(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
超小型衛星に内蔵された点火制御集積回路へ夫々接続する端子が、複数列貫通している内装シリコン基板、
固体推進薬が充填されている打抜きシリンダと、貫通して表裏両面に引出されており該端子へ夫々接続しているフィードスルー配線とを、同じく複数列有し、該内装シリコン基板を覆っているガラス基板、
該フィードスルー配線に夫々接続しており該固体推進薬を点火するマイクロヒータと、該マイクロヒータから船外へ向いたノズルとを、同じく複数列有し、該ガラス基板を覆っている外装シリコン基板
が積層したチップである超小型衛星用のロケットアレイスラスタ。
【請求項２】
前記チップが、離脱制御集積回路に繋がった離脱装置へ連結して、積み重なっていることを特徴とする請求項１に記載の超小型衛星用のロケットアレイスラスタ。
【請求項３】
前記固体推進薬は、前記マイクロヒータと密着していることを特徴とする請求項１に記載の超小型衛星用のロケットアレイスラスタ。
【請求項４】
前記固体推進薬と前記マイクロヒータとの間に、助燃剤が詰まって、前記密着がなされていることを特徴とする請求項３に記載の超小型衛星用のロケットアレイスラスタ。
【請求項５】
前記固体推進薬は、前記打抜きシリンダ内で固化して、前記密着がなされていることを特徴とする請求項３に記載の超小型衛星用のロケットアレイスラスタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、超小型衛星の姿勢制御等のために用いられるロケットアレイスラスタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
重量１〜数１０ｋｇ程度の超小型衛星の宇宙空間での姿勢制御や軌道修正には、軽量で小型のスラスタが用いられる。
【０００３】
このようなスラスタは、例えば特開平11-105796号公報、米国特許第6131385号明細書、Ｃ.ロッシらによる超小型衛星へ応用するマイクロスラスタを基礎とした新世代のマイクロ−エレクトロメカニカルシステム(ＭＥＭＳ),第２回宇宙応用総合マイクロ−ナノテクノロジー国際会議（C.Rossi et al., A NEW GENERATION OF MEMS BASED MICROTHRUSTER FOR MICROSPACECRAFT APPLICATIONS, The 2nd International Conference on Integrated MicroNanotechnology for Space Applications (MNT’99)）第１巻第201〜209頁(1999年)、Ｄ.Ｗ.ヤングナーらによる小型静止衛星のためのＭＥＭＳメガ−ピクセル マイクロ−スラスタアレイ,第１４回小型衛星に関する通例年会（D.W.Youngner et al., MEMS Mega-pixel Micro-thruster Arrays for Small Satellite Staionkeeping, 14th Annual/USU Conference on Small Satellite）SSC00-X-2(2000年)に開示されている。このスラスタは超小型衛星の表面に装着され、多数配列した微小な推進薬が、点火制御集積回路に接続されたマイクロヒータにより爆発的に燃焼し、推進力を発生させるものである。
【０００４】
このスラスタは、超小型衛星体側にマイクロヒータを設け、船外側に推進薬を載置すると、マイクロヒータ寄りの推進薬の爆発的燃焼により、船外寄りの未燃焼の推進薬が吹き飛ばされるので、十分な推進力が得られないという問題がある。