(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化アルミニウムを含むセラミックス基体と発熱抵抗体とを有する被処理物保持体であって、
前記発熱抵抗体は、外部の給電用導電部材に接続するための端子部と前記端子部に電気的に接続された発熱部とを有し、前記発熱部および前記端子部は金属材料からなり、
被処理物を搭載する面における温度分布が±１％の範囲内であり、
前記セラミックス基体は前記発熱抵抗体を被覆する層を有し、前記発熱抵抗体を被覆する前記層には孔が設けられており、前記孔の底部において前記端子部の表面が露出しており、露出した前記端子部に前記給電用導電部材が電気的に接続されており、
前記端子部が、前記発熱部の幅以下の幅を有する構成および前記発熱部より抵抗の高い材質の少なくともいずれかの構成を有する、被処理物保持体。
【請求項２】
前記端子部の厚みが５μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の被処理物保持体。
【請求項３】
前記端子部の抵抗値が１×１０-4Ω以上であることを特徴とする、請求項１または２に記載の被処理物保持体。
【請求項４】
前記給電用導電部材は、電極と、前記電極に電気的に接続されたロッドおよび撚り線の少なくともいずれかとを含み、
前記端子部に前記電極を介して電気的に接続された前記ロッドおよび前記撚り線のいずれかにより前記端子部は系外と電気的に接続されることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の被処理物保持体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理物保持体に関し、より具体的には、半導体ウェハあるいは液晶用基板などの被処理物を搭載した状態で処理する被処理物保持体に埋設された発熱抵抗体に系外から電力を供給するための構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
被処理物（半導体ウェハや液晶用のガラス基板）の表面をエッチングしたり、その表面に膜を形成する際、複数のエッチング装置や成膜装置を並べて、それらの装置間をローダを用いて被処理物を自動送りで１枚ずつ処理する枚葉式が主流となっている。枚葉式の製造装置を用いる場合、ローダでエッチング装置や成膜装置のチャンバ内の保持体の上に被処理物を搬送し、その保持体に静電チャック電極で被処理物を固定した状態で、または保持体の被処理物搭載面の面精度を上げて被処理物を静置密着させた状態で、保持体に熱を直接与えて被処理物を均一に加熱する方法が採用されている。
【０００３】
したがって、被処理物保持体を構成する材料は、少なくとも被処理物に接する部分が、膜形成用の反応ガスやエッチングガスとしての腐食性の高いハロゲンガスなどのガスに対する耐食性を有する材料で構成される必要がある。さらに反応させる高温に耐える耐熱性も必要である。
【０００４】
半導体製造装置や液晶製造装置で要求される反応ガスやクリーニングに用いられるハロゲン系のガスに対する耐食性と、発熱体としての耐熱性、耐食性および耐久性との観点から金属や樹脂の保持体は使えないため、セラミックス製の保持体の実用化が進められている。このセラミックスの中でも酸化アルミニウムは作りやすく安価であるため、この酸化アルミニウム製の保持体が実用化されている。
【０００５】
しかし酸化アルミニウムの熱伝導率が３０Ｗ／ｍＫ程度と低いため、ウェハや液晶用基板の表面のエッチングや膜形成の際に、精度よく管理すべき温度がばらつき、それによって特性がばらついていた。
【０００６】
そこで、耐熱性、耐食性、絶縁性が高くかつ熱伝導率が高い窒化アルミニウム製の保持体が注目されている。
【０００７】
この窒化アルミニウム製の保持体は、窒化アルミニウム粉末からなる成形体の間にモリブデンなどの高融点金属のコイルやワイヤを挟み込んで、これらをホットプレス焼結することで、ヒータや静電チャック用電極の電気回路を埋設するように製造されていた。たとえばヒータ（発熱抵抗体）を埋め込んだ保持体として、発熱面でより均熱化を図るための埋設ヒータ構造が特許第２６０４９４４号に開示されている。また埋設したヒータに系外から電力を供給するための構造が、たとえば特許第２５１８９６２号に示されている。
