(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の（１）〜（５）の工程を少なくとも含む多層プリント配線板の製造方法であって：
（１）銅張積層板の銅箔をエッチングにより薄くする工程、
（２）前記銅張積層板に通孔を穿設する工程、
（３）前記銅張積層板にめっき膜を形成することで、該通孔内にスルーホールを形成する工程、
（４）前記銅張積層板表面の銅箔およびめっき膜をパターンエッチングして導体回路を形成する工程、
（５）該導体回路上面に層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層する工程を備え、
前記銅箔をエッチングにより薄くすることで、該銅箔及びめっき膜からなる前記導体回路の厚みを前記層間樹脂絶縁層上の導体層の厚みよりも１０μｍを越えない厚みの範囲に調製することを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
【請求項２】
以下の（１）〜（７）の工程を少なくとも含む多層プリント配線板の製造方法であって：
（１）銅張積層板の銅箔をエッチングにより薄くする工程、
（２）前記銅張積層板に通孔を穿設する工程、
（３）前記銅張積層板に導体膜を形成する工程、
（４）導体回路及びスルーホール非形成部にレジストを形成する工程、
（５）前記レジスト非形成部にめっき膜を形成して導体回路及びスルーホールを形成する工程、
（６）該レジストを剥離すると共に、レジスト下の導体膜及び銅箔をエッチングにより除去する工程、
（７）該導体回路上面に層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層する工程を備え、
前記銅箔をエッチングにより薄くすることで、該銅箔及びめっき膜からなる前記導体回路の厚みを前記層間樹脂絶縁層上の導体層の厚みよりも１０μｍを越えない厚みの範囲に調製することを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
【請求項３】
前記銅張積層板に通孔を穿設する工程において、レーザを用いることを特徴とする請求項１又は２に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項４】
前記銅張積層板に通孔を穿設する工程において、ドリルを用いることを特徴とする請求項１又は２に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項５】
前記銅張積層板の銅箔をエッチングにより薄くする工程において、銅箔を１〜１０μｍにすることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項６】
層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層され、各導体層間がバイアホールにて接続されたビルドアップ配線層が、スルーホールを有するコア基板のエッチングにより薄くされた銅箔及びめっき膜からなる導体回路上に形成されてなる多層プリント配線板において、
前記コア基板上の銅箔及びめっき膜からなる導体回路の厚みを、銅箔のエッチングにより前記層間樹脂絶縁層上の導体層の厚みよりも１０μｍを越えて厚くしないことを特徴とする多層プリント配線板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層され、各導体層間がバイアホールにて接続されたビルドアップ配線層が、コア基板の導体回路上に形成されてなる多層プリント配線板及び該多層プリント配線板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、高密度多層化の要求により、ビルドアップ多層プリント配線板が注目されている。この多層プリント配線板は、コア基板上に導体回路を形成し、該導体回路の上に層間樹脂層と導体回路とを交互に積層した多層配線板である。
【０００３】
ここで、該多層プリント配線板を構成するコア基板の導体回路の形成方法について図１１を参照して説明する。樹脂基板の３３０の両面に銅箔３３１の付着された銅張積層板３３０Ａを用いる（図１１の工程（Ａ））。まず、ドリルにより通孔３３２を穿設する（工程（Ｂ））。そして、めっき膜３３３を均一に析出させることで、通孔３３２にスルーホール３３６を形成する（工程（Ｃ））。その後、めっき膜３３３の形成された銅箔３３１に対してパターンエッチングを施すことで、導体回路３３４を形成する（工程（Ｄ））。更に、該導体回路１３４上に層間樹脂絶縁層３５０を形成してから、めっきにより導体回路３５８を配置する（工程（Ｅ））。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した多層プリント配線板の製造方法では、コア基板３３０上に微細径の導体回路３３４を形成することができなかった。即ち、銅箔３３１の厚みが薄いものでも１８μｍあり、この上に形成するめっき膜３３３の厚みが１５μｍあるため、合わせて３３μｍとなり、エッチングを施した際に、図１１の工程（Ｄ）に示すように導体回路３３４の側部にアンダーカットができ、剥離し易くなるため、導体回路を微細に形成することができなかった。
【０００５】
更に、工程（Ｅ）に示す層間樹脂絶縁層３５０上の導体回路３５８は、１５μｍ程度の厚さに形成されている。これに対して、コア基板３３０上の導体回路３３４は、３３μｍに形成されているため、該層間樹脂絶縁層１５０上の導体回路３５８とコア基板３３０上の導体回路３３４とで、インピーダンスが大きく異なり、インピーダンス整合を取ることが困難となって、高周波特性を高めることができなかった。
【０００６】
