(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式〔１〕
【化１】
0004071991.tif 000010
（式中、Ｒ１は置換されてもよいトリチル基を、Ｒ２は水素原子または炭素数１〜７のアルキル基を、Ｒ３は水素原子、ハロゲン原子、もしくは置換された水酸基を表す）で表される化合物を、式〔２〕
【化２】
0004071991.tif 000011
（式中、Ｒ４は炭素数２〜７のアルキル基を、Ｒ５は炭素数１〜７のアルキル基もしくは炭素数１〜６のアルコキシ基を表す）で表されるカルボニル化合物である抱接用溶剤を含む溶剤中に該抱接用溶剤を抱接した結晶として得る工程と、該結晶を該溶剤から回収する工程とを有することを特徴とする５'位保護化チミジン類の精製法。
【請求項２】
前記カルボニル化合物が酢酸ブチルまたは４−メチル−２−ペンタノンである請求項１に記載の精製法。
【請求項３】
前記式〔１〕の化合物と、下記式〔３〕
【化３】
0004071991.tif 000012
（式中、Ｒ６は水素原子または置換されてもよいトリチル基を、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は前記と同義である）で表される化合物を含む粗調製物を前記溶媒に溶解させ、前記式〔１〕の化合物を前記溶剤を抱接する結晶として該溶媒から回収することで、前記式〔３〕の化合物を該溶媒中に分離する請求項１または請求項２に記載の精製法。
【請求項４】
前記式〔１〕の化合物が下記式〔４〕
【化４】
0004071991.tif 000013
で表される化合物である請求項１から３のいずれかに記載の精製法。
【請求項５】
前記抱接用溶剤からなる溶媒から前記式〔１〕の化合物の溶剤抱接結晶を再結晶させる請求項１から４のいずれかに記載の精製法。
【請求項６】
前記溶媒が単一溶剤からなる請求項１〜５のいずれかに記載の精製法。
【請求項７】
下記式〔５〕
【化５】
0004071991.tif 000014
（式中、ｍおよびｎはそれぞれ独立して任意の整数、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は前記と同義である）で表される抱接化合物。
【請求項８】
下記式〔６〕
【化６】
0004071991.tif 000015
（式中、Ｒ７はｎ−ブトキシ基またはイソブチル基を表し、ｍおよびｎは前記と同義である）で表される抱接化合物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は５’位保護化チミジンおよびその誘導体の精製法に関する。また、本発明は該精製法で結晶として得られる５’位保護化チミジンの溶剤抱接化合物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
５’位保護化チミジン類は、近年開発されつつあるアンチセンスＤＮＡなどの原料として有用な化合物である。
【０００３】
近年、ゲノム創薬の進展に伴い、アンチセンスＤＮＡ医薬などが急速に開発されている。それに伴い、原料となるＤＮＡオリゴマー、さらにオリゴマーの原料となる保護化デオキシヌクレオシド類の需要が増大している。一方で医薬品の用途には、含まれている不純物による副生成物の生成を極力抑制するため、非常に高純度の中間体製品を使用する必要がある。
【０００４】
これまで５’位保護化チミジン類は、たとえば特表平６−５０７８８３号公報、特開２０００−２６４８９７号公報、メソッズ．オブ．エンザイモロジー（1980年）６５ページ［methods of enzymol.、65（1980）］に示されるとおりカラムクロマトグラフィー法により単離精製されている。この方法では、極性や構造が大きく異なる不純物の分離は比較的容易であるが、類似構造を有する不純物の除去は困難である場合が多い。とりわけ不純物として特に問題となる３’位置換異性体の除去は難しい。また、大掛かりな精製装置が必要なことから将来の大量生産、大量供給においては非常に問題があるといわざるを得ない。
【０００５】
