(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
IPS-LCDの画素区域における電極アレイ構造であって、
横に延伸したバーと前記バーから第一縦方向に延伸した複数の長方形型歯とを備えるくし型コモン電極と、
横に延伸したバーと前記バーから第二縦方向に延伸した複数の歯とを備え、各歯が、前記コモン電極の近接した歯間に配置されるくし型画素電極と、
からなり、
前記画素電極の各歯が、複数の台形の縦のリンクにより形成されるか、または、複数の逆台形の縦のリンクにより形成されることを特徴とする電極アレイ構造。
【請求項２】
前記画素電極の各歯は前記コモン電極の各歯に近接することを特徴とする請求項１に記載の電極アレイ構造。
【請求項３】
前記台形の上辺D１と下辺D２は、D２＝D１の場合を除いて、D２≦｜D１±50μm｜の式を満たすことを特徴とする請求項１に記載の電極アレイ構造。
【請求項４】
２つの近接した台形は長方形の接続部により接続されることを特徴とする請求項１に記載の電極アレイ構造。
【請求項５】
前記逆台形の上辺D2と下辺D1は、D２＝D１の場合を除いて、D２≦｜D１±50μm｜の式を満たすことを特徴とする請求項１に記載の電極アレイ構造。
【請求項６】
２つの近接した逆台形は長方形の接続部により接続されることを特徴とする請求項１に記載の電極アレイ構造。
【請求項７】
前記画素電極の各歯は酸化インジウムスズ（ITO）であることを特徴とする請求項１に記載の電極アレイ構造。
【請求項８】
前記画素電極の各歯は、
長方形の形状を備える第一電極層と、
前記第一電極層上に配置される第二電極層と、
からなることを特徴とする請求項１に記載の電極アレイ構造。
【請求項９】
前記第二電極層は酸化インジウムスズ（ITO）であることを
特徴とする請求項８に記載の電極アレイ構造。
【請求項１０】
前記画素電極の各歯は、
第一電極層と、
前記第一電極層上に配置され、長方形の形状を備える第二電極層と、
からなることを特徴とする請求項１に記載の電極アレイ構造。
【請求項１１】
前記第二電極層は酸化インジウムスズ（ITO）であることを
特徴とする請求項１０に記載の電極アレイ構造。
【請求項１２】
IPS-LCDの画素区域における電極アレイ構造であって、
横に延伸したバーと前記バーから第一縦方向に延伸した複数の歯とを備えるくし型コモン電極と、
横に延伸したバーと前記バーから第二縦方向に延伸した複数の長方形型歯とを備え、各歯は前記コモン電極の近接した歯間に配置されるくし型画素電極と、
からなり、
前記コモン電極の各歯が、複数の台形の縦のリンクにより形成されるか、または複数の逆台形の縦のリンクにより形成されることを特徴とする電極アレイ構造。
【請求項１３】
前記画素電極の各歯は前記コモン電極の各歯に近接することを特徴とする請求項１２に記載の電極アレイ構造。
【請求項１４】
前記台形の上辺D１と下辺D２は、D２＝D１の場合を除いて、D２≦｜D１±50μm｜の式を満たすことを特徴とする請求項１２に記載の電極アレイ構造。
【請求項１５】
２つの近接した台形は長方形の接続部により接続されることを特徴とする請求項１２に記載の電極アレイ構造。
【請求項１６】
前記逆台形の上辺D2と下辺D1は、D２＝D１の場合を除いて、
D２≦｜D１±50μm｜の式を満たすことを特徴とする請求項１２に記載の電極アレイ構造。
【請求項１７】
２つの近接した逆台形は長方形の接合部により接続されることを特徴とする請求項１２に記載の電極アレイ構造。
【請求項１８】
前記コモン電極の各歯は酸化インジウムスズ（ITO）であることを特徴とする請求項１２に記載の電極アレイ構造。
【請求項１９】
前記コモン電極の各歯は、
長方形の形状を備える第一電極層と、
前記第一電極層上に配置される第二電極層と、
からなることを特徴とする請求項１２に記載の電極アレイ構造。
