(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体基板の表面に形成された第２導電型の第１の拡散領域と、
前記半導体基板の表面の前記第１の拡散領域上に選択的に形成された第１導電型の第２の拡散領域及び第２導電型の第３の拡散領域と、
前記半導体基板及び前記第１、第２の拡散領域内に形成されたトレンチと、
前記トレンチ内に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極と電気的に絶縁され、前記第２、第３の拡散領域上に選択的に形成されたソース電極と、
前記半導体基板の裏面に形成され、イオンの電気的な活性化率Ｘが１％≦Ｘ≦３０％であり、積算キャリア濃度Ｙが１×１０12／ｃｍ2≦Ｙ≦１×１０15／ｃｍ2である第１導電型の不活性領域と、
前記不活性領域の裏面に形成され、前記不活性領域よりもイオンの電気的な活性化率が高い第１導電型の活性領域と、
前記活性領域の裏面に形成されたドレイン電極と
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１導電型の半導体基板の表面に形成された第２導電型の第１の拡散領域と、
前記半導体基板の表面の前記第１の拡散領域上に選択的に形成された第１導電型の第２の拡散領域及び第２導電型の第３の拡散領域と、
前記半導体基板及び前記第１、第２の拡散領域内に形成されたトレンチと、
前記トレンチ内に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極と電気的に絶縁され、前記第２、第３の拡散領域上に選択的に形成されたソース電極と、
前記半導体基板の裏面に形成され、イオンの電気的な活性化率Ｘが１％≦Ｘ≦３０％であり、積算キャリア濃度Ｙが１×１０12／ｃｍ2≦Ｙ≦１×１０15／ｃｍ2である第１導電型の不活性領域と、
前記不活性領域の裏面に形成されたドレイン電極と
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１導電型の半導体基板の表面に形成された第２導電型の第１の拡散領域と、
前記半導体基板の表面の前記第１の拡散領域上に選択的に形成された第１導電型の第２の拡散領域及び第２導電型の第３の拡散領域と、
前記半導体基板及び前記第１、第２の拡散領域内に形成されたトレンチと、
前記トレンチ内に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極と電気的に絶縁され、前記第２、第３の拡散領域上に選択的に形成されたエミッタ電極と、
前記半導体基板の裏面に形成され、イオンの電気的な活性化率Ｘが１％≦Ｘ≦３０％であり、積算キャリア濃度Ｙが１×１０12／ｃｍ2≦Ｙ≦１×１０15／ｃｍ2である第１導電型の不活性領域と、
前記不活性領域の裏面に形成され、前記不活性領域よりもイオンの電気的な活性化率が高い第１導電型の活性領域と、
前記活性領域の裏面に形成された第２導電型のアノード層と、
前記アノード層の裏面に形成されたコレクタ電極と
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記不活性領域の前記活性化率Ｘは、１０％であることを特徴とする請求項１乃至３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記活性領域のキャリア濃度は、前記不活性領域のキャリア濃度より高いことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
前記活性領域のキャリア濃度は前記不活性領域のキャリア濃度より高く、かつ、前記アノード層のキャリア濃度は前記活性領域のキャリア濃度より高いことを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項７】
前記不活性領域と前記活性領域との全体の膜厚は、３．０μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は３記載の半導体装置。
【請求項８】
前記不活性領域の膜厚は、３．０μｍ以下であることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項９】
前記アノード層のキャリア濃度と前記活性領域のキャリア濃度の比Ｚは、１＜Ｚ＜１００であることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記活性領域の前記ドレイン電極に接している方の面の表層部のキャリア濃度は、３×１０17／ｃｍ3以上であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記アノード層の前記コレクタ電極に接している方の面の表層部のキャリア濃度は、１×１０18／ｃｍ3以上であることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項１２】
第１導電型の半導体基板の表面に第２導電型の第１の拡散領域を形成する工程と、
前記半導体基板の表面の前記第１の拡散領域上に第１導電型の第２の拡散領域及び第２導電型の第３の拡散領域を選択的に形成する工程と、
前記半導体基板及び前記第１、第２の拡散領域内にトレンチを形成する工程と、
前記トレンチ内にゲート電極を形成する工程と、
前記第２、第３の拡散領域上にソース電極を選択的に形成する工程と、
前記半導体基板の裏面を研磨する工程と、
前記半導体基板の裏面にイオンを注入した後に熱処理を行うことにより、前記半導体基板の裏面に第１導電型の活性領域を形成する工程と、
