(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜が塗布された基板の周辺部から当該薄膜の一部を除去する薄膜除去装置であって、
前記基板を戴置するステージと、
剥離液を吐出するための吐出孔と剥離液を吸引するための吸引孔と該吐出孔と該吸引孔を繋ぐ導入溝が形成され、前記基板の周辺部に当てたときに該吐出孔から吐出された剥離液を前記基板表面に囲まれた前記導入溝を通して前記吸引孔に導くようにしたヘッドと、
前記ステージと前記ヘッドとを相対的に移動させる移動手段と、
前記ヘッドに剥離液を供給する剥離液供給手段と、
前記ヘッドから剥離液を回収する剥離液回収手段と、
を具備する薄膜除去装置。
【請求項２】
前記吐出孔が前記基板の側面に向かって開口し、前記吸引孔が前記基板の上方に開口することを特徴とする請求項１記載の薄膜除去装置。
【請求項３】
前記ヘッドが逆Ｌ字型の形状を有し、前記吐出孔が側部に形成され、前記吸引孔が上部に形成され、前記導入溝が側部と上部にまたがって形成されていることを特徴とする請求項２記載の薄膜除去装置。
【請求項４】
前記吐出孔が前記基板の側面に向かって開口し、前記吸引孔が前記基板の下方に開口することを特徴とする請求項１記載の薄膜除去装置。
【請求項５】
前記ヘッドがＬ字型の形状を有し、前記吐出孔が側部に形成され、前記吸引孔が下部に形成され、前記導入溝が側部と下部にまたがって形成されていることを特徴とする請求項４記載の薄膜除去装置。
【請求項６】
前記吐出孔が前記基板の下方に向かって開口し、前記吸引孔が前記基板の側面に開口することを特徴とする請求項１記載の薄膜除去装置。
【請求項７】
前記ヘッドがＬ字型の形状を有し、前記吐出孔が下部に形成され、前記吸引孔が側部に形成され、前記導入溝が下部と側部にまたがって形成されていることを特徴とする請求項６記載の薄膜除去装置。
【請求項８】
前記導入溝の深さが１．５ｍｍ以内であることを特徴とする請求項１、２、４又は６記載の薄膜除去装置。
【請求項９】
前記ヘッドが、前記基板の周縁から１．５ｍｍ以内において前記基板の上面又は下面から薄膜を除去するように形成されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項記載の薄膜除去装置。
【請求項１０】
前記ヘッドと前記基板との間の距離を調節する手段をさらに具備する請求項１〜９のいずれか１項記載の薄膜除去装置。
【請求項１１】
薄膜が塗布された基板の周辺部から当該薄膜の一部を除去する薄膜除去装置であって、
前記基板を戴置するステージと、
前記基板の側方から剥離液を吐出する第１の吐出孔と、前記基板の下方から剥離液を吸引する第１の吸引孔と、該第１の吐出孔と該第１の吸引孔を繋ぐ第１の導入溝を備えた第１のヘッドと、
前記基板の上方から剥離液を吐出する第２の吐出孔と、前記基板の側方から剥離液を吸引する第２の吸引孔と、該第２の吐出孔と該第２の吸引孔を繋ぐ第２の導入溝を備えた第２のヘッドと、
前記ステージと前記第１及び第２のヘッドとを相対的に移動させる移動手段と、
前記第１及び第２のヘッドに剥離液を供給する剥離液供給手段と、
前記第１及び第２のヘッドから剥離液を回収する剥離液回収手段と、
を具備する薄膜除去装置。
【請求項１２】
前記剥離液供給手段が、吐出される剥離液の量を制御する電子式流量コントローラを含むことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項記載の薄膜除去装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般的に、薄膜が塗布された基板の周辺部や角部から当該薄膜の一部を除去する薄膜除去装置に関し、特に、液晶パネル基板、半導体用マスク、液晶パネル用マスク等の基板に塗布されたレジストの一部を除去する薄膜除去装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の薄膜除去装置について、レジストが塗布された半導体用マスクの周辺部からレジストの一部を除去する薄膜除去装置を例にとり説明する。
