(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高純度溶融シリカガラスの非多孔性ボディを製造する方法であって、
ａ）  炎加水分解または酸化による熱分解によりＳｉＯ２ に転化できる、蒸気形態にあるケイ素含有化合物を含有するガス流を製造し、
ｂ）  該ガス流を燃焼バーナーの炎中に通して、溶融ＳｉＯ２ の非晶粒子を形成し、
ｃ）  該非晶粒子を基体上に付着させ、
ｄ）  該非晶粒子を、一酸化炭素、ジボラン、およびヒドラジンからなる群より選択される少なくとも１つからなる還元雰囲気に暴露し、
ｅ）  該非晶粒子の付着物を非多孔性ボディに固結するために前記還元雰囲気の温度を上昇させる、
各工程を有してなることを特徴とする方法。
【請求項２】
工程（ｅ）において、前記還元雰囲気の温度を1000℃から1400℃までの範囲に上昇させることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ケイ素含有化合物が、ハロゲン化物を含まないポリメチルシロキサンからなることを特徴とする請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
前記ポリメチルシロキサンが、ヘキサメチルジシロキサン、ポリメチルシクロシロキサン、およびこれらの混合物からなる群より選択されることを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記ポリメチルシクロシロキサンが、オクタメチルシクロテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、およびこれらの混合物からなる群より選択されることを特徴とする請求項４記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高純度溶融シリカから酸素を除去することによりシリカのレーザ誘導光損傷を低減させる方法に関するものである。特に、本発明の光損傷抵抗性シリカは、ガラスプレフォームを高温の還元雰囲気内で固結させることにより形成する。
【０００２】
【従来の技術】
溶融シリカ内において吸収を生じる中心（センター）の形成の正確な原因、性質および機構は完全には理解されていないが、これらの欠点を、光学的吸収および／または電子スピン共鳴技術により同定し、突き止めることができる。２つの範疇の欠点を記載することができる：約210 ｎｍを中心とする光学的吸収を有するＥ´中心（Ｅ´センター）、および650 ｎｍでの対応蛍光を伴なう約260ｎｍの非常に広い吸収バンドを有する酸素関連欠陥。
【０００３】
Ｅ´欠陥構造は、間げき空間中に突出したダングリングケイ素軌道内に捕らえられた電子から構成されている。Ｅ´中心は不対電子を有しているので、これは電子スピン共鳴分析学により検出できる。
【０００４】
248ｎｍエキシマーレーザに長時間暴露した後に測定した吸収スペクトルは、260 ｎｍを越えて延びる、210 ｎｍで強いピークを示す吸収の低エネルギー側にある延長吸収肩部を示している。ＳｉのＥ´中心に起因する210ｎｍの吸収バンドとは異なり、260 ｎｍの吸収バンドは酸素関連欠陥に関連している。アワズおよびカワゾエによるJ.Appl.Phys.、68巻、3584頁（1990年）に発表された特定のモデルは、260 ｎｍの吸収バンドの原因は、一連の反応により溶存酸素分子が光分解することによることを示唆している。
【０００５】
260吸収の形成を示すあるモデルには、溶存酸素分子と光が反応して、酸素原子を生じることが含まれている。反応性酸素原子はさらに、酸素分子と反応して、オゾンを生成する（260 ｎｍ吸収）。このオゾンには、赤（650 ｎｍ）の発光を伴う放射遷移がある。形成の機構にかかわらず、260ｎｍ吸収は、ガラスの酸素分子含有量に関連している。
【０００６】
シリカの溶存酸素分子の濃度は、シリカを作成する方法に依存する。例えば、炎加水分解（flame hydrolysis）工程において、溶存酸素分子の濃度は、ケイ素含有化合物からＳｉＯ２ を合成するのに使用した炎内のＣＨ４ ／Ｏ２ 比に依存する。ガラスを製造するのに使用する炎を酸化すればするほど、レーザの照射によってより多くの260 ｎｍの吸収が行なわれることが分かっている。260 ｎｍの吸収とともに、1.9 ｅＶ（650 ｎｍ）の赤の蛍光が発せられる。260ｎｍの吸収は、そのバンドが広すぎてレーザ波長を包含してしまうので、ＫｒＦ（248 ｎｍ）レーザ用途には望ましくない。したがって、ＫｒＦ用途においてシリカをうまく使用するためには、260ｎｍの吸収を最小にするかまたは減少させることが重要である。