一方、マイクロヒータと推進薬とを逆に配置すると、推進薬を介して離れているマイクロヒータと集積回路との微細な配線の高密度な取付けが困難であるため、超小型衛星の限られたスペースに高密度のスラスタを装着することができないという問題がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は前記の課題を解決するためなされたもので、微小な推進薬を点火するマイクロヒータと点火を制御する集積回路との微細な配線を、高密度に、確実かつ簡便に取付けでき、さらに推進薬を完全燃焼させることができる超小型衛星用のロケットアレイスラスタを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するためになされた本発明の超小型衛星用のロケットアレイスラスタ１は、実施例に対応する図１を参照して説明すると、超小型衛星２に内蔵された点火制御集積回路１０へ夫々接続する端子２２が、複数列貫通している内装シリコン基板１１； 固体推進薬２７が充填されている打抜きシリンダ３０と、貫通して表裏両面に引出されており該端子２２へ夫々接続しているフィードスルー配線２６とを、同じく複数列有し、該内装シリコン基板１１を覆っているガラス基板１２； 該フィードスルー配線２６に夫々接続しており該固体推進薬２７を点火するマイクロヒータ３６と、該マイクロヒータ３６から船外へ向いたノズル３９とを、同じく複数列有し、該ガラス基板１２を覆っている外装シリコン基板１３が積層したチップである。
【０００７】
このロケットアレイスラスタ１は、例えば点火によって１〜１０ｍＮｓの力積のインパルススラストを発生する個々の固体推進薬２７が、マイクロヒータ３６によって爆発的に燃焼して推進力を発生する使い切りの微細なロケットをなし、例えば１００ｍｍ四方のチップ上に数千〜数万個、高密度に配列されたものである。
【０００８】
ロケットアレイスラスタ１は、超小型衛星の表面に装着される。固体推進薬２７は、点火制御集積回路１０によって点火のタイミングが制御されて、姿勢制御のために適切な部位の必要な数だけ点火される。すると、超小型衛星は、スラスト調整されて、その姿勢が制御されたり、軌道が修正されたりする。
【０００９】
このロケットアレイスラスタ１を用いると、例えば１０ｋｇの超小型衛星の向きを変えて姿勢を制御するために必要な１ｍ／ｓ程度の速度増加（ΔＶ）に相当する約１０Ｎｓの力積を発生させることができる。
【００１０】
前記フィードスルー配線２６は、前記打抜きシリンダ３０の内壁を被うめっき被膜、固体推進薬を貫く導電線、打抜きシリンダ３０間にあけられた貫通孔を貫く導電線、またはこのような貫通孔の内壁を被う被膜であることが好ましい。
【００１１】
フィードスルー配線２６により、固体推進薬２７を介して離れて配置されている微小なマイクロヒータ３６と、点火制御集積回路１０とを、高密度に、確実に接続することができる。フィードスルー配線２６により、断線のおそれがなく配線の電気抵抗を小さくすることができるうえ、その取付けが簡便であり、チップを小さくしてロケットアレイスラスタを小型化することができる。また、シリコン基板１１・１３やガラス基板１２によって、集積回路１０を宇宙線被爆から保護することができる。
【００１２】
前記チップが、離脱制御集積回路に繋がった離脱装置へ連結して、積み重なっていてもよい（不図示）。これにより、使い切ったチップを脱離させ、新たなチップを露出させることができるので、超小型衛星の限られたスペースにより多くのチップを配置することができる。
【００１３】
前記固体推進薬２７には、例えばトリシネート、ジアゾジニトロフェノールの例示される起爆剤が挙げられる。固体推進薬２７は、この起爆剤を単体で用いてもよい。固体推進薬２７は、塩素酸カリウム、過塩素酸カリウム、硝酸カリウム、硝酸アンモニウム、過塩素酸アンモニウムが例示される酸化剤と、この起爆剤とを混合したものであってもよい。また、ホウ素、アルミニウム、マグネシウム、チタン、ジルコニウム、炭素、チオシアン酸鉛の例示される可燃剤と、この酸化剤とを混合したものであってもよい。ただし、過塩素酸カリウムとマグネシウムとの混合物は適当でない。ホウ素／硝酸カリウムからなるペレット、末端が水酸基であるポリブタジエン／過塩素酸アンモニウム、グリシジル アジド ポリマーであってもよい。中でも、点火が容易で形成し易いホウ素／硝酸カリウムからなるペレットであると、一層好ましい。
