(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にマスクを成膜する工程と、
該マスクに対して、個々のマイクロレンズを形成すべきレンズ形成用領域に対応した開口部を形成する工程と、
前記開口部を通じてドライエッチングを実施する工程と、
該ドライエッチングを実施する工程の後に前記開口部を通じてウェットエッチングを実施してマイクロレンズの外形形状を形成する工程と、
前記マイクロレンズの外形形状を形成する工程の後に前記マスクを除去する工程と、
を含むことを特徴とするマイクロレンズの製造方法。
【請求項２】
前記開口部は、その辺縁にテーパが形成されていることを特徴とする請求項１に記載のマイクロレンズの製造方法。
【請求項３】
前記開口部の開口径は、前記レンズ形成用領域の大きさよりも小さいことを特徴とする請求項１又は２に記載のマイクロレンズの製造方法。
【請求項４】
前記ウェットエッチングを実施してマイクロレンズの外形形状を形成する工程は、前記開口部を通じて該ウェットエッチングにより形成される孔が、隣接する前記開口部を通じて該ウェットエッチングにより形成される他の孔との間で重なり合うまで、当該ウェットエッチングを進行させる工程を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のマイクロレンズの製造方法。
【請求項５】
その外形形状が、軸対称な立体的閉曲面を含むとともに、前記立体的閉曲面の軸を中心とした当該立体的閉曲面上の外周長が最も大きい部分における当該立体的閉曲面の平坦断面から前記立体的閉曲面上における頭頂部に至るまでの最大距離が、前記平坦断面の中央部から前記平坦断面の周辺部に至るまでの距離よりも大きいマイクロレンズの製造方法であって、
基板上にマスクを成膜する工程と、
該マスクに対して、個々の前記マイクロレンズを形成すべきレンズ形成用領域に対応した開口部を形成する工程と、
前記開口部を通じてドライエッチングを実施する工程と、
該ドライエッチングを実施する工程の後に前記開口部を通じてウェットエッチングを実施してマイクロレンズの外形形状を形成する工程と、
前記マイクロレンズの外形形状を形成する工程の後に前記マスクを除去する工程と、
を含むことを特徴とするマイクロレンズの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロレンズ及びその製造方法の技術分野に属し、特に、液晶装置等の電気光学装置等に適用されて好適なマクロレンズ及びその製造方法の技術分野に属する。また、本発明は、そのようなマイクロレンズを備えてなる電気光学装置の技術分野にも属する。
【０００２】
【背景技術】
マイクロレンズ、ないしマイクロレンズアレイは、各種の光学機器に使用されている。例えば、代表的には、マトリクス状に配列された複数の電荷結合素子（ＣＣＤ；Charge Coupled Device）を利用して外界の景色ないし風景を撮像することの可能なＣＣＤカメラや、その一方においてマトリクス状に配列された複数の電極を有する一対の基板間で液晶を挟持してなり、前記電極を利用して前記液晶に対し電圧を印加することにより画像を表示することの可能な液晶表示装置等がある。
【０００３】
いずれにしても、マイクロレンズは、マトリクス状に配列された複数のＣＣＤ、あるいは複数の電極の一を単位とする画素に対応するように設けられることで、全体としてマイクロレンズアレイとして設けられ、当該複数の画素、あるいは複数の電極に対して入射すべき光を集光することにより、光の利用効率を高める作用を担う。このようなことにより、ＣＣＤカメラ等においては、取得される画像の画質向上に貢献し、液晶表示装置等においては、表示すべき画像の画質向上に貢献することになる。
【０００４】
ところで、このようなマイクロレンズを製造する方法としては、従来、多数のバリエーションが提案されているが、代表的には、例えば次のような工程に沿って製造される。まず、（１）基板上にマスクを成膜し、（２）このマスクに対して、個々のマイクロレンズを形成すべき位置に対応するような開口部を形成し、（３）前記開口部を通じて前記基板に対するウェットエッチングを実施してマイクロレンズの外形形状を成形した後、（４）前記マスクを除去するとともに前記マイクロレンズの外形形状内に適当な媒質を充填する、というものである。この場合すなわち、凹状のマイクロレンズが形成されることになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来におけるマイクロレンズ及びその製造方法については、次のような一般的課題が常に認識されている。すなわち、集光特性の更なる向上である。例えば、上述した代表的なマイクロレンズの製造方法、あるいは該方法により製造されたマイクロレンズであっても、相応の集光特性は勿論発揮されうるものの、当該製造方法では、その工程（３）において、マイクロレンズの外形形状をウェットエッチングで成形することに起因する制約が伴う。すなわち、ウェットエッチングが基板を等方的に侵食していく性質をもつことにより、これにより成形されるマイクロレンズの外形形状は、あたかも前記開口部を中心とした半球状にしか成形し得ないということである。つまり、上述のような製造方法では、マイクロレンズの外形形状が半球状にしかなりえないから、そこから得られる集光特性も、自ずと限られたものしか得ることができないのである。
【０００６】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、従来よりも優れた集光特性を発揮しうるマイクロレンズ及びその製造方法を提供することを課題とする。また、本発明は、そのようなマイクロレンズを備えた電気光学装置を提供することも課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明のマイクロレンズは、上記課題を解決するために、軸対称な立体的閉曲面を含むとともに、前記立体的閉曲面の軸を中心とした当該立体的閉曲面上の外周長が最も大きい部分における当該立体的閉曲面の平坦断面から前記立体的閉曲面上における頭頂部に至るまでの最大距離が、前記平坦断面の中央部から前記平坦断面の周辺部に至るまでの距離よりも大きい。
【０００８】
本発明のマイクロレンズによれば、まず、その外形形状が、軸対称な立体的閉曲面を含む。ここにいう「立体的閉曲面」とは、基本的に、軸対称でさえあれば、その具体的な形態がどのようなものであっても、それを包含する概念である。すなわち「立体的閉曲面」とは、例えば、より一般的には、至る所に凹凸の存在するような閉曲面や、全部又は一部に「平面」を含む閉曲面等を含意することをはじめ、いわばより均整の取れた、後述する砲弾錘等の立体形状等をも当然に含意する。ただし、本発明にいう「立体的閉曲面」は、あくまでもマイクロレンズの外形形状を構成するものであるから、好ましくは、例えば上述したような砲弾錘等が想定されることになる。ただし、本発明は、不規則な立体形状等を積極的に排除する意図までは有さないことに注意されたい。
【０００９】
ここで特に、本発明では、前記立体的閉曲面の軸を中心とした当該立体的閉曲面上の外周長が最も大きい部分における当該立体的閉曲面の平坦断面が想定される。
