(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に所定の塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布膜形成装置であって、
基板を保持して回転させるスピンチャックと、
前記スピンチャックに保持された基板に所定の塗布液を供給する塗布液供給機構と、
を具備し、
前記スピンチャックは、
基板を略水平に保持する保持プレートと、
前記保持プレートに基板を吸着保持させるための減圧吸引装置と、
前記保持プレートを回転させる回転装置と、
を有し、
前記保持プレートは、
基板保持面に同心円状に設けられた複数の環状吸着溝と、
前記複数の環状吸着溝を連通させるように基板保持面の中央部から中心を通らずに周縁部に非放射状かつ直線状に延びる直線状吸着溝と、
前記減圧吸引装置と連通し、かつ、前記環状吸着溝または前記直線状吸着溝において開口する複数の吸引孔と、
を有することを特徴とする塗布膜形成装置。
【請求項２】
前記吸引孔は、前記環状吸着溝と前記直線状吸着溝とが交差する部分に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の塗布膜形成装置。
【請求項３】
前記直線状吸着溝は前記複数の環状吸着溝の全てと交差し、かつ、前記直線状吸着溝と最内周に位置する前記環状吸着溝との交差点と前記保持プレートの中心点とを通る放射状の直線と、前記直線状吸着溝の長さ方向とのなす角が１０°以上９０°以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の塗布膜形成装置。
【請求項４】
前記直線状吸着溝は前記複数の環状吸着溝の全てと交差し、かつ、前記直線状吸着溝の長さ方向は前記直線状吸着溝と最内周に位置する前記環状吸着溝との交差点における前記環状吸着溝の接線方向と一致していることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の塗布膜形成装置。
【請求項５】
前記複数の直線状吸着溝は、互いに交差することのないように、かつ、最外周に位置する前記環状吸着溝との交差点どうしの間の距離が一定となるように形成されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の塗布膜形成装置。
【請求項６】
隣接する２つの前記環状吸着溝の外径差は、１．６ｍｍ以上４．６ｍｍ以下の範囲にあることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の塗布膜形成装置。
【請求項７】
前記保持プレートの基板保持面は矩形であり、前記環状吸着溝は、前記保持プレートの各辺に対して実質的に平行となるように設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の塗布膜形成装置。
【請求項８】
前記環状吸着溝または前記非放射状の吸着溝は、幅が０．３ｍｍ以上０．８ｍｍ以下であり、かつ、深さが０．２ｍｍ以上０．４ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の塗布膜形成装置。
【請求項９】
前記保持プレートの内部に前記減圧吸引装置を動作させた際に内部が減圧される空洞部が形成され、かつ、前記吸引孔が前記空洞部と連通していることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の塗布膜形成装置。
【請求項１０】
表面に溶剤を含有した塗布液が塗布された基板を、塗布液中の溶剤が含有したままの状態で保持して回転させるスピンチャックであって、
基板を略水平に保持する保持プレートと、
前記保持プレートに基板を吸着保持させるための減圧吸引装置と、
前記保持プレートを回転させる回転装置と、
を具備し、
前記保持プレートは、
基板保持面に略同心円状に設けられた複数の環状吸着溝と、
前記複数の環状吸着溝を連通させるように基板保持面の中央部から中心を通らずに周縁部に非放射状かつ直線状に延びる直線状吸着溝と、
前記減圧吸引装置と連通し、かつ、前記環状吸着溝または前記非放射状の吸着溝において開口する複数の吸引孔と、
を有することを特徴とするスピンチャック。
【請求項１１】
前記直線状吸着溝は前記複数の環状吸着溝の全てと交差し、かつ、前記直線状吸着溝と最内周に位置する前記環状吸着溝との交差点と前記保持プレートの中心点とを通る放射状の直線と、前記直線状吸着溝の長さ方向とのなす角が１０°以上９０°以下であることを特徴とする請求項１０に記載のスピンチャック。
【請求項１２】
前記保持プレートの基板保持面に導電性樹脂層が形成されていることを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載のスピンチャック。
【請求項１３】
基板の周縁を支持する支持部材が、前記保持プレートの外周から外方に延出するように前記保持プレートに設けられていることを特徴とする請求項１０から請求項１２のいずれか１項に記載のスピンチャック。
【請求項１４】
前記保持プレートの基板保持面は矩形であり、前記環状吸着溝は、前記保持プレートの各辺に対して実質的に平行となるように設けられていることを特徴とする請求項１０に記載のスピンチャック。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）用ガラス基板や半導体ウエハ等の基板に所定の塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布膜形成装置と、このような塗布膜形成装置に装備されるスピンチャックに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の製造においては、ＬＣＤの大型化や量産化、薄型化を目的として、基板としてより薄くしかも大型のガラス製矩形基板が用いられるようになってきている。このような基板への回路パターンの形成には、基板にフォトレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、所定の回路パターンにてレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィ技術が用いられている。
【０００３】
