(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流電源（１）の正極に接続される＋端子（２７ａ）及び負極に接続される−端子（２７ｂ）を含んでなる配線部材（２４）と、
この配線部材を介して前記直流電源に直列接続され、前記直流電源からの電圧を昇圧すると共に該昇圧した電圧に基づいて高圧放電灯（２）に高圧パルスを印加し、前記高圧放電灯を点灯させる回路機能部（４〜１１）と、
前記配線部材及び前記回路機能部を収納する金属ケース（２２）と、を備えてなる放電灯装置であって、
前記直流電源の正極と前記回路機能部との間において、前記回路機能部に直列されたインダクタ（３１）と、直列接続された前記回路機能部及び前記インダクタに対して並列接続されるように、前記＋端子と前記−端子の両端間に接続された第１コンデンサ（３２）と、を含むフィルタ回路（３）を備え、
前記配線部材のうち前記−端子を構成する部分が前記金属ケースに接続されていると共に、前記第１コンデンサが前記配線部材のうち前記−端子を構成する部分に直接接続されており、
前記回路機能部は、ハイブリッドＩＣ基板上に形成される第１回路部と、前記配線部材に直接接続される各種電気部品を含む第２回路部とを含み、前記第１コンデンサは前記ハイブリッドＩＣ基板を介さずに、前記配線部材のうち前記−端子を構成する部分に接続されており、
前記配線部材は、板状で構成され、かつ、バスバーケース（２０）にインサート形成により固定され、
前記第２回路部に含まれる前記電気部品も前記バスバーケースに収容されていることを特徴とする放電灯装置。
【請求項２】
前記回路機能部は、
前記直流電源からの電圧を昇圧するトランス（４１）と、前記トランスの１次巻線（４１ａ）に直列接続された第１スイッチング素子（４２）と、直列接続された前記トランス及び前記第１スイッチング素子に並列接続された第２コンデンサ（４５）とを有してなり、前記第２コンデンサが前記配線部材を介して前記直流電源に直列接続されてなるＤＣ−ＤＣコンバータ（４）と、
前記第２コンデンサと前記配線部材のうち前記−端子を構成する部分との間において、前記第２コンデンサに直列接続され、前記直流電源の極性が逆にされた時に電気的導通を遮断する第２スイッチング素子（９）と、を含んで構成されており、
前記第１コンデンサは、前記第２スイッチング素子よりも前記−端子側に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の放電灯装置。
【請求項３】
前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子は前記第１回路部に含まれ、前記トランス及び前記第２コンデンサは前記第２回路部に含まれていることを特徴とする請求項２に記載の放電灯装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、自動車の前照灯に用いられる高圧放電灯を点灯させる放電灯装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、高圧放電灯（以下、ランプという）の点灯装置（以下、バラストという）においては、ランプの点灯始動時に、スタータトランスを用いて高電圧パルスを得、この高電圧パルスによりランプの電極間に絶縁破壊による放電を生じさせてアーク放電を形成し、その後、安定点灯に移行させるようにしている。
【０００３】
本発明者らは、このようなバラストとして、以下に示すものを試作し、検討を行った。図３は、そのバラスト２００の電気的な回路構成を示しており、図４は、バラスト２００の組付け構造を示している。以下、図３、図４を用いてバラスト２００についての説明を行う。
【０００４】
まず、図３に基づいてバラスト２００の回路構成を説明する。
【０００５】
