(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に形成された金属リードと、該基板に搭載される半導体チップの電極とを金属線を用いて電気的に接続するプリントサーキットボードにおいて、
該プリントサーキットボードに形成されている金属リード表面全面に、ニッケルメッキ層と、金メッキ層との合計平均メッキ厚が０.２〜５.０μｍの範囲内にあり、かつ該ニッケルメッキ層の平均厚さと金メッキ層の平均メッキ厚との比が、４５：５５〜５：９５の範囲内にあるメッキ層が形成されてなり、金メッキ層の厚さが０．１〜２．５μmの範囲内にあると共に該金メッキ層の平均結晶粒径が０．０１〜０．５０μｍの範囲内にあることを特徴とするプリントサーキットボード。
【請求項２】
上記金メッキ層における金含有率が９０重量％以上であることを特徴とする請求項第１項記載のプリントサーキットボード。
【請求項３】
上記金属線が、金線、アルミニウム線および銅線よりなる群から選ばれる少なくとも１種類の金属線であることを特徴とする請求項第１項記載のプリントサーキットボード。
【請求項４】
上記半導体側電極と上記メッキされた金属リードとを、直径２５μｍの金線でワイヤーボンディングしたときに、該金線に張力をかけて半導体側電極と金線との接合部が破断に至る溶着強度および金線が破断に至る破断強度よりも、プリントサーキットボードの金属リードと金線とのワイヤーボンディング部の溶着強度が高いことを特徴とする請求項第１項記載のプリントサーキットボード。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の技術分野】
本発明は、デバイスに設けられた電極とプリントサーキットボード（ＰＣＢ）に設けられた金属リードとを、金線、アルミニウム線あるいは銅線などの金属線で電気的に接続するプリントサーキットボードに関する。さらに詳しくは本発明は、こうしたワイヤーボンディングにおいて、金線などの金属線と金属リードとの溶着強度を高くすることができるプリントサーキットボードに関する。
【０００２】
【従来技術】
半導体チップ（デバイス）を回路基板に実装する方法として、ワイヤーボンディング方式、ＴＡＢ方式、フリップチップ（ＦＣ）方式がある。ワイヤーボンディング方式は、デバイスに設けられた電極であるパッド（デバイス側電極）と外部端子であるリードとを極細の金線、アルミニウム線あるいは銅線で接続することにより、デバイスを基板に実装する方式であり、上記三方式の中では最も古くから実施されている方法であるが、実装の信頼性が高く、現在でもデバイスの実装に広く利用されている。
【０００３】
金線を用いたワイヤーボンディング方式について、図５に基づいて説明すると、半導体チップ１００には、デバイス側電極１０１が形成されており、このデバイス側電極１０１は、金線１０２によりプリントサーキットボード１２０に設けられたリード１２１と電気的に接続している。すなわち、デバイス側電極１０１およびリード１２１の上に、金線１０２を配置し、超音波および必要により熱をかけることにより、デバイス側電極１０１と金線１０２の一端部および金線１０２の他端部とリード１２１とがボンディングされ、結果としてデバイス１００をプリントサーキットボードに実装することができる。
【０００４】
このようなワイヤーボンディング方式におけるデバイス実装の欠陥は、理論的にデバイス側電極１０１と金線１０２とのボンディング不良（第１ポイント）、金線１０２とプリントサーキットボード１２０に設けられたリード１２１とのボンディング不良（第２ポイント）、および、金線１０２の断線（第３ポイント）に生ずる。金線の強度は使用する金銭の種類および太さなどによって決まる値であり、ワイヤーボンデリングにおいては、金線１０２の引っ張り強度よりも、ボンディング部の強度が高くなるようにボンディングの信頼性（ボンダビリティー）を高くすることが望まれている。
