(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
目的図形とは異なる形状を有する補正対象図形に近接効果補正を行う方法であって、
前記補正対象図形の辺の所定箇所から一定距離内に位置する前記目的図形の辺に、複数の光強度サンプリング点を発生させる工程と、
前記複数の光強度サンプリング点における、光強度計算値と目的光強度値との相違に基づき、前記辺の移動距離を求める工程と、
前記求められた前記移動距離だけ、前記補正対象図形の前記辺を移動させる工程と
を含むことを特徴とする近接効果補正方法。
【請求項２】
前記移動距離を求める工程は、
前記補正対象図形の前記辺を移動させない状態において、前記複数の光強度サンプリング点における前記光強度計算値を算出する第１の算出工程と、
所定距離だけ前記補正対象図形の前記辺を移動させた状態において、前記複数の光強度サンプリング点における前記光強度計算値を算出する第２の算出工程と、
前記第１の算出工程及び前記第２の算出工程の結果に基づき、任意の移動量における光強度値を近似する近似式を求める工程と
を含むことを特徴とする請求項１に記載の近接効果補正方法。
【請求項３】
前記第２の算出工程においては、前記辺を第１の方向に平行移動させた位置と、前記辺を前記第１の方向とは反対方向の第２の方向に平行移動させた位置における前記光強度計算値を算出し、
前記近似式は、前記辺の移動前、前記第１の方向への移動後、前記第２の方向への移動後の３つの状態における前記光強度計算値に基づいて、２次式で表されることを特徴とする請求項２に記載の近接効果補正方法。
【請求項４】
前記移動距離を求める工程においては、
前記複数の光強度サンプリング点における前記光強度計算値と前記目的光強度値との差分に、前記各光強度サンプリング点の重み係数を乗じた値に基づき、前記移動距離を求めることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の近接効果補正方法。
【請求項５】
前記重み係数は、以下の式（１）から式（５）のいずれかで表されることを特徴とする請求項４に記載の近接効果補正方法。
Ｗ（ｎ）＝１−ｒ／Ｒ                    ・・・（１）
Ｗ（ｎ）＝２−ｒ／Ｒ                    ・・・（２）
Ｗ（ｎ）＝１−（ｒ／Ｒ）2 ・・・（３）
Ｗ（ｎ）＝（１−ｒ／Ｒ）Ｗc ・・・（４）
ｄ＞０．０５の場合、Ｗc＝１
ｄ≦０．０５の場合、Ｗc＝０
Ｗ（ｎ）＝（１−ｒ／Ｒ）・Ｗc1・Ｗc2 ・・・（５）
ｄ1≧０．０５の場合、Ｗc1＝１
ｄ1＜０．０５の場合、Ｗc1＝ｄ1／０．０５
ｄ2≧０．０３の場合、Ｗc2＝１
ｄ2＜０．０３の場合、Ｗc2＝ｄ2／０．０３
ここで、Ｗ（ｎ）は前記重み係数、Ｒは前記辺の所定箇所からの距離、ｒは前記辺の中心から前記光強度サンプリング点までの距離の絶対値、ｄは角部から前記光強度サンプリング点までの距離の絶対値、ｄ1は凸部の角から前記光強度サンプリング点までの距離の絶対値、ｄ2は凹部の角から前記光強度サンプリング点までの距離の絶対値をそれぞれ示す。
【請求項６】
Ｅ＝Σmn=1Ｗ（ｎ）｛Ｉ（ｎ，ｘ）−ｔ｝2
で表されるエラー量Ｅが最小となるように前記移動量が決定されることを特徴とする請求項５に記載の近接効果補正方法。
ここで、ｘは前記辺の前記移動距離、Ｉ（ｎ，ｘ）は前記近似式、ｔは前記目的光強度値、ｍは前記光強度サンプリング点の総数をそれぞれ示す。
【請求項７】
目的図形とは異なる形状を有する補正対象図形に近接効果補正を行うに際して、
前記補正対象図形の辺の所定箇所から一定距離内に位置する前記目的図形の辺に、複数の光強度サンプリング点を発生させる工程と、
前記複数の光強度サンプリング点における、光強度計算値と目的光強度値との相違に基づき、前記辺の移動距離を求める工程と、
前記求められた前記移動距離だけ、前記補正対象図形の前記辺を移動させる工程と
をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項８】
前記移動距離を求める工程は、
前記補正対象図形の前記辺を移動させない状態において、前記複数の光強度サンプリング点における前記光強度計算値を算出する第１の算出工程と、
