(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が搭載される四角平板状の絶縁基体の外周部に多数の外部リード端子を前記絶縁基体の各外周辺から外側に向けてそれぞれ複数本ずつ直線状に突出するようにして接合するとともに、前記外部リード端子の突出した端部を前記各外周辺毎にそれぞれ短冊状の絶縁支持部材に接合して支持させる工程と、前記外部リード端子を前記絶縁基体と前記絶縁支持部材との間で上下方向にクランク状に折り曲げる工程と、前記絶縁支持部材同士を連結金具により連結する工程と、前記外部リード端子の表面にめっきを施す工程とを具備することを特徴とする半導体素子収納用パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体素子を収容するための半導体素子収納用パッケージの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体素子を収容するための半導体素子収納用パッケージは、例えば図10に断面図で、図11に一部の部材を除いた上面図で示すように、上面の中央部に半導体素子21を搭載するための搭載部23を有するとともに、この搭載部23の近傍から上面の外周部に導出する多数のメタライズ配線導体24を有する略四角平板状の絶縁基体22と、メタライズ配線導体24で絶縁基体22の外周部位にろう材を介して接合され、絶縁基体22の各外周辺から外側に向けてそれぞれ複数本ずつ直線状に突出する多数の外部リード端子25と、蓋体26とから主に構成されている。そして、絶縁基体22の搭載部23に半導体素子21を接着固定するとともに半導体素子21の各電極をメタライズ配線導体24に例えばボンディングワイヤ27を介して電気的に接続した後、絶縁基体22の上面に半導体素子21を覆うようにして蓋体26をろう材や樹脂・ガラス等の封止材を介して接合することによって内部に半導体素子21が気密に収容される。
【０００３】
なお、この従来の半導体素子収納用パッケージでは、内部に半導体素子21を収容した後、半導体素子21が正常に作動するかどうかの確認をするために、各外部リード端子25に電気的テスト装置のプローブを当てて半導体素子21の電気的な特性を測定するテストが行なわれる。
【０００４】
このようなテストにおいては、外部リード端子25は互いに電気的に独立させておく必要がある。また、外部リード端子25は細く変形しやすいことから、プローブを当てる際等に外力で変形しないように、これらを所定の位置に固定しておく必要がある。
【０００５】
そこで、この従来の半導体素子収納用パッケージでは、外部リード端子25を絶縁基体22の各外周辺毎に短冊状の絶縁支持部材28により支持させるとともに、隣接する絶縁支持部材28同士を連結金具31で互いに連結している。
【０００６】
絶縁支持部材28は、外部リード端子25を互いに電気的に独立させたままで絶縁基体22の各辺毎に所定の間隔で支持するためのものである。また、連結金具31は、絶縁支持部材28により支持された外部リード端子25が各絶縁支持部材28毎に同時に変形するのを防止するためのものである。
【０００７】
このように、各外部リード端子25を絶縁基体22の各辺毎に絶縁支持部材28により支持させるとともに、隣接する絶縁支持部材28同士を連結金具31で連結することによって、各外部リード端子25を電気的に独立させた状態で、かつ外部リード端子25に変形を生じさせることなく内部に収容する半導体素子21の電気的なテストを行なうことを可能としているのである。
【０００８】
また、この従来の半導体素子収納用パッケージにおいては、メタライズ配線導体24および外部リード端子25の表面に電解めっき法によりニッケルめっきおよび金めっきが施されており、これによってメタライズ配線導体24および外部リード端子25が酸化腐食するのを防止するとともにメタライズ配線導体24とボンディングワイヤ27との接続および外部リード端子25と外部電気回路との電気的接続が良好なものとなるようにしている。
【０００９】
ところで、このような従来の半導体素子収納用パッケージは、通常は以下のようにして製作されている。
【００１０】
すなわち、まず、図12に斜視図で示すように、絶縁基体22と絶縁支持部材28とリードフレーム32とを準備する。
【００１１】
なお、絶縁支持部材28には、その上面に外部リード端子25を接合するためのリード接合用メタライズ金属層29が外部リード端子25の並びに対応して付着されているとともに、その両端部の上面には連結金具31を接合するための金具接合用メタライズ金属層30が付着されている。
【００１２】
絶縁基体22および絶縁支持部材28は、例えば主にセラミックスから成り、従来周知のセラミックグリーンシート積層法等によって製作される。
【００１３】
また、絶縁基体22のメタライズ配線導体24および絶縁支持部材28のリード接合用メタライズ金属層29・金具接合用メタライズ金属層30にはろう材との濡れ性を向上させるためにニッケルめっきを無電解めっき法により１〜５μｍ程度の厚みに施しておく。
