(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
強磁性体からなる自由層を有した磁気抵抗効果素子と、
当該磁気抵抗効果素子の自由層側に当該自由層との積層部分を有して配された非磁性導体からなる電極層とを備え、
前記電極層が発生する電流磁界により前記自由層の磁化方向を反転させるように構成された磁気メモリ装置において、
前記電極層の前記自由層側の面で、かつ、当該自由層との積層部分を除いた非積層部分のみに、絶縁体からなる絶縁層を介して、磁性体からなる磁性層が設けられている
ことを特徴とする磁気メモリ装置。
【請求項２】
前記電極層は、前記自由層側の面の反対側の面にも磁性体からなる磁性層が積層されている
ことを特徴とする請求項１記載の磁気メモリ装置。
【請求項３】
前記電極層は、前記自由層側の面以外の各面が磁性体からなる磁性層に覆われている
ことを特徴とする請求項１記載の磁気メモリ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報を記憶するためのメモリデバイスとして用いられる磁気メモリ装置に関し、特に外部から加える磁界によって抵抗値が変化するという、いわゆるＭＲ（MagnetoResistive）効果を発生する磁気抵抗効果素子を用いて構成された磁気メモリ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、メモリデバイスとして機能する磁気メモリ装置の一つとして、ＭＲＡＭ（Magnetic Random Access Memory）が提案されている。ＭＲＡＭは、巨大磁気抵抗効果（Giant MagnetoResistive；ＧＭＲ）型またはトンネル磁気抵抗効果（Tunnel MagnetoResistive；ＴＭＲ）型の磁気抵抗効果素子を用い、その磁気抵抗効果素子における磁化方向の反転を利用して情報記憶を行うものである。
【０００３】
ＭＲＡＭに用いられる磁気抵抗効果素子は、例えばＴＭＲ型のものであれば、強磁性体からなる自由層と、絶縁体からなる非磁性層と、強磁性体からなる固定層と、その固定層の磁化方向を直接的または間接的に固定するための反強磁性層とが順に積層されてなり、自由層における磁化方向によってトンネル電流の抵抗値が変わるように構成されている。これにより、ＭＲＡＭでは、磁気抵抗効果素子における自由層の磁化方向に応じて、磁化がある方向を向いたときは「１」、他方を向いたときは「０」といった情報記憶を行うことが可能となる。
【０００４】
また、ＭＲＡＭでは、磁気抵抗効果素子への情報の書き込みを行うために、少なくとも磁気抵抗効果素子の自由層側に、その自由層と近接するように配された、非磁性導体からなる電極層を備えている。そして、その電極層が発生する電流磁界によって、磁気抵抗効果素子に対し自由層の磁化方向反転に必要な磁界Ｈｃを超える値の磁界を与え、これにより自由層の磁化方向を変化させることで、磁気抵抗効果素子への情報の書き込みを行うようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、このようなＭＲＡＭにおいては、その集積度を上げるために、磁気抵抗効果素子のサイズ（平面上における面積）が小さくなる傾向にある。したがって、磁化方向の反転（スイッチング動作）を行う自由層のサイズも、当然に小さくなる傾向にある。
【０００６】
しかしながら、自由層が小さくなると、これに伴ってその両端縁間の距離、すなわち自由層における磁極の間隔も小さくなるため、その自由層に生じる反磁界が大きくなってしまう。この反磁界は、外部から自由層に加えた磁界を減少させるものである。そのため、反磁界は、自由層における保磁力に大きな影響を与え、これが増大すると、より大きな磁界を与えなければ自由層がスイッチング動作を行わなくなってしまう。つまり、反磁界が増大すると、自由層への磁界発生のために電極層に印加する電流量も大きくする必要が生じてしまい、結果として情報書き込み時の消費電力が大きくなってしまう。
【０００７】
