(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
櫛形電極と接続電極とを有する弾性表面波素子が、導体パターンを有する実装基板上に実装され、弾性表面波素子の接続電極と実装基板の導体パターンが電気的に接続され、且つ弾性表面波素子が封止された構造を有する弾性表面波装置の製造方法であって、
それぞれ一方の面において露出する導体パターンを有する複数の実装基板となる部分を含む集合基板に対して、弾性表面波素子の櫛形電極と前記集合基板の一方の面とが対向し且つ両者の間に空間が形成されるように複数の弾性表面波素子を配置し、フリップチップボンディングによって各弾性表面波素子の接続電極と前記集合基板の各導体パターンとを電気的に接続する工程と、
前記接続する工程と並行して、あるいは前記接続する工程の後に、前記櫛形電極と前記集合基板の一方の面との間に形成される空間を除いて前記弾性表面波素子を覆うように封止材を配置して、前記弾性表面波素子を封止する工程と、
前記弾性表面波素子が封止された後の集合基板および封止材を、隣接する弾性表面波素子の間において切断して、複数の弾性表面波装置を形成する工程と
を備え、
前記封止する工程は、前記封止材としての第１の樹脂を少なくとも隣接する弾性表面波素子の間に配置する工程と、前記第１の樹脂の粘性を高める工程と、前記弾性表面波素子を覆うように、前記第１の樹脂の上に、第１の樹脂と同一のまたは異なる、前記封止材としての第２の樹脂を配置する工程と、前記第１の樹脂および第２の樹脂を硬化させる工程とを含み、
前記第１の樹脂を配置する工程および第２の樹脂を配置する工程は、それぞれ、複数の弾性表面波素子が配置された集合基板上に各樹脂を均一に塗布することによって行われることを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、弾性表面波素子が実装基板上に実装され、弾性表面波素子の接続電極と実装基板の導体パターンが電気的に接続され、且つ弾性表面波素子が封止された構造を有する弾性表面波装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
弾性表面波素子は、携帯電話等の移動体通信機器におけるフィルタ等に広く利用されている。移動体通信機器では、小型化、軽量化が要望されており、そのため、それに使用される電子部品の小型化、軽量化、薄型化が要望されている。
【０００３】
半導体部品等の電子部品は、チップが実装基板上に実装され、チップの電極と実装基板の導体パターンが電気的に接続され、且つチップが封止された構造を有するパッケージの形態で使用される場合が多い。チップの電極と実装基板の導体パターンとの電気的接続方法には、ワイヤボンディング、テープボンディング（Tape Automated Bonding;TAB）、フリップチップボンディング等の種々の方法がある。
【０００４】
弾性表面波素子も同様に、弾性表面波素子が実装基板上に実装され、弾性表面波素子の接続電極と実装基板の導体パターンが電気的に接続され、且つ弾性表面波素子が封止された構造を有するパッケージの形態で使用される場合が多い。本出願では、このような構造のパッケージを弾性表面波装置と言う。
【０００５】
近年、半導体部品等の電子部品に関しては、小型化、軽量化、薄型化の要望を満たす超小型パッケージとして、チップサイズと同等あるいはわずかに大きいパッケージであるチップサイズパッケージ（Chip Size Package；以下、ＣＳＰと記す。）が種々提案されている。
【０００６】
これに対し、弾性表面波装置に関しては、弾性表面波素子に特有の問題があるため、ＣＳＰのような超小型パッケージは実現していない。弾性表面波素子に特有の問題とは、弾性表面波素子では、その表面に、櫛形電極が形成されており、この櫛形電極に水分、塵埃等の異物が付着しないように弾性表面波素子を封止する必要がある一方で、弾性表面波に影響を与えないように、弾性表面波素子の表面における弾性表面波伝搬領域に封止用の樹脂等が接触しないようにする必要があることである。そのため、従来は、予め所定の形状に形成されたパッケージ部材内に弾性表面波素子を収納し、封止して弾性表面波装置を形成するようにしていた。
