(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を載置面に載置して前記基板を加熱処理する加熱プレートと、
静電気を除去する性質を有する蒸気を前記基板と前記加熱プレートとの接触面間に供給するための機構とを備え、
前記加熱プレートが、ヒータが埋設された下段部と、前記蒸気または前記蒸気を発生させる溶媒が供給される流路が形成された中段部と、前記基板と直接に接する上段部とから構成され、
前記流路に連通して形成された流出孔から、前記上段部において前記流出孔に連通して形成された吐出孔を経て、前記蒸気が吐出され、
前記中段部が保水体からなり、前記保水体に前記蒸気を発生させる溶媒を浸透させて蒸発させることにより、前記上段部から前記蒸気を吐出させることを特徴とする加熱処理装置。
【請求項２】
前記吐出孔および／または前記流出孔を所定のタイミングで開閉する弁機構が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の加熱処理装置。
【請求項３】
前記上段部が多孔質金属もしくは多孔質セラミックスからなり、前記多孔質金属もしくは多孔質セラミックスの気孔が前記吐出孔を兼ねることを特徴とする請求項１に記載の加熱処理装置。
【請求項４】
前記保水体に前記流路を形成することなく、毛細管現象によって前記蒸気を発生させる溶媒が前記保水体へ浸透供給されることを特徴とする請求項１乃至請求項３いずれか一項に記載の加熱処理装置。
【請求項５】
前記保水体が、多孔質セラミックスもしくは多孔質金属であることを特徴とする請求項１乃至請求項４いずれか一項に記載の加熱処理装置。
【請求項６】
前記蒸気が、水蒸気、またはエタノールと水の混合蒸気であることを特徴とする請求項１乃至請求項５いずれか一項に記載の加熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、たとえばレジスト膜が表面に形成された液晶表示装置（ＬＣＤ）基板や半導体基板の熱処理に用いられる加熱処理装置に関する。
【０００２】
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の製造における、たとえば、電極パターンの形成等の工程においては、ガラス製の矩形のＬＣＤ基板にフォトレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、各種パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィ技術により所定のパターンが形成される。
【０００３】
フォトリソグラフィ技術を用いたこれら一連の処理工程においては、レジスト塗布後にレジスト膜と基板との密着性を向上させるための加熱処理（プリベーク）や、現像後の加熱処理（ポストベーク）等の加熱処理が行われている。このような加熱処理を行う装置としては、通常、ヒータによって加熱される加熱プレート（ホットプレート）を備えてなるホットプレートユニットが用いられる。
【０００４】
ホットプレートユニットを用いた基板等の加熱処理においては、一般的に、図１０に示すように、まず機械搬送された基板６１が加熱プレート６２から突出するように設けられた昇降ピン６３上に載置される。次に、基板６１が加熱プレート６２の載置面に設けられたプロキシミティピン６４上に支持されるように、昇降ピン６３を降下させる。基板６１には、こうして加熱プレート６２上に載置された状態で、所定時間、所定温度の熱処理が施される。終了後には、再び昇降ピン６３を上昇させることにより基板６１は持ち上げられ、次工程へと搬送される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、基板をプロキシミティピン上に配設する１つの大きな理由は、基板を加熱プレートの載置面に直接に接するように載置（以下、「直接載置」と記す。）した場合には、加熱処理が終了した後に基板を持ち上げる際に、基板と加熱プレートとの間に発生している静電気によって基板が損傷を受けることを回避するというものである。
【０００６】
しかしながら、通常は平面を定めるように３本ほど設けられているプロキシミティピン上に基板を載置した場合には、基板の自重によって基板に反りが生ずる問題があり、この反りは、基板が大型化するにつれて顕著となり易く、歩留まりの低下を引き起こす等の極めて大きな問題となる。
【０００７】
