(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報処理媒体が、基板と、基板の上に形成される単層または多層の薄膜層と、この薄膜層上を少なくとも覆って形成される薄膜保護膜とからなり、前記薄膜保護膜が合成樹脂を主成分として形成され、薄膜保護膜のヤング率および／または線膨張係数αが、基板の周囲環境の変化により発生する反りを補償する値を有し、
前記薄膜保護膜の湿度膨張係数（相対湿度差（２５℃における含有水蒸気量／飽和水蒸気量）が１％上昇したときの薄膜保護膜の伸びる割合である湿度膨張係数β（１／％））が、β≦２．０×１０-14×Ｅ1＋３．０×１０-5であり、
前記薄膜保護膜の線膨張係数αが、基板の１．２倍から３倍の範囲内であり、そのヤング率Ｅ2（Ｐａ）が、２．０×１０9≦Ｅ2≦１．０×１０10の範囲内にあり、基板の材料がポリカーボネートまたはポリオレフィンであり、その厚みが０．４ｍｍから０．６ｍｍの範囲内であり、
前記薄膜保護膜の膜厚が、５μｍ以上２０μｍ以下であることを特徴とする情報処理媒体。
【請求項２】
基板と、基板の上に形成される単層又は多層の薄膜層と、薄膜層上を少なくとも覆って形成される薄膜保護膜とからなり、前記薄膜保護膜が合成樹脂を主成分として形成され、基板のヤング率をＥ1（Ｐａ）とした場合に、薄膜保護膜の線膨張係数α（１／℃）が、−７．０×１０-15×Ｅ1＋１．０×１０-4≦α≦２．０×１０-14×Ｅ1＋４．０×１０-4の範囲にあることを特徴とする情報処理媒体。
【請求項３】
前記薄膜保護膜が、前記基板の外周側面の一部もしくは全部をも覆っていることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の情報処理媒体。
【請求項４】
前記薄膜保護膜が、紫外線硬化樹脂で形成されることを特徴とする請求項１に記載の情報処理媒体。
【請求項５】
請求項１に記載された情報処理媒体であって、前記薄膜層が、誘電体膜，記録膜及び反射膜の少なくとも一つの層からなり、環境温度が２５℃から７０℃までの間でかつ環境相対湿度が５０％から９０％までの間で変化したときの、情報処理媒体の反りが−５．０ｍｒａｄから＋５．０ｍｒａｄの範囲としたことを特徴とする情報処理媒体。
【請求項６】
請求項１に記載された情報処理媒体が組み込まれてなる情報処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、情報を記録又は再生する情報処理媒体に関し、特に、環境変化や経時変化により発生する反りを抑制できる情報処理媒体に関する。また、情報処理媒体には情報を記録、再生する情報記録媒体の他、情報を伝達，加工等する媒体や基板も含まれるが、これらの媒体を用いて処理を行う情報処理装置や、これらの媒体が組み込まれた情報処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１に、光情報記録媒体の構成を示す断面模式図を示す。図８に、従来の光情報記録媒体の平面図（ａ）及び側面図（ｂ）を示す。
従来、光情報記録媒体１０は図１及び図９に示すように、ポリカーボネート等からなる円盤状の基板２０上に、スパッタ等により、誘電体膜４１，４３（窒化シリコン等）、記録膜４２（ＴｂＦｅＣｏ等）、反射膜４４（Ａｌ等）等の薄膜からなる単層または多層の薄膜層４０が形成されている。また、これら薄膜層４０上に樹脂膜等による薄膜保護膜５０が形成され、基板の光入射面上には樹脂等からなる基板保護膜３０が形成されている。
【０００３】
これらの層のそれぞれの厚さは、基板２０が約１．２［ｍｍ］、スパッタ等で形成される単層あるいは多層薄膜層４０の厚さは１０〜３００［ｎｍ］、薄膜保護膜厚５０が１〜３０［μｍ］、基板保護膜厚３０が１〜３０［μｍ］であり、媒体の全厚のほとんどがポリカーボネート基板２０によって占められている。
【０００４】
このため光情報記録媒体の剛性は、そのほとんどが、ポリカーボネート基板２０に依存しており、ポリカーボネート基板２０が十分に厚いため、環境変化（温湿度変化）による変形は非常に小さく、各層に発生する応力や曲げモーメントのバランスは考慮する必要がなかった。
【０００５】
ところが、近年光情報記録媒体の高密度記録再生が求められ、ビームスポットを小径化するために対物レンズの高ＮＡ化および基板の薄型化が図られてきている。
一般に、ディスク媒体に入射するレーザビームの有効直径（γ）は、レーザビームの波長（λ）と、対物レンズの開口度（ＮＡ）を用いると、γ∝λ／ＮＡで表される。ここで、高密度記録をするためには、レーザビームの波長λを小さくする他に、ＮＡの高い対物レンズを用いればよい。しかし、単にＮＡを上げるだけでは、対物レンズとディスクの角度がずれた場合、記録に悪影響となるこま収差が生じる。このこま収差は、ＮＡの３乗に比例して大きくなることが知られており、こま収差を防止するためには、基板の厚みを１／（ＮＡ）3にする必要がある。
