(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の接続端子群を有する表面実装型のＬＳＩデバイスを、前記第１の接続端子群に接続される第２の接続端子群を有する表面実装基板に実装する実装板の製造方法において、
棒状の低融点金属と棒状の樹脂とを、前記棒状の低融点金属及び棒状の前記樹脂の長手方向に垂直な方向に、かつ、前記低融点金属が前記第１と第２の接続端子群に対応するように交互に重ね合わせて直方体を形成し、
前記直方体を、前記樹脂の硬化温度より低い温度で加熱して一体化し、
一体化した前記直方体を、前記棒状の低融点金属及び前記棒状の樹脂の長手方向に垂直な方向に所定の厚さに切断することを特徴とする実装板の製造方法。
【請求項２】
第１の接続端子群を有する表面実装型のＬＳＩデバイスを、前記第１の接続端子群に接続される第２の接続端子群を有する表面実装基板に実装する実装板の製造方法において、
導電部材に、前記第１と第２の接続端子群に対応する複数の孔を開け、
前記各孔の中に、棒状の低融点金属を配置し、
前記棒状の低融点金属が配置された前記各孔の内面と前記棒状の低融点金属の隙間に、溶融させた熱可塑性の樹脂を流し込み、
前記樹脂を冷却し、前記樹脂と前記低融点金属及び前記導電部材を一体化させて直方体を形成し、
一体化した前記直方体を、前記棒状の低融点金属の長手方向に垂直な方向に所定の厚さに切断することを特徴とする実装板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表面実装型のＬＳＩデバイスを表面実装基板に実装する場合に使用する実装板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
通常、ＬＳＩデバイスは実装基板に実装され、他のＬＳＩデバイス等と組み合わされて所定の機能を持つシステムが構成される。ＬＳＩデバイスの実装形態には、リード挿入型であるＤＩＰ（Dual In-line Package）型や多ピン化に対応したＰＧＡ（Pin Grid Array）型などがあるが、現在では実装効率の観点から表面実装型であるＢＧＡ（Ball Grid Array ）型が主流になっている。
【０００３】
ＢＧＡ型は、ＬＳＩデバイスの格子状の接続端子に半田等の低融点金属のボールを接合させたもので、そのＬＳＩデバイスを表面実装基板の上に載せて加熱すると、低融点金属のボールがＬＳＩデバイスの接続端子と表面実装基板の接続端子を接合するものである。
【０００４】
図１４は、従来のＢＧＡ型のＬＳＩデバイスの実装工程の説明図で、図１４（１）は実装前の断面図であり、図１４（２）は実装後の断面図である。図１４（１）に示すように、ＬＳＩデバイス１７は、キャップ１４内にチップ１５を有し、チップ１５の接続端子２１は、多層基板１６内の配線２２により多層基板１６の下面に設けられた接続端子１８に接続される。
【０００５】
接続端子１８には、半田等の低融点金属のボール６１が接合されており、それぞれのボール６１は、表面実装基板２０の接続端子１９の上に載るように位置合わせされる。この状態で、半田等の低融点金属の融点以上の温度に加熱する。
【０００６】
図１４（２）は、半田等の低融点金属のボール６１が加熱されて溶融し、ＬＳＩデバイス１７の接続端子１８と表面実装基板２０の接続端子１９を接合した状態を示す。このように従来のＢＧＡ型のＬＳＩデバイス１７は、低融点金属の接続部６２が、ＬＳＩデバイス１７と表面実装基板２０を電気的に接続する同時に機械的に接合する。
【０００７】
図１５は、従来のＢＧＡ型のＬＳＩデバイス１７のボール付け工程と実装工程の概略のフローチャートである。ＬＳＩデバイス１７のボール付け工程では、まず、ＬＳＩデバイス１７の接続端子１８にフラックスを塗布し（Ｓ１）、そのフラックスを塗布した位置にボール６１を仮載せする（Ｓ２）。この場合、フラックスを塗布する工程（Ｓ１）及びボール６１を仮載せする工程（Ｓ２）の両者において、接続端子１８と同じ配列のマスク等の治具が必要である。
