(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
平衡伝送路上に配置され、前記平衡伝送路に接続される端末に電流を供給する給電装置において、
入力端子及び出力端子を有し、前記入力端子及び出力端子間に、トランジスタの２個の非制御端と第１の抵抗とを直列に接続していると共に第２の抵抗とコンデンサとを直列に接続しており、前記第２の抵抗及びコンデンサの接続点が上記トランジスタの制御端に接続していると共に直流動作点を決定するための電流源にも接続している電子化インダクタンス回路を備え、
前記電子化インダクタンス回路が、当該回路内で所定のパルス状信号を伝送するとき、前記コンデンサを当該回路から切断する切断動作を行う切断スイッチ手段を備えると共に、
前記切断スイッチ手段が切断動作を実行しているとき、前記コンデンサに対して充電する切断時充電手段を備えることを特徴とする給電装置。
【請求項２】
請求項１記載の給電装置において、
前記平衡伝送路を流れる電流値の変化を監視し、前記電流値の変化を元に前記平衡伝送路を伝送される前記パルス状信号を検出するパルス信号検出部を備え、
当該パルス信号検出部がパルス状信号を検出すると、前記切断スイッチ手段に前記切断動作を行わせることを特徴とする給電装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は給電装置に関し、例えば加入者端末に通話電流を供給する加入者回路の給電回路などに適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
加入者回路は小型化、低価格化を期して半導体基板上に多くの回路要素を実現するようになってきている。このため加入者回路における全て或いは一部のインダクタンス素子としてもコイルを利用しない、次の文献１に記載された電子化インダクタンス回路がある。
【０００３】
文献１：特開平１１−３４０７８６号公報
この電子化インダクタンス回路の構成を図３に示す。
【０００４】
図３において当該電子化インダクタンス回路は、図３（Ａ）に示すＮＰＮ型電子化インダクタンス回路１３及び、図３（Ｂ）に示すＰＮＰ型電子化インダクタンス回路１２にて構成されている。ここで、図３（Ａ）のＮＰＮ型電子化インダクタンス回路１３と図３（Ｂ）のＰＮＰ型電子化インダクタンス回路１２は使用しているトランジスタの型が、ＮＰＮ型であるかＰＮＰ型であるかが相違するだけであり、それ以外の点は、同様の構成であり、同様の動作となる。
【０００５】
図３（Ａ）に示すＮＰＮ型電子化インダクタンス回路１３において、端子ＡＩはＮＰＮ型トランジスタＴｒのコレクタ及び抵抗Ｒ１の一端に接続され、トランジスタＴｒのエミッタは抵抗Ｒ２の一端に接続され、抵抗Ｒ２の他端は端子ＡＯとコンデンサＣ１の一端に接続される。トランジスタＴｒのべースは、抵抗Ｒ３及びコンデンサＣ２の並列回路でなるフィルタに接続されている。抵抗Ｒ３とコンデンサＣ２の他端の接続点は抵抗Ｒ１の他端とコンデンサＣ１の他端及び電流源Ｉ１に接続されている。
【０００６】
なお、電流源Ｉ１による電流方向は、抵抗Ｒ１とコンデンサＣ１の接続点から当該電流源Ｉ１へ電流を流出させる方向である。
【０００７】
次に、当該電子化インダクタンス回路１３の直流電流（通話電流）の通過機能を、図３（Ａ）を用いて説明する。直流電流は、端子ＡＩ→ＮＰＮトランジスタのコレクタ、エミッタ→抵抗Ｒ２→端子ＡＯの順に流れる。端子ＡＩの直流動作点（両端子ＡＩ−ＡＯ間の電圧降下）を求めると、トランジスタＴｒの直流電流増幅率ｈｆｅが十分に高くてべース電流を無視すれば、抵抗Ｒ１の電圧降下と、トランジスタＴｒのべース−エミッタ間の電圧降下ＶＢＥと、抵抗Ｒ２の電圧降下の和になるので、次の式（１）で表すことができる。ここでは、抵抗Ｒ３及びコンデンサＣ２でなるフィルタでの電圧降下は無視している。
【０００８】
ＡＩ−ＡＯ間の電圧降下＝Ｒ１×Ｉ１＋ＶＢＥ＋Ｒ２×ＩＬ…（１）
