(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板との間に液晶層が挟持されてなり、
前記第１の基板上には対向電極を備え、
前記第２の基板にはマトリクス状に配置された画素電極と、前記画素電極に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子上に配置された平坦化膜からなる第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜上に配置されたデータ線と、前記データ線上であって、且つ前記画素電極の下層に配置された第２の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜に覆われており、かつ、前記第２の基板と前記データ線との間に配置された走査線と、
前記画素電極が前記走査線を挟んで隣の画素電極と隣り合う画素電極間領域に、前記データ線と離間して配置されたパターン膜を具備し、
前記パターン膜は前記データ線と同層からなり、かつ、前記隣り合う画素電極の対向する端部と重なり合っており、
前記画素電極間の距離が、前記パターン膜と重なり合っている前記画素電極の端部と前記対向電極との距離よりも大きいことを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
第１の基板と第２の基板との間に液晶層が挟持されてなり、
前記第１の基板上には対向電極を備え、
前記第２の基板にはマトリクス状に配置された複数の画素電極と、前記画素電極に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子上に配置された平坦化膜からなる第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜上に配置された複数のデータ線と、前記複数のデータ線上であって、且つ前記画素電極の下層に配置された第２の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜に覆われており、かつ、前記第２の基板と前記データ線との間に配置された複数の走査線と、
前記複数の画素電極が前記複数の走査線を挟んで夫々隣の画素電極と隣り合う画素電極間領域に、前記複数のデータ線と離間して配置された複数のパターン膜を具備し、
少なくとも前記複数のパターン膜は前記複数のデータ線と同層からなり、かつ、前記隣り合う画素電極の対向する端部と重なり合っており、
前記画素電極間の距離が、前記パターン膜と重なり合っている前記画素電極の端部と前記対向電極との距離よりも大きく、
前記複数のデータ線と前記複数の走査線との間には、誘電体膜を挟んでスイッチング素子に接続されたドレイン電極と遮光膜とを有し、前記複数のパターン膜は前記複数の走査線及び前記遮光膜に重なるように配置されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
前記パターン膜と重なり合わない前記画素電極と、前記対向電極との距離が、前記パターン膜と重なり合う前記画素電極の端部と前記対向電極との距離よりも大きいことを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記パターン膜は、前記データ線と同一膜からなることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記パターン膜と前記データ線との距離が、前記第２の層間絶縁膜の厚みの２倍以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記第１の層間絶縁膜は無機膜からなることを特徴とする請求項１乃至請求項５のうちいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記データ線と前記走査線とは交差するように配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記スイッチング素子は薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項１乃至請求項７のうちいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項９】
光源と、該光源から出射される光が入射されて画像情報に対応した変調を施す液晶ライトバルブと、該液晶ライトバルブにより変調された光を投射する投射手段とを有する投射型表示装置において、
前記液晶ライトバルブは、請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の液晶装置からなることを特徴とする投射型表示装置。
【請求項１０】
第１の基板に対向電極を形成する工程と、
第２の基板上に、複数の走査線を形成する工程と、
前記複数の走査線を覆うように平坦化された表面を有する第１の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の層間絶縁膜の上に前記複数の走査線と互いに交差する複数の交差部を有するように複数のデータ線と複数のパターン膜とを形成する工程と、
前記複数のデータ線と前記複数のパターン膜とを覆うように第２の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の層間絶縁膜上に、前記複数の交差部毎に画素電極を形成する工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板とを、前記対向電極及び前記画素電極とが対向するように所定の間隙をもって配置し、該間隙に液晶を注入する工程と、
を具備し、
一つの前記パターン膜は、前記画素電極が前記走査線を挟んで隣の画素電極と隣り合う画素電極間領域に前記データ線と離間して配置され、かつ前記画素電極の端部と重なり合うように形成され、
前記画素電極間の距離が、前記対向電極と前記パターン膜と重なり合っている前記画素電極の端部との距離よりも大きくなるように形成されていることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項１１】
前記パターン膜と重なっていない前記画素電極と前記対向電極との距離が、前記パターン膜と重なり合う前記画素電極の端部と前記対向電極との距離よりも大きくなるように形成することを特徴とする請求項１０に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１２】
前記複数の走査線を形成する工程の前に、前記第２の基板上に遮光膜を形成する工程と、
前記遮光膜を覆うように下地用絶縁膜を形成する工程と、
前記下地用絶縁膜上にスイッチング素子としての薄膜トランジスタを形成する工程と、
をさらに具備することを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マトリクス状に画素電極を設けた構造を有する液晶装置の技術分野に属し、特に、画素電極の下層に平坦化処理された層間絶縁膜が配置された構造を有する液晶装置の技術分野に属する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、図１１に示すように、液晶装置４００は、対向基板３００とＴＦＴアレイ基板２００との間に液晶層５０を挟持して構成される。尚、図１０は液晶装置のＴＦＴアレイ基板を示す平面図、図１１は図１０の線Ｂ―Ｂ'で切断した場合の液晶装置の縦断面図であり、データ線方向に沿って配される隣り合う画素電極間の領域付近を示す図である。
【０００３】
図１０及び図１１に示すように、ＴＦＴアレイ基板２００は、石英、ガラス等の基板１０上に複数の走査線３及び複数のデータ線６が交差して配置され、その交差部毎に薄膜トランジスタ及びこれに電気的に接続された画素電極９ａ、走査線と平行に配置された容量線３ｂが配置されて構成される。薄膜トランジスタは、点線にて示される半導体層１とゲート絶縁膜２と走査線３の一部をなすゲート電極３ａから構成される。画素電極９ａは半導体層１とコンタクトホール８を介して電気的に接続され、データ線６の一部はソース電極６ａとして機能し、半導体層１とコンタクトホール５を介して電気的に接続される。
【０００４】
図１１に示すように、ＴＦＴアレイ基板２００では、基板１０上に所定の形状にパターニングされた遮光膜１１ａ、下地用絶縁膜１２、所定の形状に形成された半導体層１、ゲート絶縁膜２、走査線３及び容量線３ｂ、層間絶縁膜４が順次積層されている。更に、層間絶縁膜４上にはデータ線６（図示せず）、データ線６を覆うように層間絶縁膜７、画素電極９ａが順次積層されている。
【０００５】
一方、対向基板３００は下部全面に対向電極２１が配置されて構成される。
【０００６】
液晶装置では、対向電極２１に供給される電圧と画素電極９ａに供給される電圧との電位差により、対向電極２１と画素電極９ａとの間に位置する液晶層５０の液晶分子の光学特性を変化させて表示を行う。従来、液晶装置の表示特性を向上させるために、画素電極９ａの下層に配される層間絶縁膜７を平坦化処理することにより、ＴＦＴアレイ基板の液晶層側の表面を平坦化し、表面段差による液晶分子の配向不良の発生を防止している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
