(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板材料の主表面を粗研磨するラッピング工程と、前記ラッピング工程で形成された微細なクラックを取り除くために研磨を行うポリッシング工程と、前記ポリッシング工程で取り除くことができなかった微細なクラックを取り除くために仕上げの研磨を行うファイナル工程とを備えた磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、
前記ラッピング工程における主表面に対する粗研磨は研磨加工を含み、この研磨加工圧力をその前期から後期にかけて段階的に低圧になるように設定し、かつ、前記研磨加工を行う前及び後に、前記後期の研磨加工圧力よりも低い圧力を設定したことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項２】
前記ラッピング工程における後期の圧力を前期の圧力に対して１／２から１／４の範囲となるように設定した請求項１に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、光ディスクや磁気ディスク等の情報記録媒体となるガラス基板材料の表面を加工するための磁気ディスク用ガラス基板の製造方法に関するものである。さらに詳しくは、ガラス基板材料の主表面を粗研磨するラッピング工程における改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ガラス基板材料を用いた磁気ディスクにおいては、記録容量を増大させるため高密度記録化や記録領域の拡大が要請されている。このため、ガラス基板材料の記録部となる表面（以下、主表面という）をできるだけ平滑にする必要があるとともに、その面積をできるだけ広く確保する必要がある。
【０００３】
また、光ディスクは一般にガラス基板材料を鏡面研磨した後、精密洗浄し、その上にレジストが塗布される。さらに、そのレジスト上にレーザ光を照射し、現像してピットを形成し、このピットが形成されたガラス基板にニッケルメッキを施して作製される。
【０００４】
一般に、これらの情報記録媒体用ガラス基板においては、研磨工程（ラッピング工程）での加工圧は研磨加工による割れを防止するための一次加工圧、実研磨工程（ポリッシング工程）の二次加工圧及び加工を終了するための仕上げ工程（ファイナル工程）の三次加工圧に分けて行われている。
【０００５】
すなわち、図５に示すように、ラッピング工程での加工圧は一定のＰ1 で、加工時間Ｔ1 からＴ2 までの間研磨が行われる。その後、その圧力Ｐ1 よりも低い圧力でポリッシング工程及びファイナル工程の加工が行われる。
【０００６】
前記の鏡面研磨方法として、例えば特開平１０−１３４４２４号公報には、ガラス原盤を保持する保持部材に第１の圧力を付与する第１の研磨工程と、第１の圧力より低圧の第２の圧力を付与する第２の研磨工程と、第２の圧力より低圧の第３の圧力を付与する第３の研磨工程とを行った後、保持部材に圧力を付与しないように第４の研磨工程を行う方法が開示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、ラッピング工程における研磨によってガラス基板材料表面に微細なクラックが発生し、図６に示すようにそのクラックの深さＤは、ガラス基板材料内に深く形成された状態で残留している。このため、そのようなクラックを取り除くように次のポリッシング工程で研磨取代を多く取らなければならないという問題があった。
【０００８】
一方、ラッピング工程において発生するクラックを浅くするためには、粒度の細かい研磨剤で研磨する必要があり、その場合ラッピング工程での加工時間が極度に長くなってしまうという問題があった。
【０００９】
また、特開平１０−１３４４２４号公報に開示されている研磨方法はラッピング工程及びポリッシング工程の後で行われるファイナル工程を対象とした研磨方法であり、ラッピング工程で発生する微細なクラックを問題とするものではない。
【００１０】
