(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録層を有する記録媒体上に、一定の記録周波数と一定の回転角速度によるＣＡＶ制御、又は、前記記録媒体上を同心円で区切ったゾーンの外周側となるに従い記録周波数を上げるとともに一定の回転角速度とするゾーンＣＡＶ制御により、チャネルクロック周期ＴのＮ倍（Ｎは１以上の整数）の長さのパルスからなる情報をレーザ光源からのレーザ光により記録する際に、先頭加熱パルスと先頭冷却パルス及び後続する複数個の後部加熱パルスと後部冷却パルスとの組合せよりなるマルチパルス列により前記レーザ光源を変調発光させて前記記録媒体上に所定の記録変調方式に基づくマーク又はスペースを形成する情報記録方法において、
前記後部加熱パルスのパルス幅が前記記録媒体の記録線速によらず時間的に一定とし、かつ、前記先頭加熱パルスのパルス幅が前記チャネルクロック周期Ｔに対して常に一定比率となるようにしたことを特徴とする情報記録方法。
【請求項２】
結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録層を有する記録媒体上に、一定の記録周波数と一定の回転角速度によるＣＡＶ制御、又は、前記記録媒体上を同心円で区切ったゾーンの外周側となるに従い記録周波数を上げるとともに一定の回転角速度とするゾーンＣＡＶ制御により、チャネルクロック周期ＴのＮ倍（Ｎは１以上の整数）の長さのパルスからなる情報をレーザ光源からのレーザ光により記録する際に、先頭加熱パルスと先頭冷却パルス及び後続する複数個の後部加熱パルスと後部冷却パルスとの組合せよりなるマルチパルス列により前記レーザ光源を変調発光させて前記記録媒体上に所定の記録変調方式に基づくマーク又はスペースを形成する情報記録方法において、
前記後部加熱パルスのパルス幅が前記記録媒体の記録線速によらず時間的に一定とし、かつ、前記記録媒体の記録線速と記録密度の変化に対して、前記先頭加熱パルスのパルス幅を変化させるように前記チャネルクロック周期Ｔに対する比率を設定するようにしたことを特徴とする情報記録方法。
【請求項３】
結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録層を有する記録媒体上に、一定の記録周波数と一定の回転角速度によるＣＡＶ制御、又は、前記記録媒体上を同心円で区切ったゾーンの外周側となるに従い記録周波数を上げるとともに一定の回転角速度とするゾーンＣＡＶ制御により、チャネルクロック周期ＴのＮ倍（Ｎは１以上の整数）の長さのパルスからなる情報をレーザ光源からのレーザ光により記録する際に、先頭加熱パルスと先頭冷却パルス及び後続する複数個の後部加熱パルスと後部冷却パルスとの組合せよりなるマルチパルス列により前記レーザ光源を変調発光させて前記記録媒体上に所定の記録変調方式に基づくマーク又はスペースを形成する情報記録方法において、
前記後部加熱パルスのパルス幅が前記記録媒体の記録線速によらず時間的に一定とし、かつ、前記記録媒体の記録密度の変化に対して、前記マルチパルス列のパルス数を変化させるとともに最後の冷却パルスのパルス幅を変化させるようにしたことを特徴とする情報記録方法。
【請求項４】
結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録層を有する記録媒体上に、一定の記録周波数と一定の回転角速度によるＣＡＶ制御、又は、前記記録媒体上を同心円で区切ったゾーンの外周側となるに従い記録周波数を上げるとともに一定の回転角速度とするゾーンＣＡＶ制御により、チャネルクロック周期ＴのＮ倍（Ｎは１以上の整数）の長さのパルスからなる情報をレーザ光源からのレーザ光により記録する際に、先頭加熱パルスと先頭冷却パルス及び後続する複数個の後部加熱パルスと後部冷却パルスとの組合せよりなるマルチパルス列により前記レーザ光源を変調発光させて前記記録媒体上に所定の記録変調方式に基づくマーク又はスペースを形成する情報記録方法において、
前記後部加熱パルスのパルス幅が前記記録媒体の記録線速によらず時間的に一定とし、かつ、前記記録媒体の記録線速が線速変動の略中心線速より低線速で記録密度がより高密度になる領域では、前記先頭加熱パルスのパルス幅の前記チャネルクロック周期Ｔに対する比率を大きく設定し、かつ、最後の冷却パルスのパルス幅の前記チャネルクロック周期Ｔに対する比率を小さく設定するようにしたことを特徴とする情報記録方法。
【請求項５】
