(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を含んでなる画像表示領域を有し、各前記複数の画素が入射光を反射する反射領域、及び入射光を透過する透過領域を含んでなる電気光学装置において、
前記反射領域には反射性を備えた金属膜が形成されてなり、前記透過領域には透明電極が少なくとも形成されており、
前記反射領域及び前記透過領域の両領域においては前記金属膜及び前記透明電極の上層に配向膜が形成されているとともに、前記金属膜及び前記透明電極の下層に前記金属膜の表面を凹凸形状にする凹凸パターンが形成され、
前記凹凸パターンの凸部分は、前記透過領域と反射領域との境界部分を跨がないように配設され、
前記透明電極の形成領域は、前記金属膜の形成領域よりも広いことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記金属膜は、前記透明電極の表面に形成されていることを特徴とすることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記凹凸パターンは、前記凸部分の基礎となる第１形成層と、前記第１形成層を覆う第２形成層とからなり、
前記第２形成層は、第１形成層におけるエッジが前記凹凸パターンに現れないように形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記複数の画素は、それぞれがスイッチング用のＴＦＴと、前記画素電極に印加される電圧を保持するための蓄積容量とを有し、
前記ＴＦＴおよび前記蓄積容量は前記反射領域に形成され、
前記反射領域における前記ＴＦＴおよび前記蓄積容量が形成された領域には、前記第２形成層のみが積層されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
複数の画素を含んでなる画像表示領域を有し、各前記複数の画素が入射光を反射する反射領域、及び入射光を透過する透過領域を含んでなる電気光学装置の製造方法において、
基板の上層に、第１形成層を形成する工程と、
前記第１形成層におけるエッジが表面に現れないように前記第１形成層を覆う第２形成層を形成する工程と、
前記第１形成層および第１形成層からなる凹凸パターン上に透明電極を形成する工程と、
前記透明電極の表面に金属膜を形成する工程と、
前記金属膜のエッチングを含み、前記透明電極を露出させた前記透過領域を有する前記反射電極を形成する工程と、
前記反射領域及び前記透過領域の両領域に配向膜を形成する工程と、を具備してなり、
前記凹凸パターンの凸部分は、前記透過領域と反射領域との境界部分を跨がないように配設されることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置及びその製造方法に関する。さらに詳しくは、携帯電話機、モバイルコンピュータ等に好適に用いられる、透過窓の部分にも配向処理が十分に施され、画素内の透過モード表示におけるコントラストに優れるとともに、反射特性にも優れた電気光学装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電気光学装置（例えば、液晶表示装置、ＥＬ発光表示装置等）は、携帯電話機、モバイルコンピュータ等の各種機器の直視型の表示装置として広く用いられている。このような電気光学装置のうち、例えば、アクティブマトリクス型で、半透過・半反射型の液晶表示装置においては、対向配置されたＴＦＴアレイ基板と対向基板とがシール材で貼り合わされているとともに、基板間のシール材で区画された領域内に電気光学物質としての液晶が封入、保持されている。
【０００３】
また、ＴＦＴアレイ基板の表面に、対向基板の側から入射してきた外光を対向基板の方向に反射するための反射電極が形成されており、対向基板側から入射した光をＴＦＴアレイ基板の反射電極で反射し、対向基板側から出射した光によって画像を表示する（反射モード）。また、反射電極には光を透過する透過窓が形成され、この透過窓を覆うように、反射電極の下層側に透明電極が形成され、バックライトからの光のうち透過窓を透過した光によって画像を表示する（透過モード）。
【０００４】
このような液晶表示装置に用いられるＴＦＴアレイ基板１２０としては、例えば、図１４（Ａ）に示すように、画素１１０の一部に、後述する凹凸層（図示せず）と、この凹凸層上に形成された、外光を反射して画像を表示する反射電極１０８（反射電極１０８には、凹凸層の表面凹凸形状に対応した形状の反射用の凹凸１０９が形成されている）と、反射電極１０８を形成しない部分である透過窓１０７と、透過窓１０７に対応した領域を覆うように形成されたＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）からなる透明電極（図示せず）とを備えたものとし、バックライト（図示せず）からの光を、透過窓１０７から透過させて画像を表示するものが用いられている。このようなＴＦＴアレイ基板１２０は、図１４（Ｂ）に示すように（図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）のＣ−Ｃ’線における断面図である）、基板１０１上に、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2膜）等の下地保護膜１０２、ＩＴＯ等からなる透明電極１０３及びアルミニウムもしくはアルミニウムの合金あるいはアルミニウムの積層膜からなるソース線（図示せず）、薄膜トランジスタ（図示せず）、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）等の保護膜１０４（この保護膜１０４は形成しない場合がある）、反射電極１０８の表面に反射用の凹凸１０９を形成するためのアクリル樹脂等の有機系の感光性樹脂の２層からなる凹凸形成層１０５及び凹凸層１０６、及びアルミニウムや銀、もしくはこれらの合金、又はチタン、窒化チタン、モリブデン、タンタル等との積層膜からなり、透過窓１０７を有する反射電極１０８等を積層して形成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このような構成の反射電極を用いた液晶表示装置は、外光の明るさに影響されず、視認性に優れた液晶表示装置を提供することを可能にしたが、一方、反射電極１０８の表面に反射用の凹凸１０９を形成するために用いられるアクリル樹脂等からなる凹凸形成層１０５及び凹凸層１０６の膜厚は、２層で最大５μｍにも達するほど大きいため、凹凸形成層１０５及び凹凸層１０６が存在しない透過窓１０７の部分においては、画素全体ではかなり薄い構造（段差を有する構造）になる。このためポリイミド等の配向膜の形成（塗布）時、配向膜は、透過窓１０７の部分には形成（塗布）されず、また、十分な配向処理を施すことが困難になり、表示特性に悪影響を及ぼすことになる。例えば、ノーマリホワイトの場合、電位を加えても、透過窓１０７の部分だけ黒くならず、白く見えてしまうという問題があった。
