(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気絶縁層と、
電気絶縁層の片面に設けられるフェライト層と、
前記電気絶縁層と前記フェライト層とから成る積層体の最外方の両面に設けられる粘着層とを含むことを特徴とする半導体素子接着用電磁波遮断シート。
【請求項２】
電気絶縁層と、
電気絶縁層の両面に設けられるフェライト層と、
前記電気絶縁層と前記フェライト層とから成る積層体の最外方の両面に設けられる粘着層とを含むことを特徴とする半導体素子接着用電磁波遮断シート。
【請求項３】
前記電気絶縁層は、ポリイミドから成ることを特徴とする請求項１または２記載の半導体素子接着用電磁波遮断シート。
【請求項４】
前記フェライト層の厚みは、１００ｎｍ〜１０μｍであることを特徴とする請求項１〜３のうちの１つに記載の半導体素子接着用電磁波遮断シート。
【請求項５】
前記粘着層の厚みは、１μｍ〜１０μｍであることを特徴とする請求項１〜４のうちの１つに記載の半導体素子接着用電磁波遮断シート。
【請求項６】
各粘着層上に剥離除去可能に貼着される剥離シート１ｅ，１ｆ；２ｆ，２ｇをさらに含むことを特徴とする請求項１〜５のうちの１つに記載の半導体素子接着用電磁波遮断シート。
【請求項７】
電気絶縁性材料から成る基板３ａと、
基板３ａの一方面上に固定されるスペーサ３ｄと、
スペーサ３ｄ上に固定される第１半導体素子３ｂと、
前記半導体素子３ｂ上に固定されるシート３ｅと、
前記シート３ｅ上に固定される第２半導体素子３ｃと、
基板３ａの他表面上に設けられ、外部電気回路と接続される電気接続部３ｉと、
第１半導体素子３ｂと前記電気接続部３ｉとを電気的に接続する第１接続部３ｇと、
第２半導体素子３ｃを、第１半導体素子３ｂまたは前記電気接続部３ｉと電気的に接続する第２接続部３ｆと、
第１および第２半導体素子３ｂ，３ｃと、スペーサ３ｄと、シート３ｅと、第１および第２接続部３ｆとを封止して外部環境から守る封止材３ｈとを含む半導体装置に用いられる前記スペーサ３ｄであって、
前記スペーサ３ｄは、請求項１〜６のうちの１つに記載の半導体素子接着用電磁波遮断シートであることを特徴とする半導体装置に用いられるスペーサ。
【請求項８】
電気絶縁性材料から成る基板３ａと、
基板３ａの一方面上に固定されるスペーサ３ｄと、
スペーサ３ｄ上に固定される第１半導体素子３ｂと、
前記半導体素子３ｂ上に固定されるシート３ｅと、
前記シート３ｅ上に固定される第２半導体素子３ｃと、
基板３ａの他表面上に設けられ、外部電気回路と接続される電気接続部３ｉと、
第１半導体素子３ｂと前記電気接続部３ｉとを電気的に接続する第１接続部３ｇと、
第２半導体素子３ｃを、第１半導体素子３ｂまたは前記電気接続部３ｉと電気的に接続する第２接続部３ｆと、
第１および第２半導体素子３ｂ，３ｃと、スペーサ３ｄと、シート３ｅと、第１および第２接続部３ｆとを封止して外部環境から守る封止材３ｈとを含む半導体装置に用いられる前記シート３ｅであって、
前記シート３ｅは、請求項１〜６のうちの１つに記載の半導体素子接着用電磁波遮断シートであることを特徴とする半導体装置に用いられるシート。
【請求項９】
請求項１または２の半導体素子接着用電磁波遮断シートを介在して、半導体素子が積層されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
電気絶縁性材料から成る基板３ａと、
基板３ａの一方面上に固定されるスペーサ３ｄと、
スペーサ３ｄ上に固定される第１半導体素子３ｂと、
前記半導体素子３ｂ上に固定されるシート３ｅと、
前記シート３ｅ上に固定される第２半導体素子３ｃと、
基板３ａの他表面上に設けられ、外部電気回路と接続される電気接続部３ｉと、
第１半導体素子３ｂと前記電気接続部３ｉとを電気的に接続する第１接続部３ｇと、
第２半導体素子３ｃを、第１半導体素子３ｂまたは前記電気接続部３ｉと電気的に接続する第２接続部３ｆと、