【０００３】
半導体用マスクは、例えば、１辺が１５２ｍｍの正方形で厚みが６．３ｍｍの石英基板に、約０．１ミクロンのクロム膜をスパッタすることにより作成される。露光装置を用いて半導体用マスクにマスクパターンを形成するために、回転式のレジスト塗布装置を用いて、レジストが、例えば約０．５ミクロンの厚さで半導体用マスク上に塗布される。
【０００４】
このように回転式のレジスト塗布装置を用いてレジストを塗布すると、レジストは、半導体用マスクの周辺部の上面、斜面、及び側面にも付着する。さらに、レジストが、半導体用マスクの周辺部の下面にまで付着することもある。一方、マスク搬送ロボットが半導体用マスクの側面の一部に接触するため、レジストが剥がれてゴミ発生の原因になり、マスクパターンの欠陥になるという問題がある。
【０００５】
基板の周辺部に付着した膜を除去するため、特開平６−２５０３８０には、残渣を残さずに基板周辺部の不要な膜を除去する不要膜除去方法及び装置が掲載されている。この不要膜除去方法においては、表面周縁部に不要な盛り上がり部が形成された位相シフト膜を有する基板を回転させながら、基板の表面周縁部に第１の噴射ノズルにより溶剤を噴射させて盛り上がり部を溶解して飛散させ、次に、第１の噴射ノズルの位置よりも僅かに外周よりの位置に設けられた第２の噴射ノズルによって溶剤を噴射させて、基板の周縁部に残存した膜の残渣を洗い流して除去する。
【０００６】
しかしながら、この不要膜除去方法によっても、基板の側面、又は下面に付着した膜を除去することはできない。さらに、この不要膜除去方法によれば、溶剤を強く噴射する必要があるので、溶剤ミストが基板に付着したり、飛散した膜の一部が基板に再付着して基板を汚染するおそれがある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、上記の点に鑑み、本発明は、薄膜が塗布された基板の周辺部の上面、斜面、側面、下面、又は角部から、当該薄膜の一部を高精度かつ高品質に除去する薄膜除去装置を提供することを目的とする。さらに、本発明は、基板を汚染するおそれがない薄膜除去装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するため、本発明の薄膜除去装置は、薄膜が塗布された基板の周辺部から当該薄膜の一部を除去する装置であって、基板を戴置するステージと、剥離液を吐出するための吐出孔と剥離液を吸引するための吸引孔と該吐出孔と該吸引孔を繋ぐ導入溝が形成され、前記基板の周辺部に当てたときに該吐出孔から吐出された剥離液を前記基板表面に囲まれた前記導入溝を通して前記吸引孔に導くようにしたヘッドと、前記ステージと前記ヘッドとを相対的に移動させる移動手段と、ステージとヘッドとを相対的に移動させる移動手段と、ヘッドに剥離液を供給する剥離液供給手段と、ヘッドから剥離液を回収する剥離液回収手段とを具備する。
さらに、本発明の第１の観点に係る薄膜除去装置は、前記吐出孔が前記基板の側面に向かって開口し、前記吸引孔が前記基板の上方に開口することを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の第２の観点に係る薄膜除去装置は、薄膜が塗布された基板の周辺部から当該薄膜の一部を除去する装置であって、基板を戴置するステージと、基板の側方から剥離液を吐出し、基板の下方から剥離液を吸引するヘッドと、ステージとヘッドとを相対的に移動させる移動手段と、ヘッドに剥離液を供給する剥離液供給手段と、ヘッドから剥離液を回収する剥離液回収手段とを具備する。
【００１０】
さらに、本発明の第３の観点に係る薄膜除去装置は、薄膜が塗布された基板の周辺部から当該薄膜の一部を除去する装置であって、基板を戴置するステージと、基板の下方から剥離液を吐出し、基板の側方から剥離液を吸引するヘッドと、ステージとヘッドとを相対的に移動させる移動手段と、ヘッドに剥離液を供給する剥離液供給手段と、ヘッドから剥離液を回収する剥離液回収手段とを具備する。
【００１１】
