(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
波長の異なる複数のレーザ光を出射する半導体レーザ装置であって、
半導体基板上に積層された第１のレーザ発振部と、前記第１のレーザ発振部とは異なる波長で発振する第２のレーザ発振部とを備え、
前記半導体基板とは反対側の前記第１のレーザ発振部のうち導波路を形成する表面を除く面と、前記第２のレーザ発振部の発光部から近い側のうち導波路を形成する表面を除く面が、絶縁性の接着層により固着されており、
前記第１、第２のレーザ発振部の導波路上の前記表面に形成された第１、第２のオーミック電極層と、
前記第１、第２のレーザ発振部の間に形成されると共に、前記第１、第２のオーミック電極層に電気的且つ個別に接続する第１、第２の配線層と、を有し、
前記第２のレーザ発振部側から見て前記第１のレーザ発振部または半導体基板が部分的に突出しており、前記突出した部分の面上に前記第１、第２の配線層が延在していること、
を特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記接着層は、ＳＯＧ（spin on glass）であること、
を特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記第１のレーザ発振部の前記オーミック電極層以外の領域と前記第１の配線層の間に、前記接着層とは異なる材質から成る絶縁層が形成されていること、
を特徴とする請求項１又は２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記半導体基板は、III-Ｖ族化合物半導体から成り、
前記第１の発振部は、Ｖ族元素として砒素（Ａｓ）、リン（Ｐ）、アンチモン（Ｓｂ）の何れかを含むIII-Ｖ族化合物半導体、又はII-ＶI族化合物半導体を有し、
前記第２のレーザ発振部は、Ｖ族元素が窒素（Ｎ）からなる窒化物系III-Ｖ族化合物半導体を有すること、
を特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記第１の発振部は、Ｖ族元素が窒素（Ｎ）からなる窒化物系III-Ｖ族化合物半導体を有し、
前記第２のレーザ発振部は、Ｖ族元素として砒素（Ａｓ）、リン（Ｐ）、アンチモン（Ｓｂ）の何れかを含むIII-Ｖ族化合物半導体、又はII-ＶI族化合物半導体を有すること、
を特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
波長の異なる複数のレーザ光を出射する半導体レーザ装置の製造方法であって、
半導体基板上に少なくとも活性層と導波路とを含む第１の薄膜層を形成することにより、第１の中間生成体を作製する工程と、
支持基板上に少なくとも活性層と導波路とを含む第２の薄膜層を形成することにより、第２の中間生成体を作製する工程と、
前記第１、第２の中間生成体の前記導波路側を対向させて、前記第１、第２の中間生成体間を絶縁性の接着層により固着する工程と、
前記支持基板を除去して、前記第２の薄膜層を露出させる工程と、
を備えること、
を特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１の中間生成体を作製する工程は、前記第１の薄膜層の導波路側の面に、該導波路に沿った第１のオーミック電極層と、前記第１のオーミック電極層と電気的に接続する第１の配線層と、該導波路を含む所定領域を覆う第１の絶縁性の接着層と、第２の配線層を重ねて形成する工程を有し、
前記第２の中間生成体を作製する工程は、前記第２の薄膜層の導波路面側の面に、該導波路に沿った第２のオーミック電極層と、前記第２のオーミック電極層以外の領域に第２の絶縁性の接着層を形成する工程を有し、
前記第１、第２の中間生成体間を絶縁性の接着層により固着する工程は、前記第２の配線層と前記第２のオーミック電極層とを電気的に接続させて前記第１、第２の絶縁性の接着層を密着させることによって、前記絶縁性の接着層による前記第１、第２の中間生成体間の固着を行う工程を有すること、
を特徴とする請求項６に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項８】
前記接着層は、ＳＯＧ（spin on glass）であること、
を特徴とする請求項６又は７に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項９】
前記半導体基板は、III-Ｖ族化合物半導体から成り、
前記第１の薄膜層は、Ｖ族元素として砒素（Ａｓ）、リン（Ｐ）、アンチモン（Ｓｂ）の何れかを含むIII-Ｖ族化合物半導体、又はII-ＶI族化合物半導体を有し、
前記第２の薄膜層は、Ｖ族元素が窒素（Ｎ）からなる窒化物系III-Ｖ族化合物半導体を有すること、
を特徴とする請求項６〜８に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項１０】
前記支持基板はサファイア基板又はＡｌＮ基板であり、
前記第２の薄膜層を露出させる工程は、前記支持基板の裏面から前記支持基板と第２の薄膜層との接合部近傍に光を照射し、前記接合部近傍を加熱分解する工程を有すること、
を特徴とする請求項９に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項１１】
前記光は、３６０ｎｍ以下の波長を有するレーザ光であること、
を特徴とする請求項１０に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項１２】
波長の異なる複数のレーザ光を出射する半導体レーザ装置の製造方法であって、
第１の半導体基板上に少なくとも活性層と導波路とを含む第１の薄膜層を形成することにより、第１の中間生成体を作製する工程と、
第２の半導体基板上に少なくとも活性層と導波路とを含む第２の薄膜層を形成することにより、第２の中間生成体を作製する工程と、
前記第１、第２の中間生成体の前記導波路側を対向させて、前記第１、第２の中間生成体間を絶縁性の接着層により固着する工程と、
前記第２の半導体基板を除去して、前記第２の薄膜層を露出させる工程と、
を備えることを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第１の中間生成体を作製する工程は、前記第１の薄膜層の導波路側の面に、該導波路に沿った第１のオーミック電極層と、前記第１のオーミック電極層と電気的に接続する第１の配線層と、第１の接着層とを重ねて形成する工程を有し、
前記第２の中間生成体を作製する工程は、前記第２の薄膜層の導波路側の面に、該導波路に沿った第２のオーミック電極と、前記第２のオーミック電極層と電気的に接続する第２の配線層と、第２の接着層とを重ねて形成する工程を有し、
前記第１、第２の中間生成体間を接着層により固着する工程は、前記第１、第２の接着層を密着させることによって前記第１、第２の中間生成体間を固着する工程を有すること、
を特徴とする請求項１２に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第１の中間生成体を作製する工程は、前記第１の薄膜層の導波路側の面に、前記第１のオーミック電極層を除いて被覆する前記接着層と異なる材質の絶縁層を形成し、該絶縁層上に前記第１のオーミック電極層と電気的に接続する前記第１の配線層を形成する工程を有すること、
を特徴とする請求項１３に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項１５】
更に、前記第２の半導体基板を除去して前記第２の薄膜層を露出させる工程に続いて、前記第２の薄膜層及び前記接着層を部分的にエッチングし、前記第１、第２の配線層及び前記絶縁層を部分的に露出させる工程を有すること、
を特徴とする請求項１４に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項１６】
前記接着層は、ＳＯＧ（spin on glass）であること、
を特徴とする請求項１２〜１５のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第１の半導体基板は、Ｖ族元素が窒素（Ｎ）からなる窒化物系III-Ｖ族化合物半導体から成り、
前記第１の薄膜層は、Ｖ族元素が窒素（Ｎ）からなる窒化物系III-Ｖ族化合物半導体を有し、
前記第２の半導体基板は、III-Ｖ族化合物半導体から成り、
前記第２の薄膜層は、Ｖ族元素として砒素（Ａｓ）、リン（Ｐ）、アンチモン（Ｓｂ）の何れかを含むIII-Ｖ族化合物半導体、又はII-ＶI族化合物半導体を有すること、
