(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）ラクトン環含有橋かけ飽和多環式炭化水素基をもつエステル部分を有するアクリル酸エステル又はメタクリル酸エステルから誘導される構成単位を含む主鎖を有し、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する基材樹脂成分、
（Ｂ）露光により酸を発生する酸発生剤成分、
（Ｃ）（Ａ）成分に基づき０．０１〜０．２重量％の範囲の、第二級及び第三級低級脂肪族アミンの中から選ばれた少なくとも１種のアミン成分、及び
（Ｄ）プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートと乳酸エチルの中から選ばれた少なくとも１種とγ‐ブチロラクトンとの混合溶剤
を含有してなるポジ型レジスト組成物。
【請求項２】
ラクトン環含有橋かけ飽和多環式炭化水素基がラクトン環含有ノルボルニル基である請求項１記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項３】
基材樹脂成分（Ａ）が、一般式（Ｉ）
【化１】
0004135848.tif 000009
（式中のＲは水素原子、メチル基又はエチル基である）
で表わされる構成単位を含む基材樹脂である請求項１又は２記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項４】
基材樹脂成分（Ａ）が、一般式（Ｉ）で表わされる構成単位を少なくとも３０モル％含む請求項３記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項５】
基材樹脂成分（Ａ）が、一般式（ＩＩ）
【化２】
0004135848.tif 000010
（式中のＲは水素原子、メチル基又はエチル基である）
で表わされる構成単位を含む基材樹脂である請求項３又は４記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項６】
一般式（ＩＩ）で表わされる構成単位が、式（ＩＩ−ａ）
【化３】
0004135848.tif 000011
で表わされる構成単位である請求項５記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項７】
基材樹脂成分（Ａ）が、一般式（Ｉ）
【化４】
0004135848.tif 000012
（式中のＲは水素原子、メチル基又はエチル基である）
で表わされる構成単位と、一般式（ＩＶ）
【化５】
0004135848.tif 000013
（式中のＲは前記と同じ意味をもち、Ｒ´はメチル基又はエチル基である）
で表わされる構成単位からなる共重合体である請求項３記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項８】
基材樹脂成分（Ａ）が、一般式（Ｉ）で表わされる構成単位３０〜７０モル％と一般式（ＩＶ）で表わされる構成単位７０〜３０モル％からなる共重合体である請求項７記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項９】
一般式（Ｉ）で表わされる構成単位が一般式（ＩＩ）
【化６】
0004135848.tif 000014
（式中のＲは水素原子又はメチル基である）
で表わされる構成単位である請求項７又は８記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項１０】
酸発生剤成分（Ｂ）が、フッ素化アルキルスルホン酸イオンをアニオンとするオニウム塩である請求項１ないし９のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ポジ型レジスト組成物、さらに詳しくは、波長２００ｎｍ以下の活性光、特にＡｒＦエキシマレーザー光に対して透明性が高く、かつ高解像性を有すると共に、レジストパターン形状、耐ドライエッチング性及び基板との密着性に優れるレジストパターンを形成しうる化学増幅型のポジ型レジスト組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
これまで化学増幅型レジストの基材樹脂成分としては、ＫｒＦエキシマレーザー光（２４８ｎｍ）に対する透明性が高いポリヒドロキシスチレンやこれの水酸基を酸解離性の溶解抑制基で保護したものが用いられてきた。
しかしながら、今日では、半導体素子の微細化はますます進み、ＡｒＦエキシマレーザー光（１９３ｎｍ）を用いたプロセスの開発が精力的に進められている。
【０００３】
