(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ビームを照射して情報ピットを形成するためのディスク原盤であって、
光透過性を有する絶縁基板と、
前記絶縁基板上に積層され光透過性を有する導電性膜と、
前記導電性膜上に積層された電子感応層と、
前記電子感応層上に積層された帯電防止膜と、を備え、
前記情報ピットの形成に際し、前記導電性膜と帯電防止膜の少なくとも前記導電性膜が、電子を吸引する電位に設定された状態で、記録情報に応じてビーム変調された前記電子ビームが前記帯電防止膜を介して前記電子感応層に照射されることにより、前記電子感応層への前記情報ピットの形成がなされること、
を特徴とするディスク原盤。
【請求項２】
前記絶縁基板はガラス材で形成されること、を特徴とする請求項１に記載のディスク原盤。
【請求項３】
情報ピットを有するディスク原盤を形成するためのディスク原盤形成装置であって、
光透過性を有する絶縁基板上に光透過性を有する導電性膜と電子感応層と帯電防止膜とが積層されたディスク原盤を回転自在に載置するスピンドルモータと、
前記ディスク原盤を載置した前記スピンドルモータを所定方向に移動させる移動ステージと、
記録情報に応じてビーム変調を施した電子ビームを生成し、前記電子ビームを前記帯電防止膜を介して前記電子感応層に照射する電子ビーム照射手段と、を備え、
導電性膜と帯電防止膜の少なくとも前記導電性膜を、電子を吸引する電位に設定した状態で、
前記ディスク原盤を前記スピンドルモータによって一定の線速度で回転させると共に前記移動ステージによって移動させることにより、前記ディスク原盤に対し前記電子ビームを走査し、前記電子感応層への前記情報ピットの形成を行うこと、
を特徴とするディスク原盤形成装置。
【請求項４】
前記絶縁基板はガラス材で形成されること、を特徴とする請求項３に記載のディスク原盤形成装置。
【請求項５】
電子ビームを照射して情報ピットを有するディスク原盤を形成するためのディスク原盤形成方法であって、
光透過性を有する絶縁基板上に、光透過性を有する導電性膜と電子感応層と帯電防止膜とを積層することでディスク原盤を形成し、
前記導電性膜と帯電防止膜の少なくとも前記導電性膜を、電子を吸引する電位に設定した状態で、記録情報に応じてビーム変調させた前記電子ビームを、前記帯電防止膜を介して前記電子感応層に照射することにより、前記電子感応層への前記情報ピットの形成を行うこと、
を特徴とするディスク原盤形成方法。
【請求項６】
前記絶縁基板はガラス材で形成されること、を特徴とする請求項５に記載のディスク原盤形成方法。
【請求項７】
電子ビームを照射して情報ピットを有するディスク原盤を形成するためのディスク原盤形成方法であって、
光透過性を有する絶縁基板上に、光透過性を有する導電性膜と電子感応層と帯電防止膜とを積層することでディスク原盤を形成し、
前記導電性膜と帯電防止膜の少なくとも前記導電性膜を、電子を吸引する電位に設定した状態で、前記ディスク原盤を一定の線速度で回転させると共に所定方向へ移動させつつ、記録情報に応じてビーム変調させた前記電子ビームを、前記帯電防止膜を介して前記電子感応層に照射して走査することにより、前記電子感応層への前記情報ピットの形成を行うこと、
を特徴とするディスク原盤形成方法。
【請求項８】
前記絶縁基板はガラス材で形成されること、を特徴とする請求項７に記載のディスク原盤形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高密度記録を可能にする情報記録媒体の構造及び情報記録媒体の記録方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＤＶＤ（Digital Video Disc又はDigital Versatile Disc）等、十数ギガバイトを超える大容量の情報を高密度記録することが可能な情報記録媒体が提案されている。こうした高密度の情報記録媒体を製造するための原盤（マスターとなる情報記録媒体）を製作するために、レーザービームを用いたマスタリング技術に代えて、電子ビームを用いて原盤記録を行う方法が提案されている。
