(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一定の間隔で対向配置された相対変位可能な第１および第２の電極部材と、これらの電極部材の間に静電気力を発生させて当該電極部材を相対変位させる駆動手段と、前記第１および第２の電極部材のうちの少なくとも一方の部材における他方の部材との対向表面に形成された疎水膜とを有する静電型アクチュエータにおいて、
前記第１および第２の電極部材の間には、これらの部材間の放電を抑制するための放電抑制ガスが気密封入されており、
＿前記放電抑制ガスは、ＣＦ4 、ＳＦ6、ブタン、エチルアルコールを含む群より選択されたものであることを特徴とする静電型アクチュエータ。
【請求項２】
請求項１において、
前記疎水膜は、疎水基を備えていると共に水酸基と反応可能な有機珪素化合物を用いて形成されたものであることを特徴とする静電型アクチュエータ。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１および第２の電極部材の間に、疎水基を備えていると共に水酸基と反応可能な有機珪素化合物が気密封止されていることを特徴とする静電型アクチュエータ。
【請求項４】
請求項３において、
前記有機珪素化合物はヘキサメチルジシラザン（（ＣＨ3 ）3 ＳｉＮＨＳｉ（ＣＨ3 ）3 ）であり、０．３パーセント以上の濃度で気密封止されていることを特徴とする静電型アクチュエータ。
【請求項５】
請求項１ないし４のうちの何れかの項において、
前記第１および第２の電極部材の相対変位によって容積が変動するインク室と、当該インク室に連通しているインクノズルとを有し、前記駆動手段は、前記第１および第２の電極部材の間に電気パルスを印加する電圧印加手段を備え、前記電気パルスの印加に応じて前記インクノズルからインク液滴が吐出されるようになっていることを特徴とする静電型アクチュエータ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、対向電極間に電圧を印加することにより発生する静電気力を駆動源として利用している静電型アクチュエータに関するものである。
【０００２】
更に詳しくは、本発明は、対向電極間の貼り付き現象、対向電極表面に形成されている疎水膜の異物化（重合現象）等を低減することにより、耐久性の向上を図った静電型アクチュエータに関するものである。
【０００３】
【従来の技術】
対向電極間に発生する静電気力を利用してインク液滴を吐出する静電型インクジェットヘッドは、例えば、本出願人による特開平５−５０６０１号公報、同６−７０８８２号公報に開示されている。
【０００４】
静電型インクジェットヘッドは、インクノズルに連通しているインク室の底面が弾性変形可能な振動板として形成されている。この振動板には、一定のギャップでガラス基板が対向配置されている。振動板は薄いシリコン基板からなり、対向電極の一方として機能する。ガラス基板の表面には、例えばスパッタリングにより形成したＮｉ膜からなる電極が形成されている。
【０００５】
これらの対向電極間に電圧を印加すると、これらの間に発生する静電気力によってインク底面を形成している振動板がガラス基板に対して静電吸引あるいは静電反発されて振動する。このインク室の底面の振動に伴って発生するインク室の内圧変動によりインクノズルからインク液滴が吐出される。従って、対向電極間に印加する電圧を制御することにより、記録に必要な時にのみインク液滴を吐出する、所謂インク・オン・デマンド方式を実現できる。
【０００６】
ここで、対向電極間に繰り返し電圧を印加してインクジェットヘッドを駆動している間に、対向電極の表面、すなわち、対向しているインク室底面および基板の表面に水分が付着すると、これらの極性分子の帯電によって、静電吸着特性あるいは静電反発特性が低下するおそれがある。また、基板の表面に吸着した極性分子が相互に水素結合して、インク室底面が基板側に貼り付いたままの状態（スティッキング状態）となり、動作不能になるおそれがある。
【０００７】
