(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
インゴットから半導体ウェーハをスライスする工程と、
この半導体ウェーハに面取り加工を施す工程と、
上記スライス工程および面取り工程での半導体ウェーハの加工ダメージを粗いエッチングで除去する工程と、
半導体ウェーハの表面にダメージ深さ２μｍ以下の低ダメージの研削を施すと同時に、半導体ウェーハの裏面をダメージ深さ２μｍの低ダメージのラッピングを施す工程と、
表面研削および裏面ラップ工程での半導体ウェーハの加工ダメージをエッチングにより除去する工程と、
エッチング後、半導体ウェーハの表面を鏡面研磨する工程とを備えた高平坦度裏面梨地ウェーハの製造方法。
【請求項２】
上記半導体ウェーハの表面研削は、＃１５００〜＃４０００の研削砥石を用いて行う請求項１に記載の高平坦度裏面梨地ウェーハの製造方法。
【請求項３】
上記半導体ウェーハの裏面ラッピングは、＃１５００〜＃４０００の複合人造エメリーのラッピング砥粒を用いて行う請求項１または請求項２に記載の高平坦度裏面梨地ウェーハの製造方法。
【請求項４】
ダメージ深さ２μｍの低ダメージ用のラッピング砥粒を含むラッピング液を供給しながら、半導体ウェーハの裏面をラッピングするラッピング定盤と、
このラッピング定盤に装着された半導体ウェーハの表面に研削砥石を押し付けることで、半導体ウェーハの表面にダメージ深さ２μｍ以下の低ダメージの研削を施す研削機とを備え、
上記研削砥石が、＃１５００〜＃４０００の砥粒を有するとともに、
上記ラッピング砥粒が、＃１５００〜＃４０００の複合人造エメリーからなる表面研削裏面ラップ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は高平坦度裏面梨地ウェーハの製造方法および該製造方法に用いられる表面研削裏面ラップ装置、詳しくはウェーハ表面における高平坦度を維持しながら、梨地面であるウェーハ裏面の光沢度を任意に選定することができる高平坦度裏面梨地ウェーハの製造方法および該製造方法に用いられる表面研削裏面ラップ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のシリコンウェーハの製造方法を図４のフローチャートを参照して説明する。
まず、スライス工程（Ｓ３０１）では、直径が３０ｃｍのインゴットからシリコンウェーハをスライスする。スライス後のシリコンウェーハの平坦度はＧＢＩＲ（Global Back-side Ideal Range）で１０〜３０μｍ程度（８インチウェーハでは１０〜２０μｍ）、加工ダメージは１５μｍ程度である。次の面取り工程（Ｓ３０２）では、このウェーハの外周部に面取り加工を施す。
続くラッピング工程（Ｓ３０３）においては、ラッピング定盤によりシリコンウェーハの表裏両面にラッピング加工を施す。なお、ラッピング砥粒には、通常、＃１２００の複合人造エメリーが使用され、ラップ後の平坦度はＧＢＩＲで１μｍ程度、加工ダメージは７μｍ（最大で１５μｍ）程度である。この際のラップ量は片面３５〜４５μｍ、両面で７０〜９０μｍ程度である。
【０００３】
次のエッチング工程（Ｓ３０４）では、ラップドウェーハを高精度に酸エッチングする高精度酸エッチング液（混酸またはアルカリ＋混酸）に浸漬し、そのラッピング加工での歪み、面取り工程での歪みなどを除去する。この場合、通常、片面で１０〜２０μｍ、両面で２０〜４０μｍ程度をエッチングする。
このエッチング後のシリコンウェーハをワックスを用いて研磨盤に接着し、ウェーハ表面に鏡面研磨を施す（Ｓ３０５）。次いで、シリコンウェーハの裏面に付着したワックスなどを除去した後、最終の仕上げ洗浄工程（Ｓ３０６）を経る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この従来技術におけるシリコンウェーハの製造方法にあっては、このラッピング工程が、加工取り代を７０〜９０μｍとして、シリコンウェーハの平坦度を高める工程として位置づけられていた。