図１１に示すように、例えば隣り合う画素電極９ａ間にそれぞれ異なる大きさの電圧が印加されると、隣り合う画素電極９ａ間の領域付近では、横電界Ｃが生じる。すると、隣り合う画素電極９ａ間の領域付近では、液晶分子５０ａの向きがこの横電界Ｃ方向に影響される。このため、隣り合う画素電極間領域付近の液晶分子は所望の配向が行われず配向不良となる。この液晶配向不良領域では、横電界に影響されず正常に液晶分子が配向される領域と液晶分子の配向方向が異なるため、ディスクリネーションラインと呼ばれる輝線が生じ、液晶装置の表示品位を著しく低下させるという問題点がある。更に、近年、液晶装置の高精細化に伴い、画素電極間ピッチが狭くなる傾向にあり、このような問題は更に深刻となってきている。
【０００８】
また、このような表示不良を隠すように対向基板側に遮光膜２３を形成すると、画素領域の開口率が著しく低下してしまうという問題点がある。
【０００９】
本発明は上述した問題点に鑑みなされたものであり、表示不良の発生のない、高開口率の液晶装置を提供することを課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の液晶装置は、第１の基板と第２の基板との間に液晶層が挟持されてなり、前記第１の基板上には対向電極を備え、前記第２の基板にはマトリクス状に配置された画素電極と、前記画素電極に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子上に配置された平坦化膜からなる第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜上に配置されたデータ線と、前記データ線上であって、且つ前記画素電極の下層に配置された第２の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜に覆われており、かつ、前記第２の基板と前記データ線との間に配置された走査線と、前記画素電極が前記走査線を挟んで隣の画素電極と隣り合う画素電極間領域に、前記データ線と離間して配置されたパターン膜を具備し、前記パターン膜は前記データ線と同層からなり、かつ、前記隣り合う画素電極の対向する端部と重なり合っており、前記画素電極間の距離が、前記パターン膜と重なり合っている前記画素電極の端部と前記対向電極との距離よりも大きいことを特徴とする。
また、本発明は、第１の基板と第２の基板との間に液晶層が挟持されてなり、前記第１の基板上には対向電極を備え、前記第２の基板にはマトリクス状に配置された複数の画素電極と、前記画素電極に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子上に配置された平坦化膜からなる第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜上に配置された複数のデータ線と、前記複数のデータ線上であって、且つ前記画素電極の下層に配置された第２の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜に覆われており、かつ、前記第２の基板と前記データ線との間に配置された複数の走査線と、前記複数の画素電極が前記複数の走査線を挟んで夫々隣の画素電極と隣り合う画素電極間領域に、前記複数のデータ線と離間して配置された複数のパターン膜を具備し、少なくとも前記複数のパターン膜は前記複数のデータ線と同層からなり、かつ、前記隣り合う画素電極の対向する端部と重なり合っており、前記画素電極間の距離が、前記パターン膜と重なり合っている前記画素電極の端部と前記対向電極との距離よりも大きく、前記複数のデータ線と前記複数の走査線との間には、誘電体膜を挟んでスイッチング素子に接続されたドレイン電極と遮光膜とを有し、前記複数のパターン膜は前記複数の走査線及び前記遮光膜に重なるように配置されていることを特徴とする。
また、本発明は、上記に記載の液晶装置であって、前記パターン膜と重なり合わない前記画素電極と、前記対向電極との距離が、前記パターン膜と重なり合う前記画素電極の端部と前記対向電極との距離よりも大きいことを特徴とする。
また、本発明は、上記に記載の液晶装置であって、前記パターン膜は、前記データ線と同一膜からなることを特徴とする。
また、本発明は、上記に記載の液晶装置であって、前記パターン膜と前記データ線との距離が、前記第２の層間絶縁膜の厚みの２倍以下であることを特徴とする。
また、本発明は、上記に記載の液晶装置であって、前記第１の層間絶縁膜は無機膜からなることを特徴とする。
また、本発明は、上記に記載の液晶装置であって、前記データ線と前記走査線とは交差するように配置されていることを特徴とする。
また、本発明は、上記に記載の液晶装置であって、前記スイッチング素子は薄膜トランジスタであることを特徴とする。
また、本発明の液晶装置の製造方法は、第１の基板に対向電極を形成する工程と、第２の基板上に、複数の走査線を形成する工程と、前記複数の走査線を覆うように平坦化された表面を有する第１の層間絶縁膜を形成する工程と、前記第１の層間絶縁膜の上に前記複数の走査線と互いに交差する複数の交差部を有するように複数のデータ線と複数のパターン膜とを形成する工程と、前記複数のデータ線と前記複数のパターン膜とを覆うように第２の層間絶縁膜を形成する工程と、前記第２の層間絶縁膜上に、前記複数の交差部毎に画素電極を形成する工程と、前記第１の基板と前記第２の基板とを、前記対向電極及び前記画素電極とが対向するように所定の間隙をもって配置し、該間隙に液晶を注入する工程と、を具備し、一つの前記パターン膜は、前記画素電極が前記走査線を挟んで隣の画素電極と隣り合う画素電極間領域に前記データ線と離間して配置され、かつ前記画素電極の端部と重なり合うように形成され、前記画素電極間の距離が、前記対向電極と前記パターン膜と重なり合っている前記画素電極の端部との距離よりも大きくなるように形成されていることを特徴とする。
また、本発明は、上記に記載の液晶装置の製造方法であって、前記パターン膜と重なっていない前記画素電極と前記対向電極との距離が、前記パターン膜と重なり合う前記画素電極の端部と前記対向電極との距離よりも大きくなるように形成することを特徴とする。
また、本発明は、上記に記載の液晶装置の製造方法であって、前記複数の走査線を形成する工程の前に、前記第２の基板上に遮光膜を形成する工程と、前記遮光膜を覆うように下地用絶縁膜を形成する工程と、前記下地用絶縁膜上にスイッチング素子としての薄膜トランジスタを形成する工程と、をさらに具備することを特徴とする。
【００１１】
本発明のかかる構成によれば、平坦化された基板表面上にパターン膜を配置することにより、走査線もしくはデータ線に沿って配置される隣り合う画素電極間領域付近において、画素電極の端部と対向電極との間で液晶層の厚み方向に生じる縦方向の電界の大きさが、隣り合う画素電極間に生じる横方向に電界（以下、横電界）の大きさよりも大きくなる。すなわち、画素電極間領域付近において平坦化された基板表面上に任意にパターン膜を配置することにより、画素電極間領域付近における画素電極と対向電極との距離の制御を容易に行うことができ、パターン膜の膜厚を任意に設定することによって、画素電極と対向電極との距離を所望の値として縦方向の電界の大きさを制御することが可能となる。これにより、横電界による配向不良の発生を防止し、表示品位の高い液晶装置を得るという効果を有する。
【００１２】
また、本発明は、横電界による表示不良が顕著に現れやすい、表面が平坦化された第２の基板を用いる液晶装置に特に有効であり、表面が平坦化された状態の第２の基板の特定の位置に任意の厚みのパターン膜を配置することによって、積極的に表面段差を設け、画素電極間の横電界の発生を防止し、横電界による表示不良のない液晶装置が得られる。
【００１３】
本発明は、前記パターン膜は、前記データ線と同一膜からなることを特徴とする。
【００１４】
このような構成によれば、データ線の形成と同時にパターン膜を形成することができ、パターンマスクの変更のみで製造工程を増やすことなく形成することができる。
【００１５】
本発明の液晶装置は、第１の基板と第２の基板との基板間に液晶層が挟持されてなり、前記第１の基板上には対向電極を備え、前記第２の基板上には、互いに交差して配置された複数の走査線と複数のデータ線と、前記交差部毎にマトリクス状に配置された複数の画素電極とを備え、前記走査線及びデータ線を覆って配置された上側層間絶縁膜と、前記上側層間絶縁膜上に前記交差部毎にマトリクス状に配置された複数の画素電極と、前記上側絶縁膜の下層に配置され、平坦化された表面上に、前記データ線または前記走査線に沿って、隣り合う前記画素電極間領域に配置されたパターン膜とを具備することを特徴とする。
【００１６】
本発明では、平坦化された基板表面上にパターン膜を配置することにより、走査線もしくはデータ線に沿って配置される隣り合う画素電極間領域付近において、画素電極の端部と対向電極との間で液晶層の厚み方向に生じる縦方向の電界の大きさが、隣り合う画素電極間に生じる横方向に電界（以下、横電界）の大きさよりも大きくなる。すなわち、画素電極間領域付近において平坦化された基板表面上に任意にパターン膜を配置することにより、画素電極間領域付近における画素電極と対向電極との距離の制御を容易に行うことができ、パターン膜の膜厚を任意に設定することによって、画素電極と対向電極との距離を所望の値として縦方向の電界の大きさを制御することが可能となる。これにより、横電界による配向不良の発生を防止し、表示品位の高い液晶装置を得るという効果を有する。
【００１７】
また、本発明は、横電界による表示不良が顕著に現れやすい、表面が平坦化された第２の基板を用いる液晶装置に特に有効であり、表面が平坦化された状態の第２の基板の特定の位置に任意の厚みのパターン膜を配置することによって、積極的に表面段差を設け、画素電極間の横電界の発生を防止し、横電界による表示不良のない液晶装置が得られる。
【００１８】
