(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部制御可能な発振回路部と該発振回路部の出力に接続されたＨブリッジとを含む低電圧回路部と、該低電圧回路部のＨブリッジ端子間にその１次捲線を接続された駆動トランスと、該駆動トランス２次捲線端子間に接続され該２次捲線のインダクタンスと自己の容量によって決定される共振周波数を有する共振出力電流を発生する共振回路を形成するＥＬと、該ＥＬの両端間の電圧を入力しこれを処理可能なレベルに変換して前記低電圧回路部に供給する電圧分割回路を具備し、前記低電圧回路部の外部制御発振回路部の発振電圧の周波数及び位相の少なくとも１つを前記共振回路の共振周波数及び位相に同期せしめ、該ＥＬに最大電流を供給するようにしたことを特徴とするＥＬ駆動回路。
【請求項２】
前記駆動トランスの１次及び２次捲線の巻線比を前記ＥＬに最適な周波数帯でＥＬ容量とトランス２次捲線が共振点を持つように決定し、該周波数帯で該ＥＬに供給する最大電流を略対称な正弦波となるようにしたことを特徴とする請求項１記載のＥＬ駆動回路。
【請求項３】
前記電圧分割回路は分割出力電圧を低電圧回路の耐圧範囲にクランプする波形整形回路を含むことを特徴とする請求項１記載のＥＬ駆動回路。
【請求項４】
前記外部制御可能な発振回路部は外部同期式ＣＲ発振器と前記電圧分割回路の出力から同期信号を形成しこれを前記外部同期式ＣＲ発振器に供給する同期信号発生回路を具備し、前記外部同期式ＣＲ発振器の発振周波数を前記共振回路の共振周波数に同期せしめるようにしたことを特徴とする請求項１記載のＥＬ駆動回路。
【請求項５】
前記外部同期式ＣＲ発振器はＣＲ発振器の発振周波数設定用抵抗Ｒ１の両端に接続された調整用低抵抗Ｒ２とアナログスイッチＳの直列枝を有し、該アナログスイッチＳを前記同期信号発生回路から供給される同期信号によって閉成し発振周波数を該同期信号に同期して変更するようにしたことを特徴とする請求項４記載のＥＬ駆動回路。
【請求項６】
前記外部制御可能な発振回路部は電圧制御発振回路（ＶＣＯ）と、前記電圧分割回路の出力を一方の入力端に入力すると共に他方の入力端に前記電圧制御発振回路（ＶＣＯ）からの帰還信号を入力しこれらの位相を比較し、位相差信号を発生する位相比較器と、該位相比較器の出力から高周波成分を除去し位相差に対応する直流信号を発生し、前記電圧制御発振回路（ＶＣＯ）の直流制御入力端に入力するロ−パスフィルタ回路とを具備し、前記電圧制御発振回路（ＶＣＯ）の発振周波数及び位相を前記共振回路の共振周波数及び位相に同期せしめるようにしたことを特徴とする請求項１記載のＥＬ駆動回路。
【請求項７】
前記外部制御可能な発振回路部は更に前記位相比較器と前記ロ−パスフィルタ間にチャ−ジポンプを設け、前記位相比較器の比較結果に比例した３値信号に変換して前記ロ−パスフィルタに入力するようにしたことを特徴とする請求項６記載のＥＬ駆動回路。
【請求項８】
前記低電圧回路はＩＣ回路で構成されていることを特徴とする請求項１記載のＥＬ駆動回路。
【請求項９】
前記低電圧回路はＣＭＯＳ−ＩＣ回路で構成されていることを特徴とする請求項１記載のＥＬ駆動回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はエレクトロルミネッセントランプ（以下ＥＬと略称する）の駆動回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＥＬの駆動回路として従来採用されて来たものには図１０に示すようなディスクリ−ト部品を使用する回路（ＮＥＣ製トランス式インバ−タカタログ掲載のもの）、図１１に示すようなＩＣ化された回路（特開平２−２５７５１開示のもの）等があり、ディスクリ−ト部品を使用する回路では、ＬＣ自励発振回路の発振信号をトランスによって昇圧し、交番波により駆動するもの、またＩＣ化された回路では、固定の周波数で発振する発振回路を有し、ＥＬを駆動する段に於いて、数１０ボルトから百数１０ボルトの高電圧に耐える回路素子を使用する回路方式である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
