(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、レジスト層と、反射金属層とを含んでなり、入射光を拡散する反射型光拡散器の製造方法であって、画素のマトリックス・アレイが表面に形成され、かつ該画素マトリックス・アレイが複数の隣接する画素領域を具えるとともに、該画素領域は二つの、平行して対向する側端縁部を有する基板を用意するステップと、該レジスト層を該基板上に形成するステップと、フォトマスクを利用した露光、現像の工程によって、該画素領域の該側端縁に沿って延びたスリット（slit）構造と、該画素領域内に位置する複数のバンプ（bump）構造とを含むレジストパターンを該レジスト層に形成するステップと、該レジストパターンに焼成工程および、後焼成工程を施すステップと、該レジストパターン上に該反射金属層を形成するステップとを含むことを特徴とする反射型光拡散器の製造方法。
【請求項２】
前記露光、現像の工程の前に、温度条件が８０℃から９０℃の予焼成工程をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の反射型光拡散器の製造方法。
【請求項３】
前記露光、現像の工程後の焼成工程温度条件が１３０℃の焼成工程であることを特徴とする請求項1に記載の反射型光拡散器の製造方法。
【請求項４】
前記焼成工程の後に、温度条件が２２０℃の後焼成工程をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の反射型光拡散器の製造方法。
【請求項５】
前記レジスト層の厚さが４．８μｍから５．５μｍの間であることを特徴とする請求項１に記載の反射型光拡散器の製造方法。
【請求項６】
前記フォトマスクのパターンには、複数の第１遮光領域と複数の第２遮光領域とを含み、該第１遮光領域が該レジストパターンのスリット構造に対応し、該第２遮光領域が、該レジストパターンのバンプ構造に対応することを特徴とする請求項１に記載の反射型光拡散器の製造方法。
【請求項７】
前記レジストパターンのスリット構造は、二つの対向する側端縁部を具え、該側端縁部が波形状を呈することを特徴とする請求項１に記載の反射型光拡散器の製造方法。
【請求項８】
基板と、レジスト層と、反射金属層とを含んでなり、入射光を拡散する反射型光拡散器の製造方法であって、該レジスト層を該基板上に形成するステップと、フォトマスクを利用した露光、現像の工程によって、少なくとも２以上の互いに平行するスリット構造を含む複数のスリット構造と、該複数のスリット構造に重なり合わない複数のバンプ構造とを含むレジストパターンを該レジスト層に形成するステップと、該レジストパターン上に該反射金属層を形成するステップとを含むことを特徴とする反射型光拡散器の製造方法。
【請求項９】
前記レジストパターンのスリット構造は、二つの対向する側端縁部を具え、該側端縁部が波形状を呈することを特徴とする請求項８に記載の反射型光拡散器の製造方法。
【請求項１０】
基板と、レジスト層と、反射金属層とを含んでなり、入射光を拡散する反射型光拡散器の製造方法であって、該レジスト層を該基板上に形成するステップと、フォトマスクを利用した露光、現像の工程によって、少なくとも２以上の互いに平行するスリット構造を含み、かつ該平行するスリット構造の対向する両側端縁が波形状を呈する複数のスリット構造を含むレジストパターンを該レジスト層に形成するステップと、該レジストパターン上に該反射金属層を形成するステップとを含むことを特徴とする反射型光拡散器の製造方法。
【請求項１１】
前記レジストパターンは、隣り合う両スリット構造の間に、複数のバンプ構造を別途形成することを特徴とする請求項１０に記載の反射型光拡散器の製造方法。
【請求項１２】