を特徴とする請求項１２〜１６のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、波長の異なる複数のレーザ光を出射する半導体レーザ装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタル放送やブロードバンドの普及により、大量のデジタルコンテンツが家庭等に溢れる時代を目前に控え、さらなる情報記録の高密度化が求められている。光ディスクストレージシステムにおいては、波長７８０ｎｍの光を用いた容量７００ＭＢのＣＤ（Compact Disc）から波長６５０ｎｍの光を用いた容量４．７ＧＢのＤＶＤ（Digital Versatile Disc）へと高密度化が進められてきた。さらに最近になり、容量２０ＧＢを超える光ディスクシステムが波長４０５ｎｍの光を用いて実現されている。
【０００３】
このような高密度記録システムにおいても、これまでに広く普及したＤＶＤに対してコンパチビリティを持たせる必要があるため、ピックアップには波長６５０ｎｍのレーザも併せて搭載する必要がある。
【０００４】
複数の波長に対応したピックアップでは、その小型化、軽量化のために２波長集積レーザが望まれているが、波長４０５ｎｍ帯のレーザを実現するＧａＮ系半導体と波長６５０ｎｍ帯のレーザを実現するＡｌＧａＩｎＰ系半導体では物性が大きく異なるため、同一基板上へのモノリシック集積を行うことができない。そのため、ハイブリッド構造による２波長集積レーザが提案されている（特許文献１：特開２００１−２３０５０２号公報、特許文献２：特開２０００−２５２５９３号公報）。
【０００５】
特許文献１の２波長集積レーザは、第１の基板を有する短波長（例えば、波長４０５ｎｍ帯）のレーザ光を出射する第１の発光素子と、第２の基板を有する長波長（例えば、波長６５０ｎｍ帯）のレーザ光を出射する第２の発光素子を支持基板（いわゆるサブマウント）上に重ねて取り付けることで、ハイブリッド構造の半導体レーザ装置が実現されている。
【０００６】
ここで、第１の発光素子は、第１の基板の支持基板側に発光部が位置するように支持基板上に取り付けられており、更に第２の発光素子は、第２の基板の第１の発光素子側に発光部が位置するように第１の発光素子上に取り付けられている。
【０００７】
特許文献２に開示されているハイブリッド構造の半導体レーザ装置は、第１のレーザ部のｐ電極とｎ電極に、第２のレーザ部のｎ電極とｐ電極を夫々融着金属を介して電気的に貼り合わせた後、第１のレーザ部側の基板を除去した構造とすることによって、第１のレーザ部と第２のレーザ部とで波長の異なるレーザ光を出射するようにしている。
【０００８】
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、特許文献１の半導体レーザ装置は、上述したように、支持基板上に第１の発光素子と第２の発光素子を重ねて取り付ける構造となっているが、この構造の場合に第１の発光素子と第２の発光素子の重ね合わせ面への電流注入を可能とするためには、それぞれを個別の半導体チップとして製造した後、チップ化された第１の発光素子と第２の発光素子を支持基板上に重ねて取り付けることが必須となる。
２波長集積レーザを光ディスクのピックアップ用光源として用いる場合には、その２つの発光点間隔を高精度（±１μｍ以下）で制御する必要があるが、チップの状態での位置合わせでは、発光点間隔や放射方向を高精度に制御することは困難である。また全てのチップ毎に位置合わせを行う必要があるため生産性も悪くなる。
【００１０】
また、特許文献１の半導体レーザ装置は、支持基板上に第１の発光素子の発光部が近接して取り付けられ、第１の発光素子に備えられている第１の基板上に、第２の発光素子の発光部が近接して取り付けられている。
【００１１】
しかし、この構造によると、第１の発光素子と第２の発光素子との間に、厚さの大きな第１の基板が介在することとなり、上述の特許文献１にも記載されているように、その第１の基板（ＧａＮ基板）は通常１００μｍ程度の厚さを有しているため、第１の発光素子の発光部（発光点の位置）と第２の発光素子の発光部（発光点の位置）とが大きく離れてしまうという問題がある。
【００１２】
このため、例えば、ピックアップにこの半導体レーザ装置を搭載して、情報記録又は情報再生を行う場合、ピックアップを構成している光学系の光軸に対して第１の発光部の出射位置（発光点の位置）を光軸合わせすると、第２の発光部の出射位置が光学系の光軸から大きくずれることとなり、収差等の発生原因となってしまう。
【００１３】
このような光軸ずれによる悪影響は、光ピックアップにプリズム等の光学素子を追加することにより解消することができるが、部品点数、コストの増加等の問題が生じる。
【００１４】
特許文献２の半導体レーザ装置では、融着金属によって、第１のレーザ部のｐ電極及びｎ電極と第２のレーザ部のｎ電極及びｐ電極とが夫々電気的に貼り合わせられているので、その融着金属による寄生容量が大きく、各レーザ部を駆動する際の応答特性が低下する問題がある。例えば、ＣＤやＤＶＤ等に情報記録を行う際、第１のレーザ部又は第２のレーザ部をパルス電流によって駆動すると、上述の寄生容量の影響で応答特性が低下し、高速制御が困難となる等の問題を生じる。
【００１５】
また、特許文献２の半導体レーザ装置では、第１のレーザ部のｐ，ｎ電極と第２のレーザ部のｎ，ｐ電極とが融着金属を介してそれぞれ電気的に接続されているため、第１のレーザ部を発光させるべく、融着金属を通じて第１のレーザ部に対し順方向に駆動電力を供給すると、第２のレーザ部は逆バイアスの状態、第２のレーザ部を発光させるべく、融着金属を通じて第２のレーザ部に対し順方向に駆動電力を供給すると、第１のレーザ部は逆バイアスの状態となる。
【００１６】
このため、第１のレーザ部又は第２のレーザ部の一方を発光させると、他方のレーザ部に逆バイアスがかかり、逆方向耐圧や逆方向リーク電流の問題が生じる。
【００１７】
本発明はこのような従来の課題に鑑みてなされたものであり、波長の異なる複数のレーザ光を出射すると共に、電気的特性に優れた半導体レーザ装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１８】
また、波長の異なる複数のレーザ光を出射すると共に、その発光点間隔が小さく、電気的特性に優れ且つ機械的精度の高い半導体レーザ装置を量産性良く製造するための製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
請求項１に記載の発明は、波長の異なる複数のレーザ光を出射する半導体レーザ装置であって、半導体基板上に積層された第１のレーザ発振部と、前記第１のレーザ発振部とは異なる波長で発振する第２のレーザ発振部とを備え、前記半導体基板とは反対側の前記第１のレーザ発振部のうち導波路を形成する表面を除く面と、前記第２のレーザ発振部の発光部から近い側のうち導波路を形成する表面を除く面が、絶縁性の接着層により固着されており、前記第１、第２のレーザ発振部の導波路上の前記表面に形成された第１、第２のオーミック電極層と、前記第１、第２のレーザ発振部の間に形成されると共に、前記第１、第２のオーミック電極層に電気的且つ個別に接続する第１、第２の配線層と、を有し、前記第２のレーザ発振部側から見て前記第１のレーザ発振部または半導体基板が部分的に突出しており、前記突出した部分の面上に前記第１、第２の配線層が延在していること、を特徴とする。
【００２０】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の半導体レーザ装置において、前記接着層は、ＳＯＧ（spin on glass）であることを特徴とする。
【００２１】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の半導体レーザ装置において、前記第１のレーザ発振部の前記オーミック電極層以外の領域と前記第１の配線層の間に、前記接着層とは異なる材質から成る絶縁層が形成されていることを特徴とする。
【００２２】
請求項４に記載の発明は、請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体レーザ装置において、前記半導体基板は、III-Ｖ族化合物半導体から成り、前記第１の発振部は、Ｖ族元素として砒素（Ａｓ）、リン（Ｐ）、アンチモン（Ｓｂ）の何れかを含むIII-Ｖ族化合物半導体、又はII-ＶI族化合物半導体を有し、前記第２のレーザ発振部は、Ｖ族元素が窒素（Ｎ）からなる窒化物系III-Ｖ族化合物半導体を有することを特徴とする。
【００２３】
請求項５に記載の発明は、請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体レーザ装置において、前記第１の発振部は、Ｖ族元素が窒素（Ｎ）からなる窒化物系III-Ｖ族化合物半導体を有し、前記第２のレーザ発振部は、Ｖ族元素として砒素（Ａｓ）、リン（Ｐ）、アンチモン（Ｓｂ）の何れかを含むIII-Ｖ族化合物半導体、又はII-ＶI族化合物半導体を有することを特徴とする。