【００１４】
リードフレーム32は、例えばエッチング法により形成されており、外周部に設けた四角枠状の支持枠33の内側に直線状に延びる多数の外部リード端子25および支持枠33の角部から内側に向けて突出する連結金具31が一体的に設けられている。
【００１５】
次に、図13に斜視図で示すように、メタライズ配線導体24およびリード接合用メタライズ金属層29と外部リード端子25とを、ならびに金具接合用メタライズ金属層30と連結金具31とをこれらの間に図示しないろう材を挟むようにして位置合わせするとともにろう材の融点以上の温度に加熱して外部リード端子25とメタライズ配線導体24およびリード接合用メタライズ金属層29とを、ならびに連結金具31と金具接合用メタライズ金属層30とをろう付けして接合する。
【００１６】
次に、外部リード端子25およびメタライズ配線導体24ならびに連結金具31に支持枠33を介して電解めっきのための電荷を供給して電解めっきを行なうことにより、これらの表面に厚みが１〜５μｍのニッケルめっき、および厚みが0.1 〜3.0 μｍの金めっきを順次施し、最後に図14に斜視図で示すように、支持枠33を外部リード端子25から切り離すことによって従来の半導体素子収納用パッケージが完成する。
【００１７】
そして、この従来の半導体素子収納用パッケージでは、内部に半導体素子21を気密に収容した後、外部リード端子25に電気的テスト装置のプローブを当てて半導体素子21の電気的な特性を測定するテストが行なわれる。そしてその後、図15に斜視図で示すように、外部リード端子25を絶縁支持部材28の近傍で切断して絶縁支持部材28および連結金具31を外部リード端子25から分離除去するとともに、外部リード端子25を上下にクランク状に折り曲げ、この折り曲げた外部リード端子25の先端部を外部電気回路基板の配線導体に半田を介して接続することによって、内部に収容する半導体素子21の各電極が外部電気回路に電気的に接続されることとなる。
【００１８】
なお、絶縁支持部材28および連結金具31を外部リード端子25から分離除去するのは、これらが外部リード端子25を外部電気回路基板に接続する際の邪魔になるからであり、外部リード端子25をクランク状に折り曲げるのは、これにより外部リード端子25の先端部を外部電気回路基板に接続しやすくするためである。
【００１９】
また、この従来の半導体素子収納用パッケージでは、外部リード端子25は絶縁支持部材28および連結金具31により変形しないように固定されており、これを絶縁支持部材28および連結金具31で固定させたままで無理に折り曲げようとすると、折り曲げにより外部リード端子25が長さ方向に大きく引っ張られて破断してしまいやすい。従って、外部リード端子25の折り曲げは、一般的には外部リード端子25から絶縁支持部材28および連結金具31を分離させてから行われていた。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この従来の半導体素子収納用パッケージによれば、外部リード端子25は金属板にエッチング加工を施すことにより形成されており、その断面形状にゆがみや傾きが発生しやすい。外部リード端子25の断面形状にゆがみや傾きがあると、外部リード端子25をクランク状に折り曲げる際にその折り曲げ部にねじれのモーメントが発生する。そして、外部リード端子25は、これを折り曲げる際には絶縁支持部材から分離されてその外側端が自由端となっていることから、前記のようなねじれのモーメントにより折り曲げ部がねじれてその位置が不正確となってしまい、その結果、外部リード端子25を外部電気回路基板の配線導体に正確かつ強固に接続することができなくなってしまうという問題点を有していた。
【００２１】
また、この従来の半導体素子収納用パッケージによれば、外部リード端子25を折り曲げる際に、外部リード端子25の表面に施したニッケルめっきや金めっきに折り曲げ金型による傷や剥離が発生しやすく、このような傷や剥離が発生すると、外部リード端子25を外部電気回路基板の配線導体に電気的に良好に接続することができなくなってしまうという問題点を有していた。
【００２２】
本発明はかかる従来の問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は、外部リード端子にねじれやめっきの傷・剥離が発生することがなく、外部リード端子を外部電気回路に正確かつ良好に接続することが可能な半導体素子収納用パッケージの製造方法を提供することにある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法は、半導体素子が搭載される四角平板状の絶縁基体の外周部に多数の外部リード端子を前記絶縁基体の各外周辺から外側に向けてそれぞれ複数本ずつ直線状に突出するようにして接合するとともに、前記外部リード端子の突出した端部を前記各外周辺毎にそれぞれ短冊状の絶縁支持部材に接合して支持させる工程と、前記外部リード端子を前記絶縁基体と前記絶縁支持部材との間で上下方向にクランク状に折り曲げる工程と、前記絶縁支持部材同士を連結金具により連結する工程と、前記外部リード端子の表面にめっきを施す工程とを具備することを特徴とするものである。
