(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板と、Ｎｉ系非磁性材料の下地層と、この下地層の上に形成したＣｏ系磁性合金の磁性層とを有し、当該ガラス基板と当該下地層との間にＣｒの中間層を含み、且つ、当該Ｃｒ中間層と当該下地層との間にＣｒ酸化層を含む磁気記録媒体。
【請求項２】
前記Ｃｒ中間層の厚さが１０〜４０nmである、請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記磁性層のＣｏ系磁性合金がＣｏを主成分とするＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ又はＣｏ−Ｐｔ合金にＳｉＯ2 を添加した合金である、請求項１又は２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記Ｃｏ系磁性合金がＰｔを６〜４５at％、ＳｉＯ2 を０ mol％より多く６ mol％未満含み、残部がＣｏと不可避的不純物である合金である、請求項３記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記Ｃｏ系磁性合金がＣｒを０at％より多く２８at％以下、Ｐｔを６〜４５at％、ＳｉＯ2 を０ mol％より多く６ mol％未満含み、残部がＣｏと不可避的不純物である合金である、請求項３記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記磁性層の平均結晶粒径が５〜１５nmである、請求項３から５までのいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
前記下地層のＮｉ系非磁性材料がＮｉを主成分とするＮｉ−Ｐ化合物又はＮｉ−Ｚｒ化合物である、請求項１から６までのいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
前記下地層の厚さが１０〜１００nmである、請求項７記載の磁気記録媒体。
【請求項９】
保磁力が１．６kOe （１２７kA/m）以上である、請求項１から８までのいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
【請求項１０】
ガラス基板と、Ｎｉ系非磁性材料の下地層と、この下地層の上に形成したＣｏ系磁性合金の磁性層とを有し、当該ガラス基板と当該下地層との間にＣｒの中間層を含み、且つ、当該Ｃｒ中間層と当該下地層との間にＣｒ酸化層を含む磁気記録媒体の製造方法であって、上記のＣｒ中間層、下地層、磁性層の形成を、それらの層の粒状成長を促進するのに十分な圧力でのスパッタリングにより行い、且つ、当該Ｃｒ中間層の形成後に、この層の表面を酸化してから当該下地層を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、記憶装置に関し、より詳しく言えばコンピュータのハードディスク等の記憶装置で使用される磁気記録媒体と、その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ハードディスク等で使用される磁気記録媒体は、非磁性基板と、その上に形成した磁性材料の薄膜から構成される。薄膜磁性層の場合、その性能がその下層の材料に左右されやすいため、磁性層の性能向上を目的として非磁性基板と磁性層との間に下地層を設けるのが一般的である。
【０００３】
非磁性基板上に、Ｃｒ、Ｎｉ又はそれらを主成分とする合金の下地層を形成し、この下地層上にＣｏを主成分とするＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ等の合金膜を形成した磁気記録媒体が、高記録密度可能なものとして現在用いられている。コンピュータ用のハードディスクでは、近年その大容量化が求められているが、そのためには磁気記録媒体の一層の高記録密度化が必要である。こうして、磁気記録媒体には、記録密度を高めるために高保磁力化と媒体ノイズの低減が求められている。
【０００４】
