(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上層部分、中層部分、下層部分の三層構造を有し、前記中層部分が、前記上層部分および前記下層部分とはエッチング特性の異なる材質で構成され、前記下層部分が導電性層により構成されている第１の基板を用意し、この第１の基板の中央部に作用領域、この作用領域の周囲に可撓領域、この可撓領域の周囲に固定領域を、それぞれ定義する段階と、
前記第１の基板の下面に対向させて配置するための第２の基板を用意する段階と、
前記第１の基板の前記作用領域および前記可撓領域と、これらに対向する前記第２の基板側の領域との間に、容量素子用空洞部を形成することができるように、前記第１の基板の下面もしくは前記第２の基板の上面またはこれら両面に対して加工を施す段階と、
前記容量素子用空洞部の上壁面を構成する前記第１の基板側の前記下層部分からなる導電性面と、前記容量素子用空洞部の下壁面を構成する前記第２の基板側の面と、の間に容量素子を形成することができるように、前記第２の基板側に電極を形成する段階と、
前記第１の基板の下面と、前記第２の基板の上面とを対向させた状態で、前記第１の基板の固定領域の下面を前記第２の基板の上面に接合し、前記容量素子用空洞部および前記容量素子を形成する段階と、
前記第１の基板の少なくとも前記可撓領域の部分を、上面側から機械的方法により切削して掘ることにより、前記上層部分の厚みよりも浅い第１の深さを有する溝を形成する段階と、
前記上層部分に形成された溝の底部に対して、第１のエッチング液もしくはガスを用いて前記上層部分を掘り進める前段工程と、第２のエッチング液もしくはガスを用いて前記中層部分を掘り進める後段工程と、を有するエッチング工程を施すことにより、前記溝を第２の深さまで掘り進め、前記第１の基板の前記可撓領域の部分によって可撓部を形成し、前記第１の基板の前記作用領域の部分によって重錘体を形成し、前記第１の基板の前記固定領域の部分によって台座を形成する段階と、
を有し、前記重錘体に作用した力に基づいて前記可撓部に撓みが生じるセンサ構造体を形成し、前記撓みによる前記容量素子の静電容量値の変化に基づいて物理量を測定する機能をもったセンサを製造することを特徴とする静電容量の変化を利用したセンサの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のセンサの製造方法において、
下層部分に容量素子用空洞部を形成した後、更に、この容量素子用空洞部の上壁面の一部をエッチングにより除去し、下層部分を貫通するスリットを形成し、このスリットにより、測定に十分な可撓性を可撓部にもたせるようにしたことを特徴とする静電容量の変化を利用したセンサの製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載のセンサの製造方法において、
上層部分をシリコン、中層部分をシリコン化合物、下層部分を不純物添加により導電性をもったシリコンによって構成したことを特徴とする静電容量の変化を利用したセンサの製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載のセンサの製造方法において、
中層部分を絶縁材料により構成したことを特徴とする静電容量の変化を利用したセンサの製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４に記載のセンサの製造方法において、
更に、第１の基板の上面に対向させて配置するための第３の基板を用意する段階と、
前記第１の基板の上面と、前記第３の基板の下面とを対向させた状態で、台座の上面を前記第３の基板の下面に接合し、前記台座および前記第３の基板によって、重錘体が所定の自由度をもって変位可能な空間を形成する段階と、
を行うことを特徴とする静電容量の変化を利用したセンサの製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載のセンサの製造方法において、
第１の基板の下面もしくは第２の基板の上面に対して、エッチングを施すことにより、容量素子用空洞部を形成するための加工を行うことを特徴とする静電容量の変化を利用したセンサの製造方法。
【請求項７】
上層部分、中層部分、下層部分の三層構造を有し、前記中層部分が、前記上層部分および前記下層部分とはエッチング特性の異なる材質で構成され、前記下層部分が導電性層により構成されている本体基板を用意し、この本体基板の中央部に作用領域、この作用領域の周囲に可撓領域、この可撓領域の周囲に固定領域を、それぞれ定義する段階と、
前記本体基板の下面側の前記可撓領域に、機械的変形に基づいて抵抗値が変化するピエゾ抵抗素子を形成する段階と、
前記本体基板の少なくとも前記可撓領域の部分を、上面側から機械的方法により切削して掘ることにより、前記上層部分の厚みよりも浅い第１の深さを有する溝を形成する段階と、
前記上層部分に形成された溝の底部に対して、第１のエッチング液もしくはガスを用いて前記上層部分を掘り進める前段工程と、第２のエッチング液もしくはガスを用いて前記中層部分を掘り進める後段工程と、を有するエッチング工程を施すことにより、前記溝を第２の深さまで掘り進め、前記本体基板の前記可撓領域の部分によって可撓部を形成し、前記本体基板の前記作用領域の部分によって重錘体を形成し、前記本体基板の前記固定領域の部分によって台座を形成する段階と、
を有し、前記重錘体に作用した力に基づいて前記可撓部に撓みが生じるセンサ構造体を形成し、前記撓みによる前記ピエゾ抵抗素子の抵抗値の変化に基づいて物理量を測定する機能をもったセンサを製造することを特徴とするピエゾ抵抗素子を利用したセンサの製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載のセンサの製造方法において、
ピエゾ抵抗素子を下層部分に形成するようにし、この下層部分の前記ピエゾ抵抗素子が形成されていない領域の一部をエッチングにより除去し、下層部分を貫通するスリットを形成する段階を更に行うようにし、このスリットにより、測定に十分な可撓性を可撓部にもたせるようにしたことを特徴とするピエゾ抵抗素子を利用したセンサの製造方法。
【請求項９】
請求項７または８に記載のセンサの製造方法において、
上層部分および下層部分をシリコン、中層部分をシリコン化合物、ピエゾ抵抗素子を不純物添加により導電性をもったシリコンによって構成したことを特徴とするピエゾ抵抗素子を利用したセンサの製造方法。
【請求項１０】
請求項７〜９のいずれかに記載のセンサの製造方法において、
更に、本体基板の上面に対向させて配置するための蓋基板を用意する段階と、
前記本体基板の上面と、前記蓋基板の下面とを対向させた状態で、台座の上面を前記蓋基板の下面に接合し、前記台座および前記蓋基板によって、重錘体が所定の自由度をもって変位可能な空間を形成する段階と、
を行うことを特徴とするピエゾ抵抗素子を利用したセンサの製造方法。
【請求項１１】
請求項７〜１０のいずれかに記載のセンサの製造方法において、
更に、本体基板の下面に対向させて配置するための支持基板を用意する段階と、
前記本体基板の作用領域および可撓領域と、これらに対向する前記支持基板側の領域との間に、ピエゾ抵抗素子が機械的変形を行うのに必要な自由空間を提供するための抵抗素子用空洞部を形成することができるように、前記本体基板の下面もしくは前記支持基板の上面またはこれら両面に対して加工を施す段階と、
前記本体基板の下面と、前記支持基板の上面とを対向させた状態で、前記本体基板の固定領域の下面を前記支持基板の上面に接合し、前記抵抗素子用空洞部を形成する段階と、
を行うことを特徴とするピエゾ抵抗素子を利用したセンサの製造方法。
【請求項１２】
中央部に作用領域、この作用領域の周囲に可撓領域、この可撓領域の周囲に固定領域を、それぞれ定義した第１の基板と、この第１の基板の下面に対向させて配置するための第２の基板とを用意する段階と、
前記第１の基板の前記作用領域および前記可撓領域と、これらに対向する前記第２の基板側の領域との間に、容量素子用空洞部を形成することができるように、前記第１の基板の下面もしくは前記第２の基板の上面またはこれら両面に対して加工を施す段階と、
前記容量素子用空洞部の上壁面を構成する前記第１の基板側の面と、前記容量素子用空洞部の下壁面を構成する前記第２の基板側の面と、の間に容量素子を形成することができるように、電極を形成する段階と、
前記第１の基板の下面と、前記第２の基板の上面とを対向させた状態で、前記第１の基板の固定領域の下面を前記第２の基板の上面に接合し、前記容量素子用空洞部および前記容量素子を形成する段階と、
前記第１の基板の前記固定領域および前記可撓領域の部分を、上面側から機械的方法により切削して掘ることにより、第１の深さを有する溝を形成する段階と、
前記溝の底部に対してエッチングを施すことにより、前記溝を第２の深さまで掘り進め、前記第１の基板の前記可撓領域の部分によって可撓部を形成し、前記第１の基板の前記作用領域の部分によって重錘体を形成する段階と、
を有し、前記重錘体に作用した力に基づいて前記可撓部に撓みが生じるセンサ構造体を形成し、前記撓みによる前記容量素子の静電容量値の変化に基づいて物理量を測定する機能をもったセンサを製造することを特徴とする静電容量の変化を利用したセンサの製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載のセンサの製造方法において、
更に、重錘体が所定の自由度をもって変位可能な空間を形成するための重錘体用空洞部が下面に形成された第３の基板を用意する段階と、
第１の基板の上面と、前記第３の基板の下面とを対向させた状態で、前記重錘体用空洞部の壁面によって前記重錘体を覆うように、前記第３の基板の下面を前記第１の基板の上面の固定領域に接合する段階と、
を行うことを特徴とする静電容量の変化を利用したセンサの製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載のセンサの製造方法において、
容量素子用空洞部および重錘体用空洞部を、外部から密封しうる構造とし、真空吸引を行いながら両空洞部を密封することを特徴とする静電容量の変化を利用したセンサの製造方法。
【請求項１５】
請求項１２〜１４のいずれかに記載のセンサの製造方法において、
第１の基板の下面もしくは第２の基板の上面に対して、エッチングを施すことにより、容量素子用空洞部を形成するための加工を行うことを特徴とする静電容量の変化を利用したセンサの製造方法。
【請求項１６】
請求項１２〜１５のいずれかに記載のセンサの製造方法において、
第１の基板の下層部分を導電性層により構成し、この下層部分に容量素子用空洞部を形成し、この容量素子用空洞部の上壁面が導電性をもつようにし、容量素子の一方の電極を前記上壁面によって構成することを特徴とする静電容量の変化を利用したセンサの製造方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載のセンサの製造方法において、
第１の基板として、上層部分、中層部分、下層部分の三層構造を有する基板を用い、前記中層部分を、前記上層部分および前記下層部分とはエッチング特性の異なる材質で構成し、
第１の深さをもった溝として、上層部分の厚みよりも浅い溝を機械的方法により切削して掘り、
前記上層部分に形成された溝の底部を第２の深さまで掘り進める際に、第１のエッチング液もしくはガスを用いて上層部分を掘り進める前段工程と、第２のエッチング液もしくはガスを用いて中層部分を掘り進める後段工程と、を行うことを特徴とする静電容量の変化を利用したセンサの製造方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載のセンサの製造方法において、
下層部分に容量素子用空洞部を形成した後、更に、この容量素子用空洞部の上壁面の一部をエッチングにより除去し、下層部分を貫通するスリットを形成し、このスリットにより、測定に十分な可撓性を可撓部にもたせるようにしたことを特徴とする静電容量の変化を利用したセンサの製造方法。
