(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数枚の床板材が敷き詰められてなる設置スペースに設置される検査装置であって、
内部環境がクリーンに保たれるクリーンボックスと、
上記クリーンボックスの内部に収容されて、被検査物の検査を行う装置本体部と、
上記クリーンボックスを支持する支持部材とを備え、
上記設置スペースは、上記床板材が、グレーチングと、該グレーチングに比べて耐荷重性及び耐振性に優れた嫌振架台とからなり、上記グレーチングには、上記クリーンボックスを支持する上記支持部材が設置され、上記嫌振架台には、上記装置本体部が設置され、上記クリーンボックスと上記装置本体部とが異なる床板材上に設置される検査装置。
【請求項２】
上記装置本体部は、上記被検査物に対して紫外光を照射し、その反射光又は透過光を検出することで、上記被検査物の検査を行う検査手段を備える請求項１記載の検査装置。
【請求項３】
上記床板材は、縦横に僅かな隙間を介し縦横に隣接して、防振部材によって基礎上に支持されて並べられており、
上記防振部材は、上記床板材の角部が突き合わされる箇所に配設されている請求項１又は請求項２記載の検査装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、所定のデバイスパターンが形成された半導体ウェハ等の検査に用いられる検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスは、半導体ウェハ上に微細なデバイスパターンを形成することにより作製される。このようなデバイスパターンを形成するときに、半導体ウェハ上に塵埃等が付着したり、傷が付いたりして、欠陥が生じることがある。このような欠陥が生じた半導体デバイスは、不良デバイスとなり、歩留まりを低下させる。
【０００３】
したがって、製造ラインの歩留まりを高い水準で安定させるためには、塵埃や傷等によって発生する欠陥を早期に発見し、その原因を突き止め、製造設備や製造プロセスに対して有効な対策を講じることが好ましい。
【０００４】
そこで、欠陥が発見された場合には、検査装置を用いて、その欠陥が何であるかを調べて分類分けを行い、その欠陥の原因となった設備やプロセスを特定するようにしている。ここで、欠陥が何であるかを調べる検査装置は、いわば光学顕微鏡のようなものであり、欠陥を拡大して見ることで、その欠陥が何であるかを識別するようにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、以上のような検査を行う際に半導体ウェハ上に塵埃等が付着すると、適切な検査を行うことができない。したがって、半導体ウェハの検査は、クリーンな環境の中で行う必要がある。
【０００６】
半導体ウェハの検査を行う環境をクリーンに保つ方法としては、検査装置の本体部分をクリーンボックスで覆い、このクリーンボックスの内部に清浄な空気を供給することにより、クリーンボックスの内部を高いクリーン度に保つ方法が有効である。この場合、検査対象である半導体ウェハを密閉式の容器に入れて搬送し、この容器を介して半導体ウェハをクリーンボックス内に移送するようにすれば、検査装置が設置される環境全体を高いクリーン度に保たなくとも、半導体ウェハ上に塵埃等が付着することを有効に抑制して、半導体ウェハの検査を適切に行うことが可能となる。
【０００７】
ところで、検査対象である半導体ウェハのデバイスパターンは、半導体デバイスの高集積化に伴って、ますます微細化してきており、近年では線幅が０．１８μｍ以下にまでなってきている。このような微細なパターンの検査を行う上では、僅かな振動も検査の障害となる場合があるので、このような振動を検査装置の本体部分に伝えないようにすることが要求される。
【０００８】
特に、クリーンボックスには、当該クリーンボックスの内部に空気を供給するための送風機からの振動が伝えられる場合が多い。また、検査者がクリーンボックスに触れることによっても、クリーンボックスに振動が生じる場合がある。このようなクリーンボックスに生じた振動が検査装置の本体部分に伝わると、適切な検査を阻害する要因となる場合があるので、このような振動を検査装置の本体部分に伝えないような対策を講じることが求められる。
【０００９】
本発明は、以上のような実情に鑑みて創案されたものであり、検査を行う環境をクリーンに保つためのクリーンボックスに生じた振動が、装置本体部分に伝わることを有効に抑制して、微細なパターンの検査を適切に行うことができる検査装置を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る複数枚の床板材が敷き詰められてなる設置スペースに設置される検査装置は、内部環境がクリーンに保たれるクリーンボックスと、上記クリーンボックスの内部に収容されて、被検査物の検査を行う装置本体部と、上記クリーンボックスを支持する支持部材とを備え、上記設置スペースは、上記床板材が、グレーチングと、該グレーチングに比べて耐荷重性及び耐振性に優れた嫌振架台とからなり、上記グレーチングには、上記クリーンボックスを指示する上記支持部材が設置され、上記嫌振架台には、上記装置本体部が設置され、上記クリーンボックスと上記装置本体部とが異なる床板材上に設置される。
【００１１】
この検査装置では、グレーチングには、クリーンボックスを指示する支持部材が設置され、嫌振架台には、装置本体部が設置され、クリーンボックスと装置本体部とが異なる床板材上に設置されることにより、クリーンボックスの振動が、当該クリーンボックスが設置されるグレーチングと装置本体部が設置される嫌振架台との間で遮断され、クリーンボックスの振動が装置本体部に伝わることが有効に抑制される。したがって、この検査装置によ
れば、装置本体部による被検査物の検査を適切に行うことができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１３】
まず、本発明を適用した検査装置の具体的な説明に先立ち、この検査装置が設置される設置スペースについて説明する。
【００１４】
本発明を適用した検査装置が設置される設置スペース１００は、図１及び図２に示すように、複数枚の床板材１０１が、例えばコンクリート製の基礎１０２上に敷き詰められてなる。床板材１０１は、例えば、アルミニウム等の材料がダイキャストによって、縦横寸法がそれぞれ約６００ｍｍ、厚みが約５０ｍｍ程度の矩形の板状に成形されてなるものである。この床板材１０１には、その厚み方向に貫通する多数の通気孔１１０が設けられており、設置スペース１００に設置された検査装置からの空気を、この通気孔１１０から当該床板材１０１の下方に送って設置スペース１００の外部に排出することができるようになされている。
【００１５】
以上のような床板材１０１は、その端部が、縦横に碁盤目状に立設された基礎１０２の支持座１０２ａ上に、防振部材１０３を介して支持されたかたちで載置される。そして、複数枚の床板材１０１が、僅かな隙間を存して縦横に隣接して基礎１０２上に並べられることによって、検査装置が設置される設置スペース１００が構成される。防振部材１０３は、床板材１０１に生じた振動が、隣接する床板材１０１に伝わることを防止するためのものであり、各床板材１０１の角部が突き合わされる箇所にそれぞれ配設されている。なお、図１は設置スペース１００の検査装置が設置される部分の近傍を斜め上方からみた斜視図であり、図２は図１におけるＡ１−Ａ２線断面図である。
【００１６】
以上のような設置スペース１００に設置される本発明を適用した検査装置の外観を図３に示す。この検査装置１は、所定のデバイスパターンが形成された半導体ウェハの検査を行うためのものであり、半導体ウェハに形成されたデバイスパターンに欠陥が発見された場合に、その欠陥が何であるかを調べて分類分けを行うものである。
【００１７】
