(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）下記一般式（１）で表される芳香族スルホン酸オニウム塩化合物、並びに（Ｂ）下記一般式（２）で表される繰返し単位と下記一般式（３）で表される繰返し単位とを有する共重合体（Ｉ）および／または下記一般式（２）で表される繰返し単位と下記一般式（４）で表される繰返し単位とを有する共重合体（II) を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物。
【化１】
0004135276.tif 000041
〔一般式（１）において、Ｚ+ は硫黄またはヨウ素のオニウムカチオンを示し、Ｘ- は下記式（１−１）または式（１−３）のいずれかのアニオンを示す。〕
【化２】
0004135276.tif 000042
【化３】
0004135276.tif 000043
〔一般式（２）において、Ｒ1 は水素原子またはメチル基を示し、Ｒ2 はハロゲン原子または炭素数１〜６の有機基を示し、ｉは０〜３の整数である。〕
【化４】
0004135276.tif 000044
〔一般式（３）において、Ｒ3 は水素原子またはメチル基を示し、Ｒ4 は炭素数４〜１０の３級アルキル基を示し、Ｒ5 はハロゲン原子または炭素数１〜６の有機基を示し、ｊは０〜３の整数である。〕
【化５】
0004135276.tif 000045
〔一般式（４）において、Ｒ6 は水素原子またはメチル基を示し、Ｒ7 は水素原子または炭素数１〜６の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基を示し、Ｒ8 は炭素数１〜６の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基を示し、Ｒ9 はハロゲン原子または炭素数１〜６の有機基を示し、ｋは０〜３の整数である。〕
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、荷電粒子線の如き各種の放射線を用いる微細加工に適した化学増幅型レジストとして好適な感放射線性樹脂組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
集積回路素子の製造に代表される微細加工の分野においては、より高い集積度を得るために、リソグラフィーにおける加工サイズの微細化が進んでおり、近年では、０．５μｍ以下の微細加工を安定して行なうことができるリソグラフィープロセスの開発が強く進められている。
しかしながら、従来の可視光線（波長７００〜４００ｎｍ）や近紫外線（波長４００〜３００ｎｍ）を用いる方法では、このような微細パターンを高精度に形成することが困難であり、そのため、より幅広い焦点深度を達成でき、デザインルールの微細化に有効な短波長（波長３００ｎｍ以下）の放射線を用いるリソグラフィープロセスが提案されている。
このような短波長の放射線としては、例えば、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）あるいはＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）等の遠紫外線、シンクロトロン放射線等のＸ線、電子線等の荷電粒子線等を挙げることができる。そして、これらの短波長の放射線に対応する高解像度のレジストとして、インターナショナル・ビジネス・マシーン（ＩＢＭ）社により、「化学増幅型レジスト」が提唱され、現在、この化学増幅型レジストの改良が精力的に進められている。
化学増幅型レジストは、それに含有される感放射線性酸発生剤への放射線の照射（以下、「露光」という。）により酸を発生させ、この酸の触媒作用により、レジスト被膜中で化学変化（例えば、極性の変化、化学結合の分解、架橋反応等）を生起させ、現像液に対する溶解性が露光部において変化する現象を利用して、レジストパターンを形成するものである。
このような化学増幅型レジストにおいては、感放射線性酸発生剤がレジストとしての機能に大きな影響を及ぼすことが知られており、今日では、露光による酸発生の量子収率が高く、高感度であるなどの理由から、オニウム塩化合物が感放射線性酸発生剤として広く採用されている。このオニウム塩化合物は、オニウムカチオンとカウンターアニオンとで構成されており、その構造については既に幅広い検討がなされてきている。
【０００３】
また、従来の化学増幅型レジストに使用されている樹脂成分のうち、比較的良好なレジスト性能を示すものに、アルカリ可溶性樹脂中のアルカリ親和性基をｔ−ブチルエステル基やｔ−ブトキシカルボニル基で保護した樹脂（特公平２−２７６６０号公報参照）、アルカリ可溶性樹脂中のアルカリ親和性基をケタール基で保護した樹脂（特開平７−１４０６６６号公報参照）、アルカリ可溶性樹脂中のアルカリ親和性基をエトキシエチル基やテトラヒドロピラニル基のようなアセタール基で保護した樹脂（特開平２−１６１４３６号公報および特開平５−２４９６８２号公報参照）、アルカリ可溶性樹脂中のアルカリ親和性基をｔ−ブトキシカルボニル基で保護した樹脂とアルカリ可溶性樹脂中のアルカリ親和性基をアセタール基で保護した樹脂との組合せ（特開平８−１５８６４号および特開平１０−３１３０９号公報参照）等が知られている。
しかしながら、これらの化学増幅型レジストにはそれぞれ固有の問題があり、特に０．２５μｍ以下の微細加工への実用化に際して種々の困難を伴うことが指摘されている。
その第一の問題として、形成されたパターンの表面および側面の凹凸（即ち、膜面荒れ）が大きく、微細パターンの精密な線幅制御に支障をきたすことが挙げられる。また第二の問題として、密集ライン、孤立ライン、コンタクトホール等の種々のパターンで、とりわけライン系パターンにおいて、十分な高感度、解像度およびフォーカス余裕度が得られず、近年のメモリー回路やロジック回路、あるいはこの両者を混載した回路に対するニーズを満足させることができないことが挙げられる。
さらに最近、ジ（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムパーフルオロオクタンスルホネート、ジ（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート等のオニウム塩化合物と、４−ヒドロキシスチレン／スチレン／ｔ−ブチルアクリレート共重合体等のアルカリ可溶性樹脂とを含有するフォトレジスト組成物が良好な感度を示すことが開示されている（特開平１１−１６７２００公報参照）。
しかしながら、該公開公報では、種々のパターン形態において、感度に加え、解像度、フォーカス余裕度、膜荒れ等の近年における大きな課題を含めて、オニウム塩化合物とアルカリ可溶性樹脂の構造との相関関係について十分検討されておらず、化学増幅型レジストとしての総合物性の面で、該フォトレジスト組成物は未だ満足できるとはいえない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、荷電粒子線の如き各種の放射線に有効に感応し、高感度であり、かつ密集ライン、孤立ライン、コンタクトホール等を含む種々のパターンで、とりわけライン系パターンにおいて、十分な解像度とフォーカス余裕度を有し、さらに膜面荒れの小さい微細パターンを形成することができる感放射線性樹脂組成物を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明によると、前記課題は、
（Ａ）下記一般式（１）で表される芳香族スルホン酸オニウム塩化合物、並びに（Ｂ）下記一般式（２）で表される繰返し単位と下記一般式（３）で表される繰返し単位とを有する共重合体（Ｉ）および／または下記一般式（２）で表される繰返し単位と下記一般式（４）で表される繰返し単位とを有する共重合体（II) を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物。
【０００６】
【化６】
0004135276.tif 000002
〔一般式（１）において、Ｚ+ は硫黄またはヨウ素のオニウムカチオンを示し、Ｘ- は下記式（１−１）または式（１−３）のいずれかのアニオンを示す。〕
【０００７】
【化７】
0004135276.tif 000003
【０００８】
【化８】
0004135276.tif 000004
〔一般式（２）において、Ｒ1 は水素原子またはメチル基を示し、Ｒ2 はハロゲン原子または炭素数１〜６の有機基を示し、ｉは０〜３の整数である。〕
【０００９】
【化９】
0004135276.tif 000005
〔一般式（３）において、Ｒ3 は水素原子またはメチル基を示し、Ｒ4 は炭素数４〜１０の３級アルキル基を示し、Ｒ5 はハロゲン原子または炭素数１〜６の有機基を示し、ｊは０〜３の整数である。〕
【００１０】
【化１０】
0004135276.tif 000006
〔一般式（４）において、Ｒ6 は水素原子またはメチル基を示し、Ｒ7 は水素原子または炭素数１〜６の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基を示し、Ｒ8 は炭素数１〜６の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基を示し、Ｒ9 はハロゲン原子または炭素数１〜６の有機基を示し、ｋは０〜３の整数である。〕
【００１１】
により達成される。
但し、一般式（２）〜（４）におけるＲ2 、Ｒ5 およびＲ9 の炭素数１〜６の有機基は、一般式（３）における基−ＯＲ4 および一般式（４）における基
−Ｏ−ＣＨ（Ｒ7)−Ｏ−ＣＨ2 −Ｒ8 を含まない。
【００１２】
以下、本発明を詳細に説明する。
（Ａ）成分
本発明における（Ａ）成分は、前記一般式（１）で表される芳香族スルホン酸オニウム塩化合物（以下、「オニウム塩化合物（Ａ）」という。）からなり、本発明における感放射線性樹脂組成物において、感放射線性酸発生剤（以下、「酸発生剤」と略記する。）として作用する成分である。
一般式（１）において、Ｚ+ の硫黄またはヨウ素のオニウムカチオンとしては、例えば、下記一般式（５）または一般式（６）で表されるものを挙げることができる。
【００１３】
【化１１】
