(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の層により構成された半導体積層構造を有する半導体レーザ素子であって、
異ならしめた幅を有する複数のストライプ状導波路が前記半導体積層構造中に含まれており、
前記複数のストライプ状導波路の異なる幅に対応したマーカーが設けられていることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記複数のストライプ状導波路の幅の最小から最大までの変化量が０．６μｍの範囲内にあることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記複数のストライプ状導波路は互いに電気的に分離されており、選択された一つの導波路に電力が供給されるようにワイヤが接続されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記複数のストライプ状導波路の上方には電極層が形成されており、選択された一つのストライプ状導波路の上方では前記電極層下に電流阻止層が形成されておらず、他のストライプ状導波路の上方では前記電極層下に電流阻止層が形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記電極層は、前記電流阻止層の少なくとも一部に接して形成されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体レーザ素子。
【請求項６】
前記電流阻止層は、酸化物、窒化物、金属間化合物、およびノンドープ半導体から選択しうる絶縁体または抵抗率の大きい物質からなることを特徴とする請求項４または５のいずれかに記載の半導体レーザ素子。
【請求項７】
前記複数のストライプ状導波路のうちで選択されて電力が供給される導波路が前記レーザ素子の中央部に位置していることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の半導体レーザ素子。
【請求項８】
前記ストライプ状導波路上方の電極において、電力を供給するためのワイヤを取り付けるための幅広領域が設けられていることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の半導体レーザ素子。
【請求項９】
前記半導体レーザ素子の活性層がＡｌXＧａYＩｎ1-X-YＮ（０≦Ｘ≦１；０≦Ｙ≦１；０≦Ｘ＋Ｙ≦１）からなる量子井戸構造をなし、前記活性層がクラッド層により挟まれていることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の半導体レーザ素子。
【請求項１０】
前記半導体レーザ素子の活性層がＡｌXＧａYＩｎ1-X-YＰ1-ZＡｓZ（０≦Ｘ≦１；０≦Ｙ≦１；０≦Ｚ≦１；０≦Ｘ＋Ｙ≦１)からなる量子井戸構造をなし、前記活性層がクラッド層により挟まれていることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の半導体レーザ素子。
【請求項１１】
ＧａＮ系半導体からなるクラッド層に挟まれた活性層を含む半導体積層構造を有するＧａＮ系半導体レーザ素子であって、両側方の領域に比べて実効的に大きい屈折率を有する複数のストライプ状領域が互いに幅を異ならしめて前記半導体積層構造中に設けられており、前記複数のストライプ状領域の異なる幅に対応したマーカーが設けられていることを特徴とするＧａＮ系半導体レーザ素子。
【請求項１２】
前記ストライプ状領域が結晶の選択成長を利用して形成されていることを特徴とする請求項１１に記載のＧａＮ系半導体レーザ素子。
【請求項１３】
ＧａＮ系半導体からなるクラッド層に挟まれた活性層を含む半導体積層構造を有するＧａＮ系半導体レーザ素子であって、前記半導体積層構造中で長手方向に少なくとも一つの狭隘部とその狭隘部に比べて幅の大きな幅広部とを含むストライプ状導波路の複数が形成されており、前記複数のストライプ状導波路は前記狭隘部と前記幅広部の設計値幅が互いに同じ変化幅または変化割合で異ならしめられた導波路を含み、前記複数のストライプ状導波路の異なる前記設計値幅に対応したマーカーが設けられていることを特徴とするＧａＮ系半導体レーザ素子。
【請求項１４】
基板上に堆積されたＧａＮ系半導体レーザ積層構造を有していて前記積層構造をチップに分割すべき複数のチップ領域を含むＧａＮ系レーザウエハであって、前記チップ領域の各々は幅を異ならしめた複数のストライプ状導波路を含み、前記複数のストライプ状導波路の異なる幅に対応したマーカーが設けられており、それらのストライプ状導波路の選択手段を備えていることを特徴とするＧａＮ系半導体レーザウエハ。
【請求項１５】
前記選択手段は、前記レーザウエハの一部領域に設けられた共振器を含むレーザ素子構造であることを特徴とする請求項１４に記載のＧａＮ系半導体レーザウエハ。
【請求項１６】
基板上にＧａＮ系半導体レーザ積層構造を堆積する工程と、少なくともいくつかの幅を互いに異ならしめた複数のストライプ状導波路を前記レーザ積層構造中に形成する工程と、前記複数のストライプ状導波路の異なる幅に対応したマーカーを設定する工程と、前記複数のストライプ状導波路の各々に対応して共振器を含むレーザ構造を作製する工程と、その共振器を含むレーザ構造を利用して前記複数のストライプ状導波路を選択する工程とを含むことを特徴とするＧａＮ系半導体レーザの製造方法。
【請求項１７】
前記ストライプ状導波路を選択する工程は、前記共振器を含むレーザ構造に電流を注入して出射されたレーザ光を観察することによってなされることを特徴とする請求項１６に記載のＧａＮ系半導体レーザの製造方法。
【請求項１８】
前記ストライプ状導波路を選択する工程は、前記レーザ構造に励起光を照射することによって出射されたレーザ光を観察することによってなされることを特徴とする請求項１６に記載のＧａＮ系半導体レーザの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザ素子とその製造方法に関し、特に光情報機器等の光源に適用して好適なＧａＮ系半導体レーザ素子の製造歩留まりの改善に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＩＩ族元素のＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ等とＶ族元素のＮとを含むＧａＮ系半導体は、そのバンド構造や化学的安定性の観点から発光素子用やパワーデバイス用の化合物半導体材料として期待され、その応用が試みられてきた。特に、次世代の光学情報記録装置用光源として、たとえばサファイア基板上にＧａＮ系半導体層を積層して青色半導体レーザを作製する試みが盛んに行われている。
