(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
間隔を開けて配置された複数のローラーを具備し、かつコーティングされるガラス板を支持する支持体、
前記ガラス板の上側表面にコーティングをスパッタリングするための、スパッタリング容器内において前記支持体の上方に配置された上側ターゲット、及び
前記ガラス板の下側表面にコーティングをスパッタリングするための、スパッタリング容器内において前記支持体の下側に配置された下側ターゲットを具備している、コーティング装置を１回通過させることによって１つのガラス板の２つの面にコーティングするコーティング装置。
【請求項２】
前記上側ターゲット及び前記下側ターゲットを、単一のスパッタリング容器が具備している、請求項１に記載のコーティング装置。
【請求項３】
前記上側ターゲットを、第１のスパッタリング容器が具備しており、且つ前記下側ターゲットを、第２のスパッタリング容器が具備している、請求項１に記載のコーティング装置。
【請求項４】
それぞれ前記支持体の上側又は下側に提供された上側又は下側ターゲットを有する追加のスパッタリング容器を更に具備している、請求項１に記載のコーティング装置。
【請求項５】
前記ローラー間で、前記下側ターゲットが、上向きにスパッタリングするように配置される請求項１〜４のいずれかに記載のコーティング装置。
【請求項６】
前記ガラス板の外部用表面が下向きで前記ローラー上に接触するようにして、前記ガラス板を前記ローラー上で運ばれるために、前記ローラーが配置される請求項１〜５のいずれかに記載のコーティング装置。
【請求項７】
前記下側ターゲットのスパッタリングの間及び前記上側ターゲットのスパッタリングの間に、前記ガラス板を前記ローラー上で水平に移動するように、前記ローラーが、配置される請求項１〜６のいずれかに記載のコーティング装置。
【請求項８】
前記上側ターゲットを下向きにスパッタリングすることによって堆積させる前記コーティングが、低放射性積層体の誘電体層である、請求項１〜７のいずれかに記載のコーティング装置。
【請求項９】
前記上側ターゲットを下向きにスパッタリングすることによって堆積させる前記コーティングが誘電体層を含み、且つ前記下側ターゲットを上向きにスパッタリングすることによって堆積させる前記コーティングが誘電体層を含む、請求項１〜８のいずれかに記載のコーティング装置。
【請求項１０】
前記誘電体層が共に酸化物層である、請求項９に記載のコーティング装置。
【請求項１１】
それぞれの前記ローラーが、そのローラーにらせん状に巻き付けられたロープを有する、請求項１〜１０のいずれかに記載のコーティング装置。
【請求項１２】
前記下側ターゲットに近接する下側アノード、及び前記上側ターゲットに近接する上側アノードを有する、請求項１〜１１のいずれかに記載のコーティング装置。
【請求項１３】
前記下側ターゲットに近接する支持体の下側に配置された下側ガス分配管路、前記上側ターゲットに近接する支持体の上側に配置された上側ガス分配管路を有する、請求項１〜１２のいずれかに記載のコーティング装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
［発明の分野］
本発明は、コーティング装置を１回通過させることによって１つのガラス板の２つの面にコーティングをする方法及び装置に関する。
【０００２】
［発明の背景］
基材の両方の面にスパッタリングによるコーティングを具備させるには、ガラスを手動で扱ってひっくり返しそしてコーティング装置に戻して通さなければならず、又は製造プロセスの間に同じ箇所で基材を保持してひっくり返す複雑なガラス取り扱い設備を使用しなければならなかった。
【０００３】
［発明の概略］
本発明の１つの方法では、コーティング装置を１回通過させることによって１つのガラス板の２つの面にコーティングをする。この本発明の方法は、清浄な内部用表面及び清浄な外部用表面を有するガラス板と、各々がガラス板のための支持体を有する一連のスパッタリング容器を含むスパッタリングラインとを提供すること、ここで、前記スパッタリング容器のうちの少なくとも１つは、前記支持体の上方に位置する上側ターゲットを有する下向きスパッタリング容器であり、少なくとも１つの他のスパッタリング容器は、前記支持体の下方に位置する下側ターゲットを有する上向きスパッタリング容器である；
