(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
食刻によるパターニングで開口部が形成された基板と、
前記基板の開口部の上に形成され、前記基板とは反対側に位置する上面、及び前記開口部に面した下面を有する支持層と、
前記支持層の上面及び下面のうちいずれか一方に形成されたインダクタと、
前記支持層の上面及び下面のうち他方に形成されたキャパシタと、
を有するＬＣ素子であり、
前記支持層の下面に形成された前記インダクタまたは前記キャパシタを前記開口部の内側で空気中に露出させるように、前記基板により前記支持層が支持されることを特徴とするＬＣ素子。
【請求項２】
前記支持層は低誘電定数を有する物質で形成されたことを特徴とする請求項１に記載のＬＣ素子。
【請求項３】
前記支持層の前記物質は低誘電定数を有するＢＣＢ(bicyclobutene)またはポリマー系物質であることを特徴とする請求項２に記載のＬＣ素子。
【請求項４】
前記支持層を貫通して形成され、前記支持層の上面及び下面に形成された前記インダクタ及び前記キャパシタを電気的に連結させる連結部をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のＬＣ素子。
【請求項５】
前記インダクタと前記キャパシタは、前記支持層の上面及び下面にスタック構造で形成されたことを特徴とする請求項１に記載のＬＣ素子。
【請求項６】
基板の上面に第１インダクタまたは第１キャパシタのいずれか一方を少なくとも一つ形成する段階と、
前記第１インダクタまたは前記第１キャパシタのいずれか一方が形成された前記基板の上面の領域を支持層で覆う段階と、
前記基板の上面に前記第１キャパシタが形成されている場合は、前記基板とは反対側に位置する前記支持層の上面に第２インダクタを少なくとも一つ形成し、前記基板の上面に前記第１インダクタが形成されている場合は、前記支持層の上面に第２キャパシタを少なくとも一つ形成する段階と、
前記基板を隔てて前記基板の上面の領域に対向する前記基板の下面の領域を食刻して前記基板に開口部を形成し、前記基板の上面の領域に形成された前記第１インダクタまたは前記第１キャパシタのいずれか一方を前記開口部の内側で、前記開口部に面した前記支持層の下面によって支持された状態で空気中に露出させる段階と、
を備えることを特徴とするＬＣ素子の作製方法。
【請求項７】
前記第１インダクタを形成する段階は、
前記基板の上面に凹部を食刻する段階と、
前記基板の上面及び下面にマスク酸化膜を蒸着する段階と、
前記凹部を含む前記基板の上面の領域にシード金属層を蒸着する段階と、
前記基板の上面にフォトレジスト層を形成してパターニングし、前記凹部から前記フォトレジスト層を除去する段階と、
金属を前記凹部に充填して前記第１インダクタを形成する段階と、
前記基板の上面から前記フォトレジスト層を除去する段階と、
を有し、
前記基板の上面の領域を支持層で覆う段階は、
前記基板の上面の領域に低誘電定数を有する物質を蒸着して支持層を形成する段階と、
前記支持層内に連結ホールを形成して前記第１インダクタの一部を露出させる段階と、
金属を前記連結ホールに充填することにより、前記第１インダクタの一部に接続された連結部を形成する段階と、
を有し、
前記第２キャパシタを形成する段階は、
前記第１インダクタを覆う前記支持層の部分の上面に下部電極層を形成して前記連結部に接続する段階と、
前記下部電極層の上に誘電体及び上部電極層を形成する段階と、
を有し、
前記第１インダクタを空気中に露出させる段階は、
前記基板の上面及び下面に保護層を形成する段階と、
前記基板の下面に形成された前記保護膜をパターニングし、前記基板を隔てて前記第１インダクタと対向する前記基板の下面の領域から前記保護膜を除去する段階と、
前記保護膜のパターニングによって露出した前記基板の下面の領域を食刻して前記基板及び前記マスク酸化膜を除去して前記基板に前記開口部を形成する段階と、
