(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端が電圧検出される出力電圧端子（Ｖｏｕｔ）に接続するための接続端子に、そして他端が基準電圧端子に接続されたレギュレータと、
前記基準電圧端子に接続された第１の定電流源、第２の定電流源、及び起動・停止回路と、
前記起動・停止回路の他端が第１の入力端子に接続されたＮＡＮＤ回路と、
前記第１の定電流源と、第１のスイッチ素子と第２のスイッチ素子からなり、且つ前記第１のスイッチ素子の出力端子に検出信号を伝達するための検出信号出力端子が接続されたカレントミラー回路と、
前記カレントミラー回路の前記第１の定電流源と前記第２のスイッチ素子の間に接続され、且つ前記ＮＡＮＤ回路の出力端子が接続された制御端子を有する第３のスイッチ素子と、
一端が前記第２の定電流源に接続され、他端が電圧検出用端子に接続され、且つ制御端子が前記ＮＡＮＤ回路の出力端子に接続された第４のスイッチ素子と、
前記電圧検出用端子が検出端子に、そして基準端子に基準電圧源が接続され、出力端子が前記ＮＡＮＤ回路の第２の入力端子に接続されたコンパレータを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
一端が電圧検出される出力電圧端子（Ｖｏｕｔ）に接続するための接続端子に、そして他端が基準電圧端子に接続されたレギュレータと、
前記基準電圧端子に接続された第１の定電流源、第２の定電流源、第３の定電流源、及び起動・停止回路と、
前記起動・停止回路の他端が第１の入力端子に接続されたＮＡＮＤ回路と、
前記第３の定電流源と、第１のスイッチ素子と第２のスイッチ素子からなり、且つ前記第１のスイッチ素子の出力端子に検出信号を伝達するための検出信号出力端子が接続されたカレントミラー回路と、
前記第１の定電流源と前記第２のスイッチ素子の間に接続され、且つ前記ＮＡＮＤ回路の出力端子が接続された制御端子を有する第３のスイッチ素子と、
一端が前記第２の定電流源に接続され、他端が電圧検出用端子に接続され、且つ制御端子が前記ＮＡＮＤ回路の出力端子に接続された第４のスイッチ素子と、
前記電圧検出用端子が検出端子に、そして基準端子に基準電圧源が接続され、出力端子が前記ＮＡＮＤ回路の第２の入力端子に接続されたコンパレータを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
グランド端子と、接続端子と、基準電圧端子と、電圧検出用端子と、検出信号出力端子の少なくとも５つの端子からなることを特徴とする請求項１、２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記請求項１、２、３記載の半導体装置の接続端子と電圧検出用端子の間に接続された第１の抵抗と、前記電圧検出用端子とグランド端子の間に接続された第２の抵抗と、基準電圧端子とグランド端子間に接続された第１のコンデンサと、前記接続端子とグランド端子間に接続された第２のコンデンサと、検出信号出力端子に接続された電圧検出信号伝達手段を有することを特徴とする前記請求項１、２、３記載の半導体装置を用いた電圧検出回路。
【請求項５】
前記請求項４記載の電圧検出回路を出力電圧検出部に使用することを特徴とする電源装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電圧検出用半導体装置に関するものである。特に、電源装置（スイッチング電源など）の出力電圧検出回路部に使用する出力電圧検出用半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１０は従来の電源装置の２次側出力に使用される電圧検出回路の構成図である。図１１は図１０に示す従来の電圧検出回路の回路動作を説明するための動作波形図、また、図１２は従来の電圧検出回路を使用した電源装置の回路構成図である。