前記半導体基板の裏面にイオンを注入した後、前記活性領域の裏面にドレイン電極を形成する工程と、
熱処理を行うことにより、前記半導体基板と前記活性領域との間にイオンの電気的な活性化率Ｘが１％≦Ｘ≦３０％であり、積算キャリア濃度Ｙが１×１０12／ｃｍ2≦Ｙ≦１×１０15／ｃｍ2であり、前記活性領域よりもイオンの電気的な活性化率が低い第１導電型の不活性領域を形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
第１導電型の半導体基板の表面に第２導電型の第１の拡散領域を形成する工程と、
前記半導体基板の表面の前記第１の拡散領域上に第１導電型の第２の拡散領域及び第２導電型の第３の拡散領域を選択的に形成する工程と、
前記半導体基板及び前記第１、第２の拡散領域内にトレンチを形成する工程と、
前記トレンチ内にゲート電極を形成する工程と、
前記第２、第３の拡散領域上にソース電極を選択的に形成する工程と、
前記半導体基板の裏面を研磨する工程と、
前記半導体基板の裏面にイオンを注入した後、前記半導体基板の裏面にドレイン電極を形成する工程と、
熱処理を行うことにより、前記半導体基板と前記ドレイン電極との間にイオンの電気的な活性化率Ｘが１％≦Ｘ≦３０％であり、積算キャリア濃度Ｙが１×１０12／ｃｍ2≦Ｙ≦１×１０15／ｃｍ2である第１導電型の不活性領域を形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
第１導電型の半導体基板の表面に第２導電型の第１の拡散領域を形成する工程と、
前記半導体基板の表面の前記第１の拡散領域上に第１導電型の第２の拡散領域及び第２導電型の第３の拡散領域を選択的に形成する工程と、
前記半導体基板及び前記第１、第２の拡散領域内にトレンチを形成する工程と、
前記トレンチ内にゲート電極を形成する工程と、
前記第２、第３の拡散領域上にエミッタ電極を選択的に形成する工程と、
前記半導体基板の裏面を研磨する工程と、
前記半導体基板の裏面にイオンを注入した後に熱処理を行うことにより、前記半導体基板の裏面に第１導電型の活性領域と、前記活性領域の裏面に第２導電型のアノード層とを形成する工程と、
前記半導体基板の裏面にイオンを注入した後、前記アノード層の裏面にコレクタ電極を形成する工程と、
熱処理を行うことにより、前記半導体基板と前記活性領域との間にイオンの電気的な活性化率Ｘが１％≦Ｘ≦３０％であり、積算キャリア濃度Ｙが１×１０12／ｃｍ2≦Ｙ≦１×１０15／ｃｍ2であり、前記活性領域よりもイオンの電気的な活性化率が低い第１導電型の不活性領域を形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記活性領域のキャリア濃度は、前記不活性領域のキャリア濃度より高いことを特徴とする請求項１２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記活性領域のキャリア濃度は前記不活性領域のキャリア濃度より高く、かつ、前記アノード層のキャリア濃度は前記活性領域のキャリア濃度より高いことを特徴とする請求項１４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記アノード層の裏側の表層のキャリア濃度は、１×１０18／ｃｍ3以上であることを特徴とする請求項１４記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、パワースイッチングデバイスに係る半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
パワーＭＯＳＦＥＴ及びＩＧＢＴ等のパワースイッチングデバイスにおいて、パンチスルー構造（以下、ＰＴ構造と称す）の半導体装置が一般的である。パンチスルー構造とは、例えばＭＯＳＦＥＴの場合、ＭＯＳＦＥＴに加わる電圧が最大の時にＮ-層が完全に空乏化する構造である。
【０００３】
図１２は、ＰＴ構造のパワーＭＯＳＦＥＴの例を示す。図１２に示すように、エピタキシャル成長させて形成されたＮ-層（以下、Ｎ-エピウエハと称す）４１の表面に、Ｐ-型拡散層４２、Ｎ+型拡散層４３、Ｐ+型拡散層４４が形成されている。また、Ｎ-エピウエハ４１内にゲート絶縁膜４６を介してゲート電極４７が形成され、Ｎ-エピウエハ４１上に選択的にソース電極４８が形成されている。さらに、Ｎ-エピウエハ４１の裏面にＮ+型のバッファ層（以下、Ｎ+バッファ層と称す）４９が形成され、このＮ+バッファ層４９の裏面にドレイン電極５０が形成されている。ここで、例えば１２００Ｖ耐圧用の製品の場合、Ｎ-エピウエハ４１の膜厚は１００μｍ、Ｎ+バッファ層４９の膜厚は１５０μｍとなっている。
【０００４】
このようなＰＴ構造のパワーＭＯＳＦＥＴは、スイッチオフ時に、Ｐ-型拡散層４２よりＮ-エピウエハ４１に空乏層が成長する。この空乏層の成長は、Ｎ+バッファ層４９により抑制され、ドレイン電極５０に空乏層が接触することを防止している。
【０００５】
しかし、上記ＰＴ構造のパワーＭＯＳＦＥＴは、エピタキシャル成長させたエピウエハ、又は、深い拡散工程を施されたＯＳＬウエハを用いている。従って、ＰＴ構造で用いられるウエハは、コストが高いという問題があった。
【０００６】
そこで、エピウエハ又はＯＳＬウエハの代わりの安価なウエハとして、処理が施されていないＲａｗウエハが用いることが考えられ、このＲａｗウエハを用いたノンパンチスルー構造（以下、ＮＰＴ構造と称す）のパワーＭＯＳＦＥＴが実現化されている。ＮＰＴ構造とは、ＭＯＳＦＥＴの場合、ＭＯＳＦＥＴに加わる電圧が最大の時に、ＰＴ構造とは異なり、Ｎ-層の７０乃至８０％しか空乏化しない構造である。