【０００３】
この電子ビームを用いて原盤記録を行うマスタリング技術では、光透過性を有するガラス材で形成された絶縁基板上に電子ビームレジスト（以下、ＥＢレジストという）を塗布し、細く絞った電子ビームをＥＢレジスト上に直接照射することによって露光（電子ビーム露光）を行った後、ＥＢレジストの露光された部分を現像処理によって除去することにより、記録情報であるピットを形成している。
【０００４】
そして、製作された原盤を評価するために、上記絶縁基板側より細く絞った所定波長のレーザー光を入射させ、記録面からの戻り光を光学検出することにより、記録面に上記ピット等が適切に成形されているか等の評価を行っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、上記の電子ビーム露光を適用したマスタリング技術にあっては、製作された原盤を光学的に評価する必要があるため、光に対して透明、すなわち、光を透過するガラス材から成る絶縁基板が用いられている。
【０００６】
ところが、こうした絶縁基板を有する原盤に電子ビームを用いて原盤記録を行うと、電子ビームの照射によって絶縁基板に荷電子が帯電する。このため、ＥＢレジストに入射する電子ビームが上記の帯電した荷電子によって偏向されてしまい、高密度の原盤記録を実現できなくなるという問題があった。
【０００７】
図６は、上記の電子ビームを偏向させるメカニズムを半導体製造プロセスの場合と対比して示した説明図である。
【０００８】
同図（ａ）において、半導体製造プロセスで電子ビーム露光を行う際には、半絶縁性を有するシリコン半導体基板上にＥＢレジストを塗布し、シリコン半導体基板をグランド電位に設定した状態で、ＥＢレジストに電子ビームを直接照射することによって露光を行っている。
【０００９】
このようにシリコン半導体基板をグランド電位に設定すると、電子ビームがシリコン半導体基板内に入射した際に発生する荷電子ｅ-が半絶縁性を有するシリコン半導体基板内を通ってグランド端子側に排出されるため、電子ビームは荷電子ｅ-の影響を受けることなくＥＢレジストに直進して入射することとなり、高解像度の電子ビーム露光が可能となっている。
【００１０】
これに対し、電子ビームを用いて原盤記録を行うマスタリング技術では、同図（ｂ）に示すように、上記の光に対して透明な絶縁基板上にＥＢレジストを塗布し、ＥＢレジストに電子ビームを直接照射することによって露光を行っている。この場合には、電子ビームが上記絶縁基板内に入射した際に生じる荷電子ｅ-は絶縁基板内に帯電する。このため、電子ビームはこの帯電した荷電子ｅ-の影響を受けて偏向される。
【００１１】
更に、半導体製造プロセスの場合と同様に、上記絶縁基板をグランド電位に設定した状態で電子ビーム露光を行ったとしても、絶縁基板は導電性を有していないため、荷電子ｅ-はグランド端子側へ排出されることなく絶縁基板中に帯電してしまい、電子ビームを偏向させることになる。
【００１２】
このように光記憶媒体を製造するための原盤記録では、電子ビームの直進性が損なわれることとなり、所望の高密度記録を達成することが困難となる場合があった。
【００１３】