【０００８】
次に、ボール６１を接続端子１８に仮載せした状態で、半田等の低融点金属の融点以上の温度に加熱し、ボール６１を接続端子１８に接合する（Ｓ３）。その後、ボール６１と接続端子１８を洗浄して（Ｓ４）ボール付け工程を終了する。
【０００９】
ＬＳＩデバイス１７の実装工程は、まず、表面実装基板２０の接続端子１９に半田等の低融点金属を塗布し（Ｓ５）、ＬＳＩデバイス１７を表面実装基板２０の上に搭載し（Ｓ６）、ボール６１と接続端子１９の位置を合わせる。そして、半田等の低融点金属の融点以上の温度に加熱し、ＬＳＩデバイス１７の接続端子１８を表面実装基板２０の接続端子１９に接合する（Ｓ７）。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ＢＧＡ型のＬＳＩデバイス１７は、実装効率が高く多ピン化への対応も可能であるが、ＬＳＩデバイス１７の接続端子１８に半田等の低融点金属のボール６１を接合するのに多数の工程を要し、接続端子１８にフラックスを塗布しボール６１を仮載せするのに専用マスク等の治具が必要である。
【００１１】
また、半田等の低融点金属の接続部６２は、接続端子１８、１９を電気的に接続する同時に、ＬＳＩデバイス１７と表面実装基板２０を機械的に接合する役目を果たすが、半田等の低融点金属は機械的強度が低く、実装後の信頼性が低いという課題がある。
【００１２】
また、従来のＢＧＡ型のＬＳＩデバイス１７は、半田等の低融点金属の接続部６２の間隔が極めて小さいので、半田ブリッジや微小なゴミにより接続部６２が短絡する恐れがある。更に、接続部６２において信号配線の特性インピーダンスにミスマッチが生じ、ＬＳＩデバイス１７と表面実装基板２０の間の接合部６２でインピーダンス整合がとれず、高速のＬＳＩデバイス１７を表面実装基板２０に搭載した場合に誤動作が生じる恐れがある。
【００１３】
そこで、本発明の目的は、表面実装型のＬＳＩデバイスを表面実装基板に実装する場合に、実装工程を削減することができるＬＳＩデバイスの実装板及びその製造方法を提供することにある。
【００１４】
また、本発明の他の目的は、表面実装型のＬＳＩデバイスを表面実装基板に実装する場合に、実装信頼性を向上することができるＬＳＩデバイスの実装板及びその製造方法を提供することにある。
【００１５】
更に、本発明の他の目的は、表面実装型のＬＳＩデバイスを表面実装基板に実装する場合に、インピーダンス整合が可能なＬＳＩデバイスの実装板及びその製造方法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の一つの側面は、ＬＳＩデバイスの接続端子群に対応して配置された格子状の低融点金属及び樹脂を有する実装板を、ＬＳＩデバイスと表面実装基板の間に配置して熱工程を加え、ＬＳＩデバイスを表面実装基板に実装することを特徴とする。
【００１７】
本発明によれば、従来必要であったボール仮付け工程を省略することができると共に、ボール仮付けのための専用マスク類等の治具が不要になり、実装工程を簡略化することができる。また、低融点金属相互間が樹脂により絶縁されるので、低融点金属が短絡される恐れがない。更に、ＬＳＩデバイスと表面実装基板の接合が樹脂により補強されるので、ＬＳＩデバイスと表面実装基板の接合の機械的強度を向上させることができる。
【００１８】
上記の目的を達成するために、本発明の別の側面は、格子状の第１の接続端子群を有する表面実装型のＬＳＩデバイスを、前記第１の接続端子群に接続される格子状の第２の接続端子群を有する表面実装基板に実装する実装板において、前記第１と第２の接続端子群に対応して配置された格子状の低融点金属と、前記格子状の低融点金属と一体に形成され、前記低融点金属のそれぞれを絶縁する樹脂とを有することを特徴とする。
【００１９】
