(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に半導体膜を形成する半導体膜形成工程と、
前記半導体膜上にゲート絶縁膜及びゲート電極膜を積層してなるゲート領域を形成するゲート領域形成工程と、
前記半導体膜上、前記ゲート領域上及び前記ゲート領域の両側壁に光剥離性の撥液膜を塗布する撥液膜塗布工程と、
前記基板の上方から前記撥液膜を塗布した前記基板の全面に光を照射し、前記ゲート領域の両側壁に前記撥液膜を残存させた状態で前記撥液膜を剥離する剥離工程と、
前記ゲート領域の両側の前記基板上の領域にそれぞれ液体半導体材料を塗布して塗布膜を形成する塗布工程と、
前記液体半導体材料の塗布膜からソース領域及びドレイン領域を形成するソース領域及びドレイン領域形成工程と、
を含むデバイスの製造方法。
【請求項２】
前記ソース領域及びドレイン領域形成工程は、前記液体半導体材料の塗布膜を加熱する熱処理工程を含み、当該熱処理工程において前記ゲート領域の両側壁に残された前記撥液膜が除去される、請求項１に記載のデバイスの製造方法。
【請求項３】
前記ソース領域及びドレイン領域形成工程は、前記液体半導体材料の塗布膜から溶媒を除去する相対的に低温の第１の熱処理と、
溶媒を除去した前記塗布膜を光処理および／または前記第１の熱処理温度より高温で熱処理する第２の熱処理工程と、を含む、請求項１に記載のデバイスの製造方法。
【請求項４】
前記ソース領域及びドレイン領域形成工程は、更に、熱処理した前記塗布膜の結晶性の改善を行う高温短時間の第３の熱処理工程と、を含む、請求項３記載のデバイスの製造方法。
【請求項５】
前記液体半導体材料は液滴吐出法により塗布される、請求項１乃至４のいずれかに記載のデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置、プラズマディスプレイ、有機ＥＬ表示装置などの電気光学装置や各種電子装置に使用される薄膜トランジスタを含むデバイス及びその製造方法に関し、特に、液体材料を使用したデバイス及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、例えば、基板、半導体膜、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、ゲート絶縁膜、層間絶縁膜、保護膜などを含んで構成されている。ゲートの両側にそれぞれソース領域及びドレイン領域を形成するコプレナ型のＴＦＴでは、通常、ゲート電極膜（あるいはゲート部分）をマスクとして半導体膜にイオン注入を行い、熱処理を行って高濃度にドープされたソース領域及びドレイン領域を形成する。それにより、別途イオン注入マスクを使用することなく、自己整合的にソース領域及びドレイン領域を形成する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ソース領域やドレイン領域等の高濃度のドープ領域を形成するためのイオン打ち込みには、高価で巨大なイオン注入装置が必要である。
【０００４】
よって、本発明は、イオン注入によらずに半導体膜に高濃度にドープされた半導体領域を形成したデバイスを提供することを目的とする。
【０００５】
また、本発明は、イオン注入装置を使用せずに半導体膜に高濃度にドープされた半導体層を形成することを可能とするデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
また、本発明は、半導体膜にソース領域及びドレイン領域を形成する際に、これ等の領域とゲート電極との間で短絡が生じにくい構造を備えるデバイスを提供することを目的とする。
【０００７】
また、本発明は、半導体膜にソース領域及びドレイン領域を形成する際に、これ等の領域とゲート電極との間で短絡が生じにくい構造を備えることを可能とするデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明のデバイスは、基板上に形成された半導体膜と、上記半導体膜上に形成されたゲート絶縁膜及びゲート電極膜を積層してなるゲート領域と、上記ゲート領域の両側に形成された前記ゲート電極膜と他の領域との接触を防止するための隔離手段と、上記ゲート領域両側の前記基板上の領域にそれぞれ液体半導体材料から形成されたソース領域及びドレイン領域と、を含む。
【０００９】
かかる構成とすることによって、ソース領域及びドレイン領域を液体半導体材料を使用して形成し易い半導体装置の構造が得られる。また、イオン注入装置を使用せずに半導体装置を製作することが可能となる。
【００１０】
好ましくは、上記隔離手段は、上記ゲート領域の両側に形成される撥液膜である。撥液膜で液体半導体材料をゲート領域の側壁からはじくことによって液体半導体材料とゲート電極膜との接触を回避可能となる。
【００１１】
好ましくは、上記隔離手段は、上記ゲート領域の両側に形成される絶縁膜である。それにより、ゲート領域の側壁が絶縁され、液体半導体材料とゲート電極膜との電気的及び物理的接触を回避可能となる。
【００１２】
好ましくは、上記隔離手段は、上記ゲート電極膜を陽極酸化して形成される絶縁膜である。ゲート電極膜は、例えば、アルミニウムである。それにより、ゲート電極膜の外周が酸化物によって被覆され、ゲート電極膜が他から絶縁される。
【００１３】
好ましくは、上記隔離手段は、上記半導体膜の上記ゲート領域の両側でそれぞれ掘削された部分である。それにより、上下方向にゲート電極膜と液体半導体材料の塗布膜とを離間させる。
【００１４】
好ましくは、上記隔離手段は、上記基板の上記ゲート領域の両側でそれぞれ掘削された部分である。それにより、上下方向にゲート電極膜と液体半導体材料の塗布膜とを離間させる。
【００１５】
なお、上記半導体膜及び基板の両方を掘削してゲート電極膜と液体半導体材料の塗布膜とを上下方向により大きく離間させることとしても良い。
【００１６】
好ましくは、上記掘削された各部分は溝を形成し、各溝内に上記ソース領域及びドレイン領域がそれぞれ形成される。溝を利用することでより微細に構造が制御されたソース領域及びドレイン領域を形成することが可能となる。
【００１７】
好ましくは、上記液体半導体材料は、シラン化合物とドーパント源とを含有する。
【００１８】