【０００３】
これら青緑色半導体レーザのうちで、リッジ導波路の境界で屈折率差を生じさせることによってその導波路内に光を閉じこめてレーザ発振を行わせている例が、図１４の模式的な断面図に示されている（例えば Jpn. J. Appl. Phys., Vol.37 (1998) pp.L309−L312、および Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 39, (2000) pp.L647−650 など参照）。この従来のＧａＮ系半導体レーザ５００においては、（０００１）面サファイア基板（図示せず）上にＧａＮ厚膜を形成してサファイア基板を除去し、その（０００１）面ＧａＮ基板５０１上に、ｎ型ＧａＮバッファ層５０２、ｎ型ＧａＮコンタクト層５０３、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５０４、ｎ型ＧａＮガイド層５０５、ＩｎＧａＮを利用した多重量子井戸活性層５０６、ｐ型ＡｌＧａＮ蒸発防止層５０７、ｐ型ＧａＮガイド層５０８、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層５０９、およびｐ型ＧａＮコンタクト層５１０が順次積層されている。
【０００４】
半導体レーザ５００は、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層５０９の上部とｐ型ＧａＮコンタクト層５１０により構成された直線状のリッジストライプ５１１を有し、活性層５０６に平行な方向にステップ状の屈折率分布を作り付けることによって水平横モードの閉じ込めを行う。
【０００５】
リッジストライプ５１１の両側面には、活性層５０６からの光を吸収しないＳｉＯ2絶縁膜５１２が堆積され、リッジストライプ５１１の頂面のみから電流注入するように電流狭窄層が形成されている。
【０００６】
リッジストライプ５１１の頂面上およびＳｉＯ2絶縁膜５１２上にはｐ型電極５１３が堆積される。また半導体レーザ５００の上部では、リッジストライプ５１１と平行な端部を有するメサ５１５が形成され、ｎ型ＧａＮコンタクト層５０３の一部が露出させられる。そのｎ型ＧａＮコンタクト層５０３の露出部上にｎ型電極５１４が堆積され、これは半導体レーザ５００に電流を注入する役割を果たす。
【０００７】
共振器端面はドライエッチングにより形成され、その後に、リッジストライプ５１１と平行にウエハを分割して半導体レーザ素子５００が得られる。この半導体レーザ素子５００では、リッジストライプ部５１１でのステップ状屈折率分布により光閉じ込めを行い、低閾値で安定した水平横モードの発振が得られている。また、素子寿命についても１００００時間以上が達成されており、素子寿命についての信頼性に関してはほぼ技術が完成されていると考えられる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
図１４に示されているようなＧａＮ系半導体レーザでは、リッジストライプは１〜３μｍの範囲内の幅に形成される。このようなレーザ素子において所望の光学的特性を得ようとすれば、ストライプ幅を±０．１μｍ以内程度の精度に収めることが、素子歩留まりを向上させるために必要である。
【０００９】
ところで、ＧａＮ系半導体レーザにおいて、リッジストライプを形成する方法としては、次の２通りの方法が知られている。
【００１０】
１つ目は、基板上に第一のクラッド層と活性層と第二のクラッド層とを含むレーザ用の層構造を有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ）法等で形成した上にストライプ状のフォトレジストを形成し、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等のドライエッチングにより、フォトレジストで保護されたストライプ部以外の部分について第二のクラッド層の所望の深さまで掘り込む方法である。
【００１１】
２つ目は、ＭＯＣＶＤ法等で第一のクラッド層と活性層と第二のクラッド層とを含む層構造を形成した上に絶縁物等の誘電体膜を被覆し、フォトリソグラフィを利用してその誘電体膜にストライプ状の開口部を設け、この開口部に第三のクラッド層をＭＯＣＶＤ法等で選択結晶成長させる方法である。
【００１２】
しかしながら、１つ目の方法では、エッチング条件やフォトレジストの形状などの因子に依存して、リッジストライプの幅が容易にずれてしまうことが知られている。２つ目の方法においても、選択結晶成長中に誘電体膜の開口部縁が食われてその開口部が広がってしまうという問題が生じることがある。また、誘電体膜に設ける開口部の初期幅の精度についても問題が残る。さらに、ＧａＮ系デバイスでは比較的大きく格子定数が異なる化合物半導体層を積層するのでウエハが反りやすく、なお一層フォトプロセスの精度が落ちるという問題がある。
【００１３】
以上のように、ストライプ幅の精度を確保するためには製造ロットごとに毎回製造条件を見極めるなどの煩雑な手続きを必要とする上、それでもなおストライプ幅の精度に問題が生ずる場合が多かった。
【００１４】
本発明は以上の事情に鑑みてなされたものであり、条件出しなどの煩雑な手続きを必要とせずかつストライプ幅に高い精度が要求される場合でも歩留まりよく作製しうる半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明の一つの態様によれば、半導体レーザ素子は、複数の層により構成された半導体積層構造を含み、異ならしめた幅を有する複数のストライプ状導波路がその半導体積層構造中に含まれており、それら複数のストライプ状導波路の異なる幅に対応したマーカーが設けられていることを特徴としている。なお、複数のストライプ状導波路の幅の最小から最大までの変化量は、０．６μｍの範囲内にあることが好ましい。