基板と、レジスト層と、反射金属層とを含んでなり、入射光を拡散する反射型光拡散器の製造方法であって、画素のマトリックス・アレイが表面に形成され、かつ該画素マトリックス・アレイが複数の隣接する画素領域を具えるとともに、該画素領域は二つの、平行して対向する側端縁部を有する基板を用意するステップと、該レジスト層を該基板上に形成するステップと、フォトマスクを利用した露光、現像の工程によって、該画素マトリックス・アレイに対応するマトリックスパターンの画素領域の該側端縁に沿って延びたスリット（slit）構造と、該画素領域内に位置する複数のバンプ（bump）構造とを含むレジストパターンを該レジスト層に形成するステップと、該レジストパターンに焼成工程および、後焼成工程を施すステップと、該レジストパターン上に該反射金属層を形成するステップとを含むことを特徴とする反射型光拡散器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この本発明は、反射型光拡散器（reflection type light diffuser）の製造方法に関し、特に、反射型液晶表示装置に適用される反射型光拡散器の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置の画像表示方法には、光透過型と光反射型がある。通常、透過型の液晶表示装置は、液晶素子の裏にバックライトがあり、バックライトからの入射光が選択的に液晶素子を透過すると、液晶表示装置の前方で画像を表示する。反射型の液晶表示装置は、フロントライトと、液晶素子の後方に設置される反射板とを具え、反射板がフロントライトからの入射光を反射し、反射された入射光が液晶表示装置の前方へ進み、画像を表示する。ユーザーは用途により、光透過型か光反射型かが選択できる。
【０００３】
従来の反射型液晶表示装置の反射板は、入射光を特定の角度で反射させるため、視野が狭い現象を起こすので、ユーザーは、ある特定の角度内（可視角度とも称する）しか、液晶表示装置に表示される画像が見えない。そこで、反射型液晶表示装置の可視角度を増やすために、いまの反射型液晶表示装置において、反射板の表面に複数のバンプ構造を形成し、反射板の表面を不平にし、反射光の拡散角度を増大させ、反射型液晶表示装置の視野を広げるものがある。
【０００４】
図１から図４に、従来の、ガラス基板（１０）に反射型光拡散器（２８）を形成する方法の説明図を開示する。図１に開示するように、スピンコーティング（spin-coating）工程で、ガラス基板（１０）に樹脂材料層（１２）を形成し、予め焼成工程を行い、約３００℃の温度条件で３０分間加熱する。次いで、図２に開示するように、フォトマスク（１４）と光源（２０）とによって露光工程を行なう。フォトマスク（１４）には、複数の、遮光（light-shielding）領域（１６）と光透過（light transmitting）領域（１８）を具えるため、後述の現像工程を介して、図３に開示するように、樹脂材料層（１２）に、レジストパターン（２２）が形成される。次いで、図４に開示するように、予め焼成工程でレジストパターン（２２）を融解によって軟化して、連続的なレジストパターン（複数のバンプ構造）（２４）を形成する。さらにガラス基板（１０）上に金属層（２６）を形成し、反射型光拡散器（２８）の作製を完成させる。該ガラス基板（１０）の厚さは約1.1ｃｍで、樹脂材料層（１２）の厚さは、約1.5μｍである。金属層（２６）は、アルミニウム、ニッケル、クロム、もしくは銀から選択し、厚さは約0.01μｍから1.0μｍである。また、レジストパターン（２２）には、複数のバンプ構造（２４）が含まれる。
【０００５】
反射型光拡散器（２８）は、複数のバンプ構造（２４）を具えることによって表面が凹凸形状を呈し、入射光（３０）が反射型光拡散器（２８）に入射すると、金属層（２６）とバンプ構造（２４）の反射作用によって、複数の拡散光線（３２）が発生する。但し、バンプ構造（２４）が反射型光拡散器 （２８）の表面にランダムに設けられるため、光線の拡散性が過度に強くなり、拡散光線（３２）の強度が過度に弱くなるとともに、拡散光線（３２）が互いに干渉し合う場合もある。かかる反射型光拡散器の光線拡散性が過度に強くなる問題を改善するために、他の形態の反射型光拡散器が開発され、提供されている。