好ましくは、上記半導体液体材料は、シラン化合物の溶液に、紫外線を照射することにより光重合してなる高次シランとドーパント源とを含む。また、上記液体半導体材料は、シラン化合物とドーパント源を含有する溶液に紫外線を照射してなる高次シランを含有する。それにより、紫外線を適宜に照射して高濃度でドープされた高次シランを得ることが可能である。
【００１９】
好ましくは、上記液体半導体材料は、シラン化合物と周期律表の第３Ｂ族の元素を含む物質又は第５Ｂ族の元素を含むドーパント源とを含む溶液である。
【００２０】
好ましくは、上記シラン化合物は、その分子内に少なくとも１つの環状構造を有する。この環状構造を有するものは、光重合によって高次シランとなり易い。
【００２１】
好ましくは、上記半導体材料は、シラン化合物と周期律表の第３Ｂ族の元素を含む物質又は第５Ｂ族の元素を含むドーパント源とを含む溶液に紫外線を照射して光重合してなる高次シランを含む溶液、または、シラン化合物溶液に紫外線を照射して光重合してなる高次シランと周期律表の第３Ｂ族の元素を含む物質又は第５Ｂ族の元素を含むドーパント源とを含む溶液である。
【００２２】
上述の光重合してなる高次シランは基板に対して非常に優れた密着性を示し、非常に綺麗に基板への塗布を行うことができる。該高次シランは反応性が乏しくより安全に取り扱うことが出来る。また、該高次シランは沸点その分解点より高いため、シリコン膜を形成する場合の加熱焼成時においても、シリコン膜が形成する前に高次シランが蒸発してしまうという不具合がない。
【００２３】
また、本発明の電気光学装置は、上述したデバイスを含む。
【００２４】
また、本発明の電子機器は、上述した電気光学装置を含む。
【００２５】
本発明のデバイスの製造方法は、基板上に半導体膜を形成する半導体膜形成工程と、上記半導体膜上にゲート絶縁膜及びゲート電極膜を積層してなるゲート領域を形成するゲート領域形成工程と、上記ゲート領域の両側に上記ゲート電極膜と他の領域との接触を防止するための隔離手段を形成する隔離手段形成工程と、上記ゲート領域両側の上記基板上の領域にそれぞれ液体半導体材料を塗布して塗布膜を形成する塗布工程と、上記液体半導体材料の塗布膜からソース領域及びドレイン領域を形成するソース領域及びドレイン領域形成工程と、を含む。
【００２６】
かかる構成とすることによって、液体半導体材料とゲート電極膜との接触を回避可能となる。
【００２７】
好ましくは、上記隔離手段は、上記ゲート領域の両側に形成される撥液膜である。それにより、ゲート側壁から液体半導体材料がはじかれてゲート電極膜との接触が回避される。
【００２８】
好ましくは、上記隔離手段は、上記ゲート領域の両側に形成される絶縁膜である。それにより、ゲート電極膜と液体半導体材料とが電気電気的に絶縁される。
【００２９】
好ましくは、上記隔離手段は、上記ゲート電極膜を陽極酸化して形成される絶縁膜である。アルミニウムのように酸化膜が絶縁性となるものの場合に、少ない工程数で絶縁膜を形成することが可能となる利点がある。
【００３０】
好ましくは、上記隔離手段は、上記半導体膜の前記ゲート領域の両側で掘削された部分である。それにより、ゲート電極膜と液体半導体材料とを上下方向に離間する。
【００３１】
好ましくは、上記隔離手段は、上記基板の上記ゲート領域の両側で掘削された部分である。それにより、ゲート電極膜と液体半導体材料とを上下方向に離間する。半導体膜と基板の両方を掘削してより離間するようにしても良い。
【００３２】
好ましくは、上記掘削された部分は溝を形成し、この溝内に上記液体半導体材料を塗布する。それにより、溝を利用することでより微細に構造が制御されたソース領域及びドレイン領域ソース領域及びドレイン領域を形成することが可能となる。
【００３３】
好ましくは、上記液体半導体材料は、シラン化合物と周期律表の第３Ｂ族の元素を含む物質又は第５Ｂ族の元素を含むドーパント源とを含む溶液である。
【００３４】
さらに好ましくは、シラン化合物と周期律表の第３Ｂ族の元素を含む物質又は第５Ｂ族の元素を含むドーパント源とを含む溶液に紫外線を照射して光重合してなる高次シランを含む溶液、または、シラン化合物溶液に紫外線を照射して光重合してなる高次シランと周期律表の第３Ｂ族の元素を含む物質又は第５Ｂ族の元素を含むドーパント源とを含む溶液である。
【００３５】
上述の光重合してなる高次シランは基板に対して非常に優れた密着性を示し、非常に綺麗に基板への塗布を行うことができる。該高次シランは反応性が乏しくより安全に取り扱うことが出来る。また、該高次シランは沸点がその分解点より高いため、シリコン膜を形成する場合の加熱焼成時においても、シリコン膜を形成する前に高次シランが蒸発してしまうという不具合がない。
【００３６】
好ましくは、上記液体半導体材料は、液滴吐出法（インクジェット）法によって所望の位置に塗布される。この場合、上記液滴吐出をより精密に行えるように、上記液体半導体材料の機能を損なわない程度に、溶媒を混入したり、表面張力調整剤を混入するなど公知の方法で粘度や表面張力を調節することができる。この様に液滴吐出法によって上記液体材料を塗布することにより、より少ない材料でより性能の良い半導体装置を作成することができる。
【００３７】
好ましくは、上記ソース領域及びドレイン領域形成工程は、上記液体半導体材料の塗布膜から溶媒を除去する相対的に低温の第１の熱処理と、前記塗布膜を熱処理する光処理工程および／または前記第１の熱処理より高温で熱処理する第２の熱処理工程と、を含む。それにより、溶媒を含まない状態で、半導体膜を焼成することが可能となる。
【００３８】
好ましくは、上記ソース領域及びドレイン領域形成工程は、更に、焼成した上記塗布膜の結晶性の改善を行う高温短時間の第３の熱処理工程と、を含む。それにより、例えば、アモルファスシリコンをポリシリコンとすることが可能となる。また、ドーパントの下地半導体膜への拡散もより進行する。高温短時間の熱処理は、例えば、レーザアニールやランプ加熱である。
【００３９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、本発明において、液滴吐出法とは、液滴を所望の領域に吐出することにより、被吐出物を含む所望のパターンを形成する方法であり、インクジェット法と呼ばれることもある。但し、この場合、吐出する液滴は、印刷物に用いられる所謂インクではなく、デバイスを構成する材料物質を含む液状体であり、この材料物質は、例えばデバイスを構成する導電物質または絶縁物質として機能し得る物質を含むものである。更に、液滴吐出とは、吐出時に噴霧されるものに限らず、液状体の１適１適が連続するように吐出される場合も含む。
