(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路素子が設けられた半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられ、互いに水平方向に離間した第１の凹部、第２の凹部、及び第３の凹部を有する絶縁層と、
前記第１の凹部底面に接して設けられ、第１の厚さを有する第１導電線層と、
前記第２の凹部底面に接して設けられ、前記第１の厚さよりも薄い第２の厚さを有する第２導電線層と、
前記第３の凹部底面に接して設けられ、前記第１の厚さと前記第２の厚さとの間の第３の厚さを有する第３導電線層と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１導電線層、前記第２導電線層、前記第３導電線層とはその幅、長さが等しいことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
回路素子が設けられた半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられ、互いに水平方向に離間した第１の凹部、第２の凹部、及び第３の凹部を有する絶縁層と、
前記第１の凹部底面に接して設けられ、第１の厚さを有する第１導電線層と、
前記第２の凹部底面に接して設けられ、前記第１の厚さよりも薄い第２の厚さを有する第２導電線層と、
前記第３の凹部底面に接して設けられ、少なくとも一部が切断された第３導電線層と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記第１導電線層と前記第２導電線層とはその幅、長さが等しいことを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
回路素子が設けられた半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられ、凹部を有する絶縁層と、
前記絶縁層中の凹部に設けられ、それぞれ同一の幅、長さ、及び厚さを有し、かつ、下層から上層へ順にその抵抗値が低いＮ層の導電線層（Ｎは２以上の整数）と、
前記Ｎ層の導電線層から水平方向に離間して、前記絶縁膜中の凹部に設けられ、それぞれ同一の幅、長さ、及び厚さを有し、かつ、下層から上層へ順にその抵抗値が低いＭ層の導電線層（Ｍは２以上の整数であって、Ｎと異なる整数）と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
回路素子が設けられた半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられ、凹部を有する絶縁層と、
前記絶縁層中の凹部に設けられ、抵抗値が互いに異なるＫ層（Ｋは２以上の整数）のヒューズ層が積層された第１ヒューズと、
前記第１ヒューズからは水平方向に離間して、前記絶縁層中の凹部に設けられ、端部では前記第１ヒューズと同じ積層構造を有し、端部以外では前記第１ヒューズの最上部層からＬ番目のヒューズ層（Ｌは１以上かつ、Ｋ以下の整数）までが除去された第２ヒューズと、
前記第２ヒューズからは水平方向に離間して、前記絶縁層中の凹部に設けられ、端部では前記第１ヒューズ及び前記第２ヒューズと同じ積層構造を有し、端部以外では前記第１ヒューズの最上部層からＭ番目のヒューズ層（Ｍは２以上かつ、Ｋ以下の整数）までが除去された第３ヒューズと、
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
回路素子が設けられた半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられ、凹部を有する絶縁層と、
前記絶縁層中の凹部に設けられ、抵抗値が互いに異なるＫ層（Ｋは２以上の整数）のヒューズ層が積層された第１ヒューズと、
前記第１ヒューズからは水平方向に離間して、前記絶縁層中の凹部に設けられ、端部では前記第１ヒューズと同じ積層構造を有し、端部以外では前記第１ヒューズの最上部層からＬ番目のヒューズ層（Ｌは１以上かつ、Ｋ以下の整数）までが除去された第２ヒューズと、
前記第２ヒューズからは水平方向に離間して、前記絶縁層中の凹部に設けられ、端部では前記第１ヒューズ及び前記第２ヒューズと同じ積層構造を有し、端部以外では前記第１ヒューズの最上部層からＫ番目のヒューズ層までが除去された第３ヒューズと、
を備えることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高集積化された半導体装置に係り、特に半導体装置の不良領域を救済するヒューズを備えた半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