【０００６】
本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであって、透過窓の部分にも配向処理が十分に施された、画素内の透過モード表示におけるコントラストに優れるとともに、反射特性にも優れた電気光学装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、本発明の電気光学装置は、複数の画素を含んでなる画像表示領域を有し、各複数の画素が入射光を反射する反射領域、及び入射光を透過する透過領域を含んでなる電気光学装置において、反射領域には反射性を備えた金属膜が形成されてなり、透過領域には透明電極が少なくとも形成されており、反射領域及び透過領域の両領域においては金属膜及び透明電極の上層に配向膜が形成されているとともに、金属膜及び透明電極の下層に金属膜の表面を凹凸形状にする凹凸パターンが形成され、凹凸パターンの凸部分は、透過領域と反射領域との境界部分を跨がないように配設され、透明電極の形成領域は、金属膜の形成領域よりも広いことを特徴とする。
また、金属膜は、透明電極の表面に形成されていることが好ましい。
また、凹凸パターンは、凸部分の基礎となる第１形成層と、第１形成層を覆う第２形成層とからなり、第２形成層は、第１形成層におけるエッジが凹凸パターンに現れないように形成されることが好ましい。
また、複数の画素は、それぞれがスイッチング用のＴＦＴと、画素電極に印加される電圧を保持するための蓄積容量とを有し、ＴＦＴおよび蓄積容量は反射領域に形成され、反射領域におけるＴＦＴおよび蓄積容量が形成された領域には、第２形成層のみが積層されていることが好ましい。
【０００８】
このように構成することによって、反射電極の表面に、反射光を適度に散乱させる表面凹凸形状（反射用の凹凸）を備え、また、透過窓の部分にも配向膜を十分に形成（塗布）して、配向処理を十分に施すことが可能になり、画素内の透過モード表示におけるコントラストに優れるとともに、反射特性にも優れた電気光学装置を提供することができる。
【０００９】
また、本発明の電気光学装置は、前記凹凸層の凸部分が、前記透過窓に対応した領域とそれ以外の領域との境界部分を跨ることなく前記境界部分の内側又は外側のいずれかに位置するように配設されるものであることが好ましい。
【００１０】
このように構成することによって、反射電極にフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて透過窓の形成を行う場合、エッチング剤等が、反射電極と凹凸層の間に侵入するのを有効に防ぐことができる。
【００１１】
また、本発明の電気光学装置は、前記凹凸層が、透光性の感光性樹脂から形成されてなるものであることが好ましい。
【００１２】
このように構成することによって、製造工程を効率化することができるとともに、透過特性の低減を防止することができる。
【００１３】
また、本発明の電気光学装置は、前記凹凸層の下層側に、凹凸形成層がさらに配設されてなるものであることが好ましい。
【００１４】
このように構成することによって、エッジや、平坦部分の少ない滑らかな表面凹凸形状を有する凹凸層を容易に形成することができる。
【００１５】
また、本発明の電気光学装置は、前記凹凸形成層が、透光性の感光性樹脂から形成されてなるものであることが好ましい。
【００１６】
このように構成することによって、所望の位置に、所望の大きさの、表面凹凸形状を有する凹凸層を効率よく形成することができる。
【００１７】
また、本発明の電気光学装置は、前記反射電極が、アルミニウムや銀、もしくはこれらの合金、又はチタン、窒化チタン、モリブデン、タンタル等との積層膜から構成されたものであることが好ましい。
【００１８】
このように構成することによって、光反射効率を高めることができる。
【００１９】
また、本発明の電気光学装置は、前記透明電極が、ＩＴＯ膜から構成されたものであることが好ましい。
【００２０】
このように構成することによって、透過モード表示におけるコントラストを高めることができる。
【００２１】
また、本発明の電気光学装置は、前記透明電極の形成領域が、前記反射電極の形成領域よりも広いものであることが好ましい。
【００２２】
このように構成することによって、透過モード表示におけるコントラストを高めることができる。
【００２３】
また、本発明の電気光学装置は、前記透明電極と前記反射電極とが、電気的に接続されてなるものであることが好ましい。
【００２４】
このように構成することによって、消費電力の低減化を図ることができる。
【００２５】
また、本発明の電気光学装置は、前記透明電極が、前記透過窓の外側で電位供給線と電気的に接続されてなるものであることが好ましい。
【００２６】
このように構成することによって、消費電力の低減化を図ることができる。
【００２７】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、複数の画素を含んでなる画像表示領域を有し、各複数の画素が入射光を反射する反射領域、及び入射光を透過する透過領域を含んでなる電気光学装置の製造方法において、基板の上層に、第１形成層を形成する工程と、第１形成層におけるエッジが表面に現れないように第１形成層を覆う第２形成層を形成する工程と、第１形成層および第１形成層からなる凹凸パターン上に透明電極を形成する工程と、透明電極の表面に金属膜を形成する工程と、金属膜のエッチングを含み、透明電極を露出させた透過領域を有する反射電極を形成する工程と、反射領域及び透過領域の両領域に配向膜を形成する工程と、を具備してなり、凹凸パターンの凸部分は、透過領域と反射領域との境界部分を跨がないように配設されることを特徴とする。
【００２８】
このように構成することによって、反射電極の表面に、反射光を適度に散乱させる表面凹凸形状（反射用の凹凸）を備え、画素内の透過モード表示におけるコントラストに優れるとともに、反射特性にも優れた電気光学装置を効率よくかつ低コストで提供することができる。
【００２９】