【０００３】
図１０に示すように、従来の電圧検出回路は、ＶＯＵＴ端子１３の電圧を抵抗３５、３６で抵抗分割して、シャントレギュレータ３３により検出するというものである。ＶＯＵＴ端子１３にはコンデンサ１４が接続されており、外部よりこのコンデンサ１４へ電荷が供給されることで、ＶＯＵＴ端子１３の電圧が上昇する。また、ＶＯＵＴ端子１３の検出電圧レベルＶＯは、シャントレギュレータ３３の閾値電圧Ｖｔｈ、抵抗３５の抵抗値Ｒ３５、抵抗３６の抵抗値Ｒ３６により、以下の式で決まる。
【０００４】
ＶＯ＝Ｖｔｈ・（Ｒ３５＋Ｒ３６）／Ｒ３５
検出電圧レベルＶＯに安定して制御するために、以下の対応が必要である。
（１） 抵抗３７、及びコンデンサ３８を図１０のように直列接続する。
（２） 検出電圧レベルを安定化させるために、図１０にあるように抵抗３４を追加接続することで、シャントレギュレータへの検出電流値を上げる。
【０００５】
図１１は図１０の電圧検出回路のＶＯＵＴ端子１３、ＶＯ、及びシャントレギュレータ３３に流れる電流Ｉ３３の波形を示す。ＶＯＵＴ端子１３のリップル電圧は抵抗３７とコンデンサ３８の時定数により決まる（ヒステリシス特性を持たせる必要があるため）。
【０００６】
図１２は、図１０に示す従来の電圧検出回路を２次側電圧検出回路として使用した電源装置の回路構成を示す図である。検出信号伝達手段としてはフォトカプラ１７を使用している。図１０の従来の電圧検出回路により電圧が検出されると、シャントレギュレータ３３が導通状態となるため、フォトカプラ１７の発光部１７ａに電流が流れ、発光する（検出信号の出力）。この発光による検出信号の出力をフォトカプラ１７の受光部１７ｂにより検出し、１次側の制御回路２６によるスイッチング素子２７のオンオフ制御を停止（又は休止）状態とする。これにより、１次側から２次側へのエネルギー供給が停止（又は休止）するため、ＶＯＵＴ端子１３の電圧は徐々に低下する。検出電圧レベル以下になると、フォトカプラ１７とシャントレギュレータ３３による検出信号の出力は無くなるため、再び制御回路２６によるスイッチング素子２７のオンオフ制御が再開され、１次側から２次側へエネルギーが供給される。これによりＶＯＵＴ端子１３の電圧が上昇する。ＶＯＵＴ端子１３のリップル電圧は、抵抗３７とコンデンサ３８の時定数に依存するため、ＶＯＵＴ端子１３の負荷状態により異なる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
従来の電圧検出回路において、以下の課題がある。
（１）検出電圧精度を上げるためには、シャントレギュレータ３３に流れる電流Ｉ３３の電流値を上げる必要がある。この検出時に流れる電流は一般的に、数ｍＡレベルである。そのため、現在世界的な取り組みとされている高効率化（即ち、省エネルギー化）の支障となる。
（２）シャントレギュレータ３３に流れる電流Ｉ３３の電流値が不十分な場合、検出電圧精度が悪くなる。そのため、抵抗３４を追加する必要がある。
（３）ＶＯＵＴ端子１３の電圧制御は抵抗３７とコンデンサ３８の時定数に依存するため、ＶＯＵＴ端子１３のリップル電圧幅は負荷の状態により大きく異なることとなる。