前記内部用表面が前記上側ターゲットに向くようにして前記下向きスパッタリング容器の支持体上に前記ガラス板を配置し、前記上側ターゲットをスパッタリングして、前記ガラスの前記内部用表面及び前記ガラスの前記内部用表面に予め堆積している積層体のうちの一方に、直接にコーティングを堆積させること；
前記外部用表面が前記下側ターゲットに向くようにして前記上向きスパッタリング容器の支持体上に前記ガラス板を配置し、前記下側ターゲットをスパッタリングして、前記ガラスの外部用表面及びこのガラスの外部用表面に予め堆積している積層体のうちの一方に、コーティングを堆積させること；
を含み、前記内部用表面が前記外部用表面の上側に位置する一定の向きを維持しながら、前記ガラスの前記内部用表面と前記外部用表面の両方にコーティングをする。
【０００４】
また本発明の他の方法では、コーティング装置を１回通過させることによって１つのガラス板の２つの面にコーティングをする。この本発明の方法は、（ａ）内部用表面及び外部用表面を有するガラス板と、基材支持体、この支持体の上方に位置する上側ターゲット及びこの支持体の下方に位置する下側ターゲットを有する２方向スパッタリング容器とを提供すること；
（ｂ）前記内部用表面が前記上側ターゲットに向くようにし且つ前記外部用表面が前記下側ターゲットに向くようにして、前記２方向スパッタリング容器の前記支持体上に、前記ガラス板を配置すること；並びに
（ｃ）前記ガラス板を前記２方向スパッタリング容器内に維持したままで、
（ｉ）前記上側ターゲットをスパッタリングして、前記ガラス板の内部用表面及び前記ガラス板の内部用表面に予め堆積している積層体のうちの一方に、コーティングを堆積させ；且つ
（ｉｉ）前記下側ターゲットをスパッタリングして、前記ガラス板の外部用表面及び前記ガラス板の外部用表面に予め堆積している積層体のうちの一方に、コーティングを堆積させること、
を含む。
【０００５】
この本発明の方法では、基材支持体が間隔を開けて配置されたローラーを有し、これらのローラー間で、下側ターゲットを上向きにスパッタリングすることができる。また、ガラス板の外部用表面のコーティングがローラーに直接に接触するようにして、ガラス板をローラー上で運ぶことができる。
【０００６】
本発明のコーティング装置では、コーティング装置を１回通過させることによって１つのガラス板の２つの面にコーティングをすることができる。この本発明の装置は、コーティングされるガラス板を支持する支持体、ガラス板の上側表面にコーティングをスパッタリングするための、スパッタリング容器内において支持体の上方に配置された上側ターゲット、及びガラス板の下側表面にコーティングをスパッタリングするための、スパッタリング容器内において支持体の下側に配置された下側ターゲット、を具備している。
【０００７】
この本発明の装置では、上側ターゲット及び下側ターゲットを、単一のスパッタリング容器が具備していてよい。また、この本発明の装置では、上側ターゲットを、第１のスパッタリング容器が具備しており、且つ下側ターゲットを、第２のスパッタリング容器が具備していてよい。またこの本発明の装置は、それぞれ支持体の上側又は下側に提供された上側又は下側ターゲットを有する追加のスパッタリング容器を更に具備していてよい。また更にこの本発明の装置では、支持体が、間隔を開けて配置された複数のローラーを具備していてよい。
【０００８】
［好ましい態様の詳細な説明］
後に続く説明における「内部用」及び「外部用」面の呼称は任意のものである。しかしながら、殆どの状況において、前記外部用面は汚れ及び水等と接触し得る周囲環境に曝されている。内部用面が同様な周囲環境に向いていてもよい。
【０００９】
図１は、本発明の１つの態様による２方向スパッタリング容器を概略的に示したものである。マグネトロンスパッタリング容器は当技術分野で周知であり、種々の供給者から商業的に入手可能である。そのようなマグネトロンスパッタリング容器の完全な解説は本発明の範囲を超えるが、そのような装置の１つの比較的有用な構造は、米国特許第５，６４５，６９９号明細書（Ｓｉｅｃｋ）で開示されており、その教示はここで参照することにより本発明の記載に含める。