【０００６】
他の形態の反射型拡散器について。図５〜図１０を参照にして以下に説明する。図５〜図１０は、ガラス基板（４０）に従来の反射型光拡散器（５２）を形成する方法の説明図である。図５に開示するように、ガラス基板（４０）に樹脂材料層（４２）を塗布し、予焼成工程を行なう。次いで、図６に開示するように、フォトマスク（４４）を利用して露光及び現像の工程を行い、樹脂材料層（４２）に、レジストパターン（４６）を形成する。レジストパターン（４６）には、図７に開示するように複数のスリット状のパターンが形成される。
【０００７】
次に、図８に開示するように、ガラス基板（４０）を９０°傾斜させて垂直状態にし、熱処理工程を行う。樹脂材料層（４２）は熱可塑性材料であるため、レジストパターン（４６）は、加熱工程と重力の関係によって、レジストパターン（４８）になる。該レジストパターン（４８）は、図９に開示するように非対称のスリット状の構造を形成する。最後に、図１０に開示するように、ガラス基板（４０）を水平に戻し、そのまま放置して冷却し、さらにガラス基板（４０）上に金属層（５０）を形成して反射型光拡散器（５２）の作製を完了させる。
【０００８】
上述の反射型光拡散器（５２）は、入射光線（５４）が 入射すると、金属層（５０）とスリット構造のレジストパターン（４８）の作用によって複数の拡散光線（５６）を発生する。但し、かかるスリット構造は、依然として、光線の指向性が過度に強くなる問題を有する。
【０００９】
特許文献１には、光線の拡散性と、指向反射性が過度に強くなる問題を改善した反射型光拡散器が開示される。かかる反射型光拡散器は、図１１に開示するように構成されている。図１１に開示する反射型光拡散器（６８’）は、ガラス基板（６０）にレジストパターン（６２’）と、金属層（図示しない）とを具え、該レジストパターン（６２’）は複数の互い平行する傾斜（slant）構造（６４’）と、該傾斜構造（６４’）上に形成される複数のバンプ構造（６６’）とを含む。該傾斜構造（６４’）は、多照射転位（multi-exposure shift）工程によって形成し、該多照射転位工程は、フォトマスク（図示しない）を所定の距離だけ複数回移動させ、かつそれぞれ異なる露光パワーで露光工程を行い傾斜構造（６４’）を得る。次いで、他のフォトマスク（図示しない）でバンプ構造（６６’）を形成する。
【００１０】
傾斜構造（６４’）上にバンプ構造（６６’）が形成された反射型光拡散器（６８’）は、光線の指向性と拡散性が過度に強くなる欠点を改善することができる。但し、かかる方法は、複数の異なる露光パワーを必要とし、２種類の異なるフォトマスクを用いた露光工程によって前述の構造を形成する。よって、工程が複雑となるのみならず、コストが経済的に効果を発生させることができない。
【特許文献１】
米国特許第6,163,405号明細書。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
この発明は、光線の指向性と拡散性が過度に強くならないように、効果的に抑制することができるとともに、製造工程を簡略化し、コストを節減できる反射型光拡散器の製造方法を提供することを課題とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明者は従来の技術に見られる欠点に鑑みて鋭意研究を重ねた結果、基板と、レジスト層と、反射金属層とを含んでなり、入射光を拡散する反射型光拡散器の製造方法であって、
画素のマトリックス・アレイが表面に形成され、かつ該画素マトリックス・アレイが複数の隣接する画素領域を具えるとともに、該画素領域は二つの、平行して対向する側端縁部を有する基板を用意するステップと、
フォトマスクを利用した露光、現像の工程によって、該画素領域の該側端縁に位置するスリット（slit）構造と、該画素領域内に位置する複数のバンプ（bump）構造とを含むレジストパターンが形成されたレジスト層を該基板上に形成するステップと、
