(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の真空処理室にガスを供給および排気して、第１の真空処理室を真空状態に維持し、
第１の真空処理室に対して開閉される第２の真空処理室にガスを連続供給および連続排気して、第２の真空処理室を第１の真空処理室との隔離状態で第１の真空処理室より低いほぼ一定の圧力に調整し、
第１の真空処理室に臨む縁部より第２の真空処理室に臨む縁部が上昇する傾斜状態に基板の下面を支え、第１の真空処理室と第２の真空処理室との間を開閉してそれら第１の真空処理室と第２の真空処理室との間で基板を移動させる
ことを特徴とする真空処理方法。
【請求項２】
第１の真空処理室および第２の真空処理室に同じ種類のガスを供給する
ことを特徴とする請求項１記載の真空処理方法。
【請求項３】
第２の真空処理室で基板の温度を調温する
ことを特徴とする請求項１または２記載の真空処理方法。
【請求項４】
第２の真空処理室に供給するガスを基板に沿って流通させる
ことを特徴とする請求項１ないし３いずれか記載の真空処理方法。
【請求項５】
ガスが供給および排気されて真空状態に維持される第１の真空処理室と、
この第１の真空処理室に対して開閉可能とし、供給系および排気系の少なくともいずれか一方に配置されるニードルバルブを通じてガスが連続供給および連続排気されて、第１の真空処理室との隔離状態で第１の真空処理室より低いほぼ一定の圧力に調整される第２の真空処理室と、
前記第１の真空処理室に臨む縁部より第２の真空処理室に臨む縁部が上昇する傾斜状態に基板の下面を支え、前記第１の真空処理室と第２の真空処理室との間を開閉してそれら第１の真空処理室と第２の真空処理室との間で前記基板を移動させる搬送手段と
を具備していることを特徴とする真空処理装置。
【請求項６】
第１の真空処理室および第２の真空処理室に供給されるガスは同じ種類のガスである
ことを特徴とする請求項５記載の真空処理装置。
【請求項７】
第２の真空処理室は基板の温度を調温する調温室である
ことを特徴とする請求項５または６記載の真空処理装置。
【請求項８】
第２の真空処理室は、ガスを供給するガス供給口および排気する排気口を有し、これらガス供給口および排気口を第２の真空処理室内に移動された基板に沿ってガスが流通するようにその基板を介して相対する位置に配設した
ことを特徴とする請求項５ないし７いずれか記載の真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板を真空状態に維持される複数の真空処理室間を移動させて処理する真空処理方法およびその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、液晶表示パネルの製造工程において、真空中で基板上に成膜処理やエッチング処理などを行なう真空処理装置が用いられている。
【０００３】
このような真空処理装置は、例えば、図３に示すように、中心に配置される搬送室１、この搬送室１を中心として配置され搬送室１に対してそれぞれ開閉されるゲート2a，3a，4a，5aを介して連通、隔離されるロードロック室２、加熱室３および複数の処理室４，５から構成されている。これら搬送室１、ロードロック室２、加熱室３および複数の処理室４，５は真空状態に維持される。但し、ロードロック室２は基板の搬入および搬出時に大気開放される。
【０００４】
そして、成膜処理やエッチング処理などを行なう基板の動きは通常次のようになる。まず、未処理の基板が大気状態でロードロック室２に搬入され、複数枚の基板が搬入された後、ロードロック室２が閉止されて排気される。ロードロック室２が所定の真空状態まで減圧された時点でロードロック室２と搬送室１を仕切っているゲート2aが開かれ、搬送室１内の図示しない搬送ロボットのハンドがロードロック室２に進入されてこのハンド上に１枚の基板が移載され、ハンド上の基板がロードロック室２から搬送室１に移動される。搬送ロボットの向きが加熱室３に対向するように回動され、搬送室１と加熱室３とを仕切っているゲート3aが開かれ、ハンド上の基板が加熱室３に搬入される。加熱室３で基板が所定の時間加熱され、基板の温度の上昇、およびそれに伴う基板からのガス放出が行なわれる。その後、搬送ロボットにより基板が加熱室３から搬送室１を経由して各処理室４，５に順次移動され、成膜処理やエッチング処理などが行なわれる。最後に、基板がロードロック室２に戻される。なお、ロードロック室２、加熱室３、各処理室４，５の各ゲート2a〜5aは、基板の移動時に対応して開放されるとともに移動後に閉止される。