ＡｒＦエキシマレーザー光（１９３ｎｍ）を用いるプロセスでは、ポリヒドロキシスチレンのようなベンゼン環を有する樹脂は、この光に対して透明性が不十分であるという欠点を有している。このような欠点を克服するために、これまでベンゼン環を有さず、かつ耐ドライエッチング性に優れる樹脂として、エステル部にアダマンタン骨格を有するアクリル酸エステル又はメタクリル酸エステルから誘導される単位を主鎖に有する樹脂（以下単に「アクリル酸エステル樹脂」と称す）が多数提案されている（特許第２８８１９６９号公報、特開平５−３４６６６８号公報、特開平７−２３４５１１号公報、特開平９−７３１７３号公報、特開平９−９０６３７号公報、特開平１０−１６１３１３号公報、特開平１０−３１９５９５号公報及び特開平１１−１２３２６号公報など）。
【０００４】
これらのアクリル酸エステル樹脂を用いたポジ型レジストは、２．３８重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液である標準現像液で現像可能であり、さらにＡｒＦエキシマレーザー光に対する透明性、耐ドライエッチング性及び基板に対する密着性において、ある程度満足すべき結果が得られている。
【０００５】
しかしながら、現在の半導体素子分野においては、さらに超微細のパターンが要求され、１５０ｎｍ以下や１００ｎｍ付近の解像度が必要とされるようになってきたが、このような要求に対しては、もはや上記の効果では不十分となってきている。
【０００６】
そして、このような高解像性のレジストパターンを良好な形状で得るためには、レジスト膜厚の薄膜化（従来の膜厚：約５００ｎｍ、現在の要望される膜厚：３００〜４００ｎｍ）や基材樹脂中における酸解離性の溶解抑制基含有アクリルエステル単位部分（例えば２‐メチルアダマンチルメタクリレート）の増大などが必要である。
【０００７】
しかしながら、薄膜化が進めばドライエッチング時の膜減りが速くなるので、耐ドライエッチング性をいっそう向上させる必要があるし、酸解離性の溶解抑制基含有アクリルエステル単位部分を増大させると疎水性が大きくなるため、基板との密着性が劣化するという問題が生じる。また、レジストパターンサイズが微細になると良好な形状のレジストパターン形成も困難になる。
このため、解像性の向上に伴い、耐ドライエッチング性及び基板との密着性をより向上させると共に、良好なレジストパターン形状を得ることが要求されるようになったが、この要求を満たしたポジ型レジスト組成物は知られていない。
【０００８】
ところで、［「ジャーナル・オブ・フォトポリマー・サイエンス・アンド・テクノロジー（Ｊ．Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈ．）」，第１２巻，第３号，第４８７〜４９２ページ（１９９９年）］には、５‐アクリロイルオキシ‐６‐ヒドロキシノルボルナン‐２‐カルボキシル‐６‐ラクトンを基材樹脂のモノマーに用いたＡｒＦ用のネガ型の化学増幅型レジストが記載されている。
【０００９】
しかしながら、未露光部がアルカリ可溶性で露光部が架橋反応によりアルカリ不溶化し、レジストパターンを形成するネガ型レジストと、未露光部がアルカリ不溶性で露光部がアルカリ可溶化し、レジストパターン形成するポジ型レジストとは、そのパターン形成機構が全く異なるものであるため、このようなネガ型レジストをそのままポジ型レジストに適用しても、上記の問題点を解決することはできない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、このような事情のもとで、波長２００ｎｍ以下の活性光、特にＡｒＦエキシマレーザー光に対して透明性が高く、かつ高解像性を有すると共に、レジストパターン形状、耐ドライエッチング性及び基板との密着性に優れるレジストパターンを形成しうる化学増幅型のポジ型レジスト組成物を提供することを目的としてなされたものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前記の優れた機能を有するポジ型レジスト組成物を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、基材樹脂として、ラクトン環含有橋かけ飽和多環式炭化水素基をエステル部分にもつアクリル酸エステル又はメタクリル酸エステルから誘導される単位を主鎖に有する樹脂を用いた上、アミン成分を併用し、かつ特定の混合溶剤を用いることにより、その目的を達成しうることを見出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
【００１２】
すなわち、本発明は、（Ａ）ラクトン環含有橋かけ飽和多環式炭化水素基をもつエステル部分を有するアクリル酸エステル又はメタクリル酸エステルから誘導される構成単位を含む主鎖を有し、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する基材樹脂成分、
（Ｂ）露光により酸を発生する酸発生剤成分、
