(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ中のイオンによってターゲットをスパッタして基板上に薄膜を形成するスパッタ装置において、真空に排気されるものであって接地電位の成膜室容器と、この成膜室容器に絶縁物を介在させて隣接かつ連通していてガスが導入されるプラズマ室容器と、このプラズマ室容器内に当該プラズマ室容器から電気的に絶縁して設けられた高周波電極と、前記プラズマ室容器内に設けられたターゲットと、前記プラズマ室容器と成膜室容器との間を仕切るように設けられていてプラズマ室容器と同電位の多孔電極と、この多孔電極に対向するように前記成膜室容器内に設けられていて基板を保持するものであって接地電位の基板ホルダと、前記高周波電極とプラズマ室容器およびそれと同電位の多孔電極との間に高周波電力を供給して、プラズマ室容器内において高周波放電を生じさせて前記ガスを電離させてプラズマを生成する高周波電源と、前記プラズマ室容器およびそれと同電位の多孔電極に正極性の直流電圧を印加する直流電源とを備えることを特徴とするスパッタ装置。
【請求項２】
前記直流電源の代わりに、前記プラズマ室容器およびそれと同電位の多孔電極に正極性のパルス電圧を印加するパルス電源を備える請求項１記載のスパッタ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、プラズマ中のイオンによってターゲットをスパッタして基板上に薄膜を形成するスパッタ装置に関し、より具体的には、成膜中に基板に入射するイオンのエネルギーや入射量の制御を可能にして、基板上に形成する薄膜の結晶性向上を可能にする手段に関する。
【０００２】
【従来の技術】
この種のスパッタ装置の従来例を図１０に示す。図示しない真空排気装置によって真空に排気される成膜室容器２内に、基板１０を保持する基板ホルダ８と、ターゲット１４を保持した高周波電極１２とが、相対向するように配置されている。この成膜室容器２内には、ガス導入管４を経由してガス６が導入される。このガス６は、通常はＡｒガス等の不活性ガスである。成膜室容器２および基板ホルダ８は、電気的に接地されている。高周波電極１２には、高周波電源１６から整合回路１８を経由して、例えば１３．５６ＭＨｚの周波数の高周波電力が供給される。
【０００３】
上記ガス６の導入および高周波電力の供給によって、高周波電極１２と基板ホルダ８との間で高周波放電が生じてこの高周波放電によってガス６が電離されてプラズマ２０が生成される。このプラズマ２０中のイオンがターゲット１４をスパッタし、ターゲット１４から飛び出したスパッタ粒子が基板１０に入射堆積して、基板１０上に薄膜が形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記スパッタ装置においては、成膜中は基板１０の表面がプラズマ２０に曝されるため、プラズマ２０中から当該プラズマ２０の電位（プラズマポテンシャル）等によって加速されたイオンが、基板１０に、成膜中常に、従って多量に入射する。しかもこのプラズマ２０から基板１０に入射するイオンは、通常は数十ｅＶ〜１００ｅＶ程度のエネルギー幅を持っており、エネルギーの不揃いなイオンが基板１０に入射する。このような過多なイオン入射や、エネルギーの不揃いなイオン入射によって、基板１０上の薄膜の結晶成長が妨げられたり、膜にダメージ（欠陥）が発生するので、結晶性の良好な薄膜を形成することが困難である。
【０００５】
そこでこの発明は、成膜中に基板に入射するイオンのエネルギーや入射量の制御を可能にして、基板上に形成する薄膜の結晶性向上を可能にすることを主たる目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この発明に係るスパッタ装置の一つは、真空に排気されるものであって接地電位の成膜室容器と、この成膜室容器に絶縁物を介在させて隣接かつ連通していてガスが導入されるプラズマ室容器と、このプラズマ室容器内に当該プラズマ室容器から電気的に絶縁して設けられた高周波電極と、前記プラズマ室容器内に設けられたターゲットと、前記プラズマ室容器と成膜室容器との間を仕切るように設けられていてプラズマ室容器と同電位の多孔電極と、この多孔電極に対向するように前記成膜室容器内に設けられていて基板を保持するものであって接地電位の基板ホルダと、前記高周波電極とプラズマ室容器およびそれと同電位の多孔電極との間に高周波電力を供給して、プラズマ室容器内において高周波放電を生じさせて前記ガスを電離させてプラズマを生成する高周波電源と、前記プラズマ室容器およびそれと同電位の多孔電極に正極性の直流電圧を印加する直流電源とを備えることを特徴としている（請求項１）。