次に交流インピーダンスについて説明する。
【０００９】
抵抗Ｒ１はＲ２に比べて十分大きく、しかもトランジスタＴｒのｈｆｅが十分に高いので、抵抗Ｒ１に流れる交流電流は無視でき、また、定電流源Ｉ１の交流インピーダンスは抵抗Ｒ１及びＲ２に比べて十分高く無視できるため、結局、ＡＩ−ＡＯ間の交流インピーダンスは、次の式（２）にて表すことができる。
【００１０】
ＡＩ−ＡＯ間の交流インピーダンス
＝ｊω（（１／ｇｍ＋Ｒ２）×Ｃ１×Ｒ１）＋１／ｇｍ＋Ｒ２…（２）
ｇｍ：トランジスタＴｒの相互コンダクタンス
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した電子化インダクタンス回路を用いて構成する加入者回路内の給電回路は、図２のような構成を持つものと考えられる。
【００１２】
ここで、図３（Ａ）に示すＮＰＮ型電子化インダクタンス回路の端子ＡＯ及び端子ＡＩは図２のＡＯ，ＡＩに対応し、図３（Ｂ）に示すＰＮＰ型電子化インダクタンス回路の端子ＢＯ及び端子ＢＩは図２のＢＯ，ＢＩに対応する。
【００１３】
図２において、通常、加入者端末に通話電流を供給する場合では、交流特性を確保する為に、加入者用給電源１６は交流伝送回路８に対し交流差動インピーダンスを高くしなければならず、高インダクタンス素子が必要となる。
【００１４】
また、このインダクタンス素子は、大きなインダクタンス値を必要とするから、単純なインダクタンスでは部品形状が大きくなり、実装面積が厳しくなる。その為、トランジスタ、抵抗、コンデンサを組み合わせ、図３に示すような電子化インダクタンス回路を用いる。
【００１５】
ここで図２に示す回路では、加入者用給電源１６→電流・電圧モニタ回路１５→ＰＮＰ型電子化インダクタンス回路１２のＢＩ端子→ＢＯ端子→加入者側→ＮＰＮ型電子化インダクタンス回路１３のＡＩ端子→ＡＯ端子→電流・電圧モニタ回路１５→加入者用給電源１６のルートで通話電流が流れる。ここで、加入者用給電源１６は、前記式（２）に示されるように、交流系伝送回路８にて扱う交流信号に対し、高インピーダンスになる。
【００１６】
また、ダイヤルパス（以下、「ＤＰ」と記す）等のパルス信号が加入者側から印加された場合、通常このパルス信号の検出は電流・電圧モニタ回路１５にて検出し、その検出結果の出力信号は信号処理回路１４にて、信号処理され上位装置（図示せず）へ送られる。しかし、電子化インダクタンス回路を動作させたままにすると、図３に示すコンデンサＣ１の充放電により、検出に遅延及び歪みを生じ、正確な信号を上位装置に送出できなくなる。その為、ＤＰ等のパルス信号が印加される場合は、ショートスイッチ１０，１１にて電子化インダクタンス回路１２，１３をショートすることで、遅延及び歪みを解消することができる。
【００１７】
ところが、このショートスイッチ１０，１１が接続される加入者線には、（後述するように、正常時でも最大で例えば１３０ｍＡ程度の）大電流が流れ、（例えば２００Ｖ程度の）高電圧が印加され得るため、当該加入者線への給電ルート上に位置する当該ショートスイッチ１０，１１には、このような大電流や高電圧に耐えて安定的に動作することのできる電気的性能が要求される。
【００１８】
この要求を満足することのできる部品は、実際上、定格値の大きい特別なスイッチ部品に限定される。このような特別な部品としては、例えば、一部の半導体スイッチや、機械式のリレーがあげられる。
【００１９】
しかしながら当該半導体スイッチは高価であり、また機械式リレーは形状が大きく、小型化・多機能化が求められる加入者回路においては、その数が多いと、実装面積的インパクトが大きすぎる為、小型化・多機能化の要求にこたえることを難しくするという欠点があった。
【００２０】
このため、給電回路自体を小型化し、低価格化することが求められる。