本発明は、上述したビルドアップ多層配線板特有の課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、高周波特性に優れた多層プリント配線板及び該多層プリント配線板の製造方法を提案することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
以下、本発明について詳述する。なお、特にことわりの無いかぎり、銅箔、導体層、導体回路の厚さは、平均の厚さであり、断面の光学顕微鏡写真、電子顕微鏡写真から厚さを測定する。
上述した課題を解決すべく、請求項１は、以下の（１）〜（５）の工程を少なくとも含む多層プリント配線板の製造方法であって：
（１）銅張積層板の銅箔をエッチングにより薄くする工程、
（２）前記銅張積層板に通孔を穿設する工程、
（３）前記銅張積層板にめっき膜を形成することで、該通孔内にスルーホールを形成する工程、
（４）前記銅張積層板表面の銅箔およびめっき膜をパターンエッチングして導体回路を形成する工程、
（５）該導体回路上面に層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層する工程を備え、
前記銅箔をエッチングにより薄くすることで、該銅箔及びめっき膜からなる前記導体回路の厚みを前記層間樹脂絶縁層上の導体層の厚みよりも１０μｍを越えない厚みの範囲に調製することを技術的特徴とする。
【０００８】
上述した課題を解決すべく、請求項２は、以下の（１）〜（７）の工程を少なくとも含む多層プリント配線板の製造方法であって：
（１）銅張積層板の銅箔をエッチングにより薄くする工程、
（２）前記銅張積層板に通孔を穿設する工程、
（３）前記銅張積層板に導体膜を形成する工程、
（４）導体回路及びスルーホール非形成部にレジストを形成する工程、
（５）前記レジスト非形成部にめっき膜を形成して導体回路及びスルーホールを形成する工程、
（６）該レジストを剥離すると共に、レジスト下の導体膜及び銅箔をエッチングにより除去する工程、
（７）該導体回路上面に層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層する工程を備え、
前記銅箔をエッチングにより薄くすることで、該銅箔及びめっき膜からなる前記導体回路の厚みを前記層間樹脂絶縁層上の導体層の厚みよりも１０μｍを越えない厚みの範囲に調製することを技術的特徴とする。
【０００９】
また、請求項３では、請求項１又は２において、前記銅張積層板に通孔を穿設する工程において、レーザを用いることを技術的特徴とする。
【００１０】
更に、請求項４では、請求項１又は２において、前記銅張積層板に通孔を穿設する工程において、ドリルを用いることを技術的特徴とする。
【００１１】
請求項５では、請求項１〜３において、前記銅張積層板の銅箔をエッチングにより薄くする工程において、銅箔を１〜１０μｍ望ましくは２〜７μｍにすることを技術的特徴とする。
【００１２】
請求項６の多層プリント配線板では、層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層され、各導体層間がバイアホールにて接続されたビルドアップ配線層が、スルーホールを有するコア基板のエッチングにより薄くされた銅箔及びめっき膜からなる導体回路上に形成されてなる多層プリント配線板において、
前記コア基板上の銅箔及びめっき膜からなる導体回路の厚みを、銅箔のエッチングにより前記層間樹脂絶縁層上の導体層の厚みよりも１０μｍを越えて、望ましくは７μｍを越えて厚くしないことを技術的特徴とする。
【００１５】
請求項１の多層プリント配線板の製造方法では、銅張積層板の銅箔をエッチングにより薄くする。その後、めっきを施しスルーホールを形成する。この際に、銅箔上にめっき膜が形成される。そして、該めっき膜の形成された銅箔をパターンエッチングして導体回路を作り出すが、予め銅箔を薄くしてあるため、導体回路を形成する銅箔とめっき膜とを加えた厚みが薄くなり、パターンエッチングにより微細な回路を形成することが可能となる。
更に、該導体回路を形成した銅張積層板に、層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層するが、上記導体回路を形成する銅箔とめっき膜とを加えた厚みが薄くなり、層間樹脂絶縁層の導体層に対して厚さが大きく異ならないため、該コア基板上の導体回路と層間樹脂絶縁層上の導体層とのインピーダンスを整合させることができ、多層プリント配線板の高周波特性を向上させることが可能となる。
【００１６】
請求項２の多層プリント配線板の製造方法では、銅張積層板の銅箔をエッチングにより薄くする。均一に導体膜を形成した後、レジスト非形成部にめっきを施して導体回路を作り出してから、レジストを剥離すると共に、レジスト下の導体膜及び銅箔をエッチングにより除去する。このエッチングの際に、予め銅箔を薄くしてあるため、導体膜と銅箔を加えた厚みが薄くなり、微細な回路を形成することが可能となる。
更に、該導体回路を形成した銅張積層板に、層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層するが、上記導体回路を形成する銅箔とめっき膜とを加えた厚みが薄くなり、層間樹脂絶縁層の導体層に対して厚さが大きく異ならないため、該コア基板上の導体回路と層間樹脂絶縁層上の導体層とのインピーダンスを整合させることができ、多層プリント配線板の高周波特性を向上させることが可能となる。
【００１７】
請求項３では、前記銅張積層板に通孔を穿設する工程において、レーザにより該通孔を穿設する。ここで、予めエッチングにより銅箔を薄くしてあるため、レーザ光のエネルギーが熱となって銅箔を伝搬することを抑制し、レーザ光により容易に通孔を穿設できる。
【００１８】
請求項４では、ドリルにより通孔を穿設するため、容易に銅張積層板に通孔を形成することができる。
【００１９】