また、これまでにも、カラムクロマトグラフィーを用いずに不純物を除くための検討がなされてきた。単一溶媒を用いる例としては、特昭５８−１８０５００号公報によるベンゼンを用いる精製方法が挙げられるが、実際に行うと結晶ではなく不純物を取りこんだゲル状となり、実用的ではない。また、毒性が高いベンゼン溶媒を用いる点でも問題がある。また、再沈殿法による精製については、特表平１１−５１１４８０号公報やＰＣＴ出願ＷＯ２０００７５１５４公報に開示されている。再沈殿による方法とは、予め粗化合物を可溶性溶媒に溶解した後で、不溶性溶媒を添加または不溶性溶媒に滴下することにより、強制的に再析出させる方法である。そのため基本的に精製能力は低い。また、可溶性溶媒と不溶性溶媒の量比を適切に調整することは工業的には困難で、量比を誤ると容易にオイル化したり、粘性のある沈殿を生じて精製に失敗しやすい。実際、特開昭６０−１５２４９５公報で記載されている通り、粘調なアメ状にて得られる場合があり、工業的には問題がある。これまでには再沈殿によるアモルファス化の方法は開示されてきたが、結晶化や再結晶化により結晶を得る方法については知られていなかった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記の従来の問題点を鑑みなされたものであり、その目的は効率的かつ特別な設備を必要としない、非常に高純度の５’位保護化チミジン類の製造法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記課題について鋭意検討した結果、酢酸ブチルや４−メチル−２−ペンタノンを初めとするカルボニル化合物を溶剤として用いることで、５’位保護化チミジン類がこれら溶媒を抱接した溶媒和複合体として得られ、結晶化あるいは再結晶化による精製法で精製可能であることを見出し、本発明を完成した。
【０００８】
即ち、本発明は、以下の各態様を含む。
（１）  式〔１〕
【０００９】
【化７】
0004071991.tif 000002
（式中、Ｒ１は置換されてもよいトリチル基を、Ｒ２は水素原子または低級アルキル基を、Ｒ３は水素原子、ハロゲン原子、もしくは置換された水酸基を表す）で表される化合物を、抱接用溶剤を含む溶媒中に該抱接用溶剤を抱接した結晶として得る工程と、
該結晶を該溶媒から回収する工程と
を有することを特徴とする５’位保護化チミジン類の精製法。
【００１０】
（２）  前記抱接用溶剤が、下記式〔２〕
【００１１】
【化８】
0004071991.tif 000003
（式中、Ｒ４は低級アルキル基を、Ｒ５は低級アルキル基もしくは低級アルコキシ基を表す）で表されるカルボニル化合物である上記項目（１）に記載の精製法。
【００１２】
（３）  前記カルボニル化合物が酢酸ブチルまたは４−メチル−２−ペンタノンである上記項目（２）に記載の精製法。
【００１３】
（４）前記式〔１〕の化合物と、下記式〔３〕
【００１４】
【化９】
0004071991.tif 000004
（式中、Ｒ６は水素原子または置換されてもよいトリチル基を、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は前記と同義である）で表される化合物を含む粗調製物を前記溶媒に溶解させ、前記式〔１〕の化合物を前記溶剤を抱接する結晶として該溶媒から回収することで、前記式〔３〕の化合物を該溶媒中に分離する上記項目（１）〜（３）のいずれかに記載の精製法。
【００１５】
（５）  前記式〔１〕の化合物が下記式〔４〕
【００１６】
【化１０】
0004071991.tif 000005
で表される化合物である上記項目（１）〜（４）のいずれかに記載の精製法。
【００１７】
（６）  前記抱接用溶剤からなる溶媒から前記式〔１〕の化合物の溶剤抱接結晶を再結晶させる上記項目（１）〜（５）のいずれかに記載の精製法。
【００１８】
（７）  前記溶媒が単一溶剤からなる上記項目（１）〜（６）のいずれかに記載の精製法。
【００１９】
（８）  下記式〔５〕
【００２０】
【化１１】
0004071991.tif 000006
（式中、ｍおよびｎはそれぞれ独立して任意の整数、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は前記と同義である）で表される抱接化合物。
（９）  下記式〔６〕
【００２１】
【化１２】
0004071991.tif 000007
（式中、Ｒ７はｎ−ブトキシ基またはイソブチル基を表し、ｍおよびｎは前記と同義である）で表される抱接化合物。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００２３】
