(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
略柱状のワークをケーシング内に収納して焼き鈍しするアニール炉であって，
ケーシングの周面に沿ってワークの長手方向と略平行に配置され，ケーシングの周面全体を包むように冷媒を流す冷媒流路と，ワークの長手方向の両端近傍に配置された温度センサを備え，冷媒流路における冷媒の流れる方向を可変に構成し，
前記ケーシングの外側に，ヒータと保温部材が取り付けられ，
前記温度センサで測定されるワークの両端の温度差が所定の温度差になった場合に，前記冷媒流路における冷媒の流れる方向を逆向きにして，冷媒が温度の高い側から低い側に流れるように制御することを特徴とする，アニール炉。
【請求項２】
前記保温部材とヒータが取り外し自在に構成されていることを特徴とする，請求項１のアニール炉。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，ワークを熱処理するアニール炉に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に，金属やガラスなどのワーク内に残る熱ヒステリシスや加工ヒステリシスを除去するために，ワークに加熱と徐冷といった熱処理を施すことにより，いわゆる焼き鈍しが行われている。例えば半導体材料であるＧａＡｓインゴットや半導体ウェハについて具体的に説明すると，それらワークをアニール炉内に収納して約１０００℃程度以上の高温に全体的に均一に昇温させ，保温や冷却を行うことにより焼き鈍しが行われる。ＧａＡｓインゴットについていえば，約１０００℃程度においてプラスマイナス５゜Ｃの範囲の均一温度で保持した後，先ず約１０００゜Ｃから５００゜Ｃにまで−５゜Ｃ／ｍｉｎの冷却速度で冷却し，更にその後，高温部と低温部の温度差を２０゜Ｃ以下に収めながら冷却することによって，半導体材料としての性状の優れた（インプラ活性層のシート抵抗面内ばらつきが少ない）熱処理が実現できる。
【０００３】
このように半導体材料の焼き鈍しを行うアニール炉としては，例えばワークを収納するケーシングを二重構造としたものが知られている。そして，ワークを加熱する場合は，ケーシングの外側からヒータで加熱し，ケーシング内のワークを昇温させる。そして，必要であれば所定時間保温した後，二重構造に構成されたケーシングの隙間に空気を流し，ワークを冷却する。この場合，空気の流通量を加減することによって，冷却速度を制御している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来のアニール炉は，冷却時に二重構造に構成されたケーシングの隙間に流される空気の流通方向が一方向に限られていたため，ケーシングの隙間に空気が導入される入口近傍では比較的早くワークが冷却されるが，ケーシングの隙間から空気が排出される出口近傍ではワークの冷却速度が遅くなってしまい，ワークの均一な冷却ができなかった。特に最近は，ＧａＡｓインゴットのような半導体材料について大型化が進められており，ワークの直径が従来の４インチから６インチへと増加し，長さも１０００ｍｍ程度の長尺化が考えられている。かような大型化した半導体材料を従来のアニール炉で冷却した場合，ワークの中央部と端部との温度差が大きくなり，性状の優れた半導体材料を得ることが困難になる。
【０００５】
またアニール炉は，ワークの保温を均一にするために，ケーシングの外側に設けられたヒータが保温部材によって囲まれているが，従来はヒータや保温部材が固定されていたため，熱が逃げにくく，ワークを速い速度で冷却できなかった。
【０００６】
従って本発明の目的は，特に大型化したワークについても均一に冷却でき，しかも速い速度で冷却できるアニール炉を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らはこの目的を達成するために，先ず次のような検討を行った。即ち，冷却空気の導入側と排出側でワークの温度を比較すると，通常温度差が約１００℃近くもあるが，冷却空気の流通量の増大や冷却用空気の流路を広くして冷却表面積を拡大することによっては，この温度差を効果的に減少させることは期待できない。そればかりか，冷却空気の流通量を増やしたり冷却表面積を広げるとワークの均一な保温や冷却が困難になってしまう。また保温部材を少なくして放熱効果を高めることも検討をしたが，それではワークの均一な保温が困難になってしまう。また放熱が増える分，ワークを加熱するエネルギーが多く必要になる。また，冷却空気の通路に熱交換用の媒体を介在させることも検討したが，ワークを加熱する際に１０００℃程度の高温となり，適当な媒体が見当たらない。