【００１４】
前記固体推進薬２７は、前記マイクロヒータ３６と密着していてもよい。
【００１５】
前記固体推進薬２７と前記マイクロヒータ３６との間に、助燃剤２９が詰まって、前記密着がなされていてもよい。例えば、マイクロヒータ３６上に予めスラリー状の助燃剤２９を塗し、成形されたペレット状の固体推進薬を充填することにより実施される。このような助燃剤２９には、例えばチオシアン酸鉛／塩素酸カリウム／ニトロセルロースとフッ素ゴムとのいずれか一方、トリシネート／塩素酸カリウムと過塩素酸カリウムとのいずれか一方／ニトロセルロースとフッ素ゴムとのいずれか一方が挙げられる。
【００１６】
前記固体推進薬２７は、前記打抜きシリンダ３０内で固化して、前記密着がなされていてもよい。例えば、媒体によりスラリー状となっている固体推進薬を打抜きシリンダ３０へ注入し、減圧下で揮発させて固化させることにより実施される。このような媒体には、アセトン、ヘキサン、ヘプタンが挙げられる。また、硬化剤を含有させた固体推進薬２７を打抜きシリンダ３０へ注入し、減圧下で硬化させて固化させることによっても実施される。減圧下で行うのは、固体推進薬２７が含有している空気を抜いて、一層密着させるためである。硬化剤には、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、アジリジン化合物が挙げられる。
【００１７】
固体推進薬２７にはさらに、フッ素ゴム、フッ素樹脂、ポリウレタン系ゴム、ポリブタジエン系ゴムの例示されるバインダが含まれていてもよい。
【００１８】
前記点火制御集積回路１０と前記端子２２とは、その間に挟まれた金属２１を熱圧着や超音波により溶融させるフリップチップボンディング法で、接着されていることが好ましい。例えば、金属２１はＡｕバンプである。
【００１９】
ロケットアレイスラスタ１は、微小な固体推進薬２７を点火するマイクロヒータ３６と、点火制御集積回路１０との微細な配線が、高密度に、確実かつ簡便に取付けられており、小型で軽量である。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を適用する超小型衛星用のロケットアレイスラスタの実施例について、図面を参照して詳細に説明する。
【００２１】
図１は、超小型衛星用のロケットアレイスラスタ１の一部切取り側面図である。
【００２２】
このロケットアレイスラスタ１は、約２０ｍｍ四方のチップであって、それのほぼ中央の約１０ｍｍ四方の中に、固体推進薬２７とマイクロヒータ３６とを有する直径０．８ｍｍの微細な固体推進薬ロケットが１．２ｍｍ間隔で縦横１０列に１００個並んだものである。これらの固体推進薬ロケットは、超小型衛星２に装着される点火制御集積回路１０へ接続する内装シリコン基板１１、ガラス基板１２および外装シリコン基板１３内に構成されている。
【００２３】
内装シリコン基板１１には、その裏面側ほど先細りとなって裏面まで突き抜けている穴２３が縦横１０列に並んでいる。この穴２３にＡｌ被膜からなる端子２２が被され、内装シリコン基板１１の表裏両面に通じている。点火制御集積回路１０が、内装シリコン基板１１の表側面と対峙し、Ａｕバンプ２１を介して端子２２に接続している。内装シリコン基板１１の裏側面には、Ｂ拡散層２４が付され、それを覆って、感光性樹脂の粘着層２５が付されている。
【００２４】
この内装シリコン基板１１をガラス基板１２が覆っている。ガラス基板１２には、端子２２に各々対応して、打抜きシリンダ３０が設けられている。打抜きシリンダ３０の内壁はめっき被膜で被われ、ガラス基板１２の表裏両面に引出されたフィードスルー配線２６を形成している。打抜きシリンダ３０には、固体推進薬２７であるホウ素／硝酸カリウムからなるペレットが充填されている。
【００２５】