すなわち、このスライス後のウェーハは、比較的粗いＦＯ＃１２００のラッピング砥粒の供給をうけながら、上，下のラッピング定盤を有するラップ装置によってラッピングされていた。このようにＦＯ＃１２００という粗いラッピング砥粒を用いることで、ラッピング後の加工ダメージは７μｍ（最大１５μｍ）と比較的大きかった。
【０００５】
これにより、続く高精度酸エッチング工程にあっては、ＧＢＩＲで１μｍという平坦度を低下させずに、ラッピング時の７μｍの加工ダメージを除くために、そのエッチング量は表裏両面で３０μｍと大きかった。
通常、酸エッチングは、エッチング速度が速くて、ウェーハと酸性溶液との反応が強く、多量の気泡が発生する。その影響などにより、このウェーハの表裏面にはうねりが生じやすく、ウェーハ外周部にもダレが発生しやすくて、ウェーハ平坦度が低下する傾向にある。したがって、前述したようなきびしい条件を満足させることができる酸エッチャントの種類は、現在、わずか数種類しか存在しない。その結果、ウェーハ裏面の光沢度の選択性が低下してしまうという問題点があった。
【０００６】
そこで、発明者は、半導体ウェーハのスライス・面取り加工時の加工ダメージを、平坦度をそれほど考慮しない粗いエッチングで略完全に取り除き、次いで、ウェーハ表面を研削砥石により低ダメージ研削すると同時に、ウェーハ裏面をラッピングし、その後、この表面研削・裏面ラップ工程でのわずかな表裏面の加工ダメージを、エッチングによって除去するようにすれば、ウェーハ表面の平坦度が高まると同時に、ウェーハ裏面の光沢度の選択性も大きくなることを知見し、この発明を完成させるに至った。
【０００７】
【発明の目的】
この発明は表面が高平坦度で裏面が梨地のウェーハの製造方法を提供することをその目的としている。
この発明は、上記高平坦度裏面梨地ウェーハの製造方法に用いられる表面研削裏面ラップ装置を提供することを、その目的としている。
この発明は、ウェーハ表面をあらさずに、高いスループットで研削することができる高平坦度裏面梨地ウェーハの製造方法およびこの製造方法に用いられる表面研削裏面ラップ装置を提供することを、その目的としている。
この発明は、ウェーハ裏面をあらさずに、高いスループットでラッピングすることができる高平坦度裏面梨地ウェーハの製造方法およびこの製造方法に用いられる表面研削裏面ラップ装置を提供することを、その目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、インゴットから半導体ウェーハをスライスする工程と、この半導体ウェーハに面取り加工を施す工程と、上記スライス工程および面取り工程での半導体ウェーハの加工ダメージを粗いエッチングで除去する工程と、半導体ウェーハの表面にダメージ深さ２μｍ以下の低ダメージの研削を施すと同時に、半導体ウェーハの裏面をダメージ深さ２μｍの低ダメージのラッピングを施す工程と、表面研削および裏面ラップ工程での半導体ウェーハの加工ダメージをエッチングにより除去する工程と、エッチング後、半導体ウェーハの表面を鏡面研磨する工程とを備えた高平坦度裏面梨地ウェーハの製造方法である。
【０００９】
半導体ウェーハとしては、シリコンウェーハ，ガリウム砒素ウェーハなどが挙げられる。
ここでいう粗いエッチングとは、スライス加工での歪み、面取り工程での歪みなどを除去するために、半導体ウェーハの表面の平坦度をそれほど考慮しない低精度酸エッチング液を用いて行うエッチングを意味する。
低精度酸エッチングのエッチング液としては、フッ酸、硝酸、酢酸、臭酸、リン酸などの酸またはこれらの混合液がある。
この低精度酸エッチングのエッチング量は、ウェーハの表裏両面で２０〜４０μｍ、好ましくは２４〜３６μｍである。２０μｍ未満ではスライスダメージが残存する。また、４０μｍを超えるとスライスでの加工歪みがない領域までエッチングし、コストメリットを失う。そして、低精度酸エッチング後の平坦度はＧＢＩＲで１０〜３０μｍ、好ましくはＧＢＩＲで１０〜２０μｍである。ＧＢＩＲで３０μｍを超えると加工取り代が大きくなり、スループットが低下し、コストメリットを損なう。
【００１０】
また、ここでいうエッチングとは、酸またはアルカリによるエッチングであり、表面研削・裏面ラップ工程での半導体ウェーハの加工ダメージを除去するため、半導体ウェーハの表面の平坦度を重視して、比較的エッチング速度がおそいエッチング液を用いて行うエッチングである。高精度酸エッチングまたはアルカリエッチングの種類は限定されない。例えばフッ酸、硝酸、酢酸、臭酸、リン酸またはこれらの混合液、ＫＯＨ、ＮａＯＨなどを使用する。
