(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースを有するハウジング内に、回転する媒体と、先端にヘッドスライダを有するキャリッジと、キャリッジを往復回動させる磁気回路とを有する情報記憶装置において、
該媒体は、基板と、基板上の磁性層と、表面の潤滑層とを有する構成であり、
該ヘッドドスライダは、ヘッドスライダ本体と、このヘッドスライダ本体のスライダ面上の潤滑層とを有する構成であり、
上記媒体の潤滑層の潤滑剤は、
主鎖構造が  -(CF2-CF2Ｏ)n-(CF2-Ｏ)m-  であり、
末端基がＺｄｏｌ系構造であり、
該ヘッドスライダの潤滑層の潤滑剤は、
主鎖構造が  -(CF2-CF2Ｏ)n-(CF2-Ｏ)m-  であり、
末端基がＡＭ系、アミン系、テトラオール系のうちの何れか一つである構成としたことを特徴とする情報記憶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の情報記憶装置において、
上記媒体の潤滑層の潤滑剤は、
末端基がＺｄｏｌ系にＸＩＰを添加してなる構造を有するものであり、
上記ヘッドスライダの潤滑層の潤滑剤は、
末端基がＡＭ系であることを特徴とする情報記憶装置。
【請求項３】
ベースを有するハウジング内に、回転する媒体と、先端にヘッドスライダを有するキャリッジと、キャリッジを往復回動させる磁気回路とを有する情報記憶装置において、
該媒体は、基板と、基板上の磁性層と、表面の潤滑層とを有する構成であり、
該ヘッドドスライダは、ヘッドスライダ本体と、このヘッドスライダ本体のスライダ面上の潤滑層とを有する構成であり、
上記媒体の潤滑層の潤滑剤は、
主鎖構造が  -(CF2-CF2Ｏ)n-(CF2-Ｏ)m-  であり、
末端基がＡＭ系である構造であり、
該ヘッドスライダの潤滑層の潤滑剤は、
主鎖構造が  -(CF2-CF2Ｏ)n-(CF2-Ｏ)m-  であり、
末端基がＺｄｏｌ系、テトラオール系のうちの何れか一つである構成としたことを特徴とする情報記憶装置。
【請求項４】
ベースを有するハウジング内に、回転する媒体と、先端にヘッドスライダを有するキャリッジと、キャリッジを往復回動させる磁気回路とを有する情報記憶装置において、
該媒体は、基板と、基板上の磁性層と、表面の潤滑層とを有する構成であり、
該ヘッドドスライダは、ヘッドスライダ本体と、このヘッドスライダ本体のスライダ面上の潤滑層とを有する構成であり、
上記媒体の潤滑層の潤滑剤は、
主鎖構造が  -(CF2-CF2Ｏ)n-(CF2-Ｏ)m-  であり、
末端基がアミン系である構造であり、
該ヘッドスライダの潤滑層の潤滑剤は、
主鎖構造が  -(CF2-CF2Ｏ)n-(CF2-Ｏ)m-  であり、
末端基がＺｄｏｌ系構造である構成としたことを特徴とする情報記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は情報記憶装置に係り、特に、回転する媒体及び浮上するヘッドスライダを有する情報記憶装置に関する。
【０００２】
ハウジング内に、高速回転する媒体と、先端にヘッドスライダを有するキャリッジと、キャリッジを往復回動させる磁気回路とを備えた構成の情報記憶装置にあっては、媒体への記録の密度を更に高くすることが求められている。媒体の記録密度を高くするには、ヘッドスライダの媒体に対するグライドハイトを現在よりも更に低くすることが必要である。
【０００３】
【従来の技術】
図１は従来のヘッドスライダ１０を示す。図１は書き込み又は読み出し中の状態を示す。ハードディスク２０は高速で回転しており、ヘッドスライダ１０は、ハードディスク２０の高速で回転によって誘起されている空気流２５によってハードディスク２０に対して寸法ａ浮上している。なお、停止モード時には、ヘッドスライダ１０は、ハードディスク２０の表面に接触している。
【０００４】
ハードディスク２０は、基板２１の表面に磁性層２２を有し、且つ、表面に厚さが数ｎｍの潤滑層２３を有する構成である。潤滑層２３は、ハードディスク２０の回転開始時におけるヘッドスライダ１０との摩擦を低くするため、及び、ハードディスク２０の耐久性を向上させるために設けてある。
【０００５】
この潤滑層２３は、潤滑剤を塗布し、その後にＵＶ照射等の処理を行って形成されている。潤滑剤は、主鎖構造が  -(CF2-CF2O)n-(CF2-O)m-  であり、末端基がＺｄｏｌ系である構造である。
【０００６】
ヘッドスライダ１０は、セラミック製のヘッドスライダ本体１１と、ヘッドスライダ本体１１の後端面１１ａに作り込んである磁気ヘッド部１２とを有する構成であり、ハードディスク２０に対向するスライダ面１３は、ヘッドスライダ本体１１のセラミックが露出している面１１ｂである構成である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上記のヘッドスライダ１０とハードディスク２０との組み合わせでは、ヘッドスライダ１０のハードディスク２０に対する浮上寸法ａは５ｎｍ程度が限度でありこれより小さくすることが困難であった。
【０００８】
浮上寸法ａを小さくすることが困難である原因は、ハードディスク２０の潤滑層２３の潤滑剤がヘッドスライダ１０のスライダ面１３に転写し、ヘッドスライダ１０のスライダ面１３とハードディスク２０の潤滑層２３との間で吸着を引き起こすためであると考えられる。
【０００９】
ハードディスク２０の潤滑層２３の潤滑剤のヘッドスライダ１０のスライダ面１３への転写を防ぐ手段として、特公平６−６４８６９号公報に、ヘッドスライダの表面に化学結合した有機シリコン官能基層を設ける構成が記載されている。
【００１０】
しかし、有機シリコン官能基層は発ガス性を有し、発生したシリコンガスがハードディスクとヘッドスライダとの間に入り込んで、ヘッドクラッシュが発生する危険を有している。