（４）電圧検出回路を構成する部品点数が多く、図１０に示すように、少なくとも８点は必要となる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の半導体装置は、一端が電圧検出される出力電圧端子（Ｖｏｕｔ）に接続するための接続端子に、そして他端が基準電圧端子に接続されたレギュレータと、前記基準電圧端子に接続された第１の定電流源、第２の定電流源、及び起動・停止回路と、前記起動・停止回路の他端が第１の入力端子に接続されたＮＡＮＤ回路と、前記第１の定電流源と、第１のスイッチ素子と第２のスイッチ素子からなり、且つ前記第１のスイッチ素子の出力端子に検出信号を伝達するための検出信号出力端子が接続されたカレントミラー回路と、前記カレントミラー回路の前記第１の定電流源と前記第２のスイッチ素子の間に接続され、且つ前記ＮＡＮＤ回路の出力端子が接続された制御端子を有する第３のスイッチ素子と、一端が前記第２の定電流源に接続され、他端が電圧検出用端子に接続され、且つ制御端子が前記ＮＡＮＤ回路の出力端子に接続された第４のスイッチ素子と、前記電圧検出用端子が検出端子に、そして基準端子に基準電圧源が接続され、出力端子が前記ＮＡＮＤ回路の第２の入力端子に接続されたコンパレータを有することを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の第２の半導体装置は、一端が電圧検出される出力電圧端子（Ｖｏｕｔ）に接続するための接続端子に、そして他端が基準電圧端子に接続されたレギュレータと、前記基準電圧端子に接続された第１の定電流源、第２の定電流源、第３の定電流源、及び起動・停止回路と、前記起動・停止回路の他端が第１の入力端子に接続されたＮＡＮＤ回路と、前記第３の定電流源と、第１のスイッチ素子と第２のスイッチ素子からなり、且つ前記第１のスイッチ素子の出力端子に検出信号を伝達するための検出信号出力端子が接続されたカレントミラー回路と、前記第１の定電流源と前記第２のスイッチ素子の間に接続され、且つ前記ＮＡＮＤ回路の出力端子が接続された制御端子を有する第３のスイッチ素子と、一端が前記第２の定電流源に接続され、他端が電圧検出用端子に接続され、且つ制御端子が前記ＮＡＮＤ回路の出力端子に接続された第４のスイッチ素子と、前記電圧検出用端子が検出端子に、そして基準端子に基準電圧源が接続され、出力端子が前記ＮＡＮＤ回路の第２の入力端子に接続されたコンパレータを有することを特徴とする。
【００１０】
上記第１、２の半導体装置において、好ましくは、グランド端子と、接続端子と、基準電圧端子と、電圧検出用端子と、検出信号出力端子の少なくとも５つの端子からなることを特徴とする。
【００１１】
本発明の第１の電圧検出回路は、本発明の第１、２の半導体装置の接続端子と電圧検出用端子の間に接続された第１の抵抗と、前記電圧検出用端子とグランド端子の間に接続された第２の抵抗と、基準電圧端子とグランド端子間に接続された第１のコンデンサと、前記接続端子とグランド端子間に接続された第２のコンデンサと、検出信号出力端子に接続された電圧検出信号伝達手段を有することを特徴とする。
【００１２】
以上のように、電圧検出回路を本発明の第１、２の半導体装置を使用した構成にすることにより、構成部品点数を低減することができる（前述の従来例では８点であるが、後述する実施例では６点となり、２点削減となる）。
【００１３】
更に、第１の抵抗と第２の抵抗により電圧が検出されると、第２の定電流源から抵抗２へ電流が供給されるため、電圧検出される出力電圧端子（Ｖｏｕｔ）の電圧が僅かに持ち上がることでヒステリシス特性を有する。この持ち上がった電圧幅がリップル電圧幅となるため、このリップル電圧幅は、電圧検出される出力電圧端子（Ｖｏｕｔ）の負荷状態に依存せずに常に一定となる。
【００１４】
そして、更に、本発明の第１、２の半導体装置における検出信号出力端子に接続された第１のスイッチ素子に流す検出電流は、第１のスイッチ素子と第２のスイッチ素子とで構成されるカレントミラー回路のミラー比により調整できるため、低電流化を実現することができる。
【００１５】