第１および第２半導体素子３ｂ，３ｃと、スペーサ３ｄと、シート３ｅと、第１および第２接続部３ｆとを封止して外部環境から守る封止材３ｈとを含む半導体装置であって、
前記スペーサ３ｄと前記シート３ｅとは、請求項１〜６のうちの１つに記載の半導体素子接着用電磁波遮断シートであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
表面にＯＨ基を有する電気絶縁層を、２価鉄イオンＦｅ２＋と必要により他の金属イオンとを含むめっき反応液中に浸すことによって、電気絶縁層の両面に、この２価鉄イオンＦｅ２＋および他の金属イオンをＯＨ基を介して吸着させ、
酸化剤または陽極電流によって、Ｆｅ２＋の一部をＦｅ２＋→Ｆｅ３＋の酸化反応を行うことによって、すでに吸着していた前記金属イオンに再び２価鉄イオンＦｅ２＋を吸着させつつ、加水分解を行いながら、
電気絶縁層の前記両面に、スピネル生成反応を生じさせ、スピネル形フェライト層を形成し、次いで、最外方の両面に粘着層を設けることを特徴とする請求項２記載の半導体素子接着用電磁波遮断シートの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、積層された半導体素子相互間の電気信号の干渉を防止し、また半導体素子に混入するノイズを低減するための半導体素子接着用電磁波遮断シート、半導体装置および半導体素子接着用電磁波遮断シートの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小形化の要求に伴い、表面高密度実装にさらに拍車がかかり、複数の半導体素子を同一パッケージ内に積層したいわゆるスタックパッケージの利用が増加している（特許文献１参照）。
【０００３】
電子機器のディジタル化、高速化、高周波化が進むにつれて、ノイズ問題が重要性を増してきている。スタックパケージにおいては特に、半導体素子を近接して積層するため、従来のような半導体素子外部から到来するノイズの問題以外に、積層された素子間の信号干渉が発生するという問題がある。先行技術では、このようなスタックパケージにおける素子間の信号干渉を抑制できる対策材料は提供されていない。
【０００４】
小型のＣＳＰ（Chip Size Package）におけるノイズ問題の対策のために、ノイズ低減効果を得るためにフェライトペースト層を導入した先行技術が存在する（特許文献２参照）。このペーストは、フェライト粉末を用いたものであり、フェライト間にペーストの母材と成る樹脂が挿入されているので、ノイズ対策効果が少ないという問題がある。
【０００５】
このように、複数の半導体素子を積層するスタックパッケージにおいて、半導体素子間の信号干渉を抑制する材料は提供されていない。さらに、従来の小型ＣＳＰ用のノイズ対策ペーストでは、そのノイズ対策効果が小さいという問題がある。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００２−２５２３２号公報
【特許文献２】
特開２００１−２４１０８号公報
【０００７】
【発明が解決しようする課題】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、充分なノイズ低減効果および複数の半導体素子間の信号干渉の抑制を発揮することができる半導体素子接着用電磁波遮断シート、半導体装置および半導体素子接着用電磁波遮断シートの製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、電気絶縁層と、
電気絶縁層の片面に設けられるフェライト層と、
前記電気絶縁層と前記フェライト層とから成る積層体の最外方の両面に設けられる粘着層とを含むことを特徴とする半導体素子接着用電磁波遮断シートである。
また本発明は、電気絶縁層と、
電気絶縁層の両面に設けられるフェライト層と、