このような弊害を回避するために、例えば、特開平７−１３００７号公報、米国特許第５，３３１，４５４号公報には、パーフルオロデカン酸（ＰＦＤＡ）の配向単分子層からなる疎水膜を対向電極表面に形成して、それらを疎水化する方法が開示されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、ＰＦＤＡを用いて疎水化を図る方法では、ＰＦＤＡからなる層の耐久性が十分ではなく、対向電極間に発生する繰り返し電界のために、ＰＦＤＡの層が部材表面から剥離し、剥離部分が凝集して部材間の相対変位を妨げる異物が発生するおそれがある。このような異物が発生するとアクチュエータが動作不能に陥る危険性もある。
【０００９】
一方、静電型アクチュエータでは、対向電極間に十分な静電気力を発生させるためにそれらのギャップを可能な限り狭くすることが望ましい。また、静電型アクチュエータの高密度化、微小化を達成するためにも、対向電極のギャップは可能な限り狭くすることが望ましい。しかし、ＰＦＤＡの分子は大きいので、ギャップの小さな対向電極表面にＰＦＤＡの層を適正な状態で付着させることが困難である。
【００１０】
かかる問題点に鑑みて、本願人は、先に、特開平１０−１８１０２８号において、ヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）を用いて対向電極の表面に疎水膜を形成すると共に、対向電極間に０．３パーセント以上の濃度でＨＭＤＳを封入する対向電極表面の疎水化処理方法を提案している。
【００１１】
疎水膜の耐久性を高めるためには、対向電極間に封入するＨＭＤＳ濃度を更に上げればよい。しかし、ＨＭＤＳは常温常圧下では液体であり、対向電極間に封入される窒素ガスに対して１％程度で飽和してしまう。よって、対向電極間に封入されるＨＭＤＳの濃度を高めることにより疎水膜の耐久性を高める方法には限度がある。また、対向電極間にＨＭＤＳを封入する方法により得られる疎水膜においては、その重合の発生頻度にもばらつきがあり、所定の耐久性を安定して得ることができない場合もある。
【００１２】
ここで、本発明者等は、対向電極間の貼り付きを防止するために対向電極表面に形成されている疎水膜の異物化（重合現象）の主要原因の一つが、対向電極間の放電現象であることを見出した。
【００１３】
本発明の課題は、かかる新たな知見に基づき、対向電極表面の疎水膜の異物化の発生をより確実に抑制することにより、より耐久性の高い静電型アクチュエータを実現することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本発明は、一定の間隔で対向配置された相対変位可能な第１および第２の電極部材と、これらの電極部材の間に静電気力を発生させて当該電極部材を相対変位させる駆動手段と、前記第１および第２の電極部材のうちの少なくとも一方の部材における他方の部材との対向表面に形成された疎水膜とを有する静電型アクチュエータにおいて、前記第１および第２の電極部材の間には、これらの部材間の放電を抑制するための放電抑制ガスが気密封入されていることを特徴としている。
【００１５】
ここで、前記放電抑制ガスは、ＣＦ4 、ＳＦ6 、ブタン、エチルアルコール等のように、窒素ガスに比べて、放電開始電位の高いガスを用いれば良い。
【００１６】
このように構成した本発明の静電型アクチュエータによれば、第１および第２の電極部材の間の放電が抑制されるので、電極部材表面に形成されている疎水膜が放電により異物化（重合）してしまうことが抑制あるいは防止される。よって、耐久性の高い静電型アクチュエータを実現できる。
【００１７】
本発明の上記構成は、疎水膜がＰＦＤＡの配向単分子層から形成されている場合においても、電極間の放電に起因する疎水膜の重合化を抑制できる。勿論、疎水膜が、ＨＭＤＳ等のような、疎水基を備えていると共に水酸基と反応可能な有機珪素化合物を用いて形成されたものである場合には、ＰＦＤＡを用いる場合に比べて、より耐久性のある静電型アクチュエータを実現できる。
【００１８】
