(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性層を含む半導体層と、
前記半導体層の表面に形成された逆メサ形状のリッジ部と、
前記リッジ部と所定の間隔を隔てて形成され、前記リッジ部の長手方向の側縁部と平行でない長手方向の側縁部を有するダミーリッジ部とを備え、
前記リッジ部および前記ダミーリッジ部は、ＧａとＡｓとを含み、
前記リッジ部の長手方向の側縁部は、［０１１］方向に平行であって光軸方向になる方向に形成されており、
前記ダミーリッジ部の長手方向の側縁部は、［０１１］方向に平行でない方向に形成されている、半導体発光素子。
【請求項２】
前記リッジ部以外の前記ダミーリッジ部の全体を覆うように形成された電流阻止層をさらに備える、請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記ダミーリッジ部には接触せずに、前記リッジ部のみに接触するように形成されたコンタクト層をさらに備える、請求項１または２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
活性層を含む半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の表面上の所定領域に、レジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜をマスクとして前記半導体層をエッチングすることによって、逆メサ形状のリッジ部と、前記リッジ部の長手方向の側縁部と平行でない長手方向の側縁部を有するダミーリッジ部とを形成する工程とを備え、
前記リッジ部および前記ダミーリッジ部は、ＧａとＡｓとを含み、
前記リッジ部の長手方向の側縁部は、［０１１］方向に平行であって光軸方向になる方向に形成され、
前記ダミーリッジ部の長手方向の側縁部は、［０１１］方向に平行でない方向に形成される、半導体発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記レジスト膜を形成する工程は、
［０１１］方向に平行な第１レジスト膜と、前記［０１１］方向に平行でない第２レジスト膜とを形成する工程を含み、
前記リッジ部および前記ダミーリッジ部を形成する工程は、前記第１レジスト膜および前記第２レジスト膜をマスクとして前記半導体層をエッチングすることによって、［０１１］方向に平行なリッジ部と、［０１１］方向に平行でないダミーリッジ部とを形成する工程を含む、請求項４に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記ダミーリッジ部の全体を覆うように、電流阻止層を成長させる工程をさらに備える、請求項４または５に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記電流阻止層を形成する工程は、前記リッジ部および前記ダミーリッジ部を覆うように前記電流阻止層を成長させた後、前記リッジ部上に位置する電流阻止層を除去することによって、前記リッジ部上に開口部を形成する工程を含む、請求項４〜６のいずれか１項に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記ダミーリッジ部には接触せずに、前記リッジ部のみに接触するようにコンタクト層を形成する工程をさらに備える、請求項４〜７のいずれか１項に記載の半導体発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体発光素子およびその製造方法に関し、特に、リッジ部を有する半導体発光素子およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、光通信用、民生用および産業機器用光源として、半導体レーザなどの半導体発光素子が広く用いられている。そして、高出力の半導体発光素子を得るためには、活性層で発生した光の吸収損失をできるだけ小さくする必要がある。光の吸収損失を小さくするためには、光の吸収のないクラッド層からなるリッジ部の厚み（高さ）をできるだけ大きくすることが好ましい。このため、従来では、順メサ形状（台形形状）に比べてリッジ部を高くすることが可能な逆メサ形状（逆台形形状）のリッジ部を有する半導体発光素子がよく用いられる。逆メサ形状のリッジ部を有する半導体発光素子としては、たとえば、特開平５−２１９０２号公報に開示されている。
【０００３】