【０００７】
過去においては、溶融シリカガラスの光損傷抵抗を改良する多くの方法が提案されてきた。例えば、フェイル、Ｓ．Ｐ．およびロイ、Ｄ．Ｍ．の、Hydrogen Impregnated Radiation Resistant Glasses、Material Research Bull. ５巻385-390 頁、1970年のMechanism of Color Center Destruction には、水素含浸ガラスがガンマ線誘導放射に抵抗する傾向にあることが示唆されている。
【０００８】
特開昭40-10228には、溶融により製造された石英ガラス品を水素含有雰囲気内で約400 ℃から約1000℃までの温度で加熱して、電離放射の影響（ソラリゼーション）による着色を防ぐ方法が開示されている。同様に、特開昭39-23850には、シリカガラスを950 ℃から1400℃までの温度で水素雰囲気内で熱処理し、その後同一の温度範囲の酸素雰囲気内で熱処理を行なうことによりこのガラスによる紫外線の透過を改良できることが開示されている。
【０００９】
シェルビー、Ｊ．Ｅ．のHydrogen-impregnated vitreous silica、J.Applied Physics 、50巻、NO.5、3702-3706 頁（1979年）のRadiation effects には、水素含浸ガラス質シリカは光学的欠陥の形成を抑制しているが、水素を含浸することにより、多量の結合ヒドロキシルおよび水素化物を形成し、また、ガラスの密度を減少させたり膨脹させたりすることが示唆されている。提案されているこれらの方法の全てにはシリカを固結状態で処理する工程が含まれている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
研究を行なった結果、上述した方法は260 ｎｍで誘導される吸収を減少させるけれども、シリカのある用途にとっては改善度が不十分であることが分かった。そのため、248 ｎｍのエキシマーレーザへの長時間に亘る暴露に関連する光損傷に対して抵抗性を有する高純度シリカを製造する新たな改良方法が依然として求められている。
【００１１】
したがって、本発明の目的は、紫外線照射により、248 ｎｍに近い波長で誘導吸収を生じたり、650ｎｍでの蛍光を生じたりしない、高純度溶融シリカガラスを製造する方法を開示することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、レーザ放射への暴露により生じる光損傷に対して抵抗性を有する高純度溶融シリカガラスを製造する方法を提供する。ある実施の形態において、本発明は、強い還元雰囲気内で溶融シリカの非晶粒子を固結することによりそのような光損傷抵抗性溶融シリカガラスを形成する方法を提供する。
【００１３】
ある実施の形態において、本発明は、
ａ）  炎加水分解または酸化による熱分解によりＳｉＯ2 に転化できる、蒸気形態にあるケイ素含有化合物を含むガス流を生成し、
ｂ）  このガス流を燃焼バーナーの炎に通して、溶融ＳｉＯ2 の非晶粒子を形成し、
ｃ）  この非晶粒子を基体に付着させ、
ｄ）  非晶粒子の付着物を高還元雰囲気内で、非多孔性透明ガラス体に固結させることにより、260 ｎｍでの誘導吸収および650 ｎｍでの誘導蛍光に対する抵抗性が大きい光学部材を製造する方法を提供する。
【００１４】
必要に応じて、非晶粒子を基体に付着させた後に、溶融シリカすすを塩素ガス流に暴露して、シリカから水を除去する。
【００１５】
別の実施の形態において、本発明は、1000℃から1400℃までの範囲の温度での高還元雰囲気内で多孔性非晶粒子を固結することにより、光損傷抵抗性高純度溶融シリカガラスを製造する方法を提供する。
【００１６】
この明細書で用いている表現を以下に説明する。
【００１７】
「260 ｎｍの吸収バンド」は、溶融シリカガラスの吸収スペクトルに一般的に見られるの210ｎｍピークが大きい吸収の低エネルギー側の延長吸収肩部を意味する。