このディスクリ−ト部品で構成された回路（図１０）の場合には、ＬＣ自励発振回路による交番駆動可能なものであったが、トランスの形態が複雑、かつ、大きくなり、部品点数も多く、その結果占有空間が大きくなり、小型化、ＳＭＤ化には不向きであった。また、トランスは捲線が複雑のため高価であった。
一方、ＩＣ化されたもの（図１１）では、ＩＣを高耐圧化しなければならず、ＩＣの製造方法が限定され、またそれに伴い高価にならざるを得なかった。また、発振回路の固有周波数でＥＬを駆動しているため、経時変化によるＥＬの特性変化と無関係となり、最適な駆動状態の維持には不向きであった。更に、回路構成は比較的容易にできるが、その駆動波形は交番波とはほど遠いものであり、ＥＬに適切な交番波形駆動ではなかった。
【０００４】
【課題を解決するためにの手段】
上記目的を達成するために、本発明のＥＬ駆動回路は外部制御可能な発振回路部１と発振回路部の出力に接続されたＨブリッジ２とを含む低電圧回路部と、低電圧回路部のＨブリッジ端子間にその１次捲線を接続された駆動トランス３と、駆動トランス２次捲線端子間に接続され２次捲線のインダクタンスと自己の容量によって決定される共振周波数を有する共振出力電流を発生する共振回路を形成するＥＬ４と、ＥＬの両端間の電圧を入力しこれを処理可能なレベルに変換して低電圧回路部に供給する電圧分割回路５を具備し、低電圧回路部の外部制御発振回路部１の発振電圧の周波数及び位相の少なくとも１つを共振回路の共振周波数及び位相に同期せしめ、ＥＬに最大電流を供給するようにしたことを特徴としている。
更に本発明に於けるＥＬ駆動回路は外部制御可能な発振回路部１と発振回路部の出力に接続されたＨブリッジ２とを含む低電圧回路部と、低電圧回路部のＨブリッジ端子間にその１次捲線を接続された駆動トランスと３、駆動トランス２次捲線端子間に接続され２次捲線のインダクタンスと自己の容量によって決定される共振周波数を有する共振出力電流を発生する共振回路を形成するＥＬ４と、ＥＬの両端間の電圧を入力しこれを処理可能なレベルに変換して低電圧回路部に供給する電圧分割回路５を具備し、低電圧回路部の外部制御発振回路部の発振電圧の周波数及び位相の少なくとも１つを共振回路の共振周波数及び位相に同期せしめ、ＥＬに最大電流を供給するようにしたＥＬ駆動回路に於いて、駆動トランスの１次及び２次捲線の巻線比を前記ＥＬに最適な周波数帯でＥＬ容量とトランス２次捲線が共振点を持つように決定し、この周波数帯でＥＬに供給する最大電流を略対称な正弦波となるようにしたことを特徴としている。
更に本発明に於けるＥＬ駆動回路は外部制御可能な発振回路部１と発振回路部の出力に接続されたＨブリッジ２とを含む低電圧回路部と、低電圧回路部のＨブリッジ端子間にその１次捲線を接続された駆動トランス３と、駆動トランス２次捲線端子間に接続され２次捲線のインダクタンスと自己の容量によって決定される共振周波数を有する共振出力電流を発生する共振回路を形成するＥＬ４と、ＥＬの両端間の電圧を入力しこれを処理可能なレベルに変換して低電圧回路部に供給する電圧分割回路５を具備し、低電圧回路部の外部制御発振回路部の発振電圧の周波数及び位相の少なくとも１つを共振回路の共振周波数及び位相に同期せしめ、ＥＬに最大電流を供給するようにしたＥＬ駆動回路に於いて、電圧分割回路５は分割出力電圧を低電圧回路の耐圧範囲にクランプする波形整形回路を含むことを特徴としている。