【０００８】
図８は、特許第２５１８９６２号に示された電力供給構造を拡大して示す図である。図８を参照して、セラミックスヒータ１０１は、セラミックス基体１０２と、そのセラミックス基体１０２内に埋設されたスパイラル状の発熱抵抗体１０３ａと、発熱抵抗体１０３ａの端部に接続された柱状の端子１０３ｂとを有している。この端子１０３ｂは、発熱抵抗体１０３ａよりも太く、かつセラミックス基体１０２の内部からセラミックスヒータ１０１の背面側に延びている。これにより、セラミックスヒータ１０１の背面に端子１０３ｂの先端面が露出している。この露出した端子１０３ｂの表面に、高融点金属の粉末１０６を介して電極１０５が電気的に接続されている。
【０００９】
セラミックス中に埋設された発熱回路に電力を供給して発熱させるため、発熱回路に電力を供給する構造には、高い信頼性が必要とされる。そのため、特許第２６０４９４４号のような窒化アルミニウム製の保持体の場合、その発熱体の端部は特許第２５１８９６２号のように発熱抵抗体より太い端子とすることによって、接合面積を大きくして拡散接合したりねじ切りしたりして、端子１０３ｂへの電極１０５の接合が容易にされていた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許第２５１８９６２号に開示された構造を製造する場合には、予め発熱抵抗体１０３ａの先端に太い柱状の端子１０３ｂを取付けて、セラミックス成形体に埋設して焼結した後にセラミックス背面を研削することにより端子１０３ｂの先端面を露出させる必要があった。このため、端子１０３ｂを露出させるための工程が煩雑になるという問題があった。
【００１１】
また端子１０３ｂを発熱抵抗体１０３ａの径より太くするため、端子１０３ｂでの電気抵抗が小さくなり発熱量が小さくなってしまう。さらに、端子１０３ｂに接続される電極１０５などの電力供給系を通じて端子１０３ｂの熱が逃げてしまうという相乗効果があるため、端子１０３ｂにおける温度は極端に下がってしまう。このため、被処理物搭載面内における温度分布のばらつきが大きくなり、均熱性が低くなるという問題もあった。
【００１２】
それゆえ本発明の目的は、端子部を容易に形成することができ、かつ端子部での温度低下を防ぐことにより被処理物搭載面内において±１％以内の均熱性を実現でき、かつ耐熱性、耐食性、絶縁性および熱伝導率の高い被処理物保持体を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の被処理物保持体は、窒化アルミニウムを含むセラミックス基体と発熱抵抗体とを有する被処理物保持体であって、発熱抵抗体は外部の給電用導電部材に接続するための端子部とその端子部に電気的に接続された発熱部とを有し、発熱部および端子部は金属材料からなり、被処理物を搭載する面における温度分布（ばらつき）が±１％の範囲内であり、セラミックス基体は発熱抵抗体を被覆する層を有し、発熱抵抗体を被覆する層には孔が設けられており、その孔の底部において端子部の表面が露出しており、露出した端子部に給電用導電部材が電気的に接続されており、端子部が、発熱部の幅以下の幅を有する構成および発熱部より抵抗の高い材質の少なくともいずれかの構成を有することを特徴とするものである。
【００１４】
本発明者らは、上記目的の下に鋭意検討した結果、窒化アルミニウムがセラミックス基体に含まれかつ金属が発熱部と端子部とに含まれた被処理物保持体において、被処理物を搭載する面における温度分布を±１％以内に収めることのできる被処理物保持体を得ることができた。これにより、被処理物を均等に加熱することが可能となり、被処理物への成膜処理などの各種の処理を面内において均等に行なうことが可能となる。また、窒化アルミニウムをセラミックス基体に用いているため、耐熱性、耐食性、絶縁性および熱伝導率についても良好な特性を得ることができる。
【００１６】
