(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタと接続するドレイン電極と、
前記薄膜トランジスタ上に形成された層間絶縁膜と、
前記ドレイン電極が露出するように前記層間絶縁膜に設けられた開口部において、前記ドレイン電極と接するように形成されたアモルファスカーボン膜と、
前記アモルファスカーボン膜上に形成された導電性を有する膜とを有し、
前記ドレイン電極と前記導電性を有する膜とで前記アモルファスカーボン膜を誘電体とする補助容量を形成していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタと接続するドレイン電極と、
前記薄膜トランジスタ上に形成された層間絶縁膜と、
前記ドレイン電極が露出するように前記層間絶縁膜に設けられた開口部において、前記ドレイン電極と接するように形成されたアモルファスカーボン膜と、
前記アモルファスカーボン膜上に形成された導電性を有する遮光膜とを有し、
前記ドレイン電極と前記遮光膜とで前記アモルファスカーボン膜を誘電体とする補助容量を形成していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記アモルファスカーボン膜の膜厚は５０〜１００ｎｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記層間絶縁膜とはポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、アクリルから選ばれた一種または複数種の材料からなる有機樹脂膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記アモルファスカーボン膜はｓｐ３結合を主体とする炭素または炭素を主成分とする材料であることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本願発明は同一基板上に形成された複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を組み合わせて構成された半導体装置（半導体回路や電気光学装置など）及びその様な半導体装置を搭載した電子機器の構成に関する。
【０００２】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用して機能する装置全般を意味しており、上述の半導体回路や電気光学装置だけでなく、電子機器をも半導体装置の範疇に含むものとする。
【０００３】
【従来の技術】
近年、ガラス基板上において複数のＴＦＴを組み合わせ、画素マトリクス回路と駆動回路とを構成した液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）が注目されている。液晶ディスプレイはＣＲＴに替わる次世代ディスプレイとして期待される。
【０００４】
その一方で液晶ディスプレイはノートパソコンのモニタやプロジェクターの画像表示デバイスとして利用されるが、非常に温度に弱いという特質を有する。これはＴＦＴ自体の特性が温度に影響されることと、液晶が温度で特性を変えてしまうことに起因している。
【０００５】
従って、温度変動の小さな環境で用いることが望ましいのであるが、液晶ディスプレイは非常に熱に晒されやすい環境で用いられる。
【０００６】
その一つは回路を構成するＴＦＴの自己発熱であり、避けることのできない熱源となってしまう。局部的に数百℃にも達する発熱源が百万個以上も集積化された液晶ディスプレイは非常に高熱を発する。
【０００７】
また、液晶ディスプレイに対して照射されるバックライト光が熱に変換されてしまい、大きな熱源となりうる。外部光を用いることができるほど光利用効率が向上すればバックライトレスといった方式も採用できるが、現状の技術ではバックライトに頼らざるを得ない。
【０００８】
この様に日常の使用条件下においてさえも、液晶ディスプレイは非常に熱に晒される機会が多く、耐熱性を高めることが信頼性の高い製品を得るためにも必要不可欠な構成となっている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本願発明では、ＴＦＴと同一の基板上に設けられた放熱層（以下、ヒートシンクと呼ぶ）を用いて効率よく熱を発散させ、ＴＦＴや液晶材料の熱による劣化を防ぎ、信頼性の高い液晶ディスプレイを実現することを課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本明細書で開示する発明の構成は、
