(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にトレンチエッチングパターンを形成し、エッチングによってトレンチを形成する段階と、
トレンチの内壁にシリコン窒化膜ライナを形成する段階と、
前記ライナの上にバッファ酸化膜を積層する段階と、
第１埋立酸化膜で前記トレンチを充填する段階と、
前記第１埋立酸化膜を湿式工程によってリセスして、前記トレンチのライナの上部を露出する段階と、
前記ライナの上部を等方性エッチングによって除去する段階と、
第２埋立酸化膜で前記トレンチのリセスされた空間を充填する段階とを含むことを特徴とする半導体装置のトレンチ素子分離膜の形成方法。
【請求項２】
基板にトレンチエッチングパターンを形成し、エッチングによって、トレンチを形成する段階と、
トレンチの内壁にシリコン窒化膜ライナを形成する段階と、
第１埋立酸化膜で前記トレンチを充填する段階と、
前記第１埋立酸化膜を湿式工程によってリセスして、前記トレンチのライナの上部を露出する段階と、
前記ライナの上部を等方性エッチングによって除去する段階と、
第２埋立酸化膜で前記トレンチのリセスされた空間を充填する段階とを含み、前記トレンチはＰチャンネルトランジスタ領域のトレンチに限定されることを特徴とする半導体装置のトレンチ素子分離膜の形成方法。
【請求項３】
基板にトレンチエッチングパターンを形成し、エッチングによってトレンチを形成する段階と、
トレンチの内壁にシリコン窒化膜ライナを形成する段階と、
第１埋立酸化膜で前記トレンチを充填する段階と、
前記第１埋立酸化膜を湿式工程によってリセスして、前記トレンチのライナの上部を露出する段階と、
前記ライナの上部を等方性エッチングによって除去する段階と、
第２埋立酸化膜で前記トレンチのリセスされた空間を充填する段階とを含み、かつ、前記第１埋立酸化膜と前記第２埋立酸化膜のうち、少なくとも一方はＳＯＧ膜で形成されることを特徴とする半導体装置のトレンチ素子分離膜の形成方法。
【請求項４】
基板にトレンチエッチングパターンを形成し、エッチングによってトレンチを形成する段階と、
トレンチの内壁にシリコン窒化膜ライナを形成する段階と、
第１埋立酸化膜で前記トレンチを充填する段階と、
前記第１埋立酸化膜を湿式工程によってリセスして、前記トレンチのライナの上部を露出する段階と、
前記ライナの上部を等方性エッチングによって除去する段階と、
ＨＤＰ  ＣＶＤによって、第２埋立酸化膜で前記トレンチのリセスされた空間を充填する段階とを含み、かつ、前記ライナの上部を除去する段階は、ＨＤＰ  ＣＶＤによって前記第２埋立酸化膜でリセスされた空間を充填する段階と共に実施されることを特徴とする半導体装置のトレンチ素子分離膜の形成方法。
【請求項５】
前記ライナを形成する段階と前記第１埋立酸化膜でトレンチを充填する段階の間に、前記ライナの上にバッファ酸化膜を積層する段階を含むことを特徴とする請求項２〜４のいずれか１項に記載の半導体装置のトレンチ素子分離膜の形成方法。
【請求項６】
前記トレンチはＰチャンネルトランジスタ領域のトレンチに限定されることを特徴とする請求項１、３または４に記載の半導体装置のトレンチ素子分離膜の形成方法。
【請求項７】
前記第１埋立酸化膜と前記第２埋立酸化膜のうち、少なくとも一方はＳＯＧ膜で形成されることを特徴とする請求項１、２または４に記載の半導体装置のトレンチ素子分離膜の形成方法。
【請求項８】
前記ライナの上部を除去する段階は、ＨＤＰ ＣＶＤによって前記第２埋立酸化膜でリセスされた空間を充填する段階と共に実施されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置のトレンチ素子分離膜の形成方法。
【請求項９】
前記基板にトレンチエッチングパターンを形成する段階は、パッド酸化膜が形成された基板にシリコン窒化膜を積層し、パターニングすることによって実行されることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体装置のトレンチ素子分離膜の形成方法。
【請求項１０】
前記トレンチを形成する段階と前記ライナを形成する段階の間に、前記トレンチの内壁に熱酸化膜を形成する段階を含むことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体装置のトレンチ素子分離膜の形成方法。
【請求項１１】