前記基板の上面及び下面から前記保護膜の残留部を除去して前記第２キャパシタを空気中に露出させる段階と、
を備えることを特徴とする請求項６に記載のＬＣ素子の作製方法。
【請求項８】
前記第１キャパシタを形成する段階は、
前記基板の上面に凹部を形成する段階と、
前記基板の上面及び下面にマスク酸化膜を蒸着する段階と、
前記凹部の内側に金属の下部電極層を形成する段階と、
高誘電定数を有するキャパシタ誘電体を前記下部電極層の上に形成する段階と、
前記キャパシタ誘電体の上に金属の上部電極層を形成する段階と、
を有し、
前記基板の上面の領域を支持層で覆う段階は、
前記基板の上面の領域に低誘電定数を有する物質を蒸着して支持層を形成する段階と、
前記支持層内に連結ホールを形成して前記上部電極層の一部を露出させる段階と、
を有し、
前記第２インダクタを形成する段階は、
前記支持層の上面にシード金属層を蒸着する段階と、
前記シード金属層の上にモールドを形成してパターニングし、前記連結ホールを覆う領域を含む所定の領域に開口部を形成する段階と、
金属を前記モールドの開口部及び前記連結ホールに充填することにより、前記開口部内には前記第２インダクタを形成し、前記連結ホール内には連結部を形成し、前記第２インダクタを前記連結部で前記第１キャパシタに接続する段階と、
前記シード金属層の上から前記モールドを除去する段階と、
を有し、
前記第１キャパシタを空気中に露出させる段階は、
前記基板の上面及び下面に保護膜を形成する段階と、
前記基板の下面に形成された前記保護膜をパターニングし、前記基板を隔てて前記第１キャパシタと対向する前記基板の下面の領域から前記保護膜を除去する段階と、
前記保護膜のパターニングによって露出した前記基板の下面の領域を食刻して前記基板及び前記マスク酸化膜を除去して前記基板に前記開口部を形成する段階と、
前記基板の上面及び下面から前記保護膜の残留部を除去して前記第２インダクタを空気中に露出させる段階と、
を有することを特徴とする請求項６に記載のＬＣ素子の作製方法。
【請求項９】
前記第１インダクタまたは前記第１キャパシタを形成する段階は、前記基板の上面に凹部を食刻する段階をさらに備えることを特徴とする請求項６に記載のＬＣ素子の作製方法。
【請求項１０】
前記支持層は前記低誘電定数を有する物質であることを特徴とする請求項６に記載のＬＣ素子の作製方法。
【請求項１１】
前記支持層は低誘電定数を有する物質で形成されることを特徴とする請求項１０に記載のＬＣ素子の作製方法。
【請求項１２】
前記支持層を貫通する連結部を形成する段階をさらに備えることを特徴とする請求項６に記載のＬＣ素子の作製方法。
【請求項１３】
前記第１インダクタと前記第２キャパシタ、または前記第１キャパシタと前記第２インダクタはスタック構造で形成されることを特徴とする請求項６に記載のＬＣ素子の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はＬＣ素子及びその作製方法に係り、さらに詳しくはインダクタ素子の特性を向上させうるＬＣ素子及びその作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１Ａ及び図１Ｂは一般のＬＣ素子中高域通過フィルタと低域通過フィルタの原理図であり、これによる高域通過フィルタと低域通過フィルタの断面図は図２及び図３に示されている通りである。
【０００３】
一般の高域/低域通過フィルタは図２及び図３に示した通り、まず基板１０、２０上にインダクタＬ及びキャパシタＣを形成する。まず、インダクタ１１、２１を形成する場合は、基板１０、２０上に金属物質を蒸着しパターン化してインダクタＬを形成する。形成されたインダクタＬを保護するためにインダクタＬの上部に保護膜(図示せず)を形成した後、示した通りキャパシタＣを形成する。キャパシタＣの作製工程は基板１０、２０上に下部電極層１２、２２を形成し、その上に高誘電物質のキャパシタ物質１３、２３を形成した後、上部電極層１４、２４を順次に形成して作製する。
【０００４】