また、横電界による表示不良領域を隠すように第１の基板側に遮光膜を配置する必要がないため、対向基板側の遮光膜の線幅を狭くすることができ、画素領域の開口率を向上させることができる。
【００１９】
更に、隣り合う画素電極間領域の幅は、該隣り合う画素電極間領域付近における画素電極の端部と前記対向電極との距離よりも長いことを特徴とする。このような構成によれば、走査線もしくはデータ線に沿って配置される隣り合う画素電極間領域において、画素電極の端部と対向電極との間で生じる電界の大きさを、隣り合う画素電極間で生じる電界の大きさよりも確実に大きくすることができ、横電界による配向不良の発生を防止し、表示品位の高い液晶装置を得るという効果を有する。
【００２０】
更に、前記画素電極の端部と前記パターン膜とは重なり合うことを特徴とする。このような構成とすることにより、表示領域の開口率を向上するという効果を有する。
【００２１】
更に、前記パターン膜は前記データ線と同層としてもよい。このような構成とすることによりデータ線の形成と同時にパターン膜を形成することができ、パターンマスクの変更のみでよく、製造工程を増やす必要がないという効果を有する。ここでパターン膜は、隣り合うデータ線同士が電気的に接続されなければどのようなパターン形状でもよく、例えばデータ線とパターン膜とが接続していてもよい。
【００２２】
更に、前記パターン膜と前記データ線との間隔を、前記上側層間絶縁膜の厚みの２倍以下としても良い。このような構成とすることにより、データ線間にパターン膜を配置した場合パターン膜とデータ線の間が空くことによってその部分の段差が減少し、データ線とパターン膜との間の部分の横電界の配向不良が発生するのを防止するという効果を有する。これにより表示領域の開口率を向上するとともに表示品位の改善の効果を有する。
【００２３】
本発明では、また、前記走査線を覆うように平坦化処理された下側層間絶縁膜が配置され、該下側層間絶縁膜上に前記データ線と前記パターン膜とが配置され、該パターン膜が少なくとも前記走査線の一部を覆うように配置され、該データ線と該パターン膜を覆うように前記上側層間絶縁膜が配置されてなることを特徴とする。
【００２４】
このような構成によれば、下側層間絶縁膜が平坦化処理されているため、液晶装置としたときに、第２の基板の液晶層に接する側の表面のうち表示に寄与する領域は平坦化された状態となる。これにより表示部分に寄与する領域における第２の基板の表面段差による配向不良の発生が防止され、表示品位の高い液晶装置を得るという効果を有する。本発明は、表面が平坦化されている第２の基板を用いる液晶装置に特に有効であり、表面が平坦化されている状態の第２の基板の特定の位置にパターン膜を配置することによって、積極的に表面段差を設け、画素電極間の横電界の発生を防止し、横電界による表示不良のない液晶装置が得られる。
【００２５】
また、このような構成によれば前記パターン膜の一部が前記走査線の上部に形成されても該走査線と該パターン膜の間に下側層間絶縁膜が形成されているため短絡が発生することがない。同時に該パターン膜と前記データ線間にも前記下側層間絶縁膜の一部が形成されるため該パターン膜と電気的に接続していない該データ線間も短絡が発生しない液晶装置が得られる。
【００２６】
更に、前記下側層間絶縁膜は無機膜からなることを特徴とする。このような構成を有する液晶装置を例えば投射型表示装置のライトバルブとして用いた場合、光源からの光による下側層間絶縁膜の劣化を防止し、高品質の投射型表示装置を得ることができる。
【００２７】
ここで、一般に、液晶装置は、表示品位を高くするために第２の基板の液晶層側の表面は平坦性が高いことが望ましく、平坦性の高い下側層間絶縁膜が求められている。このような平坦性の高い膜を得る場合には、材料として、無機膜より有機膜の方が、その膜厚を厚くしやすいという理由で優位である。しかしながら、有機膜からなる下側層間絶縁膜を有する液晶装置を投射型表示装置のライトバルブ、特に青色用のライトバルブとして用いた場合、光源から分離された青色光により有機膜が劣化してしまうという問題があり、これを回避するために下側層間絶縁膜材料として無機膜が使用されている。無機膜が使用される場合、膜の平坦性を高めるために例えば無機膜の表面はＣＭＰ処理（機械研磨処理）などの平坦化処理が行われることが必須となってくる。このような平坦化処理が施された膜を下側層間絶縁膜として用いる液晶装置では、平坦性の高い上側層間絶縁膜上に画素電極が配置される構成となるため、上述のような隣り合う画素電極間で生じる横電界による表示不良の問題が顕著に現れる。本発明では、このような横電界による表示不良を防止するために、パターン膜を配置することによって積極的に表面段差を設けて画素電極と対向電極との電極間距離を制御して、横電界の発生を防止している。
【００２８】
このように、投射型表示装置の青色バルブに用いられる液晶装置のように平坦化処理された無機絶縁膜が用いられる液晶装置に、本発明を適用することにより、横電界による表示不良のない液晶装置を得ることができる。
【００２９】
本発明の投射型表示装置は、光源と、該光源から出射される光が入射されて画像情報に対応した変調を施す液晶ライトバルブと、該液晶ライトバルブにより変調された光を投射する投射手段とを有する投射型表示装置において、前記液晶ライトバルブは、上述の記載の液晶装置からなることを特徴とする。
【００３０】
このような構成とすることにより、高品質の投射型表示装置を得ることができる。また、特に青色用のライトバルブにおいて、無機膜の下側層間絶縁膜を用いることにより、光源からの光による下側層間絶縁膜の劣化が防止され、高品質の投射型表示装置を得ることができる。
【００３１】
本発明の液晶装置の製造方法は、第１の基板に対向電極を形成し、対向基板を形成する工程と、第２の基板上に、互いに交差して配置された複数の走査線と複数のデータ線とを形成する工程と、前記複数の走査線及び複数のデータ線とを覆って上側層間絶縁膜を形成する工程と、前記上側層間絶縁膜上に、前記交差部毎に複数の画素電極を形成する工程と、前記上側層間絶縁膜の下層であって、平坦化された表面上に、前記データ線もしくは前記走査線に沿って、隣り合う前記画素電極間領域に配置されたパターン膜を形成する工程と、前記上側層間絶縁膜の下層であって、平坦化された表面上に、前記データ線または前記走査線に沿って、隣り合う前記画素電極間領域にパターン膜を形成してアレイ基板を形成する工程と、前記対向基板と前記アレイ基板とを、前記対向電極及び前記画素電極とが対向するように所定の間隙をもって配置し、該間隙に液晶を注入する工程とを具備することを特徴とする。
【００３２】
本発明のこのような製造方法により製造された液晶装置は、平坦化された基板表面上にパターン膜を配置することにより、走査線もしくはデータ線に沿って配置される隣り合う画素電極間領域付近において、画素電極の端部と対向電極との間で液晶層の厚み方向に生じる縦方向の電界の大きさが、隣り合う画素電極間に生じる横方向に電界（以下、横電界）の大きさよりも大きくなる。すなわち、画素電極間領域付近において平坦化された基板表面上に任意にパターン膜を配置することにより、画素電極間領域付近における画素電極と対向電極との距離の制御を容易に行うことができ、パターン膜の膜厚を任意に設定することによって、画素電極と対向電極との距離を所望の値として縦方向の電界の大きさを制御することが可能となる。これにより、横電界による配向不良の発生を防止し、表示品位の高い液晶装置を得るという効果を有する。
【００３３】
また、本発明は、横電界による表示不良が顕著に現れやすい、表面が平坦化されたアレイ基板を用いる液晶装置に特に有効であり、表面が平坦化された状態の第２の基板の特定の位置に任意の厚みのパターン膜を配置することによって、積極的に表面段差を設け、画素電極間の横電界の発生を防止し、横電界による表示不良のない液晶装置が得られる。
【００３４】
また、前記走査線を覆って、前記平坦化された表面を有する下側層間絶縁膜を形成する工程と、前記下側層間絶縁膜上に前記データ線及び前記パターン膜を同時形成する工程と、前記データ線及び前記パターン膜を覆うように前記上側層間絶縁膜を形成する工程とを具備することを特徴とする。このような構成とすることによりデータ線の形成と同時にパターン膜を形成することができ、パターンマスクの変更のみでよく、製造工程を増やす必要がないという効果を有する。ここでパターン膜は、隣り合うデータ線同士が電気的に接続されなければどのようなパターン形状でもよく、例えばデータ線とパターン膜とが接続していてもよい。
【００３５】
本発明の液晶装置は、第１の基板と第２の基板との間に液晶層が挟持されてなり、前記第１の基板上には対向電極を備え、前記第２の基板にはマトリクス状に配置された画素電極と、前記画素電極に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子上に配置された下側層間絶縁膜と、前記下側層間絶縁膜上に配置されたデータ線と、前記データ線上であって、かつ前記画素電極の下層に配置された上側層間絶縁膜とを具備し、前記画素電極の下層であって、前記下側層間絶縁膜と上側層間絶縁膜の間には、前記前記走査線に沿って、隣り合う画素電極間領域に配置されたパターン膜を具備し、前記データ線と前記走査線との間には、誘電体膜を挟んでスイッチング素子に接続されたドレイン電極と遮光膜とを有し、前記パターン膜は前記走査線及び前記遮光膜に重なるように配置されていることを特徴とする。
【００３６】
本発明のかかる構成によれば、パターン膜を配置することにより、走査線に沿って配置される隣り合う画素電極間領域付近において、画素電極の端部と対向電極との間で液晶層の厚み方向に生じる縦方向の電界の大きさが、隣り合う画素電極間に生じる横方向の電界の大きさよりも大きくなる。これにより、横電界による配向不良の発生を防止し、表示品位の高い液晶装置を得ることができる。しかも、パターン膜を遮光膜及び走査線に重ねるように配置することにより、より確実に走査線付近の遮光を行うことができる。
