(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上に、開口部をもつパターンの遮光用ブラックマトリックス層及び透明電極層を備え、前記透明電極層を内側にしてＴＦＴ基板に対向して配置され、ＴＦＴ基板との間に液晶層を挟持して液晶デバイスを構成する対向基板において、
前記ブラックマトリックス層が液晶層側に遮光層を備え、ガラス基板側にクロムよりも反射率の大きい高反射率層を備えており、
液晶プロジェクターに使用される照射光の中心波長をλとしたとき、
前記高反射率層が光学的膜厚０．０９λ〜０．２４λのアルミニウム膜又はアルミニウム合金膜であり、
前記遮光層が前記高反射率層側から光学的膜厚０．０３λ〜０．３λのクロム膜又はクロム合金膜、その上に積層された光学的膜厚０．０２λ〜０．２λのクロム酸化物膜又はクロム窒化物膜及びさらにその上に積層された光学的膜厚０．０３λ〜０．３λのクロム膜又はクロム合金膜からなる積層膜であることを特徴とする対向基板。
【請求項２】
ガラス基板上に、開口部をもつパターンの遮光用ブラックマトリックス層及び透明電極層を備え、前記透明電極層を内側にしてＴＦＴ基板に対向して配置され、ＴＦＴ基板との間に液晶層を挟持して液晶デバイスを構成する対向基板において、
前記ブラックマトリックス層が液晶層側に遮光層を備え、ガラス基板側にクロムよりも反射率の大きい高反射率層を備えており、
前記ガラス基板、前記高反射率層及び前記遮光層からなる積層体の層間、前記遮光層上、並びに前記遮光層が積層膜である場合はその層間の少なくとも１つの位置に珪素酸化物又は珪素窒化物からなる密着層を備えており、
液晶プロジェクターに使用される照射光の中心波長をλとしたとき、
前記ガラス基板と前記高反射率層との間に光学的膜厚０．００５λ〜０．２１λの珪素酸化物膜又は珪素窒化物膜からなる密着層が形成されており、
前記高反射率層が光学的膜厚０．０９８λ〜０．２４λのアルミニウム膜又はアルミニウム合金膜であり、
前記高反射率層と前記遮光層との間にも光学的膜厚０．０５λ〜０．２６５λの珪素酸化物膜又は珪素窒化物膜からなる密着層が形成されており、
前記遮光層が光学的膜厚０．０３λ〜０．３λのクロム膜又はクロム合金膜であり、
その遮光層上にも光学的膜厚０．０１３λ〜０．１３λの珪素酸化物膜又は珪素窒化物膜からなる密着層が形成されていることを特徴とする対向基板。
【請求項３】
前記高反射率層は、アルミニウム、金、銀及びそれらの金属の合金のうちのいずれかからなる請求項1又は２に記載の対向基板。
【請求項４】
前記高反射率層は、アルミニウムにネオジムを含有したアルミニウム合金である請求項３に記載の対向基板。
【請求項５】
前記遮光層がクロム、ニッケル、チタン及びそれらの合金のうちのいずれかからなる請求項1から４のいずれか一項に記載の対向基板。
【請求項６】
前記ブラックマトリックス層の開口部に透明膜が埋め込まれて前記ブラックマトリックス層の液晶側の表面が平坦化されている請求項1から５のいずれか一項に記載の対向基板。
【請求項７】
前記ブラックマトリックス層の開口部壁面に絶縁膜が配置されて前記高反射率層と前記透明電極層の間が絶縁されている請求項1から５のいずれか一項に記載の対向基板。
【請求項８】
前記絶縁膜が珪素、アルミニウム、チタン、タンタル及びジルコニウムのうちのいずれかの金属の酸化物又は窒化物からなる請求項７に記載の対向基板。
【請求項９】
前記絶縁膜がＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｔa2Ｏ5及びＺｒＯ2のうちのいずれかである請求項８に記載の対向基板。
【請求項１０】
前記透明電極層の下にアンダーコートが配置されている請求項１から９のいずれか一項に記載の対向基板。
【請求項１１】
ガラス基板上に、開口部をもつパターンの遮光用ブラックマトリックス層及び透明電極層を備えた対向基板が前記透明電極層を内側にしてＴＦＴ基板に対向して配置され、前記対向基板とＴＦＴ基板との間に液晶層が挟持された液晶デバイスにおいて、
前記対向基板が請求項１から１０のいずれか一項に記載されたものであることを特徴とする液晶デバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶プロジェクターに用いられる液晶デバイスと、そのような液晶デバイスにおいてＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板との間に液晶層を挟持し光照射側に配置される対向基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶プロジェクター用液晶デバイスは、ガラス基板上に、開口部をもつパターンの遮光用ブラックマトリックス層及び透明電極層を備えた対向基板が透明電極層を内側にしてＴＦＴ基板に対向して配置され、対向基板とＴＦＴ基板との間に液晶層が挟持されて構成されている。
【０００３】
ＴＦＴ基板では、液晶層に接する側の面に、各画素の電極となり液晶層をオン、オフする透明電極層と、液晶を駆動するためのＴＦＴが画素配列に従って配列されて形成され、さらにそれらのＴＦＴを駆動するためのバスラインが形成されている。その結果、ＴＦＴ基板においては、ＴＦＴとバスラインの形成されていない透明電極層部分が微小な開口部として２次元に配列され、それらの個々の開口部が「画素」に対応している。
【０００４】
一方、光照射側に配置される対向基板では、ＴＦＴ基板に対向する透明電極層の他に、ＴＦＴやバスラインに照射光線が入射しないように遮光する遮光膜パターンが形成されている。ＴＦＴやバスラインに照射光線が入射するとＴＦＴが誤動作するという不都合が発生するからである。その遮光膜パターンをブラックマトリックスと呼んでいる。このため、個々の画素当たりでＴＦＴ基板の開口部を透過できるのは入射光の４０％程度と小さく、光の利用効率が悪い。
【０００５】