【請求項２０】
前記第二電極層は酸化インジウムスズ（ITO）であることを特徴とする請求項１９に記載の電極アレイ構造。
【請求項２１】
前記コモン電極の各歯は、
第一電極層と、
前記第一電極層上に配置され、長方形の形状を備える第二電極層と、
からなることを特徴とする請求項１２に記載の電極アレイ構造。
【請求項２２】
前記第二電極層は酸化インジウムスズ（ITO）であることを特徴とする請求項２１に記載の電極アレイ構造。
【請求項２３】
IPS-LCDの画素区域における電極アレイ構造であって、
横に延伸したバーと前記バーから第一縦方向に延伸した複数の歯とを備えるくし型コモン電極と、
横に延伸したバーと前記バーから第二縦方向に延伸した複数の歯とを備え、各歯が前記コモン電極の近接した歯間に配置されるくし型画素電極と、
からなり、
前記コモン電極の各歯が複数の台形の縦のリンクにより形成され、前記画素電極の各歯が複数の逆台形の縦のリンクにより形成されることを特徴とする電極アレイ構造。
【請求項２４】
前記画素電極の各歯は前記コモン電極の各歯に近接することを特徴とする請求項２３に記載の電極アレイ構造。
【請求項２５】
前記台形の上辺D１と下辺D２は、D２＝D１の場合を除いて、D２≦｜D１±50μm｜の式を満たすことを特徴とする請求項２３に記載の電極アレイ構造。
【請求項２６】
２つの近接した台形は長方形の接続部により接続され、２つの近接した逆台形は長方形の接続部により接続されることを特徴とする請求項２３に記載の電極アレイ構造。
【請求項２７】
前記コモン電極の各歯の台形の数は、前記画素電極の各歯の逆台形の数と等しくないことを特徴とする請求項２３に記載の電極アレイ構造。
【請求項２８】
電場勾配が前記コモン電極の前記歯と前記画素電極の前記近接した歯との間に形成されて、非均一的な電界を形成することを特徴とする請求項２７に記載の電極アレイ構造。
【請求項２９】
前記コモン電極の前記歯と前記画素電極の前記近接した歯との間の液晶分子の回転角度は０°〜２０°であることを特徴とする請求項２７に記載の電極アレイ構造。
【請求項３０】
前記コモン電極の各歯は酸化インジウムスズ（ITO）であることを特徴とする請求項２３に記載の電極アレイ構造。
【請求項３１】
前記画素電極の各歯は酸化インジウムスズ（ITO）であることを特徴とする請求項２３に記載の電極アレイ構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、インプレーンスイッチLCD（In−Plane  Switching、IPS-LCD）に関するものであって、特に、IPS−LCDの電極アレイ構造とその形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶ディスプレイは液晶分子の方向により分類される。公知のねじれネマティックLCD（twisted  nematic  LCD、TN-LCD）において、液晶分子は２つの基板間でねじれている。対照的に、IPS−LCDにおいて、コモン電極と画素電極は下のガラス基板（TFT基板）上に形成され、横電界が形成されて、横電界間で液晶分子が再度配列される。したがって、IPS-LCDは視角、コントラスト比及び色ずれ（color  shift）を改善するのに用いられる。
【０００３】
IPS-LCDにおいて、輝度反転の視角のディスプレイ特徴が優れている。しかし、図１で示されるように、液晶分子１が横電界で４５°に回転する時、コモン電極２と画素電極３の縦方向に対して、４５°又は１３５°方向から見えるイメージが青や黄色に着色する。これは、IPS−LCDの画質で解決されるべき問題である。
【０００４】
