(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（１１）の内表面に金属材料により複数のストライプ状補助電極（１２）を形成する補助電極形成工程（Ｓ１０、Ｓ２０）と、
低融点平坦化膜形成材料を前記各補助電極を埋め込むように前記基板の内表面に塗布して材料膜を形成する材料膜形成工程（Ｓ３０）と、
前記各補助電極の幅方向両側に溝状の間隙を形成するように前記材料膜をパターニング処理するパターニング処理工程（Ｓ４０）と、
このパターニング処理工程にてパターニング処理された前記材料膜を焼成により溶融して、前記各補助電極の先端面を露出させるように、前記各間隙を埋めるとともに前記低融点平坦化膜形成材料の一部を前記各補助電極に吸収させて各平坦化膜（１３）を形成する材料膜焼成工程（Ｓ５０）と、
前記各補助電極の先端面にその長手方向に沿いそれぞれストライプ状の主電極（１４）を形成する主電極形成工程（Ｓ６０、Ｓ７０）とを備える表示パネル用電極基板の製造方法。
【請求項２】
前記補助電極形成工程における前記金属材料として感光性銀ペーストを用い、前記材料膜形成工程における前記低融点平坦化膜形成材料として感光性鉛ガラスペーストを用いることを特徴とする請求項１に記載の表示パネル用電極基板の製造方法。
【請求項３】
基板（１１）の内表面に多孔質金属材料により複数のストライプ状補助電極（１２）を形成する補助電極形成工程（Ｓ１０、Ｓ２０）と、
低融点平坦化膜形成材料を前記各補助電極を埋め込むように前記基板の内表面に塗布して材料膜を形成する材料膜形成工程（Ｓ３０）と、
前記材料膜を焼成により溶融し、この溶融材料膜のうち前記各補助電極の先端面に対応する膜部分を当該各補助電極により吸収させて前記各先端面を露出させるように各平坦化膜（１３）を形成する材料膜焼成工程（Ｓ１００）と、
前記各補助電極の先端面にその長手方向に沿いそれぞれストライプ状の主電極（１４）を形成する主電極形成工程（Ｓ６０、Ｓ７０）とを備える表示パネル用電極基板の製造方法。
【請求項４】
前記補助電極形成工程における前記多孔質金属材料として感光性銀ペーストを用い、前記材料膜形成工程における前記低融点平坦化膜形成材料として鉛ガラスペーストを用いることを特徴とする請求項３に記載の表示パネル用電極基板の製造方法。
【請求項５】
前記材料膜焼成工程において、前記各平坦化膜の表面のうち前記各補助電極の幅方向両側部分（１３ａ）にてテーパ状に形成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一つに記載の表示パネル用電極基板の製造方法。
【請求項６】
前記材料膜焼成工程によって前記低融点平坦化膜形成材料の一部が前記各補助電極に吸収されることで当該各補助電極間に存在する前記各平坦化膜が前記基板側に向けて凹状態とされており、
前記材料膜焼成工程と前記主電極形成工程との間に、前記凹状態を無くすように、前記凹状態とされた前記各平坦化膜によって突き出した状態の前記各補助電極の頂部を含めて当該各補助電極及び前記各平坦化膜を研磨する研磨工程を備えることを特徴とする請求項３又は４に記載の表示パネル用電極基板の製造方法。
【請求項７】
基板（１１）と、
この基板の内表面に交互にストライプ状に複数ずつ形成した補助電極（１２）及び平坦化膜（１３）と、
前記各補助電極の先端面（１２ａ）にその長手方向に沿いそれぞれストライプ状に形成した主電極（１４）とを備える表示パネル用電極基板において、
前記各補助電極に前記平坦化膜を構成する材料が混在していることを特徴とする表示パネル用電極基板。
【請求項８】
前記各平坦化膜の表面のうち前記各補助電極の幅方向両側部分（１３ａ）がテーパ状に形成されていることを特徴とする請求項７に記載の表示パネル用電極基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶パネルやエレクトロルミネセンスパネル等の各種の表示パネル用電極基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、例えば、マトリクス駆動方式の透過型液晶パネルにおいては、従来の対角１０インチ乃至対角１３インチのノートパーソナルコンピュータからＣＲＴ代替え用対角１５インチ乃至対角２１インチの液晶パネルへの大型化に移行しつつある。さらに、対角２０インチ乃至対角４０インチの壁掛けテレビジョンへの期待も高まっている。