また、プロキシミティピン上に基板を載置した場合の基板の温度均一性は、加熱プレートに直接載置した場合よりも劣るものであり、今後、基板の大型化や基板に形成されるパターンの細密化が進行した場合には、基板により均一な温度分布を実現する必要が生ずるものと考えられる。
【０００８】
本発明は、上述した従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、現状のみならず、将来的な基板の大型化や基板に形成するパターンの細密化に対応できるように、また、基板の静電気による破損を回避して生産歩留まりを低下させることなく、基板の加熱プレートへの直接載置を実現することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明によれば、基板を載置面に載置して前記基板を加熱処理する加熱プレートと、静電気を除去する性質を有する蒸気を前記基板と前記加熱プレートとの接触面間に供給するための機構とを備え、前記加熱プレートが、ヒータが埋設された下段部と、前記蒸気または前記蒸気を発生させる溶媒が供給される流路が形成された中段部と、前記基板と直接に接する上段部とから構成され、前記流路に連通して形成された流出孔から、前記上段部において前記流出孔に連通して形成された吐出孔を経て、前記蒸気が吐出され、前記中段部が保水体からなり、前記保水体に前記蒸気を発生させる溶媒を浸透させて蒸発させることにより、前記上段部から前記蒸気を吐出させることを特徴とする加熱処理装置、が提供される。
上記構成により、加熱プレートに直接載置された基板を持ち上げる際には、吐出される蒸気によって、基板と加熱プレートとの間の静電気が除去されるため、基板の破損が回避されるとともに、基板は加熱プレートに直接載置されて熱処理されることから、自重による反りの発生が防止され、また、基板温度の均一性をより高めた処理が可能となる。
さらに、上記加熱処理装置では、加熱プレートが、ヒータが埋設された下段部と、蒸気または蒸気を発生させる溶媒（以下、「溶媒」という。）が供給される流路が形成された中段部と、基板と直接に接する上段部から構成され、流路に連通して形成された流出孔から、上段部において流出孔（中段部に形成されたもの）に連通して形成された吐出孔を経て、蒸気を吐出させる構造のものが挙げられる。なお、下段部、中段部、上段部は、その構成上の要件を示すものであり、実体において必ずしも明確に区別されるものではなくともよい。つまり、各部は一体的に形成されていても構わない。
さらに、中段部を保水体で形成し、この保水体に溶媒を浸透させて、下段部から供給される熱によって溶媒を蒸発させることにより、上段部から蒸気を吐出させることも可能である。中段部を保水体から形成した場合には、保水体の有する気孔を利用して、毛細管現象によって溶媒を保水体へ浸透供給する方法を用いることが可能となる。この場合には、流路の形成を必要としない点で、部材の製造上有利であり、また中段部から上段部への溶媒または蒸気の供給を均一に行うことが可能となる。保水体としては、多孔質セラミックスもしくは多孔質金属が好適に用いられる。
【００１１】
このような加熱処理装置においては、上段部に形成された吐出孔および／または流路に連通するように形成された流出孔を所定のタイミングで開閉する弁機構を設けることも好ましい。つまり、静電気の除去を行うことが必要なとき、すなわち基板を加熱プレートから離すときだけに、蒸気を吐出させることができるように、構成することも好ましい。こうして、加熱処理雰囲気を不要に多湿とすることなく、また、使用する蒸気または溶媒の量も低減することができ、ヒータの電力消費を低減することにも寄与する。
【００１２】
また、上段部を多孔質金属もしくは多孔質セラミックスから構成すると、多孔質金属もしくは多孔質セラミックスの気孔が吐出孔を兼ねることから、吐出孔を設けた場合よりも表面からの均一な蒸気の吐出が可能となり、また、別途、吐出孔を設けなくともよいことから、加工コストの低減もまた図られる。
【００１５】
静電気を除去する機能を有する蒸気としては、たとえば、水蒸気、またはエタノールと水の混合蒸気が挙げられる。この他、蒸気源となる溶媒として、電気伝導性を有し、かつ沸点が低いものを用いると、蒸気の発生に要するエネルギを抑えることが可能となり、好ましい。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１は、本発明の加熱処理装置が好適に適用されるＬＣＤ基板（以下、「基板」と記す。）のレジスト塗布・現像処理システム（以下、「処理システム」と記す。）を示す平面図であり、まず、この処理システムについて概説することとする。
