(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁フィルムの一方の表面に接着剤層を介して所定の配線パターンに形成された導体箔が接着されているフィルムキャリアテープにおいて、
前記絶縁フィルムの一方の表面および他方の表面にそれぞれ同じ材質の加熱硬化性の接着剤層が形成されるとともに加熱により硬化され、かつ、前記絶縁フィルムの一方の表面のみに加熱硬化された前記接着剤層により導体箔が接着されていることを特徴とする電子部品実装用フィルムキャリアテープ。
【請求項２】
前記絶縁フィルムの他方の表面の接着剤層を絶縁フィルムの幅方向端部まで形成していることを特徴とする請求項１に記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープ。
【請求項３】
前記絶縁フィルムはポリイミドフィルムであり、前記両接着剤層はエポキシ樹脂系接着剤からなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープ。
【請求項４】
前記両接着剤層の厚さは、７〜１５μｍであることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れかに記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープ。
【請求項５】
前記絶縁フィルムの厚さは、５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れかに記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープ。
【請求項６】
絶縁フィルムの一方の表面に接着剤を介して導体箔を貼着し、エッチングにより該導体箔を所定の配線パターンに形成する電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法において、
前記絶縁フィルムの一方の表面および他方の表面にそれぞれ同じ材質の加熱硬化性の接着剤層を形成するとともに加熱により硬化し、かつ、前記絶縁フィルムの一方の表面のみに加熱硬化される前記接着剤層により導体箔を接着することを特徴とする電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項７】
前記絶縁フィルムの他方の表面の接着剤層を絶縁フィルムの幅方向端部まで形成することを特徴とする請求項６に記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項８】
前記絶縁フィルムはポリイミドフィルムであり、前記両接着剤層はエポキシ樹脂系接着剤からなることを特徴とする請求項６または請求項７に記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項９】
前記他方の表面の接着剤層の厚さは、７〜１５μｍであることを特徴とする請求項６乃至請求項８の何れかにに記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法。
【請求項１０】
前記絶縁フィルムの厚さは、５０μｍ以下であることを特徴とする請求項６乃至請求項９の何れかに記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ＩＣやＬＳＩの実装に使用されている、いわゆるＴＡＢテープや、Ｔ−ＢＧＡ用テープなどのフィルムキャリアテープおよびその製造方法に係り、特に、導体箔を貼着する際に用いられる接着剤に起因するフィルムキャリアテープの反りが低減されたフィルムキャリアテープおよびこのような反りの少ないフィルムキャリアテープの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年ノートパソコンなどの電子機器はますます小型化、軽量化している。また、半導体ＩＣの配線もさらに微細化している。ＩＣあるいはＬＳＩをプリント配線板に搭載するため、または液晶ディスプレイ装置の駆動ＩＣを液晶基板に接続するため等に使用されるフィルムキャリアテープに形成される配線パターンについてもファインピッチ化の要請が高い。