【０００５】
このような状況下により高いボンダビリティーを確保するためにプリントサーキットボードにも種々の改良がなされている。例えば、このプリントサーキットボードは、図６に示すように、絶縁性基板１３０と、この表面に銅などの導電性金属で形成されたリード１２１とを有しており、このリード１２１を形成する基材金属１２５の表面には硬質金属であるニッケルからなるメッキ層１２３が形成され、さらにこのニッケルメッキ層１２３の表面には金線１０２とボンディングするための金メッキ層１２４が形成されている。このニッケルメッキ層１２３は、上述のようにして超音波ボンディングを行う際に、リード１２１を形成する軟質金属である銅などによって超音波が吸収されて減衰するのを防止するための層である。また、このニッケルメッキ層１２３の表面に形成される金メッキ層１２４は実質的に金線１０２とボンディングする層である。従って、従来は、ニッケルメッキ層１２３のメッキ厚をより厚くすることにより、超音波の減衰防止効果が高くなり、より高いボンダビリティーが得られると考えられていた。このため、従来のプリントサーキットボードでは、ニッケルメッキ層１２３の相対的な厚さは、全体の平均メッキ厚（ニッケルメッキ層の平均厚さと金メッキ層の平均厚さの合計）の６０％以上であった。そして、このように厚いニッケルメッキ層を形成することにより、効率よく超音波の減衰を防止することができ、より高いボンダビリティーが確保できると共に、ニッケルは金と比較すると廉価であることから、このニッケルメッキ層をより厚くし、金メッキ層をより薄くすることにより、コスト的にも有利であった。
【０００６】
しかしながら、こうしたプリントサーキットボードと金線との間のボンダビリティーについて、本発明者が検討したところ、プリントサーキットボードのリードと金線とのボンダビリティーは、上記のような超音波の減衰により影響を受けると同時に、表面にある金メッキ層の結晶粒径によって著しく変動するという知見を得た。そして、本発明者は、この金メッキ層の結晶粒の大きさとニッケル層の厚さとの間に一定の相関関係があることを見いだして本発明を完成するに至った。
【０００７】
【発明の目的】
本発明は、金線などの金属線とのボンダビリティーを高くすることができるプリントサーキットボードを提供することを目的としている。
【０００８】
【発明の概要】
本発明のプリントサーキットボードは、基板に形成された金属リードと、該基板に搭載される半導体チップの電極とを金属線を用いて電気的に接続するプリントサーキットボードにおいて、
該プリントサーキットボードに形成されている金属リード表面全面に、ニッケルメッキ層と、金メッキ層との合計平均メッキ厚が０.２〜５.０μｍの範囲内にあり、かつ該ニッケルメッキ層の平均厚さと金メッキ層の平均メッキ厚との比が、４５：５５〜５：９５の範囲内にあるメッキ層が形成されてなり、金メッキ層の厚さが０．１〜２．５μmの範囲内にあると共に該金メッキ層の平均結晶粒径が０．０１〜０．５０μｍの範囲内にあることを特徴としている。
【０００９】
本発明のプリントサーキットボードにおいて、上記ニッケルメッキ層と金メッキ層との平均メッキ厚が４５：５５〜５：９５の範囲内にある。このように金メッキ層の層厚を、全メッキ厚の１／２以上にし、相対的にニッケルメッキ層の厚さを１／２以下（金メッキ層の層厚よりも薄くすること）にすること（換言すれば、ニッケルメッキ層の層厚を金メッキ層の層厚よりも薄くすること）により、金メッキ層の表面粗度が高くなる。こうしたメッキ厚の相対比を本発明のようにすることにより、金メッキ層の表面粗度が高くなるという現象を生じさせるメカニズムは不明であるが、実際に本発明の規定に従ってニッケルメッキおよび金メッキを行ってみると、金メッキ層の平均層厚さを１／２以上にすることにより、明らかに金メッキ層を形成する金属の結晶粒径は大きくなるという現象を確認することができる。
