(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射投影ビーム（ＰＢ）を供給するための照明装置（ＩＬ）と、
マスク（ＭＡ）を保持するための第一の物品テーブル（ＭＴ）と、
背面で基板（Ｗ）を支持して保持するための支持面（ＷＨ）を有する第二の物品テーブル（ＷＴ）と、
前記基板（Ｗ）の目標部分（Ｃ）に前記マスク（ＭＡ）の放射された部分を画像形成するための投影装置（ＰＬ）と、
前記支持面および前記基板の背面の一方または両方における汚染の存在を検出するように構成して配置され、さらに、前記第二の物品テーブル（ＷＴ）の前記支持面（ＷＨ）の汚染位置を検出するようになされている汚染検出手段（Ｓ，Ｌ１，Ｌ２，ＤＥ）と、
清掃面を有する清掃ブロック（１１）を備え、かつ前記支持面（ＷＨ）に対して前記汚染位置に移動して該汚染位置を清掃するようになされた清掃具（１０）と、
前記清掃ブロック（１１）の前記清掃面を前記支持面（ＷＨ）に対して位置づけ、前記支持面（ＷＨ）に対して平行に動かす駆動手段と、を有し
前記清掃ブロック（１１）が導電性のセラミック材料を含み、アース電位に接続されていることを特徴とするリトグラフ投影装置。
【請求項２】
前記セラミック材料が、アルミナと酸化チタンを含む群から選択される請求項１に記載されたリトグラフ投影装置。
【請求項３】
前記清掃ブロック（１１）の前記清掃面が、０．１μｍ以下の表面粗さを有する請求項１または請求項２に記載されたリトグラフ投影装置。
【請求項４】
前記汚染検出手段（Ｓ，Ｌ１，Ｌ２，ＤＥ）が、
前記支持面（ＷＨ）に置かれた基板の表面形状を検出するように構成、配置された平面感知手段と、
少なくとも二つの基板の表面形状を記憶するためのデータ記憶装置と、
前記データ記憶装置に記憶している少なくとも二つの基板の表面形状を比較して、前記支持面（ＷＨ）上の汚染の存在を示す類似位置の前記基板の表面形状の反復変形を認識するようになっている処理手段とを有する請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載されたリトグラフ投影装置。
【請求項５】
前記基板（Ｗ）をその背面で保持して支持するための支持面（ＷＨ）を有する基板テーブル（ＷＴ）に、放射感知材料の層によって少なくとも部分的に覆われた基板を供給する段階と、
パターンを含むマスク（ＭＡ）を供給する段階と、
投影装置（ＰＬ）により、前記放射感知材料層の目標部分（Ｃ）に前記マスク・パターンの少なくとも一部の画像を投影するために、放射投影ビーム（ＰＢ）を用いる段階と、
前記基板テーブル（ＷＴ）の前記支持面（ＷＨ）の汚染位置を検出する段階と、
清掃ブロック（１１）を含む清掃具（１０）を前記汚染位置に移動する段階と、
前記清掃ブロック（１１）の清掃面を前記支持面（ＷＴ）に平行に移動させることによって前記汚染位置を清掃する段階と、を含み、
前記清掃ブロック（１１）が導電性のセラミック材料を含み、アース電位に接続されていることを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、汚染検出手段に関し、特に、
放射投影ビームを供給するための照明装置と、
マスクを保持するための第一の物品テーブルと、
背面で基板を支持して、保持するための支持面を有する第二の物品テーブルと、
基板の目標部分にマスクの放射された部分を画像形成するための投影装置とを有するリトグラフ投影装置における汚染検出手段に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
この形式の装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造の際に使用することができる。そのような場合、マスク（レチクル）は、集積回路の個々の層に対応する回路パターン（模様）を含むことができ、このパターンを、頂面における放射感知材料（レジスト）の層で被覆された基板（シリコン・ウェーハ）上の一またはそれ以上のダイを含む目標部分に画像形成することができる。通常、一つのウェーハは、一度に一つずつ連続的に放射される、隣接する目標部分の全ネットワークを含む。あるタイプのリトグラフ投影装置の場合には、各目標部分は、一回で目標部分に全レチクル・パターンを露出することにより放射される。