(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅箔、
前記銅箔の一方の表面に形成され、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、およびこれらの合金からなる群から選択される１種以上の金属を含む金属薄膜層、
前記金属薄膜層表面に形成され、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含むアモルファス複合金属酸化物からなる第一の複合金属酸化物薄膜層、ならびに
前記第一の複合金属酸化物薄膜層表面に形成され、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含む結晶性複合金属酸化物を少なくとも含む第二の複合金属酸化物薄膜層、
を有することを特徴とする薄膜複合材料。
【請求項２】
前記金属薄膜層の厚さが５０ｎｍ〜１μｍの範囲であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜複合材料。
【請求項３】
前記第一の複合金属酸化物薄膜層の厚さが１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜複合材料。
【請求項４】
前記第一の複合金属酸化物薄膜層の厚さと前記第二の複合金属酸化物薄膜層の厚さとの和が３０ｎｍ〜２μｍの範囲であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の薄膜複合材料。
【請求項５】
前記第二の複合金属酸化物薄膜層は、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含むアモルファス複合金属酸化物をさらに含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の薄膜複合材料。
【請求項６】
銅箔、前記銅箔の一方の表面に形成され、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、およびこれらの合金からなる群から選択される１種以上の金属を含む金属薄膜層、前記金属薄膜層表面に形成され、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含むアモルファス複合金属酸化物からなる第一の複合金属酸化物薄膜層、ならびに前記第一の複合金属酸化物薄膜層表面に形成され、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含む結晶性複合金属酸化物を少なくとも含む第二の複合金属酸化物薄膜層、を有する薄膜複合材料の、前記銅箔の他方の表面に絶縁材料層が形成され、前記第二の複合金属酸化物薄膜層の表面に導体層が形成されていることを特徴とする配線板用材料。
【請求項７】
前記金属薄膜層の厚さが５０ｎｍ〜１μｍの範囲であることを特徴とする請求項６に記載の配線板用材料。
【請求項８】
前記第一の複合金属酸化物薄膜層の厚さが１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項６または７に記載の配線板用材料。
【請求項９】
前記第一の複合金属酸化物薄膜層の厚さと前記第二の複合金属酸化物薄膜層の厚さとの和が３０ｎｍ〜２μｍの範囲であることを特徴とする請求項６〜８のいずれかに記載の配線板用材料。
【請求項１０】
前記第二の複合金属酸化物薄膜層は、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含むアモルファス複合金属酸化物をさらに含むことを特徴とする請求項６〜９のいずれかに記載の配線板用材料。
【請求項１１】
銅箔、前記銅箔の一方の表面に形成され、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、およびこれらの合金からなる群から選択される１種以上の金属を含む金属薄膜層、前記金属薄膜層表面に形成され、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含むアモルファス複合金属酸化物からなる第一の複合金属酸化物薄膜層、ならびに前記第一の複合金属酸化物薄膜層表面に形成され、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含む結晶性複合金属酸化物を少なくとも含む第二の複合金属酸化物薄膜層、を有する薄膜複合材料の、前記銅箔の他方の表面に絶縁材料層が形成され、前記第二の複合金属酸化物薄膜層の表面に導体パターンが形成されていることを特徴とする配線板。
【請求項１２】
前記金属薄膜層の厚さが５０ｎｍ〜１μｍの範囲であることを特徴とする請求項１１に記載の配線板。
【請求項１３】
前記第一の複合金属酸化物薄膜層の厚さが１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項１１または１２に記載の配線板。
【請求項１４】
前記第一の複合金属酸化物薄膜層の厚さと前記第二の複合金属酸化物薄膜層の厚さとの和が３０ｎｍ〜２μｍの範囲であることを特徴とする請求項１１〜１３のいずれかに記載の配線板。
【請求項１５】
前記第二の複合金属酸化物薄膜層は、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含むアモルファス複合金属酸化物をさらに含むことを特徴とする請求項１１〜１４のいずれかに記載の配線板。
【請求項１６】
銅箔、前記銅箔の一方の表面に形成され、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、およびこれらの合金からなる群から選択される１種以上の金属を含む金属薄膜層、前記金属薄膜層表面に形成され、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含むアモルファス複合金属酸化物からなる第一の複合金属酸化物薄膜層、ならびに前記第一の複合金属酸化物薄膜層表面に形成され、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含む結晶性複合金属酸化物を少なくとも含む第二の複合金属酸化物薄膜層、を有する薄膜複合材料の、前記第二の複合金属酸化物薄膜層の表面に導体層が形成されていることを特徴とする電子部品用材料。
【請求項１７】
前記金属薄膜層の厚さが５０ｎｍ〜１μｍの範囲であることを特徴とする請求項１６に記載の電子部品用材料。
【請求項１８】
前記第一の複合金属酸化物薄膜層の厚さが１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項１６または１７に記載の電子部品用材料。
【請求項１９】
前記第一の複合金属酸化物薄膜層の厚さと前記第二の複合金属酸化物薄膜層の厚さとの和が３０ｎｍ〜２μｍの範囲であることを特徴とする請求項１６〜１８のいずれかに記載の電子部品用材料。