0004135276.tif 000007
〔一般式（５）において、Ｒ10〜Ｒ12は相互に独立に炭素数１〜１６（置換基の炭素数を含む。以下同様。）の置換もしくは非置換のアルキル基または炭素数６〜２２の置換もしくは非置換のアリール基を示し、かつＲ10〜Ｒ12の少なくとも１つが該アリール基であるか、あるいはＲ10〜Ｒ12の少なくとも２つが相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成し、残りのＲ10〜Ｒ12が該アルキル基または該アリール基であり、かつ式中に芳香族環を有する。〕
【００１４】
一般式（５）において、Ｒ10〜Ｒ12の少なくとも２つが相互に結合して式中の硫黄原子と共に形成した環は、芳香族環でも非芳香族環でもよく、また環構成原子として、該硫黄原子以外の異項原子（例えば、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等）をさらに有することができる。但し、Ｒ10〜Ｒ12の少なくとも２つが相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成する場合は、式中に芳香族環を有することが必要である。
【００１５】
【化１２】
0004135276.tif 000008
〔式（６）において、Ｒ13およびＲ14は相互に独立に炭素数６〜２２の置換もしくは非置換のアリール基を示すか、あるいはＲ13とＲ14とが相互に結合して式中のヨウ素原子と共に環を形成し、かつ式中に芳香族環を有する。〕
【００１６】
一般式（６）において、Ｒ13とＲ14とが相互に結合して式中のヨウ素原子と共に形成した環は、芳香族環でも非芳香族環でもよく、また環構成原子として、該ヨウ素原子以外の異項原子（例えば、酸素原子、硫黄原子、窒素原子等）をさらに有することができる。但し、Ｒ13とＲ14とが相互に結合して式中のヨウ素原子と共に環を形成する場合は、式中に芳香族環を有することが必要である。
【００１７】
このようなＺ+ の好ましい具体例としては、式（５−１）〜（５−24）、式（６−１）〜（６−10）で表されるものを挙げることができる。
【００１８】
【化１３】
0004135276.tif 000009
【００１９】
【化１４】
0004135276.tif 000010
【００２０】
【化１５】
0004135276.tif 000011
【００２１】
【化１６】
0004135276.tif 000012
【００２２】
【化１７】
0004135276.tif 000013
【００２３】
【化１８】
0004135276.tif 000014
【００２４】
【化１９】
0004135276.tif 000015
【００２５】
【化２０】
0004135276.tif 000016
【００２６】
【化２１】
0004135276.tif 000017
【００２７】
【化２２】
0004135276.tif 000018
【００２８】
【化２３】
0004135276.tif 000019
【００２９】
【化２４】
0004135276.tif 000020
【００３０】
【化２５】
0004135276.tif 000021
【００３１】
【化２６】
0004135276.tif 000022
【００３２】
【化２７】
0004135276.tif 000023
【００３３】
【化２８】
0004135276.tif 000024
【００３４】
【化２９】
0004135276.tif 000025
【００３５】
これらのＺ+ のうち、式（５−１）、式（５−２）、式（５−３）、式（５−４）、式（５−５）、式（５−24）、式（６−３）、式（６−４）等が好ましい。
【００３６】
オニウム塩化合物（Ａ）は、例えば、対応するスルホン酸のナトリウム塩あるいはアンモニウム塩と、対応する塩化オニウム塩あるいは水酸化オニウム塩との常法の塩交換反応により合成することができる。
【００３７】
（Ｂ）成分
本発明における（Ｂ）成分は、前記一般式（２）で表される繰返し単位（以下、「繰返し単位（２）」という。）と前記一般式（３）で表される繰返し単位（以下、「繰返し単位（３）」という。）とを有する共重合体（Ｉ）および／または繰返し単位（２）と前記一般式（４）で表される繰返し単位（以下、「繰返し単位（４）」という。）とを有する共重合体（II) からなる。
【００３８】
共重合体（Ｉ）および共重合体（II）の繰返し単位（２）、共重合体（Ｉ）の繰返し単位（３）並びに共重合体（II）の繰返し単位（４）において、Ｒ2 、Ｒ5 およびＲ9 のハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等を挙げることができる。
また、Ｒ2 、Ｒ5 およびＲ9 の炭素数１〜６の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基等のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基基等のアルコキシル基等を挙げることができる。
共重合体（Ｉ）および共重合体（II）の繰返し単位（２）、共重合体（Ｉ）の繰返し単位（３）並びに共重合体（II）の繰返し単位（４）におけるＲ2 、Ｒ5 およびＲ9 としては、特に、メチル基が好ましい。
また、共重合体（Ｉ）および共重合体（II）の繰返し単位（２）、共重合体（Ｉ）の繰返し単位（３）並びに共重合体（II）の繰返し単位（４）におけるｉ、ｊおよびｋとしては、それぞれ０または１が好ましい。
【００３９】
共重合体（Ｉ）および共重合体（II）において、繰返し単位（２）を与える好ましい単量体としては、例えば、４−ヒドロキシスチレン、３−ヒドロキシスチレン、２−ヒドロキシスチレン、４−ヒドロキシ−α−メチルスチレン、３−ヒドロキシ−α−メチルスチレン、２−ヒドロキシ−α−メチルスチレン、３−メチル−４−ヒドロキシスチレン、３−メチル−４−ヒドロキシ−α−メチルスチレン等を挙げることができる。
これらの単量体のうち、特に、４−ヒドロキシスチレン、３−ヒドロキシスチレン、４−ヒドロキシ−α−メチルスチレンが好ましい。
前記繰返し単位（２）を与える単量体は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【００４０】
また、共重合体（Ｉ）において、繰返し単位（３）におけるＲ4 の炭素数４〜１０の３級アルキル基としては、例えば、ｔ−ブチル基、１，１−ジメチルプロピル基、１−メチル−１−エチルプロピル基、１，１−ジメチルブチル基、１，１−ジメチルペンチル基、１−メチル−１−エチルペンチル基、１，１−ジメチルヘキシル基、１，１−ジメチルヘプチル基、１，１−ジメチルオクチル基等を挙げることができる。
これらの３級アルキル基のうち、特に、ｔ−ブチル基が好ましい。
繰返し単位（３）における基−Ｏ−Ｒ4 は、酸解離性を有するものである。
【００４１】
繰返し単位（３）を与える好ましい単量体としては、例えば、
４−ｔ−ブトキシスチレン、３−ｔ−ブトキシスチレン、２−ｔ−ブトキシスチレン、４−ｔ−ブトキシ−α−メチルスチレン、３−ｔ−ブトキシ−α−メチルスチレン、２−ｔ−ブトキシ−α−メチルスチレン、３−メチル−４−ｔ−ブトキシスチレン、３−メチル−４−ｔ−ブトキシ−α−メチルスチレン、
４−（１’，１’−ジメチルプロポキシ）スチレン、４−（１’，１’−ジメチルプロポキシ）−α−メチルスチレン等を挙げることができる。
【００４２】
これらの単量体のうち、４−ｔ−ブトキシスチレン、３−ｔ−ブトキシスチレン、４−ｔ−ブトキシ−α−メチルスチレンがさらに好ましく、特に、４−ｔ−ブトキシスチレンが好ましい。
前記繰返し単位（３）を与える単量体は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【００４３】
共重合体（Ｉ）において、繰返し単位（２）の含有率は、全繰返し単位に対して、通常、２０〜９０モル％、好ましくは３０〜８５モル％、さらに好ましくは４０〜８０モル％である。この場合、繰返し単位（２）の含有率が２０モル％未満では、レジストとしての感度が低下する傾向があり、一方９０モル％を超えると、パターン形状が損なわれる傾向がある。
また、繰返し単位（３）の含有率は、全繰返し単位に対して、通常、１０〜５０モル％、好ましくは１５〜４５モル％、さらに好ましくは１５〜４０モル％である。この場合、繰返し単位（３）の含有率が１０モル％未満では、レジストとしての解像度が低下する傾向があり、一方５０モル％を超えると、微細パターンの接着性が低下する傾向がある。
【００４４】
次に、共重合体（II）において、繰返し単位（４）におけるＲ7 およびＲ8 の炭素数１〜６の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。
繰返し単位（４）におけるＲ7 としては、特に、水素原子、メチル基、エチル基、シクロヘキシル基が好ましく、またＲ8 としては、特に、メチル基、エチル基、シクロヘキシル基が好ましい。
【００４５】
繰返し単位（４）における下記一般式（７）で表されるアセタール基（以下、「アセタール基（７）」という。）は、酸解離性を有するものである。
【００４６】
【化３０】
0004135276.tif 000026
〔一般式（７）において、Ｒ7 およびＲ8 は一般式（４）におけるそれぞれＲ7 およびＲ8 と同義である。〕
【００４７】
アセタール基（７）としては、例えば、メトキシメトキシ基、エトキシメトキシ基、ｎ−プロポキシメトキシ基、ｉ−プロポキシメトキシ基、ｎ−ブトキシメトキシ基、ｔ−ブトキシメトキシ基、ｎ−ペンチルオキシメトキシ基、ｎ−ヘキシルオキシメトキシ基、シクロペンチルオキシメトキシ基、シクロヘキシルオキシメトキシ基、
１−メトキシエトキシ基、１−エトキシエトキシ基、１−ｎ−プロポキシエトキシ基、１−ｉ−プロポキシエトキシ基、１−ｎ−ブトキシエトキシ基、１−ｔ−ブトキシエトキシ基、１−ｎ−ペンチルオキシエトキシ基、１−ｎ−ヘキシルオキシエトキシ基、１−シクロペンチルオキシエトキシ基、１−シクロヘキシルオキシエトキシ基、
（シクロヘキシル）（メトキシ）メトキシ基、（シクロヘキシル）（エトキシ）メトキシ基、（シクロヘキシル）（ｎ−プロポキシ）メトキシ基、（シクロヘキシル）（ｉ−プロポキシ）メトキシ基、（シクロヘキシル）（シクロヘキシルオキシ）メトキシ基