この発明は、上記のような従来技術に存在する問題点に着目してなされたものである。その目的とするところは、ラッピング工程での加工時間を極度に長くすることなく、ラッピング工程でガラス基板材料表面に発生する微細なクラックの深さを浅くし、ポリッシング工程及びファイナル工程における研磨取代を少なくすることができる磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、ガラス基板材料の主表面を粗研磨するラッピング工程と、前記ラッピング工程で形成された微細なクラックを取り除くために研磨を行うポリッシング工程と、前記ポリッシング工程で取り除くことができなかった微細なクラックを取り除くために仕上げの研磨を行うファイナル工程とを備えた磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、前記ラッピング工程における主表面に対する粗研磨は研磨加工を含み、この研磨加工圧力をその前期から後期にかけて段階的に低圧になるように設定し、かつ、前記研磨加工を行う前及び後に、前記後期の研磨加工圧力よりも低い圧力を設定したことを特徴とするものである。
【００１２】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記ラッピング工程における後期の圧力を前期の圧力に対して１／２から１／４の範囲となるように設定したものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。
【００１５】
情報記録媒体用ガラス基板は、ガラス基板材料の主表面を粗研磨するラッピング工程と、そのラッピング工程で形成された微細なクラックを取り除くためのポリッシング工程と、ポリッシング工程で取り除くことができなかったクラックを取り除いて仕上げるためのファイナル工程とを経て製作される。そして、ラッピング工程において、主表面に対する粗研磨の圧力をその前期に比べて後期で低圧となるように設定される。
【００１６】
ラッピング工程においては、比較的粗い粒度を有する研磨材を用い、所定の研磨加工圧力で一定の加工時間で粗研磨が行われる。続くポリッシング工程ではラッピング工程における研磨加工圧力と同じ、又はそれより低い圧力で研磨が行われる。最後のファイナル工程ではポリッシング工程における研磨加工圧力と同じ、又はそれより低い圧力で研磨が行われる。
【００１７】
具体的には、図１に示すように、ラッピング工程の前期における研磨加工圧力がｐ1 で加工時間がｔ1 からｔ2 、続いてラッピング工程の後期における研磨加工圧力がｐ2 で加工時間がｔ3 からｔ4 の条件で研磨加工が行われる。図２に示すように、このラッピング工程の研磨加工によってガラス基板材料の主表面にクラックが発生し、そのクラックの深さはｄとなる。このクラックの深さはｄは、従来の一定の研磨加工圧力Ｐ1 で研磨加工を行った場合のクラックの深さＤに比べて浅くなる。
【００１８】
次に、このラッピング工程でガラス基板材料表面に形成された微細なクラックを取り除くために、ポリッシング工程の研磨が行われる。さらに、ポリッシング工程で取り除くことができなかったガラス基板材料表面のクラックを取り除いて仕上げるために、ファイナル工程の研磨が行われる。
【００１９】
前記ラッピング工程において、その前期の研磨加工圧力ｐ1 に比べて後期の研磨加工圧力ｐ2 が低圧となるように研磨加工圧力を二段階に設定することにより、その後のポリッシング工程とファイナル工程における取代の合計を減少させることができる。このように、ラッピング工程における粗研磨の圧力をその前期から後期にかけて段階的に低圧になるように制御することによって、形成されるクラックの深さを浅くしてそのクラックを取り除くための取代を少なくすることができる。
【００２０】
そのような効果を有効に発揮させるため、ラッピング工程における後期の圧力を前期の圧力に対して１／２から１／４の範囲となるように設定することが望ましい。
【００２１】
次に、前記ガラス基板材料としては、アルミノシリケートガラス、結晶化ガラス、ソーダライムガラス等のいずれも使用される。それらのうち、情報記録媒体用の基板材料としての硬度等の良好な性能を有し、その主表面に研磨を施したときに微細なクラックの発生を抑制できる等の観点から、モル％で表して次のような組成を有するアルミノシリケートガラスが好適である。
【００２２】
0004099291.tif 000002
以上の成分の合計が９５％以上
