(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ波窓を設けてなる容器内に、前記マイクロ波窓に対面して配置され対面する面にスリットを有する環状の導波管型アンテナからマイクロ波を放射して、前記マイクロ波窓を介して前記容器内にマイクロ波を導入することによってプラズマを生成し、生成したプラズマにより前記容器内に設けてある載置台に載置した試料を処理するプラズマ処理装置であって、
前記容器内に、マイクロ波の導入領域を中央部に限定するマイクロ波限定部材が設けてあり、
前記マイクロ波限定部材の下面と前記マイクロ波窓の下面との段差は、次式で表されるプラズマの表皮厚さδ以上になしてあることを特徴とするプラズマ処理装置。
δ＝ｃ／ωｐ
ωｐ＝√｛（Ｎ・ｅ2 ）／（ε0 ・ｍe ）｝
但し、ｃ ：真空中の光速（2.997 ×1010ｃｍ／ｓｅｃ）
Ｎ ：プラズマ密度（ｃｍ-3）
ｅ ：電荷（1.602 ×10-19 Ｃ）
ε0 ：真空誘電率（8.85×10-10 Ｆ／ｃｍ）
ｍe ：電子質量（9.11×10-31 ｋｇ）
【請求項２】
環状のマイクロ波窓を設けてなる容器内に、前記マイクロ波窓に対面して配置され対面する面にスリットを有する環状の導波管型アンテナからマイクロ波を放射して、前記マイクロ波窓を介して前記容器内にマイクロ波を導入することによってプラズマを生成すると共に、前記容器内に設けてある載置台及び／又は前記マイクロ波窓に内嵌させて設けてある対向電極に高周波を印加し、生成したプラズマを載置台に載置した試料に導いて試料を処理するプラズマ処理装置であって、
前記容器内に、マイクロ波の導入領域を中央部に限定するマイクロ波限定部材が設けてあり、
前記マイクロ波限定部材の下面と前記マイクロ波窓の下面との段差は、次式で表されるプラズマの表皮厚さδ以上になしてあることを特徴とするプラズマ処理装置。
δ＝ｃ／ωｐ
ωｐ＝√｛（Ｎ・ｅ2 ）／（ε0 ・ｍe ）｝
但し、ｃ ：真空中の光速（2.997 ×1010ｃｍ／ｓｅｃ）
Ｎ ：プラズマ密度（ｃｍ-3）
ｅ ：電荷（1.602 ×10-19 Ｃ）
ε0 ：真空誘電率（8.85×10-10 Ｆ／ｃｍ）
ｍe ：電子質量（9.11×10-31 ｋｇ）
【請求項３】
マイクロ波窓を設けてなる容器内に、前記マイクロ波窓に対面して配置され対面する面にスリットを有する環状の導波管型アンテナからマイクロ波を放射して、前記マイクロ波窓を介して前記容器内にマイクロ波を導入することによってプラズマを生成し、生成したプラズマにより前記容器内に設けてある載置台に載置した試料を処理するプラズマ処理装置であって、
前記容器内に、マイクロ波の導入領域を中央部に限定するマイクロ波限定部材が設けてあり、
前記マイクロ波限定部材の下面と前記マイクロ波窓の下面との段差は７．５ｍｍ以上になしてあることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
環状のマイクロ波窓を設けてなる容器内に、前記マイクロ波窓に対面して配置され対面する面にスリットを有する環状の導波管型アンテナからマイクロ波を放射して、前記マイクロ波窓を介して前記容器内にマイクロ波を導入することによってプラズマを生成すると共に、前記容器内に設けてある載置台及び／又は前記マイクロ波窓に内嵌させて設けてある対向電極に高周波を印加し、生成したプラズマを載置台に載置した試料に導いて試料を処理するプラズマ処理装置であって、
前記容器内に、マイクロ波の導入領域を中央部に限定するマイクロ波限定部材が設けてあり、
前記マイクロ波限定部材の下面と前記マイクロ波窓の下面との段差は７．５ｍｍ以上になしてあることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
マイクロ波窓を設けてなる容器内に、前記マイクロ波窓に対面して配置され対面する面にスリットを有する環状の導波管型アンテナからマイクロ波を放射して、前記マイクロ波窓を介して前記容器内にマイクロ波を導入することによってプラズマを生成し、生成したプラズマにより前記容器内に設けてある載置台に載置した試料を処理するプラズマ処理装置であって、
前記容器内に、マイクロ波の導入領域を中央部に限定するマイクロ波限定部材が設けてあり、
前記マイクロ波限定部材は前記マイクロ波窓に当接させてあり、
前記マイクロ波窓には、前記マイクロ波限定部材の内周面に倣う環状凸部が設けてあり、該環状凸部に前記マイクロ波限定部材が外嵌してあることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
環状のマイクロ波窓を設けてなる容器内に、前記マイクロ波窓に対面して配置され対面する面にスリットを有する環状の導波管型アンテナからマイクロ波を放射して、前記マイクロ波窓を介して前記容器内にマイクロ波を導入することによってプラズマを生成すると共に、前記容器内に設けてある載置台及び／又は前記マイクロ波窓に内嵌させて設けてある対向電極に高周波を印加し、生成したプラズマを載置台に載置した試料に導いて試料を処理するプラズマ処理装置であって、
前記容器内に、マイクロ波の導入領域を中央部に限定するマイクロ波限定部材が設けてあり、
前記マイクロ波限定部材は前記マイクロ波窓に当接させてあり、
前記マイクロ波窓には、前記マイクロ波限定部材の内周面に倣う環状凸部が設けてあり、該環状凸部に前記マイクロ波限定部材が外嵌してあることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項７】
マイクロ波窓を設けてなる容器内に、前記マイクロ波窓に対面して配置され対面する面にスリットを有する環状の導波管型アンテナからマイクロ波を放射して、前記マイクロ波窓を介して前記容器内にマイクロ波を導入することによってプラズマを生成し、生成したプラズマにより前記容器内に設けてある載置台に載置した試料を処理するプラズマ処理装置であって、
前記容器内に、マイクロ波の導入領域を中央部に限定する マイクロ波限定部材が設けてあり、
前記マイクロ波限定部材は前記マイクロ波窓に当接させてあり、
前記マイクロ波限定部材のマイクロ波窓に当接させてある面とは反対側の面を保護する保護部材が設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項８】