【００２４】
請求項６に記載の発明は、波長の異なる複数のレーザ光を出射する半導体レーザ装置の製造方法であって、半導体基板上に少なくとも活性層と導波路とを含む第１の薄膜層を形成することにより、第１の中間生成体を作製する工程と、支持基板上に少なくとも活性層と導波路とを含む第２の薄膜層を形成することにより、第２の中間生成体を作製する工程と、前記第１、第２の中間生成体の前記導波路側を対向させて、前記第１、第２の中間生成体間を絶縁性の接着層により固着する工程と、前記支持基板を除去して、前記第２の薄膜層を露出させる工程と、を備えることを特徴とする。
【００２５】
請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の半導体レーザ装置の製造方法において、前記第１の中間生成体を作製する工程は、前記第１の薄膜層の導波路側の面に、該導波路に沿った第１のオーミック電極層と、前記第１のオーミック電極層と電気的に接続する第１の配線層と、該導波路を含む所定領域を覆う第１の絶縁性の接着層と、第２の配線層を重ねて形成する工程を有し、前記第２の中間生成体を作製する工程は、前記第２の薄膜層の導波路面側の面に、該導波路に沿った第２のオーミック電極層と、前記第２のオーミック電極層以外の領域に第２の絶縁性の接着層を形成する工程を有し、前記第１、第２の中間生成体間を絶縁性の接着層により固着する工程は、前記第２の配線層と前記第２のオーミック電極層とを電気的に接続させて前記第１、第２の絶縁性の接着層を密着させることによって、前記絶縁性の接着層による前記第１、第２の中間生成体間の固着を行う工程を有することを特徴とする。
【００２６】
請求項８に記載の発明は、請求項６又は７に記載の半導体レーザ装置の製造方法において、前記接着層は、ＳＯＧ（spin on glass）であることを特徴とする。
【００２７】
請求項９に記載の発明は、請求項６〜８のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置の製造方法において、前記半導体基板は、III-Ｖ族化合物半導体から成り、前記第１の薄膜層は、Ｖ族元素として砒素（Ａｓ）、リン（Ｐ）、アンチモン（Ｓｂ）の何れかを含むIII-Ｖ族化合物半導体、又はII-ＶI族化合物半導体を有し、前記第２の薄膜層は、Ｖ族元素が窒素（Ｎ）からなる窒化物系III-Ｖ族化合物半導体を有することを特徴とする。
【００２８】
請求項１０に記載の発明は、請求項９に記載の半導体レーザ装置の製造方法において、前記支持基板はサファイア基板又はＡｌＮ基板であり、前記第２の薄膜層を露出させる工程は、前記支持基板の裏面から前記支持基板と第２の薄膜層との接合部近傍に光を照射し、前記接合部近傍を加熱分解する工程を有することを特徴とする。
【００２９】
請求項１１に記載の発明は、請求項１０に記載の半導体レーザ装置の製造方法において、前記光は、３６０ｎｍ以下の波長を有するレーザ光であることを特徴とする。
【００３０】
請求項１２に記載の発明は、波長の異なる複数のレーザ光を出射する半導体レーザ装置の製造方法であって、第１の半導体基板上に少なくとも活性層と導波路とを含む第１の薄膜層を形成することにより、第１の中間生成体を作製する工程と、第２の半導体基板上に少なくとも活性層と導波路とを含む第２の薄膜層を形成することにより、第２の中間生成体を作製する工程と、前記第１、第２の中間生成体の前記導波路側を対向させて、前記第１、第２の中間生成体間を絶縁性の接着層により固着する工程と、前記第２の半導体基板を除去して、前記第２の薄膜層を露出させる工程と、を備えることを特徴とする。
【００３１】
請求項１３に記載の発明は、請求項１２に記載の半導体レーザ装置の製造方法において、前記第１の中間生成体を作製する工程は、前記第１の薄膜層の導波路側の面に、該導波路に沿った第１のオーミック電極層と、前記第１のオーミック電極層と電気的に接続する第１の配線層と、第１の接着層とを重ねて形成する工程を有し、前記第２の中間生成体を作製する工程は、前記第２の薄膜層の導波路側の面に、該導波路に沿った第２のオーミック電極と、前記第２のオーミック電極層と電気的に接続する第２の配線層と、第２の接着層とを重ねて形成する工程を有し、前記第１、第２の中間生成体間を接着層により固着する工程は、前記第１、第２の接着層を密着させることによって前記第１、第２の中間生成体間を固着する工程を有することを特徴とする。
【００３２】
請求項１４に記載の発明は、請求項１３に記載の半導体レーザ装置の製造方法において、前記第１の中間生成体を作製する工程は、前記第１の薄膜層の導波路側の面に、前記第１のオーミック電極層を除いて被覆する前記接着層と異なる材質の絶縁層を形成し、該絶縁層上に前記第１のオーミック電極層と電気的に接続する前記第１の配線層を形成する工程を有することを特徴とする。
【００３３】
請求項１５に記載の発明は、請求項１４に記載の半導体レーザ装置の製造方法において、更に、前記第２の半導体基板を除去して前記第２の薄膜層を露出させる工程に続いて、前記第２の薄膜層及び前記接着層を部分的にエッチングし、前記第１、第２の配線層及び前記絶縁層を部分的に露出させる工程を有することを特徴とする。
【００３４】
請求項１６に記載の発明は、請求項１２〜１５のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置の製造方法において、前記接着層は、ＳＯＧ（spin on glass）であることを特徴とする。
【００３５】
請求項１７に記載の発明は、請求項１２〜１６のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置の製造方法において、前記第１の半導体基板は、Ｖ族元素が窒素（Ｎ）からなる窒化物系III-Ｖ族化合物半導体から成り、前記第１の薄膜層は、Ｖ族元素が窒素（Ｎ）からなる窒化物系III-Ｖ族化合物半導体を有し、前記第２の半導体基板は、III-Ｖ族化合物半導体から成り、前記第２の薄膜層は、Ｖ族元素として砒素（Ａｓ）、リン（Ｐ）、アンチモン（Ｓｂ）の何れかを含むIII-Ｖ族化合物半導体、又はII-ＶI族化合物半導体を有することを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、発明を実施するための最良の形態として、第１，第２の実施形態について図面を参照して説明する。
【００３７】
〔第１の実施形態〕
第１の実施形態の半導体レーザ装置を、図１ないし図５を参照して説明する。
なお、図１（ａ）は、本半導体レーザ装置ＬＤＡの外部構造を表した斜視図、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示した半導体レーザ装置ＬＤＡの縦断面構造を表した図、図２ないし図５は、本半導体レーザ装置ＬＤＡの製造工程を模式的に表した斜視図である。
【００３８】
図１（ａ）（ｂ）において、この半導体レーザ装置ＬＤＡは、III−Ｖ族化合物半導体（例えばＧａＡｓ）から成る半導体基板１２ａを有する第１の発光素子１ａと、絶縁性を有するＳｉＯ２系のＳＯＧ（spin on glass）３ａと、第２の発光素子２ａとを備え、第１の発光素子１ａと第２の発光素子２ａがＳＯＧ３ａによって一体に固着されることにより、半導体レーザ装置ＬＤＡが実現されている。
【００３９】
ここで、第２の発光素子２ａの形成領域に比して半導体基板１２ａの占有面積の方が大きく、これら形成領域と占有領域との大きさの違いによって、半導体基板１２ａの突出部分ＳＴＧａが形成されている。
【００４０】
第１の発光素子１ａは、導波路（本実施形態ではリッジ導波路）８ａが形成されたレーザ発振部１０ａと、リッジ導波路８ａに形成されたオーミック電極層９ａと、オーミック電極層９ａ以外のレーザ発振部１０ａの表面全体及び突出部分ＳＴＧａを絶縁被覆する絶縁層１１ａと、オーミック電極層９ａと電気的に接続され、且つ突出部分ＳＴＧａ側に延在するストライプ状の導電性の配線層Ｑa1と、配線層Ｑa1と電気的に接続し突出部分ＳＴＧａ上に形成された電極パッドＰa31と、半導体基板１２ａの裏面側に形成されているオーミック電極層Ｐa1と、を備えて形成されている。
【００４１】
更に、レーザ発振部１０ａは、Ｖ族元素として砒素（Ａｓ）、リン（Ｐ）、アンチモン（Ｓｂ）の何れかを含むIII−Ｖ族化合物半導体（例えば、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体）より成る歪量子井戸構造の活性層及びその活性層を挟むようにして積層された２つのクラッド層とを備えた二重ヘテロ構造（ＤＨ）と、ＳＯＧ３ａ側に設けられた上述のリッジ導波路８ａとを備えて形成されている。