同一基板上に形成された複数のＴＦＴでなる半導体回路を有する半導体装置であって、
前記半導体回路の少なくとも一部は、当該半導体回路が形成された基板上に設けられた遮光膜で覆われ、
前記遮光膜で遮光された領域内に選択的にアモルファスカーボン膜が形成されていることを特徴とする。
【００１１】
また、他の発明の構成は、
同一基板上に形成された複数のＴＦＴでなる半導体回路を有する半導体装置であって、
前記半導体回路の上には所定箇所を遮光する様にブラックマスクが設けられており、当該ブラックマスクは遮光膜とアモルファスカーボン膜との積層構造からなることを特徴とする。
【００１２】
上記構成において、所定箇所とはＴＦＴ及び／又は電極配線が形成された領域を指す。即ち、画像表示領域として利用できない場所を意味する。
【００１３】
また、他の発明の構成は、
同一基板上においてマトリクス状に配列された複数の画素電極を有する画素マトリクス回路を含む半導体装置であって、
前記画素電極は絶縁膜上に設けられた反射性を有する導電膜からなり、且つ、前記絶縁膜と前記画素電極との間にはアモルファスカーボン膜が設けられていることを特徴とする。
【００１４】
本願発明ではヒートシンク（放熱層）としてアモルファスカーボン膜を用いるにあたって、アモルファスカーボン膜の透過率に影響されない構成を提供する。即ち、アモルファスカーボン膜でなるヒートシンクの配置を、ブラックマスクや配線等によって遮光される領域（画像表示に利用できない領域）と一致させることで、透過率を問題とすることなくアモルファスカーボン膜を利用することが可能となる。
【００１５】
本願発明で利用するアモルファスカーボン膜はダイヤモンドとグラファイトとの中間の特性を示す物質である。本明細書中では特にダイヤモンドに近い特性を有するものはダイヤモンドライクカーボン（以下、ＤＬＣと略記する）と呼び、グラファイトに近い特性を有するものはグラファイトライクカーボン（ＧＬＣと略記する）と呼ぶ。
【００１６】
なお、ＤＬＣ膜とＧＬＣ膜との明確な境界はなく、一般的にＤＬＣ膜はダイヤモンドの如き物性を示す炭素または炭素を主成分とし、ｓｐ3 結合を主体とする薄膜と定義されている。本願発明ではアモルファスカーボン膜をＤＬＣ膜とＧＬＣ膜とに明確に区別する必要はなく、低摩擦係数、高硬度、耐摩耗性といったＤＬＣ特有の効果を期待する場合のみ注意すれば良い。
【００１７】
これらのアモルファスカーボン膜は高い熱伝導性を有するためヒートシンクとして利用しうるが、膜質がＧＬＣ膜に近づくにつれて透過率が低下してしまうことが知られている。また、透過率の比較的高いＤＬＣ膜でも膜厚が厚くなるにしたがって透過率が低下する傾向にある。
【００１８】
本願発明はこの様に透過率が低い膜質のアモルファスカーボン膜をヒートシンクとして有効に活用するための技術である。即ち、本願発明の構成とすることで膜厚５nm〜１μｍ（代表的には 100〜300 nm、ただしＤＬＣ膜の場合には50〜100 nmが好ましい）の範囲でアモルファスカーボン膜をヒートシンクとして利用することが可能となる。
【００１９】
また、本願発明はどの様な構造及び特性を有するＴＦＴを用いた半導体装置に対しても有効である。なお、本願発明の効果が顕著に現れるのはＴＦＴの動作性能が高く、ＴＦＴの自己発熱が激しい場合である。
【００２０】
例えば、本発明者らが特開平９−３１２２６０号公報に開示した様な極めて動作速度の速いＴＦＴを半導体回路の構成にあたって使用すると、発生する熱量も大きなものとなる。
【００２１】
また、公知のスマートカット法を利用したＵＭＩＢＯＮＤ基板や酸素イオン注入を利用したＳＩＭＯＸ基板などを用いて単結晶シリコン薄膜で構成されるＴＦＴを作製した場合には、非常に動作速度の速いＴＦＴが得られる。
【００２２】
これらの様に、ＴＦＴの動作速度が速くなるに従って発生する熱量も増大し、熱劣化も激しくなる。今後、液晶ディスプレイ等の性能が向上するにつれてこの様な問題は深刻化していくことが容易に予想できる。
【００２３】