前記第１埋立酸化膜を湿式工程によってリセスする段階は、前記埋立酸化膜の表面が前記トレンチで所定のチャンネル深さ以下に低くなるまで実施されることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体装置のトレンチ素子分離膜の形成方法。
【請求項１２】
前記ライナの上部を等方性エッチングによって除去する段階は、リン酸溶液で湿式によって実施されることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の半導体装置のトレンチ素子分離膜の形成方法。
【請求項１３】
前記第２埋立酸化膜に対するＣＭＰを実施する段階と、
前記トレンチエッチングパターンを除去する段階とをさらに含むことを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の半導体装置のトレンチ素子分離膜の形成方法。
【請求項１４】
前記第１埋立酸化膜及び前記第２埋立酸化膜はＣＶＤ方法によって形成されることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の半導体装置のトレンチ素子分離膜の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置のトレンチ素子分離膜の形成方法にかかり、より詳細には、上部が除去された窒化膜ライナを有するトレンチ素子分離膜の形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
素子の高集積化に従って、ＬＯＣＯＳ(local oxidation of silicon)型素子分離におけるバーズビーク(bird's beak)による制限を解決するために開発された、トレンチ型素子分離方法は、基板に形成されたトレンチに酸化膜を充填する方法を使用する。従って、バーズビークの問題はないが、基板と分離膜の材質の差による熱ストレスと分離膜周辺の基板の後続の酸化による体積膨脹等の問題がある。このような問題を解決する１つの方法として、シリコン窒化膜ライナをトレンチの内壁に形成し、酸化膜で充填する方法が開発された。シリコン窒化膜ライナは酸素の拡散を防止するバリアとして作用して、これによりトレンチ周辺の基板が後続の熱工程によって酸化されることを防止し、ストレスを減少させ得る。
【０００３】
シリコン窒化膜ライナを使用する場合、トレンチを形成する際のエッチング防止膜として使用するアクティブ領域のシリコン窒化膜を除去する段階で、シリコン窒化膜ライナの上部がエッチングされて、デント(dent)現象が発生し、エッチングにより除去されたシリコン窒化膜領域をポリシリコン層で充填してゲートを形成する場合には、いわゆる「ハンプ(hump)」が発生する問題がある。
【０００４】
また、シリコン窒化膜は表面で電子を捕捉する特性が強い物質であるので、ＭＯＳ(metal oxide silicon)トランジスタのチャンネルの両側にあるシリコン窒化膜ライナで、特に、熱酸化膜とシリコン窒化膜界面でチャンネルに沿ってキャリアが移動する際に、電子を捕捉して、キャリアの実質的な流れを変更する。チャンネルの深さが浅く、幅が広い場合には、相対的にこのような問題は大きな影響を与えない。しかしながら、素子の高集積化に従ってトレンチ素子分離をする半導体装置の場合、チャンネルの幅は一般的に狭く、チャンネルの両側のシリコン窒化膜と隣接した部分が多い。従って、ライナとして使用されたシリコン窒化膜の電子の捕捉はキャリアの移動量（流れ）に影響を与える。特に、Ｐチャンネルトランジスタでソース／ドレイン電流がチャンネルを通じて流れる時、主なキャリアはホールになり、チャンネルの両側の窒化膜で電子を捕捉する場合、ホールの実質的な流れが増加し、ホットキャリア効果(hot carrier effect)が発生する。
【０００５】
チャンネルの両側のシリコン窒化膜ライナの電子の捕捉を防止するために、シリコン窒化膜ライナをチャンネルの実質的な深さだけ除去する方法が米国特許第５，９４０，７１７号に開示されている。図１〜図４を参照して、この方法を説明する。
【０００６】
図１を参照すると、パッド酸化膜１１が形成された基板１０にシリコン窒化膜を積層及びパターニングすることによって、トレンチエッチングパターン１３を形成する。そして、トレンチ２１の内壁の熱酸化を実施して、熱酸化膜１５を形成し、さらに全面にシリコン窒化膜を薄く積層して、トレンチ内壁ライナ１７を形成する。続いて、フォトレジスト膜１９をスピンコーティング方法によって積層して、トレンチ２１を充填する。