【００１６】
複数のストライプ状導波路は互いに電気的に分離されており、選択された一つの導波路に電力が供給されるようにワイヤが接続され得る。他方、複数のストライプ状導波路の上方には電極層が形成され、選択された一つのストライプ状導波路の上方では電極層下に電流阻止層が形成されず、他のストライプ状導波路の上方では電極層下に電流阻止層が形成されていてもよい。電極層は、電流阻止層の少なくとも一部に接して形成され得る。電流阻止層は、酸化物、窒化物、金属間化合物、およびノンドープ半導体から選択しうる絶縁体または抵抗率の大きい物質で形成し得る。
【００１７】
複数のストライプ状導波路のうちで選択されて電力が供給される導波路は、レーザ素子の中央部に位置していることが好ましい。また、ストライプ状導波路上方の電極において、電力を供給するためのワイヤを取り付けるための幅広領域が設けら得る。
【００１８】
半導体レーザ素子の活性層がＡｌXＧａYＩｎ1-X-YＮ（０≦Ｘ≦１；０≦Ｙ≦１；０≦Ｘ＋Ｙ≦１）からなる量子井戸構造をなし、その活性層がクラッド層により挟まれていることが好ましい。他方、半導体レーザ素子の活性層がＡｌXＧａYＩｎ1-X-YＰ1-ZＡｓZ（０≦Ｘ≦１；０≦Ｙ≦１；０≦Ｚ≦１；０≦Ｘ＋Ｙ≦１)からなる量子井戸構造をなし、その活性層がクラッド層により挟まれていてもよい。
【００１９】
本発明の他の態様によれば、ＧａＮ系半導体レーザ素子は、ＧａＮ系半導体からなるクラッド層に挟まれた活性層を含む半導体積層構造を有し、両側方の領域に比べて実効的に大きい屈折率を有する複数のストライプ状領域が互いに幅を異ならしめて半導体積層構造中に設けられており、それら複数のストライプ状領域の異なる幅に対応したマーカーが設けられていることを特徴としている。なお、それらのストライプ状領域は、結晶の選択成長を利用して形成され得る。
【００２０】
本発明のさらに他の態様によれば、ＧａＮ系半導体レーザ素子は、ＧａＮ系半導体からなるクラッド層に挟まれた活性層を含む半導体積層構造を有し、この半導体積層構造中で長手方向に少なくとも一つの狭隘部とその狭隘部に比べて幅の大きな幅広部とを含むストライプ状導波路の複数が形成されており、これら複数のストライプ状導波路は狭隘部と幅広部の設計値幅が互いに同じ変化幅または変化割合で異ならしめられた導波路を含み、それら複数のストライプ状導波路の異なる設計値幅に対応したマーカーが設けられていることを特徴としている。
【００２１】
本発明のさらに他の態様によれば、ＧａＮ系レーザウエハは、基板上に堆積されたＧａＮ系半導体レーザ積層構造を有していてこの積層構造をチップに分割すべき複数のチップ領域を含み、これらチップ領域の各々は幅を異ならしめた複数のストライプ状導波路を含み、それら複数のストライプ状導波路の異なる幅に対応したマーカーが設けられており、それらのストライプ状導波路の選択手段を備えていることを特徴としている。なお、その選択手段は、レーザウエハの一部領域に設けられた共振器を含むレーザ素子構造であり得る。
【００２２】
本発明のさらに他の態様によれば、ＧａＮ系半導体レーザの製造方法は、基板上にＧａＮ系半導体レーザ積層構造を堆積する工程と、少なくともいくつかの幅を互いに異ならしめた複数のストライプ状導波路をレーザ積層構造中に形成する工程と、それら複数のストライプ状導波路の異なる幅に対応したマーカーを設定する工程と、それら複数のストライプ状導波路の各々に対応して共振器を含むレーザ構造を作製する工程と、その共振器を含むレーザ構造を利用して複数のストライプ状導波路を選択する工程とを含むことを特徴としている。
【００２３】
なお、ストライプ状導波路を選択する工程は、共振器を含むレーザ構造に電流を注入して出射されたレーザ光を観察することによってなされ得る。他方、ストライプ状導波路を選択する工程は、レーザ構造に励起光を照射することによって出射されたレーザ光を観察することによってもなされ得る。
【００２４】
【発明の実施の形態】
（用語の定義）
まずはじめに、本願明細書に用いられる用語の意義を明確にしておく。
【００２５】
「ＧａＮ系半導体」とは、少なくともＧａとＮを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であって六方晶構造を有するものを意味する。
【００２６】
「ストライプ方向」とは、リッジストライプなどのストライプ状導波路と平行な方向を意味し、「活性層に平行方向」とは、ストライプ方向と活性層の法線とに対して直角をなす方向を意味する。
【００２７】
リッジストライプの「幅」とは、そのリッジストライプ底部における幅を意味し、活性層に平行方向に沿って測定される。また、リッジストライプの底部とは半導体層の堆積開始側を指す。このように幅を規定するのは、製法上の都合等に起因して、リッジストライプの底部と頂部で幅が異なることがあるからである。
【００２８】
（問題の調査）
まず、本発明者らは、図１４に示す従来例と同様な構造においてどの程度の問題が生じているか調査した。この従来例においては、レーザ素子中の各層を結晶成長させた後に、リッジストライプをドライエッチングにより形成している。
【００２９】
そこで、ストライプ幅の設定値１．５μｍ、２．０μｍ、および２．５μｍでリッジストライプ構造を形成し、それらの実際の幅を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で測定した。図１３は、設定ストライプ幅（μｍ）を横軸に表し、実測されたストライプ幅（μｍ）を縦軸に表してプロットしたグラフである。どの設定値幅に関しても、それらの幅に±０．３μｍものばらつきがあることがわかる。また、設定値幅に対して実際のストライプ幅が実用上問題のない±０．１μｍ以内の誤差範囲内にに収まっているウエハの歩留まりは、おおよそ３割程度しかないことが判った。
【００３０】
以上のような調査に基づいて、本発明の実施形態について、以下において図面を参照しつつ説明する。なお、本願の各図において、同一の参照符号は同一部分または相当部分を示している。
【００３１】
（実施形態１）
図１の断面図と図２の上面図は実施形態１におけるＧａＮ系半導体レーザ素子を模式的に図解している。また、図３は実施形態１におけるＧａＮ系半導体レーザウエハを模式的に図解しており、（Ａ）は上面図を表し、（Ｂ）は断面図を表している。