【００１０】
すなわち、本発明に係るマイクロレンズの外形形状を、例えば、任意の平面形状を有する底面を備えた錐状体等として想定すれば、前記平坦断面は当該底面が該当することになる。ここに「錐状体」とは、例えば、円錐、四角錐等が想定され、また、円錐の軸に垂直な切断を行うことにより得られる立体形状（すなわち、該軸を含む断面が略台形状となる、いわば「切頭円錐」とも呼称しうる形状）や、この切頭円錐における前記切断面に生じた角部を丸めた立体形状（いわば「砲弾錐」とも呼称しうる形状）等を想定することが可能である。
【００１１】
ただし、本発明に係るマイクロレンズの外形形状が上述したように平坦断面を含みうるとしても、本発明にいう「平坦断面」が、必ずしもマイクロレンズの外形形状の一部を構成している必要はない。つまり、当該「平坦断面」とは、マイクロレンズそれ自体からみて、観念上含まれるというに過ぎない、あるいは該平坦断面は想定されるに過ぎないから、例えば、上述した砲弾錐の底面に、該砲弾錐より短軸の別の砲弾錐の底面を張り合わせて形作られるような形状を最終的に有するマイクロレンズであっても、後述する「距離」に関する規定を満たす限り、それは本発明の範囲内にある。
【００１２】
そして、本発明では、前記平坦断面から前記閉曲面上における頭頂部に至るまでの最大距離が、前記平坦断面の中央部から前記平坦断面の周辺部に至るまでの距離よりも大きいのである。
【００１３】
例えば、上述の砲弾錐を前提とすれば、その平坦断面とは該砲弾錐の底面たる円を意味するとともに、頭頂部とは、その底面から最も離れた前記立体的閉曲面上の一点、すなわち前記した切頭に係る切断面に含まれる一点、あるいはまた前記軸と前記立体的閉曲面とが交わる一点を意味する。つまり、平坦断面から頭頂部に至るまでの最大距離とは、いわば砲弾錐の軸の高さといいうるものが該当することになる。また、前記平坦断面の中央部とは、前記底面たる円の中心を意味するとともに、平坦断面の中央部からその周辺部に至るまでの距離とは、その底面たる円の半径の長さが該当することになる。
【００１４】
そして、本発明においては、前記砲弾錐を前提とすると、前記半径の長さが前記軸の高さよりも大きいのである。言い換えれば、いわば「縦に長い」、あるいは「深さの大きい」立体形状が一般的に想定されることになる。このような立体形状は、従来におけるマイクロレンズとは基本的に異なる形状であるといわなければならない。なぜなら、既に述べたように、従来のマイクロレンズは、通常、半球状、すなわち本発明に係る定義に沿っていえば、円の半径と軸の高さが等しい立体形状を有するものだからである。
【００１５】
本発明では、マイクロレンズの外形形状が、上述したような、いわば「縦に長い」、あるいは「深さの大きい」立体形状によって形作られることにより、これを基本として形成されるマイクロレンズ（すなわち、前記外形形状の内部に又は周囲に、適当な媒質を配置することによって、凸レンズ又は凹レンズとして形成されるマイクロレンズ）は、従来に比べて優れた集光特性を発揮することになる。というのも、本発明に係るマイクロレンズによれば、限られた設置面積の中で、媒質中を進むべき光の経路をより長くとることが可能となるからである。また、本発明に係るマイクロレンズは、従来とは異なる形態を有するマイクロレンズとして、特異な集光特性を発揮させることも可能であると考える。
【００１６】
本発明のマイクロレンズの一態様では、前記平坦断面は円形状を含む。
【００１７】
この態様によれば、マイクロレンズの外形形状として、例えば典型的には、上述したような「砲弾錐」や「円錐」等を想起することが可能である。そして、このような形状は、従来のマイクロレンズの形状と類似性を有するものとして、これまで広く利用されていたＣＣＤカメラ用のマイクロレンズや、電気光学装置用のマイクロレンズとして、好適に使用することが可能である。
【００１８】
本発明のマイクロレンズの他の態様では、前記平坦断面は四辺形状を含む。
【００１９】
この態様によれば、例えば、本態様に係るマイクロレンズを電気光学装置に使用する場合に好適である。というのも、電気光学装置において、マイクロレンズの一つ一つは、該電気光学装置を構成する画素の一つ一つに対応して設けられる場合が一般的に想定されるが、ここにいう画素は、通常、格子状に設置された各種配線等によって規定される略四辺形状に形成されていることが一般的だからである。
【００２０】
本態様に係るマイクロレンズは、そのような画素の形状に略合致した形状となる平坦断面を有するマイクロレンズであるから、入射する光の殆どすべてを集光することが可能となり、入射光の利用効率をより高めることが可能となるのである。
【００２１】
なお、本態様にいう「四辺形状」は、厳密な意味において四つの角を有する平面形状を意味することは勿論、当該角に丸みを帯びさせた形状等をも含意する。
【００２２】
本発明のマイクロレンズの他の態様では、前記立体的閉曲面は、紡錘形状の軸の中心で該軸に垂直に切断した半紡錘形状及び該切断された面を含む。
【００２３】
この態様によれば、例えば典型的には、既に述べた「砲弾錐」等が想起されることになる。そして、このような形態であれば、上述した作用効果を略同様に発揮させることが可能となる。
【００２４】
本発明のマイクロレンズの他の態様では、基板の表面に前記外形形状を規定する凹部が形成されており、該凹部には前記基板よりも高い屈折率を有する媒質が充填されてなる。
【００２５】
この態様によれば、外形形状の内部に基板よりも高い屈折率を有する媒質が充填されてなるから、光路変更特性により優れたマイクロレンズを提供することが可能となる。また、この態様のように、基板の表面に凹部を形成する方法によれば、比較的簡易に、本発明に係るマイクロレンズを形成することが可能となる。
【００２６】
本発明のマイクロレンズの他の態様では、基板上に、前記マイクロレンズがアレイ状に複数形成されている。
【００２７】
この態様によれば、いわゆるマイクロレンズアレイが形成されることになり、該アレイ全体として、優れた集光特性等を発揮させることが可能となる。
【００２８】
本発明のマイクロレンズの製造方法は、基板上にマスクを成膜する工程と、該マスクに対して、個々のマイクロレンズを形成すべきレンズ形成用領域に対応した開口部を形成する工程と、前記開口部を通じてドライエッチングを実施する工程と、該ドライエッチングを実施する工程の後に前記開口部を通じてウェットエッチングを実施してマイクロレンズの外形形状を形成する工程とを含む。
【００２９】
本発明のマイクロレンズの製造方法によれば、まず、マスクに形成された開口部を通じて、例えば反応性イオンエッチング等のドライエッチングが行われることにより、前記開口部の径に略一致した開口径を有するとともに、該開口径に比べて深さの大きい孔（以下、「基準孔」という。）が形成されることになる。より具体的には、この基準孔は、開口部の開口形状がどのようなものであるかにもよるが、例えば該開口形状が四辺形状であれば、長軸の立方体形状の孔となるし、該開口形状が円形状であれば、長軸の円柱形状の孔となる。このような「長軸の」孔が形成されるのは、ドライエッチングが、そもそも異方的に侵食を進行させる性質を有するからである。そして、本発明では、前記開口部を通じて、適当なエッチング液を利用したウェットエッチングが行われることにより、前記基準孔を基準として、等方的にエッチングが進行することになる。