【００４２】
そして、オーミック電極層Ｐa1と電極パッドＰa31間に駆動電流を供給すると、その駆動電流が配線層Ｑa1とオーミック電極層９ａを通じてリッジ導波路８ａに流入し、リッジ導波路８ａのストライプ形状に沿ってレーザ発振部１０ａ中の活性層に、電流が流入することで光が発生する。
【００４３】
更にリッジ導波路８ａの長手方向の両端に形成されている劈開面（鏡面）によってレーザ共振器が構成されており、リッジ導波路８ａに沿って発生する光が両端の劈開面（鏡面）で反射されて活性層中を繰り返し往復しながら、次々とキャリア再結合を誘起して誘導放出を行わせることにより、所定波長（例えば、６５０ｎｍ帯）のレーザ光が、劈開面から出射される。
【００４４】
第２の発光素子２ａは、導波路（本実施形態ではリッジ導波路）５ａが形成されたレーザ発振部４ａと、リッジ導波路５ａに形成されたオーミック電極層６ａと、オーミック電極層６ａ以外のレーザ発振部４ａとＳＯＧ３ａとの間に介在する絶縁層７ａと、オーミック電極層６ａと電気的に接続され、且つ突出部分ＳＴＧａ側に延在するストライプ状の導電性の配線層Ｑa2と、配線層Ｑa2と電気的に接続し突出部分ＳＴＧａ上に形成された電極パッドＰa32と、レーザ発振部４ａの表面に形成されているオーミック電極層Ｐa2と、を備えて形成されている。
【００４５】
ここで、図示するように、ＳＯＧ３ａはレーザ発振部１０ａのリッジ導波路８ａ側の面とほぼ同じ大きさ又は若干小さい大きさで絶縁層１１ａ上に形成され、レーザ発振部４ａはＳＯＧ３ａとほぼ同じ大きさで形成されている。
【００４６】
更に、レーザ発振部４ａは、Ｖ族元素が窒素（Ｎ）からなる窒化物系III−Ｖ族化合物半導体（ＧａＮ系半導体）より成る多重量子井戸構造の活性層及びその活性層を挟むようにして積層された２つのクラッド層とを備えた二重ヘテロ構造（ＤＨ）と、ＳＯＧ３ａ側に設けられた上述のリッジ導波路５ａを備えて形成されている。
【００４７】
そして、オーミック電極Ｐa2と電極パッドＰa32間に駆動電流を供給すると、その駆動電流が配線層Ｑa2とオーミック電極層６ａを通じてリッジ導波路５ａに流入し、リッジ導波路５ａのストライプ形状に沿ってレーザ発振部４ａ中の上述の活性層に、電流が流入することで光が発生する。
【００４８】
更にリッジ導波路５ａの長手方向の両端に形成されている劈開面（鏡面）によってレーザ共振器が構成されており、リッジ導波路５ａのストライプ形状に沿って発生する光が両端の劈開面（鏡面）で反射されて活性層中を繰り返し往復しながら、次々とキャリア再結合を誘起して誘導放出を行わせることにより、所定波長（例えば，４０５ｎｍ帯）のレーザ光が劈開面から出射される。
【００４９】
このような構造により、本半導体レーザ装置ＬＤＡは、第１の発光素子１ａと第２の発光素子２ａをそれぞれ個別に発光させることができ、また同時に発光させることも可能となっている。
【００５０】
次に、かかる構造を有する半導体レーザ装置ＬＤＡの製造工程を図２ないし図５を参照して説明する。
【００５１】
まず、図２（ａ）〜（ｅ）に示す工程によって第１の発光素子１ａを形成するための中間生成体１００、図３（ａ）〜（ｃ）に示す工程によって第２の発光素子２ａを形成するための中間生成体２００を予め作製する。
【００５２】
〈中間生成体１００の第１の製造工程〉
中間生成体１００については、まず、図２（ａ）に示すように、ＭＯＣＶＤ法等により、ＧａＡｓ（００１）基板１２ａ上に、組成と膜厚等の異なるＡｌＧａＩｎＰ系半導体を含む複数の半導体薄膜を積層することで、歪量子井戸構造の活性層とクラッド層とを有したＡｌＧａＩｎＰ系薄膜層１０Ｘを形成する。
【００５３】
より具体的に述べると、図１（ｂ）に示されている各層１０aa〜１０ae等を積層してレーザ発振部１０ａを形成するのであるが、最初にＧａＡｓ基板１２ａ上に、珪素（Ｓｉ）をドーピングしてｎ型化したｎ型ＧａＡｓから成るバッファ層１０aaを、厚さ約０．５μｍで積層し、次に、ｎ型Ａｌ０．３５Ｇａ０．１５Ｉｎ０．５Ｐから成るｎ型クラッド層１０abを、厚さ約１．２μｍで積層する。
【００５４】
次に、ＡｌＧａＩｎＰから成るガイド層１０g1を、厚さ０．０５μｍで積層する。
【００５５】
次に、ＧａＩｎＰとＡｌＧａＩｎＰとから成る歪量子井戸構造を有した活性層１０acを、約数十ｎｍの厚さで積層し、次に、ＡｌＧａＩｎＰから成るガイド層１０g2を、厚さ０．０５μｍで積層し、次に、亜鉛（Ｚｎ）をドーピングしてｐ型化したＡｌ０．３５Ｇａ０．１５Ｉｎ０．５Ｐから成るｐ型クラッド層１０adを、厚さ約１．２μｍで積層し、次に、ｐ型Ｇａ０．５１Ｉｎ０．４９Ｐから成る通電層１０aeを、厚さ約０．０５μｍで積層し、次に、ｐ型ＧａＡｓから成るｐ側コンタクト層（図示略）を、厚さ約０．２μｍで積層する。
【００５６】
〈中間生成体１００の第２の製造工程〉
次に、図２（ｂ）に示すように、ＡｌＧａＩｎＰ系薄膜層１０Ｘに、〈１１０〉方向に沿った複数のリッジ導波路８ａを形成し、更にオーミック電極層９ａを形成する。
【００５７】
すなわち、上述のｐ側コンタクト層（図示略）上に、〈１１０〉方向に沿った複数個分のリッジ導波路８ａ（図１参照）の形状に合わせたマスクを形成し、該マスクから露出している部分をウエットエッチングする。
【００５８】
そして、ｐ型クラッド層１０adが約０．２μｍ程度の厚さとなるまでエッチングを行うことによって、ストライプ形状のリッジ導波路８ａを複数個形成し、次に上述のマスクを除去した後、リッジ導波路８ａ上に、蒸着によってクロム（Ｃｒ）又は金（Ａｕ）若しくはこれらの合金から成るオーミック電極層９ａを厚さ約２００ｎｍで形成する。
【００５９】
〈中間生成体１００の第３の製造工程〉
次に、図２（ｃ）に示すように、ＡｌＧａＩｎＰ系薄膜層１０Ｘのうち、リッジ導波路８ａを含む所定範囲の領域を残して、ＧａＡｓ（００１）基板１２ａの上部が若干除去されるまで、ウエットエッチングによって、〈１１０〉方向に沿った深さ約５μｍの溝Ｒを複数個形成する。
【００６０】
より具体的には、リッジ導波路８ａを含む所定範囲の領域にマスクを形成し、当該マスクより露出している部分を、硫酸：過酸化水素水：水の比を４：１：１としたエッチング液でウエットエッチングする。
【００６１】
〈中間生成体１００の第４の製造工程〉
次に、上述のマスクを除去した後、図２（ｄ）に示すように、オーミック電極層９ａ以外のＡｌＧａＩｎＰ系薄膜層１０Ｘと溝ＲのＧａＡｓ基板１２ａの上面に、ＺｒＯ２から成る絶縁層１１ａを被覆形成した後、蒸着によって、Ａｕから成る幅の狭い配線層Ｑa1を、オーミック電極層９ａと絶縁層１１ａ上に、リッジ導波路８ａの長手方向に対して略直交させて形成することにより、配線層Ｑa1とオーミック電極層９ａとを電気的に接続すると共に、溝Ｒ側に延設する。
【００６２】
〈中間生成体１００の第５の製造工程〉
次に、図２（ｅ）に示すように、オーミック電極層９ａの上面と、溝Ｒを除いた絶縁層１１ａの上面とにＳＯＧ３ａを被覆形成する。これにより、図１（ｂ）に示した個々のレーザ発振部１０ａとほぼ同じ大きさ又は若干小さい大きさのＳＯＧ３ａを絶縁層１１ａ上に形成する。
【００６３】
次に、ＳＯＧ３ａと絶縁層１１ａ上に、蒸着によって、Ａｕから成る幅の狭い配線層Ｑa2を配線層Ｑa1と略平行となるように形成することによって、ＳＯＧ３ａの表面と側面及び絶縁層１１ａ上を通って溝Ｒ側に延びる配線層Ｑa2を形成する。
【００６４】
以上、第１〜第４の製造工程によって、第１の発光素子１ａを複数個形成することが可能な最終的な中間生成体１００を作製する。
【００６５】
〈中間生成体２００の第１の製造工程〉
中間生成体２００については、まず、図３（ａ）に示す工程において、支持基板としてサファイア（０００１）基板１３ａを用い、ＭＯＣＶＤ法等により、サファイア（０００１）基板１３ａ上に、組成と膜厚等の異なったＧａＮ系半導体より成る複数の半導体薄膜を積層することで、上述の多重量子井戸構造の活性層とクラッド層とを有したＧａＮ系薄膜層４Ｘを形成する。
【００６６】
より具体的には、図１（ｂ）に示されている各層４ab〜４ah等を積層形成してレーザ発振部４ａを形成するのであるが、最初にサファイア（０００１）基板１３ａ上に、ＧａＮ又はＡｌＮから成るバッファ層（図示略）を厚さ約数十ｎｍ程度で積層し、次に、珪素（Ｓｉ）をドーピングしてｎ型化したｎ型ＧａＮから成る下地層４abを、厚さ約５〜１５μｍで積層し、次に、ｎ型Ａｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎから成るｎ型クラッド層４acを、厚さ約０．８μｍで積層し、次に、ｎ型ＧａＮから成るｎ型ガイド層４adを、厚さ約０．２μｍで積層する。
【００６７】