このような反磁界による保磁力増大を抑制するためには、例えば、自由層のモーメント（自由層を形成する強磁性材料の飽和磁化Ｍｓとその自由層厚さｔとの積）を小さくし、これにより反磁界の素子寸法依存性を緩和することが考えられる。反磁界Ｈｄと、モーメントＭｓ×ｔと、磁気抵抗効果素子に磁界を加える方向の寸法Ｗ（通常は磁化容易軸方向）との間では、Ｈｄ＝Ａ×Ｍｓ×ｔ／Ｗ（Ａは比例係数）の関係が成り立つからである。ただし、自由層を形成する強磁性材料については、ＭＲ比に大きな影響を及ぼすことから、その変更が容易ではない。そのため、自由層のモーメントを小さくするためには、自由層の厚さを薄くすることで対応する必要がある。ところが、自由層の厚さをあまりに薄くすると（例えば数ｎｍ）、自由層が連続膜でなくなったり、熱安定性が低下したりする等の問題が生じるおそれがある。つまり、自由層の薄型化には限界があるため、必ずしもその薄型化によって反磁界による保磁力増大を抑制し得るとは言えない。
【０００８】
そこで、本発明は、自由層の膜厚やモーメント等にかかわらずに、その自由層での反磁界による保磁力増大を抑制できるようにすることで、磁気抵抗効果素子が小型化した場合であっても小さな消費電力で情報書き込みを行うことのできる磁気メモリ装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために案出されたもので、強磁性体からなる自由層を有した磁気抵抗効果素子と、当該磁気抵抗効果素子の自由層側に当該自由層との積層部分を有して配された非磁性導体からなる電極層とを備え、前記電極層が発生する電流磁界により前記自由層の磁化方向を反転させるように構成された磁気メモリ装置において、前記電極層の前記自由層側の面で、かつ、当該自由層との積層部分を除いた非積層部分のみに、絶縁体からなる絶縁層を介して、磁性体からなる磁性層が設けられていることを特徴とするものである。
【００１０】
上記構成の磁気メモリ装置によれば、電極層の自由層側の面における当該自由層との非積層部分に磁性層が設けられているので、自由層端縁の磁極がその周囲に配された磁性層部分によって打ち消され、磁性層と合わせれば見かけ上の自由層の面積が増大することになる。したがって、磁気抵抗効果素子のサイズが小型化しても、自由層での反磁界が大きくなってしまうことがない。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づき本発明に係る磁気メモリ装置について説明する。ここでは、磁気抵抗効果素子として単一のＴＭＲ型スピンバルブ素子（以下、単に「ＴＭＲ素子」という）を備えたＭＲＡＭに、本発明を適用した場合を例に挙げて説明する。
【００１２】
〔第１の実施の形態〕
図１は本発明が適用されたＭＲＡＭの第１実施形態における要部構成例を示す模式図であり、図２はそのＭＲＡＭに用いられるＴＭＲ素子の概略構成例を示す模式図である。
【００１３】
ここで、先ず、ＴＭＲ素子について説明する。ＴＭＲ素子は、強磁性体からなる自由層と、絶縁体からなる非磁性層と、強磁性体からなる固定層と、その固定層の磁化方向を直接的または間接的に固定する反強磁性層とが順に積層されてなり、自由層における磁化方向の変化を利用して情報記録を行うとともに、その磁化方向によってトンネル電流の抵抗値が変わるように構成されたものである。
【００１４】
具体的には、例えば図２に示すように、基板１１上に、３ｎｍ厚のＴａ膜１２と、３０ｎｍ厚のＰｔＭｎ膜１３と、１．５ｎｍ厚のＣｏＦｅ膜１４ａと、０．８ｎｍ厚のＲｕ膜１４ｂと、２ｎｍ厚のＣｏＦｅ膜１４ｃと、１．５ｎｍ厚のＡｌ−Ｏｘ膜１５と、１５ｎｍ厚のＮｉＦｅ膜１６と、５ｎｍ厚のＴａ膜１７とが、順に積層されてなる膜構成のものが挙げられる。なお、それぞれの膜厚は、一例に過ぎず、これに限定されるものではない。
【００１５】
このような膜構成のうち、ＮｉＦｅ膜１６は自由層として、Ａｌ−Ｏｘ膜１５は非磁性層として、ＰｔＭｎ膜１３は反強磁性層として、それぞれ機能するようになっている。また、非磁性層であるＲｕ膜１４ｂを介して二つのＣｏＦｅ膜１４ａ，１４ｃが積層された積層フェリ構造部１４は、固定層としての機能を有するものである。さらに、Ｔａ膜１２，１７は、保護膜として機能する。
【００１６】
