は第２のシリコーンエラストマー層１３ｂより弱くなる。この場合、ＦＰＣ基板１５を搬送パレット１１から剥がす際にシリコーンエラストマー層１３が支持体１２から剥がれる虞がある。しかし、第１のシリコーンエラストマー層１３ａのせん断弾性率Ｇ’を第２のシリコーンエラストマー層１３ｂより低くなるように形成しておくと、第１のシリコーンエラストマー層１３ａの密着力を第２のシリコーンエラストマー層１３ｂより強くできる。このため、ＦＰＣ基板１５を搬送パレット１１から剥がす際にシリコーンエラストマー層１３が支持体１２から剥がれることを防止できる。
【００２３】
第１及び第２のシリコーンエラストマー層１３ａ，１３ｂの目的のせん断弾性率Ｇ’は、ポリオルガノシロキサンの種類、分子量、補強性フィラーなど、シリコーンエラストマーの組成と架橋度を適当に調整することによって得られる。
【００２４】
ＦＰＣ基板１５への半導体チップの実装工程では、概略２００°Ｃ〜２４０°Ｃ、最近の脱鉛半田の場合は２８０°Ｃ程度まで温度が上昇する可能性がある。このため、第１及び第２のシリコーンエラストマー層１３ａ，１３ｂは、せん断弾性率Ｇ’等の物性値がこれらの温度まで上記の範囲にあることが望ましい。
【００２５】
次に、上記構成の搬送パレット１１を使用したＦＰＣ基板１５への半導体チップ実装方法を説明する。
図２に示すように、実装装置の載置部３１には、搬送パレット１１の位置合わせ用孔１４と対応するように凹部３２が形成されている。搬送パレット１１は、非伸縮性の支持体１２を実装装置の載置部３１と向かい合わせて実装装置の載置部３１上に配置する。そして、ピン３３を位置合わせ用孔１４に貫通させて凹部３２に係合させることにより、実装装置の載置部３１に対して搬送パレット１１を位置合わせして取り付ける。
【００２６】
ＦＰＣ基板１５には、位置合わせ用孔１６と対応する位置に貫通孔３４が形成されている。貫通孔３４及び位置合わせ用孔１６をピン３５で貫通することによりＦＰＣ基板１５を搬送パレット１１に位置合わせし、せん断弾性率Ｇ’が上記の範囲にある第２のシリコーンエラストマー層１３ｂの密着力によりＦＰＣ基板１５を搬送パレット１１に固定する。
【００２７】
次に、加熱リフローソルダリング工程により、図示しない半導体チップをＦＰＣ基板１５に実装する。その後、ＦＰＣ基板１５を搬送パレット１１から取り外し、実装工程を終了する。搬送パレット１１には次のＦＰＣ基板１５を密着し、同様に半導体チップの実装工程を繰り返す。
【００２８】
また、繰返し使用した搬送パレット１１を廃棄する際は、シリコーンエラストマー層１３を非伸縮性の支持体１２から剥いで、非伸縮性の支持体１２とシリコーンエラストマー層１３とを分別して廃棄する。
【００２９】
（実施例及び比較例）
以下、実施例及び比較例によりさらに詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３０】
実施例及び比較例の搬送パレット１１では、非伸縮性の支持体１２は厚さ０．８ｍｍのアルミ板で形成し、第１のシリコーンエラストマー層１３ａの厚さは０．１ｍｍに、第２のシリコーンエラストマー層１３ｂの厚さは０．２ｍｍに形成した。そして、第１及び第２のシリコーンエラストマー層１３ａ，１３ｂの周波数１０Ｈｚ、温度２０°Ｃで測定したせん断弾性率Ｇ’が以下の値になるように形成した。
実施例
第１のシリコーンエラストマー層  ：  ８．３×１０4Ｐａ
第２のシリコーンエラストマー層  ：  ３．０×１０6Ｐａ
比較例
第１のシリコーンエラストマー層  ：  ６．０×１０6Ｐａ