【０００３】
これらに伴い、液晶パネルの電極基板の複数の透明電極の各配線抵抗が増大し、この配線抵抗の増大が透明電極への印加電圧波形に鈍りを生じさせるという大きな問題が浮かび上がっている。この印加電圧波形の鈍りは、液晶パネルの表示画面上にて、クロストークを発生させたり、表示輝度のむらを招いて表示品位を著しく低下させる要因となっている。
【０００４】
例えば、対角１７インチ程度の大型の液晶パネルの場合、反強誘電性液晶を用いたものであれば、透明電極に要求される配線抵抗は、透明電極が、幅３００μｍ、長さ３００ｍｍ程度を有する場合、透明電極への印加電圧波形に鈍りを生じさせないようにするには、１００（Ω）程度と低い。
現在、最も低抵抗の透明電極（膜厚３００ｎｍ、シート抵抗４（Ω／□）でも、配線抵抗は３（ｋΩ）程度であって、到底上記要求を満たさない。
【０００５】
これに対し、透明電極の膜厚を厚くして配線抵抗を低くしようとしても、３０倍もの膜厚にする必要があり、実際上実現不可能である。
一方、補助電極を透明電極に用いた積み上げ補助電極構造の電極基板が提案されている。
この電極基板は、図７（ａ）乃至（ｆ）にて示すような各工程に従い形成される。
【０００６】
まず、ＩＴＯ成膜工程Ｓ１において、ガラス基板１に、透明電極の形成材料であるＩＴＯを３００（ｎｍ）にてスパッタリングにより成膜（図７（ａ）にて符号２参照）する。ついで、フォトパターニング工程Ｓ２において、ＩＴＯの成膜をフォトリソグラフィ法により複数条の透明電極２ａにパターニング処理する。
その後、金属成膜工程Ｓ３において、補助電極の形成材料である金属（Ｃｕ、Ａｌ等）をスパッタリングにより成膜（図７（ｃ）にて符号３参照）する。そして、この成膜３を、金属パターニング工程Ｓ４において、フォトリソグラフィ法により線幅５０（μｍ）程度の複数条の透明電極３ａにパターニング処理する。
【０００７】
ついで、絶縁膜成膜工程Ｓ５において、酸化タンタルをスパッタリングにより絶縁膜（図７（ｅ）にて符号４参照）として成膜した後、ポリイミドを絶縁膜４にオフセット印刷法により印刷して配向膜５を形成する。これにより、電極基板の形成が終了する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このように形成した積み上げ補助電極構造の電極基板においては、補助電極２ａが電極基板を透過する光を遮断するため、液晶パネルとしての透過率が低下してしまう。
例えば、透明電極を構成する３００×１００（μｍ）の画素に幅２０（μｍ）の補助電極を設けると、開口率は７５％に低下し、当該画素に幅６０（μｍ）の補助電極を設けると、開口率は５０％に低下する。なお、上記開口率は、光が有効に透過する場合、（光透過領域／画素領域）により定義される。
【０００９】
そこで、開口率を高く確保できる配線電極の幅２０（μｍ）にて液晶パネルを設計した場合、補助電極の材料として、最も低抵抗の金属の一つであるＣｕを用いても、補助電極の膜厚は４（μｍ）となってしまう。
液晶パネルの両電極基板の間隔は、ＳＴＮ方式やＴＦＴ型の液晶パネルでは、４乃至５（μｍ）であり、反強誘電性液晶や強誘電性液晶を用いた液晶パネルでは、２（μｍ）程度である。
【００１０】
従って、上述のような膜厚の厚い補助電極を設けることは、反強誘電性液晶や強誘電性液晶を用いた液晶パネルでは不可能であり、ＳＴＮ方式やＴＦＴ型の液晶パネルでも、補助電極と対向電極基板との間隔が狭く、両電極基板の配線短絡を招く。また、上述のように補助電極の膜厚を厚くすると、電極基板の内表面（配向膜）に段差が発生し、液晶の配向に乱れが生ずる。さらに、両電極基板の短絡防止のために設けた絶縁膜にまで段差が発生すると、逆に両電極基板の短絡を招く。
【００１１】
このようなことを考慮すると、補助電極の膜厚を、０．５μｍ程度に抑えることが必要である。この膜厚で、１００Ωを実現しようとすると、補助電極の幅が２００μｍとなり、開口率が２５％と大幅に低下してしまう。
