(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内層に配線パターンを持つ絶縁体層の表面に接着された導体箔にレーザーを照射して、該導体箔と該絶縁体層とに前記配線パターンに達するビアホールを形成し、
少なくとも前記ビアホールの近傍に、多数の微粒子を混入した流体を吹きあてて、前記導体箔の該ビアホールの開口縁に突出するバリを該ビアホールの内側に曲げ、
前記導体箔の表面および前記ビアホール内にめっきを施し、該導体箔と前記配線パターンとの電気的導通をとることを特徴とするビルドアップ基板の製造方法。
【請求項２】
内層に配線パターンを持つ絶縁体層の表面に接着された導体箔にレーザーを照射して、該導体箔と該絶縁体層とに前記配線パターンに達するビアホールを形成し、
前記導体箔をハーフエッチングし、
少なくとも前記ビアホールの近傍に、多数の微粒子を混入した流体を吹きあてて、前記導体箔の該ビアホールの開口縁に突出するバリを該ビアホールの内側に曲げ、
前記導体箔の表面および前記ビアホール内にめっきを施し、該導体箔と前記配線パターンとの電気的導通をとることを特徴とするビルドアップ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ビルドアップ基板とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のビルドアップ基板およびその製造方法の例を、図３を用いて説明する。図３（ａ）において、Ｂは製造途中のビルドアップ基板の一部の断面図である。
２は、導体で形成された配線パターンである。４ａは、ビルドアップ基板Ｂのコア基板、または、配線パターン２とその下層の配線パターン（図示せず）とを絶縁する絶縁体層である。４ｂは、配線パターン２とその上層の配線パターン（未形成）とを絶縁する絶縁体層である。６は、絶縁体層４ｂの表面に接着された導体箔としての銅箔である。
【０００３】
銅箔６と絶縁体層４ｂとにビアホールを形成する方法として、ダイレクト・レーザー・ドリリング法が知られている。
ダイレクト・レーザー・ドリリング法は、図３（ｂ）に示すように、ビアホールを形成するべき箇所に、銅箔６側からレーザー８を照射して、銅箔６と樹脂等で構成される絶縁体層４ｂとに、下層の配線パターン２に達するビアホール１２を形成する。
続いて、銅箔６上およびビアホール１２内に、無電解めっきを施し、さらにその上層に電解めっきを前記無電解めっき層に通電して施し、図３（ｃ）に示すように、めっき層１４を形成する。めっきは、銅めっきなどの通電金属めっきが用いられる。
【０００４】
続いて、絶縁体層４ｂの表面の銅箔６とめっき層１４とを、公知のエッチング技術、例えば写真法のエッチング技術等を用いてエッチングし、絶縁体層４ｂの表面に配線パターンを形成する（図示せず）。
【０００５】
このように銅箔６と絶縁体層４ｂとにビアホールを形成する方法としては、上記ダイレクト・レーザー・ドリリング法の他に、ビアホール位置の導体箔をエッチングして胴体箔に穴をあけてから、その穴を通して絶縁体層にレーザーを照射してビアホールを形成する方法もある。
ダイレクト・レーザー・ドリリング法は、この方法に比較して、銅箔６の穴と絶縁体層４ｂの穴とが位置ずれせず、また、導体箔に穴をあけるためのエッチング工程を省くことができるといった利点を有している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図３（ｂ）および（ｃ）に示すように、上記に示したダイレクト・レーザー・ドリリング法では、ビアホール１２を形成する際に、銅箔６のビアホール１２の開口縁に、ビアホール１２の中心方向に突出するバリ６ａが形成されてしまう。これは、一般に銅等の金属で構成される銅箔６の硬度が、一般にエポキシ等の樹脂で構成される絶縁体層４ｂの硬度に対して硬く、レーザー８に対する耐性が強いことと、レーザー８が内層の配線パターン２と銅箔６との間で乱反射して、絶縁体層４ｂをレーザー８の光線の幅よりも広範囲に削り取ってしまうこととによると考えられる。
【０００７】
バリ６ａが存在すると、ビアホール１２の口が狭くなり、ビアホール１２内にめっき液が十分に入らなくなる。また、電解めっき時には、電解めっきを施すための電流がバリ６ａの部分に集中し、バリ６ａの周囲にめっきが集中してめっき溜まり１４ａが形成される。めっき溜まり１４ａが形成されると、めっき液はさらにビアホール１２内に入りにくくなり、なおかつ、電流がバリ６ａの部分に集中しているため、ビアホール１２の側壁部には特にめっきが付きにくくなる。従って、ビアホール１２の側壁部のめっき層１４ｂは薄くなる。
【０００８】