更に本発明に於けるＥＬ駆動回路は外部制御可能な発振回路部１と発振回路部の出力に接続されたＨブリッジ２とを含む低電圧回路部と、低電圧回路部のＨブリッジ端子間にその１次捲線を接続された駆動トランス３と、駆動トランス２次捲線端子間に接続され２次捲線のインダクタンスと自己の容量によって決定される共振周波数を有する共振出力電流を発生する共振回路を形成するＥＬ４と、ＥＬの両端間の電圧を入力しこれを処理可能なレベルに変換して低電圧回路部に供給する電圧分割回路５を具備し、低電圧回路部の外部制御発振回路部１の発振電圧の周波数及び位相の少なくとも１つを共振回路の共振周波数及び位相に同期せしめ、ＥＬ４に最大電流を供給するようにしたＥＬ駆動回路に於いて、外部制御可能な発振回路部１は外部同期式ＣＲ発振器１と電圧分割回路の出力から同期信号を形成しこれを外部同期式ＣＲ発振器に供給する同期信号発生回路６を具備し、外部同期式ＣＲ発振器１の発振周波数を共振回路の共振周波数に同期せしめるようにしたことを特徴としている。
更に本発明に於けるＥＬ駆動回路は外部制御可能な発振回路部１と発振回路部の出力に接続されたＨブリッジ２とを含む低電圧回路部と、低電圧回路部のＨブリッジ端子間にその１次捲線を接続された駆動トランス３と、駆動トランス２次捲線端子間に接続され２次捲線のインダクタンスと自己の容量によって決定される共振周波数を有する共振出力電流を発生する共振回路を形成するＥＬ４と、ＥＬの両端間の電圧を入力しこれを処理可能なレベルに変換して低電圧回路部に供給する電圧分割回路５を具備し、低電圧回路部の外部制御発振回路部１の発振電圧の周波数及び位相の少なくとも１つを共振回路の共振周波数及び位相に同期せしめ、ＥＬに最大電流を供給するようにしたＥＬ駆動回路に於いて、外部同期式ＣＲ発振器１はＣＲ発振器の発振周波数設定用抵抗Ｒ１の両端に接続された調整用低抵抗Ｒ２とアナログスイッチＳの直列枝を有し、アナログスイッチＳを同期信号発生回路から供給される同期信号によって閉成し発振周波数を同期信号に同期して変更するようにしたことを特徴としている。
更に本発明に於けるＥＬ駆動回路は外部制御可能な発振回路部１と発振回路部の出力に接続されたＨブリッジ２とを含む低電圧回路部と、低電圧回路部のＨブリッジ端子間にその１次捲線を接続された駆動トランス３と、駆動トランス２次捲線端子間に接続され２次捲線のインダクタンスと自己の容量によって決定される共振周波数を有する共振出力電流を発生する共振回路を形成するＥＬ４と、ＥＬの両端間の電圧を入力しこれを処理可能なレベルに変換して低電圧回路部に供給する電圧分割回路５を具備し、低電圧回路部の外部制御発振回路部１の発振電圧の周波数及び位相の少なくとも１つを共振回路の共振周波数及び位相に同期せしめ、ＥＬに最大電流を供給するようにしたＥＬ駆動回路に於いて、外部制御可能な発振回路部１は電圧制御発振回路（ＶＣＯ）７と、電圧分割回路の出力を一方の入力端に入力すると共に他方の入力端に電圧制御発振回路（ＶＣＯ）からの帰還信号を入力しこれらの位相を比較し、位相差信号を発生する位相比較器８と、位相比較器の出力から高周波成分を除去し位相差に対応する直流信号を発生し、電圧制御発振回路（ＶＣＯ）の直流制御入力端に入力するロ−パスフィルタ回路１０とを具備し、電圧制御発振回路（ＶＣＯ）１の発振周波数及び位相を共振回路の共振周波数及び位相に同期せしめるようにしたことを特徴としている。
