(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
排ガス通路と除害剤通路の少なくとも出側噴出部分を、一方側の通路の外側を他方側の通路で囲んだ２重通路状の噴出部に形成し、この２重通路状の噴出部の下流側に除害処理通路を連接し、排ガス通路の噴出部から噴出する排ガスと除害剤通路の噴出部から噴出する除害剤とを除害処理通路内で接触させて排ガスの除害を行う構成とし、前記２重通路状の排ガス通路の噴出部と除害剤通路の噴出部の境界領域から前記排ガスおよび除害剤の噴出流の間に第１のシールガスを噴出して、２重通路状の噴出端近傍領域の排ガス噴出流と除害剤の噴出流を前記第１のシールガスの噴出層によって遮断し、排ガス噴出流と除害剤の噴出流を２重通路状の噴出部端から下流側に離れた位置で接触開始させて排ガスの除害を行う構成と成し、前記２重通路状の噴出部に連接される除害処理通路の連接部領域の通路内周壁面に沿って第２のシールガスを噴出し、除害処理通路の前記連接部領域の通路内周壁面上に第２のシールガスの表層を形成することを特徴とする排ガス除害方法。
【請求項２】
排ガス通路と除害剤通路の少なくとも出側噴出部分の一方側通路の外側を他方側の通路で囲んで成る２重通路状の噴出部と、この２重通路状の噴出部の下流側に連接され排ガス通路の噴出部から噴出する排ガスと除害剤通路の噴出部から噴出する除害剤とを接触させて排ガスの除害を行う除害処理通路と、前記２重通路状の排ガス通路の噴出部と除害剤通路の噴出部の境界領域から前記排ガスおよび除害剤の噴出流の間に第１のシールガスを噴出して２重通路状の噴出端近傍領域の排ガス噴出流と除害剤の噴出流を前記第１のシールガスの噴出層によって遮断するシールガス遮断噴出手段と、２重通路状の噴出部に連接される除害処理通路の連接部領域の通路内周壁面に沿って第２のシールガスを噴出し、除害処理通路の前記連接部領域の通路内周壁面上に第２のシールガスの表層を形成するシールガス表層形成手段とを有する排ガス除害装置。
【請求項３】
２重通路状の噴出部と除害処理通路は共に縦向きに設置され、２重通路状の噴出部の内側の通路は除害剤通路と成し、その外側の通路は排ガス通路と成したことを特徴とする請求項２記載の排ガス除害装置。
【請求項４】
除害剤通路の先方側の少なくとも噴出部の外周面に除害剤を選択的に供給し該除害剤を外周面に沿って流下させる除害剤選択供給手段が設けられていることを特徴とする請求項２又は請求項３記載の排ガス除害装置。
【請求項５】
除害処理通路の上端部から該除害処理通路の内周壁面に沿って除害剤を流し除害剤通路の噴出部から噴出する除害剤の噴出流が接触し難い除害処理通路の上部側内周面を強制的に除害剤の濡れ面とする濡れ面形成手段が設けられている請求項３又は請求項４記載の排ガス除害装置。
【請求項６】
濡れ面形成手段は、除害処理通路の外側に該除害処理通路の通路壁を内周壁として設けられた環状槽と、この環状槽に連通接続された除害剤の供給手段とを有して構成され、前記環状槽の内周壁の高さは環状槽の上面よりも低位に設定されて、環状槽に供給される除害剤のオーバーフローの流れを除害処理通路の上端から該除害処理通路の内周壁面に沿って流す構成とした請求項５記載の排ガス除害装置。
【請求項７】
除害処理通路から出る除害剤を受けるタンクと、タンク内の除害剤を除害剤供給先のうちの少なくとも除害剤通路に循環供給する循環ポンプ装備の除害剤循環路と、排ガス通路を流れる排ガスの圧力を検出するガス圧検出センサと、このガス圧検出センサの検出圧力が予め定めた一定圧力を維持するように前記循環ポンプの回転数制御を行うポンプ回転数制御手段とを有する請求項２乃至請求項６の何れか１つに記載の排ガス除害装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、エピタキシャル装置等の半導体製造装置から排出される排ガスの除害を行う排ガス除害方法およびその装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
エピタキシャル装置等の半導体製造装置から排出される排ガス中には塩化珪素ガスや、未反応の塩化水素が含まれ、これらの有害成分は、環境汚染を防止する観点から、排ガス除害装置により除害処理され、クリーンな状態にして排ガスが大気に放出されている。
【０００３】
図６は従来の排ガス除害装置の一例を示すもので、排ガス導入部Ａにエピタキシャル装置等の半導体製造装置から排出される排ガスが導入されている。この排ガス導入部Ａの内部拡大構成は図７に示され、排ガス導入管１と保持筒部材２とがパッキン４を介してユニオンナット３により締結されている。保持筒部材２の内部にはガス入側パイプ５が挿入状態で気密に保持されており、保持筒部材の外側には、貯水槽７が形成されている。
【０００４】
貯水槽７の上面から該貯水槽７の内部へ下方に突き出す筒壁部２ａと該筒壁部２ａの下端から下方へ突き出すガス入側パイプ５の壁面は貯水槽７の内周壁面として機能して貯水槽７の内部は環状室８と成している。貯水槽７の底面の中央部には伝達パイプ９の上端が連接されており、貯水槽７の底壁の中心開口とガス入側パイプ５の先端との間には間隙１０が形成され、この間隙１０を介して環状室８と伝達パイプ９とが連通している。
【０００５】
前記貯水槽７の上部には、循環水路１１が設けられ、この循環水路１１には流体ジェット供給口１２が形成されて、循環水路１１を通して導入される水は、流体ジェット供給口１２から貯水槽７の内周の接線方向に噴射され、螺旋状に渦を巻いた水流が間隙１０から伝達パイプ９内に入り込むようになっている。そして、伝達パイプ９に入り込んだ水流は、渦巻き状に流れることから、遠心力が働き、この遠心力により、水流は伝達パイプ９の表面に付着した格好で下方へ流れ、図６に示すように、タンク１３に収集されるようになっている。
【０００６】
