(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板の表面に設けられたＩＣパターンと、基板の側面に設けられ該基板の厚さ方向に延びる凹部と、上記表面において上記凹部の近傍に設けられ上記ＩＣパターンに接続された信号入出力パッドと、上記凹部に形成され上記信号入出力パッドに導通する金属層と、上記基板の裏面に形成された接地導体とを備え、上記金属層及び上記信号入出力パッドとを介して上記ＩＣパターンに信号を入出力する半導体装置であって、
上記金属層は、上記凹部において上記基板の裏面に達しないことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板と、該基板の表面に設けられたＩＣパターンと、基板の側面に設けられ該基板の厚さ方向に延びる凹部と、上記表面において上記凹部の近傍に設けられ上記ＩＣパターンに接続された信号入出力パッドと、上記凹部に形成され上記信号入出力パッドに導通する金属層と、上記基板の裏面に形成された接地導体と、上記裏面において上記凹部の近傍に設けられ上記金属層を介して上記信号入出力パッドに導通する裏面パッドとを備え、上記金属層及び上記信号入出力パッドとを介して上記ＩＣパターンに信号を入出力する半導体装置であって、
上記信号入出力パッドは、上記凹部を介して上記裏面パッドに導通する表面パッド部と、該表面パッドと離れて形成されかつ上記ＩＣパターンに導通するＩＣ側パッド部とを含み、
さらに、上記ＩＣ側パッド部に導通し、上記表面パッド部の上部に位置しかつ、該表面パッド部と空隙を介して離されている予備接続部を備え、
上記予備接続部を上記表面パッド部に圧着接続して、上記表面パッド部と上記ＩＣ側パッド部とを導通させたことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
基板と、該基板の表面に設けられたＩＣパターンと、基板の側面に設けられ該基板の厚さ方向に延びる凹部と、上記表面において上記凹部の近傍に設けられ上記ＩＣパターンに接続された信号入出力パッドと、上記凹部に形成され上記信号入出力パッドに導通する金属層と、上記基板の裏面に形成された接地導体と、上記裏面において上記凹部の近傍に設けられ上記金属層を介して上記信号入出力パッドに導通する裏面パッドとを備え、上記金属層及び上記信号入出力パッドとを介して上記ＩＣパターンに信号を入出力する半導体装置であって、
上記信号入出力パッドは、上記凹部を介して上記裏面パッドに導通する表面パッド部と、該表面パッドとは離れて形成されかつ上記ＩＣパターンに導通するＩＣ側パッド部と、該ＩＣ側パッド部と上記表面パッドとを電気的に接続する接続部とを含み、
上記表面パッド部及び上記ＩＣ側パッド部の少なくとも一方が、Ａｕで形成されていて、
上記接続部は、上記ＩＣ側パッド部と上記表面パッド部とが形成された後に、上記Ａｕを変形して設けられたものであることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置に関し、詳細には数ＧＨｚ以上のマイクロ波帯及びミリ波帯で使用する高周波半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１５に、パッケージされた従来の高周波半導体装置１０１を示す。図に示すように、ＡｕＳｎ共晶半田等の半田材又は導電性接着材等によって、高周波半導体装置１０１は、高周波半導体装置用パッケージ１０４にダイボンディングされている。さらに、パッケージ１０４に形成された高周波信号入出力線路１０２と半導体装置１０１とは、直径２５μｍ程度のＡｕ線であるボンデイングワイヤ１０３で接続され、このボンデングワイヤ１０３によって半導体装置１０１に高周波信号の入出力が行われる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したように半導体装置１０１と信号入出力線路１０２とをボンデイングワイヤ１０３で接続すると、ボンディングワイヤ１０３のインダクタンス成分が、ミリ波帯など高周波領域では抵抗成分として作用するので、伝送信号の損失が増加する。また、ボンデングワイヤ１０３は、高周波信号の伝送線路として、線路インピーダンス制御を行うことが不可能であるので、ボンデングワイヤ１０３と半導体装置１０１との間及び、ボンデングワイヤ１０３と信号入出線路１０２との間にインピーダンス不整合が発生し、半導体装置１０１の反射損失が増加するという問題点があった。