更に本発明に於けるＥＬ駆動回路は外部制御可能な発振回路部１と発振回路部の出力に接続されたＨブリッジ２とを含む低電圧回路部と、低電圧回路部のＨブリッジ端子間にその１次捲線を接続された駆動トランス３と、駆動トランス２次捲線端子間に接続され２次捲線のインダクタンスと自己の容量によって決定される共振周波数を有する共振出力電流を発生する共振回路を形成するＥＬ４と、ＥＬの両端間の電圧を入力しこれを処理可能なレベルに変換して低電圧回路部に供給する電圧分割回路５を具備し、低電圧回路部の外部制御発振回路部１の発振電圧の周波数及び位相の少なくとも１つを共振回路の共振周波数及び位相に同期せしめ、ＥＬに最大電流を供給するようにしたＥＬ駆動回路であって、外部制御可能な発振回路部１は電圧制御発振回路（ＶＣＯ）７と、電圧分割回路の出力を一方の入力端に入力すると共に他方の入力端に電圧制御発振回路（ＶＣＯ）からの帰還信号を入力しこれらの位相を比較し、位相差信号を発生する位相比較器８と、位相比較器の出力から高周波成分を除去し位相差に対応する直流信号を発生し、電圧制御発振回路（ＶＣＯ）の直流制御入力端に入力するロ−パスフィルタ回路１０とを具備し、電圧制御発振回路（ＶＣＯ）７の発振周波数及び位相を共振回路の共振周波数及び位相に同期せしめるようにしたものに於いて、外部制御可能な発振回路部１は更に位相比較器とロ−パスフィルタ間にチャ−ジポンプ９を設け、位相比較器の比較結果に比例した３値信号に変換してロ−パスフィルタに入力するようにしたことを特徴としている。
【０００５】
【発明の実施の形態】
以下図面に基づいて本発明に係るＥＬ駆動回路について説明する。図１は本発明の第１実施例の回路図、図２は図１の詳細図、図３は図１及び図２の各部の波形図、図４は特性図である。
【０００６】
図１及び図２に於いて１は外部同期式ＣＲ発振器である。この実施例はＣ−ＭＯＳロジックで一般的に安定して発振するインバ−タ３段Ｉ１，Ｉ２及びＩ３によるＣＲ発振器をベ−スとしている。３段発振器は２段の正帰還ル−プの後に負帰還ル−プを付けた回路構成で、この状態での発振周波数ｆ＝１／τ＝１／２．２Ｃ１．Ｒ１である。この自走発振回路を後述するように、ＥＬの共振周波数に同期させるために抵抗Ｒ１に並列に抵抗Ｒ１に比較して十分に小さく、かつ、Ｃ−ＭＯＳの流すことのできる電流を越えない範囲の抵抗Ｒ２とアナログスイッチＳの直列接続回路を接続し、必要なタイミングでアナログスイッチＳを閉成してＲ１の両端間の合成抵抗値を減少せしめることにより発振周波数ｆを変化（この例では増大）させることができるようにしている。この場合は周波数を増加させる方向に変化させる例であるが更に抵抗Ｒ１に必要に応じて直列に所望の抵抗（図示せず）が加えられるようにすれば発振周波数ｆを減少させる方向に変化させることができることは言うまでもない。このように抵抗Ｒ１に並列または直列に所望の抵抗を加えるタイミングまたは時間で発振周波数ｆを可変にすることによって通常のＣＲ発振器を外部同期式に変更している。図３（Ｏ）はこの外部同期式ＣＲ発振器のＯ点の波形図で、点線は外部同期のない状態の、実線は外部同期状態のＯ点の波形、図３（Ａ）はこの外部同期式ＣＲ発振器の出力電圧波形即ち後続するＨブリッジに加えられる電圧波形を示す。
【０００７】
２はＰチャンネル及びＮチャンネルエンハンスメント型ＭＯＳトランジスタのト−テムポール構造を具備する２組のＣ−ＭＯＳインバ−タＩ６及びＩ７の出力端間に負荷を接続して成る所謂Ｈブリッジである。  上述の外部同期式ＣＲ発振器の出力電圧（Ａ）は一方のインバ−タＩ６に入力されると同時に他方のインバ−タＩ７にインバ−タＩ５を介して入力される。そしてこのＨブリッジ４を構成するＣ−ＭＯＳインバ−タＩ６及びＩ７の各出力端Ｂ１及びＢ２間にはトランス（ＴＲ）４の１次捲線が接続され、そしてトランス（ＴＲ）４の２次捲線の両端間にはＥＬ４が接続されている。Ｈブリッジ２は１サイクル中に負荷に対して正負の逆極性で電力を供給することが可能なので一定の電源電圧の下で負荷には電源電圧の２倍の電圧を印加することができる。