一方、排ガスは、ガス入側パイプ５内を経て伝達パイプ９内を通った後、第１の除害処理室１４、第２の除害処理室１５、第３の除害処理室１６および充填材１７が充填されたコラム室１８を順に通り、大気に排出される。前記第１の除害処理室１４には、ジェットノズル１９が、第２の除害処理室１５には複数段のジェットノズル２０が、第３の除害処理室１６にはジェットノズル２１がそれぞれ配置され、各ジェットノズル１９、２０、２１および前記循環水路１１へは循環ポンプ２２を用いて、タンク１３内の除害剤としての水が循環供給されるようになっている。なお、図６中、２３はタンク１３内の液面を検出する液面計である。
【０００７】
この従来の装置においては、図示されていない配管を通してエピタキシャル装置等の半導体製造装置から排出される排ガスが排ガス導入管１に導入され、その一方において、循環ポンプ２２の駆動により、タンク１３内の水が各ジェットノズル１９、２０、２１および循環水路１１に供給される。前述したように、流体ジェット供給口１２から環状室８内に噴出される水流は渦流となって伝達パイプ９の壁面に付着した状態で流れることとなり、排ガスは伝達パイプ９の内壁面に直接的に接触することなく水流壁面によって囲まれた空洞を通って第１の除害処理室１４に入り込む。
【０００８】
この第１の除害処理室１４にはジェットノズル１９から除害剤である水のジェット噴流が噴射されており、排ガスはこのジェット噴流を通過する際に水に触れ、排ガス中の有害成分は水と反応して生成物となり、除害される。例えば、排ガス中の塩化珪素ガスは水と反応し、二酸化珪素ＳｉＯ２の水和物となって除害され、排ガス中の塩化水素ガスは水と反応し、塩化水素水（ＨＣｌ ａｑ）となって水に吸収除害される。さらに、排ガス中のＳｉＨＣｌ３は水と次のように反応して除害される。
【０００９】
ＳｉＨＣｌ３＋４Ｈ２Ｏ→Ｓｉ（ＯＨ）４＋Ｈ２＋３ＨＣｌ
【００１０】
排ガスは第１の除害処理室１４を出た後第２の除害処理室１５に入り、各段のジェットノズル２０から噴出されるジェット噴流の水に触れることで、除害処理が促進され、さらに排ガスは第３の除害処理室１６内で、ジェットノズル２１の噴流による除害が行われることにより、クリーンな排ガスとなってコラム室１８を通して大気に放出される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の装置は、環状室８から間隙１０を介して伝達パイプ９内に噴出する水はガス入側パイプ５の下端位置で直接的に排ガスと接触する構成となっており、環状室８から伝達パイプ９に噴出する水流から図７の矢印Ｂに示すようにガス入側パイプ５の内側へ霧状となって回り込む撹流の流れを阻止することはできず、この霧状の撹流によってガス入側パイプ５の下端領域が湿った状態となり、この湿った壁面に乾燥状態の排ガスが接触して排ガス中の塩化珪素ガスや、ＳｉＨＣｌ３等の成分が壁面の湿り水分と反応し、その反応生成物（水和反応生成物）２４が堆積成長するという問題が発生する。
【００１２】
このようにガス入側パイプ５の下端部分に反応生成物２４が堆積成長して行くと、この反応生成物２４が排ガスの流れの抵抗体となるため、エピタキシャル装置等の半導体製造装置側ではこれが背圧変動となり、半導体装置で処理作製する半導体製品の品質低下をもたらすという不具合を引き起こす。
【００１３】
また、反応生成物２４の堆積が進行して行くと排ガスの通路が塞がれてしまうので、半導体製造装置の運転を停止し、ユニオンナット３を取り外して排ガス導入部Ａを分解し、反応生成物２４を取り除かなければならず、従来の装置はこの反応生成物２４が付き易いため、頻繁に装置運転を停止して反応生成物２４を取り除かなければならず、半導体製造装置の稼動効率を高めることができないという欠点があった。
【００１４】
さらに、伝達パイプ９内では、除害剤の水は伝達パイプ９の内壁面に付着状態で流れる。そのため、伝達パイプ９の内部中心空間は水流がない空洞空間となり、排ガスはこの空洞空間を通って第１の除害処理室１４に入り込むようになっているため、伝達パイプ９の内部で効率的に排ガスの除害を行うことは困難である。そのため、伝達パイプ９を通った後、排ガスの除害を専用に行う除害処理室を多段に設けなければならず、除害装置の構成が複雑化し、装置が大型化してしまうという問題がある。
【００１５】
本発明は上記課題を解決するために成されたものであり、その目的は、排ガスと除害剤が最初に触れる領域で、除害剤の噴出流から生じる除害剤の撹流が排ガス側の通路壁面を湿らせその部分に排ガスと水分との反応生成物が堆積成長する現象を効果的に抑制し、この反応生成物の堆積成長に起因して引き起こされる従来装置の各種問題点を解決し、併せて装置構成の簡易化、小型化が共に可能な排ガス除害方法およびその装置を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するために、次のような構成をもって課題を解決する手段としている。すなわち、本発明の排ガス除害方法は、排ガス通路と除害剤通路の少なくとも出側噴出部分を、一方側の通路の外側を他方側の通路で囲んだ２重通路状の噴出部に形成し、この２重通路状の噴出部の下流側に除害処理通路を連接し、排ガス通路の噴出部から噴出する排ガスと除害剤通路の噴出部から噴出する除害剤とを除害処理通路内で接触させて排ガスの除害を行う構成とし、前記２重通路状の排ガス通路の噴出部と除害剤通路の噴出部の境界領域から前記排ガスおよび除害剤の噴出流の間に第１のシールガスを噴出して、２重通路状の噴出端近傍領域の排ガス噴出流と除害剤の噴出流を前記第１のシールガスの噴出層によって遮断し、排ガス噴出流と除害剤の噴出流を２重通路状の噴出部端から下流側に離れた位置で接触開始させて排ガスの除害を行う構成と成し、前記２重通路状の噴出部に連接される除害処理通路の連接部領域の通路内周壁面に沿って第２のシールガスを噴出し、除害処理通路の前記連接部領域の通路内周壁面上に第２のシールガスの表層を形成することをもって課題を解決する手段としている。
【００１７】