年々、高集積化の進む半導体装置に於いては、微細化への要求として回路設計ルールの縮小化が取り入れられている。特に大規模集積化が進むＤＲＡＭなどの半導体記憶装置では、その傾向が顕著である。また、微細化に伴い、冗長回路を予め設けておき、不良部分と置き換えを行うことで、不良部分を救済するリダンダンシー技術が広く採用されている。
【０００３】
現実的には、全く不良メモリセルが存在しない製品、すなわち、すべてのビットについて良品を製造することは困難であり、通常の半導体記憶装置では、ダイソート検査によりメモリセルの不良部分を特定して、不良部分を冗長部分と置き換えて、動作的に良品として保証された半導体記憶装置として出荷される。
【０００４】
ここで、半導体記憶装置の大容量化が進むにつれ、不良ビットの数が増加し、それを救済するためのヒューズの数も増加してきている。製品歩留まりを一定に維持するためには、所定数の不良まではヒューズを用いて救済することが必要である。少なくとも数１００ビット程度の不良をヒューズを用いて救済することが必要である。
【０００５】
例えば、大容量ＤＲＡＭでは、約１万本程度のヒューズが半導体装置中に設けられている。同じ設計ルールで記憶容量を２倍に増加すると、チップ面積は約２倍に増大し、微小な塵などの異物がメモリセルに物理的影響を与え、不良ビット数を増やしてしまう可能性がある。また、微細化が進むとたとえ同じ大きさの塵でも、より多くの素子が覆われて不良となり、不良ビットが増大してしまう結果となる。
【０００６】
不良部分と冗長回路とを置き換えるためにヒューズ回路を用意して、不良部分に対応するヒューズを切断する必要がある。ヒューズを切断するには、レーザーを切断必要な特定ヒューズに照射して、特定ヒューズのみ切断する必要がある。
【０００７】
ここで、図６に従来のヒューズの構造の斜視図を示す。図６（Ａ）の状態では、第１乃至第８ヒューズ５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６、５７の８本のヒューズが形成されている。この図６（Ａ）の状態に対して、レーザーを特定ヒューズに照射した状態は図６（Ｂ）に示される。図６（Ｂ）では、第１ヒューズ５０、第３ヒューズ乃至第５ヒューズ５２，５３，５４、及び第７ヒューズ５６はその厚さがヒューズ形成時のまま維持されている。
【０００８】
これらヒューズはその記憶状態を「１」記憶状態として利用される。また、ヒューズがない第２ヒューズ、第６ヒューズ、第８ヒューズ除去部分５８，５９，６０はレーザー照射によりヒューズが除去された部分であり、その記憶状態を「０」記憶状態として利用される。ここでは、５本のヒューズと３箇所のヒューズ除去部分を用いて「１」又は「０」の状態を記憶させて合計２の８乗である２５６ビットが記憶されることになる。
【０００９】
なお、ヒューズサイズを小さくすることで、ヒューズ領域の面積を縮小することも考えられるが、ヒューズを切断する際に用いるレーザーブロー装置におけるレーザー照射の焦点位置精度の限界と、レーザー光のスポット径の制約とがあるために、ヒューズを一定幅よりも小さく設定することは困難であるため、ヒューズ面積の縮小はできなかった。
【００１０】
また、特開２０００−３４０７５７号公報図１乃至図６などには、ビット線とドレイン間に幅又は長さを設計時点で変更することで抵抗値を複数設定した高抵抗素子を持たせた不揮発性半導体記憶装置が記載されている。しかし、設計後に、製造工程の最終段階で抵抗値を複数の値に変更できるヒューズを用いた半導体装置は示されてはいない。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
以上のような従来の半導体装置では、以下の課題が生じる。
【００１２】
記憶容量の増加、微細化の進展に伴って、増加する不良ビットを救済するヒューズ領域の増加を強いられる。その結果、チップに対してヒューズ領域の占める割合が大きくなってきている。このような多数のヒューズを設けるため、半導体装置中にヒューズ領域が占める面積は現在、およそ０．４％程度になる。今後、さらに大容量化、微細化が進むとさらにヒューズ領域が占める面積比が増大することが考えられる。
【００１３】
容量の増加に伴い救済するべきビット数も増加するため、この問題はますます大きくなってくる。近い将来、ヒューズ領域はチップの小型化を妨げる要因になる。さらに、チップの小型化が妨げられると、１半導体ウエハーあたりの半導体装置の収量が減少してしまい、１チップあたりの製品コストが増加してしまう。従ってヒューズ領域の面積を削減することが大容量化を実現するためには必要である。
【００１４】
また、従来はヒューズを溶断するか、しないかで「０」、「１」の２値を記憶していた。このため、ヒューズに記憶すべき情報量を増やす必要がある場合、ヒューズの本数を増加することでしか対応できなかった。この場合、ヒューズの本数を増加させると上記のように半導体装置中に占めるヒューズ領域の割合が増大してしまう。
