(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
スピンカイラリティに基づいた実効的磁場を利用する磁気光学素子であって、上記実効的磁場は化学組成式がＡ2Ｂ2Ｏ7（ただし、Ａは希土類元素、Ｂは遷移金属）で表されるパイロクロア型酸化物で発生されることを特徴とする、スピンカイラリティを用いた磁気光学素子。
【請求項２】
スピンカイラリティに基づいた実効的磁場を利用する磁気光学素子であって、上記実効的磁場は化学組成式が（Ａ1-xＣx）2Ｂ2Ｏ7（ただし、Ａは希土類元素、Ｃはアルカリ土類金属元素、Ｂは遷移金属、０＜ｘ＜１）で表されるパイロクロア型酸化物で発生されることを特徴とする、スピンカイラリティを用いた磁気光学素子。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の磁気光学素子を光磁気デイスクの磁気光学素子として用いることを特徴とする、光磁気ディスク。
【請求項４】
メモリ素子を構成する磁性薄膜の磁化情報を、磁性薄膜に電流と磁場を印加して生ずるホール電圧によって読み出すメモリ素子において、請求項１又は２に記載の磁気光学素子を上記磁性薄膜として用いることを特徴とする、メモリ素子。
【請求項５】
請求項１又は２に記載の磁気光学素子を画素として用いることを特徴とする、画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は磁気光学素子に係り、従来にない巨大な磁気光学効果を有してＳＮ比の高い信号をとりだすことを可能にする磁気光学素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
情報産業の発達に伴い、情報記憶装置の記憶容量増大の要求は留まるところを知らない。例えば、画像の記憶などは膨大なメモリ容量を必要とするが、将来の情報産業においては、現状よりもさらに、高精細な画像記憶、膨大な数の画像記憶、長時間動画像記憶等が必要になる。
大容量の情報記憶装置には、磁気光学効果（ファラデー効果ないしは磁気光学カー効果）を利用して情報の書き込み・再生を行う磁気記憶装置があり、記憶容量が大きいことから将来も主流になると予測されている。このような磁気記憶装置において、将来の記憶容量増大の要求を実現するためには、情報の記憶単位、すなわちメモリ素子サイズの微小化が必要不可欠である。例えば、２００１年には１００Ｇビット／（インチ）2 を実現するためにメモリ素子の磁性材料サイズは３０ｎｍ（３００Å）が必要であると予測され、また、２００７年には１０００Ｇビット／（インチ）2 を実現するためにメモリ素子の磁性材料サイズは１０ｎｍ（１００Å）が必要になると予測されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
従来より、磁気光学効果を示す磁性材料は、例えば光磁気ディスクに用いられて情報の書き込み・再生を可能としている。情報の記憶容量を向上させるにはそのメモリ素子サイズを小さくする必要があるが、それに伴い読み出し信号が小さくなるため、メモリ素子サイズに反比例して磁気光学効果が大きい磁性材料が必要になる。このための工夫として例えば、特開平５−１３５５６９号公報で示されているように、異常ホール効果を利用するメモリ素子が提案されている。異常ホール効果は固体のスピンー軌道相互作用に基づくものであり、従来に比べれば大きな磁気光学効果が得られるが、しかしながら、この磁気光学効果を利用してもメモリ素子サイズは１００Å程度にしかできず、将来必要とされる数テラビット／（インチ）2 以上のメモリを実現するにはなお、磁気光学効果の強度が十分ではないという課題がある。
【０００４】
上記課題に鑑み本発明は、磁気光学材料のサイズが格子サイズ、すなわち数Åのサイズであっても磁気光学効果が検出可能な磁気光学素子を提供することを第１の目的とする。