このような装置は、通常、ウェーハ・ステッパと呼ばれる。通常、ステップ・アンド・スキャン装置と呼ばれる別の装置の場合には、各目標部分は、所与の基準方向（走査方向）に平行に、または平行ではない方向にウェーハ・テーブルを同期状態で走査しながら、前記所与の基準方向に、放射ビームの下でレチクル・パターンを逐次放射することにより放射される。通常、投影装置は、倍率Ｍ（通常、＜１）を有するので、ウェーハ・テーブルが走査される速度νは、レチクル・テーブルが走査される速度に倍率Ｍを掛けたものである。本明細書に記載するリトグラフ装置の詳細については、国際特許出願ＷＯ９７／３３２０５を参照されたい。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
通常、この形式の装置は、単一の第一の物品（マスク）テーブル、および単一の第二の物品（基板）テーブルを有する。しかし、少なくとも二つの独立して運動することのできる基板テーブルのある機械が入手できるようになりつつある。例えば、国際特許出願ＷＯ９８／２８６６５、およびＷＯ９８／４０７９１に記載されている多段装置を参照されたい。このような多段装置の基本的な動作原理は、第一の基板テーブルが、該第一の前記テーブル上に位置する第一の基板を露出することのできるように投影装置の下に位置していて、第二の基板テーブルが、装填位置に移動することができ、露出した基板を放出し、新しい基板を取り上げ、新しい基板上にいくつかの最初の計測ステップ（段階）を実行し、その後、第一の基板の露出が完了するや否や、この新しい基板を投影装置の下の露出位置に送るために待機するというものである。このサイクルは反復して行われる。このようにして、機械の処理能力をかなり向上させることができ、それにより、機械の維持費を改善することができる。
【０００４】
リトグラフ装置は、例えば、紫外線（ＵＶ）、極紫外線、Ｘ線、イオン・ビームまたは電子ビームのような各種タイプの投影放射を用いることができる。使用する放射タイプにより、また、装置の特定の設計要件により、投影装置は、例えば、屈折性のものであっても、反射性のものであっても、または反射屈折性のものであってもよく、また、すれすれの入射ミラー、選択的多層被覆、磁界および／または静電界レンズ等のような各種構成部材を具備できる。説明を簡単にするために、本明細書では、前記構成部材の一つまたは全体を単に「レンズ」と呼ぶことにする。装置は、真空中で動作する構成部材、すなわち、真空互換性の構成部材を有することができる。
【０００５】
基板を基板テーブルの支持面上に装填して、支持面と基板の背面との間の空間に真空にすると、支持面に対して基板が吸引され得る。この方法の場合には、基板の形状は支持面により決まる。支持面に対してほぼ直角なマトリックス（行列）配置の突起を支持面に設けることができ、それにより、基板の背面は突起の頂部が形成する接触面上に位置する。かくして、基板の形状は、同じ平面上に位置する全ての接触面により定まる。支持面と基板の背面との間に汚染粒子が存在する場合には、基板の形は、支持面の形だけではなく、汚染粒子によっても影響を受ける。汚染は、基板に許容できない変形を与える恐れがあり、この変形により、基板の頂面にマスクのパターンを画像形成する場合に、焦点エラーおよびオーバーレイ・エラー（重ね合わせエラー）を引き起こす恐れがある。これらのエラーが発生すると、製造した基板は不合格となり、そのため、リトグラフ装置の処理能力が低下し、そのため、維持費が増大することになる。
【０００６】
本発明の目的は、支持面と基板の背面との間に存在する汚染粒子による焦点エラーおよびオーバーレイ・エラーを防ぐことである。これらの目的および他の目的は、支持面および基板の背面の一方または両方における汚染の存在を検出するように構成、配置された汚染検出手段を有することを特徴とする、冒頭で説明した装置により達成することができる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
支持面の汚染を検出することによって、汚染による焦点エラーおよびオーバーレイ・エラーの発生が予想される支持面の清掃を始めることができる。基板背面の汚染の存在を検出することにより、汚染が支持面にまで及ばないように、汚染した基板を使用しないようにすることができる。両方法で、製造基板の不合格が少なくなり、装置の維持費が改善される。
