(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
帯状の被処理物のウエット処理のための処理液を帯状の被処理物に向けて供給するウエット処理手段が１以上設けられた複数のウエット処理領域が備えられた処理室内に帯状の被処理物を搬送してウエット処理を順次行うウエット処理装置であって、前記処理室内には、該処理室内に搬送された１枚の帯状の被処理物を部分的に上向きに凹状とした状態でウエット処理する凹状ウエット処理領域が一カ所以上設けられ、前記凹状ウエット処理領域には、前記帯状の被処理物を部分的に水平に搬送する水平搬送機構が備えられ、前記処理室内の凹状ウエット処理領域の後方側には、帯状の被処理物を部分的に水平状態としながらウエット処理する水平ウエット処理領域が一カ所以上設けられ、前記凹状ウエット処理領域内の水平搬送領域及び前記水平ウエット処理領域の水平搬送領域に、前記帯状の被処理物に対する面に処理液を導入する処理液導入部と、前記帯状の被処理物から処理液を回収するための処理液回収部と、前記処理液導入部と処理液回収部を連結した連結部とを主体としてなり、前記連結部と前記被処理物との間の空間に前記処理液導入部から供給した処理液を満たしつつ前記処理液回収部から排出する操作を行い、前記連結部と前記被処理物との間に大気圧と均衡した状態の処理液を外部に漏らすことなく保持しながら前記被処理物をウエット処理するプッシュ・プル型ノズルを備えてなることを特徴とするウエット処理装置。
【請求項２】
前記凹状ウエット処理領域と前記水平搬送領域とが、隔壁により外部と仕切られたウエット処理室内に直列に設けられ、前記ウエット処理室の後段側に前記隔壁を介し乾燥室が設けられてなることを特徴とする請求項１に記載のウエット処理装置。
【請求項３】
前記帯状の被処理物が、プラスチック基板、ガラス基板、半導体基板のいずれかであることを特徴とする請求項１または２に記載のウエット処理装置。
【請求項４】
前記凹状ウエット処理領域には、前記帯状の被処理物を部分的に搬送方向に下降するように搬送する下降搬送機構と、前記帯状の被処理物を部分的に搬送方向に上昇するように搬送する上昇搬送機構が少なくとも備えられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のウエット処理装置。
【請求項５】
前記凹状ウエット処理領域において、前記下降搬送機構は前記帯状の被処理物の下降角度を１度以上とするものであり、前記上昇搬送機構は前記帯状の被処理物の上昇角度を１度以上とするものであることを特徴とする請求項４記載のウエット処理装置。
【請求項６】
前記凹状ウエット処理領域において、前記下降搬送機構は前記帯状の被処理物の下降角度を１５度以上とするものであり、前記上昇搬送機構は前記帯状の被処理物の上昇角度を１５度以上とするものであることを特徴とする請求項４記載のウエット処理装置。
【請求項７】
前記凹状ウエット処理領域において、前記下降搬送機構による前記帯状の被処理物の下降角度と、前記上昇搬送機構による前記帯状の被処理物の上昇角度が異なることを特徴とする請求項４記載のウエット処理装置。
【請求項８】
前記処理室内の隣合うウエット処理領域の間には処理液の相互汚染を防止するための処理液分離手段が設けられたことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のウエット処理装置。
【請求項９】
前記帯状の被処理物は、ヤング率が５８〜７５ＧＰａであることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のウエット処理装置。
【請求項１０】
前記帯状の被処理物は、厚さ０．０４ｍｍ〜０．７ｍｍのガラス基板であることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載のウエット処理装置。
【請求項１１】
前記ウエット処理手段のうち少なくも一つは、帯状の被処理物に対向する面に、帯状の被処理物に処理液を導入する処理液導入部と、ウエット処理後の帯状の被処理物から処理液を回収するための処理液回収部と、前記処理液導入部と処理液回収部とを連結する連結部を有し、前記処理液導入部の被処理物側の部分に、処理液を導入する処理液導入口が形成され、前記処理液回収部の被処理物側の部分に処理液を回収する処理液回収口が形成されてなる一対のノズル構成体から構成され、該一対のノズル構成体は前記処理液導入口及び処理液回収口が設けられた側同士が隙間を隔てて対向配置され、該対向部間に前記帯状の被処理物が搬送されてウエット処理を行うものであることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載のウエット処理装置。
【請求項１２】
前記ウエット処理手段のうち少なくも一つは、帯状の被処理物に対向する面に、帯状の被処理物に処理液を導入する処理液導入部と、ウエット処理後の帯状の被処理物から処理液を回収するための処理液回収部と、前記処理液導入部と処理液回収部とを連結する連結部を有し、前記連結部の被処理物側の面と、前記処理液導入部の被処理物側の面と、前記処理液回収部の被処理物側の面とが面一に形成され、前記処理液導入部の前記連結部と面一にされた部分には処理液を導入する処理液導入口が形成され、前記処理液回収部の前記連結部と面一にされた部分には処理液を回収する処理液回収口が形成されてなる一対のノズル構成体から構成され、該一対のノズル構成体は前記処理液導入口及び処理液回収口が設けられた側同士が隙間を隔てて対向配置され、該対向部間に前記帯状の被処理物が搬送されてウエット処理を行うものであることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載のウエット処理装置。
【請求項１３】
前記帯状の被処理物の被処理面に沿って前記一対のノズル構成体と前記帯状の被処理物とを相対移動させることにより前記帯状の被処理物をウエット処理するためのノズル構成体・被処理物相対移動手段とを有することを特徴とする請求項１１又は１２に記載のウエット処理装置。
【請求項１４】
前記一対のノズル構成体の処理液と接触する面は、耐薬液性の材料から構成されているか、又は耐薬液性の保護膜が被覆されていることを特徴とする請求項１１又は１２に記載のウエット処理装置。
【請求項１５】
帯状の被処理物にウエット処理のための複数の処理液を順次供給して複数のウエット処理を順次行うウエット処理方法であって、請求項１〜１４のいずれかに記載のウエット処理装置を用いて１枚の帯状の被処理物を部分的に上向きに凹み状とした凹み部を１個所以上形成して複数のウエット処理を行う工程が備えられたことを特徴するウエット処理方法。
【請求項１６】
前記複数のウエット処理を行う工程に、前記１枚の帯状の被処理物を部分的に水平状態としながらウエット処理する工程が備えられたことを特徴とする請求項１５記載のウエット処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は帯状の被処理物の表面に処理液を供給して酸化膜やレジストの剥離、現像、エッチング、メッキ、研磨、洗浄等のうちの二種類以上のウエット処理を連続して行うウエット処理装置に係わり、特に、半導体デバイス、液晶表示パネル等のＳｉＯ2膜の剥離、洗浄（リンス）等のウエット処理工程に用いて好適な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイス、液晶表示パネル等の電子機器の分野においては、その製造プロセス中に帯状の被処理物である半導体基板やガラス基板等の被処理基板をウエット処理する工程が必須である。
このようなウエット処理工程に用いられる従来のウエット処理装置の要部の概略構成を図１１に示す。
従来のウエット処理装置１００は、被処理基板をウエット処理後、乾燥を行う長尺の処理室１０１と、この処理室１０１内に被処理基板を送り込むローダ１１０、処理室１０１内で処理された基板を取り出すアンローダ１１４から概略構成されており、上記被処理基板をローダ１１０から処理室１０１内を経てアンローダ１１４まで自動的に搬送できるようになっている。
【０００３】
長尺の処理室１０１には、被処理基板としてＳｉ膜が形成されたガラス基板１２１に処理液としてＤＨＦ溶液（希フッ酸溶液）を供給して、上記Ｓｉ膜の表面に形成されたＳｉＯ2膜を剥離する剥離室（ウエット処理室）１１１、ＳｉＯ2膜剥離後のガラス基板１２１を洗浄（リンス）する洗浄室（ウエット処理室）１１２、洗浄後のガラス基板１２１を乾燥させる乾燥室１１３が順次設けられている。隣接する室間には、隔壁１１５が設けられている。剥離室１１１には、ガラス基板１２１にＤＨＦ溶液（希フッ酸溶液）を供給するノズル１１１ａがこの剥離室１１１内に搬送されたガラス基板１２１に対して上下方向にそれぞれ複数ずつ設けられている。洗浄室１１２には、ガラス基板１２１に洗浄液を供給するノズル１１２ａがこの洗浄室１１２内に搬送されたガラス基板１２１に対して上下方向にそれぞれ複数ずつ設けられている。また、乾燥室１１３には、ガラス基板１２１に高圧空気を吹き付けるエアナイフ１１３ａが乾燥室１１３内に搬送されたガラス基板１２１に対して上下方向にそれぞれ複数ずつ設けられている。
【０００４】
この処理室１０１内には、ローダ１１０によって処理室１０１に送り込まれたガラス基板１２１を剥離室１１１から洗浄室１１２、乾燥室１１３を経てアンローダ１１４まで搬送するための搬送コロ１２５・・・が設けられている。これら搬送コロ１２５・・・のうち特に膜剥離室１１１や洗浄室１１２内に設けられたものは、ガラス基板１２１の移動方向にガラス基板１２１を水平に保ったまま搬送できるように水平配置されている。
【０００５】
図１１に示したような従来のウエット処理装置１００を用いてガラス基板１２１に二種のウエット処理と、乾燥を順次施すには以下のように行われる。
まず、Ｓｉ膜が形成されたガラス基板１２１をローダ１１０により処理室１０１の剥離室１１１内に送り込む。ついで、剥離室１１１内に送り込んだガラス基板１２１を搬送コロ１２５・・・により水平搬送するとともにノズル１１１ａからＤＨＦ溶液（希フッ酸溶液）を供給して上記Ｓｉ膜の表面に形成されたＳｉＯ2膜を剥離する。ついで、ＳｉＯ2膜剥離後のガラス基板１２１を洗浄室１１２内に送り込み、ガラス基板１２１を搬送コロ１２５・・・により洗浄室１１２内を水平搬送するとともにノズル１１２ａ・・・から超純水、オゾン水等の洗浄液をガラス基板１２１の両面に吹き付けて、剥離室１１１内で基板表面に付着したＤＨＦ溶液（希フッ酸溶液）を洗い流す。