また、本発明の第２の目的は、上記磁気光学素子を用いた数テラビット／（インチ）2 以上の光磁気ディスク、メモリ素子及び磁気光学画像表示装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明のスピンカイラリティを用いた磁気光学素子は、スピンカイラリティに基づいた実効的磁場を利用する磁気光学素子であって、この実効的磁場は化学組成式がＡ2Ｂ2Ｏ7（ただし、Ａは希土類元素、Ｂは遷移金属）で表されるパイロクロア型酸化物で発生されることを特徴とする。
本発明のスピンカイラリティを用いた磁気光学素子は、スピンカイラリティに基づいた実効的磁場を利用する磁気光学素子であって、上記実効的磁場は化学組成式が（Ａ1-xＣx）2Ｂ2Ｏ7（ただし、Ａは希土類元素、Ｃはアルカリ土類金属元素、Ｂは遷移金属、０＜ｘ＜１）で表されるパイロクロア型酸化物で発生されることを特徴とする。
上記構成によれば、これらの固体材料がスピンカイラリティを有するので、１万テスラに相当する巨大実効的磁場を形成でき、素子サイズが格子サイズ、すなわち数Åのサイズであっても、記憶素子として機能させるに十分な磁気光学効果が得られる。
【０００７】
また、本発明の磁気ディスクは、請求項１又は２に記載の磁気光学素子を光磁気デイスクの磁気光学素子として用いることを特徴とする。この構成によれば、数テラビット／（インチ）2 以上の光磁気ディスクが可能になる。
【０００８】
また、本発明のメモリ素子は、メモリ素子を構成する磁性薄膜の磁化情報を、磁性薄膜に電流と磁場を印加して生ずるホール電圧によって読み出すメモリ素子において、請求項１又は２に記載の磁気光学素子を上記磁性薄膜として用いることを特徴とする。この構成によれば、ＳＣ（スピンカイラリティ）異常ホール効果に基づく巨大ホール電圧が得られ、数テラビット／（インチ）2 以上のメモリ装置が可能になる。
【０００９】
さらに、本発明の画像表示装置は、請求項１又は２に記載の磁気光学素子を画素として用いることを特徴とする。この構成によれば、磁気ヘッド、またはレーザー光によって画像を書き込み、光を照射して、ファラディー回転の有無、またはカー効果の有無によって画像を表示させることができる。また、スピンカイラリティを有する固体材料を用いるから、画素サイズが数Åのサイズであっても画素として機能させることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を詳細に説明する。
本発明者らは、フント結合により局在スピンと結合した伝導電子のトランスファー積分が振幅と位相の自由度を持ち、位相がベクトルポテンシャル、すなわちゲージフラックスを作り出し、ゲージフラックスが巨大実効的磁場を作り出すことを見いだし、ゲージフラックスの作り出す巨大実効的磁場が消去されないスピン配置と結晶構造を有する固体材料、すなわちスピンカイラリティを有する固体材料を用いれば、１万テスラに相当する巨大な実効的磁場を磁気光学効果として利用し得ることを発明した。また、本発明者らは、スピンカイラリテイを示す固体材料において大きなＳＣ異常ホール効果（Ｓｐｉｎ  Ｃｈｉｒａｌｉｔｙ異常ホール効果と名付ける）を実測し、ゲージフラックスの作り出す巨大実効的磁場を実証した。
【００１１】
次に、本発明のスピンカイラリティを用いた磁気光学素子の動作原理を説明する。
フント結合により局在スピンと結合した伝導電子を考える。これは二重交換相互作用と呼ばれている。i サイトからｊサイトに伝導電子が移動する場合の電子移動の行列要素（トランスファー積分）は、
【数１】
0004051480.tif 000002
となる。ここにθi 、θj 、φi 、φj はスピンの向きの極座標成分である。
このトランスファー積分は複素数であり振幅と位相の自由度をもつ。振幅に関しては、
【数２】
0004051480.tif 000003