【００１１】
そこで、本発明は、上記課題を解決した情報記憶装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１の発明は、ベースを有するハウジング内に、回転する媒体と、先端にヘッドスライダを有するキャリッジと、キャリッジを往復回動させる磁気回路とを有する情報記憶装置において、
該媒体は、基板と、基板上の磁性層と、表面の潤滑層とを有する構成であり、
該ヘッドドスライダは、ヘッドスライダ本体と、このヘッドスライダ本体のスライダ面上の潤滑層とを有する構成であり、
上記媒体の潤滑層の潤滑剤は、
主鎖構造が  -(CF2-CF2Ｏ)n-(CF2-Ｏ)m-  であり、
末端基がＺｄｏｌ系構造であり、
該ヘッドスライダの潤滑層の潤滑剤は、
主鎖構造が  -(CF2-CF2Ｏ)n-(CF2-Ｏ)m-  であり、
末端基がＡＭ系、アミン系、テトラオール系のうちの何れか一つである構成としたものである。
【００１３】
ヘッドスライダの潤滑層の潤滑剤の構造が、その末端基が上記の媒体の潤滑剤の末端基とは異なる構造であるため、ヘッドスライダの潤滑層が媒体の潤滑層に対して吸着を起こさないで反発するようになり、これによって、ヘッドスライダのハードディスクに対するグライドハイトをサブナノオーダ分低くすることが可能となる。
【００１７】
請求項２の発明は、請求項１に記載の情報記憶装置において、
上記媒体の潤滑層の潤滑剤は、
末端基がＺｄｏｌ系にＸＩＰを添加してなる構造を有するものであり、
上記ヘッドスライダの潤滑層の潤滑剤は、
末端基がＡＭ系である構成としたものである。
請求項３の発明は、ベースを有するハウジング内に、回転する媒体と、先端にヘッドスライダを有するキャリッジと、キャリッジを往復回動させる磁気回路とを有する情報記憶装置において、
該媒体は、基板と、基板上の磁性層と、表面の潤滑層とを有する構成であり、
該ヘッドドスライダは、ヘッドスライダ本体と、このヘッドスライダ本体のスライダ面上の潤滑層とを有する構成であり、
上記媒体の潤滑層の潤滑剤は、
主鎖構造が  -(CF2-CF2Ｏ)n-(CF2-Ｏ)m-  であり、
末端基がＡＭ系である構造であり、
該ヘッドスライダの潤滑層の潤滑剤は、
主鎖構造が  -(CF2-CF2Ｏ)n-(CF2-Ｏ)m-  であり、
末端基がＺｄｏｌ系、テトラオール系のうちの何れか一つである構成としたものである。
請求項４の発明は、ベースを有するハウジング内に、回転する媒体と、先端にヘッドスライダを有するキャリッジと、キャリッジを往復回動させる磁気回路とを有する情報記憶装置において、
該媒体は、基板と、基板上の磁性層と、表面の潤滑層とを有する構成であり、
該ヘッドドスライダは、ヘッドスライダ本体と、このヘッドスライダ本体のスライダ面上の潤滑層とを有する構成であり、
上記媒体の潤滑層の潤滑剤は、
主鎖構造が  -(CF2-CF2Ｏ)n-(CF2-Ｏ)m-  であり、
末端基がアミン系である構造であり、
該ヘッドスライダの潤滑層の潤滑剤は、
主鎖構造が  -(CF2-CF2Ｏ)n-(CF2-Ｏ)m-  であり、
末端基がＺｄｏｌ系構造である構成としたものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】
［第１実施例］
図２は本発明の第１実施例になるハードディスク装置３０を示す。ハードディスク装置３０は、箱形状のベース３１と上面を覆うカバー（図示せず）とよりなるハウジング３２内に、矢印ＣＣで示す反時計方向に高速回転するハードディスク４０と、先端にヘッドスライダ５０を有するキャリッジ７０、電磁力によってキャリッジ７０を往復回動させる磁気回路８０とを備えた構成である。データの書き込み及び読み出し時に、ハードディスク４０が高速回転することによって誘起される空気流４５によって、ヘッドスライダ５０は、図３に示すように、ハードディスク４０の面に対して寸法ｂ浮上した状態となっている。
【００１９】
図３に示すように、ハードディスク４０は、基板４１の表面に磁性層４２を有し、且つ、表面に厚さが数ｎｍの潤滑層４３を有する構成である。基板４１はテクスチャ処理が施されていず、ハードディスク４０の表面は平滑な面である。ヘッドスライダ５０の浮上量を小さくするためである。潤滑層４３は、潤滑剤を塗布し、その後にＵＶ照射等の処理を行って形成されている。
【００２０】
図３に示すように、ヘッドスライダ５０は、セラミック製のヘッドスライダ本体５１と、ヘッドスライダ本体５１の後端面５１ａに作り込んである磁気ヘッド部５２と、ハードディスク４０に対向する面５１ｂ上の潤滑層５３とを有する構成である。ヘッドスライダ５０は、ハードディスク４０に対向するスライダ面５４を有する。潤滑層５３は、潤滑剤を塗布し、その後にＵＶ照射等の処理を行って形成されている。
【００２１】
スライダ面５４は、前方に１つの浮上面部５５、後方に２つの浮上面部５６、５７を有し、中央に凹部５８を有する。ハードディスク４０が高速回転しているとき、前方の浮上面部５５と後方の２つの浮上面部５６、５７とによって、ヘッドスライダ５０には浮上力が発生し、中央に凹部５８は負圧領域が形成される。浮上力と負圧とによって、ヘッドスライダ５０の浮上状態が安定となっている。
【００２２】
浮上面部５５、５６には、ダイヤモンドライクカーボン製の突起５９が形成してある。ハードディスク装置３０の停止モード中は、突起５９がハードディスク４０の表面に当っており、浮上面部５５、５６、５７はハードディスク４０の表面より浮かされており、ハードディスク４０の表面が平滑な面であるにも拘わらず、ヘッドスライダ５０がハードディスク４０の表面へ吸着しないようになっている。
【００２３】