【００１８】
「還元雰囲気」は、酸素の化学ポテンシャルが非常に小さいガス状雰囲気を意味する。このような雰囲気は、これと接触するどのような系からも酸素を取り出す傾向にある。還元ガスの例としては、水素、一酸化炭素、ジボラン、およびヒドラジンの蒸気が挙げられる。
【００１９】
「成形ガス」は、ＨｅとＨ2 の混合物を意味するものとして用いられている。そのような例としては、多孔性シリカの固結中に用いられる高還元雰囲気が挙げられる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、図面に示す実施の形態を参照して本発明を詳細に説明する。
【００２１】
現在まで、最も高純度の溶融シリカガラスおよびそのガラス部材は、248 ｎｍのエキシマーレーザに長時間に亘り暴露されると、210ｎｍのピークが大きい吸収の低エネルギー側の延長吸収肩部を示している。この延長吸収肩部を、ここでは260 ｎｍ吸収バンドと称する。従来の溶融シリカの260 ｎｍの吸収バンドを示す吸収スペクトルの代表例を、それぞれ、350 ｍＪ／ｃｍ2 で100 万パルスから400 万パルスに暴露した後のガラスについて、図１の(a) から(c) に示す。図１(a) の溶融シリカはアニールしていないが、図１(b) および(c) のガラスはそれぞれ、1100℃で230 時間、および1400℃で２時間に亘りアニールしたものである。
【００２２】
260 ｎｍの吸収バンドは以下の一連の等式、特に、オゾンの光分解である等式(3) により生じている：
（１）    Ｏ2   ＋  ｈｖ  ＝  ２Ｏ．
（２）    Ｏ2   ＋  Ｏ．  ＝  Ｏ3 （オゾン）
（３）    Ｏ3   ＋  ｈｖ  ＝  Ｏ（1 Ｄ）＋Ｏ2 
（４）    Ｏ（1 Ｄ）  ＝  Ｏ（3 Ｐ）  ＋  1.9 ｅＶ（赤の蛍光）
その結果、酸素原子が基底状態に戻り、特徴的な赤の蛍光が生じる。また、260 ｎｍでの吸収の開始は常に、赤の蛍光の発現および強度を伴うことが分かった。蛍光の強度は、260 ｎｍでの吸収の強度と比例し、この蛍光が、上述した等式に一致した同一の工程から始まることを示している。
【００２３】
本発明の目的、すなわち、260 ｎｍの吸収および650 ｎｍの蛍光がレーザ放射への暴露により生じないガラスの製造を、溶融シリカの非晶粒子を強い還元雰囲気内で固結して、得られるシリカからＯ2 分子を除去することにより、高純度溶融シリカガラスを形成することにより行なう。還元雰囲気がＨ2 を含む場合には、水素は急速にシリカ中に拡散でき、そこで下記の反応を促進させる：
（５）    ２Ｈ2   ＋  Ｏ2   ＝  ２Ｈ2 Ｏ
成形ガス中のＨ2 の濃度は、ベータＯＨの値により測定されるように、Ｓｉ−ＯＨが形成される可能性を最小にするために制限される。このＳｉ−ＯＨの形成は、網状構造内の選択された部位に関して上述した等式(5) により生成されるＨ2 Ｏのそれに続く反応の結果であるかもしれない、すなわち：
（６）    Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ  ＋  Ｈ2 Ｏ  ＝  ２Ｓｉ−ＯＨ
このＳｉ−ＯＨの形成は、Ｈ2 と網状構造との競合反応の結果であるかもしれない。この場合には、Ｓｉ−ＯＨだけでなく、Ｓｉ−Ｈも以下の等式により形成される可能性もある：
（７）    Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ  ＋  Ｈ2   ＝  Ｓｉ−ＯＨ  ＋  Ｓｉ−Ｈ
したがって、Ｈ2 を用いる場合には、ＨｅとＨ2 との成形ガス混合物中のＨ2 の量は、上述した概念により制限され、各々所定の工程の実験により決定するのが最も好ましい。
【００２４】
本発明のある実施の形態において、非晶シリカ粒子を高温の水素含有雰囲気内で固結してレーザ損傷に対する抵抗性を有するガラスを製造することにより、レーザ損傷に対する抵抗性の大きい光学部材を形成する。本発明の特に有用な実施の形態において、高純度溶融シリカを、
ａ）  炎加水分解または酸化による熱分解によりＳｉＯ2 に転化できる、蒸気形態にあるケイ素含有化合物を含むガス流を生成し、
ｂ）  このガス流を燃焼バーナーの炎に通して、溶融ＳｉＯ2 の非晶粒子を形成し、