この高精度エッチングのエッチング量は、ウェーハの表裏両面で２〜１０μｍである。２μｍ未満では研削条痕が残る不都合が生じる。また、１０μｍを超えると平坦度ＧＢＩＲが悪化する。
そして、高精度エッチング後の平坦度はＧＢＩＲで０．２〜０．５μｍである。
【００１１】
使用する研削砥石は、良質の合成樹脂を結合剤としてダイヤモンド砥粒を結合したレジノイド研削砥石またはビトリファイド研削砥石がある。レジノイド研削砥石またはビトリファイド研削砥石による低ダメージ研削では、ウェーハ表面があれにくく、後述する低精度エッチング後のウェーハ表面を研削することができる研削砥石によることが好ましい。例えば、＃１５００〜＃４０００の砥粒を使用した研削砥石が好ましい。
例えばディスコ株式会社製のレジノイド研削砥石、「ＢＭ−０１」を用いることができる。この研削砥石は、研削機の研削ヘッドの下面外周部に環状に配列されたカップ型砥石としてもよい。
この場合の低ダメージ研削での研削ダメージは２μｍ以下とする。研削ダメージが大きいと、後の表面研磨工程での研磨量が増大する。低ダメージ研削の研削量は１５μｍ以下、好ましくは１０〜１５μｍである。１５μｍを超えると、不要な領域も研削することとなり、コストメリットを得ることができない。
また、低ダメージでの研削・ラッピング後の表面平坦度はＧＢＩＲで０．２〜０．５μｍである。
【００１２】
ここでいう低ダメージラッピングとは、低ダメージ用のラッピング砥粒を含むアルカリ系のラッピング液を供給しながら、ラッピング後のウェーハ裏面のダメージを低減させたラッピングを意味する。この低ダメージラッピングとはダメージ深さが２μｍのラッピングを意味する
低ダメージ用のラッピング砥粒の種類は限定されない。例えば、複合人造エメリー，板状アルミナなどが挙げられる。ただし、板状アルミナは高い加工能率が得られるものの、面粗さ（特にＲｍａｘ）が大きくなり、加工ダメージが深くなる。そのため、複合人造エメリーが好ましい。
ラッピング砥粒の粒径は、例えば複合人造エメリーの場合で＃１５００〜＃４０００、好ましくは＃２０００〜＃４０００である。＃１５００未満では所定の高精度エッチングでもラップ加工によるダメージを除去することができない。また、＃４０００を超えると安定・継続したラップ加工が不可能となる。
【００１３】
この低ダメージラッピングのラッピング量は、ウェーハの裏面で１０〜１５μｍである。
また、低ダメージラッピング時には、定盤形状の維持のため、ツルーアを用い、定盤上のウェーハ加工域の反対側域で定盤形状の修正を行うことが重要である。
また、研削と低ダメージラッピングとの同時加工により、その副次的効果として、完成後ウェーハから結晶部位までのトレーサビリティの確保ができる。
【００１４】
請求項２に記載の発明は、上記半導体ウェーハの表面研削は、＃１５００〜＃４０００の研削砥石を用いて行う請求項１に記載の高平坦度裏面梨地ウェーハの製造方法である。
【００１５】
請求項３に記載の発明は、上記半導体ウェーハの裏面ラッピングは、＃１５００〜＃４０００の複合人造エメリーのラッピング砥粒を用いて行う請求項１または請求項２に記載の高平坦度裏面梨地ウェーハの製造方法である。
ラッピングに使用するラッピング砥粒には、＃１５００〜＃４０００の複合人造エメリー、例えばフジミインコーポレーティッド製の「オプティカルエメリー粉」がある。
【００１６】
請求項４に記載の発明は、ダメージ深さ２μｍの低ダメージ用のラッピング砥粒を含むラッピング液を供給しながら、半導体ウェーハの裏面をラッピングするラッピング定盤と、このラッピング定盤に装着された半導体ウェーハの表面に研削砥石を押し付けることで、半導体ウェーハの表面にダメージ深さ２μｍ以下の低ダメージの研削を施す研削機とを備え、上記研削砥石が、＃１５００〜＃４０００の砥粒を有するとともに、上記ラッピング砥粒が、＃１５００〜＃４０００の複合人造エメリーからなる表面研削裏面ラップ装置である。