【０００５】
このように、共通の搬送室１と、ロードロック室２、加熱室３、複数の処理室４，５とで構成される真空処理装置の場合、搬送室１、ロードロック室２、加熱室３、処理室４，５の相互の圧力バランスが重要となる。つまり、処理室４，５にて使用する反応性ガスが搬送室１を介して他の室に混入することを防止するため、搬送室１の圧力をロードロック室２、加熱室３、処理室４，５より高く設定しておく必要がある。
【０００６】
このとき、搬送室１と処理室４，５との圧力差は、処理室４，５の反応性ガスが搬送室１を汚染することのないように十分大きい必要があるため、処理室４，５の排気能力最大限で排気を続けながら基板の移動が行なわれる。これに対して、搬送室１と加熱室３との圧力差は、加熱室３からのガスが搬送室１に進入しなければよいので、加熱室３の圧力が搬送室１より低ければ、その絶対値は特に問題とはならない。
【０００７】
そのため、真空処理装置の構造を簡略化するため、図４に示すように、搬送室１と加熱室３の排気系は共通として、また加熱室３は処理室４，５のようなスロットルバルブを用いた調圧機能を持たず、真空バルブ（開閉バルブ）６の開閉のみとすることが多い。
【０００８】
このとき、搬送室１と加熱室３とで基板を移動する際の加熱室３における圧力変動は、図５に示すようになる。加熱室３では真空バルブ６は常時閉じた状態となっており、加熱室３の圧力は搬送室１より低い設定圧力ＰH となっている。この状態で搬送室１から加熱室３に基板を搬入するため、あるいは加熱室３からの基板を搬出するためにゲート3aが開くと、搬送室１からのガス流れによって圧力が上昇する。加熱室３の上限設定値ＰU まで上昇すると、真空バルブ６が開き、加熱室３の下限設定値以下まで減圧され、再び真空バルブ６が閉じる。
【０００９】
また、図４において、圧力調整手段として真空バルブ６を用いていない場合には、加熱室３の圧力はポンプの排気性能と配管抵抗から規定される圧力で、搬送室１よりも十分低いある値となっている。この状態でゲート3aが開くと、この十分な圧力差に応じたガスの流れが生じ、搬送室１の圧力制御に用いているガスがゲート3aを介して加熱室３に流れ込み、加熱室３の排気系より排気される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように、各室に対して搬送室１を共通とした場合、ガスの相互汚染を防止するためには、搬送室１と加熱室３および処理室４，５との間で圧力差を持たせる必要がある。ところが、この圧力差のために、ゲート3a〜5aが開いた際や真空バルブ６が開いた際などに急激なガスの流れが生じ、その際に移動中の基板が搬送ロボットのハンド上の正規の位置からずれてしまい、移動不良が生じるおそれがある。
【００１１】
また、加熱室３において、排気系のみでの真空保持では、大気中にあった基板からの放出ガスを効率よく除去することができず、基板への再付着により成膜不良やエッチング不良が生じるおそれがある。
【００１２】
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、圧力差のある真空処理室間を開閉してそれらの真空処理室間で基板を移動させる際、圧力差によるガスの流れによって基板の位置ずれが生じるのを防止できる真空処理方法およびその装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の真空処理方法は、第１の真空処理室にガスを供給および排気して、第１の真空処理室を真空状態に維持し、第１の真空処理室に対して開閉される第２の真空処理室にガスを連続供給および連続排気して、第２の真空処理室を第１の真空処理室との隔離状態で第１の真空処理室より低いほぼ一定の圧力に調整し、第１の真空処理室に臨む縁部より第２の真空処理室に臨む縁部が上昇する傾斜状態に基板の下面を支え、第１の真空処理室と第２の真空処理室との間を開閉してそれら第１の真空処理室と第２の真空処理室との間で基板を移動させるので、第１の真空処理室と第２の真空処理室との間で基板を移動させるために、それら第１の真空処理室と第２の真空処理室との間を開放しても、第２の真空処理室の圧力上昇に対応して、従来のように排気が急激に行なわれることなく、ほぼ一定の圧力まで徐々に排気し、したがって、第１の真空処理室に対する第２の真空処理室の圧力差および圧力変動を従来に比べて小さくし、第１の真空処理室から第２の真空処理室への急激なガスの流れが発生するのを抑制し、基板の位置ずれを防止する。さらに、第１の真空処理室から第２の真空処理室へのガスの流れが基板を下方へ押し付けるように作用し、基板の位置ずれを防止する。
