(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検査基板上の上層から下層に達する１個あるいは複数個の開口を検査する検査装置において、
上層から下層に１個あるいは複数個の開口を形成する被検査基板上を電子ビームで照射する手段と、
上記電子ビームで照射したときに放出されたＸ線を検出するＸ線検出器と、
上記Ｘ線検出によって検出した信号をもとにＸ線スペクトルを算出する手段と、
上記算出したＸ線スペクトルについて、上記上層から放出されるＸ線スペクトルと上記下層から放出されるＸ線スペクトルとをもとに上記１個あるいは複数個の開口部の面積あるいは直径を算出する手段と
を備えたことを特徴とする検査装置。
【請求項２】
上記上層の表面の１個あるいは複数個の開口あるいは当該開口を含む所定範囲内からのみ放出されたＸ線を検出し、この検出したＸ線のＸ線スペクトルを求めて上記上層から放出されるＸ線スペクトルと上記下層から放出されるＸ線スペクトルとをもとに上記１個あるいは複数個の開口部の面積あるいは直径を算出することを特徴とする請求項１記載の検査装置。
【請求項３】
上記電子ビームで上記被検査基板上を走査して放出された２次電子、反射電子あるいは吸収電子をもとに形成した２次電子像、反射電子像あるいは吸収電子像上で上記１個あるいは複数個の開口の部分あるいは当該開口の部分を含む所定の領域から放出されたＸ線を検出し、この検出したＸ線のＸ線スペクトルを求めて上記上層から放出されるＸ線スペクトルと上記下層から放出されるＸ線スペクトルとをもとに上記１個あるいは複数個の開口部の面積あるいは直径を算出することを特徴とする請求項１記載の検査装置。
【請求項４】
コンピュータを、
上層から下層に１個あるいは複数個の開口を形成する被検査基板上を電子ビームで照射する手段と、
上記電子ビームで照射したときに放出されたＸ線を検出するＸ線検出器を制御する手段と、
上記検出した信号をもとにＸ線スペクトルを算出する手段と、
上記算出したＸ線スペクトルについて、上記上層から放出されるＸ線スペクトルと上記下層から放出されるＸ線スペクトルとをもとに上記１個あるいは複数個の開口部の面積あるいは直径を算出する手段と
して機能させるプログラムを記録したコンピュータ読取可能な記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被検査基板上の上層から下層に達する１個あるいは複数個の開口を検査する検査装置および記録媒体であって、半導体ウエハの加工工程の中でウエハ表面に加工された回路パタンの中で層間の配線を行うための貫通孔（いわゆるコンタクトホール）の加工の良否の検査を行う検査装置に関するものである。コンタクトホールの検査は、基本的には光学顕微鏡あるいは電子顕微鏡の画像からその直径を計測し、目的とする許容範囲内に入っているか否かを判定することであるが、直径が小さくなるに従い画像の分解能（鮮明度）が低下してくるため検査が困難となる。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＳＩ技術の進歩とともにウエハのパタンが微細化しコンタクトホールの加工寸法が直径で０．５μｍ以下となって光学顕微鏡の分解能では不十分となってきたため、量産工場の加工後の検査においてさえ走査型電子顕微鏡（以下ＳＥＭという）が利用されるようになっている。最近では加工技術の進歩によってさらに微細化が進められており、コンタクトホールの直径も０．２μｍ以下となることが予想されている。
【０００３】