【００３２】
実施形態１のレーザ素子の作製に際しては、まず（０００１）主面を有する厚さ４００μｍのｎ型ＧａＮ基板１０１を洗浄し、ＭＯＣＶＤ装置内において水素（Ｈ2）雰囲気中で約１１００℃の高温クリーニングを行う。その後に基板温度を６００℃に下げ、シラン（ＳｉＨ4）、アンモニア（ＮＨ3）、およびトリメチルガリウム（ＴＭＧ）をキャリアガスのＨ2とともにを導入し、ｎ型ＧａＮ基板１０１の第一の主面に厚さ０．０３μｍのｎ型ＧａＮバッファ層１０２を成長させる。なお、バッファ層１０２はＧａＮ基板の表面歪の緩和のため、表面モフォロジや凹凸の改善（平坦化）のためなどを目的に設けられるが、ＧａＮ基板の結晶性が優れている場合にはバッファ層１０２が省略されてもよい。
【００３３】
次に、Ｎ2とＮＨ3を流しながら約１０５０℃まで昇温し、その後にキャリアガスＨ2とともにＴＭＧとＳｉＨ4を導入して、ｎ型ＧａＮコンタクト層１０３を厚さ４μｍに成長させる。そして、ＴＭＧとトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を所定流量で導入して、厚さ０．９５μｍのｎ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層１０４を堆積する。さらに、ＴＭＡの供給を停止してＴＭＧを導入し、ｎ型ＧａＮガイド層１０５を厚さ０．１μｍに成長させる。
【００３４】
その後にＴＭＧの供給を停止し、キャリアガスをＨ2からＮ2に代えて７００℃まで降温し、トリメチルインジュウム（ＴＭＩ）およびＴＭＧを導入し、ＩｎVＧａ1-VＮ（０≦Ｖ≦１）よりなる障壁層を成長させる。次に、ＴＭＩの供給を所定量まで増加させ、ＩｎWＧａ1-WＮ（０≦Ｗ≦１；Ｖ＜Ｗ）よりなる井戸層を成長させる。これを繰り返してＩｎＧａＮ障壁層とＩｎＧａＮ井戸層との交互積層構造（障壁層／井戸層／・・・井戸層／障壁層）からなる多重量子井戸活性層１０６を形成する。障壁層および井戸層を形成するＩｎＧａＮの組成比および膜厚は、発光波長が３７０〜４３０ｎｍの範囲内になるように設計し、井戸層の層数は３である。
【００３５】
ＩｎＧａＮ多重量子井戸活性層１０６の形成が終了するれば、ＴＭＩおよびＴＭＧの供給を停止して、再び１０５０℃まで昇温し、キャリアガスを再びＮ2からＨ2に代えて、ＴＭＧ、ＴＭＡ、およびｐ型ドーピング原料であるビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ2Ｍｇ）を流し、厚さ０．０２μｍのｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ蒸発防止層１０７を成長させる。ｐ型ＡｌＧａＮ蒸発防止層１０７の成長後、ＴＭＡの供給を停止し、ＴＭＧの供給量を調整して、厚さ０．１μｍのｐ型ＧａＮ光ガイド層１０８を成長させる。次に、ＴＭＡを所定量導入してＴＭＧの流量を調整し、厚さ０．５μｍのｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎクラッド層１０９を堆積する。
【００３６】
最後に、ＴＭＡの供給を停止してＴＭＧの供給量を調整し、厚さ０．１μｍのｐ型ＧａＮコンタクト層１１０の形成を行い、これによってエピタキシャル結晶成長を終了する。結晶成長の終了後、ＴＭＧおよびＣｐ2Ｍｇの供給を停止して降温し、室温でウエハをＭＯＣＶＤ装置より取り出す。
【００３７】
続いて、エピタキシャル成長の終了したウエハをレーザ素子にするために加工する。本実施形態１では、幅２．０μｍ±０．１μｍのリッジストライプを有する素子を作製する。そのために、５本のストライプ状レジストの幅の中心値を２．０μｍとして、１．７μｍから２．３μｍまで０．１５μｍ刻みの設定幅で、ＧａＮ基板の＜１−１００＞方向に平行にそれらのストライプ状レジストを形成する。このとき、ウエハ全面上において、各設定幅ごとに１本づつ計５本のレジストストライプが８０μｍ間隔で平行に配置されたブロックが繰り返して並べられる。すなわち、素子に分割すべき一つの領域内に設定幅１．７μｍから２．３μｍのレジストストライプが１本ずつ（合計５本）形成される。なお、このようなレジストストライプは、フォトレジストマスクにより自由に設計することが可能である。
【００３８】
この後、レジストストライプで保護されている以外の部分において、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０９が０．０５μｍ程度の厚さになるまでＲＩＥによってエッチングして、リッジストライプ１１１ａ〜１１１ｅの形成を行う。
【００３９】
以上のようなストライプ状レジストの形成およびリッジストライプ１１１の形成のプロセスでは、日々のわずかな条件の変化により、ストライプ幅の実測値には設定値からのずれが生じる。すなわち、実際に形成されるリッジストライプの幅は、設定値からずれていることが多い。
【００４０】
次に、電流狭窄のためにＳｉＯ2からなる誘電体膜１１２を０．２５μｍ程度の厚さに蒸着する。これにより、レーザ発振に必要な電力はリッジストライプ１１１ａ〜１１１ｅの頂上のみから供給され得るようになる。次いでレジストを剥離してｐ型ＧａＮコンタクト層１１０の上面を露出させたのち、各リッジストライプ間を電気的に分離するために、新たなレジストラインパターンをリッジストライプ１１１ａ〜１１１ｅのそれぞれの間に形成する。これらのレジストラインをマスクとしてＰｄ／Ｍｏ／Ａｕの順序で蒸着してｐ型用電極１１３を形成することによって、各リッジストライプ間を電気的に分離する。このとき、図２に示されているようにｐ型用電極１１３の上面形状を、狭隘部と幅広部が繰り返しパターンになるようにする。これは、ストライプ状導波路１１１の間隔が８０μｍしかないので、後にレーザ素子に電力を供給するためのワイヤボンディングを行う領域を確保するためである。最後にｎ型ＧａＮ基板１０１の第二の主面上にＴｉ／Ａｌの順序で蒸着し、ｎ型用電極１１４を形成する。
【００４１】