【００１５】
本発明の目的は以上のような従来技術の課題を解決することにある。
【００１６】
特に、本発明の目的は、不良救済に必要な情報量に対応するヒューズが占める面積を小さくでき、ヒューズ領域の面積の割合が小さい半導体装置を提供することにある。
【００１７】
本発明の他の目的は単位面積あたりの情報記憶容量を増大させて、小面積で大記憶容量のヒューズを有する半導体装置を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を達成するために、本発明の第１の特徴は、回路素子が設けられた半導体基板と、前記半導体基板上に設けられ、互いに水平方向に離間した第１の凹部、第２の凹部、及び第３の凹部を有する絶縁層と、前記第１の凹部底面に接して設けられ、第１の厚さを有する第１導電線層と、前記第２の凹部底面に接して設けられ、前記第１の厚さよりも薄い第２の厚さを有する第２導電線層と、前記第３の凹部底面に接して設けられ、前記第１の厚さと前記第２の厚さとの間の第３の厚さを有する第３導電線層とを有する半導体装置である。
【００１９】
本発明の第２の特徴は、回路素子が設けられた半導体基板と、前記半導体基板上に設けられ、互いに水平方向に離間した第１の凹部、第２の凹部、及び第３の凹部を有する絶縁層と、前記第１の凹部底面に接して設けられ、第１の厚さを有する第１導電線層と、前記第２の凹部底面に接して設けられ、前記第１の厚さよりも薄い第２の厚さを有する第２導電線層と、前記第３の凹部底面に接して設けられ、少なくとも一部が切断された第３導電線層とを有する半導体装置である。
【００２０】
本発明の第３の特徴は、回路素子が設けられた半導体基板と、前記半導体基板上に設けられ、凹部を有する絶縁層と、前記絶縁層中の凹部に設けられ、それぞれ同一の幅、長さ、及び厚さを有し、かつ、下層から上層へ順にその抵抗値が低いＮ層の導電線層（Ｎは２以上の整数）と、前記Ｎ層の導電線層から水平方向に離間して、前記絶縁膜中の凹部に設けられ、それぞれ同一の幅、長さ、及び厚さを有し、かつ、下層から上層へ順にその抵抗値が低いＭ層の導電線層（Ｍは２以上の整数であって、Ｎと異なる整数）とを有することを特徴とする半導体装置である。
本発明の第４の特徴は、回路素子が設けられた半導体基板と、前記半導体基板上に設けられ、凹部を有する絶縁層と、前記絶縁層中の凹部に設けられ、抵抗値が互いに異なるＫ層（Ｋは２以上の整数）のヒューズ層が積層された第１ヒューズと、前記第１ヒューズからは水平方向に離間して、前記絶縁層中の凹部に設けられ、端部では前記第１ヒューズと同じ積層構造を有し、端部以外では前記第１ヒューズの最上部層からＬ番目のヒューズ層（Ｌは１以上かつ、Ｋ以下の整数）までが除去された第２ヒューズと、前記第２ヒューズからは水平方向に離間して、前記絶縁層中の凹部に設けられ、端部では前記第１ヒューズ及び前記第２ヒューズと同じ積層構造を有し、端部以外では前記第１ヒューズの最上部層からＭ番目のヒューズ層（Ｍは２以上かつ、Ｋ以下の整数）までが除去された第３ヒューズとを備えることを特徴とする半導体装置である。
本発明の第５の特徴は、回路素子が設けられた半導体基板と、前記半導体基板上に設けられ、凹部を有する絶縁層と、前記絶縁層中の凹部に設けられ、抵抗値が互いに異なるＫ層（Ｋは２以上の整数）のヒューズ層が積層された第１ヒューズと、前記第１ヒューズからは水平方向に離間して、前記絶縁層中の凹部に設けられ、端部では前記第１ヒューズと同じ積層構造を有し、端部以外では前記第１ヒューズの最上部層からＬ番目のヒューズ層（Ｌは１以上かつ、Ｋ以下の整数）までが除去された第２ヒューズと、前記第２ヒューズからは水平方向に離間して、前記絶縁層中の凹部に設けられ、端部では前記第１ヒューズ及び前記第２ヒューズと同じ積層構造を有し、端部以外では前記第１ヒューズの最上部層からＫ番目のヒューズ層までが除去された第３ヒューズとを備えることを特徴とする半導体装置である。
【００２１】
【発明の実施の形態】
次に，図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には、同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり，厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は、現実のものとは異なる。従って、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている。
【００２２】
（第１の実施の形態）
本発明にかかる第１の実施の形態にかかる半導体装置を、図１乃至図３を用いて説明する。