【請求項２０】
前記第二の複合金属酸化物薄膜層は、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含むアモルファス複合金属酸化物をさらに含むことを特徴とする請求項１６〜１９のいずれかに記載の電子部品用材料。
【請求項２１】
銅箔、前記銅箔の一方の表面に形成され、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、およびこれらの合金からなる群から選択される１種以上の金属を含む金属薄膜層、前記金属薄膜層表面に形成され、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含むアモルファス複合金属酸化物からなる第一の複合金属酸化物薄膜層、ならびに前記第一の複合金属酸化物薄膜層表面に形成され、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含む結晶性複合金属酸化物を少なくとも含む第二の複合金属酸化物薄膜層、を有する薄膜複合材料の、前記銅箔の他方の表面に絶縁材料層が形成され、前記第二の複合金属酸化物薄膜層の表面にキャパシタ電極が形成されていることを特徴とする電子部品。
【請求項２２】
前記金属薄膜層の厚さが５０ｎｍ〜１μｍの範囲であることを特徴とする請求項２１に記載の電子部品。
【請求項２３】
前記第一の複合金属酸化物薄膜層の厚さが１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項２１または２２に記載の電子部品。
【請求項２４】
前記第一の複合金属酸化物薄膜層の厚さと前記第二の複合金属酸化物薄膜層の厚さとの和が３０ｎｍ〜２μｍの範囲であることを特徴とする請求項２１〜２３のいずれかに記載の電子部品。
【請求項２５】
前記第二の複合金属酸化物薄膜層は、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含むアモルファス複合金属酸化物をさらに含むことを特徴とする請求項２１〜２４のいずれかに記載の電子部品。
【請求項２６】
銅箔の一方の表面に、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、およびこれらの合金からなる群から選択される１種以上の金属を含む金属薄膜層を形成する工程、
前記金属薄膜層表面に、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含むアモルファス複合金属酸化物からなる第一の複合金属酸化物薄膜層を形成する工程、ならびに
前記第一の複合金属酸化物薄膜層表面に構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含む結晶性複合金属酸化物を少なくとも含む第二の複合金属酸化物薄膜層を形成する工程、を含み、少なくとも前記第一の複合金属酸化物薄膜層を形成する工程において、４００℃以下で熱処理を行うことを特徴とする薄膜複合材料の製造法。
【請求項２７】
前記金属薄膜層の厚さを５０ｎｍ〜１μｍの範囲に形成することを特徴とする請求項２６に記載の薄膜複合材料の製造法。
【請求項２８】
前記第一の複合金属酸化物薄膜層の厚さを１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲に形成することを特徴とする請求項２６または２７に記載の薄膜複合材料の製造法。
【請求項２９】
前記第一の複合金属酸化物薄膜層の厚さと、前記第二の複合金属酸化物薄膜層の厚さの合計が、３０ｎｍ〜２μｍの範囲となるようにそれぞれを形成することを特徴とする請求項２６〜２８のいずれかに記載の薄膜複合材料の製造法。
【請求項３０】
前記第二の複合金属酸化物薄膜層は、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含むアモルファス複合金属酸化物をさらに含むことを特徴とする請求項２６〜２９のいずれかに記載の薄膜複合材料の製造法。
【請求項３１】
銅箔の一方の表面に、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、およびこれらの合金からなる群から選択される１種以上の金属を含む金属薄膜層を形成する工程、
前記金属薄膜層表面に、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含むアモルファス複合金属酸化物からなる第一の複合金属酸化物薄膜層を形成する工程、
前記第一の複合金属酸化物薄膜層表面に、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含む結晶性複合金属酸化物を少なくとも含む第二の複合金属酸化物薄膜層を形成する工程、
前記銅箔の他方の表面に絶縁材料層を形成する工程、ならびに
前記第二の複合金属酸化物薄膜層の表面に導体層を形成する工程、
を含み、少なくとも前記第一の複合金属酸化物薄膜層を形成する工程において、４００℃以下で熱処理を行うことを特徴とする配線板用材料の製造法。
【請求項３２】
前記金属薄膜層の厚さを５０ｎｍ〜１μｍの範囲に形成することを特徴とする請求項３１に記載の配線板用材料の製造法。
【請求項３３】
前記第一の複合金属酸化物薄膜層の厚さを１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲に形成することを特徴とする請求項３１または３２に記載の配線板用材料の製造法。
【請求項３４】
前記第一の複合金属酸化物薄膜層の厚さと、前記第二の複合金属酸化物薄膜層の厚さの合計が、３０ｎｍ〜２μｍの範囲となるようにそれぞれを形成することを特徴とする請求項３１〜３３のいずれかに記載の配線板用材料の製造法。
【請求項３５】
前記第二の複合金属酸化物薄膜層は、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含むアモルファス複合金属酸化物をさらに含むことを特徴とする請求項３１〜３４のいずれかに記載の配線板用材料の製造法。
【請求項３６】
銅箔の一方の表面に、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、およびこれらの合金からなる群から選択される１種以上の金属を含む金属薄膜層を形成する工程、
前記金属薄膜層表面に、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含むアモルファス複合金属酸化物からなる第一の複合金属酸化物薄膜層を形成する工程、
前記第一の複合金属酸化物薄膜層表面に、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含む結晶性複合金属酸化物を少なくとも含む第二の複合金属酸化物薄膜層を形成する工程、
前記銅箔の他方の表面に絶縁材料層を形成する工程、ならびに