【００２１】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決するために、本発明では、平衡伝送路上に配置され、この平衡伝送上に接続される端末に電流を供給する給電装置において、入力端子及び出力端子を有し、これら入力端子及び出力端子間に、トランジスタの２個の非制御端と第１の抵抗とを直列に接続していると共に第２の抵抗とコンデンサとを直列に接続しており、第２の抵抗及びコンデンサの接続点が上記トランジスタの制御端に接続していると共に直流動作点を決定するための電流源にも接続している電子化インダクタンス回路を備え、電子化インダクタンス回路が、当該回路内で所定のパルス状信号を伝送するとき、コンデンサを当該回路から切断する切断動作を行う切断スイッチ手段を備えると共に、切断スイッチ手段が切断動作を実行しているとき、コンデンサに対して充電する切断時充電手段を備えることを特徴とする。
【００２２】
【発明の実施の形態】
（Ａ）実施形態
以下、本発明にかかる給電装置の実施形態について説明する。
【００２３】
第１〜第４の実施形態に共通する特徴は、上述した素子ショートスイッチ１０，１１に相当する特別なスイッチ部品の数を低減することにより、低価格で小型化や多機能化の要求にこたえることが容易な給電回路を提供することにある。
【００２４】
（Ａ−１〉第１の実施形態の構成
本実施形態にかかる給電回路の全体構成例を図１に示す。この給電回路は、図２に示した給電回路に対応するものである。
【００２５】
図１において、当該給電回路は、交流系伝送回路１と、ＰＮＰ型電子化インダクタンス回路３と、ＮＰＮ型電子化インダクタンス回路４と、信号処理回路５と、電流・電圧モニタ回路６と、加入者用給電源７とを備えている。
【００２６】
このうち加入者用給電源７は電流・電圧モニタ回路６に接続されており、電流・電圧モニタ回路６の検出結果出力信号ＤＴは信号処理回路５に送られる。
【００２７】
ＰＮＰ型電子化インダクタンス回路３のＢＩ端子とＮＰＮ型電子化インダクタンス回路４のＡＯ端子に接続されているこの電流・電圧モニタ回路６は、通話電流ＩＬの値を検出し、その検出結果を前記検出結果出力信号ＤＴとして出力する回路である。前記ＤＰ等のパルス信号が加入者側から印加された場合、このパルス信号が通話電流ＩＬの電流値の変化に反映されるため、出力信号ＤＴを検査することにより、パルス信号の有無を検出することが可能である。当該検査を実行するのは、検出結果信号ＤＴを受け取る前記信号処理回路５である。
【００２８】
信号処理回路５からは、当該検査の結果を反映した制御信号ＣＳが上位装置へ出力される。
【００２９】
なお、前記ＰＮＰ型電子化インダクタンス回路３と、ＮＰＮ型電子化インダクタンス回路４の各端子は、アルファベットの右側に「Ｉ」を付したものが入力端子を示し、「Ｏ」を付したものが出力端子を示す。したがって、ＡＩ，ＢＩは入力端子であり、ＡＯ，ＢＯは出力端子である。
【００３０】
また、加入者線Ａ２，Ｂ２と上位装置２とのあいだに介在する交流系伝送回路１は、加入者線Ａ２，Ｂ２上と上位装置２とのあいだで、交流信号の伝送を行う部分である。
【００３１】
ＰＮＰ型電子化インダクタンス回路３のＢＯ端子及びＮＰＮ型電子化インダクタンス回路４のＡＩ端子は、交流系伝送回路１及び加入者線Ａ２、Ｂ２に接続されている。
【００３２】
前記ＮＰＮ型電子化インダクタンス回路４の回路構成例を図６（Ａ）に示し、ＰＮＰ型電子化インダクタンス回路３の回路構成例を図６（Ｂ）に示す。
【００３３】
電子化インダクタンス回路３，４に求められるインダクタンス値はかなり大きいため、当該インダクタンス値を単純にコイルを用いて実現しようとすると、必然的に形状も大きくなって実装が困難になり、諸種の不利益が発生する。
【００３４】
そこで、このような不利益を回避するため、トランジスタやＯＰアンプなどの能動素子と、コンデンサ・抵抗などの受動素子を組み合わせて、等価的に必要なインダクタンス値を実現したものが、この電子化インダクタンス回路である。
【００３５】
（Ａ−１−１）電子化インダクタンス回路の構成例