ｃ）  この非晶粒子を基体に付着させ、
ｄ）  還元雰囲気を多孔性シリカ体に接触させるように導入し、
ｅ）  非晶粒子の付着物を、非多孔性透明ガラス体に固結させる、
各工程により形成する。
【００２５】
還元雰囲気に水素を含める場合には、好ましくはＨ2 の量は、ガス混合物全体の0.1 ％から10％までの範囲内にある。ある好ましい実施の形態において、非晶粒子を1000℃から1400℃までの範囲の温度で95％のＨｅおよび５％のＨ2 からなる雰囲気内で固結する。
【００２６】
すすの形態にあるシリカを、固結工程の前およびその間中に還元雰囲気に暴露しているこの工程は、前述した水素処理の工程とは著しく異なる。上述したように、ガラスを水素分子に含浸することにより、有害な影響を減少できることが示唆されている。このことは、水素が酸素と反応して、水またはヒドロキシル基を生成することを示唆している。しかしながら、この手法では、ガラスから酸素を除去できず、単に、別の化学化合物中に酸素を取り込むだけである。したがって、ある条件下において、照射により、誘導吸収および蛍光のもととなる同一の励起酸素種を生成できないとは保証できない。
【００２７】
本発明には、新しい化学化合物内に酸素を単に結合させる代わりに、ガラスの系から完全に酸素を除去するという利点がある。本発明は、シリカのすすを形成し、このすすを酸素の化学ポテンシャルが非常に小さい雰囲気（非常に強い還元雰囲気）にさらし、続いて、このすすを固結して透明ガラスを形成する各工程からなる。この工程に必要に応じて、酸素の化学ポテンシャルが小さい雰囲気に暴露する前にすすを塩素雰囲気にさらすことによりすすを乾燥させる工程を含めてもよい。
【００２８】
すすの形態において、シリカの粒子は、数秒間でこの粒子の直径と等しい距離だけ酸素が拡散できるほど十分に小さい。したがって、化学ポテンシャルにおける勾配の駆動力下の拡散により、シリカから酸素を素早く奪うことができる。このすすの粒子から、シリカ内の酸素化学ポテンシャルを雰囲気内のものと等しくするのに必要な程度まで酸素が奪われる。ガラスが固結された後には、適切な時間内に酸素が拡散できる通路の長さは、固結シリカから製造すべきガラス体のサイズと比較してわずかであるので、ガラスはもはや雰囲気の影響を受けない。このことは、温度を固結温度より低い温度まで低下させるときに、特に当てはまる。
【００２９】
すすの固結温度かまたはその温度よりわずかに低い温度でいかなる還元ガスを用いることによっても、低化学ポテンシャル雰囲気を達成することができる。水素、特に上述した成形ガスの形態にある水素、および一酸化炭素は、比較的安価であるので好ましいガスである。上述したように、水素を用いて雰囲気内の酸素の化学ポテンシャルをコントロールする場合、ある程度の水素をすすに浸透させて、酸素と反応させ、水を形成させる。このことは、水またはヒドロキシルのレベルを低くすることを必要とするかまたはそれが望ましい用途においては欠点となる。したがって、そのような用途にとって最も好ましい実施の形態では、一酸化炭素を使用する。
【００３０】
【実施例】
実施例１
本発明の効力を説明するために、レーザ放射により誘導される260 ｎｍでの吸収および650 ｎｍでの蛍光を４種類の異なるガラスにおいて測定した。試料１は、通常の濃度よりも多くの酸素分子を含むような条件下で計画的に作成した。このガラスは約５×1017分子／ｃｍ3 の酸素を含有すると推定されている。試料２は、標準の（従来の）条件下で作成した。試料３は、ガラスから酸素を枯渇させるために成形ガス（Ｈ2 とＨｅ）の存在下で固結した。試料４は、一酸化炭素の存在下で固結した。この実験の目的は、酸素の除去機構が水素との反応ではなく、むしろ還元雰囲気内の酸素の化学ポテンシャルが低いことにより駆動される拡散であることを示すことにあった。各々の試料において、65ｍＪ／ｃｍ2 での193 ｎｍの照射の100 万パルスにより誘導された260 ｎｍでの吸収を下記の表１に示す。
【００３１】
表１
試料                  １        ２        ３        ４
吸収度（ｃｍ-1）      0.3       0.05      0.02      0