【０００４】
上記問題を解決するために、特開平２−２８８２５２号公報及び「DBIT-Direct Backside Interconnect Technology: A Manufacturable, Bond Wire Free Interconnect Technology for Microwave and Millimeter Wave MMICs 」(1997 IEEE MTT-S Digest 723-726)は、ボンディングワイヤを用いることなく実装することができる半導体装置を提案している。これらの文献で開示された半導体装置は、基板の表面に設けられた表面電極と基板の裏面に裏面電極を備え、基板に側面に形成された凹部に金属層を形成することで表面電極と裏面電極とを導通させたものである。このような半導体装置は、その裏面電極と実装基板の信号入出線路とを半田材又は導電性樹脂材で接続することで、ボンデングワイヤを用いることなくパッケージに実装することができる。
【０００５】
ところで、通常、ウエハ状態の高周波半導体装置の特性評価を行う場合、ウエハを評価装置の金属性のステージに真空チャック方法等で固定し、各半導体装置の表面電極にプロービング針を接触させていた。ウエハを固定するステージを金属性とするのは、各高周波半導体装置の裏面をグランド電位にすることが必要なためである。従って、高周波半導体装置の裏面には、接地電極が形成されている。
【０００６】
しかしながら、上述したような基板の裏面に接地電極と裏面電極とを備えている半導体装置を、金属性のステージに固定すると、裏面電極と接地電極とが導通して、接地電極と電気的に分離すべき表面電極が接地電極とショートする。従って、従来の半導体装置は、ウエハ状態での特性評価が不可能であった。
【０００７】
本発明は上記課題を鑑みてなされたものであり、ウエハ状態で特性評価のできる半導体装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は、基板と、基板の表面に設けられたＩＣパターンと、基板の側面に設けられ基板の厚さ方向に延びる凹部と、表面において凹部の近傍に設けられ上記ＩＣパターンに接続された信号入出力パッドと、凹部に形成され信号入出力パッドに導通する金属層と、基板の裏面に形成された接地導体とを備え、金属層及び信号入出力パッドとを介してＩＣパターンに信号を入出力する半導体装置であって、金属層は、凹部において基板の裏面に達しないことを特徴とする。即ち、凹部の裏面側の開口部周辺には、金属層が形成されていないので、本発明の半導体装置を金属性のステージに固定しても、凹部を介して信号入出力パッドがショートすることなく、ウエハ状態で特性評価を行うことができる。さらに、本発明の半導体装置は、ボンディングワイヤを利用することなく実装基板に実装することで、インピーダンスの不整合による反射特性を低減させることができる。
【０００９】