また端子部がセラミックス基体の孔の底部において露出しているだけで、従来例のようにセラミックス基体表面まで引き延ばされてはいない。このため、端子部から発熱部への電流（または電圧）経路の径が給電用導電部材と端子部との接触面積に依存しない構成とすることができる。よって、給電用導電部材と端子部との接触面積に関係なく端子部の抵抗値を設定することができ、これにより均熱性を±１％以内にすることができる。
【００１８】
また端子部を発熱部の幅以下の幅を有する構成とすることにより、端子部の抵抗値を発熱部の抵抗値に対して高くすることができる。また端子部の材質を発熱部の抵抗より大きな材質を用いることにより端子部の抵抗を発熱部の抵抗よりも高くすることができる。これらの構成を適宜組合わせることにより、端子部の抵抗値が発熱部の抵抗値に対して適切な値となるように制御することができる。
【００１９】
上記の被処理物保持体において好ましくは、端子部の厚みが５μｍ以上１００μｍ以下である。
【００２０】
このように５μｍ以上１００μｍ以下の厚みの厚膜を、印刷などにより幅と厚みを制御して塗布して焼付けて発熱抵抗体を形成することにより、発熱部および端子部の双方の抵抗値の制御が非常に容易となる。たとえば発熱部と端子部における発熱量をシミュレーションして設計した太さ、形状に精度よく形成することが可能となる。場合によってはパターン化して電気抵抗制御することも非常に容易である。
【００２１】
端子部の厚みが５μｍ未満では端子部内の厚みのばらつきが大きくなり不均一発熱が生じ、１００μｍを超えると端子部の発熱量が小さくなり過ぎて熱補償が困難になる。
【００２２】
なお、端子部を抵抗の異なる厚膜で構成することによって端子部の抵抗を制御したり、端子部をパターン化して抵抗値を微妙に制御することによって端子部から逃げる熱を補償して、端子部に対応した位置の被処理物搭載面で温度が低下することを防いで均熱性を向上させることもできる。
【００２３】
上記の被処理物保持体において好ましくは、端子部の抵抗値が１×１０-4Ω以上である。
【００２４】
このように端子部の抵抗値を１×１０-4Ω以上にすることにより均熱性がさらに向上する。
【００２５】
上記の被処理物保持体において好ましくは、給電用導電部材は、電極と、その電極に電気的に接続されたロッドおよび撚り線の少なくともいずれかとを含んでいる。端子部に電極を介して電気的に接続されたロッドおよび撚り線のいずれかにより端子部は系外と電気的に接続される。
【００２６】
このように端子部から耐食性のロッドや撚り線で系外と電気的につなぐことによって、保持体に埋め込まれた発熱抵抗体に電力を供給して発熱させることができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
【００２８】
図１は、本発明の一実施の形態における被処理物保持体を備えた処理装置の構成を概略的に示す断面図である。図１を参照して、この処理装置は、被処理物保持体に対応するセラミックスモジュール１と、そのセラミックスモジュール１を内部に有するチャンバ４と、セラミックスモジュール１をチャンバ４に支持するための円筒状支持部（パイプ）６とを主に有している。
【００２９】
セラミックスモジュール１は、被処理物搭載面２ｄに被処理物１０を搭載して加熱するものであり、１対のセラミックス基体２ａ、２ｂと、発熱抵抗体３とを有している。１対のセラミックス基体２ａ、２ｂの各々は、窒化アルミニウムを含有する材質よりなっている。発熱抵抗体３は、１対のセラミックス基体２ａ、２ｂの間に挟み込まれており、たとえばタングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）のような高融点金属あるいは銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、白金−金（Ｐｔ−Ａｕ）などの金属を主成分として含有する材質よりなっている。
【００３０】
このように構成されるセラミックスモジュール１は、被処理物搭載面２ｄにおける加熱時の温度分布（温度のばらつき）が±１％の範囲内である。
【００３１】
