(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向してなる第１基板と第２基板とを備え、
上記第１基板と第２基板との間に、光変調素子が外光を反射させて表示を行なう非発光表示素子が形成された第１表示領域と、自ら発光し素子を直接変調して直接的に表示を行なう発光表示素子が形成された第２表示領域とが併設された表示装置であって、
上記第１表示領域と上記第２表示領域とは、各表示画素内に併設され、さらに、
上記第２表示領域における上記第１基板と上記第２基板との間には、上記発光表示素子のみが形成され、光変調素子の光変調層が存在しないことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
上記発光素子を駆動する駆動素子と上記光変調素子を駆動する駆動素子とが上記第１基板側に形成される一方、上記発光素子が上記第２基板側に形成されていることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
上記第２基板側に形成されている発光素子の陽極に沿って金属電極が形成されていることを特徴とする請求項２記載の表示装置。
【請求項４】
上記第２基板の表示面側には、上記第１表示領域及び第２表示領域に共通の偏光板及び位相差板が形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
上記第１基板と上記第２基板とのいずれか一方に凸部が設けられるとともに、この凸部上に発光素子が形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
上記凸部は、導電性樹脂にて形成されていることを特徴とする請求項５記載の表示装置。
【請求項７】
上記凸部は、絶縁層からなっていることを特徴とする請求項５記載の表示装置。
【請求項８】
上記凸部は、屈折率の異なった複数の鋸歯状の絶縁性凸部からなっていることを特徴とする請求項７記載の表示装置。
【請求項９】
発光素子用電極と、上記第１基板側又は上記第２基板側との接合面には、導電性ペースト又は導電性樹脂が設けられていることを特徴とする請求項５〜８のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１０】
上記発光素子の発光層と上記光変調素子の光変調層とが保護層を介して隣接していることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１１】
上記保護層は遮光機能を有していることを特徴とする請求項１０記載の表示装置。
【請求項１２】
上記発光素子及び上記光変調素子を駆動する信号ラインが共用され、発光素子と光変調素子とは信号ラインを共有して駆動されることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１３】
外光を検出する外光検出手段が設けられるとともに、この外光検出手段による外光の検出結果に基づいて、上記発光素子及び上記光変調素子の両方又はいずれか一方を選択表示させる表示制御手段が設けられていることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１４】
上記光変調素子は反射型の液晶表示素子であり、上記発光素子は有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１５】
上記光変調素子の表示面側電極と上記発光素子の表示面側電極とが同一材料により同一層に形成されていることを特徴とする請求項１ないし１４のいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置等の非発光表示装置、有機ＥＬ発光素子等を用いた発光表示装置等の表示装置に関するものである。詳細には、表示領域内に、非発光表示領域と発光表示領域とが併設されている表示装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話をはじめとして、携帯情報端末（ＰＤＡ:Personal Data Assistant) 等が広く普及している。これに伴い、これらの端末に搭載される情報表示用のディスプレイの開発が近年、非常に盛んになっている。
【０００３】
上記ディスプレイは、非発光表示装置と発光表示装置とに大別される。前者は、光変調素子により太陽光、室内光、バックライト又はフロントライト等の外部光源からの光を変調して表示を行なうものであり、この代表として液晶表示素子が知られている。一方、後者は、外部光源を必要とせず、発光素子が自ら発光することにより表示を行なうものであり、この代表としてＥＬ(Electro Luminescence) が非常に注目されている。以下、これらの表示装置について、さらに詳細に説明を行なう。
【０００４】
先ず、外部光源を利用する非発光表示装置である透過型液晶表示装置では、バックライトを光源としているので、消費電力の増加及び形状の拡大となり携帯用には課題を残していた。そこで、上記課題の一つである消費電力を抑えるために、液晶層の下部電極をアルミニウム等の光を反射する金属にて形成することにより光源として太陽光や室内灯等の外光を利用する反射型液晶表示装置が開発されている。しかし、この反射型液晶表示装置は、外光を利用するため暗い場所での使用には難があった。
【０００５】
こうした問題を解決するため、液晶層の下部電極をハーフミラーにて形成し、明るい環境下ではバックライトを使わないで反射型表示を行ない、暗い場所ではバックライトを点灯して透過型表示を行なう半透過型表示装置が開発された。しかしながら、上記半透過型表示装置では、光を反射する部分と光を透過する部分との相反する特性を用いるため、光利用効率が低く消費電力低減のための決定的な改善には至っていない。
【０００６】
こうした問題を解決するため、本発明者らは、明るい環境下ではバックライトを使用しない反射型として用いることができる一方、暗い場所ではバックライトを点灯して透過型として用いることのできる液晶表示装置を考案した（特開平１１−１０１９９２号公報〔公開日：平成１１（１９９９）年４月１３日〕参照）。この液晶表示装置は、膜厚を薄くして半透過性を持たせた反射板を用いる従来の液晶表示装置とは異なり、液晶表示装置における各表示画素を反射領域と透過領域との２つの領域に分割している。すなわち、上記液晶表示装置では、各表示画素の一つの領域として反射電極を形成して反射領域とする一方、各表示画素の他の領域には透過電極を形成して透過領域としている。また、反射領域の液晶層の厚みと透過領域の液晶層の厚みとを異ならせている。これにより、反射領域及び透過領域の各々の領域にて最適な明るさを実現することが可能となっている。
【０００７】
しかしながら、上記の画素分割型の液晶表示装置では、各画素の全領域に対してバックライト光を後方から照射する一方、このバックライト光が利用されるのは各画素の透過領域のみである。したがって、バックライト光の利用効率が低いという課題を有していた。特に、反射電極の領域比率が高い場合には必然的に透過領域が狭くなるので、バックライト光の利用効率が低くなる。
【０００８】
そこで、上記画素分割型の液晶表示装置に対してそのバックライト光の利用効率を高めるものとして、例えば、特開２００１−６６５９３号公報〔公開日：平成１３（２００１）年３月１６日〕に開示された画素分割型の液晶表示装置がある。この液晶表示装置３００では、図２８に示すように、先ず、液晶パネル３０１における各画素３０２…に配された反射電極３０３の一部に透過開口部３０４…を設けることにより、画素分割型の液晶表示装置としている。また、この液晶表示装置３００では、バックライトとして有機ＥＬ(Electro Luminescence) 素子３１０からなる発光素子を用いる一方、この有機ＥＬ素子３１０の発光部３１１…を、各画素３０２の全領域に配置するのではなく、透過開口部３０４…に対応する領域にのみ配置している。これにより、パターン化した有機ＥＬ素子をバックライトとして組み合わせるので、光の利用効率を向上させ、消費電力の低減を図ることができるものとなっている。
【０００９】
一方、発光表示装置の代表である上記有機ＥＬ発光素子を使った表示装置は、薄型、軽量の特徴を持ち、発光素子であるため液晶表示装置のようにバックライトが不要で暗い環境でも使用が可能となり、しかも、出射した光の略全てを表示に用いるため光利用効率も高い。しかしながら、この有機ＥＬ発光素子を用いた表示装置は、常に発光する必要があり、特に明るい環境下で表示品位を上げるには発光量を増す必要があるため、低消費電力化には難があった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記図２８に示した画素分割型の液晶表示装置では、液晶パネル３０１の外側に発光素子としての有機ＥＬ素子３１０を配置しているために、反射電極３０３の透過開口部３０４…と有機ＥＬ素子３１０との間に位相差板３０５と偏光板３０６とガラス基板２枚つまりガラス基板３０７及びガラス基板３１２とが存在する。現在、一般的な画素ピッチは８０ミクロン程度であるが、この場合、透過開口部３０４の幅はさらにその２分の１から６分の１、およそ１５ミクロンから４０ミクロンとなる。これに対し、偏光板３０６の厚みは約３００ミクロンであるとともに、５００から７００ミクロン厚のガラスが、液晶パネル３０１のガラス基板３０７と有機ＥＬ素子３１０のガラス基板３１２とで２枚存在する。したがって、反射電極３０３の透過開口部３０４と有機ＥＬ素子３１０との距離は１３００ミクロンから１７００ミクロンにもなる。そのため、有機ＥＬ素子３１０の発光部３１１…を透過開口部３０４…に対応する位置に設置したとしても、透過開口部３０４…へ有機ＥＬ素子３１０の発光部３１１から出射する全ての光を入射させることは不可能である。したがって、やはり、有機ＥＬ素子３１０の照射効率がよくないという問題点を有している。
【００１１】
また、図２８に示した画素分割型の液晶表示装置においては、基板を重ねることには変わりない。そして、その薄型化については、液晶表示装置の厚さと有機ＥＬ素子の厚さとの合計が限界であるという問題点が残っている。さらに、図２８の構成では、液晶表示装置の透過開口部３０４と有機ＥＬ素子３１０の形成部とを位置決めをして固定する必要がある。このためには、専用の位置決め装置及び固定するための機構が必要となり、部品点数の増大及びコストアップとなる問題がある。
【００１２】
さらに、反射型液晶表示装置は、屋外での視認性向上を目的に開発されており、外光の強い屋外では視認性が優れるが、逆に屋内、夜間の使用はできない。そこで、反射型液晶表示装置では、外光の代用として、前面から照明光を導入するフロントライトを導入して対応している。このフロントライトに有機ＥＬ素子を使用する例として、例えば、特開２０００−７５２８７号公報に開示されたものがある。しかしながら、この場合も透過型液晶表示装置にバックライトを導入した場合と同様に、表示装置と補助光源との厚さにより、全体が厚くなるという問題がある。
【００１３】
一方、別の問題として、発光素子としての有機ＥＬ発光素子を製造する際には、以下の問題が存在する。
【００１４】
例えば、特開２０００−１７３７７０号公報（公開日：平成１２年６月２３日）には、一方の基板に有機ＥＬ発光素子の駆動回路であるＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）回路とこの上にカソード（陰極）となる金属電極及び有機ＥＬ層を形成する有機層の一部を形成し、他方の基板にはアノード電極（陽極）を形成した後、この上に発光層を形成し、最後にこれら双方の基板を合わせ、熱又は圧力を印加することにより有機層をガラス転移温度以上に上げて接合する方法が開示されている。
【００１５】
また、特開２００１−４３９８０号公報（公開日：平成１３年２月１６日）には、基板上（ＴＦＴ基板でも良い）にアノード電極（陽極）を形成し、この上に順次、有機ＥＬ層となる正孔注入層、正孔輸送層及び発光層を積層した後、陰極となる仕事関数の低い金属を極薄く形成し、その後、透明導電層を形成する方法が開示されている。
【００１６】
ここで、上記両公報のいずれも、有機ＥＬ素子からの出射光は、この有機ＥＬ素子を駆動する回路を形成した基板側でなく、これと対向して設定される対向基板又は保護層側から出射させることが可能である。これにより、回路形成側に出射する場合と比べて出射光が回路パターンに遮蔽されることがないので、開口率を上げることができ、輝度及び発光効率の向上並びに寿命及び信頼性の向上に有効である。
【００１７】
一方、駆動回路形成側は、従来開口部に充当していた面積まで回路形成することができるので、回路設計に余裕が生まれ、信頼性及び歩留まり向上を図るとともに、さらに機能を上げた回路形成を可能とすることにおいて有効な方法である。具体的には、特開２０００−１７３７７０号公報では、駆動回路側と発光層側とを別に形成することにより実現しており、特開２００１−４３９８０号公報では、陰極電極を極薄く形成することにより実現を果している。
【００１８】
ここで、発光層には、発光機能の信頼性の観点から、特に水分混入をしないようにすることが望ましい。また、有機導電体は、酸化によるアクセプタードーピングにより性能劣化を引き起こすこともある。さらに、カソード電極として使用する金属は、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）といった仕事関数の低い材料を用いるため、特に酸化に敏感であり、形成加工が困難である。
【００１９】
このように、発光層は、構造は単純であるが用いる材料は環境によってその性能に大きく影響を与えられ易いという特徴がある。したがって、有機ＥＬ素子を形成する場合には、発光層はできるだけ水分及び酸素を遮断した環境で全てを形成し、さらに発光層を保護する層も同時に形成することが望ましい。
【００２０】
この点、特開２０００−１７３７７０号公報では、発光層を形成する有機層の一部で接合をしているために、接合の際に水分及び酸素のある雰囲気にさらされる可能性が高く、信頼性が課題となる。また、発光層を形成する有機層はいずれも１０００Å前後の薄膜を用いているので、貼り合わせる際に、両基板側にその一部を形成し、ガラス転移点以上に温度を上げる過程で膜質や性能の均一性が崩れることも有りうる。
【００２１】
また、特開２００１−４３９８０号公報では、出射光側に金属からなるカソード電極があるために、極薄くてもこれによる透過ロスが存在する。また、カソード電極が極薄いが故に、この上に形成される透明導電層及び有機導電層の含有酸素との結合による性能劣化、及び透明導電層形成時における温度が発光層へ与える影響が課題となる。
【００２２】
さらに、特開２０００−１７３７７０号公報では、陽極側が透明導電膜であることから、通常の導体と比べて抵抗値が高くなるので、パネルにした場合に、透明導電膜による電力ロスによって画面の輝度斑が発生するという問題点を有している。
【００２３】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、小型化及びコストダウンを図りながら、野外から屋内まで視認性に優れた表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【００２４】
【課題を解決するための手段】
本発明の表示装置は、上記課題を解決するために、各表示画素内に、光変調素子が外光を反射させて表示を行なう非発光表示素子からなる第１表示領域と、発光素子が直接変調し表示を行なう発光表示素子からなる第２表示領域とが併設されていることを特徴としている。
【００２５】
本発明の表示装置によれば、外光を反射させて表示を行う非発光表示素子と自発光の発光表示素子とを同一表示装置の各表示画素内に組み込んだ構成とすることにより、バックライト等の別体光源を付設することが不要となるため、低消費電力化と小型化とを同時に実現することができる。また、非発光表示素子と自発光の発光表示素子とを同一表示装置内に組み込むに際し、電極、配線、駆動素子、絶縁体等の部材の製造工程を共通化できるので、従来、バックライト等の光源製造及びアセンブリ等にかかっていた時間・コストを大幅に軽減できる。
【００２６】
以下、さらに本発明の作用・効果について詳細に説明を行う。
【００２７】
先ず、上述したように、一般に、ディスプレイは非発光表示装置と発光表示装置とに大別される。非発光表示装置は太陽光、室内光、バックライト、フロントライト等の外部光源からの光を非発光表示素子である光変調素子に透過させることにより変調するものであり、この非発光表示素子には、外部光源からの光を反射させる反射手段を持つ反射型と反射手段を持たない透過型とがある。一方、発光表示装置は発光素子を有する表示装置である。通常、発光素子又は発光層と称する部分が自発光する。なお、ここでは、上記光変調素子における透過光の制御を光変調と呼ぶのに対し、発光素子での発光のことを直接変調と呼ぶことにする。
【００２８】
ところで、透過型液晶表示装置に代表される透過型の非発光表示装置の場合、通常、暗表示から明表示までバックライト光の輝度は一定であり、常時点灯している。したがって、透過型の非発光表示装置は常時外部光源で電力を消費することになる。また、透過型の非発光表示装置では、光変調素子とバックライトとに対してそれぞれ電源供給及び制御が必要となるため部品点数が多く、小型化するのにも制限があり、コストダウンを図るのが難しかった。
