(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトマスクの回路パターン部に存在するパターン残留欠陥部の修正方法において、
（ａ）残留欠陥部を含むパターンエッジ領域に前記残留欠陥部を除く前記回路パターン部を覆い石英基板部を露出するカーボン膜を形成する工程と、
（ｂ）残留欠陥部領域にレーザーを照射することにより前記残留欠陥部の修正を行う工程とを施すことを特徴とするフォトマスクの回路パターン部の修正方法。
【請求項２】
フォトマスクの回路パターン部に存在するパターン残留欠陥部の修正方法において、
（ａ）残留欠陥部を含む回路パターン部と石英基板部にカーボン膜を用いて新規残留欠陥部を形成する工程と、
（ｂ）新規残留欠陥部領域にレーザーを照射することにより前記新規残留欠陥部の修正を行う工程とを施すことを特徴とするフォトマスクの回路パターン部の修正方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造時におけるリソグラフィ工程の露光装置（ステッパー等）に用いられる、フォトマスクの回路パターン部の残留欠陥の修正方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
現在のフォトマスクにおける回路パターン部の残留欠陥の修正は、以下のように行われている。
【０００３】
（１）まず、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ  Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ  ｓｙｓｔｅｍｓ）修正技術について説明する。ＦＩＢ修正装置としては、セイコー電子工業（株）やＭｉｃｒｉｏｎ（ＵＳＡ）社製などの装置がある。
【０００４】
このＦＩＢ修正装置は、図４に示すように、イオン源１、イオンビームを収束するレンズ１Ａ，電子銃２、プロセスガス銃３で構成されている。
【０００５】
回路パターン部の除去は、イオン源１部からＧａ（ガリウム）イオンビーム１Ｂを放出させ、除去する回路パターン領域にイオンビームをスキャニングすることで回路パターン部を物理的に除去する。
【０００６】
なお、電子銃２から放出される電子は、イオンビームのドリフト（位置ずれ）を抑制するために照射している。イオン源１部から放出されるＧａイオンビーム１Ｂは正の電荷を有するため、絶縁物の石英基板部４にイオンビームを照射することにより、石英基板部４表面には正電位が帯電する。そのためにイオンビームの照射を継続した場合、イオンビームのドリフトが発生する。電子銃２から放出される電子はビームドリフトを抑制する目的で石英基板部４表面を電気的に中和させるようにしている。
【０００７】
なお、プロセスガス銃３は、残留欠陥修正時には使用しない。
【０００８】
（２）次に、レーザー修正技術について説明する。レーザー修正装置としては、Ｑｕａｎｔｒｏｎｉｘ（ＵＳＡ）や日本電気（株）製の装置がある。
【０００９】
図５に示すレーザー修正装置は、Ｎｄ・ＹＡＧレーザーを使用する。
【００１０】
以下に、回路パターン部の除去方法を示す。レーザー１１を照射する領域の回路パターン部（Ｃｒ部）１３では、照射された光エネルギーを吸収し、熱エネルギーに変換する。変換された熱エネルギーは、回路パターン部（Ｃｒ部）１３の融解及び蒸発のためのエネルギーとなる。よって、回路パターン部（Ｃｒ部）１３は、融解及び蒸発することにより除去される。なお、図５において、１２はミラー、１４は石英基板部である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
（１）ＦＩＢ修正技術は、フォトマスクにイオンビームを照射することにより、回路パターン部を形成するＣｒからのＣｒ２次イオンと光透過部である石英基板部からのＳｉの２次イオンが発生する。イオンの種類と個数をカウントするためのチャネルトロンは、イオンビーム照射時に発生するＣｒ２次イオンと、Ｓｉ２次イオンはＣｒ２次イオン検出用のチャネルトロンと、Ｓｉの２次イオン検出用のチャネルトロンにより、イオンの種類と個数をカウントする。各イオンについて、個数をカウントしたデータは、コンピュータに取り込み、イオンビーム照射位置と２次イオン個数を用いてフォトマスクのイメージ像を作成するために使用する。