ついで、洗浄後のガラス基板１２１を乾燥室１１３内に送り込み、ガラス基板１２１を搬送コロ１２５・・・により乾燥室１１３内を水平搬送しながらエアナイフ１１３ａ・・・から高圧空気をガラス基板１２１の両面に吹き付けて、洗浄室１１２内で表面に付着した洗浄液を乾燥した後、アンローダ１１４に搬送し、この後、例えば、カセット等に収容する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら従来のウェット処理装置１００においては、各ウエット処理にそれぞれ専用のスペース（ウエット処理室）を設けているので、ウエット処理数に応じたウエット処理室数が必要で、製造ライン中のウエット処理工程の長さが長くなり、クリーンルーム内のウエット処理装置の占有スペースが大きくなり、また、ウエット処理工程における被処理基板の搬送距離も長くなってしまうため、ウエット処理工程だけで多大な設備費を費やしてしまい、その結果として製品コストが高くなってしまう。
【０００７】
また、剥離室１１１内及び洗浄室１１２内ではガラス基板２１２を水平搬送しているために洗浄処理工程の前工程で使用した処理液、具体的にはＤＨＦ溶液（希フッ酸）が洗浄室１１２内に持ち込まれてしまう。その結果、洗浄液が多く必要でこれにより洗浄室１１２が長くなり、ウエット処理装置が大型なものとなってしまうという問題があった。また、このように剥離室１１１と洗浄室１１２のように複数のウエット処理室が近接して設けられている場合には、一つのウエット処理室で使用したウエット処理液と他のウエット処理室で使用したウエット処理液が相互に汚染されることがあり、そのような場合には、処理液の繰り返し使用や再生使用が困難であった。
【０００８】
近年、半導体デバイス、液晶表示パネル等の分野においては、基板がますます大型化する傾向にあり、例えば液晶表示パネル用のガラス基板では１ｍ角のものが使用されるようになってきており、このように大型の被処理基板をウエット処理する装置となればそれだけ装置の占有スペースも大きくなるため、上記問題点がより顕著になってくる。また、このように被処理物としての基板の大型化に伴って処理液の使用量も多くなるが、洗浄液として超純水を用いる場合、この超純水の供給量には限界があるため、基板の洗浄に供給量が間に合わず、従って大型の被処理基板のウエット処理に十分対応できないといった問題があった。
以上のような問題は、酸化膜剥離後に洗浄を行う場合だけでなく、レジスト剥離後に洗浄を行う場合や、エッチング後に洗浄を行う場合など複数のウエット処理を連続して行う場合においても同様の問題が生じてしまう。
【０００９】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、ウエット処理液の相互汚染を防止することが可能で、装置を小型化でき、ウエット処理工程に多大な設備費や占有スペースを費やすこともなく、製造ライン等に用いて合理的に複数のウエット処理を施すことができるウエット処理装置を提供することを課題の１つとする。また、本発明はウエット処理液の使用量の省液化が可能なウエット処理装置を提供することを課題の１つとする。
また、本発明は、ウエット処理液の相互汚染を防止することが可能で、ウエット処理工程に多大な設備費や占有スペースを費やすこともなく、製造ライン等に用いて合理的に複数のウエット処理を施すことができるウエット処理方法を提供することを課題の１つとする。
また、本発明は、ウエット処理液の使用量の省液化が可能なウエット処理方法を提供することを課題の１つとする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本発明のウエット処理装置は、帯状の被処理物のウエット処理のための処理液（ウエット処理液）を帯状の被処理物に向けて供給するウエット処理手段が１以上設けられた複数のウエット処理領域が備えられた処理室内に帯状の被処理物を搬送してウエット処理を順次行うウエット処理装置であって、上記処理室内には、該処理室内に搬送された１枚の帯状の被処理物を部分的に上向きに凹状とした状態でウエット処理する凹状ウエット処理領域が一カ所以上設けられ、前記凹状ウエット処理領域には、前記帯状の被処理物を部分的に水平に搬送する水平搬送機構が備えられ、前記処理室内の凹状ウエット処理領域の後方側には、帯状の被処理物を部分的に水平状態としながらウエット処理する水平ウエット処理領域が一個所以上設けられ、前記凹状ウエット処理領域内の水平搬送領域及び前記水平ウエット処理領域の水平搬送領域に、前記帯状の被処理物に対する面に処理液を導入する処理液導入部と、前記帯状の被処理物から処理液を回収するための処理液回収部と、前記処理液導入部と処理液回収部を連結した連結部とを主体としてなり、前記連結部と前記被処理物との間の空間に前記処理液導入部から供給した処理液を満たしつつ前記処理液回収部から排出する操作を行い、前記連結部と前記被処理物との間に大気圧と均衡した状態の処理液を外部に漏らすことなく保持しながら前記被処理物をウエット処理するプッシュ・プル型ノズルを備えてなる。
更に本発明において、前記凹状ウエット処理領域と前記水平搬送領域とが、隔壁により外部と仕切られたウエット処理室内に直列に設けられ、前記ウエット処理室の後段側に前記隔壁を介し乾燥室が設けられてなる構成とすることができる。
更に本発明において、前記帯状の被処理物として、プラスチック基板、ガラス基板、半導体基板のいずれかを選択できる。
【００１１】
かかる構成のウエット処理装置によれば、上記処理室内には、該処理室内に搬送された１枚の帯状の被処理物を部分的に上向きに凹状とした状態でウエット処理する凹状ウエット処理領域が一カ所以上設けられたことにより、上記処理室内に１枚の帯状の被処理物を搬送すると該１枚の帯状の被処理物に一カ所以上の上向きの凹み部と該凹み部分以外の部分（他の部分）が形成され、上記１枚の帯状の被処理物に形成された上向きの凹み部でウエット処理を行うことができ、上記他の部分で上記ウエット処理とは別の種類のウエット処理を行うことができ（上記凹状ウエット処理領域と、該凹状ウエット処理領域以外の領域（他のウエット処理領域）とで別の種類のウエット処理を行うことができ）、従って１枚の帯状の被処理物に同時に複数のウエット処理を施すことができるので、各ウエット処理にそれぞれ専用のウエット処理室を設けなくても済み、ウエット処理工程を短くでき、ウエット処理装置の小型化が可能である。
【００１２】
また、上記凹状ウエット処理領域内の帯状の被処理物は部分的に上向きに凹んでいるので、この領域で使用した処理液は上記他のウエット処理領域に入るのを防止できるので、処理液の相互汚染を防止でき、例えば、上記凹状ウエット処理領域の後（帯状の被処理物の搬送方向下流側）に他のウエット処理領域が設けられている場合、この領域で用いるウエット処理液の使用量の省液化が可能で、他のウエット処理領域を短くでき、ウエット処理装置の小型化が可能である。また、このようにウエット処理液の相互汚染を防止できると、各ウエット処理領域で使用したウエット処理液の繰り返し使用や再生使用も可能である。
また、上記凹状ウエット処理領域の後（帯状の被処理物の搬送方向下流側）に設けた他のウエット処理領域で行うウエット処理が洗浄工程である場合、前工程のウエット処理を行う凹状ウエット処理領域で用いるウエット処理液が後工程の洗浄工程を行うウエット処理領域に入るのを防止できるので、洗浄工程（他のウエット処理領域）で用いる超純水の使用量の省液化が可能となり、帯状の被処理物としての基板が１〜２ｍ角の大型になっても超純水の供給不足を改善でき、従って大型の帯状の被処理物のウエット処理に十分対応できる。
本発明のウエット処理装置では、上記のように１枚の帯状の被処理物に同時に複数のウエット処理を施すことができ、しかもウエット処理液の相互汚染を防止できるので、例えば、凹状ウエット処理領域で行うウエット処理が酸化膜剥離工程又はレジスト剥離工程又はエッチング工程であり、該凹状ウエット処理領域後（帯状の被処理物の搬送方向下流側）に設けた他のウエット処理領域で行うウエット処理が洗浄工程である場合に、各ウエット処理にそれぞれ専用のウエット処理室を設ける従来のウエット処理装置に比べて、ウエット処理室の長さ（ウエット処理工程の長さ）を約１／２以下とすることも可能である。
従って、本発明のウエット処理装置では、ウエット処理液の使用量の省液化と、ウエット処理装置の小型化が可能であるので、ウエット処理工程に多大な設備費や占有スペースを費やすこともなく、製造ライン等に用いて合理的な装置とすることができ、また、大型の帯状の被処理物のウエット処理に十分対応できる装置とすることができる。
【００１３】
本発明のウエット処理装置において、上記処理室内には、該処理室内に搬送された１枚の帯状の被処理物を部分的に水平状態としながらウエット処理する水平ウエット処理領域が一個所以上設けられていてもよい。
このように上記処理室内に上記凹状ウエット処理領域以外に水平ウエット処理領域が設けられていると、該水平ウエット処理領域では上記凹状ウエット処理領域で行うウエット処理と異なるウエット処理を施すことができ、言い換えれば、１枚の帯状の被処理物に形成された水平部分では上記凹み部で行うウエット処理とは別の種類のウエット処理を行うことができる。
【００１４】
本発明のウエット処理装置において、上記凹状ウエット処理領域には、上記帯状の被処理物を部分的に搬送方向に下降するように搬送する下降搬送機構と、上記帯状の被処理物を部分的に搬送方向に上昇するように搬送する上昇搬送機構が少なくとも備えられているものであってもよい。上記凹状ウエット処理領域に、上記のような下降搬送機構と上昇搬送機構が設けられていると、上記１枚の帯状の被処理物に凹み部を形成できる。
【００１５】
上記凹状ウエット処理領域には、上記帯状の被処理物を部分的に水平に搬送する水平搬送機構が備えられていてもよい。上記凹状ウエット処理領域に上記のような水平搬送機構が設けられていると、上記１枚の帯状の被処理物に形成した凹み部内に水平部分を形成でき、この水平部分の上方又は下方あるいはこれらの両方に上記ウエット処理手段を設ければ、上記帯状の被処理物の凹み部内に形成した水平部分にウエット処理を施すことができる。
【００１６】
上記凹状ウエット処理領域において、上記下降搬送機構は上記帯状の被処理物の下降角度を１度以上とするものであり、上記上昇搬送機構は上記帯状の被処理物の上昇角度を１度以上とするものであることが、上記帯状の被処理物に形成される凹み部にできる下降斜面と上昇斜面の傾斜角度をそれぞれ１°以上とすることができ、これら斜面の傾斜角度がそれぞれ１°以上であれば、凹状ウエット処理領域で用いたウエット処理液が上記他のウエット処理領域に持ち込まれるのを防止でき、ウエット処理液の相互汚染を防止できる点で好ましい。
上記凹状ウエット処理領域において、上記下降搬送機構は上記帯状の被処理物の下降角度を１５度以上とするものであり、上記上昇搬送機構は上記帯状の被処理物の上昇角度を１５度以上とするものであることが、上記帯状の被処理物に割れや欠け等の損傷が生じることなく、処理室内を安定して搬送することが可能である点で好ましい。