前記第二の複合金属酸化物薄膜層の表面に導体パターンを形成する工程、
を含み、少なくとも前記第一の複合金属酸化物薄膜層を形成する工程において、４００℃以下で熱処理を行うことを特徴とする配線板の製造法。
【請求項３７】
前記金属薄膜層の厚さを５０ｎｍ〜１μｍの範囲に形成することを特徴とする請求項３６に記載の配線板の製造法。
【請求項３８】
前記第一の複合金属酸化物薄膜層の厚さを１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲に形成することを特徴とする請求項３６または３７に記載の配線板の製造法。
【請求項３９】
前記第一の複合金属酸化物薄膜層の厚さと、前記第二の複合金属酸化物薄膜層の厚さの合計が、３０ｎｍ〜２μｍの範囲となるようにそれぞれを形成することを特徴とする請求項３６〜３８のいずれかに記載の配線板の製造法。
【請求項４０】
前記第二の複合金属酸化物薄膜層は、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含むアモルファス複合金属酸化物をさらに含むことを特徴とする請求項３６〜３９のいずれかに記載の配線板の製造法。
【請求項４１】
銅箔の一方の表面に、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、およびこれらの合金からなる群から選択される１種以上の金属を含む金属薄膜層を形成する工程、
前記金属薄膜層表面に、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含むアモルファス複合金属酸化物からなる第一の複合金属酸化物薄膜層を形成する工程、
前記第一の複合金属酸化物薄膜層表面に、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含む結晶性複合金属酸化物を少なくとも含む第二の複合金属酸化物薄膜層を形成する工程、ならびに
前記第二の複合金属酸化物薄膜層の表面に導体層を形成する工程、
を含み、少なくとも前記第一の複合金属酸化物薄膜層を形成する工程において、４００℃以下で熱処理を行うことを特徴とする電子部品用材料の製造法。
【請求項４２】
前記金属薄膜層の厚さを５０ｎｍ〜１μｍの範囲に形成することを特徴とする請求項４１に記載の電子部品用材料の製造法。
【請求項４３】
前記第一の複合金属酸化物薄膜層の厚さを１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲に形成することを特徴とする請求項４１または４２に記載の電子部品用材料の製造法。
【請求項４４】
前記第一の複合金属酸化物薄膜層の厚さと、前記第二の複合金属酸化物薄膜層の厚さの合計が、３０ｎｍ〜２μｍの範囲となるようにそれぞれを形成することを特徴とする請求項４１〜４３のいずれかに記載の電子部品用材料の製造法。
【請求項４５】
前記第二の複合金属酸化物薄膜層は、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含むアモルファス複合金属酸化物をさらに含むことを特徴とする請求項４１〜４４のいずれかに記載の電子部品用材料の製造法。
【請求項４６】
銅箔の一方の表面に、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、およびこれらの合金からなる群から選択される１種以上の金属を含む金属薄膜層を形成する工程、
前記金属薄膜層表面に、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含むアモルファス複合金属酸化物からなる第一の複合金属酸化物薄膜層を形成する工程、
前記第一の複合金属酸化物薄膜層表面に、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含む結晶性複合金属酸化物を少なくとも含む第二の複合金属酸化物薄膜層を形成する工程、
前記第二の複合金属酸化物薄膜層の表面に導体層を形成する工程、
前記銅箔の他方の表面に絶縁材料層を形成する工程、ならびに
前記導体層の不要な箇所をエッチング除去してキャパシタ電極を形成する工程、
を含み、少なくとも前記第一の複合金属酸化物薄膜層を形成する工程において、４００℃以下で熱処理を行うことを特徴とする電子部品の製造法。
【請求項４７】
前記金属薄膜層の厚さを５０ｎｍ〜１μｍの範囲に形成することを特徴とする請求項４６に記載の電子部品の製造法。
【請求項４８】
前記第一の複合金属酸化物薄膜層の厚さを１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲に形成することを特徴とする請求項４６または４７に記載の電子部品の製造法。
【請求項４９】
前記第一の複合金属酸化物薄膜層の厚さと、前記第二の複合金属酸化物薄膜層の厚さの合計が、３０ｎｍ〜２μｍの範囲となるようにそれぞれを形成することを特徴とする請求項４６〜４８のいずれかに記載の電子部品の製造法。
【請求項５０】
前記第二の複合金属酸化物薄膜層は、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含むアモルファス複合金属酸化物をさらに含むことを特徴とする請求項４６〜４９のいずれかに記載の電子部品の製造法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、配線板等の電子部品に好適に用いられる薄膜複合材料、およびこれを用いた配線板用材料、配線板、電子部品用材料、電子部品、ならびにこれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】  従来から、電子機器は、機能を増加し、しかも大きさ・重量を減少させることによって、新たな市場を開拓し、発達してきた。【０００３】  その電子機器に使用される配線板においても、配線板に搭載する各種部品の高密度実装化の要請から配線板の多層化が進み、さらに、日本国特開２００１−１６０６７２号公報にも記載されているように、その内層に回路要素（キャパシタ、インダクタ、抵抗）を形成した多層配線板が知られている。【０００４】  特に、所望の静電容量のキャパシタを形成するために、従来よりさまざまな手法が提案されており、例えば、前記、日本国特開２００１−１６０６７２号公報には、誘電体を形成し、その上下に対向するように電極を形成することによって、キャパシタを形成することが記載されている。【０００５】  このような誘電体を形成する方法としては、前記、日本国特開２００１−１６０６７２号公報には、可撓性金属基板上に誘電体ペーストを付着し、焼成し、焼成したペースト面が接着剤層でコーティングされた有機層に、焼成ペースト面が接着剤中に埋められるように付着することが記載されている。【０００６】  また、誘電体を形成する方法として、日本国特開８−２４５２６３号公報に記載されているように、特定の金属のアルコキシド化合物の有機溶媒溶液を複数混合し、基板上に塗布して、熱処理して、複合金属酸化物を誘電体として形成することが知られている。