これを改善するために、特開平８−３２８００２号公報に記載されている液晶デバイスのように、対向基板にはＴＦＴにおける個々の画素に対応してマイクロレンズを設け、マイクロレンズにより光を対応する画素の開口部に集光するようにすることが知られている。そのようなマイクロレンズとして、光学素子の屈折面や反射面に、球面や非球面等に代表される特殊な面形状が使用されるようになってきている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
液晶プロジェクター用液晶デバイスの対向基板では、ブラックマトリックス層の材質として一般に金属クロム（Ｃｒ）膜が形成されている。しかし、金属クロム膜の場合、入射した光のエネルギーの多くはそこで吸収されて熱に変換され、長時間使用していると対向基板を含む液晶デバイス全体の温度が上昇する。液晶デバイスの温度上昇によって、各所構成部品の経時的劣化を招き、画像が劣化するなどの不具合が生じる。具体的には、対向基板やＴＦＴ基板の一部に樹脂を使用していると、樹脂の経時変化によって性能の劣化が生じる場合があった。これを防ぐために、液晶プロジェクター装置に排熱用のファンを設けたりしている。また、蓄熱のためランプ照度を上げることができない等の問題もあった。
【０００７】
そこで、本発明の第１の目的は、液晶層に入射しない光、すなわち有効に使用されない光がブラックマトリックス層に吸収されて熱に変るのを抑えることによって、液晶デバイス自体の温度上昇を抑制し、信頼性の向上を図ることである。
【０００８】
ブラックマトリックス層の膜厚が、例えば１３０ｎｍ以上というように厚い場合には、ブラックマトリックス層パターンの開口部での段差が大きくなり、対向基板とＴＦＴ基板との間の距離が場所により異なり、液晶層の厚みが不均一になる。そのため、ＴＦＴ基板開口部の液晶配向が均一に揃わない不具合が生じている。ブラックマトリックス層の膜厚が厚い場合には、また、段差が大きいことに起因して、ブラックマトリックス層上に形成される透明電極膜に段差部分で亀裂が発生して電気的な断線が生じる等の不具合が生じる。
【０００９】
そこで、本発明の第２の目的は、ブラックマトリックス層の膜厚が厚い場合にも液晶の配向の不揃いを解消するとともに、ブラックマトリックス層上に形成される透明電極膜エッジの信頼性を向上させることである。
【００１０】
対向基板の透明電極層はブラックマトリックス層上に形成されるが、透明電極層の密着性が充分でない場合には、液晶デバイス製造プロセス中における耐薬品性が劣化することがある。
【００１１】
そこで、本発明の第３の目的は、対向基板における透明電極層の密着性を向上させ耐薬品性を向上させることである。
また、本発明の第４の目的は、信頼性の高い液晶デバイスを提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の目的を達成するために、本発明の対向基板はそのブラックマトリックス層が液晶層側に遮光層を備え、液晶層とは反対側にクロムよりも反射率の大きい高反射率層を備えている。
これにより、光源側から入射した光がブラックマトリックス層に照射されると、その高反射率膜の高反射特性によって光はランプ側に反射される。
【００１３】
また、その高反射率膜のアンダーコート（下地膜）として透明の膜が成膜されていても良い。通常、アンダーコートを施すと密着性向上の効果が得られる。
【００１４】
アンダーコートの有無に拘わらず、高反射率膜を施すことによってブラックマトリックス層に照射された光を反射し、それにより熱に変換されるのを抑えて、液晶デバイスの温度上昇を防ぐことができる。その結果、「液晶デバイス寿命の向上」や放熱のために設置されている「周辺構造物（冷却ファンなど）の削除」が可能となり、信頼性の向上や低価格化が実現できる。
【００１５】
本発明の第２の目的を達成するために、本発明の対向基板は、ブラックマトリックス層の開口部に透明膜が埋め込まれてブラックマトリックス層の液晶側の表面が平坦化されている。
これにより、ガラス基板とブラックマトリックス層パターンとの段差が小さくなり、液晶の配向の不揃いを解消し、透明電極膜エッジの信頼性を向上させることができる。
【００１６】
本発明の第３の目的を達成するために、本発明の対向基板は透明電極層の下にアンダーコート層が配置されている。
これにより、透明電極層と金属膜との密着性を向上させることができる。
また、アンダーコート層を設けることによって、開口部の透過率分光特性を向上させることもできる。
本発明の第４の目的を達成する液晶デバイスは、上に示した対向基板を備えたものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】
高反射率膜としては、アルミニウム、金もしくは銀などの金属膜、又はそれらの金属の合金膜を使用することができる。これらの膜は液晶プロジェクターに使用される照射光の波長に応じて適当なものを選択することができる。
【００１８】
アルミニウム又はアルミニウム合金の場合、反射特性の向上、密着性向上や耐環境性向上のために微量金属を混合することができる。そのような微量金属は、ネオジム（Ｎｄ）、パラジウム（Ｐｄ）や白金（Ｐｔ）等である。
【００１９】
対向基板の遮光層としてクロム、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）及びそれらの合金のうちのいずれかからなる膜を使用することができる。クロム、ニッケル又はチタンの合金とは、それらの金属の酸化物、窒化物又は酸窒化物を意味している。
【００２０】
また、対向基板の遮光層は積層膜とすることができ、その積層膜はクロム膜、ニッケル膜、チタン膜及びそれらの合金膜のうちの２層以上とすることができる。
【００２１】
ブラックマトリックス層の一部を構成する遮光層に用いる上記の膜は高反射率膜に比べると光吸収率の高い膜である。ブラックマトリックス層の液晶層側にそのような光吸収膜を配置することにより、ブラックマトリックス層を一度通過した後、液晶層からブラックマトリックス層に反射した光を吸収することによって迷光を抑制し、画像コントラストの向上を達成することができる。
【００２２】