環状のマイクロ波窓を設けてなる容器内に、前記マイクロ波窓に対面して配置され対面する面にスリットを有する環状の導波管型アンテナからマイクロ波を放射して、前記マイクロ波窓を介して前記容器内にマイクロ波を導入することによってプラズマを生成すると共に、前記容器内に設けてある載置台及び／又は前記マイクロ波窓に内嵌させて設けてある対向電極に高周波を印加し、生成したプラズマを載置台に載置した試料に導いて試料を処理するプラズマ処理装置であって、
前記容器内に、マイクロ波の導入領域を中央部に限定するマイクロ波限定部材が設けてあり、
前記マイクロ波限定部材は前記マイクロ波窓に当接させてあり、
前記マイクロ波限定部材のマイクロ波窓に当接させてある面とは反対側の面を保護する保護部材が設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項９】
無端環状の導波管型アンテナが配置してある請求項１乃至８の何れか一つに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
有端環状の導波管型アンテナが配置してある請求項１乃至８の何れか一つに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１１】
前記導波管型アンテナはＣ字状又は渦巻き状になしてある請求項１０に記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロ波を用いて生成したプラズマによって、半導体基板又は液晶ディスプレイ用ガラス基板等にエッチング又はアッシング等の処理を施す装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
反応ガスに外部からエネルギを与えて生じるプラズマは、ＬＳＩ又はＬＣＤ等の製造プロセスにおいて広く用いられている。特に、ドライエッチングプロセスにおいて、プラズマの利用は不可欠の基本技術となっている。このプラズマによって処理される基板の寸法が大きくなるのに伴って、より広い領域にプラズマを均一に発生させることが要求されている。そのため、本願出願人は、特開昭62−5600号公報及び特開昭62−99481 号公報等において次のような装置を提案している。
【０００３】
図13は、特開昭62−5600号公報及び特開昭62−99481 号公報に開示した装置と同タイプのプラズマ処理装置を示す側断面図であり、図14は図13に示したプラズマ処理装置の平面図である。矩形箱状の反応器31は、その全体がアルミニウムで形成されている。反応器31の上部にマイクロ波窓34が配置してあり、反応器31の上部はマイクロ波窓34で気密状態に封止されている。このマイクロ波窓34は、耐熱性及びマイクロ波透過性を有すると共に誘電損失が小さい、石英ガラス又はアルミナ等の誘電体で形成されている。
【０００４】
反応器31には、該反応器31の上部を覆う長方形箱状のカバー部材40が連結してある。このカバー部材40内の天井部分には誘電体線路41が取り付けてある。誘電体線路41は、テフロン（登録商標）といったフッ素樹脂，ポリエチレン樹脂又はポリスチレン樹脂等の誘電体を、矩形と三角形とを組み合わせた略五角形の頂点に凸部を設けた板形状に成形してなり、前記凸部をカバー部材40の周面に連結した導波管51に内嵌させてある。導波管51にはマイクロ波発振器50が連結してあり、マイクロ波発振器50が発振したマイクロ波は、導波管51によって誘電体線路41の凸部に入射される。
【０００５】
前述した如く、誘電体線路41の凸部の基端側は、平面視が略三角形状のテーパ部41a になしてあり、前記凸部に入射されたマイクロ波はテーパ部41a に倣ってその幅方向に拡げられ誘電体線路41の全体に伝播する。このマイクロ波はカバー部材40の導波管51に対向する端面で反射し、入射波と反射波とが重ね合わされて誘電体線路41に定在波が形成される。
【０００６】
反応器31の内部は処理室32になっており、処理室32の周囲壁を貫通する貫通穴に嵌合させたガス導入管35から処理室32内に所要のガスが導入される。処理室32の底部壁中央には、試料Ｗを載置する載置台33が設けてあり、載置台33にはマッチングボックス36を介して数百ｋＨｚ〜十数ＭＨｚのＲＦ電源37が接続されている。また、反応器31の底部壁には排気口38が開設してあり、排気口38から処理室32の内気を排出するようになしてある。
【０００７】
このようなプラズマ処理装置を用いて試料Ｗの表面にエッチング処理を施すには、排気口38から排気して処理室32内を所望の圧力まで減圧した後、ガス導入管35から処理室32内に反応ガスを供給する。次いで、マイクロ波発振器50からマイクロ波を発振させ、これを導波管51を介して誘電体線路41に導入する。このとき、テーパ部41a によってマイクロ波は誘電体線路41内で均一に拡がり、誘電体線路41内に定在波を形成する。この定在波によって、誘電体線路41の下方に漏れ電界が形成され、それがマイクロ波窓34を透過して処理室32内へ導入される。このようにして、マイクロ波が処理室32内へ伝播する。これにより、処理室32内にプラズマが生成され、そのプラズマによって試料Ｗの表面をエッチングする。これによって、大口径の試料Ｗを処理すべく反応器31の直径を大きくしても、その反応器31の全領域へマイクロ波を均一に導入することができ、大口径の試料Ｗを比較的均一にプラズマ処理することができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
従来のプラズマ処理装置では、誘電体線路41にマイクロ波を均一に拡がらせるために、マイクロ波窓34及び反応器31の縁部から水平方向へ突出させたテーパ部41a を設けてあり、このテーパ部41a は、誘電体線路41の面積、即ち処理室32の直径に応じて所定の寸法に定めてある。そのため、従来のプラズマ処理装置を設置する場合、反応器31の周縁から突出させたテーパ部41a を格納するための水平方向のスペースを余分に確保しなければならない。ところで、試料Ｗの大口径化に伴って、反応器31の直径が更に大きいプラズマ処理装置が要求されている。このとき、装置の設置場所を手当てする必要がないこと、即ち、可及的に狭いスペースで設置し得ることも要求されている。しかしながら、従来の装置にあっては、テーパ部41a の寸法は反応器31の直径に応じて定めるため、前述した両要求を共に満足することができないという問題があった。
