(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガスを生成するガス生成器と、上記ガス生成器から出力されるガスを供給すると共に互いに並列して設けられた複数のガス供給管からなるガス供給通路と、上記複数のガス供給管の夫々に設けられ上記各ガス供給管に流れるガスの流量を制御する複数のガス流量制御器と、上記ガス供給通路と並列して設けられ上記ガス生成器から出力されるガスを排出するガス排出通路と、上記ガス排出通路に設けられ上記ガス排出通路に流れるガスの圧力を制御する圧力制御器とを備えたガス供給システム。
【請求項２】
ガスを生成するガス生成器と、上記ガス生成器から出力されるガスを供給すると共に互いに並列して設けられた複数のガス供給管からなるガス供給通路と、上記複数のガス供給管の夫々に設けられ上記各ガス供給管に流れるガスの流量を制御する複数のガス流量制御器と、上記ガス生成器と上記複数のガス流量制御器との間のガス供給通路に設けられたバッファータンクと、上記ガス生成器と上記複数のガス流量制御器との間のガス供給通路に設けられ上記ガス供給通路に流れるガスの圧力を調整する圧力調整器とを備えたガス供給システム。
【請求項３】
圧力制御器は、ガス生成器内の圧力が一定になるようにガス排出通路に流れるガスの圧力を制御する請求項１記載のガス供給システム。
【請求項４】
圧力調整器は、ガス生成器内の圧力が一定になるようにガス供給通路に流れるガスの圧力を制御する請求項２記載のガス供給システム。
【請求項５】
ガス生成器内の圧力を測定する圧力計を設け、上記圧力計で測定された圧力値が所定圧力範囲から外れたときに異常対策を施す請求項１又は請求項２に記載のガス供給システム。
【請求項６】
複数のガス供給管が各々接続される複数の処理装置を備えた請求項１又は請求項２に記載のガス供給システム。
【請求項７】
複数のガス供給管に接続される１つの処理装置を備えた請求項１又は請求項２に記載のガス供給システム。
【請求項８】
各ガス供給管に、弁と、上記弁の開閉を制御する開閉制御器とを備えた請求項６又は請求項７に記載のガス供給システム。
【請求項９】
複数のガス供給管は、第１のガス流量のガスを供給する第１のガス供給管と、第１のガス流量とは異なる第２のガス流量のガスを供給する第２のガス供給管とを含んでいる請求項７記載のガス供給システム。
【請求項１０】
ガス生成器から出力されるガスを並列して設けられた複数のガス供給管からなるガス供給通路を介して供給するとともにガス排出通路を介して排出し、上記複数のガス供給管の流量を各々制御することでガスを供給すると共に、上記ガス排出通路に流れるガスの圧力を制御することで、上記ガス供給通路における上記ガス生成器側の圧力を制御するガス供給方法。
【請求項１１】
ガス生成器から出力されるガスを並列して設けられた複数のガス供給管からなるガス供給通路を介して、上記複数のガス供給管に流れるガス流量を各々制御して供給し、上記ガス供給通路に配置されたバッファータンクと圧力調整器とにより上記ガス供給通路に流れるガスの圧力を制御することで、上記ガス供給通路における上記ガス生成器側の圧力を制御するガス供給方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、オゾンガス、生成ガス、反応ガス等のガスを処理装置に供給するガス供給システム及びガス供給方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ガス供給システムは、一般に、オゾンガス、生成ガス、反応ガス等のガスを生成するガス生成器と、ガス生成器と処理装置とに接続されガス生成器から出力されるガスを処理装置まで導く配管と、この配管に設けられガス生成器から処理装置へ供給されるガスのガス流量を調整するガス流量制御部とから構成されている。
【０００３】
このようなガス供給システムは、例えば、ガス生成器で生成されるオゾンガスや反応ガスを、内部に半導体ウエハが収納された半導体処理装置に供給し、このオゾンガスや反応ガスにより半導体処理装置で半導体ウエハへの処理（成膜処理、ウエハ洗浄処理、レジスト剥離処理、エッチング処理等）がなされる半導体装置の製造工程等を含め、ガスを処理装置に供給する様々な分野で利用されている。
【０００４】
図１７は上記従来のガス供給システムである特開平８−１３３７０７号公報に記載されたガス供給システムを示す図である。詳細には、半導体ウエハ上にシリコン酸化膜を形成するため、オゾンガスをＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）成膜装置に供給するガス供給システムを示す図である。
【０００５】
図に示すように、配管１を介して原料ガスである酸素ガスが、配管２を介して原料ガスである窒素ガスが各々オゾン発生装置３に供給される。このとき、配管１に設けられた、ガス開閉弁１１、ガス減圧弁１２、マスフロー流量制御器（ＭＦＣ）１３により、配管１を流れる酸素ガスのガス流量が制御され、配管２に設けられた、ガス開閉弁２１、ガス減圧弁２２、マスフロー流量制御器（ＭＦＣ）２３により、配管２を流れる窒素ガスのガス流量が制御されるようになっている。
【０００６】
このオゾン発生装置３に供給される原料ガスは、オゾン発生装置３内に設けられた互いに対向する電極を有するオゾン発生器としてのオゾン発生器（セル）３１に供給されるが、供給される原料ガスは、圧力１気圧以上の酸素に窒素を含んだガスになるよう制御されて供給される。それととも、オゾン発生器３１の電極間に高周波高電圧電源（オゾナイザ電源）３２による高電圧を印加し、電極間に無声放電を発生させてオゾン発生器３１でオゾンガスを生成する。なお、オゾン生成時には、無声放電に伴なって放電熱が発生するため、冷却装置３３からの水によって電極セル自身を冷却し、この放電熱を冷却する。
【０００７】
このようにして生成されたオゾンガスは、ガスフィルター３４が設けられたガス出力管３５から出力され、ガス出力管３５に接続されたガス供給管４を介して半導体処理装置（被処理チャンバー）５に供給される。ガス供給管４にはマスフロー流量制御器（ＭＦＣ）４１が設けられており、これによりガス供給管４を流れるオゾンガスの流量が制御されるようになっている。
【０００８】
一方、半導体処理装置５に連通する配管６が配管２から分岐して設けられており、窒素ガスが配管６に設けられたマスフロー流量制御器（ＭＦＣ）６１を介してテトラエチルオルソシリケート（以下ＴＥＯＳと言う）供給器６２に供給される。そして、ＴＥＯＳ供給器６２で窒素ガスにより液体のＴＥＯＳが気化され、そのＴＥＯＳガスが被処理チャンバー５に供給される。
【０００９】
被処理チャンバー５内では、配管４を通して供給されるオゾンガスと配管６を通して供給されるＴＥＯＳガスとの化学反応により生成されたシリコン酸化膜が被処理チャンバー５内に配置された半導体ウエハ上に形成される。なお、被処理チャンバー５に残存するガス等は配管７に設けられている逆止弁７１、ガス分解処理装置（排オゾン処理装置）７２を介して排出される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
