(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）で表される活性メチレン化合物と一般式（II）で表されるアリールハライドを、塩基および［1,1-ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（II）クロライド触媒の存在下で縮合させて、一般式（III）で表される活性メチレン置換アレーン化合物を合成することを特徴とする活性メチレン置換アレーン化合物の製造方法。
【化１】
0004049233.tif 000020
［式中、ＸおよびＹは各々独立にハメットのσp値が０．２以上の置換基を表す。］
【化２】
0004049233.tif 000021
［式中、Ｒ1はハロゲン原子を表し、Ｒ2は置換基を表す。ｍは１以上６以下の整数を表し、ｎは０以上５以下の整数を表し、ｍ＋ｎ≦６である。ｍが２以上のときは、Ｒ1は同じでも異なってもよい。ｎが２以上のときは、Ｒ2は同じでも異なってもよく、Ｒ2同士で連結して不飽和縮合環を形成してもよい。］
【化３】
0004049233.tif 000022
［式中、Ｘ、Ｙ、Ｒ2およびｍは、一般式（Ｉ）および（II）と同義である。］
【請求項２】
ｍ＝２である請求項１の活性メチレン置換アレーン化合物の製造方法。
【請求項３】
活性メチレン化合物がマロノニトリルであり、かつ、アリールハライドが下記一般式（IV）で表される化合物であって、下記一般式（Ｖ）で表される化合物を合成する請求項１の活性メチレン置換アレーン化合物の製造方法。
【化４】
0004049233.tif 000023
［式中、Ｒ1、Ｒ2およびｎは一般式（II）と同義である。］
【化５】
0004049233.tif 000024
［式中、Ｒ2およびｎは一般式（II）と同義である。］
【請求項４】
Ｒ1が臭素原子または沃素原子である請求項１〜３のいずれかの活性メチレン置換アレーン化合物の製造方法。
【請求項５】
塩基が水素化ナトリウムまたはアルカリ金属アルコキシドである請求項１〜４のいずれかの活性メチレン置換アレーン化合物の製造方法。
【請求項６】
Ｒ1が臭素原子であり、塩基が水素化ナトリウムである請求項１〜３のいずれかの活性メチレン置換アレーン化合物の製造方法。
【請求項７】
Ｒ1が沃素原子であり、塩基がアルカリ金属アルコキシドである請求項１〜３に記載の活性メチレン置換アレーン化合物の製造方法。
【請求項８】
［1,1-ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（II）クロライドの触媒量がアリールハライドの０．０１モル％以上１００モル％以下である請求項１〜７のいずれかの活性メチレン置換アレーン化合物の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、活性メチレン置換アレーン化合物の製造方法に関する。特に、有機電導体分野で用いられる電子受容体であるテトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）誘導体中間体として重要な素材である１，４ービス（ジシアノメチル）ベンゼン誘導体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電荷移動錯体を用いた有機電導体の研究開発が活発に行われている。特に、電子受容体として、テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）およびこれらの誘導体が用いられている。これらＴＣＮＱ誘導体の合成は、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  Ｌｅｔｔ．，２６，１５５３（１９８５）に記載されているように中間体として１，４ービス（ジシアノメチル）ベンゼン誘導体を経由して合成される。１，４ービス（ジシアノメチル）ベンゼン誘導体は、対応するジヨード体を触媒量のビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（II）クロライド存在下、マロノニトリルと縮合させることにより合成されるが、一般的にジヨード体は合成が難しい。