【０００７】
ここで、図９および図１０を参照して、従来の弾性表面波装置の構造の２つの例について説明する。
【０００８】
図９に示した弾性表面波装置では、セラミックまたは樹脂で形成されたパッケージ部材１０１内に弾性表面波素子１１０が収納されている。パッケージ部材１０１は、その上面で開口する凹部を有している。弾性表面波素子１１０は、一方の面上において櫛形電極１１１と図示しないボンディングパッドとを有している。弾性表面波素子１１０は、一方の面を上向きにして凹部内に収納されている。パッケージ部材１０１には、弾性表面波素子１１０のボンディングパッドに対応する位置からパッケージ部材１０１の底面にかけて導体パターン１０２が形成されている。導体パターン１０２と弾性表面波素子１１０のボンディングパッドはワイヤボンディングされている。すなわち、導体パターン１０２と弾性表面波素子１１０のボンディングパッドとは、アルミニウム等よりなるボンディングワイヤ１０３によって電気的に接続されている。パッケージ部材１０１の上面には、この上面に形成された開口部を塞ぐように、セラミック、樹脂または金属で形成された蓋体１０４が気密に接着されている。このような構造により、弾性表面波素子１１０の一方の面に封止用の樹脂等が接触することなく、弾性表面波素子１１０が封止されている。
【０００９】
図１０に示した弾性表面波装置では、セラミックまたは樹脂で形成されたパッケージ部材１０５内に弾性表面波素子１１０が収納されている。パッケージ部材１０５は、その上面で開口する凹部を有している。パッケージ部材１０５には、凹部内の底部からパッケージ部材１０５の底面にかけて導体パターン１０６が形成されている。弾性表面波素子１１０は、一方の面上において櫛形電極１１１と金等よりなる突起状の接続電極（バンプ）１１２とを有している。接続電極１１２と導体パターン１０６はフェイスダウンボンディングされている。すなわち、弾性表面波素子１１０は、一方の面を下向きにして凹部内に収納され、接続電極１１２と導体パターン１０６とは、互いに接触し、電気的に接続されている。パッケージ部材１０５の上面には、この上面に形成された開口部を塞ぐように、セラミック、樹脂または金属で形成された蓋体１０７が気密に接着されている。このような構造により、弾性表面波素子１１０の一方の面に封止用の樹脂等が接触することなく、弾性表面波素子１１０が封止されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
図９または図１０に示したような構造の弾性表面波装置では、いずれも、予め所定の形状に形成されたパッケージ部材を用いるため、ＣＳＰのような小型化は困難であるという問題点がある。
【００１１】
また、図９または図１０に示したような構造の弾性表面波装置では、いずれも、弾性表面波素子の１個毎に封止処理を行って弾性表面波装置が製造されるため、生産効率が悪いという問題点がある。
【００１２】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、弾性表面波装置の小型化を可能にした弾性表面波装置およびその製造方法を提供することにある。
【００１３】
本発明の第２の目的は、上記第１の目的に加え、弾性表面波装置を効率よく製造できるようにした弾性表面波装置の製造方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明の弾性表面波装置の製造方法は、櫛形電極と接続電極とを有する弾性表面波素子が、導体パターンを有する実装基板上に実装され、弾性表面波素子の接続電極と実装基板の導体パターンが電気的に接続され、且つ弾性表面波素子が封止された構造を有する弾性表面波装置を製造する方法であって、
それぞれ一方の面において露出する導体パターンを有する複数の実装基板となる部分を含む集合基板に対して、弾性表面波素子の櫛形電極と集合基板の一方の面とが対向し且つ両者の間に空間が形成されるように複数の弾性表面波素子を配置し、フリップチップボンディングによって各弾性表面波素子の接続電極と集合基板の各導体パターンとを電気的に接続する工程と、