【００１２】
しかしながら、上記したＦＩＢ修正技術では以下のような問題点がある。
【００１３】
（Ａ）回路パターン部に残留欠陥が存在する場合、残留欠陥部の膜厚が回路パターン部と同程度であれば、コンピュータによるイメージ像を作成するためのＣｒ２次イオン数をカウントすることができる。しかし、残留欠陥部からのＣｒ２次イオン数が少ない場合、つまり、残留欠陥部の膜厚が回路パターン部に対して薄膜な場合（ハーフトーン欠陥）においては、チャネルトロンの検出分解能力、及びコンピュータ画像処理の分解能力の限界により、フォトマスクのイメージ像における残留欠陥部の形状認識が難しい。
【００１４】
（Ｂ）フォトマスク上に存在する欠陥サイズに関する品質要求が６４ＭｂのＤＲＡＭにおいては、０．３５〜０．３μｍ、２５６ＭｂのＤＲＡＭにおいては、０．２５〜０．２μｍレベルの微小欠陥修正が要求される。
【００１５】
しかしながら、コンピュータ画像処理の分解能力の限界により、フォトマスクのイメージ像微小サイズの残留欠陥部の確認は難しい。
【００１６】
（Ｃ）フォトマスクの光透過部の基板材質には通常石英を使用する。ＦＩＢ修正技術とは、回路パターン部の欠陥部を除去する領域に、イオンビームを照射し、ビームスキャニングさせることで欠陥部を物理的に除去する方法である。よって、イオンビームが照射された領域部には、Ｇａイオンが注入され、かつイオンビームにより基板表面が物理的にスパッタされるため、基板表面のラフネスが悪くなる。
【００１７】
つまり、露光時において、欠陥修正部の光強度は、欠陥修正部の表面ラフネスが悪いことから光透過率が低下している。よって、欠陥修正部は、転写時においては、欠陥が存在している場合と同様な形状が転写される。
【００１８】
（Ｄ）ＦＩＢ修正技術は、回路パターン部の欠陥部を除去する領域にのみビームスキャニングさせ、物理的に除去する方法である。イオンビームをスキャンさせた領域（回路パターン部の残留欠陥部）と、スキャンさせていない領域（石英基板部）の境界部は、イオンビームをスキャンさせた領域が物理的にスパッタされているために、境界部に断差が形成される（総称：リバーベット）。このリバーベットは、欠陥部と同様に転写される。
（２）レーザー技術における課題
この装置の観察方式は、ＦＩＢ修正装置におけるフォトマスクの回路パターン確認方法画像イメージとは違い、光学顕微鏡を用いた観察方式である。また、観察時の照明は、反射光、透過光を使用することが可能である。つまり、この修正装置の観察方式は、回路パターン部の残留欠陥を直接観察することが可能である。
【００１９】
よって、ＦＩＢ修正装置における課題である欠損欠陥部にＣｒ薄膜が存在する場合（ハーフトーン欠陥）においても、反射光及び透過光を用いることで確認することができる。
【００２０】
しかしながら、このレーザー修正装置においては、以下の問題点がある。
【００２１】
（Ａ）レーザー照射領域の設定時において、光源にＮｄ・ＹＡＧレーザー（λ：５３２ｎｍ）、つまり、光を用いているために、照射領域の設定は数ミクロン以上が限界となる。つまり、残留欠陥領域がサブミクロンレベルの場合は、照射領域の設定が不可能となり、欠陥修正は不可能となる。
【００２２】
（Ｂ）本装置による修正は、レーザー光による残留欠陥部の融解及び蒸発を行う。しかし、パターンエッジ部の修正を行った場合、レーザーが照射されたパターンエッジ部に数百Å程度の盛り上がりが形成されてしまう。つまり、パターンエッジ部の盛り上がり部は、修正精度を悪くする要因となる。因みに、このレーザー修正方法とＦＩＢ修正方法の加工精度を比較した場合、レーザー修正方法による修正精度の方が悪い。
【００２３】
（Ｃ）本装置による修正は、レーザーを使用する。つまり、レーザー照射領域はレーザー強度分布（ガウス分布）に依存する。よって、修正部のレーザーの照射面積が広面積になるにつれ、レーザー照射領域の外側（周辺部）は、レーザー強度が低下する。その結果、レーザー照射領域の外側（周辺部）の欠陥部は完全に蒸発せずに周辺部に飛散または変質する。飛散または変質した欠陥部は、新たな残留欠陥部となる。
【００２４】