【００３７】
さらに、パターン膜は、データ線と同一膜からなることを特徴とする。
【００３８】
これにより、データ線の形成と同時にパターン膜を形成することができ、パターンマスクの変更のみで製造工程を増やすことなく、パターン膜を形成することができる。
【００３９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
（第一の実施形態）
本発明による液晶装置の第一の実施形態の構成及び製造方法について、図１から図６を参照して説明する。図１は、データ線、走査線、画素電極、遮光膜等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図２は図１のＢ−Ｂ’で切断したときの液晶装置の縦断面図、図３は図１のＡ−Ａ’で切断したときの液晶装置の縦断面図である。図４〜図６はＡ−Ａ’断面図とＢ−Ｂ’断面図に基づいて、ＴＦＴアレイ基板の製造工程を示す図である。尚、各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００４０】
図２と３に示すように、液晶装置４００は、対向基板３００とＴＦＴアレイ基板２００との間に、後述のシール材（図７及び図８参照）により囲まれた空間に液晶が封入され液晶層５０が形成されて構成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなる。シール材は、対向基板３００とＴＦＴアレイ基板２００をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサが混入されている。
【００４１】
以下にＴＦＴアレイ基板２００の構造について説明する。
【００４２】
ＴＦＴアレイ基板２００は、図１に示すように、石英等の基板１０上に複数の走査線３及び複数のデータ線６が交差して配置され、その交差部毎に薄膜トランジスタ及びこれに電気的に接続された画素電極９ａ、走査線と平行に配置された容量線３ｂが配置されて構成される。
【００４３】
図１及び図３に示すように、画素電極９ａのスイッチングを制御するスイッチング素子としての薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ）３０は、点線にて示される半導体層１とゲート絶縁膜２と走査線３の一部をなすゲート電極３ａから構成される。画素電極９ａは半導体層１とコンタクトホール８を介して電気的に接続され、データ線６の一部はソース電極６ａとして半導体層１とコンタクトホール５を介して電気的に接続される。第１の遮光膜１１ａ（図１中、右上がり斜線部で図示）は、コンタクトホール１３により容量線３ｂに電気的接続されている。薄膜トランジスタ３０はＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有し、詳細については後述の製造方法で説明する。
【００４４】
図１乃至図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板２００では、石英等の基板１０上に、所定の形状にパターニングされた第１遮光膜１１ａ（図１中、右上がりの斜線で図示）が配置される。第１遮光膜１１ａは、好ましくは不透明な高融点金属であるＴｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｂのうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド等から構成される。このような材料から構成すれば、ＴＦＴアレイ基板２００上の第１遮光膜１１ａの形成工程の後に行われる画素スイッチング用ＴＦＴ３０の形成工程における高温処理により、第１遮光膜１１ａが破壊されたり溶融しないようにできる。第１遮光膜１１ａが形成されているので、基板１０の側からの戻り光等が画素スイッチング用ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａやＬＤＤ領域に入射する事態を未然に防ぐことができ、光電流の発生により画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性が劣化することはない。
【００４５】
第１の遮光膜１１ａ上にはこれを覆うように下地用絶縁膜１２が配置される。下地用絶縁膜１２は、画素スイッチング用ＴＦＴ３０を構成する半導体層１を第１遮光膜１１ａから電気的絶縁するために設けられるものである。更に、下地用絶縁膜１２は、石英基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴ３０のための下地膜としての機能をも有する。即ち、石英等の基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。下地用絶縁膜１２は、例えば、ＮＳＧ（ノンドープトシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）などの高絶縁性ガラス又は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等からなる。下地用絶縁膜１２により、第１遮光膜１１ａが画素スイッチング用ＴＦＴ３０等を汚染する事態を未然に防ぐこともできる。
【００４６】
下地用絶縁膜１２上には、データ線６及び走査線３に沿った形状に形成された半導体層１（図１中、点線で囲まれた領域）が配置され、この半導体層を覆ってゲート絶縁膜２が配置される。半導体層１はたとえばシリコンの単結晶膜、もしくは非単結晶膜等からなる。
【００４７】
ゲート絶縁膜２上には半導体層１の一部と重なるように複数のポリシリコン膜からなる走査線３が配置され、この重なった領域の半導体層１はチャネル領域１ａとして、走査線３はゲート電極３ａとして機能する。更に、ゲート絶縁膜２上には、走査線３と同層からなる容量線３ｂが配置されている。容量線３ｂは、走査線３とほぼ平行な直線状の本線部とデータ線６に沿った突出部とを有している。本実施の形態では、ゲート絶縁膜２を走査線３ａに対向する位置から延設して誘電体膜として用い、半導体膜１の一部を第１蓄積容量電極１ｆとし、更にこれらに対向する容量線３ｂの一部を第２蓄積容量電極とすることにより、蓄積容量７０が構成されている。本実施の形態では特に、各容量線３ｂと、第１遮光膜１１ａとが夫々、コンタクトホール１３を介して電気的接続されている。このため、容量線３ｂの抵抗を、第１遮光膜１１ａの抵抗により顕著に低められる。本実施の形態では、容量線３ｂは、高抵抗なポリシリコン膜から形成されているので、対角１．３インチや０．９インチ程度の小型の液晶装置の場合でも、数１００ＫΩ程度の抵抗を有するが、第１遮光膜１１ａは、導電性の高融点金属膜から形成されているので、容量線３ｂにおける走査線３に沿った方向の抵抗は、大幅に低抵抗化される。
【００４８】
走査線３及び容量線３ｂを覆って、平坦化処理を行った層間絶縁膜（下側層間絶縁膜）４が配置される。更に、層間絶縁膜４上には走査線３と交差するように形成された複数のデータ線６、データ線６と同層からなる島状のパターン膜６ｂが配置されている。パターン膜６ｂは、例えばデータ線６方向に沿って配置される隣り合う画素電極９ａ間領域に配置され、かつその端部が画素電極９ａの端部と重なり合うように配置されている。また、パターン膜６ｂは、走査線３、容量線３ｂのそれぞれ一部に、平面的に重なって配置された形状となっている。また、パターン膜６ｂはコンタクトホール８を除いて配置される構造になっており、コンタクトホール８と電気的につながらない構造になっている。
【００４９】
そして、データ線６を覆うように層間絶縁膜（上側層間絶縁膜）７が配置され、層間絶縁膜７上には走査線３とデータ線６との交差部毎にマトリクス状に複数のＩＴＯ膜からなる画素電極９ａが配置され、更に基板全面にポリイミドからなる配向膜１６が配置されている。
【００５０】
次に、対向基板の構造について説明する。
【００５１】
対向基板３００は、ガラス基板２０上にマトリクス状に形成された第２の遮光膜２３と、基板全面に形成された対向電極２１と、配向膜２２とが配置されて構成されている。対向電極２１は例えば透明導電膜であるＩＴＯ（インジウム・チン・オキサイド）膜、配向膜２２は有機膜であるポリイミドなどからなる。第２遮光膜２３は、各画素部の開口領域以外の領域に設けられ、対向基板３００の側から入射光が画素スイッチング用ＴＦＴ３０の半導体層１のチャネル領域１ａやＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域に侵入することはない。更に、第２遮光膜２３は、コントラストの向上、色材の混色防止などの機能を有する。
【００５２】
本実施形態では、図２に示すように、パターン膜６ｂを設けることにより、データ線方向に沿って配置される隣り合う画素電極９ａ間の距離ｄ１が、隣り合う画素電極間領域付近の画素電極９ａの端部と対向電極２１との距離ｄ２よりも長くなっている。ここで、ｄ１は１．５から３．５μｍ、望ましくは２．０から３．０μｍ、ｄ２は１．０から３．０μｍ、望ましくは１．５から２．５μｍ、パターン膜６ｂの幅ｄ３は５μｍである。なおこれらの値に関しては距離ｄ１が距離ｄ２より長ければこれに限定されるものではない。このような構成とすることにより、液晶装置としたときに、画素電極９ａ間で生じる液晶層５０の厚み方向と垂直な方向の横の電界（以下横電界）よりも、隣り合う画素電極間領域付近の画素電極９ａと対向電極２１との間で生じる液晶層５０の厚み方向の電界が大きくなる。これにより、隣り合う画素電極間領域における液晶分子は液晶層５０の厚み方向の電界に影響されることとなり、横電界による液晶分子の配向不良の発生を防止することができる。また、図２に示すように、パターン膜６ｂと画素電極９ａの端部とは重なりあうように配置されており、画素領域の開口率を向上することができる。
