(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属パターンを４より小さい誘電率を有する基板に形成する方法であって、
前記基板上に４．５より低い誘電率を有する下部ハードマスク層を付着する工程と、
前記下部ハードマスク層の上に中間ハードマスク層を付着する工程と、
前記中間ハードマスク層の上に２００Åより薄い厚さを有する上部ハードマスク層を付着する工程と、
第一のパターンに従って前記上部ハードマスク層に第一の開口部を形成し、それによって前記中間ハードマスク層の一部を露出させる工程と、
第二のパターンに従って前記中間ハードマスク層の前記露出部分に第二の開口部を形成し、対応する開口部を前記下部ハードマスク層に形成し、それによって前記基板の一部を露出させる工程と、
前記露出した基板を部分的にエッチングする工程と、
前記上部ハードマスク層をマスクとして、中間ハードマスク層および下部ハードマスク層に開口部を形成する工程と、
前記基板の上部には第一のパターンに対応した溝部を、下部には第二のパターンに対応した開口部を形成する工程と、
前記基板の開口部に金属を付着する工程と、
前記上部ハードマスク層を除去する工程とを含み、
前記金属を付着する工程は、前記上部ハードマスク層の上に過剰な金属を付着する工程をさらに含み、
前記上部ハードマスク層の研磨速度を前記金属の研磨速度より遅くして、化学機械研磨（ＣＭＰ）プロセスで前記金属を研磨することによって前記過剰な金属を除去する工程をさらに含み、
前記上部ハードマスク層は、高融点金属，高融点金属ナイトライド，高融点金属合金，ドープトアモルファスシリコンおよびドープトシリコンより構成されるグループから選択された材料より成る方法。
【請求項２】
前記中間ハードマスク層は、ＳｉＯ2，ＳｉＮ，ＳｉＯＮおよびＳｉＯＦより構成されるグループから選択された材料より成る請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記下部ハードマスク層は、ＳｉＣ：Ｈ，ＳｉＣＯＨ，ＳｉＣＮＨ，カーボンドープトオキシド，オルガノシリケートガラス，シリコンオキシカーバイド，アモルファス水素化シリコンカーバイドおよびアモルファス水素化シリコンカーバイド／ナイトライドより構成されるグループから選択された材料より成る請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記第一の開口部を形成する工程は、前記上部ハードマスク層の上にレジスト層を付着し、続いて前記上部ハードマスク層から前記レジスト層を除去する工程を含み、
前記中間ハードマスク層は前記レジスト層の除去の際の酸化から前記下部ハードマスク層を保護する請求項１〜３いずれか１つに記載の方法。
【請求項５】
基板の開口部に付着した前記金属がＣｕである請求項１〜４いずれか１つに記載の方法。
【請求項６】
前記上部ハードマスク層が、Ｔｉ，Ｔａ，ＴｉＮおよびＴａＮよりなる群から選択される請求項１〜５いずれか１つに記載の方法。
【請求項７】
４より低い誘電率を有する基板に金属パターンを形成する方法であって、
前記基板の上に４．５より低い誘電率を有する下部ハードマスク層を付着する工程と、
前記下部ハードマスク層の上部表面に隣接する下部ハードマスク層の領域に保護層を形成する工程と、
前記下部ハードマスク層の上に２００Åより薄い厚さを有する上部ハードマスク層を付着する工程と、
第一のパターンに従って前記上部ハードマスク層に第一の開口部を形成し、それによって前記下部ハードマスク層の一部を露出させる工程と、
第二のパターンに従って前記下部ハードマスク層の前記露出部分に第二の開口部を形成し、それによって前記基板の一部を露出させる工程と、
前記露出した基板を部分的にエッチングする工程と、
前記上部ハードマスク層をマスクとして、保護層および下部ハードマスク層に開口部を形成する工程と、
前記基板の上部には第一のパターンに対応した溝部を、下部には第二のパターンに対応した開口部を形成する工程と、
前記基板の開口部に金属を付着する工程と、
前記上部ハードマスク層を除去する工程とを含み、
前記金属を付着する工程は、前記上部ハードマスク層の上に過剰な金属を付着する工程をさらに含み、
前記上部ハードマスク層の研磨速度を前記金属の研磨速度より遅くして、化学機械研磨（ＣＭＰ）プロセスで前記金属を研磨することによって前記過剰な金属を除去する工程をさらに含み、
前記上部ハードマスク層の材料は、高融点金属，高融点金属ナイトライド，高融点金属合金，ドープトアモルファスシリコンおよびドープトシリコンより構成されるグループから選択される方法。
【請求項８】
前記下部ハードマスク層は、ＳｉＣ：Ｈ，ＳｉＣＯＨ，ＳｉＣＮＨ，カーボンドープトオキシド，オルガノシリケートガラス，シリコンオキシカーバイド，アモルファス水素化シリコンカーバイドおよびアモルファス水素化シリコンカーバイド／ナイトライドより構成されるグループから選択される材料より成る請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第一の開口部を形成する工程は、前記上部ハードマスク層の上にレジスト層を付着し、続いて前記上部ハードマスク層から前記レジスト層を除去する工程を含み、
