(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
再生すべきトラックを昇温させながら磁気再生ヘッドにより記録情報が再生される磁気記録媒体において、
磁性体の交換相互作用によって互いに結合された２層の磁性膜からなる磁性層を少なくとも有し、
上記磁性層は、何れか一方の磁性膜が磁気的補償温度を有するフェリ磁性体からなると共に、再生時に、室温近傍となる部位では両磁性膜の磁化が互いに逆向きとなる一方、磁気的に再生可能な温度となる部位では両磁性膜の磁化がそれぞれ同じ向きとなり、
磁気的に再生可能な温度となる部位における両磁性膜の磁化の和は、室温近傍となる部位における両磁性膜の磁化の差よりも大きいことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
上記磁性層は、磁気再生ヘッドに近い側の磁性膜の磁化をMs1 、膜厚をd1、保磁力をHc1 とし、他方の磁性膜の磁化をMs2 、膜厚をd2、保磁力をHc2 とし、さらに、両磁性膜の境界に蓄えられる界面磁壁エネルギーをσw としたとき、室温近傍となる部位において、以下の関係式
Ms1 ・d1＜Ms2 ・d2      …（１）
σw ／2Ms1・d1−σw ／2Ms2・d2＞Hc1 ＋Hc2      …（２）
が同時に成り立つことを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
上記磁性層は、磁気再生ヘッドに近い側の磁性膜の磁化をMs1 、膜厚をd1、保磁力をHc1 とし、他方の磁性膜の磁化をMs2 、膜厚をd2、保磁力をHc2 とし、さらに、両磁性膜の境界に蓄えられる界面磁壁エネルギーをσw としたとき、室温近傍となる部位において、以下の３つの関係式
Ms1 ・d1＜Ms2 ・d2      …（１）
Hc1 ＜σw ／2Ms1・d1      …（３）
Hc1 ＋Hc2 ＞σw ／2Ms1・d1−σw ／2Ms2・d2＞Hc1 −Hc2      …（４）
が同時に成り立つか、または、以下の３つの関係式
Ms1 ・d1＜Ms2 ・d2      …（１）
Hc2 ＜σw ／2Ms2・d2      …（５）
Hc1 -Hc2 ＞σw ／2Ms1・d1−σw ／2Ms2・d2      …（６）
が同時に成り立つことを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
上記磁性層は、磁気的に再生可能な温度となる部位で、以下の３つの関係式
Hc2 −Hc1 ＞σw ／2Ms1・d1＋σw ／2Ms2・d2、（Ms1 ・d1＜Ms2 ・d2）  …（７）
Hc1 −Hc2 ＞σw ／2Ms1・d1＋σw ／2Ms2・d2、（Ms1 ・d1＞Ms2 ・d2）  …（８）
｜Hc1 −Hc2 ｜＜σw ／2Ms1・d1＋σw ／2Ms2・d2      …（９）
の何れか１つが成り立つことを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
再生すべきトラックに隣接するトラックを昇温させながら磁気再生ヘッドにより記録情報が再生される磁気記録媒体において、
磁性体の交換相互作用によって互いに結合された２層の磁性膜からなる磁性層を少なくとも有し、
上記磁性層は、何れか一方の磁性膜が磁気補償点を有するフェリ磁性体からなると共に、再生時に、室温近傍となる部位では両磁性膜の磁化がそれぞれ同じ向きになる一方、再生すべきトラックに隣接するトラックの昇温部位での両磁性膜の磁化が互いに逆向きとなり、
室温近傍となる部位における両磁性膜の磁化の和は、再生すべきトラックに隣接するトラックの昇温部位での両磁性膜の磁化の差よりも大きいことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項６】
上記磁性層は、磁気再生ヘッドに近い側の磁性膜の磁化をMs1 、膜厚をd1、保磁力をHc1 とし、他方の磁性膜の磁化をMs2 、膜厚をd2、保磁力をHc2 とし、さらに、両磁性膜の境界に蓄えられる界面磁壁エネルギーをσw としたとき、昇温部位において、以下の関係式
Ms1 ・d1＜Ms2 ・d2      …（１０）
σw ／2Ms1・d1−σw ／2Ms2・d2＞Hc1 ＋Hc2      …（１１）
が同時に成り立つことを特徴とする請求項５記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
上記磁性層は、磁気再生ヘッドに近い側の磁性膜の磁化をMs1 、膜厚をd1、保磁力をHc1 とし、他方の磁性膜の磁化をMs2 、膜厚をd2、保磁力をHc2 とし、さらに、両磁性膜の境界に蓄えられる界面磁壁エネルギーをσw としたとき、昇温部位において、以下の３つの関係式
Ms1 ・d1＜Ms2 ・d2      …（１０）
Hc1 ＜σw ／2Ms1・d1      …（１２）
Hc1 ＋Hc2 ＞σw ／2Ms1・d1−σw ／2Ms2・d2＞Hc1 −Hc2    …（１３）
が同時に成り立つか、または、以下の３つの関係式
Ms1 ・d1＜Ms2 ・d2      …（１０）
Hc2 ＜σw ／2Ms2・d2      …（１４）
Hc1 -Hc2 ＞σw ／2Ms1・d1−σw ／2Ms2・d2      …（１５）
が同時に成り立つことを特徴とする請求項６記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
上記磁性層は、室温近傍となる部位において、以下の３つの関係式
Hc2 −Hc1 ＞σw ／2Ms1・d1＋σw ／2Ms2・d2、（Ms1 ・d1＜Ms2 ・d2）…（１６）
Hc1 −Hc2 ＞σw ／2Ms1・d1＋σw ／2Ms2・d2、（Ms1 ・d1＞Ms2 ・d2）…（１７）
｜Hc1 −Hc2 ｜＜σw ／2Ms1・d1＋σw ／2Ms2・d2      …（１８）
の何れか１つが成り立つことを特徴とする請求項５から７の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項９】
磁性体の交換相互作用によって互いに結合された２層の磁性膜からなる磁性層を少なくとも有し、上記磁性層の何れか一方の磁性膜が磁気補償点を有するフェリ磁性体からなると共に、再生時に、室温近傍となる部位での両磁性膜の磁化が互いに逆向きとなる一方、磁気的再生が可能となる温度となる部位での両磁性膜の磁化がそれぞれ同じ向きとなる磁気記録媒体を用い、再生すべきトラックの再生部位における両磁性膜の磁化が同一方向に向くように該再生部位を昇温して、情報の再生を行い、
磁気的に再生可能な温度となる部位における両磁性膜の磁化の和は、室温近傍となる部位における両磁性膜の磁化の差よりも大きいことを特徴とする磁気再生方法。
【請求項１０】
磁性体の交換相互作用によって互いに結合された２層の磁性膜からなる磁性層を少なくとも有し、上記磁性層の何れか一方の磁性膜が磁気補償点を有するフェリ磁性体からなると共に、再生時に、室温近傍となる部位での両磁性膜の磁化がそれぞれ同じ向きとなる一方、昇温部位での両磁性膜の磁化が互いに逆方向となる磁気記録媒体を用い、再生すべきトラックの再生部位に隣接するトラックにおける両磁性膜の磁化が互いに逆向きとなるように該再生部位に隣接するトラックを昇温して、情報の再生を行い、
室温近傍となる部位における両磁性膜の磁化の和は、再生すべきトラックに隣接するトラックの昇温部位での両磁性膜の磁化の差よりも大きいことを特徴とする磁気再生方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、記録媒体を昇温させながら磁気的に情報の記録および再生を行うことにより、記録再生の高密度化が可能な磁気記録媒体およびその磁気再生方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、広帯域のマルチメディア情報を扱うために、より大容量のメモリデバイスの需要が高まっている。なかでも、情報の書き換え可能な光ディスクや磁気ディスク、磁気テープを中心に記録再生の高密度化技術の検討が活発に進められている。
【０００３】
上記の高密度化技術の中には、磁気記録再生の際に、光をアシスト照射することによって狭トラック化を図ることで、高密度記録再生を可能にする技術（以下、光アシスト型磁気記録再生方式と称する）が提案されている。
【０００４】
高密度記録するためには、再生するビットに隣接する記録ビット（以下、隣接ビットと称する）からのクロストークをいかにして抑えるかが一つの課題となっている。
【０００５】
そこで、隣接ビットからのクロストークの低減化を図るための光アシスト型磁気記録再生方式として、例えば、特開平４−１７６０３４号公報に開示されている技術（第１光アシスト型磁気記録再生方法）、特開平４−９５２０１号公報に開示されている技術（第２光アシスト型磁気記録再生方法）等が提案されている。
【０００６】
上記第１光アシスト型磁気記録再生方法では、記録媒体として室温近傍に磁気的補償温度を有するフェリ磁性体を用い、記録時には、記録媒体における記録すべきトラックに沿って光ビームを照射してキュリー温度近傍に昇温させ、記録用磁気ヘッドにより外部磁場を印加して情報記録すると共に、再生時には、記録媒体における再生すべきトラックに光ビームを照射して昇温することで、再生部位の磁化を大きくし、そこから漏れ出る磁束を磁気再生ヘッドにより磁気的に情報再生するようになっている。