一方、ハードディスクに代表される磁気記録媒体では、近年のヘッドの低浮上化の傾向に伴い基板の平滑性と耐衝撃性が求められており、基板として現在主流のアルミニウム基板に比べその点で優れるガラス基板が注目されている。ガラス基板を用いた磁気記録媒体の例は、特開平６−９６４３１号公報、特開平５−３２５１６３号公報等に記載されているが、いずれも磁性層の下地層としてＣｒあるいはその合金を用いている。また、それらによれば、磁気特性・記録再生特性の改善のために、Ｃｒとガラス基板の間にＣｕ、Ｔｉ、Ａｌ等の中間層を挿入している。例えば、特開平６−９６４３１号公報では、基板からの酸素などがＣｒ下地層へ到達するのを防ぐとともに、Ｃｒの（１１０）面が基板面に平行となるようにＣｕ等の中間層を挿入して、磁気特性、記録再生特性を改善した磁気記録媒体が開示されている。
【０００５】
特開平８−１７１７１６号公報には、非磁性基板上に直接ＮｉとＰの化合物からなる下地層を形成した磁気記録媒体が開示されている。しかし、Ｎｉ系非磁性化合物を下地層に用い、なお且つガラス基板と下地層の間に中間層を挿入した構造の磁気記録媒体は知られていない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述のＣｒ合金下地を用いた磁気記録媒体（例えば、特開平６−９６４３１号公報）では、その実施例にも記載されているように、磁性材料膜の特性の向上のために製造過程において基板加熱を必要とする。しかし、基板加熱することで、基板および成膜チャンバーに存在する吸着ガスが放出されチャンバー内の真空度が低下する。また、このガスは湿度やチャンバーの付着膜の状態により放出量やガス種が変わるため、形成した磁性膜の特性の不安定要因となる。従って、より安定した特性を得るには基板加熱はない方が望ましい。
【０００７】
上述のＮｉ系化合物下地を用いた磁気記録媒体（特開平８−１７１７１６号公報）では、ＮｉとＰの化合物からなる下地層を非磁性基板上に直接形成している。ところが、本発明の発明者らの実験からは、ガラス基板上にＮｉとＰの化合物（Ｎｉ3 Ｐ）を直接形成すると磁性層の基板への密着性が良くないことが分かった（下記の比較例１を参照）。
【０００８】
このように、ガラス基板を採用し、そして優れた磁気特性及び記録再生特性と磁性層の基板への良好な密着性とを兼ね備えた磁気記録媒体は、これまでに得られていない。そこで、本発明は、これらの望ましい諸特性を兼ね備えた、高密度記録に適する磁気記録媒体を提供して、今後の記録密度の向上に伴う一層の高保磁力・低ノイズ化の要請に応えようとするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の磁気記録媒体は、ガラス基板と、Ｎｉ系非磁性材料の下地層と、この下地層の上に形成したＣｏ系磁性合金の磁性層とを有し、更に当該ガラス基板と当該下地層との間にＣｒの中間層を含む。
【００１０】
また、本発明の磁気記録媒体の製造方法は、ガラス基板と、Ｎｉ系非磁性材料の下地層と、この下地層の上に形成したＣｏ系磁性合金の磁性層とを有し、当該ガラス基板と当該下地層との間にＣｒの中間層を含む磁気記録媒体の製造方法であって、上記の各層の形成を、それらの層の粒状成長を促進するのに十分な圧力でのスパッタリングにより行うことを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明で使用するガラス基板は、磁気記録媒体の基板として一般に使用されている、例えば化学強化ガラスあるいは結晶化ガラス等のガラス材料製の、任意のガラス基板でよい。
【００１２】
本発明で使用するＣｏ系磁性合金は、コバルト（Ｃｏ）を主成分とするＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ又はＣｏ−Ｐｔ合金に、非磁性酸化物のＳｉＯ2 を添加したものであり、この明細書ではそれらをそれぞれＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−ＳｉＯ2 合金又はＣｏ−Ｐｔ−ＳｉＯ2 合金と表記する。このように、本発明で使用するＣｏ系磁性合金は主成分のＣｏのほかにＰｔとＳｉＯ2 を含み、そして任意にＣｒを含む。
【００１３】
Ｃｒを含まないＣｏ−Ｐｔ−ＳｉＯ2 合金の場合には、Ｐｔを６〜４５at％、そしてＳｉＯ2 を０ mol％より多く且つ６ mol％未満含み、残部はＣｏと不可避的不純物である。