【０００７】
図１３は、ＮＰＴ構造のパワーＭＯＳＦＥＴの例を示す。図１３において、図１２に示すＰＴ構造のパワーＭＯＳＦＥＴと同様の構造には同一符号を付している。図１３に示すように、ＮＰＴ構造のパワーＭＯＳＦＥＴは、ＰＴ構造におけるＮ-エピウエハ４１とＮ+バッファ層４９の代わりに、Ｎ-層５１とＮ+コンタクト層５１ａが形成されている。このＮ-層５１とＮ+コンタクト層５１ａ以外の他の構造は、図１２に示すＰＴ構造と同様のため、説明は省略する。
【０００８】
しかしながら、ＮＰＴ構造のパワーＭＯＳＦＥＴは、ＭＯＳＦＥＴに加わる電圧が最大の時に広がる空乏層がドレイン電極５０に達しないように、所望の厚さを有するＮ-層５１を形成する必要がある。具体的には、スイッチオフ時の遮断電圧を得るために、例えば１２００Ｖ耐圧用の製品の場合、ＮＰＴ構造では、Ｎ-層５１の膜厚は２００μｍにする必要がある。これに対し、ＰＴ構造では、Ｎ-エピウエハ４１の膜厚は１００μｍ程でよい。つまり、ＮＰＴ構造は、ＰＴ構造と比べると、同じ耐圧を得るために２倍の膜厚を有するＮ-層が必要となる。このため、ＮＰＴ構造は、ＰＴ構造よりもスイッチオン時の消費電力が増加するという問題がある。
【０００９】
そこで、Ｒａｗウエハを用いたＰＴ構造のパワーＭＯＳＦＥＴ（図示せず）の実現が要求される。つまり、Ｒａｗウエハの裏面にＮ+バッファ層が形成されたパワーＭＯＳＦＥＴが要求される。このＲａｗウエハを用いたＰＴ構造によれば、コストメリットが高く、かつＮＰＴ構造よりも消費電力が抑制できる製品が実現化できる。尚、Ｎ+バッファ層は、逆耐圧電圧により空乏層が裏面電極に達するのを止め、かつ裏面電極とのオーミック性が得られるような層である。
【００１０】
しかし、ウエハの裏面構造を形成する際、ＮＰＴ構造のＭＯＳＦＥＴの場合、ウエハを薄く加工した後、表面構造の形成（Ｐ-型拡散層４２の形成等）を実施するのが困難であるため、表面構造の形成後にウエハを薄くし、その後、イオン注入やアニール等により裏面構造の形成（Ｎ+バッファ層４９の形成等）を行っている。このため、ウエハ表面への熱ダメージを考慮すると、拡散温度に限界がある。つまり、空乏層の成長を抑制するために必要な厚さ（例えば５μｍ厚以上）を有するｎ+バッファ層を形成することが困難である。従って、Ｒａｗウエハを用いたＰＴ構造のパワーＭＯＳＦＥＴは、実現が難しいと考えられていた。
【００１１】
ところで、パワーＭＯＳＦＥＴに比べて、高耐圧で、かつスイッチオン時の電圧が低いＩＧＢＴも、パワーＭＯＳＦＥＴと同様の問題を抱えている。
【００１２】
図１４は、ＰＴ構造のＩＧＢＴの例を示す。図１４において、図１２に示すＰＴ構造のパワーＭＯＳＦＥＴと同様の構造には同一符号を付している。図１４に示すように、エピタキシャル成長させて形成されたＮ-層（以下、Ｎ-エピウエハと称す）４１の表面にＰ-型拡散層４２、Ｎ+型拡散層４３、Ｐ+型拡散層４４が形成されている。また、Ｎ-エピウエハ４１内にゲート絶縁膜４６を介してゲート電極４７が形成され、Ｎ-エピウエハ４１上に選択的にエミッタ電極６１が形成されている。さらに、Ｎ-エピウエハ４１の裏面にＮ+バッファ層６２が形成され、このＮ+バッファ層６２の裏面にＰ+型のアノード層（以下、Ｐ+アノード層と称す）６３が形成されている。また、Ｐ+アノード層６３の裏面にコレクタ電極６４が形成されている。ここで、例えば１２００Ｖ耐圧用の製品の場合、Ｎ-エピウエハ４１の膜厚は１００μｍ、Ｎ+バッファ層６２の膜厚は５μｍ、Ｐ+アノード層６３の膜厚は４００μｍとなっている。
【００１３】
このようなＰＴ構造のＩＧＢＴは、スイッチオフ時に空乏層がＰ-型拡散層４２よりＮ-エピウエハ４１に成長する。この空乏層の成長をＮ+バッファ層６２で抑制し、アノード層６３を介してコレクタ電極６４に空乏層が接触することを防止している。また、ＩＧＢＴではＰ+アノード層６３が形成されているため、Ｐ+アノード層６３からＮ-型のエピウエハ４１に多くのホールが注入される。その結果、スイッチオフ時のエネルギーロス（以下、Ｅｏｆｆと称す）が大きくなる。このため、例えば５μｍ厚以上の膜厚を有するＮ+バッファ層６２を設け、かつ、電子線、フォトン照射等で結晶欠陥を発生させている。これにより、スイッチオフ時のＥｏｆｆを低減させている。
【００１４】
しかしながら、ＰＴ構造のＩＧＢＴは、ＰＴ構造のパワーＭＯＳＦＥＴと同様に、エピウエハ４１のコストが高いという問題があった。
【００１５】
そこで、このエピウエハ４１の代わりの安価なウエハとして、処理が施されていないＲａｗウエハを用いることが考えられ、このＲａｗウエハを用いたＮＰＴ構造のＩＧＢＴが実現化されている。
【００１６】
図１５は、ＮＰＴ構造のＩＧＢＴの例を示す。図１５において、図１４に示すＰＴ構造のＩＧＢＴと同様の構造には同一符号を付している。図１５に示すように、ＰＴ構造のＮ-エピウエハ４１とＮ+バッファ層６２の代わりに、ＮＰＴ構造ではＮ-層７１が形成されている。ここで、例えば１２００Ｖ耐圧用の製品の場合、Ｎ-層７１の膜厚は２００μｍ、Ｐ+アノード層６３の膜厚は４００μｍとなっている。尚、Ｎ-層７１以外の他の構造は、図１４に示すＰＴ構造と同様のため、説明は省略する。
【００１７】
しかしながら、ＮＰＴ構造のＩＧＢＴは、上述したパワーＭＯＳＦＥＴと同様に、ＮＰＴ構造は、ＰＴ構造と比べると、同じ耐圧を得るために２倍の膜厚を有するＮ-層が必要となる。従って、ＰＴ構造よりもスイッチオン時の消費電力が増加するという問題がある。
【００１８】