本発明の別の半導体装置は、基板と、基板の表面に設けられたＩＣパターンと、基板の側面に設けられ該基板の厚さ方向に延びる凹部と、表面において上記凹部の近傍に設けられＩＣパターンに接続された信号入出力パッドと、凹部に形成され信号入出力パッドに導通する金属層と、基板の裏面に形成された接地導体と、裏面において凹部の近傍に設けられ金属層を介して信号入出力パッドに導通する裏面パッドとを備え、金属層及び信号入出力パッドとを介してＩＣパターンに信号を入出力する半導体装置であって、信号入出力パッドは、凹部を介して裏面パッドに導通する表面パッド部と、表面パッドとは離れて形成されたＩＣパターンに導通するＩＣ側パッド部とを含み、さらに、ＩＣ側パッド部とは導通し、表面パッド部の上部に位置しかつ、表面パッド部とは空隙を介して設けられた予備接続部を備え、予備接続部を表面パッド部に圧着接続して、表面パッド部とＩＣ側パッド部とを導通させたことを特徴とする。即ち、予備接続部を圧着接続する前に、ウエハ状態の半導体装置を金属性のステージに固定し、ＩＣ側パッド部にプロービング針を接触させることで、半導体装置の特性評価を行うことができる。また、本発明の別の半導体装置は、ボンディングワイヤを利用することなく実装基板に実装することで、インピーダンスの不整合による反射特性を低減させることができる。
【００１０】
本発明のさらに別の半導体装置は、基板と、基板の表面に設けられたＩＣパターンと、基板の側面に設けられ基板の厚さ方向に延びる凹部と、表面において凹部の近傍に設けられＩＣパターンに接続された信号入出力パッドと、凹部に形成され信号入出力パッドに導通する金属層と、基板の裏面に形成された接地導体と、裏面において凹部の周囲に設けられ金属層を介して信号入出力パッドに導通する裏面パッドとを備え、金属層及び信号入出力パッドとを介してＩＣパターンに信号を入出力する半導体装置であって、信号入出力パッドは、凹部を介して裏面パッドに導通する表面パッド部と、表面パッドとは離れて形成されたＩＣパターンに導通するＩＣ側パッド部と、ＩＣ側パッド部と表面パッドとを電気的に接続する接続部とを含み、上記表面パッド部及び上記ＩＣ側パッド部の少なくとも一方が、Ａｕで形成されていて、接続部は、上記ＩＣ側パッド部と上記表面パッド部とが形成された後に、上記Ａｕを変形して設けられたものであることを特徴とする。即ち、接続部を形成する前に、ウエハ状態の半導体装置を金属性のステージに固定し、ＩＣ側パッド部にプロービング針を接触させることで、半導体装置の特性評価を行うことができる。また、本発明のさらに別の半導体装置は、ボンディングワイヤを利用することなく実装基板に実装することで、インピーダンスの不整合による反射特性を低減させることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
【００１４】
実施の形態１．
最初に図１及び図２を参照して、本発明の実施の形態１にかかる半導体装置５０について説明する。図１に示すように、半導体装置５０は、ＦＥＴ等のＩＣパターン（図１には図示せず）、特性評価を行うためにＩＣパターンに高周波信号を入出力するための信号入出力パッド２、及びＩＣパターンにバイアスを印加するためのバイアス用パッド５を備えている。詳細には、ＩＣパターン、信号入出力パッド２及びバイアス用パッド５は、厚さ１００μｍの基板１の表面５０ａに形成されている。また、ＩＣパターンと信号入出力パッド２及び、ＩＣパターンとバイアス用パッド５とは、基板１の表面５０ａに形成された配線パターン６によって接続されている。尚、基板１の裏面５０ｂには、接地導体７が形成されている。
【００１５】
また、配線パターン６は蒸着などの方法によって形成されたものであり、信号入出力パッド２及びバイアス用パッド５は、電解メッキ法などの方法によって形成されたものである。外部からのボンデングワイヤやプロービング針が接続される信号入出力パッド２及びバイアス用パッド５の厚さは、配線パターン６の厚さよりも厚く形成される。本実施の形態で用いる信号入出力パッド２及びバイアス用パッド５は厚さ約５μｍのＡｕであり、配線パターン６は厚さ約２μｍのＡｕである。
【００１６】
