(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アレイ基板に対して略平行な電界を発生させることにより、液晶分子の配列を変化させる、アクティブマトリックス型の液晶表示装置の製造方法において、
上記アレイ基板上に画素電極を形成した後、透明な絶縁膜を成膜する工程と、
該画素電極側面に、該画素電極の膜厚に対する比が０．５以上１．０以下の膜厚の前記絶縁膜を残すように、該絶縁膜をエッチングする工程と、
前記絶縁膜をエッチングする工程の後、前記画素電極に対して、該画素電極の形成時の膜厚に対する比が０．２以下の膜厚分のみを、等方性エッチングによりエッチングする工程と、を有する、
ことを特徴とする、液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
アレイ基板に対して略平行な電界を発生させることにより、液晶分子の配列を変化させる、アクティブマトリックス型の液晶表示装置であって、
前記アレイ基板上に形成された画素電極と、
前記画素電極の側面に形成され、該画素電極の膜厚に対する比が０．５以上１．０以下の膜厚を有する絶縁膜とを備え、
前記画素電極は、該画素電極の形成時の膜厚に対する比が０．２以下の膜厚分が、エッチングによりエッチングされたものである、
ことを特徴とする、液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置の製造方法に関し、特に、画素電極近傍の光り抜けを防止するようにした、アクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
インプレーンスイッチング（IPS: In Plain Switching）方式と呼ばれる、アレイ基板に対して略平行な電界を発生させることにより、液晶分子の配列を変化させる、アクティブマトリックス型液晶表示装置では、通常、アレイ基板上の櫛型形状の画素電極が、カラーフィルター基板上のブラックマトリックスにより遮蔽されていないため、画素電極近傍の配向がコントラストに影響を与える。画素電極のテーパ角が大きいか、もしくは画素電極の膜厚が厚いと、画素電極近傍の配向規制力が弱くなるため、黒表示もしくは中間調表示において画素電極近傍に光り抜けが発生し、コントラスト低下の原因となる。従来は、上記画素電極のテーパ角を小さくするか、もしくは前記画素電極の膜厚を薄く形成することにより、前記画素電極近傍の光り抜けを防止していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のアクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法では、以下のような問題点があった。まず、上記画素電極と同時にチャネル部をエッチングするプロセスの場合、上記画素電極のテーパを制御するのは困難であるため、上記画素電極のテーパ角を小さくすることが出来ない。また、上記画素電極と同時に信号配線を形成する場合、上記画素電極の膜厚を薄くすると上記信号配線の配線抵抗が増加するため、上記画素電極の膜厚を薄く形成できない。
【０００４】
本発明は、上記のような問題を解決するためになされたものであり、画素電極近傍の光り抜けを防止できる、アクティブマトリックス型液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本願請求項１の発明に係る液晶表示装置の製造方法は、アレイ基板に対して略平行な電界を発生させることにより、液晶分子の配列を変化させる、アクティブマトリックス型の液晶表示装置の製造方法において、上記アレイ基板上に画素電極を形成した後、透明な絶縁膜を成膜する工程と、該画素電極側面に、該画素電極の膜厚に対する比が０．５以上１．０以下の膜厚の前記絶縁膜を残すように、該絶縁膜をエッチングする工程と、前記絶縁膜をエッチングする工程の後、前記画素電極に対して、該画素電極の形成時の膜厚に対する比が０．２以下の膜厚分のみを、等方性エッチングによりエッチングする工程と、を有するようにしたものである。
【０００６】
また、本願請求項２の発明に係る液晶表示装置は、アレイ基板に対して略平行な電界を発生させることにより、液晶分子の配列を変化させる、アクティブマトリックス型の液晶表示装置であって、前記アレイ基板上に形成された画素電極と、前記画素電極の側面に形成され、該画素電極の膜厚に対する比が０．５以上１．０以下の膜厚を有する絶縁膜とを備え、前記画素電極は、該画素電極の形成時の膜厚に対する比が０．２以下の膜厚分が、エッチングによりエッチングされたものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
以下、本発明の実施の形態１について図面を参照しながら説明する。
図１に、本発明の実施の形態１に係るアクティブマトリックス型液晶表示装置の平面構成図を示す。図において、１０はアレイ基板、１ａは走査配線、１ｂは共通配線、２ａは信号配線、２ｂは画素電極、３ａはスイッチング素子である。
【０００８】
次に、このように構成される液晶表示装置の製造方法について、図２〜４を用いて説明する。まず、透明なガラスからなるアレイ基板１０上に、スパッタ装置にて膜厚０．４μｍのアルミニウム膜を全面に蒸着する。次に、フォトリソグラフィ法により、上記アルミニウム膜のパターニングを行い、複数の走査配線１ａと複数の共通配線１ｂを形成する。次いで、その上に絶縁膜２０として化学気相成長法（ＣＶＤ法）にて、窒化珪素膜とａ-Ｓｉ膜を形成する。さらにその上に、膜厚０．２μｍのアルミニウム膜を全面に蒸着し、フォトリソグラフィ法により上記アルミニウム膜のパターニングを行い、信号配線２ａと画素電極２ｂを形成した後、ＣＶＤ法により膜厚０．３μｍの窒化珪素膜３０を形成する。この時の図１におけるＹ−Ｙ’の構成断面図を、図２に示す。