次に、ハードディスク４０の潤滑層４３の潤滑剤の構造及びヘッドスライダ５０の潤滑層５４の潤滑剤の構造について説明する。
【００２４】
ハードディスク４０の潤滑層４３の潤滑剤は、主鎖構造が  -(CF2-CF2O)n-(CF2-O)m-  であり、末端基がＺｄｏｌ系（Ｚｄｏｌ  ２０００）である構造である。
【００２５】
Ｚｄｏｌ系は、図５（Ａ）に示す化学式で表される。
【００２６】
ヘッドスライダ５０の潤滑層５４の潤滑剤は、主鎖構造が  -(CF2-CF2O)n-(CF2-O)m-  であり、末端基がＡＭ系（ＡＭ３００１）である構造である。
【００２７】
ＡＭ３００１は、図５（Ｂ）に示す次の化学式で表される。
【００２８】
よって、ハードディスク４０の潤滑層４３の潤滑剤とヘッドスライダ５０の潤滑層５４の潤滑剤とは、主鎖構造が  -(CF2-CF2O)n-(CF2-O)m-  であり共通であり、末端基はハードディスク４０側がＺｄｏｌ系で、ヘッドスライダ５０側がＡＭ系と相違している。
【００２９】
ヘッドスライダ５０のハードディスク４０の面に対する最低の浮上寸法ｂは、従来に比べて、０．７５〜１ｎｍ程度小さくなった。このことは、後述する実験の結果から分かるであろう。
【００３０】
この理由は以下のように考えられる。
【００３１】
ハードディスク４０の潤滑層４３の潤滑剤がヘッドスライダ５０へ転写する現象が認められなかった。このことは、接近しているヘッドスライダ５０の潤滑層５４とハードディスク４０の潤滑層４３との間に、互いに吸着する力が発生していないためと考えられる。
【００３２】
また、ハードディスク４０の潤滑層４３の潤滑剤及びヘッドスライダ５０の潤滑層５４の潤滑剤は共に発ガス性を有していず、よって、ヘッドクラッシュが発生する危険は有していない。
【００３３】
次に、上記の根拠となる実験及びその結果について説明する。
【００３４】
図４（Ａ）はグライドハイトを測定する実験装置９０を示す。グライドハイトとは、ハードディスクの表面の中心線平均粗さＲａの中心線からのヘッドスライダまでの高さ寸法をいう。実験装置９０は、アーム９１と、ピエゾ素子を備えたＡＥ（Acoustic Emission）センサ９２と、グライドハイト測定用基準ハードディスク及びハードディスク装置に組み込まれるハードディスクを回転させるモータ９４と、ハードディスクの径の方向に移動する移動台９５とを有する。アーム９１は、先端のジンバル部９１ａにグライドハイト測定用スライダ搭載部９１ｂを有する。アーム９１の基部側は、移動台９４に固定してある。ＡＥセンサ９２は、アーム９１の基部に設けてあり、グライドハイト測定用スライダがグライドハイト測定用ハードディスク或いは通常のハードディスクと接触したときの衝撃によって発生してアーム９１を伝播してきた超音波を検出する。
【００３５】
ハードディスクとしては、図４（Ｂ）〜（Ｊ）に示すように、グライドハイト測定用基準ハードディスクと、通常のハードディスクとを用意する。
【００３６】
グライドハイト測定用基準ハードディスクは、上面に多数のバンプを有するハードディスクであり、例えば、図４（Ｂ）に示す３ｎｍ高さのバンプ１００ａを有する基準ハードディスク１００、図４（Ｃ）に示す５ｎｍ高さのバンプ１０１ａを有する基準ハードディスク１０１、図４（Ｄ）に示す７ｎｍ高さのバンプ１０２ａを有する基準ハードディスク１０２のように、バンプ高さを異ならしめた複数の基準ハードディスクが準備してある。
【００３７】
このグライドハイト測定用基準ハードディスク１００〜１０２は、グライドハイトとハードディスクの回転数との関連とを求めるために用意してある。
【００３８】
通常のハードディスクは、ハードディスク装置に組み込まれるハードディスクであり、潤滑層の潤滑剤を異ならしめて５枚準備してある。ハードディスクの表面の中心線平均粗さＲａは０．４ｎｍである。
【００３９】
各ハードディスクの潤滑剤は、主鎖が  -(CF2-CF2O)n-(CF2-O)m-  である構造のものであり、主鎖については構造が同じであり、末端基が相違するものである。
【００４０】
図４（Ｅ）に示す第１のハードディスク１１０は、潤滑層１１０ａを有する。潤滑層１１０ａの潤滑剤は、主鎖が  -(CF2-CF2O)n-(CF2-O)m-  である構造であり、末端基がＺｄｏｌ系である構造である。
【００４１】
図４（Ｆ）に示す第２のハードディスク１１１は、潤滑層１１１ａを有する。潤滑層１１１ａの潤滑剤は、主鎖が  -(CF2-CF2O)n-(CF2-O)m-  である構造であり、末端基がＺｄｏｌ系にＸＩＰ系を添加したものである構造である。
【００４２】
ＸＩＰ系は、図５（Ｆ）に示す化学式で表される。
【００４３】
図４（Ｇ）に示す第３のハードディスク１１２は、潤滑層１１２ａを有する。潤滑層１１２ａの潤滑剤は、主鎖が  -(CF2-CF2O)n-(CF2-O)m-  である構造であり、末端基がＡＭ系である構造である。
【００４４】
図４（Ｈ）に示す第４のハードディスク１１３は、潤滑層１１３ａを有する。潤滑層１１３ａの潤滑剤は、主鎖が  -(CF2-CF2O)n-(CF2-O)m-  である構造であり、末端基がアミン系である構造である。
【００４５】
アミン系は、図５（Ｃ）に示す化学式で表される。
【００４６】
図４（Ｉ）に示す第５のハードディスク１１４は、潤滑層１１４ａを有する。潤滑層１１４ａの潤滑剤は、主鎖が  -(CF2-CF2O)n-(CF2-O)m-  である構造であり、末端基がモレスコ系である構造である。
【００４７】
モレスコ系は、図５（Ｄ）に示す化学式で表される。
【００４８】
図４（Ｊ）に示す第６のハードディスク１１５は、潤滑層１１５ａを有する。潤滑層１１５ａの潤滑剤は、主鎖が  -(CF2-CF2O)n-(CF2-O)m-  である構造であり、末端基がテトラオール系である構造である。
