(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に電解メッキ配線を有する第１層と、
該メッキ配線から外延部にのびるアウタリード層と、
前記第１層に重ねられ、前記アウタリード層を前記第１層から繋ぐ第１の貫通導電部を有する第２層と、
前記第２層に重ねられ、前記第２層上面から立ち上がる内側側壁を形成することによって該内側側壁の内部に固体撮像素子を収容するのに適した空間を画定し、更に前記第１の貫通導電部を前記第２層から繋ぐ第２の貫通導電部と、該第２の貫通導電部から上面に延長するインナリード層とを有する第３層と、
該第３層に重ねられ、該第３層の画定する空間を上方に延長すると共に前記インナリード層の少なくとも内側部分を露出するような内側側壁を形成し、その上面から入射した光を前記固体撮像素子に到達させるのに適した第４層と、
前記第１層と前記第２層の合計厚さが０．５ｍｍ以上であり、
前記第１、第２、第３層が前記第４層に比し外側に突出する厚さ０．７ｍｍ以上のつば部分を有し、
前記第３層の厚さが前記つば部分の厚さの１／２より大きく、
前記第３層が前記外側に突出するつば部分で前記第２層上面を露出させる切り欠き部を有する固体撮像素子用セラミックパッケージ。
【請求項２】
表面に電解メッキ配線を有するセラミックパッケージ第１層と、
該メッキ配線から外延部にのびるアウタリード層と、
前記第１層に重ねられ、前記アウタリード層を前記第１層から繋ぐ第１の貫通導電部を有するセラミックパッケージ第２層と、
接続用パッドを有し、該第２層上面に接着された固体撮像素子と、
前記第２層に重ねられ、前記第２層上面から立ち上がる内側側壁を形成することによって該内側側壁の内部に前記固体撮像素子を収容する空間を画定し、更に前記第１の貫通導電部を前記第２層から繋ぐ第２の貫通導電部と該第２の貫通導電部から上面に延長するインナリード層とを有するセラミックパッケージ第３層と、
該第３層の前記インナリード層と前記固体撮像素子の前記接続用パッドとを接続する金属線と、
該第３層に重ねられ、該第３層の画定する空間を上方に延長すると共に前記インナリード層の少なくとも内側部分を露出するような内側側壁を形成し、その上面から入射した光を前記固体撮像素子に到達させるセラミックパッケージ第４層と、
該第４層の上面に接着された透明な封止板と、
を含み、
前記第１層と前記第２層の合計厚さが０．５ｍｍ以上であり、
前記第１、第２、第３層が前記第４層に比し外側に突出する厚さ０．７ｍｍ以上のつば部分を有し、
前記第３層の厚さが前記つば部分の厚さの１／２より大きく、
前記第３層が側壁にパッケージ分離用溝を有し、
前記第３層が前記外側に突出するつば部分で前記第２層上面を露出させる切り欠き部を有する固体撮像装置。
【請求項３】
第１の型抜き加工と第１の導体パタンの印刷とを施された第１のセラミックグリーンシートを準備する工程と、
第１のスルーホール形成を含む第２の型抜き加工を施され、該第１のスルーホールに導体を充填された第２のセラミックグリーンシートを準備する工程と、
内部開口形成と第２のスルーホール形成を含む第３の型抜き加工と第２の導体パタンの印刷とを施され、該第２のスルーホールに導体を充填された第３のセラミックグリーンシートを準備する工程と、
内部開口を囲む枠状体形成を含む第４の型抜き加工を施された第４のセラミックグリーンシートを準備する工程と、
前記第１、第２、第３、第４の４つのセラミックグリーンシートを下からこの順に積層する工程と、
前記第３のセラミックグリーンシートにパッケージ分離用溝を入れる工程と、
該積層セラミックグリーンシートを焼成する工程と、
該焼成された積層セラミックグリーンシートに下地メッキ及び表面仕上げメッキを施す工程と、
該下地メッキ及び表面仕上げメッキを施された積層セラミックグリーンシートを前記溝を利用して分離する工程と、
を有し、
前記第１、第２、第３のセラミックグリーンシートが前記第４のセラミックグリーンシートに比し外側に突出するつば部分を備え、焼成後の前記つば部分の厚さは０．７ｍｍ以上であり、