【０００８】
本発明の第一例では、前記汚染検出手段が、
前記支持面に置かれた基板の表面形状を検出するように構成、配置された平面感知手段と、
少なくとも二つの基板の表面形状を記憶するためのデータ記憶装置と、
前記データ記憶装置に記憶している少なくとも二つの基板の表面形状を比較して、前記支持面上の汚染の存在を示す類似位置の前記基板の表面形状の反復変形を認識するようになっている処理手段とを有する。
【０００９】
このようにして、支持面の汚染を検出するために、装置に設けた平面感知手段を使用することができる。このような平面感知手段は、前記支持面上に置かれた基板の表面形状を検出することができ、露出中、基板が投影装置の焦点面内に位置するように基板の高さと傾斜を調整するために、前記表面形状を用いることができる。一つ以上の基板の表面形状が、類似位置で変形を起こしている場合には、該変形は、その位置における支持面の汚染を示している。何故なら、汚染は、支持面上に置かれる全ての基板を変形させるからである。
【００１０】
本発明の別の例では、汚染検出手段は、前記支持面上の汚染位置を検出することができる。リトグラフ装置は、前記支持面に対して、前記汚染位置に移動することができ、汚染位置を清掃することができる清掃具を備える。このようにして、前記支持面上の特定の位置で検出した汚染は、清掃具によって、その場で清掃することができ、処理量の低下を防ぐことができる。何故なら、装置を分解、点検、掃除して元通りに組み立てるには、長い時間がかかり、その間装置を使用できないところ、このような事態が防止されるからである。特定の汚染位置のその場での清掃には、支持面全体を清掃する必要がないという別の利点がある。支持面全体を清掃すると、清掃具および支持面が摩耗する。
【００１１】
さらに別の例では、清掃具は、清掃面を持つ清掃ブロックを備え、支持面の上に置かれた場合、その清掃面を支持面に押しつけた状態で、支持面に平行に、同一平面内を移動できるように構成、配置されている。このような清掃具は、支持面を研磨清掃することにより汚染を極めて効果的に除去する。清掃具および第二の物品テーブルは、支持面が移動し、清掃ブロックが汚染位置に対して固定状態に保持されるように、または第二の物品テーブルが、固定状態に保持されていて、清掃ブロックが移動するように構成し配置することができる。また、第二の物品テーブルと清掃ブロックの両方を移動するのも有利な方法である。清掃ブロックは、例えば、アルミナおよび酸化チタンのようなセラミック材料を含むこともできる。清掃ブロックは、静電荷が清掃ブロックおよび支持面上に蓄積しないように、少なくとも部分的に導電性にすることができる。そうすることにより、支持面と清掃ブロックとの間の静電荷による引力は起こらない。清掃面の粗さは、０．１μｍ以下であることが望ましい。表面粗さは、清掃面の実際の表面形状と、清掃面の表面形状の平均との間の絶対的な距離の平均値により表わされる。このような粗さは、汚染を清掃するには十分であるが、支持面は損傷しない。
【００１２】
本発明のさらに別の例では、清掃ブロックは、スポンジを備える。このスポンジは、例えば、アセトンのような溶媒を含むように構成し、配置すると有利である。スポンジは、例えば、ポリビニール・アルコールで作ることができる。支持面上に存在する汚染物質は、溶媒で溶かし、スポンジで吸収することができる。
【００１３】
本発明の他の例では、清掃具は、放射源と、支持面上に存在する汚染物質を分解するために、前記支持面に前記放射を向ける手段を備える。この目的のために、レーザまたはランプ放出紫外線放射を使用することができる。この例は、前記支持面上にパージ・ガス（払拭ガス）を供給するためのパージ・ガス手段を備える。例えば、不活性ガスのようなパージ・ガスは、支持面の再汚染を防止し、装置から汚染物質を除去する。
【００１４】
さらに他の例では、汚染検出手段は、汚染をチェックするために基板の背面を検査して、汚染基板の支持面上への装填を防ぐように構成、配置された基板検査具を備える。それ故、汚染基板が、リトグラフ装置の（画像形成部分）に送られるのが防止される。付随する汚染が、支持面と接触して残ることが防止される。その後、前記基板は、工程から取り除かれ、廃棄されるか、別の場所で清掃される。