本願発明はこの様な熱劣化に対する対策として、非常に簡易かつ効果的な手段であり、蓄熱によるＴＦＴや液晶層の劣化を防ぐことができる。
【００２４】
また、上記構成を得るにあたって、他の発明の構成は、
複数のＴＦＴ上に形成された絶縁膜上にアモルファスカーボン膜と遮光膜とを順次積層する工程と、
前記アモルファスカーボン膜及び遮光膜を連続的にエッチングして同一形状にパターン形成する工程と、
を有することを特徴とする。
【００２５】
また、他の発明の構成は、
複数のＴＦＴ上に形成された絶縁膜上において、前記ＴＦＴの上方にのみアモルファスカーボン膜からなるパターンを形成する工程と、
前記アモルファスカーボン膜を覆って遮光膜からなるパターンを形成する工程と、
を有することを特徴とする。
【００２６】
また、他の発明の構成は、
同一基板上においてマトリクス状に配列された複数の画素ＴＦＴを構成に含む半導体装置の作製方法であって、
前記複数の画素ＴＦＴの各々が有するドレイン電極上において、当該複数の画素ＴＦＴを覆う絶縁膜に開口部を設ける工程と、
前記開口部を覆ってアモルファスカーボン膜と導電性を有する遮光膜とで構成される積層膜を形成する工程と、
を有し、
前記ドレイン電極と前記遮光膜とで前記アモルファスカーボン膜を誘電体とする補助容量を形成することを特徴とする。
【００２７】
【発明の実施の形態】
本願発明の実施の形態に関する詳細について、以下に記載する実施例でもって説明を行うこととする。
【００２８】
【実施例】
〔実施例１〕
本実施例の構成について図１を用いて説明する。図１（Ａ）に示すのは透過型液晶ディスプレイの画素マトリクス回路の断面図である。ただし、ＴＦＴを形成する側の基板（アクティブマトリクス基板）の構成のみを説明する。
【００２９】
１０１は絶縁表面を有する基板であり、１０２、１０３は画素マトリクス回路を構成する画素ＴＦＴを示している。
【００３０】
画素ＴＦＴ１０２、１０３はそれぞれ公知のＴＦＴ構造を採用して構わない。即ち、本実施例の構成ではＴＦＴ構造自体が直接発明の効果に影響することはないのであらゆる構造のＴＦＴを用いることが可能である。
【００３１】
画素ＴＦＴ１０２、１０３は第１の層間絶縁膜１０４で覆われ、その上にブラックマスクが設けられる。本実施例の特徴はこのブラックマスクがアモルファスカーボン膜１０５と遮光膜１０６との積層構造で構成される点にある。
【００３２】
本実施例ではアモルファスカーボン膜１０５としてＤＬＣ膜を用いる。ＤＬＣ膜を用いる場合、その膜厚は５〜300 μｍ（好ましくは50〜100nm ）の範囲とすることが好ましい。なお、詳細な成膜方法および成膜装置等については本発明者らによる特公平３−７２７１１号公報、特公平４−２７６９０号公報、特公平４−２７６９１号公報に開示してあるので説明は省略する。
【００３３】
ＤＬＣ膜の形成するにあたって膜厚が５nm以下では均一な成膜が困難であり、ヒートシンクとしての効果もあまり期待できない。効果的に放熱するには50nm以上の膜厚が好ましい。また、膜厚300 nmを超えると後に大きな段差を形成してしまうので好ましくない。この事はアモルファスカーボン膜としてＧＬＣ膜を用いる場合にも同様である。
【００３４】
しかしながら、ＤＬＣ膜を用いる場合には、ＤＬＣ膜が極めて硬い物質であるため膜厚を厚くすると割れやすくなるという問題も考慮しなければならない。そのため、ＤＬＣ膜をヒートシンクとして用いるには50〜100nm 程度の膜厚とすることが望ましい（ＧＬＣ膜はＤＬＣ膜よりも柔らかいのでこの様な制約はあまり気にする必要はない）。
【００３５】
また、ＤＬＣ膜１０５は膜厚が薄ければほぼ透明であるが、厚さが増すか、グラファイト組成に近づくにつれて次第に褐色（または黄色）を帯び、透過率が低下していく。そのため、本実施例の様に透過型液晶ディスプレイのヒートシンクとして用いるには、画像表示に利用しない領域（遮光領域）に選択的に形成する必要がある。
【００３６】
本実施例では、この様な構成を遮光膜１０６と積層してＤＬＣ膜１０５を設けるという構成で実現している。
【００３７】
なお、遮光膜１０６としては黒色顔料やグラファイトを分散させた有機樹脂膜（以下、黒色樹脂膜と呼ぶ）や、遮光性を有する導電膜など、通常ブラックマスクとして用いられる薄膜を用いることができる。膜厚は50〜200 nmの範囲で選択すれば良い。
【００３８】
