(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の内部電極が形成されたセラミックグリーンシートを所定枚数積層したセラミック積層体をカットテーブル上に加熱状態で保持し、該セラミック積層体を一端部から他端部に向かって切断刃により積層チップ体に切り出す切断方法において、
前記積層体の一端面を規制部材で押圧した状態で保持しつつ該積層体を一端部から他端部に向かって積層チップ体に切り出していくこと、
を特徴とするセラミック積層体の切断方法。
【請求項２】
前記セラミック積層体の一端部分を切断する際には前記一端面のみを規制部材で押圧しつつ切断し、セラミック積層体の他端部分を切断する際には前記他端面のみを規制部材で押圧しつつ切断することを特徴とする請求項１記載のセラミック積層体の切断方法。
【請求項３】
前記一端面及び他端面に対しては前記規制部材で切断線と直交する方向に押圧することを特徴とする請求項１又は請求項２記載のセラミック積層体の切断方法。
【請求項４】
前記セラミック積層体をカットテーブル上に吸引力によって保持した状態で切断することを特徴とする請求項１、請求項２又は請求項３記載のセラミック積層体の切断方法。
【請求項５】
前記規制部材による押圧力は、前記吸引力よりも大きいことを特徴とする請求項４記載のセラミック積層体の切断方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、セラミック積層体の切断方法、特に、複数の内部電極が形成されたセラミックグリーンシートを所定枚数積層したセラミック積層体をカットテーブル上に加熱状態で保持し、該セラミック積層体を一端部から他端部に向かって切断刃により積層チップ体に切り出す切断方法に関する。
【０００２】
【従来の技術と課題】
従来、積層型インダクタや積層型コンデンサ等の積層チップ電子部品の製造においては、図７（Ａ）に示すように、複数の内部電極２が形成されたセラミックグリーンシートを所定枚数積層したセラミック積層体１を切断刃を用いてカット線ａで切断することが行われている。
【０００３】
この切断工程においては、例えば、特開平２−１２６６２１号公報に示されるように、セラミック積層体１をカットテーブル上に保持し、該積層体１を約３０〜７０℃（セラミック材料によって異なる）に加熱している。加熱は切断性の向上を図り、切断刃の損傷を少なくするために必要な処理である。
【０００４】
しかしながら、セラミック積層体１は加熱によって、図７（Ｂ）に示すように膨張し、切断時には略太鼓形状に変形している。この変形はセラミック積層体１の周縁に近いほど大きい。即ち、中央部の内部電極２ａと両側部の内部電極２ｂ，２ｃとでカット線ａに沿った直線的な位置関係にずれを生じる（図８（Ａ），（Ｂ）参照）。従って、カット線ａで切断した場合、積層体１の中央部に位置する内部電極２ａは切り出された積層チップ体３の端面との距離ｂが規格よりも小さくなる不具合を有していた。なお、図８（Ａ）は積層体１の両側部に位置する内部電極２ｂ，２ｃでの断面であり、ここでの距離ｂは通常規格内に収まっている。
【０００５】
従来、例えば、特開２０００−２５４９１０号公報に示されるように、カットテーブル上でのセラミック積層体のカット時における位置ずれを防止するために、積層体の側面にガイドを当接させることが行われていた。しかし、このようなガイドはカット時の切断刃によるセラミック積層体の位置ずれを防止するためのものであり、セラミック積層体の熱膨張による変形を規制しているものではない。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、内部電極を有するグリーンシートを積層したセラミック積層体から積層チップ体を切り出す際、切り出された個々の積層チップ体での内部電極の偏在を極力防止することのできる切断方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び作用】
以上の目的を達成するため、本発明は、複数の内部電極が形成されたセラミックグリーンシートを所定枚数積層したセラミック積層体をカットテーブル上に加熱状態で保持し、該セラミック積層体を一端部から他端部に向かって切断刃により積層チップ体に切り出す切断方法において、積層体の一端面を規制部材で押圧した状態で保持しつつ該積層体を一端部から他端部に向かって積層チップ体に切り出していくことを特徴とする。
【０００８】
本発明に係る切断方法においては、セラミック積層体の切断開始部分である一端面が規制部材によって押圧されるため、熱膨張による積層体の変形が矯正され、切り出された個々の積層チップ体での内部電極の偏在が極力防止される。
【０００９】