色ずれを解決するために、公知技術では、へリンボン型電極構造（herringbone−shaped  electrode  structure）が展開され、液晶分子の回転角度を調整する。図２で示されるように、公知のIPS-LCDにおいて、TFT基板１０は、Y軸方向に延伸した複数の平行なデータライン１２と、X軸方向に延伸した複数の平行なゲートライン１４とを備え、画素区域２４のマトリクスを形成するように配置される。また、くし型画素電極１８とへリンボン型コモン電極２０が各画素区域２４に配置され、少なくとも一つのTFT装置１６はデータライン１２とゲートライン１４の交差点に配置される。更に、オリエンテーション層（orientation  layer）（図示しない）がTFT基板１０の全表面に拡張して、オリエンテーション層は矢印Aの方向に摩擦され、外部電圧がTFT基板１０に加えられる前、液晶分子２２を矢印A方向に配列させる。
【０００５】
くし型画素電極１８は、ゲートライン１４に配置され、コンデンサを形成するバー１８ａと、バー１８ａからＹ軸方向に延伸した複数の連続鋸歯１８ｂ、１８ｃと、からなる。へリンボン型コモン電極２０はX軸方向に延伸した中央配線部２０ａと、中央配線部２０ａで彎曲し、第一Y軸方向と第二Y軸方向に延伸した複数の骨２０ｂ、２０ｃと、を備える。例えば、第一Y軸方向に延伸した骨２０ｂは、歯１８ｂに並列に接続され、骨２０ｂは、歯１８ｂ、１８ｃ間に配列される。
【０００６】
TFT基板１０に外部電圧が加えられる時、横電界は骨２０ａ、２０ｂと歯１８ｂ、１８ｃとの間に形成され、液晶分子２２を横電界の方に回転させる。コモン電極２０の中央配線部２０ａを識別とし、画素区域２４は第一サブ画素区域２４１と第二サブ画素区域２４２とに分割し、中央配線部２０ａに近接する液晶分子２２ａと２２ｂは、それぞれ、反時計回りと時計回りに回転する。第一サブ画素区域２４１において、骨２０ｂ、２０ｃ及び歯１８ｂ、１８ｃは同じ鋸歯側壁を備え、鋸歯側壁の杭先に近接する液晶分子２２ａと２２ａ’も、それぞれ、反時計回りと時計回りに回転する。これにより、２つのドメインが第一サブ画素区域２４１に形成される。同様に、液晶分子２２ｂと２２ｂ’も、それぞれ、反時計回りと時計回りに回転し、第二サブ画素区域２４２に２つのドメインが形成される。更に、鋸歯側壁は、液晶分子２２の主軸の回転角度に対応する横電界の特定の傾斜の原因となる。好ましくは、液晶分子２２の回転角度θは、０°＜θ≦＋６０°又は、−６０≦θ＜０°を満たし、着色現象を回避する。
【０００７】
しかし、鋸歯側壁の尖り部分に位置する液晶分子２２、即ち、分離したサブ画素区域の２つのドメインは、異なる方向に回転する分子２２により押され、分離した２つのドメイン上に位置する液晶分子２２は回転を中止する。電源がTFT基板１０に提供された後、コモン電極２０と画素電極１８が非透光性であり、液晶分子２２が回転できず、鋸歯側壁の尖り部分に位置する点線I−I及びII−IIは暗線を表す。これにより、IPS-LCDの開口率は減少する。特に、鋸歯側壁の尖り部分に位置する液晶分子２２が増加する時、暗線の数は対応して増加し、これにより、開口率も更に減少する。よって、上述の問題を解決するIPS-LCDの電極アレイ構造が必要とされる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、電極アレイ構造とその形成方法を提供し、液晶分子の回転角度を改善し、これにより、着色現象の解消とIPS−LCDの開口率の増加を達成する。
【０００９】
本発明は、電極の∠字型側壁を提供して、液晶分子の回転角度を改善することを目的とする。
本発明は、液晶分子の回転角度θを、０°＜θ≦＋６０°又は、−６０≦θ＜０°を満たすようにすることをもう一つの目的とする。
【００１０】
本発明は着色現象を解決することを更なる目的とする。
本発明は、IPS-LCDの開口率を増加させることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