すなわち、高密度記録をするために、基板厚さは、従来の１．２ｍｍ厚から、０．６ｍｍ厚、０．５ｍｍ厚へと半分もしくはそれ以下へと薄くなる傾向がある。
【０００６】
したがって、環境変化（温湿度変化）が起こった場合、光情報記録媒体の剛性は、ポリカーボネート基板２０だけでなく、各層に発生する応力や曲げモーメントに起因する変形が大きくなってきており、各層の厚さなどのバランス設計が重要となってきている。
【０００７】
光情報記録媒体の変形を抑制する手法として、特開平４−１９５７４５号公報には基板の裏面（薄膜層の形成されていない面）に反り防止用の誘電体膜を設ける手法が提案されている。
【０００８】
図９に、この従来の光情報記録媒体の構成を示す断面図を示す。なお、図９においては図１と同一の部分については同一符号を示している。
図９に示すように、ここでは、ポリカーボネート基板２０の光入射側に誘電体層６０を設けて、透明基板２０の相対する側に位置する第１誘電体膜４１、記録膜４２及び第２誘電体膜４３の３つの膜の熱膨張率と、光入射側の誘電体層６０との熱膨張率を同等とすることで、光情報記録媒体の反りを防止できるようにしている。
【０００９】
また、特開平１０−６４１１９号公報には、薄膜保護膜５０を厚く塗布することにより、光ディスクの温度上昇による反りを少なくすることが記載されている。この光情報記録媒体の構成は、図１と同様である。ここでは、ポリカーボネート基板２０上に薄膜層４０を形成した後に３０μｍから５０μｍ程度の薄膜保護膜５０を形成する。この薄膜保護膜５０を厚くすることによりポリカーボネート基板２０の熱膨張量とバランスさせ、ディスク反りを低減させようとするものである。
【００１０】
また、図１０に、従来の光情報記録媒体の他の例として、特開平４−３６４２４８号公報に記載された構成の断面図を示す。
この記録媒体は、薄膜保護膜５０、薄膜層４０、基板２０、基板保護膜（誘電体層）３０を備え、さらに湿度変化による反りを防止するために、基板２０と基板保護膜３０との間に、ＳｉＯ2やＡｌＮからなる透湿防止膜７０を設けたものである。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開平４−１９５７４５号公報に記載の記録媒体も、特開平４−３６４２４８号公報に記載の記録媒体も、基板の光入射側にスパッタ等により誘電体層（６０，３０）を設ける必要があるため、生産において、基板に対して一方側の面に薄膜層４０を形成した後、その基板をひっくりかえして反対側の面に誘電体層（６０，３０）を形成する必要があり、工程が複雑化するとともに生産設備の高価格化を齎し、コストアップに繋がるという問題がある。
また、特開平１０−６４１１９号公報に記載の方法では、薄膜保護膜５０の膜厚が厚くなりすぎ、コスト高となり、工程も複雑になるという問題がある。
【００１２】
光情報記録媒体が光磁気情報記録媒体である場合、記録時に印加する磁界を高速で反転させるには、磁気ヘッドコイルの発生磁界とインダクタンスを下げるために、磁界発生手段と薄膜層４０とを近接させることが望ましい。したがって、薄膜保護膜５０の膜厚を厚くすることは、光情報記録媒体の磁気特性の低下を招き、記録再生に問題が生じる。
【００１３】
この発明は、このような事情を考慮してなされたものであって、温湿度変化に伴う変形（すなわち反り）を防止でき、かつ、その製造が容易な情報処理媒体およびこれを用いた情報処理装置を提供することを課題とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
この発明は、情報処理媒体が、基板と、基板の上に形成される単層または多層の薄膜層と、この薄膜層上を少なくとも覆って形成される薄膜保護膜とからなり、前記薄膜保護膜が合成樹脂を主成分として形成され、薄膜保護膜のヤング率および／または線膨張係数αが、基板の周囲環境の変化により発生する反りを補償する値を有し、前記薄膜保護膜の湿度膨張係数（相対湿度差（２５℃における含有水蒸気量／飽和水蒸気量）が１％上昇したときの薄膜保護膜の伸びる割合である湿度膨張係数β（１／％））が、β≦２．０×１０-14×Ｅ1＋３．０×１０-5であり、前記薄膜保護膜の線膨張係数αが、基板の１．２倍から３倍の範囲内であり、そのヤング率Ｅ2（Ｐａ）が、２．０×１０9≦Ｅ2≦１．０×１０10の範囲内にあり、基板の材料がポリカーボネートまたはポリオレフィンであり、その厚みが０．４ｍｍから０．６ｍｍの範囲内であり、前記薄膜保護膜の膜厚が、５μｍ以上２０μｍ以下であることを特徴とする情報処理媒体を提供するものである。