このような組成を有するガラスは、フロート法により製造可能で、溶融温度が低く、化学強化処理後の耐水性や耐候性が良好で、しかも金属製品と組み合わせて使用可能な膨張係数を有する。フロート法は、溶融スズを収容し、上部空間を還元性雰囲気とした高温のバス中へ、一端から溶融ガラスを流入し、他端からガラスを引き延ばして板状のガラスを製造する方法である。このフロート法によれば、得られるガラスは両面が平行でゆがみがなく、表面光沢があるとともに、多量生産が可能で、板幅の変更も容易であり、自動化を図ることも容易である。
【００２３】
前記のようなガラス組成において、ＳｉＯ2 はガラスの主要成分であり、必須の構成成分である。その含有量が４０重量％未満の場合、強化処理のためのイオン交換後の耐水性が悪化し、７２重量％を越える場合、ガラス融液の粘性が高くなりすぎ、溶融や成形が困難になるとともに、膨張係数が小さくなりすぎる。
【００２４】
Ａｌ2 Ｏ3 はイオン交換速度を速くし、イオン交換後の耐水性を向上させるために必要な成分である。その含有量が０．５重量％未満の場合、そのような効果が不十分であり、２５重量％を越える場合、ガラス融液の粘性が高くなりすぎ、溶融や成形が困難になるとともに、膨張係数が小さくなりすぎる。
【００２５】
Ｌｉ2 Ｏはイオン交換を行うための必須の構成成分であるとともに、溶解性を高める成分である。その含有量が２２重量％を越える場合、イオン交換後の耐水性が悪化するとともに、液相温度が上がり、成形が困難となる。
【００２６】
Ｎａ2 Ｏは溶解性を高める成分である。その含有量が１４重量％を越える場合、イオン交換後の耐水性が悪化する。また、Ｋ2 Ｏは溶解性を高める成分であり、その含有量が１０重量％を越える場合、イオン交換後の表面圧縮応力が低下する。
【００２７】
さらに、上記Ｌｉ2 Ｏ、Ｎａ2 Ｏ及びＫ2 Ｏの合計Ｒ2 Ｏが２重量％未満の場合、ガラス融液の粘性が高くなりすぎ、溶融や成形が困難となるとともに、膨張係数が小さくなりすぎ、３０重量％を越える場合、イオン交換後の耐水性が悪化する。
【００２８】
ＭｇＯは溶解性を高める成分であり、２５重量％を越える場合、液相温度が上がり、成形が困難になる。ＣａＯは溶解性を高める成分であるとともに、イオン交換速度を調整するための必須成分である。その含有量が２５重量％を越える場合、液相温度が上がり、成形が困難になる。ＳｒＯは溶解性を高める成分であるとともに、液相温度を下げるのに有効な成分である。その含有量が１０重量％を越える場合、ガラスの密度が大きくなるとともに、製造コストが上昇する。ＢａＯは溶解性を高める成分であるとともに、液相温度を下げるのに有効な成分である。その含有量が１０重量％を越える場合、ガラスの密度が大きくなるとともに、製造コストが上昇する。
【００２９】
さらに、上記ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯの合計ＲＯが、４０重量％を越える場合、液相温度が上がり、成形が困難となる。
【００３０】
ＴｉＯ2 が１０重量％を越える場合、ガラス素地の品質が悪化するとともに、製造コストが上昇する。ＺｒＯ2 が１０重量％を越える場合、ガラス素地の溶融温度又は粘性が上昇し、ガラス基板材料の製造が困難になりやすい。
【００３１】
前記ガラスは、磁気ディスク用基板として要求される強度を維持するため、その表面に化学強化処理が施されていることが望ましい。この化学強化処理は、ガラスがその組成中に含まれる一価の金属イオンよりイオン半径が大きな一価の金属イオンを含有する溶融塩中に浸漬され、ガラス中の金属イオンと溶融塩中の金属イオンとがイオン交換されることにより行われる。
【００３２】
例えば、ガラス基板を加熱された硝酸カリウム溶液中に浸漬することにより、ガラス基板表面近傍のナトリウムイオンがそれより大きなイオン半径を有するカリウムイオンに置き換えられ、その結果圧縮応力が作用してガラス基板表面が強化される。また、ガラス基板を硝酸銀（０. ５〜３％）と硝酸カリウム（９７〜９９. ５％）の混合溶液中に、３０分から１時間浸漬してもよい。それにより、銀イオンがガラス基板表面に速やかに浸透され、ガラス基板表面の強化が促進される。また、硝酸銀と硝酸カリウムの混合溶液に代えて、硝酸カリウムと硝酸ナトリウムの混合溶液を使用することができる。
【００３３】
上記のように形成されたガラス基板材料表面には、例えば磁気特性を向上させるための下地層、磁気媒体層、保護層さらに潤滑層を順次設けることにより、磁気ディスク用ガラス基板が作製される。磁気特性をさらに向上させたり、付着力を向上させたりする等の目的のため、ガラス基板と下地層との間に、さらに複数の中間膜を形成してもよい。
