(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス材質の基板上にシーリング材を塗布する段階と、
該のシーリング材が塗布されたガラス材質の基板を焼成し、前記シーリング材に含まれた有機バインダ成分を除去する段階と、
前記シーリング材が塗布された前記ガラス材質の基板を切断しキャップを生成する段階と、
真空チャンバの内部に挿入されて、ホールが穿孔形成されたパネルの基板上に、有機バインダ成分が除去された前記シーリング材が塗布された前記キャップを載置する段階と、
前記ホールを被覆するために有機バインダ成分が除去された前記キャップのシーリング材に、レーザを照射して硬化させる段階と
を有することを特徴とする電界放出ディスプレイのキャップシールリング方法。
【請求項２】
前記真空チャンバの内部で、真空ポンプにより前記パネルの内部を所定圧力の真空状態に排気する排気段階が含まれることを特徴とする請求項１記載の電界放出ディスプレイのキャップシールリング方法。
【請求項３】
前記真空状態は、１０-7Torrであることを特徴とする請求項２記載の電界放出ディスプレイのキャップシールリング方法。
【請求項４】
前記キャップのシーリング材は、フリットガラスを使用し、そのフリットガラスの質量比は、１０：１以上にガラス粉末とバインダとを混合して形成されることを特徴とする請求項１記載の電界放出ディスプレイのキャップシールリング方法。
【請求項５】
フレームにシーリング材を塗布してシーリング形成ユニットを形成する段階と、
シーリング形成ユニットを介して上部基板と下部基板とを整列させる段階と、
それら上部基板、下部基板及びシーリング形成ユニットを含むパネルを真空チャンバの内部に挿入させる段階とを有することを特徴とする請求項１記載の電界放出ディスプレイのキャップシールリング方法。
【請求項６】
前記フレームは、上部基板及び下部基板と同じ熱膨張係数を有する物質であることを特徴とする請求項５記載の電界放出ディスプレイのキャップシールリング方法。
【請求項７】
前記シーリング形成ユニットは、フレームの上／下部にスクリーンプリンティング方法によって各シーリング材を塗布することを特徴とする請求項５記載の電界放出ディスプレイのキャップシールリング方法。
【請求項８】
前記キャップは、底面に前記キャップのシーリング材が塗布され、前記パネルのホールを被覆するように形成されることを特徴とする請求項１記載の電界放出ディスプレイのキャップシールリング方法。
【請求項９】
前記キャップは、ロボットアームにより前記パネルの下部ガラス基板上のホールの上面に該ホールを被覆するように載置されることを特徴とする請求項８記載の電界放出ディスプレイのキャップシールリング方法。
【請求項１０】
前記キャップは、前記上部基板及び下部基板と同じ材質であることを特徴とする請求項１記載の電界放出ディスプレイのキャップシールリング方法。
【請求項１１】
前記キャップの熱膨張係数は、前記上部基板及び下部基板の熱膨張係数と殆ど同様なガラス材質であることを特徴とする請求項１記載の電界放出ディスプレイのキャップシールリング方法。
【請求項１２】
前記シーリング材硬化段階における雰囲気温度は、２００℃〜３５０℃に維持されることを特徴とする請求項１記載の電界放出ディスプレイのキャップシールリング方法。
【請求項１３】
前記キャップのシーリング材にレーザーが照射される時、前記キャップの高さが一定に維持されるように、該キャップに所定圧力が加えられることを特徴とする請求項１記載の電界放出ディスプレイのキャップシールリング方法。
【請求項１４】
前記キャップのシーリング材にレーザーが照射される時は、前記レーザーにより溶融されて前記キャップのシーリング材の高さが変わるのを防止するために前記キャップ及び下部ガラス基板が含まれた前記パネルの基準枠に所定圧力が加えられることを特徴とする請求項１記載の電界放出ディスプレイのキャップシールリング方法。
【請求項１５】
前記パネルは、上部ガラス基板及び下部ガラス基板を支持する複数のスペーサと、
それらスペーサと上部ガラス基板及び下部ガラス基板とを接着させるためのシーリング材とを有することを特徴とする請求項１記載の電界放出ディスプレイのキャップシールリング方法。