この場合、前記凹凸層の凸部分を、前記透過窓に対応した領域とそれ以外の領域との境界部分を跨ることなく前記境界部分の内側又は外側のいずれかに位置するように配設することが好ましい。
【００３０】
このように構成することによって、反射電極にフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて透過窓の形成を行う場合、エッチング剤等が、反射電極と凹凸層の間に侵入するのを有効に防ぐことができる。
【００３１】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、前記凹凸層を、透光性の感光性樹脂から形成することが好ましい。
【００３２】
このように構成することによって、製造工程を効率化することができるとともに、透過特性の低減を防止することができる。
【００３３】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、前記凹凸層の下層側に、凹凸形成層をさらに配設することが好ましい。
【００３４】
このように構成することによって、エッジや、平坦部分の少ない滑らかな表面凹凸形状を有する凹凸層を効率よくかつ低コストで形成することができる。
【００３５】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、前記凹凸形成層を、透光性の感光性樹脂から形成することが好ましい。
【００３６】
このように構成することによって、所望の位置に、所望の大きさの、表面凹凸形状を有する凹凸層を効率よくかつ低コストで形成することができる。
【００３７】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、前記反射電極を、アルミニウムや銀、もしくはこれらの合金、又はチタン、窒化チタン、モリブデン、タンタル等との積層膜から構成することが好ましい。
【００３８】
このように構成することによって、光反射効率の高い電気光学装置を効率よくかつ低コストで提供することができる。
【００３９】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、前記透明電極を、ＩＴＯ膜から構成することが好ましい。
【００４０】
このように構成することによって、透過モード表示におけるコントラストの高い電気光学装置を効率よくかつ低コストで提供することができる。
【００４１】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、前記透明電極の形成領域を、前記反射電極の形成領域よりも広く形成することが好ましい。
【００４２】
このように構成することによって、透過モード表示におけるコントラストの高い電気光学装置を効率よくかつ低コストで提供することができる。
【００４３】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、前記透明電極と前記反射電極とを、電気的に接続することが好ましい。
【００４４】
このように構成することによって、消費電力の低減化を図った電気光学装置を効率よくかつ低コストで提供することができる。
【００４５】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、前記透明電極を、前記透過窓の外側で電位供給線と電気的に接続することが好ましい。
【００４６】
このように構成することによって、消費電力の低減化を図った電気光学装置を効率よくかつ低コストで提供することができる。
【００４７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の電気光学装置及びその製造方法の実施の形態を図面を参照しつつ、具体的に説明する。
【００４８】
（電気光学装置の基本的な構成）
図１は、本発明の電気光学装置の一の実施の形態である液晶表示装置を、各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’線における断面図である。図３は、電気光学装置（液晶表示装置）の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。なお、本形態の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００４９】
図１及び図２において、本実施の形態の電気光学装置（液晶表示装置）１００は、ＴＦＴアレイ基板１０（第１の基板）と対向基板２０（第２の基板）とがシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域（液晶封入領域）内には、電気光学物質としての液晶５０が封入、保持されている。シール材５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１、及び実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられており、さらに、周辺見切り５３の下側等を利用して、プリチャージ回路や検査回路が設けられることもある。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。
【００５０】
なお、データ線駆動回路２０１及び走査線駆動回路２０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（テープ  オートメイテッド  ボンディング）基板とＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。なお、電気光学装置１００おいては、使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード等々の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略している。
【００５１】
また、電気光学装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦＴアレイ基板１０の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
【００５２】