【００４０】
まず、一般的に使用される薄膜トランジスタは、図２１に示すように、絶縁基板１１、半導体膜１２、ゲート絶縁膜１３及びゲート電極膜１４を含み、ゲート電極膜１４をマスクとしてソース領域１８及びドレイン領域１９にドーパントイオンを注入し、熱処理を行って薄膜トランジスタを形成している。本発明では、イオン注入によるソース領域及１８びドレイン領域１９の形成に代えて、ソース領域１８及びドレイン領域１９をドーパント源を含む液体半導体材料を使用して形成することを提案する。液体半導体材料として、シラン化合物、または高次シランとドーパント源を含む溶液を使用することによって実用に足りる半導体膜の成膜特性が得られることを見出した。高次シラン組成物は、具体的には、シラン化合物の溶液に紫外線を照射して光重合を生じさせ、ここに周期律表の第３Ｂ族の元素を含む物質又は第５Ｂ族の元素を含むドーパント源を添加し、またはシラン化合物の溶液に周期律表の第３Ｂ族の元素を含む物質又は第５Ｂ族の元素を含むドーパント源を添加した後、紫外線を照射して光重合を生じさせることによって得られる。この液体半導体材料を基板に塗布した後、溶媒を除去し、熱処理及び光処理のうち少なくともいずれかを行ってドープシリコン膜を形成する。この液体半導体材料をゲート領域の両側に塗布する際に、図１や図１４（ｂ）に示すように、液体半導体材料１７とゲート電極膜１４との直接の接触を防止する隔離手段Ａを介している。
【００４１】
（第１の実施形態）
第１の実施の形態においては、高濃度にドープされた半導体膜となる液体材料をゲート電極の周りに液滴吐出法で塗布し、光処理や熱処理によってソース領域及びドレイン領域を形成する。この際に、ゲート電極の周囲に撥液膜を形成し、液体材料がゲート電極と接触しないようにしてゲート電極とソース領域又はドレイン領域との短絡が生じないようにしている。
【００４２】
（第１の実施の形態の第１の実施例）
まず、図２（ａ）に示すように、石英ガラスなどの絶縁基板１１上にＣＶＤ法によってシリコン等の半導体材料を堆積して半導体膜１２を形成する。更に、半導体膜１２にレーザアニールを施して多結晶半導体膜（ポリシリコン膜）とすることが出来る。この半導体膜１２をパターニングして素子形成領域を形成する。なお、半導体膜１２をシラン化合物などの半導体材料を含む液体材料をスピンコートあるいは液滴吐出法によって塗布し、熱処理を加えてアモルファスシリコン膜１２を形成することによって得ても良い。
【００４３】
次に、半導体膜１２の上にゲート絶縁膜１３を形成する。ゲート絶縁膜１３は、例えば、ＴＥＯＳ等を材料としたＣＶＤ法によってシリコン酸化膜を形成することことによって得ることができる。なお、シリコン酸化膜は、ポリペルヒドロシラザン（以下、「ポリシラザン」と略称する。）の溶液をスピンコートや液滴吐出法によって塗布し、これに酸素雰囲気下で熱処理を加えることによって得ることができる。
【００４４】
このゲート絶縁膜１３の上にゲート電極膜１４を形成する。ゲート電極膜１４は、スパッタ法による金属の堆積、例えば、アルミニウムを堆積することによって形成することが出来る。また、銀、金、銅等の導電性微粒子を含む液体材料を液滴吐出法によってゲート絶縁膜１３上に塗布し、これに熱処理を加えてゲート電極膜１４を形成しても良い。これ等のゲート絶縁膜１３及びゲート電極膜１４を図示しないゲート電極・配線のマスクを用いてパターニングし、図２（ｂ）に示すように、半導体膜１２上にゲート領域１５を形成する。
【００４５】
次に、図２（ｃ）に示すように、半導体膜１２上、ゲート領域１５の側壁及びその上部に撥液膜１６をそれぞれ塗布する。撥液膜１６は光剥離性のものを使用する。この光剥離性撥液膜としては、例えばヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリエトキシシランや、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシランなどに代表されるフルオロアルキルシラン（ＦＡＳ）を基板とともに熱処理することによって基板に配列させた膜などが使用できる。
【００４６】
その後、図３（ａ）に示すように、絶縁基板１１の上方から基板全面に紫外線（ＵＶ）を照射する。例えば、波長１７２ｎｍの紫外線照射によって上記ＦＡＳによる撥液膜１６は剥離するが、図３（ｂ）に示すように、ゲート領域１５の側壁部分の撥液膜１６は相対的に紫外線照射量が少なくなるので該側壁部分に残存する。このようにして、ゲート領域１５の周囲を撥液化する。
【００４７】
この方法は、ゲート電極膜１４の横（側壁）にフォトマスクを用いず、光剥離性撥液材料の塗布と露光によって精度良く撥液膜１６を形成できるので効率的である。
【００４８】
次に、図３（ｃ）に示すように、ゲート領域１５の両側に高濃度のドーパント源と半導体材料を含む液体材料１７を液滴吐出法によってそれぞれ塗布し、熱処理を加えて後述のソース領域１８及びドレイン領域１９を形成する。液体材料１７の塗布時に撥液膜１６によって液滴がゲート電極膜１４からはじかれ、電気的に接触することが防止される。
【００４９】
液体半導体材料１７は、環状のシラン化合物にリンやホウ素を含むドーパント源を添加し、紫外線照射して光重合させて高次シランとし、分子レベルでドーパントと結合させた材料を用いるのが好ましい。例えば、シクロテトラシランを２０ｗｔ．％、黄リンを０．１ｗｔ．％含有するトルエン溶液に２５４ｎｍの紫外線を照射した溶液を使用することが出来る。ドーパント源含有の液体半導体材料１７の他の例については後述するが、当該材料は適宜に選択される。
【００５０】
次に、図４（ａ）に示すように、液体半導体材料１７の塗布膜を加熱して溶媒を除去し（第１の熱処理）、更に熱処理を加えて高濃度にドープされた半導体膜のソース領域１８及びドレイン領域１９を形成する（第２の熱処理）。熱処理の温度は、例えば、２５０〜５５０℃で行えるが、３５０℃以上である方がより特性が向上する。この時、熱処理に加えて例えば１７２ｎｍの紫外線を熱処理の前に照射することにより、半導体膜の特性を向上させることもできる。更に、レーザアニールなどによって高温短時間の熱処理（第３の熱処理）を行うと、半導体膜の膜質をさらに改善することが可能となる。例えば、アモルファスシリコン膜をポリシリコン膜に改善することが可能となる。また、ドーパントの半導体膜１２への拡散も行える。なお、液滴吐出方による塗布後、熱処理前に紫外線照射を行うと、更にドーパントを効率よく添加出来るようになる。