本発明によれば、ＬＳＩデバイスを表面実装基板に実装する場合において、単一の熱工程により、低融点金属による接合と樹脂による接合を同時に行うことができ、実装工程を簡略化することができる。また、低融点金属による接合が樹脂による接合で補強されるので、実装の機械的強度を向上させることができる。更に、低融点金属の間に樹脂が存在するので、低融点金属が短絡する恐れがなく、信頼性の高い接続を行うことができる。
【００２０】
また、上記の発明において、その好ましい態様は、前記格子状の低融点金属の間に、接地用の導電部材が設けられることを特徴とする。
【００２１】
本発明によれば、格子状の低融点金属の中間に接地用の導電部材が設けられるので、ＬＳＩデバイスと表面実装基板をストリップライン構造又は同軸構造に近いシールド構造で接続することができる。従って、ＬＳＩデバイスと表面実装基板の間の接続端子においてもインピーダンスを整合させることができると共に、低融点金属相互間の干渉がなくなり、外部からのノイズの侵入を防止することができる。
【００２２】
また、上記の発明において、その好ましい態様は、前記格子状の低融点金属の間に、スリット又は前記樹脂と熱膨張係数が異なる部材が設けられることを特徴とする。
【００２３】
本発明によれば、格子状の低融点金属の中間にスリット又は熱膨張係数が異なる部材が設けられるので、実装するＬＳＩデバイスの熱膨張による変形を吸収することができる。従って、ＬＳＩデバイス及び表面実装基板に無理な力が加わることを防止し、実装の機械的強度を向上させることができる。
【００２４】
更に、上記の発明において、その好ましい態様は、前記ＬＳＩデバイスが接合される面に、前記ＬＳＩデバイスを嵌め込み可能な窪みが設けられることを特徴とする。
【００２５】
本発明によれば、ＬＳＩデバイスが接合される面にＬＳＩデバイスを嵌め込み可能な窪みが設けられるので、ＬＳＩデバイスと実装板の位置合わせが容易になり、実装工程を簡略化することができる。更に、実装板の周辺部の樹脂がＬＳＩデバイスの側面を表面実装基板に接合するので、ＬＳＩデバイスの実装強度を向上させることができる。
【００２６】
また、上記の目的を達成するために、本発明の別の側面は、格子状の第１の接続端子群を有する表面実装型のＬＳＩデバイスを、前記第１の接続端子群に接続される格子状の第２の接続端子群を有する表面実装基板に実装する実装板の製造方法において、棒状の低融点金属と棒状の樹脂とを、前記棒状の低融点金属及び棒状の前記樹脂の長手方向に垂直な方向に、かつ、前記低融点金属が前記第１と第２の接続端子群に対応するように交互に重ね合わせて直方体を形成し、前記直方体を、前記樹脂の硬化温度より低い温度で加熱して一体化し、一体化した前記直方体を、前記棒状の低融点金属及び前記棒状の樹脂の長手方向に垂直な方向に所定の厚さに切断することを特徴とする。
【００２７】
本発明によれば、棒状の低融点金属と棒状の樹脂を重ね合わせて実装板を形成するので、多種多様なＬＳＩデバイスの接続端子の配列に対して、低融点金属の棒の配列を容易に対応させることができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態例を説明する。しかしながら、かかる実施の形態例が、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
【００２９】
図１は、本発明の実施の形態の実装板の構成図である。本実施の形態の実装板１３は、図１（１）に示すように、例えば０．５〜０．６ｍｍ程度の厚さｔを有し、実装するＬＳＩデバイスと表面実装基板の接続端子に対応して格子状に配置された半田等の低融点金属１２と、低融点金属１２と一体に形成され、低融点金属１２のそれぞれを絶縁する硬化前のエポキシ等の樹脂１１とを有する。
【００３０】
