(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上にアモルファスシリコンとＴａと周期律表第Ｖ族元素とを含む薄膜層を触媒ＣＶＤ法によって形成してなり、前記薄膜層におけるＴａの原子比率は０．５５ｐｐｍ〜１．２０％であり、前記薄膜層における周期律表第Ｖ族元素の原子比率は１．０ｐｐｍ〜０．５％であることを特徴とする抵抗体。
【請求項２】
基体上にアモルファスシリコンとＷと周期律表第Ｖ族元素とを含む薄膜層を触媒ＣＶＤ法によって形成してなり、前記薄膜層におけるＷの原子比率は０．５０ｐｐｍ〜１．１５％であり、前記薄膜層における周期律表第Ｖ族元素の原子比率は１．０ｐｐｍ〜０．４８％であることを特徴とする抵抗体。
【請求項３】
基体上にアモルファスシリコンとＭｏと周期律表第Ｖ族元素とを含む薄膜層を触媒ＣＶＤ法によって形成してなり、前記薄膜層におけるＭｏの原子比率は０．５３ｐｐｍ〜１５．０％であり、前記薄膜層における周期律表第Ｖ族元素の原子比率は１．０ｐｐｍ〜０．０９％であることを特徴とする抵抗体。
【請求項４】
前記薄膜層の内部応力が１．７×１０７〜４．６×１０７Ｎ／ｍ２に設定されていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の抵抗体。
【請求項５】
前記薄膜層が発熱層、帯電防止層、および保護層のいずれかであることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の抵抗体。
【請求項６】
前記アモルファスシリコンにはカーボン、窒素、酸素のいずれかがドープされていることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の抵抗体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はアモルファスシリコン層を形成した抵抗体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、抵抗体の発熱層を薄膜形成方法にて成膜する場合には、真空蒸着法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティング法などが用いられる。
【０００３】
たとえば、発熱層をアモルファスシリコン層にて形成した場合には、このアモルファスシリコン層については、特にプラズマＣＶＤ法により成膜体が形成されている。
【０００４】
特開平９-１２０９０７号公報によれば、高周波スパッタリングによりＴａ、Ｓｉ、Ｃ、Ｏからなる抵抗体を作製した技術が報告されている。
【０００５】
また、特開平１１-１０８７９号公報においては、プラズマＣＶＤ法等により、Ｃ、ＳｉＯに金属を添加した発熱抵抗体が報告されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述したようにプラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等によって抵抗体を成膜した場合、低抵抗化した膜、特に比抵抗が１０3〜１０0 (Ω・ｃｍ)の膜を形成するためにはボロンやリン等を大量にドーピングする必要があり、これにより、成膜速度が遅くなり、生産コストが増大し、量産化に適していなかった。
【０００７】
しかも、このような発熱層であれば、膜応力が大きくなり、これによって密着性が低下し、その結果、剥離等の不良が大量に発生していた。
【０００８】
本発明者は上記事情に鑑みて鋭意研究に努めたところ、触媒ＣＶＤ法を用いて、さらに触媒体をＴａ、Ｗ、Ｍｏから選択される触媒元素にて成し、しかも、周期律表第Ｖ族元素を１.０ｐｐｍ〜０．５％の原子比率にて含有させたことで、かかる課題が解消されることを見出した。
【０００９】