このように側壁部のめっき層１４ｂが薄くなると、内層の配線パターン２と上層の銅箔６およびめっき層１４、即ち上層に形成される配線パターンとの電気的導通が悪くなって基板としての動作不良を起こしやすくなり、結果的に、基板製造上の歩留まりが悪くなるといった課題がある。
【０００９】
本発明は上記課題を解決すべくなされ、その目的とするところは、レーザーによって導体箔と絶縁体層とに一度に穴を開けてビアホールを形成するダイレクト・レーザー・ドリリング法において、導体箔のビアホールの開口縁に形成されるバリを処理することで、基板の動作不良を抑制して、基板製造上の歩留まりを改善することが可能なビルドアップ基板の製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するために、以下の構成を備える。すなわち、内層に配線パターンを持つ絶縁体層の表面に接着された導体箔にレーザーを照射して、該導体箔と該絶縁体層とに前記配線パターンに達するビアホールを形成し、少なくとも前記ビアホールの近傍に、多数の微粒子を混入した流体を吹きあてて、前記導体箔の該ビアホールの開口縁に突出するバリを該ビアホールの内側に曲げ、前記導体箔の表面および前記ビアホール内にめっきを施し、該導体箔と前記配線パターンとの電気的導通をとる。
これによれば、ビアホールの縁部および側壁に均等にめっきを施すことが可能となり、基板の動作不良を抑制することが可能となる。
【００１１】
また、内層に配線パターンを持つ絶縁体層の表面に接着された導体箔にレーザーを照射して、該導体箔と該絶縁体層とに前記配線パターンに達するビアホールを形成し、前記導体箔をハーフエッチングし、少なくとも前記ビアホールの近傍に、多数の微粒子を混入した流体を吹きあてて、前記導体箔の該ビアホールの開口縁に突出するバリを該ビアホールの内側に曲げ、前記導体箔の表面および前記ビアホール内にめっきを施し、該導体箔と前記配線パターンとの電気的導通をとる。
これによれば、導体箔のビアホールの開口縁に突出するバリをビアホールの内側に曲げることをより確実に行うことが可能となる。
【００１２】
また、少なくとも導体箔を含む導体層で配線パターンが形成され、上層と下層の配線パターンが、該パターン間に介在する絶縁体層に形成されたビアホール内に設けられためっき層を介して電気的に導通されるビルドアップ基板において、前記ビアホールの開口縁に突出する前記導体箔のバリが該ビアホールの内側に曲げられ、該バリを覆ってめっき層が形成されている。
これによれば、動作不良が発生しにくく、製造上の歩留まりの良いビルドアップ基板を得ることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るビルドアップ基板の製造方法について、その実施の形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明に係るビルドアップ基板の製造方法を示す説明図である。なお、図１のビルドアップ基板Ａにおいて、従来のビルドアップ基板Ｂと同一の部材については同一の番号を付して説明を省略する。
【００１４】
図１（ａ）に示すように、本発明に係るビルドアップ基板Ａの製造方法においては、従来のダイレクト・レーザー・ドリリング法によるビルドアップ基板Ｂに比較して、厚い導体箔としての銅箔６を使用する。具体的には、１０〜１５μｍ程度の厚さの銅箔６を用いると好適である。
【００１５】
まず、図１（ａ）に示すように、本発明に係るビルドアップ基板Ａの製造方法では、ビアホールを形成するべき箇所に、銅箔６側からレーザー８を照射して、銅箔６と樹脂等で構成される絶縁体層４ｂとに、下層の配線パターン２に達するビアホール１２を形成する（ダイレクト・レーザー・ドリリング法）。
【００１６】
次に、図１（ｂ）に示すように、あらかじめ厚めに形成された銅箔６をハーフエッチングして薄くする。この際、銅箔６を、実際に使用される銅箔６の厚さ、例えば３〜６μｍ程度の厚さにハーフエッチングする。
【００１７】
次に、図１（ｃ）に示すように、ビルドアップ基板Ａの上方からビルドアップ基板Ａに向けて、少なくともビアホール１２の近傍に、多数の微粒子１６を混入した流体を吹きあてる。これには、例えば、ジェットスクラブ、サンドブラスト等の手段を採用する。
微粒子１６としては、小さな石などを用いることができ、流体としては、水や空気を用いることができる。微粒子の直径は、銅箔６の厚さ、本実施例では３〜６μｍよりも小さいことが望ましい。
こうすると、銅箔６のビアホール１２の開口縁のバリ６ａは、微粒子１６の衝突によってビアホール１２の内側に折り曲げられる。
【００１８】