図１（２）は、本実施の形態の実装板１３をＬＳＩデバイス１７と表面実装基板２０の間に配置した接合前の断面図である。即ち、実装板１３の低融点金属１２は、ＬＳＩデバイス１７の接続端子１８と表面実装基板２０の接続端子１９に対応する位置に位置決めされ、低融点金属１２の融点以上の温度に加熱されて接続端子１８と接続端子１９を接合する。なお、樹脂１１は、低融点金属１２の融点より低い硬化温度を有する。
【００３１】
図１（３）は、実装板１３が低融点金属１２の融点以上の温度に加熱され、ＬＳＩデバイス１７が表面実装基板２０に実装された場合の部分拡大図である。図１（３）に示すように、低融点金属１２は、溶融後に硬化し、多層基板１６の接続端子１８と表面実装基板２０の接続端子１９を接合する。一方、樹脂１１は、低融点金属１２の溶融後に硬化し、多層基板１６と表面実装基板２０の対向面の接続端子１８、１９以外の部分を接合する。
【００３２】
このように本実施の形態の実装板１３を使用すれば、ボール付け工程が不要になり実装工程が簡略化されると共に、リフロー等の熱工程により、低融点金属１２による接合と樹脂１１による接合を同時に行うことができる。
【００３３】
従って、表面実装型のＬＳＩデバイス１７を表面実装基板２０に実装する場合に、低融点金属１２による接合が樹脂１１による接合で補強されるので、実装の機械的強度を向上させることができる。また、低融点金属１２の間には絶縁物である樹脂１１が存在するので、低融点金属１２が短絡する恐れがなく、信頼性の高い接続を行うことができる。
【００３４】
図２は、本実施の形態の加熱工程の温度変化の例である。図２では、低融点金属１２として融点が１８３℃の半田を用い、樹脂１１の硬化温度が約１５０℃の場合について説明する。
【００３５】
図１（２）のように、実装板１３をＬＳＩデバイス１７と表面実装基板２０の間に挿入した状態で、時間ｔ1 から時間ｔ２まで温度を約１５０℃に保持する。この期間は、例えば約５〜６分であり、樹脂１１が溶融しながら徐々に硬化し、フラックスが活性化して半田の接合が容易になる。
【００３６】
次に、樹脂１１の硬化が完了する前に、時間ｔ２から時間ｔ３までの例えば約１０〜２０秒間、１８３℃以上の温度に加熱する。この期間に半田が溶融し、表面実装基板２０の接続端子１９と多層基板１６の接続端子１８との間で、実装板１３が微妙に動き、正しい位置に自動的に位置合わせされる。時間ｔ３以降は温度を降下させて半田を硬化させ、実装工程を終了する。
【００３７】
このように本実施の形態の実装板１３は、溶融した半田と硬化前の樹脂１１により正しい位置に自動的に位置合わせされるので、多層基板１６と表面実装基板２０の接続端子１８、１９の多少のずれを吸収し、機械的強度の高い接合を行うことができる。
【００３８】
図３は、本発明の実施の形態の実装板１３の製造工程の説明図である。本実施の形態の実装板１３を製造するには、まず、図３（１）に示す所定の長さの半田等の低融点金属の棒２５と、図３（２）に示す硬化前のエポキシ等の樹脂の棒２６を交互に重ね合わせ、図３（３）に示すように、半田等の低融点金属の棒２５が実装するＬＳＩデバイス１７の接続端子１８の配列と同じになるような直方体２７を形成する。
【００３９】
次に、この直方体２７を樹脂硬化温度よりも低い温度で加熱し、低融点金属の棒２５と樹脂の棒２６を接合させて一体化する。そして、一体化した直方体２７を、図１（１）のように所定の厚さｔに切り出して実装板１３を形成する。
【００４０】
このように本実施の形態の実装板１３は、低融点金属の棒２５と樹脂の棒２６を重ね合わせて形成するので、多種多様なＬＳＩデバイス１７の接続端子１８の配列に対して、低融点金属の棒２５の配列を容易に対応させることができる。
【００４１】
図４は、本発明の他の実施の形態の実装板１３の製造工程の説明図である。本実施の形態の実装板１３は、図３の場合と同様に、半田等の低融点金属の棒２５と硬化前のエポキシ等の樹脂の棒２６を交互に重ね合わせ、図４（３）に示すような直方体２７を形成する。
【００４２】