また、図６（ｂ）に示した荷電子ｅ-の帯電を軽減すべく、同図（ｃ）に示すようにＥＢレジスト上に帯電防止膜を積層し、この帯電防止膜をグランド電位に設定した状態で電子ビーム露光を行う試みがなされているが、この場合にも、絶縁基板中に荷電子ｅ-が帯電してしまい、この帯電した荷電子ｅ-の影響を受けて電子ビームがＥＢレジスト内で偏向されるため、高密度の原盤記録を阻害するという問題があった。
【００１４】
ちなみに、図７（ａ）は、図６（ｃ）に示したガラス材の絶縁基板上にＥＢレジストと帯電防止膜とを積層して電子ビーム露光を行った場合に成形されたピットの形状を示す顕微鏡写真、図７（ｂ）は、図６（ａ）に示した半導体製造プロセスと同様にシリコン半導体基板を用いて電子ビーム露光を行った場合に成形されたピットの形状を示す顕微鏡写真を示しており、これらの顕微鏡写真を見ても、明らかに絶縁基板を用いて高密度の原盤記録を行うことの困難性が確認された。
【００１５】
本発明は上記従来技術の問題点を克服するためになされたものであり、光透過性を有する絶縁基板を用いた情報記録媒体であって高密度記録を可能にする情報記録媒体と、光透過性を有する絶縁基板を用いた情報記録媒体に高密度の記録を可能にする記録方法を提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、電子ビームを照射して情報ピットを形成するためのディスク原盤であって、光透過性を有する絶縁基板と、前記絶縁基板上に積層され光透過性を有する導電性膜と、前記導電性膜上に積層された電子感応層と、前記電子感応層上に積層された帯電防止膜と、を備え、前記情報ピットの形成に際し、前記導電性膜と帯電防止膜の少なくとも前記導電性膜が、電子を吸引する電位に設定された状態で、記録情報に応じてビーム変調された前記電子ビームが前記帯電防止膜を介して前記電子感応層に照射されることにより、前記電子感応層への前記情報ピットの形成がなされること、を特徴とする。
請求項３に記載の発明は、情報ピットを有するディスク原盤を形成するためのディスク原盤形成装置であって、光透過性を有する絶縁基板上に光透過性を有する導電性膜と電子感応層と帯電防止膜とが積層されたディスク原盤を回転自在に載置するスピンドルモータと、前記ディスク原盤を載置した前記スピンドルモータを所定方向に移動させる移動ステージと、記録情報に応じてビーム変調を施した電子ビームを生成し、前記電子ビームを前記帯電防止膜を介して前記電子感応層に照射する電子ビーム照射手段と、を備え、導電性膜と帯電防止膜の少なくとも前記導電性膜を、電子を吸引する電位に設定した状態で、前記ディスク原盤を前記スピンドルモータによって一定の線速度で回転させると共に前記移動ステージによって移動させることにより、前記ディスク原盤に対し前記電子ビームを走査し、前記電子感応層への前記情報ピットの形成を行うこと、を特徴とする。
【００２０】
請求項５に記載の発明は、電子ビームを照射して情報ピットを有するディスク原盤を形成するためのディスク原盤形成方法であって、光透過性を有する絶縁基板上に、光透過性を有する導電性膜と電子感応層と帯電防止膜とを積層することでディスク原盤を形成し、前記導電性膜と帯電防止膜の少なくとも前記導電性膜を、電子を吸引する電位に設定した状態で、記録情報に応じてビーム変調させた前記電子ビームを、前記帯電防止膜を介して前記電子感応層に照射することにより、前記電子感応層への前記情報ピットの形成を行うこと、を特徴とする。
請求項７に記載の発明は、電子ビームを照射して情報ピットを有するディスク原盤を形成するためのディスク原盤形成方法であって、光透過性を有する絶縁基板上に、光透過性を有する導電性膜と電子感応層と帯電防止膜とを積層することでディスク原盤を形成し、
前記導電性膜と帯電防止膜の少なくとも前記導電性膜を、電子を吸引する電位に設定した状態で、前記ディスク原盤を一定の線速度で回転させると共に所定方向へ移動させつつ、記録情報に応じてビーム変調させた前記電子ビームを、前記帯電防止膜を介して前記電子感応層に照射して走査することにより、前記電子感応層への前記情報ピットの形成を行うこと、を特徴とする。
