(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
極性が相互に異なる２個のダイオードが並列に接続されており、上記２個のダイオードの一方の接続点からＲＦ信号とＬＯ信号が入力されると、上記ＲＦ信号と上記ＬＯ信号を混合して、上記２個のダイオードの一方の接続点から平衡信号であるＩＦ信号の正相成分を出力し、上記２個のダイオードの他方の接続点から上記ＩＦ信号の逆相成分を出力するアンチパラレルダイオードペアと、上記ＬＯ信号と上記ＩＦ信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたＲＦ信号を供給するＬＯ／ＩＦ阻止回路と、上記ＲＦ信号と上記ＩＦ信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたＬＯ信号を供給するＲＦ／ＩＦ阻止回路と、一端がグランドと接続され、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの他方の接続点から出力されたＩＦ信号の逆相成分の通過を阻止するＩＦ阻止回路と、上記ＲＦ信号と上記ＬＯ信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点から出力されたＩＦ信号の正相成分を通過させる第１のＲＦ／ＬＯ阻止回路と、上記ＲＦ信号と上記ＬＯ信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの他方の接続点から出力されたＩＦ信号の逆相成分を通過させる第２のＲＦ／ＬＯ阻止回路とを備えた偶高調波ミクサ。
【請求項２】
極性が相互に異なる２個のダイオードが並列に接続されており、上記２個のダイオードの一方の接続点からＬＯ信号と平衡信号であるＩＦ信号の正相成分が入力され、上記２個のダイオードの他方の接続点から上記ＩＦ信号の逆相成分が入力されると、上記ＬＯ信号と上記ＩＦ信号の正相成分及び逆相成分を混合して、上記２個のダイオードの一方の接続点からＲＦ信号を出力するアンチパラレルダイオードペアと、上記ＲＦ信号と上記ＩＦ信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたＬＯ信号を供給するＲＦ／ＩＦ阻止回路と、上記ＲＦ信号と上記ＬＯ信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたＩＦ信号の正相成分を供給する第１のＲＦ／ＬＯ阻止回路と、上記ＲＦ信号と上記ＬＯ信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの他方の接続点に対して、入力されたＩＦ信号の逆相成分を供給する第２のＲＦ／ＬＯ阻止回路と、一端が上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの他方の接続点と接続され、他端がグランドと接続されており、上記ＩＦ信号の逆相成分の通過を阻止するＩＦ阻止回路と、上記ＬＯ信号と上記ＩＦ信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点から出力されたＲＦ信号を通過させるＬＯ／ＩＦ阻止回路とを備えた偶高調波ミクサ。
【請求項３】
極性が相互に異なる２個のダイオードが並列に接続されており、上記２個のダイオードの一方の接続点からＲＦ信号とＬＯ信号が入力されると、上記ＲＦ信号と上記ＬＯ信号を混合して、上記２個のダイオードの一方の接続点から平衡信号であるＩＦ信号の正相成分を出力し、上記２個のダイオードの他方の接続点から上記ＩＦ信号の逆相成分を出力するアンチパラレルダイオードペアと、上記ＬＯ信号と上記ＩＦ信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたＲＦ信号を供給するＬＯ／ＩＦ阻止回路と、上記ＲＦ信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたＬＯ信号を供給するＲＦ阻止回路と、一端がグランドと接続され、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの他方の接続点から出力されたＩＦ信号の逆相成分の通過を阻止するＩＦ阻止回路と、上記ＲＦ信号と上記ＬＯ信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点から出力されたＩＦ信号の正相成分を通過させる第１のＲＦ／ＬＯ阻止回路と、上記ＲＦ信号と上記ＬＯ信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの他方の接続点から出力されたＩＦ信号の逆相成分を通過させる第２のＲＦ／ＬＯ阻止回路とを備えた偶高調波ミクサ。
【請求項４】
極性が相互に異なる２個のダイオードが並列に接続されており、上記２個のダイオードの一方の接続点からＬＯ信号と平衡信号であるＩＦ信号の正相成分が入力され、上記２個のダイオードの他方の接続点から上記ＩＦ信号の逆相成分が入力されると、上記ＬＯ信号と上記ＩＦ信号の正相成分及び逆相成分を混合して、上記２個のダイオードの一方の接続点からＲＦ信号を出力するアンチパラレルダイオードペアと、上記ＲＦ信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたＬＯ信号を供給するＲＦ阻止回路と、上記ＲＦ信号と上記ＬＯ信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたＩＦ信号の正相成分を供給する第１のＲＦ／ＬＯ阻止回路と、上記ＲＦ信号と上記ＬＯ信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの他方の接続点に対して、入力されたＩＦ信号の逆相成分を供給する第２のＲＦ／ＬＯ阻止回路と、一端が上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの他方の接続点と接続され、他端がグランドと接続されており、上記ＩＦ信号の逆相成分の通過を阻止するＩＦ阻止回路と、上記ＬＯ信号と上記ＩＦ信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点から出力されたＲＦ信号を通過させるＬＯ／ＩＦ阻止回路とを備えた偶高調波ミクサ。
【請求項５】
極性が相互に異なる２個のダイオードが並列に接続されており、上記２個のダイオードの一方の接続点からＲＦ信号とＬＯ信号が入力されると、上記ＲＦ信号と上記ＬＯ信号を混合して、上記２個のダイオードの一方の接続点から平衡信号であるＩＦ信号の正相成分を出力し、上記２個のダイオードの他方の接続点から上記ＩＦ信号の逆相成分を出力するアンチパラレルダイオードペアと、上記ＬＯ信号と上記ＩＦ信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたＲＦ信号を供給するＬＯ／ＩＦ阻止回路と、上記ＲＦ信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたＬＯ信号を供給するＲＦ阻止回路と、一端がグランドと接続され、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの他方の接続点から出力されたＩＦ信号の逆相成分の通過を阻止するＩＦ阻止回路と、上記ＬＯ信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアから発生し、上記ＲＦ阻止回路を通過するＩＦ信号の正相成分を通過させるＬＯ阻止回路と、上記ＲＦ信号と上記ＬＯ信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの他方の接続点から出力されたＩＦ信号の逆相成分を通過させるＲＦ／ＬＯ阻止回路とを備えた偶高調波ミクサ。
【請求項６】
極性が相互に異なる２個のダイオードが並列に接続されており、上記２個のダイオードの一方の接続点からＬＯ信号と平衡信号であるＩＦ信号の正相成分が入力され、上記２個のダイオードの他方の接続点から上記ＩＦ信号の逆相成分が入力されると、上記ＬＯ信号と上記ＩＦ信号の正相成分及び逆相成分を混合して、上記２個のダイオードの一方の接続点からＲＦ信号を出力するアンチパラレルダイオードペアと、上記ＬＯ信号の通過を阻止する一方、入力されたＩＦ信号の正相成分を通過させるＬＯ阻止回路と、上記ＲＦ信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点に対して、上記ＬＯ阻止回路を通過したＩＦ信号の正相成分と入力されたＬＯ信号を供給するＲＦ阻止回路と、上記ＲＦ信号と上記ＬＯ信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの他方の接続点に対して、入力されたＩＦ信号の逆相成分を供給するＲＦ／ＬＯ阻止回路と、一端が上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの他方の接続点と接続され、他端がグランドと接続されており、上記ＩＦ信号の逆相成分の通過を阻止するＩＦ阻止回路と、上記ＬＯ信号と上記ＩＦ信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点から出力されたＲＦ信号を通過させるＬＯ／ＩＦ阻止回路とを備えた偶高調波ミクサ。
