(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理すべきウエーハを所定の場所に搬送するための搬送室と、当該搬送室内に設けられた上記ウエーハをその上に保持する搬送板と、上記ウエーハを搬送すべき方向に傾斜して上記搬送板に設けられた複数の噴出穴と、当該噴出穴に下方から気体を供給して上記ウエーハの浮上と搬送を行う手段と、上記搬送室内を排気する手段を少なくとも具備した搬送装置において、上記排気する手段によって上記搬送室内を真空に排気した状態で、上記気体の流量を制御して上記搬送板とウエーハの間の隙間を流れる上記気体の流れを分子流若しくは遷移流とする手段を具備することを特徴とする搬送装置。
【請求項２】
上記隙間に供給される気体の圧力は７０Ｐａ以上、７００Ｐａ以下であることを特徴とする請求項１に記載の搬送装置。
【請求項３】
搬送されてきた上記ウエーハの位置を検出するための手段と、当該位置を検出するための手段からの信号にもとづいて上記ウエーハを上方へ移す手段を具備することを特徴とする請求項１若しくは２に記載の搬送装置。
【請求項４】
上記ウエーハの位置を検出するための手段は、上記搬送板の所定の位置に形成されたセンサ穴および当該センサ穴の下方に配置された光センサを有することを特徴とする請求項３に記載の搬送装置。
【請求項５】
搬送されてきた上記ウエーハを減速する手段を具備し、当該ウエーハを減速する手段によって減速された上記ウエーハの位置が、上記ウエーハの位置を検出するための手段によって検出されることを特徴とする請求項３若しくは４に記載の搬送装置。
【請求項６】
上記ウエーハを減速する手段は静電チャックであることを特徴とする請求項５に記載の搬送装置。
【請求項７】
上記搬送板の上記ウエーハの搬送方向に平行な一方および他方の端部には、それぞれ上記搬送方向に搬送される上記ウエーハの中心を結ぶ線に向かって傾斜した複数の制御穴が、上記搬送方向にそれぞれ形成されていることを特徴とする請求項１から６のいずれか一に記載の搬送装置。
【請求項８】
上記制御穴から、分子線状噴出流が放出されることを特徴とする請求項７に記載の搬送装置。
【請求項９】
上記ウエーハに電子線若しくは紫外線を照射する手段と、上記ウエーハ上のチャージアップした微粒子を吸着する静電吸着手段を具備することを特徴とする請求項１から８のいずれか一に記載の搬送装置。
【請求項１０】
上記搬送室内の所定の位置に配置された、気体噴出穴を有する気体噴出板と、当該気体噴出板を回転および上下させる手段を具備することを特徴とする請求項１から９のいずれか一に記載の搬送装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は搬送装置に関し、詳しくは、複数の処理装置を用いて処理を行う半導体装置の生産ラインにおいて、各処理室間や各種処理装置間などを、高い真空下で半導体ウエーハを搬送し、高い真空下での各種処理に供することができる搬送装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
各種半導体装置の生産において、カセット単位で半導体ウエーハを処理する方法が一般に行われているが、処理が終了した半導体ウエーハを一枚づつ次の処理装置へ送って処理を順次行う方法も提案されており、フローラインによる生産方式として期待されている。この方式による半導体ウエーハの搬送は、気体窒素を半導体ウエーハの下方から吹き上げて半導体ウエーハを浮上させ、各処理装置間を搬送する窒素浮上搬送法を中心として検討が進められている。これら浮上搬送法による従来の搬送装置は、例えば特開平５−２１１２２５に提案されているように、大気圧中でウエーハの浮上と搬送を行う大気圧法による装置が用いられている。
【０００３】
【発明が解決しょうとする課題】