【００２１】
これらのディスク原盤とディスク原盤形成装置とディスク原盤形成方法によれば、電子ビームの照射によって絶縁基板に荷電子が発生した場合に、その荷電子は、上記電位に設定された導電性膜又は帯電防止膜、又は上記電位に設定された導電性膜及び帯電防止膜を通じて排出される。このため、従来技術のように絶縁基板に荷電子が帯電することはなく、電子ビームは電子感応層に対し直進して入射することが可能となり、高密度の記録が達成される。また、光に対して透明な絶縁基板が用いられるため、この絶縁基板側からレーザー光等を入射させて、電子感応層に記録されている記録情報を光学的に読み取ることができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の情報記録媒体及び情報記録媒体の記録方法の実施の形態を図面を参照して説明する。尚、情報記録媒体として高密度記録が可能なＤＶＤディスクを製造するための原盤について説明し、情報記録媒体の記録方法として原盤に原盤記録を行う方法について説明する。
【００２３】
（第１の実施の形態）
第１の実施の形態を図１及び図２を参照して説明する。
図１は、上記原盤に原盤記録を行うための電子ビーム描画装置（Electron Beam Recorder）１の構成を示す構成図である。同図において、本電子ビーム描画装置１は、真空チャンバー２と、真空チャンバー２に対して垂設され電子ビームカラム３を備えて構成されている。
【００２４】
真空チャンバー２内には、原盤４を水平に保ちつつ回転自在に載置するスピンドルモータ５と、スピンドルモータ５を所定方向に進退移動させる移動ステージ６と、移動ステージ６の一端に取り付けられたミラー７と、電子ビームＢＭの焦点位置を検出するための光センサ８，９が設けられている。
【００２５】
ここで、スピンドルモータ５は、回転制御部１０によって駆動されることにより、後述の電子ビーム露光の際に一定の線速度で回転するようになっている。移動ステージ６は、真空チャンバー２の外に配設されている電動モータ１１の駆動力を受けて進退移動する。ミラー７に対してレーザー光を照射しその反射光を測長器１２で検知することにより、移動ステージ６の移動位置を検出している。そして、位置制御部１３が、測長器１２で検出された移動ステージ６の移動情報ＭＳＲと所定の参照情報ＲＥＦとの誤差成分Δεを求め、この誤差成分Δεに基づいて電動モータ１１をフィードバック制御することにより、移動ステージ６の移動変動を抑制している。
【００２６】
電子ビームカラム３は、電子銃１４、コンデンサレンズ１５、ブランキング電極１６、アパーチャ１７、偏向電極１８、フォーカスレンズ１９及び対物レンズ２０を備えて構成されている。そして、電子銃１４から放射される電子をコンデンサレンズ１５によってブランキング電極１６の中心位置に集束させることによりクロスオーバーポイントを生じさせ、アパーチャ１７に対しオーバーラップした電子ビームを入射させている。また、電子ビームをブランキング電極１６によって偏向した後、アパーチャ１７に入射させることで、記録情報に応じたビーム変調を行っている。このアパーチャ１７を通過した電子ビームを更に偏向電極１８で位置調整し、フォーカスレンズ１９で焦点距離を設定すると共に対物レンズ２０に通すことで、細く絞った電子ビームＢＭを生成して、スピンドルモータ５上に載置された原盤４の表面に照射するようになっている。
【００２７】