半導体装置５０は、基板１の側面に表面５０ａから裏面５０ｂに延びる半円形状の凹部３を備えていて、さらに、凹部３に隣接するように信号入出力パッド２及びバイアス用パッド５が配置されている。さらに、凹部３の表面側５０ａから深さ約９０μｍまでの領域（以下、導電領域と呼ぶ）には金属層４が形成される一方、凹部の裏面側５０ｂから深さ１０μｍまでの領域（以下絶縁領域と呼ぶ）には金属層が形成されていない。また、図２に示すように、信号入出力パッド２は、金属層４に接続され導通する。つまり、凹部３に形成された金属層４は、凹部３の途中まで連続して形成されているが、裏面側５０ｂまで達するものではない。また、基板１の裏面５０ｂの凹部３の周囲約１０μｍには、接地導体７を形成しないようにする。こうすることで、半導体装置５０を実装後、金属層４と接地導体７とが短絡することが防止される。
【００１７】
また、バイアス用パッド５に接続された凹部３も、上述した信号入出力パッド２に接続された凹部３と同様に、導電領域及び絶縁領域を備えていて、導電領域に形成された金属層にバイアス用パッド５が接触し導通する。
【００１８】
本実施の形態では、基板１の側面に形成された凹部の近傍に信号入出力パッド２及びバイアス用パッド５を形成する。
【００１９】
次に、上記凹部を形成する方法について説明する。最初にウエハ状態の基板１の表面５０ａを複数のチップ区域に区分し、各チップ区域にＩＣパターン、配線パターン６等を形成する。尚、チップ区画とは、ウエハをチップ化した後、半導体装置に対応する区画を意味するものとする。次に、各チップ区域を跨ぎ、表面５０ａからの深さが約９０μｍの孔を形成する。ＧａＡｓウエハを用いる本実施の形態では、塩素系ガスを用いたエッチングによって孔を形成する。次に、スパッタ法でこの孔の壁部に金属層を形成する。このとき必要に応じて、メッキ法で金属層にＡｕを付加してもよい。さらに、所望のパターンを各チップ区域の表面に形成した後、ウエハの厚さを１００μｍにする。続いて、赤外線を用いたアライメント装置を利用して、先に形成した深さ約９０μｍの孔の裏側から、レジストのパターニング及びエッチングにより、厚さ約１０μｍのＧａＡｓウエハを除去して孔を貫通する。こうすることで表面から深さ約９０μｍまでは金属層が形成される一方、裏面から深さ約１０μｍまでは金属層が形成されていない貫通孔がウエハに形成される。つまり、貫通孔の裏面側付近は絶縁されている。このようなウエハをチップ化すると、上記半導体装置５０となる。貫通孔は各チップ区域を跨ぐように形成されているので、ウエハをチップ化する際、貫通孔は深さ方向に切断され（縦方向に切断され）、半導体装置５０において、凹部４のような形状となる。
【００２０】
先に説明したように、ウエハ状態の半導体装置５０は、裏面側付近が絶縁された貫通孔を備えているので、ウエハ状態の半導体装置５０を、評価装置の金属性のステージに裏面５０ｂが接するように固定しても、信号入出力パッド２と接地導体７とが導通することがない。従って、ウエハ状態の半導体装置５０を金属性のステージに固定し、信号入出力パッド２にプロービング針を接触させることで、半導体装置５０の高周波特性及び直流特性等のウエハ状態で特性評価を行うことができる。
【００２１】
次に、図３及び図４を参照して、半導体装置５０を実装する方法について説明する。半導体装置５０が実装される実装基板１２は、高周波信号を伝送する信号入出力線路９、バイアス線路１０及び実装基板側接地導体１３を備えている。信号入出力線路９は半導体装置５０の信号入出力パッド２に、バイアス線路１０はバイアスパッド５に、実装基板側接地導体１３は接地導体７に電気的に接続される。
【００２２】
まず、実装基板１２の高周波信号入出力線路９、バイアス線路１０及び実装基板側接地導体１３をなす各回路パターンの半導体装置５０と接触する部分にＡｕＳｎ半田材１１を塗布する。このとき、バイアス線路１０及び入出力線路９は、いずれも凹部に設けられた絶縁領域を半田材１１でブリッジすることで、バイアス線路１０及び入出力用線路９をそれぞれの凹部３に設けられた金属層４に電気的接続させる必要がある。上述したように、凹部３に形成された絶縁領域の深さは約１０μｍであるから、バイアス線路１０及び入出力用線路９に塗布する半田材１１の厚さは１０μｍ以上にする必要があり、本実施の形態ではその厚さを２０μｍとする。
