(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板上に保護絶縁層によって封止された半導体チップを載置して回路基板と電気的、物理的に接続し、回路基板を、封止された半導体チップを載置した部分と外部に露出する外部端子部分を境として所定の角度で折曲げ、封止された半導体チップを載置した部分の上下部と、外部に露出する外部端子部分の上部を樹脂によって封止したメモリーカード。
【請求項２】
保護絶縁層によって封止された半導体チップを回路基板に載置して電気的、物理的に接続した後、１次成形工程として、１次成形用金型の固定側型板と可動側型板とで回路基板を挟み、固定側型板の凸状部によって、固定側型板と可動側型板の間のキャビティ内で回路基板の先端を、封止された半導体チップを載置した部分と外部に露出する外部端子部分を境として所定の角度で折曲げて、キャビティ内に溶融樹脂を流し込み、回路基板が折曲した１次成形品を成形し、２次成形工程として、前記１次成形品を２次成形用金型の固定側型板と可動側型板の間のキャビティ内にセットして、１次成形工程では流し込めなかった回路基板に樹脂を流し込み２次成形品を成形するメモリーカードの成形方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体を回路基板上に載置して、その回路基板と電気的、物理的に接続し、全体を樹脂により封止したフラッシュメモリーカード等のメモリーカードとその成形方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、樹脂により封止したフラッシュメモリーカード等のメモリーカードは図６の（ａ）、（ｂ）の側断面図に示す２種類の構造があった。
【０００３】
図６の（ａ）に示すメモリーカードは半導体チップタイプと言われるもので、回路基板１の上に半導体チップ２を載置し、回路基板１と電気的、物理的に接続した後、ポッティングにより半導体チップ２を保護層３により保護し、その後、回路基板１の外部端子部分４を残して、上ケース５と下ケース６とで全体を覆っている。
【０００４】
図６の（ｂ）に示すメモリーカードは封止された半導体タイプと言われるもので、回路基板７の上に保護絶縁層によって封止された半導体チップ８を載置し、回路基板７と電気的、物理的に接続した後、回路基板７の外部端子部分９を残して、上ケース１０と下ケース１１とで全体を覆っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来のメモリーカードの内、半導体チップタイプは回路基板の上に載置した半導体チップを保護層により保護するためにポッティング工程が必要でコストアップにつながり、また、封止された半導体タイプは回路基板からその上に載置した封止された半導体の上面までの寸法が大きくなり、メモリーカードの小型化が難しくなるという問題があった。
【０００６】
また、メモリーカードの構成物に上ケースと下ケースがあるため、その生産コストおよび組立コストも全体コストを押し上げる要因となっていた。
【０００７】
さらに、メモリーカードの組立構造上、上ケースと下ケースを外せば、容易に分解して内部の半導体を取り出すことができるため、半導体内のメモリーデータの安全性に問題があった。
【０００８】
本発明は上記の課題を解決するもので、封止された半導体を載置した回路基板をコンパクトに一体樹脂成形することで、ポッティング工程と上下ケースを廃止してコストダウンを図った上、サイズ的に小さなメモリーカードを得るとともに、容易に分解できない構造として、内部データの安全性を確保できるメモリーカードを提供することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本発明は、回路基板上に保護絶縁層によって封止された半導体チップを載置して回路基板と電気的、物理的に接続し、回路基板を、封止された半導体チップを載置した部分と外部に露出する外部端子部を境として所定の角度で折曲げ、封止された半導体チップを載置した部分の上下と、外部に露出する外部端子部の上部を樹脂によって封止したメモリーカードであり、ポッティング工程と上下ケースがなく、コンパクトな構成でサイズ的に小さくコストがかからず、かつ、内部データの安全性を確保できるメモリーカードが得られる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