また、基板と、基板の上に形成される単層又は多層の薄膜層と、薄膜層上を少なくとも覆って形成される薄膜保護膜とからなり、前記薄膜保護膜が合成樹脂を主成分として形成され、基板のヤング率をＥ1（Ｐａ）とした場合に、薄膜保護膜の線膨張係数α（１／℃）が、−７．０×１０-15×Ｅ1＋１．０×１０-4≦α≦２．０×１０-14×Ｅ1＋４．０×１０-4の範囲にあることを特徴とする情報処理媒体を提供するものである。
この発明によれば、実質上記録再生に悪影響を及ぼさない程度に、媒体自体の変形（反り）を防止でき、従来よりも記録再生の信頼性を向上できる。
【００１５】
ここで、この発明では、薄膜保護膜と基板との関係では、
（ａ）薄膜保護膜の線膨張係数＞基板の線膨張係数のみを満たす、
（ｂ）薄膜保護膜のヤング率＞基板のヤング率のみを満たす、
（ｃ）薄膜保護膜の線膨張係数＞基板の線膨張係数であってかつ薄膜保護膜のヤング率＞基板のヤング率を満たす場合のいずれかが必要であり、上記（ａ），（ｂ），（ｃ）いずれの場合も、実用的な反り防止の観点から、薄膜保護膜の線膨張係数は、７．０×１０-5（１／℃）から５．０×１０-4（１／℃）の範囲内にあることが好ましい。
【００１６】
また、前記薄膜保護膜のヤング率Ｅ2の値は、２．０×１０9（Ｐａ）より大きく１．０×１０10（Ｐａ）より小さくすることが、反り防止の観点から好ましく、この場合も、前記した（ａ），（ｂ），（ｃ）と同様の場合分けをすることができるが、それぞれヤング率についてもここに示した所定の範囲内にすることが好ましい。
【００１７】
また、媒体の反り防止の観点から、前記薄膜保護膜の湿度膨張係数（相対湿度差（２５℃における含有水蒸気量／飽和水蒸気量）が１％上昇したときの薄膜保護膜の伸びる割合である湿度膨張係数β（１／％））が、β≦２．０×１０-14×Ｅ1＋３．０×１０-5であることが好ましい。
さらに、上記条件に加えて、前記基板のヤング率Ｅ1（Ｐａ）が、Ｅ1＜１０．０×１０9（Ｐａ）となるようにしてもよい。
【００１８】
また、前記薄膜保護膜は、前記基板の外周側面の一部もしくは全部をも覆うようにしてもよい。
さらに、この発明において、前記薄膜保護膜の線膨張係数αが、基板の１．２倍から３倍の範囲内であり、基板の材料がポリカーボネートまたはポリオレフィンであり、その厚みが０．４ｍｍから０．６ｍｍの範囲内であるようにしてもよい。
【００１９】
また、前記薄膜保護膜の膜厚は、５μｍ以上、２０μｍ以下とし、
前記基板の材料は、たとえばポリカーボネートまたはポリオレフィンを用いることができる。基板としては、透明基板の他、着色剤を混合させたポリカーボネート，ポリエチレン，またはアクリルのような透明でない基板を用いてもよい。また、媒体の反りを効果的に防止するために、前記薄膜保護膜は、前記した線膨張係数またはヤング率を満たす材料で形成されるが、たとえば紫外線硬化樹脂、特に、ポリエステルアクリレート，エポキシアクリレート，ウレタンアクリレート，またはポリエーテルアクリレートなどを主成分とする紫外線硬化樹脂で形成することができる。
【００２０】
この発明において、情報処理媒体とは、その媒体の中で、情報を記録，伝達，加工，変換，再生するための媒体を意味する。たとえば、ＣＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ−ＲＡＭ，ＤＶＤ−ＲＯＭなどのような光情報記録媒体，ＭＯ，ハードディスクなどのような磁気記録媒体，クレジットカードのような磁気カード媒体，フラッシュメモリのような半導体媒体，通信機器，外部インタフェースモジュールのような薄型プリント基板等が、この発明の情報処理媒体に含まれる。
また、情報処理装置としては、この発明の情報処理媒体をその内部に組み込んだ装置（情報処理媒体が挿入される装置を含む）、たとえば、媒体を駆動し、媒体に対して情報を記録し、媒体に記録された情報を再生する媒体駆動装置、この発明の情報処理媒体を用いて情報を加工、受信又は送信等するための回路モジュールが組み込まれて、情報の伝達，加工等の処理を行う基板や装置、さらには上記装置を必要に応じて組み合わせて構成された情報処理モジュールやシステムが挙げられる。
【００２１】
この発明において、「外周側面」とは、媒体の形状を確定す最外周の部分を意味し、たとえば、ＣＤ−ＲＯＭのような円盤状媒体では、最外周部の側面、すなわち厚さ方向の円形状の側面を意味する。
外周側面の全部を覆う場合には、薄膜保護膜は、円形表面の薄膜層の上部に形成されるのみならず、基板の厚さ方向の外周側面全体を覆っていることを意味する。また、基板のみならず薄膜層も含む外周側面全体を覆ってもよい。