【請求項１９】
請求項１７または１８に記載のセンサの製造方法において、
上層部分をシリコン、中層部分をシリコン化合物、下層部分を不純物添加により導電性をもったシリコンによって構成したことを特徴とする静電容量の変化を利用したセンサの製造方法。
【請求項２０】
請求項１７〜１９のいずれかに記載のセンサの製造方法において、
中層部分を絶縁材料により構成したことを特徴とする静電容量の変化を利用したセンサの製造方法。
【請求項２１】
中央部に作用領域、この作用領域の周囲に可撓領域、この可撓領域の周囲に固定領域を、それぞれ定義した本体基板を用意する段階と、
前記本体基板の下面側の前記可撓領域に、機械的変形に基づいて抵抗値が変化するピエゾ抵抗素子を形成する段階と、
前記本体基板の前記固定領域および前記可撓領域の部分を、上面側から機械的方法により切削して掘ることにより、第１の深さを有する溝を形成する段階と、
前記溝の底部に対してエッチングを施すことにより、前記溝を第２の深さまで掘り進め、前記本体基板の前記可撓領域の部分によって可撓部を形成し、前記本体基板の前記作用領域の部分によって重錘体を形成する段階と、
を有し、前記重錘体に作用した力に基づいて前記可撓部に撓みが生じるセンサ構造体を形成し、前記撓みによる前記ピエゾ抵抗素子の抵抗値の変化に基づいて物理量を測定する機能をもったセンサを製造することを特徴とするピエゾ抵抗素子を利用したセンサの製造方法。
【請求項２２】
請求項２１に記載のセンサの製造方法において、
更に、重錘体が所定の自由度をもって変位可能な空間を形成するための重錘体用空洞部が下面に形成された蓋基板を用意する段階と、
本体基板の上面と、前記蓋基板の下面とを対向させた状態で、前記重錘体用空洞部の壁面によって前記重錘体を覆うように、前記蓋基板の下面を前記本体基板の上面の固定領域に接合する段階と、
を行うことを特徴とするピエゾ抵抗素子を利用したセンサの製造方法。
【請求項２３】
請求項２１または２２に記載のセンサの製造方法において、
更に、本体基板の下面に対向させて配置するための支持基板を用意する段階と、
前記本体基板の作用領域および可撓領域と、これらに対向する前記支持基板側の領域との間に、ピエゾ抵抗素子が機械的変形を行うのに必要な自由空間を提供するための抵抗素子用空洞部を形成することができるように、前記本体基板の下面もしくは前記支持基板の上面またはこれら両面に対して加工を施す段階と、
前記本体基板の下面と、前記支持基板の上面とを対向させた状態で、前記本体基板の固定領域の下面を前記支持基板の上面に接合し、前記抵抗素子用空洞部を形成する段階と、
を行うことを特徴とするピエゾ抵抗素子を利用したセンサの製造方法。
【請求項２４】
請求項２１〜２３のいずれかに記載のセンサの製造方法において、
本体基板として、上層部分、中層部分、下層部分の三層構造を有する基板を用い、前記中層部分を、前記上層部分および前記下層部分とはエッチング特性の異なる材質で構成し、
第１の深さをもった溝として、上層部分の厚みよりも浅い溝を機械的方法により切削して掘り、
前記上層部分に形成された溝の底部を第２の深さまで掘り進める際に、第１のエッチング液もしくはガスを用いて上層部分を掘り進める前段工程と、第２のエッチング液もしくはガスを用いて中層部分を掘り進める後段工程と、を行うことを特徴とするピエゾ抵抗素子を利用したセンサの製造方法。
【請求項２５】
請求項２４に記載のセンサの製造方法において、
ピエゾ抵抗素子を下層部分に形成するようにし、この下層部分の前記ピエゾ抵抗素子が形成されていない領域の一部をエッチングにより除去し、下層部分を貫通するスリットを形成する段階を更に行うようにし、このスリットにより、測定に十分な可撓性を可撓部にもたせるようにしたことを特徴とするピエゾ抵抗素子を利用したセンサの製造方法。
【請求項２６】
請求項２４または２５に記載のセンサの製造方法において、
上層部分および下層部分をシリコン、中層部分をシリコン化合物、ピエゾ抵抗素子を不純物添加により導電性をもったシリコンによって構成したことを特徴とするピエゾ抵抗素子を利用したセンサの製造方法。
【請求項２７】
請求項１〜２６のいずれかに記載のセンサの製造方法において、
第１の基板もしくは本体基板上に複数の単位領域を定義し、各単位領域ごとに、その中心部に作用領域、この作用領域の周囲に可撓領域、この可撓領域の周囲に固定領域、をそれぞれ定義し、
前記第１の基板もしくは本体基板に他の基板を接合する場合には、更に、接合される当該他の基板についても、前記第１の基板もしくは本体基板の各単位領域に対応した位置にそれぞれ単位領域を定義し、
各単位領域ごとに個々の段階を実行し、各単位領域ごとにそれぞれ独立したセンサ構造体を形成した後、基板を各単位領域ごとに切り離すことにより、複数の独立したセンサを製造することを特徴とするセンサの製造方法。
【請求項２８】
請求項２７に記載のセンサの製造方法において、
第１の深さを有する溝を機械的方法により切削して掘る際に、複数の単位領域にわたって連続した溝を掘ることを特徴とするセンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はセンサの製造方法に関し、特に、加速度や角速度の作用により重錘体に加わる力に基づいて、容量素子の電極間隔を変化させるか、もしくはピエゾ抵抗素子に機械的変形を誘発させ、作用した加速度や角速度の向きや大きさを静電容量もしくは抵抗値の変化として検出することができるセンサを製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
自動車産業や機械産業などでは、力、加速度、角速度、磁気といった物理量を正確に検出することができるセンサの需要が高まっており、特に、二次元あるいは三次元の各成分ごとにこれらの物理量を検出できる小型のセンサが望まれている。このような需要に応えるため、たとえば、特開平４−１４８８３３号公報には、静電容量の変化を利用して、力・加速度・磁気を検出することができるセンサの基本構造が開示されており、また、特許協力条約に基づく国際公開第ＷＯ９４／２３２７２号公報には、静電容量の変化を利用して、角速度を検出することができるセンサが開示されている。これらのセンサはいずれも、外部から直接与えられた力や、加速度，磁気，角速度に起因して作用した力を、静電容量値の変化として検出する機能を有する。すなわち、重錘体に加わる力に基づいて、容量素子の電極間隔を変化させ、この電極間隔の変化を静電容量値の変化として検出することになる。
【０００３】
また、特開平１−２６３５７６号公報、特開平２−２２８５３２号公報などには、ピエゾ抵抗素子を利用して、力・加速度・磁気を検出するセンサが開示されている。これらのセンサでは、重錘体に加わる力に基づいて、ピエゾ抵抗素子に機械的変形が生じる構造が採られ、このピエゾ抵抗素子の抵抗値の変化に基づいて検出が行われる。
【０００４】
種々の産業分野において、このようなセンサの利用を普及させるためには、大量生産によるコストダウンが不可欠である。そこで、たとえば、特開平４−２４９７２６号公報には、静電容量の変化を利用した三次元加速度センサを大量生産するのに適した製造方法が開示されており、特開平３−２５３５号公報には、ピエゾ抵抗素子を利用した三次元加速度センサを大量生産するのに適した製造方法が開示されている。これらの製造方法は、集積回路の製造に広く用いられている半導体加工プロセスを利用した方法であり、シリコンなどの基板表面に必要な加工を施し、複数枚の基板を積層してから切断することにより、多数のセンサを同時に製造することができる。この方法によれば、一般的な半導体集積回路の製造プロセスと同様に、多数のセンサを低コストで生産することが可能である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上述したセンサの製造方法によれば、かなり小型のセンサを提供することが可能になるが、産業界においては、センサの更なる小型化が望まれている。ところが、上述した従来の製造方法では、商用ベースでの更なる小型化は非常に困難である。すなわち、重錘体に作用した力を、容量素子を構成する電極間距離の変化として検出したり、ピエゾ抵抗素子の抵抗値の変化として検出するためには、特有の物理的構造をもったセンサ構造体を形成する必要があるが、従来の一般的な半導体加工プロセスでは、微細なセンサ構造体を加工することが非常に困難である。
【０００６】
たとえば、１枚の半導体基板から重錘体を切り出すためには、基板上に溝を掘る必要がある。ところが、小型化を行うためには、細くて深い溝を形成する必要があるため、半導体加工プロセスで一般的に利用されているエッチング法を用いることは困難である。一方、ダイシングブレードを用いた機械的切削法によれば、細くて深い溝を形成することは可能である。しかしながら、センサ構造体を小型化すればするほど、機械的加工によって半導体基板にクラックが発生しやすくなり、歩留まりの点において、商用ベースでの量産化は困難になる。
【０００７】
そこで本発明は、商用ベースで、より小型のセンサを量産することが可能な静電容量の変化を利用したセンサおよびピエゾ抵抗素子を利用したセンサの製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
(1)   本発明の第１の態様は、静電容量の変化を利用したセンサを製造する方法において、
中央部に作用領域、この作用領域の周囲に可撓領域、この可撓領域の周囲に固定領域を、それぞれ定義した第１の基板と、この第１の基板の下面に対向させて配置するための第２の基板とを用意する段階と、
第１の基板の作用領域および可撓領域と、これらに対向する第２の基板側の領域との間に、容量素子用空洞部を形成することができるように、第１の基板の下面もしくは第２の基板の上面またはこれら両面に対して加工を施す段階と、
容量素子用空洞部の上壁面を構成する第１の基板側の面と、容量素子用空洞部の下壁面を構成する第２の基板側の面と、の間に容量素子を形成することができるように、電極を形成する段階と、
第１の基板の下面と、第２の基板の上面とを対向させた状態で、第１の基板の固定領域の下面を第２の基板の上面に接合し、容量素子用空洞部および容量素子を形成する段階と、
第１の基板の少なくとも可撓領域の部分を、上面側から機械的方法により切削して掘ることにより、第１の深さを有する溝を形成する段階と、
この溝の底部に対してエッチングを施すことにより、この溝を第２の深さまで掘り進め、第１の基板の可撓領域の部分によって可撓部を形成し、第１の基板の作用領域の部分によって重錘体を形成し、第１の基板の固定領域の部分によって台座を形成する段階と、
を行い、重錘体に作用した力に基づいて可撓部に撓みが生じるセンサ構造体を形成し、この撓みによる容量素子の静電容量値の変化に基づいて物理量を測定する機能をもったセンサを製造するようにしたものである。
【０００９】
(2)   本発明の第２の態様は、上述の第１の態様に係る静電容量の変化を利用したセンサの製造方法において、
更に、第１の基板の上面に対向させて配置するための第３の基板を用意する段階と、
第１の基板の上面と、第３の基板の下面とを対向させた状態で、台座の上面を第３の基板の下面に接合し、台座および第３の基板によって、重錘体が所定の自由度をもって変位可能な空間を形成する段階と、
を行うようにしたものである。
【００１０】
(3)   本発明の第３の態様は、静電容量の変化を利用したセンサを製造する方法において、
中央部に作用領域、この作用領域の周囲に可撓領域、この可撓領域の周囲に固定領域を、それぞれ定義した第１の基板と、この第１の基板の下面に対向させて配置するための第２の基板とを用意する段階と、
第１の基板の作用領域および可撓領域と、これらに対向する第２の基板側の領域との間に、容量素子用空洞部を形成することができるように、第１の基板の下面もしくは第２の基板の上面またはこれら両面に対して加工を施す段階と、