と二つのスピンのなす角度θijによって決まり、運動エネルギーの利得を最大にするために平行なスピン配置が実現される。すなわち、 強磁性的な相互作用が働く。位相はベクトルポテンシャル、すなわちゲージフラックスφをつくりだす。このゲージフラックスφの作り出す実効的磁場は幾何学的意味をもっている。いま、３個のスピンＳ1 ，Ｓ2 ，Ｓ3 の場合、 １→２→３→１とめぐる伝導電子の感じる磁束Φは図１に示すように、丁度３個のスピンの方向ベクトルｎ1 ，ｎ2 ，ｎ3 が単位球面上でなす立体角Ωの半分となる。
【００１２】
【数３】
0004051480.tif 000004
【００１３】
このことは、例えば結晶の格子定数を４Åとした場合、（４Å）2 の面積に単位量子磁子の磁束を貫くことができることを意味している。これは１万テスラ（ｗｂ／ｍ2)の磁場に相当し、実験室規模で定常的に実現できる数テスラとは桁違いの巨大磁場下における電子状態の効果をみることになる。しかしこの実効的磁場は、結晶格子のユニットセルで平均すると消えてしまう不均一な分布となる。
【００１４】
この不均一な磁場が消えずに残る格子配置が存在する。その一例はカゴメ格子である。カゴメ格子を図２に示す。図２（ａ）に示すように、カゴメ格子の各格子点には、スピンＳA ，ＳB ，Ｓc が格子面に垂直な方向と角θを成して存在し、伝導電子のスピンはそのスピンの方向を向いている。この場合のゲージフラックスφの分布は図２（ｂ）に示すようになる。点線で囲んだ内部が単位胞であり、その中でゲージフラックスφを平均すると確かにゼロになっている。しかし、いま単位胞に３個の原子Ａ，Ｂ，Ｃが含まれている場合を考えると、それに応じた３本のバンドが発生する。それぞれのバンドは＋と−のゲージフラックスφを異なった重みで感じる。これがＳＣ異常ホール効果を発生させるのである。この３本のバンドのバンド分散をタイトバインディング模型で計算した例を図３に示した。これらのバンド分散はゲージフラックスφ依存性を示し、図３においては、φ＝０（図３（ａ））、φ＝π／３（図３（ｂ））の場合のバンド分散を示している。
このバンド分散図でバンド交差が発生することが本質的である（φ＝０）。このバンド交差部で量子化したホール伝導度が生じる。
【００１５】
カゴメ格子におけるホール伝導度の非対角成分σxyは線形応答理論（久保公式）、
【数４】
0004051480.tif 000005
からもとめられ、フェルミオンの電流密度
【数５】
0004051480.tif 000006
が得られる。これはホール伝導度
【数６】
0004051480.tif 000007
が発生することを示している。このように質量がすこしでも存在すれば量子化したホール伝導度が得られ、しかも質量の符号に応じてその符号も変わる。
【００１６】
すなわち、φ＝0 においてバンド交差点、Ｋ1 （ｋx 、ｋy ）＝（２π／３，０）、Ｋ2 （ｋx 、ｋy ）＝（π／３，√３π／３）、およびこれらと等価なＫ点のところに磁気単極子が存在している。即ちスピンカイラリテイがある場合にはバンド交差点がトポロジカルな特異点（磁気単極子）として働き、それをホール伝導度として観察することになるのである。
【００１７】
このように、バンド交差点の存在が、前述した結晶の格子定数を４Åとして（４Å）2 の面積に単位量子磁子の磁束を貫くことができるとした根拠である。このことから、1 万テスラ（ｗｂ／ｍ2 ）の磁場に相当する電子状態の効果をみることがスピンカイラリテイが存在する場合には可能になるのである。磁性体中のバンド構造によって、固体の磁性的な振る舞いは非自明な性質を持つということを示している。ＳＣ異常ホール効果伝導度σxyは、
【数７】
0004051480.tif 000008
となる。このσxyの値は二次元の場合であるが、三次元では４Åで割って、
【数８】
0004051480.tif 000009
程度の大きさになる。
【００１８】