所定距離だけ前記補正対象図形の前記辺を移動させた状態において、前記複数の光強度サンプリング点における前記光強度計算値を算出する第２の算出工程と、
前記第１の算出工程及び前記第２の算出工程の結果に基づき、任意の移動量における光強度値を近似する近似式を求める工程と
を含むことを特徴とする請求項７に記載のプログラム。
【請求項９】
前記第２の算出工程においては、前記辺を第１の方向に平行移動させた位置と、前記辺を前記第１の方向とは反対方向の第２の方向に平行移動させた位置における前記光強度計算値を算出し、
前記近似式は、前記辺の移動前、前記第１の方向への移動後、前記第２の方向への移動後の３つの状態における前記光強度計算値に基づいて、２次式で表されることを特徴とする請求項８に記載のプログラム。
【請求項１０】
前記移動距離を求める工程においては、
前記複数の光強度サンプリング点における前記光強度計算値と前記目的光強度値との差分に、前記各光強度サンプリング点の重み係数を乗じた値に基づき、前記移動距離を求めることを特徴とする請求項７〜９のいずれか１項に記載のプログラム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、リソグラフィーによりマスクパターンの露光を行う際に近接効果補正を行う装置、方法、記憶媒体及びプログラムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近時における半導体回路の微細化の要請は益々増大しており、これに伴って近接効果の影響が無視できないものとなっている。この近接効果の影響により設計通りの半導体回路を製造できないという問題が生じている。そこで、近接効果の影響を事前に把握し、所望の寸法を得ることができるように予め設計データに変更を施す近接効果補正と称される処理が行われている。
【０００３】
従来の近接効果補正処理は、補正対象となる図形の辺において、垂直方向に計算した隣接する辺までの距離や、辺の属する図形の大きさ及び更にその先にある辺までの距離などを計算し、これらの値に対応する近接効果補正ルールを定義することで対処してきた。
【０００４】
しかしながら、補正ルールの定義には限界があり、複雑な形状などはルールで表すことが困難であることから、近時では、マスクパターンの複雑な配置状況においても十分な補正効果を得る手段として、シミュレータの活用が考えられている。
【０００５】
シミュレータを用いた近接効果補正を行う際には、補正対象図形を含むある一定の領域について最初に光強度分布を求めて利用するのが一般的である。なお、算出された光強度分布は離散的なものであるため、必要な点についての光強度値は直線補間により求めることになる。
【０００６】
光強度分布を求める際に、最初にマスクパターンのフーリエ変換像を求め、次に高速フーリエ変換（ＦＦＴ）と呼ばれる処理を行って光強度分布を求める。１次元ＦＦＴを行う場合の処理演算回数Ｔ1は以下の式で表される。
【０００７】
Ｔ1＝Ｎｌｏｇ2（Ｎ）
ここで、Ｎは光強度分布を求める点の格子数である、例えば、Ｎ＝８のとき、Ｔ1＝２４となる。実際に光強度分布を求める際の格子数は、０．０１μｍ刻みで３μｍの範囲を考えれば、Ｎ＝３００となる。ここで、ＦＦＴを使用する際に、Ｎは２のベキ乗である必要があるので、Ｎ＝２５６，５１２などの数を使用することになる。
【０００８】
他方、２次元ＦＦＴを行う際の処理演算回数Ｔ2は以下の式で表される。
Ｔ2＝Ｎ3ｌｏｇ2（Ｎ）
ここで、格子数が２５６×２５６の光強度分布を求める際に必要となる計算回数Ｔ2は、１．３×１０8となる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように、シミュレータを用いればその都度の露光結果をシミュレートして最適な近接効果補正形状を導き出すことが可能であるが、その反面、補正処理に長時間を要するという問題があり、膨大な設計データのすべての領域についてその光強度分布を求めるのは処理時間の面で非現実的である。
【００１０】
更には、補正対象図形が所望の形状を表していない場合には、適切な近接効果補正を行う何等の手法も案出されていない現況にある。