結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録層を有する記録媒体上に、一定の記録周波数と一定の回転角速度によるＣＡＶ制御、又は、前記記録媒体上を同心円で区切ったゾーンの外周側となるに従い記録周波数を上げるとともに一定の回転角速度とするゾーンＣＡＶ制御により、チャネルクロック周期ＴのＮ倍（Ｎは１以上の整数）の長さのパルスからなる情報をレーザ光源からのレーザ光により記録する際に、先頭加熱パルスと先頭冷却パルス及び後続する複数個の後部加熱パルスと後部冷却パルスとの組合せよりなるマルチパルス列により前記レーザ光源を変調発光させて前記記録媒体上に所定の記録変調方式に基づくマーク又はスペースを形成する情報記録方法において、
前記後部加熱パルスのパルス幅が前記記録媒体の記録線速によらず時間的に一定とし、かつ、前記記録媒体の記録線速が線速変動の略中心線速より高線速で記録密度がより低密度になる領域では、前記先頭加熱パルスのパルス幅の前記チャネルクロック周期Ｔに対する比率を大きく設定し、かつ、最後の冷却パルスのパルス幅の前記チャネルクロック周期Ｔに対する比率を小さく設定するようにしたことを特徴とする情報記録方法。
【請求項６】
結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録層を有する記録媒体上に、一定の記録周波数と一定の回転角速度によるＣＡＶ制御、又は、前記記録媒体上を同心円で区切ったゾーンの外周側となるに従い記録周波数を上げるとともに一定の回転角速度とするゾーンＣＡＶ制御により、チャネルクロック周期ＴのＮ倍（Ｎは１以上の整数）の長さのパルスからなる情報をレーザ光源からのレーザ光により記録する際に、先頭加熱パルスと先頭冷却パルス及び後続する複数個の後部加熱パルスと後部冷却パルスとの組合せよりなるマルチパルス列により前記レーザ光源を変調発光させて前記記録媒体上に所定の記録変調方式に基づくマーク又はスペースを形成する情報記録方法において、
前記後部加熱パルスのパルス幅が前記記録媒体の記録線速によらず時間的に一定とし、かつ、前記記録媒体の記録線速が線速変動の略中心線速より低線速で記録密度がより低密度になる領域では、前記先頭加熱パルスのパルス幅の前記チャネルクロック周期Ｔに対する比率を小さく設定し、かつ、最後の冷却パルスのパルス幅の前記チャネルクロック周期Ｔに対する比率を大きく設定するようにしたことを特徴とする情報記録方法。
【請求項７】
前記記録媒体の記録時における最適線速を、ＣＡＶ制御又はゾーンＣＡＶ制御に対応して、変化する線速幅の略中央値に設定したことを特徴とする請求項１ないし６の何れか一に記載の情報記録方法。
【請求項８】
ＡｇＩｎＳｂＴｅ系の記録材料からなる記録層を有する記録媒体を記録対象とすることを特徴とする請求項１ないし７の何れか一に記載の情報記録方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録層を有する記録媒体に対する情報記録方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
マルチメディアの普及に伴い、音楽用ＣＤ（Ｃompact Ｄisk）やＣＤ‐ＲＯＭ等の再生専用メディアや光情報再生装置が実用化されている。最近では、色素メディアを用いた追記型光ディスクや、光磁気メディアを用いた書換え可能なＭＯ（Ｍagnetic Ｏptical）ディスクや相変化型メディアなどが注目されている。また、レーザ光源としての半導体レーザの短波長化や高ＮＡ対物レンズによるスポット径の小径化や薄型基板の採用などにより、ＤＶＤ（Ｄigital Ｖersatile Ｄisk） ‐ＲＯＭ，ＤＶＤ‐Ｒ（Ｒecordable），ＤＶＤ‐ＲＡＭ，ＤＶＤ‐ＲＷ（Ｒewritable） 等の大容量ディスクが実用化段階に入っている。特に、書換え可能なＤＶＤメディアは次世代のマルチメディア記録媒体及び大容量ストレージ媒体として多いに注目されている。なお、相変化型メディアは記録材料を結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変化させて情報を記録するものであり、ＭＯメディアなどと異なり外部磁界を必要とせず半導体レーザからなる光源からのレーザ光だけで情報の記録・再生ができ、かつ、情報の記録と消去とをレーザ光により一度に行なうオーバライト記録が可能である。
【０００３】
このような相変化型メディアに情報を記録するための一般的な記録波形としては、例えば、ＥＦＭ（Ｅight Ｆourteen Ｍodulation）パルス変調コードなどに基づいて生成した単パルスの半導体レーザ発光波形が用いられている。しかし、この単パルス記録方式は、蓄熱により、記録マークが涙状に歪を生じたり、冷却速度が不足してアモルファス相の形成が不十分となり、レーザ光に対して低反射の記録マークが得られない等の問題がある。
【０００４】