この回路パターンの形成は、複数の処理ユニットが集約されたレジスト塗布・現像処理システムを用いて行われる。このようなシステムにおいては、まず、基板に対して必要に応じて紫外線照射により表面改質・洗浄処理が行われ、その後に洗浄ユニットによりブラシ洗浄および超音波水洗浄が施される。さらに基板はレジストの安定性を高めるために、アドヒージョン処理ユニットにて疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）され、引き続いてレジスト塗布処理ユニットにてレジスト塗布が行われる。こうしてレジスト膜が形成された基板には、加熱ユニットによるプリベーク、露光装置による所定のパターンの露光、現像処理ユニットでの現像処理、加熱ユニットでのポストベーク処理が順次施され、基板に所定の回路パターンが形成される。
【０００４】
ここで、レジストの塗布処理工程においては、疎水化処理された基板をスピンチャックに吸着保持して基板上部より基板の略中央部に所定量のレジスト液を供給した後に、基板を所定の回転数で回転させることによって、レジスト液を遠心力により拡散させて、基板上にレジスト膜を形成する。このときの基板は、例えば、１０００ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍという高速回転数で回転処理されるため、スピンチャックにはこのような回転数においても十分に基板を保持することができる吸着力が要求される。
【０００５】
このため、従来から、スピンチャックとしては、図１０の断面図および図１１の平面図に示すように、保持プレート１０１の基板保持面に環状吸着溝１０２が同心円状に複数形成され、かつ、これらの環状吸着溝１０２を連通させるように保持プレート１０１の中心から周縁に向かって真っ直ぐに延びる放射状の吸着溝（以下「放射状吸着溝」という）１０３が形成され、保持プレート１０１の中心に吸引孔１０４が形成された構造のものが用いられている。吸引孔１０４は環状吸着溝１０２および放射状吸着溝１０３と連通しているために、吸引孔１０４に対して減圧を行うと、環状吸着溝１０２および放射状吸着溝１０３が機能して、基板Ｇが保持プレート１０１に確実に吸着保持される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した保持プレート１０１を用いて基板Ｇにレジスト膜を形成した場合には、レジストが拡散する方向と放射状吸着溝１０３の長さ方向が一致していることと、保持プレート１０１からの熱的影響が基板Ｇの表面に及ぶことによって、基板Ｇにおいて放射状吸着溝１０３が形成されている部分に対応する部分では、その部分だけ局部的にレジスト膜の膜厚が薄くなる。このようなレジスト膜の局所的な膜厚減少（窪み）は最終製品の品質に悪影響を与え、所謂「転写跡」となって製品ＬＣＤの画面上に現れる。
【０００７】
ここで、「転写跡」とは、最終製品においてＬＣＤ画面上にスポット状または線状に現れる画像欠陥をいう。このような転写跡は、レジスト膜中に十分な量の溶剤が存在しているうち（レジスト塗布後プリベーク前のレジスト膜が柔らかいうち）にレジスト膜が吸引保持された基板から熱的影響を受けて、放射状吸着溝１０３が形成されている部分に対応する部分が局部的に周囲と異なる温度となって、この部分のレジスト膜の厚みが局部的に減少することによって現れるものである。
【０００８】
近時、ＬＣＤ用の基板はさらに薄板化（例えば、厚さ０．５ｍｍ〜０．７ｍｍ）するとともに、大型化（例えば、８３０ｍｍ×６５０ｍｍ〜９２０ｍｍ×７３０ｍｍ）してきており、これに対処するために、保持プレート１０１の外径を長くする（保持プレート１０１を大型化する）必要が生じている。また、レジスト膜の膜厚均一性を高めるために、基板Ｇの回転速度をさらに高速化させる傾向にある（例えば、１５００ｒｐｍ〜２５００ｒｐｍ）ために、従来よりもさらに大きな吸引力で基板Ｇを保持プレート１０１に保持する必要が生じてきている。ところが、保持プレート１０１の吸引力を強めると、転写跡がより顕著に発生するという問題が生ずる。
【０００９】
さらに、ＬＣＤ製造メーカーは、画像の質的向上を図るために、転写跡の発生の防止を強く要望している。近い将来には基板Ｇを１２５０ｍｍ×１１００ｍｍのサイズにまで拡大することが計画されているために、転写跡の発生を防止することは重要かつ緊急の課題とされている。
【００１０】
さらにまた、基板Ｇのサイズが大きくなると、基板Ｇに無視できない量の静電気が蓄積され、帯電した基板Ｇを保持プレート１０１上に載置した際に、蓄積された静電気が放電して基板が静電破壊によって損傷するおそれが増大する。加えて、保持プレート１０１のサイズが大きくなると、剛性不足によって保持プレート１０１の周縁部が垂れ下がり、保持プレート１０１の前面で基板を確実に保持することが困難になる。
【００１１】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、基板に塗布膜を形成する際における転写跡の発生を防止することができる塗布膜形成装置と、このような塗布膜形成装置に装備されるスピンチャックを提供することを目的とする。また、本発明は、帯電した基板を損傷することなく、確実に吸着保持することができるスピンチャックを提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の観点によれば、基板の表面に所定の塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布膜形成装置であって、
基板を保持して回転させるスピンチャックと、
前記スピンチャックに保持された基板に所定の塗布液を供給する塗布液供給機構と、
を具備し、
前記スピンチャックは、
基板を略水平に保持する保持プレートと、
前記保持プレートに基板を吸着保持させるための減圧吸引装置と、
前記保持プレートを回転させる回転装置と、
を有し、
前記保持プレートは、
基板保持面に同心円状に設けられた複数の環状吸着溝と、
前記複数の環状吸着溝を連通させるように基板保持面の中央部から中心を通らずに周縁部に非放射状かつ直線状に延びる直線状吸着溝と、
前記減圧吸引装置と連通し、かつ、前記環状吸着溝または前記直線状吸着溝において開口する複数の吸引孔と、
を有することを特徴とする塗布膜形成装置、が提供される。
【００１６】