【００３０】
したがって、本発明に係る、このような方法によれば、上述したようなマイクロレンズの外形形状、すなわちいわば「縦に長い」、あるいは「深さの大きい」立体形状（あるいは、「立体的閉曲面」）を容易に形成することが可能となる。
【００３１】
また、本発明に係る方法によれば、ドライエッチング及びウェットエッチングの程度等を適宜調整することにより、より好ましい形態となるマイクロレンズの外形形状の調整をも容易に実施しうることになる。
【００３２】
なお、マイクロレンズの外形形状を具体的に調整ないし制御するにあたっては、上述したように、ドライエッチング及びウェットエッチングのそれぞれをどのように実施するか（すなわち例えば、ドライエッチング時間とウェットエッチング時間の比、あるいは一工程中におけるドライエッチングの条件変更等）や、前記開口部の開口径の大きさ等が基本的に重要なファクターになると考えられるが、それらの決定は、当該マイクロレンズの外形形状を、例えば光学的な基準からどのようにするかを決めた上で、経験的、実験的、理論的又はシミュレーション等の結果に基づいて行うことができる。
【００３３】
本発明のマイクロレンズの製造方法の一態様では、前記開口部は、その辺縁にテーパが形成されている。
【００３４】
この態様によれば、ドライエッチングが有する異方性により、前記開口部を通じたエッチングによって、その断面がいわば楔形状の基準孔が形成されることになる。より具体的には、開口部の開口形状が円形状であれば、円錐に近い形の基準孔が形成されることになり、四辺形状であれば、四角錐に近い形の基準孔が形成されることになる。そして、本発明に係るウェットエッチングは、この基準孔の存在を前提にして行われる。
【００３５】
このような態様によれば、例えば、上述したような「砲弾錘」形状を有するマイクロレンズの外形形状を、より好適に形成することが可能であるのは明白である。
【００３６】
本発明のマイクロレンズの製造方法の他の態様では、前記開口部の開口径は、前記レンズ形成用領域の大きさよりも小さい。
【００３７】
この態様によれば、開口部の開口径が、個々のマイクロレンズを形成すべきレンズ形成用領域、換言すれば、個々のマイクロレンズの開口径よりも小さいことから、前記ドライエッチングを実施することにより形成される前記基準孔は、当該マイクロレンズの開口径よりも小さい開口径を有することになる。つまり、より「細長い」基準孔となるのである。そして、上述したウェットエッチングを実施する工程は、この細長い基準孔を前提として行われることになるから、本態様によれば、より好適な態様となるマイクロレンズを形成することができる。
【００３８】
本発明のマイクロレンズの製造方法の他の態様では、前記ウェットエッチングを実施してマイクロレンズの外形形状を形成する工程は、前記開口部を通じて該ウェットエッチングにより形成される孔が、隣接する前記開口部を通じて該ウェットエッチングにより形成される他の孔との間で重なり合うまで、当該ウェットエッチングを進行させる工程を含む。
【００３９】
この態様によれば、前記孔及び前記他の孔を平面視した場合にみられる、当該孔及び当該他の孔の輪郭線は、もはや円の一部たる曲線ではなく直線になる。なぜなら、前記孔及び前記他の孔が、いわば接触する以前においては、それらの輪郭線は、平面的にみて円の一部たる曲線を示すのに対し、隣接する孔同士間で「重なり合」いが生じると、曲線と曲線とがぶつかり合う（すなわち、孔同士の結合が生じる）ことにより、結果的に輪郭線は直線を含むことになるからである。
【００４０】
そして、このような方法により製造されたマイクロレンズの外形形状においては、上述のような現象が、ある孔と、該孔に上下左右で隣接する前記他の孔で生起するため、その底面は四辺形状を有するものになる一方、残余の主要部（図７において紙面に垂直で向こう側に存在する部分）は、なお砲弾錘形状ないしはすり鉢形状を維持することになる。
【００４１】
このように、本態様に係る方法によれば、その底面が四辺形状を含む錘形状を外形形状としたマイクロレンズを容易に形成することが可能となる。
【００４２】
本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するために、上述した本発明のマイクロレンズ（ただし、その各種態様を含む。）を備えた基板と、該基板に対向配置される他の基板と、前記基板及び前記他の基板の間に封入されてなる電気光学物質とを備える。
【００４３】
本発明の電気光学装置によれば、集光特性の優れたマイクロレンズを備えていることにより、より明るい画像を表示することが可能となる。
【００４４】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記基板又は前記他の基板の少なくとも一方の上には、表示用電極と、該表示用電極に薄膜トランジスタを介して又は直接に接続された配線とを更に備える。
【００４５】
この態様によれば、例えば、前記表示用電極が画素毎に形成された画素電極であり、該画素電極に対して、薄膜トランジスタを介して、前記配線の一例たる走査線及びデータ線が接続されることにより、いわゆるアクティブマトリクス駆動が可能となる。また、前記表示用電極がストライプ状電極であり、該ストライプ状電極に直接に配線が接続されることにより、いわゆるパッシブマトリクス駆動が可能となる。
【００４６】
そして、本発明に係るマイクロレンズは、上記表示用電極等の各種構成を備えない基板側に配置され、あるいは上記表示用電極等の各種構成が備えられた他の基板側に配置されることになる。
【００４７】
以上、本態様によれば、上述したような各種の駆動態様が可能な電気光学装置において、上述した本発明のマイクロレンズが備えられていることにより、例えば、該マイクロレンズが前記基板側に配置されている場合には、集光特性の向上により、より明るい画像を表示することが可能となる一方、例えば、該マイクロレンズが前記他の基板側に配置されている場合であって、該他の基板上に前記薄膜トランジスタが設置されている場合には、当該薄膜トランジスタに入射する光の進行経路を効果的に変更することが可能となり、その入射が生じることを未然に回避し、もって光リーク電流の低減を実現すること等が可能となる。
【００４８】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【００４９】
【発明の実施の形態】
以下では、本発明の実施の形態について図を参照しつつ説明する。なお、本実施形態においては、説明の便宜上、まず、マイクロレンズの製造プロセスについて説明した後、該製造プロセスを経て形成されたマイクロレンズの説明を行い、その後に該マイクロレンズを適用した電気光学装置についての説明を行うこととする。
【００５０】
（マイクロレンズの製造プロセス）