【請求項１６】
前記パネルは、上部ガラス基板と下部ガラス基板間の間隔を一定に維持するために補助ジグを備えていることを特徴とする請求項１記載の電界放出ディスプレイのキャップシールリング方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ）に係るもので、詳しくは、真空の空間内でキャップをシーリングし得る電界放出ディスプレイのキャップシールリング方法と、そのキャップを製造する方法とに関する。
【０００２】
【従来の技術】
最近、マルチメディアの発達に伴ってディスプレイに対する関心が高まり、かつその重要性が増加している。例えば、携帯型情報機器のように移動性が強調される環境においては、重さ、容積及び消費電力の少ないディスプレイが要求されている。また、大勢のための情報伝達媒体として使用される場合には、視野角が広い大画面のディスプレイが要求される。従って、このような要求を満足させるために既存のカソード線管に代わる軽くて薄いフラットパネルディスプレイの開発が必要となっている。現在、ディスプレイ装置の大部分を占めているカソード線管（ＣＲＴ）は、性能は優秀であるが、画面が大きくなるほど容積及び重さが増加し、かつ、高電圧及び高消費電力の問題が発生している。
【０００３】
従って、このような問題を解決するために現在用いられているフラットパネルディスプレイには、液晶表示装置（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、エレクトロルミネセンス（ＥＬ）及び電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ）などがある。
【０００４】
それら中、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ）は、従来のカソード線管のような３極管であるが、熱カソードを利用することなく、尖鋭なカソードを利用し、エミッタに高電界を集中することで、量子力学的なトンネル効果により電子を放出する例カソードが利用されている。
【０００５】
従って、エミッタから放出された電子は、アノードとカソードの間に印加された電圧により加速されてアノードに形成された蛍光体に衝突し、蛍光体を発光させるようになっている。且つ、ＦＥＤは電極構造が他のディスプレイに比べて比較的簡単で、電子線による蛍光体発光を利用して高速動作が可能であるため、フルカラー、フル-グレースケール、高い輝度、高いビデオレート速度などの長所を全て揃えている。
【０００６】
このような従来のＦＥＤは、図８及び図９に示したように、上部ガラス基板２及び下部ガラス基板８と、それら上部ガラス基板２と下部ガラス基板８間の真空空間を支持するスペーサ４０と、下部ガラス基板８上に形成される電界放出アレイ３２とを備えている。
【０００７】
電界放出アレイ３２は、下部ガラス基板８上に順次形成されるカソード電極１０と、抵抗層１２と、抵抗層１２の上に形成されるゲート絶縁層１４及び電子放出源であるエミッタ２２と、前記ゲート絶縁層１４上に形成されるゲート電極１６とからなっている。
【０００８】
カソード電極１０はエミッタ２２に電流を供給し、抵抗層１２はカソード電極１０からエミッタ２２側に印加される過電流を制限してエミッタ２２に均一な電流を供給する役割を果たしている。
【０００９】
ゲート絶縁層１４はカソード電極１０とゲート電極１６間を絶縁し、ゲート電極１６は電子を引出させるための引出電極として利用される。又、スペーサ４０は上部ガラス基板２と下部ガラス基板８間の高真空状態を維持させるために上部ガラス基板２と下部ガラス基板８を所定の間隔に支持する。
【００１０】
又、画像を表示するために、カソード電極１０には負極性（−）のカソード電圧が印加されてアノード電極４には正極性（＋）のアノード電圧が印加され、ゲート電極１６には、正極性（＋）のゲート電圧が印加される。従って、カソード電極１０及びゲート電極１６に充分な電圧が印加されることで、強い電界が形成され、その形成された電界によってエミッタ２２のチップから量子力学的トンネルリング現象が発生して電子３０が放出される。次いで、放出された電子３０は、ゲート電極のホールを通過して赤、緑及び青色を発色する蛍光体６に衝突して励起させ、蛍光体６によって赤、緑及び青色中、何れか一つの可視光を発光させる。