加えて、本発明の第４の観点に係る薄膜除去装置は、薄膜が塗布された基板の角部から当該薄膜の一部を除去するのに適した装置であって、基板を戴置するステージと、基板の角部を囲むための複数の凸部を有し、基板の１つの側面に剥離液を吐出すると共に、他の側面から剥離液を吸引するヘッドと、ステージとヘッドとを相対的に移動させる移動手段と、ヘッドに剥離液を供給する剥離液供給手段と、ヘッドから剥離液を回収する剥離液回収手段とを具備する。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態について説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照番号を付して、説明を省略する。
【００１３】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る薄膜除去装置において用いるヘッドと半導体用マスクを示す断面図である。本実施形態は、レジストが塗布された半導体用マスクの周辺部からレジストの一部を除去する薄膜除去装置に本発明を適用したものである。
【００１４】
半導体用マスク１０は、例えば、１辺が１５２ｍｍの正方形で厚みが６．３ｍｍの石英基板１２に、約０．１ミクロンのクロム膜１３をスパッタすることにより作成される。露光装置を用いて半導体用マスク１０にマスクパターンを形成するために、回転式のレジスト塗布装置を用いて、レジスト１４が、例えば約０．５ミクロンの厚さで半導体用マスク１０上に塗布される。
【００１５】
このように回転式のレジスト塗布装置を用いてレジストを塗布すると、レジスト１４は、半導体用マスクの周辺部の上面１０ａ、斜面１０ｂ、及び側面１０ｃにも付着する。一方、マスク搬送ロボットが、半導体用マスクの側面１０ｃの一部に接触するため、レジストが剥がれてゴミ発生の原因になり、マスクパターンの欠陥になるという問題がある。これを防止するために、本実施形態に係る薄膜除去装置は、少なくとも半導体用マスクの側面１０ｃからレジスト１４を除去する。
【００１６】
図２は、本発明の第１の実施形態に係る薄膜除去装置において用いるヘッドの斜視図である。図１と図２に示すように、ヘッド１は、半導体用マスク１０の周辺部の上面１０ａと、側面１０ｃの中央部よりも上側とをカバーする逆Ｌ字型の形状を有している。ヘッド１の側部には入力口２と吐出孔３が形成され、ヘッド１の上部には吸引孔５と排出口６が形成され、ヘッド１の側部と上部にまたがって導入溝４が形成されている。
【００１７】
剥離液は、入力口２から供給され、吐出孔３から吐出される。排出口６から減圧吸引すると、吐出孔３から吐出された剥離液は、導入溝４に沿って吸引孔５へと流れ、排出口６から排出される。この剥離液の流れによって、半導体用マスクの周辺部に付着したレジストが溶解され、排出口６から排出される。ここで、導入溝の深さは、１．５ｍｍ以内であることが望ましい。導入溝を浅くすることによって、剥離液が確実に半導体用マスクに接触し、剥離効率を上げることができる。なお、剥離液としては、アセトン、メチルエチルケトン、エステル、プロピレングリコール・モノメチル・エーテル・アセテート、乳酸エチル、アニソールテトラヒドロクラン等の有機溶剤が用いられる。
【００１８】
このように、本実施形態においては、必ず除去しなければならない基板側面のレジストを確実に除去するために、基板側面に向けて剥離液を吐出するようにしている。また、剥離液が重力に抗して吸い上げられるので、導入溝を剥離液で満たし、確実に剥離液を基板に接触させることができる。
【００１９】
図３は、レジストが除去された後の半導体用マスクを示す断面図である。図３に示すように、半導体用マスクの周辺部の上面１０ａ、斜面１０ｂ、及び、側面１０ｃの中央部よりも上側から、レジスト１４を除去することができる。本実施形態においては、半導体用マスクの周縁から１．５ｍｍ以内、さらに望ましくは２ｍｍ以内において半導体用マスクの上面からレジストを除去するように、ヘッドが形成されている。
【００２０】
