(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性絶縁基板上に透明導電膜を含む複数の陽極ラインと金属層を含む複数の陰極ラインが少なくとも発光媒体を狭持しかつ相互に交差してなるエレクトロルミネッセント素子において、
金属バスラインが画素列毎に絶縁層上に電気的に絶縁された２列配列で形成され、
且つ、陰極ラインの縁部が、各画素の両端の金属バスラインに接し、
且つ、前記陰極ラインの縁部の両方が、前記金属バスラインの上面に達して接していること、
を特徴とするエレクトロルミネッセント素子。
【請求項２】
前記金属バスラインが金属バスラインと垂直な幅方向において、上部が下部に比べ幅が広い形状であることを特徴とする請求項１に記載のエレクトロルミネッセント素子。
【請求項３】
前記金属バスラインに用いる金属が、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｂ、Ｓｎまたはこれらの金属元素を一成分以上含む合金から選ばれる請求項１〜２のいずれかに記載のエレクトロルミネッセント素子。
【請求項４】
前記金属バスラインの高さが０.1〜１０μｍであり、その幅が１〜１００μｍである請求項１〜２のいずれかに記載のエレクトロルミネッセント素子。
【請求項５】
前記金属バスラインが多層構造であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のエレクトロルミネッセント素子。
【請求項６】
透光性絶縁基板上に透明導電膜を含む複数の陽極ラインと金属層を含む複数の陰極ラインが少なくとも発光媒体を狭持しかつ相互に交差してなるエレクトロルミネッセント素子の製造方法であって、少なくとも、
（ａ）透光性絶縁基板上に透明導電膜を含む複数の陽極ラインを形成する第１工程
（ｂ）前記陽極ラインと交差して、絶縁層を形成する第２工程
（ｃ）前記絶縁層上に、電気的に絶縁され、独立した２列配列で、金属バスラインを形成する第３工程
（ｄ）発光媒体を形成する第４工程
（ｅ）各画素の両端の金属バスラインに接して陰極ラインを形成する第５工程
を含むことを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項７】
前記陰極ラインを形成する第５工程が、陰極ラインを斜め蒸着法で形成することを特徴とする請求項６に記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項８】
前記陰極ラインの縁部の両方が、前記金属バスラインの上面に達して接していることを特徴とする請求項６〜７のいずれかに記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【請求項９】
前記金属バスラインが金属バスラインと垂直な幅方向において、上部が下部に比べ幅が広い形状であることを特徴とする請求項６〜８のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１０】
前記金属バスラインに用いる金属が、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｂ、Ｓｎまたはこれらの金属元素を一成分以上含む合金から選ばれる請求項６〜９のいずれかに記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【請求項１１】
前記金属バスラインの高さが０.1〜１０μｍであり、その幅が１〜１００μｍである請求項６〜１０のいずれかに記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【請求項１２】
前記金属バスラインが多層構造であることを特徴とする請求項６〜１１のいずれかに記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【請求項１３】
前記金属バスラインを形成する第３工程が、金属バスラインをメッキ法を含んで形成することを特徴とする請求項６〜１２のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１４】
前記金属バスラインを形成する第３工程が、金属バスラインを、