【００１４】
第１の真空処理室および第２の真空処理室に同じ種類のガスを供給するので、第２の真空処理室の排気が徐々に行なわれても不都合がない。
【００１５】
第２の真空処理室で基板の温度を調温するので、真空状態での基板の調温処理を可能とする。
【００１６】
第２の真空処理室に供給するガスを基板に沿って流通させるので、基板からの放出ガスを効率的に除去し、製品の歩留を向上させる。
【００１７】
また、本発明の真空処理装置は、ガスが供給および排気されて真空状態に維持される第１の真空処理室と、この第１の真空処理室に対して開閉可能とし、供給系および排気系の少なくともいずれか一方に配置されるニードルバルブを通じてガスが連続供給および連続排気されて、第１の真空処理室との隔離状態で第１の真空処理室より低いほぼ一定の圧力に調整される第２の真空処理室と、前記第１の真空処理室に臨む縁部より第２の真空処理室に臨む縁部が上昇する傾斜状態に基板の下面を支え、前記第１の真空処理室と第２の真空処理室との間を開閉してそれら第１の真空処理室と第２の真空処理室との間で前記基板を移動させる搬送手段とを具備しているもので、第１の真空処理室と第２の真空処理室との間で基板を移動させるために、それら第１の真空処理室と第２の真空処理室との間を開放しても、第２の真空処理室の圧力上昇に対応して、従来のように排気が急激に行なわれることなく、ほぼ一定の圧力まで徐々に排気し、したがって、第１の真空処理室に対する第２の真空処理室の圧力差および圧力変動を従来に比べて小さくし、第１の真空処理室から第２の真空処理室への急激なガスの流れが発生するのを抑制し、基板の位置ずれを防止する。さらに、第１の真空処理室から第２の真空処理室へのガスの流れが基板を下方へ押し付けるように作用し、基板の位置ずれを防止する。
【００１８】
第１の真空処理室および第２の真空処理室に供給されるガスは同じ種類のガスであるので、第２の真空処理室の排気が徐々に行なわれても不都合がない。
【００１９】
第２の真空処理室は基板の温度を調温する調温室であるので、真空状態での基板の調温処理を可能とする。
【００２０】
第２の真空処理室は、ガスを供給するガス供給口および排気する排気口を有し、これらガス供給口および排気口を第２の真空処理室内に移動された基板に沿ってガスが流通するようにその基板を介して相対する位置に配設したもので、基板からの放出ガスを効率的に除去し、製品の歩留を向上させる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図１ないし図３を参照して説明する。
【００２２】
図１は加熱室の説明図、図２は搬送手段の説明図である。
【００２３】
なお、真空処理装置は、半導体製造の薄膜トランジスタ製造工程において、ガラス製の基板上に成膜処理やエッチング処理などを行なうのに使用される。この真空処理装置の全体構成は、前述した図３に示す構成と同様であり、同一符号を用いて説明する。すなわち、真空処理装置は、中心に配置される第１の真空処理室としての搬送室１、この搬送室１を中心として配置され搬送室１に対してそれぞれ開閉されるゲート2a，3a，4a，5aを介して連通、隔離されるロードロック室２、第２の真空処理室および調温室としての加熱室３および複数の処理室４，５から構成されている。これら搬送室１、ロードロック室２、加熱室３および複数の処理室４，５はそれぞれ真空状態に維持されるが、搬送室１の圧力はロードロック室２、加熱室３および複数の処理室４，５より高く設定される。
【００２４】
そして、搬送室１には、調圧用のガスとして窒素ガス（Ｎ2）を供給するガス供給系７および真空排気を行なう排気系８が接続されている。ガス供給系７には図示しない圧力計および圧力コントローラーが配置され、排気系８にはスロットルバルブ９が配置され、搬送室１の圧力が例えば約７００±３００ｍTorrに調整される。
【００２５】