【００１４】
Ｐｔは磁性膜の異方性磁界（Ｈｋ）を高め、保磁力を増加させる作用がある。この作用は、Ｐｔ含有量が６at％以上でより顕著となる。一方、Ｐｔ量が更に多くなると保磁力は４kOe （３１８kA/m）を超えて、現状の磁気ヘッドでは磁気記録ができなくなる。文献（Masahiro Kitada and Noboru Shimizu, J. Appl. Phys., Vol.54, No.12, p7089(1993)）によると、ＣｏへのＰｔ添加量が約２０at％で保磁力は最大となる。実用的な保磁力としてその最大の保磁力の値の１／１０を目安とすると、６〜４５at％のＰｔの添加が有効である。従って、本発明におけるＰｔ添加量の上限は４５at％とする。好ましいＰｔ添加量は６at％より大きく１２at％以下である。
【００１５】
ＳｉＯ2 は磁性膜の粒界に析出すると考えられており（A. Murayama et al., Appl. Phys. Lett. Vol.65，1186（1994））、少量の添加で保磁力を大幅に向上させる働きをする。また、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察によれば、ＳｉＯ2 の添加により磁性膜の結晶粒径が減少しており、そのため媒体ノイズ低減を図ることができる。しかし、ＳｉＯ2 を過度に添加すると異方性磁界（Ｈｋ）の減少を招き保磁力も減少する。これらから、ＳｉＯ2 の添加量は０ mol％より多く且つ６ mol％未満とするのが望ましい。好ましいＳｉＯ2 添加量は３ mol％より大きく６ mol％未満である。
【００１６】
Ｃｒを含むＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−ＳｉＯ2 合金は、Ｃｒ以外の成分についての上述の含有量の範囲内において、Ｃｒを０at％より多く且つ２８at％以下含むことができる。Ｃｒには、磁性層の保磁力を向上させる作用があるが、Ｃｒは非磁性材料なので、過度に添加すると合金が非磁性化する。したがって、Ｃｒ量は２８at％以下が望ましい。
【００１７】
本発明の合金組成を表すのに、上記のとおり元素としての成分Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔに対しては原子百分率（at％）を用い、化合物である成分ＳｉＯ2 に対してはモル百分率（ mol％）を用いているが、各成分の含有量の合計（Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ及びＳｉＯ2 含有量の合計、又はＣｏ、Ｐｔ及びＳｉＯ2 含有量の合計）は１００％を構成する。
【００１８】
また、磁性層の結晶粒径が減少するほど、媒体ノイズは低減できると考えられており、磁気記録媒体の低ノイズ化が可能である。既に説明したように、本発明においてはＳｉＯ2 の添加により磁性層の結晶粒径を低下させることができる。磁性層の好ましい平均結晶粒径は５〜１５ｎｍである。
【００１９】
磁性層の膜厚は特に制限されないが、一般には５〜５０nmの膜厚が適当である。より好ましい膜厚は１０〜３０nmである。
【００２０】
本発明の磁性層の下に設けられる下地層は、Ｎｉを主成分とするＮｉ−Ｐ化合物、Ｎｉ−Ｚｒ化合物等のＮｉ系非磁性材料で製作される。Ｎｉ系非磁性化合物の代表例は、Ｎｉ3 Ｐであって、これは前述の特開平８─１７１７１６号公報で用いられているものである。このような下地層には、その上に形成する磁性層の特性、特に保磁力と記録再生特性を向上させる作用がある。下地層として使用できるＮｉ系非磁性材料としては、上記のＮｉ3 Ｐ以外に、例えばＮｉ5 −Ｐ2 ，Ｎｉ67−Ｚｒ33等を挙げることができる。
【００２１】
下地層の膜厚は、１０〜１００nmの範囲が望ましい。下地層の膜厚が１０nmより薄いと、磁性層の微細構造の制御が難しくなって、保磁力が低下し、記録再生特性が劣化する。また、１００nm以上となると磁性層表面の凹凸が激しくなり、今後の磁気ヘッドの低浮上化を考えると望ましくない。下地層のより好ましい膜厚は５０〜１００nmである。
【００２２】
