(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）
【化１】
0004198221.tif 000017
（式中Ｒ１は炭素数５乃至１４のアルキル基あるいはアルコキシ基を表し、Ｒ２は炭素数２乃至１２のアルキル基を表し、ｌ、ｍは０又は１を表し、Ｄは−ＯＣＯ−あるいは−ＯＣＯＣ＊Ｒ３Ｈ−を表す。ここで、Ｄが−ＯＣＯ−の場合、Ｒ４はフッ素原子あるいはトリフルオロメチル基を表し、Ｒ５は水素原子あるいはフッ素原子を表す。また、Ｄが−ＯＣＯＣ＊Ｒ３Ｈ−の場合、Ｒ３はメチル基、Ｒ４はフッ素原子あるいは炭素数１乃至５のアルキル基、Ｒ５は水素原子を表し、Ｒ２とＲ３とで環を形成しても良い。また、Ｃ＊は不斉炭素原子を表す。）で表される光学活性化合物。
【請求項２】
下記一般式（１）
【化２】
0004198221.tif 000018
（式中Ｒ１は炭素数５乃至１４のアルキル基あるいはアルコキシ基を表し、Ｒ２は炭素数２乃至１２のアルキル基を表し、ｌ、ｍは０又は１を表し、Ｄは−ＯＣＯ−、−ＣＨ２−Ｏ−、あるいは−ＯＣＯＣ＊Ｒ３Ｈ−を表す。ここで、Ｄが−ＯＣＯ−の場合、Ｒ４はフッ素原子あるいはトリフルオロメチル基を表し、Ｒ５は水素原子あるいはフッ素原子を表す。また、Ｄが−ＣＨ２−Ｏ−の場合、Ｒ４はメチル基あるいはトリフルオロメチル基を表し、Ｒ５は水素原子を表す。Ｄが−ＯＣＯＣ＊Ｒ３Ｈ−の場合、Ｒ３はメチル基、Ｒ４はフッ素原子あるいは炭素数１乃至５のアルキル基、Ｒ５は水素原子を表し、Ｒ２とＲ３とで環を形成しても良い。また、Ｃ＊は不斉炭素原子を表す。）で表される光学活性化合物を少なくとも１種含有する反強誘電性液晶組成物。
【請求項３】
下記一般式（１）
【化３】
0004198221.tif 000019
（式中Ｒ１は炭素数５乃至１４のアルキル基あるいはアルコキシ基を表し、Ｒ２は炭素数２乃至１２のアルキル基を表し、ｌ、ｍは０又は１を表し、Ｄは−ＯＣＯ−、−ＣＨ２−Ｏ−、あるいは−ＯＣＯＣ＊Ｒ３Ｈ−を表す。ここで、Ｄが−ＯＣＯ−の場合、Ｒ４はフッ素原子あるいはトリフルオロメチル基を表し、Ｒ５は水素原子あるいはフッ素原子を表す。また、Ｄが−ＣＨ２−Ｏ−の場合、Ｒ４はメチル基あるいはトリフルオロメチル基を表し、Ｒ５は水素原子を表す。Ｄが−ＯＣＯＣ＊Ｒ３Ｈ−の場合、Ｒ３はメチル基、Ｒ４はフッ素原子あるいは炭素数１乃至５のアルキル基、Ｒ５は水素原子を表し、Ｒ２とＲ３とで環を形成しても良い。また、Ｃ＊は不斉炭素原子を表す。）で表される光学活性化合物を少なくとも１種含有させることを特徴とする反強誘電性液晶組成物のしきい値を低減する方法。
【請求項４】
下記一般式（１）
【化４】
0004198221.tif 000020
（式中Ｒ１は炭素数５乃至１４のアルキル基あるいはアルコキシ基を表し、Ｒ２は炭素数２乃至１２のアルキル基を表し、ｌ、ｍは０又は１を表し、Ｄは−ＯＣＯ−、あるいは−ＯＣＯＣ＊Ｒ３Ｈ−を表す。ここで、Ｄが−ＯＣＯ−の場合、Ｒ４はフッ素原子あるいはトリフルオロメチル基を表し、Ｒ５は水素原子あるいはフッ素原子を表す。Ｄが−ＯＣＯＣ＊Ｒ３Ｈ−の場合、Ｒ３はメチル基、Ｒ４はフッ素原子あるいは炭素数１乃至５のアルキル基、Ｒ５は水素原子を表し、Ｒ２とＲ３とで環を形成しても良い。また、Ｃ＊は不斉炭素原子を表す。）で表される光学活性化合物を製造する方法において、下記一般式（２）
【化５】
0004198221.tif 000021
（式中、Ｒ１は炭素数５乃至１４のアルキル基、あるいはアルコキシ基を表し、ｌ、ｍは０又は１を表し、Ｗは水酸基を表す。）で表される化合物と、下記一般式（３）
【化６】
0004198221.tif 000022
（式中、Ｒ２は炭素数２乃至１２のアルキル基を表し、ＸはＣＯＯＨ、あるいはＣＯＣｌ、又は、−Ｃ＊Ｒ３ＨＣＯＯＨあるいは−Ｃ＊Ｒ３ＨＣＯＣｌを表す。ここでＸがＣＯＯＨ、あるいはＣＯＣｌの場合、Ｒ４はフッ素原子あるいはトリフルオロメチル基を表し、Ｒ５は水素原子あるいはフッ素原子を表す。また、Ｘが−Ｃ＊Ｒ３ＨＣＯＯＨあるいは−Ｃ＊Ｒ３ＨＣＯＣｌの場合、Ｒ３はメチル基、Ｒ４はフッ素原子あるいは炭素数１乃至５のアルキル基、Ｒ５は水素原子を表し、Ｒ２とＲ３とで環を形成しても良い。また、Ｃ＊は不斉炭素原子を表す。）で表される化合物とを反応させることを特徴とする光学活性化合物の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、前記一般式（３）で表される化合物は、下記一般式（４）
【化７】
0004198221.tif 000023
（式中、Ｒ２は炭素数４から１２のアルキル基を表し、Ｃ＊は不斉炭素原子を表す。）で表される化合物であることを特徴とする光学活性化合物の製造方法。
【請求項６】
請求項５において、前記一般式（４）で表される化合物は、光学活性な１−アルキルアリルアルコールとヘキサフルオロプロペンジエチルアミンとを反応させることにより製造することを特徴とする光学活性化合物の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶を用いた光スイッチング素子に使用する液晶材料として有用な新規な光学活性化合物に関し、及び、該化合物を含有する反強誘電性液晶組成物に関する。また、本発明は新規な光学活性化合物の製造法に関し、さらに該化合物の製造に使用する光学活性なカルボン酸の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
反強誘電性液晶は１９８８年にＣｈａｎｄａｎｉらによって発見され（Chandaniら，Jpn.J.Appl.Phys.,27,L279(1988). ）、現在液晶表示装置に使用されているネマチック液晶に代わる次世代液晶として注目されている。現在用いられているネマチック液晶の応答速度は数十ミリ秒と遅いため、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって駆動するアクティブマトリックスと呼ばれる非常に生産コストの高い駆動法を用いて、表示装置を構成している。
また、ツイステッドネマチック（ＴＮ）と呼ばれる表示方式は、本質的に視野角が狭いという欠点を持っている。
それに対して反強誘電性液晶は応答速度が数十マイクロ秒と高速であり、かつ液晶分子の応答が面内で起こるため視野角が広く、さらに直流印加時にも明確なしきい値を持つことから駆動が容易で、単純マトリックスと呼ばれる製造コストの低い駆動法で表示装置を構成することが出来る。
【０００３】
一方、１９７５年Ｍｅｙｅｒらによって発見された強誘電性液晶（R.B.Meyer ら，J.  Phys(France),36,L69,(1975).)は応答が高速である点から、表示品位の高い液晶ディスプレィを構成できると期待されたが、階調表示が困難なため現在でもフルカラ−表示は実現されていない。これに対して、反強誘電性液晶は階調表示が実現できており、試作品ではあるが、フルカラ−の動画表示が達成されている。
以上のように、反強誘電性液晶を用いた液晶ディスプレィは、視野角が広くかつ高品位な表示を低コストの単純マトリックスで実現できると期待されている。
【０００４】
ところが、反強誘電性液晶相を示す化合物は非常に構造的に限定されており、下記一般式（５）で示される１−置換アルキル安息香酸エステルのような末端構造を持つ化合物が殆どである。（福田敦夫監修「次世代液晶ディスプレイと液晶材料」シ−エムシ−（１９９２年）参照。）
【化５】
0004198221.tif 000002
（式中、Ｙはアルキル基、あるいはパ−フルオロアルキル基を表す。）
【０００５】
表示装置に用いる反強誘電性液晶は、現在使用されているネマチック液晶と同様に実用的な温度範囲を持ち、かつ表示品位に関わる様々な特性を求められるため、性質の異なる反強誘電性液晶化合物を混合し、液晶組成物とすることが必要である。しかし、前述のように反強誘電性液晶相が出現する構造が限定されているため、許される構造的修飾は、コア構造への脂環、縮合環、あるいはヘテロ環の導入、及びキラル末端鎖へのエ−テル結合の導入等のみである。その結果、得られる化合物は非常に性質が類似しており、種々の特性を求められる実用的な液晶組成物を得ることは困難となっている。そこで、実用的な特性を備えた反強誘電性液晶を得るためには、性質の異なる液晶化合物の開発が不可欠である。
【０００６】
一方、本発明者らは、下記のような構造を持つ化合物で反強誘電性液晶相が出現することを見出している（特開平４−８２８６２号公報参照。）
【化６】
0004198221.tif 000003
【０００７】
この化合物は２−メチルアルカン酸を導入しており、反強誘電性液晶相を安定に示すが、コア構造が既知の反強誘電性液晶と類似しているため高粘性であり、また、しきい値が高いという点で改善の余地がある。
本発明者らはさらにジフェニルピリミジンのようなヘテロ環系のコアに２−メチルアルカン酸を導入し、反強誘電性液晶相が出現することを見出している（特開平９−３１０６３号公報）。この化合物は上述のエステル系化合物より粘度が低く、有用な化合物であるが、この化合物もしきい値が高いという改善すべき点を残している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、反強誘電性液晶相を示さないが、しきい値の高い反強誘電性液晶に添加した場合にしきい値を低減できる新規な光学活性化合物、及びこれらの化合物を含有する反強誘電性液晶組成物を提供するとともに、それらの新規な光学活性化合物及びその中間体を安価に製造する手段を提供することを目的とするものである。