ガラス基板、高反射率層及び遮光層からなる積層体の層間、遮光層上、並びに遮光層が積層膜である場合はその層間の少なくとも１つの位置に珪素酸化物又は珪素窒化物を密着層として配置することが好ましい。そして、そのような密着層を設けた場合でも、この画像コントラストを向上させる効果に変りはない。
【００２３】
ブラックマトリックス層が高反射率膜を備えている場合においても、ブラックマトリックス層の開口部に透明膜が埋め込まれてブラックマトリックス層の液晶側の表面が平坦化されているようにすることができる。
これにより、ガラス基板とブラックマトリックス層パターンとの段差が小さくなり、液晶の配向の不揃いを解消し、また透明電極膜エッジの信頼性を向上させることができる。
【００２４】
ブラックマトリックス層の開口部壁面に絶縁膜が配置されて高反射率層と透明電極層の間が絶縁されているようにすることができる。
これにより、高反射率層がアルミニウム膜又はアルミニウム合金膜である場合のエレクトロマイグレーションによる経時的な電気的特性の劣化による液晶デバイス誤動作の解消が達成できる。
【００２５】
その絶縁膜として珪素、アルミニウム、チタン、タンタル及びジルコニウムのうちのいずれかの金属の酸化物又は窒化物からなる膜を使用することができる。特に、その前記絶縁膜としてＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｔa2Ｏ5及びＺｒＯ2のうちのいずれかを用いれば、電気的絶縁性を確保できると同時に、密着性を向上させることができ、透明電極膜エッジの電気的信頼性を向上させることができる。
【００２６】
ブラックマトリックス層が高反射率膜を備えている場合においても、透明電極層の下にアンダーコートを配置してもよい。
アンダーコート層は透明膜であることが必要である。また、アンダーコート層（屈折率：ｎ1、膜厚：ｄ1）は光学的には透明電極層の一部として捉えることができる。すなわち、ガラス材料（屈折率：ｎs）上にアンダーコート層（屈折率：ｎ1、膜厚：ｄ1）と透明導電膜（屈折率：ｎ2、膜厚：ｄ2）とからなる透明電極層が形成され、その透明電極層上に空気層が存在するという構成を想定し、コンピュータ上で計算してその透明電極層が所定の透過率分光特性を満たすようにする。
【００２７】
さらに、透明電極層と開口部分、及び透明電極層と接する媒質の各々の屈折率と膜厚からなる位相条件及び振幅条件からなる反射防止膜の設計理論を基本とする手法から透過率が最大となる最適化設計によりアンダーコート層の材質と膜厚を決定する。
【００２８】
上記のアンダーコート及び各層の膜材質と膜厚は、「光学的膜厚」（使用する光の中心波長λ、物質の屈折率ｎと薄膜の物理的膜厚ｄで表すと、光学的膜厚ｎ・ｄは式：ｎ・ｄ＝ｍ・λ・（１／４）で表される理論式である。ｍは整数、中心波長λは使用する照射光の波長領域の中心波長である。）の積み重ねと、所望の目的分光特性の関係で計算される。この計算は、市販のコンピュータシミュレーションによって理論的に実行され、光透過率と反射率が波長毎に決定される。本発明でも、アンダーコート及び各層の膜材質と膜厚の設計は、基本的には上記理論「光学的膜厚」式の積み重ねに基づいているが、本発明では上記理論式では表されていない関係も用いて薄膜の設計がなされている。即ち理論式では、「光学的膜厚は、中心波長λの１／４の整数倍とされているが、本発明ではこの法則を幅広く展開し、整数ｍを１未満の数値にも拡大して設計している。
【００２９】
ここで特記したいのは、上記「光学的膜厚」の式を計算のベースとしながらも理論式の拡大解釈（シミュレーションの拡張機能）によって１未満の数値でも整数と同様のシミュレーションが実施できるということである。
【００３０】
好ましい具体的な例を挙げると、次のようになる。
本発明の対向基板はブラックマトリックス層が液晶層側に遮光層を備え、液晶層とは反対側にクロムよりも反射率の大きい高反射率層を備えたものであるが、その遮光層が１層である場合、高反射率層が光学的膜厚０．０３〜０．２４λ（λは照射光の中心波長で、いま５５０ｎｍとすると、物理的膜厚では約２００〜１６００Åに該当する。以下でも中心波長λを５５０ｎｍとして光学的膜厚を物理的膜厚Åに換算したものを示す。）のアルミニウム膜又はアルミニウム合金膜であり、遮光層が光学的膜厚０．０４５λ〜０．６８λ（約８０〜１２００Å）のクロム膜又はクロム合金膜である。
【００３１】
遮光層が積層膜である場合、高反射率層が光学的膜厚０．０９λ〜０．２４λ（約５００〜１６００Å）のアルミニウム膜又はアルミニウム合金膜であり、遮光層が高反射率層側から光学的膜厚０．０３λ〜０．３λ（約５０〜５００Å）のクロム膜又はクロム合金膜、その上に積層された光学的膜厚０．０２λ〜０．２λ（約５０〜５００Å）のクロム酸化物膜又はクロム窒化物膜及びさらにその上に積層された光学的膜厚０．０３λ〜０．３λ（約５０〜５００Å）のクロム合金膜からなる積層膜である。
【００３２】
珪素酸化物又は珪素窒化物からなる密着層を備えている場合の好ましい例として、ガラス基板と高反射率層との間に光学的膜厚０．００５λ〜０．２１λ（約２００〜８００Å）の珪素酸化物膜又は珪素窒化物膜からなる密着層が形成されており、高反射率層が光学的膜厚０．０９８λ〜０．２４λ（約５００〜１６００Å）のアルミニウム合金膜であり、高反射率層と遮光層との間にも光学的膜厚０．０５λ〜０．２６５λ（約２００〜１０００Å）の珪素酸化物膜又は珪素窒化物膜からなる密着層が形成されており、遮光層が光学的膜厚０．０３λ〜０．３λ（約５０〜５００Å）のクロム合金膜であり、その遮光層上にも光学的膜厚０．０１３λ〜０．１３λ（約５０〜５００Å）の珪素酸化物膜又は珪素窒化物膜からなる密着層が形成されているものを挙げることができる。
【００３３】
図１は液晶デバイスの一実施例を部分断面図として概略的に示す図である。
ガラス基板３上に開口部をもつパターンの遮光用ブラックマトリックス層４が形成され、その上を被うように透明電極層（図示略）のＩＴＯ（酸化インジウム錫）膜を備えた対向基板が透明電極層を内側にしてＴＦＴ基板１に対向して配置され、対向基板とＴＦＴ基板１との間に液晶層５が挟持されている。ガラス基板３の液晶層５とは反対側の面にはマイクロレンズアレイ基板２が固着されている。