ただし本実施の形態では、図４（２）に示すように、樹脂の棒２６が低融点金属の棒２５の周囲を囲むように構成されるので、以下に示すように、低融点金属の棒２５を任意の形状にすることができる。
【００４３】
図５は、本発明の他の実施の形態の実装板１３の説明図である。本実施の形態の実装板１３は、図４に示したように、樹脂の棒２６が低融点金属の棒２５の周囲を囲むように構成されるので、低融点金属１２の断面形状を、ＬＳＩデバイス１７及び表面実装基板２０の接続端子１８、１９の形状に合わせて任意の形状にすることができる。
【００４４】
即ち、図５（１）は低融点金属１２の断面が円の場合であり、図５（２）は菱形の場合であり、図５（３）は楕円の場合である。本実施の形態の実装板１３によれば、低融点金属１２の断面形状をＬＳＩデバイス１７及び表面実装基板２０の接続端子１８、１９の形状に合わせることができ、実装の機械的強度を向上させることができる。
【００４５】
図６は、本発明の他の実施の形態の実装板１３の断面図である。本実施の形態の実装板１３は、図４の場合とほぼ同様の構成であるが、低融点金属１２を囲む一組の樹脂１１と他の一組の樹脂１１の間に、例えば、金属板、金属箔又は金属網等の導電部材３１を一方向に挿入する。そして、それぞれの導電部材３１は、接続線３２により表面実装基板２０の接地端子に接続される。
【００４６】
本実施の形態の実装板１３によれば、ＬＳＩデバイス１７及び表面実装基板２０の間をストリップライン構造で接続することができ、実装板１３の部分においても信号線のインピーダンスを整合させることができる。
【００４７】
図７は、本発明の他の実施の形態の実装板１３の断面図である。本実施の形態の実装板１３は、図６の場合とほぼ同様の構成であるが、低融点金属１２を囲む一組の樹脂１１と他の一組の樹脂１１の間に導電部材３１を縦・横両方向に挿入する。そして、それぞれの導電部材３１は、接続線３２により表面実装基板２０の接地端子に接続される。
【００４８】
本実施の形態の実装板１３によれば、ＬＳＩデバイス１７及び表面実装基板２０を同軸構造に近いシールド構造で接続することができ、低融点金属１２相互間の干渉がなくなり、また、外部からのノイズの侵入を防止することができる。
【００４９】
図８は、本発明の他の実施の形態の実装板１３の製造工程の説明図である。本実施の形態の実装板１３は、図４の場合と同様に、半田等の低融点金属の棒２５と硬化前のエポキシ等の樹脂の棒２６を交互に重ね合わせ、図８（３）に示すような直方体２７を形成する。ただし、本実施の形態の樹脂の棒２６は、図８（２）に示すような切り欠き３５が設けられる。
【００５０】
この直方体２７を加熱して一体化し、所定の厚さｔに切り出して実装板１３が形成されるが、本実施の形態の実装板１３は、樹脂１１の中に、図８（３）に示すスリット３６が形成される。従って、スリット３６がＬＳＩデバイス１７の熱膨張による変形を吸収し、ＬＳＩデバイス１７及び表面実装基板２０に無理な力が加わることを防止し、実装の機械的強度を向上させることができる。
【００５１】
図９は、本発明の他の実施の形態の実装板１３の製造工程の説明図である。本実施の形態の実装板１３は、図８に示した構造とほぼ同様であるが、図９（１）に示す半田等の低融点金属の棒２５と、図９（２ａ）に示す硬化前のエポキシ等の樹脂の棒２６と、図９（２ｂ）に示す熱膨張係数が異なる部材の棒４１を交互に重ね合わせ、図９（３）に示すような直方体２７を形成する。この場合に、樹脂の棒２６は、熱膨張係数が異なる部材の棒４１が嵌め込まれる切り欠き３５が設けられる。
【００５２】
この直方体２７を加熱して一体化し、所定の厚さｔに切り出して実装板１３が形成されるが、本実施の形態の実装板１３は、樹脂１１の中に、図９（３）に示す熱膨張係数が異なる部材の棒４１が組み込まれる。
【００５３】
従って、熱膨張係数が異なる部材４１により、実装するＬＳＩデバイス１７の熱膨張による変形を補償できるので、表面実装基板２０及びＬＳＩデバイス１７に無理な力が加わることを防止し、実装の信頼性を向上させることができる。