請求項５では、前記銅張積層板の銅箔をエッチングにより薄くする工程において、銅箔を１〜１０μｍにするため、導体回路を形成する銅箔とめっき膜とを加えた厚みが薄くなり、パターンエッチングにより微細な回路を形成することができる。また、コア基板上の導体回路と層間樹脂絶縁層上の導体層との厚みの差を小さくできるため、両者のインピーダンスを整合させることができる。
【００２０】
銅箔は、２〜７μｍが最適である。一般に、コア基板の表面に形成された導体回路間には樹脂充填剤を埋めて平坦化した後、層間樹脂絶縁層を形成するが、このような平坦化をしなくとも、層間樹脂絶縁層のレベング性能のみで層間樹脂絶縁層表面を平坦化できるからである。
また、コア基板にはスルーホールが設けられていてもよい。本発明においては、スルーホール導体厚みと層間樹脂絶縁層の導体回路の厚みの差が小さくなるので、両者のインピーダンス整合を図りやすい。
【００２１】
請求項６の多層プリント配線板では、コア基板上の導体回路の厚みを、層間樹脂絶縁層上の導体層の厚みよりも１０μｍを越えて厚くしない。即ち、層間樹脂絶縁層の導体層に対して厚みが大きく異ならないため、該コア基板上の導体回路と層間樹脂絶縁層上の導体層とのインピーダンスを整合させることができ、多層プリント配線板の高周波特性を向上させることが可能になる。
【００２２】
なお、前記コア基板上の導体回路の厚みを前記層間樹脂絶縁層上の厚みよりも７μｍを越えないようにすることが望ましい。コア基板上の導体回路の厚みと前記層間樹脂絶縁層上の厚みが大きく異なる場合、ヒートサイクルにより応力が発生して、層間樹脂絶縁層のクラックの原因となる。
【００２３】
請求項１、２の多層プリント配線板の製造方法は、銅張積層板の銅箔をエッチングにより薄くした後、その銅張積層板の銅箔をパターンエッチングして導体回路を形成し、ついで該導体回路上面に層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層する多層プリント配線板の製造方法であって、
前記コア基板上の導体回路の厚みを前記層間樹脂絶縁層上の厚みよりも１０μｍを越えない範囲に調製することを特徴とする。
この製造方法では、微細パターンの形成とインピーダンス整合を同時に達成できる。
ところで、特開平２−２２８８７号公報では、銅箔を２５〜９０％エッチングして簿銅箔張回路基板を製造する方法が開示されているが、この公報では、ビルドアップ多層配線板を製造することは記載、示唆もされておらず、本発明のように、コア基板の導体回路と層間樹脂絶縁層上の導体層のインピーダンス整合の問題は、全く認識されておらず、本発明とは異なる発明である。
【００２４】
本発明で使用される銅張積層板は、ガラス布エポキシ樹脂、ガラス布ビスマレイミド−トリアジン樹脂、ガラス布フッ素樹脂などの樹脂プリプレグに銅箔を貼付した積層板を使用することができる。銅張積層板は両面銅張積層板、片面銅張積層板を使用でき、特に両面銅張積層板が最適である。
【００２５】
銅箔の厚さの調整は、エッチングにより行う。具体的には、硫酸−過酸化水素水溶液、過硫酸アンモニウム、塩化第二銅、塩化第二鉄の水溶液を用いた化学エッチング、イオンビームエッチングなどの物理エッチングで行う。
本発明においては、エッチング速度は、０．０１〜０．３μｍが望ましい。エッチング速度が速すぎると、厚さの調製が困難な上、厚みのばらつきが大きくなり、遅すぎると実用的ではないからである。
エッチング温度は、２０〜８０℃が望ましい。また、エッチングは、スプレー、浸漬、いずれの方法でもよい。
エッチングにより薄くなった銅箔の厚さバラツキは、±１．０μｍ以下が最適である。
銅張積層板の厚さは、０．５〜１．０ｍｍが望ましい。厚すぎると穿孔できず、薄すぎると反りなどが発生しやすいからである。
本発明で通孔形成に使用されるレーザは、２０〜４０mJ、１０-4〜１０-8秒の短パルスレーザの炭酸ガスレーザであることが望ましい。ショット数は、５〜１００ショットである。
【００２６】
電気めっき、無電解めっき、スパッタ、蒸着などにより、通孔の内壁面を金属化することによりスルーホールを形成した場合にも、このスルーホールに充填剤を充填することができる。
【００２７】
また、金属化されたスルーホール内壁は、粗化されていてもよい。
スルーホール内壁を金属化する場合は、銅箔および金属化層（たとえば無電解めっき層）の厚さは、１０〜３０μｍであることが望ましい。
充填剤としては、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂およびシリカ、アルミナ等の無機粒子からなるもの、また、金属粒子および樹脂からなるものなど各種のものを使用できる。
【００２８】
このようにして形成されたスルーホール形成基板に導体回路を設ける。導体回路はエッチング処理により形成する。
導体回路表面は、密着性改善のため粗化処理することが望ましい。
ついで絶縁樹脂からなる層間樹脂絶縁層を設ける。
【００２９】
前記層間樹脂絶縁層を形成する絶縁樹脂は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、あるいはこれらの複合樹脂が用いられる。
熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂等が用いられる。また熱可塑性樹脂としては、熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンスルフォン（ＰＰＳ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＥＳ）、ポリフェニルエーテル（ＰＰＥ）、ポリエーテルイミド（ＰＩ）、フッ素樹脂などを使用できる。
【００３０】
本発明では、層間樹脂絶縁層は、無電解めっき用接着剤でもよい。
例えば、酸や酸化剤に難溶性の耐熱性樹脂中に酸、酸化剤によって溶解する粒子を含ませておき、この粒子を酸や酸化剤で溶解することで、絶縁樹脂層の表面を粗化することができる。