【００２３】
図1にはヒューズが４本ある場合の斜視図が示される。ヒューズの厚さを３通り、すなわち、従来の２値から４値にすることによって、従来では切断するか切断しないかの２通りの状態であった１本のヒューズを用いても、その厚さを段階的に設定することで、ヒューズ２本分の役割を果たすことができるということを示している。
【００２４】
すなわち、ヒューズ切断領域１では、ヒューズの端部２のみが残り、ヒューズが除去された形状となっている。この状態では例えば「０」の情報が記録されている。
【００２５】
このヒューズ切断領域１に隣接した第１ヒューズ３はその厚さが最も薄い状態に設定されていて、切断されているヒューズ以外では抵抗値が最も大きくなっている。この第１ヒューズ３の状態では例えば「１」の情報が記録されている。ここで、ヒューズの厚さはレーザーによって照射がなされた被照射部４の厚さを指し、端部２の厚さを指すものではない。
【００２６】
第１ヒューズ３に隣接する第２ヒューズ５は、その厚さが第１ヒューズ３の厚さよりも厚い状態に設定されて、抵抗値は第１ヒューズ３よりも小さくなっている。この第２ヒューズ５の状態では例えば「２」の情報が記録されている。
【００２７】
第２ヒューズ５に隣接する第３ヒューズ６は、その厚さが第２ヒューズ５の厚さよりも厚い状態に設定されて、抵抗値は第２ヒューズ５よりも小さくなっている。この第３ヒューズ６の状態では例えば「３」の情報が記録されている。この第３ヒューズ６は、端部２の厚さが全体に保たれていて、レーザーが照射されていない状態となっている。
【００２８】
なお、各ヒューズはレーザーが照射された部分である被照射部４の厚さがそれぞれの所定の厚さに設定されている。すなわち、ヒューズへのレーザー照射の際に、除去対象のヒューズごとに照射エネルギー、又は、照射時間を段階的に変化させて、除去されるヒューズの分量を段階的に設定できるようにする。
【００２９】
同一ヒューズでもレーザーが当たらない部分である端部２では、レーザー照射前の厚さを維持している。しかし、ヒューズの抵抗値は大部分の領域における膜厚の薄い部分の抵抗値に依存するため、レーザー照射によって、ヒューズの大部分の領域における厚さを変更することで、各ヒューズの抵抗値を所定値に設定できる。
【００３０】
抵抗値は、ヒューズの厚さに反比例するので、ヒューズの厚さが厚いほど、ヒューズの抵抗値は小さくなり、ヒューズの厚さが薄いほど、ヒューズの抵抗値は大きくなる。このヒューズの抵抗値に対応させて、各抵抗値に対して異なる情報量が定義される。
【００３１】
ここで、ヒューズの厚さは、例えば０．４μｍとして、レーザー照射によって、その厚さが０．２μｍの状態、０．１μｍの状態、０．０５μｍの状態となるように設定して、多値の情報を記憶できるようにする。ヒューズの抵抗値は読み出し時に誤って読み出されることを防止するため、互いの抵抗値の差を大きく設けることが必要である。
【００３２】
また、各ヒューズはそれぞれその長さ、幅、材質は同一なものとなっている。
【００３３】
このようにヒューズの厚さを調節することによって、ヒューズの抵抗値を変え、１本のヒューズで多値の情報を得ることが可能になる。
【００３４】
なお、ヒューズの厚さは図１に示した４種類の状態に限られるものではなく、３種類や、５種類以上の厚さの種類があっていてもよい。すなわち、ヒューズの厚さの種類数分、ヒューズが記憶できる情報量が増大することになる。
【００３５】
図２（Ａ）には、レーザー照射前の４本のヒューズ７の状態の斜視図を示す。レーザー照射前には、最も厚い厚さを各ヒューズは有していて、その情報はすべて「３」に相当する。この状態に対して、各ヒューズに対して個別にそれぞれの所定のエネルギーのレーザーを照射又は照射しないようにすると、例えば図２（Ｂ）に示すような状態となる。
【００３６】
図２（Ｂ）において、左端の第１ヒューズ８はその厚さが最も薄く形成されて、その記録情報は「１」となっている。この第１ヒューズ８に隣接する第２ヒューズ９は第１ヒューズ８よりも厚く形成されていて、その記録情報は「２」となっている。この第２ヒューズ９に隣接する第３ヒューズ１０は第２ヒューズ９よりも厚く形成されていて、その記録情報は「３」となっている。この第３ヒューズ１０に隣接する第４ヒューズ１１はその厚さが第１ヒューズ８と同じ厚さとなっていて、その記録情報は「１」となっている。なお、図２（Ｂ）にはヒューズが完全に溶断された状態は示されていないが、溶断された状態ももちろん可能である。
【００３７】
このように構成された４本のヒューズは図６（Ｂ）に示された８本のヒューズと同じ情報量である４の４乗、すなわち２５６通りの情報量を有する。このため、従来の技術と比べて、半分のヒューズ本数で、必要な記憶容量のヒューズを持った半導体装置を実現できる。
【００３８】