また、外周側面の一部を覆うとは、薄膜保護膜によって覆われていない外周側面の領域が存在することを意味する。たとえば、一定間隔ごとに外周側面の一定領域が覆われている場合や、外周側面の任意の領域が任意の間隔をあけて覆われている場合をいう。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、図面に示す実施の形態に基づいてこの発明を詳述する。なお、これによってこの発明が限定されるものではない。
以下の実施例では基板として透明基板を用いたものを示し、情報処理媒体の一例として、光情報記録媒体を用いて説明する。また、基板のヤング率をＥ1、薄膜保護膜のヤング率をＥ2、薄膜保護膜の線膨張係数をα、薄膜保護幕の湿度膨張係数をβとする。
最初に、温度変化時における光情報記録媒体の変形（反り）とその原理について説明する。
この発明で対象となる光情報記録媒体は、たとえば図１に示すように、ポリカーボネート等の透明基板２０上に、スパッタ等により、誘電体膜４１，４３（窒化アルミニウム、窒化シリコン等）、記録膜４２（ＴｂＦｅＣｏ等）、反射膜４４（Ａｌ合金等）等の薄膜からなる単層、または多層の薄膜層４０を形成し、さらに該薄膜層４０の上に樹脂を主成分とする薄膜保護膜５０を形成し、該透明基板２０の反対の面上に透明基板２０を保護するために樹脂を主成分とする基板保護膜３０が形成されたものである。
【００２３】
このような構成の媒体は種々のものが市販されているが、この発明の対象としては、光磁気記録媒体（ＭＤ，ＭＯ等）、あるいは、薄膜層４０の内訳が反射膜４４（Ａｌ等）のみからなる再生専用媒体（ＣＤ，ＤＶＤ，ＤＶＤ−ＲＯＭ等）、薄膜層４０の内訳が有機色素膜・反射膜４４（Ａｕ，Ａｇ等）からなる追記型光媒体（ＣＤ−Ｒ，ＤＶＤ−Ｒ等）、薄膜層４０の内訳が誘電体膜４１，４３（ＺｎＳ−ＳｉＯ2等）、記録膜４２（ＧｅＳｂＴｅ，ＡｇＩｎＳｂ等）、反射膜４４（Ａｌ合金等）からなる相変化光記録媒体（ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＡＭ，ＤＶＲ等）などが含まれる。
【００２４】
このように光情報記録媒体は多層で構成されているので、各層の物性値である線膨張係数が異なり、温度変化時に各層に発生する応力も異なる結果となる。
すなわち、一般的にはポリカーボネート基板２０、基板保護膜３０、及び薄膜保護膜５０の線膨張係数は、単層、又は多層の薄膜層４０のそれに比較して大きく、単層、又は多層の薄膜層４０の基板の半径方向への膨張は、その他の各層に比較して非常に小さくなる。
【００２５】
また、この時、透明基板２０の厚さは基板保護膜３０及び薄膜保護膜５０の厚さに比較して非常に大きく、薄膜層４０の各薄膜のヤング率が他の層に比較して非常に大きくなる。したがって、温度変化時における変形の原因としては、薄膜層４０の膨張が小さいこと、基板２０の膨張が大きいことが支配的になりやすい。その結果、光情報記録媒体１０は、その半径方向に垂直であり、厚さ方向の基板保護膜３０側に反りが生じやすい。
【００２６】
図２はその反りを説明する模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。ここで、図２（ｂ）破線のように、薄膜保護膜５０側への反りを＋方向とし、逆に、基板保護膜３０側（光入射面側）への反りを−方向とする。
ここで、薄膜保護膜５０の線膨張係数α、ヤング率Ｅ2、及び膜厚を適切に調整すれば、膜厚方向に垂直な面を中立面として、透明基板２０および基板保護膜３０の温度変化による曲げモーメントと薄膜保護膜５０のそれとが釣り合い、温度変化による変形（すなわち、光情報記録媒体１０の半径方向に垂直であり、厚さ方向の基板保護膜面側への反り）が小さくなる可能性がある。
このことから、温度変化時における変形を小さくするための薄膜保護膜５０の線膨張係数α、ヤング率Ｅ2、及び膜厚の適切な値を求めるために次のような近似計算を行った。
【００２７】
光情報記録媒体１０には、温度変化時に半径方向に働く応力（軸力）と円周方向に働く応力と膜厚方向に働く応力が発生するが、光情報記録媒体１０は、円盤状であるため、円周方向に働く応力は円周内で均一になり、膜厚方向の力も各層内では一様に働くため、変形には寄与しないと仮定できるため、光情報記録媒体１０の変形すなわち反り（光情報記録媒体１０の半径方向に垂直であり、厚さ方向の基板保護膜面側（−）への反り、角度θで変形の大小を評価）はその断面部に相当する多層はりにおける反りに置換できる。図３はその多層はりを示す図である。
【００２８】
なお、図３ではｎ層はりを示しているが、このｎは光情報記録媒体の層数であり、図１の光情報記録媒体の場合にはｎ＝７である。
更にこの多層はりにおける温度変化時の反り角度θは各層の軸力Ｐｉ（ｉ＝１，２，３，…，ｎ）と曲げモーメントＭｉの釣り合いから導かれる式（１）〜（５）（「はり理論による電子デバイス」、尾田十八、金沢大学、機論、５９巻、５６３号、１０７７７〜１０７８２頁、１９９３年、参照）によって表すことができる。
【００２９】