ＳＥＭは高速の電子ビームで観察対象のウエハの表面を走査し、その表面から発生する２次電子を検出して輝度変調して画像を形成表示するものである。コンタクトホールの検査は、上述の２次電子像を観察してホールが下層まで貫通しているか否か、あるいは貫通孔の直径を計測して行う。コンタクトホールが貫通すべき膜の厚さは１μｍ程度であるから、０．２μｍ直径のホールではアスペクト比（直径に対する深さ）は５以上となり、高速の電子ビームでホールの底の部分を走査したときに底で発生した２次電子がホールを脱出することが困難となってしまう。２次電子を検出できなければその部分（ホールの底の部分）の情報が得られないこととなる。このような場合、従来の２次電子の代わりに背面散乱電子を検出する方法がある。２次電子に比べて背面散乱電子は大きい運動エネルギーを持つので深いホールの底からでも脱出できるからであるが、それでも実際には０．２μｍ以下のホールでは不十分となる。また、背面散乱電子による画像は２次電子に比べて不鮮明であり、ホールの底の計測は正確さに欠けるものとなっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本来、２次電子、背面散乱電子ともにホール底を直接識別する情報を示すものではない。放出電子の強度分布を形状による効果を基に解釈してホール底の情報とみなしているだけである。そのため検出信号のＳ／Ｎが低下すると情報の信頼性が急速に失われることになるという問題がある。
【０００５】
以上ののように０．２μｍ以下のコンタクトホールを計測するにはこれまでのＳＥＭによる方法では限界があることが明確となって来ている。
本発明は、これらの問題を解決するため、ＳＥＭによる２次電子画像や反射電子画像によるアスペクト比の大きいホールの検査の限界を越えて微細ホールの定量的計測を実現することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
図１を参照して課題を解決するための手段を説明する。
図１において、電子ビーム４５、４５’は、被検査基板上に形成したＡ層（上層）４１およびＢ層（下層）４２を照射するものである。
【０００７】
特性Ｘ線４６、４６’は、電子ビーム４５、４５’によってＡ層４１あるいはＢ層４２を照射して放出された特性Ｘ線である。
次に、動作を説明する。
【０００８】
電子ビーム４５、４５’をＡ層（上層）４１に１個あるいは複数個の開口の形成された被検査基板上を走査して照射し、放出されたＸ線を検出するＸ線検出器によって検出し、検出した信号をもとにＸ線スペクトルを算出した後、算出したＸ線スペクトルについて、Ａ層（上層）４１から放出されるＸ線スペクトルとＢ層（下層）４２から放出されるＸ線スペクトルとの比を求めてＡ層４１に空けた１個あるいは複数個の開口部の面積あるいは開口部が円のときは直径を算出するようにしている。
【０００９】
この際、Ａ層（上層）４１の表面の１個あるいは複数個の開口あるいは当該開口を含む所定範囲内からのみ放出された特性Ｘ線を検出し、この検出した特性Ｘ線のＸ線スペクトルを求めてＡ層（上層）４１から放出されるＸ線スペクトルとＢ層（下層）４２から放出されるＸ線スペクトルとの比を求めてＡ層４１に空けた１個あるいは複数個の開口部の面積あるいは開口部が円のときは直径を算出するようにしている。
【００１０】
また、電子ビーム４５、４５’で被検査基板上のＡ層４１およびＢ層４２を走査して放出された２次電子、反射電子あるいは吸収電子をもとに形成した２次電子像、反射電子像あるいは吸収電子像上でＡ層４１に空けた１個あるいは複数個の開口の部分のみから放出されたＸ線を検出し、この検出したＸ線のＸ線スペクトルを求めてＡ層（上層）４１から放出されるＸ線スペクトルとＢ層（下層）４２から放出されるＸ線スペクトルとの比を求めてＡ層４１に空けた１個あるいは複数個の開口部の面積あるいは開口部が円のときは直径を算出するようにしている。
【００１１】
従って、ＳＥＭによる２次電子画像や反射電子画像によるアスペクト比の大きいホールの検査の限界を越えて、上層（Ａ層４１）と下層（Ｂ層４２）の特性Ｘ線の比をもとに上層に空けた極めて小さな微細ホール（例えば０．２μｍ直径でアスペクト比が約５以上の微細ホール）の面積あるいは直径を定量的に計測することが可能となる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
次に、図１から図５を用いて本発明の実施の形態および動作を順次詳細に説明する。
【００１３】
図１は、本発明の説明図（その１）を示す。これは、後述する図５のシステム構成のもとでウエハホルダ１０に被検査基板としてウエハ９を取り付け、細く絞った電子ビーム４５、４５’を図１中で上から下方向に走査して照射するときの様子を説明したものである。