前記保護層を形成する工程は、前記下部ハードマスク層をプラズマにさらし、それによって前記領域に、前記レジスト層の除去の際の酸化から前記下部ハードマスク層を保護する保護ナイトライド層を形成する工程を含む請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第一の開口部を形成する工程は、前記上部ハードマスク層の上にレジスト層を付着し、続いて前記上部ハードマスク層から前記レジスト層を除去する工程を含み、
前記保護層を形成する工程は、前記領域において前記下部ハードマスク層を高密度化するプラズマに前記下部ハードマスク層をさらす工程を含み、
前記保護層が前記レジスト層の除去の際の酸化から前記下部ハードマスク層を保護する請求項７〜９いずれか１つに記載の方法。
【請求項１１】
前記下部ハードマスク層の上部表面に隣接する領域において前記下部ハードマスク層の材料の密度が増加するという条件のもとで前記下部ハードマスク層を付着する請求項７〜１０いずれか１つに記載の方法。
【請求項１２】
前記第一の開口部を形成する工程は、前記上部ハードマスク層の上にレジスト層を付着し、続いて前記上部ハードマスク層から前記レジスト層を除去する工程を含み、
前記レジスト層は非酸化レジスト・ストリップ・プロセスで除去される請求項７〜１１いずれか１つに記載の方法。
【請求項１３】
前記保護層は１００Åの厚さを有する請求項７〜１２いずれか１つに記載の方法。
【請求項１４】
基板の開口部に付着した前記金属がＣｕである請求項７〜１３いずれか１つに記載の方法。
【請求項１５】
前記上部ハードマスク層が、Ｔｉ，Ｔａ，ＴｉＮおよびＴａＮよりなる群から選択される請求項７〜１４いずれか１つに記載の方法。
【請求項１６】
４より低い誘電率を有する基板に金属パターンを形成する方法であって、
前記基板上に４．５より低い誘電率を有する下部ハードマスク層を付着する工程と、
前記下部ハードマスク層の上に２００Åより薄い厚さを有する上部ハードマスク層を付着する工程と、
第一のパターンに従って前記上部ハードマスク層に第一の開口部を形成し、それによって前記下部ハードマスク層の一部を露出させる工程と、
第二のパターンに従って前記下部ハードマスク層の前記露出部分に第二の開口部を形成し、それによって前記基板の一部を露出させる工程と、
前記露出した基板を部分的にエッチングする工程と、
前記上部ハードマスク層をマスクとして、下部ハードマスク層に開口部を形成する工程と、
前記基板の上部には第一のパターンに対応した溝部を、下部には第二のパターンに対応した開口部を形成する工程と、
前記基板の開口部に金属を付着する工程と、
前記上部ハードマスク層を除去する工程とを含み、
前記第一の開口部を形成する工程は、前記上部ハードマスク層の上にレジスト層を付着し、続いて前記上部ハードマスク層から前記レジスト層を除去する工程をさらに含み、
前記レジスト層は非酸化レジスト・ストリップ・プロセスで除去され、
前記金属を付着する工程は、前記上部ハードマスク層の上に過剰な金属を付着する工程をさらに含み、
前記上部ハードマスク層の研磨速度を前記金属の研磨速度より遅くして、化学機械研磨（ＣＭＰ）プロセスで前記金属を研磨することによって前記過剰な金属を除去する工程をさらに含み、
前記上部ハードマスク層の材料は、高融点金属，高融点金属ナイトライド，高融点金属合金，ドープトアモルファスシリコンおよびドープトシリコンより構成されるグループから選択される方法。
【請求項１７】
前記下部ハードマスク層は、ＳｉＣ：Ｈ，ＳｉＣＯＨ，ＳｉＣＮＨ，カーボンドープトオキシド，オルガノシリケートガラス，シリコンオキシカーバイド，アモルファス水素化シリコンカーバイドおよびアモルファス水素化シリコンカーバイド／ナイトライドより構成されるグループから選択される材料より成る請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記レジスト・ストリップ・プロセスは、還元剤を用いるプラズマ・プロセスである請求項１６または１７に記載の方法。
【請求項１９】
基板の開口部に付着した前記金属がＣｕである請求項１６〜１８いずれか１つに記載の方法。
【請求項２０】
前記上部ハードマスク層が、Ｔｉ，Ｔａ，ＴｉＮおよびＴａＮよりなる群から選択される請求項１６〜１９いずれか１つに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体プロセスに関し、特に、デュアル・ダマシン・プロセスにおける配線作製のためのディープ・サブミクロン・リソグラフィの限界寸法制御（critical dimension control）に関する。
【０００２】
この出願は、２０００年４月１７日に出願され、本出願と同一の譲受人に譲渡された“配線構造を作製する保護ハードマスク”と称される米国特許出願０９／５５０，９４３に関連する。そして、この関連出願の開示が明細書の内容として引用される。
【０００３】
【従来の技術】