【００５３】
次に、液晶装置のＴＦＴアレイ基板２００の製造プロセスについて、図４から図６を参照して説明する。尚、図４から図６は各工程におけるＴＦＴアレイ基板側の各層を、図２、図３と同様に図１のＡ−Ａ’断面、Ｂ―Ｂ’断面に対応させて示す工程図である。
【００５４】
図４（ａ）に示すように、石英基板、ハードガラス等の基板、ここでは石英基板１０を用意する。ここで、好ましくはＮ2（窒素）等の不活性ガス雰囲気且つ約９００〜１３００℃の高温でアニール処理し、後に実施される高温プロセスにおける石英基板１０に生じる歪みが少なくなるように前処理しておく。即ち、製造プロセスにおける最高温で高温処理される温度に合わせて、事前に石英基板１０を同じ温度かそれ以上の温度で熱処理しておく。
【００５５】
このように処理された石英基板１０の全面に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｂ等の金属や金属シリサイド等の金属合金膜を、スパッタにより、１００〜５００ｎｍ程度の層厚、好ましくは約２００ｎｍの層厚の遮光膜１１を形成する。
【００５６】
続いて、図４（ｂ）に示すように、該形成された遮光膜１１上にフォトリソグラフィにより第１遮光膜１１ａのパターン（図１参照）に対応するレジストマスクを形成し、該レジストマスクを介して遮光膜１１に対しエッチングを行うことにより、第１遮光膜１１ａを形成する。
【００５７】
次に図４（ｃ）に示すように、第１遮光膜１１ａの上に、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法等によりＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シリケート）ガス、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）ガス、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）ガス等を用いて、ＮＳＧ（ノンドープシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）などのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる下地用絶縁膜１２を形成する。この下地用絶縁膜１２の層厚は、例えば、約５００〜２０００ｎｍとする。
【００５８】
次に図４（ｄ）に示すように、下地用絶縁膜１２の上に、約４５０〜５５０℃、好ましくは約５００℃の比較的低温環境中で、流量約４００〜６００ｃｃ／ｍｉｎのモノシランガス、ジシランガス等を用いた減圧ＣＶＤ（例えば、圧力約２０〜４０ＰａのＣＶＤ）により、アモルファスシリコン膜を形成する。その後、窒素雰囲気中で、約６００〜７００℃にて約１〜１０時間、好ましくは、４〜６時間のアニール処理を施することにより、ポリシリコン膜８０を約５０〜２００ｎｍの厚さ、好ましくは約１００ｎｍの厚さとなるまで固相成長させる。
【００５９】
この際、図３に示したＴＦＴ３０として、ｎチャネル型のＴＦＴ３０を作成する場合には、当該チャネル領域にＳｂ（アンチモン）、Ａｓ（砒素）、Ｐ（リン）などのＶ族元素の不純物イオンを僅かにイオン注入等によりドープしても良い。また、画素スイッチング用ＴＦＴ３０をｐチャネル型とする場合には、Ｂ（ボロン）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）などのIII族元素の不純物イオンを僅かにイオン注入等によりドープしても良い。尚、アモルファスシリコン膜を経ないで、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜８０を直接形成しても良い。或いは、減圧ＣＶＤ法等により堆積したポリシリコン膜にシリコンイオンを打ち込んで一旦非晶質化（アモルファス化）し、その後アニール処理等により再結晶化させてポリシリコン膜１を形成しても良い。
【００６０】
次に図４（ｅ）に示すように、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、図１に示した如き所定パターンのポリシリコンからなる半導体層１を形成する。この半導体層１の一部は第１蓄積容量電極として機能する。
【００６１】
次に図４（ｆ）に示すように、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１を約９００〜１３００℃の温度、好ましくは約１０００℃の温度により熱酸化することにより、約３０ｎｍの比較的薄い厚さの熱酸化シリコン膜を形成し、更に減圧ＣＶＤ法等により高温酸化シリコン膜（ＨＴＯ膜）や窒化シリコン膜を約５０ｎｍの比較的薄い厚さに堆積し、多層構造を持つＴＦＴ３０のゲート絶縁膜２を形成する。この結果、半導体層１の厚さは、約３０〜１５０ｎｍの厚さ、好ましくは約３５〜５０ｎｍの厚さとなり、ゲート絶縁膜２の厚さは、約２０〜１５０ｎｍの厚さ、好ましくは約３０〜１００ｎｍの厚さとなる。このように高温熱酸化時間を短くすることにより、特に８インチ程度の大型ウエーハを使用する場合に熱によるそりを防止することができる。但し、ポリシリコン層１を熱酸化することのみにより、単一層構造を持つゲート絶縁膜２を形成してもよい。
【００６２】
尚、図４（ｆ）において特に限定されないが、第１蓄積容量電極１ｆとなる半導体層部分に、例えば、Ｐイオンをドーズ量約３×１０12／ｃｍ2でドープして、低抵抗化させてもよい。
【００６３】
次に、図４（ｇ）において、下地用絶縁膜１２に第１遮光膜１１ａに至るコンタクトホール１３を反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより或いはウエットエッチングにより形成する。この際、反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチングのような異方性エッチングにより、コンタクトホール１３等を開孔した方が、開孔形状をマスク形状とほぼ同じにできるという利点がある。但し、ドライエッチングとウエットエッチングとを組み合わせて開孔すれば、これらのコンタクトホール１３等をテーパ状にできるので、配線接続時の断線を防止できるという利点が得られる。
【００６４】
次に図４（ｈ）に示すように、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜８１を堆積した後、リン（Ｐ）を熱拡散し、ポリシリコン膜８１を導電化する。又は、Ｐイオンをポリシリコン膜８１の成膜と同時に導入したドープトシリコン膜を用いてもよい。
【００６５】
次に、図５の工程（ａ）に示すように、レジストマスクを用いたフォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、図１に示した如き所定パターンの走査線３ａと共に容量線３ｂを形成する。これらの容量線３ｂ及び走査線３ａの層厚は、例えば、約３５０ｎｍとされる。
【００６６】
次に図５（ｂ）に示すように、図３に示したＴＦＴ３０をＬＤＤ構造を持つｎチャネル型のＴＦＴとする場合、半導体層１に、先ず低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃを形成するために、走査線３の一部をなすゲート電極３ａを拡散マスクとして、ＰなどのＶ族元素の不純物イオン６０を低濃度で（例えば、Ｐイオンを１〜３×１０13／ｃｍ2のドーズ量にて）ドープする。これによりゲート電極３ａ下の半導体層１はチャネル領域１ａとなる。
【００６７】
続いて、図５（ｃ）に示すように、ＴＦＴ３０を構成する高濃度ソース領域１ｂ及び高濃度ドレイン領域１ｃを形成するために、ゲート電極３ａよりも幅の広いマスクでレジスト層６２をゲート電極３ａ上に形成した後、同じくＰなどのＶ族元素の不純物イオン６１を高濃度で（例えば、Ｐイオンを１〜３×１０15／ｃｍ2のドーズ量にて）ドープし、ＬＤＤ構造のＴＦＴ３０を得る。この場合、レジスト層６２の下側の半導体層が低濃度ソース領域１ｂと低濃度ドレイン領域１ｃとなる。また、ＴＦＴ３０をｐチャネル型とする場合、半導体層１に、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを形成するために、ＢなどのIII族元素の不純物イオンを用いてドープする。尚、例えば、低濃度のドープを行わずに、オフセット構造のＴＦＴとしてもよく、ゲート電極３aをマスクとして、Ｐイオン、Ｂイオン等を用いたイオン注入技術によりセルフアライン型のＴＦＴとしてもよい。
【００６８】
この不純物のドープにより容量線３ｂ及び走査線３ａも更に低抵抗化される。
【００６９】
また、ここでは、図示しないが、この後、Ｂ（ボロン）イオンなどのIII族元素の不純物イオンを行うことにより、ｐチャネル型ＴＦＴを形成することができる。これにより、ｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴから構成される相補型構造を持つ駆動回路を石英基板上の周辺部に形成することが可能となる。このように、本実施の形態においては半導体層としてポリシリコンで形成するので、駆動回路と表示領域中のＴＦＴとを同一工程で形成することができ、製造上有利である。
【００７０】