【００１１】
本発明は、前記課題に鑑みてなされたものであり、補正対象図形が所望の形状（目的図形）と一致する場合のみならず、補正対象図形が所望の形状と異なる場合にも、極めて短時間で正確且つ簡易に近接効果を補正し、半導体素子の更なる微細化の要請に応え、信頼性の高い半導体装置を製造することを可能とする近接効果補正装置、方法、記憶媒体及びプログラムを提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、鋭意検討の結果、以下に示す発明の諸態様に想到した。
【００１３】
本発明は、リソグラフィーによりマスクパターンの露光を行う際に、自動的に近接効果を補正する装置、方法、記憶媒体及びプログラムを対象とする。
【００１４】
本発明の近接効果補正方法は、目的図形とは異なる形状を有する補正対象図形に近接効果補正を行なう方法であって、前記補正対象図形の辺の所定箇所から一定距離内に位置する前記目的図形の辺に、複数の光強度サンプリング点を発生させる工程と、前記複数の光強度サンプリング点における、光強度計算値と目的光強度値との相違に基づき、前記辺の移動距離を求める工程と、前記求められた前記移動距離だけ、前記補正対象図形の前記辺を移動させる工程とを含む。
【００１５】
本発明のプログラムは、目的図形とは異なる形状を有する補正対象図形に近接効果補正を行なうに際して、前記補正対象図形の辺の所定箇所から一定距離内に位置する前記目的図形の辺に、複数の光強度サンプリング点を発生させる工程と、前記複数の光強度サンプリング点における、光強度計算値と目的光強度値との相違に基づき、前記辺の移動距離を求める工程と、前記求められた前記移動距離だけ、前記補正対象図形の前記辺を移動させる工程とをコンピュータに実行させるものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】
−本発明の基本骨子−
本発明者は、近接効果補正を行う際に、求めた光強度分布すべての情報が必要ではないことに着目した。そこで本発明では、光強度分布を求めることなく、光強度値が必要な点、即ち、予め規定された規定値に基づき、補正対象図形における縁部間の距離が規定値以下である個所の近傍に存する点のみについて、補間計算なしで直接に光強度値を算出することを基本骨子とする。
【００１８】
ここで、ＦＦＴ処理する直前のスペクトルをＳ（ｎ，ｍ）とし、光強度値が必要となる点の座標を（ｘ，ｙ）、ｐxを一定の領域におけるｘ方向幅、ｐyをそのｙ方向幅とすれば、その点の光強度値Ｉ（ｘ，ｙ）は以下の式で求めることができる。
Ｉ（ｘ，ｙ）
＝ΣnΣmｅｘｐ［−ｉ2π｛（ｎｘ／ｐx）＋（ｍｙ／ｐy）｝・Ｓ（ｎ，ｍ）
【００１９】
１点の光強度値を求める為の計算回数Tpは、
Tp＝N2
である。例えば１次元の処理において、近接効果補正を行う際に必要となる光強度値の算出点数をNiとすれば、以下の式が満たされている場合に従来の手法よりも高速処理が可能となる。
Ni＜Ｎｌｏｇ2（Ｎ）
【００２０】
例えば図１に示すように、補正対象図形が４角形の場合、近接効果補正を行う際に必要となる光強度値は注目する各辺の近傍の約２０点であり、上記の条件を満たし、高速の近接効果補正処理が実現する。また、本発明を使用すれば補間計算を必要としないため、高精度の計算結果を得ることが可能である。
【００２１】
−具体的な諸実施形態−
以下、上述した本発明の基本骨子を踏まえ、本発明を適用した具体的な諸実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
以下の各実施形態における近接効果補正装置は、補正対象図形における近接効果に補正に必要な特定部位近傍のみの光強度値を算出し、この光強度値に基づいて補正対象図形を補正する手段を主構成要素としている。
【００２２】
（第１の実施形態）
本実施形態では、リソグラフィーによりマスクパターンの露光を行う際、補正対象図形がマスクパターンを露光して実現したい所望の形状（目的図形）と一致する場合の、近接効果補正を対象とする。
【００２３】
図２は、本実施形態による近接効果補正装置の概略構成を示すブロック図である。
