(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオードの点灯／消灯を示すドライブパルス信号に基づいて、ドライブ電流を生成するドライブ電流生成回路と、上記ドライブパルス信号の値を微分した量の電流を生成する微分回路が１つ設けられ、当該電流に応じたピーキング電流を生成するピーキング電流生成回路とを備え、上記ドライブ電流およびピーキング電流を加算した電流を、上記発光ダイオードに供給する発光ダイオード駆動回路において、
上記ピーキング電流生成回路には、上記微分回路の出力電流をピーキング電流として出力するまでの間に配され、上記発光ダイオードが点灯する際よりも消灯する際の方が、電流伝達率が高く設定された非線形電流伝達素子が１つ設けられ、
上記微分回路が生成する電流は、上記発光ダイオードの点灯時と消灯時とにおいてピーク値の絶対値が同じで極性が異なるものであり、
上記非線形電流伝達素子は、上記発光ダイオードが点灯する際には上記微分回路の出力電流のピーク値よりも大幅に小さい値のピーキング電流を伝達し、上記発光ダイオードが消灯する際には上記微分回路の出力電流のピーク値と略同じ値のピーキング電流を伝達することを特徴とする発光ダイオード駆動回路。
【請求項２】
上記非線形電流伝達素子は、アノードが上記微分回路に接続された伝達用のダイオードであることを特徴とする請求項１記載の発光ダイオード駆動回路。
【請求項３】
上記非線形電流伝達素子は、点灯する際に導通し、消灯する際に遮断される伝達用のスイッチング素子であることを特徴とする請求項１記載の発光ダイオード駆動回路。
【請求項４】
上記ドライブ電流の立ち上がりにピーキングを持たせるドライブ電流ピーキング回路を備えていることを特徴とする請求項１、２または３記載の発光ダイオード駆動回路。
【請求項５】
上記発光ダイオードに並列に設けられ、消光時に導通するスイッチング素子を備えていることを特徴とする請求項１、２、３または４記載の発光ダイオード駆動回路。
【請求項６】
上記発光ダイオードに直列に設けられた電圧レベルシフト回路を備え、
上記スイッチング素子は、上記発光ダイオードおよび電圧レベルシフト回路の直列回路に並列に接続されていることを特徴とする請求項５記載の発光ダイオード駆動回路。
【請求項７】
上記電圧レベルシフト回路は、ダイオードまたは抵抗であることを特徴とする請求項６記載の発光ダイオード駆動回路。
【請求項８】
光ファイバー通信用、空間光伝送用またはフォトカプラ信号伝送用の発光ダイオードを駆動する発光ダイオード駆動回路が設けられた光伝送装置において、
上記発光ダイオード駆動回路は、請求項１ないし７のいずれか１項に記載の発光ダイオード駆動回路であることを特徴とする光伝送装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、オーバーシュートなしに、しかも、発光ダイオードを高速に駆動可能な発光ダイオード駆動回路、および、それを用いた光伝送装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、デジタル信号を光信号で伝送するために、発光ダイオード（ＬＥＤ）や半導体レーザーなどを光源とする光伝送装置が広く用いられている。ここで、半導体レーザーを用いた場合、高速駆動が容易である一方、温度の変化に対して不安定である。この結果、熱的動作の安定化を図るために、様々な工夫が必要になり、光伝送装置の回路構成が複雑になってしまう。これに対して、ＬＥＤを光源とする光伝送装置は、ＬＥＤの特性上、ＬＥＤに並列に静電容量（寄生容量）が付加されてしまうので、半導体レーザーの場合よりも高速駆動が難しいものの、簡単な回路構成で安価に構成できる。
【０００３】
上記ＬＥＤを光源とする光伝送装置では、例えば、図１４に示すように、ＬＥＤ駆動回路１０１に駆動信号Ｖｉｎが印加されると、ドライブ電流生成回路１１１が駆動信号Ｖｉｎに略比例したドライブ電流Ｉｄｒｖを生成する。また、ピーキング電流生成回路１１２の微分回路１２１は、駆動信号Ｖｉｎを微分して、ピーキング電流Ｉｐｋ０を生成する。
【０００４】
ここで、上記ドライブ電流生成回路１１１およびピーキング電流生成回路１１２の出力は、出力端子Ｔｏに接続されている。また、ＬＥＤ１０２のアノードには、電源電圧Ｖｃｃが印加されており、カソードは、出力端子Ｔｏに接続されている。したがって、ＬＥＤ１０２には、ＬＥＤ１０２から出力端子Ｔｏへの方向に、ドライブ電流Ｉｄｒｖおよびピーキング電流Ｉｐｋ０を加算した電流Ｉｌｄが供給される。
【０００５】
ここで、ピーキング電流生成回路１１２がない場合、すなわち、ドライブ電流ＩｄｒｖのみがＬＥＤ１０２へ供給される場合には、図１５に示すように、ＬＥＤ１０２が出力する光信号波形Ｌ１０１は、上記寄生容量の影響によって、ＬＥＤ電流Ｉｌｄ（ドライブ電流Ｉｄｒｖ）に比べて大きく鈍り、比較的大きな立ち上がり時間および立ち下がり時間を必要とする。したがって、ＬＥＤ１０２を高速に駆動することは難しい。
【０００６】
一方、図１４に示すＬＥＤ駆動回路１０１は、図１６に示すように、ピーキング電流生成回路１１２が生成したピーキング電流Ｉｐｋ０とドライブ電流Ｉｄｒｖとの合計がＬＥＤ電流Ｉｌｄとして、ＬＥＤ１０２に供給される。したがって、光信号波形Ｌ１０１の立ち上がり時間、および、立ち下がり時間が短縮される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の構成では、ＬＥＤを高速に消光できるように、微分回路を構成すると、光信号波形の立ち上がり時にオーバーシュートが発生する虞れがある。
【０００８】
具体的には、上記微分回路１２１は、駆動信号Ｖｉｎを微分して、ピーキング電流Ｉｐｋ０を生成しており、ピーキング電流Ｉｐｋ０が立ち上がる際のピーク値の絶対値と、立ち下がる際のピーク値の絶対値とは、略同じ値になる。
【０００９】
したがって、例えば、微分回路１２１の電源電圧の値を大きくしたり、微分回路１２１に設けられたコンデンサの容量値を大きくするなどして、十分な速度でＬＥＤ１０２を消光できる程度にピーキング電流Ｉｐｋ０の量を増大させると、ＬＥＤ１０２を点灯する際、ＬＥＤ１０２の寄生容量への充電電流が過剰になってしまう。この結果、図１６に示すように、光信号波形Ｌ１０１の立ち上がり時に、大きなオーバーシュートが発生する虞れがある。