【０００９】
一方、従来のプラズマ処理装置にあっては、反応器31の内周面近傍で生成されたプラズマによって反応器31の内周面がスパッタリングされる虞があった。反応器31の内周面がスパッタリングされた場合、それによってパーティクルが発生し、該パーティクルによって試料Ｗが汚染される。
【００１０】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、反応器の直径が大きくても、装置全体のサイズを可及的に小さくできると共に、容器の内面が損耗されることを防止し得るプラズマ処理装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、マイクロ波窓に対面してマイクロ波を放射するスリットを設けた無端環状又は有端環状の導波管型アンテナによりマイクロ波を供給し、マイクロ波窓を介して容器内にマイクロ波を導入する構成により、即ち、中央部にマイクロ波の供給部がない構成であっても、容器内にプラズマを均一に発生できることを知見した。また、従来から問題であり、また無端環状又は有端環状の導波管型アンテナによりマイクロ波を放射することにより容器の内周面近傍へのマイクロ波の供給が増大しプラズマがその近傍で強く発生する虞に対しては、マイクロ波限定部材を設けることにより、容器の内周面近傍でのプラズマの発生を効果的に抑制できることを知見して、本発明を完成させた。
【００１２】
即ち、本発明に係るプラズマ処理装置は、マイクロ波窓を設けてなる容器内に、前記マイクロ波窓に対面して配置され対面する面にスリットを有する環状の導波管型アンテナからマイクロ波を放射して、前記マイクロ波窓を介して前記容器内にマイクロ波を導入することによってプラズマを生成し、生成したプラズマにより前記容器内に設けてある載置台に載置した試料を処理するプラズマ処理装置であって、前記容器内に、マイクロ波の導入領域を中央部に限定するマイクロ波限定部材が設けてあり、前記マイクロ波限定部材の下面と前記マイクロ波窓の下面との段差は、次式で表されるプラズマの表皮厚さδ以上になしてあることを特徴とする。
δ＝ｃ／ωｐ
ωｐ＝√｛（Ｎ・ｅ2 ）／（ε0 ・ｍe ）｝
但し、ｃ ：真空中の光速（2.997 ×1010ｃｍ／ｓｅｃ）
Ｎ ：プラズマ密度（ｃｍ-3）
ｅ ：電荷（1.602 ×10-19 Ｃ）
ε0 ：真空誘電率（8.85×10-10 Ｆ／ｃｍ）
ｍe ：電子質量（9.11×10-31 ｋｇ）
本発明に係るプラズマ処理装置は、環状のマイクロ波窓を設けてなる容器内に、前記マイクロ波窓に対面して配置され対面する面にスリットを有する環状の導波管型アンテナからマイクロ波を放射して、前記マイクロ波窓を介して前記容器内にマイクロ波を導入することによってプラズマを生成すると共に、前記容器内に設けてある載置台及び／又は前記マイクロ波窓に内嵌させて設けてある対向電極に高周波を印加し、生成したプラズマを載置台に載置した試料に導いて試料を処理するプラズマ処理装置であって、前記容器内に、マイクロ波の導入領域を中央部に限定するマイクロ波限定部材が設けてあり、前記マイクロ波限定部材の下面と前記マイクロ波窓の下面との段差は、次式で表されるプラズマの表皮厚さδ以上になしてあることを特徴とする。
δ＝ｃ／ωｐ
ωｐ＝√｛（Ｎ・ｅ2 ）／（ε0 ・ｍe ）｝
但し、ｃ ：真空中の光速（2.997 ×1010ｃｍ／ｓｅｃ）
Ｎ ：プラズマ密度（ｃｍ-3）
ｅ ：電荷（1.602 ×10-19 Ｃ）
ε0 ：真空誘電率（8.85×10-10 Ｆ／ｃｍ）
ｍe ：電子質量（9.11×10-31 ｋｇ）
【００１３】
本発明に係るプラズマ処理装置は、マイクロ波窓を設けてなる容器内に、前記マイクロ波窓に対面して配置され対面する面にスリットを有する環状の導波管型アンテナからマイクロ波を放射して、前記マイクロ波窓を介して前記容器内にマイクロ波を導入することによってプラズマを生成し、生成したプラズマにより前記容器内に設けてある載置台に載置した試料を処理するプラズマ処理装置であって、前記容器内に、マイクロ波の導入領域を中央部に限定するマイクロ波限定部材が設けてあり、前記マイクロ波限定部材の下面と前記マイクロ波窓の下面との段差は７．５ｍｍ以上になしてあることを特徴とする。
本発明に係るプラズマ処理装置は、環状のマイクロ波窓を設けてなる容器内に、前記マイクロ波窓に対面して配置され対面する面にスリットを有する環状の導波管型アンテナからマイクロ波を放射して、前記マイクロ波窓を介して前記容器内にマイクロ波を導入することによってプラズマを生成すると共に、前記容器内に設けてある載置台及び／又は前記マイクロ波窓に内嵌させて設けてある対向電極に高周波を印加し、生成したプラズマを載置台に載置した試料に導いて試料を処理するプラズマ処理装置であって、前記容器内に、マイクロ波の導入領域を中央部に限定するマイクロ波限定部材が設けてあり、前記マイクロ波限定部材の下面と前記マイクロ波窓の下面との段差は７．５ｍｍ以上になしてあることを特徴とする。
【００１４】
本発明に係るプラズマ処理装置は、マイクロ波窓を設けてなる容器内に、前記マイクロ波窓に対面して配置され対面する面にスリットを有する環状の導波管型アンテナからマイクロ波を放射して、前記マイクロ波窓を介して前記容器内にマイクロ波を導入することによってプラズマを生成し、生成したプラズマにより前記容器内に設けてある載置台に載置した試料を処理するプラズマ処理装置であって、前記容器内に、マイクロ波の導入領域を中央部に限定するマイクロ波限定部材が設けてあり、前記マイクロ波限定部材は前記マイクロ波窓に当接させてあり、前記マイクロ波窓には、前記マイクロ波限定部材の内周面に倣う環状凸部が設けてあり、該環状凸部に前記マイクロ波限定部材が外嵌してあることを特徴とする。