容量素子用空洞部の上壁面を構成する第１の基板側の面と、容量素子用空洞部の下壁面を構成する第２の基板側の面と、の間に容量素子を形成することができるように、電極を形成する段階と、
第１の基板の下面と、第２の基板の上面とを対向させた状態で、第１の基板の固定領域の下面を第２の基板の上面に接合し、容量素子用空洞部および容量素子を形成する段階と、
第１の基板の固定領域および可撓領域の部分を、上面側から機械的方法により切削して掘ることにより、第１の深さを有する溝を形成する段階と、
この溝の底部に対してエッチングを施すことにより、この溝を第２の深さまで掘り進め、第１の基板の可撓領域の部分によって可撓部を形成し、第１の基板の作用領域の部分によって重錘体を形成する段階と、
を行い、重錘体に作用した力に基づいて可撓部に撓みが生じるセンサ構造体を形成し、この撓みによる容量素子の静電容量値の変化に基づいて物理量を測定する機能をもったセンサを製造するようにしたものである。
【００１１】
(4)   本発明の第４の態様は、上述の第３の態様に係る静電容量の変化を利用したセンサの製造方法において、
更に、重錘体が所定の自由度をもって変位可能な空間を形成するための重錘体用空洞部が下面に形成された第３の基板を用意する段階と、
第１の基板の上面と、第３の基板の下面とを対向させた状態で、重錘体用空洞部の壁面によって重錘体を覆うように、第３の基板の下面を第１の基板の上面の固定領域に接合する段階と、
を行うようにしたものである。
【００１２】
(5)   本発明の第５の態様は、上述の第４の態様に係る静電容量の変化を利用したセンサの製造方法において、
容量素子用空洞部および重錘体用空洞部を、外部から密封しうる構造とし、真空吸引を行いながら両空洞部を密封するようにしたものである。
【００１３】
(6)   本発明の第６の態様は、上述の第１〜第５の態様に係る静電容量の変化を利用したセンサの製造方法において、
第１の基板の下面もしくは第２の基板の上面に対して、エッチングを施すことにより、容量素子用空洞部を形成するための加工を行うようにしたものである。
【００１４】
(7)   本発明の第７の態様は、上述の第１〜第６の態様に係る静電容量の変化を利用したセンサの製造方法において、
第１の基板の下層部分を導電性層により構成し、この下層部分に容量素子用空洞部を形成し、この容量素子用空洞部の上壁面が導電性をもつようにし、容量素子の一方の電極をこの導電性の上壁面によって構成するようにしたものである。
【００１５】
(8)   本発明の第８の態様は、上述の第７の態様に係る静電容量の変化を利用したセンサの製造方法において、
第１の基板として、上層部分、中層部分、下層部分の三層構造を有する基板を用い、中層部分を、上層部分および下層部分とはエッチング特性の異なる材質で構成し、
第１の深さをもった溝として、上層部分の厚みよりも浅い溝を機械的方法により切削して掘り、
上層部分に形成された溝の底部を第２の深さまで掘り進める際に、第１のエッチング液もしくはガスを用いて上層部分を掘り進める前段工程と、第２のエッチング液もしくはガスを用いて中層部分を掘り進める後段工程と、を行うようにしたものである。
【００１６】
(9)   本発明の第９の態様は、上述の第８の態様に係る静電容量の変化を利用したセンサの製造方法において、
下層部分に容量素子用空洞部を形成した後、更に、この容量素子用空洞部の上壁面の一部をエッチングにより除去し、下層部分を貫通するスリットを形成し、このスリットにより、測定に十分な可撓性を可撓部にもたせるようにしたものである。
【００１７】
(10)  本発明の第１０の態様は、上述の第８または第９の態様に係る静電容量の変化を利用したセンサの製造方法において、
上層部分をシリコン、中層部分をシリコン化合物、下層部分を不純物添加により導電性をもったシリコンによって構成したものである。
【００１８】
(11)  本発明の第１１の態様は、上述の第８〜第１０の態様に係る静電容量の変化を利用したセンサの製造方法において、
中層部分を絶縁材料により構成するようにしたものである。
【００１９】
(12)  本発明の第１２の態様は、ピエゾ抵抗素子を利用したセンサを製造する方法において、
中央部に作用領域、この作用領域の周囲に可撓領域、この可撓領域の周囲に固定領域を、それぞれ定義した本体基板を用意する段階と、
本体基板の下面側の可撓領域に、機械的変形に基づいて抵抗値が変化するピエゾ抵抗素子を形成する段階と、
本体基板の少なくとも可撓領域の部分を、上面側から機械的方法により切削して掘ることにより、第１の深さを有する溝を形成する段階と、
この溝の底部に対してエッチングを施すことにより、この溝を第２の深さまで掘り進め、本体基板の可撓領域の部分によって可撓部を形成し、本体基板の作用領域の部分によって重錘体を形成し、本体基板の固定領域の部分によって台座を形成する段階と、
を行い、重錘体に作用した力に基づいて可撓部に撓みが生じるセンサ構造体を形成し、この撓みによるピエゾ抵抗素子の抵抗値の変化に基づいて物理量を測定する機能をもったセンサを製造するようにしたものである。
【００２０】
(13)  本発明の第１３の態様は、上述の第１２の態様に係るピエゾ抵抗素子を利用したセンサの製造方法において、
更に、本体基板の上面に対向させて配置するための蓋基板を用意する段階と、
本体基板の上面と、蓋基板の下面とを対向させた状態で、台座の上面を蓋基板の下面に接合し、台座および蓋基板によって、重錘体が所定の自由度をもって変位可能な空間を形成する段階と、
を行うようにしたものである。
【００２１】
(14)  本発明の第１４の態様は、ピエゾ抵抗素子を利用したセンサを製造する方法において、
中央部に作用領域、この作用領域の周囲に可撓領域、この可撓領域の周囲に固定領域を、それぞれ定義した本体基板を用意する段階と、
本体基板の下面側の可撓領域に、機械的変形に基づいて抵抗値が変化するピエゾ抵抗素子を形成する段階と、
本体基板の固定領域および可撓領域の部分を、上面側から機械的方法により切削して掘ることにより、第１の深さを有する溝を形成する段階と、
この溝の底部に対してエッチングを施すことにより、この溝を第２の深さまで掘り進め、本体基板の可撓領域の部分によって可撓部を形成し、本体基板の作用領域の部分によって重錘体を形成する段階と、
を行い、重錘体に作用した力に基づいて可撓部に撓みが生じるセンサ構造体を形成し、この撓みによるピエゾ抵抗素子の抵抗値の変化に基づいて物理量を測定する機能をもったセンサを製造するようにしたものである。
【００２２】
(15)  本発明の第１５の態様は、上述の第１４の態様に係るピエゾ抵抗素子を利用したセンサを製造する方法において、
更に、重錘体が所定の自由度をもって変位可能な空間を形成するための重錘体用空洞部が下面に形成された蓋基板を用意する段階と、
本体基板の上面と、蓋基板の下面とを対向させた状態で、重錘体用空洞部の壁面によって重錘体を覆うように、蓋基板の下面を本体基板の上面の固定領域に接合する段階と、
を行うようにしたものである。
【００２３】
(16)  本発明の第１６の態様は、上述の第１２〜第１５の態様に係るピエゾ抵抗素子を利用したセンサを製造する方法において、
更に、本体基板の下面に対向させて配置するための支持基板を用意する段階と、
本体基板の作用領域および可撓領域と、これらに対向する支持基板側の領域との間に、ピエゾ抵抗素子が機械的変形を行うのに必要な自由空間を提供するための抵抗素子用空洞部を形成することができるように、本体基板の下面もしくは支持基板の上面またはこれら両面に対して加工を施す段階と、
本体基板の下面と、支持基板の上面とを対向させた状態で、本体基板の固定領域の下面を支持基板の上面に接合し、抵抗素子用空洞部を形成する段階と、
を行うようにしたものである。
【００２４】
(17)  本発明の第１７の態様は、上述の第１２〜第１６の態様に係るピエゾ抵抗素子を利用したセンサを製造する方法において、
本体基板として、上層部分、中層部分、下層部分の三層構造を有する基板を用い、中層部分を、上層部分および下層部分とはエッチング特性の異なる材質で構成し、
第１の深さをもった溝として、上層部分の厚みよりも浅い溝を機械的方法により切削して掘り、
上層部分に形成された溝の底部を第２の深さまで掘り進める際に、第１のエッチング液もしくはガスを用いて上層部分を掘り進める前段工程と、第２のエッチング液もしくはガスを用いて中層部分を掘り進める後段工程と、を行うようにしたものである。
【００２５】
(18)  本発明の第１８の態様は、上述の第１７の態様に係るピエゾ抵抗素子を利用したセンサを製造する方法において、
ピエゾ抵抗素子を下層部分に形成するようにし、この下層部分のピエゾ抵抗素子が形成されていない領域の一部をエッチングにより除去し、下層部分を貫通するスリットを形成する段階を更に行うようにし、このスリットにより、測定に十分な可撓性を可撓部にもたせるようにしたものである。
【００２６】
(19)  本発明の第１９の態様は、上述の第１７または第１８の態様に係るピエゾ抵抗素子を利用したセンサを製造する方法において、
上層部分および下層部分をシリコン、中層部分をシリコン化合物、ピエゾ抵抗素子を不純物添加により導電性をもったシリコンによって構成したものである。
【００２７】
(20)  本発明の第２０の態様は、上述の第１〜第１９の態様に係るセンサの製造方法において、
第１の基板もしくは本体基板上に複数の単位領域を定義し、各単位領域ごとに、その中心部に作用領域、この作用領域の周囲に可撓領域、この可撓領域の周囲に固定領域、をそれぞれ定義し、
第１の基板もしくは本体基板に接合される他の基板について、第１の基板もしくは本体基板の各単位領域に対応した位置にそれぞれ単位領域を定義し、
各単位領域ごとに個々の段階を実行し、各単位領域ごとにそれぞれ独立したセンサ構造体を形成した後、各基板を、各単位領域ごとに切り離すことにより、複数の独立したセンサを製造するようにしたものである。
【００２８】
(21)  本発明の第２１の態様は、上述の第２０の態様に係るセンサの製造方法において、
第１の深さを有する溝を機械的方法により切削して掘る際に、複数の単位領域にわたって連続した溝を掘るようにしたものである。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示する実施形態に基づいて説明する。
【００３０】
§１．  静電容量の変化を利用したセンサ
はじめに、本発明の適用対象となる静電容量の変化を利用したセンサの基本構造および動作原理を説明しておく。図１は、静電容量の変化を利用した加速度センサの一例を示す側断面図である。このセンサでは、支持基板１０上に台座２０を介して可撓基板３０が接合されている。更に、この可撓基板３０の上面には、周囲部に台座４０が、中央部に重錘体５０が、それぞれ接合されており、台座４０の上面には、蓋基板６０が接合されている。また、支持基板１０の上面には５枚の下部電極Ｅ１〜Ｅ５（図１には一部のみ示されている）が形成され、可撓基板３０の下面には１枚の上部電極Ｅ０が形成されており、上下の両電極によって容量素子が形成されている。支持基板１０と可撓基板３０との間に形成された空洞部Ｖ１は、この容量素子を構成する電極間の空間を確保するためのものである。一方、台座４０と重錘体５０との間に形成された空洞部Ｖ２ａおよび重錘体５０と蓋基板６０との間に形成された空洞部Ｖ２ｂは、重錘体５０が所定の自由度をもって変位可能となるような空間を確保するためのものである。
【００３１】