このように、従来のフィルタ構造は基板１０、２０上に形成されたインダクタＬの面積が相対的にキャパシタＣの面積より大きいので全体的なＬＣ素子のサイズが大きくなる。
【０００５】
また、ＬＣ素子の動作特性を向上させるために空気中に素子を具現する方法面において基板上の１層に多数の素子を具現することによる工程上の難点があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は前述した問題点を解決するために案出されたもので、その目的は作製上で空間効率を最大にし、また性能を向上させうるＬＣ素子及びその作製方法を提供するところにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前述した目的を達成するための本発明に係るＬＣ素子は、基板と、該基板上に形成され、互いに対向する上面及び下面を有する支持層と、前記支持層の上面及び下面のうちいずれか一方に形成されるインダクタ、及び前記支持層の前記上面及び下面のうち他方に形成されるキャパシタとを有する。前記支持層は低誘電定数を有する物質で形成され、前記支持層の前記物質は低誘電定数を有するＢＣＤ(bicyclobutene)またはポリマー系物質などである。
【０００８】
前記支持層は、前記支持層の下面に形成される前記インダクタまたは前記キャパシタを空気中に露出させるためにパターン化された基板により支持される。また、前記支持層を貫通して形成され、前記支持層の上面及び下面に形成される前記インダクタ及び前記キャパシタを電気的に連結させる連結部を有する。
【０００９】
前記インダクタと前記キャパシタは、前記支持層の前記上面及び下面に相互間にスタック構造で形成される。
【００１０】
本発明に係るＬＣ素子の製造方法は、基板内にインダクタ及びキャパシタのうちいずれか一方を形成する段階と、前記インダクタ及び前記キャパシタのうちいずれか一方が形成される前記基板上に上面及び下面を有する支持層を形成する段階と、前記支持層の上面にインダクタ及びキャパシタのうちの他方を形成する段階とを有する。
【００１１】
従って、基板上の低誘電物質で形成された支持層の上下部にインダクタＬとキャパシタＣを配置してスタック構造のＬＣ素子を作製することにより、基板上の空間活用を最大化できる。
【００１２】
また、インダクタとキャパシタとの間に低誘電物質の支持層を形成して支持することにより基板損失が最小化して向上されたインダクタの特性(Ｑ値)によりＬＣ素子の特性を向上させうる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面に基づき本発明に係るＬＣ素子の実施例として高域通過フィルタについて説明する。例えば、図４Ａ及び図４Ｂに示した通り、高域通過フィルタは基板１００と、基板１００上に形成された支持層１２０と、支持層１２０の上面及び下面のうちいずれか一方に形成されるインダクタＬ及び支持層１２０の他方に形成されるキャパシタＣを有している。また、インダクタＬとキャパシタＣを電気的に連結するために連結部１２１が支持層１２０に設けられる。
【００１４】
図４Ａに示された高域通過フィルタの構造では、インダクタＬが支持層１２０の下面に形成され、キャパシタＣは支持層１２０の上部に形成されている。また、図４Ｂに示された高域通過フィルタの構造では、インダクタＬとキャパシタＣは支持層１２０について図４Ａと逆に形成されている。また、連結部１２２は支持層１２０を通してインダクタＬとキャパシタＣを電気的に連結するために提供される。
【００１５】
基板１００はシリコンで形成され、すなわち半導体及び誘電体のうちいずれか一つで形成される。
【００１６】
支持層１２０は低誘電(low-k)物質で製造される。例えば、低誘電物質としてはＢＣＢ、ポリマー系の物質などである。
すなわち、低誘電物質１２０を基板１００上に塗布することにより基板１００をなす物質であるシリコン(Si)によりインダクタＬの特性が基板１００及びキャパシタＣによって低下されることを防ぐことができる。
【００１７】