セラミック積層体の熱膨張による変形は該積層体の周縁部分で顕著であるため、切断進行方向の中間部分を切断する際には積層体を規制部材で押圧することは必ずしも必要ではない。従って、一端部分を切断する際には一端面のみを規制部材で押圧しつつ切断し、他端部分を切断する際には他端面のみを規制部材で押圧しつつ切断すればよい。
【００１０】
また、セラミック積層体の一端面及び他端面に対しては規制部材で切断線と直交する方向に押圧することが好ましい。さらに、セラミック積層体をカットテーブル上に吸引力によって保持した状態で切断することが好ましい。吸引保持方式は機構が簡略で操作も容易である利点を有する。
また、規制部材による押圧力は、吸引力よりも大きいことが好ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るセラミック積層体の切断方法の実施形態について、添付図面を参照して説明する。
【００１２】
（切断装置、図１参照）
まず、本発明に係る切断方法に用いる装置の概略を説明する。この切断装置は、図１に示すように、カットテーブル１０と、切断刃１５と規制板２１，２２とで構成されている。切断されるセラミック積層体１は、複数の内部電極２が形成されたセラミックグリーンシートを所定枚数積層してプレスした、いわゆるマザー積層体であり、切断後に積層型インダクタ、積層型コンデンサ、複合部品等の複数の積層チップ体となる。
【００１３】
なお、図１は積層型コンデンサの例であり、内部電極２は詳細は図示しないが積層方向にセラミックグリーンシートを介して複数枚設けられている。
【００１４】
カットテーブル１０はその表面に形成した多数の空気吸引口（図示せず）から例えば濾紙１２を介してセラミック積層体１を吸引保持する。また、カットテーブル１０にはヒータ等の熱源が内蔵されており、セラミック積層体１を切断に適した所定の温度（６０〜１００℃、セラミック材料に応じて異なる）に加熱する。
【００１５】
なお、このセラミック積層体１の加熱はカットテーブル１０上でなくてもよく、例えば、別の加熱手段のあるところで予め加熱しておいてからその状態でカットテーブル１０上へ供給してもよい。
【００１６】
切断刃１５は、直線状をなし、矢印ｃ方向（切断進行方向、切断された積層チップ体の幅方向）に移動しつつセラミック積層体１をカットテーブル１０上でその一端部分１ａから他端部分１ｂに向かって所定幅の積層チップ体に切り出す。
【００１７】
規制板２１はセラミック積層体１の一端面をカット線ａと直交する方向ｄに押圧するためのものである。いま一つの規制板２２はセラミック積層体１の他端面をカット線ａと直交する方向ｄ’に押圧するためのものである。各規制板２１，２２は図示しないモータやシリンダ等を駆動源としてセラミック積層体１を押圧する。これらの規制板２１，２２の押圧力はセラミック積層体１の内部電極２が熱膨張前の位置に戻る程度のものである。
【００１８】
（切断動作）
以上の構成からなる切断装置において、切断開始時にあっては、セラミック積層体１をテーブル１０上に加熱して吸引保持した状態で、規制板２１を矢印ｄ方向に移動させてセラミック積層体１の一端面を押圧し、セラミック積層体１を約０．１〜３ｍｍ程度移動させる（図２参照）。このとき、テーブル１０による吸引保持力が強すぎたり、規制板２１の押圧力が弱いと、セラミック積層体１が移動しない。この場合には、規制板２１の押圧力をテーブル１０による吸引保持力よりも大きくするか、吸引力を一時的に弱くする。この状態で切断刃１５によってセラミック積層体１をその中間部分までカット線ａの幅で短冊状の積層チップ体に切り出していく。
【００１９】
中間部分まで切り出したとき、切断を一時中止し、前記規制板２１による押圧を解除すると共に、いま一つの規制板２２を矢印ｄ’方向に移動させてセラミック積層体１の他端面を押圧し、セラミック積層体１を約０．１〜３ｍｍ程度移動させる（図３参照）。この状態で切断刃１５によってセラミック積層体１の残りの部分を他端部分１ｂまでカット線ａの幅で短冊状の積層チップ体に切り出していく。
【００２０】
なお、中間部分でセラミック積層体１に対する押圧を規制板２１から規制板２２に切り換える際、規制板２１の押圧をそのまま継続させてもよい。但し、前述のように、規制板２１の押圧を解除するほうが、規制板２２によってセラミック積層体１を移動させやすくなる。その後、図示しないが短冊状の積層チップ体を個々の積層チップ体にするために、今度は矢印ｃ方向に直交する方向（切断された積層チップ体の長さ方向）にも同様に切断動作を行う。
【００２１】
（積層体の加熱変形、図４参照）
ところで、カットテーブル１０上で加熱されたセラミック積層体１は、切断時には図４に模式的に示すように略太鼓状に変形している。図４では矢印の大きさを変形の大きさにほぼ比例させて表している。