可撓基板３０は可撓性を有しており、重錘体５０は、この可撓基板３０によってのみ支持されている。したがって、可撓基板３０が撓みを生じることにより、重錘体５０は任意の方向に変位することが可能である。すなわち、重錘体５０は、周囲に形成された空洞部Ｖ２ａの存在により、図の水平方向に変位することが可能であり、下方に形成された空洞部Ｖ１の存在により、図の下方向に変位することが可能であり、上方に形成された空洞部Ｖ２ｂの存在により、図の上方向に変位することが可能である。ここでは、支持基板１０の上面の中心部に原点をもつＸＹＺ三次元座標系を考え、図１の右方向にＸ軸、上方向にＺ軸、紙面に垂直な方向にＹ軸を定義することにする。また、以下の説明では、容量素子を収容している空洞部Ｖ１を「容量素子用空洞部Ｖ１」と呼び、重錘体を収容している空洞部Ｖ２ａ，Ｖ２ｂを「重錘体用空洞部Ｖ２」と呼ぶことにする。
【００３２】
図２は、図１に示す加速度センサの支持基板１０の上面図である。この図２に示す支持基板１０をＸ軸に沿って切断した断面が図１に示されている。また、図２の破線は、この支持基板１０の上面に接合される台座２０の位置を示している。図示のとおり、支持基板１０上には、５枚の下部電極Ｅ１〜Ｅ５が形成されている。電極Ｅ１，Ｅ２はＸ軸上に配置され、電極Ｅ３，Ｅ４はＹ軸上に配置され、電極Ｅ５は三次元座標系の原点上に配置されている。
【００３３】
図３は、図１に示す加速度センサから支持基板１０を取り外した状態の下面図である。可撓基板３０の下面の中央部には、円盤状の上部電極Ｅ０が形成されており、可撓基板３０の下面の周囲部には、台座２０が接合されている状態が示されている。上部電極Ｅ０は、５枚の下部電極Ｅ１〜Ｅ５に対する共通の対向電極として機能する。したがって、上下に対向するように配置された電極対Ｅ１／Ｅ０，Ｅ２／Ｅ０，Ｅ３／Ｅ０，Ｅ４／Ｅ０，Ｅ５／Ｅ０によって、それぞれ独立した容量素子Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４，Ｃ５が形成されることになる。
【００３４】
図４は、図１に示す加速度センサから蓋基板６０を取り外した状態の上面図である。可撓基板３０の上面の中央部には、角柱状の重錘体５０が接合されており、可撓基板３０の上面の周囲部には、台座４０が接合されている状態が示されている。台座４０と重錘体５０との間に形成されている空間が、図１に示す空洞部Ｖ２ａに相当する。なお、ここでは、可撓基板３０について、重錘体５０が接合されている中央部を作用領域３１、その周囲の空洞部Ｖ２ａに相当する領域を可撓領域３２、その周囲の台座４０が接合されている領域を固定領域３３と呼ぶことにする。図４に括弧で示した各符号は、この可撓基板３０の各領域を示すものである。図１に示す側断面図では、可撓基板３０のうち、重錘体５０とともに変位を生じる中央部分が作用領域３１であり、台座２０および台座４０によって挟持された周囲部分が固定領域３３であり、その中間部分が可撓領域３２である。可撓領域３２は、いわゆるダイヤフラムとして機能し、この可撓領域３２が撓むことにより、重錘体５０が変位することになる。
【００３５】
図５は、図１に示す加速度センサの蓋基板６０の下面図であり、破線は重錘体５０の位置を示している。この蓋基板６０では、外周部６１によって囲まれた領域に溝部６２が形成されている。溝部６２は、図１に示す空洞部Ｖ２ｂを形成するためのものであり、外周部６１を台座４０に接合しても、重錘体５０と蓋基板６０との間には空間が確保される。
【００３６】
この加速度センサの動作は次のとおりである。まず、この加速度センサを、何ら加速度が作用していない環境に設置した場合を考える。この場合、図１の側断面図に示されているように、可撓基板３０と支持基板１０とは平行な状態を保ち、容量素子Ｃ１〜Ｃ５はそれぞれ所定の静電容量値を示す。ところが、Ｘ軸方向の加速度が加わったために、重錘体５０に対して、たとえばＸ軸正方向の力が作用したとすると、重錘体５０は図１の右方向に変位する。その結果、可撓基板３０に撓みが生じ、電極Ｅ１／Ｅ０の間隔は縮み、電極Ｅ２／Ｅ０の間隔は広がる。したがって、容量素子Ｃ１の静電容量値は大きくなり、容量素子Ｃ２の静電容量値は小さくなる。同様に、Ｙ軸方向の加速度が加わったために、重錘体５０に対して、たとえばＹ軸正方向の力が作用したとすると、電極Ｅ３／Ｅ０の間隔は縮み、電極Ｅ４／Ｅ０の間隔は広がる。したがって、容量素子Ｃ３の静電容量値は大きくなり、容量素子Ｃ４の静電容量値は小さくなる。また、Ｚ軸方向の加速度が加わったために、重錘体５０に対して、Ｚ軸正方向の力が作用したとすると、全電極間隔は広がるため、たとえば、容量素子Ｃ５の静電容量値は小さくなる。
【００３７】
結局、Ｘ軸方向の加速度成分は、容量素子Ｃ１，Ｃ２の静電容量値をモニタすることにより検出することができ、Ｙ軸方向の加速度成分は、容量素子Ｃ３，Ｃ４の静電容量値をモニタすることにより検出することができ、Ｚ軸方向の加速度成分は、容量素子Ｃ５の静電容量値をモニタすることにより検出することができる。なお、図２には、各下部電極Ｅ１〜Ｅ５に対する配線が示されていないが、実際には、各容量素子の静電容量値を電気信号として取り出すための配線が設けられている。
【００３８】
以上、加速度センサの構造および動作原理を示したが、同様の原理に基づいて、力、磁気、角速度などの物理量を検出することも可能である。たとえば、図１に示すセンサ構造体において、蓋基板６０を取り外し、重錘体５０に直接力が加わるようにすれば、このセンサは力センサとして機能することになる。また、図１に示すセンサ構造体において、重錘体５０を鉄やコバルトなどの磁性材料で構成しておけば、磁気に基づいて作用する力を検出することが可能になり、このセンサを磁気センサとして機能させることが可能である。更に、重錘体５０を所定の方法（たとえば、電極Ｅ５／Ｅ０間に交流電圧を印加する）で所定の方向に振動させた状態において、この振動方向に直交する方向に加わるコリオリ力を所定の容量素子の静電容量値の変化として検出すれば、所定軸まわりに作用する角速度を検出することが可能になり、このセンサを角速度センサとして機能させることが可能である。なお、これら種々のセンサとしての動作は、前掲の各公報に開示されている公知技術であるため、ここでは詳しい説明は省略する。
【００３９】
図６は、図１に示す加速度センサの変形例を示す側断面図である。実用上は、図１に示す構造よりも、図６に示す構造を採る方が好ましい。図６に示す構造は、導電性をもった可撓基板３５を採用することにより、上部電極Ｅ０を省略したものである。可撓基板３５自体が導電性を有する上部電極として機能するため、別個の上部電極Ｅ０を形成する必要はない。
【００４０】
なお、台座４０および蓋基板６０は、必ずしも必要な構成要素ではなく、利用形態によっては省略することも可能である。たとえば、このセンサを力センサとして利用する場合には、重錘体５０を露出させ、加わる力を直接受けて検出することになる。また、加速度センサや角速度センサとして利用する場合であっても、このセンサ構造体を、何らかの筐体内に収容して利用するようにすれば、台座４０および蓋基板６０は必ずしも必要ではない。センサ構造体全体が何らかの筐体内に収容されており、検出動作中に、重錘体５０に何らかの異物が接触する事故が発生しないのであれば、重錘体５０が筐体内で露出した状態であっても問題はない。
【００４１】
また、可撓基板３０，３５に十分な可撓性をもたせるためには、可撓領域３２にスリットを形成しておくのが好ましい。図７は、可撓基板３０Ａの中央部（重錘体５０が接合される部分）に作用領域３１Ａ、その周囲に可撓領域３２Ａ、更にその周囲に固定領域３３Ａを定義し、可撓領域３２Ａの部分にスリットＳ１を形成した状態を示す上面図である。スリットＳ１は、可撓基板３０Ａを貫通する細長い開口窓で構成されており、このスリットＳ１の形成により、可撓基板３０Ａに十分な可撓性をもたせることが可能になる。同様に、図８は、可撓基板３０Ｂの中央部（重錘体５０が接合される部分）に作用領域３１Ｂ、その周囲に可撓領域３２Ｂ、更にその周囲に固定領域３３Ｂを定義し、可撓領域３２Ｂの部分にスリットＳ２を形成した状態を示す上面図である。やはり、スリットＳ２は、可撓基板３０Ｂを貫通する細長い開口窓で構成されており、このスリットＳ２の形成により、可撓基板３０Ｂに十分な可撓性をもたせることが可能になる。
【００４２】
§２．  量産に適した製造方法の基本原理
図１あるいは図６に示すセンサ構造体の製造方法は、たとえば、前掲の特開平４−１４８８３３号公報や、特許協力条約に基づく国際公開第ＷＯ９４／２３２７２号公報に開示されている。これらの公報に開示されている方法を用いれば、半導体製造プロセスを転用することにより、商用ベースでの量産が可能になる。この量産に適した方法の基本原理は、複数枚の基板にそれぞれ必要な加工を施し、複数の基板の積層体として、センサ構造体を製造する点にある。
【００４３】
たとえば、図９に側断面図を示すように、第１のシリコン基板Ａの中央部に作用領域Ａ１、その周囲に可撓領域Ａ２、更にその周囲に固定領域Ａ３を定義し、作用領域Ａ１および可撓領域Ａ２に相当する部分に対して、下面側からエッチングを行い、図示のような容量素子用空洞部Ｖ１を形成する。この第１のシリコン基板Ａにおいて、エッチングによる腐食を受けた部分（作用領域Ａ１および可撓領域Ａ２）の厚みは、腐食を受けなかった部分（固定領域Ａ３）の厚みよりも薄くなり、ダイヤフラム部ａが形成される。
【００４４】
続いて、図１０の側断面図に示すように、この第１のシリコン基板Ａの上面に第２のシリコン基板Ｂを接合し、この第２のシリコン基板Ｂの可撓領域Ａ２に相当する環状部分に対して、上面側からエッチングを行えば、図１１の側断面図に示すように、重錘体用空洞部Ｖ２を形成することができる。別言すれば、第２のシリコン基板Ｂは、外周部分の台座Ｂ１と中央部分の重錘体Ｂ２との２つの部分に分割されることになる。一方、第１のシリコン基板Ａ上には、重錘体Ｂ２が接合された作用部Ａ１１と、その周囲に配置された可撓部Ａ１２と、更にその周囲に配置された固定部Ａ１３と、が形成される。この図１１に示す構造を、図６のセンサ構造体と比較してみれば、固定部Ａ１３が台座２０として機能し、作用部Ａ１１および可撓部Ａ１２が可撓基板３５として機能し、台座Ｂ１が台座４０として機能し、重錘体Ｂ２が重錘体５０として機能することがわかる。そこで、この図１１に示す構造体の下面に、更に支持基板１０として機能する基板を接合し、また、上面には、蓋基板６０として機能する基板を接合すれば、図６に示すようなセンサ構造体を得ることができる。
【００４５】
このように、複数枚の基板からなる積層構造によって、このセンサ構造体を実現するようにすれば、従来の半導体製造プロセスを転用することができるので、商用ベースでの量産が可能になる。
【００４６】
しかしながら、前掲の各公報に開示されている方法には、小型化を行う上で限界が生じてくる。これは、一般的な半導体製造プロセスにおけるエッチングを用いた微細加工技術に基づく限界である。すなわち、図９〜図１１に示す構造は、空洞部Ｖ１，Ｖ２を形成するためのエッチング処理が、完全な異方性エッチングとして行われた理想的な状態を示しているが、実際には、現在行われている一般的な異方性エッチング処理では、このような理想的な異方性エッチングを行うことはできない。たとえば、図９に示す容量素子用空洞部Ｖ１の側壁面は基板面に対して垂直な面として示されているが、実際には、図１２に示す空洞部Ｖ１＊のように、側壁面はテーパー面となる。このような不完全な異方性エッチング特性は、第２のシリコン基板Ｂ上に重錘体用空洞部Ｖ２を形成する処理を行う際に、より深刻な問題を呈する。すなわち、異方性エッチングの工程によって実際に形成される重錘体用空洞部Ｖ２＊は、図１３の側断面図に示されているように、深部へゆくほど先が窄まった形状にならざるを得ない。
【００４７】