しかし、上記従来の大気圧中における浮上搬送法には、▲１▼大気圧中における搬送であるため、半導体ウエーハを真空処理室に入れる場合には、真空処理室と大気室の間での半導体ウエーハの移動を可能とするために、排気とベントを行うバッファ室が必要である、▲２▼上記バッファ室において排気とベントを行う行程において、半導体ウエーハの端部に付着していた塵埃などの微粒子が舞上がり、半導体ウエーハの表面に再付着して汚染される、▲３▼バッファ室をシールするために必要なＯリングからの放出ガスのため、処理室内を超高真空に保つのが困難である、▲４▼プロセス処理やチッピングの際に発生した微粒子が、搬送中に供給される大量の気体（窒素）によって舞上がり、半導体ウエーハの表面上に付着する、▲５▼各処理室間にそれぞれバッファ室を設けねばならないため、各バッファ室を通過する時間がそれぞれ必要となって処理枚数が少なくなる、▲６▼大気圧中でウエーハの浮上が行われるため、ウエーハと搬送板の間の隙間が大きくなって変動しやすいので、搬送されてきたウエーハを高い精度で所定の位置に停止させることが困難である、および▲７▼処理装置のコストが上昇する、など多くの問題があった。
【０００４】
本発明の目的は、従来のウエーハ搬送装置の有する上記問題を解決し、半導体装置の製造ラインを構成するマルチチャンバ型処理装置内における各処理装置間のウエーハの搬送を、バッファ室なしに超高真空下で高い精度で行うことができ、ウエーハの搬送後における各処理室内を速やかに超高真空にすることができる、処理可能なウエーハの枚数が多い低コストのウエーハ搬送装置を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記問題を解決するための本発明の搬送装置は、処理すべきウエーハを所定の場所に搬送するための搬送室と、当該搬送室内に設けられた上記ウエーハをその上に保持する搬送板と、上記ウエーハを搬送すべき方向に傾斜して上記搬送板に設けられた複数の噴出穴と、当該噴出穴に下方から気体を供給して上記ウエーハの浮上と搬送を行う手段と、上記搬送室内を排気する手段を少なくとも具備した搬送装置において、上記排気する手段によって上記搬送室内を真空に排気した状態で、上記気体の流量を制御して、上記搬送板とウエーハの間の隙間を流れる上記気体の流れを、分子流若しくは遷移流とする手段を具備することを特徴とする。
【０００６】
すなわち、本発明のウエーハ搬送装置は、図１および２それぞれ一部平面構造および一部断面構造の一例を示したように、搬送室１内には多数の噴出孔３、センサ穴５および制御穴８が形成された搬送板２が設けられており、搬送すべきウエーハ４は上記搬送板２の上に置かれる。上記噴出孔３および制御穴８には、気体供給室１２を介して気体（例えば窒素）が供給され、上記気体の静圧とウエーハ４の下面の面積の積が、ウエーハ４の重力と釣り合ったときに、ウエーハ４は浮上する。
【０００７】
図２から明らかなように、上記噴出孔３はウエーハ４の下面と搬送方向３０に対して傾斜して（例えば上記下面からの垂線に対して約２２゜）設けられており、浮上したウエーハ４は、噴出穴３から噴出された上記気体の圧力によって搬送方向３０へ搬送される。
【０００８】
上記搬送室１は、上記搬送板２によって上部の真空室１０と下部の気体供給室１２に二分されている。図２から明らかなように、上記気体供給室１２に供給される気体の流量は、流量制御器（マスフローコントローラ）１４によって極めて少なくされるとともに、±１％の精度で制御されるので、上記隙間１１は極めて小さくできるばかりでなく、高い精度でほぼ一定に保たれる。例えば、上記流量制御器１４を用いて上記気体の圧力を７０Ｐａ（０．５Ｔｏｒｒ）とすれば、上記隙間１１は０．０１８ｍｍ±０．００１８ｍｍに保たれる。
【０００９】
周知のように、隙間ｈと流れる気体の平均自由行程λの間にｈ≪λの関係が成立するとき、気体の流れはクヌーセン流または分子流と呼ばれ、この分子流と粘性が問題になる通常の粘性流の中間の流れは遷移流または中間流と呼ばれる。分子流または遷移流の場合の気体の流量は、粘性流の１０−４〜１０−３になり、はるかに少ない。また、ウエーハ４とその下の搬送板２の間の隙間１１を流れる気体の流れは、一般にＶａｃｕｕｍ  ２０（１２）５２５、１９７０に記載されているＶ．ｄ’ＡＢｒｏｗｎによる式で表され、例えば上記隙間０．０１８ｍｍを流れる圧力７０Ｐａの気体は、この式から分子流であると判断される。
【００１０】