なお、ここでは、自由層を構成する強磁性体としてＮｉＦｅ、固定層を構成する強磁性体としてＣｏＦｅをそれぞれ用いているが、これらはＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅのいずれか、若しくはこれらの少なくとも一種類を含んだ合金、またはそれらの積層膜を用いても構わない。また、反強磁性層としてＰｔＭｎを用いているが、同じく規則合金のＮｉＭｎ、不規則合金のＩｒＭｎ、ＲｈＭｎ、ＦｅＭｎ、酸化物系のＮｉＯ、α−Ｆｅ2Ｏ3を用いても構わない。
【００１７】
また、ここでは、自由層よりも固定層のほうが先に（下方に）積層される、いわゆるボトム型のＴＭＲ素子を具体例として挙げたが、自由層が固定層よりも先に（下方に）積層される、いわゆるトップ型のＴＭＲ素子であっても構わないことは勿論である。さらには、ＴＭＲ素子のみならず、自由層と固定層との間の非磁性層がＣｕ等で構成されたＧＭＲ型のものについても、全く同様であることはいうまでもない。
【００１８】
続いて、以上のようなＴＭＲ素子を備えたＭＲＡＭの要部構成について説明する。図１に示すように、本実施形態で説明するＭＲＡＭは、単一のＴＭＲ素子１０を備えたものである。このＴＭＲ素子１０は、基板１１上に少なくとも固定層１４、非磁性層１５および自由層１６が積層されてなるもの、さらに詳しくは上述したような膜構成（図２参照）を有したものである。なお、固定層１４は、自由層１６の磁化方向反転のための電流磁界を発生させる下部電極層としての機能を兼ね備えているものとする。
【００１９】
また、図中のＴＭＲ素子１０の上方、すなわちＴＭＲ素子１０の自由層１６側には、絶縁体からなる絶縁層２１を介して、非磁性導体からなる電極層２２が配設されている。この電極層２２は、下部電極層に対する上部電極として機能し、下部電極層と同様に自由層１６の磁化方向反転のための電流磁界を発生させるもので、自由層１６側の一部にその自由層１６との積層部分を有するように配されている。つまり、積層部分においては、自由層１６の上に電極層２２が直接積層されているが、それ以外の非積層部分においては自由層１６と電極層２２の間に絶縁層２１が介在している。
【００２０】
ところで、本実施形態で説明するＭＲＡＭは、その特徴的な構成として、電極層２２の自由層１６側の面で、かつ、その自由層１６との非積層部分に、磁性体からなる磁性層２３が設けられている。磁性層２３としては、例えばＮｉＦｅ膜を１０ｎｍ厚で成膜したものが挙げられる。ただし、ＮｉＦｅ以外にも、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅのいずれか、若しくはこれらの少なくとも一種類を含んだ合金、またはそれらの積層膜を用いても構わない。いずれの場合であっても、磁性層２３は、大面積での保磁力が、自由層１６に用いられる磁性材料の保持力と比較して、同等以下であることが望ましい。なお、磁性層２３と電極層２２との間には、金属非磁性材料や絶縁体等を介在させることも考えられる。
【００２１】
次に、以上のような構成のＭＲＡＭの製造手順について説明する。図３〜図１６は、ＭＲＡＭの製造手順の概要を示す模式図である。上述した構成のＭＲＡＭを製造するのにあたっては、先ず、図３に示すように、基板１１上に少なくとも固定層１４、非磁性層１５および自由層１６（詳しくは、例えば図２に示した膜構成）を順次成膜して、ＴＭＲ膜を形成する。
【００２２】
ＴＭＲ膜の形成後は、図４に示すように、自由層１６に重ねて、下部電極層の形成のためのパターニングに対応したレジスト膜３１を成膜する。そして、図５に示すように、エッチング処理を施して、固定層１４、非磁性層１５および自由層１６の一部を除去するとともに、図６に示すように、絶縁層２４を成膜する。その後、図７に示すように、いわゆるリフトオフの手法を利用して、不要部分の除去を行う。このリフトオフを行うために、レジスト膜３１は、図４に示すような上層側が下方側より突出した二層構造または逆テーパー型であるものとする。
【００２３】
絶縁層２４を形成して下部電極層の埋め込みを行った後は、図８に示すように、自由層１６および絶縁層２４に重ねて、ＴＭＲ素子１０の形成のためのパターニングに対応したレジスト膜３２を成膜する。そして、図９に示すように、エッチング処理を施して、非磁性層１５および自由層１６の一部を除去した後に、レジスト膜３２を除去する。これにより、ＴＭＲ素子１０として機能する部分（図中における略中央部分）が形成されることになる。
