(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にレーザーによる情報の記録又は再生が可能な記録層が設けられた光学記録媒体において、該記録層が、波長４２０ｎｍ以下に吸収極大を有しかつ下記一般式（５）で示される化合物を含有することを特徴とする光学記録媒体。
【化１】
0004120340.tif 000043
（式中、環Ａおよび環Ｂは各々独立に、置換されていてもよい芳香族環を表し、Ｒ1ないしＲ4は各々独立に水素原子、置換されていてもよいアルキル基を表す。
またＲ1ないしＲ4から選ばれる２以上が結合して環を形成していてもよく、Ｒ1ないしＲ4が各々独立に、環Ａまたは環Ｂを構成する原子に結合して該環に縮合する環を形成していてもよい。ｎは１又は２を表わし、ｍ＝０である。）
【請求項２】
前記一般式（１）において、Ｒ1ないしＲ４が各々独立に、水素原子または置換されていてもよいアルキル基である、請求項１に記載の光学記録媒体。
【請求項３】
基板上にレーザーによる情報の記録又は再生が可能な記録層が設けられた光学記録媒体において、該記録層が、波長４２０ｎｍ以下に吸収極大を有しかつ下記一般式（２）で示される化合物を含有することを特徴とする光学記録媒体。
【化２】
0004120340.tif 000044
（式中、環Ａおよび環Ｂは各々独立に、置換されていてもよい芳香族環を表し、Ｒ3′、Ｒ4′およびＲ4″は各々独立に水素原子または置換されていてもよいアルキル基を表す。環Ａ１は置換されていてもよい、炭化水素環または複素環を表す。ｌは０または１を表わす。）
【請求項４】
基板上にレーザーによる情報の記録又は再生が可能な記録層が設けられた光学記録媒体において、該記録層が、波長４２０ｎｍ以下に吸収極大を有しかつ下記一般式（４）で示される化合物を含有することを特徴とする光学記録媒体。
【化３】
0004120340.tif 000045
（式中、環Ａおよび環Ｂは各々独立に、置換されていてもよい芳香族環を表し、Ｒ1、Ｒ3およびＲ4は各々独立に水素原子または置換されていてもよいアルキル基を表す。環Ａ３は置換されていてもよい、炭化水素環または複素環を表す。ｊは０または１を表す。）
【請求項５】
前記一般式（５）（２）（４）において、環Ａ及び環Ｂが各々独立に、置換されてもよい、５〜６員環の単環または２〜３縮合環を表すことを特徴とする、請求項１ないし４のいずれかに記載の光学記録媒体。
【請求項６】
波長が３５０〜５３０ｎｍのレーザー光を用い、基板上にレーザーによる情報の記録又は再生が可能な記録層が設けられ、該記録層が、波長４２０ｎｍ以下に吸収極大を有しかつ下記一般式（１）で示される化合物を含有する光学記録媒体に対して情報の記録を行うことを特徴とする光学記録方法。
【化４】
0004120340.tif 000046
（式中、環Ａおよび環Ｂは各々独立に、置換されていてもよい芳香族環を表し、Ｒ1ないしＲ4は各々独立に水素原子、置換されていてもよいアルキル基を表す。
またＲ1ないしＲ4から選ばれる２以上が結合して環を形成していてもよく、Ｒ1ないしＲ4が各々独立に、環Ａまたは環Ｂを構成する原子に結合して該環に縮合する環を形成していてもよい。ｎおよびｍは各々独立に０〜２の整数を表し、１≦ｎ＋ｍ≦２である。）
【請求項７】
前記一般式（１）において、Ｒ1ないしＲ4が各々独立に、水素原子または置換されていてもよいアルキル基である、請求項６に記載の光学記録方法。
【請求項８】
前記一般式（１）で表される化合物が、下記一般式（２）でされることを特徴とする、請求項６に記載の光学記録方法。
【化５】
0004120340.tif 000047
（式中、環Ａおよび環Ｂは式（１）におけると同義であり、Ｒ3′、Ｒ4′およびＲ4″は各々独立に水素原子または置換されていてもよいアルキル基を表す。環Ａ１は置換されていてもよい、炭化水素環または複素環を表す。ｌ＝ｍ−１を表わす。）
【請求項９】
前記一般式（１）で表される化合物が、下記一般式（３）で表されることを特徴とする、請求項６に記載の光学記録方法。
【化６】
0004120340.tif 000048
（式中、環Ａおよび環Ｂは式（１）におけると同義であり、Ｒ1′，Ｒ1″、Ｒ2′、Ｒ3′、Ｒ4′およびＲ4″は、各々独立に水素原子または置換されていてもよいアルキル基を表す。環Ａ２は置換されていてもよい、炭化水素環または複素環を表す。ｌ＝ｍ−１、ｋ＝ｎ−１を表す。）
【請求項１０】
前記一般式（１）で表される化合物が、下記一般式（４）で表されることを特徴とする、請求項６に記載の光学記録方法。
【化７】
0004120340.tif 000049
（式中、環Ａおよび環Ｂは式（１）におけると同義であり、Ｒ1、Ｒ3およびＲ4は各々独立に水素原子または置換されていてもよいアルキル基を表す。環Ａ３は置換されていてもよい、炭化水素環または複素環を表す。ｊは０または１を表す。）
【請求項１１】
前記一般式（１）ないし（４）において、環Ａ及び環Ｂが各々独立に、置換されてもよい、５〜６員環の単環または２〜３縮合環を表すことを特徴とする、請求項６ないし１０のいずれかに記載の光学記録方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機色素を記録層に用いた追記型光学記録媒体および光学記録方法に係わるものであり、詳しくは青色レーザー対応の追記型光学記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、発振波長の短い半導体レーザーの開発が進められ、従来使用されているレーザーの波長７８０ｎｍ、８３０ｎｍよりも短波長のレーザー光を用いた高密度の記録再生可能な光学記録媒体が求められている。従来提案されている光学記録媒体としては、光磁気記録媒体、相変化記録媒体、カルコゲン酸化物光記録媒体、有機色素系光記録媒体等があるが、これらの中で有機色素系光記録媒体は、比較的に安価で且つ容易に製造できるという点で優位性を有するものと考えられている。
【０００３】
現在、有機色素系光学記録媒体には、反射率の高い金属層を有機色素層の上に積層したタイプのＣＤ−Ｒが量産化され広く知られているが、このＣＤ−Ｒの記録再生に使用されるレーザーよりもさらに短波長の、赤色半導体レーザーで記録再生する高密度の有機色素系光学記録媒体（ＤＶＤ−Ｒ）も開発され、実用化されている。
【０００４】
しかし青色半導体レーザーなどの、より短波長のレーザー発振が現実的になるに従い、これを用いた記録再生が可能な光学記録媒体の必要性が高まりつつある。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００１−１５８８６２号公報
【特許文献２】
特開２００１−１８１５２４号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
一般に、ＣＤ−Ｒ或いはＤＶＤ−Ｒとして使用されている光学記録媒体は、いわゆる青色半導体レーザーで記録再生するには反射率が低く、記録や再生ができないという問題を有している。
本発明は、青色半導体レーザーによって記録および再生が可能な有機色素系光学記録媒体を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは青色半導体レーザー、特に波長４２０ｎｍ以下という、比較的短波長の青色レーザー光に高い感受性を有する有機色素について種々検討した結果、２つの芳香族環をエチレン基やカルボニル基などで結合した、特定構造の化合物を、青色半導体レーザーに対応する光学記録媒体の記録層に使用し得ることを知得し本発明に到達した。