【００５１】
塗布膜１７の固化あるいは熱処理の際に撥液膜１６は蒸発して消滅し、ゲート電極膜１４とソース領域１８及びドレイン領域１９との間には微小な隙間ができる。
【００５２】
図４（ｂ）に示すように、絶縁基板１１、半導体膜１２、ゲート領域１５、ソース領域１８及びドレイン領域１９上に層間絶縁膜２０を形成する。層間絶縁膜２０は、ＣＶＤ法によってシリコン酸化膜を堆積して形成することが出来る。また、ポリシラザンの溶液をスピンコートや液滴吐出法によって塗布し、これに酸素雰囲気下で熱処理を加えることによって液体材料からシリコン酸化膜を得てもよい。
【００５３】
この層間絶縁膜２０のソース領域１８及びドレイン領域１９上に、異方性エッチングによってコンタクト孔２１、２１を開口する。スパッタ法によってアルミニウムなどの電極材料を開口部に堆積し、これをパターニングしてソース電極２２及びドレイン電極２３を形成する。なお、液体金属材料を使用してソース電極２２及びドレイン電極２３を形成することもできる。
【００５４】
このようにして、イオン注入法、従って、大規模なイオン注入装置を用いずにソース領域１８及びドレイン領域１９を形成することが出来る。
【００５５】
（第１の実施の形態の第２の実施例）
図５（ａ）は、本発明の第１の実施形態の第２の実施例を示している。図２（ｂ）に示す、ゲート領域１５を形成した状態で液滴吐出法によって撥液性材料含有溶液１６ａをゲート領域１５部分に塗布し、ゲート領域１５の周りに撥液膜１６を形成している。例えば、撥液性材料含有液１６ａとしてトリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシランをドデシルベンゼンに０．１ｗｔ．％溶解させた溶液を用い、基板のゲート領域１５の直上から液滴吐出法で塗布した。基板を１００℃に保ち、真空にして溶媒を乾燥すると、ゲート領域１５部分を覆う撥液膜１６のパターンが得られた。
【００５６】
その後、図５（ｃ）に示すように、基板全体を紫外線露光してゲート領域の周囲の側壁に撥液膜１６を残す。以下、図３（ｃ）以降と同様の工程で薄膜トランジスタが形成される。
【００５７】
ソース領域１８及びドレイン領域１９を形成した液体半導体材料１７の他の例について説明する。
【００５８】
第２の液体半導体材料１７の例として、テトラシランを２０ｗｔ．％、デカボランを２ｗｔ．％含有するトルエン溶液３０ｍｌに、波長３０８ｎｍの紫外線を２０分間照射して光重合させた高次シランを０．５μｍのフィルターを用いて濾過した溶液を用いる。これを液滴吐出法によってゲート領域１５の周りに塗布した後に、波長１７２ｎｍの紫外線を１時間照射してソース領域１８及びドレイン領域１９のパターンを形成する。
【００５９】
第３の液体半導体材料１７の例として、シクロペンタシランを４０ｗｔ．％、ホスフィンを０．４ｗｔ．％含有するキシレン溶液を用いる。これを液滴吐出法によってゲート領域１５の周りに塗布した後に、波長２５４ｎｍの紫外線を２０分間照射してソース領域１８及びドレイン領域１９のパターンを形成する。
【００６０】
第４の液体半導体材料１７の例として、ペンタシランを４０ｗｔ．％、テトラボランを４ｗｔ．％含有するキシレン溶液４０ｍｌに、波長２５４ｎｍの紫外線を１５分間照射して光重合させた高次シランを含有する溶液を濾過した溶液を使用することが出来る。この溶液を液滴吐出法によってゲート領域１５の周りに塗布し、１ｔｏｒｒの減圧下１００℃で熱処理して溶媒を除去してから、３５０℃で１０分間焼成し、ソース領域１８及びドレイン領域１９のパターンを形成する。なお、この第４の液体半導体材料の場合には、撥液膜１６の材料としてトリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシランがドデシルベンゼンに１ｗｔ．％溶解した溶液を液滴吐出法でゲート領域１５に塗布した。基板を４０℃に保って真空にして１００℃に加熱し、溶媒を乾燥させて撥液膜１６を形成している。
【００６１】
第５の液体半導体材料１７の例として、トリシランを４０ｗｔ．％含有するキシレン溶液４０ｍｌにアルシンを１ｇ溶解させた溶液を使用する。この溶液を液滴吐出法でゲート領域１５の周りに塗布し、波長２５４ｎｍの紫外線を３０分間照射した後、４２０℃で３０分間焼成し、ソース領域１８及びドレイン領域１９を形成する。なお、この第４の液体半導体材料の場合には、撥液膜１６の材料としてトリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシランがドデシルベンゼンに０．０１ｗｔ．％溶解した溶液を液滴吐出法でゲート領域１５に塗布した。基板を４０℃に保って真空にして溶媒を乾燥させて撥液膜１６を形成している。
【００６２】
（第１の実施の形態の第３の実施例）
図６は、本発明の第１の実施の形態の第３の実施例を示している。図６（ａ）に示すように、絶縁基板１１上に半導体１２、絶縁層１３、ゲート電極膜１４を形成し、フォトレジスト２５を用いて公知の方法によりエッチングを行い同図（ｂ）の状態にする。この後、基板を加熱し温度コントロールを適切に行うことで、フォトレジスト２５を溶解させ、同図（ｃ）に示すようにゲート電極膜１４を覆うようにする。次に、この基板をフッ素プラズマ処理を行うことで該フォトレジスト２５の表面をフッ素処理し、撥液性を持たせる。ここに、図６（ｄ）に示すように、液体半導体材料１７を液滴吐出法により塗布し、前述の熱処理を行う。更に、既述した図４（ｂ）に示すように、層間絶縁膜２０とコンタクトホール２１とソース電極２２とドレイン電極２３を形成して、半導体装置を作成することができる。
【００６３】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態について図７乃至図１３を参照して説明する。この第２の実施の形態では、ゲート領域の周囲に絶縁膜を形成し、ゲート電極膜とソース領域及びドレイン領域との接触を防止する構成としてゲート領域の周囲に液体半導体材料の塗布によるソース領域及びドレイン領域の形成を可能としている。ゲート領域の周囲に絶縁膜を形成する例として４つの例を提案する。
【００６４】
（第２の実施の形態の第１の実施例）