図４は、ヘッドと半導体用マスクとを相対的に移動させる移動機構を示す平面図であり、図５は、半導体用マスクを戴置したステージを示す正面図である。
半導体用マスク１０は、真空パッド３４を用いて、ステージ３３に固着されている。一方、ヘッド１を支持するアーム３０は、モーター３２によって駆動される送りネジ３１と累合している。モーター３２が回転すると、ヘッド１が、ガイド３６上を直線的に移動しながら、半導体用マスク１０の第１の辺の周辺に付着しているレジストを除去する。
【００２１】
次に、ヘッド１を半導体用マスク１０から十分に離れた位置まで移動した後、半導体用マスク１０を戴置したステージ３３をパルスモータ３５で９０度回転する。その後、ヘッド１を再度直線的に移動させ、第２の辺の周辺に付着しているレジストを除去する。同様にして、第３及び第４の辺の周辺に付着しているレジストを除去する。
あるいは、図４に示すヘッドと直線移動機構を２組又は４組装備して、２回又は１回のヘッド移動でレジストを除去するようにしてもよい。
【００２２】
ここで、剥離液が導入溝を満たし且つ導入溝外へ流出しないように、図６に示すようにヘッドと基板との間の距離を調節する機構を設けることができる。
図６において、ヘッド１がベース４１に固定されている。ベース４１は、上下方向に移動可能な状態で、調節ブロック４２の上下ガイド４３に嵌合されている。上下調節ネジ４４を回すことにより、ベース４１の位置を、調節ブロック４２に対して上下方向に調節することができる。調節ブロック４２は、前後方向（図中の左右方向）に移動可能な状態で、アーム３０の前後レール４５に嵌合されている。前後調節ネジ４６を回すことにより、調節ブロック４２の位置を、アーム３０に対して前後方向に調節することができる。
【００２３】
これにより、ヘッド１と半導体用マスク１０との間の距離（クリアランス）を調節することができる。例えば、ヘッド１と半導体用マスク１０の周縁との間の距離を０．１ｍｍ〜２ｍｍの範囲で高精度に調節することにより、剥離液が導入溝を満たし、且つ、導入溝外へ流出しないようにして、半導体用マスク１０の周辺部のレジストを効率的に除去することができる。
【００２４】
また、図７に示すように、ヘッドを洗浄する機構を設けてもよい。ヘッドの吐出孔や吸引孔や導入溝には、レジストを溶解した剥離液が流れるので、それらの周辺はレジストの溶解物によって汚染される。ヘッドがレジストの溶解物によって汚染されていると、基板にパーティクルが発生する原因となるので、ヘッドを洗浄する機構を用いて、定期的にヘッドのクリーニングをすることが望ましい。
【００２５】
図７において、ヘッドを洗浄するためのノズル５１が、ヘッド１の吐出孔３、導入溝４、吸引孔５に沿って移動可能となっている。ヘッド１の退避時に、ノズル５１が洗浄液を噴出することにより、ヘッド１を洗浄する。洗浄液は、加圧タンク又はポンプによってノズル５１に供給される。なお、洗浄液としては、ヘッド１から吐出される剥離液と同一又は同等の薬液を使用することが望ましい。
【００２６】
図８は、本実施形態において剥離液を供給及び回収するための循環系の構成例を示す図である。
剥離液タンク２０の加圧口２１を窒素等で加圧し、バルブ２２とニードルバルブ２３によって流量を制御することにより、剥離液２４をヘッド１に供給する。剥離液の吐出流量は、フロート式流量計２８によって計測される。一方、レジストを溶解した剥離液は、ヘッド１からバルブ２５を経由して真空ポンプ２７によって吸引され、回収タンク２６に回収される。回収タンク２６において、気液分離が行われる。
【００２７】
ここで、図８に示すニードルバルブ２３とフロート式流量計２８の替わりに、図９に示すように、電子式流量コントローラ２９によって剥離液の吐出流量を制御するようにしてもよい。電子式流量コントローラとしては、電子式センサと、ピエゾ方式・ソレノイド方式・熱膨張方式のコントロールバルブとを組み合わせたものや、マスフローコントローラ等が該当する。剥離液の吐出流量は１〜５ｍリットル／ｍｉｎと小さく、また、高い流量精度を要するので、高精度の流量制御が可能な電子式流量コントローラを使用することが効果的である。