本発明は、上記問題点を除去し、ＦＩＢ修正方法とレーザー修正方法とのそれぞれの利点を利用して、欠陥部の的確な検出と欠陥修正精度の向上を図ることができるフォトマスクの回路パターン部の修正方法を提供することを目的とする。
【００２５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、
〔１〕フォトマスクの回路パターン部に存在するパターン残留欠陥部の修正方法において、残留欠陥部を含むパターンエッジ領域に前記残留欠陥部を除く前記回路パターン部を覆い石英基板部を露出するカーボン膜を形成する工程と、残留欠陥部領域にレーザーを照射することにより前記残留欠陥部の修正を行う工程とを施すようにしたものである。
【００２６】
〔２〕フォトマスクの回路パターン部に存在するパターン残留欠陥部の修正方法において、残留欠陥部を含む回路パターン部と石英基板部にカーボン膜を用いて新規残留欠陥部を形成する工程と、新規残留欠陥部領域にレーザーを照射することにより前記新規残留欠陥部の修正を行う工程とを施すようにしたものである。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２８】
本発明の修正方法は、ＦＩＢ修正装置の利点である残留欠陥部の修正精度がレーザー修正装置と比較して優れている点と、レーザー修正方法の利点である光学顕微鏡による直接観察方法による回路パターン部の残留欠陥部の観察（検出）がＦＩＢ修正装置と比較して優れている点を採り入れ、回路パターン部の欠陥部は、レーザー照射面積が広面積になるにつれ、完全に蒸発せず、周辺部に飛散、または変質するが、ＦＩＢ修正装置で形成したカーボン膜（カーボン薄膜）にレーザーを照射すると、回路パターン部の欠陥部周辺に飛散または変質せずに除去可能である点を巧みに取り込んでフォトマスクの回路パターン部の修正を行うことができる。
【００２９】
まず、本発明の参考例について説明する。
【００３０】
図１は本発明の参考例を示すフォトマスクの回路パターン部の修正工程図である。
【００３１】
（１）まず、図１（ａ）に示すように、石英基板部２０上に形成される回路パターン部２１には、残留欠陥（エッジ残留欠陥）部２２がある。つまり、回路パターン部２１外に残留欠陥（エッジ残留欠陥）部２２が存在する。その残留欠陥（エッジ残留欠陥）２２のサイズはＸ：０．３μｍ、Ｙ：０．３μｍである。このエッジ残留欠陥部２２は、ＦＩＢ修正装置のコンピュータのイメージ像では、検出不可能である。
【００３２】
（２）次に、図１（ｂ）に示すように、レーザー修正装置（ＤＲＳ−II：Ｑｕａｎｔｒｏｎｉｘ製、及びＳＬ４５３Ｃ：日本電気製）を用いて、エッジ残留欠陥部２２と重複する領域２３を設定する。
【００３３】
（３）次に、図１（ｃ）に示すように、Ｎｄ・ＹＡＧレーザーを照射し、エッジ残留欠陥部２２を新規欠損欠陥部２４にする。この新規欠損欠陥部２４は、Ｘ：１．６μｍ、Ｙ：０．７μｍとした。なお、この新規欠損欠陥部２４のサイズは、ＦＩＢ修正装置における、コンピュータイメージ像で認識可能なサイズ、欠陥修正可能なサイズ、及び回路パターン部の設計形状に影響が無い新規欠損欠陥部の形状であることを考慮すれば、新規欠損欠陥部のサイズ、形状についての制約は問わない。
【００３４】
（４）次に、図１（ｄ）に示すように、ＦＩＢ修正装置（ＳＩＲ−１０００：セイコー電子工業製）にフォトマスクをセットし修正を行う。まず、回路パターン部２１の新規欠損欠陥部２４上にカーボン膜を形成するＦＩＢ堆積領域２５を決定する。このＦＩＢ堆積領域２５には、ＦＩＢ修正装置のコンピュータイメージ像上で修正膜であるカーボン膜を形成するための形状及び領域の設定を行う。なお、ＦＩＢ堆積領域２５は、回路パターン部の新規欠損欠陥部２４を一回の修正で可能な設定を行った。
【００３５】
（５）次に、図１（ｅ）に示すように、ＦＩＢ堆積領域２５にカーボン膜２６を１３００Å形成したが、形成するカーボン膜２６については、リソグラフィ工程の露光装置（ステッパー等）において露光する光源、光強度に対して遮断可能とする薄膜であれば、膜厚値は関係ない。
【００３６】