【０００８】
すなわち本発明の要旨は、基板上にレーザーによる情報の記録又は再生が可能な記録層が設けられた光学記録媒体において、該記録層が、波長４２０ｎｍ以下に吸収極大を有しかつ下記一般式（５）で示される化合物を含有することを特徴とする光学記録媒体に存する。該レーザーの波長は、３５０ｎｍ〜５３０ｎｍであることが好ましい。より好ましくは３５０ｎｍ〜４３０ｎｍである。
【０００９】
【化８】
0004120340.tif 000002
【００１０】
（式中、環Ａおよび環Ｂは各々独立に、置換されていてもよい芳香族環を表し、Ｒ1ないしＲ4は各々独立に水素原子、置換されていてもよいアルキル基を表す。
またＲ1ないしＲ4から選ばれる２以上が結合して環を形成していてもよく、Ｒ1ないしＲ4が各々独立に、環Ａまたは環Ｂを構成する原子に結合して該環に縮合する環を形成していてもよい。ｎは１又は２を表わし、ｍ＝０である。）
また、本発明の別の要旨は、基板上にレーザーによる情報の記録又は再生が可能な記録層が設けられた光学記録媒体において、該記録層が、波長４２０ｎｍ以下に吸収極大を有しかつ下記一般式（２）で示される化合物を含有することを特徴とする光学記録媒体に存する。該レーザーの波長は、３５０ｎｍ〜５３０ｎｍであることが好ましい。より好ましくは３５０ｎｍ〜４３０ｎｍである。
【化９】
0004120340.tif 000003
（式中、環Ａおよび環Ｂは各々独立に、置換されていてもよい芳香族環を表し、Ｒ3′、Ｒ4′およびＲ4″は各々独立に水素原子または置換されていてもよいアルキル基を表す。環Ａ１は置換されていてもよい、炭化水素環または複素環を表す。ｌは０または１を表わす。）
また、本発明の別の要旨は、基板上にレーザーによる情報の記録又は再生が可能な記録層が設けられた光学記録媒体において、該記録層が、波長４２０ｎｍ以下に吸収極大を有しかつ下記一般式（４）で示される化合物を含有することを特徴とする光学記録媒体に存する。該レーザーの波長は、３５０ｎｍ〜５３０ｎｍであることが好ましい。より好ましくは３５０ｎｍ〜４３０ｎｍである。
【化１０】
0004120340.tif 000004
（式中、環Ａおよび環Ｂは各々独立に、置換されていてもよい芳香族環を表し、Ｒ1、Ｒ3およびＲ4は各々独立に水素原子または置換されていてもよいアルキル基を表す。環Ａ３は置換されていてもよい、炭化水素環または複素環を表す。ｊは０または１を表す。）
また、本発明の別の要旨は、波長が３５０〜５３０ｎｍのレーザー光を用い、基板上にレーザーによる情報の記録又は再生が可能な記録層が設けられ、該記録層が、波長４２０ｎｍ以下に吸収極大を有しかつ下記一般式（１）で示される化合物を含有する光学記録媒体に対して情報の記録を行うことを特徴とする光学記録方法に存する。
【化１１】
0004120340.tif 000005
（式中、環Ａおよび環Ｂは各々独立に、置換されていてもよい芳香族環を表し、Ｒ1ないしＲ4は各々独立に水素原子、置換されていてもよいアルキル基を表す。
またＲ1ないしＲ4から選ばれる２以上が結合して環を形成していてもよく、Ｒ1ないしＲ4が各々独立に、環Ａまたは環Ｂを構成する原子に結合して該環に縮合する環を形成していてもよい。ｎおよびｍは各々独立に０〜２の整数を表し、１≦ｎ＋ｍ≦２である。）
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下本発明につき詳細に説明する。
本発明で使用される化合物は、４２０ｎｍの青色光領域に吸収極大を有し、青色レーザーでの記録に適する色素である。
青色半導体レーザーに対応した記録媒体を設計するにあたり、既存のＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒにおける色素開発と同様に、色素の吸収スペクトルピークの長波長側の裾となる領域を、レーザーの発振波長に合わせることにより反射率を向上させる場合には、使用されるレーザーより短波長側に吸収極大を持つ色素が必要とされる。使用するレーザーの発振波長（中心波長）に対応する、色素の吸収極大波長の好ましい範囲は、スペクトルの形状、吸収極大波長における吸光度の値などにより変化するが、およそ発振波長より１０〜９０ｎｍ程度短波長側にあたる場合が好ましい。
【００１２】
例えば日亜化学により開発され実用化が間近とされる、発振波長４０５ｎｍの青色半導体レーザーに対応する光学記録媒体用色素としては、吸収極大波長が３１５〜３９５ｎｍ程度の範囲にあることが望ましい。
また吸収極大は第２吸収帯等でも良いが、最大吸収波長である方が好ましい。
かかる色素のうち、本発明の光学記録媒体に用いる色素としては、下記一般式（１）によって示される色素が挙げられる。
【００１３】
【化６】
0004120340.tif 000006
【００１４】
（式中、環Ａおよび環Ｂは各々独立に芳香族環を表し、Ｒ1ないしＲ4は各々独立に水素原子、置換されてもよいアルキル基を表す。
またＲ1ないしＲ4から選ばれる２以上が結合して環を形成していてもよく、Ｒ1ないしＲ4が各々独立に、環Ａまたは環Ｂを構成する原子に結合して該環に縮合する環を形成していてもよい。ｎおよびｍは各々独立に０〜２の整数を表し、１≦ｎ＋ｍ≦２である。）
説明の便宜上、本発明に係る化合物を示す前記一般式（１）において、環Ａ、環Ｂをベンゼン環（以下の説明でも同様に仮定）で表すと、
【００１５】
【化７】
0004120340.tif 000007
【００１６】
と表される。ここでｎ、ｍは、不飽和結合の数であり、各々独立に０〜２の整数を表して、１≦ｎ＋ｍ≦２である。ここでＲ1ないしＲ4が、各々独立に水素原子または置換されていてもよいアルキル基である（つまり、環の形成に携わっていない）場合、一般式（１）が示す構造としては、以下に示すような各種の直鎖状構造が挙げられる。（以下、ｎまたはｍ＝２の場合、カルボニルに近い方の不飽和結合からのびる結合をＲ、環ＡまたはＢに近い方の不飽和結合から伸びる結合をＲ’とする。）
【００１７】
【化８】
0004120340.tif 000008
【００１８】
ｎ＋ｍは１〜２である。
Ｒ1ないしＲ4は、環の形成に携わっていない場合、水素原子または置換されてもよいアルキル基である。中でも好ましくは、水素原子または直鎖状のアルキル基であり、さらに好ましくは、水素原子または無置換の直鎖状の炭素数１〜３のアルキル基である。
【００１９】
Ｒ1ないしＲ4は、２つ以上が互いに結合して環を形成していてもよく、例えばｎ＝１、ｍ＝１の場合、下記に示されるような結合の様式などが挙げられる。
【００２０】
【化９】
0004120340.tif 000009
【００２３】
結合の組み合わせは複数考えられるが、環状構造の安定性、合成方法、立体障害等を考えると、カルボニル基のα位同士の結合したもの、またはα位とβ位が結合したものが好ましく、特に好ましくはカルボニル基のα位同士で結合したもの、すなわち下記一般式（３）で表される化合物である。
【００２４】
【化１１】
0004120340.tif 000010
【００２５】