即ち負荷側から見ると両端に回路系電源の約２倍の電圧が印加されることになる。ＥＬ４の駆動には高電圧が必要であるがこのＨブリッジ２を用いることによって昇圧を目的とする後述のトランス３の負担を半減することができる。また、Ｈブリッジ２を使用する結果回路動作から通常のスイッチング回路のように負荷に流れる電流が遮断されることなく常時負荷に電流を流すことが可能である。このことはトランス３で昇圧した電圧のみでなく電流も必要なＥＬ４の駆動には効果的な方法である。図３Ｂ１、Ｂ２はこのＨブリッジの出力端Ｂ１及びＢ２のそれぞれの電圧波形、Ｂ１−Ｂ２は出力端Ｂ１及びＢ２両端間の電圧波形即ちトランス３の１次捲線の両端に加えられる電圧波形を示す。因みに、図１１に示すようなＩＣ化された回路（特開平２−２５７５１開示のもの）ではこのＨブリッジがシリコン制御整流器ＳＣＲで構成されている。
【０００８】
３はトランス（ＴＲ）、４はトランス（ＴＲ）３の２次捲線間に接続されたＥＬでこの２次捲線側のインダクタンスＬとＥＬ４の自己容量ＣによってＬＣ直列共振回路が形成されている。  トランス（ＴＲ）３は低電圧で使用可能な一般的なＣ−ＭＯＳ回路で、高電圧を必要とするＥＬを駆動するために電圧をステップアップするために用いた。ＥＬ４はその構造中に含まれるイオンの蓄積による障害を回避するために完全対称正弦波駆動が最適とされている。この発明の回路構成はＣ−ＭＯＳロジックＩＣをべ−スとした単純な発振回路、駆動回路でＩＣ化の負担を軽減している。そのためにトランス（ＴＲ）３の１次捲線側の入力波形は矩形波になっている。この矩形波をトランス３の２次捲線側のインダクタンスＬとＥＬの有する容量による直列共振回路の共振周波数によってフィルタし、その結果ＥＬ４の両端には直列共振回路による共振周波数に一致した周波数成分の振動電流のみが大きな電圧（正弦波交流電圧）となって発生する。この時ＥＬ４の駆動に最適な周波数帯でＥＬ容量とトランス２次捲線側インダクタンスが共振点を持たせる必要があり、この範囲で共振点を持つように１次２次捲線比を決定した（この実施例では、１次２次捲線比＝２５０：８０００）。  図３（Ｃ）はこの結果ＥＬ４の両端に発生した高電圧正弦波交流電圧である。
【０００９】
５は電圧分割回路（波形整形回路を含む）である。ＥＬを駆動する時は通常百数十ボルトの高電圧がＥＬ４両端に印加される。この電圧に含まれる信号（具体的にはＥＬの自己容量とトランスＴＲの２次捲線側のインダクタンスとの間での共振によるフィルタ−効果の中での駆動周波数による出力信号）を発振回路にフィ−ドバックして、ＥＬ４の自己容量とトランスの２次捲線側のインダクタンスによってできる共振周波数で系全体をロックすることがＥＬにとって最も効率のよい電力供給であり、最も輝度の高い点灯が可能となる。そのためにＥＬを駆動している高電圧をＣ−ＭＯＳに加えることができるレベルにまで電圧を下げるのが電圧分割回路５でありＲ４とＲ５の抵抗分割によってＲ５／Ｒ４＋Ｒ５に降圧している。その後容量Ｃ２とダイオ−ドＤ１及びＤ２によって構成される波形整形回路によって電源とア−スの間の電圧にクランプする。  従って、抵抗分割で尚Ｃ−ＭＯＳの耐圧を越える電圧であってもこの波形整形回路によってクランプされＣ−ＭＯＳは破壊から保護される。なお次段の抵抗Ｒ６は次のブロック６の入力保護用の抵抗である。図３（Ｄ）はこの電圧分割回路（波形整形回路を含む）５の出力波形である。
【００１０】