【００２３】
このように、実装基板１２に半田材１１を塗布した後、信号入出力パッド２を備えている凹部３が信号入出力線路９上に位置し、バイアスパッド５を備えている凹部３がバイアス線路１０上に位置するように、実装基板１２の所定の位置に半導体装置５０を配置し、さらに、半導体装置５０と実装基板１２とを約３００℃に昇温し、半田材１１を溶融させて半導体装置５０を実装基板１２に実装する。
【００２４】
このように、実装基板１２に実装された半導体装置５０は、図４に示すように基板１の側面において、金属層４と信号入出力線路９とが、予め信号入出力線路９に塗布された半田材１１によって接続されている。半田材１１は、信号入出用線路９、金属層４及び基板１の絶縁領域を連続するように形成されている。
【００２５】
また、信号入出力線路９は、信号入出力パッド２及び配線パターン６を介してＩＣパターン８に電気的に接続され、バイアス用線路１０は、バイアス用パッド５及び配線パターン６を介してＩＣパターン８に電気的に接続される。即ち、半導体装置５０は、ワイヤボンデングを用いることなく実装基板１２に実装することができるので、インピーダンス不整合による反射損失を低減させることができる。
【００２６】
上記実施の形態では、半導体装置５０を実装基板１２に実装するのにＡｕＳｎを用いたが本発明はこれに限定されるものではない。例えば、ＰｂＳｎ半田や導電性樹脂材等の導電性接続材を用いて、半導体装置５０を実装基板１２に実装しても上記実施の形態と同様の作用・効果を得ることができる。
【００２７】
さらに上記実施の形態では、半導体装置５０を実装基板１２に実装したが本発明はこれに限定されるものではなく、バイアス線路及び信号入出力用線路を備えた半導体装置用パッケージに、上述した方法と同様の方法で半導体装置５０を実装してもよい。
【００２８】
実施の形態２．
次に、図５〜図７を参照して、本発明の実施の形態２にかかる半導体装置５１について説明する。図５に示すように、半導体装置５１は、基板１の表面に形成されたＩＣ側パッド２ａ、配線パターン６、表面パッド１５及び導電性の予備接続部１４を備えている。配線パターン６は、ＩＣ側パッド２ａをＩＣパターン（図示せず）に接続するものである。ＩＣ側パッド２ａは、基板１に形成されたＩＣパターン（図示せず）に高周波信号を入出力するものである。つまり、半導体装置５１の信号入出力パッド２ｂは、表面パッド１５とＩＣ側パッド２ａと予備接続部１４とからなる。また、半導体装置５１は、基板１の側面に表面５１ａから裏面５１ｂに延びる半円形状の凹部３を備えていて、凹部３には表面５１ａから裏面５１ｂまで延びる金属層４（図５では図示せず）が形成されている。
【００２９】
図６に示すように、予備接続部１４はＩＣ側パッド２に接続されている。また、予備接続部１４は、表面パッド１５と絶縁されるように、２〜３μｍの間隙を隔てて立体交差している（エアブリッジ構造）。さらに、図７に示すように、基板１の裏面５１ｂには互いに絶縁された裏面パッド１６と接地電極７とが形成され、表面パッド１５と裏面パッド１６とは、凹部３に形成された金属層４によって導通する。尚、表面パッド１５及び接続部１４は、Ａｕを用いる公知の手段で形成される。
【００３０】
尚、半導体装置５１のバイアスパッドも、上記信号入出力パッド同様に、表面パッドとＩＣ側パッドと予備接続部とからなる。
【００３１】
上述したように、基板１の表面において、表面パッド１５とＩＣ側パッド２ａとは絶縁されている。従って、ウエハ状態の半導体装置５１を、評価装置の金属性のステージに半導体装置５１の裏面５１ｂが接するように固定し、ＩＣ側パッド２ａ又は予備接続部１４にプロービング針を接触させることで、ウエハ状態で半導体装置５０の高周波特性及び直流特性等の特性評価を行うことができる。
【００３２】