【００１７】
上記凹状ウエット処理領域において上記凹状ウエット処理領域において、上記下降搬送機構による上記帯状の被処理物の下降角度と、上記上昇搬送機構による上記帯状の被処理物の上昇角度が異なるものであってもよい。
上記凹状ウエット処理領域において上記帯状の被処理物の下降角度は段階的に異なるものであってもよく、上昇角度も段階的に異なるものであってもよい。
【００１８】
本発明のウエット処理装置において、上記処理室内の隣合うウエット処理領域の間にはウエット処理液の相互汚染を防止するための処理液分離手段が設けられていることが、隣合うウエット処理領域で使用するウエット処理液の相互汚染の防止をより確実に行える点で好ましい。
処理液分離手段としては、帯状の被処理物やウエット処理液と不活性なガスを給排気可能なガスカーテンやエアナイフ等が用いられる。
【００１９】
本発明のウエット処理装置において、上記帯状の被処理物は、ヤング率が５８〜７５ＧＰａであることが好ましい。帯状の被処理物のヤング率が５８ＧＰａより小さいと、柔らか過ぎて搬送のためコロ等の表面で滑り易くなり、搬送し難くなる。７５ＧＰａより大きいと硬すぎて、上記帯状の被処理物に部分的に上向きに凹み部を形成するのが困難である。
本発明のウエット処理装置で用いられる帯状の被処理物としてはプラスチック基板やガラス基板、半導体基板等の基板でヤング率が上記の範囲内のものを用いることができる。
本発明のウエット処理装置において、上記帯状の被処理物は、厚さ０．０４ｍｍ〜０．７ｍｍのガラス基板であることが好ましい。ガラス基板の厚みが０．０４ｍｍより小さいと薄すぎて割れや欠けが発生し易くなり、その防止のためには搬送のためのコストが大きくなってしまう。０．７ｍｍより大きいと硬すぎて、ガラス基板に部分的に上向きに凹み部を形成するのが困難である。
【００２０】
本発明のウエット処理装置において、上記ウエット処理手段のうち少なくも一つは、帯状の被処理物に対向する面に、帯状の被処理物にウエット処理液を導入する処理液導入部と、ウエット処理後の帯状の被処理物からウエット処理液を回収するための処理液回収部と、上記処理液導入部と処理液回収部とを連結する連結部を有し、上記処理液導入部の被処理物側の部分に、処理液を導入する処理液導入口が形成され、上記処理液回収部の被処理物側の部分に処理液を回収する処理液回収口が形成されてなる一対のノズル構成体から構成され、該一対のノズル構成体は上記処理液導入口及び処理液回収口が設けられた側同士が隙間を隔てて対向配置され、該対向部間に上記帯状の被処理物が搬送されてウエット処理を行うものであってもよい。
かかる構成のウエット処理装置によれば、特に、ウエット処理手段が上記の構成の一対のノズル構成体から構成されているので、上記処理液導入口からウエット処理液を帯状の被処理物表面に供給したら、そのウエット処理液を供給した部分以外の帯状の被処理物表面にウエット処理液を接触させることなく、上記処理液回収口から使用後のウエット処理液（場合によっては除去物（帯状の被処理物から除去したもの）を含んだウエット処理液）を外部に排出できるので、効率良くウエット処理ができる（ウエット処理液が洗浄液である場合は充分な清浄度が得られる）。また、上記連結部でのウエット処理液の圧力に対して処理液回収部の他端の処理液排出口（処理液回収口が設けられた端部と反対側の端部）からの吸引力を制御することでウエット処理液をノズルの外部に漏らすことがなく、排出することができるので、少ないウエット処理液で充分なウエット処理（ウエット処理液が洗浄液である場合は充分な清浄度が得られる）ができる。
本発明のウエット処理装置において、ウエット処理手段が上記の構成の一対のノズル構成体から構成されたものにあっては、ウエット処理液の使用量をさらに少なくできる。
【００２１】
本発明のウエット処理装置において、上記ウエット処理手段のうち少なくも一つは、帯状の被処理物に対向する面に、帯状の被処理物に処理液を導入する処理液導入部と、ウエット処理後の帯状の被処理物から処理液を回収するための処理液回収部と、上記処理液導入部と処理液回収部とを連結する連結部を有し、上記連結部の被処理物側の面と、上記処理液導入部の被処理物側の面と、上記処理液回収部の被処理物側の面とが面一に形成され、上記処理液導入部の上記連結部と面一にされた部分には処理液を導入する処理液導入口が形成され、上記処理液回収部の上記連結部と面一にされた部分には処理液を回収する処理液回収口が形成されてなる一対のノズル構成体から構成され、該一対のノズル構成体は上記処理液導入口及び処理液回収口が設けられた側同士が隙間を隔てて対向配置され、該対向部間に上記帯状の被処理物が搬送されてウエット処理を行うものであることを特徴とするものであってもよい。
本発明のウエット処理装置において、ウエット処理手段が上記の構成の一対のノズル構成体から構成されたものにあっては、上記処理液導入部と上記処理液回収部の被処理物側の面と、上記連結部の被処理物側の面とが面一に形成されていることで、処理領域（ノズル構成体と帯状の被処理物とに挟まれ、処理液導入口から処理液回収口に到る領域が、ウエット処理液が流動されて帯状の被処理物のウェット処理が行われる領域）において、処理液導入口から処理液回収口に到る経路中に気泡が滞留する場所が形成されない構造を実現でき、従って、処理領域内で気泡が成長してウエット処理液の流れを遮断することがなく、処理領域におけるウエット処理液の流れを安定に維持することができる。
【００２２】
上記のいずれかの構成の一対のノズル構成体が備えられた本発明のウエット処理装置において、上記帯状の被処理物の被処理面に沿って上記一対のノズル構成体と上記帯状の被処理物とを相対移動させることにより上記帯状の被処理物をウエット処理するためのノズル構成体・被処理物相対移動手段とを有することが、一対のノズル構成体を帯状の被処理物に対して相対移動させることができるので、一対のノズル構成体を帯状の被処理物の搬送方向やその反対方向に複数回トラバースすることも可能で、凹状ウエット処理領域および／または上記他のウエット処理領域が短くても、帯状の被処理物に効率良くウエット処理を施すことができ、ウエット処理装置をさらに小型化することが可能である。
【００２３】
上記のいずれかの構成の一対のノズル構成体が備えられた本発明のウエット処理装置において、上記一対のノズル構成体の処理液と接触する面（接液面）は、耐薬液性の材料から構成されているか、又は耐薬液性の保護膜が被覆されているものであることがウエット処理液への不純物の溶出を防止できる点で好ましい。例えば、ウエット処理液がオゾン水である場合は、上記ノズル構成体のウエット処理液と接触する面又はこの面に形成する保護膜に用いる耐薬液性の材料として電解研磨表面を備えたチタン等のオゾン水に対して不活性の材料が用いられ、ウエット処理液がＤＨＦ溶液（希フッ酸溶液）である場合は、上記ノズル構成体のウエット処理液と接触する面又はこの面に形成する保護膜に用いる耐薬液性の材料として高純度のアルミナセラミックスあるいはサファイヤ等のＨＦ溶液に対して不活性の材料が用いられる。
【００２４】
本発明のウエット処理方法は、先の何れかに記載のウエット処理装置を用いて、帯状の被処理物にウエット処理のための複数の処理液を順次供給して複数のウエット処理を順次行うウエット処理方法であって、１枚の帯状の被処理物を部分的に上向きに凹み状とした凹み部を１個所以上形成して複数のウエット処理を行う工程が備えられたことを特徴する。
本発明のウエット処理方法によりウエット処理される上記帯状の被処理物は、ヤング率が５８〜７５ＧＰａであることが好ましい。また、上記帯状の被処理物は、厚さ０．０４ｍｍ〜０．７ｍｍのガラス基板であることが好ましい。かかる構成の本発明のウエット処理方法では、上記１枚の帯状の被処理物に部分的に形成した凹み部でウエット処理を行うことができ、上記凹み部分以外の部分（他の部分）で上記ウエット処理とは別の種類のウエット処理を行うことができ、従って１枚の帯状の被処理物に同時に複数のウエット処理を施すことができるので、各ウエット処理にそれぞれ専用のウエット処理室を設けなくても済み、ウエット処理工程を短くでき、ウエット処理に用いるウエット処理装置の小型化が可能である。
【００２５】
また、上記上向きの凹み部は１枚の帯状の被処理物に部分的に形成されているので、この凹み部で使用したウエット処理液は上記他の部分に入るのを防止できるので、ウエット処理液の相互汚染を防止でき、例えば、上記凹み部の後に他の部分が設けられている場合（１枚の帯状の被処理物において凹み部が設けられた側が帯状の被処理物の搬送方向上流側で、他の部分が設けられた側が帯状の被処理物の搬送方向下流側である場合）、上記他の部分で用いるウエット処理液の使用量の省液化が可能である。また、このようにウエット処理液の相互汚染を防止できると、上記凹み部や他の部分でそれぞれ使用したウエット処理液の繰り返し使用や再生使用も可能である。
また、上記凹み部の後に設けた他の部分で行うウエット処理が洗浄工程である場合、前工程のウエット処理を行う凹み部で用いるウエット処理液が後工程の洗浄工程を行う他の部分に入るのを防止できるので、洗浄工程（他の部分）で用いる超純水の使用量の省液化が可能となり、帯状の被処理物としての基板が１〜２ｍ角の大型になっても超純水の供給不足を改善でき、従って大型の帯状の被処理物のウエット処理に十分対応できる。
本発明のウエット処理方法では、上記のように１枚の帯状の被処理物に同時に複数のウエット処理を施すことができ、しかもウエット処理液の相互汚染を防止できるので、ウエット処理工程の長さを短くできる。
従って、本発明のウエット処理方法では、ウエット処理液の使用量の省液化と、用いるウエット処理装置の小型化が可能で、ウエット処理工程に多大な設備費や占有スペースを費やすこともないので、合理的なウエット処理方法とすることができ、また、大型の帯状の被処理物のウエット処理に十分対応できるウエット処理方法とすることができる。
【００２６】
本発明のウエット処理方法において、上記複数のウエット処理を行う工程に、上記１枚の帯状の被処理物を部分的に水平状態としながらウエット処理する工程が備えられたことを特徴とする。
このようなウエット処理方法では、上記１枚の帯状の被処理物に上記凹み部以外に水平部分が形成されているので、上記１枚の帯状の被処理物に形成された水平部分では上記凹み部で行うウエット処理とは別の種類のウエット処理を行うことができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。なお、以下に述べる実施形態では本発明のウエット処理装置を、帯状の被処理物として数百ｍｍ角程度、好ましくは１〜２ｍ角の大型のガラス基板等の被処理基板にウエット処理として酸化膜剥離処理と、洗浄処理（リンス処理）を順次施し、この後乾燥処理を施す工程を行う場合に好適に用いられるウエット処理装置に適用する場合について説明する。