【００１０】
そして、このように金の結晶粒を大きくすることによって、超音波および必要により熱を用いた金線などの金属線と金属リードとのボンダビリティーが著しく向上する。
【００１１】
【発明の具体的な説明】
次に本発明のプリントサーキットボードについて具体的に説明する。
図１は、本発明のプリントサーキットボードの断面を示す図である。
図１において、プリントサーキットボード１０を構成する基板は３０で示されている。この基板３０の表面には、金属箔が通常は接着剤層１１を介して貼着され、この金属箔表面にさらに感光性樹脂が塗設され、この感光樹脂を所定のパターンに露光し、金属箔を除去する部分の感光性樹脂を除去し、エッチング液で露出している金属箔を溶出除去することにより所望の配線パターン１２を有するプリントサーキットボードを形成することができる。本発明において、この金属箔としては、銅箔、アルミニウム箔などを使用することができる。ここで好適に使用可能な銅箔には圧延銅箔および電解銅箔があるが、特に本発明では電解銅箔を使用することが好ましい。
【００１２】
上記基板３０は、絶縁性を有する合成樹脂、ガラス、表面処理された絶縁性紙等から形成することができる。特に本発明では、この基板３０は可撓性を有していることが好ましく、可撓性を有し、かつ絶縁性を有する合成樹脂として、ポリイミドフィルムを挙げることができる。特に本発明ではビフェニル骨格を有する全芳香族ポリイミド（例；商品名：ユーピレックスＳ、宇部興産（株）製）が好ましく使用される。基板３０の厚さに特に制限はないが、基板３０として上記のような可撓性絶縁フィルムを使用する場合、このような可撓性絶縁性フィルム３０の厚さは、通常は２５〜１２５μm、好ましくは５０〜７５μmの範囲内にある。このような可撓性絶縁性フィルム３０には、必要により、デバイスホール、スプロケットホール、アウターリードの切断穴あるいはフレックススリットなどの貫通孔をパンチング等の公知の方法を利用して形成することができる。
【００１３】
図２にこの金属リードの断面を拡大して示す。
図２に示すように、本発明のプリントサーキットボードは、絶縁性基板３０とこの絶縁性基板３０の表面に銅箔などから形成された多数の金属リード３２を有している。本発明のプリントサーキットボードにおいて、この金属リード３２のピッチ幅は通常は３０〜５００μｍ程度であり、リード幅は通常は１０〜２００μｍ程度であり、リードの厚さ（基材金属の厚さ）は、通常は３〜７５μｍ程度である。そして、この金属リード３２は、銅などの基材金属３４と、この基材金属表面に形成されたニッケルメッキ層３６と、このニッケルメッキ層３６の表面に形成された金メッキ層３８とからなる。
【００１４】
そして、このニッケルメッキ層３６の平均厚さをＴ1、金メッキ層３８の平均厚さをＴ2、そして、このニッケルメッキ層３６と金メッキ層３８との合計の平均厚さをＴ0としたときに、本発明のプリントサーキットボードにおける金メッキ層３８の平均厚さＴ2は、合計の平均厚さＴ0の１／２以上である。従って、ニッケルメッキ層３６の平均厚Ｔ1さは、メッキ層の合計の平均厚さＴ0の１／２以下である。さらに、ニッケルメッキ層の平均厚さＴ1と金メッキ層の平均メッキ厚Ｔ2との比（Ｔ1：Ｔ2）を、４５：５５〜５：９５の範囲内にすることが好ましく、さらに、この比（Ｔ1：Ｔ2）を、３８：６２〜４５：５５の範囲内にすることが特に好ましい。
【００１５】