【請求項７】
極性が相互に異なる２個のダイオードが並列に接続されており、上記２個のダイオードの一方の接続点からＲＦ信号が入力され、上記２個のダイオードの他方の接続点からＬＯ信号が入力されると、上記ＲＦ信号と上記ＬＯ信号を混合して、上記２個のダイオードの一方の接続点から平衡信号であるＩＦ信号の正相成分を出力し、上記２個のダイオードの他方の接続点から上記ＩＦ信号の逆相成分を出力するアンチパラレルダイオードペアと、上記ＩＦ信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたＲＦ信号を供給する第１のＩＦ阻止回路と、上記ＩＦ信号の逆相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの他方の接続点に対して、入力されたＬＯ信号を供給する第２のＩＦ阻止回路と、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点に接続され、そのＬＯ信号の周波数に対して１／４波長相当の長さを有する先端開放スタブと、一端が上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの他方の接続点に接続され、そのＬＯ信号の周波数に対して１／４波長相当の長さを有するスタブと、上記スタブの他端とグランドの間に接続され、上記ＩＦ信号の逆相成分の通過を阻止する第３のＩＦ阻止回路と、上記ＲＦ信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点から出力されたＩＦ信号の正相成分を通過させるＲＦ阻止回路と、上記ＬＯ信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの他方の接続点から出力されたＩＦ信号の逆相成分を通過させるＬＯ阻止回路とを備えた偶高調波ミクサ。
【請求項８】
極性が相互に異なる２個のダイオードが並列に接続されており、上記２個のダイオードの一方の接続点から平衡信号であるＩＦ信号の正相成分が入力され、上記２個のダイオードの他方の接続点からＬＯ信号と上記ＩＦ信号の逆相成分が入力されると、上記ＬＯ信号と上記ＩＦ信号の正相成分及び逆相成分を混合して、上記２個のダイオードの一方の接続点からＲＦ信号を出力するアンチパラレルダイオードペアと、上記ＲＦ信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたＩＦ信号の正相成分を供給するＲＦ阻止回路と、上記ＩＦ信号の逆相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの他方の接続点に対して、入力されたＬＯ信号を供給する第２のＩＦ阻止回路と、上記ＬＯ信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの他方の接続点に対して、入力された上記ＩＦ信号の逆相成分を供給するＬＯ阻止回路と、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点に接続され、そのＬＯ信号の周波数に対して１／４波長相当の長さを有する先端開放スタブと、一端が上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの他方の接続点に接続され、そのＬＯ信号の周波数に対して１／４波長相当の長さを有するスタブと、上記スタブの他端とグランドの間に接続され、上記ＩＦ信号の逆相成分の通過を阻止する第３のＩＦ阻止回路と、上記ＩＦ信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点から出力されたＲＦ信号を通過させる第１のＩＦ阻止回路とを備えた偶高調波ミクサ。
【請求項９】
高域通過フィルタ、Ｔ型の高域通過フィルタ又はキャパシタを用いて、ＩＦ阻止回路を構成することを特徴とする請求項１から請求項６のうちのいずれか１項記載の偶高調波ミクサ。
【請求項１０】
高域通過フィルタ、Ｔ型の高域通過フィルタ又はキャパシタを用いて、第３のＩＦ阻止回路を構成することを特徴とする請求項７または請求項８記載の偶高調波ミクサ。
【請求項１１】
ＬＯ信号を同相分配する同相分配器と、ＲＦ信号を９０度の位相差で分配する９０度移相回路と、上記同相分配器により分配された一方のＬＯ信号と上記９０度移相回路により分配された一方のＲＦ信号を混合し、その混合した信号であるＩＦ信号のＩ成分を出力する第１の偶高調波ミクサと、上記同相分配器により分配された他方のＬＯ信号と上記９０度移相回路により分配された他方のＲＦ信号を混合し、その混合した信号であるＩＦ信号のＱ成分を出力する第２の偶高調波ミクサとを備えた直交ミクサにおいて、上記第１及び第２の偶高調波ミクサは、極性が相互に異なる２個のダイオードが並列に接続されており、上記２個のダイオードの一方の接続点からＲＦ信号とＬＯ信号が入力されると、上記ＲＦ信号と上記ＬＯ信号を混合して、上記２個のダイオードの一方の接続点から平衡信号であるＩＦ信号の正相成分を出力し、上記２個のダイオードの他方の接続点から上記ＩＦ信号の逆相成分を出力するアンチパラレルダイオードペアと、上記ＬＯ信号と上記ＩＦ信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたＲＦ信号を供給するＬＯ／ＩＦ阻止回路と、上記ＲＦ信号と上記ＩＦ信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたＬＯ信号を供給するＲＦ／ＩＦ阻止回路と、一端がグランドと接続され、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの他方の接続点から出力されたＩＦ信号の逆相成分の通過を阻止するＩＦ阻止回路と、上記ＲＦ信号と上記ＬＯ信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点から出力されたＩＦ信号の正相成分を通過させる第１のＲＦ／ＬＯ阻止回路と、上記ＲＦ信号と上記ＬＯ信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの他方の接続点から出力されたＩＦ信号の逆相成分を通過させる第２のＲＦ／ＬＯ阻止回路とから構成されることを特徴とする直交ミクサ。
【請求項１２】
ＬＯ信号を同相分配する同相分配器と、上記同相分配器により分配された一方のＬＯ信号とＩＦ信号のＩ成分を混合し、その混合した信号であるＲＦ信号を出力する第１の偶高調波ミクサと、上記同相分配器により分配された他方のＬＯ信号とＩＦ信号のＱ成分を混合し、その混合した信号であるＲＦ信号を出力する第２の偶高調波ミクサと、上記第１の偶高調波ミクサから出力されたＲＦ信号と上記第２の偶高調波ミクサから出力されたＲＦ信号を９０度の位相差で合成する９０度移相回路とを備えた直交ミクサにおいて、上記第１及び第２の偶高調波ミクサは、極性が相互に異なる２個のダイオードが並列に接続されており、上記２個のダイオードの一方の接続点からＬＯ信号と平衡信号であるＩＦ信号の正相成分が入力され、上記２個のダイオードの他方の接続点から上記ＩＦ信号の逆相成分が入力されると、上記ＬＯ信号と上記ＩＦ信号の正相成分及び逆相成分を混合して、上記２個のダイオードの一方の接続点からＲＦ信号を出力するアンチパラレルダイオードペアと、上記ＲＦ信号と上記ＩＦ信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたＬＯ信号を供給するＲＦ／ＩＦ阻止回路と、上記ＲＦ信号と上記ＬＯ信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたＩＦ信号の正相成分を供給する第１のＲＦ／ＬＯ阻止回路と、上記ＲＦ信号と上記ＬＯ信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの他方の接続点に対して、入力されたＩＦ信号の逆相成分を供給する第２のＲＦ／ＬＯ阻止回路と、一端が上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの他方の接続点と接続され、他端がグランドと接続されており、上記ＩＦ信号の逆相成分の通過を阻止するＩＦ阻止回路と、上記ＬＯ信号と上記ＩＦ信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点から出力されたＲＦ信号を通過させるＬＯ／ＩＦ阻止回路とから構成されることを特徴とする直交ミクサ。
【請求項１３】