このため、相変化型メディアに情報を記録する従来の記録方式としては、図１０に示すように、８−１６変調コードなどの記録データに基づいて生成した多段の記録パワーを用いたマルチパルス列波形のレーザ光により記録マークを形成することで上記の問題を防止するようにしている。このマルチパルス列波形のマーク部は、相変化型メディアの記録膜を融点以上に十分に予備加熱するための先頭加熱パルスＡと、後続する複数個の連続加熱パルスＢと、それらの間の連続冷却パルスCとからなっており、先頭加熱パルスAの発光パワーをＰｗａ，連続加熱パルスＢの発光パワーをＰｗｂ、連続冷却パルスＣの発光パワーをＰｗｃ、再生発光パワーをＰｒとすれば、各々の発光パワーは、
Ｐｗｂ≧Ｐｗａ＞Ｐｗｃ≒Ｐｒ
に設定されている。また、マルチパルス列波形のスペース部は、イレースパルスＤからなり、その発光パワーＰｅｄは
Ｐｗａ＞Ｐｅｄ＞Ｐｗｃ
に設定されている。
【０００５】
このように記録波形をマルチパルス列による発光波形とすることで、相変化型メディアのマーク部は加熱パルスＡ，Ｂと冷却パルスＣによる加熱→冷却の急冷条件によりアモルファス相が形成され、スペース部はイレースパルスＤによる加熱のみの徐冷条件により結晶相が形成されるため、アモルファス相と結晶相とで十分な反射率差が得られる。
【０００６】
また、情報記録方式としてはマークポジション（ＰＰＭ）記録方式とマークエッジ（ＰＷＭ）記録方式とがあるが、最近では、高密度化に対応できるマークエッジ記録方式が用いられるようになっている。相変化型メディアにマークエッジ記録方式で情報を記録する場合、記録マークの両エッジに情報を持たせるため、相変化型メディアは記録マークで十分な加熱と急冷を行なってマーク前後のエッジ部を鮮明に形成することが重要である。従って、相変化型メディアのチルトや半導体レーザの発光パワー変動などを考慮して記録パワーを高めに設定している。また、最近の高密度化に伴ない、前述したように短波長レーザや高ＮＡ対物レンズによる小スポットを用いてメディアに微小マークを形成するようになってきている。しかし、レーザ光によるメディア媒体面での記録スポットの有効スポット径と最短マーク長が接近してくると、従来の基本記録波形では最短マークが長く形成されるため、イレースパワーを高くすることでマークのエッジを短く形成するような設定としている。
【０００７】
ところで、初期のＣＤ‐ＲＯＭ或いはＤＶＤ‐ＲＯＭでは、スピンドルモータ速度制御法として記憶容量を大きくとれるＣＬＶ（Ｃonstant Ｌinear Ｖelocity）方式が一般的であったが、情報転送速度を上げるためにスピンドルモータの回転数を非常に高くするには、モータの制御を簡単にするため回転角速度を一定にする必要がある。その方式の１つであるＣＡＶ（Ｃonstant Ａngular Ｖelocity）方式は回転角速度と記録再生周波数を一定にしている。ＣＡＶ方式を用いる場合、レーザ光に対するメディアの線速が内周から外周に向かうほど速くなり、情報記録密度は低くなる。また、ゾーンＣＡＶ（ＺＣＡＶ）方式は、記録媒体上を同心円で区切り、ゾーン内では一定の周波数で記録・再生し、外周側のゾーンほど記録周波数を上げ、記録の線密度が各ゾーン間で大きく変わらないようにして、記憶容量を大きくするようにしている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ＣＬＶ方式又はゾーンＣＬＶ方式で記録するには、レーザ光に対するメディアの線速が内周から外周に向かうほど速くなるので、外周側ではレーザパワー不足、或いは、チャネルクロック周波数の高速化により回路設計が困難になる可能性がある。また、ＣＬＶ記録に最適化されたメディアを用いて記録する場合は線速が速すぎても遅すぎてもうまく記録できず、オーバライト特性の劣化やジッタの増大を招く、という不具合を生ずる可能性がある。
【０００９】
このような問題を解決するため、例えば、特開平６−１２６７４号公報によれば、記録媒体とレーザ光の相対速度が速くなる場合はマルチパルスではなく入力パルスを少し短くしたパルスで発光させるようにしている。また、特開平５−２７４６７８号公報によれば、外周側の領域にレーザ光が照射される場合は内周側の領域に照射されるときよりもパルス発光のデューティ比を大きくするようにしている。
【００１０】
これらの公報例では、発光パルスをレーザ光のメディアの中心点からの半径位置に応じて変化させる必要があり、レーザ発光制御部の回路構成が非常に複雑になってしまう。このような問題を解決するための従来技術として、線速の変動に関わらずマルチパルス列のパルス幅を時間的に一定となるようにしたものがある。この方式では、線速が速くなってチャネルクロック周波数が高速になるほどチャネルクロック周期に対するマルチパルスの発光比率が高くなるので、高線速化によるレーザパワーの低下を補うことができる。
【００１１】
しかし、このようにマルチパルス列のパルス幅を時間的に一定にするだけでは、記録媒体の最内周側或いは最外周側を記録しようとした場合に必ずしも最適な記録パワー設定とならず、オーバライト特性やジッタの悪化を招くおそれがある。
【００１２】