接続する工程と並行して、あるいは接続する工程の後に、櫛形電極と集合基板の一方の面との間に形成される空間を除いて弾性表面波素子を覆うように封止材を配置して、弾性表面波素子を封止する工程と、
弾性表面波素子が封止された後の集合基板および封止材を、隣接する弾性表面波素子の間において切断して、複数の弾性表面波装置を形成する工程と
を備えたものである。
【００１５】
本発明の弾性表面波装置の製造方法では、集合基板上に複数の弾性表面波素子が配置され、フリップチップボンディングによって各弾性表面波素子の接続電極と集合基板の各導体パターンとが電気的に接続され、櫛形電極と集合基板の一方の面との間に形成される空間を除いて弾性表面波素子を覆うように封止材を配置することによって弾性表面波素子が封止される。そして、弾性表面波素子が封止された後の集合基板および封止材を、隣接する弾性表面波素子の間において切断することによって、複数の弾性表面波装置が形成される。
【００１６】
本発明の弾性表面波装置の製造方法において、封止する工程は、封止材としての樹脂を弾性表面波素子を覆うように配置する工程と、樹脂を硬化させる工程とを含んでいてもよい。
【００１７】
また、本発明の弾性表面波装置の製造方法において、封止する工程は、封止材としての第１の樹脂を少なくとも隣接する弾性表面波素子の間に配置する工程と、第１の樹脂の粘性を高める工程と、弾性表面波素子を覆うように、第１の樹脂の上に、第１の樹脂と同一のまたは異なる、封止材としての第２の樹脂を配置する工程と、第１の樹脂および第２の樹脂を硬化させる工程とを含んでいてもよい。
【００１８】
本発明の弾性表面波装置は、
一方の面において露出する導体パターンを有する実装基板と、
一方の面において櫛形電極と接続電極とを有し、櫛形電極と実装基板の一方の面とが対向し且つ両者の間に空間が形成されるように実装基板上に実装され、フリップチップボンディングによって接続電極が実装基板の導体パターンに電気的に接続された弾性表面波素子と、
櫛形電極と実装基板の一方の面との間に形成される空間を除いて弾性表面波素子を覆うように配置された封止材よりなり、弾性表面波素子を封止する封止部とを備え、
実装基板および封止部は、切断によって形成されて同一の平面を構成する側面を有するものである。
【００１９】
本発明の弾性表面波装置では、弾性表面波素子の櫛形電極と実装基板の一方の面とが対向し且つ両者の間に空間が形成されるように弾性表面波素子が実装基板上に実装され、フリップチップボンディングによって弾性表面波素子の接続電極と実装基板の導体パターンとが電気的に接続され、櫛形電極と実装基板の一方の面との間に形成される空間を除いて弾性表面波素子を覆うように配置された封止材よりなる封止部によって弾性表面波素子が封止される。実装基板および封止部は、切断によって形成されて同一の平面を構成する側面を有している。
【００２０】
本発明の弾性表面波装置において、封止材は、硬化処理前は流動性を有し、硬化処理によって硬化する樹脂であってもよい。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の一実施の形態に係る弾性表面波装置を示す断面図、図２は本実施の形態に係る弾性表面波装置を示す説明図である。なお、図１は、弾性表面波装置の集合状態を表している。また、図２において、（ａ）は弾性表面波装置の平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図、（ｃ）は（ａ）におけるＣ−Ｃ線断面図である。
【００２２】
図１および図２に示したように、本実施の形態に係る弾性表面波装置は、実装基板１０と、この実装基板１０上に実装された弾性表面波素子２０と、この弾性表面波素子２０を気密封止する封止部３０とを備えている。
【００２３】