【０００７】
上記第１光アシスト型磁気記録再生方法によれば、再生時には、再生部位以外の領域が磁気的補償温度となっているため、そこからの漏洩磁束は小さく、再生トラックに隣接するトラックからのクロストーク、すなわち隣接ビットからのクロストークの低減が図れる。
【０００８】
また、上記第２光アシスト型磁気記録再生方法では、再生時に、再生トラックに隣接するトラックを光ビームの照射で磁気的補償温度近傍に昇温させ、該トラックからの漏れ磁束の影響を抑えて、再生トラックに隣接するトラックからのクロストーク、すなわち隣接ビットからのクロストークの低減が図れる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記の各光アシスト型磁気記録再生方法では、高密度記録時の隣接ビットからのクロストークを抑えるために、記録媒体として、磁気的補償温度を有するＮ型フェリ磁性体を用いている。
【００１０】
しかしながら、Ｎ型フェリ磁性体の磁化の温度特性の特徴として、磁気的補償温度近傍での磁化の大きさの変化が急峻となり、上述の各光アシスト型磁気記録再生方法において、以下に示す問題が生じる。
【００１１】
第１光アシスト型磁気記録再生方法では、再生時に、室温が変動するとそれに応じた非ゼロの残留磁化が、再生トラックに隣接するトラックから誘起されてしまう。また、第２光アシスト型磁気記録再生方法では、再生時に、昇温温度が変動するとそれに応じた非ゼロの残留磁化が、再生トラックに隣接するトラックから誘起されてしまう。
【００１２】
この結果、各光アシスト型磁気記録再生方法では、再生時に、再生トラックに隣接するトラックから誘起される残留磁化により生じる漏洩磁束が、クロストークとなって、再生信号と重なってしまい、この結果、該再生信号のＳ／Ｎを下げることになる。
【００１３】
本発明は、上記の各問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、高密度記録再生が可能で、再生信号のＳ／Ｎに優れた磁気記録媒体およびその磁気再生方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本願発明に係る磁気記録媒体は、上記の課題を解決するために、再生すべきトラックを昇温させながら磁気再生ヘッドにより記録情報が再生される磁気記録媒体において、磁性体の交換相互作用によって互いに結合された２層の磁性膜からなる磁性層を少なくとも有し、上記磁性層は、何れか一方の磁性膜が磁気的補償温度を有するフェリ磁性体からなると共に、再生時に、室温近傍となる部位では両磁性膜の磁化が互いに逆向きとなる一方、磁気的に再生可能な温度となる部位では両磁性膜の磁化がそれぞれ同じ向きとなることを特徴としている。
【００１５】
上記の構成によれば、再生すべきトラック（以下、再生トラックと称する）を、例えばレーザ等の微小熱源で昇温させながら磁気的に情報の再生を行うとき、再生トラックの磁気的再生温度まで昇温された部位（昇温部位）での磁性層の両磁性膜の磁化がそれぞれ同じ向きとなるので、磁気記録媒体全体の磁化としては、両磁性膜の磁化の和となり、上記昇温部位からの漏洩磁束が増して、大きな再生信号を得ることができる。
【００１６】
しかも、再生時には、再生トラックの昇温部位以外の部位では、室温近傍となっているので、この部位での両磁性膜の磁化は、互いに逆向きとなり、互いに打ち消し合う。このため、磁気記録媒体全体として磁化を略ゼロにできるので、再生トラックの昇温部位以外の部位、すなわち再生トラックに隣接するトラックからの漏洩磁束によるクロストークを低減できる。
【００１７】
したがって、上記構成の磁気記録媒体によれば、再生トラックに隣接するトラックからのクロストークを低減させることができると共に、再生信号を強めることができるので、再生信号のＳ／Ｎを大幅に向上させることができる。
【００１８】
また、磁気記録媒体に記録された情報を再生する場合、磁気再生ヘッドが検出する磁束は、磁性層構成する各磁性膜からの磁束のベクトル和となるため、各磁性膜の磁化と膜厚との積を調整することにより、磁気再生ヘッドと各磁性膜とのスペーシングの大きさに関わらず、完全にキャンセルすることができる。以下に、各磁性膜の磁化と膜厚との積の関係を規定する。
【００１９】
本願発明の磁気記録媒体は、上記の課題を解決するために、上記の構成に加えて、磁性層は、磁気再生ヘッドに近い側の磁性膜の磁化をMs1 、膜厚をd1とし、他方の磁性膜の磁化をMs2 、膜厚をd2としたとき、室温近傍となる部位において、以下の関係式
Ms1 ・d1＜Ms2 ・d2
が成り立つことを特徴としている。
【００２０】
上記の構成によれば、上記の作用に加えて、室温近傍となる部位において、磁性層を構成する２つの磁性膜のうち、磁気再生ヘッドに近い側の磁性膜の磁化Ms1 と膜厚d1との積が、他方の磁性膜の磁化Ms2 と膜厚d2との積よりも小さく設定されているため、磁性層の室温近傍となる部位では、互いに磁化が逆向き状態にある両磁性膜からの漏洩磁束の寄与を、磁気再生ヘッドによる磁束の検出位置で打ち消してゼロにすることが可能となる。すなわち、再生トラックに隣接するトラックからのクロストークを低減させることができる。
【００２１】
本願発明の磁気記録媒体は、上記の課題を解決するために、上記の構成に加えて、磁性層は、磁気再生ヘッドに近い側の磁性膜の磁化をMs1 、膜厚をd1、保磁力をHc1 とし、他方の磁性膜の磁化をMs2 、膜厚をd2、保磁力をHc2 とし、さらに、両磁性膜の境界に蓄えられる界面磁壁エネルギーをσw としたとき、室温近傍となる部位において、以下の関係式
σw ／2Ms1・d1−σw ／2Ms2・d2＞Hc1 ＋Hc2
が成り立っていることを特徴としている。
【００２２】
上記の構成によれば、上記の作用に加えて、磁性層が、室温近傍となる部位において、上記の２つの関係式が同時に成り立つことで、該磁性層を構成する２つの磁性膜の磁化の向きは互いに逆向きとなり、両磁性膜による影響を互いに打ち消し合わせることができる。これにより、磁性層の室温近傍となる部位からの漏洩磁束によるクロストークを低減することができる。すなわち、再生トラックに隣接するトラックからのクロストークを低減させることができる。
【００２３】
本願発明の磁気記録媒体は、上記の課題を解決するために、上記の構成に加えて、磁性層は、磁気再生ヘッドに近い側の磁性膜の磁化をMs1 、膜厚をd1、保磁力をHc1 とし、他方の磁性膜の磁化をMs2 、膜厚をd2、保磁力をHc2 とし、さらに、両磁性膜の境界に蓄えられる界面磁壁エネルギーをσw としたとき、磁気的に再生可能な温度となる部位で、以下の３つの関係式
Hc2 −Hc1 ＞σw ／2Ms1・d1＋σw ／2Ms2・d2、（Ms1 ・d1≦Ms2 ・d2）
Hc1 −Hc2 ＞σw ／2Ms1・d1＋σw ／2Ms2・d2、（Ms1 ・d1≧Ms2 ・d2）
｜Hc1 −Hc2 ｜＜σw ／2Ms1・d1＋σw ／2Ms2・d2
の何れか１つが成り立つことを特徴としている。
【００２４】
上記の構成によれば、上記の作用に加えて、磁性層が、磁気的に再生可能な温度となる部位（再生部位）において、上記の３つの関係式の何れか一方が成り立つことで、再生部位における両磁性膜の磁化は、同じ方向を向き、互いに強め合うようになっている。したがって、磁性層の再生部位からの漏洩磁束は増大し、大きな再生信号が得られる。
【００２５】
本願発明の磁気記録媒体は、上記の課題を解決するために、上記の構成に加えて、磁性層は、磁気再生ヘッドに近い側の磁性膜の磁化をMs1 、膜厚をd1、保磁力をHc1 とし、他方の磁性膜の磁化をMs2 、膜厚をd2、保磁力をHc2 とし、さらに、両磁性膜の境界に蓄えられる界面磁壁エネルギーをσw としたとき、室温近傍となる部位において、以下の２つの関係式
Hc2 ＜σw ／2Ms2・d2
Hc1 −Hc2 ＞σw ／2Ms1・d1−σw ／2Ms2・d2
が同時に成り立つかまたは、以下の２つの関係式
Hc1 ＜σw ／2Ms1・d1
Hc1 ＋Hc2 ＞σw ／2Ms1・d1−σw ／2Ms2・d2＞Hc1 −Hc2
が同時に成り立つことを特徴としている。
【００２６】
上記の構成によれば、上記の作用に加えて、磁性層が、室温近傍となる部位において、上記の２つの関係式が同時に成り立つことで、該磁性層を構成する２つの磁性膜の磁化の向きは互いに逆向きとなり、両磁性膜による影響を互いに打ち消し合わせることができる。これにより、磁性層の室温近傍となる部位からの漏洩磁束によるクロストークを低減することができる。すなわち、再生トラックに隣接するトラックからのクロストークを低減させることができる。
【００２７】
本願発明の磁気記録媒体は、上記の課題を解決するために、再生すべきトラックに隣接するトラックを昇温させながら磁気再生ヘッドにより記録情報が再生される磁気記録媒体において、磁性体の交換相互作用によって互いに結合された２層の磁性膜からなる磁性層を少なくとも有し、上記磁性層は、何れか一方の磁性膜が磁気補償点を有するフェリ磁性体からなると共に、再生時に、室温近傍となる部位では両磁性膜の磁化がそれぞれ同じ向きになる一方、再生すべきトラックに隣接するトラックの昇温部位での両磁性膜の磁化が互いに逆向きとなることを特徴としている。
【００２８】