そこで、本発明は、マルチパルス列における後部加熱パルスのパルス幅が記録媒体の記録線速によらず時間的に一定となるようにしたＣＡＶ制御又はゾーンＣＡＶ制御による情報記録方法において、オーバライト特性を向上させ、かつ、ジッタが良好になる情報記録方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
請求項１ないし６記載の発明は、結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録層を有する記録媒体上に、一定の記録周波数と一定の回転角速度によるＣＡＶ制御、又は、前記記録媒体上を同心円で区切ったゾーンの外周側となるに従い記録周波数を上げるとともに一定の回転角速度とするゾーンＣＡＶ制御により、チャネルクロック周期ＴのＮ倍（Ｎは１以上の整数）の長さのパルスからなる情報をレーザ光源からのレーザ光により記録する際に、先頭加熱パルスと先頭冷却パルス及び後続する複数個の後部加熱パルスと後部冷却パルスとの組合せよりなるマルチパルス列により前記レーザ光源を変調発光させて前記記録媒体上に所定の記録変調方式に基づくマーク又はスペースを形成する情報記録方法を前提とする。
【００１４】
その上で、請求項1記載の発明は、前記後部加熱パルスのパルス幅が前記記録媒体の記録線速によらず時間的に一定とし、かつ、前記先頭加熱パルスのパルス幅が前記チャネルクロック周期Ｔに対して常に一定比率となるようにした。従って、記録媒体全域に渡ってオーバライト特性、ジッタを良好に保つことが可能となる。
【００１５】
請求項２記載の発明は、前記後部加熱パルスのパルス幅が前記記録媒体の記録線速によらず時間的に一定とし、かつ、前記記録媒体の記録線速と記録密度の変化に対して、前記先頭加熱パルスのパルス幅を変化させるように前記チャネルクロック周期Ｔに対する比率を設定するようにした。従って、先頭部分のパワー不足を防止でき、かつ、最終冷却パルスのパルス幅を変化させることでオーバライト特性、ジッタを良好に保つことが可能となる。
【００１６】
請求項３記載の発明は、前記後部加熱パルスのパルス幅が前記記録媒体の記録線速によらず時間的に一定とし、かつ、前記記録媒体の記録密度の変化に対して、前記マルチパルス列のパルス数を変化させるとともに最後の冷却パルスのパルス幅を変化させるようにした。従って、適正なレーザパワーで理想的なマーク長に記録でき、かつ、最終冷却パルスのパルス幅を変化させることでオーバライト特性、ジッタを良好に保つことが可能となる。
【００１７】
請求項４記載の発明は、前記後部加熱パルスのパルス幅が前記記録媒体の記録線速によらず時間的に一定とし、かつ、前記記録媒体の記録線速が線速変動の略中心線速より低線速で記録密度がより高密度になる領域では、前記先頭加熱パルスのパルス幅の前記チャネルクロック周期Ｔに対する比率を大きく設定し、かつ、最後の冷却パルスのパルス幅の前記チャネルクロック周期Ｔに対する比率を小さく設定するようにした。従って、このような線速、記録密度条件ではオーバライト特性、ジッタを良好に保つことが可能となる。
【００１８】
請求項５記載の発明は、前記後部加熱パルスのパルス幅が前記記録媒体の記録線速によらず時間的に一定とし、かつ、前記記録媒体の記録線速が線速変動の略中心線速より高線速で記録密度がより低密度になる領域では、前記先頭加熱パルスのパルス幅の前記チャネルクロック周期Ｔに対する比率を大きく設定し、かつ、最後の冷却パルスのパルス幅の前記チャネルクロック周期Ｔに対する比率を小さく設定するようにした。従って、このような線速、記録密度条件ではオーバライト特性、ジッタを良好に保つことが可能となる。
【００１９】
請求項６記載の発明は、前記後部加熱パルスのパルス幅が前記記録媒体の記録線速によらず時間的に一定とし、かつ、前記記録媒体の記録線速が線速変動の略中心線速より低線速で記録密度がより低密度になる領域では、前記先頭加熱パルスのパルス幅の前記チャネルクロック周期Ｔに対する比率を小さく設定し、かつ、最後の冷却パルスのパルス幅の前記チャネルクロック周期Ｔに対する比率を大きく設定するようにした。従って、このような線速、記録密度条件ではオーバライト特性、ジッタを良好に保つことが可能となる。
【００２１】
請求項７記載の発明は、請求項１ないし６の何れか一項に記載の情報記録方法において、前記記録媒体の記録時における最適線速を、ＣＡＶ制御又はゾーンＣＡＶ制御に対応して、変化する線速幅の略中央値に設定した。従って、線速が最低速から最高速に変動した場合でもオーバーライト特性、ジッタを良好に保つことが可能となる。
【００２２】
請求項８記載の発明は、請求項１ないし７の何れか一項に記載の情報記録方法において、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系の記録材料からなる記録層を有する記録媒体を記録対象とする。従って、先頭冷却パルスから最終冷却パルスまでの累積長に対する形成されたマーク長との関係が殆ど直線的に一致する、という傾向があり、マーク長を制御しやすくなる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