本発明の第１の電源装置は、本発明の第１の電圧検出回路を出力電圧検出部に使用することを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
【００１７】
図１は本発明の第１の実施形態である半導体装置を表す。図２は図１の半導体装置を用いた電圧検出回路、図３はこの電圧検出回路のＶＯ１端子電圧波形、ＶＣＣ端子電圧波形、ＶＯ２端子電圧波形、及びＩＰＣ電流波形を示す。
【００１８】
図１の半導体装置は、検出する端子に接続するための接続用端子ＶＯ１、基準電圧端子ＶＣＣ、電圧検出用端子ＶＯ２、検出信号を伝達するための検出信号出力端子ＶＰＣ、及びグランド端子であるＧＮＤ／ＳＯＵＲＣＥの計５つの端子から構成される。ＶＯ１とＶＣＣの間にはレギュレータ１があり、動作中は基準電圧ＶＣＣを常に一定に保つ。ＶＣＣには、起動・停止回路２、定電流源３、そして定電流源４が接続されている。定電流源４とＶＯ２の間にはスイッチ素子５が接続され、基準電圧源６（以下、この基準電圧をＶＢＧとする）を有するコンパレータ７の検出端子にはＶＯ２が接続されている。コンパレータ７の出力端子と起動・停止回路２の出力端子は共にＮＡＮＤ回路８の入力端子に接続され、このＮＡＮＤ回路８の出力信号はスイッチ素子５、９のゲート端子に接続されている。定電流源３はスイッチ素子１０、スイッチ素子１１とからカレントミラー回路を構成しているが、定電流源３とスイッチ素子１１の間にはスイッチ素子９が接続されている。スイッチ素子１０は検出信号出力端子ＶＰＣに接続されている。
【００１９】
図２に示す電圧検出回路は、図１の半導体装置１２のＶＯ１を電圧検出されるＶＯＵＴ端子１３に、ＶＯ２端子をＶＯＵＴ端子１３とＧＮＤ／ＳＯＵＲＣＥ端子の間に直列接続された抵抗１５（抵抗値をＲ１５とする）と抵抗１６（抵抗値をＲ１６とする）の接続点にそれぞれ接続されたものである。ＶＰＣ端子には検出信号出力手段としてフォトカプラ１７の発光部が接続され、ＶＣＣにはコンデンサ１８が接続されている。また、フォトカプラの発光部１７ａが発光していない場合は、ＶＯＵＴ端子１３に接続されたコンデンサ１４には電力供給がなされ、フォトカプラの発光部１７ａが発光している場合は、コンデンサ１４への電力供給は停止する。
【００２０】
図２を用いて、本発明の第１の半導体装置、及びこれを用いた電圧検出回路の動作を説明する。
【００２１】
ＶＯＵＴ端子１３に接続されたコンデンサ１４に電力が供給されるとコンデンサ１４の両端電圧が上昇する。そのため、ＶＯＵＴ端子１３に接続された電圧検出用半導体装置１２のＶＯ１からレギュレータ１を介してＶＣＣに接続されたコンデンサ１８に電流が供給され、ＶＣＣの電圧も上昇する。ＶＣＣの電圧が、起動・停止回路２で設定された起動電圧ＶＣＣ０以上になると、電圧検出用半導体装置１２は起動し、そして起動・停止回路２からの出力信号は『Ｌ（ロー）』信号から『Ｈ（ハイ）』信号となる。これにより、ＮＡＮＤ回路８の出力信号はコンパレータ７の出力信号に依存し、ＶＯＵＴ端子１３の電圧検出を開始する。ここで、ＶＣＣ端子の電圧は、ＶＯＵＴ端子１３からレギュレータ１を介してＶＣＣ端子に接続されたコンデンサ１８へ電流が供給され、レギュレータ１により一定電圧ＶＣＣ１（＞ＶＣＣ０）となるように制御されている。電圧検出用半導体装置１２への電力供給は、このコンデンサ１８から供給され、且つ各構成回路は低消費電力化が図られている。
【００２２】