【００３４】
ガラス基板３は透明な平行平面板である。マイクロレンズアレイ基板２にはガラス基板３に面する側の面にマイクロレンズのアレイ配列が形成されており、マイクロレンズアレイ基板２の反対側の面は平坦面となっている。マイクロレンズアレイ基板２とガラス基板３とは液晶デバイスの「対向基板」を構成している。
【００３５】
ＴＦＴ基板１の液晶層５に接する側の面には、各画素を駆動するためのＴＦＴ１Ａとバスライン（図示略）と透明電極膜１Ｂが形成され、ＴＦＴ１Ａ及びバスラインの間が透明電極膜１Ｂによる開口部になっている。
【００３６】
図１においては、照射光束はマイクロレンズアレイ基板２の平坦面から入射し、個々のマイクロレンズに入射して光軸上に集光されつつブラックマトリックス層４の開口部を通過し、液晶層５を透過し、ＴＦＴ基板１における開口部を通過する。
【００３７】
マイクロレンズアレイ基板２及びガラス基板３の材質は、対向基板製作の後工程における熱処理工程でマイクロレンズアレイ基板２とガラス基板３とが剥離しないように、熱膨張係数が略等しいことが必要であるが、この条件が満たされる材料であれば特に制限なく利用できる。
【００３８】
マイクロレンズアレイ基板２におけるマイクロレンズアレイ形成面からガラス基板３までの間は、光学的に空気層でもよいし真空層でもよく、又は光学的屈折率を有する別の媒質を間に挟んでもよい。その間の距離は、マイクロレンズアレイ形成面とガラス基板３とが接する場合の距離０μｍから、数μｍないし数１０μｍまでであり、その距離は光学設計で理論的に決まるものである。
【００３９】
マイクロレンズアレイ基板２とガラス基板３とは接合により一体化されている。接合の材料は、後工程で処理される加熱温度に耐え得る材料であれば、特に制限はない。
【００４０】
後工程で熱処理を施す場合は、マイクロレンズアレイ基板２とガラス基板３との間は真空層とするか別の材料を挾むことが好ましいが、その「間」を空気層とする場合は、マイクロレンズアレイ基板２とガラス基板３との間に介在させるスペーサ部には熱処理の際に内部の空気を脱気するための隙間を形成しておく。
マイクロレンズアレイ基板２に形成されるマイクロレンズの径や形状、レンズ面形状等は光の利用効率が上昇するように幾何学的に決定される。
【００４１】
図２は、同実施例の液晶デバイスで使用されているマイクロレンズアレイ基板２の平面図を示している。マイクロレンズ基板２は、横方向（長手方向）が３２．５ｍｍ、縦方向が２１．８ｍｍの長方形形状のパイレックス（登録商標）材料（屈折率：ｎｄ＝１．４７４）である。符号１０で示す領域（横方向：２３．６６６４ｍｍ、縦方向：１３．４００２ｍｍ）は有効範囲を示しており、その有効範囲１０にはマイクロレンズのアレイ配列が形成されている。
【００４２】
有効範囲１０外に形成されたスペーサ部１２は、マイクロレンズアレイ基板２とガラス基板３との間の隙間を規定するものである。スペーサ部１２は２つのＬ字形状をなして有効範囲１０を囲繞するように形成され、その幅は１ｍｍである。スペーサ部１２が形成されていない部分には、アライメントマ−ク１４，１６（ガラス基板３との接合の際に位置合わせに用いる）が形成されている。
【００４３】
スペーサ部１２の２つのＬ字形状の近接する部分の隙間の大きさＳは１０〜数１０μｍに設定されている。この隙間の大きさＳは、スペーサ部１２の高さｈと反比例的に設定される。
【００４４】
マイクロレンズアレイ基板２がガラス基板３と一体化されると、スペーサ部１２の内側の部分（内部空間）は、上記隙間の部分で面積Ｓ・ｈの孔により外部と通ずることになる。隙間の大きさＳは、上記面積Ｓ・ｈが、熱処理工程における内側部分の脱気を可能とし、かつ、洗浄時に洗浄液の侵入を防止できる大きさとなるように設定される。
なお、図１は、液晶デバイスとなった状態での図２における有効範囲１０内での部分断面の模式図である。
【００４５】
図３（Ｄ）に従来例におけるブラックマトリックス層の断面を示す。ブラックマトリックス層２４１はガラス基板３上にパターン化されて形成され、その上を被うように透明電極のＩＴＯ膜２１が形成されている。ブラックマトリックス層２４１の総膜厚は、従来技術においても本発明においても大きな違いはなく、約１０００〜１３００Åになるように成膜されている。このため、ブラックマトリックス層に形成された微細な開口部（例えば、対角寸法が０．７インチの液晶プロジェクター用液晶デバイスの対向基板では、開口部寸法が１０μｍ程度である）の断面部分では、約１０００Å程度の段差が生じている。この段差をもった状態で透明電極膜としてＩＴＯをスパッタリング法等で約１０００〜１２００Å成膜する。ＩＴＯ成膜の際、段差部分への回りこみ性がよい条件で成膜するのが望ましいが、基板３の表面に対して垂直な部分への付き回り性が悪化すると、段差部分の密着性が低下するため、段差部分の機械的な強度が劣化する。
【００４６】
本発明の一形態では、これを防ぐために、開口部に絶縁膜を埋め込んで透明電極膜の下地となるブラックマトリックス層表面を平坦化したり、透明電極膜の下に密着性を向上させる膜を配置したりする。そのような膜材料としては、光学的に透明な膜で密着性のよい膜であればよい。
【００４７】
図４は、液晶プロジェクター用液晶デバイスの対向基板におけるブラックマトリックス層の断面構造を示している。（Ａ）は従来及び一実施例を示している。開口部とブラックマトリックス部に形成される透明電極膜（ＩＴＯ）２１の膜厚はほぼ同じであり、透明電極膜２１を厚く成膜しても段差Ａの解消は望めない。
【００４８】
図４（Ｂ）は、透明電極膜２１を成膜する際にブラックマトリックス層５０の開口部に段差が存在することに起因する問題を改善する方法を示している。すなわち、透明電極膜２１を成膜する前に、開口部を透明な絶縁膜３３で埋める方法である。
【００４９】
図５は、開口部段差部分における透明電極膜２１の密着性を改善する方法を示している。（Ａ）はブラックマトリックス層５０の開口部壁面にアンダーコート４１を施すこと、（Ｂ）は透明電極膜２１の成膜前にブラックマトリックス層５０の開口部に段差量を低減するために段差解消又は段差縮小用の膜４２を成膜することを示している。