以上のようなことに対し、特開平９−８９９１７号公報にて示すような電極基板のガラス基板の中に各補助電極を埋め込み、その上に各対応の透明電極を成膜する埋め込み電極構造を採用した電極基板が提案されている。
【００１２】
しかし、この埋め込み電極構造の電極基板は、補助電極を形成したガラス基板の表面と型板の表面との間に樹脂を介在させ、ガラス基板及び型板をローラにより加圧して電極基板と型板との密着させ、その後、樹脂を硬化させてから型板のみを剥離して形成される。
このため、このような形成過程において、樹脂が補助電極上に部分的にのり易く、その後成膜するＩＴＯと補助電極との接続が部分的に不良となる。従って、ＩＴＯ成膜からパターニング形成される透明電極の配線抵抗にむらを生じ、その結果、液晶パネルに表示むらを招くという不具合が生ずる。
【００１３】
そこで、本発明は、以上のようなことに対処するため、埋め込み補助電極構造の形成の仕方に工夫を凝らし、補助電極の厚さ、開口率及び透明電極の配線抵抗を適正に維持しつつ、透明電極と補助電極との良好な導電性を一様に確保するようにした表示パネル用電極基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記課題の解決にあたり、請求項１、２、５に記載の発明によれば、
補助電極形成工程（Ｓ１０、Ｓ２０）において、基板（１１）の内表面に金属材料により複数のストライプ状補助電極（１２）を形成し、材料膜形成工程（Ｓ３０）において、低融点平坦化膜形成材料を各補助電極を埋め込むように基板の内表面に塗布して材料膜を形成する。
【００１５】
そして、パターニング処理工程（Ｓ４０）において、各補助電極の幅方向両側に溝状の間隙を形成するように材料膜をパターニング処理し、材料膜焼成工程（Ｓ５０）において、パターニング処理工程にてパターニング処理された材料膜を焼成により溶融して、各補助電極の先端面を露出させるように、上記各間隙を埋めるとともに低融点平坦化膜形成材料の一部を各補助電極に吸収させて各平坦化膜（１３）を形成し、かつ、主電極形成工程（Ｓ６０、Ｓ７０）において、各補助電極の先端面にその長手方向に沿いそれぞれストライプ状の主電極（１４）を形成する。
【００１６】
これによれば、材料膜が、その焼成により溶融して、各補助電極の先端面を露出させるように、各補助電極の幅方向両側に形成した各溝状の間隙を埋めつつ平坦化されるので、その後にストライプ状の主電極を各補助電極の先端面にその長手方向に沿い形成しても、各主電極が各補助電極の先端面に直接一様に密着する。その結果、主電極と補助電極との間の導電性をその全体に亘り良好に確保できる。
【００１７】
ここで、請求項２に記載の発明のように、補助電極形成工程における金属材料として感光性銀ペーストを用い、材料膜形成工程における低融点平坦化膜形成材料として感光性鉛ガラスペーストを用いてもよい。
また、請求項３、４、５、６に記載の発明によれば、
補助電極形成工程（Ｓ１０、Ｓ２０）において、基板（１１）の内表面に多孔質金属材料により複数のストライプ状補助電極（１２）を形成し、材料膜形成工程（Ｓ３０）において、低融点平坦化膜形成材料を各補助電極を埋め込むように基板の内表面に塗布して材料膜を形成する。
【００１８】
そして、材料膜焼成工程（Ｓ１００）において、材料膜を焼成により溶融し、この溶融材料膜のうち各補助電極の先端面に対応する膜部分を当該各補助電極により吸収させて上記各先端面を露出させるように各平坦化膜（１３）を形成し、かつ、主電極形成工程（Ｓ６０、Ｓ７０）において、各補助電極の先端面にその長手方向に沿いそれぞれストライプ状の主電極（１４）を形成する。
【００１９】
これによれば、材料膜が、その焼成により溶融し、各補助電極の先端面に対応する膜部分にて当該各補助電極により吸収されて上記各先端面を露出させるように各平坦化膜（１３）として形成される。その結果、請求項１に記載の発明と実質的に同様の作用効果を達成できる。
ここで、請求項４に記載の発明のように、補助電極形成工程における多孔質金属材料として感光性銀ペーストを用い、材料膜形成工程における低融点平坦化膜形成材料として鉛ガラスペーストを用いてもよい。
【００２０】
また、請求項５に記載の発明によれば、材料膜焼成工程において、各平坦化膜の表面のうち各補助電極の幅方向両側部分（１３ａ）にてテーパ状に形成される。