多層配線構造を備えるデバイスは半導体産業において周知である。デュアル・ダマシン・プロセスが、このような構造の製造に成功した方法であることが証明されている。このプロセスは、一般的には、金属配線をレベル間誘電体（ＩＬＤ）層に埋め込む工程と、ＩＬＤ内に形成されたバイア・ホールをメタライズ（metallize）することによって金属層を接続する工程とを含む。全体的なデバイスの電気的性能を向上させるためには、ＩＬＤが低誘電率（Ｋ＜４）を有することが極めて望ましい。加えて、極微細ピッチ（＜３００ｎｍ）のデバイスにおいては、配線とバイア・ホールとを、約１００ｎｍの限界寸法でＩＬＤへエッチングしなければならない。これは、一般的には、ハードマスクを用いてエッチングを行うということを必要とする。さらに、ＩＬＤ上に残存するハードマスクの一部が、ＩＬＤにダメージを与え得るマスク除去プロセスを避けることが多くの場合望ましい。この層は“残留ハードマスク（residual hardmask）”あるいは“永久ハードマスク（permanent hardmask）”と呼ばれることもある。したがって、低ＫのＩＬＤと接触しているハードマスク層もまた、低誘電率を有する必要がある。
【０００４】
ＩＬＤに配線およびバイアを形成するための典型的なハードマスクを図１に概略的に示す。ＩＬＤ１０を（図示しない）下側のレベルを覆うバリア層１の上に配置する。ＩＬＤは、一般的には、有機ポリアリレンエーテル熱硬化性誘電体（organic polyarylene ether thermoset dielectric）もしくは同種の材料のようなポリマで形成される。ハードマスクは、３つの層１１〜１３を含む。永久ハードマスク層１１は、低Ｋ材料（Ｋ＜４．５）で形成される。このような材料の例としては、（Ｓｉ，Ｃ，ＯおよびＨを含有する）ＳｉＣＯＨ，ＳｉＣ，ＳｉＣ：Ｈ，および（ＣおよびＨを含有する）アモルファスＳｉのようなオルガノシリケート（organosilicate）が挙げられる。層１１は、典型的には窒化シリコンである層１２によって覆われ、層１１と層１２の厚さは、それぞれ約５００Åと約３５０Åである。層１３は、典型的には二酸化シリコンであり、約１５００Åの厚さを有する。金属配線用パターンを層１３へ転写し（“配線レベル（line-level）”・リソグラフィ）、図２に示されるようにマスク内に露出領域２を形成させる。さらなるプロセスは、図３に示されるように、レジストの層１４を付着し、この層１４をパターニングしてバイア開口部４を定める（“バイアレベル（via-level）”リソグラフィ）工程を含む。これは、層１３をパターニングすることによって導入されたトポグラフィの上でレジスト１４を少なくとも部分的に平坦化するということを必要とする。層１３は、また、小平面の形成（すなわち、小平面３の形成）を免れず、これは限界寸法制御のロスを引き起こす。プラズマ・ポリマのその上への付着によって生じる配線縁部の粗化により、パターン転写の忠実度もまた低下する。
【０００５】
さらに、図４に示されるように、後続のプロセスにおいて、エッチングされた配線とバイア開口部とを、（多くの場合ライナ１５と共に）金属１６で過充てんし、典型的には化学機械研磨（ＣＭＰ）によって過剰な金属を除去する必要がある。金属１６とライナ材料１５とをほぼ同じ速度でＣＭＰによって除去する場合（例えば、金属１６が銅でありライナ１５がタングステンである場合）には、残存するハードマスクは研磨停止層の機能も果たす必要がある。窒化シリコンの薄い層１２は、ＣＭＰ停止層として有効ではないであろう。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ハードマスク構造が、低誘電率の利点を保持しながら極めて高い忠実度のパターン転写を備えるプロセスを可能にするとともに有効なＣＭＰ停止層を有する改良されたデュアル・ダマシン・プロセスの必要性が存在する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上述した必要性を対象とするものであり、低Ｋ誘電体層の上側の酸化物層を少なくとも排除する犠牲ハードマスク層を含むハードマスク構造を用いるデュアル・ダマシン・プロセスを提供する。
【０００８】
本発明の第一の態様によれば、３つのハードマスク層（下部層，中間層，上部層）を低Ｋ基板の上に付着する方法が提供される。上部ハードマスク層は、約２００Åより薄い厚さを有する。第一のパターンに従って第一の開口部を上部ハードマスク層に形成し、それによって中間ハードマスク層の一部を露出させる。第二のパターンに従って第二の開口部を中間ハードマスク層の露出部分に形成し、対応する開口部を下部ハードマスク層に形成し、それによって基板の一部を露出させる。基板に開口部を形成し、そこに金属を付着する。過剰な金属をハードマスクの上に付着しその後除去してもよい。最後に、上部ハードマスク層を除去する。
【０００９】
上部ハードマスク層の材料は、高融点金属，高融点金属ナイトライド，高融点金属合金，あるいは導電性Ｓｉベース材料（ドープトＳｉまたはドープトアモルファスＳｉのような）とすることができ、好ましくは、ＴａＮのような高融点金属ナイトライドである。中間ハードマスク層は好ましくはＳｉＮである。過剰な金属をＣＭＰによって除去してもよく、上部ハードマスク層は研磨される際に過剰な金属より遅い研磨速度を有する。