【００３４】
また、上記のガラス基板材料表面にはレジストを塗布し、そのレジスト上にレーザ光を照射し、さらに現像してピットを形成する。次いで、このピットが形成されたガラス基板にニッケルメッキを施すことにより光ディスク用ガラス基板が作製される。
【００３５】
以上のように、この実施形態によれば、次のような効果が発揮される。
【００３６】
・  ラッピング工程における主表面に対する粗研磨の圧力をその前期に比べて後期で低圧となるように設定される。このため、ラッピング工程での加工時間を極度に長くすることなく、ラッピング工程でガラス基板材料表面に発生するクラックの深さを浅くし、ポリッシング工程及びファイナル工程における研磨取代を少なくすることができる。従って、ポリッシング工程及びファイナル工程での加工時間を短縮させ、情報記録媒体用ガラス基板の生産性を向上させることができる。
【００３７】
・  このように、ラッピング工程でガラス基板材料表面に発生するクラックの深さを浅くでき、ポリッシング工程及びファイナル工程における研磨取代を少なくすることができることから、ガラス基板材料の板厚を薄くすることが可能である。
【００３８】
・  加えて、ラッピング工程、ポリッシング工程及びファイナル工程の各工程を経て得られたガラス基板材料は、寸法精度や形状精度がよく、その表面は平滑性に優れたものとなる。従って、そのようなガラス基板材料は情報記録媒体用ガラス基板として好適である。
【００３９】
・  また、ラッピング工程における粗研磨の圧力をその前期から後期にかけて段階的に低圧になるように設定される。このため、ラッピング工程における粗研磨の圧力を容易に調節することができる。
【００４０】
・  さらに、ラッピング工程における後期の圧力を前期の圧力に対して１／２から１／４の範囲となるように設定される。このため、上記の各効果をより有効に発揮させることができる。
【００４１】
【実施例】
次に、実施例及び比較例を挙げ、前記実施形態をさらに具体的に説明する。
（比較例１）
直径３．０インチで厚さ１．１ｍｍの円盤状をなすガラス基板材料の主表面を研磨加工した。用いたガラス基板材料は次のような組成（モル％）を有するアルミノシリケートガラス製のものである。
【００４２】
ＳｉＯ2   ６６％、Ａｌ2 Ｏ3   １０％、Ｌｉ2 Ｏ  ７％、Ｎａ2 Ｏ  １０％、ＭｇＯ  ３％、ＣａＯ  ４％。
【００４３】
ラッピング工程においては、研磨材としてフジミ研磨社製のＦＯ＃１０００を使用した。そして、図５に示すように、研磨加工圧力Ｐ1 が９０ｇ／cm2 で加工時間Ｔ1 からＴ2 までの時間が１１分の条件で研磨加工を行った。このラッピング工程において、取代は２５２μｍであった。
【００４４】
次に、ラッピング工程でガラス基板材料表面に形成された微細なクラックを取り除くためにポリッシング工程の研磨を行った。このポリッシング工程では研磨加工圧力が９０ｇ／cm2 で加工時間が４０分の条件で研磨を行ったところ、取代は４０μｍであった。
【００４５】
続いて、ポリッシング工程で取り除くことができなかったガラス基板材料表面のクラックを取り除いて仕上げるためのファイナル工程の研磨を行った。このファイナル工程では研磨加工圧力が９０ｇ／cm2 で加工時間が１３分の条件で研磨を行ったところ、取代は８μｍであった。
【００４６】
従って、ポリッシング工程とファイナル工程における取代の合計は４８μｍであり、加工時間の合計は５３分であった。
（実施例１）
直径３．０インチで厚さ０．９ｍｍの円盤状をなすガラス基板材料の主表面を研磨加工した。用いたガラス基板材料は比較例１と同じ組成のアルミノシリケートガラス製のものである。
【００４７】
ラッピング工程においては、研磨材としてフジミ研磨社製のＦＯ＃１５００を使用した。そして、図１に示すように、研磨加工圧力ｐ1 が９０ｇ／cm2 で加工時間ｔ1 からｔ2 までの時間が１０．５分、続いて研磨加工圧力ｐ2 が４０ｇ／cm2 で加工時間ｔ3 からｔ4 までの時間が４．５分の条件で研磨加工を行った。このラッピング工程において、取代は研磨加工圧力ｐ1 が９０ｇ／cm2 のとき５５μｍ、研磨加工圧力ｐ2 が４０ｇ／cm2 のとき１０μｍであった。
【００４８】