【００１１】
又、従来のフォーカシング電極が形成された電界放出ディスプレイにおいては、図１０に示したように、ゲート電極１６上には、エミッタ２２から放出された電子３０を集束するためのフォーカシング電極２０が形成され、そのフォーカシング電極２０に負極性（−）のフォーカシング電圧を印加して電子ビーム３０を蛍光体６に集束させるようになっている。また、フォーカシング電極２０とゲート電極１６間にはフォーカシング絶縁層１８が形成される。
【００１２】
このように構成された従来のＦＥＤは、駆動特性上、パネルの内部真空が１０−６Torr以上の高真空を要求するため、例えば、ゲート電極１６とエミッタ２２の間はサブミクロン程度の距離が維持されて、１０７Ｖ／ｃｍ程度の高電界が印加される。このとき、若し、上部ガラス基板２と下部ガラス基板８間に高真空が維持されないと、ゲート電極１６とエミッタ２２間で絶縁破壊が発生する恐れがある。即ち、パネルの内部に存在している各中性粒子が電子ビームと衝突して陽イオンが発生する。その陽イオンがエミッタ２２チップにスパッタリングされて素子を劣化させる。一方、中性粒子と衝突した電子３０は、エネルギーを失って蛍光体６を充分に励起させることができなくなるため、発光輝度が低下する。
【００１３】
以下、このように構成された従来の電界放出ディスプレイのパッケージング工程に対し、説明する。
【００１４】
図１１は、従来の電界放出ディスプレイに対し、大気中で真空ポンプを用いて真空パッケージングする工程を示したフローチャートで、図１２は、従来の電界放出ディスプレイに対するチューブ設置工程及びシーリング材塗布工程を夫々示した図である。
【００１５】
チューブ設置工程は、図１１及び図１２に示したように、下部ガラス基板８上に第１シーリング材としてフリットガラスを塗布した後、チューブ５０を設置する（ＳＴ２）。この時、チューブ５０は、下部ガラス基板８のホール５１に形成される。
【００１６】
次いで、上部ガラス基板２には、スペーサ４０を形成してその周辺部に第２シーリング材５４としてフリットガラスを配置して乾燥させる（ＳＴ４）。この時、第２シーリング材５４は、スペーサ４０より所定値（Ｈ１：普通、１ｍｍ〜２ｍｍ）以上高く設置される。その理由は、仮焼成の時、フリットガラスの高さが３０％〜４０％減るからである。
【００１７】
次いで、上部ガラス基板２に第２シーリング材５４を形成した後、その第２シーリング材５４を仮焼成する（ＳＴ６）。
【００１８】
図１３は、従来のシーリング材仮焼成工程を示した例示図で、図示されたように、仮焼成するときは、シーリング材５４のフリットガラスに含まれる有機物成分のバインダを完全に燃やし尽くすためにフリット材質によって夫々異なる焼成温度を用いる。一般に、仮焼成は、第２シーリング材５４を約３００℃の温度で３０分〜１時間の間保持する。このようにして、第２シーリング材５４を仮焼成した後、上部ガラス基板２と下部ガラス基板８を押しつけながら整列させて接着する。
【００１９】
次いで、上部ガラス基板２及び下部ガラス基板８を加熱チャンバに入れて第１シーリング材５２と２シーリング材５４を本燒結する（ＳＴ６）。
【００２０】
次いで、図１４に示したように、パネルを加熱チャンバ７０に入れて仮焼成温度より高い約４００℃〜４５０℃の温度で本焼成を施す。その際、大気圧雰囲気下で本焼成工程を施すと、ＦＥＤの電子放出源のカソード電極１０、ゲート絶縁層１４、ゲート電極１６、エミッタ２２、フォーカシング絶縁層１８及びフォーカシング電極２０が大気中の酸素又は炭素と反応して損傷される恐れがある。特に、エミッタのような金属物質は容易に酸化される。それによって発光特性が大きく低下する。
【００２１】
従って、このような損傷を防止するため、加熱チャンバ７０から延ばされたチューブ５６を利用してパネルの内部に窒素及びアルゴンなどの不活性ガス５８を供給することで、高温工程中に電界放出アレイの各素子が酸素と反応しないようにする。
【００２２】