（Ｃ）（Ａ）成分に基づき０．０１〜０．２重量％の範囲の、第二級及び第三級低級脂肪族アミンの中から選ばれた少なくとも１種のアミン成分、及び
（Ｄ）プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートと乳酸エチルの中から選ばれた少なくとも１種とγ‐ブチロラクトンとの混合溶剤
を含有してなるポジ型レジスト組成物を提供するものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明においては、基材樹脂成分（Ａ）として、アクリル酸エステル又はメタクリル酸エステルから誘導される構成単位を主鎖に有する重合体又は共重合体を用いるが、このものは酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大するものでなければならない。
【００１４】
ここで、アクリル酸エステル又はメタクリル酸エステルから誘導される構成単位を主鎖に有する重合体又は共重合体とは、一般式（Ｖ）
【化１０】
0004135848.tif 000002
（式中のＲは水素原子、メチル基又はエチル基である）
で表わされる構成単位からなる主鎖を有する重合体又は共重合体である。
【００１５】
そして、このものは併用される酸発生剤成分（Ｂ）が放射線の作用を受けて発生する酸によりアルカリに対する溶解性が増大するという性質を有することが必要である。このような性質は、アクリル酸又はメタクリル酸から誘導される構成単位中のカルボキシル基の水酸基を酸解離性の溶解抑制基で保護し、アルカリ不溶性とすることによって付与される。このような構成単位をもつ重合体又は共重合体は、酸発生剤成分（Ｂ）から発生する酸の作用により、溶解抑制基が脱離し、アルカリ可溶性に変わる結果、レジスト層の露光部はアルカリ可溶性となるが、未露光部はアルカリ不溶性のまま残り、ポジ型のレジストパターンが形成される。
【００１６】
この溶解抑制基としては、これまでの化学増幅型ポジ型レジストにおいて知られている溶解抑制基の中から任意のものを適宜選択して用いることができる。
そのような溶解抑制基としては、例えば第三級アルキル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基のような環状エーテル基、１‐エトキシエチル基、１‐メトキシプロピル基のようなアルコキシアルキル基などが挙げられるが、特に第三級アルキル基が好ましい。
【００１７】
この第三級アルキル基としては、ｔｅｒｔ‐ブチル基、ｔｅｒｔ‐アミル基などの分岐状アルキル基や２‐メチルアダマンチル基、２‐エチルアダマンチル基、１‐メチルシクロヘキシル基、１‐エチルシクロヘキシル基などの環状第三級アルキル基を挙げることができる。
【００１８】
この環状第三級アルキル基は、アクリル酸エステルのエステル部分と結合する炭化水素基が単環式又は多環式の飽和炭化水素基である。これらの中でも２‐メチルアダマンチル基、２‐エチルアダマンチル基が耐ドライエッチング性に優れ、高解像性のレジストパターンが得られるので好ましい。
【００１９】
なお、２‐メチル又はエチルアダマンチル基を有するアクリル酸エステル単位は、一般式（ＩＶ）
【化１１】
0004135848.tif 000003
（式中のＲは前記と同じ意味をもち、Ｒ´はメチル基又はエチル基である）
で表わすことができ、この中のＲ´として特に好ましいのはメチル基である。
【００２０】
そして、本発明における基材樹脂成分（Ａ）は、ラクトン環含有橋かけ飽和多環式炭化水素基をアクリル酸エステル又はメタクリル酸エステルのエステル部分に有する構成単位を有するものであることが必要である。
【００２１】
これまで、ラクトン環を有するアクリル酸エステル樹脂として、例えばγ‐ブチロラクトン‐３‐イルメタクリレートと２‐メチルアダマンチルメクリレートとの共重合体を用いたレジスト組成物が提案されているが（特開平１０−３１９５９５号公報）、このようなアクリル酸エステルの側鎖にそれぞれラクトン基とアダマンチル基のような橋かけ飽和多環式炭化水素基を有する樹脂は、耐ドライエッチング性や密着性が不十分であり、本発明において用いることはできない。
【００２２】
これに対し、ラクトン環含有橋かけ飽和多環式炭化水素基をもつエステル部分を有するアクリル酸エステル又はメタクリル酸エステルから誘導された構成単位を含む樹脂は、基板との密着性と耐ドライエッチング性をより向上させる効果を示す。
したがって、少なくとも１つのラクトン環をもつ橋かけ飽和多環式炭化水素基から形成されたエステル部分を有するアクリル酸エステル又はメタクリル酸エステルから誘導された構成単位を含む樹脂を用いることが必要である。
【００２３】
橋かけ飽和多環式炭化水素基としては、これまでＡｒＦ用の化学増幅型レジストに用いられているものであればよく、特に限定されないが、ノルボルナンから水素原子を除いた残基、すなわちノルボルニル基が耐ドライエッチング性に優れる点で好ましい。