【００１０】
それでも一般的にいえば、マグネトロンスパッタリングは、基材上に堆積させる金属又は誘電体でできたターゲットを提供することを含む。このターゲットは負の電荷を供給され、比較的正に荷電したアノードをこのターゲットに近く配置する。比較的少量の望みのガスを前記ターゲットの近くで室内に導入することにより、そのガスのプラズマを得ることができる。このプラズマ中の原子はこのターゲットに衝突し、このターゲットからターゲット物質を叩き出し、それをコーティングされるべき基材の上にスパッタリングする。ターゲットの後ろにマグネットを加えて、プラズマを形成すること、及びターゲット表面の近くの領域にプラズマを集中させることを助けることも知られている。
【００１１】
図１において、コーティングするガラス板１０は、スパッタリング容器２００の長さに沿って間隔をあけて配置された複数の支持ローラー２１０上に置かれる。これらローラー２１０間の正確な間隔は様々でよいが、以下により詳しく説明するように、これらのローラーは、下側ターゲット２６０からの有効なコーティング面積を増すために、スパッタリング容器２００の少なくとも一部の長さにわたって比較的間隔を開けて配置することが好ましい。
【００１２】
図示された態様において、ガラス板１０はこれらローラーを横切って水平に、例えば、左から右に移動するようにされている。ガラス板は、内部用表面１４が上方を向き、外部用表面１２が下方を向くようにして、ローラー２１０の上に載っている。（これは恐らく最も典型的な配置であるが、上側ターゲット２００及び下側ターゲット２６０も反対にするならば、スパッタリング容器２００内のガラスの相対的向きを変えることができると理解されるべきである。その結果、これらのターゲットを「上側」及び「下側」ターゲットと呼ぶことは、単に便宜上の目的であり、これらの要素のスパッタリング容器内での相対的向きは、望むならば容易に反対に出来る。）
【００１３】
図１に示したスパッタリング容器２００は、間隔をあけて配位された２つの上部スパッタリングターゲット２２０ａ及び２２０ｂを有する。これらのターゲットは平らなターゲットでありうるが、それらはいわゆるロータリーターゲット又はシリンダー状ターゲットとして示されている。これらのターゲットは、一般に相互に平行に配列されており、複数のアノード２３０は水平に拡がって一般にこれらのターゲットに平行である。米国特許第５，６４５，６９９号明細書で提案されているように、中間アノード２３０をこれら２つのターゲットの間に配置してもよい。
【００１４】
ターゲット２２０ａ及び２２０ｂの近くでスパッタリング容器にスパッタリングガスを供給するために、ガス分配装置が用いる。種々のガス分配装置が当技術分野で知られているが、この分配装置は、ほぼターゲットに向いて間隔をあけて配置された複数の開口部又はノズルを有する一対のパイプ２３５を有していてもよい。
【００１５】
マグネトロンスパッタリング容器中のガラス基材の上に配置された多数のターゲットの使用は、この分野においてかなり一般的なものである。それでも、図１のスパッタリング容器２００の特異な面は、「下側」ターゲット２６０の存在である。上側ターゲット２２０ａ及び２２０ｂと同様に、下側ターゲット２６０は、安定なプラズマを得るために、充分に接近した少なくとも１つ、好ましくは２つのアノード２７０を提供されている。上側ターゲット２２０ａ及び２２０ｂの近くに示された前記ガス分配パイプ２３５が下側ターゲット２６０から遠いことは望ましくなく、ガラス１０が中間に存在することはスパッタリング容器２００を２つの分離した機能領域に実質的に分割する。従って、ターゲットに近接したプラズマにガスを安定して供給することを確実にするために、下側ターゲット２６０に近接したガスの下方に別のガス分配パイプ２７５を配置することが好ましい。そのようなことが望まれるならば、下側パイプ２７５及び上側パイプ２３５は同じガス分配系の一部であってもよい、即ち、両方の一連のパイプは単一のガス供給に接続され得る。
【００１６】