【数１】
0004080234.tif 000002
【００３０】
ここで、式（１）〜（５）における各記号の意味を次に示す。
αi：ｉ層の線膨張係数、
Ｅi：ｉ層のヤング率、
ｔi：ｉ層の厚さ、
Ｐi：ｉ層における軸力、
Ｍi：ｉ層における曲げモーメント、
Ｒi：ｉ層における曲率半径、
Ｉi：ｉ層の断面２次モーメント、
ｂ：はりの幅（単位長とする）、
Ｔ：変化温度（℃）、
Ｌ：はりの長さ、
ｙ：ｎ層はりの中立面位置、
θ：最大変化部における長さ４［ｍｍ］での反り角度
【００３１】
また、各層の厚さが曲率半径に比較しはるかに小さいため、各層（ｉ＝１，２，…，ｎ）における曲率半径は同一（Ｒ1＝Ｒ2＝Ｒ3＝…＝Ｒn＝Ｒ）とする。変化温度Ｔとは、光情報記録媒体の使用温度環境（一般に−１５℃〜８０℃）における温度である。
【００３２】
温度変化時の反りを制御するために、θが小さくなるように、これらの（１）から（５）までの式により薄膜保護膜５０のヤング率Ｅ2と線膨張係数αと膜厚を選択する。すなわち、これらの式を用いることにより、温度変化時における中立面位置（ｙ）を薄膜層内にするためのヤング率等の選択が可能になる。また、媒体を構成している各層の中で変形速度が最も遅い薄膜層４０の変形がごく小さくなり、実際の温度変化時に問題となる変位のオーバーシュートも小さなものになることが予想される。
更に式（１）〜（５）より、薄膜保護膜５０のヤング率Ｅ2の値や線膨張係数αを基板２０よりも高くすれば、薄膜保護膜の厚さが薄くても記録膜等の薄膜層４０の中に中立面位置（ｙ）ができ、反りを抑制できることが分かる。
【００３３】
次に、上記原理に基づき形成した光情報記録媒体の実施例について説明する。この実施例では、薄膜層４０が窒化アルミニウム１層のみからなると仮定している。これは、薄膜層４０の変形は、一般にアルミニウム等の誘電体層が主にその変形原因となることが多いからであり、多層からなる場合もほぼ同様の変形をすると考えても問題はない。また、ここでは、基板保護膜３０がない光情報記録媒体の実施例を示す。もし基板保護膜３０が存在する場合には、それをも考慮して各層（特に薄膜保護膜５０）の膜厚等の設計を行う必要がある。
【００３４】
＜実施例１＞
実施例１として、ポリカーボネート基板（透明基板２０）上に、窒化アルミニウム薄膜層（薄膜層４０）と、式（１）〜（５）を用いて設計された紫外線（ＵＶ）硬化樹脂１（薄膜保護膜５０）が形成された媒体を形成した。また、比較例１として、ポリカーボネート基板上に、窒化アルミニウム薄膜層と従来の紫外線（ＵＶ）硬化樹脂２（薄膜保護膜５０）が形成された光情報記録媒体を形成した。図１１，１２にそれぞれ実施例１、比較例１の構成を示す。
【００３５】
図１１，図１２から分かるように、両者の違いは、薄膜保護膜５０として用いるＵＶ硬化樹脂の線膨張係数であり、図１１に示したこの発明の光情報記録媒体の方が、線膨張係数が大きい。なお、透明基板２０としては、両者とも内径φが８ｍｍ、外径φが５０ｍｍ、基板厚が０．５ｍｍのものを使用している。ただし、基板は、０．４ｍｍから０．６ｍｍ程度のものを使用してもよい。
【００３６】
ここで、この発明の光情報記憶媒体に使用する薄膜保護膜５０として、従来使用されていたＵＶ硬化樹脂２より大きな線膨張係数α（９．５０×１０-5）を持ち、式（１）〜（５）を用いて膜厚（１６μｍ）を決定した薄膜保護層５０を選定した。図１２に示した従来の光情報記録媒体と比較するために、両媒体に２５℃から７０℃へと温度が上昇するような環境変化を与えた場合の、外周部（ｒ＝２４ｍｍ）における反り角θ（図３参照）の変化量（Δθ）の経時変化を測定した。
【００３７】
図４及び図５に、相対湿度変化時における反り角の変化量（半径方向チルト：ｍｒａｄ）と経過時間（ｈｏｕｒ）との関係のグラフを示す。図４は、図１２に示した従来の光情報記録媒体であり、図５は、図１１に示したこの発明の実施例１の光情報記録媒体のグラフである。
ここで、反り角の変化量がプラス値の場合は、薄膜保護膜５０側に反っていることを示し、逆にマイナス値の場合は、基板保護膜側（光入射面側）に反っていることを示す。
【００３８】
図４では、線膨張係数αは５．６２×１０-5（１／℃）であり、図５では９．５０×１０-5（１／℃）である。
したがって、図４の従来の場合、薄膜保護膜５０は低線膨張係数の材質を持ち、図５の実施例１の場合、薄膜保護膜５０は高線膨張係数の材質を持つと言える。
【００３９】
図４において、環境温度が７０℃となると、反り角の変化量が＋１０ｍｒａｄ程度となり、薄膜保護膜５０側に大きく反っていることがわかる。
一方、この発明の図５において、環境温度が７０℃の場合でも、反り角の変化量は＋２ｍｒａｄ以内にあり、薄膜保護膜５０側にわずかに反っているにすぎないことがわかる。
【００４０】