このような第１の観点に係る塗布膜形成装置によれば、保持プレートの基板保持面に形成する吸着溝のパターンを非放射状とすることにより、保持プレートを所定の回転数で回転させる際にも基板が脱離することのない十分な吸着力を確保しつつ、吸着溝に起因する転写跡の発生を防止することができる。
【００１９】
本発明の第２の観点によれば、表面に溶剤を含有した塗布液が塗布された基板を、塗布液中の溶剤が含有したままの状態で保持して回転させるスピンチャックであって、
基板を略水平に保持する保持プレートと、
前記保持プレートに基板を吸着保持させるための減圧吸引装置と、
前記保持プレートを回転させる回転装置と、
を具備し、
前記保持プレートは、
基板保持面に略同心円状に設けられた複数の環状吸着溝と、
前記複数の環状吸着溝を連通させるように基板保持面の中央部から中心を通らずに周縁部に非放射状かつ直線状に延びる直線状吸着溝と、
前記減圧吸引装置と連通し、かつ、前記環状吸着溝または前記非放射状の吸着溝において開口する複数の吸引孔と、
を有することを特徴とするスピンチャック、が提供される。
【００２０】
このような第２の観点に係るスピンチャックにおいては、保持プレートの基板保持面に導電性樹脂層を形成して帯電を防止することによって、基板の静電破壊を防止することができる。また、基板の周縁を支持する支持部材を保持プレートの外周から外方に延出するように保持プレートに設けることにより、基板全体の水平度を高く維持して、基板を保持することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら本発明の塗布膜形成装置の実施の形態について説明する。ここでは、本発明の塗布膜形成装置を、レジスト膜をスピンコートによって形成し、乾燥するレジスト塗布／減圧乾燥ユニットに適用した場合を例として、このレジスト塗布／減圧乾燥ユニットを備えたＬＣＤ基板のレジスト塗布・現像処理システムについて説明することとする。
【００２２】
図１はレジスト塗布・現像処理システム１００の平面図である。このレジスト塗布・現像処理システム１００は、複数の基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション１と、基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部２と、露光装置（図示せず）との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイス部３とを備えており、処理部２の両端にそれぞれカセットステーション１およびインターフェイス部３が配置されている。
【００２３】
カセットステーション１は、カセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬送を行うための搬送機構１０を備えている。そして、カセットステーション１においてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機構１０はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路１０ａ上を移動可能な搬送アーム１１を備え、この搬送アーム１１によりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬送が行われる。
【００２４】
処理部２は、前段部２ａと中段部２ｂと後段部２ｃとに分かれており、それぞれ中央に搬送路１２・１３・１４を有し、これら搬送路の両側に各処理ユニットが配設されている。そして、これらの間には中継部１５・１６が設けられている。
【００２５】
前段部２ａは、搬送路１２に沿って移動可能な主搬送装置１７を備えており、搬送路１２の一方側には２つの洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１ａ・２１ｂが配置されており、搬送路１２の他方側には紫外線照射ユニット（ＵＶ）と冷却ユニット（ＣＯＬ）とが２段に重ねられた処理ブロック２５、加熱処理ユニット（ＨＰ）が２段に重ねられてなる処理ブロック２６および冷却ユニット（ＣＯＬ）が２段に重ねられてなる処理ブロック２７が配置されている。
【００２６】
また、中段部２ｂは、搬送路１３に沿って移動可能な主搬送装置１８を備えており、搬送路１３の一方側には、レジスト塗布／減圧乾燥ユニット（ＣＴ／ＶＤ）２２が設けられている。レジスト塗布／減圧乾燥ユニット（ＣＴ／ＶＤ）２２の隣には、基板Ｇにおける周縁部のレジストを除去する周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２３が設けられている。
【００２７】
搬送路１３の他方側には加熱処理ユニット（ＨＰ）が２段に重ねられてなる処理ブロック２８、加熱処理ユニット（ＨＰ）と冷却処理ユニット（ＣＯＬ）が上下に重ねられてなる処理ブロック２９、およびアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）と冷却ユニット（ＣＯＬ）とが上下に重ねられてなる処理ブロック３０が配置されている。
【００２８】
さらに、後段部２ｃは、搬送路１４に沿って移動可能な主搬送装置１９を備えており、搬送路１４の一方側には３つの現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ・２４ｂ・２４ｃが配置されており、搬送路１４の他方側には加熱処理ユニット（ＨＰ）が２段に重ねられてなる処理ブロック３１、およびともに加熱処理ユニット（ＨＰ）と冷却処理ユニット（ＣＯＬ）が上下に重ねられてなる処理ブロック３２・３３が配置されている。
【００２９】
なお、処理部２は、搬送路を挟んで一方の側に洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１ａ、レジスト塗布／減圧乾燥ユニット（ＣＴ／ＶＤ）２２、周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２３、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａのようなスピナー系ユニットのみを配置しており、他方の側に加熱処理ユニットや冷却処理ユニット等の熱系処理ユニットのみを配置する構造となっている。また、中継部１５・１６のスピナー系ユニット配置側の部分には薬液供給ユニット３４が配置されており、さらに主搬送装置のメンテナンスを行うためのスペース３５が設けられている。