また、第１の発明の排ガス除害装置は、排ガス通路と除害剤通路の少なくとも出側噴出部分の一方側通路の外側を他方側の通路で囲んで成る２重通路状の噴出部と、この２重通路状の噴出部の下流側に連接され排ガス通路の噴出部から噴出する排ガスと除害剤通路の噴出部から噴出する除害剤とを接触させて排ガスの除害を行う除害処理通路と、前記２重通路状の排ガス通路の噴出部と除害剤通路の噴出部の境界領域から前記排ガスおよび除害剤の噴出流の間に第１のシールガスを噴出して２重通路状の噴出端近傍領域の排ガス噴出流と除害剤の噴出流を前記第１のシールガスの噴出層によって遮断するシールガス遮断噴出手段と、２重通路状の噴出部に連接される除害処理通路の連接部領域の通路内周壁面に沿って第２のシールガスを噴出し、除害処理通路の前記連接部領域の通路内周壁面上に第２のシールガスの表層を形成するシールガス表層形成手段とを有する構成をもって課題を解決する手段としている。
【００１８】
また、第２の発明の排ガス除害装置は、前記第１の発明の排ガス除害装置の構成を備えたものにおいて、２重通路状の噴出部と除害処理通路は共に縦向きに設置され、２重通路状の噴出部の内側の通路は除害剤通路と成し、その外側の通路は排ガス通路と成した構成をもって課題を解決する手段としている。
【００２０】
さらに、第３の発明の排ガス除害装置は、前記第１又は第２の発明の排ガス除害装置の構成を備えたものにおいて、除害剤通路の先方側の少なくとも噴出部の外周面に除害剤を選択的に供給し該除害剤を外周面に沿って流下させる除害剤選択供給手段が設けられている構成をもって課題を解決する手段としている。
【００２１】
さらに、第４の発明の排ガス除害装置は、前記第２又は第３の発明の排ガス除害装置の構成を備えたものにおいて、除害処理通路の上端部から該除害処理通路の内周壁面に沿って除害剤を流し除害剤通路の噴出部から噴出する除害剤の噴出流が接触し難い除害処理通路の上部側内周面を強制的に除害剤の濡れ面とする濡れ面形成手段が設けられている構成をもって課題を解決する手段としている。
【００２２】
さらに、第５の発明の排ガス除害装置は、前記第４の発明の排ガス除害装置の構成を備えたものにおいて、濡れ面形成手段は、除害処理通路の外側に該除害処理通路の通路壁を内周壁として設けられた環状槽と、この環状槽に連通接続された除害剤の供給手段とを有して構成され、前記環状槽の内周壁の高さは環状槽の上面よりも低位に設定されて、環状槽に供給される除害剤のオーバーフローの流れを除害処理通路の上端から該除害処理通路の内周壁面に沿って流す構成としたことをもって課題を解決する手段としている。
【００２３】
さらに、第６の発明の排ガス除害装置は、前記第１乃至第５の何れか１つの発明の排ガス除害装置の構成を備えたものにおいて、除害処理通路から出る除害剤を受けるタンクと、タンク内の除害剤を除害剤供給先のうちの少なくとも除害剤通路に循環供給する循環ポンプ装備の除害剤循環路と、排ガス通路を流れる排ガスの圧力を検出するガス圧検出センサと、このガス圧検出センサの検出圧力が予め定めた一定圧力を維持するように前記循環ポンプの回転制御を行うポンプ回転制御手段とを有する構成をもって課題を解決する手段としている。
【００２４】
上記構成の本発明において、エピタキシャル装置等の半導体製造装置から導入された排ガスは排ガス通路の噴出部から除害処理通路に向けて噴出し、除害剤通路からは除害剤が除害処理通路に向けて噴出する。この除害処理通路を流れる間に、排ガスは除害剤に効率的に接触して有害成分が除害される。
【００２５】
本発明においては、排ガス通路の噴出部と除害剤通路の噴出部の境界領域からドライ（乾燥状態）の第１のシールガスが排ガスの噴出流と除害剤の噴出流との間に除害処理通路に向けて噴出されることで、２重通路状の排ガスと除害剤の噴出端近傍領域の排ガスの噴出流と除害剤の噴出流は第１のシールガスの噴出層によって遮断される。このことにより、除害剤の噴出端部分で、除害剤が撹流拡散しようとしてもその撹流の流れは前記第１のシールガスの噴出層によって遮断されて排ガス通路の噴出端側に達することが阻止され、霧状の撹流によって排ガス通路の噴出端側が湿潤するのが抑制される。
【００２６】
したがって、湿潤した排ガス通路の噴出端側に排ガスが触れて化学反応により反応生成物が生成成長し、排ガス通路の先端側がその反応生成物によって塞がれて行くという従来例の不具合を効果的に抑制できるものである。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態例を図面に基づき説明する。図１乃至図４は本発明に係る排ガス除害装置の一実施形態例の構成を示す。図１は排ガスの除害処理塔を示し、図２はその除害処理塔の上部側に形成される２重通路状の噴出部２５の詳細構成を示す。図１、図２において、円筒状の除害剤導入管２６の下端側は連結管２７を介してノズル取り付け管２８が連結されており、このノズル取り付け管２８の先端側には円筒状のジェットノズル２９が取り付けられている。
【００２８】
これら、除害剤導入管２６、連結管２７、ノズル取り付け管２８およびジェットノズル２９の内部通路は円形断面をもった除害剤通路３０として機能し、この除害剤通路３０の先端（下端）のジェットノズル２９の部分は除害剤の噴出部として機能する。ジェットノズル２９の内部には絞り部３１が形成されており、この絞り部３１で除害剤の流れを一旦絞った後、流路を先端に向けて僅かに開拡し、噴出口（噴出端）から放射状に除害剤を噴出する構成と成している。この除害剤は従来例と同様に水を使用することも可能であるが、除害時の化学反応によって生成される生成物を溶解可能な液剤がより好ましく、本実施形態例では苛性ソーダ液を除害剤として使用している。
【００２９】
前記ノズル取り付け管２８の先端部２８ａの内周面には段部が形成されてノズル取り付け管２８の内面とジェットノズル２９の外面間にシールガス室３２が形成されており、このシールガス室３２の下端側のノズル取り付け管２８とジェットノズル２９との間には前記シールガス室３２に通じる微小隙間のノズル通路３３が形成されている。
【００３０】
前記シールガス室３２の外壁として機能する壁面２８ａにはシールガス供給管３４が接続され、このシールガス供給管３４を通して供給される第１のシールガスはシールガス室３２に入った後、ノズル通路３３から噴出するようになっている。この第１のシールガスは排ガスの成分と化学反応を起さないガス種のガス（より好ましくは乾燥（ドライ）ガス）であればよく、例えば、アルゴンガス、窒素ガス等の不活性ガスが特に適しており、本実施形態例では窒素ガスを第１のシールガスとして使用している。前記シールガス供給管３４とシールガス室３２とノズル通路３３の構成部分は第１のシールガスの噴出層によって除害剤の噴出流と後述する排ガスの噴出流とを遮断するシールガス遮断噴出手段を構成する。