【００２４】
本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法によれば、まず、外部リード端子を絶縁基体と絶縁支持部材とに接合し、次に外部リード端子を上下方向にクランク状に折り曲げることから、折り曲げの際に外部リード端子にねじれのモーメントが働いたとしても外部リード端子は絶縁支持部材でそのねじれが拘束されて正確に折り曲げられ、また、外部リード端子を折り曲げた後に絶縁支持部材同士を連結金具で連結し、その後、外部リード端子の表面にめっきを施すことから、外部リード端子の表面のめっきに折り曲げ金型による傷や剥離が発生するようなことがない。
【００２５】
【発明の実施の形態】
次に、本発明を添付の図面を基に詳細に説明する。
【００２６】
図１は本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法により得られる半導体素子収納用パッケージの実施の形態の一例を示す断面図であり、１は絶縁基体、２は蓋体、３は外部リード端子、４は絶縁支持部材、５は連結金具である。そして、絶縁基体１と蓋体２とで半導体素子６を気密に収容するための容器が形成される。
【００２７】
また、図２は図１に示す半導体素子収納用パッケージの蓋体３を除いた上面図である。
【００２８】
絶縁基体１は、例えば酸化アルミニウム質焼結体・窒化アルミニウム質焼結体・ムライト質焼結体・炭化珪素質焼結体・窒化珪素質焼結体・ガラスセラミックス等の電気絶縁材料から成る略四角平板状であり、その上面の中央部に半導体素子６を搭載するための搭載部７を有している。そして、この搭載部７には半導体素子６が、例えばろう材や半田・樹脂・ガラス等の接着剤を介して接着固定される。
【００２９】
また、絶縁基体１には、その搭載部７周辺から各外周辺近傍にかけて導出する多数のメタライズ配線導体８が配設されている。
【００３０】
メタライズ配線導体８は、搭載部７に搭載される半導体素子６の各電極を外部リード端子３に電気的に接続するための導電路として機能し、その搭載部７周辺部位には半導体素子６の各電極が例えばボンディングワイヤ９等の電気的接続手段を介して電気的に接続される。
【００３１】
なお、メタライズ配線導体８は、タングステンやモリブデン・銅・銀等の金属粉末メタライズから成り、通常であれば、その表面に厚みが１〜10μｍ程度のニッケルめっき、および厚みが0.1 〜３μｍ程度の金めっきが施されている。
【００３２】
また、メタライズ配線導体８で絶縁基体１の外周近傍部位には、多数の外部リード端子３が絶縁基体１の各外周辺から外側に突出するようにして例えば銀ろう等のろう材を介して接合されている。
【００３３】
外部リード端子３は、パッケージの内部に収容される半導体素子６の各電極を外部の電気回路に電気的に接続するための端子として機能し、その外側端部を外部電気回路基板の配線導体に半田やソケットを介して接続することによりパッケージの内部に収容する半導体素子６の各電極が外部電気回路に電気的に接続されることとなる。
【００３４】
なお、外部リード端子３は、例えば鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金・銅合金等の金属から成り、通常であれば、その表面に厚みが１〜10μｍ程度のニッケルめっきおよび厚みが0.1 〜３μｍ程度の金めっきが施されている。
【００３５】
また、外部リード端子３は、その外側端部が絶縁基体１の各外周辺毎に絶縁支持部材４によって支持固定されており、その状態で上下方向にクランク状に折り曲げられている。
【００３６】
外部リード端子３は、その外側端部が絶縁基体１の各外周辺毎に絶縁支持部材４で支持固定された状態で上下方向にクランク状に折り曲げられていることから、たとえその断面形状に歪みや傾きがあり、折り曲げの際にねじれのモーメントが発生したとしても、そのねじれは絶縁基体１および絶縁支持部材４で拘束され、正確に折り曲げられている。従って、この外部リード端子３を外部電気回路基板の配線導体に半田やソケットを介して正確に接続することが可能である。
【００３７】
絶縁支持部材４は、例えば酸化アルミニウム質焼結体・窒化アルミニウム質焼結体・ムライト質焼結体・炭化珪素質焼結体・窒化珪素質焼結体・ガラスセラミックス等の電気絶縁材料から成る略短冊状であり、その上面で外部リード端子３に対応する位置にはリード接合用メタライズ金属層10が付着されている。そして、このリード接合用メタライズ金属層10に外部リード端子３を例えば銀ろう等のろう材を介して接合することにより、外部リード端子３を互いに電気的な絶縁を保ちながら絶縁基体１の各外周辺毎に所定の間隔をもって支持固定している。
【００３８】