実装基板１０は、一方の面（図１において上側の面）において露出する導体パターン１１を有している。この導体パターン１１は、実装基板１０内を通過して、実装基板１０の他方の面（図１において下側の面）に設けられた図示しない電極に接続されている。実装基板１０は、例えばセラミックまたは樹脂で形成されている。
【００２４】
弾性表面波素子２０は、圧電基板２１と、この圧電基板２１の一方の面（図１において下側の面）に形成された櫛形電極２２および導体パターン２３と、導体パターン２３の端部に形成された金等よりなる突起状の接続電極（バンプ）２４とを有している。導体パターン２３は櫛形電極２２に接続されている。弾性表面波素子２０は、櫛形電極２２によって発生される弾性表面波を基本動作に使用する素子であり、フィルタ、共振器等として利用される。
【００２５】
弾性表面波素子２０は、櫛形電極２２と実装基板１０の一方の面とが対向し且つ両者の間に空間３３が形成されるように実装基板１０上に実装され、フェイスダウンボンディングの一種であるフリップチップボンディングによって接続電極２４が実装基板１０の導体パターン１１に電気的に接続されている。なお、図１では、便宜上、導体パターン１１、櫛形電極２２、導体パターン２３、接続電極２４および空間３３を、他の部分に比べて大きく描いている。
【００２６】
封止部３０は、櫛形電極２２と実装基板１０の一方の面との間に形成される空間３３を除いて弾性表面波素子２０を覆うように配置された封止材よりなる。封止材は、例えば、硬化処理前は、流動性を有すると共に空間３３内に容易には入り込まないような適当な粘性を有し、硬化処理によって硬化および乾燥する樹脂である。
【００２７】
実装基板１０および封止部３０は、それぞれ、切断によって形成されて同一の平面を構成する側面１０ａ，３０ａを有している。
【００２８】
図７は、弾性表面波素子２０の一方の面に形成される櫛形電極２２、導体パターン２３および接続電極２４のパターンの一例を示す平面図である。図７に示した例では、弾性表面波素子２０はフィルタの構成になっている。また、図７において、記号“ＩＮ”を付した接続電極２４は入力端子であり、記号“ＯＵＴ”を付した接続電極２４は出力端子であり、記号“ＧＮＤ”を付した接続端子２４は接地端子である。また、図７において、符号２５で示す破線で囲まれた領域は、弾性表面波伝搬領域を含み、その内側に封止材が入り込まないようにする必要のある領域である。この領域２５は、櫛形電極２２と実装基板１０の一方の面との間に形成される空間３３に対応している。
【００２９】
図８は、本実施の形態に係る弾性表面波装置が用いられる回路の一例を示すブロック図である。図８は、デュアルバンド携帯電話のフロントエンドモジュールの回路を示している。このフロントエンドモジュール６０は、アンテナに接続されるアンテナ端子６１と、第１のポートがアンテナ端子６１に接続されたダイプレクサ６２とを備えている。ダイプレクサ６２は、第１のポートの他に第２のポートと第３のポートを有している。ダイプレクサ６２は、第２のポートと第３のポートに入力される送信信号を第１のポートより出力すると共に、第１のポートに入力される受信信号をその周波数に応じて第２のポートまたは第３のポートより出力するようになっている。第２のポートは欧州における携帯電話方式であるＧＳＭ（Global System for Mobil Communications）方式の信号（送信周波数９２５〜９６０ＭＨｚ、受信周波数８８０〜９１５ＭＨｚ）を入出力するようになっている。第３のポートは欧州における携帯電話方式であるＤＣＳ（Digital Cellular System）方式の信号（送信周波数１８０５〜１８８０ＭＨｚ、受信周波数１７１０〜１７８５ＭＨｚ）を入出力するようになっている。
【００３０】