一方、安価で合成の簡便なジブロモ体を触媒量のビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（II）クロライド存在下マロノニトリルと縮合させても１，４ービス（ジシアノメチル）ベンゼン誘導体は得られず、ＴＣＮＱ誘導体の合成条件として慣用するための工業的製造方法としては、汎用性や経済性の面で問題を含んでいるのが現状である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、従来の方法における製造の汎用性や経済性に関する上記の問題点を排除し、簡便にして高収率な活性メチレン置換アレーン化合物の製造方法、特に、１，４ービス（ジシアノメチル）ベンゼン誘導体の製造方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、下記の本発明を特定する事項およびその好ましい態様によって達成された。
（１）  下記一般式（Ｉ）で表される活性メチレン化合物と一般式（II）で表されるアリールハライドを、塩基と［1,1-ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（II）クロライド触媒の存在下で縮合させて、一般式（III）で表される活性メチレン置換アレーン化合物を合成することを特徴とする活性メチレン置換アレーン化合物の製造方法。
【０００５】
【化６】
0004049233.tif 000002
【０００６】
［式中、ＸおよびＹは各々独立にハメットのσp値が０．２以上の置換基を表す。］
【０００７】
【化７】
0004049233.tif 000003
【０００８】
［式中、Ｒ1はハロゲン原子を表し、Ｒ2は置換基を表す。ｍは１以上６以下の整数を表し、ｎは０以上５以下の整数を表し、ｍ＋ｎ≦６である。ｍが２以上のときは、Ｒ1は同じでも異なってもよい。ｎが２以上のときは、Ｒ2は同じでも異なってもよく、Ｒ2同士で連結して不飽和縮合環を形成してもよい。］
【０００９】
【化８】
0004049233.tif 000004
【００１０】
［式中、Ｘ、Ｙ、Ｒ2およびｍは、一般式（Ｉ）および（II）と同義である。］
（２）  Ｒ2が、ハメットのσp値が０以下の置換基である上記（１）の活性メチレン置換アレーン化合物の製造方法。
（３）  ｍ＝２である上記（１）または（２）の活性メチレン置換アレーン化合物の製造方法。
（４）  活性メチレン化合物がマロノニトリルであり、かつ、アリールハライドが下記一般式（IV）で表される化合物であって、下記一般式（Ｖ）で表される化合物を合成する上記（１）または（２）の活性メチレン置換アレーン化合物の製造方法。
【００１１】
【化９】
0004049233.tif 000005
【００１２】
［式中、Ｒ1、Ｒ2およびｎは一般式（II）と同義である。］
【００１３】
【化１０】
0004049233.tif 000006
【００１４】
［式中、Ｒ2およびｎは一般式（II）と同義である。］
（５）  Ｒ1が臭素原子または沃素原子である上記（１）〜（４）のいずれかの活性メチレン置換アレーン化合物の製造方法。
（６）  塩基が水素化ナトリウムまたはアルカリ金属アルコキシドである上記（１）〜（５）のいずれかの活性メチレン置換アレーン化合物の製造方法。
（７）  Ｒ1が臭素原子であり、塩基が水素化ナトリウムである上記（１）〜（４）のいずれかの活性メチレン置換アレーン化合物の製造方法。
（８）  Ｒ1が沃素原子であり、塩基がアルカリ金属アルコキシドである（１）〜（４）に記載の活性メチレン置換アレーン化合物の製造方法。
（９）  ［1,1-ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（II）クロライドの触媒量がアリールハライドの０．０１モル％以上１００モル％以下である上記（１）〜（８）のいずれかの活性メチレン置換アレーン化合物の製造方法。
（１０）  ［1,1-ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（II）クロライドの触媒量がアリールハライドの１モル％以上１０モル％以下である上記（１）〜（８）のいずれかの活性メチレン置換アレーン化合物の製造方法。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の詳細を説明する。