バラスト２００は、直流電源である車載バッテリ１に接続されており、点灯スイッチＳＷがオンされると、自動車用前照灯として用いられるランプ２に電力供給を行うように構成されている。このバラスト２００は、フィルタ回路３、直流電源回路としてのＤＣ−ＤＣコンバータ４、点灯補助回路５、インバータ回路６、始動回路７などの回路機能部を有している。
【０００６】
フィルタ回路３は、インダクタ３１とコンデンサ（第１コンデンサ）３２によって構成されており、ＤＣ−ＤＣコンバータ４が発生する電磁波ノイズを除去する役割を果たす。つまり、フィルタ回路３は、フィルタ回路３を除いた他の回路機能部とバッテリ１との間に直列接続されたインダクタ３１と、これらインダクタ３１及び他の回路機能部に対して並列接続されたコンデンサ３２を有しており、これらインダクタ３１及びコンデンサ３２によって形成される積分回路によってＤＣ−ＤＣコンバータ４が発生する電磁波ノイズの脈動を抑制している。
【０００７】
ＤＣ−ＤＣコンバータ４は、バッテリ１側に配された１次巻線４１ａとランプ２側に配された２次巻線４１ｂを有するフライバックトランス４１と、１次巻線４１ａに接続された第１スイッチング素子としてのＭＯＳトランジスタ４２と、２次巻線４１ｂに接続された整流用のダイオード４３と、出力平滑用のコンデンサ（第２コンデンサ）４４、及びコンデンサ４５から構成され、バッテリ電圧ＶＢを昇圧した昇圧電圧を出力する。すなわち、ＭＯＳトランジスタ４２がオンすると、１次巻線４１ａに１次電流が流れて１次巻線４１ａにエネルギーが蓄えられ、ＭＯＳトランジスタ４２がオフすると、１次巻線４１ａのエネルギーが２次巻線４１ｂを介して放出される。そして、このような動作を繰り返すことにより、ダイオード４３と平滑用コンデンサ４４の接続点から高電圧を出力する。
【０００８】
点灯補助回路５は、コンデンサ５１と抵抗５２から構成され、点灯スイッチＳＷがオンした後にランプ２への印加電圧と同じ電圧にコンデンサ５１が充電されると共に、ランプ２の電極間での絶縁破壊によりランプ両端間の電圧が低下すると、コンデンサ５１に充電された電荷をランプ２を介して放電させることにより速やかにアーク放電に移行させる。
【０００９】
インバータ回路６は、ランプ２を交流（矩形波）点灯させるもので、Ｈブリッジ回路６１とブリッジ駆動回路６２、６３から構成されている。Ｈブリッジ回路６１は、Ｈブリッジ状に配置された半導体スイッチング素子を成すＭＯＳトランジスタ６１ａ〜６１ｄからなる。ブリッジ駆動回路６２、６３は、制御回路１０からの制御信号によって、ＭＯＳトランジスタ６１ａ、６１ｄとＭＯＳトランジスタ６１ｂ、６１ｃを交互にオンオフ駆動する。この結果、ランプ２の放電電流の向きが交互に切り替わり、ランプ２の印加電圧（放電電圧）の極性が反転してランプ２が交流点灯する。
【００１０】
始動回路７は、Ｈブリッジ回路６１の中点電位とバッテリ１の負極端子との間に配置され、１次巻線７１ａと２次巻線７１ｂを有する高電圧発生用トランス７１、ダイオード７２、抵抗７４、コンデンサ７５、及び一方向性半導体素子であるサイリスタ７６から構成されている。なお、高電圧発生用トランス７１の１次巻線７１ａはコンデンサ７５に接続され、２次巻線７１ｂはＨブリッジ回路６１とランプ２との間に設けられている。
【００１１】
そして、この始動回路７は、ランプ２の点灯始動時にランプ２に高電圧パルスを印加してランプ２を点灯させる。すなわち、点灯スイッチＳＷがオンすると、ＭＯＳトランジスタ６１ａ、６１ｄとＭＯＳトランジスタ６１ｂ、６１ｃが交互にオンオフ駆動され、ＭＯＳトランジスタ６１ｂ、６１ｃがオンの時にコンデンサ７５が充電され、ＭＯＳトランジスタ６１ｂ、６１ｃがオフの時にサイリスタ７６がオンするよう制御回路１０にてサイリスタ７６のゲート信号が制御される。
【００１２】
サイリスタ７６にゲート信号が印加されると、コンデンサ７５が高電圧発生用トランス７１の１次巻線７１ａを介して放電し、高電圧発生用トランス７１の２次巻線７１ｂに高電圧パルスが発生する。この高電圧パルスがランプ２に印加され、ランプ２の電極間で絶縁破壊し、ランプ２を点灯始動させる。
【００１３】