これにより、各主電極の形成に先立ち、主電極形成材料を各補助電極及び各平坦化膜上に成膜しても、この成膜は、各平坦化膜のテーパ状幅方向両側部分及び各補助電極の先端面に亘り円滑になされる。従って、上記成膜の段切れの発生を確実に防止できる。
【００２１】
また、請求項６に記載の発明のように、材料膜焼成工程によって低融点平坦化膜形成材料の一部が各補助電極に吸収されることで当該各補助電極間に存在する各平坦化膜が前記基板側に向けて凹状態とされており、材料膜焼成工程と主電極形成工程との間に、上記凹状態を無くすように、当該凹状態とされた各平坦化膜によって突き出した状態の各補助電極の頂部を含めて当該各補助電極及び各平坦化膜を研磨する研磨工程を備えるようにしてもよい。
【００２２】
また、請求項７に記載の発明によれば、表示パネル用電極基板は、
基板（１１）の内表面に交互にストライプ状に複数ずつ形成した補助電極（１２）及び平坦化膜（１３）と、各補助電極の先端面（１２ａ）にその長手方向に沿いそれぞれストライプ状に形成した主電極（１４）とを備える。
ここで、各補助電極に前記平坦化膜を構成する材料が混在している。
【００２３】
これによっても、請求項１乃至５に記載の発明の作用効果を達成するに適した表示パネル用電極基板の提供が可能となる。
また、請求項８に記載の発明によれば、請求項７に記載の発明において、
各平坦化膜の表面のうち各補助電極の幅方向両側部分（１３ａ）がテーパ状に形成されている。
【００２４】
これにより、請求項７に記載の発明の作用効果を達成するに適した表示パネル用電極基板の提供が可能となる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の各実施形態を図面により説明する。
（第１実施形態）
図１は、本発明が表示パネルの一実施形態である液晶パネルに適用された例を示している。
【００２６】
この液晶パネルは、下側電極基板１０と、上側電極基板２０とを備えており、これら両電極基板１０、２０の間には、スメクチック液晶が、帯状シールを介して、複数のスペーサと共に設けられている。なお、下側電極基板１０は走査電極電極基板であり、上側電極基板２０は信号電極側電極基板である。
下側電極基板１０は、透明基板１１の内表面に複数の不透明のストライプ状補助電極１２、複数の透明のストライプ状平坦化膜１３、複数のストライプ状透明電極１４、透明の絶縁膜及び透明の配向膜を順次形成して構成されている。
【００２７】
ここで、透明基板１１は、ソーダライムガラス材料等からなる厚さ１ｍｍ程度のガラス板により形成されている。なお、このガラス板１１の両面は研磨により高い平行度を有していることが望ましい。
各補助電極１２及び各平坦化膜１３は、透明基板１１の内表面に、交互に、かつ互いに並行に形成されており、各補助電極１２は、図１にて例示するごとく、その先端面である露出面１２ａにて対応の透明電極１４の裏面と一様に密着している。これにより、各補助電極１２は、対応の透明電極１４の配線抵抗値を低下させる。本実施形態では、各補助電極１２の形成材料は、金属材料であって、低い抵抗値を有し、かつ、透明基板１１であるガラス板と良好な密着性を有することが望ましい。
【００２８】
各平坦化膜１３は、各補助電極１２の透明基板１１の内表面からの高さと同一の高さを有しており、これら各平坦化膜１３の形成材料としては、例えば、低融点の透明感光性鉛ガラスペースト等が用いられる。
各透明電極１４は、各対応の補助電極１２の露出面１２ａ上にその長手方向に沿い形成されている。なお、各透明電極１４の形成材料としてはＩＴＯやＺｎＯが採用できる。
【００２９】
一方、上側電極基板２０は、透明基板２１の内表面に複数のストライプ状透明電極２２、透明の絶縁膜及び配向膜を順次形成して構成されている。なお、複数条の透明電極２５は、複数条の透明電極１２に直角に延在するように配置され、スメクチック液晶と共に複数のマトリックス状画素を構成する。
次に、このように構成した液晶パネルのうちの下側電極基板１０の製造方法について図２を参照して説明する。
【００３０】