上記の構成によれば、再生トラックに隣接するトラックを、レーザ等の微小熱源で昇温させながら磁気的に情報の再生を行うとき、再生トラックに隣接するトラックの昇温部位での両磁性膜の磁化は、互いに逆向きとなり、互いに打ち消し合う。このため、磁気記録媒体全体として磁化を略ゼロにできるので、再生トラックに隣接するトラックの昇温部位からの漏洩磁束によるクロストークを低減できる。
【００２９】
さらに、再生トラックは、室温近傍にあるので、両磁性膜の磁化が同じ方向を向き、磁気記録媒体全体としての磁化は、両磁性膜の磁化の和となる。この結果、磁気記録媒体における再生トラックの室温近傍にある部位からの漏洩磁束が増大し、大きな再生信号を得ることができる。
【００３０】
したがって、上記構成の磁気記録媒体によれば、再生トラックに隣接するトラックからのクロストークを低減させることができると共に、再生信号を強めることができるので、再生信号のＳ／Ｎを大幅に向上させることができる。
【００３１】
また、磁気記録媒体に記録された情報を再生する場合、磁気再生ヘッドが検出する磁束は、磁性層構成する各磁性膜からの磁束のベクトル和となるため、各磁性膜の磁化と膜厚との積を調整することにより、磁気再生ヘッドと各磁性膜とのスペーシングの大きさに関わらず、完全にキャンセルすることができる。以下に、各磁性膜の磁化と膜厚との積の関係を規定する。
【００３２】
本願発明の磁気記録媒体は、上記の課題を解決するために、上記の構成に加えて、磁性層は、磁気再生ヘッドに近い側の磁性膜の磁化をMs1 、膜厚をd1とし、他方の磁性膜の磁化をMs2 、膜厚をd2としたとき、昇温部位において、以下の関係式
Ms1 ・d1＜Ms2 ・d2
が成り立つことを特徴としている。
【００３３】
上記の構成によれば、上記の作用に加えて、磁性層の昇温部位において、該磁性層を構成する２つの磁性膜のうち、磁気再生ヘッドに近い側の磁性膜の磁化Ms1 と膜厚d1との積が、他方の磁性膜の磁化Ms2 と膜厚d2との積よりも小さく設定されているため、再生トラックに隣接するトラック上の昇温部位では、互いに磁化が逆向き状態にある両磁性膜からの漏洩磁束の寄与を、磁気再生ヘッドの磁束の検出位置で打ち消してゼロにすることが可能となる。すなわち、再生トラックに隣接するトラックからのクロストークを低減させることができる。
【００３４】
本願発明の磁気記録媒体は、上記の課題を解決するために、上記の構成に加えて、磁性層は、磁気再生ヘッドに近い側の磁性膜の磁化をMs1 、膜厚をd1、保磁力をHc1 とし、他方の磁性膜の磁化をMs2 、膜厚をd2、保磁力をHc2 とし、さらに、両磁性膜の境界に蓄えられる界面磁壁エネルギーをσw としたとき、昇温部位において、以下の関係式
σw ／2Ms1・d1−σw ／2Ms2・d2＞Hc1 ＋Hc2
が成り立つことを特徴としている。
【００３５】
上記の構成によれば、上記の作用に加えて、磁性層が、再生トラックに隣接し、且つ昇温部位であるトラックにおいて、上記の２つの関係式が同時に成り立つことで、該磁性層を構成する２つの磁性膜の磁化の向きは互いに逆向きとなり、両磁性膜による影響を互いに打ち消し合わせることができる。これにより、再生トラックに隣接し、且つ昇温部位であるトラックからの漏洩磁束によるクロストークを低減することができる。
【００３６】
本願発明の磁気記録媒体は、上記の課題を解決するために、上記の構成に加えて、磁性層は、磁気再生ヘッドに近い側の磁性膜の磁化をMs1 、膜厚をd1、保磁力をHc1 とし、他方の磁性膜の磁化をMs2 、膜厚をd2、保磁力をHc2 とし、さらに、両磁性膜の境界に蓄えられる界面磁壁エネルギーをσw としたとき、室温近傍となる部位において、以下の３つの関係式
Hc2 −Hc1 ＞σw ／2Ms1・d1＋σw ／2Ms2・d2、（Ms1 ・d1≦Ms2 ・d2）
Hc1 −Hc2 ＞σw ／2Ms1・d1＋σw ／2Ms2・d2、（Ms1 ・d1≧Ms2 ・d2）
｜Hc1 −Hc2 ｜＜σw ／2Ms1・d1＋σw ／2Ms2・d2
の何れか１つが成り立つことを特徴としている。
【００３７】
上記の構成によれば、上記の作用に加えて、磁性層が、室温近傍となる部位において、上記の３つの関係式の何れか１つが成り立つことで、室温近傍となる部位における両磁性膜の磁化は、同じ方向を向き、互いに強め合うようになっている。したがって、磁性層の室温近傍となる部位からの漏洩磁束は増大し、大きな再生信号が得られる。
【００３８】
本願発明の磁気記録媒体は、上記の課題を解決するために、上記の構成に加えて、磁性層は、磁気再生ヘッドに近い側の磁性膜の磁化をMs1 、膜厚をd1、保磁力をHc1 とし、他方の磁性膜の磁化をMs2 、膜厚をd2、保磁力をHc2 とし、さらに、両磁性膜の境界に蓄えられる界面磁壁エネルギーをσw としたとき、昇温部位において、以下の関係式
Hc2 ＜σw ／2Ms2・d2
Hc1 −Hc2 ＞σw ／2Ms1・d1−σw ／2Ms2・d2
が同時に成り立つか、または以下の２つの関係式
Hc1 ＜σw ／2Ms1・d1
Hc1 ＋Hc2 ＞σw ／2Ms1・d1−σw ／2Ms2・d2＞Hc1 −Hc2
が同時に成り立つことを特徴としている。
【００３９】
上記の構成によれば、上記の作用に加えて、磁性層が、再生トラックに隣接し、且つ昇温部位であるトラックにおいて、上記の２つの関係式が同時に成り立つことで、該磁性層を構成する２つの磁性膜の磁化の向きは互いに逆向きとなり、両磁性膜による影響を互いに打ち消し合わせることができる。これにより、再生トラックに隣接し、且つ昇温部位であるトラックからの漏洩磁束によるクロストークを低減することができる。
【００４０】
本願発明の磁気再生方法は、上記の課題を解決するために、磁性体の交換相互作用によって互いに結合された２層の磁性膜からなる磁性層を少なくとも有し、上記磁性層の何れか一方の磁性膜が磁気補償点を有するフェリ磁性体からなると共に、再生時に、室温近傍となる部位での両磁性膜の磁化が互いに逆向きとなる一方、磁気的再生が可能となる温度となる部位での両磁性膜の磁化がそれぞれ同じ向きとなる磁気記録媒体を用い、再生すべきトラックの再生部位における両磁性膜の磁化が同一方向に向くように該再生部位を昇温して、情報の再生を行うことを特徴としている。
【００４１】
上記の構成によれば、再生トラックの再生部位における両磁性膜の磁化が同一方向に向くように該再生部位を昇温して、該再生トラックから情報の再生を行うことで、再生時に、再生トラックに隣接する室温近傍にあるトラックからの漏洩磁束（磁気再生ヘッドによる磁束検出部において両磁性膜の寄与分）を、完全にキャンセルすることが可能となる。したがって、再生トラックに隣接するトラックからのクロストークを大幅に低減する磁気再生を行うことができる。
【００４２】
本願発明の磁気再生方法は、上記の課題を解決するために、磁性体の交換相互作用によって互いに結合された２層の磁性膜からなる磁性層を少なくとも有し、上記磁性層の何れか一方の磁性膜が磁気補償点を有するフェリ磁性体からなると共に、再生時に、室温近傍となる部位での両磁性膜の磁化がそれぞれ同じ向きとなる一方、昇温部位での両磁性膜の磁化が互いに逆方向となる磁気記録媒体を用い、再生すべきトラックの再生部位に隣接するトラックにおける両磁性膜の磁化が互いに逆向きとなるように該再生部位に隣接するトラックを昇温して、情報の再生を行うことを特徴としている。
【００４３】
上記の構成によれば、再生トラックの再生部位に隣接するトラック（隣接トラック）における両磁性膜の磁化が互いに逆向きとなるように該隣接トラックを昇温して、該再生トラックから情報の再生を行うことで、再生時に、再生トラックに隣接する昇温状態にあるトラックからの漏洩磁束（磁気再生ヘッドによる磁束検出部において両磁性膜の寄与分）を、完全にキャンセルすることが可能となる。したがって、再生トラックに隣接するトラックからのクロストークを大幅に低減する磁気再生を行うことができる。
【００４４】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
本発明の一実施の形態について、図１ないし図８に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００４５】
本実施の形態に係る磁気記録媒体は、図２に示すように、支持基板となるディスク基板１上に、磁性層２、保護膜３がこの順に積層された構成となっており、再生すべきトラック（以下、再生トラックと称する）が微小熱源で磁気的に再生可能な温度（以下、磁気的再生温度と称する）まで昇温されて情報の再生が行われるようになっている。
【００４６】
また、図示しないが、通常は、情報を記録再生するための磁気再生ヘッドと磁気記録媒体との潤滑性を確保するため、上記保護膜３上に、例えばパーフルオロポリエーテル等の液体フッ素系化合物の膜などからなる潤滑膜が形成されている。
【００４７】
上記ディスク基板１としては、ＮｉＰメッキ処理したＡｌ合金基板、表面を化学強化処理したガラス基板や結晶化ガラス基板、化学的安定性・機械的特性に優れる単結晶サファイア基板が好適に用いられる。これらの基板では、耐衝撃性に優れ、平滑性も良く、高密度磁気記録再生が可能となる。
【００４８】