発熱抵抗体３は、たとえば図２に示すように、たとえば円弧状に形成された発熱部３ｂと、その発熱部３ｂの両端部に配置された端子部３ａとを有している。この端子部３ａは、図３に示すように全面が金属材料で塗りつぶされたパターンであってもよく、図４に示すように発熱部３ｂの線幅Ｗ２と同等もしくはそれよりも細い線幅Ｗ１を有するパターンであってもよい。なお、図３における端子部３ａの線幅Ｗ０は発熱部３ｂの線幅Ｗ２よりも太い。
【００３２】
図１を参照して、セラミックスモジュール１の被処理物搭載面２ｄの裏面中央部には円筒状支持部６が接続されている。その円筒状支持部６内には、発熱抵抗体３の端子部３ａに電気的に接続された給電用導電部材７が配置されている。
【００３３】
図５は、給電用導電部材が発熱抵抗体に電気的に接続される構成を拡大して示す概略断面図である。図５を参照して、被処理物搭載面２ｄの裏面側に位置するセラミックス基体２ｂには孔２ｃが設けられており、この孔２ｃの底部において端子部３ａの表面の一部が露出している。この露出した端子部３ａの表面に、給電用導電部材に含まれる電極５が電気的に接続されている。
【００３４】
端子部３ａの厚みＴ１は、発熱部３ｂの厚みＴ２と同じ厚みであってもよいが、発熱部３ｂの厚みＴ２よりも厚くてもよく、端子部３ａの抵抗値により適宜選択され得る。また端子部３ａの厚みＴ１は５μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、端子部３ａの抵抗値は１×１０-4Ω以上であることが好ましい。
【００３５】
端子部３ａの発熱抵抗値が高くなるように、端子部３ａのパターンや厚みは制御される。たとえば、端子部３ａは、発熱部３ｂの厚みＴ２よりも厚い厚みＴ１を有する構成と、図４に示すように発熱部３ｂの線幅Ｗ２以下の線幅Ｗ１を有する構成とを組合わせた構成を有していてもよく、またそれぞれの構成を単独で有していてもよい。さらに端子部３ａの抵抗値を制御するために、端子部３ａは抵抗値の異なる材質を重ね塗りすることで形成されてもよいし、シミュレーションにて最適化した形状、たとえば楕円形状やスリットを入れた形状などにパターン化されてもよい。このように本実施の形態の構成では、電気抵抗値を変化させた端子部３ａを形成することは非常に容易である。
【００３６】
また端子部３ａの位置に対応する被処理物搭載面２ｄの温度低下を防ぐために、端子部３ａから系外へ通じる給電用導電部材７を通じて逃げる熱を補償する構成を採用することがより好ましい。そのため、端子部３ａでの抵抗値が１×１０-4Ω以上であることがより好ましい。
【００３７】
また図１に示す給電用導電部材７の構成は、図６に示すように電極５と、その電極５に接続されたロッド９ａとからなっていてもよく、また図７に示すように電極５と、その電極５に接続された撚り線９ｂとから構成されていてもよい。
【００３８】
この電極５はろう付けなどの手法で端子部３ａに接合されていてもよい。また、電極５を用いずに、ろう付けなどの手法で端子部３ａに直接、系外につながるロッド９ａや撚り線９ｂなどが接続されていてもよい。
【００３９】
また、発熱抵抗体３以外に、被処理物との間に静電力を発生させて被処理物を固定するために用いられる静電チャック用電極および／あるいはプラズマを発生させるために用いられるＲＦ電極が被処理物保持体に埋設されていてもよい。
【００４０】
なお、上記においては発熱抵抗体３が１対のセラミックス基体２ａ、２ｂに挟み込まれた構成について説明したが、発熱抵抗体３はセラミックス基体２ｂ以外の材質よりなる保護膜により被覆されていてもよい。このようにセラミックス基体２ｂの代わりに保護膜２ｂを用いた場合でも、この保護膜２ｂには抜きパターン２ｃが形成されており、その抜きパターン２ｃの底部から端子部３ａの表面が露出している必要がある。この被処理物保持体１は一般に室温〜１２００℃で用いられる。
【００４１】