この近接効果補正装置は、予め規定された規定値に基づき、所望の形状の図形における縁部間の距離が規定値以下である個所の近傍に存する補正対象図形の辺を近接効果の補正対象部位であると判断する補正対象部位決定手段１と、補正対象部位の近傍所定範囲内における所望の形状の図形上のみの光強度値を算出する光強度値算出手段２と、算出された光強度値により補正対象図形の各辺の最適移動量を決定する最適移動量決定手段３と、最適移動量に基づいて補正対象図形を補正する辺移動手段４とを備えて構成されている。
【００２４】
図３は、本実施形態による近接効果補正方法をステップ順に示すフローチャートである。
例えば、図４に示すような補正対象図形について近接効果補正を行う場合、先ず、予め規定された規定値に基づき、補正対象図形における縁部間の距離が規定値以下である個所を近接効果の補正対象部位であると判断する（ステップ１）。ここでは、補正個所１１〜１６が補正対象部位となる。ここで、前記規定値としては、例えば露光波長が０．２４８μmのときには０．２μm、０．１９３μmのときには０．１８μmが採用される。
【００２５】
続いて、補正対象部位１１〜１６の各々について、上述した手法により光強度値計算点上の光強度値Ｉ（ｘ，ｙ）を算出する（ステップ２）。
【００２６】
続いて、算出された光強度値により求まる光強度等高線の位置により補正対象辺１７〜２８の最適移動量を決定する（ステップ３）。ここでは便宜上、図５（ａ）に示すように補正対象図形（目的図形）が辺ａ，ｂ，ｃ，ｄで構成される４角形の場合を例に採り説明する。辺ａを補正しようとする場合、目的図形と光強度等高線の乖離量ｅを計算した後、辺の最適移動量ｆを決定する。同様のことを辺ｂ，ｃ，ｄについて行うことで全辺の最適移動量が定まる。
【００２７】
そして、全ての補正対象辺について最適移動量を求めた（ステップ４）後、当該最適移動量に基づいて補正対象辺を移動させ、補正対象図形を補正する（ステップ５）。図５（ｂ）に近接効果補正後の一例を示す。
【００２８】
本実施形態の近接効果補正方法により、図４の５μm×４μm領域の近接効果補正を要する辺についてその近傍３０点の光強度値を求めるための総処理時間は０．１秒であった。同様の領域について従来の手法により光強度分布を算出した場合には総処理時間に０．５秒を要し、本実施形態の近接効果補正方法により極めて高速の補正処理が実現することが判った。
【００２９】
以上説明したように、本実施形態によれば、補正対象図形である前記マスクパターンが所望の形状である場合に、極めて短時間で正確且つ簡易に近接効果を補正し、半導体素子の更なる微細化の要請に応え、信頼性の高い半導体装置を製造することが可能となる。
【００３０】
（第２の実施形態）
本実施形態では、リソグラフィーによりマスクパターンの露光を行う際、補正対象図形が補正対象図形がマスクパターンを露光して実現したい所望の形状（目的図形）と異なる場合の、近接効果補正を対象とする。
【００３１】
図６は、本実施形態による近接効果補正装置の概略構成を示すブロック図である。
この近接効果補正装置は、予め規定された規定値に基づき、所望の形状の図形における縁部間の距離が規定値以下である個所の近傍に存する補正対象図形の辺を近接効果の補正対象部位であると判断する補正対象部位決定手段１１と、補正対象部位の近傍所定範囲内における所望の形状の図形上のみの光強度値を算出する光強度値算出手段２と、算出された光強度値により補正対象図形の各辺の最適移動量を決定する最適移動量決定手段１３と、最適移動量に基づいて各辺を移動させ、補正対象図形を補正する辺移動手段１４とを備えて構成されている。
【００３２】
本例のように、補正対象図形が目的図形と異なる場合、第１の実施形態のように光強度等高線の乖離量を算出する手法では、図７に示すように、乖離量ｅと辺の移動量を対応づけることができない。
【００３３】
そこで本実施形態では、光強度等高線を用いずに以下のように近接効果補正を行う。
図８は、本実施形態による近接効果補正方法をステップ順に示すフローチャートである。
例えば、図９に示すように、補正対象図形２１と目的図形２２とが異なる場合について近接効果補正を行う場合、先ず、予め２種類の補正対象図形（補正後図形２３：全ての辺に−Δの補正を行った