【００３０】
主搬送装置１７・１８・１９は、それぞれ水平面内の２方向のＸ軸駆動機構、Ｙ軸駆動機構、および垂直方向のＺ軸駆動機構を備えており、さらにＺ軸を中心に回転する回転駆動機構を備えており、それぞれ基板Ｇを支持するアームを有している。
【００３１】
主搬送装置１７は搬送アーム１７ａを有し、搬送機構１０の搬送アーム１１との間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、前段部２ａの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらには中継部１５との間で基板Ｇの受け渡しを行う機能を有している。また、主搬送装置１８は搬送アーム１８ａを有し、中継部１５との間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、中段部２ｂの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらには中継部１６との間の基板Ｇの受け渡しを行う機能を有している。さらに、主搬送装置１９は搬送アーム１９ａを有し、中継部１６との間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、後段部２ｃの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらにはインターフェイス部３との間の基板Ｇの受け渡しを行う機能を有している。なお、中継部１５・１６は冷却プレートとしても機能する。
【００３２】
インターフェイス部３は、処理部２との間で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエクステンション３６と、さらにその両側に設けられた、バッファカセットを配置する２つのバッファステージ３７と、これらと露光装置（図示せず）との間の基板Ｇの搬入出を行う搬送機構３８とを備えている。搬送機構３８はエクステンション３６およびバッファステージ３７の配列方向に沿って設けられた搬送路３８ａ上を移動可能な搬送アーム３９を備え、この搬送アーム３９により処理部２と露光装置との間で基板Ｇの搬送が行われる。
【００３３】
このように各処理ユニットを集約して一体化することにより、省スペース化および処理の効率化を図ることができる。
【００３４】
このように構成されたレジスト塗布・現像処理システムにおいては、カセットＣ内の基板Ｇが処理部２に搬送され、処理部２では、まず前段部２ａの処理ブロック２５の紫外線照射ユニット（ＵＶ）で表面改質・洗浄処理が行われ、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）で冷却された後、洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１ａ・２１ｂでスクラブ洗浄が施され、処理ブロック２６のいずれかの加熱処理ユニット（ＨＰ）で加熱乾燥された後、処理ブロック２７のいずれかの冷却ユニット（ＣＯＬ）で冷却される。
【００３５】
その後、基板Ｇは中段部２ｂに搬送され、レジストの定着性を高めるために、処理ブロック３０の上段のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）にて疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）された後、下段の冷却処理ユニット（ＣＯＬ）で冷却される。次いで、レジスト塗布／減圧乾燥ユニット（ＣＴ／ＶＤ）２２において、基板Ｇにレジストが塗布され、さらにレジスト膜の減圧乾燥が行われる。
【００３６】
このレジスト塗布工程では、例えば、レジスト液を基板Ｇに供給する前に、基板Ｇを回転させながらシンナー等を供給して基板Ｇの表面のレジスト液に対する濡れ性を向上させて、その後に基板Ｇを一旦静止させ、レジスト液を基板Ｇに供給してから再び基板Ｇを回転させて基板Ｇの全面にレジスト液を拡げるようにして、レジスト膜が形成される。
【００３７】
このようなレジスト塗布／減圧乾燥ユニット（ＣＴ／ＶＤ）２２での処理の終了後に、基板Ｇは周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２３へ搬送され、基板Ｇの周縁部のレジストの除去が行われる。その後、基板Ｇは、中段部２ｂの中の加熱処理ユニット（ＨＰ）の１つでプリベーク処理され、処理ブロック２９または３０の下段の冷却ユニット（ＣＯＬ）で冷却される。
【００３８】
次いで、基板Ｇは中継部１６から主搬送装置１９にてインターフェイス部３を介して露光装置に搬送されてそこで所定のパターンが露光される。そして、基板Ｇは再びインターフェイス部３を介して搬入され、必要に応じて後段部２ｃの処理ブロック３１・３２・３３のいずれかの加熱処理ユニット（ＨＰ）でポストエクスポージャーベーク処理を施した後、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ・２４ｂ・２４ｃのいずれかで現像処理され、所定の回路パターンが形成される。
【００３９】
現像処理された基板Ｇは、後段部２ｃのいずれかの加熱処理ユニット（ＨＰ）にてポストベーク処理が施された後、いずれかの冷却ユニット（ＣＯＬ）にて冷却され、主搬送装置１９・１８・１７および搬送機構１０によってカセットステーション１上の所定のカセットＣに収容される。
【００４０】
次に、本発明の塗布膜形成装置の一形態であるレジスト塗布／減圧乾燥ユニット（ＣＴ／ＶＤ）２２について詳細に説明する。図２は、レジスト塗布／減圧乾燥ユニット（ＣＴ／ＶＤ）２２を模式的に示す断面図であって、蓋体４５を下部容器４４に装着した状態を示しており、図３は、レジスト塗布／減圧乾燥ユニット（ＣＴ／ＶＤ）２２を模式的に示す別の断面図であって、蓋体４５を下部容器４４から離隔した状態を示している。
【００４１】
レジスト塗布／減圧乾燥ユニット（ＣＴ／ＶＤ）２２は、基板Ｇを略水平に吸着保持するスピンチャック４０と、基板Ｇとスピンチャック４０を内部に配置するチャンバ４３とを有している。チャンバ４３は下部容器４４と蓋体４５から構成され、さらに下部容器４４は回転可能な内側カップ４４ａと、内側カップ４４ａの外周側と下方側を覆う固定された外側カップ４４ｂから構成されている。また、蓋体４５は内側カップ４４ａを閉塞し、内側カップ４４ａと共に回転可能な内蓋４５ａと、外側カップ４４ｂを閉塞する外蓋４５ｂから構成されている。