そこで、Ｒａｗウエハを用いたＰＴ構造のＩＧＢＴ（図示せず）の実現が要求される。つまり、Ｒａｗウエハの裏面にＮ+バッファ層とＰ+アノード層が形成されたＩＧＢＴが要求される。このＲａｗウエハを用いたＰＴ構造によれば、コストメリットが高く、かつＮＰＴ構造よりも消費電力が抑制できる製品が実現化できる。尚、Ｎ+バッファ層は、逆耐圧電圧により空乏層が裏面電極に達するのを止め、素子耐圧を得て、さらにＥｏｆｆを低減できるような膜厚を有する必要がある。
【００１９】
しかし、ウエハの裏面構造を形成する際、ウエハの表面への熱ダメージを考慮すると、拡散温度に限界がある。このため、素子耐圧を得て、かつＥｏｆｆを低減するために必要な厚さ（例えば１０μｍ厚以上）を有するｎ+バッファ層を形成することが困難である。従って、Ｒａｗウエハを用いたＰＴ構造のＩＧＢＴは、実現が難しいと考えられていた。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】
以上のように、エピウエハを用いたＰＴ構造のパワーＭＯＳＦＥＴ及びＩＧＢＴは、エピウエハのコストが高いという問題がある。また、Ｒａｗウエハを用いたＮＰＴ構造のパワーＭＯＳＦＥＴ及びＩＧＢＴは、スイッチオン時の消費電力が増加するという問題がある。
【００２１】
さらに、上記問題を回避するために提案されたＲａｗウエハを用いたＰＴ構造のパワーＭＯＳＦＥＴ及びＩＧＢＴは、裏面の構造を形成する際、表面への熱ダメージによる制限があるため、所望の厚さを有するｎ+バッファ層を形成することが難しいという問題がある。
【００２２】
従って、現在、コストが低減でき、かつ消費電力を抑制できるパワーＭＯＳＦＥＴ及びＩＧＢＴを形成することは困難であった。
【００２３】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、コストが低減でき、かつ消費電力を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【００２４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記目的を達成するために以下に示す手段を用いている。
【００２５】
本発明の第１の半導体装置は、第１導電型の半導体基板の表面に形成された第２導電型の第１の拡散領域と、前記半導体基板の表面の前記第１の拡散領域上に選択的に形成された第１導電型の第２の拡散領域及び第２導電型の第３の拡散領域と、前記半導体基板及び前記第１、第２の拡散領域内に形成されたトレンチと、前記トレンチ内に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極と電気的に絶縁され、前記第２、第３の拡散領域上に選択的に形成されたソース電極と、前記半導体基板の裏面に形成され、イオンの電気的な活性化率Ｘが１％≦Ｘ≦３０％であり、積算キャリア濃度Ｙが１×１０12／ｃｍ2≦Ｙ≦１×１０15／ｃｍ2である第１導電型の不活性領域と、前記不活性領域の裏面に形成され、前記不活性領域よりもイオンの電気的な活性化率が高い第１導電型の活性領域と、前記活性領域の裏面に形成されたドレイン電極とを有する。
【００２６】
本発明の第２の半導体装置は、第１導電型の半導体基板の表面に形成された第２導電型の第１の拡散領域と、前記半導体基板の表面の前記第１の拡散領域上に選択的に形成された第１導電型の第２の拡散領域及び第２導電型の第３の拡散領域と、前記半導体基板及び前記第１、第２の拡散領域内に形成されたトレンチと、前記トレンチ内に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極と電気的に絶縁され、前記第２、第３の拡散領域上に選択的に形成されたソース電極と、前記半導体基板の裏面に形成され、イオンの電気的な活性化率Ｘが１％≦Ｘ≦３０％であり、積算キャリア濃度Ｙが１×１０12／ｃｍ2≦Ｙ≦１×１０15／ｃｍ2である第１導電型の不活性領域と、前記不活性領域の裏面に形成されたドレイン電極とを有する。
【００２７】
本発明の第３の半導体装置は、第１導電型の半導体基板の表面に形成された第２導電型の第１の拡散領域と、前記半導体基板の表面の前記第１の拡散領域上に選択的に形成された第１導電型の第２の拡散領域及び第２導電型の第３の拡散領域と、前記半導体基板及び前記第１、第２の拡散領域内に形成されたトレンチと、前記トレンチ内に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極と電気的に絶縁され、前記第２、第３の拡散領域上に選択的に形成されたエミッタ電極と、前記半導体基板の裏面に形成され、イオンの電気的な活性化率Ｘが１％≦Ｘ≦３０％であり、積算キャリア濃度Ｙが１×１０12／ｃｍ2≦Ｙ≦１×１０15／ｃｍ2である第１導電型の不活性領域と、前記不活性領域の裏面に形成され、前記不活性領域よりもイオンの電気的な活性化率が高い第１導電型の活性領域と、前記活性領域の裏面に形成された第２導電型のアノード層と、前記アノード層の裏面に形成されたコレクタ電極とを有する。
【００３０】
上記本発明の第１の半導体装置において、前記活性領域のキャリア濃度は、前記不活性領域のキャリア濃度より高い。
【００３１】
上記本発明の第３の半導体装置において、前記活性領域のキャリア濃度は前記不活性領域のキャリア濃度より高く、かつ、前記アノード層のキャリア濃度は前記活性領域のキャリア濃度より高い。また、前記アノード層のキャリア濃度と前記活性領域のキャリア濃度の比Ｚは、１＜Ｚ＜１００である。
【００３２】