以下では、本実施形態に係るマイクロレンズの製造プロセスについて、図１から図４を参照して説明する。ここに、図１及び図２は、本実施形態に係るマイクロレンズの製造工程を順に追って示す断面図である。また、図３は、本製造工程で使用されるマスクに対して形成される開口部の態様を示す平面図である。さらに、図４は、本製造プロセスにより、最終的に形成されるマイクロレンズの具体的態様を示す斜視図である。
【００５１】
まず、図１の工程（１）に示すように、基板１０を用意する。ここで基板１０の材質は、基本的に限定されないが、例えば、石英基板、ハードガラス、シリコン基板等とすればよい。次に、図１の工程（２）に示すように、該基板１０に対して、例えばポリシリコン等からなるマスク４０１を形成した後、該マスク４０１に対してフォトリソグラフィ及びエッチング等を応用して、基板１０全面に関して所定パターンを有する開口部４０１ａを形成する。
【００５２】
本実施形態においては、この開口部４０１ａは、例えば図３に示すように、一つ一つのマイクロレンズを形成すべきレンズ形成用領域５０１ａ（図においては、一例のみ示した。）の各々に応じて、複数形成されることになる。このことから、本実施形態においては、基板１０上に、マイクロレンズ「アレイ」が形成されることになる。
【００５３】
また、この開口部４０１ａの開口径は、図３に示すように、レンズ形成用領域５０１ａの大きさ（すなわち、形成すべきマイクロレンズの開口径）よりも小さめになるように形成しておくとよい。これは、後に予定されるドライエッチング工程において、本発明において好適な、いわば「縦に長い」、ないしは「深さの大きい」、あるいは「細長い」基準孔を形成するための措置であり、また、後のウェットエッチング工程において、該開口部４０１ａを通じた等方的なエッチングが進行することにより、隣接するマイクロレンズがいわば「接触」（図１の工程（４）から図２の工程（５）参照）することを見越した措置でもある。なお、どの程度小さくするかは、経験的、実験的、理論的、あるいはシミュレーション等の結果を勘案すること等によって決定することができる。
【００５４】
なお、図３において、開口部４０１ａの開口形状は、円形状とされているが、本発明はこのような形態に限定されるものではない。例えば、図３に示すような形態に代えて、開口形状を、四辺形状を含むものや、場合により特殊な平面形状を含むものとしてよいことは勿論である。
【００５５】
次に、図１の工程（３）に示すように、前記開口部４０１ａを通じ、例えば反応性イオンエッチング等のドライエッチングを実施する。このドライエッチングの実施により、基板１０上には、図１の工程（３）に示すように、前記開口部４０１ａの径に略一致した開口径を有するとともに、該開口径に比べて深さの大きい基準孔５０１ｂ、すなわち一言でいえば、「細長い」基準孔５０１ｂが形成されることになる。本実施形態においては、開口部４０１ａの開口形状が、図３に示したように円形状であったから、基準孔５０１ｂは、円柱形状を有する孔となる。このような「長軸の」孔が形成されるのは、ドライエッチングが異方的に侵食を進行させる性質を有するからである。
【００５６】
このドライエッチング工程が完了したら次に、図１の工程（４）に示すように、前記開口部４０１ａを通じ、適当なエッチング液を利用したウェットエッチングを実施する。すなわち、このウェットエッチングは、前工程で形成された細長い円柱形状を有する基準孔５０１ｂを基準として行われることになる。そして、このエッチングは等方的に進行するから、図１の工程（４）に示すように、マスク４０１の裏面及び基板１０の表面との界面においても該エッチングは進行し、また、自然に曲面が形成されるような形で該エッチングは進行することになる。なお、本実施形態では、このようなウェットエッチング工程を、図２の工程（５）に示すように、上述の曲面が隣接する同士間でいわば「接触」するようになるまで進行させる。
【００５７】
以上のようなウェットエッチング工程を終了させ、最後に、図２の工程（５）に示すように、残存したマスク４０１を完全に除去すると、マイクロレンズ外形形状５０１Ｐの形成が完了する。続いて、このように形成されたマイクロレンズ外形形状５０１Ｐの内部に対して、図２の工程（６）に示すように、例えばＳｉＮｘ又はＩＴＯ等の透明材料からなる媒質５１１を充填すると、マイクロレンズ５０１が完成する。
【００５８】
なお、この媒質５１１の充填は、より具体的には、次のように実施することができる。すなわち、まず、マイクロレンズ外形形状５０１Ｐの内部及び基板１０の表面に対して、上述のような透明材料からなる膜を成膜する。つまり、該透明材料が、外形形状５０１Ｐの内部から基板１０表面に、いわば「はみ出る」ような成膜を実施するのである。次に、この膜の表面に対して、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理等の平坦化処理を実施する。このような平坦化処理を施すことによって、図２の工程（７）に示すように、マイクロレンズ外形形状５０１Ｐの内部のみに前記膜が残存する形態、すなわちその内部に媒質５１１が充填されてなるマイクロレンズ５０１を現出させることが可能となる。そしてこの場合特に、当該媒質５１１の表面及び基板１０の表面の両者に関して、平坦な面を容易に現出させることが可能となる。
【００５９】
また、充填媒質としては光または熱硬化する高屈折率の透明有機材料を用いても良い。この場合は図２の工程（８）に示すように透明有機媒質５１１を塗布し、外形形状５０１Pの内部を充填すると共にカバーガラス２０１を接着する。
【００６０】
以上のような製造プロセスを経て形成されたマイクロレンズ５０１、ないしその外形形状５０１Ｐは、図２の工程（６）又は（７）、あるいは図４の斜視図によく示されているように、いわば「砲弾錐」の形状を有することになる。
【００６１】
なお、マイクロレンズ外形形状５０１Ｐを具体的に調整ないし制御するにあたっては、上述したドライエッチング及びウェットエッチングのそれぞれをどのように実施するか（すなわち例えば、ドライエッチング時間とウェットエッチング時間の比、あるいは一工程中におけるドライエッチングの条件変更等）や、前記開口部４０１ａの開口径の大きさ等が基本的に重要なファクターになると考えられるが、それらの決定は、当該マイクロレンズ外形形状を、例えば光学的な基準からどのように調整ないし制御するかを決めた上で、経験的、実験的、理論的又はシミュレーション等の結果に基づいて行うことができる。
【００６２】
（マイクロレンズの具体的態様）
このように製造されたマイクロレンズ５０１の具体的態様及びその作用効果は、次のようになる。すなわち、このマイクロレンズ外形形状５０１Ｐは、図４に示すように、軸５５０に対して対称な立体的閉曲面５５１を含むとともに、軸５５０を中心とした立体的閉曲面５５１上の外周長が最も大きい部分における当該閉曲面５５１の平坦断面５５２から前記閉曲面５５１上における頭頂部５５１Ｈに至るまでの最大距離Ｌ１が、前記平坦断面５５２の中央部５５２Ｃから前記平坦断面５５２の周辺部５５２Ｐに至るまでの距離L２よりも大きいのである。
【００６３】