【００２２】
このような変形はセラミック積層体１の周縁部分で顕著に現れるので、内蔵されている内部電極の位置ずれの状態に応じて、前記規制板２１，２２による押圧で位置ずれを矯正する。位置ずれの矯正は、切断開始時の領域Ｌ１と、切断終了時の領域Ｌ３において少なくとも実行される必要がある。位置ずれのほとんどない中間領域Ｌ２を切断する際に、規制板２１，２２による押圧は必ずしも必要ない。
【００２３】
また、規制板２１，２２によって押圧する方向は、通常、カット線ａに対して直交する方向である。しかし、熱膨張によるセラミック積層体１の変形が図４に模式的に示した状態以外の場合には、内部電極の位置ずれが最も良好に矯正できる方向ないし角度に押圧することが好ましい。
【００２４】
（内部電極の位置ずれデータ、図５参照）
以下に、セラミック積層体から切り出された積層チップ体内での内部電極の位置ずれのデータを示す。
【００２５】
図５（Ａ）は規制板による押圧なしで切断（従来例）された積層チップ体での内部電極のずれ量を切断進行方向の全領域Ｌ（図４参照）にわたって示したグラフである。図５（Ｂ）は規制板によって押圧して切断（発明例）された積層チップ体での内部電極のずれ量を切断進行方向の全領域Ｌにわたって示したグラフである。
【００２６】
なお、ここに示す位置ずれデータは中間領域Ｌ２（図４参照）にあっても規制板２１又は規制板２２にて押圧する形態で実施したものである。
【００２７】
いずれのグラフにおいても、曲線Ａは図６に示す切り出された積層チップ体３の切断開始側端面と基準位置Ｙとの距離ｂに対するずれの割合であり、左側にずれている場合を＋、右側にずれている場合を−で表示している。曲線Ｂは、同様に、切断終了側端面と基準位置Ｙとの距離ｂに対するずれの割合であり、右側にずれている場合を＋、左側にずれている場合を−で表示している。
【００２８】
図５（Ａ）に示す従来例では切断開始側及び切断終了側で±２５％を超えるずれ量が発生した。一方、図５（Ｂ）に示す発明例では切断開始側及び切断終了側であってもずれ量がほぼ±２５％に収まっていた。
【００２９】
本実施形態ではセラミック積層体を積層チップ体の幅方向に沿って切断する例を示しているが、積層チップ体の長さ方向に沿って切断してもよく、もちろん両方向にそれぞれ切断してもよい。積層チップ体の幅方向の方が長さ方向よりも熱膨張による変形が大きいため、幅方向の切断に特に有効である。
【００３０】
（他の実施形態）
なお、本発明に係るセラミック積層体の切断方法は前記実施形態に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更できる。
【００３１】
特に、カットテーブル、切断刃、規制板の構成や形状、あるいはセラミック積層体をテーブル上で保持する構成は任意である。
【００３２】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、少なくともセラミック積層体の一端部分を切断する際には該積層体の一端面を規制部材で押圧しつつ切断し、少なくともセラミック積層体の他端部分を切断する際には該積層体の他端面を規制部材で押圧しつつセラミック積層体を切断するようにしたため、切り出された個々の積層チップ体での内部電極の偏在を極力防止することができ、ひいては不良品の発生率が低下する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る切断方法に用いられる切断装置の概略を示す斜視図、（Ａ）は一端部分切断時、（Ｂ）は他端部分切断時を示す。
【図２】本発明に係る切断方法における切断開始時の説明図。
【図３】本発明に係る切断方法における規制板切換え時の説明図。
【図４】セラミック積層体の熱膨張による変形状態を示す模式図。
【図５】切り出された積層チップ体での内部電極のずれ量を示すグラフ、（Ａ）は規制部材による押圧なしの場合、（Ｂ）は規制部材による押圧ありの場合を示す。
【図６】切り出された積層チップ体と内部電極の位置関係を示す説明図。
【図７】セラミック積層体の内部電極の位置関係を示す平面図、（Ａ）は室温時、（Ｂ）は加熱時を示す。
【図８】切り出された積層チップ体と内部電極の位置関係を示す説明図、（Ａ）は内部電極が基準位置にあるとき、（Ｂ）は内部電極が位置ずれを生じているときを示す。
【符号の説明】
１…セラミック積層体
１ａ…一端部分
１ｂ…他端部分
２（２ａ，２ｂ，２ｃ）…内部電極
１０…カットテーブル
１５…切断刃
２１，２２…規制板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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