フォトリソグラフィー法でレジストパターンを形成し、
メッキ下地層をマスク蒸着法で形成し、
前記メッキ下地層上にメッキ法で金属層を形成し、
前記レジストパターンを除去する、
工程を含んで形成することを特徴とする請求項６〜１３のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１５】
前記メッキ下地層がＣｒ層と前記Ｃｒ層上に設けたＣｕ層であり、
且つ、前記金属層がＣｕ層であることを特徴とする請求項１４に記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１６】
前記金属バスラインを形成する第３工程が、金属バスラインを、
フォトリソグラフィー法でレジストパターンを形成し、
メッキ下地層をマスク蒸着法で形成し、
前記メッキ下地層上にメッキ法で第一金属層を形成し、
前記第一金属層上に蒸着法で第二金属層を形成し、
フォトリソグラフィー法及び第一ウエットエッチング液でのウェットエッチング法で第二金属層をパターニングし、
前記レジストパターンを除去し、
前記第二金属層パターンをマスクとして、前記第一金属層と前記メッキ下地層を前記第一ウエットエッチング液とは異なるウエットエッチング液でのウエットエッチング法でパターニングする、
工程を含んで形成することを特徴とする請求項６〜１３のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１７】
前記メッキ下地層がＣｒ層と前記Ｃｒ層上に設けたＣｕ層であり、
且つ、前記第一金属層がＣｕ層であり、且つ、前記第二金属層がＡｕ層であることを特徴とする請求項１６に記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１８】
前記第一ウエットエッチング液が王水であり、且つ、前記第一ウエットエッチング液とは異なるウエットエッチング液が、硝酸とふっ酸の混合液及び硝酸第二セリウム・アンモニウムと過塩素酸の水溶液であることを特徴とする１６〜１７のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高精細のエレクトロルミネッセント（以下ＥＬと略す）素子に関する。さらに詳しくは、高精細な単純マトリックス駆動方式有機ＥＬ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
単純マトリックス駆動方式有機ＥＬ素子は、薄型、自発光、高輝度、軽量という利点を有するために、次世代フラットパネルディスプレイとして期待されている。
【０００３】
有機ＥＬ素子は電流駆動型である。この場合、高精細、大面積になるほど陰極ラインのアスペクト比（長さ／幅）が大きくなり、陰極ラインの電気抵抗が高くなる。その結果十分な輝度を得るために必要な電流を陰極ラインに流すと、陰極ラインの抵抗による電圧降下が大きくなり、その分、駆動電圧が大きくなる問題があり、陰極の電気抵抗を下げる必要が生じる。
【０００４】
単純マトリックス駆動方式ＥＬ素子の場合、陰極に使用されているのはストライプ状の導電性金属である。陰極の電気抵抗を下げるには陰極の膜厚を厚くすればよいが、成膜中の基板温度上昇による有機発光媒体の劣化を招き、好ましくない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はこれらの問題点を解決するためになされたものであり、高精細、大面積のＥＬ素子において、陰極の電気抵抗を下げて十分な輝度を得ることを可能としたＥＬ素子を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明において上記目的を達成するために、まず、請求項１においては、透光性絶縁基板上に透明導電膜を含む複数の陽極ラインと金属層を含む複数の陰極ラインが少なくとも発光媒体を狭持しかつ相互に交差してなるエレクトロルミネッセント素子において、
金属バスラインが画素列毎に絶縁層上に電気的に絶縁された２列配列で形成され、
且つ、陰極ラインの縁部が、各画素の両端の金属バスラインに接し、
且つ、前記陰極ラインの縁部の両方が、前記金属バスラインの上面に達して接していること、
を特徴とするエレクトロルミネッセント素子としたものである。
【０００７】