ここで、図６（Ａ）に示された従来の半導体装置のように８本のヒューズを設けて本実施の形態を適用した場合、それぞれが「０」から「３」の４通りのいずれかの値を取り得るので、その情報量は４の８乗である６５５３６ビットになる。
【００３９】
また絶縁膜の凹部中に設けられたヒューズ領域中に形成されるヒューズの本数は図１に示される状態は１例であって、実際には数千本程度のヒューズがひとつのヒューズ領域に形成されることも可能である。
【００４０】
また、半導体装置内では、ヒューズ領域は複数箇所設けることが可能であり、その全てのヒューズ領域に本実施の形態のヒューズを設けることもできる。また、複数箇所設けたヒューズ領域のうち、特定の箇所のみに本実施の形態のヒューズを形成し、他のヒューズ領域は従来通りの２値の状態のヒューズを形成することも可能である。
【００４１】
この場合、本実施の形態のヒューズを設ける領域が救済する対象は特にその情報量が多いメモリセルである場合が適している。さらに半導体装置内の各回路の配置制約により、ヒューズ領域を設ける面積的余裕が比較的に厳しい状況にあるヒューズ領域に本実施の形態を適用することで、ヒューズ領域の配置制約を回避して、必要とされる救済機能を持たせた大記憶容量のヒューズ領域を形成することができる。
【００４２】
ヒューズの組成は、例えば、最下層にＴｉＮ層を約０．０１μｍ、その上にＴｉ層を約０．０１μｍ、その上にＡｌＣｕ層を約０．３３μｍ、その上にＴｉ層を約０．００５μｍ、その上にＴｉＮ層を約０．０４μｍ程度の厚さで積層することで膜厚約０．３９５μｍのヒューズが形成される。すなわち、ヒューズはＡｌＣｕを主体としていて、その表面には膜厚の薄いＴｉなどからなるバリアメタルが形成されている。
【００４３】
また、ＡｌＣｕ層は類似する物理化学的性質を有する材料であれば、他の材料を適宜ＡｌＣｕ層に替えて使用できるし、さらに多数の材料を組み合わせて多数の材料からなる積層構造とすることもできる。また、ヒューズは元のＡｌＣｕの組成比以外の組成比でも形成できる。
【００４４】
ここで、ヒューズが半導体基板上方に形成されている状態を断面図である図３（Ａ）を用いて説明する。図３（Ａ）には所定の厚さを有する複数のヒューズが互いに水平方向に離間して、半導体基板上に設けられた絶縁膜中の凹部中に形成されたレーザー照射前の状態の断面図が示される。
【００４５】
図３（Ａ）に示されるように、半導体基板２０上に設けられた第１絶縁膜２１上には第２絶縁膜２２と第１配線層２３が設けられている。半導体基板２０中にはＭＯＳトランジスタのソース、ドレイン（図示せず）などの回路素子が形成されている。この第１配線層２３は層間絶縁膜２４中に設けられたコンタクト２５を介して、層間絶縁膜２４上の第２配線層２６に接続されている。第２配線層２６上には絶縁層３７が設けられている。この絶縁層３７は、例えば、パッシベーション膜とポリイミド膜の積層構造となっている。層間絶縁膜２４及び絶縁膜３７中には凹部２７が設けられている。この凹部２７底部の第２絶縁膜２２中には複数のヒューズ２８が形成されている。
【００４６】
ここで、図３（Ｂ）には、図３（Ａ）の領域Ａの状態を拡大して示す。この図３（Ｂ）に示されたヒューズ２８にはレーザーが照射されておらず、形成された状態の厚さが保持されている。この状態では「３」の情報を記録している。
【００４７】
図３（Ｃ）には、図３（Ｂ）に示された領域に対してそれぞれのヒューズ２８にレーザーを照射した状態を示す。図３（Ｃ）では左端の第１ヒューズ３０はその厚さがもっとも薄い状態となっていて、「１」の情報を記録している。なお、ヒューズが埋め込まれていた周囲の絶縁膜の一部は、レーザーが照射された部分では、部分的に除去されている。
【００４８】
第１ヒューズ３０に隣接する第２ヒューズ３１はその厚さが第１ヒューズ３０より厚く形成されていて、「２」の情報を記録している。
【００４９】
この第２ヒューズ３１に隣接する第３ヒューズ３２はその厚さが第２ヒューズ３１より厚く形成されていて、「３」の情報を記録している。
【００５０】
このようにヒューズを選択的に溶断し、ヒューズの抵抗値を変化させることによって、多値の情報を保持することができる。
【００５１】
ヒューズが形成された後に、一部ヒューズが除去された絶縁膜の凹部には、表面上に絶縁膜、例えばポリイミド膜を付けて、露出したヒューズ表面を保護することもできる。
【００５２】
ヒューズは熱で溶断させるが、ヒューズ上に薄い層間絶縁膜が形成されているとレーザー照射部分の層間絶縁膜中に熱がこもり、より少ない熱でヒューズを溶断することが可能な場合がある。また、ヒューズはその上に層間絶縁膜を設けずに露出させておいてもよい。
【００５３】
ここで、層間絶縁膜はＳｉＯ2膜に限らず他の酸化膜などが利用できる。
【００５４】