【００２４】
本発明において、基材樹脂成分（Ａ）に導入される上記ラクトン環含有橋かけ飽和多環式炭化水素基をエステル部分に有するアクリル酸エステル又はメタクリル酸エステルから誘導される構成単位としては、例えば一般式（Ｉ）
【化１２】
0004135848.tif 000004
（式中のＲは前記と同じ意味をもつ）
で表わされる構成単位を挙げることができる。この式中のＲとしては、特にメチル基が好ましい。なお、この一般式における飽和多環式炭化水素基とオキシカルボニル基又はラクトン基との隔離した結合手による結合は、それぞれ前者の任意の炭素原子に結合している水素原子１個が除かれた位置で結合していることを示す。以下同じ。
【００２５】
この一般式（Ｉ）で表わされる構成単位としては、例えば一般式（ＩＩ）
【化１３】
0004135848.tif 000005
（式中のＲは前記と同じ意味をもつ）
で表わされる単位、好ましくは式（ＩＩ−ａ）
【化１４】
0004135848.tif 000006
で表わされる構成単位で表わされる構成単位を挙げることができる。
これらの一般式（Ｉ）で表わされる構成単位は、基材樹脂成分（Ａ）中に１種導入されていてもよいし、２種以上導入されていてもよい。
【００２６】
本発明においては、基材樹脂成分（Ａ）として、前記の一般式（Ｉ）で表わされる構成単位と一般式（ＩＶ）で表わされる構成単位を含む共重合体からなる基材樹脂が好ましい。中でも前記の一般式（ＩＩ）で表わされる構成単位と一般式（ＩＶ）で表わされる構成単位を含む共重合体からなる樹脂がより好ましい。特に前記の式（ＩＩ−ａ）で表わされる構成単位と一般式（ＩＶ）表わされる構成単位を含む共重合体からなる樹脂が好ましい。
【００２７】
本発明においては、このような共重合体における一般式（Ｉ）で表わされる構成単位は、少なくとも３０モル％を含むものが好ましい。中でも一般式（Ｉ）で表わされる構成単位３０〜７０モル％、好ましくは４０〜６０モル％と、一般式（ＩＶ）で表わされる構成単位７０〜３０モル％、好ましくは６０〜４０モル％からなる共重合体は、高解像性及びレジストパターン形状に優れ、好適である。
【００２８】
また、本発明においては、この基材樹脂成分（Ａ）として、前記の各構成単位を形成するモノマーに、これまで化学増幅型のポジ型レジストとして公知の耐ドライエッチング性向上基や酸解離性の溶解抑制基を有するアクリル酸誘導体、メタクリル酸誘導体、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、フマル酸などのアルカリ可溶性とするためのエチレン性二重結合を有するカルボン酸、アクリル樹脂の製造に用いられる公知のモノマーなどを必要に応じ、適宜組み合わせ、共重合させて用いることができる。
【００２９】
上記のアクリル酸誘導体としては、例えばアクリル酸ｔｅｒｔ‐ブチル、アクリル酸テトラヒドロピラニル、アクリル酸テトラヒドロフラニル、アクリル酸１‐メチルシクロヘキシル、アクリル酸１‐メチルアダマンチル、アクリル酸エトキシエチル、アクリル酸エトキシプロピル、アクリル酸と２‐ヒドロキシ‐３‐ピナノンとのエステルなどのカルボキシル基の水酸基を酸解離性置換基で保護したアクリル酸エステル、あるいはアクリル酸アダマンチル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸ナフチル、アクリル酸ベンジル、アクリル酸３‐オキソシクロヘキシル、アクリル酸ビシクロ［２．２．１］ヘプチル、アクリル酸トリシクロデカニル、アクリル酸とテルピネオールとのエステル、アクリル酸と３‐ブロモアセトンとのエステルなどのカルボキシル基の水酸基を酸非解離性置換基で保護したアクリル酸エステルなどが挙げられる。また、メタクリル酸誘導体としてはこれらのアクリル酸誘導体に対応するメタクリル酸の誘導体を挙げることができる。
【００３０】
また、エチレン性二重結合を有するカルボン酸としては、例えばアクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、フマル酸などが挙げられる。
アクリル樹脂の製造に用いられる公知のモノマーの例としては、例えばアクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸イソプロピル、アクリル酸ｎ‐ブチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸ｎ‐ヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸２‐エチルヘキシル、アクリル酸ラウリル、アクリル酸２‐ヒドロキシエチル、アクリル酸２‐ヒドロキシプロピルなどのアクリル酸アルキルエステル及び対応するメタクリル酸アルキルエステルなどを挙げることができる。