（式中、環Ａおよび環Ｂは式（１）におけると同義であり、Ｒ1′、Ｒ1″、Ｒ2′、Ｒ3′、Ｒ4′およびＲ4″は、各々独立に、水素原子または置換されてもよいアルキル基を表す。環Ａ２は置換されていてもよい炭化水素環または複素環を表す。ｌ＝ｍ−１、ｋ＝ｎ−１である。）
前記のようなＲ1ないしＲ4が互いに結合して環状構造を形成する際には、点線で示された結合は、２つのＲが形成する環状構造を表す。点線部とカルボニル基の炭素原子、不飽和結合を有する炭素原子が形成する環状構造として好ましい構造は、５〜７員環構造である。このとき点線の部分においては不飽和結合を有していないことが好ましく、飽和の炭化水素環であるか、またはヘテロ原子と１以上の炭素原子を含む飽和複素環構造であることが好ましい。またこれらの飽和炭化水素の部分は置換基を有していてもよい。
【００２６】
Ｒ1ないしＲ4はまた、各々独立に環Ａまたは環Ｂを構成する原子に結合して該環に縮合する環を形成してもよく、該環は１分子中に複数であってもよい。これらの構造を示すものとして、例えば下記に示されるような結合の様式などが挙げられる。
【００２７】
【化１２】
0004120340.tif 000011
【００２８】
Ｒ同士の結合と同様に、組み合わせは複数考えられるが、縮合環を形成する場合の好ましい構造としては、縮合環の数は１分中に１つで、カルボニル基のα位（Ｒ2またはＲ3）がどちらかの環に縮合したものが好ましく、特に好ましくはｎ＝０でＲ3が環Ａに縮合したものすなわち下記式（２）で表される化合物か、ｎ＝１でＲ2が環Ａと縮合したもの、すなわち下記式（４）で表される化合物である。
【００２９】
【化１３】
0004120340.tif 000012
【００３０】
（式中、環Ａおよび環Ｂは式（１）におけると同義であり、Ｒ3′、Ｒ4′およびＲ4″は各々独立に、水素原子または置換されていてもよいアルキル基を表す。環Ａ１は置換されていてもよい、炭化水素環または複素環を表す。ｌ＝ｍ−１を表す。）
【００３１】
【化１４】
0004120340.tif 000013
【００３２】
（式中、環Ａおよび環Ｂは式（１）におけると同義であり、Ｒ1、Ｒ3およびＲ4は各々独立に、水素原子または置換されていてもよいアルキル基を表す。環Ａ３は置換されていてもよい、炭化水素環または複素環を表す。ｊは０または１を表す。）
Ｒ1ないしＲ4が環Ａまたは環Ｂと縮合環を形成するときに、点線部とカルボニル基の炭素原子、不飽和結合を有する炭素原子、および環Ａまたは環Ｂが形成する環状構造として好ましい構造は、５〜７員環構造である。このとき点線の部分においては不飽和結合を有していないことが好ましく、飽和の炭化水素環、またはヘテロ原子と１以上の炭素原子を含む飽和複素環構造であることが好ましい。またこれらの飽和炭化水素の部分は置換基を有していてもよい。
【００３３】
環Ａおよび環Ｂは各々独立に芳香族環を表す。芳香族環として表されるものとしては、ベンゼン環、ナフチル環などの芳香族炭化水素環、フラン環、ピリジン環、キノリン環等の芳香族複素環が挙げられる。これらの芳香族環として好ましい構造としては、５〜６員環の単環またはその２〜３縮合環が好ましく、例えば下記に示すような化合物などが挙げられる。
【００３４】
【化１５】
0004120340.tif 000014
【００３５】
これらの中で特に好ましいものとしては、５〜６員環の単環または２縮合環である、炭化水素環または複素環構造が挙げられる。
本発明において、環Ａ、環Ｂで表される芳香族環は置換基を有していてもよい。個々で用いられる置換基としては任意のものでよく、更に置換されていてもよいが、あまり大きすぎると基本骨格に予期せぬ影響を与えるので通常、置換基の分子量が１０００以下である。下限は特になく１以上である。
該任意の置換基の例としては、次のようなものが例示される。メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−へプチル基等の置換されてもよい炭素数１〜１８の直鎖または分岐のアルキル基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基等の置換されてもよい炭素数３〜１８の環状アルキル基；ビニル基、プロペニル基、ヘキセニル基等の置換されてもよい炭素数２〜１８の直鎖または分岐のアルケニル基；シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の置換されてもよい炭素数３〜１８の環状アルケニル基；２−チエニル基、２−ピリジル基、４−ピペリジル基、フルフリル基、モルホリノ基等の置換されてもよい複素環基；フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基等の置換されてもよい炭素数６〜１８のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等の置換されてもよい炭素数７〜２０のアラルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等の置換されてもよい炭素数１〜１８の直鎖または分岐のアルコキシ基；プロペニルオキシ基、ブテニルオキシ基、ペンテニルオキシ基等の置換されてもよい炭素数３〜１８の直鎖または分岐のアルケニルオキシ基；フェノキシ基トリルオキシ基、キシリルオキシ基、ナフチルオキシ基等の置換されてもよい炭素数６〜１２のアリールオキシ基；メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基等の置換されてもよい炭素数１〜１８の直鎖または分岐のアルキルチオ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子；ニトロ基；ニトロソ基；シアノ基；イソシアノ基；シアナト基；イソシアナト基；チオシアナト基；イソチオシアナト基；メルカプト基；ヒドロキシ基；ヒドロキシアミノ基；ホルミル基；スルホン酸基；カルボキシル基；−ＮＲ5Ｒ6で表されるアミノ基；−ＮＨＣＯＲ7で表されるアシルアミノ基；−ＮＨＣＯＯＲ8で表されるカーバメート基；−ＣＯＲ9で表されるアシル基；−ＣＯＯＲ10で表されるカルボン酸エステル基；−ＣＯＮＲ11Ｒ12で表されるカルバモイル基；−ＯＣＯＲ13で表されるアシルオキシ基；−ＳＯＲ14で表されるスルフィニル基；−ＳＯ2Ｒ15で表されるスルフォニル基；−ＳＯ2ＮＲ16Ｒ17で表されるスルファモイル基；−ＳＯ3Ｒ18で表されるスルホン酸エステル基；−ＮＨＳＯ2Ｒ19で表されるスルホンアミド基等が挙げられる。これらの置換基は環Ａ、環Ｂの種類を問わず、１環中に複数有していてもよい。複数の置換基を有する場合、同種でも異なってもよい。また結合位置も特定されるものではない。またこれらの中で、アルキル基、アルコキシ基、チオアルキル基は後述する置換基で置換されてもよい。
【００３６】
ここで、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ18、Ｒ19置換されてもよい炭化水素基、または置換されてもよい複素環基を表し、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ16、Ｒ17は水素原子、置換されてもよい炭化水素基、置換されてもよい複素環基のいずれかを表す。