該レジストパターン上に該反射金属層を形成するステップとを含む製造方法によって課題を解決できる点に着眼し、かかる知見に基づいて本発明を完成させた。
【００１３】
即ち、ガラスなどの材質による基板に複数の波形を呈するスリット構造と、バンプ構造を含むレジストパターンを形成し、該波形スリット構造とバンプ構造とによって側端縁と表面の異なる曲率を達成すことによって入射光線を異なる方向に反射する反射型光拡散器に製造方法が得られる。
【００１４】
以下、この発明について詳述する。
請求項１に記載する反射型光拡散器の製造方法は、基板と、レジスト層と、反射金属層とを含んでなり、入射光を拡散する反射型光拡散器の製造方法であって、
画素のマトリックス・アレイが表面に形成され、かつ該画素マトリックス・アレイが複数の隣接する画素領域を具えるとともに、該画素領域は二つの、平行して対向する側端縁部を有する基板を用意するステップと、
該レジスト層を該基板上に形成するステップと、
フォトマスクを利用した露光、現像の工程によって、該画素領域の該側端縁に位置するスリット（slit）構造と、該画素領域内に位置する複数のバンプ（bump）構造とを含むレジストパターンを該レジスト層に形成するステップと、
該レジストパターン上に該反射金属層を形成するステップとを含む。
【００１５】
請求項２に記載する反射型光拡散器の製造方法は、請求項１における製造方法が、該記露光、現像の工程の前に、温度条件が約８０℃から９０℃の予焼成工程をさらに含む。
【００１６】
請求項３に記載する反射型光拡散器の製造方法は、請求項１における製造方法が、該露光、現像の工程の後に、温度条件が約１３０℃の焼成工程をさらに含む。
【００１７】
請求項４に記載する反射型光拡散器の製造方法は、請求項１に記載する製造方法が、該露光、現像の工程の後に、温度条件が約２２０℃の後焼成工程をさらに含む。
【００１８】
請求項５に記載する反射型光拡散器の製造方法は、請求項１におけるレジスト層の厚さが４．８μｍから５．５μｍの間である。
【００１９】
請求項６に記載する反射型光拡散器の製造方法は、請求項１におけるフォトマスクのパターンには、複数の第１遮光領域と複数の第２遮光領域とを含み、該第１遮光領域が該レジストパターンのスリット構造に対応し、該第２遮光領域が、該レジストパターンのバンプ構造に対応する。
【００２０】
請求項７に記載する反射型光拡散器の製造方法は、請求項１におけるレジストパターンのスリット構造が、二つの対向する側端縁部を具え、該側端縁部が波形状を呈する。
【００２１】
請求項８に記載する反射型光拡散器の製造方法は、基板と、レジスト層と、反射金属層とを含んでなり、入射光を拡散する反射型光拡散器の製造方法であって、
該レジスト層を該基板上に形成するステップと、
フォトマスクを利用した露光、現像の工程によって、少なくとも２以上の互いに平行するスリット構造を含む複数のスリット構造と、該複数のスリット構造に重なり合わない複数のバンプ構造とを含むレジストパターンを該レジスト層に形成するステップと、
該レジストパターン上に該反射金属層を形成するステップとを含む。
【００２２】
請求項９に記載する反射型光拡散器の製造方法は、請求項８におけるレジストパターンのスリット構造が、二つの対向する側端縁部を具え、該側端縁部が波形状を呈する。
【００２３】
請求項１０に記載する反射型光拡散器の製造方法は、基板と、レジスト層と、反射金属層とを含んでなり、入射光を拡散する反射型光拡散器の製造方法であって、
該レジスト層を該基板上に形成するステップと、
フォトマスクを利用した露光、現像の工程によって、少なくとも２以上の互いに平行するスリット構造を含み、かつ該平行するスリット構造の対向する両側端縁が波形状を呈する複数のスリット構造を含むレジストパターンを該レジスト層に形成するステップと、
該レジストパターン上に該反射金属層を形成するステップとを含む。
【００２４】
請求項１１に記載する反射型光拡散器の製造方法は、請求項１０におけるレジストパターンに、隣り合う両スリット構造の間に、複数のバンプ構造を別途形成する。
【００２５】
【発明の実施の形態】