また、図１（Ａ）の様な積層構造は、まずＤＬＣ膜と遮光膜とを順次積層成膜し、続いて連続的にエッチングして同一形状にパターン形成することで形成できる。ＤＬＣ膜１０５は酸素プラズマ、水素プラズマ、イオンミリング等によりエッチングすることが可能である。
【００３９】
また、遮光膜１０６は黒色樹脂膜ならば酸素プラズマエッチングを行えば良く、遮光性を有する導電膜ならば塩素系またはフッ素系エッチングガスを用いて容易にエッチングが可能である。
【００４０】
なお、遮光膜１０６として導電膜（代表的にはチタン、クロム、アルミニウムなどの金属膜）を用いる場合、遮光膜１０６をマスクとして自己整合的にＤＬＣ膜１０５のパターン形成が行えるので開口率の向上には有効である。
【００４１】
以上の様にしてＤＬＣ膜１０５と遮光膜１０６との積層構造で構成されるブラックマスクが形成される。本実施例ではブラックマスクの下層がＤＬＣ膜１０５であるので、ブラックマスクとしての機能にヒートシンクとしての機能をも付加することができる。
【００４２】
ここで図１（Ａ）の構成を有する画素マトリクス回路を一部拡大したものを図１（Ｂ）に示す。１１０はＴＦＴが形成されている基板（ＴＦＴは略記する）、１０４は第１の層間絶縁膜である。
【００４３】
第１の層間絶縁膜１０４上にはソース配線、ゲイト配線、画素ＴＦＴ上を遮光する様な配置でブラックマスクが形成される。そして、このブラックマスクがＤＬＣ膜１０５と遮光膜１０６との積層構造で構成される。
【００４４】
さらに、図１（Ａ）に示す様にブラックマスクを第２の層間絶縁膜１０７で覆い、その上に透明導電膜（代表的にはＩＴＯ）でなる画素電極１０８をパターン形成する。画素電極の形成は公知の手段を用いれば良い。
【００４５】
この時、遮光膜１０６が導電膜ならば遮光膜１０６と画素電極１０８との間で補助容量を形成しても良い。この場合、誘電体は第２の層間絶縁膜となるので、第２の層間絶縁膜の膜厚は平坦性と形成容量との兼ね合いから決定する。
【００４６】
また、第１の層間絶縁膜１０４は画素ＴＦＴ１０２、１０３の段差を吸収しうる様に平坦性の高い有機樹脂膜を用いることが好ましい。有機樹脂膜としてはスピンコート法で形成できるポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、アクリルが好適である。
【００４７】
なお、アモルファスカーボン膜は有機樹脂膜と非常に相性が良く、密着性が高い。従って、有機樹脂膜上にＤＬＣ膜を設けるという構造はＤＬＣ膜の膜剥がれ（ピーリング）を防ぐためにも有効である。
【００４８】
以上の様な構成でなる本実施例を実施した場合、ヒートシンクとして機能するＤＬＣ膜とブラックマスクとして機能する遮光膜とを同一のパターン形状として重ねることで、画像表示領域の透過率を損ねることなく効果的に放熱効果を得ることができる。
【００４９】
また、ＤＬＣ膜１０５の下地（第１の層間絶縁膜１０４）として有機樹脂膜を用いれば、高い歩留りでＤＬＣ膜を形成することができる。
【００５０】
〔実施例２〕
実施例１では画素マトリクス回路に注目して説明したが、画素マトリクス回路に一体形成されるドライバー回路上にブラックマスクを設ける場合においても実施例１の構成を利用することは可能である。
【００５１】
ドライバー回路をも含めて本願発明を実施した場合には、アクティブマトリクス基板の断面は図２に示す様な構成となる。
【００５２】
図２において、２０１は絶縁表面を有する基板、２０２はＮチャネル型ＴＦＴ（ＮＴＦＴ）、２０３はＰチャネル型ＴＦＴ（ＰＴＦＴ）であり、両者を相補的に組み合わせてＣＭＯＳ回路を構成し、このＣＭＯＳ回路を利用してドライバー回路が構成される。また、２０４は画素マトリクス回路を構成する画素ＴＦＴである。
【００５３】
本実施例の場合においても、ＴＦＴ上を遮光するブラックマスクはアモルファスカーボン２０５と遮光膜２０６との積層構造で構成される。ドライバー回路では画素マトリクス回路の様な開口率を考慮する必要がないので、図２に示す様にドライバー回路全体を覆っても良い。
【００５４】
また、ドライバー回路を構成する個々のＴＦＴ毎にブラックマスクを設けても良い。即ち、ＴＦＴが配置される箇所以外にはブラックマスク（ヒートシンク含む）を設けない構成でも良い。
【００５５】
特に遮光膜２０６として導電膜を用いる場合には下方の配線との間で寄生容量を形成する可能性もあり、それを低減するためにもＴＦＴの上方など必要箇所のみに選択的に設ける構成が有効である。