このＲ5〜Ｒ19で表される炭化水素基とは、直鎖または分岐のアルキル基、環状アルキル基、直鎖または分岐のアルケニル基、環状アルケニル基、アラルキル基、アリール基を表す。中でも好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-へプチル基等の炭素数１〜１８の直鎖または分岐のアルキル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基等の炭素数３〜１８の環状アルキル基、ビニル基、プロペニル基、ヘキセニル基等の炭素数２〜１８の直鎖または分岐のアルケニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数３〜１８の環状アルケニル基、ベンジル基、フェネチル基等の炭素数７〜２０のアラルキル基、フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基等の炭素数６〜１８のアリール基が挙げられる。
【００３７】
これらの基のアリール基部分は前述の環Ａ、環Ｂが有し得ると同様の置換基で更に置換されていてもよい。また、これらの基のアルキル鎖部分は後述する置換基で更に置換されていてもよい。
またＲ5〜Ｒ19で表される複素環基は、４−ピペリジル基、モルホリノ基、2-モルホリニル基、ピペラジル基等の飽和複素環でも、2-フリル基、2-ピリジル基、2-チアゾリル基、2-キノリル基等の芳香族複素環でもよい。これらは複数のヘテロ原子を含んでいても、さらに置換基を有していてもよく、また結合位置も問わない。複素環として好ましい構造のものは、５〜６員環の飽和複素環、５〜６員環の単環およびその２縮合環の芳香族複素環である。
【００３８】
具体的には、−ＮＲ5Ｒ6で表される置換されていてもよいアミノ基、−ＮＨＣＯＲ7で表される置換されていてもよいアシルアミノ基、−ＮＨＣＯＯＲ8で表される置換されていてもよいカーバメート基、−ＣＯＲ9で表される置換されていてもよいアシル基、−ＣＯＯＲ10で表される置換されていてもよいカルボン酸エステル基、−ＣＯＮＲ11Ｒ12で表される置換されていてもよいカルバモイル基、−ＯＣＯＲ13で表される置換されていてもよいアシルオキシ基、−ＳＯＲ14で表される置換されていてもよいスルフィニル基、−ＳＯ2Ｒ15で表される置換されていてもよいスルホニル基、−ＳＯ2ＮＲ16Ｒ17で表される置換されていてもよいスルファモイル基、−ＳＯ3Ｒ18で表される置換されていてもよいスルホン酸エステル基、−ＮＨＳＯ2Ｒ19で表される置換されていてもよいスルホンアミド基等が挙げられる。
アミノ基（−ＮＲ5Ｒ6）
【００３９】
【化１６】
0004120340.tif 000015
【００４０】
アシルアミノ基（−ＮＨＣＯＲ7）
【００４１】
【化１７】
0004120340.tif 000016
【００４２】
カーバメート基（−ＮＨＣＯＯＲ8）
【００４３】
【化１８】
0004120340.tif 000017
【００４４】
アシル基（−ＣＯＲ9）
【００４５】
【化１９】
0004120340.tif 000018
【００４６】
カルボン酸エステル基（−ＣＯＯＲ10）
【００４７】
【化２０】
0004120340.tif 000019
【００４８】
カルバモイル基（−ＣＯＮＲ11Ｒ12）
【００４９】
【化２１】
0004120340.tif 000020
【００５０】
アシルオキシ基（−ＯＣＯＲ13）
【００５１】
【化２２】
0004120340.tif 000021
【００５２】
スルフィニル基（−ＳＯＲ14）
【００５３】
【化２３】
0004120340.tif 000022
【００５４】
スルホニル基（−ＳＯ2Ｒ15）
【００５５】
【化２４】
0004120340.tif 000023
【００５６】
スルファモイル基（−ＳＯ2ＮＲ16Ｒ17）
【００５７】
【化２５】
0004120340.tif 000024
【００５８】
スルホン酸エステル基（−ＳＯ3Ｒ18）
【００５９】
【化２６】
0004120340.tif 000025
【００６０】
スルホンアミド基（−ＮＨＳＯ2Ｒ19）
【００６１】
【化２７】
0004120340.tif 000026
【００６２】
前記環Ａ、環Ｂが有し得る直鎖または分岐のアルキル基、環状アルキル基、直鎖または分岐のアルケニル基、環状アルケニル基、直鎖または分岐のアルコキシ基、直さまたは分岐のアルキルチオ基、およびＲ5〜Ｒ19が示すアルキル基のアルキル鎖部分は、更に置換基を有し得るが、その置換基としては、例えば以下のようなものが挙げられる。
メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等の炭素数１〜１０のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、エトキシメトキシ基、プロポキシメトキシ基、エトキシエトキシ基、プロポキシエトキシ基、メトキシブトキシ基等の炭素数２〜１２のアルコキシアルコキシ基；メトキシメトキシメトキシ基、メトキシメトキシエトキシ基、メトキシエトキシメトキシ基、メトキシメトキシエトキシ基、エトキシエトキシメトキシ基等の炭素数３〜１５のアルコキシアルコキシアルコキシ基；フェニル基、トリル基、キシリル基等の炭素数６〜１２のアリール基（これらは任意の置換基でさらに置換されていてもよい。）；フェノキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、ナフチルオキシ基等の炭素数６〜１２のアリールオキシ基；アリルオキシ基、ビニルオキシ基等の炭素数２〜１２のアルケニルオキシ基等が例示される。
【００６３】
更に、他の置換基として、２−チエニル基、２−ピリジル基、４−ピペリジル基、モルホリノ基等の複素環基；シアノ基；ニトロ基；ヒドロキシル基；アミノ基；Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ基等の炭素数１〜１０のアルキルアミノ基；メチルスルホニルアミノ基、エチルスルホニルアミノ基、ｎ−プロピルスルホニルアミノ基等の炭素数１〜６のアルキルスルホニルアミノ基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；カルボキシル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基；メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基等の炭素数２〜７のアルキルカルボニルオキシ基；メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｎ−プロポキシカルボニルオキシ基、イソプロポキシカルボニルオキシ基、ｎ−ブトキシカルボニルオキシ基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニルオキシ基等が挙げられる。
【００６４】
環Ａおよび環Ｂの置換基がアルコキシ基、アルキルチオ基または−ＮＲ5Ｒ6基の場合、これらは互いに結合して環状構造を形成してもよく、環Ａまたは環Ｂを構成する原子と結合して該環と縮合する環を形成していてもよい。また結合部分にヘテロ原子を介することにより、ヘテロ原子を含む複素環を形成してもよい。これらがつくる複素環としては、５〜７員環の飽和複素環が好ましく、例えば下記に示すような環構造が挙げられる。