【００４２】
スピンチャック４０は基板Ｇを保持する保持プレート４０ａを有している。保持プレート４０ａの基板保持面は、帯電防止のために導電性の樹脂、例えばＰＯＭ樹脂、で作られている。なお、図２および図３にはこのような導電性樹脂層は図示していない。また、ＰＯＭ樹脂とは、基材となる樹脂に導電性の粒子（例えば、炭素粒子（炭素粉末））または繊維（例えば、炭素繊維）を分散させた複合材料のことをいう。
【００４３】
また、保持プレート４０ａは、剛性不足を解消するために、基板保持面となる導電性樹脂板に、厚さ数ｍｍのアルミニウム板が貼り合わされて構成されている。保持プレート４０ａの厚みは、例えば１２ｍｍであるが、その厚みは１０ｍｍ〜２０ｍｍの範囲とすることが好ましい。
【００４４】
保持プレート４０ａの下面中央には枢軸５６が取り付けられており、回転モータ等の回転装置４１によって回転駆動されるようになっている。また、保持プレート４０ａは図示しない昇降機構により昇降可能であり、外側カップ４４ｂの上面よりも上方に突出可能となっている。これにより、主搬送装置１８の搬送アーム１８ａから保持プレート４０ａへの基板Ｇの受け渡しと、保持プレート４０ａから周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２３へ基板Ｇの搬送を容易に行うことができるようになっている。なお、保持プレート４０ａに対する基板Ｇの受け渡しを行うためには、保持プレート４０ａの高さを固定して下部容器４４を昇降可能な構成としてもよい。
【００４５】
枢軸５６は筒状体５７によって囲繞されており、真空ポンプ等の減圧吸引装置６６によって筒状体５７の内部を減圧することが可能となっている。筒状体５７の内部は、後に説明するように、保持プレート４０ａの表面に形成された吸着溝に連通する吸引孔と連通しており、保持プレート４０ａの表面に形成された吸着溝に吸着能が付与される。
【００４６】
内蓋４５ａの上部中央には支持部材５２が取り付けられており、支持部材５２の上端には係止部材６１が配設されている。これら内蓋４５ａと支持部材５２および係止部材６１の中央を貫通するように、ガス導入口５８ａが形成されており、係止部材６１上にはガス導入口５８ａからチャンバ４３内へのガスの流入を制御することができるように弁５４を有する開閉装置５３が配設されている。
【００４７】
内蓋４５ａの下部には内蓋４５ａと微小間隔ほど隔離するように整流板５１が形成されている。従って、ガス導入口５８ａから流入したガスは、図２中の矢印で示されるように、整流板５１と内蓋４５ａとの間を流れて内側カップ４４ａに形成された排出口５０から外側カップ４４ｂへ導かれ、外側カップ４４ｂの底部に形成された排気口４６ｂを通って排気される。
【００４８】
外蓋４５ｂの上部には、開閉装置５５により開閉可能なガス導入口５８ｂが形成されている。図２および図３では、開閉装置５５として左右方向にスライドするものを示しているが、開閉装置５５はこのような形態（構造）に限定されるものではない。このガス導入口５８ｂからチャンバ４３内へ流入したガスは、内蓋４５ａと外蓋４５ｂとの間を通って、内側カップ４４ａに形成された排出口５０から排出されるガス等と混合されながら、外側カップ４４ｂに形成されているガス流路を通って排気口４６ｂから外部へと排出される。
【００４９】
なお、ガス導入口５８ａ・５８ｂからチャンバ４３内へ流入するガスは、レジスト塗布／減圧乾燥ユニット（ＣＴ／ＶＤ）２２が配置される場所の雰囲気ガスであることが一般的であり、多くの場合に空気である。しかしながら、例えば、ガス導入口５８ａ・５８ｂにガス導入管を取り付けて、特にパーティクルの含有量が少ないように調整されたガス等を流入させることも可能である。
【００５０】
外蓋４５ｂの中央部には支持部材５２が貫通しており、支持部材５２と外蓋４５ｂとの間はシールされているが、これらの部材は固定はされておらず、従って、外蓋４５ｂは支持部材５２の上下方向に可動である。外蓋４５ｂの上面に取り付けられた支持棒６２には上面に突起部６５ｂが形成された円環状のベース部材６３が固定されており、突起部６５ｂは係止部材６１の下面に形成されている凹部６５ａと嵌合する形状となっている。
【００５１】
こうして、昇降機構６４により支持棒６２を上昇させた場合には支持棒６２と共に外蓋４５ｂとベース部材６３がまず上昇し、ベース部材６３と係止部材６１とが突起部６５ｂと凹部６５ａが嵌合して接触した時点から、係止部材６１と支持部材５２および内蓋４５ａも上昇し、チャンバ４３全体が開口した状態となる。逆に、支持棒６２を降下させた場合には最初に内蓋４５ａが内側カップ４４ａの上開口部を閉塞し、その後に係止部材６１とベース部材６３が離れて、外蓋４５ｂが外側カップ４４ｂを閉塞するまでベース部材６３と外蓋４５ｂが一緒に下降する。
【００５２】
内側カップ４４ａは回転機構４２によって筒状体５７周りに回転可能な構造となっており、回転機構４２は、保持プレート４０ａを回転させる回転装置４１とは異なる別の図示しない回転装置により、保持プレート４０ａとは独立して回転することが可能となっている。
【００５３】
内側カップ４４ａの外縁底部には排出口５０が形成されており、基板Ｇから飛散したレジスト液が外側カップ４４ｂの外縁底部へ向けて排出されるようになっている。また、内側カップ４４ａの底部下面の外縁部にはフィン５９が配設され、フィン５９は内側カップ４４ａを回転させたときに、排出口５０からのレジスト液やガスの排出を促進させるように、チャンバ４３内に気流を起こす形状に設計されている。こうして、ガス導入口５８ａ・５８ｂを閉塞するか、または、開口量を小さくした状態において内側カップ４４ａを回転させると、チャンバ４３内に負圧を発生させて減圧雰囲気を作り出すことが可能である。
【００５４】
外側カップ４４ｂには仕切板４７が設けられ、また、外側カップ４４ｂの外縁底部には排出口４６ａが形成されている。仕切板４７は外側カップ４４ｂ内でのガス流路を形成するとともに、排出口５０から排出されたレジスト液を外側カップ４４ｂの外縁底部へ導く役割を果たしており、内側カップ４４ａから排出されて仕切壁４７に導かれたレジスト液は、排出口４６ａから外部へ排出される。
【００５５】