【０００３】
ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープ、Ｔ−ＢＧＡ（Tape Ball Grid Array）用テープ等はいずれも、ポリイミドフィルム等の絶縁フィルム（ベースフィルム）の表面にエポキシ系接着剤などにより形成される接着剤層を介して銅箔のような導体箔を加熱圧着して仮圧着し、これを加熱して接着剤をキュアした後、この導体箔を所望の配線パターンにエッチングし、この配線パターン側の表面の端子部分を除いた必要部分に、絶縁保護層としてエポキシ系樹脂等のソルダーレジスト層が施され、その後端子部分にスズや金等のメッキが施されて製造されている。
【０００４】
そして、このように軽量化あるいはファインピッチ化を進めるためには、基材である絶縁フィルム（例えばポリイミドフィルム）の厚さも薄くする必要がある。すなわち、従来のフィルムキャリアテープでは、絶縁フィルムの厚さ（平均厚さ）は１２５μｍが主流であったが、最近の軽量化あるいはファインピッチ化に伴って、厚さ７５μｍ、５０μｍあるいはそれ以下の絶縁フィルムが使用または検討されている。
【０００５】
絶縁フィルムを形成するポリイミドと、エポキシ樹脂などからなる接着剤とは、導体箔を接着する際の加熱による特性変化が異なり、一般にエポキシ樹脂の方がポリイミドよりも加熱した際の収縮率が大きい。従来の１２５μｍ厚のポリイミドフィルムあるいは７５μｍ厚を超えるような厚手の絶縁フィルムを用いた場合には、絶縁フィルムの剛性が高いために、エポキシ樹脂の熱収縮は、絶縁フィルムによって吸収され、顕在化することは少なかった。しかしながら、例えば７５μｍ以下あるいは５０μｍ以下のような薄手の絶縁フィルムを使用した場合には、接着剤であるエポキシ樹脂の熱収縮によって発生する応力が、フィルムキャリアテープの反りとして現れる。
【０００６】
上述のように電子機器の小型化、軽量化に伴って、フィルムキャリアテープに形成される配線パターンは数十μｍ以下と著しくファインピッチになっており、僅かなフィルムキャリアテープの変形によってもボンディング不良の原因となりやすい。そして、このような絶縁フィルムと接着剤との熱特性の相違によるフィルムキャリアテープの変形は、両者の特性に起因するものであり、絶縁フィルムとしてポリイミドフィルムを使用し、接着剤としてエポキシ系樹脂を使用する以上、回避し難い問題であると考えられており、さらに一旦反りが発生するとその後の製品完成まで続く工程において除去することはできない。
【０００７】
ところで、接着剤のほかにＴＡＢテープに生ずる反りの原因として、ソルダーレジストをキュアした際の熱収縮によるものなどがあり、本発明の出願人は、ソルダーレジストによる反りの発生を低減する方法および反り低減装置について出願している（特開平１１−１１１７８１号公報参照）。この発明は、絶縁フィルムに逆反りを付与しながら加熱することにより、絶縁フィルムに逆反りを形成し、ソルダーレジストによって生ずる反りとこの逆反りとを相殺してフィルムキャリアテープに生ずる変形を低減しようとするものである。
しかしながら、この方法は、付与した逆反りとソルダーレジストにより生ずる反りとが一致する場合には有効であるが、接着剤によって生ずる反りのように、反り量の小さい場合、こうした小さい反りに対応した逆反りを形成することは非常に難しい。従って、この方法は接着剤による反りに対しては有効性が低い。
【０００８】