本発明者らは上記のようなしきい値の高い反強誘電性液晶のしきい値を低減させることが出来る光学活性化合物を探索し、反強誘電性液晶相を示さないが上述のしきい値の高い反強誘電性液晶及び反強誘電性液晶組成物に添加することにより、しきい値を低減できる化合物を見出すとともに、これらの化合物、特にその中間体の安価な製造方法を見出し、本発明を完成した。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記のようなしきい値の高い反強誘電性液晶のしきい値を低減させることが出来る光学活性化合物を探索し、反強誘電性液晶相を示さないが、上述のしきい値の高い反強誘電性液晶及び反強誘電性液晶組成物に添加することにより、しきい値を低減できる新規な光学活性化合物を見出すとともに、これらの化合物、特にその中間体の安価な製造方法を見出し、本発明を完成した。
【００１０】
第一の本発明は、下記一般式（１）で表されることを特徴とする光学活性化合物に関する。
【化１】
0004198221.tif 000004
（式中、Ｒ1 は炭素数５乃至１４のアルキル基あるいはアルコキシ基を表し、
Ｒ2 は炭素数２乃至１２のアルキル基を表し、ｌ、ｍは０又は１を表し、Ｄは−ＯＣＯ−、−ＣＨ2 −Ｏ−、あるいは−ＯＣＯＣ* Ｒ3 Ｈ−を表す。ここで、Ｄが−ＯＣＯ−の場合、Ｒ4 はフッ素原子あるいはトリフルオロメチル基を表し、Ｒ5 は水素原子あるいはフッ素原子を表す。また、Ｄが−ＣＨ2 −Ｏ−の場合、Ｒ4 はメチル基あるいはトリフルオロメチル基を表し、Ｒ5 は水素原子を表す。Ｄが−ＯＣＯＣ* Ｒ3 Ｈ−の場合、Ｒ3 はメチル基、Ｒ4 はフッ素原子あるいは炭素数１乃至５のアルキル基、Ｒ5 は水素原子を表し、Ｒ2 とＲ3 とで環を形成しても良い。また、Ｃ* は不斉炭素原子を表す。）
【００１１】
第二の本発明は、前記第一の発明における一般式（１）の光学活性化合物を少なくとも１種含有する反強誘電性液晶組成物に関する。
【００１２】
第三の本発明は、前記第一の発明の光学活性化合物を少なくとも１種含有させることを特徴とする反強誘電性液晶組成物のしきい値を低減する方法に関する。
【００１３】
また、第四の本発明は、下記一般式（２）
【化２】
0004198221.tif 000005
（式中、Ｒ1 は炭素数５乃至１４のアルキル基、あるいはアルコキシ基を表し、ｌ、ｍは０又は１を表し、Ｗは水酸基、クロロメチル基あるいはブロモメチル基を表す。）で表される化合物と、下記一般式（３）
【化３】
0004198221.tif 000006
（式中、Ｒ2 は炭素数２乃至１２のアルキル基を表し、ＸはＣＯＯＨ、ＣＯＣｌあるいはヒドロキシメチル基、又は、−Ｃ* Ｒ3 ＨＣＯＯＨあるいは−Ｃ* Ｒ3 ＨＣＯＣｌを表す。ここでＸがＣＯＯＨ、あるいはＣＯＣｌの場合、Ｒ4 はフッ素原子あるいはトリフルオロメチル基を表し、Ｒ5 は水素原子あるいはフッ素原子を表す。また、Ｘがヒドロキシメチル基の場合、Ｒ4 はメチル基あるいはトリフルオロメチル基を表し、Ｒ5 は水素原子を表す。また、Ｘが−Ｃ* Ｒ3 ＨＣＯＯＨあるいは−Ｃ* Ｒ3 ＨＣＯＣｌの場合、Ｒ3 はメチル基、Ｒ4 はフッ素原子あるいは炭素数１乃至５のアルキル基、Ｒ5 は水素原子を表し、Ｒ2 とＲ3 とで環を形成しても良い。また、Ｃ* は不斉炭素原子を表す。）で表される化合物とを反応させることを特徴とする、一般式（１）で表される化合物の製造方法に関する。
【００１４】
第五の本発明は、下記一般式（４）
【化４】
0004198221.tif 000007
（式中、Ｒ2 は炭素数４から１２のアルキル基を表し、Ｃ* は不斉炭素原子を表す。）で表される光学活性カルボン酸の製造方法において、光学活性な１−アルキルアリルアルコ−ルとヘキサフルオロプロペンジエチルアミンとを反応させることを特徴とする一般式（４）で表される化合物の製造方法に関する。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について具体的に説明する。
前記一般式（１）において、好ましい化合物として以下の化合物が挙げることが出来る。
【化７】
0004198221.tif 000008
【００１６】
ここで、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ4 及びｌ、ｍは前記と同じであり、ｎは２乃至４の整数を表す。Ｒ1 としてはペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、あるいは上記のアルキルオキシル基等が挙げられ、またＲ2 としてはエチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、炭素数１乃至１１のメチル置換アルキル基、炭素数３乃至１０のエチル置換アルキル基、及び、ジメチル置換アルキル基、炭素数４乃至９のプロピル置換アルキル基、及びトリメチルアルキル基等が例示される。
【００１７】
本発明の化合物の多くは、単独では反強誘電性液晶相を示さないが、しきい値の高い反強誘電性液晶化合物あるいは組成物に添加すると、しきい値を低減することが出来、さらに本発明の化合物同士を２種類以上混合して反強誘電性液晶化合物あるいは組成物に添加して低しきい値の反強誘電性液晶組成物とすることもできる。また、本発明の化合物は、既知の反強誘電性液晶化合物との相溶性が良いため、それらの化合物と混合しても容易に反強誘電性液晶組成物を得ることができる。好ましい既知の反強誘電性液晶化合物としては末端に下記の基を有する化合物を挙げることが出来る。
【００１８】
【化８】
0004198221.tif 000009
（ここで、Ｒ8 は直鎖アルキル基あるいはエ−テル結合を有するアルキル基を示す。）
【００１９】
特に好ましい具体的な化合物としては、つぎの各化合物が挙げられる。
【化９】
0004198221.tif 000010
【００２０】
（式中Ｒ8 は、直鎖アルキル基あるいはエ−テル結合を有するアルキル基を表し、Ｒ9 はアルキル基又はアルコキシ基を表し、ｓは１又は２、ｔは０又は１を表す。）
また、上記化９の各一般式の化合物中、その構造中のフェニレン基の水素が一部フッ素置換された化合物等を挙げることが出来る。
【００２１】
本発明の光学活性化合物と上述の反強誘電性液晶化合物、あるいはその組成物とを混合し、反強誘電性液晶組成物を得る場合、本発明の光学活性化合物は１乃至４０重量％添加されることが好ましい。
また、本発明の光学活性化合物はフェニルピリミジン、フェニルベンゾエ−ト類のような公知のスメクチックＣ相あるいはキラルスメクチックＣ相を示し、反強誘電性液晶相を示さない化合物との相溶性も高いため、それらの化合物と混合して強誘電性液晶組成物を得ることもできる。
【００２２】
さらに、ここで得られた強誘電性液晶組成物を反強誘電性液晶相の層構造を維持できる範囲内で、反強誘電性液晶化合物あるいは反強誘電性液晶組成物と混合し、反強誘電性液晶組成物を得ることも出来る。この場合、本発明の光学活性化合物と強誘電性液晶化合物あるいはその組成物とからなる強誘電性液晶組成物が１乃至４０重量％含まれることが望ましく、１乃至３０重量％含まれることがさらに好ましい。このように、本発明の光学活性化合物は反強誘電性液晶相を示しさないが、反強誘電性液晶化合物あるいは反強誘電性液晶組成物に混合して使用すると、しきい値を低減することが出来、反強誘電性液晶を用いた電気光学素子等に使用することができる。
【００２３】
また、本発明の化合物は、従来知られている多くの液晶性化合物との相溶性も良く、温度特性が改良された液晶材料を提供することが出来る。
さらに、本発明の光学活性化合物を、しきい値の高い反強誘電性液晶化合物に添加してしきい値を低下させ、より望ましい反強誘電性液晶組成物を得ることも出来る。
【００２４】
前記一般式（１）で表される本発明の光学活性化合物は、例えば次のような方法で合成することが出来る。
反応に使用する光学活性な２−フルオロアルカン酸類は、相当する２−ヒドロキシアルカン酸エステル類を、ヘキサフルオロプロペンジエチルアミンのようなフッ素化剤で、フッ素化し、加水分解することにより合成することが出来、さらに、２−フルオロ−２−アルケン酸を不斉水素化することによっても得ることが出来る。また、光学活性な２−トリフルオロメチルアルカン酸類は、ラセミ体からリパ−ゼによる光学分割等によって得ることが出来、また、下記のようにキラル補助剤を用いて合成することができる。
【００２５】
【化１０】
0004198221.tif 000011
【００２６】
また、光学活性な２−フルオロ−２−トリフルオロメチルアルカン酸類もラセミ体から上記のキラル補助剤を用いた光学分割により合成することが出来、さらに下記のような新規な合成ル−トによっても合成することが出来る。すなわち、光学活性な１−置換アリルアルコ−ル類とヘキサフルオロプロペンジエチルアミンとから合成することができる。
【００２７】
【化１１】
0004198221.tif 000012
ここで、Ｒ10は炭素数１乃至９のアルキル基を示し、Ｒ2 は炭素数４乃至１２のアルキル基を示す。
【００２８】
一方、２，３−ジアルキルカルボン酸類は下記のようにキラルなスルタムを用いることにより合成することが出来る。
【化１２】
0004198221.tif 000013
【００２９】
２−メチル−３−フルオロアルカン酸類はβ−ケト酸を不斉水素化して得られた光学活性なβ−ヒドロキシ酸から下記のように合成することが出来る。