【００１０】
第一の開口部を形成するプロセスは、レジスト層を上部ハードマスク層の上に付着し、続いてそこからレジスト層を除去する工程を含んでもよく、中間ハードマスク層は、レジスト層の除去の際の酸化から下部ハードマスク層を保護するということを留意されたい。
【００１１】
本発明の第二の態様によれば、下部ハードマスク層と上部ハードマスク層とを付着する方法が提供される。保護層を、下部ハードマスク層の上部表面と隣接する下部ハードマスク層の領域に形成する。この保護層は、レジスト除去が行われる際の酸化から下部ハードマスク層を保護する。上部表面領域に保護ナイトライド層を形成するかまたは、上部表面領域において下部ハードマスク層を高密度化するプラズマ処理に下部ハードマスク層をさらすことによって保護層を形成してもよい。保護層は約１００Åの厚さを有する。
【００１２】
本発明の他の態様によれば、下部ハードマスク層と上部ハードマスク層とを基板上に付着する方法が提供される。第一のパターンに従って第一の開口部を上部ハードマスク層に形成し、それによって下部ハードマスク層の一部を露出させる。このプロセスは、レジスト層を上部ハードマスク層の上に付着し、続いてそこからレジスト層を除去する工程を含む。レジスト層を非酸化レジスト・ストリップ・プロセスで除去し、下部ハードマスク層の酸化を回避する。特に、還元剤（reducing chemistry）を用いるプラズマ・レジスト・ストリップ・プロセスでレジストを除去してもよい。
【００１３】
上部ハードマスク層はＣＭＰ停止層としても機能し得る薄い犠牲層であるということ、そして（一般的には低Ｋ材料から成る）下部ハードマスク層に対する酸化ダメージが回避されるということに注目されたい。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明のハードマスク構造は、低Ｋ誘電体ハードマスク層の上にあり、この層を保護する薄い（約１００Å〜約２００Å）犠牲層を用いる。この犠牲層は、金属配線パターンをエッチングするために有効なマスクであり、金属ＣＭＰプロセスにおいて有効な研磨停止層も提供する。
【００１５】
第一の実施の形態：３層ハードマスク
本実施の形態のハードマスクの構造を図５に示す。薄いハードマスク層２０を、従来のハードマスクの酸化物層１３の代わりに用いる（図１を対比されたい）。そして、薄いハードマスク層２０は、３層ハードマスク構造の最上（上部）層である。下にある残留ハードマスクは、層１１と層１２とを含む。中間層１２は、一般的には、典型的なプロセス工程（例えば、レジスト・マスクを用いるエッチング，レジスト・ストリップ（resist strip），湿式洗浄）の際に劣化しないという特性を有する誘電体材料から成る。この誘電体材料は、ＳｉＯ2 ，ＳｉＮ，ＳｉＯＮ，ＳｉＯＦ，あるいは当業者に周知の同種の材料とすることができる。底部（下部）層１１は、一般的には、ＳｉＣ，ＳｉＣ：Ｈ，オルガノシリケート（例えばＳｉＣＯＨ），ＳｉＣＮＨ，スピンオンシルセスキオキサン（spin-on silsesquioxane），カーボンドープトオキシド（carbon-doped oxide），オルガノシリケートガラス，シリコンオキシカーバイド（silicon oxycarbide），アモルファス水素化シリコンカーバイド（amorphous hydrogenated silicon carbide），アモルファス水素化シリコンカーバイド／ナイトライド（amorphous hydrogenated silicon carbide/nitride），あるいは同種の適切な材料のような低誘電率材料から成る。この層は様々な典型的プロセス工程においてダメージを受け、したがって保護層（この場合には、誘電体層１２）が必要とされるということが理解できる。特に、低Ｋ層１１を、層２０の付着の際およびレジスト・ストリップ・プロセスの際（例えばレジスト再構成の際）の酸化から保護する必要がある。
【００１６】
層２０は、少なくとも（ｉ）層２０の付着が下側の層にダメージを与えない、特に、層１０および１１の望ましい電気的性質を変質させない、および（ii）層２０の研磨速度が、ＣＭＰによって除去される過剰な金属に比べて遅いという条件で、金属，金属化合物もしくは金属合金，半導体，または誘電体とすることができる。層２０は、好ましくは高融点金属（例えばＴａ，Ｔｉ，Ｗ），高融点金属ナイトライド（例えばＴａＮ，ＴｉＮ，ＷＮ），高融点金属合金（例えばＴａＳｉＮ，ＴｉＳｉＮ，ＷＳｉＮ，ＴｉＷ），導電性Ｓｉベース材料（ドープトＳｉまたはドープト・アモルファスＳｉのような），あるいは所定の他の金属（例えばＣｕ，Ａｌ，Ａｇ）である。より好ましくは、層２０は高融点金属ナイトライドで形成される。特に、１５０ÅのＴａＮ層が層１０および１１の望ましい性質を維持しながら良好なパターン忠実度をもたらすということが確認されている。
【００１７】