下側パイプ２７５によって供給されるガスの性質は、少なくともある程度、スパッタリングターゲット２６０の性質に依存する。従来のマグネトロンスパッタリングにおいては、前記ターゲットはカソードとして働かなければならない。シリカを堆積させようとする場合、ＳｉＯ２の誘電性の故に、シリカターゲットを用いて信頼できるスパッタリングをするのは、非常に難しいことがある。その結果、ターゲットはシリカよりも金属シリコンからなるのが好ましい。ガラスの外部用表面１２上に実際に堆積させる物質は、下側ガス分配パイプ２７５を通して供給されるガス中に酸素を添加することによってシリカに転換できる。
【００１７】
連続的なガラス板１０はスパッタリング容器を効果的に分離するが、これはこの容器の１つの領域に導入されたガスがこの容器内の他の場所に移動することを妨げるものではない。下側ターゲット２６０は酸化性雰囲気中でスパッタリングされる金属シリコンを含むことが好ましいので、上側ターゲット２２０ａ及び２２０ｂのスパッタリングは、下側パイプ２７５を通して導入されることのある過剰な酸素の存在によって悪影響を受けないのが重要である。これは、このガラス板の一方の側にシリカコーティングを、他方の表面上に酸素感受性の金属を堆積するために、この２方向スパッタリング容器２００を使用することを実質的に排除することもある。
【００１８】
より有利には、図１の２方向スパッタリング容器は、ガラスの内部用表面１４上に誘電体層を堆積させ、且つ同じスパッタリング容器でシリカコーティングをこのガラスの外部用表面１２上に堆積させるのに使用できる。窒化物中にいくらかの金属酸化物が導入されるのが、適用するコーティングに悪影響を与えない限り、スパッタリングされる誘電体は窒化物等であってもよい。もっとも、理想的には、２組のパイプ２３５及び２７５を通して導入されるガスの何らかの混入が、誘電体層又は水をシリカコーティングに悪影響を与えないように、内部用表面１４に適用する誘電体層は、酸化物（又は少なくとも部分酸化物）である。例えば、ターゲット２２０ａ及び２２０ｂの一方又は両方は金属チタン又はＴｉＯｘ（ここで、１＜ｘ＜２）でできていてよく、ガス分配パイプ２３５及び２７５の両方の組を通して導入されるガスは、アルゴン及び酸素の適当に釣り合わされた混合物を含んでいてよい。
【００１９】
従来のマグネトロンスパッタリング容器では、ガラスを支持するために使用されるローラー２１０間の間隔は、比較的小さいガラス基材をこれらローラーの間に落とす危険性なしに加工できるようにするために、かなり小さく保たれる。もっとも、ガラスの外部用表面１２上にシリカコーティングを適用するときには、これらローラーによる影響を最小にするために、この間隔を広げてもよい。最大安全間隔は、予想されるガラスサイズの与えられた範囲について、ケースバイケースで決定する必要がある。しかしながら、下側ターゲット２６０からガラスの外部用表面１２への経路に配置されたローラー間の間隔が大きければ大きいほど、ガラスに堆積するスパッタリングされたシリカの割合は増加する。当然に、スパッタリング設備の他の領域のローラーは、それらの通常の間隔を維持することができる。２方向スパッタリング容器２００のローラーのうちのいくつかは容易に取り除けるようにして、容器を、図示された形状から、ガラスの片方の面のみをコーティングし且つ互いに比較的狭い間隔で配置されたローラーを有する比較的一般的に操作される容器に変化させることができるようにすることも望ましいことがある。
【００２０】
ローラー間の間隔を変化させる代わりに、ローラーの直径を比較的小さくすることができる。従来のローラーは中空の金属管である。所望であれば、この直径が比較的小さいローラーは、例えば硬質の発泡体を充填することによって強化することができる。支持体に沿うガラスの同じ輸送速度を維持するために、これらの比較的直径が小さいローラーは、例えば所望のギア比を有する一対のギアによって、より速く回転させなければならない。
【００２１】
ローラー２１０は任意の従来の形状のものでよい。ケブラー（商標）のロープをらせん状に巻き付けたシリンダー状アルミニウムローラーを使用することによって良い結果が得られることが見出されている。ここで、ケブラー（商標）はガラスが直接に接触する表面を提供している。
【００２２】