図６（Ａ）に示すＮＰＮ型電子化インダクタンス回路４において、端子ＡＩはＮＰＮトランジスタＴｒのコレクタ及び抵抗Ｒ１の一端に接続され、トランジスタＴｒのエミッタは抵抗Ｒ２の一端に接続され、抵抗Ｒ２の他端は端子ＡＯとコンデンサＣ１に接続される。またトランジスタＴｒのベースは、抵抗Ｒ３及びコンデンサＣ２の並列回路でなるフィルタに接続されている。
【００３６】
抵抗Ｒ３とコンデンサＣ２の他端の接続点は抵抗Ｒ１の他端とスイッチ（ＯＮ・ＯＦスイッチ）ＳＷ１と電流源Ｉ１に接続されており、スイッチＳＷ１の他端はコンデンサＣ１の他端と接続されている。
【００３７】
なお、電流源Ｉ１による電流方向は、抵抗Ｒ１とコンデンサＣ１の接続点から当該電流源Ｉ１に電流を流出させる方向である。
【００３８】
また、前記スイッチＳＷ１は、外部からの制御信号によって、ＯＮ状態またはＯＦＦ状態とされるものである。具体的には、前記ＤＰのパルス信号が印加されていない場合には、ＯＮ状態とされる。
【００３９】
前記ＤＰのパルス信号が印加されるときに、当該スイッチＳＷ１をＯＦＦ状態とすることで、コンデンサＣ１が電子化インダクタンス回路４から切り離されるため、ＤＰ信号が、遅延したり歪んだりすることがなくなる。
【００４０】
なお、図６（Ａ）に示す当該ＮＰＮ型電子化インダクタンス回路４の端子ＡＯ及び端子ＡＩは、図１に示すＡＯ，ＡＩに対応する。
【００４１】
一方、図６（Ｂ）に示す本実施形態のＰＮＰ型電子化インダクタンス回路３は、当該ＮＰＮ型電子化インダクタンス回路４に比べ、トランジスタの型がＮＰＮとＰＮＰに置き換わっただけの対称的な構成を備えている。すなわち、ＰＮＰ型電子化インダクタンス回路３とＮＰＮ型電子化インダクタンス回路４は、平衡型の回路構成を持っている。
【００４２】
したがって、当該ＰＮＰ型電子化インダクタンス回路３の端子ＢＯ及び端子ＢＩは、図１のＢＯ，ＢＩに対応する。
【００４３】
以上の構成では、給電回路全体として、２つのスイッチ（２つのＳＷ１）を有することとなるが、最大１３０ｍＡ程度の大電流を流したり、２００Ｖ程度の高電圧が印加され得るスイッチは存在せず、２つのスイッチＳＷ１には、わずかの電流しか流れず、わずかの電圧しか印加されないため、当該スイッチＳＷ１のために回路が大規模化したり、高価格化することはない。
【００４４】
以下、上記のような構成を有する本実施形態の動作について説明する。
【００４５】
（Ａ−２）第１の実施形態の動作
まずＮＰＮ型電子化インダクタンス回路４の動作原理について説明を行う。ＮＰＮ型電子化インダクタンス回路４において、直流電流（通話電流）ＩＬは、端子ＡＩ→ＮＰＮトランジスタＴｒのコレクタ、エミッタ→抵抗Ｒ２→端子ＡＯの順に流れる。端子ＡＩの直流動作点（両端子間ＡＩ−ＡＯ間の電圧降下）を求めると、トランジスタＴｒの直流電流増幅率ｈｆｅが十分に高くてベース電流を無視すれば、抵抗Ｒ１の電圧降下と、トランジスタＴｒのべース−エミッタ間の電圧降下ＶＢＥと、抵抗Ｒ２の電圧降下の和になるので、前記式（１）に等しい次の式（３）で表すことができる。
【００４６】
ＡＩ−ＡＯ間の電圧降下＝Ｒ１×Ｉ１＋ＶＢＥ＋Ｒ２×ＩＬ…（３）
なお、当該式（３）を求めるにあたり、抵抗Ｒ３及びコンデンサＣ２でなるフィルタでの電圧降下は無視している。
【００４７】
通話電流ＩＬの値は、状況に応じ、例えば、０〜１３０ｍＡ程度の範囲内で動的に変化する。したがって、加入者線Ａ２、Ｂ２上には最大で１３０ｍＡ程度の大電流が流れることになる。
【００４８】
次に、スイッチＳＷ１がＯＮ状態にある場合のＡＩ−ＡＯ間の交流インピーダンスは、抵抗Ｒ１がＲ２に比べて十分大きく、しかもトランジスタＴｒのｈｆｅが十分に高いとすると、抵抗Ｒ１に流れる交流電流は無視でき、また、定電源Ｉ１の交流インピーダンスは抵抗Ｒ１及びＲ２に比べて十分高いので、無視できる、ため、前記式（２）に等しい次の式（４）にて表すことができる。
【００４９】
ＡＩ−ＡＯ間の交流インピーダンス