本発明の第１の半導体装置の製造方法は、第１導電型の半導体基板の表面に第２導電型の第１の拡散領域を形成する工程と、前記半導体基板の表面の前記第１の拡散領域上に第１導電型の第２の拡散領域及び第２導電型の第３の拡散領域を選択的に形成する工程と、前記半導体基板及び前記第１、第２の拡散領域内にトレンチを形成する工程と、前記トレンチ内にゲート電極を形成する工程と、前記第２、第３の拡散領域上にソース電極を選択的に形成する工程と、前記半導体基板の裏面を研磨する工程と、前記半導体基板の裏面にイオンを注入した後に熱処理を行うことにより、前記半導体基板の裏面に第１導電型の活性領域を形成する工程と、前記半導体基板の裏面にイオンを注入した後、前記活性領域の裏面にドレイン電極を形成する工程と、熱処理を行うことにより、前記半導体基板と前記活性領域との間にイオンの電気的な活性化率Ｘが１％≦Ｘ≦３０％であり、積算キャリア濃度Ｙが１×１０12／ｃｍ2≦Ｙ≦１×１０15／ｃｍ2であり、前記活性領域よりもイオンの電気的な活性化率が低い第１導電型の不活性領域を形成する工程とを含む。
【００３３】
本発明の第２の半導体装置の製造方法は、第１導電型の半導体基板の表面に第２導電型の第１の拡散領域を形成する工程と、前記半導体基板の表面の前記第１の拡散領域上に第１導電型の第２の拡散領域及び第２導電型の第３の拡散領域を選択的に形成する工程と、前記半導体基板及び前記第１、第２の拡散領域内にトレンチを形成する工程と、前記トレンチ内にゲート電極を形成する工程と、前記第２、第３の拡散領域上にソース電極を選択的に形成する工程と、前記半導体基板の裏面を研磨する工程と、前記半導体基板の裏面にイオンを注入した後、前記半導体基板の裏面にドレイン電極を形成する工程と、熱処理を行うことにより、前記半導体基板と前記ドレイン電極との間にイオンの電気的な活性化率Ｘが１％≦Ｘ≦３０％であり、積算キャリア濃度Ｙが１×１０12／ｃｍ2≦Ｙ≦１×１０15／ｃｍ2である第１導電型の不活性領域を形成する工程とを含む。
【００３４】
本発明の第３の半導体装置の製造方法は、第１導電型の半導体基板の表面に第２導電型の第１の拡散領域を形成する工程と、前記半導体基板の表面の前記第１の拡散領域上に第１導電型の第２の拡散領域及び第２導電型の第３の拡散領域を選択的に形成する工程と、前記半導体基板及び前記第１、第２の拡散領域内にトレンチを形成する工程と、前記トレンチ内にゲート電極を形成する工程と、前記第２、第３の拡散領域上にエミッタ電極を選択的に形成する工程と、前記半導体基板の裏面を研磨する工程と、前記半導体基板の裏面にイオンを注入した後に熱処理を行うことにより、前記半導体基板の裏面に第１導電型の活性領域と、前記活性領域の裏面に第２導電型のアノード層とを形成する工程と、前記半導体基板の裏面にイオンを注入した後、前記アノード層の裏面にコレクタ電極を形成する工程と、熱処理を行うことにより、前記半導体基板と前記活性領域との間にイオンの電気的な活性化率Ｘが１％≦Ｘ≦３０％であり、積算キャリア濃度Ｙが１×１０12／ｃｍ2≦Ｙ≦１×１０15／ｃｍ2であり、前記活性領域よりもイオンの電気的な活性化率が低い第１導電型の不活性領域を形成する工程とを含む。
【００３７】
上記本発明の第１の半導体装置の製造方法において、前記活性領域のキャリア濃度は、前記不活性領域のキャリア濃度より高い。
【００３８】
上記本発明の第３の半導体装置の製造方法において、前記活性領域のキャリア濃度は前記不活性領域のキャリア濃度より高く、かつ、前記アノード層のキャリア濃度は前記活性領域のキャリア濃度より高い。また、前記アノード層のキャリア濃度と前記活性領域のキャリア濃度の比Ｚは、１＜Ｚ＜１００である。
【００３９】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を以下に図面を参照して説明する。
【００４０】
［第１の実施例］
本発明の第１の実施例は、Ｒａｗウエハを用いたＰＴ構造のパワーＭＯＳＦＥＴであり、このパワーＭＯＳＦＥＴはキャリア濃度の異なる二層のｎ+バッファ層を有する点に特徴がある。
【００４１】
まず、第１の実施例に係るパワーＭＯＳＦＥＴの形成方法について説明する。図１は、第１の実施例に係るパワーＭＯＳＦＥＴの断面図を示す。図１に示すように、ＲａｗウエハであるＮ-型のシリコン基板（以下、Ｎ-層と称す）１１の表面にＰ-型拡散層１２が形成され、このＰ-型拡散層１２上にＮ+型拡散層１３、Ｐ+型拡散層１４が選択的に形成される。次に、Ｎ-層１１に達する深さまでトレンチ１５が形成される。次に、全面にゲート絶縁膜１６が形成され、このゲート絶縁膜１６上に金属膜が形成される。その後、ゲート絶縁膜１６及び金属膜が除去され、トレンチ１５内にゲート電極１７が形成される。その後、Ｎ+型拡散層１３、Ｐ+型拡散層１４上に、ゲート電極１７と電気的に絶縁されたソース電極１８が選択的に形成され、ウエハの表面構造の形成が終了する。
【００４２】
次に、素子の耐圧レベルに合わせて、ウエハの厚さを所定の厚さにするために、ウエハの裏面が研磨される。ここで、例えば１２００Ｖの耐圧素子を形成する場合、Ｎ-層１１の厚さが例えば１００μｍとなるように、ウエハの裏面が研磨される。
【００４３】
次に、ウエハの裏面に、加速電圧が５０ｋｅＶ、ドーズ量が１×１０14／ｃｍ2の条件で、例えばリン（Ｐ）がイオン注入される。続いて、例えばＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）により９００℃の熱処理が行われ、イオンが活性化される。これにより、Ｎ-層１１の裏面に、例えば０．５μｍの膜厚を有する活性化されたＮ+バッファ層（以下、活性領域と称す）１９が形成される。尚、活性領域１９の活性化率は１００％である必要はなく、例えば７０％程度でもよい。