次に、ラッピング工程でガラス基板材料表面に形成された微細なクラックを取り除くためにポリッシング工程の研磨を行った。このポリッシング工程では研磨加工圧力が９０ｇ／cm2 で加工時間が３０分の条件で研磨を行ったところ、取代は３０μｍであった。
【００４９】
続いて、ポリッシング工程で取り除くことができなかったガラス基板材料表面のクラックを取り除いて仕上げるためのファイナル工程の研磨を行った。このファイナル工程では研磨加工圧力が９０ｇ／cm2 で加工時間が８分の条件で研磨を行ったところ、取代は５μｍであった。
【００５０】
従って、ポリッシング工程とファイナル工程における取代の合計は３５μｍであり、加工時間の合計は３８分であった。取代の合計は比較例１に比べて約７３％に減少させることができ、加工時間の合計は比較例１に比べて約７２％に短縮することができた。
【００５１】
また、加工後のガラス基板材料表面をＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用いて調べたところ、表面粗さＲａ＝１ｎｍのアスペリティのない極めて平滑な表面に仕上がっていることが確認された。このことから、本発明の方法を用いることにより、従来より薄いガラス基板材料を用いて従来より短い研磨時間で従来と同等の表面平滑度を有する情報記録媒体用ガラス基板が得られることがわかる。
（実施例２）
直径３．０インチで厚さ０．９ｍｍの円盤状をなすガラス基板材料の主表面を研磨加工した。用いたガラス基板材料は、前記比較例１と同じ組成（モル％）を有するアルミノシリケートガラス製のものである。
【００５２】
ラッピング工程においては、研磨材としてフジミ研磨社製のＦＯ＃１５００を使用した。そして、図１に示すように、研磨加工圧力ｐ1 が９０ｇ／cm2 で加工時間ｔ1 からｔ2 までの時間が１０．５分、続いて研磨加工圧力ｐ2 が４０ｇ／cm2 で加工時間ｔ3 からｔ4 までの時間が４．５分の条件で研磨加工を行った。このラッピング工程において、取代は研磨加工圧力ｐ1 が９０ｇ／cm2 のとき５５μｍ、研磨加工圧力ｐ2 が４０ｇ／cm2 のとき１０μｍであった。
【００５３】
次に、ポリッシング工程では研磨加工圧力が９０ｇ／cm2 で加工時間が３０分の条件で研磨を行ったところ、取代は３０μｍであった。
【００５４】
続いて、ファイナル工程では研磨加工圧力が９０ｇ／cm2 で加工時間が８分の条件で研磨を行ったところ、取代は５μｍであった。
【００５５】
従って、ポリッシング工程とファイナル工程における取代の合計は３５μｍであり、加工時間の合計は３８分であった。
【００５６】
以上の工程についてサンプル数ｎを１０として実施し、加工後のガラス基板材料を目視により観察したところ、ラップ痕を生じているものは見当たらなかった。
（比較例２）
前記実施例２と同じ組成（モル％）を有するアルミノシリケートガラス製のガラス基板材料を用い、その主表面を研磨加工した。
【００５７】
ラッピング工程においては、研磨材としてフジミ研磨社製のＦＯ＃１５００を使用した。そして、図５に示すように、研磨加工圧力Ｐ1 が９０ｇ／cm2 で加工時間Ｔ1 からＴ2 までの時間が１１分の条件で研磨加工を行った。このラッピング工程において、取代は６０μｍであった。
【００５８】
次に、ポリッシング工程では研磨加工圧力が９０ｇ／cm2 で加工時間が４０分の条件で研磨を行ったところ、取代は４０μｍであった。
【００５９】
続いて、ファイナル工程では研磨加工圧力が９０ｇ／cm2 で加工時間が１３分の条件で研磨を行ったところ、取代は８μｍであった。
【００６０】
サンプル数ｎを１０とし、目視によるラップ痕検査で検出されたものはなかったが、ポリッシング工程とファイナル工程の加工時間の合計は５３分で、実施例２の３８分に比べて時間を要した。
（比較例３）
比較例２と同じガラス基板材料を用い、比較例２と同様の条件にてラッピング工程における研磨加工を行った。このラッピング工程において、取代は６０μｍであった。
【００６１】
次に、ポリッシング工程では研磨加工圧力が９０ｇ／cm2 で加工時間が３０分の条件で研磨を行ったところ、取代は３０μｍであった。
【００６２】
続いて、ファイナル工程では研磨加工圧力が９０ｇ／cm2 で加工時間が８分の条件で研磨を行ったところ、取代は５μｍであった。
【００６３】
サンプル数ｎを１０とし、目視によるラップ痕検査で検出されたものはｎが５であった。このことから、ラッピング工程における研磨加工圧力が一定の場合、ラッピング加工によるクラック層が厚くなることがわかった。