【０００８】
しかして，本発明のアニール炉にあっては，略柱状のワークをケーシング内に収納して焼き鈍しするアニール炉であって，ケーシングの周面に沿ってワークの長手方向と略平行に配置され，ケーシングの周面全体を包むように冷媒を流す冷媒流路と，ワークの長手方向の両端近傍に配置された温度センサを備え，冷媒流路における冷媒の流れる方向を可変に構成し，前記ケーシングの外側に，ヒータと保温部材が取り付けられ，前記温度センサで測定されるワークの両端の温度差が所定の温度差になった場合に，前記冷媒流路における冷媒の流れる方向を逆向きにして，冷媒が温度の高い側から低い側に流れるように制御することを特徴としている。
【０００９】
このアニール炉において，略柱状のワークとは，例えば円筒形状や角筒形状などといった種々の柱状の他，正確な柱状ではないが，棒状のワークのようなものも含む。このアニール炉にあっては，冷却の際に温度センサで測定することにより，ケーシング内に収納されたワークの長手方向の両端部の温度を検出する。そして，ワークの一方の端部の温度が他方の端部の温度よりも相当に高くなった場合は，ワークの長手方向と略平行に配置された冷媒流路においてワークの一方の端部側から他方の端部側に向かって冷媒を流すようにする。また，ワークの他方の端部の温度が一方の端部の温度よりも相当に高くなった場合は，ワークの長手方向と略平行に配置された冷媒流路においてワークの他方の端部側から一方の端部側に向かって冷媒を流すようにする。このように，冷媒流路における冷媒の流れる方向を，常に温度の高い側から低い側に向かうように切り換えることにより，略柱状のワークを均一に冷却させることができるようになる。
【００１０】
また参考例として，略柱状のワークをケーシング内に収納して熱処理するアニール炉であって，ケーシングの周面に沿って冷媒を流す並列に配置された複数の冷媒流路を備え，互いに隣り合う冷媒流路における冷媒の流れる方向が逆向きになっていることを特徴とするアニール炉が考えられている。
【００１１】
このアニール炉においても，略柱状のワークとは，例えば円筒形状や角筒形状などといった種々の柱状の他，正確な柱状ではないが，棒状のワークのようなものも含む。このアニール炉にあっては，ケーシングの周面に沿って並列に配置された複数の冷媒流路において，互いに隣り合う冷媒流路における冷媒の流れる方向が逆向きであるので，冷媒の入口側と出口側で生ずる冷媒の温度差を全体として相殺でき，略柱状のワークを均一に冷却させることができるようになる。
【００１２】
これらのアニール炉において，ワークとは，例えば半導体材料であるＧａＡｓインゴットである。最近では，ＧａＡｓインゴットのような半導体材料について大型化が進められており，ワークの直径は従来の４インチから６インチへと増加し，長さも１０００ｍｍ程度の長尺化が考えられている。特に参考例として挙げたアニール炉によれば，最近において大型化したＧａＡｓインゴットの如きワークであっても，ワークの中央部と端部との温度差を小さく押さえながら冷却でき，性状の優れた半導体材料を得ることができるようになる。
【００１３】
またこれらのアニール炉において，前記ケーシングの外側には，例えばヒータと保温部材が取り付けられている。これにより，ケーシング内に収納したワークをヒータで加熱し，更に保温部材により熱を逃がさないようにすることができる。
【００１４】
また，前記保温部材とヒータは取り外し自在に構成されていることが好ましい。そうすれば，ワークを冷却する際には，保温部材やヒータを取り外して放熱させ，冷却速度を速めることができる。また冷却の際，適当なファンなどによって送風し，強制的に冷却しても良い。この場合，保温部材などは取り外しできるので，厚い構造であっても構わない。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の好ましい実施の形態を図面を用いて説明する。図１は本発明の第１の実施の形態にかかるアニール炉１の斜視図であり，図２はアニール炉１において，ケーシング１０の外側からヒータ１１と保温部材１２を取り外した状態を示す斜視図である。また図３，４はいずれもケーシング１０の断面図である。