このガラス基板１２を、外装シリコン基板１３が覆っている。このガラス基板１２と対峙している外装シリコン基板１３の表側面には、打抜きシリンダ３０に各々対応する窪み３８が設けられている。この外装シリコン基板１３の表側面にはＢ拡散層３１が付されている。窪み３８上には、固体推進薬２７を点火するマイクロヒータ３６が載置されている。固体推進薬２７とマイクロヒータ３６との隙間が、助燃剤２９であるチオシアン酸鉛／塩素酸カリウム／ニトロセルロースで埋まっている。マイクロヒータ３６は、それに繋がるＡｕ／Ｐｔ／Ｔｉワイヤー３５、およびＡｕコンタクトパッド３４を介して、フィードスルー配線２６に接続している。この外装シリコン基板１３の裏側面は、マイクロヒータ３６近傍が薄く脆弱となっているノズル３９を形成している。
【００２６】
超小型衛星用のロケットアレイスラスタ１は、この約２０ｍｍ四方のチップを、超小型衛星の表面に敷き詰めることにより、好適に実施される。
【００２７】
なお、図示していないが、ロケットアレイスラスタは、このチップが複数積み重ねられ、離脱制御集積回路に繋がった離脱装置がチップ毎に取付けられたものであってもよい。各チップの固体推進薬ロケットを使い切る度に、そのチップを順次脱離させて、新たなチップを露出させることができる。
【００２８】
ロケットアレイスラスタ１は、以下のように動作する。
【００２９】
マイクロ衛星の姿勢制御や軌道修正が必要となったときに、点火制御集積回路１０により、多数並ぶ固体推進薬２７のうち姿勢制御等のための点火に必要な部位と必要な数とが判断される。点火制御集積回路１０により、点火を行う必要のあるマイクロヒータ３６に、電圧がかかると、そのマイクロヒータ３６は加熱される。それによって助燃剤２９の着火温度以上に加熱されると、助燃剤２９が燃焼を惹き起す。その熱が固体推進薬２７に伝播する。すると、固体推進薬２７の爆発的燃焼が誘発され、図中の二点破線で示すように推進力が生じる。その結果、マイクロ衛星２は、姿勢制御等がなされる。
【００３０】
超小型衛星用のロケットアレイスラスタ１は、具体的には以下のようにして、製造される。
【００３１】
このロケットアレイスラスタ１は、内装シリコン基板１１、ガラス基板１２、および外装シリコン基板１３を個別に形成し、最後にそれらを組み立てることによって製造される。
【００３２】
内装シリコン基板１１を形成する工程を図２に示す。
【００３３】
内装シリコン基板１１の形成には大きさ２０ｍｍ×２０ｍｍで厚さ４００μｍのシリコン製薄板４０を用いた。先ず、シリコン製薄板４０の表裏面を熱酸化して、酸化シリコン膜４１・４２を形成した（同図Ａ）。裏側面の酸化シリコン膜４２を除去した（同図Ｂ）。この裏側面にホウ素を拡散させ、エッチング停止層であるＢ拡散層２４を形成した（同図Ｃ）。表側面の酸化シリコン膜４１に、プラズマ支援化学的気相堆積（plasma enhanced chemical vapor deposition：ＰＥＣＶＤ）法で酸化シリコンをさらに堆積させた。次いで酸化シリコン膜４１にフッ酸緩衝液でパターンを施してエッチングマスクを形成した。エッチングマスクを用い、Ｂ拡散層をほとんどエッチングしないアルカリ性シリコンエッチング液であるエチレンジアミン−ピロカテコール−水の混合液によって、Ｂ拡散層２４に至るまでエッチングし、縦横１０列の先細りの穴２３を形成した（同図Ｄ）。Ｂ拡散層２４は隔膜となっている。次いで、感光性ポリイミドＵＲ−３１４０（東レ(株)製の商品名）を、このＢ拡散層２４上に塗布した。これを感光し、パターンを施し、粘着層２５を形成した（同図Ｅ）。次いで隔膜であるＢ拡散層２４を破って除去すると、先細りの穴２３が突き抜けて、内装シリコン基板１１が得られた（同図Ｆ）。
【００３４】
ガラス基板１２を形成する工程を図３に示す。
【００３５】