外側カップ４４ｂの底壁には排気口４６ｂが形成されており、この排気口４６ｂには、例えば、工場ダクト等の図示しない排気機構が取り付けられ、チャンバ４３内に流入したガスを排気することができるようになっている。また、外側カップ４４ｂの底壁には、排気管４８がチャンバ４３の内部と連通するように配設されており、排気管４８には強制排気を行うことができる真空ポンプ等の排気装置４９が設けられている。
【００５６】
排気口４６ｂおよび排気管４８からの排気を行う際に、ガス導入口５８ａ・５８ｂを閉口させるか、または開口量が小さい場合には、チャンバ４３内を負圧とすることができ、こうして、レジスト膜が形成された基板Ｇを減圧乾燥することが可能となる。逆に、ガス導入口５８ａ・５８ｂを開口させた状態とすると、ガス導入口５８ａ・５８ｂからチャンバ４３内にガスを容易に導入することができる。
【００５７】
外側カップ４４ｂの外側には支持柱７０が立設されており、支持柱７０からは基板Ｇにレジスト液や溶剤を供給するためのヘッド７２を先端に有するアーム７１が延出している。ヘッド７２は、塗布液であるレジスト液を吐出するためのレジスト液吐出ノズル７３ａと、シンナー等の溶剤を吐出するための溶剤吐出ノズル７３ｂとを有しており、多系統のノズルユニットを構成している。
【００５８】
アーム７１は、支持柱７０に内蔵等された図示しない回転機構によって回転可能に構成され、ヘッド７２はレジスト液や溶剤の供給時には図３に示されるように基板Ｇの中央部上空に位置され、一方、蓋体４５で下部容器４４を閉塞する際には図２に示されるように退避位置へ移動することができるようになっている。なお、上記の回転装置４１、排気装置４９、減圧吸引装置６６、昇降機構６４の各動作は、コントローラ６０によって制御されるようになっている。
【００５９】
次に、保持プレート４０ａの形態についてより詳細に説明する。図４は保持プレート４０ａの断面図であり、図５はその平面図である。保持プレート４０ａの上面には、同心円状に環状吸着溝８１ａ〜８１ｆが形成されており、さらにこれらの環状吸着溝８１ａ〜８１ｆの全てを横切って環状吸着溝８１ａ〜８１ｆを連通させる直線状吸着溝８４が非放射状に形成されている。
【００６０】
なお、図４および図５においては、保持プレート４０ａの構造を分かりやすく示すために、環状吸着溝８１ａ〜８１ｆの幅を広く描き、また、６本の環状吸着溝８１ａ〜８１ｆしか描かれていないが、実機においては、例えば、保持プレート４０ａの外径が５００ｍｍφである場合には、環状吸着溝８１ａ〜８１ｆそれぞれの幅は０．３ｍｍ〜０．８ｍｍ、その深さは０．２ｍｍ〜０．４ｍｍの範囲とすることが好ましく、環状吸着溝８１どうしは０．５ｍｍ〜１．５ｍｍの間隔で形成することが好ましい。また、最内周の環状吸着溝８１ａの外径は５０ｍｍφ〜１５０ｍｍφとすることが好ましい。
【００６１】
直線状吸着溝８４は、保持プレート４０ａの回転中心Ｏを通ることなく、保持プレート４０ａの径方向からずれるようにして、環状吸着溝８１ａを等分割する各点から真っ直ぐに周縁部に向かって延びている。すなわち、直線状吸着溝８４は、半径線Ｓ（保持プレート４０ａの回転中心Ｏを通る直線）と角度θをなす直線Ｖに沿って真っ直ぐに形成されている。この角度θを１０度（°）以上とすることが好ましく、これにより転写跡の発生を有効に防止することができる。
【００６２】
なお、図５に示す直線Ｈは直線Ｓに直交する垂線である。直線状吸着溝８４の方向を示す直線Ｖがこの直線Ｈと重なる位置まで角度θを拡げることが可能である。つまり、角度θは９０°まで拡大することができる。しかし、角度θは９０°を超えないようにする必要がある。これは、角度θが９０°を超える場合には、直線状吸着溝８４が最内周に形成された環状吸着溝８１ａの内部を通過することとなるからである。
【００６３】
また、直線状吸着溝８４が最内周に形成された環状吸着溝８１ａの接線と一致する場合には、直線状吸着溝８４どうしが交差するよう直線状吸着溝８４を形成することも可能である。しかし、これによって複数の吸着溝（直線状吸着溝８４と環状吸着溝８１ａ〜８１ｆのいずれか）が交差してその交差部分の面積が広くなると、基板Ｇに凹凸が生じ、これによってレジスト膜に局部的な凹凸が生じやすくなるために、直線状吸着溝８４どうしは、できるだけ交差しないようにすることが好ましい。
【００６４】
最内周に設けられた環状吸着溝８１ａと直線状吸着溝８４との各交差部分には、保持プレート４０ａを貫通するように吸引孔８２が形成されている。保持プレート４０ａの内部には空洞部８３が形成されており、この空洞部８３は吸引孔８２および筒状体５７の内部と連通している。保持プレート４０ａを回転させるために、保持プレート４０ａに固定された枢軸５６が筒状体５７内に配置されている。筒状体５７と保持プレート４０ａとの間にはシール部５７ａが設けられており、保持プレート４０ａを回転させたときに筒状体５７は回転せず、かつ、空洞部８３を減圧することができるようになっている。
【００６５】
保持プレート４０ａの表面に基板Ｇを載置した状態で、減圧吸引装置６６を動作させて筒状体５７内を減圧すると、筒状体５７に連通した空洞部８３が減圧され、空洞部８３に連通した吸引孔８２を介して環状吸着溝８１ａ〜８１ｆと直線状吸着溝８４に吸引力が付与される。これにより、保持プレート４０ａの表面（基板保持面）に基板Ｇが吸着される。こうして保持プレート４０ａに基板Ｇを吸着保持して、基板Ｇの略中心にレジスト液を塗布し、保持プレート４０ａを所定の回転数で回転させると、レジスト液は基板Ｇの中心から放射状に外側へ向けて拡がって基板Ｇ全体にレジスト膜が形成される。
【００６６】
ところで、先に図１１に示した従来の保持プレート１０１のように、放射状吸着溝１０３が表面に形成されている場合には、レジスト液が拡がっていく方向と放射状吸着溝１０３の長さ方向とが一致する。また、保持プレート１０１に限らず基板保持面に吸着溝が形成された保持プレートに基板Ｇを吸着保持した場合には、基板において吸着溝が形成されている部分に対応する部分と吸着溝が形成されていない部分に対応する部分との間で温度差が生ずる。このため、保持プレート１０１を用いた場合には、基板Ｇにおいて、放射状吸着溝１０３が形成されている部分に沿って拡がるレジスト液と、それ以外の部分（つまり環状吸着溝１０２と環状吸着溝１０２が形成されていない部分）を通過しながら拡がるレジスト液との間で熱履歴が生じ、これらの部分間で形成されるレジスト膜の厚みが変化する。これにより結果的にＬＣＤ製品に転写跡が発生することとなる。