【００２９】
一方、ＥＬ表示装置に代表される発光表示装置は、発光輝度を変調するため暗表示と明表示とでは消費電力が異なり、消費電力は暗表示では少なく明表示では多くなる。
【００３０】
ここで、これら透過型の非発光表示素子又は発光表示素子と反射型の非発光表示素子とを同一パネル内に組込んで双方を表示に用いる場合と、本発明とを比較する。つまり、透過型の非発光表示素子と反射型の非発光表示素子とを組込んだ従来の表示装置すなわち従来技術として説明した画素分割型の液晶表示装置等と本発明の表示装置とを比較する。
【００３１】
従来の液晶表示装置は、図２に破線Ｌ１で示すように、明環境下から暗環境下まで光源であるバックライトを常時点灯させる必要から、略一定の消費電力が必要である。これに対し、発光表示素子と反射型の非発光表示素子とを同一パネル内に組込んだ本発明の表示装置は、周りの環境に合わせて発光表示素子の輝度を調整して表示できる。このため、図２に実線Ｌ２で示すように、明環境下では発光輝度を絞り、反射型の非発光表示素子を最大限利用できる一方、暗環境下では発光表示素子の発光輝度を上げて表示することができる。したがって、明環境下では従来の透過型の非発光表示装置においてバックライト点灯にかかっていた電力を低く抑えることができる。
【００３２】
したがって、本発明の表示装置は、明環境下では、透過型の非発光表示素子と反射型の非発光表示素子とを組込んだ表示装置よりも低消費電力化が可能であり、輝度を絞って表示することによって、長寿命化及び信頼性向上を実現することができる。さらに、本発明の表示装置は、別体としてバックライトを設ける必要がないので、従来の液晶表示装置と比較して、薄型化及び小型化が可能であり、電源供給手段及び制御等も不要であるためコストダウンを図ることができる。
【００３３】
また、本発明による表示装置を発光表示素子のみの表示装置と比較すれば、図３の通りとなる。すなわち、図３において破線Ｌ１’で示すように、発光表示素子のみで構成された表示装置の場合、環境が明るくなるに伴って、発光輝度を上げていかなければ表示が見難くなる。
【００３４】
一方、本発明の表示装置では、明環境下では反射型の非発光表示素子が表示特性を向上させるので、発光表示素子は、同図において実線Ｌ２’で示すように、輝度を落として表示することが可能である。これは、従来の発光表示素子のみで使用される場合には無かった概念であり、本発明の構成によって独自になすことのできる輝度制御方法である。
【００３５】
このように、本発明の表示装置によれば、最大輝度を発光表示素子のみである場合よりも低く設定することが可能となり、長寿命化、信頼性向上を実現することができる。
【００３６】
具体的には、本発明の表示装置は、先ず、表示領域内に、光変調素子が外光を反射させて表示を行なう非発光表示素子からなる第１表示領域と、発光素子が直接変調し表示を行なう発光表示素子からなる第２表示領域とが併設されている。
【００３７】
したがって、発光素子は表示面側に向けて自ら発光して直接的に表示するので、従来のように、発光素子をバックライトやフロントライトとして使用するものではない。これによって、発光素子からの光の利用効率を高めることができるとともに、表示装置の厚みも薄くなる。すなわち、バックライトの厚みは、通常３〜６ミリメートル程度であるために、バックライトが不要になることによる厚み減少のメリットは非常に大きい。また、バックライトが不要になることは、従来、液晶パネルの背面パネルとバックライトとの間に設置されていた偏光板、位相差板及びガラス基板も不要となることを意味する。したがって、これら偏光板、位相差板及びガラス基板が不要になることによっても表示装置の厚みをより薄くすることができる。
【００３８】
また、パターン化した発光素子バックライトを位置決めして固定する必要もないので、これにかかる専用装置、固定機構が省略でき、部品点数の削減及び工程短縮等によるコストダウンを図ることが可能となる。
【００３９】
さらに、バックライトと背面側の偏光板及び位相差板が不要となるメリットは、単に表示装置全体の厚みが薄くなることだけではない。すなわち、部材点数が減ることは、材料費だけでなく組み立て工数や各々の部材の検査等に要するコストも削減できるため、表示装置全体の製造コストを下げることができる。
【００４０】
また、本発明のような例えば画素分割方式等の表示領域分割方式の表示装置では、第１表示領域と第２表示領域との比率をある程度任意に設計することが可能である。このため、例えば、携帯電話や情報携帯端末（ＰＤＡ）等のモバイル機器への使用を前提とする場合は、反射領域である第１表示領域の比率を大きくすることが一般的である。例えば、表示画素の画素面積のうち８０％を反射領域とした場合には、発光領域である第２表示領域は２０％になるため、発光素子の発光面積は最大でも画素面積の５分の１で済む。このことは、消費電力の低減を図ることが可能となることを意味する。
【００４１】
したがって、小型化及びコストダウンを図りながら、野外から屋内まで視認性に優れた表示装置を提供することができる。
【００４２】
また、本発明の表示装置は、上記記載の表示装置において、互いに対向してなる第１基板と第２基板とを備え、光変調素子及び発光素子はいずれも上記第１基板と第２基板との間に設けられていることを特徴としている。
【００４３】
上記の発明によれば、互いに対向してなる第１基板と第２基板とを備え、光変調素子及び発光素子はいずれも上記第１基板と第２基板との間に設けられている。このため、光変調素子及び発光素子はいずれも、第１基板と第２基板との間に収容されるので、表示装置の厚みを確実に薄くすることができる。
【００４４】
また、本発明の表示装置は、上記記載の表示装置において、第２表示領域には発光表示素子のみが形成されており、光変調素子の光変調層が存在しないことを特徴としている。
【００４５】
上記の発明によれば、第２表示領域には光変調素子の光変調層が存在しない。すなわち、発光素子の発光層における表示面側には光変調素子の光変調層が存在しない。つまり、発光素子から表示面方向へ出射した光が光変調層を通ることなく、表示装置外へ出射するということを意味する。なお、この状態として、発光層の表示面側の端面が光変調層の表示面側の端面よりも表示面側に存在する場合と、光変調層の表示面側の端面が発光層の表示面側の端面よりも表示面側に存在するが、例えば後述発明である凸部等の絶縁層の存在により発光層の表示面側つまり第２表示領域の光変調層が排除されている場合とがある。
【００４６】
この結果、発光素子の出射光が光変調素子の光変調層によって散乱されたり吸収されたりすることがないので、輝度低下が起こり難い。したがって、発光素子による表示品位を向上させることができる。
【００４７】
また、本発明の参考に係る表示装置は、上記記載の表示装置において、光変調素子の光変調層と発光素子の発光層とが同層に設けられていることを特徴としている。なお、同層とは、必ずしも両者が同一レベルではなく、光変調素子の光変調層内に発光素子の発光層が含まれる状態を含んでいる。
【００４８】
上記の表示装置によれば、発光素子は、光変調素子の光変調層と同層に設けられている。このため、従来の光変調素子からなる非発光表示素子の厚さの範囲内に発光素子を収容することができる。この結果、確実に、表示装置の厚さを薄くすることができる。
【００４９】
また、本発明の表示装置は、上記記載の表示装置において、発光素子を駆動する駆動素子と光変調素子を駆動する駆動素子とが第１基板側に形成される一方、発光素子が第２基板側に形成されていることを特徴としている。
【００５０】
上記の発明によれば、発光素子を駆動する駆動素子と光変調素子を駆動する駆動素子とが第１基板側に形成される一方、発光素子が第２基板側に形成されている。このため、表示装置を製造するときに、発光素子と、発光素子及び光変調素子を駆動する駆動素子とを別途に形成することができる。
【００５１】
したがって、発光素子を形成するときに、駆動素子形成時における工程温度、薬品、ガス等の影響を受けないようにすることができる。
【００５２】
また、本発明の表示装置は、上記記載の表示装置において、第１基板と第２基板とのいずれか一方に凸部が設けられるとともに、この凸部上に発光素子が形成されていることを特徴としている。
【００５３】
すなわち、発光素子を光変調素子の光変調層と同層に設ける場合に、発光素子の高さと光変調素子の光変調層との間隔が一致するとは限らない。この点、本発明によれば、第１基板と第２基板とのいずれか一方に高さ調整のための凸部が設けられるとともに、この凸部上に発光素子が形成されている。
【００５４】
したがって、確実に、発光素子を光変調素子の光変調層と同層に設けることができる。
【００５５】
また、本発明の表示装置は、上記記載の表示装置において、凸部は、導電性樹脂にて形成されていることを特徴としている。
【００５６】
上記の発明によれば、凸部は、導電性樹脂にて形成されている。したがって、例えば、駆動素子基板側から導電性樹脂からなる凸部を形成することによって、容易に駆動素子基板側から高さ調整を行なうことができる。
【００５７】
また、本発明の表示装置は、上記記載の表示装置において、凸部は、絶縁層からなっていることを特徴としている。
【００５８】
上記の発明によれば、凸部は、絶縁層からなっている。例えば、対向基板側から絶縁層からなる凸部を形成することによって、容易に高さ調整をすることができる。また、例えば、凸部を硬質の絶縁層にて形成することによって、光変調素子の光変調層の間隔を一定に維持させるためのスペーサとして機能させることができる。
【００５９】
なお、本発明では、絶縁層からなる凸部を複数層に形成し、かつその界面を鋸歯状に形成することが可能である。これによって、発光素子から発光する光に対して指向性を持たせることが可能となるので、例えば液晶などの光変調素子の視角特性と同様な視角特性になるように調整することができる。したがって、発光素子による表示と光変調素子による表示とを切替えたときに表示画像を違和感無く見ることができる。
【００６０】
また、本発明の表示装置は、上記記載の表示装置において、発光素子用電極と、第１基板側又は第２基板側との接合面には、導電性ペースト又は導電性樹脂が設けられていることを特徴としている。
【００６１】
上記の発明によれば、発光素子用電極と、第１基板側又は第２基板側との接合面には、導電性ペースト又は導電性樹脂が設けられている。すなわち、導電性ペースト又は導電性樹脂は一般的に硬化しても柔らかく弾力性を有している。
【００６２】
したがって、発光素子用電極と基板側との電気的接合を確実に行なうことが可能となる。
【００６３】
さらに、導電性ペーストの金属粒子材料には、超微粒子金属を使うことができる。この場合、超微粒子は粒径がナノスケールであるので、粒子間や電極に接触する確率が高い。このため、電気的接合を確実に行なうことが可能となる。
【００６４】
また、本発明の表示装置は、上記記載の表示装置において、発光素子の発光層と光変調素子の光変調層とが保護層を介して隣接していることを特徴としている。
【００６５】
すなわち、前記の発明では、発光素子は、光変調素子の光変調層と同層に設けられているので、光変調素子の光変調層と発光素子とが互いに影響を及ぼすおそれがある。例えば、発光素子によっては、光変調素子の例えば液晶等の光変調層と発光素子とが接触することよって、双方の性能が低下したり、材料劣化したりするものもある。また、発光素子が空気や水分と接触することにより劣化する場合もある。
【００６６】
しかし、本発明によれば、発光素子の発光層と光変調素子の光変調層とが保護層を介して隣接している。
【００６７】
したがって、発光素子の発光層と光変調素子の光変調層とが互いに影響を及ぼし合うのを防止することができる。例えば、発光素子を光変調素子の光変調層と同層に設けた後には、双方の性能が低下したり、材料劣化を防止することができる。また、表示装置の製造過程においては、例えば、対向基板側に発光素子を形成したときに、発光層を保護層にて保護することにより発光層が空気や水分との接触して劣化することを防止することができる。
【００６８】
また、本発明の表示装置は、上記記載の表示装置において、保護層は遮光機能を有していることを特徴としている。
【００６９】
すなわち、発光素子の発光層と光変調素子の光変調層との相互に及ぼす影響として、発光素子の発光層にて発光された光が光変調素子の光変調層に漏れることも考えられる。
【００７０】
この点、本発明によれば、保護層は遮光機能を有しているので、発光素子の発光層にて発光された光が光変調素子の光変調層に漏れるのを防止することができる。
【００７１】
また、本発明の参考に係る表示装置は、上記記載の表示装置において、発光素子と光変調素子とは、互いに独立して駆動されることを特徴としている。
【００７２】
上記の表示装置によれば、発光素子と光変調素子とは、互いに独立して駆動される。このため、発光素子と光変調素子とを個別に駆動することが可能となる。なお、発光素子と光変調素子とを互いに独立して駆動するための構成としては、例えば、発光素子と光変調素子とのそれぞれがデータ信号線及び走査信号線を有している場合、又は、データ信号線をそれぞれに設けるが走査信号線を共有している場合がある。
【００７３】
また、本発明の表示装置は、上記記載の表示装置において、発光素子及び光変調素子を駆動する信号ラインが共用され、発光素子と光変調素子とは信号ラインを共有して駆動されることを特徴としている。
【００７４】
上記の発明によれば、発光素子と光変調素子とは信号ラインを共有して駆動される。このため、発光素子と光変調素子との駆動回路の構成が複雑になるのを防止し、確実に、表示装置の厚みの低減及び部材コストの低減を図り得る表示装置を提供することができる。
【００７５】
また、本発明の表示装置は、上記記載の表示装置において、発光素子及び光変調素子を駆動する駆動素子が第１基板側又は第２基板側のいずれか一方に形成されていることを特徴としている。
【００７６】
上記の発明によれば、第１基板側又は第２基板側のいずれか一方に駆動素子を形成することによって、表示装置の製造をより容易に行なうことができ、かつ構成の複雑さを回避することができる。
【００７７】
また、本発明の表示装置は、上記記載の表示装置において、外光を検出する外光検出手段が設けられるとともに、この外光検出手段による外光の検出結果に基づいて、発光素子及び光変調素子の両方又はいずれか一方を選択表示させる表示制御手段が設けられていることを特徴としている。
【００７８】
上記の発明によれば、表示制御手段にて外光検出手段による外光の検出結果に基づいて、発光素子及び光変調素子の両方又はいずれか一方を選択表示させる。
【００７９】
したがって、周りの明るさに応じて自動的に発光素子及び光変調素子の表示を選択して、最適な表示状態を確保することができる。
【００８０】
また、本発明の表示装置は、上記記載の表示装置において、光変調素子は反射型の液晶表示素子であり、発光素子は有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴としている。
【００８１】
この結果、確実に、小型化及びコストダウンを図りながら、野外から屋内まで視認性に優れた表示装置を提供することができる。
【００８２】
また、本発明の表示装置は、上記記載の表示装置において、光変調素子の表示面側電極と発光素子の表示面側電極とが同一材料により同一層に形成されていることを特徴としている。
【００８３】
上記の発明によれば、光変調素子の表示面側電極と発光素子の表示面側電極とが同一材料により同一層に形成されていることによって、製造工程を共通化できるので、製造プロセスを簡単化できる。
【００８４】
また、本発明の参考に係る表示装置は、上記記載の表示装置において、光変調素子が明表示状態であるときに、発光素子が無発光状態を選択可能となっていることを特徴としている。
【００８５】
上記の表示装置によれば、光変調素子が明表示状態であるときに、発光素子が無発光状態を選択可能となっている。このため、明環境下での使用の際、発光素子を無発光状態とし、非発光表示素子のみで表示を行なうことにより、発光素子の劣化を防ぎ、長寿命化を可能とし、また、消費電力を節約することができる。
【００８６】
また、本発明の参考に係る表示装置は、上記記載の表示装置において、光変調素子及び発光素子が隣接状態に配されるとともに、光変調素子及び発光素子のいずれか一方が明表示状態であるときに、他方が暗表示状態になることを特徴としている。
【００８７】
上記の表示装置によれば、光変調素子及び発光素子が隣接状態に配されるとともに、光変調素子及び発光素子のいずれか一方が明表示状態であるときに、他方が暗表示状態になることにより、一方がブラックマトリクスとなり、表示上、コントラストを低下させることがない。
【００８８】
また、本発明の参考に係る表示装置の製造方法は、上記課題を解決するために、上記記載の表示装置を製造するに際して、第１基板上に駆動回路を形成し、第２基板上に発光素子を形成した後、これら駆動回路を形成した第１基板側と発光素子を形成した第２基板側とを合わせることにより一体化することを特徴としている。
【００８９】