このような構造を有する電気光学装置１００の画像表示領域においては、図３に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎは、この順に線順次で（線番号の順番で）供給してもよく、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・Ｇｍをこの順に線順次で（線番号の順番で）印加するように構成されている。反射電極９及び透明電極８は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして反射電極９及び透明電極８を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎは、図２に示す対向基板２０の対向電極２１との間で一定期間保持される。
【００５３】
ここで、液晶５０は、印加される電圧レベルによって分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリホワイトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶５０の部分を通過する光量が低下し、ノーマリブラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶５０の部分を通過する光量が増大する。その結果、全体として電気光学装置１００からは画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎに応じたコントラストを持つ光が出射される。
【００５４】
なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎがリークするのを防ぐために、反射電極９と対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０（図３参照）を付加することがある。例えば、反射電極９及び透明電極８の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量６０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い電気光学装置１００を実現することができる。なお、蓄積容量６０を形成する方法としては、図３に示すように、蓄積容量６０を形成するための配線である容量線３ｂとの間に形成する場合、及び前段の走査線３ａとの間に形成する場合のいずれであってもよい。
【００５５】
（ＴＦＴアレイ基板の構成）
図４は、本実施の形態に用いたＴＦＴアレイ基板の相互に隣接する複数の画素群の平面図である。図５は、図４のＡ−Ａ’線における画素の断面図である。
【００５６】
図４において、ＴＦＴアレイ基板上には、アルミニウムや銀、もしくはこれらの合金、又はチタン、窒化チタン、モリブデン、タンタル等との積層膜から構成された反射電極９がマトリクス状に形成されており（図４においては一画素を示す）、これら各反射電極９に対して、画素スイッチング用のＴＦＴ３０（図３参照）がそれぞれ透明電極８を介して電気的に接続している。また、反射電極９を形成する領域の縦横の境界に沿って、データ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂが形成され、ＴＦＴ３０（図３参照）は、データ線６ａ及び走査線３ａに対して接続している。すなわち、データ線６ａは、コンタクト孔を介してＴＦＴ３０（図３参照）の高濃度ソース領域１ａに電気的に接続し、透明電極８は、コンタクト孔１５及びソース線６ｂを介してＴＦＴ３０（図３参照）の高濃度ドレイン領域１ｄに電気的に接続している。また、ＴＦＴ３０（図３参照）のチャネル形成用領域１ａ’に対向するように走査線３ａが延びている。なお、蓄積容量６０（蓄積容量素子）は、画素スイッチング用のＴＦＴ３０（図３参照）を形成するための半導体膜１の延設部分１ｆを導電化したものを下電極とし、この下電極１ｆに、走査線３ａと同層の容量線３ｂが上電極として重なった構造になっている。
【００５７】
図４に示すように、このように構成した各画素１００ａにおいては、透過窓１４を有する反射電極９が形成され、それらの表面には、後述する凹凸層（図示せず）が全面に形成されている。透過窓１４に対応する領域は、透明電極８によって覆われ、透過モードで画像表示を行う透過領域であり、その他の領域は、後述する凹凸形成層（図示せず）、凹凸層（図示せず）及び反射電極９を備えた反射領域であり、ここでは反射モードで画像表示を行う。
【００５８】
図５に示すように、この反射領域のＡ−Ａ’線で切断したときの断面は、ＴＦＴアレイ基板１０の基体としての透明なＴＦＴアレイ基板用のガラス基板１０’の表面に、厚さが１００ｎｍ〜５００ｎｍのシリコン酸化膜（絶縁膜）からなる下地保護膜１１が形成され、この下地保護膜１１の表面には、厚さが３０ｎｍ〜１００ｎｍの島状の半導体膜１が形成されている。半導体膜１の表面には、厚さが約５０〜１５０ｎｍのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２が形成され、このゲート絶縁膜２の表面に、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍの走査線３ａがゲート電極として通っている。半導体膜１のうち、走査線３ａに対してゲート絶縁膜２を介して対向する領域がチャネル形成用領域１ａ’になっている。このチャネル形成用領域１ａ’に対して一方側には、低濃度領域１ｂ及び高濃度ソース領域１ａを備えるソース領域が形成され、他方側には低濃度領域１ｂ及び高濃度ドレイン領域１ｄを備えるドレイン領域が形成され、その中間には、ソース、ドレインのどちらの領域にも属さない高濃度領域１ｃが形成されている。
【００５９】
画素スイッチング用のＴＦＴ３０（図３参照）の表面側には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのシリコン酸化膜からなる第１層間絶縁膜４、及び厚さが１００ｎｍ〜８００ｎｍのシリコン窒化膜からなる第２層間絶縁膜５（表面保護膜）が形成されている（この第２層間絶縁膜５（表面保護膜）は形成しなくてもよい）。第１層間絶縁膜４の表面には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのデータ線６ａが形成され、このデータ線６ａは、第１層間絶縁膜４に形成されたコンタクト孔を介して高濃度ソース領域１ａに電気的に接続している。
【００６０】