すなわち、この発明の光情報記録媒体では、従来の比較例１と比較すると、同じ温度変化でも反り角の変化量が非常に小さくなっていることが分かる。その結果、この発明の光情報記録媒体では、薄膜保護膜５０の膜厚が２０μｍ以下であっても変形が抑制されていることが分かる。
【００４１】
図７に、図１１に示したこの発明の実施例１の光情報記録媒体の線膨張係数とヤング率の関係のグラフを示す。ここで、グラフａ１，ａ２は、薄膜保護膜５０の膜厚が２０μｍで、反りの変化量が−５ｍｒａｄの場合の関係グラフであり、グラフｂ１，ｂ２は、薄膜保護膜５０の膜厚が５μｍで、反りの変化量が−５ｍｒａｄの場合の関係グラフである。
【００４２】
ここで、薄膜保護膜５０の膜厚が、５μｍから２０μｍまでの間の場合、線膨張係数とヤング率の関係グラフは、グラフａ２とグラフｂ１の間に入る。また、反りの変化量が±５ｍｒａｄの範囲に収まるようにするためには膜厚が２０μｍの場合はグラフａ１とａ２の間、膜厚が５μｍの場合はグラフｂ１とｂ２の間に納まるように、線膨張係数またはヤング率の範囲を適切に選択する必要がある。
【００４３】
たとえば、ヤング率を２．０×１０9（Ｐａ）に固定した場合を考えると、薄膜保護膜５０の膜厚を２０μｍとした場合、薄膜保護膜５０の線膨張係数αは、透明基板のそれよりも大きく、１．２×１０-4（１／℃）から２．０×１０-4（１／℃）程度の範囲内の値とすることが好ましい。同様に、薄膜保護膜５０の膜厚を５μｍとした場合は、薄膜保護膜５０の線膨張係数αは、透明基板より大きく、３．２×１０-4（１／℃）から４．９×１０-4（１／℃）程度の範囲内の値とすることが好ましい。
【００４４】
したがって、このグラフによれば、薄膜保護膜５０の膜厚が５〜２０μｍの間の場合には、反りの変化量を±５ｍｒａｄに抑えるためには、薄膜保護膜５０の線膨張係数αは、透明基板２０の線膨張係数よりも大きく、かつ７．０×１０-5（１／℃）より大きく、５．０×１０-4（１／℃）より小さいことが好ましい。さらに好ましくは、１．０×１０-4（１／℃）より大きく、２．０×１０-4（１／℃）より小さい範囲内であればよい。すなわち、透明基板２０の線膨張係数（６×１０-5（１／℃））の１．２倍から３倍程度の範囲内の線膨張係数を持つようにすればよい。さらに好ましくは、１．５倍から２倍程度の範囲内とすることが好ましい。具体的には、薄膜保護膜の線膨張係数αは、１．６，１．７あるいは１．８程度の値に設定することが好ましい。
【００４５】
以上のように、適切な数値範囲の線膨張係数を持つように薄膜保護膜５０を選定すれば、光情報記録媒体の反り量を実質的に記録再生に影響を与えない所定の範囲内に抑えることができる。
【００４６】
＜実施例２＞
次に、ヤング率の大きなＵＶ硬化樹脂３を使用した場合の光情報記録媒体について説明する。図１３に実施例２の構成を示す。
【００４７】
図１３の実施例２と、図１２の比較例１とを比較すると、薄膜保護膜５０のＵＶ硬化樹脂３の材質が異なり、さらに図１３に示したこの発明の実施例２の光情報記録媒体の方が、ヤング率（９．００×１０9（Ｐａ））が大きくなっている点が異なる。すなわち、この実施例２の薄膜保護膜５０は高ヤング率を持つものである。
【００４８】
図６に、この発明の実施例２において、温度変化時における反り角の変化量（ｍｒａｄ）と経過時間（ｈｏｕｒ）との関係のグラフを示す。
ここで、この関係グラフは、実施例１と同様に、２５℃から７０℃へと温度が上昇するような環境変化を与えた場合に、媒体の外周部（ｒ＝２４ｍｍ）における反り角θの変化量（Δθ）の経時変化を測定したものである。
【００４９】
図６によれば、温度が７０℃となると、反り角の変化量が＋６．５ｍｒａｄ程度となり、薄膜保護膜５０側に反っているが、これは図４に示した従来のものに比べて反りの変化量が少ないことがわかる。
【００５０】
また、前記した図７の線膨張係数とヤング率との関係グラフによれば、薄膜保護膜５０の膜厚が５〜２０μｍの間において、反りの変化量を５ｍｒａｄ以下に抑えるためには、薄膜保護膜５０のヤング率Ｅ2は、２．０×１０9（Ｐａ）よりも大きく、１．０×１０10（Ｐａ）よりも小さいことが好ましい。さらに好ましくは、３．０×１０9（Ｐａ）から６．０×１０9（Ｐａ）の範囲内にあればよい。
【００５１】
ところで、媒体の反りを少なくするためには、薄膜保護膜５０の線膨張係数αと、基板２０のヤング率Ｅ1の両者を、適切に選定する必要がある。
図１５に、この発明の実施例２において、基板のヤング率Ｅ1に対する薄膜保護膜の線膨張係数αの変化のグラフを示す。ここで、環境温度を２５℃、相対湿度を５０％と仮定する。
線膨張係数α（１／℃）の上限を確定するグラフαｍａｘは、一次式αｍａｘ＝２．０×１０-14×Ｅ1＋４．０×１０-4で示され、この式で表される線分が、媒体の反りの変化量が−５ｍｒａｄとなる場合を示している。