【００３１】
なお、基材樹脂成分（Ａ）は、相当するアクリル酸エステルモノマーをアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）のようなラジカル重合開始剤を用いる公知のラジカル重合により容易に製造することができる。
【００３２】
一方、本発明組成物における露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）としては、従来化学増幅型レジストにおける酸発生剤として公知のものの中から任意のものを適宜選択して用いることができる。この酸発生剤の例としては、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、（４‐メトキシフェニル）フェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（ｐ‐ｔｅｒｔ‐ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、（４‐メトキシフェニル）ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、（ｐ‐ｔｅｒｔ‐ブチルフェニル）ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（ｐ‐ｔｅｒｔ‐ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネートなどのオニウム塩、なかでもフッ素化アルキルスルホン酸イオンをアニオンとするオニウム塩が好ましい。
【００３３】
この酸発生剤成分（Ｂ）は単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。その配合量は、基材樹脂成分（Ａ）１００重量部に対し、０．５〜３０重量部、好ましくは１〜１０重量部の範囲で選ばれる。この配合量が０．５重量部未満ではパターン形成が十分に行われないし、３０重量部を超えると均一な溶液が得られにくく、保存安定性が低下する原因となる。
【００３４】
本発明のポジ型レジスト組成物は、前記の基材樹脂成分（Ａ）及び酸発生剤成分（Ｂ）を有機溶剤に溶解させて溶液として用いられる。この際用いる有機溶剤としては、上記の両成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであることが必要である。
【００３５】
本発明においては、この有機溶剤として、特にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及び乳酸エチルの中から選ばれる少なくとも１種とγ‐ブチロラクトンとの混合溶剤を用いるのが有利である。この場合、混合割合としては、前者と後者の重量比が７０：３０ないし９５：５の範囲になるように選ばれる。
【００３６】
そのほか、上記の有機溶剤と併用できる溶剤として、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、２‐ヘプタノンなどのケトン類や、エチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、ジプロピレングリコール、又はジプロピレングリコールモノアセテートのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル又はモノフェニルエーテルなどの多価アルコール類及びその誘導体や、ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類を挙げることができる。
【００３７】
本発明においては、レジストパターン形状、引き置き経時安定性などを向上させるために、必要に応じて第二級低級脂肪族アミンや第三級低級脂肪族アミンを含有させることができる。この第二級や第三級アミンの例としては、トリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジ‐ｎ‐プロピルアミン、トリ‐ｎ‐プロピルアミン、トリペンチルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミンなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
これらのアミンは、基材樹脂成分（Ａ）に対して、０．０１〜０．２重量％の範囲で用いられる。
【００３８】
本発明組成物には、さらに所望により混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、溶解抑制剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤などを添加含有させることができる。