図１０は、上記特開平５−２１９０２号公報に開示された従来の半導体発光素子（半導体レーザ）の構造を示した断面図である。図１０を参照して、この従来の半導体発光素子では、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓからなるｎ型クラッド層１０２および活性層１０３が形成されている。活性層１０３上には、逆メサ形状のリッジ部を有するｐ型ＡｌＧａＡｓからなるｐ型クラッド層１０４が形成されている。ｐ型クラッド層１０４のリッジ部の上面上には、ｐ型ＧａＡｓからなるｐ型オーミックコンタクト層１０５が形成されている。また、ｐ型クラッド層１０４およびｐ型オーミックコンタクト層１０５からなるリッジ部を埋め込むとともに、ｐ型オーミックコンタクト層１０５の上面を露出させるように、ｎ型ＧａＡｓからなる電流阻止層１０７が形成されている。リッジ部上面に露出されたｐ型オーミックコンタクト層１０５上および電流阻止層１０７上には、ｐ型電極１０９が形成されている。また、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１の裏面には、ｎ型電極１０８が形成されている。
【０００４】
図１１〜図１３は、図１０に示した従来の半導体発光素子の製造プロセスを説明するための断面図である。図１０〜図１３を参照して、従来の半導体発光素子の製造プロセスについて説明する。
【０００５】
まず、図１１に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１上に、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて、ｎ型ＡｌＧａＡｓからなるｎ型クラッド層１０２、活性層１０３、ｐ型ＡｌＧａＡｓからなるｐ型クラッド層１０４、および、ｐ型ＧａＡｓからなるｐ型オーミックコンタクト層１０５を連続的に成長させる。その後、ｐ型オーミックコンタクト層１０５上の所定領域に、数μｍの厚みを有するストライプ状のＳｉＯ2からなるマスク層１１０を形成する。
【０００６】
次に、図１２に示すように、マスク層１１０をマスクとして、ｐ型クラッド層１０４およびｐ型オーミックコンタクト層１０５をエッチングすることにより、ｐ型クラッド層１０４およびｐ型オーミックコンタクト層１０５からなるストライプ状の逆メサ形状のリッジ部を形成する。
【０００７】
そして、マスク層１１０を選択成長マスクとして、ＭＯＣＶＤ法を用いて、図１３に示されるような、ｎ型ＧａＡｓからなる電流阻止層１０７を形成する。このとき、電流阻止層１０７は、ＳｉＯ2からなるマスク層１１０上には成長されずに、ｐ型クラッド層１０４およびｐ型オーミックコンタクト層１０５からなるリッジ部の側面を完全に埋め込むように形成される。この後、マスク層１１０を除去する。
【０００８】
最後に、図１０に示したように、リッジ部の上面に露出したｐ型オーミックコンタクト層１０５上および電流阻止層１０７上に、ｐ型電極１０９を形成する。また、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１の裏面に、ｎ型電極１０８を形成する。このようにして、従来の半導体発光素子が形成される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
上記したように、従来の半導体発光素子では、ｐ型クラッド層１０４およびｐ型オーミックコンタクト層１０５をエッチングすることにより、逆メサ形状のリッジ部を形成していた。この場合、リッジ部を形成した後、次の工程で、リッジ部を埋め込むように電流阻止層１０７を形成するまでの間、素子表面にリッジ部のみが突出した状態になる。従来では、このリッジ部のみが突出した状態の間に、リッジ部が衝撃やダメージを受けやすいという問題点があった。
【００１０】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、
この発明の一つの目的は、発光に関与するリッジ部への衝撃やダメージを軽減することが可能な半導体発光素子を提供することである。
【００１１】
この発明のもう一つの目的は、発光に関与するリッジ部への衝撃やダメージを軽減することが可能な半導体発光素子の製造方法を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
この発明の一の局面による半導体発光素子は、活性層を含む半導体層と、半導体層の表面に形成されたリッジ部と、リッジ部と所定の間隔を隔てて形成され、リッジ部の長手方向の側縁部と平行でない長手方向の側縁部を有するダミーリッジ部とを備えている。
【００１３】