次に図５（ｄ）に示すように、走査線３及び容量線３ｂを覆うように、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法やＴＥＯＳガス等を用いて、１４００ｎｍ厚のＮＳＧ膜８２を形成する。ＮＳＧ膜以外に、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等を用いても良い。
【００７１】
次に図５（ｅ）に示すように、ＮＳＧ膜８２はその表面をＣＭＰ処理（機械研磨処理）されて表面が平坦化され、膜厚８００ｎｍの層間絶縁膜４が形成される。
【００７２】
次に図５（ｆ）に示すように、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを活性化するために約１０００℃のアニール処理を２０分程度行った後、データ線６に対するコンタクトホール５を、反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより或いはウエットエッチングにより形成する。また、走査線３や容量線３ｂを図示しない配線と接続するためのコンタクトホールも、コンタクトホール５と同一の工程により層間絶縁膜４に開孔する。
【００７３】
次に図６（ａ）に示すように、層間絶縁膜４の上に、スパッタ処理等により、遮光性のＡｌ等の低抵抗金属や金属シリサイド等を金属膜８３として、約３００ｎｍの厚さに堆積し、更に図６（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、データ線６、パターン膜６ｂを形成する。ここで、層間絶縁膜４は平坦化されているため、データ線６及びパターン膜６ｂは平坦な層間絶縁膜４上に配置される構成となる。尚、パターン膜の幅及び厚みなどは、最終的に形成したい表面段差の大きさ、後に形成する画素電極との重なり量、画素電極形成時のマスク精度により任意に設定する。
【００７４】
次に図６（ｃ）に示すように、データ線６上を覆うように、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法やＴＥＯＳガス等を用いて、８００ｎｍ厚のＢＰＳＧ膜をからなる層間絶縁膜７を形成する。ＢＰＳＧ膜以外にはＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等を用いることができる。これにより、パターン膜６ｂが配置された領域では、層間絶縁膜７の表面に段差が生じる。これにより表面段差を形成し液晶分子の配向不良を防止する。
【００７５】
次に図６（ｄ）の段階において、画素電極９ａと高濃度ドレイン領域１ｅとを電気的接続するためのコンタクトホール８を、反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより形成する。
【００７６】
次に図６（ｅ）に示すように、層間絶縁膜７の上に、スパッタ処理等により、ＩＴＯ膜等の透明導電性薄膜９を、約５０〜２００ｎｍの厚さに堆積し、更に図６（ｆ）に示すように、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、画素電極９ａを形成する。尚、当該液晶装置を反射型の液晶装置に用いる場合には、Ａｌ等の反射率の高い不透明な材料から画素電極９ａを形成してもよい。
【００７７】
続いて、画素電極９ａの上にポリイミド系の配向膜の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト角を持つように且つ所定方向でラビング処理を施すこと等により、配向膜１６（図２及び図３参照）が形成される。
【００７８】
他方、図２及び図３に示した対向基板３００については、ガラス基板２０等が先ず用意され、第２遮光膜２３及び後述のとしての第２遮光膜（図７及び図８参照）が、例えば金属クロムをスパッタした後、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程を経て形成される。尚、これらの第２遮光膜は、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌなどの金属材料の他、カーボンやＴｉをフォトレジストに分散した樹脂ブラックなどの材料から形成してもよい。
【００７９】
その後、対向基板３００の全面にスパッタ処理等により、ＩＴＯ等の透明導電性薄膜を、約５０〜２００ｎｍの厚さに堆積することにより、対向電極２１を形成する。更に、対向電極２１の全面にポリイミド系の配向膜の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト角を持つように且つ所定方向でラビング処理を施すこと等により、配向膜２２（図２及び図３参照）が形成される。
【００８０】
最後に、図８に示すように、上述のように各層が形成されたＴＦＴアレイ基板２００と対向基板３００とは、配向膜１６及び２２が対面するようにシール材５２により貼り合わされ、真空吸引等により、両基板間の空間に、例えば複数種類のネマティック液晶を混合してなる液晶が吸引されて、所定層厚の液晶層５０が形成される。
【００８１】
以上のように構成された液晶装置の全体構成を図７及び図８を参照して説明する。尚、図７は、ＴＦＴアレイ基板２００をその上に形成された各構成要素と共に対向基板３００の側から見た平面図であり、図８は、対向基板３００を含めて示す図７のＨ−Ｈ’断面図である。
【００８２】
図７において、ＴＦＴアレイ基板２００の上には、シール材５２がその縁に沿って設けられており、その内側に並行して、例えば第２遮光膜２３と同じ或いは異なる材料から成る額縁としての第２遮光膜５３が設けられている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板２００の一辺に沿って設けられており、走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。走査線３に供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでも良いことは言うまでもない。また、データ線駆動回路１０１を画像表示領域の辺に沿って両側に配列してもよい。例えば奇数列のデータ線６ａは画像表示領域一方の辺に沿って配設されたデータ線駆動回路から画像信号を供給し、偶数列のデータ線は前記画像表示領域の反対側の辺に沿って配設されたデータ線駆動回路から画像信号を供給するようにしてもよい。この様にデータ線６を櫛歯状に駆動するようにすれば、データ線駆動回路の占有面積を拡張することができるため、複雑な回路を構成することが可能となる。更にＴＦＴアレイ基板２００の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられており、更に、額縁としての第２遮光膜５３の下に隠れてプリチャージ回路２０１を設けてもよい。また、対向基板３００のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板２００と対向基板３００との間で電気的導通をとるための導通材１０６が設けられている。そして、図７に示すように、図８に示したシール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板３００が当該シール材５２によりＴＦＴアレイ基板２００に固着されている。
【００８３】
以上のように本実施形態においては、データ線に沿って配置される隣り合う画素電極間領域にパターン膜６ｂを配置することにより、隣り合う画素電極間で生じる横電界による配向不良表示領域のない高品質の液晶装置を得ることができる。また、パターン膜はアルミニウムなどの金属膜で形成されているため遮光性が高く、半導体層１に入射する入遮光側からの光制御も可能でＴＦＴの誤動作の発生を防止することができる。
【００８４】
尚、本実施形態では、パターン膜６ｂはデータ線と同層で同材料で形成されているが、他の材料または他の層で形成されても良く、画素電極よりも下層に配置され、液晶装置とした時にＴＦＴアレイ基板２００の液晶層５０に接する側の表面に所望の段差が得られれば良い。
【００８５】
また、本実施形態においては、パターン膜６ｂは凹の字状だがコンタクトホール部分に対応する部分のみが除去された真ん中がくりぬかれた長方形でも良く、これらの形状に限られる物ではない。
【００８６】
また、本実施形態においては、パターン膜６ｂは島状に形成されてフロートの状態であるが、データ線同士が電気的に接続しなければ、データ線と接続した形状としても良い。
【００８７】
また、本実施形態においては、パターン膜６ｂとデータ線６の間に間隔が生じているがこの間隔について図１２を以って説明する。図１２は図１のＣ−Ｃ'断面図のデータ線６近傍の拡大図である。データ線６とパターン膜６ｂの間をデータ線同士が電気的に接続しない様に間隙を設ける場合がある。この場合、データ線６とパターン膜６ｂの距離７１をその上の絶縁膜の膜厚の２倍以下、望ましくは１．８倍以下にすれば層間絶縁膜７のカバーレッジによって層間絶縁膜の落ち込み量７２を大幅に減らすことが可能になる。これによりパターン膜６ｂとデータ線６の間で段差ができることにより配向不良が発生することを防止することが可能になる。
【００８８】
また、本実施形態においては、回路の駆動方法により、データ線側（データ線に沿った領域）もしくは走査線側（走査線に沿った領域）それぞれの横電界の発生しやすさが異なってくる場合がある。このような場合においては、パターン膜６ｂもしくはデータ線６の膜厚を変化させることによって、横電界の発生の制御を容易に対応することが可能になる。以下に、図１３、図１４、図１５を用いていくつかの回路の駆動方法それぞれに適した構造について説明を行う。尚、図１３〜図１５は、それぞれ図１の線Ｃ−Ｃ'に対応した断面図になる。
