(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）上に塗布するためのポジ型フォトレジストであって、アルカリ可溶性ノボラック型樹脂とキノンジアジド基含有化合物とを基本組成とし、更に式（Ｉ）
【化１】
0004067260.tif 000003
で示される化合物を前記の基本組成１００重量部当り０．１〜５重量部含むことを特徴とするポジ型フォトレジスト。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、紫外線、遠紫外線（エキシマレーザーなどを含む）、電子線、イオンビーム、Ｘ線などの放射線に感応するポジ型フォトレジスト組成物に関する。更に詳しくは、半導体デバイスやＬＣＤ（薄膜トランジスタ）などの製造における基板との密着性に優れたレジストパターンを形成することができる新規なポジ型フォトレジスト組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＩＣやＬＳＩなどの半導体デバイスやＬＣＤなどの液晶表示素子の製造プロセスにおいてフォトエッチング法による微細加工が行われている。このフォトエッチング法では、基板上にフォトレジストを塗布し、その上にマスクパターンを介して紫外線などの活性光線を照射後、現像して得られたレジストパターンを保護膜として該基板をエッチングするという方法がとられている。そして、この方法において用いられるフォトレジスト組成物としては、被膜形成用のアルカリ可溶性ノボラック型樹脂と、キノンジアジド基含有ベンゾフェノン系化合物からなる感光成分との組み合わせが好適であることが知られている（例えば、米国特許第４３７７６３１号明細書、特開昭６２−３５３４９号公報、特開平１−１４２５４８号公報、特開平１−１７９１４７号公報）。
【０００３】
ところで、半導体デバイスやＬＣＤなどの製造におけるフォトエッチング法では基板を精度良くエッチングするためにレジストパターンと該基板との密着性が重要であり、この密着性が悪いとウェットエッチング時の食い込み量が大きくなり、パターンの短絡が起こり不都合である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、半導体デバイスやＬＣＤなどの製造における基板に対して密着性の優れたレジストパターンを形成できる、アルカリ可溶性ノボラック型樹脂を用いたポジ型フォトレジスト組成物を提供することを目的としてなされたものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ポジ型フォトレジスト組成物であって、アルカリ可溶性ノボラック型樹脂とキノンジアジド基含有化合物とを基本組成とするポジ型フォトレジストにおいて、式（Ｉ）
【０００６】
【化２】
0004067260.tif 000002
【０００７】
で示される化合物を更に含むことを特徴とする。
【０００８】
また、本発明は、前記の式（Ｉ）で表される化合物の添加量が、前記の基本組成１００重量部当り０．１〜５重量部である、前記組成物に関する。
【０００９】
【発明の実施の態様】
本発明の組成物に係るアルカリ可溶性ノボラック樹脂は、特に限定されず、当該分野において被膜形成用物質として既知のものが使用しうる。
【００１０】
例えば、このアルカリ可溶性ノボラック型樹脂として、フェノール類とアルデヒド類との反応生成物が挙げられる。ここで、フェノール類としては、フェノール、ｏ−、ｍ−又はｐ−クレゾール、２，５−キシレノール、３，６−キシレノール、３，４−キシレノール、２，３，５−トリメチルフェノール、４−ｔ−ブチルフェノール、２−ｔ−ブチルフェノール、３−ｔ−ブチルフェノール、２−エチルフェノール、３−エチルフェノール、４−エチルフェノール、３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール、４−メチル−２−ｔ−ブチルフェノール、２−ナフトール、１，３−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、１，７−ジヒドロキシナフタレンなどの芳香族ヒドロキシ化合物が挙げられる。また、アルデヒド類としては、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアルデヒドなどが挙げられる。フェノール類とアルデヒド類の反応は触媒の存在下で行われ、パルク又は溶媒中で行われる。触媒としては有機酸（蟻酸、シュウ酸、ｐ−トルエンスルホン酸、トリクロロ酢酸など）、無機酸（燐酸、塩酸、硫酸、過塩素酸など）、２価金属塩（酢酸亜鉛、酢酸マグネシウムなど）が挙げられる。
【００１１】
本発明の組成物に係る感光性成分は、特に限定されず、当該分野において既知のものが使用可能であり、例えば、キノンジアジド基含有化合物が挙げられる。ここで、キノンジアジド基含有化合物としては、例えば、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４′−テトラヒドロキシベンゾフェノンなどのポリヒドロキシベンゾフェノンとナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホン酸又はナフトキノン−１，２−ジアジド−４−スルホン酸との完全エステル化合物や部分エステル化合物などを挙げることができる。
【００１２】