かかる耐熱性樹脂粒子としては、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂等）、エポキシ樹脂（ビスフェノール型エポキシ樹脂をアミン系硬化剤で硬化させたものが最適）、ビスマレイミド−トリアジン樹脂等からなる耐熱性樹脂粒子を用いることができる。
【００３１】
また、かかる無電解めっき用接着剤には、特に、硬化処理された耐熱性樹脂粒子、無機粒子や繊維質フィラー等を、必要により含ませることができる。
かかる耐熱性樹脂粒子には、(1) 平均粒径が10μｍ以下の耐熱性樹脂粉末、(2) 平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、(3) 平均粒径が２〜10μｍの耐熱性樹脂粉末と平均粒径が２μｍ未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、(4) 平均粒径が２〜10μｍの耐熱性樹脂粉末の表面に、平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末及び無機粉末の少なくとも１種を付着させた疑似粒子、(5) 平均粒子径が0.8 を超え2.0 μｍ未満の耐熱性樹脂粉末と平均粒子径が0.1 〜0.8 μｍの耐熱性樹脂粉末との混合物、及び(6) 平均粒径が0.1 〜1.0 μｍの耐熱性樹脂粉末からなる群より選ばれる少なくとも１種の粒子を用いるのが望ましい。これらの粒子は、より複雑な粗化面を形成するからである。
【００３２】
このような層間樹脂絶縁層は、レーザ光や露光、現像処理で開口を設けることができる。
【００３３】
次いで、Ｐｄ触媒などの無電解めっき用の触媒を付与し、バイアホール用開口内をめっきしてバイアホールを設け、また、絶縁樹脂層表面に導体回路を設ける。無電解めっき膜を開口内壁、絶縁樹脂層表面全体に形成し、めっきレジストを設けた後、電気めっきして、めっきレジストを除去し、エッチングにより導体回路を形成する。
【００３４】
【実施例】
以下、実施例に基づき、本発明を説明する。
先ず、本発明の実施例に係る多層プリント配線板１０の構成について、図７を参照して説明する。多層プリント配線板１０では、コア基板３０の表面及び裏面に導体回路３４、３４が形成され、更に、該導体回路３４、３４の上にビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂが形成されている。該ビルトアップ層８０Ａ、８０Ｂは、バイアホール６０及び導体回路５８の形成された層間樹脂絶縁層５０と、バイアホール１６０及び導体回路１５８の形成された層間樹脂絶縁層１５０とからなる。
【００３５】
多層プリント配線板１０の上面側には、ＩＣチップのランド（図示せず）へ接続するための半田バンプ７６Ｕが配設されている。半田バンプ７６Ｕはバイアホール１６０及びバイアホール６０を介してスルーホール３６へ接続されている。一方、下面側には、ドーターボードのランド（図示せず）に接続するための半田バンプ７６Ｄが配設されている。該半田バンプ７６Ｄは、バイアホール１６０及びバイアホール６０を介してスルーホール３６へ接続されている。
【００３６】
第１実施例の多層プリント配線板１０では、コア基板３０上の導体回路３４が厚さ（ｔ１）１８μｍに形成され、また、層間樹脂絶縁層５０及び１５０上の導体層５８及び１５８（ｔ２）が１８μｍに形成されており、導体回路３４が導体層５８及び１５８に対して厚さが大きく異ならないため、該コア基板３０上の導体回路３４と層間樹脂絶縁層上の導体層５８、１５８のインピーダンスを整合させることができており、良好な高周波特性を達成している。
【００３７】
引き続き、多層プリント配線板１０の製造方法について説明する。ここでは、先ず、第１実施例の多層プリント配線板の製造方法に用いるＡ．無電解めっき用接着剤、Ｂ．層間樹脂絶縁剤、Ｃ．樹脂充填剤、Ｄ．ソルダーレジスト組成物の組成について説明する。
【００３８】
Ａ．無電解めっき用接着剤調製用の原料組成物（上層用接着剤）
〔樹脂組成物▲１▼〕
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）3.15重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、ＮＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得た。
【００３９】
〔樹脂組成物▲２▼〕
ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒径 1.0μｍのものを 7.2重量部、平均粒径 0.5μｍのものを3.09重量部、を混合した後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合して得た。
【００４０】
〔硬化剤組成物▲３▼〕
イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガイギー製、イルガキュア  Ｉ−907 ）２重量部、光増感剤（日本化薬製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ 1.5重量部を攪拌混合して得た。
【００４１】
Ｂ．層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物（下層用接着剤）
〔樹脂組成物▲１▼〕
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）４重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、ＮＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得た。
【００４２】
〔樹脂組成物▲２▼〕
ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒径 0.5μｍのものを 14.49重量部、を混合した後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合して得た。
【００４３】
〔硬化剤組成物▲３▼〕
イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガイギー製、イルガキュア  Ｉ−907 ）２重量部、光増感剤（日本化薬製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ1.5 重量部を攪拌混合して得た。
【００４４】
Ｃ．樹脂充填剤の調整
(1) ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル製：分子量310 、商品名 YL983U ） 100重量部と平均粒径 1.6μｍで表面にシランカップリング剤がコーティングされたＳｉＯ2 球状粒子〔アドマテック製：CRS 1101−CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅パターンの厚み（15μｍ）以下とする。〕 170重量部、レベリング剤（サンノプコ製：商品名ペレノールS4）1.5 重量部を３本ロールにて混練し、その混合物の粘度を23±１℃で45,000〜49,000cps に調整した。
【００４５】
(2) イミダゾール硬化剤（四国化成製、商品名：2E4MZ-CN）6.5 重量部。
(3) 混合物(1) と(2) とを混合して、樹脂充填剤を調製した。
【００４６】
Ｄ．ソルダーレジストの調整
ＤＭＤＧに溶解させた60重量％のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製）のエポキシ基50％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量4000）を 46.67ｇ、メチルエチルケトンに溶解させた80重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル製、エピコート1001）15.0ｇ、イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）1.6 ｇ、感光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬製、Ｒ604 ）３ｇ、同じく多価アクリルモノマー（共栄社化学製、DPE6A ） 1.5ｇ、分散系消泡剤（サンノプコ社製、Ｓ−65）0.71ｇを混合し、さらにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノン（関東化学製）を２ｇ、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学製）を 0.2ｇ加えて、粘度を25℃で 2.0Pa・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得た。
【００４７】
プリント配線板の製造
（１）厚さ０．８mmのガラスエポキシ樹脂からなる基板３０の両面に１２μｍの銅箔３１がラミネートされている銅張積層板３０Ａ（三菱瓦斯化学ＨＬ８３０）を出発材料とした（図１の工程（Ａ））。両面の銅箔３１をエッチング液（三菱瓦斯化学ＳＥ−０７）を用いて厚さを３μｍに調整した（工程（Ｂ））。
【００４８】
（２）この基板３０に対して、φ０．３mmのドリルを用いて通孔３２を穿設した（工程（Ｃ））。その後、過マンガン酸カリウムにて、通孔３２の壁面をデスミア処理した。
【００４９】
（３）基板３０の全面に触媒処理をした後、無電解めっき膜３５を０．１μｍ形成してから、該無電解めっき膜３５を介して電流を流し、電解銅めっきを１Ａ／ｄm2で行い、１５μｍのめっき膜３３を形成した（工程（Ｄ））。これにより、通孔３２にスルーホール３６を形成した。
【００５０】
（４）該めっき膜３３の形成された銅箔３１の表面に、ドライフィルムレジスト（旭化学ＡＱ４０５９：図示せず）を付着させ、Ｌ／Ｓ＝５０／５０μｍでパターンを形成し、塩化第２銅にてエッチングしてから、２％のＮａＯＨにてレジストを剥離することで、導体回路３４を形成する（工程（Ｅ））。
【００５１】
本実施例では、予め銅箔３１をエッチングにより薄くしてあるため、導体回路３４を形成する銅箔３１とめっき膜３３とを加えた厚みが薄くなり、上述したパターンエッチングにより微細に導体回路３４を形成することが可能となる。
【００５２】
次に、導体回路（内層銅パターン）３４の表面と、スルーホール３６のランド３６ａ表面と内壁とに、それぞれ、粗化面３８を設けた（図２（Ｆ））。粗化面３８は、前述の基板３０を水洗し、乾燥した後、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、導体回路３４の表面とスルーホール３６のランド３６ａ表面と内壁とをエッチングすることによって形成した。エッチング液には、イミダゾール銅（II）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部、イオン交換水７８重量部を混合したものを用いた。
【００５３】
（５）次いで、樹脂層４０を配線基板の導体回路３４間とスルーホール３６内とに設けた（工程（Ｇ））。樹脂層４０は、予め調製した上記Ｃの樹脂充填剤を、ロールコータにより配線基板の両面に塗布し、導体回路の間とスルーホール内に充填し、 100℃で１時間、120 ℃で３時間、 150℃で１時間、 180℃で７時間、それぞれ加熱処理することにより硬化させて形成した。
【００５４】
（６）（５）の処理で得た基板３０の片面を、ベルトサンダー研磨した。この研磨で、＃600 のベルト研磨紙（三共理化学製）を用い、導体回路３４の粗化面３８やスルーホール３６のランド３６ａ表面に樹脂充填剤４０が残らないようにした（工程（Ｈ））。次に、このベルトサンダー研磨による傷を取り除くために、バフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。