【００１４】
図１において、Ａ層４１は、Ｂ層４２の上に形成した層であって、ここでは、コンタクトホール４４を形成する対象の層である。
Ｂ層４２は、Ａ層４１に形成したコンタクトホール４４を介してＡ層４１の上の層と電気的に接続したりなどするものである。
【００１５】
コンタクトホール４４は、ここでは、Ａ層４１に空けた穴であって、本願発明では非常に微細で例えば０．２μｍ直径で深さが約１μｍとアスペクト比が約５と非常に深い穴である。
【００１６】
電子ビーム４５は、後述する図５のシステム構成で細く絞った電子ビームであって、ここでは、コンタクトホール４４の無いＡ層４１の表面を走査して照射し、当該Ａ層４１の元素に対応した特性Ｘ線を放出させるためのもの（励起源）である。
【００１７】
電子ビーム４５’は、後述する図５のシステム構成で細く絞った電子ビームであって、ここでは、コンタクトホール４４を通過してＢ層４２の表面を走査して照射し、当該Ｂ層４２の元素に対応した特性Ｘ線を放出させるためのもの（励起源）である。
【００１８】
特性Ｘ線４６は、電子ビーム４５で照射されたＡ層４１の領域内に含まれる元素に対応した固有の特定波長を持つ特性Ｘ線である。
特性Ｘ線４６’は、電子ビーム４５’で照射されたＢ層４２の領域内に含まれる元素に対応した固有の特定波長を持つ特性Ｘ線である。
【００１９】
図１の（ａ）は、ウエハのコンタクトホール４４がある部分の断面模式図を示す。ここでは、電子ビーム４５がＡ層４１の表面を照射して特性Ｘ線４６を放出している。また、電子ビーム４５’がＢ層４２の表面を照射して特性Ｘ線４６’を放出している。
【００２０】
図１の（ｂ）は、Ａ層４１を電子ビーム４５で照射したときの特性Ｘ線４６を検出してスペクトル分析したときのエネルギーを示す。横軸はエネルギー（波長）を表し、縦軸はそのときのカウント数（強度）を表す。この例では、エネルギーＳ１、Ｓ３、Ｓ４の３つのときにピークがそれぞれ存在する（電子ビームが照射されたＡ層４１の領域内に存在する元素から放出されたエネルギーＳ１、Ｓ３、Ｓ４の特性Ｘ線の３つのピークが存在する）ことが判る。
【００２１】
図１の（ｃ）は、Ｂ層４２を電子ビーム４５’で照射したときの特性Ｘ線４６’を検出してスペクトル分析したときのエネルギーを示す。横軸はエネルギー（波長）を表し、縦軸はそのときのカウント数（強度）を表す。この例では、エネルギーＳ１、Ｓ２の２つのときにピークがそれぞれ存在する（電子ビームが照射されたＢ層４２の領域内に存在する元素から放出されたエネルギーＳ１、Ｓ２の特性Ｘ線の２つのピークが存在する）ことが判る。
【００２２】
以上のように、電子ビーム４５でＡ層４１を走査して特性Ｘ線４６を放出させてスペクトル解析して図１の（ｂ）を得、電子ビーム４５’でＢ層４２を走査して特性Ｘ線４６’を放出させてスペクトル解析して図１の（ｃ）を得ることが可能となる。これらは予めＡ層４１およびＢ層４２について個別に電子ビーム４５、４５’を照射してそのときの特性Ｘ線をスペクトル解析することにより得ることができる。
【００２３】
図２は、本発明の説明図（その２）を示す。
図２の（ａ）は、Ａ層４１のコンタクトホール４４が正常に加工されたときの様子を示す。
【００２４】
図２の（ａ−１）は図１の（ａ）のＡ層４１の上からＳＥＭで見たときのパタンを示す。図中の４つの円がコンタクトホール４４をそれぞれ表す。
図２の（ａ−２）は、図２の（ａ−１）で電子ビームを全体に走査して発生した特性Ｘ線４６、４６’をスペクトル解析して表示したエネルギー分布を示す。ここでは、既述した図１の（ｂ）、（ｃ）で説明したエネルギーＳ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４でピークが得られる。これは、既述した図１の（ｂ）のＡ層４１から放出された特性Ｘ線４６、および図１の（ｃ）のＢ層４２から放出された特性Ｘ線４６’をスペクトル解析したものであって、前者（Ａ層）と後者（Ｂ層）の面積比にそれぞれの特性Ｘ線４６、４６’を加算したものである。従って、Ａ層４１からはエネルギーＳ１、Ｓ３、Ｓ４が検出され、Ｂ層４２からはエネルギーＳ１、Ｓ２が検出され、これら両者を面積比で加算すると図示のようにエネルギーＳ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４となる。