また、他のキノンジアジド基含有化合物、例えばオルソベンゾキノンジアジド、オルソナフトキノンジアジド、オルソアントラキノンジアジド又はオルソナフトキノンジアジドスルホン酸エステル類などのこれら核置換誘導体、更にはオルソナフトキノンスルホニルクロリドと水酸基又はアミノ基を持つ化合物、例えばフェノール、ｐ−メトキシフェノール、ジメチルフェノール、ヒドロキノン、ビスフェノールＡ、ナフトール、カルビノール、ピロカテコール、ピロガロール、ピロガロールモノメチルエーテル、ピロガロール−１，３−ジメチルエーテル、没食子酸、水酸基を一部残してエステル化又はエーテル化された没食子酸、アニリン、ｐ−アミノジフェニルアミンなどとの反応生成物なども用いてもよい。これらは、単独で用いてもよいし２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【００１３】
これらのキノンジアジド基含有化合物は、例えば前記ポリヒドロキシベンゾフェノンとナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホニルクロリド又はナフトキノン−１，２−ジアジド−４−スルホニルクロリドとをジオキサンなどの適当な溶媒中において、トリエタノールアミン、炭酸アルカリ、炭酸水素アルカリなどのアルカリ存在下に縮合させ、完全エステル化又は部分エステル化することにより製造することができる。
【００１４】
本発明の組成物は、密着増強剤として、前記の式（Ｉ）で表される化合物を含む。なお、テルペン骨格に対するカテコールの置換基の位置は、特に限定されないが、１，３位置換体及び２，８位置換体が好ましい。
【００１５】
本発明の組成物は、更に必要に応じて相溶性のある添加物、例えばレジスト膜の性能などを改良するための樹脂、可塑剤、安定剤、界面活性剤、現像後のレジストパターンの視認性を良くするための染料、増感効果を向上させる増感剤などの慣用されている成分を添加含有させてもよい。
【００１６】
本発明の組成物は、アルカリ可溶性ノボラック型樹脂と、キノンジアジド基含有化合物と、前記の式（Ｉ）の化合物と、所望に応じて用いられる各種添加成分とを適当な溶剤に溶解した溶液の形で用いる。
【００１７】
溶剤としては、２−ヘプタノン、アセトン、メチルエチルケトン、１，１，１−トリメチルアセトンなどのケトン類、エチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコール又はジエチレングリコールモノアセテートのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル又はモノフェニルエーテルなどの多価アルコール類及びその誘導体や、ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、ピルビン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸メチルなどのエステル類が挙げられる。これら溶剤は、単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いても構わない。その使用量は、基板上に、均質でピンホール、塗りむらの無い塗布膜ができる塗布が可能であれば特に制限されない。通常、全レジストに対し、溶剤量が５０〜９７重量％になるように調製する。なお、ナフトキノンジアジド基含有含有化合物の配合比は、アルカリ可溶性クレゾールノボラック型樹脂１００重量部に対し、好ましくは１０〜６０重量部、より好ましくは２０〜５０重量部、更に好ましくは３０〜４０重量部の割合で配合する。
【００１８】
【実施例】
以下に、実施例により本発明を更に詳細に説明する。ただし、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。
【００１９】
実施例１
ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールとを重量比４：６で混合したものを用い、常法により製造したクレゾールノボラック型樹脂（重量平均分子量５，０００）１００ｇと、２，３，４，４′−テトラヒドロキシベンゾフェノンのナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホン酸エステル２０ｇと式（Ｉ）に該当するヤスハラケミカル社製のテルペンジカテコール（１，３位置換体：２，８位置換体＝６：４）を、１．５ｇとをエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート５００ｇに溶解して調製したポジ型フォトレジスト溶液を、ＩＴＯ蒸着膜を設けたガラス基板上に膜厚１．５μmになるようにスピナー塗布した後、ホットプレート上で１１０度×１２０秒間ベークし、テストパターンマスクを介してコンタクト露光装置ＰＬＡ−５００Ｆ（キャノン製）を用いて露光を行った。
【００２０】
ついで、２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液中に６０秒間浸漬することにより、露光部分を除去し、ＩＴＯ蒸着膜上にレジストパターンを形成した後、露出したＩＴＯ蒸着膜をマスクとしてＦｅＣｌ3（９９％）：ＨＣｌ（３７％）＝１：３の割合で調整したエッチング液に６５分間浸漬することによりＩＴＯ蒸着膜をエッチングした。ついで、レジストパターンとＩＴＯ蒸着膜との密着性を評価するために、光学式顕微鏡で１０μmパターンでのエッチングによるＩＴＯ蒸着膜の食い込み量を観察した結果、食い込み量は１．３μmであり、良好な密着性が確認された。
【００２１】
比較例１
実施例１のヤスハラケミカル社製テルペンジカテコールを配合しなかったこと以外は実施例１と同様にしてＩＴＯ蒸着膜をエッチングし、ついで、レジストパターンとＩＴＯ蒸着膜との密着性を評価した結果、食い込み量は２．８μmであった。