次に、組成の異なるＩｎｘＧａ１−ｘＮ（但し、０≦ｘ）、例えばＩｎ０．０８Ｇａ０．９２ＮとＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎから成る井戸層とバリア層との多重量子井戸構造を有する活性層４aeを、約数十ｎｍの厚さで積層する。
【００６８】
次に、Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎから成る電子障壁層４afを、厚さ約０．０２μｍで積層し、次に、マグネシウム（Ｍｇ）をドーピングしてｐ型化したｐ型ＧａＮから成るｐ型ガイド層４agを、厚さ約０．２μｍで積層する。
【００６９】
次に、ｐ型Ａｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎから成るｐ型クラッド層４ahを、厚さ約０．４μｍで積層し、次にｐ型ＧａＮから成るｐ側コンタクト層（図示略）を厚さ約０．１μｍで形成する。
【００７０】
〈中間生成体２００の第２の製造工程〉
次に、図３（ｂ）に示すように、ＧａＮ系薄膜層４Ｘに、〈１−１００〉方向に沿った複数のリッジ導波路５ａを形成し、更にリッジ導波路５ａ上にオーミック電極層６ａを形成する。
【００７１】
すなわち、上述のｐ側コンタクト層（図示略）上に、〈１−１００〉方向に沿った複数個分のリッジ導波路５ａ（図１参照）の形状に合わせたマスクを形成し、該マスクから露出している部分を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によってエッチングする。そして、ｐ型ガイド層４agが約０．０５μｍ程度の厚さとなる深さまでエッチングすることによって、ストライプ形状のリッジ導波路５ａを複数個形成する。
【００７２】
次に、上述のマスクを除去した後、リッジ導波路５ａの頂部に蒸着によってＰｄ又はＡｕ若しくはこれらの合金から成るオーミック電極層６ａを厚さ約２００ｎｍで形成し、更にオーミック電極６ａ以外の領域に絶縁層７ａを積層する。
【００７３】
〈中間生成体２００の第３の製造工程〉
次に、図３（ｃ）に示すように、絶縁層７ａの上面にＳＯＧ３ａを形成することによって、オーミック電極６ａが露出し、且つ第２の発光素子２ａを複数個形成することが可能な中間生成体２００を最終的に作製する。
【００７４】
〈半導体レーザ装置ＬＤＡの第１の製造工程〉
次に、図４及び図５に示す工程により、予め作製した中間生成体１００，２００から本半導体レーザ装置ＬＤＡを製造する。
【００７５】
まず、図４（ａ）に示すように、図２（ｅ）と図３（ｃ）に示した、最終的に作製された中間生成体１００のリッジ導波路８ａと中間生成体２００のリッジ導波路５ａとを向かい合わせ、更にＡｌＧａＩｎＰ系薄膜層１０Ｘの劈開面（１１０）とＧａＮ系薄膜層４Ｘの劈開面（１-１００）とを一致させるようにして、中間生成体１００のＳＯＧ３ａと中間生成体２００のＳＯＧ３ａとを密着させる。
【００７６】
更に、上述のＳＯＧ３ａを密着させた状態で、約５５０°Ｃで加熱することにより、中間生成体１００のＳＯＧ３ａと中間生成体２００のＳＯＧ３ａとを固着させて一体化させ、更に、配線層Ｑa2とレーザ発振部４ａ側のオーミック電極層６ａとを電気的に接続させると共に、オーミック電極層６ａ側の配線層Ｑa2の部分をＳＯＧ３ａ中に埋設する。
【００７７】
〈半導体レーザ装置ＬＤＡの第２の製造工程〉
次に、図４（ｂ）に示すように、３６０ｎｍ以下の波長を有するレーザ光、より好ましくはＹＡＧレーザの４倍波（波長２６６ｎｍ）を所定の集光レンズで絞り、高エネルギーの光にして、説明の便宜上多数の矢印で示されているように、サファイア基板１３ａの裏面側より照射する。
【００７８】
サファイア基板１３ａの裏面側より、高エネルギーの光を照射すると、波長２２６ｎｍの光は、サファイア基板１３ａ中で殆ど吸収されずに透過し、ＧａＮには僅かな浸透深さで吸収される。更に、サファイア基板１３ａとＧａＮの間に大きな格子不整合があることから、これら接合部近傍のＧａＮには極めて多くの結晶欠陥が存在する。このため、吸収された光は殆ど熱に変換され、接合部近傍が高温に加熱され、ＧａＮが金属ガリウムと窒素ガスに分解する。
【００７９】
そして、溝Ｒが存在しているため、溝Ｒに面しているＧａＮ系薄膜層４Ｘの一部が崩落等し、溝Ｒを境にして分割された複数個のレーザ発振部４ａが形成される。
【００８０】
ここで、分割されたレーザ発振部４ａ（すなわち、残っているＧａＮ系薄膜層４Ｘ）とサファイア基板１３ａは、金属ガリウムによる弱い結合状態にある。そこで、ガリウムの融点温度より高い約４０°Ｃの温度で全体的に加熱して、サファイア基板１３ａをレーザ発振部４ａから剥離する。
【００８１】
〈半導体レーザ装置ＬＤＡの第３の製造工程〉
このようにサファイア基板１３ａを剥離すると、図４（ｃ）に示すように、溝Ｒを境にして分離された個々のレーザ発振部４ａが、ＳＯＧ３ａを介してＡｌＧａＩｎＰ系薄膜層１０Ｘ上へ貼り付けられ、溝Ｒに形成されているＡｌＧａＩｎＰ系薄膜層１０Ｘ側の絶縁層１１ａと、配線層Ｑa1，Ｑa2が露出する。
【００８２】
そして、純水中で超音波洗浄することによって、上述の崩落等した部分を除去した後、約３分間、希塩酸中に浸すことで、レーザ発振部４ａの露出面（表面）に残留している金属ガリウムを除去する。
【００８３】
〈半導体レーザ装置ＬＤＡの第４の製造工程〉
次に、図５（ａ）に示すように、各レーザ発振部４ａの露出面（ｎ型ＧａＮの面）に、チタン（Ｔｉ）又はＡｕ若しくはこれらの合金から成るオーミック電極Ｐa2、ｎ型ＧａＡｓ基板１２ａの底面に、ＡｕＧｅの合金（金とゲルマニウムの合金）から成るオーミック電極Ｐa1を蒸着等によって夫々形成すると共に、溝Ｒ側に延在している配線層Ｑa1，Ｑa2に、電気的且つ独立に接続する金属の電極パッドＰa31，Ｐa32を蒸着等によって夫々形成する。
【００８４】
〈半導体レーザ装置ＬＤＡの第５の製造工程〉
次に、図５（ｂ）に示すように、ＧａＮ系薄膜層４Ｘの劈開面である（１-１００）面に沿って劈開することによってレーザ共振器を構成する。
【００８５】
更に、溝Ｒの部分で、レーザ共振器面と垂直な方向に二次劈開することによって、図１（ａ）に示した第１，第２の発光素子１ａ，２ａを有し、溝Ｒの部分が突出部分ＳＴＧａとなって露出する、半導体レーザ装置ＬＤＡを完成する。
【００８６】
このように本半導体レーザ装置ＬＤＡによれば、レーザ発振部４ａ，１０ａを薄い（厚さの小さい）ＳＯＧ３ａによって固着する構造とすることができるため、レーザ発振部４ａ，１０ａにおける発光点間隔を小さくすることができる。別言すれば、レーザ発振部４ａ，１０ａを薄いＳＯＧ３ａで固着する構造と成っているため、レーザ発振部４ａの活性層とレーザ発振部１０ａの活性層との間隔を狭くすることができ、レーザ発振部４ａの活性層に位置する発光点とレーザ発振部１０ａの活性層に位置する発光点との発光点間隔を小さくすることが可能となっている。
【００８７】
また、図１（ａ）（ｂ）に示すように、上述の溝Ｒによってｎ型ＧａＡｓ基板１２ａの一部分がレーザ発振部４ａ，１０ａよりも外側に突出し、その突出した部分の上面に絶縁層１１ａを介して、配線層Ｑa1，Ｑa2が露出して形成されているため、駆動電流を供給するための配線を容易にとることが可能となっている。
【００８８】
また、レーザ発振部４ａと１０ａは、ｐ型半導体側のオーミック電極層６ａ，９ａがリッジ導波路５ａ，８ａ上にのみ形成されていることから寄生容量が小さく、これらレーザ発振部４ａ，１０ａの応答特性、すなわち駆動電流の高周波応答特性を向上させることができる。
【００８９】
また、上述したように、配線層Ｑa1はＳＯＧ３ａと絶縁層１１ａの間を通ってオーミック電極層６ａに電気的に接続され、配線層Ｑa2はＳＯＧ３ａ中を通ってオーミック電極層９ａに電気的に接続されているため、オーミック電極Ｐa1と電極パッドＰa31間に駆動電流を供給すると第１の発光素子１ａ、オーミック電極Ｐa2と電極パッドＰa32間に駆動電流を供給すると第２の発光素子２ａを夫々個別に発光させることができ、また、第１，第２の発光素子１ａ，２ａを同時に発光させることが可能となっている。
【００９０】
そして、第１，第２の発光素子１ａ，２ａの一方を発光させた場合でも、他方が逆バイアスの状態となる等の問題が生じることがない。
【００９１】
また、本半導体レーザ装置ＬＤＡを、ＣＤやＤＶＤその他のストレージ媒体に対して情報記録又は情報再生を行う光ピックアップに搭載すると、発光点間隔が小さいことから、第１，第２の発光素子１ａ，２ａの各発光点を共に光ピックアップの光学系の光軸近傍に位置合わせることができ、収差等の発生を大幅に改善すること等ができる。
【００９２】