【００３９】
本発明組成物の使用方法としては、従来のホトレジスト技術のレジストパターン形成方法が用いられるが、好適に行うには、まずシリコンウエーハのような支持体上に、該レジスト組成物の溶液をスピンナーなどで塗布し、乾燥して感光層を形成させ、これに例えばＡｒＦ露光装置などにより、ＡｒＦエキシマレーザー光を所望のマスクパターンを介して照射し、加熱する。次いでこれをアルカリ現像液、例えば０．１〜１０重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて現像処理する。このようにして、マスクパターンに忠実なパターンを得ることができる。
また、本発明組成物は、特にＡｒＦエキシマレーザーに有用であるが、それより短波長のＦ2レーザー、ＥＵＶ（極紫外線）、ＶＵＶ（真空紫外線）、電子線、Ｘ線、軟Ｘ線などの放射線に対しても有効である。
【００４０】
【発明の効果】
本発明組成物は、化学増幅型であって、波長２００ｎｍ以下の活性光、特にＡｒＦエキシマレーザー光に対して透明性が高く、かつ高解像性を有すると共に、レジストパターン形状、耐ドライエッチング性及び基板との密着性に優れるレジストパターンを形成することができる。したがって、ＡｒＦエキシマレーザー光を光源とする化学増幅型のポジ型レジストとして、超微細加工が要求される半導体素子などの製造に好適に用いられる。
【００４１】
【実施例】
次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。
【００４２】
実施例
式（ＩＶ−ａ）及び式（ＩＩ−ａ）
【化１６】
0004135848.tif 000007
で表わされる単位を、モル比５０：５０の割合で含む重量平均分子量１４，０００の共重合体１００重量部、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート１．５重量部及びトリエタノールアミン０．１重量部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート６３０重量部とγ‐ブチロラクトン７０重量部の混合溶媒に溶解してポジ型レジスト溶液を得た。
次いで、このレジスト溶液をスピンナーを用いてシリコンウエーハ上に塗布し、ホットプレート上で１４０℃（ｐｒｅ  ｂａｋｅ）で９０秒間乾燥することにより、膜厚４００ｎｍのレジスト層を形成した。次いで、ＡｒＦ露光装置（ニコン社製）により、ＡｒＦエキシマレーザー光（１９３ｎｍ）を選択的に照射したのち、１３０℃、９０秒間加熱（ＰＥＢ）処理し、次いで２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で３０秒間パドル現像したのち、３０秒間水洗して乾燥した。
このような操作で形成されたレジストパターンの限界解像度は１４０ｎｍのラインアンドスペースパターンが１：１に形成された。
その際の露光時間（感度）をｍＪ／ｃｍ2（エネルギー量）単位で測定したところ、１３０ｍＪ／ｃｍ2であり、そして１５０ｎｍのラインアンドスペースが１：１のパターン形状は垂直性に優れ、良好なレジストパターンであった。
また、上記レジストパターンの膜剥がれは見られず、密着性も良好であった。
さらに、耐ドライエッチング性として、ノボラック樹脂を１とした場合の単位時間当たりの膜減り量を求めたところ、１．３であった。なお、この数値は小さいほど耐ドライエッチング性が高いことを示す。
【００４３】
比較例１
実施例において、共重合体として、式（ＩＶ−ａ）及び式（ＶＩ）
【化１７】
0004135848.tif 000008
で表わされる単位を、モル比７５：２５の割合で含む重量平均分子量１０，０００の共重合体を用いた以外は、実施例と同様にしてポジ型レジスト溶液を調製したのち、ｐｒｅ  ｂａｋｅの温度を１１０℃、ＰＥＢの温度を１１０℃に変えた以外は、実施例と同様にしてレジストパターンを形成した。
このような操作で形成されたレジストパターンの限界解像度は１８０ｎｍのラインアンドスペースパターンが１：１に形成されたが、そのパターン形状は不良であった。
また、上記レジストパターンの膜剥がれが見られ、密着性も不良であった。
さらに、耐ドライエッチング性として、ノボラック樹脂を１とした場合の単位時間当たりの膜減り量を求めたところ１．３であった。
【００４４】
比較例２
比較例１において、共重合体として、式（ＩＶ−ａ）で表わされる単位と式（ＶＩ）で表わされる単位のモル比が５０：５０の共重合体を用いた以外は、比較例１と同様にしてレジストパターンを形成した。
このような操作で形成された１５０ｎｍのラインアンドスペースが１：１のパターンが得られたが、そのレジストパターンの耐ドライエッチング性として、ノボラック樹脂を１とした場合の単位時間当たりの膜減り量を求めたところ１．８であった。