図３に示すように、この検査装置１は、半導体ウェハの検査を行う環境をクリーンに保つためのクリーンユニット２を備えている。このクリーンユニット２は、ステンレス鋼板等が折り曲げ加工され、中空の箱状に形成されてなるクリーンボックス３と、このクリーンボックス３の上部に一体に設けられたクリーンエアユニット４とを備えている。
【００１８】
クリーンボックス３には、所定の箇所に窓部３ａが設けられており、検査者がこの窓部３ａからクリーンボックス３の内部を視認できるようになされている。
【００１９】
クリーンエアユニット４は、クリーンボックス３内に清浄な空気を供給するためのものであり、クリーンボックス３の上部の異なる位置にそれぞれ配設された２つの送風機５ａ，５ｂと、これら送風機５ａ，５ｂとクリーンボックス３との間に配設された図示しないエアフィルタとを備えている。エアフィルタは、例えば、ＨＥＰＡフィルタ（High Efficiency Particulate Air Filter）やＵＬＰＡフィルタ（Ultra Low Penetration Air Filter)等の高性能エアフィルタである。そして、このクリーンエアユニット４は、送風機５ａ，５ｂにより送風される空気中の塵埃等を高性能エアフィルタによって除去し、清浄な空気として、クリーンボックス３の内部に供給するようになされている。
【００２０】
検査装置１では、このクリーンエアユニット４からクリーンボックス３内に供給される清浄な空気の風量を、２つの送風機５ａ，５ｂ毎に個別に制御することによって、クリーンボックス３内の気流を適切にコントロールすることができるようになされている。なお、ここでは、クリーンエアユニット４が２つの送風機５ａ，５ｂを備える例を説明するが、送風機の数はクリーンボックス３の大きさや形状に合わせて決定すればよく、３つ以上の送風機を備える構成とされていてもよい。この場合には、クリーンエアユニット４からクリーンボックス３内に供給される清浄な空気の風量が、各送風機毎に個別に制御されることになる。
【００２１】
上部にクリーンエアユニット４が一体に設けられたクリーンボックス３は、その下端部に設けられた脚部６が支持部材７０上に載せられた状態で、設置スペース１００に設置されている。そして、設置スペース１００と対向するクリーンボックス３の下端部は開放された状態とされており、クリーンエアユニット４からクリーンボックス３内に供給された空気は、主に、クリーンボックス３の下端部からクリーンボックス３の外部に排出され、設置スペース１００を構成する床板材１０１に設けられた通気孔１０１ａを介して、設置スペース１００の下方に排出されるようになされている。また、クリーンボックス３の側面部には、所定の箇所に開口領域が設けられており、クリーンエアユニット４からクリーンボックス３内に供給された空気が、このクリーンボックス３の側面部に設けられた開口領域からも、クリーンボックス３の外部に排出されるようになされている。
【００２２】
クリーンユニット２は、以上のように、クリーンボックス３内にクリーンエアユニット４からの清浄な空気を常時供給し、クリーンボックス３内を気流となって循環した空気をクリーンボックス３の外部に排出させる。これによって、クリーンボックス３内にて発生した塵埃等をこの空気と共にクリーンボックス３の外部に排出させ、クリーンボックス３の内部環境を、例えばクラス１程度の非常に高いクリーン度に保つようにしている。
【００２３】
クリーンボックス３の脚部６が載置される支持部材７０は、設置スペース１００を構成する複数枚の床板材１０１の中で、後述する装置本体１０が設置される床板材１０１とは異なる床板材１０１上に、クリーンボックス３を設置するためのものである。ここで、設置スペース１００を構成する複数枚の床板材１０１の中で、装置本体１００が設置される床板材１０１としては、例えば、嫌振架台と呼ばれる床板材１０１ａが用いられ、その他の部分には、グレーチングと呼ばれる床板材１０１ｂが用いられる。嫌振架台１０１ａは、グレーチング１０１ｂに比べて耐荷重性及び耐振性に優れた床板材である。
【００２４】
支持部材７０は、所定の厚みを有する金属板材等が折り曲げ加工されてなり、クリーンボックス３の脚部６が載置される載置部７１と、この載置部７１の両端部から下方に向かって延設された支持脚７２とを有している。そして、この支持部材７０は、設置スペース１００を構成する複数枚の床板材１０１のうち装置本体１０が設置される嫌振架台１０１ａを跨いで、その外側に配設されたグレーチング１０１ｂ上に支持脚７２が位置するように、設置スペース１００に配置されている。そして、このように配置された支持部材７０の設置部７１上にクリーンボックス３の脚部６が載置されることによって、クリーンボックス３が、装置本体１０が設置される嫌振架台１０１ａの外側に配設されたグレーチング１０１ｂ上に設置されることになる。
【００２５】
本発明を適用した検査装置１では、以上のように、クリーンボックス３が、支持部材７０を介して、装置本体１０が設置される床板材１０１とは異なる床板材１０１上に設置されることによって、クリーンボックス３に生じた振動が床板材１０１を介して装置本体１０に伝わることが抑制されている。
【００２６】
すなわち、クリーンボックス３には、その上部に当該クリーンボックス３内に清浄な空気を供給するためのクリーンエアユニット４が一体に設けられているので、クリーンエアユニット４の送風機５ａ，５ｂの動作に伴って生じる振動がクリーンボックス３に伝わって、クリーンボックス３に振動が生じる場合が多い。また、検査者がクリーンボックス３に触れることによっても、クリーンボックス３に振動が生じる場合もある。このようにクリーンボックス３に振動が生じたときに、クリーンボックス３と装置本体１０とが同じ床板材１０１上に設置されていると、クリーンボックス３に生じた振動が床板材１０１を介して装置本体１０に伝達され、装置本体１０による適切な検査が阻害される場合がある。特に、この検査装置１では、詳細を後述するように、紫外光を用いて微細なパターンを高分解能で検査するようになされているので、振動の影響が現れやすく、僅かな振動でも検査の障害となる場合がある。そこで、この検査装置１では、支持部材７０を用いて、装置本体１０が設置される床板材１０１とは異なる床板材１０１上にクリーンボックス３を設置するようにして、クリーンボックス３に生じた振動を装置本体１０に伝えないようにしている。
【００２７】
クリーンボックス３を装置本体１０が設置される床板材１０１とは異なる床板材１０１上に設置する方法としては、クリーンボックス３のサイズを装置本体１０サイズに比べて十分に大きくすることが考えられるが、クリーンボックス３のサイズをあまり大きくすると、その内部部環境のクリーン度を保つために、送風機の数を増やしたり、エアフィルタを広い範囲に設けたりする必要が生じて、コストが上昇することに加え、クリーンボックス３内の気流を適切にコントロールすることが困難となり、クリーンボックス３内にて発生した塵埃等を適切にクリーンボックス３の外部に排出することができなくなる場合がある。また、クリーンボックス３のサイズをあまり大きくすると、それに応じて設置スペース１００も広げる必要があり、省スペース化を図る上で不利である。
【００２８】
これに比べて、装置本体１０が設置される床板材１０１とは異なる床板材１０１上に配置された支持部材７０によりクリーンボックス３を支持することによって、クリーンボックス３を装置本体１０が設置される床板材１０１とは異なる床板材１０１上に設置するようにした場合には、クリーンボックス３の大きさを大きくする必要がないので、コストの上昇や、クリーンボックス３内の気流のコントロールが困難になるといった不都合を生じさせることなく、クリーンボックス３に生じた振動が装置本体１０に伝わることを有効に抑制することができる。また、このように、支持部材７０を用いて、装置本体１０が設置される床板材１０１とは異なる床板材１０１上にクリーンボックス３を設置するようにした場合には、検査装置１全体をコンパクトにすることができ、省スペース化を図る上で非常に有利である。