【００２５】
図２の（ｂ）は、Ａ層４１のコンタクトホール４４が加工の条件が最適ではなくて直径が小さく加工されたときの様子を示す。
図２の（ｂ−１）は図１の（ａ）のＡ層４１の上からＳＥＭで見たときのパタンを示す。図中の４つの円がコンタクトホール４４をそれぞれ表し、図２の（ａ）の正常の場合に比して小さいコンタクトホール４４の穴となっている。
【００２６】
図２の（ｂ−２）は、図２の（ｂ−１）で電子ビームを全体に走査して発生した特性Ｘ線４６、４６’をスペクトル解析して表示したエネルギー分布を示す。ここでは、既述した図１の（ｂ）、（ｃ）で説明したエネルギーＳ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４が得られる。これは、既述した図１の（ｂ）のＡ層４１から放出された特性Ｘ線４６、および図１の（ｃ）のＢ層４２から放出された特性Ｘ線４６’をスペクトル解析したものであって、前者（Ａ層）と後者（Ｂ層）の面積比にそれぞれの特性Ｘ線４６、４６’を加算したものである。従って、図２の（ａ−２）に比してスルーホールが小さくＢ層４２から放出されるエネルギーＳ１、Ｓ２が面積に対応して小さくなっている様子が判明する（特にＢ層４２のみが放出するエネルギーＳ２が、図２の（ａ−２）に比して図２の（ｂ−２）ではコンタクトホール４４の穴の面積比で小さくなっている）。
【００２７】
図２の（ｃ）は、Ａ層４１のコンタクトホール４４が加工の条件がずれてコンタクトホールが下のＢ層４２まで達していない様子を示す。
図２の（ｃ−１）は図１の（ａ）のＡ層４１の上からＳＥＭで見たときのパタンを示す。図中の４つの点線の円がコンタクトホール４４であるがＢ層４２まで達していなく、穴となっていない。
【００２８】
図２の（ｃ−２）は、図２の（ｃ−１）で電子ビームを全体に走査して発生した特性Ｘ線４６、４６’をスペクトル解析して表示したエネルギー分布を示す。ここでは、既述した図１の（ｂ）で説明したエネルギーＳ１、Ｓ３、Ｓ４のみが得られ、コンタクトホール４４が下層のＢ層４２に到達していない様子が判明する。
【００２９】
以上のように、上層のＡ層４１に最適な直径のコンタクトホール４４が形成された図２の（ａ−２）の状態（Ａ層４１の特性Ｘ線４６とＢ層４２の特性Ｘ線４６’の面積比で加算した状態のエネルギーＳ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４でそれぞれピークＰ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４を持つ状態）、小さな直径のコンタクトホール４４が形成された図２の（ｂ−２）の状態（Ａ層４１の特性Ｘ線４６とＢ層４２の特性Ｘ線４６’の面積比で加算した状態のエネルギーＳ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４でそれぞれピークＰ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４を持つ状態）、更に、コンタクトホール４４が下層のＢ層４２に到達しなくて穴が空いていない図２の（ｃ−２）の状態（Ａ層４１の特性Ｘ線４６のエネルギーＳ１、Ｓ３、Ｓ４でそれぞれピークＰ１、Ｐ３、Ｐ４を持つ状態）を得ることが可能となる。これらにより、コンタクトホール４４の全体に対する面積に対応した特性Ｘ線のエネルギーＳｉ（ｉ＝１から４）とそれぞれのピーク（強度）Ｐｉ（ｉ＝１から４）を得ることで、これらから逆算して全体に対するコンタクトホール４４の面積（円の場合には直径）を算出することが可能となる。
【００３０】
また、上層のＡ層４１と、下層のＢ層４２との共通のエネルギーＳ１のピークＰ１をそれぞれ基準とし（ピークＰ１を１．００とし）、他のエネルギーＳ２、Ｓ３、Ｓ４のピークＰ２、Ｐ３、Ｐ４の相対値を求め、これらを使って、全体の面積に対するコンタクトホール４４の面積（Ｂ層の面積）を算出するようにしてもよい（図３を用いて後述する）。