ＬＯ信号を４５度の位相差で分配する４５度分配器と、ＲＦ信号を同相分配する同相分配器と、上記４５度分配器により分配された一方のＬＯ信号と上記同相分配器により分配された一方のＲＦ信号を混合し、その混合した信号であるＩＦ信号のＩ成分を出力する第１の偶高調波ミクサと、上記４５度分配器により分配された他方のＬＯ信号と上記９０度分配器により分配された他方のＲＦ信号を混合し、その混合した信号であるＩＦ信号のＱ成分を出力する第２の偶高調波ミクサとを備えた直交ミクサにおいて、上記第１及び第２の偶高調波ミクサは、極性が相互に異なる２個のダイオードが並列に接続されており、上記２個のダイオードの一方の接続点からＲＦ信号とＬＯ信号が入力されると、上記ＲＦ信号と上記ＬＯ信号を混合して、上記２個のダイオードの一方の接続点から平衡信号であるＩＦ信号の正相成分を出力し、上記２個のダイオードの他方の接続点から上記ＩＦ信号の逆相成分を出力するアンチパラレルダイオードペアと、上記ＬＯ信号と上記ＩＦ信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたＲＦ信号を供給するＬＯ／ＩＦ阻止回路と、上記ＲＦ信号と上記ＩＦ信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたＬＯ信号を供給するＲＦ／ＩＦ阻止回路と、一端がグランドと接続され、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの他方の接続点から出力されたＩＦ信号の逆相成分の通過を阻止するＩＦ阻止回路と、上記ＲＦ信号と上記ＬＯ信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点から出力されたＩＦ信号の正相成分を通過させる第１のＲＦ／ＬＯ阻止回路と、上記ＲＦ信号と上記ＬＯ信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの他方の接続点から出力されたＩＦ信号の逆相成分を通過させる第２のＲＦ／ＬＯ阻止回路とから構成されることを特徴とする直交ミクサ。
【請求項１４】
ＬＯ信号を４５度の位相差で分配する４５度分配器と、上記４５度分配器により分配された一方のＬＯ信号とＩＦ信号のＩ成分を混合し、その混合した信号であるＲＦ信号を出力する第１の偶高調波ミクサと、上記４５度分配器により分配された他方のＬＯ信号とＩＦ信号のＱ成分を混合し、その混合した信号であるＲＦ信号を出力する第２の偶高調波ミクサと、上記第１の偶高調波ミクサから出力されたＲＦ信号と上記第２の偶高調波ミクサから出力されたＲＦ信号を同相で合成する合成器とを備えた直交ミクサにおいて、上記第１及び第２の偶高調波ミクサは、極性が相互に異なる２個のダイオードが並列に接続されており、上記２個のダイオードの一方の接続点からＬＯ信号と平衡信号であるＩＦ信号の正相成分が入力され、上記２個のダイオードの他方の接続点から上記ＩＦ信号の逆相成分が入力されると、上記ＬＯ信号と上記ＩＦ信号の正相成分及び逆相成分を混合して、上記２個のダイオードの一方の接続点からＲＦ信号を出力するアンチパラレルダイオードペアと、上記ＲＦ信号と上記ＩＦ信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたＬＯ信号を供給するＲＦ／ＩＦ阻止回路と、上記ＲＦ信号と上記ＬＯ信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点に対して、入力された上記ＩＦ信号の正相成分を供給する第１のＲＦ／ＬＯ阻止回路と、上記ＲＦ信号と上記ＬＯ信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの他方の接続点に対して、入力されたＩＦ信号の逆相成分を供給する第２のＲＦ／ＬＯ阻止回路と、一端が上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの他方の接続点と接続され、他端がグランドと接続されており、上記ＩＦ信号の逆相成分の通過を阻止するＩＦ阻止回路と、上記ＬＯ信号と上記ＩＦ信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点から出力されたＲＦ信号を通過させるＬＯ／ＩＦ阻止回路とから構成されることを特徴とする直交ミクサ。
【請求項１５】
ＲＦ信号とＬＯ信号からＩＦ信号のＩ成分及びＱ成分を生成する直交ミクサと、上記直交ミクサにより生成されたＩＦ信号のＩ成分とＱ成分を９０度の位相差で合成する９０度移相回路とを備えたイメージリジェクションミクサにおいて、上記直交ミクサは、極性が相互に異なる２個のダイオードが並列に接続されており、上記２個のダイオードの一方の接続点からＲＦ信号とＬＯ信号が入力されると、上記ＲＦ信号と上記ＬＯ信号を混合して、上記２個のダイオードの一方の接続点から平衡信号であるＩＦ信号の正相成分を出力し、上記２個のダイオードの他方の接続点から上記ＩＦ信号の逆相成分を出力するアンチパラレルダイオードペアと、上記ＬＯ信号と上記ＩＦ信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたＲＦ信号を供給するＬＯ／ＩＦ阻止回路と、上記ＲＦ信号と上記ＩＦ信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたＬＯ信号を供給するＲＦ／ＩＦ阻止回路と、一端がグランドと接続され、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの他方の接続点から出力されたＩＦ信号の逆相成分の通過を阻止するＩＦ阻止回路と、上記ＲＦ信号と上記ＬＯ信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点から出力されたＩＦ信号の正相成分を通過させる第１のＲＦ／ＬＯ阻止回路と、上記ＲＦ信号と上記ＬＯ信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの他方の接続点から出力されたＩＦ信号の逆相成分を通過させる第２のＲＦ／ＬＯ阻止回路とから構成された２個の偶高調波ミクサを用いて構成することを特徴とするイメージリジェクションミクサ。
【請求項１６】
ＩＦ信号を９０度の位相差で分配して、そのＩＦ信号のＩ成分及びＱ成分を出力する９０度移相回路と、上記９０度移相回路から出力されたＩＦ信号のＩ成分及びＱ成分とＬＯ信号からＲＦ信号を生成する直交ミクサとを備えたイメージリジェクションミクサにおいて、上記直交ミクサは、極性が相互に異なる２個のダイオードが並列に接続されており、上記２個のダイオードの一方の接続点からＬＯ信号と平衡信号であるＩＦ信号の正相成分が入力され、上記２個のダイオードの他方の接続点から上記ＩＦ信号の逆相成分が入力されると、上記ＬＯ信号と上記ＩＦ信号の正相成分及び逆相成分を混合して、上記２個のダイオードの一方の接続点からＲＦ信号を出力するアンチパラレルダイオードペアと、上記ＲＦ信号と上記ＩＦ信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたＬＯ信号を供給するＲＦ／ＩＦ阻止回路と、上記ＲＦ信号と上記ＬＯ信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点に対して、入力されたＩＦ信号の正相成分を供給する第１のＲＦ／ＬＯ阻止回路と、上記ＲＦ信号と上記ＬＯ信号の通過を阻止する一方、上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの他方の接続点に対して、入力されたＩＦ信号の逆相成分を供給する第２のＲＦ／ＬＯ阻止回路と、一端が上記アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの他方の接続点と接続され、他端がグランドと接続されており、上記ＩＦ信号の逆相成分の通過を阻止するＩＦ阻止回路と、上記ＬＯ信号と上記ＩＦ信号の正相成分の通過を阻止する一方、上記ダイオードの一方の接続点から出力されたＲＦ信号を通過させるＬＯ／ＩＦ阻止回路とから構成された２個の偶高調波ミクサを用いて構成することを特徴とするイメージリジェクションミクサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、無線通信システムの送受信装置等に用いられる偶高調波ミクサ，直交ミクサ及びイメージリジェクションミクサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図２３は例えば１９７５年  ＩＥＥＥより発行されたＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓ．ｏｎ  Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  ｔｈｅｏｒｙ  ａｎｄ  ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ，ｖｏｌ．ＭＴＴ−２３，Ｎｏ．８，６６７ページ〜６７３ページの「Ｈａｒｍｏｎｉｃ  Ｍｉｘｉｎｇ  ｗｉｔｈ  ａｎ  Ａｎｔｉｐａｒａｌｌｅｌ  Ｄｉｏｄｅ  Ｐａｉｒ」に示された従来の偶高調波ミクサを示す構成図であり、図において、１はＲＦ信号とＬＯ信号を混合してＩＦ信号を出力するアンチパラレルダイオードペア(以下、ＡＰＤＰという)であり、ＡＰＤＰ１は極性が相互に異なるミクサダイオード２，３から構成されている。
【０００３】
４はＲＦ信号を入力するＲＦ端子、５はＬＯ信号を入力するＬＯ端子、６はＲＦ端子４から入力されたＲＦ信号とＬＯ端子５から入力されたＬＯ信号をＡＰＤＰ１に出力する一方、ＡＰＤＰ１から出力されたＩＦ信号をＩＦ端子１０に出力する分波回路、７は分波回路６を構成する高域通過フィルタ、８は分波回路６を構成する帯域通過フィルタ、９は分波回路６を構成する低域通過フィルタである。
【０００４】
次に動作について説明する。
図２３の偶高調波ミクサを受信装置に用いる場合、ＲＦ端子４からＲＦ信号が入力され、ＬＯ端子５からＬＯ信号が入力される。
これにより、ＲＦ端子４から入力されたＲＦ信号は、高域通過フィルタ７を通過してＡＰＤＰ１に入力され、ＬＯ端子５から入力されたＬＯ信号は、帯域通過フィルタ８を通過してＡＰＤＰ１に入力される。