インダクタＬとキャパシタＣは金属物質、例えば銅(Cu)などのような物質で製造され、支持層１２０の上下面に配置することによりインダクタＬとキャパシタＣはスタック構造で配置される。この際、支持層１２０の下部の基板１００は食刻され支持層の上下面に形成されたインダクタ１１０及びキャパシタ１３０はそれぞれ空気中に配置される。
【００１８】
以上では本発明に係るＬＣ素子のうち高域通過フィルタの構造を例として説明したが、図５Ａ、図５Ｂに示した通り、低域通過フィルタの場合であってもデザインは多様に構成でき、またその他のＬＣ素子に適用して多様にインダクタとキャパシタをデザインできることは勿論である。
【００１９】
以下、図６Ａないし図６Ｉに基づき本発明に係るＬＣ素子の一実施例である高域通過フィルタ(図４Ａ)に対する作製工程を詳述する。
【００２０】
まず、図６Ａに示した通り、インダクタを形成するためにインダクタが形成される基板１００の領域を食刻して凹部８０を形成する。
【００２１】
図６Ｂに示した通り、マスクとして使用される酸化膜１０１を基板１００の上下部に蒸着する。次いで、基板１００の食刻領域８０、すなわちインダクタ１１０を形成される領域にシード金属層(seed layer)１１１を形成し、メッキ工程のためにパターンされたフォトレジスト層１０２を基板１００上に形成する。その後、金属物質(Cu)をインダクタの形成のために食刻された基板１００に充填することによりインダクタ１１０を形成する。
【００２２】
インダクタ１１０の作製工程が完了した後、図６Ｃに示した通り、フォトレジスト層１０２を除去し、インダクタ１１０が形成された基板１００上に低誘電物質の支持層１２０を形成する。また、後述するキャパシタ１３０と電気的に連結するための連結ホール１２１をパターン化する。低誘電物質としては例えば、ＢＣＤ、ポリマー系の物質が使用される。
【００２３】
次いで、メッキ工程により図６Ｄに示した通り連結ホール１２１に金属物質を充填することにより連結部１２２を形成する。
【００２４】
基板１００に形成されたインダクタ１１０の位置にスタック構造でキャパシタ１３０が配置されるようにするため、図６Ｅに示した通り、支持層１２０の下部に形成されたインダクタ１１０の位置に対応する支持層１２０上部にキャパシタ１３０の下部電極層１３１を形成する。この際、下部電極層１３１はインダクタ１１０と連結されるよう金属物質(Pt)を蒸着してパターン化することにより連結部１２２と接触させる。
【００２５】
その後、高誘電物質、例えばＳｉＯ2、ＳｉＮ4、ＳＴＯなどのキャパシタ物質１３２を図６Ｆに示した通り、下部電極層１３１上に蒸着してパターンした後、その上に上部電極層１３３が形成されるよう金属物質(Cu)を蒸着してパターン化する。
【００２６】
インダクタ１１０とキャパシタ１３０はスタック構造で配置され、低誘電物質の支持層１２０により支持される。
【００２７】
次いで、インダクタ１１０が形成された支持層１２０の下方に位置する基板１００を食刻するため、図６Ｇに示した通り、基板１００の上面及び下面にそれぞれ保護膜１４０を形成し、基板１００の食刻される領域に対応して保護膜１４０をパターン化する。
【００２８】
インダクタ１１０の形成された支持層１２０の下面に対応する基板１００領域を食刻する。すなわち、基板１００の下面に形成された保護膜１４０は図６Ｇに示した通り、インダクタ１１０が形成された支持層１２０の領域に対応する領域の保護膜が除去されるようパターン化する。保護膜１４０が除去された領域のマスク酸化膜１０１は食刻される。
【００２９】
インダクタ１１０が形成された支持層１２０の下方に位置する基板１００を図６Ｈに示したように食刻し、基板１００の上面及び下面に形成された保護膜１４０を除去することによって、図６Ｉに示したような高域通過フィルタを作製する。
【００３０】
従って、インダクタ１１０とキャパシタ１３０が低誘電物質の支持層１２０についてスタック構造で配置されＬＣ素子の空間活用を最大化できる。また、基板食刻を通してインダクタ１１０が低誘電物質に支持され空気中に配置されることによってインダクタの特性(Ｑ値)が向上する。