また、請求項２においては、前記金属バスラインが金属バスラインと垂直な幅方向において、上部が下部に比べ幅が広い形状であることを特徴とする請求項１に記載のエレクトロルミネッセント素子としたものである。
【０００８】
また、請求項３においては、前記金属バスラインに用いる導電性材料が、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｂ、Ｓｎまたはこれらの金属元素を一成分以上含む合金から選ばれる請求項１〜２のいずれかに記載のエレクトロルミネッセント素子としたものである。
【０００９】
また、請求項４においては、前記金属バスラインの高さが０.1〜１０μｍであり、その幅が１〜１００μｍである請求項１〜３のいずれかに記載のエレクトロルミネッセント素子としたものである。
【００１０】
また、請求項５においては、前記金属バスラインが多層構造であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のエレクトロルミネッセント素子としたものである。
また、請求項６においては、透光性絶縁基板上に透明導電膜を含む複数の陽極ラインと金属層を含む複数の陰極ラインが少なくとも発光媒体を狭持しかつ相互に交差してなるエレクトロルミネッセント素子の製造方法であって、少なくとも、
（ａ）透光性絶縁基板上に透明導電膜を含む複数の陽極ラインを形成する第１工程
（ｂ）前記陽極ラインと交差して、絶縁層を形成する第２工程
（ｃ）前記絶縁層上に、電気的に絶縁され、独立した２列配列で、金属バスラインを形成する第３工程
（ｄ）発光媒体を形成する第４工程
（ｅ）各画素の両端の金属バスラインに接して陰極ラインを形成する第５工程
を含むことを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法としたものである。
また、請求項７においては、前記陰極ラインを形成する第５工程が、陰極ラインを斜め蒸着法で形成することを特徴とする請求項６に記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法としたものである。
また、請求項８においては、前記陰極ラインの縁部の両方が、前記金属バスラインの上面に達して接していることを特徴とする請求項６〜７のいずれかに記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法としたものである。
また、請求項９においては、前記金属バスラインが金属バスラインと垂直な幅方向において、上部が下部に比べ幅が広い形状であることを特徴とする請求項６〜８のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法としたものである。
また、請求項１０においては、前記金属バスラインに用いる金属が、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｂ、Ｓｎまたはこれらの金属元素を一成分以上含む合金から選ばれる請求項６〜９のいずれかに記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法としたものである。
また、請求項１１においては、前記金属バスラインの高さが０.1〜１０μｍであり、その幅が１〜１００μｍである請求項６〜１０のいずれかに記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法としたものである。
また、請求項１２においては、前記金属バスラインが多層構造であることを特徴とする請求項６〜１１のいずれかに記載のエレクトロルミネッセント素子の製造方法としたものである。
また、請求項１３においては、前記金属バスラインを形成する第３工程が、金属バスラインをメッキ法を含んで形成することを特徴とする請求項６〜１２のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法としたものである。
また、請求項１４においては、前記金属バスラインを形成する第３工程が、金属バスラインを、
フォトリソグラフィー法でレジストパターンを形成し、
メッキ下地層をマスク蒸着法で形成し、
前記メッキ下地層上にメッキ法で金属層を形成し、
前記レジストパターンを除去する、