上記保護膜３としては、磁気再生ヘッドとの耐摺動特性に優れる非晶質Ｃ（カーボン）膜、水素や窒素を添加して膜硬度を改善した非晶質Ｃ（カーボン）膜、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜が好適に用いられる。これらの膜の中で、特に、ＤＬＣ膜は、機械的強度と自己潤滑性を合わせ持つという点で有利である。
【００４９】
上記構成の磁気記録媒体の記録再生に用いられる磁気再生ヘッドは、ディスク基板１と反対側の保護膜３と対峙する形で、通常１００ｍｍ以下の空隙を保って配置される。磁気再生ヘッドとしては、高速変調や高感度再生に優れる薄膜磁気再生ヘッド、ＭＲやＧＭＲといった磁気低抗効果素子を使った磁気再生ヘッドを使用するのが好ましい。
【００５０】
上記構成の磁気記録媒体の再生トラックの磁性層２の所定の領域（以下、再生領域と称する）を昇温させる方法としては、例えば、レーザ光をディスク基板１越しに、望ましくは１μｍ径以下の微小サイズに集光させることで、磁気記録媒体の再生領域を昇温する方法、磁気再生ヘッドと同じ側に配置された光照射系より、同程度に集光されたレーザ光を磁気記録媒体の再生領域まで導くことで昇温する方法、磁気再生ヘッド近傍に設けた望ましくは１μｍ幅以下の微少な発熱源（抵抗体）からの輻射熱や熱伝導により磁気記録媒体の再生領域を昇温する方法が好適に用いられる。
【００５１】
情報の記録再生層となる磁性層２は、図２に示すように、ディスク基板１側から順次形成された第２磁性膜４と第１磁性膜５との２層膜からなっている。
【００５２】
第１磁性膜５と第２磁性膜４は、それぞれ希土類遷移金属非晶質合金から構成され、一方が室温より高い磁気的補償温度を持った希土類過多の組成のフェリ磁性体であって、他方が遷移金属過多の組成のフェリ磁性体からなっている。このように、上記第１磁性膜５と第２磁性膜４とは、互いに、極性の異なったフェリ磁性体からなっており、両膜間には交換相互作用（交換結合力）が働いている。つまり、第１磁性膜５と第２磁性膜４とは、交換結合された状態となっている。
【００５３】
ここで、上記磁性層２に対する再生時における各磁性膜における磁化状態について図１を参照しながら以下に説明する。なお、上記磁性層２の第２磁性膜４は遷移金属過多の組成で、第１磁性膜５は希土類金属過多の組成である場合について説明する。また、図１では、説明の便宜上、図２で示したディスク基板１および保護膜３は省略している。
【００５４】
上記磁気記録媒体では、再生時に、図１に示すように、磁性層２の再生領域となる磁気再生トラック部８が、第２磁性膜４側から図示しない再生光照射手段から照射された光ビーム（微小熱源）７によって磁気的再生温度まで昇温され、磁性層２を挟んで対向配置された磁気再生ヘッド６によって磁気的に情報の再生が行われる。図中、白抜きの矢印は、各磁性膜の全磁化を表し、実線の矢印は、遷移金属の副格子磁化を表している。
【００５５】
また、磁性層２の再生時には、磁気再生トラック部８に隣接領域となる周辺トラック部９の温度は室温近傍となっている。したがって、室温近傍にある周辺トラック部９では、図１に示すように、希土類並びに遷移金属の副格子磁化が互いに同じ方向に揃うため、極性が異なった両磁性膜では、その全磁化の向きは、逆に反対向きとなって、両磁性膜からの漏洩磁束は互いに打ち消し合うことになる。これにより、再生時に室温近傍にある磁気再生トラック部８の隣接領域となる周辺トラック部９からの漏洩磁束によるクロストークが抑えられる。
【００５６】
さらに、磁性層２が互いに交換結合された磁性体からなる第１磁性膜５、第２磁性膜４からなる２層膜構造となっているため、この磁性層２を有する磁気記録媒体では、磁気再生ヘッド６が検出する磁束は各磁性膜からの磁束のベクトル和となる。
【００５７】
このため、各磁性膜の磁化の大きさを示すＭｓと膜厚を示すｄとの積、すなわちＭｓ・ｄを調整すれば、磁気再生ヘッド６と各磁性膜とのスペーシングの大きさに係わらず、周辺トラック部９の漏洩磁束を完全にキャンセルすることができる。つまり、周辺トラック部９からのクロストークを理想的にゼロとすることが可能となる。
【００５８】
一方、再生時に、光ビーム７により昇温され磁気的再生温度まで昇温された昇温部位となる磁気再生トラック部８では、図１に示すように、両磁性膜の極性が同じとなるため、希土類並びに遷移金属の副格子磁化が互いに同じ方向に揃う結果、その全磁化の向きが両磁性膜とも同じ方向となり、磁性層２の磁気再生トラック部８からの漏洩磁束は、互いに強め合うことになる。
【００５９】
したがって、上記構成の磁気記録媒体によれば、周辺トラック部９からのクロストークを低減させることができると共に、磁気再生トラック部８の再生信号を強めることができるので、再生信号のＳ／Ｎを大幅に向上させることができる。
【００６０】
ここで、各磁性膜のＭｓ・ｄを調整して、再生時に周辺トラック部９からの漏洩磁束を完全にキャンセルするためには、磁性層２において、磁気再生ヘッド６に近い側の磁性膜である第１磁性膜５の磁化をＭｓ１、膜厚をｄ１とし、他方の磁性膜である第２磁性膜４の磁化をＭｓ２、膜厚をｄ２としたとき、室温近傍にある部位において、少なくとも以下の関係式（１）が成り立つ必要がある。
【００６１】
Ms1 ・d1＜Ms2 ・d2        ・・・・・・（１）
このように、磁性層２において、磁気再生ヘッド６に近い側の第１磁性膜５の磁化と膜厚の積（Ｍｓ１・ｄ１）が、磁気再生ヘッド６より遠い側の第２磁性膜４の磁化と膜厚の積（Ｍｓ２・ｄ２）よりも小さく設定されることで、室温近傍にある部位では、互いに磁化が逆向き状態にある両磁性膜からの漏洩磁束の寄与を磁気再生ヘッド６の磁束の検出位置で打ち消してゼロにすることが可能となる。
【００６２】
また、周辺トラック部９からのクロストークを低減させるには、上記の関係式（１）が成り立ち、且つ以下の関係式（２）が成り立つようにしても良い。
【００６３】
ここで、磁性層２において、磁気再生ヘッド６に近い側の第１磁性膜５の保磁力をＨｃ１、磁気再生ヘッド６に遠い側の第２磁性膜４の保磁力をＨｃ２、両磁性膜の境界に蓄えられる界面磁壁エネルギーをσｗとする。
【００６４】
σw ／2Ms1・d1−σw ／2Ms2・d2＞Hc1 ＋Hc2 ・・（２）
上記の関係式（２）が成り立つ場合には、室温近傍にある部位の記録媒体全体の磁化のヒステリシス曲線は、図３（ａ）に示すようになる。ここで、ＡおよびＢは、上記の関係式（２）が成り立つ磁気記録媒体の残留磁化の状態を示し、それぞれ情報記録後の『１』、『０』の２値情報に対応する状態を示している。なお、以下の説明においてもＡ、Ｂは同様の意味で用い、その説明は省略する。
【００６５】
したがって、この場合、磁気再生の過程で、磁気記録媒体の室温近傍にある部位（周辺トラック部９）における磁性層２の両磁性膜の磁化の向きは、Ａ、Ｂの状態で図３（ｂ）に示すようになる。これにより、磁性層２の第１磁性膜５および第２磁性膜４による影響を互いに打ち消し合わせることが可能となり、磁気記録媒体の周辺トラック部９からの漏洩磁束によるクロストークを低減することができる。
【００６６】
この他に、周辺トラック部９からのクロストークを低減させるために、上記の関係式（１）が成り立ち、且つ以下の関係式（３）および（４）が成り立つようにしても良い。
【００６７】
Hc1 ＜σw ／2Ms1・d1        ・・・・・・・・（３）
Hc1 ＋Hc2 ＞σw ／2Ms1・d1−σw ／2Ms2・d2＞Hc1 −Hc2 ・・・（４）
上記の関係式（１）且つ（３）および（４）が成り立つ磁気記録媒体によれば、室温近傍にある部位の記録媒体全体の磁化のヒステリシス曲線は、図４（ａ）に示すようになる。
【００６８】
したがって、この磁気記録媒体の場合、磁気再生の過程で、磁気記録媒体の室温近傍にある部位（周辺トラック部９）における磁性層２の両磁性膜の磁化は、Ａ、Ｂの状態でそれぞれ図４（ｂ）に示すようになる。これにより、磁性層２は、両磁性膜による影響を互いに打ち消し合わせることが可能で、磁気記録媒体の周辺トラック部９からの漏洩磁束によるクロストークを低減できる。
【００６９】
さらに、周辺トラック部９からのクロストークを低減させるためには、磁気記録媒体において、上記の関係式（１）が成り立ち、且つ以下の関係式（５）および（６）が成り立つようにしても良い。
【００７０】
Hc2 ＜σw ／2Ms2・d2・・・・・・・・・（５）
Hc1 −Hc2 ＞σw ／2Ms1・d1−σw ／2Ms2・d2  ・・・・・（６）
上記の関係式（１）且つ（５）および（６）が成り立つ磁気記録媒体によれば、室温近傍にある部位の記録媒体全体の磁化のヒステリシス曲線は、図５（ａ）に示すようになる。
【００７１】
したがって、この磁気記録媒体の場合、磁気再生の過程で、磁気記録媒体の室温近傍にある部位（周辺トラック部９）における磁性層２の両磁性膜の磁化は、Ａ、Ｂの状態でそれぞれ図５（ｂ）に示すようになる。これにより、磁性層２は、両磁性膜による影響を互いに打ち消し合わせることが可能で、磁気記録媒体の周辺トラック部９からの漏洩磁束によるクロストークを低減できる。
【００７２】
上記の各関係式を用いた説明では、磁気記録媒体の室温近傍にある部位（本実施の形態では周辺トラック部９）の磁化のヒステリシス曲線について述べたが、以下の説明では、磁気記録媒体の磁気的再生温度にある部位（本実施の形態では磁気再生トラック部８）の磁化のヒステリシス曲線について述べる。
【００７３】