等を挙げることができる。
これらのアセタール基（７）のうち、特に、１−メトキシエトキシ基、１−エトキシエトキシ基、１−シクロヘキシルオキシエトキシ基が好ましい。
【００４８】
繰返し単位（４）を与える好ましい単量体としては、例えば、
４−メトキシメトキシスチレン、３−メトキシメトキシスチレン、２−メトキシメトキシスチレン、３−メチル−４−メトキシメトキシスチレン、４−メトキシメトキシ−α−メチルスチレン、３−メトキシメトキシ−α−メチルスチレン、２−メトキシメトキシ−α−メチルスチレン、３−メチル−４−メトキシメトキシ−α−メチルスチレン、
４−エトキシメトキシスチレン、３−エトキシメトキシスチレン、２−エトキシメトキシスチレン、３−メチル−４−エトキシメトキシスチレン、４−エトキシメトキシ−α−メチルスチレン、３−エトキシメトキシ−α−メチルスチレン、２−エトキシメトキシ−α−メチルスチレン、３−メチル−４−エトキシメトキシ−α−メチルスチレン、
４−シクロヘキシルオキシメトキシスチレン、４−シクロヘキシルオキシメトキシ−α−メチルスチレン、
【００４９】
４−（１’−メトキシエトキシ）スチレン、３−（１’−メトキシエトキシ）スチレン、２−（１’−メトキシエトキシ）スチレン、３−メチル−４−（１’−メトキシエトキシ）スチレン、４−（１’−メトキシエトキシ）−α−メチルスチレン、３−（１’−メトキシエトキシ）−α−メチルスチレン、２−（１’−メトキシエトキシ）−α−メチルスチレン、３−メチル−４−（１’−メトキシエトキシ）−α−メチルスチレン、
４−（１’−エトキシエトキシ）スチレン、３−（１’−エトキシエトキシ）スチレン、２−（１’−エトキシエトキシ）スチレン、３−メチル−４−（１’−エトキシエトキシ）スチレン、４−（１’−エトキシエトキシ）−α−メチルスチレン、３−（１’−エトキシエトキシ）−α−メチルスチレン、２−（１’−エトキシエトキシ）−α−メチルスチレン、３−メチル−４−（１’−エトキシエトキシ）−α−メチルスチレン、
４−（１’−シクロヘキシルオキシエトキシ）スチレン、４−（１’−シクロヘキシルオキシエトキシ）−α−メチルスチレン
等を挙げることができる。
【００５０】
これらの単量体のうち、４−（１’−メトキシエトキシ）スチレン、４−（１’−エトキシエトキシ）スチレン、４−（１’−シクロヘキシルオキシエトキシ）スチレンがさらに好ましく、特に、４−（１’−エトキシエトキシ）スチレン、４−（１’−シクロヘキシルオキシエトキシ）スチレンが好ましい。
【００５１】
共重合体（II）において、繰返し単位（２）の含有率は、全繰返し単位に対して、通常、１０〜９５モル％、好ましくは４０〜９５モル％、さらに好ましくは５０〜９０モル％である。この場合、繰返し単位（２）の含有率が１０モル％未満では、レジストとして基板との接着性が低下する傾向があり、一方９５モル％を超えると、未露光部も溶解しやすくなり、レジストパターンの形成が困難となるか、あるいはパターン形状が損なわれる傾向がある。
また、繰返し単位（４）の含有率は、全繰返し単位に対して、通常、５〜７０モル％、好ましくは５〜６０モル％、さらに好ましくは１０〜５０モル％である。この場合、繰返し単位（４）の含有率が５モル％未満では、レジストとしての解像度が低下する傾向があり、一方７０モル％を超えると、耐熱性が低下する傾向がある。
また、共重合体（II）は、場合により、繰返し単位（３）をさらに有することもできる。その際の繰返し単位（３）と繰返し単位（４）の合計含有率は、全繰返し単位に対して、通常、１０〜７０モル％、好ましくは１５〜６０モル％、さらに好ましくは２０〜５０モル％である。この場合、該合計含有率が１０モル％未満では、レジストとしての解像度が低下する傾向があり、一方７０モル％を超えると、基板との接着性や耐熱性が低下する傾向がある。なお、共重合体（II）における繰返し単位（３）と繰返し単位（４）との含有比率は、特に限定されない。
【００５２】
共重合体（Ｉ）および共重合体（II）は、場合により、前記各繰返し単位以外の繰返し単位（以下、「他の繰返し単位」という。）をさらに有することもできる。
他の繰返し単位を与える単量体としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、４−メトキシスチレン、３−メトキシスチレン、２−メトキシスチレン、４−メトキシ−α−メチルスチレン、３−メトキシ−α−メチルスチレン、２−メトキシ−α−メチルスチレン、４−アセトキシスチレン、３−アセトキシスチレン、２−アセトキシスチレン、４−アセトキシ−α−メチルスチレン、３−アセトキシ−α−メチルスチレン、２−アセトキシ−α−メチルスチレン、３−メチル−４−アセトキシスチレン、３−メチル−４−アセトキシ−α−メチルスチレン等の芳香族ビニル化合物；アクリル酸、メタクリル酸、無水マレイン酸等の不飽和カルボン酸類またはそれらの酸無水物類；前記不飽和カルボン酸のメチルエステル、エチルエステル、２−ヒドロキシエチルエステル、２−ヒドロキシプロピルエステル、ベンジルエステル、イソボロニルエステル、１−アダマンチルエステル、トリシクロデカニルエステル等のエステル類；アクリロニトリル、メタクリロニトリル、シアン化ビニリデン等の不飽和ニトリル類；アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、メタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルメタクリルアミド等の不飽和アミド類；マレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミド等の不飽和イミド類等の、重合性不飽和結合を１個有する単官能性単量体を挙げることができる。
これらの他の単官能性単量体のうち、特に、スチレン、４−メトキシスチレン、４−アセトキシスチレン、イソボロニルアクリレート、トリシクロデカニルアクリレート等が好ましい。
前記他の単官能性単量体は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【００５３】
共重合体（Ｉ）および共重合体（II）において、他の単官能性単量体に由来する繰返し単位の含有率は、繰返し単位（２）と繰返し単位（３）との合計、または繰返し単位（２）と繰返し単位（４）との合計に対して、通常、７０モル％以下、好ましくは５０モル％以下、さらに好ましくは４０モル％以下である。
【００５４】
さらに、共重合体（Ｉ）および共重合体（II）は、場合により、重合性不飽和結合を２個以上有する多官能性単量体を用いて、分岐構造を導入することもできる。
このような多官能性単量体としては、例えば、特開平８−３１６８８８に記載されているような多官能性アクリレート類あるいは多官能性メタクリレート類や、ジビニルベンゼン、ジイソプロペニルベンゼン等の多官能性芳香族ビニル化合物等を挙げることができる。
前記多官能性単量体は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【００５５】
多官能性単量体として、例えば、１，１−ジメチルエチレングリコールのジアクリレートあるいはジメタクリレートを用いた場合、下記式（８）で表される酸解離性の分岐構造を共重合体（Ｉ）および共重合体（II）に導入することができる。
【００５６】
【化３１】
0004135276.tif 000027
【００５７】
また、共重合体（Ｉ）および共重合体（II）には、場合により、該共重合体中のフェノール性水酸基とジビニルエーテル化合物とを反応させることにより、アセタール性架橋基による分岐構造を導入することもできる。
このような分岐構造を与えるジビニルエーテル化合物としては、例えば、エチレングリコールジビニルエーテル、ジエチレングリコールジビニルエーテル、シクロヘキサン−１，４−ジメタノールジビニルエーテル等を挙げることができる。
前記アセタール性架橋基による分岐構造の具体例としては、下記式（９）で表される分岐構造を挙げることができ、該分岐構造も酸解離性を有するものである。
【００５８】
【化３２】
0004135276.tif 000028
〔式（９）において、Ｙはエチレン基、ジエチレン基、１，４−シクロヘキシレン基等の２価の有機基を示す。〕
【００５９】
共重合体（Ｉ）および共重合体（II）において、多官能性単量体による分岐構造を含む繰返し単位および／またはアセタール性架橋基による分岐構造を含む繰返し単位の含有率は、繰返し単位（２）と繰返し単位（３）との合計、または繰返し単位（２）と繰返し単位（４）との合計に対して、１０モル％以下であることが好ましい。
【００６０】
共重合体（Ｉ）のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下、「ＧＰＣ」という。）によるポリスチレン換算重量平均分子量（以下、「Ｍｗ」という）は、分岐構造をもたない場合、通常、１，０００〜１００，０００、好ましくは３，０００〜５０，０００、さらに好ましくは３，０００〜４０，０００である。この場合、共重合体（Ｉ）のＭｗが１，０００未満であると、レジストとしての感度や耐熱性が低下する傾向があり、一方１００，０００を超えると、現像液に対する溶解性が低下する傾向がある。
また、分岐構造をもたない共重合体（Ｉ）において、ＭｗとＧＰＣによるポリスチレン換算数平均分子量（以下、「Ｍｎ」という）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）は、通常、１．０〜３．０、好ましくは１．０〜２．５である。
一方、分岐構造を有する場合、共重合体（Ｉ）のＭｗは、通常、５，０００〜５００，０００、好ましくは７，０００〜３００，０００、さらに好ましくは１０，０００〜１５０，０００である。この場合、共重合体（Ｉ）のＭｗが５，０００未満であると、レジストとしての解像度が低下する傾向があり、一方５００，０００を超えると、塗布性が悪化する傾向がある。
また、分岐構造を有する共重合体（Ｉ）のＭｗ／Ｍｎは、通常、１．５〜１０．０、好ましくは２．０〜５．０である。
【００６１】
共重合体（Ｉ）は、例えば、次の方法により製造することができる。