工程を含んで形成することを特徴とする請求項６〜１３のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法としたものである。
また、請求項１５においては、前記メッキ下地層がＣｒ層と前記Ｃｒ層上に設けたＣｕ層であり、
且つ、前記金属層がＣｕ層であることを特徴とする請求項１４に記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法としたものである。
また、請求項１６においては、前記金属バスラインを形成する第３工程が、金属バスラインを、
フォトリソグラフィー法でレジストパターンを形成し、
メッキ下地層をマスク蒸着法で形成し、
前記メッキ下地層上にメッキ法で第一金属層を形成し、
前記第一金属層上に蒸着法で第二金属層を形成し、
フォトリソグラフィー法及び第一ウエットエッチング液でのウェットエッチング法で第二金属層をパターニングし、
前記レジストパターンを除去し、
前記第二金属層パターンをマスクとして、前記第一金属層と前記メッキ下地層を前記第一ウエットエッチング液とは異なるウエットエッチング液でのウエットエッチング法でパターニングする、
工程を含んで形成することを特徴とする請求項６〜１３のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法としたものである。
また、請求項１７においては、前記メッキ下地層がＣｒ層と前記Ｃｒ層上に設けたＣｕ層であり、
且つ、前記第一金属層がＣｕ層であり、且つ、前記第二金属層がＡｕ層であることを特徴とする請求項１６に記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法としたものである。
また、請求項１８においては、前記第一ウエットエッチング液が王水であり、且つ、前記第一ウエットエッチング液とは異なるウエットエッチング液が、硝酸とふっ酸の混合液及び硝酸第二セリウム・アンモニウムと過塩素酸の水溶液であることを特徴とする１６〜１７のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子の製造方法としたものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のＥＬ素子を詳細に説明する。
本発明における透光性絶縁基板としては、石英基板、ガラス基板、プラステック基板等が使用できる。
【００１２】
本発明における透明導電膜を含む複数の陽極ラインとしてはＩＴＯ（酸化インジウムスズ）や酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛アルミニウム等が使用できる。
【００１３】
本発明における金属層を含む複数の陰極ラインとしては、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等が使用できる。
【００１４】
本発明における発光媒体としては、9,10- ジアリールアントラセン誘導体、サリチル酸塩、ピレン、コロネン、ペリレン、ルブレン、テトラフェニルブタジエン、9,10- ビス（フェニルエチニル）アントラセン、8-キノリノラートリチウム、トリス（8-キノリノラート）アルミニウム錯体（以下Ａｌｑと略す）、Ｎ, Ｎ'-ジフェニル- Ｎ, Ｎ'-ビス（3-メチルフェニル）- ベンジジン（以下ＴＰＤと略す）、トリス（5,7-ジクロロ、8-キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（5-クロロ-8- キノリノラート）アルミニウム錯体、ビス（8-キノリノラート）亜鉛錯体、トリス（5-フルオロ-8- キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（4-メチル-5- トリフルオロメチル-8- キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（4-メチル-5- シアノ-8- キノリノラート）アルミニウム錯体、ビス〔8-（パラートシル）アミノキノリン〕亜鉛錯体およびカドミウム錯体、1,2,3,4-テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、ポリ-2,5- ジヘプチルオキシ-P- フェニレンビニレン、あるいは特開平４―３１４８８号公報、米国特許５１４１６７１号、同４７６９２９２号で言及されている蛍光物質やＮ, Ｎ' ジアリール置換ピロロピロール化合物等があげられるが、上記例に特に限定されるものではない。