【００４９】
テトラオール系は、図５（Ｅ）に示す化学式で表される。
【００５０】
グライドハイト測定用ヘッドスライダとしては、図４（Ｋ）〜（Ｐ）に示すように、６つ用意してある。
【００５１】
ライドハイト測定用ヘッドスライダのスライダ面は、両側にレールを有する通常の構造である。
【００５２】
図４（Ｋ）に示す第１のヘッドスライダ１２０は、潤滑層１２０ａを有する。潤滑層１２０ａの潤滑剤は、主鎖が  -(CF2-CF2O)n-(CF2-O)m-  である構造であり、末端基がＺｄｏｌ系である構造である。
【００５３】
図４（Ｌ）に示す第２のヘッドスライダ１２１は、潤滑層１２１ａを有する。潤滑層１２１ａの潤滑剤は、主鎖が  -(CF2-CF2O)n-(CF2-O)m-である構造であり、末端基がＡＭ系である構造である。
【００５４】
図４（Ｍ）に示す第３のヘッドスライダ１２２は、潤滑層１２２ａを有する。潤滑層１２２ａの潤滑剤は、主鎖が  -(CF2-CF2O)n-(CF2-O)m-である構造であり、末端基がアミン系である構造である。
【００５５】
図４（Ｎ）に示す第４のヘッドスライダ１２３は、潤滑層１２３ａを有する。潤滑層１２３ａの潤滑剤は、主鎖が  -(CF2-CF2O)n-(CF2-O)m-である構造であり、末端基がモレスコ系である構造である。
【００５６】
図４（Ｏ）に示す第５のヘッドスライダ１２４は、潤滑層１２４ａを有する。潤滑層１２４ａの潤滑剤は、主鎖が  -(CF2-CF2O)n-(CF2-O)m-である構造であり、末端基がテトラオール系である構造である。
【００５７】
図４（Ｐ）に示す第６のヘッドスライダ１２５は、潤滑層を有しない構造である。
【００５８】
実験は、以下のようにおこなった。最初に、（１）グライドハイトとハードディスクの回転数との関連とを求める。次いで、（２）グライドハイトを求める。
【００５９】
（１）グライドハイトとハードディスクの回転数との関連とを求める手順
第６のヘッドスライダ１２５をアーム９１のジンバル部に固定し、基準ハードディスク１００をモータ９４に固定して高速で回転させ、基準ハードディスク１００の回転数を漸次低下させ、ヘッドスライダ１２４がバンプ１０１ａと接触してＡＥセンサ９２が信号を出力したときの基準ハードディスク１００の回転数を記録する。この作業を、移動台９５を動かして、ヘッドスライダ１２４を基準ハードディスク１００の異なる半径の位置に移動させて行う。これによって、グライドハイトが３ｎｍであるときのハードディスクの回転速度が、複数の半径位置について求まる。
【００６０】
基準ハードディスク１００を取り外し、基準ハードディスク１０１を取り付けて、上記の操作を行う。これによって、グライドハイトが５ｎｍであるときのハードディスクの回転速度が、複数の半径位置について求まる。
【００６１】
基準ハードディスク１０１を取り外し、基準ハードディスク１０２を取り付けて、上記の操作を行う。これによって、グライドハイトが７ｎｍであるときのハードディスクの回転速度が、複数の半径位置について求まる。
【００６２】
以上によって、グライドハイトとハードディスクの回転速度との関係を示すテーブルが求まる。
【００６３】
（２）グライドハイトを求める手順
基準ハードディスク１０１を取り外し、図４（Ｅ）に示す第１のハードディスク１１０を取り付ける。第６のヘッドスライダ１２５に代えて、図４（Ｋ）に示す第１のヘッドスライダ１２０を取り付ける。
【００６４】
第１のハードディスク１１０の潤滑層１１０ａ及び第１のヘッドスライダ１２０の潤滑層１２０ａの潤滑剤は、主鎖が共に  -(CF2-CF2O)n-(CF2-O)m-  であり、且つ末端基が共にＺｄｏｌ系である関係にある。
【００６５】
第１のハードディスク１１０を高速で回転させ、第１のハードディスク１１０の回転数を漸次低下させ、第１のヘッドスライダ１２０が第１のハードディスク１１０の表面と接触してＡＥセンサ９２が信号を出力したときの第１のハードディスク１１０の回転数を記録する。この作業を、移動台９５を動かして、第１のヘッドスライダ１２０を第１のハードディスク１１０の異なる半径の位置に移動させて行う。ＡＥセンサ９２が信号を出力したときの第１のハードディスク１１０の回転数を上記のテーブルに当てはめて、グライドハイトが求まる。図６の線ＩＡは、求められたグライドハイトを示す。半径２２ｍｍの箇所についてみると、グライドハイトは５．４９ｎｍである。
【００６６】
次いで、第１のヘッドスライダ１２０に代えて、図４（Ｌ）に示す第２のヘッドスライダ１２１を取り付ける。
【００６７】
ヘッドスライダを交換することによって、第１のハードディスク１１０の潤滑層１１０ａ及び第２のヘッドスライダ１２１の潤滑層１２１ａの潤滑剤とは、主鎖が共に  -(CF2-CF2O)n-(CF2-O)m-  である構造であり、且つ、末端基がＺｄｏｌ系とＡＭ系とに相違する関係となる。
【００６８】
この状態で、上記と同様に、第１のハードディスク１１０を高速で回転させ、第１のハードディスク１１０の回転数を漸次低下させ、第１のヘッドスライダ１２０が第１のハードディスク１１０の表面と接触してＡＥセンサ９２が信号を出力したときの第１のハードディスク１１０の回転数を記録する。この作業を、移動台９５を動かして、第１のヘッドスライダ１２０を第１のハードディスク１１０の異なる半径の位置に移動させて行う。ＡＥセンサ９２が信号を出力したときの第１のハードディスク１１０の回転数を上記のテーブルに当てはめて、グライドハイトが求まる。図６の線Ｉは、求められたグライドハイトを示す。半径２２ｍｍの箇所についてみると、第１のハードディスク１１０の回転数が低下されて約１５００ｒｐｍとなってときに、第１のヘッドスライダ１２０が第１のハードディスク１１０の表面に当り、ＡＥセンサ９２が信号を出力した。グライドハイトは４．７４ｎｍであり、第１のヘッドスライダ１２０の場合に比べて、０．７７ｎｍ低くなっている。