【０００７】  また、日本国特表２００３−５２６８８０号公報には、金属箔基板と結晶性誘電体層を備えた複層薄膜複合体が記載され、その製造法として、複数の金属のアルコキシド化合物の有機溶媒溶液を、基板に塗布し、熱処理することによって、複数の金属の酸化物の結晶性誘電体層を形成する、いわゆるゾル・ゲル法や、スパッタ蒸着法、有機金属化学蒸着法を用いて、金属基板上に結晶性誘電体層を形成する方法が記載されている。【０００８】  このような誘電体としては、前記、日本国特開２００１−１６０６７２号公報には、チタン酸バリウム、酸化チタンペーストを用いることが記載され、前記、日本国特開８−２４５２６３号公報には、周期律表ＩＡ族、ＩＩＡ族、ＩＩＩＡ族、ＩＶＢ族およびＶＢ族から選択された金属と、周期律表ＩＶＡ族、ＶＡ族から選択された金属の、酸化物を用いることが記載され、日本国特表２００３−５２６８８０号公報には、ＰＺＴを用いることが記載され、日本国特開１１−２５１１８５号には、Ｐｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｓｒを用いることが記載されている。
【発明の開示】
【０００９】  ところで、日本国特開２００１−１６０６７２号公報に記載の方法では、誘電体ペーストを焼成するため、高い温度で熱処理を行っている。しかし、金属基板に銅箔を用いる場合、高い温度で熱処理を行うと、銅が酸化して、導電性が低下するという課題があった。
【００１０】  また、日本国特開８−２４５２６３号公報に記載の方法でも、必要な焼成温度が４５０℃以上と高く、金属箔として銅を用いた場合、銅の酸化により絶縁性が低下し、信頼性の高く静電容量の大きいキャパシタが得られないという課題があった。
【００１１】  本発明は、このように高い温度で処理することなく、キャパシタの形成ができる薄膜複合材料、およびこれを用いた配線板用材料、配線板、電子部品用材料、電子部品、ならびにこれらの製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】  すなわち、本発明は、銅箔、前記銅箔の一方の表面に形成され、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、およびこれらの合金からなる群から選択される１種以上の金属（Ｃｒおよび／またはＮｉおよび／またはＡｕおよび／またはＡｇおよび／またはこれらの合金）を含む金属薄膜層、前記金属薄膜層表面に形成され、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含むアモルファス複合金属酸化物からなる第一の複合金属酸化物薄膜層、ならびに前記第一の複合金属酸化物薄膜層表面に形成され、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含む結晶性複合金属酸化物を少なくとも含む第二の複合金属酸化物薄膜層、を有することを特徴とする薄膜複合材料を提供する。
【００１３】  また、本発明は、前記金属薄膜層の厚さが５０ｎｍ〜１μｍの範囲であることを特徴とする上記薄膜複合材料を提供する。
【００１４】  また、本発明は、前記第一の複合金属酸化物薄膜層の厚さが１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲であることを特徴とする上記薄膜複合材料を提供する。
【００１５】  また、本発明は、前記第一の複合金属酸化物薄膜層の厚さと前記第二の複合金属酸化物薄膜層の厚さとの和が３０ｎｍ〜２μｍの範囲であることを特徴とする上記薄膜複合材料を提供する。
【００１６】  また、本発明は、前記第二の複合金属酸化物薄膜層が、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含むアモルファス複合金属酸化物をさらに含むことを特徴とする上記薄膜複合材料を提供する。
【００１７】  また、本発明は、上記本発明の薄膜複合材料の、銅箔の他方の表面に絶縁材料層が形成され、前記第二の複合金属酸化物薄膜層の表面に導体層が形成されていることを特徴とする配線板用材料を提供する。
【００１８】  また、本発明は、上記本発明の薄膜複合材料の、銅箔の他方の表面に絶縁材料層が形成され、前記第二の複合金属酸化物薄膜層の表面に導体パターンが形成されていることを特徴とする配線板を提供する。
【００１９】  また、本発明は、上記本発明の薄膜複合材料の、前記第二の複合金属酸化物薄膜層の表面に導体層が形成されていることを特徴とする電子部品用材料を提供する。
【００２０】  また、本発明は、上記本発明の薄膜複合材料の、銅箔の他方の表面に絶縁材料層が形成され、前記第二の複合金属酸化物薄膜層の表面にキャパシタ電極が形成されていることを特徴とする電子部品を提供する。
【００２１】  さらに、本発明は、銅箔の一方の表面に、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、およびこれらの合金からなる群から選択される１種以上の金属を含む金属薄膜層を形成する工程、前記金属薄膜層表面に構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含むアモルファス複合金属酸化物からなる第一の複合金属酸化物薄膜層を形成する工程、ならびに前記第一の複合金属酸化物薄膜層表面に、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含む結晶性複合金属酸化物を少なくとも含む第二の複合金属酸化物薄膜層を形成する工程、を含み、少なくとも前記第一の複合金属酸化物薄膜層を形成する工程において、４００℃以下で熱処理を行うことを特徴とする薄膜複合材料の製造法を提供する。
【００２２】  また、本発明は、前記金属薄膜層の厚さを５０ｎｍ〜１μｍの範囲に形成することを特徴とする上記薄膜複合材料の製造法を提供する。
【００２３】  また、本発明は、前記第一の複合金属酸化物薄膜層の厚さを１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲に形成することを特徴とする上記薄膜複合材料の製造法を提供する。
【００２４】  また、本発明は、前記第一の複合金属酸化物薄膜層の厚さと、前記第二の複合金属酸化物薄膜層の厚さの合計が、３０ｎｍ〜２μｍの範囲となるようにそれぞれを形成することを特徴とする上記薄膜複合材料の製造法を提供する。
【００２５】  また、本発明は、前記第二の複合金属酸化物薄膜層が、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含むアモルファス複合金属酸化物をさらに含むことを特徴とする上記薄膜複合材料の製造法を提供する。
【００２６】  また、本発明は、上記本発明の製造法により製造された薄膜複合材料の、銅箔の他方の表面に絶縁材料層を形成する工程と、第二の複合金属酸化物薄膜層の表面に導体層を形成する工程と、を含むことを特徴とする配線板用材料の製造法を提供する。