上記の方法によれば、表示装置を製造するに際して、第１基板上に駆動回路を形成し、第２基板上に発光素子を形成した後、これら駆動回路を形成した第１基板側と発光素子を形成した第２基板側とを合わせることにより一体化する。
【００９０】
このため、表示装置を製造するときに、発光素子と、発光素子及び光変調素子を駆動する駆動素子とを別途に形成することができる。したがって、発光素子を形成するときに、駆動素子形成時における工程温度、薬品、ガス等の影響を受けないようにすることができる。
【００９１】
この結果、小型化及びコストダウンを図りながら、野外から屋内まで視認性に優れた表示装置の製造方法を提供することができる。
【００９２】
また、本発明の参考に係る表示装置の製造方法は、上記記載の表示装置の製造方法において、発光素子と保護層とはいずれを先に形成してもよいことを特徴としている。
【００９３】
上記の方法によれば、発光素子と保護層とはいずれを先に形成してもよい。このため、発光素子及び保護層の形成をいずれか容易に形成できる方の工程を優先することができる。
【００９４】
また、本発明の参考に係る表示装置の製造方法は、上記記載の表示装置の製造方法において、発光素子用電極と第１基板側又は第２基板側との接合面に、導電性ペースト又は導電性樹脂を設けた後、第１基板側と第２基板側とが貼り合わされることを特徴としている。
【００９５】
上記の方法によれば、発光素子用電極と第１基板側又は第２基板側との接合面に、導電性ペースト又は導電性樹脂を設けた後、基板同士が貼り合わされる。このため、発光素子用電極と第１基板側又は第２基板側との接合面を、樹脂同士又は樹脂とペーストとすることにより、樹脂同士及びペーストの弾力性によってコンタクト性能の向上を図ることができる。
【００９６】
さらに、導電性ペーストの金属粒子材料には、超微粒子金属を使うことができる。この場合、超微粒子は粒径がナノスケールであるので、粒子間や電極に接触する確率が高い。このため、電気的接合を確実に行なうことが可能となる。
【００９７】
また、本発明の参考に係る表示装置の製造方法は、上記課題を解決するために、非発光表示素子と発光表示素子とが併設されているもの及び発光表示素子単独からなるものにおいて、第２基板上に発光素子を２つの発光素子用電極まで形成した後、前記駆動回路を形成した第１基板側と、発光素子を形成した第２基板側とを貼り合わせることを特徴としている。
【００９８】
また、本発明の参考に係る表示装置の製造方法は、上記記載の表示装置の製造方法において、発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子からなり、上記有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する第２基板側は、有機エレクトロルミネッセンス素子におけるカソード電極まで形成した後に、第１基板側と貼り合わされることを特徴としている。
【００９９】
また、本発明の参考に係る表示装置は、上記課題を解決するために、発光表示素子単独からなり、第１基板上に駆動回路が形成された第１基板側と、第２基板上に２つの発光素子用電極までを含む発光素子が形成された第２板側とが貼り合わされていることを特徴としている。
【０１００】
また、本発明の参考に係る表示装置は、上記記載の表示装置において、発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子からなり、上記有機エレクトロルミネッセンス素子が形成された第２基板側は、有機エレクトロルミネッセンス素子におけるカソード電極まで形成した後に、第１基板側と貼り合わされていることを特徴としている。
【０１０１】
上記の表示装置によれば、非発光表示素子と発光表示素子とが併設されているもの及び発光表示素子単独からなるものにおいて、発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」という。）を形成する第２基板側は、有機ＥＬ素子における発光素子用電極であるカソード電極まで形成した後に、第１基板側と貼り合わせる。
【０１０２】
これにより、有機ＥＬ素子からの出射光は、有機ＥＬ素子を駆動する駆動回路を形成した基板側でなく、これと対向して設定される対向基板又は保護層側から出射させることが可能である。このため、前記先行技術と光出射方向が同じであるため、駆動回路形成側に出射する構造と比較して以下の基本的メリットを同等にもつこととなる。
【０１０３】
まず、駆動回路が設けられている第１基板側と有機ＥＬ素子とを別々に形成することができる。このため、それぞれ独立に製造工程を組むことができるので、温度、ガス及び薬品等に影響されることがなく信頼性が向上する。
【０１０４】
また、上記構成により、有機ＥＬ素子を形成した第２基板側に光を出射させることができる。これにより、駆動回路側開口率に影響されなく発光領域を広く設定できるので、高輝度化ができる。さらに、発光面積が広いことから同じ輝度を得るための単位面積当りの電流量を抑えることもでき、長寿命化、及び発光効率向上による消費電力低下が実現できる。
【０１０５】
また、駆動回路を形成した第１基板側に光出射しないため、第１基板側は全面に駆動回路を形成することができる。したがって、駆動回路のＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）の大きさを自由に設定したり、ＴＦＴ形成領域に余裕が生まれたりするので、細かな制御を行うための回路を形成することができる。さらに、配線幅にも余裕ができるので、駆動回路の信頼性を上げることができ、歩留まりが向上する。
【０１０６】
また、本発明の参考に係る表示装置の製造方法は、上記記載の非発光表示素子と発光表示素子とが併設されているもの及び発光表示素子単独からなるものの表示装置の製造方法において、前記有機エレクトロルミネッセンス素子におけるカソード電極までを形成した第２基板側は、上記カソード電極の上にさらに該カソード電極を保護する保護電極を形成した後、第１基板側と貼り合わされることを特徴としている。
【０１０７】
また、本発明の参考に係る表示装置は、上記記載の発光表示素子単独から表示装置において、前記有機エレクトロルミネッセンス素子におけるカソード電極の上にさらに該カソード電極を保護する保護電極が形成された第２基板側と、第１基板側とが貼り合わされていることを特徴としている。
【０１０８】
すなわち、上記の表示装置によれば、非発光表示素子と発光表示素子とが併設されているもの及び発光表示素子単独からなるものにおいて、有機ＥＬ素子のカソード電極は、仕事関数値の小さい材料を用いることが必要である。このような材料として金属材料では、例えばマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、カルシウム（Ｃａ）及びリチウム（Ｌｉ）等が挙げられるが、これらは不安定な材料であり、雰囲気中の水分や酸素で劣化を生じ易い。また、接触させる材料によっては、その材料から酸素を奪い化学反応を起すこともあるので、形成後直ぐに保護となるような安定な金属で覆うことが良い。しかし、前記先行技術では、いずれもカソード電極を保護するような構成はとることができない。
【０１０９】
これに対して、本表示装置では、前記有機エレクトロルミネッセンス素子におけるカソード電極までを形成する第２基板側は、上記カソード電極の上にさらに該カソード電極を保護する保護電極を形成した後、第１基板側と貼り合わせる。
【０１１０】
すなわち、カソード電極までを形成する第２基板側を第１基板側と貼り合わせる場合には、カソード電極を保護する保護電極を設けることによって、貼り合わせの際に、雰囲気中の水分や酸素にさらされることによるカソード電極の性能劣化を防ぐことができる。
【０１１１】
また、好ましくは、カソード電極とこれを保護する電極を同一工程で連続形成することによって、さらにカソード電極の劣化を防止させることができる。このとき、保護電極の形成厚さは自由に設定できるので、カソード電極が酸素等の劣化を生じさせる成分が入らないような十分な厚さをもって構成することが可能となる。
【０１１２】
また、本発明の参考に係る表示装置の製造方法は、上記記載の非発光表示素子と発光表示素子とが併設されているもの及び発光表示素子単独からなるものの表示装置の製造方法において、第１基板側の第２基板側への接合面には、駆動回路電極が設けられているとともに、前記有機エレクトロルミネッセンス素子におけるカソード電極までを形成した第２基板側は、上記第１基板側の駆動回路電極との接触面に、導電性ペースト、導電性樹脂等のコンタクト層を形成した後に、第１基板側の駆動回路電極と接合されることを特徴としている。
【０１１３】
また、本発明の参考に係る表示装置は、上記記載の発光表示素子単独からなる表示装置において、第１基板側の第２基板側への接合面には、駆動回路電極が設けられているとともに、第２基板側には、前記有機エレクトロルミネッセンス素子におけるカソード電極の上に、導電性ペースト、導電性樹脂等のコンタクト層が形成されており、上記第１基板側と第２基板側とは、第１基板側の駆動回路電極と第２基板側のコンタクト層とが対向して接合されていることを特徴としている。
【０１１４】
上記の表示装置によれば、有機ＥＬ素子におけるカソード電極までを形成する第２基板側は、上記第１基板側の駆動回路電極との接触面に、導電性ペースト、導電性樹脂等のコンタクト層を形成した後に、第１基板側の駆動回路電極と接合する。
【０１１５】
この結果、貼り合わせの際の電気的接触がより確実に取れるので、接合面での断線や点接触がなくなり、輝度斑にない画質向上を図ることが可能となる。
【０１１６】
さらに、導電性ペーストの金属粒子材料には、超微粒子金属を使うことができる。この場合、超微粒子は粒径がナノスケールであるので、粒子間や電極に接触する確率が高い。このため、電気的接合を確実に行なうことが可能となる。
【０１１７】
また、本発明の参考に係る表示装置の製造方法は、上記記載の非発光表示素子と発光表示素子とが併設されているもの及び発光表示素子単独からなるものの表示装置の製造方法において、第２基板側には、出射光側に有機エレクトロルミネッセンス素子における透明電極からなるアノード電極が設けられるとともに、上記アノード電極には、電力供給用電極が併設されることを特徴としている。
【０１１８】
また、本発明の参考に係る表示装置は、上記記載の発光表示素子単独からなる表示装置において、第２基板側には、出射光側に有機エレクトロルミネッセンス素子における透明電極からなるアノード電極が設けられているとともに、上記アノード電極には、電力供給用電極が併設されていることを特徴としている。
【０１１９】
すなわち、本表示装置のカソード電極（陰極）まで形成した第２基板側を第１基板側と貼り合わせる場合には、出射光側とは反対側のカソード電極（陰極）が第１基板側と対向するものとなる。
【０１２０】
ところで、透明電極は、通常、酸化物を用いた導電体であるため、金属と比較すると抵抗が高い。したがって、多くの画素をもつ表示パネルでは全画素を同時発光させるような場合、透明電極においては最初に電圧降下が起こる可能性がある。そして、第１基板側をアノード電極とする従来技術の場合は、駆動回路のＴＦＴへの電力供給は、金属配線であるので問題ないが、比抵抗で２桁程金属よりも高い透明導電体では、電圧降下による輝度斑が無視できない。
【０１２１】
そこで、本表示装置では、第２基板側には、出射光側に有機エレクトロルミネッセンス素子における透明電極からなるアノード電極が設けられるとともに、上記アノード電極には、電力供給用電極が併設される。
【０１２２】
したがって、例えば、出射側のブラックマトリクスに沿って金属配線からなる電力供給用電極を併設することによって、電圧降下を抑制できるので、輝度斑が生じない。
【０１２３】
【発明の実施の形態】
〔実施の形態１〕
本発明の実施の一形態について図１、図３ないし図１０に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【０１２４】
本実施の形態の表示装置５０は、図１に示すように、光変調層としての液晶層２６及び発光素子としての有機ＥＬ素子６０を挟んで上下のＴＦＴ基板５１と対向基板５２によって形成されている。下側はガラスに代表される材料からなる第１基板としての絶縁性基板２１上に形成されたＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）基板５１であり、表示画素毎に光変調素子としての反射型の液晶表示素子２０を駆動する液晶用ＴＦＴ素子２２と発光素子としての発光型の有機ＥＬ素子６０を駆動するＥＬ用ＴＦＴ素子４２とが形成されている。これら液晶用ＴＦＴ素子２２及びＥＬ用ＴＦＴ素子４２は、それぞれ独立に駆動することができる一方、信号ラインを共有して駆動することもできる。
【０１２５】
一方、上側には、同様にガラスからなる透明の第２基板としての絶縁性基板２９と、この絶縁性基板２９上に形成されたカラーフィルタ層２８と、ブラックマトリクス３３と、光変調素子の表示面側電極としての対向電極２７と、発光素子用電極及び発光素子の表示面側電極としての陽極６５、ホール輸送層６４、発光層６３、電子輸送層６２、及び発光素子用電極としての陰極６１からなる有機ＥＬ(Electro Luminescence) 発光素子６０と、偏光板３２と、位相差板３１とからなる対向基板５２が設けられている。
【０１２６】
ここで、本実施の形態では、有機ＥＬ素子６０は、液晶表示素子２０の光変調層である液晶層２６と同層に設けられており、有機ＥＬ素子６０の光出射側には液晶層２６が存在しないようになっている。
【０１２７】
すなわち、本実施の形態の表示装置５０では、液晶表示素子２０の部分では表示面側から入射する外光を液晶表示素子２０の画素電極２５にて反射させ液晶層２６にて変調し表示を行う第１表示領域としての反射領域１１と、有機ＥＬ素子６０の部分にて自発光して表示面側にその光を出射する第２表示領域としての発光領域１２ａとが表示領域としての表示画素毎に併設されている。
【０１２８】
また、本実施の形態の表示装置５０では、有機ＥＬ素子６０の出射光が液晶層２６を通り難い構造となっている。このため、有機ＥＬ素子６０の出射光が液晶によって散乱されたり吸収されたりすることがないので、輝度低下が起こり難い。
【０１２９】
上記の有機ＥＬ素子６０は、本実施の形態では、対向基板５２の陽極６５上に形成される。このことは、本実施の形態の有機ＥＬ素子６０はＴＦＴ回路とは別工程で作製可能であることを意味する。
【０１３０】
すなわち、有機ＥＬ素子６０は、対向基板５２側に形成され、形成された有機ＥＬ素子６０の光は対向基板５２側に出射される。このため、対向基板５２を形成するに際して、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウムすず酸化物）からなる透明の陽極６５から順にホール輸送層６４、発光層６３、電子輸送層６２及び陰極６１を形成することができ、従来提案されている形成方法を使用できるとともに、対向基板５２側には駆動回路がないため、駆動回路によって有機ＥＬ素子６０の開口率が制限されることはなく１００％近い開口率が得られる。
【０１３１】
また、ＴＦＴ製造工程と対向基板５２の製造工程とが分離されているため、ＴＦＴ製造工程で発生する熱の影響や、特に有機材料を用いた発光層６３の特性劣化を引き起こす水、薬液を使用するフォトリソ、エッチング工程と分離できる。
【０１３２】
したがって、有機ＥＬ素子６０をＴＦＴ基板５１とは別に形成できることは、有機ＥＬ素子６０の性能を維持する上でメリットとなる。
【０１３３】
ここで、本実施の形態に使用される発光層６３は、低分子型ＥＬ材料を用いたものであるか又は高分子型ＥＬ材料を用いたものであるかを問わない。同図に示す有機ＥＬ素子６０は、低分子型ＥＬ材料を用いた発光層６３の適用例を示しており、かつ発光層６３の両面に電子輸送層６２とホール輸送層６４とを設けている。ただし、必ずしもこれら電子輸送層６２とホール輸送層６４を設ける必要はないが、低分子型ＥＬ材料を用いた発光層６３では、電子輸送層６２及びホール輸送層６４を設けることが発光効率の点で好ましい。
【０１３４】
また、本実施の形態の表示装置５０では、ＴＦＴ基板５１における画素電極２５と有機ＥＬ素子６０との間には、凸部としての導電性コンタクト層６６が設けられており、これによって、有機ＥＬ素子６０と画素電極２５及びＥＬ用ＴＦＴ素子４２とが電気的に接続されている。この導電性コンタクト層６６は、高さ調整のために設けられている。
【０１３５】
次に、上記低分子型ＥＬ材料の発光層６３からなる有機ＥＬ素子６０を備えた表示装置５０の製造方法について説明する。最初に、対向基板５２を形成する場合について説明する。
【０１３６】
低分子型ＥＬ材料の発光層６３では、一般にマスク蒸着を使用して有機ＥＬ素子６０を形成する。したがって、対向基板５２を形成するときには、図４（ａ）に示すように、先ず、マスク５５を対向基板５２の対向電極２７及び陽極６５側の予め決められた位置にセットする。なお、本実施の形態では、後述するように、液晶表示素子２０と有機ＥＬ素子６０とが信号ラインを共有して駆動する方法を採用している。したがって、構造上、対向電極２７と陽極６５との間には溝が形成され導通しないようになっている。ただし、液晶表示素子２０と有機ＥＬ素子６０とを独立して駆動するときには、対向電極２７と陽極６５とは導通していてもよい。