【０００７】
上記構成によれば、プラズマ室容器内で生成したプラズマを、プラズマ室容器と成膜室容器との間を仕切る多孔電極によってプラズマ室容器内に実質的に閉じ込めることができるので、成膜室容器内の基板が上記プラズマに曝されるのを防止することができる。これによって、従来例で問題となっていた、エネルギーの不揃いな多量のイオンが基板に入射するのを抑制することができる。
【０００８】
一方、プラズマ室容器内で生成したプラズマ中のイオンによって、プラズマ室容器内に設けたターゲットがスパッタされる。ターゲットから叩き出されたスパッタ粒子は、殆どが中性粒子であるので、叩き出されたときの勢いでもって、多孔電極の孔を通過して成膜室容器内の基板に入射堆積して薄膜を形成する。
【０００９】
また、プラズマ室容器および多孔電極に直流電源から正極性の直流電圧を印加することによって、プラズマ室容器内の電位は接地電位の基板ホルダに対して正電位になるため、プラズマ室容器内のプラズマから多孔電極を通してイオン（正イオン）が引き出されて、基板ホルダ上の基板に照射される。このときの基板に向けてのイオンの加速エネルギーは、プラズマ室容器および多孔電極に直流電源から印加した電圧によって実質的に決まる。
【００１０】
従って、基板に入射するイオンのエネルギーは、上記直流電圧の大きさによって簡単に制御することができる。しかも、基板に入射するイオンのエネルギーは、実質的に上記直流電圧の大きさで決まるので、エネルギーの揃ったイオンを基板に入射させることができる。
【００１１】
また、基板に入射するイオンの量は、プラズマ室容器内で生成するプラズマ密度を制御する以外に、上記直流電圧の大きさによっても制御することができる。これは、多孔電極を通して引き出されるイオンの量は、当該多孔電極に印加する上記直流電圧の大きさの３／２乗に比例するからである。
【００１２】
このようにして、基板に入射するイオンのエネルギーを揃えると共に、当該イオンのエネルギーおよび基板への入射量の制御が可能になり、これによって、基板上に形成される薄膜の結晶化を促進して、薄膜の結晶性を向上させることが可能になる。
【００１３】
上記直流電源の代わりに、プラズマ室容器および多孔電極に正極性のパルス電圧を印加するパルス電源を設けても良い（請求項２）。そのようにすれば、イオンが基板に間欠的に照射されるので、パルス電圧のパルス幅や周波数等を制御することによって、イオンのエネルギーを変えることなく、即ちイオンのエネルギーとは独立して、イオンの照射量を制御することが可能になる。これによって、イオンに対する制御性がより向上するので、基板上に形成する薄膜の結晶性向上がより容易になる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
図１は、この発明に係るスパッタ装置の一例を示す断面図である。図１０の従来例と同一または相当する部分には同一符号を付し、以下においては当該従来例との相違点を主に説明する。
【００１５】
このスパッタ装置は、図示しない真空排気装置によって真空（例えば１０-5〜１０-6Ｔｏｒｒ程度）に排気される成膜室容器２２を備えている。この成膜室容器２２は、この例では上面に開口部２３を有している。この成膜室容器２２は、電気的に接地されており、接地電位にある。
【００１６】
成膜室容器２２内には、その上記開口部２３に向けて、即ち後述する多孔電極３０に対向するように、基板１０を上面に保持する基板ホルダ８が設けられている。この基板ホルダ８は、導体から成り、かつ電気的に接地されていて、接地電位にある。
【００１７】