【００２９】
なお、以上は、クリーンボックス３の脚部６が支持部材７０の載置部７１上に載置されることによって、クリーンボックス３が支持部材７０に支持されるようにした例について説明したが、本発明に係る検査装置１では、クリーンボックス３に脚部６を設けずに、支持部材７０がクリーンボックス３の下端部を直接支持するようになされていてもよい。また、クリーンボックス３の脚部６と支持部材７０とを一体の部材として構成し、クリーンボックス３の脚部６が、装置本体１０が設置される床板材１０１を跨いで、この床板材１０１とは異なる床板材１０１上に設置されるようになされていてもよい。
【００３０】
この検査装置１では、図４に示すように、クリーンボックス３の内部に装置本体１０が収容され、クリーンボックス３の中で、この装置本体１０によって、所定のデバイスパターンが形成された半導体ウェハの検査が行われるようになされている。ここで、被検査物となる半導体ウェハは、所定の密閉式の容器７に入れて搬送され、この容器７を介して、クリーンボックス３の内部に移送される。なお、図４は、クリーンボックス３の内部を図３中矢印Ｂ方向から見た様子を示している。
【００３１】
容器７は、底部７ａと、この底部７ａに固定されたカセット７ｂと、底部７ａに着脱可能に係合されてカセット７ｂを覆うカバー７ｃとを有している。被検査物となる半導体ウェハは、複数枚が所定間隔を存して重ね合わされるようにカセット７ｂに装着され、底部７ａとカバー７ｃとで密閉される。
【００３２】
そして、半導体ウェハの検査を行う際は、先ず、半導体ウェハが入れられた容器７がクリーンボックス３の所定の位置に設けられた容器設置スペース８に設置される。この容器設置スペース８には、後述するエレベータ２２の昇降台２２ａ上面がクリーンボックス３の外部に臨むように配されており、容器７は、その底部７ａがこのエレベータ２２の昇降台２２ａ上に位置するように、容器設置スペース８に設置される。
【００３３】
容器７が容器設置スペース８に設置されると、容器７の底部７ａとカバー７ｃとの係合が解除される。そして、エレベータ２２の昇降台２２ａが図２中矢印Ｂ方向に下降操作されることによって、容器７の底部７ａ及びカセット７ｂが、カバー７ｃから分離してクリーンボックス３の内部に移動する。これにより、被検査物である半導体ウェハが、外気に晒されることなくクリーンボックス３の内部に移送されることになる。
【００３４】
半導体ウェハがクリーンボックス３内に移送されると、後述する搬送用ロボット２３により、検査対象の半導体ウェハがカセット７ｂから取り出されて検査が行われる。
【００３５】
検査装置１は、以上のように、高いクリーン度に保たれたクリーンボックス３の内部で半導体ウェハの検査を行うようにしているので、検査時に半導体ウェハに塵埃等が付着して適切な検査が阻害されるといった不都合を有効に回避することができる。しかも、被検査物となる半導体ウェハを密閉式の容器７に入れて搬送し、この容器７を介して半導体ウェハをクリーンボックス３の内部に移送するようにしているので、クリーンボックス３の内部と容器７の内部だけを十分なクリーン度に保っておけば、検査装置１が設置される環境全体のクリーン度を高めなくても、半導体ウェハへの塵埃等の付着を有効に防止することができる。
【００３６】
このように必要な場所のクリーン度だけを局所的に高めるようにすることで、高いクリーン度を実現しつつ、且つ、クリーン環境を実現するためのコストを大幅に抑えることができる。なお、密閉式の容器７とクリーンボックス３との機械的なインターフェースとしては、いわゆるＳＭＩＦ（standard mechanical interface）が好適であり、その場合、密閉式の容器７としては、いわゆるＳＭＩＦ−ＰＯＤが用いられる。
【００３７】
また、この検査装置１は、図３に示すように、装置本体１０を操作するためのコンピュータ等が配される外部ユニット５０を備えている。この外部ユニット５０は、クリーンボックス３の外部に設置されている。この外部ユニット５０には、半導体ウェハを撮像した画像等を表示するための表示装置５１や、検査時の各種条件等を表示するための表示装置５２、装置本体１０への指示入力等を行うための入力装置５３等も配されている。そして、半導体ウェハの検査を行う検査者は、外部ユニット５０に配された表示装置５１，５２を見ながら、外部ユニット５０に配された入力装置５３から必要な指示を入力して半導体ウェハの検査を行う。
【００３８】
クリーンボックス３の内部に配設された装置本体１０は、図４に示すように、支持台１１を備えている。この支持台１１は、装置本体１０の各機構を支持するための台である。この支持台１１の底部には脚部１２が取り付けられており、支持台１１及び支持台１１上に設けられた各機構は、この脚部１２によって、クリーンボックス３から独立した状態で、クリーンボックス３が設置される床板材１０１とは異なる床板材１０１上に支持される構造となっている。
【００３９】
支持台１１上には、除振台１３を介して、被検査物となる半導体ウェハが載置される検査用ステージ１４が設けられている。
【００４０】
除振台１３は、床からの振動や、検査用ステージ１４を移動操作した際に生じる振動といったような装置本体１０に生じる振動を抑制するためのものであり、検査用ステージ１４が設置される石定盤１３ａと、この石定盤１３ａを支える複数の可動脚部１３ｂとを備えている。そして、この除振台１３は、装置本体１０に振動が生じたときにその振動を検知して可動脚部１３ｂを駆動し、石定盤１３ａ及びこの石定盤１３ａ上に設置された検査用ステージ１４の振動を速やかに打ち消すようにしている。
【００４１】
この検査装置１では、被検査物である半導体ウェハが設置される検査用ステージ１４をこの除振台１３上に設けることによって、装置本体１０に振動が生じた場合であっても、この振動を速やかに打ち消し、振動の影響を抑えて、紫外光を用いて高分解能での検査を行う際の検査能力を向上させるようにしている。
【００４２】
なお、除振台１３上に検査用ステージ１４を安定的に設置するには、除振台１３の重心がある程度低い位置にあることが望ましい。そこで、この検査装置１においては、石定盤１３ａの下端部に切り欠き部１３ｃを設け、可動脚部１３ｂがこの切り欠き部１３ｃにて石定盤１３ａを支えるようにして、除振台１３の重心を下げるようにしている。
【００４３】
なお、検査用ステージ１４を移動操作した際に生じる振動等は、事前にある程度予測することができる。このような振動を事前に予測して除振台１３を動作させるようにすれば、検査用ステージ１４に生じる振動を未然に防止することが可能である。したがって、検査装置１は、検査用ステージ１４を移動操作した際に生じる振動等を事前に予測して除振台１３を動作させるようになされていることが望ましい。
【００４４】
検査用ステージ１４は、被検査物となる半導体ウェハを支持するためのステージである。この検査用ステージ１４は、被検査物となる半導体ウェハを支持するとともに、この半導体ウェハを所定の検査対象位置へと移動させる機能も備えている。
【００４５】
具体的には、検査用ステージ１４は、除振台１３上に設置されたＸステージ１５と、Ｘステージ１５上に設置されたＹステージ１６と、Ｙステージ１６上に設置されたθステージ１７と、θステージ１７上に設置されたＺステージ１８と、Ｚステージ１８上に設置された吸着プレート１９とを備えている。
【００４６】
Ｘステージ１５及びＹステージ１６は、水平方向に移動するステージであり、Ｘステージ１５とＹステージ１６とで、被検査物となる半導体ウェハを互いに直交する方向に移動させ、検査対象のデバイスパターンを所定の検査位置へと導くようにしている。
【００４７】