【００４４】
次に、ウエハの裏面に、加速電圧が３００ｋｅＶ、ドーズ量が１×１０14／ｃｍ2の条件で、Ｐがイオン注入される。次に、活性領域１９の裏面に、金属膜からなるドレイン電極２０が形成される。その後、５００℃の熱処理が行われ、イオンが活性化される。これにより、Ｎ-層１１と活性領域１９との間に、不完全な活性化状態であるＮ+バッファ層（以下、不活性領域と称す）２１が形成される。この不活性領域２１は、注入されたイオンの電気的な活性化率が例えば１０％程度である。
【００４５】
ここで、活性領域１９と不活性領域２１とからなるＮ+バッファ層は、全体の膜厚が１．５μｍ程度となる。これに対し、従来のＲａｗウエハを用いたＰＴ構造では、Ｎ+バッファ層の膜厚は５μｍ以上であった。つまり、第１の実施例によれば、従来より、Ｎ+バッファ層１９、２１を薄くすることができる。従って、第１の実施例によるＮ+バッファ層１９、２１は、短時間の熱処理で形成できる。このため、ウエハの表面構造の形成後に裏面の熱処理を行っても、ウエハの表面に熱ダメージが生じない。尚、Ｎ+バッファ層の全体の膜厚は３．０μｍ以下であれば、ウエハの表面に熱ダメージが生じない。また、ドレイン電極２０の形成後に不活性領域２１を形成するための熱処理を行っているため、活性化領域１９とドレイン電極２０のコンタクトを良好にとれる。
【００４６】
図２は、ウエハの裏面からの深さとキャリア濃度の関係を示す。図２に示すように、ドレイン電極２０側に近いほど、キャリア濃度が高くなっている。ここで、活性領域１９は、活性領域１９の裏面のドレイン電極２０とのコンタクト性を得るために、活性領域１９裏側の表層のキャリア濃度は、３×１０17／ｃｍ3以上になるように設定されている。
【００４７】
図３は、不活性領域２１の活性化率と素子耐圧の関係を示す。図３に示すように、不活性領域２１の活性化率が１％以下の場合、素子の耐圧が低下する。これは、イオン注入時に活性化されずに残留したイオンが結晶欠陥となり、この結晶欠陥がキャリアの発生源となるためである。また、不活性領域２１の活性化率が３０％以上の場合も、素子耐圧の低下の原因になる。これは、耐圧時の電界強度の変化が大きくなるためである。従って、不活性領域２１の活性化率Ｘ１は、式（１）の関係を満たす場合が望ましく、不活性領域２１の活性化率Ｘ１が１０％の場合が最もよい。
【００４８】
１％≦Ｘ１≦３０％…（１）
図４は、不活性領域２１の積算キャリア濃度と素子耐圧との関係を示す。ここで、積算キャリア濃度とは、キャリア濃度を深さ方向で積算した量割を果たすために、積算キャリア濃度は１×１０12／ｃｍ2以上にする必要がある。さらに、不活性領域２１の電界強度の変化を活性領域１９より小さくするために、積算キャリア濃度は１×１０15／ｃｍ2以下にする必要がある。従って、不活性領域２１の積算キャリア濃度Ｙは、式（２）の関係を満たす場合、素子耐圧の低下を防止できる。
【００４９】
１×１０12／ｃｍ2≦Ｙ≦１×１０15／ｃｍ2…（２）
次に、図５は、基板の深さと耐圧時の電圧強度の変化との関係を示す。耐圧状態（ゲート耐圧オフでのスイッチオフ状態）において、印加電圧が高くなるに従い、Ｎ-層１１から不活性領域２１へ空乏層は広がる。図２に示すように、不活性領域２１はＮ-層１１よりもキャリア濃度が高くなっており、活性領域１９は不活性領域２１よりもキャリア濃度が高くなっている。このため、空乏層の広がりが徐々に抑制される。その結果、図５に示すように、従来のパワーＭＯＳＦＥＴと比較して、第１の実施例によるパワーＭＯＳＦＥＴによれば、電界強度の変化が穏やかになる。
【００５０】
上記本発明の第１の実施例によれば、活性領域１９と不活性領域２１からなるＮ+バッファ層を形成することにより、空乏層の成長を抑制している。
【００５１】
従って、Ｎ+バッファ層の膜厚を厚くすることにより空乏層の成長を抑制していた従来に比べて、第１の実施例は、Ｎ+バッファ層の膜厚を薄くすることが可能である。このため、スイッチオン時の消費電力を抑制できる。
【００５２】
また、Ｎ+バッファ層はキャリア濃度に変化をもたせているため、図３に示すように、電界強度の変化が緩やかになる。従って、キャリアの発生を抑制できるため、素子の耐圧を向上できる。
【００５３】
さらに、Ｒａｗウエハを用いたＰＴ構造のパワーＭＯＳＦＥＴを実現できるため、エピウエハを用いたパワーＭＯＳＦＥＴよりもコストを低減できる。
【００５４】
以上より、従来、３μｍ以下の膜厚を有する完全に活性化したｎ+バッファ層では達成不可能と考えられていた５００Ｖ以上の高耐圧系のパワーＭＯＳＦＥＴを実現可能にした。
【００５５】
［第２の実施例］
第２の実施例は、第１の実施例で示した活性領域を形成せずに、不活性領域のみで空乏層の広がりを抑制したＰＴ構造のパワーＭＯＳＦＥＴである。第２の実施例において、第１の実施例と同様の構造については説明を省略し、異なる構造についてのみ説明する。尚、第２の実施例において、上記第１の実施例と同様の構造については同一符号を付している。
【００５６】
まず、第２の実施例に係るパワーＭＯＳＦＥＴの形成方法について説明する。図６は、第２の実施例に係るパワーＭＯＳＦＥＴの断面図を示す。図６に示すように、第１の実施例と同様に、ウエハの表面構造が形成される。その後、素子の耐圧レベルに合わせて、ウエハの厚さを所定の厚さにするために、ウエハの裏面が研磨される。ここで、例えば１２００Ｖの耐圧素子を形成する場合、Ｎ-層１１の厚さが１００μｍとなるように、ウエハの裏面が研磨される。
【００５７】