本発明の第一の実施の形態を図１及び図２に基づいて説明する。本実施の形態は、ＤＶＤ‐ＲＯＭフォーマットのコードデータを相変化型メディア（例えば、相変化型光ディスク）の記録層に記録（オーバライト）するような情報記録方法に適用されている。データ変調方式としては、図１に示すように、８−１６変調コードを用いてマークエッジ記録を行なうものとする。本実施の形態では、このような記録媒体と記録データとを用いて、レーザ光源としての半導体レーザをマルチパルス列により発光させ記録マークを形成することにより情報の記録を行なうものである。なお、図１においてマルチパルス列波形のマーク部は、相変化型メディアの記録膜（記録層）を融点以上に十分に予備加熱するための先頭加熱パルスＡと、後続する複数個の連続加熱パルスＢと、それらの間の連続冷却パルスC，Ｃｒとからなっており、各々の先頭加熱パルスAの発光パワーをＰｗａ，連続加熱パルスＢの発光パワーをＰｗｂ、連続冷却パルスＣの発光パワーをＰｗｃ、再生発光パワーをＰｒで示す。また、マルチパルス列波形のスペース部は、イレースパルスＤからなり、その発光パワーをＰｅｄで示す。
【００２４】
図2に、記録媒体としての相変化型メディア１に対して上記の記録方式により記録・再生を行なう情報記録再生装置の光ピックアップ構成例の概要を示す。即ち、光源としての半導体レーザ２から出射されたレーザ光（マルチパルス列による発光光）をコリメートレンズ３により平行化した後、偏光ビームスプリッタ４、波長板５及び対物レンズ６を通して相変化型メディア１の記録層１ａ上に集光照射させる。このとき、相変化型メディア１はスピンドルモータにより回転駆動されている。相変化型メディア１からの反射光は再び対物レンズ６、波長板5及び偏光ビームスプリッタ４を経ることで入射光と分離され、検出レンズ７を経て受光素子８により受光検出される。
【００２５】
ここに、記録時には、光強度制御手段（図示せず）により８−１６変調コードからなる記録データに基づいてパルス制御信号を生成し、半導体レーザ制御回路でそのパルス制御信号に応じた駆動電流により半導体レーザ２を駆動する。これにより、図1中に示すようなマルチパルス列による発光光を発光させ、相変化型メディア１の記録層１ａ上に集光照射することで、記録マークを形成し情報の記録を行なう。このとき、スピンドルモータはゾーンＣＡＶ方式で制御され、外周に向かうに従い記録周波数（チャネルクロック周波数）を上げていくことで回転角速度が常に一定となるようにする。従って、相変化型メディア１全体で情報記録密度が一定となるようにする。また、この情報記録再生装置では、再生時には、半導体レーザ駆動回路で半導体レーザ２を駆動して再生パワーＰｒで発光させ、対物レンズ５を通して相変化型メディア１に照射し、その反射光を受光素子７で受光し光電変換することで再生信号を得る。
【００２６】
また、８−１６変調コードを用いた記録データとして、本実施の形態では、チャネルクロック周期を１Ｔとし、最短長ｘＴから最大長までの各マーク長ｙＴ（ｙ≧ｘ）の複数のマーク及びスペースを用いてＰＷＭ記録を行なうものとする。ここに、マルチパルス列発光によりｙＴ長のマークを記録する際に、ｎ＝ｙ−ｘ＋１個の後部加熱パルスＢと後部冷却パルスＣが先頭加熱パルスＡと最終冷却パルスＣｒの間に繰り返し発光するようにしている。即ち、図1に例示するように、最短マークが３Ｔの場合に、５Ｔマークを記録する際には、ｘ＝３、ｙ＝５であり、ｎ＝３個の後部加熱パルスＢと後部冷却パルスＣが先頭加熱パルスＡと最終冷却パルスＣｒの間で繰り返し発光することとなる。
【００２７】
また、ゾーンＣＡＶ制御方式により半導体レーザ２に対する相変化型メディア１の線速が変動しても、後部加熱パルスＢ及び後部冷却パルスＣのパルス幅は時間的に一定となるように設定されている。このように設定することにより、線速が速くなってチャネルクロック周波数が高速になるほどチャネルクロック周期Ｔに対するマルチパルスの発生比率が高くなるので、高線速化によるレーザパワーの低下を補うことができる。
【００２８】
このような前提の下、本実施の形態では、先頭加熱パルスＡのパルス幅がチャネルクロック周期Ｔに対して常に一定比率となるように設定されている。図１において、（ａ）は最内周・線速最小時、（ｂ）は中心線速時、（ｃ）は最外周・線速最大時のマルチパルス列のパルス波形を示すが、何れの場合でも先頭加熱パルスＡのパルス幅が例えば０．７５Ｔとして一定比率で設定されている。
【００２９】