【００５５】
得られた配線基板３０は、導体回路３４間に樹脂層４０が設けられ、スルーホール３６内に樹脂層４０が設けられている。導体回路３４の粗化面３８とスルーホール３６のランド３６ａ表面の粗化面が除去されており、基板両面が樹脂充填剤により平滑化されている。樹脂層４０は導体回路３４側面の粗化面３８又はスルーホール３６のランド部３６ａ側面の粗化面３８と密着し、また、樹脂層はスルーホールの内壁の粗化面と密着している。
【００５６】
（７）更に、露出した導体回路３４とスルーホール３６のランド３６ａ上面を(エッチング処理で粗化して、深さ３μｍの粗化面４２を形成した（工程（Ｉ））。
【００５７】
この粗化面４２をスズ置換めっきして、0.3 μｍの厚さのＳｎ層（図示せず）を設けた。置換めっきは、ホウフッ化スズ0.1 モル／Ｌ、チオ尿素1.0 モル／Ｌ、温度50℃、pH＝1.2 の条件で、粗化面をＣｕ−Ｓｎ置換反応させた。
【００５８】
（８）得られた配線基板３０の両面に、前記Ｂで得られた粘度 1.5Pa・ｓの層間樹脂絶縁剤（下層用）４４を調製後24時間以内にロールコータで塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥（プリベーク）を行い、次いで、前記Ａで得られた粘度７Pa・ｓの感光性の接着剤溶液（上層用）４６を調製後24時間以内に塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥（プリベーク）を行い、厚さ35μｍの接着剤層５０αを形成した（図３工程（Ｊ））。
【００５９】
（９）前記(8) で接着剤層を形成した基板３０の両面に、図示しない85μｍφの黒円が印刷されたフォトマスクフィルム（図示せず）を密着させ、超高圧水銀灯により 500mJ／cm2 で露光した。これをＤＭＴＧ溶液でスプレー現像し、さらに、当該基板３０を超高圧水銀灯により3000mJ／cm2 で露光し、100 ℃で１時間、120 ℃で１時間、その後 150℃で３時間の加熱処理（ポストベーク）をすることにより、フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた85μｍφの開口（バイアホール形成用開口）４８を有する厚さ35μｍの層間樹脂絶縁層（２層構造）５０を形成した（工程（Ｋ））。なお、バイアホールとなる開口４８には、スズめっき層（図示せず）を部分的に露出させた。
【００６０】
(１０) 得られた基板３０をクロム酸に１分間浸漬し、接着剤層５０の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去した。この処理によって、粗化面を、接着剤層５０の表面に形成した。その後、得られた基板３０を中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗した（工程（Ｌ））。
【００６１】
更に、配線基板３０の表面に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与することにより、無電解めっき膜４４表面およびバイアホール用開口４８の粗化面に触媒核を付けた。
【００６２】
（１１）得られた基板３０を以下の条件の無電解銅めっき浴中に浸漬し、厚さ1.6 μｍの無電解銅めっき膜５２を基板３０の全体に形成した（工程（Ｍ））。
無電解めっき液；
ＥＤＴＡ              ：  １５０      ｇ／Ｌ
硫酸銅                ：    ２０      ｇ／Ｌ
ＨＣＨＯ              ：    ３０    ｍＬ／Ｌ
ＮａＯＨ              ：    ４０      ｇ／Ｌ
α、α’−ビピリジル  ：    ８０    ｍｇ／Ｌ
ＰＥＧ                ：      ０．１  ｇ／Ｌ
無電解めっき条件；
７０℃の液温度で３０分
【００６３】
（１２）次に、市販の感光性ドライフィルム（図示せず）を無電解銅めっき膜５２に張り付け、パターンが印刷されたマスクフィルム（図示せず）を載置した。この基板３０を、100mJ/cm2 で露光し、その後０．８％炭酸ナトリウムで現像処理して、厚さ15μｍのめっきレジスト５４を設けた（図４の工程（Ｎ））。
【００６４】
（１３） 次いで、得られた基板に以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ15μｍの電解銅めっき膜５６を形成した（工程（Ｏ））。
電解めっき液；
硫酸          ：    １８０  ｇ／Ｌ
硫酸銅        ：      ８０  ｇ／Ｌ
添加剤        ：        １ｍＬ／Ｌ
（添加剤はアトテックジャパン製：商品名カパラシドＧＬ）
電解めっき条件；
電流密度    ：        １Ａ／ｄｍ2 
時間        ：        ３０分
温度        ：        室温
【００６５】
（１４）めっきレジスト５４を５％KOH で剥離除去した後、硫酸と過酸化水素混合液でエッチングし、めっきレジスト下の無電解めっき膜５２を溶解除去し、無電解めっき５２及び電解銅めっき膜５６からなる厚さ１８μｍ（１０〜３０μｍ）の導体回路５８及びバイアホール６０を得た（工程（Ｐ））。
【００６６】
更に、70℃で80ｇ／Ｌのクロム酸に３分間浸漬して、導体回路５８間の無電解めっき用接着剤層５０の表面を１μｍエッチング処理し、表面のパラジウム触媒を除去した。
【００６７】
（１５）（７） と同様の処理を行い、導体回路５８及びバイアホール６０の表面にCu-Ni-P からなる粗化面６２を形成し、さらにその表面にSn置換を行った（図５の工程（Ｑ））。
【００６８】