この実施の形態において、ＩＬＤ層１０は、有機ポリアリレンエーテル熱硬化性誘電体で形成され、残留ハードマスク層１１および１２は、それぞれＳｉＣおよびＳｉＮである。そして、層２０はＴａＮで形成される。層１１および１２は、化学蒸着法（ＣＶＤ）によって形成されてもよく、またはプラズマＣＶＤによって形成されてもよい。層１１は、また、スピンオン・プロセスで付着されてもよい。層２０は、物理蒸着法またはＣＶＤによって形成されてもよい。
【００１８】
図６〜１２は、この実施の形態のハードマスクを用いるデュアル・ダマシン・プロセスにおける工程を説明する。レジスト層２１をハードマスクの上に付着し、金属配線のパターンをそこに現像する。Ｃｌ2 またはＣｌ2 ／ＢＣｌ3 化学物質（chemistry）を用いて層２０に開口部２２をエッチングすることにより、配線レベル・パターンをマスクへ転写する（図６）。次に、当業者に周知の方法を用いて、レジスト層２１をストリップし、レジスト残留物を除去する。次に、第二のレジスト層２３をマスクの上に付着し、バイア開口部２４のパターンをそこに現像する（図７）。酸化物層１３と比較して、層２０は小平面の形成がはるかに少なく、導入されるトポグラフィがはるかに少ない（図３と図７を対比されたい）。
【００１９】
一続きのエッチング工程において、デュアル・ダマシン・パターンを残留ハードマスクへ最初に転写し、次にＩＬＤへ転写する。層１１および１２をフルオロカーボンベース化学物質を用いてエッチングする。次に、Ｏ2 ，Ｏ3 ，ＳＯ2 ，ＳＯ3 ，Ｎ2 ，ＮＨ3 ，Ｎ2 Ｈ2 ，Ｎ2 Ｈ4 ，Ｈ2 ，ＣＯ2 ，ＣＯ，ＣＦ4 ，ＣＨＦ3 ，ＣＨ2 Ｆ2 またはＣＨ3 Ｆのうちの１またはそれ以上を含む化学物質を用いて、ＩＬＤ層１０を部分的にエッチングする。このエッチングの際レジスト層２３もまた除去する（図８）。次に、追加のフルオロカーボンベース・エッチングを、マスクとして層２０を用いて実行し、金属配線パターンに従ってハードマスクの層１１および１２に開口部を形成する（開口部２２）。さらなるエッチング工程は、先の部分的バイア・エッチングと同種の化学物質を用いて、配線レベル・パターンをＩＬＤに転写し、バイアの形成を完成させる（開口部２４）。図９に示されるように、金属配線パターンを基板の上部に転写し、バイア・パターンを基板の下部に転写する。このエッチング工程は、バリア層１で停止し、バリア層１は典型的にはＳｉＮまたはＳｉＣで形成される。次に、フルオロカーボンベース・エッチングを用いてバリア層に開口部を形成し、その結果バイアのメタライゼーションが下のレベル１００にコンタクトすることとなる。バイアの底部における開口部２４の幅は、わずか約１００ｎｍとすることができる。
【００２０】
メタライゼーション・プロセスは、好ましくはライナ２５の付着と、それに続くバイア内，金属配線パターン内，そしてハードマスク上への金属２６の付着とを含む（図１０）。次に、ＣＭＰプロセスを用いて過剰な金属を研磨除去する。ライナ２５のハードマスク層２０の上にある部分も、一般的には、同一のＣＭＰプロセスで除去する。特に、ライナ２５がＷであり金属２６がＣｕである場合には、標準ＣＭＰプロセスは両者の間で選択的ではないであろう。このような場合、層２０が研磨停止層として機能することが必要である（図１１）。Ｃｕ用の典型的なＣＭＰプロセスは、Ｗによって停止することはないが、Ｔｉ，Ｔａ，ＴｉＮ，またはＴａＮによって停止することとなる。したがって、この実施の形態で説明するＴａＮの層は、有効な研磨停止層を提供する。次に、層２０を個別の研磨プロセスで除去する。この時点において、層１２も除去して、ハードマスク構造のうちの低Ｋ層１１だけが残留することが望ましい（図１２）。
【００２１】
この実施の形態のハードマスク構造は、図１のハードマスク構造と比べて限界寸法（金属配線の幅と間隔）制御の大いなる改善をもたらす。加えて、本実施の形態のハードマスクは、有効な研磨停止層を提供し、より信頼性の高いＣＭＰ金属除去プロセスの展開を可能にする。
【００２２】
第二の実施の形態：２層ハードマスク
本実施の形態のハードマスクの構造を図１３に示す。図５〜１２と図１３〜２０との間で重複する参照符号は同一の構造を示す。第一の実施の形態におけるのと同様に、薄い犠牲ハードマスク層２０がハードマスクの最上（上部）層を構成する。層２０の材料は、高融点金属（例えばＴａ，Ｔｉ，Ｗ），高融点金属ナイトライド（例えばＴａＮ，ＴｉＮ，ＷＮ），高融点金属合金（例えばＴａＳｉＮ，ＴｉＳｉＮ，ＷＳｉＮ，ＴｉＷ），導電性Ｓｉベース材料（ドープトＳｉまたはドープト・アモルファスＳｉのような），あるいは所定の他の金属（例えばＣｕ，Ａｌ，Ａｇ）とすることができる。好ましい材料はＴａＮであり、約１５０Åの厚さを有する。下側の層３１は、第一の実施の形態の層１１におけるのと同様にＳｉＣＯＨまたは同種の材料のような低Ｋ誘電体であり、約５００Åの厚さを有する。
【００２３】
本実施の形態においては、（ナイトライド層１２のような）中間ハードマスク層を排除する（図５と１３を対比されたい）。これは、（ｉ）低Ｋ層３１を処理してこれをプロセスのダメージ（例えば、レジスト・ストリップ・プロセスの際の酸化によるダメージ）に強くする工程、および／または（ii)層３１の露出した表面を酸化させないレジスト・ストリップ・プロセスを用いる工程によって成される。