表面研削裏面ラップ装置は、半導体ウェーハを一枚ずつ処理する枚葉式の装置でもよい。複数枚を一度に処理するバッチ式でもよい。例えば、遊星歯車方式を採用した装置で、回転自在に設けられた太陽ギヤとリングギヤとの間にキャリアを自転・回転数・方向を自在に設け、キャリアに保持された半導体ウェーハに対して、下面外周部にカップ型砥石が回転自在に周設された研削機を押し付けることで、ウェーハ裏面をラッピング定盤（下定盤）によりラッピングすると同時に、ウェーハ表面を研削機により研削するものがある。
【００１７】
上記研削砥石は、レジノイド研削砥石、ビトリファイド研削砥石のいずれでもよい。
【００１８】
【作用】
この発明によれば、まずスライス加工時に半導体ウェーハに生じた加工ダメージを、低精度エッチング工程において、平坦度をそれほど考慮することなく粗めに除去する。次に、半導体ウェーハの表面を研削砥石を用いて低ダメージ研削するとともに、このウェーハの裏面を、低ダメージ用のラッピング砥粒を含むラッピング液を供給しながらラッピングする。
これにより、半導体ウェーハの表面は従来の裏面梨地ウェーハよりも高平坦度でありながら、このウェーハの表裏面の加工ダメージは減少する。
その結果、続く高精度酸エッチングまたはアルカリエッチング工程では、エッチング量が減少する。このように、半導体ウェーハのエッチング量を減少させることで、高精度エッチング工程におけるエッチング液の使用品種を増やすことができる。よって、高平坦度を維持しながら、裏面の光沢度の選択性を大きくすることができる。
【００１９】
特に、半導体ウェーハの表面の研削を、＃１５００〜＃４０００の砥粒を有する研削砥石を用いて行うことができる。この研削砥石は、非ダメージ面であるシリコン表面の研削が可能である。したがって、エッチングされてダメージの無いウェーハ表面を、この高番手の研削砥石により、ダメージを少なく（ダメージ深さ２μｍ以下）かつ表面をあらさずに研削することができる。また、電解ドレス研削に比較して高いスループットで研削することができる。
【００２０】
また、半導体ウェーハの裏面ラッピング時、＃１５００〜＃４０００の複合人造エメリーのラッピング砥粒を含むアルカリ系ラッピング液を用いてラッピングを行う場合、半導体ウェーハの裏面をあらさずに、高いスループットでラッピングすることができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の一実施例を図面を参照して説明する。
図１は、この発明の一実施例に係る高平坦度裏面梨地ウェーハの製造方法のフローチャートである。図２は、この発明の一実施例に係る表面研削裏面ラップ装置の説明図である。図３は、この発明の一実施例に係る表面研削裏面ラップ装置の要部拡大平面図である。
図１に示すように、この実施例にあっては、大略、スライス，面取り，低精度の酸エッチング，表面研削裏面ラッピング，高精度の酸エッチングまたはアルカリエッチング，ＰＣＲ，鏡面研磨，仕上げ洗浄の各工程を経て、高平坦度裏面梨地ウェーハが作製される。以下、各工程を詳細に説明する。
【００２２】
ＣＺ法により引き上げられたシリコンインゴットは、スライス工程（Ｓ１０１）で、シリコンウェーハＷにスライスされる。スライス後の平坦度はＧＢＩＲで１０〜３０μｍ程度であり、加工ダメージａは１５μｍ程度である。
次に、このスライスドウェーハは、面取り工程（Ｓ１０２）で、その周縁部が面取り用の砥石により所定形状に面取りされる。この結果、シリコンウェーハＷの周縁部は、所定の丸みを帯びた形状（例えばＭＯＳ型の面取り形状）に成形される。
次に、この面取り加工が施されたシリコンウェーハＷには、次工程での生産性を高める場合、低精度酸エッチング工程（Ｓ１０３）で平坦度をそれほど考慮しない酸エッチングが行われる。具体的には、フッ酸、硝酸、酢酸などからなる低精度酸エッチング液（室温〜４０℃）中に、シリコンウェーハＷを浸漬する。平坦度はＧＢＩＲで１０〜３０μｍ程度で、加工ダメージはない。エッチング量は片面１５μｍ、表裏両面で３０μｍである。
【００２３】
その後、表面研削裏面ラッピング工程（Ｓ１０４）で、シリコンウェーハＷの表面を♯２０００のレジノイド研削砥石を用いて低ダメージ研削する一方、シリコンウェーハＷの裏面に対して、微細なラッピング砥粒を含むアルカリ系ラッピング液により低ダメージのラッピングを行う。