ここに、図1を参照して具体例を挙げて説明する。ここでは、半導体レーザ２から出射されるレーザ光の波長λ＝６３５ｎｍ、対物レンズ５の開口数ＮＡ＝０．６とし、相変化型メディア１に対してゾーンＣＡＶ方式で１倍速記録を行なう場合を想定している。また、相変化型メディア１の記録容量を片面１層で３．９ＧＢとすると、線速は３．４９ｍ／ｓ（チャネルクロック周波数２６．１６ＭＨｚ）を中心線速として２．２７ｍ／ｓ（同１７．０ＭＨｚ）〜５．５２ｍ／ｓ（同４１．４ＭＨｚ）の間で変動するものとする。同様に、相変化型メディア１の記録容量を片面１層で３．０ＧＢとすると、線速は３．４９ｍ／ｓ（チャネルクロック周波数２６．１６ＭＨｚ）を中心線速として３．０ｍ／ｓ（同１７．０ＭＨｚ）〜７．３ｍ／ｓ（同４１．４ＭＨｚ）の間で変動するものとする。そして、レーザパワーの一例として、
先頭加熱パルスAの発光パワーＰｗａ＝１２ｍＷ
連続加熱パルスＢの発光パワーＰｗｂ＝１２ｍＷ＝Ｐｗａ
連続冷却パルスＣの発光パワーＰｗｃ＝０．３ｍＷ
イレースパルスＤの発光パワーＰｅｄ＝６ｍＷ
とする。
【００３０】
このような条件下に、図１に示す例では、（ａ）に示す最内周・線速最小時（１Ｔ＝５８．８ｎｓ）、（ｂ）に示す中心線速時（１Ｔ＝３８．２ｎｓ）、（ｃ）に示す最外周・線速最大時（１Ｔ＝２４．２ｎｓ）の何れの場合でも先頭加熱パルスＡのパルス幅を０．７５Ｔ、後部加熱パルスＢのパルス幅を１５ｎｓ、最終冷却パルスＣｒのパルス幅を１Ｔとしている。
【００３１】
このような条件設定により記録を行なうことにより、ゾーンＣＡＶ方式において線速が変動しても相変化型メディア１の全域に渡ってオーバライト特性、ジッタを良好に保つことが可能となる。
【００３２】
本発明の第二の実施の形態を図３に基づいて説明する。第一の実施の形態で示した部分と同一部分は同一符号を用いて示し、説明も省略する（以降の各実施の形態でも同様とする）。本実施の形態では、相変化型メディア１の記録線速と記録密度の変化に対して、先頭加熱パルスＡのパルス幅を変化させるようにチャネルクロック周期Ｔに対する比率が設定されている。
【００３３】
例えば、（ｂ）に示す略中心線速時（１Ｔ＝３８．２ｎｓ）における先頭加熱パルスＡのパルス幅は０．７５Ｔ、後部加熱パルスＢのパルス幅は１５ｎｓ、最終冷却パルスＣｒのパルス幅は１Ｔとされている。これに対して、（ａ）に示す線速が最も遅くなる最内周・線速最小時（１Ｔ＝５８．８ｎｓ）における先頭加熱パルスＡのパルス幅は０．５Ｔとされている。（ｃ）に示す線速が最も速くなる最外周・線速最大時（１Ｔ＝２４．２ｎｓ）における先頭加熱パルスＡのパルス幅は１Ｔとされている。
【００３４】
このように線速が高線速になるにつれて先頭加熱パルスＡのパルス幅を長くなるようにチャネルクロック周期Ｔに対する比率を設定し、かつ、最終冷却パルスＣｒのパルス幅を変化させることで、先頭部分のパワー不足を防止でき、オーバライト特性、ジッタを良好に保つことが可能となる。
【００３５】
本発明の第三の実施の形態を図４に基づいて説明する。本実施の形態では、相変化型メディア１の記録線速が線速変動の略中心線速より低線速で記録密度がより高密度になる領域では、先頭加熱パルスＡのパルス幅のチャネルクロック周期Ｔに対する比率が大きく設定され、かつ、最終冷却パルスＣｒのパルス幅のチャネルクロック周期Ｔに対する比率が小さく設定される。また、逆に、相変化型メディア１の記録線速が線速変動の略中心線速より高線速で記録密度がより低密度になる領域では、先頭加熱パルスＡのパルス幅のチャネルクロック周期Ｔに対する比率が大きく設定され、かつ、最終冷却パルスＣｒのパルス幅のチャネルクロック周期Ｔに対する比率が小さく設定される。
【００３６】
例えば、ＤＶＤメディアの記録容量が３．９ＧＢの場合に内周側に記録する際、或いは、ＤＶＤメディアの記録容量が３．０ＧＢの場合に外周側に記録する際には、図４中に示すように先頭加熱パルスＡのパルス幅を１Ｔとし、かつ、最終冷却パルスＣｒのパルス幅を０．５Ｔとする。
【００３７】
このように線速変動の略中心線速より低線速で、記録密度がより高密度になる場合、又は、線速変動の略中心線速より高線速で、記録密度がより低密度になる場合には、特にオーバライト特性、ジッタを良好に保つことが可能となる。
【００３８】
本発明の第四の実施の形態を図５に基づいて説明する。本実施の形態では、相変化型メディア１の記録線速が線速変動の略中心線速より低線速で記録密度がより低密度になる領域では、先頭加熱パルスＡのパルス幅のチャネルクロック周期Ｔに対する比率が小さく設定され、かつ、最後の冷却パルスＣｒのパルス幅のチャネルクロック周期Ｔに対する比率が大きく設定されている。
【００３９】
例えば、ＤＶＤメディアの記録容量が３．０ＧＢの場合に内周側に記録する際には、図５中に示すように先頭加熱パルスＡのパルス幅を後部加熱パルスＢのパルス幅より短い１２ｎｓとし、かつ、最終冷却パルスＣｒのパルス幅を１．０Ｔとする。
【００４０】