この一の局面による半導体発光素子では、上記のように、ダミーリッジ部を設けることによって、リッジ部およびダミーリッジ部が突出した形状になるので、リッジ部のみが突出した形状に比べて、リッジ部が受ける衝撃やダメージを軽減することができる。また、リッジ部の長手方向の側縁部と平行でない長手方向の側縁部を有するダミーリッジ部を設けることによって、たとえば、リッジ部の長手方向の側縁部が［０１１］方向に形成されている場合に、それと平行でないダミーリッジ部の長手方向の側縁部上には、電流阻止層を充分に成長させることができる。これにより、リーク電流が発生するのを有効に防止することができる。
【００１４】
上記一の局面による半導体発光素子において、好ましくは、リッジ部の長手方向の側縁部は、エッチングされた時に逆メサ形状になる結晶方向であって光軸方向になる方向に形成されており、ダミーリッジ部の長手方向の側縁部は、リッジ部の長手方向の側縁部の方向と平行でない方向に形成されている。このように構成すれば、容易に、ダミーリッジ部の長手方向の側縁部上に電流阻止層を充分に成長させることができる。また、好ましくは、リッジ部およびダミーリッジ部は、ＧａとＡｓとを含み、リッジ部の長手方向の側縁部は、［０１１］方向に平行に形成されており、ダミーリッジ部の長手方向の側縁部は、［０１１］方向に平行でない方向に形成されている。このように構成しても、容易に、ダミーリッジ部の長手方向の側縁部上に電流阻止層を充分に成長させることができる。
【００１５】
上記の場合、リッジ部以外のダミーリッジ部の全体を覆うように形成された電流阻止層をさらに備えるのが好ましい。このように構成すれば、リッジ部のみが電流阻止層に覆われないように形成されるので、リッジ部のみに容易に電流を供給することができる。
【００１６】
上記の場合、ダミーリッジ部には接触せずに、リッジ部のみに接触するように形成されたコンタクト層をさらに備えるのが好ましい。このように構成すれば、コンタクト層を介して、リッジ部のみに容易に電流を供給することができる。
【００１７】
この発明の他の局面による半導体発光素子の製造方法は、活性層を含む半導体層を形成する工程と、半導体層の表面上の所定領域に、レジスト膜を形成する工程と、レジスト膜をマスクとして半導体層をエッチングすることによって、リッジ部と、リッジ部の長手方向の側縁部と平行でない長手方向の側縁部を有するダミーリッジ部とを形成する工程とを備えている。
【００１８】
この他の局面による半導体発光素子の製造方法では、上記のように、リッジ部と所定の間隔を隔ててダミーリッジ部を形成することによって、リッジ部およびダミーリッジ部が突出した形状になるので、リッジ部のみが突出した形状に比べて、リッジ部が受ける衝撃やダメージを軽減することができる。また、リッジ部の長手方向の側縁部と平行でない長手方向の側縁部を有するダミーリッジ部を設けることによって、たとえば、リッジ部の長手方向の側縁部が［０１１］方向に形成されている場合に、それと平行でないダミーリッジ部の長手方向の側縁部上には、電流阻止層を充分に成長させることができる。これにより、リーク電流が発生するのを有効に防止することが可能な半導体発光素子を容易に形成することができる。
【００１９】
上記他の局面による半導体発光素子の製造方法において、好ましくは、リッジ部の長手方向の側縁部は、エッチングされた時に逆メサ形状になる結晶方向であって光軸方向になる方向に形成され、ダミーリッジ部の長手方向の側縁部は、リッジ部の長手方向の側縁部の方向と平行でない方向に形成される。このように構成すれば、容易に、ダミーリッジ部の長手方向の側縁部上に電流阻止層を充分に成長させることができる。
【００２０】
また、上記の場合、好ましくは、リッジ部およびダミーリッジ部は、ＧａとＡｓとを含み、リッジ部の長手方向の側縁部は、［０１１］方向に平行に形成され、ダミーリッジ部の長手方向の側縁部は、［０１１］方向に平行でない方向に形成される。このように構成しても、容易に、ダミーリッジ部の長手方向の側縁部上に電流阻止層を充分に成長させることができる。
【００２１】
この場合、好ましくは、レジスト膜を形成する工程は、［０１１］方向に平行な第１レジスト膜と、［０１１］方向に平行でない第２レジスト膜とを形成する工程を含み、リッジ部およびダミーリッジ部を形成する工程は、第１レジスト膜および第２レジスト膜をマスクとして半導体層をエッチングすることによって、［０１１］方向に平行なリッジ部と、［０１１］方向に平行でないダミーリッジ部とを形成する工程を含む。このように構成すれば、［０１１］方向に平行なリッジ部と、［０１１］方向に平行でないダミーリッジ部とを容易に形成することができる。
【００２２】
上記の場合、ダミーリッジ部の全体を覆うように、電流阻止層を成長させる工程をさらに備えるのが好ましい。このように構成すれば、ダミーリッジ部に電流を流すことなくリッジ部のみに容易に電流を供給することができる。
【００２３】