【００８９】
図１３は本実施例においてデータ線側と走査線側に同じ大きさの横電界がかかった場合に適した説明図である。このようなデータ線側と走査線側に同じ大きさの横電界がかかる駆動方法としては、すべての隣り合う画素に対して極性が反転するドット反転があげられる。このような場合、図から分かる様に同じ横電界がかかった時は、データ線６の膜厚とパターン膜６ｂの膜厚をほぼ同じ膜厚にすることによって、画素電極９ａ端面の膜厚をデータ線側、走査線側ともに同じ段差にする。このことによって画素電極９ａ全体に対して、走査線側、データ線側の端面をともに一定の高さで高くする。これによって走査線側、データ線側ともに横電界による配向不良を防止する。
【００９０】
図１４はデータ線側に、走査線側より大きな横電界がかかる場合の説明図である。このようなデータ線側に走査線側より大きな横電界がかかる駆動方法としては、隣り合う画素列毎に極性が反転する列反転があげられる。この場合、データ線６の膜厚をパターン膜６ｂの膜厚より大きくなるように設定する。例えばパターン膜６ｂが３００ｎｍの膜厚で構成されている場合、データ線６の膜厚を５００から８００ｎｍになるように構成できる。これによりデータ線側により大きな横電界が発生しても、走査線側の端面、データ線側の端面共に一定の高さで高くして横電界による配向不良を防止できる。同時にデータ線側の端面の高さを走査線側の端面の高さより更に高くすることによって、データ線側の大きな横電界による配向不良を防止できる。
【００９１】
この構成に限定されるものではないが例えば、データ線の下層配線６１をパターン膜６ｂと同じＡｌもしくはその合金で構成し、データ線の上層配線６２をＴｉ、Ｔａ、Ｗその他の高融点金属、その合金もしくはそのシリサイドで構成することが可能である。この場合上層配線をパターンニングの時の反射防止膜と、端子の接続の時のバリアメタルとして使用することが可能である。
【００９２】
また、この構成では例えば、データ線の下層配線６１をパターン膜６ｂと同じＴｉ、Ｔａ、Ｗその他の高融点金属、その合金もしくはそのシリサイドで構成し、データ線の上層配線６２をＡｌもしくはその合金で構成することも可能である。この場合、パターン膜６ｂを画素電極９ａと容量電極１ｆとの間のバリアメタルとして使用することが可能である。
【００９３】
図１５は走査線側に、データ線側より大きな横電界がかかる場合の説明図である。このような走査線側にデータ線側より大きな横電界がかかる駆動方法としては、隣り合う画素行毎に極性が反転する行反転があげられる。この場合、パターン膜６ｂの膜厚をデータ線６の膜厚より大きくなるように設定する。例えばデータ線６が３００ｎｍの膜厚で構成されている場合、パターン膜６ｂの膜厚を５００から８００ｎｍになるように構成できる。これにより走査線側により大きな横電界が発生しても、走査線側の端面、データ線側の端面共に一定の高さで高くして横電界による配向不良を防止できる。同時に走査線側の端面の高さをデータ線側の端面の高さより更に高くすることによって、データ線側の大きな横電界による配向不良を防止できる。
【００９４】
この構成に限定されるものではないが例えば、パターン膜６ｂの下層側６１‘をデータ線６と同じＡｌもしくはその合金で構成し、パターン膜６ｂの上層側６２’をＴｉ、Ｔａ、Ｗその他の高融点金属、その合金もしくはそのシリサイドで構成することが可能である。この場合上層側６２‘をパターンニングの時の反射防止膜、さらには画素電極９ａと容量電極１ｆとの間のバリアメタルとして使用することが可能である。
【００９５】
また、本実施形態の液晶装置はカラーフィルタを具備していないが、カラーフィルタを設けてもよい。このようにすれば、液晶プロジェクタ以外の直視型や反射型のカラー液晶テレビなどのカラー液晶装置に各実施の形態における液晶装置を適用できる。更に、対向基板３００上に１画素1個対応するようにマイクロレンズを形成してもよい。このようにすれば、入射光の集光効率を向上することで、明るい液晶装置が実現できる。更にまた、対向基板３００上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー液晶装置が実現できる。
【００９６】
また、各画素に設けられるスイッチング素子として、ポリシリコンＴＦＴを用いているが、アモルファスシリコンＴＦＴ等の他の形式のＴＦＴに対しても、応用できることはいうまでもない。
【００９７】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について図１６乃至図１８を用いて説明する。図１６は、第２の実施形態におけるデータ線、走査線、画素電極、遮光膜等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図１７は、図１６の部分拡大図である。図１８は、図１６のＡ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’、Ｃ−Ｃ’断面図である。第２の実施形態において、第１の実施形態と同様な内容については、説明を省略し、異なる部分のみ説明する。
【００９８】
図１６において、電気光学装置のＴＦＴアレイ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａが各画素毎に形成されている。この画素電極９ａの形成領域は、図１７に示す拡大図において右上がりの斜線を付した矩形の領域である。
【００９９】
また、画素電極９ａの縦横の境界領域に沿ってデータ線６および走査線３ａが形成されている。データ線６の両端部分は、画素電極９ａの端部と重なっている。走査線３の両端部分も画素電極９ａの端部と重なっている。
【０１００】
本形態において、データ線６（ソース電極）は、アルミニウム等の金属膜や金属シリサイド等の合金膜等から構成されている。
【０１０１】
また、走査線３（ゲート電極３ａ）およびゲート絶縁膜２（例えば、熱酸化膜２ａ及びＨＴＯ膜２ｂ）の上層側には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール５、および高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８１が各々形成されている。第１層間絶縁膜４の上には第２層間絶縁膜７ａが形成されている。第２層間絶縁膜７ａは平坦化されている。この第２層間絶縁膜７ａの上には第３層間絶縁膜７ｂが形成されている。データ線６は、第２層間絶縁膜７ａの上に形成され、ソース領域１ｄへのコンタクトホール５を介して、データ線６（ソース電極）は高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。
【０１０２】
本形態は第１の実施形態と同様に、データ線と同一膜からなるパターン膜６ｂが、図１６、図１７の右下がりと左下がりの斜線で示された位置、即ち、走査線３上に形成されている。
【０１０３】
画素電極９ａは第３層間絶縁膜７ｂの上に形成されている。本形態では、画素電極９ａをＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続するにあたって、第１層間絶縁膜４の表面にドレイン電極１１を形成して、このドレイン電極１１を第１層間絶縁膜４のコンタクトホール８１を介してＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続するとともに、第２層間絶縁膜７ａおよび第３層間絶縁膜７ｂにコンタクトホール８２を形成し、このコンタクトホール８２を介して画素電極９ａをドレイン電極１１に電気的に接続している。従って、画素電極９ａは、ドレイン電極１１を介してＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続している。
【０１０４】
本形態において、ドレイン電極１１は、高濃度ドレイン領域１ｅの上層側からチャネル領域１ａを上層側で完全に覆うように形成されたドープトシリコン膜（ポリシリコン中継電極）などといった遮光性の導電膜からなり、このドレイン電極１１の形成領域は、各画素電極９ａの縦横の境界領域において、データ線６ａと走査線３ａの交点からデータ線６ａと走査線３ａに沿って十字形状に各画素毎に形成されている。
【０１０５】
本形態では、ドレイン電極１１の表面側には、薄い絶縁膜１２が形成され、この薄い絶縁膜１２と第２層間絶縁膜７ａとの層間には、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ′を覆うように第２の遮光膜１３が形成されている。本形態において、第２の遮光膜１３は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｂ、Ａｌ、これらの金属の合金、これらの金属のシリサイド膜、またはドープトシリコンなどの遮光性を有する導電膜から構成されている。第２の遮光膜１３は、各画素電極９ａの縦横の境界領域に沿って格子状に形成され、各画素間で共通の電位に保持される。
【０１０６】
ここで、第２の遮光膜１３の下層側にはドレイン電極１１が形成されており、これらの第２の遮光膜１３とドレイン電極１１は薄い絶縁膜１２を介して広い領域にわたって対向している。そこで、本形態では、この薄い絶縁膜１２を誘電膜として、第２の遮光膜１３とドレイン電極１１を電極とする蓄積容量７０が構成されている。
【０１０７】
本実施形態の構成によれば、第１の実施形態と同様に隣り合うデータ線６の間の画素電極間領域にパターン膜６ｂを配置することにより、隣り合う画素電極間で生じる横電界による配向不良表示領域のない高品質の液晶装置を得ることができる。また、パターン膜６ｂはアルミニウムなどの金属膜からなるため、遮光性に優れている。特に、第２の遮光膜がシリサイド等で形成された場合は、完全な遮光膜として機能しない場合があるが、このパターン膜６ｂを重ねることにより、より確実に遮光性を高めることができる。