【０００５】
この際、ＬＯ端子５に対するＲＦ信号の漏洩は、帯域通過フィルタ８により阻止され、ＩＦ端子１０に対するＲＦ信号の漏洩は、低域通過フィルタ９により阻止される。
また、ＲＦ端子４に対するＬＯ信号の漏洩は、高域通過フィルタ７により阻止され、ＩＦ端子１０に対するＬＯ信号の漏洩は、低域通過フィルタ９により阻止される。
【０００６】
このようにして、ＲＦ信号とＬＯ信号がＡＰＤＰ１に入力されると、ＡＰＤＰ１がＲＦ信号とＬＯ信号を混合してＩＦ信号を出力し、そのＩＦ信号は低域通過フィルタ９を通過してＩＦ端子１０から出力される。
この際、ＲＦ端子４に対するＩＦ信号の漏洩は、高域通過フィルタ７により阻止され、ＬＯ端子５に対するＩＦ信号の漏洩は、帯域通過フィルタ８により阻止される。
【０００７】
一方、図２３の偶高調波ミクサを送信装置に用いる場合、ＬＯ端子５からＬＯ信号が入力され、ＩＦ端子１０からＩＦ信号が入力される。
これにより、ＬＯ端子５から入力されたＬＯ信号は、帯域通過フィルタ８を通過してＡＰＤＰ１に入力され、ＩＦ端子１０から入力されたＩＦ信号は、低域通過フィルタ９を通過してＡＰＤＰ１に入力される。
【０００８】
この際、ＲＦ端子４に対するＬＯ信号の漏洩は、高域通過フィルタ７により阻止され、ＩＦ端子１０に対するＬＯ信号の漏洩は、低域通過フィルタ９により阻止される。
また、ＲＦ端子４に対するＩＦ信号の漏洩は、高域通過フィルタ７により阻止され、ＬＯ端子５に対するＩＦ信号の漏洩は、帯域通過フィルタ８により阻止される。
【０００９】
このようにして、ＬＯ信号とＩＦ信号がＡＰＤＰ１に入力されると、ＡＰＤＰ１がＬＯ信号とＩＦ信号を混合してＲＦ信号を出力し、そのＲＦ信号は高域通過フィルタ７を通過してＲＦ端子４から出力される。
この際、ＬＯ端子５に対するＲＦ信号の漏洩は、帯域通過フィルタ８により阻止され、ＩＦ端子１０に対するＲＦ信号の漏洩は、低域通過フィルタ９により阻止される。
【００１０】
ここで、図２３の偶高調波ミクサにＬＯ信号を入力する場合、図２４に示すように、半周期毎にミクサダイオード２，３が交互にＯＮし、ＡＰＤＰ１に電流が流れる。
その結果、半周期毎に逆位相のＬＯ電流が流れ、図２５に示すように、半周期毎にコンダクタンスが高まる動作をする。そのため、ＬＯ信号の高調波は奇数次にのみ存在し、コンダクタンスの高調波は偶数次にのみ存在することになる。
【００１１】
図２６は上記の偶高調波ミクサを受信用に適用するときの周波数スペクトラムを示し、図２７は送信用に適用するときの周波数スペクトラムを示すが、ＬＯ信号で励振されたＡＰＤＰ１のコンダクタンスの高調波は偶数次にしか存在しないため、図２６や図２７に示すように、ＬＯ信号の２倍波とＲＦ信号／ＩＦ信号との混合波が出力される。
【００１２】
一方、ＲＦ信号に周波数が近接し、スプリアスとなるＬＯ信号の２倍波は、前述のようにＬＯ信号の偶数次の高調波となるため強く抑制できる。この抑制量は、ミクサダイオード２，３のバランスに依存し、分波回路６などの外部回路に依存しない。従って、ミクサダイオード２，３をモノリシック集積化してバランスを高めると、ＬＯ信号の偶数次、コンダクタンスの奇数次の高調波を強く抑制できる。そのため、通常の平衡形のミクサと比較し、遙かに高い抑制が可能である。因みに、マイクロ波では通常の平衡形ミクサでは２５ｄｂ程度の抑制であるが、偶高調波ミクサでは５０ｄＢから６０ｄＢ抑制できる。
【００１３】
偶高調波ミクサにおけるＲＦ信号の周波数をｆｒｆ、ＩＦ信号の周波数をｆｉｆ、ＬＯ信号の周波数をｆｐとすると、これらの周波数の関係は次式で表わされる。
ｆｒｆ＝｜ｆｉｆ±２ｆｐ｜                      （１）
【００１４】
式(1)に示すように、偶高調波ミクサでは、通常のミクサの半分の周波数のＬＯ信号で動作させることができる。そのため、引例文献をはじめ大半の公開文献では、偶高調波ミクサはマイクロ波、とりわけミリ波での送受信機に適用されている。
【００１５】
以上で明らかなように、偶高調波ミクサは以下の特徴があり、無線通信機器などに用いられている。
（１）特に送信機に適用した場合に低スプリアスとなる。（２）ＬＯ信号の周波数ｆｐを半分にできるため、ミリ波など高周波動作に適する。また、低価格化の効果も期待できる。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
従来の偶高調波ミクサは以上のように構成されているので、受信装置に用いる場合にはＲＦ信号とＬＯ信号からＩＦ信号を生成することができる一方、送信装置に用いる場合にはＬＯ信号とＩＦ信号からＲＦ信号を生成することができるが、そのＩＦ信号は不平衡信号であるため、ＩＦ信号として位相が相互に１８０度異なる平衡信号を取り扱う必要がある場合には、不平衡信号と平衡信号を変換するバランを別個に付属する必要がある。
【００１７】
しかし、トランジスタからなる差動増幅器をバランとして利用する場合（図２９，図３０及び図３２を参照）、トランジスタを駆動する電源が必要になり、偶高調波ミクサを搭載する送受信装置の消費電流が増加する課題があった。  一方、結合コイルをバランとして利用する場合（図３１を参照）、電源を付属する必要はないが、大きな設置面積がなければバランを付属することができず、偶高調波ミクサを搭載する送受信装置が大型化してしまう課題があった。
【００１８】
ここで、平衡信号は、逆相合成により不平衡信号に変換することができる（図２８を参照）。したがって、平衡信号の伝播する２つの伝送線に同じ雑音が加わった場合でも、図２８に示すように、逆相合成によって、雑音をキャンセルして信号のみを得ることができるという特長を有する。平衡信号の伝送は２本の伝送線を必要とするが、周波数が低い場合には高コストになることもなく、また、上述した差動増幅器が容易に使えることから広く用いられている。
【００１９】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、消費電流の増加を招くことなく、小型化を図ることができる偶高調波ミクサ，直交ミクサ及びイメージリジェクションミクサを得ることを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る偶高調波ミクサは、ＲＦ信号とＬＯ信号の通過を阻止する一方、アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点から出力されたＩＦ信号の正相成分を通過させる第１のＲＦ／ＬＯ阻止回路と、ＲＦ信号とＬＯ信号の通過を阻止する一方、アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの他方の接続点から出力されたＩＦ信号の逆相成分を通過させる第２のＲＦ／ＬＯ阻止回路とを設けたものである。
【００２１】
この発明に係る偶高調波ミクサは、ＬＯ信号とＩＦ信号の正相成分の通過を阻止する一方、アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点から出力されたＲＦ信号を通過させるＬＯ／ＩＦ阻止回路を設けたものである。
【００２２】
この発明に係る偶高調波ミクサは、ＲＦ信号の通過を阻止する一方、アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点に対して、ＩＦ信号を生成するためのＬＯ信号を供給するＲＦ阻止回路を設けたものである。
【００２３】
この発明に係る偶高調波ミクサは、ＲＦ信号の通過を阻止する一方、アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点に対して、ＲＦ信号を生成するためのＬＯ信号を供給するＲＦ阻止回路を設けたものである。
【００２４】
この発明に係る偶高調波ミクサは、ＬＯ信号の通過を阻止する一方、アンチパラレルダイオードペアから発生し、ＲＦ阻止回路を通過するＩＦ信号の正相成分を通過させるＬＯ阻止回路と、ＲＦ信号とＬＯ信号の通過を阻止する一方、アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの他方の接続点から出力されたＩＦ信号の逆相成分を通過させるＲＦ／ＬＯ阻止回路とを設けたものである。
【００２５】
この発明に係る偶高調波ミクサは、ＬＯ信号の通過を阻止する一方、入力されたＩＦ信号の正相成分を通過させるＬＯ阻止回路を設けたものである。
【００２６】
この発明に係る偶高調波ミクサは、アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点に接続され、ＬＯ信号の周波数に対して１／４波長相当の長さを有する先端開放スタブと、一端がアンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの他方の接続点に接続され、ＬＯ信号の周波数に対して１／４波長相当の長さを有するスタブと、ＲＦ信号の通過を阻止する一方、アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点から出力されたＩＦ信号の正相成分を通過させるＲＦ阻止回路と、ＬＯ信号の通過を阻止する一方、アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの他方の接続点から出力されたＩＦ信号の逆相成分を通過させるＬＯ阻止回路とを設けたものである。
【００２７】