本発明においては、流量制御器１４によって気体の流量を極めて少なくして、隙間１１を小さくすることができる。例えば、隙間１１に供給される上記気体の圧力を７０〜７００Ｐａにすれば、上記隙間１１は０．０１８〜０．０５ｍｍと極めて小さく保たれる。隙間１１に供給される上記気体の圧力を７００Ｐａ以下、隙間１１を０．０５ｍｍ以下にそれぞれすれば、上記隙間１１を流れる気体の流れの状態は、分子流または遷移流（中間流）になり、ターボ分子ポンプ１８による排気を行うことによって、処理室１内の真空度は高く保たれ、バッファ室を使用することなしに、各種真空処理装置に直接接続できる。すなわち、一般に、０．１３３〜１．３×１０−５Ｐａを高真空、１．３×１０−５Ｐａ以下を超高真空と呼ばれるが、本発明においては、上記のように、隙間１１に供給される上記気体の圧力を７０〜７００Ｐａにすることによって、隙間１１を流れる気体の流れは分子流若しくは遷移流になる。そのため、例えばターボ分子ポンプなどによる排気を行うことによって、搬送室１内は容易に１．３×１０−５Ｐａ以下の超高真空になり、たとえばスパッタリングなど、超高真空下での処理を行うための各種処理室に直接接続して所望の処理に供することができる。
【００１１】
一方、大気圧においてウエーハの浮上と搬送が行われる上記従来の大気圧法では、大気圧（７６０Ｔｏｒｒ＝１０５Ｐａ）の±１％は±１０３Ｐａであるから、この場合の隙間１１の変動は±０．０６８ｍｍであり、隙間１１を０．２ｍｍ以下にすることはできない。そのため、上記従来の大気圧法では、制御器を使用せずに多量の気体を流量制御なしに供給して、上記隙間を０．５ｍｍ程度と大きくするとともに、供給された多量の気体を真空ポンプによって排出しており、搬送室内の真空度を高く保つことは困難である。
【００１２】
上記のように、本発明においては、搬送板２にはウエーハ４の浮上と搬送を行うための噴出穴３、搬送されてきたウエーハ４を所定の位置に停止させるためのセンサ穴５およびウエーハ４の搬送方向３０からの横ずれを防止するための制御穴８が設けられている。ウエーハ４の浮上および搬送時には、上記噴出孔３および制御孔８のすべてに気体を同時に供給し、ターボ分子ポンプ１８によって排気を行って、搬送室１内を高い真空度に保つ。隙間１１はウエーハ４の下の気体の圧力に依存し、本発明においては、気体供給室１２へ供給される気体の流量が、上記のように流量制御器１４によって極めて少なくされるとともに、±１％の精度で制御されるので、極めて小さい隙間１１が高い精度で保たれ、ウエーハ４の安定した浮上と搬送が行われる。
【００１３】
また、大気圧中でウエーハの搬送が行われる上記従来の搬送装置の場合は、ウエーハ４の下部周辺からの気体の噴出によって、ウエーハの下部の中心部が真空状態になり、ウエーハ４の上面に加わる大気圧によってウエーハの浮上が妨げられる。しかし、本発明の場合はウエーハ４の上部が真空であるため、ウエーハ４の下部が減圧になっても、このような余分の力がウエーハ４の上部に加わることはなく、ウエーハ４の浮上が妨げられる恐れはない。
【００１４】
これらの結果として、本発明によれば、ウエーハの浮上と搬送に必要な気体の量は、気体の粘性流領域で使用された上記従来の方法にくらべて、分子流領域では１０−４以下、遷移流領域では１０−３以下と、はるかに少ない。
【００１５】
通常の場合、ウエーハ４の搬送速度は０．１〜１ｍ／ｓ、加速度は０．１〜１ｍ／ｓ２が好ましく、供給される気体の圧力によって所望の値に調整される。また、例えば、搬送室２の内面の仕上げの粗さＲａを１．６ｓ、平均の最大高さＲｍａｘを３．２ｓとすれば、微小な隙間１１を保ってウエーハ４を浮上状態に保つことは容易である。さらに、ウエーハ４が浮上せずに搬送板２の上にあるときに、ウエーハ４と搬送板２の接触面積が大きいと、ウエーハ４が汚染される恐れがあるが、搬送板２の上面に点接触面６を設けて両者の接触面積を小さくすれば、このようなウエーハ４の汚染は容易に防止できる。
【００１６】
本発明の搬送装置は、搬送された上記ウエーハの位置を検出するための手段と、当該位置を検出するための手段からの信号にもとづいて上記ウエーハの停止および上記ウエーハを持ち上げて上方へ移す手段を具備することができる。上記ウエーハの位置を検出するための手段としては、上記搬送板の所定の位置に形成されたセンサ穴および当該センサ穴の下方に配置された光センサを用いることが実用上好ましい。
【００１７】