さらに、特性評価終了後、基板１を約２００℃に加熱しながら、金属性の針形状の部材で予備接続部１４を上方から押圧し表面パッド１５に熱圧着して、接続部１４と表面パッド１５とを導通させる。尚、押圧する際に超音波振動を併用すると、更に良好な接続が得られる。こうすることで、金属層４、表面パッド１５、押厚された予備接続部１４、ＩＣ側パッド２ａおよび配線パターン６を介して、裏面パッド１６とＩＣパターンとは導通する。同様の方法で、バイアスパッドを形成するＩＣ側パッドと表面パッドとを導通させる。
【００３３】
上述した工程を経た半導体装置５１は、バイアス線路及び入出力用線路を備えた半導体装置用パッケージ又は実装基板に、ＡｕＳｎ半田材等によって実装することができる。この際、半導体装置５１と半導体装置用パッケージ又は実装基板とを接続するワイヤボンデングは不要であるから、インピーダンス不整合による反射損失を低減させることができる。
【００３４】
上記実施の形態２においては、ＩＣ側パッドと表面パッドとをエアブリッジ構造で接続した後、ＩＣ側パッドと表面パッドとを導通させたが、本発明はこれに限定されるものではなく、以下実施の形態３で説明するように、ＩＣ側パッドと表面パッドとを設けた後に、接続部を形成してＩＣ側パッドと表面パッドとを導通させてもよい。
【００３５】
実施の形態３．
図８に示すように、本発明の実施の形態３にかかる半導体装置５２は、基板１の表面にＩＣ側パッド２ａと表面側パッド１７とが、約２０μｍの間隔を隔てて形成されている。表面パッド１７はＡｕメッキによって形成されたものであり、上記実施の形態２と同様に凹部３に形成された金属層４を介して裏面パッド１６と導通している。ＩＣ側パッド２ａは、基板１に形成されたＩＣパターン（図示せず）に高周波信号を入出力するものである。つまり、半導体装置５２の信号入出力パッドは、互いに絶縁された表面パッド１７とＩＣ側パッド２ａとを備えている。尚、ＩＣ側パッド２ａが配線パターン６を介してＩＣパターン（図示せず）に接続されていること、及び裏面５２ｂに接地導体７を備えていることも、上記実施の形態２にかかる半導体装置と同様である。
【００３６】
また、半導体装置５２のＩＣパターンにバイアスを印加するバイアスパッドも、信号入出力パッドと同様に、ＩＣパターンに導通するＩＣ側パッドと凹部を介して裏面パッドに導通する表面パッドとに分離され、互いに絶縁されている（図示せず）。
【００３７】
上述したように、基板１の表面５２ａにおいて、表面パッド２ａとＩＣ側パッド１７とは絶縁されている。従って、ウエハ状態の半導体装置５２を、評価装置の金属性のステージに裏面５２ｂが接するように固定し、ＩＣ側パッド２ａにプロービング針を接触させることで、ウエハ状態で半導体装置５２の高周波特性及び直流特性等の特性評価を行うことができる。
【００３８】
半導体装置５２の特性評価を行った後に、表面パッド２ａとＩＣ側パッド１７とを導通させる。具体的には、図９に示すように、例えば２５μｍφのＡｕワイヤ１９を用いてＩＣ側パッド２ａと表面パッド１７と接続し、高周波半導体装置を実装するのに用いられる公知のウェッジボンディング技術により、約２００℃に加熱し、ボンデングウェッジ２０により熱圧着又は超音波併用熱圧着法でボンディングする。次に、ウェッジボンデング装置が具備するクランパ（図示せず）で、Ａｕワイヤ１９をつまみながら、ボンディングウエッジ２０と共にＡｕワイヤ１９を上方に引き上げ、Ａｕワイヤ１９のネック部２１を破断する。こうして、図１０に示すような、表面パッド１７とＩＣ側パッド２ａとを接続するＡｕウェッジスタッド１８を形成する。
【００３９】
同様の方法で、バイアスパッドを構成するＩＣ側パッドと表面パッドとを接続する。
【００４０】
２５μｍφのＡｕワイヤ１９を用いた場合、Ａｕウエッジスタッド１８の長さは、約７０μｍとなる。即ち、２５μｍφのＡｕワイヤを用いる場合、ＩＣ側パッド１７ａと表面パッド２ａとの間隔は、７０μｍ以下の範囲で任意に設定できる。
【００４１】