【化１３】
0004198221.tif 000014
【００３０】
さらに、光学活性な１，１，１−トリフルオロ−２−アルカノ−ル類は、リパ−ゼによる光学分割等により合成することが出来る。コア部分は定法により合成し、２−置換アルカン酸類あるいは２−アルカノ−ル類と縮合して本発明の化合物を得ることが出来る。
【００３１】
一般式（１）において、Ｄが−ＯＣＯ−、あるいは−ＯＣＯＣ* Ｒ3 Ｈ−の化合物の合成法を説明すると、まず定法に従って、（３−ジメチルアミノ−２−（４−アルキルあるいは４−アルコキシフェニル）プロペニリデン）ジメチルアンモニウム過塩素酸塩誘導体と、ｐ−ヒドロキシベンズアミジン塩酸塩類とからジフェニルピリミジン誘導体を得、これと前述の光学活性なアルカン酸誘導体類とから通常のエステル化により目的物を得ることが出来る。
合成ル−トの例を以下に示す。
【００３２】
【化１４】
0004198221.tif 000015
【００３３】
次に、一般式（１）において、Ｄが−ＣＨ2 −Ｏ−の化合物の合成法を説明すると、前記と同様に合成したジフェニルピリミジン誘導体を還元し、ヒドロキシメチル体を得、これをクロロメチル体へ変換した後、前述の光学活性なアルコ−ル誘導体類とから目的物を得ることが出来る。合成ル−トの例を以下に示す。
【化１５】
0004198221.tif 000016
【００３４】
【実施例】
以下に実施例を示し、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。
実施例中に示した相転移点は、ホットステ−ジを備えた偏光顕微鏡下での目視観察及び示差走査熱量計（ＤＳＣ）による測定で決定した。また、各液晶相の判定は、いわゆる混和試験及びコンタクト試験により行った。
【００３５】
さらに、各液晶性化合物及び組成物の評価にはガラス基板に透明導電膜（インジウム錫酸化物：ＩＴＯ）を設け、ポリイミド、ポリビニルアルコ−ルのような配向膜をコ−トし、ラビングした後、そのラビング方向が平行になるように張り合わせた液晶評価セルを用いた。なお、このセルのセルギャップは２．３ミクロンであった。また、しきい値等の電気光学効果は、直交ニコルの状態に配置した偏光子と検光子の間に、温度制御した液晶セルを配置し、Ｈｅ−Ｎｅレ−ザを照射し、電圧印加時の液晶の応答を、光電子増倍管で測定した透過率変化の観測によって行った。なお、しきい値は、三角波印加時に、暗レベルを透過率０％、明レベルを１００％とし、９０％透過時の印加電圧として定義した（図１参照）。また、実施例中で使用するＴｃとは反強誘電性液晶相上限温度を示している。
【００３６】
実施例１
５−（３−フルオロ−４−オクチルオキシフェニル）−２−（３−フルオロ−４−（（Ｓ）−２−フルオロヘプタノイルオキシ）フェニル）−１，３−ピリミジンの合成。
窒素気流下、反応フラスコに５−（３−フルオロ−４−オクチルオキシフェニル）−２−（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）−１，３−ピリミジン０．７７ｇ、（Ｓ）−２−フルオロヘプタン酸０．４１ｇ、ジシクロヘキシルカ−ボジイミド（ＤＣＣ）０．８６ｇ、ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）１１６ｍｇ、１，２−ジクロロエタン４０ｍｌを仕込み、室温で３時間撹拌した。生成した塩を濾別後、濃縮して得られた粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−（トルエン/ 酢酸エチル＝１０：１）及び中圧液体クロマトグラフィ−により精製して、０．８８ｇの目的物を得た（収率８７．３％）。
【００３７】
1H-NMR(CDCl3) δ: 0.90(t,3H,J=7.0Hz),0.94(t,3H,J=7.2Hz),1.26-1.42(m,12H),1.45-1.53(m,2H),1.57-1.63(m,2H),1.82-1.90(m,2H),2.03-2.20(m,2H),4.10 (t,2H,J=6.6Hz),5.23(dt,1H,J=48.7Hz,J=5.9Hz),7.10(t,1H,J=8.5Hz),7.26-7.39(m,3H),8.31-8.36(m,2H),8.95(s,2H)
MS(m/z) : 542 (M+ )
この化合物は８１．３℃で融解し強誘電性液晶相（ＳｍＣ* 相）を示し、１４０．７℃で等方性液体へ転移した。
【００３８】
参考例１
５−（４−デシルフェニル）−２−（４−（（Ｓ）−２，６−ジメチルヘプタノイルオキシ）フェニル）ピリミジンの合成。
実施例１において５−（３−フルオロ−４−オクチルオキシフェニル）−２−（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）−１，３−ピリミジンを５−（４−デシルフェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）−１，３−ピリミジンに代え、（Ｓ）−２−フルオロヘプタン酸を（Ｓ）−２，６−ジメチルヘプタン酸に代えた以外は実施例１と同様に行って５−（４−デシルフェニル）−２−（４−（（Ｓ）−２，６−ジメチルヘプタノイルオキシ）フェニル）−１，３−ピリミジンを合成した。この化合物は１００．７℃で融解して反強誘電性液晶相を示し、１３１．７℃で等方性液体となった。この化合物を液晶セルに注入し、１１６．７℃（Ｔｃ−１５℃）で測定したところ、しきい値は５９Ｖであった。
【００３９】
実施例２
参考例１に示した化合物に実施例１で示した化合物を１０．１重量％添加して液晶組成物を得た。この組成物は等方性液体相から１２９．４℃でＳｍＣ* 相に転移し、さらに１２８．９℃（Ｔｃ）で反強誘電性液晶相に転移した。この様にして得られた反強誘電性液晶組成物を液晶セルに注入し、Ｔｃ−１５℃で測定したところ、しきい値は３８．４Ｖであった。参考例１の化合物のＴｃ−１５℃でのしきい値は５９Ｖであり、実施例１の化合物を添加しても安定に反強誘電性液晶相を示し、しきい値が低減できることから、より優れた特性を持つ反強誘電性液晶組成物が得られることが判った。
【００４０】
実施例３
５−（４−オクチルフェニル）−２−（３−フルオロ−４−（（Ｓ）−２−フルオロヘプタノイルオキシ）フェニル）−１，３−ピリミジンの合成。
実施例１において５−（３−フルオロ−４−オクチルオキシフェニル）−２−（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）−１，３−ピリミジンを５−（４−オクチルフェニル）−２−（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）−１，３−ピリミジンに代えた以外は実施例１と同様に行って表題化合物を得た。
【００４１】
1H-NMR(CDCl3) δ: 0.89(t,3H,J=7.0Hz),0.94(t,3H,J=7.1Hz),1.26-1.42(m,1 4H),1.58-1.70(m,4H),2.03-2.14(m,2H),2.68(t,2H,J=7.8Hz),5.23(dt,1H,J=48.8Hz,J=5.9Hz),7.30(m,1H),7.35(d,2H,J=8.3Hz),7.55(d,2H,J=8.3Hz),8.32-8.37(m,2H),9.00(s,2H)
MS(m/z) : 508 (M+ )
この化合物は８９．９℃で融解し強誘電性液晶相（ＳｍＣ* 相）を示し、１４０℃でスメクチックＡ（ＳｍＡ）相へ転移し、さらに１６５℃で等方性液体へ転移した。
【００４２】
この化合物を参考例１に示した化合物に１０．０重量％添加して液晶組成物を得た。この組成物は等方性液体相からＳｍＡ相に１２９．５℃で転移し、１２９．３℃でＳｍＣ* 相を示し、さらに１２８℃（Ｔｃ）で反強誘電性液晶相に転移した。この様にして得られた反強誘電性液晶組成物を液晶セルに注入し、Ｔｃ−１５℃で測定したところ、しきい値は４０．８Ｖであった。参考例１の化合物のＴｃ−１５℃でのしきい値は５９Ｖであり、実施例３の化合物を添加しても安定に反強誘電性液晶相を示し、しきい値が低減できることから、より優れた特性を持つ反強誘電性液晶組成物が得られることが判った。
【００４３】
実施例４
５−（４−オクチルオキシフェニル）−２−（４−（（Ｓ）−２−フルオロヘプタノイルオキシ）フェニル）−１，３−ピリミジンの合成。
実施例１において５−（３−フルオロ−４−オクチルオキシフェニル）−２−（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）−１，３−ピリミジンを５−（４−オクチルオキシフェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）−１，３−ピリミジンに代えた以外は実施例１と同様に行って表題化合物を得た。
【００４４】
1H-NMR(CDCl3) δ: 0.90(t,3H,J=7.0Hz),0.94(t,3H,J=7.1Hz),1.26-1.42(m,12H),1.45-1.52(m,2H),1.57-1.63(m,2H),1.79-1.86(m,2H),2.02-2.15(m,2H),4.02(t,2H,J=6.6Hz),5.17(dt,1H,J=48.8Hz,J=5.9Hz),7.05(d,2H,J=8.8Hz),7.27(d, 2H,J=8.8Hz), 7.56(d,2H,J=8.9Hz),8.53(d,2H,J=8.9Hz),8.97(s,2H)
MS(m/z) : 506 (M+ )