［第１の実施の形態］
図１は、本発明の第１の実施形態のウエット処理装置の概略構成を示す図である。図２は、図１のウエット処理装置を示す断面図である。
第１の実施形態のウエット処理装置１は、被処理基板（帯状の被処理物）２１をウエット処理後、乾燥を行う長尺の処理室１ａと、この処理室１ａ内に被処理基板２１を送り込むローダ１０、処理室１ａ内で処理された被処理基板２１を取り出すアンローダ１４から概略構成されており、上記被処理基板をローダ１０から処理室１ａ内を経てアンローダ１４まで自動的に搬送できるようになっている。
【００２８】
長尺の処理室１ａには、被処理基板２１に複数のウエット処理液（本実施形態の場合、酸化膜剥離液と洗浄液）を順次供給してウエット処理するウエット処理室８、ウエット処理後の被処理基板２１を乾燥させる乾燥室１３がローダ１０側からアンローダ１４側にかけて順次設けられている。ウエット処理室８と乾燥室１３間（には、図２に示すように隔壁１５が上下にそれぞれ設けられている。
なお、図中符号Ｓは、被処理基板２１の搬送方向（移動方向）である。
【００２９】
ウエット処理室８内には、凹状ウエット処理領域１１と、該凹状ウエット処理領域１１の後（被処理基板２１の搬送方向Ｓの下流側）に設けられた水平ウエット処理領域（他のウエット処理領域）１２が備えられている。
凹状ウエット処理領域１１では、１枚の被処理基板２１を部分的に上向きに凹状とした状態で酸化膜剥離液（ウエット処理液）を供給して被処理基板２１に形成されているＳｉ膜表面のＳｉＯ2膜（酸化膜）を剥離できるようになっている。
水平ウエット処理領域１２では、１枚の被処理基板２１を部分的に水平状態ととしながら洗浄液（ウエット処理液）を供給して洗浄できるようになっている。
【００３０】
処理室１ａ内には、ローダ１０によって処理室１ａに送り込まれた被処理基板２１をこの処理室１ａ内のウエット処理室８と乾燥室１３を通ってアンローダ１４まで送り込むための搬送コロ２５・・・が設けられている。
処理室１ａ内に設けられた搬送コロ２５・・・のうちウエット処理室８の凹状ウエット処理領域１１に設けられたものは、被処理基板２１を部分的に搬送方向に下降するように搬送できるように右下がりに傾斜配置された下降搬送用コロ（下降搬送機構）２５ａ・・・と、被処理基板２１を部分的に搬送方向に上昇するように搬送できるように右上がりに配置された上昇搬送用コロ（上昇搬送機構）２５ｃと、これら下降搬送用コロ２５ａ・・・と上昇搬送用コロ２５ｃ・・・の間に設けられ、被処理基板２１を部分的に水平に搬送できるように水平に配置された水平搬送用コロ（水平搬送機構）２５ｂ・・・である。
【００３１】
これら下降搬送用コロ２５ａ・・・は、被処理基板２１の下方側だけでなく、上方側にも設けられており、被処理基板２１を上方側と下方側から挟むことにより、被処理基板２１を部分的に搬送方向に下降するようにできるようになっている。  また、水平搬送用コロ２５ｂ・・・は被処理基板２１の下方側だけでなく、上方側にも設けられており、被処理基板２１を上方側と下方側から挟むことにより、被処理基板２１を部分的に水平に搬送できるようになっている。また、上昇搬送用コロ２５ｃ・・・は、被処理基板２１の下方側だけでなく、上方側にも設けられており、被処理基板２１を上方側と下方側から挟むことにより、被処理基板２１を部分的に上昇するように搬送できるようになっている。
【００３２】
下降搬送用コロ２５ａ・・・により被処理基板２１を下降させる角度（下降角度）θ1は１度以上であることが、被処理基板２１に形成される凹み部２１ａにできる下降斜面の傾斜角度を１度以上とすることができ、この下降斜面の傾斜角度が１°以上であれば、凹状ウエット処理領域１１で用いた酸化膜剥離液（ウエット処理液）がローダ１０側に持ち込まれるのを防止できる点で好ましい。
また、上昇搬送用コロ２５ｃ・・・により被処理基板２１を上昇させる角度（上昇角度）θ2は１度以上であることが、被処理基板２１に形成される凹み部２１ａにできる上昇斜面（搬送方向に上がる斜面）の傾斜角度を１度以上とすることができ、この上昇斜面の傾斜角度が１度以上であれば、凹状ウエット処理領域１１で用いた酸化膜剥離液（ウエット処理液）が水平ウエット処理領域１２に持ち込まれるのを防止でき、ウエット処理液の相互汚染を防止できる点で好ましい。被処理基板２１の下降角度θ1と上昇角度θ2は、それぞれ２度以上あることがさらに好ましい。
【００３３】
さらに、下降搬送用コロ２５ａ・・・や上昇搬送用コロ２５ｃ・・・による被処理基板の下降角度θ1と上昇角度θ2はそれぞれ１度以上１５度以下であることが、被処理基板２１が厚さ０．０４ｍｍ〜０．７ｍｍのガラス基板である場合に割れや欠け等の損傷が生じることなく、処理室１ａ内を安定して搬送することが可能である点で好ましい。
なお、凹状ウエット処理領域１１において被処理基板２１の下降角度θ1と上昇角度θ2とは、上記の範囲であれば異なるものであってもよく、また、被処理基板２１の下降角度θ1は上記の範囲であれば段階的に異なるものであってもよく、上昇角度θ2も上記の範囲であれば段階的に異なるものであってもよい。
このような凹状ウエット処理領域１１で被処理基板２１に形成された凹み部２１ａの水平部分（底部）にはウエット処理手段として一対のノズル構成体（一対のプッシュ・プル型ノズル）４１、４１が配置されている。ここで配置された一対のノズル構成体４１、４１については後で詳細に説明する。さらに、被処理基板２１に形成された凹み部２１ａの上方には、ウエット処理液を散布するためのシャワーノズル１１ａが配置されていてもよい。
【００３４】
また、処理室１ａ内に設けられた搬送コロ２５・・・のうちウエット処理室８の水平ウエット処理領域１２に設けられたものは、処理基板２１を部分的に水平に搬送できるように水平に配置されている。
このように水平ウエット処理領域１２で被処理基板２１に形成された水平部分２１ｂには、ウエット処理手段として一対のノズル構成体（一対のプッシュ・プル型ノズル）４２、４２が配置されている。ここで配置された一対のノズル構成体４２、４２は、これらノズルから被処理基板２１に供給するウエット処理液が異なる以外は凹み状ウエット処理領域１１で使用する一対のノズル構成体４１、４１と同様の構成のものが使用される。
【００３５】
また、処理室１ａ内に設けられた搬送コロ２５・・・のうち乾燥室１３に設けられたものは、処理基板２１を部分的に水平に搬送できるように水平に配置されている。
この乾燥室１３内には、図２に示すように被処理基板２１に高圧空気（乾燥用気体）を吹き付けるエアナイフ（乾燥機構）１３ａが乾燥室１３内に搬送された被処理基板２１に対して上方側と下方側にそれぞれ複数ずつ設けられている。ここで用いるエアナイフ１３ａは固定式のものであってもよく、あるいは図２に示した矢印Ｓ2方向（被処理基板２１の移動方向やその反対方向）移動可能なものであってもよい。このようにエアナイフ１３ａが移動可能なものであれば、乾燥室１３において被処理基板２１を乾燥させる際に、被処理基板２１の移動量（搬送速度）が小さくても、エアナイフ１３ａをＳ2方向にトラバースさせて被処理基板２１の表面を効率良く乾燥させるようにすることができ、このようにした場合には、被処理基板２１の搬送速度が大きい状態のまま固定のエアナイフ１３ａにより被処理基板２１の表面を乾燥させる場合と比べて、乾燥室１３を短くできる。
【００３６】
本実施形態のウエット処理装置１により複数のウエット処理が施される被処理基板２１としては、ヤング率が５８〜７５ＧＰａであることが好ましい。被処理基板２１のヤング率が５８ＧＰａより小さいと、柔らか過ぎて搬送のためコロ等の表面で滑り易くなり、搬送し難くなる。７５ＧＰａより大きいと硬すぎて、被処理基板２１に部分的に上向きの凹み部２１ａを形成するのが困難である。
【００３７】
被処理基板２１の具体例としては、プラスチック基板やガラス基板、半導体基板等の基板でヤング率が上記の範囲内のものを用いることができる。
被処理基板２１がガラス基板である場合の厚みは、０．０４ｍｍ〜０．７ｍｍのガラス基板であることが好ましい。ガラス基板の厚みが０．０４ｍｍより小さいと薄すぎて割れや欠けが発生し易くなり、その防止のためには搬送のためのコストが大幅に増加してしまう。０．７ｍｍより大きいと硬すぎて、ガラス基板に部分的に凹み部を形成するのが困難である。
【００３８】
図３は、凹状ウエット処理領域１１内に備えられた一対のプッシュ・プル型ノズル４１、４１の概略構成を示す断面図であり、図４は一方のプッシュ・プル型ノズル４１の被処理基板２１側から見た図である。
各プッシュ・プル型ノズル４１は、一端にウエット処理液としての酸化膜剥離液５０を導入するための導入通路（処理液導入部）５１と、一端に酸化膜剥離後の酸化膜剥離液（ウエット処理後のウエット処理液の排出液）を処理室１ａの外部（ウエット処理の系外）へ排出するための排出通路（処理液回収部）５２と、これら導入通路５１と排出通路５２のそれぞれの他端が連結され、被処理基板２１に対向する連結部５３が設けられ、さらに導入通路５１の他端に被処理基板２１に向けて開口する第１の開口部（処理液導入口）５１ｂが設けられ、排出通路５２の他端に被処理基板２１に向けて開口する第２の開口部（処理液回収口）５２ｂが設けられたものであり、省流量型ノズルと呼ばれるものである。
上記連結部５３と被処理基板２１の間の空間には、酸化膜剥離処理（ウエット処理）を行う処理領域５５が形成されている。
【００３９】
また、排出通路５２側には圧力制御部（図示略）が設けられている。この圧力制御部は、第２の開口部（処理液回収口）５２ｂと反対側の端部に設けられた減圧ポンプにより構成されており、被処理基板２１に接触した酸化膜剥離液５０が酸化膜剥離後に排出通路５２に流れるように、第１の開口部５１ｂの大気と接触している酸化膜剥離液の圧力（エッチング液の表面張力と被処理基板の被処理面の表面張力も含む）と大気圧との均衡がとれるようにするためのものである。
【００４０】
したがって、排出通路５２側の圧力制御部に減圧ポンプを用いて、この減圧ポンプで連結部５３のエッチング液５０を吸引する力を制御して、第１の開口部５１ｂの大気と接触している酸化膜剥離液５０の圧力（酸化膜剥離液の表面張力と被処理基板２１の被処理面の表面張力も含む）と大気圧との均衡をとるようになっている。つまり、第１の開口部５１ｂの大気と接触している酸化膜剥離液の圧力Ｐw（酸化膜剥離液の表面張力と被処理基板２１の被処理面の表面張力も含む）と大気圧Ｐaとの関係をＰw≒Ｐaとすることにより、第１の開口部５１ｂを通じて被処理基板２１に供給され、被処理基板２１に接触した酸化膜剥離液は、プッシュ・プル型ノズルの外部に漏れることなく、排出通路５２に排出される。すなわち、凹状ウエット処理領域１１でノズル構成体４１から被処理基板２１の表面に供給した酸化膜剥離液は、被処理基板２１上の酸化膜剥離液を供給した部分（第１と第２の開口部５１ｂ,５２ｂ及び連結部５３と被処理基板２１との間）以外の部分に接触することなく、基板２１上から除去される。