また、本発明のウエーハ搬送装置は、搬送されてきた上記ウエーハを減速する手段を具備し、当該減速する手段によって減速されたウエーハの位置を、上記ウエーハの位置を検出するための手段によって検出することができる。上記ウエーハを減速させる手段としては静電チャックが好ましい。上記のように、本発明ではウエーハ４と搬送板２の間の空隙１１が極めて小さいので、搬送されてきたウエーハ４を、ウエーハ４の下方に配置された静電チャック７によって、容易に減速させることができる。搬送されてきたウエーハ４の位置を検出する場合、このようにウエーハ４を減速した後で位置の検出を行った方が、減速せずに検出を行った場合より、はるかに高い精度で検出できることはいうまでもない。
【００１８】
ウエーハ４の搬送中に静電チャック７は常に通電されており、この静電チャック７によって減速されたウエーハ４が所定の位置に到達し、ウエーハ４の搬送方向３０における先端の縁部がセンサ穴５の上方に来ると、ウエーハ４が所定の停止位置に到達したことがファイバ光センサ１５によって検出されて、ファイバ光センサ１５から所定の信号が発せられる。この信号によって、直線フィールドスルー１３、プッシュプルソレノイド１７および応答性が速い制御機器１６が動作して、ウエーハ４の吸着、停止および上昇が行われる。これにより、所定の位置におけるウエーハ４の停止が高い精度で行われる。
【００１９】
例えば、搬送速度０．１〜１ｍ／ｓで搬送されて来たウエーハ４は、静電チャック７によって１／３程度の速度に減速される。減速されたウエーハ４の先端の縁部が上記センサ穴５の上方に到達すると、ファイバ光センサ１５によって０．０３ｍｍ程度の精度で検出され、当該ファイバ光センサ１５からは信号が発せられる。この信号によって、ウエーハ４は静電チャック７に吸着されて搬送は停止し、静電チャック４、直線フィールドスルー１３、プッシュプルソレノイド１７および制御器１６によって上方へ移される。この場合に用いた制御機器の応答性を３ｍｓ以下とすることができ、ファイバ光センサ１５から信号が発せられた時点におけるウエーハ４の位置から、０．２ｍｍ以内の位置にウエーハ４が停止する。ウエーハ４のオリエンテイションフラットが、搬送室２の端部（図１では上下端部）と平行に近くなった場合は、ウエーハ４の先端の縁部の位置が若干変わるが、この場合でも、０．２ｍｍ以内の精度でウエーハ４を停止させることができる。
【００２０】
上記従来の装置では、停止位置においてベルヌイの定理などを用いてウエーハの停止を行っていたので、多量の気体が必要であり、真空中では使用できなかった。また、ウエーハと搬送板の間の隙間が大きいため、静電チャックによってウエーハの減速と吸着を高い精度で行うことは困難であり、搬送されてきたウエーハを高い精度で所定の位置に停止させることは困難であった。
【００２１】
しかし、本発明では、上記従来の装置とは異なって、多量の気体は使用されず、しかもウエーハと搬送板の間の隙間が極めて小さい。そのため、静電チャックによる減速および吸着は極めて容易であり、上記従来の装置よりはるかに高い精度でウエーハを所定の位置に停止させることができる。
【００２２】
上記静電チャック７としては、例えば図３に示した双極式のものを用いることができる。突起状の点接触体１９がウエーハ４の裏面に点接触して、ウエーハ４が吸着されるので、静電吸着体２０がウエーハ４の裏面全面に吸着することはなく、静電吸着体２０の全面接触によってウエーハ４が汚染される恐れはない。上方へ上げられたウエーハ４は、搬送機構９によって処理室（図示せず）に搬送されて所定の処理に供される。
【００２３】
上記搬送板２の上記ウエーハ４の搬送方向３０に平行な一方および他方の端部（図１では上端部と下端部）には、それぞれ上記搬送方向３０に搬送される上記ウエーハ４の中心を結ぶ線に向かって傾斜した複数の制御穴８が、上記搬送方向３０にそれぞれ形成されている。
【００２４】
すなわち、気体によるウエーハ４の浮上と搬送を行うと、搬送中のウエーハ４が搬送方向３０から外れて搬送室２の内部に衝突し、破損する可能性がある。しかし、本発明では上記複数の制御穴８から搬送の中心線方向に気体が噴出される。そのため、搬送方向３０から外れてウエーハ４の端部が制御穴８の上部に来た場合は、制御穴８から中心線方向に噴出される気体によって、ウエーハ４は中心部方向に戻され、搬送室２の内部との衝突は防止される。