前記第３の型抜き加工が、前記つば部分で前記第２のセラミックグリーンシート上面を露出する切り欠き部形成を含み、
焼成された前記第１と第２のセラミックグリーンシートの合計厚さが０．５ｍｍ以上であり、
焼成された前記第３のセラミックグリーンシートの厚さが、焼成後の前記つば部分の厚さの１／２より大きい固体撮像素子用セラミックパッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は薄型化可能なセラミックパッケージ、該パッケージを用いた固体撮像装置及びそれらの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図５（Ａ）はセラミックパッケージを用いた固体撮像装置の先の提案を示す一部破断側面図、図５（Ｂ）は上面図である。固体撮像素子５６、固体撮像素子５６上の接続用パッド５６ａ、透明封止板５７、金属線６１を除く部分がセラミックパッケージである。
【０００３】
パッケージは底部の第１層５１から上部の第５層５５までの５層５１〜５５の積層構造を有し、すべての層がセラミックでできている。第１層５１から第３層５３までが底板部、第４層５４、第５層５５が側壁部を形成する。側壁の内側に画定される空間は固体撮像素子５６を収容するためのものである。第１層５１は上面に電解メッキ配線を有し、アウタリード端子５８はこの配線の延長である。第２層５２、第３層５３、第４層５４は連続する貫通導電部を備えており、第１層の電解メッキ配線と第４層５４上面のインナリード層６０とを結んでいる。第５層５５の内側側壁は第４層５４上面のインナリード層６０の内側部分を露出する形状を有する。厚さは第１層５１から第５層５５まで順にたとえば２５０μｍ、２５０μｍ、５００μｍ、６５０μｍ、７００μｍで、合計するとパッケージの厚さは２.３５ｍｍになる。
【０００４】
固体撮像素子５６、厚さはたとえば６４５μｍ、が第３層５３上に接着されている。固体撮像素子５６上面には接続用パッド５６ａが存し、金属線６１によってインナリード層６０と接続されている。第５層５５上面に透明封止板５７が固着される。透明封止板５７を透過した光が固体撮像素子５６に到達する。
【０００５】
パッケージは第３層５３以下の層を外側に突出させた、いわゆるつばのある構造になっている。このつば部に設けられた半円形切り欠き６２はパッケージ取り扱いの便宜のためのものであり必須ではない。
【０００６】
つばは固体撮像装置と他の部品（鏡筒、レンズ）とを高い焦点精度をもつ撮像装置に組み立てるためのものである。つばには強度を保持するための厚み、たとえば０．７ｍｍ以上が必要であるため、セラミックパッケージ全体を薄くすることが難しかった。したがってセラミックパッケージを用いた固体撮像装置の薄型化も困難であった。
【０００７】
また図５（Ｃ）は図５（Ａ）の固体撮像装置製造工程における一場面を示す図である。スナップ６０が第３層５３から第２層５２の途中まで入れられており、このスナップ６０を利用してスナップ６０下方のセラミックを割ることで、個々のパッケージを分離する。うまく割るためにはつばの厚さの半分を超える深さが必要である。ただし第１層５１上面の電解メッキ用配線が隣のパッケージと繋がっているので、スナップ６０はこれを切断してはならない。またアウタリード端子５８に施される金メッキは５００μｍの高さを必要とする。これより低い場合には、半田不良を生じやすいからである。
【０００８】
図５（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示す先の提案の固体撮像装置に用いられたセラミックパッケージは以上の製造上の要請を満たしている。金メッキは第１層５１、第２層５２に渡って施されており、高さは二つの層の厚さを加えた５００μｍである。また第３層５３が５００μｍの厚みを有するので、スナップ６０を第３層５３から第２層５２の途中まで入れればつばの厚さの半分を超えることになる。更に第１層５１上面にある電解メッキ用配線を分断することもない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