【００２４】
ＴＭＲ素子１０の形成後は、図１０に示すように、電極接続穴となる箇所にレジスト膜３３を成膜する。このレジスト膜３３も、リフトオフを行うために二層構造または逆テーパー型であるものとする。そして、図１１に示すように、さらに絶縁層２１を成膜する。ここまでは、一般的なＭＲＡＭの製造手順と略同様である。
【００２５】
その後、本実施形態で説明するＭＲＡＭを製造するのにあたっては、図１２に示すように、絶縁層２１に重ねて磁性層２３を成膜する。この磁性層２３は、既に説明したように、例えばＮｉＦｅ膜を１０ｎｍ厚で成膜することが考えられる。そして、図１３に示すように、リフトオフの手法を利用して、レジスト膜３３をはじめとする不要部分の除去を行う。これにより、ＴＭＲ素子１０として機能する部分（電極層２２との積層部分）およびそのＴＭＲ素子１０の下部電極層に接続するための電極接続穴の部分を除いて、絶縁層２１および磁性層２３が積層されることになる。なお、積層部分において、ＴＭＲ素子１０の自由層１６と磁性層２３とは、レジスト膜３３の形状を適宜設定することによって、これらの間を接触させたり分離させたりする、といったことが可能である。
【００２６】
絶縁層２１および磁性層２３の形成後は、図１４に示すように、電極層２２の形成のためのパターニングに対応したレジスト膜３４を成膜する。そして、図１５に示すように、電極層２２の成膜およびレジスト膜３４のリフトオフを行う。ただし、このままでは先に形成した磁性層２３が全面に残ったままとなってしまうため、その後に電極層２２をマスクとして全面エッチングを行うことで、不必要な磁性層２３の除去を行う。このことから、電極層２２は、エッチングによる除去量を考慮した膜厚で成膜することが望ましい。なお、不必要な磁性層２３の除去は、電極層２２をマスクとするエッチングによらずに、改めてレジストパターンを形成した後にエッチングをすることで行っても構わない。
【００２７】
このような製造手順を経ることで、形成されたＭＲＡＭは、図１に示す構成、すなわち電極層２２の自由層１６側の面で、かつ、その自由層１６との非積層部分に、磁性層２３が積層された構成を有することになる。なお、ここでは、上部電極として機能する電極層２２を、リフトオフの手法を利用して形成した場合について説明したが（図１４参照）、これ以外にも、例えば図１６に示すように、全面に電極層２２を形成するための材料を成膜した後にエッチングを行うことで、所望する形状の電極層２２を形成することも考えられる。この場合には、上述した例とは異なり、磁性層２３も電極層２２と合わせてエッチング除去されることになる。
【００２８】
以上のようにして形成されたＭＲＡＭは、自由層１６と電極層２２との非積層部分に磁性層２３が配設されているので、自由層１６の端縁に生じる磁極がその周囲に配された磁性層２３によって打ち消され、見かけ上の自由層１６（磁性層）の面積が増大することになる。したがって、ＴＭＲ素子１０のサイズが小型化しても、そのＴＭＲ素子１０における自由層１６での反磁界が大きくなってしまうことがない。
【００２９】
図１７は、自由層における保磁力の素子寸法依存性の具体例を示す説明図である。図例では、ＴＭＲ素子１０の平面形状が略正方形である場合について、自由層１６における保磁力の素子寸法依存性の測定例（図中黒丸印参照）を示すとともに、比較のため磁性層２３が設けられていない一般的な構成のＭＲＡＭにおける場合の測定例（図中白丸印参照）も示している。図例からも明らかなように、一般的な構成の場合には素子寸法が小さくなるに連れて、自由層における保磁力が増大しているのに対し、本実施形態の構成のように磁性層２３を設けた場合には、その傾向が緩和されていることがわかる。
【００３０】
これらのことから、本実施形態で説明したＭＲＡＭによれば、ＴＭＲ素子１０のサイズが小型化しても、そのＴＭＲ素子１０における自由層１６での保磁力が増大する傾向の緩和が可能であると言える。しかも、そのために自由層１６を薄型化する必要もない。つまり、自由層１６の膜厚やモーメント等にかかわらずに、その自由層１６での反磁界による保磁力増大を抑制できる。したがって、本実施形態のＭＲＡＭでは、ＴＭＲ素子１０が小型化した場合であっても、自由層１６の磁化方向スイッチング動作のための電流量を大きくする必要がなく、結果として小さな消費電力でＴＭＲ素子１０に対する情報書き込みを行うことができるようになる。