成膜室容器２２の上記開口部２３には、環状の絶縁物２８を介在させて、プラズマ室容器２４が隣接されている。このプラズマ室容器２４は、この例では円筒状をしていて、その下面に開口部２５を有しており、この開口部２５および上記開口部２３を通して成膜室容器２２に連通している。このプラズマ室容器２４内に、ガス導入管２６を通して、プラズマ２０生成用のガス６が導入される。このガス６は、例えばＡｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｈｅ等の不活性ガスである。ガス６は、プラズマ室容器２４内の圧力が例えば１０-2〜１０-3Ｔｏｒｒ程度になるように導入される。
【００１８】
プラズマ室容器２４内に、当該プラズマ室容器２４から電気的に絶縁して、高周波電極１２が設けられている。４０は絶縁物である。この高周波電極１２は、この例では板状、より具体的には円板状をしており、プラズマ室容器２４内の天井近くに配置されている。この高周波電極１２の下面部に、この例では板状、より具体的には円板状のターゲット１４が取り付けられている。
【００１９】
プラズマ室容器２４の開口部２５付近には、プラズマ室容器２４と成膜室容器２２との間を仕切るように、多数の孔（小孔）を有する多孔電極３０が設けられている。この多孔電極３０は、プラズマ室容器２４に電気的に接続されていてプラズマ室容器２４と同電位にある。この多孔電極３０は、多数の孔を有する板状の電極でも良いし、多数の孔を有する網状のメッシュ電極でも良い。メッシュ電極の方が、開口率を上げやすいので好ましい。
【００２０】
高周波電極１２とプラズマ室容器２４およびそれと同電位の多孔電極３０との間に、整合回路１８を介して高周波電源１６が接続されており、この高周波電源１６から高周波電極１２とプラズマ室容器２４および多孔電極３０との間に、例えば１３．５６ＭＨｚの周波数の高周波電力が供給される。これによって、プラズマ室容器２４内において高周波放電を生じさせて、ガス６を電離させてプラズマ２０を生成することができる。この高周波放電は、上記のようなガス圧では、主として高周波電極１２と多孔電極３０との間で生じる。
【００２１】
更に、プラズマ室容器２４およびそれと同電位の多孔電極３０とアース（接地電位部）との間に、前者を正極側にしてこの例では直流電源３２が接続されており、この直流電源３２からプラズマ室容器２４および多孔電極３０に正極性の直流電圧ＶD を印加することができる。この直流電圧ＶD の大きさは、例えば１００Ｖ〜２０００Ｖ程度である。
【００２２】
このスパッタ装置によれば、プラズマ室容器２４内で生成したプラズマ２０を、プラズマ室容器２４と成膜室容器２２との間を仕切る多孔電極３０によってプラズマ室容器２４内に実質的に閉じ込めることができる。これは、多孔電極３０の近傍にイオンシースが形成され、その電位でプラズマ２０中のイオンがプラズマ室容器２４内側に押し戻され、結果的にプラズマ２０が閉じ込められるからである。このプラズマ閉じ込めによって、成膜室容器２２内の基板１０がプラズマ２０に曝されるのを防止することができる。これによって、従来例で問題となっていた、エネルギーの不揃いな多量のイオンが基板１０に入射するのを抑制することができる。
【００２３】
一方、プラズマ室容器２４内で生成したプラズマ２０中のイオンによって、プラズマ室容器２４内に設けたターゲット１４がスパッタされる。ターゲット１４から叩き出されたスパッタ粒子３６は、殆どが中性粒子であるので、叩き出されたときの勢いでもって、多孔電極３０の孔を通過して成膜室容器２２内の基板１０に入射し堆積して薄膜を形成する。
【００２４】
また、プラズマ室容器２４および多孔電極３０に直流電源３２から正極性の直流電圧ＶD を印加することによって、プラズマ室容器２４内の電位は接地電位の基板ホルダ８に対して正電位になるため、プラズマ室容器２４内のプラズマ２０から多孔電極３０を通して正イオン３８が引き出されて、基板ホルダ８上の基板１０に照射される。このときの基板１０に向けてのイオン３８の加速エネルギーは、プラズマ室容器２４および多孔電極３０に直流電源３２から印加した直流電圧ＶD によって実質的に決まる。つまり、プラズマ室容器２４および多孔電極３０に対してプラズマ２０が前述したプラズマポテンシャルを持つとしても、それはプラズマ室容器２４内という一つの空間内においての話であり、当該空間から多孔電極３０を通してイオン３８を引き出した場合、当該イオン３８が基板１０に対して持つ加速エネルギーは、上記プラズマポテンシャルには殆ど影響されず、多孔電極３０と基板ホルダ８との間に印加された加速電圧、即ち上記直流電圧ＶD に支配され、これによって実質的に決まる。直流電圧ＶD の大きさが大きくなるほどこの傾向は強まる。