θステージ１７は、いわゆる回転ステージであり、半導体ウェハを回転させるためのものである。半導体ウェハの検査時には、θステージ１７により、例えば、半導体ウェハ上のデバイスパターンが画面に対して水平又は垂直となるように、半導体ウェハを回転させる。
【００４８】
Ｚステージ１８は、鉛直方向に移動するステージであり、ステージの高さを調整するためのものである。半導体ウェハの検査時には、Ｚステージ１８により、半導体ウェハの検査面が適切な高さとなるように、ステージの高さを調整する。
【００４９】
吸着プレート１９は、検査対象の半導体ウェハを吸着して固定するためのものである。半導体ウェハの検査時に、検査対象の半導体ウェハは、この吸着プレート１９上に載置され、この吸着プレート１８により吸着されて、不要な動きが抑制される。
【００５０】
また、除振台１２上には、検査用ステージ１４上に位置するようにフレーム２０によって支持された光学ユニット２１が配されている。この光学ユニット２１は、半導体ウェハの検査時に、半導体ウェハの画像を撮像するためのものである。そして、この光学ユニット２１は、検査対象の半導体ウェハの画像の撮像を可視光を用いて低分解能にて行う機能と、検査対象の半導体ウェハの画像の撮像を紫外光を用いて高分解能にて行う機能とを兼ね備えている。
【００５１】
また、支持台１１上には、図４及び図５に示すように、被検査物となる半導体ウェハが装着されたカセット７ｂを容器７から取り出してクリーンボックス３内に移動させるエレベータ２２が設けられている。さらに、支持台１１上には、図５に示すように、半導体ウェハを搬送するための搬送用ロボット２３と、半導体ウェハを検査用ステージ１４上に載置する前にそのセンター出しと位相出しとを行うプリアライナ２４とが設けられている。なお、図５は装置本体１０を上側から見た様子を模式的に示す平面図である。
【００５２】
エレベータ２２は、上昇及び下降動作される昇降台２２ａを有しており、容器７がクリーンボックス３の容器設置スペース８に設置されて容器７の底部７ａとカバー７ｃとの係合が解除されたときに、昇降台２２ａが下降操作されることによって、容器７の底部７ａ及びこれに固定されたカセット７ｂをクリーンボックス３の内部に移動させる。
【００５３】
搬送用ロボット２３は、先端部に吸着機構２３ａが設けられた操作アーム２３ｂを有しており、この操作アーム２３ｂを移動操作して、その先端部に設けられた吸着機構２３ａにより半導体ウェハを吸着し、クリーンボックス３内における半導体ウェハの搬送を行うようになされている。
【００５４】
プリアライナ２４は、半導体ウェハに予め形成されているオリエンテーションフラット及びノッチを基準として、半導体ウェハの位相出し及びセンター出しを行うものである。検査装置１は、半導体ウェハを検査用ステージ１４上に載置する前に、プリアライナ２４によってその位相出し等を行うことにより、検査の効率を向上させるようになされている。
【００５５】
半導体ウェハを検査用ステージ１４上に設置する際は、先ず、エレベータ２２により容器７の底部７ａ及びカセット７ｂがクリーンボックス３の内部に移動される。そして、カセット７ｂに装着された複数枚の半導体ウェハの中から検査対象の半導体ウェハが選択され、選択された半導体ウェハが搬送用ロボット２３によりカセット７ｂから取り出される。
【００５６】
カセット７ｂから取り出された半導体ウェハは、搬送用ロボット２３によりプリアライナ２４へと搬送される。プリアライナ２４へ搬送された半導体ウェハは、このプリアライナ２４によって位相出しやセンター出しが行われる。そして、位相出しやセンター出しが行われた半導体ウェハが、搬送用ロボット２３により検査用ステージ１４へと搬送され、吸着プレート１９上に載置されて検査が行われる。
【００５７】
検査対象の半導体ウェハが検査用ステージ１４へと搬送されると、搬送用ロボット２３によって次に検査する半導体ウェハがカセット７ｂから取り出され、プリアライナ２４へと搬送される。そして、先に検査用ステージ１４へと搬送された半導体ウェハの検査が行われている間に、次に検査する半導体ウェハの位相出しやセンター出しが行われる。そして、先に検査用ステージ１４へと搬送された半導体ウェハの検査が終了すると、次に検査する半導体ウェハが検査用ステージ１４へと速やかに搬送される。
【００５８】
検査装置１は、以上のように、検査対象の半導体ウェハを検査用ステージ１４へ搬送する前に、予めプリアライナ２４により位相出しやセンター出しを行っておくことにより、検査用ステージ１４による半導体ウェハの位置決めに要する時間を短縮することができる。また、検査装置１は、先に検査用ステージ１４へと搬送された半導体ウェハの検査が行われている時間を利用して、次に検査する半導体ウェハをカセット７ｂから取り出し、プリアライナ２４による位相出しやセンター出しを行うことにより、全体での時間の短縮を図ることができ、効率よく検査を行うことができる。
【００５９】
ところで、この検査装置１において、エレベータ２２と、搬送用ロボット２３と、プリアライナ２４とは、図５に示すように、それぞれが直線上に並ぶように支持台１１上に設置されている。そして、エレベータ２２と搬送用ロボット２３との間の距離Ｌ１と、搬送用ロボット２３とプリアライナ２４との間の距離Ｌ２とが略等しい距離となるように、それぞれの設置位置が決定されている。さらに、搬送用ロボット２３から見て、エレベータ２２やプリアライナ２４が並ぶ方向と略直交する方向に、検査用ステージ１４が位置するような配置とされている。
【００６０】
検査装置１は、各機構が以上のような配置とされていることにより、被検査物である半導体ウェハの搬送を迅速且つ正確に行うことができる。
【００６１】
すなわち、この検査装置１では、エレベータ２２と搬送用ロボット２３との間の距離Ｌ１と、搬送用ロボット２３とプリアライナ２４との間の距離Ｌ２とが略等しい距離となっているので、搬送用ロボット２３のアーム２３ｂの長さを変えることなく、カセット７ｂから取り出した半導体ウェハをプリアライナ２４に搬送することがでる。したがって、この検査装置１では、搬送用ロボット２３のアーム２３ｂの長さを変えたときに生じる誤差等が問題とならないので、半導体ウェハをプリアライナ２４へと搬送する動作を正確に行うことができる。また、エレベータ２２と搬送用ロボット２３とプリアライナ２４とが直線上に並んでいるので、搬送用ロボット２３は直線的な動きのみにより、カセット７ｂから取り出した半導体ウェハをプリアライナ２４に搬送することがでる。したがって、この検査装置１では、半導体ウェハをプリアライナ２４へと搬送する動作を極めて正確に且つ迅速に行うことができる。
【００６２】
さらに、この検査装置１では、搬送用ロボット２３から見て、エレベータ２２やプリアライナ２４が並ぶ方向と略直交する方向に、検査用ステージ１４が位置するような配置とされているので、搬送用ロボット２３が直線的な動きをすることで、半導体ウェハを検査用ステージ１４へ搬送することができる。したがって、この検査装置１では、半導体ウェハを検査用ステージ１４へと搬送する動作を極めて正確に且つ迅速に行うことができる。特に、この検査装置１では、微細なデバイスパターンが形成された半導体ウェハの検査を行うため、被検査物である半導体ウェハの搬送及び位置決めを極めて正確に行う必要があるので、以上のような配置が非常に有効である。
【００６３】
次に、上記検査装置１について、図６のブロック図を参照して更に詳細に説明する。
【００６４】
図６に示すように、検査装置１の外部ユニット５０には、表示装置５１及び入力装置５３ａが接続された画像処理用コンピュータ６０と、表示装置５２及び入力装置５３ｂが接続された制御用コンピュータ６１とが配されている。なお、前掲した図１では、画像処理用コンピュータ６０に接続された入力装置５３ａと、制御用コンピュータ６１に接続された入力装置５３ｂとをまとめて、入力装５３として図示している。
【００６５】