【００３１】
前記連結管２７の外周面には上部側が拡大径となる段差が形成されており、この拡大径となる外周部分に筒体３５の上部が嵌合固定され、連結管２７の外周面と筒体３５の内周面との間に除害剤供給空間３６が形成されている。筒体３５の筒壁には除害剤供給空間３６に連通する除害剤供給管３７が接続されている。また、筒体３５の下端側の内周面とノズル取り付け管２８の外周面との間には除害剤流下隙間３８が形成され、除害剤供給管３７から除害剤供給空間３６に供給された除害剤は除害剤流下隙間３８からノズル取り付け管２８の外周面、すなわち、除害剤通路３０の噴出部の外周面に沿って（外周面を伝わって）流下する構成と成している。
【００３２】
前記除害剤供給管３７に通じる管路３７ａには除害剤の供給と供給停止を選択的に操作する開閉弁Ｖ１（図４参照）が介設されており、この開閉弁Ｖ１を備えた管路３７ａを通して除害剤供給管３７へ除害剤を供給する機構と、除害剤供給空間３６と、除害剤流下隙間３８との構成部分は除害剤選択供給手段を構成する。
【００３３】
前記除害剤通路３０の周りには該除害剤通路３０に対し同心状に外筒３９が配置され、該外筒３９の内周面と除害剤通路３０の外周面とによって囲まれた環状の通路は排ガス通路４０と成し、除害剤通路３０と排ガス通路４０は縦向き設置の２重通路状となっている。排ガス通路４０の上端は着脱可能な蓋部材４１によって気密に閉鎖されている。外筒３９の筒壁には排ガス通路４０に連通する排ガス導入管４２が保持部材４３に保持されて設置されており、この排ガス導入管４２の入り口側は図示されていない配管管路を通してエピタキシャル装置等の半導体製造装置の排気口に連通接続されるようになっている。
【００３４】
外筒３９の下端側には、枠部材４５が気密に連結されている。この枠部材４５の上部内壁からは下方に向かうに連れ縮径するテーパ状のノズル壁４６が伸設され、このノズル壁４６の内部空間は排ガス通路４０の噴出部４４として機能する。噴出部４４の噴出端と除害剤通路３０の噴出端（ジェットノズル２９の噴出端）とはほぼ同一高さ位置とするが、図２の例では、排ガス通路４０の噴出端が除害剤通路３０の噴出端より僅かに下方となっている。
【００３５】
前記枠部材４５の下面には隔壁４７が配され、枠部材４５の外壁４５ａと隔壁４７とノズル壁４６とによって囲まれる空間はシールガス供給空間４８となっている。外壁４５ａにはシールガス供給管４９が接続され、このシールガス供給管４９はシールガス供給空間４８に連通されている。隔壁４７の中央部には開口が形成されている。この開口の内端縁は前記ノズル壁４６のテーパと同方向のテーパをもって下方に折曲されており、その折曲壁５１とノズル壁４６との間に形成される微小隙間は流出ノズル隙間５２と成している。
【００３６】
前記枠部材４５の下端には隔壁４７を介して上面開放の槽ケース５３が連結されている。該槽ケース５３の底壁の中央部は透孔となっており、この透孔に筒部材５４の頭部が気密に嵌合され、槽ケース５３は図示されていない保持部材によって筒部材５４に固定されている。筒部材５４の上端は槽ケース５３の底面より僅かに上方へ突き出しており、この突き出し部に漏斗状部材５６の下部側筒壁５６ａが気密に嵌合装着されている。下部側筒壁５６ａの上端部からは上方に向かうに連れ拡径するテーパ壁５７が設けられ、該テーパ壁５７の上端の内径は前記折曲壁５１の外径よりも僅かに大きく形成されている。また、テーパ壁５７の上端は隔壁４７の板平面よりも低位となっている。
【００３７】
前記筒部材５４の内部空間は除害処理通路５５となっており、漏斗状部材５６のテーパ壁５７は除害処理通路５５の上端入り口となっている。漏斗状部材５６の外周面と槽ケース５３とによって囲まれる空間は環状空間と成し、槽ケース５３が除害処理通路５５の上端部外側（漏斗状部材５６の外側）に設けられることによって環状槽５８が形成され、漏斗状部材５６の外周面は環状槽５８の内周面として機能し、隔壁４７は環状槽５８の上面として機能している。槽ケース５３の外周筒壁には環状槽５８に連通する除害剤供給管５９が接続され、この除害剤供給管５９を通して除害剤が環状槽５８に供給されるようになっている。そして、オーバーフローした除害剤はテーパ壁５７と折曲壁５１との間の隙間６０からテーパ壁５７の内面に沿って流れるようになっており、これら、環状槽５８と除害剤供給管５９と隙間６０は除害処理通路５５の上部側内周面を強制的に濡れ面にする濡れ面形成手段を構成する。
【００３８】
また、前記シールガス供給管４９とシールガス供給空間４８と流出ノズル隙間５２は、シールガス供給管４９から供給される第２のシールガスを流出ノズル隙間５２を通して噴出し除害処理通路５５の上端側内周面（除害剤通路３０と排ガス通路４０の２重通路状の噴出部に連接される除害処理通路５５の連接部領域の通路内周壁面）上に第２のシールガスの表層を形成するシールガス表層形成手段を構成する。なお、図２中には、除害剤と排ガスとシールガスの流れを分かりやすく示すため、除害剤の流れは破線の矢印で、排ガスの流れは白抜き矢印で、シールガスの流れは実線の矢印でそれぞれ模式的に示してある。
【００３９】
図３および図４に示すように、前記筒部材５４は除害処理通路５５を形成する連結筒部材６１〜６４を介し、除害処理塔の形態となってタンク６５の上面に立設固定されている。図３の例では、４基の除害処理塔が立設されており、４台の半導体処理装置の排ガスの除害処理がそれぞれ対応する除害処理塔で除害処理される構成となっている。
【００４０】
各除害処理塔にはそれぞれ専用の循環ポンプ６６があてがわれ、循環ポンプ６６の吸い込み側は管路６７によってタンク６５に連通されており、循環ポンプ６６の吐出側は循環供給管６８が接続されている。図４は配管態様をより詳細に示すもので、この図４に示すように、循環供給管６８の先方側は除害剤導入管２６と除害剤供給管３７、５９に通じる管に分岐されており、循環ポンプ６６を駆動することにより、タンク６５内の除害剤が上記各管２６、３７、５９へ循環供給される構成となっている。