【００１５】
検査具は、電磁放射ビームを発生する放射源と、基板の背面を放射ビームで走査するように構成、配置された手段と、前記背面に存在する汚染による、鏡面散乱でない放射を検出するように構成、配置された検出装置を備えることができる。このような検査具は、基板の背面に存在する全ての汚染粒子を極めて効果的にまた極めて高速で検出する。
【００１６】
また、本発明は、以下の段階、すなわち、
基板をその背面で保持し、支持するための支持面を有する基板テーブルに、放射感知材料の層によって少なくとも部分的に覆われた基板を供給する段階と、
パターンを含むマスクを供給する段階と、
投影装置により、放射感知材料層の目標部分に、マスク・パターンの少なくとも一部の画像を投影するために、放射投影ビームを用いる段階とを含み、さらに、支持面および基板の背面の一方または両方の汚染の存在を検出する段階を含むデバイス製造方法に関するものである。
【００１７】
リトグラフ投影装置を使用する製造プロセスの場合には、マスクのパターンが、少なくとも部分的に放射感知材料（レジスト）の層により覆われた基板上に画像形成される。この画像形成段階を実行する前に、基板に対して、プライミング（下塗り）、レジスト被覆およびソフト・ベーク（軽度の焼成）のような各種処理を実行することができる。露出を行った後、基板に、露出後ベーク（ＰＥＢ）（焼きつけ）、現像、ハードベーク（強い焼きつけ）および画像形成したパターンの測定／検査のような他の処理を施すことができる。この一連の処理は、例えば、集積回路のようなデバイスの個々の層をパターン形成するための基礎として用いられる。その後、このようにパターン形成された層に対して、エッチング、イオン注入（ドーピング）、メタライゼーション（金属化）、酸化、化学・機械的研磨等の各種処理を施すことができる。これら全ての処理は、個々の層を仕上げるためのものである。数層を必要とする場合には、全ての処理またはその修正処理を新しい各層のために反復して施さなければならない。最後に、一連のデバイスが、基板（ウェーハ）上に形成される。その後、これらのデバイスは、ダイシング（さいの目状に切ること）またはソーイング（鋸切断）のような技術により互いに分離される。この場合、個々のデバイスは、ピン等に接続しているキャリヤ上に装着することができる。前記処理に関する詳細な情報が、例えば、１９９７年にマグローヒル社が発行した、ピータ・ファン・ザント著「マイクロチップの製造：半導体処理の実際的ガイド」（ＩＳＢＮ０−０７−０６７２５０−４）に記載されている。
【００１８】
以上、集積回路を製造する際の本発明装置の使用について特に述べたが、本発明装置は、多くの他の用途に使用することができることを明記されたい。例えば、本発明装置は、集積光学系、磁気領域メモリ用の案内および検出パターン、液晶ディスプレイ・パネル、薄膜磁気ヘッド等の製造に使用することができる。当業者であれば、別の用途の場合、本明細書中の「レチクル」、「ウェーハ」または「ダイ」という用語は、それぞれ、もっと一般的な用語である「マスク」、「基板」および「目標部分」（ターゲット）で置き換え得ることを理解できるだろう。
【００１９】
【発明の実施の形態】
具体例を示す目的で添付の模式図を見ながら、本発明とその利点についてさらに説明する。
【００２０】
具体例１
図１は、本発明の実行に適したリトグラフ投影装置の模式図である。このリトグラフ装置は、
放射投影ビームＰＢ（例：ＵＶまたはＥＵＶ放射、Ｘ線、イオンまたは電子）を供給するための、放射装置ＬＡ、Ｅｘ、ＩＮ、ＣＯと、
マスクＭＡ（例えば、レチクル）を保持するためのホルダーを備える第一の物品テーブル（マスク・テーブル）ＭＴと、
その背面で、基板Ｗ（例えば、レジストで被覆されたシリコン・ウェーハ）を保持するための、支持面を備える第二の物品テーブル（基板テーブル）と、
マスクＭＡの放射された部分を基板Ｗの目標部分Ｃ上に画像形成するための投影装置ＰＬ（例：レンズまたは反射屈折系またはミラー群）とを有する。
この場合、図示装置は、屈折構成部材を含む。しかし、別の方法としては、一つまたはそれ以上の反射構成部材を備えることもできる。
【００２１】