前記式〔１〕のＲ１は、置換または無置換のトリチル基である。置換トリチル基としては、３つのフェニル基の少なくとも１つに置換基を有するものを挙げることができる。フェニル基上の置換位置は、２位、３位及び４位のいずれかの位置にあってもよく、あるいは、フェニル基上の複数の位置にあってもよい。また、１つのフェニル基上に複数の置換基が置換されている場合は、複数の置換基が同一でも、少なくとも２つの置換基が異なるものであってもよい。また、複数のフェニル基が置換基を有する場合は、複数の置換フェニル基が同一であっても、少なくとも２つの置換フェニル基が異なるものであってもよい。これには、例えば、２または３つのフェニル基が同一の置換基を有する場合や別の置換基を有する場合が含まれる。
【００２４】
トリチル基の有するフェニル基への置換基としては、たとえば、メチル基、エチル基、イソプロピル基などのアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、ｉ−プロピルオキシ基などのアルキルオキシ基；ニトロ基；アミノ基、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ基、ｉ−プロピルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基などの置換もしくは無置換アミノ基；フルオロ基、クロロ基、ブロモ基などのハロゲン基；ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ベンゾイル基などのアシル基；ホルミルオキシ基、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ベンゾイルオキシ基などのアシルオキシ基；ホルムアミド基、アセトアミド基、ベンズアミド基などのアミド基等が挙げられる。複数の置換基を有する場合は、各置換基をそれぞれ独立して上記の例示された置換基のいずれかとすることができる。
【００２５】
上記各置換基におけるアルキル基としては、例えば炭素数１〜７の低級アルキル基が好ましく、上記の具体例の有する炭素数のものが更に好ましい。
【００２６】
置換されてもよいトリチル基の例としては、例えば、トリチル基、４−メトキシトリチル基、４、４’−ジメトキシトリチル基、４、４’、４’’−トリメトキシトリチル基、４−メチルトリチル基、４、４’−ジメチルトリチル基等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【００２７】
Ｒ２における低級アルキル基は、アルキル基が直鎖状でも分岐していてもよく、また環を形成していてもかまわない。またアルキル基上に別の置換基が置換していてもかまわない。この低級アルキル基としては、炭素数１〜７のアルキル基、具体的には、たとえば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、シクロプロピル基、シクロプロピルメチル基、シクロペンチル基等が挙げられる。
【００２８】
Ｒ３におけるハロゲン基とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子のいずれかを表す。
【００２９】
Ｒ３における置換された水酸基とは、カルボン酸エステル、スルホン酸エステル、エーテル、ウレタン、シリル基などの一般的な水酸基の保護基となりうる置換基により置換された水酸基を表す。水酸基の保護基の例としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ベンジル基、２−メトキシベンジル基、３−メトキシベンジル基、４−メトキシベンジル基、２−メチルベンジル基、３−メチルベンジル基、４−メチルベンジル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、ベンジルオキシメチル基、ベンジルオキシエチル基、アセトキシメチル基、アセトキシエチル基、ベンゾイルオキシメチル基、ベンゾイルオキシエチル基、メトキシエトキシエチル基、プロパルギル基、アリル基等のアルキル基または置換アルキル基；フェニル基、２−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−フェニルフェニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基等のアリール基；ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ベンゾイル基、２−メトキシベンゾイル基、３−メトキシベンゾイル基、４−メトキシベンゾイル基、２−メチルベンゾイル基、３−メチルベンゾイル基、４−メチルベンゾイル基、２−ニトロベンゾイル基、３−ニトロベンゾイル基、４−ニトロベンゾイル基、４−フェニルベンゾイル基、２−クロロベンゾイル基、３−クロロベンゾイル基、４−クロロベンゾイル基などのアシル基；アミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル基、ジエチルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基などのウレタン基；メタンスルホニル基、エタンスルホニル基、ベンゼンスルホニル基、２−メチルベンゼンスルホニル基、３−メチルベンゼンスルホニル基、４−メチルベンゼンスルホニル基、トリフルオロメタンスルホニル基、トリクロロメタンスルホニル基等のスルホン酸エステル基；トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基などのシリル基などが挙げられる。
【００３０】
Ｒ３の置換された水酸基の例としてはたとえば、メトキシ基、エトキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、ｉ−ブチルオキシ基、ｔ−ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ベンジルオキシ基、２−メトキシベンジルオキシ基、３−メトキシベンジルオキシ基、４−メトキシベンジルオキシ基、２−メチルベンジルオキシ基、３−メチルベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、メトキシエチルオキシ基、エトキシエチルオキシ基、ベンジルオキシメトキシ基、ベンジルオキシエトキシ基、アセトキシメトキシ基、アセトキシエトキシ基、ベンゾイルオキシメトキシ基、ベンゾイルオキシエトキシ基、メトキシエトキシ基、プロパルギルオキシ基、アリルオキシ基、フェニルオキシ基、２−メトキシフェニルオキシ基、３−メトキシフェニルオキシ基、４−メトキシフェニルオキシ基、４−フェニルフェニルオキシ基、２−ピリジニルオキシ基、３−ピリジニルオキシ基、４−ピリジニルオキシ基、ホルミルオキシ基、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、２−メトキシベンゾイルオキシ基、３−メトキシベンゾイルオキシ基、４−メトキシベンゾイルオキシ基、２−メチルベンゾイルオキシ基、３−メチルベンゾイルオキシ基、４−メチルベンゾイルオキシ基、２−ニトロベンゾイルオキシ基、３−ニトロベンゾイルオキシ基、４−ニトロベンゾイルオキシ基、４−フェニルベンゾイルオキシ基、２−クロロベンゾイルオキシ基、３−クロロベンゾイルオキシ基、４−クロロベンゾイルオキシ基、アミノカルボニルオキシ基、ジメチルアミノカルボニルオキシ基、メチルアミノカルボニルオキシ基、エチルアミノカルボニルオキシ基、ジエチルアミノカルボニルオキシ基、フェニルアミノカルボニルオキシ基、メタンスルホニルオキシ基、エタンスルホニルオキシ基、ベンゼンスルホニルオキシ基、２−メチルベンゼンスルホニルオキシ基、３−メチルベンゼンスルホニルオキシ基、４−メチルベンゼンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、トリクロロメタンスルホニルオキシ基、トリメチルシリルオキシ基、トリエチルシリルオキシ基、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ基、ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ基などが挙げられる。
【００３１】
上記の水酸基の保護基の有する各置換基におけるアルキル基としては、例えば炭素数１〜７の低級アルキル基が好ましく、上記の具体例の有する炭素数のものが更に好ましい。
【００３２】