画像処理用コンピュータ６０は、半導体ウェハを検査するときに、光学ユニット２１の内部に設置されたＣＣＤ（charge-coupled device）カメラ３０，３１により半導体ウェハを撮像した画像を取り込んで処理するコンピュータである。すなわち、この検査装置１は、光学ユニット２１の内部に設置されたＣＣＤカメラ３０，３１により撮像した半導体ウェハの画像を、画像処理用コンピュータ６０により処理して解析することにより、半導体ウェハの検査を行う。
【００６６】
なお、画像処理用コンピュータ６０に接続された入力装置５３ａは、ＣＣＤカメラ３０，３１から取り込んだ画像の解析等に必要な指示を、画像処理用コンピュータ３０に対して入力するためのものであり、例えば、マウス等のポインティングデバイスやキーボード等からなる。また、画像処理用コンピュータ６０に接続された表示装置５１は、ＣＣＤカメラ３０，３１から取り込んだ画像の解析結果等を表示するためのものであり、例えば、ＣＲＴディスプレイや液晶ディスプレイ等からなる。
【００６７】
制御用コンピュータ６１は、半導体ウェハを検査するときに、検査用ステージ１４、エレベータ２２、搬送用ロボット２３及びプリアライナ２４、並びに光学ユニット１２の内部の各機器等を制御するためのコンピュータである。すなわち、この検査装置１は、半導体ウェハの検査を行う際に、検査対象の半導体ウェハの画像が、光学ユニット２１の内部に設置されたＣＣＤカメラ３０，３１により撮像されるように、制御用コンピュータ６１により、検査用ステージ１４、エレベータ２２、搬送用ロボット２３及びプリアライナ２４、並びに光学ユニット２１の内部の各機器等を制御する。
【００６８】
また、制御用コンピュータ６１は、クリーンエアユニット４の送風機５ａ，５ｂを制御する機能を有する。すなわち、この検査装置１は、クリーンエアユニット４の送風機５ａ，５ｂを制御用コンピュータ６１が制御することによって、半導体ウェハの検査を行う際に、クリーンボックス３内に清浄な空気を常時供給し、また、クリーンボックス３内の気流をコントロールできるようにしている。
【００６９】
なお、制御用コンピュータ６１に接続された入力装置５３ｂは、検査用ステージ１４、エレベータ２２、搬送用ロボット２３及びプリアライナ２４、光学ユニット２１の内部の各機器、並びにクリーンエアユニット４の送風機５ａ，５ｂ等を制御するのに必要な指示を、制御用コンピュータ６１に対して入力するためのものであり、例えば、マウス等のポインティングデバイスやキーボード等からなる。また、制御用コンピュータ６１に接続された表示装置５２は、半導体ウェハの検査時の各種条件等を表示するためのものであり、例えば、ＣＲＴディスプレイや液晶ディスプレイ等からなる。
【００７０】
また、画像処理用コンピュータ６０と制御用コンピュータ６１とは、メモリリンク機構により、互いにデータのやり取りが可能とされている。すなわち、画像処理用コンピュータ６０と制御用コンピュータ６１は、それぞれに設けられたメモリリンクインターフェース６０ａ，６１ａを介して互いに接続されており、画像処理用コンピュータ６０と制御用コンピュータ５１との間で、互いにデータのやり取りが可能となっている。
【００７１】
一方、検査装置１のクリーンボックス３の内部には、密閉式の容器７に入れられて搬送されてきた半導体ウェハを、この容器７のカセット７ｂから取り出して検査用ステージ１４に設置する機構として、上述したように、エレベータ２２、搬送用ロボット２３及びプリアライナ２４が配されている。これらは、外部ユニット５０に配された制御用コンピュータ６１に、ロボット制御インターフェース６１ｂを介して接続されている。そして、エレベータ２２、搬送用ロボット２３及びプリアライナ２４には、制御用コンピュータ６１からロボット制御インターフェース６１ｂを介して、制御信号が送られる。
【００７２】
すなわち、密閉式の容器７に入れられて搬送されてきた半導体ウェハを、この容器７のカセット７ｂから取り出して検査用ステージ１４に設置する際は、制御用コンピュータ６１からロボット制御インターフェース６１ｂを介して、エレベータ２２、搬送用ロボット２３及びプリアライナ２４に制御信号が送出される。そして、エレベータ２２、搬送用ロボット２３及びプリアライナ２４がこの制御信号に基づいて動作し、上述したように、密閉式の容器７に入れられて搬送されてきた半導体ウェハを、この容器７のカセット７ｂから取り出して、プリアライナ２５による位相出し及びセンター出しを行い、検査用ステージ１４に設置する。
【００７３】
また、検査装置１のクリーンボックス３の内部には除振台１３が配されており、この除振台１３上に、上述したように、Ｘステージ１５、Ｙステージ１６、θステージ１７、Ｚステージ１８及び吸着プレート１９を備えた検査用ステージ１４が設置されている。
【００７４】
ここで、Ｘステージ１５、Ｙステージ１６、θステージ１７、Ｚステージ１８及び吸着プレート１９は、外部ユニット５０に配された制御用コンピュータ６１に、ステージ制御インターフェース６１ｃを介して接続されている。そして、Ｘステージ１５、Ｙステージ１６、θステージ１７、Ｚステージ１８及び吸着プレート１９には、制御用コンピュータ６１からステージ制御インターフェース６１ｃを介して、制御信号が送られる。
【００７５】
すなわち、半導体ウェハの検査を行う際は、制御用コンピュータ６１からステージ制御インターフェース６１ｃを介して、Ｘステージ１５、Ｙステージ１６、θステージ１７、Ｚステージ１８及び吸着プレート１９に制御信号が送出される。そして、Ｘステージ１５、Ｙステージ１６、θステージ１７、Ｚステージ１８及び吸着プレート１９が、この制御信号に基づいて動作し、吸着プレート１９により検査対象の半導体ウェハを吸着して固定するとともに、Ｘステージ１５、Ｙステージ１６、θステージ１７及びＺステージ１８により、半導体ウェハを所定の位置、角度及び高さとなるように移動する。
【００７６】
また、除振台１２上には、上述したように、光学ユニット２１も設置されている。この光学ユニット２１は、半導体ウェハの検査時に半導体ウェハの画像を撮像するためのものであり、上述したように、検査対象の半導体ウェハの画像の撮像を可視光を用いて低分解能にて行う機能と、検査対象の半導体ウェハの画像の撮像を紫外光を用いて高分解能にて行う機能とを兼ね備えている。
【００７７】
この光学ユニット２１の内部には、可視光にて半導体ウェハの画像を撮像するための機構として、可視光用ＣＣＤカメラ３０と、ハロゲンランプ３２と、可視光用光学系３３と、可視光用対物レンズ３４と、可視光用オートフォーカス制御部３５とが配されている。
【００７８】
そして、可視光にて半導体ウェハの画像を撮像する際は、ハロゲンランプ３２を点灯させる。ここで、ハロゲンランプ３２の駆動源は、外部ユニット５０に配された制御用コンピュータ６１に、光源制御インターフェース６１ｄを介して接続されている。そして、ハロゲンランプ３２の駆動源には、制御用コンピュータ６１から光源制御インターフェース６１ｄを介して制御信号が送られる。ハロゲンランプ３２の点灯／消灯は、この制御信号に基づいて行われる。
【００７９】
そして、可視光にて半導体ウェハの画像を撮像する際は、ハロゲンランプ３２を点灯させ、このハロゲンランプ３２からの可視光を、可視光用光学系３３及び可視光用対物レンズ３４を介して半導体ウェハにあてて、半導体ウェハを照明する。そして、可視光により照明された半導体ウェハの像を可視光用対物レンズ３４により拡大し、その拡大像を可視光用ＣＣＤカメラ３０により撮像する。
【００８０】
ここで、可視光用ＣＣＤカメラ３０は、外部ユニット５０に配された画像処理用コンピュータ６０に、画像取込インターフェース６０ｂを介して接続されている。そして、可視光用ＣＣＤカメラ３０により撮像された半導体ウェハの画像は、画像取込インターフェース６０ｂを介して画像処理用コンピュータ６０に取り込まれる。
【００８１】