＝ｊω（（１／ｇｍ＋Ｒ２）×Ｃ１×Ｒ１）＋１／ｇｍ＋Ｒ２…（４）
ｇｍ：トランジスタＴｒの相互コンダクタンス
当該ＮＰＮ型電子化インダクタンス回路４と対称的な構成（対応する各定数の値も同じ）を持つ前記ＰＮＰ型電子化インダクタンス回路３が、当該ＮＰＮ型電子化インダクタンス回路４と同じ（対称的な）動作を行うことは当然である。
【００５０】
したがって、これらＮＰＮ型電子化インダクタンス回路４とＰＮＰ型電子化インダクタンス回路３を含む図１の給電装置全体の動作は、以下のようになる。
【００５１】
通常の給電時は、加入者用給電源７→電流・電圧モニタ回路６→ＰＮＰ型電子化インダクタンス回路３のＢＩ端子→ＢＯ端子→加入者側→ＮＰＮ型電子化インダクタンス回路４のＡＩ端子→ＡＯ端子→電流・電圧モニタ回路６→加入者用給電源７のルートで通話電流ＩＬを流す。ここで、更に図６（Ａ）及び（Ｂ）に示すスイッチＳＷ１をＯＮ状態とすることにより、加入者用給電源７は式（４）に示されるように、交流系伝送回路１にて扱う交流信号に対し、高インピーダンスになる。
【００５２】
次に、ＤＰ信号等のパルス信号が加入者側から印加される場合、上記給電ルートにて、前記２つのスイッチＳＷ１をＯＦＦ状態とする事により、コンデンサＣ１の充放電がなくなるため、遅延及び歪みが無くなって、ＤＰ信号等を、電流・電圧モニタ回路６にて正確に検出する事が可能となる。そしてこれにより、出力信号ＤＴからも遅延及び歪みの影響が除去されて精度が高まるため、当該出力信号ＤＴに応じて信号処理回路５から上位装置に供給される制御信号ＣＳの信頼性も向上する。
【００５３】
（Ａ−３）第１の実施形態の効果
以上のように、本実施形態によれば、前述の図２に示すような構成を採らず、電子化インダクタンス回路（３および４）内のコンデンサ（Ｃ１）をスイッチ（ＳＷ１）にて当該電子化インダクタンス回路から切り離すことにより、ＤＰ信号等のパルス信号に対しても、コンデンサ（Ｃ１）の充放電がなくなるため、遅延及び歪みもなく、正確な検出を容易に実行することが可能である。また大電流を流し且つ高電圧に耐えることのできる定格値の大きい特別な部品を使用していないため、実装面積が低減でき、給電回路全体（ひいては加入者回路）の低価格化や小規模化を達成することが可能になる。
【００５４】
ここで、当該コンデンサ（Ｃ１）を電子化インダクタンス回路から切り離すためのスイッチ（ＳＷ１）は、上述したように、加入者線に給電するルートとなるものではなく、高耐圧又は大電流を流す必要もないため、一般的なトランジスタやＭＯＳ−ＦＥＴなど、安価で小さい部品にて構成することができる。
【００５５】
（Ｂ）第２の実施形態
以下では、本実施形態が第１の実施形態と相違する点についてのみ説明する。
【００５６】
本実施形態は、第１の実施形態においては必ずしも明確でなかったスイッチＳＷ１の制御方法に関し、好ましい実現例を提供するものである。
【００５７】
（Ｂ−１）第２の実施形態の構成および動作
本実施形態の給電回路の全体構成は、基本的に、図１と同じであってよいが、図７に示すように、信号処理回路５から出力される制御信号（第１の実施形態のＣＳに相当するものとみることもできるので、本実施形態ではＣＳ１とする）であるＳＷ１制御信号ＣＳ１がスイッチＳＷ１の制御入力端末に供給されている点が相違する。本実施形態では２つのスイッチＳＷ１は、当該制御信号ＣＳ１に応じて、ＯＮ状態、またはＯＦＦ状態となる。
【００５８】
図７中、図６および図１と対応する符号を付与した各部および各電気信号の機能は、基本的に、第１の実施形態と同じである。
【００５９】
したがって、図１および図７において、電子化インダクタンス回路３，４の直流的な動作及び交流インピーダンスも第１の実施形態と同様である。
【００６０】