ヒューズ２８は半導体基板上の絶縁膜上に形成されている。ヒューズ２８表面は露出されているが、その表面に膜厚が薄い層間絶縁膜などが形成されていてもよい。
【００５５】
ヒューズが形成されている領域では、他の領域に設けられている厚い層間絶縁膜２４や第２配線層２６は形成されていない。そのため、厚い層間絶縁膜２４を介さずにレーザーをヒューズに照射することができる。
【００５６】
場合により、ヒューズ２８を図中で第２配線層２６と同じ階層に設けることも可能である。場合により、ヒューズ形成領域の凹部を設けなくてもよい。
【００５７】
なお、何も積層されていない無空間層よりも熱伝導率の高いＳｉＯ2膜をヒューズ上に積層することにより、溶断を引き起こすレーザー照射によるヒューズ表面上部の熱エネルギーをヒューズからＳｉＯ2膜に分散しやすくし、ヒューズの厚さの変化量を少なめに調節できるようにすることも場合により可能である。つまりＳｉＯ2膜がヒューズの上に存在することによりヒューズの溶断速度を遅くし、抵抗値の調整を容易にできる場合がある。
【００５８】
なお、ヒューズ２８を通常の配線として用いられる第１配線層と同じ階層に形成すると、第１配線層と同じ材料、同じ幅、同じ厚さとすることができる。このため、ヒューズ形成の製造工程を第１配線層形成工程と同時に行うことができ、製造方法上有益である。
【００５９】
さらに第１配線層２３の上層にある半導体装置内で通常の配線として使用される第２配線層２６と同じ階層に形成することもできる。この場合、第２配線層２６と同じ材料、同じ幅、同じ厚さとすることがヒューズ形成の製造工程を第２配線層形成工程と同時に行うことができ、製造方法上有益である。
【００６０】
なお、半導体装置においては、上層の通常の配線ほど下層の通常の配線よりもその厚さ、幅が大きく形成されている場合が多い。そのため、第２配線層と同じ階層にヒューズを形成した場合、その厚さ、幅は比較的大きいものとなる。そのため、全くレーザー照射を行わない状態のヒューズの抵抗は第１の配線層にヒューズを形成した場合より小さく設定できる。このため、ヒューズに対して設定できる抵抗値の幅をより大きく設定でき、より多種類で異なる厚さのヒューズをレーザー照射により設定できる。
【００６１】
ここで、多段階に設定されるヒューズの厚さには、レーザー照射の際のレーザーの制御性による制約と、ヒューズの抵抗を読み出す際には、抵抗値の認識の制約がある。すなわち、抵抗値の認識の制約は、抵抗値をアナログ的に認識するのではなく、デジタル的に認識するため、設定された抵抗値を読み出すに当たって、各抵抗値にある程度のマージンを持たせて、各抵抗値同士に抵抗の差を設定しておかないと、誤って抵抗値を認識してしまう恐れがある。これらどちらの制約もレーザー照射前の初期状態でのヒューズの厚さをより厚くすることで緩和される。すなわち、レーザー照射前のヒューズの厚さを厚くするほど、より多くの種類の厚さを持つヒューズを形成することができ、ヒューズが記憶する情報量を増加できる可能性がある。
【００６２】
また、ヒューズを他の配線層とは独立にヒューズ形成にとって最適となるように独自の材料、厚さ、幅で形成することも可能である。
【００６３】
各ヒューズには読み出し回路を接続させて、読み出し回路内のラッチ回路にヒューズに記憶されたデータを保持する。
【００６４】
なお、ヒューズから各回路への配線長を減らすことができるため、半導体装置中にヒューズ領域は通常、分散して複数箇所設けることが適切である。
【００６５】
なお、本実施の形態においては、各ヒューズのレーザー照射された部分は、厚さが同じヒューズ内では均一になっているが、場合により厚さが部分的に異なっていてもよい。さらには、ヒューズ表面が波状や階段状に形成されていてもよい。その場合、値の異なるヒューズは互いに識別が容易な程度の厚さの差が大部分の領域を占める最も厚さの薄い部分において形成されていることが必要である。すなわち、ヒューズの抵抗値は大部分の領域における膜厚の薄い部分の抵抗値に依存するため、レーザー照射によって、ヒューズの大部分の領域における厚さを変更することで、各ヒューズの抵抗値を所定値に設定できる。
【００６６】
このようにヒューズを溶断する以外に、ヒューズの抵抗値を何通りかに変えて、その抵抗値を判別できるため、本実施の形態によれば、「０」「１」「２」（３値）や「０」「１」「２」「３」（４値）、「０」「１」「２」「３」.  .  .「ｎ」（ｎ＋１値）などの多値の情報を記憶することができる。
【００６７】
このようにヒューズの厚さを調整することにより、ヒューズの抵抗値を何段階かに設定し、１本のヒューズで多値の情報を記憶することのできるヒューズを有する半導体装置を提供できる。
【００６８】