【０１３７】
次いで、図４（ｂ）（ｃ）に示すように、マスク５５の窓５５ａを通してホール輸送層６４、発光層６３、電子輸送層６２及び陰極６１を順次成膜する。  一方、ＴＦＴ基板５１を成形するときには、図５（ａ）（ｂ）に示すように、液晶用ＴＦＴ素子２２、ＥＬ用ＴＦＴ素子４２及び画素電極２５が形成されたＴＦＴ基板５１上に感光性導電樹脂を塗布した後、マスク露光を行い、導電性コンタクト層６６のみ導電樹脂を残す。ここで、本実施の形態では、画素電極２５は、有機ＥＬ素子６０が配置される領域にも設けられている。この画素電極２５は、アルミニウム（Ａｌ）等の反射性を有する導電膜からなっているが、有機ＥＬ素子６０は画素電極２５とは反対の表示面側にのみ発光するので画素電極２５の存在は光透過の問題とならない。また、有機ＥＬ素子６０の背面の反射板を別途に形成する必要がないので、工程的にも工数の削減を図ることができる。
【０１３８】
また、上記の陰極６１は、一般的には金属にて形成するが、必ずしもこれに限らず、例えば導電性樹脂を用いることができる。なお、陰極６１を金属又は導電性樹脂にて形成した後にさらに導電性樹脂を形成しても良い。さらに、導電性樹脂は、インクジェットを用いて塗布を行っても良い。
【０１３９】
また、本実施の形態では、対向基板５２側へ有機ＥＬ素子６０の発光光が出射するため、対向基板５２側からＴＦＴ基板５１側へ電流を流すことが必要である。そのため、対向基板５２側に形成される透明の陽極６５の抵抗値が高い場合には、発光効率を下げることも考えられる。そこで、これを解消するために、例えば、図６に示すように、有機ＥＬ素子６０の透明の陽極６５に沿って金属電極６５ａを形成して抵抗値を下げることが可能である。この金属電極６５ａとして利用できる材料は、反射率の低い例えばチタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）等が望ましい。また、さらに低抵抗にするために、例えば、図７に示すように、アルミニウム（Ａｌ）等の低抵抗金属からなる金属電極６５ｂと例えばチタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）等の低反射率の金属電極６５ｃとを層構造にしてブラックマトリクス３３に沿って形成してもよい。ここで、低反射金属を使用するのは、金属電極６５ａ・６５ｂにて外光を反射し、コントラストを低下させないためである。また、同様の目的の金属電極をブラックマトリクス３３に沿って形成してもよい。この場合は、ブラックマトリクス３３で遮光された表示面側に直接出ないので、反射率の低い材料に限ることはない。
【０１４０】
ところで、本実施の形態では、有機ＥＬ素子６０と液晶層２６との境界に特に何も設けていないが、必ずしもこれに限らず、例えば、実施の形態２にて説明する有機ＥＬ発光素子７０と同様の遮光層を設けることも可能である。本実施の形態の有機ＥＬ素子６０に遮光層を形成する場合には、有機ＥＬ素子６０を層状に形成してから、壁面に遮光材料を塗布すればよい。
【０１４１】
次に、図８（ａ）（ｂ）に示すように、有機ＥＬ素子６０を形成した対向基板５２とＴＦＴ基板５１とは互いにアライメントされ、貼り合せて固定される。ここで、有機ＥＬ素子６０は、ＴＦＴ基板５１に導電性コンタクト層６６によって電気的に接続されるが、望ましくは、これらＴＦＴ基板５１及び対向基板５２の両方に予め導電性樹脂を形成し、導電性樹脂同士にて電気的コンタクトを取った方がよい。これは、金属表面の酸化膜等によるコンタクト不良を防止できるためであり、樹脂の持つ弾力性を利用してコンタクトを取り易くできるからである。
【０１４２】
この後、液晶を注入する。注入はＴＦＴ基板５１及び対向基板５２を貼り合わせた後、真空注入する方法にて注入することができる。
【０１４３】
次に、有機ＥＬ素子６０に用いる各部材の材質等について説明する。
【０１４４】
先ず、有機ＥＬ素子６０は、白色光を発光する発光層６３を用いて、液晶表示素子２０での表示に使用するカラーフィルタ層２８をそのまま使用することが可能である。一方、必ずしもこれに限らず、赤（Ｒ）・緑（Ｇ）・青（Ｂ）のいずれかの色を発光する発光層６３を用いることも可能である。このときには、カラーフィルタ層２８の一部を透明にしても良い。
【０１４５】
すなわち、発光層６３の発光は、赤（Ｒ）・緑（Ｇ）・青（Ｂ）の各色によって発光輝度の時間的劣化が同一ではない。このため、発光層６３を表示素子に用いる場合は、時間の経過に伴って色バランスが崩れる。この点、白色光を発光する発光層６３を用いた場合には、このような時間的な色バランス劣化を防ぐことができる。一方、白色光を発光する発光層６３を用いるとともに各色のカラーフィルタ層２８を使用した場合には、各色のカラーフィルタ層２８によって透過率が１／３となるので、光利用効率が下がることになる。
【０１４６】
したがって、いずれの場合も一長一短があるので、比較的使用期間が短いと考えられるディスプレイや正確な色バランスよりも明るさを重視されるディスプレイにおいては、赤（Ｒ）・緑（Ｇ）・青（Ｂ）の各色の発光色の発光層６３を用いるのが好ましい。一方、長時間色バランス性能が要求されるテレビのような用途には、白色光を発光する発光層６３を用いた方が好ましい。
【０１４７】
次に、各色を発光する低分子型発光材料からなる発光層６３として用いることができる材料としては、例えば、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、テトラセン、フルオレセイン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、キノリン金属錯体、イミン、ジフェニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、キナクリドン、ルブラン等が挙げられる。
【０１４８】
一方、白色光を発光する発光層６３の材料としては、青色金属錯体（Ｚｎｂｏｘ２：Zinc-benzoxyazol2 ）と黄色金属錯体（Ｚｎｓｑ２:Zinc-styrylquinoline2）を用いたものが挙げられる。これに蛍光色素ペリレンやＤＣＭ１（4-(Dicyanomethylene)-2-methyl-6-(4-dimethylaminostyryl)-4H-pyran) をドーピングしたものも使用できる。また、ポリマー材料の積層や、ポリビニルカルバゾールにＰＢＤ（2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole) を分散した単層材料等も使用できる。
【０１４９】
また、ホール輸送層６４の材料としては、フタロシアニン化合物、ナフタロシアニン化合物、ポルフィリン類、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾール、スチルベン等が上げられる。
【０１５０】
さらに、電子輸送層６２の材料としては、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェニキノン、チオピランジオキシド、オキサジアゾール、チアジアゾール、テトラゾール、ペリレンテトラカルボン酸が挙げられる。
【０１５１】
陰極６１の電極材料には、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）等の金属が挙げられる。なお、これらにニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、金（Ａｕ）等の金属材料を積層して、コンタクト性を上げてもよい。
【０１５２】
さらに、ＴＦＴ基板５１と対向基板５２とを接続するための導電性コンタクト層６６の接続導電性樹脂としては、例えば、特開平１１−２４９２９９号公報に記載の導電性粒子が分散された感光性樹脂（富士フィルム株式会社製）や雑誌「１９８６  The Chemical Society of Japan 」の「CHEMISTRY LETTERS ,pp.469-472,1986」等に記載されたポリピロールを用いた感光性導電ポリマーを利用することができる。なお、詳細には、特開平１１−２４９２９９号公報では、カーボンブラック等の導電性粒子が分散された感光性分散物及び感光性シートに関する技術であって、露光及び現像によってパターンを形成することができる旨が開示されている。また、「CHEMISTRY LETTERS ,pp.469-472,1986」には、ピロールモノマーを光化学重合させ、導電性をもたせ、ポリピロール形成することを開示しており、電極材料としてパターン化して用いることも開示している。
【０１５３】
次に、対向基板５２に形成される位相差板３１及び偏光板３２の特性について述べる。これら位相差板３１及び偏光板３２は、液晶表示素子２０において特定の液晶モードを除く反射型液晶表示装置を構成するために特定の液晶モードを除いて必要であり、その場合の位相差板３１は１／４λが一般的である。ここで、本実施の形態では、有機ＥＬ素子６０の陰極６１には、反射効果を上げるためにアルミニウム（Ａｌ）等の金属が使用される。そのため、有機ＥＬ素子６０の非発光時には陰極６１による光反射によってコントラストが下がる。したがって、通常は反射防止のため有機ＥＬ素子６０の表示面側に偏光板３２と１／４λの位相差板３１とが必要となる。この点、本実施の形態では、反射型の液晶表示素子２０には、予め同構成の偏光板３２及び位相差板３１があるため、新たに設ける必要もなく共用することができる。
【０１５４】
次に、上述の構成を備えた表示装置５０の駆動回路について、図９に基づいて説明する。なお、この駆動回路では、マトリクス状に形成された表示領域としての各表示画素１０…をアクティブ駆動すべく、液晶表示素子２０及び有機ＥＬ素子６０の駆動について信号ライン及び走査信号線であるゲートバスライン３…及び信号ライン及びデータ信号線であるソースバスライン２ａ…を共用するものとなっている。ただし、本発明においては、必ずしもこれに限らず、単純マトリクスに適用することも可能である。
【０１５５】
すなわち、同図に示すように、表示装置５０における１画素分の回路構成は、液晶用ＴＦＴ素子２２のゲート電極がゲートバスライン３に接続され、ソースバスライン２ａが液晶用ＴＦＴ素子２２のソース電極に接続されている。また、液晶用ＴＦＴ素子２２のドレイン電極２２ａは、液晶表示素子２０と、液晶補助容量３５と、ＥＬ用ＴＦＴ素子４２のゲート電極とに接続している。また、ＥＬ用ＴＦＴ素子４２のソース電極は電流供給ライン２ｂに接続し、ＥＬ用ＴＦＴ素子４２のドレイン電極は有機ＥＬ素子６０の陰極６１に接続している。なお、上記の構成では、有機ＥＬ素子４０はＥＬ用ＴＦＴ素子４２のドレイン側に設けられているが、必ずしもこれに限らず、例えば、図１０に示すように、ＥＬ用ＴＦＴ素子４２のソース側に設けることも可能である。
【０１５６】
上記の駆動回路では、図９及び図１０に示すように、ゲートバスライン３…に入力される走査線信号Ｖｇにて液晶用ＴＦＴ素子２２がＯＮ／ＯＦＦされ、ソースバスライン２ａ…のデータ線信号Ｖｓが液晶表示素子２０に入る。液晶表示素子２０の点灯状態は液晶補助容量３５によって確保される。また、本実施の形態では、ＥＬ用ＴＦＴ素子４２のＥＬ用閾値電圧Ｖｔｈ（ＯＬＥＤ）は液晶表示素子２０の動作範囲電圧よりも高く設定されている。すなわち、ソースバスライン２ａ…のデータ線信号Ｖｓの電圧が液晶表示素子２０の駆動電圧範囲を超えると、液晶表示素子２０は飽和する一方、ＥＬ用ＴＦＴ素子４２がＯＮ状態となって、有機ＥＬ素子６０が発光する。
【０１５７】
一方、液晶表示素子２０はノーマリーホワイトに設定されており、飽和状態では黒になる。このため、有機ＥＬ素子６０が発光する電圧範囲では、液晶表示素子２０は有機ＥＬ素子６０のブラックマトリックスとなって、液晶表示素子２０によるコントラスト低下は生じない。
【０１５８】
また、液晶表示素子２０のみが動作している電圧範囲では、発光領域１２ａは発光せず、パネル表示面に設けられた偏光板３２と位相差板３１とによって黒の状態となる。このため、有機ＥＬ素子６０による液晶表示素子２０のコントラスト低下は生じない。
【０１５９】
また、上述した有機ＥＬ素子６０及び液晶表示素子２０双方の表示を一体化しない場合には、駆動回路はそれぞれ独立駆動可能に設けることができる。このときの液晶表示素子２０は、ノーマリブラック設定し、液晶表示素子２０がＯＦＦ状態で黒になるようにすることが望ましい。これは、液晶表示素子２０が動作しないときに、液晶表示素子２０で電力を無駄に消費せず、表示コントラストを上げるためである。
【０１６０】
さらに、透過型液晶表示素子と反射型液晶表示素子とを組合わせた従来の液晶表示装置には、透過型表示用の光源及びそのための電源が必要であるが、有機ＥＬ素子６０と反射型の液晶表示素子２０とを同一パネル内に組込んだ本実施の形態の表示装置５０では、予め駆動ドライバー部に電源を持たせておく等にすれば輝度変調もできる。
【０１６１】
したがって、本実施の形態の表示装置５０は、光源用の電源が必要でなくコストダウン、部品点数削減、小型化が可能である。なお、信号配線を共通として、信号配線にかける電圧によって発光表示素子と、外光を利用して表示する非発光表示素子とを切り替えた場合には、前記図２に示すように、自発光輝度がある点Ｗで０に落とすことに相当する。
【０１６２】
このように、本実施の形態の表示装置５０では、各表示画素１０…内に、液晶表示素子２０が外光を反射させて表示を行なう非発光表示素子からなる反射領域１１と、有機ＥＬ素子６０が直接変調し表示を行なう発光表示素子からなる発光領域１２ａとが併設されている。
【０１６３】
したがって、一対の絶縁性基板２１と絶縁性基板２９との間に、液晶表示素子２０と有機ＥＬ素子６０とが併設されるので、表示装置の厚さを薄くすることができる。
【０１６４】
したがって、有機ＥＬ素子６０は表示面側に向けて自ら発光して直接的に表示するので、従来のように、有機ＥＬ素子６０をバックライトやフロントライトとして使用するものではない。したがって、これによっても有機ＥＬ素子６０からの光の利用効率を高めることができるとともに、表示装置の厚みも薄くなる。すなわち、バックライト及びフロントライトの厚みは、通常６ミリメートル程度であるために、バックライトが不要になることによる厚み減少のメリットは非常に大きい。また、バックライトが不要になることは、従来、液晶パネルの背面パネルとバックライトとの間に設置されていた背面側の偏光板、位相差板及びガラス基板も不要となることを意味する。したがって、これら背面側の偏光板、位相差板及びガラス基板が不要になることによっても表示装置の厚みをより薄くすることができる。
【０１６５】
さらに、バックライトと背面側の偏光板及び位相差板が不要となるメリットは、単に表示装置全体の厚みが薄くなるだけではない。すなわち、部材点数が減ることは、材料費だけでなく組み立て工数や各々の部材の検査等に要するコストも削減できるため、表示装置全体の製造コストを下げることができる。
【０１６６】
したがって、小型化及びコストダウンを図りながら、野外から屋内まで視認性に優れた表示装置５０を提供することができる。
【０１６７】
また、本実施の形態の表示装置５０では、互いに対向してなる絶縁性基板２１と絶縁性基板２９とを備え、液晶表示素子２０及び有機ＥＬ素子６０はいずれも絶縁性基板２１と絶縁性基板２１との間に設けられている。このため、液晶表示素子２０及び有機ＥＬ素子６０はいずれも、絶縁性基板２１と絶縁性基板２１との間に収容されるので、表示装置５０の厚みを確実に薄くすることができる。
【０１６８】
また、本実施の形態の表示装置５０では、発光領域１２ａには液晶表示素子２０の液晶層２６が存在しない。すなわち、有機ＥＬ素子４０のＥＬ発光層６３における表示面側には液晶表示素子２０の液晶層２６が存在しない。つまり、有機ＥＬ素子４０から表示面方向へ出射した光が液晶層２６を通ることなく、表示装置５０外へ出射するということを意味する。なお、ＥＬ発光層６３の表示面側に液晶層２６が存在しない状態として、本実施の形態以外では、例えば実施の形態３にて示すように、液晶層２６の表示面側の端面がＥＬ発光層６３の表示面側の端面よりも表示面側に存在するが、絶縁性凸部８１等の絶縁層の存在によりＥＬ発光層６３の表示面側つまり発光領域１２ａの液晶層２６が排除されている場合がある。また、それ以外の構造としては、ＥＬ発光層６３が液晶表示素子２０の表示面側に存在するタイプが考えられる。
【０１６９】
この結果、有機ＥＬ素子６０の出射光が液晶表示素子２０の液晶層２６によって散乱されたり吸収されたりすることがないので、輝度低下が起こり難い。したがって、有機ＥＬ素子６０による表示品位を向上させることができる。  また、本実施の形態の表示装置５０では、液晶表示素子２０の液晶層２６と有機ＥＬ素子６０のＥＬ発光層６３とが同層に設けられている。なお、同層とは、必ずしも両者が同一レベルではなく、液晶表示素子２０の液晶層２６内に有機ＥＬ素子６０のＥＬ発光層６３が含まれる状態を含んでいる。
【０１７０】
このため、従来の液晶表示素子２０からなる非発光表示素子の厚さの範囲内に有機ＥＬ素子６０を収容することができる。この結果、確実に、表示装置５０の厚さを薄くすることができる。
【０１７１】