まず、周辺トラック部９からのクロストークをさらに低減させ、且つ再生信号を強めるためには、室温近傍で、関係式（３）および（４）、または関係式（５）および（６）の何れかが成り立ち、磁気的再生温度で、以下の関係式（７）または（８）の何れかが成り立つようにすれば良い。
【００７４】
Hc2 −Hc1 ＞σw ／2Ms1・d1＋σw ／2Ms2・d2    ・・・（７）
（Ms1 ・d1≦Ms2 ・d2）
Hc1 −Hc2 ＞σw ／2Ms1・d1＋σw ／2Ms2・d2    ・・・（８）
（Ms1 ・d1≧Ms2 ・d2）
上記の条件を満たす磁気記録媒体によれば、関係式（３）および（４）、または関係式（５）および（６）の何れかが成り立つことにより、磁気再生の過程で、室温近傍にある部位からの漏洩磁束によるクロストークを低減できる。
【００７５】
また、上記磁気記録媒体は、関係式（７）または（８）の何れかが成り立つことで、磁気的再生温度にある部位の記録媒体全体の磁化のヒステリシス曲線は、図６（ａ）に示すようになる。
【００７６】
したがって、この磁気記録媒体の場合、磁気再生の過程で、磁気的再生温度にある部位における磁性層２の両磁性膜の磁化の向きは、Ａ，Ｂの状態でそれぞれ図６（ｂ）に示すようになる。これにより、磁性層２における両磁性膜の磁化が同じ方向を向き、互いに強め合うようになるので、磁気的再生温度にある部位（磁気再生トラック部８）からの漏洩磁束が増して大きな再生信号を得ることができる。
【００７７】
また、周辺トラック部９からのクロストークをさらに低減させ、且つ再生信号を強めるために、室温近傍で、関係式（３）および（４）、または関係式（５）および（６）の何れかが成り立ち、磁気的再生温度で、且つ以下の関係式（９）が成り立つようにすれば良い。
【００７８】
｜Hc1 −Hc2 ｜＜σw ／2Ms1・d1＋σw ／2Ms2・d2        ・・（９）
上記の条件を満たす磁気記録媒体によれば、関係式（３）および（４）、または関係式（５）および（６）の何れかが成り立つことで、磁気再生の過程で、室温近傍にある部位からの漏洩磁束によるクロストークを低減できる。
【００７９】
また、上記磁気記録媒体は、関係式（９）を満たしているので、磁気的再生温度にある部位の記録媒体全体の磁化のヒステリシス曲線は、図７（ａ）に示すようになる。
【００８０】
したがって、この磁気記録媒体の場合、磁気再生の過程で、磁気的再生温度にある磁気記録媒体の部位における磁性層２の両磁性膜の磁化の向きは、Ａ，Ｂの状態でそれぞれ図７（ｂ）に示すようになる。これにより、磁性層２における両磁性膜の磁化が同じ方向を向き、互いに強め合うようになるので、磁気的再生温度にある部位（磁気再生トラック部８）からの漏洩磁束が増して大きな再生信号を得ることができる。
【００８１】
ここで、本実施の形態の磁気記録媒体における磁性層２の具体例について以下に説明する。磁性層２を構成する第１磁性膜５として、希土類金属過多の希土類遷移金属非晶質合金である膜厚が約４５ｎｍの（Ｔｂ0.75Ｄｙ0.25）0.34（Ｆｅ0.72Ｃｏ0.28）0.66を用い、第２磁性膜４として遷移金属過多の希土類遷移金属非晶質合金である膜厚が約５５ｎｍの（Ｔｂ0.75Ｄｙ0.25）0.20Ｆｅ0.80を用いた場合について、その作用・効果について説明する。
【００８２】
上記磁気記録媒体の磁性層２の磁化Ｍｓの温度依存性を、図８に示すグラフで示す。
【００８３】
図８に示すグラフでは、上記磁性層２の磁化Ｍｓの温度依存性を曲線１０、上記磁性層２を構成する希土類金属過多の第１磁性膜５の単独の磁化Ｍｓの温度依存性を曲線１１、上記磁性層２を構成する遷移金属過多の第２磁性膜４単独の磁化Ｍｓの温度依存性を曲線１２で示され、さらに、比較のために、室温近傍に磁気的補償温度を有する磁気記録媒体の一例、具体的には厚さ約１００ｎｍの（Ｔｂ0.75Ｄｙ0.25）0.30（Ｆｅ0.72Ｃｏ0.28）0.70の磁化Ｍｓの温度依存性を曲線１３で示している。
【００８４】
この時、室温近傍における各磁性膜の磁気特性は以下の通りである。
【００８５】
第１磁性膜５の保磁力（Ｈｃ１）            ：８．４    ｋＯｅ
第１磁性膜５の磁化（Ｍｓ１）              ：１７０    ｅｍｕ／ｃｃ
第１磁性膜５の膜厚（ｄ１）                ：４５      ｎｍ
第２磁性膜４の保磁力（Ｈｃ２）            ：１        ｋＯｅ
第２磁性膜４の磁化（Ｍｓ２）              ：１７０    ｅｍｕ／ｃｃ
第２磁性膜４の膜厚（ｄ２）                ：５５      ｎｍ
界面磁壁エネルギー（σｗ）                ：２        ｅｒｇ／ｃｍ2
従って、上述した関係式（１）：Ｍｓ１・ｄ１＝０．７６５ｍｅｍｕ／ｃｍ2
＜Ｍｓ２・ｄ２＝０．９３５ｍｅｍｕ／ｃｍ2 、且つ関係式（５）：Ｈｃ２＝１０００Ｏｅ＜σｗ／２Ｍｓ２・ｄ２＝１０７０Ｏｅおよび関係式（６）：Ｈｃ１−Ｈｃ２＝７３７５Ｏｅ＞σｗ／２Ｍｓ１・ｄ１−σｗ／２Ｍｓ２・ｄ２＝２３７Ｏｅが成り立っていることが分かる。
【００８６】
つまり、室温近傍では、第１磁性膜５と第２磁性膜４の磁化が互いに向きが正反対の平行状態となり、磁気再生ヘッド６に及ぼす相互の影響が打ち消し合うことになる。実際、図８に示すグラフにおいて、磁気記録媒体全体の磁化を示す曲線１０は、室温近傍で小さな値を示している。これにより、再生時に室温近傍になっている周辺トラック部９からのクロストークの影響が低減されることが分かる。
【００８７】
さらに、従来の単層磁性膜からなる光アシスト型磁気記録媒体の特性を示した曲線１３と比較しても、室温近傍での全磁化の大きさが低く抑えられていることが分かる。したがって、本願の磁性層２は室温近傍での温度変動の影響に対しても強い耐性が得られることが分かる。
【００８８】
次に、光ビーム７で磁気的再生温度まで昇温された磁気再生トラック部８での各磁性膜の磁気特性を以下に示す。このときの磁気的再生温度としては、磁気記録媒体の全磁化が略極大となる温度に設定されている。ここでは、磁気的再生温度として約１３０℃での磁気特性の値を示している。
【００８９】
第１磁性膜５の保磁力（Ｈｃ１）            ：１２．５  ｋＯｅ
第１磁性膜５の磁化（Ｍｓ１）              ：１１０    ｅｍｕ／ｃｃ
第１磁性膜５の膜厚（ｄ１）                ：４５      ｎｍ
第２磁性膜４の保磁力（Ｈｃ２）            ：７００    Ｏｅ
第２磁性膜４の磁化（Ｍｓ２）              ：８０      ｅｍｕ／ｃｃ
第２磁性膜４の膜厚（ｄ２）                ：５５      ｎｍ
界面磁壁エネルギー（σｗ）                ：０．７    ｅｒｇ／ｃｍ2
従って、式（８）：Ｈｃ１−Ｈｃ２＝１１．８ｋＯｅ＞σｗ／２Ｍｓ１・ｄ１＋σｗ／２Ｍｓ２・ｄ２＝１．５ｋＯｅ、Ｍｓ１・ｄ１＝０．４９５ｍｅｍｕ／ｃｍ2 ＞Ｍｓ２・ｄ２＝０．４４０ｍｅｍｕ／ｃｍ2 が成り立っていることが分かる。
【００９０】
つまり、磁気的再生温度近傍では、第１磁性膜５と第２磁性膜４の磁化が、今度は互いに同じ向きで平行状態となり、磁気再生トラック部８からの漏洩磁束が強め合って、磁気再生ヘッド６から得られる再生信号も大きくなる。実際、図８に示すグラフにおいて、磁気記録媒体全体の磁化を示す曲線１０も、磁気的再生温度に相当する１３０℃近傍で、第１磁性膜５と第２磁性膜４との両磁性膜の磁化の和に相当する値を示している。この時の磁化の大きさは、従来の単層磁性膜からなる光アシスト型磁気記録媒体の磁化を示す曲線１３と比較しても遜色ないことが分かる。
【００９１】
なお、本実施の形態では、第１磁性膜５に希土類金属過多の希土類遷移金属非晶質膜を、第２磁性膜４に遷移金属過多の希土類遷移金属非晶質膜を配したが、勿論その逆の組み合わせでもよい。
【００９２】
また、希土類遷移金属非晶質膜として、ＴｂＤｙＦｅＣｏ並びにＴｂＤｙＦｅを用いたが、これに限定されるものではなく、その他の希土類遷移金属合金系、例えば、ＴｂＣｏ、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＤｙＦｅ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏを用いることが出来る。
【００９３】
これら希土類遷移金属合金系のうち、特に、大きな垂直磁気異方性を誘起するＴｂやＤｙを含む系は、保磁力も大きくでき、ビットの安定性に優れる。また、磁気モーメントの大きなＧｄを含む系では、磁化を大きくする上で有利で再生性能を向上できる。
【００９４】
また、磁気補償点を有するフェリ磁性膜と結合させる他方の磁性膜については、フェリ磁性膜に限定されず、垂直磁気記録材料例えば、ＣｏＣｒ系のフェロ磁性垂直磁化膜や、Ｃｏ／ＰｔやＣｏ／Ｐｄからなる人工格子垂直磁化膜を用いてもよい。この場合、フェロ磁性体の特長である大きな磁化を利用して、再生性能をさらに改善できる。
【００９５】
さらに、本実施の形態では、室温近傍で関係式（１）且つ（５）および（６）を満足し、磁気的再生温度近傍で関係式（８）を満足する磁気記録媒体について説明したが、これに限定されるものではない。
【００９６】