【００２７】  また、本発明は、上記本発明の製造法により製造された薄膜複合材料の、銅箔の他方の表面に絶縁材料層を形成する工程と、第二の複合金属酸化物薄膜層の表面に導体パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とする配線板の製造法を提供する。
【００２８】  また、本発明は、上記本発明の製造法により製造された薄膜複合材料の、第二の複合金属酸化物薄膜層の表面に導体層を形成する工程、を含むことを特徴とする電子部品用材料の製造法を提供する。
【００２９】  また、本発明は、上記本発明の製造法により製造された薄膜複合材料の、第二の複合金属酸化物薄膜層の表面に導体層を形成する工程と、銅箔の他方の表面に絶縁材料層を形成する工程と、前記導体層の不要な箇所をエッチング除去してキャパシタ電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする電子部品の製造法を提供する。
【００３０】  本発明によれば、４００℃以下の低温度で熱処理を行うことができ、銅箔上に信頼性の高い静電容量の大きいキャパシタを形成することができる薄膜複合材料を提供することができる。また、本発明の薄膜複合材料を用いて、信頼性の高く静電容量の大きいキャパシタを備えた配線板および電子部品を提供することができる。
【００３１】  本出願は、同出願人により先にされた日本国特許出願２００４−０４２７４９号（出願日２００４年２月１９日）に基づく優先権主張を伴うものであって、これらの明細書を参照のためにここに組み込むものとする。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】図１は、本発明の薄膜複合材料の一実施形態を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の薄膜複合材料の別の実施形態を示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の薄膜複合材料のさらに別の実施形態を示す断面図である。
【図４】図４は、本発明の薄膜複合材料を構成に含む配線板の一実施形態を示す断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】  以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。【００３４】  本発明の薄膜複合材料は、銅箔、前記銅箔の一方の表面に形成され、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、およびこれらの合金からなる群から選択される１種以上の金属を含む金属薄膜層、前記金属薄膜層表面に形成され、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含むアモルファス複合金属酸化物からなる第一の複合金属酸化物薄膜層、ならびに前記第一の複合金属酸化物薄膜層表面に形成され、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含む結晶性複合金属酸化物を少なくとも含む第二の複合金属酸化物薄膜層、を有することをその特徴するものである。【００３５】  構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを必須に含む複合金属酸化物は、セラミックスの中でも特に高誘電率（例えばＢａＴｉＯ３で１５００程度、ＳｒＴｉＯ３で２００程度）であり、キャパシタの材料として好適に用いることができる。もちろんその他の元素や金属酸化物を添加した複合金属酸化物、例えばＢａＴｉＯ３にＬａを添加してさらに高誘電率化を図った複合金属酸化物や、ＢａＴｉＯ３にＣａＴｉＯ３を添加して特性を調整した複合金属酸化物も好適に用いることができる。【００３６】  上記第一の複合金属酸化物薄膜層は、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含むアモルファス複合金属酸化物からなる。上記金属薄膜層と接する界面がアモルファスであるために、金属薄膜層の格子定数と複合金属酸化物の格子定数の不一致による欠陥が少なくなり、絶縁性が確保できる。金属薄膜層との界面が結晶領域である場合は、金属薄膜層の格子定数と複合金属酸化物の格子定数の不一致により複合金属酸化物薄膜層の形成時に加わった熱による熱ひずみ欠陥が金属薄膜層との界面に多く発生し、絶縁性が著しく低下する。また、金属薄膜層の格子定数に合わせて複合金属酸化物薄膜層をエピタキシャルに結晶化するためには高い温度での熱処理が必要となり、銅箔の酸化を招いて不都合である。【００３７】  第一の複合金属酸化物薄膜層の厚さは、１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲が好ましく、２０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲がより好ましい。第一の複合金属酸化物薄膜層の厚さが１０ｎｍ未満では、第一の複合金属酸化物薄膜層を設けてキャパシタの絶縁性を確保する効果が小さくなるおそれがあり、厚さが２００ｎｍを超えると、アモルファス複合金属酸化物の誘電率は結晶領域とアモルファス領域とからなる複合金属酸化物の誘電率に比べて一般に低いために、キャパシタの静電容量が小さくなるおそれがある。【００３８】  上記第二の複合金属酸化物薄膜層は、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含む結晶性複合金属酸化物を少なくとも含み、好ましくは、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含むアモルファス複合金属酸化物および構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含む結晶性複合金属酸化物の両方、つまり、結晶領域とアモルファス領域とを含む。全部が結晶領域の場合は、複合金属酸化物薄膜層の形成に高い温度、例えば６００℃以上を必要とするために、銅箔の酸化が進行しやすく絶縁性の高いキャパシタが得られ難い。全部がアモルファス領域の場合は、複合金属酸化物の誘電率が低いため静電容量の大きなキャパシタを得ることが困難になる。結晶領域とアモルファス領域とからなる複合金属酸化物薄膜層の形成は、比較的低い温度で行えるために銅箔の酸化が抑制でき、同時に誘電率の高い薄膜を得ることができる。複合金属酸化物薄膜層の結晶領域とアモルファス領域は、薄膜の断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて暗視野像観察することで識別できる。