(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上に第１のＣｒ膜、Ｃｕ膜、及び第２のＣｒ膜をこの順に積層する第１工程と、
前記第２Ｃｒ膜上に無機材料層を形成し且つ該無機材料層を電極配線のパターンに成形する第２工程と、
前記無機材料層のパターンを通して、前記第２Ｃｒ膜、前記Ｃｕ膜、及び前記第１Ｃｒ膜を順次ウェットエッチングして、前記電極配線を該第１のＣｒ膜、該Ｃｕ膜、及び該第２のＣｒ膜から成る積層構造で形成する第３工程とがこの順に行われ、
前記第２工程において、前記無機材料層を、その上にラミネートされたホトレジストにその露光、現像、及びベークにより形成されたパターンを通してブラスト処理することにより、前記パターンに成形し、且つ
前記第３工程において、前記第２Ｃｒ膜及び前記第１Ｃｒ膜を過マンガン酸カリウムとメタケイ酸ナトリウムからなる水溶液で、前記Ｃｕ膜を硫酸第二鉄と硫酸からなる水溶液で、夫々ウェットエッチングして該パターンに成形することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記無機材料層を、ＩＴＯ，ＳｉＯ２，Ｓｉ，Ｎｉ，又はＮｉとＣｒとの合金で形成することを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上に配線パターンを形成する配線基板およびそれを用いたガス放電型表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
プラズマディスプレイなどのガス放電型表示装置は自己発光により表示を行うため、視野角が広く、表示が見やすい。また、薄型のものが作製できることや大画面を実現できるなどの特長を持っており、情報端末機器の表示装置や高品位テレビジョン受像機への応用が始まっている。プラズマディスプレイは直流駆動型と交流駆動型に大別される。このうち、交流駆動型のプラズマディスプレイは、電極を覆っている誘電体層のメモリー作用によって輝度が高く、保護層の形成などにより実用に耐える寿命が得られるようになった。その結果、プラズマディスプレイは多用途のビデオ・モニタとして実用化されている。
【０００３】
図９は実用化されたプラズマディスプレイパネルの構造を示す斜視図である。この図では、見易くするため、前面基板１００を背面基板２００より離して図示した。
【０００４】
前面基板１００は、前面ガラス基板４００上にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  ＴｉｎＯｘｉｄｅ）や酸化スズ（ＳｎＯ２）などの透明導電材料からなる表示電極６００と低抵抗材料からなるバス電極７００、透明な絶縁材料からなる誘電体層８００、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）などの材料からなる保護層９００が形成された構造となっている。
【０００５】
背面基板２００は、背面ガラス基板５００上にアドレス電極１０００とバリアリブ１１００、蛍光体層１２００が形成された構造となっている。また、図示はしていないが、アドレス電極１０００上にも誘電体層１３００が形成されている。
【０００６】
そして、前面基板１００と背面基板２００を表示電極６００とアドレス電極１０００がほぼ直交するように張合わせることにより、放電空間領域３００が前面基板１００と背面ガラス基板５００の間に形成されている。
【０００７】
このガス放電型表示装置では、前面基板１００に設けた１対の表示電極６００の間に交流電圧を印加し、背面基板２００に設けたアドレス電極１０００と表示電極６００の間に電圧を印加することによってアドレス放電を発生させ、所定の放電セルに主放電を発生させる。この主放電で発生する紫外線により各々の放電セルに塗り分けられた赤、緑及び青の蛍光体１２００を発光させ、表示を行っている。
【０００８】
このようなガス放電型表示装置の従来例は、たとえば、フラットパネルディスプレイ１９９６（日経マイクロデバイス編、１９９５年）の第２０８頁から２１５頁に記載されている。
【０００９】