本発明のプリントサーキットボードにおいて、上記ニッケルメッキ層３６と金メッキ層３８との合計の平均厚さＴ0は、通常は０.２〜５.０μｍ、好ましくは０．２〜１．０μｍの範囲内にあり、従って、許容される金メッキ層の平均厚さＴ2は、通常は０.１〜２.５μｍ、好ましくは０．２〜０．８μｍの範囲内にあり、かつ上述のようにメッキ層の合計の平均厚さＴ0に対して金メッキ層の平均厚さＴ2を上記規定するようにニッケルメッキ層３６の平均厚さＴ1よりも厚くする。
【００１６】
このようにニッケルメッキ層３６の平均厚さＴ1と金メッキ層３８の平均厚さＴ2を上記のように設定することにより、金メッキ層３８を形成する金属の結晶粒が大きくなる。本発明のプリントサーキットボードにおいて、金メッキ層３８を形成する金の結晶粒の大きさ（平均結晶粒径）は、通常は０．０１〜０．５μｍ、好ましくは０．０１〜０．２μｍの範囲内にある。なお、平均結晶粒径は、Ｘ線回折分析により容易に分析できる。金メッキ層がこのような結晶粒から形成されることによりこの金メッキ層の表面粗度は高くなる（表面が粗くなる）。
その一例を示すと、メッキ層の合計の平均厚さＴ0が１．３μｍであって、その内ニッケルメッキ層３６の平均厚さＴ1が０．５μｍであり、金メッキ層３８の平均厚さＴ2が０．８μｍであり、ニッケルメッキ層の平均厚さＴ1と金メッキ層の平均メッキ厚とＴ2の比（Ｔ1：Ｔ2）が、３８：６２であるＡｕメッキ層の例では、平均結晶粒径は０．４μｍ程度であった。一方、メッキ層の合計の平均厚さＴ0が１．１μｍであって、その内、ニッケルメッキ層３６の平均厚さＴ1が０．５μｍであり、金メッキ層３８の平均厚さＴ2が０．６μｍであり、ニッケルメッキ層３６の平均厚さＴ1と金メッキ層３８の平均メッキ厚とＴ2の比（Ｔ1：Ｔ2）が、４５：５５である金属リードにおけるAuメッキ層の例では、平均結晶粒径は０．３μｍ程度であった。上記メッキ層の平均厚さの比（Ｔ1：Ｔ2）が本発明で規定する範囲内にある厚いニッケルメッキ層３６を有する時よりも金メッキ層の平均結晶粒径は大きくなる。
【００１７】
上記のようなＸ線回折分析に基づいて測定した本発明のプリントサーキットボードにおける金属リードの平均結晶粒径（金メッキ層３８における平均結晶粒径）は、通常は０．０１〜０．５μｍ、好ましくは、０．１〜０．３μｍの範囲内にある。これに対して金メッキ層よりもニッケルメッキ層３６を厚く形成した場合には、金メッキ層３８の結晶粒径は通常は０．０１μｍ以下になり、ニッケルメッキ層３６の厚さＴ1が本発明で規定する範囲を超えて厚くなり、金メッキ層３８の厚さＴ2が薄くなるにつれて、金メッキ層３８の結晶粒径は低くなる傾向がある。このように銅などの金属基材上にニッケルメッキ層を形成し、さらにこのニッケルメッキ層上に金メッキ層を形成するに際して、ニッケルメッキ層と金メッキ層との厚さの比が、上記のように金メッキ層の結晶粒径に影響を及ぼすという現象は知られていない。さらに、金メッキ層の平均結晶粒径により金メッキ層と金属線（金線）との超音波溶着強度が変化するという現象に関しても知られていない。
【００１８】
本発明において、上記のようなニッケルメッキ層および金メッキ層は、従来のメッキ液を使用して、メッキ液組成、印加電圧、電流密度、メッキ温度などを調整することにより所望の厚さに形成することができる。従って、金メッキ層は、金のみで形成されていてもよく、また金を主要金属として含む金合金であってもよい。また、ニッケルメッキ層は、ニッケルのみで形成されていてもよく、また、ニッケルを主要金属として含むニッケル合金であってもよい。ニッケルメッキ層がニッケル合金で形成されている場合に、ニッケルと共にこの層を形成することができる金属の例としては、Ｓｉ-Ｎｉを挙げることができる。ただし、いずれの場合においても、その層を形成する主要金属は、その層を形成する金属の合計量中に通常は５０重量％以上、好ましくは９０重量％以上の量で含有されている。