そして、ＤＰ信号等のパルス信号が加入者側から印加された場合、通話電流ＩＬが変動するため、電流・電圧モニタ回路６で通話電流ＩＬをモニタし、その通話電流検出結果を検出結果出力信号ＤＴ１として信号処理回路５に供給する。信号処理回路５では、受け取った当該検出結果出力信号ＤＴ１に応じて通話電流ＩＬの電流値が一定の閾値を越えたことを検出すると、スイッチＳＷ１をＯＮ状態とさせ、閾値を下回ったことを検出すると、スイッチＳＷ１をＯＦＦ状態とさせる制御信号（ＳＷ１制御宿号）ＣＳ１を送出する。
【００６１】
すなわち、電流・電圧モニタ回路６の出力信号ＤＴ１が１つのパルス信号の存在を示し、信号処理回路５を介してスイッチＳＷ１をＯＦＦ状態とすると、当該１パルス信号が検出されている期間（すなわち、当該１パルスのパルス幅が持続する時間〉は、前記信号処理回路５がスイッチＳＷ１のＯＦＦ状態を指定する制御信号ＣＳ１を出力しつづけ、当該１パルス信号が検出されなくなったら、ＯＮ状態を指定する制御信号ＣＳ１を出力する。以降は、新たなパルス信号が検出されるたびに同様な動作の繰り返しとなる。
【００６２】
なお、電流・電圧モニタ回路６がパルス信号の検出のために使用する前記閾値は、例えば、１２ｍＡ程度であってよい。
【００６３】
（Ｂ−２）第２の実施形態の効果
以上のように、本実施形態によれば、第１の実施形態の効果と同等な効果を得ることができる。
【００６４】
加えて、本実施形態では、通話電流（ＩＬ）を監視することにより、信号処理回路（８）からスイッチ（ＳＷ１）を制御するＳＷ１制御信号（ＣＳ１）を送出する事ができるため、外部から制御信号を受ける必要がなく、給電回路の内部だけで自立的に、スイッチ（ＳＷ１）の切替を行うことができる。
【００６５】
このことは、給電回路だけで自立的に、パルス信号に関する遅延及び歪みを無くすことが可能であることを意味する。また、外部の回路に依存しないため、具体的な回路構成も簡単にすることが可能である。
【００６６】
（Ｃ）第３の実施形態
以下では、本実施形態が第１の実施形態と相違する点についてのみ説明する。
【００６７】
本実施形態は、前記スイッチＳＷ１のＯＦＦ状態においても、コンデンサＣ１に対する充電（プリチャージ）を行うことで、電子化インダクタンス回路の即応性を高めることを特徴とする。
【００６８】
（Ｃ−１）第３の実施形態の構成および動作
本実施形態の給電回路の全体構成は、ＰＮＰ型電子化インダクタンス回路３及びＮＰＮ型電子化インダクタンス回降４の内部構成を除き、図１と同様である。
【００６９】
当該ＰＮＰ型電子化インダクタンス回路３及びＮＰＮ型電子化インダクタンス回路４の内部構成は、一例として、図４に示すものであってもよい。
【００７０】
図４において、図６および図１と対応する符号を付与した各部および各電気信号の機能は、基本的に、第１の実施形態と同じである。
【００７１】
ただし図４では、第１の実施形態の構成に加えて、コンデンサＣ１をプリチャージする機能を有するツェナーダイオードＤ１が、コンデンサＣ１に並列に接続されており、ＰＮＰ型電子化インダクタンス回路３の内部において抵抗Ｒ４の一端はツェナーダイオードＤ１のアノード、コンデンサＣ１及びスイッチＳＷ１に接続され、抵抗Ｒ４の他端は、当該ＰＮＰ型電子化インダクタンス回路３の外部にある前記端子ＡＯに接続される。
【００７２】
また、ＮＰＮ型電子化インダクタンス回路４の内部においては、抵抗Ｒ４の一端はツェナーダイオードＤ１のカソード、コンデンサＣ１及びスイッチＳＷ１に接続され、抵抗Ｒ４の他端は、当該ＮＰＮ型電子化インダクタンス回路４の外部にある端子ＢＩに接続される。
【００７３】
なお、端子ＢＩの電位は端子ＡＯより常に高いものとする。
【００７４】
図１及び図４において、電子化インダクタンス回路３，４の直流的な動作及び交流インピーダンスも第１の実施形態と同様である。
【００７５】
ＤＰ信号等のパルス信号が加入者側から印加された場合においても、第１の実施形態と同様であり、図４のスイッチＳＷ１をＯＦＦ状態とすることによって、電流・電圧モニタ回路６が検出するパルス信号（ＤＰの構成要素となる各パルス）が当該コンデンサＣ１の充放電の影響を受けなくなるため、当該電流・電圧モニタ回路６は、遅延及び歪みの無いパルス信号をもとに、高精度な検出を行うことができる。