【００４１】
一方、シールガス供給管３４と４９は対応する管路６９、７０を介してＣＥ，窒素ガスオンサイトプラントを供給源とする工場配管に接続されている。また、排ガス導入管４２は管路７１を介してエピタキシャル装置等の半導体製造装置の排気口に連通されている。本実施形態例においては、半導体製造装置の排気口から排ガス導入管４２に至る経路（図４では排ガス導入管４２の入り口部分）に、排ガスの圧力を検出する圧力検出管７２が接続されており、この圧力検出管７２に排ガスの圧力を検出するガス圧検出センサ７３が設置されている。
【００４２】
なお、図３および図４中、Ｖ１〜Ｖ５は手動の開閉弁、７４はガス流量計、７５は除害剤流量計、７６は液面計、７７はシールガス用逆止弁、７８は排ガス用逆止弁、７９は制御信号によって弁の開閉が制御される制御弁、８０は除害処理された排ガスをパージ管（図示せず）に導く管路、８１はその開閉弁、８２はモータ、８３はモータの回転軸、８４はその回転軸８３に連動回転して除害処理通路５５の流路を遮断するバラフライ弁である。
【００４３】
前記タンク６５には攪拌用循環路８４が接続され、この攪拌用循環路８４には攪拌用循環ポンプ８５と手動の開閉弁８６と制御弁８７とが介設されている。そしてこの攪拌用循環路８４には制御弁８９を装備した排出管８８が接続されている。
【００４４】
制御装置９０は前記攪拌用循環ポンプ８５と制御弁８７、８９を制御してタンク６５内の除害剤の循環攪拌と除害剤の管理制御を行う。すなわち、制御装置９０は制御弁８９を閉じ、制御弁８７を開いて攪拌用循環ポンプ８５を駆動することにより（開閉弁８６は開いている）、タンク６５内の除害剤は管９１から攪拌用循環ポンプ８５へ吸引され、管９２を通してタンク６５へ戻される。このことで、タンク６５内の除害剤は攪拌され、タンク６５内の除害剤の除害成分濃度（排ガス除害成分の溶解濃度）が均一化されるように攪拌動作が制御される。
【００４５】
また、制御装置９０は、タンク６５内の除害剤の除害成分濃度の検出情報を取り込み、除害成分濃度が許容上限値を超えたときに所定量の除害剤をタンク６５から排出管８８を通して排出し、その排出量に見合う新規の除害剤をタンク６５内に導入（導入管は図示せず）してタンク６５内の除害剤中の排ガス除害成分濃度が許容上限値を超えないように除害剤の管理制御を行う。
【００４６】
さらに、制御装置９０は前述した循環ポンプ６６および除害処理塔の配管管路に装備されている制御弁を予め与えられるプロセス制御のプログラムに従い制御して排ガスの除害運転を制御するが、この制御装置９０にはプロセス制御に関連した特徴的なポンプ回転数制御手段の構成が備えられている。
【００４７】
この特徴的なポンプ回転数制御手段は除害剤導入管２６に導入される排ガスの圧力をガス圧検出センサ７３によって検出し、検出ガス圧が予め定められた設定圧力を上側に超えたときには循環ポンプ６６の回転数を増加する方向に循環ポンプ６６の駆動周波数を制御し、検出ガス圧が設定圧力を下側に超えたときには循環ポンプ６６の回転数を減少する方向に循環ポンプ６６の駆動周波数を制御する構成と成している。つまり、除害剤通路３０を通る除害剤の流量制御によって、排ガスの圧力を常時一定の設定圧力を維持する制御構成を備えている。
【００４８】
次に本実施形態例における排ガスの除害動作を説明する。エピタキシャル装置等の半導体製造装置から排出される排ガスは、排ガス導入管４２に導入される。一方、除害剤（この例では苛性ソーダ液）は循環ポンプ６６の駆動により循環供給管６８を通して除害剤導入管２６および除害剤供給管５９に供給される。除害剤はジェットノズル２９より勢いよく噴出するためエゼクター効果により排ガス導入管４２に到達した排ガスを引き込む。これにより排ガスは、排ガス通路４０を通り、噴出部４４のノズル壁４６に沿って絞られながら除害処理通路５５に向けて勢いよく噴出する。通常運転時には手動弁Ｖ１は閉じられているので、除害剤供給管３７への除害剤供給は行われない。また、シールガス供給源からは、シールガス（この例では乾燥窒素ガス）が管路６９、７０を通してシールガス供給管３４および４９に供給される。
【００４９】
前記除害剤導入管２６に導入された除害剤はジェットノズル２９の絞り部３１で絞られて流速を加速した後、噴出部から多量の高速ジェット流となって除害処理通路５５へ向けて放射状に噴出する。この除害剤の放射状の噴出流とその外側から通路中心方向に集束する排ガスの噴出流は両噴出流の噴出端から下流側に離れた位置で交差し、その交差点で接触開始し、除害処理通路５５を流下（通過）する間に排ガスの除害が行われる。本実施形態例では、除害剤の噴出流は放射状に噴出した後、除害処理通路５５の壁面に衝突反射し、除害処理通路５５の全空間に拡散するので、排ガスは除害剤にほぼどっぷり漬かった格好となって除害剤と攪拌しながら流れるので、除害効果は抜群となり、除害処理通路５５の終端側に流れてくる間に排ガス中の有害成分はほぼ完璧に除害される。
【００５０】
この除害動作中に除害剤供給管５９に供給される除害剤は環状槽５８に入る。そして、環状槽５８からオーバーフローした除害剤の流れは流出ノズル隙間５２から除害処理通路５５の上端側のテーパ壁５７に沿って（伝わって）流れ、ジェットノズル２９から噴出する除害剤の噴出流が接触し難い除害処理通路５５の上部側内周壁面を強制的に前記オーバーフロー流の濡れ面に維持する。
【００５１】
また、除害剤通路３０の噴出端の外周面に万が一排ガスと除害剤との反応生成物（単に生成物ともいう）が付着したときには、手動開閉弁Ｖ１を開けて除害剤を除害剤供給管３７にスポット的（一時的）に供給し、除害剤を除害剤供給空間３６から除害剤流下隙間３８を通して除害剤通路３０の外周面（ノズル取り付け管２８の外周面）に沿って（伝わって）流下させ、付着した生成物を溶解除去する。
【００５２】