本発明で使用するＣｒ中間層は、磁性層の基板への密着性の点で必要なだけでなく、磁性層の磁気特性・記録再生特性にも影響を及ぼす。磁性層の磁気特性・記録再生特性は、磁性層の結晶粒径や結晶粒間の分離度等の微細構造に依存する。また、磁性層の結晶成長は下地層の膜組織により変化する。従って、磁気特性・記録再生特性の優れた磁性層を作製するためには、下地層の膜組織を良好にしなければならない。そのためには、製膜装置のベースプレッシャ（製膜装置内の到達真空度に相当する）を低くし、且つ製膜雰囲気（一般にはアルゴン雰囲気）の圧力を高くして、ガラス基板上に中間層のＣｒ膜を成膜することが有効である。こうすることにより、Ｃｒ膜は凹凸の強調された膜となり、その上に形成される下地層にも凹凸が導入され、磁性粒間の分離度の高まった膜が形成される。その結果、磁性粒間の磁気的相互作用が低減して、磁気記録媒体の保磁力を高め、媒体ノイズを低減することが可能になる。
【００２３】
更に、Ｃｒ中間層形成後、製膜装置の大気解放や酸素プラズマエッチングによりＣｒ表面を酸化して酸化クロムとすることで、Ｃｒ中間層と下地層の間の結晶学的な関係を分断し下地層の均一な粒成長を促進でき、それにより磁気記録媒体の記録再生特性を向上させることができるということが分かった。これは、アルミニウム基板上に直接下地層を形成した場合（特開平８−１７１７１６号公報）と同じような効果と考えることができる。
【００２４】
本発明において、高密度記録に適した磁気記録媒体を得る上で下地層（Ｎｉ3 Ｐ）が好都合に結晶成長するためには、Ｃｒ中間層の膜厚は１０〜４０nmであることが望ましい。中間層の膜厚が１０nmより薄いと、結果として得られた磁性層の磁性粒間の分離度が低減して、保磁力が低下し記録再生特性が劣化する。また、４０nmより厚くなると下地層の凹凸が激しくなり、磁性層に異常成長が生じて記録再生特性が劣化する。
【００２５】
上で説明した本発明の磁気記録媒体における各層は、それぞれの組成に応じたターゲットを使用して通常のスパッタリング手法により容易に形成することができる。スパッタリングによる製膜法は周知であり、ここで詳しく説明するまでもない。
【００２６】
しかしながら、本発明の磁気記録媒体の製造においては、各層を形成する際の圧力を、それらの層の粒状成長を促進するのに十分な圧力とすることが重要である。先に説明したように、磁性層の磁気特性・記録再生特性の向上のためには、磁性層の結晶を粒状に成長させて孤立化するのが有利であり、そのためには下地層の結晶をやはり粒状に成長させて形成しておくことが有利である。下地層を粒状成長させるために、従来は、例えば前述の特開平６−９６４３１号公報に記載されているように、基板の加熱を行っていたが、基板加熱には先に説明したような弊害がある。本発明ではそれを避けるために、スパッタリングによる通常の製膜プロセスで採用されている数 mTorrの製膜雰囲気圧力に代えて、例えば２０〜５０mTorr （２．７〜６．７Pa）程度の高い圧力を採用する。このように通常より高い圧力とすることにより、製膜雰囲気中の不活性ガスの濃度が高くなり、スパッタリングにより飛来する粒子が不活性ガスにより散乱されやすくなって、基板上に粒状の結晶を成長しやすくなる。同様に、下地層を粒状成長させるには、その下のＣｒ中間層を粒状成長させておくことが有利であり、従ってＣｒ中間層の形成時にも結晶の粒状成長を促進する圧力（例えば２０〜５０mTorr （２．７〜６．７Pa））とすることが重要である。
【００２７】
粒状成長に有効な圧力は、成長させる結晶に依存するだけでなく、使用する製膜装置によっても変動する。そのため、製膜時の圧力は、これらの条件を考慮して決定すべきである。とは言え、粒子の散乱を増加させることで粒状成長を促進するというここでの目的のためには、通常の製膜プロセスにおける数 mTorrの製膜雰囲気圧力よりも有意に高い、少なくとも１０ mTorr（１．３Pa）の圧力を使用するのが有利である。
【００２８】
本発明の磁気記録媒体は、これまでに説明した基板、Ｃｒ中間層、下地層、磁性層のほかに、通常の磁気記録媒体において見られるカーボン、ダイヤモンドライクカーボン、窒化カーボン等から作られる保護膜、潤滑剤層等を更に含むことができる。
【００２９】