また前記第二の複合金属酸化物薄膜層は、前記結晶領域とアモルファス領域とからなる複合金属酸化物薄膜層と、全部がアモルファス領域からなる複合金属酸化物薄膜層との２層以上からなる積層構造であってもよい。【００３９】  第二の複合金属酸化物薄膜層と第一の複合金属酸化物薄膜層とを合わせた厚さは、３０ｎｍ〜２μｍの範囲が好ましく、５０ｎｍ〜１．５μｍの範囲がより好ましく、１００ｎｍ〜１μｍの範囲がさらに好ましい。第二の複合金属酸化物薄膜層の厚さが、３０ｎｍ未満の場合は、複合金属酸化物薄膜層の耐電界強度が低く、キャパシタの適用可能用途が限られるおそれがあり、厚さが２μｍを超えると、静電容量の大きなキャパシタが得られないおそれがある。【００４０】  上記金属薄膜層は、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、およびこれらの合金からなる群から選択される１種以上の金属を含み、コストの点からＣｒおよび／またはＮｉがより好ましく、環境汚染性の観点からＮｉがさらに好ましい。ＣｒとＮｉはそれら自身が安定な酸化皮膜を形成するために、また、ＡｕとＡｇはそれら自身が酸化されにくいために、複合金属酸化物薄膜層の形成時における銅箔の酸化を抑制し、キャパシタの絶縁性の確保に寄与する。これ以外の金属、例えばＳｉＯ２基板において酸化の抑制に多く使われているＰｔ、Ｔｉ、Ｐｄは、本発明のように銅箔上に形成した場合、複合金属酸化物薄膜層に割れが生じやすく、信頼性の高いキャパシタを得ることが難しい。合金としては、Ｃｒ、Ｎｉ、ＡｕまたはＡｇから選ばれる少なくともひとつまたは複数の成分を合金中に８０重量％以上含むものが好ましい。このような合金には、例えばＮｉ−Ｐ合金、Ｎｉ−Ｂ合金、Ｎｉ−Ｐ−Ｂ合金、Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｎｉ−Ｃｒ−Ａｌ合金、Ｎｉ−Ｃｒ−Ｓｉ合金、Ａｇ−Ｎｄ合金がある。Ｃｒ、Ｎｉ、ＡｕまたはＡｇから選ばれる少なくともひとつまたは複数の成分の含有率が８０重量％未満の場合は、キャパシタの絶縁性を確保する効果が低くなるおそれがある。コストの点と形成の容易さの点からＮｉ−Ｐ合金がより好ましい。【００４１】  金属薄膜層の厚さは、５０ｎｍ〜１μｍの範囲が好ましく、１００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲がより好ましい。厚さが５０ｎｍ未満では、絶縁性が低下する傾向があり、厚さが１μｍを超えると、コストの面で一般に不利である。金属薄膜層の厚さは薄膜層を集束イオンビーム加工装置（ＦＩＢ）で掘削し、得られた断面を走査イオン顕微鏡（ＳＩＭ）で観察して測長することで計測できる。【００４２】  複合金属酸化物薄膜層の形成方法は、第二の層、第一の層とにかかわらず、例えば、ゾル−ゲル法、スパッタ法、化学的気相堆積法（ＣＶＤ）が好適に用いられる。複合金属酸化物を所望の組成に調整しやすい点でゾル−ゲル法がより好ましい。複���金属酸化物薄膜層の形成時における銅箔の酸化を抑制するために、形成温度は４００℃以下が好ましく、３５０℃以下がより好ましい。【００４３】  銅箔上への金属薄膜層の形成方法には、特に限定されないが、例えば、めっき法、蒸着法、スパッタ法などを好適に用いることができる。【００４４】  銅箔は、一般に用いられる銅箔であれば特に限定されず、例えば、耐熱や防錆の目的で表面にＺｎやクロメートによる処理が施されているもの、接着性を向上するために表面が粗化されているもの、特性改善の目的でその他の元素、例えばＳｎを微量添加したものなど、いずれも好適に使用できる。銅箔の厚さは特に限定しないが、取り扱い性の点から１０μｍ〜１００μｍの厚さであることが好ましい。【００４５】  本発明の配線板用材料は、上記本発明の薄膜複合材料の、銅箔の他方の表面に絶縁材料層が形成され、前記第二の複合金属酸化物薄膜層の表面に導体層が形成されていることをその特徴とするものである。絶縁材料層に用いる絶縁材料は、配線板用材料として公知のものを使用することができ、上記導体層は、例えば、めっき法、蒸着法、スパッタ法など、公知の金属層形成手段により形成することが可能である。【００４６】  また、本発明の配線板は、上記本発明の薄膜複合材料の、銅箔の他方の表面に絶縁材料層が形成され、前記第二の複合金属酸化物薄膜層の表面に導体パターンが形成されていることを特徴とするものである。上記導体パターンは、例えば、めっき法、蒸着法、スパッタ法など、公知の金属層形成手段と公知のエッチング手段により形成することが可能である。【００４７】  本発明の電子部品用材料は、上記本発明の薄膜複合材料の、前記第二の複合金属酸化物薄膜層の表面に導体層が形成されていることをその特徴とするものである。【００４８】  また、本発明の電子部品は、上記本発明の薄膜複合材料の、銅箔の他方の表面に絶縁材料層が形成され、前記第二の複合金属酸化物薄膜層の表面にキャパシタ電極が形成されていることを特徴とするものである。絶縁材料層に用いる絶縁材料は、電子部品用材料として公知のものを使用することができる。キャパシタ電極は、例えば、めっき法、蒸着法、スパッタ法など、公知の金属層形成手段と公知のエッチング手段により形成することが可能である。【００４９】  さらに、本発明の配線板用材料、配線板、電子部品用材料、および電子部品は、公知の接着剤、接着シートまたはプリプレグなどを用いて他の基板と接着して多層化することで、キャパシタ機能を備えた多層配線板や電子部品をとすることが可能である。また、さらに積層を繰り返すことで、キャパシタが内層に埋め込まれた多層配線板を提供することも可能である。【００５０】  次に本発明の薄膜複合材料のいくつかの形態、および本発明の配線板を図面を用いて説明する。【００５１】  図１は、本発明に係る薄膜複合材料の一実施形態を模式的に示した断面図である。なお、ここで明記するが、本件明細書において使用した断面図は、あくまでも模式図であり、層構成が明確に把握できるように記載しているのであり、それゆえ図中の各層の厚さは現実の製品に対応したものではない。薄膜複合材料１は、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを必須に含む第二の複合金属酸化物薄膜層２と、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含むアモルファス複合金属酸化物からなる第一の複合金属酸化物薄膜層３と、金属薄膜層４と、銅箔５とを含んでいる。ここで第二の複合金属酸化物薄膜層２は、結晶領域２ａとアモルファス領域２ｂとからなる。【００５２】  図２は本発明に係る薄膜複合材料の別の実施形態を模式的に示した断面図である。第二の複合金属酸化物薄膜層６は、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを必須に含み、結晶領域とアモルファス領域とを含む複合金属酸化物薄膜層６ａと、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含むアモルファス複合金属酸化物からなる別の複合金属酸化物薄膜層６ｂとが積層されてなる。