この表面研削・裏面ラッピング工程は、図２および図３に示す表面研削裏面ラップ装置１０により行われる。以下、これを詳細に説明する。
図１および図２に示すように、この表面研削裏面ラップ装置１０は、遊星歯車方式のものである。その構成は、主に、軸回りに回転自在に設けられた太陽ギヤ１１と、この軸と同軸的に回転自在に設けられたリングギヤ１２と、これらのギヤ１１，１２に同時に噛合して公転および自転する円形板状のキャリア１３と、このキャリア１３の下方に配置されて、表面に格子状のラッピング溝（例えば溝幅２ｍｍ、溝深さ１０ｍｍ）１４ａが刻設されたラッピング定盤１４と、このラッピング定盤１４上にラッピング液を供給するスラリノズル１５と、このキャリア１３の上方に昇降自在に配置されて、下面外周部に水平回転自在なカップ型砥石１６を有する低ダメージの研削機１７と、ラッピング定盤１４の上方に昇降自在にあって、この定盤１４の表面形状を修正する形状修正用ツルーア１８とを備えている。
ラッピング液としては、ＦＯ♯４０００のラッピング砥粒と分散剤と水の混合物が採用されている。
【００２４】
また、カップ型砥石１６には、ディスコ株式会社製のレジノイド研削砥石、製品名「ＢＭ−０１」が採用されている。この研削砥石は、＃４０００という高番手でかつ非ダメージ面を加工するために開発した特別な砥石である。砥粒の平均粒径は１〜２μｍである。カップ型砥石１６の砥粒粗さをレジノイド研削砥石の＃４０００としたので、研削加工によるシリコンウェーハＷの加工ダメージを浅くすることができる。しかも、＃４０００くらいまでは研削時に生じる摩擦熱による焼きつき現象に優る自生発刃現象を確保することができる。
研削機１７には回転モータが内蔵されており、この回転モータによりカップ型砥石１６が回転する。回転速度は、１０００〜４０００ｒｐｍである。
【００２５】
スラリノズル１５からラッピング定盤１４の表面に、このラッピング液を流し込みながらラッピング定盤１４を回転させると同時に、このウェーハ表面にカップ型砥石１６を押し付けて回転させる。この加圧下で回転・摺り合わせを行うことにより、シリコンウェーハＷの表面を低ダメージで研削すると同時に、このウェーハＷの裏面を機械的に低ダメージでラッピングする。
研削中、研削機１７に内設された研削液供給経路を通して、冷却水を兼ねる研削液を、カップ型砥石１６によるウェーハ研削面に供給する。研削中、研削液がキャリア１３とシリコンウェーハＷとの隙間から、ラッピング定盤１４上のラッピング面に流れ込むおそれがある。これにより、研削液がラッピング液と混ざり合って、ラッピング液が薄められたり、成分が異なってしまうことが懸念される。この実施例では、キャリア１３の内部に形成された圧縮空気の通路を介して、キャリア１３とシリコンウェーハＷとの隙間にキャリア１３の内周面に設けられた噴出口（図示せず）から圧縮空気を吹き出すことにより、研削液のラッピング面への流れ込みを防ぐようにしている。
【００２６】
研削されたウェーハ表面およびウェーハ裏面の平坦度は、それぞれＧＢＩＲで０．２〜０．４μｍ程度であり、それぞれの加工ダメージｂ，ｃはＧＢＩＲで２μｍ程度である。この加工取り代は、片面で５〜１５μｍ、両面で１０〜３０μｍである。その結果、シリコンウェーハＷの平坦度が高まる。このように、番手の高い研削砥石により研削するようにしたので、シリコンウェーハＷのダメージを少なく、かつその表面をあらすことなく、研削することができる。
次いで、この表面研削および裏面ラッピングが施されたシリコンウェーハＷに高精度酸エッチングまたはアルカリエッチング（Ｓ１０５）が行われる。具体的には、フッ酸、硝酸、酢酸、ＫＯＨ、ＮａＯＨなどからなる高精度エッチング液（室温〜４０℃）中に、シリコンウェーハＷを浸漬する。平坦度はＧＢＩＲで０．４μｍ程度で、加工ダメージはない。エッチング量は片面２μｍ、両面で４μｍである。
次に、この表面研削されたシリコンウェーハＷの外周部に公知のＰＣＲ加工を施す（Ｓ１０６）。これにより、ウェーハ外周部（面取り面）が鏡面加工される。
さらに、ＰＣＲ加工後のシリコンウェーハＷの表面をさらに鏡面研磨する（Ｓ１０７）。この研磨量は、Ｓ１０４の研削工程でのダメージを除去するため、２〜８μｍで足りる。