前記電気絶縁層と前記フェライト層とから成る積層体の最外方の両面に設けられる粘着層とを含むことを特徴とする半導体素子接着用電磁波遮断シートである。
また本発明は、前記電気絶縁層は、ポリイミドから成ることを特徴とする。
また本発明は、前記フェライト層の厚みは、１００ｎｍから１０μｍであることを特徴とする。
また本発明は、前記粘着層の厚みは、１μｍ〜１０μｍであることを特徴とする。
また本発明は、各粘着層上に剥離除去可能に貼着される剥離シート１ｅ，１ｆ；２ｆ，２ｇをさらに含むことを特徴とする。
また本発明は、電気絶縁性材料から成る基板３ａと、
基板３ａの一方面上に固定されるスペーサ３ｄと、
スペーサ３ｄ上に固定される第１半導体素子３ｂと、
前記半導体素子３ｂ上に固定されるシート３ｅと、
前記シート３ｅ上に固定される第２半導体素子３ｃと、
基板３ａの他表面上に設けられ、外部電気回路と接続される電気接続部３ｉと、
第１半導体素子３ｂと前記電気接続部３ｉとを電気的に接続する第１接続部３ｇと、
第２半導体素子３ｃを、第１半導体素子３ｂまたは前記電気接続部３ｉと電気的に接続する第２接続部３ｆと、
第１および第２半導体素子３ｂ，３ｃと、スペーサ３ｄと、シート３ｅと、第１および第２接続部３ｆとを封止して外部環境から守る封止材３ｈとを含む半導体装置に用いられる前記スペーサ３ｄであって、
前記スペーサ３ｄは、前述の半導体素子接着用電磁波遮断シートであることを特徴とする半導体装置に用いられるスペーサである。
また本発明は、電気絶縁性材料から成る基板３ａと、
基板３ａの一方面上に固定されるスペーサ３ｄと、
スペーサ３ｄ上に固定される第１半導体素子３ｂと、
前記半導体素子３ｂ上に固定されるシート３ｅと、
前記シート３ｅ上に固定される第２半導体素子３ｃと、
基板３ａの他表面上に設けられ、外部電気回路と接続される電気接続部３ｉと、
第１半導体素子３ｂと前記電気接続部３ｉとを電気的に接続する第１接続部３ｇと、
第２半導体素子３ｃを、第１半導体素子３ｂまたは前記電気接続部３ｉと電気的に接続する第２接続部３ｆと、
第１および第２半導体素子３ｂ，３ｃと、スペーサ３ｄと、シート３ｅと、第１および第２接続部３ｆとを封止して外部環境から守る封止材３ｈとを含む半導体装置に用いられる前記シート３ｅであって、
前記シート３ｅは、前述の半導体素子接着用電磁波遮断シートであることを特徴とする半導体装置に用いられるシートである。
【０００９】
また本発明は、前記両面に粘着層が設けられた半導体素子接着用電磁波遮断シートを介在して、半導体素子が積層されることを特徴とする半導体装置である。
また本発明は、電気絶縁性材料から成る基板３ａと、
基板３ａの一方面上に固定されるスペーサ３ｄと、
スペーサ３ｄ上に固定される第１半導体素子３ｂと、
前記半導体素子３ｂ上に固定されるシート３ｅと、
前記シート３ｅ上に固定される第２半導体素子３ｃと、
基板３ａの他表面上に設けられ、外部電気回路と接続される電気接続部３ｉと、
第１半導体素子３ｂと前記電気接続部３ｉとを電気的に接続する第１接続部３ｇと、
第２半導体素子３ｃを、第１半導体素子３ｂまたは前記電気接続部３ｉと電気的に接続する第２接続部３ｆと、
第１および第２半導体素子３ｂ，３ｃと、スペーサ３ｄと、シート３ｅと、第１および第２接続部３ｆとを封止して外部環境から守る封止材３ｈとを含む半導体装置であって、
前記スペーサ３ｄと前記シート３ｅとは、前述の半導体素子接着用電磁波遮断シートであることを特徴とする半導体装置である。
【００１０】
本発明に従えば、電気絶縁層によって補強されたフェライト層は、たとえば積層された半導体素子相互間で干渉を生じる電気信号の漏洩を、フェライト層の磁気損失特性によって減衰させる。また半導体素子に混入するノイズを、フェライト層の磁気損失特性によって減衰させ、ノイズの混入を防ぐ。こうして本発明のシートによって、電磁波を遮蔽し、半導体素子の電気信号の干渉を防止し、またノイズの混入を防ぐ。
【００１１】