【００６９】
図６の線Ｉを線ＩＡと比較すると、対向する潤滑層の潤滑剤の末端基が共にＺｄｏｌ系である状態から、末端基がＺｄｏｌ系とＡＭ系とになることによって、グライドハイトが０．７５〜１．２７ｎｍ低くなっていることが分かる。
［第２実施例］
図７は本発明の第２実施例になるハードディスク装置３０−１の一部を拡大して示す。
【００７０】
ハードディスク装置３０−１は、図３のハードディスク装置３０と比較すると、ヘッドスライダ５０は同じであり、ハードディスク４０−１が上記のハードディスク４０と相違する構成である。
【００７１】
ハードディスク４０−１は上記のハードディスク４０とは、潤滑層４３−１が相違する構成である。潤滑層４３−１の潤滑剤は、
主鎖が  -(CF2-CF2O)n-(CF2-O)m-である構造であり、末端基がＺｄｏｌ系にＸＩＰ系を添加したものである構造である。
【００７２】
よって、ハードディスク４０−１の潤滑層４３−１の潤滑剤とヘッドスライダ５０の潤滑層５３の潤滑剤とは、主鎖構造が  -(CF2-CF2O)n-(CF2-O)m-  であり共通であり、末端基はハードディスク４０−１側がＺｄｏｌ＋ＸＩＰ系で、ヘッドスライダ５０側がＡＭ系と相違している。
【００７３】
ヘッドスライダ５０のハードディスク４０の面に対する最低の浮上寸法ｃは、従来に比べて、１ｎｍ以上小さくなった。このことは、以下に述べる実験の結果から分かるであろう。
【００７４】
図４（Ａ）に示す実験装置に、図４（Ｆ）に示す第２のハードディスク１１１及び図４（Ｌ）に示す第２のヘッドスライダ１２１を取り付けて実験した。第２のハードディスク１１１を高速で回転させ、第２のヘッドスライダ１２１を第２のハードディスク１１１の半径２２ｍｍの位置に位置させ、第２のハードディスク１１１の回転数を徐々に下げてみた。第２のハードディスク１１１の回転数が低下して１０００ｒｐｍとなっても、ＡＥセンサ９２からは信号が出力されなかった。グライドハイトは上記の実験装置では測定が不可能である程に低い。
［第３実施例］
図８は本発明の第３実施例になるハードディスク装置３０−２の一部を拡大して示す。
【００７５】
ハードディスク装置３０−２は、図３のハードディスク装置３０と比較すると、ハードディスク４０は同じであり、ヘッドスライダ５０−１が上記のヘッドスライダ５０と相違する構成である。
【００７６】
ヘッドスライダ５０−１は上記のヘッドスライダ５０とは、潤滑層５３−１が相違する構成である。潤滑層５３−１の潤滑剤は、主鎖が  -(CF2-CF2O)n-(CF2-O)m-  である構造であり、末端基がアミン系である構造である。
【００７７】
よって、ハードディスク４０の潤滑層４３の潤滑剤とヘッドスライダ５０−１の潤滑層５３−１の潤滑剤とは、主鎖構造が  -(CF2-CF2O)n-(CF2-O)m-  であり共通であり、末端基はハードディスク４０側がＺｄｏｌ系で、ヘッドスライダ５０−１側がアミン系と相違している。
【００７８】
ヘッドスライダ５０−１のハードディスク４０の面に対する最低の浮上寸法ｄは、従来に比べて、０．１５〜０．５９ｎｍ小さくなった。このことは、以下に述べる実験の結果から分かるであろう。
【００７９】
図４（Ａ）に示す実験装置に、図４（Ｅ）に示す第１のハードディスク１１０及び図４（Ｋ）に示す第１のヘッドスライダ１２０を取り付けて、前記と同様にして、グライドハイトを求める。ここで、第１のハードディスク１１０の潤滑剤及び第１のヘッドスライダ１２０潤滑剤とは、主鎖構造が同じであり、且つ末端基が共にＺｄｏｌ  ２０００であり同じである関係である。図９の線IIAは求められたグライドハイトを示す。
【００８０】
次いで、第１のヘッドスライダ１２０に代えて図４（Ｍ）に示す第３のヘッドスライダ１２２を取り付けて、前記と同様にして、グライドハイトを求める。ヘッドスライダを交換することによって、第１のハードディスク１１０の潤滑剤と第３のヘッドスライダ１２２の潤滑剤とは、第１のハードディスク１１０の潤滑剤の末端基がＺｄｏｌ  ２０００であり、第３のヘッドスライダ１２２の潤滑剤は末端基がアミン系であり、末端基が相違する関係になる。図９の線IIは求められたグライドハイトを示す。
【００８１】
図９の線IIを線IIAと比較すると、対向する潤滑層の潤滑剤の末端基が共にＺｄｏｌ系である状態から、末端基がＺｄｏｌ系とアミン系とになることによって、グライドハイトが０．１５〜０．５９ｎｍ低くなっていることが分かる。
［第４実施例］
図１０は本発明の第４実施例になるハードディスク装置３０−３の一部を拡大して示す。
【００８２】
ハードディスク装置３０−３は、図３のハードディスク装置３０と比較すると、ハードディスク４０は同じであり、ヘッドスライダ５０−２が上記のヘッドスライダ５０と相違する構成である。
【００８３】
ヘッドスライダ５０−２は上記のヘッドスライダ５０とは、潤滑層５３−２が相違する構成である。潤滑層５３−２の潤滑剤は、主鎖が  -(CF2-CF2O)n-(CF2-O)m-  である構造であり、末端基がテトラオール系である構造である。
【００８４】
よって、ハードディスク４０の潤滑層４３の潤滑剤とヘッドスライダ５０−２の潤滑層５３−２の潤滑剤とは、主鎖構造が  -(CF2-CF2O)n-(CF2-O)m-  であり共通であり、末端基はハードディスク４０側がＺｄｏｌ  ２０００で、ヘッドスライダ５０−２側がテトラオール系と相違している。
【００８５】
ヘッドスライダ５０−２のハードディスク４０の面に対する最低の浮上寸法ｅは、従来に比べて、０．２９〜０．７５ｎｍ小さくなった。このことは、以下に述べる実験の結果から分かるであろう。