ｎ型用電極１１４まで形成したウエハについて、形成後のストライプ幅が２．０μｍに最も近いリッジストライプを選択する。図３（Ａ）は本実施形態１に係るウエハの上面図であり、（Ｂ）は断面図である。リッジストライプの選択を行うため、図３に示されるようにウエハの端近くにおいて共振器長５００μｍ程度のストライプ選択用のレーザ部１１５と、後に完成品として分割すべき素子レーザ部１１６とを作製する。このために、まず、ストライプ選択用レーザ部１１５の共振器となるべき領域以外において、ウエハをレジストでコーティングする。続いて、スパッタリングやウェットエッチングによってレジスト非被覆領域のｐ型用電極や誘電体膜を部分的に除去し、ドライエッチングにてｎ型ＧａＮ基板１０１に至る程度まで掘り込んでエッチドミラーを形成する。その後、レジストを除去して、ストライプ選択用レーザ部１１５が完成する。
【００４２】
図３から判るように、ストライプ選択用レーザ部１１５中の各共振器は、分割すべき素子レーザ部１１６内の一つのリッジストライプと関係付けられている。すなわち、形成されたストライプ選択用レーザ部１１５に通電して発振させ、ファーフィールドパターン（ＦＦＰ）を観察することによって、最も設計値幅に近いリッジストライプを選択することができる。なお、ストライプ選択用レーザ部１１５の作製時に、図３に示されているようにエッチングの深さを十分深くしてレーザ積層体１０より深い位置まで掘り込むか、またはストライプ選択用の共振器をウエハ端に十分近い位置に形成するなどして、ＦＦＰが観察できるようにすれば、ＦＦＰの解析が容易となる。
【００４３】
ストライプの選択のためには、１．７μｍ〜２．３μｍ範囲の設定で形成したリッジストライプ５本分について測定すればよい。実際に最も２．０μｍに近い幅を有するリッジストライプとしては、リッジストライプ形成プロセスに依存して、全てのリッジストライプが太めになれば設定値が細いリッジストライプが該当し、逆の場合には設定値が太いストライプが該当する。本実施形態ではストライプ幅を０．１５μｍ刻みで形成しているので、リッジストライプ幅の精度は２．０μｍ±０．０７５μｍとなり、必要な精度を満たすことができる。
【００４４】
次に、電極まで形成したウエハをＧａＮ基板の＜１１−２０＞方向へ劈開してバー状に分割し、ストライプ方向に直交するレーザ共振器端面を形成する。実施形態１では、共振器長は５００μｍにされる。
【００４５】
バー状の分割後、各バーをストライプ方向に素子分割する。スクライブ時の針圧（バーに針を押し当てる時の荷重）を大きくし、押し割ることで素子分割し得る。この際に、選択されたリッジストライプがチップの中央になるように素子分割する。こうすることによって、異なるウエハから切り出された素子間において、放射されるレーザ光の位置がチップに関して大きく変動することがないので、レーザチップを支持台にマウントするときに位置の制御が容易になる。また、素子に電力を供給するためのワイヤをボンディングする位置を素子ごとに変更する必要がないので、工程中のエラーによって歩留まりを下げる可能性が小さくなる。
【００４６】
以上のプロセスにより得られたレーザ素子１００が、図１の模式的な断面図に示されている。なお図１では中央のリッジストライプを含めて３本分だけが描かれ、他の部分は図示省略されている。図２は図１に示されたレーザ素子１００の上面図である。それぞれの設定幅のリッジストライプ１１１a〜１１１eが形成されている。また、ｐ型用電極１１３の上面形状は、狭隘部と幅広部が繰り返され、レーザを実装する際のワイヤボンディングを幅広領域に行うことができる。ただし、各リッジストライプ間の間隔を大きく取った場合には、隣接するｐ型用電極間を直線的に分離してもよい。
【００４７】
最後に、素子を支持台にマウントし、選択されたリッジストライプのみに電力が供給されるようにワイヤボンディングを行って、素子を動作可能にさせる。
【００４８】
以上のように構成されたＧａＮ系レーザ素子１００では、リッジストライプ１１１に対応する部分とその両側の部分との実効屈折率差により水平方向の光場がリッジストライプ１１１に対応する部分に閉じ込められ、いわゆる実屈折率導波路が実現される。リッジストライプ１１１の形成時において、ストライプ幅の設定値として中心値±０．３μｍ幅の範囲内で逐次的に変化させられた幅のレジストストライプを形成してからリッジストライプ１１１の形成を行っているので、プロセスが内包する誤差精度±０．３μｍをキャンセルすることができる。本実施形態では所望のリッジストライプ幅に対して±０．０７５μｍの精度で形成が行えるので、レーザの光学的特性に対する誤差を許容範囲内に押えることができる。これにより、実用上問題のないストライプ幅を持ったウエハの歩留まりを９割以上にまで高めることが可能となる。
【００４９】
（実施形態２）
図４の断面図は図１に類似しているが、実施形態２によるＧａＮ系半導体レーザ素子２００を模式的に図解している。本実施形態においても、２．０μｍ±０．１μｍの範囲の実測値幅を有するリッジストライプを形成する場合について説明する。
【００５０】
実施形態２が実施形態１と異なる第１の点は、リッジストライプ１１１を形成する際のレジストストライプの幅が、２．０μｍを中心値として１．６μｍから２．４μｍまで０．１μｍ刻みの設定値にされることである。これに伴い、各リッジストライプ１１１間の間隔を５０μｍとする。この結果、ストライプ幅の誤差精度を±０．０５μｍに高めることができる。
【００５１】
実施形態２が実施形態１と異なる第２の点は、選択されたリッジストライプのみの頂上から電力を供給するために、他のリッジストライプの上面が、電力の供給を妨げる電流阻止層で覆われることである。このような構造は、以下のようにして作製され得る。
【００５２】
すなわち、実施形態１におけるように誘電体膜１１２の形成後に図３に例示されたようなストライプ選択用レーザ部１１５を設け、本実施形態２では光励起等でＦＦＰを観察する。そして、実測値で２．０μｍ幅にもっとも近いリッジストライプのみを残して、他の全領域上にＳｉＯ2等の電流阻止層１１７を成膜する。そして、ウエハの全面上に、ｐ型用電極１１３を成膜する。
【００５３】
その後、ウエハを分割しやすくするように、基板１０１の第二主面を研磨するなどによって厚さを約１５０μｍに調整する。そして、その基板１０１の第二主面上にｎ型用電極が形成される。さらに、実施形態１と同様に、選択したリッジストライプが中央に位置するように素子を分割する。
【００５４】