従来のガス供給システム及びガス供給方法では、上記のようにガス生成器３１で生成されたガスが、ガス生成器３１と処理装置５とを接続するガス供給管４を介して処理装置５に供給されるようになっている。そのため、処理装置５内へ供給するガスのガス流量を適正な値に制御すると、そのガス流量の制御は、ガス供給管４の処理装置５とは反対側に接続されているガス生成器３１内の圧力にも影響を与えてしまう。
【００１１】
ここで、ガス生成器３１で生成されるガスのガス量はガス生成器３１内の圧力に影響するため、処理装置５内へ供給するガスのガス流量の制御によりガス生成器３１内の圧力が影響を受けると、それに伴なってガス生成器３１内で生成されるガスのガス量も影響を受けてしまい、生成されるガス量を適切に制御できないという問題点があった。
【００１２】
特に、上記半導体装置の製造工程に利用されるガス供給システムの場合には、シリコン酸化膜の堆積量の管理や酸化膜の品質を高めるため、半導体処理装置５内を１〜数１００Ｔｏｒｒの範囲で一定の圧力に維持するとともに、供給するＴＥＯＳガスやオゾンガス量などをリアルタイム制御する必要がある。また、オゾン発生器３１内の圧力は、生成されるオゾンガスの生成量等を考慮して１気圧以上のガス圧になるよう制御する必要がある。そのため、半導体処理装置５へ供給するガス量の制御を優先させると、オゾン発生器３１内の圧力が適正なものとならず、オゾン発生性能が低下するなどの問題点があった。
【００１３】
また、ガス生成器内の圧力影響を抑制するため、ガス出力部にバルブを設けることが想定されるが、バルブを設けるだけでは、バルブの開閉度でガス流量を制御するとともに、ガス流量によって一定の圧損を持たせるように操作バルブを調整することが困難で十分な制御が行えないという問題点があった。
【００１４】
また、従来のガス供給システム及びガス供給方法では、接続される処理装置へ供給するガスのガス流量制御によりガス生成器内の圧力が影響されるので、接続される処理装置の数が多くなればなるほど、その影響も大きくなってしまう。よって、ガス生成器内の圧力影響を少なくするためには、１台のガス生成器に接続する処理装置を少なくする必要があり、１台のガス生成器に対して、複数個の処理装置を接続できないという問題点があった。
【００１５】
本発明は上記のような問題点を解決するためになされたもので、供給するガスのガス流量、ガス生成器で発生するガス量を適正なものにすることができるガス供給システム及びガス供給方法を提供するものである。
【００１６】
また、複数の処理装置に安定したガスを供給することができるガス供給システム及びガス供給方法を提供するものである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかるガス供給システムは、ガスを生成するガス生成器と、上記ガス生成器から出力されるガスを供給すると共に互いに並列して設けられた複数のガス供給管からなるガス供給通路と、上記複数のガス供給管の夫々に設けられ上記各ガス供給管に流れるガスの流量を制御する複数のガス流量制御器と、上記ガス供給通路と並列して設けられ上記ガス生成器から出力されるガスを排出するガス排出通路と、上記ガス排出通路に設けられ上記ガス排出通路に流れるガスの圧力を制御する圧力制御器とを備えている。
【００１８】
また、本発明にかかるガス供給システムは、ガスを生成するガス生成器と、上記ガス生成器から出力されるガスを供給すると共に互いに並列して設けられた複数のガス供給管からなるガス供給通路と、上記複数のガス供給管の夫々に設けられ上記各ガス供給管に流れるガスの流量を制御する複数のガス流量制御器と、上記ガス生成器と上記複数のガス流量制御器との間のガス供給通路に設けられたバッファータンクと、上記ガス生成器と上記複数のガス流量制御器との間のガス供給通路に設けられ上記ガス供給通路に流れるガスの圧力を調整する圧力調整器とを備えている。
【００１９】
また、圧力制御器が、ガス生成器内の圧力が一定になるようにガス排出通路に流れるガスの圧力を制御するようにしてもよい。
【００２０】
また、圧力調整器が、ガス生成器内の圧力が一定になるようにガス供給通路に流れるガスの圧力を制御するようにしてもよい。
【００２１】
また、ガス生成器内の圧力を測定する圧力計を設け、上記圧力計で測定された圧力値が所定圧力範囲から外れたときに異常対策を施すようにしてもよい。
【００２３】
また、複数のガス供給管が各々接続される複数の処理装置を備えてもよい。
【００２４】
また、各ガス供給管に、弁と、上記弁の開閉を制御する開閉制御器とを備えてもよい。
【００２５】
また、複数のガス供給管に接続される処理装置を備えてもよい。
【００２６】
また、複数のガス供給管が、第１のガス流量のガスを供給する第１のガス供給管と、第１のガス流量とは異なる第２のガス流量のガスを供給する第２のガス供給管とを含むようにしてもよい。
【００２７】
また、本発明にかかるガス供給方法は、ガス生成器から出力されるガスを並列して設けられた複数のガス供給管からなるガス供給通路を介して供給するとともにガス排出通路を介して排出し、上記複数のガス供給管の流量を各々制御することでガスを供給すると共に、上記ガス排出通路に流れるガスの圧力を制御することで、上記ガス供給通路における上記ガス生成器側の圧力を制御するものである。
【００２８】
また、本発明にかかるガス供給方法は、ガス生成器から出力されるガスを並列して設けられた複数のガス供給管からなるガス供給通路を介して、上記複数のガス供給管に流れるガス流量を各々制御して供給し、上記ガス供給通路に配置されたバッファータンクと圧力調整器とにより上記ガス供給通路に流れるガスの圧力を制御することで、上記ガス供給通路における上記ガス生成器側の圧力を制御するものである。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。なお、以下では、処理装置にオゾンガス、生成ガス、反応ガス等を供給し、これらのガスを用いて成膜処理やエッチング処理等の半導体ウエハの処理を施す半導体装置の製造工程におけるガス供給システム及びガス供給方法について説明する。
【００３１】
このように、以下の実施の形態では、上記半導体装置の製造工程について説明するが、本発明のガス供給システム及びガス供給方法は、この半導体装置の製造工程に限定されるものではなく、ウエハ洗浄処理やレジスト剥離処理等、他の半導体装置の製造工程におけるガス供給システム及びガス供給方法に適用してもよいし、また、他の様々な用途におけるガス供給システム及びガス供給方法に適用してもよい。
【００３２】
実施の形態１．
図１はこの実施の形態１の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【００３３】