上述した工程を経た半導体装置５２は、バイアス線路及び入出力用線路を備えた半導体装置用パッケージ又は実装基板に、ＡｕＳｎ半田材等によって実装することができる。この際、半導体装置５２と半導体装置用パッケージ又は実装基板とを接続するワイヤボンデングは不要であるから、インピーダンス不整合による反射損失を低減させることができる。
【００４２】
また、上記実施の形態では、Ａｕワイヤを用いてＡｕウエッジスタッド１８を形成したが本発明はこれに限定されるものではなく、ボールボンデイングを用いて、Ａｕボールスタッドを形成しても同様の効果が得られる。
【００４３】
上記実施の形態３では、ＩＣ側パッド２ａと表面パッド１７とをＡｕウェッジスタッドで形成された接続部１８で導通させたが本発明はこれに限定されるものではない。以下の変形例で示すように、ＩＣ側パッド２ａと表面パッド１７とを接続してもよい。
【００４４】
変形例１．
図１１に示すように、半導体装置５２の変形例１は、ＩＣ側パッド２ａと表面パッド１７とをＡｇを含有する導電性樹脂２２で接続するものである。具体的には、ウエハ状態で半導体装置５２の特性評価を行った後、ＩＣ側パッド２ａと表面パッド１７とを接続するように樹脂ポッテイング装置を用いて導電性樹脂２２を塗布し、続いて半導体装置５２を約１５０℃に加熱し、導電性樹脂２２を硬化させたものである。同様の方法で、バイアスパッドを構成するＩＣ側パッドと表面パッドとを接続する。
【００４５】
変形例２．
図１２に示すように、半導体装置５２の変形例２は、ＩＣ側パッド２ａと表面パッド１７とをＡｕＳｎ半田材２３で接続するものである。具体的には、ウエハ状態で半導体装置５２の特性評価を行った後、ＩＣ側パッド２ａと表面パッド１７とを接続するようにＡｕＳｎ半田材２３を設置し、続いて約３００℃に加熱したステージ上に半導体装置５２を載せ、ＡｕＳｎ半田材２３を溶融させることで、ＩＣ側パッド２ａと表面パッド１７とを導通させる。尚、半田材としてＰｂＳｎを用いても同様の効果を得ることができる。同様の方法で、バイアスパッドを構成するＩＣ側パッドと表面パッドとを接続する。
【００４６】
変形例３．
次に、半導体装置５２の変形例３について説明する。変形例３にかかる半導体装置を製造する際、最初に、図１３に示すように、凹部３、表面パッド１７、ＩＣ側パッド２ａ及び配線パターン６を基板１に形成する。ＩＣ側パッド２ａ及び表面パッド１７は、いずれもＡｕメッキで形成し、いずれの厚さも約５μｍとし、ＩＣ側パッド２ａと表面パッド１７との間隔は、１０μｍとする。尚、ＩＣ側パッド２ａが配線パターン６を介してＩＣパターンに接続されていること、及び表面パッド１７は凹部３に形成された金属層を介して裏面パッド（図示せず）に導通していることは、上記半導体装置５２と同様である。
【００４７】
ＩＣ側パッド２ａ及び表面パッド１７が互いに絶縁された段階で、ウエハ状態の半導体装置の特性評価を行った後、図１４に示すように、ウエッジ２４でＩＣ側パッド２ａ及び表面パッド１７を押圧して、ＩＣ側パッド２ａと表面パッド１７とが接触するように変形する。こうすることで、ＩＣ側パッド２ａと表面パッド１７とを導通させる。ウエッジ２４でＩＣ側パッド２ａ及び表面パッド１７を押圧する際、超音波振動を併用する。同様の方法で、バイアスパッドを構成するＩＣ側パッドと表面パッドとを接続する。
【００４８】
上記変形例３では、ＩＣ側パッド２ａ及び表面パッド１７の両方をＡｕで形成したが本発明はこれに限定されるものではなく、ＩＣ側パッド２ａ及び表面パッド１７のいずれか一方をＡｕで形成し、変形してＩＣ側パッド２ａと表面パッド１７とを導通させてもよい。
【００４９】
【発明の効果】
本発明の半導体装置は、凹部に信号入出力パッドと導通しかつ、基板の裏面に達することがない金属層が形成されているので、金属性のステージに固定しても、凹部を介して信号入出力パッドがショートすることなく、ウエハ状態で特性評価を行うことができる。
【００５０】