第２層間絶縁膜（表面保護膜）５の上層には、有機系樹脂等の感光性樹脂からなる凹凸形成層１３及び凹凸層７がこの順に形成され、凹凸層７の表面には、ＩＴＯ膜等からなる透明電極８が形成され、透明電極８の上層には、アルミニウムや銀、もしくはこれらの合金、又はチタン、窒化チタン、モリブデン、タンタル等との積層膜からなる反射電極９が順次形成されている。反射電極９の表面には、凹凸層７の表面凹凸形状に対応した凹凸パターン９ｇが形成されている。
【００６１】
反射電極９及び透明電極８は、コンタクト孔１５を介してソース線６ｂと電気的に接続している。
【００６２】
反射電極９の表面には、背面光源からの光を透過するための透過窓１４が形成されている。
【００６３】
反射電極９の表面側と、透過窓１４の形成によって最上層となった透明電極８の表面側にはポリイミド膜からなる配向膜１２が形成されている。この配向膜１２の表面側には、ラビング処理が施されている。
【００６４】
また、高濃度ドレイン領域１ｄからの延設部分１ｆ（下電極）に対しては、ゲート絶縁膜２と同時形成された絶縁膜（誘電体膜）を介して、走査線３ａと同層の容量線３ｂが上電極として対向することにより、蓄積容量６０（図３参照）が構成されている。
【００６５】
なお、ＴＦＴ３０（図３参照）は、好ましくは上述のようにＬＤＤ構造（ライトリー・ドープト・ドレイン構造）をもつが、低濃度領域１ｂに相当する領域に不純物イオンの打ち込みを行わないオフセット構造を有していてもよい。また、ＴＦＴ３０（図３参照）は、ゲート電極（走査線３ａの一部）をマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち込み、自己整合的に高濃度のソース及びドレイン領域を形成したセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。
【００６６】
また、本実施の形態では、ＴＦＴ３０（図３参照）のゲート電極（走査線３ａ）をソース−ドレイン領域の間に２個配置したデュアルゲート（ダブルゲート）構造としたが、１個配置したシングルゲート構造であってもよく、また、これらの間に３個以上のゲート電極を配置したトリプルゲート以上の構造であってもよい。複数個配置した場合、各々のゲート電極には同一の信号が印加されるようにする。このようにデュアルゲート（ダブルゲート）、又はトリプルゲート以上でＴＦＴ３０（図３参照）を構成すれば、チャネルとソース−ドレイン領域の接合部でのリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。これらのゲート電極の少なくとも１個をＬＤＤ構造又はオフセット構造にすれば、さらに、オフ電流を低減でき、安定したスイッチング素子を得ることができる。
【００６７】
図４〜図５において、ＴＦＴアレイ基板１０では、各画素１００ａの反射領域には、反射電極９の表面のうち、ＴＦＴ３０（図３参照）の形成領域及びコンタクト孔１５から外れた領域（凹凸層形成領域）には、前述のように凹凸パターン９ｇが形成されている。
【００６８】
このような凹凸パターン９ｇを構成するにあたって、本実施の形態のＴＦＴアレイ基板１０では、前述の凹凸層形成領域には、アクリル樹脂等の有機系の透光性の感光性樹脂からなる凹凸形成層１３が第２層間絶縁膜５の表面に１〜３μｍの厚さで例えば、スピンコートによって形成され、この凹凸形成層１３の上層には、アクリル樹脂等の有機系の透光性の感光性樹脂等のような流動性材料から形成された絶縁膜からなる凹凸層７が１〜２μｍの厚さで例えば、スピンコートによって積層されている。
【００６９】
凹凸形成層１３には、多数の凹凸が形成されている。このため、図５に示すように、反射電極９の表面には、凹凸層７の表面凹凸形状に対応する凹凸パターン９ｇが形成され、この凹凸パターン９ｇでは、凹凸層７によって、凹凸形成層１３のエッジ等が現れないようになっている。なお、凹凸層７を形成せずに、凹凸形成層１３を形成した後、ベーク工程を行うことにより、凹凸形成層１３の凹凸の縁を滑らかにしてもよい。
【００７０】
（対向基板の構成）
図５において、対向基板２０では、対向基板側のガラス基板２０’上の、ＴＦＴアレイ基板１０に形成されている反射電極９の縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリクス、又はブラックストライプ等と称せられる遮光膜２３が形成され、その上層側には、ＩＴＯ膜からなる対向電極２１が形成されている。また、対向電極２１の上層側には、ポリイミド膜からなる配向膜２２が形成される。なお、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶５０が、保持、封入されている。
【００７１】
（本形態の電気光学装置の作用）
このように構成した電気光学装置１００（図１参照）では、アルミニウムや銀、もしくはこれらの合金、又はチタン、窒化チタン、モリブデン、タンタル等との積層膜からなる反射電極９が形成されているため、対向基板２０側から入射した光をＴＦＴアレイ基板１０側で反射し、対向基板２０側から出射することができるので、この間に液晶５０によって各画素１００ａ毎で光変調を行えば、外光を利用して所望の画像を表示することができる（反射モード）。
【００７２】
また、電気光学装置１００（図１参照）においては、図４〜図５において、反射電極９に設けられた透過窓１４を覆うように透明電極８が形成されているため、透過型の液晶表示装置としても機能する。すなわち、ＴＦＴアレイ基板１０の側に配置されたバックライト装置（図示せず）から出射された光は、ＴＦＴアレイ基板１０の側に入射した後、各画素１００ａにおいて反射電極９が形成されている領域のうち、反射電極９が形成されていない透過領域（透明電極８によって覆われた透過窓１４）を経由して対向基板２０側に透過する。このため、液晶５０によって各画素１００ａ毎で光変調を行えば、バックライト装置（図示せず）から出射された光を利用して所望の画像を表示することができる（透過モード）。
【００７３】
また、本実施の形態では、反射電極９の下層側のうち、反射電極９と平面的に重なる領域に凹凸形成層１３を形成し、この凹凸形成層１３の凹凸を利用して、反射電極９の表面に光散乱用の凹凸パターン９ｇを形成している。また、凹凸パターン９ｇでは、凹凸層７によって、凹凸形成層１３のエッジ等が現れないようになっている。従って、反射モードで画像を表示したとき、散乱反射光で画像を表示するため、視野角依存性が小さい。
【００７４】
さらに、透過窓１４の部分にも配向膜１２を十分に形成（塗布）して、かつ配向処理を十分に施すことが可能になり、画素内の透過モード表示におけるコントラストに優れるとともに、反射特性にも優れた電気光学装置を提供することができる。
【００７５】