本発明に係るプラズマ処理装置は、環状のマイクロ波窓を設けてなる容器内に、前記マイクロ波窓に対面して配置され対面する面にスリットを有する環状の導波管型アンテナからマイクロ波を放射して、前記マイクロ波窓を介して前記容器内にマイクロ波を導入することによってプラズマを生成すると共に、前記容器内に設けてある載置台及び／又は前記マイクロ波窓に内嵌させて設けてある対向電極に高周波を印加し、生成したプラズマを載置台に載置した試料に導いて試料を処理するプラズマ処理装置であって、前記容器内に、マイクロ波の導入領域を中央部に限定するマイクロ波限定部材が設けてあり、前記マイクロ波限定部材は前記マイクロ波窓に当接させてあり、前記マイクロ波窓には、前記マイクロ波限定部材の内周面に倣う環状凸部が設けてあり、該環状凸部に前記マイクロ波限定部材が外嵌してあることを特徴とする。
【００１５】
本発明に係るプラズマ処理装置は、マイクロ波窓を設けてなる容器内に、前記マイクロ波窓に対面して配置され対面する面にスリットを有する環状の導波管型アンテナからマイクロ波を放射して、前記マイクロ波窓を介して前記容器内にマイクロ波を導入することによってプラズマを生成し、生成したプラズマにより前記容器内に設けてある載置台に載置した試料を処理するプラズマ処理装置であって、前記容器内に、マイクロ波の導入領域を中央部に限定するマイクロ波限定部材が設けてあり、前記マイクロ波限定部材は前記マイクロ波窓に当接させてあり、前記マイクロ波限定部材のマイクロ波窓に当接させてある面とは反対側の面を保護する保護部材が設けられていることを特徴とする。
本発明に係るプラズマ処理装置は、環状のマイクロ波窓を設けてなる容器内に、前記マイクロ波窓に対面して配置され対面する面にスリットを有する環状の導波管型アンテナからマイクロ波を放射して、前記マイクロ波窓を介して前記容器内にマイクロ波を導入することによってプラズマを生成すると共に、前記容器内に設けてある載置台及び／又は前記マイクロ波窓に内嵌させて設けてある対向電極に高周波を印加し、生成したプラズマを載置台に載置した試料に導いて試料を処理するプラズマ処理装置であって、前記容器内に、マイクロ波の導入領域を中央部に限定するマイクロ波限定部材が設けてあり、前記マイクロ波限定部材は前記マイクロ波窓に当接させてあり、前記マイクロ波限定部材のマイクロ波窓に当接させてある面とは反対側の面を保護する保護部材が設けられていることを特徴とする。
【００１９】
本発明に係るプラズマ処理装置は、無端環状の導波管型アンテナが配置してあることを特徴とする。
【００２０】
本発明に係るプラズマ処理装置は、有端環状の導波管型アンテナが配置してあることを特徴とする。
【００２１】
本発明に係るプラズマ処理装置は、前記導波管型アンテナはＣ字状又は渦巻き状になしてあることを特徴とする。
【００２２】
本発明のプラズマ処理装置にあっては、マイクロ波窓に対面してマイクロ波を放射するスリットを設けた無端環状又は有端環状の導波管型アンテナによりマイクロ波を供給する構成としたので、誘電体線路に設けたテーパ部の如く、マイクロ波を均一に拡がらせる部分がなくても、プラズマが均一に発生するように容器内にマイクロ波を供給することができる。マイクロ波が放射されるスリットの環状の配置、即ち環状導波管型アンテナの直径、スリットの形状及び配置、更に、導波管の断面形状及びマイクロ波の伝搬モードを適宜考慮すれば良い。
【００２３】
従って、誘電体線路に設けたテーパ部の如き突出部がなく、プラズマ処理装置の寸法を可及的に小さくすることができる。また、マイクロ波の導入領域を中央部に限定するマイクロ波限定部材が設けてあるので、マイクロ波限定部材の配置部では、上部からのマイクロ波の伝播が遮断されるため、従来から問題であり、また環状導波管型アンテナを用いることにより、より問題となる虞がある容器内面の損耗の問題を解決することができる。
【００２４】
また、本発明のプラズマ処理装置にあっては、無端環状又は有端環状の導波管型アンテナ構造を採用することにより、マイクロ波窓を環状とし、この環状のマイクロ波窓に内嵌させて対向電極を設ける構成が可能になり、この対向電極に高周波を印加する、又は対向電極を電気的に接地することにより、プラズマのより高度な制御を可能とすることができる。
【００２５】
なお、無端環状又は有端環状の導波管型アンテナ内部に、テフロン（登録商標）といったフッ素樹脂、ポリエチレン樹脂又はポリスチレン樹脂等の誘電体を挿入してもよい。
【００２６】
本発明のプラズマ処理装置にあっては、マイクロ波限定部材がマイクロ波窓に当接させてあるので、容器の内周面近傍へのマイクロ波の伝搬を抑え、プラズマが容器の内周面近傍で強く発生することを抑えると共に、マイクロ波限定部材のマイクロ波窓への当接面をプラズマによるスパッタリングから保護することができる。
【００２７】
本発明のプラズマ処理装置にあっては、マイクロ波を導入する領域を限定するマイクロ波限定部材の下面と前記マイクロ波窓の下面との段差は、次の（１）式及び（２）式で表されるプラズマの表皮厚さδ以上になしてある。
δ＝ｃ／ωｐ …（１）
ωｐ＝√｛（Ｎ・ｅ2 ）／（ε0 ・ｍe ）｝ …（２）
但し、ｃ ：真空中の光速（2.997 ×1010ｃｍ／ｓｅｃ）
Ｎ ：プラズマ密度（ｃｍ-3）
ｅ ：電荷（1.602 ×10-19 Ｃ）
ε0 ：真空誘電率（8.85×10-10 Ｆ／ｃｍ）
ｍe ：電子質量（9.11×10-31 ｋｇ）
【００２８】
容器の内部にはプラズマが、５×１０11ｃｍ-3〜５×１０12ｃｍ-3程度の密度で生成されるが、このプラズマ密度はカットオフ密度である７．４５×１０10ｃｍ-3より十分大きいため、マイクロ波は生成されたプラズマ中に進入し得ない。このとき、前述した段差がプラズマの表皮厚さδより小さい場合、マイクロ波限定部材を介して容器内に導入されたマイクロ波がプラズマの表面を伝播し、この表面波が容器の内面に達する虞がある。しかし、本発明では段差がプラズマの表皮厚さδ以上になしてあるため、前述した表面波はマイクロ波限定部材の開口内に限定されマイクロ波限定部材の下面を通って容器の内面に達することが防止される。従って、マイクロ波の導入領域を容器の中央部に確実に限定することができ、容器内面の損耗を確実に防止することができる。
【００２９】
本発明のプラズマ処理装置にあっては、マイクロ波限定部材の下面と前記マイクロ波窓の下面との段差が、プラズマの表皮厚さδの極大値である７．５ｍｍ以上になしてあるため、前同様、表面波が容器の側壁の内面に達することが防止される。従って、マイクロ波の導入領域を容器の中央部に確実に限定することができ、容器内面の損耗を確実に防止することができる。
【００３０】