【００１９】
上記のようなニッケルメッキ層を形成することができるニッケルメッキ浴としては、例えば、スルファミン酸ニッケル浴などを挙げることができる。また、金メッキ層を形成することができる金メッキ浴としては、例えばシアン金浴などを挙げることができる。
上記のような構成を有する本発明のプリントサーキットボードは例えば図３に示すようにして使用される。すなわち、本発明のプリントサーキットボードに形成されている金属リード３２の金メッキ層３８の表面に、金属線４１を載置し、この金属線の上から超音波振動子４２を当接する。この超音波振動子４２は、超音波発生装置（図示なし）と接続しており、通常１KHz〜１００KHz、好ましくは５〜５０ＫＨｚの範囲内の周波数の超音波をかけられるように調整可能にされている。また、この超音波振動子４２は、加熱装置（図示なし）を有していてもよく、このような加熱装置により金属線および金メッキ層などを、通常２００〜５００℃、好ましくは３５０〜４５０℃に加熱することができる。
【００２０】
このような超音波振動子４２を用いた金線の溶着の際に、金メッキ層の平均結晶粒径と金線の溶着強度との関係を検討してみると、金メッキ層を形成する金の結晶粒をある程度を大きくして金メッキ層の表面粗度を高くすることにより、金線の溶着強度が高くなるとの知見を得た。このような金の結晶粒径の大きさは、金メッキ層の表面粗度と密接な関係を有している。そして、この金メッキ層の表面粗度は、金メッキ層の厚さをニッケルメッキ層の厚さよりも厚くすることにより、溶着強度に影響を及ぼす程度に高くなる。こうしたメッキ層における金メッキ層の厚さの比率が、金メッキ層中の金の結晶粒の形成に対してどのように作用するかという点についての詳細なメカニズムは不明である。しかしながら、前記Ｔ1：Ｔ2の対比から明らかなように、本発明者が、金メッキ層の厚さが、メッキ層全体の厚さ（ニッケルメッキ層と金メッキ層との厚さの合計）の１／２以上にすることにより金メッキ層の結晶粒径が大きくなることを確認した。
【００２１】
上記のようなプリントサーキットボードにおいて、金属線、特に金線をワイヤーボンディングした場合、半導体素子とプリントサーキットボードとの導通不良は、図４に示すように、半導体の電極と金属線とのボンディング不良（第１ポイント）、金属線と金属リードとのボンディング不良（第２ポイント）および金属線の破断（第３ポイント）の３点で発生する可能性がある。第３ポイントである金属線の破断は、使用金属線の種類、太さなどによって決まり、この使用金属線は回路設計上で確定する。また、半導体の電極と金属線とのボンディング強度は、半導体の設計上で確定し、通常は、プリントサーキットボードの金属リード面におけるボンディング強度よりも高い値を示すことが多い。
【００２２】
従って、プリントサーキットボードに半導体を実装する際には、プリントサーキットボードと金属線との溶着部分である第２ポイントにおけるボンダビリティーをより高くすることが望まれる。
こうしたボンダビリティーは、例えば図４に示すような簡単な試験を用いて測定することができる。
【００２３】
図４において、２０は半導体（IC）であり、２１は半導体側電極である。また、本発明のプリントサーキットボードにおいて、基板３０の表面には、ニッケルメッキ層および金メッキ層を有する金属リード３２が形成されている。金属線４１の両端部は、上記金属リード３２と半導体側電極２１とを電気的に接続するように金属リード３２および半導体側電極２１にボンディングされている。この金属線４１にフック５１をかけ、フック５１を引き上げて金属線４１に張力をかける。具体的には、フック５１には、ワイヤー５２の一端部がくくりつけられており、このワイヤー５２は滑車５３を介して、他端部に加重５４がかかるようにされている。この加重５４を徐々に重くして、第１〜第３のいずれかのポイントで破断するときの加重を測定する。