（６）最後に、修正終了後の回路パターン部を光学顕微鏡（ニコン製）の透過光を用いて、回路パターン部の遮光イメージを観察した。光学顕微鏡の光源は、水銀ランプを使用し、かつ変調フィルタにより波長を（λ：３６５ｎｍ）近傍と転写時の光源波長近傍にした。顕微鏡観察結果は、図１（ｆ）に示すように、回路パターン部に残留欠陥部がない状態と同等な転写イメージであることを確認した。
【００３７】
このように、回路パターン部のエッジ残留欠陥部に重複する領域にレーザーを照射し、エッジ残留欠陥部を新規欠損欠陥部にする。その後、回路パターン部の新規欠損欠陥部上に遮光膜としてのカーボン膜を形成する。
【００３８】
上記したように、参考例によれば、回路パターン部のエッジ残留欠陥部を新規欠損欠陥部にすることにより、
１．ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確認）不可能な欠陥部の検出と位置認識が可能になる。
【００３９】
２．回路パターン部の微小なエッジ残留欠陥部を修正するツールとして、ＦＩＢ修正装置を用いることにより、エッジ欠損欠陥部をＦＩＢ修正装置で行うことで修正膜をカーボン膜にすることにより、欠陥修正精度が良く、かつ欠陥修正部が耐洗浄性に優れたものを得ることができる。
【００４０】
３．回路パターン部の微小なエッジ残留欠陥部の修正方法として、現有修正装置を適用することができ、容易に回路パターン部の微小なエッジ残留欠陥部の修正を行うことができる。
【００４１】
次に、本発明の第１実施例について説明する。
【００４２】
この実施例は、回路パターン部の材質であるＣｒとＦＩＢ修正装置で形成するカーボン膜の熱特性の違いを利用するようにしたものである。レーザー修正装置で回路パターン部エッジの残留欠陥を修正する場合、精度良く修正可能にすることができる。
【００４３】
ここで、回路パターン部の材質のＣｒは、融点：２６７０℃、融解熱：１４．６ＫＪ／ｍｏｌ、熱伝導率：９０．３Ｗ／ｍ・Ｋの熱特性に対して、ＦＩＢ修正装置で形成するカーボン膜は、昇華点：３３７０℃、昇華熱：７１５ＫＪ／ｍｏｌ、熱伝導率：１００〜１３０Ｗ／ｍ・Ｋと熱特性において耐熱性がある。
【００４４】
回路パターン部のエッジに存在する残留欠陥部をレーザー修正で除去する場合、パターンエッジ部はレーザー照射により熱エネルギーを得るため、パターンエッジ部のＣｒの膜厚が数百Å程度厚くなる（Ｃｒが盛り上がる）。
【００４５】
したがって、回路パターンのエッジ部は形状変化する。つまり、修正精度が悪くなることになる。そこで、ＦＩＢ修正装置で形成するカーボン膜を回路パターン部の一部に形成することにより、レーザー照射時のエッジ形状が乱れない修正方法を以下に示す。
【００４６】
図２は本発明の第１実施例を示すフォトマスクの回路パターン部の修正工程図である。
【００４７】
（１）まず、図２（ａ）に示すように、石英基板部３０上に形成される回路パターン部３１には、残留欠陥（エッジ残留欠陥）部３２がある。つまり、回路パターン部３１外に残留欠陥（エッジ残留欠陥）部３２が存在する。その残留欠陥（エッジ残留欠陥）部３２のサイズはＸ：０．３μｍ、Ｙ：０．３μｍである。このエッジ残留欠陥部は、ＦＩＢ修正装置のコンピュータのイメージ像では、検出不可能であった。
【００４８】
（２）次に、図２（ｂ）に示すように、ＦＩＢ修正装置（ＳＩＲ−１０００：セイコー電子工業製）にフォトマスクをセット後、回路パターン部３１のエッジ残留欠陥部３２を含む回路パターン部３１のエッジ領域に、カーボン膜を形成するためのＦＩＢ堆積領域３３を決定する。そのＦＩＢ堆積領域３３では、ＦＩＢ修正装置のコンピュータイメージ像上で修正膜であるカーボン膜を形成するための形状及び領域の設定を行った。
【００４９】
この修正領域の設定は、ＦＩＢ修正装置のコンピュータイメージ像での設定可能なサイズ、正規回路パターン部とエッジ残留欠陥部３２において、共有するエッジ部にカーボン膜を形成できるサイズ、及び回路パターン部３１の形状に影響がない形状であることを考慮すれば、カーボン膜を形成する領域のサイズ、形状についての制約は問わない。
【００５０】
（３）次いで、図２（ｃ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いてＦＩＢ堆積領域３２にカーボン膜３４を１０００Å形成した。この修正においては、カーボン膜３４を１０００Å形成したが、形成するカーボン膜は、ＦＩＢ修正装置で薄膜形成可能な薄膜厚であれば問題はない。