次に、発熱抵抗体３を被処理物保持体１中に埋設する方法について説明する。発熱抵抗体３をセラミックス中に埋設する手法として、１つの方法では、まずタングステンやモリブデンのような高融点金属、銀−パラジウム、白金、白金−金などを主成分とする発熱抵抗体用の粉末に、焼成促進用の助剤を添加したものあるいは無添加のものが溶媒やバインダ中に分散された後にセラミックス焼結体２ａに塗布されて焼付けられる。このとき、発熱部３ｂと端子部３ａとは連続したパターンとして塗布されて、脱脂、焼付けを施される。発熱部３ｂと端子部３ａとが焼付けられた焼結体２ａ上に別のセラミックス焼結体２ｂが接合剤を塗布した状態あるいは塗布なしの状態で重ね合わされて加熱接合される。あるいは、発熱部３ｂと端子部３ａとが焼付けられた焼結体２ａの発熱部３ｂ上に耐食性の保護膜２ｂとしての厚膜が塗布されて焼付けられる。これにより、発熱抵抗体３が被処理物保持体１中に埋設された構成が得られる。
【００４２】
発熱部３ｂと端子部３ａとが焼付けられた焼結体２ａ上に別のセラミックス焼結体２ｂを重ね合わせて接合する場合、別の焼結体２ｂ側の端子部３ａに対応した位置に孔２ｃが設けられる。また、発熱部３ｂと端子部３ａとが焼付けられた焼結体２ａ上に保護膜２ｂを形成する場合、保護膜２ｂの端子部３ａに対応した位置が抜きパターン２ｃとされる。いずれの場合でも、非常に容易に孔２ｃもしくは抜きパターン２ｃから端子部３ａを表出させることが可能である。
【００４３】
発熱抵抗体３を被処理物保持体１中に埋設するもう１つの方法では、高融点金属粉末に焼成促進用の助剤を添加したものあるいは無添加のものが、溶媒やバインダ中に分散された後にセラミックス成形体２ａに塗布される。塗布されたセラミックス成形体２ａ上に別のセラミックス成形体２ｂが接合剤を塗布した状態あるいは塗布なしの状態で重ね合わされて同時焼成される。あるいはセラミックス成形体２ａ上に高融点金属層を塗布して同時焼成により焼付けた後に、耐食性の保護膜２ｂとしての厚膜が塗布されて焼付けられる。このとき、発熱抵抗体３の焼付けと保護膜２ｂの焼付け温度を同じになるように調整することで、発熱抵抗体３と保護膜２ｂとが同時に焼付けられてもよい。
【００４４】
セラミックス成形体２ａ、２ｂを重ね合わせて発熱抵抗体３を埋設して同時焼成する場合、発熱抵抗体３を塗布しない側の端子部３ａに対応する位置に孔２ｃを設けた後に重ね合わせが行なわれてもよく、あるいは重ね合わせてから端子部３ａに対応する位置に孔２ｃが開口されてもよい。焼結体２ｂを研削して孔２ｃをあけるのに比べると、セラミックス成形体は柔らかいので孔あけは非常に容易である。その際、端子部３ａを傷つけないようにするため、予め端子部３ａにたとえば円盤状の樹脂や硬質部材などを当てがって、セラミックス成形体２ａ，２ｂを接合した後に円盤を掘り出してから焼結を施すことが好ましい。
【００４５】
本実施の形態では、上述した構成を採ることにより、特許第２５１８９６２号の構造（図８）よりも格段に優れた均熱性（±１％以内）を実現することができる。以下そのことについて説明する。
【００４６】
特許第２５１８９６２号では、図８に示すように端子１０３ｂがセラミックス基体１０２の裏面にまで引き延ばされた構成を有し、その上で電極１０５と電気的に接続されている。このような構成では、電極１０５との接続を容易にするためにセラミックス基体１０２の裏面に露出する柱状の端子１０３ｂの露出面積を大きくする必要がある。柱状の端子１０３ｂの露出面積を大きくすると、必然的に端子１０３ｂの径が大きくなる。このため、電極１０５から発熱抵抗体１０３ａに向かう方向（矢印Ｂ方向）に直交する端子１０３ｂの断面積は大きくならざるを得ない。つまり、特許第２５１８９６２号の構造では、電流（または電圧）経路の径が電極１０５と端子１０３ｂとの接触面積により規定される構成であるため、電極１０５との接続を容易にするためには端子１０３ｂの径も大きくなり、端子１０３ｂでの発熱量が低下せざるを得ない。
【００４７】
これに対して本実施の形態の構成では、図５に示すように端子部３ａはセラミックス基体２ｂの孔２ｃの底部において露出しており、セラミックス基体２ｂの表面にまで延びてはいない。これにより電極５と接触する部分の端子部３ａの面積を大きくしても、その接触部から発熱部３ｂへ向かう方向（たとえば矢印Ａ方向）に直交する端子部３ａの断面積を小さくすることができる。つまり、本実施の形態では、端子部３ａの電流（または電圧）経路の径が電極５と端子部３ａとの接触面積で規定されない構成であるため、端子部３ａの抵抗値を電極５との接触面積と関係なく設定することができ、それにより均熱性を±１％以内にすることができる。