【０００７】
図２を参照すると、トレンチ２１を充填したフォトレジスト膜をエッチバックして、リセスされた(recessed)残余フォトレジスト膜２９を形成する。主に、酸素プラズマ雰囲気でアッシング(ashing)を実施する。リセス工程は、残余フォトレジスト膜２９がトレンチ２１でチャンネルの有効深さＤＣ以下の位置に残存する時まで実施する。
【０００８】
図３を参照すると、基板１０に露出したシリコン窒化膜ライナ１７をエッチングによって除去する。通常、乾式プラズマエッチングによって露出されたライナが除去され、フォトレジストが除去された深さまでシリコン窒化膜ライナも除去される。
【０００９】
図４を参照すると、トレンチに残留したフォトレジストを除去し、全面にＣＶＤ(chemical vapor deposition)酸化膜を積層して、トレンチを充填するトレンチ素子分離膜３９を形成する。そして、ＣＭＰ(chemical mechanical polishing)等の平坦化エッチングによって、アクティブ領域のシリコン窒化膜からなるトレンチエッチングパターン１３表面を露出させる。アクティブ領域のシリコン窒化膜は後続の湿式エッチングによって除去され、トレンチ素子分離膜３９が完全に形成される。
【００１０】
しかしながら、このような方法を使用する場合、フォトレジストをリセスする過程とトレンチの上部のエッチングでシリコン窒化膜ライナを除去する過程によって、周辺の膜のエッチングを損傷する。アクティブ領域のシリコン窒化膜が部分的にエッチングされて、基板全体の高さが均等でないと、この膜の上面を基準にして実施されるＣＶＤ酸化膜のＣＭＰ工程等で、素子分離膜のレベルが一定ではなくなる。また、トレンチ側壁にエッチングの損傷が発生すると、以降形成される素子で電流漏洩が発生するおそれがある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、前述した問題点を解決するためのものであり、トレンチ素子分離型半導体装置でシリコン窒化膜ライナの電子の捕捉による素子作動の変化を防止し、ホットキャリア効果を防止できるトレンチ素子分離膜の形成方法を提供することを目的とする。
【００１２】
本発明は、シリコン窒化膜ライナを部分的に除去する間の素子分離膜のレベルを一定にし、トレンチ周辺素子の電流漏洩を防止できるトレンチ素子分離膜の形成方法を提供することを他の目的とする。
【００１３】
本発明は、シリコン窒化膜ライナによるトレンチ周辺の酸化を防止し、デントの問題点がないトレンチ素子分離の形成方法を提供することを他の目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
前述の目的を達成するための本発明の第一は、基板にトレンチエッチングパターンを形成し、エッチングによってトレンチを形成する段階と、トレンチの内壁にシリコン窒化膜ライナを形成する段階と、前記ライナの上にバッファ酸化膜を積層する段階と、第１埋立酸化膜でトレンチを充填する段階と、第１埋立酸化膜を湿式工程によってリセスして、トレンチのライナの上部を露出する段階と、ライナの上部を等方性エッチングによって除去する段階と、第２埋立酸化膜でトレンチのリセスされた空間を充填する段階とを含む半導体装置のトレンチ素子分離膜の形成方法に関するものである。
前述の目的を達成するための本発明の第二は、基板にトレンチエッチングパターンを形成し、エッチングによって、トレンチを形成する段階と、トレンチの内壁にシリコン窒化膜ライナを形成する段階と、第１埋立酸化膜で前記トレンチを充填する段階と、前記第１埋立酸化膜を湿式工程によってリセスして、前記トレンチのライナの上部を露出する段階と、前記ライナの上部を等方性エッチングによって除去する段階と、第２埋立酸化膜で前記トレンチのリセスされた空間を充填する段階とを含み、前記トレンチはＰチャンネルトランジスタ領域のトレンチに限定されることを特徴とする半導体装置のトレンチ素子分離膜の形成方法。
前述の目的を達成するための本発明の第三は、基板にトレンチエッチングパターンを形成し、エッチングによってトレンチを形成する段階と、トレンチの内壁にシリコン窒化膜ライナを形成する段階と、第１埋立酸化膜で前記トレンチを充填する段階と、前記第１埋立酸化膜を湿式工程によってリセスして、前記トレンチのライナの上部を露出する段階と、前記ライナの上部を等方性エッチングによって除去する段階と、第２埋立酸化膜で前記トレンチのリセスされた空間を充填する段階とを含み、かつ、前記第１埋立酸化膜と前記第２埋立酸化膜のうち、少なくとも一方はＳＯＧ膜で形成されることを特徴とする半導体装置のトレンチ素子分離膜の形成方法に関するものである。