また、本実施形態の製造方法によれば、第１，第２の発光素子１ａ，２ａを複数個形成することが可能な中間生成体１００，２００をＳＯＧ３ａによって固着した後、劈開及びスクライビング等によって個々の半導体レーザ装置ＬＤＡに分割するので、発光素子１ａ，２ａの発光点間隔の最適化制御を、中間生成体１００，２００を固着する際に一括して行うことができると共に、高精度で位置合わせすることができる。このため、製造工程の簡素化等を実現することができる。
【００９３】
このように、本実施形態によれば、波長の異なる複数のレーザ光を出射すると共に、電気的特性に優れ且つ機械的精度の高い半導体レーザ装置ＬＤＡを提供することができ、また、かかる半導体レーザ装置ＬＤＡを量産性良く製造するための製造方法を提供することができる。
【００９４】
なお、第１の発光素子１ａの本体部分であるレーザ発振部１０ａを、Ｖ族元素として砒素（Ａｓ）、リン（Ｐ）、アンチモン（Ｓｂ）の何れかを含むIII−Ｖ族化合物半導体で形成する場合を説明したが、かかるIII−Ｖ族化合物半導体に代えて、レーザ発振部１０ａをII-ＶI族化合物半導体で形成してもよい。
【００９５】
また、絶縁層７ａ，１１ａとして、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、ＡｌＮ等の絶縁材料によって適宜形成するようにしてもよい。
【００９６】
また、ＧａＮ系半導体を形成する基板として、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮを用いるようにしてもよい。
【００９７】
また、本実施形態では、駆動電流を流入するための導波路５ａ，８ａをリッジ導波路としているが、必ずしもこれに限定されるものではなく、他の構造であってもよい。
また、上述の絶縁層７ａは省略することも可能である。
【００９８】
〔変形例〕
次に、第１の実施形態に係る変形例を、図６を参照して説明する。なお、図６において、図１ないし図５に示した半導体レーザ装置ＬＤＡと同一又は相当する部分を同一符号で示している。
【００９９】
図６（ａ）は、本変形例の半導体レーザ装置ＬＤＡの外部構造を表した斜視図であり、図１（ａ）に対応させて示されている。
【０１００】
図６（ｂ）（ｃ）は、本変形例の半導体レーザ装置ＬＤＡの製造工程を模式的に表した斜視図であり、図６（ｂ）は図２（ｅ）に、図６（ｃ）は図４（ｃ）に夫々対応させて示されている。
【０１０１】
本変形例の半導体レーザ装置ＬＤＡと、図１（ａ）に示した半導体レーザ装置ＬＤＡとの構造上の相違点を図６（ａ）に基づいて説明すると、まず、図１（ａ）の半導体レーザ装置ＬＤＡでは、配線層Ｑa1，Ｑa2と電極パッドＰa31，Ｐa32が、突出部分ＳＴＧａの絶縁層１１ａ上に、同一平面に位置するように形成されている。
【０１０２】
これに対し、本変形例の半導体レーザ装置ＬＤＡでは、一方の配線層Ｑa1と電極パッドＰa31が第１の発光素子１ａの半導体基板１２ａ上に絶縁層１１ａを介して形成され、他方の配線層Ｑa2と電極Ｐa32は、半導体基板１２ａ及び絶縁層１１ａ上に形成されている台状のＳＯＧ３ａの表面に形成されている。
【０１０３】
本変形例の半導体レーザ装置ＬＤＡは次に述べる製造工程によって作成されている。
【０１０４】
まず、図２（ａ）〜（ｅ）を参照して説明した製造工程によって中間生成体１００が作製され、図３（ａ）〜（ｃ）を参照して説明した製造工程と同様の製造工程によって中間生成体２００が作製されている。
【０１０５】
ただし、図１（ａ）に示した半導体レーザ装置ＬＤＡでは、図２（ｅ）に示した製造工程（中間生成体１００の第５の製造工程）において、溝Ｒを除いたＡｌＧａＩｎＰ系薄膜層１０Ｘの上面だけにＳＯＧ３ａを形成して、配線層Ｑa2を形成することによって、最終的な中間生成体１００を作製しているのに対し、本変形例の半導体レーザ装置ＬＤＡでは、図６（ｂ）に示されているように、溝Ｒを含めて全面的にＳＯＧ３ａを形成し、更に全面的に形成されたＳＯＧ３ａの表面に、配線層Ｑa2を形成することによって、最終的な中間生成体１００を作製している。
【０１０６】
そして、図４（ａ）（ｂ）に示した製造工程と同様に、図６（ｂ）の中間生成体１００と図３（ｃ）の中間生成体２００とをＳＯＧ３ａを介して固着し、ＹＡＧレーザの４倍波（波長２６６ｎｍ）を所定の集光レンズで絞り、高エネルギーの光にしてサファイア基板１３ａの裏面側より照射することによって、中間生成体２００におけるサファイア基板１３ａとの界面近傍のＧａＮを、金属ガリウムと窒素ガスに分解した後、サファイア基板１３ａを剥離する。
【０１０７】
この結果、図１（ａ）に示した半導体レーザ装置ＬＤＡでは、サファイア基板１３ａが剥離された後の中間生成体が図４（ｃ）に示した構造となるのに対し、本変形例の半導体レーザ装置ＬＤＡでは、サファイア基板１３ａが剥離された後の中間生成体が、図６（ｃ）に示されるように、溝ＲにおけるＳＯＧ３ａと配線層Ｑa2が露出した構造となる。
【０１０８】
そして、この溝ＲにおけるＳＯＧ３ａのうち、配線層Ｑa2が形成されている所定領域を除いて、部分的にエッチングを施すことによって、配線層Ｑa1を露出させる。
【０１０９】
そして、図５（ａ）（ｂ）に示した製造工程と同様の工程によって、所定の劈開等を行うことにより、図６（ａ）に示した本変形例の半導体レーザ装置ＬＤＡを完成する。
【０１１０】
かかる構造を有する本変形例の半導体レーザ装置ＬＤＡにおいても、上述した図１（ａ）の半導体レーザ装置ＬＤＡと同様の効果を得ることができる。
【０１１１】
〔第２の実施形態〕
次に、第２の実施形態の半導体レーザ装置ＬＤＢを、図７ないし図１１を参照して説明する。
なお、図７は、本半導体レーザ装置ＬＤＢの外部構造を表した斜視図、図８ないし図１１は、本半導体レーザ装置ＬＤＢの製造工程を模式的に表した斜視図である。
【０１１２】
図７において、この半導体レーザ装置ＬＤＢは、所定波長（例えば、波長４０５ｎｍ帯）のレーザ光を出射する第１の発光素子１ｂと、それより長い波長（例えば、波長６５０ｎｍ帯）のレーザ光を出射する第２の発光素子２ｂとを備え、第１の発光素子１ｂと第２の発光素子２ｂが、ＳｉＯ２系のＳＯＧ（spin on glass）３ｂによって一体に固着されることにより、半導体レーザ装置ＬＤＢが実現されている。
【０１１３】
ここで、第２の発光素子２ｂの形成領域に比して、半導体基板ＳＵＢ１の専有領域の方が大きく、これら形成領域と占有領域との大きさの違いによって半導体基板ＳＵＢ１の突出部分ＳＴＧｂが形成されている。
【０１１４】
第１の発光素子１ｂは、Ｖ族元素が窒素（Ｎ）からなる窒化物系III−Ｖ族化合物半導体（ＧａＮ系半導体）で形成された半導体基板ＳＵＢ１と、導波路（本実施形態ではストライプ形状のリッジ導波路）５ｂ及びオーミック電極層６ｂが形成され上記所定波長のレーザ光を出射する第１のレーザ発振部４ｂと、オーミック電極層６ｂを除いたレーザ発振部４ｂとＳＯＧ３ｂとの間に介在する絶縁層７ｂと、オーミック電極層６ｂに電気的に接続され且つ突出部分ＳＴＧｂ側に延在するストライプ状の導電性の配線層Ｑb1と、半導体基板ＳＵＢ１の底面に形成されたオーミック電極Ｐb1とを備えて構成されている。
【０１１５】
ここで、レーザ発振部４ｂは、Ｖ族元素が窒素（Ｎ）からなる窒化物系III−Ｖ族化合物半導体（ＧａＮ系半導体）より成る多重量子井戸構造の活性層及びその活性層を挟むようにして積層された２つのクラッド層とを備えた二重ヘテロ構造（ＤＨ）と、ＳＯＧ３ｂ側に設けられた上述のリッジ導波路５ｂを備えて形成されている。
【０１１６】
露出している配線層Ｑb1とオーミック電極Ｐb1間に駆動電流を供給すると、その駆動電流がオーミック電極層６ｂを通じてリッジ導波路５ｂに流入し、リッジ導波路５ｂのストライプ形状に沿ってレーザ発振部４ｂ中の上述の活性層に、電流が流入することで光が発生する。
【０１１７】
更にリッジ導波路５ｂの長手方向の両端に形成されている劈開面（鏡面）によってレーザ共振器が構成されており、リッジ導波路５ｂのストライプ形状に沿って発生する光が両端の劈開面（鏡面）で反射されて活性層中を繰り返し往復しながら、次々とキャリア再結合を誘起して誘導放出を行わせることにより、所定波長（例えば、波長４０５ｎｍ帯）のレーザ光が劈開面から出射される。
【０１１８】
第２の発光素子２ｂは、導波路（本実施形態ではストライプ形状のリッジ導波路）８ｂ及びオーミック電極層９ｂを有するレーザ発振部１０ｂと、オーミック電極層９ｂを除いてレーザ発振部１０ｂとＳＯＧ３ｂとの間に介在する絶縁層１１ｂと、オーミック電極層９ｂに電気的に接続され且つ突出部分ＳＴＧｂ側に延在するストライプ状の導電性の配線層Ｑb2と、レーザ発振部１０ｂの表面に形成されたオーミック電極Ｐb2とを備えて構成されている。
【０１１９】