【００１８】
この処理システムは、複数の基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション１と、基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部２と、露光装置（図示せず。）との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイス部３とを備えており、処理部２の両端にそれぞれカセットステーション１およびインターフェイス部３が配置されている。
【００１９】
カセットステーション１は、カセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬送を行うための搬送機構１０を備えている。そして、カセットステーション１においてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機構１０はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路１０ａ上を移動可能な搬送アーム１１を備え、この搬送アーム１１によりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬送が行われる。
【００２０】
処理部２は、前段部２ａと中段部２ｂと後段部２ｃとに分かれており、それぞれ中央に搬送路１２・１３・１４を有し、これら搬送路の両側に各処理ユニットが配設されている。そして、これらの間には中継部１５・１６が設けられている。
【００２１】
前段部２ａは、搬送路１２に沿って移動可能な主搬送装置１７を備えており、搬送路１２の一方側には、２つの洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ・２１ｂが配置されており、搬送路１２の他方側には紫外線照射ユニット（ＵＶ）と冷却ユニット（ＣＯＬ）とが２段に重ねられた処理ブロック２５、加熱処理ユニット（ＨＰ）が２段に重ねられてなる処理ブロック２６および冷却ユニット（ＣＯＬ）が２段に重ねられてなる処理ブロック２７が配置されている。
【００２２】
また、中段部２ｂは、搬送路１３に沿って移動可能な主搬送装置１８を備えており、搬送路１３の一方側には、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２および基板Ｇの周縁部のレジストを除去する周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２３が一体的に設けられており、搬送路１３の他方側には、加熱処理ユニット（ＨＰ）が２段に重ねられてなる処理ブロック２８、加熱処理ユニット（ＨＰ）と冷却処理ユニット（ＣＯＬ）が上下に重ねられてなる処理ブロック２９、およびアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）と冷却ユニット（ＣＯＬ）とが上下に重ねられてなる処理ブロック３０が配置されている。
【００２３】
さらに、後段部２ｃは、搬送路１４に沿って移動可能な主搬送装置１９を備えており、搬送路１４の一方側には、３つの現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ・２４ｂ・２４ｃが配置されており、搬送路１４の他方側には加熱処理ユニット（ＨＰ）が２段に重ねられてなる処理ブロック３１、およびともに加熱処理ユニット（ＨＰ）と冷却処理ユニット（ＣＯＬ）が上下に重ねられてなる処理ブロック３２・３３が配置されている。
【００２４】
なお、処理部２は、搬送路を挟んで一方の側に洗浄処理ユニット２１ａ、レジスト処理ユニット２２、現像処理ユニット２４ａのようなスピナー系ユニットのみを配置しており、他方の側に加熱処理ユニットや冷却処理ユニット等の熱系処理ユニットのみを配置する構造となっている。
【００２５】
また、中継部１５・１６のスピナー系ユニット配置側の部分には、薬液供給ユニット３４が配置されており、さらに主搬送装置のメンテナンスを行うためのスペース３５が設けられている。
【００２６】
主搬送装置１７・１８・１９は、それぞれ水平面内の２方向のＸ軸駆動機構、Ｙ軸駆動機構、および垂直方向のＺ軸駆動機構を備えており、さらにＺ軸を中心に回転する回転駆動機構を備えており、それぞれ基板Ｇを支持するアーム（図示せず。）を有している。
【００２７】