【００２４】
層３１を、ＣＶＤまたはプラズマＣＶＤを用いてＩＬＤ層１０の上に付着してもよい。この実施の形態においては、５００Åの厚さのＳｉＣＯＨをプラズマＣＶＤによって付着する。次に、層３１の表面を、層３１の上部表面領域３１t においてナイトライドを形成させるプラズマ（例えば、ＮＨ3 またはナイトライドベース・プラズマ）にさらす。代わりに、層３１の表面を、表面領域３１t において層を高密度化するプラズマ処理にさらしてもよく、あるいは層３１を、領域３１t において材料の密度が増加するという条件のもとで付着してもよい。上部表面領域３１t は、約１００Åの厚さを有する。
【００２５】
他の方法においては、後段で詳述するような層３１の表面を酸化させないレジスト・ストリップ・プロセスを用いることにより、低Ｋ層３１のプラズマ処理または高密度化の必要性を回避できる。
【００２６】
続いて、上部ハードマスク層２０を層３１の上に付着する。この実施の形態においては、１５０Åの厚さのＴａＮを物理蒸着法（ＰＶＤ）によって付着する。上述したように、層２０の付着プロセスが層３１の性質を改質させず、層２０の研磨速度が導電配線のために用いられる金属に比べて遅いという条件で、層２０を、金属，半導体または誘電体とすることができる。
【００２７】
図１４〜２０は、本実施の形態の２層ハードマスクを用いるデュアル・ダマシン・プロセスにおける工程を説明する図である。レジスト層２１をハードマスクの上に付着する。次に、Ｃｌ2 またはＣｌ2 ／ＢＣｌ3 化学物質を用いてハードマスク層２０をパターニングして金属配線のパターンに従って開口部２２を生じさせる配線レベル・パターニングを実行する（図１４）。
【００２８】
続いて、非酸化プラズマ・プロセス，還元プラズマ・プロセス，またはゆるい酸化プラズマ・プロセスを用いて、レジスト層２１をストリップする。このプロセスは、好ましくは還元剤を用いるプラズマ・プロセスであり、最も好ましくは、層３１の露出表面の酸化を防止するＮＨ3 ／Ｈ2 またはＮ2 ／Ｈ2 プラズマ・プロセスである。代わりに、アセトンベース酸性（acetone-based acidic）レジスト・ストリップのような選択的溶媒ベース・レジスト・ストリップ・プロセスを用いてもよい。
【００２９】
次に、レジスト層２３を付着し、バイア開口部２４のパターンをそこに現像するバイアレベル・パターニングを実行する（図１５）。第一の実施の形態におけるのと同様に、配線レベル・パターンとバイアレベル・パターンとをハードマスク層３１およびＩＬＤ層１０へ転写する。バイア・パターンをＳｉＣＯＨ層３１へエッチングする。次に、バイア・パターンをＩＬＤ層１０へ転写する部分的バイア・エッチングを実行する（図１６）。レジスト層２３もこの部分的バイア・エッチング工程の際に除去する。次に、マスクとして層２０を用いて追加のエッチングを実行し、金属配線パターンに従って層３１に開口部を形成する（こうして、マスク層３１内に開口部２２を作成する）。図１７に示されるように、先の部分的バイア・エッチングと同種の化学物質を用いるさらなるエッチング工程は、配線レベル・パターンをＩＬＤの上部へ転写し、ＩＬＤの下部を突き抜けるバイアの形成を完成する（開口部２４）。
【００３０】
次に、メタライゼーション・プロセス（好ましくは、ライナ２５および金属２６の付着を含む）を実行し、図１８に示される構造を得る。次に、第一の実施の形態におけるのと同様に研磨停止層として機能する層２０を用いるＣＭＰプロセスを使用して、過剰な金属と露出したライナとを研磨除去する。過剰な金属を研磨した後（図１９）、層２０を個別の研磨プロセスで除去して図２０に示される構造を得る。ＣＭＰによって層３１の表面領域３１t もまた除去することが望ましい。
【００３１】
この実施の形態において、（層３１から構成される）全残留ハードマスクが、ＩＬＤ層１０に加えて低Ｋ材料であるということに注目されたい。
【００３２】
本実施の形態のハードマスクは、第一の実施の形態の利点を全て提供し、これに加えて、従来のハードマスク構造から１つの層を除くことにより、プロセスの複雑度の低減とプロセス時間の短縮化とを可能にする。
【００３３】
特定の実施の形態の点から本発明を説明したが、多くの選択，変更および変形が当業者に対して明らかであることは、上述の説明にかんがみて明白である。したがって、本発明および特許請求の範囲の趣旨および範囲に含まれるこのような全ての選択，変更および変形を包含することを本発明は意図している。
【００３４】
まとめとして、本発明の構成に関して以下の事項を開示する。
（１）金属パターンを基板に形成する方法であって、前記基板上に約４．５より低い誘電率を有する下部ハードマスク層を付着する工程と、前記下部ハードマスク層の上に中間ハードマスク層を付着する工程と、前記中間ハードマスク層の上に約２００Åより薄い厚さを有する上部ハードマスク層を付着する工程と、第一のパターンに従って前記上部ハードマスク層に第一の開口部を形成し、それによって前記中間ハードマスク層の一部を露出させる工程と、第二のパターンに従って前記中間ハードマスク層の前記露出部分に第二の開口部を形成し、対応する開口部を前記下部ハードマスク層に形成し、それによって前記基板の一部を露出させる工程と、前記基板に開口部を形成する工程と、前記基板の開口部に金属を付着する工程と、前記上部ハードマスク層を除去する工程とを含む方法。