ここで、前面基板１００の有するバス電極７００や背面基板２００の有するアドレス電極１０００の形成方法をさらに詳細に説明する。図８は、背面ガラス基板５００上にアドレス電極１０００を形成する一例を示すものである。なお、前面基板１００の有するバス電極７００もほぼ同様の工程により形成されるので、その説明は省略する。
【００１０】
まず、背面ガラス基板５００上にアドレス電極１０００となるCr/Cu/Cr層（１０００a〜c）、アドレス電極１０００のパターンを形成するためのレジスト２５００をスパッタリング法や蒸着法や回転塗布やドライフィル等の成膜手法を用いて順次、積層するように形成する（ステップ(a)：成膜工程）。次に、所望のアドレス電極１０００のパターンとなるように、レジスト２５００を露光・現像する（ステップ(b)(c)：ホトリソ工程）。次に、Cr用のエッチング液を用いてCr層１０００aを所望のパターンにエッチングする（ステップ(d)：エッチング工程）。次に、その露光・現像したレジスト２５００を剥離し、再度、レジスト２５００を形成する（ステップ(e)(f)）。以上の処理をCu層１０００b、Cr層１０００cの各層について繰り返すことにより（ステップ(g)〜(o)）、背面ガラス基板５００上にアドレス電極１０００を形成する。
【００１１】
一般に、このようなエッチング液を用いたプロセスをウエットエッチングと呼ぶが、従来のウエットエッチングでは、レジスト２５００を有機材料で形成していた。
【００１２】
また、従来、ウエットエッチングにより電極を形成する場合、レジストを形成するためのホトリソ工程が必須であった。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
我々は、ホトリソ工程の回数を削減するために、例えば、ステップ(a)〜(c)で形成したレジスト２５００だけを用いてCr層１０００a、Cu層１０００b、Cr層１０００c等の多層配線を形成することについて検討した。この形成方法は、エッチング液にCr層とCu層を選択エッチング可能なものを用いれば可能となるが、実際にはアルカリ現像・剥離タイプのレジストに対してダメージを与えることのないエッチング液を用いてエッチングするとCr層１０００a、１０００cが極めてサイドエッチされやすくなり、Cr/Cu/Cr層の加工精度が非常に不安定になることが実験結果より明らかとなった。Cr層がサイドエッチされた場合、そのサイドエッチされた部分が間隙となり、ボイドやエッチング液等の残査が入り込み、誘電体の焼成工程で配線の浸食による断線不良を生じてしまう。配線が断線すると、ガス放電型表示パネルにおいて表示に寄与しない線が存在することとなり、表示パネルとしては致命的な問題となってしまう。なお、Cr/Cu/Cr層は、他の電極材料に比べて低抵抗な配線となるため、ガス放電型表示パネルのような大型の表示機器に対して非常に有効であるが、Cr/Al/Cr等の多層配線をウエットエッチングにより形成する場合でも同様の問題が生じる。
【００１４】
また、レジストを有機材料で形成すると、レジストと電極との密着性が原因で生ずるエッチング液によるレジスト界面での浸食や、異物および気泡の巻き込みが原因で生ずるレジスト欠陥による浸食が生じ、これによって断線不良を生ずることも明らかになった。その他、従来のレジストは、ホトリソ工程により形成されていたため、異物等が原因となりレジスト欠陥を生じ易かった。レジスト欠陥があるままウエットエッチングにより電極を形成すれば、レジスト欠陥に対応した領域もエッチングされ、電極は断線しやすかった。これらの問題は、Cr/Cu/Cr、Cr/Al/Cr等の多層配線に限らず、Al、Ag、Ni、Au等の配線をウエットエッチングにより形成する場合でも同様の問題が生じる。
【００１５】
このように、従来のウエットエッチングを用いて電極を形成したガス放電型表示パネルや配線基板においては、電極のサイドエッチや予期せぬ浸食により断線不良が生じやすかった。また、レジスト欠陥が原因で生ずる断線不良も生じやすかった。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的は、配線基板やガス放電型表示パネルに形成する電極の断線不良を抑制することにある。特に、電極をウエットエッチングにより形成する場合の断線不良を抑制することを目的とする。