前述の目的を達成するための本発明の第四は、基板にトレンチエッチングパターンを形成し、エッチングによってトレンチを形成する段階と、トレンチの内壁にシリコン窒化膜ライナを形成する段階と、第１埋立酸化膜で前記トレンチを充填する段階と、前記第１埋立酸化膜を湿式工程によってリセスして、前記トレンチのライナの上部を露出する段階と、前記ライナの上部を等方性エッチングによって除去する段階と、ＨＤＰ  ＣＶＤによって、第２埋立酸化膜で前記トレンチのリセスされた空間を充填する段階とを含み、かつ、前記ライナの上部を除去する段階は、ＨＤＰ  ＣＶＤによって前記第２埋立酸化膜でリセスされた空間を充填する段階と共に実施されることを特徴とする半導体装置のトレンチ素子分離膜の形成方法に関するものである。
【００１５】
本発明で基板にトレンチエッチングパターンを形成する段階は、好ましくは、パッド酸化膜が形成された基板にシリコン窒化膜を積層し、パターニングしてなされる。また、トレンチを形成する段階とライナを形成する段階の間には、トレンチの内壁にエッチングの損傷を修復するためのアニーイングによって熱酸化膜が形成される段階をさらに含むことが好ましい。
【００１６】
そして、ライナを形成する段階と第１埋立酸化膜でトレンチを充填する段階の間には、埋立酸化膜の下地膜依存性を減少させ、ギャップフィルを向上させるために、プラズマ表面処理を実施することが好ましい。しかしながら、この過程でライナは損傷しやすいので、プラズマ表面処理からライナを保護するためにライナの上にＬＰ  ＣＶＤ(low pressure chemical vapor deposition)によって、ＨＴＯ(high temperature oxide)膜のようなバッファ酸化膜を積層する段階を、ライナを形成する段階と第１埋立酸化膜でトレンチを充填する段階の間に、含むことが好ましい。
【００１７】
本発明において、第１埋立酸化膜は、周辺のエッチング損傷を防止するために湿式工程によってリセスされるが、上記リセスする工程は、第１埋立酸化膜の表面がトレンチで以降形成されるトランジスタ素子に対して定まった所定のチャンネル深さ以下に低くなるまで実施することが、シリコン窒化膜ライナによる電子の捕捉を防止するのに十分な効果を有するので、望ましい。
【００１８】
本発明において、ライナの上部を等方性エッチングによって除去する段階は、リン酸溶液で湿式によって実施されることが好ましい。
【００１９】
本発明はシリコン窒化膜ライナによる電子の捕捉がホットキャリア効果を発生させ得るＰチャンネル領域のトレンチで、特に効果がある。従って、本発明によるトレンチはＰチャンネルトランジスタ領域のトレンチに限って実施されることが好ましい。
【００２０】
さらに、本発明の方法は、第２埋立酸化膜に対するＣＭＰを実施する段階とトレンチエッチングパターンに対する除去段階をさらに含むことが好ましい。
【００２１】
本発明において、第１埋立酸化膜及び前記第２埋立酸化膜は、好ましくはＣＶＤ方法によって形成され、また、第１埋立酸化膜と第２埋立酸化膜のうち、少なくとも一方は、ＳＯＧ膜で形成されることが好ましい。
【００２２】
本発明において、ライナの上部を除去する段階は、好ましくは、ＨＤＰ  ＣＶＤによって前記第２埋立酸化膜でリセスされた空間を充填する段階と共に実施される。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図を参照して、本発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。なお、図において、層が他の層または基板上に位置するよう示される場合には、その層は他の層または基板上に直接位置してもあるいはこれらの間に中間層が存在するものである場合双方を意味するものとする。
【００２４】
図５を参照すると、パッド酸化膜１０１が１００〜２００Åの厚さで薄く形成されたシリコン基板１００に、５００Åの厚みのシリコン窒化膜を積層し、パターニングして、トレンチ領域で基板が露出するトレンチエッチングパターン１０３を形成する。パターニングは、フォトリソグラフィーによって、図示しないフォトレジストパターンを形成し、これをエッチングマスクでシリコン窒化膜に対するエッチングを実施する方法によってなされる。さらに、シリコン窒化膜の上（トレンチの内壁）に薄い酸化膜を積層して、シリコン窒化膜エッチングに対するハードマスクで利用してもよい。