【００２５】
従って、基板１０に入射するイオン３８のエネルギーは、上記直流電圧ＶD の大きさによって簡単に制御することができる。しかも、基板１０に入射するイオン３８のエネルギーは、実質的に上記直流電圧ＶD の大きさで決まるので、エネルギーの揃ったイオン３８を基板１０に入射させることができる。
【００２６】
また、基板１０に入射するイオン３８の量は、投入高周波電力を制御する等してプラズマ室容器２４内で生成するプラズマ２０の密度を制御する以外に、上記直流電圧ＶD の大きさによっても制御することができる。これは、多孔電極３０を通して引き出されるイオン３８の量は、当該多孔電極３０に印加する上記直流電圧ＶD の大きさの３／２乗に比例するからである。
【００２７】
このようにして、基板１０に入射するイオン３８のエネルギーを揃えると共に、当該イオン３８のエネルギーおよび基板１０への入射量の制御が可能になり、これによって基板１０上に形成される薄膜の結晶化を促進することが可能になる。結晶化が促進されるのは、照射イオンのエネルギーを基板１０上に堆積した膜に与えることができるからである。その結果、基板１０上に形成する薄膜の結晶性を向上させることが可能になる。
【００２８】
上記直流電源３２の代わりに、例えば図２に示す例のように、プラズマ室容器２４およびそれと同電位の多孔電極３０に正極性のパルス電圧ＶP を印加するパルス電源３４を設けても良い。このパルス電圧ＶP の周波数は、プラズマ２０中のイオンが追従できる範囲内にするのが好ましい。具体的には１ＭＨｚ以下にするのが好ましい。当該周波数の下限は、特にないが、前述した直流電圧印加との差異を出すために、５Ｈｚ以上にするのが好ましい。即ち、パルス電圧ＶP の周波数は、５Ｈｚ〜１ＭＨｚの範囲内が好ましく、その内でも１０Ｈｚ〜１ｋＨｚ程度の範囲内がより好ましい。このような範囲内において、パルス電圧ＶP の周波数やパルス幅（換言すればデューティ比）、更には波高値を、目的に応じて選定すれば良い。
【００２９】
このようなパルス電源３４を設けて多孔電極３０等にパルス電圧ＶP を印加すれば、プラズマ２０から多孔電極３０を通してイオン３８が間欠的に引き出され、当該イオン３８が基板１０に間欠的に照射されるので、パルス電圧ＶP のパルス幅や周波数等を制御することによって、イオン３８のエネルギーを変えることなく、即ちイオン３８のエネルギーとは独立して、イオン３８の基板１０に対する照射量を制御することが可能になる。勿論、前記直流電源３２の場合と同様に、パルス電圧ＶP の波高値制御によるイオン３８のエネルギー制御も可能である。これによって、イオン３８に対する制御性がより向上するので、基板１０上に形成する薄膜の結晶性向上がより容易になる。
【００３０】
しかも、イオン３８を基板１０に間欠的に照射することによって、イオン照射に伴う基板１０のチャージアップ（正帯電）を抑制する効果も奏する。これは、イオン照射が中断している期間（サイクル）中に、基板表面の正電荷を逃がしたり中和したりすることが可能になるからである。特に、多孔電極３０の下流側付近には、多孔電極３０の孔を通り抜けた電子が過剰に存在する電子過剰領域が形成されているので、この領域に基板１０を近づけて配置しておけば、イオン照射の中断サイクル中に、この電子過剰領域から電子を、基板表面の正電荷によって基板１０に引き込んで中和させることが可能になるので、基板１０のチャージアップをより効果的に抑制することが可能になる。
【００３１】
基板１０のチャージアップを抑制することによって、基板１０に入射するイオン３８を押し戻す（即ちイオン３８のエネルギーを低下させる）作用を抑えることができるので、基板１０に目的どおりのエネルギーでイオン３８を入射させることが可能になる。また、基板１０の表面において放電が生じて基板１０やその表面の薄膜に損傷を与えることを防止することも可能になる。特に、基板１０が絶縁物の場合や、基板１０上に絶縁性の薄膜を形成する場合は、基板１０の表面がチャージアップしやすいので、イオン３８を上記のようにして間欠的に入射させる効果は著しい。
【００３２】