【００３１】
図３は、本発明の説明図（その３）を示す。これは、上述したエネルギーＳ１のピークＰ１を基準（１．００）とし、他のエネルギーＳ２、Ｓ３、Ｓ４のときのコンタクトホール面積を求める曲線である。横軸はコンタクトホールの面積を表し、縦軸はカウント比を表す。図中のピークＰ２、Ｐ３、Ｐ４はエネルギーＳ２、Ｓ３、Ｓ４のときの相対強度（エネルギーＳ１のピークＰ１を１．００としたときの相対強度（図中のカウント比））を表す。この図３の曲線からコンタクトホール面積と特性Ｘ線の強度比（相対強度）の関係を定量化できることが判明する。また、図３の中でＸｓはコンタクトホール４４が完全に開口したときの面積を表し、Ｘｃはコンタクトホール４４が素子の機能上問題のない許容限界とされる開口面積を表す（当該Ｘｃより大きいときはコンタクトホール４４の形状が合格と判定する開口面積を表す）。
【００３２】
以上のように、上層のＡ層４１と、コンタクトホール４４が開口したときに現れる下層のＢ層４２との特性Ｘ線の相対強度比を測定して図３のような曲線上で、予め設定したコンタクトホール面積Ｘｃよりも大のときに、コンタクトホール４４の形状を合格と検査し、以下のときに不合格と検査することが可能となる。
【００３３】
図４は、本発明の説明図（その４）を示す。これは、図１の（ａ）の上層のＡ層４１から電子ビームを走査してそのときに放出された２次電子を補集して強度変調して生成した２次電子画像を示す。ここで、実線は、Ａ層４１の表面のコンタクトホール４４の縁の２次電子像を表す。点線は、Ａ層４１の表面の２次電子像のコンタクトホール４４の縁を含む円の領域を表す。
【００３４】
（１）  ここで、図４の図中のＡ層４１の表面の２次電子像のコンタクトホール４４の縁の内部についてのみ、電子ビームを走査してそのときに放出された特定Ｘ線（あるいは縁の内部の位置の抽出した特性Ｘ線）をもとに、コンタクトホール４４の穴の面積（直径）を求め、合否を検査するようにしてもよい。例えば既述した図３の曲線上でエネルギーＳ２のカウント比がＸｃ以上（図３のＸｃに対応するカウント比以上、以下「Ｘｃ以上」という）のときにコンタクトホール４４の開口部の面積が規定値以上あり、合格と検査する。
【００３５】
（２）  また、図４の図中の実線のＡ層４１の表面の２次電子像のコンタクトホール４４の縁を含む所定の円形などの部分についてのみ、電子ビームを走査してそのときに放出された特性Ｘ線（あるいは縁の内部の位置の抽出した特性Ｘ線）をもとに、コンタクトホール４４の穴の面積（直径）を求め、合否を検査するようにしてもよい。例えば既述した図３の曲線上でエネルギーＳ２、Ｓ３、Ｓ４のピークＰ２、Ｐ３、Ｐ４のカウント比がそれぞれＸｃ以上のときにコンタクトホール４４の開口部の面積が規定値以上あり、合格と検査する。
【００３６】
（３）  また、図中の実線の内部（コンタクトホール４４）と、外部とに分けてそれぞれの特性Ｘ線をもとに、コンタクトホール４４の穴の面積（直径）を求め、合否を検査するようにしてもよい。例えば既述した図３の曲線上でエネルギーＳ２、Ｓ３、Ｓ４のピークＰ２、Ｐ３、Ｐ４のカウント比がそれぞれＸｃ以上のときにコンタクトホール４４の開口部の面積が規定値以上あり、合格と検査する。
【００３７】
尚、２次電子像を用いて説明したが、同様に、反射電子像（電子ビーム４５、４５’を照射してそのときに反射された電子ビームを検出して輝度変調した反射電子像）、あるいは吸収電子像（電子ビーム４５、４５’を照射してそのときにウエハに吸収された電子ビームを検出して輝度変調した吸収電子像）を用いて検査を行うことが可能である。
【００３８】
図５は、本発明のシステム構成図を示す。
図５において、電子銃２は、電子ビームを発生するものである。
レンズ３は、電子銃２から発生された電子ビームを集束するものである。
【００３９】
絞り４は、レンズ系３によって集束された電子ビームのうち不要な軸外の部分をカットするものである。
ビームアライメント系５は、レンズ４によって集束された電子ビームの軸をレンズ系（対物レンズ系）７の軸に軸合わせするものである。
【００４０】