次に、ウエハの裏面に、加速電圧が５０ｋｅＶ、ドーズ量が１×１０14／ｃｍ2の条件で、Ｐがイオン注入される。次に、ウエハの裏面に、金属膜からなるドレイン電極２０が形成される。その後、５００℃の熱処理が行われ、イオンが活性化される。これにより、Ｎ-層１１とドレイン電極２０との間に、不完全な活性化状態であるＮ+バッファ層（以下、不活性領域と称す）２１が形成される。この不活性領域２１は、注入されたイオンの活性化が例えば１０％程度である。また、不活性領域２１の膜厚は１．５μｍ程度である。尚、不活性領域２１の膜厚は３．０μｍ以下であれば、ウエハの表面に熱ダメージが生じない。
【００５８】
上記本発明の第２の実施例によれば、上記第１の実施例と同様の効果が得られる。さらに、第２の実施例は、不活性領域２１のみでＮ+バッファ層が形成されている。従って、第２の実施例は、第１の実施例より製造工程数が少なくなるため、簡易にＰＴ構造のパワーＭＯＳＦＥＴが実現できる。
【００５９】
［第３の実施例］
本発明の第３の実施例は、Ｒａｗウエハを用いたＰＴ構造のＩＧＢＴであり、このＩＧＢＴは、上記第１の実施例と同様に、キャリア濃度の異なる二層のｎ+バッファ層を有する点に特徴がある。尚、第３の実施例において、上記第１の実施例と同様の構造については同一符号を付している。
【００６０】
まず、ＩＧＢＴの形成方法について説明する。図７は、ＩＧＢＴの断面図を示す。図７に示すように、ＲａｗウエハであるＮ-型のシリコン基板（以下、Ｎ-層と称す）１１の表面にＰ-型拡散層１２が形成され、このＰ-型拡散層１２上にＮ+型拡散層１３、Ｐ+型拡散層１４が選択的に形成される。次に、Ｎ-層１１に達する深さまでトレンチ１５が形成される。次に、全面にゲート絶縁膜１６が形成され、このゲート絶縁膜１６上に金属膜が形成される。その後、ゲート絶縁膜１６及び金属膜が除去され、トレンチ１５内にゲート電極１７が形成される。その後、Ｎ+型拡散層１３、Ｐ+型拡散層１４上に、ゲート電極１７と電気的に絶縁されたエミッタ電極３１が選択的に形成され、ウエハの表面構造の形成が終了する。
【００６１】
次に、素子の耐圧レベルに合わせて、ウエハの厚さを所定の厚さにするために、ウエハの裏面が研磨される。ここで、例えば１２００Ｖの耐圧素子を形成する場合、Ｎ-層１１の厚さが１００μｍとなるように、ウエハの裏面が研磨される。
【００６２】
次に、ウエハの裏面に、加速電圧が１００ｋｅＶ、ドーズ量が５×１０13／ｃｍ2の条件で、例えばリン（Ｐ）がイオン注入される。続いて、ウエハの裏面に、加速電圧が５０ｋｅＶ、ドーズ量が３×１０14／ｃｍ2の条件で、例えばボロン（Ｂ）がイオン注入される。その後、例えばＲＴＡにより９００℃の熱処理が行われ、イオンが活性化される。これにより、ウエハの裏面に、例えば０．４μｍの膜厚を有する活性化されたｎ+バッファ層（以下、活性領域と称す）１９と、例えば０．５μｍの膜厚を有するＰ+型のアノード層（以下、Ｐ+アノード層と称す）３２とが形成される。
【００６３】
次に、ウエハの裏面に、加速電圧が５００ｋｅＶ、ドーズ量が１×１０14／ｃｍ2の条件で、Ｐがイオン注入される。次に、Ｐ+アノード層３２の裏面に、金属膜からなるコレクタ電極３３が形成される。その後、５００℃の熱処理が行われ、イオンが活性化される。これにより、Ｎ-層１１と活性領域１９との間に、不完全な活性化状態であるＮ+バッファ層（以下、不活性領域と称す）２１が形成される。この不活性領域２１は、注入されたイオンの電気的な活性化率が例えば１０％程度である。
【００６４】
ここで、活性領域１９と不活性領域２１とからなるＮ+バッファ層は、全体の膜厚が１．０μｍ程度となり、Ｐ+アノード層３２の膜厚は０．５μｍ程度である。これに対し、従来のＲａｗウエハを用いたＰＴ構造（図１４に示す）では、Ｎ+バッファ層６２の膜厚は５μｍ厚以上であり、Ｐ+アノード層６３の膜厚は４００μｍであった。つまり、第１の実施例によれば、従来より、Ｎ+バッファ層１９、２１及びＰ+アノード層３２を薄くすることができる。従って、第３の実施例によるＮ+バッファ層１９、２１及びＰ+アノード層３２は、短時間の熱処理で形成できる。このため、ウエハの表面構造の形成後に裏面の熱処理を行っても、ウエハの表面に熱ダメージが生じない。尚、Ｎ+バッファ層の全体の膜厚は３．０μｍ以下であれば、ウエハの表面に熱ダメージが生じない。
【００６５】
図８は、ウエハの裏面からの深さとキャリア濃度の関係を示す。図８に示すように、コレクタ電極３３側に近いほど、キャリア濃度が高くなっている。ここで、Ｐ+アノード層３２は、Ｐ+アノード層３２の裏面のコレクタ電極３３とのコンタクト性を得るために、Ｐ+アノード層３２裏側の表層のキャリア濃度は、１×１０18／ｃｍ3以上になるように設定されている。
【００６６】
図９は、不活性領域２１の活性化率と素子耐圧の関係を示す。図９に示すように、不活性領域２１の活性化率が１％以下の場合、素子の耐圧が低下する。これは、イオン注入時に活性化されずに残留したイオンが結晶欠陥となり、この結晶欠陥がキャリアの発生源となるためである。また、不活性領域２１の活性化率が３０％以上の場合も、素子耐圧の低下の原因になる。これは、電界強度の変化が大きくなるためである。従って、不活性領域２１の活性化率Ｘ２は、式（１）の関係を満たす場合が望ましく、不活性領域２１の活性化率Ｘ２が１０％の場合が最もよい。
【００６７】
１％≦Ｘ２≦３０％…（３）
図１０は、不活性領域２１の活性化率を１０％とした場合、Ｐ+アノード層３２の濃度（Ｐ）と不活性領域２１の濃度（Ｎ）との比（以下、Ｐ／Ｎ比と称す）と、ＶＣＥ（ｓａｔ）−Ｅｏｆｆ特性との相関を示す。図１０に示すように、Ｐ+アノード層３２と活性領域１９との濃度バランスは、ＶＣＥ（ｓａｔ）−Ｅｏｆｆ特性に大きく影響する。Ｐ／Ｎ比が１以下の場合、ＶＣＥ（ｓａｔ）が大幅に増大する。また、Ｐ／Ｎ比が１００以上の場合、ＶＣＥ（ｓａｔ）はほとんど変化せず、Ｅｏｆｆは大幅に増大する。従って、Ｐ／Ｎ比Ｚは、式（４）の関係を満たす場合が望ましい。