【００３１】
〔第２の実施の形態〕
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。図１８は、本発明が適用されたＭＲＡＭの第２実施形態における要部構成例を示す模式図である。なお、ここでは、上述した第１実施形態との相違点についてのみ説明する。また、図中においても、第１実施形態の場合と同一の構成要素については、同一の符号を与えている。
【００３２】
図例のように、本実施形態で説明するＭＲＡＭは、磁性層２３が、電極層２２の自由層１６側の面だけではなく、その面の反対側の面にも積層されている点に、大きな特徴がある。この反対側の面における磁性層２３も、自由層１６側の磁性層２３と同様に、例えばＮｉＦｅ膜等の磁性体からなる。なお、反対側の面における磁性層２３と電極層２２との間にも、金属非磁性材料や絶縁体等を介在させるようにしてもよい。
【００３３】
以上のような構成のＭＲＡＭを製造するのにあたっては、第１実施形態の場合と略同様にして電極層２２を形成した後に、その電極層２２に重ねて磁性層２３を成膜すればよい。これにより、電極層２２の互いに対向する二面（上下面）に磁性層２３が積層された構成のＭＲＡＭを形成することができる。
【００３４】
このようにして形成されたＭＲＡＭにおいても、第１実施形態の場合と同様に、電極層２２に電流を流して電流磁界を発生させ、これによりＴＭＲ素子１０に対するスイッチング動作を行う。ただし、このとき、ＴＭＲ素子１０の自由層１６側だけでなく、その反対側の面にも磁性層２３が積層されている。そのため、電極層２２に電流を流して電流磁界を発生させると、当該反対面の磁性層２３が電流磁界による磁束の通路として働くので、その磁性層２３の部分に電流磁界が集中することになり、電極層２２の外方に磁束が拡散してしまうのを極力抑制し得る。
【００３５】
したがって、本実施形態で説明したＭＲＡＭによれば、自由層１６の膜厚やモーメント等にかかわらずに、その自由層１６での反磁界による保磁力増大を抑制できるのに加えて、電流磁界の集中によって効率的に自由層１６でのスイッチング動作を行わせることができ、結果として小さな消費電力でＴＭＲ素子１０に対する情報書き込みを行うことができるようになる。
【００３６】
しかも、本実施形態のＭＲＡＭでは、第１実施形態の場合に対して磁性層２３の成膜プロセスを一工程追加するだけで、電流磁界の集中を実現し得るようになるので、そのために生産効率が低下してしまうのを極力抑制することができる。
【００３７】
〔第３の実施の形態〕
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。図１９は、本発明が適用されたＭＲＡＭの第３実施形態における要部構成例を示す模式図である。なお、ここでも、上述した第１または第２実施形態との相違点についてのみ説明するものとし、図中において第１実施形態の場合と同一の構成要素については同一の符号を与えている。
【００３８】
図例のように、本実施形態で説明するＭＲＡＭは、磁性層２３が、電極層２２の自由層１６側の面だけではなく、それ以外の各面を覆うように配設されている点に、大きな特徴がある。例えば、電極層２２の断面が矩形状であれば、自由層１６側の面に加えて、他の三面にも磁性層２３が積層されている。勿論、電極層２２の断面形状が矩形以外の多角形の場合には、自由層１６側の面以外の各面それぞれについて磁性層２３を配設することになる。なお、各面における磁性層２３も、自由層１６側の磁性層２３と同様に、例えばＮｉＦｅ膜等の磁性体からなる。また、各面の磁性層２３と電極層２２との間にも、金属非磁性材料や絶縁体等を介在させるようにしてもよい。
【００３９】