１に記載の発明は、回路基板上に保護絶縁層によって封止された半導体チップを載置して回路基板と電気的、物理的に接続し、回路基板を、封止された半導体チップを載置した部分と外部に露出する外部端子部分を境として所定の角度で折曲げ、封止された半導体チップを載置した部分の上下部と、外部に露出する外部端子部分の上部を樹脂によって封止したメモリーカードであり、回路基板を、封止された半導体チップを載置した部分と外部に露出する外部端子部分を境として所定の角度で折曲げることにより、その後の樹脂封止による樹脂厚に占める封止された半導体チップを載置した回路基板の厚さの比率を小さくするという作用を有する。
【００１１】
本発明の請求項２に記載の発明は、保護絶縁層によって封止された半導体チップを回路基板に載置して電気的、物理的に接続した後、１次成形工程として、１次成形用金型の固定側型板と可動側型板とで回路基板を挟み、固定側型板の凸状部によって、固定側型板と可動側型板の間のキャビティ内で回路基板の先端を、封止された半導体チップを載置した部分と外部に露出する外部端子部分を境として所定の角度で折曲げて、キャビティ内に溶融樹脂を流し込み、回路基板が折曲した１次成形品を成形し、２次成形工程として、前記１次成形品を２次成形用金型の固定側型板と可動側型板の間のキャビティ内にセットして、１次成形工程では流し込めなかった回路基板に樹脂を流し込み２次成形品を成形するメモリーカードの成形方法であり、１次成形工程により、所定の角度で折曲げた回路基板を樹脂成形で固定し、２次成形工程により、１次成形工程では流し込めなかった回路基板に樹脂を流し込み、回路基板の全周を樹脂成形するという作用を有する。
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００１３】
（実施の形態）
図１は本発明の実施の形態におけるメモリーカードの側断面図、図２の（ａ）は同メモリーカードの製造工程における１次成形時のメモリーカードと金型の中央部分の側断面図、図２の（ｂ）は同メモリーカードの製造工程における１次成形時のメモリーカードと金型のサイド部分の側断面図、図３は同メモリーカードの１次成形時の斜視図、図４は同メモリーカードの製造工程における２次成形時のメモリーカードと金型の中央部分の側断面図、図５は同メモリーカードの２次成形時の斜視図である。
【００１４】
まず、図１に示すメモリーカードは、回路基板１２上に保護絶縁層によって封止された半導体チップ１３が載置され、回路基板１２と電気的、物理的に接続し、回路基板１２を、封止された半導体チップ１３を載置した部分１４と外部に露出する外部端子部分１５を境として所定の角度で折曲げた状態で、封止された半導体チップ１３を載置した部分１４の上下部と、外部に露出する外部端子部分１５の上部を樹脂１６によって封止している。
【００１５】
上記図１に示すメモリーカードの製造工程は、まず、１次成形工程として、図２の（ａ）に示す１次成形時のメモリーカードと金型の中央部分の側断面図および図２の（ｂ）に示す１次成形時のメモリーカードと金型のサイド部分の側断面図に示すように、回路基板１２上に保護絶縁層によって封止された半導体チップ１３を載置し、回路基板１２と電気的、物理的に接続した後、金型の型締め工程時に１次成形用金型の固定側型板１７と可動側型板１８とで封止された半導体チップ１３を載置した回路基板１２の中央部分を挟み、固定側型板１７の凸状部１９によって、固定側型板１７と可動側型板１８の間のキャビティ２０内で回路基板１２の先端を、封止された半導体チップ１３を載置した部分１４と外部に露出する外部端子部分１５を境として所定の角度で折曲げ、回路基板１２から封止された半導体チップ１３の上面までの寸法が最終のメモリーカードの厚さ内に収まるように固定した後、金型のゲート２１から溶融した樹脂をキャビティ２０に流し込むのであるが、封止された半導体チップ１３を載置した回路基板１２の中央部分は金型の固定側型板１７と可動側型板１８とで挟まれているため、中央部分には樹脂は流れ込まず、金型で挟まれていない回路基板１２の両サイド部分および上辺には樹脂が流れ込み、回路基板１２の両サイド部分の外形を樹脂２２、２３で、上辺の外形を樹脂２４で形作ることになる。
【００１６】