６は同期信号発生回路である。１の外部同期式ＣＲ発振器の項で説明したように、ＣＲ発振器の周期τ＝２．２ＣＲ１のＲ１を時間軸上で変化させると発振周波数ｆ＝１／τも変化する。このＲ１を時間軸上で発生させる回路がこの同期信号発生回路６である。ＥＬ駆動回路の正弦波（ＥＬの自己容量とトランス２次捲線側インダクタンスによってできる共振周波数を主たるものとする信号）のタイミングを取り出し、そのタイミングを取り出し、タイミングパルスを発生するもので、回路構成は単安定マルチバイブレ−タである。時定数は小さ過ぎるとロックせず、大き過ぎるとこの時定数による固有の発振周波数となることにより、実験的に最適値を設定した。図３（Ｅ）はこの同期信号発生回路の出力波形である。この同期信号は既に述べたアナログスイッチＳを介して外部同期式ＣＲ発振器１の抵抗Ｒ１に並列に加えら、その結果図３の（Ｏ）の実線で示す同期発振波形が得られた。
【００１１】
図４は前記外部同期式ＣＲ発振器１に於いて外部同期信号無しの場合（Ｆ０）と、外部同期が存在する場合（Ｆ１）の、発振回路容量Ｃ１の変化に対する発振周波数ｆの変化の実測値である。容量７０００ｐＦ乃至９０００ｐＦの領域で発振周波数が共振周波数３．８ＫＨｚにロックされていることが分かる。
【００１２】
以上述べたように、本発明はＥＬ４の容量及びトランス３の２次側インダクタンスとの共振周波数と、外部同期式ＣＲ発振器１からの駆動周波数で合成される所のＥＬ駆動信号を、外部同期式ＣＲ発振器１にフィ−ドバックし、系全体として、ＣＲ発振器の発振周波数をベ−スとして、ＥＬ容量に依存する自己発振型の駆動回路を実現した。
更に、本発明は外部同期式ＣＲ発振器１、Ｈブリッジ２はＥＬ４駆動に必要な数十ボルトから百数十ボルトの電圧とは１桁以上かけ離れた低電圧で駆動し、ＥＬ４駆動に必要な電圧はトランス３の１次、２次の捲線比で達成した。
更に、本発明は外部同期式ＣＲ発振器１、Ｈブリッジ２で容易に得られる矩形波をＥＬの容量及び適度に調整されたトランス３の２次側インダクタンスとの共振周波数による選択性により、正弦変化するＥＬ駆動波形を形成することを可能化した。
上記手段により、従来のデジタル駆動方式では実現できなかった、ＥＬを交番波で駆動し、かつ、フィ−ドバック回路により、長期に渡って、ＥＬの特性変化に追随して駆動周波数を変化させる、低電圧ＣＭＯＳ−ＩＣ回路でのＥＬ駆動ができるようになった。
【００１３】
次に本発明の第２実施例は周波数同期のみならず更にＰＬＬの手段をこの系に導入して位相同期まで可能化したＥＬ駆動回路である。図５は第２実施例のブロック図、図６はその詳細図、図７（ａ）は図５及び図６の位相比較器８の一例、図７（ｂ）は図５及び図６のチャ−ジポンプ９の一例、図８は図５及び図６の電圧制御発振器（ＶＣＯ）７の一例、図９は図５及び図６の各点の波形図である。第１実施例と同じものは同じ番号を付けてある。全く同じものの反復説明は省略する。
【００１４】
電圧制御発振器（ＶＣＯ）７は第１実施例の外部同期式発振回路１に相当するもので、ＤＣコントロ−ル入力端子に加えられる入力電圧に比例する発振周波数の交番電圧を発生するマルチバイブレ−タである。これ自体は市販品（図８）を使用したので内部詳細は省略する。この出力をバッファ−を介して第１実施例と同じＨブリッジ２に入力する。Ｈブリッジ２の出力端子（Ｂ１−Ｂ２）の電圧はは図９に示す通りである。Ｈブリッジ２の出力端子には第１実施例と同じくトランスＴＲ３の１次捲線を接続し、２次捲線両端にはＥＬ４を接続する。トランス３，２次捲線インダクタンスとＥＬ４の自己容量による共振回路と共振周波数を決める捲線比の決定手順は実施例１と同じである。このＥＬ両端の電圧（Ｃ点）は電圧分割回路５（波形整形回路を含む）に送られ、ここで以下の回路で処理可能なレベルに変換される。電圧分割回路５（波形整形回路を含む）の出力（図９の（Ｄ））はＰＬＬ回路中の位相比較器の一方の入力端ｒ１に加えられる。位相比較器の他方の入力端ｖ１にはバッファ−を介して上述の電圧制御発振器（ＶＣＯ）７の出力Ａ又はその分周器１１（図５）出力Ｅ（図６では分周器１１が存在しないので（Ｅ）＝（Ａ））が入力され、この位相比較器で電圧分割回路５の出力電圧（Ｄ点）と発振出力の位相の比較が行われる。