ここで、疎水膜が、ＨＭＤＳ等のような、疎水基を備えていると共に水酸基と反応可能な有機珪素化合物を用いて形成されている場合には、前記第１および第２の電極部材の間に、疎水基を備えていると共に水酸基と反応可能な有機珪素化合物が気密封止された構成を採用することが望ましい。特に、０．３パーセント以上の濃度で気密封止されていることが望ましい。
【００１９】
本発明の静電型アクチュエータはインクジェットヘッドとして用いることができ、この場合には、前記第１および第２の電極部材の相対変位によって容積が変動するインク室と、当該インク室に連通しているインクノズルとを有し、前記駆動手段は、前記第１および第２の電極部材の間に電気パルスを印加する電圧印加手段を備え、前記電気パルスの印加に応じて前記インクノズルからインク液滴を吐出する構成とされる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下に図面を参照して、本発明を適用した静電型アクチュエータが組み込まれた静電駆動型のインクジェットヘッドの一例を説明する。
【００２１】
（全体構成）
図１は本例のインクジェットヘッドの分解斜視図である。図２は組み立てられたインクジェットヘッドの断面構成図（図３のＩＩ−ＩＩ線断面）、図３はその平面図、図４はその部分断面図（図３のＩＶーＩＶ線切断部分）である。
【００２２】
これらの図に示すように、インクジェットヘッド１は、基板の上面に形成したインクノズルからインク液滴を吐出するフェイスインクジェットタイプのものである。このインクジェットヘッド１は、キャビティープレート３を挟み、上側にノズルプレート２、下側にガラス基板４がそれぞれ積層された３層構造となっている。
【００２３】
キャビティープレート３は、例えばシリコン基板であり、プレートの表面には底壁が振動板５として機能するインク室６を構成することになる凹部７と、凹部７の後方に設けられたインク供給口８を形成することになる細溝９と、各々のインク室６にインクを供給するためのインクリザーバ１０を構成することになる凹部１１とがエッチングによって形成されている。
【００２４】
キャビティープレート３の上側に接合されるノズルプレート２は、例えば、キャビティープレート３と同様にシリコン基板から形成されている。ノズルプレート２において、インク室６の上面を規定している部分には各インク室６に連通する複数のインクノズル２１が形成されている。
【００２５】
ノズルプレート２をキャビティープレート３に接合することにより、上記の凹部７、１１および細溝９が塞がれて、インク室６、インク供給口８、インクリザーバ１０がそれぞれ区画形成される。インクリザーバ１０の底面を規定する部分にはインクリザーバ１０にインクを供給するための孔１２ａが設けられており、基板接合後、後述するガラス基板４に設けられた孔１２ｂと共にインク供給孔１２を形成する。インク供給孔１２には、不図示の接続チューブを介して不図示のインクタンクが接続される。インク供給孔１２から供給されたインクは、各インク供給口８を経由して独立した各インク室６に供給される。
【００２６】
ここで、静電型アクチュエータは、一時的に各インク室内の圧力を上昇させて、対応するインクノズルからインク滴を吐出させるために、各インク室にそれぞれ設けられている。各静電アクチュエータは微小なギャップをもって対向配置された第１および第２の電極部材を有している。本例では、第１の電極部材は、後述するように、ガラス基板４の凹部１６に形成されたＩＴＯ膜であり、第２の電極部材はインク室６の底に形成された変形可能な振動板５である。
【００２７】
次に、キャビティープレート３の下側に接合されるガラス基板４は、シリコンと熱膨張率が近いホウ珪酸ガラス基板である。このガラス基板４において、それぞれの振動板５に対向する部位にはギャップ１５を構成することになる凹部１６が形成されている。この凹部１６の底面には、振動板に対向する個別電極（第１の電極部材）１７が形成されている。個別電極１７は、ＩＴＯからなるセグメント電極部１８と端子部１９を有している。
【００２８】