フェライトとは、化学式ＭＯ・Ｆｅ２Ｏ３（ＭはＦｅ以外の２価の金属で、たとえばＭｎ、Ｚｎ、Ｎｉが等が挙げられる。）で表される磁性酸化物の総称である。本発明のこれらの酸化物系軟質磁性材料には、高透磁率、高磁束密度のＭｎ−Ｚｎ系と、比抵抗が極めて高いＮｉ−Ｚｎ系が好適する。フェライトは、高周波磁気特性に優れる。
【００１２】
本件シートの電気絶縁層とフェライト層とから成る積層体の最外方の両面に粘着層が形成されることによって、本件シートを半導体素子またはパッケージなどに接着する作業を容易に行うことができ、作業性が向上される。
【００１３】
粘着層が本件シートの両面に形成されることによって、各粘着層に半導体素子を接着し、半導体素子を積層することができ、あるいはまた半導体素子をパッケージに接着して装着することが容易である。
【００１４】
また本発明は、表面にＯＨ基を有する電気絶縁層を、２価鉄イオンＦｅ２＋と必要により他の金属イオンとを含むめっき反応液中に浸すことによって、電気絶縁層の両面に、この２価鉄イオンＦｅ２＋および他の金属イオンをＯＨ基を介して吸着させ、
酸化剤または陽極電流によって、Ｆｅ２＋の一部をＦｅ２＋→Ｆｅ３＋の酸化反応を行うことによって、すでに吸着していた前記金属イオンに再び２価鉄イオンＦｅ２＋を吸着させつつ、加水分解を行いながら、
電気絶縁層の前記両面に、スピネル生成反応を生じさせ、スピネル形フェライト層を形成し、次いで、最外方の両面に粘着層を設けることを特徴とする。
【００１５】
本発明に従えば、電気絶縁層の両面に、いわゆるフェライトめっきと呼ばれるフェライト層を、常温〜１００℃未満の比較的低い温度でフェライト層を形成することが容易に可能となる。
【００１６】
金属イオンの吸着席となるＯＨ基が表面に有する固体基板である電気絶縁層を、２価鉄イオンＦｅ２＋を含む反応液に浸すと、これらのイオンがＯＨ基を介して固体表面に吸着される。次に亜硝酸ナトリウムＮａＮＯ２、空気（Ｏ２）などの酸化剤または陽極電流によって、Ｆｅ２＋→Ｆｅ３＋の酸化反応を行うと、すでに吸着していた金属イオン上に再びＦｅ２＋が吸着しつつ、加水分解を伴いながら、スピネル生成反応が起こる。この吸着→酸化→スピネル生成というプロセスが繰返され、スピネル膜または粒子が成長してゆく。このフェライト層生成の反応式は、次のように表される。
【００１７】
0004133637.tif 000002
Ｆｅのみを含むマグネタイトめっきでは、（３）式でＭ＝Ｆｅとおいて、
３Ｆｅ２＋＋４Ｈ２Ｏ ←→ Ｆｅ３Ｏ４＋８Ｈ＋＋２ｅ−     …（４）
【００１８】
フェライトめっきは、酸化剤（Ｏ２，ＮａＮＯ２など）を用いた場合、一種の無電解めっきに相当する。フェライトめっきは、酸化反応である。
【００１９】
このように１００℃以下の水溶液中で結晶質フェライトを合成できるのは、現在のところ、スピネル形に限定されている。その理由は、スピネル形フェライトが遷移金属イオンのみしか含まないために、結晶化に必要とする活性化エネルギが低いためである。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００２１】
図１は、本発明の一実施の形態に係る半導体素子接着用電磁波遮断シート１を示す断面図である。図１において、絶縁基材である電気絶縁層１ａ上の片面にフェライト層１ｂが形成されており、フェライト層１ｂの面上および電気絶縁層１ａの反対側の面上に、接着層である粘着層１ｃおよび１ｄが形成される。
【００２２】
電気絶縁層１ａとしては、ポリイミド等の有機材料から成る合成樹脂シート、アルミナに代表されるセラミック基板等を用いることができる。落下時の破損の心配が無いことや、厚みを薄くできる点、さらには、製造上の取扱い易さの点から、有機材料から成るシートが好ましい。さらに、電気絶縁性の性能に優れ、さらには難燃性を確保できるという点からポリイミドから成るシートが好ましい。
【００２３】