この問題は、より小型のセンサ構造体を実現しようとすればするほど、より重要な問題へと発展してゆき、特に、重錘体用空洞部Ｖ２＊を形成するプロセスにおいて、深刻さが増してゆく。その理由は、第１のシリコン基板Ａの厚みに比べて、第２のシリコン基板Ｂの厚みをかなり厚く設定せざるを得ないからである。本願の図では、説明の便宜上、両基板Ａ，Ｂの厚みを正確な比率では示していないが、実際には、図１３において、第１のシリコン基板Ａの厚みＴａに比べて、第２のシリコン基板Ｂの厚みＴｂはかなり厚くせざるを得ない。厚みＴａは、容量素子用空洞部Ｖ１＊の深さとダイヤフラム部ａの厚みの合計になる。ここで、容量素子用空洞部Ｖ１＊の深さは容量素子の電極間隔を支配する寸法であり、検出感度を維持しつつセンサの小型化を図る上では、むしろ小さな値を設定するのが好ましい。また、ダイヤフラム部ａの厚みも、十分な可撓性を確保する上では、小さな値に設定するのが好ましい。これに対して、第２のシリコン基板Ｂの厚みＴｂは、ある程度以上の寸法を確保せざるを得ない。なぜなら、厚みＴｂは、重錘体Ｂ２の質量を支配する寸法であり、ある程度の検出感度を確保する上では、重錘体Ｂ２の質量がある程度以上になるように、十分な厚みＴｂを確保する必要が生じるからである。
【００４８】
結局、重錘体用空洞部Ｖ２の形成を、従来の一般的なエッチングの手法を用いて行う限り、センサの小型化に限界が生じることになる。重錘体用空洞部Ｖ２を形成するための別な手法として、前掲の公報には、ダイシングブレードを用いた機械的切削法が開示されている。この方法では、図１０に示すように、基板Ａに基板Ｂを接合した後、基板Ｂの上面側に所定の幅をもったダイシングブレードを当て、基板Ｂを上面側から機械的に切削する工程が行われる。最近は、マイクロマシンニング技術の発達により、ダイシングブレードを用いてかなり微細な溝を切削することが可能になってきている。
【００４９】
しかしながら、この機械的な切削法には、クラックの発生という別な問題がある。すなわち、ダイシングブレードを用いた機械的切削を行うと、図１４の側断面図に示すように、深部に至るまで十分な幅をもった溝（重錘体用空洞部Ｖ２）を形成することができるが、上方から加わる機械的応力により、基板Ａのダイヤフラム部ａにクラックＫが発生しやすくなる。ダイヤフラム部ａは、可撓性をもたせるために肉薄になっており、センサの小型化を図れば図るほど、クラックＫの発生は避けられなくなる。また、ダイヤフラム部ａに十分な可撓性をもたせるために、図７あるいは図８に例示したようなスリットＳ１，Ｓ２を形成しておいた場合、図１４に示されているように、このスリットを通して削り屑Ｄが容量素子用空洞部Ｖ１内に落下するという別な問題も生じる。容量素子用空洞部Ｖ１は、容量素子を構成する電極間距離を決定する重要な空間であり、ここに削り屑Ｄが混入すると、測定に重大な支障を来すことになる。
【００５０】
本発明は、複数枚の基板を積層するという基本原理に基づいてセンサを量産する際に、センサの小型化を阻む上述の諸問題を解決するための新たな手法を提案するものである。
【００５１】
§３．  本発明の第１の実施形態
以下、本発明の第１の実施形態を、具体例に即して説明する。本発明の基本原理は、上述したように、複数枚の基板を積層することによりセンサ構造体を形成する点にある。通常、基板を用いて半導体集積回路を量産する場合、図１５の平面図に示されているように、基板７０（半導体ウエハ）上に多数の単位領域Ｕを定義し（図にハッチングを施した部分が１つの単位領域Ｕになる）、個々の単位領域ごとにそれぞれ独立した半導体素子（半導体ペレット）を形成し、最終的に、基板７０を各単位領域ごとに切断することにより、１枚の基板７０から複数の半導体素子を取り出すことになる。本発明に係るセンサの製造方法でも同様に、各基板上に多数の単位領域Ｕを定義し、各単位領域ごとにそれぞれ独立したセンサ構造体を構成し、最後に、これらを切断することにより多数のセンサ構造体を得る。ただ、ここでは説明の便宜上、図１５の平面図に示されているように、１枚の基板７０上に多数の単位領域Ｕを定義する例を述べる代わりに、図１６の平面図に示されているように、１枚の基板８０上に４つの単位領域Ｕ１〜Ｕ４を定義した単純な例について、以下の説明を行うことにする。したがって、以下の説明における側断面図は、いずれも、図１６に示す基板８０を、切断線Ｗ−Ｗに沿って切断した断面図に相当するものである。
【００５２】
まず、図１７の側断面図に示されているような第１の基板１００を用意する。この第１の基板１００は、§２の基本原理で述べた基板Ａに対応するものである。ここでは、第１の基板１００として、下層部１１０、中層部１２０、上層部１３０の三層構造を有する基板を用いており、中層部１２０を、下層部１１０および上層部１３０とはエッチング特性の異なる材質で構成している。具体的には、ここで述べる実施例では、下層部１１０および上層部１３０をシリコンにより構成し、中層部１２０をシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）により構成している。シリコンと酸化シリコンとは、エッチング特性が異なっており、このように、エッチング特性の異なる材質を中層部１２０に形成しておけば、後述する上層部１３０のエッチング工程において、中層部１２０がエッチングストッパとしての機能を果たすことができる。もちろん、中層部１２０としては、接合が可能であれば、シリコン窒化膜などを用いてもかまわない。
【００５３】
このように、中層部１２０を設ける主眼は、エッチングストッパとして機能させるためであり、中層部１２０を構成する材料としては、下層部１１０および上層部１３０とはエッチング特性の異なる材料であれば、他にも種々の材料を用いることができる。ただ、中層部１２０を絶縁材料によって構成しておくと、後の工程で、上層部１３０の一部をセンサ筐体に接合した場合にも、測定に直接関与する下層部１１０に、外部の電気的なノイズが侵入することを阻止することができるので好ましい。
【００５４】
また、下層部１１０を構成するシリコンには、ｎ型もしくはｐ型の不純物が添加されており、下層部１１０は導電性層として機能する。このように、下層部１１０を導電性層によって構成しておけば、後の工程で、この下層部１１０内に容量素子用空洞部Ｖ１を形成した際に、その上壁面が導電性をもつため、容量素子の一方の電極をこの上壁面によって構成することができるメリットが得られる。別言すれば、図１に示すセンサ構造体の代わりに、図６に示すセンサ構造体を得ることができるようになり、上部に電極を形成する工程が不要になる。
【００５５】
なお、この図１７に示す例のように、シリコン／酸化シリコン／シリコンといった三層構造をもった基板１００は、いわゆるＳＯＩウエハ（Silicon On Insulator wafer）として一般に市販されており（シリコンの部分は単結晶が形成されている）、このような市販品を利用するようにすれば、製造コストをより低減させることができる。この実施例で実際に用いた基板１００の寸法を参考のために提示しておくと、直径：φ＝１５２ｍｍ（６インチ）、下層部１１０の厚み：１５μｍ、中層部１２０の厚み：１μｍ、上層部１３０の厚み：６００μｍである。通常のマイクロマシニングで利用できるウエハの厚みは３００μｍ程度であり（これ以上厚くなると、深部の加工が困難になる）、直径は１００ｍｍ（４インチ）程度のものである。ところが本発明では、後述するようにエッチング工程を併用するため、６００μｍ程度の厚みをもったウエハを利用することができ、いわゆる６インチウエハという大口径のウエハを利用することができる。このように、大口径ウエハを用いて生産性を高めることができる点も本発明の利点の１つである。
【００５６】
第１の基板１００を用意したら、この基板上に複数の単位領域Ｕを定義する。この実施例では、図１６に示すように、１枚の基板上に４つの単位領域Ｕ１〜Ｕ４が定義されることになり、図１７の側断面図には、このうち２つの単位領域Ｕ１，Ｕ２が示されている。続いて、各単位領域ごとに、中央部に作用領域Ａ１、この作用領域Ａ１の周囲に可撓領域Ａ２、この可撓領域Ａ２の周囲に固定領域Ａ３がそれぞれ定義され、第１の基板１００の下面に対してエッチングを施し、作用領域Ａ１および可撓領域Ａ２に容量素子用空洞部Ｖ１を形成する。図１８は、このようなエッチング工程により、第１の基板１００の下面に容量素子用空洞部Ｖ１を形成した状態を示す側断面図である。下層部１１０は一部がエッチングにより除去され、下層部１１０Ａを構成することになる。この下層部１１０Ａは、固定領域Ａ３に形成された台座部１１１と、作用領域Ａ１および可撓領域Ａ２に形成されたダイヤフラム部１１２とによって構成されており、台座部１１１を側壁、ダイヤフラム部１１２を上壁として容量素子用空洞部Ｖ１が形成されることになる。なお、図１８に示すように、単位領域Ｕ１，Ｕ２の境界部分に対してもエッチングによる除去が行われているが、これは後の工程で、各単位領域ごとに切断を行う際の便宜のためである。
【００５７】
図１９は、下層部１１０Ａの下面図であり、４つの単位領域ごとに、それぞれ台座部１１１によって囲まれた容量素子用空洞部Ｖ１が形成されている状態が明瞭に示されている。この図１９に示す下層部１１０Ａを切断線Ｗ−Ｗに沿って切った断面が図１８に示されていることになる。なお、図１９に示す実施例では、方環状の台座部１１１が形成されているが、台座部１１１の形状は、円環状にしてもよいし、その他の形状にしてもかまわない。
【００５８】
このように、容量素子用空洞部Ｖ１を形成するためのエッチング工程は、一般的な半導体プロセスの工程で利用されている一般的なエッチングの手法を用いれば十分である。この実施例では、容量素子用空洞部Ｖ１の深さは２μｍ程度であり、図１８に示すように、形成される容量素子用空洞部Ｖ１の側壁面はテーパを有するものの、空洞部の間口に比べて深さは非常に小さく、従来から用いられている一般的なエッチング手法（ウエットエッチングあるいはドライエッチング）をそのまま利用することができる。なお、側断面図における各部の寸法比は、図示の便宜上、本実施例の実際の寸法比どおりにはなっていない（たとえば、この実施例の実際の寸法では、ダイヤフラム部１１２の厚みが１３μｍ程度、容量素子用空洞部Ｖ１の深さが２μｍ程度であるが、図はこのような寸法比では描かれていない）。
【００５９】
次に、第１の基板１００の下面に対向させて配置するための第２の基板２００を用意し、第１の基板１００に形成された容量素子用空洞部Ｖ１の上壁面と、この第２の基板２００の上面における対向面と、の間に容量素子を形成することができるように、電極の形成を行う。この実施例では、下層部１１０Ａが導電性を有しており、容量素子用空洞部Ｖ１の上壁面が容量素子の上部電極として機能することになるため、第２の基板２００としては、基板本体２１０の上面に、図２０の側断面図に示すように下部電極Ｅを形成したものを用いている。ここでは、第２の基板を構成する基板本体２１０として、厚み５００μｍ程度のガラス基板を用いており、このガラス基板上にアルミニウムやクロムなどの蒸着膜として下部電極Ｅを形成している。図２１は、下部電極Ｅを形成した後の第２の基板２００の上面図であり、この図における切断線Ｗ−Ｗに沿った断面が、図２０の側断面図に示されていることになる。１つの単位領域に形成された下部電極Ｅは５枚の独立した電極からなり、図２に示す下部電極Ｅ１〜Ｅ５として機能する。なお、図２１には示されていないが、実際には、第２の基板２００の基板本体２１０上には、各下部電極に対する配線パターンが形成されている。
【００６０】
なお、この実施例では、下層部１１０Ａ側を導電性材料で構成し、容量素子用空洞部Ｖ１の上壁面を共通の電極層として利用しているが、逆に、第２の基板２００側を導電性材料からなる基板本体２１０のみによって構成し、容量素子用空洞部Ｖ１の下壁面（基板本体２１０の上面）を共通の電極層として利用することも可能である。この場合、下層部１１０Ａ側の少なくとも上壁面部分を絶縁材料で構成するようにし、この上壁面に５枚の上部電極を形成すればよい。
【００６１】
こうして、第１の基板１００および第２の基板２００の準備ができたら、第１の基板１００の下面と、第２の基板２００の上面とを対向させた状態で、第１の基板１００の台座部１１１の下面を第２の基板２００の上面に接合し（たとえば、陽極接合）、容量素子用空洞部Ｖ１内に容量素子を形成する。図２２は、こうして２枚の基板１００，２００を接合した状態を示す側断面図である。
【００６２】