図に示すように、ガス供給システムは、主に、原料ガスをガス生成器に供給する原料ガス供給部（配管１、２等）と、原料ガスに基づいてガスを生成するガス生成器（オゾン発生器３１等）と、ガス生成器から出力されるガスをガス供給口から供給するガス供給通路（配管４）と、処理装置としての半導体処理装置５と、ＴＥＯＳガスを生成し供給するＴＥＯＳガス供給部（配管６、ＴＥＯＳ供給器６２）と、ガス供給通路と並列して設けられガス生成器から出力されるガスをガス排出口から排出するガス排出通路を含むガス排出部（配管７，８等）とで構成されている。
【００３４】
原料ガス供給部は、一端がオゾン発生装置３に接続され原料としての酸素ガスをオゾン発生装置３に供給する配管１と、一端がオゾン発生装置３に接続され原料としての窒素ガスをオゾン発生装置３に供給する配管２とで構成されており、配管１、２には、図１７と同様に、ガス開閉弁１１、２１、ガス減圧弁１２、２２、ガスの流量を制御するマスフロー流量制御器（ＭＦＣ）１３、２３が各々設けられており、各配管から供給される原料ガスの流量等が調整できるようになっている。
【００３５】
ガス生成器は、図１７と同様に、オゾン発生装置３内に設けられ、互いに対向する電極からなるオゾン発生器（セル）３１と、オゾン発生器３１の電極に高電圧を印加する高周波高電圧電源（オゾナイザ電源）３２と、オゾン発生器３１を冷却する冷却装置３３と、ガスフィルター３４が設けられたガス出力管３５とで構成されている。
【００３６】
また、オゾン発生装置３内には、ガス出力管３５に一端が接続され、オゾン発生器３１から出力されるオゾンガスをガス供給口から供給するガス供給通路としての配管４（その一部又は全て）が設けられている。このガス供給通路（配管４）には、図１７と同様に、ガス供給通路に流れるガスの流量を制御するガス流量制御器としてのマスフロー流量制御器（ＭＦＣ）４１が設けられている。
【００３７】
それに加えて、オゾン発生装置３内には、ガス供給通路４と並列して設けられガス生成器から出力されるガスをガス排出口から排出するガス排出通路としてのガス排出管８（その一部又は全て）が設けられている。ガス排出通路（ガス排出管８）には、ガス排出管８に流れるガスの圧力を制御することでガス生成器３１のガス圧力を自動的に一定値に制御する圧力制御器としての自動圧力制御器（ＡＰＣ）８１と、逆止弁８２とが設けられている。
【００３８】
すなわち、ＡＰＣ８１、逆止弁８２はガス供給通路のオゾンガス流量を制御するＭＦＣ４１と並列に接続配管され、ＡＰＣ８１から排出されるオゾンガスはガス分解処理装置（排オゾン処理装置）７２にバイパス配管されている。
【００３９】
ＴＥＯＳガス供給部は、図１７と同様に、配管２から分岐して半導体処理装置５に接続される配管６と、配管６に設けられたマスフロー流量制御器（ＭＦＣ）６１、ＴＥＯＳ供給器６２とで構成されている。
【００４０】
半導体処理装置５は、ガス生成器から出力されるガス及びＴＥＯＳガス供給部から供給されるＴＥＯＳガスに基づいて半導体ウエハに半導体処理を施す処理装置（被処理チャンバー）である。
【００４１】
なお、この半導体処理としては、例えば、供給されるオゾンガスとＴＥＯＳガスとの化学反応によりシリコン酸化膜を生成し半導体ウエハ上にこのシリコン酸化膜を形成する成膜処理等があげられるが、半導体処理は成膜処理に限定するものではなく、供給されるガスに基づく処理であればよく、エッチング処理、ウエハ洗浄処理、レジスト剥離処理等他の処理であってもよい。
【００４２】
ガス排出部は、ガス供給通路４と並列して設けられガス生成器から出力されるガスをガス排出口から排出するガス排出通路（ガス排出管８）と、半導体処理装置５から排出されるガスをガス分解処理装置（排オゾン処理装置）７２に排出する配管７等で構成されている。なお、半導体処理装置５に残存するガスは配管７に設けられている逆止弁７１、排オゾン処理装置７２を介して排出される。
【００４３】
次に動作について説明する。
配管１を介して酸素が、配管２を介して窒素が各々オゾン発生装置３に供給され、オゾン発生装置３のオゾン発生器３１で、供給された原料ガス（酸素、窒素）に基づいてオゾンガスが生成される。
【００４４】
生成されたオゾンガスはガス出力管３５から出力されるが、このオゾンガスは、ＭＦＣ４１が設けられたガス供給管４を介して半導体処理装置５に供給されるとともに、ＡＰＣ８１が設けられたガス排出管８を介して排オゾン処理装置７２に排出される。
【００４５】
半導体処理装置５に供給されるオゾンガスは、適切なガス流量になるよう、ＭＦＣ４１でそのガス流量が制御される。ここでは、配管６を介して供給されるＴＥＯＳガスとともに、オゾン処理によるウエハ表面の酸化膜形成などの半導体処理が適切になるように、供給するガス流量を制御する。
【００４６】
一方、ＭＦＣ４１の制御により配管４の流量を制御すると、配管４のオゾン発生器３１側の圧力が影響を受けることになるが、この実施の形態では、この配管４と並列にガス排出管８が配管しているので、このガス排出管８の圧力をＡＰＣ８１で制御することで、配管４のオゾン発生器３１側の圧力を適正な値に制御することができる。そのため、ＭＦＣ４１で配管４の流量を制御しても、その影響分をガス排出管８のＡＰＣ８１を制御することで解消できるので、オゾン発生器３１内の圧力に与える影響を少なくすることができる。
【００４７】
すなわち、ＭＦＣ４１の制御によって、半導体処理装置５に供給するオゾンガスの量を増やす場合には、ＡＰＣ８１から排出されるオゾンガスの量が少なくなるようＡＰＣ８１が自動的に閉まるように制御すればよい。また逆に、ＭＦＣ４１の制御によって、半導体処理装置５に供給するオゾンガスの量を減らす場合には、ＡＰＣ８１から排出されるオゾンガスの量が多くなるようＡＰＣ８１が自動的に開くように制御すればよい。このように制御することで、オゾン発生器３１内の圧力を一定に保つことができる。
【００４８】
この実施の形態１では、ガス生成器から出力されるガスを供給するガス供給通路と並列して設けられ上記ガス生成器から出力されるガスを排出するガス排出通路と、上記ガス排出通路に設けられ上記ガス排出通路に流れるガスの圧力を制御する圧力制御器とを備えているので、ガス排出通路に流れるガスの圧力制御を行うことで、ガス供給通路のガス生成器側の圧力を制御することができる。その結果、ガス供給通路のガス生成器側に圧力変化が生じても、その圧力の影響を圧力制御器の制御で解消させることができ、ガス供給通路を介して供給するガスのガス流量と、ガス生成器内の圧力とを適切な値に制御することができる。
【００４９】
また、圧力制御器の制御により、ガス供給通路に流れるガス流量の変動にかかわらず、ガス生成器内の圧力が一定になるよう制御することができるので、ガス生成器で安定したガスを発生させることができる。
【００５０】
この実施の形態では、ガス流量制御にマスフローを用いたが、ガス流量制御器（ＦＣ）でガス量を調整してもよい。また、オゾンガスの出力制御について説明したが、他の生成もしくは反応ガスを出力する制御方式においても同様の効果がある。
【００５１】
実施の形態２.