フェライト層１ｂは、種々の方法で電気絶縁層１ａ上に形成することができる。電気絶縁層１ａ上へフェライト層１ｂを形成する方法としては、（１）フェライトめっき法（たとえば松下、他；日本応用磁気学会誌、Vol.26、No.4、p.475（2002）参照）によって電気絶縁層１ａ上にフェライト層１ｂを形成する方法が好ましいが、そのほか（２）フェライト粉末を燒結した燒結フェライトシートを接着剤等を用いて電気絶縁層に接着する方法や、（３）電気絶縁層上にスパッタやＣＶＤ（化学的気相成長法）等の真空蒸着法により成膜する方法を選ぶことができる。この中でも、前述のフェライトめっき法にてフェライト層１ｂを電気絶縁層１ａ上に形成する方法は、低温でのフェライト形成が可能であり、さらには、電気絶縁層１ａの両面へ一度に形成できるという点で好ましい。このように、面上にフェライト層１ｂを形成することにより、不要電磁波の吸収および／または遮蔽の機能をシートに付与することができる。このフェライト層１ｂの厚みは、たとえば１０ｎｍ〜１ｍｍであってもよく、好ましくは１００ｎｍ〜１０μｍである。
【００２４】
粘着層１ｃ，１ｄとしては、半導体素子間を接着する機能を持ち、熱サイクル時の信頼性が確保でき、さらには、接合時への半導体素子へのダメージが少ないものであればよく、これらを満足するものであれば、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂のいずれでも用いることができる。これらの信頼性を確保するために、熱可塑性樹脂の場合には、ガラス転移温度が６０℃以上２５０℃以下の材料、さらには１２０℃以上２５０℃以下の材料が好ましい。すなわち、ガラス転移温度が６０℃未満の場合には、パッケージング後の熱サイクル信頼性が低下し、好ましくない場合がある。また、ガラス転移温度が２５０℃を超える場合には、半導体集積回路素子を積層する際の作業性の低下および半導体集積回路素子へのダメージが発生する場合があり好ましくない。電気絶縁層１ａ、粘着層１ｃ，１ｄの厚みは、フェライト層１ｂの厚みと同様であってもよく、たとえば０．１μｍ〜１００μｍであってもよく、さらに厚くてもよいが、好ましくは１μｍ〜１０μｍである。
【００２５】
粘着層１ｃ，１ｄとして好適する熱可塑性樹脂としては、ポリイミド、ポリイミドアミド、ポリエーテルスルホン、ポロエーテルエーテルケトン、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンエーテル、ポリアミド、ポリ（メタ）アクリル酸エステル、エチレン酢ビコポリマー、エチレンアクリルコポリマーおよびポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン類の単独またはこれらの混和物が例示される。
【００２６】
粘着層１ｃ，１ｄとして好適する熱硬化性樹脂の場合には、硬化後のガラス転移温度が６０℃以上３００℃以下の材料、さらには１２０℃以上３００℃以下の材料が好ましい。すなわち、ガラス転移温度が６０℃未満の場合には、パッケージング後の熱サイクル信頼性が低下し、好ましくない場合がある。また、ガラス転移温度が３００℃を超える場合には、硬化応力による集積回路素子へのダメージが発生するため好ましくない場合がある。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、ベンゾシクロフラン樹脂、シアン酸エステル樹脂、フェノール樹脂の単独または混和物が例示される。また、これら熱硬化性樹脂には熱可塑性樹脂あるいは各種ゴム成分を加えてもかまわない。
【００２７】
粘着層１ｃ，１ｄの外表面には、剥離シート１ｅ，１ｆが、剥離可能に貼着される。半導体素子の接着に先立ち、剥離シート１ｅ，１ｆが除去され、粘着層１ｃ，１ｄによって接着機能が達成される。
【００２８】