上記したＭＯＳトランジスタ４２、ブリッジ回路６２、６３、サイリスタ７６は、制御回路１０によって制御される。この制御回路１０には、ＤＣ−ＤＣコンバータ４の間のランプ電圧（すなわちインバータ回路６に印加される電圧）ＶＬ及びインバータ回路６からバッテリ１の負極側に流れるＩＬなどが入力されている。なお、電流ＩＬは電流検出抵抗８により電圧として検出される。
【００１４】
また、第２スイッチング素子としてのＭＯＳトランジスタ９は逆接保護用の素子であり、バッテリ１を取り替える際にプラスマイナスの極性が逆に接続されたとき、回路機能部内に逆電圧が印加されないようにする。
【００１５】
制御回路１０は、ＭＯＳトランジスタ４２をＰＷＭ信号によってオンオフさせるＰＷＭ制御回路、ランプ電圧ＶＬをサンプルホールドするサンプルホールド回路、サンプルホールドされたランプ電圧ＶＬとランプ電流ＩＬに基づいてランプ電力を所望値に制御するランプパワー制御回路と、Ｈブリッジを制御するＨブリッジ制御回路を備えている。
【００１６】
また、サイリスタ７６のゲートはゲート回路１１の端子４０１に接続されている。このゲート回路１１は、端子４０２において制御回路１０と接続されており、この端子４０２を通じて送られてくる制御回路１０からの信号に基づいてサイリスタ７６のゲート信号を出力するようになっている。
【００１７】
上記構成のバラスト２００の点灯動作について説明する。
【００１８】
点灯スイッチＳＷがオンすると、図３に示す各部に電源が供給される。そして、制御回路１０内のＰＷＭ制御回路によってＭＯＳトランジスタ４２がＰＷＭ制御される。その結果、フライバックトランス４１の作動によってバッテリ電圧ＶＢを昇圧した電圧がＤＣ−ＤＣコンバータ４から出力される。また、Ｈブリッジ制御回路によって、Ｈブリッジ回路６１におけるＭＯＳトランジスタ６１ａ〜６１ｄが対角線の関係で交互にオンオフされる。これにより、ＤＣ−ＤＣコンバータ４から出力された電圧が，Ｈブリッジ回路６１を介して始動回路７のコンデンサ７５に供給され、コンデンサ７５が充電される。
【００１９】
この後、ゲート回路１１は、Ｈブリッジ制御回路から出力されるＭＯＳトランジスタ６１ａ〜６１ｄの切替タイミングを知らせる信号に基づいて、サイリスタ７６にゲート信号を出力し、サイリスタ７６をオンさせる。そして、サイリスタ７６がオンすると、コンデンサ７５が放電し、トランス７１を通じて、ランプ２に高電圧パルスが印加される。その結果、ランプ２が電極間で絶縁破壊し、点灯始動する。
【００２０】
この後、Ｈブリッジ回路６１によりランプ２への放電電圧の極性（放電電流の向き）を交互に切り替えることで、ランプ２が交流点灯される。そして、ランプパワー制御回路により、ランプ電流ＩＬとランプ電圧ＶＬ（サンプルホールド回路によってサンプルホールドされたもの）とに基づいて、ランプ電力が所定値なるように制御される。これにより、ランプ２が安定点灯する。
【００２１】
なお、サンプルホールド回路は、Ｈブリッジ回路６１の切替タイミングに同期してその切替時に発生する過渡電圧をマスクし、過渡電圧発生時以外のランプ電圧ＶＬをサンプリングしてホールドする。
【００２２】
次に、上記構成のバラストの２００の組付け構造について説明する。
【００２３】
バラスト２００は、図４に示すように、上記回路構成が配置されたバスバーケース２０を、カバー部材２１及びベース２２によって覆い、カバー部材２１及びベース２２をネジ２３によって固定することによって構成される。
【００２４】
バスバーケース２０の表面には、上記回路構成の各部を電気的に接続するターミナル２４がインサート形成されている。このターミナル２４のパターン構成を図５に示す。また、図５中にターミナル２４と上記回路機能部を構成する電気部品の一部との接続関係を示す。
【００２５】
上記回路構成において、Ｈブリッジ回路６１、制御回路１０、ゲート回路１１、ＭＯＳトランジスタ９、４２、ダイオード４３、７２、抵抗８、５２、７４という半導体装置として形成可能な部分は、ハイブリッドＩＣ（以下、ＨＩＣという）１００としてＩＣ化されて一体形成される（図３参照）。そして、その他の部分（本回路構成では、トランス４１、７１やコンデンサ３２、４４、４５、５１、７５、及びサイリスタ７６）がＨＩＣ１００とは別体で構成される。