前記式〔２〕におけるＲ４の低級アルキル基は炭素数２〜７のアルキル基であり、Ｒ５の低級アルキル基は炭素数１〜７のアルキル基である。炭素数１〜７のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、２−メチルブチル基、アミル基、ｎ−ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基などが挙げられ、Ｒ５における低級アルコキシ基としては、炭素数１〜６のアルコキシ基、例えばメトキシ基、エトキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉ−ブチルオキシ基、ｔ−ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基などがあげられる。
【００３３】
本発明に用いる抱接用溶剤としては、前記式〔２〕で示されるカルボニル基を有するカルボニル化合物が好ましく用いられる。その代表例としては、アセトン、２−ブタノン、３−ペンタノン、２、４−ジメチル−３−ペンタノン、４−メチル−２−ペンタノン、３−メチル−２−ブタノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｔ−ブチル、酢酸イソブチル、酢酸アミル、酢酸ｎ−ペンチル、酢酸ｎ−ヘキシル、酢酸シクロヘキシル、プロピオン酸ｎ−プロピル及びプロピオン酸イソプロピル等が挙げられる。アセトン以外のこれらのカルボニル化合物は溶媒中に通常単独で用いるが、混和可能な比率で２以上のカルボニル化合物を組み合わせて混合して用いることもできる。また、複数のカルボニル化合物を用いて予め調製しておいた混合溶剤を用いることもできる。
【００３４】
抱接結晶を得るための溶媒は、抱接用の溶剤のみから、あるいは抱接用溶剤と、その他の抱接結晶の形成に関与しない溶剤とを、混和可能な比率で混和させて用いることができる。例えば、単独のカルボニル化合物溶剤または複数のカルボニル化合物の混合溶剤に対して混和可能な比率で他の溶剤を混和して使用してもよい。
【００３５】
混和の際に用いることのできる他の溶剤としては、混和が可能であれば任意の溶媒を用いることができるが、たとえば、メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類；アセトニトリル、プロピオニトリルなどのニトリル類；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）などのエーテル類；ベンゼン、トルエン、クメン、キシレン、メシチレン、ジイソプロピルベンゼン、トリイソプロピルベンゼンなどの芳香族炭化水素；ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、石油エーテルなどの脂肪族炭化水素；ジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン、クロロブタン等のハロゲン化炭化水素類；ピリジン、ルチジン、キノリンなどのピリジン類、トリエチルアミン、トリブチルアミン等の３級アミン、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルイミダジリジノン（ＤＭＩ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）などの極性溶媒が挙げられる。他の溶剤の混和の際の比率は、カルボニル化合物の総量に対し１００重量％以下であるが、好ましくは２０重量％以下であり、さらに好ましくは１０重量％以下である。
【００３６】
溶剤を抱接した結晶とは、結晶格子に溶剤を取りこんだ形で結晶を形成したり、溶剤との弱い相互作用により複合体を形成したりするなど、結晶構造を形成するために溶剤が補助的な役割を果たしている状態を指し、抱接の形態と結晶構造については特に制限されない。
【００３７】
結晶化または再結晶化の際のカルボニル化合物の量は、溶媒中に含まれる式〔１〕の化合物の量が飽和溶解度以下となるようであれば特に規定されないが、重量基準で式〔１〕の化合物に対してカルボニル化合物を５倍以上１５０倍以下で用いるのが望ましく、８倍以上５０倍以下で用いるのが更に望ましい。
【００３８】