【００１０】
なお、近年では、高速な光信号を伝送するために、ＬＥＤ１０２を、より高速に駆動可能なＬＥＤ駆動回路１０１が求められている。したがって、上記従来のＬＥＤ駆動回路１０１において、光信号波形Ｌ１０１の立ち下がり時間を十分に短縮するためにピーキング電流Ｉｐｋ０の量を増大させると、より大きなオーバーシュートが発生してしまう。
【００１１】
ここで、光通信の受信回路の中には、受信した光信号のピーク値に基づいて、光受信レベルを検知し、当該光受信レベルに合わせて信号処理することで、受信感度を向上させるものが存在している。
【００１２】
ところが、当該構成の受信回路に、上述したような、大きなオーバーシュートを持った光信号が入力されると、オーバーシュートのピーク値に基づいて、光受信レベルが検知されてしまう。この場合、受信回路は、ピーキングの分だけ、光信号のレベルが大きいと誤判断するので、受信感度が劣化したり、誤動作する虞れがある。この結果、上記従来のＬＥＤ駆動回路１０１で高速通信しようとしても、伝送誤りが多発して、高速に通信できなくなってしまう。
【００１３】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、オーバーシュートなしに、しかも、発光ダイオードを高速に駆動可能な発光ダイオード駆動回路、および、それを用いた光伝送装置を実現することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る発光ダイオード駆動回路は、発光ダイオードの点灯／消灯を示すドライブパルス信号に基づいて、ドライブ電流を生成するドライブ電流生成回路と、上記ドライブパルス信号の値を微分した量の電流を生成する微分回路が１つ設けられ、当該電流に応じたピーキング電流を生成するピーキング電流生成回路とを備え、上記ドライブ電流およびピーキング電流を加算した電流を、上記発光ダイオードに供給する発光ダイオード駆動回路において、上記課題を解決するために、上記ピーキング電流生成回路には、上記微分回路の出力電流をピーキング電流として出力するまでの間に配され、上記発光ダイオードが点灯する際よりも消灯する際の方が、電流伝達率が高く設定された非線形電流伝達素子が１つ設けられ、上記微分回路が生成する電流は、上記発光ダイオードの点灯時と消灯時とにおいてピーク値の絶対値が同じで極性が異なるものであり、上記非線形電流伝達素子は、上記発光ダイオードが点灯する際には上記微分回路の出力電流のピーク値よりも大幅に小さい値のピーキング電流を伝達し、上記発光ダイオードが消灯する際には上記微分回路の出力電流のピーク値と略同じ値のピーキング電流を伝達することを特徴としている。
【００１５】
上記構成では、微分回路において、ドライブパルス信号を微分して生成された電流は、非線形電流伝達素子を介し、ピーキング電流として出力される。さらに、当該ピーキング電流とドライブ電流とを加算した電流が、発光ダイオードに供給される。
【００１６】
上記微分回路は、ドライブパルス信号を微分して、出力電流を生成するので、当該出力電流の絶対値は、ドライブパルス信号が点灯を示す値に変化する際と、消灯を示す値に変化する際とで、略同じ値になる。ところが、上記非線形電流伝達素子の電流伝達率は、点灯する際よりも、消灯する際の方が大きく設定されている。したがって、点灯する際のピーキング電流の絶対値を、消光する際のピーキング電流の絶対値よりも抑えることができる。なお、上記非線形電流伝達素子は、上記微分回路の出力電流をピーキング電流として出力するまでの間に配されているので、上記ドライブ電流およびピーキング電流を加算した後に設ける場合と異なり、発光ダイオードに供給する電流量の絶対値を低下させることなく、ピーキング電流の量を制御できる。
【００１７】
この結果、発光ダイオードを消光する際のピーキング電流の絶対値が発光ダイオードを高速に消光できる程度に大きくなるように、微分回路の出力電流の絶対値を設定したとしても、発光ダイオードの出力する光信号波形において、立ち上がりに発生するオーバーシュートを防止できる。
【００１８】
これにより、高速駆動が可能で、しかも、光受信レベルをピークで認識する受信回路でも受信感度が劣化しないように、発光ダイオードを駆動可能な発光ダイオード駆動回路を実現できる。
【００１９】
さらに、上記非線形電流伝達素子は、アノードが上記微分回路に接続された伝達用のダイオードであってもよい。
【００２０】
当該構成によれば、点灯する際には、非線形電流伝達素子としてのダイオード（以下では、伝達用のダイオードと称する）が逆バイアスされて、微分回路の出力電流が逆方向電流となるので、殆ど、ピーキング電流が流れなくなる。一方、消灯する際には、ダイオードが逆バイアスされないので、微分回路の出力電流が、略そのままダイオードを流れてピーキング電流となる。したがって、簡単な回路構成で、上記電流伝達率の非線形電流伝達素子を実現できる。
【００２１】
この結果、簡単な回路構成で、高速駆動が可能で、しかも、光受信レベルをピークで認識する受信回路でも受信感度が劣化しないように、発光ダイオードを駆動可能な発光ダイオード駆動回路を実現できる。
【００２２】
また、ダイオードの代わりに、上記非線形電流伝達素子は、点灯する際に導通し、消灯する際に遮断される伝達用のスイッチング素子であってもよい。
【００２３】
当該構成によれば、例えば、ＭＯＳトランジスタなど、非線形電流伝達素子としてのスイッチング素子（伝達用のスイッチング素子）は、点灯する際に導通して、微分回路の出力電流をピーキング電流として出力する。一方、消灯する際には、遮断されるので、ピーキング電流が出力されない。これにより、簡単な回路構成で、上記電流伝達率の非線形電流伝達素子を実現できる。
【００２４】
この結果、簡単な回路構成で、高速駆動が可能で、しかも、光受信レベルをピークで認識する受信回路でも受信感度が劣化しないように、発光ダイオードを駆動可能な発光ダイオード駆動回路を実現できる。
【００２５】