【００７６】
このため、信号処理回路５を通して上位装置に信号伝達される制御信号ＣＳの信頼性が高まる。
【００７７】
さらに本実施形態では、図４においてＰＮＰ型電子化インダクタンス回路３のコンデンサＣ１は、このコンデンサＣ１に接続されている抵抗Ｒ４を通して端子ＡＯに抜けるルートにて、充電され、充電電圧はツェナーダイオードＤ１にて決定される。これと対称的に、ＮＰＮ型電子化インダクタンス回路４のコンデンサＣ１は、端子ＢＩから抵抗Ｒ４を通して充電され、充電電圧はツェナーダイオードＤ１にて決定される。
【００７８】
（Ｃ−２）第３の実施形態の効果
以上のように、本実施形態によれば、第１の実施形態と同等な効果を得ることができる。
【００７９】
加えて、本実施形態では、スイッチ（ＳＷ１）をＯＦＦ状態としている時もコンデンサ（Ｃ１）を充電（プリチャージ）することができ、スイッチ（ＳＷ１）をＯＮ状態に切り替えた直後のツェナーダイオード（Ｄ１）の電圧値を最適化することにより、各電子化インダクタンス回路（５および６）の電子化インダクタンスとしての機能をより早く提供することができる。
【００８０】
また、当該プリチャージによって、スイッチ（ＳＷ１）をＯＮ状態に切替えた直後にコンデンサ（Ｃ１）を急激に充電することが無くなるため、加入者側への急激な電圧変動が抑制され、電話機から、電話機ユーザが聴取するノイズ等を低減することができる。
【００８１】
（Ｄ）第４の実施形態
以下では、本実施形態が第１、第３の実施形態と相違する点についてのみ説明する。
【００８２】
本実施形態では、第３の実施形態と同等な効果を、各電子化インダクタンス回路の内部構成のみによって得ることを特徴とする。
【００８３】
（Ｄ−１）第４の実施形態の構成および動作
本実施形態の給電回路の全体構成は、各電子化インダクタンス回路３，４の内部構成を除き、図１とまったく同じである。
【００８４】
本実施形態の当該電子化インダクタンス回路３，４の内部構成は、一例として、図５に示すものであってもよい。
【００８５】
図５において、図６、図１および図４と対応する符号を付与した各部および各電気信号の機能は、基本的に、第１、第３の実施形態と同じである。
【００８６】
ただし本実施形態を示す図５の回路構成では、図４で使用した抵抗Ｒ４は存在せず、図４には存在しなかった電流源Ｉ２が存在する。当該電流源Ｉ２は、前記スイッチＳＷ１がＯＦＦ状態にあるとき、各電子化インダクタンス回路３，４の内部で、コンデンサＣ１を充電するプリチャージに寄与する電流源である。
【００８７】
図５（Ａ）において、当該コンデンサＣ１には並列にツェナーダイオードＤ１が接続されており、ツェナーダイオードＤ１のカソードは更に抵抗Ｒ２及び端子ＢＩに接続され、ツェナーダイオードＤ１のアノードは電流源Ｉ２とスイッチＳＷ１にも接続されている。なお、電流源Ｉ２による電流方向は、図５（Ａ）ではコンデンサＣ１とツェナーダイオードＤ１のアノードから当該電流源Ｉ２へ電流を流出させる方向であり、図５（Ｂ）では、コンデンサＣ１とツェナーダイオードＤ１のカソードに電流を流入させる方向である。
【００８８】
図１及び図５において、電子化インダクタンス回路３，４の直流的な動作及び交流インピーダンスも第１の実施形態と同様である。
【００８９】
ＤＰ信号等のパルス信号が加入者側から印加された場合においても、第１の実施形態と同様であり、図５のスイッチＳＷ１をＯＦＦ状態とすることにより、電流・電圧モニタ回路６が検出するパルス信号（ＤＰの各パルス）が当該コンデンサＣ１の充放電の影響を受けなくなるため、当該電流・電圧モニタ回路６は、遅延及び歪みの無いパルス信号をもとに、高精度な検出を行うことができる。
【００９０】
このため、信号処理回路５を通して上位装置に信号伝達される制御信号ＣＳの信頼性が高まる。
【００９１】