［ＴＦＴの製造方法］
このような構成のＴＦＴアレイ基板１０を製造する方法を、図６〜図１０を参照しつつ、具体的に説明する。
【００７６】
図６〜図１０はいずれも、本実施の形態のＴＦＴアレイ基板の製造方法を工程順に示す断面図である。
【００７７】
まず、図６（Ａ）に示すように、超音波洗浄等により清浄化したＴＦＴアレイ基板用のガラス基板１０’を準備した後、基板温度が１５０℃〜４５０℃の温度条件下で、ＴＦＴアレイ基板用のガラス基板１０’の全面に、シリコン酸化膜からなる下地保護膜１１をプラズマＣＶＤ法により１００ｎｍ〜５００ｎｍの厚さに形成する。このときの原料ガスとしては、例えば、モノシランと笑気ガス（一酸化二窒素）との混合ガスやＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン：Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）と酸素、又はジシランとアンモニアを用いることができる。
【００７８】
次に、基板温度が１５０℃〜４５０℃の温度条件下で、ＴＦＴアレイ基板用のガラス基板１０’の全面に、非晶質シリコン膜からなる半導体膜１をプラズマＣＶＤ法により３０ｎｍ〜１００ｎｍの厚さに形成する。このときの原料ガスとしては、例えば、ジシランやモノシランを用いることができる。次に、半導体膜１に対してレーザ光を照射してレーザアニールを施す。その結果、アモルファスの半導体膜１は、一度溶融し、冷却固化過程を経て結晶化する。この際には、各領域へのレーザ光の照射時間が非常に短時間であり、かつ、照射領域も基板全体に対して局所的であるため、基板全体が同時に高温に熱せられることがない。それゆえ、ＴＦＴアレイ基板用のガラス基板１０’としてガラス基板等を用いても熱による変形や割れ等が生じない。
【００７９】
次に、半導体膜１の表面にフォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５１を介して半導体膜１をエッチングすることにより、図６（Ｂ）に示すように、島状の半導体膜１（能動層）を形成するための半導体膜を各々分離した状態に形成する。
【００８０】
次に、３５０℃以下の温度条件下で、ＴＦＴアレイ基板用のガラス基板１０’の全面に、ＣＶＤ法等により半導体膜１の表面に、シリコン酸化膜等からなるゲート絶縁膜２を５０ｎｍ〜１５０ｎｍの厚さに形成する。このときの原料ガスは、例えば、ＴＥＯＳと酸素ガスとの混合ガスを用いることができる。ここで形成するゲート絶縁膜２は、シリコン酸化膜に代えてシリコン窒化膜であってもよい。
【００８１】
次に、図示を省略するが、所定のレジストマスクを介して半導体膜１の延設部分１ｆに不純物イオンを打ち込んで、容量線３ｂとの間に蓄積容量６０を構成するための下電極を形成する（図４及び図５参照）。
【００８２】
次に、図６（Ｃ）に示すように、スパッタ法等により、ＴＦＴアレイ基板用のガラス基板１０’の全面に、走査線３ａ等を形成するためのアルミニウム、タンタル、モリブデン等からなる金属膜、又はこれらの金属のいずれかを主成分とする合金膜からなる導電膜３を３００ｎｍ〜８００ｎｍの厚さに形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５２を形成する。
【００８３】
次に、レジストマスクを介して導電膜３をドライエッチングし、図６（Ｄ）に示すように、走査線３ａ（ゲート電極）、容量線３ｂ等を形成する。
【００８４】
次に、画素ＴＦＴ部及び駆動回路のＮチャネルＴＦＴ部（図示せず）の側には、走査線３ａやゲート電極をマスクとして、約０．１×１０13／ｃｍ2〜約１０×１０13／ｃｍ2のドーズ量で低濃度の不純物イオン（リンイオン）を打ち込んで、走査線３ａに対して自己整合的に低濃度領域１ｂを形成する。ここで、走査線３ａの真下に位置しているため、不純物イオンが導入されなかった部分は半導体膜１のままのチャネル形成用領域１ａ’となる。
【００８５】
次に、図７（Ａ）に示すように、画素ＴＦＴ部では、走査線３ａ（ゲート電極）より幅の広いレジストマスク５５３を形成して高濃度の不純物イオン（リンイオン）を約０．１×１０15／ｃｍ2〜約１０×１０15／ｃｍ2のドーズ量で打ち込み、高濃度ソース領域１ａ、高濃度領域１ｃ及び高濃度ドレイン領域１ｄを形成する。
【００８６】
これらの不純物導入工程に代えて、低濃度の不純物の打ち込みを行わずにゲート電極より幅の広いレジストマスクを形成した状態で高濃度の不純物（リンイオン）を打ち込み、オフセット構造のソース領域及びドレイン領域を形成してもよい。また、走査線３ａをマスクにして高濃度の不純物を打ち込んで、セルフアライン構造のソース領域及びドレイン領域を形成してもよい。
【００８７】
なお、図示を省略するが、このような工程によって、周辺駆動回路部のＮチャネルＴＦＴ部を形成するが、この際には、ＰチャネルＴＦＴ部をマスクで覆っておく。また、周辺駆動回路のＰチャネルＴＦＴ部を形成する際には、画素部及びＮチャネルＴＦＴ部をレジストで被覆保護して、ゲート電極をマスクとして、約０．１×１０15／ｃｍ2〜約１０×１０15／ｃｍ2のドーズ量でボロンイオンを打ち込むことにより、自己整合的にＰチャネルのソース−ドレイン領域を形成する。
【００８８】
この際、ＮチャネルＴＦＴ部の形成時と同様、ゲート電極をマスクとして、約０．１×１０13／ｃｍ2〜約１０×１０13／ｃｍ2のドーズ量で低濃度の不純物（ボロンイオン）を導入して、ポリシリコン膜に低濃度領域を形成した後、ゲート電極より幅の広いマスクを形成して高濃度の不純物（ボロンイオン）を約０．１×１０15／ｃｍ2〜約１０×１０15／ｃｍ2のドーズ量で打ち込んで、ＬＤＤ構造のソース領域及びドレイン領域を形成してもよい。また、低濃度の不純物の打ち込みを行わずに、ゲート電極より幅の広いマスクを形成した状態で高濃度の不純物（ボロンイオン）を打ち込み、オフセット構造のソース領域及びドレイン領域を形成してもよい。これらのイオン打ち込み工程によって、ＣＭＯＳ化（相補型化：Ｃｏｍｐｌｉｍｅｎｔａｒｙ  ＭＯＳ化）が可能になり、周辺駆動回路の同一基板内への内蔵が可能になる。
【００８９】
次に、図７（Ｂ）に示すように、走査線３ａの表面側にＣＶＤ法等により、シリコン酸化膜等からなる層間絶縁膜４を３００ｎｍ〜８００ｎｍの厚さに形成する。このときの原料ガスは、例えば、ＴＥＯＳと酸素ガスとの混合ガスを用いることができる。
【００９０】
次に、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５４を形成する。