【００４５】
この化合物は１２４．６℃で融解し未同定の高次のスメクチック相を示し、１３２．２℃でやはり高次のスメクチック相へ転移し、１３９．６℃でＳｍＣ* 相を示し、１８０．９℃でＳｍＡ相へ転移し、２０５℃で等方性液体となった。この化合物を参考例１に示した化合物に２０．０重量％添加して液晶組成物を得た。この組成物は等方性液体相からＳｍＡ相に１４０．４℃で転移し、１３９．１℃でＳｍＣ* 相を示し、さらに１２９．７℃（Ｔｃ）で反強誘電性液晶相に転移した。この様にして得られた反強誘電性液晶組成物を液晶セルに注入し、Ｔｃ−１５℃で測定したところ、しきい値は３０Ｖであった。参考例１の化合物のＴｃ−１５℃でのしきい値は５９Ｖであり、実施例４の化合物を２０％添加しても安定に反強誘電性液晶相を示し、しきい値が低減できることから、より優れた特性を持つ反強誘電性液晶組成物が得られることが判った。
【００４６】
実施例５
５−（４−デシルフェニル）−２−（４−（（Ｓ）−２−トリフルオロメチルオクタノイルオキシ）フェニル）−１，３−ピリミジンの合成。
実施例１において５−（３−フルオロ−４−オクチルオキシフェニル）−２−（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）−１，３−ピリミジンを５−（４−デシルフェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）−１，３−ピリミジンに代え、（Ｓ）−２−フルオロヘプタン酸を（Ｓ）−２−トリフルオロメチルオクタン酸に代えた以外は実施例１と同様に行って表題化合物を得た。
【００４７】
1H-NMR(CDCl3) δ: 0.88(t,3H,J=6.9Hz),0.91(t,3H,J=6.9Hz),1.22-1.60(m,22H),1.62-1.70(m,2H),1.88-1.98(m,1H),2.02-2.15(m,1H),2.68(t,2H,J=7.7Hz),3.32-3.43(m,1H),7.24(d,2H,J=8.9Hz),7.34(d,2H,J=8.3Hz),7.55(d,2H,J=8.3Hz),8.55(d,2H, J=8.9Hz),9.01(s,2H)
MS(m/z) : 582 (M+ )
【００４８】
この化合物は６０．６℃で融解し未同定の高次のスメクチック相を示し８０．７℃で等方性液体となった。この化合物を参考例１に示した化合物に９．５重量％添加して液晶組成物を得た。この組成物の示す反強誘電性液晶相上限温度（Ｔｃ）は１２３．７℃であった。この様にして得られた反強誘電性液晶組成物を液晶セルに注入し、Ｔｃ−１５℃で測定したところ、しきい値は４０．８Ｖであった。参考例１の化合物のＴｃ−１５℃でのしきい値は５９Ｖであり、実施例５の化合物を添加しても安定に反強誘電性液晶相を示し、しきい値が低減できることから、より優れた特性を持つ反強誘電性液晶組成物が得られることが判った。
【００４９】
実施例６
５−（４−デシルフェニル）−２−（３−フルオロ−４−（（Ｒ）−２−トリフルオロメチルオクタノイルオキシ）フェニル）−１，３−ピリミジンの合成。
実施例５において５−（４−デシルフェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）−１，３−ピリミジンを５−（４−デシルフェニル）−２−（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）−１，３−ピリミジンに代え、（Ｓ）−２−トリフルオロメチルオクタン酸を（Ｒ）−２−トリフルオロメチルオクタン酸に代えた以外は実施例５と同様に行って表題化合物を得た。
【００５０】
1H-NMR(CDCl3) δ: 0.88(t,3H,J=6.9Hz),0.91(t,3H,J=7.0Hz),1.20-1.68(m,22H),1.70-1.72(m,2H),1.88-1.98(m,1H),2.02-2.16(m,1H),2.68(t,2H,J=7.7Hz),3.38-3.48(m,1H),7.25-7.28(m,1H),7.35(d,2H,J=8.4Hz),7.55(d,2H,J=8.4Hz),8.32-8.37(m,2H),9.00(s,2H)
MS(m/z) : 600(M + )
この化合物は５２℃で融解し未同定の高次のスメクチック相を示し、７１℃で等方性液体となった。
【００５１】
実施例７
５−（４−デシルオキシフェニル）−２−（４−（（Ｒ）−２−トリフルオロメチルオクタノイルオキシ）フェニル）−１，３−ピリミジンの合成。
実施例６において５−（４−デシルフェニル）−２−（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）−１，３−ピリミジンを５−（４−デシルオキシフェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）−１，３−ピリミジンに代えた以外は実施例６と同様に行って表題化合物を得た。
【００５２】
1H-NMR(CDCl3) δ: 0.89(t,3H,J=6.9Hz),0.91(t,3H,J=7.1Hz),1.20-1.60(m,22H),1.78-1.87(m,2H),1.88-1.98(m,1H),2.02-2.15(m,1H),3.32-3.42(m,1H),4.02(t,2H,J=6.6Hz),7.05(d,2H,J=8.9Hz),7.24(d,2H,J=8.9Hz),7.56(d,2H,J=8.8Hz),8.54(d,2H,J=9.0Hz),8.98(s,2H)
MS(m/z) : 598(M + )
この化合物は６９．０℃で融解し未同定の高次のスメクチック相を示し１０６℃で等方性液体となった。
【００５３】
参考例２
５−（４−デシルフェニル）−２−（４−（（Ｒ）−２，６−ジメチルヘプタノイルオキシ）フェニル）−１，３−ピリミジンの合成。
参考例１において（Ｓ）−２，６−ジメチルヘプタン酸を（Ｒ）−２，６−ジメチルヘプタン酸に代えた以外は参考例１と同様に行って５−（４−デシルフェニル）−２−（４−（（Ｒ）−２，６−ジメチルヘプタノイルオキシ）フェニル）−１，３−ピリミジンを合成した。  この化合物は１００℃で融解して反強誘電性液晶相を示し、１２８℃で等方性液体となった。この化合物を液晶セルに注入し、１１３℃（Ｔｃ−１５℃）で測定したところ、しきい値は５１．２Ｖであった。
【００５４】
実施例８
実施例７に示した化合物を参考例２に示した化合物に３０．１重量％添加して液晶組成物を得た。この組成物は等方性液体相からＳｍＡ相に１２７℃で転移し、１１３℃でＳｍＣ* 相を示し、さらに１０９℃（Ｔｃ）で反強誘電性液晶相に転移した。この様にして得られた反強誘電性液晶組成物を液晶セルに注入し、Ｔｃ−１５℃で測定したところ、しきい値は１９．２Ｖであった。参考例２の化合物のＴｃ−１５℃でのしきい値は５１．２Ｖであり、実施例７の化合物を３０％添加しても安定に反強誘電性液晶相を示し、しきい値が低減できることから、より優れた特性を持つ反強誘電性液晶組成物が得られることが判った。
【００５５】
実施例９
５−（４−デシルフェニル）−２−（４−（（Ｒ）−１−トリフルオロメチルヘプチルオキシメチル）フェニル）−１，３−ピリミジンの合成。
（１）５−（４−デシルフェニル）−２−（４−ヒドロキシメチルフェニル）−１，３−ピリミジンの合成。
反応フラスコに窒素気流下、リチウムアルミニウムヒドリド（ＬＡＨ）１．２ｇ、ＴＨＦ５０ｍｌを仕込み撹拌しながら、５−（４−デシルフェニル）−２−（４−エトキシカルボニルフェニル）−１，３−ピリミジン９．１ｇのＴＨＦ（２５０ｍｌ）溶液を５乃至１５℃の温度を保ちつつ滴下した。室温で２時間さらに撹拌した後、水中に投入し、酢酸エチルで抽出した。有機層を分離、水洗、濃縮して得られた粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィ−により精製後、ヘキサンより再結晶して目的物４．１２ｇを得た（収率４８．４％）。
【００５６】
（２）５−（４−デシルフェニル）−２−（４−クロロメチルフェニル）−１，３−ピリミジンの合成。
反応フラスコに５−（４−デシルフェニル）−２−（４−ヒドロキシメチルフェニル）−１，３−ピリミジン１．３２ｇ、塩化チオニル１．５４ｇ、塩化メチレン２０ｍｌを仕込み、７５℃で３時間撹拌した。反応物を水中に投入し、酢酸エチルで抽出し、水洗、濃縮して粗生成物を得た。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィ−（ベンゼン−酢酸エチル）により精製し、１．３０ｇの目的物を得た（収率９４．２％）。
【００５７】
（３）５−（４−デシルフェニル）−２−（４−（（Ｒ）−１−トリフルオロメチルヘプチルオキシメチル）フェニル）−１，３−ピリミジンの合成。
窒素気流下、５−（４−デシルフェニル）−２−（４−クロロメチルフェニル）−１，３−ピリミジン０．８ｇ、ＴＨＦ１０ｍｌ、ＮａＨ０．１ｇの分散液中に（Ｒ）−１，１，１−トリフルオロ−２−オクタノ−ル０．３５ｇ、ＴＨＦ２ｍｌの溶液を加え、６５℃で１時間、７５℃で２時間撹拌した。冷却後、多量の水中に投入して、酢酸エチルで抽出し、水洗、濃縮して粗生成物を得た。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィ−（ヘキサン−酢酸エチル）及びアセトニトリルからの再結晶で精製し、０．５５ｇの目的物を得た（収率５０．９％）。
【００５８】