本発明のプラズマ処理装置にあっては、マイクロ波窓の環状凸部によりマイクロ波限定部材の内周縁部がプラズマによるスパッタリングから保護されるので、マイクロ波限定部材の内周縁部からのパーティクルの発生が抑制される。
【００３１】
本発明のプラズマ処理装置にあっては、マイクロ波限定部材のマイクロ波窓側とは反対側の面が保護部材により、プラズマによるスパッタリングから保護されるので、この部分からのパーティクルの発生を防止することができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて具体的に説明する。
（実施の形態１）
図１は本発明に係るプラズマ処理装置の構造を示す側断面図であり、図２は図１に示したプラズマ処理装置の平面図である。有底円筒形状の反応器１は、その全体が導電性の金属で形成されており、該反応器１は電気的に接地してある。反応器１の上部の開口はマイクロ波窓４で気密状態に封止されている。このマイクロ波窓４は、耐熱性及びマイクロ波透過性を有すると共に誘電損失が小さい、石英ガラス又はアルミナ等の誘電体で形成されている。
【００３３】
前述したマイクロ波窓４には、導電性金属を円形蓋状に成形してなるカバー部材10が外嵌してあり、該カバー部材10は反応器１上に固定してある。カバー部材10の上面には、反応器１内へマイクロ波を導入するためのアンテナ11が固定してある。アンテナ11は、断面視がコ字状の部材を無端環状に成形してなる環状導波管型アンテナ部11a を、その開口をカバー部材10に対向させて、反応器１の中心軸と同心円状に設けてあり、カバー部材10の環状導波管型アンテナ部11a に対向する部分には複数のスリット15，15，…が開設してある。即ち、本実施の形態では、環状導波管型アンテナ部11a と、スリット15，15，…が開設してあるカバー部材10の環状導波管型アンテナ部11a に対向する部分とから、環状導波管型アンテナが構成されている。
【００３４】
環状導波管型アンテナ部11a は、反応器１の内周面より少し内側に、反応器１の中心軸と同心円上に設けてあり、その外周面に設けた開口の周囲には該環状導波管型アンテナ部11a へマイクロ波を導入するための導入部11b が、環状導波管型アンテナ部11a の直径方向になるように連結してある。この導入部11b 及び環状導波管型アンテナ部11a 内には、テフロン（登録商標）といったフッ素樹脂，ポリエチレン樹脂又はポリスチレン樹脂（好ましくはテフロン）等の誘電体14が内嵌してある。
【００３５】
導入部11b にはマイクロ波発振器30から延設した導波管29が連結してあり、マイクロ波発振器30が発振したマイクロ波は、導波管29を経てアンテナ11の導入部11b に入射される。この入射波は、導入部11b から環状導波管型アンテナ部11a へ導入される。環状導波管型アンテナ部11a へ導入されたマイクロ波は、環状導波管型アンテナ部11a を互いに逆方向へ進行する進行波として、該環状導波管型アンテナ部11a 内の誘電体14中を伝播し、両進行波は、重ね合わされて環状導波管型アンテナ部11a に定在波が生成される。この定在波によって、環状導波管型アンテナ部11a の内面に、所定の間隔で極大値を示す壁面電流が通流する。
【００３６】
このとき、比誘電率εｒが２．１のテフロン（登録商標）が装入してある環状導波管型アンテナ部11a 内を伝播するマイクロ波のモードを基本伝播モードである矩形ＴＥ１０にするには、マイクロ波の周波数２．４５ＧＨｚに応じて、環状導波管型アンテナ部11a の寸法を、高さ２７ｍｍ，幅６６．２ｍｍにすれば良い。このモードのマイクロ波は、エネルギを殆ど損失することなく環状導波管型アンテナ部11a 内の誘電体14を伝播する。
【００３７】
また、直径が３８０ｍｍのマイクロ波窓４を用い、環状導波管型アンテナ部11a にεｒ＝２．１のテフロン（登録商標）を内嵌した場合、環状導波管型アンテナ部11a の中心から環状導波管型アンテナ部11a の幅方向の中央までの寸法を、１４１ｍｍにすれば良い。この場合、環状導波管型アンテナ部11a の幅方向の中央を結ぶ円Ｃの周方向の長さ（略８８６ｍｍ）は、該環状導波管型アンテナ部11a 内を伝播するマイクロ波の波長（略１１０ｍｍ）の略整数倍である。そのため、マイクロ波は環状導波管型アンテナ部11a 内で共振して、前述した定在波は、その腹の位置で高電圧・低電流、節の位置で低電圧・高電流となり、アンテナのＱ値が向上する。
【００３８】
ところで、環状導波管型アンテナ部11a 内には誘電体14を装入せずに空洞になしてもよい。しかし、環状導波管型アンテナ部11a 内に誘電体14を装入した場合、環状導波管型アンテナ部11a に入射されたマイクロ波は誘電体14によってその波長が１／√（εｒ）倍（εｒは誘電体の比誘電率）だけ短くなる。従って同じ直径の環状導波管型アンテナ部11a を用いた場合、誘電体14が装入してあるときの方が、誘電体14が装入していないときより、環状導波管型アンテナ部11a の壁面に通流する電流が極大になる位置が多く、その分、スリット15，15，…を多く開設することができる。そのため、処理室２内へマイクロ波をより均一に導入することができる。
【００３９】
図３は、図１及び図２に示したスリット15，15，…を説明する説明図である。図３に示したように、スリット15，15，…は、カバー部材10（図２参照）の環状導波管型アンテナ部11a に対向する部分に、環状導波管型アンテナ部11a の直径方向へ、即ち環状導波管型アンテナ部11a 内を伝播するマイクロ波の進行方向に直交するように短冊状に開設してある。環状導波管型アンテナ部11a が前述した寸法である場合、各スリット15，15，…の長さは５０ｍｍであり、幅は２０ｍｍであり、相隣るスリット15，15の間の距離は略５５ｍである。即ち、後述する交点Ｐ1 から２７．５ｍｍの位置に２つのスリット15，15が設けてあり、両スリット15，15から５５ｍｍの間隔で他のスリット15，15，…が設けてある。
【００４０】
つまり、各スリット15，15，…は、導入部11b の中心線を延長した延長線Ｌと前述した円Ｃとが交わる２点の内の導入部11b から離隔した側である交点Ｐ1 から、円Ｃに倣ってその両方へ、それぞれ（２ｎ−１）・λｇ／４（ｎは整数、λｇは環状導波管型アンテナ内を伝播するマイクロ波の波長）を隔てた位置に、２つのスリット15，15を開設してあり、両スリット15，15から、円Ｃに倣ってその両方へ、ｍ・λｇ／２（ｍは整数）の間隔で複数の他のスリット15，15，…がそれぞれ開設してある。即ち、スリット15，15，…は、前述した定在波の節が形成される位置に設けてある。これによって、各スリット15，15，…から効率良くマイクロ波を放射することができる。