また、上述のように可視光にて半導体ウェハの画像を撮像する際は、可視光用オートフォーカス制御部３５により、自動焦点位置合わせを行う。すなわち、可視光用オートフォーカス制御部３５により、可視光用対物レンズ３４と半導体ウェハの間隔が可視光用対物レンズ３４の焦点距離に一致しているか否かを検出し、一致していない場合には、可視光用対物レンズ３４又はＺステージ１８を動かして、半導体ウェハの検査対象面が可視光用対物レンズ３４の焦点面に一致するようにする。
【００８２】
ここで、可視光用オートフォーカス制御部３５は、外部ユニット５０に配された制御用コンピュータ６１に、オートフォーカス制御インターフェース６１ｅを介して接続されている。そして、可視光用オートフォーカス制御部３５には、制御用コンピュータ６１からオートフォーカス制御インターフェース６１ｅを介して制御信号が送られる。可視光用オートフォーカス制御部３５による可視光用対物レンズ３４の自動焦点位置合わせは、この制御信号に基づいて行われる。
【００８３】
また、光学ユニット２１の内部には、紫外光にて半導体ウェハの画像を撮像するための機構として、紫外光用ＣＣＤカメラ３１と、紫外光レーザ光源３６と、紫外光用光学系３７と、紫外光用対物レンズ３８と、紫外光用オートフォーカス制御部３９とが配されている。
【００８４】
そして、紫外光にて半導体ウェハの画像を撮像する際は、紫外光レーザ光源３６を点灯させる。ここで、紫外光レーザ光源３６の駆動源は、外部ユニット５０に配された制御用コンピュータ６１に、光源制御インターフェース６１ｄを介して接続されている。そして、紫外光レーザ光源３６の駆動源には、制御用コンピュータ６１から光源制御インターフェース６１ｄを介して制御信号が送られる。紫外光レーザ光源３６の点灯／消灯は、この制御信号に基づいて行われる。
【００８５】
なお、紫外光レーザ光源３６には、波長が２６６ｎｍ程度の紫外光レーザを出射するものを用いることが好ましい。波長が２６６ｎｍ程度の紫外光レーザは、ＹＡＧレーザの４倍波として得られる。また、レーザ光源としては、発振波長が１６６ｎｍ程度のものも開発されており、そのようなレーザ光源を上記紫外光レーザ光源３６として用いてもよい。
【００８６】
紫外光にて半導体ウェハの画像を撮像する際は、紫外光レーザ光源３６を点灯させ、この紫外光レーザ光源３６からの紫外光を、紫外光用光学系３７及び紫外光用対物レンズ３８を介して半導体ウェハにあてて、半導体ウェハを照明する。そして、紫外光により照明された半導体ウェハの像を紫外光用対物レンズ３８により拡大し、その拡大像を紫外光用ＣＣＤカメラ３１により撮像する。
【００８７】
ここで、紫外光用ＣＣＤカメラ３１は、外部ユニット５０に配された画像処理用コンピュータ６０に、画像取込インターフェース６０ｃを介して接続されている。そして、紫外光用ＣＣＤカメラ３１により撮像された半導体ウェハの画像は、画像取込インターフェース６０ｃを介して画像処理用コンピュータ６０に取り込まれる。
【００８８】
また、上述のように紫外光にて半導体ウェハの画像を撮像する際は、紫外光用オートフォーカス制御部３９により、自動焦点位置合わせを行う。すなわち、紫外光用オートフォーカス制御部３９により、紫外光用対物レンズ３８と半導体ウェハの間隔が紫外光用対物レンズ３８の焦点距離に一致しているか否かを検出し、一致していない場合には、紫外光用対物レンズ３８又はＺステージ１８を動かして、半導体ウェハの検査対象面が紫外光用対物レンズ３８の焦点面に一致するようにする。
【００８９】
ここで、紫外光用オートフォーカス制御部３９は、外部ユニット５０に配された制御用コンピュータ６１に、オートフォーカス制御インターフェース６１ｅを介して接続されている。そして、紫外光用オートフォーカス制御部３９には、制御用コンピュータ６１からオートフォーカス制御インターフェース６１ｅを介して制御信号が送られる。紫外光用オートフォーカス制御部３９による紫外光用対物レンズ３８の自動焦点位置合わせは、この制御信号に基づいて行われる。
【００９０】
また、クリーンエアユニット４には、上述したように、２つの送風機５ａ，５ｂが設けられている。これらの送風機５ａ，５ｂは、外部ユニット５０に配された制御用コンピュータ６１に、風量制御インターフェース６１ｆを介して接続されている。そして、クリーンエアユニット４の送風機５ａ，５ｂには、制御用コンピュータ６１から風量制御インターフェース６１ｆを介して、制御信号が送られる。送風機５ａ，５ｂの回転数の制御やオン／オフの切り替え等は、この制御信号に基づいて行われる。
【００９１】
次に、上記検査装置１の光学ユニット２１の光学系について、図７を参照して更に詳細に説明する。なお、ここでは、オートフォーカス制御部３５，３９についての説明は省略し、検査対象の半導体ウェハを照明する光学系と、検査対象の半導体ウェハを撮像する光学系とについて説明する。
【００９２】
図７に示すように、光学ユニット２１は、可視光にて半導体ウェハの画像を撮像するための光学系として、ハロゲンランプ３２と、可視光用光学系３３と、可視光用対物レンズ３４とを備えている。
【００９３】
ハロゲンランプ３２からの可視光は、光ファイバ４０によって可視光用光学系３３へと導かれる。可視光用光学系３３へと導かれた可視光は、先ず、２つのレンズ４１，４２を透過してハーフミラー４３に入射する。そして、ハーフミラー４３に入射した可視光は、ハーフミラー４３によって可視光用対物レンズ３４へ向けて反射され、可視光用対物レンズ３４を介して半導体ウェハに入射する。これにより、半導体ウェハが可視光により照明される。
【００９４】
そして、可視光により照明された半導体ウェハの像は、可視光用対物レンズ３４により拡大され、ハーフミラー４３及び撮像用レンズ４４を透過して、可視光用ＣＣＤカメラ３０により撮像される。すなわち、可視光により照明された半導体ウェハからの反射光が、可視光用対物レンズ３４、ハーフミラー４３及び撮像用レンズ４４を介して可視光用ＣＣＤカメラ３０に入射し、これにより、半導体ウェハの拡大像が可視光用ＣＣＤカメラ３０によって撮像される。そして、可視光用ＣＣＤカメラ３０によって撮像された半導体ウェハの画像（以下、可視画像と称する。）は、画像処理用コンピュータ６０へと送られる。
【００９５】
また、光学ユニット２１は、紫外光にて半導体ウェハの画像を撮像するための光学系として、紫外光レーザ光源３６と、紫外光用光学系３７と、紫外光用対物レンズ３８とを備えている。
【００９６】
紫外光レーザ光源３６からの紫外光は、光ファイバ４５によって紫外光用光学系３７へ導かれる。紫外光用光学系３７へと導かれた紫外光は、先ず、２つのレンズ４６，４７を透過してハーフミラー４８に入射する。そして、ハーフミラー４８に入射した可視光は、ハーフミラー４８によって紫外光用対物レンズ３８へ向けて反射され、紫外光用対物レンズ３８を介して半導体ウェハに入射する。これにより、半導体ウェハが紫外光により照明される。
【００９７】
そして、紫外光により照明された半導体ウェハの像は、紫外光用対物レンズ３８により拡大され、ハーフミラー４８及び撮像用レンズ４９を透過して、紫外光用ＣＣＤカメラ３１により撮像される。すなわち、紫外光により照明された半導体ウェハからの反射光が、紫外光用対物レンズ３８、ハーフミラー４８及び撮像用レンズ４９を介して紫外光用ＣＣＤカメラ３１に入射し、これにより、半導体ウェハの拡大像が紫外光用ＣＣＤカメラ３１によって撮像される。そして、紫外光用ＣＣＤカメラ３１によって撮像された半導体ウェハの画像（以下、紫外画像と称する。）は、画像処理用コンピュータ６０へと送られる。
【００９８】
以上のような検査装置１では、可視光よりも短波長の光である紫外光により、半導体ウェハの画像を撮像して検査することができるので、可視光を用いて欠陥の検出や分類分けを行う場合に比べて、より微細な欠陥の検出や分類分けを行うことができる。
【００９９】