ガラス基板４をキャビティープレート３に接合することにより、各インク室６の底面を規定している振動板５と個別電極１７のセグメント電極部１８は、非常に狭いギャップを隔てて対峙する。これらの間の空間１５は、キャビティープレート３とガラス基板４の間に配置した封止材２０によって気密封止される。
【００２９】
振動板５は薄肉とされており、面外方向、すなわち、図２において上下方向に弾性変形可能となっている。この振動板５は、各インク室側の共通電極として機能する。この共通電極（第２の電極部材）としての振動板５の底面５１には、ＨＭＤＳを用いて形成された疎水膜２２が形成されている。この振動板５に対向する個別電極１７のセグメント電極部１８の表面にも、ＨＭＤＳを用いて形成した疎水膜２３が形成されている。ギャップを挟み、振動板と、対応する各セグメント電極部１８とによって対向電極が形成される。
【００３０】
ここで、本例においては、封止材２０によって気密封止状態にある各振動板５と対応する個別電極１７の間の空間１５には窒素ガスよりも放電開始電位が高い放電抑制ガスが充填されており、この放電抑制ガスには０．３％以上の濃度でＨＭＤＳが含まれている。
【００３１】
次に、振動板５と個別電極１７の間には電圧印加装置２５が接続されている。電圧印加装置２５の一方の出力は各個別電極１７の端子部１９に接続され、他方の出力はキャビティープレート３に形成された共通電極端子２６に接続されている。キャビティープレート３自体は導電性を持つので、この共通電極端子２６から振動板（共通電極）５に電圧を供給することができる。
【００３２】
なお、より低い電気抵抗で振動板５に電圧を供給する必要がある場合には、例えば、キャビティープレート３の一方の面に金等の導電性材料の薄膜を蒸着やスパッタリングで形成すればよい。本例では、キャビティープレート３とガラス基板４との接続に陽極接合を用いているので、キャビティープレート３の流路形成面側に導電膜を形成してある。
【００３３】
この構成のインクジェットヘッド１においては、電圧印加装置２５からの駆動電圧が対向電極間に印加されると、対向電極間に充電された電荷によるクーロン力が発生し、振動板５はセグメント電極部１８の側に撓み、インク室５の容積が拡大する。次に、電圧印加装置２５からの駆動電圧を解除して対向電極間の電荷を放電すると、振動板５はその弾性復帰力によって復帰し、インク室６の容積が急激に縮小する。この時発生する内圧変動により、インク室６に貯留されたインクの一部が、インク室６に連通しているインクノズル２１から記録紙に向かって吐出する。
【００３４】
（製造方法）
次に、インクジェットヘッドの製造方法を説明する。
【００３５】
図５はインクジェットヘッド１の製造工程の一例を示す概略フローチャートである。まず、ステップＳＴ１において、インクジェットヘッド１を構成しているキャビティプレート３、ノズルプレート２、ガラス基板４をそれぞれウエハから加工して製造する。
【００３６】
次に、図５のステップＳＴ２において  それらの３部材を相互に組み立てて（接合して）インクジェットヘッドを形成する。すなわち、ギャップが形成されるように、キャビティープレート３の底面側にガラス基板４を組み付ける。この状態では、共通電極である振動板５の底面５１、およびセグメント電極部１８の表面のいずれにも疎水膜は未だ形成されていない状態にある。
【００３７】
次に、ステップＳＴ３の前処理（乾燥）工程において、インクジェットヘッド１に対して前処理を施し、その表面に付着している水分を除去、あるいは可能な限り低減する。例えば、ドライエアーを供給した処理槽内にインクジェットヘッド１を放置すれば良い。このような前処理工程を行うと、ＨＭＤＳの付着状況の安定化を図ることができる。すなわち、振動板５の底面５１、およびセグメント電極部１８の表面から余分な付着水分を低減・除去して、ＨＭＤＳの付着状況の安定化を図り、次の工程におけるＨＭＤＳの付着状況にばらつきが発生するのを回避できる。
【００３８】
なお、ドライエアーを用いる方法の他、処理槽内を真空にして加熱する真空加熱工程、処理槽内を真空雰囲気および窒素雰囲気に交互に切り換える工程、およびこれらの組合わせを前処理工程として採用することができる。