【００２５】
トレンチエッチングパターン１０３が形成されると、これをエッチングマスクとして、基板１００を２０００〜５０００Åの深さにエッチングして、トレンチ１２１を形成する。そして、トレンチ１２１の内壁に、エッチング工程で発生した結晶損傷を修復するために、熱酸化によって熱酸化膜１０５を薄く形成する。トレンチ１２１の内壁、すなわち、熱酸化膜１０５が形成された基板に、ＣＶＤによってシリコン窒化膜ライナ１０７を形成する。前述したのは通常のトレンチ素子分離方法と同一の過程である。
【００２６】
図６を参照すると、シリコン窒化膜ライナ１０７の上にＬＰ  ＣＶＤ方法によって、ＨＴＯ酸化膜１０９が、バッファ酸化膜として、薄く形成される。このＨＴＯ酸化膜１０９は、埋立酸化膜の形成の前に基板表面に下地膜依存性を無くすために実施するプラズマ処理の前に積層するものであり、バッファ酸化膜の一種である。そして、トレンチが第１埋立酸化膜１１９で充填される。この際、第１埋立酸化膜１１９は、ＣＶＤ方法、特にＨＤＰ  ＣＶＤ(high density plasma enhanced chemical vapor deposition)方法によって形成されることが好ましく、また、オゾンＴＥＯＳ  ＵＳＧ(O3 tetra ethyl ortho silicate undoped silicate glass)、ＢＰＳＧ(boro phospho silicate glass)酸化膜、ＳＯＧ膜等が、特に好ましくはＳＯＧ膜が、トレンチ１２１を充填する第１埋立酸化膜１１９に好ましく使用できる。この段階では、第１埋立酸化膜はトレンチ全体を完全に充填しないこともできる。
【００２７】
トレンチのアスペクト比が増加するに従って、ポリシラザン(polysilazane)等のＳＯＧ膜を埋立酸化膜として形成してもよい。
【００２８】
図７を参照すると、第１埋立酸化膜１１９を湿式工程、例えば、全面湿式エッチングによってリセスして、トレンチのライナの上部を露出させる。この時、全面異方性エッチングを使用すると、トレンチ側壁がエッチング損傷を受けるので、湿式エッチングを利用する。第１埋立酸化膜１１９を湿式工程によってリセスする段階は、第１埋立酸化膜１１９の表面、即ち、残余酸化膜１２９がトレンチ周辺に形成されるトランジスタ等の素子の所定の有効チャンネル深さＤＣ以下に、即ち、第１埋立酸化膜１１９の表面（残余酸化膜１２９）が有効チャンネル深さＤＣより低い位置にくるまで、実施することが望ましい。その結果、トレンチを充填する埋立酸化膜がリセスされただけシリコン窒化膜ライナ１０７が露出される。
【００２９】
第１埋立酸化膜及び第２埋立酸化膜（下記で詳述される）のうち少なくとも一方はＳＯＧ膜で形成されることが好ましい。これは、ＳＯＧ膜で埋立酸化膜を使用する場合には、通常の湿式エッチングの外にも、硬化前のＳＯＧ膜を、ＳＯＧ膜をリセスするのに適当な湿式溶液で処理することによって、上部を除去することができるためである。硬化は上部が除去されたＳＯＧ膜に対して実施してもよい。
【００３０】
図８を参照すると、露出されたシリコン窒化膜ライナ１０７（ライナの上部）を、好ましくはリン酸溶液を含む湿式によって、等方性エッチングによって除去する、即ち、残余酸化膜１２９が残っているより上のライナが全部除去される。湿式等方性エッチングの代わりに乾式等方性エッチングを実施してもよいが、プラズマエッチングまたはＲＩＥ(reactive ion etching)はライナ１０７の積層形態とエッチング損傷を考慮すると適切ではなく、ゆえに湿式等方性エッチング、特にリン酸溶液を用いて湿式等方性エッチングが望ましい。
【００３１】
図９を参照すると、トレンチの上部でライナが除去された状態の基板上に第２埋立酸化膜１４９を積層して、トレンチのリセスされた空間を第２埋立酸化膜１４９で充填する。この際、トレンチは第２埋立酸化膜１４９で十分に充填されることが好ましい。第２埋立酸化膜は、上記第１埋立酸化膜に使用された方法と材質が同様にして使用できる。例えば、方法としては、ＣＶＤ方法、特に好ましくはＨＤＰ  ＣＶＤ方法が好ましく使用でき、また、オゾンＴＥＯＳ  ＵＳＧ、ＢＰＳＧ、ＳＯＧ膜等、特に好ましくはＳＯＧ膜が、第２埋立酸化膜１４９に好ましく使用できる。そして、トレンチエッチングパターンの上面を基準にして、好ましくは全面異方性エッチングによるトレンチエッチングパターンの除去工程および／または第２埋立酸化膜に対するＣＭＰ工程を実施して、第２埋立酸化膜を平坦化することが好ましい。