また、本実施の形態の表示装置５０では、有機ＥＬ素子６０及び液晶表示素子２０を駆動する液晶用ＴＦＴ素子２２及びＥＬ用ＴＦＴ素子４２等の駆動素子が一方のＴＦＴ基板５１側に形成される一方、このＴＦＴ基板５１に対向する対向基板５２側に有機ＥＬ素子６０が形成されている。
【０１７２】
このため、表示装置５０を製造するときに、有機ＥＬ素子６０と、液晶用ＴＦＴ素子２２及びＥＬ用ＴＦＴ素子４２等の駆動素子とを別途に形成することができる。したがって、有機ＥＬ素子６０を形成するときに、液晶用ＴＦＴ素子２２及びＥＬ用ＴＦＴ素子４２等の駆動素子形成時における工程温度、薬品、ガス等の影響を受けないようにすることができる。
【０１７３】
さらに、有機ＥＬ素子６０の出射光は、対向基板５２側に出射するため、有機ＥＬ素子６０を駆動するＥＬ用ＴＦＴ素子４２に遮られることなく、有効に光を利用することができる。さらに、陽極６５である透明導電層からＥＬ発光層６３を形成することができるため、従来と同様な構成でＥＬ発光層６３を形成することができる。
【０１７４】
ところで、有機ＥＬ素子６０を液晶表示素子２０の液晶層２６と同層に設ける場合に、有機ＥＬ素子６０の形成高さと液晶表示素子２０の液晶層２６の厚みが一致するとは限らない。
【０１７５】
この点、本実施の形態では、ＴＦＴ基板５１に高さ調整のための導電性コンタクト層６６が設けられるとともに、この導電性コンタクト層６６上に有機ＥＬ素子６０が形成されている。
【０１７６】
したがって、確実に、有機ＥＬ素子６０を液晶表示素子２０の液晶層２６と同層に設けることができる。
【０１７７】
また、本実施の形態の表示装置５０では、導電性コンタクト層６６は導電性樹脂にて形成されている。したがって、ＴＦＴ基板５１から導電性樹脂からなる導電性コンタクト層６６を形成することによって、容易にＴＦＴ基板５１側から高さ調整を行なうことができる。
【０１７８】
また、本実施の形態の表示装置５０では、有機ＥＬ素子６０の陰極６１とＴＦＴ基板５１側との接合面には、導電性ペースト又は導電性樹脂が設けられている。
【０１７９】
すなわち、導電性ペースト又は導電性樹脂は一般的に硬化しても柔らかく弾力性を有している。したがって、有機ＥＬ素子６０の陰極６１とＴＦＴ基板５１側との電気的接合を確実に行なうことが可能となる。
【０１８０】
さらに、導電性ペーストの金属粒子材料には、超微粒子金属を使うことができる。この場合、超微粒子は粒径がナノスケールであるので、粒子間や電極に接触する確率が高い。このため、電気的接合を確実に行なうことが可能となる。
【０１８１】
また、本実施の形態の表示装置５０では、有機ＥＬ素子６０と液晶表示素子２０とはソースバスライン２ａ…及びゲートバスライン３…を共有して駆動される。
【０１８２】
このため、有機ＥＬ素子６０と液晶表示素子２０との駆動回路の構成が複雑になるのを防止し、確実に、表示装置の厚みの低減及び部材コストの低減を図り得る表示装置５０を提供することができる。
【０１８３】
また、本実施の形態の表示装置５０では、有機ＥＬ素子６０と液晶表示素子２０とは、互いに独立して駆動されるようにしてもよい。このため、有機ＥＬ素子６０と液晶表示素子２０とを個別に駆動することが可能となる。なお、有機ＥＬ素子６０と液晶表示素子２０とを互いに独立して駆動するための構成としては、例えば、有機ＥＬ素子６０と液晶表示素子２０とのそれぞれがソースバスライン２ａ…及びゲートバスライン３…を有している場合、又は、ソースバスライン２ａ…をそれぞれに設けるがゲートバスライン３…を共有している場合がある。
【０１８４】
また、本実施の形態の表示装置５０では、有機ＥＬ素子６０及び液晶表示素子２０を駆動するＥＬ用ＴＦＴ素子４２及び液晶用ＴＦＴ素子２２が一方の基板であるＴＦＴ基板５１に形成されている。したがって、ＴＦＴ基板５１にＥＬ用ＴＦＴ素子４２及び液晶用ＴＦＴ素子２２を形成することによって、表示装置５０の製造をより容易に行なうことができ、かつ構成の複雑さを回避することができる。
【０１８５】
また、本実施の形態の表示装置５０では、光変調素子は反射型の液晶表示素子２０であり、発光素子は有機ＥＬ素子６０である。
【０１８６】
したがって、反射型の液晶表示素子２０を光変調素子とすることによって、容易に、液晶表示素子２０及び有機ＥＬ素子６０を各表示画素１０…内に併設することができる。
【０１８７】
この結果、確実に、小型化及びコストダウンを図りながら、野外から屋内まで視認性に優れた表示装置５０を提供することができる。
【０１８８】
また、本実施の形態の表示装置５０では、液晶表示素子２０の対向電極２７と有機ＥＬ素子６０の陽極６５とが同一材料により同一層に形成されている。このため、製造工程を共通化できるので、製造プロセスを簡単化できる。
【０１８９】
また、本実施の形態の表示装置５０の製造方法では、一方の基板上であるＴＦＴ基板５１に液晶用ＴＦＴ素子２２及びＥＬ用ＴＦＴ素子４２を形成し、他方の基板上である対向基板５２に有機ＥＬ素子６０を形成した後、これらＴＦＴ基板５１と対向基板５２とを合わせることにより一体化する。
【０１９０】
このため、表示装置５０を製造するときに、有機ＥＬ素子６０と、液晶用ＴＦＴ素子２２及びＥＬ用ＴＦＴ素子４２とを別途に形成することができる。したがって、有機ＥＬ素子６０を形成するときに、液晶用ＴＦＴ素子２２及びＥＬ用ＴＦＴ素子４２を形成する時における工程温度、薬品、ガス等の影響を受けないようにすることができる。
【０１９１】
この結果、小型化及びコストダウンを図りながら、野外から屋内まで視認性に優れた表示装置５０の製造方法を提供することができる。
【０１９２】
また、本実施の形態の表示装置５０の製造方法では、有機ＥＬ素子６０とコア部７７・７７とはいずれを先に形成してもよい。このため、有機ＥＬ素子６０とコア部７７・７７の形成をいずれか容易に形成できる方の工程を優先することができる。
【０１９３】
また、本実施の形態の表示装置５０では、有機ＥＬ素子６０の陰極６１とＴＦＴ基板５１側との接合面に、導電性ペースト又は導電性樹脂を設けた後、ＴＦＴ基板５１と対向基板５２とが貼り合わされる。
【０１９４】
このため、有機ＥＬ素子６０の陰極６１とＴＦＴ基板５１側との接合面を、樹脂同士又は樹脂とペーストとすることにより、樹脂同士及びペーストの弾力性によってコンタクト性能の向上を図ることができる。
【０１９５】
さらに、導電性ペーストの金属粒子材料には、超微粒子金属を使うことができる。この場合、超微粒子は粒径がナノスケールであるので、粒子間や電極に接触する確率が高い。このため、電気的接合を確実に行なうことが可能となる。
【０１９６】
なお、本実施の形態では、光変調素子として反射型の液晶表示素子２０を使用したが、必ずしもこれに限らず、例えば、ミラー等を使って光の反射量を変化させて表示することができる表示素子を用いても良い。また、電気泳動型ディスプレイ、ツイストボール型ディスプレイ、微細なプリズムフィルムを用いた反射型ディスプレイ、デジタルミラーデバイス等の光変調素子を用いることが可能である。
【０１９７】
また、発光素子として、本実施の形態では、有機ＥＬ素子４０を用いたが、必ずしもこれに限らず、例えば、無機ＥＬ発光素子、ＬＥＤ（Light Emitting Diode) 等の発光輝度が可変の素子であれば適用が可能である。また、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）、プラズマディスプレイ等の発光素子を用いることも可能である。
【０１９８】
〔実施の形態２〕
本発明の他の実施の形態について図１１ないし図１４に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記の実施の形態１の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【０１９９】
本実施の形態では、高分子型ＥＬ材料にて有機ＥＬ発光素子を形成する場合について説明する。
【０２００】
本実施の形態の有機ＥＬ発光素子７０は、図１１に示すように、発光層としての発光層７３が高分子型ＥＬ材料にてなっているとともに、この発光層７３の上下には直接、陰極６１及び陽極６５が接合されている。すなわち、本実施の形態の有機ＥＬ発光素子７０では、前記実施の形態１の有機ＥＬ素子６０に存在したホール輸送層６４及び電子輸送層６２は省略されている。ただし、本実施の形態においても、これらホール輸送層６４及び電子輸送層６２を設けることは可能である。
【０２０１】
また、本実施の形態では、発光層７３の両側に液晶層２６との絶縁を図るための保護層としてのコア部７７・７７が形成されている。なお、発光層７３の形成に際して、コア部７７・７７を先ず形成し、その中にＥＬ材料をインクジェット塗布又は印刷して発光層７３を形成することが可能である。
【０２０２】
上記のコア部７７・７７は、レジスト、ポリイミドといった材料で作ることができる。また、コア部７７・７７は遮光性材料である方が望ましい。これは、発光層７３から出射する光の横方向への漏れ光が液晶層２６に入り、迷光となってコントラスト低下を招くことになるからである。
【０２０３】
上記の有機ＥＬ発光素子７０の製造方法について説明する。
【０２０４】
先ず、図１２（ａ）に示すように、対向基板５２の対向電極２７及び陽極６５側にコア部７７・７７を形成する。これはレジスト又はポリイミドを用いフォトリソ工程やインクジェット塗布方式にて形成する。
【０２０５】
次に、図１２（ｂ）に示すように、この部分に例えばインクジェット塗布方式にて高分子型ＥＬ材料からなる発光層７３を形成する。高分子型ＥＬ材料としては、ポリフェニレンビニレン、ポリフルオレン、ポリチオフェン、ポリビニルカルバゾール等が挙げられる。
【０２０６】
最後に、図１２（ｃ）に示すように、例えば導電性高分子材料をこの上に塗布して陰極６１を形成することもできる。また、図示しない、アルミニウム（ＡＬ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（ＡＬ）−マグネシウム（Ｍｇ）合金等の金属材料、金属ペーストを形成した後、導電性高分子材料を塗布し、陰極６１としてもよい。
【０２０７】
一方、ＴＦＴ基板５１側は、図１３に示すように、液晶用ＴＦＴ素子２２、ＥＬ用ＴＦＴ素子４２及び画素電極２５が形成されたＴＦＴ基板５１上に感光性導電樹脂をインクジェット塗布方式で塗布して導電性コンタクト層６６を形成することができる。
【０２０８】
次いで、図１４（ａ）（ｂ）に示すように、有機ＥＬ発光素子７０を形成した対向基板５２とＴＦＴ基板５１とは互いにアライメントされ、前記実施の形態１と同様にして貼り合せて固定される。
【０２０９】
この後、液晶を注入・封止する。このとき、形成されているコア部７７・７７が走査線方向に表示パネル幅にわたって形成されている場合は、表示パネル端面から走査線に沿って真空注入することができる。
【０２１０】
なお、その他の構成及びこの有機ＥＬ発光素子７０の駆動動作、表示方法等は前記実施の形態１と同様であるので、説明を省略する。
【０２１１】
このように、本実施の形態の有機ＥＬ発光素子７０では、少なくとも、発光層６３とこの発光層６３の両側に形成される陰極６１及び陽極６５とからなっている。
【０２１２】
このため、例えば、高分子型ＥＬ材料からなる発光層７３を形成する場合において、最小限の構成要素から有機ＥＬ発光素子７０を形成することができる。
【０２１３】
ところで、上記の表示装置５０では、有機ＥＬ発光素子７０は、液晶表示素子２０の液晶層２６と同層に設けられているので、液晶表示素子２０の液晶層２６と有機ＥＬ素子６０とが互いに影響を及ぼすおそれがある。例えば、有機ＥＬ発光素子７０によっては、液晶表示素子２０の液晶等の液晶層２６と有機ＥＬ発光素子７０とが接触することよって、双方の性能が低下したり、材料劣化したりするものもある。また、有機ＥＬ発光素子７０が空気や水分と接触することにより劣化する場合もある。
【０２１４】
しかし、本実施の形態では、有機ＥＬ発光素子７０の発光層７３と液晶表示素子２０の液晶層２６とがコア部７７・７７を介して隣接している。
【０２１５】
したがって、有機ＥＬ発光素子７０の発光層７３と液晶表示素子２０の液晶層２６とが互いに影響を及ぼすのを防止することができる。すなわち、有機ＥＬ発光素子７０を液晶表示素子２０の液晶層２６と同層に設けた後には、双方の性能が低下したり、材料劣化したりするのを防止することができる。また、表示装置５０の製造過程においては、例えば、対向基板５２側に有機ＥＬ発光素子７０を形成したときに、発光層７３をコア部７７・７７及び陰極６１にて保護することにより発光層７３が空気や水分の接触して劣化することを防止することができる。
【０２１６】
ところで、有機ＥＬ発光素子７０にて発光された光が隣接する液晶表示素子２０へ漏れることも考えられる。
【０２１７】
この点、本実施の形態の表示装置５０では、コア部７７・７７は遮光機能を有しているので、有機ＥＬ発光素子７０にて発光された光が液晶表示素子２０の液晶層２６に漏れるのを防止することができる。
【０２１８】
〔実施の形態３〕
本発明の他の実施の形態について図１５ないし図１８に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記の実施の形態１及び実施の形態２の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【０２１９】
本実施の形態の表示装置５０では、図１５に示すように、対向基板５２側に凸部としての硬質かつ透明の凸部としての絶縁性凸部８１を設け、有機ＥＬ発光素子７０をＴＦＴ基板５１側に設けている。上記の絶縁性凸部８１は、液晶層２６の厚さ制御用の柱として使用しているものである。
【０２２０】
すなわち、液晶層２６の厚さは通常３〜５μｍに設定されることが多い。一方有機ＥＬ発光素子７０の厚さは、０．１〜０．５μｍ程度である。前記実施の形態１及び実施の形態２にて示す図１及び図１１の有機ＥＬ素子６０及び有機ＥＬ発光素子７０では、この厚さの差を接続樹脂である導電性コンタクト層６６にて調整していた。
【０２２１】
これに対して、本実施の形態では、予め液晶層２６と有機ＥＬ発光素子７０との厚さの差を考慮した高さの絶縁性凸部８１を設けている。なお、図１５においては、接続部を明記していないが、接続部は存在する。
【０２２２】
上記の絶縁性凸部８１を形成する材料としては高透過率樹脂材料を使用することが必要である。例えばＪＳＲ株式会社製の感光性スペーサ材料、製品名「オプトマ−ＮＮシリーズ」を使うことができる。この高透過率樹脂材料は、前記導電性コンタクト層６６及び接続部にて使用される接続樹脂よりは形成後の硬度が高くなる。この性質のため、高さを設定することにより、対向基板５２とＴＦＴ基板５１との距離を一定に保つ効果が期待できる。
【０２２３】
従来、液晶層２６の厚さは、この液晶層２６に散布されたスペーサビーズにて制御されているが、液晶層２６の画素表示面にあるために、コントラスト低下や散乱を引き起こし、画像品位低下を引き起している。また、スペーサビーズによっても、十分な厚さ制御とはなっていなかった。
【０２２４】
しかし、本実施の形態のように、この絶縁性凸部８１にて液晶層２６の厚さ制御を行なうことによって、液晶層２６の厚さ制御精度が向上するととともに、パネルの強度向上も期待できることになる。
【０２２５】
なお、本実施の形態では、絶縁性凸部８１は、上記の厚さ制御のためにのみ使用されているが、必ずしもこれに限らず、この絶縁性凸部８１を有機ＥＬ発光素子７０からの光制御部材、つまり有機ＥＬ発光素子７０からの光を制御する光学素子として利用することも可能である。この目的のために、例えば、図１６に示すように、屈折率の異なった複数の透明樹脂を鋸歯状に２層にした凸部としての鋸歯状凸部８２ａ・８２ｂからなる絶縁性凸部８２とすることが可能である。このような構造にすることによって、有機ＥＬ発光素子７０から出射する光に指向性を持たせることが可能となる。また、鋸歯の形状を変えることによって、指向特性を変化させることができるので、液晶表示装置と同様の視野角特性を得ることができる。
【０２２６】
ここで、本実施の形態の有機ＥＬ発光素子７０を表示面から見た場合、図１７に示すように、Ｗ、Ｌで決められる範囲が一つの表示画素１０…に相当し、各々反射領域１１と発光領域１２ａとが分割されてなっている。また、同図に示すように、反射領域１１と発光領域１２ａとのそれぞれについて、画素電極２５と液晶用ＴＦＴ素子２２又はＥＬ用ＴＦＴ素子４２とを接続するスルーホール２５ａが形成されている。
【０２２７】
なお、上記の表示画素１０…における反射領域１１と発光領域１２ａとの分割配置は必ずしもこれに限らない。例えば、図１８（ａ）に示すように、有機ＥＬ発光素子７０による発光領域１２ａが液晶表示素子２０による反射領域１１に囲まれている形状のように、反射領域１１と発光領域１２ａとのいずれか一方が他方に囲まれている場合でもよい。同図に示す有機ＥＬ発光素子７０による発光領域１２ａが液晶表示素子２０による反射領域１１に囲まれている形状では、有機ＥＬ発光素子７０が発光するときは周りの液晶表示素子２０の反射領域１１が全て黒となるようにすれば、隣接する表示素子がブラックマトリクスの働きをするので、前記図１６に示す形状に比べて、コントラストを上げるには有効である。
【０２２８】
また、図１８（ｂ）に示すような形状でも、表示画素１０…が敷き詰められれば、有機ＥＬ発光素子８０による発光領域１２ａは、液晶表示素子２０による反射領域１１に囲まれるため、同様の効果が期待できる。