搬送室１には、図２に示すように、搬送室１を通じて各室２〜５に被処理物としての基板Ｐを搬送する搬送手段としての搬送ロボット11が配設されている。この搬送ロボット11は、搬送室１の中心を回転軸として回動可能とし、各ゲート2a〜5aの開放時に各室２〜５に進退移動して基板Ｐを搬送する例えばアルミニウム（Ａｌ）製のハンド12を有している。このハンド12上には基板Ｐを６点で支えるＯリング13が取り付けられており、これらＯリング13のハンド12上からの突出量は、ハンド12の先端の２点が約２０ｍｍ、中間の２点が約１５ｍｍ、回転軸側の２点が約１０ｍｍで、基板Ｐの姿勢がハンド12の先端側ほど高くなっている。すなわち、基板Ｐの搬送室１に臨む縁部より各室２〜５に臨む縁部が上昇する傾斜状態となる。
【００２６】
また、ロードロック室２には、図示しないスロットルバルブまたは真空バルブ（開閉バルブ）を介して真空排気を行なう排気系が接続されている。さらに、ロードロック室２には、外部に対して基板Ｐの搬入および搬出を可能とする図示しない外部扉機構が配設され、内部には複数枚の基板Ｐが枚葉式に収納される図示しない棚機構が配設されている。
【００２７】
また、加熱室３には、図１に示すように、複数枚の基板Ｐをほぼ水平姿勢で収納可能な棚機構21が配設されている。
【００２８】
加熱室３には、調圧用のガスとしてＮ2を供給するガス供給系22および真空排気を行なう排気系23が接続され、ガス供給系22にはＮ2の流量を制限するニードルバルブ24および図示しない圧力計が配置され、排気系23にはニードルバルブ25および図示しない真空バルブが配置されている。これらニードルバルブ24，25の開度を調整して、ゲート2aの開閉が無い状態で例えば約４００ｍTorrとなるようにほぼ一定の圧力に設定する。
【００２９】
加熱室３の対向する側壁には、ガス供給系22のガス供給口26および排気系23の排気口27がそれぞれ形成されている。これらガス供給口26および排気口27は、加熱室３内に収容される各基板Ｐ面に沿ってＮ2が流通するようにその基板Ｐを介して相対する位置に配設される。
【００３０】
また、各処理室４，５は、例えば、成膜処理やエッチング処理を行なうためのマスフローコントローラー、圧力計、スロットルバルブなどの構成により、圧力がコントロールされる。但し、反応性ガスを使用して処理することから、基板Ｐの受け渡し時の圧力は搬送室１より十分低いことが望ましい。
【００３１】
次に、本実施の形態の作用を説明する。
【００３２】
まず、真空処理装置で、基板Ｐ上に成膜処理やエッチング処理を行なう一連の処理について説明する。
【００３３】
未処理の基板Ｐが大気状態でロードロック室２に搬入され、複数枚の基板Ｐが搬入された後、ロードロック室２が閉止されて排気される。
【００３４】
ロードロック室２が所定の真空状態まで減圧された時点でロードロック室２と搬送室１を仕切っているゲート2aが開かれ、搬送室１内の搬送ロボット11のハンド12がロードロック室２に進入してこのハンド12上に１枚の基板Ｐが移載され、ハンド12上の基板Ｐがロードロック室２から搬送室１に移動される。基板Ｐの移動後には、ゲート2aが閉止される。
【００３５】
搬送ロボット11のハンド12の向きが加熱室３に対向するように回動され、搬送室１と加熱室３とを仕切っているゲート3aが開かれ、ハンド12上の基板Ｐが加熱室３に進入されて棚機構21に移載される。基板Ｐの移動後には、ハンド12が搬送室１に戻されてゲート3aが閉止される。
【００３６】
そして、加熱室３で基板Ｐが所定の時間加熱され、基板Ｐの温度の上昇、およびそれに伴う基板Ｐからのガス放出が行なわれる。
【００３７】
その後、ゲート3aが開かれ、搬送室１内の搬送ロボット11のハンド12が加熱室３に進入してこのハンド12上に加熱処理済みの１枚の基板Ｐが移載され、ハンド12上の基板Ｐが加熱室３から搬送室１を移動される。基板Ｐの移動後には、ゲート3aが閉止される。
【００３８】
搬送ロボット11のハンド12の向きが処理室４に対向するように回動され、搬送室１と処理室４とを仕切っているゲート4aが開かれ、ハンド12上の基板Ｐが処理室４に進入されて移載される。基板Ｐの移動後には、ハンド12が搬送室１に戻されてゲート4aが閉止される。
【００３９】
そして、処理室４で、基板Ｐ上に成膜処理やエッチング処理などが行なわれる。
【００４０】