このように線速変動の略中心線速より低線速で、記録密度がより高密度になる場合には、特にオーバライト特性、ジッタを良好に保つことが可能となる。
【００４１】
本発明の第五の実施の形態を図６に基づいて説明する。本実施の形態では、相変化型メディア１の記録密度の変化に対して、マルチパルス列のパルス数を変化させるとともに最後の冷却パルスＣｒのパルス幅を変化させるように設定されている。併せて、相変化型メディア１の記録線速が線速変動の略中心線速より高線速で記録密度がより高密度になる領域では、マルチパルス列のパルス数が（Ｎ−２）となるように設定され、かつ、最終冷却パルスＣｒのパルス幅のチャネルクロック周期Ｔに対する比率が大きく設定されている。
【００４２】
例えば、ＤＶＤメディアの記録容量が３．９ＧＢの場合に外周側に記録する際、最短マークが３Ｔの場合に、５Ｔマークを記録するときには後部加熱パルスＢのパルス数を５−３＝２個となるようにする。同時に、最終冷却パルスＣｒのパルス幅を１Ｔとする。
【００４３】
このように線速変動の略中心線速より高線速で、記録密度がより高密度になる場合には、特にオーバライト特性、ジッタを良好に保つことが可能となる。
【００４４】
なお、上述した各実施の形態に関して例示した数値は、相変化型メディアのオーバライト特性やジッタが最高の特性になるように選択されるべき値であり、これらの数値は一例に過ぎない。
【００４５】
本発明の第六の実施の形態を図７に基づいて説明する。本実施の形態では、相変化型メディア１の記録時における最適線速が、ＣＡＶ制御又はゾーンＣＡＶ制御に対応して、変化する線速幅の略中央値に設定されている。ＣＬＶ制御に対応した相変化型メディア１は、図７の高線速対応記録媒体のジッタ特性、低線速対応記録媒体のジッタ特性に示すように、対応する線速で最適な特性が得られるように調整されている。これらの記録媒体（相変化型メディア１）に前述した実施の形態方法により記録しようとした場合（例えば、低線速対応記録媒体に高線速で記録を行なおうとした場合）、オーバライト特性やジッタ特性が著しく低下してしまう。そこで、本実施の形態では、図７中に本実施の形態方法によるジッタ特性として示すように、低線速対応記録媒体と高線速対応記録媒体との中間の特性を持つ記録媒体に記録するようにし、さらに、最適な線速を変化する線速幅の略中央値に設定したものである。
【００４６】
本実施の形態によれば、ＣＡＶ制御方式又はゾーンＣＡＶ制御方式で線速が最低速から最高速に変動した場合でも、オーバライト特性、ジッタ特性の著しい低下を招くことはない。さらに、前述した各実施の形態に本実施の形態を適用することで、さらに良好なるオーバライト特性とジッタ特性とを得ることができる。
【００４７】
本発明の第七の実施の形態を図８及び図９に基づいて説明する。一般に、相変化型メディアの記録層の記録材料としては、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ−Ｓ系、Ｔｅ―Ｇｅ−Ｓｎ−Ａ系、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｎ系、Ｓｂ−Ｓｅ系、Ｓｂ−Ｓｅ−Ｔｅ系、Ｓｎ−Ｓｅ−Ｔｅ系、Ｇａ−Ｓｅ−Ｔｅ系、Ｇａ−Ｓｅ−Ｔｅ−Ｇｅ系、Ｉｎ−Ｓｅ系、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系などがある。この点、本実施の形態では、相変化型メディア（相変化型メディア１）の記録層の記録材料としてＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系のものが用いられている。
【００４８】
このような記録材料を用いて相変化型メディア（相変化型メディア１）にデータを記録する場合、先頭冷却パルスＡから最終冷却パルスＣｒまでの累積長に対して形成されたマーク長との関係は、図８に示すように、殆ど直線的に一致する傾向にあり、線速の変動に応じてマルチパルスのパルス幅を変化させることで、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系の記録材料がマーク長を制御しやすいことが分かる。また、図９に示すように、イレースパワーや累積長の大きさにより全てのデータ長が均一にエッジシフトを生ずるため、正確な制御が可能となる。なお、他の記録材料においても、ジッタ特性及びオーバライト特性の関係や、記録パルス幅とマーク長との関係は、基本的には同じであるため、本発明の記録方法が効果的であることはいうまでもない。
【００４９】
【発明の効果】
請求項１記載の発明によれば、後部加熱パルスのパルス幅が記録媒体の記録線速によらず時間的に一定とし、かつ、先頭加熱パルスのパルス幅がチャネルクロック周期Ｔに対して常に一定比率となるようにしたので、記録媒体全域に渡ってオーバライト特性、ジッタを良好に保つことが可能となる。
【００５０】