IPS−LCD画素区域において、電極アレイ構造は、第一縦方向に延伸したくし型コモン電極の複数の歯と、第二縦方向に延伸したくし型画素区域の複数の歯と、からなり、画素電極の各歯は、コモン電極の近接した歯間に配置される。
【００１２】
第一実施形態において、コモン電極の複数の歯は長方形で、画素電極の複数の歯は、台形又は逆台形の縦のリンクにより形成された連続L字型側壁を備える。
第二実施形態において、画素電極の複数の歯は長方形で、コモン電極の複数の歯は、台形又は逆台形の縦のリンクにより形成された連続L字型側壁を備える。
【００１３】
第三実施形態において、画素電極の複数の歯は台形の縦のリンクにより形成され、コモン電極の複数の歯は逆台形の縦のリンクにより形成される。
【００１４】
【発明の実施の形態】
（第一実施形態）
上述した本発明の目的、特徴、及び長所をより一層明瞭にするため、以下に本発明の好ましい実施の形態を挙げ、図を参照にしながらさらに詳しく説明する。
【００１５】
図３及び図４は本発明の第一実施形態によるIPS−LCDの電極アレイ構造の平面図である。画素区域２６で、くし型コモン電極（comb−shaped  common  electrode）２８はバー２８ａと３つの歯２８ｂ、２８ｃ、２８ｄを備え、くし型画素電極（comb−shaped  electrode electrode）３０はバー３０ａと２つの歯３０ｂ、３０ｃを備える。２つの歯３０ｂ、３０ｃは、３つの歯２８ｂ、２８ｃ、２８ｄ間で、間を置いて配置され、画素区域２６は、４つのサブ画素区域２６１、２６２、２６３、２６４に分割される。図３で示されるように、画素電極３０の各歯３０ｂ、３０ｃは、複数の台形の縦方向のリンクにより形成され、連続∠型側壁を表し、クリスマスツリーのような形状を表す。台形の上辺D１と下辺D２は、D２＝D１の場合を除いて、D２≦｜D１±50μm｜の式を満たす。
【００１６】
電圧がIPS−LCDに加えられる前、液晶分子３２は矢印Ａで示される方向に配列し、これにより、液晶分子３２の主軸はコモン電極２８の歯２８ｂ、２８ｃ、２８ｄに平行である。電圧がIPS−LCDに加えられた後、横電界（in−plane electric field）はコモン電極２８の歯２８ｂ、２８ｃ、２８ｄと画素電極３０の歯３０ｂ、３０ｃとの間に形成され、その後、液晶分子３２は横電界の方向に回転する。例えば、第一サブ画素区域２６１に位置する液晶分子３２ａは、反時計回りに回転し、点線の分子３２ａ’になる。これにより、画素電極３０の歯３０ｂは、分離した２つのドメインとなる。同様に、第三サブ画素区域２６３と第四サブ画素区域２６４のなかで、画素電極３０の歯３０ｃは、分離した２つのドメインとなる。連続∠字型側壁は横電界の一定の傾斜を有し、液晶分子３２の主軸の回転角度に対応し、液晶分子３２の回転角度θは、０°＜θ≦＋６０°又は、−６０≦θ＜０°を満たし、着色現象を回避する。
【００１７】
この他、画素電極３０の歯３０ｂ、３０ｃ上に位置する液晶分子３２、即ち、分離した２つのドメインは、異なる方向に回転する分子３２により押され、これにより、歯３０ｂ、３０ｃ上に位置する液晶分子３２は回転を中止し、暗線を表す。しかし、画素電極３０は透明材質ではなく、画素電極３０の歯３０ｂ、３０ｃ上で表される暗線はIPS−LCDの開口率（aperture）を更に減少させる。画素電極３０が透明材質からなる場合、IPS−LCDの開口率は増加する。
【００１８】
上述の電極アレイ構造によると、画素電極３０の歯３０ｂ、３０ｃの形状は、図４で示されるように、更に変更される。２つの近接した台形間に、長方形の接続部が配置される。
【００１９】
以下、図３で示される電極アレイ構造の変更例を表すTFT構造の平面図である。