フロントエンドモジュール６０は、更に、ＧＳＭ方式用の送信信号入力端子６３と、ＧＳＭ方式用の受信信号出力端子６４と、ＤＣＳ方式用の送信信号入力端子６５と、ＤＣＳ方式用の受信信号出力端子６６とを備えている。フロントエンドモジュール６０は、更に、可動接点がダイプレクサ６２の第２のポートに接続された高周波（以下、ＲＦと記す。）スイッチ６７と、入力端が入力端子６３に接続され、出力端がＲＦスイッチ６７の送信信号側（図８ではＴｘで示す。）の固定接点に接続されたローパスフィルタ（以下、ＬＰＦと記す。）６８と、入力端がＲＦスイッチ６７の受信信号側（図８ではＲｘで示す。）の固定接点に接続され、出力端が出力端子６４に接続されたバンドパスフィルタ（以下、ＢＰＦと記す。）６９とを備えている。フロントエンドモジュール６０は、更に、可動接点がダイプレクサ６２の第３のポートに接続されたＲＦスイッチ７０と、入力端が入力端子６５に接続され、出力端がＲＦスイッチ７０の送信信号側の固定接点に接続されたＬＰＦ７１と、入力端がＲＦスイッチ７０の受信信号側の固定接点に接続され、出力端が出力端子６６に接続されたＢＰＦ７２とを備えている。
【００３１】
本実施の形態に係る弾性表面波装置は、例えば、図８に示したフロントエンドモジュール６０におけるＢＰＦ６９，７２に用いられる。
【００３２】
次に、図１および図３ないし図６を参照して、本実施の形態に係る弾性表面波装置の製造方法について説明する。図３は弾性表面波装置の製造方法における一工程を示す斜視図、図４は図３に続く工程を示す斜視図である。なお、図３および図４は、１つの弾性表面波装置に対応する部分のみを示している。また、図５および図６は、それぞれ弾性表面波装置の集合状態を示す断面図である。なお、図５は集合基板の面に平行な断面を示し、図６は集合基板の面に垂直な断面を示している。
【００３３】
本実施の形態に係る弾性表面波装置の製造方法では、複数の弾性表面波素子についての封止処理を同時に行う。そのため、本実施の形態では、図１および図６に示したように、複数の実装基板１０となる部分を含む集合基板４０を用いる。図１に示したように、集合基板４０には、各実装基板１０となる部分において、それぞれ一方の面（図１における上側の面）において露出する導体パターン１１が形成されている。
【００３４】
弾性表面波装置の製造方法は、以下の第１ないし第３の工程を備えている。第１の工程は、集合基板４０に対して、弾性表面波素子２０の櫛形電極２２と集合基板４０の一方の面とが対向し且つ両者の間に空間３３が形成されるように複数の弾性表面波素子２０を配置し、フリップチップボンディングによって各弾性表面波素子２０の接続電極２４と集合基板４０の各導体パターン１１とを電気的に接続する。
【００３５】
第２の工程は、第１の工程と並行して、あるいは第１の工程の後に、櫛形電極２２と集合基板４０の一方の面との間に形成される空間３３を除いて弾性表面波素子２０を覆うように封止材５０を配置して、弾性表面波素子２０を封止する。図１、図５および図６は、この第２の工程終了後の状態、すなわち弾性表面波装置の集合状態を示している。
【００３６】
第３の工程は、弾性表面波素子２０が封止された後の集合基板４０および封止材５０を、隣接する弾性表面波素子２０の間において切断して、複数の弾性表面波装置を形成する。図１、図５および図６において、符号４１は、集合基板４０および封止材５０の切断位置を示している。集合基板４０は、切断されることにより、個々の封止基板１０となる。封止材５０は、切断されることにより、個々の封止部３０となる。このようにして形成された弾性表面波装置では、実装基板１０および封止部３０は、それぞれ、切断によって形成されて同一の平面を構成する側面１０ａ，３０ａを有することなる。また、これらの側面１０ａ，３０ａは、弾性表面波装置の側面となる。
【００３７】
なお、第１の工程において、接続電極２４と導体パターン１１との電気的な接続の方法は任意である。例えば、接続電極２４として半田バンプや金バンプ等を用いて、接続電極２４と導体パターン１１とを溶着してもよい。あるいは、接続電極２４と導体パターン１１とを接触させた状態で、接続電極２４の近傍において、弾性表面波素子２０と集合基板４０との間に接着用の樹脂を介在させ、この接着用の樹脂を熱等によって収縮および硬化させることによって、接続電極２４と導体パターン１１とを電気的に接続するようにしてもよい。後者の方法の場合、封止材としての樹脂が接着用の樹脂を兼ねるようにすれば、第２の工程を第１の工程と並行して行うことが可能である。
【００３８】