図２（ａ）は補助電極材料成膜工程Ｓ１０を示す。この工程では、感光性銀ペーストを、図２（ａ）にて符号ａにより示すごとく、透明基板１１の内表面全面に印刷法による塗布でもって銀ペースト膜として成膜する。この銀ペースト膜の膜厚は、この膜の本焼成後に各透明電極１４の配線抵抗を低減させるに要する膜厚、例えば、１０μｍ程度としてある。上記成膜後、当該銀ペースト膜ａを、温度８０℃にて、仮焼成して乾燥する。
【００３１】
本実施形態では、上記感光性銀ペーストは、６５重量％の無機成分、３４．５重量％の有機成分及び０．５重量％のＰｂＯ成分からなる。ここで、上記無機成分は、６０重量％の銀及び５重量％のＢｉ−Ｐｂ−Ｓｉ系ガラスからなる。また、上記無機成分は、アクリル系樹脂、モノマー、光開始剤及び有機溶剤からなる混合成分からなる。
【００３２】
ついで、補助電極形成工程Ｓ２０（図２（ｂ）参照）にて、銀ペースト膜ａをフォトリソグラフィ法により現像露光してパターニング処理した後、５７０℃にて本焼成し複数のストライプ状補助電極１２として形成する。なお、銀ペースト膜ａは本焼成により５μｍの膜厚まで収縮する。
次のガラスペースト成膜工程Ｓ３０（図２（ｃ）参照）においては、平坦化材料である透明感光性鉛ガラスペーストを、図２（ｃ）にて符号ｂにより示すごとく、透明基板１１の内表面にスクリーン印刷による塗布でもって、各補助電極１２よりも０．５μｍ乃至１μｍ程度厚くなるようにガラスペースト膜として成膜し、８０℃にて仮焼成する。
【００３３】
本実施形態では、上記透明感光性鉛ガラスペーストは、８０重量％の無機成分及び２０重量％の有機成分からなる。ここで、上記透明感光性鉛ガラスペーストにおいて、その無機成分はＢｉ−Ｚｎ−Ｂ−Ｓｉ系ガラス材料からなり、また、有機成分はセルロース系樹脂及び有機溶剤からなる。
次に、ガラスペースト膜パターニング工程Ｓ４０（図２（ｄ）参照）において、ガラスペースト膜ｂをフォトリソグラフィ法により現像露光してパターニング処理し、複数のストライプ状ガラスペースト膜部ｃとして形成する。このとき、ガラスペースト膜ｂのうち各補助電極１２の露出面１２ａ上の部分が当該露出面１２ａから一様に除去される。
【００３４】
但し、ここで、ガラスペースト膜ｂのパターニング処理は、補助電極１２の幅を考慮して、補助電極１２とガラスペースト膜部ｃとの各対向側面の間隙Ｇを、１０μｍ程度、溝状にとるようになされる。
その後、ガラスペースト膜部本焼成工程Ｓ５０（図２（ｅ）参照）において、各ガラスペースト膜部ｃを５５０℃にて本焼成する。この本焼成に伴い、各ガラスペースト膜部ｃが一旦溶融して流動して各間隙Ｇを埋め各平坦化膜１３として形成される。しかも、各間隙Ｇの幅は適正にしてあるから、各ガラスペースト膜部ｃは、その溶融流動によっては各間隙Ｇ内に入り込むのみで、各補助電極１２の露出面１２ａ上にまで流動することはない。また、各補助電極１２は感光性銀ペーストから形成されていて多孔質を有するから、各ガラスペースト膜部ｃが溶融することにより、各補助電極１２の内部にこのガラスペースト膜部ｃの一部が吸収される。
【００３５】
このとき、各平坦化膜１３は、その各間隙Ｇへの埋め込み部分の表面１３ａにて、ガラスペースト膜部の溶融に伴う表面張力によりテーパ状に形成されるとともに、各平坦化膜１３は、ガラスペースト膜部の溶融に伴うレベリング効果により、一様な表面を有するように平坦化され、各補助電極１２の膜厚よりも厚い膜厚を有している。なお、このようにガラスペースト膜部の溶融により各平坦化膜１３の平坦化されるので、研磨による平坦化が不要である。
【００３６】
ちなみに、上記透明感光性鉛ガラスペースト（Ｊ１３１２型）の温度に対する粘度特性について調べたところ、図３にて示すようなグラフＬが得られた。なお、図３のグラフにおいて縦軸は対数目盛りとなっている。
これによれば、上記透明感光性鉛ガラスペーストの粘度は４００℃乃至７００℃の温度範囲ではその上昇に伴い急激に低下している。従って、上述した本焼成温度５５０℃では、上記透明感光性鉛ガラスペーストの粘度は相当に低い値となっていることが分かる。よって、上述のように本焼成時において、各ガラスペースト膜部ｃがその溶融に伴う粘度の低下により容易に各間隙Ｇを埋め得ることが分かる。
【００３７】
また、上述のような各間隙Ｇの埋め込み効果は、補助電極１２の幅が狭い場合により一層発揮され得る。