【００１７】
本発明は、上記目的を達成するために、ウエットエッチングにおけるレジストを無機材料で形成した。
【００１８】
すなわち、複数の第一の電極を有する前面基板と、複数の第二の電極を有する背面基板とを備え、少なくとも該第一の電極もしくは該第二の電極を無機材料から成るレジストを用いてウエットエッチングにより形成した。
【００１９】
また、複数の第一の電極と、該第一の電極を覆う第一の誘電体層とを有する前面基板と、複数の第二の電極と、該第二の電極を覆う第二の誘電体層とを有する背面基板とを備え、少なくとも該第一の電極と該第一の誘電体層との間もしくは該第二の電極と該第二の誘電体層との間に無機材料層を有し、該無機材料層を用いて該第一の電極若しくは該第二の電極をウエットエッチングにより形成した。
【００２０】
これによって無機材料をスパッタリング法や蒸着法等を用いて成膜したレジストは、従来の有機材料のレジストに比べて電極との密着性が増すので、エッチング液によるレジスト界面での浸食を抑制することができ、断線不良を低減することができた。
【００２１】
また、無機材料をレジストとして用いれば、従来の有機材料に比べてエッチングダメージを考慮する必要も無くなく、エッチング量を制御しやすいエッチング液が使用可能となり、安価な無機材料を用いて従来のサイドエッチによる断線を抑制することができた。無機材料としては、例えば、ITOやSiO２やＮｉとＣｒの合金層などを用いれば良い。
【００２２】
また、無機材料層は電極や誘電体層との反応も少ないので、無機材料層を剥離せずに電極と誘電体層との間に介在させることもでき、これによって電極と誘電体層との反応による電極の浸食や断線を抑制することも可能となった。
【００２３】
なお、無機材料層を用いたレジストの形成方法は、ホトリソ、ブラスター、レーザ等のいかなる方法を用いて形成しても良い。
【００２４】
また、本発明は、上記目的を達成するためにレジストをブラスターを用いて形成することとした。すなわち、本発明は、複数の第一の電極を有する前面基板と、複数の第二の電極を有する背面基板とを備え、少なくとも該第一の電極上もしくは該第二の電極上にブラスターを用いて形成した材料層を有し、該材料層を用いて該第一の電極もしくは該第二の電極をウエットエッチングにより形成した。この場合、材料層が第一、第二の電極のレジストとなる。
【００２５】
この材料層を形成するには該材料層のレジストとなる保護層を形成しなければならないが、ブラスターを用いて材料層（レジスト）を形成するので、保護層と材料層との界面にエッチング液が浸透することはなく、材料層（レジスト）の欠陥が生ずる可能性が低くなった。従って、欠陥の少ない材料層（レジスト）を用いてウエットエッチングするので電極の断線等を抑制することができた。また、ブラスターを用いたレジストの加工は、短時間かつ安価に実現することができた。
【００２６】
その他、前記材料層をブラスターの代わりにレーザーを用いて形成すれば、ブラスターで用いた保護層さえ形成することがないので、ホトリソ工程無しに電極を形成することができ、大幅に電極を形成する工程を短縮することができた。当然、電極パターンを形成するためのマスクも不要となる。また、ホトリソ工程を用いずに前記材料層（レジスト）を形成すれば、材料層を所望のパターンとなるようにレーザーにより除去するだけなので、レジスト欠陥を極めて少なくすることができた。
【００２７】
これらの場合の材料層（レジスト）は、有機材料であっても無機材料であっても良い。
【００２８】
さらにブラスターを使用する場合において、ブラスターのノズルを絞ることによってレーザーと同様の加工が可能である。さらに、材料層（レジスト）を所望のパターンに機械的に削ってもレーザーと同様の加工が可能である。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて本発明の実施の形態を説明する。
【００３０】