より具体的には、本実施形態に係るマイクロレンズ５０１の外形形状５０１Ｐは、上述したように砲弾錐形状を有するものであるから、平坦断面５５２は、図４に示すように外形形状５０１Ｐの底面を構成するとともに、その形状は円形状となる。そして、頭頂部５５１Ｈとは、この平坦断面５５２から最も離れた閉曲面５５１上の一点、あるいは軸５５０と閉曲面５５１とが交わる一点に該当する。つまり、本実施形態における平坦断面５５２から頭頂部５５１Ｈに至るまでの最大距離Ｌ１とは、砲弾錘の軸の高さに一致することになる。また、平坦断面５５２の中央部５５２Ｃとは、前記底面たる円形状の中心を意味するとともに、平坦断面の中央部５５２Ｃからその周辺部５５２Ｐに至るまでの距離Ｌ２とは、前記円形状の半径に一致することになる。そして、図２の工程（６）又は（７）として示す図、あるいは図４等からわかるように、Ｌ１＞Ｌ２である。
【００６４】
以上のように、本実施形態においては、マイクロレンズ外形形状５０１Ｐが、いわば「縦に長い」、あるいは「深さの大きい」立体形状によって形作られることにより、これを基本として形成されるマイクロレンズ５０１は、従来に比べて優れた集光特性を発揮することになる。というのも、このようなマイクロレンズ５０１によれば、限られた設置面積、あるいは開口径の中で、媒質中を進むべき光の経路をより長くとることが可能となるからである。また、本発明に係るマイクロレンズは、従来とは異なる形態を有するマイクロレンズとして、特異な集光特性を発揮させることも可能であると考える。
【００６５】
また、このようなマイクロレンズ５０１を製造するためには、上述した製造方法が最も効率的な方法の一つであることがわかる。すなわち、上述した通り、本実施形態においては、開口部４０１ａを通じたドライエッチングにより「細長い」基準孔５０１ｂを形成した後に、ウェットエッチングを実施することから、「縦に長い」外形形状５０１Ｐを、極めて自然に、かつ簡単に形成することができるからである。
【００６６】
なお、本発明においては、マイクロレンズ外形形状５０１Ｐの具体的態様としては、図４に示す他に種々の形態を考えることができる。すなわち、本発明にいう「立体的閉曲面」というのは、基本的に、軸対称でさえあれば、その具体的態様がどのようなものであっても、それを包含する概念であるから、例えば図５に示すように、その底面が略四辺形状であるような、略四角錘を含む外形形状６０１Ｐであってもよい。この図において、平坦断面６５２は、前記底面たる略四辺形状であり、この平坦断面６５２から頭頂部６５１Ｈまでの最大距離Ｌ３は、この略四角錘の軸の高さに一致する。また、平坦断面６５２の中心部６５２Ｃからその周辺部６５２Ｐに至るまでの距離Ｌ４は、例えば図５に示すように、前記略四辺形状の対角線の一部の長さに一致することになる。そして、むろんＬ３＞Ｌ４である。なお、周辺部６５２Ｐを、上述のような角部以外に想定する場合であっても、Ｌ３＞Ｌ４が成立することが明らかである。
【００６７】
ちなみに、このような形態となるマイクロレンズ外形形状６０１Ｐは、例えば次のようにして形成することが可能である。すなわち、図６に示すように、ウェットエッチングにより形成される孔Ｈの内面たる曲面が、隣接する同士間で「接触」するという程度を超えて、両者がいわば「重なり合う」に至るまで、ウェットエッチングを進行させるのである。ここに図６は、上述の図２の工程（５）に対応する工程を、工程（５´）として示す断面図である。
【００６８】
この場合においては、図７に示すように、前記孔Ｈを平面視した場合にみられる、当該孔Ｈの輪郭線は、もはや円の一部たる曲線ではなく直線になる。なぜなら、前記「接触」以前においては、当該輪郭線は、平面的にみて円の一部たる曲線を示すのに対し（図７中破線参照）、隣接する孔同士間で「重なり合い」が生じると、曲線と曲線とがぶつかり合う（すなわち、孔同士の結合が生じる）ことにより、結果的に輪郭線は直線を含むことになるからである。そして、このような方法により製造されたマイクロレンズの外形形状においては、上述のような現象が、図７に示すように上下左右に隣接する前記孔Ｈ１乃至Ｈ４で生起するため、その底面は四辺形状を有するものになる一方、残余の主要部（図７において紙面に垂直で向こう側に存在する部分）は、なお砲弾錘形状ないしはすり鉢形状を維持することになる。なお、本発明の一態様にいう「平坦断面が四辺形状を含む」ということは、このような場合も含めていうものである。
【００６９】
さて一方、本発明にいう「平坦断面」は、必ずしもマイクロレンズ５０１それ自体の形状の一部を構成している必要はない。つまり、該平坦断面は、該マイクロレンズ５０１からみれば、観念上含まれていると言えればよいから、例えば図８に示すように、砲弾錐の底面に、該砲弾錐より短軸の別の砲弾錐の底面を張り合わせて形作られるような立体形状を有するマイクロレンズ７０１であっても、本発明の範囲内にある。この場合でも、図４で既に説明したのと略同様に、Ｌ５＞Ｌ６が成立する。なお、このようなマイクロレンズ７０１の場合は、図中上方に示す前記短軸の別の砲弾錘は、前記媒質５１１を適当な方法により塗布する等の方法により形成することが可能である。
【００７０】
さらに、本実施形態においては、図４乃至図８に示したような砲弾錘形状を含む外形形状、より一般的にいえば、その先端部が比較的鋭くなるような外形形状を有するマイクロレンズを形成するためには、上述のマイクロレンズの製造プロセスにおいて、次のような処置を施すとよい。すなわち、図９の工程（２´）に示すように、マスク４０１に対して形成される開口部４０１ａ´について、その辺縁は基板１０の表面に対して傾きを有する、すなわち辺縁にテーパを設けるようにするとよい。ここに、図９は、図１における工程（２）及び（３）に対応するものを、工程（２´）及び（３´）として示すものである。
【００７１】
このような開口部４０１ａ´の辺縁におけるテーパの存在によれば、該開口部４０１ａ´を通じたドライエッチングを実施することにより、図９の工程（３´）に示すように、錐形状を有する基準孔５０１ｃが形成されることになる。つまり、開口部４０１ａ´の開口形状が図３に示すような円形状であると仮定すれば、基準孔５０１ｃは、円錐形状を有する孔となる。そして、このような基準孔５０１ｃを形成した後、ウェットエッチングを実施すると、該ウェットエッチングは、前記基準孔５０１ｃを基準として進行することになる（図１の工程（４）以降参照）。
【００７２】
このようなことから、例えば、マイクロレンズ外形形状を図４に示したような砲弾錘形状を有するものとして形成したい場合に、図９に示すような方法を採用するとより好適であることが明白である。すなわち、本方法によれば、その先端が比較的鋭いマイクロレンズ外形形状を、より容易に形成することが可能となるのである。
【００７３】
（電気光学装置に対するマイクロレンズの適用）
以下では、本発明のマイクロレンズを、液晶装置に適用した例について説明する。
【００７４】
まず、本発明の実施形態における電気光学装置の画素部における構成について、図１０から図１２を参照して説明する。ここに、図１０は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。また、図１１は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図１２は、図１１のＡ−Ａ´断面図である。なお、図１２においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００７５】