従来の異常ホール効果はＫａｒｐｌｕｓ−Ｌｕｔｔｉｎｇｅｒ（Ｒ．Ｋａｒｐｕｓ  ａｎｄ  Ｊ．Ｍ．Ｌｕｔｔｉｎｇｅｒ，Ｐｈｓ．Ｒｅｖ．９５，１１５４（１９５４））型効果と呼ばれている現象に基づくものであり、この効果はスピン軌道相互作用に関する摂動の一次の効果である。本発明のＳＣ異常ホール効果はスピン軌道相互作用ではなく、非摂動論的効果であり、本質的には位相幾何学的な現象であり、従来の異常ホール効果とは発生機構が異なる。
すなわち、ＳＣ異常ホール効果は極めて特異的な構造、すなわちスピンカイラリテイ構造において実現する異常ホール効果であり、従来見出されてきたＫ−Ｌ−型異常ホール効果に基づく異常ホール効果とは全く異なるものである。
【００１９】
このように、ＳＣ異常ホール効果を引き起こすには、スピンカイラリテイが存２するスピンの幾何学的配置を実現すればよく、すなわち、スピンの配置と結晶構造において実効的磁場が発生するような幾何学的配置をもった固体材料を使えばよい。そのためには、スピン構造が平面からはずれたスピン配置（Non-coplanar配置）を有する固体材料を選択することが重要である。
この現象を実現する材料はパイオロクロア型酸化物が代表的固体材料である。何故なら、この結晶格子を（１，１，１）方向から見ると、上記に説明したカゴメ格子の３次元系への拡張とみなせるからである。詳細な説明は実施例で説明するが、実際にこの固体材料系でＳＣ異常ホール効果が実現しているのである。また、スピネル化合物においてもこのようなスピンカイラリテイをもつ。
【００２０】
本発明の磁気光学素子は、上記に説明した動作原理に基づいて巨大な実効的磁場を発生する固体材料を用いるので、固体材料のサイズが格子サイズ、すなわち数Åのサイズであっても磁気光学効果が検出可能であり、従って、本発明の磁気光学素子を用いたメモリ素子は、サイズが格子サイズ、すなわち数Åのサイズであっても記憶素子として機能させることができる。
【００２１】
次に実施例１を示す。
パイロクロア型酸化物であり、かつ、化学組成式がＡ2 Ｂ2 Ｏ7 （ただし、Ａは希土類元素、Ｂは遷移金属）であらわされる固体材料の一例であるＮｄ2 Ｍｏ2 Ｏ7 においてＳＣ異常ホール効果が得られたことを示す。
パイロクロア型酸化物でＡ2 Ｂ2 Ｏ7 型の結晶は、ＡサイトとＢサイトの二つの副格子からなる幾何学的なフラストレイト構造を持つ。ＡサイトはＢサイト構造から格子定数の半分ずれた位置に位置する。おのおのの副格子は図４に示すように隅を共用する四面体構造をもつ。
図４は、Ｂ（Ｍｏ）サイトのネットワークを示しており、●はＭｏ原子を示している。このような磁気的サイトの結合は磁気的なフラストレーションをもち、スピングラス（ｓｐｉｎ−ｇｌａｓｓ）のような状態をもっている。
一方、Ａサイトは希土類４ｆの磁気モーメントを有し、四面体の中心に容易化磁区をもつ。
【００２２】
図５（ａ）にＮｄ2 Ｍｏ2 Ｏ7 の磁化Ｍの温度依存性を示す。キュリー温度８９Ｋ以下ではＭｏスピンの強磁性秩序にしたがい速やかに磁化は大きくなり、４０Ｋから低温になるに従い、ＮｄスピンモーメントがＭｏに対して反強磁性的に成長することから磁化は急速に減少する。
図５（ｂ）にホール伝導度σxyの測定結果を示す。低温になるに従いσxyは急速に増加する。Ｎｄモーメントは磁場Ｈに対する感受率が高く容易に反応することから、磁場Ｈの強度の増大とともに磁化Ｍは増大する。通常の強磁性体においては、低温になるに従いσxyはゼロになる。
【００２３】
図６に、第一ブリルアンゾーンを４０×４０×４０メッシュの運動量空間に分割し、この運動量空間で積分して求めた、Ｍｏスピンの傾き（Ｔｉｌｔｉｎｇ  ａｎｇｌｅ）に対するホール伝導度σxyの絶対零度における計算結果を示す。尚、Ｈ‖（１００）、Ｈ‖（１１１）はそれぞれ、印加磁場の方向がＮｄ2 Ｍｏ2 Ｏ7 結晶の（１００）面、（１１１）面に平行なことを示す。