本発明の別の半導体装置は、ＩＣ側パッド部とは導通し、表面パッド部の上部に位置しかつ該表面パッド部とは空隙を介して絶縁された予備接続部を備え、この予備接続部を表面パッド部に圧着接続させることで、表面パッドとＩＣ側パッド部とを容易に導通させることができる。
【００５１】
本発明のさらに別の半導体装置は、表面パッド部と、該表面パッドとは絶縁されかつＩＣパターンに導通するＩＣ側パッド部と、ＩＣ側パッド部と表面パッドとを電気的に接続する接続部とからなる入出力パッドを備えているので、接続部を形成する前に、ウエハ状態の半導体装置を金属性のステージに固定し、ＩＣ側パッド部にプロービング即ち、接続部を形成する前に、ウエハ状態の半導体装置を金属性のステージに固定し、ＩＣ側パッド部にプロービング針を接触させることで、半導体装置の特性評価を行うことができる。また、本発明の別の半導体装置は、ボンディングワイヤを利用することなく実装基板に実装することで、インピーダンスの不整合による反射特性を低減させることができる。
【００５２】
本発明の別の半導体装置において、接続部をＡｕワイヤとすることで、従来の方法で接続部を形成することができる。
【００５３】
本発明の別の半導体装置において、接続部を導電性樹脂とすることで、容易に接続部を形成することができる。
【００５４】
本発明の別の半導体装置において、接続部を半田材とすることによっても、容易に接続部を形成することができる。
【００５５】
本発明の別の半導体装置において、表面パッド部及びＩＣ側パッド部の少なくとも一方をＡｕで形成し、表面パッド部とＩＣ側パッド部とが導通するように、Ａｕを変形して接続部とすることで、極めて容易に接続部を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の斜視図を示す。
【図２】  本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の正面図を示す。
【図３】  本発明の実施の形態１にかかる半導体装置を実装基板に実装した平面図を示す。
【図４】  上記図３の線ＩＶ−ＩＶに沿った断面図を示す。
【図５】  本発明の実施の形態２にかかる半導体装置の正面図を示す。
【図６】  上記図５の線ＶＩに沿った断面図を示す。
【図７】  本発明の実施の形態２にかかる半導体装置の正面図を示す。
【図８】  本発明の実施の形態３にかかる半導体装置の斜視図を示す。
【図９】  本発明の実施の形態３にかかる半導体装置の製造工程を示す部分断面図である。
【図１０】  本発明の実施の形態３にかかる半導体装置の部分平面図を示す。
【図１１】  実施の形態３の変形例１にかかる半導体装置の部分平面図を示す。
【図１２】  実施の形態３の変形例２にかかる半導体装置の部分平面図を示す。
【図１３】  実施の形態３の変形例３にかかる半導体装置の製造方法を示す部分平面図である。
【図１４】  実施の形態３の変形例３にかかる半導体装置の製造方法を示す部分断面図である。
【図１５】  従来の半導体装置を示す。
【符号の説明】
１  基板、  ２  入出力パッド、２ａ  ＩＣ側パッド、  ３  凹部、  ４  金属層、  ５  バイアス用パッド、  ６  配線パターン、  ７  接地導体、  ８  ＩＣパターン、  ９  信号入出線路、  １０  バイアス用線路、  １１  半田材、  １２  実装基板、  １４  予備接続部、  １５  表面パッド、  １６  裏面パッド、  １７  表面パッド、  １８  Ａｕウェッジスタッド、  １９  Ａｕワイヤ、  ２０  ボンデングウェッジ、  ２２  導電性樹脂、  ２３  半田材、  ２４  ウェッジ、  ５０  半導体装置、  ５１  半導体装置、  ５２  半導体装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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