又、図１５は、従来のシーリング材本焼成工程を示した他の例示図で、示されたように、加熱チャンバ７０の内部の下段及び上段にガス吸気ポート６０とガス吐出ポート６２を夫々設置して窒素及びアルゴンの不活性ガスを加熱チャンバ７０の内部に流入させて高温工程中に電子放出源物質が酸素と反応しないようにしている。この時、不活性ガスの流入は、吐出ポート６２の外側のバルブを遮断した状態で吸気ポート６０を開放することで、ガスの流入を１０〜２０分の間持続させ、加熱を施して内部を充分に窒素及びアルゴンの不活性ガス雰囲気とした後に、外方側のバルブを開放して流れを継続進行させる。
【００２３】
このような雰囲気下でパネルの温度を約４００℃〜４５０℃の温度で３０分〜１時間の間維持させると、第１及び第２シーリング材５２、５４が本焼成されて完全なパネルのシーリングが行われる。このような従来のシーリング方法を大気シーリング方法と定義する。この時、第２シーリング材５４の高さは、焼成工程中に収縮されてスペーサより高いフリットガラスとスペーサ４０の高さと殆ど同じになる。
【００２４】
図１６は、従来のチューブにゲッタが挿合されることを示した例示図で、図１７は、従来のチューブの切断工程を示した例示図で、図示されたように、上部ガラス基板２と下部ガラス基板８とを接着した後、チューブ５０を通ってパネルの内部にゲッタ６６を入れてポンピング工程を遂行する（図１１のＳＴ８）。即ち、加熱チャンバ７０の内部で上部ガラス基板２と下部ガラス基板８とが接着されたパネルを加熱すると同時に、真空ポンプ７２を利用してパネルの内部をポンピングし、パネルが所望の真空度に至った時、チューブ５０の中間部分を局部加熱装置６８により加熱してチューブ５０を切り出してパネルを加熱チャンバ６４と隔離させる（Ｓ１０）。
【００２５】
このとき、チューブ５０を切り出すピンチオフ工程は大気中に露出されたチューブ５０を切り出すため、パネルの真空度が低くなる。このように真空度が低くなったパネルの真空度を高めるためにパネルの内部のゲッタ６６に温度を加えてゲッタ６６を活性化させる（Ｓ１２）。ゲッタ６６が活性化されると、パネルの真空度が高くなるので、真空度を再び回復させて最終のパネルを完成する。
【００２６】
【発明が解決しようとする課題】
このような従来のＦＥＤのピンチオフ工程においては、上記のようにピンチオフが大気中で行なわれるため、ホール５１を通って酸素が流入する。このようにパネルの内部に酸素が流入すると、エミッタのような金属物質が容易に酸化されるため、ＦＥＤの寿命が短縮されて発光特性が低下するという不都合な点があった。
【００２７】
且つ、酸素の流入によってパネルの各場所ごとにディスプレイ時の色純度の差が発生するという不都合な点があった。又、従来のパネルシーリング方法は、高温で行なわれるため、工程時間が長引くという不都合な点があった。且つ、チューブ５０設置工程中、チューブは、第１シーリング材５２により下部ガラス基板８に取り付けられるため、第１シーリング材５２の有機バインダによって下部ガラス基板８に形成された各電極が汚染されるという不都合な点があった。
【００２８】
本発明は、このような従来の課題に鑑みてなされたもので、真空空間でキャップをシーリングすることで、酸素がパネルの内部に流入されることを防止することができる電界放出ディスプレイのキャップシールリング方法を提供することを目的とする。
【００２９】
又、キャップを製造する時、焼成工程によってキャップに塗布されたシーリング材中の有機バインダを除去することで、パネルに形成された各電極の汚染を防止することができる電界放出ディスプレイのキャップ製造方法を提供することを目的とする。
【００３０】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するため、本発明に係る電界放出ディスプレイのキャップシールリング方法は、真空チャンバの内部でホールが形成されたパネルの基板にシーリング材が塗布されたキャップを位置させる段階と、ホールを被覆するためにキャップのシーリング材にレーザーを照射して硬化させる段階とを有することを特徴とする。
【００３１】