したがって本発明は上記知見により完成されたものであり、その目的は低抵抗・低応力のアモルファスシリコン層を高い成膜速度にて安定的に形成した抵抗体を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の側面に係る抵抗体は、基体上にアモルファスシリコンとＴａと周期律表第Ｖ族元素とを含む薄膜層を触媒ＣＶＤ法によって形成してなり、前記薄膜層におけるＴａの原子比率は０．５５ｐｐｍ〜１．２０％であり、前記薄膜層における周期律表第Ｖ族元素の原子比率は１．０ｐｐｍ〜０．５％であることを特徴とする。本発明の第２の側面に係る抵抗体は、基体上にアモルファスシリコンとＷと周期律表第Ｖ族元素とを含む薄膜層を触媒ＣＶＤ法によって形成してなり、前記薄膜層におけるＷの原子比率は０．５０ｐｐｍ〜１．１５％であり、前記薄膜層における周期律表第Ｖ族元素の原子比率は１．０ｐｐｍ〜０．４８％であることを特徴とする。本発明の第３の側面に係る抵抗体は、基体上にアモルファスシリコンとＭｏと周期律表第Ｖ族元素とを含む薄膜層を触媒ＣＶＤ法によって形成してなり、前記薄膜層におけるＭｏの原子比率は０．５３ｐｐｍ〜１５．０％であり、前記薄膜層における周期律表第Ｖ族元素の原子比率は１．０ｐｐｍ〜０．０９％であることを特徴とする抵抗体。本発明の第１から第３の側面に係る抵抗体は、前記薄膜層の内部応力が１．７×１０７〜４．６×１０７Ｎ／ｍ２に設定されているのが好ましい。本発明の第１から第３の側面に係る抵抗体は、前記薄膜層が発熱層、帯電防止層、および保護層のいずれかであるのが好ましい。本発明の第１から第３の側面に係る抵抗体において前記アモルファスシリコンにはカーボン、窒素、酸素のいずれかがドープされているのが好ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の抵抗体をインクジェット用発熱部を例にして、図でもって説明する。
【００１２】
図１は本発明の抵抗体であるインクジェット用発熱部の要部断面図である。図２は本発明に係る触媒ＣＶＤ法の概略構成を示す図である。
【００１３】
図１に示す抵抗体によれば、前記基体であるガラスやセラミックスなどの絶縁性の基板１の上にアルミニウムやクロム等の金属からなる電極２を成膜し、この電極２上に前記アモルファスシリコン層である発熱層３を触媒ＣＶＤ法により形成し、さらに発熱層３の上にアルミニウムやクロム等の金属からなる他の電極４を成膜したものである。
【００１４】
電極２や電極４は真空蒸着法やスパッタリング法にて形成すればよい。
【００１５】
発熱層３については、アモルファスシリコンからなる。アモルファスシリコンについては、さらにカーボンや窒素を、酸素をドープしてもよい。
【００１６】
そして、本発明においては、発熱層３の抵抗値の調整用に周期律表第Ｖ族元素を１.０ｐｐｍ〜０．５％の原子比率にて含有させ、これによって、発熱層３の比抵抗値を４．１×１０3〜７．８×１０0Ω・ｃｍの範囲にできる。この周期律表第Ｖ族元素としては、Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉがあり、いずれの元素でもよい。
【００１７】
かかる発熱層３は触媒ＣＶＤ法により成膜形成する。参考までに特開平６−３３８４９１号公報に記載された技術を用いればよい。
【００１８】
以下、周期律表第Ｖ族元素として、リン（Ｐ）を用いた場合を示す。
【００１９】
図２にて触媒ＣＶＤ装置の構成を示す。
【００２０】
同図にて、５は真空容器であり、この真空容器５の内部に支持体６が配置され、この支持体６の上に被成膜用基板７を配設する。そして、８はガス導入部であり、ガス導入部８と被成膜用基板７との間に、前記触媒体であるフィラメント９を配している。
【００２１】
そして、半導体ガスを導入すると、ガス導入部８より噴出し、フィラメント９を通して被成膜用基板７上に成膜される。
【００２２】
この成膜条件は、たとえば真空度１３.３Pa、基板温度２５０℃、触媒体（フィラメント９）の温度２２００℃である。
【００２３】
原料用ガスとしては、水素化珪素ガス（モノシラン、ジシラン）等を用いられ、キャリアガスとしては一般に常用される水素ガスあるいはアルゴンガス等が用いられる。さらに、抵抗値の調整用に若干のドーピングガスを添加するとよく、そのためのガスとして、ＰＨ3等のガスを用いればよい。