Ｎｄ2 Ｍｏ2 Ｏ7 におけるＭｏスピンの傾きは、中性子散乱から４度であることを確認している。図６の挿入図に、ホール伝導度σxyの磁場Ｈ依存性を実験で求めた結果を示している。２Ｋにおける実験値と理論計算値とを比較すると、実験から求めた０磁場でのσxyと理論計算値のＭｏスピンの傾き４度付近でのσxyは良い一致を示している。２Ｋでのホール伝導度σxyは磁場Ｈを印加すると急速に減少する。これはスピンの傾きが小さくなりスピンカイラリテイが小さくなることで説明できる。４０Ｋでのホール伝導度σxyは磁場依存性が小さく、磁気モーメントの温度揺らぎ効果は磁場では押さえることができなくなることを示している。
【００２４】
以上の実験データ、及び理論解析結果から、パイロクロア型酸化物であり、かつ、化学組成式がＡ2 Ｂ2 Ｏ7 （ただし、Ａは希土類元素、Ｂは遷移金属）であらわされる固体材料の一例であるＮｄ2 Ｍｏ2 Ｏ7 においては、Ｍｏのスピンカイラリテイの発生により、今までにない新しい現象、すなわち、ＳＣ異常ホール効果が生じていることがわかる。
Ｎｄ2 Ｍｏ2 Ｏ7 のＭｏスピンの傾きが約４度であり、このときホール伝導度σxyが約２0 Ω-1cm-1の値を示すことは、巨大な異常ホール効果が生じていることを示しており、また、磁気光学効果的にみれば、数Åサイズであっても、検出可能な反射光のカー回転、また、透過光のファラデー回転が得られることを示している。
【００２５】
次に、実施例２を示す。
パイロクロア型酸化物であり、かつ、化学組成式が（Ａ1-x Ｃx ）2 Ｂ2 Ｏ7 （ただし、Ａは希土類元素、Ｃはアルカリ土類金属元素、Ｂは遷移金属、０＜ｘ＜１）であらわされる固体材料の一例である（Ｓｍ0.9 Ｃａ0.1 ）2 Ｍｏ2 Ｏ7 は、Ｎｄ2 Ｍｏ2 Ｏ7 と同様にＳＣ異常ホール効果を示す。
図７に、（Ｓｍ0.9 Ｃａ0.1 ）2 Ｍｏ2 Ｏ7 において、成分比ｘが、ｘ＝０．１と、ｘ＝０の場合のホール伝導度の温度依存性の測定結果を示す。なお、測定は印加磁場Ｈ＝０．５Ｔで測定している。
磁場Ｈに比例する正常ホール効果は小さく、無視できる。
図７にみられるように、Ｓｍ原子をＣａ原子で置き換えると、ホール伝導度の対角成分σxxは低温になるに従い３０％程度の増加しか示さないが、ホール伝導度の非対角成分σxyは、Ｃａアンドープ試料と比較して８００％程度の増大を示す。
Ｃａ置換により引き起こされるσxyの急激な増加の原因を明らかにするため、Ｓｍ原子を４ｆ電子の存在しないＹと置き換えた場合のホール伝導度の測定結果を示す。非磁性原子のＹのイオン半径はＳｍ3+のイオン半径より小さいので、Ｙ原子は電子のバンド占有状態に変化を引き起こさずに結晶格子歪みのみを引き起こす。この場合には、図にみられるように、σxxはＳｍの場合と比較して幾分小さくなり、σxyはなんら異常を示さない。このことは、Ｃａ原子の置換効果は格子歪に起因するのではなく、４ｄ電子の不在によるホールドーピングに起因していると考えられる。この効果はＭｏのサブラテイスのスピンのネットワークに変調を与えるはずであり、実際、（Ｓｍ0.9 Ｃａ0.1 ）2 Ｍｏ2 Ｏ7 のＡＣ感受率の測定において低温になるに従い、周波数依存が大きくなることが確認されている。このことは、強磁性層の一部がスピングラス化することを示し、スピングラスの存在は、結局、Ｍｏスピンの傾きを増加させ、スピンカイラリテイを強調させる。従って、Ｃａ置換によるσxyの急激な増加は、Ｎｄ2 Ｍｏ2 Ｏ7 と同様にＳＣ異常ホール効果の発生によるものといえる。
【００２６】
実施例１において、パイロクロア型酸化物であり、かつ、化学組成式が、Ａ2 Ｂ2 Ｏ7 （ただし、Ａは希土類元素、Ｂは遷移金属）であらわされる固体材料の一例であるＮｄ2 Ｍｏ2 Ｏ7 においてスピンカイラリテイが存在しＳＣ異常ホール効果が観察されたことを示した。また実施例２において、パイロクロア型酸化物であり、かつ、化学組成式が（Ａ1-x Ｃx ）2 Ｂ2 Ｏ7 （ただし、Ａは希土類元素、Ｃはアルカリ土類金属元素、Ｂは遷移金属、０＜ｘ＜１）であらわされる固体材料の一例である（Ｓｍ0.9 Ｃａ0.1 ）2 Ｍｏ2 Ｏ7 は、Ｎｄ2 Ｍｏ2 Ｏ7 と同様にスピンカイラリテイが存在しＳＣ異常ホール効果が観察されることを示した。