【００８６】
図４（Ａ）に示す実験装置に、図４（Ｅ）に示す第１のハードディスク１１０及び図４（Ｋ）に示す第１のヘッドスライダ１２０を取り付けて、前記と同様にして、グライドハイトを求める。ここで、第１のハードディスク１１０の潤滑剤及び第１のヘッドスライダ１２０潤滑剤とは、主鎖構造が同じであり、且つ末端基が共にＺｄｏｌ  ２０００であり同じである関係である。図１１の線IIIAは求められたグライドハイトを示す。
【００８７】
次いで、第１のヘッドスライダ１２０に代えて図４（Ｏ）に示す第５のヘッドスライダ１２４を取り付けて、前記と同様にして、グライドハイトを求める。ヘッドスライダを交換することによって、第１のハードディスク１１０の潤滑剤と第５のヘッドスライダ１２４の潤滑剤とは、第１のハードディスク１１０の潤滑剤の末端基がＺｄｏｌ  ２０００であり、第５のヘッドスライダ１２４の潤滑剤は末端基がテトラオールであり、末端基が相違する関係になる。図１１の線IIIは求められたグライドハイトを示す。
【００８８】
図１１の線IIIを線IIIAと比較すると、対向する潤滑層の潤滑剤の末端基が共にＺｄｏｌ系である状態から、末端基がＺｄｏｌ系とテトラオールとになることによって、グライドハイトが０．２９〜０．７５ｎｍ低くなっていることが分かる。
［第５実施例］
図１２は本発明の第５実施例になるハードディスク装置３０−４の一部を拡大して示す。
【００８９】
ハードディスク装置３０−４は、図３のハードディスク装置３０と比較すると、ヘッドスライダ５０−３及びハードディスク４０−２が共に前記のヘッドスライダ５０及びハードディスク４０と相違する構成である。
【００９０】
ヘッドスライダ５０−３は上記のヘッドスライダ５０とは、潤滑層５３−３が相違する構成である。潤滑層５３−３の潤滑剤は、
主鎖が  -(CF2-CF2O)n-(CF2-O)m-  である構造であり、末端基がＺｄｏｌ  ２０００である構造である。
【００９１】
ハードディスク４０−２は上記のハードディスク４０とは、潤滑層４３−２が相違する構成である。潤滑層４３−２の潤滑剤は、
主鎖が  -(CF2-CF2O)n-(CF2-O)m-  である構造であり、末端基がＡＭ３００１である構造である。
【００９２】
よって、ハードディスク４０−２の潤滑層４３−２の潤滑剤とヘッドスライダ５０−３の潤滑層５３−３の潤滑剤とは、主鎖構造が  -(CF2-CF2O)n-(CF2-O)m-であり共通であり、末端基はハードディスク４０−２側がＡＭ３００１で、ヘッドスライダ５０−３側がＺｄｏｌ  ２０００と相違している。これは、図３に示す第１実施例とは、逆の関係である。
【００９３】
ヘッドスライダ５０−３のハードディスク４０−２の面に対する最低の浮上寸法ｆは、従来に比べて、０．１５〜０．５９ｎｍ小さくなった。このことは、以下に述べる実験の結果から分かるであろう。
【００９４】
図４（Ａ）に示す実験装置に、図４（Ｇ）に示す第３のハードディスク１１２及び図４（Ｌ）に示す第２のヘッドスライダ１２１を取り付けて、前記と同様にして、グライドハイトを求める。ここで、第３のハードディスク１１２の潤滑剤及び第２のヘッドスライダ１２１潤滑剤とは、主鎖構造が同じであり、且つ末端基が共にＡＭ３００１であり同じである関係である。図１３の線IVAは求められたグライドハイトを示す。
【００９５】
次いで、第２のヘッドスライダ１２１に代えて図４（Ｋ）に示す第１のヘッドスライダ１２０を取り付けて、前記と同様にして、グライドハイトを求める。ヘッドスライダを交換することによって、第３のハードディスク１１２の潤滑剤と第１のヘッドスライダ１２０の潤滑剤とは、第３のハードディスク１１２の潤滑剤の末端基がＡＭ３００１であり、第１のヘッドスライダ１２０の潤滑剤は末端基がＺｄｏｌ  ２０００であり、末端基が相違する関係になる。図１３の線IVは求められたグライドハイトを示す。
【００９６】
図１３の線IVを線IVAと比較すると、対向する潤滑層の潤滑剤の末端基が共にＡＭ系である状態から、末端基がＡＭ系とＺｄｏｌ系とになることによって、グライドハイトが０．１５〜０．５９ｎｍ低くなっていることが分かる。
［第６実施例］
図１４は本発明の第６実施例になるハードディスク装置３０−５の一部を拡大して示す。
【００９７】
ハードディスク装置３０−５は、図３のハードディスク装置３０と比較すると、ヘッドスライダ５０−２及びハードディスク４０−２が共に前記のヘッドスライダ５０及びハードディスク４０と相違する構成である。
【００９８】
ヘッドスライダ５０−２は上記のヘッドスライダ５０とは、潤滑層５３−２が相違する構成である。潤滑層５３−２の潤滑剤は、主鎖が  -(CF2-CF2O)n-(CF2-O)m-  である構造であり、末端基がテトラオールである構造である。
【００９９】
ハードディスク４０−２は上記のハードディスク４０とは、潤滑層４３−２が相違する構成である。潤滑層４３−２の潤滑剤は、主鎖が  -(CF2-CF2O)n-(CF2-O)m-  である構造であり、末端基がＡＭ３００１である構造である。
【０１００】
よって、ハードディスク４０−２の潤滑層４３−２の潤滑剤とヘッドスライダ５０−２の潤滑層５３−２の潤滑剤とは、主鎖構造が  -(CF2-CF2O)n-(CF2-O)m-であり共通であり、末端基はハードディスク４０−２側がＡＭ３００１で、ヘッドスライダ５０−２側がテトラオールと相違している。
【０１０１】
ヘッドスライダ５０−２のハードディスク４０−２の面に対する最低の浮上寸法ｇは、従来に比べて、０．２５〜０．６０ｎｍ小さくなった。このことは、以下に述べる実験の結果から分かるであろう。
【０１０２】