標準試料（試料２）において赤の蛍光が観察され、高酸素試料（試料１）においては非常に強い蛍光が観察された。還元条件下で固結した試料のいずれにも赤の蛍光は検出されなかった。一酸化炭素の条件下で固結した試料では、100 万パルス後でも260 ｎｍで全く誘導吸収を示さなかった。
【００３２】
400 Ｈｚ、および350 ｍＪ／ｃｍ2 での100 万から800 万パルスへの暴露後の本発明の高純度溶融シリカの吸収スペクトルを図２に示す。このグラフから分かるように、図１(a) から(c) に存在する、216 ｎｍのピークが大きい低エネルギー側の延長吸収肩部（すなわち、260 ｎｍの吸収バンド）が完全に存在していない。
【００３３】
図３は、純粋なＨｅ中で固結した従来の溶融シリカガラス(3) 、および試料１(4) （酸素分子を異常な高レベルで含有するガラス）に対して、Ｈ2 とＨｅの成形ガス中で固結したもの(1) とＣＯ中で固結した(2) 本発明の２種類の溶融シリカガラス試料の、260 ｎｍでの吸収度を比較した直接の定量グラフである。４種類のガラス試料全てに、300 Ｈｚ、および63ｍＪ／ｃｍ2 で、193 ｎｍのエキシマーレーザで照射を行なった。高酸素溶融シリカに関して、210 ｎｍの吸収バンドの低エネルギー側の延長吸収肩部は、試料にレーザを照射した直後に明らかである。本発明の成形ガス固結試料またはＣＯ固結試料のいずれに関しても、吸収は見られなかった。標準（従来技術）条件下で固結した、従来のガラス試料(3) に関しては、約30分後に、260 ｎｍの領域に吸収が見られ、時間が経過するごとにこの吸収は増加している。これは、800 万パルスの照射後でさえ、例えば、260 ｎｍバンド領域のスペクトルに延長バンドが観察されなかった、図２に示したような本発明の溶融シリカに、鋭い対比をなしている。
【００３４】
図４は、600 万パルスの照射後の本発明の溶融シリカのスペクトル（線２）に対して、200 万パルスの照射後の従来の溶融シリカのスペクトル（線１）を比較した、図３の216 ｎｍの吸収バンドの低エネルギー側辺りのスペクトル領域の拡大グラフである。260 吸収バンド内の従来の溶融シリカの吸収度は0.08／ｃｍであり、成形ガス内で固結した本発明の溶融シリカの吸収度は0.03／ｃｍである。
【００３５】
実施例２
この実施例において、シリカ源としてオクタメチルシクロテトラシロキサン  （ＯＭＣＴＳ）を用いた外部蒸着（ＯＶＤ）工程により調製したシリカすすブランクを固結した。この固結工程は、直径が７ｍｍであり、長さが13ｍｍであるすすプレフォーム片を、上部にガス接続口が取り付けられた石英管中に配置することにより行なった。次いで、この石英管を室温の炉内に配置した。この系に最初に1000℃で15分間に亘りヘリウムを充填し、次いで、4.32％の水素と残りの量のヘリウムを、1.5 リットル／分の速度でこの系に通した。炉の温度を、水素とヘリウムの流動を維持しながら、160 ℃／時間の速度で1420℃まで上昇させた。水素とヘリウムの流動を維持しながら、このガラス試料を再度1000℃まで急速に冷却した。この試料を次いで空気雰囲気内で室温まで冷却した。
【００３６】
実施例３
シリカ源としてＯＭＣＴＳ用いてＯＶＤにより調製したシリカすすブランクを用いることにより、再度上記実施例を行なった。固結工程は、直径が７ｍｍであり、長さが11ｍｍであるすすブランク片を石英管中に装填することにより行なった。この管を室温の炉内に配置した。この系に15分間に亘り1000℃でヘリウムを充填し、次いで、4.23％の水素と残りの量のヘリウムを３リットル／分の速度でこの系に流した。この炉を250 ℃／時間の速度で室温から1000℃まで上昇させた。次いで、この炉を２時間に亘り1000℃に保持した。２時間に亘る保持の後、温度を100 ℃／時間の速度で1420℃まで上昇させた。水素とヘリウムを流しながら、このガラス試料を16時間に亘り200 ℃まで冷却した。このガラスをヘリウムの雰囲気内で４時間をかけて200 ℃から室温まで冷却した。
【００３７】