さらに、非線形電流伝達素子を設けたピーキング電流生成回路だけでは、発光ダイオードが点灯する際の応答速度が不足する場合には、上記各構成に加えて、上記ドライブ電流の立ち上がりにピーキングを持たせるドライブ電流ピーキング回路を備えている方が望ましい。
【００２６】
当該構成によれば、ドライブ電流ピーキング回路が、ドライブ電流の立ち上がりにピーキングを持たせるので、例えば、発光ダイオードの応答速度が遅い場合など、上記ピーキング電流生成回路だけでは、点灯する際の応答速度が不足する場合であっても、発光ダイオード駆動回路は、発光ダイオードを高速に点灯させることができる。
【００２７】
ここで、ドライブ電流ピーキング回路は、非線形電流伝達素子とは別に設けられており、発光ダイオードへ供給する電流をピーキングする量を、非線形電流伝達素子とは別に設定できる。したがって、例えば、非線形電流伝達素子の回路構成上の制限などによって、点灯する際の電流伝達率と消灯する際の電流伝達率との比率を、発光ダイオードに適した値に設定できない場合であっても、点灯する際に発光ダイオードへ供給される電流でのピーキング量と、消灯する際のピーキング量との比率を、発光ダイオードの特性に適合した値に設定できる。
【００２８】
この結果、上記電流伝達率の比率を発光ダイオードに適した値に設計できない場合であっても、高速駆動が可能で、しかも、光受信レベルをピークで認識する受信回路でも受信感度が劣化しないように、発光ダイオードを駆動可能な発光ダイオード駆動回路を実現できる。
【００２９】
また、上記各構成に加えて、上記発光ダイオードに並列に設けられ、消光時に導通するスイッチング素子を備えていてもよい。
【００３０】
上記構成において、発光ダイオードに並列に設けられたスイッチング素子は、発光ダイオードが消光する際に導通する。したがって、点灯中に発光ダイオードの寄生容量に蓄積された電荷を、消光する際に抜き取ることができる。この結果、上記ピーキング電流生成回路が生成するピーキング電流だけによって、電荷を抜き取る場合に比べて、ピーキング電流生成回路が生成するピーキング電流の量を削減できる。この結果、微分回路の時定数を決定する電源電圧の値、あるいは、容量値を低減でき、低消費電力あるいは小さな寸法で、しかも、安価な発光ダイオード駆動回路を実現できる。
【００３１】
さらに、上記構成に加えて、上記発光ダイオードに直列に設けられた電圧レベルシフト回路を備え、上記スイッチング素子は、上記発光ダイオードおよび電圧レベルシフト回路の直列回路に並列に接続されていてもよい。
【００３２】
上記構成では、電圧レベルシフト回路によって、発光ダイオードが消光する際、発光ダイオードに逆バイアスが印加される。これにより、電圧レベルシフト回路を設けない場合に比べて、スイッチング素子が消光時に発光ダイオードの寄生容量から抜き取る電流の量を増大させることができる。
【００３３】
この結果、ピーキング電流生成回路が生成するピーキング電流の量を、さらに削減でき、より低消費電力、あるいは、より小さな寸法で、しかも、より安価な発光ダイオード駆動回路を実現できる。
【００３４】
さらに、上記構成に加えて、上記電圧レベルシフト回路は、ダイオード自体、あるいは、ダイオード接続されたトランジスタなどのダイオードであってもよいし、抵抗であってもよい。当該構成によれば、電圧レベルシフト回路は、ダイオードや抵抗のように簡単な回路であるにも拘わらず、スイッチング素子の両端に印加される電圧を増大させることができる。
【００３５】
例えば、ダイオードの場合、電圧レベルシフト回路は、発光ダイオードの駆動電流に依存せず、ダイオードの順方向電圧（トランジスタのベース−エミッタ間電圧）分だけ、スイッチング素子の両端に印加される電圧を増大させる。この結果、ピーキング電流生成回路が生成するピーキング電流量の削減幅を、発光ダイオードの駆動電流に依存せずに設定でき、低消費電力、あるいは、小さな寸法で、しかも、より安価な発光ダイオード駆動回路を実現できる。
【００３６】
また、ダイオードに代えて抵抗の場合、電圧レベルシフト回路は、発光ダイオードの駆動電流と抵抗の抵抗値との積の分だけ、スイッチング素子の両端に印加される電圧を増大させる。これにより、抵抗の抵抗値を駆動電流に応じた値に設定することで、ピーキング電流生成回路が生成するピーキング電流量の削減幅を所望の値に設定でき、低消費電力、あるいは、小さな寸法で、しかも、より安価な発光ダイオード駆動回路を実現できる。
【００３７】
なお、上記各構成の発光ダイオード駆動回路は、光受信レベルをピークで認識する受信回路でも受信感度が劣化しないように、発光ダイオードを高速に駆動できるので、発光ダイオードを光源とする種々の光伝送装置に好適に使用できる。
【００３８】
具体的には、本発明に係る光伝送装置は、光ファイバー通信用、空間光伝送用または、フォトカプラ信号伝送用の発光ダイオードを駆動する発光ダイオード駆動回路が設けられた光伝送装置において、上記課題を解決するために、上記発光ダイオード駆動回路は、上記各構成のいずれかであることを特徴としている。
【００３９】
当該構成によれば、レーザー光で光信号を伝送する光伝送装置に比べて簡単な構成で安価に実現可能な光伝送装置、すなわち、発光ダイオードを光源とする光伝送装置であるにも拘わらず、光受信レベルをピークで認識する受信回路でも受信感度を劣化させることなく、高速な光信号を伝送できる。
【００４０】
【発明の実施の形態】
本発明の一実施形態について図１ないし図６に基づいて説明すると以下の通りである。すなわち、図１に示すように、本実施形態に係る発光ダイオード（ＬＥＤ）の駆動回路１は、高速かつオーバーシュートなしに、ＬＥＤ２を駆動可能な回路であって、例えば、光ファイバや空間を伝送される光によって通信する光伝送装置、あるいは、フォトカプラ信号伝送用の光伝送装置において、光源となるＬＥＤを駆動する際に好適に用いられている。
【００４１】
なお、ＬＥＤ２は、各光伝送装置に適した波長のものが採用されている。例えば、光伝送装置が、安価なプラスチック製の光ファイバを介して光通信する場合、当該プラスチックファイバーの透過率が波長６５０ｎｍと７５０ｎｍとの間で略最大になる。したがって、この場合は、ＬＥＤ２として、赤外発光ダイオードではなく、当該波長域の輝度が高い赤色ＬＥＤが採用される。