第２のシリコーンエラストマー層  ：  ３．０×１０6Ｐａ
実施例及び比較例の両搬送パレット１１に、実装装置の載置部３１との位置合わせ用孔１４及びＦＰＣ基板１５との位置合わせ用孔１６を形成した。そして、搬送パレット１１の所定の位置にＦＰＣ基板１５を密着し、加熱リフローソルダリング工程を行った。
【００３１】
その結果、実施例では、半導体チップを位置ずれなく正常に実装できた。また、搬送パレットは繰返し使用することが可能であった。さらに使用後、手で非伸縮性の支持体１２からシリコーンエラストマー層１３を剥がすことができた。
【００３２】
また、比較例では、位置合わせ用孔１４等の形成加工時にシリコーンエラストマー層１３が非伸縮性の支持体１２から浮いてしまった。また、加熱リフローソルダリング工程においてシリコーンエラストマー層１３と非伸縮性の支持体１２との間に剥離が生じ、実装不具合が発生した。
【００３３】
この実施の形態によれば、以下のような効果を有する。
（１）  搬送パレット１１は非伸縮性の支持体１２、第１のシリコーンエラストマー層１３ａ及び第２のシリコーンエラストマー層１３ｂの積層体である。そして、第２のシリコーンエラストマー層１３ｂは、動的粘弾性測定により周波数１０Ｈｚ、温度２０°Ｃで測定したせん断弾性率Ｇ’が５．０×１０5Ｐａ〜５．０×１０6Ｐａの範囲にあるように形成されている。従って、第２のシリコーンエラストマー層１３ｂの粘着性を利用して、接着テープ無しでＦＰＣ基板１５を搬送パレット１１に密着固定でき、接着テープを使わないためＦＰＣ基板１５を搬送パレット１１から除去しても糊残りがない。よって、作業効率よくＦＰＣ基板１５への半導体チップの実装を行うことができる。
【００３４】
（２）  非伸縮性の支持体１２と第２のシリコーンエラストマー層１３ｂとの間の第１のシリコーンエラストマー層１３ａは、動的粘弾性測定により周波数１０Ｈｚ、温度２０°Ｃで測定したせん断弾性率Ｇ’が３．０×１０4Ｐａ〜５．０×１０6Ｐａの範囲にあるように形成されている。この第１のシリコーンエラストマー層１３ａの密着力により、シリコーンエラストマー層１３をプライマーや接着剤等を使用せずに、非伸縮性の支持体１２に強固に密着できる。また、搬送パレット１１の使用中にシリコーンエラストマー層１３が非伸縮性の支持体１２から剥離する虞がなく、位置合わせ用孔１４の形成加工等を施しても、加工端面に剥離が生じることはない。しかも、接着剤等で接着している構成と異なるため、非伸縮性の支持体１２からシリコーンエラストマー層１３を剥がして、分別して廃棄できる。
【００３５】
（３）  第１のシリコーンエラストマー層１３ａのせん断弾性率Ｇ’は、第２のシリコーンエラストマー層１３ｂのせん断弾性率Ｇ’より低くなるように形成されている。よって、第１のシリコーンエラストマー層１３ａの密着力を第２のシリコーンエラストマー層１３ｂより強くでき、ＦＰＣ基板１５を搬送パレット１１から剥がす際にシリコーンエラストマー層１３が支持体１２から剥がれる虞がない。
【００３６】
（４）  ＦＰＣ基板１５への半導体チップの実装時に加熱リフローソルダリング工程等で高温になっても、シリコーンエラストマー層１３は耐熱性に優れるため、劣化しにくい。よって、本搬送パレット１１は繰り返して使用でき、経済的である。
【００３７】
（５）  搬送パレット１１にはＦＰＣ基板１５との位置合わせ用孔１６が形成されている。従って、ＦＰＣ基板１５に形成した貫通孔３４と、位置合わせ用孔１６とをピン３５で貫通することによりＦＰＣ基板１５を搬送パレット１１の所定位置に容易に位置合わせできる。
【００３８】