さらに、絶縁支持部材４の上面の両端部には、金具接合用メタライズ金属層11が付着されており、この金具接合用メタライズ金属層11には隣接する絶縁支持部材４同士を連結する連結金具５が例えば銀ろう等のろう材を介して接合されている。
【００３９】
なお、リード接合用メタライズ金属11および金具接合用メタライズ金属層11は、例えばタングステンやモリブデン・銅・銀等の金属粉末メタライズから成り、通常であれば、その表面に厚みが１〜10μｍ程度のニッケルめっき、および厚みが0.1 〜３μｍ程度の金めっきが施されている。
【００４０】
連結金具５は、各絶縁支持部材４同士を外部リード端子３と絶縁支持部材４との熱膨張係数の相違に起因する応力を緩和しつつ所定の位置に連結固定する作用をなし、外部リード端子３が各絶縁支持部材４毎に変形するのを有効に防止している。
【００４１】
なお、連結金具５は、鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金あるいは銅合金等の金属から成り、通常であれば、その表面に厚みが１〜10μｍ程度のニッケルめっき、および厚みが0.1 〜３μｍ程度の金めっきが施されている。
【００４２】
また、絶縁基体１の上面には、封止用の枠部12が設けられており、この封止用の枠部12には、蓋体２が例えばろう材や半田・ガラス・樹脂等の封止材を介して接合される。
【００４３】
蓋体２は、例えば鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金等の金属や酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックス材料から成る略四角平板であり、絶縁基体１に半導体素子６を搭載した後、枠部12に接合されることによりパッケージの内部に半導体素子６を気密に封止する。
【００４４】
そして、上述の半導体素子収納用パッケージにおいては、内部に半導体素子６を気密に封止した後、外部リード端子３に電気的テスト装置のプローブを当てて半導体素子６の電気的特性を測定するテストが行なわれる。
【００４５】
このとき、外部リード端子３は、絶縁基体１の各外周辺毎に絶縁支持部材４で支持固定されており、かつ各絶縁支持部材同士が連結金具５で連結されていることから、プローブ等を介して印加される外力により外部リード端子３が個別にあるいは絶縁基体１の外周辺毎に変形するようなことはない。
【００４６】
そして、上述のテストの後、各外部リード端子３を絶縁支持部材４から切り離すとともに外部電気回路基板の配線導体に半田やソケットを介して電気的に接続することによって内部に収容する半導体素子６の各電極が所定の外部電気回路に電気的に接続されることとなる。
【００４７】
この場合、外部リード端子３は、上述のようにねじれや変形がないことから、外部電気回路基板の配線導体に半田やソケットを介して正確に接続することができる。
【００４８】
次に、上述の本発明の半導体素子収納用パッケージを製造する製造方法について説明する。
【００４９】
まず、図３に斜視図で示すように、絶縁基体１および絶縁支持部材４ならびにリードフレーム13を準備する。
【００５０】
絶縁基体１および絶縁支持部材４は、例えばこれらが酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム・酸化珪素・酸化カルシウム・酸化マグネシウム等の原料粉末に適当な有機バインダ・溶剤等を添加混合して泥漿状となすとともに、これを従来周知のドクターブレード法等のシート成形技術を採用してセラミックグリーンシートとなし、しかる後、このセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工や金属ペーストの印刷加工あるいは積層加工・切断加工等を施すとともに約1600℃の高温で焼成することによって製作される。
【００５１】
なお、絶縁基体１のメタライズ配線導体８ならびに絶縁支持部材のリード接合用メタライズ金属層10および金具接合用メタライズ金属層11の露出表面にはろう材との濡れ性を向上させる目的で例えばニッケルめっきを無電解めっき法により１〜５μｍ程度の厚みに施しておく。
【００５２】
リードフレーム13は、略四角形状の支持枠14の内側に多数の外部リード端子３を一体的に設けたものである。そして、各外部リード端子３は絶縁基体１の各外周辺に対応するもの毎にその外側端がタイバー15で連結されており、さらにこのタイバー15はブリッジ16により支持枠14に繋がっている。ブリッジ16は、複数回屈曲するようにして設けられており、外力により変形可能となっている。
【００５３】
このようなリードフレーム13は、例えば鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金から成る厚みが0.1 ｍｍ程度の板材に従来周知のエッチング加工を施すことにより所定の形状に製作される。
【００５４】