【００４２】
上記ＬＥＤ２のアノードには、電源端子を介して、予め定められた電位の電源電圧Ｖｃｃが印加されており、ＬＥＤ２のカソードは、上記ＬＥＤ駆動回路１の出力端子Ｔｏに接続されている。
【００４３】
一方、上記ＬＥＤ駆動回路１は、パルス状の電圧信号として、入力端子に印加される駆動信号（ドライブパルス信号）Ｖｉｎに応じて、パルス状のドライブ電流Ｉｄｒｖを生成するドライブ電流生成回路１１と、上記駆動信号Ｖｉｎを微分した値に応じた量のピーキング電流Ｉｐｋを生成するピーキング電流生成回路１２とを備えており、出力端子Ｔｏを介してドライブ電流Ｉｄｒｖとピーキング電流Ｉｐｋとを加算したＬＥＤ電流Ｉｌｄを、ＬＥＤ２へ供給できる。
【００４４】
上記ドライブ電流生成回路１１は、例えば、図２に示すように、ｎｐｎ型のバイポーラトランジスタＱ１およびＱ２からなる差動増幅対を備えている。より詳細には、上記両トランジスタＱ２・Ｑ１のベースには、駆動信号Ｖｉｎを示す差動信号Ｖｉｎ＋およびＶｉｎ−がそれぞれ印加されている。信号Ｖｉｎ−が印加されているトランジスタＱ１のコレクタには、抵抗Ｒ１を介して電源電圧Ｖｃｃが印加されている。一方、信号Ｖｉｎ＋が印加されるトランジスタＱ２のコレクタは、ドライブ電流生成回路１１の出力端子として、ＬＥＤ駆動回路１の出力端子Ｔｏに接続されており、トランジスタＱ２のコレクタ電流が、ドライブ電流Ｉｄｒｖとなる。
【００４５】
また、上記両トランジスタＱ１・Ｑ２のエミッタは、互いに接続された後、ｎｐｎ型のバイポーラトランジスタＱ３およびＱ４からなるカレントミラー回路を介して接地されている。より詳細には、上記両トランジスタＱ３・Ｑ４のベース、および、トランジスタＱ３のコレクタは、互いに接続されている。また、トランジスタＱ３のコレクタには、バイアス用の電流源Ｉ１から、予め定められた定電流が印加されている。また、カレントミラー回路を構成するトランジスタＱ３・Ｑ４のエミッタは、それぞれ接地されている。さらに、トランジスタＱ４のコレクタは、上記差動対を構成するトランジスタＱ１・Ｑ２のエミッタに接続されており、両エミッタの接続点に定電流を供給できる。
【００４６】
上記構成のドライブ電流生成回路１１では、トランジスタＱ１・Ｑ２のベース電圧の差、すなわち、駆動信号Ｖｉｎの電圧値に応じて、両トランジスタＱ１・Ｑ２のコレクタ電流の比率が変化する。一方、両トランジスタＱ１・Ｑ２のエミッタ電流の合計は、上記カレントミラー回路からの定電流なので、一定である。したがって、トランジスタＱ２のコレクタ電流、すなわち、ドライブ電流生成回路１１が出力するドライブ電流Ｉｄｒｖは、駆動信号Ｖｉｎの電圧値に略比例した電流値になる。
【００４７】
さらに、本実施形態に係るピーキング電流生成回路１２には、上記駆動信号Ｖｉｎを入力とする微分回路２１と、当該微分回路２１およびＬＥＤ駆動回路１の出力端子Ｔｏの間に介在する非線形電流伝達素子２２とを備えている。
【００４８】
上記微分回路２１は、例えば、図３に示すように、駆動信号Ｖｉｎを反転するインバータＩＮＶ１と、インバータＩＮＶ１の出力および微分回路２１の出力の間に介在するコンデンサＣ１とを備えている。これにより、微分回路２１は、駆動信号Ｖｉｎの電圧値を微分した値の出力電流Ｉｐｋ０を出力できる。また、当該構成例では、出力電流Ｉｐｋ０の電流量は、微分回路２１（より詳細には、インバータＩＮＶ１）の電源電圧Ｖｃｃの値、および、コンデンサＣ１の容量値に比例している。
【００４９】
一方、上記非線形電流伝達素子２２は、ＬＥＤ駆動回路１が駆動信号Ｖｉｎに基づきＬＥＤ２へ発光を指示する際、ＬＥＤ２の光波形にオーバーシュートが発生しない程度に、電流伝達率を低下させる。また、ＬＥＤ駆動回路１が消光を指示する際、非線形電流伝達素子２２は、より好適には、そのまま伝達するなどして、発光時よりも電流伝達率を上昇させることができる。
【００５０】
上記構成では、図４に示すように、図示しない信号源から、ＬＥＤ駆動回路１の入力端子へ駆動信号Ｖｉｎが印加される。ここで、当該駆動信号Ｖｉｎは、単に、ＬＥＤ２の点灯／消灯を示すパルス信号であり、点灯時の立ち上がり速度と、消灯時の立ち下がり速度とが略同じ電圧波形である。この場合、微分回路２１の出力電流Ｉｐｋ０は、極性は異なるものの、立ち上がり時と立ち下がり時とで略同じピーク値を持つ。
【００５１】
ところが、微分回路２１とピーキング電流生成回路１２の出力（出力端子Ｔｏ）との間には、点灯時の方が電流伝達率の低下する非線形電流伝達素子２２が介在している。したがって、点灯時と消灯時とで、出力電流Ｉｐｋ０のピーク値（絶対値）が同じであるにも拘わらず、ピーキング電流生成回路１２が出力するピーキング電流Ｉｐｋは、駆動信号Ｖｉｎが点灯を示す場合の方が、消灯を示す場合よりもピーク値の絶対値が小さくなる。
【００５２】
一方、ドライブ電流生成回路１１は、駆動信号Ｖｉｎの電圧値に略比例した電流値のドライブ電流Ｉｄｒｖを出力している。さらに、両電流Ｉｄｒｖ、Ｉｐｋを加算した電流が、ＬＥＤ電流Ｉｌｄとして、ＬＥＤ２に供給され、ＬＥＤ２の光信号波形Ｌ１は、当該ＬＥＤ電流Ｉｌｄに応じて変化する。
【００５３】
上記構成では、非線形電流伝達素子２２の電流伝達率は、点灯する際には、消灯する場合よりも小さくなるで、点灯を指示する際におけるピーキング電流Ｉｐｋのピーク値は、消灯を指示する際のピーク値よりも小さくなっている。
【００５４】
この結果、微分回路２１の出力電流Ｉｐｋ０のピーク値（絶対値）が、ＬＥＤ２を高速に消光できる程度に大きく設定されているにも拘わらず、出力電流Ｉｐｋ０をピーキング電流Ｉｐｋとしてドライブ電流Ｉｄｒｖに加算する場合と異なり、ＬＥＤ２の光信号波形Ｌ１に大きなオーバーシュートが発生しない。これにより、ＬＥＤ２からの光信号を受信する受信回路（図示せず）が、光信号のピーク値を検知して、光受信レベルを調整する場合であっても、精度よく、光信号を受信できる。
【００５５】