【００１５】
本発明の主な特徴である金属バスラインに用いる導電性材料としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｂ、Ｓｎまたはこれらの金属元素を一成分以上含む合金から選ばれたものであることが好ましい。
【００１６】
これら材料による金属バスラインはそのラインの両端の抵抗ができるだけ低いことが望ましく、１０００オーム以下であることが望ましく、さらに望ましくは１００オーム以下の抵抗値である。しかし、金属バスラインの幅は、ＥＬ光の透過率を確保するため、画素の最大幅の１／４以下であることが望ましく、さらに望ましくは１／１０以下であることが望ましい。かつ、陰極ラインの幅の１/ ２０以下の線幅ではバスラインの抵抗を十分低くできないため、画素の最大幅の１/ ２０より太いことが望ましい。
【００１７】
例えば、陰極ラインの幅１００μｍに対して、２×１０-6Ω・ｃｍの抵抗率の銅を主体とした金属を用い長さ７ｃｍのバスラインを形成する場合、バスラインの幅を画素幅の１／１０の１０μｍ、高さを４μｍとすると、バスラインの両端の抵抗値は１８オーム程度になり、陰極のみからなる陰極ラインの８分の１の抵抗となり、陰極ラインによる電圧降下による駆動電圧の増加を防ぐことができる。
【００１８】
以下、本発明のＥＬ素子の一例を図１、図２に基づき説明する。
このＥＬ素子は透光性基板１上に透明導電膜２（陽極）、発光媒体５、陰極６および金属バスライン４が形成されている。
【００１９】
以下に、本発明のＥＬ素子の製造方法の一例を示す。
まず、透光性基板１上にスパッタリング法で透明導電膜２を形成し、フォトリソグラフィー法およびウエットエッチング法で透明導電膜２をパターンニングする。
【００２０】
次に、前記基板上にリフトオフ法で絶縁層３をパターニングする。絶縁層３は真空蒸着法、スパッタリング法、ゾルゲル法等で形成する。
【００２１】
次に、前記基板上にフォトリソグラフィー法でレジストパターン７を形成し、Ｃｕメッキ層をパターニングするためのマスクとする。このレジストパターン７の開孔部の幅は上部が下部に比べて広い形状になるよう形成する。
【００２２】
次に、前記基板上のレジストパターン７の開孔部に、Ｃｒ、Ｃｕを順次マスク蒸着し、メッキ下地層８とする。ここで、蒸着マスクの開孔部はレジストパターン７の開孔部の下部の寸法と同じにする。これはレジストパターン７の開孔部の壁面に金属が蒸着するのを防ぎ、次のレジストパターン７のリフトオフ工程を速やかに行うためである。また、Ｃｒ層は絶縁層とＣｕ層の付着力を向上させる。また、Ｃｕ層はＣｕメッキの下地となる。
【００２３】
次に、前記基板上のＣｒ／Ｃｕ層からなるメッキ下地層８上に光沢メッキ法もしくは無電解メッキ法でＣｕの金属バスライン４を形成する。金属バスライン４の高さはレジストパターン７の高さより低く形成する。これは次のレジストパターン７のリフトオフ工程を速やかに行うためである。
【００２４】
次に、剥離液でレジスト７をリフトオフした。
【００２５】
次に、発光媒体５である正孔輸送層、電子輸送性発光層を順次真空蒸着法で形成する。この時、発光媒体５は金属バスライン４をマスクにしてパターニングされる。
【００２６】
次に、陰極６を斜め蒸着法で形成する。陰極６となる導電性材料を斜め蒸着することにより、陰極６は金属バスライン４と接続される。蒸着原子の蒸着方向と前記基板の付着面に垂直な軸がなす角度は金属バスライン４の形状、寸法から任意に設定される。つまり、金属バスライン４は画素列毎に絶縁層上で電気的に絶縁された状態で２列配列して形成されており、陰極を蒸着した場合、隣接する金属バスライン間が接触するように蒸着されず、隣り合う画素列間がショートすることはない。
【００２７】
最後に、保護膜をイオンプレーティング法等で形成し、封止する。
【００２８】
以下、本発明のＥＬ素子の一例を図３、図４に基づき説明する。
このＥＬ素子は透光性基板１上に陽極２、発光媒体５、陰極６および金属バスライン４が形成されている。また、金属バスライン４は２種類の金属を積層した構造である。