本発明の第２の実施形態の第１の実施例について説明する。この実施の形態では、基板全体に絶縁膜を形成した後、異方性エッチングによってゲート領域の周囲の側壁に絶縁膜を残すようにしている。
【００６５】
まず、図７（ａ）に示すように、絶縁基板１１上に半導体領域１２、ゲート絶縁膜１３、ゲート電極膜１４を形成する。この工程は、図２（ａ）及び同（ｂ）に示したと同様の工程で形成することができる。
【００６６】
次に、図７（ｂ）に示すように、基板全体にＣＶＤ法によって絶縁材料を薄く堆積し、絶縁膜３１を形成する。絶縁膜３１は、例えば、シリコン酸化膜であり、２５０ｎｍの厚さに形成した。
【００６７】
図７（ｃ）に示すように、ＲＩＥ等の異方性エッチングによって基板全体を真上からエッチングすると、図示の上下方向において相対的に膜厚の厚いゲート絶縁膜１３及びゲート電極膜１４の各側壁部分の絶縁膜３１が残る。絶縁膜３１のソース・ドレイン領域方向における膜厚は非常に薄く形成することが可能である。
【００６８】
なお、絶縁膜３１の形成は、ポリシラザンの溶液を、スピンコート法や液滴吐出法などによって基板全面に塗布し、これを酸素雰囲気下で熱処理してシリコン酸化膜を形成することとしても良い。
【００６９】
次に、図７（ｄ）に示すように、半導体膜１２のゲート領域１５の両側に高次シランとドーパント源を含有した液体半導体材料１７を液滴吐出法によって塗布する。液体半導体材料１７は、例えば、シリルテトラシランを２０ｗｔ．％、黄リンを０．１ｗｔ．％含有するするトルエン溶液である。基板に塗布されたこの液体材料１７を４００℃で２０分間焼成し、次に波長３０８ｎｍのエキシマレーザーをエネルギー密度３６０ｍＪ／ｃｍ２で照射してドープ多結晶シリコン膜とし、図８（ａ）に示すように、ソース領域１８及びドレイン領域１９を形成する。
【００７０】
更に、図８（ｂ）に示すように、絶縁基板１１、半導体膜１２、ゲート領域１５、ソース領域１８及びドレイン領域１９上に層間絶縁膜２０を形成する。層間絶縁膜２０は、ＣＶＤ法によってシリコン酸化膜を堆積して形成することが出来る。また、ポリシラザンの溶液をスピンコートや液滴吐出法によって塗布し、これに酸素雰囲気下で熱処理を加えることによって液体材料からシリコン酸化膜を得てもよい。
【００７１】
この層間絶縁膜２０のソース領域１８及びドレイン領域１９上に、異方性エッチングによってコンタクト孔２１、２１を開口する。スパッタ法によってアルミニウムなどの電極材料を開口部に堆積し、これをパターニングしてソース電極２２及びドレイン電極２３を形成する。なお、液体金属材料を使用してソース電極２２及びドレイン電極２３を形成することもできる。
【００７２】
このようにして、イオン注入法、従って、大規模なイオン注入装置を用いずにソース領域１８及びドレイン領域１９を形成することが出来る。
【００７３】
（第２の実施の形態の第２の実施例）
本発明の第２の実施形態の第２の実施例について説明する。この第２の実施例では、ゲート電極膜をパターニングした後に基板全体に絶縁膜を形成し、異方性エッチングによってゲート領域の周囲の側壁のみに絶縁膜を残すようにしている。
【００７４】
まず、図９（ａ）に示すように、前述したような公知の方法で絶縁基板１１上に半導体領域１２、ゲート絶縁膜１３、ゲート電極膜１４を形成し、ゲート電極膜１４のみを図示しないフォトエッチング法により作成することができる。
【００７５】
次に、図９（ｂ）に示すように、基板全体にＣＶＤ法によって絶縁材料を薄く堆積し、絶縁膜３１を形成する。絶縁膜３１は、例えば、シリコン酸化膜であり、２０００Åの厚さに形成した。
【００７６】
図９（ｃ）に示すように、ＲＩＥ等の異方性エッチングによって絶縁膜３１と絶縁膜１３を真上からエッチングする。この工程では、図示の上下方向において相対的に膜厚の厚いゲート絶縁膜１３及びゲート電極膜１４の各側壁部分の絶縁膜３１が残る。絶縁膜３１のソース・ドレイン領域方向における膜厚は非常に薄く形成することが可能である。
【００７７】
なお、絶縁膜３１の形成は、ポリシラザンの溶液を、スピンコート法や液滴吐出法などによって基板全面に塗布し、これを酸素雰囲気下で熱処理してシリコン酸化膜を形成することとしても良い。
【００７８】
次に、図９（ｄ）に示すように、半導体膜１２のゲート領域１５の両側に高次シランとドーパント源を含有したの液体半導体材料１７を液滴吐出法によって塗布する。液体半導体材料１７は、例えば、シリルテトラシランを２０ｗｔ．％、黄リンを０．１ｗｔ．％含有するするトルエン溶液である。基板に塗布されたこの液体材料１７を４００℃で２０分間焼成し、次に波長３０８ｎｍのエキシマレーザーをエネルギー密度３６０ｍＪ／ｃｍ２で照射してドープ多結晶シリコン膜とし、既述した図８（ａ）と同様にして、ソース領域１８及びドレイン領域１９を形成する。
【００７９】
更に、図８（ｂ）と同様にして、絶縁基板１１、半導体膜１２、ゲート領域１５、ソース領域１８及びドレイン領域１９上に層間絶縁膜２０を形成する。層間絶縁膜２０は、ＣＶＤ法によってシリコン酸化膜を堆積して形成することが出来る。また、ポリシラザンの溶液をスピンコートや液滴吐出法によって塗布し、これに酸素雰囲気下で熱処理を加えることによって液体材料からシリコン酸化膜を得てもよい。
【００８０】
この層間絶縁膜２０のソース領域１８及びドレイン領域１９上に、異方性エッチングによってコンタクト孔２１、２１を開口する。スパッタ法によってアルミニウムなどの電極材料を開口部に堆積し、これをパターニングしてソース電極２２及びドレイン電極２３を形成する。なお、液体金属材料を使用してソース電極２２及びドレイン電極２３を形成することもできる。
【００８１】
このようにして、イオン注入法、従って、大規模なイオン注入装置を用いずにソース領域１８及びドレイン領域１９を形成することが出来る。
【００８２】
（第２の実施の形態の第３の実施例）
本発明の第２の実施形態の第３の実施例について図１０乃び図１１を参照して説明する。この実施の形態では、ゲート領域の周囲をエッチングして囲み穴を形成し、この穴を絶縁膜で埋設してゲート領域の周囲に絶縁膜を形成している。
【００８３】