又、本発明に係る電界放出ディスプレイのキャップ製造方法は、ガラス材質の基板にシーリング材を塗布する段階と、そのシーリング材が塗布されたガラス材質の基板を焼成する段階と、シーリング材が塗布されたガラス材質の基板を切断する段階とを有することを特徴とする。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態に対し、図を用いて説明する。
図１〜図３は、本発明実施形態に係る電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ）パネルの真空シーリング方法を示した図である。図１〜図３に示したように、本実施形態に係るＦＥＤのシーリング形成ユニット１１０は、フレーム１００と、本フレーム１００の上／下部に塗布される第１及び第２シーリング材１０２、１０４とからなる。且つ、シーリング形成ユニット１１０上下双方にあるそれぞれの第１及び第２シーリング１０２、１０４のフレーム１００と反対側にはそれぞれ上部ガラス基板１０６及び下部ガラス基板１０８が整列されている。上部ガラス基板１０６と下部ガラス基板１０８間には、パネルの内部に残留するガス成分を吸収して高真空状態を維持させるためのゲッタ１２２が挿入される。
【００３３】
以下、このように構成されたＦＥＤパネルの真空シーリング方法に対し、説明する。
【００３４】
フレーム１００は、上部ガラス基板１０６及び下部ガラス基板１０８と同じ熱膨張係数を有する物質から選択されるが、例えば、ガラス材質から選択される。
【００３５】
ペースト状態のフリットガラスは粘性を有するが、粘度が低いと、成形と同時にフリットガラスが流れてて高さの調節が容易でないため、第１及び第２シーリング材１０２、１０４の塗布は、従来のようにスクリーンプリンティング方法が用いられる。
【００３６】
次いで、上部ガラス基板１０６、下部ガラス基板１０８及びシーリング形成ユニット１１０は、真空チャンバー１２０に移動される。
【００３７】
その際、それらの上下のガラス基板１０６、１０８の間には、補助ジグとして、四つ以上の補助ジグ１１２を設けて上部ガラス基板１０６と下部ガラス基板１０８間の間隔を一定に維持する。次いで、下部ガラス基板１０８に所定荷重を加えて上部ガラス基板１０６と下部ガラス基板１０８を接着する。このようなシーリング方法を真空シーリング方法と定義する。
【００３８】
図４は、本発明に係る電界放出ディスプレイのキャップシールリング方法の実施形態を示した説明図で、図示されたように、本発明に係る電界放出素子のキャップシーリング方法は、真空シーリング方法により下部ガラス基板１０８と上部ガラス基板１０６とを接着させた後、キャップシールリング方法として真空チャンバの内部にホール１２４が穿孔形成されたパネルを入れて、そのパネルの下部基板のホール１２４の上面に、シーリング材が塗布されたキャップ１３６を載せる。次いで、キャップ１３６のシーリング材１３８にレーザーを照射して硬化させ、ホールを被覆する。
【００３９】
又、本発明に係るキャップシールリング方法の他の実施形態として、従来の大気シーリング方法により下部ガラス基板１０８と上部ガラス基板１０６とを接着させた後に、本発明方法を適用することができる。この時、従来の大気シーリング方法におけるチューブ５０は設ける必要がない。
【００４０】
以下、本発明に係るＦＥＤパネルのキャップシールリング方法に対し、説明する。
【００４１】
即ち、図４に示したように、大気シーリング方法又は真空シーリング方法によって接着された上部ガラス基板１４０と下部ガラス基板１３０の内部には、上部ガラス基板１４０と下部ガラス基板１３０を支持するための複数のスペーサ１４４が設置され、かつ上部ガラス基板１４０と下部ガラス基板１３０とを接着させるためのシーリング形成ユニット１１０が設置されている。下部ガラス基板１３０にはホール１３２が穿孔形成されている。
【００４２】
次いで、相互接着された上部ガラス基板１４０と下部ガラス基板１３０からなるパネルが、真空チャンバ１４２の内に入れられる。真空チャンバ１４２は、パネルが挿入された後、真空ポンプにより所定圧力（好ましくは、１０−７ Torr）の真空状態に排気され、ホール１３２を通ってパネルの内部も排気されてパネルの内部が真空状態になる。
【００４３】