上記の場合、好ましくは、電流阻止層を形成する工程は、リッジ部およびダミーリッジ部を覆うように電流阻止層を成長させた後、リッジ部上に位置する電流阻止層を除去することによって、リッジ部上に開口部を形成する工程を含む。このように構成すれば、リッジ部上の開口部を介して容易にリッジ部のみに電流を供給することができる。
【００２４】
上記の場合、ダミーリッジ部には接触せずに、リッジ部のみに接触するようにコンタクト層を形成する工程をさらに備えるのが好ましい。このように構成すれば、コンタクト層を介してリッジ部のみに容易に電流を供給することができる。
【００２５】
【発明の実施形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００２６】
図１は、本発明の一実施形態による半導体発光素子（半導体レーザ）の構造を示した断面図である。
【００２７】
まず、図１を参照して、一実施形態による半導体発光素子（半導体レーザ）の構造について説明する。この一実施形態による半導体発光素子では、約９０μｍの厚みを有するｎ型ＧａＡｓ基板１上に、約２．５μｍの厚みを有するｎ型ＡｌＧａＡｓからなるｎ型クラッド層２、約０．０５μｍの厚みを有するｎ型ＡｌＧａＡｓからなるｎ型キャリヤブロック層３および活性層４が形成されている。この活性層４は、約０．００８μｍの厚みを有するＡｌＧａＡｓからなるウェル層、約０．０１８μｍの厚みを有するＡｌＧａＡｓからなるガイド層、および、約０．００８μｍの厚みを有するＡｌＧａＡｓからなるバリア層が積層された構造を有する。活性層４上には、約０．０５μｍの厚みを有するｐ型ＡｌＧａＡｓからなるｐ型キャリヤブロック層５、約０．１３μｍの厚みを有するｐ型ＡｌＧａＡｓからなるｐ型第１クラッド層６、および、約０．０２μｍの厚みを有するｐ型ＡｌＧａＡｓからなるｐ型エッチングストップ層７が形成されている。
【００２８】
ここで、本実施形態では、ｐ型エッチングストップ層７上に、ｐ型ＡｌＧａＡｓからなるｐ型第２クラッド層８ａと、ｐ型ＧａＡｓからなるｐ型キャップ層９ａとによって構成される逆メサ形状のリッジ部が形成されている。そして、そのリッジ部の長手方向の側縁部（側面上端部）は、エッチング時にリッジ部が逆メサ形状となる結晶方向であってレーザの光軸方向となる［０１１］方向に形成されている。また、中央に位置するリッジ部と所定の間隔を隔てて、リッジ部を挟むように、ｐ型ＡｌＧａＡｓからなるｐ型第２クラッド層８ｂと、ｐ型ＧａＡｓからなるｐ型キャップ層９ｂとによって構成されるダミーリッジ部が形成されている。そのダミーリッジ部の長手方向の側縁部（側面上端部）は、［０１１］方向に平行でない方向に形成されている。
【００２９】
また、左右に位置するダミーリッジ部（８ｂ、９ｂ）の上面、側面および側縁部を含む全面を覆うとともに、中央部のリッジ部（８ａ、９ａ）の上面のみを露出させるように、約１．０μｍの膜厚を有するｎ型ＡｌＧａＡｓからなる電流阻止層１０が形成されている。
【００３０】
また、電流阻止層１０を覆うとともに、中央部のリッジ部の上面においてｐ型キャップ層９ａと接触するように、約６．０μｍの厚みを有するｐ型ＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層１１が形成されている。
【００３１】
なお、ｎ型クラッド層２、ｎ型キャリヤブロック層３、活性層４、ｐ型キャリヤブロック層５、ｐ型第１クラッド層６およびｐ型エッチングストップ層７が、本発明の「活性層を含む半導体層」の一例である。また、ｐ型コンタクト層１１が、本発明の「コンタクト層」の一例である。
【００３２】
上記のような構造を有する本実施形態の半導体発光素子の電流経路としては、ｐ型コンタクト層１１のリッジ部上に位置する部分から、リッジ部を構成するｐ型キャップ層９ａおよびｐ型第２クラッド層８ａを経て、活性層４へと電流が流れる。これにより、リッジ部の下方に位置する活性層４の領域において、レーザ光を発生させることができる。なお、左右に位置するダミーリッジ部の上面、側面および側縁部（側面上端部）は、電流阻止層１０によって充分に覆われているので、ダミーリッジ部を構成するｐ型キャップ層９ｂには、電流が流れない。このため、ダミーリッジ部の下方の活性層４の領域には、レーザ光は発生しない。つまり、中央部に位置するリッジ部のみが発光に関与する。
【００３３】
本実施形態では、上記のように、リッジ部と所定の間隔を隔てて、リッジ部を挟むように、ダミーリッジ部を設けることによって、リッジ部およびダミーリッジ部が突出した形状になるので、リッジ部のみが突出した形状に比べて、リッジ部が受ける衝撃やダメージを軽減することができる。
【００３４】