【０２２９】
また、発光領域１２ａと反射領域１１との面積については、表示装置の用途によって決定することができる。
【０２３０】
なお、本実施の形態では、高分子型ＥＬ材料からなる発光層７３の有機ＥＬ発光素子７０について説明したが、必ずしもこれに限らず、低分子型ＥＬ材料からなるＥＬ発光層６３の有機ＥＬ素子６０についても本実施の形態を適用することが可能である。
【０２３１】
また、その他の構成については、前記実施の形態１ないし実施の形態３と同じであるので、その説明を省略する。
【０２３２】
このように、本実施の形態の表示装置５０では、対向基板５２には形成高さ調整のための絶縁性凸部８１又は絶縁性凸部８２が設けられるとともに、この絶縁性凸部８１又は絶縁性凸部８２上に有機ＥＬ発光素子７０が形成されている。
【０２３３】
したがって、有機ＥＬ発光素子７０を液晶表示素子２０の液晶層２６と同層に設ける場合に、有機ＥＬ発光素子７０の高さと液晶表示素子２０の液晶層２６との厚みが一致しなくても、確実に、有機ＥＬ発光素子７０を液晶表示素子２０の液晶層２６と同層に設けることができる。
【０２３４】
また、本実施の形態の表示装置５０では、絶縁性凸部８１又は絶縁性凸部８２は、硬質の絶縁層からなっている。したがって、対向基板５２側から硬質の絶縁層からなる絶縁性凸部８１又は絶縁性凸部８２を形成することによって、対向基板５２側から容易に高さ調整をすることができる。また、絶縁性凸部８１又は絶縁性凸部８２を硬質の絶縁層にて形成することによって、液晶表示素子２０の液晶層２６の間隔を一定に維持させるためのスペーサとして機能させることができる。
【０２３５】
なお、本実施の形態では、硬質の絶縁層からなる絶縁性凸部８２を２層に形成し、かつその界面を鋸歯状に形成して鋸歯状凸部８２ａ・８２ｂとすることが可能である。これによって、有機ＥＬ素子６０から発光する光に対して指向性を持たせることが可能となる。このように、絶縁性凸部８２は、有機ＥＬ素子６０の光制御部材としても機能させることが可能である。また、絶縁性凸部８２における鋸歯状凸部８２ａ・８２ｂの鋸歯の形状を変えることによって、指向特性を変化させることができるので、液晶表示装置と同様の視野角特性を得ることができる。この場合、有機ＥＬ発光素子７０による表示と液晶表示素子２０による表示とを切替えたときに表示画像を違和感無く見ることができる。
【０２３６】
また、本実施の形態の画素分割方式の表示装置５０では、反射領域１１と発光領域１２ａとの比率をある程度任意に設計することが可能である。このため、例えば、携帯電話や情報携帯端末（ＰＤＡ）等のモバイル機器への使用を前提とする場合は、反射領域である反射領域１１の比率を大きくすることが一般的である。例えば、表示画素１０の画素面積のうち８０％を反射領域とした場合には、発光領域１２ａは２０％になるため、有機ＥＬ素子６０の発光面積は最大でも画素面積の５分の１で済む。
【０２３７】
したがって、小型化及びコストダウンを図りながら、野外から屋内まで視認性に優れた表示装置を提供することができる。
【０２３８】
また、本実施の形態の表示装置５０では、液晶表示素子２０が明表示状態であるときに、有機ＥＬ発光素子７０が無発光状態を選択可能となっている。このため、明環境下での使用の際、有機ＥＬ発光素子７０を無発光状態とし、液晶表示素子２０のみで表示を行なうことにより、有機ＥＬ発光素子７０の劣化を防ぎ、長寿命化を可能とし、また、消費電力を節約することができる。
【０２３９】
また、本実施の形態の表示装置５０では、液晶表示素子２０及び有機ＥＬ発光素子７０が隣接状態に配されるとともに、液晶表示素子２０及び有機ＥＬ発光素子７０のいずれか一方が明表示状態であるときに、他方が暗表示状態になる。
【０２４０】
これによって、一方がブラックマトリクス３３となり、表示上、コントラストを低下させることがない。
【０２４１】
また、本実施の形態の表示装置５０では、液晶表示素子２０及び有機ＥＬ発光素子７０の両方を点灯して明表示状態とすることが可能である。これにより、有機ＥＬ発光素子７０のみを点灯する場合に比べて、高品質表示を維持しながら、低消費電力化が可能となる。
【０２４２】
〔実施の形態４〕
本発明の他の実施の形態について図１９に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記の実施の形態１ないし実施の形態３の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。また、前記実施の形態１ないし実施の形態３で述べた各種の特徴点については、本実施の形態についても適用することができる。
【０２４３】
本実施の形態では、光センサにて外光を検出し、その検出結果に基づいて、有機ＥＬ素子６０又は有機ＥＬ発光素子７０の輝度調節を行なう場合について説明する。
【０２４４】
すなわち、図１９に示すように、表示装置５０では、表示制御手段としてのコントロール回路９１及び電源回路９２が設けられており、このコントロール回路９１は画像表示の信号を受けて、電源部９０を介してソースドライバ６に信号を発生させるととともに、ゲートドライバ７ヘも信号を発生させる。本実施の形態では、このコントロール回路９１に測定回路９２を介して外光検出手段としての光センサ９３が接続されている。
【０２４５】
そして、コントロール回路９１は、光センサ９３の制御と外光測定のコントロールとを行っている。光センサ９３は、例えばフォトトランジスタ等で構成されている。
【０２４６】
また、本実施の形態では、発光素子として有機ＥＬ素子６０又は有機ＥＬ発光素子７０を使用するとともに、光変調素子として液晶表示素子２０を使用しているので、上記の電源部９０は、液晶駆動よりも駆動能力が必要とされる有機ＥＬ素子６０又は有機ＥＬ発光素子７０の駆動のための定電流又は定電圧電源としてなっている。したがって、液晶表示のみでは電源部９０は使用されない。
【０２４７】
上記の光センサ９３による制御と外光測定のコントロールについて説明する。
【０２４８】
先ず、暗環境では、コントロール回路９１は光センサ９３からの信号で周囲が暗いことを認識し、有機ＥＬ素子６０又は有機ＥＬ発光素子７０を駆動するためのデータ線信号及びゲート線信号を発生する。このとき、有機ＥＬ素子６０又は有機ＥＬ発光素子７０の階調表現を電源部９０側で行う場合は、コントロール回路９１から電源部９０へ信号が供給される。
【０２４９】
一方、明環境では、光センサ９３からの信号を基に、反射型の液晶表示素子２０を駆動するためのデータ線信号及びゲート線信号を発生する。このときは前述の通り電源部９０は関係なくなるからコントロール回路９１から直接電源をコントロールする信号は必ずしも必要でない。
【０２５０】
有機ＥＬ素子６０又は有機ＥＬ発光素子７０と液晶表示素子２０との両方を同時に表示させる場合には、コントロール回路９１から各表示のためのソース信号を送る。これにより、各表示毎に輝度調整ができるので、周りの環境に応じて最適な表示状態を選択できる。
【０２５１】
このように、光センサ９３にて外光を測定することにより、自動的に有機ＥＬ素子６０又は有機ＥＬ発光素子７０を発光させたり、又は液晶表示素子２０の反射表示を行わせたりの切替えができるばかりでなく、環境に最適な表示状態を選択することができる。
【０２５２】
以上のように、本実施の形態の表示装置５０では、コントロール回路９１にて光センサ９３による外光の検出結果に基づいて、有機ＥＬ素子６０又は有機ＥＬ発光素子７０及び液晶表示素子２０の両方又はいずれか一方を選択表示させる。
【０２５３】
したがって、周りの明るさに応じて自動的に有機ＥＬ素子６０、有機ＥＬ発光素子７０又は液晶表示素子２０の表示を選択して、最適な表示状態を確保することができる。
【０２５４】
なお、上述した実施の形態１〜実施の形態４に記載された絶縁性基板２９とは、必ずしも硬質のものではなく、フィルム状のものであってもよい。
【０２５５】
〔実施の形態５〕
本発明のさらに他の実施の形態について図２０ないし図２７に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、説明の便宜上、前記の実施の形態１ないし実施の形態４の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。また、前記実施の形態１ないし実施の形態４で述べた各種の特徴点については、本実施の形態についても適用することができる。
【０２５６】
本実施の形態では、単独の発光素子である有機ＥＬ表示装置を製造する場合について説明する。
【０２５７】
まず、本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１００は、図２０に示すように、２枚の第１基板及び第２基板としての絶縁性基板１２１・１２９の間にＴＦＴ駆動回路部とＥＬ層とが形成されている。
【０２５８】
一方の絶縁性基板１２１上にはＴＦＴ回路１４２が形成され、このＴＦＴ回路１４２上には保護膜となる絶縁性の平坦化膜１２３が形成され、この平坦化膜１２３上には画素電極１２５が形成されている。この画素電極１２５は平坦化膜１２３に設けられたスルーホールを通して、上記ＴＦＴ回路１４２と接続されている。平坦化膜１２３は、ＴＦＴ回路１４２への水分等の浸入を防ぐと共に、ＴＦＴ回路１４２の上面を平坦化する役目を持っている。上記絶縁性基板１２１、ＴＦＴ回路１４２、平坦化膜１２３及び画素電極１２５は、ＴＦＴ回路側基板１５１を形成するものとなっている。
【０２５９】
一方、上記ＴＦＴ回路側基板１５１と対向する位置に設けられた、もう一方の絶縁性基板１２９上には、素子の隙間を隠し、発光層の横方向からの光を遮断するブラックマトリクス１３３が設けられるとともに、ブラックマトリクス１３３上には、ＥＬ層へ電力を供給する電極ライン１６５ａが、ブラックマトリクス１３３に沿って形成されている。さらに、これらの上には、ＥＬ層の陽極となる透明導電膜からなるアノード電極１６５が形成されている。
【０２６０】
上記アノード電極（陽極）１６５は、通常、ＩＴＯの酸化物で形成されるが、酸化物のよる導電体は金属に比較して抵抗値が大きくなる。このため、電力供給源となる基板端面からの距離によっては透明導電膜からなるアノード電極（陽極）１６５による電力ロスが無視できなくなる。以上の理由から、本実施の形態では、ブラックマトリクス１３３に沿わせる形で金属電極からなる上記電力供給用電極としての電極ライン１６５aを形成している。
【０２６１】
上記アノード電極（陽極）１６５上には有機ＥＬ層１６６が形成されており、この有機ＥＬ層１６６は、ここではホール輸送層１６４、発光層１６３、電子輸送層１６２からなる構成をとる。そして、電子輸送層１６２上にはカソード電極（陰極）１６１が形成される。絶縁性基板１２９からこのカソード電極（陰極）１６１まででＥＬの構造は完成する。なお、アノード電極（陽極）１６５、ホール輸送層１６４、発光層１６３、電子輸送層１６２及びカソード電極（陰極）１６１により、有機ＥＬ素子１６０がなっている。
【０２６２】
本実施形態では、カソード電極（陰極）１６１を保護するカソード保護電極材料１６７をカソード電極（陰極）１６１の次に形成している。これは、カソード電極（陰極）１６１が、酸素及び水分によって酸化され易いためであり、カソード電極（陰極）１６１の上に形成することによってこのカソード電極（陰極）１６１を保護するととともに、ＴＦＴ回路側基板１５１との接続を容易にするために設けられている。すなわち、このカソード保護電極材料１６７は、カソード電極（陰極）１６１と連続形成することが信頼性の点で望ましい。
【０２６３】
また、ＴＦＴ回路側基板１５１と有機ＥＬ素子１６０を形成した絶縁性基板１２９とは接続電極１６８にて接続される。この接続電極１６８は、導電性ペースト及び導電性樹脂にて形成される。両方の基板側にこれらを形成した後、貼り合わせてもよいし、また、一方の基板のみに形成してもよい。さらに、これらの材料を複数用いて層状にして接続を行っても良い。
【０２６４】
なお、上記図２０では、有機ＥＬ層１６６としてホール輸送層１６４、発光層１６３、電子輸送層１６２からなる構成をとるものとなっていたが、必ずしもこれに限らず、例えば、図２１に示すように、有機ＥＬ層に高分子ＥＬ材料１７３を用い、形成時にインクジェット塗布装置にてこの高分子ＥＬ材料１７３を塗布することが可能である。なお、このように、インクジェット塗布装置で塗布を行う場合には、高分子ＥＬ材料１７３が周辺に流れるのを防止するために、ブラックマトリクス１３３の下方位置にガイド１７４を設ける。すなわち、予め方形枠状にガイド１７４を形成し、このガイド１７４の内部にインクジェット塗布にて高分子ＥＬ材料１７３を塗布する。なお、有機ＥＬ層１６６は、一層で書かれているが、前記同様、層状に複数の高分子ＥＬ材料１７３…を重ね塗りして形成しても良い。
【０２６５】
次に、上記有機ＥＬ表示装置１００の製造方法を、図２２〜図２７に基づいて説明する。
【０２６６】
まず、図２２（ａ）に示すように、絶縁性基板１２９にブラックマトリクス１３３を酸化クロム、又はＴｉＮ、ＴｉＯの微粒子からなる遮光材料を用いて形成する。ブラックマトリクス１３３の厚さは、１０００〜２０００Å程度の厚さを形成すればよい。酸化クロムは、スパッタ又は蒸着等による真空成膜を用いて形成することができる。また、ＴｉＮ、ＴｉＯの微粒子をレジストに分散させ、塗布した後、マスク露光、現像及びベークをしてパターン形成することもできる。
【０２６７】
次に、電力供給のための電極ライン１６５ａを形成するが、これは次のように形成する。すなわち、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）をこの順に全面に連続スパッタした後、レジストを用いてパターン形成し、ドライエッチングにて電極パターンを形成する。アルミニウム（Ａｌ）は例えば３０００Å、チタン（Ｔｉ）は８００Åとする。そして、この上にＩＴＯを１０００Åスパッタ法にて成膜してアノード電極（陽極）１６５とする。同図（ａ）〜（ｃ）では、このようにして形成された絶縁性基板１２９の上に、マスク蒸着法にて有機ＥＬ層１６６を形成する方法を示している。
【０２６８】
まず、図２２（ａ）に示すように、シャドウマスク１５５を基板上面に配置し、シャドウマスク１５５の隙間を通して有機ＥＬ層１６６となる材料を順に形成する。具体的には、図２２（ａ）（ｂ）に示すように、ホール輸送層１６４、発光層１６３及び電子輸送層１６２をこの順で積層する。
【０２６９】
また、ホール輸送層１６４の材料としては、フタロシアニン化合物、ナフタロシアニン化合物、ポルフィリン類、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾール、スチルベン等が挙げられる。
【０２７０】
次に、各色を発光する低分子型発光材料からなる発光層１６３として用いることができる材料としては、例えば、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、テトラセン、フルオレセイン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、キノリン金属錯体、イミン、ジフェニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、キナクリドン、ルブラン等が挙げられる。
【０２７１】
さらに、電子輸送層１６２の材料としては、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェニキノン、チオピランジオキシド、オキサジアゾール、チアジアゾール、テトラゾール、ペリレンテトラカルボン酸が挙げられる。
【０２７２】
次に、図２２（ｃ）に示すように、有機ＥＬ層１６６上にカソード電極（陰極）１６１として、仕事関数の値の小さい電極材料を形成する。なお、仕事関数とは、導体、半導体のような固体から電子を外界に取り出すために必要な最小のエネルギーをいう。
【０２７３】
上記カソード電極（陰極）１６１としては、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、リチウム（Ｌｉ）、ＭｇＡｇ合金、ＬｉＡｌ合金等の材料を用いることができる。
【０２７４】
カソード保護電極材料１６７としては、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、金（Ａｕ）等の金属を利用することができる。ここでは、カソード電極（陰極）１６１としてＬｉＡｌ合金５００〜８００Åを、カソード保護電極材料１６７として金（Ａｕ）１０００Åを連続的に成膜した。
【０２７５】
このようにして、有機ＥＬ層１６６を有する側の基板が形成される。なお、この後、次の画素にシャドウマスク１５５を移動して、同様のものが形成される。この結果、図２０に示すように、ある画素の有機ＥＬ層１６６とその隣の画素の有機ＥＬ層１６６との間には、空隙ができることになる。
【０２７６】
次に、ＴＦＴ回路側基板１５１における有機ＥＬ素子１６０側の基板との貼り合せ接続を行うためのコンタクト層である接続電極１６８を形成する工程を、図２３（ａ）（ｂ）に基づいて説明する。
【０２７７】
図２３（ａ）に示すように、ＴＦＴ回路側基板１５１においては、画素電極１２５の上に接続電極１６８が形成される。