【００２９】
以下に、本発明のＥＬ素子の製造方法の一例を示す。
まず、透光性基板１上にスパッタリング法で透明導電膜２を形成し、フォトリソグラフィー法およびウエットエッチング法で透明導電膜２をパターンニングする。
【００３０】
次に、前記基板上にリフトオフ法で絶縁層３をパターニングする。絶縁層３は真空蒸着法、スパッタリング法、ゾルゲル法等で形成する。
【００３１】
次に、前記基板上にフォトリソグラフィー法でレジストパターン７を形成し、Ｃｕメッキ層をパターニングするためのマスクとする。
【００３２】
次に、前記基板上のレジストパターン７の開孔部に、Ｃｒ、Ｃｕを順次マスク蒸着し、メッキ下地層８とする。ここで、Ｃｒ層は絶縁層とＣｕ層の付着力を向上させる。また、Ｃｕ層はＣｕメッキの下地となる。
【００３３】
次に、前記基板上のＣｒ／Ｃｕ層からなるメッキ下地層８上に光沢メッキ法または無電解メッキ法でＣｕの金属バスライン４ａを形成する。
【００３４】
次に、前記基板上にＡｕを真空蒸着する。
【００３５】
次に、前記基板上にフォトリソグラフィー法およびウェットエッチング法でＡｕ層４ｂをパターニングする。その後、剥離液でレジスト７を剥離する。
【００３６】
次に、前記基板上のＡｕ層４ｂをマスクにしてＣｒ／Ｃｕ層をウエットエッチングし、金属バスライン４を形成する。まず、Ｃｕ層を硝酸とふっ酸の混合液でエッチングし、最後にＣｒ層を硝酸第二セリウム・アンモニウムと過塩素酸の水溶液でエッチングする。Ａｕ層は硝酸とふっ酸の混合液と硝酸第二セリウム・アンモニウムと過塩素酸の水溶液にはほとんど溶けず、Ａｕ層の幅はＣｕ層の幅に比べ広くなる。このように、エッチング液の異なる物質の組み合わせや同じエッチング条件でエッチング速度の異なる物質の組み合わせ等を使用して、上部層の幅が下部層の幅に比べて広くなるように金属バスラインを形成する。
【００３７】
次に、発光媒体５である正孔輸送層、電子輸送性発光層を順次真空蒸着法で形成する。この時、発光媒体５は金属バスライン４をマスクにしてパターニングされる。
【００３８】
次に、陰極６を斜め蒸着法で形成し、各画素の両端の金属バスライン４と接続する。
【００３９】
最後に、保護膜をイオンプレーティング法等で形成し、封止する。
【００４０】
【実施例】
［実施例１］
以下、実施例１を説明する。
まず、ガラス基板１上にスパッタリング法でＩＴＯからなる透明導電膜２を形成し、フォトリソグラフィー技術およびウェットエッチング法によってパターンを形成した（図３（ａ）参照）。さらに、透明性と導電性を向上させるために、空気中２３０℃で１時間加熱処理を行い、ＩＴＯを結晶化した。
【００４１】
次に、前記基板上にリフトオフ法によって幅３０μｍのＳｉＯ2 膜パターン３を形成した（図３（ｂ）参照）。ＳｉＯ2 膜３は真空蒸着法で１００ｎｍ形成した。
【００４２】
次に、前記基板上にフォトリソグラフィー法で、ＳｉＯ2 膜パターン３上の所定の位置に上部の幅１０μｍ、下部の幅９μｍの開孔部を有する高さ５μｍのレジストパターン層７を形成した（図３（ｃ）参照）。ＳｉＯ2 膜パターン４上の隣りあうレジストパターンの開孔部間の幅は５μｍとした。
【００４３】
次に、前記基板上のレジストパターンの開孔部に、Ｃｒを２００ｎｍ、Ｃｕを１００ｎｍ順次マスク蒸着した。蒸着マスクのパターンの開孔部は９μｍである。
【００４４】
次に、光沢Ｃｕメッキ法により、開孔部の中のＣｒ／Ｃｕ層からなるメッキ下地層８上にＣｕ層を４μｍ堆積させて金属バスライン４を形成した（図３（ｄ）参照）。
【００４５】
次に、剥離液でレジスト７をリフトオフした（図３（ｅ）参照）。
【００４６】
次に、前記基板上の所定の位置にマスク蒸着法で正孔輸送層としてＴＰＤを５０ｎｍ、電子輸送性発光層としてＡｌｑを５０ｎｍ形成した。
【００４７】
次に、陰極６としてＡｌＬｉ合金を斜め一源蒸着法で蒸着した。蒸着原子の蒸着方向と前記基板の付着面に垂直な軸がなす角度を３０度に設定し、蒸着した。まず、ＡｌＬｉを１００ｎｍ蒸着し、陰極と片側の金属バスラインを接続した。次に前記基板を１８０℃回転し、ＡｌＬｉを１００ｎｍ蒸着し、陰極と残る片側の金属バスラインを接続した（図３（ｆ）参照）。
【００４８】
次に、保護膜としてイオンプレーティング法でＧｅＯ膜を１０００ｎｍ形成した。