また、本実施形態では、上記のように、長手方向の側縁部が［０１１］方向に平行でないダミーリッジ部を設けることによって、側縁部が［０１１］方向に平行なダミーリッジ部を設ける場合と異なり、後述する製造プロセスにおいて、ダミーリッジ部上に電流阻止層１０を充分に成長させることができる。これにより、リーク電流が発生するのを有効に防止することができる。
【００３５】
図２〜図８は、図１に示した一実施形態による半導体発光素子の製造プロセスを説明するための断面図および平面図である。次に、図１〜図８を参照して、一実施形態による半導体発光素子の製造プロセスについて説明する。
【００３６】
まず、図２に示すように、ＭＯＣＶＤ法などを用いて、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓからなるｎ型クラッド層２、ｎ型ＡｌＧａＡｓからなるｎ型キャリヤブロック層３、活性層４、ｐ型ＡｌＧａＡｓからなるｐ型キャリヤブロック層５、ｐ型ＡｌＧａＡｓからなるｐ型第１クラッド層６、ｐ型ＡｌＧａＡｓからなるｐ型エッチングストップ層７、ｐ型ＡｌＧａＡｓからなるｐ型第２クラッド層８、および、ｐ型ＧａＡｓからなるｐ型キャップ層９を連続的に成長させる。
【００３７】
その後、図３に示すように、ｐ型キャップ層９上の所定領域に、ストライプ状のレジスト膜１２ａおよび１２ｂを形成する。
【００３８】
ここで、本実施形態では、図４に示すように、中央部のレジスト膜１２ａの長手方向の側縁部をＧａＡｓの逆メサリッジ方向（エッチング時にリッジ部が逆メサ形状になる方向）であってレーザの光軸方向である［０１１］方向に形成する。また、左右に位置するレジスト膜１２ｂの長手方向の側縁部を［０１１］方向から所定の角度θ（本実施形態では、３０°）傾いた方向に形成する。なお、図４において、チップ分割線とは、ウエハプロセス終了後にチップ化する際に、分割する線を意味している。
【００３９】
次に、図３および図４に示したレジスト膜１２ａおよび１２ｂをマスクとして、ｐ型第２クラッド層８およびｐ型キャップ層９を酒石酸系のエッチング液でウェットエッチングすることによって、図５に示されるような、ｐ型第２クラッド層８ａとｐ型キャップ層９ａとからなる逆メサ形状を有するリッジ部と、ｐ型第２クラッド層８ｂとｐ型キャップ層９ｂとからなる左右に位置するダミーリッジ部とを形成する。この場合、図６に示すように、中央部のリッジ部の長手方向の側縁部（側面上端部）は、［０１１］方向に形成される。その一方、左右に位置するダミーリッジ部の長手方向の側縁部（側面上端部）は、［０１１］方向から３０°傾いた方向に形成される。なお、上記したリッジ部およびダミーリッジ部を形成するためのウェットエッチング工程において、ｐ型エッチングストップ層７は、エッチングストッパとして機能する。このように、リッジ部およびダミーリッジ部を形成した後、レジスト膜１２ａおよび１２ｂを除去する。
【００４０】
次に、図７に示すように、ｐ型エッチングストップ層７と、リッジ部と、ダミーリッジ部とを覆うように、ｎ型ＡｌＧａＡｓからなる電流阻止層１０を成長させる。このとき、電流阻止層１０は、ダミーリッジ部の長手方向の側縁部が［０１１］方向に平行でないため、ダミーリッジ部の側面および上面のみならず側縁部（側面上端部）においても充分に成長する。また、中央部のリッジ部の長手方向の側縁部は［０１１］方向に平行であるので、電流阻止層１０は、中央部のリッジ部の長手方向の側縁部（側面上端部）では成長せずに、リッジ部の側縁部以外の部分を覆うように成長する。
【００４１】
ここで、図９を参照して、本実施形態の比較例として、ダミーリッジ部の長手方向の側縁部を、［０１１］方向に平行に形成した例について説明する。図９に示すように、［０１１］方向に平行なダミーリッジ部の長手方向の側縁部（側面上端部）には、電流阻止層２０が成長しない。このため、ダミーリッジ部の長手方向の側縁部は、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層２１と接触する。その結果、［０１１］方向に平行なダミーリッジ部を形成した場合には、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層２１から、ダミーリッジ部の長手方向の側縁部を介して、矢印で示した方向に、リーク電流が発生するという不都合が生じる。
【００４２】
そこで、本実施形態では、上記のように、ダミーリッジ部の長手方向の側縁部を［０１１］方向に平行でない（３０°傾斜する）ように形成する。これにより、図７に示したように、ダミーリッジ部の側縁部においても電流阻止層１０を充分に成長させることができ、その結果、リーク電流が発生するのを有効に防止することができる。
【００４３】