【００１６】
このアニール炉１は，ケーシング１０の外側にヒータ１１を配置し，更にヒータ１１の外側を保温部材１２によって包んだ構成を備えている。保温部材１２は，ケーシング１０の外側にヒータ１１を配置した状態で，それらを外側から包み込むのに十分な形状を有している。また，ヒータ１１及び保温部材１２は，部分１１ａ，１１ａ及び部分１２ａ，１２ａにそれぞれ２分割することができ，ヒータ１１及び保温部材１２は，いずれもケーシング１０の外側から容易に取り外すことができるように構成されている。そして，ケーシング１０の周りに先ずヒータ１１の部分１１ａ，１１ａを装着し，更に保温部材１２の部分１２ａ，１２ａを装着した状態で，バンド１３によって外側からしっかりと保持することにより，ヒータ１１と保温部材１２が固定されている。一方，バンド１３を外してヒータ１１と保温部材１２を部分１１ａ，１１ａと部分１２ａ，１２ａにそれぞれ２分割することによって，ヒータ１１と保温部材１２をケーシング１０の周りから取り外すことができ，これにより，図２に示すように，ケーシング１０は露出した状態となる。
【００１７】
ケーシング１０は，略柱状をなすワークＷを収納可能な筒形状をなし，ケーシング１０の周面には，ワークＷの長手方向と略平行に配置された冷媒流路２１が設けられており，この冷媒流路２１によってケーシング１０の周面全体を包んでいる。なお，ケーシング１０の内部に収納されるワークＷは半導体材料であるＧａＡｓインゴットであり，直径６インチ程度，長さ１０００ｍｍ程度の大型化した円柱形状のワークＷでもケーシング１０内に収納可能である。
【００１８】
冷媒流路２１の両端にはヘッダ２２，２３が設けられており，これらヘッダ２２，２３の間で冷媒流路２１を介して冷媒としての空気が流通可能である。一方のヘッダ２２に冷媒としての空気を圧縮供給するためのコンプレッサ２４からひかれた回路２５とドレイン回路２６が接続され，他方のヘッダ２３にコンプレッサ２４からひかれた回路２７とドレイン回路２８が接続されている。各回路２５，２６，２７，２８には開閉弁２９，３０，３１，３２が設けてある。
【００１９】
ケーシング１０の両端部からは例えば熱電対などからなる温度センサ３３，３４が進入して設けられている。これら温度センサ３３，３４はワークＷの長手方向の両端近傍に配置されている。図示の例ではケーシング１０内において，ワークＷの一方の端部（図３，４ではワークＷの左端部）近傍に温度センサ３３が配置され，ワークＷの他方の端部（図３，４ではワークＷの右端部）近傍に温度センサ３４が配置されている。
【００２０】
さて，以上のように構成された本発明の第１の実施の形態にかかるアニール炉１において，先ずケーシング１０内にワークＷを収納し，ヒータ１１で加熱することによりワークＷを所望の温度まで昇温させる。そして，必要であれば更に所定時間保温を行う。このようにケーシング１０内に収納したワークＷを加熱や保温する際には，図１に示すように，ヒータ１１及び保温部材１２をケーシング１０の周りに装着しておき，ヒータ１１の熱を逃がさないようにする。
【００２１】
次にワークＷを冷却する際には，バンド１３を外し，ヒータ１１と保温部材１２を部分１１ａ，１１ａと部分１２ａ，１２ａにそれぞれ２分割することにより，ヒータ１１及び保温部材１２をケーシング１０の周りから取り外し，図２に示すように，ケーシング１０を露出させる。これにより，ケーシング１０及びワークＷは速やかに放熱され，冷却速度を速めることができる。この場合，適当なファンなどによって送風し，ケーシング１０やワークＷを強制的に冷却しても良い。
【００２２】
またこのように冷却する際には，先ず例えば開閉弁２９，３２を開き，開閉弁３０，３１を閉じることにより，図３に示すように，ヘッダ２２からヘッダ２３に向けて冷媒流路２１内において図中の右向きに空気を流して，ワークＷを冷却する。そして，この冷却の際に温度センサ３３，３４によってワークＷの両端部の温度を検出する。
【００２３】
すると，このように図中の右向きに空気を流して冷却したことにより，次第にワークＷの一方の端部（左端部）の温度が低く，他方の端部（右端部）の温度が高くなっていき，それが温度センサ３３，３４によって検出される。
【００２４】