主搬送装置１７は、搬送機構１０のアーム１１との間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、前段部２ａの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらには中継部１５との間で基板Ｇの受け渡しを行う機能を有している。また、主搬送装置１８は中継部１５との間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、中段部２ｂの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらには中継部１６との間の基板Ｇの受け渡しを行う機能を有している。さらに、主搬送装置１９は中継部１６との間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、後段部２ｃの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらにはインターフェイス部３との間の基板Ｇの受け渡しを行う機能を有している。なお、中継部１５・１６は冷却プレートとしても機能する。
【００２８】
インターフェイス部３は、処理部２との間で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエクステンション３６と、さらにその両側に設けられた、バッファーカセットを配置する２つのバッファステージ３７と、これらと露光装置（図示せず。）との間の基板Ｇの搬入出を行う搬送機構３８とを備えている。搬送機構３８はエクステンション３６およびバッファステージ３７の配列方向に沿って設けられた搬送路３８ａ上を移動可能な搬送アーム３９を備え、この搬送アーム３９により処理部２と露光装置との間で基板Ｇの搬送が行われる。
【００２９】
このように各処理ユニットを集約して一体化することにより、省スペース化および処理の効率化を図ることができる。
【００３０】
このように構成された処理システムにおいては、カセットＣ内の基板Ｇが、処理部２に搬送され、処理部２では、まず、前段部２ａの処理ブロック２５の紫外線照射ユニット（ＵＶ）で表面改質・洗浄処理が行われ、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）で冷却された後、洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ・２１ｂでスクラバー洗浄が施され、処理ブロック２６のいずれかの加熱処理ユニット（ＨＰ）で加熱乾燥された後、処理ブロック２７のいずれかの冷却ユニット（ＣＯＬ）で冷却される。
【００３１】
その後、基板Ｇは中段部２ｂに搬送され、レジストの定着性を高めるために、処理ブロック３０の上段のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）にて疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）され、下段の冷却処理ユニット（ＣＯＬ）で冷却後、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２でレジストが塗布され、周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２３で基板Ｇの周縁の余分なレジストが除去される。その後、基板Ｇは、中段部２ｂの中の加熱処理ユニット（ＨＰ）の１つでプリベーク処理され、処理ブロック２９または３０の下段の冷却ユニット（ＣＯＬ）で冷却される。
【００３２】
その後、基板Ｇは中継部１６から主搬送装置１９にてインターフェイス部３を介して露光装置に搬送されてそこで所定のパターンが露光される。そして、基板Ｇは再びインターフェイス部３を介して搬入され、必要に応じて後段部２ｃの処理ブロック３１・３２・３３のいずれかの加熱処理ユニット（ＨＰ）でポストエクスポージャーベーク処理を施した後、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ・２４ｂ・２４ｃのいずれかで現像処理され、所定の回路パターンが形成される。現像処理された基板Ｇは、後段部２ｃのいずれかの加熱処理ユニット（ＨＰ）にてポストベーク処理が施された後、いずれかの冷却ユニット（ＣＯＬ）にて冷却され、主搬送装置１９・１８・１７および搬送機構１０によってカセットステーション１上の所定のカセットに収容される。
【００３３】