尚、上記のブランキング電極１６は、ビーム変調部２１から供給される記録情報を有する変調電力に応じて上記の偏向を行い、偏向電極１８は、誤差成分Δεに応じてビーム位置調整部２２から供給される調整電力に応じて電子ビームの位置を自動調整し、フォーカスレンズ１９は、フォーカス制御部２３により、光センサ８，９で検出される電子ビームＢＭの原盤４に対する照射位置の検出情報に応じてフォーカス制御されるようになっている。
【００２８】
次に、かかる構成を有する電子ビーム描画装置１を用いて原盤記録が成される原盤４の構造と記録方法について図２に示す縦断面図を参照して説明する。図２（ａ）において、原盤４は、光透過性を有するガラス材で形成された絶縁基板（以下、透明性絶縁基板という）４ａの表面に、光透過性を有する導電性膜としてのＩＴＯ膜４ｂが積層（成膜）され、更にＩＴＯ膜４ｂの表面に、電子感応層としての電子ビームレジスト（ＥＢレジスト）４ｃがスピンコーティングによって塗設された構造を有している。
【００２９】
尚、上記の光透過性とは、少なくとも、半導体レーザや発光ダイオード等の発光素子から放射される光や、可視光、紫外光、赤外光の全ての波長の光、またはこれらの光のうち特定波長の光を透過させる性質を意味する。よって、光透過性を有する絶縁基板（透明性絶縁基板）とは、これら任意または特定の波長の光に対して透明な性質を有する絶縁基板のことをいう。
【００３０】
原盤記録の際には、この原盤４をスピンドルモータ５上に載置し、更に図２（ｂ）に示すように、ＩＴＯ膜４ｂを電子ビーム描画装置１のグランド電位に設定すると共に、ＥＢレジスト４ｃの表面に電子ビームＢＭを照射しつつスピンドルモータ５と移動ステージ６を駆動することで、原盤４に対して電子ビームＢＭを走査する。これにより、記録情報を有する電子ビームＢＭに基づいてＥＢレジスト４ｃを電子ビーム露光し、露光位置に記録情報に対応するピットを成形する。
【００３１】
ここで、ＩＴＯ膜４ｂが上記グランド電位に設定されているため、電子ビームＢＭの照射に伴って生じる荷電子ｅ-は、ＩＴＯ膜４ｂを通じて電子ビーム描画装置１の筐体等へ排出（吸引）される。また、透明性絶縁基板４ａ中に荷電子ｅ-が帯電しても、ＩＴＯ膜４ｂにより電界の影響は電子ビームＢＭに変化をもたらさない。故に、電子ビームＢＭはＥＢレジスト４ｃに対し直進して入射することが可能となり、高密度の記録が達成される。
【００３２】
すなわち、絶縁物質で形成された透明性絶縁基板４ａを用いても、電子ビームＢＭの照射に起因するチャージアップ現象を抑えることができるため、ＥＢレジスト４ｃに対する電子ビームＢＭの入射位置のズレを防止することが可能となる。この結果、微細なピットを高密度で成形することができると共に、各ピットの形状ばらつきを抑えて、欠陥の発生率を大幅に低減することができる。また、電子ビームＢＭの入射位置のズレを防止することができることにより、ＥＢレジスト４ｃの露光部分における電子ビームＢＭのエネルギー密度を高めることができる。この結果、例えば、露光部分と非露光部分との境界面を急峻な形状で分離成形することが可能となり、高密度記録を実現することができる。
【００３３】
そして、上記の電子ビーム露光が完了した後、現像処理及び洗浄処理を施してＥＢレジストの露光された部分を除去することにより、記録情報であるピットを形成する。
【００３４】
図５は、上記の現像及び洗浄処理を施した後のＥＢレジスト４ｃの形状を示す顕微鏡写真であり、本実施形態によれば、高密度記録が可能となると共に、良好なピット形状が得られることが確認された。
【００３５】
図２（ｃ）は、原盤記録された原盤４の評価方法を示した図であり、上記の現像及び洗浄処理後のＥＢレジスト４ｃの表面にスパッタリングによって反射膜４ｅを成膜し、透明性絶縁基板４ａ側から細く絞ったレーザービーム（読み取り光）を照射して、ピットが形成されている記録面からの戻り光を光学検出するようになっている。したがって、本実施形態の情報記録媒体及び記録方法によると、透明性絶縁基板４ａを用いて高密度の電子ビーム露光を可能にするのに加えて、評価段階においても、再生装置と同様の条件下での光学評価、例えばトラッキングエラーの評価やトラックピッチの変動、ピット形状の良否等を測定し評価することができる。