しかも、上記検査装置１では、可視光用の光学系と紫外光用の光学系とを兼ね備えており、可視光を用いた低分解能での半導体ウェハの検査と、紫外光を用いた高分解能での半導体ウェハの検査との両方を行うことができる。したがって、上記検査装置１では、可視光を用いた低分解能での半導体ウェハの検査により、大きい欠陥の検出や分類分けを行い、且つ、紫外光を用いた高分解能での半導体ウェハの検査により、小さい欠陥の検出や分類分けを行うといったことも可能である。
【０１００】
なお、上記検査装置１において、紫外光用対物レンズ４０の開口数ＮＡは、大きい方が好ましく、例えば０．９以上とする。このように、紫外光用対物レンズ４０として、開口数ＮＡの大きなレンズを用いることで、より微細な欠陥の検出が可能となる。
【０１０１】
ところで、半導体ウェハの欠陥が、引っ掻き傷のように色情報が無く凹凸だけからなる場合、可干渉性を持たない光では、その欠陥を見ることは殆どできない。これに対して、レーザ光のように可干渉性に優れた光を用いた場合には、引っ掻き傷のように色情報が無く凹凸だけからなる欠陥であっても、凹凸の段差近辺で光が干渉することにより、当該欠陥をはっきりと見ることができる。そして、上記検査装置１では、紫外光の光源として紫外域のレーザ光を出射する紫外光レーザ光源３６を用いている。したがって、上記検査装置１では、引っ掻き傷のように色情報が無く凹凸だけからなる欠陥であっても、当該欠陥をはっきりと検出することができる。すなわち、上記検査装置１では、ハロゲンランプ３２からの可視光（インコヒーレント光）では検出が困難な位相情報を、紫外光レーザ光源３６からの紫外光レーザ（コヒーレント光）を用いて、容易に検出することができる。
【０１０２】
次に、上記検査装置１で半導体ウェハを検査するときの手順の一例を、図８のフローチャートを参照して説明する。なお、図８のフローチャートでは、検査対象の半導体ウェハが検査用ステージ１４に設置された状態以降の処理の手順を示している。また、図８に示すフローチャートは、半導体ウェハ上の欠陥の位置が予め分かっている場合に、その欠陥を上記検査装置１により検査して分類分けを行うときの手順の一例を示している。また、ここでは、半導体ウェハ上に同様なデバイスパターンが多数形成されているものとし、欠陥の検出や分類分けは、欠陥がある領域の画像（欠陥画像）と、その他の領域の画像（参照画像）とを撮像し、それらを比較することで行うものとする。
【０１０３】
先ず、ステップＳ１−１に示すように、制御用コンピュータ６１に欠陥位置座標ファイルを読み込む。ここで、欠陥位置座標ファイルは、半導体ウェハ上の欠陥の位置に関する情報が記述されたファイルであり、欠陥検出装置等により、半導体ウェハ上の欠陥の位置を予め計測して作成しておく。そして、ここでは、その欠陥位置座標ファイルを制御用コンピュータ６１に読み込む。
【０１０４】
次に、ステップＳ１−２において、制御用コンピュータ６１によりＸステージ１５及びＹステージ１６を駆動させ、欠陥位置座標ファイルが示す欠陥位置座標へ半導体ウェハを移動させ、半導体ウェハの検査対象領域が可視光用対物レンズ３４の視野内に入るようにする。
【０１０５】
次に、ステップＳ１−３において、制御用コンピュータ６１により可視光用オートフォーカス制御部３５を駆動させ、可視光用対物レンズ３４の自動焦点位置合わせを行う。
【０１０６】
次に、ステップＳ１−４において、可視光用ＣＣＤカメラ３０により半導体ウェハの画像を撮像し、撮像した可視画像を画像処理用コンピュータ６０に送る。なお、ここで撮像される可視画像は、欠陥位置座標ファイルが示す欠陥位置座標における画像、すなわち、欠陥があるとされる領域の画像（以下、欠陥画像と称する。）である。
【０１０７】
次に、ステップＳ１−５において、制御用コンピュータ６１によりＸステージ１５及びＹステージ１６を駆動させ、参照位置座標へ半導体ウェハを移動させて、半導体ウェハの参照領域が可視光用対物レンズ３４の視野内に入るようにする。ここで、参照領域は、半導体ウェハの検査対象領域以外の領域であって、半導体ウェハの検査対象領域におけるデバイスパターンと同様なデバイスパターンが形成されている領域である。
【０１０８】
次に、ステップＳ１−６において、制御用コンピュータ６１により可視光用オートフォーカス制御部３５を駆動させ、可視光用対物レンズ３４の自動焦点位置合わせを行う。
【０１０９】
次に、ステップＳ１−７において、可視光用ＣＣＤカメラ３０により半導体ウェハの画像を撮像し、撮像した可視画像を画像処理用コンピュータ６０に送る。なお、ここで撮像される可視画像は、半導体ウェハの検査対象領域におけるデバイスパターンと同様なデバイスパターンが形成されている領域の画像（以下、参照画像と称する。）である。
【０１１０】
次に、ステップＳ１−８において、画像処理用コンピュータ６０により、ステップＳ１−４で取り込んだ欠陥画像と、ステップＳ１−７で取り込んだ参照画像とを比較し、欠陥画像から欠陥を検出する。そして、欠陥が検出できた場合には、ステップＳ１−９へ進み、欠陥が検出できなかった場合には、ステップＳ１−１１へ進む。
【０１１１】
ステップＳ１−９では、画像処理用コンピュータ６０により、検出された欠陥が何であるかを調べて分類分けを行う。そして、欠陥の分類分けができた場合には、ステップＳ１−１０へ進み、欠陥の分類分けができなかった場合には、ステップＳ１−１１へ進む。
【０１１２】
ステップＳ１−１０では、欠陥の分類結果を保存する。ここで、欠陥の分類結果は、例えば、画像処理用コンピュータ６０や制御用コンピュータ６１に接続された記憶装置に保存する。なお、欠陥の分類結果は、画像処理用コンピュータ６０や制御用コンピュータ６１にネットワークを介して接続された他のコンピュータに転送して保存するようにしてもよい。
【０１１３】
ステップＳ１−１０での処理が完了したら、半導体ウェハの欠陥の分類分けが完了したこととなるので、これで処理を終了する。ただし、半導体ウェハ上に複数の欠陥がある場合には、ステップＳ１−２へ戻って、他の欠陥の検出及び分類分けを行うようにしてもよい。
【０１１４】
一方、ステップＳ１−８で欠陥検出ができなかった場合や、ステップＳ１−９で欠陥の分類分けができなかった場合には、ステップＳ１−１１以降へ進み、紫外光を用いて高分解能での撮像を行って欠陥の検出や分類分けを行う。
【０１１５】
その場合は、先ず、ステップＳ１−１１において、制御用コンピュータ６１によりＸステージ１５及びＹステージ１６を駆動させ、欠陥位置座標ファイルが示す欠陥位置座標へ半導体ウェハを移動させて、半導体ウェハの検査対象領域が紫外光用対物レンズ３８の視野内に入るようにする。
【０１１６】
次に、ステップＳ１−１２において、制御用コンピュータ６１により紫外光用オートフォーカス制御部３９を駆動させ、紫外光用対物レンズ３８の自動焦点位置合わせを行う。
【０１１７】
次に、ステップＳ１−１３において、紫外光用ＣＣＤカメラ３１により半導体ウェハの画像を撮像し、撮像した紫外画像を画像処理用コンピュータ６０に送る。なお、ここで撮像される紫外画像は、欠陥位置座標ファイルが示す欠陥位置座標における画像、すなわち欠陥画像である。また、ここでの欠陥画像の撮像は、可視光よりも短波長の光である紫外光を用いて、可視光を用いた場合の撮像よりも高分解能にて行う。
【０１１８】
次に、ステップＳ１−１４において、制御用コンピュータ６１によりＸステージ１５及びＹステージ１６を駆動させ、参照位置座標へ半導体ウェハを移動させて、半導体ウェハの参照領域が紫外光用対物レンズ３８の視野内に入るようにする。ここで、参照領域は、半導体ウェハの検査対象領域以外の領域であって、半導体ウェハの検査対象領域におけるデバイスパターンと同様なデバイスパターンが形成されている領域である。
【０１１９】
次に、ステップＳ１−１５において、制御用コンピュータ６１により紫外光用オートフォーカス制御部３９を駆動させ、紫外光用対物レンズ３８の自動焦点位置合わせを行う。
【０１２０】