本発明の要点は、活性メチレン化合物とアリールハライドを、塩基と触媒量の［1,1-ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（II）クロライドの存在下で縮合させて、活性メチレン置換アレーン化合物を合成する点にある。活性メチレン化合物としては下記一般式（Ｉ）で表される化合物が好ましい。
【００１６】
【化１１】
0004049233.tif 000007
【００１７】
式中、ＸおよびＹは各々独立にハメットのσp値が０．２以上の置換基を表す。
ハメットのσp値は例えば、Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．，９１．１６５（１９９１）に記載されている。σp値の上限は特に限定しないが、一般的には２以下である。
ハメットのσp値が０．２以上の置換基としては、例えば、ハロゲン原子（例えば、塩素、臭素など）、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子置換アルキル基（例えば、トリフルオロメチル基、トリクロロメチル基など）、ハロゲン原子置換アリール基（例えば、ペンタフルオロベンゼンなど）、ハロゲン原子置換アルコキシ基（例えば、トリフルオロメトキシ基など）、ハロゲン原子置換アルキルチオ基（例えば、トリフルオロメチルチオ基など）、アシルオキシ基（例えば、アセトキシ基、ベンゾイルオキシ基など）、スルホニルオキシ基（例えば、メタンスルホニルオキシ基など）、アシル基（例えば、アセチル基など）、オキシカルボニル基（例えば、メトキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基など）、カルバモイル基（例えば、無置換カルバモイル基など）、チオカルバモイル基（例えば、無置換チオカルバモイル基など）、スルホニル基（例えば、メタンスルホニル基、Ｐ−トルエンスルホニル基など）、スルフィニル基（例えば、メタンスルフィニル基など）、スルファモイル基（例えば、無置換スルファモイル基、メチルスルファモイル基など）、などが挙げられる。
特に好ましくは、ハロゲン原子、シアノ基、ハロゲン原子置換アルキル基、アシル基、オキシカルボニル基またはスルホニル基であり、最も好ましくは、シアノ基である。
【００１８】
アリールハライドとしては下記一般式（II）で表される化合物が好ましい。
【００１９】
【化１２】
0004049233.tif 000008
【００２０】
式中、Ｒ1はハロゲン原子を表し、Ｒ2は置換基を表す。ｍは１以上６以下の整数を表し、ｎは０以上５以下の整数を表す。ただし、ｍ＋ｎは６以下である。
ｍが２以上である場合、Ｒ1はそれぞれ異るハロゲン原子であっても良い。Ｒ1のハロゲン原子としては、臭素原子、沃素原子が特に好ましい。ｍは１、２または３であることが好ましく、２であることが特に好ましい。ｍが２である場合、２つのハロゲン原子が互いにパラ位の位置に置換されていることが特に好ましい。
Ｒ2で表される置換基としては、例えば、アルキル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃーブチル、ｔ−ブチル、シクロヘキシル、メトキシエチル、エトキシカルボニルエチル、シアノエチル、ジエチルアミノエチル、ヒドロキシエチル、クロロエチル、アセトキシエチルなど）、アラルキル基（例えば、ベンジルなど）、アルケニル基（例えば、ビニルなど）、アルキニル基（例えば、エチニルなど）、アリール基（例えば、フェニル、４ーメチルフェニル、４ーメトキシフェニル、４ーカルボキシフェニルなど）、アシル基（例えば、アセチル、プロピオニル、ブタノイル、クロロアセチルなど）、スルホニル基（例えば、メタンスルホニル、ｐ−トルエンスルホニルなど）、スルフィニル基（例えば、メタンスルフィニル、エタンスルフィニルなど）、アルコキシカルボニル基（例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニルなど）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェノキシカルボニル、４ーメトキシフェニルカルボニルなど）、アルコキシ基（例えば、メトキシ、エトキシ、ｎ−ブトキシ、メトキシエトキシ、ヒドロキシエトキシなど）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ、４ーメトキシフェノキシなど）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ、エチルチオなど）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオなど）、アシルオキシ基（例えば、アセトキシ、エチルカルボニルオキシ、シクロヘキシルカルボニルオキシ、ベンゾイルオキシ、クロロアセチルオキシなど）、スルホニルオキシ基（例えば、メタンスルホニルオキシなど）、カルバモイルオキシ基（例えば、メチルカルバモイルオキシ、ジエチルカルバモイルオキシなど）、アミノ基（例えば、無置換アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、アニリノ、メトキシフェニルアミノ、クロロフェニルアミノ、モリホリノ、ピペリジノ、ピロリジノ、ピリジルアミノ、メトキシカルボニルアミノ、フェノキシカルボニルアミノ、エチルチオカルボニルアミノ、メチルカルバモイルアミノ、フェニルカルバモイルアミノ、メチルスルファモイルアミノ、フェニルスルファモイルアミノ、アセチルアミノ、エチルカルボニルアミノ、エチルチオカルボニルアミノ、ベンゾイルアミノ、クロロアセチルアミノ、メタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなど）、カルバモイル基（例えば、無置換カルバモイル、メチルカルバモイル、ジメチルカルバモイルなど）、スルファモイル基（例えば、無置換スルファモイル、メチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなど）、水酸基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ基、スルホ基などが挙げられる。これらの置換基は、さらにハロゲン原子や上記の置換基を有していてもよい。
好ましくは、ハメットのσp値が０を越えない置換基であり、例えば、メチル（−０．１７）、エチル（−０．１５）、プロピル（−０．１３）などのアルキル基、メトキシ（−０．２７）、エトキシ（−０．２４）、ブトキシ（−０．３２）などのアルコキシ基、水酸基（−０．３７）、メチルチオ（０．００）などのチオアルキル基、ジメチルアミノ（−０．８３）、アシルアミノ（０．００）、エトキシカルボニルアミノ（−０．１５）などのアミノ基などが挙げられる。特に好ましくは、アルコキシ基である。
【００２１】
ｎが２以上の整数を表す場合、Ｒ2はそれぞれ異なっていてもよく、連結して不飽和縮合環（例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体など）を形成してもよい。
ｎが２以上の場合、それぞれの置換基に対するハメット即のσp値の総和が０を越えない置換基の組合せが好ましく、特に好ましくは、ハメット則のσp値が０を越えない置換基同士の組合せである。特に好ましくは、アルコキシ基同士の組合せである。ｎが２の場合、互いにパラ位に置換されていることが好ましい。
【００２２】
前記一般式（II）で表される化合物は、下記一般式（IV）で表される化合物が特に好ましい。
【００２３】
【化１３】
0004049233.tif 000009
【００２４】
式中、Ｒ1、Ｒ2およびｎは、前記一般式（II）と同義であり、その好ましい態様も同じである。
【００２５】
本発明で合成される活性メチレン置換アレーン化合物は、下記一般式（III）で表される。
【００２６】
【化１４】
0004049233.tif 000010
【００２７】
式中、ＸおよびＹは前記一般式（Ｉ）のＸおよびＹに、Ｒ2、ｍおよびｎは前記一般式（II）のＲ2、ｍおよびｎとそれぞれ同義であり、その好ましい態様も同じである。
【００２８】
前記一般式（III）で表される化合物は、下記一般式（Ｖ）で表される化合物が特に好ましい。
【００２９】
【化１５】