【００３６】
尚、本実施形態では、光透過性を有する導電性膜（透明電極膜）として、ＩＴＯを用いる場合を述べたが、これに限らず、ＩＸＯ、金属薄膜、導電性ポリマー等を用いてもよい。
【００３７】
（第２の実施の形態）
次に、第２の実施形態を図３を参照して説明する。図３は、本実施形態に係る情報記録媒体としての原盤４と、原盤４の記録方法を示す縦断面図である。尚、本実施形態においても、図１に示した電子ビーム描画装置１により電子ビーム露光を行うので、電子ビーム描画装置の構成についての説明は省略する。また、図３において、図２と同一又は相当する部分を同一符号で示している。
【００３８】
図３（ａ）において、本実施形態の原盤４は、光透過性を有するガラス材で形成された透明性絶縁基板４ａの表面に光透過性を有する導電性膜としてのＩＴＯ膜４ｂが積層（成膜）されると共に、ＩＴＯ膜４ｂの表面に電子感応層としての電子ビームレジスト（ＥＢレジスト）４ｃがスピンコーティングによって塗設され、更に、ＥＢレジスト４ｃの表面に帯電防止膜４ｆがスピンコーティングによって塗設された構造を有している。更に、帯電防止膜４ｆは導電性を有し且つ水溶性を有した材料で形成されている。
【００３９】
原盤記録の際には、この原盤４をスピンドルモータ５上に載置し、更に図３（ｂ）に示すように、ＩＴＯ膜４ｂと帯電防止膜４ｆを電子ビーム描画装置１のグランド電位に設定すると共に、帯電防止膜４ｆ側からＥＢレジスト４ｃの表面に電子ビームＢＭを照射しつつスピンドルモータ５と移動ステージ６を駆動することで、原盤４に対して電子ビームＢＭを走査する。これにより、記録情報を有する電子ビームＢＭに基づいてＥＢレジスト４ｃを電子ビーム露光し、露光位置に記録情報に対応するピットを成形する。
【００４０】
ここで、ＩＴＯ膜４ｂと帯電防止膜４ｆが上記グランド電位に設定されているため、電子ビームＢＭの照射に伴って生じる荷電子ｅ-は、ＩＴＯ膜４ｂ及び帯電防止膜４ｆ、又はＩＴＯ膜４ｂ又は帯電防止膜４ｆを通じて電子ビーム描画装置１の筐体等へ排出（吸引）される。
【００４１】
このため、透明性絶縁基板４ａ中に荷電子ｅ-が帯電することがなく、電子ビームＢＭはＥＢレジスト４ｃに対し直進して入射することが可能となり、高密度の記録が達成される。
【００４２】
すなわち、絶縁物質で形成された透明性絶縁基板４ａを用いても、電子ビームＢＭの照射に起因するチャージアップ現象を抑えることができるため、ＥＢレジスト４ｃに対する電子ビームＢＭの入射位置のズレを防止することが可能となる。この結果、上記第１の実施形態と同様に、微細なピットを高密度で成形することができると共に、各ピットの形状ばらつきを抑えて、欠陥の発生率を大幅に低減することができる。また、電子ビームＢＭの入射位置のズレを防止することができることにより、ＥＢレジスト４ｃの露光部分における電子ビームＢＭのエネルギー密度を高めることができる。この結果、例えば、露光部分と非露光部分との境界面を急峻な形状で分離成形することが可能となり、高密度記録を実現することができる。
【００４３】
そして、上記の電子ビーム露光が完了した後、洗浄処理を施すことにより、水溶性の帯電防止膜４ｆを洗浄除去し、更に、ＥＢレジスト４ｃに対して現像処理及び洗浄処理を施して、ＥＢレジストの露光された部分を除去することにより、記録情報であるピットを形成する。
【００４４】