例えば前述したような各関係式を組み合わせても良い。すなわち、室温近傍で関係式（１）且つ（２）、または関係式（１）且つ（３）および（４）を満足し、磁気的再生温度近傍で関係式（７）、または（９）を満足する磁性膜から磁気記録媒体が構成されればよいことは、その磁化曲線から容易に判断できる。特に、希土類遷移金属非晶質合金膜は、その非晶質性故に、構成元素の組成を連続的に変えることで広範囲にその磁気特性を設計できるため、様々な組み合わせで上記各種条件を実現できる。
【００９７】
また、本実施の形態では、磁性層２を磁性二層膜構造としたが、両磁性膜の間に交換結合の強さを調整するための中間層を挿入してもよい。これによって、磁気記録媒体の設計の幅がより広がり、光アシスト磁気記録再生特性の改善・最適化が容易となる。
【００９８】
上述のような中間層を挿入する例として、磁性膜間の交換結合力を弱めるために上述のような中間層を両磁性膜の間に挿入することが考えられる。このような場合、磁性層における磁化反転磁界を小さくすることができるなどの効果を奏する。また、この場合の中間層の材料として、希土類遷移金属系の材料であれば、例えば異方性の小さなＧｄＦｅ、ＧｄＦｅＣｏなどが用いられる。
【００９９】
しかしながら、上述のような中間層は、磁性膜間の交換結合を弱めるために磁性膜間に挿入されることに限定されず、磁性膜間の交換結合を強めるために磁性膜間に挿入されても良い。
【０１００】
（実施の形態２）
本発明の他の実施の形態について、図９ないし図１６に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記実施の形態１と同一機能を有する部材には同一符号を付記し、その説明は省略する。
【０１０１】
本実施の形態に係る磁気記録媒体は、前記実施の形態１の磁性層２に替えて、図１０に示すように、磁性層２１を有している。
【０１０２】
上記磁性層２１は、ディスク基板１側から第２磁性膜２２、第１磁性膜２３が順次形成された２層膜構造となっている。ここで、第１磁性膜２３と第２磁性膜２２は、それぞれ希土類遷移金属非晶質合金から構成され、少なくともいずれか一方の膜が室温より高い磁気的補償温度を有する希土類過多の組成からなり、他方の膜が再生過程における再生トラックに隣接するトラックの昇温領域で、両磁性膜の極性が異なり、室温近傍にある再生トラック領域が同一の極性となるように選択された材料組成からなっている。
【０１０３】
ここで、上記磁性層２１に対する再生時における各磁性膜における磁化状態について図９を参照しながら以下に説明する。なお、上記磁性層２１の第２磁性膜２２は希土類金属過多の組成で、第１磁性膜２３は希土類金属過多の組成である場合について説明する。また、図９では、説明の便宜上、ディスク基板１および保護膜３は省略している。
【０１０４】
上記磁気記録媒体では、図９に示すように、図示しない再生光照射手段から照射された光ビーム７を、磁性層２１の磁気再生トラック部８の隣接する周辺トラック部９に対して、第２磁性膜２２側から照射して昇温し、磁性層２１を挟んで対向配置された磁気再生ヘッド６によって磁気的に情報再生が行われるものとする。図中、白抜きの矢印は、各磁性膜の全磁化を表し、実線の矢印は、希土類金属の副格子磁化を表している。
【０１０５】
上記磁性層２１の再生時には、周辺トラック部９が昇温され磁気的再生温度近傍となっているのに対して、磁気再生トラック部８の温度は室温近傍となっている。
【０１０６】
したがって、室温近傍にある磁気再生トラック部８では、図９に示すように、両磁性膜とも同一極性で、希土類並びに遷移金属の副格子磁化が互いに同じ方向に揃う結果、その全磁化の向きも全磁化の向きも同じとなり、両磁性膜からの漏洩磁束は互いに強め合うことになる。
【０１０７】
一方、磁気的再生温度近傍にある周辺トラック部９では、両磁性膜の極性が異なるため、各磁性膜の磁化の向きは、逆に反対向きとなって、両磁性膜からの漏洩磁束は互いに打ち消し合うことになる。これにより、再生時に昇温された周辺トラック部９からの漏洩磁束によるクロストークが抑えられる。
【０１０８】
さらに、磁性層２１が互いに交換結合された磁性体からなる第１磁性膜２３、第２磁性膜２２からなる２層膜構造となっているため、この磁性層２１を有する磁気記録媒体では、磁気再生ヘッド６が検出する磁束は各磁性膜からの磁束のベクトル和となる。
【０１０９】
このため、各磁性膜の磁化の大きさを示すＭｓと膜厚を示すｄとの積、すなわちＭｓ・ｄを調整さえすれば、磁気再生ヘッド６と各磁性膜とのスペーシングの大きさに係わらず、完全にキャンセルすることができる。つまり、周辺トラック部９からのクロストークを理想的にゼロとすることが可能となる。
【０１１０】
上述したように、各磁性膜のＭｓ・ｄを調整して、再生時に周辺トラック部９からの漏洩磁束を完全にキャンセルするためには、上記磁性層２１において、磁気再生ヘッド６に近い側の磁性膜である第１磁性膜２３の磁化をＭｓ１、膜厚をｄ１とし、他方の磁性膜である第２磁性膜２２の磁化をＭｓ２、膜厚をｄ２としたとき、昇温部位において、少なくとも以下の関係式（１０）が成り立つようにすれば良い。
【０１１１】
Ms1 ・d1＜Ms2 ・d2        ・・・・・・（１０）
このように、磁性層２１において、磁気再生ヘッド６に近い側の第１磁性膜２３の磁化と膜厚の積（Ｍｓ１・ｄ１）が、磁気再生ヘッド６より遠い側の第２磁性膜２２の磁化と膜厚の積（Ｍｓ２・ｄ２）よりも小さく設定されることで、昇温部位（周辺トラック部９）では、互いに磁化が逆向き状態にある両磁性膜からの漏洩磁束の寄与を磁気再生ヘッド６の検出位置（磁気再生トラック部８）で打ち消してゼロにすることが可能となる。
【０１１２】
また、周辺トラック部９からのクロストークをさらに低減させるためには、上記の関係式（１０）が成り立ち、且つ以下の関係式（１１）が成り立つようにすれば良い。
【０１１３】
ここで、磁性層２１において、磁気再生ヘッド６に近い側の第１磁性膜２３の保磁力をＨｃ１、磁気再生ヘッド６に遠い側の第２磁性膜２２の保磁力をＨｃ２、両磁性膜の境界に蓄えられる界面磁壁エネルギーをσｗとする。
【０１１４】
σw ／2Ms1・d1−σw ／2Ms2・d2＞Hc1 ＋Hc2       ・・（１１）
上記の関係式（１１）が成り立つ場合には、磁気再生の過程で、磁気再生トラック部８に隣接する周辺トラック部９は昇温状態にあり、該周辺トラック部９における磁気記録媒体全体の磁化のヒステリシス曲線は、図１１（ａ）に示すようになる。本実施の形態において、図中ＡおよびＢは、上記の関係式（１１）を満たした磁気記録媒体の残留磁化の状態を示し、それぞれ情報記録後の『１』、『０』の２値情報に対応する状態を示している。なお、以下の説明においてもＡ、Ｂは同様の意味で用い、その説明は省略する。
【０１１５】
したがって、この場合、磁気再生の過程で、磁気記録媒体の昇温状態にある周辺トラック部９における磁性層２１の両磁性膜の磁化の向きは、Ａ、Ｂの状態で図１１（ｂ）に示すようになる。これにより、磁性層２１の第１磁性膜２３および第２磁性膜２２による影響を互いに打ち消し合わせることが可能となり、磁気記録媒体の昇温状態にある周辺トラック部９からの漏洩磁束によるクロストークを低減することができる。
【０１１６】
この他に、周辺トラック部９からのクロストークをさらに低減させるためには、磁気記録媒体において、昇温部位で上記の関係式（１０）が成り立ち、且つ以下の関係式（１２）および（１３）が成り立つようにすれば良い。
【０１１７】
Hc1 ＜σw ／2Ms1・d1          ・・・・・・・（１２）
Hc1 ＋Hc2 ＞σw ／2Ms1・d1−σw ／2Ms2・d2＞Hc1 −Hc2   ・・（１３）
上記の関係式（１０）且つ（１２）および（１３）が成り立つ磁気記録媒体によれば、磁気再生の過程で、昇温状態にある周辺トラック部９の記録媒体全体としての磁化のヒステリシス曲線は、図１２（ａ）に示すようになる。
【０１１８】
したがって、この磁気記録媒体の場合、磁気再生の過程で、磁気記録媒体の昇温状態にある部位における磁性層２１の両磁性膜の磁化の向きは、Ａ、Ｂの状態でそれぞれ図１２（ｂ）に示すようになる。これにより、磁性層２１は、両磁性膜による影響を互いに打ち消し合わせることが可能で、磁気記録媒体の昇温部位からの漏洩磁束によるクロストークを低減できる。
【０１１９】
さらに、周辺トラック部９からのクロストークをさらに低減させるためには、磁気記録媒体において、昇温部位で上記の関係式（１０）を満たし、且つ以下の関係式（１４）および（１５）を満たせば良い。
【０１２０】
Hc2 ＜σw ／2Ms2・d2          ・・・・・・・（１４）
Hc1 −Hc2 ＞σw ／2Ms1・d1−σw ／2Ms2・d2    ・・（１５）
上記の関係式（１０）且つ（１４）および（１５）を満たす磁気記録媒体によれば、磁気再生の過程で、昇温状態にある周辺トラック部９の記録媒体全体としての磁化のヒステリシス曲線は、図１３（ａ）に示すようになる。
【０１２１】
したがって、この磁気記録媒体の場合、磁気再生の過程で、昇温状態にある周辺トラック部９における磁性層２１の両磁性膜の磁化の向きは、Ａ、Ｂの状態でそれぞれ図１３（ｂ）に示すようになる。これにより、磁性層２１は、両磁性膜による影響を互いに打ち消し合わせることが可能で、磁気記録媒体の昇温部位からの漏洩磁束によるクロストークを低減できる。
【０１２２】
上記各関係式を用いた説明では、磁気記録媒体の昇温状態にある部位（本実施の形態では周辺トラック部９）の磁化のヒステリシス曲線について述べたが、以下の説明では、磁気記録媒体の室温近傍にある部位（本実施の形態では磁気再生トラック部８）の磁化のヒステリシス曲線について述べる。