【００６５】
【化２８】
0004120340.tif 000027
【００６６】
（式中ＸおよびＸ′は水素原子、または環Ａおよび環Ｂが有しうる置換基と同様の基を表す。なお環Ａへの縮合環は、ＸおよびＸ′以外にも置換基を有していてもよいが、図中では割愛した。）
これらの縮合位置は隣接する置換基同士の間であれば、その位置や数は特定されるものではない。また、これらの縮合環の炭化水素は、環Ａおよび環Ｂが有しうる基として前述したような置換基を有していてもよい。
【００６７】
環Ａまたは環Ｂの置換基として好ましいものとしては、置換されてもよい直鎖または分岐のアルキル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、置換されてもよいアルキルチオ基、置換されてもよいアルコキシ基、置換基同士が結合して形成する環状構造、置換基が環Ａまたは環Ｂを構成する原子と結合して形成する、環Ａまたは環Ｂへの縮合環、置換されてもよいアミノ基、アシルアミノ基、カーバメート基、カルボン酸エステル基、カルバモイル基である。
【００６８】
中でも特に好ましい置換基としては、置換されてもよい直鎖または分岐のアルキル基、ヒドロキシ基、メルカプト基、置換されてもよいアルキルチオ基、置換されてもよいアルコキシ基、置換基同士が結合して形成する環状構造、置換基が環Ａまたは環Ｂを構成する原子と結合して形成する、環Ａまたは環Ｂへの縮合環、置換されてもよいアミノ基、アシルアミノ基である。
【００６９】
置換基の結合位置としては、環Ａまたは環Ｂがベンゼン環の場合、一般式（１）で表される化合物の主鎖に対してパラ位が好ましい。
一般式（１）で表される化合物の好ましい例としては下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００７０】
【化２９】
0004120340.tif 000028
【００７１】
【化３０】
0004120340.tif 000029
【００７２】
【化３１】
0004120340.tif 000030
【００７３】
【化３２】
0004120340.tif 000031
【００７４】
【化３３】
0004120340.tif 000032
【００７５】
【化３４】
0004120340.tif 000033
【００７６】
【化３５】
0004120340.tif 000034
【００７７】
前記一般式（１）で表される化合物は、薄膜状に形成した際の最大吸収波長（λmax）が４２０ｎｍ以下、特に３２０〜４００ｎｍ程度の比較的短波長領域に存在するものが多いこと、吸収スペクトルのピーク形状が比較的シャープであること、モル吸光係数εが２万以上であること等、青色半導体レーザーを用いて記録・再生を行なう上で優れた光学的特性を備えている。ここで、最大吸収波長とは、通常、波長３００ｎｍ以上における最大吸収波長を言う。また、溶媒に溶解あるいは分散した状態での薄膜形成性に優れているため、光学記録媒体を製造する際に要求される化学的特性をも満たしている。従って、一般式（１）で表される化合物は、青色半導体レーザーを用いて記録・再生を行なう光学記録媒体の記録層に、極めて好適に使用することができる。
【００７８】
なお、本発明の光学記録媒体の記録層に用いうる化合物は、溶液状態での光学密度ＯＤが８０以上あること、一般的に用いられる無害且つ安価な溶媒への溶解性が高いこと、薄膜を形成する際に良質な膜が形成されること（成膜時に結晶化しないこと）、溶液状態および薄膜状態での保存安定性が良いこと、などを満たすことがより好ましい。
また、本発明の光学記録媒体の記録層は、記録および再生光波長における消衰係数（複素屈折率の虚部）ｋが０〜０．２０であることが好ましい。さらに、屈折率（複素屈折率の実部）ｎが１．８以上であることが好ましい。
【００７９】
次に、本発明の光学記録媒体について説明する。
本発明の光学記録媒体は少なくとも、基板と、前記一般式（１）で表される化合物を含有する記録層とから構成される。更に、必要に応じて下引き層、反射層、保護層等を設けても良い。
好ましい層構成の一例としては、基板の上に記録層を設け、その上に更に反射層、保護層をこの順に積層した、高反射率の媒体が挙げられる。この場合、基板側からレーザー光を照射して、情報の記録・再生を行なうことになる（媒体構造例１）。
以下、こうした構造の媒体（媒体構造例１）を例にとりながら、本発明の光学記録媒体について説明する。なお、以下の記載では、説明の便宜上、積層時に保護層が存在する側及び基板が存在する側を、それぞれ上方及び下方とみなし、これらの方向に対応する各層の各面を、それぞれ各層の上面及び下面と呼ぶことにする。
【００８０】
本発明の光学記録媒体における基板は、基本的に記録光及び再生光の波長において透明な材質であれば、様々な材質を用いたものを使用することができる。具体的には、例えばアクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン系樹脂（特に非晶質ポリオレフィン）、ポリエステル系樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂製の基板、ガラス製の基板、ガラス上に光硬化性樹脂等の放射線硬化性樹脂からなる樹脂層を設けた基板等が挙げられる。
中でも、高生産性、コスト、耐吸湿性などの観点からは、射出成型ポリカーボネート製の基板が好ましい。また、耐薬品性、耐吸湿性などの観点からは、非晶質ポリオレフィン製の基板が好ましい。更に、高速応答などの観点からは、ガラス製の基板が好ましい。
【００８１】
樹脂製の基板を使用した場合、又は、記録層と接する側（上側）に樹脂層を設けた基板を使用した場合には、その樹脂製基板又は樹脂層の上面に、記録再生光の案内溝やピットを形成してもよい。案内溝の形状としては、光学記録媒体の中心を基準とした同心円状の形状やスパイラル状の形状が挙げられる。スパイラル状の案内溝を形成する場合には、溝ピッチが０．２〜１．２μｍ程度であることが好ましい。
基板の上側に直接、又は必要に応じて基板上に設けた下引き層等の上側に、前記一般式（１）で表される化合物を含む記録層を形成する。記録層の成膜方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、ドクターブレード法、キャスト法、スピンコート法、浸漬法等、一般に行なわれている様々な薄膜形成法が挙げられる。量産性やコストの観点からは、スピンコート法が好ましく、均一な厚みの記録層が得られるという観点からは、塗布法よりも真空蒸着法等の方が好ましい。スピンコート法による成膜の場合、回転数は５００〜１５０００ｒｐｍが好ましい。また、場合によっては、スピンコートの後に、加熱する、溶媒蒸気にあてる等の処理を施しても良い。
【００８２】