図５は図３で示される電極アレイ構造の第一変更例のTFT基板の平面図である。第一変更例において、TFT基板は、縦方向に延伸した複数の並列データライン３６と、横に延伸した複数の並列ゲートライン３４と、を備え、画素区域４２のマトリクスを形成する。また、くし型コモン電極３８とくし型第一画素電極４０は各画素区域４２に位置する。くし型コモン電極３８はバー３８ａと３つの長方形歯３８ｂ、３８ｃ、３８ｄを備え、くし型第一画素電極４０はバー４０ａと２つの長方形歯４０ｂ、４０ｃを備える。２つの歯４０ｂ、４０ｃは３つの歯３８ｂ、３８ｃ、３８ｄ間に位置し、画素区域４２は４つのサブ画素区域４２１、４２２、４２３、４２４に分割される。更に、TFT装置４４は、ゲートライン３４の所定領域に位置し、ドレイン電極は電気的に第一画素電極４０のバー４０ａに接続され、ソース電極はデータライン３６の延伸領域３６ａに電気的に接続し、チャネルはドレイン電極とソース電極との間に位置する。
【００２０】
この他、第二画素電極４６が第一画素電極４０の長方形歯４０ｂ、４０ｃに形成され、保護層（図示しない）が第一画素電極４０と第二画素電極４６との間に挟まれる。酸化インジウムスズ（indium tin oxide、ITO）又は他の透明導電材料からなる第二画素電極４６は、複数の特定の台形の縦リンクにより形成され、連続∠字型側壁を有する。
【００２１】
台形の上辺D１と下辺D２は、D２＝D１の場合を除いて、D２≦｜D１±50μm｜の式を満たす。連続∠字型側壁は横電界の一定の傾斜を表し、液晶分子の主軸の回転角度に対応するため、液晶分子の回転角度は好ましく制御され、着色現象を回避する。また、第一画素電極４０は透明材質ではなく、第一画素電極４０の歯４０ｂ、４０ｃ上で表される暗線は、IPS−LCDの開口率（aperture）を更に、減少させない。更に、第二画素電極４６は透明材質からなり、IPS−LCDの開口率を増加することができる。
【００２２】
図６は、図３で示される電極アレイ構造の第二変更例を表すTFT基板の平面図である。
図５で示される電極アレイ構造と比較して、図６で示される第二変更例において、第一画素電極４０の歯４０ｂ、４０ｃのパターンと、第二画素電極４６のパターンは交換される。第一画素電極４０の歯４０ｂ、４０ｃは特定の台形の縦のリンクにより形成されて、連続∠字型側壁を形成し、第二画素電極４６は長方形になるように形成される。これも、着色現象を回避し、開口率を増加させることができる。
【００２３】
図７は図３で示される電極アレイ構造の第三変更例を表すTFT構造の平面図である。図６で示される電極アレイ基板と比較すると、図７で示される第三変更例で、第二画素電極４６の製造は省略される。第一画素電極４０の歯４０ｂ、４０ｃが形成され、歯４０ｂ、４０ｃは連続∠字型側壁を形成する。これも、着色現象を回避し、開口率を増加させることができる。
【００２４】
図８は図３で示される電極アレイ構造の第四変更例を表すTFT構造の平面図である。図７で示される電極アレイ構造は煩雑な製造工程と製造コストを減少させることができるが、不透明材料の第一画素電極４０は、歯４０ｂ、４０ｃがクリスマスツリー形状を形成する時、更に多くの領域を占領し、これにより、開口率を減少させる。この問題を解決するため、図８で示されるように、第四変更例において、第一画素電極４０の製造は省略され、第二画素電極４６のパターンは図７で示される第一画素電極４０のパターンと同様に形成される。これにより、第二画素電極４６はバー４６ａ、連続∠字型側壁を備える２つの歯４６ｂ、４６ｃを備える。これも、着色現象を回避し、開口率を増加させることができるだけでなく、IPS−LCDの開口率を更に増加させる。
【００２５】
（第二実施形態）