（イ）繰返し単位（２）に対応するヒドロキシスチレン類と繰返し単位（３）に対応するヒドロキシスチレン誘導体類とを、場合により他の単官能性単量体や多官能性単量体と共に、共重合する方法。
（ロ）繰返し単位（３）に対応するヒドロキシスチレン誘導体類を、場合により他の単官能性単量体や多官能性単量体と共に、（共）重合したのち、塩基性触媒を用いて、（共）重合体中の３級アルコキシル基を部分的に加水分解および／または加溶媒分解する方法。
（ハ）シリル基等の適当な保護基でフェノール性水酸基を保護したヒドロキシスチレン類と、繰返し単位（３）に対応するヒドロキシスチレン誘導体類とを、場合により他の単官能性単量体や多官能性単量体と共に、共重合したのち、保護基を選択的に脱離させる方法。
（ニ）前記（イ）〜（ハ）の方法により得られた共重合体（Ｉ）に、ジビニルエーテル化合物を用いてアセタール性架橋基による分岐構造を導入する方法。
前記（イ）の方法における共重合は、例えば、ラジカル重合開始剤等を適宜に選定し、塊状重合、溶液重合、沈澱重合、乳化重合、懸濁重合、塊状−懸濁重合等の適宜の方法により実施することができる。
また、前記（ロ）および（ハ）の方法における（共）重合は、例えば、（イ）の方法における共重合と同様の方法や、アニオン重合法等により実施することができる。
【００６２】
次に、共重合体（II) のＭｗは、分岐構造をもたない場合、通常、１，０００〜１５０，０００、好ましくは３，０００〜１００，０００、さらに好ましくは３，０００〜５０，０００である。この場合、共重合体（II）のＭｗが１，０００未満であると、レジストとしての感度や耐熱性が低下する傾向があり、一方１５０，０００を超えると、現像液に対する溶解性が低下する傾向がある。
また、分岐構造をもたない共重合体（II）のＭｗ／Ｍｎは、通常、１．０〜３．０、好ましくは１．０〜２．５である。
一方、分岐構造を有する場合、共重合体（II）のＭｗは、通常、８，０００〜５００，０００、好ましくは１２，０００〜３００，０００、さらに好ましくは１２，０００〜１５０，０００である。この場合、共重合体（Ｉ）のＭｗが８，０００未満であると、レジストとしての解像度が低下する傾向があり、一方５００，０００を超えると、塗布性が悪化する傾向がある。
また、分岐構造を有する共重合体（II）のＭｗ／Ｍｎは、通常、１．５〜１０．０、好ましくは２．０〜５．０である。
【００６３】
共重合体（II) は、例えば、次の方法により製造することができる。
（ホ）ヒドロキシスチレン類を、場合により他の単官能性単量体や多官能性単量体と共に、（共）重合したのち、（共）重合体中のフェノール性水酸基の水素原子の一部を、アセタール基（７）で置換する方法、
（ヘ）フェノール性水酸基の水素原子をアセタール基（７）で置換したヒドロキシスチレン誘導体類とヒドロキシスチレン類とを、場合により他の単官能性単量体や多官能性単量体と共に、共重合する方法
等により製造することができる。
前記（ホ）および（ヘ）の方法における（共）重合は、例えば、前記（イ）の方法における共重合と同様の方法により実施することができる。
また、共重合体（II) 中のアセタール性架橋基による分岐構造は、前記（ホ）の方法におけるアセタール基（７）の導入に際して、例えば、適当量のジビニルエーテル化合物を同時に反応させることにより導入することができる。
本発明において、共重合体（Ｉ）および共重合体（II）はそれぞれ、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【００６４】
他の酸解離性基含有樹脂
本発明の感放射線性樹脂組成物は、共重合体（Ｉ）および共重合体（II）以外の酸解離性基含有樹脂（以下、「他の酸解離性基含有樹脂」という。）を含有することができる。
他の酸解離性基含有樹脂は、酸解離性基で保護されたアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂であって、該酸解離性基が解離したときにアルカリ可溶性となる樹脂からなる。ここで言う「アルカリ不溶性またはアルカリ難溶性」とは、他の酸解離性基含有樹脂を含有する感放射線性樹脂組成物を用いて形成されるレジスト被膜からレジストパターンを形成する際に採用されるアルカリ現像条件下で、当該レジスト被膜の代わりに該樹脂のみを用いた被膜を現像した場合に、当該被膜の初期膜厚の５０％以上が現像後に残存する性質を意味する。
他の酸解離性基含有樹脂としては、例えば、フェノール性水酸基、カルボキシル基等の酸性官能基を１種以上有するアルカリ可溶性樹脂、より具体的には、下記する一般式（１０）〜（１３）で表される繰返し単位を１種以上有するアルカリ可溶性樹脂中の酸性官能基の水素原子を、酸の存在下で解離することができる１種以上の酸解離性基（以下、「酸解離性基（ｉ）」という。）で置換した構造を有する、それ自体としてはアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂（以下、「樹脂（ｂ）」という。）等を挙げることができる。但し、酸解離性基（ｉ）は、ヒドロキシスチレン類あるいはヒドロキシ−α−メチルスチレン類の（共）重合体中のフェノール性水酸基の水素原子を置換する場合における３級アルキル基およびアセタール基（７）を含まない。
【００６５】
【化３３】
0004135276.tif 000029
〔一般式（１０）において、Ｒ15は水素原子またはメチル基を示し、各Ｒ16は相互に独立にハロゲン原子または炭素数１〜６の１価の有機基を示し、ｍは０〜３の整数である。〕
【００６６】
【化３４】
0004135276.tif 000030
〔一般式（１１）において、Ｒ17は水素原子またはメチル基を示す。〕
【００６７】
【化３５】
0004135276.tif 000031
【００６８】
【化３６】
0004135276.tif 000032
〔一般式（１３）において、Ｒ18〜Ｒ22は相互に独立に水素原子または炭素数１〜４の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基を示す。〕
【００６９】
樹脂（ｂ）における酸解離性基（ｉ）としては、例えば、置換メチル基、１−置換エチル基、１−置換プロピル基、１−分岐アルキル基、シリル基、ゲルミル基、アルコキシカルボニル基、アシル基、環式酸解離性基等を挙げることができる。
前記置換メチル基としては、例えば、メトキシメチル基、メチルチオメチル基、エトキシメチル基、エチルチオメチル基、（２−メトキシエトキシ）メチル基、ベンジルオキシメチル基、ベンジルチオメチル基、フェナシル基、４−ブロモフェナシル基、４−メトキシフェナシル基、４−メチルチオフェナシル基、α−メチルフェナシル基、シクロプロピルメチル基、ベンジル基、ジフェニルメチル基、トリフェニルメチル基、４−ブロモベンジル基、４−ニトロベンジル基、２−メトキシベンジル基、３−メトキシベンジル基、４−メトキシベンジル基、２−メチルチオベンジル基、３−メチルチオベンジル基、４−メチルチオベンジル基、４−エトキシベンジル基、４−エチルチオベンジル基、ピペロニル基、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカルボニルメチル基、ｉ−プロポキシカルボニルメチル基、ｎ−ブトキシカルボニルメチル基、ｔ−ブトキシカルボニルメチル基等を挙げることができる。
また、前記１−置換エチル基としては、例えば、１−メトキシエチル基、１−メチルチオエチル基、１，１−ジメトキシエチル基、１−エトキシエチル基、１−エチルチオエチル基、１，１−ジエトキシエチル基、１−ｎ−プロポキシエチル基、１−シクロヘキシルオキシエチル基、１−シクロヘキシルチオエチル基、１−フェノキシエチル基、１−フェニルチオエチル基、１，１−ジフェノキシエチル基、１−ベンジルオキシエチル基、１−ベンジルチオエチル基、１−シクロプロピルエチル基、１−シクロヘキシルエチル基、１−フェニルエチル基、１，１−ジフェニルエチル基、１−メトキシカルボニルエチル基、１−エトキシカルボニルエチル基、１−ｎ−プロポキシカルボニルエチル基、１−ｉ−プロポキシカルボニルエチル基、１−ｎ−ブトキシカルボニルエチル基、１−ｔ−ブトキシカルボニルエチル基等を挙げることができる。
また、前記１−分岐アルキル基としては、例えば、ｉ−プロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、１，１−ジメチルプロピル基、１−メチルブチル基、１，１−ジメチルブチル基等を挙げることができる。
また、前記１−置換プロピル基としては、例えば、１−メトキシプロピル基、１−エトキシプロピル基等を挙げることができる。
【００７０】
また、前記シリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、エチルジメチルシリル基、メチルジエチルシリル基、トリエチルシリル基、ｉ−プロピルジメチルシリル基、メチルジ−ｉ−プロピルシリル基、トリ−ｉ−プロピルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、メチルジ−ｔ−ブチルシリル基、トリ−ｔ−ブチルシリル基、フェニルジメチルシリル基、メチルジフェニルシリル基、トリフェニルシリル基等を挙げることができる。
また、前記ゲルミル基としては、例えば、トリメチルゲルミル基、エチルジメチルゲルミル基、メチルジエチルゲルミル基、トリエチルゲルミル基、ｉ−プロピルジメチルゲルミル基、メチルジ−ｉ−プロピルゲルミル基、トリ−ｉ−プロピルゲルミル基、ｔ−ブチルジメチルゲルミル基、メチルジ−ｔ−ブチルゲルミル基、トリ−ｔ−ブチルゲルミル基、フェニルジメチルゲルミル基、メチルジフェニルゲルミル基、トリフェニルゲルミル基等を挙げることができる。
また、前記アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基等を挙げることができる。