これらの種々の層を備えた磁気記録媒体の一つの態様を図１に例示する。この図に示したように、本発明の磁気記録媒体１０は、例えば化学強化ガラス製のガラス基板１、Ｃｒ中間層２、２’、Ｃｒ酸化層（酸化クロム層）３、３’、下地層４、４’、磁性層５、５’、保護膜６、６’、潤滑剤層７、７’を含むことができる。
【００３０】
本発明の磁気記録媒体は、高密度記録を実現するのに有利な高保磁力を持つことができる。下記の実施例で示されるように、保磁力は種々の条件により左右されるとは言え、本発明によれば１．６kOe （１２７kA/m）以上の保磁力を持つ磁気記録媒体を得ることが可能である。
【００３１】
【実施例】
以下、好ましい実施例により本発明の磁気記録媒体について説明する。
【００３２】
（実施例１）
外径６５mm、内径２０mm、厚さ０．６３５mmの化学強化ガラス（日本板硝子社製）を基板に使用した。ＤＣ／ＲＦマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製ＳＰＦ−４３０）を用い、１×１０-6Torr（１．３×１０-4Pa）に排気後Ａｒガスを導入し、放電時のガス圧を５０mTorr （６．７Pa）に保持して、投入電力３００Ｗ（ＤＣマグネトロン）、成膜速度１．６７nm／sec の条件で膜厚を５nm、１０nm、２０nm、４０nm、６０nmと変化させてガラス基板上にＣｒ中間層を成膜した。次に、一旦大気解放して１５分間放置し、Ｃｒ表面を自然酸化した。続いて、２．５×１０-7Torr（３．３×１０-5Pa）に排気後Ａｒガスを導入し、放電時のガス圧を５０mTorr （６．７Pa）に保持して、投入電力３００Ｗ（ＤＣマグネトロン）、成膜速度１．１１nm／sec の条件でＮｉ3 Ｐを５０nm製膜し、引き続き同じガス圧で、投入電力１５０Ｗ（ＲＦマグネトロン）、成膜速度０．５４nm／sec の条件で（Ｃｏ−１３Ｃｒ−１２Ｐｔ）95.4−（ＳｉＯ2 ）4.6 を２０nm積層した。一旦大気開放した後、１．０×１０-6Torr（１．３×１０-4Pa）に排気後Ａｒガスを導入し、放電時のガス圧を５０mTorr （６．７Pa）に保持して、投入電力４００Ｗ（ＤＣマグネトロン）、成膜速度０．２４nm／sec の条件でカーボンを８nm積層した。
【００３３】
（比較例１）
Ｃｒ中間層を製膜しないことを除いて、実施例１を反復した。
【００３４】
比較例１と実施例１で作製した磁気記録媒体について、ガラス基板と下地層の密着性をピーリング試験により調べた。この試験では、スコッチ（商標）テープ（住友スリーエム社製）を１mm角に切ったものを試料の磁気記録媒体表面に貼付し、その後剥離して、テープ片１００枚中何枚に膜はがれが認められるかをパーセンテージで示した。表１に示すようにＣｒ中間層のあるもの（本発明）には膜はがれは発生せず、Ｃｒ中間層のないもの（比較例）にはかなりの膜はがれが観察された。従って、ガラス基板と下地層との密着性を補うためにＣｒ中間層が必要であることが分かった。ガラス基板と下地層との密着性は、ハードディスクドライブとして組み込まれた際に磁気記録媒体と磁気ヘッドとの頻繁な接触が十分に想定できるため、特に重要である。
【００３５】
【表１】
0004082785.tif 000002
【００３６】
また、実施例１について、Ｃｒ中間層膜厚と保磁力Ｈｃ及びＳ／Ｎｍ（媒体Ｓ／Ｎ）との関係を図２に示す。このＳ／Ｎｍは、ノイズ量として媒体ノイズ（Ｎｍ）、すなわちトータルノイズからヘッドノイズと回路ノイズを差し引いたもの、を用いて算出したＳ／Ｎである。このように、このＳ／Ｎｍは媒体に由来するノイズのみを抽出しているため、磁気ヘッドや装置等の媒体以外の要因を排除して媒体の記録再生特性を評価するためにしばしば用いられている。図２に示すように、保磁力ＨｃはＣｒ中間層膜厚５nmで若干低いが１０〜６０nmの範囲ではほとんど変化しない。一方、Ｓ／Ｎｍはやはり１０〜４０nmの範囲ではほとんど変化がなく、６０nmまで膜厚を増加すると減少する。従って、Ｃｒ中間膜の膜厚を１０nm〜４０nmとすることにより高密度記録に適した磁気記録媒体を得ることができることが分かる。
【００３７】
（実施例２）