そして，温度センサ３３，３４によって検出されるワークＷの両端部の温度差が相当に大きくなった場合（例えば１０゜Ｃ程度の温度差が生じた場合）は，開閉弁３０，３１を開き，開閉弁２９，３２を閉じることにより，図４に示すように，ヘッダ２３からヘッダ２２に向けて冷媒流路２１内において図中の左向きに空気を流すように切り換えて，ワークＷを冷却する。そして，この冷却の際にも温度センサ３３，３４によってワークＷの両端部の温度を検出する。
【００２５】
すると，このように図中の左向きに空気を流して冷却したことにより，先とは反対に次第にワークＷの他方の端部（右端部）の温度が低く，一方の端部（左端部）の温度が高くなっていき，それが温度センサ３３，３４によって検出される。
【００２６】
そして，温度センサ３３，３４によって検出されるワークＷの両端部の温度差が相当に大きくなった場合（例えば１０゜Ｃ程度の温度差が生じた場合）は，再び開閉弁２９，３２を開き，開閉弁３０，３１を閉じることにより，図３に示すように，ヘッダ２２からヘッダ２３に向けて冷媒流路２１内において図中の右向きに空気を流すように切り換えて，ワークＷを冷却する。
【００２７】
そして，以上の工程を繰り返しながら，冷媒流路２１における空気の流れる方向を，常に温度の高い側から低い側に向かうように切り換えることにより，ワークＷを均一に冷却させることができるようになる。
【００２８】
次に，図５は本発明の第２の実施の形態にかかるアニール炉２の斜視図であり，図６はアニール炉２において，ケーシング４０の外側からヒータ１１’と保温部材１２’を取り外した状態を示す斜視図である。また図７はケーシング４０の断面図である。
【００２９】
このアニール炉２も，先に説明した本発明の第１の実施の形態にかかるアニール炉１と同様に，ケーシング４０の外側にヒータ１１’を配置し，更にヒータ１１’の外側を保温部材１２’によって包んだ構成を備えている。ヒータ１１’及び保温部材１２’は，部分１１ａ’，１１ａ’及び部分１２ａ’，１２ａ’にそれぞれ２分割して，ケーシング４０の外側から容易に取り外すことができ，ケーシング４０の周りにヒータ１１’の部分１１ａ’，１１ａ’を装着し，更に保温部材１２’の部分１２ａ’，１２ａ’を装着して，バンド１３’によって外側からしっかりと保持することにより，ヒータ１１’と保温部材１２’が固定されている。
【００３０】
ケーシング４０は，略柱状をなすワークＷを収納可能な筒形状をなし，ケーシング４０の周面には，ワークＷの長手方向と略平行に配置された複数の冷媒流路４１が設けられている。この実施の形態においても，ワークＷは半導体材料であるＧａＡｓインゴットであり，直径６インチ程度，長さ１０００ｍｍ程度の大型化した円柱形状のワークＷがケーシング４０内に収納されている。複数の冷媒流路４１は互いに並列に配置されており，また，これら複数の冷媒流路４１によってケーシング４０の周面全体をほぼ包んでいる。各冷媒流路４１には，冷媒としての例えば空気が流通するようになっており，各冷媒流路４１において，互いに隣り合う冷媒流路４１同士における冷媒の流れる方向は逆向きに設定されている。
【００３１】
以上のように構成された本発明の第２の実施の形態にかかるアニール炉２にあっても，先に説明した本発明の第１の実施の形態にかかるアニール炉１と同様に，ケーシング４０内にワークＷを収納して加熱や保温する際には，図５に示すように，ヒータ１１’及び保温部材１２’をケーシング４０の周りに装着することにより，熱を逃がさずに効率良く加熱及び保温を行うことができる。またワークＷを冷却する際には，ヒータ１１’及び保温部材１２’をケーシング４０の周りから取り外すことにより，ケーシング４０及びワークＷは速やかに放熱され，冷却速度を速めることができる。この場合，適当なファンなどによってケーシング４０やワークＷを強制的に冷却しても良い。またケーシング４０の周面に沿って並列に配置された複数の冷媒流路４１において，互いに隣り合う冷媒流路４１における冷媒の流れる方向が逆向きであるので，冷媒の入口側と出口側で生ずる冷媒の温度差を全体として相殺でき，ワークＷを均一に冷却させることが可能である。
【００３２】