実施の形態１のガス供給システムでは、１つのガス生成器に対して１つの処理装置を接続しているが、この実施の形態２のガス供給システムは、１つのガス生成器に対して複数の処理装置を接続したものである。
【００５２】
図２はこの実施の形態２の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。図に示すように、１つのガス生成器（オゾン発生器３１）に、複数の半導体処理装置５０１〜５０３が接続されている。
【００５３】
詳細には、オゾン発生器３１で生成されるガスが出力されるガス出力管３５に連通し互いに並列に配置される各ガス供給管４０１〜４０３と各半導体処理装置５０１〜５０３とを各々接続し、このガス供給管４０１〜４０３を介して各半導体処理装置５０１〜５０３にオゾン発生器３１で生成されるオゾンガスを各々供給する。もちろん、各ガス供給管４０１〜４０３には、マスフロー流量制御器（ＭＦＣ）４１１〜４１３が設けられており、各ガス供給管４０１〜４０３のガスのガス流量が制御できるようになっている。
【００５４】
それに加え、配管２から分岐して半導体処理装置５にＴＥＯＳガスを供給する配管も、各半導体処理装置５０１〜５０３に対応させて複数の配管６０１〜６０３にし、この配管６０１〜６０３を介して各半導体処理装置５０１〜５０３にＴＥＯＳガスを各々供給する。また、各配管６０１〜６０３には、マスフロー流量制御器（ＭＦＣ）６１１〜６１３、ＴＥＯＳ供給器６２１〜６２３が各々設けられている。
【００５５】
なお、オゾン発生器３１から出力されるオゾンガスをガス供給通路４０１〜４０３を介して各半導体処理装置５０１〜５０３に供給するとともに、このガス供給通路４０１〜４０３と並列して設けられガス生成器３１から出力されるガスをガス排出口から排出するガス排出通路としてのＡＰＣ８１を有するガス排出管８が設けられていることも含め、他は実施の形態１と同様である。
【００５６】
このように構成することで、各半導体処理装置５０１〜５０３に供給されるオゾンガスのガス流量が各ＭＦＣ４１１〜４１３で、供給されるＴＥＯＳガスのガス流量が各ＭＦＣ６１１〜６１３で適切な値に制御される。
【００５７】
実施の形態１の場合と同様に、このＭＦＣ４１１〜４１３の制御に伴なって、配管４０１〜４０３のオゾン発生器３１側の圧力が影響を受けることになるが、配管４０１〜４０３に連通しているガス排出管８の圧力をＡＰＣ８１で制御することで、配管４０１〜４０３のオゾン発生器３１側の圧力を適正な値に制御することができる。よって、ＭＦＣ４１１〜４１３で配管４０１〜４０３の流量を制御しても、その影響分をガス排出管８のＡＰＣ８１を制御することで解消できるので、オゾン発生器３１内の圧力に与える影響を少なくすることができる。
【００５８】
この実施の形態２では、ガス排出通路に流れるガスの圧力を圧力制御器で制御することで、ガス供給通路におけるガス生成器側の圧力を調整することができるので、１台のガス生成器から複数の半導体処理装置に各々適切な流量のガスを供給できるとともに、ガス生成器で適切な量のガスが生成できるよう制御することができる。その結果、１台のガス生成器のガス発生容量をアップするのみで複数の半導体処理装置にガスを安定的に供給することができ、安価でコンパクトなシステムを提供できる。
【００５９】
実施の形態３．
この実施の形態３のガス供給システムは、実施の形態２のガス供給システムの各ガス供給管に弁を設けたもので、処理装置へのガス供給の有無を各処理装置毎に独立に制御するものである。
【００６０】
図３はこの実施の形態３の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。図に示すように、図２に示したガス供給システムに加えて、半導体処理装置５０１〜５０３にガスを供給する各々のガス供給管４０１〜４０３に空圧弁（弁及び弁の開閉を制御する開閉制御器を含む）４２１〜４２３を設けている。ここでは、空圧によって弁の開閉を制御する空圧弁を用いているが、これは特に限定するものではなく電磁弁等の他の手法で動作する弁を用いてもよい。
【００６１】
このように各ガス供給管４０１〜４０３に空圧弁４２１〜４２３を設けることで、同一のガス生成器３１で生成されるガスを、複数の半導体処理装置５０１〜５０３に供給できるとともに、ガスの供給が不要な半導体処理装置に対しては、その半導体処理装置へガスを供給するガス供給管の弁を閉じるだけでその供給を停止させることができ、ある半導体処理装置へのガスの供給を継続させながら、他の半導体処理装置へのガスの供給を停止させることができる。よって、複数の半導体処理装置での処理を独立して行わせることができ、ガス供給を効率よく運用することができる。
【００６２】
実施の形態４．
実施の形態１〜３のガス供給システムでは、１つの半導体処理装置に対してのガスの供給は、１つのガス供給配管を介して行うようにしているが、この実施の形態４のガス供給システムは、１つの半導体処理装置に対してのガスの供給を複数のガス供給管を介して行うようにし、これら各ガス供給管の流量並びにこれら各ガス供給管からのガス供給の有無を各々独立に制御するようにしたものである。
【００６３】
図４はこの実施の形態４の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。図に示すように、オゾン発生装置３内には、ガス出力管３５に接続され、ガス供給口からガスを半導体処理装置５に供給する互いに並列に配管されたガス供給通路としての配管４０４と配管４０５とが設けられている。