【００２８】
図８と図９においては、剥離液タンク２０の加圧口２１を窒素等で加圧することにより剥離液をヘッドに供給したが、図１０に示すように、ベローズポンプ（吸込みポンプ）６３を用いて剥離液をヘッドに供給するようにしてもよい。
まず、ポンプ駆動モータ６４を回転させてベローズポンプ６３を伸ばすと、逆止弁６１が開き逆止弁６２が閉じて、剥離液がベローズポンプ６３内に吸い込まれる。次に、ポンプ駆動モータ６４を逆転させてベローズポンプ６３を縮めると、逆止弁６１が閉じて逆止弁６２が開き、剥離液がヘッド１に供給される。ここで、ポンプ駆動モータ６４の回転速度を変えることによって、剥離液の吐出流量を制御することができる。なお、ベローズポンプ６３の伸縮駆動は、ポンプ駆動モータ６４以外にも、エアシリンダ等によって行うことができる。
【００２９】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。図１１は、本発明の第２の実施形態に係る薄膜除去装置において用いるヘッドと半導体用マスクを示す断面図である。図１１においては、レジスト１４が、半導体用マスクの周辺部の下面１０ｄにまで付着している。マスク搬送ロボットは、半導体用マスクの側面１０ｃの中央部よりも下側に接触するので、本実施形態に係る薄膜除去装置は、半導体用マスクの側面１０ｃの中央部よりも下側と、周辺部の下面１０ｄとからレジスト１４を除去する。
【００３０】
図１２は、本発明の第２の実施形態に係る薄膜除去装置において用いるヘッドの斜視図である。図１と図２に示すように、ヘッド７１は、半導体用マスク１０の側面１０ｃの中央部よりも下側と、周辺部の下面１０ｄとをカバーするＬ字型の形状を有している。ヘッド７１の側部には吐出孔３が形成され、ヘッド７１の下部には吸引孔５が形成され、ヘッド７１の側部と下部にまたがって導入溝４が形成されている。
【００３１】
剥離液は、入力口２から供給され、吐出孔３から吐出される。排出口６から減圧吸引すると、吐出孔３から吐出された剥離液は、導入溝４に沿って吸引孔５へと流れ、排出口６から排出される。この剥離液の流れによって、半導体用マスクの側面１０ｃの中央部よりも下側と、周辺部の下面１０ｄとに付着したレジストが溶解され、排出口６から排出される。ここでも、導入溝の深さは、１．５ｍｍ以内であることが望ましい。導入溝を浅くすることによって、剥離液が確実に半導体用マスクに接触し、剥離効率を上げることができる。
【００３２】
このように、本実施形態においては、必ず除去しなければならない基板側面のレジストを確実に除去するために、基板側面に向けて剥離液を吐出するようにしている。
【００３３】
図１３の（ａ）は、レジストが除去される前の半導体用マスクを示す断面図であり、図１３の（ｂ）は、レジストが除去された後の半導体用マスクを示す断面図である。図１３の（ａ）に示すように、レジスト１４は、半導体用マスクの周辺部の上面に盛り上がり、下面にまで付着している。このような場合においても、図１３の（ｂ）に示すように、半導体用マスクの側面１０ｃの中央部よりも下側と、周辺部の下面１０ｄとから、レジスト１４を除去することができる。本実施形態においては、半導体用マスクの周縁から１．５ｍｍ以内、さらに望ましくは２ｍｍ以内において半導体用マスクの下面からレジストを除去するように、ヘッドが形成されている。
【００３４】
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。図１４は、本発明の第３の実施形態に係る薄膜除去装置において用いるヘッドと半導体用マスクを示す断面図である。本実施形態において使用するヘッド８１は、第２の実施形態におけるヘッド７１の入力口２と吐出孔３の位置を逆にしたものである。
【００３５】
剥離液は、入力口２から供給され、吐出孔３から吐出される。排出口６から減圧吸引すると、吐出孔３から吐出された剥離液は、導入溝４に沿って吸引孔５へと流れ、排出口６から排出される。この剥離液の流れによって、半導体用マスクの周辺部の下面１０ｄと、側面１０ｃの中央部よりも下側とに付着したレジストが溶解され、排出口６から排出される。ここでも、導入溝の深さは、１．５ｍｍ以内であることが望ましい。導入溝を浅くすることによって、剥離液が確実に半導体用マスクに接触し、剥離効率を上げることができる。