【０２７８】
この接続電極１６８の材料には、導電性ペースト、導電性樹脂等が利用できる。特に、ナノスケールの粒径をもった微粒子金属を導電性ペーストに使用すると、微粒子金属はその粒径の小ささから粒子間や電極に接触する確率が高く、このため、電気的接合を確実に行なうことが可能となる。
【０２７９】
また、導電性樹脂としては、例えば、特開平１１−２４９２９９号公報に記載の導電性粒子が分散された感光性樹脂（富士フィルム株式会社製）や雑誌「１９８６  The Chemical Society of Japan 」の「CHEMISTRY LETTERS ,pp.469-472,1986」等に記載されたポリピロールを用いた感光性導電ポリマーを利用することができる。なお、詳細には、特開平１１−２４９２９９号公報では、カーボンブラック等の導電性粒子が分散された感光性分散物及び感光性シートに関する技術であって、露光及び現像によってパターンを形成することができる旨が開示されている。また、「CHEMISTRY LETTERS ,pp.469-472,1986」には、ピロールモノマーを光化学重合させ、導電性をもたせ、ポリピロール形成することを開示しており、電極材料としてパターン化して用いることも開示している。
【０２８０】
なお、ここでは、図２３（ａ）に示すように、例えば、カーボンブラックをレジスト中に分散させた感光性導電性材料をＴＦＴ回路側基板１５１上に塗布した後、シャドウマスク１５５を用いて露光、現像を行い、図２３（ｂ）に示すように、各画素部にのみ接続電極１６８が残るように加工を行った。
【０２８１】
次いで、図２４（ａ）（ｂ）に示すように、ＴＦＴ回路側基板１５１と有機ＥＬ素子１６０側の対向基板１５２とは、互いにアライメントされ、貼り合せて固定される。ここで、有機ＥＬ素子１６０は、ＴＦＴ回路側基板１５１に接続電極１６８によって電気的に接続されるが、望ましくは、これらＴＦＴ回路側基板１５１及び対向基板１５２の両方に予め導電性樹脂を形成し、導電性樹脂同士にて電気的コンタクトを取った方がよい。これは、金属表面の酸化膜等によるコンタクト不良を防止できるためであり、樹脂の持つ弾力性を利用してコンタクトを取り易くできるからである。
【０２８２】
次に、有機ＥＬ層１６６に高分子ＥＬ材料１７３を用いて形成した場合について説明する。
【０２８３】
図２５（ａ）に示すように、対向基板１５２のアノード電極（陽極）１６５上にガイド１７４を形成する、このガイド１７４は、レジスト又はポリイミドを用いてフォトリソ工程やインクジェット塗布によって形成される。図２５（ｂ）は、ガイド１７４内にインクジェット塗布によって高分子ＥＬ材料１７３からなる有機ＥＬ層を形成する場合を示している。高分子ＥＬ材料１７３としては、ポリフェニレンビニレン、ポリフルオレン、ポリチオフェン、ポリビニルカルバゾール等が挙げられる。
【０２８４】
次に、図２５（ｃ）に示すように、カソード電極（陰極）１６１及びカソード保護電極材料１６７を形成した後、コンタクト層である接続電極１６８としての導電性高分子材料を塗布する。カソード電極（陰極）１６１としては、先に述べたような、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ＡｌＭｇ、ＡｌＬｉ材料等を用いることができる。ここでは、ＡｌＬｉ金属材料を蒸着法にて１０００Å程度形成した。さらに、この上に上記接続電極１６８として導電性高分子材料を形成する。一方、ＴＦＴ回路側基板１５１は、図２５に示すように、例えば、感光性導電樹脂の接続電極１６８をインクジェット装置にて塗布して形成する。
【０２８５】
次いで、図２７（ａ）（ｂ）に示すように、ＴＦＴ回路側基板１５１と対向基板１５２とを貼り合せる。すなわち、ＴＦＴ回路側基板１５１と有機ＥＬ素子１６０側の対向基板１５２とは、互いにアライメントされ、貼り合せて固定される。ここで、有機ＥＬ素子１６０は、ＴＦＴ回路側基板１５１に接続電極１６８によって電気的に接続されるが、望ましくは、これらＴＦＴ回路側基板１５１及び対向基板１５２の両方に予め導電性樹脂を形成し、導電性樹脂同士にて電気的コンタクトを取った方がよい。これは、金属表面の酸化膜等によるコンタクト不良を防止できるためであり、樹脂の持つ弾力性を利用してコンタクトを取り易くできるからである。
【０２８６】
また、接着層である接続電極１６８は、貼り合わされるＴＦＴ回路側基板１５１及び対向基板１５２の貼り合わせ面外周に、エポキシ樹脂等による接着剤を塗布し、貼り合わせ時に硬化接着してもよい。さらに、画素間のブラックマトリクス１３３にて隠れる部分に接着剤を塗布しても良い。
【０２８７】
このように、本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１００及びその製造方法は、発光表示素子単独からなるものにおいて、発光素子である有機ＥＬ素子１６０を形成する対向基板１５２は、有機ＥＬ素子１６０における発光素子用電極であるカソード電極（陰極）１６１まで形成した後に、ＴＦＴ回路側基板１５１と貼り合わせる。
【０２８８】
これにより、有機ＥＬ素子１６０からの出射光は、有機ＥＬ素子１６０を駆動する駆動回路を形成したＴＦＴ回路側基板１５１でなく、これと対向して設定される対向基板１５２から出射させることが可能である。このため、前記先行技術と光出射方向が同じであるため、ＴＦＴ回路側基板１５１側に出射する構造と比較して以下の基本的メリットを同等にもつこととなる。
【０２８９】
まず、駆動回路が設けられているＴＦＴ回路側基板１５１と有機ＥＬ素子１６０とを別々に形成することができる。このため、それぞれ独立に製造工程を組むことができるので、温度、ガス及び薬品等に影響されることがなく信頼性が向上する。
【０２９０】
また、上記構成により、有機ＥＬ素子１６０を形成した対向基板１５２に光を出射させることができる。これにより、駆動回路側開口率に影響されなく発光領域を広く設定できるので、高輝度化ができる。さらに、発光面積が広いことから同じ輝度を得るための単位面積当りの電流量を抑えることもでき、長寿命化、及び発光効率向上による消費電力低下が実現できる。
【０２９１】
また、駆動回路を形成したＴＦＴ回路側基板１５１に光出射しないため、ＴＦＴ回路側基板１５１は全面に駆動回路を形成することができる。したがって、駆動回路のＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）の大きさを自由に設定したり、ＴＦＴ形成領域に余裕が生まれたりするので、細かな制御を行うための回路を形成することができる。さらに、配線幅にも余裕ができるので、駆動回路の信頼性を上げることができ、歩留まりが向上する。
【０２９２】
ところで、上記の有機ＥＬ表示装置１００では、有機ＥＬ素子１６０のカソード電極（陰極）１６１は、仕事関数値の小さい材料を用いることが必要である。このような材料として金属材料では、例えばマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、カルシウム（Ｃａ）及びリチウム（Ｌｉ）等が挙げられるが、これらは不安定な材料であり、雰囲気中の水分や酸素で劣化を生じ易い。また、接触させる材料によっては、その材料から酸素を奪い化学反応を起すこともあるので、形成後直ぐに保護となるような安定な金属で覆うことが良い。しかし、前記先行技術では、いずれもカソード電極（陰極）１６１を保護するような構成はとることができない。
【０２９３】
これに対して、本実施の形態では、有機ＥＬ素子１６０におけるカソード電極（陰極）１６１までを形成する対向基板１５２は、カソード電極（陰極）１６１の上にさらに該カソード電極（陰極）１６１を保護する保護電極としてのカソード保護電極材料１６７を形成した後、ＴＦＴ回路側基板１５１と貼り合わせる。
【０２９４】
すなわち、カソード電極（陰極）１６１までを形成する対向基板１５２をＴＦＴ回路側基板１５１と貼り合わせる場合には、カソード電極（陰極）１６１を保護するカソード保護電極材料１６７を設けることによって、貼り合わせの際に、雰囲気中の水分や酸素にさらされることによるカソード電極（陰極）１６１の性能劣化を防ぐことができる。
【０２９５】
また、好ましくは、カソード電極（陰極）１６１とこれを保護するカソード保護電極材料１６７とを同一工程で連続形成することによって、さらにカソード電極（陰極）１６１の劣化を防止させることができる。このとき、カソード保護電極材料１６７の形成厚さは自由に設定できるので、カソード電極（陰極）１６１が酸素等の劣化を生じさせる成分が入らないような十分な厚さをもって構成することが可能となる。
【０２９６】
また、本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１００及びその製造方法では、有機ＥＬ素子１６０におけるカソード電極（陰極）１６１までを形成する対向基板１５２は、ＴＦＴ回路側基板１５１の駆動回路電極である画素電極１２５との接触面に、導電性ペースト、導電性樹脂等のコンタクト層を形成した後に、ＴＦＴ回路側基板１５１の画素電極１２５と接合する。
【０２９７】
この結果、貼り合わせの際の電気的接触がより確実に取れるので、接合面での断線や点接触がなくなり、輝度斑にない画質向上を図ることが可能となる。
【０２９８】
ところで、本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１００及びその製造方法では、カソード電極（陰極）１６１まで形成した対向基板１５２をＴＦＴ回路側基板１５１と貼り合わせる場合には、出射光側とは反対側のカソード電極（陰極）１６１がＴＦＴ回路側基板１５１と対向するものとなる。
【０２９９】
ところで、透明電極は、通常、酸化物を用いた導電体であるため、金属と比較すると抵抗が高い。したがって、多くの画素をもつ表示パネルでは全画素を同時発光させるような場合、透明電極においては最初に電圧降下が起こる可能性がある。そして、ＴＦＴ回路側基板１５１をアノード電極とする従来技術の場合は、駆動回路のＴＦＴへの電力供給は、金属配線であるので問題ないが、比抵抗で２桁程金属よりも高い透明導電体では、電圧降下による輝度斑が無視できない。
【０３００】
そこで、本実施の形態では、対向基板１５２には、出射光側に有機ＥＬ素子１６０における透明電極からなるアノード電極（陽極）１６５が設けられるとともに、アノード電極（陽極）１６５には、電力供給用電極としての電極ライン１６５ａが併設される。
【０３０１】
したがって、例えば、出射側のブラックマトリクス１３３に沿って金属配線からなる電極ライン１６５ａを併設することによって、電圧降下を抑制できるので、輝度斑が生じない。
【０３０２】
なお、本実施の形態では、発光表示素子単独からなる有機ＥＬ表示装置１００についての特徴を述べたが、この特徴は、前記実施の形態１〜４で述べた非発光表示素子と発光表示素子とが併設されているものについても適用でき、同一の作用効果を有するものである。
【０３０３】
【発明の効果】
本発明の表示装置は、以上のように、各表示画素内に、光変調素子が外光を反射させて表示を行なう非発光表示素子からなる第１表示領域と、発光素子が直接変調し表示を行なう発光表示素子からなる第２表示領域とが併設されていることを特徴としている。
【０３０４】
それゆえ、発光素子は表示面側に向けて自ら発光して直接的に表示するので、従来のように、発光素子をバックライトやフロントライトとして使用するものではない。これによって、発光素子からの光の利用効率を高めることができるとともに、表示装置の厚みも薄くなる。
【０３０５】
さらに、バックライトと背面側の偏光板及び位相差板が不要となるメリットは、単に表示装置全体の厚みが薄くなるだけではない。すなわち、部材点数が減ることは、材料費だけでなく組み立て工数や各々の部材の検査等に要するコストも削減できるため、表示装置全体の製造コストを下げることができる。
【０３０６】
また、本発明のような画素分割方式の表示装置では、第１表示領域と第２表示領域との比率をある程度任意に設計することが可能であるので、消費電力の低減を図ることができる。
【０３０７】
したがって、小型化及びコストダウンを図りながら、野外から屋内まで視認性に優れた表示装置を提供することができるという効果を奏する。
【０３０８】
また、本発明の表示装置は、上記記載の表示装置において、互いに対向してなる第１基板と第２基板とを備え、光変調素子及び発光素子はいずれも上記第１基板と第２基板との間に設けられているものである。
【０３０９】
それゆえ、光変調素子及び発光素子はいずれも、第１基板と第２基板との間に収容されるので、表示装置の厚みを確実に薄くすることができるという効果を奏する。
【０３１０】
また、本発明の表示装置は、上記記載の表示装置において、第２表示領域には発光表示素子のみが形成されており、光変調素子の光変調層が存在しないことを特徴としている。
【０３１１】
それゆえ、発光素子の発光層における表示面側の第２表示領域には光変調素子の光変調層が存在せず、発光素子から表示面方向へ出射した光が光変調層を通ることなく表示装置外へ出射する。この結果、発光素子の出射光が光変調素子の光変調層によって散乱されたり吸収されたりすることがないので、輝度低下が起こり難い。したがって、発光素子による表示品位を向上させることができるという効果を奏する。
【０３１２】
また、本発明の参考に係る表示装置は、上記記載の表示装置において、光変調素子の光変調層と発光素子の発光層とが同層に設けられているものである。
【０３１３】
それゆえ、従来の光変調素子からなる非発光表示素子の厚さの範囲内に発光素子を収容することができる。この結果、確実に、表示装置の厚さを薄くすることができるという効果を奏する。
【０３１４】
また、本発明の表示装置は、上記記載の表示装置において、発光素子を駆動する駆動素子と光変調素子を駆動する駆動素子とが第１基板側に形成される一方、発光素子が第２基板側に形成されているものである。
【０３１５】
それゆえ、表示装置を製造するときに、発光素子と、発光素子及び光変調素子を駆動する駆動素子とを別途に形成することができる。したがって、発光素子を形成するときに、駆動素子形成時における工程温度、薬品、ガス等の影響を受けないようにすることができるという効果を奏する。
【０３１６】
また、本発明の表示装置は、上記記載の表示装置において、第１基板と第２基板とのいずれか一方に凸部が設けられるとともに、この凸部上に発光素子が形成されているものである。
【０３１７】
それゆえ、この凸部によって、確実に、発光素子を光変調素子の光変調層と同層に設けることができるという効果を奏する。
【０３１８】
また、本発明の表示装置は、上記記載の表示装置において、凸部は、導電性樹脂にて形成されているものである。
【０３１９】
それゆえ、駆動素子基板側から導電性樹脂からなる凸部を形成することによって、容易に駆動素子基板側から高さ調整を行なうことができるという効果を奏する。
【０３２０】
また、本発明の表示装置は、上記記載の表示装置において、凸部は、絶縁層からなっているものである。
【０３２１】
それゆえ、対向基板側から絶縁層からなる凸部を形成することによって、容易に高さ調整をすることができる。また、凸部を例えば硬質の絶縁層にて形成することによって、光変調素子の光変調層の間隔を一定に維持させるためのスペーサとして機能させることができるという効果を奏する。
【０３２２】
また、本発明の表示装置は、上記記載の表示装置において、発光素子用電極と、第１基板側又は第２基板側との接合面には、導電性ペースト又は導電性樹脂が設けられているものである。
【０３２３】
それゆえ、導電性ペースト又は導電性樹脂は一般的に硬化しても柔らかく弾力性を有している。したがって、光型表示素子用電極と第１基板側又は第２基板側との電気的接合を確実に行なうことが可能となるという効果を奏する。
【０３２４】
また、本発明の表示装置は、上記記載の表示装置において、発光素子の発光層と光変調素子の光変調層とが保護層を介して隣接しているものである。
【０３２５】
それゆえ、発光素子の発光層と光変調素子の光変調層とが互いに影響を及ぼすのを防止することができる。例えば、発光素子を光変調素子の光変調層と同層に設けた後には、双方の性能が低下したり、材料劣化を防止することができる。また、表示装置の製造過程においては、例えば、対向基板側に発光素子を形成したときに、発光層を保護層にて保護することにより発光層が空気や水分との接触して劣化することを防止することができるという効果を奏する。
【０３２６】
また、本発明の表示装置は、上記記載の表示装置において、保護層は遮光機能を有しているものである。
【０３２７】
それゆえ、保護層は遮光機能を有しているので、発光素子の発光層にて発光された光が光変調素子の光変調層に漏れるのを防止することができるという効果を奏する。
【０３２８】
また、本発明の参考に係る表示装置は、上記記載の表示装置において、発光素子と光変調素子とは、互いに独立して駆動されるものである。
【０３２９】
それゆえ、発光素子と光変調素子とを個別に駆動することが可能となるという効果を奏する。
【０３３０】
また、本発明の表示装置は、上記記載の表示装置において、発光素子及び光変調素子を駆動する信号ラインが共用され、発光素子と光変調素子とは信号ラインを共有して駆動されるものである。
【０３３１】