【００２６】
このため、ＨＩＣ１００とその他の部分とをターミナル２４にて電気的に接続させることによって上記回路構成が構成される。これにより、図３に示した回路機能部が構成される。
【００２７】
具体的には、ＨＩＣ１００とターミナル２４との電気的接続は、ＨＩＣ１００をバスバーケース２０内に収容したのち、ＨＩＣ１００の各端子１２ａ〜１２ｋとターミナル２４とをＡｌワイヤ等でワイヤボンディングすることによって行われ、ＨＩＣ１００以外のその他の部分については、その他の部分をバスバーケース２０内に収容したのち、その他の部分の端子をターミナル２４に溶接、はんだ付け等することによって行っている。
【００２８】
そして、図５に示すターミナル２４の部分２４ａ及び部分２４ｂはそれぞれ、図４に示すバスバーケース２０に固定されたグロメット内に配設された出力線２５、２６に接続されており、この出力線２５、２６を介してランプ２に接続される。
【００２９】
また、ターミナル２４はバッテリ１の正極側と接続される端子（＋端子）２７ａと、負極側（すなわちアース側）に接続される端子（−端子）２７ｂとを有しており、端子２７ｂはバラスト２００のアースを取るアース接続部２７ｃに接続されている。そして、ターミナル２４の端子２７ａ、２７ｂは、バスバーケース２０に形成されたコネクタ部２８よりバスバーケース２０の外部に引き出されており、このコネクタ部２８においてバッテリ１に接続された配線と接続される。
【００３０】
上記したネジ２３は、このアース接続部２７ｃにおいてバスバーケース２０とベース２２とをネジ締め固定し、アース接続部２７ｃとベース２２とをアース接続している。なお、カバー２１及びベース２２は、これらに収納される回路機能部を放射ノイズから保護すべく、金属で構成されている。
【００３１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者らは上記試作したバラスト２００について鋭意検討を行った。
【００３２】
上記構成において、フィルタ回路３に用いられるコンデンサ３２として有極性の電解コンデンサを使用しているため、図３に示すように、バッテリ１の逆接時にプラスマイナス逆の電圧が印加されてコンデンサ３２を故障させてしまわないように、逆接保護用のＭＯＳトランジスタ９を介して、コンデンサ２の負極側端子をバッテリ１のマイナス端子に接続させている。
【００３３】
このため、コンデンサ３２の負極側端子をＭＯＳトランジスタ９のソース端子に接続した構成、つまりコンデンサ３２がＭＯＳトランジスタ９を介してアース端子に接続された構成としている。なお、図５においては、端子１２ｂと端子１２ｃとが接続されておらず、コンデンサ３２の負極側端子が接続される端子１２ｃは、ターミナル２４の下方に位置するＨＩＣ１００（図５中では図示せず）に備えられたＭＯＳトランジスタ９を通ってからアース接続される端子１２ａに接続された状態となっている。
【００３４】
ここで、フィルタ回路３で吸収したいノイズとして、ＤＣ−ＤＣコンバータ４が発生させるノイズがある。
【００３５】
トランス４１、ＭＯＳトランジスタ４２、コンデンサ４５によって構成されたＤＣ−ＤＣコンバータ４は、ＭＯＳトランジスタ４２のスイッチング動作に応じて、ＤＣ−ＤＣコンバータ４が形成する閉ループを電流経路（図中矢印で示す）として大電流を流す。このとき、スイッチング動作により断続される電流変化によって、トランス４１及び上記電流経路の配線がノイズ源となる磁界を発生させる。そして、この磁界がＤＣ−ＤＣコンバータ４の近傍の配線を構成するターミナルと鎖交し、これらの部分においてもノイズを発生させる。
【００３６】
しかしながら、上述したように、コンデンサ３２がＭＯＳトランジスタ９を介してアース端子に接続された構成としているため、ＤＣ−ＤＣコンバータ４が発生させた上記ノイズがＭＯＳトランジスタ９を通過してバッテリ１側に洩れ、バッテリと端子２７ａと端子２７ｂとを結ぶ配線において伝導ノイズが大きくなるという問題を発生させる。