ここで、レーザ発振部１０ｂは、Ｖ族元素として砒素（Ａｓ）、リン（Ｐ）、アンチモン（Ｓｂ）の何れかを含むIII−Ｖ族化合物半導体（例えば、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体）より成る歪量子井戸構造の活性層及びその活性層を挟むようにして積層された２つのクラッド層とを備えた二重ヘテロ構造（ＤＨ）と、上述のリッジ導波路８ｂを備えて形成されている。
【０１２０】
また、詳細については後述するが、突出部分ＳＴＧｂ側の絶縁層７ｂ上に、ＳＯＧ３ｂを加工することで形成された台部が設けられ、該台部上に導電性配線層Ｑb2が延在すると共に、外部から駆動電流を供給するための電極となっている。
【０１２１】
そして、露出している配線層Ｑb2とオーミック電極Ｐb2間に駆動電流を供給すると、その駆動電流がオーミック電極層９ｂを通じてリッジ導波路８ｂに流入し、リッジ導波路８ｂのストライプ形状に沿ってレーザ発振部１０ｂ中の上述の活性層に、電流が流入することで光が発生する。
【０１２２】
更にリッジ導波路８ｂの長手方向の両端に形成されている劈開面（鏡面）によってレーザ共振器が構成されており、リッジ導波路８ｂのストライプ形状に沿って発生する光が両端の劈開面（鏡面）で反射されて活性層中を繰り返し往復しながら、次々とキャリア再結合を誘起して誘導放出を行わせることにより、上述の長波長（例えば、波長６５０ｎｍ帯）のレーザ光が劈開面から出射される。
【０１２３】
このような構造により、本半導体レーザ装置ＬＤＡは、第１の発光素子１ｂと第２の発光素子２ｂをそれぞれ個別に発光させることができ、また、同時に発光させることも可能となっている。
【０１２４】
次に、かかる構造を有する半導体レーザ装置ＬＤＢの製造工程を、図８ないし図１１の斜視図を参照して説明する。
【０１２５】
まず、図８（ａ）〜（ｅ）に示す工程によって第１の発光素子１ｂを形成するための中間生成体３００、図９（ａ）〜（ｅ）に示す工程によって第２の発光素子２ｂを形成するための中間生成体４００を予め作製する。
【０１２６】
〈中間生成体３００の第１の製造工程〉
中間生成体３００については、まず、図８（ａ）に示す工程において、ＭＯＣＶＤ法等により、ＧａＮ系半導体、より具体的にはｎ型ＧａＮ（０００１）の半導体基板ＳＵＢ１上に、組成と膜厚等の異なったＧａＮ系半導体より成る複数の半導体薄膜を積層することで、図１（ｂ）に示した各層４ab〜４ah等と同様のＧａＮ系薄膜層４Ｘ、すなわち、多重量子井戸構造の活性層とクラッド層とを有したＧａＮ系薄膜層４Ｘを形成する。
【０１２７】
つまり、半導体基板ＳＵＢ１上に、Ｓｉをドーピングしてｎ型化したｎ型ＧａＮから成る下地層を厚さ約５〜１５μｍで積層し、次に、ｎ型Ａｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎから成るｎ型クラッド層を厚さ約０．８μｍで積層し、次に、ｎ型ＧａＮから成るｎ型ガイド層を厚さ約０．２μｍで積層し、次に、Ｉｎ０．０８Ｇａ０．９２ＮとＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎから成る井戸層とバリア層との多重量子井戸構造から成る活性層を約数十ｎｍの厚さで積層し、次に、Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎから成る電子障壁層を厚さ約０．０２μｍで積層し、次に、Ｍｇをドーピングしてｐ型化したｐ型ＧａＮから成るｐ型ガイド層を厚さ約０．２μｍで積層し、次に、ｐ型Ａｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎから成るｐ型クラッド層を厚さ約０．４μｍで積層し、次に、ｐ型ＧａＮから成るｐ側コンタクト層を厚さ約０．１μｍで積層することによって、ＧａＮ系薄膜層４Ｘを形成する。
【０１２８】
〈中間生成体３００の第２の製造工程〉
次に、図８（ｂ）に示すように、ＧａＮ系薄膜層４Ｘに複数のリッジ導波路５ｂを形成し、更にリッジ導波路５ｂ上にオーミック電極層６ｂを形成する。
【０１２９】
すなわち、上述のｐ側コンタクト層上に、複数個分のリッジ導波路５ｂの形状に合わせたマスクを〈１−１００〉方向に沿って形成し、該マスクから露出している部分を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によってエッチングする。
【０１３０】
ここで、上述のｐ型ガイド層が約０．０５μｍ程度の厚さとなる深さまでエッチングすることによって、ストライプ形状のリッジ導波路５ｂを複数個形成する。
【０１３１】
そして、上述のマスクを除去した後、リッジ導波路５ｂ上に、蒸着によってＰｄ又はＡｕ若しくはこれらの合金から成るオーミック電極層６ｂを厚さ約２００ｎｍで形成する。
【０１３２】
〈中間生成体３００の第３の製造工程〉
次に、図８（ｃ）に示すように、オーミック電極層６ｂ以外のＧａＮ系薄膜層４Ｘの表面に、ＺｒＯ２から成る絶縁層７ｂを形成する。
【０１３３】
〈中間生成体３００の第４の製造工程〉
次に、図８（ｄ）に示すように、蒸着によって、Ａｕから成る所定幅の配線層Ｑb1をオーミック電極層６ｂと絶縁層７ｂ上に、リッジ導波路５ｂの長手方向に対して略直交させて形成する。このとき、配線層Ｑb1とオーミック電極層６ｂとは電気的に接続している。
【０１３４】
〈中間生成体３００の第５の製造工程〉
次に、図８（ｅ）に示すように、ＧａＮ系薄膜層４Ｘ上の全面に、ＳｉＯ２系のＳＯＧ３ｂを形成することで、最終的な中間生成体３００を作製する。
【０１３５】
〈中間生成体４００の第１の製造工程〉
次に、中間生成体４００については、まず図９（ａ）に示すように、III-Ｖ族化合物半導体、より具体的にはｎ型ＧａＡｓ（００１）の半導体基板ＳＵＢ２の上面に、ＭＯＣＶＤ法により、ＩｎＧａＰから成るエッチングストップ層ＳＴＰを形成した後、エッチングストップ層ＳＴＰ上に、図１（ｂ）に示した各層１０aa〜１０ae等と同様のＡｌＧａＩｎＰ系薄膜層１０Ｘ、すなわち、歪量子井戸構造の活性層とクラッド層とを有したＡｌＧａＩｎＰ系薄膜層１０Ｘを積層する。
【０１３６】
つまり、半導体基板ＳＵＢ２の上面にエッチングストップ層ＳＴＰを形成した後、エッチングストップ層ＳＴＰ上に、Ｓｉをドーピングしてｎ型化したｎ型ＧａＡｓから成るバッファ層を厚さ約０．５μｍで積層し、次に、ｎ型Ａｌ０．３５Ｇａ０．１５Ｉｎ０．５Ｐから成るｎ型クラッド層を厚さ約１．２μｍで積層し、次に、ＡｌＧａＩｎＰから成るｎ型ガイド層を、厚さ０．０５μｍで積層する。
【０１３７】
次に、ＧａＩｎＰとＡｌＧａＩｎＰとから成る歪量子井戸構造の活性層を数十ｎｍの厚さで積層し、次に、ＡｌＧａＩｎＰから成るｐ型ガイド層を、厚さ０．０５μｍで積層し、次に、Ｚｎをドーピングしてｐ型化したＡｌ０．３５Ｇａ０．１５Ｉｎ０．５Ｐから成るｐ型クラッド層を厚さ約１．２μｍで積層し、次に、ｐ型Ｇａ０．５１Ｉｎ０．４９Ｐから成る通電層を厚さ約０．０５μｍで積層し、次に、ｐ型ＧａＡｓから成るｐ側コンタクト層を厚さ約０．２μｍで積層することにより、ＡｌＧａＩｎＰ系薄膜層１０Ｘを形成する。
【０１３８】
〈中間生成体４００の第２の製造工程〉
次に、図９（ｂ）に示すように、ＡｌＧａＩｎＰ系薄膜層１０Ｘ上に、図８（ｂ）に示したリッジ導波路５ｂと同じ間隔で、〈１１０〉方向に沿った複数個分のリッジ導波路８ｂを形成すべくマスクを形成し、該マスクから露出した部分を、硫酸：過酸化水素水：水の比を４：１：１としたエッチング液等でウエットエッチングする。
【０１３９】
ここで、上述のｐ型クラッド層が約０．２μｍ程度の厚さとなる深さまでエッチングを行うことによって、ストライプ形状のリッジ導波路８ｂを複数個形成する。
【０１４０】
次に、上述のマスクを除去した後、リッジ導波路８ｂ上に、Ｃｒ又はＡｕ若しくはこれらの合金から成るオーミック電極層９ｂを形成する。
【０１４１】
〈中間生成体４００の第３の製造工程〉
次に、オーミック電極層９ｂ以外のＡｌＧａＩｎＰ系薄膜層１０Ｘの表面に、ＳｉＯ２の絶縁層１１ｂを形成する。
【０１４２】
〈中間生成体４００の第４の製造工程〉
次に、図９（ｄ）に示すように、蒸着によって、Ａｕから成る所定幅の配線層Ｑb2を、オーミック電極層９ｂと絶縁層１１ｂ上に、リッジ導波路８ｂの長手方向に対して略直交させて形成する。このとき、配線層Ｑb2とオーミック電極層９ｂとは電気的に接続している。
【０１４３】
〈中間生成体４００の第５の製造工程〉
次に、図９（ｅ）に示すように、ＡｌＧａＩｎＰ系薄膜層１０Ｘ上の全面に、ＳｉＯ２系のＳＯＧ３ｂを形成することで、最終的な中間生成体４００を作製する。
【０１４４】
〈半導体レーザ装置ＬＤＢの第１の製造工程〉
次に、図１０及び図１１に示す工程により、予め作製した中間生成体３００，４００から本半導体レーザ装置ＬＤＢを製造する。
【０１４５】