【０１２３】
まず、周辺トラック部９からのクロストークをさらに低減させ、且つ再生信号を強めるために、昇温部位で関係式（１２）および（１３）、または関係式（１４）および（１５）の何れかが成り立ち、室温近傍で、且つ以下の関係式（１６）または（１７）の何れかが成り立つようにすれば良い。
【０１２４】
Hc2 −Hc1 ＞σw ／2Ms1・d1＋σw ／2Ms2・d2            ・・（１６）
（Ms1 ・d1≦Ms2 ・d2）
Hc1 −Hc2 ＞σw ／2Ms1・d1＋σw ／2Ms2・d2            ・・（１７）
（Ms1 ・d1≧Ms2 ・d2）
上記の条件を満たす磁気記録媒体によれば、関係式（１２）および（１３）、または関係式（１４）および（１５）の何れかが成り立つことで、磁気再生の過程で、昇温状態にある周辺トラック部９からの漏洩磁束によるクロストークを低減できる。
【０１２５】
また、上記磁気記録媒体は、関係式（１６）または（１７）の何れかが成り立つことで、室温近傍にある磁気再生トラック部８の記録媒体全体としての磁化のヒステリシス曲線は、図１４（ａ）に示すようになる。
【０１２６】
したがって、この磁気記録媒体の場合、磁気再生の過程で、室温近傍にある磁気再生トラック部８における磁性層２１の両磁性膜の磁化の向きは、Ａ，Ｂの状態でそれぞれ図１４（ｂ）に示すようになる。これにより、磁性層２１における両磁性膜の磁化が同じ方向を向き、互いに強め合うようになるので、室温近傍にある磁気再生トラック部８からの漏洩磁束が増して大きな再生信号を得ることができる。
【０１２７】
さらに、周辺トラック部９からのクロストークをさらに低減させ、且つ再生信号を強めるために、昇温部位で、関係式（１２）および（１３）、または関係式（１４）および（１５）の何れかが成り立ち、且つ、室温近傍にある磁気再生トラック部８で以下の関係式（１８）が成り立つようにすれば良い。
｜Hc1 −Hc2 ｜＜σw ／2Ms1・d1＋σw ／2Ms2・d2  ・・・・・・・（１８）
上記の条件を満たす磁気記録媒体によれば、磁気再生の過程で、昇温部位にある周辺トラック部９からの漏洩磁束によるクロストークを低減できる。
【０１２８】
また、上記磁気記録媒体は、関係式（１８）が成り立つことで、室温近傍にある磁気再生トラック部８では、磁化のヒステリシス曲線は、図１５（ａ）に示すようになる。
【０１２９】
したがって、この磁気記録媒体の場合、磁気再生の過程で、室温近傍にある磁気再生トラック部８における磁性層２１の両磁性膜の磁化の向きは、Ａ，Ｂの状態でそれぞれ図１５（ｂ）に示すようになる。これにより、磁性層２１における両磁性膜の磁化が同じ方向を向き、互いに強め合うようになるので、室温近傍にある磁気再生トラック部８からの漏洩磁束が増して大きな再生信号を得ることができる。
【０１３０】
ここで、本実施の形態の磁気記録媒体における磁性層２１の具体例について以下に説明する。磁性層２１の第１磁性膜２３として、磁気的補償温度が９０℃にある希土類金属過多の希土類遷移金属非晶質合金である膜厚が約５５ｎｍの（Ｔｂ0.75Ｄｙ0.25）0.34（Ｆｅ0.72Ｃｏ0.28）0.66を用い、第２磁性膜２２として磁気的補償温度が２４０℃以上にある希土類金属過多の希土類遷移金属非晶質合金である膜厚が約４５ｎｍの（Ｇｄ0.50Ｄｙ0.50）0.31（Ｆｅ0.78Ｃｏ0.22）0.69を用いた場合の作用・効果について以下に説明する。
【０１３１】
上記磁気記録媒体の磁性層２１の磁化Ｍｓの温度依存性を、図１６に示すグラフで示す。
【０１３２】
図１６に示すグラフでは、上記磁性層２１の磁化Ｍｓの温度依存性を曲線３０、上記磁性層２１を構成する希土類金属過多の第１磁性膜２３の単独の磁化Ｍｓの温度依存性を曲線３１、上記磁性層２１を構成する希土類金属過多の第２磁性膜２２単独の磁化Ｍｓの温度依存性を曲線３２で示され、さらに、比較のために、磁気記録媒体の一例、具体的には厚さ約１００ｎｍの（Ｔｂ0.75Ｄｙ0.25）0.35（Ｆｅ0.72Ｃｏ0.28）0.65の磁化Ｍｓの温度依存性を曲線３３で示している。
【０１３３】
この時、室温近傍における各磁性膜の磁気特性は以下の通りである。
【０１３４】
第１磁性膜２３の保磁力（Ｈｃ１）          ：８．４    ｋＯｅ
第１磁性膜２３の磁化（Ｍｓ１）            ：１７０    ｅｍｕ／ｃｃ
第１磁性膜２３の膜厚（ｄ１）              ：５５      ｎｍ
第２磁性膜２２の保磁力（Ｈｃ２）          ：４００    Ｏｅ
第２磁性膜２２の磁化（Ｍｓ２）            ：１９０    ｅｍｕ／ｃｃ
第２磁性膜２２の膜厚（ｄ２）              ：４５      ｎｍ
界面磁壁エネルギー（σｗ）                ：１．８    ｅｒｇ／ｃｍ2
従って、関係式（１７）：Ｈｃ１−Ｈｃ２＝８ｋＯｅ＞σｗ／２Ｍｓ１・ｄ１＋σｗ／２Ｍｓ２・ｄ２＝２．１ｋＯｅ、Ｍｓ１・ｄ１＝０．９３５ｍｅｍｕ／ｃｍ2 ＞Ｍｓ２・ｄ２＝０．８５５ｍｅｍｕ／ｃｍ2 が成り立つことが分かる。
【０１３５】
つまり、室温近傍では、第１磁性膜２３と第２磁性膜２２の磁化が互いに向きが同じ平行状態となり、磁気再生トラック部８からの漏洩磁束が強め合って、磁気再生ヘッド６から得られる再生信号も大きくなる。実際、図１６に示すグラフにおいて、磁気記録媒体全体の磁化を示す曲線３０は、磁気再生トラック部８の温度となる室温近傍において、第１磁性膜２３と第２磁性膜２２との両磁性膜の磁化の和に相当する値を示している。この時の磁化の大きさは、従来の単層磁性膜からなる光アシスト型磁気記録媒体の磁化を示す曲線３３と比較しても大きいことが分かる。
【０１３６】
次に、光ビーム７で昇温された周辺トラック部９での各磁性膜の磁気特性を以下に示す。このときの昇温温度としては、両磁性膜の極性が異なって両磁性膜からの磁化の影響が拮抗するような温度に設定されている。ここでは、昇温温度として約１６０℃近傍に設定した時の磁気特性の値を示している。
【０１３７】
第１磁性膜２３の保磁力（Ｈｃ１）          ：１０      ｋＯｅ
第１磁性膜２３の磁化（Ｍｓ１）            ：１００    ｅｍｕ／ｃｃ
第１磁性膜２３の膜厚（ｄ１）              ：５５      ｎｍ
第２磁性膜２２の保磁力（Ｈｃ２）          ：５００    Ｏｅ
第２磁性膜２２の磁化（Ｍｓ２）            ：１２５    ｅｍｕ／ｃｃ
第２磁性膜２２の膜厚（ｄ２）              ：４５      ｎｍ
界面磁壁エネルギー（σｗ）                ：０．６    ｅｒｇ／ｃｍ2
従って、関係式（１０）：Ｍｓ１・ｄ１＝０．５５ｍｅｍｕ／ｃｍ2 ＜Ｍｓ２・ｄ２＝０．５６ｍｅｍｕ／ｃｍ2 、且つ関係式（１４）：Ｈｃ２＝５００Ｏｅ＜σｗ／２Ｍｓ２・ｄ２＝５３３Ｏｅおよび関係式（１５）：Ｈｃ１−Ｈｃ２＝９５００Ｏｅ＞σｗ／２Ｍｓ１・ｄ１−σｗ／２Ｍｓ２・ｄ２＝１２Ｏｅが成り立つことが分かる。
【０１３８】
つまり、昇温下で、第１磁性膜２３と第２磁性膜２２の磁化が互いに向きが正反対の平行状態となり、磁気再生ヘッド６に及ぼす相互の影響が打ち消し合うことになる。実際、図１６に示すグラフにおいて、磁気記録媒体全体の磁化を示す曲線３０は、昇温下の１６０℃近傍で小さな値を示している。これにより、再生時に昇温状態にある磁気再生トラック部８の周辺の周辺トラック部９からのクロストークの影響が低減されることが分かる。
【０１３９】
さらに、従来の単層磁性膜からなる光アシスト型磁気記録媒体の特性を示した曲線３３と比較しても、昇温温度近傍での全磁化の低減効果も大きく、該温度近傍での温度変動の影響に対しても強い耐性が得られることが分かる。
【０１４０】
なお、希土類遷移金属非晶質膜として、ＴｂＤｙＦｅＣｏ並びにＧｄＤｙＦｅＣｏを用いたが、これに限定されるものではなく、その他の希土類遷移金属合金系、例えば、ＴｂＣｏ、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＤｙＦｅ、ＧｄＴｂＦｅＣｏを用いることができる。
【０１４１】
これら希土類遷移金属合金系のうち、特に、大きな垂直磁気異方性を誘起するＴｂやＤｙを含む系は、保磁力も大きくでき、ビットの安定性に優れる。また、磁気モーメントの大きなＧｄを含む系では、磁化を大きくする上で有利で再生性能を向上できる。
【０１４２】
さらに、本実施の形態では、室温近傍で関係式（１７）が成り立ち、昇温温度近傍で関係式（１０）且つ（１４）および（１５）が成り立つ磁気記録媒体について説明したが、これに限定されるものではない。
【０１４３】
例えば上述した各関係式を組み合わせても良い。すなわち、室温近傍で関係式（１６）または関係式（１８）が成り立ち、昇温温度近傍で関係式（１０）且つ（１１）、または（１０）且つ（１２）および（１３）が成り立つ磁性膜から構成されればよいことは、その磁化曲線から容易に判断できる。
【０１４４】
特に、希土類遷移金属非晶質金属膜は、その非晶質性故に、構成元素の組成を連続的に変えることで広範囲にその磁気特性を設計できるため、様々な組み合わせで上記の各種条件を実現できる。
【０１４５】