前述した直流電源３２とパルス電源３４とを直列に接続する等して、直流電圧にパルス電圧を重畳させた電圧をプラズマ室容器２４および多孔電極３０に印加するようにしても良い。そのようにすれば、イオン３８に対する制御性がより向上する。
【００３３】
なお、高周波電極１２は、例えば図３に示す例のように、多孔電極３０側の下面が開いた筒状（例えば円筒状または角筒状）をしていても良い。その場合、前記ガス６は、例えばこの例のようにガス導入管２６をこの高周波電極１２内にまで挿入する等して、高周波電極１２の内側に直接導入するのが好ましい。その場合のプラズマ室容器２４と高周波電極１２との間の電気絶縁は、例えばガス導入管２６を絶縁物で構成すること等によって確保すれば良い（後述する図４の例の場合も同様）。この構造の場合も、前述したようなガス圧では、主として高周波電極１２の内面と多孔電極３０との間で高周波放電が生じて高周波電極１２内にプラズマ２０が生成される。このように高周波電極１２を筒状にすれば、その内面に多数の、あるいは大面積のターゲット１４を取り付けることができるので、多量のスパッタ粒子を発生させることが可能になり、高速成膜が可能になる。
【００３４】
また、例えば図４に示す例のように、高周波電極１２の背面に複数の磁石４２を配置して、高周波電極１２の内側に、電界と磁界とが直交する領域を形成して、いわゆるマグネトロン放電を生じさせるようにしても良い。そのようにすれば、より効率良く高密度のプラズマ２０を生成することができるので、ターゲット１４に対するスパッタ効率がより向上し、成膜速度をより高めることが可能になる。この場合の各磁石４２は、熱による減磁を防止するために、水冷にするのが好ましい。
【００３５】
【実施例】
図１および図２に示した装置を用いて、基板１０上にシリコン薄膜を１５０ｎｍの厚さに形成した。その場合、ターゲット１４にはシリコンターゲットを用い、基板１０はガラス基板とし、当該ガラス基板を４００℃に加熱しながら、ガス６としてＡｒガスを５ｍＴｏｒｒまで導入し、高周波電源１６から１３．５６ＭＨｚの高周波電力を供給して、プラズマ２０を発生させた。投入高周波電力は１００Ｗとした。多孔電極３０には、直径１ｍｍのワイヤを５ｍｍの間隔で網状にしたメッシュ電極を用いた。
【００３６】
比較のために、図５に示すように、直流電源もパルス電源も設けずに、プラズマ室容器２４および多孔電極３０を接地した装置を用いて、上記と同様の条件でガラス基板上にシリコン薄膜を１５０ｎｍの厚さに形成した。
【００３７】
上記のようにして形成したシリコン薄膜の結晶状態をラマン分光によって測定した。それによって得られたラマンスペクトルを図６〜図９にそれぞれ示す。
【００３８】
図６は、図５に示した装置を用いて、プラズマ室容器２４および多孔電極３０を接地した場合のラマンスペクトルであり、ラマンシフト４８０ｃｍ-1付近がやや高いなだらかなスペクトルが得られている。これは、シリコン薄膜がアモルファス状であることを示している。
【００３９】
図７は、図１に示した装置を用いて、プラズマ室容器２４および多孔電極３０に＋２００Ｖの直流電圧ＶD を印加した場合のラマンスペクトルであり、ラマンシフト５２０ｃｍ-1を中心にピークが出現しており、これはシリコン薄膜が多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）化していることを示している。即ち、直流電圧印加によって、シリコン薄膜の結晶性が促進されていることが分かる。
【００４０】
図８は、図１に示した装置を用いて、プラズマ室容器２４および多孔電極３０に＋３００Ｖの直流電圧ＶD を印加した場合のラマンスペクトルであり、図６の結果に近くなって、シリコン薄膜がアモルファス化している。これは、上記図７および後述する図９の結果と比較すると、大きなエネルギーのイオンが基板に入射過多になったからであると考えられる。
【００４１】
図９は、図２に示した装置を用いて、プラズマ室容器２４および多孔電極３０に＋３００Ｖのパルス電圧ＶP を印加した場合のラマンスペクトルであり、ラマンシフト５２０ｃｍ-1を中心に大きなピークが出現しており、シリコン薄膜の結晶性がより促進されていることが分かる。これは、基板にイオンをパルス状に入射させることによって、連続入射の場合（図８）よりも、イオンの輸送比（イオン／スパッタ粒子の比）がシリコンの結晶化により適したものになったからであると考えられる。