携帯電話機に内蔵されるデジタルカメラ等、撮像装置の小型化、薄型化に対応して固体撮像装置にも薄型化の必要が生じている。本発明の目的はつばが十分な強度を有し、また撮像装置に高い焦点精度を保証する薄型つば付セラミックパッケージ、及び該つば付セラミックパッケージを用いた薄型固体撮像装置を提供することである。
【００１０】
更に本発明の目的はつばが十分な強度を有し、また撮像装置に高い焦点精度を保証する薄型つば付セラミックパッケージ、及び該つば付セラミックパッケージを用いた薄型固体撮像装置の製造方法を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の一観点によれば、表面に電解メッキ配線を有する第１層と、該メッキ配線から外延部にのびるアウタリード層と、前記第１層に重ねられ、前記アウタリード層を前記第１層から繋ぐ第１の貫通導電部を有する第２層と、前記第２層に重ねられ、前記第２層上面から立ち上がる内側側壁を形成することによって該内側側壁の内部に固体撮像素子を収容するのに適した空間を画定し、更に前記第１の貫通導電部を前記第２層から繋ぐ第２の貫通導電部と、該第２の貫通導電部から上面に延長するインナリード層とを有する第３層と、該第３層に重ねられ、該第３層の画定する空間を上方に延長すると共に前記インナリード層の少なくとも内側部分を露出するような内側側壁を形成し、その上面から入射した光を前記固体撮像素子に到達させるのに適した第４層と、前記第１層と前記第２層の合計厚さが０．５ｍｍ以上であり、前記第１、第２、第３層が前記第４層に比し外側に突出する厚さ０．７ｍｍ以上のつば部分を有し、前記第３層の厚さが前記つば部分の厚さの１／２より大きく、前記第３層が前記外側に突出するつば部分で前記第２層上面を露出させる切り欠き部を有する固体撮像素子用セラミックパッケージが提供される。
【００１２】
【発明の実施の形態】
図１（Ａ）及び（Ｂ）を参照して本発明の第１の実施例による固体撮像装置Ｘについて説明する。（Ａ）は一部破断側面図、（Ｂ）は上面図である。固体撮像素子５、固体撮像素子５上の接続用パッド５ａ、透明封止板６、金属線１０を除く部分がセラミックパッケージである。
【００１３】
パッケージは底部の第１層１から上部の第４層４までの４層１〜４の積層構造を有し、すべての層がセラミックでできている。第１層１と第２層２がパッケージの底板部、第３層３と第４層４が側壁部を形成する。側壁の内側に画定される空間は固体撮像素子５を収容するためのものである。第３層３は内側に開口を有するとともに、外側においてつば部分を画定している。第４層４は枠状であり、第４層４の内側側壁は第３層上面に設けられているインナリード層９の内側部分を露出するとともに、外側側壁外に第３層３のつば部分上面を露出する形状を有する。第４層４上面に透明封止板６が固着される。透明封止板６を透過した光が固体撮像素子５に到達する。
【００１４】
固体撮像素子５が接着されているのは第２層２上面である。固体撮像素子５上面に存する接続用パッド５ａは金属線１０によってインナリード層９と接続される。インナリード層９は第３層３と第２層２が有する貫通導電部を介して、第１層１上面の電解メッキ配線と機械的、電気的に連続している。アウタリード端子７はこの電解メッキ配線から外延部にのびるアウタリード層のリード端子である。回路基盤上の外部端子との半田付けが行われる場所で、第１層１下面から第２層２の上面までの高さを有する。
【００１５】
図２を参照して、この電気的接続を詳述する。
【００１６】
図２（Ａ）は第１層１の上面図である。電解メッキ配線Ｋ、スルーホール端ｈ、アウタリード層Ｌが機械的、電気的に連続している。
【００１７】
図２（Ｂ）は第２層２の上面図である。第２層２のスルーホールｈ2が上面から下面に貫通し、下面におけるスルーホールｈ2の位置は第１層１のスルーホール端ｈと一致する。
【００１８】