続いて、上層部１３０を上面側から堀って溝を形成し、重錘体を形成する工程を行うことになるが、重錘体にはある程度の質量を確保する必要があるため、上層部１３０の厚みはかなり厚く（この実施例では、６００μｍ）、既に述べたように、十分な深さをもった溝を一般的なエッチングによって形成することは困難である。また、ダイシングブレードを用いた機械的切削工程によって溝を形成することも、ダイヤフラム部１１２へのクラックの発生を考えると困難である。そこで、本発明では、この重錘体を形成するための溝形成工程を、２つの工程に分けて実行することにした。すなわち、前半の工程において、まず、上層部１３０の上面側からダイシングブレードを用いた機械的方法により切削加工を施し、第１の深さを有する溝を形成し、続いて、後半の工程において、溝の底部に対してエッチングを施すことにより、この溝を第２の深さまで掘り進めるのである。第１の深さとして、ダイヤフラム部１１２にクラックが生じることのない安全な深さを設定しておけば、機械的な切削加工の欠点であるクラック発生の問題は解消することができる。また、前半の工程によって、既に第１の深さの溝が形成されているため、後半の工程で行われるエッチング加工は、第１の深さの溝を第２の深さまで掘り進めるだけでよいため、深部に至るまで十分な幅をもった溝が形成できる。
【００６３】
図２３は、前半の工程によって、第１の深さの溝を形成した状態を示す側断面図である。上層部１３０が、上面側からダイシングブレードによって切削され、第１の深さをもった溝Ｇ１１〜Ｇ１７が形成されている状態が明瞭に示されている。この溝の切削加工を行う際には、複数の単位領域にわたって連続した溝を掘るようにすると効率的である。図２４は、この切削工程において、上層部１３０上のダイシングブレードの経路を示す平面図である。図に一点鎖線の矢印で示した縦経路Ｐ１１〜Ｐ１７および横経路Ｐ２１〜Ｐ２７は、それぞれ、所定幅のダイシングブレードの切削工程時の経路を示している。このように、第１の基板１００上に縦横にダイシングブレードを移動させて溝を形成すれば、非常に効率的な加工が可能になる。その結果、複数の単位領域に渡って連続した溝が形成される。すなわち、縦経路Ｐ１１〜Ｐ１７に沿って溝Ｇ１１〜Ｇ１７（図２３の側断面図に示されている）が形成され、横経路Ｐ２１〜Ｐ２７に沿って溝Ｇ２１〜Ｇ２７（図示されていない）が形成される。
【００６４】
この第１の実施形態における溝の形成工程は、上層部１３０の一部を用いて重錘体および台座を形成するとともに、ダイヤフラム部１１２の一部を用いて可撓部を形成することを目的とするものである。図２４の平面図において、ハッチングを施して示した領域は、ダイシングブレードの経路にはならなかった部分を示しており、この部分は、重錘体１３１もしくは台座１３２を構成する部分になる（各単位領域ごとに、中央部に１つの重錘体１３１が形成され、その周囲に８個の台座１３２が形成される）。また、ダイシングブレードの経路となった部分の一部（重錘体１３１の周囲を取り囲む可撓領域の部分）は、最終的に可撓部を構成することになる。
【００６５】
図２３に示すように、第１の深さの溝が形成できたら、続いて、後半の工程によって、これらの溝の底部を第２の深さまで掘り進める後半の工程を実行する。この実施例では、第２の深さとして、下層部１１０Ａの上面部分が露出するまでの深さを設定している。したがって、この後半の工程では、図２３において、各溝Ｇ１１〜Ｇ１７の底部に残存する上層部１３０の部分と、更にその下に存在する中層部１２０の部分とを掘り進める作業が行われることになる。この実施例では、この後半の工程を、更に２段階のエッチング工程に分けて行っている。すなわち、第１のエッチング液を用いて上層部１３０を掘り進める前段工程と、第２のエッチング液を用いて中層部１２０を掘り進める後段工程と、を行っている。上述したように、上層部１３０と中層部１２０とは、互いにエッチング特性の異なる材料からなる層であり、第１のエッチング液としては、上層部１３０のエッチングに適した液が選択され、第２のエッチング液としては、中層部１２０のエッチングに適した液が選択される。
【００６６】
もちろん、ウエットエッチングの代わりにドライエッチングを行ってもかまわない。この場合、第１のエッチングガスとして上層部１３０のエッチングに適したガスを選択し、第２のエッチングガスとして中層部１２０のエッチングに適したガスを選択すればよい。具体的には、たとえば、上層部１３０を構成するシリコンに対しては、ＨＦ，ＨＮＯ３，Ｈ２Ｏの混合液からなる等方性エッチング液や、ＫＯＨあるいはヒドラジンといった異方性エッチング液を用いたウエットエッチングを行い、中層部１２０を構成する酸化シリコンに対しては、ＣＦ４やＳＦ６といったエッチングガスを用いたドライエッチングを行えばよい。
【００６７】
図２５は、第１のエッチング液を用いて、上層部１３０に対するエッチングを完了した状態を示す側断面図である。各溝Ｇ１１〜Ｇ１７の底部には、中層部１２０の上面が露出することになる。上層部１３０の材質（シリコン）とはエッチング特性の異なる材質（酸化シリコン）で構成される中層部１２０は、エッチングストッパとして機能するため、第１のエッチング液を用いた前段のエッチング工程は、この状態で実質的に終了する。続いて、第２のエッチング液を用いた後段のエッチング工程が行われる。図２６は、この第２のエッチング液を用いて、中層部１２０に対するエッチングを完了した状態を示す側断面図である。各溝Ｇ１１〜Ｇ１７の底部には、下層部１１０Ａの上面が露出することになる。第２のエッチング液は、下層部１１０Ａを構成する材質（シリコン）に対してはエッチング選択性がないため、第２のエッチング液を用いた後段のエッチング工程は、この状態で実質的に終了する。
【００６８】
結局、図２６に示すように、溝Ｇ１１〜Ｇ１７は、エッチングにより、下層部１１０Ａの上面に達するまで掘り進められることになる。ただ、エッチングによる加工であるため、下層部１１０Ａにクラックが発生する危険性はない。また、上述したように、エッチング選択性を有する２種類のエッチング液を用いた２段階のエッチングを行うようにしたため、エッチングの進行度を正確に制御することが可能になる。別言すれば、各溝は、いずれも下層部１１０Ａの上面に達する均一な深度をもった溝となり、下層部１１０Ａのダイヤフラム部１１２の厚みは、いずれの単位領域でもほぼ等しくなる。
【００６９】
このように、中層部１２０を形成しておくと、エッチング工程で形成する溝の深度を正確に制御することができるメリットが得られるが、エッチング条件を適当に設定するなどして、エッチングの進行度を十分に制御することが可能であれば、中層部１２０を省略してもかまわない。この場合は、第１の基板１００として、１枚のシリコン基板を用意しておけばよい。エッチングを高精度で制御する方法として、電気化学エッチングが知られている。この方法を用いるのであれば、中層部１２０は不要になり、第１の基板１００は、ｐ型の上層部１３０とｎ型の下層部１１０との二層構造にすればよい。この基板をＫＯＨ液中に浸した状態で、下層部１１０にバイアス電圧を印加すれば、下層部１１０の上面が露出した段階でエッチングは停止する。
【００７０】
続いて、第１の基板１００の上面に対向させて配置するための第３の基板３００を用意する。この第３の基板３００の一例の側断面図を図２７に示し、下面図を図２８に示す。図２８に示す第３の基板３００を切断線Ｗ−Ｗに沿って切断した断面が、図２７に示されていることになる。第３の基板３００としては、この実施例ではガラス基板を用いているが、その他の材質で第３の基板３００を構成してもかまわない。また、この実施例では、第３の基板３００の下面に、溝Ｇ３１，Ｇ３２を形成している。この溝Ｇ３１，Ｇ３２は、重錘体１３１の上方向へ２９位を許容するための空隙を確保するためのものである。
【００７１】
次に、第１の基板１００の上面と、第３の基板３００の下面とを対向させた状態で、台座１３２の上面を第３の基板３００の下面に接合する（たとえば、陽極接合）。図２９は、このようにして、第３の基板３００を接合した状態を示す側断面図である。台座１３２と第３の基板３００とによって、重錘体１３１が所定の自由度をもって変位可能な空間が形成されていることがわかる。この台座１３２および第３の基板３００は、重錘体１３１の変位を所定の範囲内に制御する機能をもち、重錘体１３１に過大な加速度が作用したときに、ダイヤフラム部を破損から保護する役目を果たす。
【００７２】
このようにして、図１６に示す４つの単位領域Ｕ１〜Ｕ４について、それぞれ独立したセンサ構造体を作成する工程が完了したら、最後に、各基板１００，２００，３００を、互いに接合された状態のまま、各単位領域ごとに切り離す処理を行う（たとえば、ダイシングブレードで切断する）。図３０は、単位領域Ｕ１，Ｕ２を切り離すことにより得られた２つの独立したセンサ構造体を示す側断面図である。第２の基板２００および第３の基板３００は、それぞれ切断されて支持基板２５０および蓋基板３５０を構成することになる。また、第１の基板１００の下層部１１０は、台座部１１１およびダイヤフラム部１１２を構成し、上層部１３０は、重錘体１３１および台座１３２を構成する。ダイヤフラム部１１２と支持基板２５０との間には、容量素子用空洞部Ｖ１が形成され、電極Ｅを用いた容量素子が形成されている。また、重錘体１３１と台座１３２あるいは蓋基板３５０との間には重錘体用空洞部Ｖ２が形成されている。
【００７３】
なお、ダイヤフラム部１１２に、より十分な可撓性を確保するためには、図７あるいは図８に示すようなスリットＳ１，Ｓ２を形成しておくのが好ましい（図示のスリットＳ１，Ｓ２は、台座２０，４０が方環状の場合の例である。円環状の台座部１１１を形成する場合には、スリットは円弧状にするのが好ましい）。このようなスリットをダイヤフラム部１１２に形成するためには、図１８に示すように、下層部１１０の下面にエッチングによって容量素子用空洞部Ｖ１を形成した後、更に、この容量素子用空洞部Ｖ１の上壁面（ダイヤフラム部１１２）の一部（スリット形成部）をエッチングにより除去する加工を行えばよい。このダイヤフラム部１１２に対するエッチング工程では、中層部１２０はエッチングストッパとして機能するため、ダイヤフラム部１１２の所定領域に、厚み方向に貫通するスリット（この時点では、まだ閉塞状態）を形成することが可能である。この段階で、ダイヤフラム部１１２の一部に閉塞状態のスリットを形成しておくようにすれば、図２６に示す上方からのエッチング工程を行った時点で、閉塞していたスリットが開口することになる。
【００７４】
また、図３０に示すセンサ構造体において、蓋基板３５０は必ずしも必要なものではなく、センサ構造体の利用形態によっては省略することが可能である。たとえば、このセンサ構造体を別のケースの中に収容して利用するのであれば、蓋基板３５０がなくても、重錘体１３１は外部に露出した状態にはならない。したがって、そのような利用形態で用いる場合には、第３の基板３００を接合する工程は省略可能である。
【００７５】
以上のような手順でセンサを製造すれば、商用ベースで、より小型のセンサを量産することが可能である。すなわち、１枚の基板から重錘体、台座、ダイヤフラムを形成するための溝形成工程を、効率的に行うことができるようになる。また、ダイシングブレードを用いた機械加工を行うにもかかわらず、容量素子用空洞部Ｖ１内に削り屑が混入することはない。たとえば、図２３に示す段階では、上方からダイシングブレードを用いた切削加工を行うことになるが、この段階では、溝Ｇ１１〜Ｇ１７の底部はダイヤフラム部１１２の上面までは達していないため、たとえば、ダイヤフラム部１１２に閉塞状態のスリットが形成されていたとしても、削り屑が容量素子用空洞部Ｖ１内に落下することはない。
【００７６】