（６）  搬送パレット１１には実装装置の載置部３１との位置合わせ用孔１４が形成されている。従って、ピン３３で搬送パレット１１を実装装置の載置部３１の所定位置に容易に位置合わせできる。
【００３９】
（７）  非伸縮性の支持体１２がアルミニウム板であるため、入手しやすい板で非伸縮性の支持体１２を形成できる。また、ステンレス板等に比べて軽く、取扱いやすい。
【００４０】
なお、実施の形態は上記実施の形態に限定されるものではなく、例えば以下のように変更してもよい。
○  第１及び第２のシリコーンエラストマー層１３ａ，１３ｂは、せん断弾性率Ｇ’等の物性値が概略２００°Ｃ〜２４０°Ｃ、最近の脱鉛半田の場合は２８０°Ｃ程度まで上記の範囲にあるように形成されることに限られない。例えば、加熱リフローソルダリング工程等で温度が２００°Ｃまで上昇しないのであれば、第１及び第２のシリコーンエラストマー層１３ａ，１３ｂの物性値が上記の範囲に保たれる温度を２００°Ｃより下にしてもよい。
【００４１】
○  搬送パレット１１に密着固定したＦＰＣ基板１５に半導体チップを実装する工程は加熱リフローソルダリング工程に限定されず、その他の工程、例えばフローソルダリング工程（ウェーブソルダリング工程）等で搬送パレット１１を使用してもよい。
【００４２】
○  ピン３５でＦＰＣ基板１５を搬送パレット１１の所定位置に位置合わせする場合、搬送パレット１１には孔１６が形成される構成に限られず、例えば凹部を形成してもよい。この凹部は、第１及び第２のシリコーンエラストマー層１３ａ，１３ｂを貫通して非伸縮性の支持体１２の途中まで達するような深さに形成する。
【００４３】
○  図３に示すように、ＦＰＣ基板１５において位置合わせ用孔１６と対応する位置に凸部４２がプレス成形法などにより形成されている場合には、凸部４２を位置合わせ用孔１６に係合させることにより、ＦＰＣ基板１５を搬送パレット１１の所定位置に位置合わせしてもよい。
【００４４】
○  ＦＰＣ基板１５に凸部４２が形成されている場合、凸部４２を係合するために搬送パレット１１に形成されるのは孔１６に限られず、凹部であってもよい。この凹部は、通常は第１及び第２のシリコーンエラストマー層１３ａ，１３ｂを貫通して非伸縮性の支持体１２の途中まで達するような深さに形成するが、非伸縮性の支持体１２まで達しない深さに形成しても構わない。
【００４５】
○  ＦＰＣ基板１５を搬送パレット１１の所定位置に位置合わせする構成は、ピン３５のみや、凸部４２と位置合わせ用孔１６との係合のみによって行われる構成に限られず、ＦＰＣ基板１５を、ピン３５及び凸部４２の両方で位置合わせする構成でもよい。例えばＦＰＣ基板１５に貫通孔３４と凸部４２とを１個ずつ形成する。
【００４６】
○  搬送パレット１１にはＦＰＣ基板１５との位置合わせ用孔１６や凹部が形成されなくてもよいが、それらを形成すると、ＦＰＣ基板１５を搬送パレット１１の所定位置に容易に位置合わせできる。
【００４７】
○  搬送パレット１１には実装装置の載置部３１との位置合わせ用孔１４が形成されなくてもよいが、位置合わせ用孔１４を形成すると、搬送パレット１１を実装装置の載置部３１の所定位置に容易に位置合わせできる。
【００４８】
○  非伸縮性の支持体１２はアルミ板に限られず、例えば、ステンレス板、マグネシウム合金板といった金属板や、ガラス繊維含浸エポキシ板、ガラス繊維含浸ポリエステル板等のプラスチック板でもよい。また、機械的強度、耐熱性、平滑性が充分であれば、非伸縮性の支持体１２は他の材料であっても使用可能であるが、前記のステンレス板等の金属板や、ガラス繊維含浸エポキシ板等のプラスチック板が特に好適である。