図２は、本発明の実施の他の形態にかかる半導体素子接着用電磁波遮断シート２を示す断面図である。図２において、電気絶縁層２ａ上の両面にフェライト層２ｂおよび２ｅが形成されており、フェライト層２ｂおよび２ｅの上にそれぞれ粘着層２ｃおよび２ｄが形成される。電気絶縁層２ａは、前述の図１の電気絶縁層１ａと同様な構成を有し、フェライト層２ｂ，２ｅは、前述のフェライト層１ｂと同様な構成を有し、粘着層２ｃ，２ｄは、前述の粘着層１ｃ，１ｄと同様な構成を有する。図２の実施の形態においても、前述の剥離シート１ｅ，１ｆと同様な剥離シート２ｆ，２ｇが剥離可能に同様に設けられてもよい。
【００２９】
図３は、本発明の一実施の形態に係る半導体装置３を示す断面図である。図３において、１つの半導体素子３ｂが、スペーサ３ｄを介して電気絶縁層１ａと同様な電気絶縁性材料から成るパッケージ本体である基板３ａ上に搭載され、ワイヤ等の接続部３ｇによって半導体素子３ｂと基板３ａの電気接続部３ｉとは電気的に接続されている。スペーサ３ｄは半導体素子３ｂを基板３ａの一方面上に固定するために用いられるものである。
【００３０】
このスペーサ３ｄとして、本発明の半導体素子接着用電磁波遮断シート１または２を用いる。半導体素子３ｂ上に積層されるもう一つの半導体素子３ｃは、本発明のフェライト層を含む半導体素子接着用電磁波遮断シート３ｅを介して積層される。すなわちこのシート３ｅは、前述の本発明の半導体素子接着用電磁波遮断シート１または２であってもよい。半導体素子３ｃは、ワイヤ等の接続部３ｆにて半導体素子３ｂまたは基板３ａの電気接続部３ｉと電気的に接続される。このようにスペーサ３ｄとシート３ｅとで積層された半導体素子３ｂ，３ｃと接続部３ｆ，３ｇとは、封止材３ｈで封止することによって外部環境から守られる。さらに、このような半導体装置３は、基板３ａの他方面に設けられた前記電気接続部３ｉを介して外部電気回路と接続される。
【００３１】
前述の図３では、積層される半導体素子が２つの場合を示しているが、積層される半導体素子の数は特に制限されるものでない。このようにフェライト層を含む本発明のシートを半導体素子間の半導体素子接着用電磁波遮断シートとして用いることによって、半導体素子間の電気信号の干渉を効率よく抑制することができる。こうして本発明の半導体素子接着用電磁波遮断シートを、前述のスペーサ３ｄおよびシート３ｅにおいて用いることによって、積層スタックパッケージにおいて、半導体素子間の電気信号の干渉が少ない半導体装置を実現することができるとともに、外部からのノイズの混入を抑制することができる。
【００３２】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体素子の電気信号が相互に干渉することを防止し、またノイズが混入することを防止する半導体素子接着用電磁波遮断シートが実現される。本件半導体素子接着用電磁波遮断シートのフェライト層を、前述のいわゆるフェライトめっき法で製造することによって、たとえば積層された半導体素子の電気信号の干渉を防止し、またパッケージなどのノイズ混入を防止するのに充分な厚みを有するフェライト層を、容易に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係る半導体素子接着用電磁波遮断シート１を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の他の形態にかかる半導体素子接着用電磁波遮断シート２を示す断面図である。
【図３】本発明の一実施の形態に係る半導体装置３を示す断面図である。
【符号の説明】
１，２，３ｅ  半導体素子接着用電磁波遮断シート
１ａ，２ａ  電気絶縁層
１ｂ，２ｂ，２ｅ  フェライト層
１ｃ，１ｄ，２ｃ，２ｄ  粘着層
３  半導体装置
３ａ  基板
３ｂ，３ｃ  半導体素子
３ｄ  スペーサ
【図１】
0004133637.tif 000003
【図２】
0004133637.tif 000004
【図３】
0004133637.tif 000005