【００５４】
図１０は、本発明の他の実施の形態の実装板１３の構成図である。本実施の形態の実装板１３は、図１０（１）に示すように、半田等の低融点金属１２と硬化前のエポキシ等の樹脂１１が一体に形成され、ＬＳＩデバイス１７が実装される面に、ＬＳＩデバイス１７が嵌め込まれる窪み４５が設けられる。また、窪み４５には、ＬＳＩデバイス１７の嵌め込み方向を規定するインデックス４６が設けられる。
【００５５】
図１０（２）は、実装板１３をＬＳＩデバイス１７と表面実装基板２０の間に配置した加熱前の断面図である。即ち、本実施の形態では、ＬＳＩデバイス１７は、実装板１３の窪み４５に嵌め込まれ、表面実装基板２０と位置合わせが行われる。このため、本実施の形態の実装板１３では、ＬＳＩデバイス１７の接続端子１８と実装板１３の位置合わせが省略でき、実装工程を簡略化することができる。
【００５６】
図１０（３）は、実装板１３が低融点金属１２の融点以上の温度に加熱され、ＬＳＩデバイス１７が表面実装基板２０に実装された場合の部分拡大図である。図１０（３）に示すように、低融点金属１２は、溶融後に硬化して多層基板１６に設けられた接続端子１８と、表面実装基板２０の接続端子１９を接合する。一方、樹脂１１は、溶融後に硬化して、多層基板１６と表面実装基板２０の対向面の接続端子１８、１９以外の部分を接合する。更に、本実施の形態の実装板１３は、周辺部の樹脂１１がＬＳＩデバイス１７の側面を表面実装基板２０に接合するので、ＬＳＩデバイス１７の実装強度を向上させることができる。
【００５７】
図１１は、本発明の実施の形態の実装板１３の製造方法の説明図である。本実施の形態の実装板１３の製造方法は、型５１の中にＬＳＩデバイス１７の接続端子１８に対応するように低融点金属の棒２５を立てて配列し、型５１の中に溶融させた熱可塑性の樹脂を流し込む。その後、樹脂を冷却し、樹脂と低融点金属の棒２５が一体化した直方体を形成する。一体化した直方体を、低融点金属の棒２５の長手方向に垂直な方向に所定の厚さｔに切断して実装板１３を形成することは上述の実施の形態と同様である。
【００５８】
本実施の形態の実装板１３の製造方法によれば、型５１の中に溶融させた熱可塑性の樹脂を流し込むので、樹脂と低融点金属の棒２５が一体化した直方体を容易に形成することができる。
【００５９】
図１２は、本発明の他の実施の形態の実装板１３の製造方法の説明図である。本実施の形態の実装板１３の製造方法は、型５１の中にＬＳＩデバイス１７の接続端子１８に対応するように低融点金属の棒２５を横に並べて配列し、型５１の中に溶融させた熱可塑性の樹脂を流し込む。その後に実装板１３を形成する工程は、上述の実施の形態と同様である。
【００６０】
本実施の形態の実装板１３の製造方法においても、型５１の中に溶融させた熱可塑性の樹脂を流し込むので、樹脂と低融点金属の棒２５が一体化した直方体を容易に形成することができる。
【００６１】
図１３は、本発明の他の実施の形態の実装板１３の製造工程の説明図である。本実施の形態の実装板１３は、金属板等の導電部材５５に、エッチング又は機械加工により大口径の孔５６と小口径の孔５７を設け、その孔５６、５７の中に、小口径の孔５７とほぼ同じ口径の低融点金属の棒２５を挿入する。
【００６２】
次に、大口径の孔５６と低融点金属の棒２５の間に溶融させた熱可塑性の樹脂を流し込み、樹脂と低融点金属の棒２５及び導電部材５５が一体になった直方体２７を形成する。
【００６３】
次に、一体化した直方体２７を使用する厚さに切断し、実装板１３を形成することは上述の実施の形態と同様である。本実施の形態の実装板１３によれば、低融点金属１２が樹脂により絶縁されるので、低融点金属１２が短絡する恐れがない。また、ＬＳＩデバイス１７と表面実装基板２０の接合が樹脂により補強されるので、ＬＳＩデバイス１７の実装信頼性を向上させることができる。