【００４１】
図４は、図２に示したアンテナ11内の誘電体14に分布する電界の強度をシミュレーションした結果を説明する説明図である。真円の環状体の外周に棒状体を設けた形状にテフロンを成形してなる誘電体に、前記棒状体の端部から２．４５ＧＨｚのマイクロ波を入射し、マイクロ波の伝播によって形成される電界の強度をシミュレーションし、同じ電界強度の位置を線で結んだ。その結果、図４に示した如く、誘電体に強電界強度の複数の領域が、環状体の中心及び棒状体の中央を通る軸に対象になるように形成されている。
【００４２】
前述した各スリット15，15，…は、複数の強電界強度の領域（腹）の間の略中央（節）に位置しており、各スリット15，15，…から放射されたマイクロ波はマイクロ波窓４を透過して反応器１内へ導入される。
【００４３】
なお、本実施の形態では、スリット15，15，…は、環状導波管型アンテナ部11a 内を伝播するマイクロ波の進行方向に直交するように開設してあるが、本発明はこれに限らず、前記マイクロ波の進行方向に斜めに交わるようにスリットを開設してもよく、また、マイクロ波の進行方向に開設してもよい。反応器１内に生成されたプラズマによって、アンテナ11内を伝播するマイクロ波の波長が変化して、環状導波管型アンテナ部11a の周壁に通流する電流の極大値を示す位置が変化する場合があるが、マイクロ波の進行方向に斜めに開設したスリット又はマイクロ波の進行方向に開設したスリットにあっては、電流の極大値を示す位置の変化をスリットの領域内に取り込むことができる。
【００４４】
前述したように各スリット15，15，…は、カバー部材10に略放射状に設けてあるため、マイクロ波は反応器１内の全領域に均一に導入される。一方、図１に示したように、アンテナ11は反応器１の直径と同じ直径のカバー部材10上に、該カバー部材10の周縁から突出することなく設けてあるため、反応器１の直径が大きくても、プラズマ処理装置のサイズが可及的に小さく、従って小さなスペースに設置することができる。
【００４５】
処理室２の底部壁中央には、試料Ｗを載置する載置台３が設けてあり、載置台３にはマッチングボックス６を介して高周波電源７が接続されている。処理室２の周囲壁には該周囲壁を貫通する貫通孔が開設してあり、該貫通孔には、処理室２内へ反応ガスを導入するガス導入管５が嵌合してある。また、処理室２の底部壁には排気口８が開設してあり、排気口８から処理室２の内気を排出するようになしてある。
【００４６】
マイクロ波窓４の内面に対向させて、マイクロ波が処理室２内に導入する導入領域を処理室２の中央部に限定する限定プレート９が、マイクロ波窓４に当接するように配設してある。限定プレート９は導電性を有する板を環状に成形してなり、限定プレート９の外周縁部が反応器１の上端とマイクロ波窓４の外周縁部との間に挟持固定してある。限定プレート９の内周縁部は、前述したスリット15，15，…の環状導波管型アンテナ部11a の外周面側の端部近傍の適宜位置に対向させてある。また、限定プレート９は電気的に接地してある。
【００４７】
このようなプラズマ処理装置を用いて試料Ｗの表面にエッチング処理を施すには、排気口８から排気して処理室２内を所望の圧力まで減圧した後、ガス導入管５から処理室２内に反応ガスを供給する。次いで、マイクロ波発振器30から２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発振させ、それを導波管31を経てアンテナ11に導入し、環状導波管型アンテナ部11a に定在波を形成させる。環状導波管型アンテナ部11a のスリット15，15，…から放射された電界は、マイクロ波窓４を透過して処理室２内に導入され、処理室２内にプラズマが生成される。このプラズマによって載置台３上の試料Ｗの表面がエッチングされる。
【００４８】
また、マイクロ波発振器30による発振と同時的にマッチングボックス６を介して高周波電源７から載置台３に高周波を印加してもよい。載置台３に高周波を印加することにより、プラズマ中のイオンを制御しつつ載置台３上の試料Ｗの表面をエッチングすることができる。
【００４９】
このとき、電気的に接地してある環状の限定プレート９がマイクロ波窓４の内面に当接してあるため、マイクロ波は限定プレート９の開口内に導入され、そこでプラズマが生成される。これによって、プラズマが生成する位置を反応器１の内周面から離隔させることができ、該プラズマによって反応器１の内周面が損耗することが防止される。
【００５０】
一方、電気的に接地した限定プレート９が、高周波が印加される載置台３の対向電極として作用して、試料Ｗ上に導かれるプラズマの指向性を向上させることができる。
【００５１】
ところで、限定プレート９の厚さ寸法ｄは、次の（１）式及び（２）式によって求められるプラズマの表皮厚さδ以上になすことが好ましい（δ≦ｄ）。
δ＝ｃ／ωｐ                              …（１）
ωｐ＝√｛（Ｎ・ｅ2 ）／（ε0 ・ｍe ）｝    …（２）
但し、ｃ  ：真空中の光速（2.997 ×1010ｃｍ／ｓｅｃ）
Ｎ  ：プラズマ密度（ｃｍ-3）
ｅ  ：電荷（1.602 ×10-19 Ｃ）
ε0 ：真空誘電率（8.85×10-10 Ｆ／ｃｍ）
ｍe ：電子質量（9.11×10-31 ｋｇ）
【００５２】
反応器１内にプラズマが、通常５×１０11ｃｍ-3〜５×１０12ｃｍ-3程度の密度で生成されるが、このプラズマ密度はカットオフ密度である７．４５×１０10ｃｍ-3より十分大きいため、マイクロ波は生成されたプラズマ中に進入し得ない。このとき、限定プレート９の厚さ寸法ｄがプラズマの表皮厚さδより小さい場合、限定プレート９の開口内に導入されたマイクロ波が、プラズマの表面を伝播して反応器１の限定プレート９の下側に達する虞がある。プラズマ密度Ｎがそれぞれ５×１０11ｃｍ-3及び５×１０12ｃｍ-3のときのプラズマの表皮厚さδはそれぞれ７．５ｍｍ及び２．４ｍｍである。