【０１０８】
次に、上述で明した実施の形態における液晶装置を、カラー液晶プロジェクタ（投射型表示装置）のライトバルブとして用いた場合について説明する。
【０１０９】
投射型表示装置では、３枚の液晶装置がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、各パネルには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになる。以下に、投射型表示装置の構成について、図９を参照して説明する。図９において、投射型表示装置１１００は、上述した液晶装置を３個用意し、夫々ＲＧＢ用の液晶装置９６２Ｒ、９６２Ｇ及び９６２Ｂとして用いた投射型液晶装置の光学系の概略構成図を示す。本例の投射型表示装置の光学系には、前述した光源装置９２０と、均一照明光学系９２３が採用されている。そして、投射型表示装置は、この均一照明光学系９２３から出射される光束Ｗを赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に分離する色分離手段としての色分離光学系９２４と、各色光束Ｒ、Ｇ、Ｂを変調する変調手段としての３つのライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、９２５Ｂと、変調された後の色光束を再合成する色合成手段としての色合成プリズム９１０と、合成された光束を投射面１００の表面に拡大投射する投射手段としての投射レンズユニット９０６を備えている。また、青色光束Ｂを対応するライトバルブ９２５Ｂに導く導光系９２７をも備えている。
【０１１０】
均一照明光学系９２３は、２つのレンズ板９２１、９２２と反射ミラー９３１を備えており、反射ミラー９３１を挟んで２つのレンズ板９２１、９２２が直交する状態に配置されている。均一照明光学系９２３の２つのレンズ板９２１、９２２は、それぞれマトリクス状に配置された複数の矩形レンズを備えている。光源装置９２０から出射された光束は、第１のレンズ板９２１の矩形レンズによって複数の部分光束に分割される。そして、これらの部分光束は、第２のレンズ板９２２の矩形レンズによって３つのライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、９２５Ｂ付近で重畳される。従って、均一照明光学系９２３を用いることにより、光源装置９２０が出射光束の断面内で不均一な照度分布を有している場合でも、３つのライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、９２５Ｂを均一な照明光で照明することが可能となる。
【０１１１】
各色分離光学系９２４は、青緑反射ダイクロイックミラー９４１と、緑反射ダイクロイックミラー９４２と、反射ミラー９４３から構成される。まず、青緑反射ダイクロイックミラー９４１において、光束Ｗに含まれている青色光束Ｂおよび緑色光束Ｇが直角に反射され、緑反射ダイクロイックミラー９４２の側に向かう。赤色光束Ｒはこのミラー９４１を通過して、後方の反射ミラー９４３で直角に反射されて、赤色光束Ｒの出射部９４４からプリズムユニット９１０の側に出射される。
【０１１２】
次に、緑反射ダイクロイックミラー９４２において、青緑反射ダイクロイックミラー９４１において反射された青色、緑色光束Ｂ、Ｇのうち、緑色光束Ｇのみが直角に反射されて、緑色光束Ｇの出射部９４５から色合成光学系の側に出射される。緑反射ダイクロイックミラー９４２を通過した青色光束Ｂは、青色光束Ｂの出射部９４６から導光系９２７の側に出射される。本例では、均一照明光学素子の光束Ｗの出射部から、色分離光学系９２４における各色光束の出射部９４４、９４５、９４６までの距離がほぼ等しくなるように設定されている。
【０１１３】
色分離光学系９２４の赤色、緑色光束Ｒ、Ｇの出射部９４４、９４５の出射側には、それぞれ集光レンズ９５１、９５２が配置されている。したがって、各出射部から出射した赤色、緑色光束Ｒ、Ｇは、これらの集光レンズ９５１、９５２に入射して平行化される。
【０１１４】
このように平行化された赤色、緑色光束Ｒ、Ｇは、ライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇに入射して変調され、各色光に対応した画像情報が付加される。すなわち、これらの液晶装置は、不図示の駆動手段によって画像情報に応じてスイッチング制御されて、これにより、ここを通過する各色光の変調が行われる。一方、青色光束Ｂは、導光系９２７を介して対応するライトバルブ９２５Ｂに導かれ、ここにおいて、同様に画像情報に応じて変調が施される。尚、本例のライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、９２５Ｂは、それぞれさらに入射側偏光手段９６０Ｒ、９６０Ｇ、９６０Ｂと、出射側偏光手段９６１Ｒ、９６１Ｇ、９６１Ｂと、これらの間に配置された液晶装置９６２Ｒ、９６２Ｇ、９６２Ｂとからなる液晶ライトバルブである。
【０１１５】
導光系９２７は、青色光束Ｂの出射部９４６の出射側に配置した集光レンズ９５４と、入射側反射ミラー９７１と、出射側反射ミラー９７２と、これらの反射ミラーの間に配置した中間レンズ９７３と、ライトバルブ９２５Ｂの手前側に配置した集光レンズ９５３とから構成されている。集光レンズ９４６から出射された青色光束Ｂは、導光系９２７を介して液晶装置９６２Ｂに導かれて変調される。各色光束の光路長、すなわち、光束Ｗの出射部から各液晶装置９６２Ｒ、９６２Ｇ、９６２Ｂまでの距離は青色光束Ｂが最も長くなり、したがって、青色光束の光量損失が最も多くなる。しかし、導光系９２７を介在させることにより、光量損失を抑制することができる。
【０１１６】
各ライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、９２５Ｂを通って変調された各色光束Ｒ、Ｇ、Ｂは、色合成プリズム９１０に入射され、ここで合成される。そして、この色合成プリズム９１０によって合成された光が投射レンズユニット９０６を介して所定の位置にある投射面１００の表面に拡大投射されるようになっている。
【０１１７】
本例では、特に青色用のライトバルブ９６２Ｂとして、液晶装置の層間絶縁膜として無機膜が使用されているため、青色光束Ｂによる層間絶縁膜の劣化がなく、高品質の投射型表示装置を得ることができる。
【０１１８】
このように、光による膜劣化防止のために平坦化された無機膜が必要となる青色用のライトバルブとして用いられる液晶装置では、パターン膜が用いられることにより、上述のように画素電極の端部と対向電極との距離を容易に制御することができ、隣り合う画素電極間で生じる横電界による液晶分子の配向不良を防止することができる。このため、上述の液晶装置は、特に青色用のライトバルブとして用いることが有効である。
【図面の簡単な説明】
【図１】液晶装置の第１の実施形態におけるデータ線、走査線、画素電極、遮光膜等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図２】図１のＢ−Ｂ’断面図である。
【図３】図１のＡ−Ａ’断面図である。
【図４】液晶装置の実施形態におけるＴＦＴアレイ基板の製造プロセスを順を追って示す工程図（その１）である。
【図５】液晶装置の実施形態におけるＴＦＴアレイ基板の製造プロセスを順を追って示す工程図（その２）である。
【図６】液晶装置の実施形態におけるＴＦＴアレイ基板の製造プロセスを順を追って示す工程図（その３）である。
【図７】液晶装置の実施形態におけるＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図８】図７のＨ−Ｈ’断面図である。
【図９】液晶装置を用いた投射型表示装置の構成図である。
【図１０】従来の液晶装置におけるデータ線、走査線、画素電極、遮光膜等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図１１】図１０のＢ−Ｂ’断面図である。
【図１２】図１のＣ−Ｃ'断面のデータ線近傍拡大図である。
【図１３】データ線側と走査線側に均等な電界がかかった時の図１のＣ−Ｃ'断面図である。
【図１４】データ線側に走査線側より大きな電界がかかった時の図１のＣ−Ｃ'断面図である。
【図１５】走査線側にデータ線側より大きな電界がかかった時の図１のＣ−Ｃ'断面図ある。
【図１６】液晶装置の第２の実施形態におけるデータ線、走査線、画素電極、遮光膜等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図１７】図１６の部分拡大図である。
【図１８】図１６のＡ−Ａ’断面図、Ｂ−Ｂ’断面図、Ｃ−Ｃ’断面図である。
【符号の説明】
１…半導体層
２…ゲート絶縁膜
３…走査線
４…層間絶縁膜
６…データ線
６１…データ線の下層配線
６２…データ線の上層配線
６ｂ…パターン膜
６１‘…パターン膜の下層膜
６２‘…パターン膜の上層膜
７…層間絶縁膜
９ａ…画素電極
１０…半導体基板
２１…対向電極
５０…液晶層
２００…ＴＦＴアレイ基板
３００…対向基板
４００…液晶装置
１１００…投射型表示装置
９６２Ｒ、９６２Ｇ、９６２Ｂ…液晶ライトバルブ
９２０…光源装置
９０６…投射レンズユニット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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