また、消灯する際には、非線形電流伝達素子２２の電流伝達率が点灯する際よりも高く設定されており、本実施形態に係る非線形電流伝達素子２２は、微分回路２１の出力電流Ｉｐｋ０を、そのまま伝達する。この結果、上述のように大きく設定された出力電流Ｉｐｋ０が、そのままピーキング電流Ｉｐｋとしてドライブ電流Ｉｄｒｖに加算され、ＬＥＤ２の寄生容量から、十分に電荷を放電できる。この結果、微分回路２１の出力電流Ｉｐｋ０をピーキング電流Ｉｐｋにすると共に、ＬＥＤ２の光信号波形Ｌ１にオーバーシュートが発生しない程度に出力電流Ｉｐｋ０のピーク値を抑えた場合と異なり、十分な速度で消光できる。
【００５６】
これにより、出力電流Ｉｐｋ０のピーク値（絶対値）が点灯時と消灯時とで略同じ微分回路２１を用いているにも拘わらず、ＬＥＤ駆動回路１は、光信号波形Ｌ１におけるオーバーシュート発生を抑制しながら、ＬＥＤ２を高速に駆動できる。
【００５７】
以下では、非線形電流伝達素子２２の具体例について説明する。例えば、図５の構成例に係る非線形電流伝達素子２２ａには、ダイオード（伝達用のダイオード）Ｄ１が設けられている。当該ダイオードＤ１は、アノードが微分回路２１に接続され、カソードが出力端子Ｔｏに接続されている。
【００５８】
上記構成では、駆動信号Ｖｉｎが立ち上がってハイレベルになると、上記インバータＩＮＶ１の出力電圧がローレベル（ＧＮＤ）になる。この場合は、ダイオードＤ１が逆方向にバイアスされるので、ダイオードの特性によって逆方向電流が流れなくなる。この結果、インバータＩＮＶ１の出力電圧がハイレベルの場合（駆動信号Ｖｉｎがローレベルの場合）よりも電流伝達率が大幅に低下する。したがって、図４に示すように、ピーキング電流Ｉｐｋのピーク値（絶対値）は、微分回路２１の出力電流Ｉｐｋ０のピーク値（絶対値）よりも大幅に小さな値になる。なお、ダイオードＤ１の寄生容量は、微分回路２１のコンデンサＣ１の容量値よりも十分小さいので、寄生容量に起因する誤差は、殆ど発生しない。
【００５９】
一方、駆動信号Ｖｉｎが立ち下がってローレベルになると、微分回路２１のインバータＩＮＶ１の出力電圧がハイレベル（Ｖｃｃ）になる。この場合、非線形電流伝達素子２２ａとしてのダイオードＤ１は、順方向にバイアスされる。この結果、微分回路２１の出力電流Ｉｐｋ０がそのままダイオードＤ１を流れ、ピーキング電流Ｉｐｋとなる。この場合は、ダイオードＤ１の電流伝達率が略１００％なので、図４に示すように、ピーキング電流Ｉｐｋのピーク値（絶対値）は、微分回路２１の出力電流Ｉｐｋ０のピーク値と略同じ値になる。
【００６０】
さらに、図５に示す構成例では、微分回路２１の出力端子は、ＭＯＳトランジスタ（伝達用のスイッチング素子）Ｍ１を介して、接地されている。当該トランジスタＭ１のゲートには、駆動信号Ｖｉｎが印加されている。
【００６１】
当該構成では、ダイオードＤ１がピーキング電流Ｉｐｋ（出力電流Ｉｐｋ０）を減衰させるタイミング、すなわち、駆動信号Ｖｉｎがハイレベルになるタイミングで、トランジスタＭ１が導通して、コンデンサＣ１から電荷を抜き取る。これにより、コンデンサＣ１の容量値が大きい場合であっても、ダイオードＤ１がピーキング電流Ｉｐｋ（出力電流Ｉｐｋ０）を減衰させるタイミングに遅延することなく、ダイオードＤ１に逆バイアスを印加でき、ピーキング電流Ｉｐｋを高速に変化させることができる。
【００６２】
なお、上記では、非線形電流伝達素子２２ａをダイオードＤ１で構成する場合を例にして説明したが、例えば、図６に示すように、ダイオードＤ１に代えて、順方向にピーキング電流Ｉｐｋを流すタイミング、すなわち、高い電流伝達率で微分回路２１の出力電流Ｉｐｋ０を流すタイミングで導通するＭＯＳトランジスタＭ２を設けてもよい。
【００６３】
本構成例に係る非線形電流伝達素子２２ｂにおいて、上記トランジスタＭ２は、ソースが微分回路２１の出力端子に接続され、ドレインがＬＥＤ駆動回路１の出力端子Ｔｏに接続されている。また、トランジスタＭ２のゲートには、インバータＩＮＶ２を介して、駆動信号Ｖｉｎが印加されている。
【００６４】
当該構成では、非線形電流伝達素子２２ｂがピーキング電流Ｉｐｋ（出力電流Ｉｐｋ０）を減衰させるタイミング、すなわち、駆動信号Ｖｉｎがハイレベルになるタイミングで、トランジスタＭ２のソース−ドレイン間が遮断される。これにより、駆動信号Ｖｉｎがローレベルの場合よりも電流伝達率が大幅に低下して、図４と略同様に、ピーキング電流Ｉｐｋのピーク値（絶対値）は、微分回路２１の出力電流Ｉｐｋ０のピーク値（絶対値）よりも大幅に小さな値になる。
【００６５】
一方、非線形電流伝達素子２２ｂがピーキング電流Ｉｐｋ（出力電流Ｉｐｋ０）を減衰させないタイミング、すなわち、駆動信号Ｖｉｎがローレベルになるタイミングで、トランジスタＭ２のソース−ドレイン間が導通する。したがって、微分回路２１の出力電流Ｉｐｋ０が、そのままピーキング電流Ｉｐｋとなり、図４に示すように、ピーキング電流Ｉｐｋのピーク値（絶対値）は、微分回路２１の出力電流Ｉｐｋ０のピーク値と略同じ値になる。
【００６６】
なお、図６の構成でも、トランジスタＭ１が設けられているので、非線形電流伝達素子２２ｂがピーキング電流Ｉｐｋ（出力電流Ｉｐｋ０）を減衰させるタイミングで、コンデンサＣ１から電荷を抜き取ることができ、ピーキング電流Ｉｐｋを高速に変化させることができる。
【００６７】
ところで、図１に示す構成では、微分回路２１が出力する電流Ｉｐｋ０の流路上に、非線形電流伝達素子２２を設けることで、図４に示すように、ＬＥＤ駆動回路１は、ＬＥＤ２の点灯させる際のＬＥＤ電流Ｉｌｄの波形に大きなオーバーシュートを発生させることなく、ＬＥＤ２を消光させる際には、十分な量のＬＥＤ電流ＩｌｄをＬＥＤ２から吸収できる。
【００６８】
ところが、例えば、ＬＥＤ２の応答速度が遅い場合など、点灯時における非線形電流伝達素子２２の電流伝達率が、ＬＥＤ２の光信号波形Ｌ１を十分な速度で立ち上がらせるには十分ではない場合は、図７に示すように、図４と同様のＬＥＤ電流ＩｌｄをＬＥＤ２に供給しても、ＬＥＤ２を高速に駆動できないことがある。
【００６９】
なお、例えば、図４や図５のように、ダイオードＤ１やＭＯＳトランジスタＭ２などからなる簡易な回路で、非線形電流伝達素子２２（２２ａ・２２ｂ）を実現した場合、点灯時および消灯時における電流伝達率は、ダイオードＤ１やトランジスタＭ２の特性によって決まる。したがって、全てのＬＥＤ２について、各ＬＥＤ２の固有の特性に適した電流伝達率を設定することは難しい。
【００７０】