Ｃｒ中間層製膜後に大気開放して中間層表面を酸化しないことを除き、実施例１を反復して、２０nmの膜厚のＣｒ中間層を備えた磁気記録媒体を作製した。得られた磁気記録媒体の磁気特性を実施例１のもの（Ｃｒ中間層膜厚２０nm）と比較した結果を表２に示す。この表の結果から、大気開放を行ってＣｒ中間層表面を酸化することにより保磁力Ｈｃが高まることが分かる。このことから、大気開放によりＣｒ表面が酸化され、Ｃｒ表面の凹凸が増大し、これが高ガス圧プロセスとの相乗効果により下地層及び磁性層の粒状成長を促進したこと、そしてそれにより磁性粒間の磁気的相互作用が低減し保磁力の増加に寄与したことが考えられる。従って、Ｃｒ中間層成膜後に表面を酸化することが高密度記録に適した磁気記録媒体を得るのに有利であることが分かる。
【００３８】
【表２】
0004082785.tif 000003
【００３９】
（実施例３）
Ｃｒ中間層膜厚を２０nmに固定し、下地層膜厚を変化させて、磁気記録媒体の磁気特性・記録再生特性への影響を調べた。磁気記録媒体の作製は、Ｎｉ3 Ｐ下地層の膜厚を１０nm、３０nm、５０nm、７０nm、１００nmと変化させて、実施例１と同等の条件で行った。図３に示すように、保磁力Ｈｃ、Ｓ／ＮｍともＮｉ3 Ｐ下地層膜厚が増加すると増大し、Ｎｉ3 Ｐ膜厚１００nmでもまだ若干増加傾向を示す。しかし、膜厚が厚くなるほど表面の粗さが増加し、異常突起も増加するため、１００nm程度がＮｉ3 Ｐ下地層膜厚の実用的上限と考えられる。従って、下地層の膜厚は、高密度記録に十分な保磁力が得られ、表面粗さが適度である１０〜１００nmがよいことが分かった。
【００４０】
（実施例４）
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−ＳｉＯ2 磁性膜中のＳｉＯ2 組成が磁気特性、記録再生特性に及ぼす影響を調べるために、（Ｃｏ−１３Ｃｒ−１２Ｐｔ）100-X −（ＳｉＯ2 ）X 磁性膜のＳｉＯ2 組成Ｘ＝０、３．３、４．６、５．１、５．６ mol％の磁気記録媒体を、Ｃｒ中間層の厚さを２０nm、Ｎｉ3 Ｐ下地層の厚さを３０nmとして、実施例１と同様の方法で作製した。得られた磁気記録媒体の保磁力ＨｃとＳ／Ｎｍの測定結果を表３に示す。この表から明らかなように、ＳｉＯ2 無添加の磁気記録媒体に比べＳｉＯ2 添加量３．３at％で保磁力Ｈｃは大幅に向上しこの組成付近で最大となり、更なるＳｉＯ2 の添加により保磁力は減少傾向に転じる。ＳｉＯ2 添加量５．１at％で保磁力は２kOe （１５９kA/m）未満となり、ＳｉＯ2 添加量５．６at％では低保磁力のため記録再生特性の測定が難しくなる。従って、ＳｉＯ2 組成を０ mol％より多く且つ６ mol％未満とすることで、高密度記録に適した磁気記録媒体を得ることができる。
【００４１】
【表３】
0004082785.tif 000004
【００４２】
（実施例５）
実施例１と同じ製膜条件で、ＳｉＯ2 添加量を０〜５．１ mol％の範囲で変化させて磁気記録媒体を作製した。この結果、図４に示すように、ＳｉＯ2 を無添加の場合に１３．５nmであった磁性層の平均結晶粒径は、ＳｉＯ2 を添加することにより１１nmまで減少した。平均結晶粒径は、磁性層の平面透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）写真より求めた。ＳｉＯ2 添加量４．６ mol％の場合の平面ＴＥＭ写真を図５に示す。
【００４３】
（実施例６）
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−ＳｉＯ2 磁性膜中のＣｒ及びＰｔ組成が磁気特性、記録再生特性に及ぼす影響を調べるために、Ｃｒ及びＰｔ組成が異なる種々の磁気記録媒体を、Ｃｒ中間層を２０nm、Ｎｉ3 Ｐ下地膜を３０nmとする以外実施例１と同様の方法で作製した。得られた磁気記録媒体の保磁力ＨｃとＳ／Ｎｍの測定結果を表４に示す。上から１番目から４番目までのデータから明らかなように、Ｃｒ組成を増加させることで保磁力Ｈｃ、Ｓ／Ｎｍとも一旦増加するが、過度のＣｒ添加により保磁力が減少し、Ｓ／Ｎｍも低下する。Ｃｒ組成２７at％で保磁力は１．６kOe （１２７kA/m）未満となり記録再生特性の測定は記録減磁により難しくなる。しかし、Ｐｔ組成を調整することで、表４の８番目のデータにあるように保磁力を１．６kOe （１２７kA/m）以上とすることが可能である。従って、Ｃｒ組成は２８at％以下が望ましい。Ｃｒ組成が増加すると異方性磁界（Ｈｋ）が増加するため、保磁力も増加するが、過度のＣｒ添加によりＣｏ合金の非磁性領域が増加して保磁力が急減するものと考えられる。