本実施形態２においては、リッジストライプ間の間隔が狭くても電力供給用のワイヤをｐ型用電極１１３上へ容易にボンディングすることが可能となる。なお、電流阻止層１１７の材料としては、誘電体膜１１２として使用できる絶縁性のものの他、コンタクト層１１０と逆の導電型を有する半導体であってもよい。また、リッジストライプ１１１をドライエッチングにより形成するときに、設定ストライプ幅を判別できるマーカーを形成しておけば、ストライプ選択後の目印として使用できるので、分割やワイヤボンディング時にエラーを起こす可能性を低くすることができる。
【００５５】
以上のプロセスによりＧａＮ系レーザ素子２００が得られる。本実施形態２に係るレーザウエハの歩留まりは実施形態１と同様にすることができ、このことは後の実施形態においても同様である。
【００５６】
（実施形態３）
図５の上面図は、図２に類似しているが、実施形態３によるＧａＮ系レーザ素子３００を模式的に図解している。なお、ＧａＮ系レーザ素子３００の断面図として、図４を流用参照することができる。本実施形態においても、２．０μｍ±０．１μｍの範囲内の実測値幅を有するリッジストライプを形成する場合について説明する。
【００５７】
実施形態３が実施形態１および２と異なる点は、リッジストライプ１１１を形成する際のレジストストライプ幅が２．０μｍを中心値として１．６μｍから２．４μｍまで０．１μｍ刻みの設計値にされ、かつ各幅のものが５本ずつ含まれるようにされることである。すなわち、幅１．６μｍから２．４μｍまでの間に４５本のストライプが形成される。この結果、ストライプ幅以外の要因（例えばゴミなど）によって、幅が適正なリッジストライプの４本までが使用できなくても、残りの１本を使用することによって歩留まりの低下を食い止めることができる。
【００５８】
実施形態３では、一つの素子にリッジストライプが多数存在するので、実施形態２で述べたように、レーザ素子への電力供給を一つのリッジストライプから行うための電流阻止層１１７を形成することが好ましい。
【００５９】
なお図５では、リッジストライプ１１１を判りやすくするために、誘電体膜１１２およびｐ型用電極１１３は図示省略されている。また、リッジストライプにに関しても、中央付近の４本と周辺付近の２本のみについて描かれ、他の部分は図示省略されている。
以上により、実施形態３ではウエハの歩留まりを実施形態１と同様にすることができる上に、ウエハから切り出せる素子の歩留まり向上をも図ることができる。
【００６０】
（実施形態４）
図６の断面図は、図１に類似しているが、実施形態４によるＧａＮ系半導体レーザ素子４００を模式的に図解している。また、図７の上面図は、実施形態４のレーザ素子４００の製造工程途中におけるウエハの様子を模式的に図解している。なお、ＧａＮ系半導体レーザ素子４００の上面図として、図２を流用参照することができる。本実施形態４においても、２．０μｍ±０．１μｍの範囲の実測値幅を有するリッジストライプを形成する場合について説明する。
【００６１】
本実施形態４が実施形態１〜３と異なっている点は、リッジストライプ１１１が選択結晶成長にて形成されることである。これに伴って、ストライプ幅の設定値を±０．３μｍ程度の範囲内で変化させてリッジストライプを形成する手法に変更が生じる。
【００６２】
まず、実施形態１と同様に基板１０１上にｐ型ＧａＮ光ガイド層１０８までを成長させる。続いて、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０９ａを０．０５μｍ程度の厚みで成長させ、その後にＭＯＣＶＤ装置からウエハを取り出し、ＳｉＯ2誘電体膜１１２を０．２μｍ程度の厚みに形成する。この後、幅２．０μｍを中心値として１．７μｍから２．３μｍまで０．１５μｍ刻みの設定値幅の開口部を有するストライプ状のレジストを形成する。続いてフッ酸などによるエッチングを行い、誘電体膜１１２に窓部１２０を設ける（図７参照）。
【００６３】
レジストを剥離後、ウエハをＭＯＣＶＤ装置内に戻し、誘電体膜１１２の窓部１２０からｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０９ｂを選択的に厚さ０．５μｍに成長させる。すなわち、誘電体膜１１２がマスクとなり、選択結晶成長が行われる。続いて、厚さ０．０１μｍのｐ型ＧａＮコンタクト層１１０を成長させ、リッジストライプ１１１の形成を完了する。この後ｐ型用電極１１３およびｎ型用電極１１４を実施形態１と同様の手法で形成して素子分割すれば、本実施形態４のＧａＮ系半導体レーザ４００を得ることができる。
【００６４】
選択成長で形成されたリッジストライプ１１１の幅は、誘電体膜１１２に設けられた窓部１２０の幅で決定されるが、窓部１２０もエッチングで形成されるので、幅の設定値と実測値にずれが生じる。さらに、リッジの選択成長中に窓部１２０のエッジが食われることもあり、リッジの幅を正確に制御することは難しい。そこで、複数の窓部１２０の幅を中心値から±０．３μｍ程度の範囲内で逐次的に変化させて設定しておくことによって、所望のストライプ幅を得ることが可能となる。
【００６５】
（実施形態５）
図８の断面図と図９の上面図は、それぞれ図１と図２に類似しているが、実施形態５によるＧａＮ系半導体レーザ素子６００を模式的に図解している。また、製造工程中のウエハを模式的に表す上面図として図７を流用参照し得る。本実施形態においても、２．０μｍ±０．１μｍの範囲内の実測値幅を有するリッジストライプを形成する場合について説明する。
【００６６】
本実施形態５が実施形態１〜４と異なる第１の点は、２．０μｍを中心値として１．７μｍから２．３μｍまで０．１５μｍ刻みの設定値幅で形成される誘電体膜１１２の窓部１２０が各幅につき３本ずつ設けられており、これらの窓部１２０からリッジストライプ１１１が選択成長にて形成されることである。その形成法は、実施形態４と同様に行えばよい。また、ＧａＮ系半導体レーザ素子６００への電力の供給源となるｐ型用電極は、選択されたリッジストライプ１１１のみから電力注入できるようにされる。そのために、実施形態２に述べたのと同様に、電流阻止層１１７を形成してからｐ型用電極１１３を形成する。また、各リッジストライプ１１１は、３０μｍ程度の間隔で並べればよい。なお、図８においては、本実施形態５を判りやすくするために、電力が供給されるリッジストライプ１１１を含めて２本のストライプのみが示されている。