【００２４】
本発明によれば、触媒体には、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏから選択される触媒元素にて成し、触媒体温度をたとえば２２００℃にまでに高めることで、触媒体を蒸発させ、そして、薄膜層中に触媒体の元素を取り込んでいる。
【００２５】
かくして本発明によれば、かかる触媒ＣＶＤ法により、少ないドーピングガス（ＰＨ3等のガス）を添加するだけで、所望の比抵抗の成膜体を安価に得ることができた。
【００２６】
本発明者が繰り返し行った実験によれば、かかる触媒元素を含有しない場合には、Ｐ含有量については、５０００ｐｐｍ（０．５％）以上必要であったが、これに対し、本発明によれば、Ｐ含有量であれば、１．０ｐｐｍ以上にて、４．１×１０3Ω・ｃｍ以下の比抵抗の成膜体が得られた。
【００２７】
また、本発明においては、触媒ＣＶＤ法にて成膜を行なったことで、プラズマのダメージを受けなくなり、これにより、膜の内部応力が小さくなり、剥れにくい膜が形成できた。
【００２８】
【実施例】
（例１）
図３に示すごとく、ＡＦ４５ガラスからなる基板１１（４０ｍｍ×１０ｍｍ×厚み０．１ｍｍ）の上に発熱層１３を触媒ＣＶＤ法（触媒体：Ｔａ）により形成する。この層は表１に示す成膜条件により２００００Åの厚みでアモルファスシリコン層を成膜形成した。そして、ソリ量から測定した。
【００２９】
同図によれば、基板１１の端部を基板支持体１０に固定し、そして、この基板１１の上に薄膜層（発熱層）１３を成膜して、ソリ量δを測定した。
【００３０】
他方、その他の特性を測定するには、＃７０５９ガラスからなる基板１（４０ｍｍ×１０ｍｍ×厚み１ｍｍ）の上に１ｍｍ幅のアルミ電極２を蒸着させ、その上に発熱層３を触媒ＣＶＤ法（触媒体：Ｔａ）により形成し、発熱抵抗体用にする。この層は表１に示す成膜条件により２００００Åの厚みでアモルファスシリコン層を成膜形成した。
【００３１】
【表１】
0004034976.tif 000002
【００３２】
かくして得られた本発明の抵抗体について、その内部応力をソリ量から測定したところ、そのようなソリもなかった。さらに抵抗体の上に１ｍｍ幅の電極を十字方向に蒸着し、発熱の有無を評価したところ、十分なる発熱を確認することができた。
【００３３】
また、抵抗の測定用として＃７０５９ガラスからなる基板１（４０ｍｍ×１０ｍｍ×厚み１ｍｍ）上に発熱層３を触媒ＣＶＤ法（触媒体：Ｔａ）により形成し、発熱抵抗体用にする。この層は表１に示す成膜条件により２００００Åの厚みでアモルファスシリコン層を成膜形成した。この試料によれば、基板上に直接発熱層を形成し、その上に櫛形電極を蒸着し、測定を行った。その結果、比抵抗は１０1 Ω・ｃｍとなり、良好な結果が得られた。
【００３４】
（例２）
つぎに（例１）に示す抵抗体を作製するに当たり、発熱層の成膜において、触媒体を１５００〜２５００℃の範囲で変え、その他の成膜条件を（例１）の抵抗体と同じにて設定し、各種抵抗体を作製した。
【００３５】
このように触媒体温度を増減させることにより、触媒元素Ｔａの含有量を０．０５ｐｐｍ以上に幾とおりにも変えた各種抵抗体を作製した。そして、これら抵抗体の比抵抗、発熱および内部応力と密着性を測定したところ、表２に示すような結果が得られた。
【００３６】
発熱の評価は、○、△、×の３とおりに区分し、○印は規格の発熱量を満足している場合、△印は一部のみ規格の発熱量を満足している場合、×印は全面が規格の発熱量を満足していない場合を示す。
【００３７】
また、密着性の評価は、○、△、×の３とおりに区分し、○印は膜ハガレの全くない状態の場合、△印は一部のみ膜ハガレがある状態の場合、×印は全面に膜ハガレがある状態の場合を示す。
【００３８】
【表２】
0004034976.tif 000003
【００３９】