前記シールガス供給管３４に供給された第１のシールガスはシールガス室３２に入り、ノズル通路３３から除害処理通路５５に向けて噴出する。つまり、除害剤通路３０の噴出部と排ガス通路４０の噴出部との境界部から第１のシールガスが除害剤の噴出流と排ガスの噴出流との間に噴出する。図２に示すように、この第１のシールガスの噴出流Ｓの噴出層は排ガスの噴出流（白抜きの矢印）とジェットノズル２９から噴出する除害剤の噴出流（ジェットノズル２９の下端から出る破線矢印の流れ）とを除害剤と排ガスの２重通路状噴出端の近傍領域で遮断し、除害剤の噴出流と排ガスの噴出流とを噴出端から下流側に離れた位置で接触開始させる。
【００５３】
また、シールガス供給管４９に供給された第２のシールガスは流出ノズル隙間５２から除害処理通路５５の上部内周面、つまり、除害剤の噴出部（ジェットノズル２９）と排ガスの噴出部４４との２重通路状の噴出部に連接される除害処理通路５５の連通部領域である、テーパ壁５７の内周面に沿って噴出され、その内周面上に（図２の例ではテーパ壁５７表面の除害剤の濡れ面上）に第２のシールガスの表層を形成する。この第２のシールガスの表層により、排ガスが除害処理通路５５の上端側内周面に接触するのが抑制される。また、除害剤通路３０の噴出端に万が一撹流が生じたとしても、この撹流が同様に排ガスが除害処理通路５５の上端側内周面に接触するのが抑制される。
【００５４】
前記処理通路（除害処理塔）５５から流れ落ちる除害剤はタンク６５に受け止められた後、再び除害剤の供給先である、除害剤導入管２６および除害剤供給管５９に循環供給される。一方、除害処理された排ガスは図３、図４に示す管路８０を通し、パージ管（図示せず）から大気へ排出される。
【００５５】
上記排ガス除害の運転中は、常時、ガス圧検出センサ７３により排ガスの圧力が検出され、この検出圧力の信号は制御装置９０に送られる。制御装置９０はこの検出圧力と予め与えられている設定圧力とを比較し、検出圧力が設定圧力を上回ったときには循環ポンプ６６の回転を増加する方向に制御する。このポンプ回転の増加により、除害剤通路３０から噴出する流量（流速）が増加し、この除害剤噴出流のエジェクタ効果による吸引力（排ガスを除害剤の噴出流へ吸引する力）が増加する。したがって、この吸引力によって排ガスの流量（流速）が増加するので、排ガスの圧力が低下し、排ガスの検出圧力は設定圧力に集束する。
【００５６】
上記とは逆に検出圧力が設定圧力を下回ったときには循環ポンプ６６の回転数を減少する方向に制御する。このポンプ回転数の減少により、除害剤通路３０から噴出する流量（流速）が減少し、この除害剤噴出流のエジェクタ効果による吸引力（排ガスを除害剤の噴出流へ吸引する力）が減少する。したがって、この吸引力によって排ガスの流量（流速）が減少するので、排ガスの圧力が増加し、排ガスの検出圧力は設定圧力に集束する。このように排ガスの圧力を一定に維持制御するので、エピタキシャル装置等の半導体製造装置の処理室内が排気の背圧変動によって悪影響を受けることがなく、半導体製造装置によって作製される半導体製品の品質を高めることが可能となる。
【００５７】
また、制御装置９０は上記排ガスの処理運転中はタンク６５内の除害剤中の排ガス除害成分濃度を許容範囲に収まるように管理制御する。すなわち、攪拌用循環ポンプ８５を回転駆動して、タンク６５内の除害剤を攪拌用循環路８４を通して循環攪拌する。そして、除害剤中の排ガス除害成分濃度の情報をセンサ等から取り込む。排ガスから除去した有害成分は除害剤に溶解することから、時間の経過に伴って除害剤中の排ガス除害成分濃度が高くなる。
【００５８】
制御装置９０は排ガス除害成分濃度が許容範囲を越えて高くなったときには新鮮な除害剤を除害剤供給手段（図示せず）を制御してタンク６５内に入れ、その量に見合うタンク６５内の古い除害剤を、制御弁８７を閉じ制御弁８９を開けて排出管８８から捨てる（開閉弁８６は開いてある）。このことで、タンク６５内の除害剤は常に排ガス除害成分濃度が許容範囲に収まるように管理される。また、制御装置９０は液面計７６の液面検出情報を取り込み、液面が設定レベルよりも許容範囲を超えて下回ったときには除害剤の補充を行い、液面が設定レベルよりも許容範囲を超えて上回ったときには余分の除害剤を捨てる制御を行って、タンク６５内の除害剤の液面を設定レベルに維持制御する。
【００５９】
本実施形態例によれば、ジェットノズル２９から多量の除害剤を高速で噴出するようにしたので、噴出端近傍領域に従来例の図７に示すような除害剤の霧状の撹流Ｂの流れが発生し難くなる。たとえこのような撹流Ｂが発生したとしても、排ガスの噴出流と除害剤の噴出流との間にノズル通路３３から第１のシールガスが噴出されて排ガスの噴出流と除害剤の噴出流とをシールガス層によって遮断する構成としたので、除害剤の撹流の流れが排ガス通路４０の先端側に接触して湿潤し、その湿潤面に排ガスが触れて排ガス除害成分の生成物が付着堆積するという従来の問題点を効果的に抑制することができる。
【００６０】
また、前記撹流が除害剤通路３０の噴出端近傍領域に発生したとしても、前記のようにその撹流の流れは第１のシールガスの遮断層によって遮られ、除害処理通路５５の上端側壁面に触れることが防止されるが、万が一その撹流の流れが除害処理通路５５の上端側壁面（テーパ壁５７の表面領域）へ流れてきても、テーパ壁５７の表面にはさらに流出ノズル隙間５２から噴出される第２のシールガスの表層が形成されているので、撹流の流れがテーパ壁５７の表面領域に接触するのを防止できる。しかも、テーパ壁５７の表面領域には隙間６０から除害剤のオーバーフローの流れが流れているので、何らかの原因で排ガス除害成分の生成物が付着しても、その付着物はそのオーバーフロー流の除害剤により溶解除去されるので、除害処理通路５５の上端側領域に前記生成物が付着成長する現象を効果的に防止できる。
【００６１】
同様に、前記シールガス室３２からノズル通路３３を通して噴出する第１のシールガスの噴出層の遮断効果によって、ジェットノズル２９の噴出流から前記撹流が生じたとしてもその撹流が除害剤通路３０の噴出端の外壁面に接触するのが防止されることとなり、万が一その外壁面が撹流によって湿潤され、その湿潤面に排ガス除害成分の生成物が付着したとしても、除害剤供給管３７からスポット的に除害剤が供給流下されることで、生成物はその流下する除害剤によって溶解除去され、除害剤通路３０の噴出端の外壁面に生成物が付着成長して排ガスの流れを妨害するという問題を解消できる。