（２）前記上部ハードマスク層は、高融点金属，高融点金属ナイトライド，高融点金属合金，ドープトアモルファスシリコンおよびドープトシリコンより構成されるグループから選択された材料より成る上記（１）に記載の方法。
（３）前記中間ハードマスク層は、ＳｉＯ2 ，ＳｉＮ，ＳｉＯＮおよびＳｉＯＦより構成されるグループから選択された材料より成る上記（１）に記載の方法。（４）前記下部ハードマスク層は、ＳｉＣ：Ｈ，ＳｉＣＯＨ，ＳｉＣＮＨ，カーボンドープトオキシド，オルガノシリケートガラス，シリコンオキシカーバイド，アモルファス水素化シリコンカーバイドおよびアモルファス水素化シリコンカーバイド／ナイトライドより構成されるグループから選択された材料より成る上記（１）に記載の方法。
（５）前記金属を付着する工程は、前記上部ハードマスク層の上に過剰な金属を付着する工程をさらに含み、前記上部ハードマスク層の研磨速度を前記金属の研磨速度より遅くして、化学機械研磨（ＣＭＰ）プロセスで前記金属を研磨することによって前記過剰な金属を除去する工程をさらに含む上記（１）に記載の方法。
（６）前記第一の開口部を形成する工程は、前記上部ハードマスク層の上にレジスト層を付着し、続いて前記上部ハードマスク層から前記レジスト層を除去する工程を含み、前記中間ハードマスク層は前記レジスト層の除去の際の酸化から前記下部ハードマスク層を保護する上記（１）に記載の方法。
（７）約４より低い誘電率を有する基板に金属パターンを形成する方法であって、前記基板の上に約４．５より低い誘電率を有する下部ハードマスク層を付着する工程と、前記下部ハードマスク層の上部表面に隣接する下部ハードマスク層の領域に保護層を形成する工程と、前記下部ハードマスク層の上に約２００Åより薄い厚さを有する上部ハードマスク層を付着する工程と、第一のパターンに従って前記上部ハードマスク層に第一の開口部を形成し、それによって前記下部ハードマスク層の一部を露出させる工程と、第二のパターンに従って前記下部ハードマスク層の前記露出部分に第二の開口部を形成し、それによって前記基板の一部を露出させる工程と、前記基板上に開口部を形成する工程と、前記基板の開口部に金属を付着する工程と、前記上部ハードマスク層を除去する工程とを含む方法。
（８）前記上部ハードマスク層の材料は、高融点金属，高融点金属ナイトライド，高融点金属合金，ドープトアモルファスシリコンおよびドープトシリコンより構成されるグループから選択される上記（７）に記載の方法。
（９）前記下部ハードマスク層は、ＳｉＣ：Ｈ，ＳｉＣＯＨ，ＳｉＣＮＨ，カーボンドープトオキシド，オルガノシリケートガラス，シリコンオキシカーバイド，アモルファス水素化シリコンカーバイドおよびアモルファス水素化シリコンカーバイド／ナイトライドより構成されるグループから選択される材料より成る上記（７）に記載の方法。
（１０）前記金属を付着する工程は、前記上部ハードマスク層の上に過剰な金属を付着する工程をさらに含み、前記上部ハードマスク層の研磨速度を前記金属の研磨速度より遅くして、化学機械研磨（ＣＭＰ）プロセスで前記金属を研磨することによって前記過剰な金属を除去する工程をさらに含む上記（７）に記載の方法。
（１１）前記第一の開口部を形成する工程は、前記上部ハードマスク層の上にレジスト層を付着し、続いて前記上部ハードマスク層から前記レジスト層を除去する工程を含み、前記保護層を形成する工程は、前記下部ハードマスク層をプラズマにさらし、それによって前記領域に、前記レジスト層の除去の際の酸化から前記下部ハードマスク層を保護する保護ナイトライド層を形成する工程を含む上記（７）に記載の方法。
（１２）前記第一の開口部を形成する工程は、前記上部ハードマスク層の上にレジスト層を付着し、続いて前記上部ハードマスク層から前記レジスト層を除去する工程を含み、前記保護層を形成する工程は、前記領域において前記下部ハードマスク層を高密度化するプラズマに前記下部ハードマスク層をさらす工程を含み、前記保護層が前記レジスト層の除去の際の酸化から前記下部ハードマスク層を保護する上記（７）に記載の方法。
（１３）前記下部ハードマスク層の上部表面に隣接する領域において前記下部ハードマスク層の材料の密度が増加するという条件のもとで前記下部ハードマスク層を付着する上記（７）に記載の方法。
（１４）前記第一の開口部を形成する工程は、前記上部ハードマスク層の上にレジスト層を付着し、続いて前記上部ハードマスク層から前記レジスト層を除去する工程を含み、前記レジスト層は非酸化レジスト・ストリップ・プロセスで除去される上記（７）に記載の方法。
（１５）前記保護層は約１００Åの厚さを有する上記（７）に記載の方法。