【０００９】
その後、ドライエッチングにより膜厚０．３μｍの前記窒化珪素３０のエッチングを行うと同時に停止することにより、前記画素電極２ｂの側壁に、幅０．２μｍ、厚さ０．１５μｍの窒化珪素膜３０を残す。この時の図１におけるＹ−Ｙ’の構成断面図を、図３に示す。
【００１０】
最後に、絶縁膜４０をＣＶＤ法により形成する。この時の図１におけるＹ−Ｙ’の構成断面図を、図４に示す。
【００１１】
この基板を用いて作成された液晶パネルについて、画像検査を行ったところ、画素電極近傍の光り抜けは見られず、従来の方法で作成された液晶パネルに対して、コントラストが５％上昇した。なお、窒化珪素膜３０の膜厚を０．３μｍから０．１５μｍまで変化させて同様の実験を行ったところ、コントラストが３％から５％向上した。
【００１２】
実施の形態２．
次に、本発明の実施の形態２について、図面を参照しながら説明する。
本発明の実施の形態２に係るアクティブマトリックス型液晶表示装置の構成は、実施の形態１に係る液晶表示装置の構成に同じである。
【００１３】
次に、実施の形態２による液晶表示装置の製造方法について、図５〜７を用いて説明する。
まず、透明なガラスからなるアレイ基板１０上に、スパッタ装置にて膜厚０．４μｍのアルミニウム膜を全面に蒸着する。次に、フォトリソグラフィ法により、上記アルミニウム膜のパターニングを行い、複数の走査配線１ａと複数の共通配線１ｂを形成する。次いで、その上に絶縁膜２０として化学気相成長法（ＣＶＤ法）にて、窒化珪素膜とａ-Ｓｉ膜を形成する。さらにその上に、膜厚０．３μｍのアルミニウム膜を全面に蒸着し、フォトリソグラフィ法により上記アルミニウム膜のパターニングを行い、信号配線２ａと画素電極２ｂを形成した後、ＣＶＤ法により膜厚０．３μｍの窒化珪素膜３０を形成する。その後、ドライエッチングにより膜厚０．３μｍの前記窒化珪素３０のエッチングを行うと同時に停止することにより、前記画素電極２ｂの側壁に、幅０．２μｍ、厚さ０．１５μｍの窒化珪素膜３０を残す。この時の図１におけるＹ−Ｙ’の構成断面図を、図５に示す。
【００１４】
次に、等方性エッチングであるウエットエッチングにより、前記画素電極２ｂを膜厚０．０６μｍエッチングする。この時の図１におけるＹ−Ｙ’の構成断面図を、図６に示す。最後に絶縁膜４０をＣＶＤ法により形成した。この時の図１におけるＹ−Ｙ’の構成断面図を、図７に示す。
【００１５】
この基板を用いて作成された液晶パネルに関して、画像検査を行ったところ、画素電極近傍の光り抜けは見られず、従来の方法で作製された液晶パネルに対してコントラストが７％上昇した。
【００１６】
【発明の効果】
以上のように、本発明の請求項１にかかる液晶表示装置の製造方法によれば、アレイ基板に対して略平行な電界を発生させることにより、液晶分子の配列を変化させる、アクティブマトリックス型の液晶表示装置の製造方法において、上記アレイ基板上に画素電極を形成した後、透明な絶縁膜を成膜する工程と、該画素電極側面に、該画素電極の膜厚に対する比が０．５以上１．０以下の膜厚の前記絶縁膜を残すように、該絶縁膜をエッチングする工程と、前記絶縁膜をエッチングする工程の後、前記画素電極に対して、該画素電極の形成時の膜厚に対する比が０．２以下の膜厚分のみを、等方性エッチングによりエッチングする工程と、を有するものとしたので、前記櫛型電極周辺の平坦性を高めて、画素内の櫛型電極近傍の配向規制力を強め、光り抜けを防止することができる。
【００１７】
また、本発明の請求項２にかかる液晶表示装置によれば、アレイ基板に対して略平行な電界を発生させることにより、液晶分子の配列を変化させる、アクティブマトリックス型の液晶表示装置であって、前記アレイ基板上に形成された画素電極と、前記画素電極の側面に形成され、該画素電極の膜厚に対する比が０．５以上１．０以下の膜厚を有する絶縁膜とを備え、前記画素電極は、該画素電極の形成時の膜厚に対する比が０．２以下の膜厚分が、エッチングによりエッチングされたものであるので、前記櫛型電極周辺の平坦性を高めて、画素内の櫛型電極近傍の配向規制力を強め、光り抜けを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１及び２におけるアクティブマトリックス型液晶表示装置の平面構成図である。
【図２】実施の形態１において画素電極２ｂを形成し、絶縁膜３０を形成した後の、図１におけるＹ−Ｙ’部の構成断面図である。
【図３】実施の形態１において絶縁膜３０をエッチングした後の、図１におけるＹ−Ｙ’部の構成断面図である。
【図４】実施の形態１において絶縁膜３０をエッチングした後、絶縁膜４０を形成した後の、図１におけるＹ−Ｙ’部の構成断面図である。
【図５】実施の形態２において絶縁膜３０をエッチングした後の、図１におけるＹ−Ｙ’部の構成断面図である。
【図６】実施の形態２において画素電極２ｂをエッチングした後の図１におけるＹ−Ｙ’部の構成断面図である。
【図７】実施の形態２において画素電極２ｂをエッチングした後、絶縁膜４０を形成した後の、図１におけるＹ−Ｙ’部の構成断面図である。
【符号の説明】
１０  アレイ基板
２０  絶縁膜（SiNx,a-Si）
３０  絶縁膜（SiNx）
４０  絶縁膜（SiNx）
１ａ  走査配線（Al）
１ｂ  共通配線（Al）
２ａ  信号配線（Al）
２ｂ  画素電極（Al）
３ａ  スイッチング素子
【図１】
0004080732.tif 000002
【図２】
0004080732.tif 000003
【図３】
0004080732.tif 000004
【図４】
0004080732.tif 000005
【図５】
0004080732.tif 000006
【図６】
0004080732.tif 000007
【図７】
0004080732.tif 000008