図２（Ｃ）は第３層３の上面図である。第３層３のスルーホールｈ3が上面から下面に貫通し、下面におけるスルーホールｈ3は第２層２上面のスルーホールｈ2と連続する。また第３層３上面においてスルーホールｈ3とインナリード層９とは位置合わせがなされている。第２層のスルーホールｈ2と第３層のスルーホールｈ3には埋め込み導電部としてタングステンＴが充填されており、これによってインナリード層９は第１層１上面の電解メッキ配線と機械的、電気的に接続される。
【００１９】
第１層１、第２層２に渡ってパッケージの外側に現れるのがアウタリード端子７である。アウタリード端子７は第１層１のスルーホール端ｈに機械的、電気的に連続しているアウタリード層Ｌのリード端子である。
【００２０】
図２（Ａ'）は第１層１の下面（裏面）である。アウタリード端子７が裏面に延長されている。
【００２１】
固体撮像素子５の厚さは、たとえば６４５μｍである。各層の厚みはたとえば第１層１が２５０μｍ、第２層２が２５０μｍ、第３層３が６５０μｍ、第４層４が７００μｍである。したがってパッケージの厚みは１.８５ｍｍとなる。なお第３層３の厚みは固体撮像素子５の厚さに揃えている。
【００２２】
図１に戻る。（Ａ）及び（Ｂ）に見るように第４層４の矩形外周の一方の対向辺（両図においては左右を結ぶ辺）は第１層１、第２層２、第３層３の対応するそれに比べて短くなっており、これによって第１層１から第３層３までの外側に突出した部分、すなわちつばが形成される。つばの突き出た部分の長さはたとえば１.２ｍｍである。このつばは固体撮像装置と他の部品（鏡筒、レンズ）とを高い焦点精度をもつ撮像装置に組み立てるためのものであり、強度保持のための厚みが必要である。
【００２３】
つばは３箇所の切り欠き部３ａを備えている。これらは第３層３を上面から下面まで切り欠いたもので、したがって切り欠き部の底には第２層２の上面が露出している。すなわち３箇所の切り欠き部３ａの底は固体撮像素子５の下面と同じ高さである。
【００２４】
図１（Ｃ）は固体撮像装置Ｘを（Ｂ）の矢印２０方向から眺めた側面図であり、切り欠き部３ａの底が第２層２上面であることを示している。
【００２５】
なお、つば部を第１層１から第３層３まで欠いた半円形切り欠き１１が２箇所に設けられているが、これはパッケージ取り扱いの便宜のためのものであり必須ではない。
【００２６】
固体撮像装置Ｘに用いられる４層構造セラミックパッケージは、図５に示した先の提案による５層構造セラミックパッケージと比較すると、固体撮像素子を収容する内側空間の体積やつば強度を保持するつばの厚みはほぼ同じでありながら、一層を減少させ、０.５ｍｍ薄くなっていることがわかる。
【００２７】
図３は固体撮像装置Ｘと鏡筒３０とレンズ３１で構成される撮像装置Ｙの概略構造を示す断面図である。これを参照して切り欠き部３ａの効果について説明する。
【００２８】
鏡筒３０が固体撮像装置Ｘに当接されて接着される。鏡筒３０にはレンズ３１が取り付けられている。レンズ３１を透過した光３２が固体撮像素子５の上面に結像するよう正確に、固体撮像装置Ｘと鏡筒３０とは組み立てられなければならない。
【００２９】
切り欠き部３ａが存在しない場合には、鏡筒３０下端の当接する位置は第３層３の上面になる。このとき、撮像装置Ｙの焦点誤差は第３層３の厚み公差と固体撮像素子５の厚み公差とを共に含むことになる。それに対し、切り欠き部３ａが存在し、それらの底部である第２層２上面（固体撮像素子５下面と同じ高さである。）に鏡筒３０下端を当接すると、固体撮像素子５の厚み公差のみの範囲で焦点を合わせることができる。たとえば固体撮像素子５の厚み公差が２５μｍであるときには±１２.５μｍの範囲での焦点合わせが可能となる。
【００３０】
このように、つばが十分な強度を有し、また撮像装置に高い焦点精度を保証する薄型つば付セラミックパッケージ、及び該つば付セラミックパッケージを用いた薄型固体撮像装置が提供される。
【００３１】
なお、高い焦点精度が要求されない用途、たとえば固定焦点のカメラでは、切り欠き部を設けず第３層上面を取り付け基準位置に採用することもできる。
【００３２】
更に、第３層に切り欠き部を設けずに撮像装置の焦点精度を向上させることもできる。以下第２の実施例にそのことを示す。