次に、上述した処理システムに適用される本発明の加熱処理装置（前述の加熱処理ユニット（ＨＰ）と同義であり、以下、「ＨＰユニット」と記す。）の実施の形態について、図面を参照しながら詳述する。図２は本発明のＨＰユニットの一実施形態を示す断面図であるが、ここで図２はＨＰユニットの概略構成を示すものであって、ＨＰユニットを構成する種々の部材については、適宜、構成や形状等の変更が可能であることはいうまでもない。
【００３４】
ＨＰユニット５２には、主搬送装置１７・１８・１９の搬送アームにより搬入された基板Ｇを加熱処理する処理室４０が形成されており、処理室４０には、基板Ｇを加熱する発熱体（図示せず。）を内蔵した加熱プレート４２が備えられている。そして、加熱プレート４２の外周側には、加熱プレート４２の周辺部を包囲するシャッタ４３が備えられている。
【００３５】
シャッタ４３は、昇降シリンダ４４の作動により上下動自在であり、シャッタ４３が上昇した際には、シャッタ４３と上部中央に排気口４５を有するカバー４６から垂下したストッパ４７とが接触して、処理室４０内が気密に維持されるように構成されている。また、ストッパ４７には、給気口が設けられており、この給気口から処理室４０に内に流入した空気は排気口４５から排気されるように構成されている。なお、この給気口から流入された空気は処理室４０内の基板Ｇに直接に触れないために、基板Ｇを所定の処理温度で加熱処理することができるように構成されている。
【００３６】
処理室４０内には、基板Ｇを支持可能な昇降ピン４８が備えられている。昇降ピン４８は、一般的には基板Ｇを安定した平面で保持して昇降できるように３本ほど設けられ、また、モータ４９等の駆動で上下動自在に形成されており、基板Ｇを２点鎖線で示す位置で支持することができる構造となっている。
【００３７】
二点鎖線で示される昇降ピン４８が上昇した状態から下降させると、基板Ｇは実線で示される位置において、加熱プレート４２上に直接に載置されることとなる。この点、先に図１０に示したような、プロキシミティピン上に載置される場合と異なる。
【００３８】
本発明においては、基板Ｇを加熱プレート４２に直接載置しても、基板Ｇと加熱プレート４２の載置面の間、すなわち接触面間に、静電気を除去する性質を有する蒸気を供給する機構が備えられる。これにより、基板の静電気による破損を招くことなく、基板の加熱プレートへの直接載置と昇降が可能となる。このような蒸気の供給機構は、好適には加熱プレートに配設される。以下、この具体的な形態について説明する。
【００３９】
図３は蒸気供給機構を備えた加熱プレート７０の一実施形態を示す断面図である。ここで、図３（ｂ）は図３（ａ）中のＡＡ線を通り紙面に垂直な面での断面図であり、逆に、図３（ｂ）のＢＢ線を通り紙面に垂直な面を示す断面図が図３（ａ）である。加熱プレート７０は、ヒータ７４が埋設された下段部７１と、溶媒が供給される流路７５が形成された中段部７２と、基板Ｇと直接に接する上段部７３から構成されている。なお、図３の各図では、昇降ピン及び昇降ピンの配設の為に加熱プレートに形成される貫通孔は省略されているが、中段の流路を貫通しない位置において、昇降ピンを配設することができる。
【００４０】
下段部７１は、従来から使用されている加熱プレートと同様の構成とすることができ、アルミニウムや窒化アルミ等の熱伝導性に優れた材料に、ヒータ７４を埋設して構成することができる。また、中段部７２や上段部７３も、熱伝導性に優れた材料、すなわち温度均一性の確保が容易である材料を用いて形成することが好ましい。従って、下段部７１と同じ材料が好適に用いられる。つまり、下段部７１、中段部７２、上段部７３は、その構成・構造により区別される概念であり、加熱プレート７０において、その境界は必ずしも明確である必要はない。
【００４１】
中段部７２に形成された流路７５は、たとえば、中段部７２がアルミニウムからなる場合には、成形型にアルミニウムよりも高融点である金属パイプを配置して、溶融したアルミニウムを成形型に流し込んで固化させる方法等を用いて形成することができる。また、その他材料を問わず、板状体等の表面に溝加工を施した材料を貼り合わせる方法によって、溝そのものを流路とすることも可能である。さらに、溝形状にあったパイプをその溝に埋設する形で、材料を貼り合わせてもよい。
【００４２】
中段部７２には、流路７５と連通する流出孔７６が形成されており、流出孔７６は、上段部７３において形成されている吐出孔７７と連通している。従って、流路７５に供給された蒸気を発生させる溶媒（以下、「溶媒」と記す。）は、少なくとも中段部７２で温められて、少なくとも一部は蒸気となり、流出孔７６を経て吐出孔７７から吐出される。ここで、溶媒が流路７５を流れるときの圧力を利用して、液体の状態で所定量を流出孔７６から流出させ、中段部７２および上段部７３の熱によって、蒸気を発生させてもよい。