その後、ゲート4aが開かれ、搬送室１内の搬送ロボット11のハンド12が処理室４に進入してこのハンド12上に処理済みの基板Ｐが移載され、ハンド12上の基板Ｐが処理室４から搬送室１を移動される。基板Ｐの移動後には、ゲート4aが閉止される。
【００４１】
搬送ロボット11のハンド12の向きが処理室５に対向するように回動され、搬送室１と処理室５とを仕切っているゲート5aが開かれ、ハンド12上の基板Ｐが処理室５に進入されて移載される。基板Ｐの移動後には、ハンド12が搬送室１に戻されてゲート5aが閉止される。
【００４２】
そして、処理室５で、基板Ｐ上に成膜処理やエッチング処理などが行なわれる。
【００４３】
その後、ゲート5aが開かれ、搬送室１内の搬送ロボット11のハンド12が処理室５に進入してこのハンド12上に処理済みの基板Ｐが移載され、ハンド12上の基板Ｐが処理室５から搬送室１を移動される。基板Ｐの移動後には、ゲート5aが閉止される。
【００４４】
最後に、搬送ロボット11のハンド12の向きがロードロック室２に対向するように回動され、搬送室１とロードロック室２とを仕切っているゲート2aが開かれ、ハンド12上の基板Ｐがロードロック室２に進入されて移載される。基板Ｐの移動後には、ハンド12が搬送室１に戻されてゲート2aが閉止される。
【００４５】
処理済みの複数枚の基板Ｐがロードロック室２に移動された後、このロードロック室２から処理済みの複数枚の基板Ｐが搬出される。
【００４６】
次に、搬送室１と加熱室３との間のゲート3aを開閉して基板Ｐを移動させる際の動作について説明する。
【００４７】
搬送室１と加熱室３との圧力設定は、その圧力差が最小になった場合でもゲート3aが開いたときに、加熱室３から搬送室１へとＮ2の流れが生じないようにする必要がある。
【００４８】
搬送室１の圧力は、排気系８のスロットルバルブ９によって例えば約７００±３００ｍTorrに調整される。また、加熱室３の圧力は、ガス供給系22のニードルバルブ24と排気系23のニードルバルブ25の開度を調整して、Ｎ2を連続供給するとともに連続排気しながら、ゲート2aの開閉が無い状態で例えば約４００ｍTorrとなるように調整される。
【００４９】
このような搬送室１および加熱室３の圧力設定にすると、ゲート3aが開いたときの圧力差は最大でも約６００ｍTorrであり、従来の真空バルブを用いる場合の圧力差が最大で約１０００ｍTorr程度となるのに対して小さくできる。そのため、ゲート3aが開いたときの加熱室３の圧力上昇に対応して、従来の真空バルブのように排気が急激に行なわれることなく、排気系23のニードルバルブ25を通じて徐々に排気される。したがって、搬送室１に対する加熱室３の圧力差および圧力変動を従来に比べて小さくし、搬送室１から加熱室３への急激なＮ2の流れが発生するのを抑制でき、搬送ロボット11のハンド12上の基板Ｐの位置ずれを防止することができる。
【００５０】
なお、加熱室３での圧力制御を実現する方法として、搬送室１と同様に圧力コントローラーとスロットルバルブによる方法もあるが、ゲート3aが開いた瞬間の急激な圧力変動により搬送室１と加熱室３とでハンチングを起こし、圧力コントロールができない場合がある。それに対して、ガス供給系22のニードルバルブ24および排気系23のニードルバルブ25を用いることで、構造を簡単、かつ低価格に実現可能である。
【００５１】
また、搬送室１および加熱室３に同じ種類のＮ2を供給するので、加熱室３の排気が徐々に行なわれても不都合がない。
【００５２】
また、搬送室１と加熱室３との間で基板Ｐの受け渡しを行なう際、搬送ロボット11のハンド12上の基板Ｐは、基板Ｐの搬送室１に臨む縁部より加熱室３に臨む縁部が上昇する傾斜状態にあり、このような基板Ｐの姿勢で受け渡しを行なうことでも、基板Ｐの位置ずれを防止することができる。つまり、搬送室１と加熱室３との間のゲート3aが開いたときの搬送室１から加熱室３への急激なＮ2の流れは、傾斜状態の基板Ｐに対してその基板Ｐをハンド12上に押し付ける方向に働くため、基板Ｐの位置ずれを防止できる。
【００５３】
さらに、基板Ｐの受け渡しは、搬送室１と処理室４，５との間でも行なわれる。これら処理室４，５は、上述の通り反応性ガスを使用するため、搬送室１との圧力差は十分大きくなくてはならない。そのため、搬送室１と処理室４，５との間のゲート4a，5aが開いたときの急激なＮ2の流れは不可避のものであるが、Ｎ2の流れは、傾斜状態の基板Ｐをハンド12上に押し付ける方向に働くため、基板Ｐの位置ずれを防止できる。