【００３１】
一方、図７Ａないし図７Ｉを参照して本発明に係るＬＣ素子である高域通過フィルタ(図４Ｂ)の他の実施例に対する作製工程を詳述し、前述した同一な構成要素に対する図面符号は同様に付する。
【００３２】
まず、図７Ａに示した通り、キャパシタを形成するためにキャパシタが形成される基板１００の領域を食刻して凹部９０を形成する。図７Ｂに示した通り、後述する基板１００の食刻のためにマスクとして使用される酸化膜１０１を蒸着し、キャパシタ１３０の下部電極層１３１を形成するために金属物質(Pt)を蒸着してパターン化する。
【００３３】
次いで、高誘電物質のキャパシタ物質１３２を図７Ｃに示した通り、下部電極層１３１上に蒸着してパターンした後、その上に上部電極層１３３が形成されるよう金属物質(Cu)を蒸着してパターン化する。
【００３４】
その後、図７Ｄに示した通り、低誘電物質１２０をキャパシタ１３０が形成された基板１００上にコーティングして後述するインダクタ１１０が支持される支持層を形成し、キャパシタ１３０とインダクタ１１０を電気的に連結するための連結ホール１２１をパターンする。
【００３５】
インダクタ１１０を形成するため、図７Ｅに示した通り、低誘電物質１２０上にシード金属層１１１を形成するために金属物質(Cu)を蒸着した後、インダクタ１１０の形成される領域がパターン化されたモールド１６０を形成する。メッキ工程によりパターン化された部分と連結ホール１２１に金属物質を充填してインダクタ１１０と連結部１２２を形成する。
【００３６】
次いで、図７Ｆに示した通り、モールド１６０を除去した後シード金属層１１１をパターン化する。
【００３７】
図７Ｇに示した通り、基板１００の上面及び下面にそれぞれ保護膜１４０を形成し、基板１００にキャパシタ１３０が形成された部分の保護膜１４０をパターン化して酸化膜１０１を食刻する。その後、図７Ｈに示した通りキャパシタ１３０が形成された部分の基板１００を食刻する。
【００３８】
基板１００の上面及び下面に形成された保護膜１４０を除去すれば、図７Ｉに示した通り、他の実施例の高域通過フィルタが作製される。
【００３９】
図５Ａ及び図５Ｂに示した通り、本発明に係る低域通過フィルタも前述した高域通過フィルタについてインダクタＬ及びキャパシタＣの数とデザインが違うだけであってその構造は同一である。
【００４０】
以上の実施例のように、基板上の低誘電物質で形成された支持層の上下部にインダクタＬとキャパシタＣをスタック構造で配置することによって、基板上の空間を最大限に活用できる。
【００４１】
また、既存の誘電体基板によりインダクタＬとキャパシタＣが支持されることによる基板損失の問題点を低誘電物質の支持層により支持させることにより基板損失を最小化してインダクタ特性(Ｑ値)を向上させうる。
【００４２】
本発明によれば、従来の基板上に１層で素子を配置する構造に比べて、基板上の低誘電物質で形成された支持層によりスタック構造でインダクタとキャパシタを配置することにより空間活用を最大化できる。
【００４３】
また、従来のインダクタ特性に悪影響を与えた基板との寄生効果を最小化するために低誘電物質でインダクタを支持させ、また該当する基板を食刻してインダクタを空気中に配置させることによってインダクタ特性(Ｑ値)を向上させうる。
【００４４】
本発明の望ましい実施例について示しかつ説明したが、本発明は前述した特定の実施例に限らず、請求の範囲で請求する本発明の要旨を逸脱せず当該発明の属する技術分野において通常の知識を持つ者ならば誰でも多様な変形実施が可能なことは勿論、そのような変更は請求の範囲の記載内にある。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】  一般の高域/低域通過フィルタの原理図。
【図１Ｂ】  一般の高域/低域通過フィルタの原理図。
【図２】  従来のＬＣ素子である高域通過フィルタの断面図。
【図３】  従来のＬＣ素子である低域通過フィルタの断面図。