放射装置は、ソースＬＡ（例：水銀ランプまたはエクシマ・レーザ、熱イオン・ガンまたはイオン源、または記憶リング内の電子ビーム経路の周囲に配置されるウイグラ／アンジュレータ（wiggler：揺り動かし装置、undulator：波のように動かす装置）、またはシンクロトロン）を有する。このビームは、例えば、ビーム形成光学系Ｅｘ、インテグレータ（積分器）ＩＮおよびコンデンサＣＯのような各種光学的構成部材に沿って通過する。その結果、得られたビームＰＢは、その横断面全体にわたって所望の形と強度分布を有する。
【００２２】
その後、ビームＰＢは、マスク・テーブルＭＴのマスク・ホルダーに保持されているマスクＭＡと交差する。マスクＭＡを通過した後、ビームＰＢは投影装置ＰＬを通過するが、この投影装置は、ビームＰＢの焦点を基板Ｗの目標部分Ｃ上に結ぶ。干渉変位・測定手段ＩＦの助けにより、例えば、異なる目標部分ＣをビームＰＢの経路内に位置づけるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。
【００２３】
図示装置は、以下の異なる二つのモードで使用することができる。
ステップ・モードの場合、マスク・テーブルＭＴが、ほぼ固定状態に維持され、全マスク画像が、一度に（すなわち、一回の「フラッシュ」で）、目標部分Ｃ上に投影される。その後、基板テーブルＷＴが、Ｘおよび／またはＹ方向に移動し、その結果、異なる目標部分Ｃを（固定状態の）ビームＰＢで照射できる。
【００２４】
走査モードの場合、所定の目標部分Ｃが、一回の「フラッシュ」で露出されないという点を除けば、ほぼ同じシナリオ（筋書き）が適用される。その代わりに、マスク・テーブルＭＴが、所定方向（いわゆる「走査方向」：例えば、ｘ方向）に速度νで移動でき、その結果、投影ビームＰＢがマスク画像上を走査する。同時に、基板テーブルＷＴが、同時に同じ方向または反対方向に、速度Ｖ＝Ｍνで移動する。この場合、Ｍは投影装置ＰＬの倍率である（通常、Ｍ＝１／４または１／５）。このようにして、比較的大きな目標部分Ｃを、解像度を低下させないで露出することができる。
【００２５】
図２は、図１の基板テーブルＷＴ、および本発明の具体例１における汚染検出手段の側面図である。前記汚染検出手段は、放射源Ｓと、レンズ系Ｌ１、Ｌ２と、検出装置ＤＥを含む平面検出手段を備える。平面検出手段は、その背面ＢＳが、基板テーブルＷＴの支持面ＷＨに保持されている基板Ｗの頂面ＷＳの表面形状を検出するために使用される。平面検出手段を使用した場合、放射源Ｓは、レンズＬ１により、基板Ｗの頂面ＷＳで反射した点ＳＰの方向に向けられ、その後、レンズＬ２により検出装置ＤＥの方向に向けられる放射ビームを発生する。検出装置は、基板Ｗの頂面ＷＳの表面形状の変形を示す、ビーム方向の変化を測定するように構成、配置されている。このような変形は、基板の特定場所が他の部分より厚い場合、または基板Ｗの背面ＢＳと支持面ＷＨとの間に、汚染物質が存在する場合に発生する場合がある。少なくとも二つの基板の表面形状をデータ記憶手段に記憶することにより、またこれらの表面形状を比較することにより、類似位置における表面形状の反復変形を検出することができる。これは、前記類似位置における支持面ＷＨの汚染を示す。平面検出手段としては、米国特許第５，１９１，２００号が開示している焦点検出装置を使用することができる。
【００２６】
図３ａは、図１の基板テーブルＷＴ、および本発明の具体例１の実施形態の基板テーブル清掃具１０の断面図である。基板テーブルＷＴは、支持面に対してほぼ直角である突起１３のマトリックス配置（行列状配置）を含む支持面ＷＨを有する。真空は、各突起１３と、支持面ＷＨ上の基板Ｗを保持するための基板Ｗの背面との間の領域内で発生する。突起１３と基板Ｗの背面との間に存在する汚染粒子は、基板Ｗを変形させ、そのため、パターンの画像形成が行われる頂面が変形する。突起１３は、基板Ｗの背面と比較的小さな面積で接触し、その結果、支持面ＷＨと基板Ｗとの間に汚染が存在する確率が低下する。接触面が比較的小さいことのもう一つの利点は、接触面に対する背面からの圧力が、大きな接触面を使用した場合と比較すると、比較的大きいことである。圧力が高いので、支持面上に存在する全ての汚染を押しつぶすことができる。
【００２７】