【００４９】
○  第１及び第２のシリコーンエラストマー層１３ａ，１３ｂのせん断弾性率Ｇ’を目的の値にする方法は、シリコーンエラストマーの組成と架橋度を適当に調整することに限られない。例えば、複数の市販シリコーンコンパウンドを任意にブレンドすることによって目的のせん断弾性率Ｇ’にしてもよい。
【００５０】
○  第１及び第２のシリコーンエラストマー層１３ａ，１３ｂには、シリコーンエラストマー組成物に従来添加することが知られている添加剤を本発明のせん断弾性率Ｇ’等の物性を損なわない範囲で添加してもよい。これらの添加剤として、例えばヒュームドシリカ、沈降性シリカ、石英粉などの酸化ケイ素の他、珪藻土、炭酸カルシウム、カーボンブラック、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、窒化ホウ素、酸化鉄などが挙げられる。
【００５１】
○  搬送パレット１１に密着固定されるＦＰＣ基板は６枚に限られず、搬送パレット１１やＦＰＣ基板１５の大きさによって適宜変更してもよい。例えばＦＰＣ基板１５が大きい場合には、搬送パレット１１に密着できるＦＰＣ基板１５の数が少なくなる。また、搬送パレット１１が大きければ、密着できるＦＰＣ基板１５の数が多くなる。位置合わせ用孔１６は、ＦＰＣ基板１５と対応する位置に適宜変更して形成する。
【００５２】
○  第１及び第２のエラストマー層を構成するエラストマーは、シリコーンエラストマー以外のエラストマーであってもよい。
○  位置合わせ用孔１６が形成される位置は、ＦＰＣ基板１５の一方の対角線上の角部に対応する位置に限られない。
【００５３】
○  位置合わせ用孔１４が形成される位置は、搬送パレット１１の長手方向の両端部に限られない。
上記各実施の形態から把握できる発明（技術的思想）について、以下に追記する。
【００５４】
（１）  請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の発明において、前記第１のシリコーンエラストマー層のせん断弾性率Ｇ’は、第２のシリコーンエラストマー層のせん断弾性率Ｇ’より低い。
【００５５】
（２）  非伸縮性の支持体と、該非伸縮性の支持体上に積層された第１のエラストマー層と、該第１のエラストマー層上に積層された第２のエラストマー層との積層板からなるＦＰＣ基板搬送用パレットであって、前記第１のエラストマー層は、前記非伸縮性の支持体と密着する適切な粘着性を有し、前記第２のエラストマー層は、ＦＰＣ基板を密着固定可能な適切な粘着性を有するＦＰＣ基板搬送用パレット。
【００５６】
【発明の効果】
以上詳述したように請求項１〜請求項５に記載の発明によれば、作業効率よく経済的にＦＰＣ基板へ半導体チップを実装できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  （ａ）は（ｂ）のＩＡ−ＩＡ線模式断面図、（ｂ）は搬送パレットの模式平面図。
【図２】  作用を示す模式断面図。
【図３】  別例を示す部分模式断面図。
【符号の説明】
１１…搬送パレット、１２…非伸縮性の支持体、１３…シリコーンエラストマー層、１３ａ…第１のシリコーンエラストマー層、１３ｂ…第２のシリコーンエラストマー層、１４…実装装置の載置部との位置合わせ用孔、１６…ＦＰＣ基板との位置合わせ用孔。
【図１】
0004097185.tif 000003
【図２】
0004097185.tif 000004
【図３】
0004097185.tif 000005