【００６７】
本実施形態５が実施形態１〜４と異なる第２の点は、ＧａＮ系半導体レーザ６００の基板として、ノンドープのＧａＮ基板２０１が使用されていることである。これに伴って、ｎ型用電極１１４を形成するために、ドライエッチング等でｎ型ＧａＮコンタクト層１０３の一部が露出されるまで掘り込むことによって、活性層を含むメサ１１９を形成する。そして、メサ１１９側面にショートしないように注意しながら、ｎ型ＧａＮコンタクト層１０３の露出部上にｎ型用電極１１４を形成する。なお、メサ１１９の形成をストライプ選択後に行えば、電力を供給するためのリッジストライプをメサ端に対して自由に位置させることが可能であり、後のプロセスが容易となる。また、メサ形成用エッチングの際に、不要となったリッジストライプを含めて掘り込めば、チップサイズを大きくする必要がなく、ウエハからの素子の取れ数に影響を与えることがない。
【００６８】
本実施形態５が実施形態１〜４と異なっている第３の点は、各ストライプ幅を指し示すマーカー１１８がリッジストライプ１１１に関連して設けられていることである。図９では、マーカー１１８が判りやすいように、ｐ型用電極１１３および電流阻止層１１７が図示省略されている。このようなマーカーは、誘電体膜１１２にリッジストライプ形成のための窓部１２０を設ける際に形成することが可能である。具体的には、マーカーとなりうる形状で誘電体膜１１２に開口部を設ければよい。このようにすることで、電流阻止層１１７の形成時に、選択されたリッジストライプを間違うことがなく、プロセスエラーを防ぐことができる。なお、マーカー１１８から電流漏れが生じる危険を避けるため、電流阻止層１１７がそれらのマーカー上にかぶさるように形成される。
【００６９】
（実施形態６）
図１０の断面図と図１１の上面図は、それぞれ図１と図２に類似しているが、実施形態６によるＧａＮ系半導体レーザ素子７００を模式的に図解している。本実施形態においても、２．０μｍ±０．１μｍの範囲内の実測値幅を有するリッジストライプを形成する場合について説明する。
【００７０】
本実施形態６が実施形態１〜５と異なっている点は、２．０μｍを中心値として１．７μｍから２．３μｍまで０．１５μｍ刻みの設定値幅で１００μｍ置きに形成される誘電体膜１１２の窓部１２０の間隙に、幅８０μｍの広いダミー開口部１２１が設けられ、この開口部１２１からｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０９ｂが選択成長にて形成されることである。このときの様子が図１１に示されている。図１１では、本実施形態６を判りやすくするために、誘電体膜１１２、窓部１２０、および開口部１２１が描かれており、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド１０９ｂ、ｐ型ＧａＮコンタクト層１１０、電流阻止層１１７およびｐ型用電極１１３は図示省略されている。このようにすることで、選択成長により形成された半導体層の厚さや組成の制御性が向上する。なお、形成法については実施形態４と同様である。また、ＧａＮ系半導体レーザ素子７００への電力の供給方法は、実施形態５と同様である。すなわち、電流阻止層１１７を実施形態３に述べたのと同様に形成してからｐ型用電極１１３を形成する。なお図１０では、本実施形態６を判りやすくするために、電力が供給されるリッジストライプ１１１と、その両隣にあるダミー開口部１２１から成長されたｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０９ｂの一部領域のみを示している。
【００７１】
（実施形態７）
図１２の上面図は図２に類似しているが、実施形態７によるＧａＮ系半導体レーザ素子８００を模式的に図解している。なお、ＧａＮ系半導体レーザ８００の断面図として図４を流用参照することができる。本実施形態７では、リッジストライプ１１１の形成および電力の供給を実施形態２と同様な手法で行う。
【００７２】
本実施形態が実施形態１〜６と異なる第１の点は、リッジストライプ１１１のレーザ光出射側に狭隘部が設けられていることである。すなわち、レーザ出射側のストライプ幅ｗ１の設定値の中心値が１．５μｍであり、共振器中央部のストライプ幅ｗ２の設定値の中心値が２．５μｍにされていることである。これは、レーザ光出射面において導波路の端面が、半導体接合面に垂直な方向に比べて平行な方向に非常に広いことに起因するＦＦＰの非対称性を改善するためである。ストライプ幅を狭くすることにより、上下方向に縦長のＦＦＰを水平方向に広げてパターンの対称性を改善することができ、素子を光学装置に組み込むのが容易になる。他方、ストライプ幅を狭くすればレーザ素子の閾値電圧上昇が問題となるが、共振器中央部の幅を比較的広くすることによってこれを解決し得る。
【００７３】
本実施形態７が実施形態１〜６と異なる第２の点は、リッジストライプ１１１を形成する際のレジストストライプが、ｗ１として１．５μｍを中心値として１．２μｍから１．８μｍまで０．１５μｍ刻みの設定値幅で、ｗ２として２．５μｍを中心値として２．２μｍから２．８μｍまで０．１５μｍ刻みの設定値幅で形成されることである。すなわち、ｗ１＝１．５μｍとｗ２＝２．５μｍの実測値幅のリッジストライプ１１１を得るために、複数のリッジストライプの幅として全体的に細いものから逐次的に太いものを用意することによって、プロセスが内包する誤差をキャンセルすることができる。各リッジストライプ１１１間の間隔は１００μｍとする。ストライプ選択は、ｗ１の精度で決定するようにし、光学系に組み込む際の歩留まりが向上するようにする。
【００７４】
なお、本実施形態７では設定幅の刻みをｗ１とｗ２の双方について０．１５μｍとしたが、これをｗ１とｗ２との割合に応じて変更してもよい。
【００７５】
図１２においては、リッジストライプ１１１を判りやすくするために、誘電体膜１１２およびｐ型用電極１１３は図示省略されている。また、リッジストライプについても中央付近の１本と、周辺付近の１本ずつについて描かれ、他の部分は図示省略されている。
【００７６】
なお、以上の実施形態で述べた作製法やレーザウエハおよび素子の材質等は、以下のように変更されてもよい。
【００７７】