【００３７】
また、上記構成においては、コンデンサ４５とコンデンサ３２を共に端子１２ｃを介してＨＩＣ１００に接続させているため、これらコンデンサ４５とコンデンサ３２ができるだけ近くに配置されるのが好ましい。
【００３８】
しかしながら、コンデンサ３２をコンデンサ４５の近くに配すると、これらコンデンサ３２、４５がノイズ源となるＤＣ−ＤＣコンバータ４の近くに配される反面、コンデンサ３２と端子２７ａ、２７ｂを接続する配線長さを長くさせる。このため、上述したトランス４１や電流経路の配線が発生させた磁界が、コンデンサ３２から端子２７ａ、２７ｂに至るまでのターミナル２４と鎖交し、この部分において大きなノイズを発生させるという問題がある。
【００３９】
実験により、バッテリ１と端子２７ａ、２７ｂとを接続する電源ワイヤの伝導ノイズを図ったところ、１５０ｋＨｚ〜数ＭＨｚ帯のノイズが検出された。
【００４０】
本発明は上記点に鑑みて、フィルタ回路を通過してバッテリ側にノイズが伝わることを抑制できるようにすることを目的とする。
【００４１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１乃至３に記載の発明では、直流電源（１）の＋端子と回路機能部との間において、回路機能部に直列されたインダクタ（３１）と、直列接続された回路機能部及びインダクタに対して並列接続されるように、直流電源の＋端子と−端子の両端間に接続された第１コンデンサ（３２）とを含むフィルタ回路（３）を備え、配線部材のうち−端子を構成する部分は、金属ケース（２２）に接続されており、第１コンデンサは配線部材のうち−端子を構成する部分が金属ケースに接続されていると共に、第１コンデンサが配線部材のうち−端子を構成する部分に直接接続されており、回路機能部は、ハイブリッドＩＣ基板上に形成される第１回路部と、配線部材に直接接続される各種電気部品を含む第２回路部とを含み、第１コンデンサはハイブリッドＩＣ基板を介さずに、配線部材のうち−端子を構成する部分に接続されており、配線部材は、板状で構成され、かつ、バスバーケース（２０）にインサート形成により固定され、第２回路部に含まれる電気部品もバスバーケースに収容されていることを特徴としている。
【００４２】
このように、第１コンデンサが配線部材のうち−端子を構成する部分に直接接続されるようにすれば、回路機能部が発生したノイズを第１コンデンサ及びインダクタからなるフィルタ回路によってフィルタリングすることができる。そして、配線部材のうち−端子を構成する部分が金属ケースに接続されるようにすれば、第１コンデンサから−端子に至るまでの配線長さを短くすることができるため、回路機能部が発生した磁界が鎖交する部分を短くでき、この磁界に起因するノイズを低減することができる。
【００４３】
さらに、回路機能部が、ハイブリッドＩＣ基板上に形成される第１回路部と、配線部材に直接接続される各種電気部品を含む第２回路部とを含んで構成される場合、第１コンデンサはハイブリッドＩＣ基板を介さずに配線部材のうち−端子を構成する部分に接続されるようにしている。
このように、第１コンデンサがハイブリッドＩＣ基板を介さずに、−端子に対して直接接地されるようにすることで、ハイブリッドＩＣ基板などを通じた場合のように配線長さを短くすることが可能となる。このため、回路機能部が発生した磁界が鎖交する部分を短くでき、さらに、この磁界に起因するノイズを低減することができる。
【００４４】
また、請求項２に示すように、ＤＣ−ＤＣコンバータ（４）と配線部材のうち−端子を構成する部分との間に、直流電源の極性が逆にされた時に電気的導通を遮断する第２スイッチング素子（９）が配置される場合、第１コンデンサは、第２スイッチング素子よりも−端子側に接続されるようにする。