【００２７】
その後、仕上げ洗浄工程（Ｓ１０８）を行う。ＲＣＡ系の洗浄とする。
このような製造工程を経て、高平坦度を維持しながら、裏面の光沢度の選択性の大きな高平坦度裏面梨地ウェーハを製造することができる。
しかも、一実施例では、ウェーハ表面を低ダメージで研削する研削砥石として、ディスコ株式会社製の＃４０００のレジノイド研削砥石を採用したので、ウェーハ表面をあらさずに高いスループットで研削することができる。
また、一実施例では、ウェーハ裏面のラッピング用のラッピング液としては、ＦＯ＃４０００のラッピング砥粒を含むものを採用したので、ウェーハ裏面をあらさずに高いスループットでラッピングすることができる。
【００２８】
ここで、この発明の高平坦度裏面梨地ウェーハと、従来技術によるシリコンウェーハとを比較した際の結果を記載する。ここでは、実施例１をこの発明ウェーハ、比較例１を従来の表裏両面を鏡面仕上げしたウェーハ、比較例２を従来の裏面梨地ウェーハとした。比較項目およびその結果を表１に示す。なお、表１中で、転写パーティクルは、エッチング中に他のウェーハから飛移してくるパーティクルを意味し、また着脱性は、静電チャック式の移載ロボットからのウェーハの着脱性を意味する。そして、ここでの評価は、○を良好とし、△を普通とし、×を評価が劣るとする。
【００２９】
【表１】
0004154683.tif 000002
【００３０】
表１から明らかなように、裏面も鏡面化された比較例１のウェーハでは、平坦度、転写パーティクル、研磨またはエッチング量の低減に対しての評価は良いものの、着脱性および裏面視認性については劣った。また、比較例２である従来の裏面光沢度の選択性が小さい裏面梨地ウェーハでは、これとは反対に、着脱性および裏面視認性だけが良好で、その他はこれより劣る評価であった。これに対して、この発明の高平坦度裏面梨地ウェーハは、転写パーティクルが普通である以外は、全ての項目において良好な評価が得られた。なお、この転写パーティクルについてもユーザの要求に応じて任意の値に設定することができる。
なお、実施例１の高平坦度裏面梨地ウェーハの製造時における加工取り代は、従来ウェーハの製造時の加工取り代に比べて４５μｍ程度も減少する。これは、単純に計算して、例えば１本で２５枚のウェーハが得られる長さのインゴットブロックで、２６枚のウェーハを製造することができることになる。これも踏まえて、ウェーハの製造コストを廉価にすることができた。
【００３１】
【発明の効果】
この発明によれば、スライスダメージを例えば低精度酸エッチングで除去し、その後、このウェーハに表面研削・裏面ラップを施し、この際のわずかな加工ダメージを高精度エッチングで除去するようにすれば、高平坦度表面を維持しながら、裏面の光沢度の選択性を大きくすることができる。
【００３２】
特に、ウェーハ表面の低ダメージ研削砥石として、＃１５００〜＃４０００のレジノイド研削砥石またはビトリファイド研削砥石を採用したので、ウェーハ表面をあらさずに高いスループットで研削することができる。
【００３３】
また、ウェーハ表面のラッピング用のラッピング液として、ＦＯ＃１５００〜＃４０００のラッピング砥粒を含むものを採用したので、ウェーハ裏面をあらさずに高いスループットでラッピングすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明の一実施例に係る高平坦度裏面梨地ウェーハの製造方法のフローチャートである。
【図２】  この発明の一実施例に係る表面研削裏面ラップ装置の説明図である。
【図３】  この発明の一実施例に係る表面研削裏面ラップ装置の要部拡大平面図である。
【図４】  従来手段に係る高平坦度裏面梨地ウェーハの製造方法のフローチャートである。
【符号の説明】
１０  表面研削裏面ラップ装置、
１４  ラッピング定盤、
１６  カップ型砥石（レジノイド研削砥石）、
１７  研削機、
Ｗ  シリコンウェーハ（半導体ウェーハ）。
【図１】
0004154683.tif 000003
【図２】
0004154683.tif 000004
【図３】
0004154683.tif 000005
【図４】
0004154683.tif 000006