以上，本発明の実施の形態の一例を説明したが，本発明はここで説明した形態に限定されない。例えば図１や図５で説明した本発明の第１，２の実施の形態のアニール炉１，２において，ヒータ１１，１１’や保温部材１２，１２’は２分割に限らず３以上に分割できるものであっても良い。また例えば図１〜４で説明した本発明の第１の実施の形態のアニール炉１において，冷媒流路２１はケーシング１０の周面全体を一体的に包む構成に限らず，複数本の冷媒流路を平行に配置してケーシング１０の周面を包むような構成でも良く，また螺旋状にケーシング１０の周面を包むような構成でも良い。また冷媒は空気に限らず，その他の気体や水などの液体でも良い。また，ワークＷは，例えばＧａＡｓインゴットなどに限られず，シリコンインゴットなどの如き他の種類の半導体材料や，その他の材料であっても良い。またその形状も円柱形状に限らず，角柱やその他種々の柱状の他，正確な柱状ではないが，棒状のワークのようであっても良い。
【００３３】
【実施例】
（実施例１）
図１〜７で説明した本発明の第１，２の実施の形態のアニール炉を実際に作成し，最大径１５０ｍｍ（約６インチ），長さ５００ｍｍの円筒形状のＧａＡｓインゴットを２本直列に並べてカーボン製の筒に入れたワークをケーシングの中央に置いて熱処理した。保温部材の厚さは２０ｍｍ程度とし，２分割できる構成とした。ヒータはカンタル線を用い，ベルトは鉄の筒を用いた。また冷却の際には，本発明の第１の実施の形態のアニール炉については保温部材を取り外し，本発明の第２の実施の形態のアニール炉については保温部材を取り外してファンによって大量の空気でブローして冷やした。ブロー量は１２００リットル／ｍｉｎとした。
【００３４】
図８に示すように，本発明の第１，２の実施の形態のアニール炉によって冷却した場合は，保温部材を取り外すことができない従来例のアニール炉によって冷却した場合に比べて，冷却速度が早くなることがわかった。また図９に示すように，ブローによって冷却した場合は，ブロー無しで自然放熱のみでワークを冷却した場合に比べて冷却速度が速く，特にワーク温度が８００゜Ｃ以下の領域において両者の冷却速度の差が大く現れた。
【００３５】
（実施例２）
図１〜５で説明した本発明の第１の実施の形態のアニール炉を実際に作成し，実施例１と同じワーク（最大径１５０ｍｍ（約６インチ），長さ５００ｍｍの円筒形状のＧａＡｓインゴットを２本直列に並べてカーボン製の筒に入れたワーク）を熱処理した。ケーシングを石英製の二重構造（内の保護管の径２００ｍｍ，外の管の径２５０ｍｍ）で構成し，炉は均熱長１０００ｍｍ，全長２０００ｍｍの３ゾーンタイプである。炉内温度を約９００゜Ｃに保って均熱処理した後，冷却を開始した。冷却を開始してから暫くの間は自然放熱のみでワークを冷却し，その後，二重保護管の間に冷却用の空気をコンプレッサーから供給して流し，強制冷却を行った。冷却用の空気は，最大５００リットル／ｍｉｎの供給が可能であり，流量計により流量を調整した。ワークの両端に熱電対を置き温度差をモニターした。この温度差が１０℃を超えた場合に空気の流れ方向を反転させ，ワークを均一に冷却させた。冷却過程におけるワークの端部と中央部の温度を検出し，温度差を調べた。
【００３６】
図１０に示す実施例では，炉内温度約９００゜Ｃで均熱処理した後，冷却を開始して，冷却開始後から炉内温度が約７００゜Ｃになるまで自然冷却し，その後，二重保護管の間に冷却用の空気を供給して強制冷却を行った。冷却速度は，自然冷却の間は約−２゜Ｃ／ｍｉｎ，強制冷却の間は約−５゜Ｃ／ｍｉｎであった。図１１に示す実施例では，炉内温度約９００゜Ｃで均熱処理した後，冷却を開始して，冷却開始後から炉内温度が約５００゜Ｃになるまで自然冷却し，その後，二重保護管の間に冷却用の空気を供給して強制冷却を行った。冷却速度は，自然冷却の間は約−２〜−１゜Ｃ／ｍｉｎ，強制冷却の間は約−５゜Ｃ／ｍｉｎであった。図１２に示す実施例では，炉内温度約１０５０゜Ｃで均熱処理した後，自然冷却を開始して，炉内温度が約９００゜Ｃになった時点で一旦均熱処理し，その後再び炉内温度が約７００゜Ｃになるまで自然冷却し，その後，二重保護管の間に冷却用の空気を供給して強制冷却を行った。冷却速度は，自然冷却の間は約−２゜Ｃ／ｍｉｎ，強制冷却の間は約−５゜Ｃ／ｍｉｎであった。図１３に示す実施例では，炉内温度約１０５０゜Ｃで均熱処理した後，自然冷却を開始して，炉内温度が約９００゜Ｃになった時点で一旦均熱処理し，その後再び炉内温度が約６００゜Ｃになるまで自然冷却し，その後，二重保護管の間に冷却用の空気を供給して強制冷却を行った。