（１６）(８) 〜(１４)の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層１６０とバイアホール１６０及び導体回路１５８を形成する。さらに、バイアホール１６０及び該導体回路１５８の表面に粗化層１６２を形成し、多層プリント配線板を完成する（工程（Ｒ））。なお、この上層の導体回路を形成する工程においては、Ｓｎ置換は行わなかった。
【００６９】
（１７）そして、上述した多層プリント配線板にはんだバンプを形成する。前記(１６)で得られた基板３０両面に、上記Ｄ．にて説明したソルダーレジスト組成物を４５μｍの厚さで塗布する。次いで、70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処理を行った後、円パターン（マスクパターン）が描画された厚さ５mmのフォトマスクフィルム（図示せず）を密着させて載置し、1000mJ／cm2 の紫外線で露光し、DMTG現像処理する。そしてさらに、80℃で１時間、 100℃で１時間、 120℃で１時間、 150℃で３時間の条件で加熱処理し、はんだパッド部分（バイアホールとそのランド部分を含む）に開口（開口径 200μｍ）７１を有するソルダーレジスト層（厚み20μｍ）７０を形成する（工程（Ｓ））。
【００７０】
（１８）次に、塩化ニッケル2.31×10-1ｍｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム2.8 ×10-1ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム1.85×10-1ｍｏｌ／ｌ、からなるｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に該基板３０を２０分間浸漬して、開口部７１に厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成した。さらに、その基板を、シアン化金カリウム4.1 ×10-2ｍｏｌ／ｌ、塩化アンモニウム1.87×10-1ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム1.16×10-1ｍｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム1.7 ×10-1ｍｏｌ／ｌからなる無電解金めっき液に80℃の条件で７分２０秒間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に厚さ0.03μｍの金めっき層７４を形成することで、バイアホール１６０及び導体回路１５８に半田パッド７５を形成する（図６の工程（Ｔ））。
【００７１】
（１９）そして、ソルダーレジスト層７０の開口部７１に、半田ペーストを印刷して 200℃でリフローすることにより、半田バンプ（半田体）７６Ｕ、７６Ｄを形成し、多層プリント配線板１０を形成した（工程（Ｕ）参照）。
【００７２】
第２実施例の多層プリント配線板の製造方法
引き続き、本発明の第２実施例に係る多層プリント配線板の製造方法について図８を参照して説明する。
（１）この第２実施例では、両面銅張積層板３０ＡとしてＦＲ−５基板（松下電工Ｒ５７１５Ｓ）を用いる（図８の工程（Ａ））。先ず、両面の銅箔３１をエッチング液（三菱瓦斯化学ＳＥ−０７）を用いて厚さを３μｍに調整した（工程（Ｂ））。
【００７３】
（２）この基板３０に対して、φ０．３mmのドリルを用いて通孔３２を穿設した（工程（Ｃ））。その後、過マンガン酸カリウムにて、通孔３２の壁面をデスミア処理した。
【００７４】
（３）基板３０の全面に触媒処理をした後、無電解めっき膜３５を０．１μｍ形成してから、日合モートン製ドライフィルムレジスト（ＮＩＴ２２５）にて、Ｌ／Ｓ＝３０／３０μｍのチャンネルパターン（めっきレジスト）９２を形成する（工程（Ｄ））
【００７５】
（４）上記無電解めっき膜３５を給電部としてレジスト非形成部に１５μｍの電解めっき膜３３及び３μｍの半田めっき膜９４を形成する（工程（Ｅ））。
【００７６】
（５）２％のＮａＯＨにてレジスト９２を剥離した後、塩化第２銅液にてレジスト９２下の無電解めっき膜３５及び銅箔３１をエッチングし、導体回路３４を形成してから、半田剥離液によって半田めっき膜９４を除去する（工程（Ｆ））。以下の工程は、図２〜図６を参照して上述した第１実施例と同様であるため、説明を省略する。
【００７７】
第２実施例では、両面銅張積層板の銅箔３１をエッチングにより予め薄くする。このため、レジスト９２下の導体膜（無電解めっき膜）３５及び銅箔３１をエッチングにより除去する際に、予め銅箔３１を薄くしてあるため、該導体膜３５と銅箔３１とを加えた厚みが薄くなり、微細な回路を形成することが可能となる。
【００７８】
第３実施例の多層プリント配線板の製造方法
引き続き、第３実施例の多層プリント配線板の製造工程について、図９を参照して説明する。
（１）厚さ０．８mmのガラスエポキシ樹脂からなる基板３０の両面に１２μｍの銅箔３１がラミネートされているＦＲ−５の銅張積層板３０Ａ（日立化成工業ＥＡ６９７）を出発材料とした（図９の工程（Ａ））。両面の銅箔３１をエッチング液（三菱瓦斯化学ＳＥ−０７）を用いて厚さを３μｍに調整した（工程（Ｂ））。
【００７９】
（２）この基板３０に対して、この銅張積層板３０Ａに、炭酸ガスレーザ（三菱電機  ＭＬ６０５ＧＴＬ）を用いて、３０ｍＪ、５２×１０-6秒のパルス条件で１５ショットの条件でレーザを照射して、直径１００μｍの通孔３２を設けた（工程（Ｃ））。その後、過マンガン酸カリウムにて、通孔３２の壁面をデスミア処理した。
【００８０】
（３）基板３０の全面に触媒処理をした後、無電解めっきを０．１μｍ形成してから、該無電解めっきを介して電流を流し、電解銅めっきを１Ａ／ｄm2で行い、１５μｍのめっき膜３３を形成した（工程（Ｄ））。これにより、通孔３２にスルーホール３６を形成した。