この表から明らかなとおり、触媒体温度が増大することで触媒体元素の含有量が多くなり、比抵抗が小さくなることがわかる。これは、触媒体温度が上昇することで、触媒元素が蒸発し、膜中に元素が入るためである。そして、触媒元素が膜中に入っていくことで、比抵抗が小さくなり、発熱性が向上したことがわかる。
【００４０】
Ｔａの場合、触媒体温度が２１００℃〜２３００℃では、発熱・密着性ともに良好な結果が得られた。触媒体温度が２４００℃では、膜中に触媒元素が入りすぎ、粗な膜となりボロボロと剥がれてしまう結果となった。また、温度が高すぎて触媒体が切れてしまうこともあった。さらに、２５００℃以上では、触媒体が成膜中に常時切れてしまい、膜が付着しない結果となった。
【００４１】
内部応力については、一般的なプラズマＣＶＤ法で作製されたアモルファスシリコン膜であれば、１.０×１０8〜７.５×１０8（Ｎ／ｍ2）であるが、本例にて作製された抵抗体については、相当に小さい値（一桁小さい）であり、密着性等に顕著な効果を奏する。
【００４２】
（例３）
つぎに（例１）に示す抵抗体を作製するに当たり、薄膜層（発熱層１３）の成膜において、ＰＨ3ガスの流量（４０ｐｐｍと０．２％にて水素希釈したボンベを使用）を０〜３００ｓｃｃｍの範囲にて変え、そして、ＳｉＨ4ガスは２０ｓｃｃｍの流量にて、その他の成膜条件を（例１）の抵抗体と同じにて設定し、各種抵抗体を作製した。
【００４３】
すなわち、薄膜層を成膜形成するに際し、ＳｉＨ4ガスに対するＰＨ3ガス流量を変えることで、Ｐ（リン）の含有量を０〜１．５％にまで幾とおりにも変えた各種抵抗体を作製した。
【００４４】
そして、これら抵抗体の比抵抗、発熱、内部応力および密着性を測定したところ、表３に示すような結果が得られた。
【００４５】
【表３】
0004034976.tif 000004
【００４６】
同表から明らかなとおり、ＰＨ3ガス流量が増大することで、リン元素の含有量が多くなり、比抵抗が小さくなることがわかる。これは、ＰＨ3ガス流量が増大することで、ＳｉＨ4ガスに対する流量比が高くなり、リン元素がシリコンの膜中に多く入っていくからである。そして、リン元素が膜中に入っていくことで、比抵抗が小さくなり、発熱性が向上したことがわかる。
【００４７】
また、リン含有量が１.０ｐｐｍ〜０．５％の原子比率にて含有させたことで、発熱・密着性ともに、良好な結果が得られた。
【００４８】
リン含有量が１．０ｐｐｍ未満では、比抵抗が大きくなり、発熱しない結果となった。一方、リン含有量が０．５２％以上になると、膜中にリン元素が入りすぎて、内部応力が大きくなり、これにより、基板のソリが大きくなり、膜が剥がれ、さらに粗な膜となり、ボロボロと剥がれてしまう結果となった。
【００４９】
さらに、リン元素の含有量を０．８０％以上に多くすると、成膜速度が極端に遅くする必要があり、量産には不向きであると考えられる。成膜速度が大きくなると、ボロンの分解効率が低下し、粗な膜質となるためである。
【００５０】
（例４）
つぎに（例２）に示す抵抗体を作製するに当たり、触媒元素をＴａに代えて、Ｗにして、触媒体を１５００〜３０００℃の範囲で変え、その他の成膜条件を（例１）の抵抗体と同じにて設定し、各種抵抗体を作製した。
【００５１】
このように触媒体温度を増減させることにより、触媒元素Ｗの含有量を０．０４ｐｐｍ以上に幾とおりにも変えた各種抵抗体を作製した。そして、これら抵抗体の比抵抗、発熱および内部応力と密着性を測定したところ、表４に示すような結果が得られた。
【００５２】
【表４】
0004034976.tif 000005
【００５３】
この表から明らかなとおり、触媒体温度が増大することで触媒体元素の含有量が多くなり、比抵抗が小さくなることがわかる。これは、触媒体温度が上昇することで、触媒元素が蒸発し、膜中に元素が入るためである。そして、触媒元素が膜中に入っていくことで、比抵抗が小さくなり、発熱性が向上したことがわかる。
【００５４】
Ｗの場合、触媒体温度が２０００℃〜２５００℃では、発熱・密着性ともに良好な結果が得られた。触媒体温度が２７００℃では、膜中に触媒元素が入りすぎ、粗な膜となりボロボロと剥がれてしまう結果となった。また、温度が高すぎて触媒体が切れてしまうこともあった。さらに、３０００℃以上では、触媒体が成膜中に常時切れてしまい、膜が付着しない結果となった。