なお、この図３０に示すセンサ構造体では、ダイヤフラム部１１２にスリットを形成しないと、容量素子用空洞部Ｖ１が密閉状態になる。これに対し、重錘体用空洞部Ｖ２は外部に通じた状態になる（図２４に示すように、複数の単位領域に渡って溝が掘られるため）。このように、ダイヤフラム部１１２の下方に形成される容量素子用空洞部Ｖ１が密閉状態であるのに対して、ダイヤフラム部１１２の上方に形成される重錘体用空洞部Ｖ２が開放状態であると、温度変化による測定誤差が生じやすくなり、高精度の測定を行う上では好ましくない。これは、温度変化によって、ダイヤフラム部１１２の上側と下側とに圧力差が生じるためである。たとえば、温度が上昇すると、容量素子用空洞部Ｖ１内の空気のみが膨脹し、ダイヤフラム部１１２には下方からの圧力が加わり、加速度が作用していない状況においても、ダイヤフラム部１１２の撓みが生じてしまうことになる。このような弊害を避けるためには、容量素子用空洞部Ｖ１を構成する壁面の一部に、空気抜きのための孔部を形成しておくとよい。
【００７７】
§４．  本発明の第２の実施形態
上述した第１の実施形態では、第１の基板１００の上層部１３０に上面側から溝を掘り、重錘体１３１と台座１３２とを形成した。ここで述べる第２の実施形態では、台座１３２は別な基板によって提供されることになる。このように、台座１３２を別な基板によって提供することにより得られるメリットは、ダイヤフラム部１１２の下方に形成される容量素子用空洞部と、上方に形成される重錘体用空洞部との双方を密閉状態に維持することができる点にある。以下、この第２の実施形態を、具体例に即して説明する。
【００７８】
まず、§３で述べた第１の実施形態に係る方法と同様のプロセスによって、図２２に示す構造を得る。ここまでのプロセスは、前述のプロセスと全く同様である。続いて、上層部１３０の上面側からダイシングブレードを用いた機械的方法により切削加工を施し、第１の深さを有する溝を形成する。ただし、前述の第１の実施形態とは異なり、重錘体１３１のみが形成されるような切削加工を行う。図３１は、図２２に示す構造に対して、機械的な切削加工を施し、第１の深さの溝を形成した状態を示す側断面図である。前述の第１の実施形態と比べて、より幅の広い溝Ｇ４１〜Ｇ４３が形成されている。やはり、この溝Ｇ４１〜Ｇ４３を形成するための溝の切削加工を行う際には、複数の単位領域にわたって連続した溝を掘るようにすると効率的である。図３２は、この切削工程において、上層部１３０上のダイシングブレードの経路を示す平面図である。図に一点鎖線の矢印で示した縦経路Ｐ４１〜Ｐ４３および横経路Ｐ５１〜Ｐ５３は、それぞれ、所定幅のダイシングブレードの切削工程時の経路を示している。結局、縦経路Ｐ４１〜Ｐ４３に沿って溝Ｇ４１〜Ｇ４３（図３１の側断面図に示されている）が形成され、横経路Ｐ５１〜Ｐ５３に沿って溝Ｇ５１〜Ｇ５３（図示されていない）が形成されることになる。
【００７９】
図３２の平面図において、ハッチングを施して示した領域は、ダイシングブレードの経路にはならなかった部分を示しており、この部分は、重錘体１３１を構成する部分になる（各単位領域ごとに、中央部に１つの重錘体１３１が形成される）。また、ダイシングブレードの経路となった部分のうち、重錘体１３１の周囲を取り囲む可撓領域の部分は、最終的に可撓部を構成することになり、更にその外側の領域には、後述する工程において、別な基板上に用意された台座が接合されることになる。
【００８０】
さて、図３１に示すように、第１の深さの溝が形成できたら、続いて、これらの溝の底部を第２の深さまで掘り進める処理を実行する。この処理は、上述の第１の実施形態と同様に、２種類の異なるエッチング液を用いた２段階の処理として行われる。まず、第１のエッチング液を用いて上層部１３０を掘り進める前段工程が実行される。図３３は、この上層部１３０に対するエッチングを完了した状態を示す側断面図である。各溝Ｇ４１〜Ｇ４３の底部には、中層部１２０の上面が露出することになる。中層部１２０は、エッチングストッパとして機能するため、第１のエッチング液を用いた前段のエッチング工程は、この状態で実質的に終了する。続いて、第２のエッチング液を用いた後段のエッチング工程が行われる。図３４は、この第２のエッチング液を用いて、中層部１２０に対するエッチングを完了した状態を示す側断面図である。各溝Ｇ４１〜Ｇ４３の底部には、下層部１１０Ａの上面が露出することになる。第２のエッチング液は、下層部１１０Ａに対してはエッチング選択性がないため、第２のエッチング液を用いた後段のエッチング工程は、この状態で実質的に終了する。このように、中層部１２０の形成により、エッチング工程で形成する溝の深度を正確に制御することができるメリットが得られる点は、上述の第１の実施形態と同様である。もちろん、エッチングの進行度を十分に制御することが可能であれば、中層部１２０を省略してもかまわない。この場合は、第１の基板１００として、１枚のシリコン基板を用意しておけばよい。
【００８１】
続いて、図３５の側断面図に示すように、重錘体１３１が所定の自由度をもって変位可能な空間を形成するための重錘体用空洞部Ｇ６１，Ｇ６２が下面に形成された第３の基板４００を用意する。そして、図３６の側断面図に示すように、第１の基板１００の上面と、第３の基板４００の下面とを対向させた状態で、重錘体用空洞部Ｇ６１，Ｇ６２の壁面によって重錘体１３１を覆うように、第３の基板４００の下面を第１の基板１００の上面の固定領域に接合する（たとえば、陽極接合）。図３７は、第３の基板４００の下面図であり、この図３７に示す第３の基板４００を切断線Ｗ−Ｗに沿って切断した断面が、図３６に示されていることになる。第３の基板４００の下面には、各単位領域ごとに独立した重錘体用空洞部Ｇ６１〜Ｇ６４が形成されており、重錘体１３１は、この重錘体用空洞部Ｇ６１〜Ｇ６４内で変位することになる。第３の基板４００としては、この実施例ではガラス基板を用いているが、その他の材質で第３の基板４００を構成してもかまわない。
【００８２】
このようにして、図１６に示す４つの単位領域Ｕ１〜Ｕ４について、それぞれ独立したセンサ構造体を作成する工程が完了したら、最後に、各基板１００，２００，４００を、互いに接合された状態のまま、各単位領域ごとに切り離す処理を行う（たとえば、ダイシングブレードで切断する）。図３８は、単位領域Ｕ１，Ｕ２を切り離すことにより得られた２つの独立したセンサ構造体を示す側断面図である。第２の基板２００および第３の基板４００は、それぞれ切断されて支持基板２５０および蓋基板４５０を構成することになる。また、第１の基板１００の下層部１１０は、台座部１１１およびダイヤフラム部１１２を構成し、上層部１３０は、重錘体１３１を構成する。ダイヤフラム部１１２と支持基板２５０との間には、容量素子用空洞部Ｖ１が形成され、電極Ｅを用いた容量素子が形成されている。また、重錘体１３１と蓋基板４５０との間には重錘体用空洞部Ｖ２が形成されている。
【００８３】
なお、この図３８に示すセンサ構造体においても、蓋基板４５０は必ずしも必要なものではなく、センサ構造体の利用形態によっては省略することが可能である。すなわち、このセンサ構造体を別のケースの中に収容して利用するのであれば、蓋基板４５０がなくても、重錘体１３１は外部に露出した状態にはならない。したがって、そのような利用形態で用いる場合には、第３の基板４００を接合する工程は省略可能である。
【００８４】
しかしながら、この第２の実施形態に係るセンサ構造体は、前述した第１の実施形態に係るセンサ構造体に比べて、重錘体用空洞部Ｖ２を密閉状態に保つことができるという利点を有しており、実用上は、第３の基板４００を用いて蓋基板４５０を形成するようにするのが好ましい。また、既に述べたように、ダイヤフラム部１１２には、十分な可撓性を確保するために、厚み方向に貫通したスリットを形成しておくのが好ましい。ダイヤフラム部１１２にスリットを形成しておくと、図３８において、容量素子用空洞部Ｖ１と重錘体用空洞部Ｖ２とが、このスリットを通して連結された状態となるので、温度変化による測定誤差は生じにくくなる。すなわち、この第２の実施形態によるセンサ構造体では、容量素子用空洞部Ｖ１も重錘体用空洞部Ｖ２も、ともに密閉状態を維持させることができるので、たとえ温度変化によって内部の空気が膨脹したり、収縮したりしても、ダイヤフラム部１１２に対する上下の圧力差はないため、大きな測定誤差が生じることはない。
【００８５】
ただ、より高精度な測定を実現するためには、容量素子用空洞部Ｖ１および重錘体用空洞部Ｖ２を、外部から密封する際に、真空吸引を行うようにするとよい。具体的には、第１の基板１００と第２の基板２００とを接合する工程（容量素子用空洞部Ｖ１を密封する工程）および第１の基板１００と第３の基板４００とを接合する工程（重錘体用空洞部Ｖ２を密封する工程）を、吸引を行った真空チャンバ内での陽極接合工程によって行うようにすれば、最終的に、容量素子用空洞部Ｖ１および重錘体用空洞部Ｖ２を真空状態に保つことができ、高精度測定を行うのに適した環境が実現できるようになる。特に、このセンサ構造体を角速度センサとして用いる場合、重錘体１３１を重錘体用空洞部Ｖ２内で所定の共振周波数をもって振動させる必要があるが、空洞部Ｖ２内の真空度が高まれば、共振時のＱ値（先鋭度）も高まるため、角速度の検出感度を向上させることが可能になる。
【００８６】
なお、この第２の実施形態に係る製造方法においても、ダイシングブレードを用いた機械加工を行うにもかかわらず、容量素子用空洞部Ｖ１内に削り屑が混入することはない。たとえば、図３１に示す段階では、上方からダイシングブレードを用いた切削加工を行うことになるが、この段階では、溝Ｇ４１〜Ｇ４３の底部はダイヤフラム部１１２の上面までは達していないため、ダイヤフラム部１１２にスリットが形成されていたとしても、まだ閉塞状態にあるため、削り屑が容量素子用空洞部Ｖ１内に落下することはない。
【００８７】
なお、これまで述べた実施形態では、いずれも第１の基板１００の下面側を加工することにより、容量素子用空洞部Ｖ１を形成していたが、逆に、第２の基板２００の上面側を加工することにより、容量素子用空洞部Ｖ１を形成するようにしてもよい。図３９は、このように第２の基板２００側を加工した例を示す側断面図である。図３０に示すセンサ構造体と比べると、支持基板２５５側に溝が形成され、この溝によって容量素子用空洞部Ｖ１が形成されていることがわかる。下部電極Ｅは、この溝の底部に形成されている。第１の基板１００の下層部は、１枚の可撓基板１４０を形成することになる。要するに、第１の基板１００の作用領域および可撓領域と、第２の基板２００との間に、容量素子用空洞部Ｖ１を形成することができれば、第１の基板１００の下面側に加工を行っても、第２の基板２００の上面側に加工を行っても、あるいは両方に対して加工を行ってもかまわない。
【００８８】
§５．  ピエゾ抵抗素子を用いたセンサへの適用
以上、本発明を容量素子を用いたセンサに適用した実施形態を述べてきたが、本発明は、ピエゾ抵抗素子を用いたセンサに対しても同様に適用することが可能である。ピエゾ抵抗素子を用いたセンサは、これまで述べてきた容量素子を用いたセンサにおける容量素子の部分をピエゾ抵抗素子に置き換えたものである。
【００８９】
図４０は、図３９に示す容量素子を用いたセンサにおける容量素子をピエゾ抵抗素子に置き換えたセンサ構造体を示す側断面図である。図３９に示すセンサ構造体では、可撓基板１４０が導電性を有する材料（たとえば、不純物を添加したシリコン）から構成され、容量素子用空洞部Ｖ１内に、この可撓基板１４０と下部電極Ｅとによる容量素子が形成されていた。そして、加速度の作用により、重錘体１３１が変位すると、可撓基板１４０に撓みが生じ、容量素子の静電容量に変化が生じることになった。これに対し、図４０に示すセンサ構造体では、可撓基板１５０はｎ型単結晶シリコン基板で構成され、その一部に、ｐ型のピエゾ抵抗素子Ｒｘ１〜Ｒｘ４が形成されている。もちろん、上述の構成におけるｎ型・ｐ型は逆にしてもよい。ピエゾ抵抗素子は、機械的変形に基づいて抵抗値が変化する性質をもっており、加速度の作用により、重錘体１３１が変位すると、可撓基板１５０に撓みが生じ、ピエゾ抵抗素子の抵抗値に変化が生じることになる。この抵抗値の変化を測定することにより、重錘体１３１に作用した加速度が検出できる。図示のとおり、支持基板２５５の上面に掘られた溝により、抵抗素子用空洞部Ｖ３が形成されており、ピエゾ抵抗素子が機械的変形を行うのに必要な自由空間が確保されている。