【００５６】
また、基本的にドライバー回路の発熱源は主にＴＦＴ自身であるので、ヒートシンク（アモルファスカーボン膜）は少なくともＴＦＴ上に設けられていれば効果を得ることができる。
【００５７】
ドライバー回路はＴＦＴを高速動作させる必要があるため、個々のＴＦＴの発熱量も大きい。特に、本発明者らが特開平９−３１２２６０号公報に開示した様な高性能なＴＦＴを用いた場合において本実施例の構成は極めて有効である。
【００５８】
〔実施例３〕
本実施例では、画素マトリクス回路において画素ＴＦＴの上部のみに選択的にアモルファスカーボン膜を設ける構成について図３を用いて説明する。
【００５９】
図３は画素マトリクス回路を一部拡大した図であり、３０１は画像表示領域、３０２はブラックマスクである。ブラックマスク３０２は黒色樹脂膜や金属膜などの遮光膜からなり、画素ＴＦＴ、ゲイト配線及びソース配線を遮光する様に配置されている。
【００６０】
本実施例の構成では、画素ＴＦＴが配置される領域の上方のみに選択的にアモルファスカーボン膜３０３を設けてＴＦＴから発した熱を放出する。従って、本実施例ではブラックマスクとしての遮光膜３０２と、ヒートシンクとしてのアモルファスカーボン膜３０３とを別々に形成する。
【００６１】
この様に配線部にはヒートシンクを設けない構成とすると、配線部に生じる段差を低減することができるので、ディスクリネーション（液晶の配向不良に起因する表示不良）の発生を抑えることができる。
【００６２】
なお、本実施例の様に個々のＴＦＴの上部に対応してアモルファスカーボン膜を設けるという構成はドライバー回路に対しても適用できることは言うまでもない。
【００６３】
〔実施例４〕
本実施例では、反射型液晶ディスプレイに対してアモルファスカーボン膜を用いたヒートシンクを設ける構成について図４を用いて説明する。
【００６４】
反射型液晶ディスプレイは画素電極が反射性を有する導電膜（アルミニウムを主成分とする材料等）で形成されるため、透過型液晶ディスプレイの様に開口率という概念がない。即ち、画素電極の下は完全にデッドスペースとなり、自由に利用しうる領域となる。
【００６５】
従って、反射型液晶ディスプレイを作製するにあたってはアモルファスカーボン膜の透過率を考慮する必要がないため、図４に示す様に画素電極の下全面に設ける様な構成も可能となる。
【００６６】
即ち、図４に示す様に、画素ＴＦＴ４０１、４０２を覆う様にして形成された第１の層間絶縁膜４０３の上には遮光膜のみでなるブラックマスク４０４が所定の位置に配置され、それを覆って第２の層間絶縁膜４０５が形成される。
【００６７】
なお、第２の層間絶縁膜４０５としてはＤＬＣ膜との密着性及びコンタクトホール形成時の加工性を考慮すると有機樹脂膜が好ましい。
【００６８】
そして、第２の層間絶縁膜４０５にアモルファスカーボン膜４０６を形成する。透過率を考慮する必要がないので膜厚を厚くしても問題はない。従って、膜剥がれが起こらない程度に厚く形成し、熱伝導効果を高めることが好ましいと言える。実際には50〜200 nm（代表的には 100〜150 nm）の膜厚とすれば良い。
【００６９】
こうして第２の層間絶縁膜４０５上にアモルファスカーボン膜４０６を形成したら、パターニングによってコンタクトホールを形成する。コンタクトホールを形成する際は、まずアモルファスカーボン膜４０６を酸素プラズマ処理により開孔する。
【００７０】
そして、第２の層間絶縁膜４０５が有機樹脂膜であればそのまま連続的に酸素プラズマ処理によって画素ＴＦＴ４０１、４０２に達するまで開孔を形成することが可能である。勿論、第２の層間絶縁膜として酸化珪素膜等の無機膜を用いる場合にはフッ酸系のエッチャント等を適宜使用すれば良い。
【００７１】
こうしてコンタクトホールを形成したら反射性を有する導電膜を成膜してパターニングを行い、画素電極４０７を形成する。画素電極４０７としては表面反射率の高いアルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料が好適である。
【００７２】
以上の様にして、図４に示す様な構造のアクティブマトリクス基板が実現する。この様な構成とすると、ＴＦＴの活性層で生じた熱の放出と、画素電極が吸収した光による熱の放出とを効率よく行うことができる。