また、図３（ｃ）は、原盤記録された原盤４の評価方法を示した図であり、上記の現像及び洗浄処理後のＥＢレジスト４ｃの表面にスパッタリングによって反射膜４ｅを成膜し、透明性絶縁基板４ａ側から細く絞ったレーザービーム（読み取り光）を照射して、ピットが形成されている記録面からの戻り光を光学検出するようになっている。したがって、本実施形態の光記録媒体及び記録方法によっても第１の実施形態と同様に、透明性絶縁基板４ａを用いて高密度の電子ビーム露光を可能にするのに加えて、評価段階においても、再生装置と同様の条件下での光学評価、例えばトラッキングエラーの評価やトラックピッチの変動、ピット形状の良否等を測定し評価することができる。
【００４５】
尚、本実施形態では、ＩＴＯ膜４ｂと帯電防止膜４ｆの両者をブランド電位に設定することとしたが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、ＩＴＯ膜４ｂと帯電防止膜４ｆの所定の電位差をもたせるようにバイアス設定を行うことにより、ＥＢレジスト４ｃ間に電子ビームＢＭを加速入射させるための電界を生じさせるようにしてもよい。
【００４６】
また、ＩＴＯ膜４ｂと帯電防止膜４ｆの一方をグランド電位に設定し、他方を電子ビームＢＭを直進して入射させるバイアス電位に設定してもよい。
【００４７】
また、光透過性を有する導電性膜（透明電極膜）として、ＩＴＯに限らず、ＩＸＯ、金属薄膜、導電性ポリマー等を用いてもよい。
【００４８】
（第３の実施の形態）
次に、第３の実施の形態を図４を参照して説明する。図４は、本実施形態に係る情報記録媒体としての原盤４と、原盤４の記録方法を示す縦断面図である。尚、本実施形態においても、図１に示した電子ビーム描画装置１により電子ビーム露光を行うので、電子ビーム描画装置の構成についての説明は省略する。また、図４において、図２と同一又は相当する部分を同一符号で示している。
【００４９】
図４（ａ）において、本実施形態の原盤４は、光透過性及び導電性を有する透明性導電基板４０の表面に電子感応層としての電子ビームレジスト（ＥＢレジスト）４ｃがスピンコーティングによって塗設され、更に、ＥＢレジスト４ｃの表面に帯電防止膜４ｆがスピンコーティングによって塗設された構造を有している。更に、帯電防止膜４ｆは導電性を有し且つ水溶性を有した材料で形成されている。
【００５０】
原盤記録の際には、この原盤４をスピンドルモータ５上に載置し、更に図４（ｂ）に示すように、透明性導電基板４０と帯電防止膜４ｆを電子ビーム描画装置１のグランド電位に設定すると共に、帯電防止膜４ｆ側からＥＢレジスト４ｃの表面に電子ビームＢＭを照射しつつスピンドルモータ５と移動ステージ６を駆動することで、原盤４に対して電子ビームＢＭを走査する。これにより、記録情報を有する電子ビームＢＭに基づいてＥＢレジスト４ｃを電子ビーム露光し、露光位置に記録情報に対応するピットを成形する。
【００５１】
ここで、透明性導電基板４０と帯電防止膜４ｆが上記グランド電位に設定されているため、電子ビームＢＭの照射に伴って生じる荷電子ｅ-は、透明性導電基板４０及び帯電防止膜４ｆ、又は透明性導電基板４０又は帯電防止膜４ｆを通じて電子ビーム描画装置１の筐体等へ排出（吸引）される。
【００５２】
このため、透明性絶縁基板４ａ中に荷電子ｅ-が帯電することによる影響、及び又はＥＢレジスト４ｃ内の荷電子ｅ-の帯電による影響を低減でき、電子ビームＢＭはＥＢレジスト４ｃに対し直進して入射することが可能となり、高密度の記録が達成される。
【００５３】
特に、光透過性及び導電性を有する透明性導線基板４０を用いたことにより、電子ビームＢＭの照射に起因するチャージアップ現象を抑えることができ、ＥＢレジスト４ｃに対する電子ビームＢＭの入射位置のズレを防止することが可能となる。この結果、微細なピットを高密度で成形することができると共に、各ピットの形状ばらつきを抑えて、欠陥の発生率を大幅に低減することができる。また、電子ビームＢＭの入射位置のズレを防止することができることにより、ＥＢレジスト４ｃの露光部分における電子ビームＢＭのエネルギー密度を高めることができる。この結果、例えば、露光部分と非露光部分との境界面を急峻な形状で分離成形することが可能となり、高密度記録を実現することができる。