（１６）約４より低い誘電率を有する基板に金属パターンを形成する方法であって、前記基板上に約４．５より低い誘電率を有する下部ハードマスク層を付着する工程と、前記下部ハードマスク層の上に約２００Åより薄い厚さを有する上部ハードマスク層を付着する工程と、第一のパターンに従って前記上部ハードマスク層に第一の開口部を形成し、それによって前記下部ハードマスク層の一部を露出させる工程と、第二のパターンに従って前記下部ハードマスク層の前記露出部分に第二の開口部を形成し、それによって前記基板の一部を露出させる工程と、前記基板に開口部を形成する工程と、前記基板の開口部に金属を付着する工程と、前記上部ハードマスク層を除去する工程とを含み、前記第一の開口部を形成する工程は、前記上部ハードマスク層の上にレジスト層を付着し、続いて前記上部ハードマスク層から前記レジスト層を除去する工程をさらに含み、前記レジスト層は非酸化レジスト・ストリップ・プロセスで除去される方法。
（１７）前記上部ハードマスク層の材料は、高融点金属，高融点金属ナイトライド，高融点金属合金，ドープトアモルファスシリコンおよびドープトシリコンより構成されるグループから選択される上記（１６）に記載の方法。
（１８）前記下部ハードマスク層は、ＳｉＣ：Ｈ，ＳｉＣＯＨ，ＳｉＣＮＨ，カーボンドープトオキシド，オルガノシリケートガラス，シリコンオキシカーバイド，アモルファス水素化シリコンカーバイドおよびアモルファス水素化シリコンカーバイド／ナイトライドより構成されるグループから選択される材料より成る上記（１６）に記載の方法。
（１９）前記金属を付着する工程は、前記上部ハードマスク層の上に過剰な金属を付着する工程をさらに含み、前記上部ハードマスク層の研磨速度を前記金属の研磨速度より遅くして、化学機械研磨（ＣＭＰ）プロセスで前記金属を研磨することによって前記過剰な金属を除去する工程をさらに含む上記（１６）に記載の方法。
（２０）前記レジスト・ストリップ・プロセスは、還元剤を用いるプラズマ・プロセスである上記（１６）に記載の方法。
【図面の簡単な説明】
【図１】デュアル・ダマシン・プロセスにおいて用いられる典型的なハードマスク構造の概略図である。
【図２】図１のハードマスクを用いる際に直面するプロセスの問題のいくつかを説明する図である。
【図３】図１のハードマスクを用いる際に直面するプロセスの問題のいくつかを説明する図である。
【図４】図１のハードマスクを用いる際に直面するプロセスの問題のいくつかを説明する図である。
【図５】本発明の第一の実施の形態に従って、３層ハードマスクを用いるデュアル・ダマシン・プロセスを説明する図である。
【図６】本発明の第一の実施の形態に従って、３層ハードマスクを用いるデュアル・ダマシン・プロセスを説明する図である。
【図７】本発明の第一の実施の形態に従って、３層ハードマスクを用いるデュアル・ダマシン・プロセスを説明する図である。
【図８】本発明の第一の実施の形態に従って、３層ハードマスクを用いるデュアル・ダマシン・プロセスを説明する図である。
【図９】本発明の第一の実施の形態に従って、３層ハードマスクを用いるデュアル・ダマシン・プロセスを説明する図である。
【図１０】本発明の第一の実施の形態に従って、３層ハードマスクを用いるデュアル・ダマシン・プロセスを説明する図である。
【図１１】本発明の第一の実施の形態に従って、３層ハードマスクを用いるデュアル・ダマシン・プロセスを説明する図である。
【図１２】本発明の第一の実施の形態に従って、３層ハードマスクを用いるデュアル・ダマシン・プロセスを説明する図である。
【図１３】本発明の第二の実施の形態に従って、２層ハードマスクを用いるデュアル・ダマシン・プロセスを説明する図である。
【図１４】本発明の第二の実施の形態に従って、２層ハードマスクを用いるデュアル・ダマシン・プロセスを説明する図である。
【図１５】本発明の第二の実施の形態に従って、２層ハードマスクを用いるデュアル・ダマシン・プロセスを説明する図である。
【図１６】本発明の第二の実施の形態に従って、２層ハードマスクを用いるデュアル・ダマシン・プロセスを説明する図である。
【図１７】本発明の第二の実施の形態に従って、２層ハードマスクを用いるデュアル・ダマシン・プロセスを説明する図である。
【図１８】本発明の第二の実施の形態に従って、２層ハードマスクを用いるデュアル・ダマシン・プロセスを説明する図である。
【図１９】本発明の第二の実施の形態に従って、２層ハードマスクを用いるデュアル・ダマシン・プロセスを説明する図である。
【図２０】本発明の第二の実施の形態に従って、２層ハードマスクを用いるデュアル・ダマシン・プロセスを説明する図である。
【符号の説明】
１  バリア層
２  露出領域
３  小平面
４  バイア開口部
１０  ＩＬＤ層
１１  ハードマスク層
１２  ハードマスク層
１３  ハードマスク層
１４  レジスト層
１５  ライナ
１６  金属
２０  ハードマスク層
２１  レジスト層
２２  開口部
２３  第二のレジスト層
２４  バイア開口部
２５  ライナ
２６  金属
３１  ハードマスク層
３１ｔ  上部表面領域
１００  レベル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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