0004049233.tif 000011
【００３０】
式中、Ｒ2およびｎは前記一般式（III）のＲ2およびｎとそれぞれ同義であり、その好ましい態様も同じである。
【００３１】
以下に、一般式（Ｉ）〜（III）で表される化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３２】
【化１６】
0004049233.tif 000012
【００３３】
【化１７】
0004049233.tif 000013
【００３４】
【化１８】
0004049233.tif 000014
【００３５】
【化１９】
0004049233.tif 000015
【００３６】
【化２０】
0004049233.tif 000016
【００３７】
【化２１】
0004049233.tif 000017
【００３８】
【化２２】
0004049233.tif 000018
【００３９】
本発明において用いられる塩基としては、炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、トリエチルアミン、アルカリ金属アルコキシド（例えば、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムt-ブトキシド）、水素化ナトリウムなどを挙げることができる。特に好ましくは、水素化ナトリウムまたはアルカリ金属アルコキシドである。
【００４０】
本発明において用いられる［1,1-ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（II）クロライドの触媒量は、アリールハライドの０．０１モル％以上１００モル％以下が好ましく、特に０．１モル％以上１００モル％以下が好ましく、１モル％以上１０モル％以下が最も好ましい。また、［1,1-ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（II）クロライドの添加順序には特に限定はない。すなわち、塩基、アリールハライドおよび活性メチレン化合物を溶媒に溶解した後に添加してもよいし、塩基およびアリールハライドを添加した後［1,1-ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（II）クロライドを添加し、その後活性メチレン化合物を添加してもよい。添加時の温度に関しては反応液の沸点以下ならば特に問題ないが、好ましくは、室温（例えば２０℃）以下である。
【００４１】
反応温度は、２０℃から１５０℃までの間が好ましく、特に好ましくは、４０℃から１００℃の間である。
【００４２】
反応系としては、水ー有機溶媒の２相系、含水有機溶媒あるいは有機溶媒の均一系いずれであってもよい。有機溶媒としては、トルエン、キシレン、ヘキサンなどの炭化水素系溶媒、ジメチルホルムアミドなどのアミド系溶媒、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、メタノール、エタノールなどのアルコール系溶媒、アセトニトリルなどのニトリル系溶媒、アセトンなどのケトン系溶媒、酢酸エチルなどのエステル系溶媒などを用いることができる。また、２種以上の有機溶媒を併用してもよい。最も好ましくはテトラヒドロフランである。
【００４３】
【実施例】
以下、本発明をさらに詳しく説明するために実施例を比較例とともにを示すが、これらは本発明を限定するものではない。
【００４４】
［実施例１］
化合物（III−１）の合成
窒素雰囲気下、水素化ナトリウム６２ｇ、化合物（II−１）１００ｇ（０．２６ｍｏｌ）、および［1,1-ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（II）クロライド３．７ｇ（化合物（II−１）に対して２ｍｏｌ％）をテトラヒドロフラン１．５Ｌに溶解させた後、氷冷下、マロノニトリル６８ｇ（１ｍｏｌ）を滴下した。反応液を８時間加熱還流した後、イソプロピルアルコール１２０ｍｌを加え、未反応の水素化ナトリウムを失活させた。室温で３０分間撹拌した後、反応液を１規定塩酸水２Ｌに注ぎ、そのまま室温で２時間撹拌した。
得られた白色沈殿物を濾取、水洗した後、アセトニトリルで再結晶して、目的物（III−１）４３ｇを得た。収率は６３％であった。