以上のようにしてガラスペースト膜部本焼成工程Ｓ５０の処理を終了した後、透明電極材料成膜工程Ｓ６０（図２（ｆ）参照）において、ＩＴＯを各補助電極１２の露出面１２ａ及び各平坦化膜１３の表面にスパッタリング或いは印刷によりＩＴＯ膜ｄとして成膜し焼成する。
【００３８】
ここで、各平坦化膜１３は、上述のごとく、テーパ状表面１３ａを有するので、ＩＴＯは、各平坦化膜１３のテーパ状表面１３ａ及び各補助電極１２の露出面１２ａに亘り円滑に成膜される。従って、ＩＴＯ膜ｄの段切れの発生を確実に防止できる。
ついで、透明電極形成工程Ｓ７０（図２（ｇ）参照）において、ＩＴＯ膜ｄをフォトリソグラフィ法とドライエッチング法の組み合わせで複数のストライプ状透明電極１４を形成する。ここで、ウェットエッチング法を使用しないのは、ＩＴＯのエッチング液で鉛ガラスペーストが溶けるためである。
【００３９】
ここで、各平坦化膜１３の溶融流動は、上述のごとく、ガラスペースト膜部本焼成工程Ｓ５０での本焼成時において、各補助電極１２の露出面１２ａ上に至ることがないので、ＩＴＯ膜ｄは、各補助電極１２の露出面１２ａに一様に密着して形成される。従って、ＩＴＯ膜ｄから形成された各透明電極１４と各補助電極１２との間に邪魔物が介在する余地はなく各透明電極１４と各補助電極１２との間の導電性は良好に確保され得る。
【００４０】
なお、各透明電極１４は、その裏面にて、それぞれ、対応の各補助電極１２の露出面１２ａ全体を含みその両側の平坦化膜１３の各表面の一部に亘り覆うように形成される。
その後、絶縁膜形成工程Ｓ８０（図２（ｈ）参照）において、絶縁材料である酸化タンタルをスパッタリングにより各透明電極１４を介して各平坦化膜１３の表面１３ａに塗布して絶縁膜（図２（ｈ）にて符号ｅ参照）を形成する。
【００４１】
なお、酸化タンタルに代えて有機チタン系材料をゾルゲル法により各透明電極１４を介して各平坦化膜１３の表面１３ａに塗布して絶縁膜ｅを形成するようにしてもよい。
ついで、配向膜形成工程Ｓ９０（図２（ｉ）参照）において、配向膜材料（例えば、ポリイミド）を、絶縁膜ｅに配向膜（図２（ｈ）にて符号ｆ参照）として成膜する。
【００４２】
これにより、下側電極基板１０の製造が終了する。
また、この下側電極基板１０においては、各平坦化膜１３の間に補助電極１２を埋め込む構造となっているので、平坦化膜１３及び補助電極１２の高さを調整することで、透明電極１４の配線抵抗の低抵抗化を確保できるから、液晶パネルとしての表示領域の開口率の低下を招くこともない。
【００４３】
従って、補助電極１２の膜厚、開口率及び透明電極１４の配線抵抗を良好に維持しつつ、透明電極と補助電極との良好な接続を一様に確保するようにした下側電極基板１０の製造が可能となる。
また、当該下側電極基板１０をシール及びスペーサを介して上側電極基板２０に重ね合わせて液晶パネルとして構成しても、これら両電極基板１０、２０の間の間隔が一様となる。その結果、液晶パネルの表示むらの発生を良好に防止できる。
【００４４】
なお、上記第１実施形態においては、補助電極１２の形成材料として感光性銀ペーストを採用した例について説明したが、これに代えて、メッキ用銅等を補助電極１２の形成材料として採用してもよい。
また、上記第１実施形態では、ガラスペースト膜パターニング工程Ｓ４０において、ガラスペースト膜ｂのパターニング処理に伴い、ガラスペースト膜ｂのうち各補助電極１２の露出面１２ａ上の部分が当該露出面１２ａから一様に除去するようにしたが、これに代えて、ガラスペースト膜ｂのうち各補助電極１２の露出面１２ａ上の部分を当該露出面１２ａから除去することなく残存させて、その後のガラスペースト膜部本焼成工程Ｓ５０における本焼成時に、ガラスペースト膜ｂのうち各補助電極１２の露出面１２ａ上の部分をその溶融により各間隙Ｇ内に埋めるようにしてもよい。
（第２実施形態）
図４は、本発明の第２実施形態を示している。
【００４５】
この第２実施形態における液晶パネルの下側電極基板の製造工程は、上記第１実施形態にて述べた下側電極基板の製造工程において、ガラスペースト膜パターニング工程Ｓ４０及びガラスペースト膜部本焼成工程Ｓ５０に代えて、ガラスペースト膜本焼成工程Ｓ１００を採用した構成となっている。
その他の構成は、上記第１実施形態と同様である。
【００４６】
次に、本第２実施形態における液晶パネルの下側電極基板の製造方法につき図４に基づいて説明する。