図１０において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００７６】
また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００７７】
画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００７８】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。また、走査線３ａに並んで、蓄積容量７０の固定電位側容量電極を含むとともに定電位に固定された容量線３００が設けられている。
【００７９】
以下では、上記データ線６ａ、走査線３ａ、ＴＦＴ３０等による、上述のような回路動作が実現される電気光学装置の、より現実的な構成について、図１１及び図１２を参照して説明する。
【００８０】
まず、本実施形態に係る電気光学装置は、図１１の断面図たる図１２に示すように、透明なＴＦＴアレイ基板１００と、これに対向配置される透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１００は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。また、ＴＦＴアレイ基板１００上には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。ここで画素電極９ａは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透明導電性膜からなり、また、配向膜１６は、例えばポリイミド膜等の有機膜からなる。
【００８１】
他方、対向基板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は、例えばＩＴＯ膜等の透明導電成膜からなる。また、配向膜２２は、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。
【００８２】
そして、本実施形態においては、図１２に示すように、上述したマイクロレンズ５０１が、対向基板２０に設けられている点に特徴がある。なお、図１２におけるマイクロレンズ５０１は、かなり誇張して描かれている点に注意されたい。
【００８３】
具体的には、このマイクロレンズ５０１は、図１１及び図１２に示すように、マトリクス状に配列された画素電極９ａの各々に対向するように、かつ、該画素電極９ａの直下に位置するように形成されている。すなわち、本実施形態におけるマイクロレンズ５０１は、平面的にみて島状に複数形成されており、いわゆるマイクロレンズアレイを構成していることになる。また、このマイクロレンズ５０１の大きさは、概ね画素電極９ａの大きさに対応するように、あるいは画素電極９ａの大きさよりは若干大きめにされ、かつ、その平面形状は、図１１に示すように、それぞれの角に丸みを帯びた矩形状とされている。
【００８４】
また、このマイクロレンズ５０１は、上述したマイクロレンズの製造プロセスにより形成されており、その外形形状は、図５に示したような底面が略四辺形状となる砲弾錘形状となっている。さらに、このマイクロレンズ５０１の内部には、対向基板２０が有する屈折率とは異なる屈折率を有する媒質５１１が充填されている。この媒質５１１の材料としては、具体的には例えば、ＳｉＮｘ又はＩＴＯ又は透明有機材料をあてるとよい。
【００８５】
なお、本実施形態においてはマイクロレンズ５０１の平面形状が、上述したように角に丸みを帯びた矩形状とされているが、これに代えて、図４に示したような底面が円形状たる砲弾錘としてもよい。
【００８６】
ちなみに、対向基板２０上で対向電極２１下には、カバーガラス２０１が設けられており、これはマイクロレンズ５０１を保護する役割等を担う。そして、このカバーガラス２０１と、マイクロレンズ５０１が形成された対向基板２０とは、その全面又は周辺部等において、適当な接着剤により貼着されている。
【００８７】
このように、本実施形態に係る電気光学装置においては、砲弾錘形状となるマイクロレンズ５０１が画素毎に備えられていることから、従来よりも優れた集光特性を発揮することとなり、より明るい画像を表示することが可能となる。
【００８８】
一方、図１１において、上記ＴＦＴアレイ基板１００上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（点線部９ａ´により輪郭が示されている）が設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。
【００８９】
走査線３ａは、半導体層１ａのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ´に対向するように配置されており、走査線３ａはゲート電極として機能する。すなわち、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、チャネル領域１ａ´に走査線３ａの本線部がゲート電極として対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【００９０】
ＴＦＴ３０は、図１２に示すように、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、その構成要素としては、上述したようにゲート電極として機能する走査線３ａ、例えばポリシリコン膜からなり走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ´、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００９１】
なお、ＴＦＴ３０は、好ましくは図１２に示したようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造をもってよいし、走査線３ａの一部からなるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また、本実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極を、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。このようにデュアルゲート、あるいはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域との接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。さらに、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａは非単結晶層でも単結晶層でも構わない。単結晶層の形成には、貼り合わせ法等の公知の方法を用いることができる。半導体層１ａを単結晶層とすることで、特に周辺回路の高性能化を図ることができる。