【００６４】
これらの配管４０４、４０５には、各々ガス供給通路に流れるガスの流量を制御するガス流量制御器としてのマスフロー流量制御器（ＭＦＣ）４１４、４１５と、空圧によって弁の開閉を制御する空圧弁４２４、４２５が設けられている。ここでは、空圧によって弁の開閉を制御する空圧弁を用いているが、これは特に限定するものではなく電磁弁等の他の手法で動作する弁を用いてもよい。
【００６５】
なお、オゾン発生器３１から出力されるオゾンガスをガス供給通路４０４、４０５を介して半導体処理装置５に供給するとともに、このガス供給通路４０４、４０５と並列して設けられガス生成器３１から出力されるガスをガス排出口から排出するガス排出通路としてのＡＰＣ８１を有するガス排出管８が設けられていることも含め、他は実施の形態１と同様である。
【００６６】
このように構成することで、各ガス供給管４０４、４０５の流量を各々独立に制御するとともに弁４２４、４２５を制御することで、適切なガス流量のガスが瞬時に得られるように制御することができる。すなわち、ＭＦＣ４１４、４１５を制御することで、配管４０４、４０５から供給されるガスのガス流量を各々独立に制御することができ、さらに、空圧弁４２４、４２５の開閉を制御することで、配管４０４からガスを供給するのか、逆に、配管４０５からガスを供給するのかを制御することができ、時分割的にオゾンガスを半導体処理装置５に供給することができる。
【００６７】
以下、上記時分割的にオゾンガスを半導体処理装置５に供給する手法を説明する。
例えば、半導体処理装置５内で、半導体ウエハ表面にシリコン酸化膜を形成する工程は、半導体ウエハ表面へのシリコン酸化膜の堆積を促進させる工程（デポジッション工程）と、半導体ウエハ表面に堆積したシリコン酸化膜の絶縁性能等の品質を向上させる工程（アニーリング工程）と、成膜した半導体ウエハを取り出す工程（搬送工程）との３つに大別される。
【００６８】
これら３つの工程では、各処理で必要なガス量が異なっており、デポジッション工程では大量のオゾンガスが、アニーリング工程では少量のオゾンガスが必要である。また、処理が施された半導体ウエハと未処理の半導体ウエハとの交換を行うために、搬送工程ではオゾンガスの供給を停止してキャリアガスを供給する必要がある。このような３工程は、生産工程を高めるために、そのスループットを向上させる必要があり、適時、適量のガスを半導体処理装置５内に供給する必要がある。
【００６９】
図５は図４に示したガス供給システムにおいて、上記３つの工程を含む半導体処理を行う場合の、空圧弁の動作、半導体処理装置へのオゾンガスの供給量の関係を示すタイムチャートである。なお、半導体処理装置へのオゾンガス以外の薬品やガスの関係については省略する。
【００７０】
予め、配管４０４からデポジッション工程に対応したオゾンガス量が供給できるよう、配管４０４のガス流量をＭＦＣ４１４で設定しておく。一方、配管４０５からアニーリング工程に対応したオゾンガス量が供給できるよう、配管４０５のガス流量をＭＦＣ４１５で設定しておく。
【００７１】
例えば、オゾン発生器３１から出力されるオゾン濃度が、１５０ｇ／Ｎｍ３である場合には、半導体処理装置５に１２．５ｍｇ／ｓの大量のオゾンガスが供給できるように、ＭＦＣ４１４で配管４０４の流量を５０００ｃｃ／ｍｉｎに設定し、又、半導体処理装置５に１.２５ｍｇ／ｓの少量のオゾンガスが供給できるように、ＭＦＣ４１５で配管４０５の流量を５００ｃｃ／ｍｉｎに設定すればよい。
【００７２】
このように、２つのＭＦＣ４１４、４１５を予め設定した状態で、空圧弁４２４、４２５の開閉を制御するようにすれば、弁が開状態にある配管から、適切なガス量のオゾンガスが供給されるので、上記成膜工程の３工程をスムーズに実現できる。
【００７３】
つまり、デポジッション工程時には、空圧弁４２４を開状態に、空圧弁４２５を閉状態にすることで、配管４０４からデポジッション工程に対応したガス流量５０００ｃｃ／ｓのオゾンガスが半導体処理装置５に供給され、アニーリング処理工程時には、空圧弁４２４を閉状態にし、空圧弁４２５を開状態にすることで、配管４０５からアニーリング工程に対応したガス流量５００ｃｃ／ｓのオゾンガスが半導体処理装置５に供給される。さらに、搬送工程には、両空圧弁４２４、４２５を閉状態にして半導体処理装置５へのオゾンガスの供給を停止させ、この停止時に、別途キャリアガスの供給によるガス交換を行い半導体ウエハの交換を行うようにする。
【００７４】
この実施の形態４では、１つの半導体処理装置に対してのガスの供給を複数のガス供給管を介して行うようにし、これら各ガス供給管の流量を各々独立に制御するとともに、どのガス供給管からガスを供給させるかを制御するようにしているので、１つの処理装置に異なるガス流量のガスを供給することができ、さらに、弁の開閉を制御することで、異なるガス流量に瞬時に切り換えることができるので、例えば半導体処理のスループットを向上させることができる。
【００７５】
また、この実施の形態では、実施の形態１のように半導体処理装置が１つの場合について説明したが、これは特に限定するものではなく、実施の形態２、３のように複数の半導体処理装置のものに適用してもよい。
【００７６】
実施の形態５.