上記第１実施形態にて述べたと同様にガラスペースト成膜工程Ｓ３０の処理を終了した後、ガラスペースト膜部本焼成工程Ｓ１００（図４（ｅ）参照）において、ガラスペースト膜ｂを５５０℃にて本焼成する。なお、本第２実施形態のガラスペーストは、感光性ではない鉛ガラスペーストよりなる。
【００４７】
この本焼成に伴い、ガラスペースト膜ｂが溶融し、この溶融したガラスペースト膜ｂは上記レベリング効果を発揮する。しかも、補助電極１２を形成する感光性銀ペーストは多孔質であるから、当該感光性銀ペーストは、スポンジのように、補助電極１２上の溶融したガラスペースト膜ｂの膜部分を吸収する。
このように、本焼成時に、溶融により急激に粘度を低下するというガラスペーストの特性及び各補助電極１２のガラスペーストを吸収するという感光性銀ペーストの多孔質という特性の相乗効果により、各補助電極１２の形成後にガラスペースト膜ｂを形成しても、各補助電極１２の露出面１２ａの露出を良好に確保できる。
【００４８】
これにより、上記第１実施形態にて述べたようなガラスペースト膜パターニング工程Ｓ４０の処理及びその後のガラスペースト膜部本焼成工程Ｓ５０の双方を行うことなく、上記第１実施形態と実質的に同様に、各平坦化膜１３の平坦化、各平坦化膜１３のテーパ状表面部分１３ａの形成及びその効果を達成できる。なお、ガラスペースト膜本焼成工程Ｓ１００の処理におけるガラスペーストの特性及び感光性銀ペーストによる上記相乗効果は、補助電極１２の幅が比較的広いときにより一層著しい。
（第３実施形態）
図５及び図６は、本発明の第３実施形態を示している。
【００４９】
この第３実施形態では、上記第１実施形態にて述べたと同様に補助電極材料成膜工程Ｓ１０及び補助電極形成工程Ｓ２０の処理をした後、ガラスペースト成膜工程Ｓ３０（５（ｃ）参照）において、平坦化材料（透明鉛ガラスペースト等）を、上記第１実施形態とは異なり、０．１乃至０．２μｍ程度銀ペーストより厚くなるようにガラスペースト膜ｂとして成膜し８０℃にて仮焼成する。なお、鉛ガラスの厚みは、本焼成後は、銀ペーストよりも薄くなる。
【００５０】
次に、ガラスペースト膜部本焼成工程Ｓ１１０（図５（ｄ）参照）にて、ガラスペースト膜ｂを５５０℃にて本焼成する。
ここで、この本焼成後、補助電極材料成膜工程Ｓ１０にて成膜した銀ペースト膜ａ上には、次の２つの効果により平坦化材料が存在しなくなっている。
１つは、本焼成時に溶融した鉛ガラスペーストのレベリング効果であり、もう１つは、銀ペースト膜ａは多孔質であるためこの銀ペースト膜ａがその上の鉛ガラスペーストをスポンジのように吸う効果である。
【００５１】
このように、多孔質の銀ペーストと本焼成時に急激に粘度が低下する平坦化材料を組み合わすことにより銀ペースト膜ａの成膜後に平坦化膜を形成しても容易に補助電極１２の頭だし（露出面１２ａの露出）が可能である。
上述のように、上記工程を使用すれば、図６にて示すように補助電極１２の頭がでた構造が完成する。この場合、平坦化膜１３である鉛ガラスペースト膜は、本焼成時に粘度が低下して図６にて詳細に示すように補助電極１２間で凹状態となる。
【００５２】
これに伴い、研磨工程Ｓ１２０（図５（ｅ）参照）において、補助電極１２間の凹状態を無くするため、ベルト研磨やテープ研磨等の定圧研磨を実施する。
ここで、銀ペーストと鉛ガラスペーストとは、硬度差において１０倍もあるため、通常、銀ペーストが早く削れて従来巧く研磨できなかった。しかし、本実施形態では、銀ペースト中に鉛ガラスが入っているため、実質的な硬度差が小さくなり均一に研磨できる。
【００５３】
また、銀の粒径は、３乃至５μｍ程度あり銀ペーストだけで研磨すると、銀粒がとれて研磨後の凹凸が３乃至５μｍもついてしまう。しかし、鉛ガラスペーストで銀粒を固定することで、凹凸３０ｎｍ程度を実現できる。これにより、補助電極１２を含む平坦化膜１３の平坦化を良好に実現できる。
次に、透明電極材料成膜工程Ｓ６０（図５（ｆ）参照）において、上記第１実施形態にて述べたと同様にＩＴＯをＩＴＯ膜ｄとして成膜した後、透明電極形成工程Ｓ７０（図５（ｇ）参照）において、ＩＴＯ膜ｄを複数のストライプ状透明電極１４にパターニング形成する。
【００５４】