この発明は、反射型液晶表示装置に適用される反射型光拡散器の製造方法を提供するものであって、基板と、レジスト層と、反射金属層とを含んでなる反射型光拡散器に製造方法であって、画素のマトリックス・アレイが表面に形成され、かつ該画素マトリックス・アレイが複数の隣接する画素領域を具えるとともに、該画素領域は二つの、平行して対向する側端縁部を有する基板を設けるステップと、フォトマスクを利用した露光、現像の工程によって、該画素領域の側端縁に位置するスリット（slit）構造と、該画素領域内に位置する複数のバンプ（bump）構造とを含むレジストパターンが形成されたレジスト層を該基板上に形成するステップと、及び該レジストパターン上に反射金属層を形成するステップとを含む。
かかる製造方法について、その特徴を詳述するために具体的な実施例を挙げ、図を参照にして以下に説明する。
【００２６】
【第１の実施例】
図１２から図１６を参照にして、この発明の好ましい実施例を説明する。図１２から図１６は、この発明によるガラス基板（６０）上に反射型光拡散器（７６）を作製方法と、その構造に係る説明図である。図１３と図１４は、実施例において用いられるフォトマスク（６４）（７８）の平面図である。図１５は、図１６に開示する反射型光拡散器（７６）のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。図１６は、実施例における反射型光拡散器（７６）の構造を表わす説明図である
【００２７】
この発明による製造方法は、先ず図１２に開示するように、ガラス基板（６０）に厚さが４．８μｍから５．５μｍであるポジ型のレジスト層（６２）を塗布し、８０℃から９０℃の間の温度条件で、予焼成工程を３０分間行なう。次いで、フォトマスク（６４）を利用して、製造工程の必要に基づく反射型光拡散器（７６）の構造を形成する。図１２に開示するように、フォトマスク（６４）は複数の遮光領域（６６）と、光透過領域（６８）とを含み、該フォトマスク（６４）によってレジスト層（６２）の表面にレジストパターン（図示しない）を形成する。
【００２８】
次に、図１５に開示するように、現像の工程を行い、フォトマスク（６４）の遮光領域により遮光されない部分のレジスト層（６２）を除去し、かつ約１３０℃の温度条件で、レジストパターンに焼成工程を行い、約２２０℃の温度条件で後焼成工程を行なう。さらに、該レジストパターン上に反射金属層（７４）を形成する。該レジストパターンは、互いに平行する複数のスリット（slit）構造（７０）と、隣接する該スリット構造（７０）の間に形成される複数のバンプ（bump）構造（７２）とを含む。該スリット構造（７０）は対向する両側端縁を有し、該両側端縁は図１６に開示するように波形状を呈する。使用するフォトマスクを図１４に開示する。フォトマスク（７８）の遮光領域（７７）は、図１６に開示するのレジストパターンにある波形状のスリット構造（７０）に対応し、光透過領域（７９）が、図６のレジストパターンにあるバンプ構造（７２）に対応する。
【００２９】
【第２の実施例】
図１７から至図１９を参照にして第２の実施例を以下に説明する。図１７は、本発明第２の実施例において用いるフォトマスク（８０）の平面図であり、図１８は、本発明第２の実施例における反射型光拡散器（９０）の構造を表す説明図である。図１９は、図１８におけるの反射型光拡散器（９０）のＣ−Ｃ’線に沿った断面図である。図１７に開示するように、フォトマスク（８０）は、複数の遮光領域（８２）と複数の光透過領域（８４）を有し、複数の遮光領域（８２）には、複数の第１遮光領域（８６）と複数の第２遮光領域（８８）を具える。フォトマスク（８０）を図１２に開示するフォトマスク（６４）の代替として、露光と現像の工程を行なう。レジストパターンには、互いに平行する波状の複数のスリット構造（９２）と、隣接するスリット構造（９２）の間に形成されるバンプ構造（９４）とを具える。
【００３０】
図１８に開示するように、第１遮光領域（８６）が、レジストパターンの互い平行する波状のスリット構造（９２）に対応し、第２遮光領域（８８）が、レジストパターンにあるバンプ構造（９４）に対応する。