【００６７】
しかし、保持プレート４０ａには放射状の吸着溝が形成されていないために、基板Ｇの表面を拡がるレジスト液の熱履歴が全体的に同じものとなり、これによってＬＣＤ製品における転写跡の発生が抑制されて、ＬＣＤ製品の品質を高く維持することができる。
【００６８】
さて、保持プレート４０ａの外周端面からは左右一対の支持板８５が外方に向かって延び出している。図５に示すように、支持板８５は基板Ｇの長辺方向の周縁部を支持するものであり、保持プレート４０ａに支持されないはみ出し部分が自重で垂れ下がるのを防止するとともに、基板Ｇの平坦度を確保することによって保持プレート４０ａによる基板Ｇの吸着保持をより確実にするものである。支持板８５の長さＬ１は、基板Ｇおよび保持プレート４０ａのサイズに応じて種々に変えることができる。例えば、基板Ｇのサイズが９２０ｍｍ×７３０ｍｍ、保持プレート４０ａの直径Ｄ１が５４０ｍｍφの場合は、支持板８５の長さＬ１を３０〜４０ｍｍとすることが好ましい。
【００６９】
次に、スピンチャック４０に用いられる保持プレートの別の実施形態について説明する。図６は保持プレート４０ｂの概略断面図であり、図７はその概略平面図である。保持プレート４０ｂの基板保持面には、環状吸着溝８１ａ〜８１ｇが同心円状に形成されており、環状吸着溝８１ａ〜８１ｇにはそれぞれ２箇所ずつ吸引孔８２ａ〜８２ｇが形成されている。図７に示すように、これらの吸引孔８２ａ〜８２ｇは、保持プレート４０ｂの回転中心Ｏについて点対称となるように、かつ、アルキメデスの螺旋曲線（糸巻きから糸を解く曲線）上に乗るように幾何学的に配置されている。保持プレート４０ｂの内部には空洞部８３が形成されており、吸引孔８２ａ〜８２ｇは空洞部８３と連通している。さらに、空洞部８３は筒状体５７の内部空間と連通し、この内部空間は減圧吸引装置６６により減圧可能となっている。
【００７０】
なお、図６および図７には、７本の環状吸着溝８１ａ〜８１ｇが記載されているが、先に説明した保持プレート４０ａの場合と同様に、環状吸着溝は、保持プレート４０ｂのサイズに応じて、適宜、適切な数だけ設けられる。また、吸引孔８２ａ〜８２ｇは、環状吸着溝８１ａ〜８１ｇのそれぞれについて少なくとも１箇所形成されていればよい。しかし、環状吸着溝８１ａ〜８１ｇの円周長さは、保持プレート４０ｂの外周部に形成されるものほど長くなる。そこで、環状吸着溝８１ａ〜８１ｇがそれぞれ均等な吸着力を有するように、外周部に形成される環状吸着溝、例えば、環状吸着溝８１ｅ〜８１ｇに対しては、形成する吸引孔８２ｅ〜８２ｇの数を多くすることも好ましい。吸引孔８２ａ〜８２ｇの形成位置は、図７に示した位置に限定されるものではない。
【００７１】
このような保持プレート４０ｂにおいては、図１１に示す保持プレート１０１のように放射状吸着溝１０３が形成されていないために、レジスト液が拡がる際の熱履歴は全体的に同じものとなり、これによりＬＣＤ製品における転写跡の発生が抑制される。
【００７２】
保持プレート４０ｂの外周端面からは左右一対の支持枠８６が外方に向かって延び出している。図７に示すように、支持枠８６は基板Ｇの長辺方向の周縁部を支持するものであり、保持プレート４０ｂに支持されないはみ出し部分が自重で垂れ下がるのを防止するとともに、基板Ｇの平坦度を確保することによって保持プレート４０ｂによる基板Ｇの吸着保持をより確実にする。支持枠８６の長さＬ２（一対の支持枠８６の両端間の長さ）は、基板Ｇおよび保持プレート４０ｂのサイズに応じて種々に変えることができる。例えば、基板Ｇのサイズが９２０ｍｍ×７３０ｍｍ、保持プレート４０ｂの直径Ｄ２が５４０ｍｍφの場合は、支持枠８６の長さＬ２を６００〜６２０ｍｍとし、支持枠８６の幅Ｌ３を４００〜４８０ｍｍとすることが好ましい。
【００７３】
次に、スピンチャック４０に用いられる保持プレートのさらに別の実施形態について説明する。図８は保持プレート４０ｃの概略平面図である。保持プレート４０ｃの基板保持面には、中央部に環状吸着溝８７が形成されており、この環状吸着溝８７に連通するように波形吸着溝８８が均等な間隔で非放射状に形成されている。環状吸着溝８７と波形吸着溝８８との交差部分には吸引孔８９が形成されており、保持プレート４０ｃの内部には保持プレート４０ａ・４０ｂと同様に空洞部（図示せず）が形成されており、この空洞部は吸引孔８９および筒状体５７の内部と連通している。
【００７４】
なお、吸引孔８９は、図８に示すように、環状吸着溝８７に集約して形成する必要はなく、吸引孔８９を波形吸着溝８８のそれぞれに設けても構わず、その数は１本の波形吸着溝８８について１箇所に限定されるものでもない。
【００７５】
保持プレート４０ｃにこのような波形吸着溝８８を設けた場合には、同数の直線状の吸着溝を設けた場合と比較すると、総延長が長くなるために吸着面積が広くなり、これによって複数の環状吸着溝を形成しなくとも、十分な吸着力を得ることができる。
【００７６】
保持プレート４０ｃに吸着保持された基板Ｇの中心部にレジスト液を供給して、保持プレート４０ｃを所定の回転数で回転させ、レジスト膜を形成した際には、波形吸着溝８８は非放射状に形成されているために、ＬＣＤ製品における転写跡の発生が抑制され、ＬＣＤ製品の品質を高く維持することができる。
【００７７】
なお、環状吸着溝８７を設けることなく、複数の波形吸着溝８８を互いに保持プレートの中心で連通するように形成し、この連通部分に吸引孔を設けた構造を有する保持プレートを用いて、レジスト膜の形成を行ったところ、この保持プレートの中心部に対応する基板Ｇの中心部に略円形の転写跡が発生した。この転写跡は、保持プレートに当接している部分（吸着溝が形成されていない部分）の上を拡がることがなかったレジスト液に起因するものと考えられる。
【００７８】
これに対して、保持プレート４０ｃの場合には、保持プレート４０ｃの中央部において基板Ｇと保持プレート４０ｃとが当接しているために、基板Ｇ上を拡がるレジスト液は、必ず保持プレート４０ｃと当接している部分の上を通過するために、保持プレート４０ｃの温度分布の影響を受け難くなり、これによって転写跡の発生が抑制される。
【００７９】
次に、スピンチャック４０に用いられる保持プレートのさらに別の実施形態について説明する。図９は保持プレート４０ｄの概略平面図である。保持プレート４０ｄは、同心状に形成された４本の環状吸着溝９１ａ〜９１ｄと、非放射状に設けられた４本の直線状吸着溝９４とを備えている。