冷却速度は，自然冷却の間は約−１．５〜−２．５゜Ｃ／ｍｉｎ，強制冷却の間は約−５゜Ｃ／ｍｉｎであった。図１４に示す実施例では，炉内温度約１０５０゜Ｃで均熱処理した後，自然冷却を開始して，炉内温度が約９００゜Ｃになった時点で一旦均熱処理し，その後再び炉内温度が約５００゜Ｃになるまで自然冷却し，その後，二重保護管の間に冷却用の空気を供給して強制冷却を行った。冷却速度は，自然冷却の間は約−０．７５〜−２゜Ｃ／ｍｉｎ，強制冷却の間は約−２．５゜Ｃ／ｍｉｎであった。これら図１０〜１４に示されるように，本発明の第２の実施の形態のアニール炉によって冷却した場合は，炉内中心と端部の温度差及びワーク中心と端部の温度差がいずれも小さく，ワーク全体を均一に冷却させることができた。
【００３７】
【発明の効果】
請求項１〜４の発明によれば，ワーク全体を均一に冷却させることができ，場所による温度差が小さくなる。特に請求項１〜４の発明によれば，例えば最近大型化が進んでいるＧａＡｓインゴットのような半導体材料を均一に冷却でき，熱処理の結果物として性状の優れた（インプラ活性層のシート抵抗面内ばらつきが少ない）半導体材料を得ることができる。また請求項３によれば，熱を逃がさずにワークを効率よく加熱及び保温することができる。また請求項４によれば，ワークを速い速度で冷却でき，ワークの熱処理時間を短くして，処理能力を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態にかかるアニール炉の斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態にかかるアニール炉において，ケーシングの外側からヒータと保温部材を取り外した状態を示す斜視図である。
【図３】ケーシングの断面図である。
【図４】ケーシングの断面図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態にかかるアニール炉の斜視図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態にかかるアニール炉において，ケーシングの外側からヒータと保温部材を取り外した状態を示す斜視図である。
【図７】ケーシングの断面図である。
【図８】実施例１，２のアニール炉によって冷却したワークの温度の経時的変化を従来例と比較して示したグラフである。
【図９】実施例１，２のアニール炉によって冷却した場合のワークの冷却速度を，ブローによって冷却した場合と，ブロー無しで自然放熱のみでワークを冷却した場合及びブローと自然放熱と保温材開放を行って冷却した場合とで比較して示したグラフである。
【図１０】実施例２のアニール炉によって冷却した場合の炉内中心と端部の温度及びワーク中心と端部の温度の経時的変化を示したグラフである。
【図１１】実施例２のアニール炉によって冷却した場合の炉内中心と端部の温度及びワーク中心と端部の温度の経時的変化を示したグラフである。
【図１２】実施例２のアニール炉によって冷却した場合の炉内中心と端部の温度及びワーク中心と端部の温度の経時的変化を示したグラフである。
【図１３】実施例２のアニール炉によって冷却した場合の炉内中心と端部の温度及びワーク中心と端部の温度の経時的変化を示したグラフである。
【図１４】実施例２のアニール炉によって冷却した場合の炉内中心と端部の温度及びワーク中心と端部の温度の経時的変化を示したグラフである。
【符号の説明】
Ｗ  ワーク
１，２  アニール炉
１０  ケーシング
１１，１１’  ヒータ
１１ａ，１１ａ’  部分
１２，１２’  保温部材
１２ａ，１２ａ’  部分
１３  バンド
２１  冷媒流路
２２，２３  ヘッダ
２４  コンプレッサ
２５  回路
２６  ドレイン回路
２７  回路
２８  ドレイン回路
２９，３０，３１，３２  開閉弁
３３，３４  温度センサ
４０  ケーシング
４１  冷媒流路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
0004067234.tif 000013
【図１３】
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【図１４】
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