【００４１】
このような構成のプッシュ・プル型ノズル４１、４１は、連結部５３、５３が隙間を隔てて対向するように設けられている。即ち、プッシュ・プル型ノズル４１、４１は、第１の開口部５１ｂ、５１ｂも隙間を隔てて対向しており、第２の開口部５２ｂ、５２ｂも隙間を隔てて対向している。このような一対のプッシュ・プル型ノズル４１、４１の対向部間（第１の開口部５１ｂ、５１ｂの間や、連結部５３、５３間や、第２の開口部５２ｂ、５２ｂ間）に被処理基板２１が搬送コロ（搬送機構）２５・・・により搬送されて、被処理基板２１とプッシュ・プル型ノズル４１、４１との間の処理領域５５、５５で酸化膜剥離処理（ウエット処理）が行えるようになっている。
【００４２】
各プッシュ・プル型ノズル４１の酸化膜剥離液と接触する面（接液面）は、耐薬液性の材料から構成されているか、又は耐薬液性の保護膜が被覆されているものであることが酸化膜剥離液（ウエット処理液）への不純物の溶出を防止できる点で好ましく、例えば、酸化膜剥離液がＳｉＯ2 膜を除去するためのＤＨＦ溶液（希フッ酸）である場合は、上記ノズル構成体４１、４１の接液面（各連結部５３の表面と各導入通路５１の内面と各排出通路５２の内面）又はこの面に形成する保護膜に用いる耐薬液性の材料として高純度のアルミナセラミックスあるいはサファイヤ等のＨＦ溶液に不活性の材料が用いられる。
【００４３】
各プッシュ・プル型ノズル４１の導入通路５１の第１の開口部５１ｂと反対側の端部には、ウエット処理液生成部（図示略）とウエット処理液再生部（図示略）とが接続されている。また、各プッシュ・プル型ノズル４１の排出通路５２の第２の開口部５２ｂと反対側の端部には、ウエット処理液再生部（図示略）が接続されている。
このウエット処理液再生部には、使用後の処理液中に含まれたパーティクルや異物を除去するためのフィルタ（図示略）が設けられており、このフィルタを通過した後のウエット処理は、再度各ノズル構成体４１に供給されるようになっている。また、導入通路５１の第１の開口部５１ｂと反対側には弁機構（図示略）が設けられており、この弁機構によって新しい処理液を導入するか、再生した処理液を導入するかを切り換え可能とされている。
【００４４】
次に、水平ウエット処理領域１２に設けられた一対のノズル構成体（一対のプッシュ・プル型ノズル）４２、４２は、図３及び図４に示した一対のプッシュ・プル型ノズル４１、４１と同様の構成であるが、各プッシュ・プル型ノズル（ウエット処理手段）４２の導入通路５１に導入し、処理領域５５を経て、排出通路５２から排出されるウエット処理液は、洗浄液７０である。
このような一対のプッシュ・プル型ノズル４２、４２の対向間（第１の開口部５１ｂ、５１ｂの間や、連結部５３、５３間や、第２の開口部５２ｂ、５２ｂ間）に被処理基板２１が搬送コロ２５・・・に搬送されて、被処理基板２１とプッシュ・プル型ノズル４２、４２との間の処理領域５５、５５で洗浄処理（ウエット処理）が行えるようになっている。
【００４５】
特に、ここで用いるプッシュ・プル型ノズル４２は、図３に示すように連結部５３には、被処理基板２１が洗浄処理（ウエット処理）されている間、上記処理領域５５内の処理液（ウエット処理液）に超音波振動を付与するための超音波振動子６０が設けられていることが好ましい。この超音波振動子６０は、振動板（振動部）６６と、振動板６６の主面の周縁部から立ち上がる側板（側壁部）６７と、側板６７の内側の振動板６６の主面上に設けられ、振動板６６に超音波振動を付与する超音波振動子本体６８とが備えられてなるものである。側板６７は振動板６６と一体に形成されている。これら振動板６６と側板６７を構成する材料としては、ステンレス鋼、石英、サファイア、アルミナ等のセラミックスなどのうちから選択されて用いられる。超音波振動子本体６８は、電源（図示略）に接続されている。
【００４６】
超音波振動子本体４８は、約２０ｋＨｚ乃至約１０ＭＨｚの範囲の周波数の超音波振動を出力可能なものであることがウエット処理（特に洗浄処理）を行う場合に実用的なウエット処理（特に、超音波洗浄）が可能である点で好ましく、特に、保持可能なウエット処理液層（洗浄液層）の厚さの観点から０．２ＭＨｚ以上の周波数が好ましいが、約２０ｋＨｚの周波数の超音波でのウエット処理（特に洗浄）も可能である。
この超音波振動子６０は、上下のプッシュ・プル型ノズル４２、４２に両方に設けられていなくてもよく、一方のプッシュ・プル型ノズル４２のみに設けられていてもよい。
各プッシュ・プル型ノズル４２の洗浄液と接触する面（接液面）は、耐薬液性の材料から構成されているか、又は耐薬液性の保護膜が被覆されているものであることが洗浄液（ウエット処理液）への不純物の溶出を防止できる点で好ましく、例えば、洗浄液がオゾン水である場合は、上記ノズル構成体４２、４２の接液面（各連結部５３の表面と各導入通路５１の内面と各排出通路５２の内面）又はこの面に形成する保護膜に用いる耐薬液性の材料として電解研磨表面を備えたチタン等のオゾン水に対して不活性の材料が用いられる。
【００４７】
なお、処理室１ａ内に設けられたウエット処理手段としての一対のプッシュ・プル型ノズル４１、４１（４２、４２）は固定式であってもよいが、一対のプッシュ・プル型ノズル４１、４１（４２、４２）が移動可能なノズル移動手段（ノズル構成体・被処理物相対移動手段）が設けられていてもよい。
このノズル移動手段の具体例としては、図５に示すように、所定間隔を隔てて対向する一対のラックベース９２、９２が設けられ、これらラックベース９２、９２間に一対のプッシュ・プル型ノズル４１、４１（又は一対のプッシュ・プル型ノズル４２、４２）が架設されている。各ラックベース９２には、これの上に形成されたリニアガイド９３に沿って移動可能とされたスライダ９４がそれぞれ設けられ、各スライダ９４の上面に支柱９５がそれぞれ立設され、これら支柱９５に各プッシュ・プル型ノズル４１（又は各プッシュ・プル型ノズル４２）の両端部が固定されている。各スライダ９４上にはモータ９６等の駆動源が設置されており、各スライダ９４がラックベース９２上を自走する構成となっている。また、これらラックベース９２、９２間には、図示していないが一対のプッシュ・プル型ノズル４２、４２も一対のプッシュ・プル型ノズル４１、４１と同様に架設されていてもよい。これら一対のプッシュ・プル型ノズル４１、４１（又一対のプッシュ・プル型ノズル４２、４２）が被処理基板２１との間隔を一定に保ちながらラックベース９２、９２に沿って移動することにより、凹状ウエット処理領域１１内又は水平ウエット処理領域１２内で基板２１の所望位置にウエット処理できる構成となっている。
【００４８】
ウエット処理装置１内に上記のような搬送コロ２５・・・だけでなく、上記のようなノズル移動手段（ノズル構成体・被処理物相対移動手段）が設けられていると、また、一対のプッシュ・プル型ノズルを被処理基板２１に対して相対移動させることができるので、例えば、一対のプッシュ・プル型ノズルを被処理基板２１の搬送方向Ｓやその反対方向に複数回トラバースすることも可能で、凹状ウエット処理領域１１及び／又は水平ウエット処理領域１２を短くても被処理基板２１に効率良くウエット処理を施すことができ、ウエット処理装置をさらに小型化することが可能である。
【００４９】
なお、凹状ウエット処理領域１１や水平ウエット処理領域１２に備える一対のプッシュ・プル型ノズル（一対のノズル構成体）としては、図６〜図８に示すような一対のプッシュ・プル型ノズル７１、７１を用いてもよい。図６は、一対のプッシュ・プル型ノズル７１、７１の概略構成を示す断面図であり、図７は一方のプッシュ・プル型ノズル７１の全体構成を模式的に示す斜視図であり、図８は一方のプッシュ・プル型ノズル７１の被処理基板２１側から見た図である。
各プッシュ・プル型ノズル７１は、平板状の基板（連結部）７２と、この基板７２の外周を取り囲んで基板７２上に配設された隔壁部材８１と、隔壁部材８１上に配設された支持板７７と、基板７２の被処理基板２１と反対側の面に設けられた振動付与手段８３とを備えて構成されている。
【００５０】
基板７２は、被処理基板２１に施されるウエット処理の種類に応じてステンレス鋼等の金属基板や、石英などのガラス基板等で構成されている。図６及び図７に示すように、この基板７２はノズル７１において被処理基板２１と対向する面を形成する部材であり、その両側の長辺端に沿って複数の処理液導入口８６及び処理液回収口８７が形成されている。より詳細には、基板７２の被処理基板２１と反対側の面に、その両側の長辺端に沿って平面視長方形状の溝部７２Ａ及び７２Ｂが刻設されており、この溝部７２Ａの底面から被処理基板２１側へ貫通して複数の処理液導入口８６が形成されており、溝部７２Ｂの底面から被処理基板２１側へ貫通して複数の処理液回収口８７が形成されている。本実施形態のノズル７１では、処理液導入口８６を介して酸化膜剥離液５０（あるいは洗浄液７０）を被処理基板２１へ供給し、処理液回収口８７を介して酸化膜剥離液５０（あるいは洗浄液７０）を被処理基板２１から回収するようになっている。この処理液導入口８６と処理液回収口８７との間の、基板７２と被処理基板２１とに挟まれる領域が、本実施形態のノズル７１における処理領域５５とされており、この処理領域５５に接している被処理基板２１の表面が、酸化膜剥離処理や洗浄処理等のウェット処理に供されるようになっている。
【００５１】
処理液導入口８６及び処理液回収口８７は、それぞれ所定の間隔や孔径を有して形成され、被処理基板２１の幅方向（基板７２の長手方向）において酸化膜剥離液５０（あるいは洗浄液７０）を均一に供給し、また回収できるようになっている。図８では、一例として同一の孔径の１５個の処理液導入口８６を、溝部７２Ａの長さ方向に沿って等間隔で配列形成し、同一の孔径の１５個の処理液回収口８７を、溝部７２Ｂの長さ方向に沿って等間隔で配列形成した例を示したが、これらの孔径や間隔、形状に限定されるものではなく、これら処理液導入口８６、処理液回収口８７の配列方向（基板７２長手方向）における酸化膜剥離液５０（あるいは洗浄液７０）の流量を均一にできるならば、任意の形状や配列間隔とすることができる。
【００５２】
上記基板７２の少なくとも被処理基板２１側の面は、親水性とされていることが好ましく、基板７２を貫通して形成されている処理液導入口８６及び処理液回収口８７の内面側も親水性とされることが好ましい。処理領域５５を構成する基板７２の表面を親水性とすることで、処理領域５５における酸化膜剥離液５０（あるいは洗浄液７０）の流れを円滑にし、その制御性を向上させることができる。また、処理液導入口８６及び処理液回収口８７の内面側を親水性とすることで、酸化膜剥離液５０（あるいは洗浄液７０）の導入と回収も円滑に行うことができ、より酸化膜剥離液５０（あるいは洗浄液７０）の流れを安定なものとすることができる。