ここで、以上のような構成のＭＲＡＭの製造手順について説明する。図２０〜図２２は、そのＭＲＡＭの製造手順の概要を示す模式図である。上述した構成のＭＲＡＭを製造する場合であっても、電極層２２の形成までは第１実施形態の場合と略同様である（図３〜図１６参照）。電極層２２を形成した後は、図２０に示すように、必要に応じて電極層２２および磁性層２３の一部（例えば、新たに磁性層２３を形成すべき電極層２２の側面部分）をエッチング除去した後、図２１に示すように、その新たに形成すべき磁性層２３の形成のためのパターニングに対応したレジスト膜３５を成膜する。そして、図２２に示すように、磁性層２３を成膜した後に、リフトオフの手法を利用して、レジスト膜３５をはじめとする不要部分の除去を行う。このときも、磁性層２３としては、例えばＮｉＦｅ膜を成膜することが考えられる。これにより、電極層２２の自由層１６側の面における非積層部分および当該面以外の三面が磁性層２３によって覆われた構成のＭＲＡＭを形成することができる。
【００４０】
このようにして形成されたＭＲＡＭにおいても、第２実施形態の場合と同様に、磁性層２３が電流磁界による磁束の通路として働くので、その磁性層２３の部分に電流磁界が集中することになり、電極層２２の外方に磁束が拡散してしまうのを極力抑制し得る。しかも、電流磁界が集中は、磁束の通路となる磁性層２３が電極層２２の各面を覆うように配されているため、第２実施形態の場合に比べてより一層効果的なものとなる。
【００４１】
したがって、本実施形態で説明したＭＲＡＭによれば、自由層１６での反磁界による保磁力増大を抑制できるのに加えて、自由層１６でのスイッチング動作をより一層効率的に行わせることができ、結果として更なる情報書き込み時における消費電力の低下が期待できる。
【００４２】
なお、上述した第１〜第３実施形態では、単一の磁気抵抗効果素子を備えたＭＲＡＭに本発明を適用した場合を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば複数の磁気抵抗効果素子がマトリクス状に配されたものであっても、同様に適用することが可能である。
【００４３】
図２３は、複数の磁気抵抗効果素子がマトリクス状に配されたＭＲＡＭの基本的な構成例を示す模式図である。図例のように、かかるＭＲＡＭでは、各磁気抵抗効果素子１０が配された行および列のそれぞれに対応するように、相互に交差するワード線２０ａおよびビット線２０ｂを備えている。そして、これらワード線２０ａおよびビット線２０ｂが各磁気抵抗効果素子１０群を縦横に横切ることによって、各磁気抵抗効果素子１０がワード線２０ａとビット線２０ｂに上下から挟まれた状態で、かつ、これらの交差領域に位置するように配置されている。
【００４４】
各磁気抵抗効果素子１０への情報の書き込みは、ワード線２０ａおよびビット線２０ｂの両方に電流を流すことによって発生する合成電流磁界を用いて、各磁気抵抗効果素子１０における磁化方向を制御することにより行う。つまり、各磁気抵抗効果素子１０における磁化方向を反転させるための磁界は、ワード線２０ａおよびビット線２０ｂに流した電流磁界の合成によって与えられる。これによって、選択された磁気抵抗効果素子１０のみの磁化方向が反転し情報が記録されることになる。選択されない磁気抵抗効果素子１０については、ワード線２０ａとビット線２０ｂのいずれか一方の電流磁界のみが印加されるので、反転磁界が不十分となり、情報が書き込まれない。
【００４５】
このようなＭＲＡＭにおいては、ワード線２０ａまたはビット線２０ｂのうち、磁気抵抗効果素子１０の自由層側に配されたいずれか一方が、第１〜第３実施形態で説明した電極層２２に相当する。したがって、ワード線２０ａまたはビット線２０ｂのいずれか一方に付随するように磁性層２３を設ければ、隣接する磁気抵抗効果素子１０毎に当該磁性層２３を分離する必要はあるが、メモリ集積度を上げるために各磁気抵抗効果素子１０が小型化する場合であっても、上述したように、反磁界による保磁力増大を抑制して、情報書き込み時の低消費電力化を実現することができる。
【００４６】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明に係る磁気メモリ装置によれば、電極層の自由層側の面における当該自由層との非積層部分に設けられた磁性層によって、見かけ上の自由層の面積が増大するので、磁気抵抗効果素子のサイズが小型化しても、自由層での反磁界が大きくなってしまうことがない。すなわち、自由層の膜厚やモーメント等にかかわらずに、その自由層での反磁界による保磁力増大を抑制し得る。したがって、磁気抵抗効果素子のサイズが小型化した場合であっても、その磁気抵抗効果素子に対して小さな消費電力で情報書き込みを行うことができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る磁気メモリ装置の第１実施形態における要部構成例を示す模式図である。