【００４８】
なお、本実施の形態の処理装置は、たとえば半導体ウェハや液晶用のガラス基板などの被処理物に、各種の処理を施すものである。ここで、各種の処理とは、たとえば、プラズマを用いたＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）、減圧下で行われるＣＶＤ、金属膜を形成するためのＣＶＤ、絶縁膜を形成するためのＣＶＤなどにより被処理物上に成膜を行なう処理や、イオン注入により被処理物中にイオンを注入する処理や、エッチングなどにより被処理物の特定の膜を除去もしくはパターニングする処理である。
【００４９】
【実施例】
以下、本発明の実施例について説明する。
【００５０】
（実施例１）
窒化アルミニウム粉末に焼結助剤としてイットリア（Ｙ2Ｏ3）を０．５質量％、バインダとしてポリビニルアルコールを添加してエタノールを溶媒としてボールミルによって分散混合した。この混合粉末をスプレードライ乾燥した後、焼結後の形状が直径３５０ｍｍφ、厚みが６ｍｍとなるようにプレス成形した。この成形体を温度８００℃の窒素ガス中で脱脂した後、温度１８００℃で６時間焼結することによって窒化アルミニウム焼結体を得た。得られた窒化アルミニウム焼結体の上下面をダイヤモンド砥粒によって６ｍｍまで研磨した。
【００５１】
この研磨面にタングステン粉末と焼成助剤とをエチルセルロースバインダにて混練したものを窒化アルミニウム焼結体の一方の表面上に印刷塗布した。これを渦巻状に窒化アルミニウム焼結体のほぼ全面にわたって焼結上がりで厚み２０μｍになるように形成した。発熱回路両端部にφ６ｍｍ端子もパターンに盛り込んで同時に印刷した。このようにして導電体の印刷パターンが形成された窒化アルミニウム焼結体を温度８００℃の窒素ガス中で脱脂した後、温度１７００℃の窒素ガス中で焼成した。このようにして導電層として発熱体回路パターンが形成された窒化アルミニウム焼結体を準備した。
【００５２】
窒化アルミニウム粉末とイットリア粉末０．５質量％と、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）粉末０．５質量％とをエチルセルロースバインダで混練したものを印刷塗布した。この窒化アルミニウム焼結体を温度９００℃で窒素中にて脱脂した後、温度１７５０℃の窒素ガス中で加熱することにより保護膜を形成した。このようにして被処理物保持体を製造した。パターンは全面ベタ（全面を金属材料で塗りつぶしたもの）で、端子部のみ抜きパターンとした。
【００５３】
端子部の電気抵抗は２×１０-3Ωであった。この端子部に系外に通じるロッドを接合した。７００℃において搭載面の端子部分に対応した位置での温度低下は少なく、搭載面全面で７００℃±０．４８％に収まった。
【００５４】
（実施例２）
実施例１と同様の製法で、端子部の電気抵抗値が１×１０-2Ωになるようなパターンにしてこの部分での発熱量を増やすようにした。
【００５５】
７００℃において端子部での温度低下はさらに減少し、搭載面全面で７００℃±０．４０％に収まった。
【００５６】
（比較例１）
窒化アルミニウム粉末に焼結助剤としてイットリアを０．５質量％、バインダとしてポリビニルアルコールを添加してエタノールを溶媒としてボールミルによって分散混合した。この混合粉末をスプレードライ乾燥した後に２枚のプレス成形を行なった。これにより、重ね合わせて焼結した後の形状が、直径３５０ｍｍφ、厚み２０ｍｍになる１対の成形体と、直径３５０ｍｍφ、厚み６ｍｍになる１対の成形体とを形成した。これらの成形体上に幅２．５ｍｍ、深さ２．５ｍｍの渦巻状の溝を彫り、成形体を温度８００℃の窒素ガス中で脱脂した。
【００５７】
成形体の溝内に、両端部にφ５×１０ｍｍの端子を有するモリブデン（Ｍｏ）コイル（コイル巻径φ４ｍｍ）を這わせた。その際、端子の一端が被処理物搭載面に対して垂直に裏面を向くように置いて、もう１枚の成形体を重ねた後、温度１８００℃で４時間、圧力９．８ＭＰａでホットプレス焼結することによって窒化アルミニウム焼結体を得た。得られた窒化アルミニウム焼結体の上下面をダイヤモンド砥粒によって研磨した。さらに裏面から削り込んでいき、モリブデン端子の端部を表出させた。端子部の電気抵抗値は３×１０-5Ωであった。