この発明に係る偶高調波ミクサは、アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点に接続され、ＬＯ信号の周波数に対して１／４波長相当の長さを有する先端開放スタブと、一端がアンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの他方の接続点に接続され、ＬＯ信号の周波数に対して１／４波長相当の長さを有するスタブと、ＩＦ信号の正相成分の通過を阻止する一方、ダイオードの一方の接続点から出力されたＲＦ信号を通過させる第１のＩＦ阻止回路を設けたものである。
【００２８】
この発明に係る偶高調波ミクサは、高域通過フィルタ、Ｔ型の高域通過フィルタ又はキャパシタを用いて、ＩＦ阻止回路を構成するようにしたものである。
【００２９】
この発明に係る偶高調波ミクサは、高域通過フィルタ、Ｔ型の高域通過フィルタ又はキャパシタを用いて、第３のＩＦ阻止回路を構成するようにしたものである。
【００３１】
この発明に係る直交ミクサは、同相分配器，９０度移相回路及び小型化された２個の偶高調波ミクサを用いて、ＩＦ信号のＩ成分とＱ成分を生成するようにしたものである。
【００３２】
この発明に係る直交ミクサは、同相分配器，小型化された２個の偶高調波ミクサ及び９０度移相回路を用いて、ＲＦ信号を生成するようにしたものである。
【００３３】
この発明に係る直交ミクサは、４５度分配器，同相分配器及び小型化された２個の偶高調波ミクサを用いて、ＩＦ信号のＩ成分とＱ成分を生成するようにしたものである。
【００３４】
この発明に係る直交ミクサは、４５度分配器，小型化された２個の偶高調波ミクサ及び合成器を用いて、ＲＦ信号を生成するようにしたものである。
【００３５】
この発明に係るイメージリジェクションミクサは、小型化された直交ミクサ及び９０度移相回路を用いて、ＩＦ信号のＩ成分とＱ成分を生成するようにしたものである。
【００３６】
この発明に係るイメージリジェクションミクサは、９０度移相回路及び小型化された直交ミクサを用いて、ＲＦ信号を生成するようにしたものである。
【００３７】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の一形態を説明する。
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１による偶高調波ミクサを示す構成図であり、図において、１１はＲＦ信号とＬＯ信号を混合して、平衡信号であるＩＦ信号の正相成分及び逆相成分を出力するＡＰＤＰ (アンチパラレルダイオードペア)であり、ＡＰＤＰ１１は極性が相互に異なるミクサダイオード（ダイオード）１２，１３から構成されている。１４はＡＰＤＰ１１を構成するミクサダイオード１２，１３の接続点（一方の接続点）、１５はＡＰＤＰ１１を構成するミクサダイオード１２，１３の接続点（他方の接続点）である。
【００３８】
１６はＲＦ信号を入力するＲＦ端子、１７はＬＯ信号とＩＦ信号の正相成分の通過を阻止する一方、ミクサダイオード１２，１３の接続点１４に対して、ＲＦ端子１６から入力されたＲＦ信号を供給するＬＯ／ＩＦ阻止回路、１８はＬＯ信号を入力するＬＯ端子、１９はＲＦ信号とＩＦ信号の正相成分の通過を阻止する一方、ミクサダイオード１２，１３の接続点１４に対して、ＬＯ端子１８から入力されたＬＯ信号を供給するＲＦ／ＩＦ阻止回路、２０は一端がグランドと接続され、ミクサダイオード１２，１３の接続点１５から出力されたＩＦ信号の逆相成分の通過を阻止するＩＦ阻止回路である。
なお、詳細は後述するが、ミクサダイオード１２，１３の接続点１４から出力され、ＲＦ／ＬＯ阻止回路２１を通過してＩＦ端子２２から出力されるＩＦ信号と、ミクサダイオード１２，１３の接続点１５から出力され、ＲＦ／ＬＯ阻止回路２３を通過してＩＦ端子２４から出力されるＩＦ信号は、相互に逆位相のＩＦ電流となる。
そこで、この明細書では、説明の便宜上、ミクサダイオード１２，１３の接続点１４から出力されるＩＦ信号を“ＩＦ信号の正相成分”と称し、ミクサダイオード１２，１３の接続点１５から出力されるＩＦ信号を“ＩＦ信号の逆相成分”と称することがある。
【００３９】
２１はＲＦ信号とＬＯ信号の通過を阻止する一方、ミクサダイオード１２，１３の接続点１４から出力された平衡信号であるＩＦ信号の正相成分を通過させるＲＦ／ＬＯ阻止回路（第１のＲＦ／ＬＯ阻止回路）、２２は平衡信号であるＩＦ信号の正相成分を出力するＩＦ端子、２３はＲＦ信号とＬＯ信号の通過を阻止する一方、ミクサダイオード１２，１３の接続点１５から出力された平衡信号であるＩＦ信号の逆相成分を通過させるＲＦ／ＬＯ阻止回路（第２のＲＦ／ＬＯ阻止回路）、２４は平衡信号であるＩＦ信号の逆相成分を出力するＩＦ端子である。
なお、図１では、ＲＦ／ＬＯ阻止回路２１を通過して、ＩＦ端子２２から出力される平衡信号であるＩＦ信号の正相成分を示す「ＩＦ」には上線を付していないが、ＲＦ／ＬＯ阻止回路２３を通過して、ＩＦ端子２４から出力される平衡信号であるＩＦ信号の逆相成分を示す「ＩＦ」には上線を付しており、ＩＦ端子２２から出力されるＩＦ信号とＩＦ端子２４から出力されるＩＦ信号を区別している。
【００４０】
次に動作について説明する。
図１の偶高調波ミクサを受信装置に用いる場合、ＲＦ端子１６からＲＦ信号が入力され、ＬＯ端子１８からＬＯ信号が入力される。
これにより、ＲＦ端子１６から入力されたＲＦ信号は、ＬＯ／ＩＦ阻止回路１７を通過してＡＰＤＰ１１に入力され、ＬＯ端子１８から入力されたＬＯ信号は、ＲＦ／ＩＦ阻止回路１９を通過してＡＰＤＰ１１に入力される。
【００４１】
この際、ＬＯ端子１８に対するＲＦ信号の漏洩は、ＲＦ／ＩＦ阻止回路１９により阻止され、ＩＦ端子２２，２４に対するＲＦ信号の漏洩は、ＲＦ／ＬＯ阻止回路２１，２３により阻止される。
また、ＲＦ端子１６に対するＬＯ信号の漏洩は、ＬＯ／ＩＦ阻止回路１７により阻止され、ＩＦ端子２２，２４に対するＬＯ信号の漏洩は、ＲＦ／ＬＯ阻止回路２１，２３により阻止される。
【００４２】
このようにして、ＲＦ信号とＬＯ信号がＡＰＤＰ１１に入力されると、ＡＰＤＰ１１がＲＦ信号とＬＯ信号を混合して、下記の式（２）を満たすＩＦ信号を出力する。
ｆｒｆ＝｜ｆｉｆ±２ｆｐ｜                      （２）
ただし、ｆｒｆはＲＦ信号の周波数
ｆｉｆはＩＦ信号の周波数
ｆｐはＬＯ信号の周波数
【００４３】
ここで、ＩＦ信号は、図２に示すように、ＡＰＤＰ１１の内部を循環するので、ミクサダイオード１２，１３の接続点１４と、ミクサダイオード１２，１３の接続点１５とでは、ＩＦ信号の流れが逆方向になる。
したがって、ミクサダイオード１２，１３の接続点１４から出力され、ＲＦ／ＬＯ阻止回路２１を通過してＩＦ端子２２から出力されるＩＦ信号と、ミクサダイオード１２，１３の接続点１５から出力され、ＲＦ／ＬＯ阻止回路２３を通過してＩＦ端子２４から出力されるＩＦ信号は、相互に逆位相のＩＦ電流となる。
【００４４】
この際、ＲＦ端子１６に対するＩＦ信号の漏洩は、ＬＯ／ＩＦ阻止回路１７により阻止され、ＬＯ端子１８に対するＩＦ信号の漏洩は、ＲＦ／ＩＦ阻止回路１９により阻止され、グランドに対するＩＦ信号の漏洩は、ＩＦ阻止回路２０により阻止される。
【００４５】
以上で明らかなように、この実施の形態１によれば、ＲＦ信号とＬＯ信号の通過を阻止する一方、ミクサダイオード１２，１３の接続点１４から出力されたＩＦ信号を通過させるＲＦ／ＬＯ阻止回路２１と、ＲＦ信号とＬＯ信号の通過を阻止する一方、ミクサダイオード１２，１３の接続点１５から出力されたＩＦ信号を通過させるＲＦ／ＬＯ阻止回路２３とを設けるように構成したので、外部電源やバランを外部に付属することなく、平衡信号であるＩＦ信号を出力することができるようになり、その結果、消費電流の増加を招くことなく、小型化を図ることができる効果を奏する。
【００４６】
実施の形態２．
上記実施の形態１では、偶高調波ミクサを受信装置に用いる場合について示したが、偶高調波ミクサを送信装置に用いるようにしてもよく、上記実施の形態１と同様の効果を奏することができる。
【００４７】
具体的には、ＬＯ端子１８からＬＯ信号が入力され、ＩＦ端子２２，２４から平衡信号であるＩＦ信号が入力される。
これにより、ＬＯ端子１８から入力されたＬＯ信号は、ＲＦ／ＩＦ阻止回路１９を通過してＡＰＤＰ１１に入力され、ＩＦ端子２２，２４から入力されたＩＦ信号は、それぞれＲＦ／ＬＯ阻止回路２１，２３を通過してＡＰＤＰ１１に入力される。
【００４８】
この際、ＲＦ端子１６に対するＬＯ信号の漏洩は、ＬＯ／ＩＦ阻止回路１７により阻止され、ＩＦ端子２２，２４に対するＬＯ信号の漏洩は、ＲＦ／ＬＯ阻止回路２１，２３により阻止される。
また、ＲＦ端子１６に対するＩＦ信号の漏洩は、ＬＯ／ＩＦ阻止回路１７により阻止され、ＬＯ端子１８に対するＩＦ信号の漏洩は、ＲＦ／ＩＦ阻止回路１９により阻止され、グランドに対するＩＦ信号の漏洩は、ＩＦ阻止回路２０により阻止される。
【００４９】
このようにして、ＬＯ信号とＩＦ信号がＡＰＤＰ１１に入力されると、ＡＰＤＰ１１がＬＯ信号とＩＦ信号を混合して、式（２）を満たすＲＦ信号が発生する。
したがって、ミクサダイオード１２，１３の接続点１４からＲＦ信号が出力され、そのＲＦ信号は、ＬＯ／ＩＦ阻止回路１７を通過してＲＦ端子１６から出力される。
【００５０】
この際、ＬＯ端子１８に対するＲＦ信号の漏洩は、ＲＦ／ＩＦ阻止回路１９により阻止され、ＩＦ端子２２，２４に対するＲＦ信号の漏洩は、ＲＦ／ＬＯ阻止回路２１，２３により阻止される。