【００３１】
また、本発明の反射型光拡散器は反射型液晶表示装置に適用できる。図２０と図２１を参照して説明する。図２０は、反射型液晶表示装置（１２８）の構造の断面図であり、図２１は、反射型液晶表示装置（１２８）に適用される反射型光拡散器（７６）の平面図である。図２０と図２１に開示するように、反射型液晶表示装置（１２８）をガラス基板（１００）上に形成し、ガラス基板（１００）には画素マトリックス・アレイ（１０２）が形成される。画素マトリックス・アレイ（１０２）は隣接する複数の画素領域（１０４）を具え、各画素領域（１０４）には二つの、平行し、対向する側端縁を具える。反射型液晶表示装置（１２８）製造方法は、まず、ガラス基板（１００）上のそれぞれの画素領域（１０４）コーナーに薄膜トランジスター構造（１０６）を形成し、薄膜トランジスター構造（１０６）は、ゲート導電層と、絶縁層と、半導体層と、ソース及びドレインとを具える。次いで、ガラス基板（１００）に第１実施例の反射型光拡散器（７６）もしくは第２実施例の反射型光拡散器（９０）を形成する。本実施例においては、第１実施例の反射型光拡散器（７６）を例とする。図２０の反射型光拡散器（７６）の反射金属層（７４）を薄膜トランジスター構造（１０６）のドレイン（１０８）と接続するために、反射金属層（７４）を堆積する前に、開口（１１０）を形成してから、反射金属層（７４）を堆積して、コンタクトホールを形成する。その後、ガラス基板（１００）に配向膜（orientation film）（１１２）を形成する。
【００３２】
また、他のガラス基板（１１４）にフィルターアレイ（１１６）を形成し、フィルターアレイ（１１６）は対応する反射金属層（７４）にＲ/Ｇ/Ｂフィルターアレイ（１１８）を形成する。さらに対応する薄膜トランジスター（１０６）にブラックフィルターアレイ（１２０）を形成する。次いで透明電極（例えば、導電ガラス、ＩＴＯ）（１２２）と、配向膜（１２４）とを順に形成する。
【００３３】
ガラス基板（１００）とガラス基板（１１４）とを、Ｒ/Ｇ/Ｂフィルターアレイ（１１８）と反射金属層（７４）が対応して、互いに対向するように設置し、ブラックフィルターアレイ（１２０）は薄膜トランジスター（１０６）に対応するようにし、さらに両ガラス基板（１００）（１１４）との間に液晶（１２６）を注入して、反射型液晶表示装置（１２８）の製造を完成させる。
【００３４】
入射光（図示せず）が反射型液晶表示装置（１２８）に入射する場合、入射光はガラス基板（１１４）、Ｒ/Ｇ/Ｂフィルターアレイ（１１８）、透明電極（１２２）、配向層（１２４）、液晶（１２６）、及び配向層（１１２）を介して、反射型光拡散器（７６）の反射金属層（７４）表面に至り、反射型光拡散器（７６）の表面の複数の波状スリット構造（７０）と複数のバンプ構造（７２）によって、入射光が特定の方向に集中して反射するのではなく、様様な方向に反射する。
【００３５】
要約すれば、この発明による反射型光拡散器の製造方法は、ガラス基板に、複数の波形状スリット構造と複数のバンプ構造を有するレジストパターンを形成し、波形状スリット構造とバンプ構造との側端縁と表面の異なる曲率によって入射光が各方向に反射される。また、波形状スリット構造とバンプ構造の曲率が、露光時間により制御され、かつ露光時間とレジストパターンの厚さとに係わるため、工程の必要にしたがってレジストパターンの表面の曲率を変更させ、必要とする拡散方向に調整することができる。また、この発明は、一回の露光工程で必要とする反射型光拡散器が形成できるため、コストダウンと工程の簡略化が実現できる。
【００３６】
以上は、この発明の好ましい実施例であって、この発明の実施の範囲を限定するものではない。よって、当業者のなし得る修正、もしくは変更であって、この発明の精神の下においてなされ、この発明に対して均等の効果を有するものは、いずれもこの発明の特許請求の範囲の範囲に属するものとする。
【００３７】
【発明の効果】