【００８１】
（４）該めっき膜３３の形成された銅箔３１の表面に、ドライフィルムレジスト（旭化学ＡＱ４０５９）図示せずを付着させ、Ｌ／Ｓ＝５０／５０μｍでパターンを形成し、塩化第２銅にてエッチングしてから、２％のＮａＯＨにてレジストを剥離することで、導体回路３４を形成した（工程（Ｅ））。以下の工程は、図２〜図６を参照して上述した第１実施例と同様であるため、説明を省略する。
【００８２】
第３実施例では、予め銅箔３１をエッチングにより薄くしてあるため、導体回路３４を形成する銅箔３１とめっき膜３３とを加えた厚みが薄く、上述したパターンエッチングにより微細な導体回路３４を形成することが可能となる。
【００８３】
なお、第１、第２実施例においては、ドリルで通孔を穿設したが、第３実施例のようにレーザにより通孔を穿設することの可能である。また、上述した実施例では、コア基板３０上の導体回路３４を形成後、樹脂４０を塗布して基板表面を平滑化したが、本実施例では、導体回路３４の厚みを薄くしてあるため、係る平滑化処理を行うことなくフラットな多層プリント配線板を形成することができる。
【００８４】
第４実施例の多層プリント配線板の製造方法
本実施例における多層プリント配線板の製造工程について、図１０を参照して説明する。基本的には、実施例１と同様であるが、（Ａ）に示すように、導体回路３４、スルーホール３６を形成した後、（Ｂ）に示すように、スルーホール３６にのみ樹脂充填剤４０を充填した。スルーホール３６への充填は、スルーホール相当部位に開口が設けられた印刷マスク（図示せず）を使用することにより行った。次に（Ｃ）に示すように表面を研磨し、さらに（Ｄ）に示すように導体回路表面にＣｕ−Ｎｉ−Ｐからなる粗化層４２を形成する。
【００８５】
その粗化層の形成方法は以下のようである。即ち、基板をアルカリ脱脂してソフトエッチングし、次いで、塩化パラジウムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、Ｐｄ触媒を付与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅３．２×１０-2ｍｏｌ／ｌ、硫酸ニッケル２．４×１０-9ｍｏｌ／ｌ、クエン酸５．２×１０-2ｍｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２．７×１０-1ｍｏｌ／ｌ、ホウ酸５．０×１０-1ｍｏｌ／ｌ、界面活性剤（日信化学工業製、サーフィノール４６５）１．０ｇ／ｌの水溶液からなるｐＨ＝９の無電銅めっき浴に基板を浸漬し、浸漬２分後から１秒に１回の割合で縦方向に振動させて、銅導体回路４およびスルーホール９のランドの表面のニッケル層上にＣｕ−Ｎｉ−Ｐからなる針状合金からなる厚さ５μｍ粗化層を設けた。
さらに、実施例１と同様にＳｎ置換を行った。
【００８６】
その後、（Ｅ）に示すように、層間樹脂絶縁層４４、４６を設ける。コア基板の導体回路３４が薄いので、導体回路間に樹脂を埋めなくとも層間樹脂絶縁層表面を平坦化することが可能である。
【００８７】
【発明の効果】
以上説明のように、本発明では、予め銅箔を薄くしてあるため、微細な回路を形成することが可能となる。更に、コア基板上の導体回路が、層間樹脂絶縁層上の導体層に対して厚さが大きく異ならないため、該コア基板上の導体回路と層間樹脂絶縁層上の導体層のインピーダンスとを整合させることができ、多層プリント配線板の高周波特性を向上させることが可能となる。
また、導体回路間に樹脂を埋めなくとも層間樹脂絶縁層表面を平坦化できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図２】本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図３】本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図４】本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図５】本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図６】本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図７】本発明の第１実施例に係る多層プリント配線板の断面図である。
【図８】本発明の第２実施例に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図９】本発明の第３実施例に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１０】本発明の第４実施例に係る多層プリント配線板の製造工程図である。
【図１１】従来技術に係る多層プリント配線板の製造図である。
【符号の説明】
３０Ａ  両面銅張積層板
３０  コア基板
３１  銅箔
３２  通孔
３３  めっき膜
３４  導体回路
３５  無電解めっき膜（導体膜）
３６  スルーホール
５０  層間樹脂絶縁層
５８  導体回路（導体層）
６０  バイアホール
８０Ａ、８０Ｂ  ビルドアップ配線層
９２  レジスト
１５０  層間樹脂絶縁層
１５８  導体回路
【図１】
0004117951.tif 000002
【図２】
0004117951.tif 000003
【図３】
0004117951.tif 000004
【図４】
0004117951.tif 000005
【図５】
0004117951.tif 000006
【図６】
0004117951.tif 000007
【図７】
0004117951.tif 000008
【図８】
0004117951.tif 000009
【図９】
0004117951.tif 000010
【図１０】
0004117951.tif 000011
【図１１】
0004117951.tif 000012