【００５８】
上記の表出した端子部に系外に通じるロッドを銀ろう付けした。
このロッドから電力を供給し７００℃まで昇温し、７００℃における搭載面温度分布を測定したところ、いずれも端子部に対応した裏側で温度低下が見られ、２０ｍｍ厚みの保持体の搭載面における均熱性は７００℃±１．２％となり、６ｍｍ厚みの保持体の搭載面における均熱性は７００℃±３．０％となった。
【００５９】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００６０】
【発明の効果】
本発明の被処理物保持体によれば、系外と電気的に接続するための端子部の形状を、端子部と系外の給電用導電部材との接触面積に関係なく端子部の抵抗値を設定できる形状としたことにより、窒化アルミニウムをセラミックス基体に用いかつ発熱部および端子部に高融点金属を含む被処理物保持体において、被処理物を搭載する面における温度分布を±１％以内にすることができ、均熱性の向上を図ることができる。また、窒化アルミニウムをセラミックス基体に用いているため、耐熱性、耐食性、絶縁性および熱伝導率についても良好な特性を得ることができる。これにより、被処理物を均等に加熱することが可能となり、被処理物に施す処理も均等に行なうことができる。
また端子部がセラミックス基体の孔の底部において露出しているだけで、従来例のようにセラミックス基体表面まで引き延ばされてはいない。このため、端子部から発熱部への電流（または電圧）経路の径が給電用導電部材と端子部との接触面積に依存しない構成とすることができる。よって、給電用導電部材と端子部との接触面積に関係なく端子部の抵抗値を設定することができ、これにより均熱性を±１％以内にすることができる。
また端子部を発熱部の幅以下の幅を有する構成とすることにより、端子部の抵抗値を発熱部の抵抗値に対して高くすることができる。また端子部の材質を発熱部の抵抗より大きな材質を用いることにより端子部の抵抗を発熱部の抵抗よりも高くすることができる。これらの構成を適宜組合わせることにより、端子部の抵抗値が発熱部の抵抗値に対して適切な値となるように制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の一実施の形態における被処理物保持体を備えた処理装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図２】  発熱抵抗体の平面パターンを示す図である。
【図３】  端子部の塗りつぶしパターンを説明するための図である。
【図４】  端子部の幅が発熱部の幅より小さいパターンを説明するための図である。
【図５】  発熱抵抗体の端子部に電極が接続された様子を拡大して示す断面図である。
【図６】  給電用導電部材にロッドを用いた構成を示す部分拡大図である。
【図７】  給電用導電部材に撚り線を用いた構成を示す部分拡大図である。
【図８】  特許第２５１８９６２号に示された端子と電極との接合の様子を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１  セラミックスモジュール（被処理物保持体）、２ａ  セラミックス基体、２ｂ  セラミックス基体または保護膜、２ｃ  孔、２ｄ  被処理物搭載面、３  発熱抵抗体、３ａ  端子部、３ｂ  発熱部、４  チャンバ、５  電極、６  円筒状支持部、７  給電用導電部材、９ａ  ロッド、９ｂ  撚り線。
【図１】
0004122723.tif 000002
【図２】
0004122723.tif 000003
【図３】
0004122723.tif 000004
【図４】
0004122723.tif 000005
【図５】
0004122723.tif 000006
【図６】
0004122723.tif 000007
【図７】
0004122723.tif 000008
【図８】
0004122723.tif 000009