1H-NMR(CDCl3) δ: 0.85(t,3H,J=6.8Hz),0.88(t,3H,J=6.9Hz),1.20-1.40(m,22H),1.60-1.78(m,4H),2.68(t,2H,J=7.7Hz),3.68-3.78(m,1H),4.66(d,1H,J=11.7Hz),4.93(d,1H,J=11.7Hz),7.34(d,2H,J=8.3Hz),7.48(d,2H,J=8.3Hz),7.55(d,2H,J=8.3Hz),8.49(d,2H,J=8.4Hz),9.01(s,2H)
MS(m/z) : 568(M+ )
【００５９】
この化合物は７５．１℃で融解し、冷却するとモノトロピックにＳｍＡ相を示した。このＳｍＡ相から等方性液体相への転移温度は７４．３℃であった。この化合物を参考例１に示した化合物に２０．１重量％添加して液晶組成物を得た。この組成物は等方性液体相からＳｍＡ相に１１９℃で転移し、１１４．９℃でＳｍＣ* 相へ転移し、１１２．９℃で反強誘電性液晶相に転移した。これを液晶セルに注入し、Ｔｃ−１５℃で測定したところ、しきい値は２０．４Ｖであった。参考例１の化合物のＴｃ−１５℃でのしきい値は５９Ｖであり、実施例９の化合物を２０％添加しても安定に反強誘電性液晶相を示し、しきい値が低減できることから、より優れた特性を持つ反強誘電性液晶組成物が得られることが判った。
【００６０】
実施例１０
５−（４−オクチルフェニル）−２−（４−（（Ｒ）−１−トリフルオロメチルヘプチルオキシメチル）フェニル）−１，３−ピリミジンの合成。
実施例９（１）において、５−（４−デシルフェニル）−２−（４−エトキシカルボニルフェニル）−１，３−ピリミジンを５−（４−オクチルフェニル）−２−（４−メトキシカルボニルフェニル）−１，３−ピリミジンに代えた以外は実施例９と同様に行い標題化合物を得た。
【００６１】
［α］D 25＝＋３６．８°（ｃ＝１．０５、ＣＨＣｌ3 ）。
1H-NMR(CDCl3)δ: 0.85(t,3H,J=7.0Hz),0.89(t,3H,J=6.9Hz),1.19-1.42(m,16H),1.48-1.58(m,2H),1.6-1.75 （m,4H),2.68(t,2H,J=7.7Hz),3.66-3.76(m,1H),4.66(d,1H,J=11.8Hz),4.93(d,1H,J=11.7Hz),7.34(d,2H,J=8.3Hz),7.49(d,2H,J=8.5Hz),7.55(d,2H,J=8.3Hz),8.49(d,2H,J=8.4Hz),9.01(s,2H)
MS(m/z) : 540 （M + )
【００６２】
この化合物は６８．５℃で融解しＳｍＡ相へ転移し、８１．９℃で等方性液体となった。この化合物を参考例１に示した化合物に９．９重量％添加して液晶組成物を得た。この組成物は等方性液体相からＳｍＡ相に１２４．１℃で転移し、１２２．６℃で反強誘電性液晶相に転移した。この様にして得られた反強誘電性液晶組成物を液晶セルに注入し、Ｔｃ−１５℃で測定したところ、しきい値は４５．２Ｖであった。参考例１の化合物のＴｃ−１５℃でのしきい値は５９Ｖであり、実施例１０の化合物を添加しても安定に反強誘電性液晶相を示し、しきい値が低減できることから、より優れた特性を持つ反強誘電性液晶組成物が得られることが判った。
【００６３】
実施例１１
５−（４−デシルオキシフェニル）−２−（４−（（Ｒ）−１−トリフルオロメチルヘプチルオキシメチル）フェニル）−１，３−ピリミジンの合成。
実施例９（１）において、５−（４−デシルフェニル）−２−（４−エトキシカルボニルフェニル）−１，３−ピリミジンを５−（４−デシルオキシフェニル）−２−（４−メトキシカルボニルフェニル）−１，３−ピリミジンに代えた以外は実施例９と同様に行い表題化合物を得た。
【００６４】
［α］D 25＝＋３４．６°（ｃ＝１．１５、ＣＨＣｌ3 ）。
1H-NMR(CDCl3)δ: 0.85(t,3H,J=6.9Hz),0.89(t,3H,J=6.9Hz),1.20-1.43(m,20H),1.43-1.57(m,2H),1.60-1.73(m,2H),1.76-1.85(m,2H),3.67-3.77(m,1H),4.02(t,2H,J=6.6Hz),4.66(d,1H,J=11.8Hz),4.93(d,1H,J=11.7Hz),7.05(d,2H,J=8.9Hz),7.49(d,2H,J=8.5Hz),7.56(d,2H,J=8.9Hz),8.48(d,2H,J=8.5Hz),8.98(s, 2H)
MS(m/z) :584(M+ )
【００６５】
この化合物は６５．３℃で融解しＳｍＣ* 相を示し、７４．９℃でＳｍＡ相へ転移し、１０１．１℃で等方性液体となった。この化合物を参考例１に示した化合物に１０．０重量％添加して液晶組成物を得た。この組成物は等方性液体相からＳｍＡ相に１２４．２℃で転移し、１２３．６℃（Ｔｃ）で反強誘電性液晶相に転移した。この様にして得られた反強誘電性液晶組成物を液晶セルに注入し、Ｔｃ−１５℃で測定したところ、しきい値は３６Ｖであった。参考例１の化合物のＴｃ−１５℃でのしきい値は５９Ｖであり、実施例１１の化合物を添加しても安定に反強誘電性液晶相を示し、しきい値が低減できることから、より優れた特性を持つ反強誘電性液晶組成物が得られることが判った。
【００６６】
実施例１２
５−（４−デシルフェニル）−２−（４−（（Ｒ）−１−トリフルオロメチルペンチルオキシメチル）フェニル）−１，３−ピリミジンの合成。
実施例９（３）において、（Ｒ）−１，１，１−トリフルオロ−２−オクタノ−ルを（Ｒ）−１，１，１−トリフルオロ−２−ヘキサノ−ルに代えた以外は実施例９と同様に行い標題化合物を得た。
【００６７】
1H-NMR(CDCl3) δ: 0.88(t,3H,J=6.9Hz),0.89(t,3H,J=7.0Hz),1.20-1.43(m,16H),1.45-1.58(m,2H),1.60-1.75(m,4H),2.68(t,2H,J=6.7Hz),3.67-3.77(m,1H),4.66(d,1H,J=11.8Hz),4.92(d,1H,J=11.8Hz),7.34(d,2H,J=8.4Hz),7.49(d,2H,J=8.4Hz),7.54(d,2H,J=8.4Hz),8.49(d,2H,J=8.4Hz),9.01(s,2H)
MS(m/z) :540(M + )
【００６８】
この化合物は６８．１℃で融解しＳｍＡ相へ転移し、８７．８℃で等方性液体となった。さらにＳｍＡ相から冷却するとＳｍＣ* 相を示し、この転移点は６４．６℃であった。この化合物を参考例１に示した化合物に１０．０重量％添加して液晶組成物を得た。この組成物は等方性液体相からＳｍＡ相に１２４．１℃で転移し、１２３．４℃（Ｔｃ）で反強誘電性液晶相に転移した。この様にして得られた反強誘電性液晶組成物を液晶セルに注入し、Ｔｃ−１５℃で測定したところ、しきい値は３４．４Ｖであった。参考例１の化合物のＴｃ−１５℃でのしきい値は５９Ｖであり、実施例１２の化合物を添加しても安定に反強誘電性液晶相を示し、しきい値が低減できることから、より優れた特性を持つ反強誘電性液晶組成物が得られることが判った。
【００６９】
実施例１３
５−（３−フルオロ−４−オクチルオキシフェニル）−２−（４−（（Ｒ）−１−トリフルオロメチルヘプチルオキシメチル）フェニル）−１，３−ピリミジンの合成。
実施例９（１）において、５−（４−デシルフェニル）−２−（４−エトキシカルボニルフェニル）−１，３−ピリミジンを５−（３−フルオロ−４−オクチルオキシフェニル）−２−（４−メトキシカルボニルフェニル）−１，３−ピリミジンに代えた以外は実施例９と同様に行い標題化合物を得た。
【００７０】
1H-NMR(CDCl3) δ: 0.86(t,3H,J=6.9Hz),0.90(t,3H,J=7.0Hz),1.21-1.42(m,16H),1.45-1.57(m,2H),1.62-1.76(m,2H),1.82-1.92(m,2H),3.67-3.78(m,1H),4.10(t,2H,J=6.7Hz),4.66(d,1H,J=11.7Hz),4.93(d,1H,J=11.7Hz),7.10(t,1H,J=8.6Hz),7.32-7.39(m,2H),7.49(d,2H,J=8.6Hz),8.48(d,2H,J=8.5Hz),8.96(s,2H)
MS(m/z) :574(M+ )
【００７１】
この化合物は７２．７℃で融解しＳｍＡ相へ転移し、７７．３℃で等方性液体となった。この化合物を考例１に示した化合物に２０．０重量％添加して液晶組成物を得た。この組成物は等方性液体相からＳｍＡ相に１２１．７℃で転移し、１２１℃（Ｔｃ）で反強誘電性液晶相に転移した。この様にして得られた反強誘電性液晶組成物を液晶セルに注入し、Ｔｃ−１５℃で測定したところ、しきい値は３４．８Ｖであった。参考例１の化合物のＴｃ−１５℃でのしきい値は５９Ｖであり、実施例１３の化合物を添加しても安定に反強誘電性液晶相を示し、しきい値が低減できることから、より優れた特性を持つ反強誘電性液晶組成物が得られることが判った。
【００７２】
実施例１４
５−（４−デシルフェニル）−２−（３−フルオロ−４−（（Ｒ）−１−トリフルオロメチルヘプチルオキシメチル）フェニル）−１，３−ピリミジンの合成。
実施例９（１）において、５−（４−デシルフェニル）−２−（４−エトキシカルボニルフェニル）−１，３−ピリミジンを５−（４−デシルフェニル）−２−（３−フルオロ−４−メトキシカルボニルフェニル）−１，３−ピリミジンに代えた以外は実施例９と同様に行い標題化合物を得た。
【００７３】