図４（Ａ）に示す実験装置に、図４（Ｇ）に示す第３のハードディスク１１２及び図４（Ｌ）に示す第２のヘッドスライダ１２１を取り付けて、前記と同様にして、グライドハイトを求める。第３のハードディスク１１２の潤滑剤及び第２のヘッドスライダ１２１の潤滑剤とは、主鎖構造が同じであり、且つ末端基が共にＡＭ３００１であり同じである関係である。図１４の線VAは求められたグライドハイトを示す。
【０１０３】
次いで、第２のヘッドスライダ１２１に代えて図４（Ｏ）に示す第５のヘッドスライダ１２４を取り付けて、前記と同様にして、グライドハイトを求める。ヘッドスライダを交換することによって、第３のハードディスク１１２の潤滑剤と第５のヘッドスライダ１２４の潤滑剤とは、第３のハードディスク１１２の潤滑剤の末端基がＡＭ３００１であり、第６のヘッドスライダ１２４潤滑剤は末端基がテトラオールであり、末端基が相違する関係になる。図１４の線Vは求められたグライドハイトを示す。
【０１０４】
図１４の線Vを線VAと比較すると、対向する潤滑層の潤滑剤の末端基が共にＡＭ系である状態から、末端基がＡＭ系とテトラオールとになることによって、グライドハイトが０．２５〜０．６０ｎｍ低くなっていることが分かる。
［第７実施例］
図１６は本発明の第７実施例になるハードディスク装置３０−６の一部を拡大して示す。
【０１０５】
ハードディスク装置３０−６は、図３のハードディスク装置３０と比較すると、ハードディスク４０−３が前記のハードディスク４０と相違する構成である。
【０１０６】
ハードディスク４０−３は上記のハードディスク４０とは、潤滑層４３−３が相違する構成である。潤滑層４３−３の潤滑剤は、主鎖が  -(CF2-CF2O)n-(CF2-O)m-  である構造であり、末端基がアミン系である構造である。
【０１０７】
よって、ハードディスク４０−３の潤滑層４３−３の潤滑剤とヘッドスライダ５０の潤滑層５３の潤滑剤とは、主鎖構造が  -(CF2-CF2O)n-(CF2-O)m-  であり共通であり、末端基はハードディスク４０−３側がアミン系で、ヘッドスライダ５０側がＺｄｏｌ  ２０００と相違している。
【０１０８】
ヘッドスライダ５０のハードディスク４０−３の面に対する最低の浮上寸法ｈは、従来に比べて、０．３７〜０．５４ｎｍ小さくなった。このことは、以下に述べる実験の結果から分かるであろう。
【０１０９】
図４（Ａ）に示す実験装置に、図４（Ｈ）に示す第４のハードディスク１１３及び図４（Ｍ）に示す第３のヘッドスライダ１２２を取り付けて、前記と同様にして、グライドハイトを求める。ここで、第４のハードディスク１１３の潤滑剤及び第３のヘッドスライダ１２２潤滑剤とは、主鎖構造が同じであり、且つ末端基が共にアミン系であり同じである関係である。図１７の線VIAは求められたグライドハイトを示す。
【０１１０】
次いで、第３のヘッドスライダ１２２に代えて図４（Ｋ）に示す第１のヘッドスライダ１２４を取り付けて、前記と同様にして、グライドハイトを求める。ヘッドスライダを交換することによって、第４のハードディスク１１３の潤滑剤と第１のヘッドスライダ１２０の潤滑剤とは、第４のハードディスク１１３の潤滑剤の末端基がアミン系であり、第１のヘッドスライダ１２０の潤滑剤は末端基がＺｄｏｌ  ２０００であり、末端基が相違する関係になる。図１７の線VIは求められたグライドハイトを示す。
【０１１１】
図１７の線VIを線VIAと比較すると、対向する潤滑層の潤滑剤の末端基が共にアミン系である状態から、末端基がアミン系とＺｄｏｌ  ２０００とになることによって、グライドハイトが０．３７〜０．５４ｎｍ低くなっていることが分かる。
【０１１２】
なお、図１８は、上記の図６、９、１１、１３、１５，１７のグラフを数値で表した図表である。
【０１１３】
なお、ヘッドスライダの潤滑剤とハードディスクの潤滑剤とを夫々の末端基が上記第１〜７実施例で示した組合わせ以外であって、互いに相違する組合わせとすることによっても、グライドハイトを低くすることが可能である。
【０１１４】
（付記１）  媒体に対して浮上して信号の記録再生を行うヘッドスライダにおいて、
ヘッドスライダ本体と、このヘッドスライダ本体のスライダ面上の潤滑層とを有する構成であり、
該潤滑層の潤滑剤は、
主鎖構造が上記媒体の潤滑層の潤滑剤の主鎖構造と同じであり、
末端基が上記媒体の潤滑層の潤滑剤の末端基とは異なる構造である構成としたことを特徴とするヘッドスライダ。
【０１１５】
（付記２）  付記１に記載のヘッドスライダにおいて、
該ヘッドスライダの潤滑層の潤滑剤は、
主鎖構造が  -(CF2-CF2O)n-(CF2-O)m-  であり、
末端基がＺｄｏｌ系、ＡＭ系、アミン系、モレスコ系、テトラオール系のうちの何れか一つであり、上記媒体の潤滑層の潤滑剤の末端基とは異なる構造である構成としたことを特徴とするヘッドスライダ。
【０１１６】
（付記３）  ベースを有するハウジング内に、回転する媒体と、先端にヘッドスライダを有するキャリッジと、キャリッジを往復回動させる磁気回路とを有する情報記憶装置において、
該媒体は、基板と、基板上の磁性層と、表面の潤滑層とを有する構成であり、
該ヘッドスライダは、ヘッドスライダ本体と、このヘッドスライダ本体のスライダ面上の潤滑層とを有する構成であり、
該ヘッドスライダの潤滑層の潤滑剤は、
主鎖構造が上記媒体の潤滑層の潤滑剤の主鎖構造と同じであり、
末端基が上記媒体の潤滑層の潤滑剤の末端基とは異なる構造である構成としたことを特徴とする情報記憶装置。
【０１１７】
（付記４）  付記３に記載の情報記憶装置において、
上記媒体の潤滑層の潤滑剤は、
主鎖構造が  -(CF2-CF2O)n-(CF2-O)m-  であり、
末端基がＡＭ系、Ｚｄｏｌ系、アミン系、モレスコ系、テトラオール系のうちの何れか一つである構造であり、
該ヘッドスライダの潤滑層の潤滑剤は、