ここで、透明電極１４の間隔が粗い場合（１００μｍ以上）は、印刷で直接電極を形成できるが、それよりも細かな場合には、フォトリソグラフィ法を用いる。この場合、ＩＴＯと鉛ガラスペーストが同じエッチング液で溶けるため、ウェットエッチング法は適さない。従って、ドライエッチング法或いはリフトオフ法を用いる。
【００５５】
また、ＩＴＯの代わりにＺｎＯを用いると、酢酸等の弱酸でエッチングできウェットエッチングも可能である。この際、図６の構造で形成される平坦化膜１３と補助電極１２との段差は０．５μｍ以下であり、これによって、透明電極１２の段切れを防止できる。
さらに、絶縁膜形成工程Ｓ８０（図５（ｈ）参照）において、上下両電極基板間の短絡防止を目的とした酸化タンタルをスパッタ成膜或いは有機チタン系材料をゾルゲル法により絶縁膜ｅとして成膜する。
【００５６】
さらに、配向膜形成工程Ｓ９０（図５（ｉ）参照）において、上記第１実施形態の場合と同様に配向膜ｆを印刷形成する。なお、この工法の場合、補助電極１２の形成材料として、銀ペーストに限ることなく、銅ペースト、アルミニウムペースト等の多孔質材料を用いてもよい。
なお、このように多孔質の銀ペーストに鉛ガラスペーストを溶け込むようにすることで、通常、鉛ガラスのような平坦化材料（その他アクリル樹脂等も有る）に異種材料である金属を埋め込んだ場合、その熱膨張係数の差により冷熱による剥離クラック発生等の問題がでることがある。しかし、本工法のように多孔質な銀ペーストに鉛ガラス等平坦化材料を溶かし込むことにより実質的な膨張係数の差が小さくなり上述の問題が発生しない。
【００５７】
なお、上記第２実施形態では、補助電極１２の形成材料として、感光性銀ペーストを採用した例について説明したが、これに代えて、銅ペーストやアルミニウムペースト等の多孔質材料を補助電極１２の形成材料として採用してもよい。
また、本発明の実施にあたり、平坦化膜１３の形成材料として、透明感光性鉛ガラスペーストを採用した例（第１実施形態）について説明したが、これに限ることなく、一般に、低融点ガラスペーストを平坦化膜１３の形成材料として採用すればよい。
【００５８】
また、本発明の実施にあたり、上記各実施形態にて述べた透過型液晶パネル用電極基板にに限ることなく、反射型液晶パネル用電極基板に本発明を適用してもよい。
また、本発明の実施にあたり、上記第１或いは第２の実施形態において、ＩＴＯ膜を形成する前に平坦度が要求される場合には、上記第３実施形態にて述べたような定圧研磨を実施してもよい。
【００５９】
また、ベルト研磨、テープ研磨の仕上げとして通常ガラスの研磨に使用されているオスカ研磨で仕上げると、表面粗さはガラス並みとなる。
また、本発明の実施にあたり、上記各実施形態にて述べたマトリクス駆動方式の液晶パネル用電極基板に限ることなく、各種駆動方式の液晶パネル用電極基板に本発明を適用して実施してもよい。
【００６０】
また、本発明の実施にあたり、液晶パネルの液晶は、スメクチック液晶に限ることなく、各種の液晶であってもよい。
また、本発明の実施にあたっては、液晶パネルに限ることなく、エレクトロルミネッセンスパネル等の各種の表示パネル用電極基板に本発明を適用して実施してもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る液晶パネルの一実施形態を示す平面図である。
【図２】（ａ）乃至（ｉ）は、上記液晶パネルの下側電極基板の製造方法を示す工程図である。
【図３】透明感光性鉛ガラスペーストの各ロットにおける粘度と温度との関係を示すグラフである。
【図４】本発明の第２実施形態を示す下側電極基板の製造工程図である。
【図５】本発明の第３実施形態を示す下側電極基板の製造工程図である。
【図６】図５（ｄ）にて示す下側電極基板の要部拡大断面図である。
【図７】（ａ）乃至（ｆ）は従来の電極基板の製造工程図である。
【符号の説明】
１１…透明基板、１２…補助電極、１２ａ…露出面、
１３…平坦化膜、１３ａ…平坦化膜のテーパ状表面部分、１４…透明電極、
Ｇ…間隙。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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