【００３３】
図４を参照して、第２の実施例について説明する。第１の実施例と異なるところは固体撮像素子４５をたとえば厚さ３００μｍまでバックグラインドしていること、それに合わせ第３層４３の厚みもたとえば３００μｍとしていること、それから第３層４３に切り欠き部が存在しないことの３点である。他の構成は全て第１の実施例と同じである。
【００３４】
第１層４１は厚みがたとえば２５０μｍである。第２層４２の厚みもたとえば２５０μｍである。第２層４２上面に接着された固体撮像素子４５の厚みを６４５μｍから５００μｍ以下に、たとえば３００μｍにバックグラインドすることによって、厚みの公差は２５μｍから１０μｍにまで縮小される。このバックグラインドに合わせて、第３層４３の厚みもたとえば３００μｍとなる。第３層４３には切り欠き部は存在しない。第４層４４は厚みがたとえば７００μｍである。以上を合計するとパッケージの厚みは１.５ｍｍとなる。図５に示した先の提案による５層構造セラミックパッケージと比較すると、０.８５ｍｍ薄くなっていることがわかる。
【００３５】
第２の実施例の場合、切り欠き部は特に必要ではない。固体撮像素子４５の厚み公差を１５μｍ小さくしたことによって、第３層４３上面に鏡筒下端を当接しても、撮像装置に高い焦点精度を確保することが可能になるからである。
【００３６】
第２の実施例も、つばが十分な強度を有し、また撮像装置に高い焦点精度を保証する薄型つば付セラミックパッケージ、及び該つば付セラミックパッケージを用いた薄型固体撮像装置を提供する。
【００３７】
本発明の第１の実施例である固体撮像装置Ｘに用いられる、４層構造セラミックパッケージの製造方法を説明する。
【００３８】
図２（Ａ）に示すように、パッケージ第１層１となる第１のグリーンシートにはアウタリード端子７と半円形切り欠き１１の成形加工、及び電解メッキ配線Ｋ、アウタリード層Ｌ、スルーホール端ｈ、アウタリード端子７の導体パタン印刷が施される。パタン印刷はたとえばタングステン系スクリーン印刷である。
【００３９】
図２（Ｂ）に示すように、パッケージ第２層２となる第２のグリーンシートにはアウタリード端子７、半円形切り欠き１１、第２層２のスルーホールｈ2の成形加工、及びアウタリード端子７の導体パタン印刷が施される。またスルーホールｈ2に導体、たとえばタングステンが充填される。
【００４０】
図２（Ｃ）に示すように、パッケージ第３層３となる第３のグリーンシートが開口部を有するように加工される。半円形切り欠き１１、切り欠き部３ａ、第３層３のスルーホールｈ3が成形加工され、インナリード層９の導体パタン印刷が、たとえばタングステン系スクリーン印刷で施される。更にスルーホールｈ3に導体、たとえばタングステンが充填される。
【００４１】
パッケージ第４層４となる第４のグリーンシートが枠状に加工される。この枠状の第４のグリーンシートは第１、第２、第３のグリーンシートに比し外周が小さい。
【００４２】
図６に示すように、第１、第２、第３、第４のグリーンシートをこの順に下から積層する。
【００４３】
複数個連続したパッケージのローを、一つ一つのパッケージに分離するためのスナップが第３層を切り込んで形成される。
【００４４】
この積層グリーンシートをたとえば１６００℃で４８時間焼成する。この焼成で積層グリーンシートはおよそ８０％に縮む。
【００４５】
下地の電解メッキを、たとえばＮｉで行い、表面仕上げの電解メッキを、たとえばＡｕで施す。
【００４６】
第３のグリーンシートに入れられたスナップを利用してスナップ下方のセラミックを割ることで個々のパッケージに分離し、端面を研磨する。
【００４７】
上記の工程を経て、固体撮像装置Ｘに用いられる４層構造セラミックパッケージが製造される。
【００４８】
次に第１の実施例である固体撮像装置Ｘの製造方法について説明する。
【００４９】