【００５３】
基板７２上に設けられた隔壁部材８１は、図６，図８に示すように平面視略額縁状であり、その周縁部の一部が、基板７２の外周側に突出されるとともに、その周縁部の被処理基板２１側の面が、基板７２の被処理基板２１側の面と面一とされている。すなわち、換言するならば、額縁状の隔壁部材８１の被処理基板２１側の内周に沿って形成された段差部に、基板７２が嵌合されて構成されている。隔壁部材８１には、その両長辺に沿って隔壁部材８１の厚さ方向に貫通して中空部８１Ａ、８１Ｂがそれぞれ形成されており、これらの中空部８１Ａ、８１Ｂは、基板７２に形成された平面視長方形状の溝部７２Ａ、７２Ｂと対応する位置に、それぞれ溝部７２Ａ、７２Ｂとほぼ同じ平面形状で形成され、中空部８１Ａと溝部７２Ａ、中空部８１Ｂと溝部７２Ｂとがそれぞれ連通されている。そして、中空部８１Ａ及び処理液導入口８６を含む部分が処理液導入部７３とされ、中空部８１Ｂ及び処理液回収口８７を含む部分が処理液回収部７４とされている。これら中空部８１Ａ、８１Ｂには、酸化膜剥離液５０（あるいは洗浄液７０）を貯溜できるようになっており、処理液導入部７３においては処理液導入口８６への酸化膜剥離液５０（あるいは洗浄液７０）の供給をより均一にすることができ、また処理液回収部７４においては、被処理基板２１からの酸化膜剥離液５０（あるいは洗浄液７０）の回収をより均一にすることができる。
【００５４】
上記隔壁部材８１は、例えば四ふっ化エチレン樹脂などの疎水性材料で構成することが好ましい。隔壁部材８１を疏水性材料とすることで、基板７２の外周側を取り囲み被処理基板２１と対向する隔壁部材８１の内側の領域（処理領域５５））に、酸化膜剥離液５０（あるいは洗浄液７０）を閉じ込めやすくなるので、処理領域５５における酸化膜剥離液５０（あるいは洗浄液７０）の流れの制御性を高めることができ、より安定に酸化膜剥離液５０（あるいは洗浄液７０）を流動させ易くなる。また、処理領域５５の外側へ流出する酸化膜剥離液５０（あるいは洗浄液７０）の量を抑えることができるので、酸化膜剥離液５０（あるいは洗浄液７０）の使用量を低減できるほか、酸化膜剥離液５０（あるいは洗浄液７０）に取り込まれたパーティクルの再付着も抑制することができる。
【００５５】
隔壁部材８１の図６上側には、支持板７７が設けられており、この支持板７７の長手方向中央部には、処理液導入管７７Ａ及び処理液回収管７７Ｂが、隔壁部材８１側と反対方向（図示上方）に延設されており、これら処理液導入管７７Ａの内部及び処理液回収管７７Ｂの内部は、支持板７７を貫通し、支持板７７の反対側と連通されている。そして、処理液導入管７７Ａの支持板７７側は、中空部８１Ａの上方に配置されて処理液導入管７７Ａの内部と中空部８１Ａとが連通され、処理液回収管７７Ｂの支持板７７側は中空部８１Ｂの上側に配置されて処理液回収管７７Ｂの内部と中空部８１Ｂとが連通されている。
【００５６】
このように、本実施形態のプッシュ・プル型ノズル７１では、処理液導入管７７Ａから、中空部８１Ａ及び溝部７２Ａを経由して処理液導入口８６に到る経路を通って酸化膜剥離液５０（あるいは洗浄液７０）が被処理基板２１へ導入されるようになっており、処理液回収口８７から、溝部７２Ｂ及び中空部８１Ｂを経由して処理液回収管７７Ｂに到る経路を通って酸化膜剥離液５０（あるいは洗浄液７０）が被処理基板２１から回収されるとともに外部に排出されるようになっている。
【００５７】
図６に示す隔壁部材８１と基板７２、及び隔壁部材８１と支持板７７との接合面は、中空部８１Ａ，８１Ｂ内を流動する酸化膜剥離液５０（あるいは洗浄液７０）の漏洩を防止するために、シール材（図示せず）などにより封止されている。接合面の封止は、酸化膜剥離液５０（あるいは洗浄液７０）がこれらの接合面を介して外部へ漏洩しないようにできれば、特にその材料や構造に制限はなく、例えばこれらの接合面にＯリングを設けても良く、あるいは接合面に接着剤などを塗布することで封止しても良い。
【００５８】
ノズル７１では、基板７２と、支持板７７と、隔壁部材８１とに囲まれた空間Ａ内に、酸化膜剥離液５０（あるいは洗浄液７０）に振動を付与するための振動付与手段８３が収納されており、その一面側は、基板７２の内面側に接合されている。また、振動付与手段８３を駆動、制御するためのケーブル８８が振動付与手段８３に接続されており、このケーブル８８は支持板７７の端部側で支持板７７を貫通してノズル７１の外側へ導出され、図示しない駆動制御部に接続されている。この振動付与手段としては、振動周波数０．７〜１．５ＭＨｚ程度の超音波を発生する超音波振動子や、振動周波数２８〜６０ｋＨｚ程度の比較的低周波の超音波を発生するボルト締めランジュバン型振動子などを用いることができ、被洗浄基板２１の種類や、ウエット処理の種類に応じて適宜最適な周波数のものを選択すればよい。
【００５９】
このプッシュ・プル型ノズルノズル７１では、支持板７７の処理液回収管７７Ｂに図示しない圧力制御部が設けられている。この圧力制御部は、処理液導入口８６から供給され、被処理基板２１に接触した酸化膜剥離液５０（あるいは洗浄液７０）が、ウエット処理後に処理液回収口８７に回収されるように処理液導入口８６側の大気と接触している酸化膜剥離液５０（あるいは洗浄液７０）の圧力（処理液の表面張力と被処理基板表面の表面張力も含む）と大気圧との均衡がとれるようにするものである。より具体的には、この圧力制御部は、処理液回収管７７Ｂに接続された減圧ポンプにより構成することができ、この減圧ポンプにより処理液回収管７７Ｂ内の酸化膜剥離液５０（あるいは洗浄液７０）を吸引する力を制御することで、上記大気圧との均衡をとるようになっている。このようにして、処理領域５５内へ導入された酸化膜剥離液５０（あるいは洗浄液７０）は、処理領域５５の外側へ漏れることなく、処理液回収口８７へ回収される。つまり、被処理基板２１へ導入された酸化膜剥離液５０（あるいは洗浄液７０）は、処理領域５５内の被処理基板２１表面以外の領域に触れることなく、処理液回収部７４へ回収されるようになっている。
【００６０】
上記のようなプッシュ・プル型ノズル７１は、被処理基板２１と対向する面に基板７２が配置され、この基板７２を貫通して処理液導入口８６及び処理液回収口８７が形成されているので、処理液導入口８６から処理液回収口８７に到る処理領域５５と接する面が、基板７２の一面内とされている。すなわち、処理液導入口８６の被処理基板２１側の端部と、基板７２の被処理基板２１側の面と、処理液回収口８７の被処理基板２１側の端部とが、面一に形成されている。このような構造とされていることで、酸化膜剥離液５０（あるいは洗浄液７０）に同伴されて処理領域５５内へ気泡が混入した場合に、この気泡が滞留し得る位置を無くし、気泡の滞留による酸化膜剥離液５０（あるいは洗浄液７０）の流れの遮断が起こらないようになっている。従って、プッシュ・プル型ノズル７１によれば、処理領域５５内での酸化膜剥離液５０（あるいは洗浄液７０）等の処理液の流れを安定に維持することができ、被処理基板２１をムラ無く、均一にウエット処理することが可能である。
【００６１】
そしてこのような構成のプッシュ・プル型ノズル７１、７１は、連結部７２、７２が隙間を隔てて対向するように設けられている。即ち、プッシュ・プル型ノズル７１、７１は、処理液導入口８６、８６も隙間を隔てて対向しており、処理液回収口８７、８７も隙間を隔てて対向している。このような一対のプッシュ・プル型ノズル７１、７１の対向部間（処理液導入口８６、８６間や、連結部７２、７２間や、処理液回収口８７、８７間）に被処理基板２１が搬送コロ（搬送機構）２５・・・により搬送されて、被処理基板２１とプッシュ・プル型ノズル７１、７１との間の処理領域５５、５５で酸化膜剥離処理や洗浄処理等のウエット処理が行えるようになっている。
【００６２】
また、上記構成のプッシュ・プル型ノズル７１においても処理領域５５に洗浄液７０を供給した状態で振動付与手段８３から振動を付与すれば、洗浄液７０とこの振動とを共働させて被処理基板２１を洗浄することができ、洗浄効率をより高めることができる。
【００６３】
なお、凹状ウエット処理領域１１で被処理基板２１に形成された凹み部２１ａの水平部分（底部）には、上記のような一対のプッシュ・プル型ノズル４１、４１あるいは一対のプッシュ・プル型ノズル７１、７１は、図９に示すように複数設けられていてもよく、また、シャワーノズル１１ａも複数設けられていてもよい。このように凹状ウエット処理領域１１に一対のプッシュ・プル型ノズル（一対のノズル構成体）が複数設けられている場合には、凹状ウエット処理領域１１で行う酸化膜剥離処理をさらに効率良く行うことができる。
【００６４】
図１乃至図９に示したようなウエット処理装置１を用いて被処理基板２１に酸化膜剥離処理、洗浄処理、乾燥処理を順次施すには以下のように行われる。
まず、ローダ１０により被処理基板２１を処理室１ａのウエット処理室８内に送り込む。そしてウエット処理室８内に送り込んだ被処理基板２１を搬送コロ２５ａ・・・により移動方向Ｓに下降するように搬送し、さらにこの被処理基板２１を搬送コロ２５ｂ・・・により移動方向Ｓに水平に搬送しながら一対のプッシュ・プル型ノズル４１、４１（あるいは一対のプッシュ・プル型ノズル７１、７１）の対向部間を通した後、さらにこの被処理基板２１を搬送コロ２５ｃ・・・により移動方向Ｓに上昇するように搬送して、被処理基板２１に部分的に上向きの凹み部２１ａを形成しながら、一対のプッシュ・プル型ノズル４１、４１（あるいは一対のプッシュ・プル型ノズル７１、７１）の各第１の開口部５１ｂ（あるいは各処理液導入口８６）から酸化膜剥離液５０を各処理領域５５に供給して、被処理基板２１の上向きの凹み部２１ａの水平部分表面に接触させて被処理基板２１に形成されたＳｉ膜表面のＳｉＯ2膜を剥離した後、被処理基板２１の凹み部２１の水平部分の表面に接触後の酸化膜剥離液５０を各第２の開口部５２ｂ（あるいは各処理液回収口８７）から排出通路５２に排出する。ここでの酸化膜剥離工程では、被処理基板２１に部分的に形成した上向きの凹み部２１ａの両面のＳｉＯ2膜が一度に除去されるのでなく、被処理基板２１が一対のプッシュ・プル型ノズル４１、４１の対向部間を通過する際にこの対向部間を通る部分のＳｉＯ2膜が順次剥離されるのである。ここでの被処理基板２１の移動方向（搬送方向）Ｓは、図２の紙面の左側から右側に移動する方向である。
【００６５】