【００２４】
本発明においては、ワイヤーボンディングに最も多く使用されている直径２５μｍの金線を用い、４００℃に加熱しながら超音波振動子から３０KHzの超音波を２秒間かけてワイヤーボンディングしたサンプルに上記のようにして加重をかけ、破断に至る加重によってボンダビリティーを評価することができる。
この直径２５μｍの金線の引っ張り強度（金線が切断に至る加重）は、通常は５〜３０ｇ程度であり、第２ポイントにおける溶着強度は、この値よりも高いことが最も望ましい。しかしながら、第２ポイントが、加重１０〜２０ｇ程度のボンダビリティーを有していれば一般的な使用に充分に耐えうる。そして、金メッキ層とニッケルメッキ層との厚さを本発明で規定することにより、このような優れたボンダビリティーを確保することができる。
【００２５】
なお、メッキ層全体の平均厚さに対する金メッキ層の厚さを厚くすることにより、必然的にニッケル層の平均厚さが薄くなるが、このニッケル層は、主として超音波の減衰を低減するための層であり、通常はこのニッケル層の平均厚さが０．５μｍ以上あれば、超音波の減衰低減効果は充分に発現するので、本発明の構成を採用することによって、超音波の減衰による溶着特性が低下することはない。
【００２６】
【発明の効果】
本発明のプリントサーキットボードは、金属リードに形成されているニッケルメッキ層と金メッキ層との平均厚さが全メッキ層の平均厚さに対して特定の関係を有しているので、金メッキ層を形成する金の結晶粒が大きくなり、超音波溶着による金属線と金メッキ層との溶着強度が高くなる。従って、本発明の構成を有するプリントサーキットボードに半導体をワイヤーボンディングしたときのボンダビリティー（ボンディングの信頼性）が高くなる。
【００２７】
【実施例】
次に本発明のプリントサーキットボードについて実施例を示して説明するが、本発明はこれらによって限定されるものではない。
【００２８】
【実施例１】
接着剤層を有する厚さ７５μｍのポリイミドフィルムに平均厚さ２５μｍの電解銅箔を貼着し、感光性樹脂およびエッチング液を用いる通常のサーキットボードの製造方法に従って所定の配線パターンを形成した。
形成された配線パターンのピッチ幅は５０μｍ、リード幅は２５μｍである。
【００２９】
次いでこの基板を下記の組成を有するニッケルメッキ浴に浸漬して下記条件により金属リードの基材金属上に平均厚さ０．５μｍのニッケルメッキ層を形成した。
さらに、この基板を下記組成を有する金メッキ浴に浸漬して下記条件によりニッケルメッキ層上に平均厚さ０．８μｍの金メッキ層を形成した。
【００３０】
従って、このプリントサーキットボードにおけるニッケルメッキ層の平均厚さと金メッキ層の平均厚さの比（Ｔ1：Ｔ2）は、３８：６２であり、メッキ層全体の平均厚さ（Ｔ0）に対して、金メッキ層（Ｔ2）の平均厚さは１／２を超えている。
また、この金メッキ層の結晶粒径は、０．４μｍであった。
ニッケルメッキ条件
使用したニッケルメッキ浴はスルファミン酸ニッケル浴である。
【００３１】
ニッケルメッキ温度：６０℃
ニッケルメッキ時間：３分
ニッケルメッキ電流密度：１０Ａ／dm2
金メッキ条件
使用した金メッキ浴はシアン金カリ浴である。
【００３２】
金メッキ温度：６０℃
金メッキ時間：２分
金メッキ電流密度：１Ａ／dm2
上記のようにして作成したプリントサーキットボードにアルミニウム電極を有する半導体を配置し、溶着温度４００℃、周波数３０KHz、溶着時間２秒の条件で太さ２５μｍの金線を半導体側電極とプリントサーキットボードの金属リードに溶着した。
【００３３】