【００４４】
【表４】
0004082785.tif 000005
【００４５】
また、表４の上から１番目、及び５番目から７番目までを比較すると、Ｐｔ組成が６at％から１７at％に増加すると保磁力Ｈｃは単調に増加することが分かる。Ｐｔ添加量６at％では保磁力は２kOe （１５９kA/m）未満に低下し、Ｓ／Ｎｍも劣化している。また、現状の磁気ヘッドでは書き込み能力が不足しており、保磁力３．９kOe （３１０kA/m）（Ｐｔ添加量１７at％）の媒体には十分な磁気記録が出来なかった。とは言え、先に説明した理由により、実用的な保磁力を与えるＰｔ添加量は６〜４５at％と考えられる。
【００４６】
（実施例７）
磁性層材料にＣｒを添加せず、磁性層の製膜速度を変動させることを除いて、実施例１と同じ条件で磁気記録媒体を作製した。表５に示した結果から明らかなように、磁性層にＣｒを添加しない場合においても磁性層の製膜速度を変えることで２kOe （１５９kA/m）以上の高保磁力を得ることができる。すなわち、製膜速度が小さくなると磁気記録媒体の保磁力は向上し、０．２１nm/secの製膜速度では２．８１kOe （２２３kA/m）もの高保磁力が得られた。
【００４７】
【表５】
0004082785.tif 000006
【００４８】
（実施例８）
成膜時の不活性ガス（アルゴン）圧が磁気特性に及ぼす影響を調べた。Ｃｒ中間層、Ｎｉ3 Ｐ下地層及びＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−ＳｉＯ2 磁性層成膜時のアルゴン圧を５、２０、５０mTorr （０．６７、２．７、６．７Pa）と変化させる以外は、実施例１と同様の方法で磁気記録媒体を作製した。作製した磁気記録媒体の保磁力Ｈｃの測定結果を図６に示す。アルゴン圧５mTorr （０．６７Pa）から２０mTorr （２．７Pa）にかけての保磁力の増加は急激で、２０mTorr （２．７Pa）と５０mTorr （６．７Pa）の間の増加はわずかであった。５mTorr （０．６７Pa）での保磁力は１．６kOe （１２７kA/m）以下であり、高密度記録には適さない。従って、２０mTorr （２．７Pa）以上で好ましい磁気記録媒体が得られるということが分かるが、先に述べたように磁気記録媒体の特性に影響を及ぼす製膜時の圧力は使用する製膜装置に左右されるので、実際に使用する圧力は装置ごとに決定すべきである。
【００４９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の磁気記録媒体は、従来技術のものに比較してガラス基板との密着性が改善される。更に、本発明によれば、下地層の改良、磁性膜の組成の最適化により、磁性層の膜組織を制御することで磁気特性が向上し、良好な記録再生特性が得られ、高密度記録に適した磁気記録媒体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気記録媒体の一つの態様を例示する図である。
【図２】実施例１のＣｒ中間層膜厚と保磁力Ｈｃ及びＳ／Ｎｍ（媒体Ｓ／Ｎ）との関係を示すグラフである。
【図３】実施例３のＮｉ3 Ｐ下地層の膜厚と保磁力Ｈｃ及びＳ／Ｎｍ（媒体Ｓ／Ｎ）との関係を示すグラフである。
【図４】実施例５のＳｉＯ2 添加量と磁性層の平均結晶粒径との関係を示すグラフである。
【図５】実施例５における磁性層の結晶粒の平面透過型電子顕微鏡写真である。
【図６】実施例８におけるアルゴン圧と保磁力Ｈｃとの関係を示すグラフである。
【符号の説明】
１…ガラス基板
２、２’…Ｃｒ中間層
３、３’…Ｃｒ酸化層
４、４’…下地層
５、５’…磁性層
６、６’…保護膜
７、７’…潤滑剤層
１０…磁気記録媒体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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