次に、ステップＳ１−１６において、紫外光用ＣＣＤカメラ３１により半導体ウェハの画像を撮像し、撮像した紫外画像を画像処理用コンピュータ６０に送る。なお、ここで撮像される紫外画像は、半導体ウェハの検査対象領域におけるデバイスパターンと同様なデバイスパターンが形成されている領域の画像、すなわち参照画像である。また、ここでの参照画像の撮像は、可視光よりも短波長の光である紫外光を用いて、可視光を用いた場合よりも高分解能にて行う。
【０１２１】
次に、ステップＳ１−１７において、画像処理用コンピュータ６０により、ステップＳ１−１３で取り込んだ欠陥画像と、ステップＳ１−１６で取り込んだ参照画像とを比較し、欠陥画像から欠陥を検出する。そして、欠陥が検出できた場合には、ステップＳ１−１８へ進み、欠陥が検出できなかった場合には、ステップＳ１−１９へ進む。
【０１２２】
ステップＳ１−１８では、画像処理用コンピュータ６０により、検出された欠陥が何であるかを調べて分類分けを行う。そして、欠陥の分類分けができた場合には、ステップＳ１−１０へ進み、上述したように、欠陥の分類結果を保存する。一方、欠陥の分類分けができなかった場合には、ステップＳ１−１９へ進む。
【０１２３】
ステップＳ１−１９では、欠陥の分類分けができなかったことを示す情報を保存する。ここで、欠陥の分類分けができなかったことを示す情報は、例えば、画像処理用コンピュータ６０や制御用コンピュータ６１に接続された記憶装置に保存する。なお、この情報は、画像処理用コンピュータ６０や制御用コンピュータ６１にネットワークを介して接続された他のコンピュータに転送して保存するようにしてもよい。
【０１２４】
以上のような手順により、先ず、可視光用ＣＣＤカメラ３０により撮像された画像を処理して解析することで低分解能にて半導体ウェハの検査を行い、可視光での欠陥の検出や分類分けができなかった場合に、次に、紫外光用ＣＣＤカメラ３１により撮像された画像を処理して解析することで高分解能にて半導体ウェハの検査を行う。
【０１２５】
ここで、ＣＣＤカメラ３０，３１によって撮像された参照画像及び欠陥画像から欠陥を検出する手法について、図９を参照して説明する。
【０１２６】
図９（ａ）は、検査対象領域におけるデバイスパターンと同様なデバイスパターンが形成されている参照領域の画像、すなわち参照画像の一例を示している。また、図９（ｂ）は、欠陥があるとされる検査対象領域の画像、すなわち欠陥画像の一例を示している。
【０１２７】
このような参照画像及び欠陥画像から欠陥を検出する際は、参照画像から色情報や濃淡情報などに基づいて、図９（ｃ）に示すようにデバイスパターンを抽出する。また、参照画像と欠陥画像から差の画像を求め、差の大きな部分を図９（ｄ）に示すように欠陥として抽出する。
【０１２８】
そして、図９（ｅ）に示すように、図９（ｃ）に示したデバイスパターン抽出結果の画像と、図９（ｄ）に示した欠陥抽出結果の画像とを重ね合わせた画像を得て、欠陥がデバイスパターンに存在する割合などを、欠陥に関する特徴量として抽出する。
【０１２９】
以上のような手法により、ＣＣＤカメラ３０，３１によって撮像された参照画像及び欠陥画像を画像処理用コンピュータ６０で処理し解析することで欠陥を検出し、半導体ウェハの検査を行うことができる。
【０１３０】
検査装置１は、上述したように、先ず、可視光用ＣＣＤカメラ３０により撮像された画像を処理して解析することで低分解能にて半導体ウェハの検査を行い、可視光での欠陥の検出や分類分けができなかった場合に、次に、紫外光用ＣＣＤカメラ３１により撮像された画像を処理して解析することで高分解能にて半導体ウェハの検査を行うようにしているので、可視光だけを用いて欠陥の検出や分類分けを行う場合に比べて、より微細な欠陥の検出や分類分けを行うことができる。
【０１３１】
ただし、可視光を用いて低分解能にて撮像した方が、一度に撮像できる領域が広いので、欠陥が十分に大きい場合には、可視光を用いて低分解能にて半導体ウェハの検査を行った方が効率が良い。したがって、最初から紫外光を用いて欠陥の検査や分類分けを行うのではなく、上述のように、最初に可視光を用いて欠陥の検査や分類分けを行うようにすることで、より効率良く半導体ウェハの検査を行うことができる。
【０１３２】
また、この検査装置１においては、上述したように、クリーンボックス３が支持部材７０により支持された状態で設置スペース１００に設置されることによって、設置スペース１００を構成する複数の床板材１０１の中で、装置本体１０が設置される床板材１０１とは異なる床板材１０１上にクリーンボックス３が設置されるようになされている。したがって、この検査装置１では、クリーンボックス３に生じた振動が装置本体１０に伝わることを有効に抑制して、装置本体１０による半導体ウェハの微細なパターンの検査を適切に行うことができる。
【０１３３】
なお、以上の説明では、本発明を適用した検査装置１を、半導体ウェハの欠陥が何であるかを調べるために用いるものとしてきた。しかし、本発明に係る検査装置１の用途は、半導体ウェハの欠陥識別以外の用途にも使用可能である。すなわち、本発明に係る検査装置１は、例えば、半導体ウェハ上に形成したデバイスパターンが、所望するパターン通りに適切な形状に形成されているか否かを検査するのに用いることもできる。更に、本発明に係る検査装置１の用途は、半導体ウェハの検査に限定されるものでもなく、本発明に係る検査装置１は、微細パターンの検査に対して広く適用可能であり、例えば、微細なパターンが形成されたフラットパネルディスプレイの検査などにも有効である。
【０１３４】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明に係る検査装置では、グレーチングには、クリーンボックスを支持する支持部材が設置され、嫌振架台には、装置本体部が設置され、クリーンボックスと装置本体部とが異なる床板材上に設置されることにより、クリーンボックスの振動が装置本体部に伝わることが有効に抑制される。したがって、この検査装置によれば、装置本体部による被検査物の検査を適切に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した検査装置が設置される設置スペースの一部を斜め上方からみた様子を示す斜視図である。
【図２】図１におけるＡ１−Ａ２線断面図である。
【図３】本発明を適用した検査装置の外観を示す斜視図である。
【図４】上記検査装置のクリーンボックスの内部に配設された装置本体を図３中矢印Ｂ方向から見た様子を示す図である。
【図５】上記検査装置の装置本体を上側から見た様子を模式的に示す平面図である。
【図６】上記検査装置の一構成例を示すブロック図である。
【図７】上記検査装置の光学ユニットの光学系の一構成例を示す図である。
【図８】上記検査装置で半導体ウェハの検査を行うときの手順の一例を示すフローチャートである。
【図９】参照画像と欠陥画像とから欠陥を検出する手法を説明するための図である。
【符号の説明】
１  検査装置、２  クリーンユニット、３  クリーンボックス、４  クリーンエアユニット、６  脚部、１０  装置本体、１２  脚部、１４  検査用ステージ、２１  光学ユニット、２２  エレベータ、２３  搬送用ロボット、２４  プリアライナ、３０  可視光用ＣＣＤカメラ、３１  紫外光用ＣＣＤカメラ、３２  ハロゲンランプ、３３  可視光用光学系、３４  可視光用対物レンズ、３６  紫外光レーザ光源、３７  紫外光用光学系、３８  紫外光用対物レンズ、５０  外部ユニット、７０  支持部材、７１  載置部、７２  支持脚、１００  設置スペース、１０１  床板材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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