【００５５】
内部応力については、一般的なプラズマＣＶＤ法で作製されたアモルファスシリコン膜であれば、１.０×１０8〜７.５×１０8（Ｎ／ｍ2）であるが、本例にて作製された抵抗体については、相当に小さい値（一桁小さい）であり、密着性等に顕著な効果を奏する。
【００５６】
（例５）
つぎに（例４）に示す抵抗体を作製するに当たり、薄膜層（発熱層１３）の成膜において、ＰＨ3ガスの流量（４０ｐｐｍと０．２％にて水素希釈したボンベを使用）を０〜３００ｓｃｃｍの範囲にて変え、そして、ＳｉＨ4ガスは２０ｓｃｃｍの流量にて、その他の成膜条件を（例１）の抵抗体と同じにて設定し、各種抵抗体を作製した。
【００５７】
すなわち、薄膜層を成膜形成するに際し、ＳｉＨ4ガスに対するＰＨ3ガス流量を変えることで、Ｐ（リン）の含有量を０〜１．４２％にまで幾とおりにも変えた各種抵抗体を作製した。
【００５８】
そして、これら抵抗体の比抵抗、発熱、内部応力および密着性を測定したところ、表５に示すような結果が得られた。
【００５９】
【表５】
0004034976.tif 000006
【００６０】
同表から明らかなとおり、ＰＨ3ガス流量が増大することで、リン元素の含有量が多くなり、比抵抗が小さくなることがわかる。これは、ＰＨ3ガス流量が増大することで、ＳｉＨ4ガスに対する流量比が高くなり、リン元素がシリコンの膜中に多く入っていくからである。そして、リン元素が膜中に入っていくことで、比抵抗が小さくなり、発熱性が向上したことがわかる。
【００６１】
また、リン含有量が１.０ｐｐｍ〜０．５％の原子比率にて含有させたことで、発熱・密着性ともに、良好な結果が得られた。
【００６２】
リン含有量が１．０ｐｐｍ未満では、比抵抗が大きくなり、発熱しない結果となった。一方、リン含有量が０．７５％以上になると、膜中にリン元素が入りすぎて、内部応力が大きくなり、これにより、基板のソリが大きくなり、膜が剥がれ、さらに粗な膜となり、ボロボロと剥がれてしまう結果となった。
【００６３】
さらに、リン元素の含有量を０．７５％以上に多くすると、成膜速度が極端に遅くする必要があり、量産には不向きであると考えられる。成膜速度が大きくなると、ボロンの分解効率が低下し、粗な膜質となるためである。
【００６４】
（例６）
つぎに（例２）に示す抵抗体を作製するに当たり、触媒元素をＴａに代えて、Ｍｏにして、触媒体を１５００〜３０００℃の範囲で変え、その他の成膜条件を（例１）の抵抗体と同じにて設定し、各種抵抗体を作製した。
【００６５】
このように触媒体温度を増減させることにより、触媒元素Ｍｏの含有量を０．０４ｐｐｍ以上に幾とおりにも変えた各種抵抗体を作製した。そして、これら抵抗体の比抵抗、発熱および内部応力と密着性を測定したところ、表６に示すような結果が得られた。
【００６６】
【表６】
0004034976.tif 000007
【００６７】
この表から明らかなとおり、触媒体温度が増大することで触媒体元素の含有量が多くなり、比抵抗が小さくなることがわかる。これは、触媒体温度が上昇することで、触媒元素が蒸発し、膜中に元素が入るためである。そして、触媒元素が膜中に入っていくことで、比抵抗が小さくなり、発熱性が向上したことがわかる。
【００６８】
Ｍｏの場合、触媒体温度が２０００℃〜２７００℃では、発熱・密着性ともに良好な結果が得られた。触媒体温度が２８００℃では、膜中に触媒元素が入りすぎ、粗な膜となりボロボロと剥がれてしまう結果となった。また、温度が高すぎて触媒体が切れてしまうこともあった。さらに、３０００℃以上では、触媒体が成膜中に常時切れてしまい、膜が付着しない結果となった。
【００６９】
内部応力については、一般的なプラズマＣＶＤ法で作製されたアモルファスシリコン膜であれば、１.０×１０8〜７.５×１０8（Ｎ／ｍ2）であるが、本例にて作製された抵抗体については、相当に小さい値（一桁小さい）であり、密着性等に顕著な効果を奏する。