まず、図１０（ａ）に示すように、図８（ｅ）と図９（ｅ）に示した、最終的に作製された中間生成体３００，４００のリッジ導波路５ｂ，８ｂを向かい合わせ、更にＧａＮ系薄膜層４Ｘの劈開面（１-１００）とＡｌＧａＩｎＰ系薄膜層１０Ｘの劈開面（１１０）を一致させるようにして、中間生成体３００のＳＯＧ３ａと中間生成体４００のＳＯＧ３ａとを密着させる。
【０１４６】
更に、上述のＳＯＧ３ａを密着させた状態で、約５５０°Ｃで加熱することにより、中間生成体３００のＳＯＧ３ａと中間生成体４００のＳＯＧ３ａとを固着させて一体化させると共に、中間生成体４００に形成されている配線層Ｑb2をＳＯＧ３ａ中に埋設する。
【０１４７】
〈半導体レーザ装置ＬＤＢの第２の製造工程〉
次に、図１０（ｂ）に示すように、硫酸：過酸化水素水：水の比を４：１：１としたエッチング液により、ｎ型ＧａＡｓの半導体基板ＳＵＢ２をウエットエッチングすることによって除去した後、そのウエットエッチングにより露出することとなったエッチングストップ層ＳＴＰを、塩酸：水の比を１：１としたエッチング液でエッチングすることによって除去し、ＡｌＧａＩｎＰ系薄膜層１０Ｘを露出させる。
【０１４８】
つまり、上述の中間生成体４００の第１の製造工程で説明した、ｎ型ＧａＡｓから成るバッファ層を露出させる。
【０１４９】
〈半導体レーザ装置ＬＤＢの第３の製造工程〉
次に、図１０（ｃ）に示すように、レーザ発振部１０ｂを形成すべき領域にマスクを形成し、ＡｌＧａＩｎＰ系薄膜層１０Ｘのうち該マスクから露出した部分をウエットエッチングする。
【０１５０】
これにより、図示するように複数のレーザ発振部１０ｂを形成すると共に、各レーザ発振部１０ｂの間の絶縁層１１ｂを露出させる。
【０１５１】
〈半導体レーザ装置ＬＤＢの第４の製造工程〉
次に、図１１（ａ）に示すように、上述の露出した絶縁層１１ｂとＳＯＧ３ｂに対し、ＣＦ４ガスを用いてドライエッチングを施すことにより、配線層Ｑb1とＱb2を露出させると共に、台状のＳＯＧ３ｂを形成する。
【０１５２】
すなわち、ＣＦ４ガスによってドライエッチングを行うと、ＳｉＯ２の絶縁層１１ｂはエッチングされ、Ａｕの配線層Ｑb1とＱb2はエッチングされず、更に、ＳｉＯ２系のＳＯＧｂ３のうち配線層Ｑb2の下側に位置する部分を除いてエッチングされる。この結果、図１１（ａ）に示すように、台状のＳＯＧ３ｂが残存し、その台状のＳＯＧ３ｂ上の配線層Ｑb2と、ＺｒＯ２で形成されている絶縁層７ｂ上の配線層Ｑb1が残存する。
【０１５３】
このように、ＣＦ４ガスによってドライエッチングを行うだけで、配線に必要な配線層Ｑb1，Ｑb2を露出させ、その露出のために不要となる部分を除去することができるため、製造工程の簡素化が可能となっている。
【０１５４】
〈半導体レーザ装置ＬＤＢの第５の製造工程〉
次に、図１１（ｂ）に示すように、レーザ発振部１０ｂの露出面（表面）に、ＡｕＧｅの合金から成るオーミック電極Ｐb2、ｎ型ＧａＮの半導体基板ＳＵＢ１の底面に、Ｔｉ又はＡｕ若しくはこれらの合金から成るオーミック電極Ｐb1を蒸着等によって形成した後、ＧａＮ系薄膜層４Ｘの劈開面である（１-１００）面に沿って劈開することによってレーザ共振器を構成する。
【０１５５】
更に、配線層Ｑb1，Ｑb2が露出している部分で、レーザ共振器面と垂直な方向に二次劈開することによって、図７に示した第１，第２の発光素子１ｂ，２ｂを有する半導体レーザ装置ＬＤＢを完成する。
【０１５６】
このように本半導体レーザ装置ＬＤＢによれば、レーザ発振部４ｂ，１０ｂを薄い（厚さの小さい）ＳＯＧ３ｂによって固着する構造とすることができるため、レーザ発振部４ｂ，１０ｂにおける発光点間隔を小さくすることができる。別言すれば、レーザ発振部４ｂ，１０ｂを薄いＳＯＧ３ｂで固着する構造と成っているため、レーザ発振部４ｂの活性層とレーザ発振部１０ｂの活性層との間隔を狭くすることができ、レーザ発振部４ｂの活性層に位置する発光点とレーザ発振部１０ｂの活性層に位置する発光点との発光点間隔を小さくすることが可能となっている。
【０１５７】
また、レーザ発振部４ｂと１０ｂは、ｐ型半導体側のオーミック電極層６ａ，９ａがリッジ導波路５ａ，８ａ上にのみ形成されていることから寄生容量が少なく、これらレーザ発振部４ａ，１０ａの応答特性、すなわち駆動電流の高周波応答特性を向上させることができる。
【０１５８】
また、レーザ発振部４ｂ，１０ｂがＳＯＧ３ｂによって電気的に分離されているので、夫々個別に発光させることができ、また、同時に発光させることが可能となっている。そして、第１，第２の発光素子１ｂ，２ｂの一方を発光させた場合でも、他方が逆バイアスの状態となる等の問題が生じることがない。
【０１５９】
また、本半導体レーザ装置ＬＤＢを、ＣＤやＤＶＤその他のストレージ媒体に対して情報記録又は情報再生を行う光ピックアップに搭載すると、発光点間隔が小さいことから、第１，第２の発光素子１ｂ，２ｂの各発光点を共に光ピックアップの光学系の光軸近傍に位置合わせることができ、収差等の発生を大幅に改善すること等ができる。
【０１６０】
また、本実施形態の製造方法によれば、第１，第２の発光素子１ｂ，２ｂを複数個形成することが可能な中間生成体３００，４００をＳＯＧ３ｂによって固着した後、劈開及びスクライビング等によって個々の半導体レーザ装置ＬＤＢに分割するので、発光素子１ｂ，２ｂの発光点間隔の最適化制御を、中間生成体３００，４００を固着する際に一括して行うことができると共に、高精度で位置合わせすることができ、更なる製造工程の簡素化等を実現することができる。
【０１６１】
更に又、本実施形態の製造方法は、図１０（ｂ）（ｃ）を参照して説明した工程（半導体レーザ装置ＬＤＢの第２，第３の製造工程）において、ｎ型ＧａＡｓの半導体基板ＳＵＢ２及びＡｌＧａＩｎＰ系薄膜１０Ｘを加工することで絶縁膜１１ｂを露出させることとしている。このため、第１の発光素子１ｂ側の半導体基板ＳＵＢ１にＧａＮ半導体基板を用いることができるため、結晶性の良いＧａＮ系薄膜層４Ｘを作製することが可能となる。
【０１６２】
このように、本実施形態によれば、波長の異なる複数のレーザ光を出射すると共に、電気的特性に優れ且つ機械的精度の高い半導体レーザ装置ＬＤＢを提供することができ、また、かかる半導体レーザ装置ＬＤＢを量産性良く製造するための製造方法を提供することができる。
【０１６３】
なお、第１の発光素子１ｂの本体部分であるレーザ発振部４ｂを、Ｖ族元素が窒素（Ｎ）からなる窒化物系III−Ｖ族化合物半導体で形成する場合を説明したが、かかる窒化物系III−Ｖ族化合物半導体に代えて、レーザ発振部４ｂをII-ＶI族化合物半導体で形成してもよい。
【０１６４】
また、絶縁層１１ｂは、上述のＣＦ４ガスでドライエッチングされる材料であれば他の材料でもよく、また、絶縁層７ｂは、ＣＦ４ガスでドライエッチングされない材料であれば他の材料でもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１６５】
【図１】第１の実施形態の半導体レーザ装置の外部構造と縦断面構造を表した図である。
【図２】図１に示した半導体レーザ装置の製造工程を模式的に表した斜視図である。
【図３】更に、図１に示した半導体レーザ装置の製造工程を模式的に表した斜視図である。
【図４】更に、図１に示した半導体レーザ装置の製造工程を模式的に表した斜視図である。
【図５】更に、図１に示した半導体レーザ装置の製造工程を模式的に表した斜視図である。
【図６】第１の実施形態の半導体レーザ装置の変形例の構造及び製造工程を表した斜視図である。
【図７】第２の実施形態の半導体レーザ装置の外部構造を表した図である。
【図８】図７に示した半導体レーザ装置の製造工程を模式的に表した斜視図である。
【図９】更に、図７に示した半導体レーザ装置の製造工程を模式的に表した斜視図である。
【図１０】更に、図７に示した半導体レーザ装置の製造工程を模式的に表した斜視図である。
【図１１】更に、図７に示した半導体レーザ装置の製造工程を模式的に表した斜視図である。
【０１６６】
【符号の説明】
ＬＤＡ，ＬＤＢ…半導体レーザ装置
１ａ，１ｂ…第１の発光素子
２ａ，２ｂ…第２の発光素子
３ａ，３ｂ…ＳＯＧ（spin on glass）
４ａ，４ｂ…レーザ発振部
５ａ，５ｂ，８ａ，８ｂ…リッジ導波路
１１ａ，１１ｂ…絶縁層
１２ａ，ＳＵＢ１，ＳＵＢ２…半導体基板
１３ａ…サファイア基板
１００，２００，３００，４００…中間生成体
Ｑa1，Ｑa2，Ｑb1，Ｑb2…配線層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
0004148321.tif 000010
【図１０】
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【図１１】
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