この実施の形態によれば、不良救済に必要な情報量に対応するヒューズが占める面積を小さくでき、ヒューズ領域の面積の割合が小さい半導体装置を提供することができる。また、従来よりも少ないヒューズ本数で、救済できるビット数を維持したまま、ヒューズ領域面積を減少させることができる。
【００６９】
さらに、単位面積あたりの情報記憶容量を増大させて、小面積で大記憶容量のヒューズを有する半導体装置を提供することができる。従来と同じヒューズ本数で、記憶できる情報量を増加することができる。すなわち、半導体デバイスのチップ上に存在するヒューズの厚さを調節することによって、ヒューズの抵抗値を何段階にも変えることにより、１本のヒューズで多値の情報を得ることが可能である。従来の２値のヒューズと同じ占有面積とした場合には、ヒューズの持つ記憶量を大幅に増やすことができ、ヒューズ１本当たりの情報量を増やすことができる。
【００７０】
（第２の実施の形態）
図４（Ａ）に、本実施の形態のヒューズの構成を表す断面図を示す。本実施の形態では、図３（Ａ）に示された第１の実施の形態同様の半導体装置中に第１の実施の形態とはヒューズ材料を異ならせて実現している。すなわち、図４（Ａ）のＢ部分を拡大した図４（Ｂ）に示されるように、各ヒューズ３３は互いに水平方向に離間して、それぞれのヒューズは抵抗の異なるヒューズ材料を３層積層している。
【００７１】
半導体基板２０上の第１絶縁膜２１上に第１ヒューズ層３４、その上に形成された第２ヒューズ層３５、さらにこの第２ヒューズ層３５上に形成された第３ヒューズ層３６からなるヒューズ３３を半導体装置が有している。ここで、最上層の第３ヒューズ層３６はその下層の第２ヒューズ層３５よりも低抵抗で、この第２ヒューズ層３５はその下層の第１ヒューズ層３４よりも低抵抗に設定されている。
【００７２】
このように抵抗値の異なるヒューズ材料、もしくは材料の組成を各ヒューズに対して設定する。この場合、レーザーの強度（エネルギー密度）と照射時間を変えることによってヒューズを段階的に溶断し、その抵抗値を変えることができる。つまり、抵抗値の異なるヒューズを積層することによってヒューズ溶断後の抵抗値の変化量を大きくできる。
【００７３】
ここで、第１ヒューズ層３４の抵抗をＲ１とし、第２ヒューズ層３５の抵抗をＲ２とし、第３ヒューズ層３６の抵抗をＲ３とすると、ヒューズが全く溶断されていない図４（Ｂ）に示される状態では、各ヒューズは並列接続の形式で、ヒューズ読み出し回路に接続されて、その抵抗値Ｒ４は数１のようになる。
【００７４】
【数１】
0004079600.tif 000002
【００７５】
次に、図４（Ｃ）に示される状態である第３ヒューズ３６が溶断されて第２ヒューズ３５と第１ヒューズ３４が積層された状態では、第２ヒューズ３５と第１ヒューズ３４が並列接続の形式で、ヒューズ読み出し回路に接続されて、その抵抗値Ｒ５は数２のようになる。
【００７６】
【数２】
0004079600.tif 000003
【００７７】
次に、図４（Ｄ）に示される状態である第１ヒューズ３４のみが残った状態では、第１ヒューズ３４１のみがヒューズ読み出し回路に接続されて、その抵抗値Ｒ６はＲ１になる。
【００７８】
次に、図４（Ｅ）に示される状態である各ヒューズが溶断されてヒューズが切断された状態では、ヒューズ読み出し回路に接続されるヒューズがないため、無限大の抵抗として識別される。
【００７９】
本実施の形態のヒューズを用いた場合、図５に示されるように多段階にヒューズを溶断した状態での抵抗値が分布する。グラフは片対数で示している。このグラフから、段階的にヒューズを溶断することで、ヒューズの抵抗値は1桁近く変化することが可能ということが分かる。
【００８０】
３層でヒューズが形成された場合、その抵抗値は約０．２オームであり、２層でヒューズが形成された場合、その抵抗値は約２オームであり、１層でヒューズが形成された場合、その抵抗値は約２０オームとなっている。
【００８１】
膜厚の厚さが厚いと第１の実施の形態のように抵抗が小さく、厚さが薄くなるほど抵抗が大きくなる。この特徴に下層ほど抵抗値が大きい材料を用いることで、さらに膜厚の厚い状態のヒューズほど、抵抗値の小ささが顕著になり、膜厚の薄い状態のヒューズほど、より一層抵抗値の大きさが顕著になり、ヒューズの状態に応じた情報量の識別が第１の実施の形態に比べて容易となる。
【００８２】
本実施の形態においても、各ヒューズは第１の実施の形態のように、実際には半導体装置上に図３（Ｃ）に示されるようにそれぞれ所定の厚さに設定される。
【００８３】
なお、ヒューズの層数は図４に示した３層を初期状態とするものに限らず、２種類や、４種類以上の多数のヒューズ層を積層して形成してもよい。すなわち、ヒューズ層の数分、ヒューズが記憶できる情報量が増大することになる。
【００８４】
本実施の形態においても第１の実施の形態同様の効果を得ることができる。
【００８５】