1H-NMR(CDCl3) δ: 0.85(t,3H,J=7.0Hz),0.88(t,3H,J=7.1Hz),1.18-1.43(m,20H),1.46-1.58(m,2H),1.60-1.75(m,4H),2.68(t,2H,J=7.8Hz),3.68-3.80(m,1H),4 .76(d,1H,J=11.9Hz),4.94(d,1H,J=12.1Hz),7.35(d,2H,J=8.3Hz),7.54-7.58(m,3H),8.20(dd,1H,J=11.2Hz,J=1.6Hz),8.30(dd,1H,J=8.0Hz,J=1.6Hz),9.01(s,2H)
MS(m/z) :587(M + ＋1)
【００７４】
この化合物は６０．３℃で融解し等方性液体となるが、冷却するとモノトロピックにＳｍＣ* 相を示した。このＳｍＣ* 相から等方性液体相への転移点は４８．１℃であった。この化合物を参考例１に示した化合物に１０．０重量％添加して液晶組成物を得た。この組成物は等方性液体相からＳｍＡ相に１２２．１℃で転移し、１２０℃（Ｔｃ）で反強誘電性液晶相に転移した。この様にして得られた反強誘電性液晶組成物を液晶セルに注入し、Ｔｃ−２０℃で測定したところ、しきい値は４０Ｖであった。参考例１の化合物のＴｃ−２０℃でのしきい値は６０Ｖ以上であり、実施例１４の化合物を添加しても安定に反強誘電性液晶相を示し、しきい値が低減できることから、より優れた特性を持つ反強誘電性液晶組成物が得られることが判った。
【００７５】
実施例１５
５−（４−デシルフェニル）−２−（４−（（Ｒ）−２−フルオロ−２−トリフルオロメチルオクタノイルオキシ）フェニル）−１，３−ピリミジンの合成。
（１）（Ｒ）−２−フルオロ−２−トリフルオロメチルオクタン酸の合成。
（１−１）２- フルオロ- ２- トリフルオロメチルオクタ−４−エン酸アミドの合成。
（Ｒ）−１−ヘキセン−３−オール９２０ｍｇ（９１．２％ｅ．ｅ．）とトリエチルアミン５．７ｍｌのジクロロメタン溶液１０ｍｌに０℃にて、ヘキサフルオロプロペンジエチルアミン付加物３．３ｍｌをゆっくり滴下し、０℃にて２時間、室温で４８時間撹拌した。反応液に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、ジクロロメタンにて抽出し、合わせた有機層を無水硫酸マグネシウムにて乾燥した。シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し目的物１．３５ｇを得た。
収率５１．９％。
【００７６】
1H-NMR (CDCl3)δ:0.89(3H,t,J =7.1Hz),1.15(3H,t,J=7.1 Hz),1.19(3H,t,J=6.8Hz),1.38(2H,dt,J=7.4Hz,J=14.5 Hz),1.99(2H,m),2.61(1H,m),3.07(1H,m),3.29 〜3.60(2H,m),5.33 (1H,dt,J=7.3Hz,J=15.3 Hz),5.68(1H,dt,J=6.8Hz,J=15.3Hz).
MS(m/z) :283(M+ ),220,149.
【００７７】
（１−２）２- フルオロ- ２- トリフルオロメチルオクタン酸アミドの合成。
２- フルオロ- ２- トリフルオロメチルオクタ−４−エン酸アミド１．３０ｇ（４．５ｍｍｏｌ）のメタノール溶液１３ｍｌにパラジウム炭素１３ｍｇを加え、水素雰囲気下、室温で２４時間撹拌した。触媒をセライトで濾過後、濾液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し目的物１．０ｇを得た。
収率７６．４％。
【００７８】
1H-NMR (CDCl3)δ:0.89 (3H,t,J=7.0 Hz),1.17(3H,t,J=7.1 Hz),1.21(3H,t,J=7.0Hz),1.24 〜1.55 (8H,m),1.92 (1H,m),2.38 (1H,m),3.29〜3.70(4H,m).
MS(m/z) :285(M+ ),270,256.
【００７９】
（１−３）（Ｒ）−２−フルオロ−２−トリフルオロメチルオクタン酸の合成。
水素化リチウムアルミニウム６７ｍｇ（１．８０ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン懸濁液７．０ｍｌに−２０℃にて２- フルオロ- ２- トリフルオロメチルオクタン酸アミド１．０ｇ（３．５１ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液３．０ｍｌをゆっくり滴下し、０℃にて６時間撹拌した。反応液を再び−２０℃にし、メタノール１５ｍｌおよびナトリウムボロヒドリド１３３ｍｇ（３．５１ｍｍｏｌ）を加えて、０℃で２時間撹拌した。反応液を希塩酸にてｐＨ＝２とし、溶媒を減圧下留去した後、エーテルにて抽出した。合わせた有機層を飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して得られたアルコール誘導体をエーテル溶液２６ｍｌとし、０℃にてＪｏｎｅｓ試薬（ＣｒＯ3;７．０２ｇ（７０．２ｍｍｏｌ），Ｈ2 ＳＯ4 ７．０２ｍｌ，Ｈ2 Ｏ  ２８．１ｍｌから調製) をゆっくり加え、室温で１５時間撹拌した。反応液をエーテルにて抽出し、合わせた有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し目的物４２０ｍｇを得た。収率５２．０％。この一部をメチルエステルとしキラル固定相のガスクロマトグラフィーで分析すると、光学純度は８５．９％ｅ．ｅ．であった。
【００８０】
1H-NMR (CDCl3) δ:0.89(3H,t,J=7.0Hz),1.18〜1.70(8H,m),1.95 〜2.28 (2H,m),8.25(1H,br).
MS(m/z) :231(M + ),211,193.
【００８１】
（２）５−（４−デシルフェニル）−２−（４−（（Ｒ）−２−フルオロ−２−トリフルオロメチルオクタノイルオキシ）フェニル）−１，３−ピリミジンの合成。
実施例１において５−（３−フルオロ−４−オクチルオキシフェニル）−２−（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）−１，３−ピリミジンを５−（４−デシルフェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）−１，３−ピリミジンに代え、（Ｓ）−２−フルオロヘプタン酸を（Ｒ）−２−フルオロ−２−トリフルオロメチルオクタン酸に代えた以外は実施例１と同様に行って表題化合物を得た。
【００８２】
1H-NMR(CDCl3) δ: 0.88(t,3H,J=6.9Hz),0.91(t,3H,J=7.1Hz),1.20-1.55(m,21H),1.6-1.75(m,3H),2.10-2.40(m,2H),2.68(t,2H,J=7.7Hz),7.27(d,2H,J=9.0Hz),7.34(d,2H,J=8.4Hz),7.55(d,2H,J=8.4Hz),8.57(d,2H,J=9.0Hz),9.00(s,2H)
MS(m/z) :600(M+ )
【００８３】
この化合物は４５．２℃で融解し未同定の高次のスメクチック相を示し、７０．８℃で等方性液体となった。この化合物を参考例１に示した化合物に１０．０重量％添加して液晶組成物を得た。この組成物は等方性液体相からＳｍＡ相に１２４．６℃で転移し、１２１．１℃でＳｍＣ* 相を示し、さらに１２０．９℃（Ｔｃ）で反強誘電性液晶相に転移した。この様にして得られた反強誘電性液晶組成物を液晶セルに注入し、Ｔｃ−１５℃で測定したところ、しきい値は４４．４Ｖであった。参考例１の化合物のＴｃ−１５℃でのしきい値は５９Ｖであり、実施例１５の化合物を添加しても安定に反強誘電性液晶相を示し、しきい値が低減できることから、より優れた特性を持つ反強誘電性液晶組成物が得られることが判った。
【００８４】
実施例１６
５−（４−デシルフェニル）−２−（４−（（Ｒ）−２−フルオロ−２−トリフルオロメチルデカノイルオキシ）フェニル）−１，３−ピリミジンの合成。
（１）（Ｒ）−２−フルオロ−２−トリフルオロメチルデカン酸の合成。
（１−１）２- フルオロ- ２- トリフルオロメチルデカ−４−エン酸アミドの合成。
（Ｒ）−１−オクテン−３−オール２．０ｇ( １５．６ｍｍｏｌ，９６．０％ｅ．ｅ．とトリエチルアミン４．４ｍｌ（３１．３ｍｍｏｌ）のジクロロメタン溶液４０ｍｌに０℃にて、ヘキサプロペンジエチルアミン付加物３．５ｇ（１５．６ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下し、０℃にて２時間、室温で４８時間撹拌した。反応液に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、ジクロロメタンにて抽出し、合わせた有機層を無水硫酸マグネシウムにて乾燥した。シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し目的物３．２６ｇを得た。収率６７．２％。
【００８５】
1H-NMR(CDCl3) δ: 0.89(3H,t,J=7.1Hz),1.15(3H,t,J=7.1Hz),1.18(3H,t,J=7.1Hz),1.21 〜1.40(6H,m),2.00(2H,m),2.61(1H,m),3.07(1H,m),3.59〜3.30(4H,m),5.32(1H,dt,J =7.2Hz,J=15.3Hz),5.86(1H,dt,J=6.7Hz,J=15.3 Hz).