【００５１】
実施の形態３．
上記実施の形態１，２では、グランドに流れるＩＦ信号を阻止する回路としてＩＦ阻止回路２０を設けているが、具体的には、図３に示すように、ＩＦ信号より高い周波数のＲＦ信号やＬＯ信号を通過させるカットオフ周波数が設定された高域通過フィルタ２０ａを使用すればよい。
【００５２】
また、ＬＯ／ＩＦ阻止回路１７としては、ＲＦ信号だけを通過させるカットオフ周波数が設定された高域通過フィルタ１７ａを使用すればよい。
また、ＲＦ／ＩＦ阻止回路１９としては、ＬＯ信号だけを通過させるカットオフ周波数が設定された帯域通過フィルタ１９ａを使用すればよい。
さらに、ＲＦ／ＬＯ阻止回路２１，２３としては、ＩＦ信号だけを通過させるカットオフ周波数が設定された低域通過フィルタ２１ａ，２３ａを使用すればよい。
【００５３】
実施の形態４．
上記実施の形態３では、ＩＦ阻止回路２０として高域通過フィルタ２０ａを使用するものについて示したが、図４に示すように、インダクタとキャパシタから構成されたＴ型の高域通過フィルタ２０ｂを使用するようにしてもよい。
【００５４】
このように、Ｔ型高域通過フィルタ２０ｂを使用することにより、ＲＦ信号とＩＦ信号間の変換利得を高めることができる。
ここで、図５はＴ型高域通過フィルタ２０ｂの入力インピーダンスの軌跡を示し、図７はπ型高域通過フィルタ（図６を参照）の入力インピーダンスの軌跡を示すが、Ｔ型高域通過フィルタ２０ｂは阻止域にあるＩＦ信号の周波数に対しては開放となり、通過域にあるＲＦ信号及びＬＯ信号に対しては５０Ωの伝送インピーダンスとなる。
したがって、ＡＰＤＰ１１から発生するＩＦ信号はグランドに流れることなく、ＲＦ／ＬＯ阻止回路２３を通過してＩＦ端子２４から外部に出力される。
【００５５】
これに対して、π型高域通過フィルタを使用する偶高調波ミクサでは、図７に示すように、π型高域通過フィルタのインピーダンスの軌跡が阻止域にあるＩＦ信号の周波数に対して短絡となる。
このため、ＡＰＤＰ１１から発生するＩＦ信号がπ型高域通過フィルタを通過してグランドに流れてしまうので、ＲＦ／ＬＯ阻止回路２３を通過してＩＦ端子２４から外部に出力されず、変換利得が低下する。
【００５６】
実施の形態５．
上記実施の形態３では、ＩＦ阻止回路２０として高域通過フィルタ２０ａを使用するものについて示したが、図８に示すように、キャパシタ２０ｃを使用するようにしてもよい。
例えば、ＩＦ信号としてベースバンド信号を取り扱うディジタル復調用直交ミクサに用いる場合には、キャパシタ２０ｃでも十分な変換利得が得られるとともに、偶高調波ミクサの小型化を図ることできる効果を奏する。
【００５７】
実施の形態６．
図９はこの発明の実施の形態６による偶高調波ミクサを示す構成図であり、図において、図１と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
２５はＲＦ信号の通過を阻止する一方、ＬＯ端子１８から入力されたＬＯ信号又はミクサダイオード１２，１３の接続点１４から出力されたＬＯ信号を通過させるＲＦ阻止回路である。
【００５８】
次に動作について説明する。
上記実施の形態１〜５では、ＩＦ信号の通過をＲＦ／ＩＦ阻止回路１９が阻止するものについて示したが、ＲＦ／ＩＦ阻止回路１９の代わりにＲＦ阻止回路２５を使用する場合、図１０に示すように（図１０は偶高調波ミクサを受信装置に用いる場合を示している）、ＩＦ信号がＲＦ阻止回路２５を通過するので、上記実施の形態１〜５における偶高調波ミクサより変換利得が若干低下する。
【００５９】
しかし、ＲＦ／ＩＦ阻止回路１９の代わりにＲＦ阻止回路２５を使用することにより、回路構成を簡略化することができるため、偶高調波ミクサの小型化を図ることができる効果を奏する。
なお、図１１はＲＦ／ＩＦ阻止回路１９の内部構成例を示すが、ＲＦ阻止回路２５に比べて素子数が２倍必要となる。
【００６０】
因みに、ＬＯ／ＩＦ阻止回路１７としてのＨＰＦを図１２に示すように、Ｔ形構成として、ＬＯ信号に対する入力インピーダンスを開放にすると、ＡＰＤＰ１１に損失なく、ＬＯ信号を供給することができる。
【００６１】
実施の形態７．
図１３はこの発明の実施の形態７による偶高調波ミクサを示す構成図であり、図において、図９と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。２６はＬＯ信号の通過を阻止する一方、ＩＦ信号を通過させるＬＯ阻止回路である。
【００６２】
次に動作について説明する。
上記実施の形態６では、ＲＦ／ＩＦ阻止回路１９の代わりにＲＦ阻止回路２５を使用するものについて示したが、偶高調波ミクサを受信装置に用いる場合、上述したように、ＩＦ信号がＲＦ阻止回路２５を通過してＬＯ端子１８に到達する。
【００６３】
そこで、ＲＦ阻止回路２５とＬＯ端子１８の間に、一端がＩＦ端子２２と接続されたＬＯ阻止回路２６を接続すれば、ＩＦ端子２２からＩＦ信号を出力することができる。
なお、この実施の形態７によれば、ＬＯ阻止回路２６が追加されるが、ＲＦ／ＬＯ阻止回路２１が不要になるため、全体としては回路構成が簡略化され、偶高調波ミクサの小型化を図ることができる効果を奏する。
【００６４】
実施の形態８．
図１４はこの発明の実施の形態８による偶高調波ミクサを示す構成図であり、図において、図１と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
２７はＩＦ信号の通過を阻止する一方、ＲＦ信号を通過させるＩＦ阻止回路（第１のＩＦ阻止回路）、２８はＩＦ信号の通過を阻止する一方、ＬＯ信号を通過させるＩＦ阻止回路（第２のＩＦ阻止回路）、２９はミクサダイオード１２，１３の接続点１４に接続され、ＬＯ信号の周波数に対して略１／４波長相当の長さを有する先端開放スタブ、３０は一端がミクサダイオード１２，１３の接続点１５に接続され、ＬＯ信号の周波数に対して略１／４波長相当の長さを有するスタブである。
以下、説明の便宜上、先端開放スタブ２９との区別を容易にするため、スタブ３０を「先端短絡スタブ」と称する。
【００６５】
３１は先端短絡スタブ３０の他端とグランドの間に接続され、ＩＦ信号の通過を阻止するＩＦ阻止回路（第３のＩＦ阻止回路）、３２はＲＦ信号の通過を阻止する一方、ＩＦ信号を通過させるＲＦ阻止回路、３３はＬＯ信号の通過を阻止する一方、ＩＦ信号を通過させるＬＯ阻止回路である。
【００６６】
次に動作について説明する。
図１５はＬＯ信号の周波数の１／４波長となる先端短絡スタブ３０と先端開放スタブ２９を用いて分波回路を構成した従来の偶高調波ミクサの構成と信号の流れを示すものである。
【００６７】
ＡＰＤＰ１１の接続点１４にはＬＯ信号の周波数の１／４波長となる先端開放スタブ２９が接続されているので、ＬＯ信号に対しては短絡となり、ＬＯ信号の約２倍の周波数であるＲＦ信号に対しては開放となる。
また、ＡＰＤＰ１１の接続点１５はＬＯ信号に対して開放となり、ＲＦ信号に対しては短絡となる。
【００６８】
したがって、ＲＦ端子１６及びＬＯ端子１８から入力されるＲＦ信号及びＬＯ信号は、図１５に示すように、ＡＰＤＰ１１に向かって流れる。
これにより、ＡＰＤＰ１１でＩＦ信号が発生し、ＡＰＤＰ１１における接続点１４に接続されたＲＦ阻止回路３２を通過してＩＦ端子２２から出力される。
【００６９】
図１４に示す偶高調波ミクサでは、先端短絡スタブ３０とグランドの間に設けられたＩＦ阻止回路３１により、ＲＦ信号及びＬＯ信号に対しては、図１５に示した従来の偶高調波ミクサと同様に動作する。
一方、ＡＰＤＰ１１の内部で発生するＩＦ信号は、図２と同様に、グランドに流れることなく、ＲＦ阻止回路３２又はＬＯ阻止回路を３３を通過してＩＦ端子２２，２４から外部に出力される。
【００７０】
以上で明らかなように、この実施の形態８によれば、ＡＰＤＰ１１における接続点１４に接続され、ＬＯ信号の周波数に対して１／４波長相当の長さを有する先端開放スタブ２９と、ＡＰＤＰ１１における接続点１５に接続され、接地との間にＩＦ阻止回路を接続したＬＯ信号の周波数に対して１／４波長相当の長さを有する先端短絡スタブ３０とを設けるように構成したので、外部電源やバランを外部に付属することなく、平衡信号であるＩＦ信号を出力することができるようになり、その結果、消費電流の増加を招くことなく、小型化を図ることができる効果を奏する。
【００７１】
以上の説明では、ＲＦ信号を入力してＩＦ信号を出力する受信用のミクサとしての動作を説明したが、平衡信号であるＩＦ信号を入力してＲＦ信号を出力する送信用のミクサであってもよく、同様の効果を奏する。
なお、ＩＦ阻止回路３１は、上記実施の形態１，２におけるＩＦ阻止回路２０と同様に、高域通過フィルタ２０ａ，Ｔ型の高域通過フィルタ２０ｂ，キャパシタ２０ｃを使用することができる。したがって、上記実施の形態３〜５の偶高調波ミクサと同様の効果を奏することができる。
【００７２】
実施の形態９．
図１６はこの発明の実施の形態９による直交ミクサを示す構成図であり、図において、４１はＬＯ信号を入力するＬＯ端子、４２はＬＯ信号を同相分配する同相分配器、４３はＩＦ信号のＩ成分（図中、ＩＦ信号のＩ成分を、上線を付していない「Ｉ」と、上線を付している「Ｉ」で表記している）を入力するＩ成分端子、４４は同相分配器４２により分配されたＬＯ信号とＩＦ信号のＩ成分を混合してＲＦ信号を出力する実施の形態１〜８のいずれかの偶高調波ミクサ（第１の偶高調波ミクサ）、４５はＩＦ信号のＱ成分（図中、ＩＦ信号のＱ成分を、上線を付していない「Ｑ」と、上線を付している「Ｑ」で表記している）を入力するＱ成分端子、４６は同相分配器４２により分配されたＬＯ信号とＩＦ信号のＱ成分を混合してＲＦ信号を出力する実施の形態１〜８のいずれかの偶高調波ミクサ（第２の偶高調波ミクサ）、４７は偶高調波ミクサ４４が出力するＲＦ信号と偶高調波ミクサ４６が出力するＲＦ信号を略９０度の位相差で合成する９０度移相回路である。