次いで、シーリング材が塗布されたキャップ１３６を、下部ガラス基板のホール１３２を被覆するように載せる。このとき、真空状態のパネルの内部ではロボットアーム（図示されず）によってキャップ１３６を下部ガラス基板のホール１３２に載せる。これによって、キャップのシーリング材１３８により下部ガラス基板のホール１３２にキャップ１３６が被覆される。
【００４４】
次いで、図５（Ａ）、（Ｂ）に示したように、レーザー１４６をキャップ１３６のシーリング材１３８に照射すると、シーリング材１３８が硬化してキャップ１３６が下部ガラス基板１３０に接着される。
【００４５】
例えば、キャップ１３６に塗布されたシーリング材１３８を、キャップ１３６を下面に環状に塗布しているときは、レーザー１４６をシーリング材１３８に円状に照射する。そのとき、キャップ１３６に塗布されたシーリング材１３８の径が小さいとき、シーリング材１３８はその中心部が焼成されるとき、殆ど溶融される。一方、キャップ１３６に塗布されたシーリング材１３８の径が大きい時は、シーリング材１３８を何度かレーザー１４６を照射してキャップ１３６を下部ガラス基板１３０に密着させる。その際、レーザー１４６の局部的な高温エネルギーによりキャップ１３６又は上部／下部ガラス基板１４０、１３０が破損するのを防止するため、２００℃〜３５０℃の温度とする。したがって、キャップシールリング材１３８の焼成時に酸化及びその他の熱工程による素子の損傷を最小にすることができると共に、従来の焼成方法に比べて焼成温度差だけ工程時間を短縮させることができる。
【００４６】
図６は、本発明に係るキャップのシーリング材と下部基板の間にレーザーを照射する時、シーリング材が硬化される過程を示した説明図である。図示されたように、第１シーリング材部分１５２は、レーザー１４６が最初に照射された地点から現在の地点までの範囲を示すもので、エネルギーを受けて溶解された後、固体化されている。現在、レーザー１４６が位置された第２シーリング材部分１５４は溶解が進行している部分を示す。これに対して、第３シーリング材部分１５０は、レーザー１４６によりまだ焼成されていない仮焼成状態の部分を示す。このように、レーザー１４６による接着が順次行われるため、シーリング材１３８が溶融した箇所もレーザー１４６のエネルギーが到達しない箇所によって支持されている。したがって、第１シーリング材部分１５２は所定の高さをそのまま維持した状態で溶解された後、固体化が進行するため、仮焼成状態の第３シーリング材部分１５０と同じ高さを維持している。同様に、第２シーリング材部分１５４もレーザーの照射が進行中であるが、第１及び第３シーリング材部分１５０、１５２により支持されているため、シーリング材１３８の高さの差は変化することがない。
【００４７】
然し、レーザー１４６の照射速度が速い時、レーザー１４６が照射される第１シーリング材部分１５２が広く分布されているため、若干のキャップ１３６の収縮が起ることがある。このような場合は、キャップ１３６及び下部ガラス基板１３０を含むパネルの基準枠の上段に所定圧力を加えてレーザー１４６を照射することで、キャップ１３６の高さの差の変化を防止することができる。
【００４８】
図７は、本発明に係る電界放出ディスプレイのキャップ製造方法の実施形態を示した図で、図示されたように、先ず、ガラス材質の基板１６０を準備する。ガラス材質の基板１６０は、上部ガラス基板１４０と下部ガラス基板１３０と同様な材質が利用される。
【００４９】
次いで、ガラス基板１６０上にスクリーンプリンティング方法を利用して環状に複数のシーリング材１３８を塗布する。この時、環状のシーリング材１３８の内側には、シーリング材１３８がホール１３２と重畳されないようにシーリング材１３８を塗布しない。又、キャップ１３６のシーリング材１３８は、レーザー１４６の入射エネルギーを容易に吸収すると共に、パネルの内部の真空が確実に維持されるように数μｍ〜数百μｍの厚さにプリンティングされる。又、シーリング材１３８はフリットガラスを使用する。そのフリットガラスは、質量比１０：１以上にガラス粉末とバインダとを混合して形成される。
【００５０】
ガラス基板１６０上にシーリング材１３８がプリンティングされた後、ガラス基板１６０は、３００℃〜４００℃の温度に焼成される。この時、シーリング材１３８に含まれた有機バインダの成分が完全に焼き尽くされて除去される。