また、本発明の出願人は、平均厚さが７５μｍ以下である薄厚の絶縁フィルムに該絶縁フィルムの厚さの１５％以下の厚さの接着剤層を介して所望の配線パターンにエッチングされた導体箔が接着されている反りの低減されたフィルムキャリアテープを提案している（特開２０００−１２６２５号公報参照）。このフィルムキャリアテープによれば、接着剤層をキュアすることにより接着剤が熱収縮してもその収縮応力がボンディングの際に支障となるような大きな反りとして顕在化することがなく、しかも配線パターンを確実に絶縁フィルムに接着することができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記事情に鑑みて為されたもので、薄厚の絶縁フィルムを用いた場合に接着剤が熱収縮するために生ずるフィルムキャリアテープの反り変形を新たな手段によって防止することができるフィルムキャリアテープの製造方法および反り変形が低減されたフィルムキャリアテープを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１に記載のフィルムキャリアテープは、絶縁フィルムの一方の表面に接着剤層を介して所定の配線パターンに形成された導体箔が接着されているフィルムキャリアテープにおいて、
前記絶縁フィルムの一方の表面および他方の表面にそれぞれ同じ材質の加熱硬化性の接着剤層が形成されるとともに加熱により硬化され、かつ、前記絶縁フィルムの一方の表面のみに加熱硬化された前記接着剤層により導体箔が接着されていることを特徴とする。
【００１１】
請求項２に記載のフィルムキャリアテープは、前記絶縁フィルムの他方の表面の接着剤層を絶縁フィルムの幅方向端部まで形成していることを特徴とする。
【００１２】
請求項３に記載のフィルムキャリアテープは、請求項１または請求項２の発明において、前記絶縁フィルムはポリイミドフィルムであり、前記両接着剤層はエポキシ樹脂系接着剤からなることを特徴とする。
【００１３】
請求項４に記載のフィルムキャリアテープは、請求項１乃至請求項３の何れかの発明において、前記他方の表面の接着剤層の厚さは、７〜１５μｍであることを特徴とする。
【００１４】
請求項５に記載のフィルムキャリアテープは、請求項１乃至請求項４の何れかの発明において、前記絶縁フィルムの厚さは、５０μｍ以下であることを特徴とする。
【００１５】
請求項６に記載のフィルムキャリアテープの製造方法は、絶縁フィルムの一方の表面に接着剤を介して導体箔を貼着し、エッチングにより該導体箔を所定の配線パターンに形成する電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造方法において、
前記絶縁フィルムの一方の表面および他方の表面にそれぞれ同じ材質の加熱硬化性の接着剤層を形成するとともに加熱により硬化し、かつ、前記絶縁フィルムの一方の表面のみに加熱硬化される前記接着剤層により導体箔を接着することを特徴とする。
【００１６】
請求項７に記載のフィルムキャリアテープの製造方法は、請求項６の発明において、前記絶縁フィルムの他方の表面の接着剤層を絶縁フィルムの幅方向端部まで形成することを特徴とする。
【００１７】
請求項８に記載のフィルムキャリアテープの製造方法は、請求項６または請求項７の発明において、前記絶縁フィルムはポリイミドフィルムであり、前記両接着剤層はエポキシ樹脂系接着剤からなることを特徴とする。
【００１８】
請求項９に記載のフィルムキャリアテープの製造方法は、請求項６乃至請求項８の何れかの発明において、前記他方の表面の接着剤層の厚さは、７〜１５μｍであることを特徴とする。
【００１９】
請求項１０に記載のフィルムキャリアテープの製造方法は、請求項６乃至請求項９の何れかの発明において、前記絶縁フィルムの厚さは、５０μｍ以下であることを特徴とする。
【００２０】
請求項１および請求項６の発明においては、絶縁フィルムの両側に接着剤層を形成するので、これらの接着剤層が加熱硬化するとき熱収縮しても、それらの収縮応力が絶縁フィルムの両側で互いに打ち消し合うため、フィルムキャリアテープの反りを低減することができる。ここで、絶縁フィルムの両側の接着剤層は材質および厚さが同じであることが好ましい。
【００２１】