【００４９】
最後に、ガラス基板を張り合わせ封止した。
【００５０】
このように作製したＥＬ素子を点灯させたところ、金属バスラインを設けていないＥＬ素子と比べて、駆動電圧を１４Ｖから１２Ｖに下げることができた。
【００５１】
［実施例２］
以下、実施例２を説明する。
まず、ガラス基板１上にスパッタリング法でＩＴＯからなる透明導電膜２を形成し、フォトリソグラフィー法およびウェットエッチング法によってパターンを形成した（図４（ａ）参照）。さらに、透明性と導電性を向上させるために、空気中２３０℃で１時間加熱処理を行い、ＩＴＯを結晶化した。
【００５２】
次に、前記基板上にリフトオフ法によって幅３０μｍのＳｉＯ2 膜パターン３を形成した（図４（ｂ）参照）。ＳｉＯ2 膜３は真空蒸着法で１００ｎｍ形成した。
【００５３】
次に、前記基板上にフォトリソグラフィー法で、ＳｉＯ2 膜パターン３上の所定の位置に幅２５μｍの開孔部を有する高さ４μｍのレジストパターン層７を形成した（図４（ｃ）参照）。
【００５４】
次に、前記基板上のレジストパターン７の開孔部に、Ｃｒを２００ｎｍ、Ｃｕを１００ｎｍ順次真空蒸着した。
【００５５】
次に、光沢Ｃｕメッキ法により、開孔部の中のＣｒ／Ｃｕ層８上にＣｕ層を３. ２μｍ堆積させて金属バスライン４ａを形成した（図４（ｄ）参照）。
【００５６】
次に、前記基板上にＡｕを５００ｎｍ真空蒸着した。
【００５７】
次に、前記基板上にフォトリソグラフィー法およびウェットエッチング法でＡｕ層４ｂをパターニングした。Ａｕ層４ｂは王水でエッチングした。その後、剥離液でレジスト７を剥離した（図４（ｅ）参照）。
【００５８】
次に、前記基板上のＡｕ層４ｂをマスクにしてＣｒ／Ｃｕ層をウエットエッチングし、金属バスライン４を形成した。まずＣｕ層を硝酸とふっ酸の混合液でエッチングし、最後にＣｒ層を硝酸第二セリウム・アンモニウムと過塩素酸の水溶液でエッチングした。この時、Ａｕ層は硝酸とふっ酸の混合液と硝酸第二セリウム・アンモニウムと過塩素酸の水溶液にはほとんど溶けず、Ａｕ層の幅はＣｕ層の幅に比べ広くなった（図４（ｆ）参照）。
【００５９】
次に、前記基板上の所定の位置にマスク蒸着法で正孔輸送層としてＴＰＤを５０ｎｍ、電子輸送性発光層としてＡｌｑを５０ｎｍ形成した。
【００６０】
次に、陰極６としてＡｌＬｉ合金を斜め一源蒸着法で蒸着した。蒸着原子の蒸着方向と前記基板の付着面に垂直な軸がなす角度を３０度に設定し、蒸着した。まず、ＡｌＬｉを１００ｎｍ蒸着し、陰極と片側の金属バスラインを接続した。次に前記基板を１８０℃回転し、ＡｌＬｉを１００ｎｍ蒸着し、陰極と残る片側の金属バスラインを接続した。
【００６１】
次に、保護膜としてイオンプレーティング法でＧｅＯ膜を１０００ｎｍ形成した。
【００６２】
最後に、ガラス基板を張り合わせ封止した。
【００６３】
このように作製したＥＬ素子を点灯させたところ、金属バスラインを設けていないＥＬ素子の比べて、駆動電圧を１４Ｖから１１Ｖに下げることができた。
【００６４】
本発明の有機薄膜ＥＬ素子の金属バスラインの製造方法は先に述べた実施の形態に限定されるものではなく、ドライエッチングやレーザー加工等の他の方法でも作製する事ができる。
【００６５】
【発明の効果】
本発明によれば、陰極ラインの導電材料と接して金属バスラインを設けることによりＥＬ素子の駆動電圧を下げることができた。
【００６６】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の有機ＥＬ素子の一例の断面の構造を示す説明図である。
【図２】実施例の有機ＥＬ素子の一実施例の製造工程を示す説明図である。
【図３】本発明の有機ＥＬ素子の一例の断面の構造を示す説明図である。
【図４】実施例の有機ＥＬ素子の一実施例の製造工程を示す説明図である。
【符号の説明】
１    透光性絶縁基板
２    透明導電膜
３    絶縁層
４    金属バスライン
４ａ  Ｃｕ層
４ｂ  Ａｕ層
５    発光媒体
６    陰極
７    レジスト層
８    メッキ下地層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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