【００４２】
【発明の効果】
この発明は、上記のとおり構成されているので、次のような効果を奏する。
【００４３】
請求項１記載の発明によれば、プラズマ室容器内にプラズマを閉じ込めることができるので、成膜室容器内の基板がプラズマに曝されるのを防止することができる。しかも、基板には、前記直流電圧によって多孔電極を通して一定のエネルギーで引き出したイオンを入射させることができる。その結果、基板に入射するイオンのエネルギーを揃えると共に、当該イオンのエネルギーおよび基板への入射量の制御が可能になり、これによって、基板上に形成される薄膜の結晶化を促進して、薄膜の結晶性を向上させることが可能になる。
【００４４】
請求項２記載の発明によれば、請求項１記載の発明と同様の効果に加えて更に次のような効果を奏する。即ち、パルス電源を設けてプラズマ室容器および多孔電極にパルス電圧を印加することによって、イオンが基板に間欠的に照射されるので、パルス電圧のパルス幅や周波数等を制御することによって、イオンのエネルギーとは独立して、イオンの照射量を制御することが可能になる。これによって、イオンに対する制御性がより向上するので、基板上に形成する薄膜の結晶性向上がより容易になる。
【００４５】
しかも、イオンを基板に間欠的に照射することによって、イオン照射に伴う基板のチャージアップを抑制することが可能になり、それによって、基板に目的どおりのエネルギーでイオンを入射させることが可能になる。また、基板の表面において放電が生じて基板やその表面の薄膜に損傷を与えることを防止することも可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明に係るスパッタ装置の一例を示す断面図である。
【図２】この発明に係るスパッタ装置の他の例を示す断面図である。
【図３】プラズマ室容器周りの他の例を示す断面図である。
【図４】プラズマ室容器周りの更に他の例を示す断面図である。
【図５】直流電源もパルス電源も設けずに、プラズマ室容器を接地した比較例を示す断面図である。
【図６】図５に示す装置を用いて、プラズマ室容器および多孔電極を接地した状態でガラス基板上にシリコン薄膜を形成したときの当該シリコン薄膜のラマンスペクトルの測定結果の一例を示す図である。
【図７】図１に示す装置を用いて、プラズマ室容器および多孔電極に＋２００Ｖの直流電圧を印加した状態でガラス基板上にシリコン薄膜を形成したときの当該シリコン薄膜のラマンスペクトルの測定結果の一例を示す図である。
【図８】図１に示す装置を用いて、プラズマ室容器および多孔電極に＋３００Ｖの直流電圧を印加した状態でガラス基板上にシリコン薄膜を形成したときの当該シリコン薄膜のラマンスペクトルの測定結果の一例を示す図である。
【図９】図２に示す装置を用いて、プラズマ室容器および多孔電極に＋３００Ｖのパルス電圧を印加した状態でガラス基板上にシリコン薄膜を形成したときの当該シリコン薄膜のラマンスペクトルの測定結果の一例を示す図である。
【図１０】従来のスパッタ装置の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
６  ガス
８  基板ホルダ
１０  基板
１２  高周波電極
１４  ターゲット
１６  高周波電源
２０  プラズマ
２２  成膜室容器
２４  プラズマ室容器
２８  絶縁物
３０  多孔電極
３２  直流電源
３４  パルス電源
【図１】
0004032504.tif 000002
【図２】
0004032504.tif 000003
【図３】
0004032504.tif 000004
【図４】
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【図５】
0004032504.tif 000006
【図６】
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【図７】
0004032504.tif 000008
【図８】
0004032504.tif 000009
【図９】
0004032504.tif 000010
【図１０】
0004032504.tif 000011