【００５０】
図６は、ブラックマトリックス層５０上に透明電極膜２１を直接成膜すると密着性が低下するような材質の組合せである場合に、透明電極膜２１の成膜前にアンダーコート５２として透明膜を成膜する方法を示している。そのような透明膜５２としては、例えばＳｉＯ2膜等が適している。
【００５１】
【実施例】
（実施例１）
図３（Ａ）は第１の実施例を表す。ガラス基板３上に第１層に高反射率層としてアルミニウムにネオジムを含む膜厚５００Åのアルミニウム合金（Ａｌ−Ｎｄ）膜（Ｎｄは２〜１０ｗｔ％）２１１、第２層に遮光膜として膜厚５００Åのクロム膜２１２からなるブラックマトリックス層が形成されている。そのブラックマトリックス層及びその開口部を被って透明電極膜２１として膜厚１２５０ÅのＩＴＯ膜２１が形成されている。
【００５２】
次に本実施例の製造方法について説明する。
マイクロレンズアレイ基板が接合されたガラス基板３（図１に示した完成品になる前のマイクロレンズアレイ基板２が接合された状態のガラス基板３）を真空スパッタリング装置のチャンバー内にセットした。そのチャンバー内の真空度を１．０・１０-3Ｐａまで排気し、Ａｒガスを導入しながら真空度１．０・１０-1Ｐａの条件下でプラズマ状態を作成し、ガラス基板３のマイクロレンズアレイ基板と反対側の面に、Ａｌ−ＮｄとＣｒのターゲットから以下の膜厚になるように膜厚モニターによって制御しながらスパッタリングした。
第１層：Ａｌ−Ｎｄ：５００Å
第２層：Ｃｒ：５００Å
【００５３】
ついで、上記真空スパッタリング装置のチャンバーを大気に開放してガラス基板３を取り出し、フォトリソグラフィー工程を経てブラックマトリックス層部分に所定のパターン幅になるようにレジストパターンを製作した。その後、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング装置）に導入し、ＢＣｌ3：３０ＳＣＣＭとＡｒ：５ＳＣＣＭを導入しながらドライエッチングした。その結果、レジストが存在している部分にのみＡｌ−ＮｄとＣｒの金属膜が残り、他の部分は金属膜がエッチングされて除去された。この際、エッチングの終点検出のためにエンドポイントモニターを使用し、金属ＡＬの発光スペクトルが検出されなくなった時点を終点とした。
【００５４】
その後、レジストを専用の剥離液で剥離し洗浄した。
その後、上記スパッタリング装置に再び導入し、透明電極膜としてのＩＴＯ膜を１２５０Å成膜した。最後に、不要な外形部分をダイシングマシーンで切断した。
本実施例のブラックマトリックス層の反射率と透過率の分光特性を図７に示す。横軸は波長、右縦軸は反射率、左縦軸は透過率反射率である。最も上側に破線で示された高反射率（ＨＲ）の分光反射率特性の曲線は第１層目のＡｌ−Ｎｄ膜２１１側から光を照射したときの反射率、中央部に実線で示された低反射率（ＬＲ）の分光反射率特性の曲線は遮光膜としてクロム膜２１２上のＩＴＯ膜２１を通して入射角が約１０°になる条件で光線を入射させたときの分光反射率を表している。最も下側で横軸に沿って鎖線で示されている曲線は入射角が０°になる条件で光線を入射させたときのこのブラックマトリックス層の分光透過率である。
【００５５】
図７の結果から、本実施例のブラックマトリックス層は、光源側に配置される高反射率層としてのアルミニウム合金膜２１１側の反射率が大きく、その反対側の液晶層側に配置されるＣｒ膜２１２側の反射率がそれよりも大幅に低くなっているのがわかる。
【００５６】
本実施例のブラックマトリックス層では、光源側に配置される高反射率層としてのアルミニウム合金膜２１１側の反射率が大きく、その反対側の液晶層側に配置されるＣｒ膜２１２側の反射率がそれよりも大幅に低くなっている。
【００５７】
（実施例２）
図３（Ｂ）は第２の実施例を表す。ガラス基板３上に第１層に高反射率層としてのネオジムを含む第１の実施例と同じアルミニウム合金膜２２１、第２層に酸化クロム（Ｃｒ2Ｏ3）膜２２２、第３層にクロム膜２２３からなるブラックマトリックス層が形成されている。酸化クロム膜２２２とクロム膜２２３は遮光膜を構成している。そのブラックマトリックス層及びその開口部を被って透明電極膜２１として膜厚１２５０ÅのＩＴＯ膜２１が形成されている。ブラックマトリックス層の各層の膜厚は以下の通りである。
第１層：Ａｌ−Ｎｄ：１０００Å
第２層：Ｃｒ2Ｏ3：５００Å
第３層：Ｃｒ：１００Å
【００５８】
本実施例のブラックマトリックス層の反射率と透過率の分光特性を図８に示す。横軸は波長、左縦軸は反射率、右縦軸は透過率である。最も上側に破線で示された高反射率（ＨＲ）の分光反射率特性の曲線は第１層目のＡｌ−Ｎｄ膜２２１側から光を照射したときの反射率、中央部に実線で示された低反射率（ＬＲ）の分光反射率特性の曲線は第３層目のＣｒ膜２２３上のＩＴＯ膜２１を通して入射角が約１０°になる条件で光線を入射させたときの分光反射率を表している。最も下側で横軸に沿って鎖線で示されている曲線は入射角０°で光線を入射させたときのこのブラックマトリックス層の分光透過率である。
【００５９】
図８の結果から、本実施例のブラックマトリックス層も、光源側に配置される高反射率層としてのアルミニウム合金膜２２１側の反射率が大きく、その反対側の液晶層側に配置されるＣｒ膜２２３側の反射率がそれよりも大幅に低くなっているのがわかる。
【００６０】
本実施例のブラックマトリックス層についての成膜条件等は、実施例１の製造方法に比べると、Ｃｒ2Ｏ3成膜時にＣｒ2Ｏ3をターゲットとし、スパッタガスとしてＡｒに替わって酸素（Ｏ2）を１０ＳＣＣＭ導入しながら、Ｃｒと酸素の反応性スパッタリング膜を成膜した点以外は、実施例１と同様である。
【００６１】
（実施例３）
図３（Ｃ）は第３の実施例を表す。ガラス基板３上に第１層に密着膜としての酸化珪素膜２３１、第２層に高反射率層としてのネオジムを含む第１の実施例と同じアルミニウム合金膜２３２、第３層に酸化クロム膜２３３、第４層にクロム膜２３４からなるブラックマトリックス層が形成されている。酸化クロム膜２３３とクロム膜２３４は遮光膜を構成している。そのブラックマトリックス層及びその開口部を被って透明電極膜２１として膜厚１２５０ÅのＩＴＯ膜２１が形成されている。各層の膜厚は以下の通りである。