【００５１】
（４）次に、図２（ｄ）に示すように、レーザー修正装置（ＤＲＳ−II：Ｑｕａｎｔｒｏｎｉｘ製、及びＳＬ４５３Ｃ：日本電気製）にフォトマスクをセットし、エッジ残留欠陥部領域にＮｄ・ＹＡＧレーザーを照射する領域３５を設定する。レーザーを照射する領域３５は、正規回路パターンのエッジ部にレーザーを照射する領域を設定すること以外は、回路パターン部に影響のないサイズ及び形状であれば、制約は問わない。
【００５２】
（５）次いで、図２（ｅ）に示すように、レーザーを照射する領域３５にレーザーを照射し、回路パターン部の残留欠陥部３２を除去した。
【００５３】
（６）最後に、修正終了後の回路パターン部を光学顕微鏡（ニコン製）の透過光を用いて、回路パターン部の遮光イメージを観察した。光学顕微鏡の光源は、水銀ランプを使用し、変調フィルタにより波長を（λ：３６５ｎｍ）近傍と転写時の光源波長近傍にした。顕微鏡観察結果は、図２（ｆ）に示すように、回路パターン部に残留欠陥部がない状態と同等な転写イメージであることを確認した。
【００５４】
このように、回路パターン部のエッジ残留欠陥部を含む回路パターン部エッジ領域にカーボン膜を形成する。その後、回路パターン部のエッジ残留欠陥部領域にレーザーを照射し、エッジ残留欠陥部を除去する。
【００５５】
上記したように、第１実施例によれば、回路パターン部のエッジ残留欠陥部と回路パターン部のエッジ部近傍領域にカーボン薄膜を形成することにより、
１．レーザー修正装置において、回路パターン部のエッジにおける修正精度が向上する。
【００５６】
２．回路パターン部のエッジ残留欠陥部の修正方法として、現有修正装置を適用することができ、容易に回路パターン部のエッジ残留欠陥部の修正を行うことができる。
【００５７】
次に、本発明の第２実施例について説明する。
【００５８】
この実施例は、回路パターン部の残留欠陥部を含めた領域にＦＩＢ修正装置でカーボン膜を形成し、新規残留欠陥を作製後、レーザー修正装置で残留欠陥部と新規残留欠陥を修正する方法である。
【００５９】
図３は本発明の第２実施例を示すフォトマスクの回路パターン部の修正工程図である。
【００６０】
（１）まず、図３（ａ）に示すように、石英基板部４０上に形成される回路パターン部４１には、残留欠陥（エッジ残留欠陥）部４２がある。つまり、回路パターン部４１外に残留欠陥（エッジ残留欠陥）部４２が存在する。その残留欠陥（エッジ残留欠陥）４２のサイズはＸ：０．３μｍ、Ｙ：０．３μｍである。このエッジ残留欠陥部は、ＦＩＢ修正装置のコンピュータのイメージ像では、検出不可能であった。
【００６１】
（２）次に、図３（ｂ）に示すように、ＦＩＢ修正装置（ＳＩＲ−１０００：セイコー電子工業製）にフォトマスクをセットし、回路パターン部のエッジ残留欠陥部４２を含む回路パターン部４１と石英基板部部４０にカーボン膜を形成するためのＦＩＢ堆積領域４３を決定する。このＦＩＢ堆積領域４３とは、ＦＩＢ修正装置のコンピュータイメージ像上で修正膜であるカーボン膜を形成するための形状及び領域の設定をした。
【００６２】
なお、この修正領域の設定は、ＦＩＢ修正装置のコンピュータイメージ像での設定可能なサイズ、正規回路パターン部とエッジ残留欠陥部において、共有するエッジ部にカーボン薄膜を形成できるサイズ及び回路パターン部の形状に影響がないことを考慮すれば、カーボン膜を形成する領域のサイズ、形状についての制約は問わない。
【００６３】
（３）次に、図３（ｃ）に示すように、ＦＩＢ堆積領域４３にカーボン膜４４を１０００Å形成した。この修正においては、カーボン膜４４を１０００Å形成したが、形成するカーボン膜４４は、ＦＩＢ修正装置で薄膜形成可能な薄膜厚であれば問題はない。
【００６４】
（４）次に、図３（ｄ）に示すように、レーザー修正装置（ＤＲＳ−II：Ｑｕａｎｔｒｏｎｉｘ製、及びＳＬ４５３Ｃ：日本電気製）を用いて、カーボン膜４４を形成した部分に、Ｎｄ・ＹＡＧレーザーを照射する領域４５を設定する。レーザーを照射する領域４５は、正規回路パターン部４１のエッジ部にレーザーを照射する領域を設定すること以外は、回路パターン部４１に影響のないエッジ残留欠陥部４２を除去するサイズ、形状及び石英基板部４０にカーボン膜４４を形成した領域を除去するサイズ、形状であれば、照射する領域について制約は問わない。