【００６４】
また、小口径の孔５７に挿入した低融点金属１２を接地すれば、導電部材５５は接地電位になる。従って、本実施の形態の実装板１３は、同軸構造に近いシールド構造をとることができ、高速のＬＳＩデバイスを実装した場合の誤動作を減少させることができる。
【００６５】
本発明の保護範囲は、上記の実施の形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された発明とその均等物に及ぶものである。
【００６６】
【発明の効果】
以上、本発明によれば、従来必要であったボール仮付け工程を省略することができると共に、ボール仮付けのための専用マスク類等の治具が不要になり、実装工程を簡略化することができる。また、低融点金属相互間が樹脂により絶縁されるので、低融点金属が短絡される恐れがない。更に、ＬＳＩデバイスと表面実装基板の接合が樹脂により補強されるので、ＬＳＩデバイスと表面実装基板の接合の機械的強度を向上させることができる。
【００６７】
また、本発明によれば、格子状の低融点金属の中間に接地用の導電部材が設けられるので、ＬＳＩデバイスと表面実装基板をストリップライン構造又は同軸構造に近いシールド構造で接続することができる。従って、ＬＳＩデバイスと表面実装基板の間の実装板においてもインピーダンスを整合させることができると共に、低融点金属相互間の干渉がなくなり、外部からのノイズの侵入を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の実装板の構成図である。
【図２】加熱工程の温度変化の例である。
【図３】本発明の実施の形態の実装板の製造工程の説明図である。
【図４】本発明の他の実施の形態の実装板の製造工程の説明図である。
【図５】本発明の実施の形態の実装板の導体部の形状例である。
【図６】一方向に導電部材を挿入した実装板の断面図である。
【図７】縦・横両方向に導電部材を挿入した実装板の断面図である。
【図８】本発明の他の実施の形態の実装板の製造工程の説明図である。
【図９】本発明の他の実施の形態の実装板の製造工程の説明図である。
【図１０】本発明の他の実施の形態の実装板の構成図である。
【図１１】低融点金属を立てて配列し、溶融させた樹脂を流し込む製造方法の説明図である。
【図１２】低融点金属を横に配列し、溶融させた樹脂を流し込む製造方法の説明図である。
【図１３】本発明の他の実施の形態の実装板の製造工程の説明図である。
【図１４】従来のＬＳＩデバイスの実装工程の説明図である。
【図１５】従来のボール付け工程と実装工程のフローチャートである。
【符号の説明】
１１  樹脂
１２  低融点金属
１３  実装板
１７  ＬＳＩデバイス
１８、１９  接続端子
２０  表面実装基板
２５  低融点金属の棒
２６  樹脂の棒
２７  直方体
３１、５５  導電部材
３６  スリット
４１  熱膨張係数の異なる部材の棒
４５  窪み
５１  型
５６、５７  孔
【図１】
0004124544.tif 000002
【図２】
0004124544.tif 000003
【図３】
0004124544.tif 000004
【図４】
0004124544.tif 000005
【図５】
0004124544.tif 000006
【図６】
0004124544.tif 000007
【図７】
0004124544.tif 000008
【図８】
0004124544.tif 000009
【図９】
0004124544.tif 000010
【図１０】
0004124544.tif 000011
【図１１】
0004124544.tif 000012
【図１２】
0004124544.tif 000013
【図１３】
0004124544.tif 000014
【図１４】
0004124544.tif 000015
【図１５】
0004124544.tif 000016