【００５４】
なお、ガラス製の基板Ｐでは撓みの影響があるが、撓んだ状態の場合には搬送ロボット11の回転軸側の基板Ｐの最下点が、ハンド12の先端側の基板Ｐの最下点より低くなっていれば同じ効果が得られる。さらに、この傾斜は、各室２〜５間の基板Ｐの受け渡しに不具合を生じなければ、大きいほうが位置ずれ防止効果を大きくできる。
【００５５】
また、加熱室３をニードルバルブ24を用いたＮ2のガス供給系22とニードルバルブ25を用いた排気系23を用いて圧力制御することにより、その後の処理室４，５での処理の品質向上にも有効となる。
【００５６】
つまり、従来の真空バルブのみによる真空保持では基板Ｐからの放出ガスが加熱室３内に滞留し、真空バルブの無い連続的な真空排気でも中間流領域において十分な放出ガスの除去ができなかった。このため、放出ガスが基板Ｐに再付着することで、その後の成膜処理やエッチング処理で不具合を生じ、その結果、製品不良を生じる場合があった。
【００５７】
そこで、加熱室３をニードルバルブ24を用いたＮ2のガス供給系22とニードルバルブ25を用いた排気系23を用いて圧力制御することにより、圧力コントロールのハンチングを起こすこと無く常時連続したガス流れを生じさせることが可能で、基板Ｐからの放出ガスを速やかに除去することが可能となった。また、この連続的なＮ2の流れもガス供給口26と排気口27を基板Ｐを挟んで相対させることにより、Ｎ2の流れが一様となり、放出ガスの除去効果をより大きくすることができた。
【００５８】
なお、本実施の形態ではガス供給口26、排気口27とも１個所ずつとしたが、特にガス供給口26は複数の基板ＰにＮ2が行き渡るように、複数個設けたほうが望ましい。また、搬送室１および加熱室３に供給するガスの種類はアルゴン（Ａｒ）でもよい。
【００５９】
また、調温室として、加熱室３を用いたが、処理によっては冷却する場合も含まれる。
【００６０】
また、真空処理装置は、基板Ｐ上に成膜処理やエッチング処理を行なう場合以外でも、真空状態に維持して処理を行なう場合に適用でき、同様の作用効果を奏する。
【００６１】
【発明の効果】
本発明によれば、それぞれガスを供給および排気して真空状態に維持される第１の真空処理室と第２の真空処理室との隔離状態で、第２の真空処理室にガスを連続供給するとともに連続排気して、第２の真空処理室を第１の真空処理室より低いほぼ一定の圧力に調整するので、第１の真空処理室と第２の真空処理室との間で基板を移動させるために、それら第１の真空処理室と第２の真空処理室との間を開放しても、第２の真空処理室の圧力上昇に対応して、従来のように排気が急激に行なわれることなく、ほぼ一定の圧力まで徐々に排気でき、したがって、第１の真空処理室に対する第２の真空処理室の圧力差および圧力変動を従来に比べて小さくし、第１の真空処理室から第２の真空処理室への急激なガスの流れが発生するのを抑制でき、基板の位置ずれを防止できる。また、基板の下面を支えて、第１の真空処理室と第２の真空処理室との間を移動させる際、基板の第１の真空処理室に臨む縁部より第２の真空処理室に臨む縁部が上昇する傾斜状態に支えるので、第１の真空処理室から第２の真空処理室へのガスの流れが基板を下方へ押し付けるように作用し、基板の位置ずれを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の真空処理方法およびその装置の一実施の形態を示す加熱室の説明図である。
【図２】  同上搬送手段の説明図である。
【図３】  真空処理装置の構成図である。
【図４】  従来の加熱室の排気系統の説明図である。
【図５】  従来の加熱室の圧力変動を示すグラフである。
【符号の説明】
１    第１の真空処理室としての搬送室
３    第２の真空処理室および調温室としての加熱室
11    搬送手段としての搬送ロボット
24    ニードルバルブ
25    ニードルバルブ
26    ガス供給口
27    排気口
Ｐ    基板
【図１】
0004082775.tif 000002
【図２】
0004082775.tif 000003
【図３】
0004082775.tif 000004
【図４】
0004082775.tif 000005
【図５】
0004082775.tif 000006