たとえば、抵抗値の低い上層ヒューズとしては、ＡｌＣｕ層を利用し、抵抗値の高い下層ヒューズとしては、ポリシリコン層を用いることができる。また、３層構造のヒューズの場合、最上層にＡｌＣｕ層、中間層にタングステン層、最下層にポリシリコン層を用いることができる。
【００８６】
また、第１の実施の形態では、ヒューズの厚さを細かに設定するため、レーザー照射の制御性の高さが求められるが、本実施の形態では、積層された各ヒューズはその組成が異なるため、レーザー照射の制御性を第１の実施の形態よりは落としても、適切な抵抗値をもたらす厚さのヒューズを形成することが可能である。
【００８７】
本実施の形態では、ヒューズの上層に最も抵抗の小さい材料を配置し、以下、下層になるにつれて、より抵抗の大きい材料を形成している。互いに異なる複数のヒューズ部分を積層してヒューズを形成することで、このヒューズの抵抗値を段階的、もしくは連続的に調節できるヒューズを有する半導体装置を提供している。
【００８８】
各実施の形態においては、ヒューズを例に説明したが、ヒューズに替えて溶断可能な導電層を用いることも可能である。
【００８９】
【発明の効果】
本発明によれば、不良救済に必要な情報量に対応するヒューズが占める面積を小さくでき、ヒューズ領域の面積の割合が小さい半導体装置を提供できる。また、本発明によればさらに、単位面積あたりの情報記憶容量を増大させて、小面積で大記憶容量のヒューズを有する半導体装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置を説明する斜視図である。
【図２】  （Ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置のレーザー照射前の状態を説明する斜視図であり、（Ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置のレーザー照射後の状態を説明する斜視図である。
【図３】  （Ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の構造を説明する断面図であり、（Ｂ）は本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置のヒューズ部分を拡大したレーザー照射前の状態を説明する断面図であり、（Ｃ）は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置のヒューズ部分を拡大したレーザー照射後の状態を説明する断面図である。
【図４】  （Ａ）は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の構造を説明する断面図であり、（Ｂ）は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置のヒューズ部分を拡大したレーザー照射前の状態を説明する断面図であり、（Ｃ）は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置のヒューズ部分を拡大したレーザー照射後の状態を説明する断面図であり、（Ｄ）は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置のヒューズ部分を拡大したレーザー照射後の状態を説明する断面図であり、（Ｄ）は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置のヒューズ部分を拡大したレーザー照射後の状態を説明する断面図である。
【図５】  本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置のヒューズの状態に応じた抵抗値を示す特性図である。
【図６】  （Ａ）は、従来の半導体装置のヒューズ溶断前の状態を説明する斜視図であり、（Ｂ）は、従来の半導体装置のヒューズ溶断後の状態を説明する斜視図である。
【符号の説明】
１  ヒューズ切断領域
２  端部
３、８，３０  第１ヒューズ
４  被照射部
５、９，３１  第２ヒューズ
６，１０，３２  第３ヒューズ
７，２８，３３  ヒューズ
１１  第４ヒューズ
２０  半導体基板
２１  第１絶縁層
２２  第２絶縁層
２３  第１配線層
２４  層間絶縁膜
２５  コンタクト
２６  第２配線層
２７  凹部
３４  第１ヒューズ層
３５  第２ヒューズ層
３６  第３ヒューズ層
３７  絶縁層
【図１】
0004079600.tif 000004
【図２】
0004079600.tif 000005
【図３】
0004079600.tif 000006
【図４】
0004079600.tif 000007
【図５】
0004079600.tif 000008
【図６】
0004079600.tif 000009