【００７３】
画素電極の表面では入射光（光源からの光）のごく一部が反射されずに吸収され、画素電極自体が熱を持つ様になる。本実施例の構成では、こうして発熱した画素電極にアモルファスカーボン膜を密着させて設けることで、画素電極の蓄熱をも防ぐことが可能となる。
【００７４】
〔実施例５〕
本実施例では、遮光膜とアモルファスカーボン膜との積層構造で構成されるブラックマスクを補助容量として利用する構成について図５を用いて説明する。
【００７５】
図５（Ａ）において、５０１は画素ＴＦＴであり、その上に有機樹脂膜でなる第１の層間絶縁膜５０２が形成されている。第２の層間絶縁膜５０２はドレイン電極５０３が露出する様に開口部が設けられ、開口部を覆う様にアモルファスカーボン膜５０４と遮光膜５０５とで構成されるブラックマスクをパターン形成する。
【００７６】
なお、本実施例ではアモルファスカーボン膜５０４を補助容量の誘電体として利用するので、絶縁性の高い膜質が要求される。そのため、抵抗率の高いＤＬＣ膜を用いることが好ましい。
【００７７】
また、本実施例では遮光膜５０５として導電性を有する材料を用いる必要がある。代表的にはチタン、クロムなど、抵抗率及び反射率の低い金属膜であることが好ましい。その他、チタンとアルミニウム合金とを積層するなどして抵抗率を下げることも有効である。
【００７８】
そして、第２の層間絶縁膜５０６を形成した後、コンタクトホールを形成して画素電極５０７を形成する。ここで画素電極５０７を透明導電膜とすれば透過型液晶ディスプレイとなる。
【００７９】
図５（Ａ）に示した構造でなる本実施例の特徴は、ドレイン電極５０３を下部電極、遮光膜５０５を上部電極とし、アモルファスカーボン膜５０４を誘電体とする補助容量５０８を形成する点にある。そのため、アモルファスカーボン膜５０４はできるだけ比誘電率が高く、絶縁耐圧が高い膜質となる様な条件で成膜することが望ましい。
【００８０】
なお、透過型液晶ディスプレイの場合には図５（Ａ）に示す様にドレイン電極５０３をＴＦＴに重なる様に設けることで、開口率を犠牲にすることなく補助容量の形成面積を増やすことができる。
【００８１】
一方、反射型液晶ディスプレイ（図５（Ｂ））の場合には、画素電極５０９の下がデッドスペースとなっているので画素領域全体にドレイン電極５１０を広げて形成し、その上にアモルファスカーボン膜５１１と遮光膜５１２との積層構造で構成されるブラックマスクを形成する。
【００８２】
この様に、反射型液晶ディスプレイの場合、画素面積を最大限に活用して補助容量５１３を形成することができる。
【００８３】
以上の様に、アモルファスカーボン膜と遮光膜との積層構造で構成されるブラックマスクは、ブラックマスクとしての機能とヒートシンクとしての機能以外に、さらに補助容量を形成する機能をも兼ねることができる。
【００８４】
〔実施例６〕
本実施例では実施例１〜５に示した構成を含むアクティブマトリクス基板を用いてＡＭＬＣＤを構成した場合の例について説明する。ここで本実施例のＡＭＬＣＤの外観を図６に示す。
【００８５】
図６において、６０１はアクティブマトリクス基板であり、画素マトリクス回路６０２、ソース側駆動回路６０３、ゲイト側駆動回路６０４が形成されている。駆動回路はＮＴＦＴとＰＴＦＴとを相補的に組み合わせたＣＭＯＳ回路で構成することが好ましい。また、６０５は対向基板である。
【００８６】
図６に示すＡＭＬＣＤはアクティブマトリクス基板６０１と対向基板６０５とが端面を揃えて貼り合わされている。ただし、ある一部だけは対向基板６０５を取り除き、露出したアクティブマトリクス基板に対してＦＰＣ（フレキシブル・プリント・サーキット）６０６を接続してある。このＦＰＣ６０６によって外部信号を回路内部へと伝達する。
【００８７】
また、６０９はＣＭＯＳ回路を基本として構成されるロジック回路であり、画像信号の変換や補正等の処理を行う信号処理回路である。具体的には、Ａ／Ｄコンバータ回路、γ補正回路、メモリ回路などが含まれる。
【００８８】
勿論、本願発明を利用した電気光学装置は図６に示した構成に限定されるものではなく、他の構成としても良い。
【００８９】
〔実施例７〕
本願発明の構成は、ＡＭＬＣＤ以外にも他の様々な電気光学装置や半導体回路に適用することができる。
【００９０】