実施の形態１のガス供給システムは、ガス排出通路に流れるガスの圧力制御を行うことで、ガス供給通路のガス生成器側の圧力を制御するようにしているが、この実施の形態５では、ガス供給通路にバッファータンクと圧力調整器とを設け、これらによりガス供給通路のガス生成器側の圧力を制御するものである。
【００７７】
図６はこの実施の形態５の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【００７８】
図に示すように、ガス供給システムは、主に、原料ガスをガス生成器に供給する原料ガス供給部（配管１、２等）と、原料ガスに基づいてガスを生成するガス生成器（オゾン発生器３１等）と、ガス生成器から出力されるガスをガス供給口から供給するガス供給通路（配管４）と、処理装置としての半導体処理装置５と、ＴＥＯＳガスを生成し供給するＴＥＯＳガス供給部（配管６、ＴＥＯＳ供給器６２）と、処理装置から出力されるガスを外部に排出するガス排出部（配管７）とで構成されている。
【００７９】
なお、原料ガス供給部、ガス生成器、半導体処理装置、ＴＥＯＳガス供給部に関しては、実施の形態１と同様である。
【００８０】
オゾン発生装置３内には、図１と同様に、ガス出力管３５に一端が接続され、オゾン発生器３１から出力されるオゾンガスをガス供給口から半導体処理装置５に供給するガス供給通路としての配管４（その一部又は全て）が設けられており、このガス供給通路（配管４）には、ガス供給通路に流れるガスの流量を制御するガス流量制御器としてのマスフロー流量制御器（ＭＦＣ）４１が設けられている。
【００８１】
そして、この実施の形態５では、それに加えて、このガス供給通路におけるガス生成器３１とガス流量制御器（ＭＦＣ）４１との間に、ＭＦＣ４１による流量変動に対しても十分に対応できるオゾン量を確保できるバッファータンク９１と、ガス供給通路のガス生成器側の圧力を調整する圧力調整器としての圧力ヘッドノズル９２とが設けられている。
【００８２】
なお、圧力調整器は、圧力ヘッドノズルに限定するものではなく、例えば、バルブやノズル等、圧力を調整できるものであればよい。
【００８３】
次に動作について説明する。
実施の形態１と同様にしてオゾン発生器３１で生成されたオゾンガスはガス出力管３５から出力されるが、このオゾンガスは、バッファータンク９１、圧力ヘッドノズル９２、ＭＦＣ４１が設けられたガス供給管４を介して半導体処理装置５に供給される。なお、半導体処理装置５に供給されるオゾンガスは、適切なガス流量になるよう、実施の形態１と同様に、ＭＦＣ４１でそのガス流量が制御される。
【００８４】
このように、ＭＦＣ４１の制御により配管４の流量を制御すると、配管４のオゾン発生器３１側の圧力が影響を受けることになるが、この実施の形態では、ガス供給管４における、ガス生成器とＭＦＣ４１との間に、バッファータンク９１と圧力ヘッドノズル９２とを配置しているので、バッファータンク９１により、ＭＦＣ４１による流量変化に対して十分対応できるオゾン量を確保できるとともに、圧力ヘッドノズル９２により、ガス供給通路のガス生成器側の圧力を調整することができる。その結果、オゾン発生器３１内の圧力を適切な値（例えば、一定）に制御することができる。そのため、ＭＦＣ４１で配管４の流量を制御しても、その影響分をバッファータンク９１、圧力ヘッドノズル９２で解消できるので、オゾン発生器３１内の圧力に与える影響を少なくすることができる。
【００８５】
この実施の形態５では、ガス生成器とガス流量制御器との間のガス供給通路に設けられたバッファータンクと、ガス生成器とガス流量制御器との間のガス供給通路に設けられガス供給通路に流れるガスの圧力を調整する圧力調整器とを備えているので、ガス供給通路のガス生成器側の圧力を制御することができる。その結果、ガス供給通路のガス生成器側に圧力変化が生じても、その圧力の影響を解消させることができ、ガス供給通路を介して供給するガスのガス流量と、ガス生成器内の圧力とを適切な値に制御することができる。
【００８６】
また、圧力調整器の制御により、ガス供給通路に流れるガス流量の変動にかかわらず、ガス生成器内の圧力が一定になるよう制御することができるので、ガス生成器で安定したガスを発生させることができる。
【００８７】
また、ここでは、ガス生成器３１、バッファータンク９１、圧力調整器９２、ＭＦＣ４１の順に配置しているが、バッファータンク９１、圧力調整器９２は、ガス生成器３１とＭＦＣ４１との間に配置されていればよく、図７に示すように、ガス生成器３１、圧力調整器（圧力ヘッドノズル）９２、バッファータンク９１、ＭＦＣ４１の順に配置してもよい。
【００８８】
また、この実施の形態５では、ガス供給通路にバッファータンクと圧力調整器とを設け、これらによりガス供給通路のガス生成器側の圧力を制御するようにしているが、図８に示すように、実施の形態１のガス供給システムにおけるガス供給通路にバッファータンクと圧力調整器とを設けるようにしてもよい。
【００８９】
このようにすることで、ガス排出通路に流れるガスの圧力制御と、ガス供給通路に設けられたバッファータンクと圧力調整器とによる圧力制御とにより、ガス供給通路のガス生成器側の圧力を制御することができるので、より適切な制御を行うことができる。
【００９０】
実施の形態６.
実施の形態５のガス供給システムは、１つのガス生成器に対して１つの処理装置を接続しているが、この実施の形態６のガス供給システムは、１つのガス供給器に対して複数の処理装置を接続したものである。
【００９１】
図９はこの実施の形態６の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。図に示すように、図２と同様に、ＭＦＣ４１１〜４１３が設けられた各ガス供給管４０１〜４０３を介して、１つのガス生成器（オゾン発生器３１）に複数の半導体処理装置５０１〜５０３が接続されている。
【００９２】
また、配管２から分岐して半導体処理装置５にＴＥＯＳガスを供給する配管も、各半導体処理装置５０１〜５０３に対応させてＭＦＣ６１１〜６１３が設けられた複数の配管６０１〜６０３にしている。
【００９３】
なお、ガス供給通路におけるガス生成器３１とガス流量制御器４１１〜４１３との間に、バッファータンク９１と、圧力ヘッドノズル９２等の圧力調整器を設けることも含め、他は実施の形態５と同様である。
【００９４】
このように構成することで、実施の形態５と同様に、バッファータンク９１及び圧力調整器９２により、ガス供給通路のガス生成器側の圧力を調整することができ、オゾン発生器内の圧力を適切な値に制御することができる。よって、１台のガス生成器から複数の半導体処理装置に各々適切な流量のガスを供給できるとともに、ガス生成器で適切な量のガスが生成できるよう制御することができる。その結果、１台のガス生成器のガス発生容量をアップするのみで複数の半導体処理装置にガスを安定的に供給することができ、安価でコンパクトなシステムを提供できる。
【００９５】
この実施の形態では、図９に示すように、３つガス供給管４０１〜４０３に分岐する前のガス供給通路にバッファータンク９１及び圧力調整器９２を設けるようにしているが、３つのガス供給管４０１〜４０３の各々にバッファータンク及び圧力調整器を設けるようにしてもよい。
【００９６】
また、この実施の形態６では、ガス供給通路にバッファータンクと圧力調整器とを設け、これらによりガス供給通路のガス生成器側の圧力を制御するようにしているが、図１０に示すように、実施の形態２のガス供給システムにおけるガス供給通路にバッファータンクと圧力調整器とを設けるようにしてもよい。
【００９７】
実施の形態７.
この実施の形態７のガス供給システムは、実施の形態６のガス供給システムの各ガス供給管に弁を設けたもので、処理装置へのガス供給の有無を各処理装置毎に独立に制御するものである。
【００９８】
図１１はこの実施の形態７の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。図に示すように、図９に示したガス供給システムに加えて、半導体処理装置５０１〜５０３にガスを供給する各々のガス供給管４０１〜４０３に空圧弁（弁及び弁の開閉を制御する開閉制御器を含む）４２１〜４２３を設けている。ここでは、空圧によって弁の開閉を制御する空圧弁を用いているが、これは特に限定するものではなく電磁弁等の他の手法で動作する弁を用いてもよい。
【００９９】
このように各ガス供給管４０１〜４０３に空圧弁４２１〜４２３を設けることで、同一のガス生成器３１で生成されるガスを、複数の半導体処理装置５０１〜５０３に供給できるとともに、ガスの供給が不要な半導体処理装置に対しては、その半導体処理装置へガスを供給するガス供給管の弁を閉じるだけでその供給を停止させることができ、ある半導体処理装置へのガスの供給を継続させながら、他の半導体処理装置へのガスの供給を停止させることができる。よって、複数の半導体処理装置での処理を独立して行わせることができ、ガス供給を効率よく運用することができる。
【０１００】
また、この実施の形態７では、ガス供給通路にバッファータンクと圧力調整器とを設け、これらによりガス供給通路のガス生成器側の圧力を制御するようにしているが、図１２に示すように、実施の形態３のガス供給システムにおけるガス供給通路にバッファータンクと圧力調整器とを設けるようにしてもよい。
【０１０１】
実施の形態８.