いくらかの特定の用途では、図１の２方向スパッタリング容器２００は、ガラスの内部用表面と外部用表面の両方に所望のコーティングの全てを適用するのに十分なことがある。しかしながら比較的一般的に、スパッタリング容器２００は、一連のスパッタリング容器を含むスパッタリングラインの一部である。このラインのそれぞれのスパッタリング容器は、上側ターゲットと下側ターゲットの両方を具備することができるが、最も一般的な用途では、ガラスの上側表面に適用する積層体が比較的複雑であり（すなわち、様々な組成の一連の別個の層を含み）、且つガラスの下側表面に適用するコーティングよりも厚い。結果として、スパッタリング容器の大部分は、上側ターゲットのみを具備して支持体の下に配置された下側ターゲットを具備しない従来の下向きスパッタリング容器を構成する。
【００２３】
スパッタリングラインが下向きスパッタリング容器と２方向スパッタリング容器２００の組み合わせを含む場合、スパッタリングラインにおける２方向スパッタリング容器の位置は変化させることができる。シリカコーティングを、酸化雰囲気でのシリコン含有ターゲット（例えば、主にシリコンで作られたターゲット又はアルミニウムでドープされたシリコンで作られたターゲット）のスパッタリングによって適用する場合、この容器においてガラスの上側表面に、酸化可能な金属の層（例えば、低放射性積層体において通常使用されるタイプの赤外線反射性銀層）を堆積させようとしないべきである。従って、金属層を堆積させるために使用するこれらのスパッタリング容器だけでも、下側ターゲットなしで下向きスパッタリング容器として操作することができる。しかしながら、同じ容器において、ガラスの上側表面に金属酸化物（例えば、ＳｉＯ３、ＺｎＯ、又はＳｎＯ２）を堆積させることは可能である。
【００２４】
図１において示されるような２方向スパッタリング容器２００は、ガラス板の両側に適用するコーティングのコストを最少化し製造効率を最大化すると考えられる。あまり望ましくないが、一方の面のコーティングを１回目の通過で適用し、他方の面のコーティングを２回目の通過でガラスの他の面に適用することができる。ここでは、通過の間にガラスを裏返しにすることによって、容器の支持体の同じ側に全てのターゲットを配置することを可能にする。しかしながらこれは、先に概略を示した方法に比べて効率が良くなく、低コストの商業的なガラスの製造には適当でないと考えられる。
【００２５】
ガラス基材は容器を通って移動するので、このガラスが、上側ターゲット２００ａ及び２００ｂを下側ターゲット２６０から効果的に保護しないとき又は下側ターゲットを上側ターゲットから効果的に保護しないときがある。結果として、上側ターゲットからの物質が下側ターゲットに堆積し、また下側ターゲットからの物質が上側ターゲットの片方又は両方に堆積することがある。図１のスパッタリング容器２００は、上側ターゲット２２０ａ及び２２０ｂの組成が下側ターゲット２６０の組成と実質的に同じ場合に理想的である。上側ターゲットと下側ターゲットの組成が異なる場合、異なるターゲットの相互汚染は、スパッタリング又は製品の一貫した品質の維持に問題をもたらすことがある。
【００２６】
少なくとも理論的には、それぞれのスパッタリングターゲットへの電力供給を独立に制御して、ガラス板が上側及び下側のターゲットを互いに保護しする位置にある場合にのみそれぞれのターゲットをスパッタリングすることを確実にすることによって、この問題を解決することができる。しかしながら、現在商業的に入手することができる電力供給制御装置は、この様な様式にはなっていない。更に、一定の大きさではなく様々な大きさのガラス基材をコーティングするためにこのスパッタリングラインを使用する場合、そのような設定のための制御理論は非常に困難なことがある。
【００２７】
図２は、１つの可能なスパッタリング容器３００を示している。このスパッタリング容器３００を使用して、スパッタリングターゲットの有意の相互汚染をなくして、一回の通過で基材の内部用表面１４及び外部用表面１２の両方をコーティングすることができる。図１に示される構成要素と類似の機能を持つ構成要素は、１００を加算した類似の参照番号で示してある。例えば、図２の上側ガス分配パイプ３３５は、図１の上側ガス分配パイプ２３５と機能的に類似である。
【００２８】