【００３６】
このように、本実施形態においては、剥離液が重力に抗して吸い上げられるので、導入溝を剥離液で満たし、確実に剥離液を基板に接触させることができる。
【００３７】
次に、本発明の第４の実施形態について説明する。図１５の（ａ）は、本発明の第４の実施形態に係る薄膜除去装置において用いる第１のヘッドと半導体用マスクを示す断面図であり、図１５の（ｂ）は、本発明の第４の実施形態に係る薄膜除去装置において用いる第２のヘッドと半導体用マスクを示す断面図である。本実施形態においては、第１のヘッド７１と第２のヘッド９１とを使用する。第１のヘッド７１は、第２の実施形態におけるヘッド７１と同様のものであり、第２のヘッド９１は、第１の実施形態におけるヘッド１の入力口２と吐出孔３の位置を逆にしたものである。
【００３８】
図１６の（ａ）は、レジストが除去される前の半導体用マスクを示す断面図であり、図１６の（ｂ）は、レジストが除去された後の半導体用マスクを示す断面図である。図１６の（ａ）に示すように、レジスト１４は、半導体用マスクの周辺部の上面で盛り上がり、下面にまで付着している。このような場合においても、第１のヘッド７１は、半導体用マスクの側面１０ｃの中央部から下側、及び、周辺部の下面１０ｄに付着しているレジストを除去できる。一方、第２のヘッド９１は、半導体用マスクの周辺部の上面１０ａ、斜面１０ｂ、及び、側面１０ｃの中央部から上側に付着しているレジストを除去できる。このように、２つのヘッドを組み合わせて用いることにより、本実施形態においては、半導体用マスクの下面にまで付着しているレジストを、半導体用マスクの周辺部から完全に除去することができる。
【００３９】
以上の実施形態においては基板が角型である場合について説明したが、基板が丸形であっても本発明を実現できる。基板が丸形である場合には、ヘッドを固定して基板を回転することによって、基板の円周部に付着した薄膜を除去することができる。
【００４０】
次に、本発明の第５の実施形態について説明する。図１７は、本発明の第５の実施形態に係る薄膜除去装置において用いるヘッドと基板を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’面における断面図である。本実施形態に係る薄膜除去装置は、レジスト等の薄膜が塗布された基板の角部から当該薄膜の一部を除去するのに適している。また、図１７に示すヘッドを、以上の実施形態において説明したヘッドと併せて用いることも可能である。
【００４１】
図１７（ａ）に示すように、基板１００において、直交する２つの側面の間の角部が面取りされており、この面取りされた部分にレジスト１４が付着している。このような部分に付着したレジストは剥離し難いので、特別なヘッドを用いて除去する必要がある。
【００４２】
ヘッド１０１は、基板１００の直交する２つの側面にそれぞれ対向する第１の側面１０１ａと第２の側面１０１ｂとを有している。ヘッド１０１の第１の側面１０１ａには、剥離液を吐出するための吐出孔１０３が形成され、第２の側面１０１ｂには、剥離液を吸引するための吸引孔１０５が形成されている。さらに、吐出孔１０３から吐出された剥離液を吸引孔１０５に導くための導入溝１０４が、第１の側面１０１ａと第２の側面１０１ｂとにまたがって形成されている。
【００４３】
図１７（ｂ）に示すように、ヘッド１０１は、基板１００の角部を囲むために上下に設けられた凸部１１１及び１１２を有している。ヘッド１０１を基板１００の角部に近接させ、吐出孔１０３から基板の１つの側面に剥離液を吐出させると共に、基板の他の側面から吸引孔１０５に剥離液を吸引することにより、凸部１１１及び１１２と基板１００の角部とによって囲まれた導入溝１０４に剥離液を流す。この剥離液は、レジスト１４を溶解し、吸引孔１０５から排出される。その結果、基板を汚染することなく、基板の角部からレジストを除去することができる。なお、本実施形態におけるヘッド１０１は、直線的に基板に近接して薄膜の除去を行うので、基板の周辺を相対的に移動する他のヘッドと協調して同時に薄膜の除去を行うことも可能である。