図１は、背面基板上にアドレス電極を形成する第一の実施の形態である。
【００３１】
図において、１０は背面ガラス基板、１１a、１１b、１１cはアドレス電極であり、順にCr/Cu/Cr層を積層している。２５はレジストとなる無機材料層、２６はレジスト２５のパターンを形成するためのホトレジスト層である。
【００３２】
まず、ガラス基板１０にCr層１１c、Cu層１１b、Cr層１１a、無機材料層２５となるITO層を順次スパッタ成膜した後、ホトレジスト２６となるドライフイルムレジストをラミネートする（ステップ(a)）。
【００３３】
次に、所望の電極パターンとなるようにホトレジスト２６（ドライフィルムレジスト）の露光、現像を行った後、ベークを行う（ステップ(b)）。
【００３４】
次に炭酸カルシウムによるブラスト処理を行い無機材料層２５（ITO層）の除去を行う（ステップ(c)(d)）。このブラスト処理によるレジストの加工は、極めて短時間で、しかもレジスト幅とほぼ同一の幅のパターンを高精度に形成することが出来た。
【００３５】
次に、ホトレジスト２６（ドライフィルムレジスト）を剥離する（ステップ(e)）。ここで、前述のブラスト処理により生じた無機材料層２５（ITO層）の粉塵を洗浄により除去することが好ましい。
【００３６】
続いて、過マンガン酸カリウムとメタケイ酸ナトリウムからなる水溶液を用いてCr層１１aのエッチングを行う（ステップ(f)）。この場合、前述の無機材料層２５（ITO層）がCr層１１aのレジストとなる。過マンガン酸カリウムとメタケイ酸ナトリウムからなる水溶液は、Cr層１１aをエッチング可能なアルカリ性の水溶液であり、無機材料層２５（ITO層）とCu層１１bに対してほぼエッチングしない。これによって、無機材料層２５（ITO層）はアルカリ性の水溶液により実質的に浸食されることなく、かつCr層１１aもほとんどサイドエッチされずに形成することができた。また、無機材料層２５（ITO層）とCr層１１aとの密着性は良く、Cr層１１aの無機材料層２５（ITO層）との界面が浸食されることはなかった。
【００３７】
次に硫酸第二鉄と硫酸からなる水溶液を用いてCu層１１bのエッチングを行う（ステップ(g)）。この場合、前述の無機材料層２５（ITO層）とCr層１１aがCu層１１bのレジストとなる。硫酸第二鉄と硫酸からなる水溶液は、Cu層１１bをエッチング可能な酸性の水溶液であり、無機材料層２５（ITO層）とCr層１１aに対してほぼエッチングしない。これによって、Cr層１１a 、Cu層１１bはほとんどサイドエッチされずに形成することができた。
【００３８】
次に、再び過マンガン酸カリウムとメタケイ酸ナトリウムからなる水溶液を用いてCrのエッチングを行いCr/Cu/Cr/ITOの構成の電極配線を形成する（ステップ(h)）。
【００３９】
以上のプロセスにより、サイドエッチ等による断線不良の少ないCr/Cu/Cr/ITOの構成の電極配線を得ることができた。
【００４０】
このように無機材料層２５（ITO層）をレジストとすると、無機材料層２５とCr層１１aとの十分な密着性を確保でき、エッチング液によるレジスト界面での電極の浸食や断線不良を抑制することができた。また、異物や気泡等の巻き込みによる無機材料層２５のレジスト欠陥が少なくなり、エッチング液による電極の浸食や断線不良を抑制することができた。
【００４１】
また、無機材料層２５をレジストとすることで、エッチング液の選択幅が広がり、従来のCr層１１a、cのサイドエッチを抑制することができた。また、レジストへのエッチングダメージを考慮する必要がなくなった。
【００４２】
また、従来のエッチング液に代わりサンドブラスト等のブラスターを用いたことで、無機材料層２５のレジスト欠陥を抑制することができた。すなわち、ホトレジスト２６と無機材料層との界面からエッチング液が浸透することがないので、無機材料層２５（レジスト）の欠陥が生ずる可能性は低く、その欠陥の少ない無機材料層２５（レジスト）を用いてウエットエッチングするので電極の断線等を抑制することができた。
【００４３】