【００９０】
図４１は、図４０に示すセンサ構造体における可撓基板１５０の下面図である。この図４１に示されているように、可撓基板１５０は、周囲の固定部１５１と、この固定部１５１によって囲まれたダイヤフラム部１５２とによって構成されており、ダイヤフラム部１５２の中心に、重錘体１３１（破線で示されている）が接合されている。この実施形態では、図示のとおり、合計１２組のピエゾ抵抗素子が形成されている。Ｘ軸上に配置された４組のピエゾ抵抗素子Ｒｘ１〜Ｒｘ４は、重錘体１３１に作用した加速度のＸ軸方向成分の検出に用いられ、Ｙ軸上に配置された４組のピエゾ抵抗素子Ｒｙ１〜Ｒｙ４は、重錘体１３１に作用した加速度のＹ軸方向成分の検出に用いられ、Ｘ軸の脇に配置された４組のピエゾ抵抗素子Ｒｚ１〜Ｒｚ４は、重錘体１３１に作用した加速度のＺ軸方向成分の検出に用いられる。すなわち、図４２の回路図に示すように、これら１２組のピエゾ抵抗素子によってブリッジを構成し、電源５１０，５２０，５３０から所定の電圧を印加した状態で、電圧計５１５，５２５，５３５に現れるブリッジ平衡電圧を測定すれば、各加速度成分が検出できる。
【００９１】
なお、図４０に示す構造の代わりに、図４３に示すような構造を採ることも可能である。図４３に示すセンサ構造体では、可撓基板１５０の周囲部分に形成された固定部１５１が台座として機能し、ダイヤフラム部１５２を支持する機能を果たしている。すなわち、この台座として機能する固定部１５１によって囲まれた空間として、抵抗素子用空洞部Ｖ３が形成されていることになる。このような構造では、支持基板２５５は必ずしも必要ではない。この図４３に示すセンサ構造体をそのままセンサ筐体内に収容し、台座として機能する固定部１５１を、センサ筐体の底面に固着すればよい。また、蓋基板３５０を省いてもかまわない。
【００９２】
図４４は、図４０に示すセンサ構造体の更に別な変形例を示す側断面図である。この変形例では、図４０に示すセンサ構造体が天地逆に示されており、支持基板２５５は省かれている。この図４４に示すセンサ構造体をそのままセンサ筐体内に収容し、蓋基板３５０をセンサ筐体の底面に固着すれば、このまま利用することが可能である。
【００９３】
このようなピエゾ抵抗素子を利用したセンサ構造体の製造工程は、これまで述べてきた容量素子を利用したセンサ構造体の製造工程とほぼ同じである。まず、図１７に示すような第１の基板１００（ここでは、本体基板と呼ぶ）を用意し、必要に応じて、図１８に示すように、その下面側に溝を形成する（図１８に示す容量素子用空洞部Ｖ１の代わりに、抵抗素子用空洞部Ｖ３を形成する）。もっとも、図４０や図４４に示す構造を採る場合は、この工程は不要である。なお、下層部１１０には、ピエゾ抵抗素子を必要な数だけ形成しておくようにする。したがって、下層部１１０は絶縁性をもった材料で構成する必要がある。具体的には、ｎ型シリコン単結晶層によって下層部を構成し、この下層部の必要な領域に対してｐ型不純物を拡散する処理を行い、この不純物拡散層としてピエゾ抵抗素子を形成すればよい。なお、下層部１１０に対しては、図７あるいは図８に示すようなスリットを形成するためのエッチングを施しておくのが好ましい。また、スリットは、ピエゾ抵抗素子が形成されていない領域に形成するようにし、ピエゾ抵抗素子は、可撓領域（例えば、図８の例では領域３２Ｂ）内で、加速度の作用により応力が多く発生する領域に配置するのが望ましい。
【００９４】
こうして用意した本体基板の下面に、必要に応じて支持基板（図２２に示す第２の基板２００に相当する基板で、最終的に、図４０に示す支持基板２５５として用いられる）を接合し、以下、図２３〜図２６に示す工程を行い、本体基板１００の一部から重錘体１３１および台座１３２を形成し、必要に応じて、図２９に示すような第３の基板３００（ここでは、蓋基板と呼ぶ）を接合する工程を行えばよい。あるいは、図２３〜図２６に示す工程の代わりに、図３１〜図３４に示す工程を行い、本体基板１００の一部から重錘体１３１を形成し、必要に応じて、図３６に示すような第３の基板４００（蓋基板）を接合する工程を行えばよい。
【００９５】
【発明の効果】
以上のとおり本発明に係るセンサの製造方法によれば、商用ベースで、より小型のセンサを量産することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る製造方法の適用対象となる静電容量の変化を利用した加速度センサの一例を示す側断面図である。
【図２】図１に示す加速度センサの支持基板１０の上面図である。この図２に示す支持基板１０をＸ軸に沿って切断した断面が図１に示されている。
【図３】図１に示す加速度センサから支持基板１０を取り外した状態の下面図である。
【図４】図１に示す加速度センサから蓋基板６０を取り外した状態の上面図である。
【図５】図１に示す加速度センサの蓋基板６０の下面図であり、破線は重錘体５０の位置を示している。
【図６】図１に示す加速度センサの変形例を示す側断面図である。
【図７】図１に示す加速度センサの可撓基板として用いるのに適した、スリットＳ１を有する可撓基板３０Ａの平面図である。
【図８】図１に示す加速度センサの可撓基板として用いるのに適した、スリットＳ２を有する可撓基板３０Ｂの平面図である。
【図９】第１のシリコン基板Ａの下面に容量素子用空洞部Ｖ１を形成した状態を示す側断面図である。
【図１０】図９に示す第１のシリコン基板Ａの上面に第２のシリコン基板Ｂを接合した状態を示す側断面図である。
【図１１】図１０に示す第２のシリコン基板Ｂの上面に、重錘体用空洞部Ｖ２を形成した状態を示す側断面図である。
【図１２】実際のエッチング処理により第１のシリコン基板Ａに形成される容量素子用空洞部Ｖ１＊を示す側断面図である。
【図１３】実際のエッチング処理により第２のシリコン基板Ｂに形成される重錘体用空洞部Ｖ２１＊を示す側断面図である。
【図１４】ダイシングブレードを用いた機械的切削により第２のシリコン基板Ｂに重錘体用空洞部Ｖ２を形成した場合の弊害を示す側断面図である。
【図１５】基板７０を用いて半導体集積回路を量産する場合に、１つの半導体ペレットに対応する単位領域Ｕを定義した状態を示す平面図である。
【図１６】基板８０上に４つの単位領域Ｕ１〜Ｕ４を定義した単純な例を示す平面図である。
【図１７】本発明の一実施形態に用いる三層構造をもった第１の基板１００の側断面図である。
【図１８】図１７に示す第１の基板１００の下面に容量素子用空洞部Ｖ１を形成し、下層部１１０Ａを構成した状態を示す側断面図である。
【図１９】図１８に示す下層部１１０Ａの下面図であり、この下層部１１０Ａを切断線Ｗ−Ｗに沿って切断した断面が図１８に示されている。
【図２０】本発明の一実施形態に用いる第２の基板２００の側断面図である。
【図２１】図２０に示す第２の基板２００の上面図であり、この第２の基板２００を切断線Ｗ−Ｗに沿って切断した断面が図２０に示されている。
【図２２】図１８に示す第１の基板１００の下面に、図２０に示す第２の基板２００を接合した状態を示す側断面図である。
【図２３】図２２に示す状態において、上面側からダイシングブレードにより機械的切削作業を行い、第１の深さの溝Ｇ１１〜Ｇ１７を形成した状態を示す側断面図である。
【図２４】図２３に示す機械的切削作業における上層部１３０上のダイシングブレードの経路を示す平面図である。
【図２５】図２３に示す状態において、第１のエッチング液を用いて、上層部１３０に対するエッチングを完了した状態を示す側断面図である。
【図２６】図２５に示す状態において、第２のエッチング液を用いて、中層部１２０に対するエッチングを完了した状態を示す側断面図である。
【図２７】本発明の第１の実施形態に用いる第３の基板３００の側断面図である。
【図２８】図２７に示す第３の基板３００の下面図であり、この第３の基板３００を切断線Ｗ−Ｗに沿って切断した断面が図２７に示されている。
【図２９】図２６に示す状態において、更に、第３の基板３００を上面に接合した状態を示す側断面図である。
【図３０】図２９に示す状態から、単位領域Ｕ１，Ｕ２を切り離すことにより得られた２つの独立したセンサ構造体を示す側断面図である。
【図３１】図２２に示す状態において、第２の実施形態を行うために、上面側からダイシングブレードにより機械的切削作業を行い、第１の深さの溝Ｇ４１〜Ｇ４３を形成した状態を示す側断面図である。
【図３２】図３１に示す機械的切削作業における上層部１３０上のダイシングブレードの経路を示す平面図である。
【図３３】図３１に示す状態において、第１のエッチング液を用いて、上層部１３０に対するエッチングを完了した状態を示す側断面図である。
【図３４】図３３に示す状態において、第２のエッチング液を用いて、中層部１２０に対するエッチングを完了した状態を示す側断面図である。
【図３５】本発明の第２の実施形態に用いる第３の基板４００の側断面図である。
【図３６】図３４に示す状態において、更に、第３の基板４００を上面に接合した状態を示す側断面図である。
【図３７】図３５に示す第３の基板４００の下面図であり、この第３の基板４００を切断線Ｗ−Ｗに沿って切断した断面が図３５に示されている。
【図３８】図３６に示す状態から、単位領域Ｕ１，Ｕ２を切り離すことにより得られた２つの独立したセンサ構造体を示す側断面図である。
【図３９】図３０に示すセンサ構造体において、支持基板２５０側に容量素子用空洞部Ｖ１を形成した構造を示す側断面図である。
【図４０】容量素子に代えて、ピエゾ抵抗素子を用いたセンサ構造体を示す側断面図である。
【図４１】図４０に示すセンサ構造体における可撓基板１５０の下面図である。
【図４２】図４０に示すセンサ構造体を用いて加速度センサを構成する場合に用いる検出回路の回路図である。
【図４３】図４０に示すセンサ構造体の変形例を示す側断面図である。
【図４４】図４０に示すセンサ構造体の別な変形例を示す側断面図である。
【符号の説明】
１０…支持基板
２０…台座
３０，３０Ａ，３０Ｂ…可撓基板
３１，３１Ａ，３１Ｂ…作用領域
３２，３２Ａ，３２Ｂ…可撓領域
３３，３３Ａ，３３Ｂ…固定領域
３５…導電性をもった可撓基板
４０…台座
５０…重錘体
６０…蓋基板
６１…外周部
６２…溝部
７０…基板
８０…基板
１００…第１の基板
１１０，１１０Ａ…下層部
１１１…台座部
１１２…ダイヤフラム部
１２０…中層部
１３０…上層部
１３１…重錘体
１３２…台座
１４０…可撓基板
１５０…可撓基板
１５１…固定部
１５２…ダイヤフラム部
２００…第２の基板
２１０…基板本体
２５０…支持基板
２５５…支持基板
３００…第３の基板（第１の実施形態で用いる）
３５０…蓋基板（第１の実施形態で用いる）
４００…第３の基板（第２の実施形態で用いる）
４５０…蓋基板（第２の実施形態で用いる）
５１０，５２０，５３０…電源
５１５，５２５，５３５…電圧計
Ａ…第１のシリコン基板
Ａ１…作用領域
Ａ２…可撓領域
Ａ３…固定領域
Ａ１１…作用部
Ａ１２…可撓部
Ａ１３…固定部
ａ…ダイヤフラム部
Ｂ…第２のシリコン基板
Ｂ１…台座
Ｂ２…重錘体
Ｄ…削り屑
Ｅ０…上部電極
Ｅ，Ｅ１〜Ｅ５…下部電極
Ｇ１１〜Ｇ１７，Ｇ３１，Ｇ３２，Ｇ４１〜Ｇ４３…溝
Ｇ６１〜Ｇ６４…重錘体用空洞部
Ｐ１１〜Ｐ１７，Ｐ２１〜Ｐ２７，Ｐ４１〜Ｐ４３，Ｐ５１〜Ｐ５３…ダイシングブレードの経路
Ｋ…クラック
Ｒｘ１〜Ｒｘ４，Ｒｙ１〜Ｒｙ４，Ｒｚ１〜Ｒｚ４…ピエゾ抵抗素子
Ｓ１，Ｓ２…厚み方向に貫通したスリット
Ｔａ，Ｔｂ…厚み
Ｕ，Ｕ１〜Ｕ４…単位領域
Ｖ１，Ｖ１＊…容量素子用空洞部
Ｖ２，Ｖ２＊，Ｖ２ａ，Ｖ２ｂ…重錘体用空洞部
Ｖ３…抵抗素子用空洞部
Ｗ…切断線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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