ついで、酸化膜剥離後の被処理基板２１をさらに搬送コロ２５・・・により移動方向Ｓに水平搬送しながら一対のプッシュ・プル型ノズル４２、４２（あるいは一対のプッシュ・プル型ノズル７１、７１）の対向部間を通し、被処理基板２１に部分的に水平部分２１ｂを形成しながら一対のプッシュ・プル型ノズル４２、４２（あるいは一対のプッシュ・プル型ノズル７１、７１）の各第１の開口部５１ｂ（あるいは各処理液導入口８６）から超純水、オゾン水、水素水等の洗浄液７０を各処理領域５５に供給して、被処理基板２１の表面に接触させて洗浄した後、被処理基板２１に接触後の洗浄液７０を第２の開口部５２ｂ（あるいは処理液回収口８７）から排出通路５２に排出することにより、酸化膜剥離工程で表面に付着した酸化膜剥離液や被処理基板２１の表面に付着しているパーティクル等の汚れ等を洗浄する。ここでの洗浄工程では、被処理基板２１に部分的に形成した水平部分２１ｂの両面が一度に洗浄されるのでなく、被処理基板２１が一対のプッシュ・プル型ノズル４２、４２（あるいは一対のプッシュ・プル型ノズル７１、７１）の対向部間を通過する際にこの対向部間を通る部分が順次洗浄されるのである。
ここでの被処理基板２１の洗浄の際、洗浄液７０を処理領域５５に供給した状態で、超音波振動子本体６８（あるいは振動付与手段８３）により超音波振動を付与し、洗浄液７０と共働して被処理基板２１を超音波洗浄することが好ましい。
【００６６】
ついで、洗浄後の被処理基板２１を搬送コロ２５・・・により乾燥室１３内に送り込む。そして乾燥室１３内に送り込んだ被処理基板２１を搬送コロ２５・・・により移動方向Ｓに水平搬送するとともに上下のエアナイフ１３ａ、１３ａ間を通し、これらエアナイフ１３ａ、１３ａから高圧空気を被処理基板２１の両面に吹き付けて、洗浄工程で表面に付着した洗浄液７０を乾燥した後、アンローダ１４に搬送し、この後、例えば、カセット等に収容する。
ここでの乾燥工程では、被処理基板２１の両面を一度に乾燥させるのでなく、被処理基板２１がエアナイフ１３ａ、１３ａ間を通過する際にこれらエアナイフ１３ａ、１３ａからの高圧空気がかかる部分が順次乾燥する。
【００６７】
第１の実施形態のウエット処理装置１では、ウエット処理室８内に搬送された１枚の被処理基板２１を部分的に上向きに凹状とした状態で酸化膜剥離処理する凹状ウエット処理領域１１と、被処理基板２１を部分的に水平状態としながら洗浄処理する凹状ウエット処理領域１１とが設けられたことにより、ウエット処理室８内に１枚の被処理基板２１を搬送すると該１枚の被処理基板２１に凹み部２１ａと水平部分２１ｂが形成され、１枚の被処理基板２１に形成された凹み部２１ａで酸化膜剥離処理を行うことができ、水平部分２１ｂで洗浄処理を行うことができ、従って１枚の被処理基板２１に同時に酸化膜剥離処理と洗浄処理といった複数のウエット処理を施すことができるので、各ウエット処理にそれぞれ専用のウエット処理室を設けなくても済み、ウエット処理工程を短くでき、ウエット処理装置の小型化が可能である。
【００６８】
また、上記凹状ウエット処理領域１１内の被処理基板２１は部分的に上向きに凹んでいるので、この領域１１で使用した酸化膜剥離液５０は水平ウエット処理領域１２に入るのを防止できるので、処理液の相互汚染（酸化膜剥離液と洗浄液の相互汚染）を防止でき、この水平ウエット処理領域１２で用いる洗浄液７０の使用量の省液化が可能で、水平ウエット処理領域１２を短くでき、ウエット処理装置の小型化が可能である。また、このように処理液の相互汚染を防止できると、各ウエット処理領域で使用した処理液の繰り返し使用や再生使用も可能である。
また、前工程のウエット処理を行う凹状ウエット処理領域１１で用いる酸化膜剥離液が後工程の洗浄工程を行う水平ウエット処理領域１２に入るのを防止できるので、洗浄工程（水平ウエット処理領域）で用いる超純水の使用量の省液化が可能となり、被処理基板２１が１〜２ｍ角の大型になっても超純水の供給不足を改善でき、従って大型の被処理基板の洗浄処理に十分対応できる。
本実施形態のウエット処理装置１では、上記のように１枚の被処理基板２１に同時に酸化膜剥離処理と洗浄処理といった複数のウエット処理を施すことができ、しかも処理液の相互汚染を防止できるので、各ウエット処理にそれぞれ専用のウエット処理室を設ける従来のウエット処理装置に比べて、ウエット処理室の長さ（ウエット処理工程の長さ）を約１／２以下とすることも可能である。
従って、本実施形態のウエット処理装置１では、酸化膜剥離液や洗浄液といったウエット処理液の使用量の省液化と、ウエット処理装置の小型化が可能であるので、ウエット処理工程に多大な設備費や占有スペースを費やすこともなく、製造ライン等に用いて合理的な装置とすることができ、また、大型の被処理基板の酸化膜剥離や洗浄処理といったウエット処理に十分対応できる装置とすることができる。
【００６９】
また、本実施形態のウエット処理方法では、１枚の被処理基板２１に部分的に形成した上向きの凹み部２１ａで酸化膜剥離処理を行い、部分的に形成した水平部分２１ｂで洗浄処理を行うことができ、従って１枚の被処理基板２１に同時に酸化膜剥離処理と洗浄処理といった複数のウエット処理を施すことができるので、各ウエット処理にそれぞれ専用のウエット処理室を設けなくても済み、ウエット処理工程を短くでき、ウエット処理に用いるウエット処理装置の小型化が可能である。
なお、第１の実施形態のウエット処理装置１においては、凹状ウエット処理領域１１に上下一対のノズル構成体４１、４１あるいは上下一対の一対のノズル構成体７１、７１を設けた場合について説明したが、被処理基板２１の一方の面側のＳｉ膜表面に形成された酸化膜のみ除去する場合には、ノズル構成体４１あるいはノズル構成体７１は、被処理基板２１の酸化膜を除去する方の面側のみに設けられていてもよい。
また、水平ウエット処理領域１２に上下一対のノズル構成体４２、４２あるいは上下一対の一対のノズル構成体７１、７１を設けた場合について説明したが、被処理基板２１の一方の面側のみ洗浄する場合には、ノズル構成体４２あるいはノズル構成７１は、被処理基板２１の洗浄する方の面側のみに設けられていてもよい。
【００７０】
［第２の実施の形態］
図１０は、本発明の第２の実施形態のウエット処理装置の概略構成を示す断面図である。
第２の実施形態のウエット処理装置２が第１の実施形態のウエット処理装置１と異なるところは、第１の実施形態のウエット処理室８の水平ウエット処理領域１２代えて凹状ウエット処理領域２２が設けられ、即ち、ウエット処理室８内に凹状ウエット処理領域が複数設けられている点と、隣合う凹み状ウエット処理領域１１と２２の間に処理液の相互汚染を防止するためのエアカーテン（処理液分離手段）９０が設けられた点である。
【００７１】
凹状ウエット処理領域２２では、１枚の被処理基板２１を部分的に上向きに凹状とした状態で洗浄液（ウエット処理液）を供給して洗浄できるようになっている。
この凹状ウエット処理領域２２にも、凹状ウエット処理領域１１と同様に、被処理基板２１を部分的に搬送方向に下降するように搬送できるように右下がりに傾斜配置された下降搬送用コロ（下降搬送機構）２５ａ・・・と、被処理基板２１を部分的に搬送方向に上昇するように搬送できるように右上がりに配置された上昇搬送用コロ（上昇搬送機構）２５ｃと、これら下降搬送用コロ２５ａ・・・と上昇搬送用コロ２５ｃ・・・の間に設けられ、被処理基板２１を部分的に水平に搬送できるように水平に配置された水平搬送用コロ（水平搬送機構）２５ｂ・・・が備えられている。
【００７２】
これら下降搬送用コロ２５ａ・・・は、被処理基板２１の下方側だけでなく、上方側にも設けられており、被処理基板２１を上方側と下方側から挟むことにより、被処理基板２１を部分的に搬送方向に下降するようにできるようになっている。  また、水平搬送用コロ２５ｂ・・・は被処理基板２１の下方側だけでなく、上方側にも設けられており、被処理基板２１を上方側と下方側から挟むことにより、被処理基板２１を部分的に水平に搬送できるようになっている。また、上昇搬送用コロ２５ｃ・・・は、被処理基板２１の下方側だけでなく、上方側にも設けられており、被処理基板２１を上方側と下方側から挟むことにより、被処理基板２１を部分的に上昇するように搬送できるようになっている。
【００７３】
下降搬送用コロ２５ａ・・・により被処理基板２１を下降させる角度（下降角度）θ3は１度以上であることが、被処理基板２１に部分的に形成される上向きの凹み部２１ｃにできる下降斜面の傾斜角度を１度以上とすることができ、この下降斜面の傾斜角度が１°以上であれば、凹状ウエット処理領域２２で用いた洗浄液（ウエット処理液）が前工程の凹状ウエット処理領域１１に持ち込まれるのを防止でき、ウエット処理液の相互汚染を防止できる点で好ましい。
また、上昇搬送用コロ２５ｃ・・・により被処理基板２１を上昇させる角度（上昇角度）θ4は１度以上であることが、被処理基板２１に形成される凹み部２１ｃにできる上昇斜面（搬送方向に上がる斜面）の傾斜角度を１度以上とすることができ、この上昇斜面の傾斜角度が１度以上であれば、凹状ウエット処理領域２２で用いた洗浄液（ウエット処理液）が後工程の乾燥室１５に持ち込まれるのを防止できる点で好ましい。
被処理基板２１の下降角度θ3と上昇角度θ4は、それぞれ２度以上あることがさらに好ましい。
さらに、下降搬送用コロ２５ａ・・・や上昇搬送用コロ２５ｃ・・・による被処理基板の下降角度θ3と上昇角度θ4はそれぞれ１度以上１５度以下であることが第１の実施形態と同様の理由から好ましい。
【００７４】
このような凹状ウエット処理領域２２で被処理基板２１に形成された上向きの凹み部２１ｃの水平部分（底部）にはウエット処理手段として図３と同様の一対のノズル構成体（一対のプッシュ・プル型ノズル）４２、４２（あるいは図６と同様の一対のプッシュ・プル型ノズル７１、７１）が配置されている。さらに、被処理基板２１に形成された凹み部２１ｃの上方には、ウエット処理液を散布するためのシャワーノズル１１ｂが配置されていてもよい。
【００７５】
隣合う凹み状ウエット処理領域１１と２２の間のエアカーテン９０は、被処理基板２１の下方側だけでなく、上方側にも設けられている。
エアカーテン９０からは被処理基板２１や酸化膜剥離液５０や洗浄液７０と不活性なガスを給排気できるようになっている。ここで用いられるガスとしては、Ｎ2ガス、乾燥空気等が挙げられる。このようなエアカーテン９０が設けられていると、隣合う凹状ウエット処理領域１１、２２で使用する処理液の相互汚染の防止をより確実に行える点で好ましい。このようなエアカーテン９０は、被処理基板２１の搬送速度が３０ｍｍ／ｓｅｃ程度までは設けられていなくてもよいが、搬送速度が３０ｍｍ／ｓｅｃを越える場合には設けられていることが好ましく、特に搬送速度が５０ｍｍ／ｓｅｃ程度以上の場合は設けていることが好ましい。
【００７６】
図１０に示したようなウエット処理装置２を用いて被処理基板２１に酸化膜剥離処理、洗浄処理、乾燥処理を順次施すには以下のように行われる。