請求項２および請求項７の発明においては、絶縁フィルムの他方の表面に形成された接着剤層を、絶縁フィルムの幅方向端部まで形成するようにすることで、絶縁フィルム１０を補強することができる。
【００２２】
請求項３および請求項８の発明においては、絶縁フィルムと接着剤層との熱収縮の差が大きい。このため、本発明を適用した場合に特に顕著な効果を得ることができる。
請求項４および請求項９の発明においては、接着剤層の接着力を維持するとともに、軽量化の要求に答えることができる。
請求項５および請求項１０の発明においては、５０μｍ以下の薄厚の絶縁フィルムを用いたフィルムキャリアテープでは特に反りが生じ易いので、本発明を適用した場合に特に顕著な効果を奏することができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。なお、各図において同一構成要素には同一符号を付してその説明を簡略化する。
図１は、本発明の第１の実施の形態に係るＴＡＢテープ（フィルムキャリアテープ）を示す断面図である。このＴＡＢテープ１は、絶縁フィルム１０の一方の表面に接着剤層１２が形成されている。絶縁フィルム１０には、デバイスホール１４、入力側アウターリードホール１６およびスプロケットホール１８が穿設されている。さらに、接着剤層１２を介して所定の配線パターンに形成された導体箔２０が接着されている。この導体箔２０の上には、絶縁保護層２２としての非感光性のソルダーレジスト層がデバイスホール１８および端子部分２４を除いて形成されている。端子部分２４には、スズや金等のメッキが施されている。
一方、絶縁フィルム１０の他方の表面には、接着剤層２６が形成されている。
上記接着剤層１２および接着剤層２６は、スプロケットホール１８，１８間に形成されている。なお、接着剤層２６を、図中、一点鎖線で示すように、絶縁フィルム１０の幅方向端部まで形成するようにしてもよい。このようにすれば、絶縁フィルム１０を補強することができる。
【００２４】
絶縁フィルム１０は、可撓性樹脂フィルムからなる。この絶縁フィルム１０は、導体箔を所定の配線パターンに形成するためにエッチングするときに酸などと接触することから、こうした薬品に侵されない耐薬品性およびボンディングするときの加熱によっても変質しないような耐熱性を有している。このような樹脂の例としては、ガラスエポキシ、ＢＴレジン、ポリエステル、ポリアミドおよびポリイミドなどを挙げることができるが、特にポリイミドからなるフィルムを用いることが好ましい。このようなポリイミドフィルムの例としては、ピロメリット酸２無水物と芳香族ジアミンとから合成される全芳香族ポリイミド、ビフェニルテトラカルボン酸２無水物と芳香族ジアミンとから合成されるビフェニル骨格を有する全芳香族ポリイミドを挙げることができる。特に、ビフェニル骨格を有する全芳香族ポリイミド（例；商品名：ユーピレックス、宇部興産（株）製）がよく用いられる。
【００２５】
絶縁フィルム１０は、従来から一般的に使用されているものよりも薄く、その平均厚さが７５μｍ以下、特に５０μｍ以下である場合に生ずる反りが有効に低減される。絶縁フィルム１０は、その平均厚さが好適には１２．５〜１２５μｍ、好ましくは２５〜７５μｍ、特に好ましくは２５〜５０μｍのものが使用される。
【００２６】
接着剤層１２および接着剤層２６の厚さは、通常は、５〜２０μｍ、好ましくは７〜１５μｍに形成される。
接着剤層１２および接着剤層２６を形成するために使用される接着剤は、一般に、耐熱性、耐薬品性、接着力、可撓性等の特性に優れていることが必要である。このような特性を有する接着剤の例としては、エポキシ樹脂系接着剤、ポリアミド樹脂系接着剤およびフェノール樹脂系接着剤を挙げることができる。ここで、例えば、エポキシ樹脂系接着剤は、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、ポリビニルアセタール樹脂などで変成されていてもよく、またエポキシ樹脂自体がゴム変成されていてもよい。
【００２７】