ＶＯＵＴ端子１３の電圧が上昇、即ちＶＯ２端子電圧が上昇し、コンパレータ７の基準電圧ＶＢＧ（ＶＯＵＴ端子１３の検出電圧をＶｏとすると、ＶＢＧ＝Ｖｏ・Ｒ１６／（Ｒ１５＋Ｒ１６））以上になると、コンパレータ７の出力信号は『Ｌ（ロー）』信号から『Ｈ（ハイ）』信号となる。起動・停止回路２の出力信号とコンパレータ７の出力信号は共に『Ｈ（ハイ）』信号であるため、ＮＡＮＤ回路８の出力信号は『Ｌ（ロー）』となる。これにより、スイッチ素子９がオン状態となるため、定電流源３からスイッチ素子９を介してスイッチ素子１１に電流が流れる。これにより、スイッチ素子１０もオン状態となる。スイッチ素子１０がオン状態となることにより、フォトカプラの発光素子１７ａに電流が流れ、フォトカプラの発光素子１７ａは発光し、外部のコンデンサ１４への電力供給源へ出力信号を伝達、そしてコンデンサ１４への電力供給は停止する。このとき同時にスイッチ素子５もＮＡＮＤ回路８の出力信号によりオン状態となるため、定電流源４からＩ４がスイッチ素子５を介してＶＯ２端子に接続された抵抗１６に流れ、ＶＯＵＴ端子１３の電圧はＩ４・（Ｒ１５＋Ｒ１６）だけ持ち上がり、ＶＯＵＴ端子１３の電圧はＶｏ＋Ｉ４・（Ｒ１５＋Ｒ１６）となる。このフォトカプラの発光素子１７ａの伝達信号により、コンデンサ１４への電力供給は停止しているため、ＶＯＵＴ端子１３の電圧はＶｏ＋Ｉ４・（Ｒ１５＋Ｒ１６）から徐々に低下（ＶＯ２端子電圧も低下）する。
【００２３】
ＶＯ２端子電圧がコンパレータ７の基準電圧ＶＢＧ以下となると、コンパレータ７の出力信号は『Ｌ（ロー）』、そしてＮＡＮＤ回路８の出力信号は『Ｈ（ハイ）』となり、スイッチ素子５とスイッチ素子９はオフ状態となる。従って、スイッチ素子１０はオフ状態となるため、フォトカプラの発光部１７ａには電流が流れなくなり、コンデンサ１４への電力供給源への出力信号は停止するため、再びコンデンサ１４へ電力が供給される。これにより、ＶＯＵＴ１３の電圧は再び上昇（ＶＯ２端子電圧も上昇）する。
【００２４】
以降、この動作を繰り返すことで、ＶＯＵＴ端子１３の電圧は所望する電圧Ｖｏとなるように制御される。
【００２５】
ここで、ＶＯＵＴ端子１３のリップル電圧幅は上記にも記した通り、ＶＯＵＴ端子１３に接続される負荷の状態に関わらず、Ｉ４・（Ｒ１５＋Ｒ１６）と一定になる。
【００２６】
以上より、以下の効果がある。
（１）フォトカプラの発光部１７ａに流れる電流ＩＰＣ（＝α・Ｉ３、ここでαはミラー比を表す）を電圧検出用半導体装置１２の定電流源３とスイッチ素子１０，１１で構成されるカレントミラー回路で調整することができるため、このＩＰＣを絞ることで、検出時の低消費電力化を図ることができる。そして、上記にも記したが、電圧検出用半導体装置１２の回路電流を低減しているため、通常動作時に消費される電力を低減することができる。具体的に、この電圧検出用半導体装置１２と抵抗１５，１６、そしてフォトカプラ１７で消費される電流の合計値は、従来例の約１／１０以下にすることが可能である。
（２）ＶＯＵＴ端子１３のリップル電圧は、Ｉ４・（Ｒ１５＋Ｒ１６）で決まり、ＶＯＵＴ端子１３に接続される負荷の状態に関わらず一定であるため、Ｉ４，Ｒ１５，Ｒ１６を調整することにより、リップル電圧をより低くすることができる。
（３）出力電圧検出回路の部品点数は６点となり、部品点数が削減される。
【００２７】
また、図４は本発明の第２の実施形態を表す半導体装置である。図５は図４の半導体装置を用いた電圧検出回路、図６はこの電圧検出回路のＶＯ１端子電圧波形、ＶＣＣ端子電圧波形、ＶＯ２端子電圧波形、及びＩＰＣ電流波形を示す。
【００２８】
図４で示す半導体装置は図１に定電流源１９が追加されていることで、ＶＯＵＴ端子１３の電圧が所望する電圧Ｖｏ以下において、ある一定の電流α・Ｉ３が流れている（但し、この電流によりフォトカプラの発光部１７ａは発光しないレベル）だけで、その他の構成、動作、及び特徴は図１と同じである。この定電流源１９が接続されていることにより、電圧検出用半導体装置１２によるＶＯＵＴ端子１３の電圧検出中は、スイッチ素子１０とスイッチ素子１１のゲート電圧を常に『Ｈ（ハイ）』状態に固定されているため、半導体装置としての動作を確実なものとする。