図２のスパッタリング容器３００は、一対のバリアー３４０によって、３つのコーティング領域３００ａ、３００ｂ、及び３００ｃに効果的に分けられている。１つのコーティング領域のいくらかのガス画分は、もう１つのコーティング領域に流入しており、従ってこれら３つ全ての領域において同様な雰囲気を使用することが最良である。しかしながら、バリアー３４０は、１つのコーティング領域においてスパッタリングされた物質が、他のコーティング領域のターゲットに到達する量を効果的に制限する働きをする。
【００２９】
図２に示される態様においては、３つのコーティング領域３００ａ〜３００ｃのそれぞれは４つまでのターゲットを備えるようにされており、ここでは、２つのターゲットを基材の上側に配置し、２つのターゲットを基材の下側に配置するようになっている。従って、ガラス経路の上側に配置された６個のターゲットマウント３２１〜３２６、及びガラス経路の下側に配置された６個のターゲットマウント３６１〜３６６が存在する。これは、この単一の複数領域スパッタリング容器３００を使用して、異なる性質の製品を作る最大自在性を可能にする。図２は、下側ターゲットマウント３６１〜３６６のうちの１つに垂直に配置されたそれぞれの上側ターゲットマウント３２１〜３２６の概略を示している。しかしながら、ターゲットをこの様式で垂直に配置する必要はないこと、及び水平にずらして比較的有利に配置できることを理解すべきである。
【００３０】
図２に示す配置では、第１のコーティング領域３００ａは２つの上側ターゲット（３２０ａ及び３２０ｂ）を具備しているが、下側ターゲットマウント３６１又は３６２には下側ターゲットが存在しない。第１のコーティング領域においては、上側ガス分配パイプ３３５にスパッタリングガスを供給すべきであり、また上側アノード３３０に電力を供給すべきであるが、下側ガス分配パイプ３７５にガスを輸送する必要はなく、また下側アノード３７０に電力を供給する必要はない。第２のコーティング領域３００ｂは２つの下側ターゲット３６０ｃ及び３６０ｄを具備しているが、上側ターゲットマウント３２３及び３２４にはスパッタリングターゲットが存在しない。同様に、第３のコーティング領域３００ｃは２つの下側ターゲット３６０ｅ及び３６０ｆを具備しているが、上側ターゲットマウント３２５又は３２６にはスパッタリングターゲットが存在しない。随意に（上述のように）、第１のコーティング領域３００ａは、基材の内部用表面１４によって支持される反射積層体の最も外側の層を適用するために使用し、後半の２つのコーティング領域３００ｂ及び３００ｃは、基材の外部用表面１２にシリカコーティングをスパッタリングするために使用する。
【００３１】
図２の複数領域スパッタリング容器３００におけるターゲットの配置は単に説明のためのものであり、ターゲットの配置を変更して、様々な製品の製造効率を最大化できることを理解すべきである。例えば、同じガラス速度で比較的厚いシリカコーティングが所望である場合、それぞれの下側ターゲットマウント３６１〜３６６にシリコン含有ターゲット等を取り付けて、上側ターゲットマウント３２１〜３２６のいずれもがターゲットを具備しないようにすることができる。比較的薄いコーティングで十分な場合（又は適当に減速させてガラスをコーティング容器に通す場合）、最後の２つのターゲットマウント３２５及び３２６のみがターゲットを具備し、初めの４つの上側ターゲットマウント３２１〜３２４のそれぞれがスパッタリングターゲットを具備するようにすることができる。当然に、同じ領域の上側ターゲットマウントと下側ターゲットマウントにターゲットを取り付けることによって、図４の２方向スパッタリング容器２００と同様に、コーティング領域３００ａ〜３００ｃの１つ又は複数を操作することができる。
【００３２】
図１及び２の装置及びそのようなコーティング設備を使用するコーティングの堆積方法は、主に、ガラスの１つの面の反射性積層体を適用し、且つガラスの他の面にシリカコーティングを適用することに関して説明している。しかしながら、この装置及び方法を使用して、適用するコーティングの性質に関わらずに、ガラス板の両方の面にコーティングを適用できることを理解すべきである。例えば、この装置を使用して、ガラス板の両面に反射防止コーティングを適用すること、透明若しくは半透明の有機基材の両面に赤外線反射コーティングを適用すること、又は同じ基材のそれぞれの面にシリカコーティングを適用することができる。
【００３３】