【００６２】
上記のように、本実施形態例では、排ガスの除害成分が排ガスおよび除害剤の噴出端近傍領域に生成物として付着成長するのを効果的に抑制できるので、その生成物を頻繁に取り除く作業から開放され、その取り除き作業を行う毎に装置停止を頻繁に行わなければならないということもなくなり、装置の稼動効率を格段にアップすることが可能となった。この効果を実験によって従来例と比較したところ、従来例の装置では清掃のために運転停止する排ガス除害装置のメンテナンス停止サイクルは１ケ月につき２回であったが、本実施形態例では３ケ月に１回となり、停止までのサイクル期間を長くすることができた。また、従来の装置では、排ガスの噴出端領域に背圧変動要因となる排ガス除害成分の生成物ができ易いため、排気圧変動が±２０ｍＡｑと大きな値となったが、本実施形態例では、±２ｍＡｑと小さな値となり、従来例に比べ排気圧変動を１／１０に小さくすることができた。
【００６３】
さらに、本実施形態例では、ジェットノズル２９から多量で高速の除害剤を除害処理通路５５に向けて放射状に噴出するようにしたので、噴出された除害剤の噴出流は除害処理通路５５の壁面に衝突反射して除害処理通路５５の通路内全空間に除害剤が均一拡散された状態で流れることとなる。したがって、除害処理通路５５の全空間領域で、排ガスと除害剤との接触攪拌作用が促進され、除害処理塔を流れ出るまでの間に排ガスの除害が効率的に達成できるので、従来例の如く、排ガスが伝達パイプ９を出た後にさらに排ガスを複数段の除害処理室を通す必要がなくなり（たとえ、このような除害処理室を設けるようにしたとしても、その室は従来例よりも少ない段数で済む）、その分、装置構成が簡易となり、装置の小型化も達成され、高性能の装置を安価に提供できるという効果を奏する。
【００６４】
さらに、本実施形態例では、タンク６５内の除害剤中の排ガス除害成分濃度が常時許容範囲に収まるように制御しているので、長期にわたって除害剤を循環させて繰り返し使用しても排ガス除害の性能が低下することがなく、長期にわたる信頼性の高い排ガス除害を可能とし、除害剤を繰り返し使用できるので、除害剤の有効利用が図れ、これに伴い経費節減を達成することができる。
【００６５】
なお、本発明は上記実施形態例に限定されることなく様々な実施の形態を採り得る。例えば、上記実施形態例では、除害剤通路３０と排ガス通路４０の２重状通路を図５の（ａ）に示すように、除害剤通路３０の全周を排ガス通路４０で囲んだ形態としたが、例えば、同図の（ｂ）に示すように除害剤通路３０の外周の一部を排ガス通路４０で囲んだ形態のものも本発明に含まれるものである。
【００６６】
また、除害剤通路３０と排ガス通路４０は必ずしも真円状にするとは限らず、図５の（ｃ）に示すように、楕円状の通路としてもよく、或いは、同図の（ｄ）に示すように四角状の通路としてもよく、通路断面形状は真円（真円の円環を含む）以外の適宜の形状を採り得る。また、除害剤通路３０と排ガス通路４０は必ずしも同心にするとは限らず、多少偏心していてもよい。より望ましくは、本実施形態例に示したごとく、除害剤通路３０と排ガス通路４０は真円の同心とし、図５の（ａ）に示すように、除害剤通路３０の全外周を排ガス通路４０で囲むようにすることが好ましい。
【００６７】
さらに、上記実施形態例では、除害剤通路３０の外側を排ガス通路４０で囲んだが、その逆に、排ガス通路４０を中心側の通路とし、該排ガス通路４０の外側を除害剤通路３０で囲んだ２重状通路としてもよい。
【００６８】
さらに、上記実施形態例における手動開閉弁は適宜制御信号によって弁を開閉する制御弁に置き換えることが可能である。例えば、手動開閉弁Ｖ１を制御弁に置き換えることにより、制御装置９０により例えば予め定めた所定時間間隔毎に弁Ｖ１を自動的に開いてスポット的に除害剤を除害剤供給管３７に供給して、除害剤を除害剤流下隙間３８から流下させるような制御形態を取ることが可能となる。
【００６９】
さらに、上記実施形態例では、例えば図１および図４に示すように、除害処理塔の筒部材の径（外径および内径）は下方に向かうに連れ大きくなるテーパ錐面の塔としたが、上下同一径のストレート状の塔としてもよく、或いは、通路のテーパの向きを逆にし、下方に向かうに連れ内径が小さくなるテーパ錐面状通路の塔としたものでもよい。
【００７０】
さらに、上記実施形態例では、複数の除害処理塔で除害処理した除害剤を共通の１台のタンク６５で受けるようにしたが、各除害処理塔で処理した除害剤をそれぞれ専用の個別のタンクで受けるようにしてもよい。ただし、そのようにした場合には、各除害処理塔のタンク毎に攪拌用循環ポンプ８５および液面計７６を装備する必要があるため、装置コストがその分高くなる。一般に、攪拌用循環ポンプ８５や、液面計７６は故障が殆ど生じることなく、したがって、上記実施形態例のように、複数の除害処理塔の除害剤を１台のタンク６５で受けるように構成しても、攪拌用循環ポンプ８５や、液面計７６の故障によって、複数基の除害処理塔の運転が一度に停止してしまうという問題が生じることは殆どない。このような事情から、複数の除害処理塔の除害剤を処理する場合には、上記実施形態例の如く、１台の共通のタンクによって複数の除害処理塔の除害剤を受けるようにすることが望ましく、そのようにすることで、攪拌用循環ポンプ８５および液面計７６の共通使用に伴う節減が図れ、装置コストのより一層の低減が可能となる。
【００７１】
さらに、上記実施形態例では、循環ポンプ６６をインバーター式のポンプによって構成し、ポンプの回転数制御を周波数制御によって行ったが、循環ポンプ６６は回転制御が可能な構成のものであればよく、その回転制御も例えば電圧制御等、周波数以外の制御形態のものであってもよい。ただ、上記実施形態例のように循環ポンプ６６をインバーター式のポンプによって構成し、ポンプの回転数制御を周波数制御によって行う方が、容易に精度よく回転数制御を行うことができるので、望ましくは、本実施形態例の構成形態とするのがよい。
【００７２】