【００９２】
一方、図１１及び図１２においては、蓄積容量７０が、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての中継層７１と、固定電位側容量電極としての容量線３００の一部とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。この蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性を顕著に高めることが可能となる。
【００９３】
中継層７１は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。ただし、中継層７１は、後に詳述する容量線３００と同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。中継層７１は、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホール８３と、中継層７１と画素電極９ａとを接続するコンタクトホール（図１２においては不図示）を介して、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能をもつ。
【００９４】
このように中継層７１を利用すれば、層間距離が例えば２０００ｎｍ程度と長くても、両者間を一つのコンタクトホールで接続する技術的困難性を回避しつつ、比較的小径の二つ以上の直列なコンタクトホールで両者間を良好に接続することができ、画素開口率を高めることが可能となる。また、コンタクトホール開孔時におけるエッチングの突き抜け防止にも役立つ。
【００９５】
容量線３００は、例えば金属又は合金を含む導電膜からなり固定電位側容量電極として機能する。この容量線３００は、平面的に見ると、図１１に示すように、走査線３ａの形成領域に重ねて形成されている。より具体的には容量線３００は、走査線３ａに沿って延びる本線部と、図中、データ線６ａと交差する各個所からデータ線６ａに沿って上方に夫々突出した突出部と、コンタクトホール８５に対応する個所が僅かに括れた括れ部とを備えている。このうち突出部は、走査線３ａ上の領域及びデータ線６ａ下の領域を利用して、蓄積容量７０の形成領域の増大に貢献する。
【００９６】
このような容量線３００は、好ましくは高融点金属を含む導電性遮光膜からなり、蓄積容量７０の固定電位側容量電極としての機能のほか、ＴＦＴ３０の上側において入射光からＴＦＴ３０を遮光する遮光層としての機能をもつ。
【００９７】
また、容量線３００は、好ましくは、画素電極９ａが配置された画像表示領域からその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されて、固定電位とされる。このような定電位源としては、後述するデータ線駆動回路１０１に供給される正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板２０の対向電極２１に供給される定電位でも構わない。
【００９８】
誘電体膜７５は、図１２に示すように、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。蓄積容量７０を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜７５は薄いほどよい。
【００９９】
図１１及び図１２においては、上記のほか、ＴＦＴ３０の下側に、下側遮光膜１１ａが設けられている。下側遮光膜１１ａは、格子状にパターニングされており、これにより各画素の開口領域を規定している。また、開口領域の規定は、図１１中縦方向に延びるデータ線６ａと図１１中横方向に延びる容量線３００とが相交差して形成されることによっても、なされている。
【０１００】
なお、下側遮光膜１１ａについても、前述の容量線３００の場合と同様に、その電位変動がＴＦＴ３０に対して悪影響を及ぼすことを避けるために、画像表示領域からその周囲に延設して定電位源に接続するとよい。
【０１０１】
また、ＴＦＴ３０下には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能のほか、ＴＦＴアレイ基板１００の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１００の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。
走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３がそれぞれ開孔された第１層間絶縁膜４１が形成されている。
【０１０２】
第１層間絶縁膜４１上には、中継層７１及び容量線３００が形成されており、これらの上には高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び中継層７１へ通じるコンタクトホール（図１２においては不図示）がそれぞれ開孔された第２層間絶縁膜４２が形成されている。
【０１０３】
なお、本実施形態では、第１層間絶縁膜４１に対しては、約１０００℃の焼成を行うことにより、半導体層１ａや走査線３ａを構成するポリシリコン膜に注入したイオンの活性化を図ってもよい。他方、第２層間絶縁膜４２に対しては、このような焼成を行わないことにより、容量線３００の界面付近に生じるストレスの緩和を図るようにしてもよい。
【０１０４】
第２層間絶縁膜４２上には、データ線６ａが形成されており、これらの上には中継層７１へ通じるコンタクトホール（図１２においては不図示）が形成された第３層間絶縁膜４３が形成されている。
【０１０５】
以下では、以上のように構成された実施形態における電気光学装置の全体構成について、図１３及び図１４を参照して説明する。なお、図１３は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素とともに対向基板２０の側からみた平面図であり、図１４は図１３のＨ−Ｈ´断面図である。
【０１０６】
図１３及び図１４において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１００と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１００と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１００と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【０１０７】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるため、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、紫外線、加熱等により硬化させられたものである。また、このシール材５２中には、本実施形態における液晶装置がプロジェクタ用途のように小型で拡大表示を行う液晶装置であれば、両基板間の距離（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ、あるいはガラスビーズ等のギャップ材（スペーサ）が散布されている。あるいは、当該液晶装置が液晶ディスプレイや液晶テレビのように大型で等倍表示を行う液晶装置であれば、このようなギャップ材は、液晶層５０中に含まれてよい。