ドクターブレード法、キャスト法、スピンコート法、浸漬法等の塗布法により記録層を形成する場合に、前記一般式（１）で表される化合物を溶解させて基板に塗布するために使用する塗布溶媒は、基板を侵食しない溶媒であれば特に限定されない。具体的に挙げると、例えばジアセトンアルコール、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノン等のケトンアルコール系溶媒；メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒；ｎ−ヘキサン、ｎ−オクタン等の鎖状炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、ｎ−ブチルシクロヘキサン、ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン等の環状炭化水素系溶媒；テトラフルオロプロパノール、オクタフルオロペンタノール、ヘキサフルオロブタノール等のパーフルオロアルキルアルコール系溶媒；乳酸メチル、乳酸エチル、２−ヒドロキシイソ酪酸メチル等のヒドロキシカルボン酸エステル系溶媒等が挙げられる。
【００８３】
真空蒸着法を用いる場合には、例えば、前記一般式（１）で表される化合物と、必要に応じて他の色素や各種添加剤等の記録層成分とを、真空容器内に設置されたるつぼに入れ、この真空容器内を適当な真空ポンプで１０-2〜１０-5Ｐａ程度にまで排気した後、るつぼを加熱して記録層成分を蒸発させ、るつぼと向き合って置かれた基板上に蒸着させることによって、記録層を形成する。
また、記録層には、前記一般式（１）で表される化合物に加えて、安定性や耐光性の向上のために、一重項酸素クエンチャーとして遷移金属キレート化合物（例えば、アセチルアセトナートキレート、ビスフェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキシム、ビスジチオ−α−ジケトン等）等を含有させたり、記録感度の向上のために、金属系化合物等の記録感度向上剤を含有させたりしても良い。ここで、金属系化合物とは、遷移金属等の金属が原子、イオン、クラスター等の形で化合物に含まれるものを言い、例えばエチレンジアミン系錯体、アゾメチン系錯体、フェニルヒドロキシアミン系錯体、フェナントロリン系錯体、ジヒドロキシアゾベンゼン系錯体、ジオキシム系錯体、ニトロソアミノフェノール系錯体、ピリジルトリアジン系錯体、アセチルアセトナート系錯体、メタロセン系錯体、ポルフィリン系錯体のような有機金属化合物が挙げられる。金属原子としては特に限定されないが、遷移金属であることが好ましい。
【００８４】
なお、記録層には、必要に応じて、前記一般式（１）で表される化合物を複数種類併用しても良い。
更に記録層には、前記一般式（１）で表される化合物に加え、必要に応じて他系統の色素を併用することもできる。他系統の色素としては、主として記録用レーザーの発振波長域に適度な吸収を有するものであればよく、特に制限されない。また、ＣＤ−Ｒ等に使用され、７７０〜８３０ｎｍの波長帯域中に発振波長を有する近赤外レーザーを用いた記録・再生に適する色素や、ＤＶＤ−Ｒ等に使用され、６２０〜６９０ｎｍの波長帯域中に発振波長を有する赤色レーザーを用いた記録・再生に適する色素等を、前記一般式（１）で表される化合物と併用して記録層に含有させることにより、異なる波長帯域に属する複数種のレーザー光を用いた記録・再生に対応する光学記録媒体を製造することもできる。
【００８５】
前記一般式（１）で表される化合物以外の他系統の色素としては、含金属アゾ系色素、ベンゾフェノン系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、シアニン系色素、アゾ系色素、スクアリリウム系色素、含金属インドアニリン系色素、トリアリールメタン系色素、メロシアニン系色素、アズレニウム系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、インドフェノール系色素、キサンテン系色素、オキサジン系色素、ピリリウム系色素等が挙げられる。
更に、必要に応じて、バインダー、レベリング剤、消泡剤等を併用することもできる。好ましいバインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ケトン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポリオレフィン等が挙げられる。
【００８６】
記録層の膜厚は、記録方法などにより適した膜厚が異なる為、特に限定するものではないが、記録を可能とするためにはある程度の膜厚が必要とされるため、通常、少なくとも１ｎｍ以上であり、好ましくは５ｎｍ以上である。但しあまり厚すぎても記録が良好に行えなくなるおそれがあり、通常３００ｎｍ以下、好ましくは２００ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以下である。
記録層の上には、反射層を形成する。その膜厚は、好ましくは５０〜３００ｎｍである。
反射層の材料としては、再生光の波長において十分高い反射率を有する材料、例えばＡｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｐｄ等の金属を、単独あるいは合金にして用いることができる。これらの中でもＡｕ、Ａｌ、Ａｇは反射率が高く、反射層の材料として適している。また、これらの金属を主成分とした上で、加えて他の材料を含有させても良い。ここで主成分とは、含有率が５０％以上のものをいう。主成分以外の他の材料としては、例えばＭｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｄなどの金属及び半金属を挙げることができる。中でもＡｇを主成分とするものは、コストが安い点、高反射率が出やすい点、後述する印刷受容層を設けた場合に地色が白く美しいものが得られる点等から、特に好ましい。例えば、ＡｇにＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、及びＮｄから選ばれる一種以上を０．１〜５原子％程度含有させた合金は、高反射率、高耐久性、高感度且つ低コストであり好ましい。具体的には、例えばＡｇＰｄＣｕ合金、ＡｇＣｕＡｕ合金、ＡｇＣｕＡｕＮｄ合金、ＡｇＡｕＮｄ合金、ＡｇＣｕＮｄ合金等である。金属以外の材料としては、低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、これを反射層として用いることも可能である。
【００８７】
反射層を形成する方法としては、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真空蒸着法等が挙げられる。また、基板の上や反射層の下に、反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上等のために、公知の無機系又は有機系の中間層、接着層を設けることもできる。
反射層の上に形成する保護層の材料は、反射層を外力から保護するものであれば、特に限定されない。有機物質の材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等を挙げることができる。また、無機物質としては、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ＭｇＦ2、ＳｎＯ2等が挙げられる。
熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などを用いる場合は、適当な溶剤に溶解して調製した塗布液を反射層の上に塗布して乾燥させれば、保護層を形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂を用いる場合は、そのまま反射層の上に塗布するか、又は適当な溶剤に溶解して調製した塗布液を反射層の上に塗布し、ＵＶ光を照射して硬化させることによって、保護層を形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレートなどのアクリレート系樹脂を用いることができる。これらの材料は、単独で用いても、複数種を混合して用いても良い。また、保護層は、単層として形成しても、多層として形成してもよい。
【００８８】
保護層の形成方法としては、記録層と同様に、スピンコート法やキャスト法等の塗布法や、スパッタリング法や化学蒸着法等の方法が用いられるが、中でもスピンコート法が好ましい。保護層の膜厚は、その保護機能を果たすためにはある程度の厚みが必要とされるため、一般に０．１μｍ以上であり、好ましくは３μｍ以上である。但しあまり厚すぎると、効果が変わらないだけでなく保護層の形成に時間がかかったりコストが高くなる虞があるので通常１００μｍ以下であり、好ましくは３０μｍ以下である。
以上、光学記録媒体の層構造として、基板、記録層、反射層、保護層をこの順に積層して成る構造を例に採って説明したが、前述した如く、この他の層構造を採っても構わない。
【００８９】
例えば、上例の層構造における保護層の上面に、又は上例の層構造から保護層を省略して反射層の上面に、更に別の基板を貼り合わせてもよい。この際の基板は、何ら層を設けていない基板そのものであってもよく、貼り合わせ面又はその反対面に反射層など任意の層を有するものでも良い。また、同じく上例の層構造を有する光記録媒体や、上例の層構造から保護層を省略した光学記録媒体を、それぞれの保護層及び／又は反射層の上面を相互に対向させて２枚貼り合わせてもよい。
更に、本発明の好ましい光学記録媒体の層構成の一例としては、基板の上に反射層を設け、その上にさらに記録層、保護被膜をこの順に積層した媒体が挙げられる。この場合、保護被膜を通してレーザー光を照射して、情報の記録・再生を行うことになる（媒体構造例２）。
【００９０】
この保護被膜は、フィルムまたはシート状のものを接着剤によって貼り合わせてもよいし、あるいは前述の保護層と同様の材料を用い、成膜用の塗液を塗布し硬化または乾燥することにより形成しても良い。保護被膜の厚みは、その保護機能を果たすためにはある程度の厚みが必要とされるため、一般に０．１μｍ以上であり、好ましくは３μｍ以上である。但しあまり厚すぎると、効果が変わらないだけでなく保護層の形成に時間がかかったりコストが高くなる虞があるので通常３００μｍ以下であり、好ましくは２００μｍ以下である。
このような層構成においても、記録層、反射層などの各層は通常、前述の媒体構造例１と同様のものが用い得る。但し、本層構成では基板は透明である必要はなく、従って、前述の材料以外にも、不透明な樹脂、セラミック、金属（合金を含む）などからなる基板が用い得る。
【００９１】
このような層構成においても、上記各層間には、本発明の特性を損なわない限り、必要に応じて任意の層を有してよい。
ところで、光学記録媒体の記録密度を上げるための一つの手段として、対物レンズの開口数を上げることがある。これにより情報記録面に集光される光スポットを微小化できる。しかしながら、対物レンズの開口数を上げると、記録・再生を行うためにレーザー光を照射した際に、光学記録媒体の反り等に起因する光スポットの収差が大きくなりやすいため、良好な記録再生信号が安定して得られない場合がある。
このような収差は、レーザー光が透過する透明基板や保護被膜の膜厚が厚いほど大きくなりやすいので、収差を小さくするためには基板や保護被膜をできるだけ薄くするのが好ましい。ただし、通常、基板は光学記録媒体の強度を確保するためにある程度の厚みを要するので、この場合、媒体構造例２（基板、反射層、記録層、薄い保護被膜なる基本的層構成の光学記録媒体）を採用するのが好ましい。媒体構造例１の基板を薄くするのに比べると、媒体構造例２の保護被膜は薄くしやすいため、好ましくは媒体構造例２を用いる。
【００９２】
但し、媒体構造例１（透明基板、記録層、反射層、保護層なる基本的層構成の光学記録媒体）であっても、記録・再生用レーザー光が通過する透明基板の厚みを５０〜３００μｍ程度にまで薄くすることで、収差を小さくして使用できるようになる。
また、他の各層の形成後に、記録・再生レーザー光の入射面（通常は基板の下面）に、表面の保護やゴミ等の付着防止の目的で、紫外線硬化樹脂層や無機系薄膜等を成膜形成してもよく、記録・再生レーザー光の入射面ではない面（通常は反射層や保護層の上面）に、インクジェット、感熱転写等の各種プリンタ、あるいは各種筆記具を用いて記入や印刷が可能な印刷受容層を設けてもよい。
本発明の光学記録媒体において、情報の記録・再生のために使用するレーザー光は、高密度記録を実現する観点から波長が短いほど好ましいが、特に波長３５０〜５３０ｎｍのレーザー光が好ましい。かかるレーザー光の代表例として、中心波長４０５ｎｍ、４１０ｎｍ、５１５ｎｍのレーザー光が挙げられる。
３５０〜５３０ｎｍのレーザー光は、４０５ｎｍ、４１０ｎｍの青色又は５１５ｎｍの青緑色の高出力半導体レーザーを使用することによって得られるが、その他にも、例えば、（ａ）基本発振波長が７４０〜９６０ｎｍの連続発振可能な半導体レーザー、及び（ｂ）半導体レーザーによって励起される基本発振波長７４０〜９６０ｎｍの連続発振可能な固体レーザーの何れかの発振レーザー光を、第二高調波発生素子（ＳＨＧ）により波長変換することによっても得られる。
【００９３】
上記のＳＨＧとしては、反転対称性を欠くピエゾ素子であればいかなるものでもよいが、ＫＤＰ、ＡＤＰ、ＢＮＮ、ＫＮ、ＬＢＯ、化合物半導体などが好ましい。第二高調波の具体例として、基本発振波長が８６０ｎｍの半導体レーザーの場合には、その基本発振波長の倍波である４３０ｎｍ、また、半導体レーザー励起の固体レーザーの場合には、ＣｒドープしたＬｉＳｒＡｌＦ6結晶（基本発振波長８６０ｎｍ）からの倍波の４３０ｎｍなどが挙げられる。
本発明の光学記録媒体に対して情報の記録を行なう際には、記録層に対して（通常は基板側から基板を透過させ）、通常、０．４〜０．６μｍ程度に集束したレーザー光を照射する。記録層のレーザー光が照射された部分は、レーザー光のエネルギーを吸収することによって分解、発熱、溶解等の熱的変形を起こすため、光学的特性が変化する。
記録された情報の再生を行なう際には、同じく記録層に対して（通常は記録時と同じ方向から）、よりエネルギーの低いレーザー光を照射する。記録層において、光学的特性の変化が起きた部分（すなわち、情報が記録された部分）の反射率と、変化が起きていない部分の反射率との差を読みとることにより、情報の再生が行なわれる。
【００９４】
【実施例】
以下本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、これら実施例によって限定されるものではない。
［化合物の合成法］
前記一般式（１）においてｎ＋ｍ＝１または２で表される化合物の合成法としては、一般的には芳香族アルデヒドとケトン（α位に活性メチレン基をもつもの）の脱水縮合により合成でき、環Ａ、Ｂをベンゼン環で代表すると以下のように表される。
【００９５】
ｎ＝１，ｍ＝０の化合物（カルコン）は、ベンズアルデヒドとアセトフェノンのエタノール溶液中に、触媒として塩基（ＮａＯＨ水溶液など）を加えることにより合成できる。
【００９６】