さらに、上記実施形態例では、エピタキシャル装置から排出される排ガスの除害処理を対象にして説明したが、本発明はエピタキシャル装置以外の半導体製造装置の排ガス除害処理の方法および装置に適用できるものであり、半導体製造装置以外の例えば、化学工場等の排ガス除害処理の方法及び装置としても適用可能であり、このような場合には、使用する除害剤は排ガスの除害する成分に合わせて適宜選定すればよい。
【００７３】
【発明の効果】
本発明は、排ガス通路と除害剤通路の噴出部を２重通路状に形成し、その排ガス通路の噴出部と除害剤通路の噴出部との境界領域から第１のシールガスを噴出して、２重通路状の噴出端近傍領域の排ガス噴出流と除害剤噴出流とを第１のシールガスの噴出層によって遮断する構成としたものであるから、たとえ、除害剤の噴出端近傍で除害剤の霧状の撹流が生じたとしても、その撹流が排ガス側の噴出端領域に到達してその部分を湿潤させ、その湿潤した部分に排ガス除害成分の生成物が堆積成長するという現象を効果的に抑制することができる。
【００７４】
また、前記排ガス通路と除害剤通路の２重通路状の噴出部に連接される除害処理通路の連接部領域の通路内周壁面上に、第２のシールガスの表層を形成するシールガス表層形成手段を設けた構成とすることにより、同様に、前記除害剤の撹流が除害処理通路の連接部領域の通路内周壁面上に到達してその到達湿潤部分に生成物を堆積成長させるという現象を抑制することができる。
【００７５】
特に、除害処理通路の上端部から除害剤を流して除害処理通路の上部側内周面を強制的に除害剤の濡れ面とする濡れ面形成手段を設けた構成にあっては、前記２重通路状の除害剤通路の噴出部から噴出する除害剤の噴出流が接触し難い除害処理通路の上部側内周面を確実に除害剤の流れ面（濡れ面）とすることができ、たとえ、この濡れ面に排ガス除害成分の生成物が堆積しようとしても、その生成物は濡れ面に流れる除害剤によって流去されることとなる。この場合、除害剤として前記生成物を溶解する性質を有するものを使用する場合はその生成物は溶解して流去できるので、生成物の生成堆積をより効果的に防止できる。このように本発明によれば、除害剤の噴出流が接触し難く生成物が堆積し易い除害処理通路の上部側内周面に生成物が付着成長する現象を阻止することができる。特に、この濡れ面形成手段と前記シールガス表層形成手段を共に設け、除害剤の濡れ面上に前記第２のシールガスの表層を形成することにより、前記除害処理通路の上部側内周面に生成物が付着成長する現象をほぼ完璧に阻止することができる。
【００７６】
さらに、除害剤通路の少なくとも噴出部の外周面に除害剤を選択的に供給する除害剤選択供給手段を設けることにより、除害剤通路の噴出部の外周面に万が一排ガス除害成分の生成物が付着堆積したことが観察された場合には、スポット的に除害剤を流してその生成物を流去でき（除害剤が前記生成物を溶解する性質を有する場合はその生成物を溶解して流去でき）、除害剤通路の噴出部の外周面に生成物が付着成長する現象を防止することができる。
【００７７】
上記のように、本発明は、排ガス通路と除害剤通路の２重通路状噴出端部や、該２重通路状噴出端部に連接される除害処理通路の上部側内周面に排ガス除害成分の生成物が付着成長する現象を効果的に抑制する手段を講じているので、その生成物を比較的短い間隔で頻繁に取り除く作業から開放され、生成物を取り除くために頻繁に装置運転を停止することがなくなるので、装置運転の稼動効率を大幅にアップすることが可能である。
【００７８】
さらに、排ガス除害成分の生成物が前記排ガス通路と除害剤通路の２重通路状噴出端の周辺部に付着してその生成物が排ガス通路を通る排ガスの流れの排気抵抗として作用し、この排気抵抗の変動が、半導体製造装置側の背圧変動となって半導体製造製品の品質を低下させるという従来の問題を解消緩和できるので、半導体製造装置によって作製される半導体製品の品質と信頼性を高めることができる。
【００７９】
特に、本発明は、ポンプ回転数制御手段を設け、除害剤通路に除害剤を循環供給する循環ポンプの回転数を、排ガス通路を流れる排ガスの圧力が一定となるように制御する構成、つまり、除害剤通路の噴出部から噴出される除害剤の流量を制御することによって排ガスの圧力を一定に維持する構成を備えているので、たとえ、排ガス通路の噴出部領域に通路抵抗成分となる生成物が多少付着形成されたとしても、その生成物により半導体製造装置の背圧が変動して悪影響を及ぼすという問題を防止できることとなり、半導体製造製品の品質と信頼性をさらに一層高めることが可能となるものである。
【００８０】
さらに、本発明の排ガス除害装置は、従来例のような多段の除害処理室を設ける必要がないため、装置構成の簡易化、小型化が可能となり、性能に優れた本発明の排ガス除害装置を安価に提供して、その利用・普及を図ることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る排ガス除害装置における除害処理塔の一実施形態例の構成説明図である。
【図２】図１に示される２重通路状噴出部２５の部分の詳細拡大図である。
【図３】複数の除害処理塔を１台のタンク６５上に設置したタイプの本実施形態例の排ガス除害装置の全体的な構成を示す図である。
【図４】除害処理塔の配管関係を詳細に示す本実施形態例の説明図である。
【図５】除害剤通路３０と排ガス通路４０との２重通路状噴出部の各種断面形状の例を示す説明図である。
【図６】従来例の排ガス除害装置の構成説明図である。
【図７】図６のＡ部分の詳細拡大図である。
【符号の説明】
２５  ２重通路状の噴出部
２９  ジェットノズル
３０  除害剤通路
３４、４９  シールガス供給管
３７、５９  除害剤供給管
４０  排ガス通路
４２  排ガス導入管
４９  シールガス供給管
５５  除害処理通路
６５  タンク
６６  循環ポンプ
【図１】
0004049473.tif 000002
【図２】
0004049473.tif 000003
【図３】
0004049473.tif 000004
【図４】
0004049473.tif 000005
【図５】
0004049473.tif 000006
【図６】
0004049473.tif 000007
【図７】
0004049473.tif 000008