【００６５】
（５）次いで、図３（ｅ）に示すように、レーザーを照射する領域４５にレーザーを照射することより、回路パターン部４１の残留欠陥部４２と石英基板部４０上カーボン膜を形成した領域を除去し、修正カーボン膜領域４６を形成する。
【００６６】
（６）最後に、修正終了後の回路パターン部４１を光学顕微鏡（ニコン製）の透過光を用いて、回路パターン部４１の遮光イメージを観察した。光学顕微鏡の光源は、水銀ランプを使用し、かつ変調フィルタにより波長を（λ：３６５ｎｍ）近傍と転写時の光源波長近傍にした。顕微鏡観察結果は、図３（ｆ）に示すように、回路パターン部４１に残留欠陥部４２がない状態と同等な転写イメージであることを確認した。
【００６７】
このように、回路パターン部のエッジ残留欠陥部を含む回路パターン部エッジ領域と石英基板部にカーボン膜を形成する。その後、回路パターン部のエッジ残留欠陥部領域と新規残留欠陥部にレーザーを照射し、残留欠陥部を除去する。
【００６８】
上記したように、第２実施例によれば、回路パターン部のエッジ残留欠陥部及び石英基板部にカーボン膜を形成することにより、
１．レーザー修正装置により、回路パターン部のエッジにおける修正精度が向上する。
【００６９】
２．回路パターン部のエッジ残留欠陥部の修正方法として、現有修正装置を適用することができ、容易に回路パターン部のエッジ残留欠陥部の修正を行うことができる。
【００７０】
なお、第１、第２実施例では、フォトマスクにおける回路パターン修正方法を例に説明したが、本発明の回路パターン修正技術は、フォトマスクの修正技術を液晶パネルの配線パターン修正及び形成技術にも適用可能である。
【００７１】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【００７２】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、以下のような効果を奏することができる。
【００７３】
（１）請求項１記載の発明によれば、回路パターン部のエッジ残留欠陥部と回路パターン部のエッジ部近傍領域にカーボン膜を形成することにより、レーザー修正装置において、回路パターン部のエッジにおける修正精度が向上する。
【００７４】
また、回路パターン部のエッジ残留欠陥部の修正方法として、現有修正装置を適用することができ、容易に回路パターン部のエッジ残留欠陥部の修正を行うことができる。
【００７５】
（２）請求項２記載の発明によれば、回路パターン部のエッジ残留欠陥部及び石英基板部にレーザー修正装置によってカーボン膜を形成することにより、回路パターン部のエッジにおける修正精度が向上する。
【００７６】
また、回路パターン部のエッジ残留欠陥部の修正方法として、現有修正装置を適用することができ、容易に回路パターン部のエッジ残留欠陥部の修正を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の参考例を示すフォトマスクの回路パターン部の修正工程図である。
【図２】  本発明の第１実施例を示すフォトマスクの回路パターン部の修正工程図である。
【図３】  本発明の第２実施例を示すフォトマスクの回路パターン部の修正工程図である。
【図４】  ＦＩＢ修正装置の模式図である。
【図５】  レーザー修正装置の模式図である。
【符号の説明】
２０，３０，４０    石英基板部
２１，３１，４１    回路パターン部
２２，３２，４２    残留欠陥（エッジ残留欠陥）部
２３    エッジ残留欠陥部と重複する領域
２４    新規欠損欠陥部
２５，４３    ＦＩＢ堆積領域
２６，３４，４４    カーボン膜
３３    ＦＩＢ堆積領域
３５，４５    レーザーを照射する領域
４６    修正カーボン膜領域
【図１】
0004122563.tif 000002
【図２】
0004122563.tif 000003
【図３】
0004122563.tif 000004
【図４】
0004122563.tif 000005
【図５】
0004122563.tif 000006