【００２９】
図７はトランスを使用したスイッチング電源装置で、図２の電圧検出回路を使用した本発明の第１の電源装置である。入力電圧電源２１はフィルタ回路２２を介して整流回路２３で整流され、入力側平滑コンデンサ２４で平滑される。入力側平滑コンデンサ２４で平滑された電圧は、トランス２０の１次側巻線２０ａに接続され、制御回路２６によるスイッチング素子２７のスイッチングによりトランスの２次側巻線２０ｂにエネルギーが伝達される。ここで、図７中の２８にあるように、制御回路２６とスイッチング素子２７は同一基板上に集積されれば、部品点数削減、低コスト化を図れるという利点がある。
【００３０】
２次側巻線２０ｂに伝達されたエネルギーは出力側平滑コンデンサ１４に供給される。出力側平滑コンデンサ１４の両端電圧は、抵抗１５と抵抗１６により分圧され、電圧検出用半導体装置１２により所望する電圧に制御される。制御動作内容は図３と同じであり、電源としては低消費電力でリップル電圧の低い精度の高い出力電圧が得られるという特徴がある。フォトカプラの発光部１７ａから出力信号がフォトカプラの受光部１７ｂに伝達されると、受光部１７ｂはオン状態となり、制御回路２６によるスイッチング素子２７のオンオフ制御は停止する。ここで、図５で示す電圧検出回路を使用した場合も、動作としては同様である。
【００３１】
図８はコイルを使用した降圧型チョッパ方式のスイッチング電源装置で、図２の電圧検出回路を使用した本発明の第２の電源装置である。図８中のＶＩＮ端子より入力電圧電源２１が入力され、ダイオードからなる整流回路３０により整流されると、入力側平滑コンデンサ２４により、平滑される。入力側平滑コンデンサ２４で平滑された電圧は、制御回路２６によるスイッチング素子２７のスイッチングにより、スイッチング素子２７のオン状態時にはコイル３２から出力側平滑コンデンサ１４に、そしてスイッチング素子２７がオフ状態においては回生用ダイオード３１からコイル３２を介して出力側平滑コンデンサ１４に電力供給がなされる。ここで、図８中の２８にあるように、図７の場合と同様、制御回路２６とスイッチング素子２７は同一基板上に集積されれば、部品点数削減、低コスト化が図れるという利点がある。
【００３２】
出力側平滑コンデンサ１４の両端電圧は、抵抗１５と抵抗１６により分圧され、電圧検出用半導体装置１２により所望する電圧に制御される。制御動作内容は図３と同じであり、電源としては低消費電力でリップル電圧の低い精度の高い出力電圧が得られるという特徴がある。フォトカプラの発光部１７ａから出力信号がフォトカプラの受光部１７ｂに伝達されると、受光部１７ｂはオン状態となり、制御回路２６によるスイッチング素子２７のオンオフ制御は停止する。これにより、出力側平滑コンデンサ１４への電力供給は停止する。ここで、図５で示す電圧検出回路を使用した場合も、動作としては同様である。
【００３３】
図９はコイルを使用した降圧型チョッパ方式のスイッチング電源装置で、図２の電圧検出回路を使用した本発明の第３の電源装置である。図８に示す降圧型チョッパ方式のスイッチング電源装置においては、電圧検出信号伝達手段としてフォトカプラ１７を使用しているが、図９においては、制御回路２６によるスイッチング素子２７のオンオフ制御を停止するためのＦＢ端子に直接電圧検出用半導体装置１２のＶＰＣ端子を接続し、ＶＯＵＴ端子１３の所望する電圧Ｖｏを検出時にスイッチ素子１０がオン状態となるため、強制的に制御回路２６によるスイッチング素子２７のオンオフ制御を停止させる。ここで、スイッチ素子１０は入力電圧ＶＩＮが高電圧である場合、高耐圧素子を使用する必要がある。制御動作内容については、図８と同じであり、電源としては低消費電力でリップル電圧の低い精度の高い出力電圧が得られるという特徴がある。