【００５３】  図３は本発明に係る薄膜複合材料のさらに別の実施形態を模式的に示した断面図である。第二の複合金属酸化物薄膜層７は、構成元素としてＢａおよび／またはＳｒと、Ｔｉとを含み、結晶領域とアモルファス領域とを含む複合金属酸化物薄膜層７ａと、結晶領域とアモルファス領域とを含み、７ａとは構成元素および／または組成の異なる別の複合金属酸化物薄膜層７ｂと、７ａおよび７ｂとは構成元素および／または組成の異なるアモルファス複合金属酸化物からなる別の複合金属酸化物薄膜層７ｃとが積層されてなる。【００５４】  図４は本発明に係る薄膜複合材料を構成に含む配線板の一実施形態を模式的に示した断面図である。配線板８は、本発明の薄膜複合材料９と基板１０とが接着シート１１により積層されてなり、さらに、本発明の薄膜複合材料９の第二の複合金属酸化物薄膜層９ａ上に、めっき法、蒸着法、スパッタ法、エッチングまたはこれらの組み合わせ等により形成された電極１２と、本発明の薄膜複合材料９に含まれる銅箔９ｄをエッチング等により加工して形成された、電極１２に対向する電極１３とを構成電極とするキャパシタを備えてなる。なお、第二の複合金属酸化物薄膜層９ａ、第一の複合金属酸化物薄膜層９ｂ、および金属薄膜層９ｃは、それらの不要な部分がエッチング等により除去されている。【００５５】  次に実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【実施例１】
【００５６】  Ｂａ（ＯＣ２Ｈ５）２およびＴｉ（Ｏ−ｉ−Ｃ３Ｈ７）４を、ＢａとＴｉのモル比が１：１となるように、モレキュラー・シーブで脱水した２−メトキシエタノールに溶解させて０．６Ｍの溶液を得た。次に、この溶液を攪拌しながら１２０℃で１８時間還流させて、複合金属アルコキシド：ＢａＴｉ（ＯＣ２Ｈ４ＯＣＨ３）６の溶液Ａを得た。【００５７】  次いで、溶液Ａの一部を、溶液濃度が０．２Ｍとなるように２−メトキシエタノールで希釈した溶液Ｂを得た。一方、溶液Ａの一部に、Ｔｉとのモル比が１：１となる水および１：０．１５となるアンモニアを加え、１００℃で３時間攪拌した後、０．２Ｍとなるように２−メトキシエタノールで希釈した結晶性の金属酸化物粒子を含む溶液Ｃを得た。この０．２Ｍに調製した２種の溶液Ｂおよび溶液Ｃを体積比で１：１となるように混合して溶液Ｄ（複合金属アルコキシド化合物の総和／結晶性の金属酸化物粒子＝５０ｍｏｌ％／５０ｍｏｌ％）を得た。【００５８】  一方、１０ｃｍ×１０ｃｍの大きさの厚さ７０μｍの銅箔（例えば、三井金属鉱業（株）製３ＥＣ−ＶＬＰ−７０）の光沢面側に、スパッタ法により厚さ５００ｎｍのＮｉ薄膜層を形成して、Ｎｉ薄膜層付の銅箔を得た。【００５９】  次に、このＮｉ薄膜層付の銅箔のＮｉ薄膜層側に、溶液Ｂをスピンコートした。３５０℃のホットプレート上で４分間乾燥後、再び溶液Ｂをスピンコートし同様に乾燥することで第一の複合金属酸化物層を形成した。さらに、当該第一の複合金属酸化物層上に溶液Ｄをスピンコートし同様に乾燥する操作を８回繰り返すことで、第二の複合金属酸化物層を形成した。その後、３５０℃のホットプレート上で２時間焼成し、薄膜複合材料１を得た。【００６０】（比較例１）
銅箔の表面に形成した金属薄膜層の種類をＮｉからＰｔに変えて、その他は実施例１と同様にして薄膜複合材料２を得た。【００６１】（比較例２）
銅箔の表面にＮｉ薄膜層を形成しないで直接溶液Ｂをスピンコートして、その他は実施例１と同様にして薄膜複合材料３を得た。【００６２】（比較例３）
溶液Ｂのスピンコートを省いて、その他は実施例１と同様にして薄膜複合材料４を得た。
【実施例２】
【００６３】  銅箔の表面にＮｉ薄膜層の代わりにＣｒ薄膜を５０ｎｍ形成して、その他は実施例１と同様にして薄膜複合材料５を得た。
【実施例３】
【００６４】  溶液Ｂのスピンコート回数を２回から６回に変えて、その他は実施例１と同様にして薄膜複合材料６を得た。
【実施例４】
【００６５】  溶液Ｄのスピンコート回数を８回から２４回に変えて、その他は実施例１と同様にして薄膜複合材料７を得た。
【実施例５】
【００６６】  Ｓｒ（ＯＣ２Ｈ５）２およびＴｉ（Ｏ−ｉ−Ｃ３Ｈ７）４を、ＳｒとＴｉのモル比が１：１となるように、モレキュラー・シーブで脱水した２−メトキシエタノールに溶解させて０．６Ｍの溶液を得た。次に、この溶液を攪拌しながら１２０℃で１８時間還流させて、複合金属アルコキシド：ＳｒＴｉ（ＯＣ２Ｈ４ＯＣＨ３）６の溶液Ｅを得た。【００６７】  次いで、溶液Ｅの一部を、溶液濃度が０．２Ｍとなるように２−メトキシエタノールで希釈した溶液Ｆを得た。一方、溶液Ｅの一部に、Ｔｉとのモル比が１：１となる水および１：０．１５となるアンモニアを加え、１００℃で３時間攪拌した後、０．２Ｍとなるように２−メトキシエタノールで希釈した結晶性の金属酸化物粒子を含む溶液Ｇを得た。この０．２Ｍに調製した２種の溶液Ｆおよび溶液Ｇを体積比で１：１となるように混合して溶液Ｈを得た。（複合金属アルコキシド化合物の総和／結晶性の金属酸化物粒子＝５０ｍｏｌ％／５０ｍｏｌ％）
一方、１０ｃｍ×１０ｃｍの大きさの厚さ７０μｍの銅箔（例えば、三井金属鉱業（株）製３ＥＣ−ＶＬＰ−７０）の光沢面側に、スパッタ法により厚さ５００ｎｍのＮｉ薄膜層を形成して、Ｎｉ薄膜層付の銅箔を得た。【００６８】  次に、このＮｉ薄膜層付の銅箔のＮｉ薄膜層側に、溶液Ｆをスピンコートした。３５０℃のホットプレート上で４分間乾燥後、再び溶液Ｆをスピンコートし同様に乾燥することで第一の複合金属酸化物層を形成した。さらに、当該第一の複合金属酸化物層上に溶液Ｈをスピンコートし同様に乾燥する操作を８回繰り返すことで、第二の複合金属酸化物層を形成した。その後、３５０℃のホットプレート上で２時間焼成し、薄膜複合材料８を得た。
【実施例６】
【００６９】  Ｂａ（ＯＣ２Ｈ５）２およびＳｒ（ＯＣ２Ｈ５）２およびＴｉ（Ｏ−ｉ−Ｃ３Ｈ７）４を、ＢａとＳｒとＴｉのモル比が１：１：２となるように、モレキュラー・シーブで脱水した２−メトキシエタノールに溶解させて０．６Ｍの溶液を得た。次に、この溶液を攪拌しながら１２０℃で１８時間還流させて、複合金属アルコキシド：Ｂａ０．５Ｓｒ０．５Ｔｉ（ＯＣ２Ｈ４ＯＣＨ３）６の溶液Ｉを得た。【００７０】  次いで、溶液Ｉの一部を、溶液濃度が０．２Ｍとなるように２−メトキシエタノールで希釈した溶液Ｊを得た。一方、溶液Ｉの一部に、Ｔｉとのモル比が１：１となる水および１：０．１５となるアンモニアを加え、１００℃で３時間攪拌した後、０．２Ｍとなるように２−メトキシエタノールで希釈した結晶性の金属酸化物粒子を含む溶液Ｋを得た。この０．２Ｍに調製した２種の溶液Ｊおよび溶液Ｋを体積比で１：１となるように混合して溶液Ｌ（複合金属アルコキシド化合物の総和／結晶性の金属酸化物粒子＝５０ｍｏｌ％／５０ｍｏｌ％）を得た。【００７１】  一方、１０ｃｍ×１０ｃｍの大きさの厚さ７０μｍの銅箔（例えば、三井金属鉱業（株）製３ＥＣ−ＶＬＰ−７０）の光沢面側に、スパッタ法により厚さ５００ｎｍのＮｉ薄膜層を形成して、Ｎｉ薄膜層付の銅箔を得た。【００７２】  次に、このＮｉ薄膜層付の銅箔のＮｉ薄膜層側に、溶液Ｊをスピンコートした。３５０℃のホットプレート上で４分間乾燥後、再び溶液Ｊをスピンコートし同様に乾燥することで第一の複合金属酸化物層を形成した。さらに、当該第一の複合金属酸化物層上に溶液Ｌをスピンコートし同様に乾燥する操作を８回繰り返すことで、第二の複合金属酸化物層を形成した。その後、３５０℃のホットプレート上で２時間焼成し、薄膜複合材料９を得た。