まず、被処理基板２１の酸化膜剥離工程までは第１の実施形態で説明した方法と同様に行う。
ついで、酸化膜剥離後の被処理基板２１を搬送コロ２５ａ・・・により移動方向Ｓに下降するように搬送し、さらにこの被処理基板２１を搬送コロ２５ｂ・・・により移動方向Ｓに水平に搬送しながら一対のプッシュ・プル型ノズル４２、４２（あるいは一対のプッシュ・プル型ノズル７１、７１）の対向部間を通した後、さらにこの被処理基板２１を搬送コロ２５ｃ・・・により移動方向Ｓに上昇するように搬送して、被処理基板２１に部分的に上向きの凹み部２１ｃを形成しながら、一対のプッシュ・プル型ノズル４２、４２（あるいは一対のプッシュ・プル型ノズル７１、７１）の各第１の開口部５１ｂ（あるいは各処理液導入口８６）から超純水、オゾン水、水素水等の洗浄液７０を各処理領域５５に供給して、被処理基板２１の凹み部２１ｃの水平部分表面に接触させて洗浄した後、被処理基板２１に接触後の洗浄液７０を第２の開口部５２ｂ（あるいは処理液回収口８７）から排出通路５２に排出することにより、酸化膜剥離工程で表面に付着した酸化膜剥離液や被処理基板２１の表面に付着しているパーティクル等の汚れ等を洗浄する。ここでの洗浄工程では、被処理基板２１に部分的に形成した凹み部２１ｃの両面が一度に洗浄されるのでなく、被処理基板２１が一対のプッシュ・プル型ノズル４２、４２（あるいは一対のプッシュ・プル型ノズル７１、７１）の対向部間を通過する際にこの対向部間を通る部分が順次洗浄されるのである。
ここでの被処理基板２１の洗浄の際、洗浄液７０を処理領域５５に供給した状態で、超音波振動子本体６８（あるいは振動付与手段８３）により超音波振動を付与し、洗浄液７０と共働して被処理基板２１を超音波洗浄することが好ましい。
【００７７】
ついで、洗浄後の被処理基板２１を搬送コロ２５・・・により乾燥室１３内に送り込み、第１の実施形態と同様にしてエアナイフ１３ａ、１３ａから高圧空気を被処理基板２１の両面に吹き付けて、洗浄工程で表面に付着した洗浄液７０を乾燥した後、アンローダ１４に搬送し、この後、例えば、カセット等に収容する。ここでの乾燥工程では、被処理基板２１の両面を一度に乾燥させるのでなく、被処理基板２１がエアナイフ１３ａ、１３ａ間を通過する際にこれらエアナイフ１３ａ、１３ａからの高圧空気がかかる部分が順次乾燥する。
【００７８】
第２の実施形態のウエット処理装置２では、ウエット処理室８内に搬送された１枚の被処理基板２１を部分的に上向きに凹状とした状態で酸化膜剥離処理する凹状ウエット処理領域１１と、被処理基板２１を部分的に上向きに凹状とした状態で洗浄処理する凹状ウエット処理領域２２とが設けられたことにより、ウエット処理室８内に１枚の被処理基板２１を搬送すると該１枚の被処理基板２１に凹み部２１ａ、２１ｃが形成され、凹み部２１ａで酸化膜剥離処理を行うことができ、凹み部２１ｃで洗浄処理を行うことができ、従って１枚の被処理基板２１に同時に酸化膜剥離処理と洗浄処理といった複数のウエット処理を施すことができるので、各ウエット処理にそれぞれ専用のウエット処理室を設けなくても済み、ウエット処理工程を短くでき、ウエット処理装置の小型化が可能である。
また、凹状ウエット処理領域１１内の被処理基板２１は部分的に上向きに凹んでいるので、この領域１１で使用した酸化膜剥離液５０は後工程に設けられた凹状ウエット処理領域２２に入るのを防止でき、また、凹状ウエット処理領域２２内の被処理基板２１は部分的に凹んでいるので、この領域２２で使用した洗浄液７０は前工程に設けられた凹状ウエット処理領域１１に入るのを防止できるので、処理液の相互汚染（酸化膜剥離液と洗浄液の相互汚染）の防止効果が優れ、これら凹状ウエット処理領域１１、２２でそれぞれ用いる処理液の使用量の省液化が可能で、ウエット処理工程を短くでき、ウエット処理装置の小型化が可能である。また、このように処理液の相互汚染を防止できると、各ウエット処理領域で使用した処理液の繰り返し使用や再生使用も可能である。
また、上記のように凹状ウエット処理領域２２内の被処理基板２１は部分的に上向きに凹んでいると、この領域２２で使用した洗浄液７０は、乾燥室１３に入るのを防止できるので、乾燥室１３に送り込まれる前の被処理基板２１の表面に付着している洗浄液の液膜を薄くでき、乾燥室１３で使用する高圧空気の使用量を低減できる。また、このウエット処理装置２ではこのように圧力空気の使用量が少なくて済むので、処理室１ａ内に発生するミストも少なく、従って、このミストに起因する被処理基板２１の汚染を防止するために処理室１ａを大型化しなくても済む。また、上記ミストに起因する被処理基板２１の汚染を防止するための排気風量も低減することができる。
【００７９】
従って第２の実施形態のウエット処理装置２では、酸化膜剥離液や洗浄液等の処理液の使用量だけでなく、酸化膜剥離処理や洗浄処理等のウエット処理工程後の乾燥工程で使用する乾燥用気体の使用量の低減が可能で、ウエット処理装置を小型化でき、ウエット処理工程や乾燥工程に多大な設備費や占有スペースを費やすこともなく、製造ライン等に用いて合理的にウエット処理並びに乾燥でき、また、大型の被処理基板のウエット処理、乾燥に十分対応できる装置とすることができる。
【００８０】
なお、第１〜第２の実施形態においては、酸化膜剥離処理と洗浄処理といった複数のウエット処理を順次行うためのウエット処理装置およびウエット処理方法に本発明を適用する場合について説明したが、洗浄、酸化膜剥離、レジスト剥離、現像、ウエットエッチング、メッキ、研磨等のうちの二種類以上のウエット処理を連続して行うための装置や、さらに必要に応じてこのウエット処理後に乾燥を行うための装置に適用することもできる。上記レジスト剥離工程で用いる処理液としては、例えば、ＫＯＨ溶液や、アミン系有機アルカリ溶液等が用いられる。
また、第１〜第２の実施形態においては、被処理基板２１が数百ｍｍ角程度、好ましくは１〜２ｍ角の大型のガラス基板等の基板である場合について説明したが、半導体ウエハのように円形のものであってもよい。
【００８１】
【発明の効果】
以上説明したように本発明のウエット処理装置においては、上記処理室内には、該処理室内に搬送された１枚の帯状の被処理物を部分的に上向きに凹状とした状態でウエット処理する凹状ウエット処理領域が一カ所以上設けられたことにより、上記１枚の帯状の被処理物に形成された凹み部でウエット処理を行うことができ、上記他の部分で上記ウエット処理とは別の種類のウエット処理を行うことができ、従って１枚の帯状の被処理物に同時に複数のウエット処理を施すことができるので、各ウエット処理にそれぞれ専用のウエット処理室を設けなくても済み、ウエット処理工程を短くでき、ウエット処理装置の小型化が可能である。
また、上記凹状ウエット処理領域内の帯状の被処理物は部分的に凹んでいるので、この領域で使用した処理液は上記他のウエット処理領域に入るのを防止できるので、処理液の相互汚染を防止でき、これによって他のウエット処理領域を短くできるので、ウエット処理装置の小型化が可能であり、しかも、各ウエット処理領域で使用したウエット処理液の繰り返し使用や再生使用も可能である。従って、本発明のウエット処理装置では、ウエット処理液の使用量の省液化と、ウエット処理装置の小型化が可能であるので、ウエット処理工程に多大な設備費や占有スペースを費やすこともなく、製造ライン等に用いて合理的な装置とすることができ、また、大型の帯状の被処理物のウエット処理に十分対応できる装置とすることができる。
【００８２】
また、本発明のウエット処理方法では、１枚の帯状の被処理物を部分的に上向きに凹状とした凹み部を１個所以上形成して複数のウエット処理を行う工程が備えられたことにより、上記１枚の帯状の被処理物に部分的に形成した凹み部でウエット処理を行うことができ、上記凹み部分以外の部分（他の部分）で上記ウエット処理とは別の種類のウエット処理を行うことができ、従って１枚の帯状の被処理物に同時に複数のウエット処理を施すことができるので、各ウエット処理にそれぞれ専用のウエット処理室を設けなくても済み、ウエット処理工程を短くでき、ウエット処理に用いるウエット処理装置の小型化が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１の実施形態のウエット処理装置を示す概略構成図。
【図２】  図１のウエット処理装置を示す断面図。
【図３】  図１のウエット処理装置の処理室内に備えられた一対のプッシュ・プル型ノズルの構成を示す拡大断面図。
【図４】  図３の一方のプッシュ・プル型ノズルの被処理基板側から見た図。
【図５】  第１の実施形態のウエット処理装置に備えられたノズル移動手段（ノズル構成体・被処理物相対移動手段）を示す平面図。
【図６】    図１のウエット処理装置の処理室内に備えられた他の例の一対のプッシュ・プル型ノズルの概略構成を示す断面図。
【図７】  図６の一方のプッシュ・プル型ノズルの全体構成を模式的に示す斜視図。
【図８】  図６の一方のプッシュ・プル型ノズルの被処理基板側から見た図。
【図９】  図１のウエット処理装置のウエット処理室の凹状ウエット処理領域に複数のノズル構成体が備えられた場合を示す拡大断面図。
【図１０】  本発明の第２の実施形態のウエット処理装置の概略構成を示す断面図。
【図１１】  従来のウエット処理装置の概略構成を示す断面図。
【符号の説明】
１，２・・・ウエット処理装置、１ａ・・・処理室、１１・・・凹状ウエット処理領域、１２・・・水平ウエット処理領域（他のウエット処理領域）、１１ａ・・・シャワーノズル（ウエット処理手段）、２１・・・被処理基板（帯状の被処理物）、
２１ａ，２１ｃ・・・凹み部、２１ｂ・・・水平部分、２２・・・凹状ウエット処理領域、２５・・・搬送コロ（搬送機構）、２５ａ・・・下降搬送用コロ（下降搬送機構）、２５ｂ・・・水平搬送用コロ（水平搬送機構）、２５ｃ・・・上昇搬送用コロ（上昇搬送機）、４１、４２、７１・・・ノズル構成体（ウエット処理手段）、
５０・・・酸化膜剥離液（ウエット処理液）、５１ｂ・・・第１の開口部（処理液導入口）、５１・・・導入通路（処理液導入部）、５２ｂ・・・第２の開口部（処理液回収口）、５２・・・排出通路（処理液回収部）、７０・・・洗浄液（ウエット処理液）、７２・・・連結部、７３・・・処理液導入部、７４・・・処理液回収部、９０・・・エアカーテン（処理液分離手段）、９２・・・ラックベース、９３・・・リニアガイド、      ９４・・・スライダ、９５・・・支柱、９６・・・モータ、θ1，θ3・・・下降角度、θ2，θ4・・・上昇角度、Ｓ・・・搬送方向（移動方向）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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