また、この電極形成プロセスでは、Cr層をアルカリ性の水溶液によりエッチングしている。従来、ホトリソ工程を用いて耐アルカリ性の有機レジストで形成する場合、耐アルカリ性の有機レジストに対する現像液、剥離液が高価かつ公害の原因となっていたが、本プロセスでは無機レジストを用いるため電極や誘電体等との反応が少ないことから剥離する必要が無くなり剥離液が不要となった。またホトリソ工程の代わりにブラスターを用いて無機レジストを形成するので耐アルカリ性の有機レジストに対する現像液を使用することもなくなった。すなわち、従来の耐アルカリ性の有機レジストに対する現像液や剥離液の問題はなくなった。
【００４４】
次に、図２は背面基板上にアドレス電極を形成する第二の実施の形態である。
【００４５】
図１では、Cu層１１bのエッチングにおいて無機材料層２５（ITO層）のピンホール等の欠陥部にCu層のエッチング液が微量に残り、後工程でCu層を浸食する場合があることが分かった。従って、図２では、以下のようなプロセスにより電極を形成した。
【００４６】
まず、図１と同様のプロセスを経て、Cr層１１aをエッチングする（ステップ(a)〜(e)）。
【００４７】
次に、無機材料層２５（ITO層）上にCu用エッチング液に対して浸食されないホトレジスト２６（ドライフィルムレジスト）をラミネートした後（ステップ(f)）、無機材料層２５（ITO層）を覆うようなパターンに露光・現像する（ステップ(g)）。その後、ホトレジスト２６（ドライフィルムレジスト）の露光されていない部分を除去し（ステップ(h)）、図１と同様のエッチング液によりCu層１１bのエッチングを行う（ステップ(I)）。そして、ホトレジスト２６（ドライフィルムレジスト）を剥離する（ステップ(j)）。その後のプロセスは図１と同様に行う。
【００４８】
これによって、無機材料層２５（ITO層）のピンホール等の欠陥にCu用エッチング液が残るとが無くなり、後工程においてCu層が浸食されることを抑制できた。
【００４９】
次に、図３は背面基板上にアドレス電極を形成する第三の実施の形態である。
【００５０】
図１とは、炭酸カルシウムによるブラスト処理を無機材料層２５（ITO層）だけでなく、Cr層１１aまで行い（ステップ(d)）、 Cu層１１bをエッチングした後（ステップ(e)）、ホトレジスト２６（ドライフィルムレジスト）を剥離する（ステップ(f)）点が相違し、その他は同様である。従って、ホトレジスト２６（ドライフィルムレジスト）は、Cu層１１bのエッチング液に対してエッチングされない材料を選定した。
【００５１】
これによってCr層１１aをエッチングする工程が無くなり、電極形成プロセスを簡略化することができた。また、ブラスト法の効率とウエットエッチング法の効率とを考えても、Cu層１１b の材料特性と膜厚からして、Cr層１１aまでをブラスト法で加工することが好ましい。このようにブラスト法等のドライエッチング法とウエットエッチング方とを組み合わせて電極を形成することは、プロセスの簡略化や電極の断線不良に対して有効である。
【００５２】
次に、図４は背面基板上にアドレス電極を形成する第四の実施の形態である。
【００５３】
図４は、ホトリソ工程を用いずに電極を形成した例である。
【００５４】
まず、ガラス基板１０にCr層１１c、Cu層１１b、Cr層１１a、無機材料層２５となるITO層を順次スパッタ成膜する（ステップ(a)）。
【００５５】
次に、所望の電極パターンとなるようにレーザーを用いて無機材料層２５（ITO層）の除去を行う（ステップ(b)）。
【００５６】
その後は、図１と同様にCr層１１a、Cu１１b、Cr１１cを順にエッチングして電極配線を形成する（ステップ(c)〜(e)）。
【００５７】
このようにレーザーを用いれば図１〜図３に示すようなホトリソ工程無しにレジストを形成することができ、電極形成プロセスを大幅に簡略化することができた。また、電極を形成するためのマスクも不要となった。
【００５８】
ホトリソ工程が無くなることにより、異物等が付着して生ずる未露光部分によるレジスト欠陥が無くなるので、そのレジスト欠陥が原因で生ずるウエットエッチング時の断線不良等を抑制することができた。すなわち、異物に強い電極形成プロセスを実現することができた。