第１層：ＳｉＯ2：８００Å
第２層：Ａｌ−Ｎｄ：１０００Å
第３層：Ｃｒ2Ｏ3：５００Å
第４層：Ｃｒ：１００Å
【００６２】
本実施例のブラックマトリックス層の反射率と透過率の分光特性を図９に示す。横軸は波長、左縦軸は反射率、右縦軸は透過率である。最も上側に破線で示された高反射率（ＨＲ）の分光反射率特性の曲線は第１層目のＳｉＯ2膜２３１を通して光を照射したときの反射率、中央部に実線で示された低反射率（ＬＲ）の分光反射率特性の曲線は第４層目のＣｒ膜２３４上のＩＴＯ膜２１を通して入射角が約１０°になる条件で光線を入射させたときの分光反射率を表している。最も下側で横軸に沿って鎖線で示されている曲線は入射角０°で光線を入射させたときのこのブラックマトリックス層の分光透過率である。
【００６３】
図９の結果から、本実施例のブラックマトリックス層も、光源側に配置される高反射率層としてのアルミニウム合金膜２３２側の反射率が大きく、その反対側の液晶層側に配置されるＣｒ膜２３４側の反射率がそれよりも大幅に低くなっているのがわかる。
【００６４】
ここで、実施例１〜３についてブラックマトリックス部及び透明電極部の密着力を比較した結果を表1に示す。
【表１】
0004063559.tif 000002
表1からわかるように、実施例３では、密着膜としてのＳｉＯ2膜２３１を設けているので、ブラックマトリックス部及び透明電極部の密着性が大きくなっている。
【００６５】
本実施例のブラックマトリックス層についての成膜条件等は、実施例１の製造方法に比べると、ＳｉＯ2成膜時にＳｉＯ2ターゲットを使用したこと、Ｃｒ2Ｏ3成膜時にＣｒ2Ｏ3をターゲットとし、スパッタガスとしてＡｒに替わって酸素を１０ＳＣＣＭ導入しながら、Ｃｒと酸素の反応性スパッタリング膜を成膜した点以外は、実施例１と同様である。
【００６６】
（実施例４）
実施例３に類似の実施例として、ガラス基板上に第１層に密着層の酸化珪素膜を形成し、その上に第２層にネオジムを含むアルミニウム合金膜、第３層に酸化クロム膜及び第４層にクロム膜からなるブラックマトリックス層を形成し、さらにその上に第５層として密着層の酸化珪素膜を形成した。最上層の酸化珪素膜上からブラックマトリックス層及びその開口部を被って透明電極膜として膜厚１２５０ÅのＩＴＯ膜を形成した。各層の膜厚は以下の通りである。
第１層：ＳｉＯ2：８００Å
第２層：Ａｌ−Ｎｄ：１０００Å
第３層：Ｃｒ2Ｏ3：５００Å
第４層：Ｃｒ：１００Å
第５層：ＳｉＯ2：８００Å
【００６７】
本実施例のブラックマトリックス層の反射率と透過率の分光特性を図１０に示す。横軸は波長、左縦軸は反射率、右縦軸は透過率である。最も上側に破線で示された高反射率（ＨＲ）の分光反射率特性の曲線は第１層目のＳｉＯ2膜を通して光を照射したときの反射率、中央部に実線で示された低反射率（ＬＲ）の分光反射率特性の曲線は第５層目のＳｉＯ2膜上のＩＴＯ膜を通して入射角が約１０°になる条件で光線を入射させたときの分光反射率を表している。最も下側で横軸に沿って鎖線で示されている曲線は入射角０°で光線を入射させたときのこのブラックマトリックス層の分光透過率である。
【００６８】
図１０の結果から、本実施例のブラックマトリックス層も、光源側に配置される高反射率層としてのアルミニウム合金膜側の反射率が大きく、その反対側の液晶層側に配置されるＣｒ膜側の反射率がそれよりも大幅に低くなっているのがわかる。
【００６９】
また、本実施例では、密着膜としてのＳｉＯ2膜をガラス基板とアルミニウム合金膜との間、及びクロム膜とＩＴＯ膜との間にそれぞれ設けているので、アルミニウム合金膜の密着性もＩＴＯ膜の密着性も高くなって、耐薬品性がさらに向上している。
成膜の条件等は、実施例３の工程にＳｉＯ2膜成膜工程が１工程追加されたものであり、他は実施例３と同様である。
【００７０】
（実施例５）
実施例２に類似の実施例として、ガラス基板上に第１層にネオジムを含むアルミニウム合金膜、第２層にクロム膜、第３層に酸化クロム膜、第４層にクロム膜からなるブラックマトリックス層を形成した。ブラックマトリックス層及びその開口部を被って透明電極膜として膜厚１２５０ÅのＩＴＯ膜を形成した。各層の膜厚は以下の通りである。
第１層：Ａｌ−Ｎｄ：１０００Å
第２層：Ｃｒ：４００Å
第３層：Ｃｒ2Ｏ3：２５０Å
第４層：Ｃｒ：３００Å
【００７１】
本実施例のブラックマトリックス層の反射率と透過率の分光特性を図１１に示す。横軸は波長、左縦軸は反射率、右縦軸は透過率である。最も上側に破線で示された高反射率（ＨＲ）の分光反射率特性の曲線は第１層目のアルミニウム合金膜側から光を照射したときの反射率、中央部に実線で示された低反射率（ＬＲ）の分光反射率特性の曲線は第４層目のＣｒ膜上のＩＴＯ膜を通して入射角が約１０°になる条件で光線を入射させたときの分光反射率を表している。最も下側で横軸に沿って鎖線で示されている曲線は入射角０°で光線を入射させたときのこのブラックマトリックス層の分光透過率である。
【００７２】
図１１の結果から、本実施例のブラックマトリックス層も、光源側に配置される高反射率層としてのアルミニウム合金膜側の反射率が大きく、その反対側の液晶層側に配置されるＣｒ膜側の反射率がそれよりも大幅に低くなっているのがわかる。
【００７３】
また、本実施例では、アルミニウム合金膜とＣｒ2Ｏ3膜の間にＣｒ膜を配置しているので、後加工プロセス（ブラックマトリックス層のパターン化工程）においてアルミニウム合金膜の密着性が高くなっている。
成膜の条件等は、実施例２の工程にＣｒ膜の成膜工程を１工程追加したものであり、他は実施例２と同様である。
【００７４】
（実施例６）
実施例１に類似の実施例として、ガラス基板上に第１層に高反射率層としてネオジムを含むアルミニウム合金膜、第２層に遮光膜としてチタン膜を形成してブラックマトリックス層を形成した。そのブラックマトリックス層及びその開口部を被って透明電極膜として膜厚１２５０ÅのＩＴＯ膜を形成した。ブラックマトリックス層の各層の膜厚は以下の通りである。
第１層：Ａｌ−Ｎｄ：５００Å
