(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜室内に設置され、モーターにより回転するターンテーブルに載置したリングハース上に成膜材料を供給し、前記リングハースを回転して前記リングハース上に供給されている成膜材料の脱ガスを行う真空蒸着装置であって、脱ガス時における前記リングハースの回転を、成膜時の回転より速い一定の回転数で行うことを特徴とする真空蒸着装置における成膜材料の脱ガス方法。
【請求項２】
前記脱ガス時の立ち上げ時における電子ビームの照射パワーを、成膜時の照射パワーより低く設定し、その後前記電子ビームの照射パワーを段階的に高くすることを特徴とする請求項１記載の真空蒸着装置における成膜材料の脱ガス方法。
【請求項３】
前記電子ビームの照射パワーは、前記成膜室内の圧力が所定圧以下になったときに変更することを特徴とする請求項２記載の真空蒸着装置における成膜材料の脱ガス方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、真空蒸着装置において、リングハース上の成膜材料の脱ガス方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
所定速度で回転するリングハース上の成膜材料を真空下で蒸発させ，そのガスを、リングハースに対向して配置した基板上に蒸着させて、基板上に被膜を形成させるようにした真空蒸着装置においては、蒸着装置の立ち上げ時に、リングハース上の成膜材料の脱ガスを行う必要がある。従来は、この立ち上げ時においても、リングハースを成膜時と同じ回転速度で回転させて脱ガスを行っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、成膜時の成膜材料を昇華させるための回転数は非常に遅く、例えば成膜材料としてＭｇＯを用い、電子ビームの照射パワーを３５０ミリアンペア、リングハースの直径を３５０ｍｍとした場合には、４時間に１回転程度の速度で回転させている。
従って、この回転速度で脱ガスを行うと、電子ビームを同一リングハース上に２カ所照射する２ポイント方式を採用したものであっても最低でも２時間が必要となってしまう。また、早く脱ガスを行うために電子ビームの照射パワーを上げると、成膜材料から脱ガスだけを行うのではなく、成膜材料を昇華させてしまうという問題を有している。
【０００４】
そこで本発明は、上記のような蒸着装置の立ち上げ時の脱ガスに要する時間の短縮を図ることを目的とするものである。
また本発明は、脱ガス完了後、成膜室内を早く成膜を行える状態にすることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の本発明の真空蒸着装置における成膜材料の脱ガス方法は、成膜室内に設置され、モーターにより回転するターンテーブルに載置したリングハース上に成膜材料を供給し、前記リングハースを回転して前記リングハース上に供給されている成膜材料の脱ガスを行う真空蒸着装置であって、脱ガス時における前記リングハースの回転を、成膜時の回転より速い一定の回転数で行うことを特徴とする。
請求項２記載の本発明は、請求項１記載の真空蒸着装置における成膜材料の脱ガス方法において、前記脱ガス時の立ち上げ時における電子ビームの照射パワーを、成膜時の照射パワーより低く設定し、その後前記電子ビームの照射パワーを段階的に高くすることを特徴とする。
請求項３記載の本発明は、請求項２記載の真空蒸着装置における成膜材料の脱ガス方法において、前記電子ビームの照射パワーは、前記成膜室内の圧力が所定圧以下になったときに変更することを特徴とする。
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明による第１の実施の形態は、従来、成膜時の回転速度と同じ速度としていた脱ガス時におけるリングハースの回転速度を、この速度より速い回転速度とするものである。このように成膜時の回転よりも早く回転させることで、成膜材料の昇華量を減少させるとともに、リングハース全周の脱ガスを早く行うことができる。
【０００７】