【００７３】
次に動作について説明する。
ＱＰＳＫなどのディジタル変調符号によるＩ成分のＩＦ信号（ベースバンド信号）とＱ成分のＩＦ信号（ベースバンド信号）がＩ成分端子４３，Ｑ成分端子４５からそれぞれ差動で入力されると、偶高調波ミクサ４４は、同相分配器４２により分配されたＬＯ端子４１からのＬＯ信号と混合し、Ｉ成分のＲＦ信号（ディジタル変調波）を出力する。
【００７４】
一方、偶高調波ミクサ４６は、同相分配器４２により分配されたＬＯ端子４１からのＬＯ信号と混合し、Ｑ成分のＲＦ信号（ディジタル変調波）を出力する。そして、９０度移相回路４７は、偶高調波ミクサ４４，４６がＲＦ信号を出力すると、これらのＲＦ信号を合成して、ディジタル変調波をＲＦ端子４８に出力する。
【００７５】
以上で明らかなように、この実施の形態９によれば、実施の形態１〜８による小型化された偶高調波ミクサ４４，４６を用いて、直交ミクサを構成しているので、直交ミクサの小型化を図ることができる効果を奏する。
【００７６】
なお、この実施の形態９では、ＩＦ信号のＩ成分及びＱ成分を入力して、ＲＦ信号（ディジタル変調波）を出力するものについて示したが（直交ミクサを送信装置に用いる場合）、図１７に示すように、直交ミクサを受信装置に用いる場合には、ＲＦ端子４８からディジタル変調波であるＲＦ信号を入力して、９０度移相回路４７が上記の動作と逆に、ＲＦ信号を９０度の位相差で分配する。
【００７７】
そして、偶高調波ミクサ４４，４６が９０度移相回路４７から出力されたＲＦ信号と同相分配器４２により分配されたＬＯ端子４１からのＬＯ信号をそれぞれ混合して、ＩＦ信号のＩ成分，Ｑ成分（ベースバンド信号）をＩ成分端子４３，Ｑ成分端子４５に出力する。
【００７８】
実施の形態１０．
図１８はこの発明の実施の形態１０による直交ミクサを示す構成図であり、図において、図１７と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。４９はＬＯ信号を４５度の位相差で分配する４５度分配器、５０はＲＦ信号を同相分配する同相分配器である。
【００７９】
次に動作について説明する。
直交ミクサを受信装置に用いる場合、ＲＦ端子４８からディジタル変調波であるＲＦ信号が入力されると、同相分配器５０は、そのＲＦ信号を同相で分配する。
一方、４５度分配器４９は、ＬＯ端子４１からＬＯ信号が入力されると、そのＬＯ信号を４５度の位相差で等振幅に分配する。
【００８０】
そして、偶高調波ミクサ４４，４６は、同相分配器５０から出力されたＲＦ信号と４５度分配器４９により分配されたＬＯ信号をそれぞれ混合して、ＩＦ信号のＩ成分，Ｑ成分（ベースバンド信号）をＩ成分端子４３，Ｑ成分端子４５に出力する。なお、４５度の位相差は、偶高調波ミクサ４４，４６での２逓倍により９０度の位相差になる。
【００８１】
以上で明らかなように、この実施の形態１０によれば、実施の形態１〜８による小型化された偶高調波ミクサ４４，４６を用いて、直交ミクサを構成しているので、直交ミクサの小型化を図ることができる効果を奏する。
【００８２】
なお、この実施の形態１０では、ＲＦ信号を入力して、ＩＦ信号のＩ成分及びＱ成分（ベースバンド信号）を出力するものについて示したが（直交ミクサを受信装置に用いる場合）、図１９に示すように、直交ミクサを送信装置に用いる場合には、Ｉ成分端子４３，Ｑ成分端子４５からＩＦ信号のＩ成分及びＱ成分を入力して、偶高調波ミクサ４４，４６が、４５度分配器４９により分配されたＬＯ端子４１からのＬＯ信号と混合し、Ｉ成分のＲＦ信号，Ｑ成分のＲＦ信号（ディジタル変調波）をそれぞれ出力する。
【００８３】
そして、同相分配器５０が合成器として、偶高調波ミクサ４４，４６がそれぞれ出力するＲＦ信号を合成して、ディジタル変調波をＲＦ端子４８に出力する。
【００８４】
実施の形態１１．
図２０はこの発明の実施の形態１１によるイメージリジェクションミクサを示す構成図であり、図において、５１はＲＦ信号を入力するＲＦ端子、５２はＬＯ信号を入力するＬＯ端子、５３は実施の形態９または１０の直交ミクサ、５４はＩＦ信号のＩ成分を出力するＩ成分端子、５５はＩＦ信号のＱ成分を出力するＱ成分端子、５６はＩＦ信号のＩ成分とＱ成分を９０度の位相差で合成する９０度移相回路、５７はＩＦ信号を出力するＩＦ端子である。
【００８５】
次に動作について説明する。
イメージリジェクションミクサを受信装置に用いる場合、ＲＦ端子５１からディジタル変調波であるＲＦ信号が入力されると、直交ミクサ５３は、上記実施の形態９，１０に示すように、そのＲＦ信号とＬＯ信号を混合してＩＦ信号のＩ成分とＱ成分を生成し、それぞれＩ成分端子５４，Ｑ成分端子５５に出力する。
【００８６】
そして、９０度移相回路５６は、Ｉ成分端子５４から出力されたＩＦ信号のＩ成分と、Ｑ成分端子５５から出力されたＩＦ信号のＱ成分を９０度の位相差で合成し、その合成結果をＩＦ端子５７に出力する。
【００８７】
以上で明らかなように、この実施の形態１１によれば、実施の形態９または１０による小型化された直交ミクサ５３を用いて、イメージリジェクションミクサを構成しているので、イメージリジェクションミクサの小型化を図ることができる効果を奏する。
【００８８】
なお、この実施の形態１１では、ＲＦ信号を入力して、ＩＦ信号を出力するものについて示したが（イメージリジェクションミクサを受信装置に用いる場合）、イメージリジェクションミクサを送信装置に用いる場合には、ＩＦ端子５７からＩＦ信号を入力するようにすれば、直交ミクサ５３からＲＦ信号を取り出すことができる。
【００８９】
実施の形態１２．
上記実施の形態１〜１１では、送受信装置に搭載可能なミクサについて示したが、この実施の形態１２では、上記実施の形態１〜１１におけるミクサ（偶高調波ミクサ，直交ミクサ又はイメージリジェクションミクサ）を受信装置又は送信装置に搭載する場合の搭載例を示す。
【００９０】
即ち、図２１はミクサを受信装置に搭載する場合の構成例であり、図２２はミクサを送信装置に搭載する場合の構成例である。
図において、６１はアンテナ、６２は低雑音増幅器（ＬＮＡ）、６３は帯域通過フィルタ、６４は局部発振器、６５はミクサ、６６，６８は低域通過フィルタ、６７，６９はベースバンド増幅器、７０は高出力増幅器である。
【００９１】
なお、この実施の形態１２によれば、上記実施の形態１〜１１によるミクサを用いているので、受信装置及び送信装置の小型化を図ることができる効果を奏する。
【００９２】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、ＲＦ信号とＬＯ信号の通過を阻止する一方、アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点から出力されたＩＦ信号の正相成分を通過させる第１のＲＦ／ＬＯ阻止回路と、ＲＦ信号とＬＯ信号の通過を阻止する一方、アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの他方の接続点から出力されたＩＦ信号の逆相成分を通過させる第２のＲＦ／ＬＯ阻止回路とを設けるように構成したので、外部電源やバランを外部に付属することなく、平衡信号であるＩＦ信号を出力することができるようになり、その結果、消費電流の増加を招くことなく、小型化を図ることができる効果がある。
【００９３】
この発明によれば、ＬＯ信号とＩＦ信号の正相成分の通過を阻止する一方、アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点から出力されたＲＦ信号を通過させるＬＯ／ＩＦ阻止回路を設けるように構成したので、外部電源やバランを外部に付属することなく、不平衡信号であるＩＦ信号からＲＦ信号を生成することができるようになり、その結果、消費電流の増加を招くことなく、小型化を図ることができる効果がある。
【００９４】
この発明によれば、ＲＦ信号の通過を阻止する一方、アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点に対して、ＩＦ信号を生成するためのＬＯ信号を供給するＲＦ阻止回路を設けるように構成したので、回路構成を簡略化することができるようになり、その結果、更に偶高調波ミクサの小型化を図ることができる効果がある。
【００９５】
この発明によれば、ＲＦ信号の通過を阻止する一方、アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点に対して、ＲＦ信号を生成するためのＬＯ信号を供給するＲＦ阻止回路を設けるように構成したので、回路構成を簡略化することができるようになり、その結果、更に偶高調波ミクサの小型化を図ることができる効果がある。
【００９６】
この発明によれば、ＬＯ信号の通過を阻止する一方、アンチパラレルダイオードペアから発生し、ＲＦ阻止回路を通過するＩＦ信号の正相成分を通過させるＬＯ阻止回路と、ＲＦ信号とＬＯ信号の通過を阻止する一方、ダイオードの他方の接続点から出力されたＩＦ信号の逆相成分を通過させるＲＦ／ＬＯ阻止回路とを設けるように構成したので、回路構成を簡略化することができるようになり、その結果、更に偶高調波ミクサの小型化を図ることができる効果がある。