【００５３】
しかし、図１に示したプラズマ処理装置にあっては、限定プレート９の厚さ寸法ｄが、プラズマ密度Ｎが５×１０11ｃｍ-3〜５×１０12ｃｍ-3の通常の範囲にあるときのプラズマの表皮厚さδの極大値である７．５ｍｍ以上になすことにより、マイクロ波が伝播する領域を限定プレート９の開口内により確実に限定することができる。
【００５４】
（実施の形態２）
図５は実施の形態２を示す平面図である。なお、図中、図２に対応する部分には同じ番号を付してその説明を省略する。カバー部材10上には、一端側を、Ｃ字状（円弧状）又は一巻き渦巻き状等（図５にあってはＣ字状）に曲成し、端部を閉塞してなる有端環状の導波管型アンテナ12が設けてあり、導波管型アンテナ12の他端にはマイクロ波発振器30に連接した導波管29が連結してある。そして、カバー部材10の導波管型アンテナ12に対向する部分には、複数のスリット15，15，…が開設してある。
【００５５】
図６は、図５に示したスリット15，15，…を説明する説明図である。図６に示したように、スリット15，15，…は、カバー部材10（図５参照）の導波管型アンテナ12に対向する部分に、導波管型アンテナ12の中心軸Ｌ1 に直交するように開設してあり、各スリット15，15，…の開設位置は、導波管型アンテナ12の閉塞した端部からｍ・λｇ／２の位置に定めてある。
【００５６】
なお、本実施の形態では、一端側を、Ｃ字状に曲成し、端部を閉塞してなる有端環状の導波管型アンテナ12を設けた場合に付いて説明したが、本発明はこれに限らず、図２に示した如き、環状導波管型アンテナ部内の適宜位置に、マイクロ波を反射する隔壁を設けてなる有端環状の導波管型アンテナを設けてよいことはいうまでもない。
【００５７】
（実施の形態３）
図７は実施の形態３を示す側断面図であり、前述した限定プレート９の内周面を保護するようになしてある。また、図８は図７に示したプラズマ処理装置の部分拡大図である。なお、両図中、図１に示した部分に対応する部分には同じ番号を付してその説明を省略する。図７及び図８に示した如く、マイクロ波窓４の処理室２側の面には、限定プレート９の厚さ寸法と略同じ高さ寸法である環状凸部4aが、限定プレート９の内周面に当接するように設けてある。
【００５８】
このようなプラズマ処理装置にあっては、前同様、限定プレート９によって反応器１の内面の損耗が防止される。一方、限定プレート９の内周面は、プラズマに曝されるため徐々に損耗する虞があるが、前述した如く限定プレート９の内周面はマイクロ波窓４の環状凸部4aで覆ってあるため、限定プレート９の内周面はプラズマから隔離され、プラズマによる損耗が防止される。そのため、限定プレート９の損耗に起因するパーティクルの発生が抑制される。
【００５９】
（実施の形態４）
図９は実施の形態４を示す側断面図であり、図10は図９に示したプラズマ処理装置の部分拡大図である。本実施の形態では、限定プレート９の内周面の損耗に加えて、限定プレート９の処理室２に対向する部分の損耗も防止するようになしてある。なお、両図中、図１に示した部分に対応する部分には同じ番号を付してその説明を省略する。
【００６０】
図９及び図10に示した如く、マイクロ波窓４の内面には、限定プレート９の厚さ寸法と略同じ寸法の環状凸部4aが、限定プレート９の内周面に当接するように設けてある。また、反応器１の上端であって、処理室２側の縁部に、他の部分より一段低くした段差部1aが設けてあり、該段差部1aに、誘電体（好ましくは石英ガラス）を環状に成形してなり、限定プレート９を保護する保護プレート19の外周縁部を嵌合し、保護プレート19を段差部1a及び限定プレート９で挟持してある。保護プレート19の内径は、環状凸部4aの内径と略等しくなしてある。このように限定プレート９の処理室２内へ突出した部分は、マイクロ波窓４、環状凸部4a及び保護プレート19で、その全面を覆ってあるため、プラズマによる損耗が発生せず、限定プレート９の損耗に起因するパーティクルの発生が防止される。
【００６１】
（実施の形態５）
図11は実施の形態５を示す側断面図であり、図12は図11に示したプラズマ処理装置の平面図である。有底円筒状の反応器１は、その全体がアルミニウム等の金属で形成されている。反応器１の上端部には、内周面に溝が設けてあるリング部材21が取り付けてあり、リング部材21の溝に環状マイクロ波窓24の外周縁部を嵌合して環状マイクロ波窓24がリング部材21に支持されている。
【００６２】
リング部材21上面には、該リング部材21の外直径と略同じ外直径であり、前述した環状マイクロ波窓24の内直径と略同じ内直径である円筒状のブロック部材25がリング部材21に螺子止めしてある。このブロック部材25はアルミニウムといった金属で形成してある。ブロック部材25の環状マイクロ波窓24に対向する部分に断面視が矩形の溝を開設してなる環状導波管型アンテナ部11a が形成してあり、ブロック部材25の周面に、環状導波管型アンテナ部11a に連通する矩形穴を開設してなる導入部11b が形成してある。また、環状導波管型アンテナ部11a の底部には、アルミニウム製の環状の板部材16が嵌合してあり、該板部材16には複数のスリット15，15，…が周方向に所定の距離を隔てて開設してある。導入部11b 及び環状導波管型アンテナ部11a 内には、誘電体14が内嵌してある。即ち、本実施の形態では、環状導波管型アンテナ部11a 、及び複数のスリット15，15，…が開設してある板部材16から、環状導波管型アンテナが構成されている。
【００６３】
ブロック部材25の周面であって、導入部11b の開口の周囲にはマイクロ波発振器30から延設した導波管29が連結してあり、マイクロ波発振器30が発振したマイクロ波は、導波管29を経てアンテナ11の導入部11b に入射される。
【００６４】
前述したブロック部材25にはアルミニウムを円柱状に成形してなる加熱ブロック26が、該加熱ブロック26の下面が環状マイクロ波窓24の下面より少し高い位置になるように着脱自在に内嵌してあり、加熱ブロック26には、加熱源であるヒータ28が埋設してある。
【００６５】