【化３６】
0004120340.tif 000035
【００９７】
同様の方法で、ｎ＝２、ｍ＝０の化合物は、シンナムアルデヒドとアセトフェノンより合成できる。
【００９８】
【化３７】
0004120340.tif 000036
【００９９】
またｎ＝１、ｍ＝１の化合物（ジベンジリデンアセトン）は、２倍量のベンズアルデヒドとアセトンから合成することができる（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ，Ｃｏｌ．Ｖｏｌ．ＩＩ，１６７）。また同様に環状ケトンとも反応させることもできる。
【０１００】
【化３８】
0004120340.tif 000037
【０１０１】
この他の方法としては、例えばＴｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ３７，Ｎｏ，５，ｐ６１９（１９９６）に記載されているようなＤｏｍｉｎｏ−Ｈｅｃｋアルドール縮合などでも合成することができる。
【０１０２】
【化３９】
0004120340.tif 000038
【０１０３】
このようにしてベンゼン環の誘導体や複素芳香環等を用いることで、例示化合物に示されるような化合物を合成できる。
実施例１
（ａ）製造例
【０１０４】
【化４０】
0004120340.tif 000039
【０１０５】
上記構造式［Ｉ］で示されるｐ−メトキシアセトフェノン５０ｇをエタノール２００ｍｌを溶解させ、そこに撹拌しながら水酸化ナトリウム２ｇ／水５０ｍｌ水溶液を加え、水浴で１０℃以下に冷却した。この溶液に温度が１０℃以上にならないように上記構造式［ＩＩ］で示されるアニスアルデヒド５０ｇを滴下した。
滴下終了後１０℃以下で３時間撹拌し、一晩放置した。翌日結晶が析出した溶液に水２００ｍｌ加えて、さらに撹拌した後、濾別した。
【０１０６】
得られた粗結晶をＴＨＦ４００ｍｌに溶解させ、炭酸カリウムを加えて脱水した後エタノール１００ｍｌを加えて加熱濃縮して冷却、これを濾過して乾燥させることにより例示化合物（１）を７５．５ｇ得ることができた（収率８４％、ＭＳ；ｍ／ｚ＝２６８確認）。生成物のクロロホルム溶液中での最大吸収波長λｍａｘ＝３４０．５ｎｍ、モル吸光係数は３．１×１０4であった。クロロホルム溶液中の吸収スペクトルを図１に示す。
（ｂ）記録媒体例
例示化合物（１）をオクタフルオロペンタノールに溶解し、１．０ｗｔ％に調整した。これをろ過してできた溶解液を直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、スピナー法により塗布し、塗布後、１００℃で３０分間乾燥した。この塗布膜の最大吸収波長（λｍａｘ）は、３４１．５ｎｍであった。塗布膜の吸収スペクトルを図２に示す。
実施例２
【０１０７】
【化４１】
0004120340.tif 000040
【０１０８】
前述のｐ−メトキシアセトフェノン５０ｇをエタノール２００ｍｌを溶解させ、そこに撹拌しながら水酸化ナトリウム２ｇ／水５０ｍｌ水溶液を加え、水浴で１０℃以下に冷却した。この溶液に温度が１０℃以上にならないように上記構造式［ＩＩＩ］で示されるα―メチル桂皮アルデヒド５２ｇを滴下した。滴下終了後１０℃以下で３時間撹拌し、一晩放置した。翌日結晶が析出した溶液に水３００ｍｌ加えて、さらに撹拌した後、濾別した。
【０１０９】
得られた粗結晶をＴＨＦ２００ｍｌに溶解させ、炭酸カリウムを加えて脱水した後エタノール２００ｍｌを加えて加熱濃縮して冷却、これを濾過して乾燥させることにより例示化合物（２）を４８．３ｇ得ることができた（収率５２％、ＭＳ；ｍ／ｚ＝２７８確認）。生成物のクロロホルム中でのλｍａｘ＝３３５．５ｎｍ、モル吸光係数は３．８×１０4であった。
（ｂ）記録媒体例
例示化合物（２）をジイソブチルケトンに溶解し、１．０ｗｔ％に調整した。これをろ過してできた溶解液を直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、スピナー法により塗布し、塗布後、１００℃で３０分間乾燥した。この塗布膜の最大吸収波長（λｍａｘ）は、３３４．５ｎｍであった。
実施例３
（ａ）製造例
【０１１０】
【化４２】
0004120340.tif 000041
【０１１１】
上記化合物［ＩＶ］で示される４−ｎ−ブトキシベンズアルデヒド０．８９ｇ（５ｍｍｏｌ）をエタノール１５ｍｌに溶解させ、ここに上記化合物［Ｖ］で示されるα―テトラロン０．７３ｇ（５ｍｍｏｌ）を滴下した。この溶液を室温で撹拌しながら２５％水酸化ナトリウム水溶液３ｍｌを滴下し、１０時間撹拌した。
その後この溶液を濾過して、得られた濾過物をメタノールで洗浄し、乾燥させることにより例示化合物（１５）を１．２ｇ（収率９６％）得ることができた。生成物のクロロホルム中でのλｍａｘ＝３４４．５ｎｍ、モル吸光係数は２．０×１０4であった。
（ｂ）記録媒体例
例示化合物（１５）の化合物をオクタフルオロペンタノールに溶解し、１．０ｗｔ％に調整した。これをろ過してできた溶解液を直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの射出成型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、スピナー法により塗布し、塗布後、１００℃で３０分間乾燥した。この塗布膜の最大吸収波長（λｍａｘ）は、３４８ｎｍであった。
【０１１２】
実施例４〜２３
以下、前記の合成法と同様の方法で、例示化合物（３）〜（１４）、（４９）〜（５６）の化合物を合成し、表−１に示す溶媒を使用した以外は実施例１〜３と同様に塗布膜を形成した。
合成した化合物のクロロホルム溶液中での最大吸収波長、モル吸光係数、塗布膜での最大吸収波長を、実施例１〜３の結果と合わせて表−１に示す。
【０１１３】
【表１】
0004120340.tif 000042
【０１１４】
これらの塗布膜上に、例えば、Ａｇなどをスパッタリング法等にて成膜して反射層を形成し、次いで紫外線硬化性樹脂をスピンコート法等にて塗布したのち紫外線を照射して硬化させて保護層を形成することで光学記録媒体とすることができる。これらの光学記録媒体は、塗布膜の最大吸収波長（λmax）の値から、例えば中心波長４０５ｎｍの半導体レーザーによる記録再生が可能であることが明らかである。
【０１１５】
【発明の効果】
本発明化合物の含有溶液は、短波長のレーザー光による記録再生に適した吸収を有する塗布膜を形成することが出来、且つ成膜性にも優れているので、本発明化合物を用いた記録層を有する記録媒体は、短波長レーザーに対応する記録再生用光学記録媒体として有用である。
従って、波長が３５０ｎｍ〜５３０ｎｍの短波長レーザー光を用いて本光学記録媒体に対して情報の記録を行えば、より高密度に、かつ大容量の情報を記録・再生することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１における、例示化合物（１）のクロロホルム溶液中での吸収スペクトルである。
【図２】本発明の実施例１における、例示化合物（１）の塗布膜の吸収スペクトルである。
【図１】
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【図２】
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