この発明は、従来の技術と比較すると、一回の露光と現像工程で、波形状スリット構造とバンプ構造を有する反射型光拡散器が形成できるため、コストダウンと工程簡単化とが実現できるのみならず、波形状のスリット構造とバンプ構造との組み合わせで、従来の反射型光拡散器の指向性と拡散性が過度に強くなる問題を大幅に改善する。さらに好ましい解像度が得られ、反射光の強度が下がらないので、カラー消散（color dissipation）の問題に不安がない。
【図面の簡単な説明】
【図１】  従来の反射型光拡散器を製造する方法の説明図である。
【図２】  従来の反射型光拡散器を製造する方法の説明図である。
【図３】  従来の反射型光拡散器を製造する方法の説明図である。
【図４】  従来の反射型光拡散器を製造する方法の説明図である。
【図５】  従来の他の形態の反射型光拡散器を製造する方法の説明図である。
【図６】  従来の他の形態の反射型光拡散器を製造する方法の説明図である。
【図７】  従来の他の形態の反射型光拡散器を製造する方法の説明図である。
【図８】  従来の他の形態の反射型光拡散器を製造する方法の説明図である。
【図９】  従来の他の形態の反射型光拡散器を製造する方法の説明図である。
【図１０】  従来の他の形態の反射型光拡散器を製造する方法の説明図である。
【図１１】  従来の更なる他の形態の反射型光拡散器の構造の説明図である。
【図１２】  この発明による第１の実施例の反射型光拡散器の製造方法と構造の説明図である。
【図１３】  この発明による第１の実施例の反射型光拡散器の製造で使用するフォトマスクの平面図である。
【図１４】  この発明による第１の実施例の反射型光拡散器の製造で使用するフォトマスクの平面図である。
【図１５】  図１６のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。
【図１６】  この発明の第１の実施例の反射型光拡散器の構造を表す説明図である。
【図１７】  この本発明の第２実施例の反射型光拡散器の製造で使用するフォトマスクの平面図である。
【図１８】  この発明の第の２実施例の反射型光拡散器の構造を表わす説明図である。
【図１９】  図１８のＣ−Ｃ’線に沿った断面図である。
【図２０】  この発明の反射型光拡散器によって形成される反射型液晶表示装置の断面図である。
【図２１】  図２０の発明の反射型液晶表示装置に適用される反射型光拡散器の平面図である。
【符号の説明】
１０：ガラス基板
１２：樹脂材料層
１４：フォトマスク
１６：遮光領域
１８：光透過領域
２０：光源
２２：レジストパターン
２４：バンプ構造
２６：金属層
２８：反射型光拡散器
３０：入射光
３２：拡散光線
４０：ガラス基板
４２：樹脂材料層
４４：フォトマスク
４６：レジストパターン
４８：レジストパターン
５０：金属層
５２：反射型光拡散器
５４：入射光
５６：拡散光線
６０：ガラス基板
６２’：レジストパターン
６４’：傾斜構造
６６’：バンプ構造
６８’：反射型光拡散器
６２：レジスト層
６４：フォトマスク
６６：遮光領域
６８：光透過領域
７０：スリット構造
７２：バンプ構造
７４：反射金属層
７６：反射型光拡散器
７７：遮光領域
７８：フォトマスク
７９：光透過領域
８０：フォトマスク
８２：遮光領域
８４：光透過領域
８６：第１遮光領域
８８：第２遮光領域
９０：反射型光拡散器
９２：スリット構造
９４：バンプ構造
１００：ガラス基板
１０２：画素マトリックスアレイ
１０４：画素領域
１０６：薄膜トランジスター
１０８：ドレイン
１１０：開口
１１２：配向膜
１１４：ガラス基板
１１６：フィルタアレイ
１１８：Ｒ／Ｇ／Ｂフィルタアレイ
１２０：ブラックフィルターアレイ
１２２：透明電極
１２４：配向膜
１２６：液晶
１２８：反射型液晶表示装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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