第２の工程は、例えば、封止材としての樹脂を、櫛形電極２２と集合基板４０の一方の面との間に形成される空間３３を除いて弾性表面波素子２０を覆うように配置する工程と、この樹脂を硬化させる工程とを含む。この場合の封止材としての樹脂は、硬化処理前は、流動性を有すると共に空間３３内に容易には入り込まないような適当な粘性を有し、硬化処理によって硬化および乾燥する樹脂である。樹脂を配置することは、例えば、複数の弾性表面波素子２０が実装された集合基板４０上に、樹脂を均一に塗布することによって行われる。樹脂の硬化処理は、例えば、加熱と紫外線照射の少なくとも一方を用いて行われる。
【００３９】
上述のようにして樹脂を配置し、硬化させる場合には、櫛形電極２２と集合基板４０の一方の面との間に形成される空間３３に樹脂が入り込まないように、弾性表面波素子２０と集合基板４０との間の隙間の大きさや、樹脂の温度流動性を最適化する。更に、樹脂としては、硬化処理時に不純なガスを発生する等の不具合のない樹脂を選定する。
【００４０】
また、第２の工程は、集合基板４０上において封止材としての第１の樹脂を少なくとも隣接する弾性表面波素子２０の間に配置する工程と、第１の樹脂の粘性を高める工程と、弾性表面波素子２０を覆うように、第１の樹脂の上に、第１の樹脂と同一のまたは異なる、封止材としての第２の樹脂を配置する工程と、第１の樹脂および第２の樹脂を硬化させる工程とを含んでいてもよい。この場合、第１の樹脂は、硬化処理前には流動性を有すると共に空間３３内に容易には入り込まないような適度な粘性を有し、硬化処理によって硬化および乾燥する樹脂とする。また、弾性表面波素子２０と集合基板４０との間の隙間の大きさや、第１の樹脂の温度流動性を最適化する。第２の樹脂は、硬化処理前は流動性を有し、硬化処理によって硬化および乾燥する樹脂とする。また、第１樹脂および第２の樹脂としては、硬化処理時に不純なガスを発生する等の不具合のない樹脂を選定する。
【００４１】
第１の樹脂や第２の樹脂を配置することは、例えば第１の樹脂または第２の樹脂を塗布することによって行われる。第１の樹脂の粘性を高める工程は、例えば、第１の樹脂がゲル化あるいは完全に硬化するように、加熱と紫外線照射の少なくとも一方を用いて行われる。第２の樹脂の硬化処理は、例えば、加熱と紫外線照射の少なくとも一方を用いて行われる。このような方法によれば、第１の樹脂の配置後、速やかに、第１の樹脂の粘性を高める処理を行うことができるので、櫛形電極２２と集合基板４０の一方の面との間に形成される空間３３に第１の樹脂が入り込むことを容易に防止することができる。
【００４２】
以上説明したように、本実施の形態に係る弾性表面波装置およびその製造方法では、フリップチップボンディングによって各弾性表面波素子２０の接続電極２４と実装基板１０の各導体パターン１１とが電気的に接続され、櫛形電極２２と実装基板１０の一方の面との間に形成される空間３３を除いて弾性表面波素子２０を覆うように配置された封止材よりなる封止部３０によって弾性表面波素子２０が封止される。
【００４３】
このように、本実施の形態によれば、フリップチップボンディングを用いることによって弾性表面波装置の高さを小さくすることができると共に、予め所定の形状に形成されたパッケージ部材を用いずに弾性表面波素子２０を封止するので、パッケージ部材を用いる場合に比べて、弾性表面波装置の実装面積および高さを小さくすることができる。従って、本実施の形態によれば、弾性表面波装置をＣＳＰのように小型化することが可能になる。
【００４４】
また、本実施の形態に係る弾性表面波装置の製造方法によれば、集合基板４０上に複数の弾性表面波素子２０を配置し、各弾性表面波素子２０の接続電極２４と集合基板４０の各導体パターン１１との電気的な接続と、封止材５０による各弾性表面波素子２０の封止とを行った後、集合基板４０および封止材５０を、隣接する弾性表面波素子２０の間において切断して、複数の弾性表面波装置を形成するようにしたので、効率よく弾性表面波装置を製造することができる。
【００４５】