【００７０】
（例７）
つぎに（例６）に示す抵抗体を作製するに当たり、薄膜層（発熱層１３）の成膜において、ＰＨ3ガスの流量（４０ｐｐｍと０．２％にて水素希釈したボンベを使用）を０〜３００ｓｃｃｍの範囲にて変え、そして、ＳｉＨ4ガスは２０ｓｃｃｍの流量にて、その他の成膜条件を（例１）の抵抗体と同じにて設定し、各種抵抗体を作製した。
【００７１】
すなわち、薄膜層を成膜形成するに際し、ＳｉＨ4ガスに対するＰＨ3ガス流量を変えることで、Ｐ（リン）の含有量を０〜１．５７％にまで幾とおりにも変えた各種抵抗体を作製した。
【００７２】
そして、これら抵抗体の比抵抗、発熱、内部応力および密着性を測定したところ、表７に示すような結果が得られた。
【００７３】
【表７】
0004034976.tif 000008
【００７４】
同表から明らかなとおり、ＰＨ3ガス流量が増大することで、リン元素の含有量が多くなり、比抵抗が小さくなることがわかる。これは、ＰＨ3ガス流量が増大することで、ＳｉＨ4ガスに対する流量比が高くなり、リン元素がシリコンの膜中に多く入っていくからである。そして、リン元素が膜中に入っていくことで、比抵抗が小さくなり、発熱性が向上したことがわかる。
【００７５】
また、リン含有量が１.０ｐｐｍ〜０．５％の原子比率にて含有させたことで、発熱・密着性ともに、良好な結果が得られた。
【００７６】
リン含有量が１．０ｐｐｍ未満では、比抵抗が大きくなり、発熱しない結果となった。一方、リン含有量が０．５２％以上になると、膜中にリン元素が入りすぎて、内部応力が大きくなり、これにより、基板のソリが大きくなり、膜が剥がれ、さらに粗な膜となり、ボロボロと剥がれてしまう結果となった。
【００７７】
さらに、リン元素の含有量を０．５２％以上に多くすると、成膜速度が極端に遅くする必要があり、量産には不向きであると考えられる。成膜速度が大きくなると、ボロンの分解効率が低下し、粗な膜質となるためである。
【００７８】
なお、本発明は上記の実施形態例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更や改良等はなんら差し支えない。たとえば、本発明によれば、触媒体には、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏを単独にて用いたが、これに代えて、これらを組合せた複合材にて、そして、複数の触媒元素を発熱層に添加してもよい。
【００７９】
以上のとおり、本発明によれば、基板支持体上にアモルファスシリコン層を触媒ＣＶＤ法により成膜した抵抗体において、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏから選択される触媒元素を０．５ｐｐｍ〜１５％の範囲で含有させ、かつ周期律表第Ｖ族元素を１．０ｐｐｍ〜０．５％の原子比率にて含有させたことで、すぐれた発熱性が得られ、さらに、安価で品質が安定し（密着性等）量産性に優れた抵抗体が提供できた。
【００８０】
また、本発明の抵抗体によれば、サーマルヘッド用発熱部、インクジェット用発熱部に、また、半導体露光装置の電子ビーム機構部の帯電防止コートとして、エッチング部材用(反応炉)の保護コ−トとしても適用できる。たとえば、インクジェット用発熱部ならびに半導体露光装置の帯電防止コートとして、比抵抗１０3〜１０0 (Ω・ｃｍ)の膜が形成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の抵抗体の断面図である。
【図２】本発明に係る触媒ＣＶＤ法の概略構成を示す図である。
【図３】抵抗体のソリ量の測定方法を示す説明図である。
【符号の説明】
１・・・基板
２、４・・・電極
５・・・真空容器
６・・・支持体
７・・・被成膜用基板
８・・・ガス導入部
９・・・フィラメント
【図１】
0004034976.tif 000009
【図２】
0004034976.tif 000010
【図３】
0004034976.tif 000011