上記図２に示す１次成形で成形された１次成形品は図３の斜視図に示すように、封止された半導体チップ１３を載置した回路基板１２の中央部分には樹脂が流れ込まず、封止された半導体チップ１３が露出した状態であり、回路基板１２の両サイド部分にはその外形を形作る樹脂２２、２３が形成され、回路基板１２の上辺にはその外形を形作る樹脂２４が形成されている。
【００１７】
次に、上記１次成形工程で成形され、回路基板１２がその外形を形作る両サイド部分の樹脂２２、２３および上辺の樹脂２４によって折曲げられた状態で固定され、回路基板１２の中央部分には樹脂がない図３の１次成形品を、図４の２次成形時のメモリーカードと金型の中央部分の側断面図に示すように、２次成形用金型の固定側型板２５と可動側型板２６との間のキャビティ２７内に、前記図３の１次成形品の両サイド部分の樹脂２２、２３がキャビティ２７と同じ形状で接するように位置決めすることにより、回路基板１２上の封止された半導体チップ１３と２次成形用金型の固定側型板２５との距離、および回路基板１２と２次成形用金型の可動側型板２６との距離が所定の値になり、その状態で金型のゲート２８から溶融した樹脂をキャビティ２７に流し込み、１次成形時には樹脂が流れ込まず露出していた回路基板１２の中央部分を樹脂２９で封止し、図５のメモリーカードの２次成形時の斜視図に示すように、封止された半導体チップ１３を載置した回路基板１２は、その両サイド部分が樹脂２２、２３によって、上辺が樹脂２４によって外形が形作られ、中央部分が樹脂２９によって前記両サイド部分および上辺の上面と面一に封止されて最終のメモリーカードが得られる。
【００１８】
尚、上記ゲート２１、２８はサイドゲート方式の金型構造に限らず、ピンポイントゲート、トンネルゲート方式でもよいことは申すまでもない。
【００１９】
以上のように、本実施の形態におけるメモリーカードは、１次成形において、金型内で、回路基板１２が、封止された半導体チップ１３を載置した部分１４と外部に露出する外部端子部分１５を境として所定の角度で折曲げられ、回路基板１２から封止された半導体チップ１３の上面までの寸法が最終のメモリーカードの厚さ内に収まるように固定されているので、回路基板１２の上下を封止する樹脂１６の厚みを大きくしなくても、充分に封止可能となり、薄型のメモリーカードを得ることができ、また、回路基板１２と封止された半導体チップ１３とが外部に露出する外部端子部分１５を残して樹脂１６により封止され一体成形されているので、回路基板１２と封止された半導体チップ１３とを容易には分解することができず、メモリーカード内のデータの安全性が飛躍的に高まるものであり、さらに、封止された半導体チップ１３を用いることにより、従来のポッティング工程が不要となり、上下のケースも不要となるため、製品のコストダウンが図れるものである。
【００２０】
【発明の効果】
以上のように、本発明のメモリーカードによれば、封止された半導体を載置した回路基板をコンパクトに一体樹脂成形することで、ポッティング工程と上下ケースを廃止しコストダウンができ、サイズ的に小さなメモリーカードが得られるとともに、容易に分解できない構造として、内部データの安全性を確保できるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態におけるメモリーカードの側断面図
【図２】（ａ）同メモリーカードの製造工程における１次成形時のメモリーカードと金型の中央部分の側断面図
（ｂ）同メモリーカードの製造工程における１次成形時のメモリーカードと金型のサイド部分の側断面図
【図３】同メモリーカードの１次成形時の斜視図
【図４】同メモリーカードの製造工程における２次成形時のメモリーカードと金型の中央部分の側断面図
【図５】同メモリーカードの２次成形時の斜視図
【図６】（ａ）従来のメモリーカードの側断面図
（ｂ）上記（ａ）と違う従来のメモリーカードの側断面図
【符号の説明】
１，７，１２  回路基板
２  半導体チップ
３  保護層
４，９，１５  外部端子部分
５，１０  上ケース
６，１１  下ケース
８，１３  封止された半導体チップ
１４  封止された半導体チップ１３を載置した部分
１６，２２，２３，２４，２９  樹脂
１７，２５  固定側型板
１８，２６  可動側型板
１９  凸状部
２０，２７  キャビティ
２１，２８  ゲート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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