【００４５】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【００４６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。
【００４７】
図１に本発明の一実施形態を適用したバラスト２００の回路構成を示す。また、図２にバラスト２００のターミナル２４のパターン構成を示すと共に、ターミナル２４と回路機能部を構成する電気部品の一部との接続関係を示す。なお、本実施形態におけるバラスト２００は、上記した試作品に対してターミナル２４のパターン及びターミナル２４と各電気部品との接続関係が異なっており、バラスト２００の組付け構造の外観については図４に示したものと同様であるため、図４を参照する。また、図１、図２において、上述した図３、図５に示すものと同じ符号を付したものは、同一もしくは均等のものであることを示している。
【００４８】
以下、これらの図に基づいて本実施形態におけるバラストの構成について説明する。ただし、本実施形態におけるバラストは上述した図３〜図５に示したものと概ね同様の構成を有しているため、異なる部分についてのみ説明する。
【００４９】
本実施形態においては、図１に示すように、フィルタ回路３を構成するコンデンサ３２の正極側端子をバッテリ１の正極（＋端子）に接続される端子２７ａに接続し、負極側端子をバッテリ１の負極（−端子）に接続される端子２７ｂに接続している。このとき、コンデンサ３２はＨＩＣ１００を介さず、つまり逆接保護用のＭＯＳトランジスタ９を介さず、ターミナル２４のみを介して端子２７ａ、２７ｂに接続されるようにしている。
【００５０】
そして、図４に示すように、コンデンサ３２を端子２７ａ、２７ｂ、２７ｃの直近に配置している。このようにコンデンサ３２を端子２７ａ、２７ｂ、２７ｃの間近に配置することにより、コンデンサ３２を端子２７ａ、２７ｂ、２７ｃまで接続するターミナル２４の長さを最短にすることができる。
【００５１】
また、図２において、配線部材であるターミナル２４と、ターミナル２４に接続されるフィルタ回路のコンデンサ３２、インダクタ３１、ＤＣ−ＤＣコンバータ４を構成するコンデンサ４５、トランス４１の電気的な接続箇所を示してある。さらに、図２において、ＨＩＣ１００とターミナル２４をワイヤボンディングにより接続する端子１２ａ〜１２ｅの位置を示してある。
【００５２】
この図に示されるように、コンデンサ３２の負極側端子はターミナル２４のうちアース接続される端子２７ｂ、２７ｃに直接的に電気的に接続されており、コンデンサ３２の負極側端子から端子２７ｂまでの距離は非常に短くなっている。
【００５３】
このように、バッテリ１の負極と逆接保護用のＭＯＳトランジスタ９との間にコンデンサ３２の負極側端子が接続されるようにしている。このため、ＭＯＳトランジスタ４２のスイッチング作動により断続される電流変化によってＤＣ−ＤＣコンバータ４の電流経路及びトランス４１で発生させる磁界がＤＣ−ＤＣコンバータ４の近傍の配線を構成するターミナル２４と鎖交しても、鎖交する位置よりもバッテリ１側において、磁界の鎖交によるノイズをコンデンサ３２によってフィルタリングすることができる。
【００５４】
また、コンデンサ３２の正極側端子部と端子２７ａとの間、コンデンサ３２の負極側端子と端子２７ｂとの間、さらには端子２７ｂと金属ベース２２との間のそれぞれを電気的に接続するターミナル２４の配線長さを最短としている。このため、ＤＣ−ＤＣコンバータ４のＭＯＳトランジスタ４２のスイッチング作動により断続される電流変化によりＤＣ−ＤＣコンバータ４の電流経路及びトランス４１で発生させる磁界が鎖交する磁束が少なくすることができる。
【００５５】
従って、コンデンサ３２が十分なフィルタ効果を発揮できるようにさせられるため、ランプ点灯時にＭＯＳトランジスタ４２のスイッチング作動によりＤＣ−ＤＣコンバータ４の電流経路及びトランス４１が発生させる磁界に起因するノイズを、フィルタ回路３によって十分に取り除くことができる。実験によると、バッテリ１と端子２７ａ、２７ｂとを接続する電源ワイヤの伝導ノイズレベルを約３０ｄＢ低減することができた。