【００４４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、薄膜が塗布された基板の周辺部の上面、斜面、側面、下面、又は角部から、当該薄膜の一部を高精度かつ高品質に除去する薄膜除去装置を提供することができる。さらに、本発明によれば、基板を汚染するおそれがない薄膜除去装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る薄膜除去装置において用いるヘッドと半導体用マスクを示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る薄膜除去装置において用いるヘッドの斜視図である。
【図３】本発明の第１の実施形態において、レジストが除去された後の半導体用マスクを示す断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態において、ヘッドと基板とを相対的に移動させる移動機構を示す平面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態において、半導体用マスクを戴置したステージを示す正面図である。
【図６】本発明の第１の実施形態において、ヘッドと基板との間の距離を調節する機構を示す図である。
【図７】本発明の第１の実施形態において、ヘッドを洗浄する機構を示す図である。
【図８】本発明の第１の実施形態において、剥離液を供給及び回収するための循環系の構成例を示す図である。
【図９】本発明の第１の実施形態において、剥離液を供給及び回収するための循環系の別の構成例を示す図である。
【図１０】本発明の第１の実施形態において、剥離液を供給及び回収するための循環系のさらに別の構成例を示す図である。
【図１１】本発明の第２の実施形態に係る薄膜除去装置において用いるヘッドと半導体用マスクを示す断面図である。
【図１２】本発明の第２の実施形態に係る薄膜除去装置において用いるヘッドの斜視図である。
【図１３】本発明の第２の実施形態において、レジストが除去される前の半導体用マスクとレジストが除去された後の半導体用マスクとを比較するための断面図である。
【図１４】本発明の第３の実施形態に係る薄膜除去装置において使用するヘッドの縦断面図である。
【図１５】本発明の第４の実施形態に係る薄膜除去装置において用いる２種類のヘッドと半導体用マスクを示す断面図である。
【図１６】本発明の第４の実施形態において、レジストが除去される前の半導体用マスクとレジストが除去された後の半導体用マスクとを比較するための断面図である。
【図１７】本発明の第５の実施形態に係る薄膜除去装置において用いるヘッドと基板を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’面における断面図である。
【符号の説明】
１、７１、８１、９１、１０１  ヘッド
２  入力口
３、１０３  吐出口
４、１０４  導入溝
５、１０５  吸引口
６  排出口
１０  半導体用マスク
１２  石英基板
１３  クロム膜
１４  レジスト
２０  剥離液タンク
２１  加圧口
２２、２５  バルブ
２３  ニードルバルブ
２４  剥離液
２６  回収タンク
２７  真空ポンプ
２８  フロート式流量計
２９  電子式流量コントローラ
３０  アーム
３１  送りネジ
３２  モータ
３３  ステージ
３４  真空パッド
３５  パルスモータ
３６  ガイド
６１、６２  逆止弁
６３  ベローズポンプ
６４  ポンプ駆動モータ
１００  基板
１１１、１１２  凸部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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