支持面ＷＨは、支持面ＷＨ上に存在する汚染が検出された場合に、基板テーブルＷＴ上からある基板を取り外し、他の基板Ｗを装着する間に清掃することができる。支持面ＷＨの清掃中、ウェーハ・ホルダーの清掃具１０の清掃ブロック１１は、図３ｂに示すように、清掃ブロック駆動ユニット１２により、支持面ＷＨの突起１３上に下降する。そのため、清掃ブロック１０またはウェーハ・テーブルＷＴ（または、両方）は、並進し、その結果、清掃ブロック１１が支持面ＷＨ上を動く。一つまたはそれ以上の突起１３上に存在する汚染は、研磨清掃により除去される。清掃動作は自動化することができ、リトグラフ装置を分解しなくても実行することができる。それにより、時間がかなり節減でき、装置の処理能力がかなり増大する。
【００２８】
図の清掃ブロック１１は、例えば、添加物として金属を含む、アルミナまたは酸化チタンのような、導電性のセラミック材料であってよい。清掃ブロック１１は、清掃動作中に静電荷が蓄積するのを防止するために、電気的にアース電位に接続している。このような静電荷の蓄積すると、支持面ＷＨと清掃ブロック１１との間に、静電気による引力を発生する恐れがある。
【００２９】
さらに、清掃ブロック１１の清掃面は、清掃ブロックの接触力を、清掃ブロック１１と接触している種々の突起１３上に均等に分配し、一つの突起に過度な力が加わるのを防止するために、０．１μｍ以下の表面粗さを有する。前記過度の力は、突起１３を損傷し、それにより、突起の頂部の平らな接触面が損なわれる恐れがある。
【００３０】
図３ａ、図３ｂは、支持面ＷＨの突起に隣接する基板テーブルＷＴの頂面上に位置するマーカー・プレートＭＰである。マーカー・プレートＭＰに付されたマーカー（目印）は、リトグラフ装置での基板Ｗと基板テーブルＷＴの整合手順のために使用される。マーカー・プレートＭＰの頂面は、基板テーブルＷＴ上に位置する基板Ｗの頂面とほぼ同じ平面上にある。図２ｂに示すように、基板Ｗが存在しない、支持面の突起の清掃動作中、清掃ブロック１１は、マーカー・プレートＭＰ、または基板テーブルＷＴの頂面上に位置することができる任意の他の別のツール内に移動することができる。マーカー・プレートＭＰが損傷しないようにするために、清掃具１０は、マーカー・プレートＭＰ、または任意のツール上に加わる力が、予め定めた値を超えた場合には、突起から後退するように構成されている。
【００３１】
具体例２
図３ｃは、図１の装置で使用するための、本発明の具体例２の清掃具１０である。この具体例２は、下記の清掃具のある種の改良形と一緒に、本発明の汚染検出手段を使用する。清掃具１０では、回転ユニット１５が、清掃ブロック１１を回転することができ、その結果、清掃ブロック１１の回転運動により、支持面ＷＨが研磨清掃される。清掃ブロック駆動ユニット１２は、清掃ブロック１１を支持面ＷＨ上の特定位置に位置づけるために使用される。研磨清掃は、清掃ブロック１１の回転運動により改善される。
【００３２】
具体例３
図３ｄは、図１の装置で使用するための、本発明の具体例３の清掃具である。具体例３は、前記の本発明の汚染検出手段を使用する。前記清掃具は、ミラー５２に放射ビームを放射する電磁放射源５１を備え、前記ミラーは、放射ビームを支持面ＷＨの方向に向ける。ミラー５２を除去すると、ビームは全支持面ＷＨ上を移動することができ、汚染粒子の方向に向けることができる。ビームが汚染粒子に衝突すると、汚染粒子は蒸発または焼却される。清掃具は、再汚染を防止し、汚染物質部分を除去するために、前記主要な面上にパージ・ガスを供給する目的で、パージ・ガス手段５３、５４を備えることができる。
【００３３】
具体例４
図４ａ、図４ｂ、図４ｃは、本発明の具体例４の汚染検出手段を示す。前記汚染検出手段は、基板Ｗの背面上に存在する汚染を検査するために使用することのできる検査具を備えることができる。汚染ＣＰが検出された場合には、基板Ｗは不合格とされ、装置内に装填されない。それ故、汚染ＣＰが、リトグラフ装置内に導入されるのが防止され、基板Ｗを基板テーブルＷＴから取り出した場合に、汚染が、支持面ＷＨと基板Ｗとの間に入り込んで、支持面ＷＨ上に残ることが防止される。
【００３４】