【００５４】
そして、上記の電子ビーム露光が完了した後、洗浄処理を施すことにより、水溶性の帯電防止膜４ｆを洗浄除去し、更に、ＥＢレジスト４ｃに対して現像処理及び洗浄処理を施して、ＥＢレジストの露光された部分を除去することにより、記録情報であるピットを形成する。
【００５５】
また、図４（ｃ）に示すように、上記の現像及び洗浄処理後のＥＢレジスト４ｃの表面にスパッタリングによって反射膜４ｅを成膜し、透明性導電基板４０側から細く絞ったレーザービーム（読み取り光）を照射して、ピットが形成されている記録面からの戻り光を光学検出することができる。したがって、本実施形態の情報記録媒体及び記録方法によっても第１，第２の実施形態と同様に、評価段階において、再生装置と同様の条件下での光学評価、例えばトラッキングエラーの評価やトラックピッチの変動、ピット形状の良否等を測定し評価することができる。
【００５６】
尚、以上に説明した第１〜第３の実施形態の情報記録媒体は、本発明の内容を理解するために示したものである。よって、必要に応じて本発明の構成要素を適宜に組み合わせ変形させた構造は、本発明の情報記録媒体に含まれるものである。
【００５７】
また、原盤の構造及びその記録方法について説明したが、本発明は原盤を製作するための情報記録媒体に限らず、一般的、汎用的な情報記録媒体に適用することができるものである。
【００５８】
また、ＩＴＯ膜４ｂ、反射膜４ｅ、帯電防止膜４ｆは、層状の構造であっても膜状の構造であってもよい。
【００５９】
【発明の効果】
以上に説明したように本発明の情報記録媒体によれば、電子ビームの照射によって絶縁基板に荷電子が発生するような場合でも、その荷電子を導電性膜や帯電防止膜を通じて排出する構造を備えたので、電子ビームを電子感応層に対し直進させて情報記録を行うことができる。このため、高密度の情報記録を実現することができると共に、絶縁基板側からレーザー光等を入射させて、電子感応層に記録された記録情報を光学的に読み取ることができる。したがって、電子ビーム露光に適した情報記録媒体及び情報記録方法を提供することができ、将来の更なる高密度記録を行う上で優れた技術を提供するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施形態に係る電子ビーム描画装置の構成を示す構成図である。
【図２】第１の実施形態に係る情報記録媒体及びその記録方法を説明するための断面図である。
【図３】第２の実施形態に係る情報記録媒体及びその記録方法を説明するための断面図である。
【図４】第３の実施形態に係る情報記録媒体及びその記録方法を説明するための断面図である。
【図５】第１の実施形態により製作された原盤の顕微鏡写真を示す中間階調画像の図である。
【図６】従来の情報記録媒体及びその記録方法を説明するための断面図である。
【図７】従来の情報記録媒体及びその記録方法により製作された原盤の顕微鏡写真を示す中間階調画像の図である。
【符号の説明】
１…電子ビーム描画装置
４…原盤（情報記録媒体）
４ａ…透明性絶縁基板
４ｂ…ＩＴＯ膜
４ｃ…電子ビームレジスト
４ｅ…反射膜
４ｆ…帯電防止膜
４０…透明性導電基板
ＢＭ…電子ビーム
ｅ- …荷電子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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