まず、図１０（ａ）に示すように、絶縁基板１１の上にＣＶＤ法によって半導体膜１２を形成する。半導体膜１２は、例えば、アモルファスシリコン膜である。なお、レーザアニールを施してポリシリコン膜としても良い。この半導体膜１２の上にゲート絶縁膜１３をＣＶＤ法によって形成する。絶縁膜１３は、例えば、シリコン酸化膜である。なお、ポリシラザンを含有する溶液をスピンコート法などによって塗布してシリコン酸化膜を焼成することとしても良い。このゲート絶縁膜１３の上にスパッタ法によってゲート電極膜１４を形成する。ゲート電極膜１４は、例えば、アルミニウムである。なお、金属を含有する液体材料をスピンコート法等によって塗布し、これを焼成して金属のゲート電極膜を形成しても良い。
【００８４】
次に、図１０（ｂ）に示すように、図示しないフォトレジストを塗布してゲート領域を取り囲むマスクパターンを用いて露光を行い、現像してエッチングマスクを得て、公知のウエットエッチングやＲＩＥ法等によるドライエッチングを行ってゲート領域１５の周囲に半導体膜１２に至る深さの溝４１を形成する。
【００８５】
図１０（ｃ）に示すように、ゲート領域１５部分に液滴吐出法によって液体絶縁材料４２を塗布し、溝４１を埋める。この際、撥液膜（図３参照）を利用することによってより正確に溝４１内に液体絶縁材料４３を導くことが可能である。例えば、液体絶縁材料４３の塗布前に基板全面に前記ＦＡＳのような撥液材料を処理温度１２０℃で成膜し、フォトマスクを使用してゲート領域の撥液膜のみを除去する。それにより、ゲート領域１５のみに液体絶縁材料４３を塗布することが可能となる。
【００８６】
図１１（ａ）に示すように、溝４１内に塗布した液体絶縁材料４２を焼成して絶縁膜４３を形成する。前述したように、液体絶縁材料４２として、例えば、ポリシラザンを２ｗｔ．％含有するキシレン溶液を使用することが出来る。これを１００℃で１５分間加熱して溶媒を除去し、３００度で２０分間酸素雰囲気下で焼成することによってシリコン酸化膜を得ることができる。
【００８７】
更に、図示しないフォトレジストの塗布、露光・現像を行ってエッチングマスクを形成し、ゲート領域１５以外を露出して、異方性エッチングを行い、ゲート領域１５以外のゲート絶縁膜１３及びゲート電極膜１４を除去する。
【００８８】
それにより、図１１（ｂ）に示すように、半導体膜１２上に絶縁膜４３で囲まれたゲート領域１５が形成される。
【００８９】
図１１（ｃ）に示すように、ゲート領域１５を壁として利用してゲート領域１５の両側に高次シランとドーパント源を含有した液体半導体材料１７を液滴吐出法によって塗布する。液体半導体材料１７は、例えば、テトラシランの２０ｗｔ．％、黄リン０．１ｗｔ．％含有のトルエン溶液液体を使用する。塗布した液体半導体材料１７に波長３０８ｎｍの紫外線を３０分照射してたのち、溶媒を除去し、３５０℃で５分間加熱して塗布膜を焼成し、ソース領域１８及びドレイン領域１９（図８（ａ）参照）を形成した。
【００９０】
この後は、図８（ｂ）に示したと同様の工程で、ソース電極及びドレイン電極を形成し、薄膜トランジスタを形成する。
【００９１】
このように、第３の実施例では、ゲート電極膜１４の周囲に薄く絶縁膜４３を形成しているので、ゲート電極膜１４と液体半導体材料１７との接触を回避可能となる。
【００９２】
（第２の実施の形態の第４の実施例）
本発明の第２の実施形態の第４の実施例について図１２及び図１３を参照して説明する。
【００９３】
この実施例では、図１２に示すように、ゲート電極膜１４をアルミニウムで形成し、これを陽極酸化してアルミニウム表面に酸化膜Ａｌ２Ｏ３を形成する。この酸化膜は絶縁膜である。それにより、ゲート電極膜１４の外周に絶縁膜４４を形成してゲート電極膜１４と液体半導体材料との接触を回避可能としている。アルミニウムはゲート電極膜に一般的に使用されるため、適用容易であり、陽極酸化によって生ずる酸化膜の厚さも精度良く形成可能である。ゲート電極膜１４としては、アルミニウムの他、タリウム等を使用可能である。
【００９４】
まず、図１３（ａ）に示すように、石英ガラスなどの絶縁基板１１にＣＶＤ法によって半導体膜１２を形成する。これを素子形成領域に対応させてパターニングする。半導体膜１２は、例えば、アモルファスシリコン膜であるが、更に、レーザアニールを加えてポリシリコン膜としても良い。更に、基板上１１及び半導体膜１２上に絶縁膜をＣＶＤ法によって堆積し、ゲート絶縁膜１３を形成する。ゲート絶縁膜１３は、例えば、シリコン酸化膜である。
【００９５】
図１３（ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜１３の上にアルミニウムをスパッタ法によって堆積し、これをパターニングしてゲート電極膜１４を形成する。
【００９６】
このゲート電極膜１４にクエン酸水溶液を用い、電流密度０．１ｍＡ／ｃｍ２、電圧３０Ｖの条件下で通電してアルミニウムの外面を酸化させる。このようにして、ゲート電極膜１４に陽極酸化を施してその外周に絶縁膜４４を形成する。更に、ゲート電極膜１４をマスクとして上方から異方性エッチングを行い、ゲート酸化膜１３を除去する。
【００９７】
次に、図１３（ｃ）に示すように、ゲート絶縁膜１３、ゲート電極膜１４及び絶縁膜４４によって構成されるゲート領域１５の両側に、高次シランとドーパント源含有の液体半導体材料１７を塗布する。液体半導体材料１７は、既述のものを適宜に選択して使用することが可能であり、このプロセスに特に適合するものを調整しても良い。
【００９８】
図１３（ｄ）に示すように、液体半導体材料１７の塗布膜を加熱して溶媒を除去し、更に、塗布膜に熱処理を加えることによって半導体膜１２にドーパントを拡散してソース領域１８及びドレイン領域１９を形成する。
【００９９】
この後、既述、図７（ｂ）に示すように、層間絶縁膜の堆積、コンタクト孔の開口、ソース／ドレイン電極の形成を行って薄膜トランジスタを形成する。
【０１００】
（第３の実施形態）
本発明の第３の実施形態について図１４乃至図１７を参照して説明する。
【０１０１】
第３の実施形態では、ゲート電極膜１４と液体半導体材料１７との接触を回避するために、図示の上下方向においてゲート電極膜１４と液体半導体材料１７とを離間させるようにしている。
【０１０２】
（第３の実施の形態の第１の実施例）
このため、この第１の実施例では、ソース領域及びドレイン領域の半導体膜をもエッチングして除去し、絶縁基板上に液体半導体材料を塗布するようにして高さ方向においてゲート電極膜と液体半導体材料とが離れるようにして、両者の接触を回避している。
【０１０３】
すなわち、図１４（ａ）に示すように、絶縁基板１１上にＣＶＤ法によって半導体膜１２及びゲート絶縁膜１３を形成する。更に、スパッタ法によってゲート絶縁膜１３上に、アルミニウムなどを堆積してゲート電極膜１４を形成する。