図９及び図１０は本発明の第二実施形態によるIPS−LCDの電極アレイ構造を表す平面図である。画素区域２６において、図９で示される電極アレイ構造は、画素電極３０の歯３０ｂ、３０ｃを除いて、図３で示される電極アレイ構造とほぼ同じである。第二実施形態において、図９で示されるように、画素電極３０の歯３０ｂ、３０ｃは複数の逆台形の縦のリンクにより形成されて、逆クリスマスツリー形状を有する。逆台形の上辺D2と下辺D1は、D２＝D１の場合を除いて、D２≦｜D１±50μm｜の式を満たす。着色現象を回避し、開口率を増加させることができるだけでなく、IPS−LCDの開口率を更に増加させる。また、図１０で示されるように、画素電極３０の歯３０ｂ、３０ｃの形状は変更され、２つの近接した逆台形間に長方形の接続部が配置される。更に、図５〜図８で示される４つの変更例によると、画素電極３０の歯３０ｂ、３０ｃは、第一電極層と第二電極層を好ましい配置にすることにより形成される。
【００２６】
（第三実施形態）
図１１及び図１２は、本発明の第三実施形態によるIPS−LCDの電極アレイ構造の平面図である。図３で示される第一実施形態の電極アレイ構造と比較して、第三実施形態の画素区域２６では、コモン電極２８の歯２８ｂ、２８ｃ、２８ｄのパターンと画素電極３０の歯３０ｂ、３０ｃのパターンとが互いに交換される。これにより、コモン電極２８の歯２８ｂ、２８ｃ、２８ｄは特定の台形の縦のリンクにより形成されて、連続∠字型側壁を有し、電極３０の歯３０ｂ、３０ｃは長方形として形成される。着色現象を回避し、開口率を増加させることができる。また、コモン電極２８の歯２８ｂ、２８ｃ、２８ｄの形状は変更され、２つの台形間に長方形の接続部が配置される。更に、図１２で示されるように、コモン電極２８の歯２８ｂ、２８ｃ、２８ｄの形状は変更されて、逆クリスマスツリー形状を有する。逆台形は縦にリンクして、歯２８ｂ、２８ｃ、２８ｄを形成する。更に、図５〜図８で示される４つの変更例によると、コモン電極２８の歯２８ｂ、２８ｃ、２８ｄは、第一電極層と第二電極層を好ましい配置にすることにより形成される。
【００２７】
（第四実施形態）
図１３及び図１４は本発明の第四実施形態によるIPS−LCDの電極アレイ構造の平面図である。第四実施形態の画素区域２６において、電極アレイ構造は第一、第二、第三実施形態を集成したものである。図１３で示されるように、コモン電極２８の歯２８ｂ、２８ｃ、２８ｄのパターンが逆クリスマスツリー形状に形成される時、画素電極３０の歯３０ｂ、３０ｃのパターンがクリスマスツリー形状に形成される。或いは、図１４で示されるように、コモン電極２８の歯２８ｂ、２８ｃ、２８ｄのパターンがクリスマスツリー形状に形成される時、画素電極３０の歯３０ｂ、３０ｃのパターンが逆クリスマスツリー形状に形成される。これにより、着色現象を回避し、開口率を増加させることができる。
【００２８】
コモン電極２８の歯２８ｂ、２８ｃ、２８ｄの形状と画素電極３０の歯３０ｂ、３０ｃは変更される。２つの近接した台形間に長方形の接続部が配置される。更に、図５〜図８で示される４つの変更例によると、コモン電極２８の歯２８ｂ、２８ｃ、２８ｄと画素電極３０の歯３０ｂ、３０ｃは、第一電極層と第二電極層を好ましい配置にすることにより形成される。
【００２９】
（第五実施形態）
図１５は本発明の第五実施形態によるIPS−LCDの電極アレイ構造の平面図である。第五実施形態の画素区域２６において、電極アレイ構造は第四実施形態を集成したもので、コモン電極２８の歯２８ｂ、２８ｃ、２８ｄは複数の台形の縦のリンクにより形成され、画素電極３０の各歯３０ｂ、３０ｃは複数の逆台形の縦のリンクにより形成される。更に、コモン電極２８の歯２８ｂ、２８ｃ、２８ｄの台形の数は、画素電極３０の各歯３０ｂ、３０ｃの逆台形の数と等しくない。
【００３０】
例えば、画素電極３０の各歯３０ｂの台形の一つは、コモン電極２８の歯２８ｂの近接した２つの逆台形である。これにより、画素電極３０の各歯３０ｂとコモン電極２８の歯２８ｂとの間の横の距離は縦方向と異なり、均一的でない電界になる。他の実施形態において、画素電極３０の各歯３０ｂの台形の一つは、コモン電極２８の歯２８ｂの２つの逆台形より、更に近接する。