第２層：Ｔｉ：５００Å
【００７５】
第２層目の遮光膜として、Ｎｉ，Ｃｒ，Ｔｉをそれぞれ使用した場合の分光特性を図１２に示す。横軸は波長、左縦軸は反射率、右縦軸は透過率である。最も上側に破線で示された高反射率（ＨＲ）の分光反射率特性の曲線は第１層目のアルミニウム合金膜を通して光を照射したときの反射率、最も下側で横軸に沿って鎖線で示されている曲線は入射角０°で光線を入射させたときのこのブラックマトリックス層の分光透過率である。中央部に示されている３本の曲線は、遮光膜としてＮｉ，Ｃｒ，Ｔｉをそれぞれ使用した場合のブラックマトリックス層上のＩＴＯ膜を通して入射角が約１０°になる条件で光線を入射させたときの分光反射率であり、太い実線がＣｒ、細い実線がＴｉ、鎖線がＮｉである。
図１２の結果から、遮光膜としてＣｒ、Ｔｉ、Ｎｉのいずれを使用した場合でも、光源側に配置される高反射率層としてのアルミニウム合金膜側の反射率が大きく、その反対側の液晶層側に配置される遮光膜側の反射率がそれよりも大幅に低くなっているのがわかる。
【００７６】
Ｔｉ、Ｎｉの成膜の条件等は、実施例１におけるターゲットのＣｒをＴｉ又はＮｉに替えた点を除いて、実施例１と同様である。
【００７７】
（実施例７）
実施例１に類似の他の実施例として、ガラス基板上に第１層に高反射率層としてネオジムを含むアルミニウム合金膜、第２層に密着層の酸化珪素膜、第３層に遮光膜のクロム膜を形成してブラックマトリックス層を形成した。ブラックマトリックス層及びその開口部を被って透明電極膜として膜厚１２５０ÅのＩＴＯ膜を形成した。各層の膜厚は以下の通りである。
第１層：Ａｌ−Ｎｄ：６００Å
第２層：ＳｉＯ2：４００Å
第３層：Ｃｒ：１００Å
【００７８】
本件実施例の分光特性を図１３に示した。横軸は波長、左縦軸は反射率、右縦軸は透過率である。最も上側に破線で示された高反射率（ＨＲ）の分光反射率特性の曲線は第１層目のアルミニウム合金膜を通して光を照射したときの反射率、中央部に実線で示された低高反射率（ＬＲ）の分光反射率特性の曲線はブラックマトリックス層上のＩＴＯ膜を通して入射角が約１０°になる条件で光線を入射させたときの分光反射率、最も下側で横軸に沿って鎖線で示されている曲線は入射角０°で光線を入射させたときのこのブラックマトリックス層の分光透過率である。
図１３の結果から、光源側に配置される高反射率層としてのアルミニウム合金膜側の反射率が大きく、その反対側の液晶層側に配置される遮光膜側の反射率がそれよりも大幅に低くなっているのがわかる。
【００７９】
実施例７では、実施例１に比べて密着膜としてのＳｉＯ2膜を設けているので、アルミニウム合金膜とクロム膜の間の密着性が向上している。
成膜の条件等は、実施例１の工程にＳｉＯ2膜成膜工程が１工程追加されたものであり、他は実施例１と同様である。
【００８０】
（実施例８）
実施例３に類似のさらに他の実施例として、ガラス基板上に第１層に密着層の酸化珪素膜を形成し、その上に第２層にネオジムを含むアルミニウム合金膜、第３層に密着層の酸化珪素膜及び第４層にクロム膜からなるブラックマトリックス層を形成し、さらにその上に第５層として密着層の酸化珪素膜を形成した。最上層の酸化珪素膜上からブラックマトリックス層及びその開口部を被って透明電極膜として膜厚１２５０ÅのＩＴＯ膜を形成した。各層の膜厚は以下の通りである。
第１層：ＳｉＯ2：３００Å
第２層：Ａｌ−Ｎｄ：１０００Å
第３層：ＳｉＯ2：７００Å
第４層：Ｃｒ：３００Å
第５層：ＳｉＯ2：２５０Å
【００８１】
本件実施例の分光特性を図１４に示す。横軸は波長、左縦軸は反射率、右縦軸は透過率である。最も上側に破線で示された高反射率（ＨＲ）の分光反射率特性の曲線は第１層目の酸化珪素膜を通して光を照射したときの反射率、中央部に実線で示された低反射率（ＬＲ）の分光反射率特性の曲線は第５層目の酸化珪素膜上のＩＴＯ膜を通して入射角が約１０°になる条件で光線を入射させたときの分光反射率、最も下側で横軸に沿って鎖線で示されている曲線は入射角０°で光線を入射させたときのこのブラックマトリックス層の分光透過率である。
【００８２】
図１４の結果から、本実施例のブラックマトリックス層も、光源側に配置される高反射率層としてのアルミニウム合金膜側の反射率が大きく、その反対側の液晶層側に配置されるＣｒ膜側の反射率がそれよりも大幅に低くなっているのがわかる。
【００８３】
本実施例は、各層の間に密着層の酸化珪素膜を挟んでいるので、密着性がさらに向上している。
成膜の条件等は、実施例４の工程のＣｒ2Ｏ3膜の成膜工程をＳｉＯ2成膜工程に替えたものであり、他は実施例４と同様である。
【００８４】
以上の実施例の利点をまとめて示すと、次のようになる。
（１）従来の液晶デバイスではランプ側から入射しブラックマトリックス層部分に到達した光は有効に使用されずに熱となってマイクロレンズアレイ素子の寿命を短くするが、以上の実施例ではこの不要な光を反射率８０％以上で反射し温度上昇を防ぐことが可能である。また、第２層以降の膜構成によって液晶層側からの戻り光は、吸収率６０％以上で吸収することができるので、液晶プロジェクターの画質に悪影響を与える迷光を防ぐことが可能となる。
【００８５】
（２）上記機能膜の形成は、従来の構成方法では不可能であった。
前述のように、光学的膜厚ｎ・ｄの式：ｎ・ｄ＝ｍ・λ・（１／４）で、従来はｍを整数としてしか扱っていなかったので、ｍ＜１に属する範囲で高精度に膜厚制御することが難しいかった。さらに、屈折率をおのおのガス導入量や条件により制御しながらするのはさらに難しいかった。しかし、本発明ではｍ＜１まで拡大解釈する手法を採用し、さらに、多層膜、例えは３〜６層膜にもこの解釈を応用することによってこの困難を克服している。
（３）従来のブラックマトリックス層の構成に比べて、マイクロレンズアレイ液晶デバイスの温度を低下させることが可能である。
【００８６】
（実施例９）
本実施例は、図４（Ｂ）に示すように、遮光用ブラックマトリックス層開口部の凹段差部分に、ブラックマトリックス層と同等膜厚の透明膜を配置してその凹段差部分を埋めた実施例である。
【００８７】