続いて、銅箔６上およびビアホール１２内に、無電解めっきを施し、さらにその上層に電解めっきを前記無電解めっき層に通電して施す。すると、図１（ｄ）に示すように、銅箔６およびビアホール内にめっき層１４を形成する。これによって、銅箔６と配線パターン２とは、電気的に導通する。
なお、めっきとしては、通常、銅めっきなどの通電金属めっきが用いられる。
【００１９】
続いて、絶縁体層４ｂの表面の銅箔６とめっき層１４とを、公知のエッチング技術、例えば写真法のエッチング技術等を用いてエッチングし、絶縁体層４ｂの表面に配線パターンを形成する（図示せず）。
【００２０】
上記製造方法によって製造されたビルドアップ基板Ａは、図１（ｄ）に示されるように、バリ６ａがビアホール１２の内側に折り曲げられ、張り出していない。従って、無電解めっき後の電解めっきを施す際にも、電流がある一箇所に集中してしまうようなことがなく、めっき溜まりは形成されない。また、ビアホール１２の口が狭くならないため、ビアホール１２内にめっき液が十分に行き渡る。そのため、ビアホール１２の上縁部および側壁部にもめっきは均等に付着し、内層（下層）の配線パターン２と上層の銅箔６およびめっき層１４、即ち上層に形成される配線パターンとの電気的導通が良好となる。よって、基板の動作不良が抑制され、結果的に歩留まりが改善されるといった効果がある。
【００２１】
本実施形態の製造方法においては、最終的な銅箔６の厚さ３〜６μｍに対して厚い、１０〜１５μｍ程度の厚さの銅箔６を用い、ビアホール１２形成後にハーフエッチングを施すことによって、実際に使用される銅箔６の厚さにした。この理由を以下に説明する。
図２（ａ）に示すように、レーザー８を照射して銅箔６および絶縁体層４ｂにビアホール１２を形成した際、バリ６ａの表面には、レーザー８によって溶融した銅６ｂが付着している。一度溶融した銅６ｂは、溶融していない銅に比較して、その硬度が高い。この状態で、バリ６ａに多数の微粒子１６を混入した流体を吹きあてても、バリ６ａは硬度が高い銅６ｂの殻に囲われているため、折れ曲がりにくい。
即ち、初めから３〜６μｍ程度の銅箔６を用いると、微粒子１６を混入した流体を吹きあてた際に、バリ６ａが折れ曲がりにくいのである。
【００２２】
そこで、厚い銅箔６に対してレーザー８を照射してビアホール１２を形成した後、ハーフエッチングを施すと、図２（ｂ）に示すように、溶融した銅６ｂが取り除かれる。この状態で多数の微粒子１６を混入した流体を吹きあてると、バリ６ａは硬度が高い銅６ｂの殻に囲われていないため、容易にビアホール１２の内側に折れ曲がる。
【００２３】
もちろん、溶融した銅６ｂも折れ曲がる程度に銅箔６が十分に柔らかくまたは薄く、あるいは、微粒子１６を混入した流体を基板に強く吹き当てても問題がない場合などには、前記ハーフエッチングの工程を採用しなくても良い。
【００２４】
【発明の効果】
本発明に係るビルドアップ基板の製造方法によれば、導体箔のビアホールの開口縁に突出するバリを処理することで、ビアホール周辺のめっき層を好適に施すことが可能となり、基板の動作不良を抑制して、結果的に基板製造上の歩留まりを改善することが可能となるといった効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に係るビルドアップ基板の製造方法を示す説明図であり、（ａ）はレーザーを照射して導体箔と絶縁体層とにビアホールを形成した状態、（ｂ）は導体箔にハーフエッチングを施した状態、（ｃ）はビアホールの近傍に多数の微粒子を混入した流体を吹きあてて導体箔のビアホールの開口縁のバリをビアホールの内側に曲げた状態、（ｄ）は無電解めっきおよび電解めっきを施した状態を示す。
【図２】  レーザー照射後のバリの状態を示す説明図であり、（ａ）はレーザー照射直後のバリの状態、（ｂ）はハーフエッチングを施した後のバリの状態を示す。
【図３】  従来のビルドアップ基板の製造方法を示す説明図であり、（ａ）はビアホール形成前の基板の状態、（ｂ）はレーザーを照射して導体箔と絶縁体層とにビアホールを形成した状態、（ｃ）は無電解めっきおよび電解めっきを施した状態を示す。
【符号の説明】
Ａ  ビルドアップ基板
２  配線パターン
４ａ  絶縁体層またはコア基板
４ｂ  絶縁体層
６  銅箔
６ａ  バリ
６ｂ  溶融した銅
８  レーザー
１２  ビアホール
１４  めっき層
１４ａ  めっき溜まり
１４ｂ  ビアホールの側壁部のめっき層
１６  微粒子
【図１】
0004122159.tif 000002
【図２】
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【図３】
0004122159.tif 000004