また、前記アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ヘプタノイル基、ヘキサノイル基、バレリル基、ピバロイル基、イソバレリル基、ラウリロイル基、ミリストイル基、パルミトイル基、ステアロイル基、オキサリル基、マロニル基、スクシニル基、グルタリル基、アジポイル基、ピペロイル基、スベロイル基、アゼラオイル基、セバコイル基、アクリロイル基、プロピオロイル基、メタクリロイル基、クロトノイル基、オレオイル基、マレオイル基、フマロイル基、メサコノイル基、カンホロイル基、ベンゾイル基、フタロイル基、イソフタロイル基、テレフタロイル基、ナフトイル基、トルオイル基、ヒドロアトロポイル基、アトロポイル基、シンナモイル基、フロイル基、テノイル基、ニコチノイル基、イソニコチノイル基、ｐ−トルエンスルホニル基、メシル基等を挙げることができる。
さらに、前記環式酸解離性基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキセニル基、４−メトキシシクロヘキシル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロチオフラニル基、３−ブロモテトラヒドロピラニル基、４−メトキシテトラヒドロピラニル基、４−メトキシテトラヒドロチオピラニル基、３−テトラヒドロチオフェン−１，１−ジオキシド基等を挙げることができる。
【００７１】
これらの酸解離性基のうち、メトキシメチル基、ｔ−ブトキシカルボニルメチル基、１−メトキシエチル基、１−エトキシエチル基、１−ｎ−プロポキシエチル基、１−シクロヘキシルオキシエチル基、ｔ−ブチル基、１−エトキシプロピル基、トリメチルシリル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基等が好ましい。
【００７２】
樹脂（ｂ）における酸解離性基（ｉ）の導入率（樹脂（ｂ）中の酸性官能基と酸解離性基（ｉ）との合計数に対する酸解離性基（ｉ）の数の割合）は、酸解離性基（ｉ）や該基が導入されるアルカリ可溶性樹脂の種類により一概には規定できないが、好ましくは１０〜１００％、さらに好ましくは１５〜１００％である。
樹脂（ｂ）のＭｗは、通常、１，０００〜１５０，０００、好ましくは３，０００〜１００，０００である。
また、樹脂（ｂ）のＭｗ／Ｍｎは、通常、１．０〜３．０、好ましくは１．０〜２．５である。
樹脂（ｂ）は、例えば、予め製造したアルカリ可溶性樹脂に１種以上の酸解離性基（ｉ）を導入する方法、酸解離性基（ｉ）を有する１種以上の単量体を（共）重合する方法、酸解離性基（ｉ）を有する１種以上の重縮合成分を（共）重縮合する方法等によって製造することができる。
本発明において、樹脂（ｂ）は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【００７３】
添加剤
本発明の感放射線性樹脂組成物には、必要に応じて、酸発生剤（Ａ）以外の酸発生剤（以下、「他の酸発生剤」という。）、酸拡散制御剤、界面活性剤、増感剤等の各種の添加剤を配合することができる。
他の酸発生剤としては、オニウム塩、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、スルホンイミド化合物、ジアゾメタン化合物、ジスルホニルメタン化合物等を挙げることができる。
【００７４】
これらの酸発生剤の例を以下に示す。
オニウム塩：
オニウム塩としては、例えば、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、アンモニウム塩、ピリジニウム塩等を挙げることができる。
オニウム塩化合物の具体例としては、
ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムピレンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムベンゼンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム１０−カンファースルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムｎ−オクタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、
ジフェニルヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムピレンスルホネート、ジフェニルヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ジフェニルヨードニウムベンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム１０−カンファースルホネート、ジフェニルヨードニウムｎ−オクタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、
【００７５】
トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムピレンスルホネート、トリフェニルスルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウム１０−カンファースルホネート、トリフェニルスルホニウムｎ−オクタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムナフタレンスルホネート、
４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムピレンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウム１０−カンファースルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムｎ−オクタンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、
４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、４−ヒドロキシフェニル・ベンジル・メチルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート
等を挙げることができる。
【００７６】
スルホン化合物：
スルホン化合物としては、例えば、β−ケトスルホン、β−スルホニルスルホンや、これらのα−ジアゾ化合物等を挙げることができる。
スルホン化合物の具体例としては、フェナシルフェニルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、ビス（フェニルスルホニル）メタン、４−トリスフェナシルスルホン等を挙げることができる。
スルホン酸エステル化合物：
スルホン酸エステル化合物としては、例えば、アルキルスルホン酸エステル、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、イミノスルホネート等を挙げることができる。
スルホン酸エステル化合物の具体例としては、ベンゾイントシレート、ピロガロールトリストリフルオロメタンスルホネート、ピロガロールトリスノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ピロガロールのメタンスルホン酸トリエステル、ニトロベンジル−９，１０−ジエトキシアントラセン−２−スルホネート、α−メチロールベンゾイントシレート、α−メチロールベンゾインｎ−オクタンスルホネート、α−メチロールベンゾイントリフルオロメタンスルホネート、α−メチロールベンゾインｎ−ドデシルスルホネート等を挙げることができる。
スルホンイミド化合物：
スルホンイミド化合物としては、例えば、下記式（１４）
【００７７】
【化３７】
0004135276.tif 000033
（式中、Ｕはアルキレン基、アリーレン基、アルコキシレン基等の２価の基を示し、Ｒ23はアルキル基、アリール基、ハロゲン置換アルキル基、ハロゲン置換アリール基等の１価の基を示す。）
で表される化合物を挙げることができる。
【００７８】
スルホンイミド化合物の具体例としては、
Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ナフチルイミド、
Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２Ｍ３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ナフチルイミド、
Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、
【００７９】
Ｎ−（２−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２ートリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、
Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブチルスルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブチルスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（ノナフルオロ＾ｎ−ブチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブチルスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブチルスルホニルオキシ）ナフチルイミド
等を挙げることができる。
ジアゾメタン化合物：
ジアゾメタン化合物としては、例えば、下記一般式（１５）
【００８０】
【化３８】
0004135276.tif 000034
〔一般式（１５）において、Ｒ24およびＲ25は相互に独立にアルキル基、アリール基、ハロゲン置換アルキル基、ハロゲン置換アリール基等の１価の基を示す。〕
で表される化合物を挙げることができる。
【００８１】
ジアゾメタン化合物の具体例としては、ビス（トリフルオロメチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トルエンスルホニル）ジアゾメタン、メチルスルホニル・ｐ−トルエンスルホニルジアゾメタン、１−シクロヘキシルスルホニル・１−（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（３，３−ジメチル−１，５−ジオキサスピロ［５．５］ドデカン−８−スルホニル）ジアゾメタン、ビス（１，４−ジオキサスピロ［４．５］デカン−７−スルホニル）ジアゾメタン等を挙げることができる。