【００２５】
上記制御穴８の直径を、上記制御穴８の吹き出し部近傍における上記気体の平均自由行程にほぼ等しくすれば好ましい結果が得られる。すなわち、大気圧以上の圧力において粘性流を穴から噴出した場合は、図４に示したように、気体は制御穴８から放射状気体噴出流２２として噴出されるので、その力は弱い。そのため、ウエーハ４の端部が制御穴８の上部に到達しても、ウエーハ４の下部の隙間１１から噴出穴３を介して噴出される気体と相殺されてしまって、ウエーハ４を中心部へ高い精度で戻すことはできず、搬送室２の端部に衝突してしまう恐れがある。
【００２６】
しかし、本発明では、上記気体制御穴８の直径が、吹き出し部近傍における気体の平均自由行程に近い値とされているため、制御穴８からの気体は分子線状噴出流２１として放出される。そのため、上記放射状気体噴出流２２の場合よりもはるかに力が大きく、ウエーハ４が搬送方向３０から逸脱して、ウエーハ４の端部が制御穴８の一部に到達した場合は、ウエーハ４を中心部方向へ戻して搬送室２との衝突は防止される。例えば、制御穴８の直径ｄが１ｍｍ、長さが５ｍｍ、気体（窒素）の供給圧力が７０Ｐａであるときの平均自由行程λは０．０９８ｍｍなので、完全な分子線（ｄ≦λ）にはならないが、粘性流の場合とは異なって、気体のビームは分子線状となり、ウエーハ４と搬送室１の端部との衝突は効果的に防止される。
【００２７】
ウエーハ上に付着したダストなど微粒子を除去することは重要である。そのため、本発明のウエーハ搬送装置は、上記ウエーハに電子線若しくは紫外線を照射する手段と、上記ウエーハ上のチャージアップした微粒子を吸着する静電吸着手段を具備することができる。すなわち、図５に示したように、二次電子線源または紫外線源２４を用いて、搬送室１の真空室１０内のウエーハ４に電子線や紫外線を照射し、さらに、高圧電源２３を用いて１０ｋＶ以下の電位を静電吸着機構２６に印加して、ウエーハ４の表面に付着してチャージアップした微粒子を、この静電吸着機構２６に吸着させて除去する。ファン・デル・ワールス力や静電力による付着力以上の静電位を印加することにより、上記微粒子は効果的に除去される。真空室１０内のガス圧力を、例えば６×１０−２Ｐａと高真空に保てば、放電が起こる恐れはない。二次電子線源／紫外線源２４と静電吸着機構２６の間には、図５に示したように、干渉を防ぐためのシールド２５を設けるのが好ましい。
【００２８】
さらに本発明のウエーハ搬送装置は、上記搬送室内の所定の位置に配置された、気体噴出穴を有する円板状気体噴出板と、当該円板状気体噴出板を回転および上下させる手段を具備することができる。
【００２９】
すなわち、半導体装置の生産においてフローラインを形成する場合、ウエーハ４の方向転換と上下移動は不可欠である。そのための手段の一例を図６を用いて説明する。所定の位置に停止されたウエーハ４は、噴出穴３が形成された円板状の気体噴出板２７上に置かれ、回転・直線フィールドスルー２８および回転モータ２９を用いて所望の方向へ向けられ、さらに上下に移動される。次に、上記気体噴出板２７に形成された気体噴出穴３から気体を噴出させて、ウエーハ４を所望処理装置へ搬送する。このようにして、高真空下におけるウエーハ４の方向転換と移動を容易に行うことができる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
実施例１
本実施例は、図１、２に示した装置を用いて、高い真空度におけるウエーハの搬送を行った例である。重さ５６ｇの８″ウエーハ４を搬送板２の上に置き、浮上のための面積（ウエーハ４の下に溜まった気体と接するウエーハ４の下面の面積）を１７７ｃｍ２、ウエーハ４の下面に印加される窒素の圧力を７０Ｐａとした場合、ウエーハ４と搬送板２との隙間１１は０．０１８ｍｍとなり、浮上圧力１２３ｇｆが得られた。このときの上記隙間１１に導入された窒素の、２９３°Ｋにおける平均自由行程λ＝９．３×１０−５ｍ、クヌーセン数Ｋｎ＝λ／ｈ＝５．２（ｈは隙間１１の大きさ）となり、分子流が形成されていることが確認された（Ｋｎ〈０．００５のときは粘性流、５〉Ｋｎ〉０．００５のときは遷移流、Ｋｎ〉５のときは分子流に、それぞれなる）。