ガラス基板１２の形成には、２０ｍｍ×２０ｍｍで厚さ１ｍｍのパイレックスガラス ＃７７４０（コーニング社製のホウケイ酸ガラス：パイレックスは登録商標）製薄板５０を用いる。先ず、ガラス製薄板５０の表裏両面にクロム−スパッタリングを施して、Ｃｒマスク５１を施した（同図Ｇ）。このガラス製薄板５０の表裏面へ、フォトレジスト液を塗布し、露光してフォトレジストマスク５２を形成した（同図Ｈ）。次いでＨＦ：ＮＨ４Ｆ＝１：３のエッチング液により、エッチング窓５３から、Ｃｒマスク５１とガラス基板とを食刻させて５０μｍの深さにエッチングを施し、凹部５４を形成した（同図Ｉ）。その後、Ｃｒマスク５１とフォトレジストマスク５２とを除去した。高速フライス盤Ｆ−ＭＡＣＨ４４２（東芝機械(株)社製の商品名）を用いて、凹部５４を掠めるように削って打抜きシリンダ３０をあけた（同図Ｊ）。次いで、このガラス基板全表面にＡｕ／Ｃｒスパッタリングを施してめっき下地層を形成させ、引き続きＣｕ電気めっきを施し、５０μｍのＣｕ被膜５５を形成した（同図Ｋ）。次いで、化学的機械的研磨（chemical mechanical polishing：ＣＭＰ）で余分な被膜５５を除去し、ガラス製薄板５０の表裏両面を露出させた。すると、打抜きシリンダ３０の内壁がフィードスルー配線２６をなし、その配線２６がガラス製薄板５０表裏面で接触面積の広いフィードスルーコンタクトパッド５６を有している、ガラス基板１２が得られた（同図Ｌ）。
【００３６】
外装シリコン基板１３を形成する工程を図４に示す。
【００３７】
外装シリコン基板１３の形成には、大きさ２０ｍｍ×２２ｍｍで厚さ４００μｍのシリコン製薄板６０を用いた。先ず、シリコン製薄板６０の表裏面を熱酸化して、酸化シリコン膜６１・６３を形成した。表側面の酸化シリコン膜６１に、ＨＦ緩衝液でパターンを施して、エッチング窓６２を形成した（同図Ｍ）。エッチング窓６２を通じて、シリコン製薄板６０をアルカリ性のエッチング液であるテトラメチルアンモニウムヒドロキサイド溶液を用いて１μｍの深さにエッチングし、窪み３８を形成した（同図Ｎ）。エッチングマスクとなって表側面に残っている酸化シリコン膜６１を除去し、この表側面に、ホウ素を拡散させて、エッチング停止層であるＢ拡散層３１を形成した（同図Ｏ）。Ｂ拡散層３１上に、プラズマ支援化学的気相堆積法で酸化シリコンを０．８μｍ堆積させ、ＨＦ緩衝液でパターンを施して電気絶縁体である酸化シリコン層３７を形成した（同図Ｐ）。酸化シリコン層３７の上に抵抗が約１００ΩのマイクロヒータであるＰｔ／Ｔｉヒータ３６と、このヒータ３６の端にＡｕ／Ｐｔ／Ｔｉワイヤー３５とを、リフト−オフ法により取付け固定した。リフト−オフ法とは、フォトレジストのような犠牲層が付された面に、金属を堆積させ、犠牲層で覆われていない部分に薄膜を形成させた後、犠牲層を除去することにより、パターンニングするというものである。このＡｕ／Ｐｔ／Ｔｉワイヤー３５上に、ガラス基板のフィードスルー配線２６へ接続するＡｕコンタクトパッド３４を、リフト−オフ法により形成させた。（同図Ｑ）。次いで、シリコン製薄板６０の裏側面の酸化シリコン膜６３をＨＦ緩衝液を用いてパターンマスク３３を施し、シリコン製薄板６０をＥＰＷを用いたエッチングにより食刻して、隔壁である脆弱部を有するノズル３９を形成させて、外装シリコン基板１３を得た（同図Ｒ）。
【００３８】
この外側シリコン基板１３のマイクロヒータ３６に、１６Ｖの電圧を印加すると、マイクロヒータ３６は、７００℃以上に赤熱した。この温度は、固体推進薬２７であるホウ素／硝酸カリウムからなるペレットの着火温度４００℃や、助燃剤２９であるチオシアン酸鉛／塩素酸カリウム／ニトロセルロースの着火温度２００℃を上回っており、これらの燃焼が起こる温度である。
【００３９】
最後に、内装シリコン基板１１、ガラス基板１２、および外装シリコン基板１３を組み立て、ロケットアレイスラスタ１を製造する工程を図５に示す。
【００４０】
先ずガラス基板１２と外装シリコン基板１３とを、陽極結合によって、接着し、ガラス基板１２のフィードスルーコンタクトパッド５６と、外装ガラス基板１３のＡｕコンタクトパッド３４とを接続させた（同図Ｓ）。助燃剤２９のチオシアン酸鉛／塩素酸カリウム／ニトロセルロースを先端に塗った固体推進薬のホウ素／硝酸カリウムからなるペレット２７を、ガラス基板１２の打抜きシリンダ３０に挿入し、マイクロヒータ３６上に載置した（同図Ｔ）。次いで、内装シリコン基板１１の先細りの穴２３とガラス基板１２のフィードスルーコンタクトパッド５６との位置を合わせつつ、内装シリコン基板１１の感光性樹脂の粘着層２５により、内装シリコン基板１１とガラス基板１２とを接着した（同図Ｕ）。この先細りの穴２３に、Ａｌ電極である端子２２を取付けた（同図Ｖ）。フリップチップボンディング法により、点火制御集積回路１０とこの端子２２とを、Ａｕバンプ２１で接続させて、約２０ｍｍ四方のチップの超小型衛星用のロケットアレイスラスタ１を得た（図１参照）。