加熱ブロック26の下面中央には円筒状の凹部が設けてあり、該凹部を導体又は半導体の材料を円板状に成形してなる対向電極18で閉塞してガス拡散室20が設けてある。対向電極18は加熱ブロック26に着脱自在に螺子止めしてあり、また、対向電極18は切換スイッチ60により、電気的に接地するか、又は、マッチングボックス6bを介して高周波電源7bに接続するかを切り換え得る構成になしてある。また、反応器１、リング部材21、環状マイクロ波窓24、ブロック部材25及び加熱ブロック26が互いに接合する部分には、それらを気密状態に封止すべく耐熱性のＯリング17，17，…（一部省略）がそれぞれ介装してある。
【００６６】
この対向電極18の下面の位置は、環状マイクロ波窓24の下面と略面一になるように配置されている。
【００６７】
なお、この対向電極18の下面の位置は、環状マイクロ波窓24の下面の位置より下方には、プラズマの表皮厚さδを越えて突出しないようにするのが好ましく、この例のように対向電極18の下面と環状マイクロ波窓24の下面とは略面一になるようにするのがより好ましい。前述した如く、このような構成のマイクロ波プラズマ処理装置において反応器１内に生成されるプラズマの密度は５×１０11ｃｍ-3〜５×１０12ｃｍ-3であり、プラズマ密度Ｎがそれぞれ５×１０11ｃｍ-3及び５×１０12ｃｍ-3のとき、プラズマの表皮厚さδは、それぞれ７．５ｍｍ及び２．４ｍｍである。従って、この対向電極18の下面の位置は、環状マイクロ波窓24の下面の位置より下方には、プラズマの表皮厚さδの極小値である２．４ｍｍを越えて突出しないようにするのが好ましく、この例のように対向電極18の下面と環状マイクロ波窓24の下面とが略面一になるようにするのがより好ましい。
【００６８】
また、前述した如く、反応器１内にカットオフ密度を越えるプラズマが生成された場合、マイクロ波は生成されたプラズマ中に侵入できず、プラズマの表面のプラズマの表皮厚さδ程度の領域を伝播する表面波を形成する。従って、対向電極18の下面の位置を、環状マイクロ波窓24の下面の位置より下方にはプラズマの表皮厚さδを越えて突出しないようにすることにより、対向電極18の直下にマイクロ波の表面波を伝播（拡げ）させ、より均一なプラズマの生成を可能とすることができるのである。
【００６９】
一方、後述する限定プレート９の厚さ寸法は、プラズマの表皮厚さδの極大値である７．５ｍｍ以上になしてあり、これによってマイクロ波が伝播する領域を限定プレート９の開口内に限定することができる。
【００７０】
ガス拡散室20には、加熱ブロック26を貫通するガス導入管５が連通してある。ガス導入管５からガス拡散室20に供給されたガスは、そこで拡散均一化された後、対向電極18に開設した複数の貫通孔から処理室２内へ導入される。処理室２の底部壁中央には、被処理物Ｗを載置する載置台３が昇降自在に設けてあり、載置台３にはマッチングボックス６を介して高周波電源７が接続されている。また、処理室２の周囲壁には排気口８が開設してあり、排気口８から処理室２の内気を排出するようになしてある。
【００７１】
前述したリング部材21の溝には限定プレート９の外縁部が、該限定プレート９が環状マイクロ波窓24の内面に当接するように嵌合してあり、限定プレート９は電気的に接地してある。限定プレート９の下面に対向して、断面視が略曲尺形状であり環状の保護部材19a が配設してあり、該保護部材19a によって限定プレート９の内周面及び下面が保護されている。
【００７２】
このようなプラズマ処理装置にあっては、前同様、限定プレート９によって反応器１の内面の損耗が防止される。更に、マイクロ波窓４及び保護部材19a で、限定プレート９の処理室２内へ突出した部分の全面を覆ってあるため、プラズマによる限定プレート９の損耗が発生せず、限定プレート９の損耗に起因するパーティクルの発生が防止される。
【００７３】
【発明の効果】
本発明に係るプラズマ処理装置にあっては、プラズマ処理装置の水平方向の寸法を可及的に小さくすることができる。また、容器内に導入するマイクロ波の導入領域を限定部材で限定して、プラズマが発生する位置を容器の内周面から離隔させるため、容器の内周面がプラズマによって損耗することが抑制される。そのため、パーティクルの発生が防止され、試料の汚染が回避される。
【００７４】
本発明にあっては、マイクロ波限定部材を介して容器内に導入されたマイクロ波がプラズマの表面を伝播する表面波がマイクロ波限定部材の開口を越えて伝播することを防止して、マイクロ波の導入領域を容器の中央部に確実に限定することができ、容器内面の損耗を確実に防止することができる。
【００７５】
本発明に係るプラズマ処理装置にあっては、前述した限定部材を保護部材でプラズマから保護するため、限定部材がプラズマによって損耗することが抑制される。そのため、限定部材の損耗によるパーティクルの発生が防止され、試料の汚染が回避される等、本発明は優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るプラズマ処理装置の構造を示す側断面図である。
【図２】図１に示したプラズマ処理装置の平面図である。
【図３】図１及び図２に示したスリットを説明する説明図である。
【図４】図２に示したアンテナ内の誘電体に分布する電界の強度をシミュレーションした結果を説明する説明図である。
【図５】実施の形態２を示す平面図である。
【図６】図５に示したスリットを説明する説明図である。
【図７】実施の形態３を示す側断面図である。
【図８】図７に示したプラズマ処理装置の部分拡大図である。
【図９】実施の形態４を示す側断面図である。
【図１０】図９に示したプラズマ処理装置の部分拡大図である。
【図１１】実施の形態５を示す側断面図である。
【図１２】図11に示したプラズマ処理装置の平面図である。
【図１３】特開昭62−5600号公報及び特開昭62−99481 号公報に開示した装置と同タイプのプラズマ処理装置を示す側断面図である。
【図１４】図13に示したプラズマ処理装置の平面図である。
【符号の説明】
１      反応器
２      処理室
４      マイクロ波窓
９      限定プレート
１１    アンテナ
１１ａ  環状導波管型アンテナ部
１５    スリット
１９    保護プレート
１９ａ  保護部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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