【００４３】
なお、供給される溶媒が中段部７２における流路７５の入り口側での温度を低下させることのないように、溶媒は、中段部７２の入り口前で所定の温度に温められていることが好ましい。流路７５から排出された溶媒は、再供給に利用することができる。
【００４４】
使用される溶媒は、中段部７２の温度、すなわち加熱プレート７０の温度よりも沸点の低いものを用いると、自然蒸発により蒸気が発生することから好ましい。逆に、加熱プレート７０の温度よりも沸点の高い溶媒を用いる場合には、蒸気が発生するように別途ヒータを設け、また、加熱プレート７０全体の温度が上昇しないように適所に断熱材を配し、さらに蒸気が吐出孔７７から結露することなく吐出される構造とする必要がある。
【００４５】
蒸気はまた静電気を除去できる性質を有していなければならない。そこで、本発明においては、溶媒として水、つまり蒸気として水蒸気が好適に用いられるが、水にエタノールを混合させた混合溶媒を用いることもできる。
【００４６】
図３に示される加熱プレート７０においては複数の流出孔７６および吐出孔７７が形成されているが、各吐出孔７７から吐出される蒸気の量は、基板Ｇの温度均一性が確保される限りにおいて、必ずしも同じである必要はない。その一方で、流出孔７６および吐出孔７７の径を、流路７５の圧損を考慮して異ならしめることにより、ほぼ同等の吐出量を確保することも可能である。また、流出孔７６および吐出孔７７の数は１カ所ずつでも足りる。さらに、図３に示されるように、加熱プレート７０においては、中段部７２に形成された流路は１本のみであるが、図４の断面図（図３（ｂ）と同様。）に示すように、多数本の流路７５から構成してもよい。
【００４７】
上述した加熱プレート７０では、その構造上、常時蒸気を発生させていることとなるが、上段部７３に形成された吐出孔７７を所定のタイミングで開閉する弁機構を設け、蒸気の吐出量を制御すること好ましい。たとえば、図５の断面図に示す加熱プレート８０のように、上段部７３にスライド機構７８を設けて、通常の状態では吐出孔７７を閉塞した状態としておき、基板Ｇを取り外す際に吐出孔７７を連通させて、蒸気を基板Ｇと上段部７３との接触面へ吐出させることも好ましい。この場合には、加熱処理雰囲気を不要に多湿とすることなく、また、使用する溶媒量も低減することができ、ヒータの電力消費を低減も図られる。
【００４８】
次に、図６は、蒸気の供給機構を有する加熱プレート８１の別の実施形態を示した断面図である。加熱プレート８１の下段部７１および中段部７２の構成は、前述した図３記載の加熱プレート７０の場合と同じであるが、加熱プレート８１においては、上段部７９が多孔質金属もしくは多孔質セラミックスから構成されている。
【００４９】
このように、上段部７９を多孔質体から構成すると、多孔質体の気孔が吐出孔を兼ねることから、緻密体に吐出孔を設けた場合よりも表面からの均一な蒸気の吐出が可能となる。また、別途、吐出孔を設けなくともよいことから、加工コストの低減も図られる。このような多孔体を用いてもその気孔径は大きなものではないことから、基板Ｇの温度均一性に悪影響を与えることはない。多孔質金属としては、多孔質アルミニウム等が好適に用いられ、多孔質セラミックスとしては、多孔質窒化アルミ等が好適に用いられる。
【００５０】
図７の断面図は、本発明のさらに別の実施形態である加熱プレート８２を示す断面図である。加熱プレート８２の下段部７１は前述した加熱プレート７０・８０・８１と同じであり、上段部としては、前述した加熱プレート７０・８０・８１の上段部７３・７９のいずれの形態をも用いることができる。図７においては、上段部として多孔質体からなる上段部７９が記載されている。
【００５１】
加熱プレート８２の中段部８３は、保水体で形成されており、この保水体に溶媒を浸透させて、下段部７１から供給される熱によって浸透した溶媒を蒸発させることにより、上段部７９から蒸気を吐出させることが可能となっている。保水体への溶媒の供給は、適所に孔が形成されている配管を保水体内に埋設して、この孔から流出させる方法や、保水体の有する気孔を利用して、毛細管現象によって溶媒を浸透させる方法を用いることが可能である。
【００５２】