第１の実施例の中で詳述した４層構造セラミックパッケージ、すなわち、表面に電解メッキ配線を有する第１層と、該メッキ配線から外延部にのびるアウタリード層と、前記第１層に重ねられ、前記アウタリード層を前記第１層から繋ぐ第１の貫通導電部を有する第２層と、該第２層に重ねられ、該第２層上面から立ち上がる内側側壁を形成することによって該内側側壁の内部に固体撮像素子を収容するのに適した空間を画定し、更に前記第１の貫通導電部を前記第２層から繋ぐ第２の貫通導電部と、該第２の貫通導電部から上面に延長するインナリード層とを有する第３層と、該第３層に重ねられ、該第３層の画定する空間を上方に延長すると共に前記インナリード層の少なくとも内側部分を露出するような内側側壁を形成し、その上面から入射した光を前記固体撮像素子に到達させるのに適した第４層とを含み、前記第１、第２、第３層が前記第４層に比し外側に突出するつば部分を有し、更に該つば部分に切り欠き部が存し、かつ前記第３層が側壁にパッケージ分離用スナップを有する固体撮像素子用セラミックパッケージを準備する。
【００５０】
パッケージ第２層２上面に、接続用パッド５ａを有する固体撮像素子５を接着する。
【００５１】
固体撮像素子５の接続用パッド５ａとパッケージ第３層３上面のインナリード層９とに金属線１０をボンディングして接続する。
【００５２】
第４層４上面に透明封止板６を接着する。
【００５３】
上記の工程を経て、第１の実施例の固体撮像装置Ｘが製造される。
【００５４】
次に本発明の第２の実施例に示す固体撮像装置に用いる４層構造セラミックパッケージの製造方法であるが、これは本発明の第１の実施例である固体撮像装置Ｘに用いられる、４層構造セラミックパッケージの製造方法とほぼ同じである。異なるところは、以下の３点である。
【００５５】
パッケージ第３層には、第１の実施例で鏡筒を第２層上面に当接するために設けた切り欠き部が存在しない。したがってパッケージ第３層となる第３のグリーンシートには該切り欠き部の成形加工は行われない。
【００５６】
第３のグリーンシートだけでなく、パッケージ第２層となる第２のグリーンシートにも、複数個連続したパッケージのローを、一つ一つのパッケージに分離するためのスナップが形成される。
【００５７】
個々のパッケージに分離する際には、第２及び第３のグリーンシートに入れられたスナップを利用してスナップ下方のセラミックを割る。
【００５８】
更に本発明の第２の実施例に示す４層構造のセラミックパッケージを用いた固体撮像装置の製造方法を説明する。
【００５９】
第２の実施例の中で説明した４層構造セラミックパッケージ、すなわち第１の実施例で示したセラミックパッケージの第３層を薄くし、切り欠き部を設けない４層構造セラミックパッケージを準備する。
【００６０】
接続用パッドを有する固体撮像素子４５を５００μｍ以下の均一な厚さに、たとえば３００μｍにバックグラインドする。
【００６１】
パッケージ第２層４２上面に、固体撮像素子４５を接着する。
【００６２】
固体撮像素子４５の接続用パッドとパッケージ第３層４３上面のインナリード層とに金属線をボンディングして接続する。
【００６３】
第４層４４上面に透明封止板を接着する。
【００６４】
上記の工程を経て、第２の実施例の固体撮像装置が製造される。
【００６５】
実施例１及び２の固体撮像装置に用いられる薄型化された４層構造のつば付セラミックパッケージを製造するにあたって、製造上の問題が生じないことを確認する。製造工程の要請として以下の点がある。
▲１▼複数個製作されるパッケージを一つ一つのパッケージに分離するために利用するスナップは、つばの厚さの半分を超える深さが必要である。半分以下の場合、うまく割ることができない。
▲２▼パッケージ第１層上面の電解メッキ用配線は隣のパッケージと繋がっているので、スナップはこれを切断してはならない。
▲３▼アウタリード端子の金メッキは５００μｍの高さを必要とする。これより低い場合は半田不良を生じやすくなる。
【００６６】
本発明の第１の実施例は、上記製造上の要請をすべて満たしている。第１層１が２５０μｍ、第２層２も２５０μｍ、第３層３が６５０μｍであるから、第１層１と第２層２に金メッキを施すことで必要な高さ５００μｍが確保される。また第３層３につばの厚さの半分を超える深さのスナップを入れることができる。その場合、第１層１上面の電解メッキ用配線を切断することはない。