分析値：H-NMR(CDCl3):7.13(s, 2H), 5.28(s, 2H), 4.1(s, 6H)
【００４５】
［実施例２］
化合物（III−１）の合成
窒素雰囲気下、水素化ナトリウム６．２ｇ、化合物（II−２）７．６ｇ（２６ｍｍｏｌ）、および［1,1-ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（II）クロライド０．７６ｇ（４ｍｏｌ％）をテトラヒドロフラン１５０ｍｌに溶解させた後、氷冷下、マロノニトリル６．８ｇ（０．１ｍｏｌ）を滴下した。反応液を８時間加熱還流した後、イソプロピルアルコール１２ｍｌを加え、未反応の水素化ナトリウムを失活させた。室温で３０分間撹拌した後、反応液を１規定塩酸水２００ｍｌに注ぎ、そのまま室温で２時間撹拌した。得られた白色沈殿物を濾取、水洗した後、アセトニトリルで再結晶して、目的物（IIIー１）６．０ｇを得た。収率８８％。
分析値：H-NMR(CDCl3):7.13(s, 2H), 5.28(s, 2H), 4.1(s, 6H)
【００４６】
［比較例１］
窒素雰囲気下、水素化ナトリウム６．２ｇ、化合物（II−２）７．６ｇ（２６ｍｍｏｌ）、および(Ph3P)2PdCl2０．７２ｇ（４ｍｏｌ％）をテトラヒドロフラン１５０ｍｌに溶解させた後、氷冷下、マロノニトリル６．８ｇ（０．１ｍｏｌ）を滴下した。反応液を８時間加熱還流した後、イソプロピルアルコール１２ｍｌを加え、未反応の水素化ナトリウムを失活させた。室温で３０分間撹拌した後、反応液を１規定塩酸水２００ｍｌに注ぎ、そのまま室温で２時間撹拌した。得られた白色沈殿物を濾取し、Ｈ−ＮＭＲにより構造を同定したところ目的物（III−１）は得られず、下記化合物（ａ）のみを６．７ｇ（収率９１％）得た。
分析値：H-NMR(dmso-d6):7.50(s, 1H), 7.20(s, 1H), 6.30(s, 1H), 3.90(s, 3H), 3.80(s, 3H)
【００４７】
【化２３】
0004049233.tif 000019
【００４８】
［実施例３］
化合物（III−１）の合成
窒素雰囲気下、カリウムt-ブトキシド３．４ｇ（３０ｍｍｏｌ）、化合物（II−１）２．０ｇ（５ｍｍｏｌ）、および［1,1-ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（II）クロライド０．１６ｇ（４ｍｏｌ％）をテトラヒドロフラン３０ｍｌに溶解させた後、氷冷下、マロノニトリル１．３ｇ（２０ｍｍｏｌ）を滴下した。反応液を８時間加熱還流した後、イソプロピルアルコール２ｍｌを加え、未反応の水素化ナトリウムを失活させた。室温で３０分間撹拌した後、反応液を１規定塩酸水５０ｍｌに注ぎ、そのまま室温で２時間撹拌した。得られた白色沈殿物を濾取、水洗した後、アセトニトリルで再結晶して、目的物（III−１）１．０ｇを得た。収率８０％。
分析値：H-NMR(CDCl3):7.13(s, 2H), 5.28(s, 2H), 4.1(s, 6H)
【００４９】
［比較例２］
窒素雰囲気下、カリウムt-ブトキシド３．４ｇ（３０ｍｍｏｌ）、化合物（IIー１）２．０ｇ（５ｍｍｏｌ）、および(Ph3P)2PdCl2０．１４ｇ（４ｍｏｌ％）をテトラヒドロフラン３０ｍｌに溶解させた後、氷冷下、マロノニトリル１．３ｇ（２０ｍｍｏｌ）を滴下した。反応液を８時間加熱還流した後、イソプロピルアルコール２ｍｌを加え、未反応の水素化ナトリウムを失活させた。室温で３０分間撹拌した後、反応液を１規定塩酸水５０ｍｌに注ぎ、そのまま室温で２時間撹拌した。得られた白色沈殿物を濾取し、Ｈ−ＮＭＲにより構造を同定したところ目的物（IIIー１）は得られず、原料である化合物（IIー１）がほぼ回収された。
【００５０】
［実施例４］
化合物（III−２）の合成