また、本実施の形態では、磁性層２１を磁性二層膜構造としたが、両磁性膜の間に交換結合の強さを調整するための中間層を挿入してもよい。これによって、磁気記録媒体の設計の幅がより広がり、光アシスト磁気記録再生特性の改善・最適化が容易となる。
【０１４６】
上述のような中間層を挿入する例として、磁性膜間の交換結合力を弱めるために上述のような中間層を両磁性膜の間に挿入することが考えられる。このような場合、磁性層における磁化反転磁界を小さくすることができるなどの効果を奏する。また、この場合の中間層の材料として、希土類遷移金属系の材料であれば、例えば異方性の小さなＧｄＦｅ、ＧｄＦｅＣｏなどが用いられる。
【０１４７】
しかしながら、上述のような中間層は、磁性膜間の交換結合を弱めるために磁性膜間に挿入されることに限定されず、磁性膜間の交換結合を強めるために磁性膜間に挿入されても良い。
【０１４８】
【発明の効果】
本願発明に係る磁気記録媒体は、以上のように、再生すべきトラックを昇温させながら磁気再生ヘッドにより記録情報が再生される磁気記録媒体において、磁性体の交換相互作用によって互いに結合された２層の磁性膜からなる磁性層を少なくとも有し、上記磁性層は、何れか一方の磁性膜が磁気的補償温度を有するフェリ磁性体からなると共に、再生時に、室温近傍となる部位では両磁性膜の磁化が互いに逆向きとなる一方、磁気的に再生可能な温度となる部位では両磁性膜の磁化がそれぞれ同じ向きとなる構成である。
【０１４９】
それゆえ、再生すべきトラック（以下、再生トラックと称する）を、例えばレーザ等の微小熱源で昇温させながら磁気的に情報の再生を行うとき、再生トラックの磁気的再生温度まで昇温された部位（昇温部位）での磁性層の両磁性膜の磁化がそれぞれ同じ向きとなるので、磁気記録媒体全体の磁化としては、両磁性膜の磁化の和となり、上記昇温部位からの漏洩磁束が増して、大きな再生信号を得ることができる。
【０１５０】
しかも、再生時には、再生トラックの昇温部位以外の部位では、室温近傍となっているので、この部位での両磁性膜の磁化は、互いに逆向きとなり、互いに打ち消し合う。このため、磁気記録媒体全体として磁化を略ゼロにできるので、再生トラックの昇温部位以外の部位、すなわち再生トラックに隣接するトラックからの漏洩磁束によるクロストークを低減できる。
【０１５１】
したがって、上記構成の磁気記録媒体によれば、再生トラックに隣接するトラックからのクロストークを低減させることができると共に、再生信号を強めることができるので、再生信号のＳ／Ｎを大幅に向上させることができるという効果を奏する。
【０１５２】
本願発明に係る磁気記録媒体は、以上のように、再生すべきトラックに隣接するトラックを昇温させながら磁気再生ヘッドにより記録情報が再生される磁気記録媒体において、磁性体の交換相互作用によって互いに結合された２層の磁性膜からなる磁性層を少なくとも有し、上記磁性層は、何れか一方の磁性膜が磁気補償点を有するフェリ磁性体からなると共に、再生時に、室温近傍となる部位では両磁性膜の磁化がそれぞれ同じ向きになる一方、再生すべきトラックに隣接するトラックの昇温部位での両磁性膜の磁化が互いに逆向きとなる構成である。
【０１５３】
それゆえ、再生トラックに隣接するトラックを、レーザ等の微小熱源で昇温させながら磁気的に情報の再生を行うとき、再生トラックに隣接するトラックの昇温部位での両磁性膜の磁化は、互いに逆向きとなり、互いに打ち消し合う。このため、磁気記録媒体全体として磁化を略ゼロにできるので、再生トラックに隣接するトラックの昇温部位からの漏洩磁束によるクロストークを低減できる。
【０１５４】
さらに、再生トラックは、室温近傍にあるので、両磁性膜の磁化が同じ方向を向き、磁気記録媒体全体としての磁化は、両磁性膜の磁化の和となる。この結果、磁気記録媒体における再生トラックの室温近傍にある部位からの漏洩磁束が増大し、大きな再生信号を得ることができる。
【０１５５】
したがって、上記構成の磁気記録媒体によれば、再生トラックに隣接するトラックからのクロストークを低減させることができると共に、再生信号を強めることができるので、再生信号のＳ／Ｎを大幅に向上させることができるという効果を奏する。
【０１５６】
本願発明に係る磁気再生方法は、上記の課題を解決するために、磁性体の交換相互作用によって互いに結合された２層の磁性膜からなる磁性層を少なくとも有し、上記磁性層の何れか一方の磁性膜が磁気補償点を有するフェリ磁性体からなると共に、再生時に、室温近傍となる部位での両磁性膜の磁化が互いに逆向きとなる一方、磁気的再生が可能となる温度となる部位での両磁性膜の磁化がそれぞれ同じ向きとなる磁気記録媒体を用い、再生すべきトラックの再生部位における両磁性膜の磁化が同一方向に向くように該再生部位を昇温して、情報の再生を行う構成である。
【０１５７】
それゆえ、再生トラックの再生部位における両磁性膜の磁化が同一方向に向くように該再生部位を昇温して、該再生トラックから情報の再生を行うことで、再生時に、再生トラックに隣接する室温近傍にあるトラックからの漏洩磁束（磁気再生ヘッドによる磁束検出部において両磁性膜の寄与分）を、完全にキャンセルすることが可能となる。したがって、再生トラックに隣接するトラックからのクロストークを大幅に低減する磁気再生を行うことができるという効果を奏する。
【０１５８】
本願発明に係る磁気再生方法は、上記の課題を解決するために、磁性体の交換相互作用によって互いに結合された２層の磁性膜からなる磁性層を少なくとも有し、上記磁性層の何れか一方の磁性膜が磁気補償点を有するフェリ磁性体からなると共に、再生時に、室温近傍となる部位での両磁性膜の磁化がそれぞれ同じ向きとなる一方、昇温部位での両磁性膜の磁化が互いに逆方向となる磁気記録媒体を用い、再生すべきトラックの再生部位に隣接するトラックにおける両磁性膜の磁化が互いに逆向きとなるように該再生部位に隣接するトラックを昇温して、情報の再生を行う構成である。
【０１５９】
それゆえ、再生トラックの再生部位に隣接するトラック（隣接トラック）における両磁性膜の磁化が互いに逆向きとなるように該隣接トラックを昇温して、該再生トラックから情報の再生を行うことで、再生時に、再生トラックに隣接する昇温状態にあるトラックからの漏洩磁束（磁気再生ヘッドによる磁束検出部において両磁性膜の寄与分）を、完全にキャンセルすることが可能となる。したがって、再生トラックに隣接するトラックからのクロストークを大幅に低減する磁気再生を行うことができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の一実施の形態に係る磁気記録媒体の再生動作時の磁化状態を示す説明図である。
【図２】  図１に示す磁気記録媒体の概略構成断面図である。
【図３】  図２に示す磁気記録媒体の室温近傍での磁化状態の一例を示し、（ａ）は磁化と磁界との関係を示すヒステリシス曲線、（ｂ）は磁化の向きを示す説明図である。
【図４】  図２に示す磁気記録媒体の室温近傍での磁化状態の一例を示し、（ａ）は磁化と磁界との関係を示すヒステリシス曲線、（ｂ）は磁化の向きを示す説明図である。
【図５】  図２に示す磁気記録媒体の室温近傍での磁化状態の一例を示し、（ａ）は磁化と磁界との関係を示すヒステリシス曲線、（ｂ）は磁化の向きを示す説明図である。
【図６】  図２に示す磁気記録媒体の磁気的再生温度での磁化状態の一例を示し、（ａ）は磁化と磁界との関係を示すヒステリシス曲線、（ｂ）は磁化の向きを示す説明図である。
【図７】  図２に示す磁気記録媒体の磁気的再生温度での磁化状態の一例を示し、（ａ）は磁化と磁界との関係を示すヒステリシス曲線、（ｂ）は磁化の向きを示す説明図である。
【図８】  図２に示す磁気記録媒体の磁気特性を説明するためのグラフである。
【図９】  本発明の他の実施の形態に係る磁気記録媒体の再生動作時の磁化状態を示す説明図である。
【図１０】  図９に示す磁気記録媒体の概略構成断面図である。
【図１１】  図１０に示す磁気記録媒体の昇温状態での磁化状態の一例を示し、（ａ）は磁化と磁界との関係を示すヒステリシス曲線、（ｂ）は磁化の向きを示す説明図である。
【図１２】  図１０に示す磁気記録媒体の昇温状態での磁化状態の一例を示し、（ａ）は磁化と磁界との関係を示すヒステリシス曲線、（ｂ）は磁化の向きを示す説明図である。
【図１３】  図１０に示す磁気記録媒体の昇温状態での磁化状態の一例を示し、（ａ）は磁化と磁界との関係を示すヒステリシス曲線、（ｂ）は磁化の向きを示す説明図である。
【図１４】  図１０に示す磁気記録媒体の室温近傍での磁化状態の一例を示し、（ａ）は磁化と磁界との関係を示すヒステリシス曲線、（ｂ）は磁化の向きを示す説明図である。
【図１５】  図１０に示す磁気記録媒体の室温近傍での磁化状態の一例を示し、（ａ）は磁化と磁界との関係を示すヒステリシス曲線、（ｂ）は磁化の向きを示す説明図である。
【図１６】  図１０に示す磁気記録媒体の磁気特性を説明するためのグラフである。
【符号の説明】
２    磁性層
４    第２磁性膜（磁性膜）
５    第１磁性膜（磁性膜）
６    磁気再生ヘッド
７    光ビーム
８    磁気再生トラック部
９    周辺トラック部
２１    磁性層
２２    第２磁性膜（磁性膜）
２３    第１磁性膜（磁性膜）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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