【００６７】
本発明の第２の実施例も同様である。第１層４１が２５０μｍ、第２層４２も２５０μｍ、第３層４３が３００μｍであるため、第１層４１と第２層４２に金メッキを施すことで必要な高さ５００μｍが確保される。また第３層４３から第２層４２の一部にかけてつばの厚さの半分を超える深さのスナップを入れることができ、その場合、第１層４１上面の電解メッキ用配線を分断することはない。
【００６８】
なお、上記の各実施例においてはインナリード層、アウタリード層を有するパッケージを用いたが、これがインナリード線、アウタリード線を有するパッケージであっても適用できることは明らかであろう。
【００６９】
以上、本発明の実施例について例示したが、その他、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能であることは当業者には自明であろう。
【００７０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によればつば付セラミックパッケージの全厚さを減少させ、かつつばが十分な強度を有し、また撮像装置に高い焦点精度を保証する固体撮像装置を提供することができる。
【００７１】
更に本発明によれば上述のような特性を有するセラミックパッケージ及び固体撮像装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）本発明の第１の実施例による固体撮像装置Ｘの一部破断側面図である。
（Ｂ）本発明の第１の実施例による固体撮像装置Ｘの上面図である。
（Ｃ）本発明の第１の実施例による固体撮像装置Ｘの側面図である。
【図２】（Ａ）本発明の第１の実施例による固体撮像装置Ｘのセラミックパッケージ第１層の上面図である。
（Ａ'）本発明の第１の実施例による固体撮像装置Ｘのセラミックパッケージ第１層の裏面図である。
（Ｂ）本発明の第１の実施例による固体撮像装置Ｘのセラミックパッケージ第２層の上面図である。
（Ｃ）本発明の第１の実施例による固体撮像装置Ｘのセラミックパッケージ第３層の上面図である。
【図３】撮像装置Ｙの概略構造を示す断面図である。
【図４】（Ａ）本発明の第２の実施例による固体撮像装置の一部破断側面図である。
（Ｂ）本発明の第２の実施例による固体撮像装置の上面図である。
【図５】（Ａ）５層構造セラミックパッケージを用いた固体撮像装置の先の提案を示す一部破断側面図である。
（Ｂ）５層構造セラミックパッケージを用いた固体撮像装置の先の提案を示す上面図である
（Ｃ）５層構造セラミックパッケージを用いた固体撮像装置の先の提案の製造工程における一場面を示す図である。
【図６】本発明の第１及び第２の実施例の製造工程における一場面を示す図である。
【符号の説明】
Ｘ  固体撮像装置
Ｙ  撮像装置
Ｋ  電解メッキ配線
Ｌ  アウタリード層
Ｔ  タングステン
ｈ  スルーホール端
ｈ2  第２層のスルーホール
ｈ3  第３層のスルーホール
１  第１層
２  第２層
３  第３層
３ａ  切り欠き部
４  第４層
５  固体撮像素子
５ａ  接続用パッド
６  透明封止板
７  アウタリード端子
９  インナリード層
１０  金属線
１１  半円形切り欠き
２０  矢印
３０  鏡筒
３１  レンズ
３２  光
４１  第１層
４２  第２層
４３  第３層
４４  第４層
４５  固体撮像素子
５０  スナップ
５１  第１層
５２  第２層
５３  第３層
５４  第４層
５５  第５層
５６  固体撮像素子
５６ａ  接続用パッド
５７  透明封止板
５８  アウタリード端子
６０  インナリード層
６１  金属線
６２  半円形切り欠き
【図１】
0004139103.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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