その結果（図７（Ｆ））は次段のチャ−ジポンプ９に送られここで位相比較器の比較結果（進み−進み遅れ０−遅れ）に比例した３値信号に変換される（図は省略する）、更にこの３値信号（図は省略する）はロ−パスフィルタ１０に送られここで位相比較器８によって作成された位相補正パルスの高周波成分を除去し直流成分のみを通過させ、チャ−ジポンプの出力に従って位相差に対応した直流電圧（図７（Ｇ））を形成し、これを電圧制御発振器（ＶＣＯ）７のＤＣコントロ−ル入力端に入力する。その結果電圧制御発振器（ＶＣＯ）の出力信号をＥＬ４の共振駆動信号との位相差を０にする方向にコントロ−ルし、位相差が０になった状態で安定して発振を持続する。
【００１５】
ＥＬはその使用環境によって特性が徐々に変化していく。ＥＬの電気的特性は容量であるから、容量が変化することになる。従ってＥＬ容量とトランスＴＲ２次側インダクタンスでの共振回路を考えると、共振周波数が変化する。しかしながら駆動する側から言えば常にこの変化する共振周波数に追従して駆動することが可能であれば最適の駆動方法であると言うことができる。即ちＥＬの固有容量の変化というものは存在する物の不可避の本性であるが、その変化に応じて常にその時点でＥＬへの供給電力を最高化し、ＥＬを最高輝度で発光可能にするものである。
【００１６】
【発明の効果】
以上本発明の実施例について説明したところから明らかなように本発明によって以下の効果が得られる。駆動回路を低電圧ＣＭＯＳ−ＩＣ回路で構成できるため、容易、かつ、安価な駆動回路が達成できる。
デジタル信号駆動の中で、トランスの２次側インダクタンスと、ＥＬの容量の間で共振回路を構成させるため、ＥＬにとって適切である交番波を供給できるため駆動波形によるＥＬの特性劣化を生じ難い。
デジタルＩＣ化回路の中でＥＬ駆動周波数に於いて、ＥＬの特性そのものからのフィ−ドバック機能を有するため常に最適な駆動状態を作り出すことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に係るＥＬ駆動回路の第１実施例の回路図である。
【図２】  図１の詳細図である。
【図３】  図１及び図２の各部の波形図である。
【図４】  第１実施例の特性図である。
【図５】  本発明に係るＥＬ駆動回路の第２実施例の回路図である。
【図６】  図５の詳細図である。
【図７】  （ａ）は図６の位相比較器の一例、（ｂ）は図６のチャ−ジポンプの一例である。
【図８】  図６の電圧制御発振器（ＶＣＯ）の一例である。
【図９】  図６及び図７の各部の波形図である。
【図１０】  従来例１の回路図及びＥＬの両端にかかる電圧波形である。
【図１１】  従来例２の回路図及びＥＬの両端にかかる電圧波形である。
【符号の説明】
１  外部同期式ＣＲ発振器
２  Ｈブリッジ
３  トランス
４  エレクトロルミネッセントランプ（ＥＬ）
５  電圧分割回路（波形整形回路を含む）
６  同期信号発生回路
７  電圧制御発振器（ＶＣＯ）
８  位相比較器
９  チャ−ジポンプ
１０  ロ−パスフィルタ
Ｉ１乃至Ｉ８  Ｃ−ＭＯＳインバ−タ
Ｒ１乃至Ｒ１２  抵抗
Ｃ１乃至Ｃ５  コンデンサ
Ｄ１，Ｄ２  ダイオ−ド
Ｏ１，Ｏ２  オア回路
ＴＲ  トランス
Ｔｒ１乃至Ｔｒ３  トランジスタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0004086261.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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