このように、非線形電流伝達素子２２を設けたピーキング電流生成回路１２だけでは、点灯時の応答速度が不足する場合には、図８に示すＬＥＤ駆動回路１ｃのように、図１の構成に加えて、ドライブ電流Ｉｄｒｖの立ち上がり時のみにピーキング電流を発生させるドライブ電流ピーキング回路１３を設ける方が望ましい。
【００７１】
例えば、ドライブ電流生成回路１１が図２と同様の構成の場合を例にして説明すると、本実施形態に係るドライブ電流ピーキング回路１３は、例えば、図９に示すように、図２と同様の差動信号Ｖｉｎ＋の反転信号を反転するインバータＩＮＶ３と、インバータＩＮＶ３の出力端子、および、図２と同様のトランジスタＱ３・Ｑ４のベースの間に介在するコンデンサＣ２とを備えている。
【００７２】
当該構成によれば、ドライブ電流ピーキング回路１３は、差動信号Ｖｉｎ＋の電圧値を微分した値の電流を出力する。なお、当該構成例では、出力電流量は、インバータＩＮＶ３の電源電圧Ｖｃｃの値およびコンデンサＣ２の容量値に比例している。
【００７３】
したがって、駆動信号Ｖｉｎが立ち上がってハイレベルになる場合、すなわち、差動信号Ｖｉｎ＋の反転信号が立ち下がってローレベルになる場合、インバータＩＮＶ３の出力電圧は、ハイレベルとなり、図２と同様の電流源Ｉ１から供給される定電流と、ドライブ電流ピーキング回路１３の出力電流との合計が、トランジスタＱ３・Ｑ４からなるカレントミラー回路を介して、トランジスタＱ１・Ｑ２からなる差動対へ供給される。ここで、駆動信号Ｖｉｎが立ち上がってハイレベルになる場合には、当該差動対のうち、トランジスタＱ１が遮断され、トランジスタＱ２が導通している。したがって、駆動信号Ｖｉｎが立ち上がる際、ドライブ電流生成回路１１の出力電流Ｉｄｒｖは、図１０に示すように、ピーキングを持つようになる。
【００７４】
この結果、ＬＥＤ駆動回路１ｃは、ＬＥＤ２が点灯する際のみに、十分な充電電流をＬＥＤ２に供給できる。この場合は、光信号波形Ｌ１の立ち上がり時における、ＬＥＤ２の寄生容量への充電電流のみを増加させることができ、立ち上がり時間のみを短縮できる。
【００７５】
なお、ＬＥＤ２が消灯する際には、トランジスタＱ１が導通し、トランジスタＱ２が遮断される。したがって、ドライブ電流ピーキング回路１３の出力電流の変化に拘わらず、ドライブ電流生成回路１１の出力電流Ｉｄｒｖは、０になる。
【００７６】
このように、非線形電流伝達素子２２にドライブ電流ピーキング回路１３を組み合わせることで、非線形電流伝達素子２２の電流伝達率とは独立して、ＬＥＤ電流Ｉｌｄの立ち下がり時のピーキング電流と立ち下がり時のピーキング電流との比率を調整できる。したがって、例えば、応答速度が遅いＬＥＤ２と、図４または図５に示す非線形電流伝達素子２２ａまたは２２ｂとを組み合わせた場合のように、ＬＥＤ２の特性と、非線形電流伝達素子２２の電流伝達率の特性とが適合せず、非線形電流伝達素子２２を設けたピーキング電流生成回路１２だけでは、点灯時の応答速度が不足する場合であっても、ＬＥＤ駆動回路１ｃは、立ち上がり時のピーキング電流と立ち下がり時のピーキング電流との比率を、ＬＥＤ２に適合した比率に設定できる。これにより、立ち上がり時の光信号波形Ｌ１にオーバーシュートを発生させることなく、ＬＥＤ２を高速に駆動できる。
【００７７】
なお、ピーキング電流生成回路１２のようにドライブ電流Ｉｄｒｖとは別にピーキング電流Ｉｐｋを生成する場合と、ドライブ電流ピーキング回路１３のように、ドライブ電流Ｉｄｒｖをピーキングする場合とを併せて説明するために、上記では、駆動信号Ｖｉｎに略比例したドライブ電流Ｉｄｒｖと、実際のＬＥＤ電流Ｉｌｄとの差をピーキング電流と称している。
【００７８】
以下では、本発明の他の実施形態について、図１１ないし図１３に基づいて説明する。なお、以下では、図８に示すＬＥＤ駆動回路１ｃの構成に加えて、後述する部材１４などが設けられた場合を例にして説明するが、ＬＥＤ駆動回路１に両部材１４などを加えた場合でも同様の効果が得られる。
【００７９】
すなわち、本実施形態に係るＬＥＤ駆動回路１ｄは、図１１に示すように、消光時にＬＥＤ２のカソードから電荷を抜き取るスイッチング素子１４を備えている。上記スイッチング素子１４は、例えば、図１２に示すように、ＬＥＤ２に並列に設けられた、ＰｃｈのＭＯＳトランジスタＭ３であって、例えば、駆動信号Ｖｉｎをゲートに印加するなどして、ＬＥＤ２が消光するタイミングで導通するように制御される。
【００８０】
上記構成では、ＬＥＤ２が消光する際、ＬＥＤ２の寄生容量に蓄積された電荷は、ドライブ電流生成回路１１およびピーキング電流生成回路１２が出力端子Ｔｏを介して抜き取るだけではなく、スイッチング素子１４を介しても抜き取られる。
【００８１】
したがって、高速かつオーバーシュートなしにＬＥＤ２を駆動できるにも拘わらず、ピーキング電流生成回路１２が生成しなければならないピーキング電流Ｉｐｋの量を、スイッチング素子１４を設けない場合に比べて、スイッチング素子１４により抜き取られる電流Ｉｓｗの分だけ低減できる。ここで、上述したように、ピーキング電流Ｉｐｋの量は、微分回路２１のコンデンサＣ１の容量値と、電源電圧Ｖｃｃの値とに比例している。したがって、ピーキング電流Ｉｐｋを削減することで、ＬＥＤ駆動回路１ｄの電力消費を抑制できる。また、コンデンサＣ１の容量値を小さくできるので、ＬＥＤ駆動回路１ｄの寸法を縮小できる。これらの結果、安価なＬＥＤ駆動回路１ｄを実現できる。
【００８２】
さらに、本実施形態に係るＬＥＤ駆動回路１ｄには、図１１に示すように、消光時にＬＥＤ２に逆バイアスを印加するレベルシフト回路（電圧レベルシフト回路）１５が設けられており、上記スイッチング素子１４は、レベルシフト回路１５およびＬＥＤ２の直列回路に並列に設けられている。
【００８３】
ここで、上記スイッチング素子１４がＬＥＤ２の寄生容量から電荷を抜き取る際、スイッチング素子１４を流れる電流Ｉｓｗは、スイッチング素子１４の両端電圧および寄生容量の容量値（Ｃｌｄ）に比例する。
【００８４】