【図４Ａ】  本発明に係る高域通過フィルタの断面図。
【図４Ｂ】  本発明に係る高域通過フィルタの断面図。
【図５Ａ】  本発明に係る低域通過フィルタの断面図。
【図５Ｂ】  本発明に係る低域通過フィルタの断面図。
【図６Ａ】  本発明に係る一実施例であって、図４Ａの高域通過フィルタを作製する工程を順次に示した図。
【図６Ｂ】  本発明に係る一実施例であって、図４Ａの高域通過フィルタを作製する工程を順次に示した図。
【図６Ｃ】  本発明に係る一実施例であって、図４Ａの高域通過フィルタを作製する工程を順次に示した図。
【図６Ｄ】  本発明に係る一実施例であって、図４Ａの高域通過フィルタを作製する工程を順次に示した図。
【図６Ｅ】  本発明に係る一実施例であって、図４Ａの高域通過フィルタを作製する工程を順次に示した図。
【図６Ｆ】  本発明に係る一実施例であって、図４Ａの高域通過フィルタを作製する工程を順次に示した図。
【図６Ｇ】  本発明に係る一実施例であって、図４Ａの高域通過フィルタを作製する工程を順次に示した図。
【図６Ｈ】  本発明に係る一実施例であって、図４Ａの高域通過フィルタを作製する工程を順次に示した図。
【図６Ｉ】  本発明に係る一実施例であって、図４Ａの高域通過フィルタを作製する工程を順次に示した図。
【図７Ａ】  本発明に係る他の実施例であって、図４Ｂの高域通過フィルタを作製する工程を順次に示す図。
【図７Ｂ】  本発明に係る他の実施例であって、図４Ｂの高域通過フィルタを作製する工程を順次に示す図。
【図７Ｃ】  本発明に係る他の実施例であって、図４Ｂの高域通過フィルタを作製する工程を順次に示す図。
【図７Ｄ】  本発明に係る他の実施例であって、図４Ｂの高域通過フィルタを作製する工程を順次に示す図。
【図７Ｅ】  本発明に係る他の実施例であって、図４Ｂの高域通過フィルタを作製する工程を順次に示す図。
【図７Ｆ】  本発明に係る他の実施例であって、図４Ｂの高域通過フィルタを作製する工程を順次に示す図。
【図７Ｇ】  本発明に係る他の実施例であって、図４Ｂの高域通過フィルタを作製する工程を順次に示す図。
【図７Ｈ】  本発明に係る他の実施例であって、図４Ｂの高域通過フィルタを作製する工程を順次に示す図。
【図７Ｉ】  本発明に係る他の実施例であって、図４Ｂの高域通過フィルタを作製する工程を順次に示す図。
【図１Ａ】
0004034669.tif 000002
【図１Ｂ】
0004034669.tif 000003
【図２】
0004034669.tif 000004
【図３】
0004034669.tif 000005
【図４Ａ】
0004034669.tif 000006
【図４Ｂ】
0004034669.tif 000007
【図５Ａ】
0004034669.tif 000008
【図５Ｂ】
0004034669.tif 000009
【図６Ａ】
0004034669.tif 000010
【図６Ｂ】
0004034669.tif 000011
【図６Ｃ】
0004034669.tif 000012
【図６Ｄ】
0004034669.tif 000013
【図６Ｅ】
0004034669.tif 000014
【図６Ｆ】
0004034669.tif 000015
【図６Ｇ】
0004034669.tif 000016
【図６Ｈ】
0004034669.tif 000017
【図６Ｉ】
0004034669.tif 000018
【図７Ａ】
0004034669.tif 000019
【図７Ｂ】
0004034669.tif 000020
【図７Ｃ】
0004034669.tif 000021
【図７Ｄ】
0004034669.tif 000022
【図７Ｅ】
0004034669.tif 000023
【図７Ｆ】
0004034669.tif 000024
【図７Ｇ】
0004034669.tif 000025
【図７Ｈ】
0004034669.tif 000026
【図７Ｉ】
0004034669.tif 000027