ジスルホニルメタン化合物：
ジスルホニルメタン化合物としては、例えば、下記一般式（１６）
【００８２】
【化３９】
0004135276.tif 000035
【００８３】
〔一般式（１６）において、Ｒ26およびＲ27は相互に独立に１価の直鎖状もしくは分岐状の脂肪族炭化水素基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基またはヘテロ原子を有する１価の他の有機基を示し、ＶおよびＷは相互に独立にアリール基、水素原子、１価の直鎖状もしくは分岐状の脂肪族炭化水素基またはヘテロ原子を有する１価の他の有機基を示し、かつＶおよびＷの少なくとも一方がアリール基であるか、あるいはＹとＷが相互に連結して少なくとも１個の不飽和結合を有する単環または多環を形成しているか、あるいはＹとＷが相互に連結して下記式（１７）
【００８４】
【化４０】
0004135276.tif 000036
（但し、Ｖ’およびＷ’は相互に同一でも異なってもよく、かつ複数存在するＹ’およびＷ’はそれぞれ同一でも異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基またはアラルキル基を示すか、あるいは同一のもしくは異なる炭素原子に結合したＹ’とＷ’が相互に連結して炭素単環構造を形成しており、ｎは２〜１０の整数である。）
で表される基を形成している。〕
【００８５】
前記他の酸発生剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
他の酸発生剤の配合割合は、各酸発生剤の種類に応じて適宜選定されるが、酸発生剤（Ａ）と他の酸発生剤との合計１００重量部に対して、通常、９５重量部以下、好ましくは９０重量部以下である。この場合、他の酸発生剤の配合割合が９５重量部を超えると、本発明における所期の効果が低下する傾向がある。
【００８６】
本発明においては、さらに、露光により酸発生剤（Ａ）あるいは他の酸発生剤から生じた酸のレジスト被膜中における拡散現象を制御し、非露光領域での好ましくない化学反応を抑制する作用を有する酸拡散制御剤を配合することが好ましい。
このような酸拡散制御剤を使用することにより、樹脂組成物の貯蔵安定性が向上し、またレジストとして解像度が向上するとともに、露光から現像処理までの引き置き時間（ＰＥＤ）の変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に極めて優れたものとなる。
酸拡散制御剤としては、レジストパターンの形成工程中の露光や加熱処理により塩基性が変化しない含窒素有機化合物が好ましい。
このような含窒素有機化合物としては、例えば、下記式（１８）
【００８７】
【化４１】
0004135276.tif 000037
【００８８】
（式中、Ｒ28、Ｒ29およびＲ30は相互に独立に水素原子、置換もしくは非置換のアルキル基、置換もしくは非置換のアリール基または置換もしくは非置換のアラルキル基を示す。）で表される化合物（以下、「含窒素化合物（α）」という。）、同一分子内に窒素原子を２個有するジアミノ化合物（以下、「含窒素化合物（β）」という。）、窒素原子を３個以上有するポリアミノ化合物（以下、「含窒素化合物（γ）」という。）、アミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物等を挙げることができる。
【００８９】
含窒素化合物（α）としては、例えば、ｎ−ヘキシルアミン、ｎ−ヘプチルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ノニルアミン、ｎ−デシルアミン、シクロヘキシルアミン等のモノ（シクロ）アルキルアミン類；ジ−ｎ−ブチルアミン、ジ−ｎ−ペンチルアミン、ジ−ｎ−ヘキシルアミン、ジ−ｎ−ヘプチルアミン、ジ−ｎ−オクチルアミン、ジ−ｎ−ノニルアミン、ジ−ｎ−デシルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジ（シクロ）アルキルアミン類；トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−ヘキシルアミン、トリ−ｎ−ヘプチルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−ノニルアミン、トリ−ｎ−デシルアミン、トリシクロヘキシルアミン等のトリ（シクロ）アルキルアミン類；アニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、２−メチルアニリン、３−メチルアニリン、４−メチルアニリン、４−ニトロアニリン、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、１−ナフチルアミン等の芳香族アミン類；エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルカノールアミン類等を挙げることができる。
含窒素化合物（β）としては、例えば、エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−ヒドロキシプロピル）エチレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノジフェニルアミン、２，２−ビス（４’−アミノフェニル）プロパン、２−（３’−アミノフェニル）−２−（４’−アミノフェニル）プロパン、２−（４’−アミノフェニル）−２−（３’−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（４’−アミノフェニル）−２−（４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，４−ビス［１’−（４''−アミノフェニル）−１’−メチルエチル］ベンゼン、１，３−ビス［１’−（４''−アミノフェニル）−１’−メチルエチル］ベンゼン等を挙げることができる。
含窒素化合物（γ）としては、例えば、ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、ジメチルアミノエチルアクリルアミドの重合体等を挙げることができる。
【００９０】
前記アミド基含有化合物としては、例えば、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、Ｎ−メチルピロリドン等を挙げることができる。
前記ウレア化合物としては、例えば、尿素、メチルウレア、１，１−ジメチルウレア、１，３−ジメチルウレア、１，１，３，３−テトラメチルウレア、１，３−ジフェニルウレア、トリブチルチオウレア等を挙げることができる。
前記含窒素複素環化合物としては、例えば、イミダゾール、ベンズイミダゾール、２−メチルイミダゾール、４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、４−フェニルイミダゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール、２−フェニルベンズイミダゾール等のイミダゾール類；ピリジン、２−メチルピリジン、４−メチルピリジン、２−エチルピリジン、４−エチルピリジン、２−フェニルピリジン、４−フェニルピリジン、Ｎ−メチル−４−フェニルピリジン、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、８−オキシキノリン、アクリジン等のピリジン類のほか、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、４−メチルモルホリン、ピペラジン、１，４−ジメチルピペラジン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン等を挙げることができる。
これらの含窒素有機化合物のうち、含窒素化合物（α）、含窒素化合物（β）、含窒素化合物（γ）、含窒素複素環化合物等が好ましい。
前記酸拡散制御剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【００９１】
酸拡散制御剤の配合量は、共重合体（Ｉ）および／または共重合体（II）と他の酸解離性基含有樹脂との合計１００重量部に対して、通常、１５重量部以下、好ましくは０．００１〜１０重量部、さらに好ましくは０．００５〜５重量部である。この場合、酸拡散制御剤の配合量が１５重量部を超えると、レジストとしての感度や露光部の現像性が低下する傾向がある。なお、酸拡散制御剤の配合量が０．００１重量部未満では、プロセス条件によっては、レジストとしてのパターン形状や寸法忠実度が低下するおそれがある。
【００９２】
前記界面活性剤は、感放射線性樹脂組成物の塗布性、ストリエーション、現像性等を改良する作用を示す。このような界面活性剤としては、アニオン系、カチオン系、ノニオン系あるいは両性のいずれでも使用することができるが、好ましい界面活性剤は、ノニオン系界面活性剤である。
前記ノニオン系界面活性剤の例としては、ポリオキシエチレン高級アルキルエーテル類、ポリオキシエチレン高級アルキルフェニルエーテル類、ポリエチレングリコールの高級脂肪酸ジエステル類等のほか、以下商品名で、ＫＰ（信越化学工業（株）製）、ポリフロー（共栄社化学（株）製）、エフトップ（トーケムプロダクツ（株）製）、メガファック（大日本インキ化学工業（株）製）、フロラード（住友スリーエム（株）製）、アサヒガード、サーフロン（旭硝子（株）製）等の各シリーズを挙げることができる。
前記界面活性剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。界面活性剤の配合量は、感放射線性樹脂組成物中の全樹脂成分１００重量部に対して、界面活性剤の有効成分として、通常、２重量部以下である。
【００９３】