本発明による第２の実施の形態は、脱ガス時の立ち上げ時における電子ビームの照射パワーを、成膜時の照射パワーより低く設定し、その後段階的に照射パワーを高くするものである。脱ガスの量は、脱ガス初期において多量に発生しその後減少する。従って、脱ガス初期において大きな照射パワーを与えるとさらに多量のガスが発生することになる。本実施の形態は、このように照射パワーを段階的に上げることで、蒸着室内の真空度を一定範囲の値に維持しながら脱ガスを行うことができるので、脱ガス終了時点での蒸着室内の真空度を早く所定の値に維持することができ、結果として、脱ガスを開始してから成膜を行える状態にするまでの時間を短縮することができる。
【０００８】
本発明による第３の実施の形態は、電子ビームの照射パワーは、成膜室内の圧力が所定値以下になったときに変更するものである。このように、照射パワーを成膜室内の圧力によって制御することで、脱ガス終了時点での蒸着室内の真空度をさらに早く所定の値に維持することができ、結果として、脱ガスを開始してから成膜を行える状態にするまでの時間をより短縮することができる。
【０００９】
【実施例】
以下、図面により本発明の一実施例について説明する。図１は本発明に使用される真空蒸着装置の一実施例を示す縦断面図、図２は同じく横断面図である。
真空蒸着装置１は成膜室２を有し、この成膜室２の内部には、回転可能に設置されたターンテーブル３を設けている。このターンテーブルーブル３上には、リングハース４が搭載されており、さらにリングハース４の上には成膜材料５が堆積されている。
成膜室２の側壁には、ピアスガン６を設置している。このピアスガン６は、リングハース４上の成膜材料５に電子ビームを照射して、成膜材料５を蒸発させるためのものである。基板７は、成膜室２内を一定速度で移動するキャリア８上に搭載されている。成膜材料５は、この基板７に蒸着される。図中、９はターンテーブルーブル３の駆動機構である。
【００１０】
上記の真空蒸着装置により成膜材料５を基板６に蒸着させるには、ターンテーブル３を、蒸着時には４時間に１回転の速度で回転させる。
また、真空蒸着装置１の立ち上げに際しての脱ガス時には、ターンテーブル３の回転、すなわちリングハース４の回転を、成膜時の回転速度より速くする。例えば２時間に１回転の速度とする。ただし、この速度は一定とする。このようにすると、脱ガスに必要な時間は短縮される。
【００１１】
一方、立ち上げ時における電子ビームの照射パワーも制御することが好ましい。すなわち、立ち上げ時から、予め設定した一定の値で電子ビームを照射すると、最終的な圧力（真空度）に安定させるために長時間を要する。従って、脱ガスに伴う真空度により電子ビームのパワーを制御し、真空度が上がると電子ビームのパワーを上げるように制御する。このようにして、最終的な真空度に早く安定させることができる。
【００１２】
上記の実施例の場合、電子ビームの照射パワーは，最終的には３５０ミリアンペアであり、電子ビームの照射パワーを１００ミリアンペアから段階的に徐々に上げていく。また、成膜室２内の圧力（真空度）が設定値以下になったときには、電子ビームの照射パワーを上げて、成膜に要する圧力に回復するための時間の短縮を図る。なお、成膜室２内の圧力（真空度）は、１×１０−４ｔｏｒｒ程度であり、１×１０−５ｔｏｒｒになると、電子ビームに悪影響を及ぼしてしまう。
【００１３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、真空蒸着装置の立ち上げ時におけるリングハースの回転速度を蒸着時の回転速度より速い一定の回転速度にして回転させることにより、立ち上げ時の脱ガス時間の短縮を図ることができる。
また、上記の立ち上げ時における電子ビームの照射パワーを段階的に制御することにより、成膜室２内の圧力（真空度）の最終的な値への設定を敏速に行うことができ、早く安定値に維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に使用される真空蒸着装置の一実施例を示す縦断面図
【図２】同装置の横断面図
【符号の説明】
１  真空蒸着装置
２  成膜室
３  ターンテーブル
４  リングハース
５  成膜材料
６  ピアスガン
７  基板
８  キャリア
９  駆動機構
【図１】
0004169849.tif 000002
【図２】
0004169849.tif 000003