それゆえ、発光素子と光変調素子との駆動回路の構成が複雑になるのを防止し、確実に、表示装置の厚みの低減及び部材コストの低減を図り得る表示装置を提供することができるという効果を奏する。
【０３３２】
また、本発明の表示装置は、上記記載の表示装置において、発光素子及び光変調素子を駆動する駆動素子が第１基板側又は第２基板側のいずれか一方に形成されているものである。
【０３３３】
それゆえ、第１基板側又は第２基板側のいずれか一方に駆動素子を形成することによって、表示装置の製造をより容易に行なうことができ、かつ構成の複雑さを回避することができるという効果を奏する。
【０３３４】
また、本発明の表示装置は、上記記載の表示装置において、外光を検出する外光検出手段が設けられるとともに、この外光検出手段による外光の検出結果に基づいて、発光素子及び光変調素子の両方又はいずれか一方を選択表示させる表示制御手段が設けられているものである。
【０３３５】
それゆえ、周りの明るさに応じて自動的に発光素子及び光変調素子の表示を選択して、最適な表示状態を確保することができるという効果を奏する。
【０３３６】
また、本発明の表示装置は、上記記載の表示装置において、光変調素子は反射型の液晶表示素子であり、発光素子は有機エレクトロルミネッセンス素子である。
【０３３７】
それゆえ、確実に、小型化及びコストダウンを図りながら、野外から屋内まで視認性に優れた表示装置を提供することができるという効果を奏する。
【０３３８】
また、本発明の表示装置は、上記記載の表示装置において、光変調素子の表示面側電極と発光素子の表示面側電極とが同一材料により同一層に形成されているものである。
【０３３９】
それゆえ、製造工程を共通化できるので、製造プロセスを簡単化できるという効果を奏する。
【０３４０】
また、本発明の参考に係る表示装置は、上記記載の表示装置において、光変調素子が明表示状態であるときに、発光素子が無発光状態を選択可能となっているものである。
【０３４１】
それゆえ、明環境下での使用の際、発光素子を無発光状態とし、非発光表示素子のみで表示を行なうことにより、発光素子の劣化を防ぎ、長寿命化を可能とし、また、消費電力を節約することができるという効果を奏する。
【０３４２】
また、本発明の参考に係る表示装置は、上記記載の表示装置において、光変調素子及び発光素子が隣接状態に配されるとともに、光変調素子及び発光素子のいずれか一方が明表示状態であるときに、他方が暗表示状態になるものである。
【０３４３】
それゆえ、光変調素子及び発光素子のいずれか一方が明表示状態であるときに、他方が暗表示状態になることにより、一方がブラックマトリクスとなり、表示上、コントラストを低下させることがないという効果を奏する。
【０３４４】
また、本発明の参考に係る表示装置の製造方法は、上記課題を解決するために、上記記載の表示装置を製造するに際して、第１基板上に駆動回路を形成し、第２基板上に発光素子を形成した後、これら駆動回路を形成した第１基板側と発光素子を形成した第２基板側とを合わせることにより一体化する方法である。
【０３４５】
それゆえ、表示装置を製造するときに、発光素子と発光素子及び光変調素子を駆動する駆動素子とを別途に形成することができる。したがって、発光素子を形成するときに、駆動素子形成時における工程温度、薬品、ガス等の影響を受けないようにすることができるという効果を奏する。
【０３４６】
また、本発明の参考に係る表示装置の製造方法は、上記記載の表示装置の製造方法において、発光素子と保護層とはいずれを先に形成してもよい方法である。
【０３４７】
それゆえ、発光素子及び保護層の形成をいずれか容易に形成できる方の工程を優先することができるという効果を奏する。
【０３４８】
また、本発明の参考に係る表示装置の製造方法は、上記記載の表示装置の製造方法において、発光素子用電極と、第１基板側又は第２基板側との接合面に、導電性ペースト又は導電性樹脂を設けた後、第１基板側及び第２基板側同士が貼り合わされる方法である。
【０３４９】
それゆえ、発光素子用電極と第１基板側又は第２基板側との接合面を、樹脂同士又は樹脂とペーストとすることにより、樹脂同士及びペーストの弾力性によってコンタクト性能の向上を図ることができるという効果を奏する。
【０３５０】
また、本発明の参考に係る表示装置の製造方法は、以上のように、非発光表示素子と発光表示素子とが併設されているもの及び発光表示素子単独からなるものにおいて、第２基板上に発光素子を２つの発光素子用電極まで形成した後、前記駆動回路を形成した第１基板側と、発光素子を形成した第２基板側とを貼り合わせる方法である。
【０３５１】
また、本発明の参考に係る表示装置の製造方法は、上記記載の表示装置の製造方法において、発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子からなり、上記有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する第２基板側は、有機エレクトロルミネッセンス素子におけるカソード電極まで形成した後に、第１基板側と貼り合わされる方法である。
【０３５２】
また、本発明の参考に係る表示装置は、以上のように、発光表示素子単独からなり、第１基板上に駆動回路が形成された第１基板側と、第２基板上に２つの発光素子用電極までを含む発光素子が形成された第２板側とが貼り合わされているものである。
【０３５３】
また、本発明の参考に係る表示装置は、上記記載の表示装置において、発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子からなり、上記有機エレクトロルミネッセンス素子が形成された第２基板側は、有機エレクトロルミネッセンス素子におけるカソード電極まで形成した後に、第１基板側と貼り合わされているものである。
【０３５４】
それゆえ、駆動回路形成側に出射する構造と比較して以下の基本的メリットを同等にもつこととなるという効果を奏する。
【０３５５】
まず、駆動回路が設けられている第１基板側と有機ＥＬ素子とを別々に形成することができる。このため、それぞれ独立に製造工程を組むことができるので、温度、ガス及び薬品等に影響されることがなく信頼性が向上する。
【０３５６】
また、上記構成により、有機ＥＬ素子を形成した第２基板側に光を出射させることができる。これにより、駆動回路側開口率に影響されなく発光領域を広く設定できるので、高輝度化ができる。さらに、発光面積が広いことから同じ輝度を得るための単位面積当りの電流量を抑えることもでき、長寿命化、及び発光効率向上による消費電力低下が実現できる。
【０３５７】
また、駆動回路を形成した第１基板側に光出射しないため、第１基板側は全面に駆動回路を形成することができる。したがって、駆動回路のＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）の大きさを自由に設定したり、ＴＦＴ形成領域に余裕が生まれたりするので、細かな制御を行うための回路を形成することができる。さらに、配線幅にも余裕ができるので、駆動回路の信頼性を上げることができ、歩留まりが向上する。
【０３５８】
また、本発明の参考に係る表示装置の製造方法は、上記記載の非発光表示素子と発光表示素子とが併設されているもの及び発光表示素子単独からなるものの表示装置の製造方法において、前記有機エレクトロルミネッセンス素子におけるカソード電極までを形成した第２基板側は、上記カソード電極の上にさらに該カソード電極を保護する保護電極を形成した後、第１基板側と貼り合わされる方法である。
【０３５９】
また、本発明の参考に係る表示装置は、上記記載の発光表示素子単独から表示装置において、前記有機エレクトロルミネッセンス素子におけるカソード電極の上にさらに該カソード電極を保護する保護電極が形成された第２基板側と、第１基板側とが貼り合わされているものである。
【０３６０】
それゆえ、カソード電極までを形成する第２基板側を第１基板側と貼り合わせる場合には、カソード電極を保護する保護電極を設けることによって、貼り合わせの際に、雰囲気中の水分や酸素にさらされることによるカソード電極の性能劣化を防ぐことができる。
【０３６１】
また、好ましくは、カソード電極とこれを保護する電極を同一工程で連続形成することによって、さらにカソード電極の劣化を防止させることができる。このとき、保護電極の形成厚さは自由に設定できるので、カソード電極が酸素等の劣化を生じさせる成分が入らないような十分な厚さをもって構成することが可能となるという効果を奏する。
【０３６２】
また、本発明の参考に係る表示装置の製造方法は、上記記載の非発光表示素子と発光表示素子とが併設されているもの及び発光表示素子単独からなるものの表示装置の製造方法において、第１基板側の第２基板側への接合面には、駆動回路電極が設けられているとともに、前記有機エレクトロルミネッセンス素子におけるカソード電極までを形成した第２基板側は、上記第１基板側の駆動回路電極との接触面に、導電性ペースト、導電性樹脂等のコンタクト層を形成した後に、第１基板側の駆動回路電極と接合される方法である。
【０３６３】
また、本発明の参考に係る表示装置は、上記記載の発光表示素子単独からなる表示装置において、第１基板側の第２基板側への接合面には、駆動回路電極が設けられているとともに、第２基板側には、前記有機エレクトロルミネッセンス素子におけるカソード電極の上に、導電性ペースト、導電性樹脂等のコンタクト層が形成されており、上記第１基板側と第２基板側とは、第１基板側の駆動回路電極と第２基板側のコンタクト層とが対向して接合されているものである。
【０３６４】
それゆえ、貼り合わせの際の電気的接触がより確実に取れるので、接合面での断線や点接触がなくなり、輝度斑にない画質向上を図ることが可能となるという効果を奏する。
【０３６５】
また、本発明の参考に係る表示装置の製造方法は、上記記載の非発光表示素子と発光表示素子とが併設されているもの及び発光表示素子単独からなるものの表示装置の製造方法において、第２基板側には、出射光側に有機エレクトロルミネッセンス素子における透明電極からなるアノード電極が設けられるとともに、上記アノード電極には、電力供給用電極が併設される方法である。
【０３６６】
また、本発明の参考に係る表示装置は、上記記載の発光表示素子単独からなる表示装置において、第２基板側には、出射光側に有機エレクトロルミネッセンス素子における透明電極からなるアノード電極が設けられているとともに、上記アノード電極には、電力供給用電極が併設されているものである。
【０３６７】
それゆえ、出射側のブラックマトリクスに沿って金属配線からなる電力供給用電極を併設することによって、電圧降下を抑制できるので、輝度斑が生じないという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明における表示装置の実施の一形態を示すものであり、表示装置における１画素分を示す断面図である。
【図２】  本発明の概念を示すものであり、表示環境と消費電力との関係を示すグラフである。
【図３】  本発明の概念を示すものであり、表示環境と輝度との関係を示すグラフである。
【図４】  （ａ）（ｂ）（ｃ）は上記表示装置における対向基板の製造方法を示す説明図である。
【図５】  （ａ）（ｂ）は上記表示装置のＴＦＴ基板の製造方法を示す説明図である。
【図６】  金属電極を有機ＥＬ発光素子の陽極に沿ってブラックマトリスクの下に形成した表示装置を示す断面図である。
【図７】  金属電極を有機ＥＬ発光素子の層構造に形成してブラックマトリスクの下に形成した表示装置を示す断面図である。
【図８】  （ａ）（ｂ）は上記表示装置の対向基板とＴＦＴ基板とを貼り合わせる状態を示す説明図である。
【図９】  上記表示装置において信号ラインを共有して駆動する場合の１画素分の駆動回路図である。
【図１０】  上記表示装置において信号ラインを共有して駆動する場合の１画素分の駆動回路の変形例を示す駆動回路図である。
【図１１】  本発明における表示装置の他の実施の一形態を示すものであり、表示装置における１画素分を示す断面図である。
【図１２】  （ａ）（ｂ）（ｃ）は上記表示装置における対向基板の製造方法を示す説明図である。
【図１３】  上記表示装置のＴＦＴ基板の製造方法を示す説明図である。
【図１４】  （ａ）（ｂ）は上記表示装置の対向基板とＴＦＴ基板とを貼り合わせる状態を示す説明図である。
【図１５】  本発明における表示装置のさらに他の実施の一形態を示すものであり、表示装置における１画素分を示す断面図である。
【図１６】  上記表示装置の凸部を複数層形成した場合の断面図である。
【図１７】  上記表示装置における表示画面の平面図である。
【図１８】  （ａ）は上記表示装置における１画素分の反射領域及び発光領域を分割する際に、発光領域を反射領域の内側に設けた構成を示す平面図であり、（ｂ）は上記表示装置における１画素分の反射領域及び発光領域を分割する際に、発光領域を反射領域の隅角側に設けた構成を示す平面図である。
【図１９】  本発明における表示装置のさらに他の実施の一形態を示すものであり、光センサを用いる場合を示すブロック図である。
【図２０】  本発明における表示装置のさらに他の実施の一形態を示すものであり、有機ＥＬ層としてホール輸送層、発光層、電子輸送層からなる構成の有機ＥＬ発光素子を示す断面図である。
【図２１】  有機ＥＬ層として高分子ＥＬ材料からなる構成の有機ＥＬ発光素子を示す断面図である。
【図２２】  （ａ）（ｂ）（ｃ）は、図２０に示す表示装置の対向基板の製造方法を示す断面図である。
【図２３】  （ａ）（ｂ）は、図２０に示す表示装置のＴＦＴ回路側基板の製造方法を示す断面図である。
【図２４】  （ａ）（ｂ）は、図２０に示す表示装置の対向基板とＴＦＴ回路側基板とを貼り合わせる工程を示す断面図である。
【図２５】  （ａ）（ｂ）（ｃ）は、図２１に示す表示装置の対向基板の製造方法を示す断面図である。
【図２６】  図２１に示す表示装置のＴＦＴ回路側基板の製造方法を示す断面図である。
【図２７】  （ａ）（ｂ）は、図２１に示す表示装置の対向基板とＴＦＴ回路側基板とを貼り合わせる工程を示す断面図である。
【図２８】  従来の表示装置を示す断面図である。
【符号の説明】
１    表示装置
２ａ  ソースバスライン（信号ライン）
２ｂ  電流供給ライン
３    ゲートバスライン（信号ライン）
６    ソースドライバ
７    ゲートドライバ
１０    表示画素（表示領域）
１１    反射領域（第１表示領域）
１２ａ  発光領域（第２表示領域）
２０    液晶表示素子（光変調素子、非発光表示素子）
２１    絶縁性基板（第１基板）
２２    液晶用ＴＦＴ素子（駆動素子）
２２ａ  ドレイン電極
２４    透明絶縁層（透明絶縁膜）
２５    画素電極
２６    液晶層（光変調層）
２７    対向電極（光変調素子の表示面側電極）
２９    絶縁性基板（第２基板）
３１    位相差板
３２    偏光板
４０    有機ＥＬ素子（発光素子、有機エレクトロルミネッセンス素子）
４２    ＥＬ用ＴＦＴ素子（駆動素子、電圧電流変換手段）
６０    有機ＥＬ素子（発光素子、発光表示素子）
６１    陰極（発光素子用電極）
６２    電子輸送層
６３    発光層
６４    ホール輸送層
６５    陽極（発光素子用電極、発光素子の表示面側電極）
６６    導電性コンタクト層（凸部）
７３    発光層
７７    コア部（保護層）
８１    絶縁性凸部（凸部）
９０    電源部
９１    コントロール回路（表示制御手段）
９３    光センサ（外光検出手段）
１２１    絶縁性基板（第１基板）
１２５    画素電極（駆動回路電極）
１２９    絶縁性基板（第２基板）
１３３    ブラックマトリクス
１５１    ＴＦＴ回路側基板（第１基板側）
１５２    対向基板（第２基板側）
１６０    有機ＥＬ素子（発光素子、発光表示素子）
１６１    カソード電極（陰極）（発光素子用電極）
１６２    電子輸送層
１６３    発光層
１６４    ホール輸送層
１６５    アノード電極（陽極）（発光素子用電極、発光素子の表示面側電極）
１６５ａ  電極ライン（電力供給用電極）
１６６    有機ＥＬ層
１６７    カソード保護電極材料
１６８    接続電極（コンタクト層）
Ｖｄｄ              供給電圧
Ｖｔｈ              共用閾値電圧
Ｖｔｈ（ＬＣ）      液晶用閾値電圧
Ｖｔｈ（ＯＬＥＤ）  ＥＬ用閾値電圧
Ｖｓ                データ線信号
【図１】
0004176400.tif 000002
【図２】
0004176400.tif 000003
【図３】
0004176400.tif 000004
【図４】
0004176400.tif 000005
【図５】
0004176400.tif 000006
【図６】
0004176400.tif 000007
【図７】
0004176400.tif 000008
【図８】
0004176400.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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