窒素雰囲気下、水素化ナトリウム１．２ｇおよび化合物（II−３）２．１ｇ（５ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン３０ｍｌに溶解させた後、氷冷下、マロノニトリル１．３ｇ（２０ｍｍｏｌ）を滴下した。滴下完了後、室温にて［1,1-ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（II）クロライド７３ｍｇ（２ｍｏｌ％）を加え、この反応液を８時間加熱還流した。反応終了後、イソプロピルアルコール２．５ｍｌを加え、未反応の水素化ナトリウムを失活させた。室温で３０分間撹拌した後、反応液を１規定塩酸水８０ｍｌに注ぎ、氷冷下２時間撹拌した。得られた白色沈殿物を濾取、水洗した後、アセトニトリルで再結晶して、目的物（III−２）１．３ｇを得た。収率９２％。
分析値：H-NMR(CDCl3):7.18(s, 2H), 5.25(s, 2H), 4.15(q, 4H), 1.52(t, 6H)
【００５１】
［実施例５］
化合物（III−３）の合成
窒素雰囲気下、水素化ナトリウム１．９ｇ、化合物（II−５）３．８ｇ（８ｍｍｏｌ）、および［1,1-ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（II）クロライド０．１２ｇ（２ｍｏｌ％）をテトラヒドロフラン５０ｍｌに溶解させた後、氷冷下、マロノニトリル２．１ｇ（３２ｍｍｏｌ）を滴下した。反応液を８時間加熱還流した後、イソプロピルアルコール２ｍｌを加え、未反応の水素化ナトリウムを失活させた。室温で３０分間撹拌した後、反応液を１規定塩酸水１００ｍｌに注ぎ、そのまま室温で２時間撹拌した。得られた白色沈殿物を濾取、水洗した後、アセトニトリルで再結晶して、目的物（III−３）２．４ｇを得た。収率８５％。
分析値：H-NMR(dmso-d6):7.4(s, 2H), 6.3(s, 2H), 3.73(dd, 4H), 3.5(dd, 4H), 3.35(s, 6H)
【００５２】
［実施例６］
化合物（III−４）の合成
窒素雰囲気下、水素化ナトリウム１．６ｇ、化合物（II−６）２．３ｇ（５ｍｍｏｌ）、および［1,1-ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（II）クロライド０．１５ｇ（４ｍｏｌ％）をテトラヒドロフラン３０ｍｌに溶解させた後、氷冷下、マロノニトリル１．３ｇ（２０ｍｍｏｌ）を滴下した。反応液を８時間加熱還流した後、イソプロピルアルコール２ｍｌを加え、未反応の水素化ナトリウムを失活させた。室温で３０分間撹拌した後、反応液を１規定塩酸水１５０ｍｌに注ぎ、そのまま室温で２時間撹拌した。得られた白色沈殿物を濾取、水洗した後、アセトニトリルで再結晶して、目的物（III−４）１．６ｇを得た。収率９８％。
分析値：H-NMR(dmso-d6):7.4(s, 2H), 6.3(s, 2H), 4.15(dd, 4H), 3.8(dd, 4H)
【００５３】
［比較例３］
窒素雰囲気下、水素化ナトリウム１．６ｇ、化合物（II−６）２．３ｇ（５ｍｍｏｌ）、および(Ph3P)2PdCl2０．１３ｇ（４ｍｏｌ％）をテトラヒドロフラン３０ｍｌに溶解させた後、氷冷下、マロノニトリル１．３ｇ（２０ｍｍｏｌ）を滴下した。反応液を８時間加熱還流した後、イソプロピルアルコール２ｍｌを加え、未反応の水素化ナトリウムを失活させた。室温で３０分間撹拌した後、反応液を１規定塩酸水１５０ｍｌに注ぎ、そのまま室温で２時間撹拌した。得られた白色沈殿物を濾取し、Ｈ−ＮＭＲにより構造を同定したところ目的物（III−４）は得られず、原料である化合物（II−６）がほぼ定量的に回収された。
【００５４】
以上の結果より、本発明の合成法は収率よく、目的とする一般式（III）で表される活性メチレン置換アレーン誘導体を与えることがわかる。特に実施例６と比較例３の比較より明らかなように、従来法では合成不可能であった化合物を高収率で合成できるようになった。また、実施例２と比較例１の比較より明らかなように、本発明の合成法によれば、安価で合成の簡便なジブロモ体より高収率で活性メチレン置換アレーン化合物に誘導できる。さらに、実施例３と比較例２の比較より明らかなように、従来法では発火の危険性の高い水素化ナトリウムを用いる必要性があるのに対し、本発明ではアルカリ金属アルコキシドを用いて合成することができる点で有利である。
【００５５】
【発明の効果】
本発明の合成法により、活性メチレン置換アレーン誘導体を収率よく、安価で製造することができる。また、火の危険性の低いアルカリ金属アルコキシドを用いて合成できるため、安全な製造法を提供できる。