一方、下限を確定するグラフαｍｉｎは、一次式αｍｉｎ＝−７．０×１０-15×Ｅ1＋１．０×１０-4で示され、この式で表される線分が、媒体の反りの変化量が＋５ｍｒａｄとなる場合を示している。
すなわち、基板のヤング率Ｅ1として１つの所定値を選択した場合、媒体の反りの変化量を±５ｍｒａｄの範囲内におさめるためには、薄膜保護膜５０の線膨張係数αをこのαｍａｘとαｍｉｎとの間の領域内の数値となるように設定すればよい。さらに好ましくは、図１５に示した範囲内のうち、−７．０×１０-15×Ｅ1＋１．２×１０-4のグラフよりも上で、２．０×１０-14×Ｅ1＋３．６×１０-4のグラフよりも下の範囲内の線膨張係数αを採用すれば、より効果的に媒体の反りを抑えることができる。
【００５２】
＜実施例３＞
次に、温度変化に加えて、湿度が変化するような環境下におけるこの発明の光情報記録媒体の実施例について説明する。
一般に、温度変化によって媒体は変形するが、湿度が変化することによっても媒体は変形する。したがって、温度変化による線膨張係数に加えて、次のような湿度変化による「湿度膨張係数」も考慮して薄膜保護膜の材質を決定するようにしてもよい。
【００５３】
温度に対する基板等の変形パラメータとして線膨張係数を定義したが、湿度に対する基板等の変形パラメータとして湿度膨張係数を定義する。すなわち、薄膜保護膜の湿度膨張係数を、相対湿度差（２５℃における含有水蒸気量／飽和水蒸気量）が１％上昇したときの薄膜保護膜の伸びる割合（１／％）と定義する。
【００５４】
反り角θを制御する場合に、薄膜保護膜５０の線膨張係数を選択するために、前記したような５つの数式を用いることを示したが、湿度膨張係数の適切な範囲を選定する場合にも同様の数式を用いることができる。すなわち、前記した式（１）から（５）において線膨張係数αｉを湿度膨張係数に置きかえて、変化温度Ｔを変化した相対湿度（％）に置きかえれば、これらの式が湿度膨張係数の選定に使用できる。
【００５５】
前記したように、薄膜保護膜５０のヤング率Ｅ2は、透明基板２０のヤング率Ｅ1よりも大きく、かつ２．０×１０9（Ｐａ）よりも大きく、１．０×１０10（Ｐａ）よりも小さいことが好ましい範囲であるとしたが、このヤング率の好適範囲を考慮すると、湿度膨張係数の好ましい範囲は、透明基板２０の湿度膨張係数よりも大きく、１．７×１０-4（１／％）よりも小さい範囲であると言うことができる。
【００５６】
以上より、線膨張係数、湿度膨張係数及びヤング率という３つの変形パラメータを考慮すると、次の関係（ａ）〜（ｆ）をすべて満たすように薄膜保護膜５０を選定することが好ましい。
（ａ）薄膜保護膜５０の線膨張係数α＞透明基板２０の線膨張係数
（ｂ）薄膜保護膜の湿度膨張係数β＞透明基板の湿度膨張係数
（ｃ）薄膜保護膜のヤング率Ｅ2＞透明基板のヤング率Ｅ1
（ｄ）７．０×１０-5＜薄膜保護膜の線膨張係数α（１／℃）＜５．０×１０-4
（ｅ）０＜薄膜保護膜の湿度膨張係数β＜１．７×１０-4（１／％）
（ｆ）２．０×１０9≦薄膜保護膜のヤング率Ｅ2（Ｐａ）≦１．０×１０10
【００５７】
たとえば、図１４に示すように、これらの条件を満たすように、線膨張係数αを９．５×１０-5（１／℃）、湿度膨張係数βを１．６×１０-5（１／％）、ヤング率を５．４×１０9（Ｐａ）として選定された薄膜保護膜（ＵＶ硬化樹脂）５０を用いた光情報記録媒体の反り角の変化量は、温度変化（２５℃から７０℃）、相対湿度変化（５０％から９０％）に対して、＋０．７ｍｒａｄから−１．６ｍｒａｄの範囲内であった。ここで、透明基板２０の線膨張係数は、６．０×１０-5（１／℃）、透明基板２０の湿度膨張係数は、７．０×１０-6（１／％）、透明基板２０のヤング率Ｅ1は、２．４１×１０9（Ｐａ）とした。また、透明基板２０の膜厚を０．５ｍｍ、薄膜保護膜５０の膜厚を１６μｍとした。
したがって、この場合も前記した実施例と同様に媒体の反りは±５ｍｒａｄの範囲内に収まり、実質上記録再生に問題とはならない範囲に媒体の反りを抑えることができる。
【００５８】
図１６に、この発明の実施例３において、基板２０のヤング率Ｅ1に対する薄膜保護膜５０の湿度膨張係数βの変化のグラフを示す。
このグラフよりも下方の領域の湿度膨張係数βを設定すれば、媒体の反り変化量は、±５ｍｒａｄとなる。
図１６のグラフは、一次式β＝２．０×１０-14×Ｅ1＋３．０×１０-5で表される。
すなわち、選定した基板２０のヤング率Ｅ1に対して、薄膜保護膜５０の湿度膨張係数β（１／％）を、β≦２．０×１０-14×Ｅ1＋３．０×１０-5となるように設定すれば、媒体の反り変化量は±５ｍｒａｄ以内となり、実用上十分な範囲内に反りの変化量を抑えることができる。
【００５９】
また、上記実施例では、基板２０のヤング率Ｅ1として２．４１×１０-9（Ｐａ）のものを用いたが、これに限るものではなく、ヤング率Ｅ1として１０．０×１０9（Ｐａ）よりも小さく、５×１０８（Ｐａ）よりも大きな値を持つ基板を用いても、同様に媒体の反りを±５ｍｒａｄの範囲内に抑えることができる。
以上の実施例で示した薄膜保護膜の線膨張係数α，ヤング率Ｅ2，湿度膨張係数βおよび基板のヤング率Ｅ1などの条件を必要に応じて組み合わせることにより、より適切に媒体の反りを抑えることが可能となる。
たとえば、
(a)−７．０×１０-15×Ｅ1≦α≦２．０×１０-14×Ｅ1＋４，０×１０-4
(b)２．０×１０9≦Ｅ2≦１．０×１０10
(c)β≦２．０×１０-14×Ｅ1＋３．０×１０-5
この３つの式をすべて満たすように、基板２０及び薄膜保護膜５０を選択すればよい。
【００６０】
上記実施例では、薄膜保護膜５０は、薄膜層４０の上部に形成するものを示したが、薄膜保護膜５０は薄膜層４０の上部に形成するだけでなく、媒体の前記したような外周側面を覆うように形成してもよい。
このような外周側面に薄膜保護膜５０を形成するためには、薄膜保護膜５０としての紫外線硬化樹脂を、薄膜層４０の上にスピンコート法により塗布すればよいが、次のような２段階の工程を実施すればよい。
まず、通常のスピンコートよりも長めの時間（たとえば６０秒間）だけ、低速回転による塗布を行い、樹脂が薄膜層の全面に塗り広がるようにする。
その後、膜厚を制御するために所定の時間だけ高速回転をする。この高速回転により、樹脂は外周側面にも塗布され、媒体の外周端面にも薄膜保護膜が形成される。
このように、外周側面に薄膜保護膜を形成した場合、反りの変化量は、＋０．５ｍｒａｄから−１．０ｍｒａｄの範囲内に抑えることができた。すなわち、実質上問題とならない程度に反りの変化量を抑えることができ、記録再生の信頼性を向上させることができる。外周側面の全体にわたって薄膜保護膜を形成する場合の他、外周端面の一部の領域に薄膜保護膜を形成しても、反り量を改善することができる。
【００６１】
【発明の効果】
この発明によれば、合成樹脂を主成分とする薄膜保護膜のヤング率および／または線膨張係数を、基板の周囲環境の変化により発生する反りを補償する値としているので、従来よりも反りの発生を抑えることができ、記録再生等の処理の信頼性を向上させた情報処理媒体を提供できる。
また、薄膜保護膜の線膨張係数と基板のヤング率とを所定の関係式を満たすように設定しているので、薄膜保護膜の膜厚を５μｍから２０μｍ程度に薄くした場合でも、実質的に記録再生に悪影響を及ぼすことがないように、従来よりも反り量を抑えた情報処理媒体を提供でき、記録再生の信頼性を向上できる。
さらに、薄膜保護膜のヤング率あるいは湿度膨張係数を所定の範囲内に設定しているので、実質的に記録再生に悪影響を及ぼすことがないように、従来よりも反り量の少ない情報処理媒体を提供でき、したがって、記録再生の信頼性を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】光情報記録媒体の構成を示す断面模式図である。
【図２】光情報記録媒体の反りを説明する図である。
【図３】多層はりを説明する図である。
【図４】従来における温度変化時における反り角の時間依存（低線膨張係数）の関係グラフである。
【図５】この発明の実施例１の温度変化時における反り角の時間依存（高線膨張係数）の関係グラフである。
【図６】この発明の実施例２の温度変化時における反り角の時間依存（高ヤング率）の関係グラフである。
【図７】この発明の実施例１の線膨張係数とヤング率の関係グラフである。
【図８】従来の光情報記録媒体の構成を示す平面図、側面図である。
【図９】従来の光情報記録媒体の一例を示す断面模式図である。
【図１０】従来の光情報記録媒体の他の例を示す断面模式図である。
【図１１】この発明の実施例１の構成要素の設定値の説明図である。
【図１２】従来の光情報記録媒体の構成要素の設定値の説明図である。
【図１３】この発明の実施例２の構成要素の設定値の説明図である。
【図１４】この発明の実施例３の温湿度変化時における反り角の時間依存の関係グラフである。
【図１５】この発明の実施例２における基板のヤング率に対する薄膜保護膜の線膨張係数の変化のグラフである。
【図１６】この発明の実施例３における基板のヤング率に対する薄膜保護膜の湿度膨張係数の変化のグラフである。
【符号の説明】
１０：光情報記録媒体
２０：透明基板
３０：基板保護膜
４０：薄膜層
４１：第１誘電体膜
４２：記録膜
４３：第２誘電体膜
４４：反射膜
５０：薄膜保護膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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