このような接着剤は、加熱硬化性である。例えば、接着剤としてエポキシ樹脂系接着剤を使用する場合、このエポキシ樹脂系接着剤は、絶縁フィルムに塗布して形成することもできるが、エポキシ樹脂を予めフィルム状にした接着剤フィルムの形態で絶縁フィルムの表面に貼着することが好ましい。即ち、一般にエポキシ系樹脂は、粘度が高いために薄手の絶縁フィルム上に直接塗布しようとする場合には、そのままの粘度で薄い層厚を有するように塗布することは困難である。このため通常はこのエポキシ系樹脂を有機溶媒に溶解あるいは分散させた塗布液を調製して、この塗布液を塗布した後、溶剤を除去する方法を採用する必要がある。そして、塗布液を用いる場合には、塗布層から溶媒を除去する工程およびこの除去した溶媒を回収する工程を、ＴＡＢテープの工程に組み込む必要があり、工程および装置が複雑になり不利である。また、塗布液を塗布して形成された接着剤層は、溶剤が除去されるまで流動性があり、塗布後の処理によっては接着剤層の均一性が損なわれることがある。さらに、微視的に見ると、溶媒が除去された部分は接着剤であるエポキシ系樹脂が粗になる傾向があり、全体として均質な接着剤層を形成しにくい。これに対して、別の基材テープにエポキシ系樹脂を塗布して予め調製した接着剤フィルムを絶縁フィルム上に貼着する場合には、単一の工程で接着剤層を形成することができ、しかもこの工程では有機溶媒を使用しないので設備的にも有利である。さらに、予め接着剤フィルムを製造することにより、接着剤フィルムの厚さを正確に管理することができるので形成される接着剤層の均一性も高くなる。また、接着剤フィルムを製造する際に接着剤フィルムを圧縮すれば、全体として均質な接着剤フィルムを製造することができる。
【００２８】
導体箔２０の例としては、銅、アルミニウムを挙げることができる。また、この導体箔、特に銅箔にはインジウムなどの他の金属成分を少量添加することもできる。導体箔としては銅箔を使用することが好ましい。銅箔材料には、電解銅箔と圧延銅箔があり、いずれの銅箔材料も使用することができる。
【００２９】
このような導体箔の平均厚さは、通常は７０μｍ以下、好ましくは３〜７０μｍ、特に好ましくは４〜４０μｍ、さらに好ましくは４〜２５μｍ、最も好ましくは４〜１８μｍの範囲内にある。特に近時着目されているファインピッチのＴＡＢテープの場合には、平均厚さが通常は３〜２０μｍ、好ましくは４〜１５μｍの範囲内にある電解銅箔が使用される。
【００３０】
次に、このＴＡＢテープ１を製造する方法を説明する。
まず、１２．５〜１２５μｍ、好ましくは２５〜７５μｍの厚さの絶縁フィルム１０の両面にそれぞれ、接着剤を５〜２０μｍ、好ましくは７〜１５μｍの厚さに塗布して接着剤層１２および接着剤層２６を形成する。その後、この接着剤層１２および接着剤層２６が形成された絶縁フィルム１０に、デバイスホール１４、入力側アウターリードホール１６およびスプロケットホール１８を金型によりパンチング加工して開口する。上記接着剤層１２および接着剤層２６は、スプロケットホール１８，１８間に形成する。接着剤層２６は、絶縁フィルム１０の幅方向端部まで形成するようにしてもよい。
次いで、接着剤層１２の幅と略同じ幅を有する導体箔（銅箔）をラミネータにより連続して加熱および加圧（５０〜１８０℃、１〜３kgf/cm2）して仮圧着する。その後、オーブン中で１６０〜１８０℃、４〜６時間加熱して接着剤層１２を硬化させ、導体箔をこの接着剤層１２を介して絶縁フィルム１０に接着する。このとき、同時に接着剤層２６が加熱されて硬化する。
【００３１】
次いで、感光性レジストの塗布、現像およびエッチングを行い、所定の配線パターンに形成された導体箔（銅箔）２０を得る。
次いで、この所定の配線パターンに形成された導体箔２０上にソルダーレジストインクをデバイスホール部分および端子部分を除く導体箔２０全体をカバーするように印刷し、１２０〜１６０℃で１〜２時間加熱して硬化させ、絶縁保護層２２を得る。
最後に、端子部分にスズや金等のメッキを所定の厚さに施して端子部分２４を形成する。