【０１０４】
図１４（ｂ）に示すように、図示の上方から異方性エッチングによってゲート電極膜１４、ゲート絶縁膜１３及び半導体膜１２をパターニングし、ゲート領域１５を形成する。このとき、絶縁基板１１までエッチバックする。
【０１０５】
図１４（ｃ）に示すように、ゲート領域１５の両側に該ゲート領域の側壁を利用して液体半導体材料１７を塗布する。液体半導体材料１７は絶縁基板１１上から塗布されるためにゲート電極膜１４に接触しない。
【０１０６】
（第３の実施の形態の第２の実施例）
本発明の第３の実施形態の第２の実施例について図１５を参照して説明する。
【０１０７】
第２の実施例では、図１５（ａ）に示すように、ゲート電極膜１４と液体半導体材料との接触を回避するために、図示の上下方向において更にゲート電極膜１４と液体半導体材料とを離間させる。このために、絶縁基板１１をもエッチングするようにしている。
【０１０８】
図１５（ｂ）に示すように、絶縁基板１１及び半導体膜１２を壁として利用してゲート領域１５の側壁の高さを相対的に増し、より多くの量の液体半導体材料１７をゲート領域１５の両側に塗布することを可能としている。これ以後は、図４と同様の工程を行って薄膜トランジスタを形成することができる。なお、液体半導体材料１７としては既述した種々のものが使用可能である。また、必要に調合することができる。
【０１０９】
（第３の実施の形態の第３の実施例）
本発明の第３の実施形態の第３の実施例について図１６を参照して説明する。
【０１１０】
この実施例では、ソース領域及びドレイン領域をエッチングして溝を形成する。この溝内に高次シランとドーパント源を含有した液体半導体材料を塗布することによってソース領域及びドレイン領域を膜厚に形成する。また、吐出された液体がチャネルから離れず擬留ことを防止することができ、より安定した素子形成を行うことが可能となる。
【０１１１】
図１６（ａ）に示すように、絶縁基板１１の上に、半導体膜１２、ゲート絶縁膜１３及びゲート電極膜１４を形成する。
【０１１２】
図１６（ｂ）に示すように、この基板１１をパターニングしてソース領域及びドレイン領域を開口する溝５１及び５２を形成する。
【０１１３】
図１６（ｃ）に示すように、溝５１及び５２内に液滴吐出法によって液体半導体材料１７を吐出する。半導体材料１７としては、シクロペンタシラン４０ｗｔ．％。黄リン１ｗｔ．％含有のキシレン溶液を使用した。吐出した後、波長３０８ｎｍの紫外線を５分間照射した後、３５０℃で基板を焼成し、高濃度にドープされたシリコン膜によるソース領域１８及びドレイン領域１９を形成した。
【０１１４】
図１６（ｄ）に示すように、更に、エッチングを行ってゲート領域１５以外の部分の半導体膜１２、ゲート絶縁膜１３及びゲート電極膜１４を除去する。
【０１１５】
この後、既述、図８（ｂ）に示すように、層間絶縁膜の堆積、コンタクト孔の開口、ソース／ドレイン電極の形成を行って薄膜トランジスタを形成する。
【０１１６】
（第３の実施の形態の第４の実施例）
本発明の第３の実施形態の第４の実施例について図１７を参照して説明する。
【０１１７】
この実施例では、図１７（ａ）に示すように、上述した第３の実施例の溝５１及び５２（図１６（ｂ）参照）を絶縁基板１１をもエッチングすることによってより深く形成している。
【０１１８】
そして、上記実施例と同様に、半導体材料液１７を液滴吐出法によってこの溝５１及び５２により多量に吐出する。塗布膜を加熱して溶媒を除き、更に、焼成して、図１７（ｂ）に示すように、より構造が精密に制御されたソース領域１８及びドレイン領域１９のドープ半導体膜を得る。
【０１１９】
図１８（ｂ）に示す構成では、ソース領域１８及びドレイン領域１９を形成するドープ半導体膜がゲート電極膜１４の側壁に絶縁膜４４を介して接している。このため、ソース・ゲート間寄生容量、ゲート・ドレイン間寄生容量が増すので好ましくない。よって、本件のようにソース、ゲート間に隔離手段を設けた場合でも、各実施例の図や好適な一例を示す図１８（ａ）に示しているように、ソース領域１８及びドレイン領域１９とゲート電極膜１４とは同じ高さとならないように形成するのがよい。
【０１２０】
本発明の製造方法により得られたデバイス、さらに言及すると薄膜トランジスタは、液晶表示装置のスイッチング素子として、或いは有機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）表示装置の駆動素子として利用することができる。
【０１２１】
図１９は、アクティブマトリクス方式で駆動する電気光学装置１００の画素領域（表示パネル）１１１の回路構成図であり、各画素１１２は、電界発光効果により発光可能な発光層、それを駆動するための電流を記憶する保持容量、本発明の製造方法で製造される薄膜トランジスタを備えて構成されている。走査線ドライバ１１５からは、選択信号線Ｖgpが各画素に供給されている。データ線ドライバ１１６からは、信号線Ｉdata及び電源線Ｖddが各画素に供給されている。選択信号線Ｖgpと信号線Ｉdataを制御することにより、各画素に対する電流プログラムが行われ、発光部ＯＬＥＤによる発光が制御される。
【０１２２】
本発明の製造方法により得られたデバイスは電気光学装置を備える各種の電子機器に適用可能である。図２０（ａ）乃至同図（ｆ）に電気光学装置を適用可能な電子機器の例を挙げる。
【０１２３】
図２０（ａ）は携帯電話への適用例であり、携帯電話２３０は、アンテナ部２３１、音声出力部２３２、音声入力部２３３、操作部２３４、及び本発明の電気光学装置１０を備えている。このように本発明の電気光学装置１０を携帯電話２３０の表示部として利用可能である。
【０１２４】
同図（ｂ）はビデオカメラへの適用例であり、ビデオカメラ２４０は、受像部２４１、操作部２４２、音声入力部２４３、及び本発明の電気光学装置１０を備えている。このように本発明の電気光学装置は、ファインダーや表示部として利用可能である。
【０１２５】
同図（ｃ）は携帯型パーソナルコンピュータへの適用例であり、コンピュータ２５０は、カメラ部２５１、操作部２５２、及び本発明の電気光学装置１０を備えている。このように本発明の電気光学装置は、表示部として利用可能である。
【０１２６】