場合、補正後図形２４：全ての辺に＋Δの補正を行った場合）を試行的に生成する（ステップ１１）
。
【００３４】
続いて、各辺の最適移動量を算出する。ここでは、辺ａを例に採って説明する。
辺ａの近傍における目的図形２２の辺上に光強度のサンプリング点ｓ（ｎ）を設定する（ステップ１２）。ここで、ｎは１〜１３とする。サンプリング点の間隔が所望の値以下になるようにサンプリングを決定する。例えば、辺の長さが０．１μmであり、サンプリング間隔を０．０３μm以下としたい場合の当該辺上におけるサンプリング数は最低４つ必要となる。辺の中心での光強度値を重視したい場合には当該辺上におけるサンプリング数は５となる。なお、経験的にはサンプリング間隔は０．１×λ／ＮＡ程度が好適であり、１辺上のサンプリング数は奇数を使用すると良い結果になることが判っている。ここで、λは露光波長、ＮＡは開口数である。
【００３５】
続いて、辺ａの中心からサンプリング点までの距離がＲ以内にあるサンプリング点のみ、即ちＳ（４）〜Ｓ（１０）を残し、３種類のマスク（補正後図形２３、補正対象図形２１、補正後図形２４）を用いた時の光強度値Ｉ（ｎ，ｘ）を計算して記憶する（ステップ１３）。ここで、ｎはサンプル番号、Ｘは辺の移動量である。また、経験的にはＲとしては０．１×λ／ＮＡ〜０．３×λ／ＮＡを用いることが好適である。この例においては、２１個の光強度値を計算する。
【００３６】
続いて、ステップ１３で算出した光強度値I（ｎ，ｘ）を用いて任意の移動量における光強度値を以下の式で近似する（ステップ１４）。ここで、ｎは１〜４とする。
I（ｎ，ｘ）＝Ａ（ｎ）・ｘ＋Ｂ（ｎ）・ｘ2＋Ｃ（ｎ）
この場合、１つのサンプリング点について３つの移動量（０，−Δ，＋Δ）についての光強度値が
判っているため、上記の２次式で近似することが可能となる。
【００３７】
続いて、光強度等高線との乖離量ｅの替わりに、エラー量Ｅを用いて、Ｅが最小になる辺の最適移動量ｘを求める（ステップ１５）。これは、辺を移動して解決しようとする場合、最良の辺移動量を与える。
Ｅ＝Σ10n=4Ｗ（ｎ）｛I（ｎ，ｘ）−ｔ｝2
ここで、ｔは目的の光強度値であり、乖離量を計算する光強度等高線の値と同じである。Ｗ（ｎ）はサンプリング点の持つ重み係数であり、以下の式で定義される。
Ｗ（ｎ）＝１−ｒ／Ｒ
ここで、ｒは辺の中心からサンプリング点までの距離の絶対値である、
【００３８】
なお、この重み係数を定義する式は固定されたものではなく補正しようとするパターン形状によっては変更する必要がある。例として以下のようなものも考えられる。
Ｗ（ｎ）＝２−ｒ／Ｒ
Ｗ（ｎ）＝１−（ｒ／Ｒ）2
【００３９】
辺同士の相互干渉が強い状況では、遠くのサンプリング点であっても大きい重み値を持つようにすると補正後の結果が良く、逆に相互依存が少ない場合には、近くのサンプリング点に大きい値を持たせるようにすると良い。なお、重み係数を決める関数の形は、０＜ｒ＜Ｒの間で常に減少させるようにすると補正後の図形形状に生じる微少な突起が少なくなることが判っている。
【００４０】
また、重み係数は角部に近いものほど小さな重みをもつようにすると、角部での過剰な補正を防ぐことができる、その場合の重み係数は以下のようになる。
Ｗ（ｎ）＝（１−ｒ／Ｒ）Ｗc
Ｗc＝１；ｄ＞０．０５
Ｗc＝０；ｄ≦０．０５
ここで、ｄは角部Ｃからサンプリング点までの距離の絶対値である。
【００４１】
また、図１０に示すように、凸部４１の角と凹部４２の角で異なる重みを持たせる場合には、
Ｗ（ｎ）＝（１−ｒ／Ｒ）・Ｗc1・Ｗc2
Ｗc1＝１；ｄ1≧０．０５
Ｗc1＝ｄ1／０．０５；ｄ1＜０．０５
Ｗc2＝１；ｄ2≧０．０３
Ｗc2＝ｄ2／０．０３；ｄ2＜０．０３
となる。
ここで、ｄ1は凸部４１の角からサンプリング点までの距離の絶対値、ｄ2は凹部４２の角からサンプリング点までの距離の絶対値である。
【００４２】
そして、全ての補正対象辺について最適移動量を求めた（ステップ１６）後、最適移動量に基づいて補正対象図形２１の各辺を移動させ、補正対象図形を補正する（ステップ１７）。
【００４３】
以上説明したように、本実施形態によれば、補正対象図形が所望の形状（目的図形）と異なる場合でも、極めて短時間で正確且つ簡易に近接効果を補正し、半導体素子の更なる微細化の要請に応え、信頼性の高い半導体装置を製造することが可能となる。