ビーム走査系６は、ウエハ９上に細く絞られた電子ビームをＸ方向およびＹ方向に走査するものである。
レンズ系７は、レンズ系３によって集束された電子ビームをウエハ９上に細く絞るものであって、通常、対物レンズといわれるものである。
【００４１】
２次電子検出器８は、ウエハ９から放出された２次電子を補集して検出するものである。
ウエハ９は、電子ビームを照射して走査する対象のものであって、被検査対象試料である。
【００４２】
ウエハホルダ１０は、ウエハ９を保持するホルダである。
試料移動ステージ１１は、ウエハホルダ１０をＸ方向およびＹ方向に移動させる機構である。
【００４３】
Ｘ線２１は、ウエハ９に電子ビームを照射したときに放出された特性Ｘ線である。
Ｘ線検出器２２は、ウエハ９から放出された特性Ｘ線を検出するものである。このＸ線検出器２２で検出された信号について、エネルギー分析を行い各エネルギー（波長）Ｓｉ毎のピーク（強度）Ｐｉをカウントするもためのものであり、Ｓ／Ｎ比を良好にするために通常は冷却器２３によって冷却して使用するようにしている。
【００４４】
電源３０は、電子銃２、レンズ系３、７、ビームアライメント系５などに所定の電源をそれぞれ供給したり、微細に制御した電源を供給したりなどするものである。
【００４５】
偏向電源３１は、ビーム走査のための所定の信号の電源をビーム走査系６、６’に供給するものである。
信号画像系３２は、２次電子検出器８などからの信号を増幅して走査画像を表示したり、画像を記憶して必要なときに再生して表示したりなどするものである。
【００４６】
計算処理系３３は、Ｘ線検出器２２からのパルス信号を計数してスペクトルデータとして記憶したりなどするものである。
データ処理系３４は、記憶したデータを必要に応じて各種演算、ノイズ除去、グラフ化したりなどするものである。
【００４７】
表示装置３５は、２次電子像、特性Ｘ線像などを表示するものである。
次に、図５の構成の動作を説明する。
電子銃２から放出された電子ビームはレンズ系３で集束され、レンズ系７によってウエハ９上に細く絞って照射すると共に、ビーム走査系６、６’によってＸ方向およびＹ方向に走査される。電子ビームの照射されたウエハ９の表面から放出された２次電子は２次電子検出器８で補集され増幅された表示装置３５上に２次電子像として表示する。また、ウエハ９から放出された特性Ｘ線はＸ線検出器２２によって検出されエネルギー分析され、図１から図４で既述したようにして、コンタクトホール４４の面積（直径）が規定値Ｘｃ以上のときに合格と判定し、以下のときに不合格と判定するようにしている。
【００４８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ＳＥＭによる２次電子画像や反射電子画像によるアスペクト比の大きいホールの検査の限界を越えて、上層（Ａ層４１）と下層（Ｂ層４２）の特性Ｘ線をもとに上層に空けた極めて小さな微細ホール（例えば０．２μｍ直径でアスペクト比が約５以上の微細ホール）の面積あるいは直径を定量的に計測することが可能となる。これらにより、従来の２次電子像や光学像などの画像による検査では高倍率の観察を必要とし、そのため試料の損傷が不可避であるという欠点を、本願発明では高倍率の観察をなくして特性Ｘ線をもとに開口部の面積（直径）を検査できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の説明図（その１）である。
【図２】本発明の説明図（その２）である。
【図３】本発明の説明図（その３）である。
【図４】本発明の説明図（その４）である。
【図５】本発明のシステム構成図である。
【符号の説明】
２：電子銃
８：２次電子検出器
９：ウエハ
２２：Ｘ線検出器
４１：Ａ層（上層）
４２：Ｂ層（下層）
４４：コンタクトホール
４５、４５’：電子ビーム
４６、４６’：特性Ｘ線
【図１】
0004086373.tif 000002
【図２】
0004086373.tif 000003
【図３】
0004086373.tif 000004
【図４】
0004086373.tif 000005
【図５】
0004086373.tif 000006