さらに図５においては、コンデンサＣ１は、電流源Ｉ２によって、スイッチＳＷ１がＯＦＦ状態にある時も、充電することができ、その時の充電電圧はツェナーダイオードＤ１のツェナー電圧にて決定する。
【００９２】
したがって本実施形態では、スイッチＳＷ１をＯＦＦ状態としている時もコンデンサＣ１を充電することができ、スイッチＳＷ１をＯＮ状態に切替えた直後のツェナーダイオードＤ１の電圧値を最適化することにより、各電子化インダクタンス回路３および４の電子化インダクタンスとしての機能をより早く提供することができる。
【００９３】
また、スイッチＳＷ１をＯＮ状態に切替えた時に、コンデンサＣ１を急激に充電することが無いため、加入者側への急激な電圧変動が抑制され、電話機から、電話機ユーザが聴取するノイズを低減することができる。
【００９４】
（Ｄ−２）第４の実施の形態の効果
以上のように、本実施形態によれば、第１の実施形態と同等な効果、および第３の実施形態と同等な効果を得ることができる。
【００９５】
加えて、本実施形態では、第３の実施形態のように電子化インダクタンス回路内の抵抗（Ｒ４）を他の電子化インダクタンス回路へ接続する必要がないため、設計の自由度が高まる。
【００９６】
また、本実施形態で新たに追加された電流源（Ｉ２）は容易にＬＳＩに内蔵することができるため、部品を削減でき、実装面積を小さくする事ができる。
【００９７】
（Ｅ）他の実施形態
第１〜第４の実施形態では、図１に示したＰＮＰ型電子化インダクタンス回路３とＮＰＮ型電子化インダクタンス回路４の配置は相互に置換しても良い。
【００９８】
なお、小型化の観点などからは、図２，３，４，５におけるスイッチＳＷ１は半導体スイッチを使用したほうが望ましいが、必要ならば、機械式リレーを使用することも可能である。この意味では、本発明は設計の自由度を高めるものと位置付けることもできる。
【００９９】
また、図２，３，４，５における電子化インダクタンス回路の内部構成は同様の効果をもつ回路構成であれば、図示の構成に限るものでもない。
【０１００】
さらに、第２の実施形態の特徴は、他の実施形態と排他的な関係にないため、他の実施形態の構成と組み合わせて同一給電回路内に実装することが可能である。
【０１０１】
なお、第２の実施形態における信号処理回路８からのＳＷ１制御信号は一定の閾値を超えるとスイッチＳＷ１をＯＦＦ、閾値を下回るとスイッチＳＷ１をＯＮさせる制御と逆になってもよい。
【０１０２】
また、図４，５のツェナーダイオードＤ１は、電圧クランプの動作を持つものであれば、縦列接続されたダイオード等に置換可能である。
【０１０３】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明によれば、小型で低価格の給電装置を提供することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施形態に係る給電回路の全体構成例を示す概略図である。
【図２】発明が解決しようとする課題を説明するための給電回路の構成例を示す概略図である。
【図３】従来の電子化インダクタンス回路の構成を示す概略図である。
【図４】第３の実施形態に係る電子化インダクタンス回路の構成例を示す概略図である。
【図５】第４の実施形態に係る電子化インダクタンス回路の構成例を示す概略図である。
【図６】第１の実施形態に係る電子化インダクタンス回路の構成例を示す概略図である。
【図７】第２の実施形態に係る電子化インダクタンス回路およびその周辺の構成例を示す概略図である。
【符号の説明】
１…交流系伝送回路、２…上位装置、３…ＰＮＰ型電子化インダクタンス回路、４…ＮＰＮ型電子化インダクタンス回路、５…信号処理回路、６…電流・電圧モニタ回路、７…加入者用給電源、Ａ２，Ｂ２…加入者線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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