【００３９】
次に、ステップＳＴ４のＨＭＤＳ付着工程において、共通電極である振動板５の底面５１、およびセグメント電極部１８の表面に、それぞれＨＭＤＳからなる疎水膜２２、２３を形成する。例えば、ＨＭＤＳを入れた容器を前記処理槽内に置き、ドライエアーの供給を止め、常温、常湿で雰囲気圧力を大気圧として、この状態を、ＨＭＤＳが拡散により十分に空間１５に入り込むまで（例えば、約２０時間程度）維持する。この結果、共通電極である振動板５の底面５１およびセグメント電極部１８の表面にはＨＭＤＳからなる疎水膜２２、２３が形成される。この時の処理槽内のＨＭＤＳ濃度は約０．３％以上にすれば良い。
【００４０】
図６には、シリコン製の振動板５の底面およびＩＴＯ製のセグメント電極部１８の表面に形成されたＨＭＤＳの疎水層２２ａ、２３ａの分子結合状態を示してある。この図に示すように、各表面では、ＯＨ基が疎水基であるＯＳｉ（ＣＨ3 ）3 基と入れ代わった状態となる。
【００４１】
次に、図５のステップＳＴ５の気密封止工程において、処理槽内からインクジェットヘッド１を取り出さずに、処理槽内で振動板５とセグメント電極部１８との間の空間１５を気密封止する。この時、気密封止されたギャップ１５のＨＭＤＳ濃度は約０．３％以上になる。
【００４２】
ここで、本例では、処理槽内を、窒素ガスよりも放電開始電位の高い放電抑制ガス、例えば、ＣＦ4 、ＳＦ6 、ブタン、エチルアルコール等のガス雰囲気とし、この状態で気密封止を行うようにしている。この結果、気密封止された振動板５とセグメント出ンク１８の間の空間１５には、濃度が約０．３％以上のＨＭＤＳを含む放電抑制ガスが充填された状態になる。
【００４３】
図７は疎水膜２２、２３を形成した直後にインクジェットヘッド１を外部に放置した場合における放置時間と疎水膜２２、２３の耐久性の相関関係のグラフである。なお、このグラフは、封止工程における処理槽内のＨＭＤＳ濃度が０．８％以上になるようにした場合に得られたものである。また、耐久性は、振動板５の１回の振動を１サイクルとして測定したものである。
【００４４】
このグラフからわかるように、ＨＭＤＳからなる疎水膜２２、２３を形成した後に、その状態のまま封止せずに処理槽内から取り出して、大気中に放置しておくと、疎水膜２２、２３の耐久性は処理槽内から取り出した直後（右下がり領域Ａ）に急激に低下する。そして、数分後に所定の耐久性レベルに安定する。（安定領域Ｂ）。その後、さらに放置しておくと、数日後には耐久性が再び徐々に回復する（右上がり領域Ｃ）。また、右上がり領域Ｃの耐久性は、疎水膜２２、２３を形成した直後（右下がり領域Ａ）の耐久性に比べれば低いレベルである。
【００４５】
本例の製造方法では、空間１５のＨＭＤＳ濃度が約０．３％以上の状態を保持したまま、当該空間１５を気密封止している。従って、実質的にＨＭＤＳからなる疎水膜２２、２３を形成した直後に空間１５が気密封止されることになる。
【００４６】
すなわち、図７の右下がり領域Ａで空間１５を気密封止したことになる。このため、振動板５の表面およびセグメント電極部１８の表面に形成された疎水膜２２、２３の耐久性としては、疎水膜２２、２３が形成された直後あるいはそれに近いものになる。
【００４７】
図８は、図７における右下がり領域Ａに含まれる放置時間内で空間１５を気密封止したときに得られる当該空間内のＨＭＤＳ濃度と、疎水膜２２、２３の耐久性の相関関係のグラフである。このグラフから明らかなように、疎水膜２２、２３を形成した後、空間１５のＨＭＤＳ濃度が約０．３％以上のまま気密封止すれば、数千万〜数十億サイクル程度の耐久性が得られる。
【００４８】
また、このグラフから分かるように、インクジェットヘッド１は空間１５が０．３％以上のＨＭＤＳ濃度となるように気密封止されているので、疎水膜２２、２３の耐久性は、約２千万サイクル以上になる。従って、疎水膜２２、２３を形成してから数日間放置した後に、空間１５を気密封止した場合と同等あるいはそれ以上の耐久性を持つ疎水膜を得ることができる。例えば、空間１５のＨＭＤＳ濃度を約０．４％以上にすると、１億サイクル以上の耐久性を持つ疎水膜２２、２３を得ることができる。