前記増感剤は、放射線のエネルギーを吸収して、そのエネルギーを酸発生剤（Ａ）あるいは他の酸発生剤に伝達し、それにより酸の生成量を増加する作用を示すもので、感放射線性樹脂組成物のみかけの感度を向上させる効果を有する。
好ましい増感剤は、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ナフタレン類、ビアセチル、エオシン、ローズベンガル、ピレン類、アントラセン類、フェノチアジン類等である。
前記増感剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
増感剤の配合量は、感放射線性樹脂組成物中の全樹脂成分１００重量部に対して、通常、５０重量部以下、好ましくは３０重量部以下である。
また、染料あるいは顔料を配合することにより、露光部の潜像を可視化させて、露光時のハレーションの影響を緩和でき、接着助剤を配合することにより、基板との接着性を改善することができる。
さらに、他の添加剤としては、アルカリ可溶性樹脂および／または酸解離性の保護基を有する低分子のアルカリ溶解性制御剤や、ハレーション防止剤、保存安定剤、消泡剤、形状改良剤等、具体的には４−ヒドロキシ−４’−メチルカルコン等を挙げることができる。
【００９４】
溶剤
本発明の感放射線性樹脂組成物は、その使用に際して、固形分濃度が例えば２〜５０重量％となるように溶剤に溶解したのち、例えば孔径０．２μｍ程度のフィルターでろ過することによって、組成物溶液として調製される。
前記溶剤としては、例えば、エーテル類、エステル類、エーテルエステル類、ケトン類、ケトンエステル類、アミド類、アミドエステル類、ラクタム類、ラクトン類、（ハロゲン化）炭化水素類等を挙げることができ、より具体的には、エチレングリコールモノアルキルエーテル類、ジエチレングリコールジアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールジアルキルエーテル類、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、酢酸エステル類、ヒドロキシ酢酸エステル類、アルコキシ酢酸エステル類、アセト酢酸エステル類、ピルビン酸エステル類、プロピオン酸エステル類、乳酸エステル類、アルコキシプロピオン酸エステル類、酪酸エステル類、ケトン類、Ｎ，Ｎ−ジアルキルホルムアミド類、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアセトアミド類、Ｎ−アルキルピロリドン類、γ−ラクトン類、（ハロゲン化）脂肪族炭化水素類、（ハロゲン化）芳香族炭化水素類等を挙げることができる。
【００９５】
このような溶剤の具体例としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−プロピルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテルアセテート、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、イソプロペニルアセテート、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、ヒドロキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸エチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、イソプロペニルプロピオネート、３−メチル−３−メトキシブチルプロピオネート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−プロピル、乳酸ｉ−プロピル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、３−メチル−３−メトキシブチルブチレート、２−ヒドロキシ−３−メチル酪酸メチル、メチルエチルケトン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、シクロヘキサノン、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、トルエン、キシレン等を挙げることができる。
これらの溶剤のうち、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、乳酸エステル類、３−アルコキシプロピオン酸エステル類、ケトン類等が好ましい。
前記溶剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【００９６】
さらに前記溶剤には、必要に応じて、ベンジルエチルエーテル、ジ−ｎ−ヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、１−オクタノール、１−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート等の高沸点溶剤を１種以上添加することもできる。
【００９７】
レジストパターンの形成
本発明の感放射線性樹脂組成物を用いてレジストパターンを形成する際には、前述のようにして調製された組成物溶液を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の手段によって、例えば、シリコンウエハー、アルミニウムで被覆されたウエハー等の基板上に塗布することにより、レジスト被膜を形成したのち、加熱処理（以下、「ＰＢ」という。）を行い、次いで所定のマスクパターンを介して該レジスト被膜に露光する。その際に使用することができる放射線としては、水銀灯の輝線スペクトル（波長２５４ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）等の遠紫外線や、シンクロトロン放射線等のＸ線、電子線等の荷電粒子線等を使用することができるが、遠紫外線および荷電粒子線が好ましく、特に、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）および電子線が好ましい。また、放射線量等の露光条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成、添加剤の種類等に応じて、適宜選定される。
露光後は、レジストの見掛けの感度を向上させるために、加熱処理（以下、「ＰＥＢ」という。）を行うことが好ましい。その加熱条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成、添加剤の種類等により変わるが、通常、３０〜２００℃、好ましくは５０〜１５０℃である。
その後、アルカリ現像液で現像することにより、所定のレジストパターンを形成する。
前記アルカリ現像液としては、例えば、アルカリ金属水酸化物、アンモニア水、アルキルアミン類、アルカノールアミン類、複素環式アミン類、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド類、コリン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン等のアルカリ性化合物の１種以上を、通常、１〜１０重量％、好ましくは２〜５重量％の濃度となるように溶解したアルカリ性水溶液が使用される。特に好ましいアルカリ現像液は、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド類の水溶液である。また、前記アルカリ性水溶液からなる現像液には、例えば、メタノール、エタノール等の水溶性有機溶剤や界面活性剤等を適量添加することもできる。
なお、このようにアルカリ性水溶液からなる現像液を使用する場合には、一般に、現像後、水洗する。
【００９８】
【発明の実施の形態】
以下、実施例を挙げて、本発明の実施の形態をさらに具体的に説明する。但し、本発明は、これらの実施例に何ら制約されるものではない。
ここで、ＭｗとＭｎの測定および各レジストの評価は、下記の要領で行った。
ＭｗおよびＭｎ
東ソー（株）製ＧＰＣカラム（Ｇ２０００ＨXL  ２本、Ｇ３０００ＨXL  １本、Ｇ４０００ＨXL  １本）を用い、流量１．０ミリリットル／分、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム温度４０℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするＧＰＣにより測定した。
解像度（１Ｌ１Ｓ）
設計寸法０．２０μｍのライン・アンド・スペースパターン（１Ｌ１Ｓ）を１対１の線幅に形成する露光量を最適露光量とし、この最適露光量で露光したときに解像されるライン・アンド・スペースパターン（１Ｌ１Ｓ）の最小寸法を、解像度（１Ｌ１Ｓ）とした。
解像度（１Ｌ５Ｓ）
ラインパターンの設計寸法０．２０μｍの孤立ラインパターン（１Ｌ５Ｓ）について、最適露光量で露光したときに解像されるラインパターンの線幅が（設計寸法±１０％）の範囲に入る解像度を、孤立パターン（１Ｌ５Ｓ）の解像度（１Ｌ５Ｓ）とした。
フォーカス余裕度（１Ｌ１Ｓ、１Ｌ５Ｓ）
設計寸法０．２０μｍのラインパターン（１Ｌ１Ｓまたは１Ｌ５Ｓ）について、各々の最適露光量において焦点深度を変え、パターンの線幅が（設計寸法±１０％）の範囲に入る焦点深度の広さを各々パターンのフォーカス余裕度（ＤＯＦ）とした。ＤＯＦの広いレジストほどプロセスマージンが高くなり、実デバイス製造時の歩留まりが高くなるため好ましい。
膜面荒れ
設計寸法０．２０μｍの孤立ラインパターン（１Ｌ５Ｓ）について、走査型電子顕微鏡によりパターンの断面寸法を測定して、図１に示すように、該断面寸法のうち、最小寸法をＬin、最大寸法をＬout とし、（Ｌout −Ｌin）をＬｄとして、Ｌｄの値により、下記基準で評価した。なお、図１における凹凸は実際より誇張されている。
Ｌｄ＜０．０１μｍ未満：良好
Ｌｄ≧０．０１μｍ以上：不良
【００９９】
共重合体（Ｉ）の合成
合成例１