MS(m/z) :312(M+ +1),220,100.
【００８６】
（１−２）２- フルオロ- ２- トリフルオロメチルデカン酸アミドの合成。
２- フルオロ- ２- トリフルオロメチルデカ−４−エン酸アミド３．０ｇ（９．６５ｍｍｏｌ）のメタノール溶液３０ｍｌにパラジウム炭素７５ｍｇを加え、水素雰囲気下、室温で２４時間撹拌した。触媒をセライトで濾過後、濾液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し目的物３．０ｇを得た。収率９９．３％。
【００８７】
1H-NMR (CDCl3)δ: 0.89(3H,t,J=7.0Hz),1.17(3H,t,J=7.1Hz),1.21(3H,t,J=7.0Hz),1.27 〜1.54(12H,m),1.90(1H, m),2.35(1H,m),3.30 〜3.70(4H,m).
MS(m/z) :313(M+ ),201,100.
【００８８】
（１ー３）（Ｒ）−２−フルオロ−２−トリフルオロメチルデカン酸の合成。
水素化リチウムアルミニウム６１ｍｇ（１．６０ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン懸濁液７．０ｍｌに−２０℃にて２−フルオロ−２−トリフルオロメチルデカン酸アミド１．０ｇ（３．１９ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液３．０ｍｌをゆっくり滴下し、０℃にて６時間撹拌した。反応液を再び−２０℃とし、メタノール１５ｍｌおよびナトリウムボロヒドリド１８２ｍｇ（３．１９ｍｍｏｌ）を加えて、０℃で２時間撹拌した。反応液を希塩酸にてｐＨ＝２とし、溶媒を減圧下留去した後、エーテルにて抽出した。合わせた有機層を飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して得られたアルコールをエーテル溶液２６ｍｌとし、０℃にてＪｏｎｅｓ試薬（ＣｒＯ3 ６．４ｇ（６４．０ｍｍｏｌ），Ｈ2 ＳＯ4 ６．４ｍｌ，Ｈ2 Ｏ２６ｍｌから調製) をゆっくり加え、室温で１５時間撹拌した。反応液をエーテルにて抽出し、合わせた有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し目的物２７０ｍｇを得た。収率３２．１％。この一部をメチルエステルとしキラル固定相のガスクロマトグラフィーで分析すると、光学純度は８６．７％ｅ．ｅ．であった。
【００８９】
[α] D 25＝＋３．０（ｃ＝２．０、ＣＨＣｌ3)。
1H-NMR (CDCl3) δ: 0.89(3H,t,J=7.1 Hz),1.15〜1.70 (12H,m), 1.95〜2.30(2H,m),9.65(1H,br).
MS(m/z) :243(M + −CH3),174,146.
【００９０】
（２）５−（４−デシルフェニル）−２−（４−（（Ｒ）−２−フルオロ−２−トリフルオロメチルデカノイルオキシ）フェニル）−１，３−ピリミジンの合成。
実施例１５（２）において（Ｒ）−２−フルオロ−２−トリフルオロメチルオクタン酸を（Ｒ）−２−フルオロ−２−トリフルオロメチルデカン酸に代えた以外は実施例１５（２）と同様に行って表題化合物を得た。
【００９１】
1H-NMR(CDCl3) δ: 0.88(t,3H,J=6.9Hz),0.89(t,3H,J=7.0Hz),1.20-1.55(m,25H),1.60-1.80(m,3H),2.10-2.40(m,2H),2.68(t,2H,J=7.8Hz),7.27(d,2H,J=8.9Hz),7.35(d,2H,J=8.4Hz),7.55(d,2H,J=8.4Hz),8.57(d,2H,J=9.0Hz),9.01(s,2H)
MS(m/z) : 628(M + )
この化合物は４６．４℃で融解し、未同定の高次のスメクチックを示し、６６．８℃で等方性液体となった。
【００９２】
実施例１７
５−（４−デシルフェニル）−２−（４−（（Ｒ）−２−フルオロ−２−トリフルオロメチルヘキサノイルオキシ）フェニル）−１、２−ピリミジンの合成。
（１）（Ｒ）−２−フルオロ−２−トリフルオロメチルヘキサン酸の合成。
実施例１５（１−１）において、（Ｒ）−１−ヘキセン−３−オ−ルを（Ｒ）−１−ブテン−３−オ−ルに代えた以外は実施例１５（１）と同様に合成し、（Ｒ）−２−フルオロ−２−トリフルオロメチルヘキサン酸を得た。
1H-NMR(CDCl3) δ: 0.93(3H,t,J=7.1Hz),1.10-1.70(4H,m),1.95-2.38(2H,m),8.14(1H,br)
MS(m/z) : 202(M + ),134,91.
【００９３】
（２）５−（４−デシルフェニル）−２−（４−（（Ｒ）−２−フルオロ−２−トリフルオロメチルヘキサノイルオキシ）フェニル）−１、３−ピリジンの合成。
実施例１５（２）において（Ｒ）−２−フルオロ−２−トリフルオロメチルオクタン酸を（Ｒ）−２−フルオロ−２−トリフルオロメチルヘキサン酸に代えた以外は実施例１５（２）と同様に行って表題化合物を得た。
【００９４】
1H-NMR(CDCl3) δ: 0.88(t,3H,J=6.9Hz),0.99(t,3H,J=7.2Hz),1.20-1.40(m,14H),1.42-1.55(m,3H),1.63-1.75(m,3H),2.10-2.42(m,2H),2.68(t,2H,J=7.7Hz),7.28(d,2H,J=9.0Hz),7.35(d,2H,J=8.3Hz),7.55(d,2H,J=8.3Hz),8.57(d,2H,J=8.9Hz),9.01(s,2H)
MS(m/z) : 572(M + )
この化合物は56.8℃で融解し、未同定の高次スメクチックを示し、71.1℃でやはり高次のスメクチック相へ転移し８３．６℃で等方性液体となった。
【００９５】
実施例１８
５−（４−デシルフェニル）−２−（４−（（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−ジメチルヘプタノイルオキシ）フェニル）−１，３−ピリミジンの合成。
実施例１５において（Ｒ）−２−フルオロ−２−トリフルオロメチルオクタン酸を、（２Ｓ，３Ｒ）−２，３−ジメチルヘプタン酸に代えた以外は実施例１５と同様に行った表題化合物を得た。
【００９６】
1H-NMR(CDCl3) δ: 0.88(t,3H,J=7.0Hz),0.93(t,3H,J=7.0Hz),0.99(d,3H,J=6.8Hz),1.23(d,3H,J=7.1Hz),1.20-1.50(m,20H),1.60-1.72(m,2H),2.00-2.12(m,1H),2.63-2.72(m,3H),7.21(d,2H,J=8.9Hz),7.34(d,2H,J=8.3Hz),7.55(d,2H,J=8.3Hz),8.52(d,2H,J=8.9Hz),8.99(s,2H)
MS(m/z) : 528(M + )
この化合物は７０．３℃で融解し、ＳｍＣ* 相を示し、１１１．７℃でＳｍＡ相へ転移し、１１３．２℃で等方性液体となった。
【００９７】
実施例１９
５−（４−デシルフェニル）−２−（４−（（２Ｓ，３Ｓ）−２，３−ジメチルヘプタノイルオキシ）フェニル）−１，３−ピリミジンの合成。
実施例１５において（Ｒ）−２−フルオロ−２−トリフルオロメチルオクタン酸を、（２Ｓ，３Ｓ）−２，３−ジメチルヘプタン酸に代えた以外は実施例１５と同様に行った表題化合物を得た。
【００９８】
1H-NMR(CDCl3) δ: 0.88(t,3H,J=6.9Hz),0.93(t,3H,J=7.0Hz),1.06(d,3H,J=6.8Hz),1.28(d,3H,J=7.0Hz),1.20-1.47(m,22H),1.60-1.70(m,2H),1.87-1.98(m,1H),2.60-2.72(m,3H),7.22(d,2H,J=8.9Hz),7.34(d,2H,J=8.3Hz),7.55(d,2H,J=8.3Hz),8.52(d,2H,J=8.9Hz),8.99(s,2H)
MS(m/z) : 529(M ++1 )
【００９９】
この化合物は８９．８℃で融解し、ＳｍＣ* 相を示し、１３０℃でＳｍＡ相へ転移し、１３５．６℃で等方性液体となった。この化合物を参考例１に示した化合物に３０．０重量％添加して液晶組成物を得た。この組成物は等方性液体相からＳｍＡ相に１２９．５℃で転移し、さらに１２２．１℃（Ｔｃ）で反強誘電性液晶相に転移した。この様にして得られた反強誘電性液晶組成物を液晶セルに注入し、Ｔｃ−１５℃で測定したところ、しきい値は３３．６Ｖであった。参考例１の化合物のＴｃ−１５℃でのしきい値は５９Ｖであることと比較してしきい値が低減できることから、より優れた特性を持つ反強誘電性液晶組成物が得られることが判った。
【０１００】
実施例２０