結晶化または再結晶化の際の温度は特に規定されないが、−１０℃から溶剤または溶媒の沸点の範囲が望ましい。また、通常は１度の再結晶で、更に十分な精製が可能であるが、さらに繰り返し再結晶を行うことでより高純度にすることもできる。再結晶化の際の溶媒としては、抱接用溶剤のみからなるものが好ましく、また、同一の単一抱接用溶剤を結晶化及び再結晶化の両方に用いるのが更に好ましい。
【００３９】
本発明の精製法により得られる抱接化合物の好ましい態様としては、先に式〔６〕で示した化合物を挙げることができる。なお、式〔６〕におけるｎ及びｍは任意の整数を表すが、例えば１〜５の範囲から選択された整数であることが好ましい。
以上、本発明により、５’位保護化チミジン類の効率的な精製ができるようになった。
【００４０】
【実施例】
以下に実施例をあげて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらによって限定されるものではない。
【００４１】
実施例１
５'−Ｏ−（４、４’−ジメトキシトリチル）チミジン・（４−メチル−２−ペンタノン）（２：１）複合体の製造
チミジン４０．０ｇ（０．１６５ｍｏｌ）をピリジン５００ｍｌに溶解撹拌しつつジメトキシトリチルクロリド５６．０ｇ（０．１６５ｍｏｌ）を添加し、室温で３時間撹拌した。炭酸水素ナトリウム１６．７ｇを加え、室温で３０分間撹拌後、溶媒を減圧で留去した。残留物にメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）５００ｍｌを加え撹拌しつつ、水５００ｍｌを加えて１０分間撹拌した。次いで有機層を採り、水５００ｍｌで洗った。有機層を採り、溶媒を減圧で留去した。残留物をメチルイソブチルケトン９００ｍｌから再結晶して、結晶生成物を濾取した。次いで結晶生成物を５０℃で恒量となるまで真空乾燥したところ、その重量は６７．３ｇであった。ＮＭＲ測定より、結晶は、目的化合物の１分子に対して４−メチル−２−ペンタノン０．５分子を抱接しているものであることが判明した。ＤＳＣ測定により、１３７℃で鋭い吸熱ピーク（６６．８Ｊ／Ｇ）を示し、結晶であることが判明した。また、ＴＧ−ＤＴＡ分析により、恒量まで乾燥して得た４−メチル−２−ペンタノン０．５分子を抱接した結晶は、吸熱反応を生じる温度（１２２−１３２℃）まで重量減少が生じず、付着溶媒を持たないことが判明した。逆相用オクタデシルシリカゲルカラムを用いて、アセトニトリル／水（７５／２５）混合溶媒で溶離させ、ＵＶ検出器（２５４ｎｍ）で検出する高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）で分析したところ、純度は９９．５％であった。最大不純物は、３’,５’−O−ビス（４、４’−ジメトキシトリチル）チミジンの０．３％（ＨＰＬＣピーク面積％）であった（収率６７％）。
NMR:δ(CDCl3):8.7(S、1H)、7.6(S、1H)、7.2-7.4(m、9H)、6.8(m 、4H)、6.4(t、1H)、4.6(m、1H)、4.1(m、1H)、3.8(S、6H)、3.4(m、2H)、2.3-2.5（m、3H、MIBKのCH2を含む）、2.1(m、1.5H、MIBKのCOCH3）、1.7(m、0.5H、MIBKのCH)、1.5(S、3H)、0.9(d、3H、MIBKのCH3×２）．（MIBK:4-メチル-2-ペンタノンの略）
IR:cm-1(KBr):3163、1698、1608、1509、1259、1177、1098、1033、830.
【００４２】
実施例２
５’−Ｏ−（４、４’−ジメトキシトリチル）チミジン・（酢酸ｎ−ブチル）（２：１）複合体の製造
チミジン４０．０ｇ（０．１６５ｍｏｌ）をピリジン５００ｍｌに溶解撹拌しつつジメトキシトリチルクロリド５６．０ｇ（０．１６５ｍｏｌ）を添加し、室温で３時間撹拌した。炭酸水素ナトリウム１６．７ｇを加え、室温で３０分間撹拌後、溶媒を減圧で留去した。残留物に酢酸ｎ−ブチル５００ｍｌを加え撹拌しつつ、水５００ｍｌを加えて１０分間撹拌した。次いで有機層を採り、水５００ｍｌで洗った。有機層を採り、溶媒を減圧で留去した。残留物を酢酸ｎ−ブチル９００ｍｌから再結晶して、結晶生成物を濾取した。次いで結晶生成物を５０℃で恒量となるまで真空乾燥したところ、その重量は７４．６ｇであった。逆相用オクタデシルシリカゲルカラムを用いて、アセトニトリル／水（７５／２５）混合溶媒で溶離させ、ＵＶ検出器（２５４ｎｍ）で検出する高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）で分析したところ、純度は９９．６％であった。最大不純物は、３’,５’−O−ビス（４、４’−ジメトキシトリチル）チミジンの０．３％（ＨＰＬＣピーク面積％）であった（収率７５％）。