また、本実施の形態に係る弾性表面波装置およびその製造方法によれば、弾性表面波装置の実装基板１０および封止部３０は、切断によって形成されて同一の平面を構成する側面１０ａ，３０ａを有し、この側面１０ａ，３０ａが弾性表面波装置の側面を構成することになる。従って、本実施の形態によれば、弾性表面波装置の側面は平面となるので、弾性表面波装置の側面が平面ではない場合に比べて、弾性表面波装置の取り扱いが容易になる。
【００４６】
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、櫛形電極、導体パターンおよび接続電極のパターンは、図７に示した例に限らず、任意に設計可能である。
【００４７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の弾性表面波装置の製造方法によれば、フリップチップボンディングを用いることによって弾性表面波装置の高さを小さくすることができると共に、予め所定の形状に形成されたパッケージ部材を用いずに弾性表面波素子を封止するので、パッケージ部材を用いる場合に比べて、弾性表面波装置の実装面積および高さを小さくすることができる。従って、本発明によれば、弾性表面波装置の小型化が可能になるという効果を奏する。更に、本発明によれば、集合基板上に複数の弾性表面波素子を配置し、各弾性表面波素子の接続電極と集合基板の各導体パターンとの電気的な接続と、各弾性表面波素子の封止とを行った後、集合基板および封止材を、隣接する弾性表面波素子の間において切断して、複数の弾性表面波装置を形成するようにしたので、弾性表面波装置を効率よく製造することができるという効果を奏する。更に、本発明によれば、製造された弾性表面波装置において、実装基板および封止部は、切断によって形成されて同一の平面を構成する側面を有することとなるので、弾性表面波装置の取り扱いが容易になるという効果を奏する。
【００４８】
また、本発明の弾性表面波装置によれば、フリップチップボンディングを用いることによって弾性表面波装置の高さを小さくすることができると共に、予め所定の形状に形成されたパッケージ部材を用いずに弾性表面波素子を封止するので、パッケージ部材を用いる場合に比べて、弾性表面波装置の実装面積および高さを小さくすることができる。従って、本発明によれば、弾性表面波装置の小型化が可能になるという効果を奏する。更に、本発明によれば、弾性表面波装置の実装基板および封止部は、切断によって形成されて同一の平面を構成する側面を有するので、弾性表面波装置の取り扱いが容易になるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係る弾性表面波装置を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係る弾性表面波装置を示す説明図である。
【図３】本発明の一実施の形態に係る弾性表面波装置の製造方法における一工程を示す斜視図である。
【図４】図３に続く工程を示す斜視図である。
【図５】本発明の一実施の形態に係る弾性表面波装置の集合状態を示す断面図である。
【図６】本発明の一実施の形態に係る弾性表面波装置の集合状態を示す断面図である。
【図７】本発明の一実施の形態における弾性表面波素子の一方の面に形成される櫛形電極、導体パターンおよび接続電極のパターンの一例を示す平面図である。
【図８】本発明の一実施の形態に係る弾性表面波装置が用いられる回路の一例を示すブロック図である。
【図９】従来の弾性表面波装置の構造の一例を示す断面図である。
【図１０】従来の弾性表面波装置の構造の他の例を示す断面図である。
【符号の説明】
１０…実装基板、１０ａ…側面、１１…導体パターン、２０…弾性表面波素子、２１…圧電基板、２２…櫛形電極、２３…導体パターン、２４…接続電極、３０…封止部、３０ａ…側面、３３…空間、４０…集合基板、４１…切断位置、５０…封止材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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