【００５６】
なお、このような構成においては、バッテリ１が逆接されると、コンデンサ３２にプラスマイナスの極性が逆の電圧が印加されてしまうが、バッテリ１が逆接される時間は短時間なものであるため、コンデンサ３２として、この短時間の逆接時において故障しない程度の耐久性をもったものを採用すればよい。
【００５７】
また、上記試作（図３参照）において、端子１２ａの他にコンデンサ３２の負極側端子をＨＩＣ１００に接続するための端子を別途設け、ＭＯＳトランジスタ９のソース端子に接続するように構成することも考えられるが、このような場合には、端子が余分に必要とされる分、コスト高となるため、このコストを考慮するとコンデンサ２として上記した程度の耐久性を有するものを採用する方のメリットが大きいといえる。さらに、このような構成においては、コンデンサ３２から端子２７ａ、２７ｂに至るまでの配線としてのターミナル２４を最短にすることができないため、ＤＣ−ＤＣコンバータ４が発生する磁界が鎖交する部分が多く、本実施形態に示したバラスト２００ほどノイズ低減効果が得られないことからも、上記構成が有効であるといえる。
【００５８】
（他の実施形態）
上記実施形態では、ＨＩＣ１００として全てが１枚の基板で構成されたものを示したが、図６に示すようにしてもよい。
【００５９】
図６（ａ）は、スイッチング素子としてのＭＯＳトランジスタ４２をパワーブロック状態にして、回路基板とは別置きした形態を示す。なお、４２ａはシリコンチップ、４２ｂは窒化アルミ（ＡｌＮ）基板、４２ｃはアルミワイヤである。１００ａはハイブリッドＩＣのアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）基板、２２は金属アースである。
【００６０】
シリコンチップ４２ａは窒化アルミ基板４２ｂにはんだ付けされ、窒化アルミ基板４２ｂは接着剤により金属ケース２２に接着される。アルミナ基板１００ａは、金属ケース２２に接着剤にて接着される。
【００６１】
ＭＯＳトランジスタ４２が形成されたシリコンチップ４２ａの表面にあるソース電極とゲート電極部には、それぞれアルミワイヤの超音波ボンディングにより接続し、他方をアルミナ基板１００ａ上のボンディングパッド部に超音波ボンディングにより接続している。ドレイン電極はチップ横に配置したボンディングパッド部とアルミナ基板１００ａ上のボンディングパッド部とをアルミワイヤの超音波ボンディングにより接続している。
【００６２】
図６（ｂ）は、ＭＯＳトランジスタ４２をパワーブロック状態にして回路基板上に搭載した形態を示す。４２ｂは過渡熱を吸収するためのヒートシンクで、銅またはモリブデンなどの金属材料である。その他の符号は図６（ａ）と同じである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態におけるバラスト２００の回路構成を示す図である。
【図２】図１に示すバラスト２００のターミナル２４のパターン構成を示す図である。
【図３】本発明者らが試作したバラスト２００の回路構成を示す図である。
【図４】図３に示すバラスト２００の組付け構造を示す図である。
【図５】図４に示すバラスト２００のターミナル２４のパターン構成を示す図である。
【図６】他の実施形態におけるＨＩＣ１００の構造を示す図である。
【符号の説明】
１…バッテリ、２…ランプ、４…ＤＣ−ＤＣコンバータ、６…インバータ回路、
６１…Ｈブリッジ回路、７…始動回路、９…ＭＯＳトランジスタ、
１０…制御回路、３１…インダクタ、３２…コンデンサ。
【図１】
0004049954.tif 000002
【図２】
0004049954.tif 000003
【図３】
0004049954.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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