【００６８】
１＜Ｚ＜１００…（４）
また、上記第１の実施例と同様に、不活性領域２１の積算キャリア濃度Ｙは、１×１０12／ｃｍ2≦Ｙ≦１×１０15／ｃｍ2であることが望ましい。
【００６９】
上記本発明の第３の実施例によれば、上記第１の実施例と同様の効果が得られる。さらに、第３の実施例では、０．４μｍの厚さを有する活性領域１９が、アノード層３２からのホールの注入を抑える第１段目の層となる。通常、活性領域だけで、ホールの注入を抑えるためには、少なくとも１０μｍの厚さが必要であると考えられる。しかし、第３の実施例によれば、活性領域１９に接続する不完全な活性化状態の不活性領域２１を設けている。これにより、薄くとも効率よくホールをトラップできるｎ+バッファ層が形成できる。つまり、ｎ+バッファ層は不活性領域２１と活性領域１９の２重構造であるため、ｎ+バッファ層を３μｍ以下に薄くでき、Ｒａｗウエハを用いたＰＴ構造のＩＧＢＴを実現できるようになる。
【００７０】
また、不活性領域２１では、結晶欠陥が多く残留している。このため、不活性領域２１でのキャリアライフタイム（τ）は０．１μｓ以下となり、キャリアをトラップする効果が高い。このため、第３の実施例は、従来のエピウエハを用いたＰＴ構造のＩＧＢＴより、ＶＣＥ（ｓａｔ）−Ｅｏｆｆ特性を大幅に改善できる。従って、図１１に示すように、スイッチオフ時のエネルギーロスを低減させることが可能である。
【００７１】
以上より、１２００Ｖ耐圧系のＩＧＢＴにおいて、ＮＰＴ構造と比較して、動作電圧（ＶＣＥ（ｓａｔ））が０．５Ｖ（１００Ａ／ｃｍ2）低下する製品が得られた。さらに、Ｎ-エピウエハに対して、ＶＣＥ（ｓａｔ）−Ｅｏｆｆ特性が３０％改善される製品が得られた。
【００７２】
尚、本発明は、上記第１乃至第３の実施例に示すように、２層構造のｎ+バッファ層に限定されるものではない。例えば、表面構造に熱処理のダメージが生じることなく、ウエハの裏面に近づくにつれてキャリア濃度の高くなるｎ+バッファ層を形成できるのであれば、ｎ+バッファ層は何層構造であってもよい。
【００７３】
また、本発明は、１２００Ｖの耐圧素子を形成する場合を示したものであり、要求される耐圧の変化に伴い、例えばｎ+バッファ層の膜厚やイオン注入の条件のような種々の数値は変化するものとする。
【００７４】
その他、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することが可能である。
【００７５】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、コストが低減でき、かつ消費電力を抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例に係わるパワーＭＯＳＦＥＴを示す断面図。
【図２】図１に示すパワーＭＯＳＦＥＴにおけるウエハの裏面からの深さとキャリア濃度の関係を示すを示す図。
【図３】図１に示すパワーＭＯＳＦＥＴにおける不活性領域の活性化率と素子耐圧の関係を示す図。
【図４】図１に示すパワーＭＯＳＦＥＴにおける不活性領域の積算キャリア濃度と素子耐圧との関係を示す図。
【図５】図１に示すパワーＭＯＳＦＥＴにおける基板の深さと耐圧時の電圧強度の変化との関係を示す図。
【図６】本発明の第２の実施例に係わるパワーＭＯＳＦＥＴを示す断面図。
【図７】本発明の第３の実施例に係わるＩＧＢＴを示す断面図。
【図８】図７に示すＩＧＢＴにおけるウエハの裏面からの深さとキャリア濃度の関係を示す図。
【図９】図７に示すＩＧＢＴにおける不活性領域２１の活性化率と素子耐圧の関係を示す図。
【図１０】図７に示すＩＧＢＴにおけるＰ／Ｎ比とＶＣＥ（ｓａｔ）−Ｅｏｆｆ特性の相関を示す図。
【図１１】図７に示すＩＧＢＴにおけるＶＣＥ（ｓａｔ）−Ｅｏｆｆ特性を示す図。
【図１２】従来技術によるＰＴ構造のパワーＭＯＳＦＥＴを示す断面図。
【図１３】従来技術によるＮＰＴ構造のパワーＭＯＳＦＥＴを示す断面図。
【図１４】従来技術によるＰＴ構造のＩＧＢＴを示す断面図。
【図１５】従来技術によるＮＰＴ構造のＩＧＢＴを示す断面図。
【符号の説明】
１１…シリコン基板、
１２…Ｐ-型拡散層、
１３…Ｎ+型拡散層、
１４…Ｐ+型拡散層、
１５…トレンチ、
１６…ゲート絶縁膜、
１７…ゲート電極、
１８…ソース電極、
１９…活性領域、
２０…ドレイン電極、
２１、２２…不活性領域、
３１…エミッタ電極、
３２…アノード層、
３３…コレクタ電極。
【図１】
0004088011.tif 000002
【図２】
0004088011.tif 000003
【図３】
0004088011.tif 000004
【図４】
0004088011.tif 000005
【図５】
0004088011.tif 000006
【図６】
0004088011.tif 000007
【図７】
0004088011.tif 000008
【図８】
0004088011.tif 000009
【図９】
0004088011.tif 000010
【図１０】
0004088011.tif 000011
【図１１】
0004088011.tif 000012
【図１２】
0004088011.tif 000013
【図１３】
0004088011.tif 000014
【図１４】
0004088011.tif 000015
【図１５】
0004088011.tif 000016