次に、図４に斜視図で示すように、メタライズ配線導体８およびリード接合用メタライズ金属層10と外部リード端子３とをこれらの間に図示しないろう材を挟むようにして位置合わせするとともに、ろう材の融点以上の温度に加熱してメタライズ配線導体８およびリード接合用メタライズ金属層10と外部リード端子３とをろう付けして接合する。
【００５５】
なお、メタライズ配線導体８およびリード接合用メタライズ金属層10と外部リード端子３との間に挟むろう材としては、例えば銀が85重量％、銅が15重量％の箔状のろう材を用いればよい。
【００５６】
次に、図５に斜視図で示すように、各外部リード端子３を絶縁基体１と絶縁支持部材４との間で上下方向にクランク状に折り曲げる。
【００５７】
外部リード端子３の折り曲げは、従来周知のプレス式の折り曲げ金型を用いることにより行なえばよい。プレスにより外部リード端子３が折り曲がるとともにブリッジ16が変形して伸びることにより、各外部リード端子３を支持枠14に繋げたままで折り曲げ可能である。
【００５８】
このとき、外部リード端子３は、絶縁基体１と絶縁支持部材４とで互いに所定の間隔で支持固定されているので、たとえその断面形状に歪みや傾きがあり、折り曲げの際にねじれのモーメントが発生したとしても、そのねじれは絶縁基体１および絶縁支持部材４で拘束され、正確に折り曲げられる。従って、この外部リード端子３を外部電気回路基板の配線導体に半田やソケットを介して正確に接続することが可能である。
【００５９】
次に、図６に斜視図で示すように、リードフレーム13の支持枠14およびブリッジ16をタイバー15から切り離すとともに、金具フレーム17を準備する。
【００６０】
リードフレーム13の支持枠14およびブリッジ16をタイバー15から切り離すには、ブリッジ16のタイバー15との境界付近に予めハーフエッチングを施しておくとともに、外部リード端子３を折り曲げた後、ブリッジ16をこのハーフエッチング部から折り取る方法が採用され得る。
【００６１】
また、金具フレーム17は、略四角形状の支持枠18の各角部の内側に連結金具５を一体的に設けたものである。各連結金具５はブリッジ19により外周枠18に繋がっている。
【００６２】
このような金具フレーム17は、例えば鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金から成る厚みが0.1 ｍｍ程度の板材に従来周知のエッチング加工を施すことにより所定の形状に製作される。
【００６３】
そして、次に、図７に斜視図で示すように、金具接合用メタライズ金属層11と連結金具５とをこれらの間に図示しないろう材を挟むようにして位置合わせするとともにろう材の融点以上の温度に加熱して金具接合用メタライズ金属層11と連結金具５とをろう付けして接合する。
【００６４】
なお、金具接合用メタライズ金属層11と連結用金具５との間に挟むろう材としては、メタライズ配線導体８およびリード接合用メタライズ金属層10と外部リード端子３とを接合するろう材より融点が低いろう材を用いればよい。このようなろう材としては、例えばメタライズ配線導体８およびリード接合用メタライズ金属層10と外部リード端子３とを接合するろう材として銀が85重量％、銅が15重量％のろう材を用いた場合であれば、銀が72重量％、銅が28重量％の箔状のろう材を用いればよい。
【００６５】
金具接合用メタライズ金属層11と連結金具５とを接合するろう材としてメタライズ配線導体８およびリード接合用メタライズ金属層10と外部リード端子３とを接合するろう材よりも融点が低いろう材を用いることで、メタライズ配線導体８およびリード接合用メタライズ金属層10と外部リード端子３とを接合するろう材を溶融させることなく、すなわち、メタライズ配線導体８およびリード接合用メタライズ金属層10と外部リード端子３との間にずれを発生させることなく、金具接合用メタライズ金属層11と連結金具５とをろう付けすることが可能である。
【００６６】
次に、図８に斜視図で示すように、金具フレーム17の支持枠18およびブリッジ19を連結金具５から切り離した後、外部リード端子３およびメタライズ配線導体８の露出表面に電解めっき法によりめっきを施す。
【００６７】
金具フレーム17の外周枠18およびブリッジ19を連結金具５から切り離すには、ブリッジ19の連結金具５との境界付近に予めハーフエッチングを施しておくとともにブリッジ19をこのハーフエッチング部から折り取る方法が採用され得る。
【００６８】
また、外部リード端子３およびメタライズ配線導体８の露出表面に電解めっき法によりめっきを施すには、タイバー15を介して電解めっきのための電荷を各外部リード端子３およびこれに接続されたメタライズ配線導体８に供給して電解めっきする方法が採用され、通常であれば、１〜10μｍ程度のニッケルめっきと0.1 〜３μｍ程度の金めっきとが施される。
【００６９】
このとき、外部リード端子３はすでに上下にクランク状に折り曲げられていることから、外部リード端子３の表面に施されためっきに折り曲げに伴う傷や剥がれ発生することは皆無であり、従って、外部リード端子３を外部電気回路基板の配線導体に半田やソケットを介して電気的に良好に接続させることが可能である。