検査具は、図に示すツールにレーザ２０のような光源を備える。レーザからのレーザ・ビーム２１は、基板Ｗの背面に向けられ、前記背面から鏡面反射される。しかし、背面上のすべての汚染粒子ＣＰは、レーザ・ビーム２１の一部をすべての方向に散乱させ、この散乱した光は、鏡面からずれている位置に設置されている検出装置３０により検出される。動作中、基板Ｗは、検査具内に装填され、レーザ・ビーム２１が基板の背面を走査し、レーザ・ビーム２１により汚染粒子ＣＰが検出された場合には、検出装置３０および関連するエレクトロニクスが信号パルスを発生する。その後、基板Ｗは、リトグラフ装置内に受け入れられないし、基板テーブルＷＴ上に装填されない。不合格になった基板は、特殊なキャリヤ上に置くことができる。
【００３５】
図４ａ、図４ｂおよび図４ｃは、基板背面検査具の三つの異なる例である。図４ａの検査具の場合には、基板Ｗを支持し、回転させるために基板Ｗは、検査具の回転ユニット４１に設置される。動作中、回転ユニット４１により基板が回転すると、レーザ・ビーム２１は、レーザ走査ユニット２２により、基板Ｗの背面を前後に、また半径方向ｘに走査する。
【００３６】
図４ｂの検査具の場合には、基板Ｗは、検査具の支持ユニット４２の三つの支持体により保持される。レーザ・ビーム２１は、レーザ走査ユニット２２により、基板Ｗの背面上を第一の方向ｘに前後に走査する。一方、基板はその支持ユニット４２により、第一方向ｘに対して垂直な第二の方向ｙに並進する。
【００３７】
図４ｃの検査具は、基板Ｗを支持するための、三つの支持体を持つ支持ユニット４２、および第一方向ｘに、また第一の方向に垂直な第二の方向ｙに、背面上を前後にレーザ・ビーム２１を走査するためのレーザ走査ユニット２２を備える。検出装置３０は、検出装置３０を、レーザ２０のｙ方向の運動に同期してｙ方向に移動させるために、レーザ走査ユニット２２に機械的および電気的に接続している第三の検査具に内蔵されている。
【００３８】
種々の検査具でのレーザの走査は、レーザの並進、レーザの適当な回転運動および／または移動可能なおよび／または回転可能なミラーにより、レーザ・ビームを偏向させることにより行うことができる。
【００３９】
検査具は、リトグラフ装置の画像形成部分に隣接する基板処理ユニットに内蔵させることができる。前記基板処理ユニットは、基板を装置へ、または数枚の基板を含んでいるキャリヤから供給する特殊なトラックから基板を取り出し、基板が汚染していないかどうかを検査し、不合格になった基板を特殊なキャリヤ上に置き、汚染していない基板を供給し、それらを保管するために他のトラックまたは他のキャリヤに送るために、露出した基板を装置の画像形成部から取り出す。
【００４０】
以上、本発明の特別な具体例について説明したが、本発明は前記以外の用途にも使用することができることを理解することができるだろう。例えば、本発明は、マスクおよび／またはマスク・ホルダー上の汚染を検出するのにも使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実行に適するリトグラフ投影装置の模式図である。
【図２】本発明の具体例１の汚染検出手段の模式図である。
【図３ａ】本発明の具体例１の清掃具を示す模式図である。
【図３ｂ】本発明の具体例１の清掃具を示す模式図である。
【図３ｃ】本発明の具体例２の基板清掃具の模式図である。
【図３ｄ】本発明の具体例３の基板清掃具の模式図である。
【図４ａ】本発明の具体例４の汚染検出手段を示す模式図である。
【図４ｂ】本発明の具体例４の汚染検出手段を示す模式図である。
【図４ｃ】本発明の具体例４の汚染検出手段を示す模式図である。
【符号の説明】
１０  清掃具
１１  清掃ブロック
１２  清掃ブロック駆動ユニット
１３  突起
１５  回転ユニット
２１  レーザ・ビーム
２２  レーザ走査ユニット
３０  検出装置
４１  回転ユニット
４２  支持ユニット
５１  電磁放射源
５２  ミラー
５３，５４  パージ・ガス手段
【図１】
0004058230.tif 000002
【図２】
0004058230.tif 000003
【図３ａ】
0004058230.tif 000004
【図３ｂ】
0004058230.tif 000005
【図３ｃ】
0004058230.tif 000006
【図３ｄ】
0004058230.tif 000007
【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図４ｃ】
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