【００９７】
この発明によれば、ＬＯ信号の通過を阻止する一方、入力されたＩＦ信号の正相成分を通過させるＬＯ阻止回路を設けるように構成したので、回路構成を簡略化することができるようになり、その結果、更に偶高調波ミクサの小型化を図ることができる効果がある。
【００９８】
この発明によれば、アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点に接続され、ＬＯ信号の周波数に対して１／４波長相当の長さを有する先端開放スタブと、一端がアンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの他方の接続点に接続され、ＬＯ信号の周波数に対して１／４波長相当の長さを有するスタブと、ＲＦ信号の通過を阻止する一方、アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点から出力されたＩＦ信号の正相成分を通過させるＲＦ阻止回路と、ＬＯ信号の通過を阻止する一方、アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの他方の接続点から出力されたＩＦ信号の逆相成分を通過させるＬＯ阻止回路とを設けるように構成したので、外部電源やバランを外部に付属することなく、平衡信号であるＩＦ信号を出力することができるようになり、その結果、消費電流の増加を招くことなく、小型化を図ることができる効果がある。
【００９９】
この発明によれば、アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点に接続され、ＬＯ信号の周波数に対して１／４波長相当の長さを有する先端開放スタブと、一端がアンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの他方の接続点に接続され、ＬＯ信号の周波数に対して１／４波長相当の長さを有するスタブと、ＩＦ信号の正相成分の通過を阻止する一方、アンチパラレルダイオードペアを構成する２個のダイオードの一方の接続点から出力されたＲＦ信号を通過させる第１のＩＦ阻止回路を設けるように構成したので、外部電源やバランを外部に付属することなく、不平衡信号であるＩＦ信号からＲＦ信号を生成することができるようになり、その結果、消費電流の増加を招くことなく、小型化を図ることができる効果がある。
【０１００】
この発明によれば、高域通過フィルタ、Ｔ型の高域通過フィルタ又はキャパシタを用いて、ＩＦ阻止回路を構成するようにしたので、高域通過フィルタを用いる場合には偶高調波ミクサの小型化を図ることができ、Ｔ型の高域通過フィルタを用いる場合にはＲＦ信号とＩＦ信号間の変換利得を高めることができ、キャパシタを用いる場合にはＲＦ信号とＩＦ信号間の変換利得を高めることができるとともに、偶高調波ミクサの小型化を図ることができる効果がある。
【０１０１】
この発明によれば、高域通過フィルタ、Ｔ型の高域通過フィルタ又はキャパシタを用いて、第３のＩＦ阻止回路を構成するようにしたので、高域通過フィルタを用いる場合には偶高調波ミクサの小型化を図ることができ、Ｔ型の高域通過フィルタを用いる場合にはＲＦ信号とＩＦ信号間の変換利得を高めることができ、キャパシタを用いる場合にはＲＦ信号とＩＦ信号間の変換利得を高めることができるとともに、偶高調波ミクサの小型化を図ることができる効果がある。
【０１０３】
この発明によれば、同相分配器，９０度移相回路及び小型化された２個の偶高調波ミクサを用いて、ＩＦ信号のＩ成分とＱ成分を生成するように構成したので、直交ミクサの小型化を図ることができる効果がある。
【０１０４】
この発明によれば、同相分配器，小型化された２個の偶高調波ミクサ及び９０度移相回路を用いて、ＲＦ信号を生成するように構成したので、直交ミクサの小型化を図ることができる効果がある。
【０１０５】
この発明によれば、４５度分配器，同相分配器及び小型化された２個の偶高調波ミクサを用いて、ＩＦ信号のＩ成分とＱ成分を生成するように構成したので、ＲＦ信号を生成するように構成したので、直交ミクサの小型化を図ることができる効果がある。
【０１０６】
この発明によれば、４５度分配器，小型化された２個の偶高調波ミクサ及び合成器を用いて、ＲＦ信号を生成するように構成したので、ＲＦ信号を生成するように構成したので、直交ミクサの小型化を図ることができる効果がある。
【０１０７】
この発明によれば、小型化された直交ミクサ及び９０度移相回路を用いて、ＩＦ信号のＩ成分とＱ成分を生成するように構成したので、イメージリジェクションミクサの小型化を図ることができる効果がある。
【０１０８】
この発明によれば、９０度移相回路及び小型化された直交ミクサを用いて、ＲＦ信号を生成するように構成したので、イメージリジェクションミクサの小型化を図ることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明の実施の形態１による偶高調波ミクサを示す構成図である。
【図２】  ＡＰＤＰ内部を流れる電流の説明図である。
【図３】  この発明の実施の形態３による偶高調波ミクサを示す構成図である。
【図４】  この発明の実施の形態４による偶高調波ミクサを示す構成図である。
【図５】  Ｔ形高域通過フィルタの入力インピーダンスを示す説明図である。
【図６】  π形高域通過フィルタを示す構成図である。
【図７】  π形高域通過フィルタの入力インピーダンスを示す説明図である。
【図８】  この発明の実施の形態５による偶高調波ミクサを示す構成図である。
【図９】  この発明の実施の形態６による偶高調波ミクサを示す構成図である。
【図１０】  ＩＦ信号の流れを説明する説明図である。
【図１１】  π形帯域通過フィルタを示す構成図である。
【図１２】  Ｔ形高域通過フィルタを示す構成図である。
【図１３】  この発明の実施の形態７による偶高調波ミクサを示す構成図である。
【図１４】  この発明の実施の形態８による偶高調波ミクサを示す構成図である。
【図１５】  ＲＦ信号及びＩＦ信号の流れを説明する説明図である。
【図１６】  この発明の実施の形態９による直交ミクサを示す構成図である。
【図１７】  この発明の実施の形態９による偶高調波ミクサを示す構成図である。
【図１８】  この発明の実施の形態１０による直交ミクサを示す構成図である。
【図１９】  この発明の実施の形態１０による直交ミクサを示す構成図である。
【図２０】  この発明の実施の形態１１によるイメージリジェクションミクサを示す構成図である。
【図２１】  ミクサを受信装置に搭載する場合の一例を示す構成図である。
【図２２】  ミクサを送信装置に搭載する場合の一例を示す構成図である。
【図２３】  従来の偶高調波ミクサを示す構成図である。
【図２４】  ＡＰＤＰのＬＯ電流の説明図である。
【図２５】  ＡＰＤＰのＬＯ電流の説明図である。
【図２６】  偶高調波ミクサの周波数関係を示す説明図である。
【図２７】  偶高調波ミクサの周波数関係を示す説明図である。
【図２８】  平衡信号と不平衡信号の伝藩を示す説明図である。
【図２９】  バランを示す構成図である。
【図３０】  バランを示す構成図である。
【図３１】  バランを示す構成図である。
【図３２】  従来の偶高調波ミクサとバランの接続例を示す構成図である。
【符号の説明】
１１  ＡＰＤＰ（アンチパラレルダイオードペア）、１２，１３  ミクサダイオード（ダイオード）、１４  接続点（一方の接続点）、１５  接続点（他方の接続点）、１７  ＬＯ／ＩＦ阻止回路、１９  ＲＦ／ＩＦ阻止回路、２０  ＩＦ阻止回路、２０ａ  高域通過フィルタ、２０ｂ  Ｔ型の高域通過フィルタ、２０ｃ  キャパシタ、２１  ＲＦ／ＬＯ阻止回路（第１のＲＦ／ＬＯ阻止回路）、２３  ＲＦ／ＬＯ阻止回路（第２のＲＦ／ＬＯ阻止回路）、２５，３２  ＲＦ阻止回路、２７  ＩＦ阻止回路（第１のＩＦ阻止回路）、２８  ＩＦ阻止回路（第２のＩＦ阻止回路）、２９  先端開放スタブ、３０  先端短絡スタブ、３１  ＩＦ阻止回路（第３のＩＦ阻止回路）、３３  ＬＯ阻止回路、４２，５０  同相分配器、４４  偶高調波ミクサ（第１の偶高調波ミクサ）、４６  偶高調波ミクサ（第２の偶高調波ミクサ）、４７，５６  ９０度移相回路、４９  ４５度分配器、５３  直交ミクサ。
【図１】
0004108216.tif 000002
【図２】
0004108216.tif 000003
【図３】
0004108216.tif 000004
【図４】
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【図５】
0004108216.tif 000006
【図６】
0004108216.tif 000007
【図７】
0004108216.tif 000008
【図８】
0004108216.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
0004108216.tif 000012
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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