ＡＭＬＣＤ以外の電気光学装置としてはＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置やイメージセンサ等を挙げることができる。
【００９１】
また、半導体回路としては、ＩＣチップで構成されるマイクロプロセッサの様な演算処理回路、携帯機器の入出力信号を扱う高周波モジュール（ＭＭＩＣなど）が挙げられる。
【００９２】
この様に本願発明はＴＦＴで構成される半導体回路によって機能する全ての半導体装置に対して適用することが可能である。
【００９３】
〔実施例８〕
実施例６、７に示した電気光学装置や半導体回路は、様々な電子機器のディスプレイとして利用される。なお、本実施例に挙げる電子機器とは、アクティブマトリクス型液晶表示装置を搭載した製品と定義する。
【００９４】
その様な電子機器としては、ビデオカメラ、スチルカメラ、プロジェクター、プロジェクションＴＶ、ヘッドマウントディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ（ノート型を含む）、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話等）などが挙げられる。それらの一例を図７に示す。
【００９５】
図７（Ａ）は携帯電話であり、本体２００１、音声出力部２００２、音声入力部２００３、表示装置２００４、操作スイッチ２００５、アンテナ２００６で構成される。本願発明は音声出力部２００２、音声入力部２００３、表示装置２００４等に適用することができる。
【００９６】
図７（Ｂ）はビデオカメラであり、本体２１０１、表示装置２１０２、音声入力部２１０３、操作スイッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１０６で構成される。本願発明は表示装置２１０２、音声入力部２１０３、受像部２１０６に適用することができる。
【００９７】
図７（Ｃ）はモバイルコンピュータ（モービルコンピュータ）であり、本体２２０１、カメラ部２２０２、受像部２２０３、操作スイッチ２２０４、表示装置２２０５で構成される。本願発明は受像部２２０３、表示装置２２０５等に適用できる。
【００９８】
図７（Ｄ）はヘッドマウントディスプレイであり、本体２３０１、表示装置２３０２、バンド部２３０３で構成される。本発明は表示装置２３０２に適用することができる。
【００９９】
図７（Ｅ）はリア型プロジェクターであり、本体２４０１、光源２４０２、表示装置２４０３、偏光ビームスプリッタ２４０４、リフレクター２４０５、２４０６、スクリーン２４０７で構成される。本発明は表示装置２４０３に適用することができる。
【０１００】
図７（Ｆ）はフロント型プロジェクターであり、本体２５０１、光源２５０２、表示装置２５０３、光学系２５０４、スクリーン２５０５で構成される。本発明は表示装置２５０３に適用することができる。
【０１０１】
以上の様に、本願発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。また、他にも電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイなどにも活用することができる。
【０１０２】
【発明の効果】
本願発明を実施することで、ＴＦＴの自己発熱やバックライト光の照射によって発生した熱を効率よく外部へ放出し、熱の蓄積によるＴＦＴの熱劣化および液晶材料の熱劣化を防ぐことができる。
【０１０３】
その結果、信頼性の高い電気光学装置や半導体回路並びにそれらを搭載した電子機器を実現することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】    アクティブマトリクス基板の構成を示す図。
【図２】    アクティブマトリクス基板の構成を示す図。
【図３】    画素マトリクス回路の構成を示す図。
【図４】    アクティブマトリクス基板の構成を示す図。
【図５】    アクティブマトリクス基板の構成を示す図。
【図６】    液晶ディスプレイの構成を示す図。
【図７】    電子機器の構成を示す図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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