【００７０】
また、このとき金具接合用メタライズ金属層11をリード接合用メタライズ金属層10のうちのひとつに電気的に接続させておくと、外部リード端子３に電解めっき法によりめっきを施す際に、これと同時に連結金具５の露出表面にもめっきを施すことが可能となって連結金具５の耐食性を向上させることができる。従って、金具接合用メタライズ11はリード接合用メタライズ10のうちのひとつに電気的に接続させておくことが好ましい。
【００７１】
なお、金具接合用メタライズ金属層11をリード接合用メタライズ金属層10のひとつに電気的に接続させるには、絶縁支持部材４の表面や内部に両者を接続するメタライズ導体を設けておけばよい。
【００７２】
そして、最後に図９に斜視図で示すように、タイバー15を外部リード端子３から切り離し、各外部リード端子３を電気的に独立させることによって本発明による半導体素子収納用パッケージが完成する。
【００７３】
タイバー15を外部リード端子３から切り離すには、外部リード端子３のタイバー15との境界付近に予めハーフエッチングを施しておくとともに、タイバー15をこのハーフエッチング部から折り取る方法が採用され得る。
【００７４】
なお、本発明は以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更・改良を施すことは何ら差し支えない。
【００７５】
【発明の効果】
本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法によれば、まず、外部リード端子を絶縁基体と絶縁支持部材とに接合し、次に外部リード端子を上下方向にクランク状に折り曲げることから、折り曲げの際に外部リード端子にねじれのモーメントが働いたとしても外部リード端子はそのねじれが絶縁支持部材で拘束されて正確に折り曲げられ、また、外部リード端子を折り曲げた後に絶縁支持部材同士を連結金具で連結し、その後、外部リード端子の表面にめっきを施すことから、外部リード端子の表面のめっきに折り曲げによる傷や剥離が発生するようなことがない。
【００７６】
したがって、外部リード端子を外部電気回路基板の配線導体に半田やソケットを介して正確かつ良好に接続することが可能な半導体素子収納用パッケージを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法により製造される半導体素子収納用パッケージの実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】図１に示す半導体素子収納用パッケージの一部の部材を除いた上面図である。
【図３】本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法を説明するための斜視図である。
【図４】本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法を説明するための斜視図である。
【図５】本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法を説明するための斜視図である。
【図６】本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法を説明するための斜視図である。
【図７】本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法を説明するための斜視図である。
【図８】本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法を説明するための斜視図である。
【図９】本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法を説明するための斜視図である。
【図１０】従来の半導体素子収納用パッケージの製造方法により製造される半導体素子収納用パッケージの断面図である。
【図１１】図10に示す半導体素子収納用パッケージの一部の部材を除いた上面図である。
【図１２】従来の半導体素子収納用パッケージの製造方法を示すための斜視図である。
【図１３】従来の半導体素子収納用パッケージの製造方法を示すための斜視図である。
【図１４】従来の半導体素子収納用パッケージの製造方法を示すための斜視図である。
【図１５】従来の半導体素子収納用パッケージに半導体素子を収容した後に外部リード端子を折り曲げた状態を示す斜視図である。
【符号の説明】
１・・・・・・絶縁基体
２・・・・・・蓋体
３・・・・・・外部リード端子
４・・・・・・絶縁支持部材
５・・・・・・連結金具
６・・・・・・半導体素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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