まず、量子井戸層の数は、２〜６の範囲から選択すればよい。リッジストライプの設定幅の中心値は１．０μｍ程度から３．０μｍ程度までの間で所望の値に設定することができ、幅を変化させる刻みも所望の値に設定することができる。各リッジストライプ間の間隔も、用途に合わせて自由に設計することができる。また、ｐ型用電極１１３の材料としては、Ｐｄ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｐｄ／Ａｕ、またはＮｉ／Ａｕ等を用いてもよく、ｎ型用電極１１４の材料としては、Ｈｆ／Ａｌ、Ｔｉ／Ｍｏ、あるいはＨｆ／Ａｕ等を用いてもよい。
【００７８】
素子レーザ部１１６については、劈開により共振器面を形成するかわりに、ストライプ選択用の共振器作製時に同時にエッチドミラーとして形成してもよい。この場合、バー状の分割は、素子分離のためだけに行うことになる。また、共振器長も５００μｍに限定されるわけではない。さらに、素子分割については、スクライブ後にブレークする手法やダイシング等で行ってもよい。
【００７９】
さらに、ＧａＮ系半導体レーザ素子の各層厚は、実施形態中で述べたものに限定されず、適宜に変更しても本発明の効果になんら影響を与えるものではないことは言うまでもない。また、上述の各実施形態において、レーザ構造を形成する各半導体層の導電型を逆にしてもよいことは言うまでもない。さらに、各実施形態の特徴を他実施形態の特徴と適宜に組み合わせることも可能である。
【００８０】
以上、本発明の実施形態について具体的に説明したが、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。例えば、本願明細書では半導体レーザ素子のストライプ状導波路構造をリッジストライプ構造として説明したが、電極ストライプ構造、セルフ・アラインド・ストラクチャ（ＳＡＳ）構造を始めとして、チャネルド・サブストレイト・プレイナ（ＣＳＰ）構造など、他のストライプ状導波路構造としても、複数のストライプ状導波路構造を逐次的に幅を変えて形成することで歩留まり向上の効果が得られる。
【００８１】
次に、本願明細書ではＧａＮ系半導体レーザを例に示したが、この発明の技術的思想を他の材料系のレーザに適用することも可能である。この場合、レーザの各層をその材料系のものに変更すればよい。例えば、赤外や赤色のレーザとして用いられているＡｌXＧａYＩｎ1-X-YＰ1-ZＡｓZ（０≦Ｘ≦１；０≦Ｙ≦１；０≦Ｚ≦１；０≦Ｘ＋Ｙ≦１)のような材料を使用し、活性層にこの材料系を使用した量子井戸構造が形成されているレーザ素子にも本発明の適用が可能である。
【００８２】
また、上述の実施形態では、ＧａＮ系半導体素子の基板としてｎ型ＧａＮ基板またはノンドープＧａＮ基板を用いているが、これら以外にもサファイア基板、他のＧａＮ系基板、スピネル基板、ＳｉＣ基板、ＧａＡｓ基板、ＺｒＢ2基板またはＧａＰ基板などを使用してもよい。あるいは、これらの基板上にＧａＮ系半導体層が成長された基板、またはこれらを基礎基板としてＧａＮ系半導体層を成長させた後にその基礎基板を除去したＧａＮ系半導体層のみの基板などを用いても、発明の本質にかかわるものではないことは言うまでもない。
【００８３】
【発明の効果】
上述のように、本発明によれば、設定幅が逐次的に異なるリッジストライプを一つのレーザ素子中に形成することにより、プロセスが内包する誤差のために最適幅のリッジストライプが形成されなくて歩留まりが低下することを防止し得る。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施形態１によるＧａＮ系半導体レーザ素子の模式的な断面図である。
【図２】  図１のＧａＮ系半導体レーザ素子に対応する模式的な上面図である。
【図３】  （Ａ）は本発明の実施形態１によるＧａＮ系半導体レーザウエハの模式的な上面図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図４】  本発明の実施形態２によるＧａＮ系半導体レーザ素子の模式的な断面図である。
【図５】  本発明の実施形態３によるＧａＮ系半導体レーザ素子の模式的な上面図である。
【図６】  本発明の実施形態４によるＧａＮ系半導体レーザ素子の模式的な断面図である。
【図７】  本発明の実施形態４によるＧａＮ系半導体レーザ素子の製造工程におけるウエハの模式的な上面図である。
【図８】  本発明の実施形態５によるＧａＮ系半導体レーザ素子の模式的な断面図である。
【図９】  図８のＧａＮ系半導体レーザ素子に対応する模式的な上面図である。
【図１０】  本発明の実施形態６によるＧａＮ系半導体レーザ素子の模式的な断面図である。
【図１１】  図１０のＧａＮ系半導体レーザ素子に対応する模式的な上面図である。
【図１２】  本発明の実施形態７によるＧａＮ系半導体レーザ素子の模式的な上面図である。
【図１３】  従来技術によるＧａＮ系レーザ素子のストライプ幅の分布を示すグラフである。
【図１４】  従来技術によるＧａＮ系半導体レーザ素子の模式的な断面図である。
【符号の説明】
１００、２００、３００、４００、５００、６００、７００  ＧａＮ系半導体レーザ素子、１０１  ｎ型ＧａＮ基板、２０１、５０１  ノンドープＧａＮ基板、１０２、５０２  ｎ型ＧａＮバッファ層、１０３、５０３  ｎ型ＧａＮコンタクト層、１０４、５０４  ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層、１０５、５０５  ｎ型ＧａＮガイド層、１０６、５０６  多重量子井戸活性層、１０７、５０７  ｐ型ＡｌＧａＮ蒸発防止層、１０８、５０８  ｐ型ＧａＮ光ガイド層、１０９、５０９ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層、１１０、５１０  ｐ型ＧａＮコンタクト層、１１１、５１１  リッジストライプ、１１２、５１２  誘電体膜、１１３  ｐ型用電極、１１４  ｎ型用電極、１１５  ストライプ選択用レーザ部、１１６  素子レーザ部、１１７  電流阻止層、１１８  マーカー、１１９  メサ、１２０  窓部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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