【００３２】
または、図８の段階でライナを別途に除去しないで、図９の段階でＨＤＰ  ＣＶＤによって第２埋立酸化膜でリセスされた空間を積層（充填）し、それと同時にライナの上部が除去されるようにすることもできる。ＨＤＰ  ＣＶＤでは、積層とエッチングが交互に実施されるので、ライナが除去される一方で、第２埋立酸化膜の積層も可能である。
【００３３】
図１０は本発明によって形成されたトレンチ素子分離膜の一例を示すものであり、図９の状態のトレンチエッチングパターン１０３で使用されたシリコン窒化膜を湿式エッチングによって除去した状態を示す。従って、完成されたトレンチ素子分離膜におけるトレンチの基板には熱酸化膜１０５が形成され、その内側には下部にシリコン窒化膜ライナ１０７と薄いＨＴＯ酸化膜１０９、第１埋立酸化膜の残余酸化膜１２９が存在し、上部には第２埋立酸化膜が平坦化されて残った分離膜１３９が存在する。しかしながら、ＨＴＯ酸化膜１０９、第１埋立酸化膜の残余酸化膜１２９及び第２埋立酸化膜からの分離膜１３９が全部酸化膜であるので、トレンチの熱酸化膜１０５の内壁の下部にはシリコン窒化膜ライナ１０７が形成された状態で、残りのトレンチ空間を酸化膜が充填するということもできる。
【００３４】
【発明の効果】
本発明によると、高集積素子半導体装置で、トレンチのシリコン窒化膜ライナの上部を意図的に除去することによって、トレンチのシリコン窒化膜ライナによる電子の捕捉とこれによるホットキャリア効果を防止でき、デントまたはハンプ現象の危険性を抑制できる。また、積層を２段階で実施するまたはＳＯＧ膜の被覆と他の酸化膜の積層との組合わせによって、トレンチのギャップフィル特性を向上させ得る。
【００３５】
また、シリコン窒化膜ライナのトレンチ上部領域が除去されるに従って、シリコン窒化膜ライナの元の目的である後続工程によるストレスの制御が減少でき、ストレスによる問題点なしに、下部領域ではライナに長所を維持しながら、上部では電子トラップの問題を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】は、従来のトレンチ素子分離膜の形成方法の重要段階を示す工程断面図である。
【図２】は、従来のトレンチ素子分離膜の形成方法の重要段階を示す工程断面図である。
【図３】は、従来のトレンチ素子分離膜の形成方法の重要段階を示す工程断面図である。
【図４】は、従来のトレンチ素子分離膜の形成方法の重要段階を示す工程断面図である。
【図５】は、本発明の一実施形態によるトレンチ素子分離膜の形成方法の重要段階を示す工程断面図である。
【図６】は、本発明の一実施形態によるトレンチ素子分離膜の形成方法の重要段階を示す工程断面図である。
【図７】は、本発明の一実施形態によるトレンチ素子分離膜の形成方法の重要段階を示す工程断面図である。
【図８】は、本発明の一実施形態によるトレンチ素子分離膜の形成方法の重要段階を示す工程断面図である。
【図９】は、本発明の一実施形態によるトレンチ素子分離膜の形成方法の重要段階を示す工程断面図である。
【図１０】は、本発明の一実施形態によるトレンチ素子分離膜の形成方法の重要段階を示す工程断面図である。
【符号の説明】
１０，１００…基板、
１１，１０１…パッド酸化膜、
１３，１０３…トレンチエッチングパターン、
１５，１０５…熱酸化膜、
１７，２７，１０７…ライナ、
１９…フォトレジスト膜、
２１，１２１…トレンチ、
２９…残余フォトレジスト膜、
３９…トレンチ素子分離膜、
１０９…ＨＴＯ酸化膜、
１１９…第１埋立酸化膜、
１２９…残余酸化膜、
１３９…分離膜、
１４９…第２埋立酸化膜。
【図１】
0004067815.tif 000002
【図２】
0004067815.tif 000003
【図３】
0004067815.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0004067815.tif 000008
【図８】
0004067815.tif 000009
【図９】
0004067815.tif 000010
【図１０】
0004067815.tif 000011