請求項２記載の発明によれば、後部加熱パルスのパルス幅が記録媒体の記録線速によらず時間的に一定とし、かつ、記録媒体の記録線速と記録密度の変化に対して、先頭加熱パルスのパルス幅を変化させるようにチャネルクロック周期Ｔに対する比率を設定するようにしたので、先頭部分のパワー不足を防止でき、かつ、最終冷却パルスのパルス幅を変化させることでオーバライト特性、ジッタを良好に保つことが可能となる。
【００５１】
請求項３記載の発明によれば、後部加熱パルスのパルス幅が記録媒体の記録線速によらず時間的に一定とし、かつ、記録媒体の記録密度の変化に対して、マルチパルス列のパルス数を変化させるとともに最後の冷却パルスのパルス幅を変化させるようにしたので、適正なレーザパワーで理想的なマーク長に記録でき、かつ、最終冷却パルスのパルス幅を変化させることでオーバライト特性、ジッタを良好に保つことが可能となる。
【００５２】
請求項４記載の発明によれば、後部加熱パルスのパルス幅が記録媒体の記録線速によらず時間的に一定とし、かつ、記録媒体の記録線速が線速変動の略中心線速より低線速で記録密度がより高密度になる領域では、先頭加熱パルスのパルス幅のチャネルクロック周期Ｔに対する比率を大きく設定し、かつ、最後の冷却パルスのパルス幅のチャネルクロック周期Ｔに対する比率を小さく設定するようにしたので、このような線速、記録密度条件ではオーバライト特性、ジッタを良好に保つことが可能となる。
【００５３】
請求項５記載の発明によれば、後部加熱パルスのパルス幅が記録媒体の記録線速によらず時間的に一定とし、かつ、記録媒体の記録線速が線速変動の略中心線速より高線速で記録密度がより低密度になる領域では、先頭加熱パルスのパルス幅のチャネルクロック周期Ｔに対する比率を大きく設定し、かつ、最後の冷却パルスのパルス幅のチャネルクロック周期Ｔに対する比率を小さく設定するようにしたので、このような線速、記録密度条件ではオーバライト特性、ジッタを良好に保つことが可能となる。
【００５４】
請求項６記載の発明によれば、後部加熱パルスのパルス幅が記録媒体の記録線速によらず時間的に一定とし、かつ、記録媒体の記録線速が線速変動の略中心線速より低線速で記録密度がより低密度になる領域では、先頭加熱パルスのパルス幅のチャネルクロック周期Ｔに対する比率を小さく設定し、かつ、最後の冷却パルスのパルス幅のチャネルクロック周期Ｔに対する比率を大きく設定するようにしたので、このような線速、記録密度条件ではオーバライト特性、ジッタを良好に保つことが可能となる。
【００５６】
請求項７記載の発明によれば、請求項１ないし６の何れか一項に記載の情報記録方法において、前記記録媒体の記録時における最適線速を、ＣＡＶ制御又はゾーンＣＡＶ制御に対応して、変化する線速幅の略中央値に設定したので、線速が最低速から最高速に変動した場合でもオーバーライト特性、ジッタを良好に保つことが可能となる。
【００５７】
請求項８記載の発明によれば、請求項１ないし７の何れか一項に記載の情報記録方法において、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系の記録材料からなる記録層を有する記録媒体を記録対象としたので、先頭冷却パルスから最終冷却パルスまでの累積長に対する形成されたマーク長との関係が殆ど直線的に一致する、という傾向があり、マーク長を制御しやすくなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一の実施の形態を示すタイムチャートである。
【図２】光ピックアップの構成例を示す概略図である。
【図３】本発明の第二の実施の形態を示すタイムチャートである。
【図４】本発明の第三の実施の形態を示すタイムチャートである。
【図５】本発明の第四の実施の形態を示すタイムチャートである。
【図６】本発明の第五の実施の形態を示すタイムチャートである。
【図７】本発明の第六の実施の形態を示す記録媒体の線速に対するジッタ特性図である。
【図８】本発明の第七の実施の形態を示す記録材料における累積長とマーク長との関係の特性図である。
【図９】記録材料における累積長とマーク長との関係を示す特性図である。
【図１０】一般的なマルチパルス例を示すタイムチャートである。
【符号の説明】
１      記録媒体
【図１】
0004063978.tif 000002
【図２】
0004063978.tif 000003
【図３】
0004063978.tif 000004
【図４】
0004063978.tif 000005
【図５】
0004063978.tif 000006
【図６】
0004063978.tif 000007
【図７】
0004063978.tif 000008
【図８】
0004063978.tif 000009
【図９】
0004063978.tif 000010
【図１０】
0004063978.tif 000011