このようなスピンカイラリテイを示す幾何学的配置は、面心立方型構造でＡＢ型の化合物においても可能である。またペロブスカイト型構造でＡＢＯ3 型の酸化物からなり、かつ、超格子構造を有する場合にも可能である。
【００２７】
また、上記に説明した本発明の磁気光学素子を用いれば、数テラビット／（インチ）2 以上の光磁気デイスクが実現可能なことは明らかである。
また、上記に説明した本発明の磁気光学素子を用いれば、メモリ素子を構成する磁性薄膜の磁化情報を、磁性薄膜に電流と磁場を印加して生ずるホール電圧によって読み出すメモリ素子において、数テラビット／（インチ）2 以上のメモリを実現できることは明らかである。
さらに、上記に説明した本発明の磁気光学素子を用いれば、磁気光学素子を画素として用いる高分解能の画像表示装置が可能であることは明らかである。
【００２８】
【発明の効果】
上記説明から理解されるように、本発明によれば、磁気光学材料のサイズが格子サイズ、すなわち数Åのサイズであっても磁気光学効果が検出可能な磁気光学素子を実現することができる。
また、本発明によれば、本発明の磁気光学素子を用いて、数テラビット／（インチ）2 以上の光磁気ディスク及びメモリが実現でき、また、高分解能の磁気光学画像表示装置を実現することができる。
すなわち、本発明によれば、スピン配置と結晶構造が実効的磁場を発生する幾何学的配置をもった固体材料、すなわちスピンカイラリティを持った固体材料を用いた磁気光学素子であるので、従来にない巨大磁気光学効果が得られる。スピンカイラリテイを持った固体材料はパイロクロア型固体材料で実現できる。スピネル構造を持った固体材料においても実現できる。また面心立方格子でも可能である。ペロブスカイト構造を有する固体材料においては超格子構造を形成することによって実現しうる。このように、本発明の磁気光学素子は、種々の結晶構造を有する固体材料で実現可能である。
この巨大磁気光学効果は、低温下でのみおこる現象ではなく特別な寒剤を必要としない常温においても起こり得る。常温で動作する固体材料を用いれば、産業上、極めて大きなメリットをもたらす。また巨大磁気光学効果であるため、極薄膜化が可能であり、半導体高集積プロセスと組み合わせてテラビット領域の巨大なメモリデバイスを作製することが可能であり、将来の情報通信や光コンピュータにふさわしい巨大メモリを提供することが可能になる。また、従来レベルの磁性材料のサイズにおいては従来にない大きな磁気光学効果を生ずることから、画素としての機能も十分にもっており、今までにない画像表示装置の素子としての応用も可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】スピンカイラリテイとゲージフラックスを示す図である。
【図２】カゴメ格子上のスピン配置とゲージフラックスの分布を示す図である。
【図３】カゴメ格子上のタイトバインデイング模型のバンド分散を示す図であり、（ａ）はφ＝０、（ｂ）はφ＝π／３の場合に対応する。
【図４】パイロクロア型酸化物Ｎｄ2 Ｍｏ2 Ｏ7 の結晶構造と伝導電子の存在するＭｏ原子のネットワークを示す図である。
【図５】パイロクロア型酸化物Ｎｄ2 Ｍｏ2 Ｏ7 のホール伝導度、磁化率及び中性子回折の温度依存性の測定結果を示す図である。
【図６】パイロクロア型酸化物Ｎｄ2 Ｍｏ2 Ｏ7 のホール伝導度の理論計算結果及び磁場依存性の測定結果を示す図である。
【図７】（Ｓｍ0.9 Ｃａ0.1 ）2 Ｍｏ2 Ｏ7 のホール伝導度の温度依存性の測定結果を示す図である。
【図１】
0004051480.tif 000010
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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