【００５１】
最後に、ガラス基板１６０は、所定大きさにカッティングされてシーリング材１３８がプリンティングされたキャップ１３６が形成される。
【００５２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る電界放出ディスプレイのキャップシールリング方法及びその製造方法においては、真空空間でキャップをシーリングすることで、キャップシールリング工程中に酸素がパネルの内部に流入することを防止し得るという効果がある。従って、酸化及びその他の熱工程による素子の損傷を最小にでき、ディスプレイ時にパネルの各箇所毎に一定の色純度を維持することができるという効果がある。又、従来の焼成方法に比べて焼成温度差だけ製造時間を短縮し得るという効果がある。又、従来の大気シーリング方法のように、パネルに直接チューブ５０を設置する必要がないため、工程が簡単になり工程時間を短縮し得るという効果がある。又、キャップ製造時に焼成工程によってキャップに塗布されたシーリング材に含まれていた有機バインダを除去するため、下部ガラス基板に形成された各電極の汚染を防止し得るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明実施形態におけるＦＥＤパネルの真空シーリング方法を示した説明図である。
【図２】  本発明実施形態におけるＦＥＤパネルの真空シーリング方法を示した説明図である。
【図３】  本発明実施形態におけるＦＥＤパネルの真空シーリング方法を示した説明図である。
【図４】  本発明に係る電界放出ディスプレイのキャップシールリング方法の実施形態を示した縦断面図である。
【図５】  キャップのシーリング材にレーザーが照射されることを示した説明図である。
【図６】  本発明に係るキャップのシーリング材と下部基板間にレーザーが照射される時にシーリング材が硬化される状態を示した説明図である。
【図７】  本発明に係る電界放出ディスプレイのキャップ製造方法の実施形態を示した平面図である。
【図８】  従来の電界放出ディスプレイの構造を示した斜視図である。
【図９】  従来の電界放出ディスプレイの構造を示した縦断面図である。
【図１０】  従来電界放出ディスプレイのフォーカシング電極の構成を示した縦断面図である。
【図１１】  従来の電界放出ディスプレイに対し、大気中の真空ポンプを用いて真空パッケージングする工程を示したフローチャートである。
【図１２】  従来の電界放出ディスプレイのチューブ設置工程及びシーリング材塗布工程を示した縦断面図である。
【図１３】  従来のシーリング材仮焼成工程を示した縦断面図である。
【図１４】  従来のシーリング材本焼成工程を示した縦断面図である。
【図１５】  従来のシーリング材本焼成工程の他の例を示した縦断面図である。
【図１６】  従来のチューブにゲッタが挿合されることを示した縦断面図である。
【図１７】  従来のチューブの切断工程を示した縦断面図である。
【符号の説明】
２、１０６、１４０：上部ガラス基板、４：アノード電極、６：蛍光体、８、１０８、１３０：下部ガラス基板、１０：カソード電極、１２：抵抗層、１４：ゲート絶縁層、１６：ゲート電極、１８：フォーカシング絶縁層、２０：フォーカシング電極、２２：エミッタ、３２：電界放出アレイ、４０：スペーサ、５０：チューブ、５１、１３２：ホール、５２：第１シーリング材、５４、１０４：第２シーリング材、５８：不活性ガス、６０：ガス吸気ポート、６２：ガス吐出ポート、６６、１２２：ゲッタ、６８：局部加熱装置、７０：加熱チャンバ、７２：真空ポンプ、１００：フレーム、１０２：第１シーリング材、１１０：シーリング形成ユニット、１１２：補助ジグ、１２０：真空チャンバ、１３４、１３８：シーリング材、１３６：キャップ、１４４：スペーサ、１４６：レーザー、１６０：基板。
【図１】
0004139699.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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