【図２】磁気メモリ装置に用いられる磁気抵抗効果素子の概略構成例を示す模式図である。
【図３】本発明の第１実施形態における磁気メモリ装置の製造手順の概要を示す模式図（その１）であり、磁気抵抗効果膜の成膜工程を示す図である。
【図４】本発明の第１実施形態における磁気メモリ装置の製造手順の概要を示す模式図（その２）であり、下部電極のパターニング工程を示す図である。
【図５】本発明の第１実施形態における磁気メモリ装置の製造手順の概要を示す模式図（その３）であり、下部電極のエッチング工程を示す図である。
【図６】本発明の第１実施形態における磁気メモリ装置の製造手順の概要を示す模式図（その４）であり、下部電極埋め込み用絶縁膜の成膜工程を示す図である。
【図７】本発明の第１実施形態における磁気メモリ装置の製造手順の概要を示す模式図（その５）であり、下部電極埋め込み用絶縁膜のリフトオフ工程を示す図である。
【図８】本発明の第１実施形態における磁気メモリ装置の製造手順の概要を示す模式図（その６）であり、磁気抵抗効果素子部のパターニング工程を示す図である。
【図９】本発明の第１実施形態における磁気メモリ装置の製造手順の概要を示す模式図（その７）であり、磁気抵抗効果素子部のエッチングおよびレジスト除去工程を示す図である。
【図１０】本発明の第１実施形態における磁気メモリ装置の製造手順の概要を示す模式図（その８）であり、電極接続穴のパターニング工程を示す図である。
【図１１】本発明の第１実施形態における磁気メモリ装置の製造手順の概要を示す模式図（その９）であり、電極接続穴形成用絶縁膜の成膜工程を示す図である。
【図１２】本発明の第１実施形態における磁気メモリ装置の製造手順の概要を示す模式図（その１０）であり、磁性層の成膜工程を示す図である。
【図１３】本発明の第１実施形態における磁気メモリ装置の製造手順の概要を示す模式図（その１１）であり、電極接続穴形成用絶縁膜および磁性層のリフトオフ工程を示す図である。
【図１４】本発明の第１実施形態における磁気メモリ装置の製造手順の概要を示す模式図（その１２）であり、上部電極のパターニング工程を示す図である。
【図１５】本発明の第１実施形態における磁気メモリ装置の製造手順の概要を示す模式図（その１３）であり、上部電極の成膜およびリフトオフ並びに磁性層のエッチング工程を示す図である。
【図１６】本発明の第１実施形態における磁気メモリ装置の製造手順の概要を示す模式図（その１４）であり、上部電極の成膜工程の他の例を示す図である。
【図１７】自由層における保磁力の素子寸法依存性の具体例を示す説明図である。
【図１８】本発明に係る磁気メモリ装置の第２実施形態における要部構成例を示す模式図である。
【図１９】本発明に係る磁気メモリ装置の第３実施形態における要部構成例を示す模式図である。
【図２０】本発明の第３実施形態における磁気メモリ装置の製造手順の概要を示す模式図（その１）であり、上部電極の形成工程を示す図である。
【図２１】本発明の第３実施形態における磁気メモリ装置の製造手順の概要を示す模式図（その２）であり、磁性層リフトオフパターンの形成工程を示す図である。
【図２２】本発明の第３実施形態における磁気メモリ装置の製造手順の概要を示す模式図（その３）であり、磁性層の成膜およびリフトオフ工程を示す図である。
【図２３】複数の磁気抵抗効果素子がマトリクス状に配された磁気メモリ装置の基本的な構成例を示す模式図である。
【符号の説明】
１０…ＴＭＲ素子（磁気抵抗効果素子）、１１…基板、１４…固定層、１５…非磁性層、１６…自由層、２２…電極層、２３…磁性層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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