【００８０】
各環状吸着溝９１ａ〜９１ｄの幅と深さは実質的に同じであり、隣り合う環状吸着溝９１ａ〜９１ｄの相互の間隔は等しい。なお、図９においては、その構造を分かりやすくするために４本の環状吸着溝９１ａ〜９１ｄを示したが、先に説明した保持プレート４０ａの場合と同様に、環状吸着溝は保持プレート４０ｄのサイズに応じて、適宜、適切な数だけ設けられる。
【００８１】
直線状吸着溝９４は環状吸着溝９１ａ〜９１ｄの全てを横切るように、保持プレート４０ｄの中心部から周縁部に向かって真っ直ぐに延び出している。直線状吸着溝９４の長さ方向は、保持プレート４０ｄの中心Ｏ´を通る直線と一致しないように、かつ、各直線状吸着溝９４どうしが交差することのないように、設計すればよい。
【００８２】
最も内側に設けられている環状吸着溝９１ａと各直線状吸着溝９４とが交差する４箇所に吸引孔９２が形成されている。保持プレート４０ｄの内部には、保持プレート４０ａ・４０ｂと同様に空洞部（図示せず）が形成されており、この空洞部は吸引孔９２および筒状体５７の内部と連通している。吸引孔９２を形成する位置は図９に示される位置に限定されるものではなく、例えば、環状吸着溝９１ｂと直線状吸着溝９４との交差部分や、環状吸着溝９１ａ〜９１ｄの任意の位置または直線状吸着溝９４の任意の位置に吸引孔９２を設けることができる。また、吸引孔９２の数は４箇所に限定されるものでないことは言うまでもない。
【００８３】
先に説明した保持プレート４０ａを用いた場合と同様に、保持プレート４０ｄを用いた場合には、放射状の吸着溝が形成されていないために、基板Ｇの表面を拡がるレジスト液の熱履歴が全体的に同じものとなる。これによってＬＣＤ製品における転写跡の発生が抑制されて、ＬＣＤ製品の品質を高く維持することができる。
【００８４】
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明はこのような形態に限定されるものではない。例えば、保持プレート４０ａ・４０ｂと同様に、保持プレート４０ｃにおいても、複数の環状吸着溝、例えば環状吸着溝８１ａ〜８１ｆを形成してもよい。また、保持プレート４０ａ・４０ｃの表面に形成される非放射状の吸着溝は直線形状や波形形状に限定されず、より複雑に屈曲した曲線や屈曲した折れ線であってもよい。
【００８５】
上記説明においては、塗布膜形成装置としてレジスト塗布／減圧乾燥ユニット（ＣＴ／ＶＤ）２２を例として説明したが、フォトリソグラフィ工程において基板Ｇにレジスト膜を形成する場合に限定されず、例えば、層間絶縁膜を形成する塗布膜形成装置にも本発明を適用することが可能である。また、本発明の塗布膜形成装置は、基板Ｇ上に現像液を塗布して現像液パドルを形成し、その後に基板Ｇを回転させて現像液を振り切る現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ〜２４ｃにも適用することができる。さらに、上記実施の形態においては、基板としてＬＣＤ基板を挙げて説明してきたが、基板は、半導体ウエハやＣＤ基板等であっても構わない。
【００８６】
【発明の効果】
上述の通り、本発明の塗布膜形成装置によれば、基板を保持する保持プレートの表面に環状吸着溝を同心円状に形成し、保持プレートの中心から外周に向かう放射状の吸着溝を形成しないことによって、基板を所定の回転数で回転させた際にも基板が脱離しないような十分な吸着力を確保しつつ、基板に放射状の転写跡が発生することを防止することができる。また、保持プレートに保持プレートの中心部から周縁部に向かう吸着溝を形成する場合にも、吸着溝のパターンを非放射状とすることにより、基板における転写跡の発生を有効に防止することができる。
【００８７】
さらに、本発明のスピンチャックによれば、帯電が防止されるために基板の静電破壊の発生を抑制することができる。さらにまた、スピンチャックの保持プレートに基板を支持する支持板または支持枠を設けて基板の周縁を支持することによって、基板の水平度が高められるために、保持プレートはより確実に基板を吸着保持することが可能となり、基板の脱落が防止される。このように本発明は、基板の品質を高め、生産歩留まりを向上させることを可能とするという優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の塗布膜形成装置の一実施形態であるレジスト塗布／減圧乾燥ユニット（ＣＴ／ＶＤ）を備えたレジスト塗布・現像処理システムを示す平面図。
【図２】レジスト塗布／減圧乾燥ユニット（ＣＴ／ＶＤ）を模式的に示す断面図。
【図３】レジスト塗布／減圧乾燥ユニット（ＣＴ／ＶＤ）を模式的に示す別の断面図。
【図４】レジスト塗布／減圧乾燥ユニット（ＣＴ／ＶＤ）に用いられる保持プレートの一実施形態を示す概略断面図。
【図５】  図４に示す保持プレートの概略平面図。
【図６】保持プレートの別の実施形態を示す概略断面図。
【図７】図６に示す保持プレートの概略平面図。
【図８】保持プレートのさらに別の実施形態を示す概略平面図。
【図９】保持プレートのさらに別の実施形態を示す概略平面図。
【図１０】従来のスピンチャックに用いられている保持プレートの一実施形態を示す概略断面図。
【図１１】図１０に示す保持プレートの概略平面図。
【符号の説明】
２２；レジスト塗布／減圧乾燥ユニット
４０；スピンチャック
４０ａ・４０ｂ・４０ｃ・４０ｄ；保持プレート
４１；回転装置
６６；減圧吸引装置
７２；ヘッド
７３ａ；レジスト液吐出ノズル
７３ｂ；溶剤吐出ノズル
８１ａ〜８１ｇ；環状吸着溝
８２；吸引孔
８３；空洞部
８４；直線状吸着溝
８５；支持板
８６；支持枠
８７；環状吸着溝
８８；波形吸着溝
８９；吸引孔
９１ａ〜９１ｄ；環状吸着溝
９２；吸引孔
９４；直線状吸着溝
１００；レジスト塗布・現像処理システム
Ｇ；基板（ＬＣＤ基板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
0004079212.tif 000010
【図１０】
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【図１１】
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