本発明のガラスを形成するのに有用なケイ素含有化合物として、米国特許第3,393,454 号、同第5,043,002 号、同第5,152,819 号、および同第5,154,744 号に集合的に開示されているようなものが知られている。好ましくは、ケイ素含有ガス状原料としては、炎加水分解または熱分解により酸化され、透明な高純度シリカガラス品を製造できる、ハロゲン化物を含まない、ケイ素含有化合物が挙げられる。原料成分として、熱分解性および／または加水分解性の、ハロゲン化物を含まないケイ素含有化合物を使用することにより溶融シリカガラスを製造すると、副産物として二酸化炭素および水が生成される。ハロゲン化物を含まない有用なケイ素含有化合物の例としては、シクロシロキサン化合物、好ましくは、ヘキサメチルジシロキサン、ポリメチルシクロシロキサン、およびこれらの混合物のようなポリメチルシロキサンが挙げられる。特に有用なポリメチルシクロシロキサンの例としては、オクタメチルシクロテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、およびこれらの混合物が挙げられる。
【００３８】
ポリメチルシロキサンに加えて、下記の３つの基準を満たすオルガノシロキサン材料を本発明の方法に用いても差支えない。
【００３９】
(1)   使用可能なオルガノシリコンＲ化合物（Ｒは周期表の元素である）は、Ｓｉ−Ｏの結合解離エネルギー以下のＳｉ−Ｒ結合解離エネルギーを有する。
【００４０】
(2)   使用可能なオルガノシリコンＲ化合物は、250 ℃より低い温度でのかなりの蒸気圧および350 ℃以下の沸点を有する。
【００４１】
(3)   使用可能なオルガノシリコンＲ化合物は、安全性のために、熱分解および／または加水分解の際に、環境的に安全と考えられているか、または放出物が許容される政府の基準より低い、ＳｉＯ2 とは別の分解生成物を生じる。
【００４２】
特に有用であることが判明した３種類の化合物は、基本構造における結合配列により以下のような範疇に区分される。
【００４３】
(1)   Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ基本構造を有するオルガノシリコン酸素化合物、特に、酸素原子と、１つの元素またはメチル基のような元素の群とがケイ素原子に結合した線状シロキサン。
【００４４】
(2)   アミノシラザン、線状シラザン、およびシクロシラザンのようなＳｉ−Ｎ−Ｓｉ基本構造を有し、窒素原子および１つの元素または元素の群がケイ素原子に結合したオルガノシリコン窒素化合物。
【００４５】
(3)   Ｓｉ−Ｎ−Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ基本構造を有し、窒素原子および酸素原子がケイ素原子と結合したシロキサシラザン。
【００４６】
本発明の方法にとって有用な、ハロゲン化物を含まないケイ素含有化合物の他の例としては、オクタメチルトリシロキサン（使用可能な線状シロキサン）、トリス（トリメチルシリル）ケテニミンのようなアミノシラン、ノナメチルトリシラザンのような線状シラザン、オクタメチルシクロテトラシラザンのようなシクロシラザン、ヘキサメチルシクロトリシロクサザンのようなシロクサシラザンが挙げられる。
【００４７】
本発明の特に有用な方法において、化学式…［ＳｉＯ（ＣＨ3 ）2 ］4 …により表される、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）のようなシクロシロキサン化合物は、溶融シリカブーレ工程の原料として、または光波ガイド用途の高純度溶融シリカを製造するのに用いられるような蒸着工程に用いられる。  ハロゲン化物を含まないシクロシロキサン化合物に加えて、ＳｉＣｌ4 を、シリカブーレ工程における原料として用いて、本発明の高純度溶融シリカを製造することもできる。しかしながら、安全性と環境的な理由のために、ハロゲン化物を含まないシクロシロキサン化合物が好ましい。
【図面の簡単な説明】
【図１】エキシマーレーザに長時間暴露した後の従来技術の溶融シリカの吸収度を示すグラフ
【図２】  100 万パルスから800 万パルスのエキシマーレーザに暴露した後の屁派の高純度溶融シリカの吸収スペクトルを示すグラフ
【図３】本発明の溶融シリカガラスの260 ｎｍでの吸収バンドと従来技術の溶融シリカガラスの吸収バンドの比較を示すグラフ
【図４】図３の260 ｎｍの吸収バンド辺りのスペクトル領域を示すグラフ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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