【００３１】
ウエーハ４の搬送の推力は０．５８ｇｆであり、搬送速度は０．１ｍ／ｓであった。加速度は０．１ｍ／ｓ２と推定された。気体（窒素）の流量は流量制御器１４によって１．２×１０−３Ｐａ・ｍ３／ｓに調節した。排気はターボ分子ポンプ１８を用いて行い、排気速度は２００ｌ／ｓとした。
【００３２】
この場合、ウエーハ４の搬送中に搬送室１の真空度は６×１０−２Ｐａに劣化したが、窒素の供給を停止すると、真空度は速やかに１×１０−４Ｐａに回復し、ウエーハ４を搬送室１からスリットバルブ（図示せず）を介して搬送した処理室（図示せず）の真空度も、速やかに１×１０−６Ｐａに回復して、以降の処理を支障無く行うことができた。
【００３３】
実施例２
本実施例は、搬送されてきたウエーハを、所定位置で停止させて上部へ移した例である。重さ５６ｇ、直径８″のウエーハ４を、速度０．１ｍ／ｓで搬送した場合の慣性力は約０．６ｇｆであるが、上記速度で搬送されてきたこのウエーハ４の速度を、図３に示した吸着力が約１ｇｆの静電チャック７によって、０．０３ｍ／ｓに減速した。
【００３４】
減速されたウエーハ４の位置をファイバ光センサ５によって検出した後、直ちに制御系１６を動作させ、プッシュプルソレノイド１７によって、静電チャック７を静電チャック７’に示した位置まで上昇させ、その上のウエーハ４をウエーハ４′の位置に上昇させた。このときのファイバ光センサ５による検出から制御系１６の応答までに要した時間は０．１ｍｓ、プッシュプルソレノイド１７の応答までの時間は２ｍｓであった。合計２．１ｍｓの間に、ウエーハ４が搬送方向に動いた距離は検出位置（センサ穴５）から０．１３ｍｍであり、本発明によって目標値である０．２ｍｍより十分小さい位置に停止させることができ、実用に供し得ることが確認された。
【００３５】
【発明の効果】
上記説明から明らかなように、本発明によれば、導入されるガス量は流量制御器によって極度に少なくされ、かつ高真空ポンプによって排気されるため、搬送室内を高い真空度にするのは容易である。そのため、マルチチャンネル型処理装置を構成する各処理室および各種処理装置間の、高い真空度中におけるウエーハの搬送が可能になり、バッファ室を用いることなしに、各種真空処理室および各種真空処理装置と直接接続することができる。また、ウエーハと搬送板の間の隙間が小さいため、搬送されてきたウエーハを静電チャックによって減速および吸着させることは容易であり、従来よりはるかに高い精度で、ウエーハを所定の位置に停止させて、次の処理に供することができる。したがって、将来、すべてのプロセス処理を高い真空度の雰囲気中で行う場合も、本発明によって容易にウエーハを各処理室あるいは各処理装置間を搬送することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の平面構造の一例を説明するための図。
【図２】本発明の断面構造の一例を説明するための図。
【図３】本発明で用いられる静電チャックの一例を示す断面図。
【図４】制御穴の作用を説明するための断面図。
【図５】静電吸着によるダストの除去を説明するための断面図。
【図６】ウエーハの回転および上下移動を説明するための断面図。
【符号の説明】
１…搬送室、２…搬送板、３…噴出穴、４、４’…ウエーハ、５…センサ穴、６…点接触面、７、７’…静電チャック、８…制御穴、９…搬送機構、１０…真空室、１１…隙間、１２…気体供給室、１３…直線フィールドスルー、１４…流量制御器、１５…光ファイバセンサ、１６…制御器、１７…プッシュプルソレノイド、１８…ターボ分子ポンプ、１９…点接触体、２０…静電吸着体、２１…分子線状気体噴出流、２２…放射状気体噴出流、２３…高圧電源、２４…二次電子源／紫外線源、２５…シールド、２６…静電吸着機構、２７…気体噴出板、２８…回転・直線フィールドスルー、２９…回転モータ、３０…搬送方向。
【図１】
0004108242.tif 000002
【図２】
0004108242.tif 000003
【図３】
0004108242.tif 000004
【図４】
0004108242.tif 000005
【図５】
0004108242.tif 000006
【図６】
0004108242.tif 000007