５−（４−デシルフェニル）−２−（４−（（１Ｓ，２Ｒ）−２−メチル−１−シクロヘキサンカルボニルオキシ）フェニル）−１，３−ピリミジンの合成。
実施例１５において（Ｒ）−２−フルオロ−２−トリフルオロメチルオクタン酸を、（１Ｓ，２Ｒ）−２−メチル−１−シクロヘキサンカルボン酸に代えた以外は実施例１５と同様に行った表題化合物を得た。
【０１０１】
1H-NMR(CDCl3) δ: 0.88(t,3H,J=6.9Hz),1.09(d,3H,J=7.0Hz),1.18-2.00(m,24H),2.36(m,1H),2.67(t,2H,J=7.7Hz),2.76-2.85(m,1H),7.22(d,2H,J=8.9Hz),7.33(d,2H,J=8.3Hz),7.54(d,2H,J=8.3Hz),8.51(d,2H,J=8.8Hz),8.99(s,2H)
MS(m/z) : 512(M + )
この化合物は１２３．５℃で融解し、ＳｍＣ* 相を示し、１４９．８℃でＳｍＡ相へ転移し、１５２．２℃で等方性液体となった。
【０１０２】
実施例２１
５−（４−デシルフェニル）−２−（３−フルオロ−４−（（１Ｓ，２Ｒ）−２−メチル−１−シクロヘキサンカルボニルオキシ）フェニル）−１，３−ピリミジンの合成。
実施例２０において用いられている５−（４−デシルフェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）−１，３−ピリミジンを、５−（４−デシルフェニル）−２−（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）−１，３−ピリミジンに代えた以外は実施例２０と同様に行った表題化合物を得た。
【０１０３】
1H-NMR(CDCl3) δ: 0.88(t,3H,J=6.9Hz),1.10(d,3H,J=7.1Hz),1.18-2.00(m,24H),2.33(m,1H),2.68(t,2H,J=7.7Hz),2.82-2.90(m,1H),7.08-7.25(m,1H),7.34(d,2H,J=8.2Hz),7.54(d,2H,J=8.3Hz),8.28-8.33(m,2H),8.99(s,2H)
MS(m/z) : 531(M ++1 )
【０１０４】
この化合物は１１２．３℃で融解し、未同定のスメクチック相を示し、１２０．９℃でＣ* 相を示し、１４２．３℃でＳｍＡ相へ転移し、１４５．８℃で等方性液体となった。この化合物を参考例１に示した化合物に１９．９重量％添加して液晶組成物を得た。この組成物は等方性液体相からＳｍＡ相に１３０．３℃で転移し、さらに１３０．１℃（Ｔｃ）で反強誘電性液晶相に転移した。この様にして得られた反強誘電性液晶組成物を液晶セルに注入し、Ｔｃ−１５℃で測定したところ、しきい値は５７．６Ｖであった。参考例１の化合物のＴｃ−１５℃でのしきい値は５９Ｖであり、実施例２１の化合物のしきい値低減効果は僅かであるが、２０％添加しても安定に反強誘電性液晶組成物を示すことが判った。
【０１０５】
実施例２２
５−（４−デシルフェニル）−２−（３−フルオロ−４−（（１Ｓ，２Ｒ）−２−ブチル−１−シクロヘキサンカルボニルオキシ）フェニル）−１，３−ピリミジンの合成。
実施例２０において（１Ｓ，２Ｒ）−２−メチル−１−シクロヘキサンカルボン酸を、（１Ｓ，２Ｒ）−２−ブチル−１−シクロヘキサンカルボン酸に代えた以外は実施例２０と同様に行った表題化合物を得た。
【０１０６】
1H-NMR(CDCl3) δ: 0.89(t,3H,J=6.9Hz),0.93(t,3H,J=7.1Hz),1.22-1.85(m,29H),1.92-2.04(m,2H),2.68(t,2H,J=7.7Hz),2.90-2.97(m,1H),7.21-7.25(m,1H),7.42(d,2H,J=8.4Hz),7.55(d,2H,J=8.3Hz),8.29-8.34(m,2H),9.00(s,2H)
MS(m/z) : 573(M +＋1 )
この化合物は９５．４℃で融解し、等方性液体となった。
【０１０７】
実施例２３
５−（４−デシルフェニル）−２−（４−（（２Ｓ，３Ｒ）−２−メチル−３−フルオロヘキサノイルオキシ）フェニル）−１，３−ピリミジンの合成。
実施例１において５−（３−フルオロ−４−オクチルオキシフェニル）−２−（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）−１，３−ピリミジンを、５−（４−デシルフェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）−１，３−ピリミジンに代え、（Ｓ）−２−フルオロヘプタン酸を（２Ｓ，３Ｒ）−２−メチル−３−フルオロヘキサン酸に代えた以外は実施例１と同様に行った表題化合物を得た。
【０１０８】
1H-NMR(CDCl3) δ: 0.88(t,3H,J=6.9Hz),1.01(t,3H,J=7.0Hz),1.20-1.90(m,20H),1.41(d,3H,J=7.1Hz),2.68(t,2H,J=7.8Hz),2.87-2.98(m,1H),4.92(dm,1H,J=48.1Hz),7.23(d,2H,J=9.0Hz),7.34(d,2H,J=8.3Hz),7.55(d,2H,J=8.3Hz),8.53(d,2H,J=9.0Hz),9.00(s,2H)
MS(m/z) : 518(M +)
【０１０９】
この化合物は９９．６℃で融解し１３３．９℃でＳｍＣ* 相を示し、１３３．９℃でＳｍＡ相へ転移し、１４１．４℃で等方性液体となった。この化合物を参考例１に示した化合物に１０．０重量％添加して液晶組成物を得た。この組成物は等方性液体相から１２７．１℃（Ｔｃ）で反強誘電性液晶相に転移した。この様にして得られた反強誘電性液晶組成物を液晶セルに注入し、Ｔｃ−１５℃で測定したところ、しきい値は３７．２Ｖであった。参考例１の化合物のＴｃ−１５℃でのしきい値は５９Ｖであり、実施例２３の化合物を添加しても安定に反強誘電性液晶相を示し、しきい値が低減できることから、より優れた特性を持つ反強誘電性液晶組成物が得られることが判った。
【０１１０】
実施例２４
５−（４−オクチルオキシフェニル）−２−（４−（（Ｒ）−１−メチルブトキシメチル）フェニル）−１，３−ピリミジンの合成。
実施例９（１）において、５−（４−デシルフェニル）−２−（４−エトキシカルボニルフェニル）−１，３−ピリミジンを、５−（４−オクチルオキシフェニル）−２−（４−メトキシカルボニルフェニル）−１，３−ピリミジンに代え、（Ｒ）−１，１，１−トリフルオロ−２−オクタノ−ルを（Ｒ）−２−ペンタノ−ルに代えた以外は実施例９と同様に行った表題化合物を得た。
【０１１１】
1H-NMR(CDCl3) δ: 0.90(t,3H,J=7.0Hz),0.92(t,3H,J=7.3Hz),1.22(d,3H,J=6.1Hz),1.25-1.70(m,14H),1.78-1.88(m,2H),3.50-3.60(m,1H),4.02(t,2H,J=6.6Hz),4.55(d,1H,J=12.3Hz),4.66(d,1H,J=12.3Hz),7.04(d,2H,J=8.9Hz),7.48(d,2H,J=8.6Hz),7.55(d,2H,J=8.8Hz),8.44(d,2H,J=8.5Hz),8.97(s,2H)
MS(m/z) : 460(M +)
【０１１２】
この化合物は５２．０℃で融解し反強誘電性液晶相に転移し、１１５．８℃でＳｍＣ* 相を示し、１４９．４℃で等方性液体へ転移した。この化合物を参考例１に示した化合物に１９．９重量％添加して液晶組成物を得た。この組成物は等方性液体相からＳｍＣ* 相に１２８．３℃で転移し、１２５．５℃（Ｔｃ）で反強誘電性液晶相に転移した。この様にして得られた反強誘電性液晶組成物を液晶セルに注入し、Ｔｃ−１５℃で測定したところ、しきい値は４７．６Ｖであった。参考例１の化合物のＴｃ−１５℃でのしきい値は５９Ｖであり、実施例２４の化合物を添加しても安定に反強誘電性液晶相を示し、しきい値が低減できることから、より優れた特性を持つ反強誘電性液晶組成物が得られることが判った。
【０１１３】
【発明の効果】
本発明の光学活性化合物は、従来知られている多くの反強誘電性液晶化合物との相溶性が良く、しきい値が改良された液晶材料を提供することが出来る。また、本発明の光学活性化合物を含有する液晶組成物は反強誘電性液晶を用いた電気光学素子に使用することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は反強誘電性液晶で観察される電気光学効果（ダブルヒステリシス）を示し、さらに、しきい値の定義を示す図である。
【図２】図２は短形波あるいは三角波印加時の液晶分子の応答の模式図である。
【図１】
0004198221.tif 000024
【図２】
0004198221.tif 000025