【００３１】
第二サブ画素区域２６２において、外部電圧が加えられる時、最小の横の距離は、∠字型歯２８ｃの点と歯３０ｂの側壁との間に現れ、これにより、高い電界は∠字型歯２８ｃの点近くに形成される。また、最大の横の距離は歯２８ｃの平行側壁と歯３０ｂとの間に現れ、これにより、低い電界が∠字型形状の点から離れて形成される。
【００３２】
電界の相違はゼロではないこと（電場勾配 （electric   field   gradient）と呼ばれる）により、第二サブ画素区域２６２に均一でない電界が現れる。外部電圧が増加して駆動電圧より小さい所定電圧に達する時、大きい電界で配置された液晶分子３２ａは回転を開始し、小さい電界に配置される液晶分子３２ｂ又は３２ｃはそのままである。その後、外部電圧が継続的に増加するに連れて、液晶分子３２ａの回転角度は増加し、弾性破壊力（elastic  distorted  energy）が形成されて、弾性破壊力を上下方向の液晶分子３２ｂ、３２ｃに転送する。弾性破壊力と低電界の結合により、液晶分子３２ｂと３２ｃを回転させる。好ましくは、液晶分子の回転角度θは０°＜θ＜２０°である。各サブ画素区域の均一的な電界を用いた公知技術と比べると、サブ画素区域２６２の非均一電界は、起動電圧、駆動電圧とIPS−LCDのスイッチング時間を減少させる。
【００３３】
本発明では好ましい実施形態を前述の通り開示したが、これらは決して本発明に限定するものではなく、当該技術を熟知する者なら誰でも、本発明の精神と領域を脱しない範囲内で各種の変更を加えることができ、従って本発明の保護範囲は、特許請求の範囲で指定した内容を基準とする。
【００３４】
【発明の効果】
液晶分子の回転角度を改善し、着色現象の解消とIPS−LCDの開口率の増加を達成する。
【図面の簡単な説明】
【図１】視角に対応するカラーイメージを示す平面図である。
【図２】公知のIPS-LCDの電極アレイ構造の平面図である。
【図３】本発明の第一実施形態によるIPS-LCDの電極アレイ構造の平面図である。
【図４】同じく第一実施形態によるIPS-LCDの電極アレイ構造の平面図である。
【図５】図３で示される電極アレイ構造の第一変更例を表すTFT構造の平面図である。
【図６】図３で示される電極アレイ構造の第二変更例を表すTFT構造の平面図である。
【図７】図３で示される電極アレイ構造の第三変更例を表すTFT構造の平面図である。
【図８】図３で示される電極アレイ構造の第四変更例を表すTFT構造の平面図である。
【図９】本発明の第二実施形態によるIPS-LCDの電極アレイ構造の平面図である。
【図１０】同じく第二実施形態によるIPS-LCDの電極アレイ構造の平面図である。
【図１１】本発明の第三実施形態によるIPS-LCDの電極アレイ構造の平面図である。
【図１２】同じく第三実施形態によるIPS-LCDの電極アレイ構造の平面図である。
【図１３】本発明の第四実施形態によるIPS-LCDの電極アレイ構造の平面図である。
【図１４】同じく第四実施形態によるIPS-LCDの電極アレイ構造の平面図である。
【図１５】本発明の第五実施形態によるIPS-LCDの電極アレイ構造の平面図である。
【符号の説明】
２６…画素区域、
２８…コモン電極、
３０…画素電極
３２…液晶分子、
３４…ゲートライン、
３６…データライン、
３８…コモン電極、
４０…第一画素電極、
４２…画素区域、
４４…TFT素子、
４６…第二画素電極、
２６１、２６２、２６３、２６４…サブ画素区域、
４２１、４２２、４２３、４２４…サブ画素区域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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