【００４４】
なお、上述した第１，第２の実施形態による近接効果補正装置を構成する各機能及び近接効果補正方法の各ステップ（ステップ１〜５、ステップ１１〜１７）は、コンピュータのＲＡＭやＲＯＭなどに記憶されたプログラムが動作することによって実現できる。このプログラム及び当該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体は本発明の実施形態に含まれる。
【００４５】
具体的に、前記プログラムは、例えばＣＤ−ＲＯＭのような記録媒体に記録し、或いは各種伝送媒体を介し、コンピュータに提供される。前記プログラムを記録する記録媒体としては、ＣＤ−ＲＯＭ以外に、フレキシブルディスク、ハードディスク、磁気テープ、光磁気ディスク、不揮発性メモリカード等を用いることができる。他方、上記プログラムの伝送媒体としては、プログラム情報を搬送波として伝搬させて供給するためのコンピュータネットワーク（ＬＡＮ、インターネットの等のＷＡＮ、無線通信ネットワーク等）システムにおける通信媒体（光ファイバ等の有線回線や無線回線等）を用いることができる。
【００４６】
また、コンピュータが供給されたプログラムを実行することにより上述の実施形態の機能が実現されるだけでなく、そのプログラムがコンピュータにおいて稼働しているＯＳ（オペレーティングシステム）あるいは他のアプリケーションソフト等と共同して上述の実施形態の機能が実現される場合や、供給されたプログラムの処理の全てあるいは一部がコンピュータの機能拡張ボードや機能拡張ユニットにより行われて上述の実施形態の機能が実現される場合も、かかるプログラムは本発明の実施形態に含まれる。
【００４７】
例えば、図１１は、一般的なパーソナルユーザ端末装置の内部構成を示す模式図である。この図１１において、１２００はコンピュータＰＣである。ＰＣ１２００は、ＣＰＵ１２０１を備え、ＲＯＭ１２０２またはハードディスク（ＨＤ）１２１１に記憶された、あるいはフレキシブルディスクドライブ（ＦＤ）１２１２より供給されるデバイス制御ソフトウェアを実行し、システムバス１２０４に接続される各デバイスを総括的に制御する。
【００４８】
以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【００４９】
（付記１）リソグラフィーによりマスクパターンの露光を行う際に、自動的に近接効果を補正する方法であって、
補正対象図形における近接効果に補正に必要な特定部位近傍のみの光強度値を算出し、前記光強度値に基づいて前記補正対象図形を補正することを特徴とする近接効果補正方法。
【００５０】
（付記２）リソグラフィーによりマスクパターンの露光を行う際、補正対象図形である前記マスクパターンが所望の形状である場合に、露光時に生じる近接効果を自動的に補正する方法であって、
予め規定された規定値に基づき、所望の形状の図形における縁部間の距離が規定値以下である個所の近傍に存する補正対象図形の辺を補正対象部位であると判断する第１の手順と、
前記補正対象部位の近傍のみの光強度値を算出する第２の手順と、
算出された前記光強度値に基づいて前記補正対象図形を補正する第３の手順と
を含むことを特徴とする近接効果補正方法。
【００５１】
（付記３）前記第３の手順において、算出された前記光強度値により求まる光強度等高線の位置から決定される辺の最適移動量に基づいて前記補正対象図形を補正することを特徴とする付記２に記載の近接効果補正方法。
【００５２】
（付記４）リソグラフィーによりマスクパターンの露光を行う際、補正対象図形である前記マスクパターンが所望の形状と異なる場合に、自動的に近接効果を補正する方法であって、
予め規定された規定値に基づき、所望の形状の図形における縁部間の距離が規定値以下である個所の近傍に存する補正対象図形の辺を近接効果の補正対象部位であると判断する第１の手順と、
前記補正対象部位の近傍所定範囲内における所望の形状の図形上のみの光強度値を算出する第２の手順と、
算出された前記光強度値に基づいて前記補正対象図形を補正する第３の手順と
を含むことを特徴とする近接効果補正方法。