【００９１】
次に、レジストマスク５５４を介して層間絶縁膜４にドライエッチングを行い、図７（Ｃ）に示すように、層間絶縁膜４においてソース領域及びドレイン領域に対応する部分等にコンタクト孔をそれぞれ形成する。
【００９２】
次に、図７（Ｄ）に示すように、層間絶縁膜４の表面側に、データ線６ａ（ソース電極）等を構成するためのアルミニウム膜、チタン膜、窒化チタン膜、タンタル膜、モリブデン膜、又はこれらの金属のいずれかを主成分とする合金膜又は積層膜からなる金属膜６をスパッタ法等で４００ｎｍ〜８００ｎｍの厚さに形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５５を形成する。
【００９３】
次に、レジストマスク５５５を介して金属膜６にドライエッチングを行い、図８（Ａ）に示すように、データ線６ａ、及びソース線６ｂを形成する。
【００９４】
次に、図８（Ｂ）に示すように、シリコン窒化膜からなる第２層間絶縁膜５を、データ線６ａ、及びソース線６ｂの表面側にＣＶＤ法等により、１００ｎｍ〜８００ｎｍの膜厚に形成する。
【００９５】
次に、図９（Ａ）、（Ｂ）に示すように、アクリル樹脂等の有機系の透光性の感光性樹脂１３ａを１〜３μｍの厚さにスピンコートで塗布した後、感光性樹脂１３ａをフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることによって、厚さが１μｍ〜３μｍの凹凸形成層１３を形成する。次いで、角をとるためベーク工程を行ってもよい。
【００９６】
このようなフォトリソグラフィ技術を利用して凹凸形成層１３を形成する際、透光性の感光性樹脂１３ａとしてはネガタイプ及びポジタイプのいずれを用いてもよいが、図９（Ａ）には、感光性樹脂１３ａとしてポジタイプを用いた場合を例示してあり、感光性樹脂１３ａを除去したい部分に対して、所定の露光マスクの透光部分を介して紫外線を照射する。
【００９７】
次に、図９（Ｃ）に示すように、透明電極８及び凹凸形成層１３の表面側に、アクリル樹脂等の有機系の透光性の感光性樹脂７ａをスピンコートで１μｍ〜２μｍの厚さに塗布する。
【００９８】
次に、図９（Ｄ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を利用して、感光性樹脂７ａ（図９（Ｃ）参照）をソース線６ｂの表面に達するまで貫通、開口させて、後述するコンタクト孔１５を形成することができるように開口１４ｂを形成するとともに、この開口１４ｂを備えた厚さが１μｍ〜２μｍの凹凸層７を形成する。
【００９９】
ここで、凹凸層７は、流動性を有する材料を塗布したものから形成されるため、凹凸層７の表面には、凹凸形成層１３の凹凸を適度に打ち消して、エッジ等のない、滑らかな形状の凹凸パターンが形成される。
【０１００】
なお、凹凸層７を形成せずに、滑らかな形状の凹凸パターンを形成する場合には、図９（Ｂ）に示す状態でベーク工程を行って、凹凸形成層１３の縁を滑らかな形状にしてもよい。
【０１０１】
次に、図１０（Ａ）に示すように、凹凸層７及びコンタクト孔１５の表面に、スパッタリング法等によって、約５０〜２００ｎｍの厚さのＩＴＯからなる透明導電膜を成膜し、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、所定のパターンの透明電極８を形成する。透明電極８の表面に、アルミニウムや銀、もしくはこれらの合金、又はチタン、窒化チタン、モリブデン、タンタル等との積層膜のような反射性を備えた金属膜９ａを形成する。
【０１０２】
次に、図１０（Ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、透過窓１４となる部分及び隣接する画素との間を選択的に除去して、透過窓１４を備えた反射電極９を形成する。このようにして形成した反射電極９は、透明電極８を介してドレイン電極６ｂと電気的に接続している。また、反射電極９の表面には、凹凸形成層１３及び凹凸層７からなる凹凸によって５００ｎｍ以上、さらには８００ｎｍ以上の凹凸パターン９ｇが形成され、かつ、この凹凸パターン９ｇは、凹凸層７によって、エッジ等のない、滑らかな形状になっている。
【０１０３】
その後、反射電極９と、透過窓１４の形成によって最上層となった透明電極８との表面側に配向膜（ポリイミド膜）１２を形成する。それには、ブチルセロソルブやｎ−メチルピロリドン等の溶媒に５〜１０重量％のポリイミドやポリアミド酸を溶解させたポリイミド・ワニスをフレキソ印刷した後、加熱・硬化（焼成）する。そして、ポリイミド膜を形成した基板をレーヨン系繊維からなるパフ布で一定方向に擦り、ポリイミド分子を表面近傍で一定方向に配列させる（ラビング処理を施す）。その結果、後で充填した液晶分子とポリイミド分子との相互作用により液晶分子が一定方向に配列する。
【０１０４】
以上のようにして、ＴＦＴアレイ基板１０が完成する。
【０１０５】
上記のいずれの形態も、画素スイッチング素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置を例に説明したが、画素スイッチング素子としてＴＦＤを用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置、又はパッシブマトリクス型の液晶表示装置、さらには液晶以外の電気光学物質（例えば、ＥＬ発光素子）を用いた電気光学装置に本発明を適用してもよい。
【０１０６】
［電気光学装置の電子機器への応用］
このように構成した半反射・半透過型の電気光学装置１００は、各種の電子機器の表示部として用いることができるが、その一例を、図１１〜図１３を参照しつつ具体的に説明する。
【０１０７】
図１１は、本発明に係る電気光学装置を表示装置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック図である。
【０１０８】
図１１において、電子機器は、表示情報出力源７０、表示情報処理回路７１、電源回路７２、タイミングジェネレータ７３及び液晶表示装置７４を有する。また、液晶表示装置７４は、液晶表示パネル７５及び駆動回路７６を有する。液晶装置７４としては、前述した電気光学装置１００を用いることができる。
【０１０９】
表示情報出力源７０は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）等のようなメモリ、各種ディスク等のようなストレージユニット、デジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ７３によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等のような表示情報を表示情報処理回路７１に供給する。