こうして得られた半導体が実装されたプリントサーキットボードを図４に示す装置にセットして、金線にフックをかけ破断に至る加重を測定した。
その結果、加重２０ｇで破断した。この破断点は第３ポイント、すなわち、金線の破断であった。
【００３４】
【比較例１】
上記実施例１において、ニッケルメッキの条件および金メッキの条件を以下に記載するように変えて、平均厚さ０．５μｍのニッケルメッキ層を形成し、次いで、平均厚さ０．３μｍの金メッキ層を形成した。従って、このプリントサーキットボードにおける金メッキ層の平均厚さは、メッキ層全体の平均厚さを１／２に満たない。
【００３５】
また、この金メッキ層の結晶粒径は０．１μｍであった。
ニッケルメッキ条件
使用したニッケルメッキ浴はスルファミン酸ニッケル浴である。
ニッケルメッキ温度：６０℃
ニッケルメッキ時間：３分
ニッケルメッキ電流密度：１０Ａ／dm2
金メッキ条件
使用した金メッキ浴はシアン金カリ浴である。
【００３６】
金メッキ温度：６０℃
金メッキ時間：１分
金メッキ電流密度：１Ａ／dm2
上記のようにして作成したプリントサーキットボードにアルミニウム電極を有する半導体を配置し、溶着温度４００℃、周波数３０KHz、溶着時間２秒の条件で太さ２５μｍの金線を半導体側電極とプリントサーキットボードの金属リードに溶着した。
【００３７】
こうして得られた半導体が実装されたプリントサーキットボードを図４に示す装置にセットして、金線にフックをかけ破断に至る加重を測定した。
その結果、加重５ｇで判断した。この判断点は第２ポイント、すなわち、金線と金メッキ層との溶着部分の破断であった。
【００３８】
【実施例２〜４および比較例２〜４】
実施例１において、ニッケルメッキ条件および金メッキ条件を変えて、下記表１に示すメッキ厚のプリントサーキットボードを製造した。これらのプリントサーキットボードに実施例１と同様にして金線を超音波溶着し、金線に張力をかけて破断強度を測定した。結果を表１に併せて記載する。
【００３９】
【表１】
0004063500.tif 000002
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１は、本発明のプリントサーキットボードの断面の例を示す図である。
【図２】  図２は、本発明のプリントサーキットボードのリード部分の一例を拡大して示す断面図である。
【図３】  図３は、本発明のプリントサーキットボードにデバイスをワイヤーボンディングする状態の例を示す図である。
【図４】  図４は、ワイヤーボンディングの破断強度を調べる方法の例を示す図である。
【図５】  図５は、従来のプリントサーキットボードを示す図である。
【図６】  図６は、従来のプリントサーキットボードのリード部を拡大して示す断面図である。
【符号の説明】
１０、１２０・・・プリントサーキットボード
１１・・・接着剤層
１２・・・配線パターン
２０、１００・・・デバイス（半導体）
１０１・・・デバイス側電極
３０、１３０・・・基板
３２・・・１２１金属リード
３４・・・基材金属
３６、１２３・・・ニッケルメッキ層
３８、１２４・・・金メッキ層
４１、１０２・・・金属線
４２・・・超音波振動子
５１・・・フック
５２・・・ワイヤー
５３・・・滑車
５４・・・加重
Ｔ1・・・ニッケルメッキ層の平均厚さ
Ｔ2・・・金メッキ層の平均厚さ
Ｔ0・・・ニッケルメッキ層と金メッキ層との合計の平均厚さ
【図１】
0004063500.tif 000003
【図２】
0004063500.tif 000004
【図３】
0004063500.tif 000005
【図４】
0004063500.tif 000006
【図５】
0004063500.tif 000007
【図６】
0004063500.tif 000008