【００５３】
（付記５）前記第３の手順において、算出された前記光強度値により前記補正対象図形の各辺の最適移動量を決定し、これに基づいて前記各辺を移動させ、前記補正対象図形を補正することを特徴とする付記４に記載の近接効果補正方法。
【００５４】
（付記６）リソグラフィーによりマスクパターンの露光を行う際に、自動的に近接効果を補正する装置であって、
補正対象図形における近接効果に補正に必要な特定部位近傍のみの光強度値を算出し、前記光強度値に基づいて前記補正対象図形を補正する手段を含むことを特徴とする近接効果補正装置。
【００５５】
（付記７）リソグラフィーによりマスクパターンの露光を行う際、補正対象図形である前記マスクパターンが所望の形状である場合に、露光時に生じる近接効果を自動的に補正する装置であって、
予め規定された規定値に基づき、所望の形状の図形における縁部間の距離が規定値以下である個所の近傍に存する補正対象図形の辺を補正対象部位であると判断する補正対象決定手段と、
前記補正対象部位の近傍のみの光強度値を算出する光強度値算出手段と、
算出された前記光強度値に基づいて前記補正対象図形を補正する補正手段と
を含むことを特徴とする近接効果補正装置。
【００５６】
（付記８）前記補正手段は、算出された前記光強度値により求まる光強度等高線の位置から決定される辺の最適移動量に基づいて前記補正対象図形を補正するものであることを特徴とする付記７に記載の近接効果補正装置。
【００５７】
（付記９）リソグラフィーによりマスクパターンの露光を行う際、補正対象図形である前記マスクパターンが所望の形状と異なる場合に、自動的に近接効果を補正する装置であって、
予め規定された規定値に基づき、所望の形状の図形における縁部間の距離が規定値以下である個所の近傍に存する補正対象図形の辺を近接効果の補正対象部位であると判断する補正対象部位決定手段と、
前記補正対象部位の近傍所定範囲内における所望の形状の図形上のみの光強度値を算出する光強度値算出手段と、
算出された前記光強度値に基づいて前記補正対象図形を補正する補正手段と
を含むことを特徴とする近接効果補正装置。
【００５８】
（付記１０）前記補正手段は、算出された前記光強度値により前記補正対象図形の各辺の最適移動量を決定し、これに基づいて前記各辺を移動させ、前記補正対象図形を補正するものであることを特徴とする付記９に記載の近接効果補正装置。
【００５９】
（付記１１）リソグラフィーによりマスクパターンの露光を行う際、補正対象図形である前記マスクパターンが所望の形状である場合に、露光時に生じる近接効果を自動的に補正するときに、
予め規定された規定値に基づき、所望の形状の図形における縁部間の距離が規定値以下である個所の近傍に存する補正対象図形の辺を補正対象部位であると判断する第１の手順と、
前記補正対象部位の近傍のみの光強度値を算出する第２の手順と、
算出された前記光強度値に基づいて前記補正対象図形を補正する第３の手順とをコンピュータに実行させるためのプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【００６０】
（付記１２）前記第３の手順において、算出された前記光強度値により求まる光強度等高線の位置から決定される辺の最適移動量に基づいて前記補正対象図形を補正することを特徴とする付記１１に記載のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【００６１】
（付記１３）リソグラフィーによりマスクパターンの露光を行う際、補正対象図形である前記マスクパターンが所望の形状と異なる場合に、自動的に近接効果を補正するときに、
予め規定された規定値に基づき、所望の形状の図形における縁部間の距離が規定値以下である個所の近傍に存する補正対象図形の辺を近接効果の補正対象部位であると判断する第１の手順と、
前記補正対象部位の近傍所定範囲内における所望の形状の図形上のみの光強度値を算出する第２の手順と、
算出された前記光強度値に基づいて前記補正対象図形を補正する第３の手順とをコンピュータに実行させるためのプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【００６２】