【実施例７】
【００７３】  銅箔の表面にＮｉ薄膜層の代わりにめっき法（例えば、奥野製薬工業（株）製ＩＣＰニコロンＵを用いた無電解めっき）によりＮｉ含有率が９３重量％のＮｉ−Ｐ薄膜を６００ｎｍ形成した他は、実施例６と同様にして薄膜複合材料１０を得た。【００７４】  上記のようにして得た薄膜複合材料１〜１０のそれぞれの複合金属酸化物薄膜層側の表面に、１ｍｍ×１ｍｍの大きさの上部電極をＡｕの蒸着により形成した。また、この上部電極の近傍の複合金属酸化物薄膜層および金属薄膜層をダイヤモンドペンで削って銅箔を露出させ、これを下部電極とした。ついで、上部電極と下部電極との間の静電容量をキャパシタの静電容量とみなし、その容量を測定した。静電容量の測定は、アジレント・テクノロジー社製４２８５Ａ型プレシジョン・ＬＣＲメータを用いて、２５℃における周波数１ＭＨｚでの値を測定した。それぞれ３０箇所の上部電極および下部電極の組を作製し、測定した。【００７５】  また、薄膜複合材料１〜１０のそれぞれを集束イオンビーム加工装置（ＦＩＢ）を用いて掘削し、露出した断面を走査イオン顕微鏡により観察して、薄膜複合材料中の複合金属酸化物薄膜層および金属薄膜層の厚さを測長した。複合金属酸化物薄膜層の断面について、さらに透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて暗視野像を観察し、結晶領域の有無を観察した。【００７６】  それぞれの結果をまとめて表１に示す。
【表１】
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【００７７】  表１の中で、歩留まりとは、それぞれに３０個作成したキャパシタのうち、静電容量の測定が可能であったものの数を示す。また、静電容量は測定が可能だったキャパシタの平均値を示す。【００７８】  表１から明らかなように、本発明による実施例（薄膜複合材料１、５、６、７、８，９、１０）ではいずれも静電容量の大きなキャパシタが得られた。比較例１（薄膜複合材料２）では金属薄膜層に複合金属酸化物薄膜層に割れが発生し、キャパシタを形成することができなかった。比較例２（薄膜複合材料３）では金属薄膜層を形成しなかったために、絶縁性が低く静電容量が測定できなかった。比較例３（薄膜複合材料４）ではアモルファス複合金属酸化物からなる第一の複合金属酸化物層を形成しなかったために、絶縁性が低く歩留まりが悪かった。
【実施例８】
【００７９】  前記実施例１の薄膜複合材料１を用いて配線板を作製した。薄膜複合材料１の銅箔側と銅張り積層板（日立化成工業（株）製ＭＣＬ−ＢＥ−６７Ｇ（Ｈ））を接着シート（日立化成工業（株）製ＧＦ−３６００）を用いて接着し、多層板Ｍを得た。接着条件は、高温真空プレス中、温度１７５℃、圧力１ＭＰａで１時間圧着した。ついで、多層板Ｍの、薄膜複合材料１の第二の複合金属酸化物薄膜層側の表面に無電解Ｎｉ−ＰめっきによりＮｉ−Ｐ薄膜層を厚さ０．５μｍ形成し、次いでそれを給電層として電気ＣｕめっきによりＣｕ厚膜を厚さ２０μｍ形成した。次に、フォトリソグラフ法によりアルカリ現像型レジスト（日立化成工業（株）製Ｈ−９０４０）を形成し、１０重量％塩化第二鉄水溶液によりＣｕ厚膜およびＮｉ−Ｐ薄膜層をエッチングしてキャパシタの上部電極を形成した。レジストを５重量％水酸化ナトリウム水溶液により剥離した後、再度フォトリソグラフ法によりアルカリ現像型レジストを形成し、０．１Ｍのエチレンジアミン四酢酸・二ナトリウム塩（ＥＤＴＡ・２Ｎａ）を加えた３０重量％過酸化水素水により第一および第二の複合金属酸化物薄膜層をエッチングした。レジストを５重量％水酸化ナトリウム水溶液により剥離した後、再度フォトリソグラフ法によりアルカリ現像型レジストを形成し、１０重量％塩化第二鉄水溶液によりＮｉ薄膜層および銅箔をエッチングしてキャパシタの下部電極および配線層を形成した。レジストを５重量％水酸化ナトリウム水溶液により剥離して、キャパシタを備えた多層配線板を得た。【００８０】  このキャパシタの静電容量を、アジレント・テクノロジー社製４２８５Ａ型プレシジョン・ＬＣＲメータを用いて、２５℃における周波数１ＭＨｚで測定した。３０個のキャパシタについて全数の測定が可能であり、その平均値は７２０ｐＦであった。
【実施例９】
【００８１】  前記実施例６の薄膜複合材料９を用いて配線板を作製した。薄膜複合材料９の第二の複合金属酸化物薄膜層側の表面に無電解Ｎｉ−ＰめっきによりＮｉ−Ｐ薄膜層を厚さ０．５μｍ形成し、次いでそれを給電層として電気ＣｕめっきによりＣｕ厚膜を厚さ２０μｍ形成した。ついで、薄膜複合材料９の銅箔側と銅張り積層板（日立化成工業（株）製ＭＣＬ−ＢＥ−６７Ｇ（Ｈ））を接着シート（日立化成工業（株）製ＧＦ−３６００）を用いて接着し、多層板Ｎを得た。接着条件は、高温真空プレス中、温度１７５℃、圧力１ＭＰａで１時間圧着した。次に、フォトリソグラフ法によりアルカリ現像型レジスト（日立化成工業（株）製Ｈ−９０４０）を形成し、１０重量％塩化第二鉄水溶液によりＣｕ厚膜およびＮｉ−Ｐ薄膜層をエッチングしてキャパシタの上部電極を形成した。レジストを５重量％水酸化ナトリウム水溶液により剥離した後、再度フォトリソグラフ法によりアルカリ現像型レジストを形成し、０．１Ｍのエチレンジアミン四酢酸・二ナトリウム塩（ＥＤＴＡ・２Ｎａ）を加えた３０重量％過酸化水素水により第一および第二の複合金属酸化物薄膜層をエッチングした。レジストを５重量％水酸化ナトリウム水溶液により剥離した後、再度フォトリソグラフ法によりアルカリ現像型レジストを形成し、１０重量％塩化第二鉄水溶液によりＮｉ薄膜層および銅箔をエッチングしてキャパシタの下部電極および配線層を形成した。レジストを５重量％水酸化ナトリウム水溶液により剥離して、キャパシタを備えた多層配線板を得た。【００８２】  このキャパシタの静電容量を、アジレント・テクノロジー社製４２８５Ａ型プレシジョン・ＬＣＲメータを用いて、２５℃における周波数１ＭＨｚで測定した。３０個のキャパシタのうち２９個の測定が可能であり、その平均値は８９５ｐＦであった。【００８３】  前述したところが、この発明の好ましい実施態様であること、多くの変更及び修正をこの発明の精神と範囲とにそむくことなく実行できることは当業者によって了承されよう。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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