これらの溶媒供給方法のうち、特に後者の方法は、配管の埋設等の流路の形成を必要としない点で、部材の製造上有利である。また、保水体への溶媒供給箇所を複数設けることも容易である。さらに、上段部７９が多孔質体からなる場合には、中段部８３から上段部７９への溶媒または蒸気の供給を均一に行うことも可能となる。保水体としては、多孔質窒化アルミ等の多孔質セラミックスや、多孔質アルミニウム等の多孔質金属が好適に用いられる。
【００５３】
さて、図８の断面図は、本発明のさらに別の実施形態である加熱プレート８４を示す断面図である。加熱プレート８４は、たとえば、アルミニウムや窒化アルミ等の緻密体が用いられ、その内部にはヒータ８５が埋設されている。そして、このヒータ８５が露出することがないように、加熱プレート８４の上下面に貫通する孔部８６が形成されており、孔部８６の下部には、供給管８７が配設されている。
【００５４】
このような構成として、供給管８７から所定量の溶媒を孔部８６内に送り込むと、ヒータ８５の動作に基づく加熱プレート８４自体が有する熱によって、溶媒が蒸発し、蒸気が孔部８６上端（基板載置面に形成された開口部）から吐出されることとなる。また、供給管８７を所定の温度に保持して、蒸気を所定圧力で孔部８６内に供給することにより、孔部８６上端から蒸気を吐出させてもよい。さらに、孔部８６または供給管８７に弁機構を設けて、所定のタイミングで蒸気を孔部８６上端から吐出させることも好ましい。
【００５５】
なお、孔部の形状は、図８に示すような加熱プレート８４を上限に貫通する形状に限定されるものではない。たとえば、図９の断面図に示される加熱プレート８９のように、ヒータ７４が埋設されている部分よりも上方に、Ｌ字型等の孔部８８を形成してもよい。このような形状の孔部であれば、ドリル等を用いて、既存の加熱プレートへの形成も容易に行うことができる。
【００５６】
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。たとえば、上記実施形態ではレジスト塗布・現像処理システムに本発明の加熱処理装置を適用した場合について説明したが、これに限るものではない。また、被処理基板としてＬＣＤ基板について説明してきたが、半導体ウエハ、ＣＤ基板等の他の基板についても用いることが可能である。
【００５７】
【発明の効果】
以上の説明の通り、本発明によれば、基板を加熱プレートに直接載置して熱処理を行っても、基板を持ち上げる際には吐出される蒸気によって、基板と加熱プレートとの間の静電気が除去されるため、従来の蒸気供給機構を有しない加熱プレートを用いた場合のように基板が破損することはない。これにより、生産歩留まりが維持される。また、基板を加熱プレートに直接載置して熱処理することにより、基板の自重による反りの発生が防止され、より高品質な製品の提供が可能となり、同時に、基板の大型化にも容易に対処することが可能となる。さらに、基板の温度分布の均一性が高められることから、より細密化されたパターン等の形成も可能となるといった優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の対象となる加熱処理装置が適用されるレジスト塗布・現像システムを示す平面図。
【図２】本発明の加熱処理装置の一実施形態を示す断面図。
【図３】本発明の加熱処理装置に用いられる加熱プレートの一実施形態を示す断面図。
【図４】本発明の加熱処理装置に用いられる加熱プレートの別の実施形態を示す断面図。
【図５】本発明の加熱処理装置に用いられる加熱プレートのさらに別の実施形態を示す断面図。
【図６】本発明の加熱処理装置に用いられる加熱プレートのさらに別の形態を示す断面図。
【図７】本発明の加熱処理装置に用いられる加熱プレートのさらに別の形態を示す断面図。
【図８】本発明の加熱処理装置に用いられる加熱プレートのさらに別の形態を示す断面図。
【図９】本発明の加熱処理装置に用いられる加熱プレートのさらに別の形態を示す断面図。
【図１０】加熱処理装置における基板等の移動経路を示す説明図。
【符号の説明】
４０；処理室
４２；加熱プレート
４３；シャッタ
４４；昇降シリンダ
４５；排気口
４６；カバー
４７；ストッパ
４８；昇降ピン
５２；ＨＰユニット
７０・８０・８１・８２・８４・８９；加熱プレート
７１；下段部
７２；中段部
７３；上段部
７５；流路
７６；流出孔
７７；吐出口
８６；孔部
８７；供給管
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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