この後、電流阻止層１０上の所定領域に、レジスト膜１３を形成する。そして、レジスト膜１３をマスクとして、中央部のリッジ部の上面上に形成された電流阻止層１０をエッチングにより除去した後、レジスト膜１３を除去する。これにより、図８に示すように、中央部のリッジ部の上面（ｐ型キャップ層９ａ）のみが露出されるとともに、左右に位置するダミーリッジ部の全体が電流阻止層１０によって覆われた形状が得られる。
【００４４】
最後に、図１に示したように、電流阻止層１０を覆うとともに、中央部のリッジ部の上面においてｐ型キャップ層９ａと接触するように、ｐ型ＧａＡｓからなるｐ型コンタクト層１１を形成する。このようにして、本実施形態の半導体発光素子が形成される。
【００４５】
本実施形態の製造プロセスでは、上記のように、リッジ部と所定の間隔を隔ててダミーリッジ部を形成することによって、リッジ部およびダミーリッジ部が突出した形状になるので、リッジ部のみが突出した形状に比べて、リッジ部が受ける衝撃やダメージを軽減することができる。
【００４６】
また、本実施形態の半導体発光素子は、水平広がり角度８°で、１５０ｍＷ以上の基本横モード光出力が得られるとともに、６０℃、１３０ｍＷで、５００時間以上安定に動作した。
【００４７】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００４９】
また、上記実施形態では、ダミーリッジ部の長手方向の側縁部を、発光に関与する中央部のリッジ部の長手方向の側縁部から３０°傾けた方向に形成したが、本発明はこれに限らず、他の角度であっても良い。この場合、好ましくは、０．２°〜８９．８°の範囲で傾けた方向に形成すればよく、さらに好ましくは、３０°〜６０°の範囲で形成すればよい。
【００５０】
また、上記実施形態では、２つのダミーリッジ部を設けたが、本発明はこれに限らず、ダミーリッジ部を１つだけ設けてもよいし、３つ以上設けるようにしてもよい。
【００５１】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、発光に関与するリッジ部への衝撃やダメージを軽減することが可能な半導体発光素子およびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態による半導体発光素子を示した断面図である。
【図２】図１に示した一実施形態による半導体発光素子の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図３】図１に示した一実施形態による半導体発光素子の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図４】図１に示した一実施形態による半導体発光素子の製造プロセスを説明するための平面図である。
【図５】図１に示した一実施形態による半導体発光素子の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図６】図１に示した一実施形態による半導体発光素子の製造プロセスを説明するための平面図である。
【図７】図１に示した一実施形態による半導体発光素子の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図８】図１に示した一実施形態による半導体発光素子の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図９】図１に示した一実施形態による半導体発光素子の比較例を示した断面図である。
【図１０】従来の半導体発光素子を示した断面図である。
【図１１】従来の半導体発光素子の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１２】従来の半導体発光素子の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１３】従来の半導体発光素子の製造プロセスを説明するための断面図である。
【符号の説明】
１  ｎ型ＧａＡｓ基板（半導体層）
２  ｎ型クラッド層（半導体層）
３  ｎ型キャリヤブロック層（半導体層）
４  活性層（半導体層）
５  ｐ型キャリヤブロック層（半導体層）
６  ｐ型第１クラッド層（半導体層）
７  ｐ型エッチングストップ層（半導体層）
８ａ、８ｂ  ｐ型第２クラッド層（半導体層）
９ａ、９ｂ  ｐ型キャップ層（半導体層）
８ａ、９ａ  リッジ部
８ｂ、９ｂ  ダミーリッジ部
１０  電流阻止層
１１  ｐ型コンタクト層（コンタクト層）
１２ａ、１２ｂ  レジスト膜
【図１】
0004067278.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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