４−ヒドロキシスチレン３５ｇ、４−ｔ−ブトキシスチレン１５ｇおよびアクリル酸ｔ−ブチル５ｇをジオキサン５５ｇに溶解し、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル１０ｇを加えて、窒素ガスで３０分間バブリングを行ったのち、バブリングを継続しつつ、６０℃で７時間重合した。重合終了後、反応溶液を多量のヘキサン中に凝固させて、樹脂を回収した。その後、この樹脂をアセトンに溶解させたのち、再度ヘキサン中に凝固させる操作を数回繰り返して、未反応単量体を除去した。その後、この樹脂を５０℃、減圧下で一晩乾燥して、白色の樹脂を得た。
得られた樹脂は、 1Ｈ−ＮＭＲ分析の結果、４−ヒドロキシスチレンと４−ｔ−ブトキシスチレンとアクリル酸ｔ−ブチルとの共重合モル比がほぼ７：２：１の共重合体であり、Ｍｗが１２，０００、Ｍｗ／Ｍｎが１．７であった。
この樹脂を、共重合体（Ｉ-1）とする。
【０１００】
合成例２
使用する単量体を、４−ヒドロキシスチレン３０ｇおよび４−ｔ−ブトキシスチレン２０ｇに変えた以外は、合成例１と同様にして、白色の樹脂を得た。
得られた樹脂は、 1Ｈ−ＮＭＲ分析の結果、４−ヒドロキシスチレンと４−ｔ−ブトキシスチレンとの共重合モル比がほぼ７：３の共重合体であり、Ｍｗが１３，０００、Ｍｗ／Ｍｎが１．７であった。
この樹脂を、共重合体（Ｉ-2）とする。
【０１０１】
合成例３
使用する単量体を、４−ヒドロキシスチレン３２ｇ、４−ｔ−ブトキシスチレン１４ｇおよびスチレン４ｇに変えた以外は、合成例１と同様にして、白色の樹脂を得た。
得られた樹脂は、 1Ｈ−ＮＭＲ分析の結果、４−ヒドロキシスチレンと４−ｔ−ブトキシスチレンとスチレンとの共重合モル比がほぼ７：２：１の共重合体であり、Ｍｗが１２，０００、Ｍｗ／Ｍｎが１．８であった。
この樹脂を、共重合体（Ｉ-3）とする。
【０１０３】
共重合体（II）の合成
合成例５
４−ｔ−ブトキシスチレン１７６ｇを、テトラヒドロフラン５００ミリリットル中、−７８℃で、ｓ−ブチルリチウムを触媒として、アニオン重合させた。重合終了後、反応溶液を多量のメタノール中に凝固させて、樹脂を回収した。
次いで、この樹脂をジオキサン６００ｇに溶解して、希塩酸を加え、７０℃で６時間加水分解反応を行ったのち、反応生成物を多量の水中に凝固させて、白色の樹脂を得た。その後、この樹脂をアセトンに溶解させたのち、大量の水中に凝固させる操作を繰返して、未反応単量体を除去した。その後、この樹脂をろ過し、５０℃減圧下で一晩乾燥して、白色の樹脂を得た。
得られた樹脂は、13Ｃ−ＮＭＲ分析の結果、ポリ（４−ｔ−ブトキシスチレン）中のｔ−ブチル基の一部のみが加水分解した構造を有し、４−ｔ−ブトキシスチレンと４−ヒドロキシスチレンとの共重合モル比が１５：８５の共重合体であり、Ｍｗが１０，４００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０１であった。
次いで、この共重合体２６ｇを酢酸ｎ−ブチル１００ｇに溶解して、窒素ガスにより３０分間バブリングを行ったのち、シクロヘキシルビニルエーテル５．５ｇを加え、触媒としてｐ−トルエンスルホン酸ピリジニウム塩１ｇを添加して、バブリングを継続しつつ、室温で１２時間反応させた。その後、反応溶液を大量の１重量％アンモニア水溶液中に凝固させ、凝固した共重合体をろ過したのち、５０℃減圧下で一晩乾燥した。
得られた共重合体は、13Ｃ−ＮＭＲ分析の結果、ポリ（４−ヒドロキシスチレン）中のフェノール性水酸基の水素原子の１５モル％が１−シクロヘキシルオキシエチル基で置換され、１５モル％がｔ−ブチル基で置換された構造を有し、Ｍｗが１２，０００、Ｍｗ／Ｍｎが１．０１であった。
この共重合体を、共重合体（II-1）とする。
【０１０４】
合成例６
Ｍｗが１２，０００のポリ（４−ヒドロキシスチレン）２４ｇを、ジオキサン１００ｇに溶解して、窒素ガスにより３０分間バブリングを行ったのち、エチルビニルエーテル６ｇ、および触媒としてｐ−トルエンスルホン酸ピリジニウム塩１ｇを添加し、バブリングを継続しつつ、室温で１２時間反応させた。次いで、反応溶液を大量の１重量％アンモニア水溶液中に凝固させ、凝固した樹脂をろ過したのち、５０℃減圧下で一晩乾燥した。
得られた樹脂は、13Ｃ−ＮＭＲ分析の結果、ポリ（４−ヒドロキシスチレン）中のフェノール性水酸基の水素原子の３５モル％が１−エトキシエチル基で置換された構造を有し、Ｍｗが１５，０００、Ｍｗ／Ｍｎが１．６であった。
この樹脂を、共重合体（II-2）とする。
【０１０５】
樹脂（ｂ）の合成
合成例７
４−アセトキシスチレン１００ｇ、ｔ−ブチルアクリレート２５ｇ、スチレン１８ｇ、アゾビスイソブチロニトリル６ｇおよびｔ−ドデシルメルカプタン１ｇを、プロピレングリコールモノメチルエーテル２３０ｇに溶解し、窒素雰囲気下、７０℃で１６時間重合した。重合終了後、反応溶液を大量のヘキサン中に凝固させて、樹脂を回収した。
次いで、この樹脂に、再度プロピレングリコールモノメチルエーテル１５０ｇを加えたのち、メタノール３００ｇ、トリエチルアミン８０ｇおよび水１５ｇを加えて、沸点にて還流させつつ、８時間加水分解反応を行った。反応終了後、溶媒およびトリエチルアミンを減圧留去し、得られた樹脂をアセトンに溶解したのち、大量の水中に凝固させ、凝固した樹脂をろ過して、５０℃減圧下で一晩乾燥した。
得られた樹脂は、13Ｃ−ＮＭＲ分析の結果、４−ヒドロキシスチレンとｔ−ブチルアクリレートとスチレンとの共重合モル比が６１：１９：２０であり、Ｍｗが１１，５００、Ｍｗ／Ｍｎが１．６であった。
この樹脂を、樹脂（ｂ-1）  とする。
【０１０６】
合成例８
Ｍｗが１２，０００のポリ（４−ヒドロキシスチレン）１２ｇおよびトリエチルアミン５ｇをジオキサン５０ｇに溶解した溶液に、攪拌下で、ジ−ｔ−ブチルカーボネート７ｇを加え、室温で６時間攪拌したのち、しゅう酸を加えて、トリエチルアミンを中和した。次いで、反応溶液を、大量の水中に凝固させ、凝固した樹脂を純水で数回洗浄して、ろ過したのち、５０℃減圧下で一晩乾燥した。
得られた樹脂は、13Ｃ−ＮＭＲ分析の結果、ポリ（４−ヒドロキシスチレン）中のフェノール性水酸基の水素原子の３０モル％が、ｔ−ブトキシカルボニル基で置換された構造を有するものであり、Ｍｗが９，２００、Ｍｗ／Ｍｎが１．８であった。
この樹脂を、樹脂（ｂ-2) とする。
【０１０７】
【実施例】
実施例１、３〜６、８、１０および１１並びに比較例１〜３
表１（但し、部は重量に基づく。）に示す各成分を混合して均一溶液としたのち、孔径０．２μｍのメンブランフィルターでろ過して、組成物溶液を調製した。  次いで、各組成物溶液をシリコンウェハー上にスピンコートしたのち、表２に示す条件でＰＢを行って、膜厚０．５μｍのレジスト被膜を形成した。
次いで、実施例１、３〜６、８および比較例１〜３では、（株）ニコン製ステッパーNSR2205 EX12B(開口数０．５５）を用い、また実施例１０〜１１では、日立製作所（株）製直描用電子線描画装置HL700(加速電圧３０ＫｅＶ）を加速電圧５０ＫｅＶに改良した装置を用いて、表２に示す条件で露光を行ったのち、表２に示す条件でＰＥＢを行った。その後、２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用い、２３℃で１分間、パドル法により現像したのち、純水で水洗し、乾燥して、レジストパターンを形成した。
各レジストの評価結果を、表３に示す。
【０１０８】
【表１】
0004135276.tif 000038
【０１０９】
【表２】
0004135276.tif 000039
【０１１０】
【表３】
0004135276.tif 000040
【０１１１】
各実施例および比較例において、酸発生剤（Ａ）、他の酸発生剤、酸拡散制御剤および溶剤は、下記のとおりである。
酸発生剤（Ａ）
Ａ-1：ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム２，４−ジフルオロベンゼンスル        ホネート
Ａ-3：ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼン        スルホネート
Ａ-4：トリフェニルスルホニウム２，４−ジフルオロベンゼンスルホネート
【０１１２】
他の酸発生剤
ａ-1：ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムｐ−トルエンスルホネート
ａ-2：Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−        ５−エン−２，３−ジカルボキシイミド
ａ-4：ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン
ａ-5：トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート
ａ-6：ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホ        ネート
酸拡散制御剤
Ｃ-1：トリ−ｎ−オクチルアミン
Ｃ-2：ジシクロヘキシルアミン
Ｃ-3：Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラキス（２−ヒドロキシプロピル）エチレンジア        ミン
Ｃ-4：２−フェニルベンズイミダゾール
Ｃ-5：２−フェニルピリジン
溶剤
Ｄ-1：乳酸エチル
Ｄ-2：３−エトキシプロピオン酸エチル
Ｄ-3：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
Ｄ-4：２−ヘプタノン
【０１１３】
【発明の効果】
本発明の感放射線性樹脂組成物は、各種の放射線に有効に感応し、高感度であり、かつ密集ライン、孤立ライン、コンタクトホール等を含む種々のパターンで、とりわけライン系パターンにおいて、十分な解像度とフォーカス余裕度を有し、さらに膜面荒れの小さい微細パターンを形成することができる。したがって、本発明の感放射線性樹脂組成物は、特に化学増幅型レジストとして、今後さらに微細化が進行すると予想される半導体デバイスの製造に極めて好適に使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】孤立ラインパターンについて、膜面荒れの評価方法を説明する平断面図である。
【図１】
0004135276.tif 000046