図１及び２において説明した設備の利点は、基材を一定の向きに維持しながらコーティング装置に一回通すことによって、基材の両方の面にスパッタリングによるコーティング（組成に関わらない）を具備させられることである。すなわち、基材をひっくり返すこと、方向を転換を行うこと、又は手動で操作することが必要ないということである。これは、単純な一連の標準輸送ローラーを使用して、製造ラインに沿ってガラスを移動させることを可能にする。本発明を使用しない場合、ガラスを手動で扱ってひっくり返しそしてコーティング装置に戻して通さなければならず、又は製造プロセスの間に同じ箇所で基材を保持してひっくり返さなければならない複雑なガラス取り扱い設備を使用しなければならない。これは、コーティングの品質を低下させずに、両面をコーティングされたガラスを特に経済的に製造することを可能にする。
【００３４】
かつては、ガラスの底面側をコーティングしようとする場合でさえも、ローラーとの接触がコーティングを傷つけ及び／又はコーティングの適用の前にガラスの底面が損傷を受けると考えられてきた。しかしながら意外にも、本発明は、１回の通過でガラスの両面をコーティングすることが非常によい結果をもたらすことを示す。
【００３５】
コーティングを適用する正確な操作条件（例えば、ターゲット組成、プラズマ組成等）は、必要に応じて変化させて、所望の厚さのコーティングの堆積を最適化することができる。本発明の教示によれば、過度の実験なしで、当業者は適当な操作条件を選択して本発明のコーティングを適用することができる。
【００３６】
本発明によって堆積させることができるＳｉＯ２の層は、不活性雰囲気において二酸化ケイ素ターゲットを使用するスパッタリングによって堆積させることができるが、シリカは伝導性が低く、またそのような誘電体材料はＤＣスパッタリング装置においてスパッタリングすることが難しいことがある。代わりに酸化雰囲気において純粋なシリコンターゲットを使用することができるが、シリコンは半導体なので、そのようなターゲットは一定の制御された様式でスパッタリングを行うことが難しい。スパッタリングを改良しアークを減少させるために、約５％のアルミニウムを伴うシリコンを有するターゲットを、酸化雰囲気においてスパッタリングすることが好ましい。
【００３７】
アルミニウムでドープしたシリコンターゲットを使用する場合であっても、スパッタリング容器の雰囲気を変化させて、最適なスパッタリング速度を達成することができる。スパッタリング雰囲気は酸化雰囲気であるべきだが、純粋な酸素である必要はない。反対に、酸素と不活性ガスの混合物がスパッタリング速度を促進する。酸素と約４０％までのアルゴン（好ましくはアルゴンは０〜２０％）とを含有し、約３×１０−３ｍｂａｒに維持されたスパッタリングガスが満足なものであると考えられる。スパッタリングターゲットに加えられる電力を最適化させて、最大スパッタリング速度を維持しながらアークの発生を減少させるべきである。約８０ｋＷまでの電力が許容できる結果をもたらすであろう。
【００３８】
フロートガラスの製造においては、溶融したガラスを溶融スズ浴に浮かせる。このガラスには上側と下側又は「スズ」側とが存在する。最も一般的には、フロートガラスに反射コーティングを具備させる場合、このコーティングはガラスの上側に適用する。これは、ガラスのスズ側には、アニール窯において支持ローラーと接触することによってもたらされることがあるいくらかの小さい表面欠陥が存在するためである。フロートガラス板１０にシリカコーティング及び反射層を具備させる場合、このガラス板の上側表面をガラスの内部用表面１４として使用して、反射性コーティングを具備させ、ガラスのスズ側を外部用表面として使用して、シリカコーティングを具備させることが好ましい。
【００３９】
本発明の好ましい態様を説明してきたが、様々な変更、付加、及び修飾は、本発明の特許請求の範囲及び本発明の本質の範囲内で行えることは理解すべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の２方向スパッタリング容器の概略図である。
【図２】図２は、本発明のもう１つの態様の複数領域２方向スパッタリング容器の概略図である。
【図１】
0004033395.tif 000002
【図２】
0004033395.tif 000003