【００６４】
なお、前記実施形態を以下のように変更して具体化してもよい。
【００６５】
・  図３に示すように、ラッピング工程において、主表面に対する粗研磨の圧力をその前期の加工時間ｔ1 からｔ2 までの研磨加工圧力ｐ1 に比べて後期で低圧となるように加工時間ｔ3 からｔ4 までの研磨加工圧力がｐ2 、加工時間ｔ5 からｔ6 までの研磨加工圧力がｐ3 の三段階となるように設定してもよい。
【００６６】
このように構成した場合、ラッピング工程における粗研磨の圧力を容易に調節することができるとともに、微細なクラックの深さがより浅くなるように制御することができる。従って、ポリッシング工程とファイナル工程における研磨取代を少なくして、生産性をさらに向上させることができる。
【００６７】
・  図４に示すように、ラッピング工程において、主表面に対する粗研磨の圧力をその前期の加工時間ｔ1 からｔ2 までの研磨加工圧力ｐ1 に比べて後期で低圧となるように加工時間ｔ2 からｔ3 までの研磨加工圧力をｐ1 からｐ2 まで二次曲線的に連続的に低下するように設定してもよい。
【００６８】
このように構成した場合、ラッピング工程で形成される微細なクラックの深さをより浅く制御することができる。
【００６９】
・  前記ラッピング工程における粗研磨を、硬質ポリッシャや軟質ポリッシャを使用して行ってもよい。
【００７０】
また、前記実施形態より把握される技術的思想について以下に記載する。
【００７１】
・  前記ラッピング工程における粗研磨の圧力をその前期から後期にかけて連続的に低圧になるように設定した請求項１に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【００７２】
このように構成した場合、ラッピング工程でガラス基板材料表面に発生する微細なクラックの深さをより浅く制御することができる。
【００７３】
・  前記ガラス基板材料はアルミノシリケートガラスである請求項１又は請求項２に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【００７４】
このように構成した場合、磁気ディスク用の基板材料としての硬度等の良好な性能を有し、その主表面に研磨を施したときに微細なクラックの発生を抑制することができる。
【００７５】
・  請求項１又は請求項２に記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法により製造された磁気ディスク用ガラス基板。
【００７６】
このように構成した場合、ラッピング工程でガラス基板材料表面に発生する微細なクラックの深さを浅くできるとともに、研磨取代を少なくすることができる磁気ディスク用ガラス基板とすることができる。
【００７７】
【発明の効果】
この発明は以上のように構成されているため、次のような効果を奏する。
【００７８】
請求項１に記載の発明によれば、ラッピング工程における粗研磨の圧力を容易に調節することができ、ラッピング工程での加工時間を極度に長くすることなく、ラッピング工程でガラス基板材料表面に発生する微細なクラックの深さを浅くし、ポリッシング工程及びファイナル工程における研磨取代を少なくすることができる。
【００７９】
請求項２に記載の発明によれば、請求項１に記載の発明の効果をより有効に発揮させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  実施例における加工時間と研磨加工圧力の関係を示すグラフ。
【図２】  ガラス基板表面に発生するクラックの深さを示す模式図。
【図３】  別例における加工時間と研磨加工圧力の関係を示すグラフ。
【図４】  別例における加工時間と研磨加工圧力の関係を示すグラフ。
【図５】  従来における加工時間と研磨加工圧力の関係を示すグラフ。
【図６】  従来のガラス基板表面に発生するクラックの深さを示す模式図。
【図１】
0004099291.tif 000003
【図２】
0004099291.tif 000004
【図３】
0004099291.tif 000005
【図４】
0004099291.tif 000006
【図５】
0004099291.tif 000007
【図６】
0004099291.tif 000008