（付記１４）前記第３の手順において、算出された前記光強度値により前記補正対象図形の各辺の最適移動量を決定し、これに基づいて前記各辺を移動させ、前記補正対象図形を補正することを特徴とする付記１３に記載のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【００６３】
（付記１５）リソグラフィーによりマスクパターンの露光を行う際、補正対象図形である前記マスクパターンが所望の形状である場合に、露光時に生じる近接効果を自動的に補正するときに、
予め規定された規定値に基づき、所望の形状の図形における縁部間の距離が規定値以下である個所の近傍に存する補正対象図形の辺を補正対象部位であると判断する第１の手順と、
前記補正対象部位の近傍のみの光強度値を算出する第２の手順と、
算出された前記光強度値に基づいて前記補正対象図形を補正する第３の手順と
をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【００６４】
（付記１６）前記第３の手順において、算出された前記光強度値により求まる光強度等高線の位置から決定される辺の最適移動量に基づいて前記補正対象図形を補正することを特徴とする付記１５に記載のプログラム。
【００６５】
（付記１７）リソグラフィーによりマスクパターンの露光を行う際、補正対象図形である前記マスクパターンが所望の形状と異なる場合に、自動的に近接効果を補正するときに、
予め規定された規定値に基づき、所望の形状の図形における縁部間の距離が規定値以下である個所の近傍に存する補正対象図形の辺を近接効果の補正対象部位であると判断する第１の手順と、
前記補正対象部位の近傍所定範囲内における所望の形状の図形上のみの光強度値を算出する第２の手順と、
算出された前記光強度値に基づいて前記補正対象図形を補正する第３の手順と
をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【００６６】
（付記１８）前記第３の手順において、算出された前記光強度値により前記補正対象図形の各辺の最適移動量を決定し、これに基づいて前記各辺を移動させ、前記補正対象図形を補正することを特徴とする付記１７に記載のプログラム。
【００６７】
【発明の効果】
本発明によれば、補正対象図形が所望の形状（目的図形）と一致する場合のみならず、補正対象図形が所望の形状と異なる場合にも、極めて短時間で正確且つ簡易に近接効果を補正し、半導体素子の更なる微細化の要請に応え、信頼性の高い半導体装置を製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の基本骨子を説明するための模式図である。
【図２】第１の実施形態による近接効果補正装置の概略構成を示すブロック図である。
【図３】第１の実施形態による近接効果補正方法をステップ順に示すフローチャートである。
【図４】第１の実施形態による近接効果補正方法における一例を示す模式図である。
【図５】第１の実施形態による近接効果補正方法における一例を示す模式図である。
【図６】第２の実施形態による近接効果補正装置の概略構成を示すブロック図である。
【図７】補正対象図形が目的図形と異なる場合の不都合を説明するための模式図である。
【図８】第２の実施形態による近接効果補正方法をステップ順に示すフローチャートである。
【図９】第２の実施形態による近接効果補正方法における一例を示す模式図である。
【図１０】第２の実施形態において、凹凸部の角で異なる重みを持たせて近接効果補正を行う場合における凹凸部近傍の様子を示す模式図である。
【図１１】一般的なパーソナルユーザ端末装置の内部構成を示す模式図である。
【符号の説明】
１，１１  補正対象部位決定手段
２，１２  光強度値算出手段
３，１３  最適移動量決定手段
４，１４  辺移動手段
２１  補正対象図形
２２  目的図形
２３，２４  補正後図形
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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