製作の方法は、フォトリソグラフィー工程とドライ又はウエットエッチング法によって積層膜をパターン化して上記の実施例のようなブラックマトリックス層をガラス基板上に形成した後、透明電極膜を成膜する前に、レジストを残した状態で、そのガラス基板を再びスパッタリング装置内に導入し、ブラックマトリックス層の開口部の膜厚差と同等の膜厚の透明絶縁膜をスパッタリング法で成膜した。具体的な透明絶縁膜としては、ＳｉＯ2膜を成膜した。他の透明絶縁膜、例えば、Ｓｉ3Ｎ4膜、ＴｉＯ2膜、Ｔa2Ｏ5膜、ＺｒＯ2膜等を用いることも可能である。
【００８８】
次いでブラックマトリックス層上のレジストを剥離液で剥離した。このとき、レジスト上のＳｉＯ2膜はレジストとともに除去される。このリフトオフ法では、レジストを溶媒で剥離する際の作業性を考慮して、凹段差部分を埋めるＳｉＯ2膜の成膜条件を適当に設定する。
その後、そのガラス基板を再度スパッタリング装置に導入し透明電極膜のＩＴＯを成膜した。
【００８９】
本実施例は、段差が解消されているためＩＴＯ膜の信頼性が向上していた。また、ブラックマトリックス層部分の膜厚が厚いことに起因する液晶分子の配向の乱れを生じにくくすることが可能となる。
【００９０】
（実施例１０）
本実施例は、図５（Ｂ）に示されるように、遮光用ブラックマトリックス層の開口部での凹段差部分の壁面での密着性を向上させるために、実施例１０と同様にブラックマトリックス層加工の後にリフトオフ法によって開口部での凹段差部分に密着層としての薄膜４２を配置した実施例である。密着層としての薄膜４２の具体的例としてＳｉＯ2膜を使用した。他の密着層として、例えば、Ｓｉ3Ｎ4膜、ＴｉＯ2膜、Ｔa2Ｏ5膜、ＺｒＯ2膜等を用いることも可能である。そのような密着層は、図５（Ｂ）に示されるように光が透過する部分にも成膜する場合には、使用波長において透明であることが必要である。
【００９１】
製造は、実施例１０の工程と同様に実施した。段差解消のためのＳｉＯ2膜を成膜する際の膜厚を５００Å程度とし、実施例１０よりはかなり薄くした点以外は実施例１０と同様に実施した。
本実施例は、段差部内側部のＩＴＯ膜２１の密着性が向上している。
【００９２】
（実施例１２）
本実施例では、液晶プロジェクター用ブラックマトリックス層の透明電極膜の下にアンダーコートを配置した。具体的なアンダーコート薄膜としては、ＳｉＯ2膜を使用した。他のアンダーコート薄膜としては、例えばＴｉＯ2膜、Ｔa2Ｏ5膜、ＺｒＯ2膜等を用いることも可能である。ただし光を透過する部分に成膜する場合には、使用波長において透明であることが必要である。
【００９３】
本件実施例では、上記の実施例と同様にブラックマトリックス層を製作した後に、ＩＴＯ膜を成膜する前にアンダーコートとして５００Å以下のＳｉＯ2膜を成膜した。
本実施例は、面全体にわたってＩＴＯ膜の密着性が向上しているの。
【００９４】
【発明の効果】
本発明のブラックマトリックス層用薄膜の膜構成は、ランプ側から入射した不要な光を高反射率特性によって反射し、温度上昇を防ぐことが可能で長寿命化を計ることができる。
また、液晶層側からの戻り光は低反射率特性によって吸収することができるので、迷光を防ぐことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】液晶デバイスの一実施例を概略的に示す部分断面図である。
【図２】同実施例の液晶デバイスで使用されているマイクロレンズアレイ基板を示す平面図である。
【図３】各種ブラックマトリックス層を示す断面図であり、（Ａ）から（Ｃ）は実施例、（Ｄ）は従来例を示す
【図４】各種ブラックマトリックス層を示す断面図であり、（Ａ）は従来例及び一実施例、（Ｂ）は他の実施例を示す。
【図５】（Ａ），（Ｂ）はさらに他の実施例におけるブラックマトリックス層を示す断面図である。
【図６】さらに他の実施例におけるブラックマトリックス層を示す断面図である。
【図７】実施例１のブラックマトリックス層の反射率と透過率の分光特性を示す図である。
【図８】実施例２のブラックマトリックス層の反射率と透過率の分光特性を示す図である。
【図９】実施例３のブラックマトリックス層の反射率と透過率の分光特性を示す図である。
【図１０】実施例４のブラックマトリックス層の反射率と透過率の分光特性を示す図である。
【図１１】実施例５のブラックマトリックス層の反射率と透過率の分光特性を示す図である。
【図１２】実施例６のブラックマトリックス層の反射率と透過率の分光特性を示す図である。
【図１３】実施例７のブラックマトリックス層の反射率と透過率の分光特性を示す図である。
【図１４】実施例８のブラックマトリックス層の反射率と透過率の分光特性を示す図である。
【符号の説明】
１      ＴＦＴ基板
２      マイクロレンズアレイ基板
３      ガラス基板
４，５０，２４１      ブラックマトリックス層
５      液晶層
１Ｂ      透明電極膜
１Ａ      ＴＦＴ
２１      ＩＴＯ膜
３３      絶縁膜
４１，５２      アンダーコート
４２      段差解消又は段差縮小用の膜
２１１，２２１，２３２      アルミニウム合金膜
２１２，２２３，２３４      クロム膜
２２２，２３３      酸化クロム膜
２３１      酸化珪素膜
【図１】
0004063559.tif 000003
【図２】
0004063559.tif 000004
【図３】
0004063559.tif 000005
【図４】
0004063559.tif 000006
【図５】
0004063559.tif 000007
【図６】
0004063559.tif 000008
【図７】
0004063559.tif 000009
【図８】
0004063559.tif 000010
【図９】
0004063559.tif 000011
【図１０】
0004063559.tif 000012
【図１１】
0004063559.tif 000013
【図１２】
0004063559.tif 000014
【図１３】
0004063559.tif 000015
【図１４】
0004063559.tif 000016