したがって、ＬＥＤ２の両端電圧をＶｆ、レベルシフト回路１５における電圧シフト量をＶｓｆｔとすると、レベルシフト回路１５を設けた場合の電流Ｉｓｗは、電圧（Ｖｆ＋Ｖｓｆｔ）と上記容量値Ｃｌｄとに比例する。これにより、レベルシフト回路１５を設けない場合、すなわち、電流Ｉｓｗが電圧Ｖｆと容量値Ｃｌｄとに比例する場合よりも、電流Ｉｓｗを増加させることができる。この結果、ピーキング電流生成回路１２が生成する必要のあるピーキング電流Ｉｐｋを、さらに低減でき、より消費電力が低く、安価なＬＥＤ駆動回路１ｄを実現できる。
【００８５】
上記レベルシフト回路１５は、例えば、図１２に示すように、ダイオード接続されたバイポーラトランジスタＱ１１によって実現できる。より詳細には、トランジスタＱ１１のベースおよびコレクタには、電源電圧Ｖｃｃが印加されており、エミッタは、ＬＥＤ２に接続されている。これにより、ＬＥＤ２のアノードへ印加する電圧を、トランジスタＱ１１のベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅの分だけ、低下させることができる。なお、上記トランジスタＱ１１が特許請求の範囲に記載のダイオードに対応する。
【００８６】
具体的には、上記構成の場合、レベルシフト回路１５のレベルシフト量Ｖｓｆｔは、トランジスタＱ１１のＶｂｅなので、以下の式（１）に示すように、
Ｖｓｆｔ＝Ｖｂｅ＝Ｖｔ×ｌｎ（Ｉｌｄ／Ｉｓ）                …（１）
となる。なお、上式において、ボルツマン定数をｋ、絶対温度をＴ、電荷量をｑとするとき、Ｖｔ＝ｋ×Ｔ／ｑであり、Ｉｓは、逆方向飽和電流である。また、Ｉｌｄは、ＬＥＤ２の駆動電流であり、ｌｎ（）は、自然対数である。
【００８７】
したがって、上記構成のレベルシフト回路１５では、ＬＥＤ２の駆動電流（Ｉｌｄ）に余り依存しない電圧のシフト量Ｖｓｆｔが得られる。
【００８８】
また、図１３に示すように、レベルシフト回路１５のトランジスタＱ１１を、抵抗Ｒ１１に置換した場合、レベルシフト量Ｖｓｆｔは、以下の式（２）に示すように、
Ｖｓｆｔ＝Ｉｌｄ×Ｒ                                        …（２）
となる。なお、上式にて、Ｒは、抵抗Ｒ１１の抵抗値である。また、当該抵抗Ｒ１１が特許請求の範囲に記載の抵抗に対応する。
【００８９】
上記構成では、抵抗Ｒ１１の抵抗値によって、レベルシフト量Ｖｓｆｔを設定できるので、容易かつ任意にレベルシフト量Ｖｓｆｔを設定できる。
【００９０】
【発明の効果】
本発明に係る発光ダイオード駆動回路は、以上のように、ピーキング電流生成回路には、微分回路の出力電流をピーキング電流として出力するまでの間に配され、上記発光ダイオードが点灯する際よりも消灯する際の方が、電流伝達率が高く設定された非線形電流伝達素子が１つ設けられ、上記微分回路が生成する電流は、上記発光ダイオードの点灯時と消灯時とにおいてピーク値の絶対値が同じで極性が異なるものであり、上記非線形電流伝達素子は、上記発光ダイオードが点灯する際には上記微分回路の出力電流のピーク値よりも大幅に小さい値のピーキング電流を伝達し、上記発光ダイオードが消灯する際には上記微分回路の出力電流のピーク値と略同じ値のピーキング電流を伝達する構成である。
【００９１】
上記構成によれば、非線形電流伝達素子の電流伝達率は、点灯する際よりも、消灯する際の方が大きく設定されているので、点灯する際のピーキング電流の絶対値を、消光する際のピーキング電流の絶対値よりも抑えることができる。
【００９２】
この結果、発光ダイオードを消光する際のピーキング電流の絶対値が発光ダイオードを高速に消光できる程度に大きくなるように、微分回路の出力電流の絶対値を設定したとしても、発光ダイオードの出力する光信号波形において、立ち上がりに発生するオーバーシュートを防止できる。
【００９３】
これにより、高速駆動が可能で、しかも、光受信レベルをピークで認識する受信回路でも受信感度が劣化しないように、発光ダイオードを駆動可能な発光ダイオード駆動回路を実現できるという効果を奏する。
【００９４】
本発明に係る発光ダイオード駆動回路は、以上のように、上記構成に加えて、上記非線形電流伝達素子は、アノードが上記微分回路に接続された伝達用のダイオードである。
【００９５】
当該構成によれば、点灯する際には、上記ダイオードが逆バイアスされて、微分回路の出力電流が逆方向電流となるので、殆ど、ピーキング電流が流れなくなる。一方、消灯する際には、ダイオードが逆バイアスされないので、微分回路の出力電流が、略そのままダイオードを流れてピーキング電流となる。したがって、簡単な回路構成で、上記電流伝達率の非線形電流伝達素子を実現できるという効果を奏する。
【００９６】
本発明に係る発光ダイオード駆動回路は、以上のように、ダイオードの代わりに、上記非線形電流伝達素子は、点灯する際に導通し、消灯する際に遮断される伝達用のスイッチング素子である。
【００９７】
当該構成によれば、非線形電流伝達素子としての伝達用スイッチング素子は、点灯する際に導通して、微分回路の出力電流をピーキング電流として出力する。一方、消灯する際には、遮断されるので、ピーキング電流が出力されない。これにより、簡単な回路構成で、上記電流伝達率の非線形電流伝達素子を実現できるという効果を奏する。
【００９８】
本発明に係る発光ダイオード駆動回路は、以上のように、上記各構成に加えて、上記ドライブ電流の立ち上がりにピーキングを持たせるドライブ電流ピーキング回路を備えている構成である。
【００９９】
当該構成によれば、ドライブ電流ピーキング回路が、ドライブ電流の立ち上がりにピーキングを持たせるので、例えば、発光ダイオードの応答速度が遅い場合など、上記ピーキング電流生成回路だけでは、点灯する際の応答速度が不足する場合であっても、発光ダイオード駆動回路は、発光ダイオードを高速に点灯させることができる。
【０１００】
この結果、点灯する際の非線形電流伝達素子の電流伝達率と消灯する際の電流伝達率との比率を、発光ダイオードに適した値に設計できない場合であっても、高速駆動が可能で、しかも、光受信レベルをピークで認識する受信回路でも受信感度が劣化しないように、発光ダイオードを駆動可能な発光ダイオード駆動回路を実現できるという効果を奏する。
【０１０１】
本発明に係る発光ダイオード駆動回路は、以上のように、上記各構成に加えて、上記発光ダイオードに並列に設けられ、消光時に導通するスイッチング素子を備えている構成である。