【００４９】
ここで、空間１５のＨＭＤＳ濃度を高めるにしたがって疎水膜２２、２３の耐久性は上昇する。但し、ＨＭＤＳ濃度が約０．８％となると疎水膜の耐久性は５０億サイクル程度に飽和する。このため、処理槽内のＨＭＤＳ濃度の管理誤差を考慮すれば、処理槽内のＨＭＤＳの濃度を１．０％ないし１．１％前後に設定して、この処理槽内で空間１５を気密封止することが最も好ましい。
【００５０】
なお、気密封止工程では、処理槽内からインクジェットヘッド１を取り出して気密封止を行ってもよい。この場合には、図７からわかるように、インクジェットヘッド１を処理槽内から取り出すと、疎水膜２２、２３の耐久性は急激に低下する。このため、インクジェットヘッド１を処理槽内から取り出した直後、例えば、図７の例では約３分以内に気密封止すれば良い。この場合においても、放電抑制ガスを、振動板５とセグメント電極１８の間の空間に充填すればよい。
【００５１】
ここで、ステップＳＴ４のＨＭＤＳ付着工程を行うと、キャビティープレート３のその他の表面にも疎水膜が形成されて疎水性が付与されてしまい、インク流路の気泡の排出性が悪化する等の問題が生じる。しかしながら、ステップＳＴ５の気密封止工程を行った後に、ＲＣＡ洗浄（アンモニア、過酸化水素水の混合液を用いた洗浄）等を行うことにより簡単にインク流路表面から疎水膜を除去することが可能である。このため、気泡の排出性悪化等の問題が併発されることを防止できる。
【００５２】
（実施例の効果）
以上説明したように、本例のインクジェットヘッド１においては、振動板５とセグメント電極１８の表面の疎水膜２２、２３を形成した後に、これらの間の空間を封止材２１によって気密封止する際に、当該空間に、窒素ガスよりも放電開始電位の高い放電抑制ガスを充填するようにしている。
【００５３】
本発明者等の実験によれば、振動板５とセグメント電極１８の間の放電が抑制され、この結果、疎水膜２２、２３の重合化が抑制されて、インクジェットヘッドの耐久性が向上することが確認された。
【００５４】
また、本例では、疎水膜としてＨＭＤＳを用いているので、従来におけるＰＦＤＡからなる疎水膜を用いる場合に比べて、インクジェットヘッドの耐久性が大幅に向上するという利点が得られる。
【００５５】
さらに、本例では、振動板５とセグメント電極１８の間の空間に、０．３％以上の濃度のＨＭＤＳを気密封止しているので、耐久性の高い疎水膜を形成できるという効果も得られる。
【００５６】
（その他の実施の形態）
なお、上述した実施形態では、一定の間隔で対向配置され相対変位可能な対向部材の両面に、即ち、共通電極として機能する振動板の底面と、振動板に対向する個別電極の表面に疎水膜を形成する例について述べたが、いずれか一方の面のみに形成しても、対向部材同士が貼り付いたままの状態（スティッキング状態）に陥ることを防止する効果が得られる。例えば、個別電極が形成されている基板の表面に疎水膜を形成した後、その基板に振動板が形成された基板を接合するようにすれば、対向部材の一方の面のみに疎水膜を形成した静電型アクチュエータを得ることができる。このような方法を用いてインクジェットヘッドを製造すれば、製造工程中にインク流路表面に疎水膜は形成されないので、ＲＣＡ洗浄（アンモニア、過酸化水素水の混合液を用いた洗浄）等を行ってインク流路表面の疎水膜を除去する後処理は不要となる。
【００５７】
更に、上述の実施形態では、対向部材間に気密封止される化合物としてＨＭＤＳを例にとって説明したが、これに限らず、疎水基を有し、かつ水酸基と反応可能な有機珪素化合物であれば本発明に適用可能である。この有機珪素化合物は、例えば、
式  Ｒ3 −Ｓｉ−Ｘ
もしくは式  Ｒ3 −ＳｉＮＨＳｉ−Ｒ3 
（Ｒはアルキル基、Ｘはハロゲンもしくはアミノ基を示す）