NMR:δ(CDCl3):0.9(t、1.5H、酢酸n-ブチルのCH3)、1.4(m、1H、酢酸n-ブチルのCH2)、1.5(s、3H)、1.6(m、1H、酢酸n-ブチルのCH2)、2.0(s 、1.5H、酢酸n-ブチルのCH3)、2.3(m、1H)、2.4(m、1H)、2.6(m、1H、酢酸n-ブチルのOCH2)、3.3(dd、1H)、3.4(dd、1H)、3.8(s、6H)、4.1(m、1H)、4.6(m、1H)、6.4(m、1H)、6.8(m、4H)、7.3(m、7H)、7.4(m、2H)、7.6(s、1H)、8.9(s、1H)。
【００４３】
参考例１
３’，５’−O−ビス（４，４’−ジメトキシトリチル）チミジンの製造
実施例１で得た再結晶ろ液を濃縮後、濃縮残さをカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル−ヘキサン）で精製した。精製フラクションを濃縮して得た粉末をジイソプロピルアルコールに懸濁し、析出物をろ取、乾燥し、表題化合物を白色粉末として得た。
1Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ：８．１（１Ｈ，ｓ）、７．５−７．２（１８Ｈ，ｍ）、６．８（８Ｈ，ｍ）、６．４（１Ｈ，ｍ）、４．４（１Ｈ，ｍ）、４．１（０．３３Ｈ，ｍ）、３．８（１Ｈ，ｍ）、３．８（１２Ｈ，ｓ）、３．２（１Ｈ，ｍ）、２．９（１Ｈ，ｍ）、１．９（２Ｈ，ｍ）、１．４（３Ｈ，ｍ）、１．２（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝６Ｈｚ）
【００４４】
参考例２
５’−O−（ｔ−ブチルジメチルシリル）チミジンの製造
チミジン１５．０ｇをＤＭＦ２００ｍＬに溶解した。この溶液に、イミダゾール８．１６ｇを添加し溶解した。その後、ｔ−ブチルジメチルシリルクロリドを１０．８ｇとＤＭＦ１００ｍＬを添加し室温にて攪拌した。２時間後、酢酸エチルで抽出し、飽和食塩水にて洗浄後、無水硫酸マグネシウムにて脱水した。濃縮後、カラムクロマト（メタノール−クロロホルム）にて分離した。分画後、溶液を濃縮し、１１．３ｇの表題化合物を得た。収率５１％
1Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ：９．２（１Ｈ，ｂｒ）、７．５（１Ｈ，ｓ）、６．４（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝５．６，８．４Ｈｚ）、４．５（１Ｈ，ｍ）、４．１（１Ｈ，ｍ）、３．９（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝２．８，１１．２Ｈｚ）、３．８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝２．４，１１．２Ｈｚ）、２．９（１Ｈ，ｍ）、２．４（１Ｈ，ｍ）、２．１（１Ｈ，ｍ）、１．９（３Ｈ，ｍ）、０．９（９Ｈ，ｓ）、０．１（６Ｈ，ｓ）
【００４５】
参考例３
５’−O−（ｔ−ブチルジメチルシリル）−３’−O−（４，４’−ジメトキシトリチル）チミジンの製造
５’−O−（ｔ−ブチルジメチルシリル）チミジン１１．３ｇを無水ピリジン１００ｍＬに溶解した。この溶液に、４，４’−ジメトキシトリチルクロリド１１．４ｇと無水ピリジン１４０ｍＬを添加し６０℃にて攪拌した。反応終了後、重曹にて中和後、ピリジンを留去した。酢酸エチルで抽出し、飽和食塩水にて洗浄後、無水硫酸マグネシウムにて乾燥した。濃縮後、カラムクロマト（酢酸エチル−ヘキサン）にて精製し、表題化合物１４．９ｇを得た。収率７１％
1Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）δ：８．２（１Ｈ，ｓ）、７．８（１Ｈ，ｓ）、７．５−７．３（９Ｈ，ｍ）、６．８（４Ｈ，ｍ）、６．４（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝５．６，５．６Ｈｚ）、４．３（１Ｈ，ｍ）、４．１（１Ｈ，ｍ）、４．０（１Ｈ，ｍ）、３．８（６Ｈ，ｓ）、３．７（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１．６，１１．２Ｈｚ）、３．３（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．８，１１．２Ｈｚ）、２．０（１．５Ｈ，ｍ）、１．９（３Ｈ，ｓ）、１．７−１．５（２Ｈ，ｍ）、１．３（１．５Ｈ，ｍ）、０．８（９Ｈ，ｓ）、０．１（３Ｈ，ｓ）、０．０４（３Ｈ，ｓ）
【００４６】
参考例４
３’−O−（４，４’−ジメトキシトリチル）チミジンの製造
５’−O−（ｔ−ブチルジメチルシリル）−３’−O−（４，４’−ジメトキシトリチル）チミジン１４．９ｇを脱水ＴＨＦ２００ｍＬに溶解した。この溶液に、テトラブチルアンモニウムフロリド／ＴＨＦ溶液２５ｍＬを添加し、脱水ＴＨＦ１００ｍＬを添加し室温にて攪拌した。８時間後、濃縮してから酢酸エチルで抽出し、飽和食塩水にて、洗浄後、無水硫酸マグネシウムにて乾燥した。濃縮後、カラムクロマト（酢酸エチル−ヘキサン）にて精製し、さらにクロロホルムに溶解後、ヘキサン中に滴下して得た析出物をろ過、乾燥し、表題化合物１２．２ｇを白色粉末として得た。収率９８％
1Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）  δ  ：８．７（１Ｈ，ｓ）、７．７（１Ｈ，ｓ）、７．５−７．２（９Ｈ，ｍ）、６．８（４Ｈ，ｍ）、６．１（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝５．６，８．８Ｈｚ）、４．０（１Ｈ，ｍ）、３．８（６Ｈ，ｓ）、３．７（１Ｈ，ｍ）、３．３（１Ｈ，ｍ）、２．３（１Ｈ，ｍ）、１．９（１Ｈ，ｍ）、１．８７（３Ｈ，ｓ）、１．７（１Ｈ，ｍ）
【００４７】
比較例１
３’位置換異性体〔３’−Ｏ−（４、４’−ジメトキシトリチル）チミジン〕あるいは３’、５’位多置換体〔３’、５’−Ｏ−ビス（４、４’−ジメトキシトリチル）チミジン〕といった不純物の除去能力について、４−メチル−２−ペンタノン（ＭＩＢＫ）溶媒で再結晶する方法と可溶性溶媒としてジクロロメタン、不溶性溶媒としてヘキサンを用いて再沈殿した精製法とを比較した。併せて目的物〔５’−Ｏ−（４、４’−ジメトキシトリチル）チミジン〕の回収率と、得られた結晶の熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ：吸熱ピーク、ＤＳＣ：吸熱ピークおよび吸熱エネルギー）結果を比較した。
【００４８】
【表１】
0004071991.tif 000008
【００４９】
（１）比較例１のＨＰＬＣ条件（多置換体量の分析）：
カラム：Ｄｅｖｅｌｏｓｉｌ  ＴＭＳ−ＵＧ−５
１５０ｍｍ×φ４．６
流速：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
カラム温度：４０℃
検出波長：２５４ｎｍ
移動相：グラジェント条件（表２参照）
【００５０】
【表２】
0004071991.tif 000009
【００５１】
〔Ａ液〕
１００ｍＭ  トリエチルアミン−酢酸（ｐＨ７）１００ｍＬ／水８８０ｍＬ／アセトニトリル２０ｍＬ
〔Ｂ液〕
１００ｍＭ  トリエチルアミン−酢酸（ｐＨ７）１００ｍＬ／アセトニトリル９００ｍＬ
【００５２】
（２）比較例１のＨＰＬＣ条件（３’位異性体量の分析）：
カラム：Ｄｅｖｅｌｏｓｉｌ  ＴＭＳ−ＵＧ−５
１５０ｍｍ×φ４．６
移動層：アセトニトリル−水（５５：４５）
流速：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
カラム温度：４０℃
検出波長：２５４ｎｍ
【００５３】
（３）熱重量分析条件（ＴＧ−ＤＴＡ）：
測定機器：ＳＨＩＭＡＤＺＵ  ＴＧ／ＤＴＡ３２０（ＳII）
温度上昇速度：１０℃／ｍｉｎ
測定雰囲気：窒素雰囲気下  ２００ｍＬ／ｍｉｎ
【００５４】
（４）示差走査熱量測定条件（ＤＳＣ）：
測定機器：パーキンエルマー社製、ＤＳＣ−７
温度上昇速度：１０℃／ｍｉｎ
【００５５】
【発明の効果】
本発明により、大量製造可能な方法を用いて、従来の方法に比べ効率的に高純度の５’位保護化チミジン類を製造することができるようになった。