【００３２】
図２は、本発明に対して参考例となるＴＡＢテープを示す断面図である。このＴＡＢテープ（フィルムキャリア テープ）１Ａは、接着剤層２６の表面にさらにこの接着剤層２６を介して導体箔２８が接着されている点で、図１のＴＡＢテープと異なり、その他の点では同じ構造をしている。導体箔２８は、導体箔２０と同様のものを用いることができる。導体箔２８はまた、この場合にも、絶縁フィルム１０の補強のために、接着剤層２６を絶縁フィルム１０の幅方向端部まで形成するようにしてもよい。
【００３３】
次に、このＴＡＢテープ１Ａを製造する方法を説明する。
まず、ＴＡＢテープ１を製造する場合と同様にして、絶縁フィルム１０の両面にそれぞれ、接着剤層１２および接着剤層２６を形成し、その後デバイスホール１４、入力側アウターリードホール１６およびスプロケットホール１８を開口する。
次いで、接着剤層２６の幅と略同じ幅を有する導体箔（銅箔）２８を、ラミネータにより連続して加熱および加圧（５０〜１８０℃、１〜３kgf/cm2）して絶縁フィルム１０の一方の面に仮圧着する。同様にして、絶縁フィルム１０の他方の面に導体箔（銅箔）をラミネータにより連続して加熱および加圧（５０〜１８０℃、１〜３kgf/cm2）して仮圧着する。その後、オーブン中で１６０〜１８０℃、４〜６時間加熱して接着剤層２６および接着剤層１２を硬化し、導体箔をこれらの接着剤層２６および接着剤層１２を介して絶縁フィルム１０の両面に接着する。
次いで、ＴＡＢテープ１を製造する場合と同様にして、絶縁フィルム１０の接着剤層１２側の導体箔をエッチングにより所定の配線パターンに形成して導体箔（銅箔）２０を得、絶縁保護層２２を形成し、端子部分２４を形成する。
【００３４】
なお、上記実施の形態では、本発明をＴＡＢテープに適用した場合について説明したが、Ｔ−ＢＧＡ用テープあるいはＦＢＧＡ(Finepitch Ball Grid Array)用テープ等にも適用することができる。
Ｔ−ＢＧＡ用テープの場合には、ＴＡＢテープにおいて行われるアウターリードボンデングの代わりに、半田ボール（導電性金属ボール）をマトリックス状に配列し、これらを介してプリント基板との接続を行う。そのため、ＴＡＢテープにおいて絶縁フィルムにアウターリードホールが形成される代わりに、Ｔ−ＢＧＡ用テープにおいては、ソルダーレジスト層等からなる絶縁保護層に半田ボールが配置される微小孔が形成される。
また、ＦＢＧＡ用テープの場合には、実装されるＩＣ等の電子部品の下側の絶縁フィルムに多数の貫通孔を形成し、これらの貫通孔に配置される半田ボール（導電性金属ボール）を介してプリント基板との接続を行う。一方、電子部品とＦＢＧＡ用テープとの接続は、電子部品接続端子と、電子部品の上面に形成されているバンプ電極とをワイヤーボンデングするか、あるいは絶縁フィルムに形成されたスリットを跨ぐように形成された配線パターン（電子部品接続端子）を外側端部で切断し、電子部品下面縁部に形成された電極とボンディングする（ビームリードボンディング方式）。そのため、ＴＡＢテープにおいて絶縁フィルムにデバイスホールおよびアウターリードホールが形成される代わりに、ＦＢＧＡ用テープにおいては、絶縁フィルムに半田ボールが配置される微小孔が形成される。
【００３５】
【実施例】
次に、本発明を実施例によりさらに具体的に説明する。
（実施例１）
絶縁フィルム１０として、幅４８ｍｍ、厚さ５０μｍのユーピレックスＳ（宇部興産（株）製）を使用し、この両面にそれぞれ接着剤Ｘ（巴川製紙（株）製）を厚さ１２μｍ、幅４３ｍｍで塗布し、接着剤層１２および接着剤層２６を形成した。その後、デバイスホール１４、入力側アウターリードホール１６およびスプロケットホール１８を金型によりパンチング加工して開口した。
次いで、厚さ１５μｍ、幅４３ｍｍの電解銅箔ＦＱ−ＶＬＰ（三井金属鉱業（株）製）をラミネータにより連続して加熱および加圧（１５０℃、３kgf/cm2）して仮圧着した。その後、オーブン中で１６０℃、４時間加熱して接着剤層１２を硬化させ、銅箔をこの接着剤層１２を介して絶縁フィルム１０に接着した。このとき、同時に接着剤層２６が加熱されて硬化した。