で表される化合物であり、例えば、ヘキサエチルジシラザン（（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ＳｉＮＨＳｉ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ）、トリメチルクロロシラン（ＣＨ3 ）3 ＳｉＣｌ）、トリエチルクロロシラン（（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ＳｉＣｌ）、トリメチルアミノシラン（（ＣＨ3 ）3 ＳｉＮＨ2 ）、トリエチルアミノシラン（（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ＳｉＮＨ2 ）等が含まれる。また、例えば、ジメチルジクロロシラン（（ＣＨ3 ）2 ＳｉＣｌ2 ）等の式Ｒ2 −Ｓｉ−Ｘ（Ｒはアルキル基、Ｘはハロゲンもしくはアミノ基を示す）で表される有機珪素化合物を本発明に適用してもよい。
【００５８】
また、従来技術において疎水膜として用いられているＰＦＤＡを用いて、本発明の静電型アクチュエータの疎水膜を形成した場合においても、その耐久性が改善されることが確認された。
【００５９】
なお、前述したインクジェットヘッド１は、インク液滴を基板の上面に設けたインクノズルから吐出させるフェイスインクジェットタイプであるが、基板の端部に設けたインクノズルから吐出させるエッジインクジェットタイプにも本発明のインクジェットヘッドを適用できる。
【００６０】
また、上記の例では、インクジェットヘッドに対して本発明を適用した例であるが、本発明はインクジェットヘッド以外の静電型アクチュエータ、例えば、特開平７−５４２５９号公報に開示されているようなマイクロメカニカル装置、静電型アクチュエータを用いた表示装置、マイクロポンプ等に対しても同様に適用できる。
【００６１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の静電型アクチュエータにおいては、その第１および第２の電極部材の表面に疎水膜を形成すると共に、当該疎水膜が形成されている第１及び第２の電極部材の間の空間に放電抑制ガスが気密封止されていることを特徴としている。
【００６２】
この構成を採用することにより、本発明者によって初めて見出された現象である、電極部材間の放電が原因となって疎水膜の重合が発生して疎水膜、ひいては静電型アクチュエータの耐久性が低下してしまうという弊害を抑制あるいは回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用したインクジェットヘッドの分解斜視図である。
【図２】図１のインクジェットヘッド概略縦断面図である。
【図３】図１のインクジェットヘッドの平面図である。
【図４】図１のインクジェットヘッドの一部を示す概略横断面図である。
【図５】図１のインクジェットヘッドの製造工程を示す概略フローチャートである。
【図６】形成されたＨＭＤＳの疎水層を示す模式図である。
【図７】疎水膜を形成した直後にインクジェットヘッドを外部に放置した場合における放置時間と疎水膜の耐久性の相関関係のグラフである。
【図８】図７の右下がり領域に含まれる放置時間内で隙間を気密封止したときに得られる隙間内のＨＭＤＳ濃度と疎水膜の耐久性の相関関係のグラフである。
【符号の説明】
１  インクジェットヘッド
２  ノズルプレート
３  キャビティープレート
４  ガラス基板
５  振動板（共通電極）
６  インク室
８  インク供給口
１０  インクリザーバ
１５  電極間における気密封止された空間
１７  個別電極（ＩＴＯ膜）
１８  セグメント電極部（ＩＴＯ膜）
２０  封止材
２５  電圧印加装置
２６  共通電極端子
【図１】
0004051811.tif 000002
【図２】
0004051811.tif 000003
【図３】
0004051811.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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