実施の形態５〜７のガス供給システムでは、１つの半導体処理装置に対してのガスの供給は、１つのガス供給配管を介して行うようにしているが、この実施の形態８のガス供給システムは、１つの半導体処理装置に対してのガスの供給を複数のガス供給管を介して行うようにし、これら各ガス供給管の流量並びにこれら各ガス供給管からのガス供給の有無を各々独立に制御するようにしたものである。
【０１０２】
図１３はこの実施の形態８の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。図に示すように、オゾン発生装置３内には、ガス出力管３５に接続され、ガス供給口からガスを半導体処理装置５に供給する互いに並列に配管されたガス供給通路としての配管４０４と配管４０５とが設けられている。
【０１０３】
これらの配管４０４、４０５には、各々ガス供給通路に流れるガスの流量を制御するガス流量制御器としてのマスフロー流量制御器（ＭＦＣ）４１４、４１５と、空圧によって弁の開閉を制御する空圧弁４２４、４２５が設けられている。ここでは、空圧によって弁の開閉を制御する空圧弁を用いているが、これは特に限定するものではなく電磁弁等の他の手法で動作する弁を用いてもよい。
【０１０４】
なお、ガス供給通路におけるガス生成器とガス流量制御器との間に、バッファータンク９１と圧力ヘッドノズル９２等の圧力調整器とを設けることも含め、他は実施の形態５と同様である。
【０１０５】
このように構成することで、各ガス供給管４０４、４０５の流量を各々独立に制御するとともに弁４２４、４２５を制御することで、適切なガス流量のガスが瞬時に得られるように制御することができる。すなわち、ＭＦＣ４１４、４１５を制御することで、配管４０４、４０５から供給されるガスのガス流量を各々独立に制御することができ、さらに、空圧弁４２４、４２５の開閉を制御することで、配管４０４からガスを供給するのか、逆に、配管４０５からガスを供給するのかを制御することができ、例えば実施の形態４で説明したように、時分割的にオゾンガスを半導体処理装置５に供給することができる。
【０１０６】
この実施の形態８では、１つの半導体処理装置に対してのガスの供給を複数のガス供給管を介して行うようにし、これら各ガス供給管の流量を各々独立に制御するとともに、どのガス供給管からガスを供給させるかを制御するようにしているので、１つの処理装置に異なるガス流量のガスを供給することができ、さらに、弁の開閉を制御することで、異なるガス流量に瞬時に切り換えることができるので、例えば半導体処理のスループットを向上させることができる。
【０１０７】
また、この実施の形態では、実施の形態５のように半導体処理装置が１つの場合について説明したが、これは特に限定するものではなく、実施の形態６、７のように複数の半導体処理装置のものに適用してもよい。
【０１０８】
また、この実施の形態８では、ガス供給通路にバッファータンクと圧力調整器とを設け、これらによりガス供給通路のガス生成器側の圧力を制御するようにしているが、図１４に示すように、実施の形態４のガス供給システムにおけるガス供給通路にバッファータンクと圧力調整器とを設けるようにしてもよい。
【０１０９】
実施の形態９．
この実施の形態９のガス供給システムは、実施の形態１〜８のガス供給システムに異常対策機能を施したもので、特に、ガス発生器内の圧力が所定値以上の圧力になった場合に、異常対策を施すものである。
【０１１０】
図１５はこの実施の形態９の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図で、図８に示したガス供給システムに異常対策機能を施したものである。図に示すように、オゾン発生器（圧力容器）３１中に排圧弁３６と、オゾン発生器３１が所定圧力以上になると接点信号がＯＮとなる圧力計３７とを設けている。なお、ここでは、図８に示したガス供給システムに異常対策を施した例を示しているが、この異常対策を他の実施の形態のガス供給システムに適用してもよい。
【０１１１】
この圧力計３７が所定圧力以上になると排圧弁３６が動作し異常圧力の抑制及び異常圧力信号を出力するようにし、オゾン発生器３１のオゾナイザ電源３２の停止もしくはオゾン発生量の抑制指令を出力するようになっている。
【０１１２】
このように、異常に圧力が高くなった場合の安全対策を施すことで、半導体装置の製造工程等のガス供給システムを自動運転させることができ、信頼性の高いシステムを提供できる。
【０１１３】
実施の形態１０．
この実施の形態１０のガス供給システムは、実施の形態１〜９のガス供給システムに異常対策機能を施すようにしたもので、特に、ガス発生器内の圧力が所定値以下の圧力になった場合に、異常対策を施すものである。
【０１１４】
図１６はこの実施の形態１０の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図で、図８に示したガス供給システムに異常対策を施したものである。図に示すように、オゾン発生器３１の圧力を検出し圧力信号を出力する圧力計３８と、圧力信号を受けてオゾン発生量の増減指令をオゾナイザ電源３２及び原料ガスのガス流量を制御するマスフロー流量制御器（ＭＦＣ）１３、２３に送信する制御回路３９とが設けられている。なお、ここでは、図８に示したガス供給システムに異常対策機能を施した例を示しているが、この異常対策を他の実施の形態のガス供給システムに適用してもよい。
【０１１５】
圧力計３８によりオゾン発生器３１内の圧力を検出し、オゾン発生器３１の動作範囲内であれば、実施の形態１〜４のような通常の制御を行う。検出した圧力が動作範囲外の圧力（異常低下圧力）になると、制御回路３９が異常圧力低下信号を出力し、オゾナイザ電源３２の停止、オゾン発生量の増加指令によるオゾナイザ電源３２の出力上昇、または、マスフロー流量制御器（ＭＦＣ）１３、２３の制御による原料ガス流量の増加等の処理により、オゾン発生器３１内の圧力を増加させる方向にフィードバック制御させる。なお、このフィードバック制御には、公知の手法を用いればよい。
【０１１６】
このように、異常に圧力が低くなった場合の安全対策やガス発生量保証対策を施すことで、半導体装置の製造工程等のガス供給システムを自動運転させることができ、信頼性の高いシステムを提供できるとともに、その制御範囲を広くすることができるので、効率的で信頼性の高いシステムを提供することができる。
【０１１７】
【発明の効果】
本発明にかかるガス供給システムは、ガスを生成するガス生成器と、上記ガス生成器から出力されるガスを供給すると共に互いに並列して設けられた複数のガス供給管からなるガス供給通路と、上記複数のガス供給管の夫々に設けられ上記各ガス供給管に流れるガスの流量を制御する複数のガス流量制御器と、上記ガス供給通路と並列して設けられ上記ガス生成器から出力されるガスを排出するガス排出通路と、上記ガス排出通路に設けられ上記ガス排出通路に流れるガスの圧力を制御する圧力制御器とを備えているので、複数のガス供給管から安定したガスを供給することができ、また供給するガスのガス流量とガス生成器で発生されるガス量とを適正なものにすることができる。
【０１１８】