【００５９】
なお、図３のようにCr層１１aまでをレーザーによって加工しても良い。これはCr層の厚さからしても実現可能であり、また、実際に高精度に加工することができた。そのプロセスを図５に示す通りである。
【００６０】
図４、図５のプロセスでは、Cu層１１bのエッチングにおいて無機材料層２５（ITO層）のピンホール等の欠陥部にCu層のエッチング液が微量に残り、後工程でCu層を浸食する場合があることが分かった。従って、図６では、この点を解決するために以下のようなプロセスにより電極を形成した。なお、図６では、図５のプロセスを対象として説明する。
【００６１】
まず、ガラス基板１０にCr層１１c、Cu層１１b、Cr層１１aを順次スパッタ成膜した後、無機材料層２５となるITO層、 Cu層１１bのエッチング液に対して浸食されないレジスト２７を形成する（ステップ(a)）。
【００６２】
次に、所望の電極パターンとなるようにレーザーを用いてレジスト２７、無機材料層２５Cr層１１aを除去する（ステップ(b)）。このようにレジスト２７はレーザーによって形成するので、従来のホトリソ工程で用いるような感光性の材料である必要はない。
【００６３】
次に硫酸第二鉄と硫酸からなる水溶液を用いてレジスト２７を用いてCu層１１bのエッチングを行う（ステップ(c)）。このとき、無機材料層２５上にはレジスト２７があるので、無機材料層２５は浸食されにくい。
【００６４】
その後、レジスト２７を剥離し、過マンガン酸カリウムとメタケイ酸ナトリウムからなる水溶液を用いてCr層１１cのエッチングを行う（ステップ(d)）。レジスト２７はステップ(e)後に剥離しても良い。
【００６５】
以上のプロセスにより、サイドエッチ等による断線不良の少ないCr/Cu/Cr/ITOの構成の電極配線を得ることができた（ステップ(e)）。
【００６６】
これによって、無機材料層２５（ITO層）にCu用エッチング液が残ることが無くなり、後工程においてCu層が浸食されることを抑制することができた。
【００６７】
次に、サイドエッチなどが少なく、これまでの実施例に比べてさらに工程を削減した低コストの電極について説明する。
【００６８】
図１０はスパッタリング等による成膜回数を低減し，さらに低コストを目的として電極を形成した例である。
【００６９】
まず，ガラス基板１０にCr層１１c，Cu層１１b，無機材料層２５となるNiとCrの合金層を順次スパッタする（ステップ(a)）。 なお、NiとCrの合金層であれば、後のCr層１１ｂとCu層１１ｃとの選択エッチングが可能である。また、レーザ加工も容易な材料である。
【００７０】
次に，所望の電極パターンとなるようにレーザを用いて無機材料層２５（NiとCrの合金層）の除去を行う（ステップ(b)）。当然、前述の実施例のようにブラスト加工でも良い。
【００７１】
その後は，図３と同様にCu層１１b，Cr層１１cを順にエッチングして電極配線を形成する（ステップ(c) 〜(d)）。
【００７２】
この電極構成であれば、これまでの実施例に記載したＣｒ層１１ａが不要となるので、そのＣｒ層１１ａの成膜工程などを省略でき、コストをさらに低減することが可能となる。また、Ｃｒ層１１ｃと、Ｃｕ層１１ｂと、ＮｉとＣｒの合金層とで構成される電極は、サイドエッチなどによる断線防止の他、Ｃｒ層１１ｃによる基板10との接着力、Ｃｕ層１１ｂによる低抵抗化、 ＮｉとＣｒの合金層による誘電体層（図示せず）との反応防止を実現できるので、プラズマデスプレイパネルに要求される条件を満足することができる。なお、ＮｉとＣｒの合金層に代えて、 SiO2、ITO、Si、Ｎｉなどでも良い。
【００７３】
同様に、図１１はスパッタリング等による成膜回数を低減するとともに，Cｒ層を厚くすることにより無機材料層２５として用いて電極を形成した例である。
【００７４】
まず，ガラス基板１０にCr層１１c，Cu層１１b，無機材料層２５となる厚いCr層を順次スパッタする（ステップ(a)）。Ｃｒ層２５は、Ｃｒ層１１ｃの３倍以上の厚さであることが、後述するプロセス条件の設定を容易にする上で好ましい。
【００７５】