【００４１】
ロケットアレイスラスタ１は、マイクロヒータ３６に１６Ｖの電圧を印加すると、固体推進薬２７に点火され、図１の二点破線に示すように爆発的燃焼を起こし、推進力を生じることが確認された。
【００４２】
このロケットアレイスラスタ１は、超小型衛星の表面の適切な場所に並べて装着される。
【００４３】
なお、内装シリコン基板を形成し、ガラス基板と貼り付ける別な工程を経てロケットアレイスラスタ１を得る方法として、以下のようにしてもよい。シリコン基板にテトラメチルアンモニウムヒドロキサイド溶液のようなアルカリ性エッチング液で、配線用の貫通穴をあけて内装シリコン基板とする。図５のＴのような固体推進薬の詰められたガラス板にポジフォトレジストなどのポジ感光樹脂を塗り、内装シリコン基板をガラス基板に貼り付ける。貫通穴を通して、ポジ感光樹脂に光を当てた後、貫通穴部のポジ感光樹脂を除去する。次いで、金属のスパッタリングを施すことによって、貫通穴から配線を取り出す。点火制御集積回路１０と接続させて、ロケットアレイスラスタ１を得る。
【００４４】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように本発明の超小型衛星用のロケットアレイスラスタは、微小な固体推進薬を点火するマイクロヒータと点火を制御する集積回路との微細な配線が、高密度に取付けられている。このロケットアレイスラスタは、チップ上で構成され小型で軽量であり、デジタル的に固体推進薬に点火することによって、適切に超小型衛星の姿勢制御や軌道修正を行うことができる。さらにロケットアレイスラスタは、固体推進薬が漏れることなく完全燃焼するので無駄がなく、使い切ることができる。このロケットアレイスラスタの製造方法によれば、マイクロヒータと点火制御集積回路との微細な配線を、高密度に確実かつ簡便に取り付けることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用する超小型衛星用のロケットアレイスラスタの実施例を示す一部切取り側面図である。
【図２】本発明を適用する超小型衛星用のロケットアレイスラスタを構成する内装シリコン基板の形成工程を示す図である。
【図３】本発明を適用する超小型衛星用のロケットアレイスラスタを構成するガラス基板の形成工程を示す図である。
【図４】本発明を適用する超小型衛星用のロケットアレイスラスタを構成する外装シリコン基板の形成工程を示す図である。
【図５】本発明を適用する超小型衛星用のロケットアレイスラスタの製造工程を示す図である。
【符号の説明】
１は超小型衛星用のロケットアレイスラスタ、２は超小型衛星、１０は点火制御集積回路、１１は内装シリコン基板、１２はガラス基板、１３は外装シリコン基板、２１はＡｕバンプ、２２は端子、２３は先細りの穴、２４はＢ拡散層、２５は粘着層、２６はフィードスルー配線、２７は固体推進薬、２９は助燃剤、３０は打抜きシリンダ、３１はＢ拡散層、３３はパターンマスク、３４はＡｕコンタクトパッド、３５はＡｕ／Ｐｔ／Ｔｉワイヤー、３６はマイクロヒータ、３７は酸化シリコン層、３８は窪み、３９はノズル、４０はシリコン製薄板、４１・４２は酸化シリコン膜、５０はガラス製薄板、５１はＣｒマスク、５２はフォトレジストマスク、５３はエッチング窓、５４は凹部、５５はＣｕ被膜、５６はフィードスルーコンタクトパッド、６０はシリコン製薄板、６１は酸化シリコン膜、６２はエッチング窓、６３は酸化シリコン膜である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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