同図（ｄ）はヘッドマウントディスプレイへの適用例であり、ヘッドマウントディスプレイ２６０は、バンド２６１、光学系収納部２６２及び本発明の電気光学装置１０を備えている。このように本発明の電気光学装置は画像表示源として利用可能である。同図（ｅ）はリア型プロジェクターへの適用例であり、プロジェクター２７０は、筐体２７１に、光源２７２、合成光学系２７３、ミラー２７４、ミラー２７５、スクリーン２７６、及び本発明の電気光学装置１０を備えている。このように本発明の電気光学装置は画像表示源として利用可能である。同図（ｆ）はフロント型プロジェクターへの適用例であり、プロジェクター２８０は、筐体２８２に光学系２８１及び本発明の電気光学装置１０を備え、画像をスクリーン２８３に表示可能になっている。このように本発明の電気光学装置は画像表示源として利用可能である。
【０１２７】
上記例に限らず本発明の電気光学装置１０は、アクティブマトリクス型の表示装置を適用可能なあらゆる電子機器に適用可能である。例えば、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイなどにも活用することができる。
【０１２８】
以上説明したように、本発明の実施例によれば、イオン注入装置、真空装置、プラズマ装置などの大型の装置を必要としないで、デバイスを製造することが可能となる。それにより、製造コストを低下させることが期待可能である。
【０１２９】
また、ストッパ絶縁膜を利用してドープドシリコン液を塗布し、ソース領域及びドレイン領域を自己整合的に形成できるので、ソース領域及びゲート電極膜、あるいはドレイン領域とゲート電極膜間の寄生容量を低減することが可能となる。
【０１３０】
また、実施例の構成では、トランジスタのゲート電極膜を半導体膜の下部に配置し、半導体膜の上部に配置されたストッパ絶縁膜の両側にソース領域及びドレイン領域を自己整合的に形成するので、ストッパ絶縁膜によってチャネル幅を実質的に決定する。
【０１３１】
なお、液体半導体材料は、成分を適宜に調合することが出来、実施例のものに限定されるものではない。液体半導体材料としてのシリコン化合物は、環状のシラン化合物を光照射によって重合させ、高次シランとしたものが使用しやすいが、光重合は塗布前のみならず、塗布後に光重合させることとしても良い。
【０１３２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の構成によれば、イオン注入装置を使用せずにソース領域及びドレイン領域に高濃度にドープされた半導体膜を形成することが可能となる。
【０１３３】
また、チャネル部の半導体膜とソース領域及びドレイン領域の半導体膜の膜厚を別々に形成できる。それにより、チャネル部の半導体膜を薄く形成することでオン電流を大きく、オフ電流を小さくすることが可能となる。ソース領域及びドレイン領域の半導体膜の膜厚を厚く形成することによって低抵抗化することができ、コンタクト孔開口の際のプロセスマージンも広がる。これは、コンタクト孔開口時のオーバーエッチングによってソース領域及びドレイン領域の半導体膜が多少エッチングされても塗布半導体膜で十分な厚さを確保することが出来るので、ソース領域及びドレイン領域部分の抵抗が高くなったり、電極とのコンタクト抵抗が高くなることが回避可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明のデバイス（ＴＦＴ）の例を説明する説明図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施形態の第１の実施例に係るデバイスの製造工程例を説明する工程図である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施形態の第１の実施例に係るデバイスの製造工程例を説明する工程図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施形態の第１の実施例に係るデバイスの製造工程例を説明する工程図である。
【図５】図５は、本発明の第１の実施形態の第２の実施例に係るデバイスの製造工程例を説明する工程図である。
【図６】図６は、本発明の第１の実施形態の第３の実施例に係るデバイスの製造工程例を説明する工程図である。
【図７】図７は、本発明の第２の実施形態の第１の実施例に係るデバイスの製造工程例を説明する工程図である。
【図８】図８は、本発明の第２の実施形態の第１の実施例に係るデバイスの製造工程例を説明する工程図である。
【図９】図９は、本発明の第２の実施形態の第１２の実施例に係るデバイスの製造工程を説明する工程図である。
【図１０】図１０は、本発明の第２の実施形態の第３の実施例に係るデバイスの製造工程を説明する工程図である。
【図１１】図１１は、本発明の第２の実施形態の第３の実施例に係るデバイスの製造工程例を説明する工程図である。
【図１２】図１２は、本発明の第２の実施形態の第４の実施例に係るデバイスの製造工程例を説明する工程図である。
【図１３】図１３は、本発明の第２の実施形態の第４の実施例に係るデバイスの製造工程例を説明する工程図である。
【図１４】図１４は、本発明の第３の実施形態の第１の実施例に係るデバイスの製造工程例を説明する工程図である。
【図１５】図１５は、本発明の第３の実施形態の第２の実施例に係るデバイスの製造程例を説明する工程図である。
【図１６】図１６は、本発明の第３の実施形態の第３の実施例に係るデバイスの製造程例を説明する工程図である。
【図１７】図１７は、本発明の第３の実施形態の第４の実施例に係るデバイスの製造程例を説明する工程図である。
【図１８】図１８は、ソース領域及びドレイン領域の好ましい形成例を説明する説明図である。
【図１９】図１９は、本発明に係る半導体装置を使用する電気光学装置の例を説明する説明図である。
【図２０】図２０は、電気光学装置を使用した電子機器の例を説明する説明図である。
【図２１】図２１は、比較例のイオン注入法による薄膜トランジスタの製造を説明する説明図である。
【符号の説明】
１１  絶縁基板
１２  半導体膜
１３  ゲート絶縁膜
１４  ゲート電極膜
１５  ゲート領域
１６  撥液膜
１７  ドーパント源含有半導体材料液
１８  ソース領域
１９  ドレイン領域
４３  絶縁膜
４４  絶縁膜（陽極酸化膜）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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