【０１１０】
表示情報処理回路７１は、シリアル−パラレル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等のような周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像信号をクロック信号ＣＬＫとともに駆動回路７６へ供給する。電源回路７２は、各構成要素に所定の電圧を供給する。
【０１１１】
図１２は、本発明に係る電子機器の一実施形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示している。ここに示すパーソナルコンピュータ８０は、キーボード８１を備えた本体部８２と、液晶表示ユニット８３とを有する。液晶表示ユニット８３は、前述した電気光学装置１００を含んで構成される。
【０１１２】
図１３は、他の電子機器である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機９０は、複数の操作ボタン９１と、前述した電気光学装置１００からなる表示部とを有している。
【０１１３】
【発明の効果】
以上、説明したように、本発明によって、携帯電話機、モバイルコンピュータ等に好適に用いられる、透過窓の部分にも配向処理が十分に施された、画素内の透過モード表示におけるコントラストに優れるとともに、反射特性にも優れた電気光学装置及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電気光学装置の一の実施の形態を対向基板の側から見たときの平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’線における断面図である。
【図３】本発明の電気光学装置の一の実施の形態において、マトリクス状に配置された複数の画素に形成された各種素子、配線等の等価回路図である。
【図４】本発明の電気光学装置の一の実施の形態において、ＴＦＴアレイ基板に形成された各画素の構成を示す平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ’線における画素の断面図である。
【図６】本発明の電気光学装置の製造方法の一の実施の形態において、ＴＦＴアレイ基板の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図７】図６に示す工程以降のＴＦＴアレイ基板の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図８】図７に示す工程以降のＴＦＴアレイ基板の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図９】図８に示す工程以降のＴＦＴアレイ基板の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１０】図９に示す工程以降のＴＦＴアレイ基板の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１１】本発明に係る電気光学装置を表示装置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック図である。
【図１２】本発明の電気光学装置を用いた電子機器の一例としてのモバイル型のパーソナルコンピュータを示す説明図である。
【図１３】本発明の電気光学装置を用いた電子機器の他の例としての携帯電話機の説明図である。
【図１４】従来の電気光学装置における画素の一部を模式的に示す説明図であって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＣ−Ｃ’における断面図である。
【符号の説明】
１…半導体膜
１ａ…高濃度ソース領域
１ａ’…チャネル形成用領域
１ｂ…低濃度領域
１ｃ…高濃度領域
１ｄ…高濃度ドレイン領域
１ｆ…半導体膜の延設部分
２…ゲート絶縁膜
３ａ…走査線
３ｂ…容量線
４…第１層間絶縁膜
５…第２層間絶縁膜（表面保護膜）
６…金属膜
６ａ…データ線
６ｂ…ソース線
７…凹凸層
７ａ…凹凸層を形成するための感光性樹脂
８…透明電極
９…反射電極
９ａ…金属膜
９ｇ…凹凸パターン（表面凹凸形状）
１０…ＴＦＴアレイ基板
１０’…ＴＦＴアレイ基板側のガラス基板
１１…下地保護膜
１２…配向膜
１３…凹凸形成層
１３ａ…凹凸形成層を形成するための感光性樹脂
１４…透過窓
１４ａ…スリット形状の透過窓
１４ｂ…凹凸層の開口
１５…コンタクト孔
２０…対向基板
２０’…対向基板側のガラス基板
２１…対向電極
２２…配向膜
３０…画素スイッチング用のＴＦＴ
５０…液晶
５２…シール材
５３…周辺見切り
６０…蓄積容量
７０…表示情報出力源
７１…表示情報処理回路
７２…電源回路
７３…タイミングジェネレータ
７４…液晶表示装置
７５…液晶表示パネル
７６…駆動回路
８０…パーソナルコンピュータ
８１…キーボード
８２…本体部
８３…液晶表示ユニット
９０…携帯電話機
９１…操作ボタン
１００…電気光学装置
１００ａ…画素
１０１…基板
１０２…下地保護膜
１０３…透明電極
１０４…保護膜
１０５…凹凸形成層
１０６…凹凸層
１０７…透過窓
１０８…反射電極
１０９…反射用の凹凸
１１０…画素
１２０…ＴＦＴアレイ基板
２０１…データ線駆動回路
２０２…実装端子
２０４…走査線駆動回路
２０５…配線
２０６…基板間導通材
【図１】
0004154880.tif 000002
【図２】
0004154880.tif 000003
【図３】
0004154880.tif 000004
【図４】
0004154880.tif 000005
【図５】
0004154880.tif 000006
【図６】
0004154880.tif 000007
【図７】
0004154880.tif 000008
【図８】
0004154880.tif 000009
【図９】
0004154880.tif 000010
【図１０】
0004154880.tif 000011
【図１１】
0004154880.tif 000012
【図１２】
0004154880.tif 000013
【図１３】
0004154880.tif 000014
【図１４】
0004154880.tif 000015