【０１０８】
シール材５２の外側の領域には、データ線６ａに画像信号を所定のタイミングで供給することにより該データ線６ａを駆動するデータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１００の一辺に沿って設けられており、走査線３ａに走査信号を所定のタイミングで供給することにより、走査線３ａを駆動する走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する二辺に沿って設けられている。
【０１０９】
なお、走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでもよいことは言うまでもない。また、データ線駆動回路１０１を画像表示領域１０ａの辺に沿って両側に配列してもよい。
【０１１０】
ＴＦＴアレイ基板１００の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナ部の少なくとも一箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１００と対向基板２０との間で電気的に導通をとるための導通材１０６が設けられている。そして、図１４に示すように、図１３に示したシール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール材５２によりＴＦＴアレイ基板１００に固着されている。
【０１１１】
図１４において、ＴＦＴアレイ基板１００上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１のほか、最上層部分に配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマテッィク液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【０１１２】
なお、ＴＦＴアレイ基板１００上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、複数のデータ線６ａに画像信号を所定のタイミングで印加するサンプリング回路、複数のデータ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【０１１３】
また、上述した実施形態においては、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１００上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１００の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１００の出射光が出射する側には、それぞれ、例えばＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Vertically Aligned）モード、ＰＤＬＣ（Polymer Dispersed Liquid Crystal）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード・ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏向フィルム、位相差フィルム、偏向板等が所定の方向で配置される。
【０１１４】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴うマイクロレンズ及びその製造方法並びに電気光学装置もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施形態に係るマイクロレンズの製造方法をその工程順に沿って示す断面図（その１）である。
【図２】  本発明の実施形態に係るマイクロレンズの製造方法をその工程順に沿って示す断面図（その２）である。
【図３】  図１に示すマスクに形成される開口部の形状及び配置態様を示す平面図である。
【図４】  図１及び図２に示す製造方法により形成されたマイクロレンズの外形形状の概要を示す斜視図である。
【図５】  図４とは異なる態様となるマイクロレンズの外形形状の概要を示す斜視図である。
【図６】  図２の工程（５）に対応する工程を、工程（５´）として示す製造工程断面図である。
【図７】  図６に示すウェットエッチング工程により形成される孔を平面視した平面図である。
【図８】  図４及び図５とは異なる態様となるマイクロレンズの外形形状の概要を示す斜視図である。
【図９】  図１の工程（２）及び（３）に対応する工程を、工程（２´）及び（３´）として示す製造工程断面図である。
【図１０】  本発明の実施形態の電気光学装置における画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路を示す回路図である。
【図１１】  本発明の実施形態の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図１２】  図１１のＡ−Ａ´断面図である。
【図１３】  本発明の実施形態の電気光学装置におけるＴＦＴアレイ基板を、その上に形成された各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図である。
【図１４】  図１３のＨ−Ｈ´断面図である。
【符号の説明】
３ａ…走査線
６ａ…データ線
１０…基板
２０…対向基板
３０…ＴＦＴ
４０１…マスク
４０１ａ、４０１ａ´…開口部
５０１、７０１…マイクロレンズ
５０１ａ…レンズ形成用領域
５０１ｂ…基準孔
５０１Ｐ、６０１Ｐ…マイクロレンズの外形形状
５１１…媒質
５５０、６５０、７５０…軸
５５１、６５１、７５１…立体的閉曲面
５５１Ｈ、６５１Ｈ、７５１Ｈ…頭頂部
５５２、６５２、７５２…平坦断面
５５２Ｃ、６５２Ｃ、７５２Ｃ…平坦断面の中央部
５５２Ｐ、６５２Ｐ、７５２Ｐ…平坦断面の周辺部
Ｌ１、Ｌ３、Ｌ５…平坦断面から頭頂部に至るまでの最大距離
Ｌ２、Ｌ４、Ｌ６…平坦断面の中央部から平坦断面の周辺部に至るまでの距離
Ｈ、Ｈ１〜Ｈ４…（ウェットエッチングにより形成される）孔
【図１】
0004165063.tif 000002
【図２】
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【図３】
0004165063.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0004165063.tif 000008
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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