【００３６】
次いで、感光性レジストの塗布、現像およびエッチングを行い、所定の配線パターンに形成された銅箔２０を得た。
次いで、この所定の配線パターンに形成された導体箔２０上にソルダーレジストインク（ＣＣＲ−２３２ＧＦ、（株）アサヒ化学研究所製）をデバイスホール部分および端子部分を除く導体箔２０全体をカバーするように２０〜３０μｍの厚さに印刷し、１４０℃で１時間加熱して硬化させ、絶縁保護層２２を得た。
次いで、端子部分に無電解Ｓｎメッキを行い、スズメッキを約０．５μｍの厚さに施して端子部分２４を形成した。
【００３７】
このようにして製造されたＴＡＢテープの反り量の測定を以下のようにして行った。測定機としてＭｅａｓｕｒｉｎｇ Ｆｉｎｅ Ｓｃｏｐｅ（ＭＦ−１００：（株）ミツトヨ製）を用い、測定サンプルは実施例１で得られた個片（１ピースに切り離したサンプル）を用いた。
先ず測定サンプルを測定機のテーブル上にベース材面を上にして置いた。次に、テーブル面を基準位置（０ｍｍ）にして、デバイスホール部の湾曲した高さを測定した。反りの高さは、Ｍｅａｓｕｒｉｎｇ Ｆｉｎｅ Ｓｃｏｐｅにより、図３に示すように、予めテープの幅方向の４箇所に測定点を定めておき、その測定点に焦点を合わせることにより高さを測定し、得られた高さを反り量とした。測定結果を表１に示す。
【００３８】
（参考例）
実施例１と同様にして、絶縁フィルム１０の両面に接着剤層１２および接着剤層２６を形成した。その後、デバイスホール１４、入力側アウターリードホール１６およびスプロケットホール１８を金型によりパンチング加工して開口した。
次いで、厚さ１５μｍ、幅４３ｍｍの電解銅箔ＦＱ−ＶＬＰ（三井金属鉱業（株）製）をラミネータにより連続して加熱および加圧（１５０℃、３kgf/cm2）して接着剤層２６側に仮圧着した。次いで、厚さ１５μｍ、幅４３ｍｍの電解銅箔ＦＱ−ＶＬＰ（三井金属鉱業（株）製）をラミネータにより連続して加熱および加圧（１５０℃、３kgf/cm2）して接着剤層１２側に仮圧着した。その後、オーブン中で１６０℃、４時間加熱して接着剤層２６および接着剤層１２を硬化させ、銅箔をこれらの接着剤層２６および接着剤層１２を介して絶縁フィルム１０の両面に接着した。
次いで、実施例１と同様にして、絶縁フィルム１０の接着剤層１２側の銅箔をエッチングして所定の配線パターンに形成された銅箔２０を得、絶縁保護層２２を形成し、端子部分２４を形成する。
このようにして製造されたＴＡＢテープの反り量の実施例１と同様にして測定した。その結果を表１に示す。
【００３９】
（比較例）
接着剤層２６を形成しない以外は、実施例１と同様にしてＴＡＢテープを製造し、この得られたＴＡＢテープの反り量を実施例１と同様にして測定した。その結果を表１に示す。
【００４０】
【表１】
0004080681.tif 000002
【００４１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、薄厚の絶縁フィルムを用いた場合に接着剤が熱収縮するために生ずるフィルムキャリアテープの反り変形を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１の実施の形態に係るＴＡＢテープを示す断面図である。
【図２】  本発明に対して参考例となるＴＡＢテープを示す断面図である。
【図３】  ＴＡＢテープの幅方向の反りの測定点を示す平面図である。
【符号の説明】
１，１Ａ ＴＡＢテープ（フィルムキャリアテープ）
１０ 絶縁フィルム
１２，２６ 接着剤
１４ デバイスホール
１６ 入力側アウターリードホール
１８ スプロケットホール
２０，２８ 導体箔
２２ 絶縁保護層
２４ 端子部分
【図１】
0004080681.tif 000003
【図２】
0004080681.tif 000004
【図３】
0004080681.tif 000005