【０１０２】
当該構成では、スイッチング素子が、発光ダイオードの寄生容量に蓄積された電荷を、消光する際に抜き取ることができるので、ピーキング電流生成回路が生成するピーキング電流の量を削減できる。この結果、微分回路の時定数を決定する電源電圧の値、あるいは、容量値を低減でき、低消費電力あるいは小さな寸法で、しかも、安価な発光ダイオード駆動回路を実現できるという効果を奏する。
【０１０３】
本発明に係る発光ダイオード駆動回路は、以上のように、上記構成に加えて、上記発光ダイオードに直列に設けられた電圧レベルシフト回路を備え、上記スイッチング素子は、上記発光ダイオードおよび電圧レベルシフト回路の直列回路に並列に接続されている構成である。
【０１０４】
上記構成では、電圧レベルシフト回路によって、発光ダイオードが消光する際、発光ダイオードに逆バイアスが印加される。これにより、電圧レベルシフト回路を設けない場合に比べて、スイッチング素子が消光時に発光ダイオードの寄生容量から抜き取る電流の量を増大させることができる。
【０１０５】
この結果、ピーキング電流生成回路が生成するピーキング電流の量を、さらに削減でき、より低消費電力、あるいは、より小さな寸法で、しかも、より安価な発光ダイオード駆動回路を実現できるという効果を奏する。
【０１０６】
本発明に係る発光ダイオード駆動回路は、以上のように、上記構成に加えて、上記電圧レベルシフト回路がダイオードまたは抵抗である。当該構成では、電圧レベルシフト回路は、ダイオードや抵抗のように簡単な回路であるにも拘わらず、ダイオードの順方向電圧分、または、発光ダイオードの駆動電流と抵抗の抵抗値との積の分だけ、スイッチング素子の両端に印加される電圧を増大させることができる。したがって、低消費電力、あるいは、小さな寸法で、しかも、より安価な発光ダイオード駆動回路を実現できるという効果を奏する。
【０１０７】
本発明に係る光伝送装置は、以上のように、光ファイバー通信用、空間光伝送用またはフォトカプラ信号伝送用の発光ダイオードを駆動する発光ダイオード駆動回路が設けられた光伝送装置において、上記発光ダイオード駆動回路が上記各構成のいずれかである。
【０１０８】
当該構成によれば、レーザー光で光信号を伝送する光伝送装置に比べて簡単な構成で安価に実現可能な光伝送装置、すなわち、発光ダイオードを光源とする光伝送装置であるにも拘わらず、光受信レベルをピークで認識する受信回路でも受信感度を劣化させることなく、高速な光信号を伝送できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態を示すものであり、発光ダイオード駆動回路の要部構成を示すブロック図である。
【図２】上記発光ダイオード駆動回路において、ドライブ電流生成回路の構成例を示す回路図である。
【図３】上記発光ダイオード駆動回路において、微分回路の構成例を示す回路図である。
【図４】上記発光ダイオード駆動回路の動作を示すものであり、各部の波形を示す波形図である。
【図５】上記発光ダイオード駆動回路において、非線形電流伝達素子の構成例を示す回路図である。
【図６】上記発光ダイオード駆動回路において、非線形電流伝達素子の他の構成例を示す回路図である。
【図７】上記発光ダイオード駆動回路が、応答速度の遅い発光ダイオードを駆動する場合を示す波形図である。
【図８】本発明の他の実施形態を示すものであり、発光ダイオード駆動回路の要部構成を示すブロック図である。
【図９】上記発光ダイオード駆動回路において、ドライブ電流ピーキング回路の構成例を示す回路図である。
【図１０】上記発光ダイオード駆動回路の動作を示すものであり、各部の波形を示す波形図である。
【図１１】本発明のさらに他の実施形態を示すものであり、発光ダイオード駆動回路の要部構成を示すブロック図である。
【図１２】上記発光ダイオード駆動回路において、スイッチング素子およびレベルシフト回路の構成例を示す回路図である。
【図１３】上記発光ダイオード駆動回路において、スイッチング素子およびレベルシフト回路の他の構成例を示す回路図である。
【図１４】従来技術を示すものであり、発光ダイオード駆動回路の要部構成を示すブロック図である。
【図１５】上記発光ダイオード駆動回路からピーキング電流生成回路を削除した回路の動作を示す波形図である。
【図１６】上記発光ダイオード駆動回路の動作を示すものであり、各部の波形を示す波形図である。
【符号の説明】
１・１ａ〜１ｄ      発光ダイオード駆動回路
２                  発光ダイオード
１１                  ドライブ電流生成回路
１２                  ピーキング電流生成回路
１３                  ドライブ電流ピーキング回路
１４                  スイッチング素子
１５                  レベルシフト回路（電圧レベルシフト回路）
２１                  微分回路
２２・２２ａ・２２ｂ  非線形電流伝達素子
Ｄ１                  ダイオード（伝達用のダイオード）
Ｍ１                  トランジスタ（伝達用のスイッチング素子）
Ｑ１１                トランジスタ（ダイオード）
Ｒ１１                抵抗
Ｖｉｎ                駆動信号（ドライブパルス信号）
Ｉｐｋ                ピーキング電流
Ｉｄｒｖ              ドライブ電流
【図１】
0004067803.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0004067803.tif 000009
【図９】
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【図１０】
0004067803.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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