次に，所望の電極パターンとなるようにレーザを用いて無機材料層２５（厚いCr層）の除去を行う（ステップ(b)）。当然、前述の実施例のようにブラスト加工でもよい。
【００７６】
その後は，図３と同様にCu層１１b，Cr層１１cを順にエッチングして電極配線を形成する（ステップ(c) 〜(d)）。
【００７７】
この場合，Cr層１１cをエッチングすると無機材料層２５（厚いCr層）もエッチングされて膜減りを起こすが，Cr層１１cより無機材料層２５が十分に厚くすることにより信頼性上問題のない電極を形成できた。また、無機材料層２５を厚くすることで、無機材料層２５にピンホールが形成されにくくなるので、Ｃｒ層１１ｂの表面のエッチング液の残査が少なくなり、このエッチング残査により後工程においてＣｕ層を侵食することを防ぐことができる。
【００７８】
このようにＣｒ層２５を厚くすれば、下層のＣｕ層１１ｂやＣｒ層１１ｃのエッチングに対して選択性がなくても、これまでのようにレーザ加工などのドライエッチングと、ウエットエッチングとを組み合わせた電極形成が可能となる。
【００７９】
次に、これまで説明してきた電極形成プロセスを用いて形成したガス放電型表示パネルの一例を図７を用いて説明する。
【００８０】
図７は、ガス放電型表示パネルを示したものであり、図７（a）はアドレス電極に平行な断面図を示したものであり、（b）はアドレス電極に垂直な断面図を示したものである。また、前述の電極形成プロセスを前面基板、背面基板のいずれにも適用している。
【００８１】
図において、１０は背面ガラス基板、１１はアドレス電極、１２はSiO2等の薄膜誘電体層、１３は厚膜誘電体層、１４は前面ガラス基板、１５はITO等の透明電極、１６はCr‐Cu‐Cr等のバス電極、１７はSiO2等の薄膜誘電体層、１８は厚膜誘電体層、１９はMgO等の保護膜、２０は封着部材、２１は外部回路からの電極、２２は導電粒子を含む異方性導電シート、２３は隔壁、２４は蛍光体層、２５は電極形成時のレジストとなる無機材料層である。
【００８２】
前面基板は以下のように形成した。
【００８３】
まず、ガラス基板１４上に透明電極１５を形成する。透明電極１５はウエットエッチング、ブラスター、レーザーのいずれかを用いて形成すれば良いが、プロセスを簡略化するにはレーザーを用いて形成することが好ましい。次に前述の本発明の電極形成プロセスを用いて透明電極１５上にバス電極１４を形成する。このとき、前述の無機材料層２５はバス電極１６上に存在する。次に、透明電極１５、バス電極１６を少なくとも覆うように薄膜誘電体層１７を形成する。例えば、パネル全面に薄膜誘電体層１７を形成する。次に、この薄膜誘電体層１７上に厚膜印刷法により厚膜誘電体層１８を形成する。次に、この厚膜誘電体層１８上にMgO等の保護膜１９を蒸着させて形成する。前面基板の場合、バス電極１６下に透明電極１５を形成している。一般にこの透明電極１５はITO層である。従って、前述の本発明の電極形成プロセスを応用して、透明電極１５と無機材料層２５を含むバス電極１６とを一連のウエットエッチング工程で形成しても良い。この場合、ITO/Cr/Cu/Cr/ITOを順次形成し、前述の本発明の電極形成プロセスのいずれかを用いてバス電極１６となるCr/Cu/Cr/ITOを形成する。その後、透明電極１５となるITO層を所望のパターンとなるようなレジストを形成し、このレジストを用いてITO層をエッチングし、レジストを剥離することで透明電極１５およびバス電極１６を形成することができる。無機材料層２５はSiO２やＮｉとＣｒの合金層であっても良い。
【００８４】
一方、背面基板は以下のように形成した。
【００８５】
まず、ガラス基板１０上にアドレス電極１１を前述の本発明の電極形成プロセスを用いて形成する。次に、アドレス電極１１を少なくとも覆うように薄膜誘電体層１２を形成する。例えば、パネル全面に薄膜誘電体層１２を形成する。次に、この薄膜誘電体層１２上に厚膜印刷法により厚膜誘電体層１３を形成する。次に、この厚膜誘電体層１３上に隔壁２３を形成し、さらに蛍光体層２４を印刷法により形成する。この隔壁は、アドレス電極に平行なストライプ状に形成しても、表示セルを囲むような格子状に形成しても良い。