主鎖構造が  -(CF2-CF2O)n-(CF2-O)m-  であり、
末端基がＺｄｏｌ系、ＡＭ系、アミン系、モレスコ系、テトラオール系のうちの何れか一つであり、上記媒体の潤滑層の潤滑剤の末端基とは異なる構造である構成としたことを特徴とする情報記憶装置。
【０１１８】
（付記５）  付記３に記載の情報記憶装置において、
上記媒体の潤滑層の潤滑剤は、
末端基がＺｄｏｌ系にＸＩＰを添加してなる構造を有するものであり、
上記ヘッドスライダの潤滑層の潤滑剤は、
末端基がＡＭ系、アミン系、モレスコ系、テトラオール系のうちの何れか一つであることを特徴とする情報記憶装置。
【０１１９】
（付記６）  付記４に記載の情報記憶装置において、
該ヘッドスライダの潤滑層の潤滑剤は、
末端基がＡＭ系であることを特徴とする情報記憶装置。
【０１２０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、回転する媒体に対して浮上して信号の記録再生を行うヘッドスライダにおいて、ヘッドスライダの潤滑層の潤滑剤は、その末端基が媒体の潤滑層の潤滑剤の末端基とは異なる構造であるため、ヘッドスライダの潤滑層と媒体の潤滑層との間で吸着を起こさないようになり、これによって、ヘッドスライダの媒体に対するグライドハイトを、ヘッドスライダ潤滑層無しの場合、末端基がハードディスク潤滑剤の末端基と同じである場合のグライドハイトに比べて、サブナノオーダ低くすることが出来る。よって、ヘッドスライダの媒体に対する浮上量を小さくすることが出来、これによって、媒体への信号の記録の高密度化を図ることが出来る。
【０１２１】
また、ヘッドスライダ潤滑層の潤滑剤及び媒体潤滑層の潤滑剤は発ガス性を有しないため、ヘッドスライダの媒体に対する浮上量を小さくしても、ヘッドクラッシュが発生する危険は増えないように出来る。
【０１２２】
特に請求項２の発明によれば、媒体の潤滑層の潤滑剤は、末端基がＺｄｏｌ系にＸＩＰを添加してなる構造を有するものであり、ヘッドスライダ潤滑層の潤滑剤は、末端基がＡＭ系であるため、ヘッドスライダの媒体に対する浮上量を効果的に小さくすることが出来、これによって、媒体への信号の記録の高密度化を図ることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の１例のヘッドスライダをハードディスクと対応させて示す図である。
【図２】本発明の第１実施例になるハードディスク装置を、カバーを取り外した状態で示す図である。
【図３】図２中、ヘッドスライダをハードディスクと併せて拡大して示す図である。
【図４】グライドハイトの測定の実験装置を示す図である。
【図５】潤滑剤の末端基の化学式を示す図である。
【図６】第１のハードディスク１１０に対する第２のヘッドスライダ１２１のグライドハイトを、第１のヘッドスライダ１２０のグライドハイトと併せて示す図である。
【図７】本発明の第２実施例になるハードディスク装置の一部を拡大して示す図である。
【図８】本発明の第３実施例になるハードディスク装置の一部を拡大して示す図である。
【図９】第１のハードディスク１１０に対する第３のヘッドスライダ１２２のグライドハイトを、第１のヘッドスライダ１２０のグライドハイトと併せて示す図である。
【図１０】本発明の第４実施例になるハードディスク装置の一部を拡大して示す図である。
【図１１】第１のハードディスク１１０に対する第５のヘッドスライダ１２４のグライドハイトを、第１のヘッドスライダ１２０のグライドハイトと併せて示す図である。
【図１２】本発明の第５実施例になるハードディスク装置の一部を拡大して示す図である。
【図１３】第３のハードディスク１１２に対する第１のヘッドスライダ１２０のグライドハイトを、第２のヘッドスライダ１２１のグライドハイトと併せて示す図である。
【図１４】本発明の第６実施例になるハードディスク装置の一部を拡大して示す図である。
【図１５】第３のハードディスク１１２に対する第５のヘッドスライダ１２４のグライドハイトを、第２のヘッドスライダ１２１のグライドハイトと併せて示す図である。
【図１６】本発明の第７実施例になるハードディスク装置の一部を拡大して示す図である。
【図１７】第４のハードディスク１１３に対する第１のヘッドスライダ１２０のグライドハイトを、第３のヘッドスライダ１２２のグライドハイトと併せて示す図である。
【図１８】図６、図９、図１１、図１３，図１５、図１７のグラフに対応する図表である。
【符号の説明】
３０  ハードディスク装置
４０  ハードディスク
４１  基板
４２  磁性層
４３  潤滑層
５０  ヘッドスライダ
５１  ヘッドスライダ本体
５２  磁気ヘッド部
５３  潤滑層
【図１】
0004082880.tif 000002
【図２】
0004082880.tif 000003
【図３】
0004082880.tif 000004
【図４】
0004082880.tif 000005
【図５】
0004082880.tif 000006
【図６】
0004082880.tif 000007
【図７】
0004082880.tif 000008
【図８】
0004082880.tif 000009
【図９】
0004082880.tif 000010
【図１０】
0004082880.tif 000011
【図１１】
0004082880.tif 000012
【図１２】
0004082880.tif 000013
【図１３】
0004082880.tif 000014
【図１４】
0004082880.tif 000015
【図１５】
0004082880.tif 000016
【図１６】
0004082880.tif 000017
【図１７】
0004082880.tif 000018
【図１８】
0004082880.tif 000019