また、本発明にかかるガス供給システムは、ガスを生成するガス生成器と、上記ガス生成器から出力されるガスを供給すると共に互いに並列して設けられた複数のガス供給管からなるガス供給通路と、上記複数のガス供給管の夫々に設けられ上記各ガス供給管に流れるガスの流量を制御する複数のガス流量制御器と、上記ガス生成器と上記複数のガス流量制御器との間のガス供給通路に設けられたバッファータンクと、上記ガス生成器と上記複数のガス流量制御器との間のガス供給通路に設けられ上記ガス供給通路に流れるガスの圧力を調整する圧力調整器とを備えているので、複数のガス供給管から安定したガスを供給することができ、また供給するガスのガス流量とガス生成器で発生されるガス量とを適正なものにすることができる。
【０１１９】
また、圧力制御器が、ガス生成器内の圧力が一定になるようにガス排出通路に流れるガスの圧力を制御する場合には、ガス生成器内で安定してガスを生成させることができる。
【０１２０】
また、圧力調整器が、ガス生成器内の圧力が一定になるようにガス供給通路に流れるガスの圧力を制御する場合には、ガス生成器内で安定してガスを生成させることができる。
【０１２１】
また、ガス生成器内の圧力を測定する圧力計を設け、上記圧力計で測定された圧力値が所定圧力範囲から外れたときに異常対策を施す場合には、ガス供給システムを自動運転させることができ、信頼性の高いシステムを提供できる。
【０１２３】
また、複数のガス供給管が各々接続される複数の処理装置を備えた場合には、複数の処理装置に安定したガスを供給することができる。
【０１２４】
また、各ガス供給管に、弁と、上記弁の開閉を制御する開閉制御器とを備えた場合には、弁を閉状態にすることで、その弁を有する配管からのガスの供給を停止することができるので、他の供給管でのガスの供給状態に関係なく、ガスの供給・停止を任意に行うことができる。
【０１２５】
また、複数のガス供給管に接続される処理装置を備えた場合には、１つの処理装置に異なるガス流量のガスを供給することができる。
【０１２６】
また、複数のガス供給管が、第１のガス流量のガスを供給する第１のガス供給管と、第１のガス流量とは異なる第２のガス流量のガスを供給する第２のガス供給管とを含むようにした場合には、１つの処理装置に異なるガス流量のガスを供給することができることに加え、異なるガス流量に瞬時に切り換えることができる。
【０１２７】
また、本発明にかかるガス供給方法は、ガス生成器から出力されるガスを並列して設けられた複数のガス供給管からなるガス供給通路を介して供給するとともにガス排出通路を介して排出し、上記複数のガス供給管の流量を各々制御することでガスを供給すると共に、上記ガス排出通路に流れるガスの圧力を制御することで、上記ガス供給通路における上記ガス生成器側の圧力を制御するようにしているので、複数のガス供給管から安定したガスを供給することができ、また供給するガスのガス流量とガス生成器で発生されるガス量とを適正なものにすることができる。
【０１２８】
また、本発明にかかるガス供給方法は、ガス生成器から出力されるガスを並列して設けられた複数のガス供給管からなるガス供給通路を介して、上記複数のガス供給管に流れるガス流量を各々制御して供給し、上記ガス供給通路に配置されたバッファータンクと圧力調整器とにより上記ガス供給通路に流れるガスの圧力を制御することで、上記ガス供給通路における上記ガス生成器側の圧力を制御するようにしているので、複数のガス供給管から安定したガスを供給することができ、また供給するガスのガス流量とガス生成器で発生されるガス量とを適正なものにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の形態１の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【図２】  本発明の実施の形態２の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【図３】  本発明の実施の形態３の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【図４】  本発明の実施の形態４の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【図５】  図４に示したガス供給システムにおける空圧弁の動作、半導体処理装置へのオゾンガスの供給量の関係を示すタイムチャートである。
【図６】  本発明の実施の形態５の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【図７】  本発明の実施の形態５の半導体装置の製造工程における他のガス供給システムを示す概略構成図である。
【図８】  本発明の実施の形態５の半導体装置の製造工程における他のガス供給システムを示す概略構成図である。
【図９】  本発明の実施の形態６の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【図１０】  本発明の実施の形態６の半導体装置の製造工程における他のガス供給システムを示す概略構成図である。
【図１１】  本発明の実施の形態７の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【図１２】  本発明の実施の形態７の半導体装置の製造工程における他のガス供給システムを示す概略構成図である。
【図１３】  本発明の実施の形態８の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【図１４】  本発明の実施の形態８の半導体装置の製造工程における他のガス供給システムを示す概略構成図である。
【図１５】  本発明の実施の形態９の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【図１６】  本発明の実施の形態１０の半導体装置の製造工程におけるガス供給システムを示す概略構成図である。
【図１７】  従来のガス供給システムを示す概略構成図である。
【符号の説明】
１、２  配管                        ３  オゾン発生装置
４、４０１〜４０５  ガス供給管
５、５０１〜５０３  半導体処理装置
６、６０１〜６０３  配管            ７  配管
８  ガス排出管
１１、２１  ガス開閉弁              １２、２２  ガス減圧弁
１３、２３  マスフロー流量制御器
３１  オゾン発生器                    ３２  高周波高電圧電源
３３  冷却装置                        ３４  ガスフィルター
３５  ガス出力管                      ３６  排圧弁
３７、３８  圧力計                    ３９  制御回路
４１、４１１〜４１５  マスフロー流量制御器
６１、６１１〜６１３  マスフロー流量制御器
６２、６２１〜６２３  ＴＥＯＳ供給器
７１、８２  逆止弁                    ７２  ガス分解処理装置
８１  自動圧力制御器
９１  バッファータンク                ９２  圧力ヘッドノズル
４２１〜４２５  空圧弁
【図１】
0004071968.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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