【００３４】
図９の降圧型チョッパ方式のスイッチング電源装置において、図５で示す電圧検出回路を使用した場合も、制御動作内容は図８と同じであり、電源としては低消費電力でリップル電圧の低い精度の高い出力電圧が得られるという特徴がある。ここで、制御回路２６によるスイッチング素子２７のオンオフ制御を停止させるためにＦＢ端子から流れる電流値ＩＦＢと図６のα・Ｉ３の大小関係はＩＦＢ＞α・Ｉ３である。
【００３５】
【発明の効果】
本発明によれば、電圧検出回路において、低消費電力化が測れることができる。特に、本発明の電圧検出用半導体装置を使用した電源装置において、電源の高効率化を図ることができる。
【００３６】
また、リップル電圧を常に一定に制御することができる、そしてリップル電圧を抑えることもできるため、電源としての高精度制御が可能である。
【００３７】
また、電圧検出回路を構成する構成部品を削減できるため、小型化、低コスト化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る電圧検出用半導体装置内部の回路構成図
【図２】本発明の第１の実施形態に係る電圧検出回路の回路構成図
【図３】第１の実施形態に係る電圧検出回路の回路動作を説明するための図
【図４】本発明の第２の実施形態に係る電圧検出用半導体装置内部の回路構成図
【図５】本発明の第２の実施形態に係る電圧検出回路の回路構成図
【図６】第２の実施形態に係る電圧検出回路の回路動作を説明するための図
【図７】本発明の第３の実施形態に係る電源装置の回路構成図
【図８】本発明の第４の実施形態に係る電源装置の回路構成図
【図９】本発明の第５の実施形態に係る電源装置の回路構成図
【図１０】従来の電圧検出回路を示す回路構成図
【図１１】従来の電圧検出回路の回路動作を説明するための図
【図１２】従来の電圧検出回路を用いた電源装置全体の構成図
【符号の説明】
１  レギュレータ
２  起動・停止回路
３  定電流源
４  定電流源
５  スイッチ素子
６  基準電圧源
７  コンパレータ
８  ＮＡＮＤ回路
９  スイッチ素子
１０  スイッチ素子
１１  スイッチ素子
１２  電圧検出用半導体装置
１３  出力電圧端子
１４  出力側平滑コンデンサ
１５，１６  抵抗
１７  フォトカプラ
１７ａ  フォトカプラの発光部
１７ｂ  フォトカプラの受光部
１８  コンデンサ
１９  定電流源
２０  トランス
２０ａ  トランス１次側巻線
２０ｂ  トランス２次側巻線
２１  入力電圧源
２２  フィルタ回路
２３  整流回路
２４  入力側平滑コンデンサ
２５  スナバ回路
２６  制御回路
２７  スイッチング素子
２８  同一の半導体基板上に集積される範囲
２９  コンデンサ
３０  整流回路
３１  回生用ダイオード
３２  コイル
【図１】
0004062962.tif 000002
【図２】
0004062962.tif 000003
【図３】
0004062962.tif 000004
【図４】
0004062962.tif 000005
【図５】
0004062962.tif 000006
【図６】
0004062962.tif 000007
【図７】
0004062962.tif 000008
【図８】
0004062962.tif 000009
【図９】
0004062962.tif 000010
【図１０】
0004062962.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
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