【００８６】
このようにして、形成された前面基板と背面基板とは位置合わせした後、封着部材２１により封止した。封止された空間には希ガスが混入されている。また、外部回路からの電極２１は、接続プロセスを簡略化するため、前面基板と背面基板がそれぞれ有する外部接続端子と異方性導電性シートを介して接続する。
【００８７】
このように無機材料層２５は、アドレス電極１１と誘電体層１８、バス電極１６と誘電体層１３との反応が問題とならないので剥離せずに残すことができる。これによってアドレス電極１１と誘電体層１８、バス電極１６と誘電体層１３との反応を抑制してアドレス電極１１やバス電極１６の浸食を抑制することも可能となった。従って、図中の薄膜誘電体層１２は形成しなくとも問題はない。
【００８８】
このようにバス電極やアドレス電極をCr/Cu/Cr/ITO層もしくはCr/Cu/Cr/SiO２層もしくはCr/Cu/Cr/ＮｉとＣｒの合金層として形成すれば、結果として様々な原因による断線不良を低減することができた。
【００８９】
なお、さらに断線不良を低減するには、Cr層１１a、Cu層１１b、Cr層１１cのいずれかで異なるレジストを用いて形成すれば良い。また、無機材料層を２層で構成し、Cr/Cu/Cr/ITO/SiO２層としても良い。
【００９０】
これまで説明してきた実施の形態においては、Cr/Cu/Cr電極配線をCr/Al/Cr、Ag、Ni、Au、Al等に置き換えても同様の効果が得られるのは言うまでもない。すなわち、ガス放電型表示パネルに要求される配線抵抗を満足する材料で有れば同様の効果が得られることは言うまでもない。また、アドレス電極に限らず、図７に示すように、前面基板のバス電極を形成しても同様の効果が得られるのは言うまでもない。また、ガス放電型表示パネルに限らず、電極をウエットエッチングにより形成する配線基板等の全てにおいて適用できることは言うまでもない。
【００９１】
また、無機材料層２５（レジスト）であれば、ブラスターやレーザーを用いた形成方法でなくともレジスト界面での電極の浸食を抑制できることは言うまでもない。逆に、レジストをブラスターやレーザーを用いて形成すれば、レジストが無機材料でなくともレジスト欠陥を抑制できることは言うまでもない。
【００９２】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、配線基板やガス放電型表示装置に形成する電極の断線不良を抑制することができる。特に、電極をウエットエッチングにより形成する場合の断線不良を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態を示すプロセス図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態を示すプロセス図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態を示すプロセス図である。
【図４】本発明の第４の実施の形態を示すプロセス図である。
【図５】本発明の第５の実施の形態を示すプロセス図である。
【図６】本発明の第６の実施の形態を示すプロセス図である。
【図７】本発明のガス放電型表示装置を示す断面図である。
【図８】従来のプロセス図である。
【図９】従来のガス放電型表示装置を示す断面図である。
【図１０】本発明の第７の実施の形態を示すプロセス図である。
【図１１】本発明の第８の実施の形態を示すプロセス図である。
【符号の説明】
１０…背面ガラス基板，１１…アドレス電極，１２…薄膜誘電体層，１３…厚膜誘電体層，１４…前面ガラス基板，１５…表示電極，１６…バス電極，１７…薄膜誘電体層，１８…厚膜誘電体層，１９…保護膜，２０…封着材，２１…外部回路用電極，２２…異方性導電シート，２３…隔壁，２４…蛍光体層，２５…無機材料層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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